Brevet FR2834384A1 — publié le 20030704

B 13978.3 JL La présente invention concerne un émetteur- récepteur optique, un connecteur, une unité de substrat, un émetteur optique, un récepteur optique et un dispositif à semiconducteurs, qui exécutent la transmission de signaux par l'intermédiaire de broches d' interface. L'émetteur-récepteur optique exéaute l'émission et la réception comme suit. C'est-à-dire que, lors de l'émission, l'émetteur- récepteur optique convertit le signal de données, qui est un signal électrique, en un signal optique, et envoie le signal optique par l'inter- médiaire d'une fibre optique pour l' émission. D' autre part, lors de la réception, l'émetteur-récepteur optique reçoit un signal optique avec une fibre optique pour la réception et convertit le signal optique en le signal de données, qui est un signal électrique. L'émetteur-récepteur optique est quelquefois monté sur un substrat d'un dispositif de système central (également désigné comme étant un dispositif de transmis- sion optique), qui est équipé de facon externe. Le dispo sitif de système central produit des signaux de données numériques, distribue et transmet les signaux de donnces numériques produits à une pluralité d'émetteurs et de récepteurs optiques et exécute différents traitements en rapport avec le signal de données transmis par les émet teurs et les récepteurs. Lors du montage de l'émetteur-récepteur optique sur le substrat du dispositif du système central, une interface électrique est obtenue par connexion de l'émet- teur-récepteur optique à un substrat du système du dispo sitif du système central moyennant l'utilisation d'une pluralité de broches d' interface qui font saillie vers le bas à partir de la partie inférieure d'un boîtier. En d'autres termes, aucun connecteur n'est utilisé lors du montage de l'émetteur-récepteur optique sur le substrat. Les broches d' interface sont utilisées pour assurer l'alimentation en énergie, le signal d'horloge et les signaux, tels que la tension d'alimentation en énergie, les signaux de commande, des signaux impulsionnels de transmission à grande vitesse et des signaux d'horloge de transmission à grande vitesse. Dans le système de communication optique qui émet des signaux optiques par l'intermédiaire de la fibre optique, la cadence de transmission du signal optique a connu récemment un accroissement rapide pour répondre à un accroissement du trafic de communication accompagnant la vogue que connaît le réseau dit Internet. Dans l'émetteur- récepteur optique, la cadence de transmission passe main- tenant de 2,5 Gbits/s à 10 Gbits/s et des recherches et des développements sont en cours pour obtenir une cadence de transmission de 40 Gbits/s. De facon concomitante, l'émet- teur-récepteur optique doit également fournir la possibilité de traiter un signal avec une cadence élevée de transmission. Les figures 27A et 27B annexées à la présente demande représentent une configuration schématique d'un émetteur-récepteur optique classique et d'une structure d' interface entre le substrat du système et l'émetteur- récepteur optique. La figure 27A est une vue en plan, dans laquelle le couvercle supérieur est retiré et la figure 27B est une vue en coupe prise suivant la ligne A-A représentée sur la figure 27A. Les figures 27A et 27B représentent un exemple d'un émetteur-récepteur optique 117 qui exécute une transmission de signaux à une cadence de données de 2,5 Gbits/s. Un boîtier 101 de l'émetteur-récepteur optique 117 possède une forme rectangulaire et est formé par un pliage d'une plaque métallique sur quatre côtés. La plaque métallique possède une épaisseur comprise entre environ 0,5 et 1 mm. Le boîtier 101 possède quatre parois latérales lOlb, un fond lOla et un couvercle supérieur 116. De longs trous lOlc pour l' interface sont prévus à proximité de deux côtés du fond lOla. Au moins trois parties saillantes lOld sont prévues (voir figure 27B) sur la surface extérieure du fond lOla. Ces parties saillantes lOld sont en butée sur le substrat 114 du système de sorte que le boîtier 101 est en appui de façon stable sur le substrat 114 du système. Un substrat 109 est prévu dans le boîtier 101. Un étage d'attaque 102 de la diode laser, un module à diode laser 103 dans lequel est prévue une diode laser (LD), un module de photodiode 104, dans lequel est prévue une photodiode (PD)i un circuit de réception 105 incluant un circuit PLL (boucle à verrouillage de phase), un circuit d' identification et de production de donnces, et un cTrcuit de commande 103 incluant un circuit d'alimentation en énergie et différents dispositifs de commande sont montés sur le substrat 109. Une fibre optique 106 pour la transmission est connectée au module à diode laser 103, et une fibre optique 107 pour la réception est connectée au module de photodiode 104. Des éléments 116 de retenue du substrat prévus sur le fond lOla supportent le substrat 109. Des lignes du substrat, à savoir la ligne llOa (côté émission), la ligne llOb (côté émission), la ligne llOc (côté réception), la ligne llOd (côté réception), les lignes llla, lllb sont formées sur le substrat 109. Les lignes llla du substrat connectent des broches d' interface à faible vitesse au circuit de commande 108. Les lignes lllb du substrat connectent l'étage d'attaque 102 de la diode laser, le module 103 de la diode laser, le module 104 de photodiode et le circuit de réception 105 respectivement au circuit de commande 108. Les lignes llOa du substrat, à savoir la ligne llOa (côté émission), la ligne llOb (côté émission), la ligne llOc (côté réception) et la ligne llOd (côté réception) possèdent une structure telle qu'elles peuvent émettre des signaux de données et des signaux d'horloge, qui peuvent même être des signaux à hautes fréquences. En outre environ quatre à dix broches d' interface de transmission à grande vitesse (cercles blancs) 112a (côté émission), 112c (côté réception), qui peuvent transmettre des signaux de données et des signaux d'horloge qui peuvent même être des signaux à hautes fréquences, sont prévues. En outre les broches d' interface à faible vitesse 112b, auxquelles sont envoyés les signaux de commande à basse fréquence et une tension continue, et des broches de masse (cercles noirs) 113 pour la mise à la masse sont connectées et fixées au substrat 109. Le substrat 109 est connecté électriquement au substrat 114 du système, par l'intermédiaire des broches d' interface 112a à 112c (déaignées collectivement comme étant des broches d' interface 112) et les broches de masse 113. De ce fait un échange de signaux peut être exécuté entre l'émetteur récepteur optique 114 et le dispositif du système central. Les broches d' interface 112 et les broches de masse 113 sont disposées linéairement suivant une rangée, au niveau de chaque bord sur le côté longitudinal du subs- trat 109 et font saillie vers le bas à partir des longs trous lOlc formés dans le boîtier 101. Les broches respec- tives 112 et 113 sont insérées dans des trous pour broches, qui sont prévus dans le substrat 114 et sont brasés. Ainsi une connexion électrlque peut être réalisée entre le subs- trat 109 et le substrat 114 du système sans l'utilisation d'un connocteur. L'élément 115 de retenue du substrat est disposé aux quatre coins du fond lOla du boîtier 101. Chacun des éléments 115 de retenue du substrat est réuni au substrat 109 par une extrémité et est fixé sur le fond lOla du boî- tier 101, par son autre extrémité. De ce fait, il existe un interstice de plusieurs millimètres entre le substrat 109 et le fond 120a du boîtier 101. Ces dispositifs 115 de retenue du substrat sont prévus de telle sorte que la configuration de câblage sur l'arrière du substrat 109 ne vient pas en contact avec le fond lOla du boîtier métal- lique 101. L'émetteur-récepteur optique classique fonctionne comme décrit ci-après. Un signal de données (signal impulsionnel) de 2,5 Gbits/s et un signal d'horloge de 2,5 GHz sont introduits à partir du substrat 114 du système au moyen des broches d' interface 112a, et ces signaux sont envoyés à l'étage d'attaque 102 de la diode laser par l'intermédiaire des lignes llOb du substrat. En outre, des signaux de tension d'alimentation en énergie et de commande sont envoyés au circuit de commande 108 par l'intermédiaire des broches d' interface 112b et des lignes llla du subs- trat. L'étage d'attaque 102 de la diode laser produit un signal de modulation (signal impulsionnel) Im pour com mander le module à diode laser 103, sur la base du signal de données à 2,5 Gbits/s et du signal d'horloge à 2,5 GHz. Le signal de modulation Im produit dans l'étage d'attaque 102 de la diode laser est envoyé au module à diode laser 103 par l'intermédiaire de la ligne de substrat llOa. Le cTrcuit de commande 108 envoie une tension continue à l'étage d'attaque 102 de la diode laser, au module à diode laser 103, au module de photodiode 104 et au circuit de réception 105 par l'intermédiaire des lignes de substrat lllb et contrôle l'appareillage respectif. I1 en résulte que la diode laser dans le module à diode laser 103 émet une lumière, et un signal optique est émis, avec son intensité modulée. Le signal optique émis pénètre dans la face d'extrémité de la fibre optique 106 et par conséquent un signal optique Po se propage dans la fibre optique 106. Le module de photodiode 104 reçoit un signal optique Pi par l'intermédiaire de la fibre optique 107 et convertit par voie photoélectrique le signal optique avec un signal de courant produit par la photodiode incorporée, puis convertit le signal de courant en un signal de tension au moyen d'un préamplificateur intégré, et transmet le signal de tension converti au circuit de réception 104 par l'intermédiaire de la ligne de substrat llOc. Le circuit de réception 105 extrait un signal d'horloge sur la base du signal de tension transmis par le module de photodiode 104 et régénère le signal de données. Le signal de données et le signal d'horloge régénéré par le circuit de réception sont introduits à partir de la ligne de substrat llOd à une extrémité de la broche d' interface 112c et sont soumis à une conversion d'impédance. Le signal envoyé à une extrémité de la broche d' interface 112c est envoyé au subs- trat 114 du système connecté à son autre extrémité par l'intermédiaire de la broche d' interface 112c. Sous l'effet d'un accroissement de la cadence de transmission du signal optique, les problèmes qui sont décrits ci-après se posent dans l'émetteur-récepteur opti que classique. Par exemple lorsqu'un signal de donnces ayant une cadence de 10 Gbits/s supérieure à la valeur de 2,5 Gbits/s et un signal d'horloge ayant une cadence supérieure de GHz à la valeur de 2,5 GHz doivent être transférés entre l'émetteur-récepteur optique et le substrat 114 du système, la caractéristique de transmission s'altère, ce qui pose un problème consistant en ce que les signaux de transmission à grande vitesse ne peuvent pas être transmis sauf si l'impédance caractéristique (normalement 50 Q des lignes de substrat llOb est adaptée à celle des broches d'inter- face 112a, ou l'impédance caractéristique (normalement 50 Q) de lignes du substrat llOd est adaptée à celle des broches d' interface 112c. Dans l'émetteur-récepteur optique classique, il existe un interstice 118 d' environ 2 à 5 mm entre le subs- trat 109 et le substrat 114 du système en fonction de la hauteur de l'élément 115 de retenue du substrat, de l'épaisseur de la plaque inférieure lOla du boîtier 101 et de la hauteur de la partie saillante lOld prévue dans le boîtier 101. En raison de l' existence de cet interstice, une couche d'air existe entre le substrat 109 et le substrat 114 du système, et il est actuellement difficile d' adapter l'impéJance caractéristique des broches d' interface à l'impédance caractéristique (normalement 50 Q) des lignes llOb et llOd du substrat. C'est pourquoi dans l'émetteur-récepteur optique classique, il se pose un problème consistant en ce que lorsqu'un signal de données de transmission à grande vitesse d'environ 10 Gbits/s ou plus et un signal d'horloge de transmission à grande vitesse d' environ 10 GHz ou plus doivent être émis, la caractéristique d'émission s'altère. La détérioration de la caractéristique d'émission est admissible lorsqu' on utilise dans la pratique l' émetteur- récepteur optique pour un signal de données possédant une cadence binaire d' environ 2,5 Gbits/s, et si la cadence binaire devient égale à environ 10 Gbits/s, l'altération de la caractéristique d'émission devient notable et ne peut pas étre ignorée. Si on utilise un connecteur d' interface (connecteur coaxial), dont l'impédance caractéristique est commandée, ou une ligne de connexion utilisant un guide d'ondes à la place de la broche d' interface, on peut obte- nir la caractéristique d'impéJance, qui est préférable du point de vue électrique, mais la quantité de lignes de connexion requises pour la transmission du signal de don nées et du signal d'horloge est comprise entre environ quatre et dix. L'utilisation de telles lignes de connexion augmente la taille du dispositif d' interface et augmente le coût et par conséquent n'est pas pratique pour l'émetteur- récepteur optique qui doit être bon marché et être installé en un nombre élevé. C'est pourquoi dans l'émetteur-récepteur optique classique il se pose un problème consistant en ce que lorsqu'un signal de données d' environ 10 Gbits/s et un signal diLorloge d' environ 10 GHz sont transmis en utili sant des broches d' interface, il est difficile d' adapter l'impéJance caractéristique de la ligne du substrat à celle des broches d' interface. Un but de la présente invention est de fournir un émetteur-récepteur optique, un connecteur, une unité de substrat, un émetteur optique, un récepteur optique et un dispositif à semiconducteurs, qui permettent d' adapter l'impédance caractéristique de la ligne de substrat à celle des broches d'impédance avec une configuration simple et bon marché, et qui puissent émettre des signaux de données et des signaux de cadence de transmission à grande vitesse. Conformément à la présente invention, les pre- mières extrémités d'une pluralité de broches d' interface sont rattachées à un substrat dans une ligne. Un dispositif opt i que à semi conducteurs et un circuit é l ect rique sont montés sur ce substrat. Les autres extrémités des broches d' interface sont montées dans des trous situés dans un autre substrat. Les signaux sont échangés entre les deux substrats par l'intermédiaire des broches d' interface. Les broches d' interface sont insérées dans un matériau diélectrique. Une pluralité de broches de masse et/ou de trous traversants de masse peuvent être prévus dans le matériau diélectrique autour des broches d' interface. La constante diélectrique du matériau diélectrique est inférieure aux constantes diélectriques des deux substrats. De façon plus précise l' invention concerne un émetteur-récepteur optique, caractérisé en ce qu'il com porte: un substrat qui recoit ou délivre un signal optique, une pluralité de broches d' interface disposées de façon saillante sur une partie du substrat, pour le transfert de signaux électriques entre le substrat et un substrat externe, un bloc diélectrique qui recouvre la périphérie des broches d' interface, et dont une extrémité est en aboutement sur ladite partie du substrat, tandis qu'une partie des broches d' interface fait saillie à partir de l'autre extrémité, et un boîtier qui sert à loger le substrat et est pourvu d'un trou traversant, que traverse le bloc diélec- trique. Selon une autre caractéristique de l' invention, les broches d' interface incluent au moins une broche de transmission de signal et une pluralité de broches de masse qui sont disposces autour de la ou des broches de transmission de signaux. Selon une autre caractéristique de l' invention, les broches d' interface incluent au moins une broche de transmission de signal et une pluralité de trous traver sants de masse, qui sont disposés autour de la ou des bro ches de transmission de signaux. Selon une autre caractéristique de l' invention, une constante diélectrique du bloc diélectrique est infé rieure à une constante diélectrique du substrat. L' invention concerne en outre un connocteur, qui connocte électriquement un premier substrat et un second substrat, le premier substrat et le second substrat possé dant des configurations de câblages, caractérisé en ce qu'il comporte: au moins une broche dont une extrémité est connectée électriquement à la configuration de câblage du premier substrat et dont l'autre extrémité est connectée électriquement à la configuration de câblage du second substrat, un bloc diélectrique qui recouvre la périphérie de la ou des broches de manière à exposer les extrémités opposées de ces dernières, et au moins un trou traversant de masse formé autour de la ou des broches dans le bloc diélectrique. Selon une autre caractéristique de l' invention, au moins une extrémité de la ou des broches fait saillie à partir du bloc diélectrique. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'extrémité de la ou des broches, qui fait saillie à partir du bloc diélectrique, possède un diamètre inférieur à celui de la partie de la broche recouverte par le bloc diélectrique. Selon une autre caractéristique de l' invention, une configuration de couches de masse connectées au(x) trou(s) traversant(s) de masse est formée sur au moins l'une de la surface du bloc diélectrique en butée sur le premier substrat et de la surface du bloc diélectrique en butée sur le second substrat. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'impéJance caractéristique de la partie de la broche recouverte par le bloc diélectrique est d' environ 50 Q. L' invention concerne en outre une unité de subs trat, caractérisé en ce qu'elle comporte: un connocteur posséJant un bloc dlélectrique, au moins une broche insérce dans le bloc diélec trique de telle sorte qu'au moins une extrémité de la bro che fait saillie à partir du bloc diélectrique, et une pluralité de trous traversants de masse for més dans le bloc diélectrique respectivement autour de la ou des broches, et un substrat posséJant au moins un trou de broche, dans lequel l'extré mité saillante de la broche est montée à force, et une pluralité de seconds trous travereants de masse qui sont disposés autour du ou des trous de broches et sont connectés électriquement à la première masse au moyen de trous formés dans le connecteur, l'extrémité salllante de la ou des broches étant insérée à force dans le ou les trous de broche de sorte que le connecteur et le substrat sont intégrés l'un avec l'autre. Selon une autre caractéristique de l' invention, un diamètre de l'extrémité saillante de la ou des broches est inférieur à un diamètre de la partie de la ou des bro ches, qui est recouverte par le bloc diélectrique, et les seconds trous traversants de masse sont disposés plus près de l'axe central de la broche que ne le sont les premiers trous traversants de masse. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'unité de substrat comporte un boîtier qui recouvre le connecteur et le substrat de manière à faire saillie sur une extrémité du connecteur à l'opposé du côté, sur lequel la broche est montée à force sur le substrat. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'unité de substrat comporte en outre un dispositif optique à semiconducteurs et un circuit électrique monté sur le substrat, le circuit électrique étant connecté à la ou aux broches et le circuit électrique commandant le dispositif à semiconducteurs. Selon une autre caractéristique de l' invention, le dispositif optique à semiconducteurs est une diode laser ou un modulateur optique, et que le circuit est un circuit intégré formant étage d'attaque qui commande la diode laser ou le modulateur optique. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'unité de substrat comporte en outre une broche de masse qui est insérce dans le bloc diélectrique adjacent à la broche. Selon une autre caractéristique de l' invention, le dispositif optique à semiconducteurs est une photodiode, et que le cTrcuit électrique est un circuit intogré de réception, qui régénère un signal provenant de la pho todiode. Selon une autre caractéristique de l' invention, l'unité de substrat comporte en outre une seconde broche disposée au voisinage de la broche et que les trous tra versants de masse sont disposés de telle sorte que les trous traversants de masse situés entre les deux broches sont partagés en commun par les deux broches. L'invention concerne en outre un émetteur optique, caractérisé en ce qu'il comporte: un connecteur comportant un bloc diélectrique, une pluralité de broches insérées dans le bloc diélectrique, les broches comprenant une pluralité de bro ches de masse et une pluralité de broches de transmission de signaux, les broches de masse et les broches de trans mission de signaux étant disposées alternativement sur une ligne, au moins une extrémité des broches faisant saillie à partir du bloc diélectrique, et une pluralité de premiers trous traversants de masse formés dans le bloc diélectrique respectivement autour des broches de transmission de signaux, un substrat posséJant une pluralité de trous pour broches, dans les quels les extrémités saillantes des broches sont respecti vement insérées à force, et une pluralité de seconds trous traversants de masse disposés respectivement autour de chacun des trous pour broches, dans lesquels les broches de transmission de signaux des trous pour broches sont insérés à force et connectés électriquement aux premiers trous traversants de masse du connecteur, et une pluralité de câblages de substrat connectés aux trous pour broches, dans lesquels les broches de transmiselon de signaux sont montées à force, une diode laser montée sur le substrat, et un circuit intégré formant étage d'attaque connecté à la diode laser et aux câblages du substrat. L' invention a trait également à un récepteur optique, caractérisé en ce qu'il comporte: un connecteur possédant un bloc diélectrique, une pluralité de broches insérces dans le bloc diélectrique, les broches comprenant au moins deux broches d' interface de transmission à grande vitesse disposoes à proximité l'une de l'autre et deux broches de masse dont chacune est disposce à l'extérieur des deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, suivant une ligne, et une pluralité de trous traversants de masse for més dans le bloc diélectrique autour des deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, de sorte que les trous traversants de masse situés entre les deux bro ches d' interface de transmission à grande vitesse sont utilisés en commun par les deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, un substrat possédant une pluralité de trous pour broches, dans les quels des premières extrémités saillantes des broches sont respectivement insérées à force, une pluralité de seconds trous traversants de masse formés autour des deux trous de broches, auquel les broches d' interface de transmission à grande vitesse situées dans le substrat sont insérées à force, de sorte que les trous traversants de broches situés entre les deux trous pour broches, dans lesquels les deux broches d'inter- face de transmission à grande vitesse sont montés à force, sont utilisés en commun par les deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, et sont connectés électriquement aux premiers trous traversants du connecteur, et deux câblages de substrat connoctés aux deux trous pour broches, dans lesquels les broches d' interface de transmission à grande vitesse sont montées à force, une photodiode montée sur le substrat, et un circuit intégré de réception connocté à la photodiode et aux câblages de substrat. L' invention concerne également un dispositif à semiconducteurs comportant un bloc diélectrique, au moins une broche insérce dans le bloc diélec trique, deux extrémités de la ou des broches faisant sail lie à partir du bloc diélectrique, et un diamètre des extrémités saillantes de la ou des broches étant inférieur au diamètre de la partie de la ou des broches, qui est insérée dans le bloc diélectrique, et une pluralité de premiers trous traversants de masse formés dans le bloc autour de la broche, un premier substrat possédant au moins un premier trou de broche, dans lequel une extrémité de la ou des bro- ches est montée à force, et une plural ité de seconds trous travers ant s de masse disposés autour du ou des premlers trous pour broches et connectés électriquement aux premiers trous traversants de masse, et un second substrat possédant au moins un second trou pour broche, dans lequel l'autre extrémité de la ou des broches est insérée à force, une pluralité de troisièmes trous traversants de masse disposés autour du ou des seconds trous pour broches, et un matériau métallique inséré dans un interstice présent entre la surface du ou des seconds trous pour bro ches et l'autre extrémité de la ou des broches, la ou les broches et le premier substrat étant fixé par montage à force et la broche et le second substrat étant fixés par le métal. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur les quels: - les figures 1A et 1B sont des schémas qui mon trent un module d'émetteurrécepteur optique selon une première forme de réalisation de l' invention et la figure 1A est une vue en plan et la figure 1B est une vue en coupe prise suivant la ligne B-B représentée sur la figure lA; - les figures 2A et 2B sont des schémas qui mon trent l' agencement de broches dans le module d' émetteur récepteur optique selon la première forme de réalisation, et la figure 2A est une vue en plan et la figure 2B est une vue en coupe prise suivant la ligne B-B représentée sur la figure 1A; - la figure 3 est une vue en perspective qui montre un bloc diélectrique utilisé dans le module d'émet teur-récepteur optique selon la première forme de réalisa tion; - la figure 4 est une vue en plan qui montre une modification de l'émetteur-récepteur optique selon la pre mière forme de réalisationi - les figures 5A et 5B sont des schémas qui représentent un émetteur-récepteur optique selon une seconde forme de réalisation de l' invention, la figure 5A étant une vue en plan et la figure 5B une vue en coupe prise suivant la ligne C-C sur la figure 5A; - la figure 6 est une vue en plan qui représente une variante de l'émetteur-récepteur optique conformément à la seconde forme de réalisation; - les figures 7A et 7B sont des schémas qui représentent un émetteur-récepteur optique selon une troi sième forme de réalisation de l' invention, la figure 7A étant une vue en plan et la figure 7B une vue en coupe prise suivant la ligne D-D représentée sur la figure 7A; - la figure 8 est une vue en plan qui représente une variante de l'émetteur-récepteur optique selon la troisièmeforme de réalisation; - la figure 9 est une vue en perspective qui représente un aspect d'un émetteur optique conformément à une neuvième forme de réalisation de l' invention; - les figures lOA et lOB sont des schémas qui représentent un émetteur optique conformément à la qua- trième forme de réalisation, la figure lOA étant une vue en élévation et la figure lOB étant une vue de dessousi - les figures llA à llC sont des schémas qui illustrent la structure intérieure de l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation, la figure llA étant une vue en plan, la figure llB une vue en coupe lon gitudinale prise suivant la ligne E-E représentée sur la figure llA et la figure llC une vue en coupe prise suivant la ligne F-F sur la figure llA; - la figure 12 est une vue en perspective qui représente une unité de substrat utilisée dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 13 est une vue en plan partielle d'un substrat interne utilisé dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 14 est une vue de dessous partielle du substrat interne utilisé dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 15 est une vue en plan (supérieure) et une vue en coupe transversale (inférieure) qui repré sentent un bloc diélectrique utilisé dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 16 est un schéma qui représente une broche utilisée dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 17 est une vue en plan (supérieure) et une vue en coupe (inférieure) représentant un substrat de système utilisé dans l'émetteur optique selon la quatri ème forme de réali s at ion; - la figure 18 est une vue en plan partielle à plus grande échelle, qui représente un substrat de système utilisé dans l'émetteur optique selon la quatrième forme de réalisation; - la figure 19 est une vue en coupe qui repré- sente une structure de connexion d'une unité interne de l'émetteur optique selon la cinquième forme de réalisation; - la figure 20 est une vue en plan qui représente un bloc diélectrique utilisé dans un récepteur optique conformément à une cinquième forme de réa l i s at ion de l' invention; la figure 21 est une vue en plan partielle à plus grande échelle, qui représente la structure périphé rique de broches d' interface de transmission à grande vitesse dans un bloc diélectrique utilisé dans le récepteur optique selon la cinquième forme de réalisation; - la figure 22 est une vue en plan partielle à plus grande échelle qui représente un substrat interne utilisé dans le récepteur optique selon la cinquième forme de réalisation; - la figure 23 est une vue en plan (supérieure) et une vue en coupe (de dessous), qui montrent un substrat de système utilisé dans le récepteur optique selon la cin quième forme de réalisation; - la figure 24 est une vue en perspective qui représente l'unité diélectrique correspondant à une sixième forme de réalisation de l' invention; - la figure 25 est une vue en coupe partielle qui représente une unité diélectrique selon la sixtème forme de - réalisation de l' invention; - la figure 26 est une vue en coupe qui repré- sente la structure d'une broche d' interface de transmission à grande vitesse dans l'unité diélectrique correspondant à la sixième forme de réalisation; et - les figures 27A et 27B sont des schémas