Brevet FR2838531A1 — publié le 20031017

l 2838531 UN SUBSTRAT DE MATRICE POUR AFFICHEUR A CRISTAL LIQUIDE ET UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT s La présente invention concerne un afficheur à cristal liquide (LCD = acrouyme de l'anglais "liquid cristal device") et plus particulièrement un substrat de matrice pour un afficheur à cristal liquide, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce substrat. 0 De façon générale, un afficheur à cristal liquide comprend deux substrats écartés l'un de l'autre et disposés l'un en face de l'autre, une couche de matériau de cristal liquide étant disposce entre les deux substrats. Chacun des substrats comprend des électrodes qui se font face, une tension appliquée à chaque électrode produisant un champ électrique entre les électrodes et dans la couche de matériau de cristal liquide. L'alignement des molécules de cristal liquide du matériau de la couche de cristal liquide est modifié en faisant varier la direction et l'intensité du champ électrique appliquce. En conséquence, l'afficheur à cristal liquide affiche une image grâce à la variation de la transmittivité de la lumière à travers la couche de matériau formé par le cristal liquide en fonction de la disposition des molécules du cristal liquide. La figure l est une vue en perspective agrandie d'un afficheur à cristal liquide selon l'état de la technique. Sur la figure l, un afficheur à cristal liquide 7 présente des substrats supérieur et inférieur 5 et 9 qui sont disposés à distance l'un de l'autre et se font face, ainsi qu'une couche de matériau de cristal liquide 90 disposée entre les substrats supérieur et inférieur 5 et 9. Le substrat supérieur 9 comprend une matrice noire 2, une couche de fltre de couleur l, et une électrode commune transparente l 8, qui sont successivement disposées sur la surface intérieure du substrat. La matrice noire 2 comprend des ouvertures présentant un filtre de sous couleur rouge (R), vert (G) et bleu (B). Une ligne de grille l l et une ligne de données 36 sont formées sur une surface intérieure du substrat inférieur 9, que l'on appelle communément substrat de matrice, de telle sorte qu'une ligne de grille l l et qu'une ligne de données 36 se croisent afin de définir une surface de pixel P. En outre, un transistor en couche mince T est formé à l'intersection d'une ligne de grille l l et d'une ligne de données 36 et comprend une 3s électrode de grille, une électrode de source et une électrode de drain. L'électrode de pixel 53 est formée sur la surface de pixel P. en correspondance avec les filtres de couleur (R), (G) et (B), et est électriquement reliée au transistor en couche mince (T). \\HIRSCH6\BREVETS\Brcs\21000\21070.doc -14 avnl 2003 -]/25 2 2838531 L'électrode de pixel 53 est réalisoe en un matériau conducteur transparent à la lumière, par exemple en oxyde d'étain-indium (ITO). Une impulsion de balayage est appliquée à l'électrode de grille du transistor en couche mince T. le long de la ligne de grille 11, et un signal de donnée est appliqué à s l'électrode de source du transistor en couche mince T le long de la ligne de donnce 36. En conséquence, la transmission de la lumière à travers la couche de matériau de cristal liquide 90 est réglée en contrôlant les propriétés électriques et optiques de la couche de matériau de cristal liquide 90. Par exemple, la couche de matériau de cristal liquide 90 comprend un matériau anisotropique diélectrique présentant des o propriétés de polarisation spontanée telles que les molécules du cristal liquide forment un dépôt lorsqu'on applique un champ électrique. Ainsi, les molécules de cristal liquide de la couche de matériau de cristal liquide 90 sont contrôlées par le champ électrique appliqué. En outre, on peut ajuster la modulation optique de la couche de matériau de cristal liquide 90 en fonction de la disposition des molécules de cristal liquide. Ainsi, les images sur l'afficheur à cristal liquide sont produites en contrôlant la transmittance de la lumière par la couche de matériau de cristal liquide, du fait de la modulation optique de la couche de matériau de cristal liquide 90. La figure 2 est une vue de dessus d'un substrat de matrice pour un afficheur à cristal liquide selon l'état de la technique, la figure 3 est une vue de dessus à plus grande échelle de la région A de la figure 2, la figure 4 est une vue à plus grande échelle de la région B de la figure 2 et la figure 5 est une vue à plus grande échelle de la région C de la figure 2. Sur la figure 2, les lignes de grilles 11 et les lignes de données 36 sont formées sur un substrat 9 en intersection les unes avec les autres, de sorte à définir des surfaces de pixels P. Un transistor en couche mince (voir figure 5) est formé à l'intersection de chacune des lignes de grilles et de données 11 et 36 et sert d'élément de commutation. Le transistor en couche mince T comprend une électrode de grille 13 qui est reliée à la ligne de grille 11. De sorte à recevoir des signaux de balayage, une électrode de source 33 qui est reliée à la ligne de données 36 et reçoit des signaux de données, ainsi qu'une électrode de drain 35 qui est séparée de l'électrode de source 33. En outre, le transistor en couche mince T comprend une couche active 49 entre l'électrode de grille 13 et les électrodes de source et de drain 33 et 35; une électrode de pixcl transparente 53 est formée dans la surface de pixel P et est reliée à l'électrode de drain 35. Sur la figure 3, une plage de connexion de grille 15 est formée à une extrémité de la ligne de grille 11, et une borne de plage de grille 60 recouvre la plage de grille 15. La borne de plage de grille 60 peut être formée dans le même matériau que l'électrode de pixel 53. La plage de grille 15 comprend des plages de grilles paires et \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21000\21070 doc - 14 avnl 2003 - 2/25 3 2838531 impaires 15a et 15b, la plage de grille impaire 15a étant relice à une première barre de court-circuit 17, et la plage de grille 15b étant reliée à une deuxième barre de court-circuit 37. Sur la figure 4, une plage de données 38 est formée à une extrémité de la ligne de donnces 36, et une borne de plage de données 62 recouvre la plage de données 38. La borne de plage de donnces 62 peut étre formée du méme matériau que l'électrode de pixel 53. Les plages de données 38 comprennent aussi des plages de donnces impaires et paires 38a et 38b; une plage de données impaire 38a est reliée à une troisième barre de court-circuit 19 et une plage de donnces paire 38b est reliée à une o quatrième barre de court-circuit 39. Sur les figures 3 et 4, les première à quatrième barres de court-circuit 17, 37, 19 et 39 sont électriquement reliées à des première, seconde, troisième et quatrième plages de tests 21, 41, 23, 43 (figure 2) par l'intermédiaire de première, deuxième, troisième et quatrième lignes de connexion 20, 45, 25 et 47 (figure 2). Les première, seconde, troisième et quatrième plages de tests 21, 41, 23 et 43 sont formées le long d'une ligne sur une portion du substrat 9. Les première et troisième barres de court circuit 17 et 19 sont réalisées dans le même matériau que la ligne de grille 11, et les seconde et quatrième barres de court-circuit 37 et 39 sont formées du même matériau que les lignes de donnces 36. En outre, les première et troisième plages de tests 21 et 23 sont réalisces dans le même matériau que le matériau de la ligne de grille 11, et les première et troisième lignes de connexion 20 et 25 sont formées dans le même matériau que la ligne de données 11. Les deuxième et quatrième plages de tests 41 et 43 sont formoes dans le même matériau que la ligne de données 36, et les deuxième et quatrième lignes de connexion 45 et 47 sont formées dans le même matériau que la 2s ligne de données 