Brevet FR2849959A1 — publié le 20040716

i DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT ORGANIQUE DU TYPE A PANNEAU DOUBLE ET SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif électroluminescent organique et plus particulièrement un dispositif électroluminescent organique du type à panneau double qui présente, dans son procédé de fabrication, un nombre de masques réduit; elle concerne un procédé de fabrication d'un tel panneau. Parmi les afficheurs à panneau plat, le dispositif électroluminescent organique 10 présente un intérêt particulier en recherche et développement du fait qu'il s'agit d'afficheur du type émettant de la lumière et présentant un angle de vision large ainsi qu'un taux de contraste élevé comparé aux dispositifs d'affichage à cristal liquide. Du fait qu'il n'est pas nécessaire de fournir un rétro-éclairage pour de tels dispositifs électroluminescents organiques, ces dispositifs présentent une taille et un poids 1S faibles par rapport aux autres types de dispositifs d'affichage. Les dispositifs électroluminescents organiques présentent d'autres caractéristiques souhaitables comme par exemple une faible consommation de puissance, une luminosité importante et un temps de réponse rapide. Lorsque l'on pilote des dispositifs électroluminescents organiques, seule une tension continue faible est nécessaire. En 20 outre, on peut obtenir une vitesse de réponse rapide. On comprend dans ce domaine de la technique, que du fait que les dispositifs électroluminescents organiques sont entièrement formés d'une structure en phase solide, à l'inverse des dispositifs afficheurs à cristal liquide, sont suffisamment solides pour subir des impacts externes et présentent aussi une plage de température de fonctionnement plus importante. En 25 outre, du fait que la fabrication d'un dispositif électroluminescent organique s'effectue suivant un procédé relativement simple avec peu d'étapes de procédé, il est beaucoup moins onéreux de produire un dispositif électroluminescent organique, que des panneaux d'affichage à plasma ou des dispositifs d'affiche à cristaux liquides. En particulier, il est nécessaire pour fabriquer des dispositifs 30 électroluminescents organiques de disposer d'appareils de déposition et d'encapsulation. Dans un dispositif électroluminescent organique à matrice active, une tension est appliquée aux pixels, et une charge permettant de maintenir cette tension est stockée dans un condensateur de stockage. Ceci permet de piloter le dispositif avec 35 une tension constante, jusqu'à l'application de la tension de la trame suivante, indépendamment du nombre de lignes de balayage. En conséquence, du fait qu'on obtient une luminosité équivalente avec un courant appliqué faible, on peut réaliser R:\Brevets\21900\21943 doc - 26 décembre 2003 - 1/24 un dispositif d'affichage électroluminescent organique à matrice active présentant une faible consommation de puissance, une résolution élevée et une grande surface. La figure 1 est un diagramme de circuit équivalent qui montre la structure de base d'un pixel d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active selon 5 l'état de la technique. A la figure 1, une ligne de balayage 2 est disposée dans une première direction et une ligne de signal 4 ainsi qu'une ligne de puissance 6 sont disposées suivant une seconde direction qui est perpendiculaire à la première direction, définissant ainsi une région de pixel P. La ligne de signal 4 et la ligne de puissance 6 sont séparées l'une de l'autre. Un transistor en couche mince de 10 commutation Ts, constituant un élément d'adressage, est relié à la ligne de balayage 2 et à la ligne de signal 4, et un condensateur de stockage CST est relié au transistor en couche mince de commutation Ts et à la ligne de puissance 6. Un transistor en couche mince de pilotage TD, agissant comme élément de source de courant, est relié au condensateur de stockage CST et à la ligne de puissance 6; une diode 15 électroluminescente organique DEL est reliée au transistor en couche mince de pilotage TD. La diode électroluminescente organique DEL présente une couche électroluminescente organique (non représentée) entre une anode et une cathode. Le transistor en couche mince de commutation Ts ajuste la tension appliquée au transistor en couche mince de pilotage TD, et le condensateur de stockage CST stocke 20 une charge permettant de maintenir la tension appliquée au transistor en couche mince de pilotage TD. Lorsqu'un signal de balayage de la ligne de balayage 2 est appliqué à l'électrode de grille de commutation du transistor en couche mince de commutation Ts, le transistor en couche mince de commutation Ts devient passant, et un signal 25 d'image de la ligne de signal 4 est appliqué à l'électrode de grille de pilotage du transistor en couche mince de pilotage TD, et au condensateur de stockage CST à travers l'élément de commutation Ts. En conséquence, le transistor en couche mince de pilotage TD devient passant. Lorsque le transistor en couche mince de pilotage TD devient passant, le courant provenant de la ligne de puissance 6 est appliqué à la 30 diode électroluminescente organique DEL à travers le transistor en couche mince de pilotage TD. En conséquence, de la lumière est émise. La densité de courant de l'élément de pilotage TD est modulée par le signal d'image qui est appliqué à l'électrode de grille de pilotage. En conséquence, la diode électroluminescente organique DEL peut afficher des affichages présentant de multiples niveaux de gris. 35 En outre, du fait que la tension du signal d'image stocké dans le condensateur de stockage CST est appliquée à l'électrode de grille de pilotage, la densité de courant qui s'écoule dans la diode électroluminescente organique DEL peut être maintenue à R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembe 2003 - 2/24 une valeur uniforme jusqu'à l'application du signal d'image suivant, même lorsque l'élément de commutation Ts est bloqué. La figure 2 est une vue schématique en plan d'un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique. A la figure 2, une ligne de grille 37 croise une ligne de donnée 51 et une ligne de puissance 42 qui sont séparées l'une de l'autre. Une région de pixel P est définie entre la ligne de grille 37, la ligne de donnée 51 et la ligne de puissance 42. Un transistor en couche mince de commutation Ts est disposé au voisinage de l'intersection de la ligne de grille 37 et de la ligne de données 51. Un transistor en 10 couche mince TD de pilotage est relié au transistor en couche mince de commutation Ts et à la ligne de puissance 42. Un condensateur de stockage CST utilise une portion de la ligne de puissance 42 comme première électrode de condensateur, ainsi qu'un motif actif 34 s'étendant depuis une couche active de commutation 31 du transistor en couche mince de commutation Ts de condensateur. Une première électrode 58 est 15 reliée au transistor en couche mince de pilotage TD, et à une couche électroluminescente organique (non représentée) ainsi qu'une seconde électrode (non représentée) sont successivement formées sur la première électrode 58. Les première et seconde électrodes ainsi que la couche électroluminescente organique disposée entre celles-ci constituent une diode électroluminescente organique DEL. La figure 3 est une vue schématique en coupe le long de la ligne III-III de la figure 2. A la figure 3, un transistor en couche