Brevet FR2849270A1 — publié le 20040625

PROCEDE DE REROUTAGE DE DISPOSITIFS MICROELECTRONIQUES SANS LITHOGRAPHIE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un boîtier à la taille d'une puce électronique réalisé à l'échelle du substrat (en 10 anglais " Wafer Level Chip Scale Package " ou WLCSP). Dans la suite de la description, on appelera boîtierpuce ledit boîtier selon l'invention. L'invention concerne également un moule ou un pochoir complexe destiné à réaliser ledit boîtier15 puce selon le procédé de l'invention et concerne aussi ledit boîtier-puce en lui-même. La miniaturisation des boîtiers est devenue un besoin vital pour répondre aux exigences du marché 20 notamment en ce qui concerne le développement des systèmes portables ou des télécommunications, mais également pour permettre l'augmentation des entrées/sorties des circuits intégrés et pour diminuer le cot du packaging. Pour répondre à ces exigences, il faut que les dimensions des boîtiers électroniques se rapprochent des dimensions des circuits intégrés (avec la technologie boîtier-puce (" Chip Scale Package " en anglais ou CSP) ou la technologie flip-chip, on arrive 30 à avoir des boîtiers ayant une dimension de 1 ou 1,2 fois la dimension du circuit) Il faut également que le B 14135 3 ID poids du boîtier et que la taille de la connectique se réduisent au maximum pour pouvoir augmenter le nombre d'entrées/sorties des circuits intégrés. Par ailleurs, une des solutions pour 5 réduire le cot des étapes du packaging est de réaliser le boîtier-puce à l'échelle du substrat Or, la diminution de la taille du boîtier-puce pose un sérieux problème de fiabilité : deux risques principaux sont bien connus de l'homme du métier. Tout d'abord, l'humidité ou des effets de contamination provoquent des défaillances du circuit intégré, ces défaillances étant accélérées par la réduction des dimensions du boîtier On doit donc améliorer la protection des circuits intégrés au sein 15 du boîtier. La deuxième défaillance est induite par la différence importante de dilatation thermique entre le boîtier et le substrat d'accueil (circuit imprimé) Par exemple, pour un boîtier ayant un coefficient de 20 dilatation thermique de 2,6 ppm/ C et le verre époxy constituant le circuit imprimé ayant un coefficient de 16 ppm/ C, la forte différence de dilatation thermique va induire, notamment pour les boîtiers à billes, de fortes contraintes dans les billes lors des variations 25 de température Or, ces contraintes peuvent être suffisamment élevées pour rompre les billes de connexion La miniaturisation du boîtier nécessite donc également une amélioration de la fiabilité du packaging. B 14135 3 ID ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Il existe déjà plusieurs procédés de fabrication de boîtier-puce réalisé à l'échelle du substrat ou boîtier WLCSP. Le procédé couramment utilisé est le reroutage des entrées/sorties du circuit intégré (voir figure 1 et document l 1 l référencé à la fin de cette description). La figure 1 présente une vue en coupe 10 longitudinale d'un boîtier-puce 1 réalisé selon la technique explicitée dans le document l 1 l Tout d'abord, un substrat 2, comportant des circuits intégrés dont les plots d'entrées/sorties sont référencés 3, est recouvert d'une couche isolante ou 15 couche de passivation 4 Pour déposer ladite couche, on procède généralement par étalement à la tournette pour les polymères ou par dépôt chimique en phase vapeur pour les minéraux Puis on ouvre ladite couche isolante, soit par insolation du polymère à travers un 20 masque, soit par lithographie et gravure (c'est à dire par dépôt d'une résine photosensible, puis insolation à travers un masque) Ensuite débute l'étape de reroutage proprement dite: on commence par vaporiser un fond continu sur le circuit intégré, puis on effectue une 25 électrolyse de cuivre à travers une résine photosensible; ensuite on décape ladite résine et on effectue la gravure du fond continu On obtient ainsi les lignes de reroutage 5 Puis, on dépose une nouvelle couche isolante 6, qui va servir de délimitation pour 30 la soudure, et enfin, on effectue la métallisation du circuit intégré, soit par pulvérisation, soit par dépôt B 14135 3 ID chimique de l'UBM (de l'anglais " under bump metalization "), o l'UBM représente la métallurgie d'accrochage de billes fusibles 7 Au final, on obtient des lignes de reroutage 5 (conductrices), qui relient les plots d'entrées/sorties 3 aux billes fusibles 7. L'inconvénient de ce procédé est qu'il présente au moins trois étapes de lithographie Ainsi, même si le procédé est réalisé à l'échelle du substrat, le nombre d'étapes pour