Brevet FR2855609A1 — publié le 20041203

DISPOSITIF DE DETECTION BOLOMETRIQUE A ANTENNE, A CAVITE OPTIMISEE, POUR ONDES ELECTROMAGNETIQUES MILLIMETRIQUES OU SUBMILLIMETRIQUES, ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE DISPOSITIF DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un dispositif de détection bolométrique à antenne, pour 10 ondes électromagnétiques millimétriques ou submillimétriques, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif. L'invention concerne en particulier une matrice de bolomètres à antennes pour l'adaptation à 15 l'absorption d'ondes électromagnétiques millimétriques ou submillimétriques. L'invention se rattache ainsi au domaine de la détection bolométrique passive, dans la gamme spectrale allant des longueurs d'ondes submillimétriques aux longueurs d'ondes millimétriques. Dans cette gamme spectrale, il existe plusieurs fenêtres de transmission atmosphérique qui permettent d'obtenir des images en vue d'applications scientifiques, civiles ou militaires, notamment grâce à 25 des matrices de bolomètres. Les bolomètres mesurent la puissance du rayonnement incident: ce sont des détecteurs quadratiques. Dans un bolomètre, un élément absorbant convertit un flux lumineux incident en un flux 30 calorifique, ce qui cause l'élévation de la température d'un élément sensible, par rapport à une température de B 14301.3 PV référence. Un capteur thermométrique convertit ces variations de température en signaux électriques. Bien qu'en théorie un bolomètre soit un détecteur sensible sur une très grande bande spectrale, 5 les différents systèmes d'absorption existants sont optimisés pour une certaine bande restreinte. Précisons dès maintenant que la présente invention concerne un système permettant de concevoir des matrices de bolomètres qui sont facilement 10 adaptables à différentes bandes spectrales dans le domaine de l'invention et apportent une amélioration notable en termes de performances photométriques. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE On considère ici la détection dans le large domaine spectral correspondant aux longueurs d'ondes submillimétriques (de l'ordre de 100Lm) et millimétriques (quelques millimètres). Actuellement, le domaine submillimétrique 20 concerne des applications d'observations astrophysiques soit spatiales, soit aéroportées ou faites à l'aide de télescopes placés au sol. Le domaine millimétrique concerne non seulement des applications d'observations astrophysiques mais aussi des applications militaires ou civiles. Pour les observations astrophysiques, la détection requiert de très hautes performances en termes de puissance détectable équivalente au bruit, 30 cette puissance se situant dans la gamme de 10-17 à 10-15 B 14301.3 PV W/Hz1/2. L'obtention de telles performances nécessite des détecteurs refroidis à très basse température (de l'ordre de 0,3K pour les bolomètres). La détection, pour l'observation au sol ou 5 aéroportée, dans les applications militaires ou civiles, requiert des NEP, ou puissances équivalentes au bruit (" noise equivalent powers "), dans la gamme de 1014 à 10-12 W/Hz1/2 mais dans un domaine de températures du détecteur allant de 150 à 300K, en 10 particulier pour des raisons opérationnelles et de coût. On distingue donc deux contextes de détection millimétrique, à savoir celui des détecteurs très refroidis et celui des détecteurs à des 15 températures " ambiantes ". Dans ces deux contextes, on considère plus particulièrement des détecteurs matriciels, comportant des lignes et des colonnes de détecteurs élémentaires qui permettent de réaliser de l'imagerie rapide, par 20 rapport à un système à mono-détecteur et balayage à deux dimensions. On précise que l'invention ne concerne pas les bolomètres à grille, du genre de ceux qui sont décrits dans le document suivant: [1] EP 0 749 007 A correspondant à US 5,825,029 A (Patrick Agnèse et Jean- Michel Sajer). L'invention est limitée aux bolomètres à antenne, au sujet desquels on se reportera aux documents suivants: [2] WO 00/40937 A, " Détecteur bolométrique à antenne " (Patrick Agnèse) B 14301.3 PV [3] US 6,329,655 B, " Architecture and method of coupling electromagnetic energy to thermal detectors " (Michael D. Jack et al.). La figure 1 est une vue en coupe 5 schématique d'un exemple connu de bolomètre millimétrique à antenne. Un tel bolomètre comprend un substrat 2 qui est métallisé et une partie de détection 4 qui est gravée (" etched "), comme on le voit sur la figure 1. 