Brevet FR2836594A1 — publié le 20030829

La présente invention se rapporte à un procédé et un appareil pour fabriquer un film mince semi-conducteur de la classe où une couche semi-conductrice nonmonocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où la couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière, et la lumière est déplacée relativement à la couche de base en cristallisant ainsi la couche semiconductrice non-monocristalline. Il est bien connu de former un film mince semiconducteur sur une couche de base au moyen d'une méthode de cristallisation par laser. Plus particulièrement, dans ce procédé, la couche de base réalisée en un matériau isolant est d'abord préparée, par exemple, sous la forme d'un substrat amorphe ou spécialement sous la forme d'un substrat en verre d'un coût réduit. Ensuite, sur ce substrat est formé un film mince semi-conducteur d'une excellente structure cristalline comme une couche mince de silicium (Si). En outre, ce film mince est traité au moyen d'un laser à impulsions ultraviolettes (UV), et de ce fait le film mince semi-conducteur est en fin de compte polycristallisé. Le procédé de ce type convient déjà pour une utilisation pratique. Cependant, un film mince en silicium produit par la technique de cristallisation à laser actuellement disponible est un film mince polycristallin dont la taille de grain moyenne est de plusieurs centaines de nanomètres (nm), et dont la mobilité est au plus de 200m2/V#sec en raison de l'influence d'une limite de grain. Dans un transistor à film mince utilisant ces films minces, la longueur de canal L du transistor doit représenter dix fois ou plus la longueur de la taille de grain, c'est-à-dire environ plusieurs m si on tient compte de la dispersion dans la performance électrique du transistor à film mince. Par conséquent, un circuit qui peut être conçu en utilisant ce transistor est seulement un circuit d'attaque dont la fréquence de coupe se situe à environ 5MHz au maximum. Si l'on cherche à concevoir un tel circuit d'attaque haute performance qui peut fonctionner à une fréquence de 100 MHz, on estimera grossièrement que le transistor à film mince doit avoir une longueur de canal de 1 m, et le film mince le constituant doit avoir une mobilité d'approximativement 300 m2/V#sec. De plus, le transistor doit avoir la plus petite dispersion ou pas de dispersion dans sa performance électrique. En d'autres termes, le film semi-conducteur (film mince en Si) formé sur le substrat amorphe doit avoir la grandeur de grain de 1 m ou plus et également, il ne doit pas avoir de limite de grain dans le canal à former dans le film mince ci-dessus. Comme procédé de cristallisation par laser satisfaisant aux exigences ci-dessus ont été proposés un Procédé de Solidification Latérale Séquentielle (SLS) (le premier art antérieur) et un Procédé de Cristallisation par Déphaseur (second art antérieur). Le procédé SLS comprend une combinaison des phénomènes de Super Croissance Latérale (SLG) et du procédé de Gravure par Projections Répétitive effectué à un étage, selon le besoin. En se reportant à la figure 7, la référence numérique 71 indique un laser à dimère ionisé, 72 un faisceau laser émis, 73 un homogénéisateur laser, 74 un faisceau de ligne (lumière laser homogénéisée), 75 un substrat amorphe, 76 une couche semi-conductrice nonmonocristalline et 77 une couche semi-conductrice polycristalline. Jusqu'à présent, le film mince semi-conducteur destiné à être utilisé dans le transistor à film mince tel qu'utilisé dans un affichage à cristaux liquides a été réalisé à partir d'un film mince en silicium amorphe. En général, la mobilité dans le film mince en silicium amorphe est d'environ 1 cm2/V#sec. Cette valeur suffit pour un transistor de commutation utilisé dans un panneau d'affichage à cristaux liquides du type à matrice active. Cependant, par suite de recherches et de développements récents, pour améliorer la performance du transistor à film mince formé sur le substrat en verre, il est devenu possible de former un film mince en silicium d'une mobilité de 100 cm2/V-sec même sur le silicium amorphe par la technique de cristallisation de film mince en utilisant le laser à dimère ionisé, comme représenté sur la figure 7. Le film mince obtenu par cette technique de cristallisation est un film mince polycristallin d'une grandeur de grain "a" d'environ 300 à 500 nm. Dans la méthode de cristallisation utilisant le laser à dimère ionisé, le rayonnement ultraviolet est appliqué seulement sur le film mince en silicium pendant une période de temps très courte comme, par exemple, 20 nsec, et de ce fait seulement le film mince en silicium est cristallisé par le processus de la fusion et de la solidification. Par conséquent, étant donné que la période de temps du rayonnement est tellement courte, il y a peu ou pas de risque que le substrat subisse un endommagement thermique. Dans l'appareil représenté sur la figure 7, une source de lumière est constituée par un laser à impulsions haute puissance comme un laser à chlorure de xénon (XeCl) (longueur d'onde : 308 nm). La forme de sortie de la lumière laser utilisée dans le procédé de production en série est un rectangle d'une taille de 2 cm x 1 cm. Habituellement, le faisceau laser de cette forme est traité en outre pour former un faisceau de ligne de 20 cm (longueur b) x 300 à 500 m (largeur a) et en même temps, l'intensité de ce faisceau est rendue homogène par le homogénéisateur 73. Une plaque de verre réalisée en un verre d'un matériau principal pour utilisation dans l'affichage à cristaux liquides est amenée avec un pas d'amenée de 10 à 20 m, ainsi le film en silicium amorphe formé sur la plaque de verre principale est entièrement cristallisé. En se reportant à la figure 8, la référencé numérique 72 indique un faisceau laser émis par un laser à dimère ionisé, 81 une lentille type #il de mouche d'un homogénéisateur (73 sur la figure 7), 74 un faisceau de ligne et 82 un système optique de projection de lumière (non représenté sur la figure 7). Le faisceau laser 72 émis par le laser à dimère ionisé a une forme rectangulaire de 2cm x 1 cm, comme décrit ci-dessus. Le laser à dimère ionisé est une source de lumière extrêmement uniforme en comparaison à un laser ordinaire à solide mais, comme représenté sur la figure 8, on observe que l'intensité de la lumière diminue lentement au voisinage du bord. Comme représenté sur la figure 8, le homogénéisateur de laser 73 (figure 7) utilisé dans le premier art antérieur ci-dessus est apte à diviser le faisceau laser et à changer la forme du faisceau en utilisant la lentille type #il de mouche 81 et à améliorer en outre l'homogénéité de l'intensité du faisceau. Par conséquent, si le film ou couche mince semi-conducteur formé sur un substrat de grande zone est balayé à un pas de 10 à 20 m en utilisant le faisceau de ligne 74 obtenu de la manière indiquée sur la figure 8, un condensateur à bande mince semi-conductrice peut être cristallisé sur le substrat d'une grande zone. Cependant, la technique utilisant la région SLG pour obtenir un film mince en Si de haute performance sur la base du premier art antérieur représenté sur les figures 7 et 8, ou sur d'autres arts antérieurs, présente certains inconvénients qui seront décrits ci-après, qui sont les suivants : 1) En théorie, il est impossible d'exécuter le procédé de gravure par projection répétitive lorsque le pas d'amenée dépasse la longueur (au maximum 1 m) de la SLG. Par conséquent, on ne peut guère s'attendre à une amélioration de la productivité. 