Brevet FR2841004A1 — publié le 20031219

-:: PROCEDE LITHOGRAPHIQUE UTILISANT UNE RESINE A AMPLIFICATION CHIMIQUE ET COMPRENANT DES ETAPES DE LIMITATION D'UN FLUAGE DE LA RESINE La presente invention concerne un procede de lithographic. Wile concerne plus particulierement un tel procede adapte pour une resine a amplification chimique sujette a un fluage. De fa,con connue, un procede lithographique permet de creer des zones decouvertes et des zones recouvertes de resine a la surface d'un substrat, en general plan. Pour cela, une resine sensible a un rayonnement est deposee sur une surface du substrat. La surface portent la resine est alors exposee au rayonnement de sensibilisation au travers d'un masque limitant ['exposition soit aux zones destinees a etre decouvertes, soit aux zones destinees a rester recouvertes de resine. La resine est alors developpee dans un liquide de dissolution de telle fac,on que, pour une resine cite positive, des parties de resine qui ont ete prealablement sensibilisees vent dissoutes, alors que des parties de resine qui n'ont pas ete exposees au rayonnement de sensibilisation ne vent pas dissoutes. Pour une resine cite negative, seules les parties de resine sensibilisees restent sur le substrat a ['issue du developpement. Le rayonnement de sensibilisation peut etre de diverges natures en fonction de la resine utilisee. II est de nature lumineuse dans le cas d'un procede de photolithographie, necessitant par exemple une lumiere ultraviolette (UV) ou d'ultraviolet lointain ( >). II peut aussi consister en un bombardement electronique de la resine. Selon le cas, le masque de lithographic est adapte pour arreter le flux lumineux ou le flux electronique afin de definir les zones exposees et les zones non exposees de la resine au rayonnement de sensibilisation. Apres le developpement de la resine, la surface du substrat est soumise a un traitement determine. La resine a ete prealablement choisie de fa,con a proteger les zones recouvertes de la surface du substrat contre les effets de ce traitement. Pour la fabrication de circuits electroniques integres, des traitements du substrat qui permettent l'utilisation de procedes - 2 lithographiques sont, par exemple, des implantations d'especes dopantes ou des gravures par plasma, cites . Lors de ces traitements d'implantation ou de gravure, la surface du substrat est exposee a un flux de particules arretees par la resine dans les zones recouvertes de la surface du substrat. Le traitement du substrat peut aussi etre une attaque chimique au moyen d'une solution liquide incorporant des reactifs appropries, cite . La resine doit alors etre etanche vis-a-vis de la penetration de la solution. Les motifs du masque de lithographic vent determines en fonction des contours des zones de la surface du substrat dans lesquelles le traitement du substrat doit avoir effet. Afin que ces zones presentent, a ['issue du traitement du substrat, des contours correspondent au masque de lithographic, il est necessaire qu'aucun fluage, aucun etalement ni aucune deformation de la resine des zones recouvertes du substrat ne se produise entre le developpement de la resine et la fin du traitement du substrat. L'evolution des circuits electroniques vers des niveaux d'integration accrue necessite une tenue de la resine contre le fluage, I'etalement et la deformation particulierement bonne, en relation avec les dimensions tres reduites des composants electroniques realises. Par ailleurs, dans certaines technologies de fabrication de circuits electroniques correspondent a des niveaux d'integration particulierement eleves, a cause d'effets de diffraction, une lumiere UV de sensibilisation de longueur inferieure ou egale a 193 nanometres doit etre utilisee dans le procede lithographique, afin de reduire la dimension minimale des zones creees dans la resine. Ceci est en particulier le cas pour les technologies cites inferieures a 0,12 micrometres, capables de creer des circuits ayant des dimensions inferieures a 120 nanometres. Des resines usuelles possedant des liaisons chimiques insaturees ne peuvent pas alors etre utilisees, car leur absorption de la lumiere pour des o longueurs d'onde inferieures ou egales a 193 nanometres empeche la sensibilisation de la resine sur toute son epaisseur. Parmi les resines compatibles avec une lumiere de sensibilisation UV - 3 de longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres, des resines a amplification chimique peuvent etre utilisees. De telles