10 Cette partie de détection comprend une antenne 6 ainsi qu'un thermomètre central 8 qui est fixé à l'antenne 6 par l'intermédiaire de poutres ou bras 10 en un métal résistif. Dans ce bolomètre, une cavité résonante 12, 15 constituant une cavité quart-d'onde, est formée par encastrement du substrat 2 dans la partie de détection 4. Cette cavité 12 est rendue réflectrice par la métallisation 14 du substrat. L'épaisseur ou hauteur e de la cavité 12, 20 qui est égale à la distance entre l'antenne 6 et la métallisation 14, est adaptée à la détection d'un rayonnement de longueur d'onde déterminée X: elle vaut X/(4n), o n est l'indice optique du matériau de la partie de détection 4, qui délimite la cavité 12. Dans 25 l'exemple de la figure 1, ce matériau est le silicium. L'inconvénient d'une telle structure est que la cavité située sous l'antenne est délimitée par du silicium dont l'indice optique est relativement élevé. L'absorption spectrale a donc lieu dans une 30 gamme étroite de longueurs d'ondes. B 14301.3 PV De plus, la valeur de la résistance de la charge (" load ") électrique d'antenne, constituée par les bras de suspension du thermomètre central, est trop limitée pour obtenir une absorption maximale du flux de rayonnement incident. Par conséquent, comme cette charge constitue également la résistance thermique du bolomètre, on est contraint à une réponse de valeur relativement faible de la part de ce bolomètre. Examinons plus précisément les inconvénients d'un bolomètre à antenne connu. Un tel bolomètre comporte une cavité sous son antenne afin d'améliorer sa réponse en absorption. De façon classique, cette cavité a une épaisseur égale 15 au quart de la longueur d'onde moyenne des rayonnements que l'on veut détecter. Cette cavité est donc adaptée à une longueur d'onde donnée. De cette façon, les signaux qui sont directement absorbés et ceux qui ont traversé la 20 cavité s'ajoutent en sortie et augmentent l'absorption totale. Par ailleurs, si un milieu (" medium ") a un indice optique n, la résistance de charge (" load resistance ") R de ce milieu est égale à Z0/n, o Z0 est 25 l'impédance du vide (" vacuum ") qui vaut 377Q. Dans le cas d'une cavité quart d'onde, ayant un indice optique n et une épaisseur X/4n, o X est la longueur d'onde moyenne des rayonnements à détecter, la résistance de charge devient: R=Z0/n. La résistance de charge R peut donc valoir au maximum Z0 si le matériau est le vide, sachant qu'il B 14301.3 PV est très difficile d'avoir du vide car les antennes sont rarement autoportables. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention vise à augmenter les performances des bolomètres à antenne connus et, plus particulièrement, à améliorer la résistance de charge de tels bolomètres, de manière à obtenir une faible conductance thermique sans pour autant dégrader 10 l'absoption du rayonnement par ces bolomètres. Une solution consisterait à trouver un matériau sous-antenne dont l'indice optique serait inférieur à 1, ce qui est impossible. Il faut donc trouver un moyen pour que l'indice " apparent " (vu par 15 l'onde incidente) soit inférieur à 1. Pour cela, conformément à l'invention, on utilise non plus une cavité quart d'onde mais une cavité d'épaisseur plus faible. Dans ces conditions, le rayonnement 20 directement absorbé et le rayonnement retransmis par la cavité ne s'ajoutent plus simplement. Mais alors un autre phénomène a lieu et fait que, de façon surprenante, l'absorption est augmentée. Cette absorption est mesurée par des simulations qui mettent en oeuvre les équations de Maxwell. Notons que l'invention constitue, en particulier un perfectionnement du détecteur bolométrique à antenne, connu par le document [2]. B 14301.3 PV De façon précise, la présente invention a pour objet un dispositif de détection bolométrique d'ondes électromagnétiques millimétriques ou submillimétriques, ce dispositif comprenant au moins un 5 bolomètre comportant une antenne réceptrice, une charge résistive (" resistive load "), un élément thermométrique et une cavité résonante, entourée par une partie du bolomètre, cette partie étant faite d'un matériau ayant un indice optique n, l'antenne 10 réceptrice étant située au-dessus de la cavité résonante, ce dispositif étant caractérisé en ce que l'épaisseur de la cavité résonante est strictement inférieure à i/(4n) , o X est la longueur d'onde moyenne des ondes électromagnétiques destinées à être 15 détectées