Brevet FR2822579A1 — publié le 20020927

La présente invention concerne d'une manière générale la mémorisation de données et de façon plus spécifique des systèmes et procédés pour réduire l'effet potentiel que des champs magnétiques, par exemple des champs magnétiques produits de l'extérieur, ont sur les dispositifs de mémorisation de données utilisant des techniques de mémorisation à résolution atomique (ARS). Le caractère apparemment insatiable de consommateurs pour disposer de dispositifs de mémorisation en mémoire de capacité supérieure et à fonctionnement à plus grande vitesse a conduit au développement de techniques de mémorisation en mémoire telle qu'une mémorisation à résolution atomique (ARS). Comme cela est connu, un dispositif de mémoire utilisant la technologie ARS inclut un certain nombre d'émetteurs d'électrons, tels que des émetteurs de champ par exemple, qui sont adaptés pour écrire et lire des données dans et à partir de différentes zones de mémorisation d'un support de mémorisation. Pendant le fonctionnement, un courant d'un faisceau d'électrons est extrait d'un émetteur en direction d'une zone de mémorisation correspondante. L'écriture de données par un émetteur dans une zone de mémorisation est réalisée par accroissement temporaire de la densité de puissance du courant de faisceaux d'électrons pour modifier l'état structurel de la surface de la zone de mémorisation. Au contraire la lecture de données à partir de la zone de mémorisation est obtenue en observant l'effet de la zone de mémorisation sur le faisceau d'électrons de l'émetteur, ou l'effet du faisceau d'électrons sur la zone de mémorisation. De façon plus spécifique, la lecture est de façon typique par la collecte d'électrons secondaires et/ou rétrodiffusés lorsqu'un faisceau d'électrons, c'est-à-dire un faisceau d'électrons possédant une densité de puissance inférieure à celle du faisceau d'électrons utilisé pour l'écriture de données dans la zone de mémoire est appliqué au milieu de mémorisation. Un milieu de mémorisation ARS est formé d'un matériau caractérisé par un état structurel qui peut être commuté de l'état cristallin à l'état amorphe à l'aide d'un faisceau d'électrons. Etant donné que l'état amorphe possède un coefficient d'émission d'électrons secondaires (SEEC) et un coefficient d'électrons rétrodiffusés (BEC) qui diffèrent de ce qu'ils sont à l'état cristallin, un nombre différent d'électrons secondaires et d'électrons rétrodiffusés sont émis par chaque zone de mémorisation en réponse à un faisceau d'électrons, en fonction de l'état structurel actuel de cette zone de mémorisation. Par conséquent, en mesurant le nombre d'électrons secondaires et d'électrons diffusés, on peut déterminer l'état de la zone de mémorisation et par conséquent les données mémorisées par la zone de mémorisation. Pour qu'un dispositif de mémorisation ARS fonctionne correctement, un faisceau d'électrons émis par un émetteur particulier doit être dirigé de manière à délivrer des électrons à une zone de mémorisation associée. Lorsque les électrons du faisceau d'électrons délivrés par un émetteur sont susceptibles de changer de trajectoire en raison de champs magnétiques, comme par exemple un champ magnétique produit de l'extérieur, par exemple un tel champ magnétique peut entraîner des erreurs dans la capacité d'un dispositif de mémorisation ARS à lire des données à partir de et/ou écrire des données dans un milieu de mémorisation. Par exemple, un champ magnétique peut influer sur la trajectoire d'un faisceau d'électrons de sorte que le faisceau n'est pas correctement aligné avec la zone de mémorisation associée. C'est pourquoi il existe une nécessité de disposer de dispositifs, systèmes et procédés perfectionnés, qui éliminent ces inconvénients et/ou d'autres inconvénients de l'art antérieur. De façon résumée, la présente invention concerne des techniques de mémorisation à résolution atomique (ARS). A cet égard, des formes de réalisation de la présente invention peuvent être agencées de manière à fournir des dispositifs de mémorisation en mémoire qui utilisent une technologie ARS. Une forme de réalisation préférée du dispositif de mémorisation en mémoire inclut un milieu de mémorisation qui définit une ou plusieurs zones de couverture. Chacune des zones de couverture incorpore une zone de mémorisation qui peut être configurée dans l'un d'une pluralité d'états structurels, de façon typique les états structurels représentent une information mémorisée dans la zone de mémorisation. Des émetteurs de faisceaux