Brevet FR2843651A1 — publié le 20040220

BOBINE D'INDUCTION POUR CIRCUIT INTEGRE A SEMICONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI CONTEXTE DE L'INVENTION DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une bobine 10 d'induction qui est formée dans un circuit intégré à semi-conducteur et un procédé permettant de fabriquer la bobine d'induction. DESCRIPTION DE L'ART CONNEXE Une bobine d'induction conventionnelle prévue dans un circuit intégré à semi-conducteur est formée sur la même couche que l'interconnexion de la couche supérieure d'une interconnexion multicouche formée par 20 un processus damascène (voir le brevet japonais publié n 2001-267 320). La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un circuit intégré à semiconducteur comprenant une bobine d'induction conventionnelle. Des puits 2 et 3 sont formés dans la surface d'un substrat 25 1, et une paire de couches de diffusion haute concentration 6 d'un transistor MOS et une couche de diffusion basse concentration 7 située entre les couches de diffusion 6 sont formées dans une zone qui est définie par des régions d'isolation de dispositif 30 4 et 5 à la surface du puits 2. Un film isolant de grille 8 est formé sur le substrat entre les couches de diffusion 6, et une électrode de grille 9 et un SR 23405 JP/CS -2 film isolant de paroi latérale 10 sur les côtés de l'électrode de grille 9 sont formés sur le film isolant de grille 8. Cela prévoit un transistor MOS avec une structure LDD (drain faiblement dopé). Une interconnexion multicouche est formée sur le substrat 1. Spécifiquement, un premier film isolant intercouche 11 est formé sur le substrat 1, et une première couche d'interconnexion 12 est formée sur le 10 premier film isolant intercouche 11. La première couche d'interconnexion 12 est formée par le processus suivant. Premièrement, comme le montre la figure 2A, après la formation d'un trou de contact 21 dans le premier film isolant intercouche 11, un film isolant 15 lia est formé sur le premier film isolant intercouche 11. Ensuite, comme le montre la figure 2B, une rainure 22a pour une interconnexion 22 est formée dans le film isolant lia par la formation d'un motif de résist sur le film isolant la par photolithographie et ensuite la 20 gravure sèche du film isolant lla en utilisant le motif de résist comme masque. Ensuite, comme le montre la figure 2C, un film métallique mince 32 (film de TaN ou similaire) destiné 25 à devenir une électrode de placage est formé à la surface du fond et des côtés de la rainure 22a pour l'interconnexion 22 par pulvérisation ou similaire, et une couche métallique de barrage 23 est formée au fond de la rainure 22a, après quoi du Cu est enterré dans 30 la rainure 22a pour l'interconnexion 22 en plaquant le Cu avec le film métallique 32 comme cathode. Dans ce SR 23405 JP/CS - 3 cas, du Cu est également déposé sur le film isolant lla. Par la suite, comme le montre la figure 2D, du Cu 5 sur le film isolant lia est supprimé par CMP (polissage mécanique et chimique) pour exposer le film isolant lla et aplanir la surface du film isolant lia et la surface du Cu enterré dans la rainure d'interconnexion 22a. Par conséquent, une interconnexion 22 enterrée est formée dans la première couche d'interconnexion 12. De même, en utilisant le procédé damascène, un deuxième film isolant intercouche 13 est formé sur le 15 film isolant lia, un trou de contact 24 est formé dans le deuxième film isolant intercouche 13, et une interconnexion 25 d'une deuxième couche d'interconnexion 14 est formée sur un film isolant 13a formé sur le deuxième film isolant intercouche 13. En 20 outre, un troisième film isolant intercouche 15 est formé sur le film isolant 13a, un trou de contact 26 est formé dans le troisième film isolant intercouche 15 et une interconnexion 27 d'une troisième couche d'interconnexion 16 est formée sur un film isolant 15a 25 formé sur le troisième film isolant intercouche 15. En outre, un quatrième film isolant intercouche 17 est formé sur le film isolant 15a, un trou de contact 28 est formé dans le quatrième film isolant intercouche 17 et une interconnexion supérieure 29 d'une couche 30 d'interconnexion supérieure 18 est formée sur un film isolant 17a formé sur le quatrième film isolant intercouche 17. La couche métallique de barrage 23 est SR 23405 JP/CS - 4 également formée au fond de l'interconnexion supérieure 29 et une autre couche métallique de barrage 31 est formée sur le dessus de l'interconnexion supérieure 29. Un film