Brevet FR2843108A1 — publié le 20040206

PROCEDE DE FABRICATION D'UN MATERIAU A FAIBLE DILATATION ET DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR UTILISANT LE MATERIAU A FAIBLE DILATATION Arrière-plan de l'invention Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation et, de manière plus spécifique, un procédé de fabrication d'un matériau à faible coefficient de dilatation thermique présentant une excellente conductivité thermique. La présente invention concerne également un dispositif à semi-conducteur utilisant un substrat réalisé dans ce matériau à faible dilatation. Description de la technique associée La structure d'un dispositif à semi-conducteur traditionnel est représentée sur la figure 9. Sur une surface du substrat 1 constitué d'Al, une couche isolante 2 et une couche de connexion 3 sont successivement formées pour obtenir une carte de circuit imprimé A en Al. Un élément semi-conducteur est assemblé par l'intermédiaire d'une brasure tendre 4 sur la face supérieure de la couche de connexion 3. Etant donné que le substrat 1 est constitué d'Al, qui présente une excellente conductivité thermique, la chaleur générée dans l'élément semiconducteur 5 est transmise par l'intermédiaire de la couche de connexion 3 et de la couche isolante 2 au substrat 1 et est alors efficacement rayonnée depuis le substrat 1 vers l'extérieur. Toutefois, il y a une grande différence en termes de coefficient de dilatation thermique entre Si ou un autre matériau semi-conducteur utilisé dans l'élément semi-conducteur 5 et Al formant le substrat 1. On sait que cette différence donne lieu à une contrainte thermique entre la carte de circuit imprimé A en Al et l'élément semi-conducteur 5 lors d'une variation de température. Lorsque la contrainte thermique est importante, l'élément semi-conducteur 5 peut se déformer et la brasure tendre 4 permettant d'assembler l'élément semi-conducteur 5 peut être craquelée. Afin d'atténuer cette contrainte thermique, les dispositifs à semiconducteur utilisés dans un environnement présentant une grande plage de températures, par exemple, les automobiles, présentent un élément de réduction des contraintes tel qu'un diffuseur thermique installé entre l'élément semi-conducteur 5 et la carte de circuit imprimé A en Al. Toutefois, l'installation de cet élément de réduction des contraintes pose un problème en ce que la résistance thermique est accrue dans l'ensemble du dispositif à semi-conducteur et complique la construction en faisant augmenter le nombre d'éléments du dispositif à semi-conducteur. Le document JP2001-181066A propose d'atténuer la contrainte thermique dans un dispositif à semi-conducteur en utilisant un substrat constitué d'un matériau composite à faible dilatation thermique, qui est obtenu en imprégnant un corps poreux en SiC avec de l'Al ou un alliage en Al. Toutefois, ce procédé pose des problèmes en ce qu'il complique le procédé de fabrication et qu'il entraîne des frais de fabrication élevés étant donné que les particules de SiC doivent être moulées et frittées les unes avec les autres à l'aide d'un liant pour obtenir le corps poreux, et le corps poreux en SiC ainsi obtenu doit être imprégné d'Al ou de l'alliage d'Al liquide. Résumé de l'invention La présente invention a été réalisée pour résoudre les problèmes ci-dessus, et un objectif de la présente invention est donc de proposer un procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation qui permet de fabriquer facilement à moindre cot un matériau à faible dilatation présentant un faible coefficient de dilatation thermique et une conductivité thermique excellente. Selon une réalisation le matériau présente un coefficient de dilatation thermique inférieur à 12 x 10-6/K et une conductivité thermique supérieure à 200 W/Mk. Un autre objectif de l'invention est de proposer un dispositif à semiconducteur qui utilise ce matériau à faible dilatation pour atténuer la contrainte thermique. Un procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la présente invention inclut les étapes consistant à remplir un moule réalisé en Fe des particules de SiC non frittées; et mouler une coulée d'un matériau d'Al dans le moule. Un premier dispositif à semi-conducteur selon la présente invention inclut: un substrat constitué d'un matériau à faible dilatation qui est fabriqué à l'aide du procédé décrit ci-dessus; et un élément semi-conducteur monté sur le substrat. Un deuxième dispositif à