d'électrons communiquent électriquement avec le milieu de mémorisation, le milieu de mémorisation et les émetteurs étant configurés de manière à se déplacer de façon relative entre eux. Ainsi configuré, chaque émetteur peut délivrer un faisceau d'électrons à l'une respective des zones de couverture. Le dispositif de mémorisation en mémoire inclut également un écran de protection disposé à proximité des émetteurs. L'écran de protection est configuré de manière à réduire une influence d'un ou de champs magnétiques de sorte qu'une tendance d'un électron émis par l'un des émetteurs devant être déplacé à partir d'une trajectoire prévue est réduite. Certains modes de mise en oeuvre de la présente invention peuvent être conçus de manière à fournir des procédés pour réduire l'influence d'un champ magnétique par rapport à un dispositif de mémorisation en mémoire. Un procédé préféré inclut les étapes consistant à prévoir un dispositif de mémorisation en mémoire et à protéger les électrons délivrés par les émetteurs vis-à-vis d'un champ magnétique de telle sorte qu'une tendance qu'un électron émis par l'un des émetteurs s'écarte d'une trajectoire prévue, soit réduite. De façon plus précise l'invention concerne un dispositif de mémorisation en mémoire, caractérisé en ce qu'il comporte : un support de mémorisation comportant une pluralité de zones de couverture, une zone de mémorisation étant associée à chacune desdites zones de couverture et chacune desdites zones de mémorisation étant configurable dans l'un d'une pluralité d'états structurels pour représenter l'information mémorisée dans ladite zone de mémorisation, une pluralité d'émetteurs de faisceaux d'électrons configurés de manière à communiquer avec ledit milieu de mémorisation, ledit milieu de mémorisation et ladite pluralité d'émetteurs étant configurés de manière à se déplacer d'une manière relative entre eux de telle sorte que chacun desdits émetteurs peut envoyer un faisceau d'électrons à l'une respective desdites zones de couverture dudit milieu de mémorisation, une première source de courant configurée de manière à permettre à au moins l'un desdits émetteurs de produire un faisceau d'électrons en direction de l'une respective desdites zones de couverture, et un écran de protection disposé à proximité de ladite pluralité d'émetteurs, ledit écran de protection étant configuré de manière à réduire une influence du champ magnétique de telle qu'une tendance d'un électron émis par l'un desdits émetteurs à s'écarter d'une trajectoire prévue est réduite. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit écran de protection est disposé sur un côté dudit support de mémorisation située à l'opposé desdits émetteurs. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit écran de protection comprend un premier composant et un second composant, et que lesdits émetteurs et ledit support de mémorisation sont disposés entre lesdits premier et second composants de l'écran de protection. Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit écran de protection est formé d'un matériau possédant une perméabilité magnétique relative supérieure à environ 100 (cgs). Selon une autre caractéristique de l'invention, ledit écran de protection est formé d'un matériau possédant une perméabilité magnétique relative supérieure à environ 200 (cgs). Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif de mémorisation en mémoire comporte en outre une stabilisation disposée au voisinage d'au moins une partie dudit écran de protection, ladite couche de stabilisation étant configurée de manière à former un couplage d'échange avec ledit écran de protection de telle sorte que ledit couplage d'échange tend à réduire une tendance audit écran de protection à présenter des domaines magnétiques multiples. Selon une autre caractéristique de l'invention, le dispositif de mémorisation en mémoire comporte en outre des moyens pour réduire une tendance dudit écran de protection à présenter de multiples domaines magnétiques. L'invention a trait en outre à un procédé pour réduire une influence d'un champ magnétique par rapport à un dispositif de mémorisation en mémoire, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : prendre un dispositif de mémorisation en mémoire possédant un support de mémorisation et une pluralité d'émetteurs de faisceaux d'électrons configurés de manière à communiquer électriquement avec le milieu de mémorisation, le milieu de mémorisation et la pluralité d'émetteurs étant configurés de manière à se déplacer relativement entre eux de telle sorte que chaque émetteur peut produire un faisceau d'électrons dans une zone de couverture respective du support de mémorisation, chaque zone de couverture possédant une zone de stockage formée en elle et configurable dans l'un d'une pluralité d'états structurels de manière à représenter une information mémorisée dans la zone de mémorisation, et protéger des électrons délivrés par les émetteurs vis-à-vis d'un champ magnétique de telle sorte que la tendance d'un électron émis par l'un desdits émetteurs à être déplacé par rapport à une trajectoire prévue est réduite. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape de protection comprend l'étape consistant à disposer un écran de protection à proximité de ladite pluralité d'émetteurs, l'écran de protection étant configuré de manière à réduire une influence du champ magnétique. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'étape de disposition d'un écran comprend l'étape consistant à faire adhérer l'écran de protection au support de mémorisation. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, non nécessairement à l'échelle, sur lesquels : - la figure 1 représente un schéma d'une forme de réalisation préférée du dispositif de mémorisation en mémoire selon la présente invention; - la figure 2 est un schéma représentant une autre forme de réalisation du dispositif de mémorisation en mémoire de la figure 1, dans laquelle les émetteurs exécutent une lecture à partir du milieu de mémorisation; - la figure 3 est un schéma illustrant la trajectoire d'un électron représentatif qui est influencé par un champ magnétique; - la figure 4 est un schéma illustrant une forme de réalisation du dispositif de mémorisation en mémoire de la figure 1, alors que les émetteurs effectuent une lecture du support de mémorisation; - la figure 5 est un schéma illustrant une forme de réalisation préférée du dispositif de mémorisation en mémoire de la figure 1; - la figure 6 est un schéma illustrant le dispositif de mémorisation en mémoire de la figure 4 vu suivant la ligne A-A; - la figure 7 est un schéma représentant une forme de réalisation du dispositif de mémorisation de la figure 1; - la figure 8 est un schéma représentant une forme de réalisation du dispositif de mémorisation de la figure 1; - la figure 9 est un schéma représentant une forme de réalisation du dispositif de mémorisation de la figure 1 ; - la figure 10 est un schéma représentant une forme de réalisation du dispositif de mémorisation de la figure 1. On va maintenant se référer aux dessins, sur lesquels des chiffres de référence identiques désignent des parties correspondantes sur l'ensemble des différentes vues. Comme cela est représenté sur la figure 1, une forme de réalisation préférée du dispositif de mémorisation en mémoire 100 de la présente invention inclut une source de courant 102. La source de courant 102 alimente en courant des composants de lecture/écriture 104 de manière à permettre la lecture de données à partir d'un support de mémorisation 106 et/ou l'écriture de données dans ce support. Le dispositif de mémorisation 100 comprend également un écran de protection 108 qui peut être prévu selon différentes configurations, comme cela sera décrit plus loin. En outre le dispositif de mémorisation en mémoire 100 utilise la technologie ARS pour la mémorisation et la récupération de données. La figure 2 représente de façon schématique une forme de réalisation préférée d'un dispositif de mémorisation en mémoire 100 qui utilise la technologie ARS. Sur la figure 2, des émetteurs représentatifs 202,204, par exemple des émetteurs de champs, sont représentés comme effectuant une lecture à partir du support de mémorisation 106. En particulier l'émetteur 202 effectue une lecture à partir de la zone de mémoire 206, et l'émetteur 204 effectue une lecture à partir de la zone de mémoire 208. Les zones de mémoire 206 et 208 sont pourvues de différents états structurels, comme cela a été décrit précédemment. Ainsi, lorsque des électrons délivrés par une source, par exemple la source de courant 102 sont extraits des émetteurs et pénètrent dans les zones respectives de mémorisation, des nombres différents d'électrons secondaires et/ou d'électrons rétrodiffusés peuvent être détectés en rapport avec chaque zone de mémorisation. La détection des électrons secondaires et/ou des électrons rétrodiffusés peut être réalisée par des collecteurs d'électrons, par exemple des collecteurs 210 et 212. Telle qu'elle est utilisée ici l'expression "composants de lecture/écriture" peut