Brevet FR2849957A1 — publié le 20040716

COMPOSANT AYANT DES CONNEXIONS HAUTE FR QUENCE DANS UN SUSBTRAT L'invention concerne la technique de connexion par soudure pour 5 des liaisons de signal dans le substrat d'un module en très hautes fréquences, par exemple d'un module en micro-ondes ou en ondes millimétriques, ainsi qu'une technique de connexion par soudure pour des composants de ce genre. Le domaine de fréquence entre 1 GHz et 30 GHz est dénommé 10 domaine micro-ondes (domaine mo). Le domaine de fréquence à partir de 30 GHz et en allant vers le haut est dénommé domaine d'ondes millimétriques (domaine Omm). Les modules de très hautes fréquences se distinguent des modules de hautes fréquences notamment par le fait qu'il est utilisé pour des circuits en très hautes fréquences, à partir de 5 GHz, en règle générale, des 15 "guides d'ondes", par exemple des conducteurs à micro- ruban et des conducteurs coplanaires. Les modules de très hautes fréquences sont des composants électroniques intégrés qui remplissent diverses fonctionnalités pour des applications à utiliser dans le domaine de fréquences de 1 à 100 GHz. Des 20 composants de ce genre peuvent, en général, être utilisés dans des systèmes de transmission de données, par exemple pour la réception de satellites de télévision, dans des réseaux de données locaux sans fil - LAN (Local Area Network), WLAN (LAN sans fil), Bluetooth, dans des modules optiques comme des multiplexeurs, des modulateurs et des unités émetteur/récepteur, 25 ainsi que dans le radar et dans des modules frontaux pour des communications à large bande, par exemple pour le LMDS (Local Multimedia Distribution System) et pour des installations à faisceaux hertziens pour des stations de base. Les modules opérant dans le domaine des ondes millimétriques 30 sont fabriqués de nos jours le plus souvent à base de substrats à couche mince dans lesquels sont incorporés des circuits intégrés. Le substrat en couche mince peut porter en même temps un composant à puce ou plusieurs composants à puce. Les composants à puce sont fixés sur le substrat servant de support au moyen de liaisons par fil ou par la technique de puce à bosses 35 et sont ainsi reliés électriquement. Les voies de contact entre les composants à puce et les substrat sont maintenues aussi courtes que possible afin que les pertes de signal, qui se produisent notamment lors de l'encapsulage d'un composant contenant des lignes ouvertes de passage du signal par une masse de scellement, puissent être minimisées. En raison des cots relativement élevés, la surface de la puce des 5 composants à puce à semi-conducteur est maintenue très petite, ce qui entraîne de manière correspondante de petites dimensions des contacts extérieurs de composants de ce genre. La dimension de contact d'un circuit intégré à micro-ondes est habituellement d'environ 50... 100 pm, la distance entre les contacts extérieurs varie entre 100... 250 pm. La distance minimum 10 imposée par la technologie entre deux connexions transversales dans le substrat s'élève, par exemple dans ce cas, à 225 pm. Il est possible, en principe, de mettre la distance des contacts extérieurs d'un circuit intégré à micro-ondes à la distance minimum comprise entre les connexions transversales. Mais cela s'accompagne d'un agrandissement peu souhaité de 15 la surface de puce. Un autre problème réside dans le fait que pour des raisons technologiques, on ne peut pas déposer des pistes conductrices fines à volonté dans le substrat ou sur la face supérieure du substrat. La présente invention vise à perfectionner la technique de connexion par soudure entre des composants de module dans un module à 20 micro-ondes ou à ondes millimétriques pour permettre la connexion par soudure des petites distances comprises entre les composants à puce à semiconducteur ayant les contacts extérieurs et les structures métalliques du substrat du module, tout en respectant la distance minimum nécessaire entre les connexions transversales dans le substrat du module. On y parvient, suivant l'invention, par un composant à soudure de connexion, caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat à plusieurs couches ayant au moins deux couches diélectriques superposées dans lequel, en-dessous et entre les couches diélectriques il est prévu des plans de métallisation ayant des pistes 30 conductrices, au moins deux connexions transversales pour la