Brevet FR2828767A1 — publié le 20030221

TRANSISTOR BIPOLAIRE A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE L'invention concerne le domaine des transistors bipolaires de puissance. Un transistor bipolaire de puissance est un transistor dont l'épaisseur de collecteur est substantiellement supérieure à l'épaisseur de base, l'épaisseur étant définie dans la direction de l'empilement émetteur base collecteur, typiquement d'un facteur valant au moins trois. Un problème connu est celui d'augmenter la puissance émise par les transistors bipolaires et notamment par les transistors de puissance. En effet, dans certaines applications, comme par exemple les systèmes radars, les besoins en puissance augmentent sans cesse. Selon un premier art antérieur, il est connu d'augmenter le nombre de doigts de l'émetteur du transistor bipolaire afin d'augmenter la puissance émise par le transistor bipolaire. Un inconvénient de cet art antérieur est de nécessiter trop d'espace et trop de matière et de rendre le transistor ainsi obtenu trop coûteux. Selon un deuxième art antérieur, il est connu d'augmenter la surface de chaque doigt de l'émetteur du transistor bipolaire afin d'augmenter la puissance émise par le transistor bipolaire. Un inconvénient de cet art antérieur est de nécessiter trop d'espace et trop de matière et de rendre le transistor ainsi obtenu trop coûteux. Un autre inconvénient est l'augmentation de la température de jonction et donc la diminution associée de la fiabilité du transistor bipolaire. Selon un troisième art antérieur, il est connu d'injecter un courant plus élevé au niveau de l'émetteur du transistor bipolaire afin d'augmenter la puissance émise par le transistor bipolaire. Un inconvénient de cet art antérieur est d'entraîner une dégradation accélérée du transistor bipolaire, donc de réduire sa durée de vie, et par conséquent de réduire la fiabilité des dispositifs électroniques dans lesquels ce type de transistor bipolaire est utilisé. Selon un quatrième art antérieur, il est connu de diminuer la valeur du dopage du collecteur du transistor bipolaire et d'augmenter l'épaisseur du collecteur du transistor bipolaire. Un inconvénient de cet art antérieur est d'augmenter le temps de transit des porteurs de charge entre la base et le collecteur. Plus la fréquence d'utilisation augmente et plus ce temps de transit important dégrade le gain en puissance du transistor bipolaire. Ainsi, dans le domaine hyperfréquence, au-delà d'un certain seuil en fréquence, cet art antérieur a l'inconvénient de dégrader trop fortement le gain en puissance du transistor bipolaire. L'invention propose une solution permettant d'augmenter la puissance émise par le transistor bipolaire et dans laquelle solution tout ou partie des inconvénients précités sont diminués ou supprimés. La puissance émise par le transistor bipolaire est liée au produit de la tension de claquage de ce transistor bipolaire par le courant maximal traversant ce transistor bipolaire. La solution de l'invention permet, pour un courant maximal avant dégradation des performances hyperfréquences qui soit sensiblement équivalent, d'augmenter substantiellement la tension de claquage. Pour cela, la solution de l'invention propose de modifier le type de dopage, P ou N, dans le collecteur, de type N ou de type P, du transistor bipolaire, afin d'introduire dans le collecteur du transistor bipolaire au moins une jonction de type PN ou de type NP, de manière à homogénéiser le champ électrique régnant à l'intérieur du collecteur du transistor bipolaire, de façon à augmenter la tension de claquage du transistor bipolaire. Avec une tension de claquage meilleure et un courant maximal équivalent, la puissance émise par un transistor bipolaire selon l'invention est plus élevée que celle émise par un transistor bipolaire selon l'art antérieur. Selon l'invention, il est prévu un transistor bipolaire de puissance comportant au moins, un émetteur, une base et un collecteur, le dopage de la base étant supérieur au dopage du collecteur d'un facteur valant au moins dix, caractérisé en ce que le collecteur comporte au moins une couche dopée P et au moins une couche dopée N. L'invention sera mieux comprise et d'autres particularités et avantages apparaîtront à l'aide de la description ci-après et des dessins