2) Il y a certaines restrictions se rapportant à la mobilité d'un film mince polycristallin formé par la technique ci-dessus. Dans le cas d'un film mince polycristallin dont la croissance a eu lieu en permettant à la taille de grain de devenir plus grande sans contrôler la position de la limite de grain, la dispersion dans la taille des grains devient plus grande. De ce fait, la technique ci-dessus est loin d'une utilisation pratique. 3) Des limites de grain résiduelles existent à un intervalle d'environ plusieurs centaines de nm dans la direction de balayage tandis que dans la direction perpendiculaire à la direction de balayage, des défauts de cristaux (réseau) existent à un intervalle d'un pas d'amenée. Par conséquent, actuellement, il ne serait pas approprié d'appliquer la technique ci-dessus au transistor à film mince dont le canal a une longueur de 1 m. Dans le procédé de cristallisation par déphaseur mentionné ci-dessus, l'intensité du rayonnement de la lumière sur le substrat est modifiée au moyen d'un déphaseur apte à changer la phase d'au moins une partie de la lumière avec référence à une conception prédéterminée de l'intensité de rayonnement de la lumière en commandant ainsi la croissance latérale du cristal et en obtenant un cristal d'une grande taille de grain de cristal. En particulier, en ce qui concerne ce procédé, il existe une divulgation par Matsumura et al, qui décrit son concept de base et la vérification théorique dans l'article intitulé "Préparation of Ultra-Large Grain Silicon Thin Film by Excimer-Laser" (Surface Science Vol. 21, No. 5, pp. 278-287, 2000). En se reportant à la figure 9(a), la référence numérique 91 indique un laser à dimère ionisé, 92 un faisceau laser émis, 93 un système optique de conversion d'intensité de faisceau pour convertir l'intensité (dimension) du faisceau laser, 94 et 95 un déphaseur, 96 un substrat amorphe et 97 une couche semi-conductrice non-monocristalline. Sur la figure 9(b), 98 indique un point de départ de la croissance des cristaux et 99 un grain monocristallin. Comme décrit en rapport avec le premier art antérieur, en raison d'un autre progrès technique récent se rapportant à la formation du film mince sur le substrat de verre, il devient pratiquement possible de produire un film mince dont la mobilité est d'environ 100m2/V#sec. Par conséquent, il devient possible d'intégrer le transistor à film mince dans un circuit d'attaque et le transistor à film mince pour l'utilisation d'éléments d'image sur un substrat de verre identique. Pour réduire en système l'affichage à cristaux liquides etc., il est cependant nécessaire de trouver d'autres matériaux qui conviennent mieux pour le transistor à film mince ayant des caractéristiques de haute performance et de moindre dispersion. Le second art antérieur représenté sur la figure 9 montre une technique en accord avec la demande ci-dessus. C'est-à-dire, il s'agit d'une technique pour contrôler la taille du grain cristallin (à l'étendue de 5 m) ainsi que la position de la limite du grain cristallin. Dans cet exemple, le faisceau 92 émis par le laser à dimère ionisé 91 est essentiellement utilisé comme source de lumière, tel que. Si cependant, l'intensité de lumière obtenue n'est pas suffisante, la forme du faisceau est modifiée par le système optique de conversion ou modification de l'intensité de faisceau 93 (décrit en détail ultérieurement à propos de la figure 10) , et ce faisceau modifié est utilisé. Le point le plus important de cette technique est le point que l' intensité de la lumière est modulée d'une manière bidimensionnelle au moyen de deux déphaseurs 94 et 95 agencés pour occuper une position l'un perpendiculairement à l'autre. C'est-à-dire, le déphaseur 94 exécute la modulation relativement légère (pas de 10 m) dans la direction d'une flèche A (la direction de balayage du substrat de verre) sur la figure 9(a) tandis que le déphaseur 95 exécute la modulation (d = 20 m : : une valeur maintenant actuellement prouvée) dans la direction d'une flèche B (perpendiculaire à la direction de balayage du substrat de verre). En combinant ces modulations, le point de départ 98 de la croissance du cristal est produit pendant que la croissance latérale du cristal est induite dans la direction de la flèche "A", comme représenté sur la figure 9(b) (décrit en détail ultérieurement à propos de la figure 11). En se reportant à la figure 10, la référence numérique 92 indique un faisceau émis par le laser à dimère ionisé, 93 un système optique de conversion ou modification de l'intensité de faisceau et 100 un masque (diaphragme) . Comme déjà décrit, le faisceau laser 92 émis par le laser à dimère ionisé a une forme rectangulaire de 2 cm x 1 cm et présenté également une uniformité excellente en comparaison à ceux qui sont émis par un laser à solide. Cependant, comme représenté sur la figure 10, on observe que l'intensité de la lumière diminue lentement au voisinage du bord. Dans le second art antérieur, étant donné que deux déphaseur 94 et 95 sont utilisés et que la cohérence spatiale du vaisseau est requise, il est nécessaire d'utiliser un tel système optique qui utilise une seule lentille ou une combinaison de celles-ci, comme représenté sur la figure 9. Pour changer l'intensité du rayonnement de la lumière, le diamètre du faisceau est modifié en utilisant le système optique de changement de l'intensité de faisceau 93, comme représenté sur la figure 10. Ainsi, la cohérence spatiale du faisceau peut être conservée, mais l'homogénéité du faisceau ne peut pas être améliorée. Cela est un problème de la technique utilisée dans le second art antérieur. Pour résoudre le problème, il est réalisé un masque (diaphragme) 100, comme représenté sur la figure 10. Le masque 100 peut réduire l'efficacité d'utilisation de la lumière, mais il améliore l'homogénéité de la lumière. En se reportant à la figure 11 (a) , les références numériques 