Brevet FR2848728A1 — publié le 20040618

MATRICE DE FORMATION D'IMAGE ET PROCEDES POUR SA FABRICATION Cette invention porte globalement sur les matrices de formation d'image, et en particulier sur des formations de pixels pour des matrices de formation d'image. Les matrices de formation d'image servant à détecter des rayons X comprennent typiquement une matrice de photodétecteurs couplée à un scintillateur. Le rayonnement absorbé dans le scintillateur produit des photons de lumière qui passent eux-mêmes dans un photodétecteur, tel qu'une photodiode. Le photon est absorbé dans le photodétecteur et un signal électrique correspondant à un flux de photons incident est 10 produit. On utilise couramment du silicium amorphe hydrogéné (a-Si:H) dans la fabrication de photodétecteurs en raison de propriétés photoélectriques avantageuses de a-Si:H et d'une relative simplicité de fabrication de ces dispositifs. En particulier, une pluralité d'éléments photosensibles, tels que des photodiodes, peuvent être formés en connexion avec les éventuels éléments de commande ou de commutation nécessaires, 15 tels qu'un transistor à couches minces (TFT), dans une matrice relativement grande. Des détecteurs de rayonnement et des matrices d'affichage sont typiquement fabriqués sur un grand substrat sur lequel de nombreux composants, comprenant des transistors à couches minces, des lignes d'adresse, des condensateurs et des dispositifs tels que des photodétecteurs, sont formés par dépôt et formation des motifs de couches de matières 20 conductrices, semi-conductrices et isolantes. Au moins un procédé de fabrication connu pour une telle matrice de transistors à couches minces comprend typiquement la fabrication d'un transistor à couches minces à grille inférieure et d'une pluralité de lignes d'adresse de données et de balayage. Dans certains transistors à couches minces à grille inférieure connus, le métal de la grille 25 inférieure protège une zone de canal, c'est-à-dire joue le rôle d'un élément bloquant la lumière, qui bloque la lumière provenant de l'arrière. La couche bloquant la lumière est souhaitable car des photons peuvent créer des fuites indésirables dans le transistor à couches minces. Par exemple, dans un panneau détecteur de rayons X numérique, la lumière est créée par un scintillateur qui est déposé sur le dessus du dispositif, ce qui 30 expose directement les zones des transistors à couches minces à des photons. En conséquence, une couche supplémentaire bloquant la lumière, requérant un niveau supplémentaire de photolithographie, est donc nécessaire pour protéger d'une lumière indésirable la zone du canal du transistor à couches minces. Dans un premier aspect, il est proposé un procédé pour fabriquer une matrice de 5 forrnation d'image. Le procédé comprend la formation d'une première barrière diélectrique, la formation d'un élément bloquant la lumière sur la première barrière diélectrique, l'élément bloquant la lumière étant au moins de même étendue qu'une grille, et la formation d'une seconde barrière diélectrique sur la première barrière diélectrique et l'élément bloquant la lumière de telle manière que l'élément bloquant la 10 lumière est encapsulé entre la première barrière diélectrique et la seconde barrière diélectrique. Dans un autre aspect, il est proposé une matrice de formation d'image. La matrice de formation d'image comprend une première barrière diélectrique, un élément bloquant la lumière formé sur la première barrière diélectrique, l'élément bloquant la lumière étant au moins de même étendue qu'une électrode de grille, et une seconde barrière diélectrique formée sur la première barrière diélectrique et l'élément bloquant la lumière de telle manière que l'élément bloquant la lumière est encapsulé entre la première barrière diélectrique et la seconde barrière diélectrique. La matrice de formation d'image peut comprendre en outre une couche 20 diélectrique de grille formée sur l'électrode de grille, une couche semiconductrice formée sur la couche diélectrique de grille, et un contact de source et un contact de drain formés sur la couche semi-conductrice. La première barrière diélectrique peut comprendre une première partie de barrière d'épaisseur