Brevet FR2842045A1 — publié le 20040109

MODULE A SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne un modu le à semiconducteur comprenant un dispositif de commutation à semiconducteur. Dans l'industrie automobile, dans laquelle les problèmes d'envi5 ronnement sont devenus maintenant plus importants, on a développé une voiture hybride utilisant conjointement un moteur thermique et un moteur électrique en tant que source de propulsion, pour améliorer une consommation kilométrique et une caractéristique de gaz d'échappement. En outre, un changement d'un rapport de transmission a été amélioré par le passage à une boîte de vitesses à variation continue, pour fixer un point de fonctionnement du moteur à un endroit ayant une meilleure consommation kilométrique ou donnant une plus faible quantité de gaz d'échappement. Dans une telle voiture hybride ou dans un véhicule ayant la boîte de vitesses à variation continue, chaque point de fonctionnement d'un soussystème incorporé, par exemple un système de moteur thermique ou un système de transmission, est commandé de façon à produire une force de propulsion exigée pour le véhicule, et en particulier de façon à être placé au meilleur endroit auquel il est possible de réduire la con20 sommation d'énergie et une quantité de gaz d'échappement. Par dessus tout, dans la voiture hybride, un module à semiconducteur comprenant un dispositif de commutation à semiconducteur muni d'un élément de commutation à semiconducteur de puissance, tel qu'un transistor bipolaire à grille isolée (ou IGBT) ou un transistor MOS (qu'on appellera ci-après un "élément de commutation"), est utilisé pour entraîner un moteur électrique à un point de fonctionnement souhaitable. D'autre part, à titre d'exemple, la Demande de Brevet du Japon Ouverte à l'Examen du Public n0 2000-032608 a décrit un procédé pour prévoir un fonctionnement futur d'une voiture ainsi qu'un rendement énergétique instantané et pour faire fonctionner un moteur thermique à un point de fonctionnement ayant un rendement énergétique élevé dans un système global, afin de répondre à une réglementation stricte concernant la consommation kilométrique dans le futur. Dans un procédé de détermination du point de fonctionnement, un point de fonctionnement d'un moteur thermique est changé et le meilleur point de fonctionnement est mis en mémoire après approximations successives. Pour cette raison, une charge liée à un système hybride complet, tel qu'une température à l'ins10 tant considéré, un état de charge électrique, ou autres, doit être déterminée clairement afin de compenser une sélection du meilleur point de fonctionnement même si d'autres conditions sont supposées être identiques. Si un environnement externe est changé, par exemple si une charge électrique est augmentée ou diminuée en faisant fonctionner un soussystème tel qu'un climatiseur, une direction assistée électrique ou un toit ouvrant, ou si une caractéristique de pertes d'énergie de chaque sous-système est changée, le meilleur point de fonctionnement est changé dans un état de fonctionnement similaire du véhicule. Dans ce cas, il est plus souhaitable qu'un rendement énergétique de chaque sous20 système constituant un système soit enregistré en correspondance avec un environnement qui est changé momentanément, et qu'un rendement énergétique du système global soit déterminé sur la base de celui-ci, au lieu d'enregistrer le rendement énergétique seulement de manière globale pour le système, comme dans le procédé décrit dans la Demande de Bre25 vet du Japon Ouverte à l'Examen du Public n0 2000-032608. En d'autres termes, il est souhaitable d'employer un procédé d'enregistrement des pertes d'énergie de chaque sous-système constituant le système, en correspondance avec l'environnement qui est changé momentanément, et de déterminer les pertes d'énergie du système global sur la base de cellesci. D'autre part, comme décrit ci-dessus, le module à semiconducteur comprenant le dispositif de commutation à semiconducteur est utilisé pour commander un moteur électrique d'un système de moteur électrique ou d'un sous-système tel qu'un toit ouvrant dans une voiture hybride. Pour obtenir des pertes d'énergie d'un sous-système comprenant le module à semiconducteur en employant le procédé décrit ci-dessus, il est néces- saire de faire en sorte qu'un système externe au module à semiconducteur reconnaisse une valeur de pertes d'énergie du dispositif de commutation à semiconducteur utilisé à l'intérieur. Un but de la présente invention est de procurer une technique pour faire en sorte qu'un système externe reconnaisse des pertes d'énergie d'un dispositif de commutation à semiconducteur dans un module à semiconducteur comprenant le dispositif de commutation à semiconducteur. Conformément à la présente invention, un module à semiconducteur comprend un dispositif de commutation à semiconducteur, et émet vers l'extérieur, sous la forme d'un signal de données, des données de pertes indiquant des pertes d'énergie générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur. Un système externe peut reconnaître des pertes générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur. Ainsi, dans un système incluant le module à semiconducteur conforme à la présente invention, il est possible d'élaborer une stratégie de commande ayant le rendement énergétique le plus élevé dans le système global, sur la base des données de pertes obtenues à partir du module à semiconducteur et d'une valeur de pertes obtenue à partir d'un autre sous-système. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, La figure 2 est un schéma synoptique montrant une structure d'un système pour lequel le module à semiconducteur est employé, La figure 3 est un schéma de circuit montrant une structure d'un dispositif de commutation à semiconducteur, Les figures 4A à 4F sont des diagrammes temporels montrant une relation entre une tension et un courant d'un IGBT et un temps de fonctionnement, La figure 5 est un tableau montrant un candidat pour un point de fonctionnement déterminé par le système employant le module à semi- conducteur, La figure 6 est un diagramme agrandi montrant une partie A sur la figure 4D, La figure 7 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un second mode de réalisation de la présente invention, La figure 8 est un organigramme montrant un procédé d'émission de données du module à semiconducteur conforme au second mode de réalisation de la présente invention, La figure 9 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention, La figure 10 est un tableau montrant un exemple de données à enregistrer dans une section de mémoire du module à semiconducteur, La figure 11 est un schéma synoptique montrant une structure d'un dispositif de test pour enregistrer des données initiales dans la section de mémoire du module à semiconducteur, La figure 12 est un organigramme montrant un procédé d'émission de données du module à semiconducteur conforme au troisième mode de réalisation de la présente invention, La figure 13 est un tableau montrant un exemple des données initiales à enregistrer dans la section de mémoire du module à semiconducteur, La figure 14 est un schéma synoptique montrant une structure d'une variante du module à semiconducteur conforme au troisième mode de réalisation de la présente invention, La figure 15 est une représentation graphique montrant une relation entre des pertes d'énergie et une température, La figure 16 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention, Les figures 17 et 18 sont des tableaux montrant un exemple de données à enregistrer dans une section de mémoire du module à semiconducteur, La figure 19 est un organigramme montrant un procédé d'émis- sion de données du module à semiconducteur conforme au quatrième mode de réalisation de la présente invention, La figure 20 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un cinquième mode de réalisa5 tion de la présente invention, La figure 21 est un organigramme montrant un procédé d'émission de données du module à semiconducteur conforme au cinquième mode de réalisation de la présente invention, La figure 22 est un schéma synoptique montrant une structure d'une variante du module à semiconducteur conforme au cinquième mode de réalisation de la présente invention, La figure 23 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention, La figure 24 est un organigramme montrant un procédé d'émission de données du module à semiconducteur conforme au sixième mode de réalisation de la présente invention, et La figure 25 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un septième mode de réalisa20 tion de la présente invention. Premier Mode de Réalisation La figure 1 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 10 conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2 est un schéma synoptique montrant une structure conforme à un exemple d'un système 99 utilisant le module à semiconducteur 10 illustré sur la figure 1. Le système 99 représenté sur la figure 2 est un système de voiture hybride et il est constitué d'une section de commande principale 80 pour harmoniser le fonctionnement du système global, d'un système de moteur thermique 70, d'un système de moteur électrique 71, d'un système de transmission automatique (qu'on désigne ci-après par "TA") 72, d'un système de climatiseur 73 et d'un système de freinage 74. Divers signaux de capteurs tels qu'un signal de sortie d'un capteur d'accélérateur, qui n'est pas représenté, sont appliqués à la section de commande principale 80. La section de commande principale 80 dé- termine un point de fonctionnement du système global. Le système de moteur thermique 70 comprend un moteur thermique 89 et une section de commande de moteur thermique 81. La section de commande de moteur thermique 81 commande le fonctionnement du moteur thermique 89 et, en outre, elle obtient des pertes d'énergie dans le moteur 89. Le système de TA 72 comprend une TA 88 et une section de commande de TA 83. La section de commande de TA 83 commande le fonctionnement de la TA 88, et en outre elle obtient des pertes d'énergie dans la TA 88. Le système de climatiseur 73 comprend un climatiseur 87 et une section de commande de climatiseur 84. La section de commande de climatiseur 84 commande le fonctionnement du climatiseur 87, et en outre elle obtient des pertes d'énergie dans le climatiseur 87. Le système de freinage 74 comprend un mécanisme de freins 86 et une section de commande de mécanisme de freins 85. La section de commande de mécanisme de freins 85 commande le fonctionnement du mécanisme de freins 86, et en outre elle obtient des pertes d'énergie dans le mécanisme de freins 86. Le système de moteur électrique 71 comprend un moteur électrique 90, le module à semiconducteur 10 pour commander le fonctionnement du moteur électrique 90, et une section de commande de moteur électrique 82 pour commander le fonctionnement du module à semiconducteur 10. Dans certains cas, les "pertes d'énergie" seront appelées ci-après "pertes". Une roue motrice 91 est fixée sur un arbre moteur 92. Un couple est appliqué à l'arbre moteur 92 par le moteur thermique 89, le moteur électrique 90 et la TA 88, de façon à faire tourner la roue motrice 91. On décrira ensuite le module à semiconducteur 10 conforme à la présente invention. Comme représenté sur la figure 1, le module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation comprend un dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui a pour fonction de commander le fonctionnement du moteur électrique 90 et qui comporte une multiplicité d'éléments de commutation, une section de calcul de pertes 12 pour calculer des pertes dans le dispositif de commutation à semi- conducteur 11, une section de mesure de tension 13 et une section de mesure de courant 14, et ces composants sont logés dans un seul boîtier. La figure 3 est un schéma de circuit montrant un exemple d'une structure du dispositif de commutation à semiconducteur 11 dans le cas dans lequel un moteur à courant alternatif triphasé est employé pour le moteur électrique 90 et un IGBT est employé pour l'élément de commutation, à titre d'exemple. Comme représenté sur la figure 3, le dispositif de commutation à semiconducteur 11 est constitué par exemple d'un circuit onduleur triphasé. De façon plus spécifique, des éléments à semiconduc10 teur lc consistant en IGBT lia et en diodes llb connectées sur ceux-ci de manière antiparallèle, sont connectés les uns aux autres en série, en formant ce qu'on appellera un bras. Le dispositif de commutation à semiconducteur 11 comprend trois bras connectés en parallèle. Des bornes de sortie U, V et W sont connectées au moteur élec15 trique 90 et une tension prédéterminée est appliquée à des bornes d'entrée P et N à partir d'un circuit d'alimentation incorporé dans la section de commande de moteur électrique 82 représentée sur la figure 2. Chacune de bornes de commande GUP, GUN, GVP, GVN, GWP et GWN est commandée par la section de commande de moteur électrique 82 de façon que chacun des IGBT 1la soit ouvert/fermé. Il en résulte qu'une opération de rotation du moteur électrique 90 est commandée. Dans certains cas, les bornes de commande GUP, GUN, GVP, GVN, GWP et GWN seront appelées collectivement une "borne de commande CONT". La section de mesure de tension 13 comporte un capteur de tension 13a pour détecter une tension appliquée entre un émetteur et un collecteur de l'IGBT lia représenté sur la figure 3, et une section de calcul de tension 13b pour calculer une tension entre l'émetteur et le collecteur dans l'IGBT lia, sur la base d'un résultat de la détection. Le capteur de tension 13a est connecté entre la borne d'entrée P et chacune des bornes de sortie U, V et W, par exemple, et il est en outre connecté