Brevet FR2846787A1 — publié le 20040507

i La présente invention concerne un procédé de traitement thermique d'une tranche multicouche à couronne, la tranche étant réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs. On précise que par " tranche multicouche à couronne " on entend une 5 tranche de matériau semiconducteur qui présente les deux caractéristiques suivantes: * La tranche est " multicouche ", c'est à dire qu'elle est composée de l'assemblage d'au moins deux couches, * La tranche multicouche est " à couronne ", c'est à dire qu'elle comporte une 10 couronne périphérique (les tranches dont il est ici question et qui sont communément désignées par le terme de " wafer " ont une forme généralement circulaire) présentant une marche d'épaisseur - typiquement du fait qu'au moins une couche supérieure de la tranche n'est pas présente sur cette couronne périphérique, seule(s) la ou les couche(s) inférieure(s) y 15 étant présente(s). Et une application préférée (mais non limitative) de l'invention concerne des tranches de type SOI, qui comprennent un assemblage des couches suivantes: * une couche supérieure utile de silicium, 20. une couche intermédiaire d'isolant formé par un oxyde, * une couche inférieure de support. Des procédés bien adaptés pour obtenir de telles tranches sont les procédés de transfert avec création d'une zone de fragilisation. Dans ce cas, la couche utile de silicium est obtenue à partir d'un substrat de silicium dans 25 lequel on a créé la zone de fragilisation. Les procédés de type SMARTCUT sont un exemple de tels procédés. Lors du détachement de la tranche de SOI de son substrat selon la zone de fragilisation, seule la partie centrale (qui est en vue de dessus proportionnellement largement dominante) de la couche de silicium est effectivement détachée du substrat. Dans la région périphérique de la tranche, ce détachement ne se fait en effet pas, de sorte que les tranches de SOI obtenues présentent une " couronne " en forme de marche descendante. Ceci est illustré de manière très schématique sur la figure 1, qui représente une tranche 10 de SOI après détachement, cette tranche comprenant une couche 100 de support, une couche 101 d'isolant et une couche utile 102 en silicium, les couches 101 et 102 définissant une couronne 10 périphérique 1000 de quelques millimètres de largeur. On rappelle que le SOI ne constitue qu'une des applications de l'invention qui sera utilisée à titre illustratif dans ce texte, l'invention s'appliquant à tous types de tranches multicouches à couronne, la tranche étant réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs. De telles tranches subissent généralement des traitements thermiques destinés par exemple à modifier la composition d'une ou plusieurs couches de la tranche, à stabiliser une interface de collage entre deux couches, à guérir des défauts de structure et/ou à améliorer l'état de surface de la tranche, De tels traitements thermiques (ou recuits) peuvent être menés selon 20 des modalités très diverses. Il existe ainsi des recuits réalisés dans des plages de températures dites " basses " pour les applications de l'invention. Dans le cadre de la présentation de l'invention, on définit par convention les basses températures comme étant inférieures à une valeur de l'ordre de 25 500 à 6000C. On précise que cette définition n'est donnée que pour les besoins du présent exposé, et ne correspond pas nécessairement à une définition universellement admise dans le domaine de l'invention. Les recuits peuvent également être menés à des " hautes 30 températures ", qui ont donc des valeurs supérieures à environ 500-600 OC. Et certains de ces recuits haute température peuvent être menés selon un mode particulier dit " RTP " pour Rapid Thermal Processing (traitement thermique rapide en français). En mode RTP, la température de traitement est généralement très 5 élevée (typiquement de l'ordre de 9500C ou plus), et le temps de recuit est réduit à une durée de l'ordre de quelques minutes. Il est ainsi connu de faire subir à des tranches de type SOI un recuit dit RTA (pour Rapid Thermal Annealing - recuit thermique rapide en français), dans lequel la température atteint des valeurs de l'ordre de 1100 à 1250 'C, la 10 durée totale du recuit étant de l'ordre de quelques dizaines de secondes seulement. Un tel recuit a pour effet de lisser la surface des tranches. Il est en effet courant de trouver pour de telles tranches des spécifications de rugosité ne devant pas dépasser 5 Angstrôms en valeur rms 15 (correspondant à l'acronyme anglo-saxon " root mean square "). Les tranches (SOI en particulier) peuvent également être soumises à d'autres types de recuits RTP, par exemple un recuit de type RTO (pour Rapid Thermal Oxydation - oxydation thermique rapide en français). Un tel recuit, mené sous atmosphère oxydante, permet d'oxyder la surface de la tranche. Les tranches concernées par l'invention peuvent ainsi subir différents types de recuits. Or, la Demanderesse a observé que des inconvénients étaient associés aux opérations de recuit sur de telles tranches. Plus précisément, la Demanderesse a