comprise entre environ 20nm et environ 5Onm, et une seconde partie de barrière d'épaisseur comprise entre environ 25 200nm et environ 700nm. L'élément bloquant la lumière peut avoir une épaisseur comprise entre environ 5Onm et environ 200nm, et la seconde barrière diélectrique peut avoir une épaisseur comprise entre environ 300nm et environ 800nm. La matrice de formation d'image peut comprendre en outre une ligne de données formée unitaire avec l'élément bloquant la lumière, ou une ligne commune formée unitaire avec l'élément 30 bloquant la lumière. La première partie de barrière peut comprendre de l'oxyde de silicium et la seconde partie de barrière peut comprendre du nitrure de silicium. L'élément bloquant la lumière peut comprendre au moins une matière parmi molybdène, silicium amorphe, chrome, cuivre, tantale et aluminium. Dans un autre aspect, il est proposé un système d'imagerie médicale. Le système 5 d'imagerie médicale comprend une source de rayonnement, et un détecteur de rayonnement relié fonctionnellement à la source de rayonnement. Le détecteur de rayonnement comprend une première barrière diélectrique, un élément bloquant la lumière formé sur la première barrière diélectrique, l'élément bloquant la lumière étant au moins de même étendue qu'une électrode de grille, et une seconde barrière diélectrique formée sur la première barrière diélectrique et l'élément bloquant la lumière de telle manière que l'élément bloquant la lumière est encapsulé entre la première barrière diélectrique et la seconde barrière diélectrique. La présente invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée suivante de quelques formes de réalisation préférées, illustrée par les dessins annexés Y.* 83t5 dedans lesquels: la figure 1 est un schéma synoptique d'un système d'imagerie de l'art antérieur; la figure 2 est un schéma d'un pixel représentatif dans une matrice de photodétecteurs; la figure 3 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement; 20 la figure 4 est une vue de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 3; la figure 5 est une coupe d'une partie du pixel représenté sur la figure 3 au cours d'une étape de fabrication initiale; la figure 6 est une coupe d'une partie du pixel représenté sur la figure 3 au cours d'une première étape de fabrication suivante; la figure 7 est une coupe d'une partie du pixel représenté sur la figure 3 au cours d'une deuxième étape de fabrication suivante; la figure 8 est une coupe d'une partie du pixel représenté sur la figure 3 au cours d'une troisième étape de fabrication suivante; la figure 9 est une coupe d'une partie du pixel représenté sur la figure 3 au cours 30 d'une quatrième étape de fabrication suivante; la figure 10 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement décrit dans une forme de réalisation B; la figure 1 1 est une vue de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 10; la figure 12 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement décrit dans une forme de réalisation C; la figure 13 est une vue de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 12; la figure 14 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement 10 décrit dans une forme de réalisation D; et la figure 15 est une vue de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 14. La figure 1 est un schéma synoptique d'un système d'imagerie 10 connu. Dans une forme de réalisation, le système d'imagerie 10 est un système d'imagerie médicale, 15 tel que, mais non limité à, un système Sennovision 2000D qui est disponible commercialement chez GE Medical Systems, Milwaukee, Wisconsin. Le système d'imagerie 10 comprend une source de rayonnement 12 qui projette un faisceau conique. Dans une forme de réalisation, la source de rayonnement 12 est une source de rayons X 12, et le faisceau conique est un faisceau de rayons X. Le faisceau de rayons X passe à 20 travers un objet 14, qui est l'objet dont on forme l'image, tel qu'un patient. Le faisceau de rayons X, après avoir été atténué par l'objet 14, frappe un détecteur de rayonnement 16. La figure 2 représente un détecteur de rayonnement 18 pouvant être utilisé avec le système d'imagerie 10 (représenté sur la figure 1). Le détecteur