entre la borne d'entrée N et chacune des bornes de sortie U, V et W. La section de calcul de tension 13b filtre et amplifie un signal de sortie de chaque capteur de tension 13a pour calculer une tension de chaque IGBT lia et, en outre, elle effectue une conversion A/N et émet la tension calculée, sous la forme de données numériques, vers la section de calcul de pertes 12. En outre, la section de mesure de courant 14 comporte un capteur de courant 14a pour détecter un courant circulant entre l'émetteur et le collecteur dans l'IGBT lia, et une section de calcul de courant l4b pour calculer un courant entre l'émetteur et le collecteur dans l'IGBT lia, sur la base d'un résultat de la détection. Le capteur de courant 14a est connecté par exemple entre chacune des bornes de sortie U, V et W et le moteur électrique 90. La section de mesure de courant 14 filtre et amplifie un signal de sortie de chaque capteur de courant 14a pour obtenir un courant de l'IGBT lia, et en outre elle effectue une conversion A/N et émet le courant obtenu, en tant que données numériques, vers la section de calcul de pertes 12. Dans le cas o un transistor MOS est employé à la place de l'IGBT lia, une tension entre une source et un drain dans le transistor MOS est mesurée dans la section de mesure de tension 13 et un courant entre la source et le drain est mesuré dans la section de mesure de courant 14. La section de calcul de pertes 12 calcule des pertes générées dans chaque IGBT lia au même moment, sur la base de la tension mesurée par la section de mesure de tension 13 et du courant mesuré par la section de mesure de courant 14. Les pertes de chaque IGBT lia ainsi calculées sont sommées pour obtenir des pertes dans l'ensemble du dispositif de commutation à semiconducteur 11 au moment considéré. On décrira ci-dessous en détail un procédé pour calculer les pertes dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11. En premier lieu, une forme d'onde de tension et une forme d'onde de courant sont obtenues pour chaque IGBT lia, à partir de la tension et du courant qui sont mesurés, comme représenté sur les figures 4A à 4F, sur lesquelles un axe horizontal indique un temps de fonctionnement de l'IGBT lia et un axe vertical indique une tension et un courant de l'IGBT 1la. Les figures 4A à 4F montrent une forme d'onde pour l'IGBT 11a connecté à la borne GUP, une forme d'onde pour l'IGBT 11a connecté à la borne GVP, une forme d'onde pour l'IGBT I la connecté à la borne GWP, une forme d'onde pour l'IGBT l a connecté à la borne GUN, une forme d'onde pour l'IGBT lia connecté à la borne GVN et une forme d'onde pour l'IGBT lia connecté à la borne GWN, en succession à partir du haut de la feuille. En outre, la tension pour l'IGBT 1 la est représentée par une ligne en trait mixte et le courant pour l'IGBT lia est représenté par une ligne continue. Chaque fois que l'un quelconque des IGBT Ila effectue une opération de commutation, une énergie consommée par l'opération de commutation dans chaque IGBT lia à ce moment est obtenue. De façon plus spécifique, une région 60 illustrée sur chacune des figures 4A à 4F représente une énergie consommée dans l'opération de commutation de l'IGBT lia. La région 60 est obtenue dans chaque IGBT lia à partir de la forme d'onde de tension et de la forme d'onde de courant qui sont acquises. Par conséquent, on peut obtenir des pertes dans chaque IGBT lia dans l'opération de commutation. Par exemple, à un moment qui suit immédiatement un instant ti représenté sur les figures 4A à 4F, l'IGBT lia connecté à la borne GUP et l'IGBT lia connecté à la borne GVP accomplissent l'opération de commutation, et d'autres IGBT lia n'accomplissent pas l'opération de commutation. Par conséquent, les régions 60 représentées sur les figures 4A et 4B sont respectivement obtenues. En outre, à un moment qui suit immédiatement un instant t2, l'IGBT lia connecté à la borne GUN et l'IGBT lia connecté à la borne GWN accomplissent l'opération de commutation, et les autres IGBT lia n'accomplissent pas l'opération de commutation. Par conséquent, les régions 60 représentées sur les figures 4D et 4F sont respectivement obtenues. La région 60 représentée sur chacune des figures 4A à 4F est délimitée par une ligne 61 indiquant une descente de la forme d'onde de courant, une ligne 62 indiquant une montée de la forme d'onde de tension et une ligne droite 63 s'étendant dans la direction d'une base de temps de l'axe horizontal, indiquant une tension et un courant de zéro, ou bien elle est délimitée par une ligne 64 indiquant une montée de la forme d'onde de courant, une ligne 65 indiquant une descente de la forme d'onde de tension et la ligne droite 63. La section de calcul de pertes 12 fait la somme des pertes de chaque IGBT lia qui sont obtenues et calcule une puissance consommée par le dispositif de commutation à semiconducteur 11 au moment considéré. Par conséquent, des pertes de l'ensemble du dispositif de commuta35 tion à semiconducteur 11 sont obtenues sous la forme de données numé- riq ues. Ensuite, la section de calcul de pertes 12 convertit les données indiquant les pertes générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur Il (qu'on appellera ci-après "données de pertes") ainsi obte5 nues, sur la base d'une valeur représentée par le bit le moins significatif de données qui peuvent être traitées par la section de commande de moteur électrique 82, si nécessaire, et elle émet les données de pertes, sous la forme d'un signal de données, vers un système externe, c'est-à-dire la section de commande de moteur électrique 82 représentée sur la figure 2, conformément au premier mode de réalisation, chaque fois que l'IGBT 1la effectue l'opération de commutation. Dans cette description, le "système" fait référence à chacun des composants tels que la section de commande principale 80 et la section de commande de moteur électrique 82 qui constituent le système global, en plus du système global. Dans le cas o une valeur représentée par le bit le moins significatif des données de pertes ainsi obtenues est inférieure à la valeur représentée par le bit le moins significatif des données qui peuvent être traitées par la section de commande de moteur électrique 82, les données de pertes ainsi obtenues doivent être converties en données qui peuvent être traitées par la section de commande de moteur électrique 82. Par exemple, dans le cas o la valeur représentée par le bit le moins significatif des données de pertes ainsi obtenues est égale à 1/212 kW, et les données de pertes sont "110011010" en notation binaire, la valeur de pertes représentée par les données de pertes est approximati25 vement 0,1 kW. Lorsque la valeur représentée par le bit le moins significatif des données qui peuvent être traitées par la section de commande de moteur électrique 82 est 1/210 kW, la section de calcul de pertes 12 convertit les données de pertes de "110011010" en "01100110" en notation binaire, sur la base de la valeur représentée par le bit le moins signi30 ficatif. Par conséquent, les données de pertes sont converties en données qui peuvent être traitées par la section de commande de moteur 82. Ainsi, la section de calcul de pertes 12 convertit les données de pertes obtenues, si nécessaire, et émet les données de pertes sous la forme d'un signal de données vers la section de commande de moteur électrique 82 qui se trouve à l'extérieur du module à semiconducteur 10. 1 1 Ensuite, la section de commande de moteur électrique 82 reçoit le signal de données et enregistre les données de pertes du signal de données. On décrira ensuite le fonctionnement de la section de commande de moteur électrique 82. La section de commande de moteur élec5 trique 82 détermine une tension à appliquer au dispositif de commutation à semiconducteur 11 dans le module à semiconducteur 10 et un courant qui doit circuler vers celui-ci pour faire fonctionner le moteur électrique 90 à un point de fonctionnement déterminé par la section de commande principale 80, par un procédé qu'on décrira ci-dessous. De façon plus spécifi10 que, une tension à appliquer aux bornes d'entrée P et N du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et un courant qui doit circuler vers les bornes de sortie U, V et W sont déterminés de façon à faire fonctionner le moteur électrique 90 à une vitesse et un couple qui sont déterminés par la section de commande principale 80. La tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont ainsi déterminés par la section de commande de moteur 82 seront appelés respectivement une "tension de consigne" et un "courant de consigne". Ensuite, la section de commande de moteur électrique 82 applique une tension prédéterminée aux bornes d'entrée P et N du dispositif de commutation à semiconducteur 11, à partir d'un circuit d'alimentation incorporé (non représenté), sur la base de la tension de consigne et du courant de consigne qui sont déterminés, et elle fait en sorte que chaque IBGT lia accomplisse l'opération de commutation dans des conditions temporelles prédéterminées. Par conséquent, un couple prédéterminé et une vitesse prédéterminée sont générés dans le moteur électrique 90. Dans le cas o on doit faire fonctionner le moteur électrique 90 au même point de fonctionnement, il circule presque le même courant vers chacune des bornes de sortie U, V et W. La section de commande de moteur électrique 82 reçoit les don30 nées de pertes provenant du module à semiconducteur 10 et enregistre ensuite les données de pertes correspondant à la tension de consigne et au courant de consigne à ce moment. Ensuite, la section de commande principale 80 change le point de fonctionnement du moteur 90. Par conséquent, lorsque la tension de consigne ou le courant de consigne est changé, les données de pertes reçues après le changement sont nouvel- lement enregistrées en correspondance avec la tension de consigne et le courant de consigne. Par conséquent, les données de pertes correspondant à diverses tensions de consigne et divers courants de consigne sont enregistrées dans la section de commande de moteur électrique 82. On donnera ensuite une description d'un procédé de détermination d'un point de fonctionnement du système global 99 représenté sur la figure 2 qui comprend le module à semiconducteur 10 ayant la fonction qui consiste à émettre les données de pertes vers l'extérieur, comme décrit ci-dessus. La section de commande principale 80 reconnaît une ouverture de papillon d'accélérateur d'après un signal de capteur envoyé par un capteur d'accélérateur qui n'est pas représenté, et sur la base de celle-ci elle calcule un couple (qu'on appellera ci-après un "couple d'arbre moteur") devant être généré dans l'arbre moteur 92. Ensuite, la section de commande principale 80 détermine une multiplicité de candidats pour le point de fonctionnement du système global, sur la base du couple d'arbre moteur ainsi obtenu. De façon plus spécifique, la section de commande principale 80 détermine une multiplicité de combinaisons d'un point de fonctionnement du moteur thermique 89 qui est défini par un couple et un nombre de tours par minute, d'un point de fonctionnement du moteur électrique 90 qui est défini par un couple et un nombre de tours par minute, et d'un rapport de transmission de la TA 88, par exemple. A ce moment, si un climatiseur est utilisé, le candidat pour le point de fonctionnement est déterminé en prenant en considération le nombre de tours par minute dans un compresseur du climatiseur. La figure 5 montre un exemple du candidat pour le point de fonctionnement du système qui est déterminé par la section de commande principale 80. La figure 5 montre des points de fonctionnement 1 à 5 en tant que candidats pour le point de fonctionnement du système. Sur la figure 5, le candidat est proposé pour le point de fonctionnement dans un état dans lequel un frein n'est pas en fonction, c'est-à-dire que le mécanisme de freins 86 n'est pas actionné. La section de commande principale 80 détermine un point de fonctionnement ayant les plus petites pertes pour le système global, par- mi les candidats pour le point de fonctionnement qui sont déterminés. On donnera une description d'une opération du système 99 pour déterminer le point de fonctionnement ayant les plus petites pertes, parmi les points de fonctionnement 1 à 5 représentés sur la figure 5. En premier lieu, la section de commande principale 80 demande à la section de commande de moteur thermique 81 d'émettre des pertes dans le moteurthermique 89 dans le cas o le moteur thermique 89 fonctionne à une vitesse de moteur thermique (2000 t/rnin) et un couple de moteur thermique (60 N.m) au point de fonctionnement 1. La section de commande de moteur thermique 81 conserve en mémoire une valeur des pertes dans le moteur thermique 89 à divers points de fonctionnement, et elle émet vers la section de commande principale 80 une valeur de pertes correspondant à la vitesse de moteur thermique et au couple de moteur thermique au point de fonctionnement 1. La section de commande principale 80 enregistre la valeur des pertes ainsi reçue, correspondant à la vitesse de moteur thermique et au couple de moteur thermique au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, la valeur des pertes est par exemple de 10 kW, comme représenté sur la figure 5. Ensuite, la section de commande principale 80 demande à la section de commande de TA 83 d'émettre des pertes dans la TA 88 dans le cas o la TA 88 fonctionne à un rapport de transmission (1,84) au point de fonctionnement 1. La section de commande de TA 83 conserve en mémoire une valeur des pertes dans la TA 88 à divers points de fonction25 nement, et elle émet vers la section de commande principale 80 une valeur des pertes correspondant au rapport de transmission au point de