Brevet FR2847714A1 — publié le 20040528

La présente invention concerne un procédé de recuit thermique d'une tranche de matériau choisi parmi les matériaux semiconducteurs en vue du détachement d'une couche de ladite tranche au niveau d'une zone de fragilisation. Et l'invention concerne également un dispositif permettant d'effectuer un tel recuit. On connaît déjà des procédés et dispositifs du type mentionné cidessus. La tranche peut être en un matériau semiconducteur tel que le silicium. Le procédé SMARTCUTO est un exemple de procédé mettant en oeuvre de telles étapes. On précise par ailleurs que la surface des couches ainsi créées doit généralement respecter des spécifications d'état de surface qui sont très 1 5 sévères. Il est ainsi courant de trouver des spécifications de rugosité ne devant pas dépasser 5 Angstrôms en valeur rms (correspondant à l'acronyme anglosaxon " root mean square ") Les mesures de rugosité sont généralement effectuées grâce à un microscope à force atomique (AFM selon l'acronyme qui correspond à l'appellation anglo-saxonne de Atomic Force Microscope). Avec ce type d'appareil, la rugosité est mesurée sur des surfaces balayées par la pointe du microscope AFM, allant de lx1 lm2 à l0xlO im2 et plus rarement 50x50 Ftm2, voire 1 OOxI00 pLm2. On précise également qu'il est possible de mesurer la rugosité de surface par d'autres méthodes, en particulier par le biais d'une mesure de " haze " selon la terminologie anglo-saxonne répandue. Cette méthode présente notamment l'avantage de permettre de caractériser rapidement l'uniformité de la rugosité sur toute une surface. Ce haze, mesuré en ppm, est issu d'une méthode utilisant les propriétés de réflectivité optique de la surface à caractériser, et correspond à un " bruit de fond " optique diffusé par la surface, en raison de sa microrugosité. On précise par ailleurs que si les couches doivent respecter des valeurs de rugosité, elles doivent également présenter une rugosité homogène sur toute leur surface. Et les procédés mentionnés ci-dessus qui permettent selon l'état de la technique de détacher suite à un recuit une couche d'une tranche de matériau semiconducteur ne permettent pas toujours d'aboutir à des rugosités de surface de couche respectant les spécifications mentionnées ci-dessus. Il existe ainsi un besoin pour améliorer le contrôle de la rugosité des couches détachées suite à un recuit. Un but de l'invention est de répondre à ce besoin. Afin d'atteindre ce but, l'invention propose selon un premier aspect un procédé de recuit thermique d'une tranche de matériau choisi parmi les matériaux semiconducteurs en vue du détachement d'une couche de ladite tranche au niveau d'une zone de fragilisation, caractérisé en ce que lors du recuit: ò on apporte à la tranche un budget thermique de base légèrement inférieur au budget nécessaire au détachement de la couche, ce budget étant réparti de manière homogène dans la zone de fragilisation, ò on apporte en outre localement à la tranche un budget thermique additionnel dans une région déterminée de la zone de fragilisation de manière à initier au niveau de cette région le détachement de la couche. Des aspects préférés, mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants: ò lors de l'apport de budget thermique global on contrôle sélectivement différents organes de chauffage situés en regard de la tranche, * la tranche est disposée sensiblement verticalement, * la tranche est disposée sensiblement horizontalement, l'apport de budget thermique de base est réalisé dans une première phase, puis un apport de budget thermique additionnel localisé est réalisé dans une deuxième phase, * l'apport de budget thermique de base est réalisé sensiblement simultanément avec l'apport de budget thermique additionnel localisé, * on fait subir le recuit à plusieurs tranches, simultanément, on contrôle la circulation de gaz conducteur de chaleur sur les différentes régions de la surface de la tranche, * ledit contrôle est effectué à l'aide d'un volet ayant une géométrie de barrière, ledit contrôle est effectué à l'aide d'un volet ayant une géométrie d'enceinte perforée. Selon un deuxième aspect, l'invention propose également un dispositif pour la mise en oeuvre d'un tel procédé, caractérisé en ce que le dispositif comprend: * une pluralité d'organes de chauffage destinés à être en regard de différentes parties de chaque tranche à recuire, ò des moyens permettant de contrôler sélectivement la puissance de chauffage de chaque organe de chauffage, 20. des moyens pour contrôler la répartition de gaz conducteur de chaleur dans le dispositif. Des aspects préférés, mais non limitatifs de ce dispositif sont les suivants: * les organes de chauffage s'étendent sensiblement