Brevet FR2844648A1 — publié le 20040319

POMPE DE CHARGES A INJECTION DE CHARGES Domaine technique et art antérieur L'invention concerne une pompe de charges. Une pompe de charges est un dispositif électronique à transfert de charges permettant d'augmenter la valeur absolue d'un potentiel électrique. C'est un convertisseur continu-continu qui fournit une tension continue à partir d'une source basse tension continue commutée. Les pompes de charges sont utilisées dans des applications à faible puissance, typiquement inférieure à 1W. Elles se rencontrent, par exemple, dans les élévateurs de tension (doubleurs de tension, tripleurs 15 de tension, etc.), les inverseurs de tension à basse puissance, les blocs THT de télévision (10-20kV), les convertisseurs continu/continu en éléments discrets, les circuits intégrés pour téléphone mobile (circuits EEPROM (EEPROM pour " Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory ")), etc. Les convertisseurs électromagnétiques (transformateurs) les remplacent pour les puissances élevées, typiquement supérieures à 1W. Le schéma électrique de principe d'une pompe de 25 charges selon l'art connu est représenté en figure 1. Une pompe de charges comprend un interrupteur I commandé par un signal K et n cellules identiques en série. Le nombre n est ici égal à 5. De façon générale, le nombre n est typiquement inférieur ou égal à 10. 30 L'interrupteur I commute une tension d'alimentation continue Uo pour former une tension commutée Uc. Chaque cellule décale le potentiel électrique entre son entrée et sa sortie d'une valeur de tension d'amplitude égale, en première approximation, à la valeur absolue lUol de la tension d'alimentation Uo. Idéalement, la tension de sortie Us de la pompe de charges s'écrit Us = n x Uo Une cellule de rang i (i=l, 2,..., n) est constituée de deux commutateurs Dli et D2i et de deux capacités Cdi et Cmi, la capacité Cdi servant à décaler 10 la tension qui entre dans la cellule et la capacité Cmi servant à mémoriser cette tension. Chaque composant est soumis à une différence de potentiel égale au maximum à la tension d'alimentation Uo. Les commutateurs Dli et D2i sont généralement réalisés à l'aide de diodes. Les 15 diodes permettent avantageusement une simplicité de mise en òuvre car elles ne nécessitent pas de signal de commande. Selon certains modes de réalisation, toutefois, les commutateurs peuvent également être réalisés à l'aide d'interrupteurs. La figure 2 représente le schéma électrique réel de la pompe de charges dont le schéma de principe est donné en figure 1. Les capacités Cdi et Cmi de la cellule de rang i présentent les capacités parasites respectives Cqi et 25 Cpi. Les capacités parasites Cqi et Cpi provoquent une perte des charges transmises à la cellule. Cette perte de charges conduit à fortement limiter la tension délivrée en sortie de la pompe de charges. Comme cela a été mentionné ci-dessus, le nombre maximal de cellules 30 d'une pompe de charges selon l'art connu est typiquement inférieur ou égal à 10. Au-delà de 10 cellules, en effet, la perte de charges devient si importante qu'il n'est plus possible de concevoir une pompe de charges fonctionnant correctement. L'invention ne présente pas ces inconvénients. Exposé de l'invention En effet, l'invention concerne une pompe de charges comprenant un bloc de n cellules en série, chaque cellule comprenant une capacité de décalage 10 (Cdi) et une capacité de mémorisation (Cmi), la tension appliquée en entrée du bloc de n cellules étant une tension commutée (Uc) formée à partir d'une tension continue d'alimentation (Uo), la capacité de décalage (Cdi) présentant une capacité parasite de décalage 15 (Cpi) formée entre une première armature de la capacité de décalage et un conducteur de référence et la capacité de mémorisation (Cmi) présentant une capacité parasite de mémorisation (Cqi) formée entre une première armature de la capacité de mémorisation et le 20 conducteur de référence, les capacités parasites de décalage et de mémorisation conduisant à une perte de charges transmises à la cellule. Chaque cellule comprend des moyens d'injection de charges (Cdinji, Cminji), la quantité de charges injectées dans une 25 cellule permettant de compenser, de façon partielle ou totale, ou de sur-compenser la quantité de charges perdues par la cellule. Selon une première variante de l'invention, les moyens pour injecter des charges dans la cellule 30 comprennent une capacité d'injection formée par une première électrode placée au-dessus d'une deuxième armature de la capacité de mémorisation, une tension égale à l'inverse de la tension commutée est appliquée sur la première électrode et une tension égale à la tension commutée est appliquée sur le conducteur de référence. Selon une deuxième variante de l'invention, les moyens pour injecter des charges dans la cellule comprennent une capacité d'injection formée par une deuxième électrode placée au-dessus d'une deuxième 10 armature de la capacité de décalage, une tension égale à k fois la tension commutée étant appliquée sur la deuxième électrode, k étant un nombre réel supérieur à 1, et une tension comprise entre OV et n fois la tension d'alimentation étant appliquée sur le 15 conducteur de référence. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, la pompe de charges est réalisée en technologie silicium sur isolant, plus communément appelée technologie SOI (SOI pour " Silicon On 20 Insulator ") . Les capacités de décalage (Cdi) et de mémorisation (Cmi) sont alors réalisés sur une couche isolante qui est elle-même formée sur une tranche de silicium. Le conducteur de référence est alors constitué par la tranche de silicium qui est contact 25 avec le substrat isolant. Une pompe de charges selon l'invention permet avantageusement la réalisation de circuits électroniques de petites dimensions (typiquement quelques mm2) et de rendement énergétique élevé. 30 Brève description des figures D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel fait en référence aux figures jointes, parmi lesquelles: - la figure 1 représente un schéma électrique de principe d'une pompe de charges selon l'art antérieur; - la figure 2 représente le schéma électrique 10 réel de la pompe de charges dont le schéma électrique de principe est représenté en figure 1; - la figure 3 représente une capacité de décalage et une capacité de mémorisation d'une pompe de charges réalisée en technologie silicium sur isolant; - la figure 4 représente un élément de structure de pompe de charges réalisée en technologie silicium sur isolant selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 5 représente un schéma électrique 20 de pompe de charges selon le premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 6 représente un schéma électrique d'une mise en cascade de pompes de charges selon le premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 7 représente un schéma électrique de pompe de charges selon le premier mode de réalisation de l'invention, dans le cas o la tension continue à convertir est une tension négative; - la figure 8 représente un élément de 30 structure de pompe de charges réalisée en technologie silicium sur isolant selon un deuxième mode de réalisation de l'invention - la figure 9 représente un schéma électrique de pompe de charges selon le deuxième mode de réalisation de l'invention. Sur toutes les figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments. Description détaillée de modes de mise en oeuvre de l'invention Les figures 1 et 2 ont été décrites précédemment, il est donc inutile d'y revenir. La figure 3 représente une capacité de mémorisation Cmi et une capacité de décalage Cdi réalisées en technologie silicium sur isolant, plus 15 communément appelée technologie SOI pour " Silicon On Insulator ". La technologie silicium sur isolant conduit à la formation de composants par diffusion de matériaux dopés sur une tranche de silicium (communément appelée 20 " wafer "). Une diffusion de matériaux dopés est effectuée, par exemple, sur une épaisseur de lpm dans une tranche de silicium de 500am d'épaisseur. La partie active du composant se situe donc en surface de la tranche de silicium. Une couche isolante est intercalée 25 entre la partie active du composant et la partie épaisse de la tranche de