Brevet FR2839712A1 — publié le 20031121

(12) lorsque les moyens de soulevement (26) vent inactifs. L'invention concerne un dispositif micromecanique et son procede de fabrication. En particulier, mais de maniere non limitative, I'invention concerne un dispositif fluidique et notamment des formes particulieres de dispositifs fluidiques constituent un organe de contr61e d'entree de liquide qui est par exemple forme d'une valve anti-retour, ou bien un organe de detection de pression, notamment de pression de liquide. La presente invention concerne aussi une micropompe constituent u n dispositif fl u id ique et q u i notam ment, ma is no n exclusivement, forme une micropompe a usage medical qui delivre regulierement une quantite controlee d'un medicament liquide. La fabrication de ces dispositifs micromecaniques, et en particulier de ces dispositifs fluidiques et notamment de ces micropompes, est basee sur les technologies de micro-usinage du silicium ou de tout autre materisu micro-usinable, notamment a 1'aide de techniques photo lithographiques et d'attaque chimique, d'ablation laser, de micro replication ou autres. Pour ['application particuliere precitee, et dans d'autres cas encore, il est necessaire de realiser un organe de contr61e d'entree permettant 1'auto-amor,cage de la micropompe. La commande de la micropompe s'effectue en faisant varier le volume de la chambre de pompage (alternance de diminutions et d'augmentations), par exemple au moyen d'une commande realisee par un actionneur piezoelectrique. La demande de brevet europeen publiee sous le n 453 532 et la demande internationale publiee sous le n WO 99/09321 presentent une telle micropompe. Toutefois, une telle micropompe n'est parfois pas en mesure de fonctionner, car l'organe de contr61e d'entree du liquide presente une membrane qui ne parvient pas a se separer, dans sa zone prevue pour etre mobile, du substrat, ce qui conduit a une absence de deflexion de ia membrane qui reste collee au substrat en empechant ainsi tout phenomene de pompage. Ce probleme est en particulier present et particulierement sensible entre un substrat en silicium et une membrane en silicium qui ont tout lieu de se lier ensemble de maniere solidaire lors de l'etape de soudage anodique entre ce substrat de silicium et la plaque exterieure en verre. Concernant d'autres types de dispositifs micromecaniques presentant une structure avec un organe mobile qui doit etre > du reste de la structure, on peut citer par exemple les structures capacitives, telles que celles utilisees dans des accelerometres ou des gyroscopes, ou encore les structures avec une membrane fonctionnant en flexion, comme dans certains capteurs de pression. Notamment, ce type de structure micromecanique, fluidique ou non, est realise avec un empilement comportant une plaque de support, notamment en silicium, recouverte d'une couche d'oxyde de silicium (ou plus generalement d'une couche de materiau isolant), elle-meme recouverte d'une couche de silicium. Cet empilement est disponible dans le commerce et est habituellement denomme SOI ("SILICON-ON- INSULATOR"). L'utilisation de ce type d'empilement permet d'obtenir un dispositif micromecanique, notamment fluidique, presentant des epaisseurs constantes et strictement controlees, tout en mettant en ceuvre un procede de fabrication simple. Dans tous les cas, on cherche a obtenir un organe mobile, forme notamment dans la couche de silicium de l'empilement, susceptible de passer, de maniere reversible, d'une position ecartee a une position proche ou de contact par rapport a une surface:cette surface est par exemple la face de la plaque de support tournee en direction de la couche de silicium (surface parallele a l'empilement) ou encore une surface > de la couche de silicium (surface non parallele, en particulier perpendiculaire a l'empilement).. Cette surface, de laquelle l'organe mobile se rapproche et s'eloigne forme soit une surface sur laquelle l'organe mobile vient en appui en fonctionnement normal, soit une surface dont l'organe mobile se rapproche sans venir en contact eVou appui en fonctionnement normal, I'appui pouvant dans ce second cas intervenir en cas de probleme comme securite limitant le mouvement de l'organe mobile. Ce mouvement d'aller-retour se produit done selon une direction donnee, variable selon les dispositifs micromecaniques consideres: par exemple selon une direction perpendiculaire au plan d es d ifferentes couch es de l'em pi lement (mouvement > de l'organe mobile) ou bien selon une direction parallele au plan des differentes couches de l'empilement (mouvement ' de l'organe mobile), ou bien selon une autre direction. Cette m obil ite de l'organe mobi le n test pas system atiquement obtenue, un collage intempestif et irreversible pouvant intervenir au cours de la fabrication du dispositif micromecanique, de sorte que ce collage endommage la fonctionnalite du dispositif et en particulier de l'organe mobile qui est cense etre libre pour un mouvement dans une direction donnee (mouvement >, > ou autre), mais qui se trouve bloque dans une position fixe contre la surface en regard d'une autre couche de l'empilement, en particulier contre la plaque de support, apres un mouvement > et une liaison qui vent intempestifs et que l'on cherche done a empecher. Dans la suite, le terme > est utilise pour denommer cette surface en regard contre laquelle l'organe mobile a tendance a se rapprocher et a se coller, voire a se fixer, lors d'un mouvement >, ce phenomene etant evite grace a la presente invention. Selon le type de mouvement ( >, > ou autre) de l'organe mobile dans son fonctionnement normal, soit cette surface de butee correspond en fait a la surface de laquelle l'organe mobile se rapproche et s'eloigne (mouvement >), soit cette surface de butee ne correspond pas a la surface de laquelle ltorgane mobile se rapproche et s'eloigne (mouvement >). En particulier, dans le cas des dispositifs fluidiques et notamment des micropompes avec pompage de liquide, lors des etapes de fabrication permettant l'obtention des parties mobiles (clapets, membranes de pompage. ..), ce collage peut notamment intervenir lors d'une etape de sechage, intervenant apres l'attaque chimique qui libere l'organe mobile du reste de la structure: au cours de cette etape de sechage les forces de capillarite resultant des tensions superficielles de l'eau residuelle tendent a faire plier l'organe mobile (mouvement >) de fa,con a le relier de maniere quasi-definitive sur une surface en regard. Dans cette situation, ou dans d'autres cas, on constate en effet une adhesion inopinee entre l'organe mobile et la surface en regard, par simple contact, queue que soit Ia temperature, et meme a temperature ambiante. Ce collage peut egalement intervenir, eventuellement en addition du phenomene precise, lors de la fixation entre l'empilement SOI et une plaque de fermeture par la technique de soudage de plaque, et en particulier de soudage anodique dans le cas d'une plaque de fermeture en verre, I'ensemble etant porte, au cours de ce soudage, a une temperature de plus de 300 C (generalement 400 C) en meme temps qu'un potentiel negatif de plusieurs centaines de volts est applique a la plaque de fermeture. Dans ce dernier cas, des forces electrostatiques tendent a faire plier l'organe mobile vers une surface en regard (mouvement K perpendiculaire >), la temperature realisant alors une fixation definitive sous la forme d'une soudure. Outre dans la situation d'un soudage de plaque, plus generalement le simple fait de porter a plus de 250 C, et a fortiori a plus de 300 C, la structure engendre une aggravation de ['adhesion inopinee precitee qui se transforme en solidarisation irreversible. Afin d'ameliorer cet aspect, certaines techniques ont ete proposees parmi lesquelles differentes methodes de liberation evitant les forces capillaires ou, accessoirement, certaines techniques de depot d'une couche d'un materiau anti-adhesion sur les surfaces concernees. Toutefois, les techniques proposees jusqu'alors n'ont pas repondu de maniere satisfaisante a ce probleme. La presente invention a pour but de fournir un dispositif micromecanique, et en particulier un dispositif fluidique, pouvant etre fabrique de maniere simplifiee et constituent un dispositif