qui illustrent la technique antérieure, la figure 27A étant une vue en plan et la figure 27B une vue en coupe prise suivant la ligne A-A représentée sur la figure 27A. On va expliquer de façon détaillée l'émetteur récepteur optique, le connecteur, l'unité de substrat, l'émetteur optique, le récepteur optique et le dispositif à semiconducteurs selon la présente invention, en référence aux dessins. Dans une première forme de réalisation de l' invention, un bloc diélectrique 22 est disposé dans un interstice 23 entre un substrat 20 prévu dans un émetteur récepteur optique et un substrat 21 de système du disposi tif du système central. La transmission de données à 10 Gbits/s et la transmission de signaux d'horloge à 10 GHz sont réalisces, les broches d' interface 12a et 12c étant intercalées entre le substrat 20 et le substrat 21, moyennant l'utilisation d'une structure d' interface qui adapte l'impédance caractéristique des broches d' interface 12a et 12c à l'impédance caractéristique des lignes lOa et lOb du substrat. Les figures 1A et 1B sont des schémas qui illus- trent de quelle manière l'émetteur-récepteur optique 17 selon la première forme de réalisation et le substrat 21 du système sont connectés entre eux. De façon précise, la figure la est une vue en plan, dans laquelle un couvercle supérieur est retiré et la figure lb est une vue en éléva- tion latérale prise suivant la ligne B-B représentée sur la figure 1A. Les figures 2A et 2B sont des schémas qui représentent l'émetteurrécepteur optique conformément à la première forme de réalisation, avant qu'il soit connecté au substrat du système. De façon précise, la figure 2A est une vue en plan et la figure 2B est une vue en élévation latérale. La figure 3 est une vue en perspective d'un bloc diélectrique. Un boîtier 1 de l'émetteur-récepteur optique 17 possède une forme rectangulaire et est agencé au moyen du coudage d'une plaque métallique sur quatre côtés. La plaque métallique possède une épaisseur comprise entre environ 0,5 et 1 mm. Le boîtier 1 possède quatre parois latérales lb, une partie inférieure la et un couvercle supérieur 16. Les parties saillantes ld sont prévues en trois ou en un plus grand nombre d'emplacements (dans ce cas quatre emplacements) sur la surface extérieure du fond la. Etant donné que les parties saillantes lb sont en butée sur le substrat 21 du système, le boîtier 1 est en appui de façon simple sur le substrat 21 du système. Les parties saillantes ld peuvent être réalisées en un matériau élastique comme par exemple du caoutchouc ou bien peuvent être réalisoes en un matériau métallique ayant une caractéristique de ressort. Un trou rectangulaire 1E est formé dans le fond la. Un bloc diélectrique 22, qui sera décrit plus loin, est inséré dans le premier trou la et fait saillie hors du boîtier 1 (voir les figures 1B et 2B). Un substrat 20 est prévu dans le boîtier 1. Un étage d'attaque 2 à diode laser, un module 3 à diode laser, dans lequel est prévue une diode laser, un module à photodiode 4, dans lequel est prévue une photodiode, un cTrcuit de réception 5 contenant un circuit PLL et un cir cuit d' identification et de production de données et un circuit de commande 8 comprenant un circuit d'alimentation en énergie et différents circuits de commande sont montés sur le substrat 20. Une fibre optique 6 pour la transmis sion est connectée au module à diode laser 3, et une fibre optique 7 pour la réception est connoctée au module à pho todiode 4. Des éléments 15 de retenue du substrat prévus sur le fond la, supportent le substrat 21. Les éléments 15 de retenue du substrat sont disposés en quatre coins sur la surface intérieure du fond la. Des lignes du substrat, à savoir les lignes lOa (côté émission), lOb (côté émission), lOc (côté réception), lOd (côté réception), lla et llb sont formées sur le subs trat 20. Les lignes lla du substrat sont prévues pour la connexion de broches d' interface à faible vitesse 12b au circuit de commande 8, et les lignes llb du substrat sont prévues pour la connexion de l'étage d'attaque 2 de la diode laser, du module à diode laser 3, du module à photodiode 4 et du circuit de réception 5 respectivement au cTrcuit de commande 8. Les lignes du substrat à savoir lOa (côté émission), lOb (côté émission), lOc (côté réception) et lOd (côté réception) possèdent une structure telle qu'elles peuvent émettre des signaux de données et des signaux d'horloge, y compris des signaux à hautes fré- quences et sont formées par exemple par une ligne de transmission différentielle. En outre environ quatre à dix broches d' interface de transmission à grande vitesse (cercles blancs) 12a (côté émission), lOc (côté réception), qui peuvent émettre des signaux de données et des signaux d'horloge, y compris les signaux de transmission à grande vitesse, les broches d' interface à faible vitesse 12b, auxquelles sont envoyés des signaux de commande à basse fréquence et une tension continue, et des broches de masse (cercles noirs) 13 pour la mise à la masse sont connoctées et fixées au substrat 20. Le substrat 20 est connecté électriquement au substrat 21 du système, par l' intermédiaire de ces broches d' inter- face 12a à 12c (désignéss collectivement comme étant des broches d' interface 12) et des broches de masse 13. De ce fait, on peut exéauter un échange de signaux entre l'émet teur-récepteur optique 17 et le dispositif du système central. Les broches d' interface 12a sont connoctées à l'étage d'attaque 2 de la diode laser par l'intermédiaire des lignes lOb du substrat, et les broches d' interface 12c sont connectées au circuit de réception 5 par l'intermé- diaire des lignes lOd du substrat. Les broches d' interface 12b sont connectées au circuit de commande 8 par l'intermé- diaire des lignes lla du substrat. Ces broches d' interface 12a, 12b et 12c sont réalisées avec la même forme, et leur quantité est d' environ quelques dizaines au total. Les broches d' interface 12 et les broches de masse 13 sont disposées linéairement suivant une rangée, au niveau de chaque bord sur le côté longitudinal du substrat et font saillie perpendiculairement vers le bas à partir du substrat 20, de manière à insérer les broches d'inter- face 12 et les broches de masse 13 suivant deux rangées pour recouvrir les circonférences de ces broches 12 et 13, une paire de blocs diélectriques 22 posséJant une forme rectangulaire et des faces planes supérieure et inférieure, sont fixces sur le côté arrière du substrat 20. Comme cela est représenté sur la figure 3, les blocs diélectriques 22 sont pourvos d'une pluralité de trous 24 pour l' insertion des broches d' interface 12 et des broches de masse 13, et les broches d' interface 12 et les broches de masse 13 sont insérées dans ces trous 24. La face supérieure du bloc diélectrique 22 est réunie à la face arrière du substrat , les broches d' interface 12 et les broches de masse 13 étant insérces dans les trous 24. Les broches respectives comprenant les broches d' interface 12 et les broches de masse 13 font légèrement saillie perpendiculairement à partir de la face inférieure du bloc diélectrique 22, le bloc diélectrique 22 étant en butée contre la face inférieure du substrat 20. La longueur en saillie L est supérieure à l'épaisseur t de la plaque du substrat 21 du système (voir figure 2B). Lorsque les broches d' interface 12 sont insérces dans les blocs 25 pour l' insertion des broches d' interface 12 prévues dans le substrat 21 du système, la face inférieure du bloc diélectrique 22 est en butée contre le côté supérieur du substrat 21 du système. En d'autres termes, la dimension en hauteur du bloc diélectrique 22 correspond à un interstice 23 entre la face inférieure du substrat 21 et la face supérieure du substrat 21 du système. Un conducteur est respectivement formé par métallisation sur la circonférence intérieure des trous 25 dans le substrat 21 du système et ce conducteur est connecté à la ligne du substrat formée dans le substrat 21 du système. Les broches d' interface 12 sont réunies aux trous 25 dans le substrat 21 du système au moyen d'une brasure 26, les broches d' interface 12 étant insérées dans le substrat 21 du système. La brasure 26 est disposée sur le côté intérieur du substrat 21 du système de manière à réunir les circonférences des pointes des broches d'inter- face 12 au substrat 21 du système. Il en résulte que l'émetteur-récepteur optique 17 peut être fixé sur le subs trat 21 du système. L'émetteur-récepteur optique 17 de la première forme de réalisation transmet les signaux de données de Gbits/s et les signaux d'horloge à 10 GHz au moyen des broches d' interface 12, de la manière indiquée ci-après. Fonctionnement en tant qu'émetteur Lorsque l'émetteur est activé, le signal de don- nces à 10 Gbits et le signal d'horloge à 10 GHz transmis à partir du substrat 21 du système sont envoyés aux broches d' interface 12a. Ces signaux sont transmis par des broches d' interface 12a aux lignes lOb du substrat. Les blocs diélectriques 22 formés du même matériau que celui du substrat 20 ou ceux possédant la constante diélectrique similaire à celle du substrat 20 (par exemple un matériau formé d'une résine ayant une constante diélectrique égale à 4,3 (par exemple résine BT)) sont disposés entre le substrat 10 de l'émetteur- récepteur optique 17 et le substrat 21 du système. De ce fait, l'impédance caractéristique des broches d' interface 12a est adaptée pour l'essentiel à l'impéJance caractéristique des lignes 10b du substrat, et le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz sont transmis aux lignes 10b du substrat, l'altération de la caractéristique de transmission étant réduite. Les signaux émis sont envoyés à l'étage d'attaque 2 de la diode laser. L'étage d'attaque 2 de la diode laser produit un signal de modulation Tm (signal impulsionnel) à 10 Gbits/s, qui est ajusté sur une amplitude prédéterminée pour commander le module 3 à diode laser, sur la base du signal de donnéss d'entrée à 10 Gbits/s et du signal d'horloge à 10 GHz. Le signal de modulation Im produit par l'étage d'attaque 2 de la diode laser est envoyé au module à diode laser 3 par l'intermédiaire de la ligne 10a du substrat. Le circuit de commande 8 envoie la tension continue à l'étage d'attaque 2 de la diode laser, au module à diode laser 3, au module à photodiode 4 et au circuit de réception 5 par l'intermé- diaire des lignes llb du substrat, et contrôle l'équipement respectif. Le module à diode laser 3 superpose le signal de modulation Im à la tension continue Ib (signal de polari- sation) envoyé par le circuit de commande 8 et commande la diode laser qui est prévue dans ce module sur la base du signal superposé. De ce fait la diode laser située dans le module à diode laser 3 émet une lumière, et un signal optique est émis, avec son intensité modulée. Le signal optique émis pénètre dans la face d'extrémité de la fibre optique 6, et le signal optique Po se propage à l'intérieur de la fibre optique 6. Fonctionnement en tant que récepteur On va expliquer ci-après un exemple dans lequel l'émetteur-récepteur optique 17 délivre le signal de don nces à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz au subs trat 21 du système. Dans ce cas r un signal optique Pi envoyé par la fibre optique 7 au module à photodiode 4 est converti en un signal de courant par une photodiode intégrée dans le module à photodiode 4 et est converti en un signal de ten- sion par un préamplificateur intégré dans ce module et délivré. Ce signal de tension de sortie est envoyé au cir- cuit de réception 5 par l'intermédiaire de la ligne lOc du substrat. Le circuit de réception 5 ajuste l'amplitude du signal de tension transmis par le module à photodiode 4, extrait un signal d'horloge à partir du signal de tension t ran smis par le module à phot odi ode 4 au moyen du fonc- tionnement du circuit PLL prévu dans ce module, identifie le signal de données au moyen d'un circuit d'identification et de régénération prévu dans ce circuit et régénère le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à GHz. Le signal de donnses régénéré et le signal d'horlo- ge sont envoyés aux lignes lOd du substrat. Les lignes lOd du substrat délivrent ces signaux aux broches d' interface 12c. Les blocs diélectriques 22 formés du même maté- riau que celui du substrat 20 ou ceux posséJant la même constante diélectrique que celle du substrat 21 du système sont introduits dans l'espace 23 pour le substrat 20 et le substrat 21 du système. De ce fait l'impédance caracté- ristique des lignes lOb du substrat est adaptée pour l'essentiel à l'impédance caractéristique des broches d' interface 12c, et le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz sont transmis au substrat 21 du système, l'altération de la caractéristique de transmission étant supprimée. Pour expliquer la différence entre la structure d' interface selon la première forme de réalisation et la structure d' interface classique, on va expliquer l'altéra tion de la caractéristique d'impéJance due à la structure 2S d' interface classique reprAsente sur les figures 27-et 27B. Dans la structure d' interface continue reprAsen L4e sur les figures 27A et 27B, il existe un interstice entre les boches d' interface 112 et le substrat 114. Cet intestice et rempii d'air. Par consquent il existe un coussin d'air qui possAde une constante diAlectrique Agale un, autour des broches d' interface 112. C'est pourquoi par exemple lorsque le pas D entre la boche d' interface 112a (ou 112c) et la boche de masse 113 est Agal 2,54 mm et oL le diamAtre d de chaque boche est Agal 1,27 mm, 1'impdance caractAristique Z devient Agale environ 104, conformAment l'6quation (1) dAcrite ci-aprAs. De ce fait, 1'impdance caractAristique Z de la broche d' interface 112a (ou 112c) ne concorde pas dans ce cas avec l'impdance caractAristique (SQ W) des lignes llOb et llOd du substrat. I1 en rAsulte que la caract6ristique de transmission du signal de donnes 10 Gbits/s et du signal d'horloge 10 GH s'altAre et que l'Amission ne peut pas tre exAcute. 207 D Z =. log (1,59.)