mince de pilotage TD comprend une couche active 32, une électrode de grille 38 et des électrodes de source et de drain 50 et 52; le transistor en couche mince est formé sur un substrat 1. L'électrode de source 50 est reliée à une ligne de puissance 42 et l'électrode de drain 52 est reliée à 25 une première électrode 58. Le motif actif 34 réalisé dans le même matériau que la couche active 32 est formé sous la ligne de puissance 42, avec interposition d'une couche isolante 40. Le motif actif 34 et la ligne de puissance 42 constituent un condensateur de stockage CST. Une couche électroluminescente organique 64 et une seconde électrode 30 66 sont séquentiellement formées sur la première électrode 58 et constituent une diode électroluminescente organique DEL. Pour ce qui est des couches isolantes, une première couche isolante 30, par exemple une couche tampon, est formée entre le substrat 1 et la couche active 32. Une seconde couche isolante 36 est formée entre la couche active 32 et l'électrode de 35 grille 38. Une troisième couche isolante 40 est formée entre le motif actif 34 et la ligne de puissance 42. Une quatrième couche isolante 44 est formée entre la ligne de puissance 42 et l'électrode de source 50. Une cinquième couche isolante 54 est formée entre l'électrode de drain 52 et la première électrode 58. Une sixième couche R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 3/24 isolante 60 est formée entre la première électrode 58 et la couche électroluminescente organique 64. Les troisième à sixième couches isolantes 40, 44, 54 et 60 comprennent des trous de contact qui permettent de réaliser des connexions. Les figures 4A à 4I sont des vues schématiques en coupe montrant un procédé 5 de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique. A la figure 4A, une première couche isolante 30, par exemple une couche tampon, est formée sur un substrat 1, par dépôt d'un premier matériau isolant. Après avoir formé une couche de silicium polycristallin (non représentée) sur la première couche isolante, on forme une couche active 32 et un motif actif 34 en utilisant une 10 première étape de masquage. A la figure 4B, après avoir séquentiellement déposé un second matériau isolant et un premier matériau métallique sur l'ensemble de la surface du substrat 1, on forme une seconde couche isolante 36, comme une couche d'isolation de grille, et une électrode de grille 38, en utilisant une seconde étape de masquage. A la figure 4C, on forme une troisième couche isolante 40 sur l'électrode 15 de grille 38 en déposant un troisième matériau isolant. Après avoir déposé un second matériau métallique sur la troisième couche isolante 40, on forme une ligne de puissance 42 sur le motif actif 34, en utilisant une troisième méthode de masquage. A la figure 4D, après avoir déposé un quatrième matériau isolant sur la ligne de puissance 42, on forme une quatrième couche isolante 44 présentant des premier à 20 troisième trous de contact 46a, 46b et 48, en utilisant une quatrième méthode de masquage. La couche active 42 peut être divisée en une région de canal 32a, et des régions de source et de drain 32b et 32c, par un procédé de dopage ultérieur. Les premier et second trous de contact 46a et 46b exposent les régions de source et de drain 32b et 32c respectivement. Le troisième trou de contact 48 découvre la ligne de 25 puissance 42. Les régions 32b et 32c de source et de drain sont dopées avec des impuretés. A la figure 4E, après avoir déposé un troisième matériau métallique sur la quatrième couche isolante 44, on forme des électrodes de source et de drain 50 et 52 en utilisant une cinquième étape de masquage. L'électrode de source 50 est reliée à la 30 ligne de puissance 42 à travers le troisième trou de contact 48 (de la figure 4D) et à la région de source 32b à travers le premier trou de contact 46a (de la figure 4D). L'électrode de drain 52 est reliée à la région de drain 32c à travers le second trou de contact 46b (de la figure 4D). La couche active 32, l'électrode de grille 38 et les électrodes de drain et de source 50 et 52 constituent un transistor en couche mince de 35 pilotage TD. La ligne de puissance 42 et le motif actif 34 sont respectivement reliés à l'électrode de source 50 et à la couche active d'un transistor en couche mince de commutation (non représenté). En outre, la ligne de puissance 42 et le motif actif 34 R:\Birevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 4/24 sont séparés par la troisième couche isolante (disposée entre eux), de sorte à former un condensateur de stockage CST. A la figure 4F, après avoir déposé un cinquième matériau isolant sur les électrodes de source et de drain 50 et 52, on forme une cinquième couche isolante 54 5 présentant un quatrième trou de contact 56, en utilisant une sixième étape de masquage. Le quatrième trou de contact 56 découvre l'électrode de drain 52. A la figure 4G, après avoir déposé un quatrième matériau métallique sur la cinquième couche isolante 54, on forme une première électrode 58 en utilisant une septième étape de masquage. La première électrode 58 est reliée à l'électrode de 10 drain 52 à travers le quatrième trou de contact 56 (à la figure 4F). A la figure 4H, après avoir déposé un sixième matériau isolante sur la première électrode 58, on forme une sixième couche isolante 60 présentant une portion ouverte 62, en utilisant une huitième étape de masquage. La portion ouverte 62 découvre la première électrode 58. La sixième couche isolante 60 protège le transistor en couche 15 mince de pilotage TD de l'humidité et de la contamination. A la figure 4I, on forme séquentiellement sur la sixième couche isolante 60 une couche électroluminescente organique 64 et une seconde électrode 66 formée d'un cinquième matériau métallique. la couche électroluminescente organique 64 est en contact avec la première électrode 58 par l'intermédiaire de la portion ouverte 62 (à 20 la figure 4H). La seconde électrode 66 est formée sur toute la surface du substrat 1. La première électrode 58 est désignée par le terme d'anode. Par exemple, le cinquième matériau métallique peut être choisi pour présenter une réflectivité importante et une faible fonction de travail, du fait que la seconde électrode 66 doit réfléchir la lumière émise par la couche électroluminescente organique 64 et doit 25 fournir des électrons à la couche électroluminescente organique 64. La figure 5 est une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique. Sur la figure 5, les premier et second substrats 70 et 90, qui présentent des surfaces internes se faisant face et sont séparés l'un de l'autre, présentent une pluralité de régions de pixel P. Une 30 couche de matrice 80 présentant un transistor en couche mince de pilotage TD dans chaque région de pixel P est formée sur la surface interne du premier substrat 70. Une première électrode 72 reliée au transistor en couche mince de pilotage TD est formée sur la couche matrice 80 dans chaque région de pixel P. Des couches électroluminescentes organiques rouge, verte et bleue 74 sont alternativement 35 formées sur al première électrode 72. Une seconde électrode 76 est formée sur la couche électroluminescente organique 74. Les première et seconde électrodes 72 et 76 ainsi que la couche électroluminescente organique 74 qui est disposée entre celles-ci, constituent une diode électroluminescente organique DBL. La diode R:\B3revets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 