Brevet FR2843757A1 — publié le 20040227

PROCEDE DE GARNITURE D'UNE SURFACE PAR UN FILM ORGANIQUE Domaine technique La présente invention concerne le domaine des revêtements organiques de surface, lesdits revêtements étant sous la forme de films organiques. Elle se rapporte en particulier à un procédé permettant de réaliser par réaction électro-initiée la garniture 10 d'une surface par un film organique d'épaisseur uniforme, même à une échelle inférieure ou égale au micromètre, sur une surface conductrice ou semiconductrice. L'obtention de garnitures, ou revêtements 15 organiques d'épaisseur uniforme, en particulier à une échelle inférieure au micromètre, constitue un enjeu important dans de nombreuses applications, notamment lorsque ce revêtement agit comme un revêtement protecteur, par exemple anti-corrosion, biocompatibie, 20 etc., comme un revêtement isolant ou conducteur électrique, un revêtement absorbeur optique, un revêtement sur des biopuces ou des capteurs chimiques, etc. o les propriétés que confère ce revêtement sont quasiment directement reliées à son épaisseur. Toute 25 inhomogénéité locale d'épaisseur est alors la cause d'un défaut local dans la performance recherchée. Art antérieur On connaît des procédés de dépôt de garnitures 30 organiques qui peuvent fonctionner sur à peu près tous les types de surface, et donc en particulier sur les surfaces conductrices et semi- conductrices de l'électricité. On citera par exemple les procédés de dépôt de films par voies physiques ou chimiques en phase vapeur (CVD, PVD. etc), ainsi que les procédés par..DTD: centrifugation ou spin-coating. La PVD et la CVD sont toutefois tributaires de l'existence de précurseurs adéquats pour obtenir la vapeur réactive permettant d'effectuer le dépôt. Seuls certains types de revêtements sont donc disponibles, ce qui bride l'optimisation des fonctions que le 10 revêtement doit remplir. On observe, de plus, en microélectronique notamment, que la PVD est sensible à la topologie tridimensionnelle de la surface, et notamment aux effets de pointe, en particulier sur les structurations ayant des ratios d'aspect, profondeur 15 sur largeur, élevés. Cette sensibilité est probablement la traduction de la plus grande réactivité de zones géométriques saillantes, et conduit à des inhomogénéités d'épaisseur d'autant plus marquées que les structurations sont fines ( Des inhomogénéités d'épaisseur des films sont également observées lorsque la PVD ou la CVD doivent être utilisées en combinaison avec un dispositif de masquage, à cause des effets de bord du masque. Enfin, le contrôle d'épaisseur de dépôts organiques par CVD 25 reste aujourd'hui insuffisant pour des revêtements ultra-minces, dans le domaine industriel, notamment pour des épaisseurs inférieures à quelques microns, ce qui rend cette gamme d'épaisseurs encore inaccessible. Des effets de bord sont également observés pour 30 le dépôt par centrifugation (" spin coating "). Ce procédé permet une bonne homogénéité d'épaisseurs tant que le flux du liquide déposé sous l'effet de la force centrifuge reste laminaire. Ce n'est en général pas le cas sur les bords des surfaces ni à l'aplomb de pavages rugueux, qui sont à l'origine de turbulences dans 5 l'écoulement du flux (" spirales d'Eckman "). De plus, il a été observé que, pour des films ultra-minces, l'évaporation du solvant pendant l'application du procédé augmente - de façon souvent localement inhomogène - la viscosité du fluide et conduit à des 10 inhomogénéités d'épaisseur. En outre, les dispositifs mettant en oeuvre ces procédés sont complexes car ils nécessitent un contrôle des pressions de vapeur saturante, de température et même d'humidité. Des procédés de recuit par solvant de 15 revêtements organiques déposés par " spin-coating " ont été développés pour pallier les inconvénients précités. Ils nécessitent cependant une étape supplémentaire de cot significatif. Différents procédés basés sur l'électrochimie 20 ont été développés pour obtenir des revêtements organiques d'épaisseur ajustable. Contrairement aux précédents, ces procédés exploitent directement les propriétés électriques des surfaces conductrices et semi-conductrices, et ne sont applicables que sur ces 25 surfaces. On sait par exemple, de longue date, réaliser l'électro-déposition de polymères chargés sur des surfaces conductrices ou semi-conductrices de l'électricité. On sait aussi réaliser, à titre d'exemple, l'électro-déposition des métaux, ou encore 30 l'électro-polymérisation des monomères précurseurs de polymères conducteurs tels que le pyrrole, l'aniline, le thiophène, l'EDOT, etc. Ces réactions ont en commun qu'il s'agit de réactions électro-suivies, c'est-à-dire qu'elles ne se poursuivent que du fait du passage du courant électrique dans le circuit électrique dont la 5 surface à traiter est une des électrodes. Ces réactions sont à considérer notamment par opposition aux réactions électro-initiées, o seule une étape (étape initiale) est électrochimique, et génératrice d'une chimie couplée indépendante du courant. Ces procédés présentent cependant deux handicaps notoires, qui gênent lourdement leur utilisation dans le domaine de la micro-électronique, et plus généralement dans l'élaboration de revêtements organiques sur des surfaces fabriquées à partir de 15 matériaux semi-conducteurs: L'avancement des réactions électro-suivies reste relié au maintien du potentiel électrique et/ou du courant dans la cellule d'électrolyse pendant toute la croissance du 20 film. L'épaisseur du revêtement obtenu est donc fonction de la charge intégrale du courant passée dans le circuit. - Ces réactions électro-suivies ne permettent pas de contrôler les uniformités d'épaisseurs du film 25 à quelques dizaines de nanomètres près sur des surfaces de plusieurs centimètres carrés, comme c'est le cas par exemple en micro-électronique. En effet si l'on considère deux zones conductrices ou semi-conductrices de l'électricité reliées électriquement en série via une impédance, alors tout potentiel électrique appliqué à l'une n'est pas transmis à l'identique sur l'autre, malgré le lien entre ces deux surfaces: une chute ohmique existe entre les deux zones. Cette chute ohmique implique que les 5 potentiels apparents vus par les deux surfaces sont différents, et donc que les courants électriques qui les traverse sont différents, à aires égales. Pour des temps d'électrolyses égaux, les charges passées dans chacune des zones 10 seront différentes, et les épaisseurs de film obtenues à l'aide d'une réaction électro-suivie seront également différentes. En résumé, les réactions électro-suivies donnent des revêtements avant tout fidèles à la 15 topologie des chutes ohmiques - liées au procédé et au dispositif pour le mettre en oeuvre - et non à la topologie géométrique de la surface initiale. Aussi, aucun procédé basé sur des réactions électro-suivies n'est appliqué aujourd'hui pour obtenir 20 des revêtements organiques lorsqu'il est nécessaire de pouvoir contrôler les uniformités d'épaisseurs à quelques dizaines de nanomètres près sur des surfaces de plusieurs centimètres carrés, comme c'est le cas par exemple en microélectronique. Etant donné la difficulté actuelle de réaliser des surfaces ne présentant aucune inhomogénéité de résistance de surface, ainsi que des cellules électrochimiques parfaites sans inhomogénéités de distribution de courant, il existe un réel besoin de 30 disposer de procédés de dépôt de films organiques qui nivellent les effets de chute ohmique entre un point et un autre d'une surface donnée. Ce besoin est notamment important dans tous les domaines d'application o l'on a recours à des 5 matériaux semi-conducteurs, par exemple en microélectronique, dans les microsystèmes tels que les capteurs, les micromachines, etc., puisque ces matériaux sont précisément caractérisés par le fait que leur surface n'est pas une équipotentielle, et qu'une 10 chute ohmique existe toujours en deux points quelconques distants sur cette surface. Ainsi, on constate que l'efficacité des procédés aujourd'hui disponibles pour effectuer le dépôt d'un revêtement organique sur une surface 15 conductrice ou semi-conductrice avec un bon contrôle de l'épaisseur, sont étroitement liés à la topographie de la surface, par exemple à la rugosité pour les procédés non électrochimiques, et à la topographie de chutes ohmiques pour les procédés électrochimiques. 