... (1) {E d Atant une conitante diAlectrique. D'autre parL, dans la structure d' interface selon la premi6re forme de ralisation reprsentA sur les [igures 1A et 1B, les blocs diAlectriques 22 formAs du mme mat4riau que celui du substrat 20 de l'Ametteur-rAcepteur optique 17 ou ceux possAdant la mme constante diAlectrique que celle du substrat 20 (par exemple un matAriau formA d'une rAsine aYant une constante dilectrique E Agale 4,3 (par exemple la rAsine BT)) sont placAs dans l' interstice 23 entre le substrat 20 de l'Ametteur-Acepteur optique 17 et le substrat 21 du systAme. Par exemple, le bloc diAlectrique 22 est formA d'un mat4riau formant rsine posséJant une valeur s égale à 4,3 comme la résine. C'est pourquoi, conformément à l'équation (1), l'impéJance caractéristique Z devient égale à 50 Q. ce qui permet de supprimer l'altération dans la caractéristique de transmission. La figure 4 est une vue en plan qui montre une variante de la première forme de réalisation représentée sur la figure 1A. Dans cette variante, les lignes 30a et b du substrat pour la connexion des broches d' interface de transmission à grande vitesse 12a et de l'étage d'attaque 2 de la diode laser et les lignes 30c et 30d du substrat pour la connexion des broches d' interface à grande vitesse 12c et du circuit de réception 5 sont des lignes différentielles, dans lesquelles des signaux de phase positive et de phase négative sont respectivement transmis. C'est pourquoi le signal transmis dans le subs- trat 20 devient intense par rapport au bruit, et il en résulte que l' influence du bruit peut être réduite dans le traitement du signal dans l'étage d'attaque 2 de la diode laser ou lors du traitement du signal dans le substrat 21 du système, par la transmission du signal entre les broches d' interface 12a et l'étage d'attaque de la diode laser ou par la transmission du signal entre les broches d' interface 12c et le circuit de réception 5. Les lignes respectives du substrat sont représentées comme si ces lignes étaient disposées sur la surface du substrat pour la commodité de l' explication, mais ne sont pas limitées à cette disposition ou à la forme d'une configuration de câblage et par exemple peuvent être prévues dans la couche intérieure d'un substrat à couches multiples. On va expliquer une seconde forme de réalisation de l' invention en référence aux figures 5A et 5B et à la figure 6. Les figures 5A et 5B sont des schémas qui illus- trent de quelle manière l'émetteur-récepteur optique 17a de la seconde forme de réalisation et le substrat du système sont connects entre eux. De fagon prAcise, la figure 5A est une vue en plan, dans laquelle le couvercle 16 est retirA, et la figure SE est une vue en coupe prise suivant la ligne C-C reprAsente sur la figure 5. Pour les figures SA et SP, on ne donnera pas l' explication concernant les composants qui assument ia mme fonction que dans la pre- miAre forme de ralisation reprAsente sur les figure 1A et 1B. Dans l'Ametteur-rAcepteur optique la selon la seconde forme de ralisation, des blocs diAlectriques prA- dAtermins 32 sont disposs dans l' interstice 23 entre le substrat 20 et le substrat 21 du systAme central, et une pluralit de broches de masse 32 sont prAvues autour des broches d' interface, broches par lesquelles passent le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge IO GH, de maniAre adapter 1'impdance caractAristique des broches d' interface celle des lignes du substrat. I1 en rAsulte que l'altAration de la caractAristique de transmission est rAduite, lorsque le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge 10 GHz sont transmis. Dans la configuration selon la seconde forme de ralisation, le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge 10 GHz sont transmis de la maniAre indique ci aprAs. orsque l'Ametteur-Acepteur optique 17a transmet le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'hoLloge GHz au substrat 21 du systAme, le circuit de rAception 5 dAlivre le signal de donnes 10 Gbits/ et le signal d'horloge 10 GH. Les signaux de sortie sont transmis aux ligne lOd du substrat et sont en outre transmis aux bro ches d' interface 12c. LorsqUe l'Ametteur-rAcepteur optique 17a regoit le signal de donnies 10 Gbits/s et le signal d'horloge GHz de la part du substrat 21 du systAm substrat 20. Dans la seconde forme de réalisation, les blocs diélectriques 32 formés par le même matériau que celui du substrat 20 ou ceux posséJant une constante diélectrique légèrement inférieure à celle du substrat 20 sont disposés dans l'intersClce 23 entre le substrat 20 et le substrat 21 du système de manière à adapter ainsi l'impéJance caractéristique des lignes 10 du substrat à l'impédance caractéristique des broches d' interface 12a. Il en résulte que le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horlo ge à 10 GHz sont transmis depuis les broches d' interface 12a aux lignes lOb du substrat, avec une moindre altération de la caractéristique de transmission. Les signaux transmis sont envoyés à l'étage d'attaque 2 de la diode laser. Lorsque les broches d' interface respectives 12a (ou 12c) sont disposées linéairement, leur impédance caractéristique tend en général à devenir supérieure à celle des lignes du substrat et, si le diamètre d des bro ches d' interface 12a (ou 12c) est inférieur au pas D entre les broches, il peut être difficile d' adapter leur impé dance caractéristique sur celle des lignes du substrat, même si l' interstice 23 est rempli par les blocs diélec triques 32. Par conséquent, dans la seconde forme de réali sation, une pluralité de broches de masse 31 sont ajoutées autour des broches d' interface 12a et 12c, en plus des bro- ches de masse 13, de manière à adapter leur impéJance caractéristique à celle des lignes lOb du substrat. Il en résulte que le signal de donnces à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz sont transmis au substrat 20, avec suppression de l'altération de la caractéristique de transmission. Ceci est particulièrement efficace lorsque le diamètre d des broches d' interface 12a et 12c est inférieur au pas D de séparation des broches. Lorsqu'il est spécifié que le pas D de séparation des broches est égal à 2,54 mm, et que le diamètre de la broche est de 1,27 mm, et que l'impéJance caractéristique Z est égale à 50 Q et que les broches de masse 13 sont disposées uniquement au voisinage des broches d' interface 12, les blocs diélectriques 32 possédant une constante diélectrique 6 = 4, 33 deviennent nécessaires conformément à l'équation suivante (2). D'autre part, lorsqu'on ajoute respectivement une pluralité (dans ce cas quatre) de broches de masse 31 autour de la broche d' interface 12, en plus des broches de masse 13 adjacentes aux broches d' interface 12, on applique l'équation suivante (3) et dans ce cas on peut utiliser les blocs diélectriques 32 possédant une constante diélectrique c. Lorsque six broches de masse 31 sont disposées à une même distance de chaque broche d' interface de manière à entourer la circonférence de chaque broche d' interface 12, on peut utiliser l'équation suivante en tant qu'approximation, et l' aptitude de mise à la masse peut s'en trouver renforcée: d= ( dl.)... (2) d = () À D.. (3) 173 dans l'équation (3), D désigne le pas entre la broche d' interface 12 et la broche de masse 31. Dans les deux cas, lorsque les blocs diélectriques 32 sont disposées entre les substrats et lorsque les blocs diélectriques 32 sont disposés entre eux et que les broches de masse 31 sont prévues autour des bro- ches d' interface 12, l'impédance caractéristique Z peut être choisie égale à 50 Q. Cependant, lorsque les broches de masse 31 sont disposées autour des broches d' interface 12, la constante diélectrique du bloc diélectrique 32 devant être placée dans l' interstice 23 peut être réduite. Il en résulte que le coût du substrat pour le substrat du bloc diélectrique peut être réduit et par conséquent que ce bloc est plus efficacé. La figure 6 représente une vue en plan qui représente une variante de la seconde forme de réalisation représentée sur les figures 5A et 5B. Dans cette variante, les lignes 34a et 34b du substrat pour le raccordement des broches de transmission à grande vitesse 12a et de l'étage d'attaque 2 de la diode laser et des lignes 34c et 34d du substrat pour la connexion des broches d' interface 50a et 12c et du conduit de réception 5 sont des lignes diffé rentes, dans lesquelles des signaux de phase positive et de phase négative sont transmis respectivement. Par conséquent, le signal transmis dans le subs- trat 20 devient intense par rapport au bruit et il en résulte que l' influence du bruit peut être réduite lors du traitement du signal dans l'étage d'attaque 2 de la diode laser, ou bien lors du traitement du signal dans le subs- trat 21 du système, au moyen de la transmission entre les broches d' interface 12a et l'étage d'attaque 2 de la diode laser ou au moyen de la transmission du signal entre les * broches d' interface 12c et le circuit de réception 5. Dans le cas de la figure 6, les broches de masse 13 et les broches de masse 33 sont utilisces en commun, et quatre broches sont disposces à une même distance autour des broches d' interface 12a et 12b. Ceci estsouhaitable compte tenu de la configuration dans laquelle la ligne différentielle 34 est divisée symétriquement selon une forme en V et est connsctée aux broches respectives d' interface 12a et 12c. On va expliquer une troisième forme de réalisa- tion de l' invention en référence aux figures 7A, 7B et 8. Les figures 7A et 7B sont des schémas qui illustrent de quelle manière un émetteurrécepteur optique 17b dans la troisième forme de réalisation et dans le substrat 21 du système sont connsctés entre eux. De façon précise, la figure 7A représente une vue en plan, dans laquelle le couvercle 16 est retiré, et la figure 7B est une vue en coupe prise suivant la ligne D-D représentée sur la figure 7A. Sur les figures 7A et 7B, on ne donnera pas l' explication des composants, qui assument les mêmes fonc tions que dans la première forme de réalisation représentée sur les flgures 1A ou 1B ou que ceux de la seconde forme de réalisation représentée sur les figures 5A et 5B. Dans la troisième forme de réalisation, des blocs diélectriques prédéterminés 36 sont disposés dans l' interstice 23 entre le substrat 20 et le substrat 21 du système, et une pluralité de trous traversants de masse 35 connectés à un conducteur de mise à la masse dans la couche intérieure du substrat sont disposés autour des broches d' interface 12a et 12c, par lesquels passent le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz. Par conséquent l'impédance caractéristique des broches d'inter face est adaptée à l'impéJance caractéristique des lignes du substrat, de manière à rébuire l'altération de la caractéristique de transmission lorsque le signal de données à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz sont transmis. Dans la configuration de la troisième forme de réalisation, le signal de donnces à 10 Gbits/s et le signal d'horloge à 10 GHz sont transmis de la manière indiquée ci après. [orsque l'6netteur-Acepteur optique 17b transmet le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge 1Q GH au substrat 21 du systAme, le cicuit de rAception 5 dAlivre le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge 10 GHz. Les signaux de sotie sont transmis aux lignes lOd du substrat et sont en outre transmis aux bo- ches d' interface 12c. tes blocs diAlectriques 36 formAs du mme matA- riau que celui du substrat 20 ou des blocs possAdant la mme constante diAlectrique que celui du substrat 20 sont chargs dans l' interstice 23 entre le substrat 20 et l'Ametteur-#cepteur optique 17b et le substrat 21 du sys- tAme. [orsque les boches d' interface 12 sont disposes lindairement, leur impdance caractAristique tend d'une maniAre gAnArale devenir supArieure celle des lignes du substrat, et si le diamtre des boches d' interface 12 est infArieur au pas de rApartition des broches, il peut Atre difficile d' adapter leur impdance caractAristique celle des lignes dU substrat, mme si l' interstice 23 est rempli par les blocs diAlectriques 36. C' est pourquoi, dans la troisiAme forme de rda- lisation, les trous traversants de masse 35 sont ajouts autour des broches d' interface 12, et ces trous traversants de masse 35 sont connacts une configuration de masse bta sur ou dans le substrat. De ce fait 1'impdance caractAristique des broches d' interface 12 est adapte l'impdance caactAristique des lignes de substrat 10. I1 en rsulte que l'alt6ration de la caract4ristique de transmission est rAduite, et le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge 10 GHz sont transmis au substrat 21 du systAme, sans que la caractAristique soit altAre. La hauteur des trous traversants de masse 35 est essentiellement identique celle du bloc diAlectrique 36. Lorsque l'6metteur-Acepteur optique 17b regoit le signal de donnes 10 Gbits/s et que le signal d'horlo ge 10 Gbits/s dAlivrA par le substrat 21 du systme, le signal de donnes 10 Gbits/s et le signal d'horloge GHz transmis partir du substrat 21 du systAme sonL transmis au substrat 20 par l'intermdiaire des broches d'intertace 12a. AprAs la commutation de la ligne de transmission sur les lignes lOb du ubstrat partir des broches d' interface 12a, les signaux scot transmis dans le substrat 20. Des blocs diAlectriques forms du mme mat6- riau que celui du substrat 20 ou ceux possAdant une constante diAlectrique similaire celle du substrat 20 sont insArAs entre le substrat 20 de l'Ametteur-4cepteur optique 17b et le substrat 21 du systAme, et les trous traversants 36 sont ajouts autour des broches d' interface 12 de sorte que l'impdance caractAristique des broches d' interface 12 est adapte celle des lignes lOb du subs- trat. C'est pourquoi, le pignal de donnes 10 Gbits par seconde et le signal d'horloge 10 GHz sont transmis aux lignes lOb du substrat, avec rAduction de l'altAration de la caractAristique de transmission. Les signaux transmis sont envoys en l'Atage d'attaque 2 de la diode laser. Dans cette troisiAme forme de ralisation, Atant donnA que la masse est ialise en utilisant des trous traversants, le coCt peut Atre rduit par rapport la seconde forme de ralisation. La figure 8 est une vue en plan qui reprAsente une variante de la troisiAme forme de ralisation repr6 sente sur les tigures 7A et 7B. Dans cette variante, les lignes 34a et 34b du substrat pour le raccordement des bro ches d' interface grande vitesse 12a et d'Atages d'attaque 2 de la diode laser et les lignes 34c et 34d du substrat pout connecter les boches d' interface grande vitesse 12c et le ctrcuit de rAception 5 sont des lignes diffArentielles, dans lesquelles des signaux de phase positive et de phase nAgative sont respectivement transmis. C'est pourquoi le signal transmis dans le subs trat 20 devient intense par rapport au bruit et il en résulte que l' influence du bruit peut être réduite dans le traitement des signaux dans l'étage de commande de la diode laser ou dans le traitement des signaux dans le substrat 21 du système, par la transmission des signaux entre les bro- ches d' interface 12a et l'étage d'attaque 2 de la diode laser, ou par la transmission des signaux entre les broches d' interface 12c et le circuit de réception 5. On va expliquer une quatrième forme de réalisa tion de l' invention en référence aux figures 9 à 19. La quatrième forme de réalisation est associée à un émetteur optique 40 monté à l'intérieur d'un capot de boîtier. Cet émetteur optique 40 exécute uniquement une émission. En d'autres termes, la quatrième forme de réalisation ne com porte aucun récepteur optique. La figure 9 est une vue en perspective qui représente l' aspect de l'émetteur optique 40. La figure 10A est une vue en élévation qui montre l' aspect de l'émetteur optique 40 et la figure 10B est une vue de dessous de cet émetteur. Cet émetteur optique 40 possède un substrat et des blocs diélectriques comme représenté dans la première forme de réalisation, incorporés dans un capot