Brevet FR2837575A1 — publié le 20030926

d'auto-calibrage du projecteur dudit appareil de fluorimétrie. DETECTEUR CAPACITIF D'HUMIDITE A COUCHE DE PASSIVATION La présente invention est relative à un détecteur capacitif d'humidité à couche de passivation. s Un détecteur d'humidité du type capacitif est proposé dans le brevet japonais n H11-101 766A et dans le modèle d'utilité japonais n H5 23124U. Ce détecteur d'humidité comporte une paire d'électrodes en forme de peigne, formées sur un substrat et également dans le même plan. Une paire d'électrodes en dents de peigne de la paire d'électrodes en forme de o peigne sont en regard l'une de l'autre. Par conséquent, la paire d'électrodes en forme de peigne constitue un condensateur. La paire d'électrodes en forme de peignes est couverte par un film sensible à l'humidité, disposé sur le substrat. Le film sensible à l'humidité est en polymère du type polyimide, et est également disposé entre les deux électrodes en dents de peigne. Le film sensible à l'humidité peut absorber l'humidité présente autour du détecteur d'humidité. Lorsque l'humidité change, I'humidité absorbée change elle aussi. Une constante diélectrique du film sensible à l'humidité change alors et une capacité électrostatique du condensateur ci-dessus change également en accompagnant le changement de la constante diélectrique. Par conséquent, o le détecteu r d'hu mid ité détecte l'hu mid ité atmosphérique en mesurant la capacité électrostatique du condensateur. Dans ce détecteur d'humidité, le film sensible à l'humidité est directement au contact de la paire d'électrodes en forme de peigne, qui est en matière métallique ou analogue. Ainsi, les électrodes sont exposoes à I'humidité, laquelle est absorbée par le film sensible à l'humidité et traverse le film sensible à l'humidité. Les électrodes se dégradent donc et la durce de vie du détecteur d'humidité diminue. Afin d'éviter cette dégradation des électrodes, un film de passivation est formé sur le substrat afin de couvrir la paire d'électrodes en forme de peignes, ce qui est proposé dans la o publication de la demande de brevet des E.U.A. n US 2002-0141 136-A1. Cependant, le détecteur d'humidité à film de passivation présente une forte hystérésis, laquelle appara^'t entre des courbes montante et descendante de la capacité électrostatique du condensateur respectivement lorsque l'humidité s'accro^'t et diminue. Cette hystérésis provoque une baisse de précision de la mesure. Il existe un autre détecteur capacitif d'humidité tel qu'un détecteur d'humidité du type à plaques parallèles. Le détecteur d'humidité du type à plaques parallèles comporte une paire de plaques électrodes en regard l'une de l'autre. Un film sensible à l'humidité est intercalé entre les s deux plaques électrodes de la paire. Par exemple, le détecteur d'humidité du type à plaques parallèles selon le brevet japonais S60-166 854A est composé d'une plaque électrode inférieure, formée sur un substrat, d'un film sensible à l'humidité formé sur la plaque électrode inférieure et d'une plaque électrode supérieure formée sur le film sensible à l'humidité. Par conséquent, o le film sensible à l'humidité est intercalé entre les plaques électrodes supérieure et inférieure. La plaque électrode supérieure est perméable à l'humidité et est exposée à l'extérieur. Ainsi, I'hystérésis dans ce détecteur d'humidité est suffisamment faible, car l'humidité absorbée par le film sensible à l'humidité s'évapore à travers la plaque électrode supérieure. s Cependant, la résistance à l'humidité de la plaque électrode supérieure diminue, car la plaque électrode supérieure est en matière métallique et, par exemple, la matière métallique rouille sous l'effet de l'humidité absorbée. De plus, si la plaque électrode supérieure est formée par évaporation sous vide ou par puivérisation, le film sensible à l'humidité diffuse dans une chambre dans laquelle agit le détecteur d'humidité. Par conséquent, la chambre est contaminée par la diffusion du film sensible à l'humidité. La présente invention vise à réduire l'hystérésis dans un détecteur d'humidité du type capacitif. En outre, la présente invention vise également à accro^'tre la durée de vie d'un détecteur d'humidité. Un détecteur capacitif d'humidité est composé