Brevet FR2835095A1 — publié le 20030725

La présente invention concerne d'une façon générale la fabrication de substrats semi-conducteurs notamment pour l'industrie électronique, opto-électronique ou optique. On connaît des substrats constitués par un film ou couche mince sur un support plus épais. Les composants électroniques, optoélectroniques ou optiques sont réalisés dans le film mince d'un tel substrat, ce film mince ayant vocation, après au moins une partie des étapes pour cette réalisation, à être séparé du support et le cas échéant rapporté sur un support différent. A cet effet, on a récemment développé des techniques permettant de séparer une couche mince utile de son support. Ainsi la technique dite epitaxial lift off en terminologie anglo-saxonne, est bien connue dans le domaine des éléments des groupes III et V de la classification, et consiste à intercaler entre un support et une couche mince une autre couche mince, dite sacrificielle, cette couche sacrificielle étant réalisée par épitaxie. Pratiquement, on réalise sur le support la couche sacrificielle par une première opération d'épitaxie, puis la couche mince utile est réalisée, également par épitaxie. La couche sacrificielle est réalisée de manière à pouvoir être gravée par voie chimique sélectivement vis à vis du support et de la couche mince utile ; par exemple, une couche sacrificielle en AlAs est réalisée entre un support en GaAs et une couche utile en AlGaAs. Dans cette technique connue, la couche mince sacrificielle, obtenue par hétéro-épitaxie, est monocristalline et de faible épaisseur. Sa nature dépend du matériau du support à partir duquel la croissance est réalisée. La technique epitaxial lift off a été décrite notamment dans l'article Ultra-high efficiency lightemitting diodes through epitaxial lift-off packaging , M. Sickmiller et al., International Symposium on Microelectronics, 1998, et sa faisabilité a été démontrée pour des surfaces de support et de couches minces de l'ordre de quelques centimètres carrés. Toutefois, des essais complémentaires ont abouti à mettre en cause la faisabilité de cette technique pour des surfaces sensiblement plus grandes, telles que celles de l'ordre de plusieurs centaines de cm2 rencontrées dans les substrats pour l'industrie. Une autre solution pour réaliser une liaison démontable pourrait consister à réaliser entre un support et une couche mince un collage par adhésion moléculaire, et d'effectuer le moment venu une séparation au niveau de l'interface de collage. En effet les forces d'adhésion obtenues lors de tels collages sont variables en fonction de différents paramètres (principalement la rugosité des surfaces, l'hydrophilie des surfaces, l'affinité chimique entre les matériaux, leur capacité à fluer, la température, etc.). Dans certains cas on pourrait envisager une telle séparation. Toutefois, dans le cas où le budget thermique appliqué à la couche mince après un tel collage s'avère important, ce qui est le cas notamment lors de la fabrication de substrats pour LEDs où les températures de certains traitements (notamment d'épitaxie par la technique dite MOCVD) peuvent atteindre voire largement dépasser 1000 à 1100 C, l'effet de ce budget sur l'interface de collage sera nécessairement un renforcement significatif de celle-ci, et le démontage deviendra difficile voire impossible. Plus particulièrement, dans la fabrication de substrats pour LEDs, il peut être nécessaire d'effectuer sur l'ensemble support/film mince des traitements thermiques nécessitant de telles températures élevées, et notamment des étapes d'oxydation thermique ou encore des étapes de lissage de surface sous atmosphère hydrogénée, en vue de préparer la surface avant le dépôt des nitrures ou autres par épitaxie, ces étapes étant réalisées audessus de 1150 C. Ainsi, si l'on réalisait par exemple un collage par adhésion moléculaire entre deux couches d'oxyde, par exemple rapportées sur un support et une couche mince en carbure de silicium SiC, de telles températures induiraient un renforcement considérable des forces d'adhésion, pour atteindre au moins 2 Joules/m2, au point que toute séparation s'avérerait impossible. La présente invention vise à réaliser une interface de collage démontable, en particulier dans le cadre de la fabrication de substrats pour des LEDs, telles que des LEDs bleues, vertes ou ultraviolettes (UV), dont la démontabilité reste assurée même en