par le dispositif. Selon un mode de réalisation préféré du dispositif objet de l'invention, le bolomètre comprend en outre une partie de détection, qui comprend l'antenne réceptrice et l'élément thermométrique, et un 20 substrat réflecteur qui est encastré dans cette partie de détection, la cavité résonante étant délimitée par ce substrat réflecteur et cette partie de détection. L'antenne réceptrice est par exemple une antenne quadrupolaire. Le bolomètre peut être de type refroidi ou, au contraire, de type non refroidi. Le dispositif objet de l'invention comprend de préférence une matrice de MxN bolomètres, M et N étant des entiers au moins égaux à 1. La présente invention concerne aussi un procédé de fabrication du dispositif objet de B 14301.3 PV l'invention, dans lequel on forme le bolomètre comportant l'antenne réceptrice, la charge résistive, l'élément thermométrique et la cavité résonante, à partir d'un substrat comprenant une structure de 5 silicium massif (" bulk ")/silice/couche mince de silicium. Selon un mode de mise en ouvre préféré du procédé objet de l'invention, ce substrat comprend une structure de silicium massif/silice/couche mince de 10 silicium/silice/couche mince de silicium. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation 15 donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe schématique d'un bolomètre à antenne connu et a déjà 20 été décrite, - les figures 2 et 3 montrent des courbes traduisant des résultats de la simulation du comportement électromagnétique de bolomètres à antenne, - la figure 4 est une vue en coupe 25 schématique d'un exemple de dispositif bolométrique conforme à l'invention, - les figures 5A à 5L illustrent schématiquement des étapes d'un exemple de procédé de fabrication conforme à l'invention, et B 14301.3 PV - la figure 6 illustre schématiquement un dispositif bolométrique matriciel conforme à l'invention. EXPOSE DETAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans un exemple, le dispositif bolométrique objet de l'invention comprend une antenne réceptrice quadrupolaire dont la topologie, la cavité résonante et la charge résistive sont toutes trois optimisées. A titre d'exemple, on vise une fréquence centrale de détection optique f égale à 94 GHz, avec une largeur de bande d'au moins 40 GHz, sans sélectivité de polarisation et au moyen d'une antenne dont le pas (" pitch ") est égal à X/2=1,6 mm, o X est 15 la longueur d'onde centrale correspondant à la fréquence f. L'optimisation d'un tel bolomètre à antenne passe par l'augmentation de la charge d'antenne, ou charge résistive, car alors la réponse thermique 20 augmente. Pour pouvoir augmenter cette charge, sans pour autant dégrader la réponse optique ni la courbe d'absorption spectrale correspondante, il faut adapter la structure d'antenne et sa cavité résonante sous 25 jacente. On a effectué des simulations du comportement électromagnétique du dispositif pourvu de l'antenne quadrupolaire. Dans une première simulation, le pas de 30 cette antenne vaut 1,6 mm et l'on utilise une cavité B 14301.3 PV résonante vide de 0,5 mm d'épaisseur. Les variations résultantes de la puissance d'absorption P (en joules) en fonction de la fréquence f (en GHz) sont tracées sur la figure 2 pour une charge résistive de 200 n (courbe I) et pour une charge résistive de 1500 Q (courbe II). Pour une charge de 200 Q, on n'observe pas l'effet de " quart d'onde " que l'on attendait à k=2 mm, correspondant à fl=150 GHz (pour e=0,5 mm la longueur d'onde maximale Xmax vaut 4xe=2 mm) : le 10 maximum est atteint à )=3,5 mm qui correspond à f2=86 GHz. Donc, la cavité quart d'onde n'a pas d'effet prépondérant: il existe un autre effet de résonance, à savoir une excitation d'ondes de surface. Par ailleurs, on s'aperçoit que le pic à 86 GHz s'affaisse lorsque la résistance de charge passe de 200 n à 1500 Q, ce qui n'est pas intéressant puisque l'on veut augmenter cette charge. Dans une deuxième simulation, l'épaisseur 20 de la cavité est plus faible: elle vaut 0,2 mm; l'antenne a encore la structure quadrupolaire, mais avec un pas de 1,28 mm. Les résultats de cette simulation sont donnés par la figure 3, pour une charge de 750 Q (courbe I) et pour une charge de 1500 25 (courbe II). On s'aperçoit donc que le maximum d'absorption continue d'être obtenu vers 90 GHz avec une cavité de 0,2 mm d'épaisseur mais, dans ce cas, pour plusieurs valeurs de la résistance de charge et B 14301.3 PV il surtout des valeurs