Brevet FR2849220A1 — publié le 20040625

PROCEDE DE FABRICATION DE CELLULES A CRISTAUX LIQUIDES SUR SUBSTRAT SILICIUM, ET CELLULES CORRESPONDANTES La présente invention appartient au domaine de la fabrication de cellules à cristaux liquides, sur substrat silicium, selon une technologie généralement désignée par l'acronyme anglo-saxon LCOS (Liquid Crystal On Silicon) Elle concerne plus particulièrement une méthode de fabrication de telles cellules selon des procédés collectifs. De manière connue, un procédé collectif de fabrication de cellules à cristaux liquides sur substrat silicium comprend l'obtention d'une plaquette silicium, sur laquelle a été formée d'une pluralité de circuits de matrice active, les dits circuits étant disposés sur la plaquette selon un réseau sensiblement o 10 orthogonal. Le procédé collectif comprend alors les étapes suivantes, bien connues de l'homme du métier: Formation sur un support transparent, généralement en verre, d'une pluralité de motifs ou circuits de contre-électrode en matériau conducteur et transparent, selon un réseau orthogonal; Dépôt sur la plaquette de silicium et sur le support transparent, sur chaque circuit, d'une couche de matière organique, que l'on vient frotter, pour former les microstries qui permettront l'alignement des cristaux liquides; Formation d'un joint périphérique ou cadre de scellement, non totalement fermé, sur le pourtour de chaque matrice active; Assemblage du support transparent sur la plaquette de silicium l'un sur l'autre, chaque circuit de contre-électrode faisant face à un circuit de matrice active, et le cadre de scellement ménageant un espace 25 entre les deux circuits; Prédécoupe de la plaquette de silicium sur 50 à 90 % de l'épaisseur de la plaquette, par sciage dans l'eau depuis la face arrière, un joint étanche, par exemple un cordon de colle époxy, ayant été préalablement formé sur le pourtour de l'ensemble support-plaquette; 30 et prédécoupe du support en verre, soit par sciage sur 50 à 95 % de l'épaisseur, soit par un stylet formant des sillons (scribing). -Séchage et séparation unitaire des cellules, par un moyen mécanique adapté tel qu'une guillotine, ou manuellement. Introduction des cristaux liquides dans chaque cellule, qui viennent remplir la cavité de chaque cellule par l'ouverture ménagée dans le cadre de scellement, puis bouchage hermétique de l'ouverture. L'assemblage collectif des supports en silicium et en verre impose que les tailles respectives des substrats individuels soient les mêmes sur les deux supports Sur la figure 1, on a représenté schématiquement la superposition d'un support en verre 1 portant un réseau orthogonal de circuits 2 de contre-électrode 2, et une plaquette silicium 3 portant un réseau lo orthogonal de circuits 4 de matrice active Les réseaux orthogonaux sont de même dimensions (ils ont le même pas en x et en y), en sorte que lorsque les deux supports 1 et 2 sont correctement alignés l'un par rapport à l'autre, chaque circuit de matrice active 4 se retrouve face à un circuit de contreélectrode 2 Les lignes de découpe sur chacun des supports correspondent 15 aux lignes et colonnes du réseau Les deux supports peuvent être décalés l'un par rapport à l'autre selon une direction x ou y, afin de dégager les plages de contact généralement prévus sur un bord périphérique des circuits de matrice active et des contre-électrodes. Sur la figure 2, on a représenté en vue transversale une cellule à 20 cristaux liquide obtenue selon un procédé collectif Cette cellule est formée d'un substrat silicium 5, assemblé à un substrat en verre 6 au moyen d'un cadre de scellement 7, ces trois éléments formant une cavité 8 qui contient les cristaux liquides 9. Le substrat silicium 5 comprend une zone active 10 et une zone 25 périphérique comprenant une zone de connexion 11 La zone active 10 est située à l'intérieur de la zone délimitée par le cadre de scellement 7 et comprend la matrice d'éléments pixels La zone de connexion 11 est située à l'extérieur du cadre de scellement et comprend des plages de contact Pl ("contact pads") Le substrat en verre 6 comprend un motif de contre-électrode 12, qui définit une fenêtre par laquelle la