20 Exposé de l'invention La présente invention permet de répondre aux nombreux problèmes de l'art antérieur exposés cidessus, en fournissant un procédé permettant d'obtenir, 25 rapidement et de manière reproductible, des films organiques d'épaisseur uniforme, même à des épaisseurs de film inférieures à 1 pm, sur une surface d'un support, quelque soit sa forme, et donc en particulier quelque soit sa topographie. Le procédé de la présente invention est un procédé de garniture d'une surface simple ou complexe, conductrice ou semi-conductrice de l'électricité, par un film organique à partir d'au moins un précurseur dudit film organique, caractérisé en ce que la garniture de la surface par le film organique est réalisée par greffage électro-initié dudit, au moins 5 un, précurseur sur ladite surface par application sur cette surface d'au moins un balayage de potentiels effectué de manière à ce qu'en tout point de ladite surface le potentiel maximal de chaque balayage de potentiels, en valeur absolue et par rapport à une 10 électrode de référence, est supérieur ou égal à la valeur de potentiel minimal de balayage (VblOc) à partir de laquelle les courbes d'un graphique exprimant la quantité de précurseur électro-greffé sur une surface identique à ladite surface en fonction du nombre de 15 balayages de potentiel sont toutes superposées et indépendantes de ce potentiel Vbloc. La quantité de précurseur électro-greffé peut être évaluée par diverses mesures: quantité réelle, en mol/cm2 (concentration surfacique), ou encore - à taux 20 de greffage maximal - épaisseur du film organique résultant. Selon la nature chimique des précurseurs et des films organiques finalement obtenus, ces mesures ne sont pas toutes aussi simples à réaliser les unes que les autres selon les cas, et l'on pourra choisir la 25 plus aisée, par exemple la mesure d'épaisseur, par profilométrie, ellipsométrie, microscopie à force atomique ou microscopie à effet tunnel. Selon un mode particulier de réalisation de la présente invention, le film organique peut être un film 30 polymère organique, et le monomère un monomère électroactif précurseur dudit film polymère organique. Dans ce mode particulier de réalisation, la réaction électroinitiée est alors bien entendu une polymérisation électro-initiée dudit, au moins un, monomère précurseur. Dans ce mode de réalisation, le graphique 5 peut être un graphique exprimant l'épaisseur dudit film polymère organique en fonction du nombre de balayages de potentiel. De manière générale, les réactions de greffage électro-initiées de la présente invention, appelées ci10 dessous réactions électro-initiées, sont à considérer par opposition aux réactions électro-suivies, qui sont des réactions initiées électrochimiquement, mais dont l'avancement reste ensuite relié au maintien du potentiel électrique et/ou du courant dans la cellule 15 d'électrolyse. En d'autres termes, il s'agit de réactions électrochimiques génératrices d'une chimie couplée contenant au moins une réaction électrochimique. Comme décrit ci-dessus, l'épaisseur du revêtement obtenu par réaction électro-suivie est 20 fonction de la charge intégrale du courant passée dans le circuit, donc de la chute ohmique locale. Le procédé de la présente invention n'est pas tributaire de ces paramètres. En effet, seule l'étape d';électroinitiation, appelée aussi électro-amorçage, 25 est en relation avec le courant électrique. Cette initiation correspond en particulier à une électroactivation du précurseur du film organique, conduisant par exemple à la formation d'espèces oxydées ou réduites, à partir du ou des précurseur(s), donc ayant 30 subi un transfert électronique, et qui ne sont ensuite la source que d'espèces moléculaires ou macro- moléculaires ne présentant pas d'électro-activité significative dans les gammes de potentiel d'électrode utilisées. Par exemple, l'obtention de films polymères 5 greffés selon le mode particulier de réalisation du procédé de la présente invention, par greffage de monomères électroactivés sur surfaces conductrices ou semi-conductrices, procède grâce à une électroinitiation de la réaction de polymérisation à partir de 10 la surface, suivie d'une croissance des chaînes, monomère par monomère. La croissance des chaînes greffées s'effectue par polymérisation purement chimique, c'est-à-dire indépendamment de la polarisation de la surface conductrice qui a donné lieu 15 au greffage. Il apparaît donc que le protocole de potentiel joue un rôle distinct de celui de la composition de la solution. Une fois la croissance des chaînes entamée, c'est la composition de la solution qui gère la croissance du film: les chaînes auront 20 toutes la même longueur puisque la solution en regard de la surface est la même pour toutes les chaînes en croissance. C'est donc en réglant le taux de greffage sur la surface qu'on règle l'épaisseur du film organique greffé sur la surface, et que cette épaisseur 25 est la même partout lorsque ce taux de greffage est maximum. Ainsi, selon l'invention, en faisant une série de revêtements sur des surfaces successives toutes rigoureusement identiques, et en imposant des 30 conditions opératoires adéquates identiques d'une surface à une surface suivante, pour avoir - à chaque fois - un taux de greffage maximal sur chaque surface, par utilisation de potentiels supérieurs à Vbloc, on peut changer les épaisseurs d'une surface à la surface suivante en ne changeant que la composition de la solution. Selon l'invention, il est possible de faire intervenir dans le procédé de l'invention des réactions de terminaison de la croissance des chaînes par compétition: ces réactions interrompent la croissance 10 des chaînes, et contribuent donc à fixer l'épaisseur maximale que peut atteindre le film lorsque les chaînes sont en brosse selon le procédé de l'invention. Les inhibiteurs radicalaires ainsi que les agents de transfert de site actif dans les réactions de 15 polymérisation radicalaire (notamment les membres de couples rédox), les protons - et par extension les molécules protiques - ainsi que les électrophiles et notamment les cations, les nuléophiles et notamment les anions, sont des composés candidats en tant qu'agent de 20 terminaison des réactions électro-initiées de la présente invention permettant d'ajuster éventuellement le contrôle des épaisseurs. Les réactions électro-initiées qui peuvent être mises en oeuvre dans le procédé de la présente 25 invention tel qu'il est revendiqué sont les réactions dans lesquelles l'électro-initiation peut correspondre à une réduction d'un monomère, ou bien à une oxydation d'un monomère, grâce à un courant électrique, et o le monomère électro-réduit est l'initiateur de réactions 30 de polymérisation anioniques, respectivement de polymérisation cationiques lorsque l'électro-initiation porte sur l'oxydation d'un monomère, sur la surface et en solution. Il peut s'agir également de réactions initiées au moyen d'un médiateur électro-actif: une fois oxydé ou réduit, ce médiateur activé sert 5 d'initiateur de polymérisation, en général radicalaire. Parmi les médiateurs candidats, on trouve par exemple les sels de diazonium, de phosphonium, de sulfonium, d'iodonium, les peroxodisulfates, les sulfamates, les ions métalliques et leurs complexes, etc. Selon le mode particulier de réalisation de la présente invention exposé ci-dessus, le, au moins un, monomère électro-activable précurseur du film organique peut être par exemple un monomère vinylique. Lorsqu'il s'agit d'un monomère vinylique, il peut avantageusement 15 être choisi à partir du groupe constitué des monomères vinyliques comme l'acrylonitrile, le méthacrylonitrile, le méthacrylate de méthyle, le méthacrylate d'éthyle, le méthacrylate de butyle, le méthacrylate de propyle, le méthacrylate d'hydroxyéthyle, le méthacrylate 20 d'hydroxypropyle, le méthacrylate de glycidyle, les acrylamides et notamment les méthacrylamides d'aminoéthyle, propyle, butyle, pentyle et hexyle, les cyanoacrylates, le polyéthylène glycol di-méthacrylate, l'acide acrylique, l'acide méthacrylique, le styrène, 25 le parachloro-styrène, la N-vinyl pyrrolidone, la 4vinyl pyridine, les halogénures de vinyle, le chlorure d'acryloyle, le chlorure de méthacryloyle, et de leurs dérivés. I1 peut s'agir aussi d'analogues de ces 30 monomères vinyliques obtenus par couplage ou modification d'un de ces monomères avec une quelconque molécule ou macromolécule. Cette molécule ou macromolécule peut être par exemple choisie dans le groupe constitué d'un polymère comme le polyéthylène glycol; d'une base azotée, comme par exemple 5 l'adénosine, ou ses dérivés, comme par exemple la 3déaza adénosine; d'un oligonucléotide, comme par exemple une séquence sonde utilisée sur une puce à ADN; d'un peptide comme par exemple un prion; d'une protéine telle qu'une enzyme, un anti-corps... etc; d'un 10 acide gras, comme l'acide linoléique; d'un glucide, comme par exemple le glucose; d'un polysaccharide modifié ou non, comme le dextrane et les dextranes modifiés; de la cellulose et ses dérivés; du chitosane et ses dérivés; etc. Le précurseur dans ce 15 cas est un monomère vinylique couplé à cette molécule ou macromolécule. Selon la nature de la réaction qui aura permis le