présence de traitement à des températures élevées (1100 à 1150 C ou même davantage) . Ainsi la présente invention propose selon un premier aspect un procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs comprenant une première couche telle qu'une couche support et une deuxième couche telle qu'une couche mince, pour des applications dans les domaines de l'électronique, de l'optoélectronique ou de l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - former sur l'une des deux couches seulement une couche d'interface, - mettre en contact la couche pourvue de la couche d'interface et l'autre couche nue, la couche d'interface étant choisie en fonction du matériau de la couche nue pour former une interface de collage démontable sous l'action de contraintes après exposition à des températures situées dans une gamme prédéterminée. Dans une forme de réalisation avantageuse, la couche nue au moins est en carbure de silicium, et en ce cas la couche d'interface est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. Selon une application de l'invention, l'une des couches constitue une couche germe pour la formation d'un substrat par croissance épitaxiale, et l'autre couche constitue une couche support temporaire pour la couche germe. Les contraintes de séparation sont préférentiellement des contraintes mécaniques. Selon un deuxième aspect, l'invention propose un procédé de préparation d'un ensemble à base de semiconducteurs, comprenant un support et une couche mince pour des applications dans les domaines électronique, optoélectronique ou optique, l'ensemble étant destiné à être soumis à des températures élevées dans une gamme donnée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de réalisation d'une interface démontable entre le support et la couche mince par mise en contact et adhésion moléculaire entre deux matériaux d'interface présentant une aptitude à réagir chimiquement l'un avec l'autre suffisamment faible pour que l'exposition de l'ensemble auxdites températures élevées après mise en contact réalise entre les deux matériaux d'interface un collage suffisamment faible pour qu'ils puissent être séparés par application de contraintes après ladite exposition. Préférentiellement, la faible aptitude des matériaux d'interface à réagir chimiquement l'un avec l'autre résulte d'une faible affinité chimique mutuelle intrinsèque desdits matériaux d'interface, et/ou d'une faible aptitude au fluage d'au moins l'un des deux matériaux d'interface. Dans une première réalisation, les deux matériaux d'interface sont différents et constitués respectivement par le matériau d'une couche d'interface rapportée sur le support et directement par le matériau de la couche mince. Par couche rapportée , on entend notamment une couche réalisée par dépôt ou encore par modification chimique d'une épaisseur superficielle du support, telle qu'une oxydation, etc. Dans une deuxième réalisation, les deux matériaux d'interface sont différents et constitués respectivement par le matériau d'une couche d'interface rapportée sur la couche mince et directement par le matériau du support. Pour ce qui concerne les matériaux, on peut prévoir plusieurs possibilités : - le matériau de la couche d'interface rapportée est choisi dans le groupe comprenant un oxyde de semiconducteur et un nitrure de semi-conducteur, tandis que le matériau différent est un carbure de semi-conducteur, avantageusement monocristallin. - les deux matériaux d'interface sont des nitrures de semi-conducteur tels que Si3N4. les deux matériaux d'interface sont respectivement un nitrure de semi-conducteur et un oxyde de semi-conducteur. Le semi-conducteur cité ci-dessus est typiquement du silicium. Avantageusement, au moins l'un des matériaux d'interface présente une surface intrinsèquement rugueuse, c'est-à-dire que la surface présente au mieux, sous la forme commerciale du matériau et sans traitement de rugosification, une rugosité sensiblement supérieure à 1 rms et typiquement autour de 4 à 5 rms. Ce peut être le matériau du support lui-même, ou le matériau de la couche mince elle-même. Un exemple typique d'un tel matériau intrinsèquement rugueux est le carbure de silicium, dont on sait qu'à l'heure actuelle il est disponible commercialement avec des rugosités rarement inférieures à 4 rms. Alternativement, une surface intrinsèquement rugueuse peut être obtenue par un dépôt sur une surface moins rugueuse, un tel dépôt