Brevet FR2849958A1 — publié le 20040716

DISPOSITIF D'AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE DE TYPE A PANNEAU DOUBLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif d'affichage électroluminescent 5 organique, et plus particulièrement, un dispositif d'affichage électroluminescent à matrice active. Avec les progrès de la technologie de l'information, une nécessité s'est développée de pouvoir disposer de dispositifs d'affichage à panneau plat ayant des profils minces, de faible poids et de faible consommation d'alimentation. De manière 10 correspondante, divers dispositifs d'affichage à panneau plat (FPD), tels que des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD), des dispositifs à panneau d'affichage à plasma (PDP), des dispositifs d'affichage à émission de champ, et des dispositifs d'affichage électroluminescents (ELD) ont été développés. Les dispositifs ELD font utilisation d'un phénomène d'électroluminescence 15 dans lequel de la lumière est générée lorsqu'un champ électrique d'une certaine intensité est fourni à une substance fluorescente. Les dispositifs ELD peuvent être classés en dispositifs d'affichage à électroluminescence inorganiques (IELD) et dispositifs d'affichage à électroluminescence organiques (OELD), selon la source qui produit l'excitation des porteurs. Les dispositifs OELD ont été de plus en plus utilisés 20 suite à leur aptitude à afficher une large plage de longueurs d'onde de la lumière visible, et du fait de leur forte brillance et du fait de leurs faibles exigences en tension. En plus, étant donné que les dispositifs OELD sont auto-luminescents, ils ont un fort taux de contraste et conviennent pour des dispositifs d'affichage de type ultra25 mince. Etant donné qu'ils ont des procédés de fabrication simples, le degré de contamination de l'environnement est relativement faible. En outre, les dispositifs OELD ont des temps de réponse de seulement quelques micro-secondes (jis), rendant de cette manière ces dispositifs OELD appropriés pour afficher des images mobiles. De plus, les dispositifs OELD n'ont aucune limite concernant les angles d'observation 30 et sont stables à des conditions de faible température. En plus, étant donné que les dispositifs OELD sont commandés avec une tension relativement basse, comprise entre 5V et 15V, la fabrication et la conception de leurs circuits de commande sont aisées. Les structures des dispositifs OELD sont similaires à celles des dispositifs 35 IELD, mais la théorie d'émission de lumière des dispositifs OELD est différente de celle des dispositifs IELD. Par exemple, les dispositifs OELD émettent de la lumière par une recombinaison d'électrons et de trous et, ainsi, sont usuellement qualifiés de dispositifs à diode photo-émettrice organe (OLED). R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 1/42 Récemment, des types de dispositifs ELD à matrice active, ayant une pluralité de pixels agencés en configuration matricielle et un transistor à couche mince connecté à cela, ont été usuellement appliqués sur les dispositifs d'affichage à panneau plat. Le type à matrice active a également été appliqué aux dispositifs OELD, et ceci est usuellement appelé un dispositif OELD à matrice active. La figure 1 est un diagramme de circuit équivalent d'une structure de pixel de base d'un dispositif OELD à matrice active, selon l'art concerné. Sur la figure 1, un pixel du dispositif OELD à matrice active comporte un transistor à couche mince de commutation Ts, un transistor à couche mince de commande TD, un condensateur de 10 stockage CST, et une diode photo-émettrice (LED)E. Le transistor à couche mince de commutation Ts et le transistor à couche mince de commande TD sont formés de transistors à couche mince en silicium polycristallin de type p. Une électrode de grille du transistor à couche mince de commutation Ts est connectée à la ligne de grille GL, et une électrode source du transistor à couche mince de commutation Ts 15 est connectée à la ligne de données DL. Une électrode de drain du transistor à couche mince de commutation Ts est connectée à une électrode de source du transistor à couche mince de commande TD, et une électrode de drain du transistor à couche mince de commande TD est connectée à une électrode d'anode de la diode photoémettrice (LED)E. Une électrode de cathode de la diode photo- émettrice (LED)E est 20 reliée à la masse, une électrode de source du transistor à couche mince de commande TD est reliée à une ligne d'alimentation PL, et un condensateur de stockage CST est connecté à la fois à l'électrode de grille du transistor à couche mince de commutation Ts et à l'électrode de source du transistor à couche mince de commande TD. Dans la structure à pixel de la figure 1, si un signal de balayage est fourni à la 25 ligne de grille GL, alors le transistor à couche mince de commutation Ts est mis EN SERVICE, et un signal d'images venant de la ligne de données DL est stocké dans le condensateur de stockage CST par le transistor à couche mince de commutation Ts. Si le signal d'images est fourni à l'électrode de grille du transistor à couche mince de commande TD, alors le transistor à couche mince de commande TD est mis EN 30 SERVICE, et la diode photo-émettrice (LED)E émet de la lumière. La luminance de la diode photo-émettrice (LED)E est commandée par le biais de la variation d'un courant électrique de la diode photo-émettrice (LED) E, et le condensateur de stockage CST sert à maintenir une tension de grille du transistor à couche mince de commande TD constante, tandis que le transistor à couche mince de commutation Ts 35 est passé hors service. Par exemple, étant donné que le transistor à couche mince de commande TD peut être commandé par une tension ayant été stockée dans le condensateur de stockage CST, même lorsque le transistor à couche mince de commutation Ts est commuté HORS SERVICE, le courant électrique peut continuer R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 2/42 à passer dans la diode photo-émettrice (LED)E et, ainsi, la diode photoémettrice (LED)E émet de la lumière jusqu'à ce qu'un signal d'images suivant soit reçu. La figure 2 est une vue en plan d'une structure à pixel de base d'un dispositif 5 OELD à matrice active selon l'art concerné. Sur la figure 2, une ligne de grille 37 est disposée dans une première direction, et une ligne de données 51 et une ligne d'alimentation 41 sont disposées dans une deuxième direction perpendiculaire, croisant la ligne de grille 37, de manière que la ligne d'alimentation 41 et la ligne de données 51 définissent une région à pixel P par le fait de croiser la ligne de grille 37, 10 et un transistor à couche mince de commutation Ts est disposé à proximité d'un croisement des lignes de grille et de données 37 et 51. En plus, un transistor à couche mince de commande TD est placé à proximité d'un croisement des lignes de grille et d'alimentation 37 et 51, à proximité du transistor à couche mince de commutation Ts, et une première électrode 58 d'une diode photo-émettrice est reliée au transistor à 15 couche mince de commande TD. Un condensateur de stockage CST est disposé sur la ligne d'alimentation 41 et est formé d'une électrode de condensateur 34 devant servir de première électrode de stockage et d'une partie de ligne d'alimentation PL pour servir de deuxième électrode de stockage. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 2, une couche électroluminescente organique et une deuxième électrique sont 20 disposées en série sur la première électrode 58. Ainsi, la zone dans laquelle la première électrode 58 est disposée peut être qualifiée de zone électroluminescente organique. Sur la figure 2, le transistor à couche mince de commutation Ts comprend une première électrode de grille 35, qui s'étend depuis la ligne de grille 37, et une 25 première couche de semi-conducteur 31, formée avec l'électrode de condensateur 34. Le transistor à couche mince de commande TD comprend une deuxième électrode de grille 38 et une deuxième couche de semi-conducteur 32, dans laquelle la deuxième couche de semi-conducteur 32 est également formée avec l'électrode de condensateur 34 et la première couche de semiconducteur 31. La figure 3 est une vue en coupe suivant la ligne III-III de la figure 2, représentant un transistor à couche mince de commande, un condensateur de stockage et une diode photo-émettrice selon l'art concerné. Sur la figure 3, une couche tampon 30 est formée sur la totalité de la surface d'un substrat 1, un transistor à couche mince TD et un condensateur de stockage CST sont tous deux disposés sur la 35 couche tampon 30, et une diode photo-émettrice E est formée sur le substrat 1. Le transistor à couche mince de commande TD comprend une couche de semiconducteur 32, une électrode de grille 38, une électrode de source 50 et une électrode de drain 52. Le condensateur de stockage CST comprend une électrode de R \Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 3/42 condensateur 34 et une ligne d'alimentation 41, avec un isolant 40 interposé, dans lequel l'électrode de condensateur 34 est formée du même matériau que la couche de semi-conducteur 32 durant une même étape de processus. L'électrode de source 50 du transistor à couche mince de commande TD est reliée à la ligne d'alimentation 41, 5 et l'électrode de drain 52 du transistor à couche mince TD est reliée à une première électrode 58 de la diode photoémettrice E. En plus, une couche électroluminescente organique 64 et une deuxième électrode 66 sont disposées séquentiellement sur la première électrode 58, dans laquelle la première électrode 58 sert d'anode et la deuxième électrode 66 sert de 10 cathode, et les deux sont formées d'un matériau métallique opaque. La première électrode 58, la couche électroluminescente organique 64 et la deuxième électrode 66 constituent une diode photo-émettrice E. Dans le dispositif OELD de la figure 3 se trouvent une pluralité d'isolants, disposés entre les éléments de couche conductrice. Par exemple, la couche 15 tampon 30, c'est-à-dire un premier isolant, est interposée entre le substrat 1 et la couche de semi-conducteur 32, et un isolant de grille 36, c'est-à-dire un deuxième isolant, est interposé entre la couche de semi-conducteur et l'électrode de grille 38. En outre, un troisième isolant 38 est interposé entre l'électrode de condensateur 34 et la ligne d'alimentation 41, un quatrième isolant 44 est interposé entre la ligne 20 d'alimentation 41 et l'électrode de source 50, un cinquième isolant 54 est interposé entre l'électrode de drain 52 et la première électrode 58 de la diode photo-émettrice E, et un sixième isolant 60 est interposé entre la première électrode 58 et la deuxième électrode 66. En plus, les troisième et sixième isolants 40, 44, 54 et 60 ont des trous de contact par lesquels les éléments de couche conductrice communiquent 25 électriquement les uns avec les autres. Les FIGURES 4A à 4I sont des vues en coupe représentant un processus de fabrication du dispositif OELD à matrice active de la figure 3, selon l'art concerné. Beaucoup des motifs représentés sur les figures 4A à 41 sont formés par des processus photolithographiques comprenant les étapes de revêtement, alignement, 30 exposition et développement d'une photo-réserve (PR) par utilisation d'un masque. Sur la figure 4A, après avoir formé une couche tampon 30 sur la totalité de la surface d'un substrat 1, des première et deuxième couches de semiconducteur 32 et 34, en silicium polycristallin, sont définies sur la couche tampon 1 en utilisant un premier processus de masquage. Les première et deuxième couches de semi35 conducteur polycristallin 32 et 34 ont des formes en îlot. Sur la figure 4B, un isolant, réalisé en nitrure de silicium ou en oxyde de silicium, et un matériau conducteur en métal sont déposés séquentiellement sur la première couche de silicium polycristallin 32, puis mis en motif en utilisant un R \Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 4/42 deuxième masque, formant de cette manière séquentiellement une couche d'isolation de grille 36 et une électrode de grille 38 sur la première couche de semi-conducteur polycristallin 32. Ensuite, des impuretés, tels que des ions de type p ou des ions de type n, sont fournies en tant que dopage sur des portions exposées des première et 5 deuxième couches de semi-conducteur polycristallin 32 et 34. Durant le processus de dopage, l'électrode de grille 38 sert de masque, de sorte que la première couche de semi-conducteur polycristallin 32 est divisée en une région active 32a, à laquelle les impuretés ne sont pas appliquées en dopage, et des régions de drain et de source 32b et 32c, auxquelles les impuretés sont appliquées en tant que dopage. En outre, la 10 deuxième couche de semi-conducteur polycristallin 34, sur laquelle les impuretés sont complètement appliquées en dopage, devient une électrode de condensateur, et les régions de drain et de source 32b et 32c sont placées sur les deux côtés de la région active 32a. Sur la figure 4C, un premier isolant intercouche 40 est formé sur la totalité de 15 la surface de la couche tampon 30 pour couvrir l'électrode de grille 38, les régions de drain et de source 32b et 32c et l'électrode de condensateur 34. Ensuite, une ligne d'alimentation 41 de métal est formée en utilisant un troisième processus de masquage sur le premier isolant intercouche 40, afin de chevaucher l'électrode de condensateur 34. tant donné que la ligne d'alimentation 41 est formée directement 20 audessus de l'électrode de condensateur 34, elle forme un condensateur de stockage avec l'électrode de condensateur 34 et le premier isolant intercouche 40 interposé. Sur la figure 4D, un deuxième isolant intercouche 44 est formé sur le premier isolant intercouche 40 et la ligne d'alimentation 41. Ensuite, des premier, deuxième et troisième trous de contact 46a, 46b, et 46c sont formés en utilisant un quatrième 25 processus de masquage, dans lequel le premier trou de contact 46a expose la région de drain 32b, le deuxième trou de contact 46b expose la région de drain 32c, et le troisième trou de contact 46c expose la ligne d'alimentation 41. Sur la figure 4E, une couche métallique est formée sur la deuxième couche d'isolant intercouche 44, et mise en motif en utilisant un cinquième processus de 30 masquage, de manière à former une électrode de source 50 et une électrode de drain 52. L'électrode de drain 52 entre en contact avec la région de drain 32b par le premier trou de contact 46a, et l'électrode de source 50 entre en contact avec la région de source 32c par le deuxième trou de contact 46b. En outre, l'électrode de source 50 entre en contact avec la ligne d'alimentation 41 par le troisième trou de 35 contact 46c. De manière correspondante, la formation d'un transistor à couche mince de commande TD ayant la couche de semi-conducteur 32, l'électrode de grille 38, l'électrode de drain 50 et l'électrode de source 52, est achevée. De plus, une région R \Brevets\2 180\2 1898 doc - 17 décembre 2003 - 5/42 correspondant à la ligne d'alimentation 41 et à l'électrode de condensateur 34 forme le condensateur de stockage CST. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 4E, mais soit représenté sur la figure 3, l'électrode de grille 38 du transistor à couche mince de commande TD est reliée au transistor à couche mince de 5 commutation Ts, et la ligne d'alimentation 41 est disposée parallèlement à la ligne de données 51. Sur la figure 4F, une première couche de passivation 54, ayant un quatrième trou de contact 56 résultant d'un sixième processus de masquage, est formée sur le deuxième isolant intercouche 44, tandis qu'il y a couverture des électrodes de drain et 10 de source 50 et 52. Le quatrième trou de contact 56 expose une partie de l'électrode de drain 52. Sur la figure G, un matériau conducteur transparent est déposé sur la première couche de passivation 54. Ensuite, le matériau conducteur transparent est mis en motif en utilisant un septième processus de masquage, en formant de cette manière 15 une première électrode 58, qui entre en contact avec l'électrode de drain 52 par le quatrième trou de contact 56. Sur la figure 4H, une deuxième couche de passivation 60 est formée sur la première électrode 58 et la partie exposée de la première couche de passivation 54. Ensuite, la deuxième couche de passivation 60 est mise en motif, en utilisant un 20 huitième processus de masquage, de manière à former une ouverture 62 qui expose une partie de la première électrode 58. La deuxième couche de passivation 60 protège le transistor à couche mince de commande TD de l'humidité et des particules qui peuvent exister dans l'air. Sur la figure 41, une couche électroluminescente organique 64 est formée sur la 25 deuxième couche de passivation 60 pour entrer en contact avec la première électrode 58 par l'ouverture 62. Ensuite, une deuxième électrode 66 est formée sur la couche électroluminescente organique 64 et la partie exposée de la deuxième couche de passivation 60 pour couvrir entièrement le substrat 1. La deuxième électrode 66 est formée d'un matériau métallique opaque et agit 30 comme cathode, tandis que la première électrode 58 est formée d'un matériau conducteur transparent et agit comme anode. De plus, le matériau prévu pour la deuxième électrode 66 devrait avoir un faible travail de sortie ou énergie d'extraction, afin de pouvoir relâcher aisément les électrons. Par conséquent, le dispositif OELD de la figure 4F est un dispositif OELD considéré comme étant de type à émission 35 vers le bas, émettant de la lumière en direction du bas, vers le substrat 1. La figure 5 est une vue en coupe d'un dispositif OELD selon l'art concerné. Sur la figure 5, des premier et deuxième substrats 70 et 90, espacés l'un de l'autre, ayant des surfaces intérieures face l'une à l'autre, ont une pluralité de régions à sous-pixel. R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 6/42 Ensuite, une couche de matrice 80, comprenant un transistor à couche mince de commande (TFT) TD dans chaque région à sous-pixel, est formée sur une surface intérieure du premier substrat 70, et une première électrode 72, connectée au TFT de commande TD, est formée sur la couche de matrice 80, dans chaque région de pixels. 5 Ensuite, des couches électroluminescentes (EL) organiques rouge, verte et bleue, 74, sont formées en alternance sur la première électrode 72, et une deuxième électrode 76 est formée sur les couches EL organiques 74. De manière correspondante, les première et deuxième électrodes 72 et 76, et la couche EL organique 74 interposée entre elles, constituent une électrode EL organique E. Le 10 dispositif EL organique, représenté sur la figure 5, est un OELD de type à émission par le bas, dans lequel de la lumière est émise depuis la couche EL organique 74 par la première électrode 72, et en sortant du premier substrat 70. Sur la figure 5, le deuxième substrat 70 est utilisé comme substrat d'encapsulation et comprend une partie concave 92 à une partie centrale intérieure du 15 deuxième substrat 90, dans lequel la partie concave 92 est remplie d'un desiccant 94, absorbant l'humidité, qui supprime l'humidité et l'oxygène, pour protéger la diode EL organique E. En plus, la surface intérieure du deuxième substrat 90 est espacée du deuxième substrat 76, dans lequel les premier et deuxième substrats 70 et 90 sont attachés à un joint d'étanchéité 85, placé sur une partie périphérique des premier et 20 deuxième substrats 70 et 90 pour encapsulation. Dans les dispositifs OELD selon l'art concerné, une partie de matrice TFT et une diode électroluminescente (EL) organique sont formées sur le même substrat (c'est-à-dire, un premier substrat), et un deuxième substrat additionnel est attaché au premier substrat pour encapsulation. Cependant, lorsque la partie de 25 matrice TFT et la diode EL organique sont formées sur un substrat de cette manière, le rendement de production du dispositif OELD est déterminé par la multiplication du rendement du TFT avec le rendement de la diode EL organique. tant donné que le rendement de la diode EL organique est relativement faible, le rendement de production du dispositif OLED global se trouve être limité par le rendement de la 30 diode EL organique. Par exemple, même lorsqu'on fabrique correctement un TFT, le dispositif OLED utilisant un couche mince d'une épaisseur d'environ 1000 angstroms ( ) peut être qualifié d'inférieur, suite aux défauts d'une couche électroluminescente organique. Ceci entraîne une perte de matériaux et une augmentation des cots de production. En général, les dispositifs OLED sont classés en type à émission par le bas, et en type à émission par le haut, selon la direction d'émission de la lumière utilisée pour afficher des images via les OELD. Les dispositifs OLED de type à émission par le bas présentent l'avantage d'une haute stabilité à l'encapsulation et d'une haute R:\Brevets\2 1800\21898 doc 17 decembre 2003 - 7/42 flexibilité de traitement. Cependant, les dispositifs OLED de type à émission par le bas sont inefficaces comme dispositifs à haute résolution, étant donné que la disposition des transistors à couche mince et du condensateur de stockage formé sur le substrat donne de mauvaises valeurs concernant les rapports d'ouverture. la 5 différence des dispositifs OLED de type à émission par le bas, les dispositifs OLED de type à émission par le haut ont une durée de vie attendue plus longue parce qu'ils ont des schémas de circuit plus simples, qui donnent des taux d'ouverture élevés. Cependant, dans les dispositifs OLED de type à émission par le haut, la cathode est généralement formée d'une couche électroluminescente organique. En résultat, la 10 transmittance et l'efficacité optique d'un dispositif OLED de type à émission par le haut sont réduites du fait du nombre limité de matériaux qui peuvent être sélectionnés pour être utilisés comme cathode. Si une couche de passivation de type à couche mince est formée sur la cathode pour empêcher la réduction de la transmittance de la lumière, la couche de passivation de type à couche mince peut 15 encore ne pas réussir à empêcher l'infiltration d'air extérieur dans la couche électroluminescente organique. Dans le processus, mentionné ci-dessus, de formation du dispositif d'affichage électroluminescent organique, il faut effectuer une pluralité d'étapes de déposition de film, et une pluralité de traitements photolithographiques utilisant une pluralité de 20 masques sont également nécessaires. Ainsi, les étapes de traitement répétées ont comme effet d'augmenter le traitement du masque. tant donné que les processus photolithographiques comprennent un processus de rinçage, un processus de déposition de photo- réserve, un processus d'exposition, un processus de développement et un processus de gravure, le temps de fabrication et les cots de 25 production peuvent être réduits si l'on omet uniquement un processus de masquage élémentaire. Le dispositif OELD, décrit en référence aux figures 4A à 41, cependant, demande d'utiliser huit masques, entraînant une diminution du rendement de production et une augmentation des cots de production. De plus, plus le dispositif OELD demande de masques, plus la création de défauts se manifestera dans le 30 processus de fabrication. En plus, étant donné que le dispositif OELD à matrice active de l'art concerné comprend les transistors à couche mince et les condensateurs de stockage dans la direction d'émission de la lumière, on a une diminution d'aire d'éclairement et une réduction des taux d'ouverture. Pour surmonter ces problèmes, on devrait également 35 augmenter la densité de courant pour fournir une augmentation de luminance du dispositif, provoquant de cette manière une diminution de la durée de vie du dispositif OELD. R.\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 8/42 De manière correspondante, la présente invention est orientée sur un dispositif à diode électroluminescente organique, qui élimine pratiquement un ou plusieurs des problèmes venant des limitations et des inconvénients de l'art concerné. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif à diode 5 électroluminescente organique, ayant un rendement de production amélioré et des cots de production réduits. Un autre but de la présente invention est de fournir un dispositif à diode électroluminescente organique ayant une haute résolution, de hauts taux d'ouverture, et une longue durée de vie. Un autre but de la présente invention est de fournir un dispositif à diode électroluminescente organique de type à panneau double, dans lequel une matrice TFT et une diode électroluminescente organique sont disposées respectivement dans des premier et deuxième substrats. Des caractéristiques et des avantages additionnels de l'invention vont être 15 indiqués dans la description allant suivre, et vont apparaître évidents à la lecture de la description o peuvent être appris par la mise en pratique de l'invention. Ces avantages ainsi que d'autres avantages de l'invention vont être réalisés et atteints par la structure, particulièrement mise en évidence dans la description écrite et les revendications, ainsi que dans les dessins annexés. Pour atteindre ces avantages ainsi que d'autres, et selon le but de la présente invention, tel que mis en oeuvre et largement décrit, un dispositif électroluminescent organique à matrice active de type à panneau double, comprend: une ligne de grille disposée dans une première direction sur un premier substrat; une ligne de données disposée dans une deuxième direction sur le premier substrat, une ligne 25 d'alimentation disposée dans la deuxième direction sur le premier substrat et espacée de la ligne de données, afin de définir une région à pixel avec les lignes de grille et de données, la ligne d'alimentation et la ligne de grille étant toutes deux formées du même matériau, durant un même processus, un transistor de commutation à couche mince disposé sur le premier substrat à proximité d'un croisement des lignes de grille 30 et de données, un transistor de commande à couche mince disposé sur le premier substrat à proximité d'un croisement des lignes de grille et d'alimentation, un motif de connexion dans la région à pixel sur le premier substrat, formé d'un matériau isolant; et une électrode de liaison, disposée dans la région à pixel sur le premier substrat, afin de couvrir le motif de connexion et interconnectant électriquement le 35 transistor de commande à couche mince à une diode électroluminescente organique. La diode électroluminescente organique est de préférence disposée sur un deuxième substrat opposé au premier substrat. R:\Brevets\21800\21898 doc -17 décembre 2003 - 9/42 Le dispositif peut comprendre en outre une première électrode de liaison formée sur la ligne de grille afin d'interconnecter les lignes d'alimentation le long de la deuxième direction, dans lequel la première électrode de liaison est formée du même matériau que la ligne de grille et de préférence une deuxième électrode de 5 liaison disposée à proximité de la ligne de grille pour interconnecter les lignes d'alimentation située le long d'une deuxième direction, le long de la première électrode de liaison, dans lequel la deuxième électrode de liaison est formée du même matériau que l'électrode de liaison, durant une même étape de processus. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une électrode 10 d'alimentation, interconnectant la ligne d'alimentation autransistor de commande à couche mince, dans lequel l'électrode d'alimentation est formée du même matériau que l'électrode de liaison, ceci durant une même étape de processus. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une plage de connexion à une extrémité de la ligne de grille, une plage de connexion à une 15 extrémité de la ligne de données, et une plage de connexion d'alimentation à une extrémité de la ligne d'alimentation, dans lequel la plage de connexion de données est disposée en une position opposée à celle de la plage de connexion d'alimentation. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une borne de plage de connexion connectant la plage de connexion de grille, une borne de plage 20 de connexion de données établissant le contact avec la plage de connexion de données, et une borne de plage de connexion d'alimentation établissant le contact avec la plage de connexion d'alimentation, dans lequel les bornes de la plage de connexion de grille, de la plage de connexion de données et de la plage de connexion d'alimentation sont formées du même matériau que l'électrode de liaison, durant une 25 même étape de procédé. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif comprend un motif à semiconducteur au-dessous de la plage de connexion de données et un premier motif de silicium amorphe non dopé et un deuxième motif de silicium amorphe dopé. Le transistor de commutation à couche mince peut comprendre une électrode 30 de grille de commutation qui s'étend depuis la ligne de grille, une couche de semiconducteur de commutation disposée sur l'électrode de grille de commutation, une électrode de source de commutation qui s'étend depuis la ligne de données sur la couche de semi-conducteur, et une électrode de drain de commutation espacée de l'électrode de source sur la couche de semi-conducteur Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend en outre une électrode de condensateur s'étendant depuis l'électrode de drain de commutation, sur la ligne d'alimentation. R \Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 10/42 Le transistor de commande à couche mince peut comprendre une électrode de grille de commande reliée à l'électrode de drain de commutation, une couche de semiconducteur de commande disposée sur l'électrode de grille de commande, une électrode de source de commande disposée sur l'électrode d'alimentation, et une électrode de drain de commande connectée à l'électrode de liaison. Selon un mode de réalisation, le dispositif comprend une pluralité de motifs à semi-conducteur placés au-dessous de l'électrode de condensateur, de la ligne de données, des électrodes de source et de drain de commutation, et des électrodes de source et de drain de commande, dans lequel chacun des motifs à semi-conducteur 10 comprend une structure à couche double comprenant un motif en silicium amorphe non dopé et un motif en silicium amorphe dopé. Les couches de semi-conducteur de commutation et de commande comprennent de préférence une couche active en silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique de silicium amorphe dopé, et l'électrode de liaison peut 15 couvrir le motif de liaison et est en contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. Sous un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active à panneau double, comprend: la mise en motif d'une première couche pour former l'électrode de grille, une ligne de grille, 20 une ligne d'alimentation, une plage de connexion de grille et une plage de connexion d'alimentation sur un premier substrat, la formation d'une première couche d'isolation sur le premier substrat pour couvrir l'électrode de grille, la plage de connexion de grille et la plage de connexion d'alimentation, la formation d'une couche de semiconducteur sur la première couche d'isolation sur l'électrode de grille, la couche de 25 semi-conducteur comprenant une couche active de silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique de silicium amorphe dopé, la formation d'électrodes de source et de drain, d'une ligne de données, d'une première électrode de liaison et d'une plage de connexion de données, dans lequel les électrodes de source et de drain sont disposées sur la couche de contact ohmique, dans lequel la ligne de données, la 30 plage de connexion de données et la première électrode de liaison sont disposées sur la première couche d'isolation, et dans lequel la première électrode de liaison croise la ligne de grille, la formation d'un canal dans la couche active par gravure d'une partie de contact ohmique exposée entre les électrodes de source et de drain pour former un transistor à couche mince incluant l'électrode de grille, la couche de semi35 conducteur, l'électrode de source et l'électrode de drain, la formation d'une deuxième couche isolante sur la première couche isolante pour couvrir le transistor à couche mince, la ligne de données et la plage de connexion de données, la formation d'un trou de contact de source, d'un trou de contact de drain, d'un trou de contact de plage R \Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 11/42 de connexion de données, d'un trou de contact de plage de connexion de grille, et d'un trou de contact de plage de connexion d'alimentation, dans lequel les trous de contact de plage de connexion de source, de drain et de données pénètrent dans la deuxième couche isolante, et dans lequel les trous de contact de plage de connexion 5 de grille et de plage de connexion d'alimentation pénètrent dans les première et deuxième couches d'isolation, la formation d'un motif de connexion sur la région à pixel sur la deuxième couche d'isolation, en utilisant un matériau isolant, dans lequel le motif de connexion a une forme en pilier et une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à couche mince; et la formation d'une électrode de 10 liaison, d'une électrode d'alimentation, de deuxièmes électrodes de liaison, d'une borne de plage de connexion de données, d'une borne de plage de connexion de grille, et d'une borne de plage de connexion d'alimentation par utilisation d'une troisième couche métallique. Selon un mode de réalisation, l'électrode de liaison couvre le motif de liaison et 15 est en contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. L'électrode d'alimentation est de préférence en contact avec l'électrode de source via le trou de contact de source et assure l'interconnexion entre le transistor à couche mince et la ligne d'alimentation. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, les deuxièmes électrodes de 20 liaison sont disposées près de la ligne de grille et interconnectent les lignes d'alimentation à la première électrode le long d'une première direction de la ligne de données. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, la borne de plage de connexion de données, la borne de plage de connexion de grille et la borne de plage 25 de connexion d'alimentation sont disposées pour établir le contact avec la plage de connexion de données, la plage de connexion de grille, et la plage de connexion d'alimentation, respectivement, via le trou de contact de plage de connexion de données, via le trou de contact de plage de connexion de grille, et via le trou de contact de plage de connexion d'alimentation. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, la formation de la ligne de grille et d'alimentation comprend l'utilisation d'un premier masque, et la formation de la couche de semi-conducteur comprend l'utilisation d'un deuxième masque, la formation des électrodes de source et de drain comprend l'utilisation d'un troisième masque, la formation des trous de contact de source et de drain comprend l'utilisation 35 d'un quatrième masque, la formation du motif de connexion comprend l'utilisation d'un cinquième masque, et la formation de l'électrode de liaison comprend l'utilisation d'un sixième masque. R \Brevcts\2 1800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 12/42 Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, l'étape de formation des électrodes de source et de drain comprend la formation d'une électrode de condensateur sur la ligne d'alimentation et l'électrode de condensateur comprend un condensateur de stockage avec la ligne d'alimentation et les première et deuxième couches d'isolation. Une diode électroluminescente organique sur un deuxième substrat est de préférence placée face au premier substrat, l'électrode de liaison interconnecte électriquement le premier transistor à couche mince à la diode électroluminescente organique. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, la ligne de grille est disposée le long d'une deuxième direction, et les lignes de données et d'alimentation sont disposées dans une deuxième direction et sont espacées l'une de l'autre pour définir la région à pixel. Le matériau d'isolation prévu pour le motif de liaison comprend de préférence 15 un matériau isolant organique. Sous un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active de type à panneau double, comprend: la mise en motif d'une première couche métallique pour former l'électrode de grille, une ligne de grille, une ligne d'alimentation, une plage de connexion de grille et une 20 plage de connexion d'alimentation sur un premier substrat, la formation d'une première couche isolante, d'une couche en silicium amorphe non dopé, d'une couche en silicium amorphe dopé et d'une deuxième couche métallique, séquentiellement, sur le premier substrat pour couvrir l'électrode de grille, la plage de connexion de grille et la plage de connexion d'alimentation, la formation d'une photo-réserve 25 photosensible sur la deuxième couche métallique, la disposition d'un premier masque ayant une partie semi-transmissive sur la photo-réserve photosensible, la mise en motif de la couche en silicium amorphe non dopé, de la couche en silicium amorphe dopé, et de la deuxième couche métallique simultanément en utilisant une méthode d'exposition à diffraction utilisant le premier masque pour former une couche active, 30 une couche de contact ohmique, une électrode de source, une électrode de drain, une ligne de données, une première électrode de liaison, et une plage de connexion de données, la formation d'un canal dans la couche active, par gravure d'une partie de la couche de contact ohmique ayant été exposée entre les électrodes de source et de drain afin de former un transistor à couche mince comprenant l'électrode de grille, la 35 couche active, la couche de contact ohmique, l'électrode de source et l'électrode de drain, la formation d'une deuxième couche isolante sur la première couche isolante afin de couvrir le transistor à couche mince, la ligne de données et la plage de connexion de données, la formation d'un trou de contact de source, d'un trou de R \Brevets\21800\21898.doc - 17 dcembre 2003 - 13/42 contact de drain, d'un trou de contact de plage de connexion de données, d'un trou de contact de plage de connexion de grille, et d'un trou de contact de plage de connexion d'alimentation, dans lequel les trous de contact de source, de drain et de plage de connexion de données pénètrent dans la deuxième couche isolante, et dans lequel les 5 trous de contact de plage de connexion de grille et de plage de connexion d'alimentation pénètrent dans les première et deuxième couches isolantes, la formation d'un motif de liaison sur la région à pixel sur la deuxième couche isolante, par utilisation d'un matériau isolant, dans lequel le motif de liaison a une forme en pilier et une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à couche 10 mince, et la formation d'une électrode de liaison, d'une électrode d'alimentation, de deuxièmes électrodes de liaison, d'une borne de plage de connexion de données, d'une borne de plage de connexion de grille, et d'une borne de plage de connexion d'alimentation par utilisation d'une troisième couche métallique. De préférence, l'électrode de liaison couvre le motif de liaison et établit le 15 contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. Selon un mode de réalisation de ce procédé, l'électrode d'alimentation établit le contact avec l'électrode de source via le trou de contact de source et interconnecte le transistor à couche mince à la ligne d'alimentation. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, les deuxièmes électrodes de 20 liaison sont disposées à proximité de la ligne de grille et assurent l'interconnexion entre les lignes d'alimentation et la première électrode de liaison. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, la borne de plage de connexion de données, la borne de plage de connexion de grille et la borne de plage de connexion d'alimentation sont disposées pour établir le contact avec la plage de 25 connexion de données, la plage de connexion de grille et la plage de connexion d'alimentation, respectivement, via le trou de contact de plage de connexion de données, via le trou de contact de plage de connexion de grille et via le trou de contact de plage de connexion d'alimentation. La formation de la ligne de grille et de la ligne d'alimentation peut comprendre 30 l'utilisation d'un premier masque, et la mise en motif de la couche en silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique comprend l'utilisation d'un deuxième masque, et la formation des trous de contact de source et de drain comprend l'utilisation d'un troisième masque, et la formation du motif de connexion comprend l'utilisation d'un quatrième masque, et et la formation de 35 l'électrode de connexion comprend l'utilisation d'un cinquième masque. Selon un mode de réalisation de ce procédé, l'étape de mise en motif des couches de silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique inclut la formation d'une électrode de condensateur sur la ligne d'alimentation. R \Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 14/42 L'électrode de condensateur comprend de préférence un condensateur de stockage avec la ligne d'alimentation et les première et deuxième couches d'isolation. La mise en motif des couches de silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique forme de préférence une pluralité de motifs à semi5 conducteur au-dessous de la ligne de données, de la première électrode de liaison et de la plage de connexion de données. Selon un mode de réalisation, une diode électroluminescente organique sur un deuxième substrat est placée face au premier substrat, et l'électrode de liaison interconnecte électriquement le transistor à couche mince à la diode 10 électroluminescente organique. Selon un autre mode de réalisation de ce procédé, la ligne de grille est disposée dans une première direction, et les lignes de données et d'alimentation sont disposées dans une deuxième direction et sont espacées l'une de l'autre pour définir la région à pixel. Selon un autre mode de réalisation, le matériau isolant pour le motif de connexion comprend un matériau isolant organique. Le motif de photo-réserve photosensible est de préférence un matériau de photo-réserve de type positif, Il est évident que, à la fois la description générale précédente et la description 20 détaillée allant suivre sont des exemples et sont à considérer comme explicatives, et destinées à fournir une explication supplémentaire de l'invention, telle que revendiquée. Les dessins annexés, qui sont inclus pour fournir une meilleure compréhension de l'invention et qui sont incorporés dans et font partie de cette spécification, 25 illustrent des modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliciter les principes de l'invention. Dans les dessins: la figure 1 est un diagramme de circuit équivalent d'une structure à pixel de base d'un dispositif OELD à matrice active, selon l'art concerné; la figure 2 est une vue en plan d'une structure à pixel de base d'un dispositif 30 OELD à matrice active, selon l'art concerné; la figure 3 est une vue en coupe suivant la ligne III-HII de la figure 2, représentant un transistor à couche mince de commande, un condensateur de stockage et une diode électroluminescente, selon l'art concerné; les figures 4A à 41 sont des vues en coupe, représentant un processus de 35 fabrication d'un dispositif OELD à matrice active de la figure 3, selon l'art concerné; la figure 5 est une vue en coupe d'un dispositif OELD, selon l'art concerné; la figure 6 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau actif pris comme exemple, selon la présente invention; R \Brevets\2 1800\21 898.doc - 17 décembre 2003 15/42 la figure 7 est une vue en plan d'une structure à pixel de base, donnée comme exemple, d'un panneau inférieur, d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 8A à 8F sont des vues en coupe suivant la ligne VIH-VIII de la 5 figure 7, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 9A à 9F sont des vues en coupe suivant la ligne IX- IX de la figure 7, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau 10 inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 1OA à 1OF sont des vues en coupe suivant la ligne X-X de la figure 7, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, 15 selon la présente invention; les figures 11A à 11F sont des vues en coupe suivant la ligne XI-XI de la figure 7, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; la figure 12 est une vue en plan d'une autre structure à pixel de base, donnée comme exemple, d'un panneau inférieur, d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 13A à 13E sont des vues en coupe suivant la ligne XIII-XIII de la figure 12, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un 25 panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 14A à 14E sont des vues en coupe suivant la ligne XIV-XIV de la figure 12, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, 30 selon la présente invention; les figures 15A à 15E sont des vues en coupe suivant la ligne XV-XV de la figure 12, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; les figures 16A à 16E sont des vues en coupe suivant la ligne XVI-XVI de la figure 12, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention; et R \Brevets\21800\21898doc - 17 décembre 2003 - 16142 les figures 17A à 17D sont des vues en coupe, représentant des processus de fabrication donnés comme exemples, pour former un transistor à couche mince utilisant un procédé d'exposition à diffraction, selon la présente invention. On va, à présent, faire référence en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins annexés. La figure 6 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau double donné comme exemple, selon la présente invention. Sur la figure 6, des premier et deuxième substrats 110 et 150, espacés l'un de l'autre, qui ont des surfaces intérieures se faisant face chacune, peuvent comporter une pluralité de régions à 10 sous-pixel. Une couche de matrice 140, comprenant un transistor à couche mince (TFT) TD, dans chaque région à sous-pixel, peut être formée sur une surface intérieure du premier substrat 110, et un motif de connexion 142, connecté au TFT de commande TD, peut être formé sur la couche de matrice 140, à l'intérieur de chaque région à sous-pixel. Le motif de connexion 142 peut comprendre un matériau 15 conducteur ou peut avoir une structure à couche multiple incluant un matériau d'isolation, ayant une ou plusieurs couches en matériau conducteur, d'une épaisseur suffisante pour permettre la connexion. Une électrode de liaison additionnelle peut être utilisée pour relier le motif de connexion 142 et le TFT de commande TD. Le TFT de commande TD peut comprendre une électrode de grille 112, une couche 20 active 114, et des électrodes de source et de drain 116 et i1 8, dans lequel le motif de connexion 142 peut être connecté à l'électrode de drain 118. En plus, une première électrode 152 peut être formée sur une surface intérieure du deuxième substrat 150, et une couche électroluminescente (EL) organique 160 comprenant des couches organiques d'émission rouge, verte et bleue 156a, 156b 25 et 156c, peut être disposée de façon alternée dans chaque région à sous-pixel formée sur la première électrode 152. Une deuxième électrode 162 peut être formée sur la couche EL organique 160 dans chaque région à sous-pixel P, et la couche EL organique 160 peut être formée d'une structure à couche unique ou bien d'une structure à couche multiple. Dans le cas de la structure à couche multiple, la couche 30 EL organique 160 peut comprendre une première couche de transport de porteurs 154 sur la première électrode 152, une des couches d'émission rouge, verte et bleue 156a, 156b et 156c sur la première couche de transport de porteurs 154 et une deuxième couche de transport de porteurs 158 sur chacune des couches d'émission rouge, verte et bleue 156a, 156b et 156c. Par exemple, lorsque les 35 première et deuxième électrodes 152 et 162 servent d'anode et de cathode, respectivement, la première couche de transport de porteurs 154 peut correspondre à une couche d'injection de trous et à une couche de transport de trous, et la deuxième couche de transport de porteurs 158 peut correspondre à une couche de transport R \Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 17/42 d'électrons et à une couche d'injection d'électrons. Les première et deuxième électrodes 152 et 162 et la couche EL organique 160 disposée entre elles peuvent constituer une diode EL organique E. Sur la figure 6, les premier et deuxième substrats 110 et 150 peuvent être fixés 5 ensemble avec un joint d'étanchéité 170 le long d'une partie périphérique de ceux-ci. De manière correspondante, une surface supérieure du motif de connexion 142 peut entrer en contact avec une surface inférieure de la deuxième électrode 162, dans laquelle le courant du TFT de commande TD peut passer dans la deuxième électrode 162 par le motif de connexion 142. Un dispositif à diode 10 électroluminescente organique (OLED) selon la présente invention peut comprendre un type à panneau double, dans lequel une couche de matrice 140 et une diode EL organique E sont formées sur des substrats respectifs et un motif de connexion 142 interconnecte électriquement la couche de matrice 140 à la diode EL organique E. Etant donné que le dispositif OLED, selon la présente invention, est un dispositif 15 OELD de type à émission, un transistor à couche mince peut être aisément conçu tout en obtenant une haute résolution et un fort taux d'ouverture. La figure 7 est une vue en plan d'une structure à pixel de base donnée comme exemple d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention. Sur la figure 7, un dispositif à diode 20 électroluminescente organique à matrice active (OLED) peut comprendre des transistors à couche mince de type décalé inversé. Une ligne de grille 212 peut être disposée le long d'une première direction, et une ligne de données 236 et une ligne d'alimentation 213, qui sont espacées les unes des autres, peuvent être disposées le long d'une deuxième direction pour croiser perpendiculairement la ligne de 25 grille 212, dans laquelle une région à pixels P peut être définie entre la ligne de grille 212 et la ligne de données 236 et la ligne d'alimentation d'alimentation 213 espacées. Un transistor de commutation à couche mince (TFT) Ts peut être disposé de façon adjacente à l'emplacement o la ligne de grille 212 et la ligne de données 236 se croisent l'une l'autre, et peut comprendre une électrode de grille de 30 commutation 214 s'étendant depuis la ligne de grille 212, une électrode source de commutation 226 s'étendant depuis la ligne de données 236, une électrode de drain de commutation 230 espacée de l'électrode de source de commutation 226 et une couche de semi-conducteur de commutation 222 ayant une forme en îlot, au-dessus de l'électrode de grille de commutation 214. La ligne d'alimentation 213 et la ligne de grille 212 peuvent être formées durant la même étape de traitement. En outre, une électrode de condensateur 234, s'étendant perpendiculairement depuis l'électrode de drain 230, peut être disposée le long de la ligne d'alimentation 213. Ainsi, l'électrode de condensateur 234 constitue R \Brevets'21800\21898. doc- 17 décembre 2003 - 18/42 un condensateur de stockage CST, une partie de la ligne d'alimentation 213 étant chevauchée par l'électrode de condensateur 234. Un TFT de commande TD peut être relié au TFT de commutation Ts et à la ligne d'alimentation 213. Le TFT de commande TD peut comprendre une électrode de s grille de commande 216, une électrode de source de commande 228, une électrode de drain de commande 232 et une couche de semi-conducteur de commande 224. L'électrode de grille de commande 216 peut être connectée à l'électrode de drain de commutation 230 et peut être formée du même matériau que la ligne de grille 212 durant la même étape de fabrication. Les électrodes de source et de drain de 10 commande 228 et 232 peuvent chevaucher des parties latérales de l'électrode de grille de commande 216 et peuvent être formées du même matériau que la ligne de données 236. La couche de semi-conducteur de commande 224 peut avoir une forme en îlot et peut être disposée au-dessus de l'électrode de grille de commande 216 entre les électrodes de source et de drain de commande 228 et 232. Sur la figure 7, une électrode d'alimentation 278 ayant une forme en îlot peut être reliée à l'électrode de source de commande 228 et à la ligne d'alimentation 213 par un trou de contact de source 246 et un trou de contact d'alimentation 251, respectivement. Une électrode de liaison 276, qui peut connecter le TFT de commande TD du substrat inférieur à la diode EL organique du substrat supérieur, 20 peut être formée dans la région à pixel P et peut être connectée à l'électrode de drain de commande 232. L'électrode de liaison 276 et l'électrode d'alimentation 278 peuvent être formées ensemble durant la même étape de fabrication, en utilisant le ou les mêmes matériaux. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 7, mais soit représenté sur la figure 8F, l'électrode de liaison 276 peut comprendre un motif de 25 connexion sous-jacent ayant une forme en pilier, et peut être réalisée en un matériau isolant. Une plage de connexion de données 238, une plage de connexion de grille 218 et une plage de connexion d'alimentation 219 peuvent être formées à des portions d'extrémité de la ligne de données 236, la ligne de grille212 et la ligne 30 d'alimentation 213, respectivement. En outre, une borne de plage de connexion de données 280 peut être formée pour chevaucher la plage de connexion de données 238, une borne de plage de connexion de grille 282 peut être disposée pour chevaucher la plage de connexion de grille 218, et une borne de plage de connexion d'alimentation 284 peut être disposée pour chevaucher la plage de connexion 35 d'alimentation 219. La plage de connexion de données, la plage de connexion de grille et les bornes de plage de connexion de données 280, 282 et 284 peuvent être formées le long de l'électrode de liaison 276 durant la même étape de traitement, en utilisant le ou les mêmes matériaux. Etant donné que la ligne d'alimentation 213 peut R \Brevets\21 800\21 898 doc - 17 décembre 2003 - 19/42 être formée avec la ligne de grille 212, une première électrode de liaison 283a et une deuxième électrode de liaison 283b peuvent être formées sur et à proximité de la ligne de grille 212 pour empêcher qu'un court-circuit électrique se produise entre la ligne de grille 212 et la ligne d'alimentation 213. La première électrode de 5 liaison 283a peut être formée pour croiser la ligne de grille 212 et peut être formée du même matériau que la ligne de données 236 durant la même étape de traitement. Les deuxièmes électrodes de liaison 283b peuvent être formées avec l'électrode de liaison 276 en utilisant le même matériau, et peuvent être formées pour relier la première électrode de liaison 283a à la ligne d'alimentation 213. Ainsi, les lignes 10 d'alimentation 213 dans une direction verticale de régions à pixel P adjacent peuvent être reliées électriquement par les première et deuxième électrodes de liaison 283a et 283b. Sur la figure 7, étant donné que la plage de connexion de données 238 et la plage de connexion d'alimentation 219 peuvent fournir des signaux différents, la 15 plage de connexion de données 238 et la plage de connexion d'alimentation 219 peuvent être formées pour s'opposer à chaque autre. Par exemple, si la plage de connexion de données 238 est formée sur une extrémité supérieure de la ligne de données 236, alors la plage de connexion d'alimentation 219 peut être formée à une extrémité inférieure de la ligne d'alimentation 213. Un processus de fabrication donné comme exemple, concernant la formation d'un panneau inférieur du dispositif OELD à matrice active de type à panneau double de la figure 7, va être explicité en détail en référence aux figures 8A-8F, 9A-9F, 10A-10F et 1 IA-i IF. Les figures 8A à 8F sont des vues en coupe suivant la ligne VIII-VIII de la 25 figure 7, les figures 9A à 9F sont des vues en coupe suivant la ligne IX-IX de la figure 7, les figures 10A à 10F sont des vues en coupe suivant la ligne X-X de la figure 7, et les figures li A à 1 IF sont des vues en coupe suivant la ligne XI-XI de la figure 7, toutes représentant des processus de fabrication donnés comme exemple pour un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau 30 double, selon la présente invention. Sur les FIG 8A, 9A, 1OA et li A, une première couche métallique peut être formée sur un substrat 210 puis mise en motif pour former une électrode de grille 216, une plage de connexion de grille 218 et une plage de connexion d'alimentation 219. Bien que ceci ne soit pas représenté sur les figures 8A, 9A, IOA 35 et i lA, mais soit représenté sur la figure 7, la ligne de grille 212 et la ligne d'alimentation 213 peuvent être également formées sur le substrat 210, après mise en motif de la première couche métallique. Selon la présente invention, la première R:\Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 20/42 couche métallique peut avoir une faible résistance spécifique tel que dans le cas de l'aluminium (AI). Bien que ceci ne soit pas représenté sur les figures 8A, 9A, i OA et llA, un masque et une photo-réserve photosensible peuvent être utilisés lors de la mise en 5 motif de la première couche métallique. Après avoir formé la première couche métallique sur le substrat 210, une couche de photoréserve peut être formée sur la première couche métallique. Ensuite, le masque peut être disposé au-dessus de la photo-réserve et une étape d'exposition à la lumière peut être effectuée en utilisant le masque. Ainsi, après avoir développé la photo-réserve et après avoir gravé la 10 première couche métallique, l'électrode de grille 216, la plage de connexion de grille 218, la plage de connexion d'alimentation 219, la ligne de grille 212 et la ligne d'alimentation 213 peuvent être formées. Sur les figures 8B, 9B, lOB et l lB, une première couche d'isolation 220, une couche en silicium amorphe non dopé (a-Si), et une couche en silicium amorphe 15 dopé (n+a-Si) peuvent être formées séquentiellement sur le substrat 210 pour couvrir le métal mis en motif, c'est-à-dire l'électrode de grille 216, la plage de connexion de grille 218 et la plage de connexion d'alimentation 219. La première couche d'isolation 220 peut servir d'isolant de grille pour isoler électriquement et protéger l'électrode de grille 216 sous-jacente, la plage de connexion de grille 218, la plage de 20 connexion d'alimentation 219 et les lignes de grille et d'alimentation. Ensuite, les couches en silicium amorphe non dopé et dopé peuvent être simultanément mises en motif en utilisant un deuxième processus de masquage pour former une couche de semi-conducteur 224 sur l'électrode de grille 216, de manière que la couche de semiconducteur 224 puisse inclure une couche active 224a formée de silicium amorphe 25 non dopé et d'une couche de contact ohmique 224b formée de silicium amorphe dopé. En plus, la première couche isolante 220 peut inclure un matériau non organique sélectionné depuis un groupe formé de nitrure de silicium (SiNx) et d'oxyde de silicium (Sio2), par exemple. Sur les figures 8C, 9C, 1OC et 1 1C, une deuxième couche métallique peut être 30 formée sur la première couche d'isolation 220 puis mise en motif pour former une plage de connexion de données 238, une électrode de source 228 et une électrode de drain 232 en utilisant un troisième processus de masquage. Les électrodes de source et de drain 228 et 232 peuvent être formées pour mettre en contact la couche de contact ohmique 224b et peuvent être espacées l'une de l'autre sur l'électrode de 35 grille 216. En plus, la ligne de données 236 (sur la figure 7) peut être formée durant la formation des électrodes de source et de drain 228 et 232. Ensuite, la plage de connexion de données 238 peut être disposée dans la région de plage de connexion de données afin de communiquer électriquement avec la ligne de données. Tel que R:\Brevets\2 1800\21898 doc - 17 décembre 2003 21/42 décrit antérieurement, la plage de connexion de données 238 peut être disposée à l'extrémité de la ligne de données le long d'une direction opposée à la plage de connexion d'alimentation 219. La deuxième couche métallique peut comprendre un matériau métallique présentant une résistance chimique élevée, tel que du molybdène (Mo), du titane (Ti), du chrome (Cr) et du tungstène (W). Après avoir formé les électrodes de source et de drain 228 et 232, une partie de la couche de contact ohmique 224b exposée entre les électrodes de source et de drain 228 et 232 peut être enlevée en utilisant les électrodes de source et de drain 228 et 232 comme un masque. De manière correspondante, une partie de la couche 10 active 224a peut être exposée, de manière à former un canal ch entre les électrodes de source et de drain 228 et 232. De manière correspondante, un transistor à couche mince de commande TD incluant l'électrode de grille 216, la couche de semiconducteur 224, l'électrode de source 228 et l'électrode de drain 232, peut être formé tel que représenté sur la figure 8C. Sur les figures 8D, 9D, IOD et l lD, une deuxième couche d'isolation 256 peut être formée sur la première couche d'isolation 220 pour couvrir le transistor à couche mince TD et la plage de connexion de données 238, et pour chevaucher la plage de connexion de grille 218 et la plage de connexion d'alimentation 219. Ensuite, la deuxième de couche d'isolation 256 peut être mise en motif en utilisant un quatrième 20 processus de masquage, formant de cette manière un trou de contact de source 246, un trou de contact de drain 248, un trou de contact de plage de connexion de données 250, un trou de contact de plage de connexion de grille 252 et un trou de contact de plage de connexion d'alimentation 254. Lorsque l'on forme les trous de contact de plage de connexion de grille et de plage de connexion d'alimentation 252 25 et 254, la première couche d'isolation 220 sous-jacente peut également être mise en motif de manière que les trous de contact de plage de connexion de grille et de plage de connexion d'alimentation 252 et 254 puissent pénétrer à la fois les première et deuxième couches d'isolation 220 et 256. Ainsi, le trou de contact de source 246 peut correspondre à l'électrode de source 228, le trou de contact de drain 248 peut 30 correspondre à l'électrode de drain 232, le trou de contact de plage de connexion de données 250 peut correspondre à la plage de connexion de données 238, le trou de contact de plage de connexion de grille 252 peut correspondre à la plage de connexion de grille 218, et le trou de contact de plage de connexion d'alimentation 254 peut correspondre à la plage de connexion d'alimentation 219. La 35 deuxième couche d'isolation 256 peut comprendre l'un parmi un matériau organique et un matériau non organique ou peut comprendre une structure à couche multiple. Cependant, l'isolant entrant en contact avec le transistor à couche mince TD peut être R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 22/42 un matériau organique tel que du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (SiO2). Sur les figures 8E, 9E, 10E, et lIE, un motif de connexion 274 ayant une forme en pilier peut être formé sur la deuxième couche d'isolation 256 dans la région 5 à pixel P, dans laquelle le motif de connexion 274 peut être formé par mise en motif d'un matériau d'isolation organique utilisant un cinquième masque et peut correspondre en position à la deuxième électrode de la diode EL organique. Le motif de connexion 274 peut avoir une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à couche mince TD. Sur les figures 8F, 9F, 10F et 1 1F, une troisième couche métallique peut être formée sur la deuxième couche d'isolation 256 pour couvrir le motif de connexion 274, puis être mise en motif en utilisant un sixième processus de masquage, de manière à former une électrode de connexion 276, une électrode d'alimentation 278, une borne de plage de connexion de données 280, une borne de 15 plage de connexion de grille 282 et une borne de plage de connexion d'alimentation 284. L'électrode de liaison 276 peut chevaucher le motif de connexion 274 à l'intérieur de la région à pixel et peut entrer en contact avec l'électrode de drain 232 par le trou de contact de drain 248. L'électrode d'alimentation 278 peut entrer en contact avec l'électrode de source 228 par le trou de 20 contact de source 246 et peut relier électriquement l'électrode de source 228 à la ligne d'alimentation 213, tel que représenté sur la figure 7. En plus, la borne de plage de connexion de données 280 peut entrer en contact avec la plage de connexion de données 238 par le trou de contact de plage de connexion de données 250, la borne de plage de connexion de grille 282 peut entrer en contact avec la plage de connexion 25 de grille 218 par le trou de contact de plage de connexion de grille 252, et la borne de plage de connexion d'alimentation 284 peut entrer en contact avec la plage de connexion d'alimentation 219 par l'intermédiaire du trou de contact de plage de connexion d'alimentation 254. On a représenté sur la figure 12 une vue en plan d'une autre structure à pixel de 30 base donnée comme exemple d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention. Sur la figure 12, un dispositif OLED à matrice active peut comprendre des transistors à couche mince décalés inversés, dans lequel une ligne de grille 312 peut être disposée dans une première direction, et une ligne de données 336 et une ligne d'alimentation 313, qui 35 sont espacées l'une de l'autre, peuvent être disposées dans une deuxième direction pour croiser perpendiculairement la ligne de grille 312. De manière correspondante, une région à pixel P peut être définie entre la ligne de grille 312 et la ligne de données 336 et la ligne d'alimentation d'alimentation 313 espacées l'une de l'autre. En R:\Brevets\2 1800\21 898.doc - 17 décembre 2003 - 23/42 plus, un transistor à couche mince de commutation (TFT) Ts peut être disposé de façon adjacente à l'endroit auquel la ligne de grille 312 et la ligne de données 336 se croisent chaque autre, et peut correspondre à une électrode de grille de commutation 314 qui s'étend depuis la ligne de grille 312, une électrode de source de 5 commutation 326 qui s'étend depuis la ligne de données 336, une électrode de drain de commutation 330 qui peut être espacée de l'électrode de source de commutation 326, et une couche de semi-conducteur de commutation 322 disposée au-dessus de l'électrode de grille de commutation 314. A la différence du panneau inférieur de la figure 7, la couche de semi-conducteur 322 de la figure 12 peut 10 s'étendre au-dessous des électrodes de source et de drain 326 et 330. Sur la figure 12, la ligne d'alimentation 313 peut être formée avec la ligne de grille 312 durant la même étape de traitement, en utilisant le même matériau. En outre, une électrode de condensateur 334 peut s'étendre perpendiculairement depuis l'électrode de drain 330 et peut être disposée au-dessus de la ligne d'alimentation 313. 15 Ainsi, l'électrode de condensateur 334 peut constituer un condensateur de stockage CST avec une partie de la ligne d'alimentation 313 appliquée en chevauchement par l'électrode de condensateur 334. En plus, un motif en semi-conducteur 321 peut s'étendre depuis la couche de semi-conducteur 322 et peut être formé au-dessous de l'électrode de condensateur 334, dans lequel le motif en semi-conducteur 321 et 20 l'électrode de condensateur 334 peuvent être formés durant la même étape de traitement, de manière à présenter la même forme de motif. En outre, le motif en semi-conducteur 321 peut également être disposé au-dessous de la ligne de données 336 et peut avoir la même forme de motif que la ligne de données 336. Sur la figure 12, un TFT de commande TD peut être connecté au TFT de 25 commutation Ts et à la ligne d'alimentation 313, et peut comprendre une électrode de grille de commande 316, une électrode de source de commande 328, une électrode de drain de commande 332 et une couche de semiconducteur de commande 324. L'électrode de grille de commande 316 peut être reliée à l'électrode de drain de commutation 330 et peut être formé du même matériau que la ligne de grille 312 30 durant la même étape de fabrication. Les électrodes de source et de drain de commande 328 et 332 peuvent chevaucher des parties latérales de l'électrode de grille de commande 316 et peuvent être formées du même matériau que la ligne de données 336. Etant donné que les électrodes de source et de drain de commande 328 et 332 peuvent être formées avec la ligne de données 336 durant la même étape de 35 traitement, la couche de semi-conducteur de commande 324 peut être disposée non seulement au-dessus de l'électrode de grille de commande 316 mais également audessous des électrodes de source et de drain 328 et 332. R:\Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 24/42 Sur la figure 12, une électrode d'alimentation 378 ayant une forme en îlot peut être connectée à l'électrode de source de commande 328 et à la ligne d'alimentation 313, par un trou de contact de source 346 et un trou de contact d'alimentation 351, respectivement. En plus, une électrode de liaison 276, qui relie le 5 TFT de commande TD du substrat inférieur à la diode EL organique du substrat supérieur, peut être formée dans la région à pixel P et peut être connectée à l'électrode de drain de commande 332. L'électrode de liaison 376 et l'électrode d'alimentation 378 peuvent être formées ensemble durant la même étape de fabrication en utilisant le même matériau. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la 10 figure 12, mais soit représenté sur la figure 13F, l'électrode de liaison 376 peut comprendre un motif de connexion sous-jacent qui peut avoir une forme en pilier, réalisé en un matériau isolant. Selon la présente invention, une partie de la ligne d'alimentation 313 peut fonctionner comme première électrode de condensateur pour le condensateur de 15 stockage CST, et le condensateur de stockage CST peut également comprendre l'électrode de condensateur 334, qui peut s'étendre depuis l'électrode de drain de commutation 330, pour servir de deuxième électrode. Plus particulièrement, une zone à laquelle l'électrode de condensateur 334 chevauche la ligne d'alimentation 313 peut constituer le condensateur de stockage CST. Sur la figure 12, une plage de connexion de données 338, une plage de connexion de grille 318 et une plage de connexion d'alimentation 319 peuvent être formées aux extrémités de la ligne de données 336, de la ligne de grille 312 et de la ligne d'alimentation 313, respectivement. En outre, une borne de plage de connexion de données 380 peut être disposée pour chevaucher la plage de connexion de 25 données 338, une borne de plage de connexion de grille 382 peut être disposée pour chevaucher la plage de connexion de grille 318, et une borne de plage de connexion d'alimentation 384 peut être disposée pour chevaucher la plage de connexion d'alimentation 319. La plage de connexion de données, la plage de connexion de grille et les bornes de plage de connexion de données 380, 382 et 384 peuvent être 30 formées avec l'électrode de liaison 376 durant la même étape de traitement, par utilisation du même matériau. En plus, la plage de connexion de données 338 peut être formée avec la ligne de données 336 durant la même étape de traitement, de manière que le motif en semi-conducteur 321 puisse être formé également audessous de la plage de connexion de données 338 avec la même forme de motif. Entre-temps, étant donné que la ligne d'alimentation 313 peut être formée avec la ligne de grille 312, une première électrode de liaison 383a et des deuxièmes électrodes de liaison 383b peuvent être formées sur et près de la ligne de grille 312, pour empêcher qu'un court-circuit électrique se produise entre la ligne de grille 312 R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 25/42 et la ligne d'alimentation 313. La première électrode de liaison 383a peut être formée pour croiser la ligne de grille 312 et peut être formée du même matériau que la ligne de données 336 durant la même étape de traitement, de manière que le motif en semiconducteur 321 puisse être également disposé au-dessous de la première électrode de 5 liaison 383a. Les deuxièmes électrodes de liaison 383b peuvent être formées avec l'électrode de connexion 376 en utilisant le même matériau, et peuvent être formées pour connecter la première électrode de liaison 383a à la ligne d'alimentation 313. Ainsi, les lignes d'alimentation 313 en direction verticale des régions à pixel P adjacent peuvent être reliées électriquement par les première et deuxièmes électrodes 10 de liaison 383a et 383b. Sur la figure 12, étant donné que la plage de connexion de données 338 et la plage de connexion d'alimentation 319 peuvent fournir des signaux différents à la ligne de données 336 et à la ligne d'alimentation 313, respectivement, la plage de connexion de données 338 peut être formée en une extrémité opposée à la plage de 15 connexion d'alimentation 319. Par exemple, si la plage de connexion de données 338 est formée à une extrémité supérieure de la ligne de données 336, alors la plage de connexion d'alimentation 319 peut être formée à une extrémité inférieure de la ligne d'alimentation 313. Un processus de fabrication donné comme exemple d'un panneau inférieur de 20 dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la figure 12, va être explicité en détail en référence aux figures 13A-13F, 14A-14F, 15A- 15F et 16A16F. Les figures 13A à 13E sont des vues en coupe le long de la ligne XIIIXIII de la figure 12, les figures 14A à 14E sont des vues en coupe le long de la ligne XIV25 XIV de la figure 12, les figures 15A à 15E sont des vues en coupe le long de la ligne XV-XV de la figure 12 et les figures 16A à 16E sont des vues en coupe le long de la ligne XVI-XVI de la figure 12, toutes représentant un exemple des processus de fabrication d'un panneau inférieur d'un dispositif OELD à matrice active de type à panneau double, selon la présente invention. Sur les figures 13A, 14A, 15A et 16A, une première couche métallique peut être formée sur un substrat 310 puis mise en motif pour former une électrode de grille 316, une plage de connexion de grille 318 et une plage de connexion d'alimentation 319. Bien que ceci ne soit pas représenté sur les figures 13A, 14A, 15A et 16A, mais soit représenté sur la figure 12, la ligne de grille 312 et la ligne 35 d'alimentation 313 peuvent également être formées sur le substrat 310, après la mise en motif de la première couche métallique. Selon la présente invention, la première couche métallique peut avoir une faible résistance spécifique, tel que pour de l'aluminium (Al). R\Brevels\21S00\21898 doc - 17décembre 2003 - 26142 Bien que ceci ne soit pas représenté sur les figures 13A, 14A, 15A et 16A, un masque et une photo-réserve photosensible peuvent être utilisés lorsque l'on procède à la mise en motif de la première couche métallique. Après la formation de la première couche métallique sur le substrat 310, une couche en photoréserve 5 photosensible peut être formée sur la première couche métallique. Ensuite, le masque peut être disposé au-dessus de la photoréserve et on peut procéder à une exposition à la lumière en utilisant le masque. Ensuite, après avoir effectué le développement de la photoréserve et la gravure de la première couche métallique, l'électrode de grille 316, la plage de connexion de grille 318, la plage de connexion 10 d'alimentation 319, la ligne de grille 312 et la ligne d'alimentation 313 peuvent être formées. Sur les figures 13B, 14B, 15B et 16B, une première couche isolante 220, une couche en silicium amorphe (a-Si) non dopé, une couche en silicium amorphe (n+aSi) dopé et une deuxième couche métallique peuvent être formées séquentiellement 15 sur le substrat 310 pour couvrir le métal mis en motif, par exemple l'électrode de grille 316, la plage de connexion de grille 318 et la plage de connexion d'alimentation 319. La première couche isolante 320 peut servir d'isolant de grille qui assure l'isolation électrique et protège l'électrode de grille 316 sous-jacente, la plage de connexion de grille 318, la plage de connexion d'alimentation 319 et les lignes de 20 grille et d'alimentation. Ensuite, les couches en silicium amorphe non dopé et dopé et la deuxième couche métallique peuvent être mises en motif simultanément en utilisant un deuxième processus de masquage pour former une couche de semiconducteur 324 sur l'électrode de grille 316, des électrodes de source et de drain 328 et 332 sur la 25 deuxième couche de semi-conducteur 324 et une plage de connexion de données 338. En outre, une ligne de données 336 (sur la figure 7) peut être formée pour croiser la ligne de grille 312, dans laquelle la plage de connexion de données 338 peut être disposée à l'extrémité de la ligne de données dans une direction opposée à la plage de connexion d'alimentation 319. Lors de la formation des électrodes de source et de 30 drain 328 et 332, une méthode d'exposition à diffraction peut être utilisée, qui va être explicitée en référence aux figures 17A-17D. Etant donné que les couches en silicium et la deuxième couche métallique peuvent être formées durant le même processus de masquage, la couche de semiconducteur 324 peut s'étendre au-dessous des électrodes de source et de drain 328 35 et 332, tel que représenté sur la figure 13B. En plus, un motif en semiconducteur 321 peut être disposé au-dessous de la plage de connexion de données 338 ayant la même forme de motif que celle représentée sur la figure 14B. La deuxième couche métallique peut comprendre un matériau métallique ayant une R:\Brevets\21800\21 898 doc - 17 décembre 2003 - 27142 haute résistance chimique, tel que du molybdène (Mo), du titane (Ti), du chrome (Cr) et du tungstène (W). La couche de semi-conducteur 324 peut comprendre une couche active 324a formée de silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique 324b formée de silicium amorphe dopé. En plus, le motif en semi5 conducteur 321 peut comprendre un motif en silicium amorphe non dopé 321 a et un motif en silicium amorphe dopé 321b. La première couche isolante 320 peut comprendre un matériau non organique sélectionné parmi un groupe constitué de nitrure de silicium (SiNx) et d'oxyde de silicium (SiO2). Entre-temps, les électrodes de source et de drain 328 et 332 peuvent être formées pour établir le contact avec la 10 couche de contact ohmique 324b et peuvent être espacées l'une de l'autre sur l'électrode de grille 316. Après avoir formé les électrodes de source et de drain 328 et 332, une partie de la couche de contact ohmique 324b exposée entre les électrodes de source et de drain 328 et 332 peut être enlevée en utilisant les électrodes de source et de drain 328 15 et 332 comme masque. Ainsi, une partie de la couche active 324a peut être exposée, formant de cette manière un canal ch entre les électrodes de source et de drain 328 et 332. Une explication détaillée de la formation du canal ch va être explicitée en référence aux figures 17A-17D. De manière correspondante, un transistor à couche mince de commande TD incluant l'électrode de grille 316, la couche de semi20 conducteur 324, l'électrode de source 328 et l'électrode de drain 332, peut être formé, tel que représenté sur la figure 13C. Sur les figures 13C, 14C, 15C et 16C, une deuxième couche d'isolation 356 peut être formée sur la totalité de la surface de la première couche d'isolation 320 pour couvrir le transistor à couche mince TD et la plage de connexion de 25 données 338. Ensuite, les première et deuxième couches d'isolation 320 et 356 peuvent être mises en motif en utilisant un troisième processus de masquage, formant de cette manière un trou de contact de source 346, un trou de contact de drain 348, un trou de contact de plage de connexion de données 350, un trou de contact de plage de connexion de grille 352 et un trou de contact de plage de connexion 30 d'alimentation 354. Les trous de contact de drain et de source 346 et les trous de contact de plage de connexion de données 350 peuvent pénétrer dans la deuxième couche d'isolation 356, tandis que les trous de contact de plage de connexion de grille et de plage de connexion d'alimentation 352 et 354 peuvent pénétrer à la fois dans les première et deuxième couches d'isolation 320 et 356. Le trou de contact de 35 source 346 peut correspondre à l'électrode de source 328, le trou de contact de drain 348 peut correspondre à l'électrode de drain 332, le trou de contact de plage de connexion de données 350 peut correspondre à la plage de connexion de données 338, le trou de contact de plage de connexion de grille 352 peutR:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 28/42 correspondre à la plage de connexion de grille 318, et le trou de contact de plage de connexion d'alimentation 354 peut correspondre à la plage de connexion d'alimentation 319. En plus, la deuxième couche d'isolation 356 peut être réalisée en un matériau organique et en un matériau non organique, ou bien peut comprendre 5 une structure à couche multiple. Cependant, l'isolant entrant en contact avec le transistor à couche mince TD peut être le matériau non organique, tel que du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde silicium (SiO2). Sur les figures 13D, 14D, 15D et 16D, un motif de connexion 374 ayant une forme en pilier peut être formé sur la deuxième couche d'isolation 356 et à l'intérieur 10 de la région à pixel P. Le motif de connexion 374 peut être formé par mise en motif d'un matériau isolant organique utilisant un quatrième masque, et peut correspondre en position à la deuxième électrode de la diode EL organique. En plus, le motif de liaison 374 peut avoir une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à couche mince TD15 Sur les figures 13E, 14E, 15E, et 16E, une troisième couche métallique peut être formée sur la deuxième couche d'isolation 356 pour couvrir le motif de connexion 374, puis mise en motif en utilisant un cinquième processus de masquage, formant de cette manière une électrode de connexion 376, une électrode d'alimentation 378, une borne de plage de connexion de données 380, une borne de 20 plage de connexion de grille 382 et une borne de plage de connexion d'alimentation 384. L'électrode de liaison 376 peut recouvrir le motif de liaison 374 