couplage, il pourra également s'agir - à l'inverse de molécules ou de macromolécules porteuses de 20 plusieurs groupements vinyliques activés, et notamment de ceux mentionnés dans la liste ci-dessus. Lorsque plusieurs monomères précurseurs sont utilisés dans le procédé de la présente invention, il peut s'agir d'un mélange de plusieurs monomères 25 vinyliques choisi(s) par exemple parmi les monomères vinyliques précités. Il peut s'agir de manière générale de polymères dont la croissance a été initiée par un initiateur électro-actif dont les produits de réduction ou d'oxydation sont ioniques. Dans le cas o 30 un médiateur a été utilisé, il s'agit de polymères dont la croissance a été initiée par le médiateur électro- actif, et dont les produits de réduction ou d'oxydation sont radicalaires. Peuvent également être mises en oeuvre dans le procédé de la présente invention les réactions 5 d'électro-greffage de monomères cycliques clivables par attaque nucléophile ou électrophile comme les époxydes, les lactones, par exemple l'e-caprolactone, etc. Le principe de ces réactions est le même que pour les monomères vinyliques, mis à part le fait que la 10 croissance du film de polymère s'effectue par ouverture de cycles. Peuvent également être mises en oeuvre dans le procédé de la présente invention les réactions d'électro-greffage de sels de diazonium, de sulfonium, 15 de phosphonium, d'iodonium, d'ammonium, d'alcools, de thiols, etc. Il s'agit de molécules dont la réduction conduit à des radicaux qui s'adsorbent (chimisorbtion) directement sur la surface et ne donnent lieu à aucune croissance (passivation). C'est le cas par exemple des 20 procédés permettant de réaliser des épaisseurs très faibles, proches de la monocouche moléculaire, puisqu'il n'y a pas de croissance de chaînes de type polymérique. Le phénomène de blocage mentionné dans la présente n'est pas celui d'une croissance d'une espèce 25 qui finirait par gêner la croissance d'autres chaînes formées plus tard, mais directement celui des sites métalliques par lesquels le courant peut passer. Peuvent également être mises en oeuvre dans le procédé de la présente invention les réactions 30 d'électro-polymérisation qui sont initiées par exemple par des peracides, thiolates, des sels de diazonium, de sulfonium, de phosphonium, d'iodonium, ou d'autres composés dont le produit de réduction ou d'oxydation est un radical amorceur de polymérisation en présence de monomères polymérisables par voie radicalaire tels 5 que des monomères vinyliques tels que ceux précités, par exemple l'acrylonitrile, etc. Peuvent également être mises en oeuvre des procédés dans lesquels les polymères sont obtenus par voie ionique, par exemple des polymères vinyliques 10 activés, des molécules cycliques clivables par attaque nucléophile ou électrophile initiée par des radicaux anions ou cations de composés tels que les naphtalènes, des sels métalliques et autres composés dont le radical anion ou cation est un amorceur de polymérisation. Par surface simple, au sens de la présente invention, on entend une surface d'un seul tenant, sans aspérités, ayant généralement une surface lisse ou de rugosité contrôlée, en particulier à l'échelle de l'épaisseur que l'on cherche à réaliser. Par surface 20 complexe, au sens de la présente invention, on entend une surface composée de différentes parties distinguables ou distinctes par leur composition et/ou par leur forme, reliées entre elles par des liens conducteurs ou semi-conducteurs, ou des surfaces 25 structurées ou non structurées, présentant des parties en dépression, gravées, en bosses, collées ou plusieurs de ces parties, ainsi que des surfaces qui se trouvent sur différentes parties du support, reliées ou non, sur lesquelles le film doit être greffé selon le procédé de 30 la présente invention. Le procédé de la présente invention, permet une réelle finesse de contrôle de l'homogénéité de l'épaisseur du film ou revêtement organique déposé par réactions électro-initiées autorisant la réalisation de 5 garnitures, appelés aussi revêtements, organiques ultraminces homogènes, d'épaisseur inférieure au pm, c'est à dire à des échelles qui ne sont que très difficilement accessibles industriellement par les procédés précités de l'art antérieur sur des surfaces 10 simples ou complexes. En effet, le potentiel maximal de chaque balayage de potentiel, en valeur absolue par rapport à une électrode de référence, supérieur ou égal à la valeur minimale de potentiel Vbloc conformément au 15 procédé de la présente invention conduit de manière inattendue à une occupation quasi maximale, en général supérieure à 50%de la surface conductrice ou semiconductrice par le, au moins un, monomère électrogreffé dès un premier balayage de potentiel, et même 20 supérieure à 80 voire 90% après quelques balayages seulement. En effet, les présents inventeurs ont constaté que, de manière inattendue, il suffit généralement de deux à cinq balayages de potentiel conformes à la présente invention pour obtenir 25 l'occupation maximale de la surface. Cette situation d'occupation maximale est appelée situation de " blocage ". La croissance des chaînes greffées, quant à elle, à partir des monomères électro- greffés sur la surface, s'effectue par polymérisation purement 30 chimique, c'est-à-dire indépendamment de la polarisation de la surface conductrice qui a donné lieu au greffage. L'occupation étant maximale, les chaînes de polymère sont greffées de manière dense sur le support puisqu'elles sont quasiment debout sur la surface et forment une " brosse ". La conséquence est 5 que l'épaisseur du film est proche de la longueur des chaînes étendues, autorégulée et homogène. Les présents inventeurs sont donc les tous premiers à avoir réalisé, au moyen du procédé de la présente invention, des films de polymère organiques 10 d'épaisseur homogène même à l'échelle moléculaire. Le nombre de balayages de potentiel pour obtenir un occupation maximale de la surface est bien entendu fonction des conditions opératoires, du type de surface et du type de film de polymère organique 15 électrodéposé. Il peut être par exemple de N, N étant un nombre entier positif, avec 1 par le ou les monomère(s) précurseur(s). Selon la présente invention, la détermination de Vbloc par le graphique donnant la quantité de précurseur électro-greffé en fonction du nombre de balayages est bien entendu de préférence réalisée dans les mêmes conditions physicochimiques opératoires que 25 celle utilisées pour l'électrogreffage selon le procédé de l'invention. A titre illustratif, selon le mode particulier de réalisation de la présente invention, le(s) monomère(s) et le(s) solvant(s) nécessaires pour 30 électrogreffer un film polymère selon le procédé de l'invention seront les mêmes que ceux utilisé(s) pour déterminer le Vbloc au moyen du graphique. Dans ce cas, la détermination de Vbloc est réalisée par un graphique donnant l'épaisseur du film polymère organique en fonction du nombre de balayages dans les mêmes 5 conditions physicochimiques opératoires que celle utilisées pour le greffage électro-initié selon le procédé de l'invention. Selon la présente invention, le balayage de potentiels peut être un balayage continu ou discontinu, 10 sinusodal ou en créneaux. Il peut s'agir par exemple d'un balayage en conditions voltammétriques ou en polarisation par multicréneaux. La polarisation par multicréneaux permet un ajustement supplémentaire du rapport entre le temps de polarisation par rapport au 15 temps de repos, si bien qu'on observe en général qu'il est possible d'obtenir un résultat analogue à celui en conditions voltammétriques avec un nombre de balayages plus faible. Le procédé de la présente invention permet 20 également d'atteindre un taux d'occupation maximum de la surface, qu'elle soit simple ou complexe, par le précurseur, par exemple le monomère précurseur d'un film polymère organique, grâce à l'application de ce balayage de potentiels en tout point de ladite surface 25 conformément au procédé de la présente invention. Les présents inventeurs sont donc aussi les tous premiers à résoudre les problèmes techniques de l'art antérieur liés aux effets de chutes ohmiques dues aux inhomogénéité de résistance de surface en nivelant 30 ces effets entre un point et un autre d'une surface simple ou complexe, au sens de la présente invention, grâce au procédé de la présente invention. Le procédé de la présente invention trouve donc des applications très intéressantes notamment pour les surfaces suivantes: Les surfaces de rugosité parfaitement contrôlée, mais constituées par, ou comprenant, des matériaux semi-conducteurs et dont l'aire est très grande devant les rugosités ou les motifs qui ont été 10 ouvragés. C'est le cas par exemple des galettes (" wafers "), par exemple de silicium en