conférant par nature un état de surface imparfait avec une rugosité qui peut atteindre 4 à 5 rms. Dans une forme de réalisation concrète, l'ensemble peut comprendre : - un substrat en carbure de silicium, une couche utile en carbure de silicium monocristallin, - une couche d'interface en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium, rapportée sur la face du substrat tournée vers la couche utile ou sur la face de la couche utile tournée vers le substrat. Selon un troisième aspect, la présente invention apporte un procédé de préparation d'un substrat pour la réalisation de composants optoélectroniques tels que des diodes électroluminescentes, notamment des LEDs bleues, caractérisé en ce qu'il comprend la préparation d'un ensemble selon l'une des revendications précédentes, la réalisation d'un moins une couche de substrat par épitaxie sur la surface libre de la couche utile de l'ensemble, et la séparation de la couche utile munie de la ou des couches épitaxiées par rapport au substrat au niveau de l'interface de l'ensemble. La ou les couches épitaxiées sont alors préférentiellement réalisées en matériaux semiconducteurs à base de nitrures métalliques semiconducteurs. Selon un quatrième aspect, l'invention vise un procédé de préparation d'un ensemble à base de semiconducteurs, comprenant un support et une couche mince pour des applications dans les domaines électronique, opto-électronique ou optique, l'ensemble étant destiné à être soumis à des températures élevées dans une gamme donnée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de réalisation d'une interface démontable entre le support et la couche mince par mise en contact et adhésion moléculaire entre deux surfaces généralement planes, au moins l'une des surfaces étant celle d'un matériau monocristallin dont un plan cristallographique principal présente une faible inclinaison par rapport au plan de ladite surface, ladite surface présentant ainsi une rugosité telle que l'exposition de l'ensemble auxdites températures élevées après mise en contact réalise entre les deux matériaux d'interface un collage suffisamment faible pour qu'ils puissent être séparés par application de contraintes après ladite exposition. Avantageusement, cette faible inclinaison est comprise entre environ 3 et 8 dans le cas du carbure de silicium disponible aujourd'hui dans le commerce. Typiquement, pour un tel matériau, la désorientation de la surface par rapport à l'axe (0001) du cristal est réalisée préférentiellement vers la direction (11-20) ou encore vers la direction (1-100), d'autres directions étant également possibles. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels : les figures la-le illustrent les étapes d'un procédé selon une première forme de réalisation de l'invention, et les figures 2a-2e illustrent les étapes d'un procédé selon une deuxième forme de réalisation de l'invention. On va maintenant décrire des exemples de réalisation de l'invention comprenant une étape d'épitaxie sur un substrat démontable. Ces exemples concernent la réalisation de LEDs bleues, vertes ou UV et de diodes laser en couches fines, pour une meilleure extraction de la lumière émise ou pour une meilleure évacuation de la chaleur grâce à un report des couches épitaxiées sur un substrat en un matériau conduisant bien la chaleur, tel que le cuivre ou le diamant. Dans le présent exemple, l'empilement épitaxial considéré est à base de semi-conducteurs formés de nitrures métalliques de type GaN et leurs dérivés tels que AlN, GaAlN, GaAlInN, etc., et plus généralement de nitrures métalliques à grand gap. Un premier exemple de réalisation est illustré sur les figures la-le. En référence tout d'abord à la figure la, on prépare tout d'abord un support massif 10 par exemple en carbure de silicium SiC polycristallin, ou en SiC monocristallin 4H ou 6H ou encore en saphir. on prépare également un ensemble comprenant un substrat donneur 20 en carbure de silicium SiC de préférence monocristallin 4H ou 6H, possédant une couche d'interface 26 réalisée ici en oxyde de silicium Si02. On soumet par ailleurs le substrat 20 à une étape d'implantation d'une ou de plusieurs espèces gazeuses à une profondeur moyenne donnée, avant ou après l'étape de réalisation de la couche d'oxyde 220. cette implantation crée un plan de fragilisation 24 délimitant une couche mince 22 adjacente à la couche d'oxyde et le reste du substrat 20 (technique type