resines vent essentiellement formees de chanes de polymeres intrinsequement solubles dans une solution de developpement determinee. Wiles vent initialement rendues insolubles par inhibiteurs de dissolution incorpores dans la resine. Ces inhibiteurs de dissolution peuvent etre, en particulier, des groupements lies aux chanes de polymeres. Ces resines comprennent par ailleurs des generateurs de composes capables d'inactiver les inhibiteurs de dissolution. Lesdits generateurs produisent des composes d'inactivation des inhibiteurs de dissolution lorsque la resine est exposee au rayonnement de sensibilisation. Les inhibiteurs de dissolution vent ensuite inactives par les composes d'inactivation a la suite d'un chauffage adequat de la resine. Les chanes de polymeres recouvrent alors leur solubilite, et les zones de resine ayant ete exposees au rayonnement de sensibilisation peuvent etre dissoutes. De telles resines de lithographic vent cites a amplification chimique lorsqu'un meme generateur produit un compose qui inactive plusieurs, voire un grand nombre d'inhibiteurs de dissolution. Dans les resines a amplification chimique, des composes d/inactivation des inhibiteurs de dissolution peuvent diffuser ou apparatre involontairement dans les zones de resine non-exposees au rayonnement de sensibilisation. La quantite reduite de ces composes dans les zones de resine non-exposees ne permet pas neanmoins que la resine non-exposee soit dissoute lors du developpement. Dans certaines resines a amplification chimique compatibles avec une lumiere de sensibilisation de longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres, la protection du substrat contre les effets du traitement destine aux zones decouvertes est procure par des entites protectrices incorporees dans la resine qui vent aussi sensibles aux composes d'inactivation. Ces entites protectrices' ou protecteurs du substrat, qui peuvent aussi etre des groupements specifiques lies aux chanes de polymeres de la resine, peuvent etre sensibles, en particulier, au traitement d'inactivation des inhibiteurs de dissolution. - 4 Les composes d'inactivation involontairement presents dans les zones de resine non-exposees alterent un certain nombre de protecteurs du substrat lors d'un echauffement ulterieur de la resine qui peut intervenir, notamment, pendant le traitement destine aux zones decouvertes du substrat. II en resulte alors une destabilisation mecanique particuliere de la resine, sous forme d'un fluage de la resine a la peripherie des zones recouvertes. II est connu (US 6 057 084) de mettre en contact une resine a amplification chimique appliquee par photolithographie sur un substrat avec des composes gazeux de type amine, apres le developpement de la resine. II est aussi connu d'associer a ce traitement par compose gazeux une photo- stabilisation de la resine, combinant un rayonnement UV et un chauffage appliques simultanement. Un tel traitement post-lithographique effectue sur une resine a base de polymeres du type polyhydroxystyrene (ou PHS) permet de limiter une contraction des parties de resine restart apres developpement. Dans une resine PHS, les motifs hydroxystyrene du polymere conferent a la resine sa capacite de protection du substrat contre un bombardement par des particules de gravure ou d'implantation du substrat. Ces motifs hydroxystyrene protecteurs - ne vent pas alteres par les composes acides d'inactivation des inhibiteurs de dissolution de la resine PHS, si bien qu'aucun fluage de la resine n'est provoque par les motifs hydroxystyrene. Par ailleurs, les resines PHS ne vent pas compatibles avec une lumiere UV de longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres a cause la presence de noyaux aromatiques. Wiles vent sensibilisees avec une lumiere de longueur d'onde 248 nanometres qui ne permet pas la realisation de composants ayant des dimensions inferieures a 130 nanometres. Or, pour une resine a amplification chimique dont les protecteurs du substrat vent sensibles au meme traitement d'inactivation que les inhibiteurs de dissolution, un traitement par des composes gazeux de type amine effectue seul apres le developpement de la resine est insuffisant pour eviter le fluage de celle-ci. En effet, une telle resine est particulierement sujette au fluage du fait de la reactivite des protecteurs du substrat aux composes d'inactivation. Par ailleurs, le rayonnement UV du traitement de photo-stabilisation precedemment - 5 decrit genere des composes d'inactivation qui, du