fonctionnement 1. La section de commande principale 80 enregistre la valeur des pertes ainsi reçue, correspondant au rapport de transmission de la TA 88 au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, la valeur des pertes est par exemple de 8 kW, comme représenté sur la figure 5. Ensuite, la section de commande principale 80 demande à la section de commande de moteur électrique 82 d'émettre des pertes dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11 du module à semi- conducteur 10 dans le cas o le moteur électrique 90 fonctionne à une vitesse de moteur électrique (1000 t/min) et un couple de moteur électrique (10 N.m) au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, aucune perte n'est générée dans le moteur 90 lui-même. La section de commande de moteur 82 obtient une tension de consigne et un courant de consigne du dispositif de commutation à semiconducteur 11 dans le module à semiconducteur 10, sur la base de la vitesse de moteur électrique et du couple de moteur électrique au point de fonctionnement 1. Ensuite, la section de commande de moteur électrique 82 émet vers la section de commande principale 80 des données de pertes correspondant à la tension de consigne et au courant de consigne qui sont ainsi obtenus. Par conséquent, la section de commande principale 80 reçoit une valeur de pertes du module à semiconducteur 10 au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, la valeur des per15 tes est par exemple de 2 kW, comme représenté sur la figure 5. Ensuite, la section de commande principale 80 demande à la section de commande de climatiseur 84 d'émettre des pertes dans le climatiseur 87 dans le cas o le compresseur du climatiseur 87 fonctionne au nombre de tours par minute (1000 t/min) du point de fonctionnement 1. La section de commande de climatiseur 84 conserve en mémoire une valeur des pertes dans le climatiseur 87 à divers nombres de tours par minute du compresseur, et elle émet vers la section de commande principale une valeur de pertes correspondant au nombre de tours par minute au point de fonctionnement 1. La section de commande principale 80 enregistre la valeur des pertes ainsi reçue, correspondant au nombre de tours par minute du compresseur au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, la valeur des pertes est par exemple de 1 kW, comme représenté sur la figure 5. La section de commande principale 80 fait la somme des valeurs des pertes dans chaque sous-système qui sont obtenues comme décrit cidessus, pour acquérir ainsi une valeur de pertes du système global au point de fonctionnement 1. Dans le premier mode de réalisation, comme représenté sur la figure 5, la valeur des pertes du système global est de 21 kW. 1 5 La section de commande principale 80 calcule de la même manière une valeur des pertes du système à chacun des points de fonctionnement 2, 3, 4 et 5. Dans le premier mode de réalisation, on obtient respectivement des valeurs de 11,2 kW, 22,6 kW, 9,5 kW et 15 kW, comme représenté sur la figure 5. La section de commande principale 80 calcule la valeur des pertes à chacun des points de fonctionnement 1 à 4 et détermine, pour le point de fonctionnement du système 99, celui des points de fonctionnement qui a la valeur la plus faible. Dans le premier mode de réalisation, la valeur des pertes au point de fonctionnement 4 est 9,5 kW, qui est la plus faible parmi les candidats. Il est donc déterminé de faire fonctionner le système 99 au point de fonctionnement 4. Par conséquent, il est possible d'élaborer une stratégie de commande ayant le rendement énergétique le plus élevé dans le système global. La section de commande principale 80 détermine le point de fonctionnement et fait ensuite fonctionner chaque sous-système sur la base de celui-ci. De façon plus spécifique, la section de commande principale 80 notifie à la section de commande de moteur thermique 81 le point de fonctionnement du moteur thermique (la vitesse de moteur ther20 mique et le couple de moteur thermique) correspondant au point de fonctionnement 4, et la section de commande de moteur thermique 81 fait fonctionner le moteur thermique 89 à ce point de fonctionnement. En outre, la section de commande principale 80 notifie à la section de commande de moteur électrique 82 le point de fonctionnement du moteur électrique (la vitesse de moteur électrique et le couple de moteur électrique) correspondant au point de fonctionnement 4, et la section de commande de moteur électrique 82 fait fonctionner le moteur électrique 90 à ce point de fonctionnement. En outre, la section de commande principale notifie à la section de commande de TA 83 un rapport de transmission de la TA 88 au point de fonctionnement 4, et la section de commande de TA 83 fait fonctionner la TA 88 à ce rapport de transmission. Ensuite, la section de commande principale 80 notifie à la section de commande de climatiseur 84 le nombre de tours par minute du compresseur du climatiseur 87 au point de fonctionnement 4, et la section de commande de clima35 tiseur 84 fait fonctionner le compresseur à ce nombre de tours par minute. 1 6 Comme décrit ci-dessus, dans le module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, les données de pertes indiquant les pertes qui sont générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11 sont émises vers l'extérieur. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82, qui est un système placé à l'extérieur du module à semiconducteur 10, peut reconnaître les pertes dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11. Par conséquent, dans le système 90 conforme au premier mode de réalisation, il est possible d'élaborer une stratégie de commande ayant le rendement énergétique le plus élevé dans le système global, sur la base des données de pertes obtenues à partir du module à semiconducteur 10 et des valeurs des pertes obtenues à partir des autres sous-systèmes dans le système comprenant le module à semiconducteur 10. En outre, dans le module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, la tension et le courant de l'IGBT lia sont mesurés à l'intérieur du module à semiconducteur 10. A la différence du module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, dans certains cas dans lesquels la section de mesure de tension 13 et la section de mesure de courant 14 se trouvent à l'extérieur du module à semiconducteur 10, il est impossible de mesurer de manière exacte la tension et le courant de l'IGBT 1la, du fait de l'influence d'une impédance d'une borne de connexion pour établir une connexion vers l'extérieur, qui est incorporée dans un boîtier du module à semiconducteur 10, ou autres. Cependant, la section de mesure de tension 13 et la section de mesure de courant 14 sont placées à l'intérieur du module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation. Il est donc possible de mesurer avec exactitude la tension et le courant de l'IGBT lia, sans l'influence décrite ci-dessus. Il en résulte qu'il est possible de fournir au système externe des données de pertes ayant une précision élevée. En ou30 tre, le module à semiconducteur 10 est modularisé. Par conséquent, également dans le cas o une défaillance se produit dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11, un échange peut aisément être effectué. Bien que les régions 60 représentées sur les figures 4A à 4F soient obtenues conformément à un procédé spécifique pour acquérir les pertes de l'IGBT lia dans le premier mode de réalisation, les pertes peu- vent être obtenues par un autre procédé. Par exemple, la section de calcul de pertes 12 calcule un temps de montée tl d'un courant et un temps de descente t2 d'une tension dans une opération de déblocage de l'IGBT 1la, représentée sur la figure 6, à partir de la forme d'onde de tension et de la forme d'onde de courant qui sont obtenues. Le temps de montée tl du courant est pris pour un changement dans un courant circulant entre un émetteur et un collecteur de l'IGBT lia à partir de 10% d'une valeur maximale jusqu'à 90% de celle-ci, par exemple. En outre, le temps de descente t2 de la tension est pris pour un changement dans une tension appliquée entre l'émetteur et le collecteur de l'IGBT lia à partir de 90% d'une valeur maximale jusqu'à 10% de celle-ci, par exemple. Des pertes générées dans l'opération d'ouverture de l'IGBT lia sont presque déterminées par le temps de montée ti du courant et le temps de descente t2 de la tension. Par conséquent, on considère une multiplicité de jeux du temps de montée tl du courant et de temps de descente t2 de la tension, et on pré-enregistre dans la section de calcul de pertes 12 une valeur de pertes correspondant à chaque jeu. Il est donc possible d'obtenir des pertes générées dans une opération de déblocage de l'IGBT 1la sur la base du temps de montée tl du courant et du temps de descente t2 de la tension qui sont acquis. La figure 6 est un diagramme agrandi montrant une partie A de la figure 4D, dans lequel la région 60 n'est pas représentée. De façon similaire, la section de calcul de pertes 12 calcule un temps de descente d'un courant et un temps de montée d'une tension dans l'opération de blocage de l'IGBT lia à partir de la forme d'onde de tension et de la forme d'onde de courant qui sont obtenues. Le temps de descente du courant est pris pour un changement dans le courant circulant entre l'émetteur et le collecteur de l'IGBT 1la à partir de 90% de la valeur maximale jusqu'à 10% de celle-ci, par exemple. En outre, le temps de montée de la tension est pris pour un changement dans la tension appliquée entre l'émetteur et le collecteur de l'IGBT lia à partir de 10% de la valeur maximale jusqu'à 90% de celle-ci, par exemple. Des pertes générées dans l'opération de fermeture de l'IGBT lia sont presque déterminées par le temps de descente du courant et le temps de montée de la tension. Par conséquent, on. considère une multi- plicité de jeux du temps de descente du courant et du temps de montée de la tension et on pré-enregistre dans la section de calcul de pertes 12 une valeur de pertes correspondant à chaque jeu. Il est donc possible d'obtenir des pertes générées dans l'opération de fermeture de l'IGBT 1la à partir du temps de descente du courant et du temps de montée de la tension qui sont acquis. Il est également possible d'obtenir les pertes de l'ensemble du dispositif de commutation à semiconducteur 11 cornme décrit ci-dessus, sur la base des pertes dans les opérations d'ouverture et de fermeture de l'IGBT 1 la qui sont ainsi acquises. Second Mode de Réalisation La figure 7 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 15 conforme à un second mode de réalisation. Le module à semiconducteur 15 conforme au second mode de réali15 sation comprend en outre une section de commande d'émission de données 16, à l'intérieur du module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation décrit ci-dessus, et il a une fonction consistant à émettre vers l'extérieur, par l'intermédiaire de la section de commande d'émission de données 16, les données de pertes obtenues par une sec20 tion de calcul de pertes 12. Dans le second mode de réalisation, le module à semiconducteur 15 représenté sur la figure 7 est employé à la place du module à semiconducteur 10 dans le système 99 décrit cidessus. La section de commande d'émission de données 16 comprend un tampon qui n'est pas représenté, et elle a une fonction consistant à écrire dans le tampon les données de pertes émises par la section de calcul de pertes 12. Chaque fois que les données de pertes sont reçues à partir de la section de calcul de pertes 12, les données de pertes dans le tampon sont actualisées. En outre, la section de commande d'émission de données 16 communique avec une section de commande de moteur électrique 82 placée à l'extérieur du module à semiconducteur 15, pour commander ainsi l'émission vers l'extérieur des données de pertes dans le tampon. Du fait que d'autres structures sont les mêmes que celles du module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, leur description sera omise. 