de boîtier métallique rectangulaire (logement) 41, à la plaque supérieure duquel est fixé un puits de chaleur. Une fibre optique 42 pour l'émission fait saillie à partir de la plaque avant du logement 41. Un connocteur optique 43 tel qu'un connecteur FC (qui correspond à une fibre optique à un seul coeur F01) et un connecteur FC (correspondant à une fibre optique à un seul coeur F04) est connecté à la fibre optique 42 pour l'émission. Une paire de longs trous 45, dans lesquels sont insérés une paire de blocs diélectriques 44, sont formés sur la plaque inférieure 41a du logement 41, sur le bord du long côté de la plaque inférieure 4la. Comme cela est représenté sur la figure 10A, une paire de blocs diélectriques 44a et 44b font saillie vers le bas seulement sur une faible dimension dl (dans ce cas 0,5 mm) à partir de la face inférieure du logement 41, par l'inter- médiaire des longs trous 45. Douze broches 50 font saillie vers le bas respectivement à partir des blocs diélectriques respectifs 44a et 44b. Les figures llA à llC sont des schémas qui mon- trent de quelle manière l'émetteur optique 40 et un subs- trat 48 du système sont connectés entre eux. La figure llA est une vue en plan, dans laquelle la plaque supérieure du logement 41 est retirée. La figure llB est une vue en coupe prise suivant la ligne E-E représentée sur la figure llA, et la figure llC est une vue en coupe prise suivant la ligne E-E représentée sur la figure llA. La figure 12 représente une unité de substrat, dans laquelle une paire de blocs diélectriques 44a et 44b, dans lesquels sont insérées une pluralité de broches 50, sont montés sur un substrat interne 46. Sur les figures llA à llC, le substrat interne 46 (qui correspond au substrat 20 dans les trois premières formes de réalisation) est supporté par un élément 15 (non représenté) de retenue du substrat et est fixé à un loge- ment 41, comme dans la première forme de réalisation. L'étage d'attaque de la diode laser, le module à diode laser dans lequel est prévue une diode laser, et des cir cuits intégrés tels qu'un circuit de commande incluant un circuit d'alimentation en énergie et différentes unités de commande sont montés sur le substrat interne 46. Une pluralité de parties saillantes 47 consti- tuant un corps élastique ou un métal sont prévues sur le côté arrière de la plaque inférieure 41a du logement 41. Etant donné que les parties saillantes 47 sont en butée sur le substrat 48 du système, le boîtier 41 est logé de facon stable sur le substrat 48 du système (qui correspond au substrat 21 du système dans les trois premières formes de réalisation). De cette manière, dans l'émetteur optique 40 de la quatrième forme de réalisation, l'émetteur optique 40 et le substrat 48 du système sont en butée l'un contre l'autre moyennant l' interposition des parties saillantes 47 et des côtés inférieurs des blocs diélectriques 44a et 44b. Si les parties saillantes 47 n' existent pas, le poids du boîtier 41 est appliqué directement au substrat intérieur 46 par l'intermédiaire des blocs diélectriques 44a et 44b. S'il se pose un problème concernant la résistance mécanique de ces structures, il ne faut pas omettre les parties saillantes 47. Cependant lorsque la résistance mécanique du logement 41, des blocs diélectriques 44 et du substrat interne 46 est suffisante, on peut supprimer les parties saillantes 47. Douze trous 49a, 49b et 49d pour broches, dans lesquels sont montées à force les douze broches 50 (50a, b et 50c) prévues dans les deux blocs diélectriques 44, sont formés dans le substrat interne 46 et, au niveau des bords respectifs sur le grand côté de ce substrat. Ces trous pour broches sont formés essentiellement à des intervalles identiques. Sur la figure llA, les premières extrémités des quatre broches d' interface à grande vitesse 50a, qui transmettent des signaux de données (deux) et des signaux logiques (deux) incluant le signal à haute fréquence, sont insérces à force dans quatre trous pour broches de trans- mission à grande vitesse 49a (cercles blancs) formés sur le côté inférieur du plan du dessin. Des premières extrémités des broches d' interface à faible vitesse 50b servant à délivrer des signaux de commande à basse fréquence et une tension continue sont insérées à force dans des trous pour broches à faible vitesse 49b. Les premières extrémités des broches de masse 50d pour le raccordement à la masse sont insérces à force dans des trous pour broches de masse (cercles noirs) 49d. Sur la figure llA, on a représenté la disposition de douze Lrdus pour boches, formAs sur la face inf4rieure, dans l'ordre suivant partir de la gauche: deux trous pour boches taible vitesse 49b, un trou pour broche de masse (cecle noir) 49d, un trou pour boche de transmission grande vitesse 49a, un trou pour broche de masse (cercle noir) 49d, un trou pour broche grande vitesse 49a, un trou pour boche de masse (cercle noir) 49d, un trou pour broche de transmission grande vitesse 49a, un trou pour boche de masse (cercle noir) 49d, un trou pour broche de transmission grande vitesse 49a, un trou pour broche de masse (cercle noir) 49d et un trou pour broche faible vitese 49b. Quatre trous traversants de masse 54 sont forms respectivement dans le substrat interne 46, autour de cha cun des trous pour boches de transmission grande vitesse 49a, pour l 'adaptation de l'impdance caractAristique. Sur la figure 11A, dans l'agencement de douze trous pour boches formAs sur le cat supArieur, les trous pour boches faible vitesse 49b et les trous pour broches de masse (cercles noirs) 49d sont mlangAs correctement, mais ceci n'est pas particuliArement important dans la prAsente invention. C'est pourquoi tous sont reprAsents sous la forme de trous pour bLoches faible vitesse 49b. Dans chacun des blocs diAlectriques 44a et 44b, douze trous 52 sont prAvus respectivement pour l' insertion des boches d' interface de transmission grande vitesse SOa, des broches d' interface faible vitesse SOb et des broches de masse SOd. [es parties de grand diamtre des boches d' interface grande vitesse SOa, des broches d' interface faible vitesse SOb et des broches de masse SOd sont insAres dans ces trous 52 d'une maniAre corres- pondant la disposition des broches dans le substrat in- terne 46. C'est pourquoi le nombre de broches dans chacun ds blocs diAlectriques 44a et 44b devient Agal 12, comme reprAsent sur la figure 12. Dans le bloc diAlectrique 44a, quatre trous traversants de masse 55 sont formés respectivement autour des broches d' interface de transmission à grande vitesse 50a. Pour satisfaire à l'impédance caractéristique de 50 Q en tous les emplacements pour les broches d' interface de transmission à grande vitesse 50a, l'intervalle D du pas entre les trous traversants de masse 55 et les broches d' interface de transmission à grande vitesse 50a est modi- fié en fonction du diamètre d de la broche 50 de transmis sion de signal. En d'autres termes, les parties de grand diamètre des broches 50 sont insérées dans les blocs diélectriques 44a et 44b et les extrémités de faible dia- mètre des broches 50 sont insérées dans le substrat interne 46. C'est pourquoi, le pas entre la broche 50 et chaque trou travereant de masse 55 dans le bloc diélectrique 44a est réglé à une valeur supérieure au pas entre la broche 50 et le trou traversant de masse 54 dans le substrat interne 6, conformément à l'équation (3). Comme cela est visible sur les figures llA à llC, les blocs diélectriques 44a et 44b font saillie vers le bas seulement sur une faible dimension dl à partir de la face inférieure du boîtier 41. La condition d'environnement au moment du fonctionnement de la broche 50 du substrat cor- respond à une température entre O et 70 C et, comme maté riau de la broche 50, il est préférable d'utiliser un matériau approprié pour un montage à force dans le trou 49 pour broche à l'intérieur du substrat interne 46. Les bro- ches 50 sont plaquées d'or. Deux rangées de douze trous 53 pour broches pour l' insertion de douze broches 50 intégrées dans la paire de blocs diélectriques 44a et 44b sont formées dans le subs- trat 48 du système. La longueur de l'extrémité inférieure de chaque broche 50 est réglée de telle sorte que lorsque les blocs diélectriques 44a et 44b sont en butée contre le substrat 48 du système, l'extrémité inférieure de chaque boche 50 fait lAgArement saillie verticalement partir de la face infAieure du substrat 48 du systAme. Comme dans le substrat intArieur 46, quatre trous travesants de masse 56 sont formAs Sespectivement autour de quatre trous 53 pour broches, dans lesquels pont ins66es les autres extrmits des broches d' interface de Lansmission grande vitesse a, Agalement dans le substrat 48 du systAme. Dans le ubstrat 48 du systAme, la position de chaqu trou traversant de masse 56 est forme dans la mme position que celle des trous traversants de masse 55 dans le bloc diAlectrique 44. La raison va en Atre dAcrite ci-aprAs. Etant donnA que le substrat intArieur 46 est connect Alectriquement au substrat 48 du systAme par l'intermAdiaire du bloc diAlectrique 44a et 44b par l'intermAdiaire des broches 50, le transtert du signal entre l'Ametteur optique 40 et le dispositif du systme central devient possible. On va expliquer dans l'ordre les dAtails du subs- tat intArieur 46, du bloc diAlectrique 44a, des broches 50 et du substrat 48 du systme. On va expliquer tout d'abord le substrat interne 46 en se rAfArant aux figures 13 et 14. La figure 13 est une vue en plan partielle qui montre la face de droite du substrat interne 46, et la figure 14 est une vue en plan partielle qui montre la face arriAre du substrat interne 46 (le ct de la face en bute sur les blocs diAlectriques 44a et 44b). Sur la figure 13 et sur la figure 14, les parties pAriphAriques des quatre trous 49a pour broches de transmission grande vitesse sont reprAsentes de fagon dtaille. ^ Comme reprAsent sur la figure 13 et sur la figure 14, quatre trous traversants de masse 54 sont formAs respectivement autour des quatre trous 49a pour broches de transmission grande vitesse comme dAcrit prAcAdemment Comme cela est reprAsent sur la figure 13, une configuration de masse bêta 57 (partie hachurée) est formée sur la face de droite du substrat interne 46 de manière à inclure les trous traversants de masse respectifs 54 et les cinq trous 49d pour broches de masse, mais pour éviter les quatre trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse. Un resist de brasure 58 est formé respectivement autour des trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse, de manière à empêcher un contact entre la soudure et la configuration de masse bêta 57 au moment du brasage, en rapport avec les broches respectives 50. La face arrière du substrat interne 46 est la même. Comme cela est représenté sur la figure 14, une configuration de masse bêta 61 (partie hachurce) est formée sur la face arrière du substrat intérieur 46 de manière à comprendre des trous traversants de masse respectifs 54 et des cinq trous 49d pour broches de masse, de manière à éviter les quatre trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse. Un resist de brasure 59 est formé respectivement autour des trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse. Les quatre trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse sont prévus pour des signaux de données de phase positive, pour des signaux de données de phase négative, pour des signaux d'horloge de phase positive et pour des signaux d'horloge de phase négative, et ce dans l'ordre à partir de la gauche. Ces quatre trous 49a pour broches de transmiss ion à grande vites se s ont connect és à l'étage d'attaque 60 de la diode laser par l'intermédiaire des lignes du substrat. Comme cela a été décrit précédemment, l'étage d'attaque 60 de la diode laser produit un signal de modulation Im (signal impulsionnel) pour la commande du module à diode laser (non représenté) sur la base du signal de données d'entrée et du signal d'horloge. Dans ce cas, les lignes du substrat entre l'étage d'attaque 6Q de la diode laser et les quatre trous 49a pour boches de transmission grande vitesse sont des lignes de transmission diffArentielle 90. Les lignes de transmission diffrentielle 9D sont prAvues pour la producLion d'un couplage AlectromagnAtique pour rendre aussi proche que cela est possible l'6tage d'attaque 6Q diode laser et les quare trous 49a pour boche de transmission grande vitesse, pour un plan s'opposant au bruit. D'autre part, la broche d' interface 50a de transmission grande vitesse est une ligne de transmission une seule sortie (de type disproportionnA). C'est pourquoi il est nAcessaire de s' assurer de la prAsence d'un certain intervalle entre les trous 49a pour les broches de transmission grande vitesse, dans lesquels les broches d' interface SOa de transmission grande vitesse sont insArdes, de sorte qu'il n'apparalt aucune interfrnce de signaux. C'est pourquoi, les lignes 91 de configuration en tant que parties de liaison entre les lignes de transmission diffArentielle 90 et de 1'ensemble de broches d' interface SOa grande vitesse sont disposes en {tant sApares par un intervalle important, et il est prAvu une largeur de configuration dr supArieure la largeur de configuration ds des lignes de transmission diffrentielle 90 (dr > ds), de sorte que l'impdance caractAristique se rapproche de 50. Dans ce cas, les lignes de configuration de cAblage 91 sont coudes essentiellement angle droit, mais leurs extrAmits opposes sont agences de manire s'4carter graduellement l'une de l'autre, moyennant l'utilisation d'une forme en Y ou analogue. La largeur de configuration peut tre ralise de maniAre avoir brus- quement une faible valeur, dans la mesure o il n'y a pas d'altAration de la caractAristique de rAflexion, ou bien si une altAration de la caractAristique de rAflexion se produit, on peut rAgler la largeur de configuration de maniAre qu'elle devienne progressivement petite. La confi guration de base 57 possAde une encoche en [orme de U telle qu'elle oe touche pas la ligne de configuration de cAblage 91. Les condensateurs, qui bloquent la tension de polarisation, sont prAvus respectivement au milieu de la ligne de configuration de cAblage 91 (en un point Q sur la figure). Ces condensateurs sont insArAs, en tenant compte d'une diffArence entre une tension de polarisation utilise pour l'Atage d'attaque 60 de la diode laser et une tension de polarisation pour des circuits intAgrAs situAs sur le substrat 48 du systAme auxquels chaque ligne est connecte. La tension de polarisation est bloque par ces condensateurs et un signal d'amplitude de tension est dAlivr l'Atage d'attaque 60 de la diode laser. Par con condensateurs ne sont pas nAcessaires. On va expliquer en rAfArence la figure 15 le bloc diAlectrique 44a, qui contient les boches d' interface a de transmission grande vitesse. Comme cela est reprAsent sur la figure 15, quatre trous 52a pour broches de transmission grande vitesse pour l' insertion de quatre boches d' interface 50a de transmission grande vitesse, trois trous 52b