observé que les recuits de type 25 RTP (entre autres RTA, RTO,..) généraient dans les tranches des défauts dénommés " slip lines " (ce terme de " slip lines " étant dans le présent texte considéré comme l'équivalent " lignes de glissement " en français). Ces lignes de glissement sont en particulier générées par les inhomogénéités spatiales de température dans les fours de recuit (la 30 température n'y étant pas strictement identique en tous points), et elles se développent sous l'effet des très importantes contraintes thermiques mentionnées ci-dessus. On a en outre observé que ces lignes de glissement sont en général amorcées dans la région périphérique de la tanche. Et dans le cas de tranches multicouches à couronne, ce phénomène de lignes de glissement en périphérie de tranche est particulièrement prononcé. Les recuits de type RTP ont ainsi tendance à générer des slip Fines, et cet inconvénient est plus particulièrement prononcé dans le cas des tranches concernées par l'invention (tranches multicouches à couronne, réalisées en des 10 matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs) . On précise que de tels traitements font subir à la tranche des contraintes thermiques très importantes, du fait de la montée très rapide en température qu'ils induisent. On notera que cet inconvénient important est plus prononcé dans le cas 15 de recuits menés par rayonnement de chaleur à partir d'une ou plusieurs sources de chaleur. L'illustration typique en est un recuit RTP mettant en oeuvre des lampes infra rouges émettant un rayonnement calorifique, et en regard desquelles une tranche est placée. Cet inconvénient est en effet moins prononcé dans le cas de recuits 20 menés par conduction thermique (cas d'un four de recuit rempli d'un gaz conducteur de chaleur qui entoure la tranche). Dans le cas des recuits qui ne relèvent pas du mode RTP (ou qui sont confinés aux basses températures), cet inconvénient est moins prononcé. Mais un autre inconvénient demeure: on peut en effet observer même 25 dans le cas de ces recuits des déformations des tranches. Ces déformations sont typiquement associées à une certaine flexion ou torsion des tranches, qui peut être observée par exemple par la variation de la flèche de la tranche. La flèche représente la valeur maximale de déformation de la tranche par rapport à une tranche " idéale ", qui serait absolument plate. Ce phénomène de flexion ou torsion est couramment désigné par le terme anglo-saxon de " warp ". Et un tel warp peut également être observé dans le cas des recuits menés en mode RTP. Il apparaît ainsi que les recuits menés sur les tranches multicouches à couronne réalisées en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs sont associés à des inconvénients. Le but de l'invention est de permettre de s'affranchir de ces inconvénients. Afin d'atteindre ce but, l'invention propose selon un premier aspect un procédé de traitement thermique d'une tranche multicouche à couronne, la tranche étant réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux 15 semiconducteurs, caractérisé en ce que lors du recuit le chauffage est adapté localement et sélectivement au niveau de la couronne pour prendre en compte la différence locale d'absorption thermique au niveau de la couronne. Des aspects préférés, mais non limitatifs de ce procédé sont les suivants: 20. le traitement thermique est un traitement thermique rapide, a le traitement thermique est un recuit de lissage, * le traitement thermique est un recuit d'oxydation * pour adapter le chauffage on prend en compte les coefficients d'absorption thermique respectifs de la région centrale de la tranche, et de la couronne, 25 * lesdits coefficients d'absorption thermique sont déterminés à partir de la nature des matériaux composant les couches de la tranche, et des épaisseurs respectives de ces couches, * la tranche est un SOI et par rapport à une consigne de chauffage donnée pour une tranche ne présentant pas de couronne le chauffage est diminué sélectivement au niveau de la couronne, pour adapter le chauffage on commande sélectivement l'alimentation de lampes infra rouge (L) situées en regard de la couronne, lors du recuit on place la tranche dans une structure de continuité thermique, * pour adapter le chauffage on adapte sélectivement les dimensions de la structure de continuité thermique, * la tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne on diminue l'épaisseur de la structure de continuité thermique, * pour adapter le chauffage on adapte sélectivement l'espacement entre la tranche et la structure de continuité thermique, * la tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne on augmente l'espacement entre la tranche et la structure de continuité thermique, a pour adapter le chauffage on adapte sélectivement la forme de la structure de continuité thermique, * la tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne on adopte une structure de continuité thermique dont les bords se trouvant en regard de la tranche sont plongeants, * la tranche est sélectionnée de manière à présenter dans sa région centrale et sur sa couronne des