Brevet FR2839505A1 — publié le 20031114

B 14070.3 AP La presente invention concerne le domaine de la realisation de substrats comprenant au moins une couche mince deposee en surface d'un support, de tels substrats etant utilises dans les domaines de la micro-,nanoelectronique ou de la micro-,nano-technologie au sens general. La presente invention trouve des applications particulierement avantageuses dans le domaine des materiaux ayant des fonctions electroniques, optoelectroniques, supra-conductrices ou piezoelectriques par exemple. Les applications electroniques et optoelectroniques peuvent necessiter l'utilisation de materiaux semi-conducteurs ternaires ou quaternaires. Cependant, le nombre de ces materiaux ternaires et quaternaires a haute qualite structurale qu'il est possible d'obtenir par une croissance epitaxiale est limite car il est rarement possible de trouver un substrat dont le reseau cristallin est adapte a celui de la couche semiconductrice a faire crotre. Par consequent, l'heteroopitaxie effectuee en desaccord de maille provoque la formation d'une quantite importante de defauts structuraux au-dela d'une epaisseur critique, ce qui entrane irreversiblement par la suite, des modifications indesirables des proprietes physiques attendues des couches epitaxiees. Pour s'affranchir de ces inconvenients, il est connu des techniques de croissance incluant la realisation de couches tampons dont l'objectif est de permettre d' absorber les contraintes induites par la difference des parametres de maille entre le substrat et la couche mince epitaxiee. Une premiere famille de techniques vise a utiliser des substrats compliants consistent a realiser une epitaxie en desaccord de maille sur une fme membrane. L'energie de contrainte est alors censee etre relaxee de maniere elastique ou plastique par la membrane. Differentes etudes sur le substrat compliant ont ete menees. II peut etre cite a titre d'exemple, ['article S.I. Romanov et al., Appl. Phys. Lett. 75, (1999) p. 4118 decrivant une technique de croissance sur une membrane libre visant a deposer sur un substrat deux couches, a savoir une premiere qui est cite sacrificielle et ensuite la membrane fine sur laquelle est realisee l'epitaxie. La couche sacrificielle est une couche dont la vitesse d'attaque chimique pour une solution est grande devant celle de la membrane. Une etape de lithographic est realisee pour laisser subsister uniquement un disque de la membrane a la surface de l'echantillon qui est ensuite plonge dans la solution d'attaque chimique. La couche sacrifcielle est gravee, y compris sous le disque par sous gravure. L'attaque chimique est stoppee lorsqu'il ne reste qu'un pilier pour porter le disque de la membrane sur loquel est realisee la S croissance d'une couche epitaxiee. La membrane est alors susceptible de se deformer pour limiter les deformations de la couche epitaxiee. Cette methode presente l'avantage que la couche contrainte epitaxiee est relativement bien relaxce de maniere elastique. Cependant, cette methode presente de nombreux inconvenients comme la fragilite de la structure, la non planarite des surfaces, la difEculte du procede de realisation et la faible taille des zones obtenues. Il peut etre cite egalement une methode cite de fusion desalignee ou > decrite notamment par ['article Y.H. Lo, Appl. Phys. Lett. 59, (1991) p. 2311 visant a reporter une membrane contrainte ou non, sur un substrat hote en s'assurant de la realisation d'une rotation entre les directions cristallographiques de la membrane et celle du substrat. Il est ainsi cree un reseau de dislocations a ['interface entre la membrane et le substrat. Il est alors realise une croissance d'une couche contrainte sur la membrane. Sous l'effet de ltenergie de contrainte, les dislocations vent censees changer d'orientation pour prendre un caractere coin et minimiser de cette facon cette energie. L'avantage de cette technique porte sur le report de la membrane sur la totalite du substrat. Cependant, il n'existe aucune garantie de la relaxation ainsi realisee et des douses subsistent sur l'homogeneite de la relaxation obtenue. Il peut aussi etre cite a titre d ' exemple la technique d' adhesion moleculaire ou > decrit notamment par ['article D. M. Hansen et al., J. Cryst. Growth. l9S, (1998) p. 144, visant a reporter une membrane par adhesion moleculaire sur un substrat oxyde en surface. La croissance de la couche contrainte est ensuite realisee sur la membrane. Les atomes de la membrane presents a ['interface peuvent effectuer des petite deplacements pour relaxer la couche contrainte. L'avantage principal de cette technique