micromecanique gable dans sa fonction d'aller-retour de l'organe mobile en evitant toute adhesion eVou fixation (telle que collage, soudure...). Dans le cas particulier du dispositif fluidique et tout specifiquement dans le cas d'un organe de controle d'entree de liquide ou d'un organe de controle de sortie de liquide ou d'une micropompe, on cherche a obtenir un dispositif fluidique gable dans sa fonction de pompage. A cet effet, selon ['invention, est propose un dispositif micromecanique comprenant un empilement comportant une plaque (ou ) de support, une couche de materiau isolant recouvrant au moir;s partiellement ladite plaque de support, et une couche- de silicium monocristallin ou polycristallin recouvrant ladite couche de materiau isolant, ladite couche de materiau isolant eVou la couche de silicium etant usinee(s) de fapon a former, dans ladite couche de materisu isolant, au moins un evidement entierement exempt audit materiou isolant, afin de definir dans ladite couche de silicium un organe mobile restart relic a ladite couche de silicium, une surface de butee etant formee sur la face de ladite plaque de support tournee vers ledit organe mobile, au moins en regard d'une partie audit evidement, ladite surface de butee presentant des proprietes physicochimiques empechant une solidarisation entre l'organe mobile et ladite surface de butee. Dans certains types de dispositifs micromecaniques, celui-ci comporte en outre une plaque de fermeture recouvrant ladite couche de silicium de l'empilement, ladite plaque de support comporte au moins un conduit la traversant de part en part et oriente dans le prolongement audit evidement, ladite plaque de fermeture eVou ladite couche de silicium etant usinee(s) afin de definir, entre ladite plaque de fermeture et ladite couche de silicium, une cavite, ledit organe mobile etant defini dans ladite couche de silicium, entre ladite cavite et ledit evidement. Dans ce cas, si un mouvement > est necessaire pour le fonctionnement du dispositif, ledit organe mobile est alors apte a se rapprocher, de maniere reversible, de ladite plaque de- support, la face de ladite plaque de support tournee vers ladite couche de materiau isolant formant, au moins autour de l'ouverture audit conduit, ladite surface de butee. De maniere avantageuse, ladite surface de butee s'etend sensiblement en regard d'au moins la peripherie de l'ouverture du conduit tournee vers ledit materiau isolant. Dans le cas du type de dispositifs micromecaniques precites, il arrive, en particulier mais pas seulement pour des dispositifs fluidiques, que ladite couche de silicium presente un degagement entierement exempt de matiere relic audit evidement et a ladite cavite. Dans ce cas, ce degagement permet une separation localisee de l'organe mobile du reste de la couche de silicium, ce qui facilite augmente les possibilites de mouvement de l'organe mobile: si un mouvement > est necessaire pour le fonctionnement du dispositif, ledit organe mobile peut plus facilement venir en contact contre ladite surface de butee. En particulier, lesdites proprietes physico-chimiques de ladite surface de butee empechent de preference une solidarisation entre I'organe mobile et ladite surface de butee au cours d'un traitement thermique presentant une temperature de plus de 250 C. De preference, lesdites proprietes physico-chimiques de ladite surface de butee empechent une solidarisation entre l'organe mobile et ladite surface de butee sous une temperature de plus de 300 C, lorsqu'un potentiel negatif de plusieurs centaines de volts au moins est applique a ladite plaque de fermeture (cas du soudage anodique). Selon une premiere forme de realisation preferentielle, lesdites proprietes physico-chimiques de ladite surface de butee comportent le fait que l'etat de surface est tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms ( >), de preference comprise entre 2 et 100 nm rms. En effet, il a ete constate qu'une telle rugosite forme un etat de surface de la surface de butee qui empeche la fixation, par adhesion ou collage, ou encore par soudage, de l'organe mobile adjacent. Selon une deuxieme forme de realisation, ladite surface de butee est realisee en un materiau refractaire ou en silicium polycristallin (p-S i), led it m aterieu refracta ire a ppa rte nant de preference au grou pe constitue du nitrure de silicium, du nitrure de titane, du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, de l'oxyde de titane, du carbure de titane, du diamant amorphe (DLC), et du diamant polycristallin. Dans ce cas, I'inertie chimique du materiou refractaire ou la rugosite du silicium polycristallin (p-Si) empeche la fixation, par adhesion ou collage, ou encore par soudage, de l'organe mobile adjacent sur la surface de butee. Ces d e ux formes de real isation peuvent se cu m u ler lorsq ue ladite surface de butee est realisee en un materisu refractaire ou en silicium polycristallin (p-Si) et qu'elle presente une rugosite superieure a 0,5 nm rms. En particulier, certaines techniques de depOt vent plus favorables a l'obtention d'une couche rugueuse (par exemple le depat PECVD ou >, en particulier du nitrure de silicium), notamment il est connu d'accro^'tre la rugosite de la surface par des techniques telles qutune attaque chimique, une attaque plasma ou un bombardement ionique. On comprend que ['invention repose sur le fait que la surface de butee presente des proprietes physico-chimiques specifiques avec un etat de surface (en particulier une rugosite) et/ou une reactivite chimique, ou plutot une inertie chimique, empechant ['adhesion de l'organe mobile sur cette surface de butee. En particulier, mais de maniere limitative, la presente invention concerne notamment un dispositif micromecanique de type fluidique: dans ce cas, ladite cavite est destinee a etre remplie de fluide, et ledit organe mobile est apte a se rapprocher de maniere reversible de ladite plaque de support sous la pression du fluide dans ladite cavite. Plus particulierement, la presente invention concerne un dispositif fluidique ou le fluide est un liquide. A titre d'exemple nullement limitatif, la presente invention concerne un organe de controle d'entree de liquide formant une valve anti-retour, comprenant un tel dispositif fluidique. Comme il ressortira ci-apres, selon une autre particularite de la presente invention, le procede de fabrication du dispositif micromecanique realise les proprietes physico-chimiques specifiques de la surface de butee avant la formation audit organe mobile. Selon un autre but de la presente invention, on propose un procede de fabrication du dispositif micromecanique du type precise, ce procede de fabrication etant caracterise en ce qutil comporte les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support presentant une face libre, b) on depose au moins une couche de materiau isolant recouvrant au moins partiellement ladite face libre de la plaque de support, c) on realise un traitement physico-chimique au moins de ladite couche de materiau isolant de fa,con a creer, sur au moins une portion de la face libre de la plaque de support, une surface de butee presentant des proprietes physicochimiques empechant une solidarisation avec du silicium, d) on fournit une couche de silicium monocristallin ou polycristallin presentant une face libre, e) on dispose ladite couche de silicium sur ladite couche de- materiau isolant du cote de la face de ladite couche de silicium opposee a ladite face libre, f) on fixe de fa,con etanche par une operation physico-chimique les surfaces en regard de ladite couche de silicium et de ladite couche de materiau isolant, g) on amincit ladite face libre de ladite couche de silicium afin donner a ladite couche de silicium une epaisseur predeterminee, et h) on realise le polissage de ladite face libre de ladite couche de 1 0 silicium. Parmi les differentes etapes de fabrication, on distingue le terme >, reserve a un usinage, destine a faire varier l'epaisseur d'une plaque ou de certaines zones d'une plaque, du terme >, reserve a un usinage qui privilegie la conservation de la matiere d'une couche dans certaines zones et le retrait de toute l'epaisseur de la matiere de cette couche dans d'autres zones. Selon un premier mode de realisation du procede de