coefficients d'absorption thermique sensiblement 25 équivalents, * l'équivalence des coefficients sensiblement dans la région centrale et sur la couronne de la tranche est obtenue en prenant en considération la nature des matériaux composant les couches de la tranche dans la région centrale et dans la couronne, et les épaisseurs respectives de ces couches. Selon un deuxième aspect, l'invention propose également l'application d'un procédé selon un des aspects ci-dessus au traitement thermique d'une tranche de SOI. Enfin, l'invention propose selon un troisième aspect: * une structure de continuité thermique destinée à être mise en oeuvre dans un procédé selon l'un des aspects ci-dessus, caractérisée en ce que les dimensions de la structure de continuité thermique sont adaptées pour contribuer à établir sur la tranche une température de couronne sensiblement équivalente à la température du reste de la surface de la 10 tranche, malgré les différences d'absorption thermique au niveau de la couronne, * une structure de continuité thermique destinée à être mise en oeuvre dans un procédé selon l'un des aspects ci-dessus, caractérisée en ce que la forme de la structure de continuité thermique sont adaptées pour 15 contribuer à établir sur la tranche une température de couronne sensiblement équivalente à la température du reste de la surface de la tranche, malgré les différences d'absorption thermique au niveau de la couronne, D'autres aspects, buts et avantages de l'invention apparaîtront mieux à 20 la lecture de la description suivante de formes préférées de réalisation de l'invention, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels, outre la figure 1 qui a déjà été commentée: * la figure 2 est une vue schématique d'une installation permettant de mettre en oeuvre un recuit selon l'invention, 25. les figures 3a à 3c sont des représentations schématiques de structures de continuité thermique mises en oeuvre respectivement dans un recuit thermique classique (3a), et dans des recuits selon l'invention (3b et 3c), ò la figure 4 (issue de l'ouvrage " Handbook of semiconductor manufacturing technology, p.224, 2000 " de Timans et al.) est un graphe représentant les valeurs du facteur d'absorption thermique de tranches multicouches, en fonction des épaisseurs respectives des couches de la tranche. En référence tout d'abord à la figure 2, on a représenté une installation de recuit, pour effectuer un recuit d'une tranche à couronne 10. Cette installation est apte à effectuer un recuit de type RTP, par exemple un recuit de lissage. Ce type d'installation a été choisi pour illustrer l'invention, car les inconvénients générés par de tels recuits (slip lines et autres) sont particulièrement prononcés. Une application particulièrement avantageuse de l'invention est ainsi un recuit de type RTP, par exemple un recuit de finition RTA destiné à lisser la surface de la tranche, ou un recuit RTO. On précise toutefois que l'invention n'est pas limitée à ce type de recuit, mais concerne tous les recuits mentionnés en introduction de ce texte. L'installation 20 peut ainsi être mise en òuvre pour effectuer un recuit haute température qui ne relève pas du mode RTP, ou même un recuit basse température. En outre, dans le cas d'un recuit de type RTP (que cette installation est également apte à réaliser), certains des inconvénients mentionnés en 20 introduction de ce texte (notamment le warp) peuvent apparaître lors de la montée en température, qui est effectuée avant le palier à haute température. On précise que sur cette figure, comme sur les figures 3a à 3c, la tranche 10 est représentée avec seulement deux couches visibles. Toutefois, il peut s'agir de tout type de tranche à couronne mentionné ci-dessus. Et dans une application préférée de l'invention, la tranche 10 est un SOI. Il peut également s'agir de toute tranche multicouche à couronne, la tranche étant réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs. Le chauffage du dispositif 10 est réalisé par l'intermédiaire de lampes 30 infrarouges L qui sont disposées en regard de la tranche. Une unité 200 permet de commander l'alimentation électrique de ces lampes. Et comme on va le voir, l'unité 200 est apte à commander sélectivement et individuellement l'alimentation des différentes lampes, de manière à contrôler la puissance émise individuellement par chacune de ces lampes. De la sorte, il est possible de contrôler individuellement la puissance d'émission de chaque lampe. Pour des compléments sur cet aspect, on pourra par exemple se reporter au document WO 01/69656 qui illustre un dispositif de recuit (dans ce 10 cas un thermique rapide) dans lequel différentes lampes sont commandées de manière individuelle. On remarque également sur la figure 2 (qui représente le dispositif en section) une structure de continuité thermique 21 qui entoure la tranche 10 en étant placée à distance de celle-ci. La structure 21 a ainsi la forme d'un anneau fermé qui est placé concentriquement à la tranche 10. Cette structure, qui est communément désignée par le terme de " Edge Ring " pour anneau de bord, est destinée à établir