Brevet FR2839385A1 — publié le 20031107

position correspond a une position de separation des contacts separables (10, 12). La presente invention concerne de maniere generale le traitement des materieux, et plus particulierement de substrats pour l'electronique, I'optique ou l'optroelectronique. Plus precisement, I'invention concerne un procede de decollement de deux couches de materiou selon une surface de fragilisation definie entre les deux couches, le procede comprenant un recuit thermique d'une structure comprenant lesdites couches, le recuit amenant la temperature d'une temperature de debut de recuit a une temperature de fin de recuit. On conna'^t deja des procedes du type mentionne ci-dessus. o En particulier, il est connu d'appliquer de tels procedes connus pour realiser le decollement de deux couches de materiau provenant d'un meme substrat, entre lesquelles on a prealablement defini une surface de fragilisation par implantation d'especes dans le substrat. Les especes implantees peuvent etre des ions ou des atomes. II est ainsi connu d'implanter un substrat d'un materieu semiconducteur tel que le silicium avec une espece telle que l'hydrogene ou ['helium. Et la surface de fragilisation est determinee en fonction de la nature du materieu, de la nature des especes implantees et de l'energie d'implantation (cette surface de fragilisation etant typiquement un plan 2 o parallele a la face d'implantation du substrat). II est egalement possible de realiser la surface de fragilisation par tout autre moyen connu en soi, par exemple en construisant une region intermediaire de materiau poreux entre deux regions de materiau dense, en constituent une couche d'oxyde enterree dans un substrat (par exemple un substrat de type SOI), ou encore en effectuant un collage de deux couches, la zone de collage correspondent alors a la surface de fragilisation. Un tel decollement de deux couches separees par une surface de fragilisation peut etre mis en ceuvre pour realiser des couches minces (dons ltepaisseur peut etre comprise entre une fraction de micron et plusieurs microns), comme cela est decrit par exemple dans le document FR 2 681 472. Ce document decrit en effet un procede connu sous le nom generique de SMARTCUT@, qui a pour but de fabriquer des structures de type SOI (Silicon On Insulator selon la terminologie anglo-saxonne repandue). Les etapes majoures de ce procede vent les suivantes: À Oxydation d'une plaque cite superieure de silicium, pour creer une couche d'oxyde (qui correspond a la couche d'oxyde enterre de la structure SOI), Implantation ionique d'hydrogene dans cette plaque superieure afin de creer la surface de fragilisation, et de delimiter par cette surface o d'une part la structure SOI (se trouvant du cote de lioxyde enterre), et d'autre part un reliquat de silicium, À Collage de la plaque superieure sur une plaque support appelee raidisseur (qui peut etre realise en silicium, mais egalement dans un autre materiau), À Recuit en vue de realiser un decollement pour obtenir d'une part une structure SOI comprenant la plaque support, la couche d'oxyde enterree et la couche de silicium situee entre l'oxyde enterre et la surface de fragilisation, et d'autre part le reliquat de silicium situe de l'autre cOte de la surface de fragilisation. 2 o On precise a cet egard que ce recuit peut: soit permettre de realiser completement le decollement, le SOI et le reliquat sortant effectivement decolles du four de recuit, soit, si le budget thermique n'est pas suffisant pour realiser completement le recuit, ne permettre de realiser qu'un clivage entre le SOI et le reliquat. Le > correspond a un etat precedent le decollement dans lequel le SOI et le reliquat vent encore relies par des liaisons de type forces de Van der Waals, ou encore par un simple effet ventouse des deux parties a decoiler. Dans ce cas, on finalise apres recuit le decollement, par exempie par apport d'energie mecanique (introduction d'un element saillant tel qu'une lame au niveau de la surface de fragilisation,...), À Traitement complementaire destine a reduire la rugosite de la surface du SOI qui est issue du clivage et du decollement. II est ainsi courant de trouver des specifications de rugosite ne devant pas depasser 5 Angstroms en valeur rms (correspondent a l'acronyme anglo-saxon >). On precise que les mesures de rugosite vent generalement effectuees grace a un microscope a force atomique (AFM selon l'acronyme qui correspond a ['appellation anglo-saxonne de Atomic Force Microscope). Avec ce type d'appareil, la rugosite est mesuree sur des surfaces o balayees par la pointe du microscope AFM, allant de 1x1 1lm2 a 10x10 1lm2 et plus rarement 50x50 m2, voire 1 00x100)lm2. On precise egalement qu'il est possible de mesurer la rugosite de surface par d'autres methodes, en particulier par le biais d'une mesure de > selon la terminologie anglo-saxonne repandue. Cette methode presente en particulier l'avantage de permettre de caracteriser rapidement l'uniformite de la rugosite sur toute une surface. Ce haze, mesure en ppm, est issu d'une methode utilisant les proprietes de reflectivite optique de la surface a caracteriser, et correspond a un > optique diffuse par la surface, en raison de sa micro 2 o rugosite. Un exemple de lien entre le haze et la rugosite est represente, dans le cas de la surface d'un SOI, sur la figure 1. On precise que le procede de type SMARTCUT peut egalement etre mis en ceuvre pour constituer des structures autres que des SOI, par exemple des SOA (Silicon On Anything selon la terminologie anglo-saxonne repandue: silicium sur un materiau quelconque), ou meme des AOA (Anything On Anything selon la terminologie anglo-saxonne repandue: materiau quelconque sur un materiau quelconque). Les procedes connus de decollement par recuit mettent generalement en ceuvre un recuit amenant la structure comprenant les deux couches a decoller d'une temperature de debut de recuit relativement basse, qui peut etre par exemple de l'ordre de 350 C, a une temperature de decollement plus elevee mais n'excedant pas une valeur de l'ordre de 500 C, avec dans le four de recuit une evolution de temperature selon une croissance sensiblement constante, de l'ordre de 10 C par minute. La temperature de decollement correspond pour ces recuits de decollement de l'etat de la technique a la temperature de fin de recuit. Ainsi, les recuits de decollement connus vent effectues avec une evolution de temperature selon une rampe de temperature sensiblement constante, la pente de cette rampe etant de l'ordre de 1 0 C/min. Mais on observe frequemment que les surfaces issues du o decollement (ctest a dire les surfaces des deux couches se faisant face de part et d'autre de la surface de fragilisation) presentent une rugosite relativement elevee. Et des traitements specifiques relativement importants peuvent etre rendus necessaires, afin d'obtenir l'etat de surface desire pour les surfaces issues du decollement. Par exemple, dans le cas du decollement de couches d'une plaque de materiau tel que le silicium pour constituer un SOI, on obtient generalement en sortie de decollement des rugosites de l'ordre de 80 Angstroms rms (en mesure AFM sur un champ de 10*10 microns). Le but principal de ['invention est done de permettre de realiser des recuits de decollement produisant un etat de surface ameliore des surfaces issues du decollement. Et en fonction de ce qui precede, selon un premier aspect particulier ['invention vise plus particulierement a permettre de diminuer la rugosite des surfaces issues du decollement, par rapport aux procedes connus. Par ailleurs, avec les procedes de recuit de decollement connus, on observe egalement une degradation de la structure peripherique des structures a decoller. La figure 2 represente ainsi le resultat typique d'une observation au o microscope du bord peripherique de la surface d'un SOI apres son decollement par un recuit selon l'etat de la technique, la region peripherique etant nommee couronne >>. Cette observation fait appara^'tre de nombreuses irregularites de structure dans la couronne du SOI. Cette figure illustre ainsi la degradation de la couronne du SOI, ladite degradation etant consequente au recuit de decollement (ceci etant applicable a des structures d'autres types que le SOI). L'invention vise egalement a eviter, ou tout au moins a red u ire, une telle degradation constatee suite au decoliement par recuit. Afin d'atteindre ces buts, I'invention propose selon un premier aspect un procede de decollement de deux couches de materiau selon une o surface de fragilisation definie entre les deux couches, le procede comprenant un recuit thermique d'une structure (10) comprenant lesdites couches, le recuit amenant la temperature d'une temperature de debut de recuit a une temperature de fin de recuit, caracterise en ce que lors du recuit thermique on fait evoluer la temperature de recuit selon une premiere