94 et 95 indiquent des déphaseurs, respectivement, 96 un substrat amorphe, 97 une couche semi-conductrice non-monocristalline et 90 une lumière laser à dimère ionisé. En se reportant à la figure 11(b), la référence numérique 98 indique le point de départ de la croissance du cristal et 99 un grain monocristallin. Il a été décrit que le point le plus important du second art antérieur est le point que l'intensité de la lumière est modulée d'une manière bidimensionnelle. Comme représenté en 11(a), le déphaseur 94 (déphaseur Y) est apte à moduler la lumière laser à dimère ionisé 90 pour provoquer la modulation de l'intensité de lumière, comme représenté par 0 sur la figure 11(b) tandis que le déphaseur 95 (déphaseur X) est apte à moduler la lumière 90 du laser à dimère ionisé pour provoquer la modulation de l'intensité de la lumière, comme représenté par # sur la figure 11(b). Si ces deux déphaseurs séparés sont agencés pour se diriger dans les directions perpendiculaires l'une à l'autre, il devient possible de faire croître le grain monocristallin 99 du type de contrôle de position, comme représenté sur la figure 11 (b) . Comme représenté sur les figures 9 à 11, le second art antérieur présente cependant les défauts suivants 1) Etant donné que l'intensité du rayonnement de la lumière sur le substrat est modifiée au moyen des déphaseurs 94 et 95 aptes à changer la phase d'au moins une partie de la lumière par rapport à une conception prédéterminée de l'intensité du rayonnement de la lumière, une croissance de cristal latérale peut être obtenue jusqu'à environ 5 à 10 m. Cependant, dans ce cas, étant donné qu'il arrive toujours que quelques régions restent sans être cristallisées sous la forme d'un monocristal, le cristal haute densité complet ne sera pas obtenu. 2) Etant donné que les déphaseurs 94 et 95 sont utilisés, il est nécessaire que la lumière de rayonnement soit cohérente et également, il est nécessaire que le laser émette des faisceaux parallèles. Le laser à dimère ionisé apte à fournir une haute puissance, maintenant sur le marché, présente un angle de divergence et se trouve dans une relation non adaptée ou de décalage par rapport à la relation entre la précision positionnelle et la longueur de croissance latérale. De plus, étant donné que le laser à dimère ionisé manipule un système de faisceaux parallèles, l'homogénéité de l'amplitude des faisceaux dépend de la distribution d'intensité d'amplitude du faisceau directement après qu'il a été émis par la cavité résonnante de laser. A cause de cela, les problèmes à résoudre sont toujours la précision de la position, la cristallisation haute densité, et analogues dans la région à cristalliser, et la relation de décalage ou non adaptée se produit entre l'homogénéité dans la région du rayonnement laser et la zone de rayonnement. Ainsi, l'utilisation pratique du second art antérieur peut poser un nouveau problème au vu de la productivité. Par conséquent, un objet de l'invention est la réalisation d'un procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur d'une structure cristalline excellente sur une couche de base réalisée en un matériau isolant et également la réalisation d'un appareil apte à exécuter le procédé. Cet objet est atteint conformément à la présente invention par un procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur du type indiqué au début comprenant les étapes consistant à : - homogénéiser la distribution d'intensité de la lumière ; - effectuer une modulation d'amplitude de façon que l'amplitude de la lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; - projeter la lumière à amplitude modulée sur la couche semi-conductrice non-monocristalline formée sur la couche de base ; - prévoir un point de basse température dans la surface irradiée par la lumière et produire un point de départ de la croissance des cristaux ; et - former une région monocristalline le long de la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base. Selon une autre réalisation de l'invention, le procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur comprend les étapes consistant à : - homogénéiser la distribution d'intensité de la lumière ; - effectuer la modulation de l'amplitude de façon que l'amplitude de la lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; - réaliser un point de basse température dans la surface irradiée par la lumière et produire un point de départ de la croissance des cristaux ; et - former une région monocristalline le long de la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base. Avantageusement, la lumière est déplacée relativement à la couche de base selon un pas égal à l'étendue de la distance de croissance des cristaux, et la première charge qui précède se chevauche en partie avec la seconde charge qui suit la première charge en formant ainsi la région monocristalline en forme de ruban. L'invention concerne également un appareil pour la mise en #uvre du procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur, qui comporte : - une source de lumière émettant la lumière; un homogénéisateur pour rendre homogène la distribution d'intensité de la lumière émise par la source de lumière ; - un moyen de modulation d'amplitude pour effectuer la modulation de l'amplitude de sorte que l'amplitude de la lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; - un système optique de projection de lumière pour projeter la lumière dont l'amplitude est modulée par le moyen de modulation d'amplitude sur la couche semiconductrice non-monocristalline formée sur la couche de base ; un moyen pour réaliser un point de basse température dans la surface irradiée par la lumière ; et - un moyen pour déplacer la lumière relativement à la couche de base. Selon des réalisations avantageuses de l'appareil : - le moyen de modulation d'amplitude peut être un masque d'absorption de lumière ; le moyen pour réaliser un point de basse température peut être un déphaseur ; - le moyen pour réaliser un point de basse température est un masque comportant un point d'absorption de lumière ; - le moyen servant à la fois de moyen de modulation d'amplitude et de moyen pour réaliser le point de basse température peut être un déphaseur comportant un point d'absorption de lumière. L'appareil peut comporter en outre un moyen d'alignement pour aligner le moyen de modulation d'amplitude et le moyen prévu pour réaliser un point de basse température ; et le moyen d'alignement peut être un dispositif d'alignement utilisant le faisceau laser pour l'alignement ainsi qu'une marque d'alignement. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant des modes de réalisation de l'invention et dans lesquels : - la figure 1(a) est un schéma pour expliquer le procédé et l'appareil pour former un film mince semiconducteur selon le premier mode de réalisation de l'invention, alors que la figure 1(b) est un schéma représentant à plus grande échelle une partie de la figure 1 (a) ; - la figure 2(a) est un schéma représentant une constitution plus concrète du premier mode de réalisation tel que représenté sur la figure 1 (a), tandis que la figure 2(b) est un graphique montrant une relation entre une longueur d'onde à une arête d'absorption et une composition de film du système Si (0, N) et du système Si (0, C) utilisée pour réaliser un masque de modulation d'amplitude ; - la figure 3 (a) est un schéma pour expliquer le deuxième mode de réalisation de l'invention, alors que la figure (3b) est un graphique montrant une relation entre une longueur d'onde à une arête d'absorption et une composition de film du système Si (0, N) et du système Si (0, C) utilisée pour réaliser un masque de modulation d'amplitude ; - la figure 4 (a) est un schéma pour expliquer le troisième mode de réalisation de l'invention, tandis que la figure 4(b) est un graphique représentant une relation entre une longueur d'onde à une arête d'absorption et une composition de film du système Si (0, N) et du système Si (0, C) utilisée pour réaliser un déphaseur ; - la figure 5 (a) est un schéma pour expliquer le quatrième mode de réalisation de l'invention, alors que la figure 5(b) est un schéma représentant à plus grande échelle une partie de la figure 5(a) ; - la figure 6 est un schéma représentant plus en détail le quatrième mode de réalisation de l'invention ; - la figure 7 est un schéma pour représenter le premier art antérieur ; - la figure 8 est un schéma représentant un système optique utilisé dans le premier art antérieur, comme représenté sur la figure 7 ; - la figure 9 (a) est un schéma pour représenter le premier art antérieur tandis que la figure 9(b) est un schéma représentant à plus grande échelle une partie de la figure 9(a) ; la figure 10 est un schéma représentant un système optique utilisé pour la projection laser, tel qu'utilisé dans le second art antérieur ; - la figure 11(a) est un schéma représentant un système optique utilisé pour la projection laser tel qu'utilisé dans le second art antérieur, alors que 11(b) est un schéma représentant à plus grande échelle une partie de la figure 11 (a) . L'invention sera décrite maintenant en détail avec référence aux dessins annexés, où des parties constitutives de l'invention ayant la même fonction et structure seront désignées par les mêmes références numériques pour éviter une description répétitive. Premier mode de réalisation En se reportant maintenant à la figure 1 (a), la référence numérique 1 indique une source de lumière comme un laser à dimère ionisé, 2 un faisceau laser émis, 3 un homogénéisateur laser, 4 un faisceau de ligne (lumière laser homogénéisée), 5 un masque de modulation d'amplitude comme un masque d'absorption de lumière, 6 un système optique constitué d'une lentille cylindrique et analogue et qui projette la lumière de façon qu'une énergie de rayonnement prédéterminée peut être obtenue sur la surface à irradier, 7 un faisceau de ligne homogénéisé, à amplitude modulée et projeté, 8 un déphaseur comme moyen pour réaliser un point de basse température dans la surface irradiée par la lumière, 9 un substrat amorphe comme un substrat en verre, 10 une couche semi-conductrice non-monocristalline réalisée par exemple en silicium (Si) et 11 une couche semiconductrice cristallisée. Sur la figure 1 (b) , une référence numérique 12 indique un groupement ou rangée monocristallin. Dans le second art antérieur, étant donné que deux déphaseurs 94 et 95 (figures 9(a) et 11(a)) sont utilisés, la cohérence spatiale du faisceau est requise. Par conséquent, le faisceau est soumis essentiellement sous le contrôle par l'homogénéité du faisceau de la source de lumière primaire. Par conséquent, on n'observe pas d'amélioration importante de l'homogénéité du faisceau éventuel. Donc, le second art antérieur se traduit seulement par la faible efficacité d'utilisation de la lumière et par la productivité diminuée. Ainsi, dans le premier mode de réalisation, la formation et l'homogénéisation du faisceau émis par le laser à dimère ionisé 1 comme source de lumière primaire sont recherchées en utilisant le même homogénéisateur 3 que celui utilisé dans le premier art antérieur (73 sur la figure 7). Après cela, le faisceau est amené à passer à travers le masque de modulation d'amplitude 5 comme moyen de modulation d'amplitude, le système optique de projection de lumière 6 qui est constitué d'une lentille cylindrique et analogue, et qui projette le faisceau de façon qu'une énergie de rayonnement prédéterminée puisse être obtenue, et le déphaseur 8 commandant le point de départ de la croissance du cristal. Ainsi, la même croissance du cristal que celle qu'on voit dans le second art antérieur est réalisée sans dépendre de la cohérence spatiale du faisceau du laser à dimère ionisé 1. Par conséquent, selon le premier mode de réalisation, on obtient un effet tellement important que l'efficacité d'utilisation de la lumière est maintenue et que le groupement de monocristaux 12 peut être formé en accord avec la forme des faisceaux de ligne 4 et 7. En se reportant à la figure 2(a), la référence numérique 4 indique un faisceau de ligne (lumière laser homogénéisée), 13 une distribution d'intensité de la lumière après la modulation d'amplitude, 8 un déphaseur, 9 un substrat amorphe, 10 une couche semi-conductrice non-monocristalline, 14 un point de départ de la croissance du cristal (point de départ de la cristallisation), 15 une région monocristalline, 16 une distribution de température au moment du rayonnement laser et 17 un point de fusion. Cependant, sur la figure 2(a) ne sont pas représentés le masque de modulation d'amplitude 5 et le système optique de projection de lumière 6. Par exemple, comme représenté sur la figure 2(b), dans le cas du laser à fluorure de krypton (KrF), le masque de modulation d'amplitude 5 peut être réalisé en distribuant le film mince réalisé en un matériau appartenant au système Si (0, N) sur la surface de la couche de base. D'une manière similaire, dans le cas d'un laser à chlorure de xénon (XeCl), comme représenté sur la figure 2(b), le masque de modulation d'amplitude 5 peut être réalisé en distribuant le film mince réalisé en un matériau appartenant au système Si (0, C) ou au système Si (0, N, C) sur la surface de la couche de base. En outre, selon le premier mode de réalisation, le déphaseur 8 peut être utilisé comme moyen pour régler (générer) le point de départ 14 de la cristallisation. Essentiellement, le déphaseur sera utilisé en supposant que la