Brevet FR2837982A1 — publié le 20031003

B 14079.3 AL MODULE DE CIRCUITS INTEGRES ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT La présente invention concerne un module de circuits intégrés et un procédé de fabrication correspondant. Une application plus particulièrement intéressante concerne les modules intégrant des composants de puissance, comme par exemple des composants AsGa de type MMIC (acronyme anglo-saxon pour MonolitElc Microwave Integratod Clrcuit), pour lesquels il est nécessaire d'avoir une bonne dissipation thermique. Habituellement, la dissipation thermique est obtenue au moyen d'éléments adaptés offrant un chemin thermique dans le module considéré, o entre la face arrière des composants de puissance et un dispositif de refroidissement, tel qu'une plaque froide ou un drain thermique. Or les points chaubs des composants sont situés en face avant. Les points chauds correspondent typiquement à des jonctions de transistors de puissance. Aussi, le chemin de dissipation thermique dans le composant traverse t-il tout 1 le substrat du composant lui-même, depuis la face avant, jusqu'à la face arrière. Dans l'invention, on a cherché à limiter les échanges thermiques à l'intérieur des composants. La solution trouvée à ce problème technique est de prévoir des zo moyens de refroidissement par la face avant des composants, en réduisant le plus possible la dissipation thermique par la face arrière. L'invention s'applique plus particulièrement au domaine des modules de circuits intégrés, ou modules MCM (acronyme anglo-saxon pour Multl-Chip Module). Ces modules intègrent différents types de composants z (puces silicium, filtres à onde de surface, composants passifs...), et leur structure d'interconnexion est issue des technologies dites de câblage collectif. Selon ces technologies, des composants sont placés dans un substrat isolant, de façon à ce que les plots de connexion de ces composants soient sensiblement dans le même plan de surface que la face o avant du substrat isolant. Le substrat peut être moulé ou gravé. Une structure d'interconnexion de type câblage collectif est réalisée sur la face avant du substrat, et permet d'assurer l'interconnexion des composants entre eux et vers l'extérieur. Cette structure comprend au moins une couche de diélectrique, des trous métallisés et un réseau de conducteurs. Selon l'invention, on prévoit des plages de contact thermique sur la face active de certains composants, correspondant à des éléments conducteurs électriquement connectés au plan de masse. Des éléments de conduction thermique sont réalisés dans la structure d'interconnexion pour relier thermiquement ces plages de contact thermique à un dispositif de dissipation thermique. Ces plages de contact thermique sont en pratique situées à proximité de points chauds. Ce sont par exemple des ponts à air de o transistors de puissance. Par exemple, on réalise une plage de contact thermique sur un pont à air qui contacte les émetteurs des transistors élémentaires d'un transistor de puissance de type HBT (acronyme anglo- saxon pour Heterojanction Bipolar Transisto4, ou sur un pont à air qui contacte les sources des transistors élémentaires d'un transistor de puissance de type HEMT ( High electron Mobility Transistor). Ces plages de contact thermique sont situées sensiblement dans le même plan de surface que les plots de connexion et la face avant du substrat isolant. L'invention concerne donc un composant électronique comprenant une face active comportant des éléments conducteurs et des plots de zo connexion, caractérisé en ce qu'il comporte une plage de contact thermique au moins sur la face active, chaque plage de contact thermique comprenant un élément de conducteur électriquement connecté au plan de masse du composant, et une surface de contact thermique comprenant au moins la surface de contact avec ledit élément conducteur. z Selon un aspect de l'invention, I'élément de conducteur d'une plage de contact thermique est un pont à air de transistor de puissance. De préférence, la surface de la plage de contact thermique recouvre sensiblement la surface du transistor de puissance. L'invention concerne aussi un module de circuits intégrés comprenant un substrat isolant, une pluralité de composants électroniques dont un composant au moins avec une ou des plages de contact thermique, les composants étant placés dans ledit substrat en sorte que les plots de connexion soient sensiblement dans le même plan de surface que la face avant du substrat, et une structure d'interconnexion de type câblage collectif ss disposée sur la dite face avant pour connecter les composants entre eux et vers l'extérieur, caractérisé en ce que les plages de contact thermique sont sensiblement dans le même plan de surface que les plots de connexion, et en ce qu'il comprend des éléments de conduction thermique traversant ladite structure d'interconnexion en regard desdites plages de contact thermique permettant de relier lesdites plages à un dispositif de dissipation thermique. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication de plages de contact thermique sur un composant, comprenant notamment la réalisation d'ouvertures dans une couche de protection recouvrant la face active du composant et le remplissage de ces ouvertures par du matériau conducteur. o Dans une variante, on prévoit d'élargir ces plages de contact thermique réalisées sur les faces actives des composants, pour augmenter la surface d'échange thermique. Un procédé de fabrication d'un module, comprend notamment la formation de trous traversant la structure d'interconnexion, bouchés par du matériau thermiquement conducteur, en regard des plages de contact thermique sur les faces actives des composants. D' autres caractéristiques et avantag es de l ' inventi on sont détail lés dans la description suivante, faite à titre d'exemple, et en référence aux o dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe longitudinale d'un module selon l'invention reporté par montage en surface sur un circuit imprimé collé sur un circuit de refroidissement, - la figure 2 est une vue en coupe longitudinale d'un exemple de z circuit électronique comprenant des modules de circuits intégrés selon l'invention; - les figures 3 et 4 sont des vues en coupe longitudinale et transversale d'un élément de conduction thermique sur un pont à air de transistor de puissance servant de plage de contact o thermique selon l'invention, - les figures 5 à 13 montrent des étapes de fabrication d'un module de circuits intégrés dans un substrat moulé, y compris la réalisation de plages de contact thermique et d'éléments de conduction thermique correspondants, et la figure 14 montre un exemple de module obtenu selon une variante de fabrication. La figure 1 montre un module M de circuits intégrés refroidi par sa face avant selon le principe de l'invention. Pour la clarté de l'exposé, un seul composant 1 est représenté dans le module. Ce composant est disposé dans le substrat en sorte que ses plots de connexion 6, 7 soient sensiblement dans le même plan de surface que la face avant du substrat isolant 2. Pour les composants tels que le composant 1 qui ont leur plan de masse reporté o en face arrière (métallisation de la face arrière), il faut assurer la continuité électrique du plan de masse avec la face avant du module. On prévoit habituellement au moins une couche métallique (non représentée) entre le composant et le substrat isolant, qui assure cette continuité électrique. Cette couche a une épaisseur typique d'environ 15 microns. La réalisation pratique de cette couche de métal de continuité électrique dépend du procédé de fabrication du module M. Dans un exemple, le procédé de fabrication du module utilise un substrat moulé ou gravé. Ce substrat moulé peut être réalisé dans tout matériau isolant habituel, comme de la céramique, ou de la résine, selon tout procédé connu. La couche de métal est alors rénlisée zo selon tout procédé adapté pour recouvrir la face avant du substrat moulé ou gravé, avant de placer les composants dans des cavités du substrat, face arrière des composants contre le fond de la cavité. Dans un autre exemple, le procédé de fabrication du module utilise une technique de moulage d'un substrat isolant (résine) par-dessus les composants, par leur face arrière. Une technique de réalisation de la couche de métal de continuité électrique est décrite dans la demande de brevet EP 0611 129 A2. Selon cette technique, on dépose une couche de métal sur un film diélectrique souple. On vient placer le film ainsi métallisé, face métal contre la face arrière métallisée des composants. Le moulage de la résine peut ensuite être réalisé par dessus. De préférence, la continuité électrique entre la face arrière d'un composant et la face avant du module est obtenue en plaçont le composant dans une cavité d'un bloc de substrat conducteur, dans le substrat isolant. Le substrat conducteur contribue à un meilleur refroidissement du composant. Un tel mode de réalisation est représenté sur la figure 1. Le composant 1 est placé dans une cavité d'un bloc de substrat conducteur 3, typiquement un substrat cuivre. Ce substrat conducteur est tel qu'il affleure en surface de la face avant du substrat isolant. Le composant est collé par sa face arrière dans le fond de la cavité, par une colle conductrice 4. On a ainsi la continuité électrique du plan de masse entre la face arrière et le substrat conducteur. Une structure d'interconnexion 9 de type câblage collectif est réalisée de façon habituelle en face avant du substrat isolant. Cette structure recouvre toute la surface du module M et comprend des connexions électriques qui permettent l'interconnexion des composants du module et la o connexion vers l'extérieur. Elle comprend en général plusieurs couches de diélectrique en fonction de la complexité du routage à réaliser. Pour chaque couche, on a des trous métallisés, en regard de zones de contact sur une couche inférieure et des conducteurs correspondants. Dans l'exemple représenté sur la figure 1, cette structure d'interconnexion 9 comprend deux couches de polymère 9a et 9b. La première couche de polymère 9a comprend notamment des trous métallisés en regard de plots de connexion 6, 7 du composant 1, situés sur la face active de ce composant. La structure d'interconnexion comprend un élément de conduction thermique 11, qui la traverse de part en part, et qui vient en contact sur une zo plage de contact thermique 12 sur la face active du composant 1, formée par un conducteur prédéterminé relié au plan de masse du composant. En pratique ce conducteur est situé à proximité d'un point chaud au moins du composant. C'est par exemple, et comme représenté sur la figure 1, un pont à air de transistor de puissance. Un transistor de puissance comprend en s effet différents points chauds sous le pont à air, au niveau de jonctions des différents transistors élémentaires qui le fomment. La structure d'interconnexion 9 comprend d'autres éléments de conduction thermique 13 a et 13 b, qui la traversent de part en part, pour venir en contact avec des portions 14a et 14b du substrat conducteur 3, en