Brevet FR2856484A1 — publié le 20041224

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI CONTEXTE DE L'INVENTION DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif d'affichage et un procédé de 10 fabrication d'un dispositif d'affichage, et plus particulièrement, un dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. DESCRIPTION DE L'ART ASSOCIE En général, les dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD) contrôlent la 15 transmittance de lumière de cellules de cristaux liquides agencées dans une configuration de matrice en réponse à des signaux vidéo pour afficher des images correspondant aux signaux vidéo sur des panneaux d'affichage à cristaux liquides. Le dispositif LCD comprend un panneau d'affichage à cristaux liquides ayant des cellules de cristaux liquides agencées dans un agencement de matrice active, et 20 commandant des circuits intégrés (IC) pour commander les cellules de cristaux liquides. Les IC de commande sont montés sur un boîtier de support de bande (TCP) lorsqu'ils sont fabriqués par un système de collage automatisé de bande (TAB). Inversement, les IC de commande sont montés sur une surface du panneau à cristaux liquides lorsqu'ils sont fabriqués par un système de puce sur verre (COG). Dans le 25 système TAB, les IC de commande sont électriquement connectés à une partie de plage disposée dans le panneau à cristaux liquides au moyen du TCP. La figure 1 est une vue plane d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'art associé et la figure 2 est une vue en coupe transversale le long de II-II' sur la figure 1 selon l'art associé. Sur la figure 1, le dispositif LCD comprend une section 30 d'affichage d'image 40 et une pastille de grille 42 et une plage de données 44 connectées entre les IC de commande et la section d'affichage d'image 40. La section d'affichage d'image 40 a une structure dans laquelle un substrat de matrice de transistor à couche mince 48 et un substrat de matrice de couleur sont attachés l'un à l'autre et comprend des cellules liquides agencées dans celle-ci. Dans la section d'affichage d'image 40, le substrat de matrice de transistor à couche mince 48 comprend des lignes de données auxquelles des signaux de données sont transmis, des lignes de grille auxquelles des signaux de grille sont transmis, un transistor à couche mince pour commuter les cellules de cristaux liquides situées à l'intersection des lignes de données et de grille, une électrode de pixel connectée au R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 1/28 transistor à couche mince pour alimenter la cellule de cristaux liquides, et un film d'alignement inférieur appliqué sur celui-ci pour assurer l'alignement des matériaux à cristaux liquides. Le substrat de matrice de filtre coloré 46 comprend un filtre coloré pour 5 produire une lumière colorée, une matrice noire pour éviter les fuites de lumière, une électrode de référence pour générer un champ électrique vertical avec l'électrode de pixel, et un film d'alignement supérieur appliqué sur celui-ci pour assurer l'alignement des matériaux à cristaux liquides. Le substrat de matrice de transistor à couche mince 48 et le substrat de matrice 10 de filtre coloré 46 sont espacés l'un de l'autre par un écartement afin d'obtenir un espacement de cellule uniforme. En outre, un matériau à cristaux liquides est rempli dans l'espacement de cellule formé par l'écartement. Sur la figure 1, la plage de grille 42 transmet des signaux de grille de l'IC de commande de grille à chaque ligne de grille de la section d'affichage d'image 40. 15 Comme décrit sur la figure 2, la plage de grille 42 comprend une électrode inférieure de plage de grille 30 s'étendant depuis la ligne de grille et une électrode supérieure de plage de grille 32 connectée à l'électrode inférieure de plage de grille 30 par l'intermédiaire d'un trou de contact de grille 38 traversant un film d'isolation de grille 12 et un film de passivation 18. Sur la figure 1, la plage de données 44 transmet des signaux de données depuis l'IC de commande de données à chaque ligne de données de la section d'affichage d'image 40. Comme décrit sur la figure 2, la plage de données 44 comprend une électrode inférieure de plage de données 34 s'étendant depuis la ligne de données et une électrode supérieure de plage de données 36 connectée à l'électrode inférieure de 25 plage de données 34 par l'intermnnédiaire d'un trou de contact de données 28 traversant le film de passivation 18. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de grille 42 et la plage de données 44 sont en contact avec des TCP dans lesquels les IC de commande sont montés dans le système TAB. Par exemple, l'électrode inférieure de plage de grille 30 connectée à 30 la ligne de grille est électriquement connectée au TCP de grille ayant les IC de commande de grille montés sur celui-ci par l'intermédiaire de l'électrode supérieure de plage de grille 32. De manière similaire, l'électrode inférieure de plage de données 34 connectée à la ligne de données est électriquement connectée au TCP de données ayant les IC de commande de données montés sur celui-ci par l'intermédiaire de 35 l'électrode supérieure de plage de données 36. En conséquence, l'électrode supérieure de plage de grille 32 et l'électrode supérieure de plage de données 36 servent à éviter que l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 2/28 données 34, respectivement, soient endommagées durant des étapes répétées de mise en contact des TCP qui sont requises pour le système TAB. Les dispositifs LCD (par exemple, des dispositifs LCD de type à réflexion ou des dispositifs LCD de type à commutation plane) ne requièrent pas de films 5 conducteurs transparents. De manière similaire, les dispositifs LCD de type à transmission ne requièrent pas des films conducteurs transparents dans la plage de grille 42 et la plage de données 44 afin de réduire le nombre total de procédés de masquage et d'abaisser les coûts de fabrication. En conséquence, ces dispositifs LCD ont des plages de grille 42 et des plages de données 44, comme décrit sur les figures 10 1 et2. La figure 3A est une vue plane d'une structure de plage selon l'art associé, et la figure 3B est une vue en coupe transversale le long de III1-III1' sur la figure 3A selon l'art associé. De manière similaire, la figure 3C est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé et la figure 3D est une vue en coupe transversale le long de II21112' sur la figure 3C selon l'art associé. Sur les figures 3B et 3D, l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de données 34 comprises dans la plage de grille 42 et la plage de données 44, respectivement, sont entièrement exposées. La figure 4A est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé 20 et la figure 4B est une vue en coupe transversale le long de IVI-IVI' sur la figure 4A selon l'art associé. De manière similaire, la figure 4C est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé et la figure 4D est une vue en coupe transversale le long de IV2IV2' sur la figure 4C selon l'art associé. Sur les figures 4B et 4D, l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de 25 données 34 sont partiellement exposées par l'intermédiaire d'un trou de contact de grille 28 et d'un trou de contact de données 38, comme décrit dans le brevet japonais mis à l'inspection publique Heisei 1287624. Dans les structures de plage des figures 3A à 3D et 4A à 4D, l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de données 34 sont 30 complètement ou partiellement exposées pour être directement en contact avec le TCP sur lequel les IC de commande sont montés dans le système TAB. Cependant, si un défaut apparaît en raison d'un désalignement causé lorsque le TCP est fixé à l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de données 34, des processus de réparation d'attachement et de détachement du TCP 35 doivent être effectués de manière répétée plusieurs fois. Durant les processus de réparation, l'électrode inférieure de plage de grille exposée 30 et l'électrode inférieure de plage de données exposée 34 sont toutes deux endommagées en étant retirées conjointement avec le TCP. En conséquence, ces dommages causent une R-\Brevets\22400\2242 I doc - 29 avril 2004 - 3/28 déconnexion électrique dans l'électrode inférieure de plage de grille 30 et l'électrode inférieure de plage de données 34. RESUME DE L'INVENTION En conséquence, la présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux 5 liquides et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides qui résout sensiblement un ou plusieurs des problèmes dus aux limitations et aux inconvénients de l'art associé. Un objet de la présente invention est de proposer un dispositif d'affichage à cristaux liquides capable de subir un processus de réparation de TAB. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides capable de subir un processus de réparation de TAB. La présente invention a pour objet un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: * une pluralité de lignes de signal sur un substrat; une pluralité d'électrodes de plage sur le substrat, chacune parmi la pluralité d'électrodes de plage étant connectée à l'une parmi la pluralité de lignes de signal; * au moins un film isolant sur la pluralité d'électrodes de plage, l'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact pour exposer des parties des 20 électrodes de plage; et * un film conducteur électriquement connecté à chacune de la pluralité d'électrodes de plage par l'intermédiaire des trous de contact. Selon un mode de réalisation du dispositif selon la présente invention, la pluralité de lignes de signal comprend au moins une des lignes suivantes: * une ligne de grille à laquelle des signaux de données sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; * une ligne de grille à laquelle des signaux de grille sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; * une ligne de référence à laquelle un signal de tension de référence est appliqué par 30 l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage. Selon un autre mode de réalisation le dispositif selon la présente invention, comprend en outre une électrode réflexive formée dans une zone d'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille, Selon encore un autre mode de réalisation le dispositif selon la présente 35 invention, comprend: * une électrode de pixel formée dans une zone d'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille; R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 4/28 * une électrode de référence formée parallèlement à l'électrode de pixel dans la zone d'intersection, l'électrode de pixel recevant les signaux de données et l'électrode de référence recevant le signal de tension de référence pour former un champ électrique horizontal parallèle au substrat. Selon un autre mode encore de réalisation le dispositif selon la présente invention, comprend en outre: * une électrode de pixel formée dans une zone d'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille; et * un film conducteur transparent ayant un motif similaire au motif de l'au moins un film isolant. Le dispositif selon la présente invention peut aussi comprendre une à plusieurs des caractéristiques suivantes: - chacun de la pluralité de trous de contact est formé de manière à avoir une 15 forme comprenant l'un parmi un cercle, un ovale et un polygone. - chacun de la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de U et un second trou de contact en forme de U mis en prise avec le premier trou de contact en forme de U dans la direction latérale des électrodes de plage. - chacun de la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en 20 forme de C et un second trou de contact en forme de C mis en prise avec le premier trou de contact en forme de C dans la direction longitudinale des électrodes de plage. - chacun de la pluralité de trous de contact comprend une configuration en zigzag continue dans la direction longitudinale des électrodes de plage. - chacun de la pluralité de trous de contact a une largeur d'environ 5 gm à 25 environ 50 gm. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: * la formation d'une pluralité d'électrodes de plage connectées à une pluralité de lignes de signal sur un substrat; * la formation d'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact pour exposer des parties de la pluralité d'électrodes de plage; et * la connexion des parties exposées des électrodes de plage directement à un film conducteur. Selon une forme d'exécution le procédé de l'invention, comprend, en outre: ala formation d'une ligne de données à laquelle des signaux de données sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; et * la formation d'une ligne de grille à laquelle des signaux de grille sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage. R:\Brevets\22400\22421 dc - 29 avril 2004 - 5/28 Selon un autre mode encore de réalisation, le procédé selon la présente invention, comprend, en outre, la formation d'une électrode réflexive dans une zone d'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille. Selon encore un autre mode de réalisation, le procédé selon la présente invention, comprend, en outre: * la formation d'une ligne de référence à laquelle un signal de tension de référence est appliqué par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage et d'une électrode de référence connectée à la ligne de référence; et ò la formation d'une électrode de pixel recevant les signaux de données, l'électrode de référence et l'électrode de pixel formant un champ électrique horizontal parallèle au substrat. Selon un autre mode de réalisation, le procédé selon la présente invention, comprend, en outre: * la formation d'une électrode de pixel dans une zone d'intersection de la ligne de 15 données et de la ligne de grille; * la formation d'un film conducteur transparent ayant un motif similaire au motif de l'au moins un film isolant. Le procédé selon la présente invention comprend en outre une ou plusieurs des étapes suivantes, - chacun parmi la pluralité de trous de contact est formé de manière à avoir une forme comprenant un cercle, un ovale et un polygone. - chacun parmi la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de U et un second trou de contact en forme de U mis en prise avec le premier trou de contact en forme de U dans la direction latérale des électrodes de plage. - chacun parmi la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de C et un second trou de contact en forme de C mis en prise avec le premier trou de contact en forme de C dans la direction longitudinale des électrodes de plage. - chacun parmi la pluralité de trous de contact comprend une configuration en zigzag continue dans la direction longitudinale des électrodes de plage. - chacun parmi la pluralité de trous de contact a une largeur d'environ 5 lm à environ 50 ptm. Les caractéristiques et avantages supplémentaires de l'invention sont décrits dans la description faite ci-après, et apparaîtront en partie à la lecture de la description ou peuvent être enseignés par la pratique de l'invention. L'objectif et les 35 autres avantages de l'invention sont réalisés et obtenus par la structure particulièrement décrite dans la description écrite et les revendications associées ainsi que les dessins annexés. R \Brevets\22400\22421 doc - 29 avril 2004 - 6/28 Pour réaliser ces avantages et d'autres et selon l'objet de la présente invention, comme réalisée et généralement décrite, un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend une pluralité de lignes de signal sur un substrat, une pluralité d'électrodes de plage sur le substrat, chacune parmi la pluralité d'électrodes de plage étant 5 connectée à l'une parmi la pluralité de lignes de signal, au moins un film isolant sur la pluralité d'électrodes de plage, l'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact pour exposer des parties des électrodes de plage, et un film conducteur électriquement connecté à chacun parmi la pluralité d'électrodes de plage par l'intermédiaire des trous de contact. Dans un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend la formation d'une pluralité d'électrodes de plage connectées à une pluralité de lignes de signal sur un substrat, la formation d'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact pour exposer des parties de la pluralité d'électrodes de plage et la connexion des parties exposées des électrodes de 15 plage directement avec un film conducteur. Il doit être entendu que la description générale ci-dessus et la description détaillée ci-après sont exemplaires et explicatives et sont destinées à apporter des explications supplémentaires de l'invention selon les revendications. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les dessins annexés, qui sont joints pour permettre une meilleure compréhension de l'invention sont incorporés et constituent une partie de cette spécification, illustrent des modes de réalisation de l'invention et conjointement avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. Sur les dessins: La figure 1 est une vue plane d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides 25 selon l'art associé; La figure 2 est une vue en coupe transversale le long de II-I' sur la figure 1 selon l'art associé; La figure 3A est une vue plane d'une structure de plage selon l'art associé; La figure 3B est une vue en coupe transversale le long de III1-111' sur la 30 figure 3A selon l'art associé; La figure 3C est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé; La figure 3D est une vue en coupe transversale le long de II12-1112' sur la figure 3C selon l'art associé; La figure 4A est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé; 35 La figure4B est une vue en coupe transversale le long de IVI-IVI' sur la figure 4A selon l'art associé; La figure 4C est une vue plane d'une autre structure de plage selon l'art associé; R-\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 7/28 La figure 4D est une vue en coupe transversale le long de IV2-IV2' sur la figure 4A selon l'art associé; La figure 5 est une vue plane d'un substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention; La figure 6 est une vue en coupe transversale le long de VII-VIl', VI2-VI2' et VI3-VI3' sur la figure 5 selon la présente invention; Les figures 7A à 7D sont des vues en coupe transversale le long de VII-VIl', VI2-VI2' et VI3-VI3' d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 6 selon la présente