de protection 5 19 est formé sur toute la surface de la structure résultante. Dans un circuit intégré à semi-conducteur qui comporte la bobine d'induction conventionnelle, la 10 bobine d'induction de type bobine 30 est donc formée simultanément au moment de la formation de l'interconnexion supérieure 29 de la couche d'interconnexion supérieure 18. C'est-à-dire, au moment de la formation du motif de la rainure pour 15 l'interconnexion supérieure 29 de la couche d'interconnexion supérieure 18 dans le film isolant 17a par photolithographie, la rainure pour la bobine d'induction 30 qui est une interconnexion de type bobine est délimitée en même temps. Ensuite, après la 20 formation d'un film mince pour l'électrode de placage par pulvérisation, le film de Cu est formé par placage électrolytique de façon à être enterré dans cette rainure, ensuite la surface est soumise à un CMP pour aplanir la surface. Dans le circuit intégré à semi-conducteur conventionnel, la bobine d'induction 30 est formée avec l'interconnexion supérieure 29 sur la couche d'interconnexion supérieure 18 de la couche 30 d'interconnexion multicouche, formée par le procédé damascène, de la manière décrite ci-dessus. SR 23405 JP/CS - 5 Cependant, étant donné que la bobine d'induction est formée en même temps que l'interconnexion supérieure 29 par le procédé damascène dans le circuit intégré à semi-conducteur conventionnel, l'épaisseur 5 de la bobine d'induction 30 est limitée par l'épaisseur de la couche d'interconnexion supérieure 18. Il existe une limite pour l'épaisseur de la couche d'interconnexion supérieure 18 due aux restrictions concernant le processus de fabrication. Comme le 10 montre la figure 2D, une "déformation en cuvette", un phénomène qui produit une partie en retrait lorsque le centre de la surface de l'interconnexion est gravé, se produit dans le processus CMP décrit ci-dessus dans le procédé damascène. Plus l'interconnexion est large, 15 plus cette "déformation en cuvette" devient perceptible. Cela crée une certaine restriction concernant la largeur de l'interconnexion de la bobine d'induction 30. En raison des restrictions concernant la largeur de l'interconnexion et l'épaisseur du film, la bobine d'induction conventionnelle ne peut pas avoir une grande superficie de section. De façon désavantageuse, la bobine d'induction conventionnelle présente une 25 haute résistance qui rend difficile l'amélioration du coefficient de qualité qui indique les performances de la bobine d'induction. En outre, la surface 33 de l'interconnexion 22 30 ayant subi un CMP est en retrait par la déformation en cuvette comme le montre la figure 2D, ayant pour résultat un mauvais aplanissement du film. D à une SR 23405 JP/CS - 6 variation au niveau des conditions pour le CMP, l'homogénéité de l'épaisseur de film de la bobine d'induction est mauvaise, ce qui risque de provoquer une variation des caractéristiques. RESUME DE L'INVENTION En conséquence, il est un objet de l'invention de prévoir une bobine d'induction pour un circuit intégré 10 à semi-conducteur qui prévoit une superficie de section plus large, réduit de façon significative la résistance pour améliorer le coefficient de qualité et présente une épaisseur de film très homogène, et un procédé permettant de fabriquer la bobine d'induction. 15 Une bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur selon l'invention comprend un substrat; une couche d'interconnexion formée sur le substrat par un procédé damascène; et une bobine 20 d'induction formée par la formation de motif dans une couche conductrice posée sur la couche d'interconnexion. Dans la bobine d'induction, par exemple, la 25 couche conductrice est une couche de cuivre ou une couche d'alliage de cuivre et la bobine d'induction est délimitée par gravure anisotrope de la couche conductrice. La gravure anisotrope est par exemple une gravure humide. Par exemple, la couche conductrice est formée par placage. La bobine d'induction peut en outre SR 23405 JP/CS - 7 comprendre un plot de connexion formé à l'extérieur de la bobine d'induction par la formation de motif dans la couche conductrice. Une autre bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur selon l'invention comprend un substrat; une pluralité de couches d'interconnexion prévues sur le substrat; une pluralité de films isolants intercouche posée entre 10 les couches d'interconnexion et entre une couche supérieure des couches d'interconnexion et le substrat; et une bobine d'induction formée sur la couche d'interconnexion supérieure. Chacune des couches d'interconnexion comporte un film isolant de 15 couche pour interconnexion et une interconnexion formée en formant une rainure dans le film isolant de couche pour interconnexion, puis en enterrant un matériau conducteur dans la rainure et en aplanissant une surface du film isolant de couche pour 20 interconnexion par un polissage mécanique et chimique. La bobine d'induction est formée en formant une couche conductrice sur la couche d'interconnexion supérieure par l'intermédiaire d'un film isolant et ensuite en formant un motif dans la couche conductrice. 