source de lumière émet la lumière cohérente. Cependant, comme représenté par l'invention, même si la lumière n'est pas cohérente, la portion limite ayant une phase différente est apte à prendre toujours une valeur minimale pour l'intensité de la lumière. Par conséquent, comme on le verra à partir de la distribution de la température 16 au moment du rayonnement laser comme représenté sur la figure 2(a), une portion d'une température inférieure à un emplacement quelconque de son entourage est produite à la portion centrale dans la direction Y et à l'origine dans la direction X. Par conséquent, cette portion devient un point de départ de la croissance du cristal 14, comme représenté sur la figure 2 (a) . Ainsi, dans le premier mode de réalisation, étant donné qu'il est difficile de manipuler le faisceau directement après qu' il a été émis par le laser à dimère ionisé 1 tel qu'il est, du point de vue de la cohérence entre la productivité et le contrôle d'homogénéité, le faisceau d'une amplitude uniforme est produit par la division des zones et le mélange du faisceau. A cette occasion, lorsque le faisceau perd de sa cohérence, l'intensité du rayonnement sur le substrat amorphe 9 est modulée par la modulation d'amplitude en utilisant le masque de modulation d'amplitude 5. Avec un tel concept, il peut être réalisé une croissance de cristal latérale qui continue à croître en atteignant une longueur d'environ 5 à 10 m. Dans le second art antérieur décrit ci-dessus, un film en silicium amorphe à cristalliser à une épaisseur habituellement de 100 nm ou moins, de préférence d'environ 50 nm. Lors de la production du faisceau laser homogénéisé d'une forme en section prédéterminée et d'une largeur d'environ 20 cm en utilisant un laser à dimère ionisé haute puissance, étant donné qu'une énergie de rayonnement d'environ 400 mJ/cm2 sera habituellement nécessaire, il est possible de balayer à une vitesse d'environ 5 mm/sec. Dans le cas d'un substrat en verre d'une taille de 55 cm x 65 cm qui est habituellement utilisé pour l'affichage à cristaux liquides, le film mince en silicium amorphe préparé sur le substrat en verre peut être cristallisé sur toute sa face environ en 5 minutes. Le film en silicium amorphe utilisé dans le premier mode de réalisation a une épaisseur de 50 nm à 300 nm, de préférence d'environ 200 nm. L'énergie de rayonnement requise dans le premier mode de réalisation représente deux ou trois fois celle qui est requise dans le premier art antérieur, comme mentionné avant. Cependant, étant donné que le système optique utilisé dans le premier mode de réalisation est conçu d'une manière bidimensionnelle, il est possible de former un film monocristallin mince sur toute la face du substrat en verre d' une taille de 55 cm x 65 cm à une vitesse de 1/3 ou même plus lente que celle qui est utilisée dans le premier art antérieur. Une technique très difficile est requise pour former uniformément le film mince monocristallin couvrant toute la surface du substrat amorphe. Cependant, conformément à l'invention, il devient possible de former une région monocristalline dans une position arbitraire sur le substrat amorphe, particulièrement sur un substrat en verre, à un pas arbitraire. Par conséquent, l'invention peut être développée en outre comme technique fondamentale pour former un groupement de monocristaux pouvant être adapté à la performance du film mince semiconducteur qui est déterminée sur la base de la spécification de circuit requise et des règles de conception également. Dans le procédé selon le premier mode de réalisation, pour former un film mince semi-conducteur de la classe où une couche semi-conductrice nonmonocristalline 10 est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant (substrat amorphe 9), la couche semi-conductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière laser (émise par un laser à dimère ionisé 1) ; et la lumière laser et la couche de base sont déplacées l'une relativement à l'autre en cristallisant ainsi la couche semi-conductrice non-monocristalline, le procédé comprenant les étapes consistant à rendre homogène la distribution de l'intensité de la lumière ; à effectuer la modulation d'amplitude (en utilisant un masque de modulation d'amplitude 5) de telle sorte que l'amplitude de la lumière, dont la distribution d'intensité est rendue homogène, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; projeter la lumière dont l'amplitude a été modulée sur la couche semi-conductrice nonmonocristalline formée sur la couche de base (en utilisant le système optique de projection de lumière 6) ; réaliser un point de basse température dans la face irradiée ci-dessus (en utilisant un déphaseur 8) et produire un point de départ 14 de la croissance du cristal ; et former une région monocristalline 15 le long de la direction du mouvement relatif de la lumière laser à la couche de base. En outre, dans l'appareil pour former un film mince semi-conducteur de la classe où une couche semiconductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, la couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière laser ; et la lumière laser et la couche de base sont déplacées l'une relativement à l'autre en cristallisant ainsi la couche semi-conductrice nonmonocristalline, l'appareil comportant une source de lumière (laser à dimère ionisé 1) émettant la lumière ; un homogénéisateur 3 pour rendre homogène la distribution d'intensité de la lumière émise par la source de lumière; un moyen de modulation d'amplitude (masque de modulation d'amplitude) de sorte que l'amplitude de la lumière dont la distribution d'intensité a été rendue homogène, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; un système optique de projection de lumière 6 pour projeter la lumière dont l'amplitude a été modulée par le moyen de modulation d'amplitude sur la couche semi-conductrice non- monocristalline formée sur la couche de base ; un moyen (déphaseur 8) pour réaliser un point de basse température dans la face irradiée ci-dessus et un moyen pour déplacer la lumière et la couche de base (étage de substrat apte à être balayé dans les directions X-Y ou moyens pour balayer la lumière (ceux-ci ne sont pas représentés)). En outre, dans l'appareil pour former un film mince semi-conducteur selon le premier mode de réalisation, le moyen de modulation d'amplitude (masque de modulation d'amplitude 5) est un masque d'absorption de lumière. En outre, dans l'appareil pour fabriquer un film mince semi-conducteur selon le premier mode de réalisation, le moyen pour réaliser un point de basse température est un déphaseur 8. En outre, dans l'appareil pour former un film mince semi-conducteur selon le premier mode de réalisation est inclus en outre