Brevet FR2838578A1 — publié le 20031017

du module après intégration des substrats et des composants. DISPOSITIF D'INTERCONNEXION POUR COMPOSANTS A ONDES ACOUSTIQUES D'INTERFACE Le domaine de i'invention est celui des composants à ondes acoustiques d'interface réalisés à l'interface de deux substrats. Les domaines d'application des composants à ondes acoustiques d'interface sont similaires à ceux des composants à ondes acoustiques de surface. lo 11 est connu de réaliser des dispositifs à ondes acoustiques de surface qui utilisent la propagation d'ondes à la surface d'un substrat piézoélectrique. Dans le cas des ondes de surface, la génération et la réception des ondes sont assurées par des transducteurs à peignes interdigités composés d'électrodes entrelacées entre lesquelles on impose une différence de potentiel. Ces dispositifs présentent deux inconvénients principaux: D'une part, pour que les ondes de surface se propagent correctement à la surface du substrat, cette surface doit rester libre. Cette condition est obtenue par des technologies d'encapsulation permettant d'obtenir une cavité. D'autre part, le pas des électrodes composant les peignes interdigités est souvent faible, de l'ordre de quelques centaines de nanomètres. Aussi, des particules conductrices de très faibles dimensions présentes à l'intérieur du botier peuvent court-circuiter un transducteur et perturber le fonctionnement normal du dispositif. Pour pallier cet inconvénient, il faut, soit rendre les boAtiers des composants hermétiques, soit déposer sur les transducteurs une fine couche de matériau diélectrique is o lant. Cette opé ratio n appelée pass ivation pe rm et de sup prim er la sensibilité aux particules conductrices. Elle ne permet néanmoins pas d'éliminer l'opération d'encapsulation qui est une opération coûteuse à . realser. L'utilisation de dispositifs à ondes acoustiques d'interface permet de résoudre ces différents problèmes. On utilise, dans ce cas, non plus la propagation des ondes acoustiques à la surface du substrat mais à l'interface entre deux substrats. Ce principe a été décrit dans le brevet FR2 799 906 intitulé Filtre à ondes acoustiques d'interface notamment pour les liaisons sans fil. E n effet, i' uti lisation d'ondes se propageant à l' interface de deux cristaux permet d'obtenir naturellement un composant passivé ne nécessitant plus de réalisation de cavité. De plus, il n'est pas nécessaire que les deux matériaux soient piézoélectriques. De façon générale, un dispositif à ondes acoustiques d'interface est constitué de deux substrats notés A et B situés de part et d'autre d'une zone d'interface Z. celle-ci comprenant au moins l'ensemble des moyens de transbuction électro-acoustiques E comme il est indiqué sur la figure 1 qui représente une partie du dispositif vue en coupe. Des interconnexions électriques non représentées sur la figure 1 couplées auxdits dispositifs permettent l'émission et la transmission des signaux. La réalisation des interconnexions se fait classiquement au niveau de la zone d'interface comme il est indiqué sur la vue en coupe de la figure 2. Dans ce cas, on dépose sur le substrat A les plots d'interconnexion P sur des plages d'interconnexion G situées dans les zones libres S du substrat A non recouvert par le substrat B. La connexion est ensuite assurée sur ces plages soit par reprise filaire classique soit par report sur un substrat préalablement muni de bumps. Cette solution limite nécessairement la taille des surfaces des deux substrats en regard. Pour pallier cet inconvénient, il est possible de réaliser les interconnexions à travers au moins un des deux substrats comme il est indiqué sur la vue en coupe de la figure 3. Dans ce cas, le procédé de réalisation des interconnexions comporte les étapes telles que décrites par les vues en coupe des figures 4a à 4e: 30. Figure 4a: Réalisation d'un ensemble comprenant les deux substrats et la zone d'interface, ladite zone comprenant les moyens de transduction, ceuxci comportant des plages d'interconnexion G destinés aux plots de connexion électrique P. Figure 4b: Réalisation d'ouvertures O dans au moins un des deux substrats au-dessus des