le packaging du circuit intégré 10 présente un cot important. Le deuxième problème relatif à ce mode de fabrication est que, si les boîtiers CSP ou boîtierspuces sont montés sur les circuits imprimés sans interposition de résine (dénommée " underfill " dans la 15 technique concernée), la connectique sera alors de faible fiabilité : les différences de dilatation thermique entre le boîtier CSP et le circuit imprimé induisent en effet des contraintes dans les billes périphériques, surtout si les circuits intégrés sont 20 larges Pour ce type de boîtier, il est donc indispensable de rajouter une résine " underfill " sous le boîtier afin de répartir les contraintes sur les billes et la résine " underfill " Mais le problème est que l'utilisation de cette résine n'est pas forcément 25 souhaitée selon les applications et cela rajoute généralement au moins une étape supplémentaire De plus, l'utilisation de cette résine rend la réparation d'un composant plus délicate puisqu'il oblige au remplacement d'un boîtier défectueux par un nouveau. 30 B 14135 3 ID Le deuxième procédé innovant de fabrication de boîtiers WLCSP a été présenté par A Kazama (voir le document l 2 l référencé à la fin de cette description). Un boîtier-puce réalisé selon la technique 5 du document l 2 l est illustré dans la figure 2 suivant une vue en coupe longitudinale De même que précédemment, on a un boîtier WLCSP 11 comportant un substrat 12, des plots de circuit intégré 13 et une couche de passivation 14 La différence par rapport au 10 document précédent réside dans la présence d'épais pavés de polymère 18 entre la face avant du substrat 12 et les billes fusibles 17 Ce sont ces épais pavés de polymères qui vont permettre de relâcher les contraintes entre le boîtier-puce et le circuit 15 imprimé. Le reroutage des plots d'entrée/sortie 13 est réalisé par une pulvérisation d'une sous-couche métallique suivie d'une électrolyse de Cu/Ni à travers une résine photosensible Après avoir retiré la résine 20 et la sous-couche, on obtient les lignes de reroutage 15; on dépose ensuite par la méthode dite à la tournette ou " spin coating " en anglais, une couche isolante photosensible 16 Cette couche est ensuite insolée à travers un masque afin de délimiter les plots 25 de soudure des billes fusibles 17 Enfin, après le report des billes fusibles, on singularise les circuits intégrés pour obtenir les boîtiers-puces. Au final, on a un substrat recouvert de pavés de polymère 18 et dont les plots d'entrée/sortie 30 13 sont reliés aux billes fusibles 17 par des lignes de reroutage 15. B 14135 3 ID Ce procédé de fabrication de boîtiers WLCSP permet de réduire les cots de fabrication (les pavés de polymère sont déposés par sérigraphie, qui est un procédé bas cot) et de réduire les contraintes 5 mécaniques s'exerçant au niveau des billes fusibles. Cependant, la méthode utilisée pour déposer le polymère ne permet pas d'isoler les plots d'entrée/sortie des circuits intégrés. De plus, cette méthode nécessite au moins 10 deux étapes de lithographie: une étape pour délimiter les pistes métalliques et une étape pour ouvrir la passivation déposée sur les pistes métalliques. Par ailleurs, les étapes de lithographies sont réalisées sur du relief; or il s'avère que le 15 dépôt de résine photosensible sur du relief est une opération délicate et onéreuse. EXPOSE DE L'INVENTION L'invention propose un procédé de 20 fabrication bas cot d'un boîtier WLCSP permettant d'intégrer la fonction de packaging du circuit intégré à l'échelle du substrat et qui ne présente pas les problèmes de l'art antérieur. Le procédé, objet de l'invention, consiste 25 à réaliser, à l'aide d'un moule ou d'un pochoir, une couche servant à relâcher les contraintes entre le boîtier-puce et le circuit imprimé, sur lequel ledit boîtier- puce va être connecté, en lui donnant une forme étagée permettant, par la suite, un reroutage des 30 entrées/sorties avec moins d'étapes de lithographie que dans l'art antérieur, voire pas du tout. B 14135 3 ID En d'autres termes, le procédé de réalisation d'un boîtier à la taille d'une puce électronique et réalisé à l'échelle du substrat, ledit substrat comportant au moins une puce et ladite au 5 moins une puce possédant des plots d'entrée-sortie sur une face du substrat dite face avant, comprend les étapes suivantes: a) formation, au moyen d'un moule ou d'un pochoir complexe, d'une couche isolante de relaxation de 10 contraintes sur ladite face avant, ladite couche de relaxation recouvrant la face avant du substrat avec un relief présentant des puits d'accès au niveau des plots d'entrée-sortie, et ailleurs, des parties en saillie destinées