Brevet FR2857752A1 — publié le 20050121

DISPOSITIF DE MESURE DE LA TEMPERATURE DE TRANSITION VITREUSE D'UN FILM DE POLYMERE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un dispositif de mesure de la température de transition vitreuse d'un film de polymère. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Les résolutions des motifs obtenus en microélectronique ou en nanoimpression, au travers de résines de lithographie, ont jusqu'à présent été 15 déterminées par les limitations des procédés de réalisation des motifs et non celles du matériau en lui-même. Cependant, les prévisions industrielles prévoient que les motifs auront des tailles voisines des plus petites dimensions observées avec des résines 20 organiques, c'est à dire typiquement inférieures à 30nm. Ces nouvelles résolutions planifiées par l'industrie microélectroniques nécessitent de déterminer les propriétés physico-chimiques des résines 25 en couches minces, ceci afin d'optimiser leurs températures de recuit, les doses d'exposition ou les temps et températures de pressage pour la nanoimpression. Un paramètre déterminant pour les 30 cinétiques de diffusion et la mise en oeuvre des résines ou polymères est la température de transition vitreuse Tg de ces matériaux. En effet, en dessous de cette température, le matériau est vitreux, les chaînes moléculaires sont figées et la diffusion est lente. Au 5 contraire, au-dessus de cette température, le matériau est déformable et les processus de diffusion sont fortement accélérés. Par ailleuts, il est connu que la diminution de l'épaisseur, typiquement en dessous de 10 lOOnm, d'une couche mince de polymère déposée sur un substrat conduit à une variation moyenne de la température de transition vitreuse dudit polymère, ainsi qu'à une variation au travers de l'épaisseur de la couche mince des coefficients de diffusion des 15 macromolécules. Cet effet est dû aux interactions du matériau formant la couche mince avec le substrat. Si celles ci sont faiblement attractives (type Van der Waals) comparativement aux interaction inter et intra moléculaires, les macromolécules ont une mobilité 20 accrue au voisinage de l'interface de la couche mince et du substrat. La diffusion des composés ajoutés dans la couche mince est alors accélérée. Si les interactions avec le substrat sont fortes (type covalente, ionique ou hydrogène), il y a greffage des 25 molécules sur le substrat, ce qui limite fortement la diffusion des composés ajoutés. Par conséquent, le contrôle de la cinétique de diffusion des diverses espèces qui constituent la résine ainsi que la mobilité de ses macromolécules est 30 cruciale quant à la résolution finale pouvant être obtenue après une étape de lithographie sur la couche mince de ladite résine. Les paramètres importants pour réaliser des motifs sur une couche mince de résine sont alors le recuit de la résine après son couchage, sa dose d'exposition, le recuit après exposition puis la cinétique de développement de la résine par une base. Chacune de ces étapes fait intervenir la diffusion d'espèces. Or cette anisotropie des propriétés de diffusion selon l'épaisseur conduit à l'obtention de motifs non homogènes en dimensions, 10 après insolation et développement, créant ainsi des pieds ou des strictions à la base des motifs isolés et des ponts entre motifs voisins. Les techniques actuelles de caractérisation de films de polymères de couches minces, consistant à 15 suivre par méthode optique la variation de l'épaisseur du film lors du chauffage du matériau, permettent de déterminer une température de transition vitreuse moyenne du film. Par exemple, un moyen classique de mesure de cette température de transition vitreuse est 20 la mesure par ellipsométrie de l'épaisseur du film en fonction de la température décrite par Keddie et al. [1]. Cette technique, qui moyenne les effets de l'expansion volumique du film sur tout le volume, s'appuie sur le fait que lorsque les coefficients 25 d'expansion thermique du matériau à étudier présentent une rupture de pente, ledit matériau est à la température Tg. Le problème est que ces techniques sont relativement lentes et nécessitent un grand nombre d'expériences du fait de la dispersion des résultats. 30 Le manque d'outils de caractérisation permettant d'obtenir rapidement et simplement les propriétés thermiques de films minces de résine est problématique pour l'élaboration et l'intégration des résines du futur. Afin d'obtenir des motifs de dimension 5 typiquement inférieure à 30 nm, il est impératif d'optimiser toutes les étapes de lithographie et ceci grâce à une technique simple de contrôle du film mince permettant d'obtenir rapidement la valeur de sa température de transition vitreuse. 