un moyen d'alignement (non représenté étant donné qu'il est connu) pour aligner le moyen de modulation d'amplitude ci-dessus (masque de modulation d'amplitude 5) et le moyen ci-dessus pour réaliser un point de basse température (déphaseur 8). En outre, dans l'appareil pour fabriquer le film mince semi-conducteur selon le premier mode de réalisation, le moyen d'alignement ci-dessus utilise le faisceau laser pour l'alignement et comme marque d'alignement (non représentés étant donné qu'ils sont connus). Deuxième mode de réalisation. En se reportant aux figures 3(a) et 3(b), la référence numérique 18 indique un point d'absorption de lumière et 19 un masque ayant un point d'absorption de lumière 18. La figure 3(a) indique un exemple du deuxième mode de réalisation où le masque 19 présentant le point d'absorption de lumière 18 est prévu comme moyen pour produire le point de départ de la croissance du cristal 14 (voir figure 2(a)) à la position identique à celle du déphaseur 8 du premier mode de réalisation. Ce masque 19 ayant le point d'absorption de lumière 18 peut également être réalisé comme représenté sur la figure 3(b). Par exemple, dans le cas du laser KrF, il peut être réalisé en utilisant un film en un matériau appartenant au système Si (0, N) et, dans le cas du laser XeCl, il peut être réalisé en utilisant un film en un matériau appartenant au système Si (0, N, C). Lors d'une distribution de température 16 au moment de l'irradiation laser similaire à celle qui est représentée sur la figure 2(a), une portion d'une température inférieure à la température ambiante est produite, qui se situe à la portion centrale dans la direction Y et à l'origine dans la direction X. Par conséquent, il est réalisé le point de départ de la croissance des cristaux 14, comme représenté sur la figure 3(a), et la croissance latérale du cristal d'environ 5 à 10 m est réalisée d'une manière similaire au premier mode de réalisation. Dans l'appareil pour former le film mince semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation, le moyen pour réaliser le point de basse température cidessus est un masque 19 comportant un point d'absorption de lumière 18. Troisième mode de réalisation Dans le troisième mode de réalisation de l'invention, au lieu de retirer le masque de modulation d'amplitude 5 de la constitution telle que représentée sur la figure 1, un masque présentant un point d'absorption de lumière 18 (figure 3(a)) est agencé sur ou au voisinage de la portion étagée d'un déphaseur 23, comme représenté sur la figure 4(a), qui est équivalent à celui obtenu en tournant le déphaseur 8 (figure 2(a)) selon un angle droit. Le point d'absorption de lumière est réalisé en utilisant un film en un matériau appartenant au système Si (0, C, N) dans le cas du laser KrF. Avec la constitution ci-dessus, il est possible de réaliser la même croissance du cristal que celle obtenue dans les premier et deuxième modes de réalisation. Il est affirmé habituellement que la lumière du laser à dimère ionisé, rendue homogène par l'homogénéisateur, peut être indépendante de la modulation de l'intensité de lumière utilisant le déphaseur. Cependant, par nos essais, nous avons trouvé que si le substrat en verre 9 est agencé à une distance de 1 mm ou moins du déphaseur 23 contrôlant la croissance du cristal latéral ci-dessus, il se produit sur le substrat en verre 9 une distribution de température similaire à celle (figure 3(a), 16) qui apparaît au moment de l'irradiation laser. Selon le troisième mode de réalisation, dans le procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur de la classe où une couche semi-conductrice nonmonocristalline 10 est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant (substrat amorphe 9), où la couche semi-conductrice non-monocristalline est soumise au rayonnement de la lumière laser (émise par un laser dimère ionisé 1) ; et la lumière laser et la couche de base sont déplacées l'une relativement à l'autre en cristallisant ainsi la couche semi-conductrice nonmonocristalline, le procédé comprend les étapes consistant à rendre homogène la distribution d'intensité de la lumière ci-dessus ; à effectuer la modulation d'amplitude (en utilisant un déphaseur 23) de sorte que l'amplitude de la lumière dont la distribution d'intensité a été rendue homogène, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; réaliser un point de basse température dans la surface irradiée ci-dessus (par un point d'absorption de lumière 18) et produire un point de départ 14 de la croissance des cristaux ; et former une région monocristalline 15 le long de la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base. En outre, selon le troisième mode de réalisation, dans l'appareil pour fabriquer un film mince semi- conducteur de la classe où une couche semi-conductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où la couche semiconductrice non-monocristalline est soumise au rayonnement de la lumière ; et la lumière est déplacée relativement à la couche de base en cristallisant ainsi la couche semi-conductrice non-monocristalline, l'appareil comporte une source de lumière (laser à dimère ionisé 1) émettant la lumière ; un homogénéisateur 3 pour rendre homogène la distribution de l'intensité de la lumière émise par la source de lumière ; un moyen de modulation d'amplitude (déphaseur 23) pour effectuer la modulation de l'amplitude de sorte que l'amplitude de la lumière dont la distribution d'intensité a été rendue homogène par l'homogénéisateur, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de la lumière à la couche de base ; un moyen (point d'absorption de lumière 18) pour réaliser un point de basse température dans la face irradiée ci-dessus, et un moyen pour déplacer relativement la lumière et la couche de base (étage du substrat apte à être balayé dans les directions X-Y ou moyens de balayage de lumière (ceux-ci ne sont pas représentés). C'est-à-dire, dans le troisième mode de réalisation, il n'est pas nécessaire de préparer un système optique de projection de lumière 6 pour projeter la lumière dont l'amplitude a été modulée par le moyen de modulation d'amplitude sur la couche non-monocristalline formée sur la couche de base. En outre, dans l'appareil de fabrication d'un film mince semi-conducteur selon le troisième mode de réalisation, le moyen pour effectuer la modulation d'amplitude et pour réaliser le point de basse température est constitué par le déphaseur 23. Quatrième mode de réalisation En se reportant à la figure 5(a), la référence numérique 4 indique un faisceau de ligne (lumière laser homogénéisée), 7 un faisceau de ligne dont l'amplitude est modulée et ensuite projetée, 8 un déphaseur, 9 un substrat amorphe, 10 un semi-conducteur