horizontalement, * les organes de chauffage ont une forme générale circulaire, * les organes de chauffage sont disposés les uns à la suite des autres selon une direction sensiblement verticale, * le dispositif comprend un espace de réception des tranches dans lequel les tranches sont disposées sensiblement verticalement pour leur chauffage, * les organes de chauffage entourent l'espace de réception des tranches, * les organes de chauffage s'étendent sensiblement dans le même plan, * les organes de chauffage s'étendent de manière concentrique les uns par rapport aux autres, * le dispositif comprend un espace de réception des tranches dans lequel les tranches sont disposées sensiblement horizontalement pour leur chauffage, * lesdits moyens de contrôle de la répartition de gaz comprennent un volet diffuseur permettant de provoquer une circulation du gaz selon une configuration désirée, disposé en regard d'une ouverture permettant d'introduire un gaz conducteur de chaleur, * le volet a une géométrie de barrière, * le volet a une géométrie d'enceinte perforée. D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante de formes préférées de réalisation de l'invention, faite en, référence aux dessins annexés sur lesquels: La figure 1 est une représentation schématique d'ensemble d'un dispositif de recuit selon l'invention, correspondant à un premier mode de réalisation, La figure 2 est une représentation schématique plus détaillée d'une partie de ce dispositif, * La figure 3 est une représentation de la répartition de haze à la surface d'une couche, selon une variante de l'état de la technique, ò la figure 4 est une représentation schématique d'un dispositif de recuit selon l'invention, correspondant à un deuxième mode de réalisation, * les figures 5a à 5c sont des représentations schématiques de dispositifs de recuit selon l'invention correspondant au deuxième mode de réalisation, faisant apparaître différents types de moyens pour orienter de manière désirée la circulation d'un gaz conducteur de chaleur. En référence à la figure 1, on a représenté un premier mode de réalisation d'un dispositif de recuit selon l'invention. On précise que les tranches dont il va être question dans ce texte sont des tranches réalisées en un matériau semiconducteur tel que le silicium, et comportant une zone de fragilisation. La zone de fragilisation peut avoir été créée par implantation. Elle s'étend dans l'épaisseur de la tranche à une profondeur constante (cette zone de fragilisation correspondant à une surface parallèle aux faces de la tranche), en définissant une couche à détacher. Et de manière générale, le recuit objet de l'invention peut s'inscrire dans le cadre d'un procédé de type SMARTCUTO. Le recuit qui est appliqué aux tranches a pour but de favoriser pour chaque tranche le détachement de la couche de matériau qui est définie dans l'épaisseur de la tranche par la zone de fragilisation. Le dispositif 10 de la figure lcomprend une enceinte 100 de chauffage destinée à recevoir une ou plusieurs tranches T pour leur faire subir un recuit selon l'invention. L'axe longitudinal de dispositif 10 est vertical - ce dispositif s'apparente ainsi à un four vertical. On remarquera que les tranches T sont disposées verticalement dans cette enceinte, et pas horizontalement comme cela est connu. Les tranches sont reçues dans une nacelle 110, qui est elle-même supportée par un support 111. Le support 111 repose sur un couvercle 112 fermant la gueule 120 du dispositif. Des moyens 130 de manutention des tranches sont en outre prévus pour introduire les tranches dans le dispositif 10 et les en sortir après recuit. L'enceinte 100 est munie d'une ouverture 101 située à l'opposé de la gueule 120. Un gaz conducteur de la chaleur peut être introduit dans l'enceinte par cette ouverture. Une pluralité d'organes de chauffage 140 entoure l'enceinte 100. Ces organes de chauffage sont disposés les uns à la suite des autres selon une direction sensiblement verticale. Ces organes de chauffage peuvent par exemple être des électrodes aptes à émettre de la chaleur lorsqu'elles sont alimentées en électricité. On précise qu'un tel dispositif comporte des moyens (non représentés sur les figures) pour mettre en rotation la nacelle supportant les tranches autour de l'axe longitudinal du dispositif pendant le recuit, ainsi que des moyens de contrôle et de régulation du débit de gaz conducteur. Ces moyens contribuent à réaliser un chauffage homogène des tranches (ce qui correspond au budget thermique de base qui sera explicité plus loin dans ce texte). La figure 2 fait mieux apparaître l'enceinte 100, les tranches T et les organes de chauffage 140 (leur nombre étant réduit sur cette figure par souci de clarté). Des