fabrication, les etapes b) et c) vent formees des etapes suivantes: b) on realise le depot d'une sous-couche de materiau isolant sur ladite plaque de support puis on realise le depot d'une couche de materiau refractai re su r lad ite sous-couche de materiau isol ant, et c) on usine par structuration ['ensemble constitue par ladite sous couche de materis u isolant et lad ite couch e de materiau refractai re, afin de ne conserver lad ite so uscou che de materiau isolant et led it materia u refractaire que dans les zones formant ladite surface de butee qui est done constituee audit materiau refractaire. Selon un deuxieme et un troisieme modes de realisation du procede de fabrication, I'etape c) comprend la realisation d'une structu ration par attaque ch imique de lad ite couche de materiau isolant pour former ledit evidement par retrait total de la matiere de ladite couche de materiau isolant. De plus, dans le cas du deuxieme mode de realisation du procede de fabrication, on realise en outre, entre les etapes c) et d), les etapes suivantes: c1) on realise le depot d'une couche de materisu polycristallin (en particulier du silicium polycristallin p-Si) sur la face libre de ladite couche - de materiau isolant et, a ['emplacement audit evidement, sur ladite face libre de la plaque de support, c2) on effectue une planarisation sur ladite couche de materiau polycristallin et ladite couche matiere isolante afin de retirer toute ladite couche de materiau poly-cristallin dans les zones recouvrant ladite couche de materiau isolant. Dans le cas du troisieme mode de realisation du procede de fabrication ladite attaque chimique de ladite couche de materiau isolant est realisee de sorte que la surface libre de ladite plaque de support presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 a 100 nm rms. Selon un quatrieme mode de realisation du procede de fabrication, on realise en outre, entre les etapes a) et b), I'etape suivante: a1) on realise un traitement physico-chimique, par exemple une attaque chimique, de ladite plaque de support de sorte que la surface libre de ladite plaque de support presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 a 100 nm rms avant le depot de ladite couche de materieu isolant realise a l'etape b). En particulier, dans la cas du quatrieme mode de realisation du procede de fabrication l'etape c) consiste a realiser un polissage de la face libre de ladite couche de materiau isolant pour faciliter ltetape f) de fixation. Quel que soit le procede de fabrication parmi les premier a quatrieme modes de realisation presentes precedemment, il comporte en outre les etapes suivantes mentionnees ci-apres: i) on usine ladite cavite a partir de ladite plaque de fermeture eVou de la face libre de ladite couche de silicium par photolithographie et attaque chimique, j) on usine au moins ledit conduit traversant de part en part ladite plaque de support par photolithographie et attaque chimique, k) on realise une attaque chimique de ladite couche de materiau isolant au moins par ledit conduit de fa,con a retirer le materiau isolant dans les zones formant ledit evidement de sorte qu'une zone de ladite couche de silicium est liberee de ladite couche de materieu isolant en formant ledit organe mobile, I) on fournit au moins ladite plaque de fermeture, m) on relic de fa,con etanche par un procede physico-chimique, de preference par soudage de plaque, ladite plaque de fermeture a ladite surface de la couche de silicium qui n'a pas ete usinee. L'invention sera mieux comprise, et des caracteristiques secon daires et leurs avantages appara^'tront au cours de la description de differents modes de realisation de ['invention donnes a titres d'exemples. II est entendu que la description et les dessins ne vent donnes quta titre indicatif et non limitatif. 11 sera fait reference aux dessins annexes, dans lesquels: - la figure 1 represente une vue en section longitudinale d'un organe de controle d'entree de liquide formant un dispositif fluidique constituent un aspect du dispositif micromecanique selon la presente invention, -la figure2 represente un empilement, par exemple de type SOI, a partir duquel est fabrique le dispositif fluidique de la figure 1, - les figures 3A a 3F representent les differentes etapes de fabrication de l'empilement de la figure 2 selon un premier mode de realisation du procede de fabrication selon ['invention, - les figures 4A a 4F representent les differentes etapes de fabrication de l'empilement de la figure 2 selon un deuxieme mode de realisation du procede de fabrication selon ['invention, - les figures 5A a 5E representent les differentes etapes de fabrication de ltempilement de la figure 2 selon un troisieme mode de realisation du procede de fabrication selon ['invention, - les figures 6A a 6F representent les differentes etapes de fabrication de ltempilement de la figure 2 selon un quatrieme mode de realisation du procede de fabrication selon ['invention, et - la figure 7 represente une vue en coupe longitudinale et en perspective partielle d'une micropompe formant un autre aspect du dispositif micromecanique selon la presente invention. Sur ces figures, un element identique represente sur plusieurs figures porte toujours la meme reference numerique. En outre, pour des raisons de clarte, il doit etre releve que les epaisseurs des differents elements representes ont ete tres largement exagerees sur les dessins de sorte que ceux-ci ne vent pas strictement a l'echelle. Selon un premier aspect du dispositif micromecanique selon la presente i'invention, on considere un dispositif fluidique formant un organe de controle d'entree de liquide dont un mode de realisation est illustre sur la figure 1. Cet organe de controle d'entree de liquide 100, destine a former une valve unidirectionnelle ou valve anti-retour, comporte une plaque de fermeture de verre 20 disposee au-dessus d'un empilement 30 qui a ete prealablement usine pour la formation des differentes parties fonctionnelles de cet organe de controle 100. Cet empilement 30 se compose d'une couche de silicium 32 surmontant une couche d'oxyde de silicium 34, ou plus generalement une couche de materiau isolant, elle-meme disposee au-dessus d'une plaque de support en silicium 36. II est a noter que d'autres materiaux que le silicium peuvent etre employee pour former la plaque de support 36, notamment le quartz ou le saphir. Ce type d'empilement denomme communement SOI (KSILICON-ON-INSULATOR,>) est disponible dans le commerce sous la forme de plaques ou "wafer" notamment utilises dans l'industrie electronique a semiconducteur. Le role de ces trots elements de l'empilement 30 determine des epaisseurs sensiblement differentes: - la plaque de support en silicium 36 servant de base rigide, celle-ci presente de preference une epaisseur situee entre 50 et 1000,um, avantageusement entre 300 et 600 um, - la couche d'oxyde de silicium 34 est destinee a relier la plaque de support en silicium 36 et la couche en silicium 32 en maintenant un ecart constant entre elles, tout en pouvant etre facilement etre retiree dans certaines zones de sorte que son epaisseur doit rester tres falble, de preference entre 100 nm et 2,um et avantageusement entre 0,2 et 1 am, et - la couche de silicium 32 est destinee a etre usinee dans toute son epaisseur pour former des passages de liquide ou bien dans une partie seulement de son epaisseur (environ la moitie) afin de delimiter, avec la plaque de fermeture de verre 20, une cavite 38, et dans certains cas un organe mobile; cette couche de silicium 32, qui peut etre realisee dans du silicium monocristallin ou polycristallin, presente une epaisseur initiale de preference comprise entre 1 et 100,um, et avantageusement entre 10 et 50,um. L'empilement 30 est usine par les techniques classiques de photolithographie et d'attaque chimique afin d'obtenir les differents elements fonctionnels de l'organe de controle d'entree 100, notamment une cavite 38 et un organe mobile 40, avant d'effectuer la liaison entre les plaques de fermeture de verre 20, 20' et cet empilement 30. Cette liaison entre la plaque de fermeture 20 et la face libre de la couche de silicium 32 est. de maniere connue, effectuee par soudage de plaque (soudage anodique lorsque la plaque de fermeture est en verre) a ['issue duquel on obtient une fixation sous la forme d'une liaison etanche. Au lieu d'utiliser des plaques de fermeture en verre 20, 20', on peut egalement utiliser indifferemment, pour l'une ou l'autre, ou pour les deux plaques de fermeture de verre 20, 20', une plaque en silicium. Un conduit d'entree de liquide 102 traverse la plaque de fermeture en verre inferieure 20' et la plaque de support en silicium 36 dans toute leur epaisseur, depuis une premiere extremite 102a jusqu'a une deuxieme extremite 102b. Cette deuxieme extremite 102b est adjacente a une zone circulaire 35 de la couche d'oxyde de silicium 34 entierement exempte d'oxyde de silicium qui stetend bien au-dela du conduit d'entree de liquide 102 et qui forme un evidement 35. La couche de silicium 32 a ete usinee dans une partie de son epaisseur du cote oppose a la plaque de support en silicium 36, afin de former la cavite 38. En outre, un degagement 104, correspondent a un retrait de matiere da ns toute l'epa isse u r de la co u che de si licium 32, est situ e dans le prolongement de la cavite 38 et de la zone 35 exempte d'oxyde de silicium, a proximite, mais non directement en regard de la deuxieme extremite 102b du conduit d'entree de liquide 102 qui est tournee vers la couche d'oxyde de silicium 34. La cavite 38 s'etend au moins en regard de cette zone 35 et du conduit d'entree de liquide 102. De cette maniere est forme un organe 40 dans la couche de silicium 32, cet organe 40 n'etant pas relic a la plaque de fermeture de verre 20 (cavite 38), ni a la couche d'oxyde de silicium 34 (evidement 35) et cet organe 40 etant separe du reste de la couche de silicium 32 par le degagement 104. Cet organe 40 peut presenter differentes formes dans le plan orthogonal a la figure 1: certaines formes possibles vent representees sur les figures 1A et 1 B de la demande internationale publiee sous le n WO 01/90577. La tres falble epaisseur de cet organe 40 (moins de 50 um et de preference de l'ordre de 10 m) le rend elastiquement mobile selon une direction perpendiculaire au plan principal de l'empilement 30 ou de la plaque de fermeture de verre 20, a savoir de haut en teas comme l'indique la fleche a double pointe de la figure 1. Sur cette figure 1,1'organe 100 formant une valve d'entree est illustre en position de repos, c'est-a-dire partiellement ouverte. Lorsque le liquidearrive par le conduit d'entree 102,1'organe mobile 40 se souleve sous la pression de liquide qui est alors superieure dans le conduit d'entree 102 a celle dans la cavite 38, de sorte que la valve se place dans sa positon ouverte et permet au liquide de penetrer dans la zone ou evidement 35, de passer dans le degagement 104, afin de parvenir dans la cavite 38. Cet organe 100 est susceptible de s'inserer dans un ensemble fluidique plus complexe dans lequel l'organe 100 constitue un element amont d'entree du liquide. Ainsi, on comprend que le liquide present dans la cavite 38 est susceptible de presenter une pression superieure a la pression de liquide dans le conduit d'entree 102, ce qui permet alors la fermeture de l'organe par l'abaissement de ltorgane mobile 40 qui vient en contact etanche contre la face de la plaque de support en silicium 36 tournee en direction de la couche de silicium tout autour de la deuxieme extremite 102b du conduit 102. L'elasticite relative de la couche de silicium 32 amincie a ['emplacement de la cavite 38 permet la flexion, notamment au niveau d'un bras de liaison 41 reliant l'organe mobile 40 au reste de la couche de silicium 32. Ainsi, lorsque la pression de liquide dans la cavite 38 n'est plus superieure a la pression de liquide dans le conduit 102, un retour de l'organe 40 dans sa position initiale telle que representee sur la figure 1, c'est-a-dire une fermeture partielle de ltorgane 100, est realisee. Lorsque la pression de liquide dans le conduit 102 devient inferieure a la pression de liquide dans la cavite 38, I'organe mobile 40 stabaisse completement jusqu'a venir en contact etanche contre la plaque de support 36, I'organe de controle d'entree de liquide 100 est alors ferme. On comprend que cet organe 100 forme une valve d'entree dans laquelle le corps de la valve est constituee de la face de l'organe mobile 40 tournee en direction de la plaque de support en silicium 36 et dans laquelle le siege de la valve est constitue par la region de la face de la plaque de support en silicium 36 tournee en direction de la couche de silicium 32 qui entoure la deuxieme extremite 102b du conduit 102. Dans la suite, cette region de la face de la plaque de support en silicium 36 tournee en direction de la couche de silicium 32 qui entoure la deuxieme extremite 102b du conduit 102 et qui forme le siege de la valve sera denommee surface de butee et porte la reference numerique 42. Sur la figure 1, cette surface de butee est representee par une couche de matiere 42. En fait, comme il sera explique en details dans la suite de la description, notamment en rapport avec les differents modes de realisation proposes du procede de fabrication de l'empilement 30 dans la situation de la figure 2, soit cette surface de butee 42 fait directement partie integrante de la face libre de la plaque de support en silicium 36, soit cette surface de butee 42 est formee de la face libre d'une couche de materiau supplementaire 44 deposee sur la face libre de la plaque de support 36. De maniere preferentielle mais non limitative, lorsque cette surface de butee 42 est formee de la face libre d'une couche supplementaire 44, on utilise une couche 44 realisee dans un materieu refractaire et presentant une epaisseur comprise entre 0,1 et 5 1lm, de preference entre 0,1 et 0,3 m. En particulier, ladite couche supplementaire 44 comportant la surface de butee 42 est. de preference, realisee en un materiau -- -15 appartenant au groupe constitue du nitrure de silicium, du nitrure de titane, du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, de l'oxyde de titane, du carbure de titane, du diamant amorphe (DLC) et du diamant polycristallin. Egalement, ladite couche supplementaire 48 comportant ladite surface de butee 42 peut etre realisee en silicium polycristallin (p-Si). En effet, avec une couche supplementaire 44 ou 48 realisee dans l'un des materiaux precites, on cree une surface de butee 42 qui presente des proprietes physico-chimiques, et en particulier une inertie chimique eVou une rugosite suffisante vis-a-vis du silicium constituent la plaque de support 36, qui previent toute adhesion, fixation et soudure entre l'organe mobile 40 et la plaque de support 36. Dans ie cas ou cette surface de butee 42 fait directement partie integrante de la face libre de la plaque de support en silicium 36, de fa, con a former une surface anti-adhesion, on realise la modification de l'etat de surface de cette surface de butee 42 en silicium, en creant une rugosite suffisante pour s'affranchir des problemes de collage mentionnes en introduction. Dans le cas precise, on fait en sorte que ladite surface de butee presente un etat de surface qui est tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms Cette rugosite est mesuree sous la forme d'une valeur statistique des ecarts de hauteur par rapport a une planeite parfaite, en considerant la racine carree de la moyenne des ecarts au carre, rms signifiant >. Ainsi, on comprend que la surface de butee 42 est "traitee" soit par une adaptation de sa rugosite lorsqu'elle fait partie de la plaque de support en silicium 36, soit par depot d'une couche supplementaire 44 ou 48, afin de former une surface destinee a venir en contact avec l'organe mobile 40 autour de la deuxieme extremite 102b du conduit 102 en s'affranchissant des problemes de collage eVou de soudure eventuels de l'art anterieur. II faut relever que ces deux solutions vent cumulables puisqu'il est possible de > la surface de butee avec le recours a une couche supplementaire 44 ou 48 deposee sur la face libre de la plaque de support 36, dont la face libre presente les proprietes de rugosite precitees. Ces proprietes de rugosite (rugosite superieure a 0,5 nm rms, et de preference comprise entre 2 et 100 nm rms) apparaissent en fait comme celles a privilegier parmi les differentes possibilites de proprietes physico-chimiques empechant ['adhesion