microélectronique, dans la réalisation de revêtements pour l'interconnexion cuivre. Dans cette application, il est nécessaire d'effectuer des dépôts de matériaux à 15 basse permittivité diélectrique (" low k dielectrics ") de faible épaisseur, en général moins de 500 nm, avec un contrôle d'épaisseur de l'ordre de quelques dizaines, voire d'une dizaine, de nanomètres sur des disques de 200 voire 300 millimètres de diamètre: tout 20 dépôt de natureélectrochimique suppose la mise en place d'un contact électrique. Souvent, ce contact électrique est réalisé à la périphérie du wafer, et une chute ohmique existe entre le contact électrique périphérique et le centre du " wafer ". Le procédé de 25 la présente invention permet également d'obtenir un film organique d'épaisseur uniforme, même à des épaisseurs inférieures au pm, sur ce type de surface. Les surfaces de matériaux semi-conducteurs dopés pouvant présenter des inhomogénéités de dopage, 30 qui peuvent causer des chutes ohmiques différentielles entre le contact d'amenée de courant et différents points de la surface. Ce peut être par exemple le cas de galettes (" wafers "), par exemple de silicium, présentant des zones de dopage, et alimentées électriquement soit en périphérie (" couronne "), soit 5 en face arrière, c'est-à-dire par exemple par un contact o la face arrière de la galette (" wafers ") a été métallisée totalement ou partiellement. Le procédé de la présente invention permet également d'obtenir un film de organique d'épaisseur uniforme, même à des 10 épaisseurs inférieures au pm, sur ce type de surface. Les surfaces de conducteurs ou de semiconducteurs sur lesquelles des gravures ont été pratiquées. Lorsque l'on tente d'effectuer des dépôts par une voie électrolytique de l'art antérieur, c'est à 15 dire par une réaction électro-suivie, sur de telles surfaces, la contre-électrode est en général une surface plane, ou qui ne possède pas - tout au moins une structure aussi complexe que la surface elle-même. Lorsque la surface de l'objet est mise en regard de la 20 contreélectrode, la distance objet/contre-électrode varie d'un point à un autre de l'objet, ce qui entraîne que ces points ne voient pas la même chute ohmique, car ils ne voient pas le même volume de solution électrolytique entre les deux électrodes, et donc ne 25 sont pas portés exactement au même potentiel. C'est le cas par exemple de " wafers " gravés, qui peuvent porter des gravures larges de quelques centaines de nanomètres pour lesquels il est nécessaire de réaliser des revêtements organiques les plus conformes possibles 30 à la topologie de la gravure. On a tenté dans l'art antérieur de minimiser cet effet de chute ohmique en utilisant - par exemple pour le dépôt métallique - des solutions de force ionique élevée. Cependant, la recette n'était que partiellement suffisante aux échelles de la microélectronique, et il était 5 généralement nécessaire de complexifier quand même la topologie de la contre-électrode pour parfaire l'homogénéisation des lignes de courant arrivant sur la surface à traiter. Le procédé de la présente invention permet de surmonter ces problèmes de l'art antérieur et 10 d'obtenir un film organique d'épaisseur uniforme, même à des épaisseurs inférieures au pm, également sur ce type de surface. Les surfaces conductrices ou semi-conductrices gravées, et dont les gravures possèdent des géométries 15 localement saillantes. Ces zones sont la source " d'effets de pointe ", qui concentrent les lignes de champ, et sont donc à l'origine d'une variation très locale de la chute ohmique apparente. Le plus souvent, cette variation est la source d'une augmentation locale 20 du courant, ce qui a pour effet d'augmenter localement la quantité de matériau déposé (" bosses "), et donc de nuire à l'homogénéité d'épaisseur la conformité du revêtement. Le procédé de la présente invention permet d'obtenir un film de organique d'épaisseur uniforme, 25 même à des épaisseurs inférieures au Pm, également sur ce type de surface. La présente invention trouve par exemple une application dans tout procédé de fonctionnalisation organique d'une surface, c'est à dire dans tout procédé 30 qui consiste à garnir une surface d'un substrat ou d'un support par un film organique. Elle trouve par exemple une application dans le domaine des microsystèmes en général tels que les capteurs, les micromachines, etc., dans lesquels il est nécessaire, pour des raisons de cot notamment, de 5 fonctionnaliser collectivement des circuits imprimés lorsqu'ils sont encore sur leur support de type galette (" wafer ") d'origine, en y déposant des couches organiques pour la lithographie, pour un revêtement (" Chip Scale Package ") etc., ou pour tout 10 autre fonctionnalisation organique de la surface, par exemple pour une adhérence pour le " Polymer FlipChip ", isolation électrique, anti-adhérence de molécules biologiques, etc. Elle trouve également une application dans la 15 réalisation d'une couche isolante ou d'une couche barrière dans les microsystèmes tels que ceux précités, par exemple en microélectronique. Les épaisseurs des couches organiques à déposer dans les différentes applications de la présente 20 invention peuvent être de quelques centaines de nanomètres à quelques microns voire dizaines de microns, pour une surface de wafer dont les dimensions générales sont de 200 voire 300 millimètres. La présente invention trouve aussi une 25 application dans la fabrication des biopuces, par exemple dans les procédés antérieurs à l'adressage collectif de molécules, par exemple de biomolécules. En effet, par exemple sur des supports de type capteur (" wafer ") à protubérances (" Flip-Chip "), des 30 éléments de composants distants, par exemple des plots d'or, doivent parfois être recouverts de revêtements organiques d'épaisseurs identiques pour permettre l'assemblage d'un second composant sans affaissement. Le procédé de la présente invention permet de fournir des films de polymères organiques formant de tels 5 revêtements organiques et permettant des assemblages d'un second composant sans affaissement. La présente invention trouve également une application dans la microélectronique, o le pavage peut être réduit à une zone unique qui couvre la 10 totalité du " wafer ". Les épaisseurs peuvent alors être de l'ordre de la centaine de nanomètres ou moins, avec un contrôle qui doit être de quelque % à l'échelle d'un objet de 200 à 300 millimètres de diamètre. Le procédé de la présente invention permet un tel 15 contrôle. La présente invention trouve également de nombreuses applications dans le domaine de l'optique o l'uniformité du dépôt est directement reliée aux performances de l'objet macroscopique. L'homme du 20 métier sait bien, par exemple, que dans le domaine des biopuces à détection par fluorescence, et plus généralement par détection de nature optique (génération de fréquence somme, génération de seconde harmonique, etc.), l'épaisseur du revêtement organique 25 qui sert de primaire d'accrochage aux séquences d'oligonucléotides marquées est critique dans l'extinction du signal de fluorescence caractérisant le diagnostic d'hybridation: quelle que soit la nature de ce revêtement, la physique du phénomène demande des 30 épaisseurs de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres avec une précision de l'ordre de 10 à 20%, par exemple 60 (10 nanomètres pour un marqueur fluorophore de type Cy3, 80 (10 nanomètres pour un marqueur fluorophore de type CY5, pour optimiser le rapport signal sur bruit. Les mêmes études montrent une 5 extinction quasi totale du signal de fluorescence si l'épaisseur du revêtement de fixation des oligonucléotides venait à approcher la centaine de nanomètres. La miniaturisation des supports de biopuces est actuellement en développement, mais les plots de 10 ces supports ont encore des dimensions caractéristiques supérieures à quelques dizaines voire quelques centaines de microns. La présente invention permet d'obtenir les épaisseurs de film requises dans ces domaines de l'optique. Elle permet donc d'optimiser les 15 performances pour les nouvelles générations de biopuces miniaturisées. La même physique conduit évidemment aux mêmes contraintes dans le domaine de l'optique en général, de l'optoélectronique et du photovoltaque. La présente 20 invention apporte également une réponse à ce type de contraintes. En outre, la présente invention trouve des applications dans la perfection optique des accessoires de mode, o les aspects de surface sont reliés à des 25 épaisseurs de l'ordre des longueurs d'onde du visible, donc faibles devant la taille de l'objet. D'autre caractéristiques et avantages apparaîtrons encore à l'homme du métier à la lecture de 30 la description et des exemples suivants donnés à titre illustratif et non limitatif en référence aux dessins