semi-conducteur selon la présente invention inclut: une carte de circuit imprimé; un diffuseur de chaleur qui est constitué d'un matériau à faible dilatation fabriqué à l'aide du procédé décrit ci-dessus et assemblé sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé; et un élément semi-conducteur monté sur le diffuseur de chaleur. Un troisième dispositif à semi-conducteur selon la présente invention inclut: une carte de circuit imprimé; un élément semi-conducteur monté sur la carte de circuit imprimé; et une plaque dissipant de la chaleur qui est constituée d'un matériau à faible dilatation fabriqué à l'aide du procédé décrit ci-dessus et assemblée sur le côté inférieur de la carte de circuit imprimé. Brève description des dessins La figure 1 est une représentation microscopique d'un matériau à faible dilatation thermique fabriqué selon l'exemple 1 du mode de réalisation 1 de la présente invention; la figure 2 est une représentation microscopique d'un matériau à faible dilatation fabriqué selon l'exemple 2 du mode de réalisation 1; la figure 3 est un graphique représentant le coefficient de dilatation thermique du matériau à faible dilatation par rapport à la teneur en Si d'un matériau Al dans l'exemple 1; la figure 4 est un schéma représentant l'équilibre Al / Si la figure 5 est un graphique représentant le coefficient de dilatation thermique du matériau à faible dilatation par rapport au pourcentage en volume de particules de SiC dans l'exemple 2; la figure 6 est une vue en coupe représentant la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 2 de la présente invention; la figure 7 est une vue en coupe représentant la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon une modification du mode de réalisation 2; la figure 8 est une vue en coupe représentant la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon une autre modification du mode de réalisation 2; et la figure 9 est une vue en coupe représentant la structure d'un dispositif à semi-conducteur traditionnel. Description détaillée des modes de réalisation préférés Mode de réalisation 1 Dans un procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon le mode de réalisation 1, les particules de SiC non frittées sont tout d'abord introduites dans un moule. Le pourcentage en volume des particules de SiC dans le moule devient élevé si un utilise une garniture plus compacte pour remplir le moule de la manière la plus étanche possible avec deux types ou plus de particules de SiC qui présentent des granulométries différentes les unes des autres. L'augmentation du volume en pourcentage des particules de SiC permet de fabriquer un matériau à faible dilatation présentant un coefficient de dilatation thermique plus faible étant donné que le coefficient de dilatation thermique du SiC est de 4,5 x 10-6/K tandis que l'Al pur (A1050) présente un coefficient de dilatation thermique de ,0 x 10-6/K. Dans le moule rempli des particules de SiC tel que décrit, on verse une coulée d'Al ou d'un alliage d'Al contenant du Si destiné à être moulé à haute pression pour obtenir le matériau à faible dilatation. Le matériau obtenu présente une conductivité thermique élevée étant donné que l'aluminium s'infiltre dans les espaces entre les particules de SiC et forme une trajectoire de transmission thermique. Etant donné qu'un moule est rempli de particules de SiC non frittées et que de l'aluminium ou un alliage d'aluminium est alors moulé, le procédé de fabrication est simplifié et les frais de fabrication sont également réduits. Exemple 1 Lorsque des particules de SiC présentant une granulométrie moyenne de 100 jim et que des particules de Sic présentant une granulométrie moyenne de 8 ktm sont mélangées selon un rapport de 7:3, et que chacun des quatre moules est rempli du mélange, le pourcentage en volume des particules devient égal à 70 %. Dans cet état, tel que décrit dans le tableau 1, les matériaux à faible dilatation des échantillons Si à S4 ont été fabriqués en utilisant quatre matériaux Al qui sont différents les uns des autres quant à la teneur en Si et en versant la coulée de chaque matériau Al dans l'un des quatre moules pour réaliser un moulage à haute pression à la température de pré-chauffage du moule / température de la coulée correspondante (ci-après appelée température du moule / température de la coulée). Le pré-chauffage des moules est destiné à améliorer l'efficacité thermique lors du moulage. Tableau 1 