Brevet FR2834375A1 — publié le 20030704

TETE MAGNETIQUE INTEGREE POUR L'ENREGISTREMENT MAGNETIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CETTE TETE MAGNETIQUE DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne une tête magnétique intégrée pour l'enregistrement magnétique ainsi qu'un procédé de fabrication de cette tête magnétique intégrée. L'invention concerne en particulier des têtes magnétiques intégrées, fabriquées par une technique de couches minces, pour l'enregistrement magnétique hélicoïdal sur bandes. L'invention s'applique principalement à la vidéo grand public ou professionnelle (magnétoscopes de salon, caméscopes) ainsi qu'aux enregistreurs informatiques. D'autres domaines d'application sont les mémoires de masse informatiques (micro-informatique, stations de travail et gros systèmes) et le stockage de données sur bandes ou disques pour d'autres applications grand public (multimédia, photo, audio par exemple). ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Les supports (en anglais "media") d'enregistrement magnétique, destinés aux mémoires de masse (vidéo, audio ou informatique), comprennent de nombreuses pistes sur lesquelles sont inscrites des informations sous la forme de domaines magnétiques. Pour augmenter la densité des informations, on augmente leur nombre par unité de surface. Pour ce faire, on diminue la largeur des pistes et, simultanément, l'intervalle séparant ces pistes jusqu'à rendre ces dernières jointives comme par exemple dans le standard d'enregistrement hélicoïdal. Ceci est schématiquement illustré par la figure 1 où l'on voit des pistes jointives 2. On utilise de préférence deux têtes magnétiques, dont les azimuts sont non nuls et différents l'un de l'autre, pour écrire et pour lire deux pistes jointives, afin d'éviter les problèmes de diaphonie entre les pistes. Dans l'exemple de la figure 1, ces azimuts ou inclinaisons valent respectivement +i et-i, avec i différent de 0 . Les bits sont donc inscrits suivant les deux angles opposés +i et -i. La largeur de piste finale est précisément définie dans chaque norme (par exemple 6,7 m dans les systèmes appelés "DVC long-play"). Actuellement, les têtes d'enregistrement magnétique qui concernent ce domaine et sont disponibles sur le marché, sont fabriquées par microusinage, de manière unitaire, sans bénéficier des avantages des techniques de fabrication collective que l'on utilise en micrélectronique. Cependant, la réduction actuelle des largeurs de pistes conduit à fabriquer des têtes magnétiques dont les dimensions sont de plus en plus réduites. Ces dimensions atteignent maintenant les limites de la technique de micro-usinage. Une autre technique de fabrication est décrite dans le document suivant auquel on se reportera : (1) WO 92/02015, publié le 6 février 1992, "Procédé de réalisation de têtes d'écriture et/ou lecture pour enregistrement magnétique", invention de P. Gaud, H. Sibuet, A. Persico et L. Vieux Rochaz, voir aussi US 5 250 150 A. Il s'agit d'une technique de fabrication de têtes magnétiques intégrées comportant de préférence un entrefer (en anglais "gap") incliné ou entrefer azimuté. Précisons dès maintenant que la présente invention apporte des améliorations à la structure de base décrite dans ce document (1). On rappelle brièvement ci-dessous, en faisant référence aux figures 2 à 5, un exemple d'un procédé décrit dans le document (1). La figure 2 est une vue de dessus schématique d' une tête magnétique 4 qui est intégrée dans une puce (en anglais "chip") 6 et dont les deux pièces polaires 8 et 9 sont séparées par un entrefer azimuté 10. La puce 6 est vue après découpe (c'est-à-dire après séparation du substrat dans lequel on l'a fabriquée) et mise en forme de la surface de contact 17 entre la tête magnétique et un support (par exemple une bande) d'enregistrement magnétique. Sur la figure 2, on voit également la partie supérieure 12 du circuit magnétique de la tête 4 ainsi que les bobinages 14, ou solénoïdes, entourant cette partie supérieure 12 du circuit magnétique. On voit en outre la fermeture arrière 16 du circuit magnétique. Cette fermeture arrière 16 est formée en même temps que les pièces polaires 8 et 9. Les figures 3, 4 et 5 sont des vues en coupe schématiques illustrant seulement les principales étapes de fabrication de la tête magnétique 4 conformément à la technique divulguée par le document (1). En particulier, les différents niveaux de masquage ne sont pas précisés. Le plan de coupe des figures 3 à 5 est noté A-A sur la figure 2. Ces figures montrent respectivement la gravure du premier caisson de la première pièce polaire (figure 3), la constitution de l'entrefer et la mise en place du matériau magnétique du premier caisson (figure 4) et la fabrication de la deuxième pièce polaire (figure 5). Plus précisément, dans l'exemple considéré, on désire fabriquer une tête intégrée sur du silicium monocristallin avec un entrefer azimuté à 20 par