1 9 La figure 8 est un organigramme montrant un procédé d'émission de données du module à semiconducteur 15, et est de façon plus spécifique un organigramme montrant une opération du module à semiconducteur 15 qui doit être accomplie pour émettre les données de pertes vers l'extérieur. On décrira ci-dessous en référence à la figure 8 l'opération du module à semiconducteur 15 qui doit être accomplie pour émettre les données de pertes vers l'extérieur. Comme représenté sur la figure 8, lorsque la section de commande d'émission de données 16 reçoit un signal de demande de données indiquant une demande d'émission de données de pertes à partir de la section de commande de moteur électrique 82, à une étape slO, elle émet les données de pertes écrites dans le tampon incorporé dans la section de commande de moteur électrique 82, à une étape s11. Par conséquent, dans le module à semiconducteur 15 conforme au second mode de réalisation, les données de pertes sont émises en réponse à une demande de la section de commande de moteur électrique 82 qui est un système externe. Dans le premier mode de réalisation, les données de pertes sont émises vers la section de commande de moteur électrique 82 dans les conditions temporelles déterminées du côté du module à semiconducteur , indépendamment de la situation de fonctionnement de la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, les données de pertes sont appliquées à la section de commande de moteur électrique 82 indépendamment de la situation de fonctionnement de celle-ci. Par consé25 quent, dans le cas o le module à semiconducteur 10 émet fréquemment les données de pertes, une ligne de communication entre le module à semiconducteur 10 et la section de commande de moteur électrique 82 est surchargée. Dans le premier mode de réalisation, lorsque le point de fonc30 tionnement du moteur n'est pas changé pendant une longue durée, la section de commande de moteur électrique 82 reçoit fréquemment, à partir du module à semiconducteur 10, les données de pertes concernant le même point de fonctionnement, bien qu'elle ait déjà stocké les données de pertes relatives au même point de fonctionnement. Pour cette raison, il est nécessaire de traiter des données de pertes inutiles, et du temps est consommé dans certains cas pour un traitement inutile. Dans le dispositif à semiconducteur 15 du second mode de réalisation, les données de pertes sont émises vers l'extérieur en réponse à la demande de la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 peut recevoir les données de pertes provenant du module à semiconducteur 15 conformément à sa propre situation de fonctionnement. Il en résulte que la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur 15 avec une charge de communication ap10 propriée. En outre, il n'est pas nécessaire de traiter les données de pertes inutiles. Un traitement dépourvu d'utilité peut donc être réduit. Troisième Mode de Réalisation La figure 9 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 20 conforme à un troisième mode de réali15 sation. Comme représenté sur la figure 9, le module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisation comprend le dispositif de commutation à semiconducteur 11 incorporé dans le module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, une section de mémoire 21 pour enregistrer des données de pertes, et une section de commande d'émission de données 22 pour communiquer avec une section de commande de moteur électrique 82 et pour commander une émission des données de pertes vers l'extérieur. Ces composants sont logés dans un seul boîtier. Dans le troisième mode de réalisation, le module à semiconducteur 20 représenté sur la figure 9 est employé à la place du module à semiconducteur 10 dans le système 99 décrit ci-dessus. La section de mémoire 21 est constituée par exemple d'une mémoire vive ou RAM, et elle pré-enregistre une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11, telle qu'une tension à appliquer au dispositif de commutation à semiconducteur 11, ou un courant devant circuler vers celui-ci, ou autres, et des données de pertes en correspondance mutuelle. De telles données sont stockées dans la section de mémoire 21 à l'étape d'inspection avant expédition, dans un processus pour fabriquer le module à semiconducteur 20, par exemple. Dans certains cas, des données pré-enregistrées dans la section de mémoire, comme les données de pertes et la valeur caractéristique du dispositif de commu- tation à semiconducteur 11, seront appelées ci-après "données initiales". La figure 10 est un tableau montrant un exemple des données initiales enregistrées dans la section de mémoire 21. Comme représenté sur la figure 10, la section de mémoire 21 enregistre un tableau constitué des données de pertes et des valeurs caractéristiques telles que la tension, le courant et autres, dans le dispositif de commutation à semiconducteur avec lequel des pertes indiquées par les données de pertes sont générées. Les tensions Vi à V3 sur la figure 10 représentent une partie des tensions du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont enregistrées dans la section de mémoire 21 et doivent être appliquées aux bornes d'entrée P et N du dispositif de commutation à semiconducteur 11. En outre, les courants Il à 13 représentent une partie des courants du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont enregistrés dans la section de mémoire 21 et doivent circuler vers les bornes de sortie U, V et W du dispositif de commutation à semiconducteur 11. La tension VI et le courant Il représentent la tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 avec lesquels des pertes indiquées par les données de pertes Dl sont générées. La tension Vi, le courant Il et les données de pertes Dl sont enregistrés dans la section de mémoire 21 en correspondance mutuelle. De façon similaire, la tension V2 et le courant 12 représentent la tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 avec lesquels des pertes indiquées par les données de pertes D2 sont générées, et la tension V3 et le courant 13 représentent la tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 avec lesquels des pertes indiquées par les données de pertes D3 sont générées. La tension V2, le courant 12 et les données de pertes D2 sont enregistrés dans la section de mémoire 21 en correspondance mutuelle, et la tension V3, le courant 13 et les données de pertes D3 sont enregis30 trés dans la section de mémoire 21 en correspondance mutuelle. La figure 11 est un schéma synoptique montrant une structure d'un dispositif de test 97 qui est utilisé pour enregistrer les données initiales dans la section de mémoire 21. A l'étape d'inspection avant expédition du module à semiconducteur 20, le dispositif de test 97 représenté sur la figure 11 est préparé pour écrire les données initiales dans la sec- tion de mémoire 21. Le dispositif de test 97 comprend une section de calcul de pertes 95, une section de mesure de tension 93 ayant un capteur de tension 93a et une section de calcul de tension 93b, une section de mesure de courant 94 ayant un capteur de courant 94a et une section de calcul de courant 94b, et une section de commande 96. Pour enregistrer les données initiales dans la section de mémoire 21, la section de calcul de pertes 95 est connectée à la section de mémoire 21 du module à semiconducteur 20, et la section de mesure de tension 93, la section de me10 sure de courant 94 et la section de commande 96 sont connectées au dispositif de commutation à semiconducteur 11. Ensuite, un moteur électrique 90 est connecté au dispositif de commutation à semiconducteur 11 par l'intermédiaire du capteur de courant 94a de la section de mesure de courant 94. En prenant à titre d'exemple les données initiales représen15 tées sur la figure 10, on décrira ci-dessous une procédure pour écrire les données initiales dans la section de mémoire 21 en utilisant le dispositif de test 97. Du fait qu'un procédé d'obtention des données de pertes est le même que celui décrit dans le premier mode de réalisation, des parties répétitives du contenu présenté ci-dessus seront décrites brièvement. En premier lieu, la section de commande 96 applique la tension Vi aux bornes d'entrée P et N du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Ensuite, la section de commande 96 applique une tension prédéterminée à une borne de commande CONT pour commander une opération de commutation de chaque IGBT lia du dispositif de commuta25 tion à semiconducteur 11, et elle fait circuler le courant Il vers les bornes de sortie U, V et W. Ensuite, la section de commande 96 notifie à la section de calcul de pertes 95 l'information concernant la tension VI et le courant Il fixés au moment présent. Ensuite, la section de mesure de courant 94 mesure un courant circulant entre un émetteur et un collecteur de chaque IGBT lia dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11, au moyen du capteur de courant 94a et de la section de calcul de courant 94b. En même temps, la section de mesure de tension 93 mesure une tension entre l'émetteur et le collecteur de chaque IGBT lia au moyen du capteur de tension 93a et de la section de calcul de tension 93b. La section de calcul de pertes 95 calcule des pertes générées dans chaque IGBT 1la sur la base de la tension mesurée par la section de mesure de tension 93 et du courant mesuré par la section de mesure de courant 94. Ensuite, les pertes de chaque IGBT I la ainsi obtenues sont additionnées de façon à acquérir les données de pertes Dl indiquant les pertes du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Ensuite, la section de calcul de pertes 95 enregistre, dans la section de mémoire 21, les données de pertes Dl ainsi obtenues, la tension Vl et le courant Il en correspondance mutuelle. Dans le premier mode de réalisation décrit ci-dessus, chaque fois que l'un quelconque des IGBT lia effectue l'opération de commutation, les données de pertes sont obtenues. Ici, seules les données de pertes obtenues initialement sont enregistrées dans la section de mémoire 21, par exemple. Ensuite, la section de commande 96 change une tension appli15 quée au dispositif de commutation à semiconducteur 11 pour la faire passer de la tension VI à la tension V2. Ensuite, la section de commande 96 applique une tension prédéterminée à la borne de commande CONT pour commander l'opération de commutation de chaque IGBT lia du dispositif de commutation à semiconducteur 11, et elle fait circuler le courant 12 vers les bornes de sortie U, V et W. De la même manière que dans le cas dans lequel les données de pertes Dl sont obtenues, la section de commande 96 acquiert ensuite les données de pertes D2 à ce moment. Ensuite, la section de commande 96 enregistre dans la section de mémoire 21 la tension V2, le courant 12 et les données de pertes D2 en correspon25 dance mutuelle. Ensuite, la section de commande 96 change une tension appliquée au dispositif de commutation à semiconducteur 11 pour la faire passer de la tension V2 à la tension V3, pour commander l'opération de commutation de chaque IGBT1 1a, et elle fait circuler le courant 13 vers les bornes de sortie U, V et W. De la même manière que dans le cas dans lequel les données de pertes Dl et D2 sont obtenues, la section de commande 96 acquiert les données de pertes D3 à ce moment. Ensuite, la section de commande 96 enregistre dans la section de mémoire 21 la tension V3, le courant 13 et les données de pertes D3 en correspondance mutuelle. Les données initiales sont ainsi pré-enregistrées dans la section de mémoire 21. On décrira ensuite en référence à la figure 12 une opération du module à semiconducteur 20 devant être effectuée pour émettre vers l'ex5 térieur les données de pertes. Comme représenté sur la figure 12, la section de commande d'émission de données 22 reçoit à partir de la section de commande de moteur électrique 82, à une étape s21, un signal de demande de données indiquant une demande d'émission de données de pertes. Le signal de demande de données contient également une informa10 tion concernant la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur correspondant aux données de pertes dont l'émission par le module à semiconducteur 21 est désirée par la section de commande de moteur électrique 82. Dans le premier mode de réalisation, la section de commande de moteur électrique 82 enregistre, dans sa propre zone de mémoire, les données de pertes correspondant à une tension de consigne et un courant de consigne. Dans le second mode de réalisation, la section de mémoire 21 pré-enregistre les données de pertes correspondant à la tension et au courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 émet un signal de demande de données pour donner au module à semiconducteur une demande d'émission des données de pertes correspondant à une tension de consigne et un courant de consigne qui sont obtenus si nécessaire, plus précisément lorsqu'une demande est faite par une section de commande principale 80. Ensuite, à une étape s22, la section de commande d'émission de données 22 reconnaît la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur incluse dans le signal de demande de données qui est ainsi reçu. Ici, la valeur caractéristique est représentée par exemple par la tension VI et le courant Il. Ensuite, la section de commande d'émission de données 22 lit les données de pertes Dl correspondant à la tension Vl et au courant 11, dans lasection de mémoire 21, à une étape s23, et elle émet les données de pertes Dl vers la section de commande de moteur électrique 82 à une étape s24. A la réception des données de pertes Dl, la section de com35 mande de moteur électrique 82 émet les données de pertes Dl vers la section de commande principale 80. Par conséquent, les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur qui sont exigées par la section de commande de moteur électrique 82 sont émises par la section de mémoire 21 vers la section de commande de moteur électrique 82. Comme décrit ci-dessus, le module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisation comprend la section de mémoire 21 pour enregistrer le dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes en correspondance mutuelle. Par conséquent, à la différence des modules à semiconducteur 10 et 15 conformes au premier et second modes de réalisation, il n'est pas nécessaire de calculer plusieurs fois les données de pertes correspondant à la même valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11. De ce fait, il est possible de réduire davantage un temps de traitement pour les données de pertes, par rapport à ce qui est possible dans chacun des modules à semiconducteur 10 et 15. En outre, les données de pertes sont émises en réponse à la demande qui est présentée par la section de commande de moteur élec20 trique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 peut recevoir les données de pertes provenant du module à semiconducteur 20 conformément à sa propre condition de fonctionnement. Il en résulte que, de la même manière que dans le module à semiconducteur 15 décrit ci- dessus, la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur 20 avec une charge de communication appropriée. En outre, le module à semiconducteur 20 émet les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont exigées par la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 n'a pas besoin de traiter des données de pertes inutiles, ce qui permet de réduire un traitement inutile. En outre, dans le troisième mode de réalisation, le