invention; La figure 8 est une vue en coupe transversale le long de VII-VIl', VI2-VI2' et VI3-VI3' sur la figure 5 d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention; Les figures 9A à 9D sont des vues en coupe transversale le long de VII-VIl', VI2-VI2' et VI3-VI3' sur la figure 8 d'un procédé de fabrication exemplaire du 15 substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 8 selon la présente invention; La figure 10 est une vue plane d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince selon la présente invention; La figure 11 est une vue en coupe transversale le long de XI-XI' sur la 20 figure 10 du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 10 selon la présente invention; Les figures 12A à 12D sont des vues en coupe transversale le long de XI-XI' sur la figure 10 d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 11 selon la présente invention; La figure 13 est une vue en coupe transversale le long de XII-XII' correspondant à XI-XI' sur la figure 10 d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention; Les figures 14A à 14C sont des vues en coupe transversale le long de XII-XII' correspondant à XI-XI' sur la figure 10 d'un autre procédé de fabrication de substrat 30 de matrice de transistor à couche mince exemplaire de la figure 13 selon la présente invention; La figure 15 est une vue plane d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention; La figure 16 est une vue en coupe transversale le long de XVI-XVI' sur la 35 figure 15 du substrat de matrice de transistor à couche mince selon la présente invention; R:\Brevets\22400\22421 doc - 29 awvril 2004 - 8/28 Les figures 17A à 17D sont des vues en coupe transversale le long de XVIXVI' sur la figure 16 d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 16 selon la présente invention; Les figures 18A à 18F sont des vues planes de trous de contact exemplaires selon la présente invention; et Les figures 19A et 19B sont des vues en coupe transversale schématiques de TCP exemplaires connectés à une électrode inférieure de plage d'un substrat de matrice de transistor à couche mince selon la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Il est fait référence ci-après de manière détaillée aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont illustrés sur les dessins annexés. La figure 5 est une vue plane d'un substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention, et la figure 6 est une vue en coupe 15 transversale le long de VII-VIl', VI2-VI2' et VI3VI3' sur la figure 5 selon la présente invention. Sur les figures 5 et 6, un substrat de matrice de transistor à couche mince peut comprendre une ligne de grille 52 et une ligne de données 54 disposées sur un substrat inférieur 51 de manière à se croiser l'une avec l'autre avec un film d'isolation de grille 62 disposé entre elles. En outre, un transistor à couche 20 mince 55 peut être disposé à chaque intersection des lignes de grille et de données 52 et 54, une électrode réflexive 72 peut être formée dans une zone de pixel 57 agencée à l'intersection des lignes de grille et de données 52 et 54, un condensateur de mémoire 96 peut être formé dans une zone de chevauchement de la ligne de grille 52 et de l'électrode réflexive 72, une plage de grille 92 peut être connectée à la ligne de 25 grille 52 et une plage de données 94 peut être connectée à la ligne de données 54. En conséquence, la ligne de grille 52 peut transmettre des signaux de grille depuis la plage de grille 92 et la ligne de données 54 peut transmettre des signaux de données depuis la plage de données 94. Le transistor à couche mince 55, en réponse aux signaux de grille transmis par 30 la ligne de grille 52, peut permettre qu'un signal de pixel transmis par la ligne de données 54 soit chargé dans l'électrode réflexive 72. Le transistor à couche mince 55 peut comprendre une électrode de grille 56 connectée à la ligne de grille 52, une électrode source 58 connectée à la ligne de données 54 et une électrode de drain 60 connectée à l'électrode réflexive 72. En outre, le transistor à couche mince 55 peut 35 comprendre une couche active 64 chevauchant l'électrode de grille 56 avec un film d'isolation de grille 62 entre celles-ci, de manière à définir un canal entre l'électrode source 58 et l'électrode de drain 60. En outre, une couche de contact ohmique 66 R:\Brevets\22400\22421 doc - 29 avril 2004 - 9/28 pour réaliser un contact ohmique avec l'électrode source 58 et l'électrode de drain 60 peut être disposée sur la couche active 64. Sur la figure 6, l'électrode réflexive 72 peut être intégrée à l'électrode de drain du transistor à couche mince 55 et peut être formée dans la région de pixel 57. En 5 conséquence, un champ électrique peut être formé entre l'électrode réflexive 72 à laquelle le signal de pixel est transmis par l'intermédiaire du transistor à couche mince 55 et une électrode de référence (non représentée) à laquelle une tension de référence est appliquée. Le champ électrique peut faire tourner les molécules de cristaux liquides agencées entre le substrat de matrice de transistor à couche mince et 10 un substrat de matrice de filtre coloré en raison de l'anisotropie diélectrique. En conséquence, le rapport de réflexion de lumière réfléchie par la région de pixel 57 peut varier en fonction du degré de rotation des molécules de cristaux liquides, de manière à afficher des images. Sur les figures 5 et 6, le condensateur de mémoire 96 peut comprendre une 15 ligne de grille 52 et une électrode réflexive 72 chevauchant la ligne de grille 52 avec le film d'isolation de grille 62 disposé entre cellesci. Le condensateur de mémoire 96 peut maintenir de manière stable un signal de pixel chargé dans l'électrode réflexive 72 jusqu'à ce qu'un nouveau signal de pixel soit chargé dans l'électrode réflexive 72. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de grille 92 peut être connectée à 20 un IC de commande de grille pour transmettre des signaux de grille de l'IC de commande de grille à la ligne de grille 52. En conséquence, la plage de grille 92 peut comprendre une électrode de plage de grille 80 s'étendant depuis la ligne de grille 52 et une pluralité de trous de contact de grille 88 peuvent traverser le film d'isolation de grille 62 et un film de passivation 68 pour exposer des parties de l'électrode de plage 25 de grille 80. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de grille 80 exposée par l'intermédiaire d'au moins un ou plusieurs des trous de contact de grille 88 puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage de grille 80 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de grille 88 restant peut maintenir une connexion électrique avec le TCP de grille sur lequel I'IC de commande de grille 30 est monté. En conséquence, les signaux de grille provenant de l'IC de commande de grille peuvent être transmis à la ligne de grille 52 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de grille 80. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de données 94 peut être connectée à un IC de commande de données pour transmettre des signaux de données de l'IC de 35 commande de données à la ligne de données 54. En conséquence, la plage de données 94 peut comprendre une électrode de plage de données 84 s'étendant depuis la ligne de données 54 et une pluralité de trous de contact de données 78 traversant le film de passivation 68 pour exposer des parties de l'électrode de plage de données 84. R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 10/28 Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de données 84 exposée par l'intermédiaire d'au moins un ou plusieurs trous de contact de grille 78 puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage de données 84 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de données 78 restant peut maintenir une 5 connexion électrique avec le TCP de données sur lequel l'IC de commande de données est monté. En conséquence, les signaux de données provenant de l'IC de commande de données peuvent être transmis à la ligne de données 54 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de données 84. Les figures 7A à 7D sont des vues en coupe transversale le long de VIlVIl', o10 VI2-VI2' et VI3-VI3' d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 6 selon la présente invention. Sur la figure 7A, un premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de grille 52, l'électrode de grille 56 et l'électrode de plage de grille 80 peut être formé sur le substrat inférieur 51. Par exemple, une couche de métal de grille, tel qu'un système 15 métallique d'aluminium (Al) ou le cuivre (Cu), peut être formée sur le substrat inférieur 51 par une technique de dépôt, telle que la pulvérisation. Ensuite, la couche de métal de grille peut être imprimée par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former le premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de grille 52, l'électrode de grille 56 et l'électrode de plage de grille 80. Sur la figure 7B, un motif semi-conducteur comprenant un film d'isolation de grille 62 et une couche active 64 et une couche de contact ohmique 66 sur le film d'isolation de grille 62 peut être formé sur le substrat inférieur 51 pourvu du premier groupe de