rapport à la verticale. Pour ce faire, on utilise un substrat 18 en silicium monocristallin, orienté et décalé de 0,5 , dans lequel on pratique une gravure anisotrope qui définit le profil de gravure 20 et la cavité 22, ou caisson, que l'on voit sur la figure 3. Il convient cependant de noter que ce principe peut être utilisé avec tout autre substrat monocristallin, ce qui permet de choisir l'angle d'inclinaison ou angle d'azimut de l'entrefer. La gravure anisotrope est suivie d'une oxydation thermique qui permet de former l'entrefer 10 de la tête (figure 4). La couche d'oxyde thermique (Si02) obtenue a la référence 24. Une fois l'entrefer formé, on remplit la cavité 22 d'un matériau magnétique, d'où la première pièce polaire 8. Ce matériau magnétique peut éventuellement être feuilleté pour remédier au problème des courants de Foucault. On utilise ensuite une gravure isotrope sélective (qui, dans l'exemple considéré, attaque le silicium mais pas le Si02) pour former une autre cavité et l'on remplit cette autre cavité du matériau magnétique comme précédemment. On obtient ainsi la deuxième pièce polaire 9 (figure 5) qui est séparée de la première pièce polaire 8 par l'entrefer azimuté 10. Le point le plus important du document (1) est la fabrication des pièces polaires avec un entrefer azimuté. Cependant une tête intégrée sur du silicium nécessite la fabrication de solénoïdes. Cette fabrication est résumée sur les figures 6 à 11. Le plan de coupe des figures 6 à 9 est noté B-B sur la figure 2 et le plan de coupe des figures 10 et 11 est noté C-C sur cette figure 2. Ces figures 6 à 11 montrent respectivement la gravure du caisson de bobinage inférieur, son remplissage par du SiO2 puis sa planarisation (figure 6), la mise en place du bobinage inférieur par gravure et dépôt planarisé d'un métal, par exemple le cuivre (figure 7), la mise en place d'une couche isolante entre le bobinage inférieur et la partie supérieure du circuit magnétique (figure 8), la mise en place de la partie supérieure du circuit magnétique et de l'isolation avec le bobinage supérieur (figure 9), la formation de raccords électriques entre les bobinages inférieurs et supérieurs, par remplissage avec du cuivre, dépôt puis planarisation (figure 10), et la mise en place du bobinage supérieur (figure 11). Plus précisément, la première étape de fabrication des bobinages ou solénoïdes consiste à graver un caisson dans le substrat 18 en silicium (figure 6). Ce caisson est destiné à accueillir le bobinage inférieur ou niveau inférieur de bobinage. Ce caisson est donc rempli d'un matériau électriquement isolant 26 qui en l'occurrence peut être du SiO2. Le remplissage s'effectue par dépôt puis planarisation. On voit aussi sur la figure 6 la pièce polaire 8 et la fermeture arrière 16 du circuit magnétique. Dans le caisson 26 ainsi rempli, on grave ensuite des logements destinés à accueillir le niveau inférieur de bobinage 28 (figure 7). Ces logements sont remplis par dépôt de cuivre puis planarisation. On obtient ainsi le niveau inférieur des conducteurs en cuivre du bobinage de la tête. Une couche électriquement isolante 30, par exemple en SiÛ2, est ensuite déposée sur l'ensemble ainsi obtenu (figure 8) pour former une isolation électrique entre le niveau inférieur de bobinage (les conducteurs ou fils de cuivre) et la partie supérieure du circuit magnétique. Cette couche isolante 30 est nécessaire car la partie supérieure du circuit magnétique, qui sera finalement entourée par le solénoïde, est constituée d'un matériau magnétique électriquement conducteur. Ensuite, on dépose une nouvelle couche électriquement isolante 32 en Si02 (figure 9) dans laquelle, à l'aide de dépôts et de planarisations, on vient mettre en place la partie supérieure 34 du circuit magnétique. Le tout est ensuite recouvert d'une couche électriquement isolante 36 en Si02 qui sert à isoler le circuit magnétique de la partie supérieure du bobinage. Ensuite, à l'aide de gravures, de dépôts et de planarisations, on forme des raccords électriques 38 en cuivre (figure 10) pour amener le contact électrique en surface. Ensuite, comme on le voit sur la figure 11, un nouveau dépôt 40 de Si02, suivi d'une gravure, d'un dépôt puis d'une planarisation, permet de mettre en place le niveau supérieur 42 du bobinage. La technique divulguée par le document (1) présente des inconvénients. Le silicium monocristallin est utilisé dans cette technique pour obtenir l'azimut choisi pour l'entrefer. Cependant, les propriétés mécaniques du silicium monocristallin sont insuffisantes pour une utilisation pratique des têtes magnétiques qui en résultent. Le taux d'usure du silicium est en effet trop important. On essaie donc de remplacer ce matériau dans la zone de contact 17 (figure 2) entre la tête magnétique et le support (par exemple une bande) d'enregistrement magnétique sur lequel on veut écrire ou lire des informations avec cette tête magnétique. On se reportera