Brevet FR2848730A1 — publié le 20040618

i DISPOSITIF D'AFFICHAGE ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE DE TYPE A PANNEAU DOUBLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif d'affichage à écran ou panneau plat et, plus particulièrement, un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) et un procédé de fabrication d'un dispositif OELD. Des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD) ont été usuellement utilisés dans des dispositifs d'affichage à panneaux plats, du fait de leur faible poids 10 et de leur faible consommation de puissance. Cependant, les dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD) ne sont pas des éléments photoémetteurs, mais sont des éléments récepteurs de lumière qui demandent de disposer de sources lumineuses additionnelles si l'on veut afficher des images. De manière correspondante, il existe une limite technique à l'amélioration de la brillance, du taux de contraste, de l'angle 15 d'observation et de l'agrandissement de la taille des panneaux d'affichage à cristaux liquides. Ainsi, des recherches ont permis de développer de nouveaux éléments d'affichage à panneau plat, qui permettent de surmonter les problèmes mentionnés cidessus. Les dispositifs d'affichage électroluminescents organiques (OELD) émettent 20 leur propre lumière et leurs angles d'observation et leurs taux de contraste sont supérieurs à ceux des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD). En plus, étant donné qu'un dispositif OELD ne demande pas d'avoir un dispositif de rétro éclairage pour fonctionner en source de lumière, les dispositifs OELD sont de faible poids, ont de petites dimensions et présentent une faible consommation de puissance. De plus, 25 les dispositifs OELD peuvent être commandés par des courants continus CC de faible valeur et présentent des temps de réponse rapides. tant donné que les dispositifs OELD font utilisation de matériaux solides au lieu de matériaux fluides, tel qu'un cristal liquide, ils sont plus stables sous l'effet d'un impact externe et présentent des plages de température de fonctionnement plus large que ce que 30 présentent les dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD). En comparaison des dispositifs LCD, les dispositifs OELD ont des cots de production relativement bas. Par exemple, les dispositifs OELD demandent généralement un dispositif de déposition et d'encapsulation, tandis que les dispositifs LCD demandent de nombreux types différents d'appareillage de fabrication. En plus, les processus de 35 fabrication permettant de fabriquer le dispositif OELD sont beaucoup plus simples que le processus de fabrication servant à fabriquer les dispositifs LCD. Les dispositifs OELD peuvent être classés en des dispositifs de type à matrice passive et des dispositifs de type à matrice active. Dans les dispositifs OELD de type W\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 1/30 à matrice passive, des pixels sont formés en configuration matricielle par croisement de lignes de balayage et de signaux dans lesquels les lignes de balayage doivent être commandées séquentiellement pour commander chaque pixel. De manière correspondante, la luminance moyenne nécessaire dépend du nombre total des lignes 5 de balayage. Cependant, dans les dispositifs OELD de type à matrice active, un transistor en couche mince (c'est-à-dire un élément de commutation) est formé dans chaque sous-pixel pour commuter le pixel en MARCHE et ARRET, dans lequel une première électrode, connectée au transistor en couche mince, est commutée en MARCHE et en ARRET par le pixel et une deuxième électrode sert d'électrode 10 commune. De plus, dans les dispositifs OELD de type à matrice active, une tension fournie aux pixels est stockée dans un condensateur de stockage Cst et est maintenue jusqu'à ce qu'un signal concernant la trame suivante soit appliqué. De manière correspondante, le pixel peut conserver le signal jusqu'à la prochaine trame, 15 indépendamment du nombre de lignes de balayage. Etant donné que les dispositifs OELD de type à matrice active permettent d'obtenir une même luminance avec un courant continu (CC) direct, les dispositifs OELD de type à matrice active sont avantageux, du fait de leur faible consommation de puissance, de leur forte résolution et de leur grande taille. La FIG. 1 représente un diagramme schématique de circuit d'un pixel, d'un dispositif OELD à matrice active, selon l'art antérieur. Sur la FIG. 1, une ligne de balayage 2 est formée dans une première direction et des lignes de signaux et d'alimentation en puissance 4 et 6 sont formées dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction. La ligne de signaux 4 et la ligne 25 d'alimentation de puissance 6 sont espacées l'une de l'autre et définissent un souspixel par croisement de la ligne de balayage 2, dans lequel un transistor en couche mince de commutation 8 (c'est-à-dire un élément d'adressage) est formé en une position proche d'une intersection des lignes de balayage et de signaux 2 et 4 et un condensateur de stockage (CsT) 12 est relié électriquement au transistor en couche 30 mince de commutation 8 et à la ligne d'alimentation de puissance 6. Un transistor en couche mince de commande 10 (c'est-à-dire un élément source de courant) est connecté électriquement au condensateur de stockage (CsT) 12 et la ligne d'alimentation de puissance 6, et une diode électroluminescente organique 14 est reliée électriquement au transistor en couche mince de commande 10. De manière 35 correspondante, si du courant est fourni au matériau photoémetteur organique du dispositif OELD dans une direction positive, des électrons et des trous sont recombinés par passage par une jonction P-N entre une électrode d'anode pour fournir des trous et une électrode de cathode pour fournir des électrons. L'électron et \ HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 I800\21886 doc - 11 décembre 2003 - 2130 le trou combiné ont un état énergétique inférieur à ce qu'on a lorsque l'électron et le trou ne sont pas combinés et sont séparés l'un de l'autre. De manière correspondante, le dispositif OELD utilise des états d'énergie des électrons et des trous recombinés pour produire de la lumière. En plus, le dispositif OELD peut être classé en 5 dispositifs OELD de type à émission par le dessus et émission par le dessous, selon la direction d'émission de la lumière. La FIG. 2 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à émission par le dessous selon l'art antérieur. Sur la FIG. 2, un pixel P comprend des sous-pixels SP pour les couleurs rouge (R), verte (G) et bleue (B), dans lesquels des premiers et 10 deuxièmes substrats 10 et 30 sont espacés l'un de l'autre et opposés à chaque autre. Un motif de joint d'étanchéité 40 est formé sur l'un des premiers et deuxièmes substrats 10 et 30 pour fixer les premiers et deuxièmes substrats 10 et 30 et pour empêcher que du matériau de cristal liquide, injecté entre les premiers et deuxièmes substrats 10 et 30 ne fuit. Une pluralité de transistors en couche mince T et une 15 pluralité de premières électrodes 12, connectées au premier transistor en couche mince, sont formées dans chaque sous-pixel SP sur un substrat transparent 1 du premier substrat 10. Une couche photoémettrice 14 organique, connectée au transistor en couche mince T est formée sur le transistor en couche mince T et la première électrode 12, dans lequel la couche photoémettrice 14 comprend des parties 20 pour les couleurs rouge (R), vert (G) et bleu (B), correspondant à la première électrode 12. En plus, une deuxième électrode 16 est formée dans la couche photoémettrice organique 14, dans laquelle la première et deuxième électrode 12 et 16 servent à fournir un champ électrique à la couche photoémettrice organique 14 et la deuxième électrode 16 est espacée du deuxième substrat 30 par la présence du 25 motif de joint d'étanchéité 40 mentionné ci-dessus. Bien que ceci ne soit pas représenté, un desiccant, absorbant l'humidité, est formé sur un côté intérieur du deuxième substrat 30 et une bande semi-transparente est utilisée pour fixer le desiccant absorbant l'humidité sur le deuxième substrat 30. Si la première électrode 12 fonctionne en électrode d'anode et que la deuxième 30 électrode 16 fonctionne en électrode de cathode, alors la première électrode 12 est formée d'un matériau conducteur transparent et la deuxième électrode 16 est formée d'un matériau ayant une faible fonction de travail. De manière correspondante, la couche photoémettrice organique 14 présente une structure stratifiée, séquentielle, d'une couche d'injection de trous 14a, d'une couche de transport de trous 14b, d'une 35 couche d'émission 14c et d'une couche de transport d'électrons 14d. La couche d'émission 14c présente une structure dans laquelle des matériaux photoémetteurs pour chacune des couleurs rouge (R), vert (G) et bleu (B) sont agencés séquentiellement en correspondance à chacun des sous-pixels SP. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21 800\21886.doc - 1 1 décembre 2003 - 3/30 La FIG. 3 est une vue à plus grande échelle d'une région de sous pixels SP de la FIG. 2, selon l'art antérieur. Sur la FIG. 3, la région à sous- pixel SP (sur la FIG. 2) comprend une région d'émission de lumière, une région TFT et une région de condensateur de stockage. Dans la région TFT, une couche à semi-conducteur 62, 5 une électrode de grille 68 et des électrodes de source et de drain 80 et 82 sont séquentiellement formées sur un substrat 1 transparent, de manière à former un transistor en couche mince T (sur la FIG. 2). Une électrode de puissance 72, s'étendant depuis une ligne d'alimentation de puissance (non-représentée) et une diode électroluminescente organique E sont connectées à l'électrode de source 80 et à 10 l'électrode de drain 82, respectivement. Dans la région à condensateur de stockage, une électrode de condensateur 64 est formée sous l'électrode de puissance 72, en utilisant le même matériau que celui de la couche à semi-conducteur 62 et une couche d'isolation est disposée entre l'électrode de puissance 72 et l'électrode de condensateur 64, dans lequel l'électrode de condensateur 64, la couche d'isolation et 15 l'électrode de puissance 72 forment un condensateur de stockage. Dans la région d'émission de lumière, la diode électroluminescente organique E présente des premières et deuxièmes électrodes 12 et 16 et une couche photoémettrice organique 14, interposée entre les premières et deuxièmes électrodes 12 et 16. La FIG. 4 est un ordinogramme d'une séquence de fabrication d'un dispositif 20 OELD selon l'art antérieur. Sur la FIG. 4, une première étape ST1 comprend la formation d'éléments de matrice, tels que des lignes de balayage, des lignes de signaux, des lignes de puissance, des transistors en couche mince de commutation et des transistors en couche mince de commande, sur un premier substrat. Les lignes de balayage sont formées sur un substrat transparent s'étendant dans une première 25 direction et les lignes de signaux et de puissance sont formées sur le substrat transparent s'étendant dans une deuxième direction perpendiculaire à la première direction, dans laquelle les lignes de signaux et de puissance croisent les lignes de balayage et sont espacées les unes des autres. En plus, chacun des transistors en couche mince de commutation est formé près des intersections des lignes de 30 balayage et de signaux et chacun des transistors en couche mince de commande est formé près des intersections des lignes de balayage et de puissance. Une deuxième étape (ST2) comprend la mise en motif d'une première électrode qui est un premier composant d'une diode électroluminescente organique et qui est connectée au transistor en couche mince de commande, dans chaque région de sous35 pixel. Une troisième étape (ST3) comprend la formation d'une couche photoémettrice organique qui est un deuxième composant de la diode électroluminescente organique sur la première électrode. Si la première électrode fonctionne en électrode d'anode, la \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886 doc - I I décembre 2003 - 4/30 couche photoémettrice organique peut être formée en séquence d'une couche d'injection de trous, d'une couche de transport de trous, d'une couche d'émission et d'une couche de transport d'électrons depuis une surface supérieure de la première électrode. Une quatrième étape (ST4) comprend la formation d'une deuxième électrode qui est un troisième composant de la diode électroluminescente organique, sur la couche photoémettrice, dans lequel la deuxième électrode est formée sur la totalité de la surface du premier substrat pour servir d'électrode commune. Une cinquième étape (ST5) comprend l'encapsulation du premier substrat par 10 un deuxième substrat dans le but de protéger le premier substrat d'un impact externe et de protéger la couche photoémettrice organique d'un endommagement par une infiltration d'air extérieur. Ainsi, un desiccant absorbant est en outre formé dans une surface intérieure du deuxième substrat. Les dispositifs OELD de type à émission par le bas sont complétés en fixant le 15 substrat encapsulé sur lequel la couche à élément en matrices et la diode électroluminescente organique sont formées sur un substrat d'encapsulation additionnelle. Si la couche d'éléments de matrice et la diode électroluminescente organique sont formées sur le même substrat, le rendement du panneau dépend du produit des rendements individuels de la couche d'éléments de matrice et de la diode 20 électroluminescente organique. Cependant, le rendement du panneau est grandement affecté par le rendement de la diode électroluminescente organique. De manière correspondante, si on fabrique une diode électroluminescente organique qui soit défectueuse, ce qui usuellement est provoqué par la formation de films minces ayant des épaisseurs de 1000 contaminés par des impuretés, le panneau est classé en 25 panneau de qualité inférieure. Ainsi, il y a perte de cots de production et de matériaux, ce qui diminue le rendement de production des panneaux. Les dispositifs OELD organique de type à émission par le bas sont avantageux, du fait de leur haute stabilité d'image et de la possibilité de variation du processus de fabrication. Cependant, les dispositifs OELD de type à émission de champ par le bas 30 ne s'avèrent pas adéquats pour être mis en oeuvre dans des dispositifs demandant une haute résolution suite aux limitations de l'augmentation des taux d'ouverture. En plus, étant donné que des dispositifs OELD de type à émission par le haut émettent de la lumière vers le haut en traversant le substrat, la lumière peut être émise sans influence indue de la part du transistor en couche mince, ayant été positionné sous la 35 couche photoémettrice. De manière correspondante, la conception du transistor en couche mince peut être simplifiée. En plus, le taux d'ouverture peut être augmenté, augmentant de cette manière la durée de vie opérationnelle du dispositif OELD. Cependant, étant donné qu'une cathode est usuellement formée sur la couche \WHIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21 886.doc - I1 décembre 2003 - 5/30 photoémettrice organique, dans les dispositifs OELD de type à émission par le haut, la sélection du matériau et la transmission de la lumière sont limitées de sorte que l'on subit une diminution de l'efficacité de la transmission de la lumière. Si une couche de passivation de type en couche mince est formée pour empêcher une 5 réduction de la transmittance à la lumière, la couche de passivation en couche mince peut échouer à empêcher la filtration d'air extérieur dans le dispositif. De manière correspondante, la présente invention concerne un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique (OELD) qui élimine 10 sensiblement un ou plusieurs des problèmes imputables aux limitations et aux inconvénients de l'art antérieur. Un but de la présente invention est de fournir un dispositif OELD ayant une structure d'électrode améliorée. Un autre but de la présente invention est de fournir un dispositif OELD ayant 15 des électrodes de contact améliorées. Un but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif OELD ayant une structure d'électrode améliorée. Un autre but de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'un dispositif OELD ayant des électrodes de contact améliorées. Des caractéristiques et des avantages additionnels de l'invention vont être indiqués ci-après dans la description allant suivre, et vont en partie apparaître comme évidents à la lecture de la description, ou peuvent être enseignés par la mise en pratique de l'invention. Les buts et d'autres avantages de l'invention vont être réalisés et atteints par la structure mise particulièrement en évidence dans la description et les 25 revendications de celle-ci ainsi que dans les dessins annexés. Pour atteindre ces avantages ainsi que d'autres, et selon le but de la présente invention, tel que mis en oeuvre et largement décrit, un dispositif d'affichage électroluminescent (ELD) organique, comprend: des premiers et deuxièmes substrats ayant une pluralité de sous-pixels définis sur eux; une couche d'éléments 30 de matrice sur le premier substrat, ayant une pluralité de transistors en couche mince, correspondant à chacun des sous-pixels; une électrode de liaison sur la couche d'éléments de matrice, connectée à l'un des transistors en couche mince; une première électrode sur une surface intérieure du deuxième substrat; une couche d'isolation et un séparateur d'électrodes, formés dans une région de frontière de 35 chacun des sous-pixels, la couche d'isolation étant formée au-dessous de la première électrode et le séparateur d'électrodes étant formé au-dessous de la couche d'isolation; et une couche photo-émettrice organique et une deuxième électrode formée dans chacun des sous-pixels; dans lequel le séparateur d'électrodes comprend \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - I I décembre 2003 - 6/30 une première région ayant une structure de motif pour former séparément la couche photo-émettrice organique et la deuxième électrode dans chacun des sous-pixels, une deuxième région ayant une structure en motif pour mettre en contact directement l'électrode de liaison à la deuxième électrode, sous le séparateur d'électrodes, et une 5 troisième région ayant une structure de motif pour empêcher d'avoir un court-circuit électrique entre une partie de deuxième électrode se trouvant dans la première région et une partie de deuxième électrode se trouvant dans la deuxième région, et dans lequel la deuxième électrode est formée dans un espace correspondant à la deuxième région, est en contact avec l'électrode de liaison. De préférence, le séparateur d'électrodes de la première région est d'une forme trapézodale ayant une largeur augmentant graduellement depuis une surface inférieure et une surface supérieure, le séparateur d'électrodes de la deuxième région ayant une forme asymétrique ayant un premier côté latéral à effilement inverse et un deuxième côté latéral incliné en direction du premier côté latéral, et le séparateur 15 d'électrodes de la troisième région présente une pluralité de portions creusées. Selon un mode de réalisation, les séparateurs d'électrodes des deuxième et troisième régions sont formés par un procédé d'exposition par diffraction. Selon un autre mode de réalisation, les première et deuxième électrodes et la couche photo-émettrice organique forment une diode électroluminescente organique, 20 et le transistor en couche mince comporte une électrode de grille, une couche à semiconducteur, et des électrodes de source et de drain, dans lequel le transistor en couche mince est un transistor en couche mince de commande, pour fournir un courant à la diode électroluminescente organique, et l'électrode de liaison est reliée électriquement à l'électrode de drain. Le dispositif peut comprendre en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée sur le premier substrat, la hauteur de cette structure stratifiée étant supérieure à une hauteur de la couche d'éléments de matrice, et l'électrode de liaison étant en contact avec la deuxième électrode, sur la région en saillie. Selon un autre mode de réalisation, des premier, deuxième et troisième motifs 30 présentent des motifs en forme d'îlots, et sont formés simultanément à l'intérieur de la région en saillie lors de la formation de l'électrode de grille, de la couche à semiconducteur, et des électrodes de source et de drain, respectivement, en utilisant les mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, et les électrodes de source et de drain. Le dispositif peut comprendre en outre une ligne d'alimentation de puissance reliée à l'électrode de source, et un quatrième motif sur le troisième motif, dans lequel le quatrième motif et la ligne d'alimentation de puissance étant formés simultanément en utilisant les mêmes matériaux. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc- Il décembre 2003 - 7/30 Le dispositif peut comprendre en outre une couche de passivation ayant un trou de contact de drain, exposant une partie de l'électrode de drain, un motif en saillie sur la couche de passivation à l'intérieur de la région en saillie, et une électrode de liaison sur le motif en saillie, dans lequel l'électrode de liaison entre en contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. Selon un autre mode de réalisation, le motif en saillie est formé d'un matériau isolant. Le matériau isolant comprend de préférence un matériau isolant organique. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique, ayant un premier substrat comprenant une 10 couche d'éléments de matrice comprenant un transistor en couche mince, un deuxième substrat ayant une diode électroluminescente organique et une électrode de liaison entre les premiers et deuxièmes substrats, le procédé comprenant: la formation d'une première électrode sur le deuxième substrat, ayant une pluralité de sous-pixels; la formation d'une couche d'isolation et d'un séparateur d'électrodes 15 dans les limites d'une frontière de chacun des sous-pixels; et la formation d'une couche photo-émettrice organique et d'une deuxième électrode dans chacun des souspixels séparés par le séparateur d'électrodes, dans lequel le séparateur d'électrodes comprend une première région ayant une forme trapézodale avec une largeur allant graduellement en augmentant en partant d'une surface inférieure et d'une surface 20 supérieure, une deuxième région ayant une forme asymétrique avec un premier côté latéral à effilement inverse et un deuxième côté latéral incliné en direction du premier côté latéral, et une troisième région ayant une pluralité de portions creusées, espacées les unes des autres et disposées entre les première et deuxième régions, et dans lequel la deuxième électrode est formée dans un espace correspondant à la 25 deuxième région et est en contact avec l'électrode de liaison. Le procédé peut comprendre en outre la fixation des premiers et deuxièmes substrats ensemble après avoir formé la couche photo-émettrice organique et la deuxième électrode, dans lequel les première et deuxième substrats sont interconnectés électriquement par établissement d'un contact de l'électrode de liaison 30 avec la deuxième électrode De préférence, le séparateur d'électrodes est formé par une méthode à exposition par diffraction. Selon un mode de réalisation, le séparateur d'électrodes de la deuxième région est formé en commandant les largeurs des portions de transmission de lumière et les 35 intervalles entre les portions de transmission de lumière d'un masque pour la méthode d'exposition par diffraction. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21 800\21 886 doc - 11 décembre 2003 - 8/30 Selon un autre mode de réalisation, le séparateur d'électrodes de la troisième région est formé par la méthode d'exposition à diffraction avec utilisation d'un masque ayant un motif fendu correspondant à la partie en creux. De préférence, le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, 5 une couche à semi-conducteur, une électrode de source, une électrode de drain et une ligne d'alimentation en puissance, et la couche d'éléments de matrice comprend en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée ayant une hauteur supérieure à une hauteur du transistor en couche mince et l'électrode de liaison étant en contact avec la deuxième électrode, sur la région en saillie. Le procédé peut comprenant en outre la fixation des premiers et deuxièmes substrats ensemble après formation de la couche photoémettrice organique et de la deuxième électrode, les premiers et deuxièmes substrats étant interconnectés électriquement par établissement d'un contact entre l'électrode de liaison et la deuxième électrode, sur la région en saillie. De préférence, la région en saillie 15 comprend des premier, deuxième, troisième et quatrième motifs se chevauchant les uns les autres qui sont formés simultanément à l'électrode de grille à la couche semiconductrice, aux électrodes de source et de drain et à la ligne d'alimentation de puissance en faisant utilisation des mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, les électrodes de source et de drain et la ligne 20 d'alimentation en puissance respectivement. Le procédé peut en outre comprendre la formation d'une couche de passivation ayant un trou de contact de drain permettant d'exposer une partie de l'électrode de drain sur le transistor en couche mince, et la formation d'un motif en saillie sur la couche de passivation, dans un espace correspondant à la région en saillie. Le motif 25 en saillie peut comprendre un matériau isolant organique. Selon un autre aspect de l'invention, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique comprend: la formation d'une couche d'éléments de matrice ayant une pluralité de transistors en couche mince sur un premier substrat sur lequel est définie une première pluralité de sous-pixels; la 30 formation d'une électrode de liaison reliée au transistor en couche mince sur la couche d'éléments de matrice; la formation d'une première électrode sur un deuxième substrat sur lequel une deuxième pluralité de sous-pixels est définie, correspondant à la première pluralité de sous-pixels; la formation d'une couche d'isolation et d'un séparateur d'électrodes dans une frontière de chacun de la première 35 et deuxième pluralités de sous- pixels; la formation d'une couche photoémettrice organique et d'une deuxième électrode dans chacune des première et deuxième pluralités de sous-pixels séparées par le séparateur d'électrodes; et la fixation ensemble des premiers et deuxièmes substrats, dans lequel le séparateur d'électrodes \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1800\21 86 doc - Il décembre 2003 - 9/30 comporte une première région ayant une forme trapézodale avec une largeur allant graduellement en augmentant en partant d'une surface inférieure et en allant vers une surface supérieure, une deuxième région ayant une forme asymétrique avec un premier côté latéral à forme inversée et un deuxième côté latéral incliné en direction 5 du premier côté latéral, et une troisième région ayant une pluralité de portions creusées espacées les unes des autres et disposées entre les première et deuxième régions, etdans lequel la deuxième électrode est formée dans un espace correspondant à la deuxième région et est en contact avec l'électrode de liaison. De préférence, le séparateur d'électrodes est formé par une méthode à 10 exposition par diffraction. Selon un mode de réalisation, le séparateur d'électrodes de la deuxième région est formé en commandant les largeurs des portions de transmission de lumière et les intervalles entre les portions de transmission de lumière d'un masque pour la méthode d'exposition par diffraction. Selon un autre mode de réalisation, le séparateur d'électrodes de la troisième région est formé par la méthode d'exposition à diffraction avec utilisation d'un masque ayant un motif fendu correspondant à la partie en creux. De préférence, le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, une couche à semiconducteur, une électrode de source, une électrode de drain et une ligne 20 d'alimentation en puissance, la couche d'éléments de matrice comprend en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée ayant une hauteur supérieure à une hauteur du transistor en couche mince et l'électrode de liaison étant en contact avec la deuxième électrode, sur la région en saillie. De préférence, la région en saillie comprend des premier, deuxième, troisième et quatrième motifs se chevauchant les 25 uns les autres qui sont formés simultanément à l'électrode de grille à la couche semiconductrice, aux électrodes de source et de drain et à la ligne d'alimentation de puissance en faisant utilisation des mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, les électrodes de source et de drain et la ligne d'alimentation en puissance respectivement. Le procédé peut en outre comprendre la formation d'une couche de passivation ayant un trou de contact de drain permettant d'exposer une partie de l'électrode de drain sur le transistor en couche mince, et la formation d'un motif en saillie sur la couche de passivation, dans un espace correspondant à la région en saillie. Le motif en saillie peut comprendre un matériau isolant organique. Il est évident que la description générale ci-dessus et la description détaillée ciaprès sont données à titre d'exemples et explicatif et sont destinées à permettre de mieux expliciter l'invention, tel qu'indiqué aux revendications. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\218B6.doc - 11 décembre 2003- 10/30 i1 Les dessins annexés, qui sont inclus pour fournir une meilleure compréhension de l'invention, sont incorporés dans et font partie de cette demande, servent à illustrer des modes de réalisation de l'invention et, conjointement avec la description, servent à expliciter les principes de l'invention. Dans les dessins: La FIG. 1 est un diagramme de circuit schématique d'un pixel d'un dispositif OELD à matrice active, selon l'art antérieur; La FIG. 2 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à émission par le bas, selon l'art antérieur; La FIG. 3 est une vue à plus grande échelle d'une région de sous-pixel SP 10 de la FIG. 2, selon l'art antérieur; La FIG. 4 est un ordinogramme d'une séquence de fabrication de dispositif OELD, selon l'art antérieur; La FIG. 5 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau double, pris comme exemple, selon la présente invention; La FIG. 6 est une vue en plan d'un exemple d'un dispositif OELD de type à panneau double, selon la présente invention; La FIG. 7A est une vue en coupe suivant la ligne I-I de la FIG. 6, selon la présente invention; La FIG. 7B est une vue en coupe suivant la ligne II-II de la FIG. 6, selon la 20 présente invention; La FIG. 7C est une vue en coupe suivant la ligne III-III de la FIG. 6, selon la présente invention; La FIG. 8 est un ordinogramme d'une séquence de fabrication prise comme exemple pour une diode électroluminescente organique d'un dispositif OELD 25 de type à panneau double, selon la présente invention; La FIG. 9 est une vue en coupe d'un substrat de matrice donné comme exemple pour un dispositif OELD de type à panneau double, selon la présente invention; La FIG. 10 est une vue en coupe d'un autre substrat de matrice donné 30 comme exemple pour un dispositif OELD de type à panneau double, selon la présente invention; et La FIG. 1 1 est un ordinogramme d'une autre séquence de fabrication donnée comme exemple pour un dispositif OELD de type à panneau double, selon la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES On va à présent faire référence en détail à des modes de réalisation préférés de la présente invention qui sont illustrés dans les dessins annexés. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - I I décembre 2003 - 11/30 La FIG. 5 est une vue en coupe d'un dispositif OELD de type à panneau double pris comme exemple selon la présente invention. Par souci de brièveté, une partie du dispositif OELD de type à panneau double placée à proximité d'un transistor en couche mince de commande est représenté et un condensateur de stockage et un 5 transistor en couche mince de commutation sont exclus de l'illustration. Sur la FIG. 5, des premiers et deuxièmes substrats 110 et 150 peuvent être espacés l'un de l'autre et être opposés à chaque autre dans lequel une pluralité de sous-pixels SP peuvent être définis sur les premiers et deuxièmes substrats 110 et 150. Une couche d'éléments de matrice 140 ayant une pluralité de transistors en couche mince TFT 10 correspondant à chacun des sous-pixels SP peut être formée sur le premier substrat 110, et une électrode de liaison 132 connectée au transistor en couche mince T peut être formée sur la couche d'éléments de matrice 140. Une première électrode 152 peut être formée sur une surface intérieure du deuxième substrat 150 et une couche d'isolation 154 et un séparateur d'électrodes 156 peuvent être formés à proximité 15 d'une frontière de chacun des sous-pixels SP. Une couche photoémettrice organique 158 et une deuxième électrode 160 peuvent être formées dans chacun des sous-pixels SP dans l'espace existant entre les séparateurs d'électrodes 156 sans utiliser de processus de mise en motif additionnel. Les première et deuxième électrodes 152 et 160 et la couche photoémettrice 158 forment une diode électroluminescente 20 organique E. Bien que ceci ne soit pas représenté, le séparateur d'électrodes 156 peut avoir une structure de cadre formée le long de frontières des sous-pixels SP et peut comprendre des première, deuxième et troisième régions. La première région peut séparer la deuxième électrode à l'intérieur d'un des sous-pixels SP vis-à-vis de la 25 deuxième électrode dans une zone adjacente des sous-pixels SP. La deuxième région peut comprendre une région à laquelle l'électrode de liaison 132 est connectée à la deuxième électrode 160. La troisième région disposée entre les première et deuxième régions peut empêcher qu'il y ait un court-circuit électrique des deuxièmes électrodes dans les régions adjacentes des sous-pixels SP. Le séparateur d'électrodes 156 peut 30 correspondre à la deuxième région et l'électrode de liaison 132 peut être reliée électriquement à une surface inférieure de la deuxième électrode 160 formée dans chacun des sous-pixels SP. Les premiers et deuxièmes substrats 110 et 150 peuvent être fixés ensemble par un motif de joint d'étanchéité 170 formé sur l'un des premiers et deuxièmes substrats 35 110 et 150. Un gaz inerte ou un liquide peut être injecté dans un espace existant entre les premiers et deuxièmes substrats 110 et 150 attachés afin d'empêcher l'exposition d'une structure stratifiée du dispositif OELD à de l'humidité et à l'air ambiant. Une couche tampon 112 peut être formée sur une surface entière du premier substrat 110 \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc- 11 décembre2003 12/30 et une couche en semi-conducteur 114 ayant une région active I, une région de source Il et une région de drain III dans chacun des souspixels SP peut être formée sur la couche tampon 112. Les régions de source et de drain II et III peuvent être disposées sur les deux côtés de la région active I, et une couche d'isolation de grille 5 116 et l'électrode de grille 118 peuvent être formées séquentiellement sur la région active I. Une première couche de passivation 124 ayant des premier et deuxième trous de contact 120 et 122 pour des parties d'exposition des régions de source et de drain II et III, respectivement, peut être formée sur la surface entière du premier substrat 10 110 sur laquelle la couche d'isolation de grille 116 et l'électrode de grille 118 peuvent être formées. Des électrodes de source et de drain 126 et 128 peuvent être formées sur la première couche de passivation 124 et peuvent être connectées électriquement aux régions de source et de drain II et III via les premier et deuxième trous de contact 120 et 122, respectivement. En plus, une deuxième couche de passivation 131 ayant 15 un troisième trou de contact 130 pour exposer une partie de l'électrode de drain 128 peut être formée sur la totalité de la surface du premier substrat 110 sur laquelle les électrodes de source et de drain 126 et 128 peuvent être formées. Une électrode de liaison 132 peut être formée sur la deuxième couche de passivation 132 et peut être reliée électriquement à l'électrode de drain 128 via le troisième trou de contact 130. 20 L'électrode de liaison 132 peut contenir une surface inférieure de la deuxième électrode 160 qui est formée sous le séparateur d'électrodes 156, de manière que du courant puisse s'écouler depuis l'électrode de drain 128 vers la deuxième électrode 160. La couche de semi-conducteur 114, l'électrode de grille 118 et les électrodes de source et de drain 126 et 128 forment un transistor en couche mince de commande T. 25 Bien que ceci ne soit pas représenté, un condensateur de stockage relié au transistor en couche mince de commande T et un transistor en couche mince de commutation relié à l'électrode de grille 118 du transistor en couche mince de commande T peuvent être en outre formés dans chacun des sous- pixels SP. La FIG. 6 est une vue en plan d'un dispositif OELD de type à panneau double 30 pris comme exemple selon la présente invention. Sur la FIG. 6, un séparateur d'électrodes 210 peut être formé sur les frontières des sous-pixels SP pour les couleurs rouge (R), vert (G) et bleu (B), et une deuxième électrode 212 peut être formée séparément dans chacun des souspixels SP par le séparateur d'électrodes 210. Le séparateur d'électrodes 210 peut comprendre une première région IV, une 35 deuxième région V et une troisième région VI. La première région IV peut servir à séparer la deuxième électrode 212 pour chacun des sous-pixels SP. La deuxième région V peut servir à directement relier l'électrode de liaison (non représentée) à la deuxième électrode 212 sous le séparateur d'électrodes 210. La troisième région VI \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc- Il décemtbre2003 -13/30 peut être disposée entre les première et deuxième régions IV et V et peut servir à empêcher tout risque de court-circuit électrique des deuxièmes électrodes 212 entre la première région IV et la deuxième région V. Le séparateur d'électrodes 210 ayant les première, deuxième et troisième régions IV, V et VI peut être formé dans un 5 corps, tel que représenté sur la FIG. 6, mais chaque région des première, deuxième et troisième régions IV, V e VI peut avoir une structure de motif différente. La FIG. 7A est une vue en coupe suivant la ligne I-I de la FIG. 6 selon la présente invention, la FIG. 7B est une vue en coupe le long de la ligne II-II de la FIG. 6 selon la présente invention et la FIG. 7C est une vue en coupe suivant la ligne 10 III-III de la FIG. 6 selon la présente invention. Les FIG. 7A, 7B et 7C correspondent aux première, deuxième et troisième régions IV, V et IV sur la FIG. 6. Sur la FIG. 7A, une première électrode 252 peut être formée sur un substrat 250 sur lequel peuvent être définis une pluralité de sous-pixels SP. Une couche d'isolation 254 et un séparateur d'électrodes 256 peuvent être formés séquentiellement sur la première 15 électrode 252 à l'intérieur de l'espace correspondant à une région de frontière de certains sous-pixels SP adjacents. Une couche photoémettrice organique 258 et une deuxième électrode 260 peuvent être formées séparément dans chacun des sous-pixels SP par le séparateur d'électrodes 256. Sur la FIG. 7A, une structure en motif du séparateur d'électrodes 256 correspondant à la première région IV et au séparateur d'électrodes correspondant à la première région IV peut avoir un motif trapézodal dont la largeur augmente, en allant d'une surface inférieure à une surface supérieure du séparateur d'électrodes 256. La couche photoémettrice organique 258 et la deuxième électrode 260 peuvent 25 être séquentiellement formées dans les sous-pixels SP sur les deux côtés du séparateur d'électrodes 256 et peuvent être séparées par le séparateur d'électrodes 256. De manière correspondante, si le matériau photoémetteur organique 257 et le deuxième matériau d'électrodes 259 sont séquentiellement formés sur le substrat 250, à