Brevet FR2843596A1 — publié le 20040220

La présente invention concerne un dispositif d'oxydation du silicium (ou d'un autre élément). L'oxydation des galettes de silicium est traditionnellement faite dans un four ou grâce à un flux de chaleur et un flux de gaz oxydant, et ce, plus ou moins uniformément sur la surface, ce qui peut créer un désordre et conduire à une amorphisation de la silice. 5. Le dispositif selon l'invention permet de remédier à cet inconvénient et ainsi créer une interface Si/SiO2 ordonnée. Il comporte en effet une propagation surfacique de l'oxydation, ce qui permet d'ordonner les tétraèdres de silice grâce à l'utilisation de la direction des contraintes maximales (cf. Laurent Favaro, Computational Materials Science. 21, 488-495, 2001). En effet, le volume molaire du silicium est supérieur dans la silice par rapport à celui du silicium pur, ce qui conduit à de fortes interactions le long i O. des rangées d'atomes de la surface. Le principe de cette invention est d'utiliser ces contraintes pour ordonner la silice. Pour ce faire, une source ponctuelle ou linéaire de chaleur, mobile par rapport à la galette de silicium, est utilisée qui va permettre d'oxyder les atomes de silicium de surface dans un ordre bien précis, conduisant donc à un oxyde mieux contrôlé que par les procédés antérieurs. Selon des modes particuliers de réalisation: i S. - La galette de silicium peut être montée sur un plateau tournant pour orienter sa direction cristallographique. - Une fente mobile peut être intercalée entre une source de chaleur radiative et la galette de silicium de manière à créer une source linéaire de chaleur. Celle-ci peut alors parcourir une direction cristallographique bien précise (les directions ( 110) et (-1 0) pour la surface Si(00 1)). c, O.* La pression de gaz oxydant peut être optimisée en fonction de l'épaisseur de la source linéaire de chaleur ainsi qu'en fonction de sa vitesse de déplacement relative. Les dessins annexés illustrent l'invention. En référence à ces dessins, le dispositif comporte une source de chaleur (1), une fente mobile (2), un plateau tournant (3) et la galette de silicium (4). En référence à ces dessins, le dispositif comporte une source radiative de chaleur (1) masquée par une c S * fente mobile (2) dont la direction est alignée par rapport aux axes cristallographique de la galette de silicium à oxyder (4) grâce à un plateau tournant (3). Un flux de gaz oxydant est maintenu dans l'enceinte à une température suffisamment faible pour que l'oxydation ne se produise qu'au contact du flux de chaleur produit par la source linéaire de chaleur. Le dispositif est particulièrement destiné à l'oxydation des galettes de silicium utilisé en micro3 0 électronique dans la fabrication des circuits intégrés. REVENDICATIONS 1) Dispositif pour oxyder des surfaces (notamment de silicium) caractérisé en ce qu'il comporte une source de chaleur ponctuelle ou linéaire (1 et 2), mobile par rapport à la surface à oxyder le long d'une direction cristallographique précise. 2) Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que le plateau de support de la surface à oxyder est tournant pour faciliter son orientation.