fait du chauffage opere simultanement, inactivent a la fois les protecteurs du substrat et les inhibiteurs de dissolution de cette resine. Un fluage de la resine est alors provoque pendant le traitement de photo-stabilisation. Un but de la presente invention consiste a limiter le fluage d'une resine amplification chimique dans les parties qui ne vent pas exposees au rayonnement de sensibilisation, en permettant la realisation de composants ayant des dimensions inferieures a 130 nanometres. L'invention concerne done un procede de lithographic comprenant les 0 etapes suivantes: a) deposer sur une surface d'un substrat une resine incorporant des inhibiteurs de dissolution et des protecteurs du substrat contre les effets d'un traitement determine, les protecteurs du substrat etant sensibles a un traitement d'inactivation des inhibiteurs de dissolution; b) exposer la surface portent la resine a un premier rayonnement de sensibilisation au travers d'un masque definissant des zones masquees et des zones exposees de la resine, de fa,con a generer un premier type de composes dans les zones exposees; c) chauffer la resine de fa,con que les composes du premier type inactivent au moins une partie des inhibiteurs de dissolution dans les zones exposees; d) developper la resine au moyen d'un liquide de dissolution de fagon a dissoudre selectivement la resine des zones exposees. Selon ['invention, le procede de lithographic comprend en outre les etapes supplementaires suivantes: e) exposer a un second rayonnement de sensibilisation une partie au moins - de la surface du substrat de fagon a generer des composes du premier type dans certaines au moins desdites zones masquees; f) provoquer une neutralisation des composes du premier type par des composes d'un second type amenes au contact de la resine residuelle. Dans le procede de ['invention, des composes du premier type, susceptibles d'inactiver simultanement lors d'un echauffement des inhibiteurs - 6 de dissolution et des protecteurs du substrat dans lesdites zones masquees de la resine, vent generes puis neutralises. Les protecteurs du substrat vent alors preserves dans lesdites zones masquees, reduisant ainsi ou supprimant tout fluage ulterieur de la resine due a des protecteurs du substrat inactives involontairement. Grace au procede de ['invention, les zones de resine creees sur la surface du substrat lors des etapes a) a d) ne presentent pas de deformations par fluage jusqu'a la fin d'un traitement du substrat effectue ulterieurement. Cette preservation de la forme des zones de resine permet notamment, Jo lorsqu'une lumiere de longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres est utilisee pour sensibiliser la resine, de reduire des dimensions de ces zones en dessous de 130 nanometres. Les dimensions de composants electroniques realises sur le substrat sur la base de ces zones ont alors aussi des dimensions inferieures a 130 nanometres. Un autre avantage du procede de ['invention reside dans une tenue amelioree de la resine lors d'une gravure par plasma, resultant de la preservation des protecteurs du substrat. Selon le mode de realisation prefere du procede de ['invention, les composes du second type amenes au contact de la resine residuelle lors de o l'etape f) vent contenus dans un gaz. Pour cela, des composbs du second type peuvent, par exemple, etre evapores par barbotage d'un gaz vecteur dans un liquide desdits composes du second type, le gaz vecteur etant ensuite dirige vers la surface du substrat. Grace a la forme gazeuse des composes du second type, ceux-ci peuvent diffuser dans la resine afin de neutraliser au sein de celle ci les composes du premier type, sans provoquer de gonflement ni de fluage de la resine des zones masquees. En particulier, les composes du second type peuvent etre amenes au contact desdites zones masquees pendant une duree superieure a 10 secondes, permettant la neutralisation d'une grande partie des composes du premier type presents dans lesdites zones masquees de resine. Eventuellement, afin d'activer la diffusion des composes du second type dans la resine, la temperature de la resine residuelle peut etre augmentee lors de l'etape f). Cette temperature doit neanmoins rester inferieure a la - 7 temperature maximale atteinte par la resine lors du chauffage de l'etape c), afin de ne pas provoquer une alteration des protecteurs du substrat dans lesdites zones masquees de resine. Selon la nature de la resine utilisee, le premier eVou le second