dispositif de commutation à semiconducteur Il et la section de mémoire 21 enregis35 trant les données de pertes indiquant des pertes, sont incorporés à l'inté- rieur du module à semiconducteur 20. Par exemple, dans le cas o la section de mémoire 21 est incorporée dans un système se trouvant à l'extérieur du module à semiconducteur 20, c'est-à-dire qu'elle est incorporée dans la section de commande de moteur électrique 82, et une défaillance se produit dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11, ce qui fait que le module à semiconducteur 20 est échangé, des données de pertes correspondant au dispositif de commutation à semiconducteur 11 avant l'échange doivent être réécrites sous la forme de données de pertes correspondant au dispositif de commutation à semiconducteur 11 après l'échange, du fait que les données de pertes avant l'échange sont enregistrées dans la section de mémoire 21 de la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, dans un tel cas, l'échange du module à semiconducteur 20 prend une longue durée. Cependant, le dispositif de commutation à semiconducteur 11 et la section de mémoire 21 sont incorporés sous la forme d'une paire dans le module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisation. De ce fait, une longue durée n'est pas nécessaire pour échanger le module à semiconducteur 20, à la différence de ce qui précède. Par conséquent, il est possible d'échanger aisément le module à semiconducteur 20. Bien que la section de mémoire 21 enregistre les données de pertes et la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 en correspondance mutuelle dans le troisième mode de réalisation, les données de pertes et une valeur caractéristique d'une charge du dispositif de commutation à semiconducteur peuvent être enre25 gistrées en correspondance mutuelle. La figure 13 est un tableau montrant un autre exemple des données initiales enregistrées dans la section de mémoire 21. Des couples de moteur électrique Tl à T3 sur la figure 13 sont une partie de couples de moteur électrique enregistrés dans la section de mémoire 21, qui sont gé30 nérés dans le moteur électrique 90 qui est destiné à être une charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11. La section de mémoire 21 enregistre une table constituée des données de pertes et d'un couple de moteur électrique qui est généré lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont produites. Le couple de moteur électrique Tl sur la figure 13 est généré dans le moteur électrique 90 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes Dl sont produites, et la section de mémoire 21 enregistre le couple de moteur électrique Tl et les données de pertes Dl en correspondance mutuelle. De façon similaire, le couple de moteur électrique T2 est généré dans le moteur électrique 90 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes D2 sont produites, et le couple de moteur électrique T3 est généré dans le moteur électrique 90 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes D3 sont produites. La section de mémoire 21 enregistre le couple T2 et les données de pertes D2 en corres10 pondance mutuelle, et le couple T3 et les données de pertes D3 en correspondance mutuelle. Le couple de moteur électrique a une relation de proportionnalité avec un courant circulant vers le dispositif de commutation à semiconducteur 11, plus précisément un courant circulant vers les bornes de sortie U, V et W, et il peut être obtenu à partir du courant. Par conséquent, le couple de moteur électrique est calculé à partir d'un courant reçu de la section de mesure de courant 94 par la section de calcul de pertes 95 dans le dispositif de test 97 sur la figure 11, et la section de mémoire 21 enregistre en correspondance mutuelle les données de pertes et le couple de moteur électrique qui sont obtenus. Par conséquent, les données initiales représentées sur la figure 13 peuvent être enregistrées dans la section de mémoire 21. En outre, une autre valeur caractéristique du moteur électrique , par exemple un courant de moteur électrique, peut être calculée à la place du couple de moteur électrique, par la section de calcul de pertes dans le dispositif de test 97, et les données de pertes et le courant de moteur électrique peuvent être enregistrés en correspondance mutuelle dans la section de mémoire 21. Le courant de moteur électrique peut être obtenu sous la forme d'une valeur effective du courant circulant vers le dispositif de commutation à semiconducteur Il. Une relation pour calculer le courant de moteur électrique est la suivante. lm = -3/2.ls = Iscos (D t Dans la relation, "Is" représente une valeur maximale du courant circulant vers le dispositif de commutation à semiconducteur 11, "O" représente une pulsation et "lm" représente un courant de moteur électrique. En utilisant la relation décrite ci-dessus, la section de calcul de pertes 95 peut calculer le courant de moteur électrique à partir d'un cou5 rant mesuré par la section de mesure de courant 94. Ainsi, la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes sont enregistrées en correspondance mutuelle dans la section de mémoire 21. Par conséquent, il est possible d'obtenir un module à semiconducteur approprié pour un système fixant à titre d'objectifs de commande la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11. A titre d'exemple du cas dans lequel la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est fixée pour les objectifs de commande, on envisagera le cas dans lequel la section de commande principale 80 dans le système 99 détermine un point de fonctionnement du moteur 90 seulement par une valeur du couple de moteur électrique. Si le couple de moteur électrique et les données de pertes sont enregistrés en correspondance mutuelle dans la section de mémoire 21, la section de commande de moteur électrique 82 peut reconnaître ins20 tantanément des données de pertes correspondant à une valeur d'un candidat pour le couple de moteur électrique déterminé par la section de commande principale 80. * D'autre part, dans le cas o une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes sont enregistrés en correspondance mutuelle dans la section de mémoire 21, il est nécessaire d'obtenir une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur Il qui sont exigés pour générer le couple de moteur électrique déterminé par la section de commande principale 80, à partir de la valeur du candidat pour le même couple de moteur électrique, afin de reconnaître des pertes dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11. Pour cette raison, un temps est exigé pour reconnaître des données de pertes correspondant au couple de moteur électrique. Par conséquent, la section de mémoire 21 enregistre en correspondance mutuelle la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes, de façon à pouvoir obtenir les effets décrits ci-dessus. La figure 12 est un organigramme montrant le fonctionnement du module à semiconducteur 20 comprenant la section de mémoire 21 qui enregistre en correspondance mutuelle la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes, comme décrit ci-dessus, indiquant le fonctionnement du module à semiconducteur 20, pour émettre des données de pertes vers l'extérieur. Comme représenté sur la figure 12, en premier lieu l'étape s21 est exécutée. On suppose que le signal de demande de données contient une information concernant la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur correspondant à des données de pertes dont l'émission à partir du module à semiconducteur 20 est désirée par la section de commande de moteur électrique 82, à la place de la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Ensuite, à l'étape s22, la section de commande d'émission de données 22 reconnaît la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur qui est incluse dans le signal de demande de données ainsi reçu. Ensuite, la section de commande d'émission de données 22 lit des données de pertes correspondant à la valeur caractéristique de la charge ainsi reconnue, à l'étape s23, et elle émet les données de pertes vers la section de commande de moteur électrique 82 à l'étape s24. La section de commande de moteur électrique 82 recevant les données de pertes émet les mêmes données de pertes vers la section de commande principale 80. Ainsi, les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur qui sont exigées par la section de commande de moteur électrique 82, sont émises par la section de mémoire 21 vers la section de commande de moteur électrique 82. En outre, alors que les données de pertes sont émises par la section de mémoire 21 par l'intermédiaire de la section de commande d'émission de données 22 dans le troisième mode de réalisation, les données de pertes peuvent être émises directement par la section de mémoire 21. La figure 14 est un schéma synoptique montrant une variante du module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisa- tion. Dans la variante du module à semiconducteur 20 représentée sur la figure 14, la section de commande d'émission de données 22 représentée sur la figure 9 n'est pas incorporée, et la section de commande de moteur électrique 82 peut lire directement des données dans la section de mé5 moire 21. Par exemple, dans le cas o la section de mémoire 21 est constituée d'une mémoire vive, un signal d'adresse et un signal de commande sont directement envoyés de la section de commande de moteur électrique 82 à la section de mémoire 21, et la section de mémoire 21 émet directement des données internes vers la section de commande de moteur électrique 82, sur la base de ces signaux. La section de commande de moteur électrique 82 peut lire des données de pertes nécessaires sur la base de la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11, ou de la valeur caractéristique de la charge de celui-ci, dans la section de mémoire 21. Ainsi, les données dans la section de mémoire 21 sont lues directement par un système externe, ce qui fait que la section de commande d'émission de données 22 pour commander l'émission des données de pertes n'est pas exigée, et une structure de circuit du module à semiconducteur 20 peut être simplifiée. En outre, la section de mémoire 21 émet les données de pertes en réponse à la demande de la section de commande de moteur électrique 82 (par exemple un signal d'adresse et un signal de commande). Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur avec une charge de communication appropriée. Quatrième Mode de Réalisation De façon générale, des pertes générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11 dépendent de la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, comme représenté sur la figure 15. Les pertes ont tendance à augmenter lorsque la température du dis30 positif de commutation à semiconducteur 11 est augmentée. Pour cette raison, dans certains cas dans lesquels des données de pertes obtenues précédemment indépendamment de la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 doivent être émises vers un système externe, comme dans le module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisation, une valeur de pertes indiquée par les données de pertes est différente d'une valeur de pertes réelles dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont générées lorsque le système externe reçoit les données de pertes. Par conséquent, un quatrième mode de réalisation propose un module à semiconducteur dans lequel des don5 nées de pertes ayant une précision élevée sont émises vers l'extérieur même si la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est changée. La figure 16 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 27 conforme à un quatrième mode de ré10 alisation de la présente invention. Dans le module à semiconducteur 20 conforme au troisième mode de réalisation représenté sur la figure 9, fondamentalement, le module à semiconducteur 27 conforme au quatrième mode de réalisation comprend en outre une section de mesure de température 29 pour mesurer de façon interne une température du dispo15 sitif de commutation à semiconducteur 11, une section de mémoire 26 à la place de la section de mémoire 21, et une section de commande d'émission de données 28 à la place de la section de commande d'émission de données 22. Dans le quatrième mode de réalisation, le module à semiconducteur 27 représenté sur la figure 16 est employé dans le système 99 à la place du module à semiconducteur 10. La section de mesure de température 29 mesure la température du dispositif de commutation à semiconducteur Il en réponse à une demande de la section de commande d'émission de données 28, et elle émet la température mesurée vers la section de commande d'émission de don25 nées 28. La section de mesure de température 29 mesure une température de l'un des IGBT lia incorporés dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11, et elle émet la température mesurée en tant que température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, par exemple. La section de mémoire 26 stocke, à titre de données initiales, une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et des données de pertes, en correspondance mutuelle, et la valeur caractéristique comprend une température, une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11. En d'autres termes, la section de mémoire 26 conforme au quatrième mode de réalisation enre35 gistre les données initiales enregistrées dans la section de mémoire 21 conforme au troisième mode de réalisation, auxquelles la température est en outre ajoutée à titre d'autre valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11. De telles données sont enregistrées dans la section de mémoire 26 à une étape d'inspection avant expédition, dans un processus de fabrication du module à semiconducteur 