face avant du module. Ces portions forment des plages de contact thermique par lesquelles la chaleur provenant de la face arrière du composant 1 placé dans le substrat conducteur va pouvoir se dissiper. En général, la face active des composants est recouverte d'une couche de protection mécanique 5 qui protège les conducteurs, notamment 3 les ponts à air dans les composants de puissance, et assure aussi la planarisation de la surface. Cette couche de protection est typiquement une couche polymère de benzocyclobutène (BCB). Les plages de contact thermique sont formées par des ouvertures à travers cette couche. En pratique, les éléments de conduction thermique transversaux de la structure d'interconnexion 9 du module correspondent à des ouvertures pratiquées dans cette structure et le cas échéant, dans la couche de protection 5, jusqu'aux plages de contact thermique prédéterminées. Ces ouvertures sont bouchées par du matériau thermiquement conducteur, par exemple du cuivre. En reliant ces éléments de conduction thermique à un o circuit de refroidissement, on a une dissipation thermique qui se produit par la face avant du module, par les faces actives des composants, et par leur face arrière, via les substrats conducteurs. En pratique, les modules sont habituellement montés en surface de circuits imprimés multi-couches, au moyen de procédés de report CMS adaptés, typiquement au moyen de microbilles d'étain plomb. Dans l'exemple, le module M est ainsi monté en surface d'un circuit imprimé Cl. En plus des microbilles b1, b2 habituellement prévues sur des zones de contact de la structure d'interconnexion 9 du module, on a des microbilles b3 à b6 déposées en surface de la structure d'interconnexion, sur les éléments de zo conduction thermique 1 3a, 12, 1 3b, et qui participent de la conduction thermique. Le module est reporté en surface du circuit imprimé Cl, par refusion des microbilles. Ce circuit imprimé est lui-même collé sur un circuit de refroidissement Dth, par exemple une plaque froide ou un drain z thermique. Le circuit imprimé Cl comprend des couches d'interconnexion habituelles (non représentées), par lesquelles le module peut être connecté électriquement à d'autres modules ou vers l'extérieur. Selon l'invention, il comprend en outre des trous transversaux 15, 16, 17 en regard des so éléments de conduction thermique transversaux des modules, 1 3a, 12 et 1 3b respectivement, munis de leurs microbilles. Ces trous du circuit imprimé comprennent des inclusions de matériau thermiquement conducteur, pour assurer la continuité du chemin de conduction thermique depuis les plages de contact thermique 1 4a, 12, et 1 4b du module jusqu'au dispositif de ref roidissement Dth. Les éléments de conduction thermique dans les circuits imprimés peuvent être réalisés en perçant ces circuits imprimés de part en part aux endroits correspondants. Ce perçage peut être obtenu mécaniquement ou par ablation laser. La conduction thermique par ces trous peut être assurée par des pions de métal, maintenus par collage sur le circuit de refroidissement par exemple. Elle peut aussi être assurée par le circuit de refroidissement lui-même, qui a alors toute forme adaptée pour s'emboter dans les trous 15, 16, 17 du circuit imprimé. Ou bien ces trous peuvent être bouchés par du matériau thermiquement conducteur, par tout procédé connu. On peut par exemple utiliser une encre thermoconductrice, comme une pâte à l'argent. De préférence, parce que le cuivre est un très bon conducteur thermique, on peut utiliser un procédé de croissance électrolytique de cuivre dans ces trous. Ceci peut être obtenu simplement en collant une feuille de cuivre sur une face du circuit imprimé, en prévoyant, par perçage ou épargne du film adbésif, qu'il n'y ait pas de colle au fond des trous et en plaçant le circuit imprimé dans un bain électrolytique. La feuille de cu ivre est con nectée à u ne des électrodes de recharge électroiytiq u e. La hauteur de cuivre obtenue peut ensuite être ajustée, par polissage, et la surface des trous bouchés peut être usinée, de façon à être adaptée au zo montage en surface du module sur ce circuit imprimé. Le circuit imprimé peut ensuite être de nouveau percé et métallisé et la feuille de cuivre peut être gravée, afin de réaliser les contacts électriques entre les deux faces du circuit imprimé. De préférence, les éléments de conduction thermique s transversaux de la structure d'interconnexion du module et du circuit imprimé sur lequel le module est reporté, ont sensiblement les mêmes dimensions que les plages de contact thermique associées. Les plages thermiques réalisées sur la face active des composants sont les plus larges possibles, pour favoriser le refroidissement. o On prévoit alors plusieurs microbilles de montage en surface correspondantes, en fonction de la dimension de ces plages. Sur la figure 1, on a ainsi deux microbilles b4 et b5 pour la plage de contact thermique 12 réalisée sur le composant 1. Avec un module M selon l'invention, on peut ainsi réaliser le ss refroidissement des composants qu'il intègre, par sa face avant. En outre, la mise en.place des composants dans un substrat conducteur, et la formation de plages de contact thermique en face avant du module, sur ce substrat conducteur, et en périphérie de ces composants, permet de doubler le refroidissement par la face active des composants d'un refroidissement par la face arrière, par le substrat conducteur. Un module selon l'invention est particulièrement intéressant dans les applications o la puissance radioélectrique est utilisée, par exemple