Brevet FR2843484A1 — publié le 20040213

DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPRENANT UNE RESISTANCE FORMEE PAR UNE PELLICULE DE SILICIUM La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur utilisant une pellicule de silicium en tant que résistance. De façon classique, on a employé une pellicule de silicium telle qu'une pellicule de silicium polycristallin en tant que matériau d'une résistance à former dans un dispositif à semiconducteur. Les figures 38 et 39 sont respectivement une vue de dessus et une vue en coupe qui montrent un dispositif à semiconducteur classique 10 comprenant une résistance formée par une pellicule de silicium polycristallin. Dans le dispositif à semiconducteur, une résistance 30 est formée par une pellicule de silicium polycristallin et est placée sur une région d'isolation 2 dans un substrat semiconducteur 1. Des plots de contact 5a et 5b sont connectés aux deux extrémités d'une surface de la résistance 15 30. Les plots de contact 5a et 5b sont respectivement connectés à des interconnexions 6a et 6b formées sur une première pellicule isolante inter-couche 4a. Une seconde pellicule isolante inter-couche 4b est formée sur les interconnexions 6a et 6b. Le substrat semiconducteur 1 est par exemple un substrat en 20 silicium, et la région d'isolation 2 est formée par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium. Des régions actives la et lb ayant un ion d'impureté implanté avec une concentration élevée sont formées sur une surface du substrat semiconducteur 1. En outre, les plots de contact 5a et 5b sont formés par exemple par des plots de tungstène, et les intercon25 nexions 6a et 6b sont formées par exemple par des interconnexions en aluminium. Les première et seconde pellicules isolantes inter-couches 4a et 4b sont formées par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium. Une région AR dans la résistance 30 est agrandie dans une re- présentation agrandie MV1 sur la figure 39. Comme représenté dans la vue agrandie MV1, un grand nombre de grains GR formant des régions monocristallines partielles sont rassemblés dans une pellicule de silicium polycristallin. Une liaison ouverte d'un atome de silicium est présente dans une frontière de grain BS entre les grains GR. Dans un processus pour fabriquer un dispositif à semiconducteur, une tranche de semiconducteur est exposée dans certains cas à une atmosphère d'hydrogène. A ce moment, un atome d'hydrogène se lie aisément à la liaison ouverte de l'atome de silicium. Une représentation 10 agrandie MV2 sur la figure 39 montre la liaison aisée et un atome d'hydrogène HY entre dans la frontière de grain BS. Lorsque l'atome d'hydrogène HY entre, une valeur de la résistance 30 est changée et s'écarte ainsi d'une valeur de résistance nominale. Un but de la présente invention est de procurer un dispositif à 15 semiconducteur dans lequel une valeur d'une résistance formée par une pellicule de silicium soit difficilement changée. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend une résistance formée par une pellicule de silicium. Au moins une partie de surface de la résistance consiste en silicium 20 amorphe et un siliciure est formé dans une partie de connexion d'un plot de contact dans la partie de surface. Au moins la partie de surface de la résistance formée par la pellicule de silicium consiste en silicium amorphe. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel un atome 25 d'hydrogène est plus difficilement introduit, et une valeur de la résistance formée par la pellicule de silicium est plus difficilement changée, en comparaison avec le cas dans lequel on utilise du silicium polycristallin pour un matériau de la résistance. En outre, le siliciure est formé dans la partie de connexion du plot de contact dans la partie de surface de la résis30 tance. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel la résistance est difficilement gravée pendant la gravure pour former un trou de contact, et la valeur de la résistance est plus difficilement changée. Selon un second aspect de la présente invention, un dispositif à 35 semiconducteur comprend une résistance formée par une pellicule de sili- cium et une pellicule de silicium-germanium placée en contact avec la résistance. La pellicule de silicium-germanium ayant la fonction d'activer une impureté dans la résistance est placée en contact avec la résistance. 5 Par conséquent, il est possible de réduire une valeur de la résistance. Il est donc possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel la valeur de la résistance formée par la pellicule de silicium est difficilement changée. Selon un troisième aspect de la présente invention, un dispositif 10 à semiconducteur comprend une résistance formée par une pellicule de silicium, une pellicule isolante inter-couche recouvrant la résistance et un plot de contact fictif formé par un matériau différent d'un matériau de la pellicule isolante inter-couche, isolé de la résistance et recouvrant au moins une région d'une partie supérieure de la résistance. Le matériau 15 différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance. Au moins une région de la partie supérieure de la résistance est formée par le matériau différent du matériau de la pellicule isolante intercouche et est recouverte par le plot de contact fictif isolé de la résistance. 20 Du fait que le matériau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance formée par la pellicule de silicium est difficilement changée. En outre, le plot de contact fictif est isolé de la résistance. Par conséquent, la valeur de la résistance 25 formée par la pellicule de silicium n'est pas influencée, et cette même valeur de résistance est plus difficilement changée. Conformément à un quatrième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend un substrat "Silicium sur Isolant" ou SOI (Silicon On Insulator) incluant une structure multicouche ayant un 30 substrat de support, une pellicule isolante enterrée et une couche de silicium, une résistance placée sur le substrat SOI et formée par une pellicule de silicium, une pellicule isolante inter-couche recouvrant la résistance, et un plot de contact fictif formé par un matériau différent d'un matériau de la pellicule isolante inter-couche, au voisinage de la résistance, 35 et pénétrant à travers la pellicule isolante enterrée et une région d'isola- tion formée dans la couche de silicium. Le matériau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance. Le plot de contact fictif est formé par le matériau différent du matériau de la pellicule isolante inter-couche au voisinage de la résis5 tance. Du fait que le matériau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance formée par la pellicule de silicium soit difficilement changée. En outre, le plot de contact fictif pénètre à travers la pellicule isolante enterrée du 10 substrat SOl et la région d'isolation formée dans la couche de silicium. Par conséquent, il est possible d'empêcher de façon plus fiable l'entrée de l'atome d'hydrogène dans la résistance, à partir d'une région intérieure du substrat SOI. Conformément à un cinquième aspect de la présente invention, 15 un dispositif à semiconducteur comprend une résistance formée par une pellicule de silicium, une pellicule isolante inter-couche recouvrant la résistance, un plot de contact formé par un matériau différent d'un matériau de la pellicule isolante inter-couche et connecté à la résistance, une interconnexion formée par un matériau différent du matériau de la pellicule 20 isolante inter-couche et connectée