Brevet FR2850172A1 — publié le 20040723

Dispositif de modulation spatiale de lumière à cristal liquide et à contre électrode à structure de matrice active, applications et procédé de conception correspondants. Le domaine de l'invention est celui des télécommunications optiques, du traitement optique du signal et de la visualisation. Plus précisément, l'invention concerne un dispositif de modulation spatiale de lumière rapide à cristal liquide et son procédé de conception. Un tel dispositif s'applique notamment, mais non exclusivement, aux applications de visualisation de grands afficheurs alpha-graphiques utilisés en 10 extérieur, à la déflexion de faisceau pour la commutation optique en espace libre, ou encore à l'interconnexion optique. L'utilisation des cristaux liquides est très répandue pour la réalisation de dispositifs d'affichage, dans lesquels un ensemble de tensions de valeur ajustable est appliqué sur différentes zones élémentaires d'une cellule à cristal liquide. 15 Selon l'architecture optique requise, une telle cellule est habituellement constituée d'une épaisseur de quelques microns d'un matériau du type cristal liquide confiné entre deux lames de verre ou d'un substrat et sur lesquelles sont déposées des électrodes conductrices qui sont donc, soit transparentes, soit non-transparentes. Dans ce type d'architecture, l'affichage d'une information optique s'obtient par 20 exploitation de la variation de certaines propriétés optiques du cristal liquide en fonction de la valeur de la tension ou du champ électrique qui lui est appliquée. A titre d'exemple illustratif, concernant l'utilisation d'un cristal liquide nématique en hélice (ou TN), l'effet optique utilisé est la variation de la polarisation de la lumière à la traversée du dispositif, en fonction de la tension appliquée aux bornes 25 du cristal liquide. Ainsi, l'utilisation de cet effet électro-optique dans un polariseur aura pour effet d'afficher du noir, du blanc, ou encore différents niveaux de gris. D'une manière plus générale, une grande variété de configurations électrooptiques et de cristaux liquides peut être utilisée dans la réalisation de modulateurs spatiaux de lumière, qu'il soient dédiés à la visualisation, au traitement optique de 30 l'information ou encore, aux communications optiques. Selon une technique connue de l'art antérieur, une des électrodes du dispositif sert à délimiter les zones élémentaires (ou pixels) de la cellule qui peuvent être adressées de manière indépendante. Cette délimitation se fait par une gravure appropriée des conducteurs. Une électrode de commande permet par ailleurs le 5 contrôle des tensions appliquées à ces conducteurs. Généralement, une seconde électrode, ou contre-électrode, est utilisée pour fixer une référence de tension sur la face opposée du cristal. La figure 1 illustre un afficheur classique à sept segments en mode transmissif, de type cellule à cristal liquide. Une telle cellule comprend généralement une électrode gravée 11 comprenant sept segments 12 10 constitués d'oxyde d'indium et d'étain (ITO), une contre-électrode 13, une épaisseur d'un cristal liquide 14 confiné entre l'électrode 11 et la contre-électrode 13, ainsi qu'un générateur de tension 15. De cette façon, suivant qu'une tension de courant électrique est appliquée à tout ou partie des segments 12 d'ITO de l'électrode gravée 11, on obtient un affichage lisible 17 par application d'un rétro 15 éclairage 16. Le choix d'une technologie spécifique de cristal liquide s'effectue en fonction des critères propres à chaque application. Parmi ces critères, le temps de réponse de l'effet électro-optique est un paramètre souvent considéré comme essentiel. Dans le cas particulier des cristaux liquides nématiques, qui sont de loin les plus répandus sur le plan industriel, il y a lieu de distinguer deux temps de réponse. Le premier temps de réponse, dit temps de montée, est mesuré lors du passage d'une tension appliquée nulle aux bornes du cristal liquide à une tension 25 supérieure à la tension de seuil, à partir de laquelle un effet électro-optique est observé. Selon un mode de calcul connu de l'art antérieur, la valeur de ce temps de montée est, pour une tension suffisamment élevée par rapport au seuil, proportionnelle au carré de l'épaisseur de cristal liquide et à l'inverse de la tension appliquée. Ainsi, plus la valeur de la tension est élevée, plus le temps de montée 30 est rapide, et réciproquement. A titre d'exemple, pour une cellule à cristal liquide nématique à alignement parallèle, le temps de montée est mesuré à 700 ms pour une tension appliquée de 0.5 V, contre 20 ms lorsque cette tension appliquée est de 5 V. A l'inverse, le second temps de réponse, dit temps de descente, est observé lorsque la tension aux bornes du cristal liquide est brutalement ramenée à zéro. 5 Toujours selon un mode de calcul connu de l'art antérieur, le temps de descente correspond en première approximation au carré de l'épaisseur de cristal liquide. Il est en outre indépendant des tensions. Ainsi, dans le cas d'une cellule à alignement parallèle, un temps de descente de 180 ms est mesuré pour une épaisseur de cristal liquide de 8 lim, contre 100 ms pour une épaisseur de cristal 10 liquide de 5 gim. Différentes solutions technologiques visant à répondre au problème d'optimisation des temps de réponse des cristaux liquides dans les dispositifs d'affichage ont été proposées. D'une manière générale, elles sont compatibles avec les fréquences d'affichage de l'ordre de plusieurs dizaines de Hertz 15 (typiquement 60 Hz) nécessaires à un bon confort visuel. Cependant, les valeurs maximales de temps de réponse admissibles pour les applications du domaine des télécommunications sont généralement dépendantes de l'application considérée, et plus précisément, de la fonction assurée par le dispositif à cristal liquide et du contexte de son utilisation. Par exemple, dans le 20 cas d'une utilisation de tels dispositifs à cristal liquide dans un brasseur de canaux optiques, dédié notamment au re-routage de ces canaux dans des situations de panne de certains des systèmes de transmission associés, le temps de réponse requis ne doit pas excéder plus d'une fraction du temps total nécessaire au calcul des nouvelles connexions à établir. Ainsi, conformément aux exigences des 25 différentes opérateurs de télécommunications et de façon cohérente avec la connaissance actuelle des algorithmes de routage, ce temps de réponse est considéré comme sensiblement inférieur à 50 ms. Or, dans le cas d'une utilisation de cristaux liquides du type nématique pour de tels dispositifs d'un brasseur de canaux optiques, l'objectif d'optimisation du 30 temps de réponse devant être sensiblement inférieur au seuil prédéterminé de 50ms, est très difficile à atteindre. En effet, dans le cas d'une utilisation d'un cristal liquide nématique dans le domaine des télécommunications, la longueur d'onde de fonctionnement passe du visible (autour de 0.5 gm) à l'infra-rouge (autour de 1,55 gm). Une solution possible pour