plages d'interconnexion G réservées aux plots de connexion jusqu'aux dites plages, Figure 4c: Dépôt d'une couche conductrice Y sur la surface du substrat comprenant les dites ouvertures de façon à créer le contact électrique entre cette couche et les plages de connexion, Figure 4d: Dépôt d'une résine de protection isolante H sur le substrat comportant les ouvertures. Cette résine est utilisée comme masque de protection pour l'étape suivante. Création des plots de connexion P par remplissage des ouvertures au moyen d'une recharge électrolytique par un matériau conducteur aux emplacements non protégés par la résine. Figure 4e: Retrait de la résine de protection et gravure de la couche conductrice Y de façon à isoler électriquement chaque plot crcé. Cependant, ce procédé présente deux inconvénients principaux. D'une part, il est coûteux, compte-tenu de la pluralité d'opérations à réaliser, et d'autre part, il ne peut être mis en _uvre qu'à condition que le substrat dans lequel sont implantées les interconnexions puisse être gravé sur de fortes épaisseurs sans difficuités majeures, ce qui n'est pas le cas avec certains matériaux piézoélectriques comme le tantalate de lithium, couramment utilisé dans le domaine des ondes acoustiques. Dans ce contexte, I'invention a pour objet un dispositif à ondes acoustiques d'interface fonctionnant à une longueur d'onde acoustique comprenant: Un premier substrat, plan et un second substrat également plan assemblés par une zone d'interface plane comportant des moyens de transduction électro-acoustiques, I'ensemble des deux substrats et de la zone d'interface ayant au moins une face latérale commune; des moyens d'interconnexion permettant de raccorder électriquement les moyens de transbuctions, caractérisé en ce que lesdits moyens d'interconnexion comportent des plages de raccordement connectées ou reliées auxdits moyens de transduction, des zones de raccordement situées sur lesdites plages de raccordement et des plots d'interconnexion déposés sur lesUites plages de raccordement, les plages de raccordement débouchant sur au moins une des faces latérales communes en lesUites zones de raccordement, les plots d'interconnexion étant situés sur au moins une desdites faces latérales communes au niveau desdites zones de raccordement, les plots de connexion étant raccordés électriquement auxdites zones de racco rd em e nt. Avantageusement, les épaisseurs des deux substrats sont grandes devant la longueur d'onde acoustique À et l'épaisseur de la zone lo d'interface est inférieure à dix fois ladite longueur d'onde de façon que la propagation des ondes reste confinée à l'intérieur du dispositif sans perturbations externes possibles. Dans le cas o il n'est pas nécessaire que la zone d'interFace comporte plusieurs couches de matériaux, son épaisseur est choisie inférieure à la longueur d'onde. Le choix des structures des composants à ondes d'interface peut être très varié. Généralement, au moins un des deux substrats est piézoélectrique. Dans ce cas, la zone d'interface peut être réduite à une surface, les centres de transductions piézoélectriques étant alors inclus à l'intérieur d'un des deux substrats. Dans un mode particulier, la zone d'interface contient au moins une couche de matériau piézoélectrique. Dans ce cas, les substrats peuvent être de nature quelconque. La zone d'interface peut comporter, en outre, une ou plusieurs couches de matériaux diélectriques, pour notamment faciliter la propagation des ondes ou le collage des deux substrats. Avantageusement, la face latérale commune de raccordement est inclinée par rapport au plan commun des substrats et de la zone d'interface. Cette disposition particulière présente l'avantage de pouvoir réaliser les différentes étapes de fabrication d'un ensemble de composants sur une seule face de cet ensemble sans avoir à le manipuler au cours des différentes étapes de réalisation, ce qui permet de simplifier notablement la réalisation. Pour diminuer l'encombrement du composant, la face latérale commune de raccordement est choisie perpendiculaire au plan commun des substrats et de la zone d'interface. Dans ce cas, les différentes étapes de réalisation