annexés. Description détaillée de l'invention Le procédé de la présente invention repose sur le greffage et la croissance de films organiques par l'intermédiaire de réactions de polymérisation électroinitiées. Il s'agit de réactions électrochimiques dont l'un des produits au moins est adsorbé par 10 physisorption ou chimisorption sur la surface, ce produit pouvant lui-même être impliqué dans une chimie couplée au transfert de charge, et en particulier une chimie qui provoque la croissance du film organique sur la surface o l'électro-initiation a eu lieu. La particularité de cette chimie couplée est que sa cinétique et/ou sa thermodynamique ne sont pas corrélées au courant électrique qui accompagne l'électro-initiation. Il s'agit de réactions chimiques, autonomes, c'est-à-dire non électrochimiques, dont les 20 paramètres d'avancement ou d'interruption peuvent être reliés par exemple à la concentration des espèces électro-actives, à la température, à la nature du solvant, ou encore à la présence d'un additif particulier dans la solution, mais o le courant 25 électrique reste un paramètre qui n'intervient pas directement pour ce qui est de l'épaisseur du revêtement ou film organique finalement obtenu. Les figures la) et b) annexées illustrent les mécanismes réactionnels électrochimiques mis en 30 jeu dans un exemple illustratif de réalisation du procédé de la présente invention, lorsque le monomère précurseur du polymère organique est de l'acrylonitrile. L'électro-greffage est réalisé sous polarisation cathodique, la croissance des chaînes greffées s'effectue par polymérisation anionique. Le courant électrique mesuré correspond à la fabrication du radical anion adsorbé sur la surface (S) par transfert électronique sur la figure la). Comme l'indique ce schéma réactionnel, 10 seule une partie des radicaux anions ainsi créés vont posséder une durée de vie suffisante pour être les initiateurs d'une réaction de polymérisation. L'autre partie de ces radicaux va désorber pour produire du polymère en solution, libérant ainsi 15 des sites métalliques sur lesquels d'autres monomères vont pouvoir venir s'adsorber pour être réduits à leur tour (figure lb)). Ceci renseigne sur l'absence de corrélation directe qui peut exister entre le courant 20 voltammétrique et l'obtention du greffage dans le procédé de la présente invention. Généralement, le courant voltammétrique diminue à chaque balayage, ce qui correspond à une occupation progressive de plus en plus importante 25 des sites métalliques de la surface (S) par des chaînes de polymère greffées. Ce courant finit par s'annuler quasiment complètement, pour un nombre de balayages suffisant, lorsque le taux d'occupation des sites de la surface initiale est tel qu'il n'y 30 a plus suffisamment de place disponible pour la croissance d'une nouvelle chaîne. Dans ce cas, l'éventuel courant résiduel qui peut exister, même s'il est d'ordinaire très faible, correspond majoritairement à l'étape de la figure lb) du schéma réactionnel: le greffage en tant que tel 5 est arrivé à son terme, c'està-dire que le taux maximal de chaînes par unité de surface a été atteint. Il est important maintenant d'examiner ce qu'il est advenu des chaînes de polymère greffées 10 en croissance: dans l'étape de la figure la) du schéma réactionnel, on constate que la croissance des chaînes est identique en tous points à ce qui se déroule dans une polymérisation anionique quelconque, qu'elle soit d'ailleurs électro-initiée 15 ou non. Cette croissance est essentiellement pilotée par la concentration en monomères ainsi qu'en inhibiteurs de polymérisation. La faible longueur des chaînes obtenues par électro-greffage laisse supposer 20 qu'il y a une certaine gêne entre des extrémités en croissance voisines, et que la cinétique de propagation est probablement inférieure à celle qui pourrait être observée du fait d'une initiation en solution. Quoi qu'il en soit, et même si le mécanisme détaillé lié à 25 la croissance des chaînes de polymère greffées n'est pas complètement élucidé, on peut retenir schématiquement que les longueurs des chaînes électrogreffées n'est pas reliée à l'étape d'électro-greffage elle-même: chaque monomère greffé donnant lieu à un 30 départ de chaîne a consommé un électron et un seul, et le protocole électrochimique n'a ensuite plus de contrôle sur la réaction de propagation. Une conséquence essentielle du procédé de la présente invention est qu'il est ainsi possible de régler les épaisseurs avec une assez grande précision en réalisant un taux d'occupation des sites plus ou moins élevé: lorsque les chaînes sont greffées de manière " clairsemées " sur le support, elles ont tendance à se coucher sur la surface, l'épaisseur mesurée du film obtenu est faible et probablement non homogène, tout au 10 moins à l'échelle moléculaire. Lorsque les chaînes de polymère sont greffées de manière dense sur le support, c'est à dire dans les conditions de balayages de potentiel selon le procédé de la présente invention, elles sont quasiment debout 15 sur la surface et forment une " brosse " et l'épaisseur du film est proche de la longueur des chaînes étendues. C'est donc, pour une solution électrolytique de composition donnée, davantage le taux d'occupation de la surface qui conditionne l'épaisseur obtenue suivant 20 le procédé de la présente invention, et non la croissance des chaînes en elles-mêmes. Or, comme il a été décrit plus haut, le taux d'occupation peut être augmenté graduellement, jusqu'à une valeur limite, o les croissances de chaînes sont empêchées par 25 l'encombrement trop élevé sur la surface. Comme ce taux d'occupation conditionne l'épaisseur, l'épaisseur des revêtements électro-greffés selon le procédé de la présente invention est bien " autorégulée ". Le procédé de la présente invention utilise un 30 monomère précurseur du polymère organique. Une fois activé, c'est à dire réduit ou oxydé, ce monomère devient la source d'une chimie conduisant à la production de molécules ou de macromolécules qui vont gêner elles-mêmes la production de leurs semblables, jusqu'à bloquer l'ensemble du processus. Une fois le 5 processus bloqué, le monomère électro-actif peut éventuellement continuer à être réduit ou oxydé, mais la chimie couplée au transfert de charge est limitée à la formation d'espèces solubles ou ne provoquant plus de modifications de la première couche moléculaire du 10 monomère précurseur fixée sur la surface du support, et les caractéristiques du film ou revêtement, par exemple son épaisseur, se stabilisent. Ce mécanisme est très probablement à la source de l'autorégulation de l'épaisseur du film qui est observée en utilisant le 15 procédé de la présente invention. Dans la pratique, il est nécessaire d'examiner les conditions opératoires par lesquelles on peut atteindre la borne supérieure du taux d'occupation des surfaces, c'est-à-dire la situation de blocage et 20 d'autorégulation mentionnée ci-dessus, et dans quelle mesure elle peut être atteinte avec une certaine tolérance sur les chutes ohmiques, c'est-à-dire sur une gamme de potentiels. La détermination du potentiel Vbloc, c'est à 25 dire la valeur minimale de potentiel utilisée comme potentiel d'arrêt en conditions voltammétriques, ou comme potentiel de plateau en polarisation par multicréneaux, pour le greffage et la croissance d'un film de polymère organique donné conformément au 30 procédé de la présente invention est réalisée au moyen des courbes d'un graphique donnant l'épaisseur dudit film polymère organique électrogreffé en fonction du nombre de balayages. La figure 5 annexée représente un tel graphique. Sur cette figure, Tr (%) représente le 5 pourcentage de transmission à la longueur d'onde d'absorption du vibrateur des liaisons nitriles CN du film électro-greffé (mesuré en spectroscopie infrarouge en réflexion, ou IRRAS), et N le nombre de balayages. L'abaque de la Figure 4 montre que ce %- de transmission 10 est relié à l'épaisseur du film électro-greffé, mesurée indépendamment par profilométrie. Sur cette figure Vbloc, est la valeur de potentiel à partir de laquelle les courbes donnant l'épaisseur du film électro-greffé en fonction du 15 nombre de balayages sont toutes superposées. Dans cet exemple, dans lequel le monomère précurseur est du méthacrylonitrile, Vbloc est de de -2,3 à -2,5 V(Ag+/Ag), de préférence d'environ -2,4 V/(Ag+/Ag). L'électrogreffage selon la présente invention peut être suivit au moyen d'un voltammogramme typique pour les réactions d'électro-greffage tel que représenté sur la figure 2 annexée. Cette figure représente le courant (en mA) en fonction du potentiel 25 (-E) auquel est soumise la surface, ce potentiel étant repéré par rapport à une électrode de référence en argent. Les flèches horizontales indiquent les balayages de potentiels. V représente le