est la grande taille des surfaces obtenues. Toutefois, meme si un effet de compliance est observe, la relaxation ntest pas totale. Les epaisseurs critiques des couches deposees vent augmentees mais il n'est pas encore possible de realiser des couches epaisses exemptes de defauts structuraux. Dans l'etat de la technique, l'autre famille de solutions connues concerne la technique paramorphique consistent a faire l'epitaxie d'une membrane contrainte puis de la faire relaxer elastiquement pour faire ensuite une epitaxie en accord de maille. Cette technique vise a deposer sur un substrat successivement une couche sacrificielle et une membrane contrainte par epitaxie. Une etape de lithographic permet ensuite de graver selectivement la membrane afin d'obtenir des disques. Une gravure chimique humide est realisee pour graver totalement la couche sacrificielle y compris sous les disques par sous gravure. La membrane contrainte se relaxe alors de maniere elastique dans la mesure ou elle n'est plus maintenue. Cette membrane contrainte se depose ensuite sur le substrat. Le principal avantage de cette technique vient de la reprise de croissance en accord de maille. Cependant, les disques obtenus vent limites en taille (quelques centaines de microns) et les desaccords des 1S parametres initiaux de la membrane vent faibles (1% environ). L'analyse des differentes techniques connues a ce jour conduit a constater qu'elles ne donnent pas satisfaction en pratique. Il apparat done le besoin de pouvoir disposer d'une technique permettant d'effectuer la croissance epitaxiale d'une couche quelconque en accord de maille avec son substrat. La deposante a exprime le besoin de pouvoir disposer d'une technique permettant de modifier les parametres de maille d'un substrat afin de permettre une epitaxie en accord de maille d'alliages ayant au moins deux elements chimiques constitutifs. Pour satisfaire ce besoin, la deposante propose une technique permettant de modifier le parametre de maille d'une couche mince contrainte ou non, realisee directement ou indirectement sur un support formant ensemble un substrat. D'une maniere plus generale, cette technique permet non senlement de modifier le parametre de maille mais diverges autres proprietes d'une couche mince deposee en surface d'un support formant un substrat pouvant etre utilise dans le domaine de la micro-,nano-electronique ou de la micro-,nano-technologie. 3 0 L ' obj et de [ ' invention concerne un procede pour modifier les proprietes d'une couche mince. Le procede selon ['invention consiste: - a realiser sur un support nanostructure a surface specifique elevee, au moins une couche mince, - et a traiter le support nanostructure pour generer des contraintes internee dans le support entramant sa deformation au moins dans le plan de la couche mince de maniere a assurer une deformation correspondante de la couche mince pour en modifier ses proprietes. Un autre objet de ['invention vise a proposer un substrat pour la micro-, nano electronique ou la micro-,nano-technologie, forme par un support nanostructure a surface specifque elevee et deforme a la suite d'un traitement et sur la surface duquel est realise au moins une couche mince deformee en correspondence du support. Diverses autres caracteristiques ressortent de la description faite cidessous en reference aux dessins annexes qui montrent, a titre d'exemples non limitatifs, des formes de realisation de ltobjet de ['invention. La fg. 1 illustre un substrat sur lequel est applique le procede conforme a ['invention. Les fig. 2a a 2d illustrent les differentes phases d'un premier exemple de realisation d'un substrat comprenant une couche mince adaptee a la croissance epitaxiale. Les fg. 3, 3a, 4a, 5a illustrent les differentes phases d'une premiere variante de realisation d'un substrat mettant en ceuvre le procede conforme a ['invention. Les fig. 3b et 4b illustrent les differentes phases d'une deuxieme variante de realisation d'un substrat mettant en aeuvre le procede conforme a ['invention. Les DIg. 6a, 6b, 6c illustrent les differentes phases caracteristiques du procede conforme a 1'invention mis en aeuvre pour un materiau piezoelectrique. Tel que cela ressort de la ilg. 1, I'objet de ['invention concerne un procede pour modifier les proprietes d'une couche mince 1 realisee a la surface planaire d'un support 2 formant ensemble, un substrat 3 destine a etre utilise dans les domaines de la micro-,nano-electronique ou de la micro-,nano-technologie. Le procede selon ['invention consiste a prendre un support nanostructure 2 presentant une surface specifique elevee, c'est-a-dire un