Brevet FR2853078A1 — publié le 20041001

CAPTEUR A SEMICONDUCTEURS POUR LA DÉTECTION D'UNE QUANTITÉ DYNAMIQUE La présente invention concerne un capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique, qui est équipé d'une partie mobile supportée par des poutres et détecte une quantité dynamique comme par exemple une accélération, une vitesse angulaire ou analogue. Un capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique est décrit dans JP-A-11-326365. Les figures 5A à 5B annexées à la présente demande représentent schématiquement la structure du capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique (une accélération) 15 décrit dans ce document. De façon spécifique, la figure 5A est une vue en plan de cet élément formant capteur et la figure 5B est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne VB-VB de la figure 5A. Comme cela est représenté sur les figures 5A et 5B, 20 le capteur comprend un substrat semiconducteur (substrat en silicium) 1, une couche isolante 2 et une couche semiconductrice (couche de silicium) 3 formée sur la couche isolante 2). La couche semiconductrice 3 est structurée selon un 25 type de structure tel que représenté sur la figure 5A au moyen d'une technique de photolithographie bien connue ou analogue, et la couche isolante 2 est formée par attaque chimique sélective et retrait dans une zone Z2 marquée par une ligne formée de tirets sur la figure 5A pour la forma30 tion d'une partie formant rainure. C'est-à-dire que la couche semiconductrice 3 est formée de manière à flotter à partir du substrat 1 dans la zone Z2 correspondant à la partie formant rainure et supportée par l'intermédiaire de la couche isolante 2 par le substrat 1 dans l'autre zone. De façon spécifique, une masse (partie formant poids) 320 dérivée de la couche semiconductrice 3, des électrodes mobiles en forme de peignes ME11 et ME12 formées d'un seul tenant avec la masse 320, des électrodes fixes FE11 et FE12, dont chacune est supportée, au niveau de 5 l'une de ses extrémités, de manière à être en vis-à-vis de chaque électrode mobile, et des poutres Bil à B14 servant à supporter la masse 320, à des premières extrémités de cette base, sont formées dans la zone Z2. En outre les parties d'ancrage 321, 322, 331 et 332 s'étendant à partir de la 10 couche semiconductrice 3 sont formées à l'extérieur de la zone Z2. Les autres extrémités des poutres respectives B11 à B14 sont supportées par les parties d'ancrage 321 et 322 et les électrodes fixes FE11 et FE12 sont supportées res15 pectivement par les parties d'ancrage 331 et 332. Un plot d'électrode 410 constitué d'un métal tel que de l'aluminium ou analogue, est formé sur la partie d'ancrage 321 de manière à délivrer le potentiel des électrodes mobiles ME11 et ME12. En outre des plots d'électrodes 411 et 412 formés 20 d'un métal tel que de l'aluminium ou analogue sont formés sur les parties d'ancrage 331 et 332 de manière à délivrer respectivement des tensions aux électrodes fixes FE11 et FE12. Ici, la masse 320 est conçue de telle sorte que les 25 poutres B11 à B14 permettent un déplacement de la masse 320 dans la direction de l'axe Y, et limitent le déplacement de la masse 320 dans la direction de l'axe X comme cela est représenté sur la figure 5A. Par conséquent, lorsqu'une accélération est appli30 quée à la masse 301 dans la direction de l'axe Y, les électrodes mobiles ME11 et ME12 formées d'un seul tenant avec la masse 320 conjointement avec le déplacement de la masse 320 dans la direction de l'axe Y sont déplacées de façon similaire dans la direction de l'axe Y. Dans ce cas la 35 distance entre l'électrode mobile ME 11 et l'électrode fixe FE 11 augmente ou diminue alors que la distance entre l'électrode mobile ME 12 et l'électrode fixe FE 12 séparée du milieu est réduite ou accrue. C'est-à-dire qu'avec ce capteur, la variation de la distance entre les électrodes 5 comme décrit précédemment est détectée en tant que variation de la capacité électrostatique CS1 ou CS2, et les variations de la capacité CS1, CS2 sont délivrées en tant que valeurs de tension par l'intermédiaire par exemple d'un circuit à condensateur commuté représenté sur la figure 6 10 annexée à la présente demande. La direction et l'amplitude de l'accélération appliquée sont détectées sur la base de la valeur de tension ainsi délivrée. L'agencement et le fonctionnement du circuit à condensateur commuté vont être décrits brièvement en référence 15 aux figures 6 et 7, annexées à la présente demande. Sur la figure 6, le chiffre de référence 100 désigne un circuit équivalent du capteur de détection de quantité à semiconducteurs. Le chiffre de référence 200 désigne un circuit à condensateur commuté. Ici une borne P0 20 du circuit 100 correspond au plot d'électrode 410 du capteur à semiconducteurs de détection de quantité, et les bornes Pl et P2 correspondent aux plots d'électrodes 411 et 412 respectivement du capteur à semiconducteurs de détection de quantité. Le potentiel (la charge) délivré par la 25 borne P0 (plot d'électrode 410) est envoyé au circuit à condensateur commuté 200. Le circuit à condensateur commuté 200 comprend un amplificateur opérationnel OP et un condensateur Cf et un interrupteur SW, qui sont connectés en parallèle entre eux 30 dans le trajet de réaction de l'amplificateur opérationnel OP. Un signal délivré par la borne P0 est envoyé à la borne d'entrée inverseuse dans l'amplificateur opérationnel OP, et la moitié d'une tension Vcc appliquée entre les bornes Pl et P2 du circuit 100 (capteur), c'est-à-dire une tension 35 "Vcc/2" est appliquée à la borne d'entrée non inverseuse de l'amplificateur opérationnel OP. Ci-après on va décrire le fonctionnement des circuits 100 et 200 en liaison avec le chronogramme de la figure 7. Comme représenté sur la figure 7, des signaux alternatifs (tension), dont chacun alterne entre une tension "0" V et une tension Vcc par exemple, à une fréquence de 50 kHz à 150 kHz, sont appliqués de façon fixe aux bornes Pi (plot d'électrode 411) et P2 (plot d'électro10 de 412) du circuit (capteur) respectivement alors que les signaux alternatifs ont des phases réciproquement opposées. En outre, l'actionnement FERMETURE/OUVERTURE de l'interrupteur SW du circuit à condensateur commuté 200 est commandé en synchronisme avec la fréquence alternative de 15 chaque signal alternatif (tension). Par conséquent, par exemple pendant la période entre les instants Tl et T2, l'interrupteur SW est fermé de sorte que la tension de sortie VO du circuit à condensateur commuté 200 est maintenue à la valeur "Vcc/2". Pendant la 20 période entre les instants T2 et T3, l'interrupteur SW2 est ouvert. Par conséquent la différence entre les variations des capacités électrostatiques CSI et CS2 en liaison avec l'application de l'accélération décrite ci-dessus, de façon précise la différence entre les variations en liaison avec 25 l'inversion de la tension appliquée entre les bornes Pi et P2, est chargée dans le condensateur du circuit à condensateur commuté 200 au moyen de la borne PO. Il en résulte que la tension de sortie Vo délivrée par le circuit à condensateur commuté Si est représentée comme suit 30 Vo = (CS1 - CS2).Vcc/Cf Par conséquent, la tension de sortie Vo possède le potentiel correspondant à la différence de capacité (CS1 CS2) entre la capacité électrostatique CS1 et la capacité électrostatique CS2 comme indiqué. La tension de sortie Vo est échantillonnée de façon appropriée