Brevet FR2833778A1 — publié le 20030620

La présente invention concerne, d'une manière générale, un circuit intégré. Ce circuit intégré peut, à titre d'exemple, contenir un circuit à inductance/capacité (LC) faisant partie d'un dispositif de recherche de canaux pour un sélecteur de fréquences radio. Par exemple, un circuit LC de ce type peut être prévu dans le "circuit bouchon" d'un oscillateur commandé en tension (VCO) haute fréquence (HF) formant l'oscillateur local d'un changeur de fréquence, ou dans un circuit de filtrage LC HF dans lequel il est souhaitable d'obtenir un coefficient de qualité Q élevé. Un type connu de résonateur LC VCO à circuit intégré utilise une ou plusieurs diodes à capacité variable (varicap) pour que le VCO puisse être accordé sur une gamme de fréquences. Cependant, étant donné que les composants inductif et capacitif d'un tel résonateur intégré ont des tolérances de fabrication très larges et qu'un VCO classique doit avoir une plage d'accord relativement large, ces diodes varicap doivent permettre une variation de capacité relativement importante entre leur capacité minimum et leur capacité maximum. Par conséquent, le coefficient de qualité Q de ces résonateurs LC est limité par la résistance parasite des diodes varicap. De plus, les dispositifs de ce type ont des performances relativement faibles en termes de bruit, en raison des caractéristiques de manière inhérente non linéaires des diodes varicap, qui permettent une transposition de la fréquence du bruit. En outre, ces VCO sont très sensibles à leurs entrées de commande de fréquence en raison du fait qu'ils doivent pouvoir être accordés sur une gamme de fréquences étendue. La figure 1 des dessins annexés représente la configuration physique, le circuit équivalent et le symbole de circuit d'un type connu de condensateur HF intégré. Le condensateur est formé sur un substrat en silicium de circuit intégré monolithique 1 vis-à-vis duquel il est isolé par une couche diélectrique de métallisation 2 de type connu. Le condensateur comprend une plaque métallique "inférieure" 3 et une plaque métallique "supérieure" 4 séparées l'une de l'autre par une autre couche diélectrique de métallisation 5. Le condensateur est recouvert d'une couche de passivation 6 de type connu qui recouvre l'ensemble du circuit intégré. Le condensateur résultant 10 est représenté relié à des bornes Tl et T2 entre lesquelles il présente la capacité pour laquelle il est prévu dans les limites des tolérances de fabrication. Toutefois, la plaque métallique inférieure 3 présente également une résistance et une capacité parasites du fait de sa proximité vis-à-vis du substrat en silicium 1. Ceci est représenté sur le circuit équivalent de la figure 1 sous la forme de la capacité Cox entre la plaque métallique inférieure 3 et le substrat 1 et par la résistance Rsub et la capacité Csub du substrat 1. Par conséquent, si la plaque métallique inférieure est porteuse d'une tension de signal HF, une énergie est transférée au substrat en silicium 1 "dissipatif", ce qui peut avoir pour effet de dégrader les performances en termes de bruit des types connus de circuits VCO. La figure 2 des dessins annexés représente un type connu de circuit accordé LC utilisant des condensateurs 10a et 10b du type représenté sur la figure 1. Le circuit accordé forme le résonateur d'un circuit bouchon d'un VCO et comporte une borne "Bouchon" destinée à être reliée au VCO et une borne de masse virtuelle Vgnd. Le condensateur 10a est monté en parallèle avec une bobine d'inductance 11 entre les bornes Bouchon et Vgnd pour former un circuit résonant parallèle. Le condensateur lOb est monté en série avec un élément de circuit de commande 12 aux bornes de la bobine d'inductance 11 et du condensateur 10a. L'élément de circuit de commande 12 comporte une borne "Commande" destinée à commander son fonctionnement. Par exemple, l'élément 12 peut comprendre un transistor à effet de champ dont le chemin source-drain est monté en série avec le condensateur lOb et dont la borne de grille comprend l'entrée de commande. Le transistor joue ainsi le rôle d'un commutateur électronique pour que le condensateur lOb puisse être relié sélectivement en parallèle à la bobine d'inductance 11 et au condensateur 10a, afin de définir un circuit commutéaccordé pouvant être sélectionné pour avoir l'une ou l'autre de deux fréquences de résonance. A titre de variante, l'élément 12 peut comprendre un dispositif à capacité variable, tel qu'une diode varicap, pour assurer un accord continu de la fréquence de résonance. Lorsque