27, par exemple. La figure 17 est un tableau montant un exemple des données initiales enregistrées dans la section de mémoire 26. Comme représenté sur la figure 17, la section de mémoire 26 enregistre une table contenant une température du dispositif de commutation à semiconducteur, des données de pertes obtenues à cette température, et une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur avec lesquels les pertes indiquées par les données de pertes sont générées. Sur la figure 17, les températures Temp 1 et Temp 2 représentent une partie des tem15 pératures du dispositif de commutation à semiconducteur 11 enregistrées dans la section de mémoire 26. Sur la figure 17, les données de pertes Dl et D2 représentent des données de pertes obtenues à la température Temp 1 du dispositif de commutation à semiconducteur 11, et les données de pertes DlI et D12 représentent des données de pertes obtenues à la température Temp 2 du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Une tension appliquée au dispositif de commutation à semiconducteur 11 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes Dl ou les données de pertes DII sont générées est représentée par une tension VI, et un courant circulant vers le dispositif de commutation à semiconducteur 11 à ce moment est représenté par un courant Il. En outre, une tension appliquée au dispositif de commutation à semiconducteur 11 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes D2 ou les données de pertes D12 sont générées est représentée par une tension V2, et un courant circulant vers le dispositif de commutation à semiconducteur 11 à ce moment est représenté par un courant 12. Les données de pertes Dl, la tension VI, le courant Il et la température Temp 1 sont enregistrées en correspondance mutuelle, et les données de pertes D2, la tension V2, le courant 12 et la température Temp 1 sont enregistrés en correspondance mutuelle. En outre, les don- nées de pertes Dl, la tension VI, le courant Il et la température Temp 2 sont enregistrés en correspondance mutuelle, et les données de pertes D12, la tension V2, le courant 12 et la température Temp 2 sont enregistrés en correspondance mutuelle. De telles données initiales sont pré-enregistrées dans la section de mémoire 26 par le procédé suivant. Le dispositif de test 97 représenté sur la figure 11 comprend en outre une section de mesure de température pour mesurer la température de l'un des IGBT lia incorporés dans le dispositif de commutation à se10 miconducteur 11 du module à semiconducteur 27, et pour émettre la température mesurée en tant que température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, par exemple. Ensuite, la température mesurée par la section de mesure de température est appliquée à une section de calcul de pertes 95. Ensuite, la section de calcul de pertes 95 enregistre en cor15 respondance mutuelle, dans la section de mémoire 26, la température reçue de la section de mesure de température, les données de pertes qui sont obtenues et une valeur caractéristique reçue d'une section de commande 96. En plaçant le module à semiconducteur 27 dans une étuve thermostatique ou un dispositif similaire, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est changée et le dispositif de test 97 effectue à chaque température l'opération mentionnée ci-dessus. Par conséquent, les données initiales représentées sur la figure 17 peuvent être enregistrées dans la section de mémoire 26. En outre, la section de mémoire 26 peut enregistrer la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes, en correspondance mutuelle, à la place des données représentées sur la figure 17. Par exemple, il est également possible d'enregistrer en correspondance mutuelle une température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, des données de pertes obtenues à cette température et un couple de moteur électrique généré dans un moteur électrique 90 lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont produites, comme représenté sur la figure 18. En outre, un courant de moteur électrique peut être enregistré à la place du couple de moteur électrique représenté sur la figure 18. Bien entendu, le couple de moteur électrique et le courant de moteur électrique devant être enregistrés dans la section de mémoire 26 peuvent être obtenus par le procédé décrit dans le troisième mode de réalisation. On décrira ensuite, en référence à la figure 19, une opération pour émettre vers l'extérieur des données de pertes dans le module à semiconducteur 27 comprenant la section de mémoire 26 dans laquelle sont enregistrées les données initiales représentées sur la figure 17. Comme représenté sur la figure 19, les étapes s21 et s22 repré10 sentées sur la figure 12 sont exécutées. Par conséquent, la section de commande d'émission de données 28 reconnaît une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur incluse dans un signal de demande de données qui est reçu. Ici, la valeur caractéristique est fixée de façon à être par exemple une tension VI et un courant Il. Ensuite, la section de commande d'émission de données 28 envoie à la section de mesure de température 29, à une étape s25, une demande de mesure d'une température du dispositif de commutation à semiconducteur 11. La section de mesure de température 29 recevant la demande mesure la température du dispositif de commutation à semiconduc20 teur 11 et émet la température mesurée vers la section de commande d'émission de données 28. La température mesurée par la section de mesure de température 29 est représentée ici par la température Temp 1. Ensuite, la section de commande d'émission de données 28 lit les données de pertes DI correspondant à la température reçue Temp 1 et à la tension Vl et au courant Il qui sont les valeurs caractéristiques reconnues, à une étape s26, et elle émet les données de pertes Dl vers une section de commande de moteur électrique 82 à une étape s27. La section de commande de moteur électrique 82 recevant les données de pertes Dl émet les données de pertes DI vers la section de commande principale 80. Par conséquent, les données de pertes correspondant aux valeurs caractéristiques (la tension et le courant) du dispositif de commutation à semiconducteur qui sont exigées par la section de commande de moteur électrique 82, et à la température mesurée par la section de me35 sure de température 29, lorsqu'une demande est envoyée par la section de commande de moteur électrique 82, sont émises par la section de mémoire 26 vers la section de commande de moteur électrique 82. Ensuite, en se référant à la figure 19, on donnera une brève description d'une opération pour émettre des données de pertes vers l'ex5 térieur, dans le module à semiconducteur 27 comprenant la section de mémoire 26 dans laquelle la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et les données de pertes sont enregistrées en correspondance mutuelle. En premier lieu, une étape s21 identique à celle représentée sur la figure 12 est exécutée. On suppose ici qu'un signal de demande de données contient une information concernant la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11, correspondant aux données de pertes dont l'émission à partir du module à semi15 conducteur 20 est désirée par la section de commande de moteur électrique 82, comme par exemple un couple de moteur électrique et un courant de moteur électrique, à la place de la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Ensuite, une étape s22 identique à celle représentée sur la fi20 gure 12 est exécutée. Par conséquent, la section de commande d'émission de données 28 reconnaît la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est incluse dans le signal de demande de données ainsi reçu. Ensuite, la section de commande d'émission de données 28 en25 voie à la section de mesure de température 29, à une étape s25, une demande pour mesurer une température du dispositif de commutation à semiconducteur 11. La section de mesure de température 29 recevant la demande mesure la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et émet la température mesurée vers la section de com30 mande d'émission de données 28. Ensuite, la section de commande d'émission de données 28 lit les données de pertes correspondant à la température reçue et à la valeur caractéristique de la charge ainsi reconnue, à une étape s26, et elle émet les données de pertes vers la section de commande de moteur électrique 82 à une étape s27. La section de commande de moteur 82 recevant les données de pertes émet les données de pertes vers la section de commande principale 80. Ainsi, les données de pertes correspondant à la valeur caractéristiques de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur qui est exigée par la section de commande de moteur électrique 82, et la température mesurée par la section de mesure de température 29, lorsqu'une demande est envoyée par la section de commande de moteur électrique 82, sont émises par la section de mémoire 26 vers la section de commande de moteur électrique 82. Comme décrit ci-dessus, conformément au module à semiconducteur 27 conforme au quatrième mode de réalisation, les données de pertes correspondant à la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 sont émises vers un système externe. Par conséquent, également dans le cas o la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est changée, des données de pertes ayant une précision élevée peuvent être émises vers le système externe. En outre, la section de mesure de température 29 est incorporée à l'intérieur du module à semiconducteur 27. Par conséquent, un résultat de la mesure n'est pas influencé par une impédance d'une borne de connexion avec l'extérieur qui est incorporée dans un boîtier du module à semiconducteur 27, ou autres. Il en résulte que la température dudispositif de commutation à semiconducteur 11 peut être mesurée de façon plus exacte que dans le cas o la section de mesure de température 29 est placée à l'extérieur du module à semiconducteur 27. En outre, les données de pertes sont émises en réponse à la demande envoyée par la section de commande de moteur électrique 82. De ce fait, la section de commande de moteur électrique 82 peut recevoir les données de pertes provenant du module à semiconducteur 27 conformément à sa propre condition de fonctionnement. Par conséquent, de la même manière que dans les modules à semiconducteur 15 et 20 décrits ci-dessus, la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur 27 avec une charge de communication appropriée. En outre, les données de pertes correspondant à la valeur ca35 ractéristique exigée par la section de commande de moteur électrique 82 sont émises vers la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 n'a pas besoin de traiter des données de pertes inutiles, ce qui permet de réduire un traitement inutile. Dans le cas o le système placé à l'extérieur du module à semiconducteur 27, par exemple la section de commande de moteur électrique 82, contient une section de mesure de température pour mesurer la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, il n'est pas nécessaire que la section de mesure de température 29 soit incluse dans le module à semiconducteur 27. Dans ce cas, l'information concernant une température mesurée par la section de mesure de température incorporée dans la section de commande de moteur électrique 82 est incluse dans l'information concernant la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur dans le signal de demande de données, ou bien elle est ajoutée en supplément à l'information concernant la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur dans le signal de demande de données, de façon que la section de commande d'émission de données 28 puisse également reconnaître la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Des données de pertes correspondant à la température peuvent être lues dans la section de mémoire 26 et peuvent ensuite être émises vers la section de commande de moteur électrique 82. Cinquième Mode de Réalisation La figure 20 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur conforme à un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Le module à semiconducteur 30 conforme au cinquième mode de réalisation comprend le dispositif de commutation à semiconducteur 11, la section de mesure de tension 13 et la section de mesure de courant 14 qui ont été décrits cidessus, une section de calcul de pertes 31, une section de mémoire 32, et une section de commande d'émission de données 33, et ces composants sont logés dans un seul boîtier. Dans le cinquième mode de réalisation, le module à semiconducteur 30 représenté sur la figure 20 est employé à la place du module à semiconducteur 10 dans le système 99 décrit ci-dessus. La section de calcul de pertes 31 calcule des données de pertes basées sur une tension mesurée par la section de mesure de tension 13 et un courant mesuré par la section de mesure de courant 14. Un procédé spécifique pour obtenir les données de pertes est le même que le procédé conforme au premier mode de réalisation. En outre, la section de calcul de pertes 31 enregistre, dans la section de mémoire 32, les données de pertes ainsi obtenues, et une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11, en correspondance mutuelle. De façon plus spécifique, les données de pertes ainsi obtenues et une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont obte10 nus lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont produites, sont enregistrés en correspondance mutuelle dans la section de mémoire 32. La tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 peuvent être reconnus respectivement à partir de la tension mesurée par la section de mesure de tension 13 et du courant mesu15 ré par la section de