10 EXPOSE DE L'INVENTION Le but de l'invention est de permettre de mesurer la température de transition vitreuse Tg de plusieurs épaisseurs de résine en une seule étape. Ce but et d'autres encore sont atteints, conformément à l'invention, par un dispositif de mesure de la température de transition d'une résine comportant un support dont la face destinée à recevoir ladite résine comprend au moins deux puces, chaque puce étant 20 constituée d'une paire de peignes conducteurs, chaque peigne conducteur comprenant une pluralité de dents et un élément reliant des premières extrémités de la pluralité de dents, les dents d'un premier peigne de la paire étant entremêlées aux dents du second peigne de 25 la paire de sorte que les dents desdits peignes sont entremêlées, ledit élément faisant face vers l'extérieur de la puce, et un à plusieurs peignes ayant une ou des géométries différentes du reste des autres peignes. L'intérêt d'avoir des peignes avec des 30 géométries différentes est de pouvoir sonder plusieurs épaisseurs de résine en une seule étape, comme on le verra plus loin. Selon un mode de réalisation particulier, la ou les géométries différentes des peignes sont 5 obtenues en modifiant la distance inter- dents desdits peignes. Avantageusement, au moins une paire de peignes possède une distance inter-dents différente de celles des autres paires de peignes. L'invention concerne également un procédé de réalisation dudit dispositif de mesure de la température de transition vitreuse d'une résine. Ce procédé comprend les étapes consistant à fournir un support, et à réaliser sur une des faces dudit support 15 au moins deux desdites puces, chaque puce étant constituée d'une paire de peignes conducteurs, chaque peigne conducteur comprenant une pluralité de dents et un élément reliant des premières extrémités de la pluralité de dents, les dents d'un premier peigne de la 20 paire étant entremêlées aux dents du second peigne de la paire de sorte que les dents desdits peignes sont entremêlées, ledit élément faisant face vers l'extérieur de la puce, et un à plusieurs peignes ayant une ou des géométries différentes du reste des autres 25 peignes. Selon un premier mode de réalisation particulier, le support est un substrat de matériau isolant. Avantageusement, une face dudit substrat de 30 matériau isolant est recouverte d'une couche de matériau conducteur. Selon un deuxième mode de réalisation, le support est un substrat de matériau conducteur dont une face est recouverte d'une couche de matériau isolant. Avantageusement, ladite couche de matériau 5 isolant est recouverte d'une couche de matériau conducteur. Si le support est un substrat de matériau isolant ou un substrat de matériau conducteur dont une face est recouverte d'une couche de matériau isolant, 10 alors les dents et les éléments reliant les dents peuvent avantageusement être réalisés dans une partie du matériau isolant, c'est à dire dans une partie du substrat ou une partie de la couche de matériau isolant. Pour rendre conducteurs les dents et les éléments reliant les dents, on peut avantageusement effectuer un dépôt de film mince métallique sur les flancs et le sommet des dents et des éléments reliant les dents réalisés dans le matériau isolant (substrat ou couche ed matériau isolant). Pour arriver à ce résultat, le dépôt peut être réalisé en incidence oblique par rapport à la normale au plan du support, avec un angle d'incidence choisi de telle sorte que le dépôt ne se fasse que sur les flancs et les sommets des 25 dents et des éléments reliant les dents. La direction moyenne des atomes incidents doit donc être perpendiculaire à la grande longueur des dents des peignes, chaque dent des peignes faisant ombrage à la suivante. Avantageusement, on peut ensuite tourner le 30 support dans le plan de 180 , de sorte que les flancs opposés des peignes et des zones de contact soient également recouverts d'un dépôt métallique. Le dépôt de la couche métallique est réalisé selon une technique classique de dépôt de 5 couche mince. Avantageusement, le dépôt est réalisé par une évaporation ou une pulvérisation. Si le support est un substrat de matériau isolant dont une face est recouverte d'une couche de matériau conducteur ou si le support est un substrat de 10 matériau conducteur dont une face est recouverte d'une couche de matériau