motifs conducteurs. Par exemple, le film d'isolation de grille 62 et les première et seconde couches semiconductrices peuvent être formés séquentiellement 25 sur le substrat inférieur 51 par une technique de dépôt, telle que le dépôt chimique en phase gazeuse à plasma (PECVD) et la pulvérisation. Le film d'isolation de grille 62 peut être fait d'un matériau isolant inorganique, tel qu'un oxyde de silicium (SiOx) ou un nitrure de silicium (SiNx). La première couche semi-conductrice peut être faite de silicium amorphe non dopé et la seconde couche semi-conductrice peut être faite de 30 silicium amorphe dopé avec une impureté de type N ou de type P. Ensuite, les première et seconde couches semi-conductrices peuvent être imprimées par des procédés photolithographies et d'attaque pour former le motif semi-conducteur comprenant la couche active 64 et la couche de contact ohmique 66. Sur la figure 7C, un second groupe de motifs conducteurs peut être formé sur le 35 substrat inférieur 51 pourvu du motif semi-conducteur, dans lequel le second groupe de motifs conducteurs peut comprendre une électrode source 58, une électrode de drain 60, une électrode réflexive 72, une ligne de données 54 et une électrode de plage de données 84. Par exemple, une couche de métal de données peut être déposée R \Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - I 1/28 sur le substrat inférieur 51 ayant le motif semi-conducteur. Ensuite, la couche de métal de données peut être imprimée par des procédés photolithographies et d'attaque pour former le second groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de données 54, l'électrode source 58, une électrode de drain 60, une électrode réflexive 72, qui 5 peut être intégrée à l'électrode de drain 60, et une électrode de plage de données 84. En outre, la couche de contact ohmique 66 peut être attaquée par un procédé d'attaque par voie sèche en utilisant l'électrode source 58 et l'électrode de drain 60 en tant que masque, de manière à exposer la couche active 64. Sur la figure 7D, un filmn de passivation 68 comprenant une pluralité de trous 10 de contact de grille 88 et de trous de contact de données 78 peut être formé sur le substrat inférieur 51 pourvu du second groupe de motifs conducteurs. Par exemple, le film de passivation 68 peut être formé sur une surface entière du film d'isolation de grille 62 par un procédé de dépôt, tel que le PECVD. Ensuite, le film de passivation 68 peut être imprimé par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former 15 les trous de contact de grille 88 et les trous de données 78. Les trous de contact de grille 88 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 68 et le film d'isolation de grille 62 pour exposer des régions de l'électrode de plage de grille 80. De manière similaire, les trous de contact de données 78 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 68 pour exposer des régions de l'électrode 20 de plage de données 80. Le film de passivation 68 peut être fait d'un matériau isolant inorganique comme le film d'isolation de grille 62 ou un matériau isolant organique ayant une faible constante diélectrique, tel qu'un composé organique de système acrylique, le benzocyclobutène (BCB) ou le perfluorocyclobutane (PFCB). La figure 8 est une vue en coupe transversale le long de VII-VIl', VI2VI2' et 25 VI3-VI3' sur la figure 5 d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention. Sur la figure 8, un substrat de matrice de transistor à couche mince peut être similaire au substrat de matrice de transistor à couche mince des figures 5 et 6, sauf que le motif semi-conducteur comprenant la couche active et la couche de contact ohmique peut être formé au-dessus du second 30 groupe de motifs conducteurs comprenant l'électrode source, l'électrode de drain, l'électrode de plage de données et la ligne de données le long du second groupe de motifs conducteurs. En conséquence, certaines caractéristiques du substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire de la figure 8 ont été omises par souci de brièveté. Sur la figure 8, l'électrode source 58, l'électrode de drain 60 et l'électrode de plage de données 84 peuvent être formées de manière à avoir un motif similaire au motif semi-conducteur. En outre, l'électrode réflexive 72 peut être faite d'un métal R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 12/28 différent de l'électrode de drain 60 et peut être formée dans la région de pixel définie par la ligne de données 54 et la ligne de grille 52. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de grille 92 peut être connectée un IC de commande de grille pour transmettre des signaux de grille de I'IC de 5 commande de grille à une ligne de grille 52. En conséquence, la plage de grille 92 peut comprendre une électrode de plage de grille 80 s'étendant depuis la ligne de grille 52 et une pluralité de trous de contact de grille 88 traversant le film d'isolation de grille 62 et le film de passivation 68 pour exposer des parties de l'électrode de plage de grille 80. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de grille 10 80 exposée par l'intermédiaire d'au moins un ou plusieurs trous de contact de grille 88 puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage de grille 80 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de grille restant 88 peut maintenir une connexion électrique avec le TCP de grille sur lequel est monté l'IC de commande de grille. En conséquence, les signaux de grille provenant de l'IC de 15 commande de grille peuvent être transmis à la ligne de grille 52 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de grille 80. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de données 94 peut être connectée un IC de commande de données pour transmettre des signaux de données de l'IC de commande de données à la ligne de données 54. En conséquence, la plage de 20 données 94 peut comprendre un motif semiconducteur comprenant la couche active 64 et la couche de contact ohmique 66, et l'électrode de plage de données 84 peut s'étendre depuis la ligne de données 54, dans laquelle l'électrode de plage de données 84 peut être formée de manière à avoir un motif similaire au motif semi-conducteur, et une pluralité de trous de contact de données 78 traversant le film de passivation 68 25 pour exposer des parties de l'électrode de plage de données 84. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de données 84 exposée par l'intermédiaire d'au moins un ou plusieurs trous de contact de grille 78 puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage de données 84 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de données restant 78 peut maintenir une 30 connexion électrique avec le TCP de données sur lequel l'IC de commande de données est monté. En conséquence, les signaux de données provenant de l'IC de commande de données peuvent être transmis à la ligne de données 54 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de données 84. Les figures 9A à 9D sont des vues en coupe transversale le long de VII VI 1', 35 VI2-VI2' et VI3-VI3' sur la figure 8 d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 8 selon la présente invention. Sur la figure 9A, une couche demétal de grille faite d'un métal de système d'aluminium peut être déposée sur une surface entière du substrat inférieur 51 et des R'\Brevets\22400\2242 l.doc - 29 avril 2004 - 13/28 motifs peuvent être formés dans celle-ci par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former un premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de grille 52, l'électrode de grille 56 et l'électrode de plage de grille 80. Sur la figure 9B, le film d'isolation de grille 62, la première et la seconde 5 couches semi-conductrices et la couche de métal de données peuvent être formés séquentiellement sur le substrat inférieur 51 avec le premier groupe de motifs conducteurs. Ensuite, bien que cela ne soit pas représenté, un motif de photoresist peut être formé sur la couche de métal de données par des procédés photolithographiques en utilisant un second masque, dans lequel le motif de 10 photoresist peut avoir des régions de canal de différentes hauteurs. Ensuite, la couche de métal de données peut être imprimée par un procédé d'attaque par voie humide en utilisant le motif de photoresist ayant les parties de canal de différentes hauteurs pour former le second groupe de motifs conducteurs semi-conducteurs comprenant la ligne de données 54, l'électrode source 58, l'électrode de drain 60, qui peut être 15 intégrée à l'électrode source 58, et l'électrode de plage de données 84. Ensuite, la première et la seconde couches semi-conductrices peuvent être imprimées simultanément par un procédé d'attaque en utilisant le motif de photoresist ayant les parties de canal de différentes hauteurs pour former la couche active 64 et la couche de contact ohmique 66. Ensuite, un motif de photoresist ayant une hauteur 20 relativement plus faible dans la région de canal peut être enlevé par un procédé de combustion, et des parties de l'électrode source 58 et de l'électrode de drain 60 dans la région de canal et la couche de contact ohmique 66 peuvent être attaquées par une technique d'attaque par voie sèche. En conséquence, la couche