une certaine continuité dans l'absorption de la chaleur au-delà des bords de la tranche 10. En l'absence d'une telle structure en effet, on observerait des effets de bord parasites à la périphérie de la tranche. On trouvera un exemple d'un tel anneau de bord dans le document WO 01/69656 (anneau de bord 17). Certains des inconvénients que l'invention se propose de résoudre 25 trouvent leur origine dans la région de couronne périphérique de la tranche (en particulier la génération de slip fines). Mais on précise que le fait en soi de placer une structure de continuité thermique autour de la tranche ne résout pas en soi ces inconvénients. En effet, selon l'état de la technique la fonction des anneaux de bords est limitée à l'établissement d'une certaine continuité thermique dans l'absorption au-delà des bords de la tranche. A cet effet, les anneaux de bord ont une section de forme " basique ", rectangulaire. Et comme on va le voir, dans un mode de réalisation de l'invention, on propose des perfectionnements de ces anneaux de bord destinés à remplir une fonction spécifique d'adaptation locale et sélective du chauffage au niveau de la couronne périphérique de la tranche placée au centre de l'anneau de bord. Pour prendre en compte la couronne périphérique de la tranche, on va sélectivement alimenter les lampes L se trouvant en regard de cette couronne, afin d'adapter leur puissance thermique rayonnée aux caractéristiques intrinsèques d'absorption thermique de ladite couronne. Ainsi, dans le cas d'une tranche SOI: 15. la région centrale qui a une structure multicouche de SOI présente un facteur d'absorption thermique compris entre 0,4 et 0,8, en fonction de l'épaisseur du SOI, alors que la couronne périphérique présente un facteur d'absorption thermique différent. Ce facteur est par exemple de l'ordre de 0,7 dans le cas 20 d'un support en silicium. On comprend donc que la région centrale et la région de la couronne ne vont pas absorber ni réfléchir les rayonnements thermiques infrarouges de la même manière. Et ces différences se traduisent par une différence de températures 25 localisée à la surface de ces deux régions, ce qui favorise l'apparition de lignes de glissement. En adaptant localement et sélectivement le chauffage au niveau de la couronne pour prendre en compte cette différence d'absorption thermique au niveau de la couronne, on favorise l'établissement de températures il sensiblement équivalentes sur la surface de ces deux régions de la tranche, et on prévient ainsi l'apparition de lignes de glissement. On précise que le dispositif 20 est rempli d'un mélange gazeux, pouvant être par exemple un mélange d'hydrogène et d'argon, ou encore de l'argon pur. 5 Le chauffage de la tranche est largement réalisé par le rayonnement infrarouge direct issu de lampes L, tandis qu'une part moins importante du chauffage provient de la conduction thermique réalisée par le mélange gazeux. Ceci favorise le contrôle local de la température de la tranche par la commande sélective des différentes lampes se trouvant en regard de ladite 10 tranche. Pour définir les commandes sélectives des différentes lampes, on prend principalement en compte les coefficients d'absorption thermique respectifs de la région centrale de la tranche, et de la couronne. Ces coefficients d'absorption thermique sont essentiellement déterminés 15 à partir de la nature des matériaux composant les couches de ces deux régions de la tranche et des épaisseurs respectives de ces couches. La figure 4 illustre ainsi le cas simple d'une tranche comprenant une couche de silicium sur une couche d'oxyde, sur un substrat de silicium. On constate sur cette figure que le coefficient d'absorption thermique 20 varie en fonction des épaisseurs relatives de ces deux couches. Bien sr, il est possible d'établir des graphes équivalents pour tout type de tranches multicouches, en fonction de la nature des différentes couches. Dans le cas d'une tranche de SOI qui est une structure composite (c'estàdire formée de l'empilement de différentes couches), on observe 25 généralement que la région centrale correspondant au SOI lui-même absorbe moins la chaleur que la couronne périphérique en silicium. Dans ce cas, il convient de chauffer davantage la région centrale de la tranche que sa couronne, par rapport au chauffage que l'on ferait subir à une structure non composite. Pour une tranche multicouche à couronne réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs, on adaptera sélectivement l'alimentation des lampes du dispositif pour chauffer la région centrale plus ou moins que la région périphérique, en fonction des coefficients d'absorption thermique de ces deux régions: * si la couronne a un coefficient d'absorption thermique inférieur à celui de la région centrale de la tranche, le chauffage sera plus important au niveau de cette couronne qu'au niveau de la région centrale, si c'est l'inverse, le chauffage sera plus important au niveau de la région 10 centrale. On dispose ainsi d'un premier moyen pour homogénéiser la chaleur effectivement absorbée par les différentes régions de la tranche. Ce premier moyen