Brevet FR2853781A1 — publié le 20041015

COMPARATEUR A DEUX SEUILS INSENSIBLE A SON ENVIRONNEMENT L'invention concerne, de manière générale, un comparateur à deux seuils de basculement, couramment appelé trigger à hystérésis et que nous appellerons par la suite simplement trigger par abus de langage. Un tel trigger fournit en sortie un signal OUT qui indique la valeur logique d'un signal IN d'entrée analogique. Ainsi, le trigger fournit un signal OUT qui est égal au potentiel d'alimentation VDD (correspondant 10 à un "un" logique) lorsque le signal IN augmente et atteint un seuil VH haut et il fournit un signal OUT égal à zéro lorsque le signal IN diminue et descend au dessous d'un seuil VB bas (figure 1). Un tel trigger est utilisé par exemple pour immuniser 15 contre le bruit une borne d'entrée d'un circuit électronique. Le trigger agit dans ce cas pour filtrer les bruits présents sur la borne d'entrée, et permet ainsi d'obtenir un signal logique filtré, plus aisément exploitable que le signal d'entrée non filtré. Plus précisément, l'invention concerne un comparateur à deux seuils VH, VB, comprenant une bascule à deux seuils de basculement dont une entrée IN et une sortie OUT forment respectivement une entrée et une sortie du comparateur. La dite bascule comprend également un 25 premier point milieu Al et / ou un deuxième point milieu A2. Al est situé entre une Ière borne d'alimentation et la sortie OUT du comparateur. A2 est situé entre une 2ème borne d'alimentation et la sortie OUT du comparateur. Le comparateur comprend également une 1ère contre-réaction et ou une 2èe contreréaction. La lère contre-réaction agit sur le point Ai pour fixer le seuil VH du comparateur en fonction d'un ler potentiel d'alimentation VDD. La 2ème contre5 réaction agit sur le point A2 pour fixer le seuil VB du comparateur en fonction d'un 2ème potentiel d'alimentation GND. Un exemple connu d'un tel trigger est représenté sur la figure 2. Il comprend deux transistors Tii, T12 de type 10 P et deux transistors T13, T14 de type N, tous quatre connectés en série entre une borne d'alimentation sur laquelle est appliqué le 1er potentiel d'alimentation VDD et une borne sur laquelle est appliqué le 2ème potentiel d'alimentation GND (ou potentiel de masse). 15 Le signal IN d'entrée du trigger est appliqué sur la grille commune des transistors Tll, T12, T13 et T14. Les transistors Tii à T14 forment ensemble la bascule qui produit sur le drain commun (appelé point M) des transistors T12 et T13 un signal logique inverse du 20 signal IN. Le trigger connu comprend également deux transistors T21, T22 et un inverseur I. L'inverseur I est connecté entre le point M commun aux transistors T12, T13 et une borne de sortie du trigger sur laquelle est produit le signal OUT. Le transistor T21 est de 25 type P, sa source est connectée au point A2 commun des transistors Tii et T12 et le potentiel GND est appliqué sur le drain de T21 dont la grille est connectée au point M. Le transistor T22 est de type N, sa source est connectée au point Ai commun des transistors T13 et T14 30 et le potentiel GND est appliqué sur le drain de T21 dont la grille est connectée au point M. Le transistor T22 forme la 2ème contre-réaction et le transistor T21 forme la 2 em contre-réaction de la sortie du trigger sur la bascule constituée par les transistors Tîl à T14. En l'absence de contre-réaction 5 (i.e. en l'absence des transistors T21, T22), les potentiels aux points A2 et Al sont laissés flottants et la bascule a deux seuils VH, VB de basculement, tous deux égaux à VDD/2; la contre- réaction formée par le transistor T22 a pour effet d'abaisser la valeur du 10 seuil VB et la contre-réaction formée par le transistor T21 a pour effet d'élever la valeur du seuil VH. Dans un exemple, pour un potentiel d'alimentation VDD de l'ordre de 5,5 V, le potentiel VB est de l'ordre de 2,5 V et le potentiel VH est de l'ordre de 3,75 V. 15 L'hystérésis A du trigger, donnée par la relation A = VH - VB est ainsi de l'ordre de 1,25 V. En général, on dimensionne un trigger de sorte à avoir une hystérésis la plus importante possible pour une meilleure immunité au bruit. L'évolution des seuils VB, VH et de l'hystérésis A du trigger en fonction du potentiel VDD est représentée sur la figure 4, en tirets courts et épais (la