25 Dans la bobine d'induction, par exemple, la couche conductrice est formée par placage et la couche conductrice est une couche de cuivre ou une couche d'alliage de cuivre. SR 23405 JP/CS - 8 La bobine d'induction est délimitée par exemple par gravure anisotrope et la gravure anisotrope est par exemple une gravure humide. En outre, la bobine d'induction peut comprendre un plot de connexion formé par la formation de motif dans la couche conductrice et elle est formée en même temps que le plot de connexion. La bobine d'induction peut être connectée à la couche d'interconnexion supérieure qui se trouve sous le film isolant par l'intermédiaire d'un orifice prévu dans le film isolant. La bobine d'induction peut être construite de telle sorte que l'interconnexion de la 15 couche d'interconnexion supérieure est en contact avec la bobine d'induction dans une direction longitudinale de celle-ci et l'interconnexion de la couche d'interconnexion supérieure fonctionne avec la bobine d'induction comme une inductance. 20 Un procédé permettant de fabriquer une bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur selon l'invention comprend les étapes consistant à former, sur un substrat, une couche d'interconnexion 25 multicouche par un procédé damascène, qui est formée par une stratification en alternance de films isolants intercouches, chacun ayant un trou de contact formé dans celui-ci, et de couches d'interconnexion, chacune formée en enterrant un conducteur dans un film isolant 30 pour couche d'interconnexion; former une couche conductrice sur la couche d'interconnexion multicouche; et former une bobine d'induction en SR 23405 JP/CS -9 délimitant la couche conductrice sous une forme de spirale par gravure anisotrope. Dans le procédé, l'étape consistant à former la 5 couche conductrice est par exemple une étape consistant à déposer une couche conductrice par placage. La gravure anisotrope peut être une gravure humide. Dans l'étape consistant à former la bobine d'induction, un plot de connexion peut être formé en même temps à partir de la couche conductrice. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en coupe transversale montrant une bobine d'induction conventionnelle pour un circuit intégré à semi-conducteur; et les figures 2A à 2D sont des vues en coupe transversale montrant le processus consistant à former les interconnexions de la bobine d'induction (y compris la bobine d'induction) étape par étape; la figure 3 est une vue en coupe transversale montrant une bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 4 est une vue en perspective exemplaire montrant la partie de la bobine d'induction; SR 23405 JPICS - 10 les figures 5A à 5D sont des vues en coupe transversale montrant le processus de fabrication pour la bobine d'induction étape par étape; la figure 6 est une vue en perspective exemplaire montrant la partie de bobine d'induction d'une bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. DESCRIPTION DETALLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Des modes de réalisation préférés de l'invention seront décrits cidessous en se référant aux dessins annexés. La figure 3 est une vue en coupe transversale 15 représentant une bobine d'induction selon le premier mode de réalisation de l'invention, la figure 4 est une vue en perspective montrant la partie de bobine d'induction de façon agrandie et les figures 5A à 5D sont des vues en coupe transversale montrant le 20 processus de fabrication pour la bobine d'induction, étape par étape. Pour éviter une description redondante, des symboles de référence identiques ou similaires sont donnés à ceux des éléments structurels sur la figure 3 qui sont identiques aux éléments 25 correspondants montrés sur la figure 1. Sur la figure 3, une interconnexion multicouche est formée sur un substrat 1 par le procédé damascène et la bobine d'induction sur la figure 3 est la