active 64 dans la région de canal peut être exposée pour séparer électriquement l'électrode source 58 25 de l'électrode de drain 60. Ensuite, les parties résiduelles du motif de photoresist sur le second groupe de motifs conducteurs peuvent être enlevées par un procédé de décapage. Sur la figure 9C, une couche de métal réflexive fait d'un métal de système d'aluminium peut être déposée sur le film d'isolation de grille 62 pourvu du second 30 groupe de motifs conducteurs. Ensuite, la couche de métal réflexive peut être imprimée par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former un troisième groupe de motifs conducteurs comprenant l'électrode réflexive 72. Sur la figure 9D, l'un parmi un matériau isolant organique ou un matériau isolant inorganique peut être déposé sur le film d'isolation de grille 62 pourvu du 35 troisième groupe de motifs conducteurs pour former le film de passivation 68 déposé entièrement sur le substrat inférieur 51. Ensuite, le film de passivation 68 peut être imprimé par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former les trous de contact de grille 99 et les trous de données 78. Les trous de contact de grille 88 R\Brevets\22400\2242 1l.doc - 29 avril 2004 - 14/28 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 68 et le film d'isolation de grille 62 pour exposer des régions de l'électrode de plage de grille 80. De manière similaire, les trous de contact de donnés 78 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 68 pour exposer des régions de l'électrode de plage de données 84. La figure 10 est une vue plane d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince selon la présente invention et la figure 11 est une vue en coupe transversale le long de XI-XI' sur la figure 10 du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 10 selon la présente invention. Sur les figures 10 et 11, un 10 substrat de matrice de transistor à couche mince de type à commutation plane (IPS) peut comprendre une ligne de grille 152 et une ligne de données 154 formées sur un substrat inférieur 151 de manière à se croiser l'une avec l'autre. En outre, un transistor à couche mince 120 peut être formé à chaque intersection des lignes de grille et de données 152 et 154, une électrode de pixel 172 et une électrode de 15 référence 140 peuvent être formées pour générer un champ électrique horizontal dans une région de pixel définie par l'intersection des lignes de grille et de données 152 et 154, et une ligne de référence 142 peut être connectée à l'électrode de référence 140. En outre, le substrat de matrice de transistor à couche mince peut comprendre un condensateur de mémoire 130 formé dans une partie de chevauchement entre 20 l'électrode de pixel 172 et la ligne de référence 142, une plage de grille 192 connectée à la ligne de grille 152, une plage de données 194 connectée à une ligne de données 154 et une plage de référence 148 connectée à la ligne de référence 142. En conséquence, la ligue de grille 152 peut transmettre des signaux de grille à une électrode de grille 156 du transistor à couche mince 120, et la ligne de données 154 25 peut transmettre des signaux de pixel à une électrode de pixel 172 par l'intermédiaire d'une électrode de drain 160 du transistor à couche mince 120. En outre, la ligne de référence 142 peut être formée parallèlement à la ligne de grille 152, la région de pixel 128 étant positionnée entre la ligue de référence 142 et la ligne de grille 152 pour appliquer une tension de référence pour exciter les cristaux liquides à l'électrode 30 de référence 140. Le transistor à couche mince 120, en réponse aux signaux de grille transmis par la ligne de grille 152, peut permettre que le signal de pixel de la ligne de données 154 soit chargé et maintenu dans l'électrode de pixel 172. Le transistor à couche mince 120 peut comprendre une électrode de grille 156 connectée à la ligne de grille 152, 35 une électrode source 158 connectée à la ligne de données 154 et une électrode de drain 160 connectée à l'électrode de pixel 172. En outre, le transistor à couche mince 120 peut comprendre une couche active 164 chevauchant l'électrode de grille 156, un film d'isolation de grille 162 étant disposé entre celles-ci et un canal entre l'électrode R:\Brevets\22400\2242 I doc - 29 avril 2004 - 15/28 source 158 et l'électrode de drain 160. Une couche de contact ohmique 166 pour réaliser un contact ohmique avec l'électrode source 158 et l'électrode de drain 160 peut être formée sur la couche active 164. Sur la figure 11, l'électrode de pixel 172 peut être formée dans la région de 5 pixel 128 de manière à être intégrée avec l'électrode de drain du transistor à couche mince 120 et peut également être intégrée à l'électrode de mémoire 150. Par exemple, l'électrode de pixel 172 peut comprendre une partie horizontale 172A connectée à l'électrode de drain 160 et formée parallèlement à la ligne de grille 152 adjacente, et une partie digitée 172B s'étendant depuis la partie horizontale 172A et formée 10 parallèlement à l'électrode de référence 140. En outre, l'électrode de référence 140 peut être connectée à la ligne de référence 142 et peut être formée dans la région de pixel 128. Par conséquent, l'électrode de référence 140 peut être formée parallèlement à la partie digitée 172B de l'électrode de pixel 172 dans la région de pixel 128. En conséquence, un champ électrique horizontal peut être formé entre l'électrode de pixel 14 à laquelle les signaux de pixel sont transmis par l'intermédiaire du transistor à couche mince 120 et de l'électrode de référence 140 auxquelles la tension de référence est appliquée par l'intermédiaire de la ligne de référence 16. En outre, le champ électrique horizontal peut être formé entre la partie digitée 172B de 20 l'électrode de pixel 172 et l'électrode de référence 140. En conséquence, les molécules de cristaux liquides disposées le long de la direction horizontale entre le substrat de matrice de transistor à couche mince et le substrat de matrice de filtre coloré par le champ électrique horizontal peuvent tourner en raison de l'anisotropie diélectrique. Par conséquent, la transmittance de lumière transmise à travers la région 25 de pixel 128 peut différer en fonction du degré de rotation des molécules de cristaux liquides, de manière à produire des images. Sur la figure 11, le condensateur de mémoire 130 peut comprendre la ligne de référence 142 et une électrode de mémoire 150 chevauchant la ligne de référence 142, le film d'isolation de grille 162 étant disposé entre celles-ci, dans lequel 30 l'électrode de mémoire 150 peut être formée de manière intégrée avec l'électrode de pixel 172. Le condensateur de mémoire 130 peut permettre qu'un signal de pixel chargé dans l'électrode de pixel 172 soit maintenu de manière stable jusqu'à ce qu'un signal de pixel suivant soit chargé. Bien que cela ne soit pas représenté, la ligne de grille 152 peut être connectée, 35 par l'intermédiaire d'une plage de grille 192, à un IC de commande de grille. En outre, la plage de grille 192 peut comprendre une électrode de plage de grille 180 s'étendant depuis la ligne de grille 152, et une pluralité de trous de contact de grille R'\Brevets\22400\22421. doc - 29 avril 2004 - 16128 188 traversant le film d'isolation de grille 162 et le film de passivation 168 pour exposer des régions de l'électrode de plage de grille 180. Bien que cela ne soit pas représenté, la ligne de données 154 peut être connectée, par l'intermédiaire d'une plage de données 194, à l'IC de commande de 5 données. En outre, la plage de données 194 peut comprendre une électrode de plage de données 184 s'étendant depuis la ligne de données 154, et une pluralité de trous de contact de données 178 traversant le film de passivation 52 pour exposer des régions de l'électrode de plage de données 184. Bien que cela ne soit pas représenté, la ligne de référence 142 peut recevoir une 10 tension de référence d'une source de tension de référence externe par l'intermédiaire de la plage de référence 184. En outre, la plage de référence 184 peut comprendre une électrode de plage de référence 144 s'étendant depuis la ligne de référence 142, et une pluralité de trous de contact de référence 146 traversant le film d'isolation de grille 162 et le film de passivation 168 pour exposer des régions de l'électrode de 15 plage de référence 144. Les figures 12A à 12D sont des vues en coupe transversale le long de XIXI' sur la figure 10 d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 11 selon la présente invention. Sur la figure 12A, un premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de référence 142, 20 l'électrode de référence 140, l'électrode de plage de référence 144, la ligne de grille (non représentée), l'électrode de grille 156, et l'électrode de plage de grille 180 peuvent être formées sur le substrat inférieur 151. Par exemple, une couche de métal de grille, telle qu'un métal de système d'aluminium, peut être formée sur le substrat inférieur 151 par une technique de dépôt, telle que la pulvérisation. Ensuite, la 25 couche de métal de grille peut être imprimée par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former le premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de référence 