5/24 électroluminescente organique est du type fond, dans lequel la lumière est émise depuis la couche électroluminescente organique 74 à travers la première électrode 72 et pour sortir du premier substrat 70. Le second substrat 90 est utilisé comme substrat d'encapsulation. Le second 5 substrat 90 présente une portion concave dans son centre et cette portion concave est remplie d'un dessicant absorbant l'humidité 94 qui enlève l'humidité et l'oxygène pour protéger la diode électroluminescente organique DEL. La surface intérieure du second substrat est séparée de la seconde électrode 76. Les premier et second substrats 70 et 90 sont fixés avec un joint 75 dans une portion périphérique des 10 premier et second substrats. Dans un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la technique, une partie de matrice de transistor en couche mince et la diode électroluminescente organique sont formées sur un premier substrat, et on fixe un second substrat sur le premier substrat pour permettre une encapsulation. Toutefois, lorsque la partie de 15 matrice de transistor en couche mince et la diode électroluminescente organique sont formées de cette façon sur un substrat, le rendement de production du dispositif électroluminescent organique est déterminé et obtenu par multiplication du rendement de fabrication du transistor en couche mince par le rendement de fabrication des diodes électroluminescentes organiques. Du fait que le rendement de 20 fabrication des diodes électroluminescentes organiques est relativement faible, le rendement de fabrication de l'ensemble du dispositif électroluminescent est limité par le rendement de fabrication de la diode électroluminescente organique. Par exemple, même lorsque le transistor en couche mince est bien fabriqué, une diode électroluminescente organique utilisant un film mince d'une épaisseur d'environ 25 1000 , peut être considéré comme mauvais du fait des défauts dans une couche d'émission organique. Ceci conduit à des pertes de matériau, ainsi qu'à des cots de production élevés. En général, les dispositifs électroluminescents organiques sont classés entre les types d'émission depuis le fond et les types d'émission de vue de dessus, en fonction 30 de la direction d'émission de la lumière utilisée pour l'affichage des images par les dispositifs électroluminescents organiques. Les dispositifs électroluminescents organiques du type à émission de fond présentent les avantages d'une grande stabilité d'encapsulation et d'une importante flexibilité dans le procédé. Toutefois, les dispositifs électroluminescents organiques du type à émission depuis le fond sont 35 inefficaces pour des dispositifs à haute résolution, parce qu'ils présentent des taux d'ouverture faibles. A l'inverse, les dispositifs électroluminescents organiques à émission depuis le dessus présentent une durée de vie attendue qui est plus importante, du fait qu'ils sont plus facilement conçus et qu'ils présentent un taux R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 6/24 d'ouverture élevé. Toutefois, dans les dispositifs électroluminescents organiques à émission depuis le dessus classiques, la cathode est généralement formée sur une couche d'émission organique. En conséquence, la transmissivité optique et l'efficacité optique d'un dispositif électroluminescent organique de type classique 5 sont réduites, du fait du faible nombre de matériaux qui peuvent être sélectionnés. Si on forme une couche de passivation du type couche mince pour empêcher une réduction de la transmission de la lumière, la couche de passivation du type couche mince peut ne pas réussir à empêcher l'infiltration d'air externe dans le dispositif En conséquence, la présente invention concerne un dispositif 10 électroluminescent organique ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif qui pallie sensiblement un ou plusieurs des problèmes dus aux limitations et aux inconvénients de l'état de la technique. Un premier objet de la présente invention est de fournir un dispositif électroluminescent organique présentant un rendement de production amélioré, une 15 résolution importante et un taux d'ouverture important. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront présentés dans la description qui suit ou apparaîtront à la lecture de cette description ou pourront être enseignés par la mise en oeuvre de l'invention. Les objectifs et autres avantages de l'invention peuvent être réalisés et obtenus par la structure qui est particulièrement soulignée dans la description ainsi 20 que dans les revendications ou dans les dessins joints. Pour réaliser ces avantages ainsi que d'autres, et selon la présente invention décrite largement, un dispositif électroluminescent organique comprenant: - des premier et second substrats (110, 150) se faisant face et séparés l'un de l'autre, - une ligne de grille (212) sur une surface interne du premier substrat; - une couche semi-conductrice sur la ligne de grille (212), la couche semiconductrice recouvrant une surface du premier substrat; - une ligne de données (240) croisant la ligne de grille (212); - une couche de contact ohmique de données sous la ligne de données, la 30 couche de contact ohmique présentant la même forme que la ligne de données; - une ligne de puissance (220), parallèle ou sensiblement parallèle à la ligne de données et séparée de celle-ci, la ligne de puissance comprenant le même matériau que la ligne de grille; - un transistor en couche mince de commutation (Ts) relié à la ligne de grille et à la ligne de données, le transistor en couche mince de commutation utilisant la couche semi-conductrice comme couche active de commutation; R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 7/24 - un transistor en couche mince de pilotage (TD) relié au transistor en couche mince de commutation et à la ligne de puissance, le transistor en couche mince de pilotage utilisant la couche semi-conductrice comme couche active de pilotage; - un motif de connexion (142) relié au transistor en couche mince de pilotage, le motif de connexion comprenant un matériau polymère conducteur; - une première électrode (152) sur une surface interne du second substrat; - une couche électroluminescente organique (160) sur la première électrode; 10 et - une seconde électrode (162) sur la couche électroluminescente organique; la seconde électrode étant en contact avec le motif de connexion (142). Le dispositif est caractérisé en ce que la ligne de données (240) et la couche de contact ohmique de données sont conformées séquentiellement dans un seul 15 traitement photolithographique. Le dispositif comprend en outre une première ligne de liaison (241 a) adjacente à l'intersection de la ligne de grille (212) et de la ligne de puissance (220), la première ligne de liaison incluant le même matériau que le motif de connexion. Le dispositif comprend en outre des première et seconde lignes de liaison 20 (241a, 241b) adjacentes à l'intersection de la ligne de grille (212) et de la ligne de puissance (220), dans lesquelles la première ligne de liaison (241) comprend le même matériau que le motif de connexion (142) et dans lequel la seconde ligne de liaison (241b) comprend le même matériau que la ligne de données (240), la seconde ligne de liaison coupant la ligne de grille (212) et la seconde ligne de liaison étant 25 disposée aux deux extrémités de la première ligne de liaison. Le comprend en outre une plage de grille (218) à une extrémité de la ligne de grille (212), une plage de données (242) à une extrémité de la ligne de données (240) et une plage de puissance (222) à une extrémité de la ligne de puissance (220). Le dispositif est caractérisé en ce que le transistor en couche mince de 30 commutation (Ts) comprend une électrode de grille de commutation (214) reliée à une ligne de grille (212), la couche active de commutation (228) s'étendant au-dessus de l'électrode de grille de commutation, une couche de contact ohmique de commutation sur la couche active de commutation, et des électrodes de source et de drain de commutation (232, 236) sur la couche de contact ohmique de commutation. 