obtenir un effet optique suffisant pour effectuer un traitement de 5 l'information peut consister en l'accroissement de l'épaisseur du cristal liquide dans une proportion sensiblement égale à la longueur d'onde de fonctionnement. En effet, la biréfringence du cristal liquide décroît avec la longueur d'onde de fonctionnement. Or, selon la formule de calcul précitée, relative à l'obtention du temps de descente, plus l'épaisseur de cristal liquide est importante, plus la valeur 10 de ce temps de descente est importante. En outre, l'augmentation de l'épaisseur de cristal liquide influera de façon négative sur la valeur du temps de montée, nécessitant ainsi l'application d'une tension plus élevée aux bornes du cristal liquide pour maintenir la valeur du temps de montée. La contre-partie d'une telle augmentation de l'épaisseur du cristal liquide réside ainsi dans l'accroissement 15 important du temps de réponse global du dispositif, accroissement contraire à l'objectif recherché. Tel qu'illustré sur la figure 2, dans le cas de l'utilisation d'un cristal liquide nématique 21 pour engendrer des rampes de phase 22 destinées à défléchir un faisceau 23 issu d'une fibre optique, l'accroissement de l'épaisseur du cristal 20, liquide 21 est également pénalisant. En effet, ces rampes de phase nécessitent également via les électrodes 26 et/ou la contre-électrode 27, l'application sur une partie des zones élémentaires (pixels) d'une tension 25 voisine du seuil prédéterminé, cette contrainte contribuant alors à la dégradation du temps de réponse global du dispositif. A titre d'exemple, pour une cellule diffractive dont le 25 pas du réseau est constitué de 6 électrodes consécutives sur lesquelles on applique des tensions de 0V, 1.55V, 1.58V, 1.89V, 2.2V et 3.2V, des temps de réponse de 20 secondes pour établir complètement le réseau de diffraction sont mesurés, le temps de descente associé étant alors de 150 ms. Une solution technique connue et proposée, du fait également du grand 30 nombre de cellules à adresser consiste à utiliser un adressage par matrice-active. La figure 3 illustre une matrice active composée de pixels 31 adressés via des transistors en couche mince 32 (TFT pour " Thin Film Transistor " en anglais) par une matrice de colonnes 33 et de lignes 34. La figure 4 présente le schéma électrique équivalent de la matrice active de la figure 3. Suivant ce schéma, la 5 tension appliquée au cristal liquide nématique est une tension alternative, ce matériau ne réagissant qu'à la tension efficace qui lui est appliquée. L'adressage des pixels d'une telle matrice est effectué séquentiellement ligne à ligne, selon le processus suivant. Les tensions sont appliquées aux colonnes 41 par des circuits spécifiques. Les transistors 42 d'une ligne 43 sont rendus passant en appliquant 10 une tension positive uniquement sur cette ligne. La tension d'une colonne est transférée au pixel 44 situé à l'intersection de la colonne 41 et de la ligne positive 43, via son transistor 42. Ensuite, le transistor en couche mince est rendu bloquant par l'application d'une tension négative sur la ligne 43. Le processus est ensuite répété ligne à ligne. On appelle " durée trame ", le temps nécessaire à l'adressage 15 de toutes les lignes et " durée ligne ", le temps nécessaire à l'adressage d'une ligne. Il existe deux techniques connues de l'art antérieur pour générer une tension alternative. Dans une première technique, appelée alternat à contre-électrode constante, 20 la contre-électrode est conservée à un potentiel fixe de référence (par exemple la masse) et l'électrode voit son potentiel alterner entre deux tensions symétriques à la tension de référence. En signal carré symétrique, la tension efficace est alors égale à la moitié de la tension pic-pic. Dans une seconde technique, dite à alternat contre-électrode, des tensions 25 alternatives sont appliquées sur l'électrode et sur la contre électrode, mais en opposition de phase. Un intérêt particulier de l'alternat contre-électrode est qu'il permet de délivrer la même tension efficace que l'alternat à contre-électrode constante, avec une tension maximum égale à la moitié de la tension nécessaire dans la première configuration. Dans le cas précis d'une matrice active, l'alternat 30 est produit, soit à la fréquence trame, soit à la fréquence ligne. La figure 5 illustre le chronogramme des tensions de fonctionnement d'une matrice active simple de 625 lignes en mode vidéo. Dans ce cas particulier, un pixel 51 prend le potentiel de sa colonne 52 quand la ligne 53 rend le transistor TFT passant (54). Ensuite, une tension négative 55 sur la ligne bloque le transistor 5 TFT, la charge étant maintenue aux bornes du pixel, jusqu'à l'alternat 54 suivant (aux pertes près du cristal liquide). La nouvelle tension appliquée 57 est, dans ce cas, inverse de la tension précédente 56. Le chronogramme de la figure 5 montre un alternat colonne à la fréquence trame qui permet de délivrer aux bornes d'une zone élémentaire (ou pixel) une tension efficace égale à la moitié de la tension 10 colonne pic, soit typiquement 5 Veff. Par ailleurs, des circuits intégrés spécifiques ou drivers, sont connectés aux lignes et aux colonnes des matrices actives pour lesquelles les tensions lignes varient de -5 V à +15V et les tensions colonnes de -5 V à +5 V. Si la tension de la contre-électrode est en opposition de phase par rapport à 15 la tension colonne et alternée, par exemple, à la fréquence ligne, alors la tension efficace aux bornes du cristal liquide sera doublée, pouvant atteindre 10 Veff. Ces valeurs sont typiques des matrices actives de transistors TFT sur verre. Par ailleurs, dans le cas particulier de l'utilisation d'un cristal liquide sur silicium, ou LCOS (pour " Liquid Crystal On Silicon ", en anglais), les tensions applicables 20 aux zones élémentaires, ou pixels, sont de l'ordre de 5 V ou de 3.3 V, selon la technologie du circuit utilisée. Les techniques d'adressage de telles matrices actives uniques, selon l'art antérieur, montrent ainsi clairement qu'il n'est pas possible de délivrer des impulsions de tension de 15 à 20 Veff nécessaires à l'obtention de temps de 25 réponse courts. Ceci est d'autant plus vrai pour les LCOS dont la technologie de circuit intégré sur silicium limite les tensions utiles à seulement 5V. Plusieurs techniques connues visant à répondre à ces contraintes de diminution ou d'optimisation des temps de réponse ont été étudiées et proposées. Une première technique consiste à utiliser une cellule à cristal liquide en 30 réflexion, lorsque l'architecture optique le permet. L'épaisseur de cristal liquide est ainsi divisée par 2, avec pour conséquence une réduction d'un facteur quatre des temps de montée et de descente. L'inconvénient majeur de cette technique réside dans le fait que toutes les applications ne permettent pas d'utiliser une telle cellule en réflexion. Une seconde technique consiste à optimiser la composition du cristal liquide 5 lui-même. En effet, il est possible pour un fabricant de cristaux liquides