tandis que le fonctionnement décrit précédemment est répété, et seules des composantes à basses fréquences de par exemple 500 Hz ou moins sont extraites des valeurs d'échantillonnage, ce qui permet d'obtenir la valeur correspondant à l'accélération appliquée au capteur. En plus du capteur servant à détecter l'application d'une quantité dynamique (accélération) dans la direction d'un axe (direction uniaxiale) comme décrit précédemment, un capteur pour détecter l'application d'une quantité dyna10 mique (accélération) dans deux directions d'axes orthogonales (directions biaxiales) comme indiqué dans le brevet U.S. 5 880 369 (voir la figure 4 de ce brevet) a été décrit. Les figures 8A et 8B, annexées à la présente demande, représentent schématiquement la structure d'une 15 quantité d'un capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique (accélération) décrite dans le brevet U.S. 5 880 369 (figure 4). La figure 8A est une vue en plan montrant cet élément de capteur et la figure 8B est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne VIIIB-VIIIB. Comme cela est représenté sur les figures 8A et 8B, ce capteur comprend également un substrat semiconducteur (substrat en silicium) 1, une couche isolante 2 et une couche semiconductrice (couche de silicium) 3 formée sur la couche isolante 2. La couche semiconductrice 3 est structurée selon un type de structure tel que représenté sur la figure 8A au moyen d'une technique de photolithographie bien connue ou analogue, et la couche isolante 2 est soumise à une attaque chimique sélective et retirée dans une zone Z3 indiquée par 30 une ligne formée de tirets sur la figure 8A pour la formation d'une partie formant rainure. C'est-à-dire que la couche semiconductrice 3 est formée de manière à être flottante à partir du substrat 1 dans la zone Z3 correspondant à la partie formant rainure, et supportée par la couche 35 isolante 2 au moyen du substrat 1 dans l'autre zone. De façon spécifique, une masse (partie formant poids) 340 dérivée de la couche semiconductrice 3, des électrodes mobiles en forme de peignes ME21 à ME24 formées d'un seul tenant avec la masse 340, des électrodes fixes 5 FE21 à FE24, dont chacune est supportée, au niveau de l'une de ses extrémités de manière à être en vis-à-vis de chaque électrode mobile, et des poutres B21 à B28 servant à supporter la masse 340 à des extrémités de cette masse, sont formées dans la zone Z3. En outre, des parties S21 et 10 S24 de fixation de poutres et des parties d'ancrage 351 à 354 s'étendant à partir de la couche semiconductrice 3 sont formées hors de la zone Z3. Les autres extrémités des poutres respectives B21 à B28 sont supportées par les parties S21 à S24 de fixation 15 de poutres et les électrodes fixes FE21 à FE24 sont supportées respectivement par des parties d'ancrage 351 à 354. Un plot d'électrode 420 constitué d'un métal tel que l'aluminium ou analogue est formé sur la partie fixe S22 de la poutre pour délivrer le potentiel des électrodes mobiles 20 ME21 à ME24. En outre, les plots d'électrodes 421 à 424 formés d'un métal tel que de l'aluminium ou analogue sont formés sur les parties d'ancrage 351 à 354 pour la délivrance de tension aux électrodes fixes FE21 à FE24 respectivement. Ici, la masse 340 est agencée de telle sorte que des poutres B21 à B24 permettent un déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe X et les poutres B25 à B28 permettent un déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe Y comme cela est représenté sur la figure 8. Par conséquent, par exemple lorsqu'une accélération dans la direction de l'axe X est appliquée à la masse 340, les électrodes mobiles ME21 et ME22 sont formées d'un seul tenant avec la masse 340 et de façon similaire sont déplacées dans la direction de l'axe X en liaison avec le 35 déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe X. Dans ce cas, la distance entre l'électrode mobile ME21 et l'électrode fixe FE21 est accrue ou réduite alors que la distance entre l'électrode mobile ME22 et l'électrode fixe FE22 diminue ou augmente. En outre, lorsque l'accélération dans la direction de l'axe Y est appliquée à la masse 340, les électrodes mobiles ME23 et ME24 formées d'un seul tenant avec la masse 340 sont déplacées de façon analogue dans la direction de l'axe Y en liaison avec le déplacement de la masse 340 dans 10 la direction de l'axe Y. Dans ce cas la distance entre l'électrode mobile ME23 et l'électrode fixe FE23 augmente ou diminue tandis que la distance entre l'électrode mobile ME24 et l'électrode fixe FE24 diminue ou augmente. Avec ce capteur, la variation de la distance entre 15 les électrodes respectives comme cela a été décrit précédemment est détectée en tant que variation de la capacité électrostatique, et des variations de la capacité électrostatique dans la direction de l'axe X et dans la direction de l'axe Y sont converties en des valeurs de tension par 20 l'intermédiaire du circuit à condensateur commuté représenté sur la figure 6. Comme cela a été décrit précédemment, conformément au capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique représenté sur les figures 8A et 8B, il est 25 possible de détecter l'application des grandeurs dynamiques (accélération) dans les deux directions d'axes orthogonales. Cependant, le capteur classique tel que décrit ci-dessus présente une structure possédant un faible degré de liberté de sorte qu'une masse est habituellement 30 supportée par deux types de poutres afin de permettre les déplacements de la masse dans les deux directions d'axes. De façon spécifique, comme représenté sur la figure SA, lorsque l'on considère le déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe X, les poutres B21 à B24 sont 35 disposées de manière à permettre le déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe X. D'autre part, les autres poutres B25 à B28 sont disposées de manière à limiter le déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe X. Inversement, lorsque l'on considère le déplacement de la 5 masse 340 dans la direction de l'axe Y, les poutres B25 à B28 permettent le déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe Y, tandis que les poutres B21 à B24 limitent le déplacement de la masse 340 dans la direction de l'axe Y. Comme cela a été décrit précédemment, le capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité est conçu de telle sorte que l'application de la quantité dynamique (accélération) dans les deux directions d'axe orthogonales peut être détectée. Cependant, le déplacement de la masse 15 dans une direction d'axe interfère avec le déplacement de la masse dans l'autre direction d'axe. Ceci sera désigné comme étant une interférence d'un axe et réduction de la sensibilité sur l'autre axe. C'est pourquoi dans un capteur à semiconducteurs classique détectant une quantité 20 dynamique, une réduction de la sensibilité sur l'autre axe est inévitable. La présente invention a été mise au point compte tenu de la situation indiquée précédemment et a pour but de fournir un capteur à semiconducteurs de détection d'une 25 quantité dynamique, qui est conçu de manière à posséder un degré élevé de liberté et permet de détecter une quantité dynamique avec une pression supérieure même lorsque la quantité dynamique est appliquée dans deux directions orthogonales. Pour atteindre l'objectif indiqué précédemment, conformément à un premier aspect de la présente invention, un capteur de quantité dynamique