rayonnement de sensibilisation peut etre un rayonnement lumineux ou electronique, forme, dans le second cas, d'un faisceau d'electrons dirige sur la resine. Ils peuvent etre, en particulier, de meme nature, tels que, par exemple, deux rayonnements UV, tout' en presentant des caracteristiques de rayonnement differentes telies que, notamment, la longueur d'onde du o rayonnement, la densite d'energie du rayonnement ou la duree de ['exposition a ce rayonnement. Preferablement, lesdites zones masquees de resine re,coivent, dans l'etape e) du procede de ['invention, une densite d'energie de rayonnement au moins egale a 5% de la densite d'energie de rayonnement re, cue par lesdites zones exposees dans l'etape b). Une telle proportion permet en effet de neutraliser lors de l'btape f) une quantite suffisante de composes du premier type dans lesdites zones masquees, afin d'eviter un fluage notable de la resine de ces zones. Le traitement du substrat effectue a la suite du procede lithographique de ['invention est par exemple une gravure par plasma, une gravure chimique par solution liquide, une implantation de dopage, un traitement de la surface par un gaz, etc. La resine utilisee dans cheque cas doit proteger la surface du substrat dans les zones recouvertes contre les effets du traitement. L'invention concerne aussi un substrat traite par un procede lithographique tel que decrit precedemment. Un tel substrat peut comporter des composants electroniques ayant au moins une dimension inferieure a nanometres, mesuree parallelement a la surface du substrat. L'invention concerne enfin un dispositif electrique comprenant un substrat ainsi traite. Un tel dispositif presente en effet un fonctionnement electrique ameliore et un cout reduit, lies au niveau d'integration eleve des composants electroniques contenus dans ce dispositif. D'autres particularites et avantages de la presente invention - 8 apparatront dans la description ci-apres d'un exemple de realisation non limitatif, en reference aux dessins annexes, dans lesquels: la figure 1 represente un polymere d'une resine de lithographic pouvant etre mise en ceuvre selon le procede de ['invention; - la figure 2 est un diagramme synoptique des etapes du procede de ['invention; - - la figure 3 represente un motif de test de fluage d'une resine; - la figure 4 est un diagramme montrant des caracteristiques de fluage d'une resine correspondent a la figure 1 et mise en ceuvre selon le procede de la figure 2, pour le motif de test de la figure 3. L'invention s'applique par exemple a des resines a base de polymere methacrylate modifie (MM) compatibles avec une lumiere de sensibilisation de longueur d'onde 193 nanometres. Un tel polymere, represente sur la figure 1, comprend deux types de groupements 2 et 3 relies a une chane 1 de polymethacrylate par les fonctions acides de cette charne. Les groupements 2 rendent le polymere resistant a une gravure par plasma. Ce sont, par exemple, des cycles satures du type 2-methyl-2-adamantanol, nonabsorbents pour la longueur d'onde 193 nanometres. Les groupements 3 vent par exemple du type ester cyclique lactone mevalonique (ou ) et conferent au polymere une resistance a une dissolution dans une solution basique. Ces resines MM, incorporent en outre aussi un precurseur d'acide, qui produit un acide sous l'effet d'un rayonnement UV de longueur d'onde 193 nanometres, par exemple. L'acide produit, correspondent aux composes de premier type introduits precedemment, romps alors les liaisons de la chane 1 avec les groupements 3, de telle sorte que le polymere devient soluble dans une solution aqueuse basique. Un chauffage de la resine est necessaire pour cette action de l'acide. Les liaisons de la chane 1 aux groupements 2 vent simultanement rompues sous l'effet de l'acide. Grace a leur compatibilite avec un rayonnement lumineux de course longueur d'onde, les resines MM permettent de realiser des motifs ayant des dimensions inferieures a 130 nanometres. Or, les resines MM telles que decrites precedemment vent particulierement sensibles au fluage apres leur developpement. En effet, de l'acide genere dans les zones exposees pour y separer de la chane 1 les groupements inhibiteurs de dissolution 3 peut diffuser dans les zones non exposees, et separe alors de la chane 1 les groupements protecteurs 2 dans ces zones non-exposees. Cette liberation des groupements protecteurs 2 provoque une destabilisation mecanique de la resine residuelle apres le developpement, dont resulte un fluage