de rayonnement 18 25 comprend un substrat 20 sur lequel est placée une matrice de pixels 22 (parfois appelée matrice de photodétecteurs). Dans une forme de réalisation, la matrice de photodétecteurs 22 comprend une pluralité de composants électroniques, tels que des condensateurs 24, des photodiodes 26, et des dispositifs de commutation 28 tels que des transistors à couches minces. Les transistors à couches minces 28 sont placés sur la 30 matrice 22 en vue de relier de manière sélective un condensateur 24 et une photodiode 26 respectifs à une ligne de données 30 respective. Dans une variante, la matrice de photodétecteurs 22 ne contient pas de condensateur 24. La matrice de photodétecteurs 22 comprend aussi une pluralité de lignes de balayage 32 pour adresser une pluralité de pixels 34 individuels. Les lignes de données 30 sont orientées suivant un premier axe 36 5 de la matrice de pixels 22, et les lignes de balayage 32 sont orientées suivant un deuxième axe 38 de la matrice de pixels 22. Les premier et deuxième axes 36 et 38 de la matrice de pixels 22 sont sensiblement perpendiculaires entre eux. Pour simplifier l'illustration de la figure 2, seules quelques-unes des lignes de données 30, des lignes de balayage 32 et des lignes communes 40 sont représentées 10 s'étendant d'un côté à l'autre de la matrice de photodétecteurs 22. Les lignes de données 30, les lignes de balayage 32 et les lignes communes 40 sont agencées en rangées et colonnes de telle manière que chaque pixel individuel 34 de la matrice de photodétecteurs 22 est adressable par une seule ligne de données 30, une seule ligne de balayage 32 et une seule ligne commune 40. Les lignes de données 30, les lignes de 15 balayage 32 et les lignes communes 40 comprennent une matière conductrice, telle que du molybdène, du chrome et/ou de l'aluminium. Les condensateurs 24 sont reliés électriquement en parallèle aux photodiodes 26, et sont reliés électriquement aux lignes de données 30 par l'intermédiaire des transistors à couches minces 28. Les photodiodes 26 constituent la partie de la matrice 22 qui est sensible aux photons incidents, et 20 produisent une charge électrique correspondant à un rayonnement incident détecté. L'énergie des rayons X est convertie en énergie de lumière visible par absorption dans une couche de matière phosphorescente, telle que de l'iodure de césium, qui est placée près de la surface de la matrice de photodétecteurs 22. Chaque condensateurs 24 emmagasine une charge produite dans une photodiode 26 et évacue cette charge 25 emmagasinée via un transistor à couches minces 28 quand sa ligne de balayage 32 est adressée. Une certaine charge est aussi emmagasinée par la capacité propre de la photodiode 26. La figure 3 est une coupe d'une partie d'un pixel 34 formé sur le substrat 20. La figure 4 est une vue de dessus d'une partie du pixel 34 représenté sur la figure 3. Tel 30 qu'il est utilisé dans la présente, le terme "formé" englobe des opérations de fabrication de chaque composant du pixel 34, incluant mais non limitées à formation des motifs, masquage, dépôt et gravure. Dans un exemple de réalisation, toutes les couches semiconductrices et couches diélectriques décrites dans la présente sont déposées par dépôt chimique en phase vapeur activé au plasma (PECVD). Le pixel 34 comprend une 5 électrode de grille 50 du transistor à couches minces et un contact inférieur de diode 52 s'étendant sur une surface du substrat 20, l'électrode de grille 50 et le contact inférieur de diode 52 ayant à peu près la même épaisseur. Le pixel 34 comprend aussi une diode en couches 54 formée sur le contact inférieur de diode 52. Dans une forme de réalisation, la diode en couches 54 comprend une diode PIN. Une diode PIN comprend 10 une couche de matière P+ déposée sur une couche de a-Si substantiellement intrinsèque elle-même déposée sur une couche de matière N+. Dans une forme de réalisation, un contact supérieur de diode (non représenté) est déposé, modelé et gravé sur la diode en couches 54. Dans une variante, le contact supérieur de diode n'est pas formé. Une couche diélectrique de grille 56 est ensuite formée sur des parties exposées de 15 l'électrode de grille 50, du contact