d'un substrat, de deux électrodes, d'une couche de passivation et d'une couche sensible à l'humidité. Les deux électrodes sont en matière métallique, disposées sur le substrat et dans le même plan et sont face à face, avec un espacement entre elles. La couche de passivation, qui est en nitrure de siliclum, couvre les o deux électrodes et l'espacement. La couche sensible à l'humidité est en matière organique constituée par un haut polymère à propriété d'absorption, et est disposée sur l'espacement ou entre l'espacement. La constante diélectrique de la couche sensible à l'humidité change en fonction de l'humidité. Il est préférable qu'un film isolant soit disposé sur le substrat et s que les deux électrodes soient formées sur la couche isolante. Plus particulièrement, les deux électrodes sont composées d'une paire d'électrodes de base et d 'électrodes en dents de peigne qui s'étendent depuis les électrodes de base. Les électrodes constituant la paire d'électrodes en dents de peigne des deux électrodes se font face de façon s alternée. L'espacement est défini comme un espacement entre les deux électrodes constituant la paire d'électrodes en dents de peigne des deux électrodes. Lorsque l'espacement s'élargit, I'hystérésis diminue dans le détecteur d'humidité. En particulier, si l'espacement est deux fois plus grand o ou davantage que l'épaisseur du film de la couche de passivation, I'hystérésis diminue jusqu'à être inférieure à 10% de l'humidité relative. De plus, si l'espacement est trois fois supérieur ou davantage à l'épaisseur du film de la couche de passivation, I'hystérésis est réduite à moins de 5% d'humidité relative. Les buts, aspects et avantages ci-dessus, et d'autres encore, de la présente invention, appara^'tront plus clairement grâce à la description détaillée ci-après faite en référence aux dessins annexés. Sur les dessins: la Figure 1 est une vue schématique en plan représentant un détecteur capacitif d'humidité selon une forme de réalisation de la présente o invention; la Figure 2 est une vue schématique en coupe représentant le détecteur d'humidité, prise suivant la ligne 11-ll de la Figure 1; la Figure 3 est un graphique illustrant une relation entre l'humidité relative et l'évolution de la capacité électrostatique du détecteur d'humidité, I'espacement entre deux électrodes en dents de peigne constituant une paire étant de 1,5 micromètre et l'épaisseur du film constitué par une couche de nitrure de silicium étant de 1,6 micromètre; la Figure 4 est une courbe illustrant une relation entre l'humidité relative et l'évolution de la capacité électrostatique du détecteur so d'humidité, I'espacement entre les deux électrodes en dents de peigne constituant une paire étant de 5 micromètres et l'épaisseur du film constitué par la couche de nitrure de siliclum étant de 1,6 micromètre; la Figure 5 est un graphique illustrant une relation entre l'espacement entre les deux électrodes en dents de peigne constituant une paire dans le détecteur d'humidité et le changement maximal de l'hystérésis pour diverses épaisseurs du film constitué par la couche de nitrure de silicium (traits pleins) et dans un détecteur d'humidité du type à plaques parallèles (ligne discontinue); les figures 6A à 6C sont des vues schématiques en coupe transversaie représentant des formes d'un sillon dans la couche de nitrure de silicium avec divers espacements entre les deux électrodes en dents de peigne constituant une paire dans le détecteur d'humidité. Comme représenté sur les figures 1 et 27 un détecteur d'humidité du type capacitif comporte un substrat 10 semiconducteur, o constitué de siliclum. Sur la surface du substrat 10 semiconducteur, une couche 20 d'oxyde de silicium est déposée comme couche isolante. Ensuite, une paire d'électrodes 31, 32 est disposée sur la couche 20 d'oxyde de silicium et dans le méme plan. Les électrodes 31, 32 sont en matière métallique telle que l'aluminium, le cuivre, l'or, le platine et autres. La matière s métallique est déposée, par un procédé d'évaporation sous vide ou de puivérisation, sur la couche 20 d'oxyde de silicIum présente sur le substrat semiconducteur. Dans ce cas, les formes de la paire d'électrodes 31, 32 ne se limitent pas à la forme en peigne. Dans la présente forme de réalisation, les