particulierement prononce, en particulier lors diun traitement de gravure ou d'implantation de la surface du substrat effectue apres le traitement lithographique. La figure 2 regroupe les etapes d'un procede selon ['invention adapte pour la mise en ceuvre d'une resine MM telle que decrite precedemment. Dans une premiere etape (etape 10), une resine MM liquefiee est deposee et etalee de fa,con uniforme sur la surface d'un substrat plan selon une methode connue telle que, par exemple, un etalement par centrifugation (ou spin coating>>). Eventuellement, la surface du substrat a ete prealablement traitee avec un compose tel que l'hexamethyidisilazane (ou HMDS) afin d'ameliorer ['adhesion de la resine sur le substrat. Une fois deposee, la resine est sechee et soumise a un chauffage de stabilisation par densification et relaxation des contraintes presentes dans la resine (etape 20, couramment designee par >). La couche de resine presente alors une epaisseur d'environ 300 nanometres. Des caracteristiques de ce chauffage de stabilisation sont, par exemple, une temperature de resine de 130 C pendant 1 minute environ. La surface du substrat ainsi recouverte de resine est alors exposee a une lumiere UV de sensibilisation de longueur d'onde 193 nanometres. Cette premiere exposition de sensibilisation est effectuee en utilisant un masque de photolithographie place entre la source de la lumiere UV et la surface du substrat, de fa,con connue en soi, de fa,con a definir sur la surface du substrat des zones de resine masquees et des zones de resine exposees. Cette premiere exposition est effectuee de fa,con a ce que la resine re,colve une densite d'energie lumineuse de 17 millijoules par centimetre-carre de surface - 10 de substrat, integree sur toute la duree de ['exposition. Le precurseur d'acide genere l'acide sous l'effet des photons UV. Un chauffage (btape 30, couramment designee par o 1 minute, par exemple. La resine est alors developpee (etape 50) dans une solution aqueuse basique, selon une methode connue de l'Homme du metier. Les parties de resine exposees vent dissoutes, et les zones de la surface du substrat portent À ces parties de resine exposees vent decouvertes. La surface de substrat ne porte alors plus que les parties de resine masquees lors de ['exposition 30. Wile est exposee a un second rayonnement de sensibilisation (etape 60), sans masque de photolithographie. Cette seconde exposition utilise encore une lumiere UV ayant une longueur d'onde de 193 nanometres, mais avec une densite d'energie de 3,6 millijoules par .. centimetre-carre de surface exposee, integree sur toute la duree de cette seconde exposition. De l'acide est par consequent genere dans les parties residuelles de resine presentes sur la surface du substrat, selon une concentration d'acide toutefois inferieure a celle generee lors de la premiere exposition de sensibilisation 30. La surface du substrat avec la resine residuelle est alors mise en contact avec des vapeurs d'un compose basique, correspondent au compose du second type introduit precedemment, dans une enceinte fermee specialement adaptee (etape 70). Pour cela, on fait barboter un gaz porteur tel que de l'azote dans un reservoir contenant le compose basique sous forme liquide, de fa,con a ce qu'une partie du compose basique soit evaporee et entranee par le gaz porteur. Le gaz ainsi obtenu est envoye sur la surface du substrat, sous forme d'un rideau gazeux sous loquel on fait defiler la surface du 11 substrat. Le compose basique penetre alors, par diffusion, dans les parties de resine residuelle, et y neutralise l'acide genere lors de la seconde exposition de sensibilisation 60, selon une reaction de neutralisation acido-basique. A ['issue de l'etape 70, les zones residuelles de resine ne contiennent plus d'acide, et la quantite de generateurs d'acide residuels dans ces zones est reduite. Les groupements protecteurs du substrat 2 et inhibiteurs de dissolution 3 ne peuvent par consequent pas etre separes ulterieurement de la chaine l, supprimant par la tout fluage de la resine provoque par les groupements protecteurs 2, meme lors d'une elevation de temperature de la resine. Le compose basique utilise pour la neutralisation de l'acide d'inactivation des groupements inhibiteurs peut etre de differente nature, notamment de l'ammoniaque, une amine, des composes de type silazane ou derives de silazane, tel que, par exemple, I'hexamethyidisilazane (ou HMDS de formule semi-developpee (CH3)3Si-NH-Si-(CH3)3, des