inférieur de diode 52 et de la diode en couches 54. Une couche semi-conductrice 58 est ensuite déposée sur la couche diélectrique 56. Après formation des motifs et gravure de la couche diélectrique de grille 56 et de la couche semi-conductrice 58, une électrode de source 60 et une électrode de drain 62 sont déposées, masquées et gravées. Le pixel 34 comprend aussi une couche barrière 20 transmettant la lumière 64 qui comprend une première barrière diélectrique 66, un élément bloquant la lumière 68 et une seconde barrière diélectrique 70. La première barrière diélectrique 66 est formée sur des parties exposées de l'électrode de source 60, de l'électrode de drain 62 et de la couche diélectrique 56. L'élément bloquant la lumière 68 est ensuite formé sur la première barrière diélectrique 66, puis la seconde barrière 25 diélectrique 70 est formée. Dans l'exemple de réalisation, l'élément bloquant la lumière 68 est au moins de même étendue que l'électrode de grille 50, et la seconde barrière diélectrique 70 est formée sur la première barrière diélectrique 66 et sur l'élément bloquant la lumière 68 de telle manière que l'élément bloquant la lumière 68 est encapsulé entre la première barrière diélectrique 66 et la seconde barrière diélectrique 30 70. La matrice de formation d'image est ensuite couplée à un scintillateur et le scintillateur est scellé. La matrice de formation d'image est ensuite connectée à une pluralité de contacts extérieurs pour former le détecteur 18 qui peut être utilisé dans le système d'imagerie 10. Les figures 5 et 6 sont des coupes d'une partie du pixel 34 représenté sur la 5 figure 3 au cours d'une étape de fabrication initiale et d'une première étape de fabrication suivante, respectivement. Les couches semiconductrice et diélectrique sont déposées par PECVD. Dans l'exemple de réalisation, une première couche métallique 80 est déposée, modelée et gravée pour former l'électrode de grille 50, unitaire avec la ligne de balayage 32 (représentée sur la figure 2), et le contact inférieur de diode 52. 10 L'opération de formation des motifs comprend, sans y être limité, le dépôt d'un photorésist, l'exposition du photorésist conformément à un motif désiré, et le traitement du photorésist pour en éliminer des parties en laissant un masque portant un motif choisi correspondant à des dimensions désirées. Dans une forme de réalisation, la première couche métallique 80 a une épaisseur comprise entre environ 100 Angstrôms ( ) et 15 environ 4000 . Dans une variante, l'épaisseur de la première couche métallique 80 est d'environ 2000 . Dans une autre variante, l'épaisseur de la première couche métallique 80 est comprise entre environ 1000 et environ 3000 . La première couche métallique 80 peut comprendre, mais n'est pas limitée à, de l'aluminium, du chrome, de l'argent et/ou du molybdène. Après la gravure du métal de la grille, la diode en couches 54 est déposée sur le contact inférieur de diode 52 sans aucune étape de formation des motifs intermédiaire. Dans une forme de réalisation, un contact supérieur de diode 82 est déposé sur la diode en couches 54. Dans une forme de réalisation, le contact supérieur de diode est formé d'une matière conductrice transparente telle que de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). La 25 diode en couches 54 et le contact supérieur de diode 82 sont modelés et gravés. Le même masque peut être utilisé pour une attaque en milieu liquide, ou selon une autre possibilité une attaque à sec, du contact supérieur de diode 82, suivie d'une attaque à sec de la diode en couches 54. Selon une autre possibilité, deux étapes de masquage séparées peuvent être utilisées pour former un contact supérieur de diode 82 plus petit 30 que la diode en couches 54, puis former les motifs et graver la diode en couches 54. Les figures 7 et 8 sont des coupes d'une partie du pixel 34 représenté sur la figure 3 au cours d'une deuxième étape de fabrication suivante et d'une troisième étape de fabrication suivante, respectivement. Dans l'exemple de réalisation, une couche diélectrique de grille 56 est déposée sur l'électrode de grille 50, sur la diode en couches 5 54 et sur des parties exposées du contact inférieur de diode 52 et