support qui contient au moins une couche constituee de nanocristallites et/ou de nanoparticules de diverges s formes geometriques interconnectees entre elles et dont au moins une dimension est inferieure ou egale a 1 000 nm et dont la somme des surfaces de chaque nanoristallite et/ou nanoparticule soit plus grande que la surface planaire occupee par ladite couche. Divers materiaux nanostructures peuvent etre utilises pour constituer le support nanostructure 2 selon ['invention a savoir par exemple: - l es nano structures a surface spec i fique el evee a b as e de metaux ou semi-metaux, - les semi-conducteurs nanostructures a surface specifique elevee tels que par exemple le silicium poreux ou d'autres semi-conducteurs nanostructures de type IV, IV-IV, III-V, II-VI, etc., ou les materiaux dielectriques nanostructures a surface specifique elevee a base de TiO2 (anatase, rutile), Al2O3, ZnO, etc. Le procede selon ['invention vise a former ou a realiser sur la surface planaire du support nanostructure 2 au moins une couche mince 1 cite de contrainte. 1S Cette couche mince de contrainte 1 est soit rapportee directement ou indirectement sur le support nanostructure 2 a ['aide par exemple d'un collage utilisant des moyens d'adhesion moleculaire, soit deposee par une methode quelconque, soit realisee a partir du support nanostructure 2. La couche mince se trouve realisee en un materiau dependent de ['application envisagee pour le substrat 3 tel que, par exemple, un metal, un dielectrique, un semi- conducteur ou un polymere de tous types. Le procede selon ['invention vise ensuite a traiter le support nanostructure 2 pour generer des contraintes internee dans le support entranant sa deformation au moins dans le plan de la couche mince 1 afin d'en modifier ses proprietes. Le support nanostructure 2 est traite de maniere a changer son volume, c'est-a-dire a le dilater ou a le contracter de maniere que la couche mince 1 subisse a ['interface entre le support nanostructure 2 et la couche mince 1, la meme deformation que le support nanostructure 2. La couche mince 1 se retrouve alors en tension ou en compression. I1 doit etre compris que les contraintes internee engendrees dans le support nanostructure 2 par le traitement se relaxent en-quite, partiellement ou completement, par la deformation des nanocristallites et/ou nanoparticules a l'echelle nanometrique entranant la deformation macroscopique du support nanostructure 2. Les moyens utilisables pour generer ces contraintes internee vent multiples et peuvent etre utilises soit separement soit conjointement. L'un de ces moyens consiste a modifier la physico-chimie des nanocristallites et/ou nanoparticules. A titre d'exemple, une modification de la chimie des nanocristallites entrame des variations des distances interatomiques moyennes des atomes formant les nanocristallites. Ces modifications de nature chimique se traduisent par des contraintes internee apparaissant a l'echelle nanometrique qui se relaxent par une deformation des nanocristallites tout en entranant une deformation macroscopique du support nanostructure. Un autre moyen consiste a combler le vice present entre les nanocristallites par insertion de matiere (par exemple lors d'un depot en phase vapeur). Cet ajout de matiere comprime les nanocristallites qui se deforment. L'un des avantages de cette technique est de permettre de modifier le coefficient de dilatation thermique global du support en choisissant la nature des depots realises entre les nanocristallites de maniere a faire correspondre ce coefficient a celui de la 1S couche epitaxiee. L'operation de traitement du support nanostructure 2 qui vise a assurer sa deformation est realisee par tout moyen approprie tel que chimique par exemple. Le procede selon ['invention permet done de faire varier le volume du support nanostructure 2, par un effet de dilatation ou de contraction, afin d'assurer la deformation correspondante, a savoir une dilatation ou une contraction de la couche mince 1 a ['interface avec le support. Un tel procede permet de modifier les proprietes de la couche mince 1, telles que physiques (variation du parametre de maille, epaisseur,...), electriques (levee de la degenerescence de la bande de valence dans les semi-conducteurs, apparition de charges pour les couches piezoelectriques, changement de constante dielectrique, modification des proprietes de transport electrique...), ou optiques (modification de l'energie d'absorption des photons, d'indice de refraction,...). Le procede selon ['invention permet d'obtenir un substrat 3 ne presentant pas de limite de taille, tout en etant