à relaxer les contraintes, chaque partie en 15 saillie ayant une forme étagée comprenant au moins une zone proéminente et au moins une zone, en retrait par rapport à ladite zone proéminente, destinée à supporter un plot de connection électrique, b) formation de pistes électriquement conductrices sur 20 la couche de relaxation pour connecter les plots d'entrée/sortie aux plots de connection électrique correspondants, c) formation de moyens de contact électrique vers l'extérieur sur les plots de connection électrique. Ici, utiliser une couche de polymère au lieu de plusieurs pavés de polymère comme dans l'art antérieur permet d'isoler les plots d'entrée/sortie du reste des circuits intégrés. De manière générale, les circuits intégrés 30 situés sur le substrat comporteront des plots d'entrée/sortie en aluminium, en cuivre ou autres et B 14135 3 ID une couche de passivation minérale, organique ou les deux Ces circuits pourront aussi comporter des finitions différentes, par exemple, un dépôt chimique de Ni/Au. Selon un mode particulier de l'invention, ledit procédé comprend en outre, entre les étapes b) et c) précédentes, une étape de formation d'une couche d'encapsulation sur la couche de relaxation avec exposition des plots de connection électrique. La couche de relaxation des contraintes peut être réalisée par différentes méthodes. Selon un mode de réalisation, ladite couche peut être réalisé à l'aide d'un moule Pour cela, on suivra les étapes suivantes: 1) remplir le moule avec un polymère relaxant déterminé ou appliquer ledit polymère directement sur la face avant du substrat, 2) aligner le moule sur la face avant du substrat, 3) presser le moule sur la face avant du substrat, 20 4) recuire le polymère, 5) retirer le moule. Si on décide d'appliquer le polymère relaxant directement sur le substrat, on a le choix entre différentes méthodes parmi lesquelles l'étalement 25 ou la dispense. Selon un autre mode de réalisation, ladite couche peut cette fois ci être réalisée à l'aide d'un pochoir On suivra alors les étapes suivantes: 1) appliquer le pochoir sur la face avant du substrat, 2) remplir les orifices du pochoir avec un polymère relaxant déterminé, B 14135 3 ID 3) recuire le polymère et séparer le pochoir du substrat. Concernant cette dernière étape, les deux actions sont interchangeables: on pourra recuire le polymère pour 5 ensuite séparer le pochoir du substrat, mais la séparation du pochoir pourra également, dans certains cas, être réalisée avant de recuire le polymère. Avantageusement, ledit polymère relaxant déterminé utilisé dans les réalisations ci-dessus sera 10 choisi parmi le groupe constitué du polyimide, du BCB ou de tout autre polymère susceptible de relaxer les contraintes. Après l'obtention de la couche relaxant les contraintes sur la face avant du substrat, il se peut 15 qu'il y ait des résidus de polymère sur les plots d'entrée/sortie, ce qui risquerait d'empêcher la reprise de contact sur lesdits plots Avantageusement, on élimine donc lesdits résidus de polymère; on pourra pour cela utiliser un procédé de nettoyage tel qu'un 20 traitement plasma ou toute autre technique similaire. L'étape de reroutage ou étape de formation des pistes électriquement conductrices pour connecter les plots d'entrée/sortie des circuits intégrés aux plots de connection électrique correspondants est 25 simplifiée grâce à la topologie complexe de la couche relaxante créée précédemment. Grâce à la topologie complexe de la couche relaxante, cette étape de reroutage des entrées/sorties des circuits intégrés peut ne pas nécessiter d'étape de 30 lithographie Dans ce cas, deux choix se présente à nous: B 14135 3 ID si l'on désire métalliser toute la surface de la face avant du substrat, on suivra les étapes suivantes: a) métallisation de la face avant du substrat recouverte de la couche de relaxation, b) séparation des lignes de reroutage et formation des plots de connexion électrique par élimination de la métallisation située au niveau de la (des) zone(s) proéminente(s) des parties en saillie de la couche de 10 relaxation par rodage mécanique ou par polissage mécano-chimique. Pour opérer la métallisation, on procédera par pulvérisation, évaporation, électrodéposition ou dépôt chimique d'un ou plusieurs métaux. En ce qui concerne les deux techniques de séparation des lignes de reroutage, elles permettent d'éliminer le métal en surface sans attaquer le métal situées dans les zones inférieures par rapport au niveau jusqu'auquel on procède à l'élimination. 