matrice d'éléments pixels est vue Il est positionné par rapport au substrat silicium de façon à dégager la zone de connexion 11, de manière à permettre la connexion de la cellule à un dispositif de commande 13 d'un système de visualisation, par exemple au 35 moyen d'un circuit imprimé flexible 14 On prévoit généralement que la contre-électrode 12 déborde du cadre, dans une zone 12 a du substrat transparent 6 en débord par rapport au substrat silicium, permettant de connecter la contre-électrode à un dispositif de commande de la cellule, par exemple au moyen d'un circuit imprimé flexible. Chaque circuit de matrice active est formé dans une subdivision de la plaquette de silicium, que l'on appelle généralement "die" dans la littérature anglo-saxonne Comme représenté sur la figure 3 a, chaque subdivision 100 est délimitée par deux lignes adjacentes Lvj et Lvj+ 1 de découpe verticale et deux lignes adjacentes L Hi et LH 1 + 1 de découpe horizontale Ces lignes 10 correspondent aux lignes et colonnes du réseau de placement des circuits de matrice active. Chaque subdivision (ou substrat individuel, ou circuit de matrice active) comprend une zone active ZA, avec les éléments pixels, et une zone périphérique ZP, autour de la zone active, qui comprend des plages de 15 contact, P 1, P 2, P 3, P 4 Ces plages de contact sont situées dans une même zone de connexion 101, dans l'exemple, sur le bord horizontal supérieur Ces plages sont destinées à recevoir les signaux d'adressage de la matrice, fournis par un dispositif de commande externe 13 de la cellule, par exemple au moyen d'un circuit imprimé flexible 14 (figure 2). Un cadre de scellement 102 est disposé autour de la zone active ZA. Ce cadre non totalement fermé permet l'assemblage avec un substrat portant la contre-électrode, et la formation d'une cavité entre les deux substrats, pour recevoir les cristaux liquides De manière connue, après introduction des cristaux liquides, I'ouverture 103 ménagée dans le cadre est 25 fermée. Les règles de dessin élaborées pour tenir compte, notamment, des tolérances sur les équipements de fabrication utilisés (précisions, alignements), imposent certains dimensions minimales On connaît pour un type d'écran de visualisation donné, les dimensions du circuit de matrice 30 active correspondant Par exemple, pour des applications de type HDTV, la définition de la cellule est de 1920 pixels (horizontal) sur 1080 pixels (vertical) Avec une technologie sur silicium qui donne une surface pixel de 10 x 10 tm 2, on a une surface de zone active de cellule correspondante, de l'ordre de 207 mm 2 C'est la surface fonctionnelle du circuit de matrice active. 35 Autour de cette zone, on a une zone non fonctionnelle, périphérique, dont les dimensions dépendent des règles de dessin, déterminées pour avoir une grande fiabilité de fabrication, en tenant compte des problèmes de tolérances d'alignement, d'épaisseur de dépôt de joint de colle (cadre de scellement) selon la technique employée (sérigraphie, seringue ou "dispenser"), 5 d'épaisseur des découpes, et autres Ces règles de dessin se traduisent par des cotes minimales à respecter, qui conditionnent le pas du réseau de placement des circuits sur la plaquette de silicium. Plus précisément, et si on se reporte à la figure 3 a, une première cote cl définit la distance minimale entre les bords de la zone active ZA et le 10 cadre de scellement 102; une deuxième cote c 2 définit l'épaisseur minimale du cadre de scellement 102; une troisième cote c 3 définit la distance minimale entre le cadre 102 et une ligne de découpe verticale Lvj (colonne du réseau de placement) ou horizontale L Hj (ligne du réseau de placement); une quatrième cote c 4 définit la largeur de débord minimal de la zone de 15 connexion 101 par rapport au cadre de scellement 102. Si on reprend l'exemple d'une cellule à cristaux liquides pour des applications de type HDTV, on a vu que la surface de zone active de cellule est de l'ordre de 207 mm 2, ce qui correspond à la part de surface fonctionnelle de la subdivision de silicium. La surface non fonctionnelle de silicium, correspondant à la zone périphérique ZP, et qui est liée aux cotes cl à c 4, représente