température est constante égale à 250C). Les seuils VB et VH augmentent logiquement avec le potentiel VDD; 25 VB, VH croissent en pratique approximativement de manière linéaire en fonction de VDD. Ceci est parfaitement acceptable puisque le niveau de bruit (en valeur absolue) à filtrer par un trigger est fonction du niveau des signaux d'entrée et donc du potentiel 30 VDD. La valeur moyenne de VB, VH et de l'hystérésis A sur une plage d'alimentation donnée dépend également de la taille (en terme de longueur sur largeur de grille) des transistors Tîl à T14. L'évolution des seuils VB, VH et de l'hystérésis A du trigger en fonction de la température est représentée sur la figure 5, en tirets courts et épais (VDD = 4,5 V constant). Le potentiel VH diminue légèrement avec la 5 température (dans l'exemple figure 5, approximativement de - 0,05 V sur une plage de 2000C). Le potentiel VB quant à lui augmente de manière un peu plus marquée (dans l'exemple, environ +0,15 V sur une plage de 2000V). Les figures 4 et 5 font également apparaître les inconvénient des triggers connus tel que celui de la figure 2. L'hystérésis A du trigger est en effet très sensible à la valeur du potentiel d'alimentation VDD (voir figure 4). L'hystérésis est également sensible à 15 la température d'utilisation (voir figure 5). Ceci est particulièrement gênant dans la mesure o, pour dimensionner les circuits d'un composant électronique utilisant un trigger, on tient compte notamment de l'hystérésis A du trigger. En conséquence, un même 20 composant électronique comprenant un trigger, dimensionné pour un potentiel VDD donné et une température de fonctionnement donnée, ne peu pas être utilisé avec des potentiels d'alimentation différents et / ou des températures d'utilisation différentes. 25 Ceci limite bien sûr leur intérêt. Enfin, l'hystérésis est particulièrement faible pour de faibles valeurs de VDD. Ceci est également gênant dans la mesure o on cherche de plus en plus à utiliser des composants électroniques à faible potentiel d'alimentation, composants pour lesquels on souhaite toujours une hystérésis A importante pour une meilleure immunité au bruit. Un objet essentiel de l'invention est un trigger dont l'hystérésis est insensible au potentiel d'alimentation VDD du trigger. Un objet secondaire de l'invention est un trigger dont 5 l'hystérésis est insensible à la température. Un autre objet secondaire enfin est un trigger dont l'hystérésis est importante pour de faibles valeurs du potentiel d'alimentation. L'invention concerne donc un comparateur à deux seuils 10 VH, VB, comprenant une bascule (Tll, T12, T13, T14, I) à deux seuils dont une entrée IN et une sortie OUT forment respectivement une entrée et une sortie du comparateur. La dite bascule comprend également un premier point milieu Al et / ou un deuxième point 15 milieu A2. Al est situé entre une 1ère borne d'alimentation et la sortie OUT du comparateur. A2 est situé entre une 2ème borne d'alimentation et la sortie OUT du comparateur. Le comparateur comprend également une lère contre-réaction et / ou une 2ème contre20 réaction. La 1ère contre- réaction agit sur le point Al pour fixer le seuil VH du comparateur en fonction d'un 1er potentiel d'alimentation VDD. La 2ème contreréaction agit sur le point A2 pour fixer le seuil VB du comparateur en fonction d'un 2ème potentiel 25 d'alimentation GND. Dans un tel comparateur, le but essentiel de l'invention (insensibilité au potentiel d'alimentation) est atteint par le fait que le 1er seuil (VH ou VB) est également fonction d'un 1er potentiel de référence 30 (VREF1 ou VREF2) stable. En agissant sur le premier seuil, le 1er potentiel de référence modifie les effets d'une variation du 1er potentiel d'alimentation et / ou du deuxième potentiel d'alimentation. Aussi, comme on le verra mieux par la suite dans un exemple, en choisissant de manière appropriée la valeur du ler potentiel de référence, il est possible de rendre 5 l'hystérésis A du trigger (A = VH - VB) indépendante de la valeur du 1er potentiel d'alimentation. Par ailleurs, comme on le verra également mieux par la suite dans un exemple, l'utilisation du ler potentiel de référence, en plus du 1er potentiel d'alimentation, 10 pour piloter la contre-réaction du comparateur, a également un effet sur l'évolution de