moyens non représentés sur les figures permettent de contrôler sélectivement l'alimentation de chaque organe de chauffage, de manière à contrôler sélectivement la puissance de chauffage de chacun de ces organes. De la sorte, on contrôle la répartition verticale du budget thermique apporté aux tranches pendant le chauffage. La Demanderesse a en effet observé que l'utilisation d'un four vertical classique dans lequel on aurait l'idée de disposer les tranches verticalement comme cela est représenté sur les figures 1 et 2 produisait un gradient de température vertical. Et un tel gradient se traduit après détachement de la couche de chaque tranche par un gradient vertical de rugosité qui compromet l'homogénéité de la surface de la couche. La rugosité se répartit en effet alors de manière générale en " strates " horizontales, et n'est pas homogène sur la surface de la couche détachée (ni sur celle de la partie de la tranche située de l'autre côté de la zone de fragilisation). Un tel effet est représenté sur la figure 3. Il est également possible de contrôler sélectivement des groupes d'organes de chauffage recevant la même valeur de consigne pour la température de chauffage. Ceci est par exemple le cas dans une configuration de mise en oeuvre de l'invention dans laquelle les organes de chauffage sont des spires adjacentes les unes aux autres. Dans ce type de configuration, il est envisageable de contrôler l'alimentation électrique de chaque spire individuellement, ou bien de contrôler les alimentations respectives de différents groupes de spires. Et dans ce dernier cas, la proximité des spires entre elles provoque l'existence d'une zone plus chaude à l'intérieur d'un groupe de spires alimenté de la même manière (cette zone étant typiquement au milieu du groupe, en faisant abstraction des groupes de spires voisins). On pourra exploiter selon l'invention de telles zones chaudes du dispositif, par exemple pour apporter un budget thermique additionnel (qui sera explicité plus loin dans ce texte). En contrôlant sélectivement l'alimentation des organes de chauffage , on peut contrôler la répartition spatiale du budget thermique apporté aux tranches. On remarque en outre sur la figure 3 que les " strates " ne sont pas des bandes rectilignes, mais ont une forme générale. Ceci traduit l'effet d'une différence du budget thermique apporté, respectivement à la région centrale de la tranche et à ses bords latéraux. Et il est également possible de contrôler sélectivement la répartition du débit de gaz conducteur dans une section horizontale du four, de manière à adapter ce débit de gaz en différents endroits de la section pour tendre à annuler cette inhomogénéité observée sur une section horizontale de la tranche. Ce contrôle sélectif de la répartition des débits de gaz conducteur peut être réalisé en complément du contrôle sélectif de l'alimentation des organes de chauffage qui a été mentionné ci-dessus. Ainsi, de manière générale - et comme cela va être détaillé - on contrôle la répartition spatiale du budget thermique apporté aux tranches T par le contrôle sélectif de l'alimentation des différents organes de chauffage, et/ou par le contrôle sélectif de la répartition de débit de gaz conducteur de chaleur sur la surface des tranches. Il est ainsi en particulier possible d'apporter aux tranches T un budget thermique spatialement homogène sur toute l'étendue de la zone de fragilisation de chaque tranche. Ceci peut être visualisé par exemple par des mesures de haze effectuées sur la surface des couches, après leur détachement. Pour réaliser un apport de budget homogène à des tranches dans un dispositif du type de ceux représentés sur les figures 1 et 2, on alimentera typiquement davantage les organes de chauffage inférieurs que les organes supérieurs. On compense ainsi la tendance naturelle de la chaleur à monter dans l'enceinte, et on génère des températures supérieures dans la partie haute de cette enceinte. On assure de la sorte que le budget thermique apporté aux tranches est homogène sur toute la zone de fragilisation de chaque tranche. Et de manière plus générale, on peut contrôler sélectivement les alimentations individuelles des différents organes de chauffage pour contrôler finement la répartition spatiale du budget thermique apporté aux tranches. Ce contrôle de la répartition spatiale du budget thermique apporté aux tranches est utilisé selon l'invention pour: * apporter aux tranches d'une part un budget thermique très homogène sur l'étendue de la zone de fragilisation de chaque tranche (comme décrit ci-dessus). Ce budget thermique (que l'on nommera " budget thermique " de base ") est contrôlé pour être: > qualitativement très homogène spatialement sur la surface de