du substrat 20. Dans une forme de réalisation, la couche diélectrique 56 a une épaisseur comprise entre environ 25 nanomètres (nm) et environ 1OOOrn. Dans une variante, l'épaisseur de la couche diélectrique 56 est comprise entre environ 150nm et environ 1250nm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la couche diélectrique 56 est d'environ 250nm. La couche 10 diélectrique 56 comprend, mais n'est pas limitée à, du nitrure de silicium (SiNX) et de l'oxyde de silicium (SiO,). Une couche de matière semi-conductrice 58 est déposée sur la couche diélectrique 56. Dans une forme de réalisation, l'épaisseur de la couche de matière semiconductrice 58 est comprise entre environ lOnm et environ 300nm. Dans une variante, 15 l'épaisseur de la couche de matière semiconductrice 58 est d'environ 200nm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la couche de matière semi-conductrice 58 est comprise entre environ 30nm et environ 70nm. La couche de matière semi-conductrice 58 peut comprendre, mais n'est pas limitée à, du silicium amorphe substantiellement intrinsèque. La couche diélectrique 56 et la couche de matière semi-conductrice 58 sont modelées et 20 gravées ou co-déposées modelées et gravées afin d'exposer une partie 90 du contact inférieur de diode, et une partie 92 du contact supérieur de diode si désiré. La figure 9 est une coupe d'une partie du pixel 34 représenté sur la figure 3 au cours d'une quatrième étape de fabrication suivante. Une deuxième couche métallique 94 est déposée sur des parties exposées de la couche diélectrique 56, de la couche de 25 matière semi-conductrice 58 et du contact inférieur de diode 52. Dans une forme de réalisation, la deuxième couche métallique 94 a une épaisseur comprise entre environ 50nm et environ 10OOnm. Dans une variante, l'épaisseur de la deuxième couche métallique est d'environ 5OOnm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la deuxième couche métallique 94 est comprise entre environ 150nm et environ 350nm. La deuxième 30 couche métallique 94 peut comprendre, mais n'est pas limitée à, du molybdène, de l'aluminium et/ou du chrome. La deuxième couche métallique 94 est modelée et gravée pour former l'électrode de source 60, l'électrode de drain 62 unitaire avec la ligne de données 30, et une traversée 96 vers le contact supérieur de diode 82. Une couche barrière transmettant la lumière 64, comprenant une première 5 barrière diélectrique 66, un élément bloquant la lumière 68 et une seconde barrière diélectrique 70, est formée sur l'électrode de source 60, l'électrode de drain 62, des parties exposées du contact inférieur de diode 52, et la diode en couches 54. Dans une forme de réalisation, la première barrière diélectrique 66 comprend une première partie de barrière 100 et une seconde partie de barrière 102. La première partie de barrière 100 10 a une épaisseur comprise entre environ 20nm et environ 50nm. Dans une variante, l'épaisseur de la première partie de barrière 100 est d'environ 30nm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la première partie de barrière 100 est comprise entre environ 5nm et environ 65nm. La première partie de barrière 100 comprend, mais n'est pas limitée à, SiOQ. La seconde partie de barrière 102 a une épaisseur comprise entre 15 environ 200nm et environ 700nm. Dans une variante, l'épaisseur de la seconde partie de barrière 102 est d'environ 450nm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la seconde partie de barrière 102 est comprise entre environ 350nm et environ 550nm. La seconde partie de barrière 102 comprend, mais n'est pas limitée à, SiN. Dans une forme de réalisation, la seconde partie de barrière 102 est déposée à une température comprise 20 entre environ 150 degrés Celsius (0C) et environ 260'C. Dans une variante, la seconde partie de barrière 102 est déposée à une température d'environ 240'C. Une troisième couche métallique 110 est déposée sur la première barrière diélectrique 66 pour former un élément bloquant la lumière 68 de telle manière que l'élément bloquant la lumière 68 est au moins de même étendue que la grille 50. Dans 25 l'exemple de réalisation, l'élément bloquant la lumière 68 est de même étendue que la grille 50. En