être utilisée pour désigner un ou des émetteurs et/ou le ou les collecteurs, qui lui ou leur sont associés. En outre le terme "émetteur" est utilisé ici comme désignant n'importe quelle configuration d'émetteur, comme par exemple un émetteur de champ, un émetteur balistique, un émetteur quasi-balistique, un émetteur plat, etc. En fonctionnement, l'amplitude d'un courant de signal collecté par les collecteurs d'électrons est contrôlée. Sur la base de l'amplitude déterminée, l'état structurel et par conséquent les données mémorisées dans la zone de mémorisation peuvent être identifiés. De façon typique, les données mémorisées dans une zone de mémorisation donnée correspondent à un bit. On notera que la différence entre les nombres d'électrons secondaires et/ou d'électrons rétrodiffusés collectés à partir d'une zone de mémorisation, par rapport à une zone de mémorisation possédant un état structurel différent, peut être supérieure ou inférieure en fonction du type de matériau et/ou du type de modification apportée au matériau. L'analyse donnée ci-après a pour but de montrer qu'une exposition à un champ, par exemple l'exposition d'un dispositif de mémorisation en mémoire utilisant la technologie ARS à des champs magnétiques, peut produire un effet dans un tel dispositif, sauf si l'on prend des précautions. La source initiale du problème est que des champs magnétiques peuvent interagir avec des électrons émis par les émetteurs d'un dispositif de mémorisation en mémoire, étant donné que les électrons se déplacent dans des supports de mémorisation. L'interaction est attribuée à la force de Lorentz F = qe (u x B) . Cette force agit toujours perpendiculairement à la direction de déplacement des électrons et par conséquent change uniquement de direction de déplacement, c'est-à-dire que l'énergie et l'amplitude de la quantité de mouvement restent constantes. Les seules composantes de B sont situées dans le même plan que le support (composantes x, y). L'analyse de la composante By va être donnée ci-après, l'analyse étant la même pour Bx. Pour ce calcul, on suppose que les électrons quittent l'émetteur avec une énergie de 300 eV et que l'espacement pointe-support est égal à 1 m. L'analyse de l'effet d'un champ magnétique constant, By, montre que les électrons se déplacent suivant des cercles (des hélices) de rayon R (figure 3) défini par la relation : R = pc/ 3 x 108 By, en mètres, pc étant exprimé en eV et B en W/m2. L'analyse de la géométrie fournit alors : sine = d/R = Ax/d, ce qui fournit le décalage de la composante By : Ax = d2/ R = d23 x 108 By/pc. Un champ magnétique, qui peut déplacer la trajectoire de l'électron de 4 nm à partir de sa position nominale au niveau du support (environ 10 % de la taille nominale du spot) est alors fourni par : By = pc#x/3x108d2 = 400(4x10-9)/3x108(1x10-6)2=4x10-3W/m2 = 40 Oe. Compte tenu de la valeur de ce résultat, il semble que des champs dimensionnés usuels (c'est-à-dire des champs que l'on rencontre habituellement) auraient un effet sur la performance d'un dispositif ARS, si aucun blindage de protection n'était prévu. En se référant maintenant aux figures 4 à 6, on va décrire de manière plus détaillée d'autres formes de réalisation de systèmes ARS, qui peuvent mettre en oeuvre la présente invention. Ces figures sont indiquées et décrites dans le brevet US N 5 557 596 auquel on peut se référer pour plus d'informations. Cependant on notera que les systèmes ARS connus représentés et décrits ici ne sont pas les seuls systèmes ARS pouvant être utilisés avec la présente invention. Au contraire la présente invention peut être utilisée avec différents types et configurations de systèmes ARS pourvu qu'un tel système puisse écrire des données dans un support de mémorisation et/ou lire des données à partir d'un support de mémorisation. La figure 4 représente schématiquement une technique pour écrire des données dans une zone de mémorisation ARS et/ou lire des données à partir d'une telle zone. Comme cela est représenté sur la figure 4, le support de mémorisation 400 est basé sur une structure de diodes, qui peut être une jonction PN, une structure Schottky, une barrière ou n'importe quel autre type de valve électronique. Les données sont mémorisées moyennant une modification locale de la surface de la diode de telle sorte que le rendement de collecte de porteurs minoritaires produits par la région modifiée diffère de celui d'une région non modifiée. Le rendement de collecte de porteurs minoritaires est défini comme étant la fraction de