au plot de contact, et un plot de contact fictif formé par un matériau différent du matériau de la pellicule isolante inter-couche et connecté à l'interconnexion dans une position dans laquelle la résistance n'est pas recouverte, au voisinage de celle-ci. Le matériau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hy25 drogène dans la résistance. Le plot de contact fictif connecté à l'interconnexion placée audessus de la résistance est formé par le matériau différent du matériau de la pellicule isolante inter-couche, dans la position dans laquelle la résistance n'est pas recouverte, au voisinage de celle-ci. Du fait que le maté30 riau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance, il est possible d'empêcher de façon plus fiable l'entrée de l'atome d'hydrogène dans la résistance, dans une direction dans laquelle l'interconnexion s'étend. Il est donc possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance formée par la 35 pellicule de silicium est difficilement changée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un premier mode de réalisation, La figure 2 est une coupe montrant une variante du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation, Les figures 3 à 8 sont des représentations montrant un procédé 10 de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation, La figure 9 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un second mode de réalisation, Les figures 10 à 15 sont des représentations montrant un pro15 cédé de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation, La figure 16 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un troisième mode de réalisation, La figure 17 est une vue de dessus montrant un dispositif à se20 miconducteur conforme à un quatrième mode de réalisation, La figure 18 est une coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation, La figure 19 est une autre coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation, Les figures 20 à 25 sont des représentations montrant un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation, La figure 26 est une vue de dessus montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un cinquième mode de réalisation, La figure 27 est une coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation, La figure 28 est une autre coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au cinquième mode de réalisation, La figure 29 est une coupe montrant un dispositif à semiconduc35 teur conforme à un sixième mode de réalisation, La figure 30 est une vue de dessus montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un septième mode de réalisation, La figure 31 est une coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation, La figure 32 est une vue de dessus montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un huitième mode de réalisation, La figure 33 est une coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au huitième mode de réalisation, La figure 34 est une représentation montrant des problèmes du 10 dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation, La figure 35 est une vue de dessus montrant un dispositif à semiconducteur conforme à un neuvième mode de réalisation, La figure 36 est une coupe montrant le dispositif à semiconducteur conforme au neuvième mode de réalisation, La figure 37 est une coupe montrant une variante du dispositif à semiconducteur conforme au neuvième mode de réalisation, La figure 38 est une vue de dessus montrant un dispositif à semiconducteur classique, et La figure 39 est une coupe montrant le dispositif à semiconduc20 teur classique. [Premier Mode de Réalisation] Le mode de réalisation présent procure un dispositif à semiconducteur dans lequel une résistance est formée par une pellicule de silicium amorphe et un siliciure est formé dans des parties de connexion 25 de plots de contact dans une partie de surface de celle-ci. La figure 1 est une représentation montrant le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 1, dans le dispositif à semiconducteur, une résistance 31 est formée par une pellicule de silicium amorphe et est placée sur une région 30 d'isolation 2 dans un substrat semiconducteur 1. Une pellicule isolante de paroi latérale 36a est formée sur une surface latérale de la résistance 31, et des plots de contact 5a et 5b sont connectés aux deux extrémités d'une surface de celle-ci. Des siliciures 32a et 32b sont formés dans des parties de connexion des plots de contact 5a et 5b dans la partie de surface de la 35 résistance 31. Les plots de contact 5a et 5b sont connectés à des inter- connexions 6a et 6b formées respectivement sur une première pellicule isolante inter-couche 4a. Une seconde pellicule isolante inter-couche 4b est formée sur les interconnexions 6a et 6b. Le substrat semiconducteur 1 est par exemple un substrat en 5 silicium, et la région d'isolation 2 est formée par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium. Des régions actives la à lc ayant un ion d'impureté implanté avec une concentration élevée sont formées sur une surface du substrat semiconducteur 1. En outre, la figure 1 montre également un transistor MOS formé 10 sur le substrat semiconducteur 1. Le transistor MOS comprend les régions actives lb et lc en tant que source et drain, et il comprend en outre une pellicule isolante de grille 35, une électrode de grille 34 et une pellicule isolante de paroi latérale 36b. Des siliciures 1las, lbs, lcs et 34s sont respectivement formés sur les régions actives la, lb et lc et sur une sur15 face de l'électrode de grille 34. Des plots de contact 5c et 5d sont respectivement reliés aux siliciures lbs et lcs. Les plots de contact 5c et 5d sont respectivement connectés à des interconnexions 6c et 6d formées sur la première pellicule isolante inter-couche 4a. Les plots de contact 5a à 5d sont formés par exemple par des 20 plots de tungstène, et les interconnexions 6a à 6d sont formées par exemple par des interconnexions en aluminium. Les première et seconde pellicules isolantes inter-couches 4a et 4b sont formées par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium. En outre, l'électrode de grille 34 est formée par exemple par une pellicule de silicium polycristallin. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réalisation présent, la résistance 31 consiste en silicium amorphe. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel un atome d'hydrogène est plus difficilement introduit, et une valeur de la résistance formée par une pellicule de silicium est plus difficilement 30 changée, en comparaison avec le cas dans lequel on utilise du silicium polycristallin pour un matériau de la résistance. En outre, les siliciures 32a et 32b sont formés dans les parties de connexion des plots de contact 5a et 5b dans la partie de surface de la résistance 31. Ainsi, lorsque des trous de contact pour les plots de 35 contact 5a et 5b doivent être formés par gravure dans la première pelli- cule isolante inter-couche 4a, la résistance 31 est difficilement gravée. Lorsque la surface de la résistance 31 est gravée, une valeur d'une résistance de contact des parties de connexion des plots de contact 5a et 5b varie aisément. Cependant, si les siliciures 32a et 32b sont for5 més, une variation de la valeur de la résistance de contact se produit difficilement. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel la valeur de la résistance 31 est plus difficilement changée. Il est préférable que des marges d à partir des extrémités des plots de contact 5a et 5b jusqu'à celles des siliciures 32a et 32b soient 10 fixées approximativement à 1 pm. En outre, la figure 2 montre une variante du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 2, il est également possible d'employer une structure dans laquelle une partie de surface d'une résistance 30 formée par une pelli15 cule de silicium polycristallin est réalisée sous la forme d'une couche de silicium amorphe 33, à la place de la résistance 31 formée par la pellicule de silicium amorphe sur la figure 1. Si au moins la partie de surface de la résistance 30 est constituée par la couche de silicium amorphe 33, il est possible d'obtenir la fonction consistant à empêcher l'entrée d'un atome 20 d'hydrogène dans la résistance. Les figures 3 à 8 sont des représentations montrant un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 3, en premier lieu, on forme la 25 région d'isolation 2 dans le substrat semiconducteur 1, par oxydation thermique ou de manière similaire. Ensuite, on implante un ion d'impureté tel que du bore dans une région de canal du transistor MOS, à une énergie de plusieurs dizaines à plusieurs centaines de keV. Il est préférable qu'une concentration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1012 cm-2. 30 Ensuite, par l'oxydation thermique, ou de façon similaire, on forme une pellicule isolante dans une partie située sur la région de canal. Ensuite, on forme une pellicule de silicium polycristallin sur une surface complète et on implante dans celle-ci un ion d'azote à une énergie d'environ quelques dizaines de keV. IIl est préférable qu'une concen35 tration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1015 cm-2. En outre, on implante un ion de phosphore dans la pellicule de silicium polycristallin à une énergie d'environ quelques dizaines de keV. Il est préférable qu'une concentration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1015 cm-2. Ensuite, on forme la résistance 30, la pellicule isolante de grille 5 35 et l'électrode de grille 34 par photolithographie et gravure, comme représenté sur la figure 4. Il est préférable que la pellicule isolante de grille 35 ait une épaisseur d'environ quelques nanomètres et que l'électrode de grille 34 ait une épaisseur d'environ quelques centaines de nanomètres. Ensuite, on implante un ion d'impureté tel que de l'arsenic dans 10 le substrat semiconducteur 1, à une énergie d'environ quelques dizaines de keV. Ensuite, on forme une pellicule isolante telle qu'une pellicule d'oxyde de silicium sur la totalité de la surface, par exemple par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur ou CVD (Chemical Vapor Deposition), ou un procédé similaire, et on effectue une gravure de réduction 15 d'épaisseur pour former les pellicules isolantes de paroi latérale 36a et 36b, comme représenté sur la figure 5. Ensuite, on implante à nouveau l'ion d'impureté tel que l'arsenic dans le substrat semiconducteur 1 à une énergie d'environ quelques dizaines de keV, de façon à former les régions actives la à lc. Il est préférable qu'une concentration d'implantation ioni20 que dans les régions actives la à lc soit de l'ordre de 1015 cm-2. Ensuite, on forme sur la résistance 30 une pellicule isolante (par exemple une pellicule d'oxyde de silicium) 4a1 pour empêcher la formation d'un siliciure. Ensuite, on convertit en siliciure chacune des surfaces du substrat semiconducteur 1, de l'électrode de grille 34, des régions ac25 tives la à lc et d'une partie de la résistance 30 qui n'est pas recouverte par la pellicule isolante 4a1, pour former les siliciures 1as à 1cs, 32a, 32b et 34s comme représenté sur la figure 6. La couche isolante 4a1 n'est pas représentée sur les figures 1 et 2. Ensuite, comme représenté sur la figure 7, on recouvre avec 30 une matière photosensible PR1 une région autre que la résistance 30, et on effectue une implantation ionique de silicium IP1 à une énergie d'environ quelques dizaines de keV. On sait qu'une pellicule de silicium polycristallin devient amorphe si on implante un ion de silicium dans la résistance 30 formé par la pellicule de silicium polycristallin. Par conséquent, 35 pour fabriquer la structure de la figure 2, il est préférable qu'un niveau d'énergie dans l'implantation de silicium soit diminué dans la fabrication de la structure de la figure 1. Une concentration d'implantation ionique est de préférence de l'ordre de 1015 cm-2. Sur la figure 7, l'électrode de grille 34 est recouverte par la ma5 tière photosensible PR1 et est ainsi maintenue à l'état de silicium polycristallin. Cependant, I'électrode de grille 34 peut être amorphe. En outre, un changement faisant passer à un état amorphe peut être effectué à n'importe lequel des stades des figures 4 à 6. Ensuite, comme représenté sur la figure 8, on enlève la matière 10 de réserve photosensible PR1 et on forme la première pellicule isolante inter-couche 4a. Ensuite, on forme un trou de contact dans chaque partie de la première pellicule isolante inter-couche 4a et on forme à l'intérieur une pellicule conductrice telle qu'une pellicule de tungstène. Ensuite, on effectue un traitement de polissage mécano-chimique ou CMP (Chemical 15 Mechanical Polishing) sur une surface pour former les plots de contact 5a à 5d. On forme ensuite une pellicule conductrice, telle qu'une pellicule d'aluminium, et on la soumet à une opération de formation de motif de façon à former les interconnexions 6a à 6d. On forme ensuite la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. 20 On peut ainsi fabriquer la structure représentée sur la figure 1 ou 2. Le mode de réalisation présent procure un dispositif à semiconducteur dans lequel on forme une résistance avec une pellicule de silicium, on recouvre sa surface avec une pellicule de nitrure de silicium et 25 on forme un siliciure dans des parties de connexion de plot de contact dans une partie de surface de celle-ci. La figure 9 est une représentation montrant un dispositif à semiconducteur conforme à la présente invention. Comme représenté sur la figure 9, dans le dispositif à semiconducteur, on forme une résistance 30 30 par une pellicule de silicium polycristallin et on forme cette résistance sur une région d'isolation 2 avec interposition d'une pellicule de nitrure de silicium 41 sous-jacente. En outre, on forme une pellicule de nitrure de silicium 42 pour recouvrir une surface supérieure et une surface latérale de la résistance 30. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du 1 1 dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation, leur description sera omise. La pellicule de nitrure de silicium a la fonction consistant à empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance 30. Par consé5 quent, conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réalisation présent, la pellicule de nitrure de silicium 41 sous-jacente et la pellicule de nitrure de silicium 42 recouvrent la surface de la résistance 30 de façon qu'une valeur de la résistance 30 formée par la pellicule de silicium change difficilement. En outre, on forme des siliciures 32a et 32b dans 10 des parties de connexion de plots de contact 5a et 5b dans la partie de surface de la résistance 30. Il est donc possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel la résistance 30 soit difficilement gravée au moment de la gravure pour former un trou de contact, et la valeur de la résistance 30 soit plus difficilement changée. Les figures 10 à 15 sont des représentations montrant un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 10, en premier lieu, on forme une région d'isolation 2 dans un substrat semiconducteur 1. Ensuite, on 20 forme sur le