à semiconducteurs est conçu de manière à posséder un degré élevé de liberté et peut détecter une grandeur dynamique avec une précision 35 accrue même lorsque la quantité dynamique est appliquée dans deux directions orthogonales. Pour atteindre l'objectif indiqué précédemment, conformément à un premier aspect de la présente invention, un capteur d'accélération comprenant une masse montée sur 5 un substrat semiconducteur au moyen de poutres de manière à être déplacée conformément à l'application d'une quantité dynamique, la quantité dynamique étant détectée sur la base d'une variation d'une caractéristique électrique entre chacune d'électrodes mobiles formées d'un seul tenant avec 10 la masse et chacune d'électrodes fixes, qui est supportée, au niveau de l'une de ses extrémités, par le substrat semiconducteur, est caractérisé en ce que la masse est constituée par une pluralité de masses séparées, disposées en série, la pluralité de masses séparées étant raccordées 15 entre elles par l'intermédiaire de poutres de raccordement pour permettre le déplacement de la pluralité de masses séparées de manière qu'elles se rapprochent et s'écartent les unes des autres. En adoptant la structure de masses décrite précé20 demment pour le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs, au moins une masse parmi les masses séparées, dont les deux extrémités sont raccordées par les poutres de raccordement, ne présente aucune interférence lors du déplacement dans la direction de raccordement de 25 ces masses. En outre la direction de raccordement de chaque masse est choisie arbitrairement et les masses ainsi raccordées peuvent être conçues de manière à être déplaçables dans la direction perpendiculaire à la direction de raccordement. C'est pourquoi, conformément au 30 capteur à semiconducteurs de détection d'une quantité dynamique possédant l'agencement ci-dessus, le degré de liberté de conception peut être fortement accru, et même l'application d'une quantité dynamique dans deux directions d'axes orthogonales peut être détectée avec une précision 35 supérieure. Fondamentalement la masse peut être disposée d'une manière divisée selon n'importe quel mode de division (c'est-à-dire dans n 'importe quel agencement de division). Cependant, du point de vue de la propriété du capteur, la masse doit être divisée selon un mode de division tel que 5 chaque masse conserve une rigidité supérieure aux tiges de liaison. Selon un second aspect de la présente invention, l'application de la quantité dynamique des deux directions d'axes orthogonales peut être détectée avec une précision 10 supérieure sans réduction de la sensibilité sur l'autre axe, grâce à l'adoption des structures suivantes. (a) La masse est subdivisée en trois masses (première à troisième masses) en série. (b) Les première et troisième masses situées aux 15 deux extrémités de la masse sont montées sur un substrat semiconducteur au moyen de poutres de manière à pouvoir être déplacées dans la direction perpendiculaire à la direction de raccordement des masses, et possède des électrodes mobiles formées d'un seul tenant avec les masses 20 respectives, de sorte que l'application d'une quantité dynamique dans la direction dans laquelle les masses peuvent se déplacer, est détectée. (c) La seconde masse, qui est raccordée aux première et troisième masses par l'intermédiaire de moyens 25 de raccordement de manière à être située dans la position centrée entre les première et troisième masses, comporte une électrode mobile formée d'un seul tenant avec la seconde masse de telle sorte qu'il se produit une application de la quantité dynamique dans la direction de 30 raccordement des masses, qui correspond à la direction de déplacement autorisé. Conformément à un troisième aspect de la présente invention, le capteur à semiconducteurs de détection de la quantité dynamique décrit précédemment est agencé de telle 35 sorte qu'on utilise comme substrat semiconducteur un subs- trat SOI contenant un film isolant et un film d'oxyde de silicium formé sur un substrat tel qu'un substrat en silicium ou analogue, est utilisé en tant que substrat semiconducteur et chaque masse et l'électrode mobile et 5 l'électrode fixe formées d'un seul tenant avec la masse sont formées à partir du film de silicium, ce qui permet de fabriquer aisément un capteur de quantité dynamique ayant une précision de détection stable élevée, en utilisant un procédé bien connu de fabrication de semiconducteurs. Dans ce cas, conformément à un quatrième aspect de la présente invention, le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs est conçu de telle sorte que le film de silicium reste autour de chaque masse et des électrodes mobiles et fixes sur le substrat semiconducteur de manière 15 à entourer ces éléments. C'est pourquoi le capteur de quantité dynamique peut être aisément manipulé lors de son installation, etc. En outre, dans ce cas, conformément à un cinquième aspect de la présente invention, une électrode pour fixer à 20 une valeur constante le potentiel du film de silicium, qui subsiste autour de chaque masse et des électrodes mobile et fixe sur le substrat semiconducteur de manière à entourer ces éléments à une valeur constante, est prévue sur le film de silicium, de sorte que chaque masse et ces électrodes 25 mobile et fixe peuvent être écrantées électriquement par le film de silicium. C'est-à-dire que la variation de la caractéristique électrique entre l'électrode mobile et l'électrode fixe en raison du déplacement de la masse peut être protégée vis-à-vis d'une perturbation extérieure telle 30 qu'un bruit ou analogue. Conformément à un sixième aspect de la présente invention, un capuchon pour recouvrir chaque masse et des électrodes mobile et fixe sur le substrat semiconducteur est prévu au moins sur sa partie de formation, o la masse 35 et les électrodes mobile et fixe sont formées. En instal- lant le capuchon, il est possible de protéger mécaniquement la masse et les électrodes mobile et fixe ayant une structure fine. Dans ce cas, conformément à un septième aspect de 5 la présente invention, le capuchon est formé d'un matériau conducteur ou d'un matériau semiconducteur qui est fixé par adhésif au substrat semiconducteur au moyen d'une couche d'adhésif isolante au niveau du site de contact entre le capuchon et le substrat semiconducteur. C'est pourquoi, 10 chaque masse et leurs électrodes mobile et fixe peuvent être écrantées électriquement par le capuchon. C'est-à-dire que, dans ce cas, la variation de la caractéristique électrique entre les électrodes mobile et fixe en raison du déplacement de la masse peut être également protégée vis-à15 vis de perturbations extérieures comme par exemple un bruit ou analogue. Conformément à un huitième aspect de la présente invention, un capuchon est équipé d'une électrode servant à fixer le potentiel du capuchon à une valeur constante, ce 20 qui permet d'améliorer plus encore l'effet d'écran. Lorsque les structures mentionnées ci-dessus sont combinées avec la structure selon le cinquième aspect de la présente invention, l'effet d'écran peut être encore accru. Conformément à un neuvième aspect de la présente 25 invention, lorsque le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs est utilisé en tant que capteur d'accélération, l'application d'une accélération dans les deux directions orthogonales d'axes peut être détectée avec une plus grande précision sans réduction de la sensibilité 30 associée à l'autre axe. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures lA à lC représentent une première forme de réalisation préférée d'un capteur de quantité dynamique à semiconducteurs, la figure lA étant une vue en plan représentant la structure du capteur, la figure 1B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IB-IB de 5 la figure lA et la figure 1C une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IC-IC de la figure lA; et - la figure 2 est un tableau représentant les résultats d'analyse de modèles comparatifs entre le capteur de la quantité dynamique à semiconducteurs conformément à 10 la première forme de réalisation préférée et un capteur de quantité dynamique à semiconducteurs classique; - les figures 3A à 3C représentent une seconde forme de réalisation préférée du capteur de quantité dynamique à semiconducteurs, la figure 3A étant une vue en 15 plan montrant la structure du capteur, la figure 3B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IIIB-IIIB sur la figure 3A et la figure 3C une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IIIC-IIIC sur la figure 3A; - les figures 4A à 4C représentent une troisième 20 forme de réalisation préférée du capteur de quantité dynamique à semiconducteurs, la figure 4A étant une vue en plan représentant la structure du capteur, la figure 4B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IVB-IVB sur la figure 4A et la figure 4C une vue en coupe transver25 sale prise suivant la ligne IVC-IVC sur la figure 4A; - les figures 5A et 5B, dont il a déjà été fait mention, représentent un exemple d'un capteur classique de quantité dynamique à semiconducteurs du type uniaxial, la figure 5A étant une vue en plan représentant la structure 30 du capteur et la figure 5B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne VB-VB de la figure 5B; - la figure 6, dont il a déjà été fait mention, représente le schéma d'un circuit montrant l'agencement d'un circuit à condensateur commuté; - la figure 7, dont il a déjà été fait mention, est un chronogramme représentant un exemple du fonctionnement du circuit à condensateur commuté; et - les figures 8A et 8B, annexées à la présente demande, représentent un exemple d'un capteur classique de 5 quantité dynamique à semiconducteurs de type biaxial, la figure 8A étant une vue en plan représentant la structure du capteur et la figure 8B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne VIIIB-VIIIB sur la figure 8B. On va décrire ci-après les formes de réalisation 10 préférées selon la présente invention en référence aux dessins annexés. En référence aux figures lA à 1C, on va décrire une première forme de réalisation préférée d'un capteur de quantité dynamique à semiconducteurs de la présente 15 invention. Comme le capteur classique représenté sur la figure 8A, le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon cette forme de réalisation détecte une quantité dynamique (accélération) de directions d'axes orthogonales. Cependant, conformément au capteur selon la première forme 20 de réalisation, une réduction de la sensibilité de l'autre axe peut être supprimée lorsqu'on adopte une structure de masses et une structure de poutres décrites ci-après. On va décrire la structure de masses et la structures de poutres du capteur selon cette forme de 25 réalisation en référence aux figures lA à lC. La figure lA est une vue en plan de l'élément de capteur, la figure 1B est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IB-IB sur la figure lA et la figure 1C est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IC-IC sur la figure 1A. 30 Comme cela est représenté sur les figures lA à 1C, ce capteur comprend approximativement un substrat semiconducteur (substrat en silicium) 1, une couche isolante 2 et une couche semiconductrice (film de silicium) 3 formée sur la couche isolante 2. C'est-à-dire que, dans le cas du 35 capteur classique décrit précédemment, le capteur selon cette forme de réalisation est agencé de telle sorte qu'on peut aisément le réaliser en utilisant un substrat SOI normal. Dans cette forme de réalisation, la couche semicon5 ductrice 3 est fondamentalement soumise à une structuration avec un type de motif tel que représenté sur la figure lA, au moyen d'une technique de photolithographie bien connue ou analogue, et on applique une attaque chimique sélective et on retire la couche isolante 2 dans une zone Zl repérée 10 par une ligne formée de tirets sur la figure lA de manière à former une partie formant rainure. C'est-à-dire qu'on forme la couche semiconductrice 3 de manière qu'elle s'étende à partir du substrat 1 dans la zone Zl correspondant à la partie formant rainure et est supportée 15 par l'intermédiaire de la couche isolante 2 au moyen du substrat 1 dans l'autre zone. De façon spécifique, les masses (parties en poids) 301 à 303 qui s'étendent à partir de la couche semiconductrice 3, les électrodes mobiles en forme de peignes MEl à 20 ME4, dont chacune est formée d'un seul tenant avec chaque masse correspondante, des électrodes fixes FEl à FE4 dont chacune est supportée, au niveau de l'une de ses extrémités, de manière à être située en vis-à-vis de chaque électrode mobile, et des poutres Bi à B4 et des poutres de 25 raccordement CB1 à CB4 sont formées dans la zone Zl. C'està-dire que dans cette forme de réalisation, les masses 301 à 303 sont divisées de manière à être disposées en série et sont raccordées entre elles par l'intermédiaire des poutres de raccordement CB1 à CB4. La masse 301 (première masse) et 30 la masse 303 (troisième masse) sont supportées par les poutres Bl à B4. Les masses 301 et 303 sont disposées de manière à être divisées, de telle sorte que chaque masse au moins conserve une rigidité supérieure à celle des poutres de raccordement CB1 à CB4. D'autre part, les parties Si à 35 S4 de fixation des poutres et les parties d'ancrage 311 à 314, qui s'étendent à partir de la couche semiconductrice 3, sont formées hors de la zone Zl. Les autres extrémités des poutres respectives Bi à B4 sont supportées par les parties Si à S4 de fixation des 5 poutres, et les électrodes fixes FE1 à FE4 sont supportées par les parties d'ancrage respectives 311 à 314. Un plot d'électrode 400 formé d'un métal tel que l'aluminium ou analogue est formé sur la partie S2 de fixation de poutres de manière à délivrer le potentiel de chacune des électro10 des mobiles MEU à ME4. En outre, les plots d'électrodes 401 à 404 formés d'un métal tel que l'aluminium ou analogue sont formés sur les parties d'ancrage 311 à 314 pour délivrer des tensions aux électrodes fixes FEl à FE4. Ici, comme cela ressort à l'évidence de la figure 15 lA, les poutres Bl à B4 sont agencées de manière à permettre un déplacement, dans la direction de l'axe X, de chacune des masses 301 à 303 raccordées entre elles par l'intermédiaire des poutres de raccordement CB1 à CB4 sur la figure lA, et limiter le déplacement de la direction 20 d'axe Y des masses 301 et 303 raccordées aux poutres de raccordement CB1 à CB4. En outre, en rapport avec la masse centrale 302 (masse secondaire), comme cela ressort à l'évidence de la figure 1A, les poutres de raccordement CB1 à CB4 sont agencées de manière à empêcher le déplacement de 25 la masse 302 dans la direction de l'axe X et permettre uniquement le déplacement de la masse 302 dans la direction de l'axe Y. Cependant, étant donné que les poutres de raccordement CB1 à CB4 ne sont pas