mesure de courant 14, indépendamment du calcul des pertes. En outre, si un ensemble formé de la tension du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reconnue à partir de la tension mesurée par la section de mesure de tension 13, et du courant du disposi20 tif de commutation à semiconducteur 11 qui est reconnu à partir du courant mesuré par la section de mesure de courant 14, a déjà été enregistré dans la section de mémoire 32 avant que les pertes soient calculées, la section de calcul de pertes 31 ne calcule pas les pertes à ce moment et n'écrit pas la tension et le courant du dispositif de commutation à semi25 conducteur 11 dans la section de mémoire 32. Par conséquent, les données de pertes pour la même valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 ne sont pas obtenues plusieurs fois. La section de calcul de pertes 31 peut enregistrer, dans la section de mémoire 32, une valeur caractéristique d'une charge du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et des données de pertes, en correspondance mutuelle. De façon plus spécifique, la section de calcul de pertes 31 peut enregistrer en correspondance mutuelle, dans la section de mémoire 32, les données de pertes ainsi obtenues et un couple de moteur électrique et un courant de moteur électrique dans un moteur électri35 que 90, qui sont obtenus lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont générées. Dans le cas o la valeur caractéristique de la charge ainsi obtenue a déjà été enregistrée dans la section de mémoire 32, les pertes ne sont pas calculées à ce moment. Ainsi, la section de mémoire 32 enregistre les données repré5 sentées sur la figure 10 et les données représentées sur la figure 13, par exemple. Ensuite, en se référant à la figure 21, on donnera une description d'une opération du module à semiconducteur 30 conforme au cinquième mode de réalisation, qui doit être accomplie pour émettre les don10 nées de pertes vers l'extérieur. Comme représenté sur la figure 21, la section de commande d'émission de données 33 reçoit un signal de demande de données provenant d'une section de commande de moteur électrique 82 à une étape s30. Le signal de demande de données contient une information concernant la valeur caractéristique du dispositif de commuta15 tion à semiconducteur 11 et une information concernant la valeur caractéristique de sa charge, correspondant aux données de pertes dont l'émission à partir du module à semiconducteur 30 est désirée par la section de commande de moteur électrique 82. Dans certains cas, l'une de la valeur caractéristique du dispositif à semiconducteur de commutation 11 et de la valeur caractéristique de sa charge sera appelée ci-après une "valeur caractéristiq ue". Ensuite, à une étape s31, la section de commande d'émission de données 33 reconnaît la valeur caractéristique incluse dans le signal de demande de données ainsi reçu. Ensuite, la section de commande d'émission de données 33 décide si des données de pertes correspondant à la valeur caractéristique reconnue sont enregistrées ou non dans la section de mémoire 32, à une étape s32. Ensuite, lorsque la section de commande d'émission de données 33 décide que les données de pertes ne sont pas enregistrées dans la section de mémoire 32, elle le signale à la section de commande de moteur électrique 82, à une étape s35. La section de commande de moteur électrique 82 recevant la notification signale à une section de commande principale 80 que des données de pertes correspondant à un point de fonctionnement déterminé par la section de commande principale 80 ne sont pas présentes. La section de commande principale 80 exclut par exemple des candidats le point de fonctionnement n'ayant pas de données de pertes. Par ailleurs, lorsque la section de commande d'émission de données 33 décide que les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique reconnue à l'étape s31 sont présentes dans la section de mémoire 32, à l'étape s32, les données de pertes sont lues dans la section de mémoire 32 à une étape s33. Ensuite, les données de pertes lues à une étape s34 sont émises vers la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique exigée par la section de commande de moteur électrique 82 sont émises par la section de mémoire 32 vers la section de commande de moteur électrique 82. Comme décrit ci-dessus, le module à semiconducteur 30 conforme au cinquième mode de réalisation comprend la section de mémoire 32 pour enregistrer la valeur caractéristique et les données de pertes en correspondance mutuelle. Par conséquent, à la différence des modules à semiconducteur 10 et 15 conformes aux premier et second modes de réalisation, il n'est pas nécessaire que les données de pertes cor20 respondant à la même valeur caractéristique soient obtenues plusieurs fois. Il est donc possible de réduire un temps de traitement pour les données de pertes, par rapport à celui dans chacun des modules à semiconducteur 10 et 15. En outre, les données de pertes sont émises en réponse à la demande envoyée par la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 peut recevoir les données de pertes provenant du module à semiconducteur 30 conformément à sa propre condition de fonctionnement. Ainsi, de la même manière que dans les modules à semiconducteur 15 et 20 décrits ci30 dessus, la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur 30 avec une charge de communication appropriée. En outre, les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique exigée par la section de commande de moteur électrique 82 sont émises vers la section de commande de moteur électrique 82. Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 n'a pas besoin de traiter des données de pertes inutiles, ce qui permet de réduire un traitement inutile. De plus, dans le module à semiconducteur 30 conforme au cin5 quième mode de réalisation, une tension et un courant de chaque IGBT lia dans le dispositif de commutation à semiconducteur 11 sont mesurés à l'intérieur du module à semiconducteur 30. Par conséquent, de la même manière que dans le module à semiconducteur 10 décrit ci-dessus, la tension et le courant peuvent être mesurés de manière exacte. Il en résulte que des données de pertes ayant une précision élevée peuvent être fournies à un système externe. Bien que les données de pertes soient émises par la section de mémoire 32 par l'intermédiaire de la section de commande d'émission de données 33 dans le cinquième mode de réalisation, les données de pertes peuvent être émises directement à partir de la section de mémoire 32, de la même manière que dans le module à semiconducteur 20 représenté sur la figure 14. La figure 22 est un schéma synoptique montrant le module à semiconducteur 30 dans ce cas. Des données de la section de mémoire 32 représentée sur la figure 22 peuvent être lues directement par la section de commande de moteur électrique 82. Par exemple, dans le cas o la section de mémoire 32 est constituée d'une mémoire vive, un signal d'adresse et un signal de commande sont directement envoyés par la section de commande de moteur électrique 82 à la section de mémoire 32, et la section de mémoire 32 émet directement des données internes vers la section de commande de moteur électrique 82, sur la base de ces signaux. La section de commande de moteur électrique 82 peut lire les données de pertes nécessaires sur la base de la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et de la valeur caractéris30 tique de la charge de celui-ci, dans la section de mémoire 32. Par conséquent, les données dans la section de mémoire 32 sont lues directement par un système externe, ce qui fait que la section de commande d'émission de données 33 pour commander l'émission des données de pertes n'est pas exigée, et une structure de circuit du module à semiconducteur 30 peut être simplifiée. En outre, la section de mémoire 32 émet les données de pertes en réponse à la demande de la section de commande de moteur électrique 82 (par exemple un signal d'adresse et un signal de commande). Par conséquent, la section de commande de moteur électrique 82 peut communiquer avec le module à semiconducteur 30 avec une charge de communication appropriée. Sixième Mode de Réalisation La figure 23 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 40 conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention. Dans le module à semiconducteur 30 conforme au cinquième mode de réalisation, fondamentalement, le module à semiconducteur 40 conforme au sixième mode de réalisation comprend en outre une section de mesure de température 41 pour mesurer de façon interne une température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, une section de calcul de pertes 44 à la place de la section de calcul de pertes 31, une section de mémoire 43 à la place de la section de mémoire 32 et une section de commande d'émission de données 42 à la place de la section de commande d'émission de données 33. Dans le sixième mode de réalisation, le module à semiconducteur 40 représenté sur la figure 23 est employé dans le système 99 à la place du module à semiconducteur 10. La section de mesure de température 41 mesure la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 en réponse à une demande de la section de calcul de pertes 44, et elle émet la température mesurée vers la section de calcul de pertes 44. En outre, la section de mesure de température 41 mesure la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 en réponse à une demande de la section de commande d'émission de données 42, et elle émet la température mesurée vers la section de commande d'émission de données 42. Dans le cas o les demandes de la section de calcul de pertes 44 et de la section de commande d'émission de données 42 sont mutuellement en compétition, la priorité est donnée à la demande de la section de calcul de pertes 44, et la température ainsi obtenue est émise vers la section de calcul de pertes 44, et la même température est ensuite émise vers la section de calcul d'émission de données 42. La section de mesure de température 41 mesure une température de l'un des IGBT lia incorporés dans le disposi- tif de commutation à semiconducteur 11, et émet la température mesurée en tant que température du dispositif de commutation à semiconducteur 1 1, par exemple. La section de calcul de pertes 44 obtient des données de pertes basées sur une tension mesurée par une section de imesure de tension 13 et sur un courant mesuré par une section de mesure de courant 14. Un procédé spécifique pour obtenir les données de pertes est le même que le procédé décrit dans le premier mode de réalisation. A la réception de résultats de la mesure provenant de la section de mesure de tension 13 et de la section de mesure de courant 14, la section de calcul de pertes 44 envoie à la section de mesure de température 41 une demande pour mesurer la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, avant que les données de pertes soient obtenues. La section de mesure de température 41 recevant la demande mesure la température du dispo15 sitif de commutation à semiconducteur 11 et émet un résultat de la mesure vers la section de calcul de pertes 44. Ensuite, la section de calcul de pertes 44 enregistre, dans la section de mémoire 43, les données de pertes ainsi obtenues et une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11, en correspondance mutuelle. De façon plus spécifique, la section de calcul de pertes 44 enregistre en correspondance mutuelle, dans la section de mémoire 43, les données de pertes ainsi obtenues, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reçue à partir de la section de mesure de température 41, et une tension et un courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui sont obtenues lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont générées. La tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 peuvent être reconnus respectivement d'après la tension mesurée par la section de mesure de tension 13 et le courant mesuré par la section de mesure de courant 14, indépendamment du calcul des pertes. En outre, la section de calcul de pertes 44 décide si un ensemble comprenant la tension du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reconnue d'après la tension mesurée par la section de mesure de tension 13, le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reconnu d'après le courant mesuré par la section de mesure de courant 14, et la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reçue de la section de mesure de température 41, a déjà été enregistré ou non dans la section de mémoire 43, avant que les pertes soient calculées. Si l'ensemble est enregistré, la section de calcul de per5 tes 44 ne calcule pas des pertes cette fois et n'écrit pas la température, la tension et le courant du dispositif de commutation à semiconducteur 11 dans la section de mémoire 43. Par conséquent, des données de pertes pour la même valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur 11 ne sont pas obtenues plusieurs fois. La section de calcul de pertes 44 peut enregistrer, dans la section de mémoire 43, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11, la valeur caractéristique de la charge du dispositif de commutation à semiconducteur Il et les données de pertes, en correspondance mutuelle. De façon plus spécifique, la section de calcul de per15 tes 44 peut enregistrer en correspondance mutuelle, dans la section de mémoire 43, les données de pertes ainsi obtenues, la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reçue de la section de mesure de température 41, et un couple de moteur électrique et un courant de moteur électrique dans un moteur électrique 90 qui sont obtenus lorsque des pertes indiquées par les données de pertes sont générées. Dans ce cas, si un ensemble