36. En conséquence, la plage de grille paire 15b est électriquement reliée à la deuxième barre de court-circuit 37 par l'intermédiaire de la borne de plage de grille 60, et la plage de données paire 38b est électriquement reliée à la quatrième barre de court-circuit 39 à travers la borne de plage de données 62. En outre, les barres de court-circuit 17, 37, 19 et 39 sont enlevoes par découpe du substrat 9 après le test du substrat de matrice. Les figures 6A à 6F sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication du substrat de matrice utilisant quatre masques, la coupe étant prise le long de la ligne VI-VI de la figure 5 de l'état de la technique, et les figures 7A à 7F sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication du substrat du matrice utilisant quatre masques, la coupe étant prise le long de la ligne VII-VII de la figure 2 de l'état de la technique. Sur les figures 6A et 7A, une électrode de grille 13 est formée sur un substrat 9 en déposant une première couche métallique et en modelant la première couche métallique grâce à un premier procédé de masquage. En outre, une ligne de grille 11 \\HlRSCH6\BREVETS\13revets\21000\21070.doc 14 avnl 2003 - 3/25 4 2838531 (figure 5) et une plage de grille 15 (figure 3) sont aussi formoes sur le substrat 9. Ensuite, une couche d' isolation de grille 29, une couche de silicium amorphe 3 0, une couche de silicium amorphe dopé 31 et une seconde couche métallique 32 sont successivement déposées sur le substrat 9 d'électrode de grille 13. En outre, une couche d' agent photosensible 70 est formoe sur la seconde couche métallique 32 par dépôt d'un matériau photosensible. La couche isolante de grille 29 est réalisée en un matériau isolant inorganique tel que du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (sio2) et la seconde couche métallique 32 peut étre réalisée en chrome (Cr) ou en molybdène (Mo). o Sur les figures 6B et 7B, le masque comprend une portion de blocage M1, une portion semi-transmittive M2, et une portion de transmission M3 qui sont disposées au-dessus de la couche photosensible 70. La portion bloquante M1 correspond à une région D de source et de drain, et la portion semi-transmittive M2 correspond à une région de canal E. La couche d' agent photosensible 70 peut être du type positif, une portion exposée à la lumière étant développée et enlevée. Ensuite, la couche photosensible 70 est exposoe à la lumière, de telle sorte que la portion de la couche photosensible 70 correspondant à la portion M2 semi- transmittive est exposée à la lumière, avec une quantité de lumière inférieure à celle reçue par la couche d'agent photosensible dans la portion transmittive M3. La portion semi-transmittive M2 peut comprendre des fentes ou une couche à moitié transparente. Sur les figures 6C et 7C, la couche d' agent photosensible exposé 70 (des figures 6B et 7B) est développée, de sorte à former un motif formé d'agent photosensible 72 présentant différentes épaisseurs. Un motif formé d'agent photosensible présentant une première épaisseur 72a correspond à la portion de blocage M1 (des figures 6B et 7B) et un motif formé d'agent photosensible d'une seconde épaisseur 72b, plus faible que la première épaisseur 72a, correspond à la portion M2 semi-transmittive (voir la figure 6B). En outre, il n'y a pas de motif formé d'agent photosensible dans la région correspondant à la portion de transmission M3 (voir les figures 6B et 7B). Sur les figures 6D et 7D, la seconde couche métallique, la couche de silicium amorphe dopé 31 et la couche de silicium amorphe 30 (figures 6C et 7C) qui ont été exposées par le motif formé d'agent photosensible 72 sont modelées, et on enlève le motif formé d'agent photosensible 72. Ainsi, on forme par un deuxième procédé de masquage utilisant le masque 80 (des fgures 6B et 7B) des électrodes de source et de drain 33 et 35, une couche de contact ohmique 51, une couche active 49 et une quatrième ligne de correction 47 (voir aussi la figure 2). \\HlRSCH6\BREVETS\Brevets\2100021070.doc -14 avril 2003 - 4/25 2838531 En conséquence, sur la figure 7D, on forme aussi sous la quatrième ligne de connexion 47 un motif de silicium amorphe 30a et un motif 31a de silicium amorphe dopé. Sur les figures 6E et 7E, une couche de passivation 56 est formoe sur les électrodes de source et de drain 33 et 35 et sur la quatrième ligne de connexion 47, en déposant un revêtement en un matériau organique transparent, tel que du benzocyclobutène (BCB) et une résine acrylique, ou en déposant un matériau inorganique, tel que du nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (siO2). Ensuite, comme représenté sur la figure 6E, on modèle la couche de passivation 56 o par un troisième procédé de masquage, de sorte à former un trou de contact de drain 58 qui découvre une partie de l'électrode de drain 35. Sur la figure 6F, une électrode de pixel 53 est formoe sur la couche de passivation 56 en déposant un matériau conducteur transparent, tel que de l'oxyde d'étain-indium (ITO) ou un oxyde d'indium-zinc (IZO), et en modelant le matériau conducteur transparent dans un quatrième procédé de masquage. L'éleckode de pixel 53 est relice à l'électrode de drain 35 à travers le trou de contact de drain 58. De façon alternative, le second procédé de masquage se déroule différemment, en fonction du matériau de la seconde couche métallique 32 (sur les figures 6C et 7C), tel que chrome ou du molybdène. Le second procédé de masquage en présence de chrome est décrit dans la suite en référence aux figures. Les figures 8A et 8C sont des vues en coupe du second procédé de masquage du substrat de matrice, le long de la ligne VI-VI de la figure 5 de l'état de la technique, tandis que les figures 9A et 9C sont des vues en coupe du second procédé de masquage du substrat de matrice selon la ligne VII-VII de la figure 2 de l'état de 2s la technique. Sur les figures 8A et 9A, la seconde couche métallique 32, la couche 31 de silicium amorphe dopé et la couche de silicium amorphe 30 (des figures 6C et 7C) qui ont été découvertes par le motif formé d'agent photosensible 72 (voir figures 6C et 7C) sont enlevées. On attaque la seconde couche métallique 32 (des figures 6C et 7C), réalisée en chrome, par une méthode d'attaque humide, et on attaque la couche 31 de silicium amorphe dopé et la couche de siliclum amorphe 30 (sur les figures 6C et 7C) par une méthode d'attaque sèche. Ainsi, on forme un motif de source et de drain 32a, un motif de silicium amorphe dopé 51a, une couche active 49, et une quatrième ligne de connexion 47. Ensuite, on enlève par un procédé de cendrage le 3s motif formé d'agent photosensible d'une deuxième épaisseur 72b (de la figure 6C) correspondant à la région de canal " E ", ce qui conduit à exposer une partie du motif de source et de drain 32a. En conséquence, le motif formé d'agent photosensible \\HIRSCH61BREVETS\Brevets\21000\21070 doc -14 avril 2003 - 5n5 6 2838531 d'une première épaisseur 72a est partiellement enlevé, ce qui réduit l'épaisseur du motif formé d'agent photosensible d'une première épaisseur 72a. Sur les figures 8B et 9B, le motif de source et de drain 32a (de la figure 8A) est soumis à une attaque humide en utilisant un masque d'attaque de motifs d'agent s photosensible d'une première épaisseur 72a. En conséquence, sur la figure 8B, on forme des électrodes de drain et de source 33 et 35, et on expose une portion du motif de silicium amorphe dopé 5 la. Sur les figures 8C et 9C, on soumet à une attaque sèche le motif 51a de siliclum amorphe dopé (de la figure 8B) qui est découvert par les électrodes de o source et de drain 33 et 35. Ainsi, on forme une couche de contact ohmique 51. En outre, sur les figures 6D et 7D, le reste du motif formé d'agent photosensible 72a (des figures 8C et 9C) est enlevé. Ainsi, si la deuxième