Pourcentage Pourcentage Température Coefficient Conductivité Matériau de teneur en volume du moule / de dilatation thermique Al en Si de SiC de la coulée thermique [W/mK] [% en poids] [%] [OC] [x 10-6/KI Si A1050 O 70 700/800 8,07 261 S2 AC4C 7 70 700/700 7,5 250 S3 ADC14 17 70 800/800 6,66 210 S4 AC9A 23 70 950/950 6,26 204 Dans l'échantillon Si, on utilise de l'Al pur (A1050) et la température du moule / de la coulée est fixée à 700 / 800 OC pour le moulage. Dans l'échantillon S2, on utilise un alliage d'Ai présentant une teneur en Si de 7 % en poids (AC4C) et la température du moule / de la coulée est fixée à 700 / 700 OC pour le moulage. Dans l'échantillon S3, on utilise un alliage d'Al présentant une teneur en Si de 17 % en poids (ADC14) et la température du moule / de la coulée est fixée à 800 / 800 OC pour le moulage. Dans l'échantillon S4, on utilise un alliage d'Al présentant une teneur en Si de 23 % en poids (AC9A) et la température du moule / de la coulée est fixée à 950 / 950 OC pour le moulage. La température de préchauffage du moule et la température de la coulée sont fixée de manière à être élevées pour l'échantillon S4, en vue d'accélérer la réaction entre Al et SiC pour que Si forme un précipité qui présente un coefficient de dilatation thermique faible. Une représentation microscopique du matériau à faible dilatation de l'échantillon Si apparaît sur la figure 1. La représentation illustre les plus petites particules de SiC entourant les plus grandes particules de SiC et Al qui s'infiltre dans les espaces entre ces particules de SiC. Les propriétés physiques mesurées du matériau à faible dilatation de l'échantillon Si incluent un coefficient de dilatation thermique de 8,07 x 10-6/K et une conductivité thermique de 261 W/mK. Par rapport à de l'Al pur (A1050) qui présente un coefficient de dilatation thermique de ,00 x 10-6/K et une conductivité thermique de 234 W/mK, il est entendu que le matériau à faible dilatation de l'échantillon Si présente un coefficient de dilatation thermique nettement inférieur tout en conservant une conductivité thermique aussi élevée que l'Al pur. De même, une représentation microscopique du matériau à faible dilatation de l'échantillon S4 est illustrée sur la figure 2. La représentation illustre les plus petites particules de SiC entourant les plus grandes particules de Sic et la présence de Si précipité. Les propriétés physiques mesurées du matériau à faible dilatation de l'échantillon S4 incluent un coefficient de dilatation thermique de 6,26 x 10-6/K et une conductivité thermique de 204 W/mK. En raison de Si qui a précipité lors du moulage et qui présente un faible coefficient de dilatation thermique tel que 2,6 x 10-6/K, un matériau à faible dilatation présentant un très faible coefficient de dilatation thermique a été obtenu. De même, les propriétés physiques des matériaux à faible dilatation des échantillons S2 et S3, après avoir été mesurées, révèlent qu'ils présentent de faibles coefficients de dilatation thermique et des conductivités thermiques élevées tel que représenté dans le tableau 1. Le rapport entre le coefficient de dilatation thermique mesuré et la teneur en Si du matériau Al pour chacun des matériaux à faible dilatation des échantillons Sl à S4 est représenté sur la figure 3. Le coefficient de dilatation thermique du matériau à faible dilatation fabriqué est réduit étant donné que la teneur en Si du matériau Al est accrue et on est parvenu à faire passer le coefficient de dilatation thermique de 6 x 10-6/K à 8 x 10-6/K en réglant la teneur en Si dans le matériau Al et la température du moule / température de la coulée. La figure 4 est un schéma représentant l'équilibre entre Al et Si. Lorsque le rapport de la composition Al / Si dans un matériau Al dépasse le point eutectique, Si précipité à partir de SiC pénètre dans la coulée pour faire augmenter le point de fusion du matériau Al. En prenant en considération l'augmentation du point de fusion en raison de la précipitation de Si, la température de la coulée est de préférence fixée de manière à être plus élevée que le point de fusion du matériau Al, par exemple de 50K ou plus. Exemple 2 Tel que décrit dans le tableau 2, les matériaux à faible dilatation des échantillons S5 à S8 ont été produits en mélangeant des particules de SiC présentant une granulométrie moyenne de 100 gum et des particules de SiC présentant une granulométrie moyenne de 8 gum selon un