isolant, elle-même recouverte d'une couche de matériau conducteur, alors les dents et les éléments reliant les dents peuvent avantageusement être réalisés dans la totalité de l'épaisseur de la couche 15 de matériau conducteur. Avantageusement, lesdites dents et lesdits éléments reliant les dents peuvent être réalisés dans la couche de matériau conducteur et dans une partie du matériau isolant sous-jacent. On permet ainsi 20 d'éloigner les interfaces résines/isolant des zones conductrices. Avantageusement, les dents et les éléments reliant les dents sont réalisés par des procédés choisis parmi une lithographie, une nano impression ou 25 une nano-impression suivie d'une gravure. Les procédés de lithographie peuvent être optique ou électronique par exemple. La nano- impression, quant à elle, peut être ou non suivie d'un transfert par gravure des motifs des dents et des éléments reliant les dents. Avantageusement, les dents et les éléments reliant les dents possèdent des dimensions comprises entre quelques nanomètres et plusieurs micromètres. L'invention concerne également un procédé de caractérisation de la température de transition vitreuse d'une résine à l'aide du dispositif selon l'invention. Ce procédé comprend les étapes suivantes: - dépôt d'une couche de ladite résine à étudier sur la 10 face du dispositif comprenant au moins deux puces, - connection des éléments reliant les dents à un spectromètre diélectrique, - placement du dispositif connecté dans une enceinte régulée en température. Avantageusement, la résine à étudier est déposée sur le dipositif de mesure à l'aide d'une tournette (avec une seringue) et elle subit ensuite une étape de traitement thermique (un premier recuit). La température dudit traitement thermique est généralement 20 supérieure à la température de transition vitreuse de la résine afin de compacter le film de résine et d'évaporer la plus grande proportion de solvant possible. En effet, la présence de solvant dans la couche de résine favorise la diffusion des espèces 25 chimiques et peut limiter les performances de la résine. Ce procédé de caractérisation permet d'effectuer l'étude par analyse électrique dynamique (DEA) de la résine. En particulier, ce procédé permet 30 de caractériser les variations, en fonction de la température, des propriétés diélectriques de plusieurs épaisseurs de résines pour un unique film de résine déposé par couchage sur un dispositif consistant en un support plan structuré en plusieurs puces de deux peignes inter-digités, c'est-à-dire dont les dents sont 5 entremêlées. L'analyse du signal obtenu par ce procédé donne accès à la température de transition vitreuse Tg, mais aussi aux gradients de concentration des espèces polaires présentes dans la résine pour plusieurs épaisseurs de résine et en un seul couchage. De plus, 10 l'interprétation des résultats permet également de caractériser les propriétés de diffusion des espèces situées entre les dents des peignes. Ces espèces peuvent être des constituants de la résine ou avoir été créées par modification chimique d'un des constituants 15 de ladite résine (par exemple, par exposition à un rayonnement ou par activation thermique). BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres 20 avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels: les figures 1A à 1E présentent les étapes d'un 25 exemple de procédé de fabrication d'un dispositif de mesure de la température de transition vitreuse d'une résine selon l'invention, - la figure 2 illustre la géométrie de deux peignes inter-digités vue de dessus, - la figure 3 illustre un exemple de dispositif de caractérisation de la température de transition vitreuse d'une résine selon l'invention, - les figures 4A à 4D présentent les courbes de 5 variations des permittivités réelle et imaginaire d'une résine, d'une part en fonction de la fréquence appliquée à température constante, et d'autre part en fonction de la température à fréquence constante vm. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS La présente invention consiste à réaliser sur un support des peignes inter-digités conducteurs, chaque peigne ayant des dents qui sont connectées à un élément, de plusieurs millimètres carrés permettant de 15 venir faire un contact électrique par micro-pointe avec les peignes pour réaliser des mesures par spectroscopie électrique dynamique. Ces connections sont branchées sur un appareil mesurant la capacité du dispositif ainsi réalisé, ainsi que l'angle de perte, introduit 20 par la résine, du circuit électrique équivalent. On peut par exemple utiliser un spectromètre diélectrique pour réaliser ce type de mesure pour diverses fréquences de sollicitation électrique. Les peignes et les électrodes de contacts 25 du dispositif de mesure selon l'invention sont réalisés dans une couche conductrice ou semi- conductrice sur un substrat isolant ou tout autre substrat préalablement recouvert d'une couche isolante afin d'éviter les fuites de courants dans le substrat sans sonder la 30 résine. Par exemple, pour réaliser ce dipositif de mesure, on peut par exemple utiliser un support constitué d'un substrat conducteur, recouvert d'une couche isolante puis d'une couche conductrice. Selon la figure 1A et la figure lB, un 5 substrat conducteur 1 est dans un premier temps recouvert d'un dépôt de matériau isolant électrique 2. En variante, le substrat peut également être oxydé sur une de ses faces. On obtient ainsi une couche 2 qui va permettre d'isoler le substrat 1 des futurs motifs 10 conducteurs constituant les puces, c'est-à-dire les cellules de mesure. Puis, une couche conductrice 3, épaisse de plusieurs dizaines de nanomètres par exemple (de 10 nm à 1 tm), est déposée (voir figure lC) . Cette couche 15 conductrice 3 peut par exemple être une couche de polysilicium, de métal ou de polymère conducteur. Par la suite, les motifs des peignes 4 (dents 7 et élément 8 reliant les dents) peuvent être réalisés par des processus de lithographie classique 20 (lithographie électronique ou optique par exemple) dans une couche de résine. Les motifs réalisés dans la résine sont ensuite transférés dans toute l'épaisseur de la couche conductrice 3 et une partie ou la totalité de la couche d'isolant 2 (figure 1D). En fait, la 25 gravure est stoppée de telle sorte que l'interface résine-isolant ne soit pas trop près de la région sondée entre les peignes conducteurs. Plus précisément, afin de ne prendre uniquement en compte que l'influence des interactions avec les dents des peignes, orientées 30 parallèlement au substrat, et non les interactions avec le substrat ou la surface isolante, orientées normalement au substrat, la profondeur de la couche isolante gravée (ici, couche d'oxyde) est calculée pour être supérieure aux distances de structuration verticales, c'est-à-dire à la hauteur des dents des 5 peignes, soit quelques dizaines de nanomètres. Ce que l'on observe dans la figure 1D, ce sont les dents 7 d'un peigne A et les dents 7 d'un peigne B placées de manière entremêlé et vue en coupe. Le dispositif de mesure 5 est alors réalisé et il ne reste plus qu'à y déposer, sur sa surface, la résine 6 à étudier, par exemple à l'aide d'une tête centrifugeuse ( spinner )(voir figure 1E). Au final, du fait que la résine 6 est 15 présente entre les différentes dents 7 conductrices des peignes, lesdits peignes constituent ainsi une capacité dont on peut suivre les variations des caractéristiques électriques avec le temps, avec la température ou encore, sous exposition lumineuse ou non. La géométrie 20 des peignes est choisie de telle sorte que la capacité mesurée soit détectable par les appareils de mesures disponibles dans le commerce. Pour donner un exemple, supposons que la capacité doive être supérieure à 100 pF. La figure 2 décrit la géométrie d'une puce, vue de 25 dessus, constituée par une paire de peignes A et B. Soit L, la largeur des dents conductrices, e l'espace entre deux dents voisines, 1 la longueur utile pour la mesure de la capacité et W la largeur de la puce, la capacité totale de la puce est: 30 hxl W Cr Eor X xl- (1)X e L+S Avec h la hauteur des dents conductrices (ou la partie conductrice des dents) perpendiculairement à la surface du dispositif, et ò et r respectivement la permittivité du vide et de la résine caractérisée. 5 L'équation (1) permet de choisir au mieux les géométries des peignes pour obtenir un signal détectable. Le dispositif global de mesure est conçu de sorte qu'il comprend plusieurs peignes dont la 10 géométrie diffère. Par exemple, si tous les paramètres restent fixent (1, W, L ainsi que l'épaisseur des lignes conductrices) sauf le paramètre e, et que ce dernier varie de puce en puce, on pourra alors caractériser diverses épaisseurs de résine à l'aide 15 d'un seul et même dispositif de mesure. En effet, la mesure des propriétés de la résine entre deux dents est équivalente à la mesure des propriétés de la résine entre deux couches du même matériau constituant les dents du peigne. Par conséquent, en faisant varier 20 l'espace e entre deux dents