dans des architectures d'antennes utilisant des modules actifs d'émission réception. En effet, la puissance radioélectrique qui peut être extraite d'un composant de puissance dépend directement de la capacité à refroidir le composant. Et les substrats en arséniure de Gallium utilisés pour réaliser les composants de puissance ont une forte résistivité thermique. En dogageant des plages de contact proches de points chauds, sur la face active du composant, on limite la dissipation thermique qui se fait par le substrat AsGa. On améliore ainsi les performances radioélectriques du composant. En doublant le refroidissement de la face active, d'un refroidissement par la face arrière, au moyen de plages de contact thermique en face avant du module, en périphérie du composant, sur le substrat conducteur, on n'a pas besoin de prévoir un autre dispositif de refroidissement par la face arrière du module zo (plaque froide avec des ouvertures réalisoes à travers le substrat isolant jusqu'à la face arrière des composants, avec dissipation par plot thermique ou trous bouchés par exemple). La figure 2 montre un exemple de structure électronique multi- module qui peut être réalisée en utilisant le principe de l'invention, par z exemple, pour réaliser une antenne. Dans cette structure on a un drain thermique Dth. De chaque côté du drain thermique, on a deux modules M, et M2 de circuits intégrés, chacun monté en surface d'un circuit imprimé respectif, Cl,, Cl2. Les deux circuits imprimés sont chacun collé sur une face du drain thermique Dth. o Les modules M, et M2 comprennent chacun une pluralité de composants actifs ou passifs. Certains sont placés dans des cavités de substrats conducteurs. Chaque cavité peut comprendre un ou plusieurs composants. Les modules M et M2 et les circuits imprimés Cl, et Cl2 correspondent au module M et au circuit imprimé Cl de la figure 1. En face avant du module M, on a ainsi une plage de contact thermique 20 sur la face active d'un composant 22, placé dans une cavité d'un substrat conducteur et une plage de contact thermique 21, sur la face active d'un composant 23. En face avant du module M2, on a une plage de contact thermique 24, sur la face active d'un composant 25 placé dans une cavité d'un substrat conducteur 27 et une plage de contact thermique 26 en surface de ce substrat conducteur 27. o Des éléments de conduction thermique correspondants dans la structure d'interconnexion INT, INT2 des modules et dans les circuits imprimés Cl, Cl2 assurent la continuité du chemin de conduction thermique entre chacune de ces plages de contact thermique et le drain thermique Dth. Cette continuité du chemin de conduction thermique appara^'t clairement sur s la figure 2, par des traits pleins 28, 29, 30 et 31 entre les différentes plages de contact thermique et le drain thermique Dth. La face arrière des modules peut être utilisée pour y reporter des éléments passifs encombrants, par exemple des condensateurs. Le plan de masse est alors ramené sur ces faces arrières, métallisées, au moyen o d'ouvertures OO, O traversant les substrats isolants des moduies. Enfin, les liaisons électriques L, L2 entre les deux circuits imprimés multicouches Cl et Cl2 sont assurées par des transitions transversales à travers le drain thermique. Ces transitions peuvent être assurées par des connecteurs miniatures ou des plons-bouton (fuzz-buttons) z5 maintenus par collage sur les deux circuits imprimés. Les figures 3 et 4 représentent les vues en coupe longitudinale et transversale au niveau d'une plage de contact thermique d'un composant. La face active du composant est généralement recouverte d'une couche de protection mécanique 32, typiquement une couche polymère de so benzocyclobutène (BCB). Une plage de contact thermique est formée par une ouverture dans cette couche de protection 32, sur un pont à air 33 d'un transistor de puissance, par exemple un transistor de type HBT. Le pont à air 33 connecte entre eux les émetteurs des transistors élémentaires, et passe au-dessus des bases b et des collecteurs c des transistors élémentaires. - Par-dessus la surface du composant (et du substrat), une structure d'interconnexion 34 est réalisée. Cette structure peut comprendre une ou plusieurs couches de diélectrique (polymère), en fonction de la complexité du routage à réaliser. Dans cette structure, un élément transversal 35 de conduction thermique est réalisé, en regard de la plage de contact thermique. Cet élément de conduction est typiquement formé par un trou traversant toute la structure d'interconnexion et bouché par du matériau thermiquement conducteur. Sur cet élément 35, on vient alors déposer au moins une microbille d'étain-plomb. Cette microbille a typiquement un o diamètre de 200 microns (106m). On verra dans le procédé de fabrication du module qui va maintenant être détaillé, que l'on peut élargir la plage de contact thermique, de façon à avoir une plus grande surface d'échange thermique. Notamment, pour une plage de contact thermique sur un pont à air de transistor, il est intéressant, d'avoir une plage de contact thermique dont la surface recouvre sensiblement celle du transistor de puissance. On prévoit alors que les éléments de conduction thermique correspondants dans la structure dJinterconnexion et dans le circuit imprimé aient sensiblement les mêmes dimensions. Maintenant, un exemple d'un procédé de fabrication d'un tel zo module va être détaillé, en référence aux figures 5 à 13. Dans cet exemple, le substrat isolant est obtenu par moulage d'une résine par la face arrière des composants. Pour