Smart-Cut - marque déposée telle que décrite notamment dans le document FR-A-2 681 472). A la figure 1b, un collage par adhésion moléculaire est réalisé entre le support 10 et l'ensemble 20,22, 26, de telle sorte que le carbure de silicium du support 10 soit directement en contact avec la couche d'oxyde 26. Il est à observer ici que, et comme expliqué plus haut, l'interface de collage SiC/Si02 (côté SiC) ainsi réalisée, avec la rugosité de 4 à 5 rms d'un SiC disponible commercialement, constitue une interface intrinsèquement rugueuse, que le collage soit réalisé au niveau de la face Si ou de la face C d'un SiC de type 4H ou 6H. Ainsi aucun traitement de rugosification du SiC n'est ainsi nécessaire. En outre, étant donné qu'à des températures inférieures à 1150 C typiquement, le SiC ne subit que peu d'oxydation, la réactivité d'une des surfaces de collage vis-à-vis de l'autre reste limitée (aussi bien dans le cas d'un contact avec la face Si que dans le cas d'un contact avec la face C, même si la réactivité n'est pas la même comme on va le voir ci-dessous), et en tout cas très sensiblement inférieure à celle obtenue pour des surfaces de collage toutes deux en Si02. On pense en effet que le renforcement d'une interface de collage Si02/Si02 à des températures élevées s'explique par le développement de liaisons siloxane SiO-Si et également par le fluage des surfaces en contact. Dans le cas d'une interface SiC/Si02, la stabilité chimique de la surface du SiC fait que de telles liaisons, aux températures considérées, ne se forment que peu ou pas du tout. On ajoutera toutefois à ce sujet que, selon que c'est la face C ou Si d'un cristal SiC 4H ou 6H qui est appliquée contre l'oxyde, on peut observer des comportements différents du fait de la réactivité chimique entre la face en question et le Si02. Ainsi est- il préférable d'utiliser la face Si, moins sensible à une réaction d'oxydation que la face C, et donc avec laquelle les énergies de liaison augmenteront plus lentement en fonction de l'énergie thermique apportée. En outre, les propriétés du SiC sont telles que sa surface en contact avec la couche de Si02 ne flue pas (même si le Si02 peut quant à lui fluer) et que la réactivité chimique avec le Si02 est limitée, ce qui contribue à conserver la fragilité du collage, même lorsque l'ensemble de la figure 1b est soumis à des températures supérieures à 1150 C. Selon une variante de réalisation, on peut découper le substrat donneur 20 de manière à ce que sa face dans laquelle sera prélevée la couche 22 présente une légère inclinaison par rapport à l'un des plans cristallographiques principaux de la structure. Cette inclinaison est préférentiellement comprise entre 3 et 8 . De la sorte, la face libre de ce qui sera la couche transférée 22 présente des marches d'escalier liées aux décalages successifs des cristaux au niveau de cette face, ce qui contribue à un accroissement de la rugosité, propice au caractère démontable recherché. Après la mise en contact illustrée sur la figure lb, la masse du substrat 20 est éliminée par application d'un budget thermique et/ou de contraintes mécaniques appropriés, de façon connue en soi par les techniques Smart-Cut et dérivées, pour ne laisser au-dessus de la couche d'oxyde 26 que la mince couche de SiC 22. Bien entendu, l'obtention de la couche mince 22 peut être réalisée par toute autre technique d'amincissement appropriée. Une étape suivante consiste à déposer sur cette couche mince 22, formant couche germe, par une ou plusieurs opérations de dépôt par épitaxie, un empilement 30 de matériaux tels que les nitrures précités, par exemple de façon conventionnelle en soi pour la fabrication de diodes LEDs. A cet effet, la couche germe 22 est tout d'abord préparée notamment par polissage, recuit, recuit lissant (par exemple sous hydrogène), oxydation sacrificielle (dans laquelle la mince couche d'oxyde formé est éliminée), gravure, traitement de surface lissant, etc. Parmi les matériaux utilisables pour réaliser l'empilement de couches épitaxiées, on peut utiliser notamment le nitrure de gallium GaN, le nitrure d'aluminium AlN, le nitrure d'aluminium et de gallium AlGaN, le nitrure de gallium et d'indium GaInN, etc., la couche germe 22 étant quant à elle constituée par exemple de SiC monocristallin, de Si{lll}, de saphir, de nitrure de gallium GaN monocristallin, d'oxyde de Néodyme et de gallium NdGa02 ou encore d'oxyde de lithium