correspond à un premier mode de mise en oeuvre de l'invention, qui ne fait pas intervenir la structure de continuité thermique. Cette structure est dans ce mode de mise en oeuvre optionnelle: elle peut être omise. Mais on va voir qu'une telle structure de continuité thermique peut être adaptée et mise en oeuvre de manière astucieuse, pour constituer un deuxième moyen d'homogénéisation de la chaleur effectivement absorbée par les 20 différentes régions de la tranche. Une telle adaptation / mise en oeuvre de la structure de continuité thermique constitue un deuxième mode de mise en oeuvre de l'invention. Ce deuxième mode de mise en oeuvre peut être combiné au premier mode de mise en oeuvre, ou non. Revenant à la structure de continuité thermique 21 représentée sur la figure 2, on précise que cette structure peut être placée autour de la tranche et à la même hauteur que la tranche comme cela est représenté sur la figure 2. Selon les contraintes liées au four de recuit utilisé, cette structure de continuité thermique peut en alternative être placée autour de la tranche mais en dessous de celle-ci, pour permettre d'amener la tranche dans sa position de recuit selon une trajectoire horizontale. Les figures 3a à 3c illustrent trois types de structure de continuité thermique. La figure 3a représente une configuration classique d'une telle structure, qui a une section rectangulaire d'épaisseur constante. Selon le deuxième mode de mise en oeuvre de l'invention, il est possible de mettre en oeuvre une telle structure de continuité thermique, en adaptant sélectivement ses dimensions pour permettre d'adapter localement la 10 température au niveau de la couronne de la tranche, en prenant en compte la différence locale d'absorption thermique au niveau de cette couronne. En effet, une structure 21 plus épaisse (c'est-à-dire dont la section telle que représentée sur les figures 3a à 3c est plus large) tendra à augmenter la température au niveau de la couronne de la tranche. Au contraire, une structure 21 plus fine contribue à diminuer la température au niveau de la couronne de la tranche. On pourra ainsi jouer sur l'épaisseur de la structure de continuité thermique, en fonction des coefficients d'absorption respectifs de la région centrale de la couronne de la tranche. Revenant au cas du SOI dans lequel la couronne présente un coefficient d'absorption supérieur à celui de la région centrale, on diminuera ainsi l'épaisseur de la structure de continuité thermique par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne. Il est également possible d'adapter sélectivement l'espacement e entre 25 la tranche et la structure de continuité thermique 21. En effet, en augmentant cet espacement, on contribue à diminuer la température au niveau de la couronne de la tranche. Et dans le cas du SOI mentionné ci-dessus, on augmentera l'espacement e par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de 30 couronne. Il est également possible d'adapter sélectivement la forme de la structure de continuité thermique, pour adapter localement et sélectivement le chauffage au niveau de la couronne. Les figures 3b et 3c représentent ainsi des géométries spécifiques pour la section de la structure 21: * cette section ayant une forme présentant un biseau plongeant vers l'intérieur sur la figure 3b, cette section présentant une forme bombée avec ici encore un bord plongeant vers l'intérieur sur la figure 3c. En particulier, en adoptant une structure de continuité thermique 21 dont la section présente un bord plongeant en regard de la tranche, on contribue à diminuer la température au niveau de la couronne de cette tranche. Cette solution sera donc bien adaptée dans le cas de la tranche SOI mentionnée ci-dessus. On précise que les dispositions évoquées ci-dessus à propos de la dimension de la structure 21, de la valeur de l'espacement e, et de la forme de la structure 21 peuvent être adoptées en combinaison les unes avec les autres. Et ces dispositions peuvent également être prises en combinaison avec l'alimentation sélective des lampes L (combinaison des deux modes de mise en 20 oeuvre de l'invention mentionnés plus haut). Il est également possible selon un troisième mode de mise en oeuvre de l'invention d'utiliser comme abaques des graphes tels que celui de la figure 4, pour choisir sélectivement une tranche multicouche à couronne présentant dans sa région centrale et sur sa couronne des coefficients d'absorption 25 thermique sensiblement équivalents. Ceci peut être obtenu en prenant en considération la nature des matériaux composant les couches de la tranche, les couches de la tranche dans ces deux régions et les épaisseurs respectives de ces couches. En particulier, si on doit traiter une tranche dont les couches sont composées de matériaux donnés, on pourra choisir d'adapter l'épaisseur de ces couches pour aboutir à des coefficients d'absorption thermique sensiblement équivalents dans la région centrale de la tranche et sur sa couronne. Selon ce troisième mode de mise en oeuvre, il est également possible d'ajouter sélectivement des couches ou des portions de couches