20 mais si l'on ne veut métalliser que dans les puits d'accès aux plots d'entrée-sortie et dans les zones en retrait par rapport à la (les) zone(s) proéminente(s) des parties en saillie de la couche relaxante, on 25 réalisera un dépôt chimique de métal seulement dans lesdits endroits L'étape d'élimination de la métallisation en surface de la couche relaxante, c'est à dire sur la (les) zone(s) proéminente(s) des parties en saillie, pour séparer les lignes de reroutage ne 30 sera alors pas nécessaire. B 14135 3 ID 1 i On peut aussi utiliser les techniques traditionnelles de reroutage qui, grâce à la topologie complexe de la couche relaxante, ne nécessiteront qu'une seule étape de lithographie Dans ce cas, on pourra suivre la suite d'étapes suivante: a) métallisation de la face avant du substrat recouverte de la couche relaxante, b) lithographie, c) gravure chimique, d) décapage, ou bien la suite d'étapes suivantes: a) métallisation lithographique de la face avant du substrat, b) électrolyse, c) décapage, d) gravure chimique. Une fois le reroutage réalisé, on peut effectuer l'encapsulation des boîtiers afin d'en 20 améliorer la durée de vie Il existe différentes méthodes d'encapsulation: par sérigraphie, par moulage dispense, par étalement De même, l'encapsulation peut être totale ou partielle. Selon un premier mode de réalisation, 25 l'étape de formation d'une couche d'encapsulation comprend les étapes suivantes: a) dépôt d'une couche de polymère sur toute la surface avant du substrat recouverte de la couche de relaxation, b) planarisation de la face avant du substrat, c) libération des plots de connection électrique. B 14135 3 ID Selon un deuxième mode de réalisation, l'étape de formation d'une couche d'encapsulation comprend les étapes suivantes: a) planarisation de la face avant du substrat recouverte de la couche de relaxation, b) remplissage des puits d'accès et des zones en retrait de la face avant du substrat avec un polymère épais, c) libération des plots de connection électrique. La libération des plots de connection électrique se fera par rodage, par polissage mécanochimique, par gravure ou par toute autre technique. Après l'étape de planarisation de la face avant du substrat, on peut eventuellement effectuer des 15 découpes dans la face avant du substrat, en prenant garde de ne pas découper entièrement la couche de relaxation Puis, on dépose un encapsulant sur la face arrière du substrat et dans les découpes de la face avant du substrat Dans ces conditions, les bords des 20 circuits intégrés seront aussi protégés près la découpe des boîtiers-puces. Puis, on doit installer les moyens de contact électrique vers l'extérieur sur les plots de 25 connection électrique situés sur la couche de relaxation Cette étape peut être réalisée avant ou après la planarisation du substrat, mais il est préférable de la réaliser après la planarisation En effet, la planarisation permet de délimiter les plots 30 de connection électrique. B 14135 3 ID Avantageusement, les moyens de contact électrique vers l'extérieur sur les plots de connection électrique seront des billes fusibles. Dans ce cas, les billes fusibles seront 5 installées sur les plots de connection électrique à l'aide d'une technique choisie parmi l'électrolyse d'alliage fusible, la sérigraphie de pâte à braser, le transfert de billes ou toute autre technique. Selon un autre cas de réalisation, ces 10 moyens de contact électrique seront choisis parmi les films et les colles anisotropes conducteurs. Enfin, on doit s'occuper de l'étape de séparation des boîtiers-puces Cette séparation ou 15 singularisation est réalisée par découpe avec une scie, découpe par gravure laser ou tout autre moyen similaire. Ce procédé de réalisation de boîtiers WLCSP 20 peut être complété par des étapes supplémentaires. Tout d'abord, on peut avoir besoin de réduire l'épaisseur des boîtiers Pour cela, avant ou après l'installation des moyens de contact électrique vers l'extérieur sur les plots de connection 25 électrique, la face arrière du substrat est aminci par rodage, par polissage mécano-chimique ou toute autre technique. Par exemple, dans le cas du silicium, on peut réduire l'épaisseur du substrat à 50 tm On peut même envisager 30 de le réduire jusqu'à atteindre l'épaisseur active du silicium. B 14135 3 ID On peut également compléter le procédé par les étapes suivantes: a) réalisation de tranchées dans la face arrière du substrat (par gravure laser ou chimique, par découpe ou 5 par toute autre technique) jusqu'à atteindre les couches métalliques représentés par les plots d'entréesortie des circuits intégrés ou par les pistes électriquement conductrices, b) dépôt, éventuellement localisé, d'une couche 10 métallique ( 55) sur la face arrière du