fragilisation de chaque tranche, > et quantitativement légèrement inférieur au budget nécessaire au détachement de la couche à partir de la tranche. d'autre part, en addition de ce budget thermique de base, un budget thermique additionnel, contrôlé pour n'être apporté qu'en un endroit localisé de chaque tranche (constitution d'un " point chaud " contrôlé). Ce budget thermique additionnel peut être apporté par exemple en alimentant sélectivement un ou plusieurs organes de chauffage, en addition des mesures décrites ci-dessus pour obtenir un chauffage très homogène des tranches. On précise qu'il est également possible d'utiliser une répartition particulière de température dans le dispositif de recuit (par exemple en contrôlant les flux de gaz) pour apporter le budget thermique additionnel. Et comme on va le voir, ces deux apports de budget thermique contrôlés peuvent être réalisés séquentiellement l'un après l'autre, ou sensiblement simultanément. Le budget thermique global ainsi apporté aux tranches (budget de base + budget additionnel) est donc différent de celui que l'on obtiendrait en chauffant dans un four vertical des tranches que l'on aurait l'idée de disposer verticalement. On a en effet vu que dans ce cas le budget thermique présenterait un gradient vertical. Le budget thermique global correspond ainsi à un budget thermique qui au niveau de la zone de fragilisation peut éventuellement présenter un point chaud localisé, mais ne présente pas de variations s'étendant sur une partie importante de cette zone (par exemple sur au moins la moitié d'une grandeur caractéristique de cette zone - cette grandeur étant typiquement son diamètre dans le cas d'une zone de fragilisation en, forme de disque). L'installation des figures 1 et 2 correspond à un mode préféré de réalisation d'un dispositif de recuit selon l'invention. Il est cependant également possible de réaliser un tel apport homogène de budget thermique global avec des installations différentes. La figure 4 représente ainsi un dispositif 20 qui est apte à effectuer un recuit selon l'invention sur une tranche T, ou sur une pluralité de tranches. La ou les tranches s'étendent sensiblement horizontalement, dans une enceinte de chauffage 200. L'enceinte est pourvue d'une ouverture 201 pour introduire un gaz conducteur de chaleur. On précise que si la représentation simplifiée de la figure 4 fait apparaître une entrée unique 201 pour introduire un gaz conducteur de chaleur, il est ici encore possible de prévoir des dispositions pour assurer que le flux de ce gaz sur la surface des tranches ne génère pas d'inhomogénéité dans les budgets thermiques absorbés par les différentes zones de la surface de chaque tranche. A cet égard, on pourra par exemple prévoir que le dispositif 20 comprenne plusieurs ouvertures 201 pour introduire un gaz conducteur de chaleur, ces ouvertures étant alors disposées régulièrement autour de la périphérie du dispositif. Il est également possible, en alternative ou en complément, de prévoir à l'intérieur du dispositif, en regard de l'ouverture 201 (ou de chaque ouverture 201) des volets diffuseurs permettant de provoquer une circulation du gaz selon une configuration désirée. De tels volets garantissent ainsi que le flux de gaz est homogène sur la surface de tranche. De tels volets peuvent prendre différentes géométries, par exemple: * une géométrie de " barrière " interposée entre l'entrée de gaz et les tranches, les gaz devant alors contourner la barrière pour s'écouler en regard des tranches (ce type de configuration est illustré sur les figures a et 5c), * une géométrie d'enceinte perforée entourant les plaques, dont les ouvertures permettent le passage du gaz vers les tranches (figure 5b). Dans tous les. modes de réalisation de l'invention (en particulier dans le cas d'un four horizontal ou d'un four vertical), il est ainsi possible d'effectuer le contrôle du budget thermique apporté aux tranches par deux moyens principaux: * le contrôle individuel de différents organes de chauffage, * le contrôle de la circulation des flux de gaz conducteur de chaleur sur les différentes régions de la surface de tranche. Le dispositif 20 comprend des organes de chauffage représentés collectivement par la référence 240. Ces organes de chauffage peuvent être disposés uniquement audessus des tranches, mais il est également possible de les doubler par des organes de chauffage similaires situés en-dessous des tranches. Les organes de chauffage 240 peuvent être une série d'organes individuels de chauffage (par exemple des électrodes) qui s'étendent dans le même plan horizontal. Chaque organe de chauffage peut alors être un anneau circulaire qui est placé concentriquement aux autres organes, les différents