pratique, l'élément bloquant la lumière 68 est formé de telle manière qu'une longueur 112 de l'élément bloquant la lumière 68 est supérieure à une longueur 114 de la grille 50 pour couvrir une partie exposée de la grille 50. L'épaisseur de l'élément bloquant la lumière 68 est comprise entre environ 50nm et environ 200nm. Dans une 30 variante, l'épaisseur de l'élément bloquant la lumière 68 est d'environ 125nm. Dans une autre variante, l'épaisseur de l'élément bloquant la lumière 68 est comprise entre environ lOnm et environ 500nm. L'élément bloquant la lumière 68 peut être fait de molybdène (Mo), de silicium amorphe, de chrome, de tantale ou d'aluminium. Dans l'exemple de réalisation, l'élément bloquant la lumière 68 s'étend environ 2 microns (jirm) ou plus au5 delà des bords du a-Si o il chevauche la grille 50, afin de compenser un éventuel défaut d'alignement au cours de la photolithographie sur des substrats à grande superficie et une morsure excessive du Mo. Le Mo est ensuite attaqué en milieu liquide en utilisant des réactifs d'attaque du Mo courants tels que, mais non limités à, Cyantek 12-S qui contient des acides nitrique et phosphorique auxquels ITO est sensiblement 10 imperméable. Un photorésist de formation des motifs est ensuite éliminé par combustion au plasma sous oxygène ou par élimination en milieu liquide. Dans l'exemple de réalisation, l'élément bloquant la lumière 68 est modelé dans la matrice de formation d'image, mais pas sur des plages de contact ou autres structures de l'imageur en-dehors de la matrice. La formation de l'élément bloquant la lumière 68 en utilisant du 15 Mo permet d'obtenir une absorption de lumière qui est supérieure à celle d'un polymère opaque, et il est alors possible d'utiliser des couches plus minces, comme décrit dans la présente, qui sont plus faciles à travailler. La seconde barrière diélectrique 70 est ensuite formée sur l'élément bloquant la lumière 68 et des parties exposées de la première barrière diélectrique 66. La seconde 20 barrière diélectrique 70 a une épaisseur comprise entre environ 300nm et environ 1500nm. Dans une variante, l'épaisseur de la seconde barrière diélectrique 70 est d'environ 5OOnm. Dans une autre variante, l'épaisseur de la seconde barrière diélectrique 70 est comprise entre environ 400nm et environ 600nm. La seconde barrière diélectrique 70 comprend, mais n'est pas limitée à, du nitrure de silicium (SiNJ). La 25 seconde barrière diélectrique 70 est déposée à une température comprise entre environ 150'C et environ 260'C. Dans une variante, la seconde barrière diélectrique 70 est déposée à une température d'environ 240'C. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur combinée de la première barrière diélectrique 66 et la seconde barrière diélectrique 70 est d'environ un micron. En outre, la formation des motifs de la seconde barrière 30 diélectrique 70 sur l'élément bloquant la lumière 68 est identique à la formation des motifs qui serait effectuée si aucun élément bloquant la lumière 68 n'était incorporé dans la barrière transmettant la lumière 64 car l'élément bloquant la lumière 68 est entièrement encapsulé à l'intérieur de la barrière transmettant la lumière 64. Dans un autre exemple de réalisation, cinq structures métalliques distinctes 5 peuvent être formées quand la deuxième couche métallique 94 et la troisième couche métallique 110 sont déposées. Ces structures comprennent la ligne de données 30, le contact de source 60 du transistor à couches minces, l'élément bloquant la lumière 68, le contact de drain 62 du transistor à couches minces et un connecteur menant au contact inférieur de diode 52, et la ligne commune 40 (représentée sur la figure 2). Dans 10 l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la ligne de données 30 est supérieure à environ 400nm si on utilise du Mo. Le contact de source 60 du transistor à couches minces, le contact de drain 62 du transistor à couches minces et la ligne commune 40 ont une épaisseur supérieure à environ lOOnm si on utilise du Mo, et l'épaisseur de l'élément bloquant la lumière 68 est telle que décrite dans la présente. Les épaisseurs de la ligne de données 30, du contact de source 60 du transistor à couches