joints, donnés à titre d'exemples, où : - la figure 1 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur de type NPN, c'est-à-dire dont la base est dopée P et dont le collecteur est dopé N ; - la figure 2 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur d'un collecteur non dopé présentant une répartition du champ électrique parfaitement homogène à l'intérieur du collecteur, ce type de collecteur présentant un profil idéal de répartition de champ électrique n'existe pas, car le collecteur d'un transistor bipolaire devant fonctionner de manière satisfaisante dans des conditions usuelles est toujours dopé ; - la figure 3 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P puis une couche N ; - la figure 4 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P ; - la figure 5 représente schématiquement un exemple théorique de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, proche du profil idéal de la figure 2, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P, puis par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P. La tension de claquage considérée est une tension de claquage par avalanche, compte tenu des valeurs usuelles du champ électrique maximal à l'intérieur du collecteur et de la tension de polarisation entre la base et le collecteur. Comme la tension de claquage correspond à l'intégrale du champ électrique sur l'épaisseur du collecteur, la tension de claquage est fonction de plusieurs paramètres parmi lesquels, la valeur maximale du champ électrique avant que ne se produise le phénomène de claquage par avalanche, c'est-à-dire le champ électrique limite, l'épaisseur du collecteur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, et la pente du champ électrique à l'intérieur du collecteur. Le champ électrique limite dépend notamment du matériau constituant le collecteur, de la valeur du dopage du collecteur. La pente du champ électrique dépend de la valeur du dopage du collecteur. Par conséquent, pour un matériau donné de collecteur et pour une valeur donnée de dopage dans le collecteur, la tension de claquage d'un collecteur dopé N est déterminée. Si maintenant, par exemple dans un transistor bipolaire de type NPN, on change le type de dopage à l'intérieur du collecteur, et que l'on introduit au moins une couche P dans le collecteur dopé N, en conservant la même valeur de dopage des différentes couches P et N du collecteur, le champ électrique maximal, l'épaisseur du collecteur, et la valeur absolue de la pente du champ électrique, restent équivalents tandis que seuls le sens de la pente du champ électrique et la position du champ électrique maximal à l'intérieur du collecteur varient. Cela suffit pour homogénéiser la répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur et pour augmenter ainsi l'intégrale du champ électrique sur l'épaisseur du collecteur, laquelle intégrale correspond à la tension de claquage lorsque le champ électrique maximal atteint le champ électrique limite. La présence, dans le collecteur, d'une alternance de couches P et N au lieu d'une unique couche P ou N, permet ainsi d'augmenter la tension de claquage. L'alternance dans le collecteur des couches P et N n'est pas nécessairement stricte, deux couches N de dopage différent pouvant par exemple se succéder dans le collecteur. L'important est la présence d'au moins une jonction PN ou NP dans le collecteur, c'est-à-dire d'au moins deux couches ayant un type de dopage différent, une couche P et une couche N. Le collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, au lieu d'être constitué d'une seule couche N dans le cas d'un transistor bipolaire de type NPN ou d'une seule couche P dans le cas d'un transistor bipolaire de type PNP, comporte au moins une couche P et une couche N, et comporte de préférence une alternance de plusieurs couches dopées différemment, par exemple une succession de trois couches, une couche P puis une couche N puis une couche P. De préférence, le transistor bipolaire comporte un sous-collecteur dopé N avec une valeur de dopage supérieure à celle du collecteur, le collecteur étant situé entre la base et le souscollecteur, et l'épaisseur de la couche dopée P la plus voisine du souscollecteur suffisamment faible pour que le champ électrique résultant au niveau de ladite couche dopée P la plus voisine soit