phase jusqu'a une temperature de transition, puis selon une deuxieme phase lors de laquelle la croissance de la temperature par unite de temps est plus forte que lors de la premiere phase. Des aspects preferes, mais non limitatifs de ce procede vent les suivants: 2 o À Ia temperature de transition correspond a un debut de decollement, Ia premiere phase est une phase d'initiation du decollement, et la deuxieme phase est une phase de finition d'etat de surface, Ia deuxieme phase est suivie d'un palier de chauffage a une temperature sensiblement constante, À Iadite temperature sensiblement constante correspond a la temperature de fin de recuit, Iors de la premiere phase la temperature augmente selon une pente moyenne lente, pouvant aller jusqu'a environ 10 C/min, Iors de la deuxieme phase la temperature augmente selon une pente o moyenne rapide, superieure a environ 15 C/min, À Ia temperature de debut de recuit est inferieure ou egale a 350 C, Ia temperature de fin de recuit est de l'ordre de 500 C a 800 C, Ia temperature de fin de recuit est de l'ordre de 600 C, À Ia temperature de transition entre les deux phases est de l'ordre de 430 C a 450 C, Selon un deuxieme aspect, I'invention propose egalement ['application d'un procede selon un des aspects ci-dessus pour decoller deux couches de materiau delimitees par une surface de fragilisation, ladite surface de fragilisation ayant ete realisee dans le cadre d'un procede de type SMARTCUT@. Des aspects preferes, mais non limitatifs d'une telle application vent les suivants: Ies deux couches de materiau comprennent une couche de silicium, À Ies deux couches de materiau vent deux couches de silicium, une des deux couches correspondent a un SOI, I'autre couche correspondent a un reliquat de silicium D'autres aspects, buts et avantages de ['invention appara^'tront mieux a la lecture de la description suivante d'une forme de realisation de ['invention, faite en reference aux dessins annexes sur lesquels, outre les figures 1 et 2 qui ont deja ete commentees en reference a 1'etat de la o technique: La figure 3 represente schematiquement un four de recuit, mis en ceuvre pour realiser ['invention, À La figure 4a represente la repartition spatiale de haze a la surface d'un SOI ayant subi un recuit de decollement selon l'etat de la technique, z À Ia figure 4b est un graphe representant globalement la repartition de haze a la surface du SOI pour la surface duquel la figure 4a illustre la repartition spatiale de haze, le graphe de la figure 4b permettant en particulier d'identifier le haze moyen a la surface consideree, À Ia figure 5 represente graphiquement 1'evolution de temperature lors d'un recuit de decollement effectue selon 1'etat de la technique, et le meme type d'evolution pour deux recuits de decollement realises selon ['invention, Ia figure 6 represente de maniere tres schematique le collage d'une tranche de silicium oxydee et implantee, et d'un raidisseur, dans un procede de type SMARTCUT, Ies figures 7a, 8a et 9a representent visuellement la repartition spatiale du haze a la surface de trots SOI apres leur decollement par recuit, le SOI de la figure 7a ayant subi un recuit de decollement standard, les deux SOI des figures 8a et 9a ayant subi des recuits de decollement o selon ['invention effectues selon des modalites differentes, Ies figures 7b, 8b et 9b vent des graphes similaires a coux de la figure 4b representant globalement la repartition de haze pour les SOI et respectifs des figures 7a, 8a et 9a (la figure 7b correspondent comme la figure 4b a un SOI recuit selon une technique connue), À Ies figures 10 a 12 vent trots representations similaires d'une observation au microscope du bord peripherique de trots SOI respectifs ayant subi un recuit de decollement, o la figure 10 correspondent a un SOI ayant subi un recuit standard (et etant similaire a la figure 2), o o les figures 11 et 12 correspondent aux SOI respectifs des figures (8a, 8b) et (9a, 9b), Prealablement a la description qui suit, on precise que dans le cas de structures telles que des substrats multicouches comprenant comme evoque ci-dessus un SOI (ou SOA, ou meme AOA) et une couche de s reliquat de matbriau (de silicium dans le cas d'un SOI), la forme de la structure est generalement celle d'une tres fine galette que l'on designe par le terme de wafer >> selon la terminologie anglo-saxonne repandue. Et les wafers vent ainsi disposes verticalement dans le four, comme cela est