porteurs minoritaires produits par les électrons instantanés qui traversent la jonction 402 de la diode, lorsqu'elle est polarisée par un circuit externe 404 de manière à faire circuler un courant de signal 406 dans le circuit externe. Bien que la figure 4 représente un circuit externe préféré 404, on notera que ce circuit est prévu uniquement à titre d'exemple. En fonctionnement, les émetteurs 408 et 410 émettent des faisceaux étroits d'électrons vers la surface de la diode 400. Les faisceaux d'électrons excitent des paires électron-trou à proximité de la surface de la diode. Etant donné que la diode est polarisée en inverse par le circuit externe 404, les porteurs minoritaires, qui sont produits par les électrons incidents, sont transférés vers la jonction 402 de la diode. Les électrons qui atteignent la jonction 402 traversent alors la jonction. Par conséquent, des porteurs minoritaires, qui ne se recombinent pas avec des porteurs majoritaires avant d'atteindre la jonction, traverse la jonction, ce qui fait apparaître un flux de courant dans le circuit externe 404. L'écriture dans la diode 400 est réalisée au moyen d'un accroissement suffisant de la densité de puissance du faisceau d'électrons pour modifier localement les propriétés physiques de la diode. Cette modification affecte le nombre de porteurs minoritaires qui traversent la jonction 402 lorsque cette zone est irradiée par un faisceau d'électrons (de lecture) ayant une densité de puissance inférieure. Par exemple, le taux de recombinaison dans une zone écrite 412 peut être accru par rapport à une zone non écrite 414 de sorte que les porteurs minoritaires produits dans la zone écrite 412 sont une probabilité accrue de recombinaison avec des porteurs minoritaires avant qu'ils aient une chance d'atteindre et de franchir la jonction 402. Par conséquent un courant plus faible circule dans le circuit externe 404 lorsque le faisceau d'électrons de lecture rencontre une zone écrite 412, lorsqu'il rencontre une zone non écrite 414. Inversement, il est également possible de démarrer avec une structure de diode ayant un taux de recombinaison élevé et d'écrire des bits au moyen d'une réduction locale du trou de recombinaison. Dans une telle forme de réalisation, l'amplitude du courant résultant des porteurs minoritaires dépend de l'état de la zone de mémorisation et le courant continue à fournir le signal de sortie pour indiquer le bit mémorisé. Les figures 5 et 6 illustrent une forme de réalisation du dispositif de mémorisation en mémoire 100. A cet égard, la figure 5 représente une vue en élévation latérale et en coupe transversale d'un dispositif de mémorisation en mémoire 100, qui inclut un certain nombre d'émetteurs de champ 502, un support de mémorisation 504 qui comprend un certain nombre de zones de mémorisation 506 et un dispositif de déplacement microscopique 508 qui balaye le support de mémorisation par rapport aux émetteurs de champ ou vice versa. Dans une forme de réalisation préférée, chaque zone de mémorisation 506 est responsable de la mémorisation d'un bit d'information. Comme cela a été mentionné précédemment, les émetteurs de champs sont responsables de la lecture de données à partir des zones de mémorisation et/ou l'écriture de données dans les zones de mémorisation, moyennant l'utilisation de faisceaux d'électrons. Par conséquent des émetteurs de champ convenant pour la présente invention sont de préférence du type produisant des faisceaux de mémorisation qui sont suffisamment étroits pour fournir la densité de bits désirée du support de mémorisation et qui fournissent la densité de puissance du courant du faisceau nécessaire pour la lecture à partir du support de mémorisation et l'écriture dans un tel support. Cependant, comme mentionné précédemment on peut utiliser différents autres types d'émetteurs. Pendant le fonctionnement, une différence de potentiel prédéterminée est appliquée entre un émetteur de champ 502 et une grille correspondante, telle qu'une grille circulaire 510, qui entoure l'émetteur. Ainsi, un courant du faisceau d'électrons est extrait de l'émetteur 502 en direction de la zone de mémorisation 506. En fonction de la distance entre les émetteurs 502 et le support de mémorisation 504, du type d'émetteurs et de la taille du spot (par exemple la taille d'un bit) requise, un système optoélectronique peut être utilisé pour focaliser les faisceaux d'électrons. On peut également appliquer une tension au support de mémorisation 504 pour accélérer ou décélérer des électrons émis ou faciliter