favorable au passage des électrons à travers le collecteur. Le mauvais effet, mauvais pour la propagation des électrons à travers le collecteur, du champ électrique, défavorable au passage des électrons à travers le collecteur, provenant de la dernière jonction NP à l'intérieur du collecteur, ladite jonction étant disposée dans le mauvais sens, le sens de référence étant le déplacement des électrons dans le collecteur, c'est-à-dire de la base vers le souscollecteur, est anihilé par le champ électrique, favorable au passage des électrons à travers le collecteur, provenant de la jonction PN située au niveau de l'interface entre te collecteur et le sous-collecteur, ladite jonction étant disposée dans le bon sens. L'homogénéisation de la répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur est obtenue par la présence d'une alternance de couches P et N. La répartition la plus homogène possible correspond à une valeur constante du champ électrique à l'intérieur du collecteur du transistor bipolaire, mais le transistor bipolaire ne peut alors pas fonctionner correctement. Dans le transistor bipolaire selon l'invention, la répartition du champ électrique est rendue plus homogène que dans le cas d'un collecteur à couche de type de dopage unique d'un transistor bipolaire classique tout en conservant dans le cas d'un transistor bipolaire de type NPN une valeur de dopage de la ou des couches dopées N qui soit comparable à celle du collecteur d'un transistor bipolaire classique. Il s'agit, tout en conservant la valeur du dopage d'un collecteur de transistor classique, d'approcher la répartition idéalement homogène du champ électrique à l'intérieur d'un collecteur non dopé. La conservation d'une valeur de dopage relativement élevée pour les différentes couches du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention permet de repousser l'apparition de l'effet Kirk à une valeur élevée de courant injecté dans l'émetteur du transistor bipolaire. Or l'effet Kirk a tendance, lorsque la fréquence d'utilisation du transistor bipolaire augmente, à réduire la puissance émise par le transistor bipolaire et à dégrader le gain en puissance du transistor bipolaire. L'effet Kirk intervient d'autant plus vite que le dopage du collecteur est faible. Ainsi, en conservant la valeur du dopage des couches dopées N du collecteur (dans le cas d'un transistor de type NPN), on évite que l'effet Kirk ne dégrade le gain en puissance du transistor bipolaire. Le courant maximal qui peut être injecté dans l'émetteur du transistor bipolaire selon l'invention reste donc équivalent à celui qui peut être injecté dans l'émetteur du transistor bipolaire selon l'art antérieur. Or, comme, pour le transistor bipolaire selon l'invention, la tension de claquage a été améliorée, par rapport à celle du transistor selon l'art antérieur, et comme la puissance émise par un transistor bipolaire dépend du produit courant maximal injecté par tension de claquage, la puissance émise par le transistor bipolaire selon l'invention a été améliorée dans des proportions comparables à celles de la tension de claquage. Les figures 1 à 5 représentent une coupe d'une partie de l'intérieur de différents transistors bipolaires avec la répartition du champ électrique E à l'intérieur du collecteur du transistor bipolaire. Dans l'exemple choisi, le transistor bipolaire possède un émetteur non représenté par souci de simplicité, une base 1, un collecteur 2, un sous-collecteur 3. Dans l'exemple choisi, les transistors sont plutôt de type NPN, c'est-à-dire que la base 1 est dopée P. La surface 4 hachurée représente l'intégration du champ électrique E sur l'épaisseur e du collecteur, c'est-à-dire la valeur de la tension de claquage. Le champ électrique limite Elim est également représenté. Les différentes couches P et N pouvant constituer le collecteur sont aussi indiquées. La figure 1 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur de type NPN, c'est-à-dire dont la base est dopée P et dont le collecteur est dopé N. Dans le cas d'un transistor bipolaire de type PNP, toutes les couches P et N représentées sur les figures 1 à 5 seraient inversées, c'est-à-dire que toute couche P serait remplacée par une couche N et vice-versa. Pour un champ électrique limite Elim donné, la tension de claquage représentée par la