l'hystérésis du comparateur en fonction de la température et sur l'évolution de l'hystérésis pour de faibles valeurs du 1er potentiel d'alimentation. De préférence, mais non nécessairement, le comparateur est rendu symétrique en rendant le deuxième seuil dépendant à la fois du deuxième potentiel d'alimentation et d'un deuxième potentiel de référence, qui limite ou annule les effets d'une variation du 1er 20 potentiel d'alimentation et / ou du deuxième potentiel d'alimentation. Le 1er seuil est, par exemple, le seuil haut VH et le ler potentiel de référence est choisi, par exemple, inférieur ou égal au 1er potentiel d'alimentation VDD 25 (potentiel d'alimentation positive) . De préférence, le premier potentiel de référence est choisi tel que la différence entre le 1er potentiel d'alimentation VDD et le ler potentiel de référence est positive et croissante en fonction du 1er potentiel d'alimentation 30 VDD. L'influence (i.e. effet limitatif sur VH) du 1er potentiel de référence augmente ainsi avec VDD. Le 2ème seuil est, par exemple, le seuil bas VB et le 2ème potentiel de référence est choisi, par exemple, supérieur ou égal au 2ème potentiel d'alimentation GND (potentiel de masse). Selon un mode de réalisation préféré, la lère contreréaction comprend un premier transistor dont une source est connectée au premier point milieu Al et dont une grille est connectée à une source d'un deuxième transistor dont une grille est connectée à la sortie 10 OUT du comparateur. Le premier potentiel d'alimentation VDD est appliqué sur le drain du premier transistor et le premier potentiel de référence est appliqué sur le drain du deuxième transistor. Avec une telle contreréaction, en fixant sur la grille du premier transistor 15 un premier potentiel de référence inférieur au premier potentiel d'alimentation VDD, on augmente la résistivité du premier transistor et on diminue en conséquence le potentiel au point Al. Le seuil VH est alors limité, comme on le verra mieux dans un exemple. La lère contre-réaction est améliorée par l'ajout d'un troisième transistor dont un drain est connecté à la grille du premier transistor et dont une grille est connectée à la sortie du comparateur. Le deuxième potentiel d'alimentation étant appliqué sur la source 25 du troisième transistor. Le troisième transistor a essentiellement pour effet, lorsque le deuxième transistor est bloqué, de fixer le potentiel sur la grille du premier transistor à une valeur telle que le premier transistor est correctement bloqué. On évite 30 ainsi tout effet néfaste lié à la présence d'un point flottant dans un circuit intégré. Enfin, la 2ème contre-réaction est réalisée de préférence symétrique à la lère et a des effets symétriques comme on le verra mieux par la suite dans un exemple. L'invention sera mieux comprise et d'autres caractéristiques et avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, d'un exemple de mise en oeuvre d'un comparateur à deux seuils conforme à 10 l'invention. La description est à lire en relation aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1, déjà décrite, montre l'évolution du signal OUT de sortie d'un trigger en fonction du signal IN d'entrée, - la figure 2, déjà décrite, est un schéma électronique d'un trigger connu, - la figure 3, est un schéma électronique d'un trigger selon 1' invention, et - les figures 4, 5 montrent l'évolution de 20 paramètres des triggers de la figure 2 et de la figure 3 en fonction du potentiel d'alimentation et ou de la température. Comme il a été dit précédemment, l'invention concerne un comparateur à deux seuil de type trigger de Schmitt, 25 comprenant (figure 2) une bascule à quatre transistors Tll, T12, T13, T14, une lère boucle de contre-réaction adaptée pour modifier le seuil bas VB de basculement et une 2ème boucle de contre-réaction adaptée pour modifier le seuil haut VH de basculement du trigger. Selon le mode de mise en oeuvre décrit (figure 3) de l'invention, la lère boucle de contre-réaction comprend un transistor T22 de type N et un transistor T33 de type P. La source du transistor T22 est connectée au point Ai, la grille de T22 est connectée à la source de T33 dont la grille est connectée en sortie de 5 l'inverseur I. Le potentiel d'alimentation VDD est appliqué sur le drain de T22 et un 2ème potentiel de référence