sont effectuées sur plusieurs faces des composants. Dans le premier cas, le procédé de réalisation d'une pluralité de composants à ondes acoustiques d'interface comportant chacun au moins un plot d'interconnexion comprend les étapes suivantes: Réalisation d'une zone d'interface sur un premier substrat, ladite zone d'interface comportant une pluralité de moyens de transduction correspondant chacun à un composant final, lesUits dispositifs lo comportant chacun au moins une plage de raccordement; Mise en place d'un second substrat sur la zone d'interface; Réalisation d'une première opération de découpes à travers le second substrat et au moins les plages de raccordement de la zone d'interface, lesdites découpes permettant de réaliser au moins une face latérale inclinée destinée à 1'interconnexion sur laquelle débouchent les plages de raccordement formant des zones de raccordement; Polissage éventuel (mécanique ou chimique) des faces latérales sur lesquelles débouchent les plages de raccordement; 20. Réalisation d'un dépôt métallique sur le substrat; ledit dépôt recouvrant en totalité l'ensemble des faces latérales et en particulier les zones de raccordement; Retrait partiel dudit dépôt métallique de façon à créer au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion métalliques individualisés; Découpe finale à travers le second substrat, la zone d'interface et le premier substrat permettant d'obtenir les composants individualisés. Dans le second cas, le procédé de réalisation de composants à ondes acoustiques d'interface comportant chacun au moins un plot d'interconnexion comprend les étapes suivantes: Réalisation d'une zone d'interface sur un premier substrat, ladite zone d'interface comportant une pluralité de moyens de transduction disposés en matrice comprenant N lignes de M colonnes, lesdits moyens comportant chacun au moins une plage de raccordement; Mise en place d'un second substrat sur la zone d'interface; Réalisation d'une première opération de découpes à travers le second substrat, les plages de raccordement de la zone et l'intégralité du premier substrat, lesdites découpes permettant d'obtenir N lignes séparées comprenant chacune M moyens de transbuction, chaque ligne ayant au moins une face latérale perpendiculaire au plan commun des substrats et de la zone d'interface, destinée à l'interconnexion sur laquelle débouchent les plages de raccordement en autant de zones de raccordement; lo. Polissage éventuel (mécanique ou chimique) des faces latérales sur lesquelles débouchent les plages de raccordement; Réalisation de dépôts métalliques sur les faces latérales des N lignes obtenues; lesdits dépôts recouvrant en totalité les zones de raccordement; 15. Retrait partiel desdits dépôts métalliques de façon à créer au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion métalliques individualisés; Découpes finales de chaque bande perpendiculairement au plan commun des substrats à travers le premier substrat, la zone d'interface et le second substrat permettant d'obtenir M composants individualisés par ligne. L'étape d'assemblage du second substrat sur la zone d'interface qui est commune aux différents procédés peut être effectuée soit par collage moléculaire, soit par soudure anodique. L' invention se ra m ie ux com p rise et d 'autres avantages appara^'tront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées pammi lesquelles: - la figure 1 donne la configuration générale d'un dispositif à ondes d'interface; - la figure 2 représente une vue des connexions lorsque celles-ci sont réalisées sur la surface commune aux deux substrats, suivant un mode de réalisation connu; - la figure 3 représente une vue des connexions lorsque celles-ci sont réalisées à travers au moins un des deux substrats suivant un second mode de réalisation connu; - les figures 4a à 4e représentent les différentes étapes de réaiisation des connexions lorsque celles-ci sont réalisées au moins à travers un des deux substrats suivant le mode de réalisation précédent; - la figure 5 représente une vue des interconnexions selon l'invention, lorsque lesdites interconnexions sont réalisées sur les surfaces latérales communes