surface 4 a une valeur donnée que l'invention se propose d'améliorer à valeur de champ électrique limite Elim comparable ou équivalent et à courant maximal traversant le collecteur équivalent. La figure 2 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur d'un collecteur non dopé présentant une répartition du champ électrique parfaitement homogène à l'intérieur du collecteur, ce type de collecteur présentant un profil idéal de répartition de champ électrique n'existe pas, car le collecteur d'un transistor bipolaire devant fonctionner de manière satisfaisante dans des conditions usuelles est toujours dopé. La tension de claquage représentée par la surface 4 a une valeur optimale, nettement plus élevée que la tension de claquage du transistor bipolaire à collecteur dopé N de la figure 1 selon l'art antérieur, mais le cas idéal de la figure 2 n'est pas réalisable en pratique car le transistor ainsi obtenu n'aurait pas un fonctionnement correct dans les conditions usuelles d'utilisation. La figure 3 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P puis une couche N. La valeur du dopage de la couche P du collecteur 2 est inférieure à la valeur du dopage de la couche P constituant la base 1 d'un facteur valant au moins dix. La valeur du dopage de la couche N du collecteur 2 est inférieure à la valeur du dopage de la couche P constituant la base 1 d'un facteur valant au moins dix. La valeur du dopage de la couche N du collecteur 2 est de préférence équivalente à celle de la couche P du collecteur 2, mais elle peut aussi en être substantiellement différente tout en restant dans les limites usuelles permettant un fonctionnement correct du transistor bipolaire. La couche du collecteur 2 la plus voisine de la base 1 est ici une couche de même type de dopage que la base 1, c'est-à-dire de type de dopage P, elle pourrait être de type de dopage inverse, c'est-à-dire N, mais les résultats sont moins bons au niveau des performances globales de fonctionnement du transistor bipolaire de puissance dans le domaine hyperfréquence. Les précédentes remarques sur la valeur du dopage des différentes couches du collecteur 2 valent aussi pour les figures 4 et 5. La tension de claquage représentée par la surface 4 a une valeur supérieure à celle du transistor bipolaire selon l'art antérieur de la figure 1, toutefois inférieure à celle du cas idéal mais non réaliste de la figure 2. La figure 4 représente schématiquement un exemple de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P. La tension de claquage représentée par la surface 4 a une valeur supérieure à celle du transistor bipolaire selon l'art antérieur de la figure 1, supérieure à celle du transistor bipolaire selon l'invention de la figure 3, toutefois inférieure à celle du cas idéal mais non réaliste de la figure 2. La figure 5 représente schématiquement un exemple théorique de répartition du champ électrique à l'intérieur du collecteur d'un transistor bipolaire selon l'invention, proche du profil idéal de la figure 2, ledit collecteur étant successivement dopé par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P, puis par une couche P, puis par une couche N, puis par une couche P. En théorie, la tension de claquage représentée par la surface 4 est très proche du cas idéal de la figure 2 et meilleure que celles des transistors bipolaires selon l'invention des figures 3 et 4. Cependant ces valeurs de tension de claquage ne correspondent qu'à un point de fonctionnement donné du transistor bipolaire, de préférence dans la partie centrale de sa courbe courant tension. Or les transistors de puissance sont amenés à fonctionner entre deux points extrêmes de polarisation, l'un correspondant à un faible courant et à une forte tension, l'autre correspondant à un fort courant et à une faible tension, et là le fonctionnement du transistor bipolaire de la figure 5 se dégrade fortement dans la configuration fort courant et faible tension, tandis que le fonctionnement des transistors bipolaires des figures 3 et 4 restent corrects. Le cas de la figure 4 semble constituer un optimum, notamment pour les transistors de puissance. Le facteur entre la valeur du dopage de la couche P du collecteur la plus voisine de la base et la valeur du dopage de la base, et plus généralement le facteur entre la valeur du dopage