VREF1 est appliqué sur le drain de T33. La 2ème boucle de contre-réaction comprend quant à elle un transistor T21 de type P et un transistor T31 de 10 type N. La source du transistor T21 est connectée au point A2, la grille de T21 est connectée à la source du transistor T31 dont la grille est connectée en sortie de l'inverseur I, c'est-à-dire sur la borne de sortie du trigger. Le potentiel de masse GND est appliqué sur 15 le drain de T21 et un 2ème potentiel VREF2 de référence est appliqué sur le drain de T31. Les potentiels de référence VREF1, VREF2 sont fournis par des sources de potentiel, stables notamment en fonction du potentiel d'alimentation VDD et également 20 de préférence en fonction de la température. VREF2 est de préférence assez faible et proche de GND; dans un exemple on choisit VREF2 = GND. VREF1 est de préférence assez élevé, plus ou moins proche de VDD et inférieur à VDD. Dans un exemple, on choisit VREF1 = 2,4 V pour 25 VDD = 2,5 V. La 1ere contre-réaction selon l'invention (figure 3) a l'effet suivant. Lorsque OUT = 0, notamment lorsque IN = 0 ou lorsque IN augmente à partir de 0 mais est encore inférieur au seuil haut VH de basculement du 30 trigger, T21, T31 sont bloqués et le point A2 est à un potentiel égal à VDD. T33 est quant à lui passant et applique le potentiel VREF1 sur la grille de T22. Comme VREF1 est inférieur à VDD mais supérieur à VTN (le seuil de conduction du transistor T22), T22 est passant. T22 est par contre plus résistif que le transistor T22 utilisé comme contre-réaction dans un 5 trigger connu (cf. figure 2) et recevant VDD sur sa grille au lieu de VREF1. En conséquence, T22 impose au point Al un potentiel moins élevé que le potentiel imposé au même point Al dans un trigger connu. Ceci a pour effet de modifier le seuil haut VH de basculement 10 du trigger. Le potentiel VREF1 étant utilisé pour commander T22, VREFl doit être suffisant élevé (i.e. suffisamment proche de VDD) pour rendre T22 passant lorsque T33 est passant. Inversement, plus la différence VDD - VREF1 15 est importante, plus on modifie le seuil VH par rapport à la valeur qu'il aurait si on appliquait VDD sur la grille de T22, le potentiel VDD étant maintenu constant. Ainsi, dans un trigger selon l'invention, le seuil VH dépend, notamment, du potentiel VREF1 et du 20 potentiel VDD. Aussi, si le trigger est utilisé avec des potentiels VDD de différentes valeurs, il est possible, en choisissant des valeurs appropriées de VREFl, de maîtriser l'influence sur VH de la variation du potentiel VDD. La 2ème contre-réaction selon l'invention (figure 3) a quant à elle l'effet suivant. On rappelle que OUT est un signal logique prenant seulement deux valeurs 0 ou VDD. Lorsque OUT = VDD, notamment lorsque IN = VDD ou lorsque IN décroît à partir de VDD mais est encore au 30 dessus du seuil bas VB, T22, T33 sont bloqués et le point Al est à un potentiel égal à GND. T31 est quant à lui passant et applique le potentiel VREF2 sur la grille de T21. VREF2 étant assez proche de GND, T21 est passant. T21 est par contre plus résistif que le transistor T21 utilisé comme contre-réaction dans un trigger connu (cf. figure 2) et recevant GND sur sa grille au lieu de 5 VREF2. En conséquence, T21 impose au point A2 un potentiel plus élevé que le potentiel imposé au même point A2 dans le trigger connu. Ceci a pour effet de modifier le seuil bas VB de basculement du trigger. Le potentiel VREF2 étant utilisé pour commander T21, 10 VREF2 doit être suffisamment faible (ie proche de GND) pour rendre T21 passant lorsque T31 est passant. Inversement, plus la différence VREF2 - GND est importante, plus on modifie le seuil VB par rapport à la valeur qu'il aurait si on appliquait GND sur la 15 grille de T21, le potentiel VDD étant maintenu constant. Ainsi, dans un trigger selon l'invention, le seuil VB dépend, notamment, du potentiel VREF2 et du potentiel VDD. Aussi, si le trigger est utilisé avec des potentiels VDD de différentes valeurs, il est 20 possible, en choisissant des valeurs appropriées de VREF2, de compenser l'influence sur VB de la variation du potentiel VDD. Les figures 4 et 5 montrent à titre d'exemple, en fonction du potentiel VDD (figure 4, température 250C) 25 ou de la température (figure 5, VDD = 4,5 V), l'évolution des paramètres d'un trigger connu