nonmonocristallin, 11 un semi-conducteur cristallisé, 20 un pas d'amenée d'un substrat amorphe 9 (c'est-à-dire un étage de substrat, non représenté). Egalement sur la figure 5(a), on n'a pas représenté le laser à dimère ionisé 1, le faisceau émis 2, l'homogénéisateur 3, le masque de modulation d'amplitude 5 formé par un masque d'absorption de lumière et le système optique de projection de lumière 6. Sur la figure 5(b), une référence numérique 12 indique un groupement de monocristaux, 20 un pas d'amenée et une flèche C la direction de la croissance latérale du cristal. Les problèmes dans le second art antérieur exposé ci-dessus sont que le taux d'occupation de zone de la région cristallisée dans le groupement cristallisé est apte à devenir plus petit que celui qui est prévu initialement, et que, étant donné que le point de départ de la croissance du cristal 98 sera toujours contiguë à l'état initial sous la cristallisation, par exemple, d'une phase de silicium amorphe, un facteur primaire pour faciliter la cristallisation est dominé par le processus de refroidissement et dépend sensiblement de très petites quantités d'impuretés dans la phase de silicium amorphe et de divers états de limite entre le film et le substrat, ainsi la reproductibilité du bon groupement cristallisé faisant défaut. Par conséquent, dans le quatrième mode de réalisation, pour résoudre les problèmes décrits cidessus, un appareil est préparé selon la figure 5(a) comportant un mécanisme d'amenée d'étage (non représenté) où l'étage d'amenée peut être amené sur une distance légèrement plus courte qu'une distance de croissance latérale attendue du cristal. Par exemple, le substrat amorphe 9 peut être amené à un pas 20 d'environ 5 m dans la direction de la flèche A. Avec ce procédé, le taux d'occupation de zone mentionné avant de la région cristallisée est augmenté, et le groupement de monocristaux 12 peut être formé avec une reproductibilité améliorée bien que la région cristallisée prenne une forme qui pourrait être appelée lignes de rubans plutôt que groupement. En se reportant à la figure 6, la référence numérique 21 indique une charge primaire (la première charge ; grain monocristallin) et 22 une charge suivante (la seconde charge). Par exemple, dans le film initial cristallisé réalisé en silicium amorphe, le grain monocristallin obtenu dans le second art antérieur est le même grain monocristallin qui est obtenu par la première charge 21, comme représenté sur la figure 6. C'est-à-dire, la croissance latérale du cristal commence au point de départ 14 de la croissance du cristal dans la direction d'une flèche C. Cependant, cette croissance latérale du cristal est pratiquement dominée par le processus initial de cristallisation. Dans ce processus initial, un noyau est formé selon une certaine probabilité pendant le processus de refroidissement et avance ensuite à l'étape de la croissance latérale du cristal. Dans le second art antérieur, le grain monocristallin est formé par la charge primaire ci-dessus selon des probabilités indépendantes respectives. Par conséquent, dans le second art antérieur, les problèmes se rapportant à la reproductibilité et à l'uniformité de la formation du noyau ainsi et à la croissance latérale du cristal faisant suite à celle-ci ne sont pas résolus. D'autre part, dans le procédé de cristallisation selon le quatrième mode de réalisation de l'invention représenté sur la figure 6, la cristallisation est effectuée de manière que le grain monocristallin formé par la charge primaire 21 se chevauche en partie avec le grain monocristallin formé par la seconde charge 22, et en outre le gain par la seconde charge se chevauche en partie avec le suivant (non représenté) et ainsi de suite. Dans la première charge 21, le facteur primaire, c'est-à-dire le processus de probabilité pourrait dominer fortement la génération du noyau et la croissance latérale du grain monocristallin ensuite. Dans la charge suivante 22 et ensuite, la région cristallisée est déjà contiguë au point de départ de la croissance du cristal 14. Cela signifie qu'un germe pour la croissance du cristal est déjà préparé et que le cristal peut pousser à partir du germe. Par conséquent, la cristallisation est dominée par la croissance à partir du semi-équilibre entre fusion et solide, et de ce fait la reproductibilité et uniformité mentionnées ci-dessus peuvent être améliorées dans une grande mesure. Ainsi, pour amener la région monocristallisée 15 à avoir une densité élevée, si le concept de la "source de lumière" tel que décrit dans le premier mode de réalisation est utilisé, la formation et la variation du faisceau deviennent possibles, de sorte que la région monocristalline en forme de ruban peut être formée en appliquant le procédé de gravure par projection répétitive jusqu'à l'étendue du masque de modulation d'amplitude 5, du déphaseur 8 et de la longueur de la croissance latérale. Ainsi, dans le procédé de fabrication d'un film mince semi-conducteur selon le quatrième mode de réalisation, la lumière est déplacée relativement à la couche de base selon un pas (pas d'amenée : 20) à l'étendue de la distance de croissance du cristal, et la première charge qui précède 21 se chevauche en partie avec la seconde charge 22 faisant suite à la première charge en formant ainsi la région monocristalline en forme de ruban. Alors que l'invention a été décrite concrètement sur la base de quelques modes de réalisation de celle-ci, l'invention n'est pas limitée à ces modes de réalisation. Cependant, il apparaîtra que divers changements et modifications peuvent être effectués sans s'éloigner de l'essence de la description par rapport à ces modes de réalisation. Par exemple, dans les modes de réalisation 1 à 3, le substrat amorphe 9, comme un substrat en verre, est utilisé comme couche de base réalisée en un matériau isolant mais, cela va sans dire, l'invention n'est pas limitée à cela. Par exemple, il est possible d'utiliser une couche de base réalisée en divers matériaux isolants transparents ou opaques comme en céramique, plastique et analogue. En outre, la couche semi-conductrice nonmonocristalline prévue sur la couche de base ci-dessus peut être une couche semi-conductrice amorphe ou bien une couche semi-conductrice polycristalline réalisée à partir d'une quantité importante de monocristaux très fins. Par conséquent, il est possible de réaliser le film semiconducteur selon l'invention en recristallisant les diverses couches semi-conductrices ci-dessus. Comme décrit ci-dessus, selon l'invention, une technique est mise à disposition qui est apte à former une région monocristalline sur le substrat amorphe, comme un substrat en verre, dans une position arbitraire, à un pas arbitraire, et il est réalisé une technique fondamentale apte à former un groupement monocristallin pouvant être adapté à la performance du film mince semiconducteur et aux règles de conception qui sont déterminées en accord avec une spécification de circuit requise. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un film mince semiconducteur de la classe où une couche semi-conductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où ladite couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière, et ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base en cristallisant ainsi ladite couche semi-conductrice non-monocristalline, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : - homogénéiser la distribution d'intensité de ladite lumière ; - effectuer une modulation d'amplitude de façon que l'amplitude de ladite lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de ladite lumière à la couche de base ; - projeter ladite lumière à amplitude modulée sur ladite couche semi-conductrice non-monocristalline formée sur ladite couche de base ; - prévoir un point de basse température dans ladite surface irradiée par la lumière et produire un point de départ de la croissance des cristaux ; et - former une région monocristalline le long de la direction du mouvement relatif de ladite lumière à ladite couche de base. 2. Procédé de fabrication d'un film mince semiconducteur de la classe où une couche semi-conductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où ladite couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière, et ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base en cristallisant ainsi ladite couche semi-conductrice non-monocristalline, comprenant les étapes consistant à : homogénéiser la distribution d'intensité de ladite lumière ; - effectuer la modulation de l'amplitude de façon que l'amplitude de ladite lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de ladite lumière à la couche de base ; réaliser un point de basse température dans ladite surface irradiée par la lumière et produire un point de départ de la croissance des cristaux ; et - former une région monocristalline le long de la direction du mouvement relatif de ladite lumière à ladite couche de base. 3. Procédé de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base selon un pas égal à l'étendue de la distance de croissance des cristaux, et la première charge qui précède se chevauche en partie avec la seconde charge qui suit la première charge en formant ainsi la région monocristalline en forme de ruban. 4. Procédé de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base à un pas égal à l'étendue de la distance de croissance des cristaux, et la première charge qui précède se chevauche en partie avec la seconde charge faisant suite à la première charge en formant ainsi la région monocristalline en forme de ruban. 5. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur de la classe où une couche semi-conductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où ladite couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière, et ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base en cristallisant ainsi ladite couche semi-conductrice non-monocristalline, caractérisé en ce qu'il comporte : - une source de lumière (1) émettant ladite lumière; - un homogénéisateur (3) pour rendre homogène la distribution d'intensité de ladite lumière émise par ladite source de lumière ; - un moyen de modulation d'amplitude (5) pour effectuer la modulation de l'amplitude de sorte que l'amplitude de ladite lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de ladite lumière à ladite couche de base ; - un système optique (6) de projection de lumière pour projeter la lumière dont l'amplitude est modulée par ledit moyen de modulation d'amplitude sur ladite couche semi-conductrice non-monocristalline formée sur ladite couche de base '; - un moyen (8) pour réaliser un point de basse température dans la surface irradiée par ladite lumière ; et - un moyen pour déplacer ladite lumière relativement à ladite couche de base (9). 6. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen de modulation d'amplitude est un masque d'absorption de lumière (5). 7. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen pour réaliser un point de basse température est un déphaseur (8). 8. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit moyen pour réaliser un point de basse température est un masque (19) comportant un point d'absorption de lumière (18). 9. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur de la classe où une couche semi-conductrice non-monocristalline est formée sur une couche de base réalisée en un matériau isolant, où ladite couche semiconductrice non-monocristalline est irradiée par la lumière, et ladite lumière est déplacée relativement à ladite couche de base en cristallisant ainsi ladite couche semi-conductrice non-monocristalline, caractérisé en ce qu'il comporte : une source de lumière (1) émettant ladite lumière; - un homogénéisateur (3) pour rendre homogène la distribution d'intensité de la lumière émise par ladite source de lumière ; - un moyen de modulation d'amplitude (5) pour effectuer la modulation d'amplitude de telle sorte que l'amplitude de ladite lumière, dont la distribution d'intensité est homogénéisée par ledit homogénéisateur, est augmentée dans la direction du mouvement relatif de ladite lumière à ladite couche de base ; un moyen (8) pour réaliser un point de basse température dans la surface irradiée par ladite lumière ; et un moyen pour déplacer ladite lumière relativement à ladite couche de base (9). 10. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que le moyen servant à la fois de moyen de modulation d'amplitude précité et de moyen pour réaliser le point de basse température est un déphaseur (8) comportant un point d'absorption de lumière. 11. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen d'alignement pour aligner ledit moyen de modulation d'amplitude (5) et ledit moyen prévu pour réaliser un point de basse température (8). 12. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen d'alignement pour aligner ledit moyen de modulation d'amplitude (5) et ledit moyen prévu pour réaliser un point de basse température. 13. Appareil de fabrication d'un film mince semiconducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit moyen d'alignement est un dispositif d'alignement utilisant le faisceau laser pour l'alignement ainsi qu'une marque d'alignement. 14. Appareil de fabrication d'un film semiconducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit moyen d'alignement est un dispositif d'alignement utilisant le faisceau laser pour l'alignement ainsi qu'une marque d'alignement.