et la soudure. En particulier, il faut relever que ce "traitement" est realise au moment de la fabrication de l'empilement 30 SOI et qu'il est done possible de le limiter a la zone formant la surface de butee 42 ou de l'appliquer a toute la surface de l'empilement. Sur la figure 1, vent egalement representes des elements de butee 46 disposes sur la face de la plaque de fermeture en verre 20 tournee en direction de ltempilement 30. Ces elements de butee 46 vent facultatifs et preferentiellement realises en titane afin d'empecher une trop grande deflexion de l'organe mobile 40 dans sa position d'ouverture correspondent a une deflexion vers le haut a partir de la position de la figure 1. La valve d'entree 100 representee a la figure 1 resulte d'un em pilement 30 il lustre sur la fig ure 2 dans u ne etape interm ed ia ire de fabrication, dans laquelle l'empilement 30 lui-meme est entierement realise, mais avant la formation de la cavite 38 dans la couche de silicium 32 et la fermeture de la structure par les plaques de fermeture en verre 20 et20'. Plusieurs modes de realisation du procede de fabrication de l'empilement 30 de la figure 2 vont maintenant etre decrits. Un premier mode de realisation de ce procede de fabrication est decrit en relation avec les figures 3A a 3F montrant successivement les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support 36, de preference en silicium, presentant une face libre (figure 3A); b) on realise le depOt d'une sous-couche de materieu isolant 34 sur la face libre de la plaque de support (en particulier une couche d'oxyde de silicium d'une epaisseur d'environ 0,2,um realisee par oxydation thermique), puis on realise le depot d'une couche de materieu refractaire 44 sur ladite sous-couche de materieu isolant 34 (figure 3B), le materiou refractaire appartenant de preference au groupe constitue du nitrure de silicium, du nitrure de titane, du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, de l'oxyde de titane, du carbure de titane, du diamant amorphe (DLC) et du diamant polycristallin; c) on usine par structuration ['ensemble constitue par la sous-couche de materiau isolant 34 et la couche de materiau refractaire 44, afin de conserver cet ensemble uniquement dans les zones destinees a former la surface de butee 42 (figure 3C) qui est done constituee du materiau refractaire 44; c1)on realise le depot d'une couche de materiau isolant 46, de preference en oxyde de silicium et obtenue par oxydation LOCOS d'une epaisseur de 1 m environ, sur la face de la plaque de support 36 portent ['ensemble constitue par les couches 34 et 44, dans les zones de cette face qui ne vent pas recouverts par cet ensemble 34 et 44 (figure 3D); d)on fournit une couche 32 de silicium monocristallin ou polycristallin presentant une face libre ("wafer"); e)on dispose la couche de silicium 32 sur la couche de materiau isolant 46 et sur ['ensemble forme des couches 34 et 44 du cote de la face de ladite couche de silicium 32 opposee a ladite face libre; f) on fixe de facon etanche par une operation physico-chimique (soudure de plaque et en particulier par soudage de plaque directe) les surfaces en regard de la couche de silicium 32 et de la couche de materiau isolant 46 (figure 3E); g) on amincit la face libre de la couche de silicium 32 afin de donner a cette couche de silicium 32 une epaisseur predeterminee (figure 3F); et h) on realise le polissage de la face libre de la couche de silicium 32. Dans le cadre de ce premier mode de realisation, la couche de materiau refractaire 44 est de preference en nitrure de silicium, laquelle forme la couche anti-adhesion et anti-soudure au niveau de la surface de butee 42. En particulier, on pourra effectuer le depot de la couche de nitrure de silicium 44 par des techniques telles que le procede LPCVD ("Low Pressure Chemical Vapor Deposition") ou par le procede PECVD ("Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition"). On pourra privilegier le deuxieme procede precise qui donne une rugosite de surface plus importante. Selon ce premier mode de realisation du procede de fabrication, le recours a une couche de materiau refractaire 44, en particulier de nitrure de silicium, apporte l'inertie chimique necessaire pour prevenir toute liaison entre l'organe mobile 40 et la plaque de support 36. Toutefois, on peut egalement decider d'accrotre la rugosite de la surface de butee 42, ctest-a-dire de la face libre de la couche de materiau refractaire 44: une telle augmentation de rugosite peut etre obtenue par exemple par le fait que, apres ltetape de depot de la couche de materiau refractaire 44, on rbalise un traitement de la face libre de la couche de materiau refractaire, afin d'en augmenter la rugosite jusqu'a disposer d'une surface telle que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms. Un tel traitement peut comprendre par exemple une attaque plasma ou un bombardement ionique. La couche de materieu refractaire presente une epaisseur comprise entre 100 et 1 000 nm. La structuration indiquee dans l'etape c) est realisee, comme toutes les structurations mentionnees, par les techniques classiques de photolithographie, c'est-a-dire par l'utilisation de masques et d'attaque chimique, notamment RIE ("Reactive lon Etching"). On se reportera maintenant aux figures 4A a 4F representant les differentes etapes de la fabrication d'un empilement conforme a la figure 2, selon un second mode de realisation de ce procede de fabrication. Selon ce deuxieme mode de realisation, on realise successivement les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support 36 presentant une face libre; b) on depose une couche de materiau isolant 34 (on realise une oxydation thermique pour former une couche d'oxyde de silicium ayant une epaisseur d'environ 0,2 m) recouvrant toute la face libre de la plaque de support 36 (figure 4A); c) on realise une structuration par attaque chimique (par exemple RIE) de la couche de materiau isolant 34 pour former l'evidement 35 par retrait total de la matiere de la couche de materiau isolant 34 dans au moins une zone circulaire qui sera situee dans le prolongement du conduit d'entree du liquide 102 et en regard de la peripherie de la deuxieme extremite 1 02b de ce conduit 102 (figures 1 et 4B); c1)on realise le depot d'une couche de materiau poly-cristallin 48 sur la face libre de la couche de materiau isolant 34 et a ['emplacement de l'evidement 35 sur la face libre de la plaque de support 36 (figure 4C); c2) on effectue une planarisation (telle qu'un rodage ou un polissage, notamment un polissage chimico-mecanique CMP ou >) sur la couche de materiau poly- cristallin 48 et la couche de materisu isolant 34, afin de rendre plane la face tournee en direction opposee a ladite plaque de support 36 de ['ensemble des couches 34, 48 par retrait de toute ladite couche de materiau poly-cristallin 48 dans les zones recouvrant ladite couche de materiau isolant 34 (figure 4D): cette etape de planarisation est effectuee sur une epaisseur suffisante pour que, aux emplacements ou se trouve la couche de materiau isolant 34, cette derriere ne soit plus superposee par une epaisseur de materieu polycristallin 48; d) on fournit une couche 32 de silicium monocristallin ou poly cristallin presentant une face libre; e) on dispose la couche de silicium 32 sur la couche de materiau isolant 34 et sur la couche de materieu poly-cristallin 48 (ou plus exactement sur la face libre plane resultant de ltetape de planarisation precedente) du cote de la face de la couche de silicium 32 opposee a ladite face libre; f) on fixe de fa,con etanche par une operation physico-chimique les surfaces en regard de la couche de silicium 32 et de la couche de matbriau isolant 34 (ou plus exactement de ['ensemble forme de la couche de materieu isolant 34 et de la couche de materieu poly-cristallin 48) (figure 4E realisee par exemple par soudage de plaque et en particulier par soudage direct); g) on amincit la face libre de la couche de silicium 32 afin de lui donner une epaisseur predeterminee (etape d'amincissement a ['issue de laquelle on aboutit a la situation illustree a la figure 4F); et h) on realise le polissage de la face libre de la couche de silicium 32. La couche 48 de materiau poly-cristallin est de fa,con