la focalisation des électrons émis. On peut également prévoir un boîtier 512 qui maintient le support de mémorisation 504 dans un vide partiel. La figure 6 représente une vue en plan de la coupe transversale A-A de la figure 5 et représente le milieu de mémorisation 504 qui est retenu par deux ensembles de barreaux à parois minces microfabriqués 514, 516 et 518,520. Bien qu'on ait représenté et décrit ici un dispositif de déplacement microscopique du type à faisceaux, on peut utiliser différents autres types et différentes autres configurations de dispositifs de microdéplacement dans la présente invention. Les faces du premier ensemble de barreaux à parois minces, c'est-à-dire 514,516, sont ici dans le plan X-Y. Cet ensemble de faisceaux peut être dévié dans la direction X ce qui permet au support de mémorisation 54 de se déplacer dans la direction X par rapport au boîtier 512. Les faces du second ensemble de barreaux à parois minces, c'est-à-dire 618 et 520, sont dans le plan X-Z. Cet ensemble de faisceaux permet au support de mémorisation 504 de se déplacer dans la direction Y par rapport aux boîtiers 512. Le support de mémorisation est retenu par le premier ensemble de barreaux sur un cadre 522. Le cadre est retenu par le second ensemble de barreaux, au boîtier 512. Par conséquent les émetteurs de champ peuvent effectuer une exploration de l'ensemble du support de mémorisation 504, ou bien le support de mémorisation peut être déplacé au-dessus des émetteurs de champs, dans des directions X-Y, par des procédés et/ou mécanismes électrostatiques, électromagnétiques, piézoélectriques ou d'autres procédés appropriés et/ou mécanismes appropriés. Comme cela est représenté sur la figure 7, le dispositif de mémorisation en mémoire 100 peut comporter un écran de blindage 108 qui est adapté pour réduire le risque que des champs magnétiques induisent un enregistrement erroné d'électrons délivrés par un ou des émetteurs, par exemple l'émetteur 202 et/ou l'émetteur 204. De façon plus spécifique, l'écran de protection 108 est destiné à empêcher qu'un ou des champs magnétiques ne perturbent le trajet d'électrons délivré par un ou plusieurs des émetteurs, de manière que les électrons provenant du faisceau puissent être envoyés à une partie appropriée du support de mémorisation 106. Dans la forme de réalisation de l'écran de protection représenté sur la figure 7, l'écran est disposé sur un côté du support de mémorisation situé à l'opposé des émetteurs, bien que l'on puisse utiliser différents autres agencements d'écrans de protection. Sur la figure 7, l'écran de protection 108 peut être agencé sous la forme d'une feuille plane d'un matériau qui est fixé, par exemple par collage, à un composant du dispositif de mémorisation en mémoire. Par exemple, un écran de protection 108 peut être fixé directement au support de mémorisation 106 ou, dans d'autres formes de réalisation, l'écran de protection peut être fixé à des composants disposés entre le support de mémorisation et l'écran. Etant donné que l'écran de protection 108 est caractérisé par une portée effective, c'est-à-dire une distance au-delà de laquelle l'écran de protection ne fournit plus l'effet désiré, il est quelquefois souhaitable de placer l'écran de protection à proximité directe des faisceaux d'électrons, qui doivent être protégés. En plaçant l'écran de protection à proximité du ou des faisceaux d'électrons, on peut également obtenir d'autres avantages. Par exemple la réduction d'espacement entre l'écran de protection et le faisceau d'électrons peut permettre d'utiliser un écran de protection de taille réduite. A son tour la taille réduite peut conduire à une réduction de l'utilisation de matériau pour former l'écran de protection, et peut fournir un poids réduit, ce qui permet potentiellement la formation de dispositifs de mémorisation en mémoire plus petits, moins coûteux et/ou plus légers. Différents matériaux peuvent être appropriés pour réaliser un écran de protection. A titre d'exemple, il peut être souhaitable, dans certaines formes de réalisation, d'utiliser un matériau possédant une perméabilité magnétique relative supérieure à une valeur comprise entre environ 100 et 200 (cgs). En raison de la disposition anticipée d'émetteurs par rapport à un support de mémorisation, on peut obtenir une perméabilité magnétique relative inférieure, tandis qu'une perméabilité magnétique relative nettement supérieure ne fournit pas une amélioration importante pour la capacité de protection. Certains exemples représentatifs de