dosage de mélange variable en volume, en remplissant les moules des mélanges, et en versant une coulée d'Al pur (A1050) dans les moules pour un moulage à haute pression. Les dosages de mélange des particules de SiC présentant une granulométrie moyenne de 100 gum et des particules de SIC présentant une granulométrie moyenne de 8 gum pour les échantillons S5 à S8 sont fixés à 7:3, 3:7, 9:1 et 10:0 respectivement. La température du moule / de la coulée est fixée à 700 / 800 OC pour chacun des échantillons S5 à S8. Tableau 2 Dosage Pourcentage Coefficient Conductivité Matériau du mélange en volume de dilatation thermique Al en volume de SiC [xlO-6/K] [W/mK] Itm 8 Lm[%] S5 A1050 7 3 70 8,07 261 S6 A1050 3 7 54 11,7 240 S7 A1050 9 1 65 10 281 S8 A1050 10 0 56 12,1 281 Les propriétés physiques des matériaux à faible dilatation des échantillons S5 à S8, une fois mesurées, ont révélé qu'ils présentaient de faibles coefficients de dilatation thermique et des conductivités thermiques élevées, tel que représenté dans le tableau 2. Tel que représenté dans le tableau 2, le pourcentage en volume des particules de SiC dans un moule dépend du dosage du mélange en volume des particules de SiC. Le rapport entre le coefficient de dilatation thermique mesuré et le pourcentage en volume des particules de SiC pour chacun des matériaux à faible dilatation des échantillons S5 à S8 est représenté sur la figure 5. Le coefficient de dilatation thermique du matériau à faible dilatation produit est réduit lorsque le pourcentage en volume des particules de SiC augmente, et on est parvenu à faire varier le coefficient de dilatation thermique de 8 x 10-6/K à 12 x 10-6/K en réglant le dosage du mélange en volume des particules de SiC. Comme le montrent les exemples 1 et 2, en choisissant le pourcentage en volume de particules de SiC dans un moule, la teneur en Si d'une coulée, à savoir le type de coulée, et la température de la coulée, SiC présentant un coefficient de dilatation thermique de 4,5 x 10-6/K, Al et un coefficient de dilatation thermique de 25,0 x 10-6/K, et Si précipité présentant un coefficient de dilatation thermique de 2,6 x 10-6/K sont combinés pour produire un matériau à faible dilatation présentant un coefficient de dilatation thermique souhaité qui est approprié à l'utilisation souhaitée. Par exemple, un matériau à faible dilatation présentant un coefficient de dilatation thermique de 6 x 10-6/K à 12 x 106/K et une conductivité thermique de 200 W/mK ou plus peut être fabriqué. Le coefficient de dilatation thermique du matériau à faible dilatation quelconque qui est produit dans le mode de réalisation 1 dépend du pourcentage en volume de particules de SiC dans un moule, de la teneur en Si d'une coulée et de la température de la coulée, mais pas du procédé de moulage. En conséquence, le moulage à haute pression mentionné ci-dessus peut être remplacé par d'autres procédés incluant le moulage mécanique, le moulage mécanique dans un environnement d'oxygène (procédé des pièces non poreuses) et le moulage sous une pression réduite. Mode de réalisation 2 La figure 6 représente la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon le mode de réalisation 2 de la présente invention. Le procédé décrit ci-dessus du mode de réalisation 1 est utilisé pour former un substrat 6 à partir d'un matériau à faible dilatation qui présente, par exemple, un coefficient de dilatation thermique de 6 x 106/K à 12 x 10-6/K et une conductivité thermique de 200 W/mK ou plus. Sur une surface du substrat 6, une couche isolante 2 et une couche de connexion 3 sont formées successivement pour obtenir une carte de circuit imprimé B en Al / SiC. Un élément semi-conducteur 5 est assemblé par l'intermédiaire d'une brasure tendre 4 sur la face supérieure de la couche de connexion 3. L'élément semi-conducteur 5 peut être choisi parmi plusieurs éléments. Par exemple, une résistance de puce présente un coefficient de dilatation thermique d'environ 7 x 10-6/K, un condensateur de puce, un coefficient de dilatation thermique d'environ 10 x 10-6/K, et une puce de circuit à semi-conducteur en Si, un coefficient de dilatation thermique d'environ 2, 6 x 10-6/K. En conséquence, le substrat 6 est fabriqué de manière à présenter un coefficient de dilatation thermique proche de celui de l'élément semi-conducteur 5 qui doit être monté dessus, et la carte de circuit imprimé B en Al / SiC construite à partir de ce substrat 6 est utilisée