organes ayant des diamètres différents. Et les organes sont alors placés également concentriquement aux tranches lorsque celles-ci sont en position de recuit. Ici encore, on prévoit des moyens (non représentés) de contrôle sélectif et individuel de chaque organe de chauffage. On garantit de la sorte que le budget thermique global apporté aux tranches est conforme à ce qui est décrit ci-dessus. Les organes de chauffage 240 peuvent également être une électrode unique du type " plaque chauffante " dans laquelle il est possible de contrôler la répartition de température. Il est également possible de remplacer les organes 240 par des lampes infra rouge commandées dont les alimentations respectives sont commandées individuellement. Et on peut combiner des organes 240 de type électrodes (par exemple en forme d'anneaux circulaires concentriques) avec des lampes infra rouge qui fournissent un chauffage d'appoint apte à: ò ajuster localement le budget thermique apporté à la zone de fragilisation de manière à constituer un budget thermique de base homogène, * mais également créer sélectivement un point chaud au niveau de cette zone de fragilisation, en apportant localement un budget thermique additionnel. En tout état de cause, dans tous les modes de réalisation de l'invention, le dispositif de chauffage est apte à: * réaliser un chauffage homogène des tranches, de manière à apporter à la zone de fragilisation de ces tranches un budget thermique de base homogène, * tout en pouvant apporter en une région particulière de la zone de fragilisation un budget thermique supérieur, en créant un " point chaud " au niveau de la zone de fragilisation. Ceci peut être obtenu: > soit en contrôlant individuellement un ou plusieurs organes de chauffage pour créer un tel point chaud par augmentation localisée du chauffage (à un moment particulier du recuit, ou éventuellement tout au long du recuit). Ceci correspond à un mode préféré de mise en oeuvre de l'invention et a déjà été évoqué ci-dessus > soit, selon une variante de mise en oeuvre de l'invention, en tirant profit de la configuration thermique du dispositif de recuit pour les tranches considérées: V' en exploitant une circulation particulière de flux de gaz chauffant, X par ailleurs, de manière générale, si les organes de chauffage créent, lorsqu'ils sont commandés pour apporter un budget thermique homogène aux zones de fragilisation des tranches, un point chaud au niveau de cette zone de fragilisation, il est possible d'utiliser ce point chaud dans le déroulement du recuit pour apporter le budget additionnel désiré. En fonctionnement, le dispositif de recuit selon l'invention apporte ainsi un budget thermique de base homogène à la zone de fragilisation des tranches. Plus précisément, ce budget thermique de base correspond à un budget énergétique légèrement inférieur au budget nécessaire au détachement de la couche à partir de la tranche. Mais on ne recherche pas seulement dans le cas de l'invention à homogénéiser le budget thermique apporté aux tranches. Et le budget thermique de base n'est pas destiné à permettre de réaliser complètement le détachement de la couche de chaque tranche. En effet, on apporte un tel budget thermique de base homogène de manière à atteindre un budget légèrement inférieur à ce qui est nécessaire pour réaliser le détachement de la couche de chaque tranche. A cet égard, la région localisée ayant reçu le budget thermique additionnel correspond à une région d'amorçage du détachement. Dans cette région d'amorçage, la zone de fragilisation de chaque tranche a reçu le budget thermique de base par unité de surface, ainsi que le budget thermique additionnel. Pour chaque tranche, la somme de ces deux budgets thermiques est suffisante pour amorcer localement le détachement de la couche de la tranche, au niveau de la partie de la zone de fragilisation qui correspond à la région d'amorçage. Et ce détachement de couche se propage ensuite spontanément au reste de la zone de fragilisation, qui a reçu par unité de surface un budget thermique juste inférieur à celui nécessaire' pour réaliser le détachement: dans ces conditions, la sollicitation correspondant à la propagation du détachement initial est suffisante pour effectivement propager le détachement. Et ce détachement se propage ainsi sur toute la surface de la zone de fragilisation, ce qui conduit au détachement complet de la couche. La Demanderesse a déterminé que le fait de procéder ainsi menait à des valeurs de rugosité plus homogènes et plus basses que si l'on se contentait de rendre homogène le budget thermique apporté à la zone de fragilisation, et que l'on amenait ce budget à une valeur permettant de réaliser le détachement de la couche. L'apport local