potentiel à un temps t, au cours des balayages. Ce voltammogramme est caractérisé par les potentiels critiques suivants: * Pour V * Pour Vs * Pour Vg Vbloc que des balayages répétés permettront d'atteindre le processus de blocage selon la présente invention. Dans un autre mode de réalisation du procédé de la présente invention, le même résultat peut être 30 obtenu avec des multi-créneaux de potentiel. * Pour V > Vbloc, le courant électrique est limité, soit par la diffusion, soit par la réaction de polymérisation en solution. De façon générale, on n'observe plus - au-delà d'un nombre minimal de 5 balayages - de modification sensible de l'épaisseur du film obtenu dans cette zone de potentiel, puisque le blocage de la réaction de greffage a eu lieu. Sur la figure 5, on observe que quel que soit 10 le potentiel d'arrêt Vfin, l'épaisseur du film électrogreffé est bornée en fonction du nombre de balayages: les courbes donnant l'épaisseur en fonction du nombre de balayages possèdent une asymptote, qui permettent d'apprécier l'épaisseur limite que l'on peut atteindre 15 en utilisant un potentiel d'arrêt Vfin donné comme paramètre de la synthèse. La figure 6 représente le % de transmittance du marqueur nitrile correspondant à ces épaisseurs limites en fonction du potentiel d'arrêt Vfin des balayages 20 voltammétriques utilisés, d'après les données de la figure 5. On observe qu'il existe un potentiel cathodique, Vbloc, au-delà duquel l'épaisseur du film électro-greffé est indépendant du potentiel Vfin utilisé: cette observation sert à définir le potentiel 25 de blocage VblOc. Ainsi, selon la présente invention, une succession de balayages voltammétriques avec un potentiel final Vfin " flou ", par exemple sous l'effet d'une chute ohmique parasite ou due à une surface 30 complexe, n'aura pas d'influence sur la qualité du film organique greffé, en particulier sur son épaisseur, tant que le potentiel Vfin effectif sera supérieur à VblOc partout sur la surface sur laquelle le film doit être greffé. Ainsi, lorsque l'on réalise l'électro-greffage 5 par balayages voltammétriques selon le procédé de la présente invention, par exemple à partir d'un potentiel initial de -0,7 V/(Ag+/Ag) à une vitesse de balayage de 100 mV/s, sur une surface d'or, d'une solution à 2,5 mol/l de méthacrylonitrile dans la diméthyl 10 formamide (DMF) en présence de 10-2 mol/l de perchlorate de tétraéthyl ammonium (TEAP): on a Vs (-1,6 V/(Ag+ /Ag), Vpic = -2,25 V/(Ag+/Ag), Vg (-2,2 V/(Ag+/Ag), Vbloc (-2,3 V/(Ag+/Ag) . Les courants observés sont de l'ordre du milliampère. Conformément au procédé de la présente invention, le potentiel maximal de chaque balayage de potentiel doit en conséquence être atteint, au minimum, en tout point de la surface sur laquelle est greffé le film polymère pour obtenir un film d'épaisseur 20 uniforme. Considérons une première et une deuxième surfaces d'or connectées électriquement en série, mais séparées par une résistance de 100 kQ, dont l'une est connectée à un potentiostat. I1 s'agit d'une surface 25 complexe au sens de la présente invention. Pour des courants de l'ordre du milliampère, la chute ohmique entre les deux surfaces d'or est de l'ordre de 100 mV. Ainsi, si la première surface connectée au potentiostat est par exemple polarisée jusqu'à -2,35 V/(Ag+/Ag) ou 30 si, en conditions voltammétriques, le potentiel final du balayage est de Vfin = -2,35 V/(Ag+ /Ag), la seconde surface, connectée à la première, ne verra, elle, qu'un potentiel d'environ -2,25 V/(Ag+/Ag), soit très proche du potentiel de greffage Vg. Même après plusieurs balayages, les inventeurs ont observé un film électro5 greffé moins épais sur la première surface directement connectée au potentiostat, que sur la deuxième surface. Si la première surface connectée au potentiostat est portée à un potentiel de -2,6 V/(Ag+/Ag) ou si, en conditions voltammétriques, 10 le potentiel final du balayage est de Vfin = -2,6 V/(Ag+/Ag), le potentiel auquel est porté la seconde surface est de -2,5 V/(Ag+/Ag), supérieur au potentiel de blocage. Ainsi, le potentiel maximal de chaque balayage est supérieur à Vbloc en tout point de 15 cette surface complexe. Pour un nombre de balayages voltammétriques suffisant, un film électro-greffé est obtenu sur les deux surfaces, d'épaisseurs identiques. Le film obtenu a une épaisseur uniforme de 90 nanomètres environ pour 10 balayages sur toute la 20 surface. Les valeurs de Vg et de Vbloc sont difficiles à indiquer avec une grande précision pour une généralisation. En effet, pour Vg, il s'agit de la valeur à laquelle on est en mesure de mettre en 25 évidence un film électro-greffé: cette appréciation peut varier aussi en fonction du moyen d'analyse de surface mis en oeuvre pour obtenir cette détection, car la sensibilité d'un appareil de spectroscopie infrarouge en réflexion, par exemple, n'est pas la même 30 que celle d'un appareil de spectroscopie de photoélectrons X. Comme indiqué dans les exemples de réalisation cidessous, des barres d'erreur sont associées à la mesure des épaisseurs selon la technique de mesure utilisée, par exemple par profilométrie ou 5 ellipsométrie, ce qui, combiné à la tolérance autorisée sur la notion " d'uniformité d'épaisseur ", peut conduire à un certain flou sur la valeur du potentiel de saturation Vbloc. Il est à noter que ce flou n'est pas intrinsèque au procédé, mais aux choix de 10 l'opérateur sur la finesse de son contrôle. L'homme du métier saura aisément adapter le procédé de la présente invention en suivant les indications fournies dans cette description pour 15 obtenir une épaisseur uniforme de film sur toute la surface. Les présents inventeurs ont également mis en évidence que les réactions électro-initiées selon le procédé de l'invention sont aussi des réactions 20 possédant un seuil flou de déclenchement en potentiel. Ils ont astucieusement tiré parti de cette observation pour obtenir, sur deux zones distantes, des dépôts organiques d'épaisseurs différentes simultanément contrôlées, en reliant électriquement ces deux zones en 25 série via une impédance judicieusement choisie. Par exemple, on peut relier deux plots d'or d'un même " wafer " par une résistance électrique de 100 kQ. En utilisant, dans les conditions voltammétriques précédemment indiquées, un potentiel d'arrêt de 30 Vfin = -2,30 V/(Ag+/Ag), la surface reliée au potentiostat " verra " un potentiel de -2,30 V/(Ag+/Ag), alors que la surface reliée à la première ne verra qu'un potentiel de -2,20 V/(Ag+/Ag): d'après la figure 5, on voit qu'un film donnant une transmittance de 1,5% sera formé sur la surface reliée 5 au potentiostat, alors que le film formé sur la surface reliée à la première via la résistance n'aura une épaisseur que de 0,9%. A l'inverse, lorsque l'on veut obtenir deux épaisseurs données à deux endroits différents, on 10 choisit le potentiel d'arrêt comme celui donnant la plus grande des deux épaisseurs (figure 5), et les données de la figure 5 permettent de déterminer le potentiel que doit " voir " la zone sur laquelle on veut déposer la seconde épaisseur. Connaissant le 15 courant électrique relié à la réaction d'électrogreffage, on peut ainsi déterminer l'impédance qui doit être insérée entre les deux zones de la surface sur lesquelles on veut des épaisseurs différentes. Brève description des figures - Les figures la) et b) sont une illustration schématique des réactions électrochimiques en jeu dans le procédé de la présente invention, lorsque le monomère précurseur du polymère organique est l'acrylonitrile. - La figure 2 est un voltammogramme type accompagnant une réaction d'électro-greffage d'un monomère vinylique activé. Les potentiels sont à considérer en valeur absolue, ils sont en fait négatifs pour une polarisation cathodique, et positifs pour une 30 polarisation anodique. - La figure 3 représente des voltammogrammes obtenus sur or à 100 mV/s des premier et dixième balayages d'une solution à 2,5 mol/l de méthacrylonitrile dans la DMF en présence de TEAP. - La figure 4 est un abaque montrant l'épaisseur de films de polyméthacrylonitrile (PMAN), mesurée par profilométrie, en fonction de la transmittance de la bande des groupements nitrile (Tr (%))du PMAN à 2200 cm-l obtenue par IRRAS. - La figure 5 est une représentation graphique de l'épaisseur de films de polyméthacrylonitrile (PMAN) électro-greffés sur or en conditions voltammétriques, en fonction du nombre de balayages, pour différentes valeurs du potentiel 15 d'arrêt. - Figure 6: est une représentation graphique de l'épaisseur de films de polyméthacrylonitrile (PMAN) (évaluées via la transmittance du marqueur nitrile en IRRAS) électro-greffés sur or en conditions 20 voltammétriques,en fonction du potentiel d'arrêt Vfin utilisé dans un protocole opératoire en conditions voltammétriques. Les transmittances utilisées