aux deux substrats et à la zone d'interface; o - les figure 6a à 6d illustrent les différentes étapes du dépôt des moyens de transduction, qui comprennent notamment des électrodes de transduction dans le cas o lesUites électrodes sont enterrées; - les figures 7a à 7h illustrent les différentes étapes du dépôt des moyens de transduction, qui comprennent notamment des électrodes de transduction dans le cas o celles-ci sont déposoes. Deux modes de réalisation sont donnés sur ces figures, suivant que les électrodes sont déposéss avant ou après la couche intercalaire C dans laquelle elles sont noyees; - les figures 8a à 8e illustrent les étapes de réalisation d'une pluralité de dispositifs selon 1'invention dans le cas de faces latérales inclinées. Chaque figure comprend une vue de dessus et une vue en coupe. Des flèches indiquent les plans de coupe; - les figures 9a à 9f illustrent les étapes de réalisation d'une pluralité de dispositifs selon l'invention dans le cas de faces latérales perpendiculaires au plan commun des substrats. Chaque figure comprend une vue de dessus et une vue en coupe. Des flèches indiquent également les plans de coupe. La figure 5 représente une vue en coupe du dispositif selon I'invention. Le dispositif comprend essentiellement une structure comprenant: Deux substrats A et B Une zone d'interface Z situce entre les deux substrats Des plots d'interconnexion P situés sur les faces latérales communes aux deux substrats et à la zone d'interface. Le choix des structures des composants à ondes d'interface peut être très varié. On citera notamment les associations suivantes: Les deux substrats A et B sont tous deux non piézoélectriques. Dans ce cas, la zone d'interface contient au moins une couche de matériau piézoélectrique permettant d'assurer la transduction électro-acoustique et la propagation des ondes. Le substrat A est piézoélectrique et B ne l'est pas. Dans ce cas, on choisit B en fonction de ses propriétés mécaniques de façon à faciliter la réalisation des composants. Par exemple, si A est du Niobate de Lithium ou du Tantalate de Lithium, B sera préférentiellement de la silice fondue, du silicium mono cristallin ou du silicium amorphe hydrogéné. Les deux substrats sont tous deux piézoélectriques mais de nature différente. On citera, par exemple, les associations suivantes: QuartzNiobate de Lithium Quartz - Tantalate de Lithium Tantalate de Lithium Niobate de Lithium À Les deux substrats sont de même nature mais de coupe cristalline différente. Enfin, les deux substrats peuvent étre de même nature et de même coupe. On peut utiliser, par exemple, du quartz, du Niobate de Lithium ou du Tantalate de Lithium. Dans ce cas, en règle générale, I'assemblage se fera suivant la même orientation cristalline des deux substrats. Il existe deux grands modes de réalisation possible selon l'invention suivant qu'en final, ou les faces latérales utilisées pour I'interconnexion sont inclinées par rapport au plan commun des deux substrats et de la zone d'interface, ou les faces latérales sont perpendiculaires à ce même plan commun. Dans les deux cas, la réalisation d'un ensemble de composants à ondes d'interface selon l'invention passe par les quatre grandes étapes suivantes: 35. Réalisation des zones d'interface sur un premier substrat; Assemblage et découpage des deux substrats; À Réalisation des interconnexions électroniques; Découpe finale permettant d'obtenir des composants individualisés. La première étape est commune aux deux modes de réalisation. Quelque soit la configuration finale retenue, la zone d'interface comporte au moins les moyens de transduction E, qui comprennent, notamment des peignes d'électrodes. lo 11 existe deux procédés possibles de réalisation de ces dispositifs. La réalisation des moyens de transduction E peut se faire par un procédé dit des électrodes enterrées. Il est possible également de réaliser ce dépôt par la technique dite des électrodes déposées. Les principales étapes du premier procédé sont décrites en figures 6a à 6d. Celles-ci représentent des vues en coupe des différentes étapes du processus de réalisation. Dans un premier temps (fig. 6a), on réalise une coupe