de la température reçue de la section de mesure de température 41 et de la valeur caractéristique de la charge ainsi obtenue a déjà été enregistré dans la section de mémoire 43, des pertes ne sont pas calculées à ce moment. Ainsi, la section de mémoire 43 enregistre par exemple les données représentées sur la figure 17 et les données représentées sur la figure 1 8. Ensuite, en se référant à la figure 24, on donnera une description d'une opération du module à semiconducteur 40 conforme au sixième mode de réalisation qui doit être effectuée pour émettre les données de pertes vers l'extérieur. Comme représenté sur la figure 24, les étapes s30 et s31 qui sont les mêmes que celles de la figure 21 sont exécutées. Par conséquent, la section de commande d'émission de données 42 reconnaît une valeur caractéristique incluse dans le signal de demande de données reçu. Ensuite, l'étape s32 qui est la même que celle représentée sur la figure 21 est exécutée. Si la section de commande d'émission de données 42 décide à l'étape s32 que les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique reconnue à l'étape s31 ne sont pas enregistrées dans la section de mémoire 43, une étape s35 est exécutée. Au contraire, si la section de commande d'émission de données 42 décide à l'étape s32 que les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique reconnue à l'étape s31 sont présentes dans la section de mémoire 32, elle envoie une demande de mesure d'une température à la section de mesure de température 41, à une étape s43. La section de mesure de température 41 recevant la demande mesure la température du dispositif de commutation à semiconducteur Il et émet un résultat de la mesure vers la section de commande d'émission de données 42. La section de commande d'émission de données 42 lit dans la section de mémoire 43 des données de pertes correspondant à la valeur caractéristique reconnue à l'étape s31 et à la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 qui est reçue de la section de mesure de température 41, à une étape s44, et elle émet les données de pertes vers une section de commande de moteur électrique 82 à une étape s45. Par conséquent, des données de pertes correspondant à la température du dispositif de commutation à semiconducteur Il et à une valeur caractéristique exigée par la section de commande de moteur électrique 82, sont émises par la section de mémoire 43 vers la section de commande de moteur électrique 82. Comme décrit ci-dessus, conformément au module à semiconducteur 40 du sixième mode de réalisation, les données de pertes correspondant à la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 sont émises vers un système externe, en plus de la fonction du module à semiconducteur 30 conforme au cinquième mode de réalisation. Par conséquent, en plus des effets du module à semiconducteur 30, des données de pertes ayant une précision élevée peuvent être fournies au système externe, même si la température du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est changée. En outre, la section de mesure de température 41 est incorporée à l'intérieur du module à semiconducteur 40. Par conséquent, la tempéra- ture du dispositif de commutation à semiconducteur 11 peut être mesurée de façon plus exacte que dans le cas o la section de mesure de température 41 est placée à l'extérieur du module à semiconducteur 40. Septième Mode de Réalisation Alors que dans les premier à sixième modes de réalisation, on a décrit le cas dans lequel le moteur électrique est utilisé comme la charge du dispositif de commutation à semiconducteur incorporé dans le module à semiconducteur, on va décrire le cas dans lequel d'autres charges, par exemple un condensateur et une inductance, sont utilisées. La figure 25 est un schéma synoptique montrant une structure d'un module à semiconducteur 50 conforme à un septième mode de réalisation de la présente invention. Dans le module à semiconducteur 10 conforme au premier mode de réalisation, fondamentalement, le module à semiconducteur 50 conforme au septième mode de réalisation comprend un dispositif de commutation à semiconducteur 51 à la place du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Le dispositif de commutation à semiconducteur 51 comporte un transistor bipolaire 51a à titre d'élément de commutation, et il est connecté à un condensateur 56 et une inductance 57 à titre de charges, à l'exté20 rieur du module à semiconducteur 50. L'une des extrémités de l'inductance 57 et une anode d'une diode 55 se trouvant à l'extérieur du module à semiconducteur 50 sont connectées à un collecteur du transistor bipolaire 51a par l'intermédiaire d'un capteur de courant 14a (non représenté) d'une section de mesure de courant 14. Une borne de tension d'alimentation négative d'une batterie 58 placée à l'extérieur du module à semiconducteur 50 et l'une des extrémités du condensateur 56 sont connectées à un émetteur du transistor bipolaire 51a. L'autre extrémité de l'inductance 57 est connectée à une borne d'alimentation positive de la batterie 58, et l'autre extrémité du condensateur 56 est connectée à la cathode de la diode 55. Le module à semiconducteur 50, la batterie 58, l'inductance 57, la diode 55 et le condensateur 56 représentés sur la figure 25 sont incorporés dans le système de moteur électrique 71, par exemple, et ils constituent un circuit d'alimentation à découpage 59. Par exemple, une tension de base du transistor bipolaire Sa est commandée par une section de commande de moteur électrique 82 et une opération de commutation du transistor bipolaire 51a est commandée. Une tension allant d'une tension de sortie Vt de la batterie 58 jusqu'à une tension double de celle-ci est générée aux deux extrémités du condensateur 56, conformément à une fréquence de commutation du transistor bipolaire 51a. La tension générée aux deux extrémités du condensateur 56 est appliquée aux bornes d'entrée P et N du dispositif de commutation à semiconducteur 11 conforme au premier mode de réalisation, par exemple. Par conséquent, une tension du dispositif de commutation à semiconducteur 11 est déterminée par la tension du condensateur 56. Dans les premier à sixième modes de réalisation, on a décrit l'exemple dans lequel la section de commande de moteur électrique 82 fournit la tension du dispositif de commutation à semiconducteur 11. Dans un tel exemple, le circuit d'alimentation à découpage 59 représenté sur la figure 25 est incorporé dans la section de commande de moteur électrique 82. La section de mesure de courant 14 du module à semiconducteur 50 mesure un courant entre le collecteur et l'émetteur du transistor bipolaire 51a, et une section de mesure de tension 13 mesure une tension entre le collecteur et l'émetteur du transistor bipolaire 51a. Une section de calcul de pertes 12 obtient des données de pertes indiquant des pertes qui sont générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur 51, sur la base de la tension mesurée par la section de mesure de tension 13 et du courant mesuré par la section de mesure de courant 14, et elle émet les données de pertes vers la section de commande de moteur électrique 82. Ici, des données de pertes indiquant des pertes générées dans le transistor bipolaire 51a par une seule opération de commutation sont émises en tant que données de pertes du dispositif de commutation à semiconducteur 51. Un procédé spécifique pour obtenir les données de pertes peut être le même que le procédé décrit dans le premier mode de réalisation. Ainsi, le module à semiconducteur 50 conforme au septième mode de réalisation émet les données de pertes vers un système externe. Par conséquent, le système externe peut reconnaître des pertes du dispositif de commutation à semiconducteur 51. De ce fait, dans un système comprenant le module à semiconducteur 50, il est possible d'élaborer une stratégie de commande ayant le rendement énergétique le plus élevé dans un système global, sur la base des données de pertes obtenues à partir du module à semiconducteur 50 et d'une valeur de pertes obtenues à partir d'un autre sous-système. Bien que dans le septième mode de réalisation les données de pertes indiquant les pertes générées par une seule opération de commutation du transistor bipolaire 5ia soient émises vers l'extérieur, les pertes générées par une seule opération de commutation du transistor bipolaire 51a peuvent être multipliées par une fréquence de commutation de celui10 ci, pour obtenir des pertes générées en une seconde et pour émettre vers l'extérieur des données de pertes indiquant les pertes. En outre, de la même manière que dans le module à semiconducteur 50 conforme au septième mode de réalisation, également dans le cas o le dispositif de commutation à semiconducteur 51 est em15 ployé à la place du dispositif de commutation à semiconducteur 11 et le circuit d'alimentation à découpage 59 représenté sur la figure 25 est incorporé dans chacun des modules à semiconducteur 15, 20, 27, 30 et 40, il est évident que les effets décrits ci-dessus peuvent être obtenus dans chacun des modules à semiconducteur. On emploie par exemple à titre de valeur caractéristique d'une charge dans ce cas, une tension générée aux deux extrémités du condensateur 56. La tension de sortie Vt de la batterie 58 et la fréquence de commutation du transistor bipolaire 51a dans le dispositif de commutation à semiconducteur 51 sont obtenues à partir d'un résultat mesuré par la section de mesure de tension. Par conséquent, la section de calcul de pertes peut calculer la tension générée aux deux extrémités du condensateur 56. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Module à semiconducteur (10, 15, 20, 27, 30, 40, 50) comprenant à l'intérieur un dispositif de commutation à semiconducteur (11, 51), caractérisé en ce que des données de pertes indiquant des pertes d'énergie générées dans le dispositif de commutation à semiconducteur sont émises vers l'extérieur sous la forme d'un signal de données. 2. Module à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, à l'intérieur, une section de commande d'émission de données (16, 22, 28, 33, 42) pour communiquer avec un système (82) qui est à l'extérieur du module à serniconducteur et pour commander une émission des données de pertes vers l'extérieur; et en ce que la section de commande d'émission de données a pour fonction d'émettre les données de pertes vers le système en réponse à une demande envoyée par le système. 3. Module à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, à l'intérieur, une section de mémoire (21, 26, 32, 43) pour enregistrer une valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur et les données de pertes, en correspondance mutuelle; les données de pertes enregistrées dans la section de mémoire étant émises vers l'extérieur. 4. Module à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur demandées par un système (82) qui est à l'extérieur du module à semiconducteur, sont émi25 ses par la section de mémoire vers le système. 5. Module à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la section de mémoire enregistre une température du dispositif de commutation à semiconducteur pour la valeur caractéristique du dispositif de commutation à semiconducteur; le module à semiconducteur comprend en outre, à l'intérieur, une section de mesure de température (29, 41) pour mesurer la température du dispositif de commutation à semiconducteur; et les données de pertes correspondant à la température du dispositif de commutation à semiconducteur qui est mesurée par la section de mesure de température sont émises vers l'extérieur à partir de la section de mémoire. 6. Module à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, à l'intérieur, une section de mémoire (21, 26, 32, 43) pour enregistrer une valeur caractéristique d'une charge du dispositif de commutation à semiconducteur et les données de pertes, en correspondance mutuelle; et les données de pertes enregistrées dans la section de mémoire sont émises vers l'extérieur. 7. Module à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que les données de pertes correspondant à la valeur caractéristique de la charge, demandées par un système (82) qui est extérieur au module à semiconducteur, sont émises par la section de mémoire vers ce système. 8. Module à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que la section de mémoire enregistre une température du dispositif de commutation à semiconducteur, la valeur caractéristique de la charge et les données de pertes, en correspondance mutuelle; le module à semiconducteur comprend en outre, à l'intérieur, une section de mesure de température (29, 41) pour mesurer la température du dispositif de commutation à semiconducteur; et les données de pertes correspondant à la température du dispositif de commutation à semiconducteur qui est me20 surée par la section de mesure de température sont émises par la section de mémoire vers l'extérieur. 9. Module à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que le système peut lire directement des données dans la section de mémoire. 10. Module à semiconducteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le dispositif de commutation à semiconducteur comprend un élément de commutation à semiconducteur (Ila, 51a); le module à semiconducteur comprenant en outre, à l'intérieur: une section de mesure de tension (13) pour mesurer une tension à appli30 quer à l'élément de commutation à semiconducteur; une section de mesure de courant (14) pour mesurer un courant à faire circuler vers l'élément de commutation à semiconducteur; et une section de calcul de pertes (12, 31, 44) pour obtenir les données de pertes sur la base de la tension mesurée par la section de mesure de tension et du courant mesuré par la section de mesure de courant.