Brevet FR2839387A1 — publié le 20031107

troisieme ensembles defini sur le meme niveau de metal. La presente invention concerne une cellule de photodetection et un detecteur d'impulsion laser muni d'une telle cellule de photodetection, ainsi qu'un dispositif de detection dtimpulsion laser comprenant une ma trice de detecteurs de ce type. Bien que non exclusivement, ledit dispositif de detection est des tine plus particulierement a detecter une impulsion laser de duree tres course (par exemple 20 ns) qui est emise dans un environnement lumineux ambient d'eciairement variable, a une frequence predeterminee (par exem ple 10 Hz) . A titre d'illustration, I'impulsion laser a detecter peut etre o emise par une source laser qui est pointee sur une cible, par exemple un char, pour la designer afin qu'elle puisse etre localisee par un systeme d'arme, tel qu'un missile, qui est equipe audit dispositif de detection et qui est destine a detruire cette cible. A cet effet, ledit dispositif de detection d'impulsion laser est par exemple associe a l'autodirecteur du missile, est agence a posse fixe sur ledit missile et observe l'espace vers ['avant audit missile. Les informations relatives a la localisation de la cible, qui vent engendrees par ce dispositif de detection, vent fournies a l'autodirecteur qui les utilise pour guider le missile sur la cible. Un inconvenient important concernant l'utilisation d'un tel disposi o tif de detection reside dans la presence, en plus des impulsions laser de falble energie et de course duree que l'on souhaite detecter, de nombreux eclairements notamment solaires qui forment un bruit de fond lumineux, rend ant souvent tres difficile la detection desdites impulsions laser recher chees. Par le brevet FR-2 753 796, on conna^t un detecteur photosensible pour la detection d'eclats lumineux, ce detecteur photosensible compor tant: - une diode photosensible susceptible de transformer ltenergie lumineuse recue en un courant electrique ou signal eiectrique; et - un moyen de traitement des signaux electriques engendres par ladite diode photosensible, ledit moyen de traitement comprenant un circuit electrique derivateur qui: d'une part, renforce les signaux electriques presentant un temps de 0 montee rapide et correspondent a un eclat lumineux recherche re$u par la diode photosensible; et d'autre part, attenue les signaux electriques correspondent 3 des illuminations plus lentement variables en intensite, de ladite diode photosensible. Ce detecteur photosensible permet done de mettre en evidence un eclat lumineux par rapport au bruit de fond lumineux. Toutefois, lorsqu'on desire realiser un detecteur photosensible de ce type, pour une application telle que celle precitee, on se heurte a plusieurs contraintes, et notamment: - une contrainte de taille. Le detecteur doit en effet presenter une taille tres reduite, par exemple 70, um x 70,um; - une contrainte de coOt. Pour etre rentable, le detecteur doit presenter un cout de fabrication tres faible; et - une contrainte technique. Le detecteur doit pouvoir detecter et extraire du fond lumineux une impulsion laser de course duree (par exemple 20 ns) et de tres falble energie (par exemple 10-13 J). La presente invention a pour objet de remedier a ces contraintes. Wile concerne une cellule de photodetection, de cout reduit, permettant de detecter de facon particulierement efficace une impulsion laser de duree tres course et de faible energie qui est emise, dans un environnement lu mineux ambient, d'eclairement variable. A cet effet, selon ['invention, ladite cellule de photodetection reali see sous forme d'un circuit integre en technologie CMOS et comportant un photocapteur qui est susceptible de transformer une energie lumineuse recue en un courant eiectrique et un moyen de traitement du courant elec trique engendre pa r led it photocapteur, est remarquable en ce q ue ledit moyen de traitement comporte un amplificateur inverseur cascode, rebou cle par une contra-reaction de type suiveur lent, qui est alimentee par le 0 courant electrique engendre par ledit photocapteur. Ainsi, on obtient une cellule de photodetection qui est particulie rement efficace pour isoler (et amplifier) le courant electrique relatif a une impulsion lumineuse de course duree, par rapport au courant electrique global qui est engendre par ledit