composes du type pyrollidone ou derives de pyrollidone, tel que, par exemple, la N- methylpyrollidone, ou encore un melange comprenant certains de ces composes. Dans la mise en ceuvre du procede rapportee ici, des vapeurs d'hexamethyldisilazane (HMDS) ont ete produites par barbotage d'azote a pression atmospherique, selon un debit de 3 litres par minute, dans un reservoir de HMDS maintenu a une temperature de 90 C environ. La temperature de la resine residuelle peut etre volontairement augmentee lors de la mise en contact de la resine avec les vapeurs de HMDS, afin d'activer la diffusion de ces vapeurs dans la resine. Une neutralisation plus complete de l'acide- genere dans la resine residuelle est alors obtenue. Neanmoins, la temperature de la resine residuelle lors de la seconde exposition de sensibilisation 60 ainsi que la temperature de la resine lors de sa mise en contact 70 avec les vapeurs de HMDS doit imperativement rester en dessous de la temperature de la resine lors du chauffage de l'etape 40. En effet, si une telle temperature est de nouveau atteinte, des groupements 2 et 3 vent liberes dans les parties residuelles de resine, provoquant une destabilisation et un fluage de celle-ci. - 12 La figure 3 represente un motif de resine uti.lise pour montrer l'efficacite du procede decrit ci-dessus contre un fluage de la resine posterieur a la mise en ceuvre de ce procede. Une resine de type MM a ete deposee de la fa,con precedemment decrite sur un substrat plan 4, sous forme diune couche 5 d'epaisseur uniforme d'environ 300 nanometres. Un masque a ete utilise lors de la premiere exposition de sensibilisation 30, occultant ['ensemble de la resine en dehors d'un disque de 180 nanometres de diametre (voir figure 3). A ['issue du developpement 50, la couche de resine presente done un unique trou circulaire 6 correspondent au motif du masque. Un tel motif correspond par exemple a la realisation de trous de contact (ou ) dans materiau isolant pour permettre des connexions (ou metallisation superposes. Les etapes 60 et 70 vent effectuees de la fac,on decrite plus haut. La resine avec le trou 6 est alors soumise a un test de fluage, consistent a chauffer progressivement la resine et a reporter sur le diagramme de la figure 4 I'evolution du diametre du trou circulaire 6 en fonction de la temperature. Ce diametre diminue lorsque la temperature- deviant suffisante pour provoquer le fluage de la resine. La courbe C (figure 4) correspond au test de fluage effectue a ['issue du procede de ['invention, c'est-a-dire, apres la seconde exposition de sensibilisation (etape 60) et apres la mise en contact avec des vapeurs basiques (etape 70). D'apres cette courbe, la temperature de debut de fluage de la resine mise en couvre selon le procede de ['invention est de 1 50 C, correspondent au debut de la diminution du diametre du trou 6. A titre de comparaison, les courbes A et B correspondent a des tests de fluage de resines identiques au precedent, effectues sur une resine MM identique, mais a des moments differents du procede lithographique. La courbe A correspond a un test de fluage effectue a ['issue du developpement de la resine (etape 50), avant la seconde exposition de sensibilisation (etape 60), et la courbe B correspond a un test de fluage effectue a ['issue de la seconde exposition de sensibilisation (etape 60), avant la mise en contact avec les vapeurs basiques (etape 70). Le motif initial dans la resine en forme de trou circulaire est identique a celui utilise pour la courbe C. - 13 La temperature de debut de fluage lue sur la courbe A est de 160 C. Wile correspond a une rdsine qui n'a jamais ete sensibilisee par de la lumiere UV, et done depourvue de composes acides. Les groupements 2 et 3 vent done restes lies a la chane de polymere 1, preservant la stabilite mecanique de la resine. La temperature de debut de fluage lue sur la courbe B est inferieure a C. Wile correspond a une resine dans laquelle, a ['issue du developpement, une certaine quantite de composes acides a ete generee. Un fluage y est initie lorsque la temperature devient proche de 130 (:, c'est-a-dire pour une valeur sensiblement egale a la temperature du chauffage de l'etape 40. Wile est en effet alors suffisante pour que les composes acides liberent les groupements 2 responsables du fluage. Par consequent, d'apres la courbe C, I'etape 70 de neutralisation des composes acides generes par des composes basiques permet de recuperer partiellement la resistance de la resine