plus élevées. On a donc tout intérêt à diminuer l'épaisseur de la cavité. En revenant à la deuxième simulation, on trouve un premier compromis pour un pas de 1,3 mm, une 5 cavité de 0,2 ram d'épaisseur et une charge de 1500Q, d'o une augmentation d'un facteur 7,5 par rapport au cas de la première simulation. Dans un mode de réalisation préféré de la présente invention, la difficulté de fabrication d'une 10 cavité vide, ayant par exemple une épaisseur de 200 tm, en minimisant l'épaisseur du silicium sous l'antenne, est contournée si, au lieu d'utiliser un substrat de type SOI (silicium massif (" bulk ")/silice/couche mince de silicium), on utilise un substrat de type 15 double SOI, également appelé " substrat DSOI " (silicium massif/silice/couche mince de silicium (généralement de quelques micromètres d'épaisseur) /silice/couche mince de silicium). On contrôle ainsi l'épaisseur de silicium, 20 indépendamment de la dispersion de gravure (" etching ") profonde par la face arrière du substrat, sous une antenne de taille millimétrique, de manière à garantir la planéité de cette antenne et d'éviter l'effet de " drap plissé " résultant d'une contrainte 25 de la couche métallique servant à la formation de l'antenne. On aboutit ainsi à un exemple de bolomètre conforme à l'invention, qui est schématiquement représenté en coupe sur la figure 4. On donnera plus loin un exemple de procédé conforme à l'invention, permettant d'aboutir au B 14301.3 PV bolomètre de la figure 4: cette figure correspond à la figure 5L qui montre l'aboutissement des étapes illustrées par les figures 5A à 5K. Le bolomètre de la figure 4 comprend un 5 substrat 16 en silicium ainsi qu'une partie de détection 18 qui est formée à partir de silicium. Le substrat 16 est emboîté dans cette partie 18, par la face arrière de celle-ci. La surface de ce substrat 16, qui est en 10 regard de la partie de détection 18, est revêtue d'une couche mince électriquement conductrice 20, constituant un réflecteur. La partie de détection 18 comprend une antenne 22, par exemple de type quadrupolaire, et un 15 thermomètre central 24 qui est suspendu à l'antenne par des poutres 26 faites d'un métal résistif. Le bolomètre de la figure 4 comprend aussi une cavité résonante 28 qui est vide et constituée par l'espace compris entre la partie de détection 18 et le 20 réflecteur 20. L'antenne 22 est située au-dessus de cette cavité 28. L'épaisseur e de cette dernière est la distance entre l'antenne 22 et le réflecteur 20. Conformément à l'invention, cette épaisseur e est 25 strictement inférieure à X/(4n) o X est la longueur d'onde moyenne des rayonnements que l'on veut détecter avec le bolomètre et n est l'indice optique du matériau qui délimite la cavité (ici le silicium de la partie de détection). Typiquement, la partie de détection 18 comporte une première couche de silicium 30 de quelques B 14301.3 PV micromètres d'épaisseur, qui permet de garantir la tenue mécanique de l'antenne sur la cavité vide sousjacente, dont la hauteur est ajustable grâce au substrat réflecteur 16 qui est mobile. La partie de détection comporte aussi une deuxième couche de silicium 32 de quelques dixièmes de micromètre d'épaisseur, qui sert à la réalisation du thermomètre 18. Ce dernier est suspendu par les poutres 26 faites d'un métal résistif, par exemple TiN ou TaN. Une telle structure résout les problèmes mentionnés plus haut. En effet, pour ce qui concerne les bolomètres millimétriques aux températures ambiantes, grâce à la simulation précédemment présentée, on a effectivement formé une cavité vide et 15 obtenu une augmentation sensible de la charge résistive et donc de la résistance thermique du bolomètre. Pour ce qui concerne les bolomètres submillimètriques aux températures inférieures à 1K, on a effectivement réduit la masse calorifique au minimum, 20 c'est-à-dire à celle du thermomètre, puisque la fonction de détection des ondes (antenne), et la fonction bolométrique (c'est-à-dire la fonction thermomètre et poutres) sont à présent dissociées topologiquement, contrairement à la technique divulguée 25 par le document [1]. Le métal qui constitue les poutres de suspension 26 devient supraconducteur en dessous de quelques kelvins. Donc, à une température de quelques dixièmes de kelvin, les poutres ont une très haute 30 résistance thermique. B 14301.3 PV Ce métal reste néanmoins résistif à la haute fréquence d'une onde électromagnétique incidente. Donc les courants