de jouer sur des paramètres aussi variés que la viscosité, l'anisotropie optique, ou encore l'anisotropie diélectrique. L'inconvénient majeur de cette approche réside dans le fait que les modifications apportées à ces paramètres amènent généralement des évolutions opposées aux objectifs d'affichage et/ou d'optimisation des temps de 10 réponse. Par exemple, l'augmentation du phénomène d'anisotropie optique est généralement réalisée en utilisant des molécules chlorées ou fluorées. Or, ces dernières présentent des viscosités plus élevées que les molécules cyanobiphéniles habituellement utilisées, avec pour contre-partie une faible diminution des temps de réponse. Une troisième technique dédiée à l'amélioration de la réponse temporelle d'une cellule à cristal liquide nématique consiste à appliquer une impulsion brève de forte tension (quelques millisecondes). Elle repose sur l'effet nématique transitoire. De façon plus précise, l'application initiale d'une tension élevée, commune à toutes les zones élémentaires (ou pixels) d'une matrice active 20 d'électrode, permet de mettre en mouvement plus rapidement les molécules de cristal liquide. Au bout de quelques millisecondes, cette première tension d'impulsion est ensuite remplacée par d'autres tensions appliquées en continu à l'électrode. Ainsi, les molécules de cristal liquide atteignent leur équilibre beaucoup plus rapidement qu'avec un adressage classique. La mise en oeuvre de 25 cette approche dans le cas d'un déflecteur de faisceau à cristal liquide nématique a été étudiée en détail par A. Tan et son équipe dans l'article " Amélioration du temps de réponse d'une cellule à rampe de phase à cristal liquide nématique adressé électriquement " (ou " Improvement of response time of electrically addressed nematic crystal blazed gratings ", en anglais), publié en 2000, dans les 30 actes de la conférence " Optics in computing " (Vol. 4089, pp. 208-218). Dans cet article, une cellule à rampe de phase est adressée selon les tensions classiques (6 électrodes consécutives à 0.9 V, 1.62 V, 1.88 V, 2.35 V, 3.15 V et 5 V, respectivement). Elle présente un temps de montée de 190 ms si aucune impulsion n'est appliqué. La même cellule présente en revanche un temps de montée de seulement 40 ms dans le cas o une impulsion de 10 V lui est appliqué pendant 5 une durée de 6 ms. Cette technique apporte donc un gain de 4,5. En outre, il a été montré que la technique de l'impulsion devient vraiment efficace quand la valeur de la tension d'impulsion provisoire atteint 3 à 4 fois la tension d'adressage normale (soit une impulsion de 15 à 20 V). Cette tension est appliquée par le biais de l'électrode de commande. L'adressage par les électrodes offre pour avantage 10 principal de procurer une très grande flexibilité d'adressage. En effet, de façon générale, des impulsions de tension peuvent être appliquées à n'importe quel groupe de zones élémentaires (ou pixels). Cependant, elle oblige à insérer ces impulsions de tension directement au sein des signaux de commande des pixels et impose donc en contre-partie une borne supérieure à la valeur de cette tension 15 transitoire, du fait des caractéristiques des composants utilisés dans l'électrode de commande. A titre d'exemple, lorsque cette électrode comprend un circuit intégré sur silicium, la tension maximale est de l'ordre de 5, 3.3 ou 2.5 Volts, suivant la technologie du circuit intégré. Un inconvénient de cette technique d'adressage via l'électrode provient du fait que la limitation de la tension maximale autorisée ne 20 permet pas d'appliquer une impulsion de tension suffisante nécessaire à l'optimisation du temps de réponse. Une alternative connue de l'art antérieur à l'application d'une impulsion de tension via l'électrode consiste à utiliser la contre-électrode pour s'affranchir de la contrainte précitée, mais au détriment de la souplesse d'adressage. Il est en effet 25 possible d'isoler par gravure les portions de la contre-électrode, reliées chacune à une source de tension externe, tel que décrit dans l'article de A. Lelah et son équipe intitulé en anglais " A CMOS VLSI Pilot and Support Chip for a Liquid Crystal on Silicon 8x8 Optical Cross-Connect ", et publié en 2001 dans les actes de la conférence SPIE: Wave Optics and VLSI Photonic Devices for Information 30 Processing (Vol. 4435, pp. 173-183). Cependant, cette approche n'est possible que pour des zones dont l'accès électrique est aisé, l'objectif étant de générer une impulsion de tension par zone gravée. Le principal inconvénient de cette technique réside donc dans le fait qu'elle se prête mal aux structures de modulateurs de haute définition, en particulier les modulateurs spatiaux à deux dimensions, les plus utilisés aujourd'hui. En effet, les pistes permettant l'accès aux zones gravées sur la 5 contreélectrode sont autant de surface perdue pour l'effet électro-optique. Cette technique est notamment incompatible avec les circuits réflectifs de haute définition de type LCOS. On ne connaît pas à ce jour, dans l'art antérieur, de structure particulière de modulateur spatial de lumière à cristal liquide, ni même de technique spécifique 10 d'adressage électrique intrinsèque à un tel modulateur, qui permettraient d'optimiser les temps de réponse sans altérer d'une manière quelconque le ou les effets électro-optiques recherchés. L'invention a notamment pour objectif de pallier ces inconvénients principaux de l'art antérieur. Plus précisément, un objectif de l'invention est de fournir un dispositif de modulation spatiale de la lumière qui puisse offrir des temps de réponse réduits (préférentiellement dans un rapport d'au moins quatre), par rapport aux techniques et technologies connues selon l'art antérieur, sans altération de l'effet électrooptique recherché. Un autre objectif de l'invention est de fournir un tel dispositif structuré en cellule à cristal liquide, qui soit utilisable en réflexion. Un objectif supplémentaire de l'invention est de fournir un tel dispositif ne nécessitant pas de variation de l'épaisseur de la couche de cristal liquide utilisée pour obtenir un bon compromis: temps de réponse - effet électro-optique désirés. 