35 Le dispositif est caractérisé en ce que le transistor en couche mince de pilotage comprend une électrode de grille de pilotage (216) reliée à une électrode de drain de commutation (236), la couche active de pilotage (230) s'étendant au- dessus de l'électrode de grille de pilotage, une couche de contact ohmique de pilotage sur la R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 8/24 couche active de pilotage, et des électrodes de source et de drain de pilotage (234, 238) sur la couche de contact ohmique de pilotage. Le dispositif comprend en outre une couche d'isolation de grille entre l'électrode de grille de pilotage et la couche active de grille ainsi qu'une couche de 5 passivation sur le transistor en couche mince de pilotage, dans lequel la couche de passivation comprend un trou de contact de source découvrant l'électrode de source de pilotage, un trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain de pilotage, un trou de contact de plage de grille découvrant la plage de grille, un trou de contact de plage de données découvrant la plage de données et un trou de contact de plage de 10 puissance découvrant la plage de puissance. Le dispositif est caractérisé en ce que la couche de passivation comprend le trou de contact de plage de grille et le trou de contact de plage de puissance, s'étendant à travers la couche semi-conductrice et la couche d'isolation de grille. Le dispositif comprend en outre une bande de plage de grille et une bande de 15 plage de données sur la couche de passivation, la borne de plage de grille étant reliée à la plage de grille à travers le trou de contact de plage de grille et la borne de plage de puissance étant reliée à la plage de puissance à travers le trou de contact de plage de puissance, la borne de plage de grille et la borne de plage de puissance comprenant le même matériau que le motif de connexion. Le dispositif est caractérisé en ce qu'il comprend en outre une électrode de connexion reliée à l'électrode de source de pilotage à travers le trou de contact de source et reliée à la ligne de puissance. Le dispositif est caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est formée de silicium amorphe. Le dispositif est caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de données est formée de silicium amorphe dopé. Le dispositif est caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de commutation est formée de silicium amorphe dopé. Le dispositif caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de pilotage est 30 formée de silicium amorphe dopé. Selon un autre aspect, un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique comprend en outre la formation d'une première ligne de liaison à l'intersection de la ligne de grille et de la ligne de puissance, la première ligne de liaison étant formée en même temps que le motif de connexion. Le procédé caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation de première et seconde lignes à l'intersection de la ligne de grille et de la ligne de puissance, la première ligne de liaison étant formée en même temps que le motif de connexion et la seconde ligne de liaison étant formée en même temps que la ligne de données. R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 9/24 Le procédé caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation d'un transistor en couche mince de commutation reliée à la ligne de grille et à la ligne de données. Le procédé caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - la formation d'une plage de grille et d'une plage de données sur le premier substrat en utilisant la première étape de masquage; - la formation d'une plage de données utilisant la seconde étape de masquage; et - la formation d'un trou de contact de plage de grille, d'un trou de contact de 10 plage de données, et d'un trou de contact de plage de puissance dans la seconde couche d'isolation en utilisant la troisième étape de masquage, le trou de contact de plage de grille découvrant la plage de grille, le trou de contact de plage de données découvrant la plage de données, et le trou de contact de plage de puissance découvrant la plage de puissance; et - la formation d'une borne de plage de grille, d'une borne de plage de données, et d'une borne de plage de puissance en un matériau polymère conducteur sur la seconde couche isolante, la borne de plage de grille étant reliée à la plage de grille à travers le trou de contact de plage de grille, la borne de plage de données étant reliée à la plage de données à travers le 20 trou de contact de plage de données, la borne de plage de puissanceétant reliée à la plage de puissance à travers le trou de contact de plage de puissance. Le procédé caractérisé en ce que la seconde couche isolante comprend le trou de contact de plage de grille et le trou de contact de plage de puissance, qui 25 s'étendent à travers la couche semi-conductrice et la première couche isolante. Le procédé caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est formée de silicium amorphe. Le procédé caractérisé en ce que la première couche de silicium est formé de silicium amorphe dopé. Le procédé caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de pilotage est formée de silicium amorphe dopé. Le procédé caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de données est formée de silicium amorphe dopé. On comprendra que la description générale qui précède ainsi que la description 35 détaillée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemple et d'explication et ne sont supposés que fournir une compréhension plus complète de l'invention telle que revendiquée. R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 10/24 Les dessins joints, qui permettent une meilleure compréhension de l'invention, qui constituent une partie de cette demande de brevet, illustrent des modes de réalisation de l'invention, et servent, en liaison avec la description, à expliquer les principes de l'invention. Dans ces dessins: La figure 1 est un diagramme de circuit équivalent montrant la structure de pixel de base d'un dispositif électroluminescent organique à matrice active selon l'état de la technique; La figure 2 est une vue schématique en plan d'un dispositif électroluminescent 10 organique selon l'état de la technique; La figure 3 est une vue schématique en coupe selon la ligne III-III de la figure 2; Les figures 4A à 4I sont des vues schématiques en coupe montrant un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique selon l'état de la 15 technique; La figure 5 est une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent organique en coupe selon l'état de la technique; La figure 6 est une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent organique selon le mode de réalisation de la présente invention; 20 La figure 7 est une vue schématique de dessus d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention; Les figures 8A à 8D sont des vues schématiques en coupe qui montrent un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince de pilotage pour un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention; 25 et Les figures 9A à 9D sont des vues schématiques en coupe montrant un traitement de fabrication d'une ligne de données d'une plage de données, d'une plage de grille et d'une plage de puissance pour un dispositif électroluminescent organique fabriqué selon un mode de réalisation de la présente invention. Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation préférés de la présente invention, dont des exemples sont décrits dans les dessins joints. La figure 6 est une vue schématique en coupe d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 6, des premier et second substrats 110 et 150 qui présentent des surfaces 35 intérieures se faisant face et sont séparés l'un de l'autre, présentent une pluralité de régions de pixel P. Une couche de matrice 140 comprenant un transistor en couche mince de pilotage TD dans chaque région de pixel P est formée sur une surface interne du premier substrat 110. Un motif de connexion 142 relié au transistor en R:\Brevets\21900\21943 doc - 26 décembre 2003 - 11/24 couche mince de pilotage TD est formé sur la couche matrice 140 dans chaque région de pixel P. Le motif de connexion 142 peut être réalisé en un matériau conducteur ou en plusieurs couches, comprenant un matériau isolant présentant une épaisseur suffisante pour la connexion. Une électrode de connexion supplémentaire peut être 5 utilisée pour relier le motif de connexion et le transistor en couche mince de pilotage TD. Le transistor en couche mince de pilotage TD comprend une électrode de grille 112, une couche active 114 et des électrodes de source et de drain 116 et 118. Le motif de connexion 142 est relié à l'électrode de drain 118. Une première électrode 152 est formée sur la surface intérieure du second 10 substrat 150. Une couche électroluminescente organique 160 comprenant des couches d'émission organique rouge, verte et bleue 156a, 156b et 156c sont alternativement disposées dans chaque région de pixel formée sur la première électrode 152. Une seconde électrode 162 est formée sur la couche électroluminescente organique 160 dans chaque région de pixel P. La couche 15 électroluminescente organique 160 peut être formée d'une couche unique ou de plusieurs couches. Dans le cas de plusieurs couches, la couche électroluminescente organique 160 peut comprendre une première couche de transport de charge sur la première électrode 152, une couche d'émission rouge, verte ou bleue 156a, 156b ou 156c sur la première couche de transport de charge 154, et une seconde couche de 20 transport de charge 158 sur chacune des couches d'émission 156a, 156b, 156c. Par exemple, lorsque les première et seconde électrodes 152 et 162 sont respectivement une anode et une cathode, la première couche de transport 154 correspond à une couche d'injection de trou et à une couche de transport par trou, et la seconde couche de transport 158 correspond à une couche de transport d'électrons et une couche 25 d'injection d'électrons. Les première et seconde électrodes 152 et 162 ainsi que la couche électroluminescente organique 160 qui est interposée entre ces dernières constituent une diode électroluminescente organique DEL. Les premier et second substrats 110 et 150 sont fixés avec un joint 170 dans la partie périphérique. La surface supérieure du motif de connexion 142 entrent en 30 contact avec la surface inférieure de la seconde électrode 162, ce qui provoque l'écoulement d'un courant depuis le transistor en couche mince TFT TD vers la seconde électrode 162, à travers le motif de connexion 142. Un dispositif électroluminescent organique selon ce mode de réalisation de la présente invention est du type à deux panneaux, dans lequel une couche de matrice 35 140 et une couche de diode électroluminescente DEL sont formées sur les substrats respectifs, et dans lequel un motif de connexion 142 relie la couche de matrice 140 et la diode électroluminescente organique DEL. Diverses modifications et variations peuvent être réalisées dans la structure du transistor en couche mince et dans le R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 12/24 procédé de connexion de la couche de matrice et de la diode électroluminescente organique. En outre, du fait que le dispositif électroluminescent organique selon la présente invention est du type à émission depuis le dessus, on peut facilement concevoir le transistor en couche mince et on peut obtenir une résolution importante ainsi qu'un taux d'ouverture élevé. La figure 7 est une vue schématique de dessus d'un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. A la figure 7, une ligne de grille 212 est formée dans une première direction. Une ligne de données 240 et une ligne de puissance 220 séparées l'une de l'autre, sont 10 formées selon une deuxième direction perpendiculaire à la première direction. Un transistor en couche mince de commutation Ts, comprenant une première électrode de grille de commutation 214, une couche active de commutation 228 et des électrodes de source et de drain de commutation 232 et 236 est formé à l'intersection de la ligne de grille 212 et de la ligne de donnée 240. L'électrode de grille de 15 commutation 214 est reliée à la ligne de grille 212 et l'électrode de source de commutation 232 est reliée à la ligne de données 240. Les électrodes de source et de drain de commutation 232 et 236 sont séparées l'une de l'autre. La couche active de commutation 228 présente une forme correspondant aux électrodes de source et de drain de commutation 232 et 236. La ligne de puissance 220 peut être réalisée dans le 20 même matériau que la ligne de grille 212, en utilisant une seule étape de fabrication. Un transistor en couche mince de pilotage TD comprend une électrode de grille de pilotage 216, une couche active de pilotage 230 et des électrodes de source et de drain de pilotage 234 et 238. L'électrode de grille de pilotage 216 est reliée à l'électrode de drain de 25 commutation 236 et peut être réalisée dans le même matériau que la ligne de grille 212, au cours de la même étape de fabrication. Les électrodes de source et de drain de pilotage 234 et 238 sont séparées l'une de l'autre et peuvent être réalisées dans le même matériau que les lignes de données 240 en les utilisant au cours du même procédé de fabrication. La couche active de pilotage 230 se trouve sous les électrodes 30 de source et de drain de pilotage 232, 234 et 238. Une électrode de puissance 262 est reliée à l'électrode de source de pilotage 234, par l'intermédiaire d'un trou de contact de source 248, et à la ligne de puissance 220 à travers un trou de contact de puissance 246. Un motif de connexion 260 est formé dans une région de connexion C 35 adjacente au transistor en couche mince de pilotage TD et est relié à l'électrode de drain de pilotage 238. Le motif de connexion 260 peut être réalisé dans le même matériau que l'électrode de puissance 262 en utilisant la même étape de procédé. Par exemple, on peut utiliser un matériau polymère conducteur pour la fabrication du R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 13/24 motif de conduction 