minces, du contact de drain 62 du transistor à couches minces et de l'élément bloquant la lumière 68 sont choisies en fonction de diverses contraintes de résistance de l'imageur et de la robustesse du procédé. Dans une forme de réalisation, l'épaisseur de la ligne de données 30 est comprise entre environ 600nm et environ 15OOnm. Dans une variante, l'épaisseur 20 de la ligne de données 30 est d'environ 10OOnm, Par exemple, la source 60, le drain 62 et l'élément bloquant la lumière 68 sont déposés dans la deuxième métallisation 94 ou la troisième métallisation 110. Dans l'exemple de réalisation, la deuxième métallisation 94 forme le contact de source 60 et le contact de drain 62 du transistor à couches minces, mais pas l'élément bloquant la 25 lumière 68 qui court-circuiterait le contact de source 60 et le contact de drain 62 du transistor à couches minces. Dans une forme de réalisation, la ligne de données 30 n'est pas formée en même temps que la source 60, c'est-à-dire côté ligne de données, et une traversée (non représentée) est formée à l'intérieur de la première partie de la barrière 66 pour relier électriquement la ligne de données 30 au transistor à couches minces avant le 30 dépôt de la troisième couche métallique 110. Si la traversée est formée, l'épaisseur de la première partie de barrière 100 est comprise entre environ 100nm et environ 300nm. Dans l'exemple de réalisation, l'épaisseur de la première partie de barrière 100 est d'environ 200nm. Dans une forme de réalisation, l'épaisseur de la seconde partie de barrière 102 est comprise entre environ 700nm et environ 900nm. Dans un exemple de réalisation, l'épaisseur de la seconde partie de barrière 102 est d'environ 800nm. Le tableau 1 illustre plusieurs formes de réalisation, avant le dépôt de la seconde barrière diélectrique 70, par les combinaisons des structures pouvant être formées par dépôt de la deuxième couche métallique 94 et de la troisième couche métallique 110, et indique à quel moment une traversée ligne commune/contact supérieur de diode 96 et 10 une traversée ligne de données/source 120 peuvent être formées dans la première partie de barrière 100. Forme de Ligne Source Elément Drain Ligne Traversée Traversée réalisation de bloquant commune ligne de ligne données la lumière donnéescommunesource contact sup. diode A 2ême 2ème 3èmc 2ème 2ème Non Non B 3 ème 2ème 3ème 2ème 2ème Oui Non c 3 ème 2ème 3 ème 2ème 3 ème Oui Oui D 2ème 2ème 3ème 2ème 3ème Non Oui On remarquera que la forme de réalisation A a été décrite dans la présente à propos de la figure 9. La figure 10 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement décrit dans la forme de réalisation B. La figure 1 1 est une vue de dessus 15 d'une partie du pixel représenté sur la figure 10. Comme représenté, la forme de réalisation B permet de réduire la résistance de la ligne de données par utilisation d'une ligne de données en couche métallique épaisse, et permet de séparer la formation des motifs de la source 60 et du drain 62 par rapport celle de la ligne de données 30, par exemple pour un imageur à grande superficie utilisé en mode de fluoroscopie. Comme 20 représenté dans la forme de réalisation B, la source 60, le drain 62 et la ligne commune formés du même métal peuvent avoir une épaisseur d'environ 1 00nm. La figure 12 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement décrit dans la forme de réalisation C. La figure 13 est une vue de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 12. La figure 14 est une coupe d'une partie d'un pixel d'un détecteur de rayonnement décrit dans la forme de réalisation D. La figure 15 est une vue 5 de dessus d'une partie du pixel représenté sur la figure 14. Dans un autre exemple de réalisation, l'élément bloquant la lumière 68 peut être relié à la ligne commune 40 dans les formes de réalisation C et D, et l'élément bloquant la lumière 68 peut être relié à la ligne de données 30 dans les formes de réalisation B et C, mais l'élément bloquant la lumière 68 n'est pas relié à la fois à la ligne commune 40 et à la ligne de données 30 10 dans la forme de réalisation C. Les formes de réalisation B, C et D permettent de garantir que l'élément bloquant la lumière 68 