et de gallium LiGa03. Quant au matériau du support 10, on choisit par exemple un SiC polycristallin ou monocristallin, du saphir, ou encore du AlN ou GaN polycristallin. En termes d'épaisseurs, la couche support 10 présente par exemple une épaisseur de quelques centaines de micromètres (typiquement 300 m), tandis qu'on donne à la couche germe 22 une épaisseur de l'ordre de 0,1 à 1 m. La couche d'interface 26 présente quant à elle une épaisseur de l'ordre de 1 m. Les épitaxies pour réaliser la couche utile peuvent être réalisées par des techniques bien connues de l'homme du métier, et notamment la technique MBE (pour le terme anglo-saxon Molecular Beam Epitaxy ou encore la technique de dépôt chimique en phase vapeur d'organométalliques MOCVD (pour le terme anglo-saxon MetalloOrganic Chemical Vapor Déposition ). Dans le premier cas, les températures de croissance épitaxiale dépassent rarement 600 C tandis que dans le deuxième cas, elles peuvent atteindre 1050 à 1100 C. Il est important de noter ici que dans ce dernier cas, grâce au recours à une interface de collage par adhésion moléculaire qui se renforce peu à des températures inférieures à 1100-1150 C comme on l'a expliqué en détail plus haut, cette interface conserve une fragilité propice à sa séparation ultérieure comme on va le voir. Cet empilement 30est illustré sur la figure ld. Enfin, et en référence à la figure le, l'ensemble constitué par l' empilement 30, la couche mince 22 et la couche d'oxyde 26 est démonté du support 10 au niveau de l'interface SiC/SiOz entre le support 10 et la couche 26, cette interface mettant en jeu, comme on l'a indiqué plus haut, des forces d'adhésion qui restent limitées. Ce démontage peut être réalisé notamment par application de contraintes mécaniques en traction et/ou en cisaillement et/ou en flexion, par exemple à l'aide d'une lame, de façon manuelle ou robotisée. A l'issue de ce processus, le support 10, après un traitement de surface approprié, peut être réutilisé, de même que le substrat donneur 20, qui sera soumis aux étapes de dépôt d'une couche de Si02 et d'implantation d'espèces gazeuses, comme décrit plus haut. Les figures 2a à 2e illustrent un processus semblable à celui des figures la à le, la différence essentielle résidant en ce que la couche d'oxyde Si02 destinée à participer à l'interface démontable est réalisée non pas sur le substrat source 20, mais sur le support 10 ; cette couche d'oxyde est ici désignée par la référence 12. Ainsi, dans le cas où le substrat source 20 est réalisé en SiC, le collage par adhésion moléculaire entre la couche d'oxyde 12 et le substrat source 20 (figure 2b) présente des propriétés de démontabilité similaires à celles obtenues entre la couche d'oxyde 26 et le support 10 dans le cas des figures la-le. Les figures 2c et 2d illustrent des étapes d'amincissement et de réalisation d'un empilement par épitaxie analogues à celles des figures le et ld. Le démontage intervient dans ce second exemple entre les couches 12 et 20, et le produit résultant est illustré sur la figure 2e. De nombreuses variantes peuvent être apportées à l'invention. En particulier, des liaisons moléculaires réduites au niveau de l'interface de collage démontable peuvent être obtenues en réalisant ce collage entre deux couches de nitrure de silicium Si3N4 déposées respectivement sur le support 10 et sur le substrat source 20. En particulier, avec de telles couches, qui sont nécessairement réalisées par une technique de dépôt (par opposition aux couches d'oxyde souvent réalisées par oxydation thermique superficielle), un tel dépôt engendre nécessairement une certaine rugosité intrinsèque au niveau de la surface libre finale. En outre, le Si3N4 flue à plus haute température que le Si02. Bien entendu, dans ce cas, aucun traitement de polissage susceptible de diminuer excessivement la rugosité ne doit être effectué. Selon une autre variante, on peut réaliser le collage entre une couche de SiO2 déposée sur le support 10 ou sur le substrat source 20, et une couche de Si3N4 déposée sur le substrat source 20 ou sur le support 10, respectivement. Ici encore, peu de liaisons fortes de type siloxane ou autre ne se forment entre les deux couches, même à des températures élevées, et la démontabilité du collage après les traitements est préservée. Selon une autre variante encore, on peut prévoir de former une couche de Si02 sur le support 10 ou le substrat source 