25 Encore un autre objectif de l'invention est de fournir un tel ne nécessitant aucune modification préalable des paramètres du cristal liquide choisi. Un objectif supplémentaire de l'invention est de fournir un tel dispositif disposant d'une technique d'adressage électrique autorisant à la fois l'application d'une forte impulsion de tension qui soit non limitée en valeur maximale, et une 30 souplesse dans l'adressage des zones élémentaires (ou pixels). Enfin, un dernier objectif de l'invention est de fournir un tel dispositif qui se prête bien aux structures de modulateurs de haute définition, en particulier les modulateurs spatiaux à deux dimensions, et qui soit compatible avec les circuits réflectifs de haute définition de type " cristal liquide sur silicium (LCOS - pour " Liquid Crystal On Silicon " en anglais). Ces objectifs, ainsi que d'autres qui apparaîtront par la suite sont atteints à l'aide d'un dispositif de modulation spatiale de lumière à cristal liquide comprenant au moins une électrode de commande structurée sous la forme d'une première matrice active définissant une pluralité de premières zones élémentaires, 10 et au moins une contre-électrode également structurée sous la forme d'une seconde matrice active définissant une pluralité de secondes zones élémentaires Le principe général de l'invention consiste donc à utiliser dans une cellule à cristal liquide jouant le rôle d'un modulateur spatial de lumière, une électrode de commande structurée sous la forme d'une matrice active et une contre-électrode 15 également structurée sous la forme d'une matrice active, ces dernières possédant toutes deux une pluralité de zones élémentaires. En effet, une contre-électrode classique avec des zones gravées reliées à l'électronique périphérique par autant de pistes qu'il y a de zones gravées, ne permet pas d'utiliser le maximum de la surface de la matrice active de l'électrode. Préférentiellement, le dispositif selon l'invention comprend des premiers moyens d'application d'une tension d'impulsion électrique à ladite électrode et/ou à ladite contre-électrode. Ce type de contre-électrode permet d'appliquer sur une partie du modulateur spatial de lumière une impulsion brève de tension de façon à raccourcir son temps de réponse, tout en assurant l'effet électro-optique requis. La 25 structure à double matrice active électrode et contre-électrode, selon l'invention, permet en effet de générer une impulsion de tension aux bornes du cristal liquide. L'impulsion de tension a une amplitude très supérieure au maximum de tension délivré par le circuit d'adressage des pixels électrode. Cette impulsion est appliquée via une contre électrode à matrice active. Grâce à cette contre-électrode à matrice active, l'impulsion de tension peut être appliquée sélectivement en regard des seuls pixels concernés par un changement d'état. De façon avantageuse, les moyens d'application d'une tension d'impulsion appliquent sélectivement l'impulsion de tension électrique à une région définie par au moins une des zones élémentaires de l'électrode et/ou de la contre-électrode. L'utilisation d'une contre-électrode à matrice active permet d'appliquer localement l'impulsion brève de tension électrique, en regard des seules zones élémentaires (ou pixels) concernées par un changement d'état. L'électronique périphérique permet de définir la ou les zones élémentaires de la contre-électrode 10 concernée(s) par le passage du faisceau optique. Dans un mode de réalisation particulier, la zone élémentaire adressée commute alors en alternat contreélectrode et une tension maximale peut ensuite être délivrée via les connecteurs joignant l'électronique d'adressage périphérique avec les colonnes de la matrice active de la contre-électrode. Les zones élémentaires de la matrice active de 15 l'électrode correspondant à cette interconnexion sont également portées à la tension maximale délivrable, mais en opposition de phase par rapport à la tension appliquée à la contre-électrode. L'impulsion brève de tension est par exemple appliquée pendant une durée de 5 à 10 millisecondes. De plus, les tensions relatives aux réseaux de diffraction sont appliquées sur l'électrode pendant que la 20 contre- électrode repasse en mode fixe. Préférentiellement, le dispositif selon l'invention comprend des moyens d'adressage sélectifs d'au moins certaines zones élémentaires de l'électrode et de la contre-électrode. On bénéficie ainsi d'un avantage de la structure de matrice active de la contre-électrode qui n'impose plus la nécessité de relier chaque zone 25 gravée à l'électronique périphérique par autant de pistes qu'il y a de zones gravées, comme dans le cas des contre-électrodes classiques selon l'art antérieur. Une telle structure offre un double avantage, à savoir la possibilité de pouvoir ainsi utiliser le maximum de surface de l'électrode et de pouvoir adresser électriquement et de manière sélective chaque zone élémentaire de chaque matrice 30 active. De façon avantageuse, les moyens d'adressage sont des moyens d'application et de multiplexage de tensions de commande, pilotant l'électrode et la contre-électrode. Une électronique périphérique est directement connectée aux matrices actives de l'électrode et de la contre- électrode et a pour rôle de synchroniser les tensions qui leur sont appliquées. Le fonctionnement du dispositif selon l'invention se décompose alors en deux phases distinctes: la phase d'impulsion qui correspond à l'établissement d'une nouvelle tension et la phase de fonctionnement stabilisé qui correspond au maintien des tensions. Avantageusement, chacune des zones élémentaires est associée à au moins un transistor de commande. La contre-électrode structurée en matrice active à zones élémentaires comprenant chacune au moins un transistor de commande, permet avantageusement d'appliquer une impulsion sélective sur certaines zones élémentaires de la matrice active. Préférentiellement, l'électrode et la contre-électrode sont assemblées l'une en regard de l'autre, dans des plans sensiblement parallèles. Avantageusement, le cristal liquide est confiné entre l'électrode et la contreélectrode. Préférentiellement, le cristal liquide appartient au groupe comprenant: 20 - les cristaux liquides de type nématique; - les cristaux liquides de type smectique; - les cristaux liquides de type ferroélectrique; - les cristaux liquides de type cholestérique. De façon avantageuse l'amplitude de l'impulsion de tension est sensiblement 25 supérieure au maximum de tension délivré par les moyens d'adressage sélectifs des zones élémentaires de l'électrode. Avec la structure du dispositif selon l'invention, le fonctionnement se décompose en deux phases de fonctionnement: la phase d'impulsion qui correspond à l'établissement d'une tension d'impulsion et la phase de 30 fonctionnement stabilisé qui correspond au maintien des tensions. Dans certains cas particuliers, de nouvelles tensions d'impulsion peuvent être appliquées via l'électrode et la contre-électrode en mode alternat contreélectrode, avant l'application des tensions finales de commande. En outre,un changement d'interconnexion peut comporter trois phases: l'effacement des réseaux, l'application d'une impulsion, puis l'application des tensions finales pour l'écriture des nouveaux réseaux. Dans le cas particulier d'un dispositif selon l'invention présentant une structure à double matrice active, la matrice active de l'électrode étant réalisée suivant la technologie LCOS et la matrice active de la contreélectrode, la technologie TFT, l'impulsion de tension qui peut être appliquée est de l'ordre de 2 10 à 10 fois supérieure à celle qui pourrait être appliquée si les deux matrices actives de la structure étaient de type TFT. De façon plus précise, si la matrice active de l'électrode LCOS reçoit une tension maximale de +5 -5 Volts et la contre-électrode TFT une tension de +30 -30 Volts, la tension de fonctionnement