substrat semiconducteur I une pellicule d'oxyde de silicium 43, une pellicule de nitrure de silicium 41 et une pellicule de silicium polycristallin 30a, dans cet ordre. Les épaisseurs respectives sont approximativement de quelques dizaines de nanomètres, de quelques dizaines de nanomètres et de quelques centaines de nanomètres. Ensuite, comme représenté sur la figure 11, on forme une matière photosensible PR2 et on l'utilise comme un masque de gravure pour effectuer une gravure. On forme ainsi la résistance 30. A ce moment, on grave également la pellicule d'oxyde de silicium 43 et la pellicule de nitrure de silicium 41. Ensuite, on enlève la matière photosensible PR2. Ensuite, on implante un ion d'impureté tel que du bore dans une région de canal d'un transistor MOS, à une énergie de quelques dizaines à quelques centaines de keV. Il est préférable qu'une concentration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1012 cm-2. Ensuite, on forme une pellicule isolante dans une partie située sur la région de canal, par oxydation 35 thermique ou un procédé semblable. Ensuite, on forme une pellicule de silicium polycristallin sur une surface entière et on soumet la pellicule isolante et la pellicule de silicium polycristallin à une opération de définition de motif pour former une pellicule isolante de grille 35 et une électrode de grille 34 (figure 12). La pel5 licule isolante de grille 35 doit avoir de préférence une épaisseur d'environ quelques dizaines de nanomètres, et l'électrode de grille 34 doit avoir de préférence une épaisseur d'environ quelques centaines de nanomètres. Ensuite, on implante un ion d'arsenic dans le substrat semiconducteur 1, par exemple à un niveau d'énergie d'environ quelques di10 zaines de keV. Des régions d'extension lax à lcx dans des régions actives la à lc sont ainsi formées. Il est également préférable que la concentration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1015 cm-2. Ensuite, on forme une pellicule isolante sur une surface entière et on effectue une gravure de réduction d'épaisseur pour former des pelli15 cules isolantes de paroi latérale 36a et 36b (figure 13). Ensuite, on implante un ion d'arsenic dans le substrat semiconducteur, par exemple à une énergie d'environ quelques dizaines de keV. Les régions actives la à lc sont ainsi formées. Il est préférable que la concentration d'implantation ionique soit de l'ordre de 1015 cm-2. Ensuite, comme représenté sur la figure 14, on forme sur la résistance 30 une pellicule isolante (par exemple une pellicule d'oxyde de silicium) 4a1 pour empêcher la formation d'un siliciure. Ensuite, on transforme en siliciure chaque surface du substrat semiconducteur 1, de l'électrode de grille 34, des régions actives la à lc et d'une partie de la résis25 tance 30 qui n'est pas recouverte par la pellicule isolante 4a1, pour former des siliciures 1as à 1cs, 32a, 32b et 34s. Ensuite, on forme la pellicule de nitrure de silicium 42 sur la surface entière. Comme représenté sur la figure 15, on forme ensuite une première pellicule isolante inter-couche 4a. Ensuite, on forme un trou de 30 contact dans chaque partie de la première pellicule isolante inter-couche 4a et de la pellicule de nitrure de silicium 42, et on forme à l'intérieur unepellicule conductrice telle que du tungstène. Ensuite, on effectue un traitement de polissage mécano-chimique (CMP) sur une surface pour former des plots de contact 5a à 5d. Ensuite, on forme une pellicule conductrice, 35 par exemple en aluminium, et on la soumet à une opération de définition de motif pour former des interconnexions 6a à 6d. On forme ensuite une seconde pellicule isolante inter-couche 4b. On peut ainsi fabriquer la structure représentée sur la figure 9. Bien que la pellicule d'oxyde de silicium 43 ne soit pas représentée sur la fi5 gure 9, la formation de la pellicule d'oxyde de silicium 43 est facultative. Sur la figure 9, si seulement la pellicule de nitrure de silicium 41 est formée sous la résistance 30, une contrainte est appliquée aux surfaces du substrat semiconducteur 1 et de la région d'isolation 2 dans certains cas. Par conséquent, les figures 10 à 15 montrent simplement le cas dans le10 quel la pellicule d'oxyde de silicium est formée comme une couche sousjacente pour la pellicule de nitrure de silicium dans le but de relaxer la contrainte. Dans le mode de réalisation présent, il est également possible d'employer la résistance 31 formée par une pellicule de silicium amorphe 15 sur la figure 1, et une combinaison de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium polycristallin et de la couche de silicium amorphe 33, sur la figure 2, à la place de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium polycristallin. Le mode de réalisation présent procure un dispositif à semiconducteur dans lequel une résistance est formée par une pellicule de silicium et une surface inférieure de celle-ci est couverte par une pellicule de silicium-germanium. La figure 16 est une représentation montrant un dispositif à se25 miconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 16, dans le dispositif à semiconducteur, une résistance 30 est formée par une pellicule de silicium polycristallin et est placée sur une région d'isolation 2 avec interposition d'une pellicule de siliciumgermanium 44. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du dispositif à semiconducteur conforme au premier mode de réalisation, la description sera omise. De plus, sur la figure 16, une pellicule isolante de paroi latérale 36a n'est pas formée. La pellicule de silicium-germanium a pour fonction d'activer une 35 impureté dans la résistance 30. Par conséquent, conformément au dispo- sitif à semiconducteur du mode de réalisation présent, la pellicule de silicium-germanium 44 est formée en contact avec une surface inférieure de la résistance 30. Il est donc possible de réduire une valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium. Ainsi, il est possible d'obte5 nir un dispositif à semiconducteur dans lequel la valeur de la résistance est difficilement changée. Le mode de réalisation présent procure un dispositif à semiconducteur dans lequel une résistance est formée par une pellicule de 10 silicium, et une région d'une surface de la résistance qui est interposée entre des interconnexions et des plots de contact est recouverte par un plot de contact fictif isolé de la résistance. La figure 17 est une vue de dessus montrant le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. En outre, les figu15 res 18 et 19 sont des coupes faites respectivement selon des lignes de coupe XVIII - XVIII et XIX - XIX sur la figure 17. Comme représenté sur les figures 17 à 19, dans le dispositif à semiconducteur, une résistance 30 est formée par une pellicule de silicium polycristallin et est placée sur une région d'isolation 2. En outre, une 20 pellicule d'oxyde de silicium 45 et une pellicule de nitrure de silicium 46 sont formées de façon à recouvrir une surface supérieure et une surface latérale de la résistance 30. Un plot de contact fictif 5e, isolé de la résistance 30 par l'intermédiaire de la pellicule d'oxyde de silicium 45 et de la pellicule de nitrure de silicium 46, et une interconnexion fictive 6e formée 25 sur le plot de contact fictif 5e, sont en outre placées sur la pellicule de nitrure de silicium 46. Il est préférable que le plot de contact fictif 5e soit formé par exemple par un plot de tungstène, de la même manière que les plots de contact 5a et 5b, et que l'interconnexion fictive 6e soit formée par exemple par une interconnexion en aluminium, de la même manière 30 que les interconnexions 6a et 6b. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du dispositif à semiconducteur conforme au second mode de réalisation représenté sur la figure 9, la description sera omise. Sur les figures 18 et 19, une pellicule isolante de paroi latérale 36a est formée. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réali- sation présent, une région dans une partie de surface de la résistance 30 qui est interposée entre les interconnexions 6a et 6b et les plots de contact 5a et 5b, est recouverte par le plot de contact fictif 5e et l'interconnexion fictive 6e qui sont formés par un matériau différent du matériau 5 des première et seconde pellicules isolantes inter-couches 4a et 4b recouvrant la résistance 30, et qui sont isolées de la résistance 30. Par conséquent, le plot de contact fictif 5e et l'interconnexion fictive 6e sont formés par un matériau différent du matériau des première et seconde pellicules isolantes inter-couches 4a et 4b. Il est donc possible de préve10 nir l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance 30. En particulier, si le plot de contact fictif 5e et/ou l'interconnexion fictive 6e sont formés d'un métal tel que le tungstène ou l'aluminium, la fonction de prévention peut être renforcée davantage. En outre, le plot de contact fictif 5e et/ou l'interconnexion fictive 6e peuvent être formés aisément en métal. Il est 15 donc possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium est difficilement changée. En outre, le plot de contact fictif 5e et l'interconnexion fictive 6e sont isolés de la résistance 30. Par conséquent, la valeur de la résistance 20 30 formée par la pellicule de silicium n'est pas influencée et est plus difficilement changée. La pellicule de nitrure de silicium 46 conforme au mode de réalisation présent a pour fonction d'empêcher que l'atome d'hydrogène entre dans la résistance 30, de la même manière que la pellicule de nitrure 25 de silicium 42 conforme au second mode de réalisation. En outre, la pellicule d'oxyde de silicium 45 formée sous la pellicule de nitrure de silicium 46 a également pour fonction de relaxer une contrainte susceptible d'être appliquée à un transistor (non représenté), de la même manière que la pellicule d'oxyde de silicium 43 représentée sur la figure 11. Les figures 20 à 25 sont des représentations montrant un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 20, en premier lieu, on forme la région d'isolation 2 dans un substrat semiconducteur 1. Ensuite, on im35 plante un ion dans une région de canal d'un transistor MOS adjacent (non représenté). Ensuite, on forme une pellicule isolante sur une partie d'une région de canal, par oxydation thermique ou un procédé semblable. Ensuite, on forme une pellicule de silicium polycristallin sur une surface entière et on soumet la pellicule isolante et la pellicule de silicium 5 polycristallin à une opération de définition de motif, pour former une pellicule isolante de grille et une électrode de grille du transistor MOS qui n'est pas représenté, et la résistance 30. Il est préférable qu'un ion soit implanté dans la pellicule de silicium polycristallin à une énergie d'environ quelques dizaines à quelques centaines de keV, par exemple. Il est préfé10 rable qu'une concentration d'implantation ionique soit par exemple de l'ordre de 1015 cm-2. Ensuite, on forme une pellicule d'oxyde de silicium ou autre sur la surface entière et on effectue une gravure de réduction d'épaisseur pour former une pellicule isolante de paroi latérale 36a autour de la résis15 tance 30, comme représenté sur la figure 21. Ensuite, on implante un ion dans le substrat semiconducteur 1 pour former des régions actives la et lb. En outre, on forme sur la résistance 30 une pellicule isolante (par exemple une pellicule d'oxyde de silicium) 4a1 pour empêcher la formation d'un siliciure. Ensuite, comme représenté sur la figure 22, on transforme en siliciure chaque surface du substrat semiconducteur 1, une électrode de grille du transistor MOS qui n'est pas représenté, les régions actives la et lb et une partie de la résistance 30 qui n'est pas recouverte par la pellicule isolante 4a1, pour former des siliciures 1las, lbs, 32a et 32b. En25 suite, on forme la pellicule d'oxyde de silicium 45 et la pellicule de nitrure de silicium 46 sur la surface entière et on forme la première pellicule isolante inter-couche 4a. Ensuite, comme représenté sur la figure 23, on forme une matière photosensible PR3 sur la première pellicule isolante inter-couche 4a 30 et on la soumet à une opération de définition de motif pour former le plot de contact fictif 5e. Ensuite, on effectue une opération de gravure pour former un trou de contact OP1 dans la première pellicule isolante intercouche 4a. Ensuite, comme représenté sur la figure 24, on forme une ma35 tière de réserve photosensible PR4 sur la surface entière et on la soumet à une opération de définition de motif pour former les plots de contact 5a et 5b. On effectue ensuite l'opération de gravure pour former un trou de contact OP2 dans la première pellicule isolante inter-couche 4a, la pellicule de nitrure de silicium 46 et la pellicule d'oxyde de silicium 45. Ensuite, comme représenté sur la figure 25, on forme une pellicule conductrice telle que du tungstène dans les trous de contact OP1 et OP2, pour accomplir un traitement de polissage mécano-chimique (CMP) sur une surface. Les plots de contact 5a et 5b et le plot de contact fictif 5e sont ainsi formés. Ensuite, on forme une pellicule conductrice, par 10 exemple en aluminium, et on la soumet à une opération de définition de motif de façon à former les interconnexions 6a et 6b et l'interconnexion fictive 6e. On forme ensuite une seconde pellicule isolante inter-couche 4b. On peut ainsi fabriquer la structure représentée sur les figures 17 à 15 19. Dans le mode de réalisation présent, il est également possible d'employer la résistance 31 formée par une pellicule de silicium amorphe représentée sur la figure 1, et une combinaison de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium polycristallin et de la couche de silicium 20 amorphe 33 de la figure 2, à la place de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium polycristallin. En outre, pour des matériaux des plots de contact 5a et 5b, du plot de contact fictif 5e, des interconnexions 6a et 6b et de l'interconnexion fictive 6e, il est également possible d'employer du cuivre, du ti25 tane, du nickel, du cobalt ou autres, à la place du tungstène et de l'aluminium, par exemple. Le mode de réalisation présent est une variante du dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation, dans laquelle 30 une partie de la première pellicule isolante inter-couche 4a est enterrée dans le plot de contact fictif 5e représenté sur les figures 17 à 19. Dans le cas du plot de contact fictif 5e, comme représenté sur la figure 23, une ouverture d'un trou de contact OP1 est grande. Si l'ouverture est grande, une pellicule conductrice n'est pas parfaitement enter35 rée et une insuffisance d'enterrement se produit dans certains cas. Lors- que l'insuffisance d'enterrement se produit, il y a une possibilité qu'une substance étrangère générée pendant le traitement de CMP puisse entrer dans une partie dans laquelle l'enterrement est insuffisant, pour influencer une caractéristique d'un élément. Dans le mode de réalisation pré5 sent, le dispositif à semiconducteur a une structure telle que l'insuffisance d'enterrement se produit difficilement. La figure 26 est une vue de dessus montrant le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. En outre, les figures 27 et 28 sont respectivement des coupes selon des lignes de coupe 10 XXVII - XXVII et XXVIII - XXVIII sur la figure 26. Comme représenté sur les figures 26 à 28, dans le'dispositif à semiconducteur, un plot de contact fictif 5f ayant une forme creuse est formé à la place du plot de contact fictif 5e ayant une grande ouverture du trou de contact, représenté sur les figures 17 à 19. Il est préférable que 15 le plot de contact fictif 5f soit également constitué d'un plot en tungstène, par exemple, de la même manière que les plots de contact 5a et 5b. En outre, une partie de la première pellicule isolante inter-couche 4a est enterrée dans une partie creuse du plot de contact fictif 5f. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du 20 dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation représenté sur les figures 17 et 19, la description sera omise. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réalisation présent, une partie de la première pellicule isolante inter-couche 4a est enterrée dans le plot de contact fictif 5f. Par conséquent, il est pré25 férable qu'une pellicule conductrice soit enterrée seulement dans une partie entourant une région de la première pellicule isolante intercouche 4a qui est enterrée. De ce fait, l'insuffisance d'enterrement se produit difficilement pendant la formation du plot de contact fictif 5f. Il est donc possible de réduire une possibilité qu'une substance étrangère entre dans le 30 plot de contact fictif 5f. Le mode de réalisation présent est également une variante du dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation, et le plot de contact fictif 5e et l'interconnexion fictive 6e sur les figures 35 17 à 19 ont une structure multicouche. La figure 29 est une coupe montrant un dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Comme représenté sur la figure 29, dans le dispositif à semiconducteur, un plot de contact fictif 5g est en outre formé sur l'interconnexion fictive 6e dans une seconde pelli5 cule isolante inter-couche 4b. Une interconnexion fictive 6f est en outre formée sur le plot de contact fictif 5g et la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Des interconnexions 6g et 6h sont également formées sur la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du 10 dispositif à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation représenté sur les figures 17 à 19, la description sera omise. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réalisation présent, le plot de contact fictif 5g est en outre formé sur l'interconnexion fictive 6e. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif 15 à semiconducteur dans lequel il est davantage possible d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans une résistance 30, et une valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium est plus difficilement changée. La présente invention procure un dispositif à semiconducteur dans lequel un plot de contact fictif est formé au voisinage d'une résistance formée par une pellicule de silicium sur un substrat SOI (Silicon On Insulator). Les figures 30 et 31 sont respectivement une vue de dessus et 25 une coupe qui montrent le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. La figure 31 est une coupe selon une ligne de coupe XXXI-XXXI sur la figure 30. Comme représenté sur les figures 30 et 31, dans le dispositif à semiconducteur, un substrat semiconducteur est un substrat SOI incluant 30 une structure multicouche ayant un substrat de support 11 tel qu'un substrat en silicium, une pellicule isolante enterrée 12 telle qu'une pellicule d'oxyde de silicium et une couche de silicium 13. Une résistance 30 est formée par une pellicule de silicium polycristallin et est placée sur une région d'isolation 2 dans la couche de sili35 cium 13. Une pellicule isolante de paroi latérale 36a est formée sur une surface latérale de la résistance 30, et un plot de contact 5h consistant en un plot en tungstène est connecté aux deux extrémités d'une surface, par exemple. Un siliciure 32b est formé dans une partie de connexion du plot de contact 5h, dans une partie de surface de la résistance 30. Chaque 5 plot de contact 5h est connecté à une interconnexion 6i consistant en une interconnexion en aluminium formée sur une première pellicule isolante inter-couche 4a, par exemple. Une seconde pellicule isolante inter-couche 4b est formée sur la première pellicule isolante inter-couche 4a et l'interconnexion 6i. La région d'isolation 2 est formée par exemple par une pellicule d'oxyde de silicium. En outre, des régions actives la et lb ayant un ion d'impureté implanté avec une concentration élevée, sont formées sur une surface de la couche SOI 13. Des siliciures 1las et lbs sont également formés respectivement sur des surfaces des régions actives la et lb. Dans le mode de réalisation présent, des plots de contact fictifs j et 5k pénétrant à travers la première pellicule isolante inter-couche 4a, la pellicule isolante enterrée 12 et la région d'isolation 2 formée sur la couche de silicium 13, sont placés au voisinage de la résistance 30. En outre, des interconnexions fictives 6k et 6j devant être connectées res20 pectivement aux plots de contact fictifs 5j et 5k, sont également formées sur la première pellicule isolante inter-couche 4a. D'autres plots de contact fictifs 5i et 51 devant être connectés respectivement aux interconnexions fictives 6k et 6j sont également formés dans la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Une intercon25 nexion fictive 61 recouvrant une partie située au-dessus de la résistance et connectée en commun aux plots de contact fictifs 5i et 51, est également formée sur la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Il est préférable que les plots de contact fictifs 5i à 51 soient formés par exemple par des plots en tungstène, de la même manière que 30 le plot de contact 5h, et que les interconnexions fictives 6j à 61 soient formées par exemple par une interconnexion en aluminium, de la même manière que l'interconnexion 6i. En outre, les plots de contact fictifs 5i à 51 comprennent une multiplicité de conducteurs en forme de colonnes et sont juxtaposés. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réali- sation présent, les plots de contact fictifs 5i à 51 et les interconnexions fictives 6j à 61 sont formés par un matériau différent d'un matériau des première et seconde pellicules d'isolation intercouches 4a et 4b (un matériau tel qu'un métal ayant la fonction d'empêcher l'entrée d'un atome 5 d'hydrogène dans la résistance 30), au voisinage de la résistance 30. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel les plots de contact fictifs 5i à 51 et les interconnexions fictives 6j à 61 empêchent l'atome d'hydrogène d'entrer dans la résistance 30, et une valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium est diffici10 lement changée. Si les plots de contact fictifs 5i à 51 et les interconnexions fictives 6j à 61 sont formés en métal, la fonction consistant à empêcher l'entrée de l'atome d'hydrogène dans la résistance 30 peut être encore renforcée. En outre, du fait que le métal est utilisé pour le matériau, les plots 15 de contact fictifs 5i à 51 et les interconnexions fictives 6j à 61 peuvent être formés aisément. En outre, le plot de contact fictif 5j pénètre à travers la pellicule isolante enterrée 12 du substrat SOI et la couche de silicium 13. Par conséquent, il est possible d'empêcher de façon plus fiable que l'atome 20 d'hydrogène entre dans la résistance 30 à partir d'un côté intérieur du substrat SOI. En outre, I'interconnexion fictive 61 recouvrant la partie située audessus de la résistance 30 est formée. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel on peut empêcher de 25 façon plus fiable l'entrée de l'atome d'hydrogène dans la résistance 30 à partir du dessus, et la valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium est difficilement changée. En outre, les plots de contact fictifs 5i à 51 comprennent une multiplicité de conducteurs en forme de colonnes et sont juxtaposés. Si 30 on suppose que chacun des plots de contact fictifs n'est pas divisé en une multiplicité de conducteurs en forme de colonnes mais est intégré sur la figure 30, il est nécessaire d'enterrer une pellicule conductrice dans une grande ouverture. Dans ce cas, la pellicule conductrice n'est pas parfaitement enterrée et une insuffisance d'enterrement peut se produire, 35 comme décrit dans le cinquième mode de réalisation. Cependant, avec une structure dans laquelle les plots de contact fictifs 5i à 51 sont juxtaposés comme une multiplicité de conducteurs en forme de colonnes, chaque ouverture enterrée est rétrécie et l'insuffisance d'enterrement se produit difficilement pendant la formation des plots de contact fictifs 5i à 51. 5 Par conséquent, il y a une faible possibilité qu'une substance étrangère puisse entrer dans les plots de contact fictifs 5i à 51. Le mode de réalisation présent est une variante du dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation. Les plots de 10 contact fictifs 5i à 51 sur les figures 30 et 31 sont remplacés par une multiplicité de conducteurs en forme de murs juxtaposés de façon qu'une résistance 30 soit interposée entre eux. En outre, une partie creuse est formée dans une région des conducteurs en forme de murs, et une région d'une première ou d'une seconde pellicule isolante inter-couche 4a ou 4b 15 est enterrée à l'intérieur. Les figures 32 et 33 sont respectivement une vue de dessus et une coupe qui montrent un dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. La figure 33 est une coupe selon une ligne de coupe XXXIII-XXXIII sur la figure 32. Comme représenté sur les figures 32 et 33, dans le dispositif à semiconducteur, des plots de contact fictifs 5m à 5p devant constituer les conducteurs en forme de murs, sont formés à la place des plots de contact fictifs 5i à 51 devant constituer les conducteurs en forme de colonnes sur les figures 30 et 31. Les plots de contact fictifs 5n et 5p pénètrent à travers la première pellicule isolante inter-couche 4a, une pellicule isolante enterrée 12 et une région d'isolation 2 formée dans une couche de silicium 13. En outre, les plots de contact fictifs 5n et 5p sont juxtaposés de façon que la résistance 30 soit interposée entre elles. Les plots de contact fictifs 5m et 30 5o sont également juxtaposés de façon que la résistance 30 soit interposée entre elles. En outre, les plots de contact fictifs 5n et 5p sont connectés à des interconnexions fictives 6k et 6j formées sur la première pellicule isolante inter-couche 4a, et les autres plots de contact fictifs 5m et 5o sont 35 respectivement connectés aux interconnexions fictives 6k et 6j dans la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Une interconnexion fictive 61 est connectée aux plots de contact fictifs 5m et 50 sur la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Il est préférable que les plots de contact fictifs 5m à 5p soient également formés par un plot en tungstène, par exemple, de la même manière que le plot de contact 5h. Dans le mode de réalisation présent, une multiplicité de parties creuses HL sont formées dans les plots de contact fictifs 5m et 5n, comme représenté sur la figure 32. Une région de la première ou de la seconde pellicule isolante inter-couche 4a ou 4b est enterrée dans les 10 parties creuses HL. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation, la description sera omise. Dans le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent, les plots de contact fictifs 5m à 5p comprennent une mul15 tiplicité de conducteurs en forme de murs et sont juxtaposés de façon que la résistance 30 soit interposée entre eux. Par conséquent, il est possible d'empêcher de façon plus fiable qu'un atome d'hydrogène entre dans la résistance 30, en comparaison avec le cas du conducteur en forme de colonne conforme au septième mode de réalisation. En outre, la partie creuse HL est formée dans les plots de contact fictifs 5m et 5n, et une partie de la première ou de la seconde pellicule isolante inter-couche 4a ou 4b est enterrée à l'intérieur. Par conséquent, il est préférable qu'une pellicule conductrice soit enterrée seulement dans une partie entourant la partie creuse HL. De ce fait, une insuf25 fisance d'enterrement se produit difficilement pendant la formation des plots de contact fictives 5m et 5n. Il est donc possible de réduire une possibilité qu'une substance étrangère entre dans les plots de contact fictifs 5m et 5n. Le mode de réalisation présent est une variante des dispositifs à semiconducteur conformes aux septième et huitième modes de réalisation, et un plot de contact fictif devant être connecté à une interconnexion 6i atteignant une résistance 30 est en outre formé dans une position dans laquelle la résistance 30 n'est pas recouverte à son voisinage. La figure 34 est une représentation montrant un problème du dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation. Dans le cas du dispositif à semiconducteur conforme au septième mode de réalisation, les plots de contact fictifs 5i à 51 et les interconnexions fictives 6j et 6k sont formés dans les régions entre lesquelles la résis5 tance 30 est interposée, et l'interconnexion fictive 61 est formée audessus de la résistance 30. Par conséquent, il est possible d'empêcher qu'un atome d'hydrogène entre dans la résistance 30 dans ces directions. Cependant, le plot de contact fictif n'est pas formé dans une région dans laquelle l'interconnexion 6i connectée à la résistance 30 par 10 l'intermédiaire d'un plot de contact 5h, est dirigée vers l'extérieur, comme dans une région AR de la figure 34. Il y a donc une possibilité que l'atome d'hydrogène puisse entrer dans la résistance 30 par cette partie. Pour cette raison, dans le mode de réalisation présent, un plot de contact fictif devant être connecté à une interconnexion placée au15 dessus de la résistance 30, est formé dans cette région. Les figures 35 et 36 sont respectivement une vue de dessus et une coupe qui montrent le dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. La figure 36 est une coupe selon une ligne de coupe XXXVI - XXXVI sur la figure 35. Comme représenté sur les figures 35 et 36, dans le dispositif à semiconducteur, une forme d'une interconnexion 6n connectée au plot decontact 5h formé au-dessus de la résistance 30 est agrandie au voisinage d'une partie d'extrémité de l'interconnexion fictive 61 (c'est-à-dire une position de la partie extérieure de l'interconnexion 6i dans laquelle la résis25 tance 30 n'est pas recouverte), et des plots de contact fictifs 5q et 5r sont en outre formés dans cette partie. Le plot de contact fictif 5q est formé sur une interconnexion 6n dans une seconde pellicule isolante intercouche 4b. En outre, le plot de contact fictif 5r est formé de façon à pénétrer à travers une première pellicule isolante inter- couche 4a, une pelli30 cule isolante enterrée 12 et une région d'isolation 2 formée dans une couche de silicium 13. Une