électrodes 31, 32 o sont constituées par des plaquettes électrodes 31 C, 32C, des électrodes de base 31A, 32A et plusieurs électrodes 31B, 32B en dent de peigne qui s'étendent respectivement depuis les électrodes de base 31A, 32A. Chaque électrode 31 B. 32B en dent de peigne est disposée de façon alternée en face de l'autre. Par conséquent, les deux électrodes 31, 32 en forme de peigne forment un condensateur. En utilisant les électrodes 31, 32 à configuration en forme de peigne, on limite la zone occupée pour installer les électrodes 31, 32 et on obtient une surface totale maximale des deux électrodes 31B, 32B d'une paire d'électrodes en forme de dents en regard l'une de l'autre. Ainsi, on obtient une modification détectable maximale de la capacité o électrostatique du condensateur entre les deux électrodes 31, 32. Les plaquettes électrodes 31C, 32C servent de connecteurs pour la connexion à un processeur extérieur (non représenté) de signaux. Le processeur de signaux mesure la capacité électrostatique du condensateur entre les deux électrodes 31, 32 formant une paire et détecte une variation de la capacité électrostatique. Les plaquettes électrodes 31C, 32C doivent être exposées à l'extérieur de façon que les plaquettes électrodes 31 C, 32C servent de connecteurs pour la connexion avec le processeur extérieur de signaux. Par conséquent, les plaquettes électrodes 31 C, 32C ne sont pas couvertes d'une couche de passivation. s Cependant, le processeur de signaux peut être formé sur le même substrat semiconducteur de façon que les plaquettes électrodes 31 C, 32C puissent être couvertes par la couche de passivation. Ensuite, une couche 40 de nitrure de silicium constituant la couche de passivation est déposée sur le substrat 10 semiconducteur de o façon que la couche 40 de nitrure de siliclum couvre la paire d'électrodes 31, 32. La couche 40 de nitrure de siliclum est par exemple déposée par dépôt de plasma en phase vapeur par voie chimique (c'est-à-dire DVC de plasma) de façon que l'épaisseur du film constituant la couche 40 de nitrure de silicium sur le substrat 10 semiconducteur soit uniforme dans chaque partie. s Ensuite, une couche 50 sensible à l'humidité est formée sur la couche 40 de nitrure de siliclum. Comme représenté par un trait discontinu sur la Figure 1, la couche 50 sensible à l'humidité couvre la paire d'électrodes 31, 32 à l'exception des plaquettes électrodes 31C, 32C. La couche 50 sensible à l'humidité est constituée par une matière organique de o type haut polymère, qui absorbe l'humidité. Par exemple, la couche 50 sensible à l'humidité est en polymère du type polyimide, en acétate butyrate de cellulose (c'est-à-dire BAC) ou autre. La couche 50 sensible à l'humidité est formée de la manière suivante. La matière organique du type haut polymère est appliquée sur la couche de nitrure de silicium à l'aide d'un s procédé de revêtement par centrifugation ou d'un procédé de sérigraphie. Ensuite, la matière organique constituée par un haut polymère est durcie. Lorsque l'humidité de l'atmosphère entourant le détecteur est absorbée par la couche 50 sensible à l'humidité, la constante diélectrique de la couche 50 sensible à l'humidité change en fonction de l'humidité absorbée. o Ce changement de la constante diélectrique de la couche 50 sensible à l'humidité est suffisamment grand pour être détecté, car la constante diélectrique de H2O de l'humidité absorbée est suffisamment élevée. Les deux électrodes 31, 32 en forme de peigne forment un condensateur dont le diélectrique est constitué par la couche 50 sensible à l'humidité. Donc, la s capacité électrostatique du condensateur change en fonction de l'évolution de la constante diélectrique de la couche 50 sensible à l'humidité. L'humidité absorbée par la couche 50 sensible à l'humidité correspond à l'humidité de l'atmosphère dans laqueile est placé le détecteur d'humidité. Par conséquent, I'humidité est détectée en mesurant la variation de la capacité électrostatique du condensateur. Comme représenté sur la Figure 2, la couche 50 sensible à l'humidité est formée sur la couche 40 de nitrure de siliclum, et non directement formée sur les électrodes 31, 32. Une gorge 41 est formée sur la couche 40 de nitrure de siliclum entre les deux électrodes 