Brevet FR2849535A1 — publié le 20040702

DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A MATRICE ORGANIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique et plus particulièrement un dispositif électroluminescent organique à deux plaques qui comprend un premier substrat présentant une unité de matrice de transistor en 10 couches minces et un second substrat présentant une unité électroluminescente organique; elle concerne également un procédé de fabrication de ce dispositif. De façon générale, un dispositif électroluminescent organique émet de la lumière en injectant les électrons provenant d'une cathode et les trous provenant d'une anode dans une couche d'émission, en combinant les électrons et les trous, en 15 générant une particule excitée, et en faisant passer la particule excitée d'un état excité à un état au repos. A l'inverse des dispositifs d'affichage à cristaux liquides, il n'est pas nécessaire de disposer d'une source de lumière supplémentaire pour un dispositif électroluminescent organique, du fait que la transition de la particule excitée entre les différents états provoque l'émission de la lumière dans le dispositif 20 électroluminescent organique. En conséquence, la taille et le poids d'un dispositif électroluminescent organique peuvent être réduits. Le dispositif électroluminescent organique possède des caractéristiques souhaitables, telles qu'une faible consommation de puissance, une luminosité plus importante, et un temps de réponse rapide. Du fait de ces caractéristiques avantageuses, le dispositif électroluminescent 25 organique est considéré comme un candidat prometteur pour diverses applications électroniques de la prochaine génération, telles que des téléphones cellulaires, des systèmes de navigation automobile, des assistants numériques personnels, des enregistreurs vidéo et des ordinateurs portables. De plus, du fait que la fabrication d'un dispositif électroluminescent organique s'effectue suivant un procédé 30 relativement simple avec peu d'étapes de procédé, un dispositif électroluminescent organique est beaucoup moins onéreux à produire qu'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Il existe deux types différents de dispositifs électroluminescents organiques: des dispositifs à matrice passive et des dispositifs à matrice active. Bien que les dispositifs électroluminescents organiques à matrice passive présentent une structure simple et sont réalisés soit à l'aide d'un procédé de fabrication simple, ces dispositifs électroluminescents organiques à matrice passive nécessitent une puissance relativement élevée pour fonctionner. En outre, la taille \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003. 1/24 d'affichage des dispositifs électroluminescents organiques à matrice passive est limitée par leur structure. Par ailleurs, lorsque le nombre de lignes conductrices augmente, le taux d'ouverture des dispositifs électroluminescents à matrice passive diminue. Au contraire, les dispositifs électroluminescents organiques à matrice active 5 different des dispositifs électroluminescents organiques à matrice passive en ce que les dispositifs électroluminescents organiques à matrice active présentent un rendement d'émission élevé et peuvent afficher des images de haute qualité sur un afficheur de grande taille avec une consommation de puissance relativement faible. La figure 1 est une vue schématique en coupe d'un dispositif 10 électroluminescent organique de l'état de la technique. Comme représenté sur la figure 1, un dispositif électroluminescent organique comprend des premier et second substrats 12 et 28 disposés l'un en face de l'autre et séparés l'un de l'autre. Une couche de matrice 14 comprenant un transistor en couches minces T est formée sur la surface intérieure du premier substrat 12. Une 15 première électrode 16, une couche organique électroluminescente 18, et une seconde électrode 20 sont successivement formées sur la couche de matrice 14. La couche électroluminescente organique 18 peut afficher séparément des couleurs rouge, verte et bleue pour chaque région de pixel "P". De façon générale, on utilise des matériaux organiques distincts pour émettre la lumière pour chacune des couleurs de la couche 20 électroluminescente organique 18 pour chaque région de pixel "P". Le dispositif électroluminescent organique 10 est encapsulé en assemblant le premier substrat 12 et un second substrat 28, qui présentent un desiccant absorbant l'humidité 22, l'assemblage s'effectuant à l'aide d'un joint 26. Le desiccant absorbant l'humidité 22 élimine l'humidité ainsi que l'oxygène qui peuvent pénétrer dans la capsule 25 contenant la couche électroluminescente organique 18. Après avoir attaqué chimiquement une partie du second substrat 28, la partie attaquée est remplie à l'aide du desiccant absorbant l'humidité 22, et le desiccant absorbant l'humidité est maintenu par un élément de maintien 25. La figure 2 est une vue schématique de dessus montrant la couche de matrice 30 d'un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique. Comme représenté sur la figure 2, la couche de matrice d'un dispositif électroluminescent organique comprend un élément de commutation "Ts", un élément de pilotage "TD" et un condensateur de stockage "CsT". L'élément de commutation Ts" et l'élément de pilotage "TD" peuvent comprendre une 35 combinaison d'au moins un transistor en couches minces. Un substrat isolant transparent 12 sur lequel est formée la couche de matrice peut être réalisé à partir de verre ou de plastique. Une ligne de grilles 32 et une ligne de données 34 se croisant sont formées sur le substrat 12. Une région de pixel "P" est définie par la ligne de \'HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 2/24 grilles 32 et par la ligne de données 34. Une couche isolante (non représentée) est disposée entre la ligne de grilles 32 et la ligne de données 34. Une ligne de puissance parallèle à et à distance de la ligne de données 34 coupe la ligne de grilles 32. L'élément de commutation "Ts" dans la figure 2 est un transistor en couches 5 minces qui comprend une électrode de grille de commutation 36, une couche active de commutation 40, une électrode de source de commutation 46, et une couche de drain de commutation 50. De façon similaire, l'élément de pilotage "TD" sur la figure 2 est un transistor en couches minces qui comprend une électrode de grille de pilotage 38, une couche active de pilotage 42, une électrode de source de pilotage 48, 10 et une électrode de drain de pilotage 52. L'électrode de grille de commutation 36 est reliée à la ligne de grilles 32 et l'électrode de source de commutation 46 est reliée à la ligne de données 34. L'électrode de drain de commutation 50 est reliée à l'électrode de grille de pilotage 38 à travers un premier trou de contact 54. L'électrode de source de pilotage 48 est reliée à la ligne de puissance 35 à travers un 15 second trou de contact 56. En outre, l'électrode de drain de pilotage 52 est reliée à une première électrode 16 au niveau de la région de pixel "P". La ligne de puissance 35 recouvre une première électrode de condensateur 15, la couche isolante étant disposée entre la première électrode de condensateur 15 et la ligne de puissance 35, de sorte à former le condensateur de stockage "CST". La figure 3 est une