connexion de deux plans différents de métallisation étant prévues dans chaque couche diélectrique, la distance b minimum entre les connexions transversales dans la couche diélectrique la plus haute étant égale ou inférieure à la distance c la plus petite se produisant entre les contacts transversaux dans les couches les 35 plus profondes, b c, - au moins une puce placée sur la face supérieure du substrat à plusieurs couches et ayant au moins deux contacts extérieurs sur la face inférieure, qui sont reliés électriquement au plan de métallisation le plus haut, la distance a entre au moins deux desdits contacts extérieurs étant inférieure 5 à la distance b ou c minimum entre les contacts transversaux dans les couches diélectriques, - au moins une liaison haute fréquence ou très haute fréquence liaison HF - qui est prévue entre les contacts extérieurs et le plan de métallisation le plus bas, la au moins une liaison haute fréquence ou très 10 haute fréquence comprenant au moins deux pistes conductrices qui ne sont pas reliées électriquement entre elles, - ladite liaison HF étant placée dans le substrat à plusieurs couches dans un plan ou dans plusieurs plans de métallisation, et - dans lequel au moins une liaison HF a, dans au moins l'un des 15 plans de métallisation, une disposition en éventail des pistes conductrices. A la surface du composant est prévue une couche de protection qui s'applique sur la puce et qui est constituée pour protéger la puce des influences extérieures. Une autre fonction de la couche de protection est d'empêcher que la masse liquide de scellement d'un recouvrement 20 supplémentaire à déposer ultérieurement vienne sous la puce et touche le circuit intégré actif, ce qui provoquerait des dysfonctionnements, notamment un désaccord de fréquence ou une panne de la puce. Il est possible que au moins une partie des liaisons HF ainsi que des liaisons DC soit placée sur la face supérieure ou inférieure du substrat ou 25 que tous les conducteurs de signal soient dissimulés dans le substrat. La mise en éventail des pistes conductrices, conformément à l'invention, peut avoir lieu dans le plan le plus haut de métallisation, en-dessous de la surface de la puce ou également entre les couches diélectriques. La liaison HF peut relier, par exemple, au moins deux contacts 30 extérieurs de la même puce. Il est, en outre, possible que la liaison HF relie au moins un contact extérieur de la puce et au moins un contact extérieur d'une autre puce placée sur la face supérieure du substrat à plusieurs couches. Il est aussi possible que la liaison HF relie au moins une structure métallique qui est placée dans l'un des plans de métallisation du substrat à 35 plusieurs couches à au moins un contact extérieur de la puce ou à une autre structure métallique, qui est placée dans l'un des plans de métallisation du substrat à plusieurs couches. Lorsque la distance entre au moins deux contacts extérieurs de la puce est égale ou supérieure à une distance a minimum nécessaire, les 5 contacts extérieurs mentionnés sont placés, de préférence, directement audessus des connexions transversales placées dans la couche diélectrique la plus haute. Une puce peut comprendre des composants actifs ou passifs. Une puce peut aussi être un composant logé dans un boîtier. La puce peut être une puce micro-ondes, une puce pour ondes millimétriques ou un composant de circuit intégré. Le composant de circuit intégré peut être notamment un composant MMIC (MMIC = Monolithic Microwave Integrated Circuit). Les composants actifs de la puce peuvent être, par exemple, à 15 base de Si, de SiGe, de GaAs ou de InP. Le composant suivant l'invention peut contenir, en outre, un composant discret choisi parmi un condensateur, une bobine, une résistance ou un composant à puce, qui comporte au moins une partie des circuits suivants: un circuit RLC, un filtre, un commutateur, un coupleur directionnel, 20 un réseau polarisé, une antenne, un convertisseur d'impédance ou un réseau d'adaptation. La puce a un côté ayant des structures métalliques. Ces structures métalliques représentent notamment au moins deux contacts extérieurs pour la liaison électrique avec les structures métalliques dissimulées dans le 25 substrat. La puce est, de préférence, reliée mécaniquement ou électriquement au moyen de la technique à puce à bosses au substrat et aux éléments intégrés de circuit, la face structurée (et le