represente sur la figure 3 (les wafers a decoller etant designee par 3 o la reference 10, le four etant designe par la reference 20). Cette disposition verticale des wafers vise a prevenir les risques de depiacements des deux couches decollees de cheque wafer, I'une par rapport a l'autre, a la fin du decollement dans le four ou surtout lors des operations de manutention pour sortir les wafers decolles du four. On a en effet vu ci-dessus que les specifications d'etat de surface etaient dans certains cas drastiques (en particulier pour un SOI): il est done necessaire de prevenir tout deplacement relatif des deux couches decollees, afin d'eviter les risques de rayures sur les surfaces des deux couches decollees. On notera en outre que, comme represente sur la figure 4a, la rugosite de surface d'un SOI 11 issu d'un recuit de decollement presente o une dissymetrie. On observe en effet sur cette figure une zone de la surface du SOI (situee entre 9 et 10 heures) dans laquelle le haze, et partant la rugosite, vent augmentes. Une telle inhomogeneite resulte de la presence de points chauds s dans le four de recuit. Dans- le cas d'un four tel que represente en figure 3, il s'agit plus precisement de la traduction du gradient de temperature vertical (les wafers a decoller etant places dans le four avec une orientation de 90 par rapport a la representation de la figure 4a). En reference maintenant a la figure 4b, on a represente la repartition zo globale de haze sur la surface du SOI de la figure 4a. On rappelle que ce SOI a subit un recuit de decollement selon un procede connu dans l'etat de la technique. La figure 4b illustre que la valeur du haze moyen sur la totalite de SOI est de l'ordre de 87 ppm. 2s Cette valeur est directement liee a une valeur de rugosite moyenne de ce SOI, et represente ainsi une valeur de reference pour la mesure d'une rugosite de SOI, caracterisee par la mesure de haze. On precise que cette mesure de haze, ainsi que les mesures similaires qui seront exposees plus loin dans ce texte, vent effectuees selon o le meme protocole et par le meme dispositif, en ['occurrence par un instrument de type KLA Tencor Surfscan SPI (marque deposee). En reference maintenant a la figure 5, on a represente schematiquement ['evolution en fonction du temps de la temperature regnant dans le four de recuit, lors de trots recuits de decoilement. Plus precisement, cette figure comprend trots courbes 51, 52, 53 qui correspondent a trots types de recuits differents. Le debut de ['evolution de temperature lors de ces trots recuits est identique, se composant d'un palier d'entree a 350 C (correspondent a la temperature d'entree de recuit), suivi d'une rampe de montee d'une temperature ayant une pente de ltordre de 10 C par minute (ou moins), locomme cela est connu dans l'etat de la technique. Sur la partie droite de la figure, on constate cependant qu'au cours du temps les temperatures des trots recuits evoluent differemment. Plus particulierement, la courbe 51 illustre ltevolution d'un recuit de decollement selon ltetat de la technique. Dans un tel recuit, apres avoir ete maintenue au niveau d'entree de 350 C pendant un premier palier, la temperature evolue selon la rampe connue de pente de l'ordre de 1 0 C par minute, jusqu'a une temperature de decollement et de fin de recuit de l'ordre de 500 C. On precise toutefois que la temperature cite de >, a partir de laquelle on peut observer le declenchement du decollement, peut avoir une valeur de l'ordre de 430 C a 450 C. La temperature d'entree de recuit peut avoir une valeur inferieure a 350 C (cela sera egalement le cas pour les recuits selon ['invention, illustes par les courbes 52 et 53). sLa fin de ce recuit comporte un deuxieme palier, a cette temperature de fin de recuit. Dans le cas de ce recuit connu, I'evolution de temperature se fait done selon une rampe unique. La courbe 52 represente quant a elle ltevolution de temperature d'un 3 orecuit effectue selon ['invention, dans une premiere variante. On constate dans ce cas qu'apres avoir emprunte une partie de la rampe standard ayant une pente de ltordre de 10 C par minute (ou moins), une fois que la temperature a ete amenee a une valeur de transition de l'ordre de 430 C a 450 C, la temperature evolue selon une deuxieme rampe dont la pente est differente de celle de la premiere rampe. Les deux rampes vent representees sensiblement rectilignes. Plus precisement, la deuxieme rampe a une pente sensiblement