l'élément de circuit de commande 12 est tout simplement dans un état d'impédance relativement faible, une tension de signal est présente sur la plaque inférieure du condensateur lOb et, comme cela est représenté sur la figure 1, ceci se traduit par des pertes d'énergie indésirables en raison de la liaison avec le substrat 1. L'expression "n#ud à masse virtuelle" utilisée ici est censée signifier un n#ud électrique d'un circuit, conçu pour rester à une tension sensiblement constante. Un tel n#ud à masse virtuelle peut, par exemple, être un n#ud du circuit, dans lequel des signaux différentiels s'équilibrent, un n#ud d'une ligne d'alimentation en énergie ou un n#ud de polarisation en tension. Un n#ud à masse virtuelle comprend un n#ud à masse réelle relié à la masse d'un circuit. Pour remédier aux inconvénients décrits précédemment et conformément à la présente invention, il est proposé un circuit intégré comprenant un substrat, un circuit de sélection de fréquence qui comprend au moins un premier condensateur à plaques multiples, et un n#ud à masse virtuelle, caractérisé en ce que chaque premier condensateur à plaques multiples comprend un premier condensateur comportant une première plaque et une deuxième plaque disposée entre la première plaque et le substrat, et un second condensateur comportant la deuxième plaque et une troisième plaque disposée entre la deuxième plaque et le substrat, le n#ud à masse virtuelle étant relié à la troisième plaque. Le circuit de sélection de fréquence peut comprendre une bobine d'inductance. Les premier et second condensateurs peuvent être électriquement en série l'un avec l'autre. Les premier et second condensateurs peuvent être reliés aux bornes de la bobine d'inductance. Le n#ud à masse virtuelle peut comprendre un n#ud de masse. La troisième plaque peut être isolée vis-à-vis du substrat. Le circuit peut comprendre un élément de commande relié à la deuxième plaque de chaque premier condensateur à plaques multiples. L'élément de commande ou l'un au moins des éléments de commande peut comprendre un commutateur, tel qu'un transistor à effet de champ. A titre de variante, l'élément de commande ou l'un au moins des éléments de commande peut comprendre un dispositif à capacité variable, tel qu'une diode à capacité variable. Le circuit peut comprendre plusieurs premiers condensateurs à plaques multiples et plusieurs éléments de commande. L'un au moins des éléments de commande peut être conçu pour permettre un réglage par paliers, tandis qu'un autre au moins des éléments de commande peut être conçu pour permettre un réglage sensiblement continu. Chaque élément de commande peut être monté en parallèle avec le second condensateur. Le circuit peut comprendre au moins un second condensateur à plaques multiples, chaque second condensateur à plaques multiples comprenant un troisième condensateur comportant une quatrième plaque et une cinquième plaque disposée entre la quatrième plaque et le substrat, et un quatrième condensateur comportant la cinquième plaque et une sixième plaque disposée entre la cinquième plaque et le substrat. Chaque élément de commande peut être monté entre la deuxième plaque et la cinquième plaque des deux premier et second condensateurs à plaques multiples respectifs. Les troisième et sixième plaques peuvent être reliées entre elles pour former le n#ud à masse virtuelle. Le circuit peut comprendre un circuit de sélection de fréquence supplémentaire comprenant les troisième et quatrième condensateurs. Le circuit peut comprendre un cinquième condensateur comprenant une septième plaque reliée à la première plaque et une huitième plaque disposée entre la septième plaque et le substrat et reliée au n#ud à masse virtuelle ou à un n#ud à masse virtuelle supplémentaire. Le circuit peut comprendre un sixième condensateur comportant une neuvième plaque reliée à la quatrième plaque, et une dixième plaque reliée à la huitième plaque pour former le n#ud à masse virtuelle supplémentaire. Le circuit peut comprendre un oscillateur local comportant un circuit de détermination de fréquence comprenant le circuit de sélection de fréquence. Le circuit peut comprendre un filtre comprenant le circuit de sélection de fréquence. Le circuit peut comprendre un sélecteur de fréquences radio. Il est ainsi possible de réaliser un dispositif qui réduit sensiblement les effets d'éléments parasites entre les condensateurs et le substrat d'un circuit intégré. Grâce à une disposition superposée d'au moins deux condensateurs, lorsque la plaque inférieure est reliée à un n#ud à masse virtuelle, pratiquement