des couches du collecteur et la valeur du dopage de la base, vaut au moins dix, et il est de préférence compris entre mille et dix mille. De préférence, le type, P ou N, de dopage de la base est le même que le type, P ou N, de dopage de la couche du collecteur la plus voisine de la base. La couche du collecteur la plus voisine de la base pourrait aussi être dopée avec un dopage de type différent de celui de la base ou bien même ne pas être dopée du tout. Pour un transistor bipolaire de type NPN, c'est-à-dire dont la base est dopée P, dans le cas où la couche du collecteur la plus voisine de la base est dopée N, la jonction NP située dans le collecteur et près de la base est disposée dans le mauvais sens car elle ne bloque pas les trous et ne favorise pas le passage des électrons à travers le collecteur, ce qui dégrade les performances hyperfréquences du transistor bipolaire, c'est-à-dire les performances du transistor bipolaire dans le domaine hyperfréquence. Au contraire, dans le cas où la couche du collecteur la plus voisine de la base est dopée P, la jonction PN située dans le collecteur et près de la base est disposée dans le bon sens car elle bloque les trous et favorise le passage des électrons à travers le collecteur ; ainsi les performances hyperfréquences du transistor bipolaire ne sont pas dégradées. De préférence, dans le cas d'une base dopée P, la couche du collecteur (2) la plus voisine de la base (1) est dopée P et a une épaisseur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui est inférieure à une épaisseur seuil au-delà de laquelle le temps de transit par diffusion des électrons à travers ladite couche la plus voisine devient sensiblement supérieur au temps de transit par conduction des électrons à travers ladite couche la plus voisine. Ainsi le temps total de transit des électrons n'est pas dégradé et les performances hyperfréquences du transistor bipolaire ne sont pas dégradées non plus. Dans un exemple numérique préférentiel, la base est dopée P, la couche du collecteur la plus voisine de la base est dopée P et a une épaisseur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui vaut sensiblement 300 nanomètres, pour une épaisseur totale du collecteur qui vaut sensiblement 1, 3pm, et le dopage de la couche du collecteur la plus voisine de la base vaut de quelques 1015 atomes dopants par cm3 à quelques 1016 atomes dopants par cm3. L'épaisseur de la couche du collecteur la plus voisine de la base peut par exemple descendre jusqu'à 200 nanomètres. De préférence, la base est dopée P et le collecteur est constitué d'un empilement de trois couches qui sont, à partir de la base, une couche dopée P, une couche dopée N et une couche dopée P. Comme décrit ultérieurement au niveau d'exemples numériques, ce triplet PNP dans le collecteur du transistor bipolaire de puissance constitue un bon compromis entre l'augmentation de la tension de claquage et le maintien des performances hyperfréquences du transistor bipolaire. Grâce à l'optimisation du profil du champ électrique à l'intérieur du collecteur, une augmentation substantielle de l'épaisseur du collecteur permet, dans le cas d'un transistor bipolaire selon l'invention et contrairement au cas d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur, une augmentation substantielle de la tension de claquage. En effet, alors qu'une augmentation substantielle de l'épaisseur e du collecteur 2 sur les figures 3 et 4 (voir pointillés prolongeant le profil de champ électrique E sur la figure 3) se traduira par une augmentation substantielle 4'de la surface 4, une augmentation substantielle de l'épaisseur e du collecteur 2 sur la figure 1 se traduirait par une augmentation négligeable 4'de la surface 4 (voir pointillés prolongeant le profil de champ électrique E sur la figure 1). Le dopage du collecteur est préférentiellement compris entre 1015 atomes dopants par cm3 et 1017 atomes dopants par cm3. Le dopage de la base est alors par exemple de l'ordre de quelques fois 1019 atomes dopants par cm3. Le facteur entre la valeur du dopage de la base et la valeur du dopage du collecteur est alors sensiblement compris entre quelques fois cent et quelques fois dix mille. Le collecteur a une épaisseur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui vaut préférentiellement de un à quelques