superieure a celle de la premiere rampe, la pente de cette deuxieme rampe etant de l'ordre de 1 6 C par minute. On precise toutefois que pour ce recuit selon ['invention, ainsi que pour le recuit represente par la courbe 53, les deux rampes rectilignes peuvent etre remplacees par deux rampes non rectilignes correspondent a la meme evolution generale en deux phases separees par une temperature de transition, la deuxieme phase correspondent a une montee en temperature plus rapide. Le recuit se termine par un palier a la temperature de fin de recuit de I'ordre de 600 C. La courbe 53 illustre une variante de ['invention, dans laquelle la deuxieme rampe a ici encore une pente de l'ordre de 16 par minute apres une transition vers 430 C a 450 C. Dans ce cas, la deuxieme rampe se prolonge jusqu'a une o temperature de fin de recuit a une valeur encore superieure, de l'ordre de 800 C Ainsi, les recuits de decollement selon ['invention qui correspondent aux courbes 52 et 53 vent pratiques avec une montee de temperature comprenant deux phases ayant des rampes moyennes respectives differentes (ces rampes pouvant etre rectilignes, ou non): une phase >, dont la rampe moyenne peut avoir une pente moyenne relativement faible, de l'ordre de 1 0 C/min ou moins, suivie d'une phase >, de pente moyenne augmentee (pouvant etre de l'ordre de 1 5 C/min ou plus), cette deuxieme phase etant o destinee a finaliser le decollement et a permettre d'aboutir comme cela va etre explique a un etat de surface ameliore. Plus precisement, la premiere phase correspond a une rampe de recu it de d ecol le ment cl assique. Cette premiere phase a dans le cas de ['invention pour but d'apporter au wafer a decoller un apport d'energie thermique conduisant > au decollement. Plus precisement encore, la premiere phase starrete a une temperature de transition qui correspond a un debut de decollement suite a l'energie thermique apportee au wafer lors de la premiere phase. Par > on entend l'etat dans lequel une partie 0 de la surface de fragilisation a effectivement subi un decollement, mais ce decollement ne stetant pas propage a toute la surface de fragilisation. II s'agit ainsi d'un etat dans lequel le wafer comporte une > de decollement, au niveau de sa surface de fragilisation. Dans un recuit classique (tel que celui represente par la courbe 51), s on pour-quit au-dela de ce debut de decollement la rampe selon la meme pente moyenne, pour finaliser le decollement (dans le cas ou on desire realiser entierement le decollement lors du recuit). Dans le cas de ['invention au contraire, on augmente la pente de ['evolution de temperature de maniere a poursuivre le recuit en une deuxieme phase correspondent a une deuxieme rampe, sensiblement superieure a la pente de la premiere phase. On precise que la temperature de transition, qui est comme on l'a vu la temperature correspondent au debut de decollement, sera adaptee en fonction de la nature et des dimensions du wafer a decoller; cette adaptation pourra se faire selon des abaques, ou de maniere empirique. A cet egard, notons par ailleurs que la correspond plus precisement a un > apporte au wafer, qui correspond lui-meme a un etat du wafer dans loquel on obtient dans la surface de fragilisation du wafer un debut de 3 o decollement. La deuxieme phase a pour but de finaliser le decollement, en permettant d'aboutir a un etat de surface (rugosite notamment) sensiblement ameliore par rapport a ce qu i est obtenu de man iere con nue. La Demanderesse a en effet observe qu'en faisant suivre la premiere phase, apres une temperature de transition telle que definie et precisee cidessus, par une deuxieme phase de pente moyenne sensiblement augmentee, on obtient un etat de surface des couches decollees qui est sensiblement ameliore par rapport a ce qui est obtenu en sortie de recuit de decollement dans l'etat de la technique. Precisons egalement que la deuxieme phase, outre le fait qu'elle presente une pente moyenne augmentee, amene en outre de preference le wafer a une temperature de fin de recuit egalement sensiblement augmentee par rapport a la temperature de fin de recuit de decollement selon l'etat de la technique (qui vent de l'ordre de 500 C comme illustre par la courbe 51). Ceci est illustre par les temperatures de fin de recuit des courbes 52 et 53. Et cette caracteristique, combinee a la forte pente moyenne associee a la deuxieme phase, permet en effet d'obtenir un etat de surface o particulierement