photocapteur et qui comprend egalement le fond lumineux, de maniere b pouvoir ensuite traiter le signal corres pondant a cette impulsion lumineuse. En outre, comme on le verra plus en detail ci-dessous, ladite cel lule de photodetection presente de nombreux avantages supplementaires. Wile est notamment compacte, simple a realiser et peu sensible aux disper signs technoiogiques. Par ailleurs, ladite cellule photoelectrique presente un cout reduit, notamment en raison de sa realisation sous forme de circuit integre par un procede de fabrication CMOS usuel. Selon ['invention, ladite contra-reaction comprend un suivour (de type lent) comportant plusieurs transistors NMOS identiques, montes en serie et alimentes par le courant electrique engendre par ledit photocap teur. De preference, ledit suiveur comporte deux transistors NMOS. En outre, dans un mode de realisation prefere, ledit photocapteur est une photodiode de type caisson-subs/rat, qui est particulierement appropriee a la detection d'une impulsion laser infrarouge. La presente invention comporte egalement un detecteur d'impul sion laser qui comporte une cellule de photodetection telle que celle de crite ci-dessus. Avantageusement, ledit detecteur comporte de plus: - un filtre passe-haul a amplificateur inverseur reboucle; et/ou - un comparateur a padre differentielle PMOS a charge NMOS, pour com 0parer la reponse de la cellule de photodetection a un seuil reglable; et/ou - une cellule de memorisation. Par ailleurs, la presente invention concerne egalement un dispositif de detection d'impulsion laser, qui est remarquable en ce qu'il comporte une pluralite de detecteurs d'impulsion laser du type precise, qui vent for mes sur un circuit integre et qui vent agences en lignes et en colonnes sous forme de matrice. Les figures du dessin annexe feront bien comprendre comment ['invention peut etre realisee. Sur ces figures, des references identiques designent des elements semblables. La figure 1 represente schematiquement une cellule de photode tection conforme a ['invention. Les figures 2 et 3 montrent, de facon schematique, respective ment un amplificateur et un suiveur de la cellule de photodetection de la figure 1. La figure 4 represente schematiquement un detecteur d'impulsion laser conforme a ['invention. La figure 5 montre, schematiquement et partiellement, un disposi tif de detection d'impulsion laser conforme a ['invention. La cellule de photodetection 1 conforme a ['invention et represen tee sur la figure l est destinee plus particulierement a detecter une impul sion laser 2 de tres course duree (par exemple 20 ns) et de faible energie (par exemple 10-'3 J), qui est emise dans un environnement lumineux ambient d'eclairement variable, a une frequence predeterminee (par exem ple 1 0 Hz). Ladite cellule de photodetection 1 qui est realisee sous forme d'un circuit integre en technologie CMOS est du type comportant un photo capteur 3, qui est susceptible de transformer une energie lumineuse recue 0 en un courant electrique et un moyen 4 de traitement du courant electri que engendre par ledit photocapteur 3. Selon ['invention, ledit moyen de traitement 4 comporte un ampli ficateur inverseur cascode 5, reboucle par une contra-reaction 6 de type suiveur lent, qui est alimentee par le courant electrique engendre par ledit photocapteur 3. Ce moyen de traitement 4 delivre a sa sortie une tension Vs. en fonction de la tension d'entree Ve qui lui est appliquee. L'amplificateur inverseur cascode 5 comporte, comme represente sur la figure 2, entre un transistor 7 de charge (a la tension de charge Vd, avec une tension de reference Vref1) et un transistor 8 de signal (recevant comme signal d'entree une tension Ve1) relic a la masse M du circuit, un etage de type grille commune compose d'un transistor 9 de meme type que le transistor 8 [par exemple un transistor NMOS, ctest-a- dire un semi conducteur a oxyde de metal a canal N], dont la grille est polarisee a une tension de reference Vref2. La tension de sortie de cet amplificateur 5 est notee Vs 1. La contra-reaction 6 comprend, comme represente sur la figure 3, un transistor 10 sur la grille duquel on vient reboucler le systeme et au moins un transistor 11, de preference identique au transistor 10, qui est monte en serie avec ledit transistor 10. Les differents transistors 10, 11 