sont celles des asymptotes observées dans le protocole de la figure 5. - La figure 7: est une représentation schématique vue de dessus des lames utilisées: Si épitaxié puis dopé n sur substrat SOI, puis sous-couche de titane/nickel sur la moitié de la lame, et enfin dépôt d'or sous vide sur la sous-couche d'adhésion. - La figure 8: est un spectre IRRAS de films de Poly 4-Vinyl Pyridine (P4VP) obtenus par électro- greffage sur or, pour différents potentiels d'arrêt Vfin. - La figure 9: est une représentation graphique de la variation de l'épaisseur, mesurée par 5 profilométrie, de films de P4VP obtenus par 20 balayages voltammétriques entre le potentiel d'équilibre et différents potentiels d'arrêt Vfin. - La figure 10: est un spectre IRRAS de films de polybutylméthacrylate (PBUMA) obtenus par électro10 greffage sur or, pour différents potentiels d'arrêt Vf in. - Figure 11: est une représentation graphique de la variation de l'épaisseur, mesurée par profilométrie, de films de PBUMA obtenus par 20 15 balayages voltammétriques entre le potentiel d'équilibre et différents potentiels d'arrêt Vfin. Sur ces figures: " S " représente la surface; " Vp " représente le potentiel de pic; " Vg " 20 représente le potentiel seuil à partir duquel l'électrogreffage apparaît sur la surface; " Vs " le potentiel seuil endeça duquel il n'y a pas de courant sur la surface; " Vi " le potentiel initial de balayage; " B " indique le balayage en potentiel; 25 " Vb " indique Vbloc, un potentiel de blocage; " Vf " indique le potentiel final de balayage en potentiel de la surface; " C " le courant en mA; " I " l'intensité en SA; " e " l'épaisseur en nm; " Tr " la transmission en %; " N " le nombre de cycles ou nombre 30 de balayage de potentiel; " NO " le nombre d'onde en cm-1. Exemples EXEMPLE 1: QUALIFICATION DES POTENTIELS CRITIQUES POUR L'ELECTRO-GREFFAGE DU METHACRYLONITRILE SUR OR On utilise comme électrodes de travail des lames de verre, de type lames de microscope, recouvertes d'un dépôt d'or obtenu par évaporation sur une sous-couche de chrome. Un montage à trois électrodes standard est utilisé, avec une électrode 10 d'argent comme électrode de référence. Les trois électrodes plongent dans une solution à 2,5 mol/l de méthacrylonitrile dans la diméthyl formamide (DMF) en présence de 10-2 mol/l de perchlorate de tétraéthyl ammonium (TEAP). A l'aide d'un 15 potentiostat, on applique aux électrodes de travail un balayage linéaire de potentiel à 100 mV/s depuis un potentiel Vi = -0,6 V/(Ag+/Ag) jusqu'à un potentiel Vfin et retour. La Figure 3 annexée montre le voltammogramme du 20 premier balayage (lB) sur lequel le système se déplace, ainsi que du dixième balayage (10B). Chaque lame, utilisée comme électrode de travail voit, pour un potentiel Vfin donné, un certain nombre de balayages en potentiel entre Vi et Vfin. La 25 lame est sortie, rincée à la DMF, séchée. On mesure ensuite l'épaisseur du film électro-greffé obtenu à partir de son spectre infrarouge en réflexion (IRRAS), à l'aide de l'abaque représenté sur la figure 4 annexée. Le même travail est réalisé sur plusieurs séries de lames obtenues avec des potentiels d'arrêt Vfin de -2,10; -2,15; -2,20; 2,25; -2,30; -2,35 et -2,40 V/(Ag+/Ag) La courbe donnant l'épaisseur des films obtenus sur les différentes lames en fonction du nombre de 5 balayages pour ces différents potentiels d'arrêt, ou potentiels maximum de balayages, est indiqué à la figure 5 annexée. On observe que les courbes sont toutes confondues pour Vfin (-2,30 V/(Ag+ /Ag) qui correspond 10 ainsi au potentiel de saturation ou blocage dans le cadre des mesures d'épaisseur effectuées (voir figure 6). Cette valeur de potentiel correspond à Vbloc au sens de la présente invention pour ce film de polymère organique. On observe de plus que pour un potentiel d'arrêt supérieur au potentiel de saturation, la reproductibilité en épaisseur est de très bonne qualité, puisque la variation observée est ici de l'ordre de 5 à 10 nm. Cet exemple montre qu'une épaisseur de film homogène peut être obtenue grâce au procédé de la présente invention en utilisant comme potentiel maximal de chaque balayage le potentiel Vbloc déterminé sur le graphique de la figure 5 annexée. 25 EXEMPLE 2: OBTENTION DE FILMS ELECTRO-GREFFES D'EPAISSEURS ANALOGUES SUR DEUX PLOTS CONNECTES AU POTENTIOSTAT VIA UNE IMPEDANCE RESPECTIVEMENT NULLE ET NON NULLE Le but de cet exemple est de démontrer que l'on peut réaliser un contrôle de l'épaisseur d'un film électro-greffé malgré la présence d'une chute ohmique entre le potentiostat et la surface conductrice sur laquelle l'électro-greffage a lieu. Les surfaces choisies pour illustrer cet 5 exemple sont des lames composites obtenues à partir d'un substrat SOI (SiO2) sur lequel on réalise un dépôt de silicium par épitaxie, puis un dopage ionique n, puis un dépôt d'or, sous vide, sur la moitié de la lame, en ayant au préalable déposé une sous-couche 10 titane/nickel d'adhésion de quelques nanomètres. Les échantillons obtenus sont représentés schématiquement sur la Figure 6 annexée. Il s'agit de surfaces complexes au sens de la présente invention. Ces échantillons sont utilisés comme électrodes 15 de travail dans une cellule électrochimique à trois électrodes. La synthèse est réalisée en suivant le protocole suivant: - Solution: Méthacrylonitrile (40 %) dans DMF, 20 en présence de 5.10-2 M de tétraéthyl-ammonium perchlorate (TEAP); - Cellule: téflon, sans compartiments séparés, volume 13 ml; - Contreélectrode: feuille de Pt 10,4 cm2; 25 - Electrode de référence: Ag/AgClO4; - Surface électrode de travail: 6,6 cm2; - Electrochimie: N cycles, conditions voltammétriques: 100 mV/s: Von = -0,6 V/(Ag+/Ag) à Vfin (variable). La totalité de la lame est 30 trempée dans le milieu de synthèse. Le contact électrique (pince crocodile) est réalisé soit sur l'or soit sur le silicium; - Rinçage électrode: 15 minutes sous ultrasons dans l'acétone +15 minutes sous ultrasons dans l'eau. Trois essais complémentaires sont réalisés: (i) le contact électrique de l'électrode de travail est pris sur le plot d'or. La lame est traitée 10 par balayages voltammétriques, jusqu'à un potentiel d'arrêt de -2,4 V/(Ag+/Ag) ; (ii) le contact électrique de l'électrode de travail est pris sur le plot de silicium. La lame est traitée par balayages voltammétriques, jusqu'à 15 un potentiel d'arrêt de -2,4 V/(Ag+/Ag); (iii) le contact électrique de l'électrode de travail est pris sur le plot de silicium. La lame est traitée par balayages voltammétriques, jusqu'à un potentiel d'arrêt de -2,6 V/(Ag+/Ag). 20 Les épaisseurs en (mm) des revêtements de polyméthacrylonitrile obtenus sur l'or sont mesurées par profilométrie, en fonction de la transmittance (en %) de la bande des groupements nitrile du PMAN à 25 2200 cm-' obtenue par IRRAS. Les résultats sont représentés sur la figure 4 annexée. Le tableau 1 suivant résume les conditions opératoires et épaisseurs des revêtements de polyacrylonitrile obtenus sur le plot d'or 30 d'échantillons du type de celui représenté sur la figure 6 selon que le contact électrique (pince crocodile) est pris sur le plot d'or (i) ou sur le plot de silicium (ii) et (iii). *Tableau 1 -Vfn Epaisseur Expérience N Expérience N (V/(Ag+/Ag)) (nm) (i) 50 - 2,4 48 ( 5 (ii) 50 - 2,4 10 ( 5 (iii) 50 - 2,6 38 (5 Dans les conditions opératoires choisies, le potentiel de blocage Vbloc est sensiblement le même que celui de l'exemple 1. Les conditions des expériences (i) et (ii) sont 10 telles que le potentiel d'arrêt est proche du potentiel de blocage, mais dans l'expérience (ii) une chute ohmique existe entre la borne du potentiostat et le plot d'or, si bien que le potentiel effectivement " vu " par le plot d'or est inférieur au potentiel de 15 blocage: l'épaisseur du film de polyméthacrylonitrile est sensiblement inférieure à celle obtenue dans l'expérience (i). Dans l'expérience (iii), on reproduit l'expérience (ii), mais en imposant cette fois un 20 potentiel d'arrêt plus cathodique que le potentiel de blocage, on observe que l'on parvient à retrouver sur le plot d'or une épaisseur comparable à celle obtenue dans l'expérience (i). La chute de potentiel causée par le plot de 25 silicium, qui n'a pas été mesurée, peut donc être estimée à environ 200 mV. Les résultats montrent que c'est bien la valeur du potentiel de l'électrode de travail qui, pour un nombre de balayages voltammétriques suffisant, permet de contrôler l'épaisseur du film électro-greffé. En outre, les films obtenus sont d'épaisseur homogène sur chaque surface conformément à la présente invention, lorsque le potentiel maximum de chaque balayage est supérieur à Vbloc en tout point de la surface, c'està-dire, compte tenu de la chute de 10 potentiel (ohmique) précitée, lorsque le potentiel dans le cas (ii) au niveau du contact électrique