elle une surface de l'ordre de 151 mm 2, soit 42 % de la surface totale de silicium, en prenant cl =c 2 = 0,7 mm, c 3 = 0,5 mm et c 4 = 1 mm. Ainsi, la proportion des zones non fonctionnelles dans le silicium par 25 rapport aux zones fonctionnelles est assez élevée. Or le silicium est un matériau coteux Si on peut réduire la proportion de zones non fonctionnelles, au profit des zones fonctionnelles dans le silicium, on abaisse de façon significative le cot des cellules à cristaux liquides issues de cette technologie. Un objet de l'invention est de réduire la proportion des zones non fonctionnelles des substrats silicium dans les cellules à cristaux liquides, afin d'obtenir une réduction du cot de fabrication de ces cellules. L'idée à la base de l'invention est de déporter la zone de connexion du circuit de matrice active sur le substrat en verre On peut alors se libérer de la contrainte liée au respect de la quatrième cote c 4 On peut alors réduire la surface de silicium nécessaire pour chaque cellule. Plus précisément, selon l'invention, on dispose le cadre de scellement sur chaque circuit de matrice active de la plaquette, en sorte qu'une portion 5 du cadre recouvre les plots de contact Le cadre comprend un joint et des éléments conducteurs disposés dans le joint Ces éléments conducteurs assurent la continuité électrique des plages de contact sur la matrice avec des moyens de connexion correspondant réalisés sur le support transparent. Ces éléments conducteurs sont aussi des espaceurs (cales), qui 10 garantissent l'espacement entre les deux substrats. Telle que caractérisée, l'invention concerne donc un procédé de fabrication d'une pluralité de cellules à cristaux liquides individuelles, comprenant chacune un premier substrat comprenant une contre-électrode et un deuxième substrat de matrice active, assemblés par un cadre de 15 scellement ménageant une cavité entre les deux substrats pour des cristaux liquides, les premiers substrats étant formés collectivement sur un support transparent, les deuxièmes substrats étant formés collectivement sur une plaquette de silicium, et comprenant des plages de contact Selon l'invention, des moyens de connexion en regard desdites plages de contact des 20 deuxièmes substrats sont formés sur chaque premier substrat; le cadre de scellement est disposé entre chaque premier et deuxième substrats d'une cellule, de façon à recouvrir lesdites plages de contact et une portion en regard des moyens de connexion, ledit cadre comprenant un joint et des éléments conducteurs disposés dans le joint, en 25 sorte d'assurer une continuité électrique entre chaque plage et un élément correspondant des moyens de connexion, et la découpe de chaque cellule est effectuée en sorte que la zone des premiers substrats comprenant les moyens de connexion soit en débord par rapport au deuxième substrat. Selon un aspect de l'invention, le procédé de fabrication comprend une opération de découpe de la plaquette de silicium en substrats individuels de matrice active, et une opération de report et assemblage de chacun desdits substrats individuels sur le support transparent, avec un premier substrat correspondant Les lignes de découpe desdits deuxièmes substrats 35 correspondent de préférence au contour du cadre de scellement On obtient ainsi une surface de silicium minimale, qui permet de gagner environ 10 % de surface de silicium sur une plaquette C'est de l'espace libéré pour la réalisation de circuits supplémentaires sur une plaquette de silicium Par exemple, sur une plaquette sur laquelle on réalisait 15 rangées de 9 circuits 5 de matrice active, soit 135 circuits, on va gagner une rangée de circuits, soit 9 circuits dans l'exemple. L'invention concerne aussi une cellule à cristaux liquides, avec un substrat en verre portant la contre-électrode et un substrat silicium comprenant un circuit de matrice active Selon l'invention, la cellule 10 comprend des moyens de connexion du circuit de matrice active déportés sur le substrat en verre, et en débord par rapport au substrat silicium, et un cadre de scellement qui assemble les deux substrats recouvrant les plages de contact du substrat silicium et une portion des moyens de connexion déportés et comprenant un joint et des éléments conducteurs disposés dans 15 le joint. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description qui suit, faite à titre indicatif et non limitatif de l'invention et en référence aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 illustre le positionnement pour assemblage d'une 20 plaquette de silicium avec un support transparent, pour former collectivement un lot de cellules à cristaux liquides; la figure 2 représente schématiquement une cellule à cristaux liquides résultant; la figure 3 a représente schématiquement un réseau de placement 25 de circuits de matrice active sur une plaquette de silicium; la figure 3 b représente un carreau d'un réseau correspondant de circuits de contre-électrode sur un support transparent; la figure 4 a représente schématiquement un réseau de placement de circuits de matrice active sur une plaquette de silicium selon l'invention; la figure 4 b représente un carreau d'un réseau correspondant de circuits de contre-électrode sur un support transparent; la figure 5 représente en coupe transversale une cellule à cristaux liquides résultant; la figure 6 représente schématiquement une autre variante de 35 cellule à cristaux liquides selon l'invention, et les figures 7 a à 7 d illustrent différents modes de réalisation des éléments conducteurs selon l'invention. Une cellule à cristaux liquides obtenue en appliquant le principe de fabrication selon l'invention est illustrée sur la figure 5. Comparée à une cellule de l'état de la technique comme représenté à la figure 2, la cellule à cristaux liquides comprend des moyens de connexion 20 du circuit de matrice active déportés sur le substrat transparent 6 Ces moyens de connexion déportés 20 sont disposés en débord par rapport au 10 substrat silicium Ce sont typiquement des pistes conductrices, par exemple des pistes en ITO (oxyde d'indium et d'étain), ou des pistes recouvertes d'un métal conducteur. Le cadre de joint de scellement 7 est disposé de façon à recouvrir les plages de contact Pl du circuit de matrice active, sur le substrat silicium et 15 une portion P'i en regard des moyens de connexion 20 déportés sur le substrat transparent 6 Le cadre de scellement est réalisé dans un matériau de joint, tel que du gel silicone par exemple Des éléments conducteurs 7 a sont disposés dans le joint Différentes méthodes de réalisation de ces éléments conducteurs peuvent être utilisées, qui seront détaillées plus loin. 20 Par ces éléments conducteurs 7 a, la continuité électrique est assurée entre chaque plage de contact Pl du circuit de matrice active et un élément correspondant P'i des moyens de connexion déportés 20 Par ces éléments conducteurs 7 a, I'espacement entre les deux substrats est aussi défini: ces éléments conducteurs sont aussi des espaceurs. D'une manière générale, on peut noter que des espaceurs E sont généralement prévus sur tout le pourtour du cadre Selon l'invention, dans les zones de connexion, ces espaceurs sont alors réalisés par les éléments conducteurs 7 a Ailleurs, on peut disposer les espaceurs habituellement utilisés, comme des billes ou des fibres de silice Mais on peut aussi bien 30 utiliser comme espaceurs E des éléments de même nature que les éléments conducteurs 7 a. En utilisant des moyens de connexion déportés sur le substrat transparent selon le principe de l'invention, on peut découper les substrats silicium selon des lignes de découpe qui suivent le contour du cadre, en 35 respectant les règles de dessin C'est ce qui est représenté sur les figures 4 a et 4 b Les lignes de découpe horizontales L Hi et verticales Lv 1 peuvent être disposés pour tenir compte seulement des cotes cl, c 2 et c 3 La cote c 4 n'est plus appliquée, ce qui permet, dans l'exemple, de gagner (c 4-c 3), soit 0,3 mm dans l'exemple, sur chaque hauteur de circuit. En d'autres termes, si on note xl et yl la distance séparant deux lignes de découpe adjacentes verticales et horizontales, dans le réseau de la figure 3 a, avec un réseau suivant le principe de l'invention appliqué à la configuration représentée, la distance xl entre deux lignes de découpe verticales adjacentes est