selon la figure 2 (courbes en petits tirets épais) et d'un trigger selon la figure 3 (courbes en tirets longs et fins), pour des valeurs appropriées des potentiels 30 VREF1 et VREF2. VREF2 a été choisi égal à GND, constant quel que soit VDD. VREF1 quant à lui est variable; dans les exemples, les valeurs suivantes ont été choisies: VDD: 1,8 V 2,5 V 4,5 V 5,5 V VREF1: 1, 8 V 2,4 V 3,1 V 3,4 V Comme VREF2 a été choisi égal à GND, le seuil VB suit approximativement la même évolution en fonction de VDD, 5 pour un trigger connu et pour un trigger selon l'invention. On voit par contre nettement l'influence de VREF1 sur la valeur de VH. Par exemple, pour VREFl = VDD = 1,8 V, on voit que le seuil VH du trigger selon l'invention 10 est supérieur au seuil VH du trigger connu. Dit autrement, en choisissant VREF1 très proche de VDD, voire égal à VDD, on augmente le seuil VH, notamment pour de petites valeurs de VDD. Ceci est notamment intéressant pour les triggers alimentés par de faibles 15 potentiels VDD pour lesquels il est ainsi possible d'obtenir des potentiels VH élevés (en proportion par rapport à VDD). Inversement, par exemple pour VREFl = 3,4 V et VDD = 5,5 V, on voit que le potentiel VH du trigger 20 selon l'invention est bien inférieur au potentiel VH du trigger connu. Dit autrement, en choisissant VREF1 assez loin de VDD (mais tout de même suffisant pour rendre passant T22), on diminue le seuil VH, pour VDD donné. Il est ainsi possible, en ajustant la valeur de VREFl en fonction de VDD, de diminuer la pente de la courbe VH = f(VDD) et de faire en sorte que VH évolue parallèlement à VB en fonction de VDD. Comme l'hystérésis du trigger est obtenue par A = VH - VB, il 30 s'ensuit que l'hystérésis du trigger est indépendante de VDD, comme le montre la figure 4. De préférence, VREF1 est choisi tel que la différence VDD - VREF1 augmente lorsque VDD augmente. Si on regarde maintenant l'évolution des paramètres du trigger selon l'invention (figure 5, courbes en tiret 5 longs et fins) en fonction de la température, on constate que, par rapport à un trigger connu (courbe en tirets courts et épais), l'utilisation des potentiels VREF1, VREF2 a permis de: - diminuer légèrement la pente de la courbe VB en 10 fonction de la température T (variation de VB de + 0,10 V au lieu de + 0,15 V sur une plage de 2000C), et surtout - d'augmenter fortement et d'inverser la pente de la courbe VH en fonction de T (variation de VH de 15 + 0,05 V au lieu de - 0,05 V sur une plage de 2000V. L'hystérésis A en résultant est ainsi quasiment indépendant de la température (variation de l'hystérésis de -0,02 V au lieu de -0,22 V sur la plage de 200'C considérée). Le trigger selon l'invention, réalisé conformément au schéma de la figure 3 peut être amélioré par l'ajout de deux transistors T32, T34 représentés en pointillés sur la figure 3. T32 est de type P, son drain est connecté à la grille 25 de T21, sa grille est connectée à la sortie de l'inverseur I et le potentiel VDD est appliqué sur sa source. De même que T31, T32 est commandé par le signal OUT. Ainsi, T31 et T32 étant de types différents, l'un est passant lorsque l'autre est bloqué. T32 a pour 30 fonction de fixer le potentiel de la grille de T21 lorsque T31 est bloqué et ne commande pas la grille de T21. T32 permet ainsi de ne pas laisser flottant le potentiel de grille de T21 et d'imposer un potentiel suffisamment élevé pour garantir que T21 est bloqué. T34 est de type N, son drain est connecté à la grille 5 de T22, sa grille est connectée à la sortie de l'inverseur I et le potentiel GND est appliqué sur sa source. De même que T33, T34 est commandé par le signal OUT. Ainsi, T33 et T34 étant de types différents, l'un est passant lorsque l'autre est bloqué. La fonction de 10 T34 est similaire à celle de T32. Lorsque T31 est bloqué, T34 fixe le potentiel de la grille de T22 à une valeur suffisamment basse pour garantir que T22 est bloqué. REVENDICATIONS 1. Comparateur à deux seuils (VH, VB), comprenant une bascule (T11, T12, T13, T14, I) à deux seuils dont une entrée (IN) et une sortie (OUT) forment respectivement 5 une entrée et une sortie du comparateur, la dite bascule comprenant également un premier point milieu (Ai ou A2) entre une 1ère borne d'alimentation (BGND ou BVDD) et la sortie (OUT) de la bascule, le comparateur comprenant également une 1ère contre-réaction (T22, T33 10 ou T21, T31) agissant sur le 1er point milieu (Ai ou A2) pour fixer le 1er seuil (VH ou VB) du comparateur en fonction d'un 1er potentiel d'alimentation (VDD ou GND), le comparateur étant caractérisé en ce que le 1er 15 seuil (VH ou VB) est également fonction d'un 1er potentiel de référence (VREF1 ou VREF2) stable. 