interessant, la rugosite de surface des couches decollees diminuant alors encore. Pour initier un decollement en un endroit specifique de la surface de fragilisation du wafer, on pourra exploiter les inhomogeneites de temperature regnant a l'interieur du four (par exemple presence de gradients thermiques dans un four a l'interieur duquel les wafers vent disposes verticalement). On precise que dans le cas ou le wafer a decoller a ete constitue par le collage de deux tranches ayant des caracteristiques mecaniques differentes, les comportements mecaniques respectifs des deux tranches o collees influent egalement sur le decollement des couches. Ceci est le cas par exemple pour les SOI elabores selon un procede de type SMARTCUT@, les SOI etant obtenus par decollement, au niveau d'une surface de fragilisation (constituee par implantation), du SOI et du reliquat de siiicium. On precise a cet egard que si on parle de >, le decollement ne designe pas ici ['operation consistent a defaire une liaison qui avait ete realisee par collage ( > selon la terminologie anglo- saxonne repandue). Ainsi, dans le cas du > d'un wafer pour constituer un SOI, on a constitute par collage (entre la plaque de silicium oxydee et implantee, et le raidisseur) une interface de collage, et on decolle au niveau 0 de la surface de fragilisation realisee par implantation, cette surface de fragilisation etant distincte de ['interface de collage meme si elle en est tres proche. Dans ce cas, les deux > a decoller vent ainsi d'une part le SOI lui-meme qui comporte le raidisseur, I'oxyde et la fine tranche de silicium, et d'autre part le reliquat de silicium. Etant donnees ['extreme finesse de l'oxyde et de la fine tranche de silicium du SOI, le SOI a des caracteristiques mecaniques qui vent assimilables a celles du raidisseur, de sorte que les deux > a decoller ont les caracteristiques mecaniques respectives du silicium et du o raidisseur (qui peuvent etre de natures differentes, le raidisseur pouvant etre realise en silicium, mais egalement dans des materiaux les plus divers - quartz par exemple). Du point de vue des caracteristiques mecaniques, on peut done assimiler respectivement chacune des deux couches a decoller du SOI a deux tranches qui ont ete prealablement collees pour constituer le wafer a > (la tranche de silicium, et le raidisseur). Ce qui va suivre immediatement s'applique ainsi au decoilement (c'est a dire fracture de ['interface de fragilisation prealabiement realisee) de deux couches qui vent assimilables de la meme maniere a deux tranches o qui ont ete prealablement collees, chacune des deux couches a decoller etant essentiellement composee du materinu d'une de ces deux tranches. Et revenant de maniere generale a ['influence du comportement mecanique des couches a decoller, on precise que les deux couches a decoller du SOI (le reliquat de silicium, et le SOI lui-meme) peuvent ainsi avoir des caracteristiques mecaniques differentes). En outre, ces deux couches vent comme on vient de le voir equivalentes du point de vue mecanique a une tranche de silicium, et au raidisseur (ces deux elements ayant ete assembles par collage). On precise que les deux tranches ainsi collees ne vent pas exactement planes. o 11 existe en effet des tolerances sur la planeite de telles tranches. Et le collage des deux tranches (silicium oxyde et implante S. et raidisseur R - voir figure 6) a ete realise de maniere a ce que les concavites d es deu x tra nches respectives se fassent face, com me cel a est represente schematiquement sur la figure. On precise que sur cette figure les concavites des deux tranches collees ont ete representees beaucoup plus profondes qu'en realite, et ne correspondent aucunement a ltechelle reelle. Lors d'un tel collage, les concavites des deux tranches vent Les deux tranches du wafer ainsi constitue (et partant les deux couches a >, etant donne qu'on a vu que mecaniquement ces deux couches etaient equivalentes aux deux tranches collees) vent done legerement precontraintes en rapprochement l'une de l'autre (surtout dans leur region centrale). Ces deux couches tendront done a s'ecarter l'une de l'autre des qu'un decollement aura ete initie entre eiles, en un mouvement de relaxation des contraintes dues au collage mentionnees ci-dessus. Et ceci favorise la pour-quite du decollement apres le decollement initial decrit ci-dessus et obtenu a ['issue de la premiere phase de recuit. o On precise que ce phenomene de