couche de métal 32 (des figures 6C et 7C) est réalisée en chrome, le second procédé de masquage est composé d'une première étape d'attaque humide, d'une première étape d'attaque sèche, d'une seconde étape d'attaque humide et d'une seconde étape d'attaque sèche. En conséquence, le temps total de fabrication augmente. De façon alternative, la seconde couche métallique 32 (des figure 6C et figure 7C) peut être formée en molybdène et peut étre attaquée par attaque sèche. Le second procédé de masquage en présence de molybdène est décrit maintenant en référence aux figures. Les figures lOA et lOB sont des vues en coupe d'un second procédé de masquage du substrat de matrice, le long des lignes VI-VI de la figure 5 de l'état de la technique, tandis que les figures llA et llB sont des vues en coupe de l'autre second procédé de masquage du substrat de matrice selon les lignes VII-VII de la 2s figure 2 de l'état de la technique. Sur les figures lOA et llA, on enlève par attaque sèche la seconde couche métallique 32, la couche de silicium amorphe dopé 31, et la couche de silicium amorphe 30 (des figures 6C et 7C) qui ont été découvertes par le motif formé d'agent photosensible 72 (des fgures 6C et 7C), la deuxième couche métallique étant réalisce en molybdène. Ainsi, on forme un motif de source et de drain 32a, un motif de silicium amorphe dopé 51a, une couche active 49, et une quatrième ligne de correction 47. Ensuite, on enlève par un traitement de cendrage le motif formé d'agent photo sensible 72b d'une seconde épaisseur (sur la figure 6C), ce qui expose une portion du motif de source et de drain 32a correspondant à la région de canal " E ". A ce moment, le motif formé d'agent photosensible d'une première épaisseur 72a est partiellement enlevé, ce qui réduit l'épaisseur du motif formé d'agent photosensible d'une première épaisseur 72a. Sur les figures lOB et l lB, les motifs de source et de drain 32a (la figure 1 OA) et la couche de silicium amorphe dopé 31a sont soumis à une attaque sèche en \WRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1 000\2 1070.doc -1 4 avril 2003 - 6/25 7 2838531 utilisant le motif formé d'agent photosensible 72a d'une première épaisseur comme masque d'attaque. En conséquence, on forme les électrodes de source et de drain 33 ainsi qu'une couche de contact ohmique 51, et on découvre une partie de la couche active 49. Comme représenté sur les figures 6D et 7D, on enlève ensuite le motif formé d'agent photosensible 72a restant (voir les figures 1OB et 11B). Toutefois, pendant le procédé de cendrage, la couche d' agent photosensible dans la surface externe du substrat 9, c'est-à-dire l' agent photosensible 72a correspondant à la quatrième ligne de connexion 47 (la figure 11A), est enlevée avec une vitesse supérieure à celle de l'enlèvement du motif formé d'agent photosensible lo 72a sur les motifs de source et de drain 32a (de la figure lOA). En outre, comme représenté sur la figure 11B, une partie de la quatrième ligne de connexion 47 peut être enlevée sans que ceci ne soit souhaité. Ainsi, si on utilise du molybdène comme seconde couche métallique 32 (voir les figures 6C et 7C), on peut réduire le temps de fabrication, mais on peut déconnecter les lignes de test, telles que les barres de court circuit et les lignes de connexion. En conséquence, la présente invention concerne un substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel substrat qui pal lie sensib lement un ou p lusi eurs des prob l èmes provoqués p ar les limitations et l es inconvénients de l'état de la technique. Un avantage de la présente invention est de fournir un substrat de matrice pour un afficheur à cristal liquide, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel substrat qui évite la déconnexion des signaux. Un autre objet de la présente invention est de fournir un substrat de matrice pour un afficheur à cristal liquide, ainsi qu'un procédé de fabrication qui réduit le temps de fabrication. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparatront à la lecture de la description qui suit ou pourront étre enseignés par la mise en _uvre de l'invention. Ces obj ectifs et autres avantages de l' invention peuvent être réalisés et obtenus grâce à la structure qui est particulièrement soulignée dans la description qui suit dans les revendications ainsi que dans les dessins joints. La présente invention a pour objet un substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide comprenant: - un substrat; - une pluralité de lignes de grilles formées d'un premier matériau et une pluralité 3s de lignes de données formées d'un second matériau sur le substrat, la pluralité de lignes de grilles et la pluralité de lignes de donnces se croisant; - une pluralité de transistors en couche mince électriquement reliés à la pluralité de lignes de grilles et à la pluralité de lignes de données; \\HIRSCHe\BRBVBTS\Brevets\21000\21070.doc - 14 avril 2003 - 7/25 8 2838531 - une pluralité d'électrodes de pixels P reliées à la pluralité de transistors en couche mince; - une pluralité de plages de grilles impaires et paires relices à la pluralité de lignes de grilles; - une pluralité de plages de données impaires et paires reliées à la pluralité de lignes de données; - une première barre de court-circuit électriquement reliée à chacune des plages de grilles impaires, la première barre de court-circuit étant réalisée en un premier matériau; o - une seconde barre de court-circuit électriquement relice à chacune des plages de grilles paires, la seconde barre de court-circuit étant réalisce en un second matériau; - une troisième barre de court-circuit électriquement relice à chacune des plages de donnces imp aires, la troi si ème barre de courtcircuit étant formée du premier matériau; - une quatrième barre de court-circuit électriquement reliée à chacune des plages de données paires, la quatrième barre de court-circuit étant formée du second matériau; les première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion, étant électriquement reliées respectivement aux première, seconde, troisième et quatrième barres de court-circuit, les première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion étant formoes du premier matériau; et les première, seconde, troisième et quatrième plages de tests, respectivement reliées aux première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion; les première, seconde, troisième et quatrième plages de tests étant formées du premier maténau. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le substrat de matrice comprend en outre un premier motif conducteur reliant électriquement la seconde barre de court-circuit à la seconde ligne de connexion, et un second motif conducteur reliant électriquement la quatrième barre de court-circuit et la quatrième ligne de connexlon. Selon un autre mode de réalisation du substrat de matrice de la présente invention, le second matériau comprend du molybdène. Selon encore un mode de réalisation du substrat de matrice de la présente 3s invention, le premier matériau comprend une première couche et une seconde couche. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21000\21070.doc -14 avril 2003 8n5 9 2838531 Selon encore un autre mode de réalisation du substrat de matrice de la présente invention, la première couche comprend de l'aluminium et la seconde couche comprend du chrome ou du molybdène. Selon un autre mode encore de réalisation du substrat de matrice de la présente s invention chacune des pluralités de transistors en couche mince comprend une électrode de grille, une électrode de source, un électrode de drain et une couche active, la couche active présentant la méme forme que l'électrode de source et que l'électrode de drain sauf pour une portion située entre les électrodes de drain et de source. o La présente invention a également pour objet un procédé de fabrication d'un substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide comprenant: - la formation d'une pluralité de lignes de grilles, d'une pluralité d'électrodes de grilles et d'une pluralité de plages de grilles impaires et paires sur un substrat; la formation d'une couche d'isolation de grille sur la pluralité de lignes de grilles, sur la pluralité d'électrodes de grilles et la pluralité de plages de grilles impaires et paires; - la formation d'une pluralité de couches actives, sur la couche d'isolation de grille; - la formation de pluralité de couches de contact ohmique sur la pluralité de couches actives; - la formation d'une pluralité de lignes de donnces, d'une pluralité de plages de donnces impaires et paires et d'une pluralité d'électrodes de source et d'une pluralité d'électrodes de drain sur la pluralité de couches de contact ohmique; - la formation d'une première barre de court-circuit électriquement relice à chacune des plages de grilles impaires; - la formation d'une seconde barre de court-circuit électriquement reliée à chacune des plages de grilles paires, - la formation d'une troisième barre de court-circuit électriquement reliée à chacune des plages de données impaires; - la formation d'une quatrième barre de court-circuit électriquement reliée à chacune des plages de données paires; - la formation de première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion, respectivement reliées aux première, seconde, troisième et quatrième barres de court-circuit; - la formation de première, seconde, troisième et quatrième plages de tests, respectvement reliées aux première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexlon; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2 1000\21 070.doc - 14 avril 2003 - 9/25 2838531 - la formation d'une couche de passivation sur la pluralité de lignes de données, la pluralité de plages de données impaires et paires, la pluralité d'électrodes de source et la pluralité d'électrodes de drain; et - la formation d'une pluralité d'électrodes de pixels sur la ligne de passivation, procédé dans lequel les étapes de formation de la première barre de court-circuit, de la troisième barre de court-circuit, des première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion, et des première, seconde, troisième et quatrième plages de tests, sont réalisées simultanément avec les étapes de formation de la pluralité de lignes de grilles, de la pluralité d'électrodes de grilles et de la pluralité de plages de grilles o paires et impaires, et dans lequel les étapes de formation de la seconde barre de court-circuit et de la quatrième barre de court-circuit sont réalisées simultanément avec l'étape de formation de la pluralité de lignes de données, de la pluralité de plages de données impaires et paires, de la pluralité d'électrodes de source et de la pluralité d'électrodes de drain. Selon une forme d'exécution du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, l'étape de formation de la pluralité de lignes de données, de la pluralité de plages de données impaires et paires, de la pluralité d'électrodes de source et de la pluralité d'électrodes de drain fait emploi d'une méthode d'attaque sèche. Selon une autre forme d'exécution du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, la pluralité de lignes de données, la pluralité de plages de donnces impaires et paires, la pluralité d'électrodes de source et la pluralité d'électrodes de drain comprennent du molybdène. Selon encore une forme d'exécution, le procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention comprend en outre les étapes de formation d'un premier motif conducteur reliant électriquement la seconde barre de court-circuit à la seconde ligne de connexion et de formation d'un second motif conducteur reliant électriquement la quatrième barre de court-circuit à la quatrième ligne de connexion. Selon encore une autre forme d'exécution du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, les étapes de formation du premier motif conducteur ou du second motif conducteur sont réalisoes simultanément avec l'étape de formation de la pluralité d'électrodes de pixels. Selon une autre forme d'exécution encore du procédé de fabrication d'un subshat de matrice suivant l'invention, les étapes de formation d'une pluralité de couches actives, de formation d'une pluralité de couches de contact ohmique, et de formation d'une pluralité de lignes de donnces et d'une pluralité de plages de \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21000\21070.doc 14 avril 2003 - 10/25 1 1 2838531 données impaires et paires, d'une pluralité d'électrodes de source et d'une pluralité d'électrodes de drain sont réalisées par un procédé photolithographique. Selon un mode de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, le procédé photolithographique utilise un masque et inclut une portion transmittive, une portion bloquante et une portion semi transmittive. Selon un autre mode de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, le procédé photolithographique comprend une étape de formation d'un motif formé d'agent photosensible représentant une première o épaisseur et une seconde épaisseur plus faibles que la première épaisseur. Selon encore un mode de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, la première épaisseur du motif formé d'agent photosensible correspond à la portion bloquante du masque et la seconde épaisseur du motif formé d'agent photosensible correspond à la portion semitransmittive. Selon un autre mode encore de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, le motif formé d' agent photosensible est en un matériau du type positif, de sorte qu'une portion du matériau exposée à la lumière est développée et enlevée. Selon encore un autre mode de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, chacune des pluralités de couches actives présente la même forme que chacune des pluralités d'électrodes de source et que chacune des pluralités d'électrodes de drain, sauf pour une portion s'étendant entre les pluralités d' électrodes de source et les pluralités d' électrodes de drain. S elon une forme de réalisation du pro cédé de fabrication d ' un sub strat de matrice suivant l'invention, chacune des pluralités de couche de contact oUmique présente la même forme que chacune des pluralités d'électrodes de source et d'électrodes de drain. Selon une autre forme de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, l'étape de formation d'une pluralité d'électrodes de pixels comprend une étape de formation d'une pluralité de bornes de plages de grilles et d'une pluralité de bornes de plages de données, la pluralité de bornes de plages de grilles étant en contact avec la pluralité de plages de grilles impaires et paires, la pluralité de bornes de plages de données étant en contact avec la pluralité de plages de données impaires et paires. Selon encore une autre forme de réalisation du procédé de fabrication d'un sub strat de matrice suivant l 'invention, la p luralité de lignes de donnces, la p luralité d'électrodes de grilles, et la pluralité de plages de donnces impaires et paires \\RSCH6\!3REVETS\13revels\21000121070.doc 14 avril 2003 - 11/25 i2 2838531 comprend une structure à double couche présentant une première couche et une seconde couche. Selon une autre forme encore de réalisation du procédé de fabrication d'un substrat de matrice suivant l'invention, la première couche comprend de l'aluminium et la seconde couche comprend du chrome et du molybdène. On comprendra que la description générale précédente ainsi que la description détaillée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemple et d'explication et sont uniquement supposces fournir une explication supplémentaire de la méthode de l'invention telle que revendiquée. 