compatible avec les nano ou microtechnologies de fabrication collective de composants. Cette solution presente egalement l'avantage d'un cout reduit de realisation. Les fig. 2a a 2d illustrent une premiere variante de realisation d'un substrat 3 obtenu par le procede selon ['invention et destine a permettre la croissance d'une couche epitaxiale en accord de maille parfait ou quasi-parfait. La ffg. 2a illustre un support 2 nanostructure partiellement par un procede permettant la porosification nanometrique de sa structure cristalline ou par un pro c ede permettant la cro is sance d ' une couche nano structuree sur s a surface. Le support 2 nanostructure partiellement comporte une couche non nanostructuree 2 et une couche nanostructuree 22. Bien entendu, la couche 2 peut etre constituee d'une serie de couches de nature chimique differentes. Cette couche 2 peut etre de nature chimique differente ou non de la couche 22. Cette couche 2 peut etre contrainte par rapport a la couche 22 avant ['operation de deformation. De meme, il est a noter que ['objet de ['invention peut etre mis en aeuvre avec un support 2 nanostructure completement. Dans l'exemple illustre, le support nanostructure 2 comprend une couche 2 de silicium monocristallin et une couche 22 de silicium poreux nanostructure. Tel que cela ressort plus precisement de la fg. 2b, une couche mince 1 est realisee sur le support a savoir sur la couche de silicium poreux nanostructure 22. Cette couche mince 1 est par exemple constituee par du phosphore d'indium (InP) et se trouve realisee par epitaxie par jets moleculaires ou autres. Tel que cela ressort plus precisement de la ffg. 2c, le support 2 est soumis a un traitement par exemple chimique tel que oxydation, hydrogenation ou autre permettant de modifier fortement l'etat de contrainte dans le support nanostructure 2, ce qui provoque la dilatation ou la contraction de sa nanostructure. Cette dilatation ou contraction du support nanostructure 2 entrane une dilatation ou contraction correspondante de la couche mince 1 a ['interface avec le support nanostructure 2. La contraction ou la dilatation du support nanostructure 2 permet respectivement de diminuer ou d'augmenter le parametre de maille de la couche mince 1 dans le plan de ['interface. Le procede selon ['invention consiste ensuite a proceder a une epitaxie 4 par exemple en parfait accord de maille sur la surface libre de la couche mince deformee 1. Par exemple, il peut etre procede a une epitaxie d'une couche de InGaAs sur une couche mince de InP deformee. Les fig. 3, 3b et 4b illustrent un autre exemple de realisation d'un substrat mettant en ccuvre le procede selon ['invention et visant a eliminer ltetape d' assemblage du support nanostructure avec la couche mince. Tel que cela apparat plus precisement a la fig. 3, le support 2 est nanostructure partiellement par un procede permettant la porosification nanometrique d'une partie de sa structure cristalline ou par un procede permettant la croissance d'une couche nanostructuree. Le support 2 comporte une couche 2 non nanostructuree et une couche 22 nanostructuree. Cette couche 2 peut etre contrainte par rapport a la couche 22 avant ['operation de deformation. De plus, les couches 2 et 22 peuvent etre de nature chimique differente ou non. Par exemple, le support 2 comporte une couche 2 de silicium-germanium (SixGe x) monocristallin et une couche 22 de silicium nanostructure. La couche 2 de SixGe-x monocristallin est controlee en epaisseur afin de constituer la couche mince 1. Tel que cela ressort plus precisement de la fig. 3b, un tel support nanostructure est traite pour assurer sa deformation, de maniere a assurer une deformation correspondante de la couche mince 1 de SixGe x monocristallin. Comme explique ci-dessus, cette operation de deformation permet de faire varier le parametre de maille de la couche mince 1 de SixGe x monocristallin dans le plan de ['interface autorisant comme illustre a la fg. 4b, une operation d'epitaxie 4 d'un materiau cristallin tel que GaAs en accord de maille. Les ffg. 3a a 5a illustrent une autre variante de realisation de mise en uvre du procede selon ['invention a partir d'un support nanostructure 2 decrit a la ffg. 3 visant egalement a realiser la couche mince 1 par dessus au moins une couche intermediaire en silicium monocristallin 2' du support nanostructure 2. Les criteres de choix de l'epaisseur de cette couche intermediaire 2 vent les memes que pour la couche mince 1. Sur cette couche intermediaire 2 de silicium monocristallin, il est prevu de former une couche mince 1, par exemple en phosphore d'indium. Conformement