a un fluage provoque par echauffement. Wile permet aussi de supprimer un fluage precoce de la resine provoque par des composes acides qui ont diffuse involontairement dans les parties de resine masquees lors la premiere exposition de sensibilisation. - 14 REVENDICATIONS 1. Procede lithographique comprenant les etapes suivantes: a) deposer (10) sur une surface d'un substrat (4) une resine (5) incorporant des inhibiteurs de dissolution (3) et des protecteurs (2) du substrat contre les effets d'un traitement determine, les protecteurs du substrat etant sensibles a un traitement d'inactivation des inhibiteurs de dissolution; b) exposer (30) la surface portent la resine a un premier rayonnement de sensibilisation au travers d'un masque definissant des zones masquees et des zones exposees de la resine, de fa,con a generer un premier type de composes dans les zones exposees; c) chauffer (40) la resine de fac,on que les composes du premier type inactivent au moins une partie des inhibiteurs de dissolution (3) dans les zones exposees; d) developper (50) la resine au moyen d'un liquide de dissolution de fac,on a dissoudre selectivement la resine des zones exposees, caracterise en ce que le procede comprend en outre les etapes suivantes: e) exposer (60) a un second rayonnement de sensibilisation une partie au moins de la surface du substrat de fa,con a gbnerer des composes du premier type dans certaines au moins desdites zones masquees; f) provoquer (70) une neutralisation des composes du premier type par des composes d'un second type amenes au contact de la resine residuelle. 2. Procede selon la revendication 1, dans lequel les composes du second type vent contenus dans un gaz. 3. Procede selon la revendication 1 ou 2, dans loquel les composes des premier et second types vent respectivement acides et basiques. 4. Procede selon la revendication 3, dans lequel les composes du second type vent de l'ammoniaque, une amine, des composes de type silazane ou derives de silazane, des composes du type pyrollidone ou derives de pyrollidone, ou un melange comprenant certains des composes precedents. - 15 5. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel les composes du premier type inactivent les inhibiteurs de dissolution (3) en coupant une liaison chimique entre lesdits inhibiteurs de dissolution et un polymere (1) de la resine. 6. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, comprenant en outre, entre les etapes a) et b), un chauffage (20) de stabilisation de la resine. 7. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel le premier eVou le second rayonnement de sensibilisation est un rayonnement lumineux. 8. Procede selon la revendication 7, dans lequel le premier rayonnement de sensibilisation utilise dans l'etape b) pour generer des composes du premier type dans lesdites zones exposees est un rayonnement lumineux possedant une longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres. 9. Procede selon la revendication 7 ou 8, dans lequel le second rayonnement de sensibilisation utilise dans l'etape e) pour generer des composes du premier type dans lesdites zones masquees est un rayonnement lumineux possedant une longueur d'onde inferieure ou egale a 193 nanometres. 10. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel les zones de resine creees lors des etapes a) a d) ont au moins une dimension inferieure a 130 nanometres, mesuree parallelement a la surface du substrat. 11. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel lesdites zones masquees re,colvent dans l'etape e) une densite d'energie de rayonnement au moins egale a 5% de la densite d'energie de rayonnement recue par lesdites zones exposees dans l'etape b). 12. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans lequel, dans l'etape f), les composes du second type vent amenes au 16 contact desdites zones masquees pendant une duree superieure a secondes. 13. Procede selon l'une quelconque des revendications precedentes, dans loquel, dans l'etape f), la resine residuelle est portee a une temperature inferieure a la temperature maximale atteinte par la resine lors du chauffage de l'etape c). 14. Substrat traite par un procede lithographique selon l'une quelconque des revendications precedentes. 15. Substrat selon la revendication 14, comprenant des composants o electroniques ayant au moins une dimension inferieure a 130 nanometres, mesuree parallelement a la surface du substrat. 16. Dispositif electrique comprenant un substrat selon l'une quelconque