micromètres. Le matériau du collecteur est avantageusement du GaAs ou du GalnP, ce matériau peut aussi être par exemple du GaN ou du SiC. Dans le, cas d'un transistor de type NPN, l'effet Kirk, qui se manifeste à fort courant et donc en particulier pour les transistors de puissance, et ce d'autant plus vite que le dopage du collecteur est faible, augmente le temps de transit des électrons dans le collecteur et par conséquent dégrade le fonctionnement du transistor bipolaire à haute fréquence, en particulier dans la bande X qui s'étend de 8GHz à 12GHz. C'est donc en bande X que le transistor bipolaire selon l'invention est particulièrement intéressant. Le transistor bipolaire selon l'invention est préférentiellement destiné à fonctionner en bande X. En bande S qui s'étend de 2,5GHz à 3,5GHz, le transistor bipolaire selon l'invention est également intéressant mais pour une autre raison, à savoir que lorsque la largeur de la base est substantiellement inférieure à celle du collecteur, des effets de bord augmentent localement le champ électrique près de l'interface base collecteur, c'est-à-dire au niveau du champ électrique maximal dans le cas d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur (voir figure 1) et amènent alors un claquage prématuré du transistor bipolaire, tandis que dans le cas d'un transistor bipolaire selon l'invention (voir figures 3 et 4), le champ électrique maximal est suffisamment éloigné de la jonction pour que lesdits effets de bord n'amènent pas de claquage prématuré du transistor bipolaire. Le transistor bipolaire peut aussi avantageusement être destiné à fonctionner en bande S. Le transistor bipolaire est avantageusement destiné à être monté en émetteur commun, la jonction base collecteur étant polarisée en inverse avec une tension élevée de polarisation. Le transistor bipolaire est avantageusement un transistor bipolaire à hétérojonction, car celui-ci autorise un dopage plus élevé de la base ce qui améliore les performances hyperfréquences en termes de gain en puissance. Le matériau GaAs est un matériau qui peut facilement être dopé en atomes dopants de type P, ce qui le rend particulièrement intéressant. L'invention peut néanmoins être appliquée également à un transistor bipolaire à homojonction. L'invention peut aussi être appliquée à un transistor bipolaire de type Hilo , c'est-à-dire dont le collecteur est dopé N mais avec plusieurs valeurs de dopage, d'abord une valeur importante N+, puis une valeur moins importante N. La couche du collecteur la plus voisine de la base est alors préférentiellement dopée P. Les valeurs précises des épaisseurs et des dopages de chacune des couches du collecteur dépendent des applications envisagées et des performances désirées. Huit exemples sont donnés dans le tableau qui suit et qui concerne un transistor bipolaire plutôt de type NPN, c'est-à-dire dont la base est dopée P. Le point de polarisation correspond à une tension Vce de polarisation valant sensiblement 6 volts et la densité de courant Je traversant le collecteur vaut sensiblement 34 kA/cm,) le gain en courant statique étant de 15. L'exemple n'l concerne un transistor bipolaire selon l'art antérieur donné pour comparaison. Les exemples n 2 à n 8 concernent des transistors bipolaires selon l'invention, l'exemple préférentiel étant l'exemple n 8 qui obtient notamment la meilleure tension de claquage BVceo et le meilleur gain en puissance MSG. La première colonne du tableau indique te numéro de l'exemple considéré. La deuxième colonne du tableau indique le type td de dopage, P ou N, des couches successives du collecteur du transistor bipolaire. La troisième colonne du tableau indique les valeurs vd de dopage desdites couches successives, l'unité de dopage étant 1015 atomes dopants par cm3. La quatrième colonne du tableau indique les épaisseurs e desdites couches successives exprimées en nanomètres. La cinquième colonne du tableau indique la tension de claquage BVceo exprimée en volts. La sixième colonne du tableau indique la fréquence de coupure Ft exprimée en GHz. La septième colonne du tableau indique le gain en courant H21 exprimé en dB, à la fréquence de 10GHz. La huitième colonne du tableau indique le gain en puissance MSG exprimé en dB, à la fréquence de 10GHz. La neuvième colonne du tableau indique le facteur de