pour boches de transmission faible vitesse pour l' insertion de trois broches d' interface 50b de transmission faible vitesse, et cinq trous 52d pour boches de masse pour l' insertion de cinq boches de masse 50d sont prAvus respectivement dans le bloc diAlectrique 44a. Co _ e cela a At dAcrit prAcAdemment, quatre trous traversants de masse 55 sont formAs respectivement autour des quatre trous 52a pour broches de transmission grande vitese. Une configuration de masse bta 65 (partie hachurée) est formée sur la face supérieure et sur la face inférieure du bloc diélectrique 44a de manière à inclure les trous travereants de masse respectives 55 et cinq trous 52d pour broches de masse, mais tout en évitant les quatre trous 52a pour broches de transmission à grande vitesse. Un resist de brasure 66 est formé respectivement autour des trous 52a pour broches de transmission à grande vitesse sur la face supérieure et sur la face inférieure du bloc diélectrique 44a de manière à empêcher un contact entre la brasure et la configuration de masse bêta 65 au moment du brasage par rapport aux broches respectives 50a. Chacun des trous 52a, 52b et 52d pour broches est un percage possédant un diamètre de 1,0 mm et chacun des trous traversants de masse 55 possède un diamètre de 0,6 mm. Pour le bloc diélectrique 44 par exemple, on règle des dimensions telles qu'indiquées ci-après. Deux types de pas Pm de séparation des trous 52a pour broches de transmission à grande vitesse au centre et des trous traversants de masse 55 sur la périphérie sont réglés comme indiqué plus loin. En outre un interstice est prévu entre le logement 41 du boîtier et le substrat 48 du système, et on suppose deux types de longueurs pour le bloc diélectrique 44, par exemple lorsque les parties sont dis- posées dans cet interstice et dans le cas o aucune partie né s'y trouve disposce. Lorsque le pas Pm est égal à 1,8 mm ou 2,1 mm et qu'aucune partie n'est disposée dans l' interstice, on a hauteur x longueur x largeur (mm) égale 2,5 x 4,0 x 35,0, et lorsque Pm est égal à 1,8 mm ou 2,1 mm, et que des par ties sont disposses dans l' interstice, on a hauteur x longueur x largeur (mm) égale 6,5 x 4,0 x 35,0. La constante diélectrique dans ce cas est égale à 3,75 lorsque le pas Pm est égal à 1,8 mm et est égal à 4,7 lorsque le pas Pm est égal à 2,1 mm. Ces constantes diélectriques peuvent être déterminées sur la base de l'équation (3). On va expliquer la broche 50 en référence à la figure 16. La broche 50 destinée à connecter électriquement le substrat interne 46 et le substrat 48 du système possède une forme telle qu'une extrémité 50-G devant être insérse dans le trou 49 pour broche dans le substrat interne 46 et l'autre extrémité 50-H devant être insérce dans le trou pour broche dans le substrat 48 du système possède un diamètre inférieur à celui de la partie qui est insérce dans le bloc diélectrique 44 (partie de grand diamètre) 50- J. En outre une extrémité 50-J devant être insérée dans le substrat interne 46 est réglée de manière à être plus courte que l'autre extrémité 50-H. Par exemple, les dimensions de la broche 50 sont les suivantes. Une extrémité 50-G possède une forme rétré- cie ayant un diamètre compris entre 0,46 mm et 0,51 mm, et la hauteur est égale à 1,6 mm. L'autre extrémité 50-H pos- sède un diamètre de 0,46 mm et une hauteur de 2,5 mm. L'extrémité 50-G possède un diamètre légèrement supérieur à celui de l'extrémité 50-H. La partie de grand diamètre 50-J possède une longueur comprise entre 2,0 mm et 10 mm et un diamètre égal à 0,8 mm. Lorsqu'un interstice est prévu entre le logement 41 du boîtier et le substrat 48 du système et que des parties sont disposées dans cet inter stice, la longueur de la partie de grand diamètre 50-J de la broche 50 est réglée à une valeur plus importante, par exemple à 6,5 mm. Lorsque des parties ne sont pas disposées dans l' interstice, la longueur de la partie de grand diamètre 50-J de la broche 50 est réglée par exemple sur 2,5 mm. On va expliquer le substrat 48 du système, en référence à la figure 17. La zone entourée par une ligne formée de tirets sur la figure 17 représente une zone dans laquelle l'émetteur optique 40 doit être monté, de l'ensemble de la surface du substrat 48 du système. En rapport avec la zone de montage de l'émetteur optique entouré par les lignes formoes de tirets, l'ensemble de cette zone hormis les trous pour broches, dans lesquels sont insérées les broches de transmission de signaux, ou la zone en butée sur les blocs diélectriques 44a et 44b, à l' exclusion de la partie de configuration de câblage devant être connocté à la broche de transmission de signal, sur la face de droite et sur la face arrière, est agencée de manière à former une masse bêta 62. Compte tenu du coût et analogue, il est préférable de réaliser l'ensemble de la zone précédente comme formant la masse bêta. Comme cela est représenté sur la figure 17, douze trous 53 pour broches (trous 53a pour broches de transmission à grande vitesse, trous 53b pour broches de transmission à faible vitesse et trous 53d pour broches de masse), dans lesquels sont insérés douze broches 50 inté- grces dans le bloc diélectrique 44a, sont formés sur la face inférieure du plan de la zone de montage du transmet- teur optique. Comme décrit précédemment, quatre trous traversants de masse 56 sont formés respectivement autour des quatre trous 54a pour broches de transmission à grande vitesse. Un resist de brasure 63 est formé respectivement autour des trous 53a pour broches de transmission à grande vitesse et autour d'autres trous pour broches, de manière à empêcher un contact entre la soudure et la configuration de masse bêta 62 au moment du brasage par rapport aux broches respectives 50. Le resist de brasure 63 est représenté sur la figure avec une forme circulaire et peut avoir une forme en U comme représenté sur la figure 13, dans la partie que traverse la configuration de câblage connsctée à la broche. Les quatre trous 49a pour broches de transmission à grande vitesse concernent des signaux de données de phase positifs, des signaux de données de phase négative, ou des signaux d'horloge de phase positive et pour des signaux d'horloge de phase négative, dans cet ordre à partir de la gauche. Dans ce substrat 44 du système, la forme externe d2 des quatre trous 53a pour broches de fonctionnement de transmission à grande vitesse possède un diamètre de 0,8 mm, et la taille d3 de la portée possède un diamètre de 1,0 mm. En d'autres termes, la forme externe d2 des trous 53a pour broches de transmission à grande vitesse possède un diamètre sensiblement égal à celui de la partie de grand diamètre 50-J des broches d' interface 50a de transmission à grande vitesse. En introduisant une brasure dans l' interstice entre la surface de paroi périphérique des trous 53a pour broches posséJant un diamètre extérieur de 0,8 mm et l'extrémité 50-H des broches d' interface 50a de transmission à grande vitesse, possédant un diamètre de 0,46 mm, le diamètre de 0,46 mm de l'extrémité 50-H des broches d' interface 50a de transmission à grande vitesse est réglé de manière à être essentiellement identique au diamètre de la partie de grand diamètre 50-J des broches d' interface 50a de transmission grande vitesse. Il en résulte que l'impéJance caractéristique de cette partie peut être maintenue égale à 50 Q. Le diamètre externe d4 du trou traversant de masse 56 est réglé égal à 0,6 mm. Lorsque le pas entre les trous 53a pour broches de transfert à grande vitesse et les trous travereants de masse 56, de deux types à savoir 1,8 m à 2,1 mm, sont réglés comme dans le bloc diélectrique 44a. La figure 18 représente une relation de disposi- tion du trou pour broche à grande vitesse dans le substrat interne 46 du bloc diélectrique 44a et du substrat 48 du système et les quatre trous traversants de masse sur la périphérie du substrat. Le pas D entre le trou pour broche de transmission à grande vitesse et les trous traversants de masse est réglé sur une valeur prédéterminée (dans ce cas deux types, c'est-à-dire 1,8 mm ou 2,1 mm) de manière à maintenir l'impédance caractéristique à 50 Q. Lorsqu'il est nécessaire de réduire la largeur du bloc diélectrique 44a ou d'améliorer la densité de tassement des substrats respectifs 46 et 48 tout en conservant le pas réglé sans altérer la caractéristique d'impéJance, un angle entre une droite le long de la rangée des trous pour broches de transmission à grande vitesse et une droite reliant le trou pour broche de transmission à grande vitesse et le trou traversant de masse peut être réglé à une valeur égale à environ 30 , mais pas 45 , ce qui est idéal pour la caractéristique d'impédance. En réglant à environ 30 , il devient possible de réduire la largeur du bloc diélectrique 44a et d'améliorer la densité de tassement des substrats respectifs 46 et 48, tout en satisfaisant à l' exigence en rapport avec la caractéristique d'impédance. On va expliquer en référence à la structure de connexion du substrat interne 46, du bloc diélectrique 44a et du substrat 48 du système au moyen des broches 50. Sur la figure 19. On a représenté une broche d' interface 50a de transmission à grande vitesse et une broche de masse 50d. On va décrire tout d'abord, en utilisant la figure 19, la structure de connexion du substrat interne 46 et des broches 50. Le substrat interne 46 et les broches 50 sont connectés et fixés par ajustement serré aux extrémités -G des broches respectives 50a et 50d aux trous 49a et 49d pour broches dans le substrat interne 46. En outre, une brasure 64 est appliquée à la surface d'extrémité 50-G de chacune des broches 50a et 50d, ce qui a pour effet que le substrat interne 46 et les broches 50 sont connoctées et fixées. Des résistances de brasure 58 et 59 sont formoes autour du trou de broche 49a pour transmission à grande vitesse sur la face de droite et sur la face arrière du substrat interne 46, hormis dans une zone d'une taille suffisante pour disposer la brasure 64. En fixant le substrat interne 46 et les broches 50 au moyen d'un ajustement serré d'un brasage, on peut rendre la structure de liaison mécanique plus roLuste. Dans le cas d'une structure de liaison entre le substrat interne 46 et les broches 50 uniquement par brasage, si la production de chaleur du substrat 48 du système est élevée, la chaleur provenant du substrat 48 du système est transmise par les broches 50 à la brasure 64 située sur le substrat 46, ce qui a pour effet d'affaiblir la résistance de liaison entre le substrat interne 46 et les broches 50. C'est pourquoi en utilisant un ajustement serré et un bra sage, on empêche que la force de liaison devienne faible. La chaleur peut diffuser d'une manière suffisante à partir depuis les broches 50 vers le substrat interne 46 et le bloc diélectrique 44 et la condition de brasage du substrat 48 du système est réglée dans une condition approprice, de sorte que la connexion brasée entre les broches 50 et les lignes de configuration de câblage 91 n'est pas interrompue en raison de la chaleur appliquée à la brasure 64. La broche 50 possède un faible diamètre au niveau de ses extrémités opposées, pour le positionnement dans la direction dans le sens de la hauteur par rapport au trou pour broche. Comme cela a été décrit plus haut, il est nécessaire de choisir un diamètre, qui concorde pour l'essentiel avec l'extrémité de la broche 50 possédant un faible diamètre, pour des trous 49a et 49d pour broches dans le substrat interne 46, pour adapter une liaison selon un ajustement serré. C'est pourquoi, le diamètre de la partie métallique de l'extrémité 50-G de la broche d' inter- face 50a de transmission à grande vitesse devient inférieure à celle des autres parties, et par conséquent l'impédance est différente de celle des autres parties. C'est pourquoi, conformément à l'équation (3), l'impéJance caractéristique de cette partie est maintenue à 50 Q. par réglage du pas entre la broche de cette partie et le trou traversant de masse 54, à une valeur inférieure au pas présent dans d'autres parties. Les trous traversants de masse 54 formés dans le substrat interne 46 sont connectés à la partie de masse bêta 57 formoe sur la face de droite du substrat interne 46 et la configuration de masse bêta 61 formée sur la face arrière de ce substrat. En ce qui concerne la broche de masse 50d, l'extrémité même de la broche de masse 50d est connectée directement à la configuration de masse bêta 57 ou à la configuration de masse bêta 61. Les trous traversants de masse 55 formés dans le bloc diélectrique 44 sont connectés respectivement à la configuration de masse bêta 65 formoe sur la face de droite du bloc diélectrique 44, ou à une configuration de masse bêta 65' formée sur la face arrière de ce bloc. Ces configurations de masse bêta 65 à 65' ne viennent pas en contact avec les broches d' interface 50a de transmission à grande vitesse au moyen des resists de brasure 66 et 66'. Dans le bloc diélectrique 44, la broche de masse 50d elle- même est connectée directement aux configurations de masse bêta 65 et 65'. La configuration de masse bêta 61 sur la face arrière du substrat interne 46 et la configuration de masse bêta 65 sur la face supérieure du bloc diélectrique 44 sont réunies par une brasure 67. D'autre part, un reaist formant brasure 69 est appliqué à la configuration de masse ' sur la face inférieure du bloc diélectrique 44, ce qui empêche un contact électrique intempestif avec le substrat 48 du système lorsque la structure à configuration de câblage du côté du substrat 48 du système est inconnue. On va décrire ci-après la structure de raccorde- ment entre le substrat 48 du système et les broches 50. La réunLon du substrat 48 du système et des broches respec- tives 50a et 50d est exécutée uniquement au moyen d'une brasure 68. Comme décrit précédemment, la forme externe d2 des trous 53a pour broches de transmission à grande vitesse possède es sentiellement le même diamètre que la part ie de grand diamètre 50-J des broches d' interface 50a de so transmission grande vitesse, et une brasure est intoduite dans l'espace prAsent dans l' interstice prAsent entre la suface de paroi p6riphArique du trou 53a pour broche et l'extrAmit 50-H de la broche d' interface SOa de transmission grande vitesse. De ce fait le diamitre de l'extAmit 60-H de la boche d' interface grande vitesse a est rAglA de maniAre Atre sensiblement Agal au dia- mAtre de la partie de grand diamAte 50-3, et par consA- quent l'impdance dans cette partie est ralise de manire tre Agale 50 comme dans la partie de grand diamAtre. Les trous traversants de masse 56 formAs dans le substrat 48 du systAme sont connacts la configuration de masse bAta 62 forme sur la face de droite du substrat 48 du systAme et la configuration de masse bAta 62' forme sur la face arrire du substrat. Des resists formAs de brasure 63 et 63' sont forms autour du trou 53a pour bo- che de transmission grande vitesse sur la face de droite et sur la face arriAre du substrat 48 du systAme. En ce qui concerne la broche de masse 50d, la broche