31 B. 32B en dents o de peigne, en face l'une de l'autre, car l'épaisseur du film constituant la couche 40 de nitrure de siliclum est uniforme dans chaque partie présente sur le substrat 10 semiconducteur. Pour effectuer une comparaison avec la technique antérieure, on fabrique à titre d'essai un détecteur d'humidité à film de passivation. Dans ce cas, le détecteur d'humidité présente une relation entre l'humidité relative et la variation de la capacité électrostatique du détecteur d'humidité, comme représenté sur la Figure 3. Sur la Figure 3, I'axe horizontal représente l'humidité relative dans l'atmosphère environnant le détecteur d'humidité et l'axe vertical représente une variation de la capacité électrostatique du o détecteur d'humidité. L'axe vertical est normalisé par la capacité électrostatique à une humidité relative de 0%. A représente une courbe montante de la variation de la capacité électrostatique du détecteur d'humidité dans le cas o l'humidité relative augmente en passant de 0% à %. B représente une courbe descendante de l'évolution dans le cas o I'humidité relative diminue en passant de 100% à 0%. C représente une différence maximale du changement de capacité électrostatique entre la courbe montante et la courbe descendante. La différence maximale C de variation de capacité électrostatique est convertie en humidité relative, de façon à calculer un changement maximal D de l'hystérésis. La différence o maximale C et le changement maximal D de l'hystérésis sont abordés plus loin. Sur la Figure 3, une hystérésis appara^rt entre la courbe montante et la courbe descendante de la variation de capacité électrostatique respectivement lorsque l'humidité relative augmente et diminue. Dans le cas présent, dans ce détecteur d'humidité, I'espacement entre les électrodes 31B, 32B est de 1,5 micromètre et l'épaisseur du film constituant la couche de nitrure de silicium est de 1,6 micromètre. Au cours de l'essai ci-dessus, on considère que l'hystérésis peut être provoquée de la manière suivante. La couche 50 sensible à s l'humidité, dans la gorge 41, influence fortement la capacité électrostatique correspondant à l'humidité présente dans l'atmosphère. En effet, la couche sensible à l'humidité dans la gorge 41 se trouve entre les deux électrodes 31B, 32B en dents de peigne formant une paire et est adjacente aux deux électrodes 31 B. 32B en dents de peigne. Cependant, la couche 50 sensible à o l'humidité, qui se trouve dans la gorge 41, est également prise en sandwich par la couche 40 de nitrure de silicium, dans la gorge 41. Lorsque de l'humidité est absorbée depuis la surface de la couche 50 sensible à l'humidité, traverse et atteint la couche 50 sensible à l'humidité dans la gorge 41, I'humidité s'évapore difficilement dans ia couche 50 sensible à l'humidité présente dans la gorge 41, car la couche 50 sensible à l'humidité dans la gorge 41 est prise en sandwich par la couche 40 de nitrure de silicium qui est peu perméable à l'humidité. Dans le cas o l'humidité relative de l'atmosphère environnant le détecteur d'humidité diminue en passant de 100% à 0%, I'évaporation de o l'humidité présente dans la couche 50 sensible à l'humidité dans la gorge 41 est retardée. Par conséquent, I'excédent d'humidité dans la couche 50 sensible à l'humidité présente dans la gorge 41 accro^'t la capacité électrostatique du condensateur. Dans le cas o l'humidité relative augmente et passe de 0% à 100%, I'augmentation ci-dessus de la capacité électrostatique du condensateur ne se produit pas. Par conséquent, il appara^'t une hystérésis entre les courbes montante et descendante de la variation de la capacité électrostatique du condensateur respectivement lorsque l'humidité relative augmente et diminue. Par conséquent, on considère que l'humidité de la couche 50 o sensible à l'humidité dans la gorge 41 peut se déplacer facilement et s'évaporer rapidement si la gorge 41 est élargie. On peut alors réduire l'hystérésis. Dans la présente forme de réalisation, pour élargir la gorge 41, on élargit l'espacement entre les deux électrodes 31B, 32B en dents de peigne constituant une paire. Plus précisément, lors de l'essai évoqué plus haut, I'espacement entre les électrodes 31B, 32B est de 1,5 micromètre et I'épaisseur du film constituant