0 Les dessins joints, qui permettent de mieux comprendre l'invention et constituent une partie de la présente description, illustrent les modes de réalisation de l'invention et en lien avec cette description permettent d'expliquer les principes de l'invention. Ces dessins montrent: Figure l, une vue en perspective à grande échelle d'un afficheur à cristal liquide selon l'état de la technique; Figure 2, une vue de dessus d'un substrat de matrice pour un afficheur à cristal liquide selon l'état de la technique; Figure 3, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " A " de la figure 2 de l'état de la technique; Figure 4, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " B " de la figure 2 de l'état de la technique; Figure 5, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " C " de la figure 2 de l'état de la technique; Figures 6A à 6F sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication d'un substrat de matrice utilisant quatre masques, en coupe le long de la ligne VI-VI de la figure 5 selon l'état de la technique; Figures 7A à 7F sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication d'un subskat de matrice utilisant quatre masques, en coupe le long de la ligne VII-VII de la figure 2 selon l'état de la technique; Figures 8A à 8C sont des vues en coupe d'un second procédé de masquage pour la fabrication d'un subshat de matrice, en coupe le long de la ligne VI-VI de la figure 5 selon l'état de la technique; Figures 9A à 9C sont des vues en coupe d'un second procédé de masquage pour la fabrication d'un subskat de makice, en coupe de la ligne VII-VII de la figure 3s 2 selon l'état de la technique; Figures l0A et l0B sont des vues en coupe d'un autre second procédé de masquage pour la fabrication d'un substrat de matrice, en coupe de la ligne VI-VI de la figure 5 selon l'état de la technique; \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21000\21070.doc - 14 avril 2003 12/25 3 2838531 Figures llA et llB sont des vues en coupe d'un autre second procédé de masquage pour la fabrication d'un substrat de matrice, en coupe de la ligne VII-VII de la figure 2 selon l'état de la technique; Figure 12 est une vue de dessus d'un substrat de matrice d'afficheur à cristal liquide donnée selon un exemple de la présente invention; Figure 13A est une vue de dessus à plus grande échelle de la région " F " de la figure 12 selon la présente invention; Figure 13B est une vue de dessus à plus grande échelle de la région " G " de la figure 12 selon la présente invention; o Figure 14 est une vue de dessus à plus grande échelle de la région " H " de la figure 12 selon la présente invention; Figure 15 est une vue de dessus à plus grande échelle de la région " I " de la figure 12 selon la présente invention; Figure 16 est une vue de dessus à plus grande échelle de la région " J " de la figure 12 selon la présente invention; Figures 17A à 17G sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication donné à titre d'exemple de la présente invention, en coupe le long de la ligne XVII-XVII de la figure 16; Figures 1 8A à l 8G sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication donné à titre d'exemple de la présente invention, en coupe le long de la ligne XVIII-XVIII de la figure 14; Figures l9A à l9G sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication donné à titre d'exemple de la présente invention, en coupe le long de la ligne XIX-XIX de la figure 15; et 2s Figures 20A à 20G sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication donné à titre d'exemple de la présente invention, en coupe le long de la ligne XX-XX de la figure 13B. Il est maintenant fait référence en détail aux modes de réalisation de la présente invention qui sont illustrés sur les dessins joints. La figure 12 est une vue de dessus d'un exemple de substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide selon la présente invention, la figure 13A étant une vue de dessus à plus grande échelle de la région " F " de la figure 12; la figure 13B, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " G " de la figure 12; la figure 14, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " H " de la figure 12; la figure 15, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " I " de la figure 12; et la figure 16, une vue de dessus à plus grande échelle de la région " J " de la figure 12. Cornne représenté sur les figures 12 à 16, une pluralité de lignes de grilles 102 et une pluralité de lignes de données 148 peuvent étre formées sur un substrat 100, \\HIRSCH6\BREVETSU3revets\2 1 000\2 1 070. doc -14 avril 2003 - 1 3/25 les lignes se croisant de sorte à définir des surfaces de pixcls P. En outre, un transistor en couche mince T peut être formé à l'intersection des lignes de données et des lignes de grilles 102 et 148 pour servir d'éléments de commutation et peut inclure une électrode de grille 104 reliée à la ligne de grille 102 pour recevoir des signaux de balayage, une électrode de source 142 étant connectée à la ligne de grille 148 pour recevoir des signaux, une électrode de drain 146 séparée de l'électrode de source 142 et une couche active 140 disposée entre l'électrode de grille 104 et les électrodes de source et de drain 142 et 146. En outre, une électrode de pixel 176 peut être formoe à la surface de pixel P et peut être reliée à l'électrode de drain 146. lo Sur la figure 14, une plage de grille 108 peut être formoe à une extrémité d'une ligne de grille 102 et peut comprendre des plages de grilles impaires et paires 108a et 108b. En outre, une borne de plage de grille 178 peut être en contact et recouvrir la plage de grille 108 et peut être formée du même matériau que l'électrode de pixel 176. La plage de grille impaire 108a peut être reliée à une première barre de court circuit 128 et la plage de grille paire 108b peut être reliée à une seconde barre de court-circuit 152, à travers la borne de plage de grille 178. Sur la figure 15, une plage de données 150 peut être formoe à une extrémité de la ligne de données 148, et peut comprendre des plages de données impaires et paires a et l50b. En outre, une borne de plage de données 190 peut être en contact et recouvrir la plage de données 150 et peut être formée du même matériau que l'électrode de pixel 176. La plage de données impaire 150a peut être reliée à une première barre de courtcircuit 129, à travers le terminal de borne de données 180, et la plage de données paire 152 peut être reliée à une deuxième barre de court- circuit 154. Sur les figures 12, 14 et 15, les première à quatrième plages de tests 110, 112, 114 et 116 peuvent être formées le long d'une ligne parallèle à la troisième ligne de court-circuit 129 du substrat 100, et peuvent être séparées les unes des autres. Les première à quatrième plages de tests 110, 112, 114 et 116 peuvent être électriquement relices respectivement aux première, seconde, troisième et quatrième barres de court-circuit 128, 152, 129 et 154 par l'intermédiaire de première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion 120, 122, 124 et 126. En outre, les première et troisième barres de court-circuit 128 et 129, les première à quatrième plages de tests 110, 112, 114 et 116, et les première à quatrième lignes de connexion 120, 122, 124 et 126 peuvent être formées du même matériau que l'électrode de grille 104, et les seconde et quatrième barres de court circuit 152 et 154 peuvent être réalisées du même matériau que les électrodes de source et de drain 142, 146, par exemple du molybdène (Mo). Ainsi, les seconde et quatrième barres de court-circuit 152 et 154 et les seconde et quatrième lignes de \\HIRSCH6\13REVETS\Brevetsl2 1 000\2 1070.doc -14 avnl 2003 -14/25 is 2838531 connexion 122 et 126 peuvent être reliées les unes aux autres par l'intermédiaire des