260. La région de connexion C correspond à une seconde électrode (non représentée) d'une diode électroluminescente organique. Une électrode de condensateur 244 s'étendant à partir de l'électrode de drain de commutation 236 recouvre la ligne de puissance 220 de sorte à former un condensateur de stockage CST. Une plage de données 242, une plage de grille 218 et une plage de puissance 222 sont formées respectivement à une extrémité de la ligne de données 240, de la ligne de grille 212 et de la ligne de puissance 220. Une borne de plage de données 264, une borne de plage de grille 266 et une borne de plage de puissance 268 sont 10 formées respectivement sur la plage de données 242, la plage de grille 218 et la plage de puissance 222. La borne de plage de données 264, la borne de plage de grille 266 et la borne de plage de puissance 268 peuvent être réalisées dans le même matériau que les motifs de connexion 260 au cours de la même étape de fabrication. Une couche semi-conductrice (non représentée) comprenant une couche de 15 silicium amorphe dopé 224b est formée sous chacune des lignes de données 240, des plages de données 242 et de l'électrode de condensateur 244. La couche de silicium amorphe dopé 224b peut être réalisée dans le même matériau que celui d'une couche de contact ohmique (non représentée) de la couche active de commutation 228 et de la couche active 230. Du fait que la ligne de grille 212 et la ligne de puissance 220 20 sont simultanément formées en utilisant la même étape de fabrication, on utilise une première ligne de liaison 241a pour connecter la ligne de puissance voisine de l'intersection de la ligne de grille 212 et de la ligne de puissance 220 de sorte à éviter un court-circuit entre la ligne de grille 212 et la ligne de puissance 220. La première ligne de liaison 241a peut être réalisée dans le même matériau que la ligne de 25 données 240, au cours de la même étape de fabrication. Les secondes lignes de liaison 241b sont formées aux deux extrémités de la première ligne de liaison 241a et la première ligne de liaison 241a est reliée à la ligne de puissance 220 par l'intermédiaire des secondes lignes de liaison 241b. Les secondes lignes de liaison 241b peuvent être réalisées dans le même matériau que le motif de connexion 260, en 30 utilisant le même procédé de fabrication. Dans un autre mode de réalisation, seul la seconde ligne de connexion 241b peut être utilisée pour relier la ligne de puissance 220 par l'intermédiaire de la ligne de grille 212. Du fait que des signaux différents sont appliqués à la plage de données et à la plage de puissance, la plage de données 242 et la plage de puissance 222 peuvent être disposées à des extrémités opposées 35 d'un premier substrat. Les figures 8A à 8D sont des vues schématiques en coupe montrant un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince de pilotage pour dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention, R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 14/24 et les figures 9A à 9D sont des vues schématiques en coupe montrant un processus de fabrication d'une plage de données, d'une plage de grille et d'une plage de puissance pour un dispositif électroluminescent organique selon un mode de réalisation de la présente invention. Les figures 8A à 8D sont des vues en coupe le long de la ligne 5 VIII-VIII de la figure 7 et les figures 9A à 9D sont des vues en coupe le long de la ligne IX-IX de la figure 7. Un procédé de masquage est un procédé photolithographique comprenant une étape de mise en forme ou de conformation d'une résine photosensible à l'aide d'une exposition et d'un développement, et une étape d'attaque en utilisant le motif de résine photosensible en tant que masque. Sur les figures 8A et 9A, une électrode de grille de pilotage 216, une plage de grille 218 et une plage de puissance 222 réalisées en un premier matériau métallique sont formées sur un premier substrat 210 utilisant un premier procédé de masquage. Bien que ceci ne soit pas représenté sur les figures 8A et 9A, une ligne de puissance reliée à une plage de puissance 222 est formée en même temps. Le premier matériau 15 métallique présente une faible résistivité. Par exemple, on peut utiliser de l'aluminium ou un alliage d'aluminium pour le premier matériau métallique. Sur les figures 8B et 9B, une première couche isolante (une couche d'isolation de grille) 223 réalisée en un premier matériau isolant, et une couche de silicium amorphe (A-Si:H) 224a sont séquentiellement formées sur l'électrode de grille de 20 pilotage 216, la plage de grille 218 et la plage de puissance 222. Après avoir séquentiellement déposé un matériau de silicium dopé et un second matériau métallique sur la couche de silicium amorphe 224, on forme une couche de contact ohmique 230b des électrodes de source et de drain 234 et 238 ainsi qu'une plage de données 242, en utilisant un second procédé de masquage. La couche de silicium 25 amorphe 224a comprend une portion active 230a correspondant à l'électrode de grille de pilotage 216. La partie active 230a de la couche de silicium amorphe 224a et de la couche de contact ohmique 230b constitue une couche active de pilotage 230. Les électrodes de source et de drain 234 et 238 sont à distance l'une de l'autre, et une portion active exposée 230a devient une région de canal "ch". La plage de données 30 242 est formée dans une région de plage de données D. Une ligne de données (non représentée) est formée simultanément à la plage de données 242 et la région de plage de données D est disposée à une extrémité de la ligne de données. La plage de données 242 et la plage de puissance 222 peuvent être formées à des extrémités opposées du premier substrat 210. L'électrode de grille de pilotage 216, la couche active de pilotage 230 et les électrodes de source et de drain 234 et 238 constituent un transistor en couche mince de pilotage TD. Une couche de silicium amorphe 224b est formée sous la plage de données 242. La couche de silicium amorphe 224b peut être réalisée dans le même R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 15/24 matériau que la couche de contact ohmique 230b de la couche active de pilotage 230, et présente une forme correspondant à celle de la plage de données 242. Le premier matériau isolant est un matériau isolant à base de silicium, comme par exemple du nitrure de silicium (SiN,) ou de l'oxyde de silicium (SiO2). Le second matériau 5 métallique est un matériau chimiquement résistant, tel que le molybdène (Mo), le titane (Ti) , le chrome (Cr) et le tungstène (W), par exemple. Sur les figures 8C et 9C, après avoir déposé un second matériau isolant sur le transistor en couche mince de pilotage TD, sur la plage de données 242, la plage de grille 218 et la plage de puissance 222, on forme par un troisième procédé de 10 masquage une seconde couche isolante (une couche de passivation) 258 présentant des trous de contact de source et de drain 248 et 250, un trou de contact de données 252, un trou de contact de grille 254 ainsi qu'un trou de contact de puissance 256. Les trous de contact de source et de drain 248 et 250 découvrent respectivement les électrodes de source et de drain 234 et 238. Le trou de contact de plage de données 15 252, le trou de contact de plage de grille 254 ainsi que le trou de contact de plage de puissance 256 découvrent respectivement la plage de données 242, la plage de grille 218 et la plage de puissance 222. Le trou de contact de plage de grille 254 et le trou de contact de plage de puissance 256 sont formés à travers la première couche isolante 223, la couche de silicium amorphe 224a et la seconde couche isolante 258. 