preferentielle constituee par du silicium polycristallin (p-Si) depose en particulier par un procede LPCVD ("Low Pressure Chemical Vapor Deposition"), ce qui aboutit a un etat de surface de cette couche de polysilicium presentant une rugosite satisfaisante. D'autres materiaux poly-cristallins peuvent constituer la couche 48 de materiau poly-cristallin pourvu qu'ils presentent des proprietes de surface avec une rugosite suffisante (rugosite superieure a 0,5 nm rms, et de preference comprise entre 2 et 100 nm rms). En particulier, on peut prevoir que les couches 34 et 48 presentent chacune une epaisseur d'environ 0,2,um. Si l'on souhaite accro^tre la rugosite de la surface de la couche de materiau polycristallin 48, on peut ajouter, entre les etapes c1) et c2), un traitement de la face libre de cette couche de de materiau polycristallin, en particulier attaque plasma ou un bombardement ionique. On rappelle que la rugosite recherchee est superieure a 0,5 nm rms, et de preference comprise entre 2 et 100 nm rms. Dans le cas de ce deuxieme mode de realisation, on comprend que les proprietes physico-chimiques de la surface de butee 42 seront constituees par la rugosite intrinseque de la couche de materiau polycristallin 48 dont on a ainsi realise ['integration localisee a ['emplacement de cette surface de butee 42. Un troisieme mode de realisation du procede de fabrication de ltempilement 30 de la figure 2 va maintenant etre decrit en relation avec les figures 5A a 5E qui illustrent successivement les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support 36 presentant une face libre (figure 5A) ; et b) on depose une couche de materiau isolant 34 recouvrant toute la face libre de ladite plaque de support 36 (en particulier, on realise une etape d'oxydation thermique pour la formation d'une couche d'oxyde de silicium presentant une epaisseur d'environ 0,2 m jusquta 1 um) (figure A) ; c) on realise un traitement physico-chimique de la couche de materieu isolant 34 de fa,con a creer une surface de butee 42 presentant des proprietes physico-chimiques empechant une solidarisation avec du silicium: en particulier, comme il appara^'t sur la figure 5C, on realise une structuration par attaque chimique (RIE ou "Reactive lon Etching") de la couche de materieu isolant 34 pour former l'evidement 35 par retrait total de la matiere de la couche de materiau isolant 34 au moins dans la zone qui correspondra a la deuxieme extremite 102b du conduit 102 de la figure 1; on comprend que cette etape aboutit a la formation de la surface de butee 42 au niveau de laquelle la plaque de support 36 presente une rugosite importante (en effet, l'attaque chimique de la couche de materiau isolant 34 est realisee de sorte que la surface libre de la plaque de support 36 presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, et de preference comprise entre 2 et 100 nm rms); d) on fournit une couche 32 de silicium monocristallin ou poly cristallin presentant une face libre; e) on dispose la couche de silicium 32 sur la couche de materiau isolant 34 du cote de la face de la couche de silicium 32 opposee a la face libre; f) on fixe de facon etanche par une operation physico-chimique les surfaces en regard de la couche de silicium 32 et de la couche de materieu isolant 34 (par soudage de plaque, en particulier par soudage anodique) (figure 5D); g) on amincit la face libre de la couche de silicium 32, afin de donner a cette derriere une epaisseur predeterminee (etape d'amincissement); et h) on realise le polissage de la face libre de la couche de silicium 32 (figure 5E). On comprend que ce troisieme mode de realisation realise la rugosification locale de la surface du "wafer" silicium constituee de la plaque de support 36 dans la zone qui formera l'evidement 35 et la surface de butee 42. L'etape de rugosification de la surface du polysilicium peut etre realisee par d'autres techniques que l'attaque RIE: par attaque chimique, notamment humide (KOH, TMAH, NaOH...), par attaque plasma ou par bombardement ionique, etc. D'autres techniques, comprenant eventuellement de multiples etapes, peuvent en outre etre mises en oeuvre pour obtenir une rugosite satisfaisante de la surface de la plaque de support 36 en silicium. Un quatrieme mode de realisation du procede de fabrication de l'empilement 30 est maintenant decrit en relation avec les figures 6A a 6F qui illustrent successivement les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support 36; et a1) on realise un traitement physico-chimique (par exemple par attaque chimique, notamment RIE) de toute la face libre de la plaque de support 36, de sorte que la face libre de cette plaque de support 36 (qui formera la surface de butee 42 sur la figure 1) presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms (figure 6B); b) puis on depose une couche de materiau isolant 34 (oxyde de silicium de preference obtenu par oxydation thermique sur une epaisseur de 1,um environ ou plus) sur la face libre et rugueuse de la plaque de support 36 (figure 6C); c) on realise un traitement physico-chimique de la face libre de la couche de materiau isolant 34 de facon a creer une surface de butee 42 presentant des proprietes physico-chimiques empechant une solidarisation avec du silicium: en particulier, on realise une etape de polissage de la face libre de la couche de materiau isolant 34: en fait, c'est l'etape de rugosification de toute la surface du "wafer" silicium (plaque de support 36) qui va en soi prevenir ulterieurement localement le collage et la soudure de l'organe mobile 40, qui sera forme dans la couche de silicium 32, avec la face libre de la plaque de support 36 (surface de butee 42), I'etape de polissage servant en fait a faciliter la fixation ulterieure lors de l'etape f); d) on fournit une couche 32 de silicium monocristallin ou poly cristallin presentant une face libre; e) on dispose la couche de silicium 32 sur la couche de materiau isolant 34 qui a ete poke, du cote de la face de la couche de silicium 32 opposee a la face libre; f) on fixe de facon etanche par une operation physico- chimique les surfaces en regard de la couche de silicium 32 (face libre) et de la couche de materiau isolant 34 (face poke) (figure 6E); g) on amincit la face libre de la couche de silicium 32 afin de donner a la couche de silicium 32 une epaisseur predeterminee; et h) on realise le polissage de la face libre de la couche de silicium 32 (Figure 6F). L'etape a1) d'attaque chimique pour ltobtention de la rugosite importante recherchee de toute la surface de la plaque de support en silicium 36 peut etre remplacee par de multiples variantes: attaque humide du silicium (KOH, TMAH, NaOH), attaque plasma, bombardement ionique, etc -En particulier, il a ete constate que ce quatrieme mode de realisation du procede de fabrication de l'empilement 30 donne de tres bons resultats pour un procede qui est relativement simple a mettre en oeuvre. Un autre avantage du quatrieme procede de fabrication de l'em pi lement 30 decrit en relation avec les fig u res 6A a 6 F, co nsiste da ns le fait que toute la surface de la plaque de support 36 en silicium presente la rugosite recherchee, de sorte que ['emplacement de la cavite 35 et, en particulier de la surface de butee 42, n'est pas deja impose contrairement au premier a troisieme mode de realisation du procede de fabrication de l'empilement 30. II est entendu que les quatre modes de realisation qui viennent d'etre decrits en reference au procede de fabrication d'un empilement 30 conforme a la figure 1, peuvent s'appliquer' outre a un organe d'entree de liquide tel qu'illustre sur la figure 1, a d'autres organes micromecaniques, fluidiques ou non. En particulier, ces procedes peuvent s'appliquer a la realisation d'une autre forme de valve d'entree telle qu'illustre sur la figure 2 de la demande internationale publiee sous le n WO 01/90577, au detecteur de pression illustre sur la figure 3 de la meme demande internationale ou encore comme organe de controle de sortie de liquide. La presente invention concerne egalement une micropompe comprenant au moins un dispositif fluidique tel que ceux qui viennent d 'etre mention nes, en pa rticu l ier u n organe de controle d'entree de l iqu id e tel qu'illustre a la figure 1: un