a la fig. 4a, un tel support 2 est traite pour assurer sa deformation permettant de modifier le parametre de maille de la couche mince 1 de phosphore d'indium. Bien entendu, le parametre de maille de la couche 2 de silicium monocristallin a egalement change. Comme cela apparat plus precisement a la fig. 5a, il peut etre procede a une epitaxie 4 d'un materiau cristallin tel qu'une couche InGaAs sur la couche mince 1 de phosphore d'indium. Cette variante peut etre utilisee si la realisation de la couche mince 1 est plus facile a realiser sur la couche de silicium monocristallin 2 que sur la couche de silicium poreux nanostructure 22. De maniere generale, il est evident que dans le cas ou le support nanostructure 2 est partiellement nanostructure, la couche 22 represente la partie nanostructuree du support et la couche 2, la partie non nanostructuree. Tel que cela ressort de la description qui precede, la couche mince 1 est choisie de maniere a posseder, apres traitement du support nanostructure 2, un parametre de maille correspondent au parametre de maille du materiau cristallin destine a etre forme par croissance epitaxiale sur ladite couche mince 1. Il est a noter que la couche mince 1 peut etre formee ou realisee sur le substrat nanostructure 2 sous une forme precontrainte ou non. De plus, la couche mince 1 est formee ou realisee sur un support 2 non encore ou deja nanostructure. La couche mince 1 presente une epaisseur qui est determinee en fonction de deux criteres: - la couche mince 1 doit etre d'epaisseur suffisamment faible devant le support nanostructure 2 pour eviter, apres la deformation, une courbure trop importante du sub strat (support nano structure et couche mince), - la couche mince doit etre d'epaisseur suffisamment falble pour que la deformation ntengendre pas de defauts structuraux et reste done de nature elastique. D'une maniere generale, la nature de la couche mince sera choisie par rapport aux proprietes physiques modifiees attendues apres deformation. Dans le cas particulier d'une heteroopitaxie, le materiau constituent la couche mince 1 sera choisi en fonction du materiau qui doit etre epitaxie par dessus de facon que leurs parametres de maille soit le plus proche possible l'un de l'autre. Par exemple, sur la couche mince 1, il peut etre effectue le depOt de polymeres ou la croissance epitaxiale d'un materiau cristallin choisi parmi les materiaux: À Semiconducteurs tels que: Famille IV-IV: SiC, SixGe-x'Ge, - Famille III-V: GaxAl xAs, GaxIn xAs, AlxIn xAs, GaxIn xAsyP y, GaxAl xP, GaxAl xN, GaxIn xN,GaxIn xSb, GaxAl-xsb' (GaxIn x) yTlyAs, (GaxIni-x) yTlyP, - Famille II-VI: ZnxCd xTeySe y'CdxHg-xTe À Supra conducteurs tels que YbaCuO. Tel que cela ressort de la description qui precede, ['objet de ['invention concerne un procede permettant de modifer les proprietes d'une couche mince 1 prealablement realisee sur un support nanostructure 2 en le deformant pour entraner une deformation correspondante de la couche mince. Ce procede permet d'obtenir un substrat comprenant un support nanostructure 2 deforme a la suite d'un traitement et sur la surface duquel est realise au moins une couche mince 1 deformee en correspondence du support. Un tel substrat est destine a comporter une couche mince d'un materiau quelconque formant la couche mince 1. Une application de ce substrat est la realisation de composants electroniques susceptibles de profiler des proprietes modifiees apportees par la deformation de la couche mince 1. Une autre application possible d'un tel substrat est de constituer un element optoelectronique en utilisant la possibilite de modifier les proprietes optiques de la couche mince obtenues par la deformation de sa structure. Les fg. 6a a 6c illustrent un autre exemple d'application du procede selon ['invention permettant d'utiliser les proprietes piezoelectriques d'une couche mince. Selon cet exemple d'application, le procede consiste a realiser sur un support nanostructure 2 au moins une couche mince 1 realisee en un materiau possedant des proprietes piezoelectriques. Il est ensuite realise sur cette couche mince 1, une operation de lithographic pour faire laisser subsister des zones piezoelectriques z tel que cela apparat plus precisement a la fig. 6b. Il est a noter qu'il peut etre realise differents types d' operations de lithographic tels que optique, electronique ou aux rayons X. Le traitement d'un tel support nanostructure 2 pour assurer sa deformation tel que decrit precedemment conduit a une deformation correspondante de la couche mince 1 permettant de faire apparatre des charges electriques au niveau de la couche