pour monter l'élément semi-conducteur 5 sur celle-ci. Ceci permet d'empêcher une variation de température de donner lieu à une contrainte thermique importante entre la carte de circuit imprimé B en Ai / SiC et l'élément semi-conducteur 5 sans installer un élément de réduction des contraintes tel qu'un diffuseur de chaleur entre ceux-ci. En conséquence, on n'a pas peur de déformer l'élément semi-conducteur 5 et de craqueler la brasure tendre 4 lorsque le dispositif à semi- conducteur est utilisé dans une automobile ou dans un autre environnement qui présente une grande plage de températures. De cette manière, on obtient un dispositif à semi-conducteur très fiable. Le fait de ne pas utiliser de diffuseur de chaleur signifie également que le nombre d'éléments est réduit et que la structure du dispositif à semi-conducteur est simplifiée, ce qui permet d'obtenir des effets supplémentaires tels que la réduction du nombre d'étapes d'assemblage et des frais moindres. En outre, le dispositif à semi-conducteur présente une excellente capacité de dissipation thermique étant donné que le substrat 6 a une conductivité thermique aussi élevée que l'Al pur. En particulier, étant donné qu'on n'a pas besoin d'élément de réduction des contraintes tel qu'un diffuseur de chaleur, la résistance thermique de l'ensemble du dispositif à semi-conducteur peut être réduite. La figure 7 représente la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon la modification du mode de réalisation 2. Dans ce dispositif à semiconducteur, le diffuseur de chaleur 7 est réalisé dans un matériau à faible dilatation qui présente un faible coefficient de dilatation thermique et une conductivité thermique élevée par le procédé du mode de réalisation 1. Le diffuseur de chaleur 7 est assemblé par l'intermédiaire d'une brasure tendre basse température 8 sur la face supérieure d'une carte de circuit imprimé A en Al constituée d'un substrat 1, d'une couche isolante 2 et d'une couche de connexion 3 représentés sur la figure 9. Un élément semi-conducteur 5 est assemblé sur la face supérieure du diffuseur de chaleur 7 par l'intermédiaire d'une brasure tendre à haute température 9. Le diffuseur de chaleur 7 améliore la dissipation de chaleur depuis l'élément semi-conducteur 5 et réduit les contraintes thermiques générées entre la carte de circuit imprimé A en Al et l'élément semi-conducteur 5. La figure 8 représente la structure d'un dispositif à semi-conducteur selon une autre modification du mode de réalisation 2. Dans ce dispositif à semi-conducteur, une plaque dissipant de la chaleur 10 est réalisée dans un matériau à faible dilatation qui présente un faible coefficient de dilatation thermique et une conductivité thermique élevée par le procédé du mode de réalisation 1. La plaque dissipant de la chaleur 10 est assemblée par l'intermédiaire d'une brasure tendre il sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé en céramique C. Un élément semiconducteur 5 est assemblé sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé en céramique C par l'intermédiaire de la brasure tendre 4. La carte de circuit imprimé en céramique C inclut un substrat en céramique 12 constitué de céramique tel que de l'AlN ou de l'alumine, et des couches de connexion en Al 13 et 14 formées sur les deux côtés du substrat en céramique 12. Le coefficient de dilatation thermique de la carte de circuit imprimé en céramique C est d'environ 5 x 10-6/K. La plaque dissipant de la chaleur 10 est fabriquée de manière à présenter un coefficient de dilatation thermique qui se rapproche du coefficient de dilatation thermique de la carte de circuit imprimé en céramique C en choisissant le pourcentage en volume de particules de SiC dans un moule, la teneur en Si d'une coulée et la température de la coulée de manière appropriée. Avec cette plaque de dissipation de la chaleur 10 assemblée sur la carte de circuit imprimé en céramique C, la dissipation de chaleur depuis l'élément semi- conducteur 5 est améliorée et une contrainte thermique importante entre la carte de circuit imprimé C et la plaque dissipant de la chaleur 10 peut être évitée. Tel que décrit, la présente invention permet de produire facilement à moindre cot un matériau à faible dilatation qui présente un faible coefficient de dilatation thermique tout en ayant une conductivité thermique excellente, étant donné qu'une coulée d'Al ou d'un alliage d'Al contenant Si est moulée dans un moule rempli de particules de SiC non frittées. Un dispositif à semi-conducteur selon la présente invention présente un substrat, un diffuseur de chaleur, ou une plaque dissipant de la chaleur réalisée dans le matériau à faible dilatation ci-dessus. Ceci atténue la contrainte thermique dans le dispositif à semi-conducteur et confère au dispositif à semi-conducteur une capacité de dissipation thermique excellente, ce qui améliore la fiabilité. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation, comprenant les étapes consistant à: remplir un moule avec les particules de SiC non frittées et mouler une coulée d'un matériau Al dans le moule. 2. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 1, dans lequel le matériau Al est de l'Al pur. 3. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 1, dans lequel le matériau Al est un alliage d'Al contenant du Si. 4. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 1, dans lequel un matériau à faible dilatation présentant un coefficient de dilatation thermique de 12 x 10-6/K ou moins et une conductivité thermique de 200 W/Mk ou plus est obtenu en choisissant le pourcentage en volume des particules de SiC dans le moule, la teneur en Si de la coulée et la température de la coulée de manière appropriée. 5. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 2, dans lequel la température de la coulée est fixée à une température supérieure de 50K ou plus par rapport au point de fusion du matériau Al utilisé. 6. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 1, dans lequel deux types ou plus de particules de SiC présentant des granulométries différentes sont introduites dans le moule de la manière la plus compacte possible. 7. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 1, dans lequel le moule est pré-chauffé pour améliorer l'efficacité thermique pendant le moulage. 8. Procédé de fabrication d'un matériau à faible dilatation selon la revendication 7, dans lequel le moule est réalisé en Fe, la température de pré-chauffage étant fixée de 700 à 950 OC, la température de la coulée étant fixée de 700 à 950 OC. 9. Dispositif à semi-conducteur comprenant un substrat(6) constitué d'un matériau à faible dilatation qui est produit grâce au procédé de la revendication 1; et un élément semi-conducteur (5) assemblé sur la face supérieure du substrat (6). 10. Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 9, comprenant en outre: une couche isolante (2) et une couche de connexion (3) formées sur une surface du substrat (6) dans l'ordre, l'élément semi-conducteur (5) étant assemblé par l'intermédiaire d'une brasure tendre (4) sur la face supérieure de la couche de connexion (3). 11. Dispositif à semi-conducteur comprenant une carte de circuit imprimé (A); un diffuseur de chaleur (7) qui est constitué d'un matériau à faible dilatation produit grâce au procédé de la revendication 1 et assemblé sur la face supérieure de la carte de circuit imprimé (A); et un élément semiconducteur (5) monté sur le diffuseur de chaleur (7). 12. Dispositif à semi-conducteur selon la revendication 11, dans lequel la carte de circuit imprimé (A) est constituée d'un substrat (1) métallique présentant une couche isolante (2) et une couche de connexion (3) formées sur sa surface dans l'ordre, le diffuseur de chaleur (7) étant assemblé sur la face supérieure de la couche de connexion (3) par l'intermédiaire de la brasure tendre (8), l'élément semi-conducteur (5) étant assemblé sur la face supérieure du diffuseur de chaleur (7) par l'intermédiaire de la brasure tendre (9). 13. Dispositif à semi-conducteur comprenant une carte de circuit imprimé (C); un élément semi-conducteur (5) monté sur la carte de circuit imprimé (C); et une plaque dissipant (10) de la chaleur qui est constituée d'un matériau à faible dilatation produit grâce au procédé de la revendication 1 et assemblée sur le côté inférieur de la carte de circuit imprimé (C). 14. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 13, dans lequel la carte de circuit imprimé (C) est constituée d'un substrat en céramique (12) présentant des couches de connexion en Al (13, 14) sur ses deux côtés, la plaque dissipant la chaleur (10) étant assemblée sur une surface d'une couche de connexion en Al (13, 14) par l'intermédiaire d'une brasure tendre (11), l'élément semi-conducteur (5) étant assemblé sur une surface de l'autre couche de connexion en Ai (13, 14) par l'intermédiaire de la brasure tendre (4).