20 Le trou de contact de drain 250 est disposé dans une région de connexion C (voir la figure 7) correspondant à une seconde électrode d'un dispositif électroluminescent organique. Sur les figures 8D et 9D, après avoir déposé un matériau polymère conducteur sur la seconde couche organique 258, on forme en utilisant un quatrième procédé de 25 masquage un motif de connexion 260, une électrode de puissance 262, une borne de plage de données 264, une borne de plage de grille 266, et une borne de plage de puissance 268. Le motif de connexion 260 est relié à l'électrode de drain 238 à travers le trou de contact de drain 250 et l'électrode de puissance 262 est reliée à l'électrode de source 234 par l'intermédiaire du trou de contact de source 248. La 30 borne de plage de données 264 est reliée à la plage de données 242 par l'intermédiaire du trou de contact de plage de données 252 tandis que la borne de plage de grille 266 est reliée à la plage de grille 218 à travers le trou de contact de plage de grille 254 et que la borne de plage de puissance 268 est reliée à la plage de puissance 222 par l'intermédiaire du trou de contact de plage de puissance 256. Un dispositif électroluminescent organique selon la présente invention présente des avantages. Premièrement, du fait que l'on utilise un transistor en couche mince à empilement inversé en silicium amorphe, le dispositif électroluminescent organique peut être fabriqué en utilisant des procédés à basse température. Deuxièmement, du R:\Brevets\21900\21943. doc - 26 décembre 2003 - 16/24 fait que l'on peut réduire le nombre de procédés de masquage même lorsqu'on utilise un motif de connexion supplémentaire, on peut améliorer effectivement le rendement de production, du fait de la simplification du processus. Troisièmement, du fait que les motifs de matrice et la diode électroluminescente organique sont formés sur des 5 substrats respectifs, on améliore le rendement de production et l'efficacité de la gestion de la production, et on augmente la durée de vie d'un dispositif électroluminescent organique. Quatrièmement, du fait que la diode électroluminescente organique est du type à émission par le dessus, on peut concevoir facilement un transistor en couche mince, et on peut obtenir une haute 10 résolution et un taux d'ouverture important indépendamment des motifs utilisés pour la fabrication de la matrice inférieure. L'homme du métier comprendra que diverses modifications et variations peuvent être apportées au dispositif électroluminescent organique ainsi qu'à son procédé de fabrication sans s'écarter de l'esprit de la présente invention. Il est donc entendu que la présente invention couvre les 15 modifications et les variations dans la mesure o elles sont couvertes par la portée des revendications jointes ou par leurs équivalents. R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 17/24 REVENDICATIONS 1. Un dispositif électroluminescent organique comprenant: - des premier et second substrats (110, 150) se faisant face et séparés l'un de l'autre, une ligne de grille (212) sur une surface interne du premier substrat; une couche semi-conductrice sur la ligne de grille (212), la couche semiconductrice recouvrant une surface du premier substrat; - une ligne de données (240) croisant la ligne de grille (212); - une couche de contact ohmique de données sous la ligne de données, la couche de contact ohmique présentant la même forme que la ligne de données; - une ligne de puissance (220), parallèle ou sensiblement parallèle à la ligne de données et séparée de celle-ci, la ligne de puissance comprenant le 15 même matériau que la ligne de grille; - un transistor en couche mince de commutation (Ts) relié à la ligne de grille et à la ligne de données, le transistor en couche mince de commutation utilisant la couche semi-conductrice comme couche active de commutation; - un transistor en couche mince de pilotage (TD) relié au transistor en couche mince de commutation et à la ligne de puissance, le transistor en couche mince de pilotage utilisant la couche semi-conductrice comme couche active de pilotage; - un motif de connexion (142) relié au transistor en couche mince de 25 pilotage, le motif de connexion comprenant un matériau polymère conducteur; - une première électrode (152) sur une surface interne du second substrat; - une couche électroluminescente organique (160) sur la première électrode; et - une seconde électrode (162) sur la couche électroluminescente organique; la seconde électrode étant en contact avec le motif de connexion (142). 2. Le dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la ligne de données (240) et la couche de contact ohmique de données sont conformées 35 séquentiellement dans un seul traitement photolithographique. 3. Le dispositif selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre une première ligne de liaison (241a) adjacente à l'intersection de la ligne de grille (212) R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 18/24 et de la ligne de puissance (220), la première ligne de liaison incluant le même matériau que le motif de connexion. 4. Le dispositif de la revendication 1, 2 ou 3, comprenant en outre des première et seconde lignes de liaison (241a, 241b) adjacentes à l'intersection de la ligne de grille (212) et de la ligne de puissance (220), dans lesquelles la première ligne de liaison (241) comprend le même matériau que le motif de connexion (142) et dans lequel la seconde ligne de liaison (241b) comprend le même matériau que la ligne de données (240), la seconde ligne de liaison coupant la ligne de grille (212) et 10 la seconde ligne de liaison étant disposée aux deux extrémités de la première ligne de liaison. 5. Le dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une plage de grille (218) à une extrémité de la ligne de grille 15 (212), une plage de données (242) à une extrémité de la ligne de données (240) et une plage de puissance (222) à une extrémité de la ligne de puissance (220). 6. Le dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le transistor en couche mince de commutation (Ts) comprend une électrode de 20 grille de commutation (214) reliée à une ligne de grille (212), la couche active de commutation (228) s'étendant au-dessus de l'électrode de grille de commutation, une couche de contact ohmique de commutation sur la couche active de commutation, et des électrodes de source et de drain de commutation (232, 236) sur la couche de contact ohmique de commutation. 7. Le dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que le transistor en couche mince de pilotage comprend une électrode de grille de pilotage (216) reliée à une électrode de drain de commutation (236), la couche active de pilotage (230) s'étendant au-dessus de l'électrode de grille de pilotage, une couche 30 de contact ohmique de pilotage sur la couche active de pilotage, et des électrodes de source et de drain de pilotage (234, 238) sur la couche de contact ohmique de pilotage. 