cas échéant sensible en surface) de la puce étant tournée vers la face supérieure du substrat. Outre la puce, il peut y avoir un ou plusieurs substrats de support ayant des structures HF passives comme des filtres ou des mélangeurs, notamment pour des substrats de support structurés en technique en couche mince sur la face supérieure du substrat. Par substrat on entend dans le présent mémoire toutes les sortes 35 de supports plans de circuit. Parmi ceux-ci figurent des substrats en céramique (céramique en couche mince, céramique en couche épaisse, céramique LTCC = low température cofired ceramics, céramique HTCC = high température cofired ceramics, les LTCC et HTCC sont des circuits céramiques à plusieurs couches), des substrats polymères (les plaquettes à circuit imprimé habituelles comme FR4, ce que l'on appelle des substrats 5 souples dont la base polymère est, par exemple, en PTFE = Téflon ou en polyoléfines et qui, de manière typique, sont renforcés par de la fibre de verre ou sont garnis de poudre de céramique) ou du silicium. Le substrat contient, dans les modes de réalisation avantageux de l'invention, des éléments de circuit intégré. Par élément de circuit intégré, on 10 entend notamment une inductance, une capacité, une ligne de liaison ou une ligne à retard, qui peuvent réaliser ensemble, par exemple, un résonateur, un circuit de filtrage ou un coupleur directif. Ceux-ci peuvent être placés d'une manière en soi connue sous forme de pistes conductrices entre, dans et sur les couches diélectriques d'un substrat stratifié et former ainsi des éléments 15 de circuit intégré. Les liaisons verticales entre les pistes conductrices des diverses couches (connexions transversales) comptent aussi parmi des éléments de circuit intégré puisqu'elles servent, d'une part, à conduire verticalement le signal et puisque, d'autre part, elles représentent, notamment aux très hautes fréquences, tant une inductance (parasite) qu'une capacité 20 (parasite). Plusieurs éléments de circuit intégré forment ensemble des circuits intégrés, notamment des circuits passifs, comme ceux d'un filtre ou d'un mélangeur. Des éléments de circuit intégré peuvent, en outre, réaliser au moins une partie d'au moins un circuit actif, qui est relié électriquement à des composants actifs à la surface du substrat. La face inférieure du substrat a des contacts extérieurs de liaisons électriques, par exemple la plaquette à circuit imprimé d'un terminal. Les plans de métallisation sont disposés surtout entre les couches diélectriques du substrat. La face supérieure du substrat présentant également des structures métalliques et la face inférieure du substrat 30 présentant également des structures métalliques sont considérées ici également comme étant des plans de métallisation. La face supérieure du substrat porte au moins deux pistes conductrices (métallisation) qui représentent respectivement notamment un contact pour obtenir une liaison électrique entre les plans de métallisation du 35 substrat et la puce sur la face supérieure du substrat. La distance entre les contacts mentionnés est, suivant l'invention, plus petite que celle entre les connexions transversales correspondantes dans la couche diélectrique la plus haute du substrat pour permettre la connexion d'une puce ayant un intervalle entre les électrodes extérieures qui est inférieur à la distance minimale prescrite entre les connexions transversales dans la couche la plus haute du 5 substrat (par exemple 225 pm pour des substrats en céramique). Des liaisons HF "en éventail" doivent être maintenues particulièrement courtes pour prévenir l'influence ou l'amortissement du signal lors de l'encapsulation du composant, notamment dans le domaine des très hautes fréquences. Les plans de métallisation à l'intérieur du substrat ont au moins 10 deux pistes conductrices qui relient respectivement notamment l'une des connexions transversales disposées dans la couche diélectrique sousjacente à l'une des connexions transversales disposées dans la couche diélectrique se trouvant au-dessus. La distance entre les connexions transversales dans la couche diélectrique supérieure est, suivant l'invention, inférieure à celle dans 15 la couche diélectrique inférieure pour maintenir notamment la distance minimum prescrite dans la dernière couche (par exemple 350 pm pour des substrats en céramique). La connexion par soudure suivant l'invention