stabilisée sera au maximum de l'ordre de 15 5 Volts et la tension d'impulsion de 35 Volts. De façon préférentielle, au moins certaines des secondes zones élémentaires ont une superficie et/ou une forme différente des premières zones élémentaires se trouvant en regard. Le dispositif permet de générer une impulsion de tension directement aux 20 bornes du cristal liquide. La structure du dispositif selon l'invention semble être la seule connue à ce jour qui autoriserait l'application d'une impulsion de tension sur un déflecteur de haute définition, par exemple de type LCOS. Avantageusement, au moins certaines des secondes zones élémentaires ont une superficie supérieure ou égale à celle des premières zones élémentaires se 25 trouvant en regard. Dans un mode de réalisation particulier selon l'invention, chaque zone élémentaire de la contre-électrode recouvre ainsi quatre zones élémentaires de l'électrode. Chaque transistor de commande de faible épaisseur, équipant chaque zone élémentaire de la contre-électrode, est alors dimensionné pour pouvoir 30 charger les quatre zones élémentaires de la matrice active de l'électrode. Préférentiellement, chaque zone élémentaire de la contre-électrode recouvre au moins deux zones élémentaires de l'électrode. L'invention est bien adaptée aux applications de visualisation de grands afficheurs alpha-graphiques utilisés en extérieur. Cette technique d'adressage 5 permet à l'écran de conserver des temps de réponse compatibles avec les signaux vidéo pour des conditions de température variables. Il est en effet connu que les basses températures font augmenter la viscosité des cristaux liquides ce qui a pour conséquence d'accroître les temps de réponse. Dans ce cas, une zone élémentaire (ou pixel) de la contre-électrode recouvre trois pixels de l'électrode, le rouge, le 10 vert et le bleu. Le surcot généré par cette matrice active à contre-électrode reste acceptable par rapport au prix initial de l'écran de très grand format. En outre, dans le cas d'une application à la déflexion de faisceau pour la commutation optique en espace libre, le nombre de pixels nécessaire pour aiguiller 100 faisceaux optiques est de l'ordre d'un million (1024x1024). Chaque 15 faisceau est collimaté par une micro-lentille, puis défléchi par une portion du modulateur spatial de lumière comportant 10 000 pixels (100xlO0). Dans ce cas, le nombre de pixels de la contre- électrode doit être au minimum de 100 (10xlO) et chaque pixel servira à gérer la totalité de la surface englobant un faisceau optique. Il peut cependant être avantageux d'avoir un nombre plus important de pixels sur 20 la contre-électrode de façon à pouvoir utiliser le même modulateur spatial de lumière dans des architectures optiques différentes. Par exemple, avec un nombre de pixels de contre-électrode égal à 204x204 (soit 5 pixels de l'électrode recouverts par un pixel de la contreélectrode) il devient possible de structurer le même modulateur spatial de lumière en 144 zones de 85x85 pixels (17x17 pixels 25 de contreélectrode), 100 zones de lOOxlOO pixels (20x20 pixels de contreélectrode) ou 64 zones de 125x125 pixels (25x25 pixels de contre-électrode). Ces ordres de grandeur donnés à titre indicatif et non limitatif sont compatibles avec les possibilités des technologies de contre-électrode active. Considérons ainsi une électrode en technologie LCOS, qui permet d'obtenir des pixels particulièrement 30 petits (10 jtm), au format informatique SXGA (1280x1024) qui offre un rendu de type cinéma. Dans ce cas, comme l'électrode est réfléchissante, la contreélectrode doit nécessairement être transparente. Il est nécessaire d'utiliser une technologie de matrice active TFT. Celle-ci permet d'atteindre une taille de pixel de contre-électrode de 50 um, soit l'équivalent de 5 pixels de l'électrode de commande. Préférentiellement, une zone élémentaire de la contre-électrode est située en regard d'au moins une zone élémentaire de l'électrode. L'électrode et la contre-électrode sont généralement réalisées sur un substrat de verre ou de silicium. Suivant la nature du substrat ainsi utilisé en fonction de 10 l'architecture optique retenue, les électrodes pourront être transparentes. Avantageusement, les électrode et contre-électrode sont réalisées sur au moins une plaque de substrat en verre ou en silicium. De façon avantageuse, l'électrode et/ou la contre-électrode porte au moins deux couches d'orientation du cristal liquide.. Par rapport à l'art antérieur, l'invention permet de réduire considérablement (au moins un facteur 4) le temps de réponse d'un modulateur spatial de lumière de haute définition. La structure de l'invention permet de générer une impulsion de tension aux bornes du cristal liquide. L'impulsion de tension a une amplitude très supérieure au maximum de tension délivré par le circuit d'adressage des pixels 20 électrode. Cette impulsion est appliquée via la contre électrode à matrice active. Grâce à cette contre-électrode à matrice active, l'impulsion de tension peut être appliquée localement en regard des seuls pixels concernés par un changement d'état. Ainsi, une électronique d'adressage synchronise les signaux de commande appliqués à la matrice active de l'électrode et à la matrice active de la contre25 électrode. Cette structure semble être la seule connue à ce jour qui autoriserait l'application d'impulsion sur un déflecteur de haute définition par exemple de type LCOS grâce à une contre électrode à matrice active. Cette contre-électrode possède un taux d'ouverture important, ce qui a pour avantage supplémentaire de minimiser la surface perdue sur le déflecteur. L'invention concerne également un procédé de modulation spatiale de lumière à cristal liquide comprenant au moins une électrode de commande structurée sous la forme d'une première matrice active comprenant une pluralité de zones élémentaires, et au moins une contre-électrode, de façon qu'on définit sur 5 la contre-électrode une pluralité de zones élémentaires contrôlées par une seconde matrice active. Dans le cas particulier de l'application de l'invention à l'interconnexion optique, pendant la reconfiguration d'une ou plusieurs interconnexions, une impulsion de tension peut être appliqué au cristal liquide via les zones 10 élémentaires de l'électrode et les zones élémentaires correspondantes de la contreélectrode. En phase d'interconnexions stabilisées, il est possible d'utiliser le mode d'adressage le plus simple avec alternat colonne. Dans ce cas, toutes les zones élémentaires de la matrice active de la contre-électrode sont portées à un potentiel 15 fixe de référence. La matrice active de la contre-électrode se comporte donc comme un plan conducteur quasi unique recouvrant toute la surface de la matrice active de l'électrode. Cette dernière fonctionne alors comme une matrice active standard et assure la gestion des tensions aux bornes de chaque zone élémentaire de l'électrode. La tension est ainsi alternée sur les colonnes une fois que toutes les 20 lignes de la cellule ont été adressées. En