voisines, cela revient à modifier l'épaisseur de résine sondée. Le dispositif de mesure est constitué d'un substrat structuré de plusieurs puces qui constituent des électrodes de mesure pour la technique d'analyse 25 électrique dynamique. Par conséquent, le dispositif final de mesure permet de tester diverses épaisseurs e de résine comprise entre deux dents dans un plan horizontal, cette épaisseur étant différente de l'épaisseur totale d de résine couchée sur le 30 dispositif de mesure (voir figure 1E). Le dispositif de mesure permet de mesurer par analyse électrique dynamique l'admittance réelle et complexe des capacités en parallèles ainsi réalisées. La méthodologie consiste à coucher une résine à étudier sur un support sur lequel sont 5 réalisées N puces de deux peignes inter-digités. Puis, l'opérateur peut éventuellement appliquer le recuit pour stabiliser ledit film de résine. Ensuite, l'opérateur positionne un système de 2N pointes de contact comme détaillé sur la figure 3; les 2N pointes 10 de contact sont reliées soit à 2N spectromètres diélectriques, soit à un seul. Dans ce dernier cas, l'opérateur devra commuter chaque puce et lancer la mesure à fréquence fixe. La moitié des 2N pointes permet de délivrer 15 une tension, l'autre moitié sert à la mesure du courant résultant. Une fois relié au(x) spectromètre(s), le dispositif de mesure est disposé sur un plaque chauffante qui va permettre de balayer le film de résine en température. Dans la figure 3, le dispositif de mesure possède N=16 puces 9, un seul spectromètre diélectrique piloté par un ordinateur personnel, et un commutateur qui permet de sélectionner la puce choisie. Ainsi, N=16 courbes sont générées, ce qui permet de déterminer le 25 comportement thermique de N=16 épaisseurs de résine en un seul test (par exemple, les 16 puces peuvent balayer des épaisseurs comprises entre 50 nm à 1 m d'épaisseur). Comparativement à une méthode de caractérisation optique, le gain de temps est 30 conséquent, car un seul couchage et un seul balayage en température sont nécessaires. Typiquement, la gamme de température balayée varie de la température ambiante à une température sensiblement égale à 200 C, soit sensiblement 180 C d'amplitude. Les vitesses de montée 5 de température doivent être relativement lentes pour laisser au matériau le temps de se thermaliser, les vitesses classiques étant voisines de 2 C par minute, soit un temps total de mesure de lh30 environ. Par ellipsométrie, hormis le temps de couchage et de 10 recuit, il faudrait un temps équivalent à N fois lh30. Grâce au dispositif de mesure selon l'invention, l'opérateur peut donc caractériser le comportement thermique de N épaisseurs différentes de résine en un seul couchage et en une seule montée de température. 15 Classiquement, il faudrait effectuer N couchages, N recuits et N mesures pour chaque épaisseur par spectroscopie diélectrique ou ellipsométrique. Le gain de temps est donc conséquent. Une fois que le couchage de la résine est 20 réalisé et que le dispositif est connecté par micropointes au dispositif de spectroscopie diélectrique, le dispositif de mesure est placé dans une enceinte régulée en température et on applique entre les dents des peignes du dispositif de mesure une tension Uo(t) 25 périodique de forme sinusoïdale et impulsionnelle, et on mesure le courant I(t) qui est ainsi généré. Les deux fonctions Uo(t) et I(t) sont périodiques, mais il y a un déphasage entre les deux, ce qui donne l'angle de perte du matériau. La tension 30 appliquée est limitée par la tension de claquage du matériau, valeur critique qui dépend de son épaisseur. Typiquement, sous un champ électrique alternatif, les champs de claquage des matériaux sont voisins de 0,1 Mvolts/cm. Par exemple, pour un film de 1 am d'épaisseur, sa tension de claquage sera voisine de 100 5 Volts tandis que pour un film de 50 nm d'épaisseur, ce sera 5 Volts. Il est plus avantageux de travailler à haute tension car on obtient un signal de courant plus intense, et on n'est ainsi pas perturbé au niveau des mesures par des capacités parasites ou des 10 perturbations électromagnétiques. Néanmoins, des tensions de l'ordre du volt donnent des résultats corrects si la capacité du dispositif expérimental est suffisamment élevée, c'est à dire supérieure à 10 pF. En connaissant Uo(t) et I(t), on peut 15 calculer la capacité complexe C* du dispositif de mesure à une fréquence de sollicitation o donnée à l'aide de la relation suivante: Uo (t) =*lI (t) dt La capacité, fonction complexe, est 