cela, un substrat support 36 est utilisé. Ce substrat support peut être une plaque de verre sur laquelle des mires en chrome 37 sont réalisées. Un matériau adhésif 38, par exemple une résine silicone, est s déposé sur toute la surface de la plaque de verre. La plaque de verre revêtue du matériau adbésif forme un support de moulage. En s'aidant des mires réalisées sur le substrat, on vient positionner des composants actifs et passifs 39 sur le matériau adhésif. Ces composants sont positionnés avec leur face active portant les plots de connexion contre la plaque de verre. Le so matériau adhésif maintient les composants en place, sans les coller de manière définitive. Dans la description des modules, on a vu que l'on plaçait de préférence dans des substrats conducteurs les composants pour lesquels il était nécessaire d'assurer la continuité électrique de la face arrière (plan de s masse). Pour ces composants, ce sont des blocs 40 (ou une matrice) de substrat conducteur que l'on vient alors positionner sur le matériau adhésif. Les composants sont intégrés dans une étape ultérieure. On peut alors venir mouler de la résine par derrière les composants et les substrats conducteurs, pour former le substrat isolant 41 (Figu re 6). De préférence, pour limiter le déplacement des composants dû au rétreint de la résine, on utilise de préférence une grille de résine 42 préalablement moulée (Figure 7). Cette grille est par exemple réalisée en coulant une résine dans un moule métallique dont les parois sont o recouvertes de Téflon. La résine peut étre une résine époxy avec une charge minérale ayant une température de transition vitreuse élevée. Après recuit de la résine, la grille peut être facilement séparée de son moule (qui peut-être réutilisé). Cette grille est positionnée sur la plaque de verre (sur le matériau adhésif) et les composants sont placés au fond des cavités ainsi formées par s la grille, contre la plaque de verre (Figure S). La résine de moulage peut alors être coulée par-dessus la grille pour venir enrober les composants (Figure 6). Après durcissement de la résine, I'ensemble fommé de la résine de moulage, de la grille et des composants et des substrats conducteurs forme un bloc qui peut être séparé zo du support de moulage (plaque de verre + matériau adbésif). Avec un tel procédé, les plots de connexion des composants et les substrats conducteurs sont situés sensiblement dans le même plan de surface que la face avant du substrat isolant formé par la résine moulée. La surface de la résine est ensuite métallisée et des conducteurs métalliques sont réalisés. Cette métallisation peut être en contact avec les plots de connexion de certains composants et avec les substrats conducteurs. Des cavités peuvent ensuite être réalisée dans les substrats conducteurs 40. Typiquement, ces substrats sont des blocs de cuivre. Les so cavités sont formées par gravure chimique. On vient alors coller les composants 43 qui doivent être placés dans ces cavités, face arrière contre le fond de la cavité. On utilise pour cela une colle conductrice 44. L'espace laissé libre entre les composants et les parois de la cavité peut être bouché, par du matériau polymère par exemple. La profondeur des cavités est sensiblement égale à l'épaisseur des composants qui y sont placés ajoutée à celle de la colle, de manière à ce que les plots de connexion de ces composants 43 soient sensiblement dans le même plan que la face avant du substrat isolant 41. Dans un exemple pratique, le substrat conducteur a une épaisseur de 500 microns ou plus et une cavité dans le substrat a une profondeur de 150 microns. D'autres procédés de fabrication peuvent être utilisés. Par exemple, on peut partir d'un substrat moulé ou gravé, avec des cavités de différentes épaisseurs correspondant sensiblement à l'épaisseur des o composants et des substrats conducteurs qui doivent y être placés, ajoutée à l'épaisseur de colle. Si le substrat isolant est réalisé par un moulage de résine, les parois du moule correspondant seront de préférence recouvertes de Téflon. Les composants et substrats conducteurs sont ensuite placés dans les cavités du substrat isolant et les espaces laissés libres par les s composants dans les cavités peuvent être comblés, par exemple par du matériau polymère. On retrouve ensuite la formation des cavités dans les substrats conducteurs et le placement de composants dans ces cavités, comme précédemment. Les figures 9 à 13 concernent plus particulièrement les étapes par o lesquelles les plages de contact thermique et les éléments de conduction associés sont réalisés. Sur ces figures, une petite portion de substrat 45 est représentée, comprenant un composant 46. Dans l'exemple, c'est un substrat conducteur, typiquement en cuivre. Il est lui-même intégré à un substrat isolant (non s représenté). La face active du composant comprend différents conducteurs dont un pont à air 47 et des plots de connexion 48, 49, pour la connexion du composant vers l'extérieur. Cette face active peut être recouverte d'une couche de protection mécanique 50, typiquement du benzocyclobutène so (BCB), qui va notamment protéger les ponts à air. Dans l'exemple, le pont à air 47 est un pont à air de transistor de puissance. Il est de façon habituelle raccordé au plan de masse du composant en face arrière 51, par un micro-trou métallisé 52 à travers le substrat du composant. Il recouvre des jonctions de transistors élémentaires, s sièges d'échauffement thermique. Dans un exemple pratique, on peut avoir une puissance dissipée totale de 7,5 watts avec un composant MMIC (Microwave Monolithic Infegrated Circuit) de type HPA (High Power Amplifier) comprenant sept transistors élémentaires identiques, avec douze doigts de grille de 100 microns dissipant chacun la même puissance (7,5 wattsl7112). Un ordre de grandeur des dimensions du conducteur formant le pont à air dans les technologies actuelles, est de 80 microns sur 300 microns, o 300 microns correspond à la longueur du pont à air, qui recouvre (sur la longueur) tout le transistor. A titre de comparaison, les plots de connexions font environ 200 microns sur 200 microns. De préférence, on prévoit que la plage de contact thermique a une surface qui comprend la surface de contact sur le conducteur du pont à air, et une surface autour. Avec une surface d'échange thermique plus grande, on améliore la dissipation thermique. De façon particulièrement avantageuse, s on élargit la surface de la plage de contact thermique de façon à ce qu'elle recouvre sensiblement la surface du transistor de puissance. Dans un exemple, une plage de contact thermique sur un pont à air pourra avoir une surface d'au moins 300 microns sur 700 microns, correspondant à la surface du transistor. zo Une étape de fabrication de plages de contact thermique sur la face active d'un composant comprend la réalisation d'ouvertures dans la couche de protection mécanique 50 qui recouvre habituellement tout la face active des composants, de manière à dégager les plots de connexion 48, 49 et le conducteur formant le pont à air 47 (Figure 10), et le remplissage de ces s ouvertures par du matériau conducteur. Cette dernière étape peut se faire par exemple de la façon suivante: dépôt d'un film de résine photosensible, et retrait de cette résine sur au moins la surface dégagée sur le conducteur formant le pont à air 47 et so de préférence, sur une surface autour (Figure 11); - dépôt chimique de métal (cuivre), la résine formant un masque de protection, notamment pour les plots de connexion du composant. Le film de résine (métallisé) est ensuite retirée, typiquement au moyen de solvants. Un autre procédé pour élargir la plage de contact thermique utilise de façon avantageuse la recharge électrolytique à partir des plages de contact thermique. De façon résumé, on dépose une fine couche métallique, typiquement du cuivre, sur toute la surface du module, puis on fait crotre ce cuivre aux endroits désirés, c'est à dire de préférence, sur une zone de contact élargie autour du pont à air. De façon plus détaillée, un tel procédé comprend les étapes suivantes: dépôt d'une fine couche métallique 53, par puivérisation. On o obtient une couche d'environ 1000 à 5000 angstroms (10 m) d'épaisseur. - dé pôt d' u n e couch e épaisse de rési n e photosens ib le 54, et retrait de cette résine sur la zone dégagée sur le conducteur du pont à air 47, et de préférence, sur une zone autour (Figure10). La couche de résine à une épaisseur d'environ 10 microns (106m) d'épaisseur. - recharge électrolytique, en utilisant la couche métallique 53 comme électrode 55. - retrait de la couche de résine. Cette opération est typiquement réalisée au moyen solvants. - retrait d'une épaisseur de couche métallique sensiblement égale zo à l'épaisseur de la première couche de métal 53. Cette opération se fait typiquement par micro-attaque chimique. Au final, on obtient le module représenté sur la figure 11, avec une plage de contact élargie 56 au-dessus du pont à air 47. Dans le cas (courant) o les conducteurs sur la face active sont en or, on prévoit pour former la couche métallique 53, de déposer par puivérisation d'abord du titane-tungstène (TiW), sur environ 500 Angstroms, puis du cuivre. La couche de titane-tungstène forme alors une barrière entre l'or et le cuivre. Ce procédé de fabrication est en pratique appliqué sur toute la o surface du module, pour former les plages de contact thermique sur les composants. On peut maintenant réaliser la structure d'interconnexion 57 de type câblage collectif, comprenant une ou plusieurs couches de diélectrique, en fonction de la complexité du routage à réaliser. De manière générale la s réalisation d'une telle structure comprend pour chaque couche de diélectrique, une étape de formation de trous pour atteindre des zones de connexion électrique sur une couche inférieure, ou pour atteindre des plots de connexion sur la face active des composants, et une étape de métallisation de ces trous et de formation d'un réseau de conducteurs en surface. Dans l'exemple, la structure d'interconnexion comprend deux couches de diélectrique 57a et 57b. La première couche de diélectrique 57a est déposée sur toute la surface du module (Figure 12). Des trous 58, 59, sont réalisés dans cette o couche, par ablation laser ou tout autre procédé connu, au-dessus des plots de connexion 48, 49. Les dimensions des trous correspondent aux dimensions des plots de connexion. La surface de la couche 57a est ensuite métallisée puis gravoe pour former un réseau de conducteurs correspondant à ce niveau de routage. La deuxième couche de diélectrique 57b est déposée sur toute la surface du module. Des trous correspondants aux connexions à réaliser avec la couche inférieure sont réalisés et un réseau de conducteurs correspondant est réalisé en surface. Selon l'invention, on réalise des trous traversant toute la structure o d'interconnexion, soit ici les couches 57a et 57b, jusqu'aux plages de contact thermique du module: Dans l'exemple, un premier trou 62 est réalisé au regard de la plage de contact thermique élargie 56. Un autre trou 63 est réalisé en périphérie du composant, sur le substrat