20, et de l'autre côté une couche présentant une rugosité intrinsèque appropriée pour que, sans traitement particulier de rugosification, les forces de liaison entre la couche de Si02 et la couche rugueuse ne se développent aux températures visées que modérément, pour conserver un collage démontable. Par exemple cette couche intrinsèquement rugueuse peut être réalisée par dépôt de silicium amorphe ou polycristallin. A cet égard, il n'est pas nécessaire que les matériaux au niveau desquels le collage est réalisé soient différents l'un de l'autre. Par exemple, on peut réaliser un collage direct SiC sur SiC, en tirant profit de la rugosité intrinsèque du SiC des deux côtés du collage, de sa faible aptitude au fluage et de sa faible aptitude à réagir chimiquement avec lui-même. En variante, et si nécessaire, on peut déposer une couche de SiC sur la couche mince ou la couche support pour accroître la rugosité intrinsèque. Selon un autre exemple, on peut réaliser un collage direct Si sur Si, avec plusieurs possibilités : - en utilisant (notamment pour le support) un Si polycristallin, on bénéficie de la rugosité intrinsèque de celui-ci liée à l'existence de joints de grains ; - additionnellement ou en variante, on peut prévoir de déposer, soit sur la couche support, soit sur la couche mince, soit sur les deux, une couche d'interface en Si, les techniques usuelles de dépôt engendrant comme on l'a indiqué plus haut une rugosité intrinsèque accrue. Selon un autre exemple encore, on peut déposer directement une couche mince de SiC sur un support en saphir. L'homme du métier saura imaginer sans difficulté de nombreux autres exemples à la lumière de la description qui précède. La présente invention s'applique à la réalisation d'ensembles à bases de semi-conducteurs très divers et notamment, en sus de ceux cités plus, l'arséniure de gallium AsGa. REVENDICATIONS 1. Procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs comprenant une première couche telle qu'une couche support et une deuxième couche telle qu'une couche mince, pour des applications dans les domaines de l'électronique, de l'optoélectronique ou de l'optique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : - former sur l'une des deux couches seulement une couche d'interface, - mettre en contact la couche pourvue de la couche d'interface et l'autre couche nue, la couche d'interface étant choisie en fonction du matériau de la couche nue pour former une interface de collage démontable sous l'action de contraintes après exposition à des températures situées dans une gamme prédéterminée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche nue au moins est en carbure de silicium de préférence monocristallin. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche d'interface est réalisée en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium et le nitrure de silicium. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'une des couches constitue une couche germe pour la formation d'un substrat par croissance épitaxiale, et en ce que l'autre couche constitue une couche support temporaire pour la couche germe. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les contraintes sont des contraintes mécaniques. 6. Procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs, comprenant un support et une couche mince pour des applications dans les domaines électronique, optoélectronique ou optique, l'ensemble étant destiné à être soumis à des températures élevées dans une gamme donnée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de réalisation d'une interface démontable entre le support et la couche mince par mise en contact et adhésion moléculaire entre deux matériaux d'interface présentant une aptitude à réagir chimiquement l'un avec l'autre suffisamment faible pour que l'exposition de l'ensemble auxdites températures élevées après mise en contact réalise entre les deux matériaux d'interface un collage suffisamment faible pour qu'ils puissent être séparés par application de contraintes après ladite exposition. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la faible aptitude des matériaux d'interface à réagir chimiquement l'un avec l'autre résulte d'une faible affinité chimique mutuelle intrinsèque desdits matériaux d'interface. 8. Procédé selon l'une des revendications 6 et 7, caractérisé en ce que la faible aptitude des matériaux d'interface à réagir chimiquement l'un avec l'autre résulte d'une faible aptitude au fluage d'au moins l'un des deux matériaux d'interface. 