relaxation entre en couvre pour le decollement selon ['invention de tout wafer dont les deux couches a decoller vent assimilables a deux tranches qui ont ete prealablement collees, en subissant une precontrainte en rapprochement l'une de l'autre. Revenant au procede selon ['invention de man iere generale, on a d it que les temperatures de fin de recuit vent superieures aux temperatures de fin de recuit de l'etat de la technique. Plus precisement, dans une variante preferee de ['invention on obtiendra des resultats avantageux avec des temperatures de fin de recuit de l'ordre de 500 C a 800 C. Et plus precisement encore, selon une option preferee de mise en o couvre de ['invention la temperature de fin de recuit est de ltordre de 600 C. On precise que la pente de la deuxieme rampe qui est cite rampe >, n'est pas obligatoirement de 16 C par minute. Cette valeur non limitative peut etre adaptee; en tout etat de cause elle doit etre sensiblement superieure a la valeur de la pente de la premiere rampe de :5 montee de la temperature. De meme, la temperature de fin de recuit, si elle sera effectivement choisie de preference sensiblement plus elevee que pour des recuits de decollement classique, ntest pas limitee aux valeurs decrites ci-dessus qui ne constituent que des valeurs preferees. On precise egalement que le profil de montee en temperature en deux rampes rectilignes qui est represente sur les courbes 52 et 53 ne constitue qu'un mode particulier de mise en ceuvre de ['invention. En effet, une caracteristique generale d'un tel recuit effectue selon ['invention est qu'il comporte: s À Une premiere phase lors de laquelle on amene la temperature d'une temperature de debut de recuit (qui peut avoir comme on l'a dit une valeur inferieure a 350 C) a une temperature correspondent a une temperature de debut de decollement du wafer. On precise que le debut de decollement peut par exemple etre observe o en suivant par tout moyen connu en soi le diametre de bulles gazeuses generees par le recuit de decollement a partir d'une surface de fragilisation definie par implantation, les bulles gazeuses provenant de la coalescence des micro-cavites formees dans la structure par les especes implantees. Cette premiere phase correspond a la premiere rampe > des courbes 52 et 53, 5. Suivie d'une deuxieme phase lors de laquelle, au lieu de stabiliser la temperature comme dans les recuits de decollement connus, a une temperature de fin de recuit correspondent a une temperature qui ntest que faiblement superieure a la temperature de debut de decollement, non seulement on pour-quit au contraire la montee en temperature, mais o on augment meme la croissance de la temperature par unite de temps. On peut ainsi considerer que: Ia premiere phase correspond au declenchement mecanique du decollement, À alors que la deuxieme phase de recuit intensif permet: non seulement de finaliser ce decollement, mais encore d'obtenir (comme cela va etre expose plus en detail plus loin dans ce texte) un tres bon etat de surface, cette deuxieme phase correspondent ainsi a une phase de finition. On precise egalement que la temperature de debut de decollement, o qui correspond a la temperature de transition entre les deux phases du recuit peut varier en fonction des caracteristiques de la structure a decoller. En effet, la valeur de 430 C a 450 C mentionnee ci-dessus ntest pas strictement limitative: en fonction de caracteristiques telles que le(s) materiou(x) de la structure, la dose et l'energie d'implantation utilisee lors de la creation de la surface de fragilisation (dans le cas ou cette surface a ete creee par implantation), cette temperature peut varier dans une certaine mesure. Par exemple, si l'on cree la surface de fragilisation par implantation, le budget thermique devant etre apporte pour provoquer un bullage de 3 o debut de decollement doit etre adapte lorsqu'on modifie 1'energie d'implantation. Les figures 7a a 9a illustrent les differences de repartition spatiale de haze a la surface de trots SOI qui ont subi des recuits de decollement selon trots modalites differentes. La figure 7a represente ainsi ia repartition de haze a la surface d'un SOI ayant subit un recuit de decollement classique, correspondent a la courbe 51 de la figure 5. Cette figure est a rapprocher de la figure 7b, qui, a l'instar de la figure 4b, illustre une repartition globale de haze sur la surface du SOI, et une valeur moyenne de l'ordre de 87ppm. o La figure 8a