de la puce sur un substrat de module ou la connexion par soudure suivant l'invention des 20 conducteurs de signal dans divers plans de métallisation d'un substrat de module (à plusieurs couches) se caractérise par rapport à l'état de la technique par de petites pertes électriques dans le domaine de la très haute fréquence, notamment dans le domaine des ondes millimétriques. Par rapport aux techniques habituelles de connexion par soudure, la connexion par 25 soudure suivant l'invention a l'avantage de prendre particulièrement peu de place et de permettre ainsi d'avoir un degré d'intégration particulièrement grand dans un module de très hautes fréquences. Tandis que dans les modules connus de très hautes fréquences il faut renoncer à une encapsulation (par une masse de scellement) en raison des grandes pertes, 30 la connexion par soudure suivant l'invention permet une encapsulation des modules de très hautes fréquences. De préférence: - le composant est encapsulé dans une masse de scellement, une couche de protection étant placée sur la surface du composant, s'appliquant 35 sur la au moins une puce et étant constituée pour protéger la au moins une puce des influences extérieures et de l'écoulement de la masse de scellement, - au moins une liaison HF est placée sur la face supérieure du substrat à plusieurs couches en-dessous de la surface de puce, - au moins une liaison HF est dissimulée entre les couches diélectriques, - au moins une liaison HF relie au moins deux contacts extérieurs de la puce, - au moins une liaison HF relie au moins un contact extérieur de 10 la au moins une puce et au moins un contact extérieur d'une autre puce placée sur la face supérieure du substrat à plusieurs couches, - au moins une liaison HF relie au moins une structure métallique qui est placée dans l'un des plans de métallisation dans le substrat à plusieurs couches à au moins un contact extérieur de la puce ou à une autre structure 15 métallique qui est placée dans l'un des plans de métallisation dans le substrat à plusieurs couches, - la position en éventail des pistes conductrices est prévue dans le plan de métallisation le plus haut en-dessous de la surface de la puce, - la position en éventail des pistes conductrices est prévue entre 20 les couches diélectriques, - la distance entre au moins deux contacts extérieurs de la puce est égale ou supérieure à la distance b minimum et lesdits contacts extérieurs se trouvent directement au-dessus des contacts transversaux placés dans la couche diélectrique la plus haute, - au moins un élément de circuit passif, intégré dans le substrat à plusieurs couches, formé par au moins l'une des pistes conductrices et/ou par les au moins deux connexions transversales, est choisi parmi une inductance, une capacité, une ligne de liaison ou une ligne à retard, - au moins un élément de circuit passif intégré est un résonateur, 30 un coupleur directionnel ou un filtre, - la liaison HF est constituée en ligne à micro-ruban, en ligne bifilaire ou en ligne trifilaire, - la liaison HF est interposée entre les couches diélectriques du substrat à plusieurs couches et forme au moins une partie d'une ligne 35 triplaque, - la ligne à micro-ruban, la ligne bifilaire, la ligne trifilaire ou la ligne triplaque s'étendent dans au moins deux plans de métallisation, la liaison électrique verticale entre les parties desdites lignes se trouvant dans les divers plans de métallisation étant réalisée respectivement au moyen d'au moins une connexion transversale, la liaison HF s'étend dans au moins deux plans parallèles de métallisation, la liaison électrique verticale entre les parties de la liaison HF, disposée dans les divers plans de métallisation, étant réalisée au moyen d'au moins un contact transversal de transmission du signal, - la distance a entre certains des contacts extérieurs est plus grande que la distance b minimum, au moins un contact extérieur de la puce est disposé directement au-dessus d'une connexion transversale placée dans la couche diélectrique la plus haute, - la au moins une puce comprend au moins une diode ou un 15 transistor, - la au moins une puce est choisie parmi une puce micro-ondes, une puce à ondes millimétriques ou un composant à circuit intégré, - la couche de protection est une couche diélectrique, - la au moins une puce est reliée mécaniquement et 20 électriquement au substrat à plusieurs couches par une