substrat, c) élimination de la métallisation située en surface de la face arrière du substrat. L'invention concerne également un moule ou 15 pochoir complexe destiné à réaliser un boîtier à la taille d'une puce selon le procédé de l'invention. Avantageusement, ce moule ou pochoir complexe sera réalisé à l'aide d'au moins une technique choisie parmi la gravure humide ou sèche, 20 l'électroformage, le collage de plusieurs films polymères percés ou non, le moulage, la gravure laser ou toute autre technique permettant de réaliser une topographie complexe. Avantageusement, ledit moule ou ledit 25 pochoir est réalisé en silicium, en métal, en polymère ou tout autre matériau similaire On notera que le démoulage des pièces est facilité avec des moules ou des pochoirs en polymères. L'invention concerne aussi un boîtier à la taille d'une puce réalisé à l'échelle du substrat B 14135 3 ID caractérisé en ce qu'il est réalisé par le procédé selon l'invention. Le procédé selon l'invention présente de 5 nombreux avantages, notamment une réduction du nombre d'étapes pour la réalisation des boîtiers-puces En effet, la technique du moulage ou du pochage permet de réaliser en même temps la topologie nécessaire pour réaliser le reroutage des entrées/sorties et la couche 10 permettant de relâcher les contraintes thermomécaniques Ledit moule ou pochoir permet aussi de réduire le nombre d'étapes de photolithographie Par conséquent, il réduit le nombre d'étapes totales nécessaire à la fabrication du boîtier-puce, et par-là 15 même, réduit le prix de fabrication dudit boîtier Par ailleurs, une fois ce moule ou ce pochoir réalisé, il pourra être réutilisé, ce qui réduira aussi le cot de fabrication des boîtiers. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif 25 et non limitatif, en ce référant aux dessins annexés parmi lesquels: les figures 1 et 2 illustrent l'art antérieur présenté précédemment dans cette description, les figures 3 a et 3 b illustrent la topologie du moule complexe (figure 3 a) et du pochoir complexe (figure 3 b) selon l'invention, B 14135 3 ID les figures 4 a à 4 g illustrent un mode de fabrication de boîtiers WLCSP selon l'invention, les figures 5 a à 5 c illustrent un complément de fabrication pour obtenir une encapsulation complète du circuit intégré, les figures 6 a à 6 g illustrent un autre mode de fabrication de boîtiers WLCSP selon l'invention, la figure 7 illustre l'encapsulation de toutes les surfaces du circuit intégré réalisé à l'échelle du 10 substrat. Il est à noter que, pour simplifier, les figures ne sont pas dessinées à l'échelle du substrat. EXPOSE DETAILLE DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Un procédé de fabrication d'un boîtier WLCSP selon la présente invention est illustrée par les figures 4 a à 4 g. Comme le montre la figure 4 a, on démarre avec un substrat 22 comportant des circuits intégrés, 20 chaque circuit présentant des plots d'entrée/sortie 23 et une couche de passivation 24, lesdits éléments étant obtenus par les méthodes explicités dans l'art antérieur. Pendant l'étape b, on réalise la couche de 25 relaxation des contraintes notée 28 sur ledit substrat (figure 4 b) Cette étape est réalisée soit par moulage du polymère sur le substrat à l'aide d'un moule complexe, soit par sérigraphie du polymère à travers un pochoir complexe sur le substrat, soit par transfert du 30 polymère (par réalisation de la structure en polymère sur un autre support à l'aide d'un moule ou d'un B 14135 3 ID pochoir complexe, que l'on colle ensuite sur le substrat). Cette étape peut être accompagnée d'un procédé de nettoyage (par exemple un traitement plasma) pour 5 retirer les résidus de polymère sur les plots d'entrée/sortie 23 des circuits intégrés. Puis, on dépose une couche métallique notée (par exemple par pulvérisation d'une couche de titane/cuivre) sur toute la surface du substrat (figure 10 4 c) Si l'on désire augmenter l'épaisseur de la couche métallique, cette étape peut être complétée par une électrodéposition de cuivre Cette étape de métallisation peut aussi être réalisée par dépôt chimique de Ni/Au sur toute la surface ou par un dépôt 15 sélectif (métallisation localisées dans les puits d'accès et dans les zones en retrait). Ensuite, on doit isoler les pistes métalliques par élimination de la métallisation en surface (figure 4 d) On effectue cette étape par 20 polissage mécano-chimique, par gravure ou toute autre technique On remarque que dans le cas d'un dépôt chimique localisé, cette étape n'est pas nécessaire. Dans ces conditions, la métallisation est conservée dans les puits d'accès aux plots et dans toutes les 25 zones en retrait par rapport à la surface supérieure usinée de la couche relaxante. Puis, on planarise la face avant du substrat par un dépôt de couche isolante notée 29, par exemple par dispense de résine " underfill " que l'on 30 planarise par étalement à la tournette ou " spin B 14135 3 ID coating " en anglais, par moulage d'un polymère ou par toute autre technique (figure 4 e). Puis, on ouvre cette couche isolante par gravure plasma, par polissage ou par toute autre 5 technique pour libérer les plots d'accrochage 30 des billes (figure 4 f). Enfin, on réalise le billage du substrat (figure 4 g) On peut employer toutes les techniques pour réaliser les billes fusibles notées 27. 