mince et notamment au niveau des zones piezoelectriques 3 tel que cela apparat clairement a la fg. 6c. Il est a noter que ['operation de lithographic peut etre realisee apres ['operation de traitement du support nanostructure poreux 2 entranant sa deformation. Le procede selon ['invention permet aussi d'obtenir un substrat pour la micro-,nanotechnologie. Ainsi, dans le cas ou la couche mince 1 formee sur le support nanostructure est realisee en un materiau piezoelectrique, il peut etre obtenu des elements de forme controlee utilisant des proprietes piezoelectriques. L' inventi on n'e st pas limitee aux exempl es decrits et repre sentes car diverges modifications peuvent y etre apportees sans sortir de son cadre. REVENDICATIONS 1-Procede pour modifier les proprietes d'une couche mince (1) realisee en surface d'un support (2) formant un substrat (3) utilise dans le domaine de la micro-,nano-electronique ou de la micro-,nano-technologie, caracterise en ce qu'il consiste: - a realiser sur un support nanostructure a surface specifique elevee (2), au moins une couche mince (1), - et a traiter le support nanostructure a surface specifique elevee (2) pour generer des contraintes internee dans le support entranant sa deformation au moins dans le plan de la couche mince de maniere a assurer une deformation correspondante de la couche mince pour en modifier ses proprietes. 2 - Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il consiste a traiter le support nanostructure a surface specifique elevee (2) par vole chimique pour assurer une deformation correspondent a une dilatation ou a une contraction de sa 1 5 nanostructure. 3 - Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il consiste a choisir un support nano structure a surface sp ecifique el evee (2) parmi diverg es nano structure s a base de metaux, de semi-conducteurs ou de materiaux dielectriques. 4 - Procede selon la revendication l ou 2, caracterise en ce qu'il consiste apres le traitement du support nanostructure a surface specifique elevee (2), a effectuer sur la couche mince (1), la croissance epitaxiale d'un materiau cristallin. - Procede selon la revendication 4, caracterise en ce qu'il consiste a choisir une couche mince (1) apte a posseder apres traitement du support nanostructure a surface specifique elevee (2), un parametre de maille correspondent au parametre de maille du materiau cristallin destine a etre forme par croissance epitaxiale sur ladite couche mince (1). 6 - Procede selon la revendication 5, caracterise en ce qu'il consiste a realiser sur le support nanostructure a surface specifique elevee (2), une couche mince (1) precontrainte ou non. 7 - Procede selon la revendication 1, caracterise en ce qu'il consiste a former sur le support nanostructure a surface specifique elevee (2), au moins une couche intermediaire (2) entre la couche mince (1) et le support nanostructure a surface specifique elevee (2). 8- Procede selon les revendications 4, 5 et 7, caracterise en ce qu'il consiste a effectuer sur la couche mince (1), la croissance epitaxiale d'un materiau cristallin choisi parmi les materiaux semi-conducteurs ou supraconducteurs. 9 - Procede selon l'une des revendications 1 a 3, caracterise en ce qu'il consiste a realiser sur le support nanostructure a surface specifique elevee (2) une couche mince (1) realisee en un materiau possedant des proprietes piezoelectriques. - Procede selon la revendication 9, caracterise en ce qu'il consiste a realiser sur lO la couche mince (1) une operation de lithographic pour faire apparatre des zones piezoelectriques (z). 11 - Procede selon la revendication 9 ou 10, caracterise en ce qu'il consiste a deformer le support nanostructure a surface specifique elevee (2) de maniere qu'apparaisse des charges electriques au niveau de la couche mince. 12 - Substrat pour la micro-,nano-electronique ou pour la micro-,nano technologie, caracterise en ce qu'il est forme par un support nanostructure a surface specifique elevee (2) et deforme a la suite d'un traitement et sur la surface duquel est realise au moins une couche mince (1) deformee en correspondence du support. 13 - Substrat selon la revendication 12, caracterise en ce qu'il comporte une couche epitaxiale (4) d'un materiau cristallin semi-conducteur ou supra-conducteur, formee sur la couche mince (1). 14 - Substrat selon la revendication 12, caracterise en ce que la couche mince (1) est realisee en un materiau piezoelectrique. - Application du substrat selon la revendication 12 a la realisation d'un element optoelectronique. 16 - Application du substrat selon la revendication 12 a la realisation d'un