supportées par le substrat semiconducteur 1, les poutres de raccordement CB1 30 à CB4 et les masses 301 à 303 sont déplacées dans cet ordre dans la direction de l'axe X lorsqu'une accélération est appliquée au capteur dans la direction de l'axe X. Par conséquent, les poutres de raccordement CB1 à CB4 n'interviennent pas dans le déplacement de chacune des 35 masses 301 à 303 dans la direction de l'axe X. En outre, parmi les masses 301 à 303, la masse centrale 302, qui peut notamment se déplacer dans la direction de l'axe Y de la figure lA est disposée de manière à être indépendante de façon dynamique des poutres Bi à B4 supportées par le 5 substrat semiconducteur 1 de sorte que les poutres Bi à B4 n'entraînent aucune gêne dans le déplacement de la masse centrale 302 dans la direction de l'axe Y. Comme cela a été décrit précédemment, conformément au capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon 10 cette forme de réalisation, même lorsqu'une accélération est appliquée dans n'importe laquelle des deux directions d'axes orthogonales (direction de l'axe X et direction de l'axe Y), les poutres Bl à B4 et les poutres de raccordement CB1 à CB4 n'entraînent aucune gêne dans le 15 déplacement des masses 301 à 303 sur le côté de l'autre axe, et la haute sensibilité pour l'autre axe peut être maintenue. Conformément au capteur selon cette forme de réalisation, l'accélération appliquée dans la direction de l'axe 20 X ou dans la direction de l'axe Y sur la figure lA est du type indiqué ci-après par l'intermédiaire de la structure des masses et de la structure des poutres telles que décrites précédemment. C'est-à-dire que, lorsque l'accélération dans la 25 direction d'axe X est appliquée à chacune des masses 301 à 303, l'ensemble complet des masses contenant les poutres de raccordement CB1 à CB4 est déplacé dans la direction de l'axe X, et les électrodes mobiles MEl et ME2 formées d'un seul tenant avec les masses 301 à 303 sont déplacées de 30 façon analogue dans la direction de l'axe X en liaison avec le déplacement de l'ensemble total des masses dans la direction de l'axe X. Dans ce cas, la distance entre l'électrode mobile MEl et l'électrode fixe FEl augmente ou diminue tandis que la distance entre l'électrode mobile ME2 35 et l'électrode fixe FE2 diminue ou augmente. En outre, lorsque l'accélération dans la direction de l'axe Y sur la figure lA est appliquée à chacune des masses 301 à 303, en liaison avec le déplacement dans la direction de l'axe Y de la masse centrale 302, les électro5 des mobiles ME3 et ME4 formées d'un seul tenant avec la masse centrale 302 sont déplacées de façon analogue dans la direction de l'axe Y. Dans ce cas, la distance entre l'électrode mobile ME3 et l'électrode fixe FE3 augmente ou diminue alors que la distance entre l'électrode mobile ME4 10 et l'électrode fixe FE4 diminue ou augmente. Conformément au capteur selon cette forme de réalisation, la variation de la distance entre les électrodes comme décrit précédemment, qui est provoquée par l'application de l'accélération dans la direction de l'axe X ou dans 15 la direction de l'axe Y sur la figure 1A, est détectée en tant que variation de chaque capacité électrostatique. La variation de la capacité électrostatique telle que décrite précédemment est convertie en une valeur de tension par l'intermédiaire du circuit à condensateur commuté 20 représenté sur la figure 6 ou analogue. La figure 2 est un tableau représentant les résultats d'analyse de modèles entre le capteur de la quantité dynamique à semiconducteurs selon la première forme de réalisation décrite précédemment et le capteur de quantité 25 dynamique à semiconducteurs classique représenté sur la figure 8 lorsque ces capteurs sont modélisés de façon équivalente. Dans le tableau de la figure 2 "direction Z" dans la colonne "mode de résonance" représente un mode de réso30 nance dans la direction de l'axe Z, "rotation de masse" représente un mode de résonance associé à la rotation de chaque masse lorsque l'axe Z est réglé en tant qu'axe de rotation, et "soulèvement de poutre" représente un mode de résonance associé à la vibration (onde ou vague) des 35 poutres lorsque l'axe X ou l'axe Y est réglé en tant qu'axe de rotation. Les valeurs numériques dans ces éléments de la colonne "mode de résonance" sont des valeurs relatives lorsque la fréquence de résonance de la direction de détection (direction d'axe X et direction d'axe Y) est 5 normalisée sur "1". Les valeurs numériques entre parenthèses sont des fréquences réelles pour ces éléments. Lorsque ces valeurs relatives ou fréquences de résonance relatives sont supérieures à la valeur "1" ou à la fréquence de résonance dans la direction de détection, ces 10 modes de résonance interfèrent plus difficilement dans le déplacement dans la direction de détection. Conformément aux résultats d'analyse de modèles sur la figure 2, le capteur selon cette forme de réalisation possède des valeurs relatives plus élevées ou des 15 fréquences de résonance plus élevées dans n'importe quel mode de résonance que dans le capteur classique. En particulier ces valeurs dans la "direction Z" et du "soulèvement de poutre" sont nettement plus grandes que dans le capteur classique. C'est- à-dire que, conformément au capteur possé20 dant la structure de masses et la structure de poutres selon cette forme de réalisation, non seulement la sensibilité concernant l'autre axe entre la direction d'axe X et la direction d'axe Y, mais également la sensibilité sur l'autre axe en rapport avec la direction de l'axe Z 25 peuvent être maintenues élevées. En outre, un "soulèvement de poutre" se produit rarement dans la direction de détection, et par conséquent la détection d'une accélération dans ces directions de détection peut être exécutée de façon stable avec une grande précision. Comme cela a été décrit précédemment, le capteur de la quantité dynamique à semiconducteurs de cette forme de réalisation fournit des effets excellents indiqués ciaprès. (1) La masse utilisée en tant que partie de poids 35 est divisée en les masses 301 à 303 disposées en série, et les masses respectives 301 à 303 ainsi séparées sont raccordées entre elles par l'intermédiaire des poutres de raccordement CB1 à CB4. En rapport avec les masses 301 et 303 situées dans les parties d'extrémité, ces masses 301 et 5 303 sont supportées par les poutres Bl à B4 au moyen du substrat semiconducteur 1 de sorte que le déplacement de ces masses depuis la direction orthogonale vers la direction de raccordement des masses 301 à 303 est autorisé. En outre, en rapport avec la masse 302 située 10 dans la position centrale parmi les masses 301 à 303, seul le déplacement de la masse 302 dans la direction de raccordement est autorisée par les poutres de raccordement CB1 à CB4. En utilisant la structure de masses et la structure de poutres telles que décrites précédemment, 15 l'application de la quantité dynamique (accélération) dans les deux directions d'axes orthogonales peut être détectée avec une plus grande précision sans réduction de la sensibilité sur l'autre axe, entre ces deux directions d'axes. (2) Un substrat SOI normal contenant un substrat semiconducteur 1, une couche isolante 2 et une couche en silicium 3 peut être utilisé dans le procédé de fabrication, et la structure des masses et la structure des poutres peuvent être également aisément obtenues en 25 utilisant des processus bien connus de traitement des