premier et second motifs de connexion 182 et 184 (figure 13A et figure 13B). En conséquence, la quatrième ligne de connexion 126 ne peut pas être enlevée, même si les électrodes de source et de drain 142 et 146 sont formées de molybdène, ce qui s réduit le temps de traitement de fabrication. Les figures 17A à 17G sont des vues en coupe d'un exemple de procédé de fabrication, en coupe le long de la ligne XVII-XVII de la figure 16; les figures 18A à 18G étant des vues en coupe d'un exemple de procédé de fabrication, en coupe le long de la ligne XVIII-XVIII de la figure 14; les figures l9A à l9G étant des vues en 0 coupe d'un exemple de procédé de fabrication, en coupe le long de la ligne XIX-XIX de la figure 15; et les figures 20A à 20G étant des vues en coupe d'un exemple de procédé de fabrication, en coupe le long de la ligne XX-XX de la figure 13B. Sur les figures 17A, 18A, l9A et 20A, une ligne de grille 102 (figure 16), une électrode de grille 104 et une borne de grille 108 sont formées sur le substrat 100 par dépôt d'une première couche métallique et par modelage de la première couche métallique par un premier procédé de masquage. L'électrode de grille 104 peut s'étendre à partir de la ligne de grille 102 et la plage de grille 108 peut être disposée à une extrémité de la ligne de grille 102. On peut aussi former sur le substrat 100 les première à quatrième plages de tests 110, 112, 114 et 116 (figure 12), les première à quatrième lignes de connexion , 122, 124 (figure 12) et 126, une première barre de court-circuit 128 et une troisième barre de court-circuit 129. Comme expliqué ci-dessus, la première barre de court-circuit 128 peut être reliée aux plages de grilles impaires 108a (figure 14) et la troisième barre de court-circuit 129 peut être reliée aux plages de données impaires 2s 150a (figure 15) qui sont formées ensuite. Les première à quatrième plages de tests , 112, 114 et 116 peuvent être disposées le long d'un côté du substrat 100, et peuvent être parallèles aux lignes de grilles 102 (figure 12). Les première à quatrième lignes de connexion 120, 122, 124 et 126 peuvent être relices aux première à quatrième plages de tests 110, 112, 114 et 116, respectivement. En outre, la première barre de court-circuit 128 peut être reliée à la première ligne de connexion et la troisième barre de court-circuit 129 peut être relice à la troisième ligne de connexion 124. Dans une variante, la première couche métallique peut comprendre une structure à double couche composée d'une première couche d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium présentant une résistance relativement faible et d'une seconde couche comprenant un matériau métallique qui protège la première couche de la dégradation chimique ou thermique, comme par exemple le chrome (Cr) et le molybdène (Mo). \\HIRSCH6\BREVETS\Brevas\21000\21070 doc -14 avnl 2003 -15/25 16 2838531 On dépose ensuite successivement sur le substrat 100, avec 1'électrode de grille 104, la plage de grille 108, la première barre de court-circuit 128, la troisième barre de court-circuit 129 et la quatrième ligne de connexion 126, une couche d'isolation de grille 130, une couche de silicium amorphe 132, une couche de silicium amorphe s dopé 134 et une seconde couche métallique 136. On forme une couche photosensible 138 sur la seconde couche métallique 136, par revêtement d'u matériau photosensible. La couche d'isolation de grille 130 peut comprendre un matériau isolant inorganique, tel que nitrure de silicium (SiNx) ou de l'oxyde de silicium (sio2), et la seconde couche métallique peut comprendre du molybdène. 0 Sur les figures 17B, 18B, l9B et 20B, on dispose au-dessus de la couche d' agent photosensible 138 un masque 200 présentant une portion de blocage M11, une portion semi-transmittive M12, et une portion transmittive M13. La portion semi-transmittive M12 peut correspondre au canal du transistor en couche mince, la portion bloquante Ml l peut correspondre à une ligne de données aux électrodes de source et de drain dans la deuxième barre de court-circuit et la quatrième barre de court- circuit qui sont formées ensuite. La couche photosensible 138 peut être d'un type positif, une portion exposce à la lumière étant développée et enlevée. Ensuite, on peut exposer à la lumière la couche d'agent photosensible 138, et la couche d'agent photosensible 138 correspondant à la portion semi-transmittive 112 peut être exposée à la lumière en une quantité inférieure à celle reçue par la couche de matériau photosensible 138 en dessous de la portion transmittive M13. Sur les figures 17C, 18C, l9C et 20C, la couche photosensible 138 (voir les figures 17B, 18B, l9B et 20 B) peut être développée, de sorte à former un motif formé d'agent photosensible présentant différentes épaisseurs. Une première 2s épaisseur du motif formé d'agent photosensible 138a peut correspondre à la portion bloquante M11 (figures 17B, 18B, l9B et 20B), une seconde épaisseur du motif formé d'agent photosensible 138b, qui est plus fine que la première épaisseur, peut correspondre à la portion semi-transmittive M12 (figure 17B), on peut enlever la seconde couche métallique 136, la couche de silicium amorphe dopé 134 et la couche de silicium amorphe 132 (figures 17B, 18, 19B, 20B) qui ont été exposées par les motifs d'agents photosensibles 138a et 138b. Ainsi, on forme un motif de source et de drain 136a, une ligne de donnces 148 (figure 16), une plage de données 150, une deuxième barre de court- circuit 152, une quatrième barre de court-circuit 154, un motif de silicium amorphe dopé 134a et une couche active 140. Ensuite, on modèle 3s par une méthode d'attaque sèche la seconde couche métallique 136, la couche de silicium amorphe dopél34 et la couche de silicium amorphe 118 (figures 17B, 18B, l9B et 20B) du fait que la seconde couche métallique 136 peut inclure du molybdène. Ainsi, on peut réduire les temps et coûts de fabrication. \\lDRS CH6U3REVETS(iBreve(s\2 1 000\2 1 070.doc -1 4 avril 2003 -1 6n5 17 2838531 En outre, les couches comprenant du silicium amorphe et du siliclum amorphe dopé peuvent aussi être formées sous la seconde barre de courtcircuit 152 et la quatrième barre de court-circuit 154. Ces couches peuvent avoir la méme forrne que les seconde et quatrième barres de eourt-cireuit 152 et 154. Ensuite, sur les figures 17D, 18D, l9D et 20D, on enlève par traitement de eendrage le motif formé d'agent photosensible de seeonde épaisseur 138b (figure 17C), de sorte à exposer des portions des motifs de souree et de drain 136a. A ee moment, on peut aussi partiellement enlever le motif formé d'agent photosensible 138a de première épaisseur, et l'épaisseur du motif formé d'agent photosensible 138a 0 peut être réduite. Sur les figures 17E, 18E, l9E et 20E, le motif de drain et de souree 136a (figure 17D) et le motif de silieium amorphe dopé 134a (fgure 17D) qui ont été déeouverts par le motif formé d'agent photosensible 138a peuvent être attaqués, de sorte à former des éleetrodes de souree et de drain 142 et 146 et une couche de eontaet ohmique 141. Ensuite, le motif formé d'agent photosensible 138a (figures 17D, 18D, l9D et 20D) est enlevé. La couehe aetive 140 découverte par les électrodes de source et de drain 142 et 146 peut correspondre à la portion semi transmittive M12 (figure 17B). En outre, les électrodes de souree et de drain 142 et 146, la ligne de données 148 (figure 16), la eouehe de eontaet ohmique 141 et la eouehe aetive 140 peuvent être formées par un seeond procédé de masquage utilisant le masque 200 (figure 17B, 18B, l9B et 20B). Sur les figures 17F, 18F, l9F et 20F, une couche de passivation 156 peut être formée sur les lignes de données des électrodes de drain et de souree 142 et 146 et les seeonde et quatrième barres de court-circuit 152 et 154 en déposant un matériau