la couche 40 de nitrure de siliclum est de 1,6 micromètre. Pour faire une comparaison avec l'essai évoqué plus haut, on fabrique et on teste un détecteur d'humidité dans lequel l'espacement entre les électrodes 31 B. 32B est de 5 micromètres et l'épaisseur du film s constituant la couche 40 de nitrure de silicium est de 1,6 micromètre. Dans ce cas, le détecteur d'humidité présente une relation entre l'humidité relative et l'évolution de la capacité électrostatique du détecteur d'humidité, comme illustré sur la Figure 4. Sur la Figure 4, A représente la courbe montante de l'évolution de la capacité électrostatique o du détecteur d'humidité dans le cas o l'humidité relative augmente en passant de 0% à 100%, et B représente la courbe descendante de l'évolution dans le cas o l'humidité relative diminue en passant de 100% à 0%. Sur cette figure, les courbes montante et descendante de l'évolution de la capacité électrostatique par rapport à l'humidité relative sont presque les s mêmes, et on n'observe apparemment pas d'hystérésis. Il se confirme que l'hystérésis est réduite si on élargit l'espacement entre les électrodes 31B, 32B en dents de peigne. Par ailleurs, la largeur de la gorge 41 est définie non seulement par l'espacement entre les deux électrodes 31 B. 32B en dents de o peigne, mais encore par l'épaisseur du film constituant la couche 40 de nitrure de siliclum. Par conséquent, le détecteur d'humidité, dont la couche de nitrure de siliclum a un film de diverses épaisseurs, est fabriqué et testé comme illustré sur la Figure 5. Sur la Figure 5, une courbe E représente le détecteur d'humidité dans lequel l'épaisseur du film de la couche de nitrure de silicium est de 0,8 micromètre. Une courbe F représente le détecteur d'humidité dans lequel l'épaisseur du film est de 1,6 micromètre. Une courbe G représente le détecteur d'humidité dans lequel l'épaisseur du film est de 3,2 micromètres. Une courbe H représente le détecteur d'humidité du type à plaques o parallèles. Le changement maximal d'hystérésis est calculé de la manière suivante. Comme illustré sur la Figure 3, la différence maximale C de l'évolution de la capacité électrostatique entre la courbe montante et la courbe descendante est convertie en humidité relative de façon à calculer le changement maximal D de l'hystérésis. Dans le cas o l'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de silicium est de 0,8 micromètre, le changement maximal de l'hystérésis est supérieur à une humidité relative de 20% lorsque l'espacement entre les deux électrodes 31B, 32B en dents de peigne est inférieur à 1 micromètre, comme indiqué par la courbe E. Cependant, lorsque l'espacement entre les électrodes 31B, 32B est d'environ 1,6 micromètres, c'est-à-dire deux fois plus que l'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de siliclum, le changement maximal de l'hystérésis diminue jusqu'à une humidité relative de 8%, donc moins que 10% d'humidité relative. De plus, si l'espacement entre to les électrodes 31B, 32B est d'environ 2,4 micromètres, donc trois fois plus que l'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de silicium, le changement maximal de l'hystérésis est réduit à une humidité relative de 3%, donc moins que l'humidité relative de 5%. Cette tendance à la diminution du changement maximal de l'hystérésis en fonction de l'élargissement de l'espacement se manifeste également dans des cas o l'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de siliclum est de 1,6 et 3,2 micromètres, comme indiqué respectivement par les courbes F et G. Par ailleurs, comme illustré sur les figures 6A à 6C, on observe la section transversale de la gorge 41 dans la couche 40 de nitrure o de silicium avec divers espacements. Les figures 6A à 6C représentent les détecteurs d'humidité dans lesquels l'espacement est respectivement de 1,5, 3,0 et 5, 0 micromètres. Dans ce cas, I'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de siliclum est de 1,6 micromètre dans chacun des détecteurs d'humidité. Comme illustré sur la Figure 6A, lorsque l'espacement est de 1,5 micromètre, I'ouverture de la gorge 41 dans la couche 40 de nitrure de siliclum est étroite et la gorge 41 est profonde. Cependant, si l'espacement est de 3,0 micromètres et de 5,0 micromètres