de masse 50d elle-mme est connacte directement la configuration de masse bAta 62 et la configuration de masse bAta 62'. La configuration de masse 65' sur la face infA- rieure du bloc diAlectrique 44a et la configuration de masse 62 de la face supArieure du substrat 48 du systAme peuvent Atre rAunies par brasure. Sinon, des configurations de masse 62 et 62' formes sur les faces avant et arriAre du substrat 48 du systAme peuvent Atre supprimes. Lorsque le diamAtre de l'extrAmit 50-H de la broche 50 insAre dans le substrat 48 du systme est choisi de maniAre Atre Agal celui de la partie de grand diamAtre, il est encore nAcessaire de garantir qu'un interstice doit tre rempli par une brasure. C' est pourquoi les trou traversants de masse 56 sont disposs l'extArieur de la partie dans laquelle sont disposs les trous traversants de masse 55 dans le bloc diélectrique 44a, de manière à régler l'impéJance dans cette partie de manière qu'elle soit égale à celle des autres parties. Conformément à la quatrième forme de réali sat ion, l'impéJance caractéristique des broches d' interface à grande vitesse est adaptée à celle des lignes du substrat, ce qui permet de réaliser un transmetteur optique qui peut exéauter une transmission de données à grande vitesse ou une transmission de signaux d'horloge à grande vitesse. On va expliquer, en référence à la figure 9 et aux figures 20 à 23 une cinquième forme de réalisation de la présente invention. La cinquième forme de réalisation concerne un récepteur optique 70 (voir figure 9), dans lequel seule la fonction de réception optique est montée dans un capot du boîtier. Comme dans l'émetteur optique 40 décrit précédemment, le récepteur optique 70 comprend un substrat interne, un bloc diélectrique et des broches ser- vant à connocter le substrat interne et le substrat du système. Cependant dans le récepteur optique 70, les cir cuits intégrés montés sur le substrat interne sont diffé- rents de ceux prévus dans l'émetteur optique 40. En outre dans le cas du récepteur optique 70, les signaux à grande vitesse transmis par le circuit de réception sur le subs- trat interne par l'intermédiaire des lignes de transmission sur le substrat interne et des broches sont unlquement deux signaux de données dans la phase positive et dans la phase négative. En d'autres termes, dans le récepteur optique selon la cinquième forme de réalisation, le signal d'horlo- ge n'est pas transmis au substrat du système. Par conséquent, en ce qui concerne le récepteur optique 70, on va expliquer uniquement la configuration associée aux deux signaux de données dans la phase positive et dans la phase négative. La figure 20 est une vue en plan d'un bloc diélectrique 75 présent dans le récepteur optique 70. La figure 21 est une vue partielle de ce bloc à plus grande échelle. Douze trous pour broches sont formés dans le bloc diélectrique 75, et douze broches doivent être insérées dans ces trous. Parmi ces broches, deux broches sont uti lisées pour les signaux de données de phase positive et de phase négative. Deux trous 76a pour broches de transmission à grande vitesse pour l' insertion de deux broches d' interface a de transmission à grande vitesse, sont prévus dans le bloc diélectrique 75. Un trou pour broche adjacent aux deux trous pour broches 76a de transmission à grande vitesse situés à l'extérieur de ces trous est un trou 76d pour une broche de masse. Cinq trous traversants de masse 77 sont formés respectivement autour des deux trous 76a pour bro ches de transmission à grande vitesse. Cependant trois trous traversants de masse 77 entre les deux trous 76a pour broches de transmission à grande vitesse sont des trous utilisés en commun pour ajuster l'impédance caractéristique des deux broches d' interface 80a de transmission à grande vitesse. Un trou traversant de masse 77 est disposé sur une droite reliant les deux trous 76a pour broche à grande vitesse, ce qui empêche une interférence mutuelle des signaux transmis par les deux broches d' interface 80a de transmission à grande vitesse. Comme cela est représenté sur la figure 21, en réglant l' angle entre une droite reliant les trous pour broches de transmission à grande vitesse et une droite reliant le trou pour broche de transmission à grande vitesse et le trou traversant de masse sur environ 30 , on réduit la largeur du bloc diélectrique 75 et on améliore la densité de conditionnement, tout en satisfaisant à l' exigence concernant l'impédance caractéristique. Une configuration de masse 78 (partie hachurce) est formée sur les faces supérieure et inférieure du bloc diélectrique 75 de manière à inclure les trous traversants de masse respectifs 77 et deux trous 76d pour boches de masse, mais tout en Avitant les deux trous 76a pour boches de transmission grande vitesse. Un resist formant brasure 79 est formA autour des trous 76a pour boche de transmission grande vitese. Chacun des trous 52a, 52b et 52 pour broches possAde possde un diamAtre de 1,0 et chacun des trous traversants de masse 55 possAde un diamAtre de Q,6 mm. Pour le bloc diAlectrique 75, comme dans le bloc diAlectrique 44 de l'Ametteur otique 40, on rAgle les dimensions comme dAcrit ci-aprAs. Le pas entre les trous 76a pour broches de transmission grande vitesse au centre et les trous traversants de masse 77 sur la pAriphArie du bloc sont dsignAs par Pm. Lorsque le pas Pm est Agal A 1,8 mm ou 2,1 mm et qu'aucune partie n'est disposAe dans l' interstice entre le logement du boltier et le substrat du systAme, on a hauteur x largeur x hauteur (mm) Agale 2,5 4,0 x 35,0, et lorsque Pm est Agal 1,8 mm ou 2,1 mm, et que des par ties sont disposes dans l' interstice, on a hauteur x longueur x largeur (mm) Agale 6,5 x 4,0 x 35,0. La constante diAlectrique dans ce cas est Agale 3,75 lorsque le pas Pm est Agal 1,8 mm, et est Agal 4,7 lorsque le pas Pm est Agal 2,1 mm. I1 suffit de choisir une constante diAlectrique d'environ i1,3 par rapport une constante diAlectrique qui satisfait aux besoins du point de vue de l'impdance caractAristique (50), et par exemple on peut rAgler une constante diAlectrique de 3,48 lorsque 1'on a Pm = 1,8 mm. La figure 22 est une vue en plan qui reprAsente une configuration de cAblage proximit des deux broches d' interface 80a de transmission grande vitesse dans le substrat interne 85 mont dans le rAcepteur optique 70. Deux trous 86a pour broches de transmission grande vitesse et cinq trous traversants de masse 87 sont également formés dans le substrat intérieur 85, ce qui correspond aux deux trous 76a pour broches de transmission à grande vitesse et à cinq trous traversants de masse 77 sur la périphérie des trous pour broches, formés dans le bloc diélectrique 75. Une configuration de masse bêta 88 est formée de manière à entourer les cinq trous traversants de masse 87. Deux broches d' interface 80a de transmission à grande vitesse, qui doivent être insérées dans les deux trous 76a pour broches de transmission à grande vitesse, sont raccordés à un circuit intégré de réception 89 par l'intermédiaire des lignes du substrat sur le substrat interne 85. Le circuit intogré 80 du circuit de réception règle l 'amplitude du signal de tension transmis par le module à photodiode et délivre le signal de tension aux deux broches d' interface 80a de transmission à grande vitesse, par l'intermédiaire des lignes du substrat. Les deux signaux de sortie de la phase positive et de la phase négative délivrés par le circuit intogré 89 du circuit de réception sont délivrés à la ligne de transmission différentielle 90. D'autre part, les broches d' interface 80a de transmission à grande vitesse sont respectivement une ligne de transmission à une seule sortie (de type disproportionnée). C'est pourquoi il est nécessaire de garantir un certain niveau entre les trous 86a pour broches de transmission à grande vitesse, dans lesquels les broches d' interface 80 de transmission à grande vitesse sont insérées, de sorte qu'il ne se produit aucune interférence entre signaux. Par conséquent, les lignes de configuration 91 en tant que partie de raccordement entre les lignes de transmission différentielles 90 et deux ensembles de broches d' interface à grande vitesse 80a sont séparses par un intervalle et possèdent une largeur de configuration dr supérieure à une largeur de conflguration ds des lignes de transmission ss diff4rentielle 90 (dr > ds) de sorte que l'impdance caractristique se rapproche de 50. Dans c cas les lignes de configuration de cAblage 91 sont coudes essentiellement angle droit, mais leurs extrAmits oppo ses peuvent tre agences de manire s'Acarter graduel- lement l'une de l'autre, moyennant l'utilisation d'une forme en y ou analogue. [a largeur de configuration peut Atre modifide brusquement de maniAie Atre rAgle une faible largeur, ou bien peut prendre graduellement une faible valeur. Les donnes transmises par l'intermAdiaire des broches d' interface 80a de transmission grande vitesse dans la ligne de transmission une seule sortie sont transmises dans le substrat du systAme dans la ligne de transmission une seule sortie ou bien sont renvoyes la ligne de tranimission diftArentielle, puis sont transmises. [a figure 23 est un schma qui reprAsente un substrat 95 du systme, auquel le rAcepteur optique est connect4. La zone entoure par une ligne forme de tirets sur la figure 23 reprAsente une zone de monLage d'un rAcepteur optique, dans lequel le rAcepteur optique 70 doit Atre mont4, de 1'ensemble de la zone du substrat 95 du systAme. De mme dans le substrat 95 du systme, deux trous 96a pour broches de transmission grande vitese et cinq trous traversants de masse 97 sont formAs, d'une manire qui correspond aux deux trous 76a pour broches de transmission grande vitesse et aux cinq trous traversants de masse 77 sur leur pAriphArie situAs sur la pAriphArie des trous pour broches et forms dans le bloc diAlectrique 75. En ce qui concerne la zone de montage du rcepteur optique, qui est entoure par la ligne forme de tirets, toute la zone, hormis les trous pour broches, dans lesquels les broches de transmission de signaux sont insAres, ou la zone situe en bute sur les blocs diAlectriques, l' exclusion de la partie de configuration de câblage devant étre connectée à la broche de transmission de signaux, sur la face de droite et sur la face arrière, est agencée en tant que masse bêta 98. Compte tenu du coût et analogue, il est préférable de réaliser l'ensemble de la surface indiquée précédemment en tant que masse bêta. Comme cela a été décrit précédemment, conformé- ment à la cinquième forme de réalisation, l'impédance caractéristique des broches d' interface de transmission à grande vitesse est adaptée à celle des lignes du substrat, ce qui permet de réaliser un récepteur optique qui exécute une transmission de donnéss à grande vitesse ou une trans- mission de signaux d'horloge à grande vitesse. Le récepteur optique 70 peut être pourvu de deux broches pour la transmission de signaux d'horloge, en plus des deux broches pour la transmission de signaux de données. Dans ce cas, un signal d'horloge est extrait d'un signal de tension transmis par le module à photodiode sous l'effet du fonctionnement du circuit PLL prévu dans ce module, o un signal de données est identifié par le circuit d'identifi cation de régénération prévu dans ce module, et le signal de données régénéré est délivré aux deux broches d' inter face 80a de traitement de transmission à grande vitesse par l'intermédiaire des lignes du substrat. On va expliquer ci-après une sixième forme de réalisation de la présente invention en utilisant les figures 24 à 26. La figure 24 représente une vue en pers pective qui montre une partie d'un bloc diélectrique 200 dans la sixième forme de réalisation, la figure 25 est une vue en coupe prise suivant la ligne G-G représentée sur la figure 24 et la figure 26 est une vue en plan d'une broche pour des signaux à grande vitesse. Dans la sixième forme de réalisation, les trous traversants ne sont pas disposés d'une manière intercalée autour des broches de transmission de signaux, comme dans les formes de réalisation décrites précédemment, mais une configuration métallique de masse est formée sur l'ensemble de la périphérie des broches de transmission de signaux. Sur la figure 24 et sur la figure 25, les broches de masse 201 et quatre lignes d' interface 202 de transmission à grande vitesse disposées entre ces broches de masse 201 sont incorporées dans le bloc diélectrique 200. Comme cela est représenté sur la figure 26, la ligne d' interface 202 de transmission à grande vitesse comprend une broche d' interface 203 pour des signaux à grande vitesse, qui est disposée au centre, une substance diélec trique 204 disposée sur la périphérie de la broche et une configuration métallique 205 pour la masse, disposée autour de la substance diélectrique 204. Une configuration de masse bêta 206 est formée uniformément sur la face supérieure et sur la face inférieure du bloc diélectrique hormis pour les parties des broches 203 de transmission de signaux et la substance diélectrique 204. Pour fabriquer de telles lignes d' interface 202 de transmission à grande vitesse dans le bloc diélectrique , on peut utiliser deux procédés de fabrication (A) et (B) décrits ci-après. (A) Premier procédé de fabrication - formation d'un trou; - application d'un placage métallique sur la surface inté- rieure du trou, pour former une configuration métallique 205 pour la masse; - introduction d'une substance diélectrique 204 comportant un trou pour l' insertion d'une broche en son centre, à l'intérieur du trou; et insertion de la broche 203 dans la substance diélectrique 204. (B) Second procédé de fabrication - formation d'un trou, - application d'un placage métallique sur la surface inté rieure du trou, pour former une configuration métallique 205 pour la masse; - insertion de la broche 203i et - introduction d'une substance diélectrique fondue entre la broche 203 et la configuration métallique 205. Comme cela a été décrit précédemment, conformé ment à la sixième forme de réalisation, les trous traver sants de masse ne sont pas disposés d'une manière inter mittente autour des broches de transmission de signaux, mais la configuration métallique pour la masse est formée sur l'ensemble de la périphérie des broches de transmission de signaux. C'est pourquoi la masse est renforcée, ce qui contribue à stabiliser une impédance caractéristique. Dans les formes de réalisation mentionnées 1 à 6, les broches de transmission de signaux font saillie à partir des blocs diélectriques 44a et 44b, mais les broches de transmission de signaux peuvent faire saillie à partir de l'une ou l'autre de leurs extrémités ou peuvent ne pas du tout être en saillie. Lorsque les broches de transmission de signaux ne sont pas en saillie, les extré- mités des broches peuvent être connectées aux côtés du substrat par exemple par bossage. Conformément à l'émetteur-récepteur optique selon la présente invention, le bloc diélectrique est prévu dans l' interstice de telle sorte que son impéJance caractéristique