10 On peut décider d'encapsuler complètement les circuits intégrés Dans ce cas, les étapes d'encapsulation devront être insérées entre les étapes f et g vues précédemment. Tout d'abord, on peut procéder à l'amincissement de la face arrière du substrat 22 par rodage ou par toute autre technique, mais cette étape n'est pas obligatoire (figure 5 a). Ensuite, on découpe la face arrière du 20 substrat 22 jusqu'à atteindre la couche de passivation 24 des circuits intégrés (figure 5 b) Cette opération peut être faite par découpe mécanique, par découpe laser ou par toute autre technique. La dernière étape consiste à encapsuler 25 entièrement la face arrière du substrat 22 et en comblant les tranchées faites précédemment (figure 5 c). Cette étape peut être réalisée par moulage, par dispense ou toute autre technique de dépôt d'isolant (noté 31). B 14135 3 ID Les figures 6 a à 6 g illustrent un deuxième mode de fabrication de boîtier WLCSP Ce mode de fabrication comporte la reprise de contact face avant/face arrière et l'encapsulation complète des circuits intégrés. Les étapes de formation de la couche de relaxation sur les circuits intégrés et du reroutage sont identiques au procédé décrit précédemment (voir figures 4 a à 4 c) : on obtient le dispositif présenté 10 dans la figure 6 a Ici, la délimitation des plots d'accrochage 40 des billes 47 a une forme différente: chaque plot d'accrochage 40 est entouré d'une tranchée pour mieux délimiter la zone de soudure Puis on effectue les mêmes étapes que celles présentées dans 15 les figures 4 d à 4 f et on obtient le dispositif de la figure 6 b: les zones en retrait et les puits d'accès au-dessus des plots d'entrée-sortie ont été comblés par dépôt d'une couche isolante 49. Puis, pour rendre possible la reprise de 20 contact face avant/face arrière, on peut commencer par diminuer l'épaisseur du substrat 42 (figure 6 c) Cette étape n'est pas obligatoire, mais elle facilite la reprise de contact avec la face avant du substrat et la séparation ultérieure des boîtiers-puces. Après, selon la figure 6 d, on réalise des tranchées dans la face arrière du substrat afin de délimiter les circuits intégrés (on effectue des découpes I jusqu'à atteindre la couche de passivation 44) et reprendre contact avec les plots d'entrée/sortie 30 (on effectue des découpes II jusqu'à atteindre les plots 43) Cette étape peut être réalisée par découpe B 14135 3 ID ou par gravure Si on opte pour la technique de gravure, on réalisera des puits au niveau des plots d'entrée/sortie 43. Ensuite, il faut isoler la face arrière du 5 substrat en déposant une couche isolante 51 dans les découpes; cette étape peut être réalisée par moulage ou sérigraphie Pour être certain d'isoler les plots, les tranchées au niveau desdits plots sont partiellement remplies (non représenté sur la figure). 10 Pour la reprise de contact sur les plots d'entrée/sortie, l'étape de métallisation peut être précédée d'une étape de gravure (par exemple par laser, par plasma) de la couche isolante au niveau des plots. Puis on effectue la métallisation de la 15 face arrière du substrat selon la même méthode que décrit précédemment (figure 6 e) : on obtient une couche métallique 55 qui recouvre la totalité de la face arrière du substrat 42. Ensuite, on isole les métallisations 55 par 20 rodage, par polissage mécano-chimique ou par toute autre technique de la surface de la face arrière du substrat Cette étape peut être réalisée après une étape d'encapsulation (étape non dessinée). Enfin, on effectue le billage du substrat 25 en plaçant les billes fusibles 47 sur les plots d'accrochage 40 (figure 6 f) et on réalise la singularisation des boîtiers-puces (figure 6 g) en découpant au niveau des découpes I. D'autres variantes de boîtiers-puces peuvent être obtenues. B 14135 3 ID Par exemple, selon un mode de réalisation particulier, on peut assembler plusieurs de ces boîtiers-puces présentant un reroutage face avant/face arrière et combler les interstices