technique de puce à bosses ou par une technique de dispositif monté en surface, - le substrat à plusieurs couches comporte au moins deux couches en céramique LTCC ou en céramique HTCC. L'invention est explicitée d'une manière plus précise au moyen 25 d'exemples de réalisation et des figures schématiques correspondantes et qui ne sont pas à l'échelle. La figure 1 est une vue en coupe transversale schématique d'un composant suivant l'invention, la figure 2 est une vue en perspective d'une liaison HF suivant 30 l'invention dans un plan de métallisation à l'intérieur du substrat, la figure 3 est une vue en perspective d'une liaison HF suivant l'invention à la surface du substrat. A la figure 2, les caractéristiques générales de l'invention sont explicitées au moyen d'un vue en perspective des plans de métallisation d'un 35 composant suivant l'invention. A la figure 1 est représentée la vue en coupe transversale schématique d'un composant BE suivant l'invention ayant deux puces CH1, CH2 placées sur un substrat SU à plusieurs couches. Les liaisons HF sont réalisées dans le composant suivant 5 l'invention par des pistes LE conductrices (sur la face supérieure du substrat) ou LS (à l'intérieur du substrat). Les pistes LS conductrices peuvent former aussi des éléments de circuit intégré. Le passage vertical du signal dans le substrat SU s'effectue au moyen de connexions DK1 et DK2 transversales. Dans le cas o la distance la plus petite entre deux électrodes 10 extérieures est égale ou supérieure à la distance minimum entre les connexions DK1 transversales dans la couche la plus haute du substrat, les connexions transversales peuvent être disposées directement sous les électrodes extérieures mentionnées, comme cela est indiqué, par exemple, pour la puce CH1. Dans le cas o la distance la plus petite entre des 15 électrodes extérieures placées côte à côte est inférieure à la distance minimum comprise entre les connexions DKI transversales dans la couche la plus haute du substrat, il est nécessaire d'avoir une mise en éventail des pistes conductrices qui réalisent les liaisons HF. L'écartement des liaisons HF s'effectue sur la face supérieure du substrat, de préférence en-dessous de la 20 surface de la puce. Les caractéristiques générales des liaisons HF suivant l'invention sont explicitées à la figure 2. Les puces peuvent comprendre des éléments de circuit actifs et/ou passifs (notamment une inductance, un condensateur, une résistance, une diode ou un transistor) ou des circuit purement passifs (par exemple un filtre, 25 un mélangeur, un réseau d'adaptation). On a la possibilité de mettre, en outre, aussi des composants passifs discrets, notamment des bobines, des condensateurs ou des résistances, sur la face supérieure du substrat. Il est, par exemple, possible de compenser par des structures passives de compensation discrètes supplémentaires le désaccord en fréquence du 30 composant provoqué par le boîtier. Les puces CH1, CH2 ont respectivement des électrodes AE extérieures et sont reliées électriquement dans ce cas au moyen de bossages BU à des conducteurs LE ou LS du type HF disposés sur la surface du substrat et dissimulés dans le substrat SU. Les bossages BU servent à 35 ménager une liaison électrique entre les liaisons HF dissimulées dans le substrat SU ou les pistes LS conductrices et les puces CHI ou CH2 et le cas échéant les autres composants électroniques placés sur la face supérieure du substrat. La hauteur des bossages doit être maintenue si petite pour des applications en très hautes fréquences que seule une petite quantité du rayonnement électromagnétique sortant de la puce puisse être absorbée par 5 la couche de protection. Une possibilité d'obtenir la hauteur petite du bossage Flip-Chip est offerte, notamment, par la liaison par thermocompression. Il est possible de constituer les électrodes AE extérieures de la puce en forme d'aiguille (Leads) ou sous la forme de contacts pour dispositif à monter en surface. Le substrat SU a des pistes LE conductrices d'obtention du contact électrique mentionné à la surface supérieure ainsi que des contacts AK extérieurs à la surface inférieure pour obtenir une liaison électrique avec la plaquette à circuit imprimé d'un terminal. Les contacts AK extérieurs peuvent être réalisés sous la forme de réseaux Land-Grid (LGA) ou, en plus, par des 15 billes de brasure (pBGA ou réseaux Ball-Grid). Il est aussi