aussi au document suivant : (2) Demande de brevet français N 0003635 du 22 mars 2000, "Tête magnétique intégrée pour l'enregistrement magnétique hélicoïdal sur bande et son procédé de fabrication", invention de M. Fièvre, J. B Albertini, P. Gaud et H. Sibuet, voir aussi la demande internationale PCT/FR 01/00840 du 21 mars 2001. Ce document divulgue l'utilisation de structures SOI ("silicium sur isolant") pour fabriquer des têtes magnétiques intégrées et propose une solution pour remplacer le silicium, au-dessus et au-dessous de l'entrefer, par un matériau plus dur tel que A1203-TiC par exemple, comme le montre la figure 12. Cependant, même en utilisant cette solution, il reste du silicium autour de l'entrefer dans la zone de contact, comme le montre également la figure 12. Il convient de noter que cette figure 12 montre une tête magnétique comportant un empilement de couches, de sorte que les expressions "au-dessus", "audessous" et "autour" utilisées ci-dessus ont un sens. Sur cette figure 12, on voit une tête magnétique comprenant un substrat inférieur 43 fait d'un matériau plus dur que le silicium, une couche 44 par exemple en Si02, un entrefer 46 compris entre des première et deuxième pièces polaires 48 et 50, une couche 52, contenant la partie supérieure du circuit magnétique et le bobinage qui entoure ce circuit, et un superstrat 54 pouvant être fait du même matériau que le substrat 43. Le silicium résiduel a la référence 56. La figure 12A montre une partie de la figure 12 et illustre schématiquement la définition générale de deux plans P1 et P2. Ces plans P1 et P2 sont des plans parallèles, contenant les pièces polaires 48 et 50 de la tête magnétique, et sont définis par des points A et B que l'on voit sur la figure 12A. Ces points A et B définissent la partie du plan 46, commune aux contours des deux pièces polaires 48 et 50. Cette partie du plan 46 est l'entrefer de la tête magnétique. EXPOSÉ DE L'INVENTION La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents. En particulier, l'invention propose une tête magnétique intégrée, à structure en couche mince, dans la zone de contact de laquelle un matériau plus dur que le silicium remplace ce dernier autour de l'entrefer et, de préférence, également au-dessus et au-dessous de cet entrefer, ainsi qu'un procédé de fabrication de cette tête magnétique. De façon précise, la présente invention a pour objet une tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires séparées par un entrefer et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique, par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. Selon un mode de réalisation particulier de la tête magnétique intégrée objet de l'invention, les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles de la structure en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. La présente invention a aussi pour objet une tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince, cette structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires séparées par un entrefer et en alignement longitudinal, ces pièces polaires étant contenues, dans le sens transversal par rapport à la structure, entre deux plans parallèles de la structure en couche mince, cette tête magnétique étant caractérisée en ce qu'elle comprend, au moins dans cette tranche, entre les deux plans parallèles, de part et d'autre des pièces polaires séparées par l'entrefer, un premier matériau RI plus résistant à l'usure, ce premier matériau étant par exemple plus dur que le matériau du caisson, afin de renforcer la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture (référence 17 sur la figure 2). Dans l'invention, l'entrefer peut être droit, c'est à dire sans azimut, mais cet entrefer est de préférence azimuté, c'est-à-dire incliné, pour les raisons mentionnées plus haut. De préférence, la tête magnétique objet de l'invention comprend en outre deux couches d'un deuxième matériau R2 résistant à l'usure, ce deuxième matériau étant par exemple plus dur que le silicium, et les deux couches encadrent la structure en couche mince, pour renforcer davantage la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture. La combinaison des matériaux R1 et R2 pourra être choisie afin de conserver un rayon transversal à la face 17, suffisamment petit pour assurer le meilleur contact des pôles au voisinage de l'entrefer en évitant le phénomène d'aplatissement inhérent à l'usure des têtes (on pourra, par exemple, choisir R1 plus résistant à l'usure que R2). Le choix du deuxième matériaux pourra être fait par rapport au matériau ayant la référence 70 sur la figure 15 des dessins annexés, pour contrôler le rayon transversal de la tête pendant le processus d'usure. La tête magnétique objet de l'invention peut comprendre également un élément en forme de couche contenant des circuits complémentaires de la tête magnétique, entre la stucture en couche mince et l'une des deux couches du deuxième matériau