par de la résine 5 " underfill " On peut aussi réaliser l'assemblage après découpe des boîtiers-puces On obtient ainsi un module en trois dimensions. On peut également réaliser l'encapsulation 10 totale du boîtier-puce, c'est-à-dire l'encapsulation de la face avant et de la face arrière du substrat, réalisée après avoir éventuellement réduit l'épaisseur du substrat (figure 7) Dans cet exemple, le substrat 72 comporte des circuits intégrés composés de plots 15 d'entrée/sortie 73 et d'une couche de passivation 74; les circuits intégrés sont ensuite recouverts d'une couche 78 relaxant les contraintes et présentant des puits d'accès laissant accessibles les plots d'entrée/sortie 73, lesdits plots d'entrée/sortie et 20 les billes fusibles 77 surplombant la couche relaxante 78 étant reliés par des lignes de reroutage 75 Une couche isolante 79 remplit les puits d'accès et les zones en retrait de la face avant du substrat, et une couche isolante 91 recouvre la face arrière du 25 substrat. Il est à noter que les versions illustrées par les figures 6 g et 7 ne sont pas limitatives, les deux versions pouvant notamment être couplées. 30 B 14135 3 ID BIBLIOGRAPHIE 'o O l 1 l Dr Philip GARROU, Packaging and Manufacturing Technologies Society, ref IEEE Components, octobre 2000. l 2 l Atsushi KAZAMA, Developpment of Low-Cost and Highly Reliable Wafer Process Package, ref IEEE, Electronic Components and Technology Conference, 2001. B 14135 3 ID REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'un boîtier à la 5 taille d'une puce électronique et réalisé à l'échelle du substrat, le substrat ( 22, 42, 72) comportant au moins une puce et ladite au moins une puce possédant des plots d'entrée-sortie ( 23, 43, 73) sur une face du substrat dite face avant, le procédé comprenant les 10 étapes suivantes: a) formation, au moyen d'un moule ou d'un pochoir complexe, d'une couche isolante de relaxation de contraintes ( 28, 48, 78) sur ladite face avant, ladite couche de relaxation recouvrant la face avant du 15 substrat avec un relief présentant des puits d'accès au niveau des plots d'entrée- sortie, et ailleurs, des parties en saillie destinées à relaxer les contraintes, chaque partie en saillie ayant une forme étagée comprenant au moins une zone proéminente et au moins 20 une zone, en retrait par rapport à ladite zone proéminente, destinée à supporter un plot de connection électrique ( 30, 40), b) formation de pistes électriquement conductrices ( 25, 45, 75) sur la couche de relaxation pour connecter les 25 plots d'entrée/sortie aux plots de connection électrique correspondants, c) formation de moyens de contact électrique ( 27, 47, 77) vers l'extérieur sur les plots de connection électrique. 2 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il comprend en B 14135 3 ID outre, entre les étapes b) et c), une étape de formation d'une couche d'encapsulation ( 29, 49, 79) sur la couche de relaxation avec exposition des plots de connection électrique. 3 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que, pour former la couche de relaxation des contraintes ( 28, 48, 78) à l'aide d'un moule, on suit les étapes suivantes: 1) remplir le moule avec un polymère relaxant déterminé ou appliquer ledit polymère directement sur la face avant du substrat, 2) aligner le moule sur la face avant du substrat, 3) presser le moule sur la face avant du substrat, 15 4) recuire le polymère, 5) retirer le moule. 4 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que, pour former la 20 couche de relaxation des contraintes ( 28, 48, 78) à l'aide d'un pochoir, on suit les étapes suivantes: 1) appliquer le pochoir sur la face avant du substrat, 2) remplir les orifices du pochoir avec un polymère 25 relaxant déterminé, 3) recuire le polymère et séparer le pochoir du substrat. Procédé de fabrication selon la 30 revendication 3 ou 4 caractérisé en ce que ledit polymère relaxant déterminé est choisi parmi le groupe B 14135 3 ID constitué du polyimide, du BCB ou de tout autre polymère susceptible de relaxer les contraintes. 6 Procédé de fabrication selon la 5 revendication 3 ou 4 caractérisé en ce que, après l'obtention de la couche relaxant les contraintes ( 28, 48, 78) sur la face avant du substrat, on élimine les résidus de polymère se trouvant sur les plots d'entrée/sortie ( 23, 43, 73). 10 7 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'étape de formation de pistes électriquement conductrices ( 25, 45, 75) comprend les étapes suivantes: a) métallisation de la face avant du substrat recouverte de la couche de relaxation ( 28, 48, 78), b) séparation des lignes de reroutage et formation des plots de connexion électrique ( 30, 40) par élimination de la métallisation située au niveau de la (des) 20 zone(s) proéminente(s) des parties en saillie de la couche de relaxation par rodage mécanique ou par polissage mécano-chimique. 