organique transparent tel que du benzocyelobutène (BCB), une résine aerylique, ou en déposant un matériau inorganique tel que du nitrure de siliclum (SiNx) ou de l'oxyde de silieium (sio2). Ensuite, on modèle la eouche de passivation 156 par un troisième proeédé de masquage, de sorte à former un premier trou de contact 158, un second trou de contact 160, un troisième trou de contact 162, un quatrième trou de contact 164 (figure 14), un cinquième trou de contact 166, un sixième trou de eontaet 168 (figure 13A), un septième trou de eontaet 170, un huitième trou de contact 172 (figure 13A) et un neuvième trou de eontaet 174. Le premier trou de eontaet 158 déeouvre une portion d'éleetrode de drain 146; le deuxième trou de eontaet 160 découvre une portion de plage de grille 108; le troisième trou de contact 162 3s découvre une portion de la plage de donnces 150; le quatrième trou de contaet 164 (figure 14) déeouvre une portion de la seeonde barre de eourt-cireuit (152); le cinquième trou de eontaet 166 découvre une portion de la troisième barre de court eircuit 129; le sixième trou de contaet 168 (figure 13A) déeouvre une portion de la \\HIRS CH6; \BREVETS\Brevets\2 1 000\2 1 070. doc -1 4 avn l 2003 -1 7/25 is 2838531 seconde barre de court-circuit 152; le septième trou de contact 170 découvre une portion de la quatrième barre de court-circuit 154; le huitième trou de contact 172 (figure 13A) découvre une portion de la seconde ligne de connexion 122 (figure 13A) et le neuvième trou de contact 174 découvre une portion de la quatrième ligne de connexion 126. Sur les figures 17G, 18G, l9G et 20G, une électrode de pixel 176 peut étre formoe sur la couche de passivation 156 en déposant un matériau conducteur transparent, tel que de l'oxyde d'étain et d'indium (ITO) ou de l'oxyde de zinc et d'indium (IZO), et on peut modeler le matériau conducteur transparent par un o quatrième procédé de masquage. L'électrode de pixel 176 peut être reliée à l'électrode de drain 146 à travers le premier trou de contact 158. A cet instant, une borne de plage de grille 178, une borne de plage de données 180, un premier motif conducteur 182 (figure 13A) et un second motif conducteur 184 sont aussi formés à partir du matériau conducteur transparent. La borne de plage de grille 178 est relice à la plage de grille 108 à travers le second trou de contact 160. La borne de plage de grille 178 peut être relice à la seconde barre de court-circuit 152 à kavers le quatrième trou de contact 164 (figure 14). La borne de plage de donnces 180 est reliée à la plage de données 150 et à la troisième barre de court-circuit 129 à travers les troisième et cinquième trous de contact 162 et 166. Le premier motif conducteur 182 (figure 13A) est relié à la seconde barre de court-circuit 152 et à la seconde ligne de connexion 122, respectivement à travers les sixième et huitième trous de contact 168 et 172. Le second motif conducteur 184 est relié à la quatrième barre de court circuit 154 et à la quatrième ligne de connexion 126, respectivement à travers les septième trou de contact 166 et neuvième trou de contact 174. En conséquence, le substrat de matrice de la présente invention peut être réalisé en utilisant quatre masques. Dans la présente invention, les première à quatrième lignes de connexion 120, 122, 124 et 126 et les première et troisième barres de court circuit 128 et 129 peuvent être formées du même matériau que l'électrode de grille et les seconde et quatrième barres de court-circuit 152 et 154 peuvent être formées du même matériau que les électrodes de source et de drain. Les seconde et quatrième barres de court-circuit 152 et 154 peuvent être relices aux seconde et quatrième lignes de connexion 122 et 126 en utilisant les premier et second motifs conducteurs 182 et 184, respectivement. Ainsi, il n'y a pas de déconnexion entre les barres de court-circuit et la ligne de connexion, même lorsque les électrodes de source et de 3s drain sont réalisées en molybdène. En conséquence, on réduit les temps et les coûts de fabrication et la productivité de l'afficheur à cristal liquide de la demande. L'homme du métier comprendra que diverses modifications et variations peuvent être apportées à la fabrication et à l' application de la présente invention sans \qflRSCH6BREVETS\Etrevetsl2 1000121 070.doc - 14 avnl 2003 - 18/25 19 2838531 s'écarter de l' esprit de l'invention. I1 est entendu que la présente invention couvre ses modifications et ses variations dans la mesure o elle tombe dans la portée des revendications qui suivent et de leurs Equivalents. s \\HIRSCHti\BREVETS\J3revets\21000\21070.doc - 14 avril 2003 -]9/25 2838531 REVENDICATIONS 1. Un substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide comprenant: un substrat (100); - une pluralité de lignes de grilles (102) forrnées d'un premier matériau et une pluralité de lignes de donnces (148) formées d'un second matériau sur le substrat, la pluralité de lignes de grilles et la pluralité de lignes de donnces se croisant; - une pluralité de transistors en couche mince électriquement reliés à la pluralité o de lignes de grilles et à la pluralité de lignes de donnces; - une pluralité d'électrodes de pisels (P) reliées à la pluralité de transistors en couche mince; - une pluralité de plages de grilles (108a, 108b) impaires et paires reliées à la pluralité de lignes de grilles (102); - une pluralité de plages de données (150a, lSOb) impaires et paires reliées à la pluralité de lignes de donnces; - une première barre de court-circuit (122) électriquement reliée à chacune des plages de grilles impaires (108a), la première barre de court-circuit étant réalisée en un premier matériau; - une seconde barre de court-circuit (152) électriquement reliée à chacune des plages de grilles paires (108b), la seconde barre de court-circuit étant réalisce en un second matériau; - une troisième barre de court-circuit (129) électriquement reliée à chacune des plages de données (lSOa) impaires, la troisième barre de court-circuit étant formée du premier matériau; - une quatrième barre de court-circuit (154) électriquement reliée à chacune des plages de données (150b) paires, la quatrième barre de court-circuit étant formée du second matériau; les première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion (120, 122, 124, 126) étant électriquement reliées respectivement aux première, seconde, troisième et quatrième barres de court-circuit (128, 152, 129, 154), ces première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion étant formées du premier matériau; et les première, seconde, troisième et quatrième plages de tests (110, 112, 114, 116) étant reliées respectivement aux première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion (120, 122, 124, 126) ; ces première, seconde, troisième et quatrième plages de tests étant formées du premier matériau. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevetc\21000\21070.dx - 14 avril 2003 - 20/25 21 2838531 2. Le substrat de matrice de la revendication 1 comprenant en outre un premier motif conducteur (182) reliant électriquement la seconde barre de court- circuit (152) à la seconde ligne de connexion (122), et un second motif conducteur (184) reliant électriquement la quatrième barre de courtcircuit (154) et la quatrième ligne de connexion (126). 3. Le substrat de matrice de la revendication 1 ou 2, dans lequel le second matériau comprend du molybdène. o 4. Le substrat de matrice de la revendication 1, 2 ou 3, dans lequel le premier matériau comprend une première couche et une seconde couche. 5. Le substrat de matrice selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel la première couche comprend de l'aluminium, et dans lequel la seconde couche comprend du chrome ou du molybdène. 