résistant à l'usure. Le premier matériau RI résistant à l'usure peut par exemple être choisi parmi A1203 et Si02. Le deuxième matériau R2 résistant à l'usure peut être choisi parmi A1203-TiC, CaTi03, Zr02, A1203SiC, le saphir, SiC ou Si3N4. Selon un mode de réalisation particulier de l'invention, la tête magnétique comprend une couche principale qui encadre la partie active de la tête magnétique, deux couches intermédiaires encadrant cette couche principale et deux couches auxiliaires qui sont faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau de la couche principale et qui encadrent les deux couches intermédiaires, ces couches intermédiaires étant faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau des couches auxiliaires, de manière à former une structure ayant une forme apte à permettre un bon contact de la tête avec un support d'enregistrement magnétique pendant toute la durée de vie de cette tête. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une tête magnétique intégrée, procédé dans lequel on forme une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires séparées par un entrefer et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. Selon un mode de mise en #uvre particulier de ce procédé, les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles de la stucture en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'au moins une tête magnétique intégrée, ce procédé comprenant les étapes suivantes : - on forme un premier substrat comprenant les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer de préférence azimuté, séparant ces première et deuxième pièces polaires, et un élément formant une fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme un premier caisson dans un substrat, autour des première et deuxième pièces polaires séparées par l'entrefer, - on remplit ce premier caisson du premier matériau R1 plus résistant à l'usure, par exemple plus dur que le silicium, - on planarise ce premier matériau résistant à l'usure, - on complète le circuit magnétique, de manière à obtenir un circuit magnétique fermé, incorporant les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer et l'élément formant la fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme les bobinages de la tête magnétique, et - on découpe transversalement la tête magnétique de manière à la séparer du premier substrat et faire apparaître la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique. Selon un mode de mise en #uvre particulier du procédé objet de l'invention, le premier matériau R1 résistant à l'usure est du Si02. Dans ce cas, selon un mode de mise en #uvre préféré du procédé objet de l'invention, - on forme simultanément, dans le premier substrat, le premier caisson et un deuxième caisson permettant la formation des bobinages de la tête magnétique, - on remplit simultanément ces premier et deuxième caissons avec le premier matériau résistant à l'usure et - on planarise simultanément le premier matériau remplissant le premier caisson et le premier matériau remplissant le deuxième caisson. Selon un mode de mise en #uvre particulier de l'invention, le premier substrat comprend un substrat auxiliaire, une couche d'arrêt de gravure sur ce substrat auxiliaire et une couche mince d'un matériau monocristallin, d'orientation appropriée, sur la couche d'arrêt de gravure, et l'on forme dans cette couche mince, par gravure de cette dernière, les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer ainsi que le premier caisson. De préférence, le substrat auxiliaire est en silicium , la couche d'arrêt en Si02 et la couche mince en silicium monocristallin. Selon un mode de mise en #uvre particulier de l'invention, - on élimine le substrat auxiliaire pour faire apparaître la couche d'arrêt de gravure, - on fixe, sur la face libre de la couche mince, une autre couche permettant de compléter la formation des bobinages de la tête magnétique, - on fixe, respectivement sur cette autre couche et sur la couche d'arrêt de gravure, des première et deuxième couches d'un deuxième matériau plus résistant à l'usure que le silicium, et - on découpe ensuite transversalement la tête magnétique. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : - la figure 1 est une vue schématique d'un support d'enregistrement magnétique connu, à pistes jointives, et a déjà été décrite, - la figure 2 est une vue de dessus schématique d'une tête magnétique connue, à entrefer azimuté, et a déjà été décrite, - les figures 3 à 5 sont des vues en coupe schématiques, illustrant les principales étapes de fabrication de la tête magnétique de la figure 2, et ont déjà été décrites, - les figures 6 à 11 sont des vues en coupe schématiques, illustrant des étapes de fabrication de solénoïdes de la tête magnétique de la figure 2, et ont déjà été décrites, - la figure 12 est une vue schématique de la zone de contact d'une autre tête magnétique connue, et a déjà été décrite, - la figure 12A illustre