20 corrélée à la permittivité diélectrique relative complexe * du matériau isolant situé entre les deux électrodes. C =ò X XOù e est la distance inter-électrodes (dans 25 notre cas, la distance entre les dents du peigne) et S la surface des électrodes (donc la surface des lignes formant le peigne de mesure), avec S=hxl, h et 1 ayant été définis précédemment. Notons que la sensibilité de la mesure de la capacité augmente quand l'épaisseur de résine sondée diminue; la dimension ultime pour la distance inter-électrodes correspond aux dimensions 5 ultimes de fabrication du support dans lequel les électrodes sont réalisées. Sachant que la permittivité diélectrique relative complexe E* suit la relation suivante: * =E'+iXe on en déduit que les mesures obtenues par spectroscopie diélectrique ou analyse électrique dynamique ( Dynamic Electrical Analysis en anglais) permettent de suivre les variations de la partie réelle E' et imaginaire e" de la permittivité soit avec la fréquence de 15 sollicitation, soit avec la température à fréquence fixée. L'étude isotherme de la permittivité réelle e' et imaginaire e", soumis à un balayage de fréquences variant de 1 MHz à 1 GHz (gamme de fréquence déterminée 20 par les caractéristiques du spectromètre utilisé) permet d'analyser la mobilité sous champs électrique des espèces ajoutées au sein du matériau. Les courbes des figures 4 A et 4B montrent les variations typiques de la permittivité réelle et imaginaire d'un polymère 25 en fonction de la fréquence de la tension appliquée à température constante. Ces mesures préliminaires permettent de fixer la fréquence de mesure isochrone Um qui doit être supérieure à la transition entre le comportement basse fréquence et haute fréquence du matériau. Cette fréquence de mesure est de l'ordre de plusieurs dizaines de kHz. Le temps de mesure est donc de l'ordre de la milliseconde, ce qui est nettement plus rapide que les mesures réalisées par ellipsométrie. Sachant que la transition entre le comportement basse fréquence et haute fréquence du matériau se décale vers les hautes fréquences quand la température augmente, on peut observer cette transition 10 en traçant la variation des permittivités réelle et imaginaire du même polymère en fonction de la température et à fréquence constante 1m (voir figures 4C et 4D). La température où il y a transition entre le comportement haute fréquence et basse fréquence 15 correspond à la température de transition vitreuse du film. L'invention possède de nombreux avantages. Notamment, comme le dispositif de mesure est une plaque dont l'état de surface a été modifié, cet outil peut 20 être utilisé dans les dispositifs de couchage industriel de résine de lithographie. Par rapport à la technique de spectroscopie diélectrique non couplée à cette cellule, nécessitant une métallisation de la face supérieure du film de polymère (ce qui est 25 contraignant, polluant et dure plusieurs minutes), l'utilisation de cette cellule pour des mesures de spectroscopie diélectrique est rapide, ne perturbe pas le matériau (comme dans le cas d'une évaporation de métal sur la face supérieure) et n'ajoute aucun agent 30 de contamination dans les pistes de couchage par exemple. Une fois le couchage réalisé, le système est placé dans une enceinte régulée en température, et le dispositif est connecté par micro-pointes au dispositif de spectroscopie diélectrique. Ainsi, cette technique est utilisable en milieu ultra propre comme n'importe quel substrat autorisé. Par ailleurs, on a vu que le dispositif de mesure permet de déterminer, en un seul couchage, les propriétés physico-chimiques moyennes sur le volume de plusieurs épaisseurs de résines, quelles que soient 10 leurs formulations. L'analyse des résultats obtenus par la technique d'analyse électrique dynamique permet en particulier de déterminer la température de transition vitreuse Tg de la résine, et ainsi d'adapter le recuit après insolation de ladite résine ( Post Applied 15 Bake en anglais), ledit recuit devant être effectué à une température légèrement supérieure à Tg; connaître la température Tg d'une résine est particulièrement utile lors des étapes de fabrication d'un circuit intégré. L'analyse des résultats permet également de 20 déterminer l'existence de gradient de concentration de composés polaires, et leur influence sur la mobilité des chaînes et des agents réticulants lors du recuit après insolation. BIBLIOGRAPHIE [1] J.L. KEDDIE, R.A.L. JONES, R.A. CORY, Europhys Letter, 27, 59 (1994). REVENDICATIONS 