interconnexion fictive 6m connectée au plot de contact fictif 5q est également formée sur la seconde pellicule isolante inter-couche 4b. Il est préférable que les plots de contact fictifs 5q et 5r soient 35 formés par exemple par un plot en tungstène, de la même manière que le plot de contact 5h. En outre, il est préférable que l'interconnexion fictive 6m soit formée par exemple par une interconnexion en aluminium, de la même manière que l'interconnexion 6n. Conformément au dispositif à semiconducteur du mode de réali5 sation présent, les plots de contact fictifs 5q et 5r connectés à l'interconnexion 6n atteignant la résistance 30, sont formés par un matériau qui est différent d'un matériau des première et seconde pellicules isolantes intercouches 4a et 4b, dans une position dans laquelle la résistance 30 n'est pas recouverte à son voisinage. Par conséquent, les plots de contact fic10 tifs 5q et 5r peuvent empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance. De ce fait, il est possible d'empêcher de façon plus fiable que l'atome d'hydrogène entre dans la résistance 30, dans une direction dans laquelle l'interconnexion 6n s'étend. Il est donc possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance 30 for15 mée par une pellicule de silicium est difficilement changée. Si les plots de contact fictifs 5q et 5r sont formés en métal, la fonction consistant à empêcher l'entrée de l'atome d'hydrogène dans la résistance 30 peut être renforcée davantage. En outre, du fait que le métal est utilisé pour le matériau, les plots de contact fictifs 5q et 5r peuvent 20 être formés aisément. Le brevet des E.U.A. n 5 530 418 a décrit une invention ayant une structure qui est similaire à la vue de dessus de la figure 34 et utilise un substrat massif à la place d'un substrat SOl. Le mode de réalisation présent peut également être appliqué à une telle structure. La figure 37 est une coupe montrant une variante du dispositif à semiconducteur conforme au mode de réalisation présent. Sur la figure 37, un substrat semiconducteur 1 qui est un substrat massif est employé à la place du substrat SOl sur la figure 36. Une région d'isolation 2 et une région active la sont formées dans le substrat semiconducteur 1. Un sili30 ciure 1as est également formé sur une surface de la région active la. Du fait qu'on emploie le substrat massif, un plot de contact fictif s est formé en contact avec la région d'isolation 2 dans la première pellicule isolante inter-couche 4a, à la place du plot de contact fictif 5r pénétrant à travers la première pellicule isolante inter-couche 4a, la pellicule 35 isolante enterrée 12 et la région d'isolation 2. En outre, un plot de contact fictif 5t est formé en contact avec le siliciure 1as dans la première pellicule isolante inter-couche 4a, à la place du plot de contact fictif 5j pénétrant à travers la première pellicule isolante inter-couche 4a, la pellicule isolante enterrée 12 et la région d'isolation 2, de la même manière. Du 5 fait que d'autres structures sont les mêmes que celles de la figure 36, la description sera omise. De façon similaire, avec une telle structure, les plots de contact fictifs 5q et 5s devant être connectés à l'interconnexion 6n atteignant la résistance 30 empêchent de façon plus fiable que l'atome d'hydrogène 10 entre dans la résistance 30 dans la direction dans laquelle l'interconnexion 6n s'étend. Par conséquent, il est possible d'obtenir un dispositif à semiconducteur dans lequel une valeur de la résistance 30 formée par une pellicule de silicium est difficilement changée. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap15 portées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur comprenant une résistance (30, 31) formée par une pellicule de silicium, caractérisé en ce qu'au moins une partie de la surface de la résistance (30, 31) consiste en silicium 5 amorphe, et un siliciure (32a, 32b) est formé dans une partie de connexion d'un plot de contact (5a, 5b) dans ladite partie de surface. 2. Dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une résistance (30) formée par une pellicule de silicium; et une pellicule de silicium-germanium (44) placée en contact avec la résistance 10 (30). 3. Dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une résistance (30) formée par une pellicule de silicium; une pellicule isolante inter-couche (4a) recouvrant la résistance (30); et un plot de contact fictif (5e) formé par un matériau différent d'un matériau de la pel15 licule isolante inter-couche (4a), isolée de la résistance (30) et recouvrant au moins une région d'une partie supérieure de la résistance (30); et en ce que le matériau différent a pour fonction d'empêcher l'entrée d'un atome d'hydrogène dans la résistance (30). 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 3, caracté20 risé en ce qu'une région de la pellicule isolante inter-couche (4a) est enterrée dans le plot de contact fictif (5f). 5. Dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat silicium sur isolant ou SOI (Silicon On Insulator) incluant une structure multicouche ayant un substrat de support (11), une 25 pellicule isolante enterrée (12) et une couche de silicium (13); une résistance (30) placée sur le substrat SOI et formée par une pellicule de silicium; une pellicule isolante inter-couche (4a) recouvrant la résistance (30); et un plot de contact fictif (5j, 5k) formé par un matériau différent d'un matériau de la pellicule isolante inter-couche (4a), au voisinage de la 30 résistance (30), et pénétrant à travers la pellicule isolante enterrée (12) et une région d'isolation (2) formée dans la couche de silicium; et en ce que le matériau différent a la fonction consistant à empêcher un atome d'hydrogène d'entrer dans la résistance (30). 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 5, caracté35 risé en ce qu'il comprend en outre: une interconnexion fictive (6j, 6k) formée par un matériau différent du matériau de la pellicule isolante intercouche (4a) et recouvrant une partie située au-dessus de la résistance (30); et en ce que le matériau différent a la fonction d'empêcher un atome d'hydrogène d'entrer dans la résistance (30). 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le plot de contact fictif (5j) comprend une multiplicité de conducteurs en forme de colonnes qui sont juxtaposés. 8. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que le plot de contact fictif (5m - 5p) comprend une multiplicité 10 de conducteurs ayant la forme de murs qui sont juxtaposés avec la résistance (30) interposée entre eux; et une région de la pellicule isolante inter-couche (4a) est enterrée dans une région ou la totalité des conducteurs ayant la forme de murs. 9. Dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il com15 prend: une résistance (30) formée par une pellicule de silicium; une pellicule isolante inter-couche (4a) recouvrant la résistance (30); un plot de contact (5a, 5b) formé par un matériau différent d'un matériau de la pellicule isolante inter-couche (4a) et connecté à la résistance (30); une interconnexion (6a, 6b) formée par un matériau différent du matériau de la pel20 licule isolante inter-couche (4a) et connectée au plot de contact (5a, 5b); et un plot de contact fictif (5e) formé par un matériau différent du matériau de la pellicule isolante inter-couche (4a) et connectée à l'interconnexion (6e) dans une position dans laquelle la résistance (30) n'est pas recouverte à son voisinage; et en ce que le matériau différent a la fonc25 tion d'empêcher un atome d'hydrogène d'entrer dans la résistance (30).