schématiquement la définition de plans parallèles contenant les pièces polaires d'une tête magnétique et a déjà été décrite, - la figure 13 est une vue schématique sur la tranche d'un mode de réalisation particulier de la tête magnétique objet de l'invention en cours de fabrication, - la figures 14 à 16 sont des vues de dessus schématiques illustrant des étapes d'un procédé de fabrication de la tête magnétique de la figure 13, - les figures 17 et 18 sont des vues de dessus schématiques illustrant des étapes d'un procédé de fabrication de la tête magnétique de la figure 13, dans le cas où l'on utilise la silice en tant que matériau résistant à l'usure, - la figure 19 est une vue de dessus schématique d'une tête magnétique conforme à l'invention, en cours de fabrication, - les figures 20 à 22 sont des vues en coupe schématiques, illustrant des étapes de fabrication de la tête magnétique de la figure 19, - la figure 23 est une vue schématique de la zone de contact d'un autre mode de réalisation particulier de la tête magnétique objet de l'invention. - la figure 24 est une vue de dessus schématique d'un exemple de tête magnétique conforme à l'invention, - la figure 25 est une vue en coupe schématique de cet exemple avant la fabrication des solénoïdes de cette tête magnétique, et - la figure 26, illustre schématiquement un autre exemple de tête magnétique conforme à l'invention. EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS Dans ce qui suit, les matériaux sont donnés à titre d'exemples. La figure 13 est une vue schématique d'une tête magnétique intégrée conforme à l'invention en cours de fabrication. La structure 58 en couche mince, représentée sur cette figure, est vue sur la tranche d'une puce (en anglais "chip") comportant la tête en cours de fabrication ou sur la tranche d'une plaque (en anglais "wafer") comportant un grand nombre de telles têtes magnétiques en cours de fabrication de façon collective. La structure 58 est une vue au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, face destinée à être en contact avec un support d'enregistrement magnétique (face 17, figure 2). La structure 58 est formée sur une couche mince 60 de silice, servant de couche d'arrêt de gravure et formée sur un substrat 62, par exemple en silicium ou en un matériau résistant à l'usure (R2). Entre le plan P1 de la surface supérieure de la couche 60 en silice et un autre plan P2 parallèle à P1, au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture et au voisinage de cette face, la structure 58 comprend une première pièce polaire 64 et une deuxième pièce polaire 66 qui sont séparées par un entrefer azimuté 68 en silice, et un matériau 70 résistant à l'usure (R1), par exemple plus dur que le silicium, de part et d'autre des pièces polaires 64 et 66. Ce matériau 70 est par exemple de l'alumine ou de la silice. La structure de la figure 13 est fabriquée en un grand nombre d'exemplaires sur une plaque ("wafer") de silicium ou de SOI de type silicium sur matériau résistant à l'usure référencé 62 ou 72 qui est vue de dessus sur la figure 14. La référence 74 représente un chemin de découpe de la puce contenant la structure de la tête magnétique en cours de fabrication. La figure 13 correspond à la coupe D-D de la figure 14. Pour chaque puce on fabrique d'abord les deux pièces polaires 64 et 66 séparées par l'entrefer 68 ainsi qu'un élément 76 formant la fermeture arrière du circuit magnétique de la tête magnétique correspondant à cette puce. On grave ensuite un caisson 78 dans le silicium de la plaque, autour des pièces polaires 64 et 66, comme le montre la vue de dessus de la figure 14. On remplit ensuite ce caisson du matériau 70 résistant à l'usure (figure 15) au moyen d'un dépôt approprié du matériau. Ce matériau est ensuite planarisé pour en éliminer le surplus (et obtenir la surface plane P2 de la figure 13). On complète ensuite le circuit magnétique 77 de la tête magnétique (figure 16) de manière à fermer ce circuit (dont on avait déjà formé les pièces polaires et l'élément de fermeture arrière) et l'on forme les bobinages 78 de la tête magnétique. On découpe ensuite la puce 80 et l'on met en forme cette puce comme on le voit sur la figure 16. Ainsi le matériau 70 résistant à l'usure se retrouve autour des pièces polaires, sur la face d'écriture et/ou de lecture 82 de la tête magnétique. En ce qui concerne la fabrication des pièces polaires 64 et 66 séparées par l'entrefer 68 et la fabrication de l'élément 76, la fermeture du circuit magnétique 77 et la fabrication des bobinages 78, on se reportera aux figures 3 à 11 et à la description associée. Dans l'exemple des figures 17 et 18, on considère l'utilisation de silice en tant que matériau 70 résistant à l'usure. Dans ce cas, les opérations de gravure du silicium autour des pièces polaires 64 et 66, de dépôt de silice dans le caisson 78 (figure 14) et de planarisation de la silice peuvent être réalisées en même temps que