aucune tension de signal n'apparaît sur la plaque inférieure, de sorte que les pertes dues au substrat peuvent être sensiblement réduites ou éliminées. Ainsi, le coefficient de qualité Q des circuits accordés comprenant de tels condensateurs peut être nettement supérieur à celui des dispositifs connus, tels que ceux représentés sur les figures 1 et 2 des dessins annexés, par exemple. D'autres inconvénients résultant de la liaison des condensateurs connus avec le substrat en silicium peuvent également être sensiblement atténués ou éliminés. Ainsi, par exemple, les performances des oscillateurs locaux et des filtres d'un sélecteur de fréquences radio à circuit intégré peuvent être considérablement améliorées. Ce qui précède, ainsi que d'autres buts, caractéristiques et avantages de la présente invention, ressortira plus clairement de la description détaillée suivante de modes de réalisation préférés donnée à titre d'exemple nullement limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 représente schématiquement la configuration physique, le circuit équivalent et le symbole d'un condensateur intégré à deux plaques de l'art antérieur; la figure 2 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC asymétrique de type connu comprenant le condensateur représenté sur la figure 1; la figure 3 représente schématiquement la configuration physique, le circuit équivalent et le symbole d'un condensateur intégré à trois plaques faisant partie d'un circuit intégré constituant un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 4 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC asymétrique constituant un deuxième mode de réalisation de l'invention; la figure 5 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC différentiel constituant un troisième mode de réalisation de l'invention; la figure 6 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC différentiel comportant plusieurs n#uds à masse virtuelle selon un quatrième mode de réalisation de l'invention; la figure 7 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC différentiel comportant un réglage approximatif et un réglage précis, selon un cinquième mode de réalisation de l'invention; et la figure 8 est un schéma de circuit d'un circuit bouchon LC différentiel comportant deux étages de réglage approximatif et un réglage précis, selon un sixième mode de réalisation de l'invention. Le condensateur à trois plaques représenté sur la figure 3 comprend deux condensateurs Cl et C2 montés en série qui font partie d'un circuit de sélection de fréquence formé dans un circuit intégré. Le condensateur Cl comprend une plaque métallique inférieure 3 disposée sur une couche diélectrique 2 au-dessus d'un substrat en silicium 1 de la même manière que le condensateur représenté sur la figure 1. La plaque 3 constitue la plaque inférieure du condensateur Cl. La plaque supérieure du condensateur Cl et la plaque inférieure du condensateur C2 sont constituées par une plaque métallique "médiane" 4 séparée de la plaque 3 par une couche diélectrique 5. La plaque supérieure du condensateur C2 est formée par la plaque métallique supérieure 7 qui est séparée de la plaque 4 par une autre couche diélectrique 8 et qui est recouverte par la couche de passivation 6. Comme cela est visible sur le circuit équivalent, les plaques 3,4 et 7 sont respectivement reliées aux bornes Tl, T2 et T3. Le condensateur intégré à trois plaques joue ainsi le rôle des deux condensateurs C20 et C21 montés en série, la plaque métallique 4 commune étant accessible électriquement par l'intermédiaire de la borne T2. Comme cela ressort du circuit équivalent, il existe, entre la plaque métallique inférieure 3 et le substrat 1, les mêmes composants parasites que sur la figure 1. Par conséquent, la capacité entre la plaque 3 et le substrat 1 est représentée par Cox, tandis que la capacité et la résistance du substrat 1 sont représentées par Csub et Rsub. Toutefois, la plaque métallique inférieure 3 est reliée par l'intermédiaire de la borne Tl à un n#ud à masse virtuelle, de sorte qu'une tension de signal faible ou nulle apparaît sur la plaque métallique inférieure 3. Il n'y a donc sensiblement pas de tension de signal entre la plaque métallique inférieure 3 et le substrat 1, si bien que les pertes dues à la liaison avec le substrat 1 sont considérablement réduites, voire supprimées. La figure 4 représente un circuit bouchon d'un type semblable à celui représenté sur la figure 2 et comprenant une bobine d'inductance 11 et un condensateur 10 du type intégré à deux plaques comme celui représenté