silicium également appelée face arrière ou " backface ". En référence à la figure 3, les capacités Cmi et Cdi réalisées en technologie SOI sont placées sur 30 une couche isolante 2, elle-même placée sur une face arrière 1. La face arrière 1 est une zone conductrice dont le potentiel est généralement un potentiel de référence pour le circuit. Par construction, la réalisation des capacités de mémorisation Cmi et de décalage Cdi s'accompagne de la présence des capacités 5 parasites respectives Cpi et Cqi. La capacité parasite de mémorisation Cpi est formée par une armature de la capacité de mémorisation Cmi, la couche isolante 2 et la tranche de silicium 1. De même, la capacité parasite de décalage Cqi est formée par une armature de la 10 capacité de décalage Cdi, la couche isolante 2 et la tranche de silicium 1. La présence des capacités parasites Cpi et Cqi conduit à une perte des charges qui sont transmises à la cellule. Le phénomène de perte de charges, peu 15 important s'il y a peu de cellules, devient très préjudiciable quand le nombre de cellules augmente. Le rendement p qui mesure l'aptitude d'une cellule de capacité utile Cu à restituer des charges et que l'on définit, généralement, comme le rapport du 20 nombre de charges sortantes sur le nombre de charges entrantes dans la cellule s'écrit p = (l-Cp/Cu), o Cp est la capacité parasite associée à la capacité Cu, Cp ayant une valeur très inférieure à Cu. Le 25 rendement p est donc généralement inférieur à 1. La sensibilité du rendement de transfert vis-àvis de la capacité parasite s'écrit dp/dCp = -1/Cu Le principe de la pompe de charges, qui met en 30 série n cellules identiques, implique que la tension Ui fournie par la cellule de rang i est fonction de la tension Ui-1 de la cellule précédente de rang i-1, d'o l'expression: Ui = p x Ui-1 Pour multiplier n fois la tension d'alimentation Uo fournie à la première cellule dans une pompe de charges, n cellules en série sont nécessaires. La tension de sortie Us est alors la somme de toutes les tensions élémentaires, soit: Us=nUi, ou encore Us=p.Uo+p2.Uo+..+pn.Uo, ou encore Us=(p-pn+')/(1-p).Uo, et donc Us = x Uo La tension d'alimentation Uo est donc multipliée par le coefficient T tel que: s15 = (p _pn+')/(l-p), le coefficient n étant inférieur au nombre n de cellules. Il vient donc: Us tension d'alimentation. Pour une application haute tension devant délivrer, par exemple, une tension de 500V à partir 25 d'une tension d'alimentation Uo de 2,5V, 200 cellules sont théoriquement nécessaires. Les capacités parasites représentant environ 2% de la capacité utile, le rendement unitaire p s'écrit alors: p = 0,98 La valeur de la tension de sortie est alors Us telle que: Us = 48 x 2,5 V, soit Us = 120V, ce qui est très éloigné de la valeur voulue. Une pompe de charges selon l'art connu n'est donc pas apte à délivrer une tension élevée. Des modifications de la structure sont nécessaires. La figure 4 représente un premier type de modification de 10 structure de pompe de charges réalisée en technologie silicium sur isolant selon l'invention. Un écran métallique 3 (électrode) est placé audessus de la capacité mémoire Cmi, qui se trouve alors comprise entre l'écran métallique 3 et la face arrière 15 1. Une tension d'alimentation Ucinv égale à l'inverse de la tension commutée Uc est appliquée à l'écran métallique 3, alors que la tension commutée Uc est elle-même appliquée à la face arrière 1. L'écran 3 ainsi alimenté permet d'échanger des 20 charges avec la capacité Cmi. Cet échange de charges se traduit, entre l'électrode 3 et la capacité Cmi, par une injection de charges opposée à la perte de charges qui s'effectue entre la capacité Cmi et la face arrière. L'électrode 3 et l'armature de la capacité Cmi en regard de l'électrode 3 définissent une capacité d'injection Cminji. La quantité de charges injectées peut compenser partiellement ou totalement, voire surcompenser, la quantité de charges perdues. Une 30 compensation totale entre perte de charges et injection de charges est obtenue lorsque la condition suivante est réalisée Cminji = Cmi La figure 5 représente un schéma électrique 5 d'une