8 Procédé de fabrication selon la 25 revendication 1 caractérisé en ce que l'étape de formation de pistes électriquement conductrices ( 25, 45, 75) est réalisée par dépôt chimique de métal dans les puits d'accès aux plots d'entrée-sortie et dans les zones en retrait par rapport à la (les) zone(s) 30 proéminente(s) des parties en saillie de la couche relaxante ( 28, 48, 78). B 14135 3 ID 9 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'étape de formation de pistes électriquement conductrices ( 25, 45, 75) comprend les étapes suivantes: a) métallisation de la face avant du substrat recouverte de la couche relaxante, b) lithographie, c) gravure chimique, d) décapage. Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'étape de formation de pistes électriquement conductrices ( 25, 45, 75) comprend les étapes suivantes: a) métallisation lithographique de la face avant du substrat recouverte de la couche relaxante, b) électrolyse, c) décapage, d) gravure chimique. 20 11 Procédé de fabrication selon la revendication 2 caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche d'encapsulation ( 29, 49, 79) comprend les étapes suivantes: a) dépôt d'une couche de polymère sur toute la surface avant du substrat recouverte de la couche de relaxation, b) planarisation de la face avant du substrat, c) libération des plots de connection électrique ( 30, 30 40) . B 14135 3 ID 12 Procédé de fabrication selon la revendication 2 caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche d'encapsulation ( 29, 49, 79) comprend les étapes suivantes: a) planarisation de la face avant du substrat, b) remplissage des puits d'accès et des zones en retrait de la face avant du substrat avec un polymère épais, c) libération des plots de connection électrique ( 30, 10 40). 13 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que les moyens de contact électrique ( 27, 47, 77) vers l'extérieur sur 15 les plots de connection électrique ( 30, 40) sont des billes fusibles. 14 Procédé de fabrication selon la revendication précédente caractérisé en ce que les 20 billes fusibles sont installées sur les plots de connection électrique ( 30, 40) à l'aide d'une technique choisie parmi l'électrolyse d'alliage fusible, la sérigraphie de pâte à braser, le transfert de billes. 15 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que les moyens de contact électrique ( 27, 47, 77) vers l'extérieur sur les plots de connection électrique ( 30, 40) sont choisis parmi les films et les colles anisotropes 30 conducteurs. B 14135 3 ID 16 Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 et 2 caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de séparation des boîtiers à la taille d'une puce électronique réalisés à l'échelle du substrat. 17 Procédé de fabrication selon la revendication 1 caractérisé en ce que, avant ou après la formation des moyens de contact électrique ( 27, 47, 10 77) vers l'extérieur sur les plots de connection électrique, la face arrière du substrat ( 22, 42, 72) est aminci par rodage, par polissage mécano-chimique ou toute autre technique. 18 Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2 caractérisé en ce qu'il est complété par les étapes suivantes: a) réalisation de tranchées à partir de la face arrière du substrat ( 42) jusqu'à atteindre les couches 20 métalliques représentés par les plots d'entrée-sortie ( 43) des circuits intégrés ou par les pistes électriquement conductrices ( 45), b) dépôt, éventuellement localisé, d'une couche métallique ( 55) sur la face arrière du substrat, c) élimination de la métallisation située en surface de la face arrière du substrat. 19 Moule ou pochoir complexe caractérisé en ce qu'il est destiné à réaliser un boîtier à la 30 taille d'une puce à l'aide du procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 18. B 14135 3 ID Moule ou pochoir complexe selon la revendication 19 caractérisé en ce qu'il est réalisé à l'aide d'au moins une technique choisie parmi la gravure humide ou sèche, l'électroformage, le collage 5 de plusieurs films polymères percés ou non, le moulage, la gravure laser. 21 Moule ou pochoir complexe selon la revendication 19 ou 20 caractérisé en ce qu'il est 10 réalisé en silicium, en métal, en polymère. 22 Boîtier à la taille d'une puce et réalisé à l'échelle du substrat, caractérisé en ce qu'il est réalisé par le procédé selon l'une quelconque 15 des revendications 1 à 18. B 14135 3 ID