stabilité k exprimé sans unité, à la fréquence de 10GHz. TABLEAU No td vd e BVceo Ft H21 MSG k N01 N 18 1000 17 15, 4 3, 7 18,5 1, 02 N 2 P/N 18/18 220/1080 20,4 16,4 4,2 19,4 0,93 N 3 P/N 5/18 310/990 21,9 15,7 3,9 19,3 0,99 N 4 P/N 25/18 310/990 22,6 15,6 3,8 19,8 0,90 N 5 N/P/N 18/36/18 300/100/900 22, 8 14, 4 3, 1 19, 3 1, 06 Noe N/P/N 18/270/18 280/20/1000 21,9 14,7 3, 3 19,3 1, 05 N 7 P/N/P 5/18/80 310/890/100 22, 6 15, 9 4, 0 19, 3 0,98 N 8 P/N/P 25/18/80 310/890/100 23,2 18,6 5, 1 20, 5 0, 71 On constate qu'une valeur de dopage de la couche dopée P du collecteur la plus voisine de la base supérieure à la couche N qui lui est adjacente dans le collecteur, exemple n 4 par rapport à exemple n 3 d'une part et exemple n 8 par rapport à exemple n"7 d'autre part, augmente, à ce point de polarisation, toutes choses égales par ailleurs la tension de claquage et le gain en puissance. REVENDICATIONS 1. Transistor bipolaire de puissance comportant au moins, un émetteur, une base (1) et un collecteur (2), le dopage de la base (1) étant supérieur au dopage du collecteur (2) d'un facteur valant au moins dix, caractérisé en ce que le collecteur (2) comporte au moins une couche dopée P et au moins une couche dopée N. 2. Transistor bipolaire selon la revendication 1, caractérisé en ce que le facteur est compris entre mille et dix mille. 3. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le type, P ou N, de dopage de la base (1) est le même que le type, P ou N, de dopage de la couche du collecteur (2) la plus voisine de la base (1). 4. Transistor bipolaire selon la revendication 3, caractérisé en ce que la base est dopée P et en ce que la couche du collecteur (2) la plus voisine de la base (1) a une épaisseur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui est inférieure à une épaisseur seuil au-delà de laquelle le temps de transit par diffusion des électrons à travers ladite couche la plus voisine devient sensiblement supérieur au temps de transit par conduction des électrons à travers ladite couche la plus voisine. 5. Transistor bipolaire selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche du collecteur (2) la plus voisine de la base (1) a une épaisseur, dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui vaut sensiblement 300 nanomètres. 6. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dopage de la couche du collecteur (2) la plus voisine de la base (1) vaut quelques 1015 atomes dopants par cm3 à quelques 1016 atomes dopants par cm3. 7. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la base (1) est dopée P et en ce que le collecteur (2) est constitué d'un empilement de trois couches qui sont, à partir de la base (1), une couche dopée P, une couche dopée N et une couche dopée P. 8. Transistor bipolaire selon la revendication 7, caractérisé en ce que le transistor bipolaire comporte un sous-collecteur (3) dopé N avec une valeur de dopage supérieure à celle du collecteur (2), le collecteur (2) étant situé entre la base (1) et le sous-collecteur (3), et en ce que l'épaisseur de la couche dopée P la plus voisine du sous-collecteur (3) est suffisamment faible pour que le champ électrique résultant au niveau de ladite couche dopée P la plus voisine soit favorable au passage des électrons à travers le collecteur (3). 9. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dopage du collecteur (2) est compris entre 1015 atomes dopants par cm3 et 1017 atomes dopants parent. 10. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le collecteur (2) a une épaisseur (e), dans le sens de l'empilement émetteur base collecteur, qui vaut de un à quelques micromètres. 11. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau du collecteur (2) est du GaAs ou du GalnP. 12. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transistor bipolaire est destiné à fonctionner en bande X. 13. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que le transistor bipolaire est destiné à fonctionner en bande S. 14. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transistor bipolaire est destiné à être monté en émetteur commun, la jonction base collecteur étant polarisée en inverse avec une tension élevée de polarisation. 15. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le transistor bipolaire est un transistor bipolaire à hétérojonction.