pompe de charges selon le premier mode de réalisation de l'invention. Un inverseur Inv reçoit sur son entrée la tension commutée Uc et délivre une tension commutée inversée Ucinv. La tension commutée inversée Ucinv est appliquée sur les capacités 10 d'injection Cminji (i=l, 2,..., n) alors que la tension commutée Uc est appliquée sur la face arrière. La figure 6 représente un schéma électrique d'une mise en cascade de deux pompes de charges réalisées selon le premier mode de réalisation de 15 l'invention. Une première pompe de charges commute une première basse tension continue Uo et une deuxième pompe de charges commute une deuxième basse tension continue UM. La première pompe de charges délivre, par exemple, une tension continue Ux égale à 1000V et la 20 deuxième pompe de charges délivre une tension continue Uy égale à 500V. L'association des deux pompes de charges conduit alors à l'obtention d'une tension sensiblement égale à 1500V à partir de la tension Uo égale, par exemple, à 2,5V. La figure 7 représente un schéma électrique d'une pompe de charges selon le premier mode de réalisation de l'invention, dans le cas o la tension continue à convertir est une tension négative. La figure 8 représente un élément de structure 30 de pompe de charges réalisée en technologie silicium sur isolant selon un deuxième mode de réalisation de il l'invention. Un écran métallique 4 (électrode) est placé audessus de la capacité de décalage Cdi qui se trouve alors comprise entre l'écran métallique 4 et la face 5 arrière 1. Une tension d'alimentation Ua est appliquée à l'écran métallique 4 et une tension d'alimentation Ub est appliquée à la face arrière 1. La tension Ua est une tension égale à k fois la tension commutée Uc, k étant un nombre réel supérieur à 1. La tension Ua peut 10 ainsi, par exemple, être délivrée, à partir de la tension Uc, par un amplificateur de gain supérieur à 1 ou encore être une tension prise sur un noeud de l'une des cellules de la pompe de charges, k étant alors un entier supérieur ou égal à 2. La tension Ub est une 15 tension continue comprise entre OV et n x Uo. L'écran 4 ainsi alimenté permet alors d'échanger des charges avec la capacité Cdi. Cet échange de charges se traduit par une injection de charges, entre l'électrode 4 et la capacité Cdi, 20 opposée à la perte de charges entre la capacité Cdi et la face arrière. L'électrode 4 et l'armature de la capacité Cdi en regard de l'électrode 4 définissent une capacité d'injection Cdinji. Ici aussi, la quantité de charges 25 injectées peut compenser partiellement ou totalement la quantité de charges perdues. Une compensation totale entre perte de charges et injection de charges est obtenue lorsque la condition suivante est réalisée Cdinji = Cdi La figure 9 représente un exemple de schéma électrique d'une pompe de charges réalisée selon le deuxième mode de réalisation de l'invention. Un amplificateur A reçoit sur son entrée la tension commutée Uc et délivre une tension commutée amplifiée égale à k x Uc. La tension commutée amplifiée est 5 appliquée sur les capacités d'injection Cdinji (i=1, 2, n). Il a été mentionné plus haut que la quantité de charges injectées peut compenser partiellement ou totalement la quantité de charges perdues. 10 Avantageusement, quel que soit le mode de réalisation de l'invention, il est également possible de réaliser une surcompensation de la perte de charges par injection de plus de charges qu'il n'en est perdu, par exemple pour compenser les pertes par effet Joule. La 15 tension fournie en sortie de la pompe de charges peut alors être supérieure à n fois la tension d'alimentation Uo. Le rendement de transfert p s'écrit alors p = 1 -(Cp-ci)/Cu, o Ci représente la capacité d'injection (Cminji, Cdinji) et Cu la capacité parasite (Cpi, Cqi). Dans le cas o Ci = Cp (cas de la compensation totale), le rendement est égal à 1 et la tension de sortie Us s'écrit simplement Us = n x Uo De façon générale, selon l'invention, la tension Us peut avantageusement être ajustée par le seul dessin des couches technologiques de la capacité d'injection Ci (Cminji, Cdinji). Par ailleurs, supposons une erreur e