électriques de surface, induits par l'onde sur l'antenne, se dissipent par effet Joule dans 5 la charge résistive constituée par ces poutres, ce qui conduit à l'élévation de température du thermomètre. En faisant référence aux figures 5A à 5L, on explique maintenant un exemple du procédé de fabrication objet de l'invention, permettant d'obtenir 10 le bolomètre de la figure 4. Pour fabriquer ce bolomètre, on utilise un substrat 34 (figure 5A) qui constitue un substrat DSOI. Ce substrat 34 est ainsi un empilement constitué par: - un substrat de silicium massif (" bulk ") 36, dont l'épaisseur vaut par exemple 450 tm, une couche mince de silice enterrée 38, dont l'épaisseur vaut par exemple 380 nm, - une couche mince de silicium épitaxié 40, 20 dont l'épaisseur vaut par exemple 5pm, - une autre couche mince de silice enterrée 42, dont l'épaisseur vaut par exemple 380 nm, et - une autre couche mince de silicium épitaxié 44, dont l'épaisseur vaut par exemple ltm. On procède ensuite à des implantations ioniques dans la couche supérieure 44 (figure 5B), à savoir: - une première implantation ionique de silicium dopé p++ (référence 46 sur la figure 5B) pour 30 définir trois zones de silicium dans la couche 44, dont les références sont 48, 50 et 52, et B 14301.3 PV - une deuxième implantation ionique pour former, dans la zone centrale 52, une zone 54 de silicium dopé n++, dont l'épaisseur vaut par exemple 500 nanomètres. Ensuite, par photolithographie et gravure mesa (" mesa etching "), on élimine la majeur partie du silicium des zones 48 et 50 et du silicium sous-jacent dopé p++ de ces zones pour laisser essentiellement subsister la zone 52 comme on le voit sur la figure 5C. 10 Sur cette dernière, on dépose ensuite une couche très mince 56 de résine photosensible, par exemple une couche de résine 5740 de 7 ptm d'épaisseur. Ensuite, comme le montre la figure 5D, on procède à des photolithographies et à des gravures de 15 contacts. Après avoir éliminé la couche de résine 56, on est ainsi amené à déposer, sur la structure résultante, une couche 58 de silice, dont l'épaisseur vaut par exemple 1 tm, puis, sur cette couche 58, une 20 couche 60 de résine photosensible, par exemple une couche de résine 5740 (Société Shipley) de 7 tm d'épaisseur. On forme alors, à travers les couches 58 et 60, des ouvertures 62 telles que représentées sur la 25 figure 5D. Ensuite, comme le montre la figure 5E, on forme, à travers ces ouvertures 62, des contacts électriques 64 en AlSi sur une épaisseur égale à nm. Comme le montre la figure 5F, on dépose ensuite une couche 66 de métal réflecteur sur la B 14301.3 PV structure obtenue, par exemple une couche d'or de 400nm d'épaisseur. Cette couche va servir à la formation de l'antenne du bolomètre. On grave ensuite le métal de cette antenne comme le montre la figure 5G. On obtient ainsi l'antenne 68 au-dessus de la couche 60. Ensuite, comme le montre la figure 5H, on dépose une couche de TaN ou de TiN, ayant par exemple 10 une épaisseur de 90 nm, puis on grave la couche ainsi déposée pour former les bras 70 du bolomètre, servant à supporter le thermomètre central de ce bolomètre. On traite ensuite la face arrière du substrat de silicium massif 36 de manière à obtenir, à 15 l'aide d'une série de dépôts et de gravures, la structure que l'on voit sur la figure 5I. Sur la face arrière du substrat, aux deux extrémités de celui-ci, subsiste alors une couche 72 de silice TEOS, de 1 pm d'épaisseur par exemple, et de 20 faible largeur, par exemple 50nm. Sur cette dernière subsiste également une couche d'oxyde 74 obtenue par PECVD, de 2 tm d'épaisseur par exemple et de même largeur que la couche 72. Comme on le voit, des deux côtés du 25 substrat 36 subsiste également une couche de résine photosensible 76, par exemple une couche de résine 5740 d'épaisseur 7 tm, qui s'étend des deux côtés du substrat en recouvrant les couches 72 et 74 de faible largeur, tout en laissant apparaître une partie 30 centrale 78 du substrat 36 que l'on a gravé sur une faible épaisseur, de l'ordre de 5Brm par exemple. B 14301.3 PV Ensuite, comme le montre la figure 5J, on procède à une deuxième série de gravures du silicium et de la silice, toujours par la face arrière du substrat 36. On élimine ainsi la plupart de ce substrat 36 en ne laissant subsister que des parties latérales 80 et 82 du silicium, qui permettront l'encastrement ultérieur du substrat recouvert de la couche réflectrice. Ces parties latérales 80 et 