conducteur, de manière à dégager une plage de contact thermique 64 sur ce substrat. s En pratique, les trous 60 à 63 sont réalisés dans une même étape, par exemple par perçage laser, qui s'arrête sur le métal. Une étape suivante consiste à boucher avec du matériau conducteur les trous 62, 63 traversant toute la structure d'interconnexion jusqu'aux plages de contact thermique du module. Ensuite les trous de so connexion électrique 60, 61 peuvent être métallisés et le réseau de conducteurs peut être formé sur la dernière couche 57b de la structure d'interconnexion, selon des procédés habituels. L'étape de bouchage des trous traversants 62, 63 peut utiliser la recharge électrolytique, en utilisant de fa,con générale un conducteur du plan s de masse comme électrode. Le substrat conducteur et ses propres plages de contact thermique 64, et les plages de contact thermique 56 du composant sont court-circuités à la masse. La recharge se fait depuis le fond des trous 62, 63, jusqu'à la surface du matériau diélectrique 57. D'autres procédés peuvent être utilisés, comme par exemple l'utilisation d'une encre thermoconductrice, telle qu'une pâte à l'argent. Enfin, des microbilles d'étain plomb 65, 66 sont déposées sur des zones de connexion électrique de la structure d'interconnexion. D'autres microbilles d'étain plomb 67, 68, 69 sont déposées sur les zones de contact thermique formées par les trous bouchés 62 et 63. Ces microbilles de o montage en surface servent les unes (65, 66) à la transmission électrique, les autres (67 à 69) à la conduction thermique. La figure 14 montre une variante de la figure 13, selon laquelle la continuité électrique est assurée non pas par un bloc de substrat conducteur, mais par une couche de métal 70. Des plages de contact thermique peuvent être réalisées comme pour le bloc de substrat conducteur, sur une portion de la couche 70, en face avant du substrat isolant. Le procédé de recharge électrolytique vu précédemment pour boucher les trous correspondants dans la structure d'interconnexion s'applique de la même façon. Des variantes de l'invention concernent notamment la formation o des plages de contact thermique. En effet, la formation de ces plages sur les faces actives des com posants peut être faite avant l' intég ration de ces composants dans le substrat isolant du module, dans le processus de fabrication de ces composants et/ou, collectivement, dans le procédé de fabrication du module comme plus particulièrement décrit. Dans le premier cas, les couches de métal (53) et de résine (54) couvrent la surface du composant. Dans le deuxième, elles couvrent toute la surface du module. L'invention qui vient d'être décrite s'applique de façon avantageuse à des modules de circuits intégrés comprenant des composants de puissance. Elle s'applique aux procédés de fabrication de type à câblage so collectif qui sont des procédés peu coûteux, et permet un refroidissement efficace, par la face avant des modules, à la fois par la face active des composants, et par leur face arrière, de préférence via des substrats conducteurs. On a pu mesurer en pratique, dans l'exemple d'un composant MMIC intégré dans un module tel que décrit dans l'invention, dans un bloc de substrat conducteur, que 50 % de la dissIpation thermique pouvait se faire par les plages de contact thermique en face active des composants, le reste étant dissipé par les faces arrières, par les plages de contact thermique en périphérie des composants. REVENDICATIONS 1. Composant électronique comprenant une face active comportant des éléments conducteurs et des plots de connexion (6,7), caractérisé en ce qu'il comporte une plage de contact thermique (12) au moins sur la face active, chaque plage de contact thermique comprenant un élément de conducteur électriquement connecté au plan de masse du composant, et une surface de contact thermique comprenant au moins la surface de contact avec ledit élément conducteur. 2. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que o l'élément de conducteur d'une plage de contact thermique (12) est un pont à air de transistor de puissance. 3. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que la surface de la plage de contact thermique recouvre sensiblement la surface du transistor de puissance. 4. Module de circuits intégrés comprenant un substrat isolant (2), une pluralité de composants électroniques dont un composant au moins avec une ou des plages de contact thermique (12) selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, les composants étant placés dans ledit substrat en sorte que les plots de connexion soient sensiblement dans le même plan de surface que la face avant du substrat, et une structure d'interconnexion de type câblage collectif (9), disposée sur la dite face avant pour connecter les composants entre eux et vers l'extérieur, module (M) caractérisé en ce que les plages de contact thermique (12) sont sensiblement dans le même plan de surface que les plots de connexion (6, 7), et en ce qu'il comprend des éléments de conduction thermique (11) traversant ladite structure d'interconnexion (9) en regard desUites plages de contact thermique permettant de relier lesdites plages à un dispositif de o dissipation thermique (Dth). 