sur une capacité d'injection Ci. Il vient donc: Ci = (1+s) x Cp La sensibilité du rendement de transfert visàvis de la capacité parasite s'écrit alors: dp / dCp = d(l-(Cp-Ci)/Cu) / dCp, soit d(l + (e.Cp)/Cu) / dCp = 2/Cu Il s'ensuit que la sensibilité du rendement d'une pompe de charges selon l'invention est avantageusement ú fois plus faible que la sensibilité d'une pompe de charges selon l'art antérieur. Cette 10 caractéristique présente avantageusement une incidence favorable sur le rendement énergétique global de la pompe de charges. REVENDICATIONS 1. Pompe de charges comprenant un bloc de n cellules en série, chaque cellule comprenant une 5 capacité de décalage (Cdi) et une capacité de mémorisation (Cmi), la tension appliquée en entrée du bloc de n cellules étant une tension commutée (Uc) formée à partir d'une tension continue d'alimentation (Uo), la capacité de décalage (Cdi) présentant une 10 capacité parasite de décalage (Cpi) formée entre une première armature de la capacité de décalage et un conducteur de référence et la capacité de mémorisation (Cmi) présentant une capacité parasite de mémorisation (Cqi) formée entre une première armature de la capacité 15 de mémorisation et le conducteur de référence, les capacités parasites de décalage et de mémorisation conduisant à une perte de charges transmises à la cellule, caractérisée en ce que chaque cellule comprend des moyens d'injection de charges (Cdinji, Cminji), la 20 quantité de charges injectées dans une cellule permettant de compenser, de façon partielle ou totale, ou de surcompenser la quantité de charges perdues par la cellule. 2. Pompe de charges selon la revendication 1, caractérisée en ce que les moyens pour injecter des charges dans la cellule comprennent une capacité d'injection (Cminji) formée une première électrode (3) placée au-dessus d'une deuxième armature de la capacité 30 de mémorisation (Cmi), en ce qu'une tension égale à l'inverse (Ucinv) de la tension commutée (Uc) est appliquée sur la première électrode (3) et en ce qu'une tension égale à la tension commutée (Uc) est appliquée sur le conducteur de référence. 3. Pompe de charges selon la revendication 2, caractérisée en ce qu'elle comprend un inverseur (Inv) dont l'entrée est reliée à la tension commutée (Uc) et dont la sortie est reliée à l'ensemble des premières électrodes (3) des n cellules. 4. Pompe de charges selon la revendication 1, caractérisée en ce que les moyens pour injecter des charges dans la cellule comprennent une capacité d'injection (Cdinji) formée par une deuxième électrode 15 (4) placée audessus d'une deuxième armature de la capacité de décalage (Cdi), en ce qu'une tension égale à k fois la tension commutée (Uc) est appliquée sur la deuxième électrode (4), k étant un nombre réel supérieur à 1, et en ce qu'une tension (Ub) comprise 20 entre OV et n fois la tension d'alimentation (Uo) est appliquée sur le conducteur de référence. 5. Pompe de charges selon la revendication 4, caractérisée en ce que les deuxièmes électrodes (4) des 25 n cellules sont reliées à un même noeud d'une cellule de la pompe de charges sur lequel est appliquée une tension égale à m fois la tension commutée (Uc), m étant un entier supérieur ou égal à 2. 6. Pompe de charges selon la revendication 4, caractérisée en ce qu'elle comprend un amplificateur (A) de gain supérieur à 1 dont l'entrée est reliée à la tension commutée (Uc) et dont la sortie est reliée à l'ensemble des deuxièmes électrodes des n cellules. 7. Pompe de charges selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisée en ce qu'elle est réalisée en technologie silicium sur isolant de sorte que les capacités de décalage (Cdi) et de mémorisation (Cmi) sont réalisées sur une couche 10 isolante (2) qui est formée sur une tranche de silicium (1) constituant le conducteur de référence, la capacité parasite de décalage (Cqi) étant formée par une armature de la capacité de décalage, la couche isolante (2) et la tranche de silicium (1) et la capacité 15 parasite de mémorisation (Cpi) étant formée par une armature de la capacité de mémorisation, la couche isolante (2) et la tranche de silicium (1).