l'occasion de quoi le séparateur d'électrodes 256 peut être formé, le séparateur 30 d'électrodes 256 peut fonctionner comme un masque pour empêcher que des résidus du matériau photoémetteur organique 257 et du deuxième matériau d'électrodes 259 n'entrent en contact avec la couche photoémettrice organique 258 et la deuxième électrode 260. Ainsi, le matériau photoémetteur organique 257 et le deuxième matériau d'électrodes 259 peuvent subsister sur une surface supérieure du séparateur 35 d'électrodes 256. Sur la FIG. 7B, le séparateur d'électrodes 256 peut avoir une structure asymétrique par rapport à un axe de la couche d'isolation 254, sous le séparateur d'électrodes 256. La deuxième électrode 260 peut être directement en contact avec \\HIRSCH6'BREVETS\Brevets\21800\21886.doc- Il décembre2003 -14/30 l'électrode de liaison (non représentée) dans une région de formation de séparateur d'électrodes. De manière correspondante, étant donné qu'un premier côté du séparateur d'électrodes 256 peut avoir une forme effilée, qui peut être similaire au séparateur d'électrodes 256 (sur la FIG. 7A), et qu'un deuxième côté du séparateur s d'électrodes 256 peut avoir une forme effilée, tels que des côtés opposés du séparateur d'électrodes 256, la couche photoémettrice organe 258 et la deuxième électrode 260 sur le côté gauche du séparateur d'électrodes 256 sont séparées électriquement de la couche photoémettrice organique 258 et de la deuxième électrode 260, dans un sous-pixel adjacent parmi les sous-pixels SP sur le côté droit 10 du séparateur d'électrodes 256. En plus, la couche photoémettrice organique 258 et la deuxième électrode 260 sont formées le long d'un côté latéral effilé et le long de la surface supérieure du séparateur d'électrodes 256. En outre, le séparateur d'électrodes 256 peut être formé dans une région non photoémettrice, et la deuxième électrode 260 peut être formée sur la surface supérieure du séparateur d'électrodes 256 et peut 15 directement entrer en contact l'électrode de liaison (non représentée). Ainsi, l'électrode de liaison (non représentée) peut être reliée électriquement à la deuxième électrode 260 sans former de motif de liaison additionnel entre l'électrode de liaison (non représentée) et la deuxième électrode 260, du fait que le séparateur d'électrodes 256 est formé dans la région non photoémettrice. Sur la FIG. 7C, le séparateur d'électrodes 256 peut comprendre une pluralité de portions creusées 262 espacées les unes des autres. De manière correspondante, le matériau photoémetteur organique 257 et le deuxième matériau d'électrodes 259 peuvent être formés séquentiellement sur le séparateur d'électrodes 256 et sur des portions inférieures des portions creusées 262 à l'intérieur de la troisième région VI. 25 Le matériau photoémetteur organique 257 et le deuxième matériau d'électrodes 259 formés sur le séparateur d'électrodes 256 à l'intérieur de la deuxième région V peuvent fonctionner comme couche photoémettrice organique 258 et comme deuxième électrode 260, respectivement. En plus, la portion creusée 262 peut être formée pour avoir une profondeur faisant que l'on n'expose pas la couche d'isolation 30 254, et peut être mise en motif en utilisant des processus photolithographiques tels que des processus d'exposition à diffraction. La FIG. 8 est un ordinogramme d'une séquence de fabrication donnée comme exemple pour une diode électroluminescente organique d'un dispositif OELD de type à panneau double selon la présente invention. Sur la FIG. 8, une première étape STI 35 peut comprendre la formation d'une première électrode sur un substrat sur lequel peuvent être définis une pluralité de sous-pixels. La première électrode peut être formée d'un matériau conducteur transparent tel que de l'oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO). \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886 doc- 1I décembre 2003 - 15/30 Une deuxième étape ST2 peut comprendre la formation d'une couche d'isolation et d'un séparateur d'électrodes sur la première électrode et dans une région de frontière entre un premier des sous-pixels et un sous- pixel adjacent parmi les sous-pixels. La couche d'isolation permet d'améliorer les propriétés de contact entre 5 la première électrode et le séparateur d'électrodes et peut comprendre des matériaux isolants, tel que du silicium. Par exemple, la couche d'isolation peut être formée de matériaux isolants non organiques, tels que du nitrure de silicium (SiN,) et de l'oxyde de silicium (SiO2). Le séparateur d'électrodes peut comprendre des première, deuxième et 10 troisième régions, dans lesquelles le séparateur d'électrodes correspondant à la première région peut avoir une structure effilée de façon inversée, afin de former séparément la couche photoémettrice organique et la deuxième électrode dans chacun des sous-pixels. Le séparateur d'électrodes correspondant à la deuxième région peut avoir une structure de forme asymétrique pour que l'électrode de liaison 15 établisse un contact direct avec la deuxième électrode à la région formant le séparateur d'électrodes. Le séparateur d'électrodes correspondant à la troisième région peut comprendre une pluralité de portions creusées afin d'empêcher qu'il y ait un court-circuit entre les deuxièmes électrodes dans les première et deuxième régions. Le séparateur d'électrodes peut être mis en motif en utilisant des processus photolithographiques par utilisation de processus de développement par exposition, d'un matériau de photoréserve. Le séparateur d'électrodes correspondant à la troisième région et ayant une pluralité de portions creusées peut être formé en utilisant une méthode d'exposition à diffraction dans laquelle seules des portions 25 souhaitées sont exposées sélectivement à la lumière pendant le processus d'exposition des processus photolithographiques. Plus spécifiquement, si un matériau de photoréserve de type positif, qui comprend des portions qui sont exposées à la lumière et sont éliminées après le processus de développement, est utilisé pour former le séparateur d'électrodes, ce séparateur d'électrodes correspondant à la 30 troisième région peut être formé en disposant un masque ayant un motif fendu correspondant aux portions creusées sur la photoréserve, puis en exposant le matériau de la photoréserve à la lumière. Le motif fendu correspondant aux portions creusées permet de réduire l'intensité de la lumière dans les régions correspondant aux portions creusées du séparateur d'électrodes. Le séparateur d'électrodes correspondant à la deuxième région peut avoir une structure à forme asymétrique par rapport à son axe. C'est-à-dire qu'un premier côté latéral du séparateur d'électrodes peut avoir une structure à effilement inverse faisant que la deuxième électrode correspondant au côté à effilement inverse peut être \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 16/30 séparée à proximité du côté à effilement inverse du séparateur d'électrodes. Un deuxième côté latéral du séparateur d'électrodes peut présenter une pente faisant que la deuxième électrode correspondant au côté en pente soit formée de façon continue dans le sous-pixel et soit disposée sur le côté en pente et sur une surface supérieure 5 du séparateur d'électrodes. De manière correspondante, une électrode de liaison peut être reliée électriquement à la deuxième électrode en mettant en contact direct la deuxième électrode. La structure de côté effilé du séparateur d'électrodes peut être formée en commandant la largeur de la portion de transmission de lumière et un intervalle entre 10 les portions à transmission de lumière formées dans le masque utilisé durant les processus photolithographiques. Par exemple, si un matériau de photoréserve de type positif est utilisé pour former le séparateur d'électrodes, le séparateur d'électrodes ayant un côté latéral en pente peut être formé en rétrécissant graduellement la largeur de la partie de transmission de lumière et l'intervalle entre les portions de 15 transmission de lumière, depuis une partie centrale vers une partie latérale du séparateur d'électrodes. Une troisième étape (ST3) peut comprendre une formation séquentielle d'un matériau de couche photoémettrice organique et d'un matériau de deuxième électrode sur le substrat sur lequel le séparateur d'électrodes peut être formé, formant de cette 20 manière une couche photoémettrice organique et une deuxième électrode dans chacun des sous-pixels. La couche photoémettrice organique et la deuxième électrode peuvent être formées séparément dans chacun des sous-pixels par le séparateur d'électrodes, formé dans une région de frontière entre des zones adjacentes des souspixels. La couche photoémettrice organique et la deuxième électrode, 25 correspondant à la deuxième région du séparateur d'électrodes, peuvent en outre être formées le long du côté latéral en pente et sur la surface supérieure du séparateur d'électrodes ayant la structure de forme asymétrique, de manière que l'électrode de liaison puisse directement entrer en contact avec la deuxième électrode. Bien que des parties du matériau de la couche photoémettrice organique et du matériau de la 30 deuxième électrode, en partie supérieure des séparateurs d'électrodes correspondant aux première et troisième régions, puissent ne pas fonctionner comme couche photoémettrice organique et comme deuxième électrode, respectivement, le matériau de couche photoémettrice organique et le matériau de deuxième électrode sur le séparateur d'électrodes correspondant à la deuxième région peuvent fonctionner 35 comme couche photoémettrice organique et comme deuxième électrode. Si la première électrode est une électrode d'anode et que la deuxième électrode est une électrode de cathode, alors la couche photoémettrice organique peut avoir une structure stratifiée incluant une séquence d'une couche d'injection de trous, d'une \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 17/30 couche de transport de trous, d'une couche d'émission et d'une couche de transport d'électrons. La FIG. 9 représente une vue en coupe d'un substrat de matrice