vue schématique de dessus montrant un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique. Comme représenté sur la figure 3, un substrat 12 présente une région de plage de données "E" sur un premier côté et des première et seconde régions de plage de grilles "Fl" et "F2" sur des deuxième et troisième côtés adjacents au premier côté. 25 Une électrode commune 39 est formée sur un quatrième côté face au premier côté et adjacente aux premier et second côtés du substrat 12. Une tension commune est appliquée à la seconde électrode 20 à travers l'électrode commune 39 de sorte à maintenir la seconde électrode 20 à un potentiel électrique donné. La figure 4A est une vue schématique en coupe le long de la ligne "IVaIVa" 30 de la figure 2 et la figure 4B est une vue schématique en coupe le long de la ligne "IVb-IVb" de la figure 3. Sur les figures 4A et 4B, un transistor en couches minces de pilotage "TD" comprend une couche active de pilotage 42, une électrode de grille de pilotage 38, une électrode de source de pilotage 48, et une électrode de drain de pilotage 52 qui 35 sont formées sur un substrat 12. Une couche isolante 57 est formée sur le transistor en couches minces de pilotage "TD", et une première électrode 16 reliée à l'électrode de drain de pilotage 52 est formée sur la couche isolante 57. Une couche électroluminescente organique 18 destinée à émettre une lumière d'une couleur \\HIRSCH6'BREVETS\Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 3/24 donnée est formée sur la première électrode 16, et une seconde électrode 20 est formée sur la couche électroluminescente organique 18. Les première et seconde électrodes 16 et 20 ainsi que la couche électroluminescente organique 18 disposée entre celles-ci forment une diode électroluminescente organique "DEL". Un 5 condensateur de stockage "CST disposé de sorte à être monté électriquement en parallèle au transistor en couches minces de pilotage "TD" comprend les première et seconde électrodes 15 et 35a. Une portion de la ligne de puissance 35 (de la figure 2) recouvrant la première électrode de condensateur 15 est utilisée comme seconde électrode de condensateur 35a. La seconde électrode de condensateur 35a est reliée à 10 l'électrode de source de pilotage 56. La seconde électrode 20 est formée sur toute la surface du substrat 12, comprenant les transistors en couches minces de pilotage "TD", le condensateur de stockage "CST" ainsi que la couche électroluminescente organique 18. Une électrode commune 39, par l'intermédiaire de laquelle une tension 15 commune est appliquée à la seconde électrode 20 est formée à la partie périphérique du substrat 12. L'électrode commune 39 est formée en même temps que l'électrode de grille de commutation 36 (de la figure 2) et que l'électrode de grille de pilotage 38. Une pluralité de couches isolantes sur l'électrode commune 39 présentent des premier et second trous de contact communs 50 et 52, qui découvrent ou exposent 20 l'électrode commune 39. La seconde électrode 20 est reliée à l'électrode commune 39 à travers le premier trou de contact commun 50. Un circuit externe (non représenté) est relié à l'électrode commune 39 à travers le second trou de contact 52 de sorte à fournir la tension commune. Toutefois, lorsqu'une couche de matrice de transistor en couches minces et des 25 diodes électroluminescentes organiques sont formées ensemble sur un seul substrat, le rendement de production du dispositif électroluminescent organique est déterminé par le produit du rendement de fabrication des transistors en couches minces et du rendement de fabrication de la couche électroluminescente organique. Du fait que le rendement de fabrication de la couche électroluminescente organique est 30 relativement faible, le rendement de production d'un dispositif électroluminescent est limité par le rendement de fabrication de la couche électroluminescente organique. Par exemple, même lorsque le transistor en couches minces est bien fabriqué, on peut considérer que le dispositif électroluminescent organique n'est pas satisfaisant du fait d'une couche électroluminescente organique, utilisant un film mince d'une épaisseur 35 d'environ 1000 . Cette limitation provoque des pertes de matériaux ainsi qu'une augmentation du cot de production. Les dispositifs électroluminescents organiques sont classés en émission de type fond ou en émission du type de dessus, en fonction de la transparence des première et \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 4/24 seconde électrodes, et de la diode électroluminescente organique. Les dispositifs électroluminescents organiques du type à émission depuis le fond sont avantageux du fait de leur stabilité d'image importante et des procédés de fabrication qui peuvent varier grâce à l'encapsulation. Toutefois, les dispositifs électroluminescents 5 organiques du type à émission depuis le fond ne sont pas d'une implémentation adéquate pour les dispositifs qui nécessitent une forte résolution,, du fait des limitations du taux d'ouverture dans ce type de dispositif électroluminescent organique. Au contraire, du fait que les dispositifs électroluminescents organiques à émission depuis le dessus émettent la lumière dans une direction vers le haut du 10 substrat, la lumière peut être émise sans que n'entre en considération la couche de matrice se trouvant sous la couche électroluminescente organique. En conséquence, la conception d'ensemble de la couche de matrice présentant les transistors en couches minces peut être plus simple. En outre, le taux d'ouverture peut augmenter, ce qui augmente la durée de vie de fonctionnement du dispositif électroluminescent 15 organique. Toutefois, du fait qu'une cathode est formée sur la couche électroluminescente organique dans les dispositifs électroluminescents organiques du type à émission de dessus, les choix des matériaux et de la transmission de la lumière par ces matériaux sont limités, ce qui limite le rendement de transmission de lumière. Si l'on forme une couche de passivation du type à couches minces pour éviter la 20 réduction de la transmission de la lumière, la couche de passivation du type à couches minces peut ne pas être suffisante pour empêcher l'infiltration d'air extérieur dans le dispositif. En conséquence, la présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif 25 qui permettent sensiblement de palier un ou plusieurs des problèmes liés aux limitations et inconvénients de l'état de la technique. Un objet de la présente invention est de proposer un dispositif électroluminescent organique fabriqué en formant une couche de matrice ainsi qu'une diode électroluminescente organique sur des substrats respectifs, et en 30 assemblant les substrats. Un autre objet de la présente invention est un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Un avantage de la présente invention est qu'elle fournit un dispositif électroluminescent organique qui comprend une première électrode de connexion 35 dans une région d'affichage et une seconde électrode de connexion dans une région périphérique, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 5/24 Un autre avantage de la présente invention est de fournir un dispositif électroluminescent organique présentant un taux d'ouverture élevé, une qualité d'affichage élevée et un rendement de production amélioré. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront de la 5 description qui suit ou pourront être enseignés par la mise en oeuvre de l'invention. Ces objectifs et autres avantages de l'invention sont réalisés et obtenus grâce à la structure qui est tout particulièrement identifiée dans la description ainsi que sur les dessins. A cet effet, selon l'invention, le dispositif électroluminescent organique 10 comprend: - des premier et second substrats se faisant face et étant séparés l'un de l'autre, les premier et second substrats présentant une région d'affichage et une région périphérique, la région d'affichage comprenant une pluralité de régions de pixels et une région de pixel factice; - des transistors en couches minces de pilotage respectivement adjacents à chacune des pluralités de régions de pixels P sur la surface intérieure du premier substrat; - des premières électrodes de connexion, respectivement reliées aux transistors en couches minces de pilotage; - une première électrode sur toute la surface intérieure du substrat; - une paroi latérale sur la première électrode à la limite de chacune de la pluralité de régions de pixels et de la région de pixel factice; - une couche électroluminescente organique sur la première électrode; - des secondes électrodes sur la couche électroluminescente organique, de sorte qu'une seconde électrode soit présente dans chacune de la pluralité de régions de pixels et dans la région de pixel factice, respectivement, les secondes électrodes de chacune de la pluralité de régions de pixels étant respectivement reliées aux premières électrodes de connexion; et - un joint assemblant les premier et second substrats. Le dispositif peut comprendre en outre: - une plage dans la région périphérique sur la surface intérieure du premier substrat; et - une seconde électrode de connexion reliée à la plage, la seconde électrode de connexion étant formée selon la même couche et dans le même matériau que 35 les premières électrodes de connexion; - la première électrode étant reliée à la seconde électrode de connexion. La seconde électrode dans la région de pixel peut être électriquement flottante, chacun des transistors en couches minces de pilotage comprend une couche active de \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 6/24 pilotage, une électrode de grille de pilotage et des électrodes de source et de drain de pilotage; et la plage peut comprendre le même matériau que les électrodes de source et de drain de pilotage. Selon un autre mode de réalisation, le dispositif comprend en outre des 5 transistors en couches minces de commutation reliés aux transistors en couches minces de pilotage, chacun des transistors en couches minces de commutation comprenant une couche active de commutation, une électrode de grille de commutation et des électrodes de source et de drain de commutation. La couche active de pilotage et la couche active de commutation comprennent 10 du silicium polycristallin. L'électrode de source de commutation est reliée à la ligne de données, l'électrode de drain de commutation est reliée à l'électrode de grille de pilotage et l'électrode de grille de commutation est reliée à la ligne de grilles. Le dispositif peut comprendre en outre une ligne de puissance reliée aux 15 transistors en couches minces de pilotage. Selon encore un autre mode de réalisation, le dispositif électroluminescent organique comprend en outre des condensateurs de stockage reliés aux transistors en couches minces de pilotage; la première électrode est une anode injectant des trous dans la couche électroluminescente organique et les secondes électrodes sont des 20 cathodes injectant des électrons dans la couche électroluminescente organique. La première électrode comprend de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc et d'indium (IZO), tandis que les secondes électrodes comprennent un matériau choisi parmi le calcium (Ca), l'aluminium (AI) et le magnésium (Mg). Le dispositif selon l'invention peut comprendre en outre une électrode 25 auxiliaire entre la première électrode et la seconde électrode de connexion, l'électrode auxiliaire comprenant le même matériau que les secondes électrodes. La région de pixel factice entoure la pluralité de régions de pixels. Le dispositif selon l'invention peut comprendre en outre une couche isolante auxiliaire entre la première électrode et au moins l'une des parois latérales. Le procédé de fabrication selon l'invention d'un dispositif électroluminescent organique comprend: - la formation d'un premier substrat présentant une région d'affichage et une région périphérique, la région d'affichage comprenant une pluralité de régions de pixels et une région de pixel factice; - la formation de transistors en couches minces de pilotage respectivement adjacents à chacune des pluralités de régions de pixels; - la formation de premières électrodes de connexion respectivement reliées aux transistors en couches minces de pilotage; \\HIRSCH6\BREVETS\Bievets\2 1900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 7/24 - la formation d'une première électrode sur un second substrat présentant la région d'affichage et la région périphérique; - la formation d'une paroi latérale sur la première électrode au voisinage de chacune des pluralités de régions de pixels et de la région de pixel factice; - la formation d'une couche électroluminescente organique sur la première électrode; - la formation de secondes électrodes sur la couche électroluminescente organique de sorte à former une seconde électrode dans chacune de la pluralité des régions de pixels et de la région de pixel factice; et l'assemblage des premier et second substrats avec un joint de sorte que les premières électrodes de connexion entrent en contact avec les secondes électrodes. Le procédé de l'invention peut comprendre en outre: - la formation d'une plage sur le premier substrat, la plage étant disposée dans la région périphérique et - la formation d'une seconde électrode de connexion reliée à la plage, la première électrode étant reliée à la seconde électrode de connexion lorsque les premier et second substrats sont assemblés. Dans le procédé de fabrication selon l'invention, chacun des transistors en 20 couches minces de pilotage comprend une couche active de pilotage, une électrode de grille de pilotage et des électrodes de source et de drain de pilotage et la plage et les électrodes de source et de drain de pilotage peuvent être formées en même temps. Le procédé de fabrication selon l'invention comprend en outre la formation de transistors en couches minces de commutation reliés aux transistors en couches 25 minces de pilotage, chacun des transistors en couches minces de commutation comprenant une couche active de commutation, une électrode de grille de commutation et des électrodes de source et de drain de commutation. La couche active de pilotage et la couche active de commutation comprennent du silicium polycristallin. Une électrode de source de commutation est reliée à la ligne de données, l'électrode de drain de commutation est reliée à l'électrode de grille de pilotage et l'électrode de grille de commutation est reliée à la ligne de grilles. Le procédé de fabrication selon l'invention comprend en outre la formation d'une ligne de puissance reliée aux transistors en couches minces de pilotage, ainsi 35 que la formation de condensateurs de stockage reliés aux transistors en couches minces de pilotage. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 8/24 La première électrode est une anode injectant des trous dans la couche électroluminescente organique et les secondes électrodes sont des cathodes injectant des électrons dans la couche électroluminescente organique. La première électrode comprend de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou de 5 l'oxyde de zinc et d'indium (IZO), tandis que les secondes électrodes comprennent un matériau choisi parmi le calcium (Ca), l'aluminium (AI) et le magnésium (Mg). Le procédé de fabrication selon l'invention comprend en outre la formation d'une électrode auxiliaire entre la première électrode et la seconde électrode de connexion, l'électrode auxiliaire et les secondes électrodes étant formées en même 10 temps. La région de pixel factice entoure la pluralité de régions de pixels. Le procédé de fabrication selon l'invention peut comprendre la formation d'une couche isolante auxiliaire entre la première électrode et au moins l'une des parois latérales. Selon encore un autre mode de réalisation de l'invention, le procédé de 15 fabrication d'un dispositif électroluminescent organique comprend: - la formation d'une première couche isolante sur un premier substrat présentant une région d'affichage et une région périphérique, la région d'affichage comprenant une pluralité de régions de pixels et une région de pixel factice; - la formation d'une couche active sur la première couche isolante dans chacune des pluralités des régions de pixels, la couche active comprenant du silicium polycristallin, la couche active présentant des régions de source et de drain; - la formation d'une seconde couche isolante sur la seconde couche active; - la formation d'une électrode de grille sur la seconde couche isolante audessus de la couche active; - la formation d'une troisième couche isolante sur l'électrode de grille; - la formation d'une quatrième couche isolante sur la troisième couche isolante, la quatrième couche isolante présentant des premier et second trous de 30 contact, le premier trou de contact exposant la région de source et le second trou de contact exposant la région de drain; - la formation d'électrodes de source et de drain sur la quatrième couche isolante, l'électrode de source étant reliée à la région de source à travers le premier trou de contact et l'électrode de drain étant reliée à la région de drain 35 à travers le second trou de contact; - la formation d'une cinquième couche isolante sur les électrodes de source et de drain, la cinquième couche isolante présentant un troisième trou de contact exposant l'électrode de drain; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets'21900\21942.doc 29 décembre 2003 - 9/24 - la formation d'une première électrode de connexion sur la cinquième couche isolante, la première électrode de connexion étant reliée à l'électrode de drain à travers le troisième trou de contact; - la formation d'une première électrode sur un second substrat présentant une région d'affichage et la région périphérique; - la formation d'une paroi latérale sur la première électrode à la limite de chacune des pluralités des régions de pixels et de la région de pixel factice; - la formation d'une couche électroluminescente organique sur la première électrode; - la formation d'une seconde électrode sur la couche électroluminescente organique dans chacune des pluralités de régions de pixels; et - l'assemblage des premier et second substrats avec un joint de sorte que la première électrode de connexion entre en contact avec la seconde électrode. Les première, troisième, quatrième et cinquième couches isolantes sont 15 successivement formées sur la surface intérieure du premier substrat dans la région de pixel factice. Le procédé de fabrication peut comprendre en outre: - la formation d'une plage sur la quatrième couche isolante, la plage étant disposée dans la région périphérique, et dans lequel la cinquième couche 20 isolante, formée sur la plage présente des quatrième et cinquième trous de contact découvrant la plage; et - la formation d'une seconde électrode de connexion sur la cinquième couche isolante, la seconde électrode de connexion étant reliée à la plage à travers le quatrième trou de contact et la seconde électrode de connexion entrant en 25 contact avec la première électrode lorsque les premier et second substrats sont assemblés. On comprendra que la description générale qui précède ainsi que la description détaillée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemples et d'explications pour permettre la compréhension de l'invention. Les dessins joints permettent une meilleure compréhension de l'invention et constituent une partie de cette demande, et illustrent les modes de réalisation de l'invention et, en liaison avec la description, servent à en expliquer les principes. Ces dessins montrent: figure 1: une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent 35 organique de l'état de la technique; figure 2: une vue schématique de dessus montrant une couche de matrice d'un dispositif électroluminescent organique de l'état de la technique; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003. 10/24 Il figure 3: une vue schématique de dessus montrantun dispositif électroluminescent organique de l'état de la technique; figure 4A: une vue schématique en coupe le long de la ligne IVa-IVa de la figure 2; figure 4B: une vue schématique en coupe le long de la ligne IVbIVb de la figure 3; figure 5 une vue schématique en coupe montrant un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention; figure 6: une vue schématique en coupe le long d'une ligne VI-VI de la figure 10 5 montrant un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention; figures 7A à 7D: des vues schématiques en coupe montrant un procédé de fabrication d'une région de pixel d'un premier substrat d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention, 15 le long d'une ligne de coupe semblable à la ligne de coupe IVa-IVa de la figure 2; figures SA à 8D: des vues en coupe le long d'une ligne VIII-VIII de la figure 5 montrant un procédé de fabrication d'une région de pixel factice d'un premier substrat d'un dispositif électroluminescent organique; et figures 9A à 9C: des vues schématiques en coupe montrant un procédé de 20 fabrication d'un second substrat d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Il est maintenant fait référence en détails aux modes de réalisation préférés de la présente invention dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints. La figure 5 est une vue schématique de dessus montrant un dispositif 25 électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 5, un dispositif électroluminescent organique 99 comprend un premier substrat 100 présentant une couche de matrice et un second substrat 200 présentant une diode électroluminescente organique. Le premier et second substrats 100 et 200 sont fixés à l'aide d'un joint 300. Une plage 126 à laquelle est appliquée 30 une tension est formée dans une région périphérique du premier substrat 100 et traverse le joint 300. Une région de pixel factice "PD" est disposée au voisinage de la limite "G" d'une région d'affichage, de sorte à entourer la région d'affichage. Des éléments de commutation et de pilotage ne sont pas formés sur la partie du premier substrat 100 qui correspond à la région de pixel factice "PD". La figure 6 est une vue schématique en coupe le long de la ligne "VI-VI" de la figure 5, qui montre un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. \\HIRSCH6\BREVETS\Bievets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 11/24 Sur la figure 6, un dispositif électroluminescent organique 99 est fabriqué en assemblant un premier et second substrats 100 et 200 à l'aide d'un joint 300. Les premier et second substrats 100 et 200 présentent une pluralité de régions de pixel "P" et une pluralité de régions de pixels factices "PD" entourant la pluralité de régions 5 de pixels 'T". Un transistor en couches minces de commutation (non représenté) et un transistor en couches minces de pilotage "TD" sont formés sur la surface interne du premier substrat 100, au voisinage de chaque région de pixel "P". Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 6, une pluralité de lignes de matrice sont formées sur la surface interne du premier substrat 100. Une première électrode 202 est formée 10 sur une surface interne du second substrat 200. Une paroi latérale 204 est formée sur la première électrode 202 à la limite de chaque région de pixel "P" de sorte à entourer chaque région de pixel "P". Une couche électroluminescente organique 206 et une seconde électrode 208 sont successivement formées sur la deuxième électrode 202 dans chaque région de pixel "P". Un motif auxiliaire 203 peut être formé entre 15 la première électrode 202 et la paroi latérale 204. Les secondes électrodes 208 sont chacune reliées indirectement respectivement à des électrodes de drain de pilotage 122 des transistors en couches minces de pilotage "TD", à travers des premières électrodes de connexion 130. Après avoir formé la première électrode de connexion 130 sur le transistor en couches minces de 20 pilotage "TD" pour entrer en contact avec l'électrode de drain de pilotage 122, la première électrode de connexion 130 entre en contact avec la seconde électrode 208 de la couche électroluminescente organique 206, lors de l'assemblage des premier et second substrats 100 et 200. Une plage 126 est formée dans une région périphérique du premier substrat. Une seconde électrode de connexion 132 est formée sur la plage 25 126 de sorte à entrer en contact avec la première électrode 202 du second substrat 200. Lorsque la première électrode 202 est réalisée en un matériau conducteur transparent, cette première électrode 202 présente une résistance relativement élevée. En conséquence, une électrode auxiliaire 210 peut être formée sur la première électrode 202, lorsque cette première électrode 202 est formée en un matériau 30 conducteur transparent. L'électrode auxiliaire 210 peut être réalisée dans le même matériau que la seconde électrode 208. Comme représenté sur la figure 6, par exemple, une région de pixel factice "PD" est disposée entre la région périphérique o est formée la plage 126 et la région de pixel "P". Le transistor en couches minces de commutation (non représenté), le 35 transistor en couches minces de pilotage "TD" et la première électrode de connexion ne sont pas formés sur la portion du premier substrat 100 qui correspond à la région de pixel factice "PD". En conséquence, la seconde électrode 108 dans la région de pixel factice "PD" est électriquement flottante. A l'aide de cette structure, la diode \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 12/24 électroluminescente organique peut fonctionner normalement, même lorsque la première électrode 202 entre en contact avec la seconde électrode 208 dans la région de pixel factice "PD", du fait d'une erreur de fabrication. Les figures 7A à 7D et les figures SA à 8D sont des vues schématiques en 5 coupe montrant un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Les figures 7A à 7D, qui sont des vues le long d'une ligne de coupe montrent un procédé de fabrication d'une région de pixel d'un premier substrat d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention, 10 le long d'une ligne de coupe qui est semblable à la ligne de coupe "IVa-IVa" de la figure 2 et elles illustrent un procédé de fabrication d'une région de pixel d'un premier substrat d'un dispositif électroluminescent organique. Les figures 8A à 8D qui sont des vues le long d'une ligne "VIII-VIII" de la figure 5 illustrent un procédé de fabrication d'une région de pixel factice d'un premier substrat d'un dispositif 15 électroluminescent organique. Sur la figure 7A, un premier substrat 100 comprenant une région de pixel "P" est représenté. Sur la figure 8A, une région de pixel factice "PD" est illustrée, cette région étant adjacente à la limite de la région d'affichage comprenant les régions de pixels "P". La région de pixel "P" comprend une région de commutation (non 20 représentée), une région de pilotage (D) et une région de stockage (C). Une première couche isolante (couche tampon) 102 est formée sur la surface du premier substrat 100, en déposant un matériau isolant à base de silicium choisi dans le groupe comprenant le nitrure de silicium (SiNx) et l'oxyde de silicium (SiO2). Les première et seconde couches actives 104 et 105 de silicium polycristallin sont formées sur la 25 couche tampon 102, respectivement dans les régions de pilotage et de stockage "D" et "C". Par exemple, les première et seconde couches actives 104 et 105 peuvent être formées par un traitement de déshydrogénation et de cristallisation par application de chaleur après avoir déposé le silicium amorphe. La seconde couche active 105 sert de première électrode d'un condensateur de stockage, grâce à un dopage par des 30 impuretés. Une seconde couche isolante 106 (couche d'isolation de grille) et une électrode de grille 108 sont successivement formées sur la première couche active 104. La seconde couche isolante 106 peut être formée sur toute la surface du premier substrat 100. La seconde couche isolante 106 peut être réalisée à partir d'un matériau isolant 35 inorganique du groupe incluant le nitrure de silicium (SiN,) et l'oxyde de silicium (SiO2). Après avoir formé l'électrode de grille 108, la première couche active 104 est dopée par des impuretés telles que du bore (B), du phosphore (P) de sorte à définir une région de canal 104a, ainsi que des régions de source et de drain 104b et 104c. \\WRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 13/24 Une troisième couche isolante 110 (couche isolante intercouche) est formée sur l'électrode de grille 108. L'électrode de grille 108 peut être réalisée à partir d'un des matériaux métalliques conducteurs du groupe comprenant l'aluminium (Al), les alliages d'aluminium (AI), le cuivre (Cu) , le tungstène (W), le tantale (Ta) et le 5 molybdène (Mo). La troisième couche isolante 110 peut être réalisée en un des matériaux isolants organiques du groupe comprenant le nitrure de silicium (SiN,) et l'oxyde de silicium (SiO2). Une ligne de puissance (non représentée) est formée sur la troisième couche isolante 110, de sorte à recouvrir la seconde couche active 105. Une partie de la ligne de puissance qui recouvre la seconde couche active 105 sert 10 d'électrode de condensateur 112a. L'électrode