142, l'électrode de référence 140, l'électrode de plage de référence 144, la ligne de grille (non représentée), l'électrode de grille 156 et l'électrode de plage de grille 180. Sur la figure 12B, un motif semi-conducteur comprenant le film d'isolation de grille 162 et la couche active 164 et la couche de contact ohmique 166 sur le film d'isolation de grille 162 peut être formé sur le substrat inférieur 151 ayant le premier groupe de motifs conducteurs. Par exemple, le film d'isolation de grille 162 et une première couche semi- conductrice et une seconde couche semi-conductrice peuvent 35 être séquentiellement formés sur le substrat inférieur 151 par un procédé de dépôt, tel que le PECVD et la pulvérisation. Le film d'isolation de grille 162 peut être fait d'un matériau isolant inorganique, tel qu'un oxyde de silicium (SiOx) ou un nitrure de silicium (SiNx). La première couche semi-conductrice peut être faite de silicium R:\Brevets\22400\2242 1.doc - 29 avril 2004 - 17/28 amorphe non dopé et la seconde couche semi- conductrice peut être faite de silicium amorphe dopé avec une impureté de type N ou de type P. Ensuite, les première et seconde couches semi- conductrices peuvent être imprimées simultanément par des procédés photolithographies et d'attaque pour former le motif semi-conducteur comprenant la couche active 164 et la couche de contact ohmique 166. Sur la figure 12C, un second groupe de motifs conducteurs comprenant l'électrode source 158, l'électrode de drain 160, l'électrode de pixel 172, la ligne de données 154 et l'électrode de plage de données 184 peut être formé sur le substrat inférieur 151 ayant le motif semi-conducteur. Par exemple, la couche de métal de 10 données peut être déposée sur le substrat inférieur 151 sur lequel le motif semiconducteur est formé. Ensuite, la couche de métal de données peut être imprimée par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former le second groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de données 154, l'électrode source 158, l'électrode de drain 160, qui peut être intégrée à l'électrode de drain 160 et l'électrode 15 de plage de données 184. Ensuite, la couche de contact ohmique 166 peut être attaquée par un procédé d'attaque par voie sèche en utilisant l'électrode source 158 et l'électrode de drain 160 en tant que masque, de manière à exposer la couche active 164 du transistor à couche mince. Sur la figure 12D, un film de passivation 168 comprenant une pluralité de trous 20 de contact de référence 146, de trous de contact de grille 188 et de trous de contact de données 178 peut être formé sur le film d'isolation de grille 162 sur lequel le second groupe de motifs conducteurs est formé. Par exemple, le film de passivation 168 peut être formé sur une surface entière du film d'isolation de grille 162 par un procédé de dépôt, tel que le PECVD. Ensuite, le film de passivation 168 peut être 25 imprimé par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former les trous de contact de référence 146, les trous de contact de grille 188 et les trous de contact de données 178. Les trous de contact de référence 146 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 168 et le film d'isolation de grille 162 pour exposer des régions de l'électrode de plage de grille 180. En outre, les trous de contact de 30 données 178 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 168 pour exposer des régions de l'électrode de plage de données 180. Le film de passivation 168 peut être fait d'un matériau isolant inorganique comme le film d'isolation de grille 162, ou peut être formé d'un matériau isolant organique ayant une faible constante diélectrique, tel qu'un composé organique de système acrylique, le 35 benzocyclobutène (BCB) ou le perfluorocyclobutane (PFCB). La figure 13 est une vue en coupe transversale le long de XII-XII' correspondant à XI-XI' sur la figure 10 d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention. Sur la figure 13, un substrat de R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 18/28 matrice de transistor à couche mince peut être similaire au substrat de matrice de transistor à couche mince des figures 10 et 11, sauf que la couche active et la couche de contact ohmique peuvent être formées au-dessous du second groupe de motifs conducteurs comprenant l'électrode source, l'électrode de drain, l'électrode de plage 5 de données et la ligne de données le long du second groupe de motifs conducteurs. En conséquence, certaines caractéristiques du substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire de la figure 13 ont été omises par souci de brièveté. Sur la figure 13, un substrat de matrice de transistor à couche mince peut comprendre l'électrode source 158, l'électrode de drain 160 et l'électrode de plage de 10 données 184 formées de manière à avoir un motif similaire au motif semiconducteur. En outre, le condensateur de mémoire 130 peut comprendre une ligne de référence 142, une électrode de mémoire 150, qui peut chevaucher la ligne de référence 142, le film d'isolation de grille 162 étant disposé entre celles-ci et peut être intégré à une électrode de pixel 172 et des motifs semi-conducteurs 164 et 166 ayant 15 un motif similaire au motif de l'électrode de mémoire 150. En conséquence, le condensateur de mémoire 130 peut maintenir de manière stable un signal de pixel chargé dans l'électrode de pixel 172 jusqu'à ce qu'un signal de pixel suivant soit chargé. Bien que cela ne soit pas représenté, la plage de données 194 peut être 20 connectée à un IC de commande de données pour transmettre des signaux de données de l'IC de commande de données à la ligne de données 154. La plage de données 194 peut comprendre un motif semi-conducteur ayant une couche active 164 et une couche de contact ohmique 166, une électrode de plage de données 184 ayant un motif similaire au motif du motif semi- conducteur et s'étendant depuis la ligne de 25 données 154, et une pluralité de trous de contact de données 178 traversant le film de passivation 168 pour exposer des parties de l'électrode de plage de données 184. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de données exposée par l'intermédiaire d'au moins un ou plusieurs trous de contact de données 178 puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage de données 184 30 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de données restant 178 peut maintenir une connexion électrique avec le TCP de données sur lequel l'IC de commande de données est monté. En conséquence, les signaux de données de l'IC de commande de données peuvent être transmis à la ligne de données 154 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de données 184. Bien que cela ne soit pas représenté, une plage de référence 148 peut être connectée à une source de tension de référence externe pour appliquer une tension de référence à une ligne de référence. La plage de référence 148 peut comprendre une électrode de plage de référence 144 s'étendant depuis la ligne de référence 143 et une R:\Brevets\22400\22421. doc- 29 avril 2004 - 19/28 pluralité de trous de contact de référence 146 traversant le film d'isolation de grille 162 et le film de passivation 168 pour exposer des parties de l'électrode de plage de référence 144. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage de référence 144 exposée puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage 5 de référence 144 exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact de données restant 146 peut maintenir une connexion électrique avec un TCP électriquement connecté. En conséquence, la tension de référence provenant de la source de tension de référence externe peut être appliquée à la ligne de référence 142 par l'intermédiaire de l'électrode de plage de données 144. Les figures 14A à 14C sont des vues en coupe transversale le long de XIIXII' correspondant à XI-XI' sur la figure 10 d'un autre procédé de fabrication de substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire de la figure 13 selon la présente invention. Bien que cela ne soit pas représenté, une couche de métal de grille faite d'un métal de système d'aluminium peut être déposée sur une surface entière du 15 substrat inférieur 151, puis imprimée par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former un premier groupe de motifs conducteurs comprenant la ligne de référence 142, l'électrode de référence 144, la ligne de grille 140, l'électrode de grille 156 et l'électrode de plage de grille 180, comme décrit sur la figure 14A. Sur la figure 14B, le film d'isolation de grille 162, les première et seconde 20 couches semi-conductrices et la couche de métal de données peuvent être formés séquentiellement sur le substrat inférieur 151 comportant le premier groupe de motifs conducteurs. Ensuite, bien que cela ne soit pas représenté, un motif de photoresist peut être formé sur la couche de métal de données par un procédé photolithographique en utilisant un second masque, dans lequel le motif de 25 photoresist peut avoir des régions de canal de différentes hauteurs. Ensuite, la couche de métal de données peut être imprimée par un procédé d'attaque par voie humide en utilisant le motif de photoresist ayant les régions de canal de différentes hauteurs pour