donné comme exemple pour un dispositif OELD de type à panneau double selon la présente 5 invention. Sur la FIG. 9, une électrode de grille 312 et un premier motif 314, qui peuvent être espacés de l'électrode de grille 312, peuvent être formés sur un substrat 310, en utilisant un premier matériau métallique. Une couche d'isolation de grille 316 peut être formée sur la totalité de la surface du substrat 310, à l'occasion de quoi l'électrode de grille 312 et le premier motif 314 peuvent être formés. Un premier 10 motif semi-conducteur 318 peut couvrir l'électrode de grille 312 et un deuxième motif semi-conducteur 320 peut couvrir le premier motif 314 en utilisant les premier et deuxième matériaux semi-conducteurs. Par exemple, le premier motif semiconducteur 318 peut comprendre une structure stratifiée d'une couche active 318a et une couche de contact ohmique 318b, et le deuxième motif à semiconducteur 320 15 peut comprendre une structure stratifiée de première et deuxième couches 320a et 320b. La couche active 318a et la première couche 320a peuvent comprendre du silicium amorphe, et la couche de contact ohmique 318b et la deuxième couche 320b peuvent comprendre du silicium amorphe dopé par des impuretés. Les électrodes de source et de drain 322 et 324 peuvent être espacées l'une de l'autre, et peuvent être 20 formées sur la couche à contact ohmique 318b. En plus, un troisième motif 326 est formé sur le deuxième motif à semi-conducteur 320, dans lequel les électrodes de source et de drain 322 et 324 et le troisième motif 326 peuvent être formés des mêmes matériaux conducteurs. De manière correspondante, l'électrode de grille 312, le premier motif semiconducteur 318 et les électrodes de source et de drain 322 et 25 324 forment un transistor en couche mince T. Sur la FIG. 9, une intercouche 330 ayant un premier trou de contact 328 pour exposer une partie de l'électrode de source 322 peut être formée sur la totalité de la surface du substrat 310, à l'occasion de quoi les électrodes de source et de drain 322 et 324 et le troisième motif 326 peuvent être formés. Une ligne d'alimentation de 30 puissance 332 établissant le contact avec une partie de l'électrode de source 322, via le premier trou de contact 328, peut être formée sur l'intercouche 330, et un quatrième motif 336 peut être formé sur l'intercouche 330 dans un espace correspondant au troisième motif 326, par utilisation des mêmes matériaux que la ligne d'alimentation de puissance 332. Une couche de passivation 340, ayant un trou 35 de contact de drain 338, pour exposer une partie de l'électrode de drain 324, peut être formée le long de la totalité de la surface du substrat 310, à l'occasion de quoi la ligne d'alimentation de puissance 332 et le quatrième motif 336 peuvent être formés. Une électrode de liaison 342, qui établit le contact avec une partie de l'électrode de \\IHIRSCH6\BREVETS\/Brevets\21800\21886 doc - 11 décembre 2003 - 18/30 drain 324, via le trou de contact de drain 338, peut être formée sur la couche de passivation 340. Bien que ceci ne soit pas représenté, la ligne d'alimentation de puissance 332 peut servir à servir à fournir un signal d'alimentation de puissance au transistor en couche mince T. Sur la FIG. 9, une électrode de liaison 342 peut en outre être formée pour couvrir le quatrième motif 336. Une aire sur le substrat 310, à laquelle les premier, deuxième, troisième et quatrième motifs 314, 320, 326 et 336 et l'électrode de liaison 342 se chevauchent, peut former une région en saillie VII. Une première hauteur Hi de la région à saillie VII peut être supérieure à une deuxième hauteur H2 de la région 10 de transistor en couche mince TR. De manière correspondante, une deuxième électrode 160 (sur la FIG. 5), qui peut être formée au-dessous de l'électrode de séparateur 156 (sur la FIG. 5), peut entrer en contact directement avec l'électrode de liaison 342. En plus, la deuxième électrode 160 (sur la FIG. 5) peut être reliée à l'électrode de liaison 342 dans un 15 espace correspondant à la région en saillie VII. Ainsi, si la première hauteur Hi de la région en saillie VII, ayant une structure stratifiée des premier, deuxième, troisième etquatrième motifs 314, 320, 326 et 336, et que l'électrode de liaison 342 est inférieure à la deuxième hauteur H2 de la région de transistor en couche mince TR, alors le séparateur d'électrodes 156 (sur la FIG. 5), ayant une certaine hauteur, peut 20 ne pas pouvoir établir le contact avec l'électrode de liaison 342, du fait de la distance que l'on a entre l'électrode de liaison 342 et un substrat supérieur (non représenté). En plus, on a une limite dans la formation du séparateur d'électrodes 156 (sur la FIG. 5), pour avoir une certaine hauteur. Si le séparateur d'électrodes 156 (sur la FIG. 5) ne peut établir correctement le contact avec l'électrode de liaison 342, il peut 25 provoquer de mauvaises propriétés de connexion électrique entre un sous-pixel et un sous-pixel adjacent, produisant de cette manière un élément de matrice défectueux. Pour surmonter les problèmes mentionnés ci-dessus, la première hauteur Hi de la structure stratifiée correspondant à la région en saillie VII peut être formée de façon à être plus haute que la deuxième hauteur H2 de la structure stratifiée 30 correspondant à la région de transistor en couche mince TR. Les premier, deuxième, troisième et quatrième motifs 314, 320, 326 et 336 peuvent ne pas être reliés électriquement à un composant éventuel des éléments de matrice et peuvent être simultanément formés avec l'électrode de grille 312, la couche de semi-conducteur 318, les électrodes de source et de drain 322 et 324 et la ligne d'alimentation de 35 puissance, sans que l'on ait aucun processus de fabrication additionnel. Sur la FIG. 5, le transistor en couche mince T peut être un transistor en couche mince de commande, relié à la diode électroluminescente organique E. Bien que le transistor en couche mince T, ayant la structure de grille de type à échelonnement \\HIRSCH6\BREVETS'Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003- 19/30 inversé, soit représenté sur la FIG. 5, la présente invention peut être appliquée à d'autres dispositifs OELD ayant des types différents de transistors en couche mince, par exemple un transistor en couche mince ayant une structure de grille supérieure. La FIG. 10 est une vue en coupe d'un autre substrat de matrice donné comme 5 exemple pour un dispositif OELD de type à panneau plat selon la présente invention. Sur la FIG. 10, un dispositif OELD peut comprendre une région de transistor en couche mince TR qui peut avoir un transistor en couche mince T, et une région en saillie VIII, qui peut avoir un motif en saillie 442 additionnel formé afin d'augmenter la hauteur d'une structure stratifiée correspondant à la région en saillie VIII. Bien que 10 de nombreuses couches stratifiées, telles que les premier, deuxième, troisième, et quatrième motifs 314, 320, 326 et 336 (sur la FIG. 9), puissent être formées dans la région en saillie VII (sur la FIG. 9) pour relever la première hauteur Hl de la structure stratifiée, correspondant à la région en saillie VII, le motif en saillie 442 additionnel peut être formé pour relever une première hauteur HI 1 d'une structure 15 stratifiée correspondant à la région en saillie VIII. Sur la FIG. 10, le premier transistor en couche mince T peut comprendre une électrode de grille 412, une couche à semi-conducteur 418 et des électrodes de source et de drain 422 et 424, formées sur un substrat 410. Une intercouche 430, ayant un premier trou de contact 428 pour exposer une partie de l'électrode de source 20 422, peut être formée sur la totalité de la surface du substrat 410, à la suite de quoi les électrodes de source et de drain 422 et 424 peuvent être formées. Une ligne d'alimentation de puissance 432, reliée à l'électrode de source 422, via le premier trou de contact 428, peut être formée sur l'intercouche 430. Une couche de passivation 440, ayant un trou de contact de drain 438, pour exposer une partie de 25 l'électrode de drain 424, peut être formée sur la totalité de la surface du substrat 410, à la suite de quoi la ligne d'alimentation de puissance 432 peut être formée. Le motif en saillie 442, espacé du transistor en couche mince T, peut être formé sur la couche de passivation 440, dans les limites de l'espace correspondant à la région en saillie VIII. Une électrode de liaison 444, reliée à l'électrode de drain 424, via le trou de 30 contact de drain 438, peut être formée sur la couche en saillie 442 et une partie de la couche de passivation 440. Le motif en saillie 442, correspondant à la région en saillie VIII, et une première hauteur Hl 1 d'une structure stratifiée correspondant à la région en saillie VIII peuvent être supérieurs à une deuxième hauteur H22 d'une structure stratifiée 35 correspondant à la région de transistor en couche mince TR. Le motif en saillie 442 peut être formé d'un matériau isolant, tel qu'un matériau isolant organique, afin de former le motif en saillie 442 pour qu'il ait une épaisseur relativement grande. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1800\21886 doc - 1 1 décembre 2003 - 20/30 La FIG. 11 est un ordinogramme d'une autre séquence de fabrication donnée comme exemple pour un dispositif OELD de type à panneau double, selon la présente invention. Une première étape STI peut comprendre la formation d'une diode électroluminescente organique ayant une pluralité de séparateurs d'électrodes, 5 ayant des première, deuxième et troisième régions sur un deuxième substrat. Par exemple, la première étape STI peut comprendre des étapes de définition d'une pluralité de sous-pixels sur des premiers et deuxièmes substrats, la formation d'une première électrode sur le deuxième substrat, la formation d'une couche d'isolation et d'un séparateur d'électrodes sur la première électrode dans une frontière de sous10 pixels et la formation d'une couche photoémettrice organique et d'une deuxième électrode dans chaque pixel. Le séparateur d'électrodes peut comprendre des première, deuxième, et troisième régions. La première région du séparateur d'électrodes peut avoir une forme trapézodale dont les côtés latéraux opposés ont des surfaces à effilement 15 inverse. La deuxième région du séparateur d'électrodes peut avoir une forme asymétrique, dont le premier côté latéral est inversement effilé et un deuxième côté latéral est incliné. La troisième région, disposée entre les première et deuxième régions, peut avoir une pluralité de portions creusées. Le séparateur d'électrodes ayant les première, deuxième et troisième régions peut être mis en motif par une 20 méthode d'exposition à diffraction, dans laquelle l'intensité de la lumière est contrôlée sélectivement par un masque selon la largeur d'une portion de transmission de lumière et d'un intervalle entre les portions de transmission de lumière. Une deuxième étape ST2 inclut la formation d'un transistor en couche mince dans une région de transistor en couche mince et la formation d'une structure 25 stratifiée ayant une hauteur supérieure à celle de la région de transistor en couche mince, dans une région en saillie. Par exemple, une électrode de grille, une couche à semi-conducteur, une électrode de source, une électrode de drain et une ligne d'alimentation de puissance peuvent être formées durant la formation du transistor en couche mince, dans la région de transistor en couche mince. La structure stratifiée de 30 la région en saillie peut avoir une hauteur supérieure à la structure stratifiée de la région de transistor en couche mince et peut fournir une aire permettant d'établir le contact avec la deuxième région du séparateur d'électrodes et une électrode de liaison. La hauteur de la structure stratifiée de la région en saillie peut être augmentée par la formation de premier, deuxième, troisième et quatrième motifs dans la région 35 en saillie, simultanément à la formation de l'électrode de grille, de la couche à semiconducteur, de l'électrode de source, de l'électrode de drain et de la ligne d'alimentation de puissance, respectivement. En variante, la hauteur de la structure stratifiée de la région en saillie peut être augmentée par formation d'un motif en \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - Il décembre 2003 - 21/30 saillie additionnel après la formation d'une couche de passivation sur le transistor en couche mince. Le motif en saillie peut être formé de matériau isolant organique. Une troisième étape (ST3) peut comprendre la fixation des premiers et deuxièmes substrats ensemble. De manière correspondante, une couche d'éléments 5 de matrice sur le premier substrat peut être reliée électriquement à une diode électroluminescente organique sur le deuxième substrat, par établissement d'un contact d'une partie de la deuxième électrode formée dans la deuxième région du séparateur d'électrodes avec l'électrode de liaison formée sur la région en saillie. Selon la présente invention, le dispositif OELD présente les avantages suivants. 10 Premièrement, étant donné que la couche d'éléments de matrice et la diode électroluminescente organique peuvent être formées sur un substrat différent, le rendement de production, l'efficacité de la gestion de production et la durée de vie du dispositif peuvent être améliorés. Deuxièmement, étant donné que le dispositif OELD de type à panneau double peut fonctionner comme un dispositif OELD de 15 type à émission par le haut, la conception de transistor en couche mince peut être simplifiée, et un fort taux d'ouverture et une haute résolution peuvent être atteints. Troisièmement, étant donné que l'électrode de liaison peut entrer directement en contact avec la deuxième électrode formée sur le séparateur d'électrodes, des motifs de liaison additionnels pour la connexion de l'électrode de liaison à la deuxième 20 électrode peuvent ne pas être nécessaires. Quatrièmement, étant donné que l'électrode de liaison peut être reliée à la deuxième électrode à la région de formation de séparateur d'électrodes dans la région non photoémettrice, on peut éviter que la région photoémettrice soit endommagée. Cinquièmement, étant donné que des structures stratifiées dans la région en saillie ayant des premier, deuxième, troisième 25 et quatrième motifs peuvent être formées simultanément à l'électrode de grille, à la couche à semi-conducteur, aux électrodes de drain et de source et à la ligne d'alimentation de puissance, respectivement, la hauteur de la structure stratifiée à l'intérieur de la région de transistor en couche mince peut être augmentée. Ainsi, des propriétés de connexion électrique entre l'électrode de liaison et la deuxième 30 électrode, et entre les éléments de matrice dans un sous-pixel et l'élément de matrice dans un sous-pixel adjacent, peuvent être améliorées, augmentant de cette manière le rendement de production. Sixièmement, étant donné que la hauteur de la région en saillie peut être augmentée par formation d'un motif en saillie sur la couche de passivation à l'intérieur de l'espace correspondant à la région en saillie, plutôt que par 35 formation de motifs stratifiés dans la région en saillie, les propriétés de contact entre l'électrode de liaison et la deuxième électrode, et entre les éléments de matrice dans un sous-pixel et l'élément de matrice dans un sous-pixel adjacent, peuvent être améliorées de manière à augmenter le rendement de production. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 22/30 Il est évident à l'Homme de l'art que diverses modifications et variations peuvent être apportées dans le dispositif d'affichage électroluminescent organique de type à panneau double et le procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent organique de type à panneau double de la présente invention sans 5 quitter l'esprit ou le champ de l'invention. Il est ainsi entendu que la présente invention couvre les modifications et les variations de cette invention sachant qu'elles se situent dans le champ des revendications annexées et de leurs équivalents. \'HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 23/30 REVENDICATIONS 1. Un dispositif d'affichage électroluminescent (ELD) organique, comprenant: - des premiers et deuxièmes substrats (110, 150) ayant une pluralité de souspixels (SP) définis sur eux; - une couche d'éléments de matrice (140) sur le premier substrat (110), ayant une pluralité de transistors en couche mince, correspondant à chacun des sous-pixels (SP); - une électrode de liaison (132) sur la couche d'éléments de matrice (140) , connectée à l'un des transistors en couche mince; - une première électrode (152) sur une surface intérieure du deuxième substrat (150); une couche d'isolation (154) et un séparateur d'électrodes (156), formés dans une région de frontière de chacun des sous-pixels (SP), la couche d'isolation (154) étant formée au-dessous de la première électrode (152) et le séparateur d'électrodes (156) étant formé au-dessous de la couche d'isolation (154); et - une couche photo-émettrice organique et une deuxième électrode (160) formée dans chacun des sous-pixels (SP); dans lequel le séparateur d'électrodes (156) comprend une première région ayant une structure de motif pour former séparément la couche photo-émettrice organique et la deuxième électrode (160) dans chacun des sous-pixels (SP), une deuxième région ayant une structure en motif pour mettre en contact directement l'électrode de liaison (132) à la deuxième électrode (160), sous le séparateur d'électrodes (156), et une 25 troisième région ayant une structure de motif pour empêcher d'avoir un court-circuit électrique entre une partie de deuxième électrode (160) se trouvant dans la première région et une partie de deuxième électrode (160) se trouvant dans la deuxième région, et dans lequel la deuxième électrode (160) est formée dans un espace correspondant à la 30 deuxième région, est en contact avec l'électrode de liaison (132). 2. Le dispositif selon la revendication 1, dans lequel le séparateur d'électrodes (156) de la première région est d'une forme trapézodale ayant une largeur augmentant graduellement depuis une surface inférieure et une surface 35 supérieure, le séparateur d'électrodes (156) de la deuxième région ayant une forme asymétrique ayant un premier côté latéral à effilement inverse et un deuxième côté latéral incliné en direction du premier côté latéral, et le séparateur d'électrodes (156) de la troisième région présente une pluralité de portions creusées. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21 800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 24/30 3. Le dispositif selon la revendication 2, dans lequel les séparateurs d'électrodes des deuxième et troisième régions sont formés par un procédé d'exposition par diffraction. 4. Le dispositif selon la revendication 1, dans lequel les première et deuxième électrodes et la couche photo-émettrice organique forment une diode électroluminescente organique, et le transistor en couche mince comporte une électrode de grille, une couche à semi-conducteur, et des électrodes de source et de drain, dans lequel le transistor en couche mince est un transistor en couche mince de 10 commande, pour fournir un courant à la diode électroluminescente organique, et l'électrode de liaison (132) est reliée électriquement à l'électrode de drain. 5. Le dispositif selon la revendication 4, comprenant en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée sur le premier substrat (110), dans lequel une 15 hauteur de la structure stratifiée est supérieure à une hauteur de la couche d'éléments de matrice (140), et l'électrode de liaison (132) étant en contact avec la deuxième électrode (160), sur la région en saillie. 6. Le dispositif selon la revendication 5, dans lequel des premier, deuxième et troisième motifs présentent des motifs en forme d'îlots, et sont formés simultanément à l'intérieur de la région en saillie lors de la formation de l'électrode de grille, de la couche à semi-conducteur, et des électrodes de source et de drain, respectivement, en utilisant les mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, et les électrodes de source et de drain. 