semiconducteurs. (3) Comme cela ressort à l'évidence des résultats d'analyse de modèles représentés sur la figure 2, non seulement la sensibilité sur l'autre axe entre la direction 30 d'axe X et la direction d'axe Y en tant que direction de détection, mais également la sensibilité sur l'autre axe en rapport avec la direction d'axe Z peuvent être maintenues élevées. En outre un "soulèvement de poutre" apparaît rarement dans la direction de détection de sorte que la 35 détection d'une accélération dans les directions de détection peut être exécutée d'une manière stable et avec une grande précision. En se référant aux figures 3A à 3C, on va décrire une seconde forme de réalisation préférée du capteur de 5 quantité dynamique à semiconducteurs. Comme dans le cas du capteur de la première forme de réalisation, le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon cette forme de réalisation détecte la quantité dynamique (l'accélération) dans les deux directions d'axes orthogonales et supprime la 10 réduction de la sensibilité sur l'autre axe en utilisant la structure de masses et la structure de poutres décrites précédemment. En outre, conformément au capteur selon cette forme de réalisation, la couche à semiconducteurs 3 entoure les masses respectives, les électrodes mobile et fixe et 15 les parties d'ancrage, et une électrode pour la fixation du potentiel de la couche semiconductrice 3 à une valeur constante, est prévue sur la couche semiconductrice 3, ce qui permet d'améliorer la résistance mécanique du substrat et la caractéristique électrique. La structure du capteur selon cette forme de réalisation va être décrite de façon détaillée en référence aux figures 3A à 3C. La figure 3A est une vue en plan représentant un élément de capteur, la figure 3B une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IIIB-IIIB sur la 25 figure 3A et la figure 3C une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IIICIIIC sur la figure 3A. Sur les figures 3A à 3C on a représenté les mêmes éléments que sur les figures lA à lC en les désignant par les mêmes chiffres de référence et on n'en répétera pas la description. Le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon cette forme de réalisation possède essentiellement la même structure de base que celle de la première forme de réalisation. C'est-à-dire que, comme représenté sur les figures 3A à 3C, le capteur comprend en gros un substrat 35 semiconducteur (substrat en silicium) 1, une couche isolante 2 et une couche semiconductrice (couche de silicium) 3 formée sur la couche isolante 2. La couche semiconductrice 3 est soumise fondamentalement à une structuration avec un type de motif tel que représenté sur la 5 figure 3A au moyen d'une technique photolithographique bien connue ou analogue, et on applique une attaque chimique sélective et un retrait de la couche isolante 2 dans une zone Zi indiquée par une ligne formée de tirets sur la figure 3A de manière à former une partie de rainure. C'est10 à-dire qu'on forme la couche semiconductrice 3 formée de manière à s'étendre en saillie à partir du substrat dans la zone Zl correspondant à la partie formant rainure et est supportée par l'intermédiaire de la couche--isolante 2, par le substrat 1 dans l'autre zone. La structure de masses, la 15 structure de poutres et une structure d'électrodes respectives hors de la zone Zl sont les mêmes que dans la première forme de réalisation représentée sur les figures lA à 1C. Mais dans cette forme de réalisation, la couche 20 semiconductrice 3 subsiste de manière à entourer les masses respectives 301 à 303, les électrodes mobiles MEl à ME4, les électrodes fixes FEl à FE4 et en outre les parties d'ancrage 311 à 314 ne sont pas représentées sur les figures 3A à 3C. Un plot d'électrode 405 réalisé en 25 aluminium ou analogue est formé sur la couche semiconductrice 3, en restant ainsi de manière à fixer le potentiel de la couche semiconductrice 3 à une valeur constante. En adoptant la structure ci-dessus pour le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs, les masses respec30 tives 301 à 303, les électrodes mobiles MEl à ME4, les électrodes fixes FEl à FE4 et les parties d'ancrage 311 à 314 peuvent être électriquement écrantées par la couche semiconductrice résiduelle 3. C'est-à-dire que la variation de la capacité électrostatique entre les électrodes mobiles 35 MEl à ME4 et les électrodes fixes FEl à FE4, qui est provo- quée par le déplacement de chacune des masses 301 à 303, peut être protégée vis-à-vis de perturbations extérieures telles qu'un bruit ou analogue. En outre, la rigidité du capteur lui-même est amplifiée par la couche semiconduc5 trice résiduelle 3, et le capteur peut être aisément manipulé lors du travail d'installation du capteur. Comme cela a été décrit précédemment, conformément au capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon cette seconde forme de réalisation, on peut obtenir les 10 mêmes effets (1) à (3) que dans la première forme de réalisation et on peut également obtenir les nouveaux effets (3) et (5) indiqués ci-après. (4) Le capteur lui-même possède une rigidité accrue en raison de la présence de la couche semiconductrice 15 résiduelle 3, et le capteur peut être aisément manipulé lors de son travail d'installation. (5) Les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes et les parties d'ancrage peuvent être écrantées électriquement par la couche semiconductrice 20 résiduelle 3. C'est-à-dire que la variation de la capacité électrostatique entre les électrodes mobiles et les électrodes fixes sous l'effet du déplacement des masses peut être protégée vis-à-vis d'un bruit ou analogue et la quantité dynamique (accélération) appliquée peut être détectée 25 d'une manière stable avec une grande précision. En référence aux figures 4A à 4C, on va décrire la structure de masses et la structure de poutres décrites précédemment. En outre dans le capteur selon cette forme de réalisation, de la même manière que pour le capteur de la 30 seconde forme de réalisation indiquée précédemment, la couche semiconductrice 3 entoure les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes et les parties d'ancrage, et l'électrode servant à fixer le potentiel de la couche semiconductrice 3 à une valeur constante est 35 prévue sur la couche semiconductrice 3. Par conséquent, la résistance mécanique du substrat et la caractéristique diélectrique peuvent être améliorées comme décrit précédemment. En outre dans le capteur selon cette forme de réalisation, les masses respectives, les électrodes 5 mobiles, les électrodes fixes, etc., qui possèdent des microstructures, peuvent être protégées mécaniquement par l'application d'un capuchon 5 au niveau de la partie de formation des masses respectives, des électrodes mobiles, des électrodes fixes et des parties d'ancrage de manière à 10 recouvrir le côté supérieur de ces éléments. On va décrire de façon détaillée la structure du capteur selon cette forme de réalisation en référence aux figures 4A à 4C. La figure 4A est une vue en plan montrant l'élément de capteur, la figure 4B est une vue en coupe 15 transversale prise suivant la ligne IVB-IVB sur la figure 4A, et la figure 4C est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne IVC-IVC sur la figure 4A. Sur les figures 4A à 4C les mêmes éléments que ceux représentés sur les figures lA à lC et sur les figures 3A à 3C ou les éléments 20 correspondants sont désignés par les mêmes