matériaux appropriés servant à former l'écran de protection incluent, sans y être limités, du mumétal, du nickel-fer et du CZT par exemple. Comme mentionné brièvement précédemment, on peut prévoir un ou plusieurs écrans de protection avec de nombreuses configurations, incluant une ou des feuilles minces de métal fixées à un ou plusieurs composants du dispositif de mémorisation en mémoire, voir par exemple les figures 7,8 et 9, et une enceinte formée d'un matériau de blindage qui est disposée de manière à entourer un ou des faisceaux d'électrons, voir par exemple la figure 10. En ce qui concerne l'utilisation de matériaux prévus sous la forme d'un film, ces matériaux peuvent avoir tendance à former des domaines magnétiques. En ce qui concerne l'utilisation de matériaux prévus sous la forme d'un film, ces matériaux peuvent avoir tendance à former des domaines magnétiques. Un type particulier est la capacité des domaines magnétiques à présenter différentes propriétés magnétiques et de ce fait potentiellement auto-générer des champs magnétiques. Etant donné que ces champs magnétiques auto-générés peuvent avoir tendance à produire des effets de défaut d'alignement par rapport aux faisceaux d'électrons du dispositif de mémorisation en mémoire, on peut prévoir une couche de stabilisation 110 (figure 7). Dans le cas où elle est utilisée, une telle couche de stabilisation devrait être adaptée de manière à former un couplage d'échange avec le matériau de l'écran de protection de manière à bloquer une configuration magnétique particulière dans l'écran de protection. Dans certaines formes de réalisation, un couplage d'échange faible peut être préférable de manière à permettre au matériau d'écran de protection de pouvoir réagir à des champs magnétiques externes. Bien que l'on puisse utiliser différents matériaux pour former une ou des couches de stabilisation, on peut considérer que des matériaux anti-ferromagnétiques et le cobalt-nickel sont des exemples représentatifs de matériaux que l'on peut utiliser. En se référant maintenant à la forme de réalisation représentée sur la figure 9, on voit que l'on peut prévoir de multiples composants pour l'écran de protection, par exemple des composants 902 et 904. De façon plus spécifique, dans la forme de réalisation représentée sur la figure 9, le composant 902 de l'écran de protection est disposé sur un côté du support de mémorisation 106, qui est situé à l'opposé des émetteurs 202 et 204, et le composant 904 de l'écran de protection est disposé de telle sorte que les émetteurs sont disposés entre le support de mémorisation et le composant 904 de l'écran de protection. Dans certaines formes de réalisation, les composants 902 et 904 de l'écran de protection peuvent être prévus sous la forme de structures de formes générales plane. En théorie, si les composants de l'écran de protection sont dimensionnés de façon appropriée, comme cela serait aisément connu d'un spécialiste ordinaire de la technique, ceci permettrait d'obtenir un degré relativement élevé de protection pour des faisceaux d'électrons pourvu que de tels faisceaux ne soient pas disposés à proximité direct de la périphérie du support de mémorisation. Comme cela est représenté dans la forme de réalisation représentative de la figure 10, pour les formes de réalisation qui peuvent nécessiter un degré supérieur de protection, on peut prévoir un écran de protection 1002 de manière à entourer complètement les faisceaux d'électrons du dispositif de mémorisation en mémoire 100. Un tel écran de protection peut être prévu en un ou plusieurs de différents emplacements par rapport aux faisceaux d'électrons d'un tel dispositif. A titre d'exemple, l'écran de protection peut être disposé uniquement autour des émetteurs et du support de mémorisation alors que, dans d'autres formes de réalisation, l'écran peut entourer un plus grand nombre de composants du ou des dispositifs. La description précédente a été donnée uniquement à titre d'illustration et de description. Elle n'est pas censée être exhaustive ni limier l'invention aux formes de réalisation précises décrites. Des variantes ou modifications sont possibles dans le cadre de l'enseignement fourni ci-dessus. Cependant on a choisi et décrit la ou les formes de réalisation indiquées pour donner la meilleure illustration des principes de l'invention et de son application pratique de manière à permettre à un spécialiste ordinaire de la technique d'utiliser l'invention dans différentes formes de réalisation et dans différentes variantes telles