9. Procédé selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que les deux matériaux d'interface sont différents. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deux matériaux d'interface différents sont constitués respectivement par le matériau d'une couche d'interface rapportée sur le support et directement par le matériau de la couche mince. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deux matériaux d'interface différents sont constitués respectivement par le matériau d'une couche d'interface rapportée sur la couche mince et directement par le matériau du support. 12. Procédé selon l'une des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que le matériau de la couche d'interface rapportée est choisi dans le groupe comprenant un oxyde de semi-conducteur et un nitrure de semi-conducteur, tandis que le matériau différent est un carbure de semi-conducteur. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le carbure de semi-conducteur est monocristallin. 14. Procédé selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que les deux matériaux d'interface sont des nitrures de semi-conducteur. 15. Procédé selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que les deux matériaux d'interface sont respectivement un nitrure de semi-conducteur et un oxyde de semi-conducteur. 16. Procédé selon l'une des revendications 12 à 15, caractérisé en ce que le semi-conducteur est du silicium. 17. Procédé selon l'une des revendications 6 à 16, caractérisé en ce qu'au moins l'un des matériaux d'interface est intrinsèquement rugueux. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le matériau d'interface intrinsèquement rugueux est constitué par le matériau du support lui-même. 19. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le matériau d'interface intrinsèquement rugueux est constitué par le matériau de la couche mince ellemême. 20. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que le matériau d'interface intrinsèquement rugueux est constituée par un dépôt de matériau d'interface sur une surface moins rugueuse. 21. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'ensemble comprend : - un substrat en carbure de silicium, - une couche utile en carbure de silicium, - une couche d'interface en un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde de silicium ou le nitrure de silicium, rapportée sur la face du substrat tournée vers la couche mince ou sur la face de la couche mince tournée vers le substrat. 22. Procédé de préparation d'un substrat pour la réalisation de composants optoélectroniques tels que des diodes électroluminescentes (LEDs), notamment des LEDs bleues, caractérisé en ce qu'il comprend la mise en #uvre du procédé selon l'une des revendications 6 à 21 pour obtenir un ensemble comprenant une couche mince sur un support, la réalisation d'un moins une couche de substrat par épitaxie sur la surface libre de la couche mince de l'ensemble, et la séparation de la couche mince munie de la ou des couches épitaxiées par rapport au support au niveau de l'interface de l'ensemble. 23. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la ou les couches épitaxiées sont réalisées en matériaux semi-conducteurs à base de nitrures métalliques semi-conducteurs. 24. Procédé de préparation d'un ensemble à base de semi-conducteurs, comprenant un support et une couche mince pour des applications dans les domaines électronique, optoélectronique ou optique, l'ensemble étant destiné à être soumis à des températures élevées dans une gamme donnée, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de réalisation d'une interface démontable entre le support et la couche mince par mise en contact et adhésion moléculaire entre deux surfaces généralement planes, au moins l'une des surfaces étant celle d'un matériau monocristallin dont un plan cristallographique principal présente une faible inclinaison par rapport au plan de ladite surface, ladite surface présentant ainsi une rugosité telle que l'exposition de l'ensemble auxdites températures élevées après mise en contact réalise entre les deux matériaux d'interface un collage suffisamment faible pour qu'ils puissent être séparés par application de contraintes après ladite exposition. 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que ladite faible inclinaison est comprise entre environ 3 et 8 .