5. Module selon la revendication 4, comprenant un composant au moins avec une face arrière métallisée correspondant au plan de masse du composant, et une structure en matériau conducteur (3) disposée entre ledit composant et le substrat isolant, et affleurant en surface sensiblement dans le même plan que la face avant du substrat pour assurer la continuité électrique du plan de masse entre la face arrière du composant et la face avant du substrat, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une plage de contact thermique (14a) en surface du substrat isolant, sur une portion de ladite structure en matériau conducteur, et un élément de conduction o thermique (13a) correspondant, traversant la structure d'interconnexion (9) du module, permettant de relier ladite plage à un dispositif de dissipation thermique (Dth). 6. Module selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite structure en matériau conducteur est une couche de métal (70). 7. Module selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite structure en matériau conducteur est un bloc de substrat conducteur (3), affleurant sensiblement dans le même plan de surface que la face avant du o substrat isolant (2), ce bloc de substrat conducteur comportant une cavité au moins dans laquelle est placé ledit composant, face arrière contre le fond de la cavité. 8. Module selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, s caractérisé en ce que les éléments de conduction thermique (11, 13a) de la structure d'interconnexion comprennent des trous bouchés par un matériau thermiquement conducteur. 9. Module selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce qu'il comprend des éléments de montage en surface disposés sur la structure d'interconnexion (9), sur des zones de connexion électrique (b1) et en surface (b3, b4) des éléments de conduction thermique (13a, 11). 10. Circuit électronique comprenant au moins un module selon la revendication précédente, monté en surface d'un circuit imprimé (Cl), caractérisé en ce qu'un dispositif de dissipation thermique (Dth) est monté sur l'autre face du circuit imprimé et en ce que ledit circuit imprimé comprend des éléments de conduction thermique transversaux (15, 16) en regard des éléments de conduction thermique (13a, 11) de la structure d'interconnexion (9) dudit module. 11. Circuit électronique selon la revendication précédente, o caractérisé en ce que lesdits éléments de conduction thermique (15, 16) du circuit imprimé comprennent des trous traversant ledit circuit imprimé avec une inclusion de matériau thermiquement conducteur. 12. Procédé de fabrication de plages de contact thermique sur la face active d'un composant électronique, caractérisé en ce qu'il comprend la réalisation d'ouvertures dans une couche de protection mécanique (50) couvrant la face active, pour dégager les plots de connexion et des éléments de conducteurs prédéterminés, lesdits éléments de conducteurs correspondant aux plages de contact thermique à réaliser, et le remplissage zo des dites ouvertures sur les éléments conducteurs par du matériau conducteur. 13. Procédé de fabrication selon la revendication 12, caractérisé en ce que le remplissage comprend l'utilisation d'un masque obtenu par z dépôt d'un film ou d'une couche de résine photosensible (54), et retrait de cette résine sur au moins la surface des éléments conducteurs dégagée dans l'étape d'ouverture. 14. Procédé de fabrication selon la revendication 13, caractérisé en ce que le retrait localisé de la résine est effectuée sur la surface des éléments conducteurs dégagée par l'étape d'ouverture et une surface autour. 15. Procédé de fabrication selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le remplissage comprend les étapes suivantes: - dépôt en surface d'une couche mince métallique (53) par puivérisation, - dépôt et retrait localisé de la résine (54), - recharge électrolytique de métal à partir des plages de contact thermique, en utilisant la couche métallique (53) comme éiectrode de recharge électrolytique, - retrait d'une épaisseur de métal correspondant à l'épaisseur de la couche mince (53). o 16. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 12 à 15, caractérisé en ce qu'il est appliqué à un module de circuits intégrés comprenant des composants (46) placés dans un substrat isolant, en sorte que les plots de connexion (48, 49) et des composants soient sensiblement dans le même plan de surface qu'une face avant dudit substrat, les couches de métal (53) et de résine (54) étant appliquées sur l'ensemble de la face avant du substrat. 17. Procédé de fabrication d'un module de circuits intégrés comprenant la mise en place de composants (46) dans un substrat isolant, en sorte que les plots de connexion (48, 49) des composants soient sensiblement dans le même plan de surface qu'une face avant dudit substrat, une structure en matériau conducteur (45) pouvant être placée, entre la face arrière de certains composants et le substrat isolant, et de façon à affleurer sensibiement dans le même plan de surface que la face avant du substrat isolant, - la réalisation d'une structure d'interconnexion de type câblage collectif (57) sur la face avant du substrat, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de formation de trous (62) o traversant ladite structure d'interconnexion, pour atteindre des plages de contact thermique formées par des éléments conducteurs (47) prédéterminés sur la face active des composants, ou par des portions de surface (64) de la structure en matériau conducteur, et une étape de bouchage desdits trous traversants par du matériau thermiquement conducteur. 18. Procédé de fabrication Solon la revendication 16, caractérisé en ce que l'étape de bouchage des trous traversants (62, 63) de la structure d'interconnexion est réalisée par recharge électrolytique de métal depuis les plages de contact thermique correspondantes, en connectant une électrode