possible de prévoir des contacts extérieurs en forme d'aiguille (Leads) et des transitions non galvaniques entre le composant et la plaquette à circuit imprimer à raccorder extérieurement comme, par exemple, des transitions à guide d'onde ou des couplages à fentes. Dans l'exemple de réalisation avantageux de l'invention qui est représenté à la figure 1, les puces CH1, CH2 sont revêtues d'une couche SF de protection vis-à-vis de l'humidité et des influences mécaniques extérieures. La couche de protection est, de préférence, une couche diélectrique ou une feuille. Le revêtement des puces par la feuille est effectué au moyen d'un 25 laminage. Lors du laminage la feuille est déformée de manière permanente. Le recouvrement par une feuille est constitué, de préférence, en un polymère qui a une absorption d'eau particulièrement petite, par exemple en polyimide, en polymère fluoré comme le polytétrafluoroéthylène (PTFE) ou en polyoléfines comme du polypropylène (réticulé) ou du polyéthylène. Le 30 recouvrement par une feuille peut être constitué aussi en un métal et être garni de fibres ou de particules. Le recouvrement par une feuille peut, en outre, être revêtu de métal ou de céramique. Il est possible que la couche SF de protection recouvre complètement et conjointement les puces CH1, CH2 sur la surface supérieure 35 du composant. i1 Pour la stabilité mécanique, les puces sont enrobées, dans cet exemple de réalisation, d'une masse GT de scellement. Le cas échéant, il est possible de renoncer à la masse de scellement. Par masse de scellement, on entend dans le présent mémoire toutes les substances qui sont déposées à 5 l'état liquide sur la couche de protection et qui deviennent solides par durcissement (réaction chimique) ou par solidification (refroidissement). Dans le cas o la puce n'a pas, à la surface de structure protectrice de conduction du signal (lorsque, par exemple, tous les éléments de circuit et les circuits sont dissimulés dans le substrat SU à plusieurs couches), il est possible 10 d'enrober d'abord la puce de la masse de scellement et de déposer ensuite, après le durcissement de la masse de scellement, une couche de protection ou un recouvrement en feuille. Les puces CH1, CH2 ainsi que les pistes LS conductrices peuvent (respectivement ou ensemble) former au moins une partie des circuits 15 suivants: un commutateur à hautes fréquences, un circuit d'adaptation, une antenne, un commutateur d'antenne, un commutateur à diodes, un filtre passe-haut, un filtre passe-bas, un filtre en bande passante, un filtre d'arrêt de bande, un amplificateur de puissance, un diplexeur, un duplexeur, un coupleur, un coupleur directif, un élément de mémoire, un transformateur 20 d'entrée symétrique-dissymétrique ou un mélangeur. Les conducteurs de signal HF dans le composant suivant l'invention peuvent être dissimulés entièrement dans le substrat ou au moins une partie des conducteurs du signal peut être placée sur la surface supérieure du substrat. Il est représenté schématiquement en vue en perspective à la figure 2 un conducteur HF ayant la disposition en éventail suivant l'invention à l'intérieur du substrat. La distance entre les connexions DKI transversales (par exemple au maximum de 340 pm) dans la couche diélectrique supérieure du substrat 30 est inférieure à la distance entre les connexions DK2 transversales dans la couche sous-jacente du substrat (par exemple au moins 350 pm). La liaison entre les connexions transversales correspondantes s'effectue respectivement au moyen de pistes LS conductrices en éventail qui mettent à disposition des points de contact avec les connexions DK1 transversales. Les pistes LS1 35 conductrices d'un plan de métallisation disposé dans une couche profonde du substrat forment, dans ce cas, un conducteur triplaque. A la figure 3 est représentée la technique de connexion par soudure suivant l'invention sur la face supérieure du substrat. A l'aide des liaisons HF écartées formées par les pistes LE conductrices, on peut mettre à disposition les points KS de contact pour la connexion par soudure de la puce 5 à une distance (par exemple inférieure à 220 pm) plus petite que la distance minimum prescrite entre les connexions DK1 transversale dans la couche la plus haute du substrat (par exemple 225 pm) . Il faut avoir une distance minimum plus grande entre les connexions transversales dans les couches sous-jacentes du