6. Le substrat de matrice selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel chacune des pluralités de transistors en couche mince comprend une électrode de grille (104), une éleckode de source (142), un électrode de drain (146) et une couche active (140), la couche active présentant la même forme que l'électrode de source et que l'électrode de drain sauf pour une portion située entre les électrodes de drain et de source. 7. Un procédé de fabrication d'un substrat de matrice pour afficheur à cristal liquide comprenant: - la formation d'une pluralité de lignes de grilles (102), d'une pluralité d'électrodes de grilles (104) et d'une pluralité de plages de grilles impaires et paires (108a, 108b) sur un substrat (100); - la forrnation d'une couche d'isolation de grille (130) sur la pluralité de lignes de grilles, sur la pluralité d'électrodes de grilles et la pluralité de plages de grilles impaires et paires; - la formation d'une pluralité de couches actives (132, 134) sur la couche d'isolation de grille; - la formation de pluralité de couches de contact ohmique (141) sur la pluralité de couches actives; - la formation d'une pluralité de lignes de donnces (148), d'une pluralité de plages de donnces impaires et paires (l SOa, l 50b) et d'une pluralité \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\21000\21070.doc -14 avril 2003 - 21/25 22 2838531 d'électrodes de source (142) et d'une pluralité d'électrodes de drain (146) sur la pluralité de couches de contact ohmique; - la formation d'une première barre de court-circuit (128) électriquement reliée à chacune des plages de grilles impaires (108a); - la formation d'une seconde barre de court-circuit (152) électriquement relice à chacune des plages de grilles paires (108b); - la formation d'une troisième barre de court-circuit (129) électriquement reliée à chacune des plages de données impaires (150a); la formation d'une quatrième barre de court-circuit (129) électriquement reliée o à chacune des plages de données paires (150b); - la formation de première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion (120, 122, 124, 126), respectivement reliées aux première, seconde, troisième et quatrième barres de court-circuit; - la formation de première, seconde, troisième et quatrième plages de tests (110, 112, 114, 116), respectivement reliées aux première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion; - la formation d'une couche de passivation (156) sur la pluralité de lignes de données, la pluralité de plages de donnces impaires et paires, la pluralité d'électrodes de source et la pluralité d'électrodes de drain; et - la formation d'une pluralité d'électrodes de pixels (176) sur la ligne de passivation, procédé dans lequel les étapes de formation de la première barre de court- circuit (128), la troisième barre de court-circuit (129), les première, seconde, troisième et quatrième lignes de connexion (120, 122, 124, 126) et des première, seconde, 2s troisième et quatrième plages de tests (110, 112, 114, 116) sont réalisées simultanément avec les étapes de formation de la pluralité de lignes de grilles (102), de la pluralité d'électrodes de grilles (104) et de la pluralité de plages de grilles paires et impaires (108a, 108b), et dans lequel les étapes de formation de la seconde barre de court-circuit (152) et de la quatrième barre de court- circuit (154) sont réalisces simultanément avec l'étape de formation de la pluralité de lignes de données (148), de la pluralité de plages de données impaires et paires (150a, 150b), de la pluralité d'électrodes de source (152) et de la pluralité d'électrodes de drain (146). 8. Le procédé de la revendication 7, dans lequel l'étape de formation de la pluralité de lignes de données, de la pluralité de plages de données impaires et paires, de la pluralité d'électrodes de source et de la pluralité d'électrodes de drain fait emploi d'une méthode d'attaque sèche. \\HIRSCH6\BREVETS\Brevets\2100021070.rloc - 14 avril 2003 - 22/25 23 2838531 9. Le procédé de la revendication 8, dans lequel la pluralité de lignes de donnces, la pluralité de plages de données impaires et paires, la pluralité d'électrodes de source et la pluralité d'électrodes de drain comprennent du molybdène. 10. Le procédé de la revendication 7, 8 ou 9, comprenant en outre les étapes de formation d'un premier motif conducteur (182) reliant électriquement la seconde barre de court-circuit (152) à la seconde ligne de connexion (122) et de formation d'un second motif conducteur (184) reliant électriquement la quatrième barre de court-circuit (154) à la quatrième ligne de connexion (126). 11. Le procédé de la revendication 10, dans lequel les étapes de formation du premier motif conducteur (182) ou du second motif conducteur (184) sont réalisces simultanément avec l'étape de formation de la pluralité d'électrodes de pixcls (176). 12. Le procédé selon l'une quelcouque des revendications 7 à 11, dans lequel les étapes de formation d'une pluralité de couches actives, de formation d'une pluralité de couches de contact oUmique et de formation d'une pluralité de lignes de données et d'une pluralité de plages de données impaires et paires, d'une pluralité d'électrodes de source et d'une pluralité d'électrodes de drain sont réalisées par un procédé photolithographique. 13. Le procédé de la revendication 12, dans lequel le procédé photolithographique utilise un masque et inclut une portion transmittive, une portion bloquante et une portion semi-transmittive. 14. Le procédé selon la revendication 13, dans lequel le procédé photolithographique comprend une étape de formation d'un motif formé d'agent photosensible (138a, 138b) représentant une première épaisseur et une seconde épaisseur plus faibles que la première épaisseur. 15. Le procédé de la revendication 14, dans lequel la première épaisseur du motif formé d'agent photosensible correspond à la portion bloquante du masque et la seconde épaiss eur du motif formé d'agent photo sensib le correspond à la portion 3s semi-transmittive. \\HIRSCH6\BREVETS\BreYels\21000\21070.doc - 14 aYn1 2003 - 23/25 16. Le procédé de la revendication 14 ou 15, dans lequel le motif formé d'agent photosensible est en un matériau du type positif, de sorte qu'une portion du matériau exposée à la lumière est développée et enlevée. 17. Le procédé selon l'une quelcouque des revendications 7 à 16, dans lequel chacune des pluralités de couches actives présente la méme forme que chacune des pluralités d'électrodes de source et que chacune des pluralités d'électrodes de drain, sauf pour une portion s'étendant entre les pluralités d'électrodes de source et les pluralités d'électrodes de drain. 18. Le procédé de la revendication 17, dans lequel chacune des pluralités de couche de contact ohmique présente la même forme que chacune des pluralités d'électrodes de source et d'électrodes de drain. 19. Le procédé selon l'une quelcouque des revendications 7 à 18, dans lequel l'étape de formation d'une pluralité d'électrodes de pixels (176) comprend une étape de formation d'une pluralité de bornes de plages de grilles (178) et d'une pluralité de bornes de plages de données (180), la pluralité de bornes de plages de grilles étant en contact avec la pluralité de plages de grilles impaires et paires (108a, 108b), la pluralité de bornes de plages de données étant en contact avec la pluralité de plages de données impaires et paires (150a, 150b). 20. Le procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 19, dans lequel la pluralité de lignes de données, la pluralité d'électrodes de grilles, et la pluralité de plages de données impaires et paires comprend une structure à double couche présentant une première couche et une seconde couche. 21. Le procédé de la revendication 20, dans lequel la première couche comprend de l'aluminium et la seconde couche comprend du chrome et du molybdène.