vent alimentes par le courant electrique engendre par le photocapteur 3. ce suiveur de type lent peut comporter une pluralite de transistors NM OS. Dans un mode de realisation prefere, il comporte uniquement deux transis tors 10 et 1 1, comme represente sur les figures 1 et 3. On notera que pour des variations lenses du courant alimentant la contrareaction 6, I'amplificateur 5 est contre-reactionne alors que, pour une variation rapide, il fonctionne en boucle ouverte. La cellule de photo detection 1 se caracterise done par un gain dynamique et un gain statique tels que: - pour le gain dynamique (reponse de la cellule de photodetection 1 a une impulsion de courant iph engendree par le photocapteur 3 suite 3 son eclairement par une impulsion laser 2), sur quasiment toute la gamme de courant de fond auquel se superpose l'impulsion laser 2, la reponse de la cellule 1 vaut, si le gain en boucle ouverte de l'amplificateur 5 est independent de ce courant de fond: Vs A.t Zac = = iph C avec: t, la duree de l'impulsion 2; A, le gain de l'amplificateur 5 en boucle ouverte: 20. C, la capacite du photocapteur 3; et Vs. I'amplitude de la reponse en sortie de la cellule 1; - pour le gain statique, I'evolution du courant traversant le photocapteur de iO 3 il modifie la tension continue en sortie de la cellule 1 de VO 3 V1: V1 = VO + nVt A 1 In jO avec: n, le nombre de transistors dans la boucle (deux dans l'exemple des figures 1, 3 et 4); et Vt, le potentiel thermodynamique. Ceci correspond a la reponse non amplifiee d'un detecteur loga rithmique a un courant lent. On beneficie de la grande dynamique d'entree qui fait l'interet de ce photodetecteur, de maniere quasiment independante du gain A de l'amplificateur. Par ailleurs, dans le mode de realisation prefere represente sur la figure 1, le photocapteur 3 est une photodiode de type caisson profond comprenant un caisson 12 de type N qui est forme dans un substrat 13 de type P et qui est muni d'une surface d'eclairement 14. Un tel photo capteur 13 est particulierement approprie a ia detection d'une impulsion laser infrarouge. On notera que la ceilule de photodetection 1 conforme a l'inven tion est capable de detecter une impulsion lumineuse (laser) de 20 ns infe rieure a 0.1,uW, ce qui correspond a une energie de l'ordre du femto Joule. En plus, sa sensibilite est quasiment independante du niveau du fond lumineux continu, auquei se superpose l'impulsion lumineuse 2, et ce sur une dynamique du fond de 6 decades. Ainsi, grace a ['invention, on obtient une cellule de photodetection 1 qui est particulierement efficace pour isoler (et amplifier) le courant elec trique relatif a une impulsion lumineuse 2 de course duree, par rapport au courant electrique global qui est engendre par ledit photocapteur 3 et qui comprend egalement le fond lumineux, de maniere a pouvoir traiter le si gnal correspondent a cette impulsion lumineuse 2. En outre, ladite cellule de photodetection 1 presente de nombreux avantages supplementaires. Wile est notamment compacte, simple a reali ser, peu sensible aux dispersions technologiques, et de plus presente un cout reduit, notamment en raison de sa realisation sous forme de circuit integre dans une technologie CMOS usuelle. Ladite cellule de photodetection 1 peut etre integree dans un de tecteur 16 d'impulsion laser represente selon un mode de realisation pre fere sur la figure 4. Ledit detecteur 16 comporte, en plus de ladite cellule de photode tection 1, successivement: - un moyen de filtrage 17; - un comparateur 18; - une cellule de memorisation 19; et - un moyen 20 de selection de ligne. Bien que sa sensibilite soit independante du niveau du fond lumi neux, la cellule de photodetection 1 ne filtre pas la composante lente du fond. Le moyen de filtrage 17 qui comprend un filtre passe-haul a pour objet de realiser ce filtrage. Ledit moyen de filtrage 17 est un filtre passe-haul a amplificateur inverseur reboucle comportant, en plus d'une capacite Cf. deux transistors 21 et 22 qui constituent l'amplificateur et qui vent montes en diode. La resistance equivalente est inversement proportionnel le a la som me de leur transconductance, et les capacites parasites apportees par l'amplificateur a la sortie de la cellule vent principalement les capacites grille-source des transistors 21 et 22. Le transistor 21 est soumis a