chiffres de référence et on n'en donnera pas à nouveau la description. La structure de base à l'intérieur du capuchon du capteur de quantité dynamique à semiconducteurs selon cette forme de réalisation est essentiellement identique à celle 25 de la seconde forme de réalisation. C'est-à-dire que, comme cela est représenté sur les figures 4A à 4C, le capteur de cette forme de réalisation comprend un substrat semiconducteur (substrat en silicium) 1, une couche isolante 2 et une couche semiconductrice 30 (couche de silicium) 3 formée sur la couche isolante 2. La couche semiconductrice 3 est soumise fondamentalement à une structuration avec un type de motif tel que représenté sur la figure 4A au moyen d'une technique de photolithographie bien connue ou analogue, et on effectue 35 une attaque chimique sélective et à un retrait de la couche isolante 2 dans une zone Zl marquée au moyen d'une ligne formée de tirets sur la figure 4A de manière à former une partie formant rainure. C'est-à-dire que la couche semiconductrice 3 est formée de manière à flotter à partir 5 du substrat 1 dans la zone Zl correspondant à la partie formant rainure et supportée par l'intermédiaire de la couche isolante 2 par le substrat 1 dans l'autre zone. La structure de masses, la structure de poutres et les structures d'électrodes respectives, etc. dans et hors de la 10 zone Zi sont identiques à celles de la première forme de réalisation représentée sur les figures lA à 1C ou de la seconde forme de réalisation représentée sur les figures 3A à 3C. Cependant, conformément à cette forme de réalisation, les plots d'électrodes 400 à 404 ressortent dans une 15 direction à travers la couche semiconductrice 3 comme représenté sur la figure 4A étant donné qu'un capuchon 5 décrit plus loin est installé. Un plot d'électrode 405 servant à fixer le potentiel de la couche semiconductrice résiduelle 3 est disposé de façon analogue sur l'extérieur 20 du capuchon 5. Ci-après on va décrire le capuchon 5 qui est disposé de manière à recouvrir le côté supérieur de la zone dans laquelle sont formées les masses respectives 301 à 303, les électrodes mobiles ME1 à ME4, les électrodes fixes 25 FEl et FE4 et les parties d'ancrage 311 à 314. Dans cette forme de réalisation, contrairement à la couche semiconductrice 3, le capuchon 5 est formé d'un matériau semiconducteur tel que du silicium ou analogue. Le site de contact du capuchon 5 avec le substrat semiconduc30 teur 1 (de façon précise la couche semiconductrice 3 située sur le substrat semiconducteur 1), est fixé par adhérence au substrat semiconducteur (couche semiconductrice 3) avec un agent adhésif isolant ou analogue. En outre, un plot d'électrode 500 est également formé sur le capuchon 5 de 35 manière à fixer le potentiel du capuchon 5 à une valeur constante. Les masses respectives 301 à 303, les électrodes mobiles MEl à ME4, les électrodes fixes FEl à FE4 et les parties d'ancrage 311 à 314 peuvent être écrantées 5 électriquement grâce à l'adoption de la structure telle que décrite précédemment pour le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs. C'est-à-dire que, en combinaison avec l'effet de blindage de la couche semiconductrice résiduelle 3, la variation de la capacité électrostatique entre les 10 électrodes mobiles MEl à ME4 et les électrodes fixes FEl à FE4, qui est provoquée par le déplacement de chacune des masses 301 à 303, peut être protégée de façon plus sûre vis-àvis d'une perturbation extérieure comme par exemple un bruit ou analogue. En outre, le côté supérieur au moins 15 de la zone dans laquelle les masses respectives 301 à 303, les électrodes mobiles MEl à ME4 et les électrodes fixes FEl à FE4 sont formées, est recouvert par le capuchon 5 de sorte que ces parties possédant chacune une microstructure peuvent être protégées mécaniquement. Comme cela a été décrit plus haut, contrairement au capteur de quantité dynamique à semiconducteurs de la troisième forme de réalisation, on peut obtenir les mêmes effets (1) à (5) que dans la première ou dans la seconde forme de réalisation et également les nouveaux effets 25 suivants (6) et (7). (6) Le capuchon 5 pour recouvrir les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes, les parties d'ancrage, etc. est formé d'un matériau semiconducteur tel que du silicium ou analogue, et 30 également le capuchon 5 est fixé à un potentiel constant par le plot d'électrode 500. Par conséquent l'effet de blindage électrique décrit précédemment peut être amélioré de façon supplémentaire. (7) Le côté supérieur ou au moins la zone dans la 35 zone dans laquelle les masses respectives des électrodes mobiles et des électrodes fixes sont formées, est recouvert par le capuchon 5 de sorte que les parties respectives possédant chacune une microstructure peuvent être protégées mécaniquement. Dans la seconde forme de réalisation, le plot d'électrode 405 est formé sur la couche semiconductrice 3 qui subsiste de manière à entourer les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes et les parties d'ancrage. Cependant, aucun plot d'électrode 405 ne peut 10 être installé sur la couche semiconductrice résiduelle 3. Même dans le cas de cette structure, la rigidité du capteur lui-même est améliorée par la couche semiconductrice résiduelle 3 et le capteur peut être aisément manipulé lors du travail effectué lors de son installation. Dans ce cas 15 la caractéristique électrique peut être améliorée bien que dans cette forme de réalisation cet effet soit plus faible que dans le cas o le plot d'électrode 405 est prévu. Dans la troisième forme de réalisation, le capuchon est formé d'un matériau semiconducteur tel que du 20 silicium ou analogue. Cependant le capuchon 5 peut être formé d'un matériau conducteur tel que du cuivre, de l'aluminium ou analogue. Le capuchon 5 est formé d'un matériau conducteur, qui peut protéger mécaniquement les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes 25 fixes, les parties d'ancrage, etc. et peut les protéger également vis-à-vis d'une perturbation extérieure telle qu'un bruit ou analogue comme dans le cas de la troisième forme de réalisation. Dans la troisième forme de réalisation, le plot 30 d'électrode 500 pour la fixation du potentiel du capuchon 5 au potentiel constant est prévu sur le capuchon 5. Cependant, le côté supérieur des masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes, les parties d'ancrage, etc. peuvent être recouverts par le capuchon 5 35 sans formation d'aucun plot d'électrode 500. Dans ce cas les parties recouvertes peuvent être écrantées et protégées électriquement vis-à-vis d'une partie de la perturbation extérieure telle que le bruit ou analogue, bien que l'effet soit moindre que dans le cas o le plot d'électrode 500 est prévu. Le capuchon 5 peut être formé d'un matériau isolant tel qu'une résine ou analogue. Le capuchon 5 formé du matériau isolant peut de façon analogue protéger mécaniquement les masses respectives, les électrodes mobiles, les 10 électrodes fixes, etc. Dans ce cas on peut adopter n'importe quel procédé de fixation par adhérence pour établir une adhérence entre le capuchon 5 et le substrat semiconducteur 1 (de façon précise la couche semiconductrice 3 formée sur le substrat semiconducteur 1). Dans la troisième forme de réalisation, le capuchon est monté de manière à recouvrir essentiellement l'ensemble du substrat semiconducteur 1 et les plots d'électrodes 400 à 404 ressortent dans une direction en