outre, lorsqu'une interconnexion doit être établie entre deux fibres optiques, l'électronique de gestion définit la zone de la matrice active de la contreélectrode qui est concernée par le passage du faisceau optique. Cette zone commute en alternat de contre-électrode et le système applique la tension 25 maximale autorisée. Les zones élémentaires de la matrice active de l'électrode correspondant à cette interconnexion sont ensuite portées à la tension maximale délivrable et en opposition de phase par rapport à la matrice active de la contreélectrode. Cette impulsion est appliquée pendant 5 à 10 ms. Enfin, les tensions qui correspondent aux réseaux de diffraction sont appliquées sur la matrice active de 30 l'électrode pendant que la matrice active de la contre- électrode repasse en mode contre-électrode fixe. Deux phases sont donc nécessaires pour l'établissement d'une nouvelle interconnexion optique: la phase d'application d'une impulsion, puis la phase d'application de tensions finales. De façon avantageuse, le procédé selon l'invention comprend les étapes successives de: (c) application d'une tension d'impulsion à au moins une desdites zones élémentaires de ladite contre-électrode; (e) application d'une tension de commande à au moins une desdites zones élémentaires de ladite électrode. En phase de modification des interconnexions, les zones élémentaires de la contre-électrode qui ne sont pas dans une zone de reconfiguration de connexion conservent un potentiel fixe. L'ensemble des zones élémentaires qui doivent être reconfigurées passe en mode impulsionnel par l'application de la tension maximale autorisée. Pour l'application d'une impulsion, les zones élémentaires de 15 la contre-électrode sont portées à la tension maximale délivrable par la matrice active de la contreélectrode et ceci en opposition de phase des zones élémentaires correspondant sur la matrice active de l'électrode. Le principe d'adressage pour générer les impulsions de tension est le suivant. Quand une interconnexion existante doit être changée, toutes les zones élémentaires sont mises au même 20 potentiel pour effacer le réseau de diffraction de l'interconnexion précédente. L'application d'une tension maximale sur toutes les zones élémentaires permet d'effacer rapidement l'ancien réseau de diffraction. Cette tension maximale est créée en passant la cellule à cristal liquide en mode d'alternat de contre-électrode et en portant les matrices actives électrode et contre-électrode à leurs tensions 25 maximales et en opposition de phase. Enfin les tensions qui correspondent au réseau de diffraction de la nouvelle interconnexion sont appliquées sur la matrice active de l'électrode pendant que la matrice active de la contreélectrode repasse en mode fixe. De façon particulière, de nouvelles tensions d'impulsion peuvent être appliquées via la matrice active électrode et la matrice active contreélectrode en mode alternat de contre-électrode, avant l'application des tensions finales. Dans un mode de réalisation particulier, un changement d'interconnexion peut comporter trois phases: l'effacement des réseaux, l'application d'une impulsion intermédiaire puis l'application des tensions finales pour l'écriture des nouveaux réseaux. Dans un mode de réalisation particulier du procédé selon l'invention, appliqué à la création d'un réseau de diffraction pour l'établissement d'une 10 interconnexion optique entre au moins deux fibres, ce procédé comprend: - préalablement à ladite étape (c), une étape préliminaire (b) de détermination d'une région d'au moins une zone élémentaire de ladite contre-électrode sur laquelle sera appliquée la tension d'impulsion; à l'issue de l'étape (c), une étape intermédiaire (d) d'application de la tension d'impulsion, en opposition de phase, aux zones élémentaires de l'électrode placées en regard des zones élémentaires déterminées de la contre-électrode. De façon préférentielle, le procédé selon l'invention comprend une étape 20 préliminaire (a) d'effacement du réseau de diffraction de l'interconnexion optique précédente, par application d'un même potentiel à l'ensemble des zones élémentaires des électrode et contre-électrode, l'étape (e) correspondant alors à l'établissement d'un nouveau réseau de diffraction. Préférentiellement, la matrice active de l'électrode est du type cristal liquide 25 réalisée sur un substrat de type silicium (LCOS) et la matrice active de la contreélectrode est du type transistor en couche mince (TFT) réalisée sur un substrat de verre. Avantageusement, le procédé selon l'invention comprend des étapes de: préparation d'une lame de substrat de silicium et d'une lame de verre au moins aux dimensions desdites matrices actives de ladite électrode et de ladite contre-électrode, respectivement; - gravure d'au moins une zone élémentaire sur lesdites lames de substrat; - assemblage dans des plans sensiblement parallèles desdites lames de substrat desdites électrode et contre-électrode, de façon que chaque 5 zone élémentaire de la contre-électrode soit positionnée sensiblement en regard d'au moins une zone élémentaire de ladite électrode; - injection dudit cristal liquide entre les deux lames de substrat pour obtenir un dispositif à double matrice active; - découpe et report dudit dispositif à double matrice active sur un circuit électronique. Dans un mode de réalisation particulier de l'invention, le report du dispositif à double matrice active est réalisé sur un circuit électronique du type kapton, et comprend des étapes de: - connexion des lignes et des colonnes de la matrice active de la contre- électrode au circuit kapton; préparation de la conduction électrique entre les lignes et colonnes de la contre-électrode avec le circuit kapton par pressage d'un adhésif contenant des microbilles conductrices; - connexion de plots de connexion de l'électrode sur le circuit kapton. Préférentiellement, l'étape de report du dispositif à double matrice active sur le circuit électronique est réalisée par collage anisotrope à chaud. Avantageusement, le dispositif selon l'invention s'applique aux domains des applications de visualisation de grands afficheurs alpha-graphiques, à la déflexion de faisceau, notamment pour la commutation optique en espace libre, ou encore à 25 celui de l'interconnexion optique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront plus clairement à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation préférentiel, donné à titre de simple exemple illustratif et non limitatif, et des dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 présente un afficheur à sept segments en mode transmissif, présenté précédemment dans ce document; - la figure 2 présente une cellule à cristal liquide à rampe de phase connue selon l'art antérieur; - la figure 3 illustre une matrice active de transistors connue dans les dispositifs de l'art antérieur; - la figure 4 présente le schéma électrique équivalent d'une matrice active selon l'art antérieur; - la figure 5 présente un chronogramme des tensions d'une matrice active selon