plane du substrat suivant l'angle de coupe retenu, puis on grave les emplacements W des électrodes (fig. 6b), on dépose ensuite le matériau M (fig. 6c) destiné à réaliser les électrodes, qui peut être de l'aluminium pur, un alliage d'aluminium permettant de limiter la thermo- migration comme l'aluminium-cuivre ou tout autre matériau permettant de fiabiliser la connexion en améliorant la conductivité: du cuivre pur par exemple. En fonction des mode de réalisation mis en _uvre pour réaliser la planarisation, il est possible de substituer aux couches décrites cidessus une multicouche comportant une ou plusieurs couches d'aluminium, de cuivre ou d'aliage aluminium-cuivre entre lesquelles viennent s'intercaler une ou plusieurs couches d'un matériau susceptible de limiter les effets de thermomigration, titane ou cuivre par exemple, cette multicouche étant recouvert sur sa face supérieure par un matériau plus résistant aux agents utilisés pour réaliser la pianarisation, titane ou tungstène par exemple. On planarise enfin (fig. 6d) de fa,con à ne laisser le matériau qu'aux emplacements de gravure. Les différentes étapes du second procédé sont décrites en figures 7a à 7h. Celles-ci représentent des vues en coupe des différentes étapes du processus de réalisation. Dans ce cas, on dépose sur le substrat plan (fig. 7a) le matériau M destiné à réaliser les électrodes. On découpe ensuite ce matériau pour ne laisser subsister que les électrodes (fig. 7b) . On dépose une couche X intercalaire entre les électrodes (fig. 7c), enfin on surface la couche X de façon à obtenir une couche plane de l'épaisseur des électrodes (fig. 7d). Dans une variante de réalisation, on peut commencer par déposer la couche X (fig. 7e), réaliser dans cette couche des ouvertures aux emplacements des électrodes (fig. 7f), déposer le matériau des électrodes sur cette couche (fig. 7g) et enfin araser de façon à obtenir le résultat précédent (fig. 7h). Dans les deux cas, il est possible d'ajouter des couches supplémentaires de matériaux pour compiéter la zone d'interface afin d ' amél io re r so it la p ropagati on des on des, so it l' ad h é rence du second substrat sur la zone d'interface. Le substrat B est ensuite rapporté sur le substrat A en fin de procédé de fabrication de la zone d'interface. Cet assemblage peut être fait soit par collage moléculaire soit par soudure anodique. A partir d'un substrat A unique, il est possible de réaliser un seul composant. Pour des utilisations industrielles, il est plus avantageux de réaliser plusieurs composants Cj j suivant les procédés décrits par les figures 8 et 9 à partir d'un substrat A' commun à une pluralité de composants. Le premier procédé permet d'obtenir des composants à faces latérales inclinées, le second à faces latérales perpendiculaires. Le premier procédé comporte les étapes suivantes: Figure 8a: Sur le substrat A', réalisation d'une zone d'interface Z' comprenant une pluralité de moyens de transduction Ej,j disposés généralement en matrice de N lignes de M colonnes correspondant à une pluralité de composants. Chaque dispositif comporte des plages de raccordement Gj j k. Puis assemblage du substrat B'sur la zone d'interface Z'. Figure 8b: Réalisation d'une première opération de découpes à travers le substrat B' et au moins la zone d'interface Z' permettant d'obtenir au moins une face latérale inclinée L, les plages de raccordement Gj,j,k étant mises à nu dans cette opération de découpes en autant de zones de raccordement Ri,j,k débouchant sur lesdites faces latérales inclinces. Suivant l'état de surface obtenu, une étape de polissage mécanique ou chimique des faces comportant les Ri,j,k est effectuce. Figure 8c: Réalisation d'un dépôt métallique (D) sur le second substrat B'; ledit dépôt recouvrant en totalité l'ensemble des faces latérales et en particulier les zones de raccordement Rj j,k Figure 8d: Retrait partiel dudit dépôt métallique de façon à créer l o au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion métalliques individualisés Pj,j,k. Figure 8e: Découpe finale à travers le premier substrat, la zone d'interface et le second substrat permettant d'obtenir les composants