82 ont la 10 largeur des couches 72 et 74 comme on le voit. En outre, des partie s 84 du silicium du substrat 36 subsistent dans les zones situées sous l'antenne, en continuité avec les parties latérales 80 et 82, ces parties 84 ayant une faible épaisseur, de 15 l'ordre de 5tm. En revanche, le silicium du substrat 36 a disparu totalement dans la zone 86 délimitée par les parties 84, comme on le voit sur la figure 5J, c'estàdire sous la partie correspondant au thermomètre 20 central et aux poutres ou bras associés. Ensuite, comme le montre la figure 5K, on procède à une troisième série de gravures du silicium et de la silice, par la face arrière de la structure obtenue à la figure 5J, pour éliminer les zones de 25 silicium 84 de cette structure et obtenir le thermomètre central 88 du bolomètre ainsi que les bras 90 grâce auxquels ce thermomètre est porté par l'antenne du bolomètre. Pour compléter la formation du bolomètre, 30 on fabrique un substrat en silicium 92 apte à être encastré dans la structure obtenue à la figure 5K, par B 14301.3 PV la face arrière de cette structure, comme on le voit sur la figure 5L. Avant d'encastrer ce substrat 92 dans la structure, on dépose, sur la face du substrat destinée à l'encastrement, une couche électriquement conductrice 94 de faible épaisseur, par exemple une couche d'or de 400 nm d'épaisseur. Comme le montre la figure 5L, on encastre ensuite le substrat 92 ainsi rendu réflecteur dans la 10 structure de la figure 5K, la profondeur d'encastrement étant réglée en fonction de l'épaisseur choisie pour la cavité résonante du bolomètre. Dans un dispositif bolométrique conforme à l'invention, l'antenne quadrupolaire peut être 15 remplacée par toute autre antenne compatible avec un tel dispositif, par exemple une antenne spirale. En outre, les exemples du dispositif, que l'on a donnés jusqu'à présent, ne comportent qu'un bolomètre. Cependant, en pratique, on utilise plutôt 20 une matrice 96 de tels bolomètres comme le montre schématiquement la figure 6. Les bolomètres 98 de cette matrice 96 sont formés à partir d'un même substrat DSOI, sur lequel on prévoit les isolations électriques (non représentées) 25 qui sont nécessaires aux bolomètres. De plus, on prévoit un substrat réflecteur pour un encastrement collectif dans les parties de détection (non représentées) des bolomètres 98. B 14301.3 PV REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection bolométrique d'ondes électromagnétiques millimétriques ou submillimétriques, ce dispositif comprenant au moins un 5 bolomètre comportant une antenne réceptrice (22, 68), une charge résistive (26, 90), un élément thermométrique (24, 88) et une cavité résonante (28), entourée par une partie du bolomètre, cette partie étant faite d'un matériau ayant un indice optique n, 10 l'antenne réceptrice étant située au-dessus de la cavité résonante, ce dispositif étant caractérisé en ce que l'épaisseur de la cavité résonante est strictement inférieure à 2/(4n), o X est la longueur d'onde moyenne des ondes électromagnétiques destinées à être 15 détectées par le dispositif. 2. Dispositif selon la revendication 1, dans lequel le bolomètre comprend en outre une partie de détection (18) , qui comprend l'antenne réceptrice (22) et l'élément thermométrique (24) , et un substrat 20 réflecteur (16, 92) qui est encastré dans cette partie de détection, la cavité résonante étant délimitée par ce substrat réflecteur et cette partie de détection. 3. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel l'antenne réceptrice 25 est une antenne quadrupolaire (22, 68). 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le bolomètre est de type refroidi. 5. Dispositif selon l'une quelconque des 30 revendications 1 à 3, dans lequel le bolomètre est de type non refroidi. B 14301.3 PV 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant une matrice (96) de MxN bolomètres, M et N étant des entiers au moins égaux à 1. 7. Procédé de fabrication du dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel on forme le bolomètre comportant l'antenne réceptrice (68) , la charge résistive (90) , l'élément thermométrique (88) et la cavité résonante, à partir 10 d'un substrat (34) comprenant une structure de silicium massif/silice/couche mince de silicium. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel le substrat (34) comprend une structure de silicium massif/silice/couche mince de silicium/silice/couche mince de silicium. B 14301.3 PV