même 30 que la bobine d'induction conventionnelle pour un circuit intégré à semi-conducteur montré sur la figure 1 jusqu'à un point o un trou de contact 28 est formé SR 23405 JP/CS - 11 dans le quatrième film isolant intercouche 17, qui est la couche supérieure, comme film isolant intercouche. Un film isolant 17a est formé sur le quatrième film isolant intercouche 17, une rainure pour une 5 interconnexion supérieure 29 est délimitée sur le film isolant 17a par le procédé damascène, ensuite la rainure est plaquée et noyée avec du Cu après quoi la surface de la structure résultante est aplanie par CMP, formant ainsi l'interconnexion 29. Dans le mode 10 de réalisation, la bobine d'induction n'est pas formée sur cette couche d'interconnexion supérieure 18. Une bobine d'induction en spirale 40 selon le mode de réalisation est formée sur la couche 15 d'interconnexion supérieure 18. Un procédé permettant de former la bobine d'induction 40 sera discuté ensuite. Premièrement, comme le montre la figure 5A, une couche métallique de barrage 41 est délimitée sur le film isolant 17a, sur lequel l'interconnexion 20 supérieure 29 est formée, de façon à toucher l'interconnexion supérieure 29, après quoi un film isolant de protection 42 est formé sur toute la surface de la structure résultante. Ensuite, un orifice est formé dans une partie du film isolant de 25 protection 42 qui se trouve sur la couche métallique de barrage 41. En tant que couche métallique de barrage 41, il convient de former par exemple une couche de TiN d'une épaisseur de 2000 Angstroms (0,2Lm). Le film isolant de protection 42 est par exemple une couche de SiON d'une épaisseur de 3000 Angstroms (0,3gm). SR 23405 JP/CS - 12 Comme le montre la figure 5B, une couche métallique de barrage 43 est formée sur toute la surface et un film de Cu 44 est formé par plaquage électrolytique avec la couche métallique de barrage 43 5 comme électrode de placage. Ensuite, une couche métallique de barrage 45 est formée sur le film de Cu 44. Il convient de former des couches de TiW ayant des épaisseurs de 2000 Angstroms (0,2pm) et de 500 Angstroms (0, 05gm) comme couches métalliques de 10 barrage 43 et 45, respectivement. Le film de Cu 44 présente une épaisseur de 3gm par exemple. Ensuite, comme le montre la figure 5C, un motif de résist (non représenté) de la forme de la bobine 15 d'induction est formé sur la couche métallique de barrage 45 par photolithographie et la bobine d'induction spirale 40 montrée sur la figure 4 est formée par gravure humide de la couche métallique de barrage 45, du film de Cu 44 et de la couche 20 métallique de barrage 43, en utilisant le motif de résist comme masque. Dans ce cas, la bobine d'induction 40 est connectée par l'intermédiaire d'un contact 39 à l'interconnexion supérieure 29 formée sur la couche d'interconnexion supérieure 18 qui se trouve 25 sous la bobine d'induction 40. L'épaisseur de ligne (épaisseur de réserve) de la bobine d'induction 40 est par exemple de 10 pm. Par conséquent, la bobine d'induction 40 formée présente une grande superficie de section avec une section transversale substantiellement d'une largeur de 10 pm et d'une épaisseur de 3 pm. SR 23405 JP/CS - 13 Le même film que le film de Cu qui est formé par exemple au moment o un plot de connexion à connecter à une bille de soudure est prévu sur la couche 5 d'interconnexion supérieure 18 de l'interconnexion multicouche, qui est conventionnellement formée par le procédé damascène, peut être utilisé comme film de Cu 44. En conséquence, la bobine d'induction 40 de l'invention peut être formée en même temps que la 10 formation du plot de connexion, et sur la même couche o se trouve le plot de connexion, en formant un motif dans le film de Cu par gravure humide. Un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde 15 d'hydrogène peut être utilisé comme liquide de gravure dans la gravure humide du film de Cu. Au cas o la couche métallique de barrage serait un film de TiW, elle peut subir une gravure humide avec le mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène. 20 Ensuite, comme le montre la figure 5D, toute la structure est recouverte d'un film de couverture 46 en polyimide ou similaire, qui achève la bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur. 25 Dans la bobine d'induction ainsi constituée pour un circuit intégré à semi-conducteur, la forme de la bobine d'induction est délimitée par gravure humide du film de Cu 44, de sorte qu'il n'y a pas de 30 restrictions substantielles