sur la figure 1. La plaque inférieure du condensateur 10 est reliée au n#ud à masse virtuelle Vgnd, de sorte que sensiblement aucune tension de signal n'apparaît entre la plaque inférieure et le substrat 1. Le circuit bouchon comprend également un condensateur intégré à trois plaques 20,21 du type représenté sur la figure 3. La plaque inférieure du condensateur 20 est également reliée au n#ud à masse virtuelle Vgnd, de sorte que, comme indiqué précédemment, sensiblement aucune tension de signal n'apparaît entre la plaque inférieure du condensateur 20 et le substrat 1. Ainsi, les pertes dues à la liaison entre les plaques inférieures des condensateurs 10 et 20 et le substrat 1 sont pratiquement évitées. Le circuit bouchon représenté sur la figure 4 comprend également un élément de circuit de commande 12, tel qu'un transistor à effet de champ ou une diode varicap, comme cela a été décrit précédemment en référence à la figure 2. Cependant, l'élément de circuit de commande 12 est relié à la plaque médiane qui est commune aux condensateurs 20 et 21, et est en fait en parallèle avec le condensateur 20. Une tension de signal apparaît effectivement sur la plaque médiane 4 commune aux condensateurs 20 et 21, mais il existe peu ou pas de liaison entre cette plaque et le substrat, d'où sensiblement aucune perte. Il est possible de faire varier la fréquence de résonance du circuit bouchon, par exemple en faisant varier la capacité en parallèle avec le condensateur 20 ou en court-circuitant sélectivement le condensateur 20 au moyen de l'élément 12. La figure 5 représente un circuit bouchon LC différentiel comprenant deux bobines d'induction 11a et llb ayant sensiblement la même inductance, deux condensateurs 10a et lOb de sensiblement même capacité et même type que celui représenté sur la figure 1, et deux paires de condensateurs 20A, 21A et 20B, 21B du type représenté sur la figure 3. Les condensateurs 20A et 20B ont sensiblement la même capacité, de même que les condensateurs 21A et 21B ont sensiblement la même capacité. Le circuit bouchon comporte des bornes Bouchon A et Bouchon B. L'élément de circuit de commande 12 est monté entre les plaques médianes des condensateurs intégrés à trois plaques 20A, 21A et 20B, 21B. Là encore, toutes les plaques métalliques inférieures des condensateurs 10A, 10B, 20A et 20B sont reliées au n#ud à masse virtuelle Vgnd, de sorte que les pertes dues à la liaison avec le substrat 1 sont considérablement réduites ou pratiquement éliminées. La figure 6 représente un autre circuit bouchon LC différentiel qui diffère de celui représenté sur la figure 5 en ce qu'il comporte plusieurs n#uds à masse virtuelle Vgnd A, Vgnd B et Vgnd C. Les bornes inférieures des bobines d'inductance 11A et 11B sont reliées au n#ud à masse virtuelle Vgnd A qui correspond au n#ud Vgnd représenté sur la figure 5. Le n#ud Vgnd A est un n#ud à masse virtuelle en raison de sa connexion avec d'autres circuits (non représentés) du circuit intégré. Les plaques inférieures des condensateurs 10A et 10B sont reliées entre elles et, du fait de la nature symétrique ou différentielle du circuit bouchon, cette connexion est elle-même un n#ud à masse virtuelle Vgnd B. De la même manière, les plaques inférieures des condensateurs 20A et 20B sont reliées entre elles et forment automatiquement un n#ud à masse virtuelle Vgnd C. Une configuration de ce type peut présenter des avantages en ce qui concerne la disposition réelle des interconnexions dans le circuit intégré. La figure 7 représente un autre circuit bouchon LC différentiel semblable à celui représenté sur la figure 5, mais comprenant une paire supplémentaire de condensateurs intégrés à trois plaques 30A, 31A et 30B, 31B pourvus de deux éléments de circuit de commande 12a et 12b. Ici aussi, les plaques inférieures des condensateurs 30A et 30B sont reliées au n#ud à masse virtuelle Vgnd. Cependant, la figure 7 représente deux types différents d'éléments de circuit de commande 12a et 12b respectivement destinés à assurer une variation commutée et continue de la fréquence de résonance du circuit bouchon. L'élément de circuit de commande 12a permet des variations commutées et comprend un transistor à effet de champ FI et des résistances RI, R2 et R3 reliées à une entrée Commande B et à une référence Ctl B. En fonction du signal de commande appliqué au transistor à effet de champ F1, le chemin drain-source de celui-ci peut avoir une impédance très faible ou une impédance très élevée correspondant à un commutateur en position respectivement fermée ou ouverte. Ce dispositif