2. Comparateur selon la revendication 1, dans lequel la bascule comprend également un 2ème point milieu (A2 ou Ai) entre une 2ème borne d'alimentation (BVDD ou 20 BGND) et la sortie (OUT) de la bascule, et dans lequel le comparateur comprend également une 2ème contreréaction (T21, T31 ou T22, T33) pour fixer le 2ème seuil (VB ou VH) du comparateur en fonction d'un 2ème potentiel d'alimentation (GND ou VDD), et d'un 2ème 25 potentiel de référence (VREF2 ou VREF1) stable. 3. Comparateur selon l'une des revendications 1 ou 2, dans lequel le 1er seuil est un seuil haut (VH) et dans lequel le 1er potentiel de référence (VREF1) est choisi inférieur ou égal au 1er potentiel d'alimentation 30 (VDD), positif. 4. Comparateur selon la revendication 3, dans lequel le 1er seuil est choisi tel que la différence entre le ler potentiel d'alimentation (VDD) et le 1er potentiel de référence (VREF1) est positive et croissante en 5 fonction du 1er potentiel d'alimentation (VDD), pour limiter l'augmentation de la valeur du 1er seuil lorsque le 1er potentiel d'alimentation (VDD) augmente. 5. Comparateur selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel le 2ème seuil est un seuil bas (VB) et dans 10 lequel le 2ème potentiel de référence (VREF2) est choisi supérieur ou égal au 2ème potentiel d'alimentation (GND) qui est un potentiel de masse. 6. Comparateur selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel la lère contre-réaction comprend un premier 15 transistor (T22) dont une source est connectée au premier point milieu (Ai) et dont une grille est connectée à une source d'un deuxième transistor (T33) dont une grille est connectée à la sortie (OUT) du comparateur, le premier potentiel d'alimentation (VDD) 20 étant appliqué sur le drain du premier transistor (T22) et le premier potentiel de référence (VREFI) étant appliqué sur le drain du deuxième transistor (T33). 7. Comparateur selon la revendication 6, dans lequel la lère contreréaction comprend également un troisième 25 transistor (T34) dont un drain est connecté à la grille du premier transistor (T22), dont une grille est connectée à la sortie (OUT) du comparateur, le deuxième potentiel d'alimentation (GND) étant appliqué sur la source du troisième transistor (T34). 8. Comparateur selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel la 2ème contre-réaction comprend un 4ème transistor (T21) dont une source est connectée au deuxième point milieu (A2) et dont une grille est connectée à une source d'un cinquième transistor (T31) dont une grille est connectée à la sortie (OUT) du 5 comparateur, le deuxième potentiel d'alimentation (GND) étant appliqué sur un drain du quatrième transistor (T21) et le deuxième potentiel de référence (VREF2) étant appliqué sur un drain du cinquième transistor (T31). 9. Comparateur selon la revendication 8, dans lequel la 2ème contreréaction comprend également un sixième transistor (T32) dont un drain est connecté à la grille du quatrième transistor (T21) et dont une grille est connectée à la sortie (OUT) du comparateur, le premier 15 potentiel d'alimentation (VDD) étant appliqué sur la source du sixième transistor (T34). 10. Comparateur selon l'une des revendications 1 à 9, dans lequel l'inverseur à deux seuils comprend un septième transistor (T11) et un huitième transistor 20 (T12) d'un premier type (P), un neuvième transistor (T13) et un dixième transistor (T14) d'un deuxième type (N) connectés en série entre la première borne d'alimentation (BGND) et la deuxième borne d'alimentation (BVDD), les grilles des dits transistors 25 étant connectées ensemble à la borne d'entrée (IN) de l'inverseur à deux seuils. 11. Comparateur selon la revendication 10, dans lequel l'inverseur à deux seuils comprend également un inverseur simple (I) connecté entre d'une part le drain 30 commun du huitième transistor (T12) et du neuvième transistor (T13)et d'autre part la sortie (OUT) du comparateur.