concernant l'épaisseur du film et la largeur de ligne, et il est possible de former une bobine d'induction ayant une très grande SR 23405 JP/CS - 14 superficie de section. Cela peut réduire la résistance de la bobine d'induction, ayant pour résultat un coefficient de qualité plus élevé. Etant donné que le film de Cu 44 est formé par gravure humide dans le 5 mode de réalisation, les côtés de l'interconnexion de la bobine d'induction 40 acquise sont enfoncés comme un tambour, comme le montre la figure 5C. Cela peut augmenter la superficie de la bobine d'induction 40 en comparaison avec le cas o les côtés de 10 l'interconnexion sont plans, et peut ainsi réduire l'effet pelliculaire d à un signal haute fréquence. Cela peut également améliorer le coefficient de qualité de la bobine d'induction. Contrairement à la "déformation en cuvette" conventionnelle, l'enfoncement des côtés de l'interconnexion de la bobine d'induction n'a pas d'effet négatif sur l'aplanissement du film. Le deuxième mode de réalisation de l'invention 20 sera discuté ci-dessous. Dans le deuxième mode de réalisation, la forme d'une couche d'interconnexion supérieure 51 qui est formée sur la couche d'interconnexion supérieure 18 qui se trouve sous une bobine d'induction 50 est formée dans une forme de 25 spirale comme la forme de la bobine d'induction 50. C'est-à-dire, la bobine d'induction 50 et la couche d'interconnexion supérieure 51 sont disposées de telle sorte qu'un cercle (la partie entaillée) qui passe par le centre de la largeur d'interconnexion de la bobine 30 d'induction 50 et un cercle (la partie entaillée) qui passe par le centre de la largeur d'interconnexion de SR 23405 JP/CS - 15 la couche d'interconnexion supérieure 51 concident dans une vue de dessus. Etant donné que la bobine d'induction 50 et la 5 couche d'interconnexion supérieure 51 se chevauchent dans la bobine d'induction ainsi constituée pour un circuit intégré à semi-conducteur et que la couche d'interconnexion supérieure 51 sert de bobine d'induction également, il est possible d'augmenter 10 encore la superficie de section de la bobine d'induction. Cela peut augmenter le coefficient de qualité de la bobine d'induction. Bien que la bobine d'induction 40 ou 50 soit connectée à l'interconnexion supérieure de l'interconnexion multicouche qui est formée par le procédé damascène dans chaque mode de réalisation discuté ci-dessus, l'invention ne se limite pas à cette structure particulière, mais la bobine 20 d'induction 40 ou 50 peut être connectée à l'interconnexion supérieure par l'intermédiaire d'un trou de contact. En outre, la bobine d'induction 40 ou 50 peut être connectée à l'interconnexion supérieure 29, formée sur la couche d'interconnexion supérieure 25 18, ou l'interconnexion sousjacente par l'intermédiaire d'un trou de contact en prévoyant un film isolant intercouche, non pas le film isolant 42, entre la bobine d'induction 40 ou 50 et la couche d'interconnexion supérieure 18 et en formant le trou 30 de contact dans ce film isolant intercouche. SR 23405 JP/CS - 16 Selon l'invention, comme décrit ci-dessus, la bobine d'induction est prévue sur la couche d'interconnexion (à plusieurs niveaux) formée par le procédé damascène (revendication 1) ou sur la couche 5 d'interconnexion supérieure dans la couche d'interconnexion (à plusieurs niveaux) (revendication 6), de sorte que la largeur d'interconnexion et l'épaisseur d'interconnexion ne subissent aucune restriction et peuvent être augmentées si nécessaire, 10 contrairement au cas de figure conventionnel o la bobine d'induction est formée sur la couche d'interconnexion supérieure proprement dite. Cette structure peut augmenter considérablement la superficie de section de la bobine d'induction en 15 comparaison avec la bobine d'induction conventionnelle qui est formée sur la couche d'interconnexion, ce qui permet de réduire la résistance de la bobine d'induction et d'augmenter le coefficient de qualité de celle-ci. SR 23405 JP/CS - 17 REVENDICATIONS 1. Bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur, comprenant: un substrat (1); une couche d'interconnexion (18) formée sur ledit substrat par un procédé damascène; et une bobine d'induction (40) formée par formation de motif dans une couche conductrice (44) posée sur 10 ladite couche d'interconnexion (18). 2. Bobine d'induction selon la revendication 1, dans laquelle ladite couche conductrice (44) est une couche de cuivre ou une couche d'alliage de cuivre et 15 ladite bobine d'induction (40) est délimitée par gravure anisotrope de ladite couche conductrice (44). 