les opérations correspondantes, relative au caisson de bobinage inférieur 84 que l'on voit sur la figure 17. Il convient de noter que cette technique présente l'avantage de résoudre le problème de l'usure sans pour autant rajouter des étapes technologiques. Plus précisément, comme on le voit sur la figure 17, on a en outre gravé, sur la plaque 72 (figure 14), à l'intérieur de chaque chemin de découpe 74, une zone 84 appelée "caisson de bobinage inférieur" qui est nécessaire pour implanter le niveau inférieur des conducteurs des bobinages, ces conducteurs étant par exemple en cuivre. Ce caisson de bobinage inférieur 84, qui n'est pas mentionné dans la description des figures 14 à 16 et qui n'est pas représenté sur ces figures, est ainsi formé en plus des pièces polaires séparées par l'entrefer et de l'élément de fermeture arrière du circuit magnétique. Les caissons 78 et 84 sont gravés en même temps dans le silicium de la plaque 72. Ensuite, on dépose de la silice 86 dans le caisson de bobinage inférieur 84(figure 18). On dépose aussi le matériau 70 résistant à l'usure dans le caisson 78 qui entoure les pièces polaires. Si ce matériau 70 est également de la silice les deux dépôts sont formés en même temps après quoi ils sont planarisés (planarisation de la plaque entière 72). On précise que l'on implante ensuite le niveau inférieur de bobinage en cuivre dans la silice 86 qui remplit le caisson 84. Après avoir complété et fermé le circuit magnétique et formé les solénoïdes correspondants, on découpe chaque puce et on la met en forme comme on l'a vu plus haut. Le matériau 70 résistant à l'usure n'est pas nécessairement la silice : on a vu que l'on pouvait aussi utiliser l'alumine par exemple. Les figures 20, 21 et 22 sont des vues en coupe schématiques qui illustrent des étapes de fabrication d'une tête magnétique conforme à l'invention et correspondant à cette possibilité. La figure 19 est une vue de dessus schématique montrant cette tête en cours de fabrication et les figures 20 à 22 correspondent à la coupe E-E de figure 19. Sur cette figure 19 on voit, comme précédemment, le chemin de découpe 74 de la puce contenant la tête magnétique. On voit aussi les deux pièces polaires 64 et 66, l'entrefer 68 séparant ces pièces polaires, la fermeture arrière 76 du circuit magnétique correspondant, le caisson de bobinage inférieur correspondant 84 et le caisson 78 que l'on forme, comme on a vu, autour des pièces polaires 64 et 66. Dans le cas des figures 19 à 22, on utilise la couche isolante d'une structure SOI (silicium sur isolant) pour arrêter les gravures. Les étapes de dépôt et de planarisation se déroulent de la même façon que précédemment. Plus précisément, on voit sur la figure 20 un substrat 90 en silicium, sur lequel est formée une couche mince 92 de silice, et une couche mince 94 de silicium monocristallin, qui est formée sur cette couche de silice 92. On voit aussi la pièce polaire 66 et la fermeture arrière de circuit magnétique 76. On voit en outre le caisson de bobinage inférieur 84 et le caisson 78 formé autour des pièces polaires, au niveau de la zone de contact ou zone de frottement sur le support (par exemple la bande) d'enregistrement magnétique. Les caissons ont été gravés dans le silicium de la couche mince 94 et la couche de silice 92 sert de couche d'arrêt de gravure. La figure 21 montre montre le remplissage du caisson 78 par un matériau 70 résistant à l'usure, par exemple la silice ou l'alumine, et le remplissage du caisson 84 par la silice 86. La figure 22 montre ce matériau 70 et la silice 86 après planarisation. La figure 23 est une vue schématique d'une autre tête magnétique conforme à l'invention en cours de fabrication. Plus précisément, cette autre tête magnétique comporte une structure que l'on voit sur la tranche, sensiblement au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture de la tête. La structure de la figure 23 est à comparer à celle de la figure 13 et constitue une étape plus avancée dans le procédé de fabrication. On la comparera aussi à la structure connue de la figure 12 à laquelle elle apporte, bien entendu, des améliorations. En fait, la structure que l'on voit sur cette figure 23 cumule les avantages procurés par la présente invention et par la technique divulguée par le document (2) . Cette structure de la figure 23 permet de résoudre tous les problèmes d'usure du silicium en remplaçant partout ce dernier au niveau de la face de lecture et/ou d'écriture. On voit sur la figure 23 les pièces polaires 64 et 66 séparées par l'entrefer azimuté 68 en silice et formées sur une couche mince de silice 60, elle-même formée sur un substrat de silicium. On voit également, de part et d'autre des pièces polaires, le matériau résistant à l'usure 70, comme on l'a expliqué dans la description de la figure 13, et une couche de silice 96 qui s'étend au dessus de ce matériau 70, et aussi entre ce dernier et la pièce polaire 64. On fixe