l'art antérieur; - la figure 6 illustre une cellule à cristal liquide à double matrice active utilisée dans le dispositif selon l'invention; - la figure 7 présente le schéma électrique équivalent de la structure à double matrice active de la figure 6; - la figure 8 présente le chronogramme associé à une structure à double matrice active utilisée dans le dispositif selon l'invention; - la figure 9 illustre le montage d'une structure particulière à double matrice active comprenant une électrode de type LCOS (pour " Liquid Crystal On Silicon " en anglais) et une contre-électrode de type TFT (pour " Thin Film Transistor " en anglais), sur un circuit de type " Kapton ". Dans l'exemple de la figure 6 illustrant une cellule à cristal liquide selon 20 l'invention, une contre-électrode 61 est superposée à une électrode de haute définition 60. L'électrode 60 et la contre-électrode 61 sont toutes deux structurées sous la forme de matrices actives possédant respectivement un ensemble de lignes 62 et 63, de colonnes 64 et 65, et un ensemble de transistors 66 et 67. Dans cet exemple, chaque pixel 68 de la contre-électrode recouvre quatre pixels 69 de 25 l'électrode. La figure 7 illustre le schéma électrique équivalent de la structure à double matrice active de la figure 6. Dans la configuration présentée, chaque transistor 71 de la contre-électrode est relié au travers du cristal liquide à chacun des quatre transistors 72 de l'électrode qui lui sont associés, ces derniers étant eux-même 30 respectivement reliés aux capacités 73 des zones élémentaires (ou pixels) correspondantes de l'électrode. La figure 8 présente le chronogramme des tensions d'un dispositif à double matrice active, selon l'invention. Dans le cas d'une nouvelle interconnexion entre deux fibres optiques, l'électronique de gestion définit la zone de la matrice active de la contre-électrode 5 qui est concernée par le passage du faisceau optique. Cette zone commute en alternat de contre-électrode 81 et le système applique la tension maximale délivrable 82 par les circuits spécifiques, ou drivers, reliés aux colonnes. Les pixels de la matrice active de l'électrode correspondant à cette interconnexion sont portés à une tension 83 correspondant à la tension maximale 84 que la matrice 10 active de l'électrode peut délivrer. Cette tension maximale est délivrée par les tensions des lignes 85 et des colonnes 86 de la matrice active de l'électrode et en opposition de phase par rapport aux tensions 81 délivrées par les colonnes de la matrice active de la contre-électrode. L'impulsion de tension est appliqué pendant une durée 87 de 5 à 10 ms. Enfin les tensions 88 correspondant aux réseaux de 15 diffraction sont appliquées sur la matrice active de l'électrode pendant que la matrice active de la contre-électrode repasse en mode contre-électrode fixe 89. Deux phases sont donc nécessaires pour l'établissement d'une nouvelle interconnexion optique: l'application d'une impulsion de tension, puis l'application des tensions finales. Dans le cas d'un changement d'une interconnexion existante, tous les pixels sont mis au même potentiel pour effacer le réseau de diffraction de l'interconnexion précédente. L'application d'une tension maximale sur tous les pixels permet d'effacer rapidement l'ancien réseau de diffraction. Cette tension maximale est créée en passant la cellule en mode d'alternat de contre-électrode et 25 en portant les matrices actives électrode et contre-électrode à leurs tensions maximales et en opposition de phase. Enfin, les tensions correspondant au réseau de diffraction de la nouvelle interconnexion sont appliquées sur la matrice active de l'électrode, pendant que la matrice active de la contre-électrode repasse en mode contre-électrode fixe. Eventuellement de nouvelles tensions d'impulsion 30 peuvent être appliquées via la matrice active de l'électrode et de la contre- électrode, en mode alternat de contre-électrode, avant l'application des tensions finales. Un changement d'interconnexion peut ainsi comporter trois phases l'effacement des réseaux, l'application d'une impulsion intermédiaire, puis 5 l'application des tensions finales pour l'écriture des nouveaux réseaux de diffraction. La figure 9 illustre un dispositif à double matrice active et son procédé de report sur un circuit électronique de type kapton, selon l'invention. La matrice active de l'électrode 901 est réalisée suivant la technologie LCOS (" Liquid 10 Crystal On Silicon ", pour cristal liquide sur silicone, en français) et la matrice active de l'électrode 902 est réalisée suivant la technologie TFT (" Thin Film Transistor ", pour transistor en film fin, en français) sur un substrat de verre. La cellule de cristal liquide à double matrice active, selon l'invention, laisse apparaître des plots 903 de connexion électrique sur deux côtés de la matrice 15 active de l'électrode, ainsi que les connexions de lignes 904 et de colonnes 905 de la matrice active de la contre-électrode. Le cristal liquide 906 est confiné entre les lames de substrat de silicium et de verre des matrices actives de la contreélectrode 901 et de l'électrode 902. Dans le cas particulier de l'invention o l'on assemble une matrice active de 20 l'électrode de type LCOS et une matrice active de la contreélectrode en TFT sur verre, la technique suivante est préconisée. La matrice active LCOS est réalisée sur un substrat silicium selon les technologies des semi-conducteurs. Les rondelles de silicium ont un diamètre de l'ordre de 150 mm à 300 mm. Le report de cette cellule sera effectué en plusieurs étapes. Dans un premier temps, on vient connecter des drivers 907 sur les lignes et les colonnes de la contre-électrode sur les 2 côtés laissés accessibles par la découpe préalable des zones élémentaires de chaque matrice active dans les plaques de substrat. Ces drivers 907 sont montés en général sur des circuits flexibles spécifiques. Ce report est effectué à l'aide de la technique connue du 30 collage anisotrope à chaud. Un adhésif 98 contenant des microbilles conductrices est pressé entre la contre électrode et les drivers 907 ce qui assure une conduction électrique entre les lignes de connexion de la contre-électrode et celles du circuit flexible supportant les drivers tout en ne faisant pas de court circuits entre deux pistes voisines. Ensuite, on retourne la cellule avec ses deux circuits flexibles et on effectue le report du LCOS sur un support céramique 910 collé sur un circuit 5 souple kapton 911 prévu à cet effet. Il reste ensuite à effectuer la connexion par liaison 909 entre les plots du LCOS 903 et le circuit Kapton 91 1. REVENDICATIONS 1. Dispositif de modulation spatiale de lumière à cristal liquide comprenant au moins une électrode de commande structurée sous la forme d'une première matrice active définissant une pluralité de premières zones 5 élémentaires, et au moins une contre-électrode, caractérisé en ce que ladite contre-électrode est structurée sous la forme d'une seconde matrice active définissant une pluralité de secondes zones élémentaires. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend des premiers moyens d'application d'une tension d'impulsion 10 électrique à ladite électrode et/ou à ladite contre-électrode. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que lesdits moyens d'application d'une tension d'impulsion appliquent sélectivement ladite impulsion de tension électrique à une région définie par au moins une desdites zones élémentaires de ladite électrode et/ou de ladite contre15 électrode. 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en qu'il comprend des moyens d'adressage sélectifs d'au moins certaines desdites zones élémentaires desdites électrode et contre- électrode. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdits 20 moyens d'adressage sont des moyens d'application et de multiplexage de tensions de commande, pilotant lesdites électrode et contre-électrode. 6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que chacune desdites zones élémentaires est associée à au moins un transistor de commande. 7. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que lesdites électrode et contre-électrode sont assemblées l'une en regard de l'autre, dans des plans sensiblement parallèles. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ledit cristal liquide est confiné entre lesdites électrode 30 et contre-électrode. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit cristal liquide appartient au groupe comprenant: - les cristaux liquides de type nématique; - les cristaux liquides de type smectique; - les cristaux liquides de type ferroélectrique; - les cristaux liquides de type cholestérique. 10. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 5 à 9, caractérisé en ce que l'amplitude de ladite impulsion de tension est sensiblement supérieure au maximum de tension délivré par lesdits moyens 10 d'adressage sélectifs desdites zones élémentaires de ladite électrode. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins certaines desdites secondes zones élémentaires ont une superficie et/ou une forme différente desdites premières zones élémentaires se trouvant en regard. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'au moins certaines desdites secondes zones élémentaires ont une superficie supérieure ou égale à celle desdites premières zones élémentaires se trouvant en regard. 13. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'une zone élémentaire de ladite contre-électrode est située en regard d'au moins une 20 zone élémentaire de ladite électrode. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que lesdites électrode et contre-électrode sont réalisées sur au moins une plaque de substrat en verre ou en silicium. 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 14, 25 caractérisé en ce que ladite électrode et/ou ladite contre-électrode porte au moins deux couches d'orientation du cristal liquide. 16. Procédé de modulation spatiale de lumière à cristal liquide comprenant au moins une électrode de commande structurée sous la forme d'une première matrice active comprenant une pluralité de zones 30 élémentaires, et au moins une contre-électrode, caractérisé en ce qu'on définit sur ladite contre-électrode une pluralité de zones élémentaires contrôlées par une seconde matrice active. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes successives de: (c) application d'une tension d'impulsion à au moins une desdites zones élémentaires de ladite contre-électrode; (e) application d'une tension de commande à au moins une desdites zones élémentaires de ladite électrode. 18. Procédé de modulation spatiale de lumière à cristal liquide selon la 10 revendication 17, caractérisé en ce qu'il est appliqué à la création d'un réseau de diffraction pour l'établissement d'une interconnexion optique entre au moins deux fibres et en ce qu'il comprend: préalablement à ladite étape (c), une étape préliminaire (b) de détermination d'une région d'au moins une zone élémentaire de 15 ladite contre-électrode sur laquelle sera appliquée ladite tension d'impulsion; à l'issue de ladite étape (c), une étape intermédiaire (d) d'application de ladite tension d'impulsion, en opposition de phase, auxdites zones élémentaires de l'électrode placées en regard desdites zones 20 élémentaires déterminées de la contre-électrode. 19. Procédé de modulation spatiale de lumière à cristal liquide selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comprend une étape préliminaire (a) d'effacement du réseau de diffraction de l'interconnexion optique précédente, par application d'un même potentiel à l'ensemble des zones 25 élémentaires desdites électrode et contre-électrode, l'étape (e) correspondant alors à l'établissement d'un nouveau réseau de diffraction. 20. Procédé de réalisation d'un dispositif de modulation spatiale de la lumière selon l'une quelconque des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que ladite matrice active de ladite électrode est du type cristal liquide 30 réalisée sur un substrat de type silicium (LCOS) et ladite matrice active de ladite contre-électrode est du type transistor en couche mince (TFT) réalisée sur un substrat de verre. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend des étapes de: - préparation d'une lame de substrat de silicium et d'une lame de verre au moins aux dimensions desdites matrices actives de ladite électrode et de ladite contre-électrode, respectivement; - gravure d'au moins une zone élémentaire sur lesdites lames de substrat; - assemblage dans des plans sensiblement parallèles desdites lames de substrat desdites électrode et contre-électrode, de façon que chaque zone élémentaire de la contre-électrode soit positionnée sensiblement en regard d'au moins une zone élémentaire de ladite électrode; - injection dudit cristal liquide entre les deux lames de substrat pour obtenir un dispositif à double matrice active; - découpe et report dudit dispositif à double matrice active sur un circuit électronique. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le report dudit dispositif à double matrice active est réalisé sur un circuit électronique 20 du type kapton, et en ce qu'il comprend des étapes de: connexion des lignes et des colonnes de la matrice active de ladite contre-électrode audit circuit kapton; - préparation de la conduction électrique entre lesdites lignes et colonnes de ladite contre-électrode avec ledit circuit kapton par 25 pressage d'un adhésif contenant des microbilles conductrices; - connexion de plots de connexion de ladite électrode sur ledit circuit kapton. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que ladite étape de report dudit dispositif à double matrice active sur ledit circuit 30 électronique est réalisée par collage anisotrope à chaud. 24. Application du dispositif selon l'une quelconque des revendications à 15, aux domaines appartenant au groupe comprenant: - les applications de visualisation de grands afficheurs alphagraphiques; - la déflexion de faisceau, notamment pour la commutation optique en espace libre; l'interconnexion optique.