modifiant localement le coefficient d'absorption thermique de la tranche. Et ce troisième mode de mise en oeuvre de l'invention peut également 10 être combiné avec un ou deux des deux premiers modes décrits plus haut. Le choix des épaisseurs des couches de la tranche et/ou l'insertion de couches spécifiques peut en effet être mis en oeuvre en combinaison avec l'ensemble des dispositions mentionnées ci-dessus (alimentation sélective des lampes L, adaptation des caractéristiques d'une structure de continuité 15 thermique 21), en permettant de minimiser les écarts de coefficients d'absorption thermique respectifs de la région centrale et de la couronne de la tranche. REVENDICATIONS 1. Procédé de traitement thermique d'une tranche (10) multicouche à 5 couronne (1020), la tranche étant réalisée en des matériaux choisis parmi les matériaux semiconducteurs, caractérisé en ce que lors du recuit le chauffage est adapté localement et sélectivement au niveau de la couronne pour prendre en compte la différence locale d'absorption thermique au niveau de la couronne. 2. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le traitement thermique est un traitement thermique rapide. 3. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que le 15 traitement thermique est un recuit de lissage. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le traitement thermique est un recuit d'oxydation. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour adapter le chauffage on prend en compte les coefficients d'absorption thermique respectifs de la région centrale de la tranche, et de la couronne. 6. Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que lesdits coefficients d'absorption thermique sont déterminés à partir de la nature des matériaux composant les couches de la tranche, et des épaisseurs respectives de ces couches. 7. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tranche est un SOI et par rapport à une consigne de chauffage donnée pour une tranche ne présentant pas de couronne le chauffage est diminué sélectivement au niveau de la couronne. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que pour adapter le chauffage on commande sélectivement l'alimentation de lampes infra rouge (L) situées en regard de la couronne. 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que lors du recuit on place la tranche dans une structure de continuité thermique (21). 10.Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que pour adapter le chauffage on adapte sélectivement les dimensions de la structure de continuité thermique. 11.Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la 20 tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne on diminue l'épaisseur de la structure de continuité thermique. 12.Procédé selon l'une des trois revendications précédentes, caractérisé en 25 ce que pour adapter le chauffage on adapte sélectivement l'espacement (e) entre la tranche et la structure de continuité thermique. 13.Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant pas de couronne on augmente l'espacement entre la tranche et la structure de continuité thermique. 14.Procédé selon l'une des cinq revendications précédentes, caractérisé en 5 ce que pour adapter le chauffage on adapte sélectivement la forme de la structure de continuité thermique. 15.Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que la tranche est un SOI et par rapport au recuit d'une tranche ne présentant 10 pas de couronne on adopte une structure de continuité thermique dont les bords se trouvant en regard de la tranche sont plongeants. 16. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la tranche est sélectionnée de manière à présenter dans sa région 15 centrale et sur sa couronne des coefficients d'absorption thermique sensiblement équivalents. 17.Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'équivalence des coefficients sensiblement dans la région centrale et sur 20 la couronne de la tranche est obtenue en prenant en considération la nature des matériaux composant les couches de la tranche dans la région centrale et dans la couronne, et les épaisseurs respectives de ces couches. 18.Application d'un procédé selon l'une des revendications précédentes au traitement thermique d'une tranche de SOI. 19.Structure de continuité thermique destinée à être mise en oeuvre dans un procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisée en ce que 30 les dimensions de la structure de continuité thermique sont adaptées pour contribuer à établir sur la tranche une température de couronne sensiblement équivalente à la température du reste de la surface de la tranche, malgré les différences d'absorption thermique au niveau de la couronne. 20.Structure de continuité thermique destinée à être mise en oeuvre dans un procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisée en ce que la forme de la structure de continuité thermique est adaptée pour contribuer à établir sur la tranche une température de couronne sensiblement 10 équivalente à la température du reste de la surface de la tranche, malgré les différences d'absorption thermique au niveau de la couronne.