8. Le dispositif de la revendication 7, comprenant en outre une couche d'isolation de grille entre l'électrode de grille de pilotage et la couche active de grille ainsi qu'une couche de passivation sur le transistor en couche mince de pilotage, dans lequel la couche de passivation comprend un trou de contact de source découvrant l'électrode de source de pilotage, un trou de contact de drain découvrant R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 19/24 l'électrode de drain de pilotage, un trou de contact de plage de grille découvrant la plage de grille, un trou de contact de plage de données découvrant la plage de données et un trou de contact de plage de puissance découvrant la plage de puissance. 9. Le dispositif de la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de passivation comprend le trou de contact de plage de grille et le trou de contact de plage de puissance, s'étendant à travers la couche semiconductrice et la couche d'isolation de grille. 10. Le dispositif de la revendication 9, comprenant en outre une bande de plage de grille et une bande de plage de données sur la couche de passivation, la borne de plage de grille étant reliée à la plage de grille à travers le trou de contact de plage de grille et la borne de plage de puissance étant reliée à la plage de puissance à 15 travers le trou de contact de plage de puissance, la borne de plage de grille et la borne de plage de puissance comprenant le même matériau que le motif de connexion. 11. Le dispositif de la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une électrode de connexion reliée à l'électrode de source de pilotage à travers 20 le trou de contact de source et reliée à la ligne de puissance. 12. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est formée de silicium amorphe. 13. Le dispositif de l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de données est formée de silicium amorphe dopé. 14. Le dispositif selon l'une des revendications 6 à 13, caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de commutation est formée de silicium amorphe 30 dopé. 15. Le dispositif selon l'une des revendications 7 à 14, caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de pilotage est formée de silicium amorphe dopé. 16. Un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique comprenant: R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 dêcerrbre 2003 - 20/24 - la formation d'une électrode de grille de pilotage, d'une ligne de grille, et d'une ligne de puissance sur un premier substrat, en utilisant un premier procédé de masquage; - la formation séquentielle d'une première couche d'isolation et d'une 5 couche semi-conductrice sur l'électrode de grille de pilotage, la ligne de grille et la ligne de puissance; - la formation séquentielle d'une première couche de silicium et d'une seconde couche de métal sur la couche semi-conductrice; - la conformation séquentielle des première et seconde couches en utilisant 10 un second procédé de masquage pour former une couche de contact ohmique de pilotage, une couche de contact ohmique de données, des électrodes de source et de drain de pilotage, et une ligne de données, la couche de contact ohmique de pilotage étant formée sous les électrodes de source et de drain de pilotage, la couche de contact ohmique de données 15 étant formée sous la ligne de données; - la formation d'une seconde couche isolante présentant un trou de contact de source et un trou de contact de drain au-dessus des électrodes de drain et de source de pilotage et de la ligne de données, en utilisant une troisième étape de masquage, le trou de contact de source découvrant l'électrode de source 20 de pilotage et le trou de contact de drain découvrant l'électrode de drain de pilotage; - la formation d'un motif de connexion et d'une électrode de conduction en un matériau polymère conducteur au-dessus de la seconde couche isolante, le motif de connexion étant relié à l'électrode de drain de pilotage à travers 25 le trou de contact de drain et l'électrode de connexion étant reliée à l'électrode de source de pilotage à travers le trou de contact de source; - la formation d'une première électrode sur un second substrat; - la formation d'une couche électroluminescente organique sur la première électrode; - la formation d'une seconde électrode sur la couche électroluminescente organique; et - l'assemblage des premier et second substrats de sorte que la seconde électrode entre en contact avec le motif de connexion. 17. Le procédé de la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation d'une première ligne de liaison à l'intersection de la ligne de grille et de la ligne de puissance, la première ligne de liaison étant formée en même temps que le motif de connexion. R'B\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 21/24 18. Le procédé de la revendication 16 ou 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation de première et seconde lignes à l'intersection de la ligne de grille et de la ligne de puissance, la première ligne de liaison étant formée en 5 même temps que le motif de connexion et la seconde ligne de liaison étant formée en même temps que la ligne de données. 19. Le procédé de la revendication 16, 17 ou 18, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation d'un transistor en couche mince de commutation 10 relié à la ligne de grille et à la ligne de données. 20. Le procédé de l'une des revendications 16 à 19, caractérisé en ce qu'il comprend en outre: - la formation d'une plage de grille et d'une plage de données sur le premier 15 substrat en utilisant la première étape de masquage; - la formation d'une plage de données utilisant la seconde étape de masquage; et - la formation d'un trou de contact de plage de grille, d'un trou de contact de plage de données, et d'un trou de contact de plage de puissance dans la 20 seconde couche d'isolation en utilisant la troisième étape de masquage, le trou de contact de plage de grille découvrant la plage de grille, le trou de contact de plage de données découvrant la plage de données, et le trou de contact de plage de puissance découvrant la plage de puissance; et - la formation d'une borne de plage de grille, d'une borne de plage de 25 données, et d'une borne de plage de puissance en un matériau polymère conducteur sur la seconde couche isolante, la borne de plage de grille étant reliée à la plage de grille à travers le trou de contact de plage de grille, la borne de plage de données étant reliée à la plage de données à travers le trou de contact de plage de données, la borne de plage de puissance étant 30 reliée à la plage de puissance à travers le trou de contact de plage de puissance. 21. Le procédé de la revendication 20, caractérisé en ce que la seconde couche isolante comprend le trou de contact de plage de grille et le trou de contact de 35 plage de puissance, qui s'étendent à travers la couche semi-conductrice et la première couche isolante. R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 22/24 22. Le procédé de l'une des revendications 16 à 21, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est formée de silicium amorphe. 23. Le procédé de l'une des revendications 16 à 22, caractérisé en ce que la première couche de silicium est formée de silicium amorphe dopé. 24. Le procédé selon l'une des revendications 16 à 23, caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de pilotage est formée de silicium amorphe dopé. 25. Le procédé selon l'une des revendications 16 à 24, caractérisé en ce que la couche de contact ohmique de données est formée de silicium amorphe dopé. R:\Brevets\21900\21943.doc - 26 décembre 2003 - 23/24