une tension de polari sation Vf. On notera en outre que la valeur minimale de la capacite Cf est 2 imposee par la taille des transistors 21 et 22 du moyen de filtrage 17 et la valeur maximale depend de la surface de silicium que l'on veut utiliser: les capacites vent realisees a partir de la superposition de couches de polysili cium 1 et 2 par exemple. Une capacite de 180 fF occupe une surface de l'ordre de 1 00,um2. Par ailleurs, le comparateur 18 a pour objet de reduire les detec tions parasites en elevant le seuil de comparaison, lorsque la puissance de l'energie lumineuse est importante. A cet effet, ledit comparateur 18 est un comparateur a padre differentielle PMOS (transistors 23 et 24) [PMOS: semi-conducteur a oxyde de metal a canal P] a charge NMOS (transistors et 26), pour comparer le signal issu du moyen de filtrage 17 a un seuil reglable (Vseuil). Le transistor 25 (soumis a une tension de polarisation Vpol) est utilise comme source de courant et le transistor 26 est une resistance lo commandee en tension (Vgain). Quant a la cellule de memorisation 19, elle est realisee sous forme d'une memoire usuelle de type "latch", comportant des transistors 27 a 34 et associee a une tension de commande Vlatch. Cette cellule de me morisation 19 a pour objet de memoriser le passage du comparateur 18 par un niveau teas correspondent a la detection d'une impulsion lumineuse. Par ailleurs, le moyen 20 de selection de ligne comporte deux transistors 35 et 36 et est associe a une tension de commande Vsel. Ledit moyen 20 delivre done le signal de sortie (Vs2) audit detecteur 16 d'im pulsion laser. Par consequent, le detecteur 16 comporte cinq tensions de polari sation (Vref 1, Vref2, Vf, Vgain, Vpol) et trots tensions de commande (Vseuil, Vlatch, Vsel). Un tel detecteur 16 peut faire partie d'un dispositif 38 de detec tion d'impulsion laser. A cet effet, ce dispositif 38 comporte, tel que re z5 presente partiellement sur la figure 5, une pluralite de detecteurs 16 d'im pulsion laser, tels que celui precise, qui vent formes sur un circuit integre et qui vent agences en lignes L1, L2, L3, L4, L5, L6 (avec des liaisons de sortie {1 a {6) et en colonnes Cl, C2, C3, C4, C5 (avec des liaisons de sortie e1 a e5), sous forme de matrice. REVENDICATIONS 1. Cellule de photodetection realisee sous forme d'un circuit inte gre en technologie CMOS et comportant un photocapteur (3) qui est susceptible de transformer une energie lumineuse recue en un courant electrique et un moyen de traitement (4) du courant electrique engendre par ledit photocapteur (3), caracterisee en ce que ledit moyen de traitement (4) comporte un amplifi cateur inverseur cascode (5), reboucle par une contrareaction (6) de type suivour lent, qui est alimentee par le courant electrique engendre par ledit l o photocapteur (3). 2. Cellule de photodetection selon la revendication 1, caracterisee en ce que ladite contra-reaction (6) comprend un suiveur a transistors NMOS identiques (10, 11), montes en serie et alimentes par le courant electrique engendre par ledit photocapteur (3). 3. Cellule de photodetection selon la revendication 2, caracterisee en ce que ledit suiveur comporte deux transistors NMOS (10, 1 1). 4. Cellule de photodetection selon l'une quelconque des revendica tions precedentes, caracterisee en ce q ue led it photocapteur (3) est une photodi ode de type caisson-subs/rat. 5. Detecteur dtimpulsion laser, caracterise en ce qu'il comporte une cellule de photodetection (1) telle que celle specifiee sous l'une quelconque des revendications 1 a 4. 6. Detecteur selon la revendication 5, caracterise en ce qu'il comporte de plus un filtre passe-haul (17) a ampli ficateur inverseur reboucle. 1 1 7. Detecteur selon l'une des revendications 5 et 6, caracterise en ce qu'il comporte de plus un comparateur (18) a padre diffe rentielle PMOS 3 charge NMOS, pour comparer la reponse de la cellule de photodetection (1) a un seuil reglable. 8. Detecteur selon l'une des revendications 5 a 7, caracterise en ce qu'il comporte de plus une cellule de memorisation (19). 9. Dispositif de detection d'impulsion laser, caracterise en ce qutil comporte une pluralite de detecteurs (1) d'impulsion laser, tels que celui specific sous l'une quelconque des revendications 5 a 8, qui vent formes sur un circuit integre et qui vent agences en lignes (L1