qu'elles sont appropriées pour l'utilisation particulière envisagée. Toutes les variantes et modifications de ce type entrent dans le cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif (100) de mémorisation en mémoire, caractérisé en ce qu'il comporte : un support de mémorisation (106) comportant une pluralité de zones de couverture, une zone de mémorisation étant associée à chacune desdites zones de couverture et chacune desdites zones de mémorisation étant configurable dans l'un d'une pluralité d'états structurels pour représenter une information mémorisée dans ladite zone de mémorisation, une pluralité (202,204) d'émetteurs de faisceaux d'électrons configurés de manière à communiquer avec ledit support de mémorisation, ledit milieu de mémorisation et ladite pluralité d'émetteurs étant configurés de manière à se déplacer d'une manière relative entre eux de telle sorte que chacun desdits émetteurs peut envoyer un faisceau d'électrons à l'une respective desdites zones de couverture dudit milieu de mémorisation, une première source de courant (102) configurée de manière à permettre à au moins l'un desdits émetteurs de produire un faisceau d'électrons en direction de l'une respective desdites zones de couverture, et un écran de protection (108) disposé à proximité de ladite pluralité d'émetteurs, ledit écran de protection étant configuré de manière à réduire une influence du champ magnétique de telle qu'une tendance d'un électron émis par l'un desdits émetteurs à s'écarter d'une trajectoire prévue est réduite. 2. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit écran de protection est disposé sur un côté dudit support de mémorisation située à l'opposé desdits émetteurs. 3. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, dans lequel ledit écran de protection comprend un premier composant (902) et un second composant (904), et que lesdits émetteurs et ledit support de mémorisation sont disposés entre lesdits premier et second composants de l'écran de protection. 4. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit écran de protection est formé d'un matériau possédant une perméabilité magnétique relative supérieure à environ 100 (cgs). 5. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit écran de protection est formé d'un matériau possédant une perméabilité magnétique relative supérieure à environ 200 (cgs) . 6. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une stabilisation (110) disposée au voisinage d'au moins une partie dudit écran de protection, ladite couche de stabilisation étant configurée de manière à former un couplage d'échange avec ledit écran de protection de telle sorte que ledit couplage d'échange tend à réduire une tendance audit écran de protection à présenter des domaines magnétiques multiples. 7. Dispositif de mémorisation en mémoire selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens pour réduire une tendance dudit écran de protection à présenter de multiples domaines magnétiques. 8. Procédé pour réduire une influence d'un champ magnétique par rapport à un dispositif de mémorisation en mémoire, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à : prendre un dispositif de mémorisation en mémoire (100) possédant un support de mémorisation (106) et une pluralité d'émetteurs (202,204) de faisceaux d'électrons configurés de manière à communiquer électriquement avec le milieu de mémorisation, le milieu de mémorisation et la pluralité d'émetteurs étant configurés de manière à se déplacer relativement entre eux de telle sorte que chaque émetteur peut produire un faisceau d'électrons dans une zone de couverture respective du support de mémorisation, chaque zone de couverture possédant une zone de stockage formée en elle et configurable dans l'un d'une pluralité d'états structurels de manière à représenter une information mémorisée dans la zone de mémorisation, et protéger des électrons délivrés par les émetteurs vis-à-vis d'un champ magnétique de telle sorte que la tendance d'un électron émis par l'un desdits émetteurs à être déplacé par rapport à une trajectoire prévue est réduite. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de protection comprend l'étape consistant à disposer un écran de protection (108) à proximité de ladite pluralité d'émetteurs, l'écran de protection étant configuré de manière à réduire une influence du champ magnétique. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de disposition d'un écran comprend l'étape consistant à faire adhérer l'écran de protection au support de mémorisation.