represente quant a elle la repartition spatiale de haze a la surface d'un SOI ayant subit un recuit de decollement selon ['invention, avec une evolution de temperature correspondent a la courbe 52 de la figure 5. Cette figure est a rapprocher de la figure 8b, dont on deduit une s valeur de haze moyen de l'ordre de 73ppm sur la surface du SOI. On constate ainsi une diminution sensible de la valeur du haze moyen et, partant, de la rugosite a la surface du SOI issu du decollement. Les figures 9a et 9b correspondent a un autre SOI, ayant subi un recuit de decollement selon une evolution de temperature conforme a la courbe 53 de la figure 5. Dans ce cas, comme represente plus particulierement sur la figure 8b, la valeur moyenne de haze a la surface du SOI est de l'ordre de 5ppm. Ceci correspond done a une diminution extremement importante de la rugosite de surface du SOI. Les figures 10 a 12 illustrent quant a eiles ['evolution de l'etat de la couronne de trots SO I respectifs ayant subi des recu its de d ecollement selon les trots modalites respectives decrites ci-dessus (correspondent aux trots courbes respectives 51, 52, 53 de ia figure 5). Ces figures 10 a 12 illustrent une diminution importante de la 3 o degradation peripherique de la structure du SOI (la structure la plus degradee correspondent a un recuit classique, la structure la plus preserved correspondent au recuit effectue selon ['invention et correspondent a la courbe 53 de la figure 5). On precise que si les examples ci-dessus ont ete decrits en reference a un decollement permettant de generer un SOI, I'invention s'applique au decollement de toute structure comportant une surface de fragilisation permettant de delimiter des couches a decolier. REVENDICATIONS 1. Procede de decollement de deux couches de materiau selon une surface de fragilisation definie entre les deux couches, le procede comprenant un recuit thermique d'une structure (10) comprenant lesdites couches, le recuit amenant la temperature diune temperature de debut de recuit a une temperature de fin de recuit, caracterise en ce que lors du recuit thermique on fait evoluer la temperature de recuit selon une premiere phase jusqu'a une temperature de transition, puis o selon une deuxieme phase lors de laquelle la croissance de la temperature par unite de temps est plus forte que lors de la premiere phase. 2. Procede selon la revendication precedente, caracterise en ce que la temperature de transition correspond a un debut de decollement. 3. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la premiere phase est une phase d'initiation du decollement, et la deuxieme phase est une phase de finition d'etat de surface. 4. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la deuxieme phase est suivie d'un palier de chauffage a une temperature sensiblement constante. 5. Procede selon la revendication precedente, caracterise en ce que ladite temperature sensiblement constante correspond a la temperature de fin de recuit. 6. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce 3 o que lors de la premiere phase la temperature augmente selon une pente moyenne lente, pouvant aller jusqu'a environ 1 0 C/min. 7. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que lors de la deuxieme phase la temperature augmente selon une pente moyenne rapide, superieure a environ 1 5 C/min. 8. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la temperature de debut de recuit est inferieure ou egale a 350 C. 9. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la temperature de fin de recuit est de l'ordre de 500 C a 800 C. 10.Procede selon la revendication precedente caracterise en ce que la temperature de fin de recuit est de l'ordre de 600 C. 11. Procede selon l'une des revendications precedentes, caracterise en ce que la temperature de transition entre les deux phases est de l'ordre de 430 C a 450 C. 12.Application d'un procede selon l'une ou plusieurs des revendications precedente(s) pour decoller deux couches de materiau delimitees par une surface de fragilisation, ladite surface de fragilisation ayant ete realisee dans le cadre d'un procede de type SMARTCUT. 13.Application selon la revendication precedente, caracterisee en ce que les deux couches de materiau comprennent une couche de silicium. 14. Application selon l'une des deux revendications precedentes, caracterisee en ce que les deux couches de materiau vent deux couches de silicium, une des deux couches correspondent a un SOI,