n'est pas à potentiel électrique flottant. Comme décrit dans la présente, un procédé de fabrication d'imageur à l'aide d'un jeu de masques réduit comprend la formation d'une grille 50, de lignes de balayage 32 et de plages de contact inférieur de photodiode 52, puis d'une photodiode 54 et des 15 transistors à couches minces. Enfin, une couche barrière transmettant la lumière 64, comprenant une première barrière diélectrique 66, un élément bloquant la lumière 68 et une seconde barrière diélectrique 70, est formée sur l'électrode de source 60, l'électrode de drain 62, les parties exposées du contact inférieur de diode 52 et la diode en couches 54. Cette couche barrière transmettant la lumière 64 permet de protéger les structures 20 sous- jacentes de la lumière ambiante, et est la couche sur laquelle le scintillateur est placé pour former un imageur à rayons X. LISTE DES COMPOSANTS 12 14 5 16 18 20 22 24 10 26 28 30 32 34 15 36 38 40 50 52 20 54 56 58 60 62 25 64 66 68 70 80 30 82 Système d'imagerie Source de rayonnement Objet Détecteur de rayonnement Détecteur de rayonnement Substrat Matrice de pixels Condensateurs Photodiodes Dispositifs de commutation/transistors à couches minces Lignes de données Lignes de balayage Pixels Premier axe Deuxième axe Lignes communes Electrode de grille Contact inférieur de diode Diode en couches Couche diélectrique de grille Couche semi-conductrice Electrode de source Electrode de drain Couche barrière transmettant la lumière Première barrière diélectrique Elément bloquant la lumière Seconde barrière diélectrique Première couche métallique Contact supérieur de diode 92 94 96 100 102 110 112 114 10 120 Partie du contact inférieur de diode Partie du contact supérieur de diode Deuxième couche métallique Traversée ligne commune/contact supérieur de diode Première partie de barrière Seconde partie de barrière Troisième couche métallique Longueur de l'élément bloquant la lumière 68 Longueur de la grille 50 Traversée ligne de données/source REVENDICATIONS 1. Matrice de formation d'image (10), caractérisée en ce qu'elle comprend: une première barrière diélectrique (66); un élément bloquant la lumière (68) formé sur la première barrière diélectrique, ledit élément bloquant la lumière étant au moins de même étendue qu'une électrode de grille (50); et une seconde barrière diélectrique (70) formée sur ladite première barrière diélectrique et ledit élément bloquant la lumière de telle manière que ledit élément 10 bloquant la lumière est encapsulé entre ladite première barrière diélectrique et ladite seconde barrière diélectrique. 2. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre: une couche diélectrique de grille (56) formée sur l'électrode de grille (50); une couche semi-conductrice (58) formée sur la couche diélectrique de grille; et un contact de source (60) et un contact de drain (62) formés sur la couche semiconductrice. 3. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce que ladite première barrière diélectrique (66) comprend une première partie de barrière 20 (100) d'épaisseur comprise entre environ 20nm et environ 50nm, et une seconde partie de barrière (102) d'épaisseur comprise entre environ 200nm et environ 700nm. 4. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit élément bloquant la lumière (68) a une épaisseur comprise entre environ 50nm et environ 200nm, et ladite seconde barrière diélectrique (70) a une épaisseur comprise 25 entre environ 300nm et environ 800nm. 5. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une ligne de données (30) formée unitaire avec ledit élément bloquant la lumière (68). 6. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une ligne commune (40) formée unitaire avec ledit élément bloquant la lumière (68). 7. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 3, caractérisée en ce 5 que ladite première partie de barrière (100) comprend de l'oxyde de silicium et ladite seconde partie de barrière comprend du nitrure de silicium. 8. Matrice de formation d'image (10) selon la revendication 1, caractérisée en ce que ledit élément bloquant la lumière (68) comprend au moins une matière choisie parmi molybdène, silicium amorphe, chrome, cuivre, tantale et aluminium.