assure des variations par paliers de la fréquence de résonance du circuit bouchon. L'élément de circuit de commande 12b reçoit de la même manière un signal de commande au niveau d'une entrée Commande A rapportée à une référence Ctl A. L'élément 12b comprend des diodes varicap Dl et D2 montées "dos à dos" entre les plaques médianes communes aux condensateurs 30A, 31A et 30B, 31B. Les diodes Dl et D2 sont reliées par l'intermédiaire de résistances R4, R5 et R6 aux entrées A, ce qui permet l'application à leurs bornes de la même tension variable. Ainsi, dans les limites des tolérances de fabrication, les diodes Dl et D2 présentent sensiblement les mêmes capacités variables, ce qui permet un réglage continu de la fréquence de résonance du circuit bouchon. Le circuit bouchon représenté sur la figure 7 permet un seul réglage approximatif de la fréquence de résonance au moyen de l'élément de commutation 12a et un seul réglage précis ou continu grâce à l'élément de commande 12b. Il est toutefois possible de prévoir plusieurs paliers de réglage approximatifs ou commutés en ajoutant des transistors à effet de champ supplémentaires ou d'autres commutateurs électroniques et paires de condensateurs à trois plaques. De plus, bien que les éléments de commutation soient représentés sous la forme de transistors à effet de champ, comme cela a été indiqué précédemment, d'autres dispositifs peuvent être utilisés pour remplir la fonction de commutation. Par exemple, un élément à capacité réglable pouvant être commuté entre des états capacitifs haut et bas, peut être utilisé afin que l'état capacitif haut présente une impédance relativement faible et que l'état capacitif bas présente une impédance relativement élevée aux fréquences pour lesquelles le circuit est conçu. De même, bien qu'un seul dispositif de réglage précis ou continu soit habituellement prévu, il est possible de prévoir plusieurs dispositifs de réglage précis, si cela est nécessaire ou souhaitable. En outre, tous ces dispositifs peuvent être prévus aussi bien dans un circuit bouchon asymétrique que dans un circuit bouchon différentiel, ainsi que dans d'autres applications, telles que le filtrage de signaux. Par exemple, la figure 8 représente un autre circuit bouchon différentiel du type représenté sur la figure 5 et pourvu des condensateurs à trois plaques 30A, 31A et 30B, 31B additionnels et de l'élément de circuit de commande 12b, tel que représenté sur la figure 7. Cependant, le circuit bouchon de la figure 8 permet deux commandes de fréquence par paliers grâce à des condensateurs à trois plaques 40A, 41A et 40B, 41B supplémentaires et à un élément de circuit de commande 12c supplémentaire comportant des entrées de commande et de référence Commande C et Ctl C indépendantes. Les éléments de circuit de commande 12a et 12b peuvent être du type représenté sur la figure 7, l'élément de circuit de commande 12c pouvant également être du même type que l'élément 12a. Les éléments de commande 12a et 12c peuvent être commandés de telle façon que leurs condensateurs à trois plaques associés soient mis hors circuit ensemble ou mis en circuit un par un. Cependant, il est également possible de prévoir un palier supplémentaire en faisant en sorte que les deux éléments 12a et 12c puissent mettre leurs condensateurs associés en circuit simultanément. Les éléments commutés peuvent ainsi être commandés de manière à offrir trois ou quatre gammes de fréquences sélectionnées approximativement, l'élément continu 12b ayant une plage de nature à offrir trois ou quatre gammes de fréquences contiguës ou chevauchantes. Bien que la description précédente ait porté sur plusieurs modes de réalisation préférés de la présente invention, celle-ci n'est bien entendu pas limitée aux exemples particuliers décrits et illustrés ici et l'homme de l'art comprendra aisément qu'il est possible d'y apporter de nombreuses variantes et modifications sans pour autant sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré comprenant un substrat (1), un circuit de sélection de fréquence (10, 11, 20,21) qui comprend au moins un premier condensateur à plaques multiples (20,21), et un n#ud à masse virtuelle (Vgnd), caractérisé en ce que chaque premier condensateur à plaques multiples (20,21) comprend un premier condensateur (21) comportant une première plaque (7) et une deuxième plaque (4) disposée entre la première plaque (7) et le substrat (1), et un second condensateur (20) comportant la deuxième plaque (4) et une troisième plaque (3) disposée entre la deuxième plaque (4) et le substrat (1) , le n#ud à masse virtuelle (Vgnd) étant relié à la troisième plaque (3). 