1. Dispositif de mesure de la température de transition d'une résine, ledit dispositif (5) étant 5 caractérisé en ce qu'il comporte un support dont la face destinée à recevoir ladite résine comprend au moins deux puces (9), chaque puce (9) étant constituée d'une paire de peignes conducteurs (A,B), chaque peigne conducteur comprenant une pluralité de dents (7) et un 10 élément (8) reliant des premières extrémités de la pluralité de dents (7), les dents d'un premier peigne de la paire étant entremêlées aux dents du second peigne de la paire de sorte que les dents (7) desdits peignes (A,B) sont entremêlées, ledit élément (8) 15 faisant face vers l'extérieur de la puce (9), et un à plusieurs peignes ayant une ou des géométries différentes du reste des autres peignes. 2. Dispositif selon la revendication 20 précédente, caractérisé en ce que la ou les géométries différentes des peignes sont obtenues en modifiant la distance inter-dents desdits peignes. 3. Dispositif selon la revendication 25 précédente, caractérisé en ce qu'au moins une paire de peignes possède une distance inter-dents différente de celles des autres paires de peignes. 4. Procédé de réalisation d'un dispositif 30 de mesure de la température de transition d'une résine selon l'une quelconque des revendications précédentes, ledit procédé comportant les étapes suivantes: - fourniture du support, - réalisation sur une des faces dudit support d'au 5 moins deux desdites puces (9), chaque puce (9) étant constituée d'une paire de peignes conducteurs (A,B), chaque peigne conducteur comprenant une pluralité de dents (7) et un élément (8) reliant des premières extrémités de la pluralité de dents (7), les dents d'un 10 premier peigne de la paire étant entremêlées aux dents du second peigne de la paire de sorte que les dents (7) desdits peignes (A,B) sont entremêlées, ledit élément (8) faisant face vers l'extérieur de la puce (9), et un à plusieurs peignes ayant une ou des géométries 15 différentes du reste des autres peignes. 5. Procédé de réalisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le support est un substrat de matériau isolant. 20 6. Procédé de réalisation selon la revendication précédente, caractérisé en ce qu'une face du substrat de matériau isolant est recouverte d'une couche de matériau conducteur. 25 7. Procédé de réalisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le support est un substrat de matériau conducteur (1) dont une face est recouverte d'une couche de matériau isolant (2). 30 8. Procédé de réalisation selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la couche de matériau isolant (2) est recouverte d'une couche de matériau conducteur (3). 9. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 5 ou 7, caractérisé en ce que les peignes (A,B) sont réalisés dans une partie du matériau isolant. 10. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 6 ou 8, caractérisé en ce que les peignes (A,B) sont réalisés dans la totalité de l'épaisseur de la couche (3) de matériau conducteur. 15 11. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 6 ou 8, caractérisé en ce que les peignes (A,B) sont réalisés dans la couche (3) de matériau conducteur et dans une partie du matériau 20 isolant (2) sous-jacent. 12. Procédé de réalisation selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'un dépôt d'un film mince métallique est réalisé sur les flancs et le 25 sommet des peignes (A,B) réalisés dans le matériau isolant. 13. Procédé de réalisation selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le 30 dépôt est réalisé par une évaporation ou une pulvérisation. 14. Procédé de réalisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que les peignes (A,B) sont réalisés par des procédés choisis parmi une lithographie, une nano impression ou une nano5 impression suivie d'une gravure. 15. Procédé de réalisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que les dents (7) et les éléments (8) reliant les dents ont des dimensions 10 comprises entre quelques nanomètres et plusieurs micromètres. 16. Procédé de caractérisation de la température de transition vitreuse d'une résine à 15 l'aide d'un dispositif selon l'une quelconque des revendications 1, 2 ou 3, ledit procédé comportant les étapes suivantes: dépôt d'une couche de la résine (6) à étudier sur la face du dispositif comprenant au moins deux puces 20 (9,9), - connection des éléments (8) reliant les dents (7) à un spectromètre diélectrique, - placement du dispositif connecté dans une enceinte régulée en température.