comme illustré respectivement sur les figures 6B et 6C, c'est-à-dire deux fois et trois fois plus que l'épaisseur du film de la couche de nitrure de silicium, les ouvertures des o gorges 41 sont suffisamment larges. Considérant le résultat de la dépendance de l'épaisseur du film par rapport au changement maximal d'hystérésis illustré sur la Figure 5, il est préférabie que l'espacement soit deux fois supérieur à l'épaisseur du film de la couche 40 de nitrure de siliclum. Dans ce cas, le changement maximal d'hystérésis est réduit à une humidité relative de 8% et l'ouverture de la gorge 41 est sensiblement large. Le détecteur d'humidité est alors utilisé d'une façon pratique et économique. De plus, lorsque l'espacement est trois fois plus grand que l'épaisseur du film de la couche de nitrure de silicium 40, le changement maximal de l'hystérésis est rébuit à une humidité relative de 3% et le détecteur d'humidité détecte d'une façon plus précise l'humidité relative. Il existe un autre détecteur d'humidité du type capacitif, par exemple un détecteur d'humidité du type à plaques parallèles. Ce détecteur d'humidité du type à plaques parallèles présente un changement maximal o d'hystérésis à environ 3% d'humidité relative, comme représenté par une courbe H sur la Figure 5. Par conséquent, le détecteur d'humidité selon la présente forme de réalisation présente presque le même changement maximal d'hystérésis que le détecteur d'humidité du type à plaques parallèles. s En outre, le détecteur d'humidité selon la présente forme de réalisation est fabriqué sur une chane de fabrication de semiconducteurs classique, car aucun problème de contamination ne survient lors de la fabrication du détecteur d'humidité selon la présente forme de réalisation, en comparaison du détecteur d'humidité du type à plaques parallèles dont le o problème est la contamination de la chane de fabrication. REVE ND I CATIONS 1. Détecteur d'humidité du type capacitif, comprenant: un substrat (10); deux électrodes (31, 32) disposées sur le substrat (10) et dans le même plan de façon à être face à face avec un espacement entre elles; une couche de passivation (40) disposée sur les deux électrodes (31, 32) afin de couvrir les deux électrodes (31, 32); et une couche (50) sensible à l'humidité qui est directement au contact de la couche de passivation (40) de façon à couvrir les deux électrodes (31, 32), la couche (50) sensible à l'humidité ayant une constante diélectrique variant en fonction de l'humidité ambiante, caractérisé en ce que l'espacement est deux fois plus grand OU davantage que l'épaisseur du film de la couche de passivation (40). 2. Détecteur capacitif d'humidité selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'espacement est trois fois plus grand ou davantage que l'épaisseur du film de la couche de passivation (40). 3. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque o des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche de passivation (40) est en nitrure de siliclum. 4. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre une couche isolante (20) disposée entre le substrat (10) et les deux électrodes (31, 32). 5. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que chacune des deux électrodes (31, 32) est constituce par une électrode de base (31A, 32A) et plusieurs électrodes (31B, 32B) en dents de peigne qui s'étendent depuis l'électrode de base (31 A, 32A), en ce que la pluralité d'électrodes (31B, 32B) en dents de peigne des deux électrodes (31, 32) se font face de manière alternce, et en ce que l'espacement est défini comme un espacement entre la paire d'électrodes (31 B. 32B) en dents de peigne des deux électrodes (31, 32). 6. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche (50) sensible à l'humidité est en matière organique du type haut polymère absorbant l'humidité. s 7. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les deux électrodes (31, 32) sont en matière métallique. 8. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le substrat (10) est en matériau semiconducteur. 9. Détecteur capacitif d'humidité selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'espacement est inférieur à micromètres et l'épaisseur du film de la couche de passivation (40) est inférieure à 3,2 micromètres.