par la région à pixel P et peut établir le contact avec l'électrode de drain 332 par le trou de contact de drain 348. L'électrode d'alimentation 378 peut entrer en contact avec l'électrode de source 328 par le trou de contact de source 346 et peut relier 25 électriquement l'électrode de source 328 à la ligne d'alimentation 313, tel que représenté sur la figure 12. La borne de plage de connexion de données 380 peut rentrer en contact avec la plage de connexion de données 338 par le trou de contact de plage de connexion de données 350, la borne de plage de connexion de grille 382 peut entrer en contact avec la plage de connexion de grille 318 par le trou de contact 30 de plage de connexion de grille 352, et la borne de plage de connexion d'alimentation 384 peut entrer en contact avec la plage de connexion d'alimentation 319 par le trou de contact de plage de connexion d'alimentation 354. Les FIGs 17A à 17D sont des vues en coupe représentant les processus de fabrication pris comme exemple pour former un transistor à couche mince en 35 utilisant une méthode d'exposition à diffraction, selon la présente invention. Sur la figure 17A, une électrode de grille 412 peut être d'abord formée sur un substrat 410 par mise en motif d'une première couche métallique. Ensuite, une première couche d'isolation de grille 414, une couche de semi-conducteur 416 et une deuxième couche R\Brevcls\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 29/42 métallique 418 peuvent être formées séquentiellement sur le substrat 410 pour couvrir l'électrode de grille 412, dans lequel la couche de semi-conducteur 416 peut comprendre une couche de silicium amorphe non dopé 416a et une couche de silicium amorphe dopé 416b. Ensuite, une photo-réserve 420 de matériau 5 photosensible peut être formée sur la deuxième couche métallique 418 et un masque 430 peut être placé au-dessus de la photo- réserve 420. La photo-réserve 420 peut être un matériau photosensible de type positif, dans lequel une partie exposée à la lumière est enlevée durant un processus de développement. Le masque 430 peut avoir une première partie Ml, une pluralité de 10 deuxièmes parties M2 et une pluralité de troisièmes parties M3. La première partie Ml peut comprendre des parties semi-transmissives et peut comprendre une pluralité de fentes ou bien un film semi-transparent, de manière que seule une partie de moitié de la lumière puisse passer à travers. La première partie Ml peut correspondre en position à une région de canal ch du transistor à couche mince. Les deuxièmes parties 15 M2 peuvent comprendre des parties d'écrantage qui peuvent complètement bloquer la lumière durant le processus d'exposition et peuvent correspondre aux électrodes de source et de drain du transistor à couche mince. Les troisièmes parties M3 peuvent comprendre des parties de transmission, qui permettent à la lumière de passer complètement à travers elles et peuvent correspondre à la région à pixel. Après avoir disposé le masque 430 au-dessus de la photo-réserve 420, une exposition à la lumière peut être effectuée sur la photo-réserve 420 en utilisant le masque 430. De manière correspondante, la lumière passant par les troisièmes parties M3 peut complètement irradier les régions correspondantes, tandis que la lumière passant par la première partie MI peut faiblement irradier les régions 25 correspondantes. Par conséquent, tel que représenté sur la figure 17B, après avoir développé la photo-réserve 420, les parties complètement irradiées de la photo-réserve 420 peuvent être complètement enlevées, et une partie correspondant à la première partie MI du masque 430 peut être partiellement enlevée. Les parties de la photo30 réserve 420 correspondant aux deuxièmes parties M2 peuvent rester sur la deuxième couche métallique 418, formant de cette manière un motif de photo-réserve 442 ayant une indentation 440 sur l'électrode de grille 412. Ensuite, les parties exposées de la deuxième couche métallique 418 et les parties sousjacentes de la couche de semi-conducteur 416 peuvent être gravées, de sorte que les motifs en métal et en 35 silicium sont uniquement laissés au-dessous du motif de photo-réserve 442, tel que représenté sur la figure 17B. La figure 17C représente une étape de processus du cendrage du motif de photo-réserve 442. Le motif de photo-réserve 442 peut être cendré de manière que R:\]Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 30142 des parties du motif de photo-réserve 442 puissent être partiellement enlevées, à un degré tel qu'une épaisseur d, jusqu'à ce qu'une partie de la deuxième couche métallique 418 mise en motif soit exposée. De manière correspondante, le motif en photo-réserve 442 cendré peut avoir une ouverture 444. Ensuite, la partie exposée de 5 la deuxième couche métallique 418 peut être enlevée par gravure, de manière qu'une électrode de source 446 et une électrode de drain 448 puissent être formées pour être espacées de chaque autre sur l'électrode de grille 412. Après avoir formé les électrodes de source et de drain 446 et 448, le motif en photo-réserve 442 résiduel peut être complètement enlevé par pelage, tel que 10 représenté sur la figure 17D. Ensuite, une partie de la couche en silicium amorphe 416b dopé entre les électrodes de source et de drain 446 et 448 peut être enlevée jusqu'à ce que la couche en silicium amorphe non dopé 416a sous-jacente soit exposée, formant de cette manière le canal ch sur la couche en silicium amorphe non dopé 416a. Lorsqu'on enlève la partie de la couche de silicium amorphe 15 dopé 416b entre les électrodes de source et de drain 446 et 448, la couche de silicium amorphe non dopé 416b sous-jacente peut être partiellement gravée pour complètement éliminer le silicium amorphe dopé se trouvant dans le canal ch. De manière correspondante, la couche en silicium amorphe non dopé 416a peut servir de couche active 450a, et la couche en silicium amorphe dopé 450b peut servir de 20 couche de contact ohmique 450b. L'électrode de grille 412, la couche active 450a, la couche de contact ohmique 450b et les électrodes de source et de drain 446 et 448 peuvent constituer un transistor à couche mince T. Dans les méthodes d'exposition à diffraction des figures 17A-17D, les couches de contact active et ohmique et les électrodes de source et de drain peuvent être formées simultanément durant le même 25 processus de masquage. Selon la présente invention, étant donné que la couche de matrice et la diode EL organique peuvent être formées sur des substrats différents, on peut obtenir un haut rendement de production et on peut augmenter les rendements de fabrication. Deuxièmement, étant donné que le panneau inférieur de la présente invention peut 30 être utilisé pour un dispositif OELD, la réduction des limitations de conception du transistor à couche mince et également un fort taux d'ouverture peuvent être obtenus. Troisièmement, étant donné que le transistor à couche mince de type décalé inversé peut être mis en oeuvre dans les dispositifs OELD, les processus de fabrication peuvent être effectués sous une température relativement faible et on peut utiliser des 35 processus de masquage réduits. Il est évident à l'Homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées dans le dispositif à électroluminescence organique de type à panneau double et à la méthode de fabrication du dispositif électroluminescent R\BrevetsU21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 31/42 organique de type à panneau double de la présente invention, sans quitter l'esprit ou le champ de l'invention. Ainsi, il est entendu que la présente invention couvre les modifications et les variations de cette invention, sachant qu'elle se situe dans le champ des revendications annexées et de leurs équivalents. R.\Brevets\21 800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 32/42 REVENDICATIONS 1. Dispositif électroluminescent organique à matrice active de type à panneau double, comprenant: une ligne de grille (212) disposée dans une première direction sur un premier substrat; une ligne de données (236) disposée dans une deuxième direction sur le premier substrat (110); une ligne d'alimentation (213) disposée dans la deuxième direction sur le 10 premier substrat (110) et espacée de la ligne de données (236), afin de définir une région à pixel avec les lignes de grille et de données (212, 236), la ligne d'alimentation (213) et la ligne de grille (212) étant toutes deux formées du même matériau, durant un même processus; un transistor de commutation à couche mince (TFT) Ts disposé sur le premier 15 substrat (110) à proximité d'un croisement des lignes de grille et de données (212, 236); un transistor de commande à couche mince disposé sur le premier substrat (110) à proximité d'un croisement des lignes de grille et d'alimentation (212, 213); un motif de connexion (142) dans la région à pixel sur le premier substrat 20 (110), formé d'un matériau isolant; et une électrode de liaison (276) disposée dans la région à pixel sur le premier substrat (110), afin de couvrir le motif de connexion (142) et interconnectant électriquement le transistor de commande à couche mince à une diode électroluminescente organique. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diode électroluminescente organique est disposée sur un deuxième substrat (150) opposé au premier substrat (110). 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre une première électrode de liaison (276) formée sur la ligne de grille (212) afin d'interconnecter les lignes d'alimentation le long de la deuxième direction, dans lequel la première électrode de liaison (276) est formée du même matériau que la ligne de grille (212). 4. Dispositif selon la revendication 3, comprenant en outre une deuxième électrode de liaison (276) disposée à proximité de la ligne de grille (212) pour interconnecter les lignes d'alimentation située le long d'une deuxième direction, le R \Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 33/42 long de la première électrode de liaison (276), dans lequel la deuxième électrode de liaison (276) est formée du même matériau que l'électrode de liaison (276), durant une même étape de processus. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre une électrode d'alimentation, interconnectant la ligne d'alimentation (213) au transistor de commande à couche mince, dans lequel l'électrode d'alimentation est formée du même matériau que l'électrode de liaison (276), ceci durant une même étape de processus. 10 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce qu'il comprend en outre une plage de connexion à une extrémité de la ligne de grille (212), une plage de connexion à une extrémité de la ligne de données (236), et une plage de connexion d'alimentation (219) à une extrémité de la ligne 15 d'alimentation (213), dans lequel la plage de connexion de données (238) est disposée en une position opposée à celle de la plage de connexion d'alimentation (219). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une borne de plage de connexion connectant la plage de connexion de grille (218), une borne de plage de connexion de données (238) établissant le contact avec la plage de connexion de données (238), et une borne de plage de connexion d'alimentation (219) établissant le contact avec la plage de connexion d'alimentation (219), dans lequel les bornes de la plage de connexion de grille (218), de la plage de 25 connexion de données (238) et de la plage de connexion d'alimentation (219) sont formées du même matériau que l'électrode de liaison (276), durant une même étape de procédé. 8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, caractérisé en ce qu'il comprend un motif à semi-conducteur au-dessous de la plage de connexion de données (238) et comprenant un premier motif de silicium amorphe non dopé et un deuxième motif de silicium amorphe dopé. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le transistor de commutation à couche mince (TFT) TS comprend une électrode de grille de commutation (214) qui s'étend depuis la ligne de grille (212), une couche de semi-conducteur de commutation disposée sur l'électrode de grille de commutation (214), une électrode de source de commutation qui s'étend depuis la R\Brevets\21800'21898.doc - 17 décembre 2003 - 34142 ligne de données (236) sur la couche de semi-conducteur, et une électrode de drain de commutation espacée de l'électrode de source sur la couche de semi-conducteur 10. Dispositif selon la revendication 9, comprenant en outre une électrode 5 de condensateur (234) s'étendant depuis l'électrode de drain de commutation, sur la ligne d'alimentation (213). il. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce que le transistor de commande à couche mince comprend une électrode de grille de commande reliée 10 à l'électrode de drain de commutation, une couche de semi-conducteur de commande disposée sur l'électrode de grille de commande, une électrode de source de commande disposée sur l'électrode d'alimentation, et une électrode de drain de commande connectée à l'électrode de liaison (276). 12. Dispositif selon la revendication 11, comprenant en outre une pluralité de motifs à semi-conducteur placés au-dessous de l'électrode de condensateur (234), de la ligne de données (236), des électrodes de source et de drain de commutation, et des électrodes de source et de drain de commande, dans lequel chacun des motifs à semi-conducteur comprend une structure à couche double comprenant un motif en 20 silicium amorphe non dopé et un motif en silicium amorphe dopé. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que les couches de semi-conducteur de commutation et de commande comprennent une couche active en silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique de silicium 25 amorphe dopé. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active à panneau double, comprenant: la mise en motif d'une première couche pour former l'électrode de grille, une 30 ligne de grille (212), une ligne d'alimentation (213), une plage de connexion de grille (218) et une plage de connexion d'alimentation (219) sur un premier substrat (110); la formation d'une première couche d'isolation sur le premier substrat (110) pour couvrir l'électrode de grille, la plage de connexion de grille (218) et la plage de connexion d'alimentation (219); la formation d'une couche de semi-conducteur sur la première couche d'isolation sur l'électrode de grille, la couche de semi-conducteur comprenant une couche active de silicium amorphe non dopé et une couche de contact ohmique de silicium amorphe dopé; R.\Brevets\2 1800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 35/42 la formation d'électrodes de source et de drain, d'une ligne de données (236), d'une première électrode de liaison (276) et d'une plage de connexion de données (238), dans lequel les électrodes de source et de drain sont disposées sur la couche de contact ohmique, dans lequel la ligne de données (236), la plage de connexion de 5 données (238) et la première électrode de liaison (276) sont disposées sur la première couche d'isolation, et dans lequel la première électrode de liaison (276) croise la ligne de grille (212); la formation d'un canal dans la couche active par gravure d'une partie de contact ohmique exposée entre les électrodes de source et de drain pour former un 10 transistor à couche mince incluant l'électrode de grille, la couche de semi-conducteur, l'électrode de source et l'électrode de drain; la formation d'une deuxième couche isolante sur la première couche isolante pour couvrir le transistor à couche mince, la ligne de données (236) et la plage de connexion de données (238); la formation d'un trou de contact de source, d'un trou de contact de drain, d'un trou de contact de plage de connexion de données (238), d'un trou de contact de plage de connexion de grille (218), et d'un trou de contact de plage de connexion d'alimentation (219), dans lequel les trous de contact de plage de connexion de source, de drain et de données pénètrent dans la deuxième couche isolante, et dans 20 lequel les trous de contact de plage de connexion de grille (218) et de plage de connexion d'alimentation (219) pénètrent dans les première et deuxième couches d'isolation; la formation d'un motif de connexion (142) sur la région à pixel sur la deuxième couche d'isolation, en utilisant un matériau isolant, dans lequel le motif de 25 connexion (142) a une forme en pilier et une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à couche mince; et la formation d'une électrode de liaison (276), d'une électrode d'alimentation, de deuxièmes électrodes de liaison, d'une borne de plage de connexion de données (238), d'une borne de plage de connexion de grille (218), et d'une borne de plage de 30 connexion d'alimentation (219) par utilisation d'une troisième couche métallique. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'électrode de liaison (276) couvre le motif de liaison et est en contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. 16. Procédé selon la revendication 14 ou 15, caractérisé en ce que l'électrode d'alimentation est en contact avec l'électrode de source via le trou de R \Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 36/42 contact de source et assure l'interconnexion entre le transistor à couche mince et la ligne d'alimentation (213). 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, caractérisé 5 en ce que les deuxièmes électrodes de liaison sont disposées près de la ligne de grille (212) et interconnectent les lignes d'alimentation à la première électrode le long d'une première direction de la ligne de données (236). 18. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 17, caractérisé 10 en ce que la borne de plage de connexion de données (238), la borne de plage de connexion de grille (218) et la borne de plage de connexion d'alimentation (219) sont disposées pour établir le contact avec la plage de connexion de données (238), la plage de connexion de grille (218), et la plage de connexion d'alimentation (219), respectivement, via le trou de contact de plage de connexion de données (238), via le 15 trou de contact de plage de connexion de grille (218), et via le trou de contact de plage de connexion d'alimentation (219). 19. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 18, caractérisé en ce que la formation de la ligne de grille (212) et d'alimentation comprend 20 l'utilisation d'un premier masque, dans lequel la formation de la couche de semiconducteur comprend l'utilisation d'un deuxième masque, dans lequel la formation des électrodes de source et de drain comprend l'utilisation d'un troisième masque, dans lequel la formation des trous de contact de source et de drain comprend l'utilisation d'un quatrième masque, dans lequel la formation du motif de connexion 25 (142) comprend l'utilisation d'un cinquième masque, et dans lequel la formation de l'électrode de liaison (276) comprend l'utilisation d'un sixième masque. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 19, caractérisé en ce que l'étape de formation des électrodes de source et de drain comprend la 30 formation d'une électrode de condensateur (234) sur la ligne d'alimentation (213) et dans lequel l'électrode de condensateur (234) comprend un condensateur de stockage avec la ligne d'alimentation (213) et les première et deuxième couches d'isolation. 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 20, caractérisé 35 en ce qu'une diode électroluminescente organique sur un deuxième substrat (150) est placée face au premier substrat (110), et l'électrode de liaison (276) interconnecte électriquement le premier transistor à couche mince à la diode électroluminescente organique. R \Brevels\21800\21898 doc - 23 décembre 2003 - 37/42 22. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 21, caractérisé en ce que la ligne de grille (212) est disposée le long d'une deuxième direction, et les lignes de données et d'alimentation sont disposées dans une deuxième direction et sont espacées l'une de l'autre pour définir la région à pixel. 23. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 22, caractérisé en ce que le matériau d'isolation prévu pour le motif de liaison comprend un matériau isolant organique. 24. Procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active de type à panneau double, comprenant: la mise en motif d'une première couche métallique pour former l'électrode de grille, une ligne de grille (212), une ligne d'alimentation (213), une plage de 15 connexion de grille (218) et une plage de connexion d'alimentation (219) sur un premier substrat (110); la formation d'une première couche isolante, d'une couche en silicium amorphe non dopé, d'une couche en silicium amorphe dopé et d'une deuxième couche métallique, séquentiellement, sur le premier substrat (110) pour couvrir l'électrode de 20 grille, la plage de connexion de grille (218) et la plage de connexion d'alimentation (219); la formation d'une photo-réserve photosensible sur la deuxième couche métallique; la disposition d'un premier masque ayant une partie semi-transmissive sur la 25 photo-réserve photosensible; la mise en motif de la couche en silicium amorphe non dopé, de la couche en silicium amorphe dopé, et de la deuxième couche métallique simultanément en utilisant une méthode d'exposition à diffraction utilisant le premier masque pour former une couche active, une couche de contact ohmique, une électrode de source, 30 une électrode de drain, une ligne de données (236), une première électrode de liaison (276), et une plage de connexion de données (238); la formation d'un canal dans la couche active, par gravure d'une partie de la couche de contact ohmique ayant été exposée entre les électrodes de source et de drain afin de former un transistor à couche mince comprenant l'électrode de grille, la 35 couche active, la couche de contact ohmique, l'électrode de source et l'électrode de drain; R:\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 38/42 la formation d'une deuxième couche isolante sur la première couche isolante afin de couvrir le transistor à couche mince, la ligne de données (236) et la plage de connexion de données (238); la formation d'un trou de contact de source, d'un trou de contact de drain, d'un 5 trou de contact de plage de connexion de données (238), d'un trou de contact de plage de connexion de grille (218), et d'un trou de contact de plage de connexion d'alimentation (219), dans lequel les trous de contact de source, de drain et de plage de connexion de données (238) pénètrent dans la deuxième couche isolante, et dans lequel les trous de contact de plage de connexion de grille (218) et de plage de 10 connexion d'alimentation (219) pénètrent dans les première et deuxième couches isolantes; la formation d'un motif de liaison sur la région à pixel sur la deuxième couche isolante, par utilisation d'un matériau isolant, dans lequel le motif de liaison a une forme en pilier et une hauteur supérieure à une hauteur correspondante du transistor à 15 couche mince; et la formation d'une électrode de liaison (276), d'une électrode d'alimentation, de deuxièmes électrodes de liaison, d'une borne de plage de connexion de données (238), d'une borne de plage de connexion de grille (218), et d'une borne de plage de connexion d'alimentation (219) par utilisation d'une troisième couche métallique. 20 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que l'électrode de liaison (276) couvre le motif de liaison et établit le contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. 26. Procédé selon la revendication 24 ou 25, caractérisé en ce que l'électrode d'alimentation établit le contact avec l'électrode de source via le trou de contact de source et interconnecte le transistor à couche mince à la ligne d'alimentation (213). 27. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 26, caractérisé en ce que les deuxièmes électrodes de liaison sont disposées à proximité de la ligne de grille (212) et assurent l'interconnexion entre les lignes d'alimentation et la première électrode de liaison (276). 28. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 27, caractérisé en ce que la borne de plage de connexion de données (238), la borne de plage de connexion de grille (218) et la borne de plage de connexion d'alimentation (219) sont disposées pour établir le contact avec la plage de connexion de données (238), la R.\Brevets\21800\21898 doc - 17 décembre 2003 - 39/42 plage de connexion de grille (218) et la plage de connexion d'alimentation (219), respectivement, via le trou de contact de plage de connexion de données (238), via le trou de contact de plage de connexion de grille (218) et via le trou de contact de plage de connexion d'alimentation (219). 29. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 28, caractérisé en ce que la formation de la ligne de grille (212) et de la ligne d'alimentation (213) comprend l'utilisation d'un premier masque, caractérisé en ce que la mise en motif de la couche en silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique 10 comprend l'utilisation d'un deuxième masque, dans lequel la formation des trous de contact de source et de drain comprend l'utilisation d'un troisième masque, dans lequel la formation du motif de connexion (142) comprend l'utilisation d'un quatrième masque, et dans lequel la formation de l'électrode de connexion comprend l'utilisation d'un cinquième masque. 30. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 29, caractérisé en ce que l'étape de mise en motif des couches de silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique inclut la formation d'une électrode de condensateur (234) sur la ligne d'alimentation (213). 20 31. Procédé selon la revendication 30, caractérisé en ce que l'électrode de condensateur (234) comprend un condensateur de stockage avec la ligne d'alimentation (213) et les première et deuxième couches d'isolation. 32. Procédé selon la revendication 30 ou 31, caractérisé en ce que la mise en motif des couches de silicium amorphe non dopé et dopé et de la deuxième couche métallique forme une pluralité de motifs à semiconducteur au-dessous de la ligne de données (236), de la première électrode de liaison (276) et de la plage de connexion de données (238). 33. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 32, caractérisé en ce qu'une diode électroluminescente organique sur un deuxième substrat (150) est placée face au premier substrat (110), et l'électrode de liaison (276) interconnecte électriquement le transistor à couche mince à la diode électroluminescente organique. 35 34. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 33, caractérisé en ce que la ligne de grille (212) est disposée dans une première direction, et les R:\Brevets\21800\21898 doc 17 décembre 2003 - 40/42 lignes de données et d'alimentation sont disposées dans une deuxième direction et sont espacées l'une de l'autre pour définir la région à pixel. 35. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 34, caractérisé 5 en ce que le matériau isolant pour le motif de connexion (142) comprend un matériau isolant organique. 36. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 35, caractérisé en ce que le motif de photo-réserve photosensible est un matériau de photo-réserve 10 de type positif. 37. Procédé selon l'une quelconque des revendications 24 à 36, caractérisé en ce que les électrodes de source et de drain sont disposées sur la couche de contact ohmique, et en ce que la première électrode de liaison (276) croise la ligne de 15 données (236). R:\Brevets\21800\21898.doc - 17 décembre 2003 - 41/42