est adaptée à celle de la ligne du subs- trat. I1 en résulte qu'un signal de donnces ou un signal * d'horloge peut être transmis avec une vitesse plus grande. En outre, étant donné qu'une pluralité de broches de masse ou de trous traversants de masse sont prévus autour des broches d'interface, de telle sorte que l'impéJance caractéristique des broches d' interface est adaptée à celle de la ligne du substrat, un signal de données ou un signal d'horloge à vitesse plus élevée peut être transmis lorsqu' on effectue un remplissage avec un bloc diélectrique possédant une constante diélectrique plus faible. Conformément au connecteur selon l' invention, étant donné que le bloc diélectrique comporte des broches et des trous traversants de masse formés autour des bro ches, qui y sont respectivement incorporées, et que les broches connoctent électriquement les premier et second substrats, l'impédance caractéristique est améliorée et il en résulte qu'une transmission de données ou une transmis- sion de signaux d'horloge à grande vitesse peut être réa lisée entre les premier et second substrats. Conformément à l'unité de substrat selon l'inven- tion, l'unité de substrat possède un substrat posséJant un connecteur comportant des broches et des premiers trous traversants de masse formés autour des broches, des trous pour broches, dans lesquels les broches sont insérées à forces, et des seconds trous traversants de masse connectés électriquement aux premiers trous traversants de masse, autour des trous pour broches. Il en résulte que l'impé- dance caractéristique est améliorée et que l'on peut réaliser une transmission de donnces à grande vitesse ou une transmission de signaux d'horloge à grande vitesse entre le substrat et un autre substrat. Conformément à l'émetteur optique selon l'inven- tion, le transmetteur optique possède un connscteur ayant une pluralité de broches de transmission de signaux, de broches de masse et une pluralité de premiers trous tra- versants de masse formés respectivement pour des broches de transmissionde signaux, un substrat comportant des trous pour broches dans lesquels les broches sont montées à force, des seconds trous traversants de masse disposés autour des trous pour les broches de transmission de signaux, et des câblages du substrat connsctés aux trous pour les broches de transmission de signaux, une diode laser montée sur le substrat et un circuit intégré d'étage d'attaque raccordé à la diode laser et au câblage de subs trat. Il en résulte que l'impédance caractéristique des lignes de substrat est adaptée à celle des broches de transmission de signaux, ce qui permet de réaliser une transmission de données ou une transmission de signaux d'horloge à grande vitesse. Conformément au récepteur optique selon l'inven- tion, le récepteur optique possède un connecteur comportant deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, des broches de masse et une pluralité de premiers trous traversants de masse formés autour des broches d' interface de transmission à grande vitesse, un substrat comportant des trous pour broches, dans lesquels les broches sont respectivement montées à force, des seconds trous traversants de masse disposés autour des trous pour les broches d' interface de transmission à grande vitesse, et des câblages du substrat connsctés aux trous prévus pour les broches d' interface de transmission à grande vitesse, une photodiode montée sur le substrat et un cTrcuit intégré du circuit de réception connecté à la photodiode et aux câblages du substrat. Il en résulte que la caractéristique d'impédance des câblages du substrat est adaptée à celle de la broche de transmission de signaux, ce qui permet de réaliser une transmission de données ou une transmission de signaux d'horloge à grande vitesse. Conformément au dispositif à semlconducteurs selon l' invention, les trous traversants de masse sont formés autour des broches dans le bloc diélectrique et autour des trous pour broches dans les premier et second substrats, et un métal tel que de la brasure remplit un interstice présent entre la paroi de surface périphérique du trou pour broche et la broche dans le second substrat. Il en résulte que l'impéJance caractéristique est améliorée et que l' on peut réaliser une transmission de données ou une transmission de signaux d'horloge à grande vitesse entre les premier et second substrats. Bien que l' invention ait été décrite en rapport avec une forme de réalisation spécifique pour une descrip- tion complete et Claire, l' invention ne s'y trouve pas limitée et englabe toutes les variantes et autres forces de construction pouvant être imaginces par le spécialiste de la technique et qui entrent dans le cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Emetteur-récepteur optique, caractérisé en ce qu'il comporte: un substrat (20) qui repoit ou délivre un signal optique, une pluralité de broches d' interface (12) disposées de façon saillante sur une partie du substrat, pour le transfert de signaux électriques entre le substrat et un substrat externe, un bloc diélectrique (22) qui recouvre la périphérie des broches d' interface, et dont une extrémité est en aboutement sur ladite partie du substrat, tandis qu'une partie des broches d' interface fait saillie à partir de l'autre extrémité, et un boîtier (1) qui sert à loger le substrat et est pourvu d'un trou traversant, que traverse le bloc diélectrique. 2. Emetteur-récepteur optique selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que les broches d' interface (12) incluent au moins une broche de transmission de signal et une pluralité de broches de masse (13) qui sont disposées autour de la ou des broches de transmission de signaux. 3. Emetteur-récepteur optique selon la revendi cation 1, caractérisé en ce que les broches d' interface (12) incluent au moins une broche de transmission de signal et une pluralité de trous traversants de masse, qui sont disposés autour de la ou des broches de transmission de signaux. 4. Emetteur-récepteur optique selon la revendi cation 1, caractérisé en ce qu'une constante diélectrique du bloc diélectrique est inférieure à une constante diélectrique du substrat (20). 5. Connecteur, qui connecte électriquement un premier substrat et un second substrat, le premier substrat et le second substrat possédant des configurations de câblage, caractérisé en ce qu'il comporte: au moins une broche (12) dont une extrémité est connectée électriquement à la configuration de câblage du premier substrat et dont l'autre extrémité est connectée électriquement à la configuration de câblage du second substrat, un bloc diélectrique (22) qui recouvre la périphérie de la ou des broches de manière à exposer les extrémités opposées de ces dernières, et au moins un trou traversant de masse formé autour de la ou des broches dans le bloc diélectrique. 6. Connocteur selon la revendication 5, dans lequel au moins une extrémité de la ou des broches fait saillie à partir du bloc diélectrique. 7. Connecteur selon la revendication 6, caracté- risé en ce que l'extrémité de la ou des broches, qui fait saillie à partir du bloc diélectrique (22), possède un diamètre inférieur à celui de la partie de la broche recouverte par le bloc diélectrique. 8. Connocteur selon la revendication 5, caracté- risé en ce qu'une configuration de couches de masse connectées au(x) trou(s) traversant(s) de masse est formée sur au moins l'une de la surface du bloc diélectrique en butée sur le premier substrat et de la surface du bloc diélectrique en butée sur le second substrat. 9. Connecteur selon la revendication 5, caracté- risé en ce que l'impéJance caractéristique de la partie de la broche recouverte par le bloc diélectrique est d' environ 50 Q. 10. Unité de substrat, caractérisé en ce qu'elle comporte: un connocteur possédant un bloc diélectrique, au moins une broche insérée dans le bloc diélec trique de telle sorte qu'au moins une extrémité de la bro- che fait saillie à partir du bloc diélectrique, et une pluralité de trous traversants de masse for- més dans le bloc diélectrique respectivement autour de la ou des broches, et un substrat posséJant au moins un trou de broche, dans lequel l'extré- mité saillante de la broche est montée à force, et une pluralité de seconds trous traversants de masse qui sont disposés autour du ou des trous de broches et sont connectés électriquement à la première masse au moyen de trous formés dans le connecteur, l'extrémité saillante de la ou des broches étant insérce à force dans le ou les trous de broche de sorte que le connecteur et le substrat sont intégrés l'un avec l'autre. 11. Unité de substrat selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'un diamètre de l'extrémité saillante de la ou des broches est inférieur à un diamètre de la partie de la ou des broches, qui est recouverte par le bloc diélectrique, et les seconds trous traversants de masse sont disposés plus près de l'axe central de la broche que ne le sont les premiers trous traversants de masse. 12. Unité de substrat selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte un boîtier qui recouvre le connecteur et le substrat de manière à faire saillie sur une extrémité du connecteur à l'opposé du côté, sur lequel la broche est montée à force sur le substrat. 13. Unité de substrat selon la revendication 10, caractérisoe en ce qu'elle comporte en outre un dispositif optique à semiconducteurs et un circuit électrique monté sur le substrat, le circuit électrique étant connecté à la ou aux broches et le circuit électrique commandant le dis positif à semiconducteurs. 14. Unité de substrat selon la revendication 13, caractérisée en ce que le dispositif optique à semiconduc teurs est une diode laser ou un modulateur optique, et que le circuit est un circuit intégré formant étage d'attaque qui commande la diode laser ou le modulateur optique. 15. Unité de substrat selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une broche de masse qui est insérce dans le bloc diélectrique adjacent à la broche. 16. Unité de substrat selon la revendication 13, caractérisoe en ce que le dispositif optique à semiconduc teurs est une photodiode, et que le circuit électrique est un circuit intégré de réception, qui régénère un signal provenant de la photodiode. 17. Unité de substrat selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comporte en outre une seconde broche disposse au voisinage de la broche et que les trous traversant s de mas se sont disposés de tel le sorte que l es trous traversants de masse situés entre les deux broches sont partagés en com n par les deux broches. 18. Emettedr optique, caractérisé en ce qu'il r comporte: un connocteur comportant un bloc diélectrique, une pluralité de broches insérées dans le bloc diélectrique, les broches comprenant une pluralité de bro ches de masse et une pluralité de broches de transmission de signaux, les broches de masse et les broches de trans mission de signaux étant disposoes alternativement sur une ligne, au moins une extrémité des broches faisant saillie à partir du bloc diélectrique, et une pluralité de premiers trous traversants de masse formés dans le bloc diélectrique respectivement autour des broches de transmission de signaux, un substrat possédant une pluralité de trous pour broches, dans les quels les extrémités saillantes des broches sont respecti- vement insérées à force, et une pluralité de seconds trous traversants de masse disposés respectivement autour de chacun des trous pour broches, dans lesquels les broches de transmission de signaux des trous pour broches sont insérés à force et connectés électriquement aux premiers trous traversants de masse du connecteur, et une pluralité de câblages de substrat connectés aux trous pour broches, dans lesquels les broches de transmission de signaux sont montées à force, une diode laser montée sur le substrat, et un circuit intégré formant étage d'attaque connocté à la diode laser et aux câblages du substrat. 19. Récepteur optique, caractérisé en ce qu'il comporte: un connecteur posséJant un bloc diélectrique, une pluralité de broches insérées dans le bloc diélectrique, les broches comprenant au moins deux broches d' interface de transmission à grande vitesse disposées à proximité l'une de l'autre et deux broches de masse dont chacune est disposée à l'extérieur des deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, suivant une ligne, et une pluralité de trous traversants de masse for- més dans le bloc diélectrique autour des deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, de sorte que les trous traversants de masse situés entre les deux bro ches d' interface de transmission à grande vitesse sont utilisés en commun par les deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, un substrat posséJant une pluralité de trous pour broches, dans les quels des premières extrémités saillantes des broches sont respectivement insérces à force, une pluralité de seconds trous traversants de masse formés autour des deux trous de broches, auquel les broches d' interface de transmission à grande vitesse situées dans le substrat sont insérses à force, de sorte que les trous traversants de broches situés entre les deux trous pour broches, dans lesquels les deux broches d'inter- face de transmission à grande vitesse sont montés à force, sont utilisés en commun par les deux broches d' interface de transmission à grande vitesse, et sont connoctés électriquement aux premiers trous traversants du connecteur, et deux câblages de substrat connectés aux deux trous pour broches, dans lesquels les broches d' interface de transmission à grande vitesse sont montées à force, une photodiode montée sur le substrat, et un circuit intagré de réception connecté à la photodiode et aux câblages de substrat. 20. Dispositif à semiconducteurs comportant un bloc diélectrique, au moins une broche insérée dans le bloc diélec trique, deux extrémités de la ou des broches faisant sail lie à partir du bloc diélectrique, et un diamètre des extrémités saillantes de la ou des broches étant inférieur au diamètre de la partie de la ou des broches, qui est insérée dans le bloc diélectrique, et une pluralité de premiers trous traversants de masse formés dans le bloc autour de la broche, un premier substrat possédant au moins un premier trou de broche, dans lequel une extrémité de la ou des bro- ches est montée à force, et une pluralité de seconds trous traversants de masse disposés autour du ou des premiers trous pour broches et connectés électriquement aux premiers trous traversants de masse, et un second substrat possédant au moins un second trou pour broche, dans lequel l'autre extrémité de la ou des broches est insérée à force, une pluralité de troisièmes trous traversants de masse disposés autour du ou des seconds trous pour broches, et un matériau métallique inséré dans un interstice présent entre la surface du ou des seconds trous pour bro- ches et l'autre extrémité de la ou des broches, la ou les broches et le premier substrat étant fixés par montage à force et la broche et le second subs