de condensateur 112a est formée sur la troisième couche active 110 dans la région de stockage "C" en déposant et en conformant un matériau métallique conducteur du groupe comprenant l'aluminium (Al), l'alliage d'aluminium, le cuivre (Cu), le tungstène (W), le tantale (Ta) et le molybdène (Mo). La seconde couche active 105 et l'électrode de condensateur 112a 15 recouvrant la seconde couche active 105 forment un condensateur de stockage, la troisième couche isolante 110 étant disposée entre l'électrode de condensateur et la seconde couche active. Sur les figures 7B et 8B, une quatrième couche isolante 114 est formée sur la ligne de puissance, y compris sur l'électrode de condensateur 112a. La quatrième 20 couche isolante 114 présente un premier trou de contact 116 qui découvre la région de drain 104c, un second trou de contact 118 qui découvre la région de source 104b, et un troisième trou de contact 120 qui découvre l'électrode de condensateur 112a. Sur les figures 7C et 8C, des électrodes de source et de drain 124 et 122 sont formées sur la quatrième couche active 114 en déposant et en conformant un métal 25 conducteur choisi dans le groupe comprenant le chrome (Cr), le molybdène (Mo), le tantale (Ta) et le tungstène (W). L'électrode de source 124 est en contact avec la région de source 104b à travers le second trou de contact 118 tandis que l'électrode de drain 122 est en contact avec la région de drain 104c à travers le premier trou de contact 116. En même temps, on forme une plage 126 sur la quatrième couche 30 isolante 114 dans la région périphérique de la région d'affichage comprenant les régions de pixels "P". Une cinquième couche isolante 128 comprenant les quatrième, cinquième et sixième trous de contact 134, 136 et 138 est formée sur les électrodes de drain et de source 124 et 122 ainsi que sur la première plage 126. Le quatrième trou de contact 134 expose l'électrode de drain 122 et les cinquième et sixième trous 35 de contact 136 et 138 exposent respectivement les deux côtés de la plage 126. Sur les figures 7D et 8D, les première et seconde électrodes de connexion 130 et 132 sont formées dans la cinquième couche isolante 128 en déposant et en conformant un matériau métallique conducteur. La première électrode de connexion \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 14124 entre en contact avec l'électrode de drain 122 à travers le quatrième trou de contact 134 et est disposée dans la région de pixel "P". La seconde électrode de connexion 132 entre en contact avec la plage 126 à travers le cinquième trou de contact 136. Sur les figures 8A à 8D, le transistor en couches minces de commutation et le transistor en couches minces de pilotage ne sont pas formés sur la région de pixel factice "PD". Seules les couches isolantes sont formées dans la région de pixel factice PD. Les figures 9A à 9C sont des vues en coupe schématique montrant un procédé 10 de fabrication d'un second substrat d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 9A, un second substrat 200 inclut une région de pixel "P' et une région de pixel factice "PD". Une première électrode 202 est formée sur le second substrat 200. La première électrode 202 peut servir d'anode pour l'injection de trous 15 dans une couche électroluminescente organique 206 (de la figure 9B). Par exemple, une première électrode 202 peut être fabriquée en oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou en oxyde de zinc et d'indium (IZO). Un motif isolant auxiliaire 203. est formé sur la première électrode 202 au voisinage de la région de pixel "P", et une paroi latérale 204 est formée sur le motif isolant auxiliaire 203. Le motif isolant auxiliaire 203 est 20 formé de sorte à empêcher un contact entre la première électrode 202 et la seconde électrode 208 (de la figure 8C). La paroi latérale 204 peut être formée en déposant et en conformant un matériau organique photosensible. Le motif isolant auxiliaire 203 et la paroi latérale 204 sont formés par exemple, en réseau. Sur la figure 9B, une couche électroluminescente organique 206 est formée sur 25 la première électrode 202. La couche électroluminescente organique 206 émet une lumière colorée rouge (R), verte (G) ou bleue (B) dans la région correspondant à un pixel "P". La couche électroluminescente organique 206 peut comprendre une couche unique ou des couches multiples. Dans le cas de couches multiples, la couche électroluminescente organique 206 peut comprendre une couche de transport de trous 30 (HTL) 206a, une couche d'émission 206b et une couche de transport d'électrons (ETL) 206c. Sur la figure 9C, on forme une seconde électrode 208 correspondant à une région de pixel "P". La seconde électrode 208 est indépendante et isolée par rapport à la seconde électrode adjacente 208. Une électrode auxiliaire 210 est simultanément 35 formée en même temps que la seconde électrode 208 dans une région périphérique de la région d'affichage, recouvrant la région de pixel "P". L'électrode auxiliaire 210 est électriquement flottante, c'est-à-dire n'est pas électriquement reliée à la seconde électrode 208. La seconde électrode 208 peut servir de cathode pour l'injection \\HIRSCH6\BREVETS\Birevets\21900\2 1942 doc - 29 décembie 2003 - 15/24 d'électrons dans la couche électroluminescente organique 206. Par exemple, la seconde électrode 208 peut comprendre une couche unique d'aluminium (AI), du calcium (Ca) ou de magnésium (Mg), ou une couche double de fluorure de lithium (LiF)/d'aluminium (Al). Les secondes électrodes 208 peuvent avoir une fonction de s travail inférieure à celle de la première électrode 202. Le dispositif électroluminescent organique de la présente invention comprend une région de pixel factice qui entoure une région d'affichage présentant une région de pixel. Une paroi latérale est formée à la limite de la région de pixel factice. Le transistor en couches minces de commutation et le transistor en couches minces de 10 pilotage ne sont pas formés dans la région de pixel factice. Une seconde électrode est formée indépendamment dans la région de pixel. En outre, la seconde électrode dans la région de pixel factice n'est pas électriquement reliée au transistor en couches minces et est donc électriquement flottante. En conséquence, le dispositif électroluminescent organique peut fonctionner normalement, même lorsque la 15 première électrode de la diode électroluminescente organique entre en contact avec une seconde électrode de la diode électroluminescente organique dans la région de pixel factice, du fait d'une erreur de fabrication. La structure de dispositif électroluminescent organique de la présente invention présente des avantages particuliers. Premièrement, du fait que le dispositif 20 électroluminescent organique est un dispositif à émission de dessus, on peut obtenir un taux d'ouverture élevé. Deuxièmement, du fait que la couche de matrice comprenant le transistor en couches minces et la diode électroluminescente organique sont formés indépendamment sur des substrats respectifs, on évite les effets indésirables provoqués par le procédé de fabrication de la diode 25 électroluminescente organique, et on améliore ainsi le rendement de production global. Troisièmement, du fait qu'une région de pixel factice, dans laquelle on forme ni transistor en couches minces de commutation ni transistor en couches minces de pilotage, est disposée au voisinage de la région d'affichage, la première électrode n'est pas électriquement reliée à la seconde électrode. La région de pixel factice 30 fournit une marge d'alignement pour le procédé de masquage de la seconde électrode. En conséquence, les propriétés de contact et le rendement de production peuvent être améliorés et on évite des distorsions de signal. Il apparaîtra à l'homme du métier que diverses modifications et variations peuvent être apportées au dispositif électroluminescent organique ainsi qu'à son 35 procédé de fabrication sans s'écarter de l'esprit ou la portée de l'invention. Il est donc compris que la présente invention couvre les modifications et variations aisément accessibles à l'homme de l'art. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 16/24 REVENDICATIONS 1. Un dispositif électroluminescent organique comprenant: - des premier et second substrats (100, 200) se faisant face et étant séparés l'un de l'autre, les premier et second substrats présentant une région d'affichage, et une région périphérique, la région d'affichage comprenant une pluralité de régions de pixels (P) et une région de pixel factice (PD) ; - des transistors en couches minces de pilotage (TD) respectivement adjacents à chacune des pluralités de régions de pixels (P) sur la surface intérieure du 10 premier substrat (100); - des premières électrodes de connexion (130), respectivement reliées aux transistors en couches minces de pilotage; - une première électrode (202) sur toute la surface intérieure du substrat (200); - une paroi latérale (204) sur la première électrode à la limite de chacune de la pluralité de régions de pixels et de la région de pixel factice; - une couche électroluminescente organique (206) sur la première électrode; - des secondes électrodes (208) sur la couche électroluminescente organique, de sorte qu'une seconde électrode soit présente dans chacune de la pluralité de régions de pixels et dans la région de pixel factice, respectivement, les 20 secondes électrodes de chacune de la pluralité de régions de pixels étant respectivement reliées aux premières électrodes de connexion; et - un joint (300) assemblant les premier et second substrats. 2. Le dispositif de la revendication 1, comprenant en outre: - une plage (126) dans la région périphérique sur la surface intérieure du premier substrat; et - une seconde électrode de connexion (132) reliée à la plage (126), la seconde électrode de connexion étant formée selon la même couche et dans le même matériau que les premières électrodes de connexion; - la première électrode (202) étant reliée à la seconde électrode de connexion. 3. Le dispositif de la revendication 1 ou 2, dans lequel la seconde électrode (208) dans la région de pixel (PD) est électriquement flottante. 4. Le dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel chacun des transistors en couches minces de pilotage comprend une couche active de pilotage (104), une électrode de grille de pilotage (108) et des électrodes de source et de drain de pilotage (122, 124). \\HIRSCH6\3RFVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 17/24 5. Le dispositif de la revendication 2 ou 3, dans lequel chacun des transistors en couches minces de pilotage comprend une couche active de pilotage (104), une électrode de grille de pilotage (108) et des électrodes de drain et de source de pilotage (122, 124) dans lequel la plage (126) comprend le même matériau que les électrodes de source et de drain de pilotage (122, 124). 6. Le dispositif de la revendication 4 ou 5, comprenant en outre des transistors en couches minces de commutation reliés aux transistors en couches minces de pilotage, chacun des transistors en couches minces de commutation 10 comprenant une couche active de commutation, une électrode de grille de commutation et des électrodes de source et de drain de commutation. 7. Le dispositif de la revendication 6, dans lequel la couche active de pilotage (104) et la couche active de commutation comprennent du silicium 15 polycristallin. 8. Le dispositif de la revendication 6 ou 7, dans lequel l'électrode de source de commutation est reliée à la ligne de données, dans lequel l'électrode de drain de commutation est reliée à l'électrode de grille de pilotage et dans lequel 20 l'électrode de grille de commutation est reliée à la ligne de grilles. 9. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 8, comprenant en outre une ligne de puissance reliée aux transistors en couches minces de pilotage. 10. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 9, comprenant en outre des condensateurs de stockage (CsT) reliés aux transistors en couches minces de pilotage (TD)11. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 10, dans lequel la 30 première électrode est une anode injectant des trous dans la couche électroluminescente organique et dans lequel les secondes électrodes sont des cathodes injectant des électrons dans la couche électroluminescente organique. 12. Le dispositif de la revendication 11, dans lequel la première électrode 35 comprend de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc et d'indium (IZO). \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1900121942.doc 29 décembre 2003 - 18/24 13. Le dispositif de la revendication 11 ou 12, dans lequel les secondes électrodes comprennent un matériau choisi parmi le calcium (Ca), l'aluminium (Ai) et le magnésium (Mg). 14. Le dispositif de l'une des revendications 2 à 13, comprenant en outre 5 une électrode auxiliaire entre la première électrode et la seconde électrode de connexion, l'électrode auxiliaire comprenant le même matériau que les secondes électrodes. 15. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 14, dans lequel la région 10 de pixel factice entoure la pluralité de régions de pixels (P). 16. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 15, comprenant en outre une couche isolante auxiliaire entre la première électrode et au moins l'une des parois latérales (204). 17. Le procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique comprenant: - la formation d'un premier substrat (100) présentant une région d'affichage et une région périphérique, la région d'affichage comprenant une pluralité de 20 régions de pixels (P) et une région de pixel factice (PD); - la formation de transistors en couches minces de pilotage respectivement adjacents à chacune des pluralités de régions de pixels (P); - la formation de premières électrodes de connexion respectivement reliées aux transistors en couches minces de pilotage; - la formation d'une première électrode (202) sur un second substrat (200) présentant la région d'affichage et la région périphérique; - la formation d'une paroi latérale (204) sur la première électrode au voisinage de chacune des pluralités de régions de pixels (P) et de la région de pixel factice (PD); - la formation d'une couche électroluminescente organique (206) sur la première électrode (202); - la formation de secondes électrodes (208) sur la couche électroluminescente organique (206) de sorte à former une seconde électrode dans chacune de la pluralité des régions de pixels (P) et de la région de pixel factice (PD) ; et l'assemblage des premier et second substrats (100, 200) avec un joint (300) de sorte que les premières électrodes de connexion entrent en contact avec les secondes électrodes (208). \\HIRSCH6\BREVETS'Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 19/24 18. Le procédé de la revendication 17, comprenant en outre: - la formation d'une plage (126) sur le premier substrat (100), la plage étant disposée dans la région périphérique et - la formation d'une seconde électrode de connexion reliée à la plage, la première électrode étant reliée à la seconde électrode de connexion lorsque les premier et second substrats sont assemblés. 