3. Bobine d'induction selon la revendication 2, dans laquelle ladite gravure anisotrope est une 20 gravure humide. 4. Bobine d'induction selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans laquelle ladite couche conductrice (44) est formée par placage. 25 5. Bobine d'induction selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, comprenant en outre un plot de connexion formé à l'extérieur de ladite bobine d'induction par formation de motif dans ladite couche 30 conductrice (44). SR 23405 JP/CS - 18 6. Bobine d'induction pour un circuit intégré à semi-conducteur, comprenant: un substrat (1); une pluralité de couches d'interconnexion (12, 14, 16, 18) prévues sur ledit substrat (1); une pluralité de films isolants intercouches posés entre lesdites couches d'interconnexion et entre une couche supérieure (18) desdites couches d'interconnexion et ledit substrat (1); et une bobine d'induction (40) formée sur ladite couche d'interconnexion supérieure (18), chacune desdites couches d'interconnexion (12, 14, 16, 18) comportant un film isolant (11a, 13a, 15a,17a) pour couche d'interconnexion et une 15 interconnexion (29) formée en formant une rainure dans ledit film isolant (17a) pour couche d'interconnexion, puis en enterrant un matériau conducteur dans ladite rainure et en aplanissant une surface dudit film isolant (17a) pour couche d'interconnexion par 20 polissage mécanique et chimique, ladite bobine d'induction (40) étant formée en formant une couche conductrice (44) sur ladite couche d'interconnexion supérieure (18) par l'intermédiaire d'un film isolant (42) et ensuite en formant un motif 25 dans ladite couche conductrice (44). 7. Bobine d'induction selon la revendication 6, dans laquelle ladite couche conductrice (44) est formée par placage. SR 23405 JP/CS - 19 8. Bobine d'induction selon la revendication 7, dans laquelle ladite couche conductrice (44) est une couche de cuivre ou une couche d'alliage de cuivre. 9. Bobine d'induction selon la revendication 6, dans laquelle ladite bobine d'induction (40) est délimitée par gravure anisotrope. 10. Bobine d'induction selon la revendication 9, 10 dans laquelle ladite gravure anisotrope est une gravure humide. 11. Bobine d'induction selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, comprenant en outre un plot de 15 connexion formé par formation de motif dans ladite couche conductrice (44). 12. Bobine d'induction selon l'une quelconque des revendications 6 à 10, dans laquelle ladite bobine 20 d'induction (40) est connectée à ladite couche d'interconnexion supérieure (18) qui se trouve sous ledit film isolant (42) par l'intermédiaire d'un orifice prévu dans ledit film isolant (42). 13. Bobine d'induction selon la revendication 12, dans laquelle l'interconnexion de ladite couche d'interconnexion supérieure (18) est en contact avec ladite bobine d'induction (40) dans une direction longitudinale de celle-ci et ladite interconnexion de 30 ladite couche d'interconnexion supérieure (18) fonctionne, avec ladite bobine d'induction, comme une inductance. SR 23405 JP/CS - 20 14. Procédé permettant de fabriquer une bobine d'induction (40) pour un circuit intégré à semiconducteur, comprenant les étapes consistant à: former, sur un substrat (1), une couche d'interconnexion multicouche par un procédé damascène, qui est formée par une stratification en alternance de films isolants intercouches (11, 13, 15, 17), chacun ayant un trou de contact (21, 24, 25, 28) formé dans 10 celui-ci, et de couches d'interconnexion (12, 14, 16, 18), chacune formée en enterrant un conducteur dans un film isolant (11a, 13a, 15a, 17a) pour couche d'interconnexion; former une couche conductrice (44) sur ladite 15 couche d'interconnexion multicouche; et former une bobine d'induction (40) formant un motif dans ladite couche conductrice sous une forme de spirale par gravure anisotrope. 15. Procédé selon la revendication 14, dans lequel ladite étape consistant à former ladite couche conductrice (44) est une étape consistant à déposer une couche conductrice par placage. 16. Procédé selon la revendication 14, dans lequel ladite gravure anisotrope est une gravure humide. 17. Procédé selon l'une quelconque des revendications 14 à 16, dans lequel, au cours de ladite étape consistant à former ladite bobine d'induction (40), un plot de connexion est en même SR 23405 JP/CS - 21 temps formé à partir de ladite couche conductrice (44). SR 23405 JP/CS