inchangée (figure 4 a), mais la distance entre deux 10 lignes de découpe horizontales adjacentes devient y 2 =yl-(c 4-c 3). En ce qui concerne le support transparent, et comme représenté sur la figure 4 b, chaque substrat transparent individuel doit comporter, outre la contre-électrode CE, les moyens 20 de connexion déportés Ces moyens sont typiquement des pistes conductrices (pistes en ITO, ou pistes 15 recouvertes d'un métal) et comportent des plages P'l, P'2, P'3, P'4 correspondant aux plages Pl, P 2, P 3, P 4 sur le substrat silicium Ce sont ces plages qui seront recouvertes par le cadre de scellement Ces plages se prolongent par des lignes conductrices vers d'autres plages situées en bordure du substrat transparent, dans la zone D prévue pour être en débord 20 par rapport au substrat silicium, après assemblage Les moyens de connexion déportés 20 peuvent par exemple être réalisés pour permettre une connexion externe du type "wire bonding", ou une connexion par thermocollage d'un circuit imprimé flexible, avec un ruban de colle conductrice anisotrope (contenant des billes en Nickel par exemple) appliqué 25 à chaud entre le substrat transparent et le circuit imprimé flexible. La disposition des éléments conduteurs 7 a dans le joint du cadre de scellement 7 (figure 4) est déterminée de manière à assurer la continuité électrique entre les plages de contact qui se correspondent sur les substrats, Pl et P'1 par exemple, mais sans créer de courts-circuits entre deux plots 30 adjacents, Pl et P 2 par exemple. L'invention permet en outre de disposer des plages de contact éventuellement sur plusieurs bords, ce qui peut être intéressant pour la conception du circuit de matrice active lui-même, pour la disposition des lignes conductrices par rapport aux éléments actifs On peut ainsi disposer 35 des plages de contact Pl sur un bord, et des plots Pj sur un autre bord C'est le cas de la cellule représentée sur la figure 6 Il faut alors prévoir des moyens de connexion déportés correspondant 21 sur le substrat transparent 6, en débord par rapport au substrat silicium. Avec des moyens de connexion déportés et un cadre de scellement 5 recouvrant les plages de contact du circuit de matrice active sur le substrat silicium, on peut réduire la zone non fonctionnelle du substrat silicium De préférence, les lignes de découpe correspondent donc au contour du cadre de scellement, aux contraintes de dessin près (c 3). Comme on peut le voir sur les figures 5 et 6 et 4 a et 4 b, la surface du 10 substrat silicium devient plus petite que la surface du substrat transparent sur lequel les moyens de connexion du circuit de matrice active ont été déportés. Les lignes de découpe des substrats silicium et transparent ne concident plus. Le procédé de fabrication comprend donc une étape de découpe de la 15 plaquette silicium en substrats individuels 5 de matrice active et le report et l'assemblage de chacun de ces substrats silicium sur un substrat transparent correspondant. Avant le report et l'assemblage, une couche de polyimide est déposée puis frottée sur les circuits du substrat transparent et sur chacun des 20 substrats silicium individuels, sur le circuit de matrice active, ce qui permettra l'alignement des cristaux liquides qui seront injectés, dans les microstries ainsi formées. Après découpe des substrats silicium, et assemblage sur le support transparent, avec un substrat transparent correspondant, le support en verre 25 peut être ensuite découpé selon les techniques habituelles Le cristal liquide est introduit selon tout procédé connu, puis les ouvertures dans les cadres sont bouchées On obtient les cellules à cristaux liquides individuelles. En pratique, on obtient une réduction de la surface silicium de chaque substrat de matrice active, qui permet de réaliser environ 10 % de circuits en 30 plus sur chaque plaquette On réduit ainsi les cots de fabrication des cellules à cristaux liquides. Sur les figures 7 a à 7 d, on a représenté différents modes de réalisation des éléments conducteurs 7 a disposés dans le joint du cadre de scellement. Dans un premier mode de réalisation représenté sur la figure 7 a, ces éléments conducteurs sont des billes 