25 7. Le dispositif selon la revendication 6, comprenant en outre une ligne d'alimentation de puissance reliée à l'électrode de source, et un quatrième motif sur le troisième motif, dans lequel le quatrième motif et la ligne d'alimentation de puissance sont formés simultanément en utilisant les mêmes matériaux. 30 8. Le dispositif selon la revendication 1, comprenant en outre une couche de passivation ayant un trou de contact de drain, exposant une partie de l'électrode de drain, un motif en saillie sur la couche de passivation à l'intérieur de la région en saillie, et une électrode de liaison (132) sur le motif en saillie, dans lequel l'électrode 35 de liaison (132) entre en contact avec l'électrode de drain via le trou de contact de drain. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886 doc - 11 décembre 2003 - 25/30 9. Le dispositif selon la revendication 8, dans lequel le motif en saillie est formé d'un matériau isolant. 10. Le dispositif selon la revendication 9, dans lequel le matériau isolant comprend un matériau isolant organique. 11. Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage électroluminescent (ELD) organique, ayant un premier substrat (110) comprenant une couche d'éléments de matrice (140) comprenant un transistor en couche mince, 10 un deuxième substrat (150) ayant une diode électroluminescente organique et une électrode de liaison (132) entre les premiers et deuxièmes substrats (110, 150), le procédé comprenant: - la formation d'une première électrode (152) sur le deuxième substrat (150), ayant une pluralité de sous-pixels (SP); - la formation d'une couche d'isolation (154) et d'un séparateur d'électrodes (156) dans les limites d'une frontière de chacun des sous-pixels (SP); et - la formation d'une couche photo-émettrice organique et d'une deuxième électrode (160) dans chacun des sous-pixels (SP) séparés par le séparateur d'électrodes (156), dans lequel le séparateur d'électrodes (156) comprend une première région ayant une forme trapézodale avec une largeur allant graduellement en augmentant en partant d'une surface inférieure et d'une surface supérieure, une deuxième région ayant une forme asymétrique avec un premier côté latéral à effilement inverse et un deuxième côté latéral incliné en direction du premier côté latéral, et une troisième région ayant 25 une pluralité de portions creusées, espacées les unes des autres et disposées entre les première et deuxième régions, et dans lequel la deuxième électrode (160) est formée dans un espace correspondant à la deuxième région et est en contact avec l'électrode de liaison (132). 12. Le procédé selon la revendication 11, comprenant en outre la fixation des premiers et deuxièmes substrats (110, 150) ensemble après avoir formé la couche photo-émettrice organique et la deuxième électrode (160), dans lequel les première et deuxième substrats sont interconnectés électriquement par établissement d'un contact de l'électrode de liaison (132) avec la deuxième électrode (160). 35 13. Le procédé selon la revendication 11, dans lequel le séparateur d'électrodes (156) est formé par une méthode d'exposition en diffraction. \\HIRSCH6\BREVETS\Bre,,ets2 1800\21 886.doc - 11 décembre 2003 - 26/30 14. Le procédé selon la revendication 13 dans lequel le séparateur d'électrodes (156) de la deuxième région est formé en commandant les largeurs des portions des transmissions de lumière et les intervalles entre les portions de transmission de lumière d'un masque pour la méthode d'exposition par diffraction. 15. Le procédé selon la revendication 13 dans lequel le séparateur d'électrodes (156) de la troisième région est formé par la méthode d'exposition en diffraction, en utilisant un masque ayant un motif fondu correspondant à la portion creusée. 16. Le procédé selon la revendication 11 dans lequel le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, une électrode à semi- conducteur, une électrode de source, une électrode de drain et une ligne d'alimentation de puissance. 17. Le procédé selon la revendication 16 dans lequel la couche d'éléments de matrice (140) comprend en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée ayant une hauteur supérieure à une hauteur du transistor en couche mince, et l'électrode de liaison (132) étant en contact avec la deuxième électrode (160), sur 20 la région en saillie. 18. Le procédé selon la revendication 17 comprenant en outre la fixation des premiers et deuxièmes substrats (110, 150) ensemble après formation de la couche photoémettrice organique (158) et de la deuxième électrode (160), dans 25 lequel les premiers et deuxièmes substrats (110, 150) sont interconnectés électriquement par établissement d'un contact entre l'électrode de liaison (132) et la deuxième électrode (160), sur la région en saillie. 19. Le procédé selon la revendication 17 dans lequel la structure stratifiée 30 de la région en saillie présente des premier, deuxième, troisième et quatrième motifs se chevauchant les uns les autres, formés simultanément à l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, les électrodes de source et de drain et la ligne d'alimentation de puissance faisant utilisation des mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, les électrodes de source et de drain et la ligne 35 d'alimentation en puissance, respectivement. 20. Le procédé selon la revendication 17 comprenant en outre la formation d'une couche de passivation ayant un trou de contact de drain pour exposer \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 27/30 une portion de l'électrode de drain sur le transistor en couche mince, et la formation d'un motif en saillie sur la couche de passivation dans un espace correspondant à la région en saillie. 21. Le procédé selon la revendication 20 dans lequel le motif en saillie comprend un matériau isolant organique. 22. Un procédé de fabrication d'un dispositif de fichage électroluminescent (ELD) organique, comprenant; - la formation d'une couche d'éléments de matrice (140) ayant une pluralité de transistors en couche mince sur un premier substrat (110) sur lequel est définie une première pluralité de sous-pixels (SP); - la formation d'une électrode de liaison (132) reliée au transistor en couche mince sur la couche d'éléments de matrice (140); - la formation d'une première électrode (152) sur un deuxième substrat (150) sur lequel une deuxième pluralité de sous-pixels (SP) est définie, correspondant à la première pluralité de sous-pixels (SP); - la formation d'une couche d'isolation (154) et d'un séparateur d'électrodes (156) dans une frontière de chacun de la première et deuxième pluralités de 20 sous-pixels (SP); - la formation d'une couche photoémettrice organique (158) et d'une deuxième électrode (160) dans chacune des première et deuxième pluralités de souspixels (SP) séparées par le séparateur d'électrodes (156) ; et - la fixation ensemble des premiers et deuxièmes substrats (110, 150), dans lequel le séparateur d'électrodes (156) comporte une première région ayant une forme trapézodale avec une largeur allant graduellement en augmentant en partant d'une surface inférieure et en allant vers une surface supérieure, une deuxième région ayant une forme asymétrique avec un premier côté latéral à forme inversée et un deuxième côté latéral incliné en direction du premier côté latéral, et une troisième 30 région ayant une pluralité de portions creusées espacées les unes des autres et disposées entre les première et deuxième régions, et dans lequel la deuxième électrode (160) est formée dans un espace correspondant à la deuxième région et est en contact avec l'électrode de liaison (132). 23. Le procédé selon la revendication 22, dans lequel le séparateur d'électrodes (156) est formé par une méthode à exposition par diffraction. \\IfRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc- 11 décemnbre 2003 -28/30 24. Le procédé selon la revendication 23, dans lequel le séparateur d'électrodes (156) de la deuxième région est formé en commandant les largeurs des portions de transmission de lumière et les intervalles entre les portions de transmission de lumière d'un masque pour la méthode d'exposition par diffraction. 25. Le procédé selon la revendication 23, dans lequel le séparateur d'électrodes (156) de la troisième région est formé par la méthode d'exposition à diffraction avec utilisation d'un masque ayant un motif fendu correspondant à la partie en creux. 26. Le procédé selon la revendication 22, dans lequel le transistor en couche mince comprend une électrode de grille, une couche à semiconducteur, une électrode de source, une électrode de drain et une ligne d'alimentation en puissance. 27. Le procédé selon la revendication 26, dans lequel la couche d'éléments de matrice (140) comprend en outre une région en saillie ayant une structure stratifiée ayant une hauteur supérieure à une hauteur du transistor en couche mince et l'électrode de liaison (132) étant en contact avec la deuxième électrode (160), sur la région en saillie. 28. Le procédé selon la revendication 27, dans lequel la structure stratifiée de la région en saillie comprend des premier, deuxième, troisième et quatrième motifs se chevauchant les uns les autres qui sont formés simultanément à l'électrode de grille à la couche semi-conductrice, aux électrodes de source et de drain et à la 25 ligne d'alimentation de puissance en faisant utilisation des mêmes matériaux que l'électrode de grille, la couche à semi-conducteur, les électrodes de source et de drain et la ligne d'alimentation en puissance respectivement. 29. Le procédé selon la revendication 27, comprenant en outre la 30 formation d'une couche de passivation ayant un trou de contact de drain permettant d'exposer une partie de l'électrode de drain sur le transistor en couche mince, et de former un motif en saillie sur la couche de passivation, dans un espace correspondant à la région en saillie. 30. Le procédé selon la revendication 30, dans lequel le motif en saillie comprend un matériau isolant organique. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21800\21886.doc - 11 décembre 2003 - 29/30