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de sélection de fréquence (10, 11, 20,21) comprend une bobine d'inductance (11). 3. Circuit selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que les premier et second condensateurs (20,21) sont électriquement en série l'un avec l'autre. 4. Circuit selon la revendication 3, lorsque celle-ci est dépendante de la revendication 2, caractérisé en ce que les premier et second condensateurs (20,21) sont reliés aux bornes de la bobine d'inductance (11). 5. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le noeud à masse virtuelle (Vgnd) comprend un n#ud de masse. 6. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la troisième plaque (3) est isolée vis-à-vis du substrat (1). 7. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un élément de commande (12) relié à la deuxième plaque (4) de chaque premier condensateur à plaques multiples (20, 21). 8. Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'élément de commande (12) ou l'un au moins des éléments de commande (12) comprend un commutateur. 9. Circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que chaque commutateur est un transistor à effet de champ (F1). 10. Circuit selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que l'élément de commande ou l'un au moins des éléments de commande comprend un dispositif à capacité variable (Dl, D2). 11. Circuit selon la revendication 10, caractérisé en ce que chaque dispositif à capacité variable est une diode à capacité variable (Dl, D2). 12. Circuit selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs premiers condensateurs à plaques multiples (20A, 21A, 30A, 31A, 40A, 41A) et plusieurs éléments de commande (12a, 12b, 12c). 13. Circuit selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'un au moins des éléments de commande (12a, 12b, 12c) est conçu pour permettre un réglage par paliers, et en ce qu'un autre au moins des éléments de commande (12a, 12b, 12c) est conçu pour permettre un réglage sensiblement continu. 14. Circuit selon l'une quelconque des revendications 7 à 13, caractérisé en ce que chaque élément de commande (12) est monté en parallèle avec le second condensateur (20). 15. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un second condensateur à plaques multiples (20B, 21B), chaque second condensateur à plaques multiples comprenant un troisième condensateur (21B) comportant une quatrième plaque et une cinquième plaque disposée entre la quatrième plaque et le substrat (1), et un quatrième condensateur (20B) comportant la cinquième plaque et une sixième plaque disposée entre la cinquième plaque et le substrat (1). 16. Circuit selon la revendication 15, lorsque celle-ci est dépendante de l'une quelconque des revendications 7 à 13, caractérisé en ce que l'élément de commande (12) est monté entre la deuxième plaque (4) et la cinquième plaque d'une paire de premier et second condensateurs à plaques multiples (20A, 20B, 21A, 21B) correspondante. 17. Circuit selon la revendication 15 ou 16, caractérisé en ce que les troisième et sixième plaques sont reliées entre elles pour former le n#ud à masse virtuelle (Vgnd B). 18. Circuit selon l'une quelconque des revendications 15 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit de sélection de fréquence (10B, 11B, 20B, 21B) supplémentaire comprenant les troisième et quatrième condensateurs (20B, 21B). 19. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un cinquième condensateur (10A) comportant une septième plaque reliée à la première plaque (7), et une huitième plaque disposée entre la septième plaque et le substrat (1) et reliée au n#ud à masse virtuelle ou à un n#ud à masse virtuelle supplémentaire. 20. Circuit selon la revendication 19, lorsque celle-ci est dépendante de l'une quelconque des revendications 15 à 18, caractérisé en ce qu'il comprend un sixième condensateur (10B) comportant une neuvième plaque reliée à la quatrième plaque, et une dixième plaque reliée à la huitième plaque pour former le n#ud à masse virtuelle supplémentaire (Vgnd B). 21. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un oscillateur local comportant un circuit de détermination de fréquence comprenant le circuit de sélection de fréquence (10,11, 20,' 21) . 22. Circuit selon l'une quelconque des revendications 1 à 20, caractérisé en ce qu'il comprend un filtre comprenant le circuit de sélection de fréquence (10,11, 20, 21). 23. Circuit selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend un sélecteur de fréquences radio.