exemple d'une telle micropompe 500 est illustre sur la figure 7 ou l'on retrouve la valve d'entree 100 de la figure 1 dans la partie gauche de la figure 7. Dans ce cas, la cavite 38, destinee a etre remplie de liquide, comporte une chambre de pompage 504 au niveau d'une partie de pompage 502, cette partie de pompage 502 comprenant des moyens de commande (du type actionneur, notamment a fonctionnement de type piezoelectrique, magnetostrictif, electrostatique, electromagnetique, pneumatique ou par memoire de forme, pouvant etre integres directement a la micropompe, par fixation sur la face de la plaque de verre 20' tournee en direction opposee a l'empilement 30 et par fixation sur une partie mobile 514, ou encore etre externes a la micropompe 500 en etant relies indirectement a la membrane de pompage 506, ces moyens de com m and e n 'eta nt pas represe ntes). Ces moyens de commande vent munis d'une membrane de pompage 506 integree a la micropompe 500, pour provoquer une variation periodique du volume de la chambre de pompage 504, la micropompe 500 comprenant en outre des moyens de contr61e de sortie du liquide sous la forme d'une valve de sortie 200. Dans ce cas, l'organe mobile 40 constitue le clapet de l'organe de controle d'entree de liquide 100. * En outre, comme il appara^t sur la figure 7, la plaque de fermeture 20 est une premiere plaque de fermeture en verre et la micropompe comporte en outre une deuxieme plaque de fermeture en verre 20' fixee sur la face de la plaque de support 36 opposee a la premiere plaque de fermeture en verre 20. Cette micropompe 500 comporte egalement un detecteur de pression de liquide 400 situe en aval de l'ordre de controle de ['entree de liquide 100 et en amont de l'organe de controle de sortie de liquide 200. D'autres types de micropompes rentrant dans le cadre de la presente invention et pouvant inclure un empilement 30 tel que celui de la figure 2 vent notamment decrites dans les demandes de brevet internationales n WO 98/29661 ou bien n WO 99/09321. Ces micropompes peuvent etre utilisees dans de nombreuses applications, notamment comme pompes a usage medical pour la delivrance en continu d'un medicament liquide. En particulier, une telle micropompe peut etre regulee grace a ses dimensions tres reduites, de type "implantable", c'est-a-dire pouvant etre disposee sous la peau du patient, ou bien de type "externe" et reliee, par son organe de controle d'entree de liquide 100, au systeme circulatoire sanguin du patient par un port d'entree au niveau de la peau. - REVENDICATIONS 1. Dispositif micromecanique (100) comprenant un empilement (30) comportant une plaque de support (36), une couche de materiau isolant (34) recouvrant au moins partiellement ladite plaque de support, et une couche de silicium (32) monocristallin ou polycristallin recouvrant ladite couche de materiau isolant (34), ladite couche de materiau isolant (34) eVou la couche de silicium (32) etant usinee(s) de fa,con a former, dans ladite couche de materiau isolant (34), au moins un evidement (35) entierement exempt audit materiau isolant (34), afin de definir, dans ladite couche de silicium (32), un organe mobile (40) restart relic a ladite couche de silicium (32), une surface de butee (42) etant formee sur la face de ladite plaque de support (36) tournee vers ledit organe mobile (40), au moins en regard d'une partie audit evidement (35), ladite surface de butee (42) presentant des proprietes physico-chimiques empechant une solidarisation entre l'organe mobile (40) et ladite surface de butee (42). 2. Dispositif selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il comporte en outre une plaque de fermeture (20) recouvrant ladite couche de silicium (32) de l'empilement (30), en ce que ladite plaque de support (36) comporte au moins un conduit (102) la traversant de part en part et oriente dans le prolongement audit evidement (35), en ce que ladite plaque de fermeture (20) et/ou ladite couche de silicium (32) est usinee(s) afin de definir, entre ladite plaque de fermeture (20) et ladite couche de silicium (32), une cavite (38), ledit organe mobile (40) etant defini dans ladite couche de silicium (32), entre ladite cavite (38) et ledit evidement (35). 3. Dispositif selon la revendication 2, caracterise en ce que ladite couche de silicium (32) presente un degagement (104) entierement exempt de matiere relic audit evidement (35) et a ladite cavite (38). 4. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, caracterise en ce que ladite plaque de fermeture (20) est en verre et en ce que lesdites proprietes physico-ch i m iques de lad ite surface de butee (42) em pechent une solidarisation entre l'organe mobile (40) et ladite surface de butee (42) sous une temperature de plus de 300 C, lorsqu'un potentiel negatif de plusieurs centaines de volts au moins est applique a ladite plaque de fermeture (20). 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que lesdites proprietes physico-chimiques de ladite surface de butee (42) comportent le fait que l'etat de surface est tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms. 6. Dispositif selon selon la revendication 3, caracterise en ce que ledit dispositif micromecanique (100) est de type fluidique, en ce que ladite cavite (38) est destinde a etre remplie de fluide, et en ce que ledit organe mobile (40) est apte a se rapprocher de maniere reversible de ladite plaque de support (36) sous la pression du fluide dans ladite cavite (38) 7. Dispositif selon la revendication 6, caracterise en ce que ledit fluide est un liquide. 8. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite plaque de support (36) est en silicium, en quartz ou en saphir. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite plaque de support (36) presente une epaisseur comprise entre 50 m et 1mm. 10. Dispositif selon la revendication 9, caracterise en ce que ladite plaque de support (36) presente une epaisseur comprise entre 300 m et 600, um. 11. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite couche de materiau isolant (34) est en oxyde de silicium. 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite couche de materiau isolant (34) presente une epaisseur comprise entre 100 nm et 2 m. 13. Dispositif selon la revendication 12, caracterise en ce que ladite couche de materiau isolant (34) presente une epaisseur comprise entre 0,2 1lm et 1,um. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite couche de silicium (32) presente une epaisseur comprise entre 1 m et 100,um. 15. Dispositif selon la revendication 14, caracterise en ce que ladite couche de silicium (32) presente une epaisseur comprise entre 10 m et 50 m. 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 a 15, caracterise en ce que lad ite surface de butee (42) s'etend se nsi b lement en regard d'au moins la peripherie de l'ouverture (102b) du conduit tournee vers ledit materiau isolant (34). 17. Dispositif selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite surface de butee (42) est realisee en un materiau (44;48) presentant une epaisseur comprise entre 0,1 et 5 m, de preference entre 0,1 et 0,3 m. 18. Dispositif selon selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce que ladite surface de butee (42) est realisee en un materieu refractaire. 19. Dispositif selon la revendication 18, caracterise en ce que ladite surface de butee (42) est realisee en un materieu appartenant au groupe constitue du nitrure de silicium, du nitrure de titane, du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, de ltoxyde de titane, du carbure de titane, du diamant amorphe (DLC) et du diamant polycristallin. 20. Dispositif selon la revendication 17, caracterise en ce que ladite surface de butee (42, 48) est realisee en silicium poly-cristallin (p-Si). 21. Dispositif selon la revendication 17, caracterise en ce que ladite surface de butee (42) est en silicium et presente un etat de surface qui est tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms 22. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon l'une quelconque des revendications precedentes, caracterise en ce qu'il comporte les etapes suivantes: a) on fournit une plaque de support (36) presentant une face libre, b) on depose au moins une couche de materiau isolant (34, 46) recouvrant au moins partiellement ladite face libre de la plaque de support, c) on realise un traitement physico-chimique au moins de ladite couche de materiau isolant (34, 46) de fagon a creer, sur au moins une portion de la face libre de la plaque de support (36), une surface de butee (42) presentant des proprietes physico-chimiques empechant une solidarisation avec du silicium, d) on fournit une couche (32) de silicium monocristallin ou polycristallin presentant une face libre, e) on dispose ladite couche de silicium (32) sur ladite couche de materiau isolant (34, 46) du cote de la face de ladite couche de silicium (32) opposee a ladite face libre, f) on fixe de facon etanche par une operation physico-chimique les surfaces en regard de ladite couche de silicium (32) et de ladite couche de materiau isolant (34,46), g) on amincit ladite face libre de ladite couche de silicium (32) afin de donner a ladite couche de silicium (32) une epaisseur predeterminee, et h) on realise le polissage de ladite face libre de ladite couche de silicium (32). 23. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 22, caracterise en ce que les etapes b) et c) vent formees des etapes suivantes: b) on realise le depot d'une sous-couche de materiau isolant (34) sur ladite face libre de la plaque de support (36) puis on realise le depot d'une couche de materiau refractaire (44) sur ladite sous-couche de materiau isolant (34), et c) on usine par structuration ['ensemble constitue par ladite sous-couche de materiau iso la nt (34) et lad ite co uche d e materia u refractaire (44) afin de n e conserver lad ite sous-couche d e materiau isolant (34) et led it materieu refractaire (44) que dans les zones formant ladite surface de butee (42) qui est done constituee audit materiau refractaire (44). 24. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 23, caracterise en ce que ledit materieu refractaire (44) appartient au groupe constitue du nitrure de silicium, du nitrure de titane, - du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, de l'oxyde de titane, du carbure de titane, du diamant amorphe (DLC) et du diamant polycristallin. 25. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 22, caracterise en ce que l'etape c) comprend la realisation d'une structuration par attaque chimique de ladite couche de materieu isolant (34) pour former ledit evidement (35) par retrait total de la matiere de ladite couche de materiau isolant. 26. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 22 ou 25, caracterise en ce qu'entre les etapes c) et d), on realise en outre les etapes suivantes: c1) on realise le depot d'une couche de materiau poly-cristallin (48) sur la face libre de ladite couche de materiau isolant (34) et, a ['emplacement audit evidemment (35), sur ladite face libre de la plaque de support (36), c2) on effectue une planarisation sur ladite couche de materiau poly-cristallin (48) et ladite couche de matiere isolante (34) afin de retirer toute ladite couche de materiau poly-cristallin (48) dans les zones recouvrant ladite couche de materiau isolant (32). 27. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 24 ou 26, caracterisC en ce que, apres l'etape de depot de ladite couche de materiau refractaire (44) ou de materiau poly-cristallin (48), on realise un traitement de la face libre de ladite couche de materiau refractaire (44) ou de materisu poly-cristallin (48) afin d'en augmenter la rugosite jusqu'a disposer d'un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms. 28. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 27, caracterise en ce que ledit traitement comprend une attaque chimique, une attaque plasma ou un bombardement ionique. 29. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 25, caracterise en ce que ladite attaque chimique de ladite couche de materiau isolant (34) est realisee de sorte que la surface libre de ladite plaque de support (36) presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et nm rms. 30. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 22, caracterise en ce qu 'entre les etapes a) et b), on realise en outre ltetape suivante: a1) on realise un traitement physicochimique de ladite plaque de support (36) de sorte que la face libre de ladite plaque de support (36) presente un etat de surface tel que la rugosite est superieure a 0,5 nm rms, de preference comprise entre 2 et 100 nm rms avant le depot de ladite couche de materiau isolant (34) realise a l'etape b). 31. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 30, caracterise en ce que ledit traitement physico-chimique de l'etape a1) consiste a realiser une attaque chimique, une attaque plasma ou un bombardement ionique de ladite plaque de support (36) 32. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon la revendication 30 ou 31, caracterise en ce que l'etape c) consiste a realiser un polissage de la face libre de ladite couche de materiau isolant (34) pour faciliter l'etape f) de fixation. 33. Procede de fabrication d'un dispositif micromecanique selon l'une quelconque des revendications 21 a 32, caracterise en ce qu'il comporte en outre les etapes suivantes: i) on usine ladite cavite a partir de ladite plaque de fermeture (20) eVou de la face libre de ladite couche de silicium (32) par photolithographie et attaque chimique, j)on usine au moins ledit conduit (102) traversant de part en part ladite plaque de support (36) par photolithographie et attaque chimique, k) on realise une attaque chimique de ladite couche de materiau isolant (34) au moins par ledit conduit de fa,con a retirer le materiau isolant (34) dans les zones formant ledit evidement de sorte qu'une zone de ladite couche de silicium (32) est liberee de ladite couche de materiau isolant (34)en formant ledit organe mobile (40), I) on fournit au moins ladite plaque de fermeture (20), m) on relic de fa,con etanche par un procede physico- chimique, de preference par soudage de plaque, ladite plaque de fermeture (20) a ladite surface de la couche de silicium (32) qui n'a pas ete usinee. 34. Organe de controle d'entree de liquide formant une valve anti retour, comprenant un dispositif fluidique (100) selon la revendication 7. 35.-0rgane de detection de pression, comprenant un-dispositif micromecanique (100) selon l'une quelconque des revendications 1 a 21. 36. Micropompe (500) comprenant au moins un dispositif fluidique (100) selon la revendication 7, caracterisee en ce que ladite cavite (38) destinee a etre remplie de liquide comporte une chambre de pompage (504), en ce que ledit organe mobile (40) constitue le clapet d'un organe de controle d'entree de liquide (100), ladite micropompe (500) comprenant en outre une partie de pompage (502) comprenant des moyens de commande munis d'une membrane de pompage (506), pour provoquer une variation periodique du volume de la chambre de pompage (504), et des moyens de controle de sortie du liquide. 37. Micropompe (500) selon la revendication 36, caracterisee en ce que ladite plaque de fermeture (20) est une premiere plaque de fermeture en verre et en ce qu'elle comporte en outre une deuxieme plaque de fermeture (20') en verre fixee sur la face de la plaque de support (36) opposee a ladite premiere plaque de fermeture en verre (20). 38. Micropompe (500) selon la revendication 37, caracterisee en ce que lesdits moyens de commande de la micropompe vent situes en regard de la chambre de pompage (504) et integres directement a la micropompe, par fixation sur la face de la deuxieme plaque de fermeture tournee en direction opposee a l'empilement. 39. Micropompe (500) selon l'une quelconque des revendications 36 a 38, caracterisee en ce que lesdits moyens de commande de la micropompe vent externes a la micropompe et relies indirectement a ladite membrane de pompage (506). 40. Micropompe (500) selon l'une quelconque des revendications 36 a 39, caracterisee en ce que lesdits moyens de commande fonctionnent de maniere piezo-electrique, magnetostrictif, electrostatique, electromagnetique, pneumatique ou par memoire de forme. 41. Utilisation d'une micropompe (500) selon l'une quelconque des revendications 36 a 40, comme pompe a usage medical de type >. 42. Utilisation d'une micropompe (500) Solon rune quelconque des revendications 36 a 40, comme pompe a usage medical de