substrat (par exemple 350 pm), les liaisons HF dans le plan 10 de métallisation correspondant peuvent être encore écartées, par exemple de 225 pm à 350 pm. Un composant ayant les connexions par soudure suivant l'invention peut, suivant le nombre des pistes conductrices dans les plans de métallisation, comporter un conducteur à micro-ruban ou en partie un 15 "suspended Microstrip" (l'objet antagoniste d'un conducteur à micro-ruban qui, toutefois, n'est pas disposé sur la surface supérieure du substrat mais à l'intérieur du substrat), un conducteur bifilaire, un conducteur trifilaire ou un conducteur triplaque qui s'étendent, par exemple, respectivement dans au moins deux plans de métallisation. Des parties des conducteurs mentionnés 20 sont reliées électriquement entre elles au moyen de connexions transversales disposées au-dessus et en-dessous des plans de métallisation correspondants. Un conducteur HF (par exemple le conducteur à micro-ruban, le conducteur bifilaire, le conducteur trifilaire ou le conducteur triplaque) peut 25 s'étendre, comme cela est représenté à la figure 2, dans au moins deuxplans parallèles de métallisation, la liaison électrique verticale entre les parties du conducteur HF se trouvant dans les plans différents de métallisation étant réalisée respectivement au moyen d'une connexion transversale. Par souci de clarté, l'invention n'a été représentée qu'au moyen de 30 quelques exemples, mais n'y est pas limitée. D'autres possibilités sont données par la technique de liaison entre les divers composants et le substrat ainsi qu'entre le substrat et une plaquette extérieure à circuit imprimé. REVENDICATIONS 1. Composant (BE) à soudure de connexion, caractérisé en ce qu'il comprend: - un substrat (SU) à plusieurs couches ayant au moins deux couches (DL) diélectriques superposées dans lequel, en-dessous et entre les couches diélectriques il est prévu des plans de métallisation ayant des pistes (LSI) conductrices, au moins deux connexions (DKI, DK2) transversales pour la connexion de deux plans différents de métallisation étant prévues dans 10 chaque couche diélectrique, la distance b minimum entre les connexions transversales dans la couche diélectrique la plus haute étant égale ou inférieure à la distance c la plus petite se produisant entre les contacts transversaux dans les couches les plus profondes, b c, - au moins une puce (CH1, CH2) placée sur la face supérieure du 15 substrat (SU) à plusieurs couches et ayant au moins deux contacts (AE) extérieurs sur la face inférieure, qui sont reliés électriquement au plan de métallisation le plus haut, la distance a entre au moins deux desdits contacts extérieurs étant inférieure à la distance b ou c minimum entre les contacts transversaux dans les couches diélectriques, - au moins une liaison haute fréquence ou très haute fréquence liaison HF - qui est prévue entre les contacts (AE) extérieurs et le plan de métallisation le plus bas, la au moins une liaison haute fréquence ou très haute fréquence comprenant au moins deux pistes (LSI) conductrices qui ne sont pas reliées électriquement entre elles, - ladite liaison HF étant placée dans le substrat à plusieurs couches dans un plan ou dans plusieurs plans de métallisation, et - dans lequel au moins une liaison HF a, dans au moins l'un des plans de métallisation, une disposition en éventail des pistes (LSl) conductrices. 2. Composant ayant une connexion suivant la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est encapsulé dans une masse (GT) de scellement, une couche (SF) de protection étant placée sur la surface du composant (FE), s'appliquant sur la au moins une puce et étant constituée pour protéger la au moins une puce des influences extérieures et de 35 l'écoulement de la masse (GT) de scellement. 3. Composant ayant une connexion suivant la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que au moins une liaison HF est placée sur la face supérieure du substrat à plusieurs couches en-dessous de la surface de puce. 4. Composant ayant une connexion suivant l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'au moins une liaison HF est dissimulée entre les couches (DL) diélectriques. 5. Composant ayant une connexion suivant l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'au moins une liaison HF relie au moins deux contacts extérieurs de la puce (CHI). 