individualisés Cj j avec leurs plots d'interconnexion Pi jk. Le second procédé comporte les étapes suivantes: Figure 9a: Sur le substrat A', réalisation d'une zone d'interface Z' comportant une pluralité de moyens de transduction Ej,j structurée en matrices co rrespondant à N l ign es de M co lonnes (A titre d'exemple, M et N sont égaux à deux sur la figure). Chaque dispositif comporte des plages de raccordement Gi,j,k. Figure 9b: Assemblage du substrat B' sur la zone d'interface Z'. Figure 9c: Réalisation d'une première opération de découpes à travers le premier substrat A', la zone d'interface Z' et le second substrat B' permettant d'obtenir N lignes présentant au moins une face latérale L d'interconnexions, les plages de raccordement étant mises à nu dans cette opération de découpes en autant de zones de raccordement Rj,j,k Suivant l'état de surface obtenu, une étape de polissage mécanique ou chimique des faces comportant les Ri,j,k est effectuée. Figure 9d: Réalisation d'un dépôt métallique sur les lignes obtenues, ledit dépôt recouvrant en totalité l'ensemble des faces latérales et en particulier les zones de raccordement Rj,j,k. Figure 9e: Retrait partial dudit dépôt métallique de façon à créer au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion métalliques individualisés Pi j k. Figure 9f: Découpe finale permettant d'obtenir ensuite les composants définitifs Cj j avec leurs plots d'interconnexion Pj j k. REVENDICATIONS 1. Dispositif à ondes acoustiques d'interface fonctionnant autour d'une longueur d'onde comprenant: À Un premier substrat (A) plan d'épaisseur eA et un second substrat (B) également plan d'épaisseur eB assemblés par une zone d'interface plane (Z) comportant des moyens de transduction électroacoustique des ondes acoustiques (E,Ejj), I'ensemble des o deux substrats et de la zone d'interface ayant au moins une face latérale commune (L); des moyens d'interconnexion permettant de raccorder électriquement les centres de transductions (E, Ej j), caractérisé en ce que lesUits moyens d'interconnexion comportent des plages de raccordement (G. Gijk) connectés ou reliés auxdits centres de transductions, des zones de raccordement (R. Rjk) situées sur lesdites plages de raccordement et des plots d'interconnexion (P. Pi j,k) déposés sur lesdites plages de raccordement, les plages de raccordement débouchant sur au moins une des faces latérales communes (L) en lesdites zones de raccordement (R. Rj,j,k), les plots d'interconnexion étant situés sur au moins une desdites faces latérales commune au niveau desdites zones de raccordement, les plots de connexion étant raccordés électriquement auxdites zones de raccordement. 2. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 1, caractérisé en ce que les épaisseurs eA et eB des deux substrats (A,B) sont grandes devant la longueur d'onde acoustique et l'épaisseur ez de la zone d'interface est au plus égale à environ dix fois cette longueur d'onde. 3. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 1, caractérisé en ce que les épaisseurs eA et eB des deux substrats (A,B) sont grandes devant la longueur d'onde acoustique et I'épaisseur ez de la zone d'interface est inférieure à ladite longueur d'onde acoustique. 4. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon les revendications 1, 2 ou 3, caractérisé en ce qu'au moins un des deux substrats (A, B) est piézoélectrique. 5. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 4, caractérisé en ce que, la zone d'interface étant réduite à une surface, les centres de transductions piézoélectriques sont inclus à l'intérieur d'un des deux substrats (A, B). 6. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la zone d'interface comprend au moins une couche de matériau piézoélectrique. 7. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la zone d'interface comporte une ou plusieurs couches de matériaux diélectriques. 8. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon au moins une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la face latérale commune de raccordement est inclinée par rapport au plan commun des substrats et de la zone d'interface. 