d'un budget thermique additionnel pour créer un point chaud peut être réalisé de manière continue tout au long du recuit. Dans ce cas, le budget de base et le budget additionnel sont apportés sensiblement simultanément aux tranches. Il est également possible de réaliser cet apport local dans une phase spécifique du recuit, par exemple à la fin du recuit. Et il est possible de traiter de la sorte une pluralité de tranches, simultanément. REVENDICATIONS 1. Procédé de recuit thermique d'une tranche (T) de matériau choisi parmi les matériaux semiconducteurs en vue du détachement d'une couche de ladite tranche au niveau d'une zone de fragilisation, caractérisé en ce que lors du recuit: * on apporte à la tranche un budget thermique de base légèrement inférieur au budget nécessaire au détachement de la couche, ce budget étant réparti de manière homogène dans la zone de fragilisation, * on apporte en outre localement à la tranche un budget thermique additionnel dans une région déterminée de la zone de fragilisation de manière à initier au niveau de cette région le détachement de la couche. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que lors de l'apport de budget thermique global on contrôle sélectivement différents organes de chauffage situés en regard de la tranche. 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la tranche est disposée sensiblement verticalement. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la tranche est disposée sensiblement horizontalement. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'apport de budget thermique de base est réalisé dans une première phase, puis un apport de budget thermique additionnel localisé est réalisé dans une deuxième phase. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que l'apport de budget thermique de base est réalisé sensiblement simultanément avec l'apport de budget thermique additionnel localisé 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que on fait subir le recuit à plusieurs tranches, simultanément. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que on contrôle la circulation de gaz conducteur de chaleur sur les différentes régions de la surface de la tranche. 9. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que ledit contrôle est effectué à l'aide d'un volet ayant une géométrie de barrière. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit contrôle est effectué à l'aide d'un volet ayant une géométrie d'enceinte perforée. 11. Dispositif de mise en oeuvre d'un recuit selon une des revendications précédentes pour le recuit d'une ou plusieurs tranches, caractérisé en ce que le dispositif comprend: * une pluralité d'organes de chauffage destinés à être en regard de différentes parties de chaque tranche à recuire, 25. des moyens permettant de contrôler sélectivement la puissance de chauffage de chaque organe de chauffage, des moyens pour contrôler la répartition de gaz conducteur de chaleur dans le dispositif. 12. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les organes de chauffage s'étendent sensiblement horizontalement. 13. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les organes de chauffage ont une forme générale circulaire. 14. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les organes de chauffage sont disposés les uns à la suite des autres selon une direction sensiblement verticale. 15. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le dispositif comprend un espace de réception des tranches dans lequel les tranches sont disposées sensiblement verticalement pour leur chauffage. 16. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les organes de chauffage entourent l'espace de réception des tranches. 17. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que les organes de chauffage s'étendent sensiblement dans le même plan. 18. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les organes de chauffage s'étendent de manière concentrique les uns par rapport aux autres. 19. Dispositif selon l'une des deux revendications précédentes, caractérisé en ce que le dispositif comprend un espace de réception des tranches dans lequel les tranches sont disposées sensiblement horizontalement pour leur chauffage. 20. Dispositif selon l'une des neuf revendications précédentes, caractérisé en ce que lesdits moyens de contrôle de la répartition de gaz comprennent un volet diffuseur permettant de provoquer une circulation du gaz selon une configuration désirée, disposé en regard d'une ouverture permettant d'introduire un gaz conducteur de chaleur. 21. Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le volet a une géométrie de barrière. 22. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que le volet a une géométrie d'enceinte perforée.