22 conductrices Ces billes peuvent être des billes en matériau isolant, recouvertes d'un matériau conducteur, par exemple de l'or, ou des billes en matériau conducteur Elles sont disposées 5 aux endroits nécessaires dans le joint, par injection au moyen d'une seringue ("dispenser') Le diamètre des billes est de l'ordre généralement de 2 microns et plus Les plages de contact sont espacées de l'ordre de 20 à 50 microns sur le substrat silicium. Lorsque les deux substrats sont assemblés l'un à l'autre, le gel 10 silicone, ou la colle qui forme le matériau du joint 30 est pressé, en sorte que la bille vient directement en contact de chaque côté sur les substrats. Le diamètre des billes définit ainsi le gap entre les deux substrats assemblés, c'est à dire la taille de la cavité. Pour des cellules à faibles gap, inférieur à deux microns, l'utilisation 15 de billes comme éléments conducteurs et comme espaceurs n'est plus adaptée. Sur la figure 7 b, on a représenté un autre mode de réalisation des éléments conducteurs du cadre de scellement Dans cet exemple, les éléments conducteurs sont des plots 23 en matériau conducteur, par 20 exemple de l'aluminium Ces plots peuvent avoir toute hauteur voulue En particulier, on sait faire de tels plots avec une hauteur de 2 microns et moins. De préférence, on réalisera ces plots sur le substrat silicium, sur les plages de contact, par toute technique adaptée (photogravure) Le joint peut être déposé ensuite, sur le substrat silicium, en recouvrant ces plots, ou sur 25 le substrat transparent Comme indiqué précédemment, lorsque les deux substrats sont assemblés l'un à l'autre, le gel silicone, ou la colle qui forme le matériau du joint est pressé, en sorte que le plot conducteur vient directement en contact de chaque côté sur les substrats. Un autre mode de réalisation est représenté sur les figures 7 c et 7 d, 30 dans lequel on utilise un plot en résine 24, muni d'une couche conductrice 25, comme élément conducteur 7 a. Sur la figure 7 c, ce plot en résine 24 est réalisé sur le substrat transparent, puis un dépôt d'une couche conductrice est réalisé, qui vient au moins recouvrir la face du plot qui doit venir en contact avec la plage Pl sur le substrat silicium, et qui vient recouvrir une partie du substrat transparent, sur la plage correspondante P'i. Sur la figure 7 d, le plot en résine 24 est réalisé sur le substrat silicium, sur la plage de contact Pi Il est muni d'une couche de métal 25, qui assure la continuité électrique entre ses deux faces. Là encore, et dans les deux variantes de réalisation du plot en résine, lorsque les deux substrats sont assemblés l'un à l'autre, le gel silicone, ou la colle qui forme le matériau du joint est pressé, en sorte que le plot en résine muni de sa couche conductrice vient directement en contact de chaque côté 10 sur les substrats. Dans tous les cas, les éléments conducteurs 7 a qui assurent la continuité électrique entre les plages de contact du substrat silicium et les moyens de connexion déportés sur le substrat transparent, assurent aussi la fonction d'espaceurs: ils fixent le gap entre les deux substrats, et donc le 15 gap de la cavité. Dans les autres parties du cadre qui ne recouvrent pas de zones de connexion, on a aussi des espaceurs E (figure 5) Ces espaceurs peuvent être de tout type connu, comme des billes ou des fibres de silice Ces espaceurs peuvent être conducteurs ou non, puisqu'ils ne sont pas sur des 20 zones de connexion On peut ainsi prévoir que ces espaceurs soient de même nature que les éléments conducteurs 7 a du joint. Enfin, on notera que chaque substrat transparent aura une forme adaptée après découpe, permettant la connexion de la contre-électrode selon toute technique connue. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'une pluralité de cellules à cristaux liquides individuelles, comprenant chacune un premier substrat ( 6) comprenant une contre-électrode et un deuxième substrat ( 5) de matrice active, assemblés par un cadre de scellement ( 7) ménageant une cavité ( 8) entre les deux 5 substrats pour des cristaux liquides, les premiers substrats étant formés collectivement sur un support transparent, les deuxièmes substrats étant formés collectivement sur une plaquette de silicium, et comprenant des plages de contact (Pi), caractérisé en ce que des moyens de connexion ( 20) sont formés sur chaque premier 10 substrat ( 6) en regard desdits plages de contact (Pi) des deuxièmes substrats; le cadre de scellement ( 7) est disposé entre chaque premier et deuxième substrats d'une cellule, de façon à recouvrir lesdits plages de contact (Pi), et une portion (P'i) des moyens de connexion en regard, ledit 15 cadre comprenant un joint en matériau isolant et des éléments conducteurs ( 7 a) disposés dans ledit joint, en sorte d'assurer une continuité électrique entre chaque plage (Pi) et un élément correspondant (P'1) des moyens de connexion, et la découpe de chaque cellule est effectuée en sorte que la zone des 20 premiers substrats comprenant les moyens de connexion soit en débord (D) par rapport au deuxième substrat. 2 Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des billes conductrices ( 22) . 25 3 Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des plots de résine ( 24), munis d'une couche conductrice ( 25). 4 Procédé de fabrication selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des plots métalliques ( 23) réalisés sur le substrat silicium. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des espaceurs. 6 Procédé de fabrication selon la revendication 5, caractérisé en ce que d'autres éléments espaceurs (E) sont disposés dans le joint, lesdits éléments étant conducteurs ou non, et de même nature ou de nature différente des éléments conducteurs 7 a. 7 Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend une opération de découpe de la plaquette de silicium en substrats individuels de matrice active, et une opération de report et assemblage de chacun desdits substrats individuels sur le support transparent, avec un premier substrat correspondant. 8 Procédé de fabrication selon la revendication 7, caractérisé en ce que les lignes de découpe (Lvj, L Hi) desdits deuxièmes substrats correspondent au contour du cadre de scellement ( 7). 9 Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 7 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend une étape ultérieure de séparation en 20 cellules à cristaux liquides individuelles par découpe d- su P-uprt en verre. Procédé de fabrication selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend une étape ultérieure de remplissage des cavités ( 8) par des cristaux liquides. 11 Cellule à cristaux liquides comprenant un premier substrat ( 6) transparent comprenant une contre-électrode et un deuxième substrat silicium ( 5) comprenant un circuit de matrice active avec des plages de contact (Pi), lesdits substrats étant assemblés par un cadre de scellement ( 7) ménageant une cavité ( 8) entre les deux substrats pour des cristaux 30 liquides, caractérisée en ce qu'elle comprend des moyens de connexion ( 20) du circuit de matrice active déportés sur le premier substrat ( 6), disposés en débord (D) par rapport au deuxième substrat ( 5), et en ce que le cadre de scellement ( 7) est formé d'un joint qui recouvre lesdites plages de contact (Pi) sur le deuxième substrat et une portion (P'i) desdits moyens de connexion en regard, et d'éléments conducteurs ( 7 a) disposés dans le joint qui assure la continuité électrique entre chacune desdites plages de contact et une portion correspondante des moyens de connexion. 12 Cellule selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des billes conductrices ( 22). 13 Cellule selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits 10 éléments conducteurs ( 7 a) sont des plots de résine ( 24) muni d'une couche conductrice ( 25). 14 Cellule selon la revendication 11, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des plots métalliques ( 23). 15 Cellule selon l'une quelconque des revendications 11 à 14, caractérisé en ce que lesdits éléments conducteurs ( 7 a) sont des espaceurs. 16 Cellule selon la revendication 15, caractérisé en ce que d'autres 20 éléments espaceurs (E) sont disposés dans le joint, lesdits éléments étant conducteurs ou non, et de même nature ou de nature différente desdits éléments conducteurs ( 7 a) du joint.