former le motif de données comprenant la ligne de données 154, l'électrode source 158, l'électrode de drain 160, l'électrode de plage de données 184 et 30 l'électrode de mémoire 150. Ensuite, les première et seconde couches semiconductrices peuvent être imprimées par un procédé d'attaque par voie sèche en utilisant le motif de photoresist ayant les régions de canal de différentes hauteurs pour former la couche active 164 et la couche de contact ohmique 166. Ensuite, un motif de photoresist ayant une hauteur relativement plus faible dans la région de 35 canal peut être enlevé par un procédé de combustion. Ensuite, une partie de connexion de l'électrode source et l'électrode de drain dans la région de canal et la couche de contact ohmique 166 peut être attaquée par un procédé d'attaque par voie sèche. En conséquence, la couche active 164 dans la région de canal peut être R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 20/28 exposée pour séparer électriquement l'électrode source 158 de l'électrode de drain 160. Ensuite, les parties résiduelles de motif de photoresist laissées sur le second groupe de motifs conducteurs peuvent être enlevées par un procédé de décapage. Sur la figure 14C, l'un parmi un matériau isolant organique ou un matériau 5 isolant inorganique peut être déposé sur la surface entière du film d'isolation de grille 162 pourvu du second groupe de motifs conducteurs pour former le film de passivation 168 déposé entièrement sur le film d'isolation de grille 162. Ensuite, le film de passivation 168 peut être imprimé par des procédés photolithographiques et d'attaque pour former les trous de contact de référence, les trous de contact de grille 10 188 et les trous de données 178. En conséquence, les trous de contact de référence 146 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 168 et le film d'isolation de grille 162 pour exposer des régions de l'électrode de plage de référence 144. En outre, les trous de contact de grille 188 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 168 et le film d'isolation de grille 162 pour exposer 15 des régions de l'électrode de plage de grille 180. En outre, les trous de contact de données 178 peuvent être formés de manière à traverser le film de passivation 168 pour exposer des régions de l'électrode de plage de données 184. La figure 15 est une vue plane d'un autre substrat de matrice de transistor à couche mince exemplaire selon la présente invention et la figure 16 est une vue en 20 coupe transversale le long de XVI-XVI' sur la figure 15 du substrat de matrice de transistor à couche mince selon la présente invention. Sur les figures 15 et 16, un substrat de matrice de transistor à couche mince peut comprendre une section d'affichage d'image 240, et une plage de grille 242 et une plage de données 244 connectées entre des IC de commande (non représentés) et la section d'affichage 25 d'image 240. La section d'affichage d'image 240 peut comprendre un substrat de matrice de transistor à couche mince 248 et un substrat de matrice de couleur 246 attachés l'un à l'autre et entre lesquels des cellules liquides sont disposées. La plage de grille 242 peut transmettre des signaux de P'IC de commande de grille (non représenté) à chaque ligne de grille. La plage de grille 242 peut 30 comprendre une électrode inférieure de plage de grille 230 s'étendant depuis la ligne de grille, une pluralité de trous de contact de grille 238 traversant le film d'isolation de grille 212, un film de passivation 218 pour exposer des régions de l'électrode inférieure de plage de grille 230, et une électrode supérieure de plage de grille 232 ayant un motif similaire au dessin du film d'isolation de grille 238 et du film de 35 passivation 218. La plage de données 244 peut transmettre des signaux de données de P'IC de commande de données à la ligne de données 154. La plage de données 244 peut comprendre une électrode inférieure de plage de données 234 s'étendant depuis la R:ABrevets\22400\22421I doc - 29 avril 2004 - 21/28 ligne de données 154, une pluralité de trous de contact de données 228 traversant le film de passivation 218 pour exposer des régions de l'électrode inférieure de plage de données 234 et une électrode supérieure de plage de données 236 ayant un motif similaire au motif du film de passivation 218. Les figures 17A à 17D sont des vues en coupe transversale le long de XVIXVI' sur la figure 16 d'un procédé de fabrication exemplaire du substrat de matrice de transistor à couche mince de la figure 16 selon la présente invention. Bien que cela ne soit pas représenté, une couche de métal de grille peut être déposée sur une surface entière du substrat inférieur 201, puis imprimée par des procédés 10 photolithographiques et d'attaque pour former l'électrode de grille et la ligne de grille du transistor à couche mince avec l'électrode inférieure de plage de grille 230, comme décrit sur la figure 17A. Sur la figure 17B, l'un parmi un matériau isolant organique ou un matériau isolant inorganique peut être déposé sur la surface entière du substrat inférieur 201 15 sur lequel l'électrode inférieure de plage de grille 230 est formée pour former le film d'isolation de grille 212. Ensuite, bien que cela ne soit pas représenté, le motif semiconducteur, qui comprend la couche active et la couche de contact ohmique qui forment une partie de canal du transistor à couche mince, peut être formé sur le substrat inférieur 212 sur lequel le film d'isolation de grille 212 est formé. Sur la figure 17C, une couche de métal de données peut être entièrement déposée sur le substrat inférieur 201 sur lequel est formé le motif semiconducteur puis imprimée pour former la ligne de données 154, et les électrodes de source et de drain du transistor à couche mince avec l'électrode inférieure de plage de données 234. Sur la figure 17D, l'un parmi un matériau isolant organique ou un matériau isolant inorganique peut être déposé entièrement sur le substrat inférieur 201 sur lequel est placée l'électrode inférieure de plage de données 234 pour former le film de passivation 218. Ensuite, un matériau conducteur transparent peut être entièrement déposé sur le film de passivation 218, puis imprimé pour former 30 l'électrode supérieure de plage de grille 232 et l'électrode supérieure de plage de données 236. Ensuite, le film d'isolation de grille 212 et le film de passivation 218 peuvent être attaqués par voie sèche en utilisant l'électrode supérieure de plage de grille 232 et l'électrode supérieure de plage de données 236 en tant que masque pour former une pluralité de trous de contact de grille 238 et de trous de contact de 35 données 228. Les figures 18A à 18F sont des vues planes de trous de contact exemplaires selon la présente invention. Sur la figure 18A, les trous de contact 292 regroupant les trous de contact de grille, les trous de contact de données et les trous de contact de R:\Brevets\22400\22421 doc - 29 avril 2004 22/28 référence peuvent avoir une forme de polygone de manière à exposer des régions de l'électrode de plage 290 telle que les électrodes de plage de référence, de grille et de données. Sur la figure 18B, les trous de contact 292 regroupant les trous de contact de grille, les trous de contact de données et les trous de contact de référence peuvent 5 avoir une forme circulaire ayant un diamètre relativement élevé de manière à exposer des régions de l'électrode de plage 290 telle que les électrodes de plage de référence, de grille et de données. Inversement, sur la figure 18C, les trous de contact 292 regroupant les trous de contact de grille, les trous de contact de données et les trous de contact de référence peuvent avoir une forme circulaire ayant un diamètre 10 relativement faible de manière à exposer des régions de l'électrode de plage 290 telle que les électrodes de plage de référence, de grille et de données. En variante, comme décrit sur la figure 18D, un trou de contact 292 peut avoir une forme courbée ou une configuration en zigzag de manière à exposer l'électrode de plage 290 telle que les électrodes de plage de référence, de grille et de données. En outre, comme décrit sur 15 la figure 18E, le trou de contact 292 peut avoir une forme comprenant un premier trou de contact en forme de C 292a et un second trou de contact en forme de C 292b mis en prise l'un avec l'autre dans la direction longitudinale de l'électrode de plage 290. En outre, comme décrit sur la figure 18F, le trou de contact 292 peut avoir une forme comprenant un premier trou de contact en forme de U 292a et un second trou 20 de contact en forme de U 292b mis en prise l'un avec l'autre dans la direction latérale de l'électrode de plage 290. Par exemple, les trous de contact 292 décrits sur les figures 18A à 18F peuvent avoir une largeur d'environ 5 gm à environ 50 jim. Les figures 19A et 19B sont des vues en coupe transversale schématiques de TCP exemplaires connectés à une électrode inférieure de plage d'un substrat de 25 matrice de transistor à couche mince selon la présente invention. Sur les figures 19A et 19B, une électrode de plage peut être mise en oeuvre pour l'un quelconque des substrats de matrice de transistor à couche mince des figures 5 à 17. Comme décrit sur les figures 19A et 19B, des