19. Le procédé de la revendication 17 ou 18, dans lequel chacun des transistors en couches minces de pilotage comprend une couche active de pilotage 10 (104), une électrode de grille de pilotage (108) et des électrodes de source et de drain de pilotage (122, 124). 20. Le procédé de la revendication 18 ou 19, dans lequel chacun des transistors en couches minces de pilotage comprend une couche active de pilotage 15 (104), une électrode de grille de pilotage (108) et des électrodes de source et de drain de pilotage (122, 124) et dans lequel la plage (126) et les électrodes de source et de drain de pilotage (122, 124) sont formées en même temps. 21. Le procédé de la revendication 19 ou 20, comprenant en outre la 20 formation de transistors en couches minces de commutation reliés aux transistors en couches minces de pilotage, chacun des transistors en couches minces de commutation comprenant une couche active de commutation, une électrode de grille de commutation et des électrodes de source et de drain de commutation. 22. Le procédé de la revendication 21, dans lequel la couche active de pilotage et la couche active de commutation comprennent du silicium polycristallin. 23. Le procédé de la revendication 22, dans lequel une électrode de source de commutation est reliée à la ligne de données, l'électrode de drain de commutation 30 est reliée à l'électrode de grille de pilotage et l'électrode de grille de commutation est reliée à la ligne de grilles. 24. Le procédé de l'une des revendications 17 à 23, comprenant en outre la formation d'une ligne de puissance reliée aux transistors en couches minces de 35 pilotage. \\HIRSCH6\BRBVETS\B.evets\21900\21942.doc- 29décembre 2003 - 20/24 25. Le procédé de l'une des revendications 17 à 24, comprenant en outre la formation de condensateurs de stockage reliés aux transistors en couches minces de pilotage. 26. Le procédé de l'une des revendications 17 à 25, dans lequel la première électrode est une anode injectant des trous dans la couche électroluminescente organique (206) et dans lequel les secondes électrodes (208) sont des cathodes injectant des électrons dans la couche électroluminescente organique (206). 27. Le procédé de la revendication 26, dans lequel la première électrode (202) comprend de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc et d'indium (IZO). 28. Le procédé de la revendication 26 ou 27, dans lequel les secondes électrodes (208) comprennent un matériau choisi parmi le calcium (Ca), l'aluminium (Al) et le magnésium (Mg). 29. Le procédé de la revendication 18, comprenant en outre la formation 20 d'une électrode auxiliaire entre la première électrode et la seconde électrode de connexion, l'électrode auxiliaire et les secondes électrodes étant formées en même temps. 30. Le procédé d'une des revendications 17 à 29, dans lequel la région de 25 pixel factice entoure la pluralité de régions de pixels. 31. Le procédé d'une des revendications 17 à 30, comprenant en outre la formation d'une couche isolante auxiliaire entre la première électrode et au moins l'une des parois latérales (204). 32. Un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique comprenant: - la formation d'une première couche isolante sur un premier substrat (100) présentant une région d'affichage et une région périphérique, la région 35 d'affichage comprenant une pluralité de régions de pixels (P) et une région de pixel factice (PD); - la formation d'une couche active (104, 105) sur la première couche isolante dans chacune des pluralités des régions de pixels (P), la couche active (104) \\HIRSCH6\BRI3VETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 21/24 comprenant du silicium polycristallin, la couche active présentant des régions de source et de drain; - la formation d'une seconde couche isolante sur la seconde couche active; - la formation d'une électrode de grille sur la seconde couche isolante au5 dessus de la couche active; - la formation d'une troisième couche isolante sur l'électrode de grille; - la formation d'une quatrième couche isolante sur la troisième couche isolante, la quatrième couche isolante présentant des premier et second trous de contact, le premier trou de contact exposant la région de source et le second 10 trou de contact exposant la région de drain; - la formation d'électrodes de source et de drain sur la quatrième couche isolante, l'électrode de source étant reliée à la région de source à travers le premier trou de contact et l'électrode de drain étant reliée à la région de drain à travers le second trou de contact; - la formation d'une cinquième couche isolante sur les électrodes de source et de drain, la cinquième couche isolante présentant un troisième trou de contact exposant l'électrode de drain; - la formation d'une première électrode de connexion (130) sur la cinquième couche isolante, la première électrode de connexion étant reliée à l'électrode 20 de drain à travers le troisième trou de contact; - la formation d'une première électrode (202) sur un second substrat (200) présentant une région d'affichage et la région périphérique; - la formation d'une paroi latérale (204) sur la première électrode (202) à la limite de chacune des pluralités des régions de pixels (P) et de la région de 25 pixel factice (PD); - la formation d'une couche électroluminescente organique (206) sur la première électrode (202); - la formation d'une seconde électrode (208) sur la couche électroluminescente organique (206) dans chacune des pluralités de régions de pixels (P); et - l'assemblage des premier et second substrats avec un joint (300) de sorte que la première électrode de connexion (130) entre en contact avec la seconde électrode (208). 33. Le procédé de la revendication 32, dans lequel les première, troisième, quatrième et cinquième couches isolantes sont successivement formées sur la surface intérieure du premier substrat dans la région de pixel factice (PD), \\MRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942 doc - 29 décembre 2003 - 22/24 34. Le procédé de la revendication 32 ou 33, comprenant en outre: - la formation d'une plage (126) sur la quatrième couche isolante, la plage étant disposée dans la région périphérique, et dans lequel la cinquième couche isolante, formée sur la plage (126) présente des quatrième et cinquième trous de contact découvrant la plage (126); et - la formation d'une seconde électrode de connexion sur la cinquième couche isolante, la seconde électrode de connexion étant reliée à la plage à travers le quatrième trou de contact et la seconde électrode de connexion entrant en contact avec la première électrode lorsque les premier et second substrats sont 10 assemblés. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21900\21942.doc - 29 décembre 2003 - 23/24