traversant la couche semiconductrice 3. Cependant le 20 capuchon 5 peut être prévu de manière à recouvrir sélectivement uniquement le côté supérieur de la zone ou les masses respectives, les électrodes mobiles, les électrodes fixes, les parties d'ancrage, etc. Conformément à cette structure, l'état ressorti des plots d'électrodes 400 à 404 25 peut être obtenu aisément et la structure de film basée sur la couche semiconductrice 3 peut être simplifiée. Dans la troisième forme de réalisation, le capuchon est prévu sur la structure de capteur de la seconde forme de réalisation. Cependant le capuchon 5 peut être appliqué 30 sur la structure du capteur de la première forme de réalisation. Dans les formes de réalisation décrites ci-dessus, la direction dans laquelle les masses respectives 301 à 303 sont raccordées entre elles par l'intermédiaire des poutres 35 de raccordement CB1 à CB4 est réglée comme étant la direction de l'axe Y et la direction orthogonale à la direction de l'axe Y est réglée comme étant la direction de l'axe X. Cependant, les directions d'axes contenant la direction de l'axe Z peuvent être réglées d'une manière arbitraire. Dans les formes de réalisation décrites précédemment, le circuit à condensateur commuté représenté sur la figure 6 est utilisé en tant que circuit de détection. Cependant, on peut utiliser fondamentalement n'importe quel 10 procédé et n'importe quel circuit comme procédé de détection et circuit de détection. L'accélération peut être détectée moyennant l'utilisation de caractéristiques électriques autres que la variation de la capacité électrostatique, comme par exemple une variation du champ électrique, 15 une variation de la résistance ou analogues. Dans les formes de réalisation décrites précédemment, la masse utilisée comme partie de poids est subdivisée en trois masses 301 à 303 en série, et les masses ainsi sépares sont raccordées entre elles au moyen 20 des poutres de raccordement CB1 à CB4. Cependant on peut obtenir le même effet si on divise la masse en plusieurs masses en série en vue de conserver une rigidité supérieure à celle des poutres de raccordement et la pluralité de masses sont raccordées entre elles par l'intermédiaire des 25 poutres deraccordement de telle sorte que les masses peuvent se déplacer de manière à se rapprocher ou à s'écarter les unes des autres. C'est-à-dire que la structure des poutres de raccordement, le type de division de la masse (par exemple le nombre de masses séparées), 30 etc. sont déterminés arbitrairement dans la mesure o la condition ci-dessus est satisfaite, et le degré de liberté de conception peut être maintenu à un niveau élevé. Dans les formes de réalisation décrites précédemment, on utilise le substrat SOI. Cependant, la structure 35 des masses et la structure des poutres comme décrit précédemment peuvent être réalisées sans l'utilisation d'aucun substrat SOI comme décrit précédemment. En rapport avec le substrat 1, on peut utiliser n'importe quel substrat contenant un substrat isolant à la place du substrat semiconducteur. Les formes de réalisation décrites précédemment concernent le capteur de quantité dynamique à semiconducteurs de type biaxial servant à détecter une accélération. Cependant la présente invention peut être appliquée à un 10 capteur de quantité dynamique servant à détecter d'autres quantités dynamiques comme par exemple une vitesse angulaire, etc. La description de l'invention est donnée uniquement à titre d'exemple et il est possible d'y apporter des modi15 fications tout en restant dans le cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Capteur d'accélération comprenant une masse (301,302,303) montée sur un substrat semiconducteur (1) au moyen de poutres de manière à être 5 déplacée conformément à l'application d'une quantité dynamique, la quantité dynamique étant détectée sur la base d'une variation d'une caractéristique électrique entre chacune d'électrodes mobiles formées d'un seul tenant avec la masse et chacune d'électrodes fixes, qui est supportée, 10 au niveau de l'une de ses extrémités, par le substrat semiconducteur (1), caractérisé en ce que la masse (301,302,303) est constituée par une pluralité de masses séparées, disposées en série, la pluralité de masses séparées étant raccordées 15 entre elles par l'intermédiaire de poutres de raccordement pour permettre le déplacement de la pluralité de masses séparées de manière qu'elles se rapprochent et s'écartent les unes des autres. 2. Capteur d'accélération selon la revendication 1, 20 caractérisé en ce que: la pluralité de masses séparées (301,302,303) comprend des première à troisième masses en série permettant de détecter l'application de la quantité dynamique dans deux directions d'axes orthogonales; les première et troisième masses (301,303) situées aux deux extrémités de la masse sont montées sur le substrat semiconducteur (1) au moyen de poutres de manière à pouvoir être déplacées dans la direction perpendiculaire à une direction de raccordement des masses et comportent des 30 électrodes mobiles formées d'un seul tenant avec les masses respectives de sorte que l'application d'une quantité dynamique dans la direction, dans laquelle la pluralité de masses séparées peuvent être déplacées, est détectée, et la seconde masse (302), qui est raccordée aux 35 première et troisième masses (301,303) par l'intermédiaire de poutres de raccordement de manière à être située dans la position centrée entre les première et troisième masses, possède une électrode mobile formée d'un seul tenant avec la seconde masse de telle sorte que l'application d'une 5 quantité dynamique dans la direction de raccordement de la pluralité de masses séparées correspondant à la direction autorisée de déplacement, est détectée. 3. Capteur d'accélération selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le subs10 trat semiconducteur (1) comprend un film isolant (2) et un film de silicium (3) formés sur le substrat semiconducteur (1) et que chacune de la pluralité de masses séparées (301, 302,303) et l'électrode mobile et l'électrode fixe formées d'un seul tenant avec la masse sont formées sur le film de 15 silicium. 4. Capteur d'accélération selon la revendication 3, caractérisé en ce que le film de silicium (3) entoure la pluralité de masses séparées (301,302, 303) et les électrodes mobiles et fixes. 5. Capteur d'accélération selon la revendication 4, caractérisé en ce que les électrodes mobiles et les électrodes fixes sont équipées d'une électrode servant à fixer le potentiel du film de silicium (3) à une valeur constante. 6. Capteur d'accélération selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'un capuchon (5) pour recouvrir la pluralité de masses séparées et les électrodes mobiles et fixes sur le substrat semiconducteur est équipé d'une partie de formation, dans laquelle la 30 pluralité de masses séparées et les électrodes mobiles et fixes sont formées. 7. Capteur d'accélération selon la revendication 6, dans lequel le capuchon (5) est formé d'un matériau conducteur ou d'un matériau semiconducteur, qui est fixé par 35 un adhésif au substrat semiconducteur (1) par l'inter- médiaire d'un agent adhésif isolant au niveau d'un côté de contact de ce substrat avec le substrat semiconducteur (1). 8. Capteur d'accélération selon la revendication 7, caractérisé en ce que le capuchon (5) est équipé d'une 5 électrode (500) pour la fixation du potentiel du capuchon (5) à une valeur constante.