9. Dispositif à ondes acoustiques d'interface selon au moins une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la face latérale commune de raccordement est perpendiculaire au plan commun des substrats et de la zone d'interface. 10. Procédé de réalisation d'une pluralité de composants (Cj,j) à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 8, comportant chacun au moins un plot d'interconnexion (Pi,j,k), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes: Réalisation d'une zone d'interface (Z') sur un premier substrat (A'), ladite zone (Z') comportant une pluralité de dispositifs de transbuction (Ej,j) correspondant chacun à un composant final, lesdits dispositifs comportant chacun au moins une plage de raccordement (Gi,j,k); À Mise en place d'un second substrat (B') sur la zone d'interface (Z); s. Réalisation d'une première opération de découpes à travers (B') et au moins les plages de raccordement (Gj,j,k) de la zone (Z'), lesUites découpes permettant de réaliser au moins une face latérale (L') inclinée destinée à l'interconnexion sur laquelle débouchent les plages de raccordement (Gj,jk) formant des zones l o de raccordement (Rj, j,k); Réalisation d'un dépôt métallique (D) sur le substrat (B'); ledit dépôt recouvrant en totalité l'ensemble des faces latérales et en particulier les zones de raccordement (R); Retrait partiel dudit dépôt métallique de façon à créer au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion (Pi,j,k) métalliques individualisés. Découpe finale à travers le substrat (A'), la zone d'interface (Z') et le substrat (B') permettant d'obtenir les composants individualisés. 11. Procédé de réalisation d'une pluralité de composants (Cjj) à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première opération de découpes est suivie d'une opération de polissage des zones de raccordement (Rj,j,k). 2s 12. Procédé de réalisation de composants (Cj,j) à ondes acoustiq ues d' interface selon la revendication 9, comportant chacun au moins un plot d'interconnexion (Pj j k), caractérisé en ce que le procédé comprend les étapes suivantes: Réalisation d'une zone d'interface (Z') sur un premier substrat (A'), ladite zone (Z') comportant une pluralité de dispositifs de transduction (Ejj) disposés en matrice comprenant N lignes de M colonnes, lesUits dispositifs comportant chacun au moins une plage de raccordement (Gi,j,k); Mise en place d'un second substrat (B') sur la zone d'interface (Z'); Réalisation d'une première opération de découpes à travers (A'), les plages de raccordement (G) de la zone (Z') et l'intégralité du substrat (B'), lesdites découpes permettant d'obtenir N lignes séparées comprenant chacune M dispositifs de transduction, chaque ligne ayant au moins une face latérale (L') perpendiculaire au plan commun des substrats et de la zone d'interface, destinée à l'interconnexion sur laquelle déLouchent les plages de raccordement (Gi,j,k) en autant de zones de raccordement (Rj,j, k); Réalisation de dépôts métalliques sur les faces latérales des N lo lignes obtenues; lesdits dépôts recouvrant en totalité les zones de raccordement (Rj,j,k); Retrait partiel desdits dépôts métalliques de façon à créer au niveau de chaque zone de raccordement des plots de connexion métailique individualisés (Pi,j,k) 15. Découpes finales de chaque bande perpendiculairement au plan commun des substrats (A') et (B') à travers le substrat (A'), la zone d'interface (Z') et le substrat (B') permettant d'obtenir M composants individualisés par ligne. 13. Procédé de réalisation d'une pluralité de composants (Cj,j) à ondes acoustiques d'interface selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première opération de découpes est suivie d'une opération de polissage des zones de raccordement (Rj,j,k). 14. Procédé de réalisation d'un dispositif à ondes acoustiques d'interface selon les revendications 10 ou 12, caractérisé en ce que l'étape d'assemblage du substrat (B') sur la zone d'interface est effectuée par collage moléculaire. 15. Procédé de réalisation d'un dispositif à ondes acoustiques d'interface selon les revendications 10 ou 12, caractérisé en ce que l'étape d'assemblage du substrat (B') sur la zone d'interface est effectuée par