est, en valeur absolue, supérieur ou égal à Vbjo0 + 200 mV. En effet, le potentiel au niveau du plot d'or est alors supérieur ou égal à Vbloc, ce qui assure une épaisseur 15 de film uniforme sur cette surface complexe au sens de la présente invention. EXEMPLE N 3: QUALIFICATION DU POTENTIEL VBLOC POUR L'ELECTRO-GREFFAGE DE LA 4-VINYL PYRIDINE SUR OR On utilise comme électrodes de travail des lames de verre recouvertes d'or telles que décrites dans l'exemple n l. Un montage à trois électrodes standard est utilisé, avec une électrode d'argent comme électrode de 25 référence. Les trois électrodes plongent dans une solution à 30% de 4-vinyl pyridine distillée dans la DMF commerciale en présence de 5.10-2 mol/l de perchlorate de tétraméthyl ammonium (TMAP). A l'aide d'un potentiostat, on applique aux 30 électrodes de travail 20 cycles d'un balayage linéaire de potentiel à 100 mV/s depuis un potentiel initial Vi égal au potentiel d'équilibre jusqu'à un potentiel Vfin et retour. Ce nombre de cycles a été choisi par les inventeurs car il correspond au nombre minimal de cycles, pour ce monomère et dans ces conditions 5 opératoires, permettant d'atteindre l'asymptote de la courbe donnant l'épaisseur en fonction du nombre de cycles en conditions voltammétriques. Quatre potentiels Vfin sont considérés: -2,4, -2,5, -2,6 et -2,7 V/(Ag+ /Ag). Dans les conditions 10 opératoires, le potentiel de pic est égal à -2,4 V/(Ag+/Ag). Chaque lame est sortie, rincée à la DMF, séchée sous courant d'azote. On mesure ensuite l'épaisseur du film électro-greffé obtenu à partir de son spectre 15 infrarouge en réflexion IRRAS représenté sur la figure 8 annexée, à l'aide d'un abaque adapté. La mesure de ces épaisseurs est également effectuée de façon indépendante par profilométrie, et l'on observe que les résultats sont cohérents entre les deux types de 20 mesures. La courbe donnant l'épaisseur des films obtenus sur les différentes lames en fonction du nombre de balayages pour ces différents potentiels d'arrêt est indiqué sur la figure 9 annexée. On observe une asymptote d'épaisseurs pour Vfin (-2,60 V/(Ag+/Ag), qui correspond ainsi au potentiel de saturation VblOc pour la 4-vinyl pyridine sur or dans le cadre des mesures d'épaisseur effectuées. On observe que pour un potentiel d'arrêt supérieur au potentiel de 30 saturation, la reproductibilité en épaisseur est de très bonne qualité, puisque la variation observée est de l'ordre de 5 à 10 nm. EXEMPLE N 4: QUALIFICATION DU POTENTIEL VBLOC POUR L'ELECTRO-GREFFAGE DU BUTYL METHACRYLATE (BUMA) SUR OR On utilise comme électrodes de travail des lames de verre recouvertes d'or telles que décrites dans l'exemple n l. Un montage à trois électrodes standard est 10 utilisé, avec une électrode d'argent comme électrode de référence. Les trois électrodes plongent dans une solution à 30% de butyl méthacrylate (BuMA) dans la DMF commerciale en présence de 5.10-2 mol/l de perchlorate de tétraméthyl ammonium (TMAP). A l'aide d'un potentiostat, on applique aux électrodes de travail 20 cycles d'un balayage linéaire de potentiel à 100 mV/s depuis un potentiel initial Vi égal au potentiel d'équilibre jusqu'à un potentiel Vfin et retour. Ce nombre de cycles a été choisi car il 20 correspond au nombre minimal de cycles, pour ce monomère et dans ces conditions opératoires, permettant d'atteindre l'asymptote de la courbe donnant l'épaisseur en fonction du nombre de cycles en conditions voltammétriques. Quatre potentiels Vfin sont considérés: -2,4, -2,7, et -2,9 V/(Ag+/Ag). Dans les conditions opératoires, le potentiel de pic est égal à -2,73 V/(Ag+/Ag). Chaque lame est sortie, rincée à la DMF, séchée 30 sous courant d'azote. On mesure ensuite l'épaisseur du film électro-greffé obtenu à partir de son spectre infrarouge en réflexion IRRAS représenté sur la figure 10 annexée, à l'aide d'une abaque adaptée. La mesure de ces épaisseurs est également effectuée de façon indépendante par profilométrie, et l'on observe que les 5 résultats sont cohérents entre les deux types de mesures. La courbe donnant l'épaisseur des films obtenus sur les différentes lames en fonction du nombre de balayages pour ces différents potentiels d'arrêt est 10 indiqué sur la figure 11. On observe une asymptote d'épaisseurs pour Vfin (-2,60 V/(Ag+/Ag), qui correspond ainsi au potentiel de saturation dans le cadre des mesures d'épaisseur effectuées conformément au procédé de la présente 15 invention. On observe que pour un potentiel d'arrêt supérieur au potentiel de saturation, la reproductibilité en épaisseur est de très bonne qualité, puisque la variation observée est de l'ordre de 5 à 10 nm. REVENDICATIONS 1. Procédé de garniture d'une surface simple ou complexe, conductrice ou semi-conductrice de 5 l'électricité, par un film organique à partir d'au moins un précurseur dudit film organique, caractérisé en ce que la garniture de la surface par le film organique est réalisée par greffage électro-initié dudit, au moins un, précurseur sur ladite surface par 10 application sur cette surface d'au moins un balayage de potentiels effectué de manière à ce qu'en tout point de ladite surface le potentiel maximal de chaque balayage de potentiels, en valeur absolue et par rapport à une électrode de référence, est supérieur ou égal à la 15 valeur de potentiel (VblOc) à partir de laquelle les courbes d'un graphique exprimant la quantité de précurseur électro-greffé sur une surface identique à ladite surface en fonction du nombre de balayages de potentiel sont toutes superposées et indépendantes de 20 ce potentiel Vbloc. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le film organique est un film polymère organique et le précurseur est un monomère électro-actif 25 précurseur dudit film polymère organique. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le monomère précurseur du polymère organique est un monomère vinylique ou un mélange de monomères 30 vinyliques. 4. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le, au moins un, monomère précurseur du polymère organique étant un monomère vinylique, il est choisi à partir du groupe constitué des monomères vinyliques 5 comme l'acrylonitrile, le méthacrylonitrile, le méthacrylate de méthyle, le méthacrylate d'éthyle, le méthacrylate de butyle, le méthacrylate de propyle, le méthacrylate d'hydroxyéthyle, le méthacrylate d'hydroxypropyle, le méthacrylate de glycidyle, les 10 acrylamides et notamment les méthacrylamides d'aminoéthyle, propyle, butyle, pentyle et hexyle, les cyanoacrylates, le polyéthylène glycol di-méthacrylate, l'acide acrylique, l'acide méthacrylique, le styrène, le parachlorostyrène, la N-vinyl pyrrolidone, la 415 vinyl pyridine, les halogénures de vinyle, le chlorure d'acryloyle, le chlorure de méthacryloyle, et de leur dérivés. 5. Procédé selon la revendication 2, dans 20 lequel la polymérisation électro-initiée consiste en un électro-greffage de monomères cycliques clivables par attaque nucléophile ou électrophile. 6. Procédé selon la revendication 2, dans 25 lequel la polymérisation électro-initiée consiste en un électro-greffage de sels de diazonium, de sulfonium, de phosphonium ou d'iodonium. 7. Procédé selon la revendication 2, dans 30 lequel la polymérisation électro-initiée est initiées par des sels de diazonium, de sulfonium, de phosphonium ou d'iodonium, en présence de monomères polymérisables par voie radicalaire tels que des monomères vinyliques ou des molécules cycliques clivables. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le précurseur est un monomère vinylique couplé à une molécule ou une macromolécule choisie dans le groupe constitué d' un polymère comme le polyéthylène glycol; d'une base azotée ou d'une base azotée 10 dérivée; d'un oligonucléotide; d'un peptide; d'un acide gras; d'un glucide; d'un polysaccharide modifié ou non; de la cellulose et ses dérivés et du chitosane et ses dérivés. 9. Procédé selon la revendication 2, dans lequel N balayages de potentiels sont appliqués, N étant un nombre entier positif, avec 1 10. Procédé selon la revendication 2, dans 20 lequel le balayage de potentiel est un balayage voltammétrique ou en multicréneaux. 11. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le monomère précurseur étant le méthacrylonitrile, Vbloc est de -2,3 à -2,5 V(Ag+/Ag). 12. Garniture obtenue par le procédé de la revendication 1. 13. Utilisation d'un procédé selon la revendication 1, pour la fonctionnalisation organique d'une surface. 14. Utilisation d'un procédé selon la revendication 1, pour la fabrication d'une biopuce ou d'un capteur. 15. Utilisation d'un procédé selon la revendication 1 pour réaliser une couche isolante ou une couche barrière dans un microsystème. 16. Utilisation d'un procédé selon la revendication 1 pour réaliser une couche isolante ou une couche barrière en microélectronique.