ensuite sur la couche de silice 96 une couche 98 contenant la partie supérieure du circuit magnétique et le bobinage qui l'entoure. On fixe aussi le substrat 54, résistant à l'usure, sur cette couche 98. On enlève alors le substrat de silicium, ce qui fait apparaître la couche de silice 60. Puis on fixe le substrat 43 résistant à l'usure sur la couche de silice 60. Ces substrats 43 et 54 sont par exemple en A1203-TiC, en CaTi03 ou en Zr02. On donne maintenant, à titre purement indicatif et nullement limitatif, un exemple numérique relatif à une tête magnétique conforme à l'invention. La figure 24 est une vue de dessus schématique de cette tête magnétique tandis que la figure 25 est une vue en coupe schématique d'un empilement de couches, que l'on obtient en cours de fabrication de cette tête magnétique, avant la formation des solénoïdes de cette dernière. La figure 24 (respectivement 25) est à comparer à la figure 16 (respectivement 22) et, sur les figures 16 et 24 (respectivement 22 et 25), les mêmes éléments ont les mêmes références. Dans l'exemple de la figure 24, la longueur dl de l'entrefer 68 (vu de dessus), vaut environ 10 m, la longueur d3 de la fermeture arrière 76 du circuit magnétique (vu de dessus) est de l'ordre de 250 m et la largeur d2 du caisson de matériau 70 est de l'ordre de 1mm. Dans l'empilement de la figure 25, la largeur d4 de la fermeture arrière 76 du circuit magnétique vaut environ 100 m, la largeur d5 du caisson 78 vaut environ 50 m, la largeur d6 du caisson 84 vaut environ 200 m et l'épaisseur d7 de la couche 94 vaut environ 4 m. La figure 26 est une vue schématique d'un autre exemple de tête magnétique conforme à l'invention. On voit le profil P de cette tête magnétique et l'on a également indiqué la direction D de défilement d'une bande magnétique avec laquelle on veut utiliser la tête magnétique. Dans le sens transversal au défilement de la bande, trois matériaux de duretés différentes sont situés de part et d'autre de la partie active de la tête magnétique (c'est-à-dire les pièces polaires plus tous les éléments fonctionnels de cette tête). Plus précisément, une première couche 70 encadre la partie active de la tête (cette partie active est insérée au milieu de la couche 70) et le matériau dont est faite cette couche 70 a la dureté la plus élevée. Deux autre couches 60 et 98 encadrent la couche 70 et sont faites du matériau ayant la dureté la plus faible. Deux autres 43 et 54 sont situées à l'extérieur du "sandwich" ainsi obtenu (dans le sens transversal au défilement de la bande). Elle encadrent les deux couches 60 et 98 et sont faites d'un matériau dont la dureté est intermédiaire entre celle du matériau de la couche 70 et celle du matériau des couches 60 et 98. La structure que l'on voit sur la figure 26 est une structure du genre "trimaran" ayant une forme utile pour un bon contact tête/bande pendant toute la durée de vie de la tête. Les exemples que l'on a donnés de l'invention concernent des têtes magnétiques comportant un entrefer azimuté. Cependant, l'invention ne se limite pas à de tels exemples on peut également fabriquer, conformément à l'invention, des têtes magnétiques comportant un entrefer droit. La technique de la présente invention offre l'avantage de pouvoir choisir l'angle d'azimut en choisissant l'orientation cristalline du silicium. Un autre substrat monocristallin que le silicium pourrait éventuellement être utilisé. REVENDICATIONS 1. Tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique, par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 2. Tête magnétique intégrée selon la revendication 1, dans laquelle les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles (P1, P2) de la stucture en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 3. Tête magnétique intégrée comprenant une structure en couche mince selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, cette structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires étant contenues, dans le sens transversal par rapport à la structure, entre deux plans parallèles (P1, P2) de la structure en couche mince, cette tête magnétique étant caractérisée en ce qu'elle comprend, au moins dans cette tranche, entre les deux plans parallèles, de part et d'autre des pièces polaires séparées par l'entrefer, un premier matériau (70) résistant à l'usure, afin de renforcer la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture. 4. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle l'entrefer est un entrefer azimuté (68). 5. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant en outre deux couches (43,54) d'un deuxième matériau résistant à l'usure, les deux couches encadrant la structure en couche mince, pour renforcer davantage la résistance à l'usure de la face de lecture et/ou d'écriture. 6. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, comprenant également un élément (98) en forme de couche contenant des circuits complémentaires de la tête magnétique, entre la structure en couche mince et l'une (54) des deux couches du deuxième matériau résistant à l'usure. 7. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequelle le premier matériau (70) résistant à l'usure est choisi parmi A1203 et Si02. 8. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans laquelle le deuxième matériau résistant à l'usure est choisi parmi A1203-SiC, Al2O3-TiC, CaTi03, Zr02, le saphir, SiC, Si3N4. 9. Tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant une couche principale (70) qui encadre la partie active de la tête magnétique, deux couches intermédiaires (60, 98) encadrant cette couche principale (70) et deux couches auxiliaires (43,54) qui sont faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau de la couche principale (70) et qui encadrent les deux couches intermédiaires (60, 98), ces couches intermédiaires (60, 98) étant faites d'un matériau moins résistant à l'usure que le matériau des couches auxiliaires (43,54), de manière à former une structure ayant une forme apte à permettre un bon contact de la tête avec un support d'enregistrement magnétique pendant toute la durée de vie de cette tête. 10. Procédé de fabrication d'une tête magnétique intégrée, dans lequel on forme une structure en couche mince contenant, dans la tranche de la structure constituant la face de lecture et/ou d'écriture de la tête magnétique, deux pièces polaires (64,66) séparées par un entrefer (68) et en alignement longitudinal, ces pièces polaires ayant la particularité d'être encadrées, dans le sens de défilement d'un support d'enregistrement magnétique, par deux zones de matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel les pièces polaires sont contenues entre deux plans parallèles (P1, P2) de la stucture en couche mince, cette structure comprenant au moins entre ces deux plans parallèles de part et d'autre des pièces polaires dans le sens de défilement du support d'enregistrement magnétique, un matériau plus résistant à l'usure que le silicium. 12. Procédé de fabrication d'au moins une tête magnétique intégrée selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, ce procédé comprenant les étapes suivantes : - on forme un premier substrat comprenant les première et deuxième pièces polaires (64,66), l'entrefer (68) de préférence azimuté, séparant ces première et deuxième pièces polaires, et un élément (76) formant une fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme un premier caisson (78) dans le substrat, autour des première et deuxième pièces polaires séparées par l'entrefer. - on remplit ce premier caisson du premier matériau (70) plus résistant à l'usure, - on planarise ce premier matériau résistant à l'usure, - on complète le circuit magnétique (77) de manière à obtenir un circuit magnétique fermé, incorporant les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer et l'élément formant la fermeture arrière de circuit magnétique, - on forme les bobinages (78) de la tête magnétique, et - on découpe transversalement la tête magnétique de manière à la séparer du premier substrat et faire apparaître la face de lecture et/ou d'écriture (82) de la tête magnétique. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le premier matériau (70) résistant à l'usure est du Si02. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on forme simultanément, dans le premier substrat, le premier caisson (78) et un deuxième caisson (84) permettant la formation des bobinages de la tête magnétique, - on remplit simultanément ces premier et deuxième caissons avec le premier matériau (70) résistant à l'usure et - on planarise simultanément le premier matériau remplissant le premier caisson et le premier matériau remplissant le deuxième caisson. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, dans lequel le premier substrat comprend un substrat auxiliaire (90), une couche d'arrêt de gravure(92) sur ce substrat auxiliaire et une couche mince (94) d'un matériau monocristallin, d'orientation appropriée, sur la couche d'arrêt de gravure, et l'on forme dans cette couche mince, par gravure de cette dernière, les première et deuxième pièces polaires, l'entrefer ainsi que le premier caisson. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel le substrat auxiliaire (90) est en silicium, la couche d'arrêt (92) en SiO2 et la couche mince (94) en silicium monocristallin. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 15 et 16, dans lequel - on élimine le substrat auxiliaire pour faire apparaître la couche d'arrêt de gravure, - on fixe, sur la face libre de la couche mince, une autre couche (98) permettant de compléter la formation des bobinages de la tête magnétique, - on fixe, respectivement sur cette autre couche et sur la couche d'arrêt de gravure, des première et deuxième couches (43,54) d'un deuxième matériau plus résistant à l'usure que le silicium, et - on découpe ensuite transversalement la tête magnétique.