électrodes de plage peuvent être mises en contact par l'intermédiaire de films conducteurs anisotropes (ACF) 270 et 280, l'IC de 30 commande étant monté sur les TCP 278 et 288. En conséquence, les plages de sortie 272 et 282 formés sur les TCP 278 et 288 peuvent être électriquement connectées, par l'intermédiaire de billes conductrices 276 et 286 des ACF 270 et 280, à au moins l'une parmi les électrodes de plage de grille 274 et 230, les électrodes de plage de données 284 et 234 et les électrode de plage de référence (non représentées). Par 35 exemple, des premières plages de sortie 272 sur un film de base du TCP 278 peuvent être électriquement connectées aux électrodes de plage de grille 274 et 230, par l'intermédiaire des billes conductrices 276 et 286 des ACF 270 et 280. De manière similaire, des secondes plages de sortie 282 sur un film de base du TCP 288 peuvent R:\Brevets\22400\22421.doc - 29 avril 2004 - 23/28 être électriquement connectées aux électrodes de plage de données 284 et 234. En outre, bien que cela ne soit pas représenté, des troisièmes plages de sortie 282 sur un film de base du TCP 288 peuvent être électriquement connectées aux électrodes de plage de référence par l'intermédiaire des billes conductrices 276 et 286 des ACF 270 et 280. En conséquence, l'une quelconque parmi la plage de grille, la plage de données et la plage de référence peut avoir une structure similaire à celle de l'une quelconque parmi les électrodes de plage de grille 274 et 230, les électrodes de plage de données 284 et 234 et les électrodes de plage de référence exposée par l'intermédiaire de la 10 pluralité de trous de contact, de manière à prévenir la déconnexion de l'électrode inférieure de plage bien que la fixation des TCP 278 et 288 puisse être effectuée de manière répétée. Selon la présente invention, une électrode de plage comprenant une électrode de plage de grille, une électrode de plage de données et une électrode de plage de 15 référence peut être exposée par l'intermédiaire d'une pluralité de trous de contact. Par conséquent, bien qu'une partie de l'électrode de plage puisse être enlevée lors de processus de réparation, l'électrode de plage exposée par l'intermédiaire d'un trou de contact restant peut maintenir une connexion électrique avec le TCP. En conséquence il peut être possible d'éviter que l'électrode de plage soit électriquement 20 déconnectée et d'exécuter le processus de réparation de manière à attacher et détacher aisément le TCP. Il apparaîtra à l'homme du métier que différentes modifications et variantes peuvent être faites du dispositif d'affichage à cristaux liquides et d'un procédé de fabrication de dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente invention sans 25 s'écarter de l'esprit ou la portée de l'invention. Par conséquent, il doit être noté que la présente invention couvre les modifications et variantes de cette invention à condition qu'elles soient dans la portée des revendications annexées et leurs équivalents. R:\Brevets\22400\2242 1l.doc - 29 avril 2004 - 24/28 REVENDICATIONS 1. Dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: une pluralité de lignes de signal sur un substrat; * une pluralité d'électrodes de plage sur le substrat, chacune parmi la pluralité d'électrodes de plage étant connectée à l'une parmi la pluralité de lignes de signal; a au moins un film isolant (62) sur la pluralité d'électrodes de plage, l'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact pour exposer des parties des électrodes de plage; et * un film conducteur électriquement connecté à chacune de la pluralité d'électrodes de plage par l'intermédiaire des trous de contact. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel la pluralité de lignes de signal comprend au moins l'une des suivantes: aune ligne de grille (52) à laquelle des signaux de données sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; ò une ligne de grille (52) à laquelle des signaux de grille sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; * une ligne de référence à laquelle un signal de tension de référence est appliqué par 20 l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage. 3. Dispositif selon la revendication 2, comprenant, en outre, une électrode réflexive (72) formée dans une zone d'intersection de la ligne de données (54) et de la ligne de grille (52). 4. Dispositif selon la revendication 2, comprenant, en outre: * une électrode de pixel formée dans une zone d'intersection de la ligne de données (54) et de la ligne de grille (52); et * une électrode de référence formée parallèlement à l'électrode de pixel dans la zone 30 d'intersection, l'électrode de pixel recevant les signaux de données et l'électrode de référence recevant le signal de tension de référence pour former un champ électrique horizontal parallèle au substrat. 5. Dispositif selon la revendication 2, comprenant, en outre: * une électrode de pixel formée dans une zone d'intersection de la ligne de données (54) et de la ligne de grille (52); et R-\Brevets\22400\22421 doc - 29 avril 2004 - 25/28 *un film conducteur transparent ayant un motif similaire au motif de l'au moins un film isolant. 6. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacun de la pluralité de trous de contact est formé de manière à avoir une forme comprenant l'un parmi un cercle, un ovale et un polygone. 7. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacun de la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de U et un second trou de 10 contact en forme de U mis en prise avec le premier trou de contact en forme de U dans la direction latérale des électrodes de plage. 8. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacun de la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de C et un second trou de 15 contact en forme de C mis en prise avec le premier trou de contact en forme de C dans la direction longitudinale des électrodes de plage. 9. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacun de la pluralité de trous de contact comprend une configuration en zigzag continue dans la direction 20 longitudinale des électrodes de plage. 10. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel chacun de la pluralité de trous de contact a une largeur d'environ 5 gtm à environ 50 Jlm. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: * la formation d'une pluralité d'électrodes de plage connectées à une pluralité de lignes de signal sur un substrat; * la formation d'au moins un film isolant ayant une pluralité de trous de contact 30 pour exposer des parties de la pluralité d'électrodes de plage; et * la connexion des parties exposées des électrodes de plage directement à un film conducteur. 12. Procédé selon la revendication 11, comprenant, en outre: * la formation d'une ligne de données à laquelle des signaux de données sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage; et * la formation d'une ligne de grille (52) à laquelle des signaux de grille sont transmis par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage. R:\Brevets.22400\2242 I.doc - 29 avril 2004 - 26/28 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant, en outre, la formation d'une électrode réflexive dans une zone d'intersection de la ligne de données et de la ligne de grille (52). 14. Procédé selon la revendication 11, comprenant, en outre: * la formation d'une ligne de référence à laquelle un signal de tension de référence est appliqué par l'intermédiaire de l'une quelconque des électrodes de plage et d'une électrode de référence connectée à la ligne de référence; et ò la formation d'une électrode de pixel recevant les signaux de données, dans lequel l'électrode de référence et l'électrode de pixel forment un champ électrique horizontal parallèle au substrat. 15. Procédé selon la revendication 12, comprenant, en outre: * la formation d'une électrode de pixel dans une zone d'intersection de la ligne de 15 données et de la ligne de grille (52); ò la formation d'un film conducteur transparent ayant un motif similaire au motif de l'au moins un film isolant. 16. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chacun parmi la 20 pluralité de trous de contact est formé de manière à avoir une forme comprenant un cercle, un ovale et un polygone. 17. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chacun parmi la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de U et un second 25 trou de contact en forme de U mis en prise avec le premier trou de contact en forme de U dans la direction latérale des électrodes de plage. 18. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chacun parmi la pluralité de trous de contact a un premier trou de contact en forme de C et un second 30 trou de contact en forme de C mis en prise avec le premier trou de contact en forme de C dans la direction longitudinale des électrodes de plage. 19. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chacun parmi la pluralité de trous de contact comprend une configuration en zigzag continue dans la 35 direction longitudinale des électrodes de plage. 20. Procédé selon la revendication 11, dans lequel chacun parmi la pluralité de trous de contact a une largeur d'environ 5 ptm à environ 50 /im. R'\BrevetsM2240022421.doc - 29 avril 2004 - 27/28