6. Composant ayant une connexion suivant l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'au moins une liaison HF relie au moins un 15 contact (AE) extérieur de la au moins une puce (CHI) et au moins un contact extérieur d'une autre puce (CH2) placée sur la face supérieure du substrat (SU) à plusieurs couches. 7. Composant ayant une connexion suivant l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'au moins une liaison HF relie au moins une structure métallique qui est placée dans l'un des plans de métallisation dans le substrat (SU) à plusieurs couches à au moins un contact extérieur de la puce ou à une autre structure métallique qui est placée dans l'un des plans de métallisation dans le substrat (SU) à plusieurs couches. 25 8. Composant ayant une connexion revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la position en conductrices est prévue dans le plan de métallisation le de la surface de la puce. 9. Composant ayant une connexion revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la position en conductrices est prévue entre les couches diélectriques. 10. Composant ayant une connexion 35 revendications 1 à 9, suivant l'une des éventail des pistes plus haut en-dessous suivant l'une des éventail des pistes suivant l'une des caractérisé en ce que la distance entre au moins deux contacts extérieurs de la puce est égale ou supérieure à la distance b minimum et lesdits contacts extérieurs se trouvent directement au-dessus des contacts (DK1) transversaux placés dans la couche diélectrique la plus haute. 5 11. Composant ayant une connexion suivant l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins un élément de circuit passif, intégré dans le substrat (SU) à plusieurs couches, formé par au moins l'une des pistes (LS1) conductrices et/ou par les au moins deux connexions 10 transversales, est choisi parmi une inductance, une capacité, une ligne de liaison ou une ligne à retard. 12. Composant ayant une connexion suivant la revendication 11, caractérisé en ce qu'au moins un élément de circuit passif intégré est un résonateur, un coupleur directionnel ou un filtre. 13. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la liaison HF est constituée en ligne à microruban, en ligne bifilaire ou en ligne trifilaire. 14. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la liaison HF est interposée entre les 20 couches diélectriques du substrat à plusieurs couches et forme au moins une partie d'une ligne triplaque. 15. Composant ayant une connexion suivant la revendication 13 ou caractérisé en ce que la ligne à micro-ruban, la ligne bifilaire, la 25 ligne trifilaire ou la ligne triplaque s'étendent dans au moins deux plans de métallisation, la liaison électrique verticale entre les parties desdites lignes se trouvant dans les divers plans de métallisation étant réalisée respectivement au moyen d'au moins une connexion transversale. 16. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que la liaison HF s'étend dans au moins deux plans parallèles de métallisation, la liaison électrique verticale entre les parties de la liaison HF, disposée dans les divers plans de métallisation, étant réalisée au moyen d'au moins un contact transversal de transmission du signal. 17. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que la distance a entre certains des contacts extérieurs est plus grande que la distance b minimum, en ce qu'au moins un contact extérieur de la puce est disposé directement au-dessus d'une connexion (DK1) transversale placée dans la couche diélectrique la plus haute. 18. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la au moins une puce (CH) comprend au moins une diode ou un transistor. 19. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce que la au moins une puce (CH) est choisie parmi une puce micro-ondes, une puce à ondes millimétriques ou un composant à circuit intégré. 20. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce que la couche de protection est une couche 15 diélectrique. 21. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 19, caractérisé en ce que la au moins une puce est reliée mécaniquement et électriquement au substrat (SU) à plusieurs couches par une technique de puce à bosses ou par une technique de dispositif monté en 20 surface. 22. Composant suivant au moins l'une des revendications 1 à 20, caractérisé en ce que le substrat (SU) à plusieurs couches comporte au moins deux couches en céramique LTCC ou en céramique HTCC.