Brevet FR2824663A1 — publié le 20021115

respectifs pour permettre une installation facile. PROCEDE ET DISPOSITIF DE DOPAGE, DIFFUSION ET OXYDATION PYROLITHIQUE DE PLAQUETTES DE SILICIUM A PRESSION REDUITE. La présente invention concerne le dopage du type N et P. la diffusion et l'oxydation des plaquettes de Silicium dans le processus de réalisation de semi- conducteurs. Dans le processus de fabrication des circuits intégrés pour l'électronique, ies technologies de fabrication des semi-conducteurs sont basées principalement sur la modification intrinsèque des atomes du matériau silicium. L' insertion dans la maille du silicium d'éléments à surplus d'électron dit type N et à déficit d'électron dit type P. se définit par le terme de dopage du type N ou du type P. : Pour rendre le silicium semi-conducteur il est nécessaire de lui rejouter des éléments dits dopants. Les éléments dopants connus sont par exemple le Phosphore, I'Arsenic l'Antimoine ou le Bore le Gallium, I'Aluminium. Dans les procédés les plus utilisés de dopage au Phosphore ou au Bore par exemple, les plaquettes de Silicium sont introduites dans un four et portées à une température comprise généralement entre 800 C et 1200 C. Cette température est nécessaire pour permettre une concentration superficielle du phosphore ou du bore à la surface de la plaquette de silicium. Les sources de dopants solides, liquides ou gazeux sont vaporisées dans l'enceinte du four à partir d'un gaz porteur en contact avec la source de dopants. Le gaz porteur a pour rô l e d' accé lérer le d épôt d u gaz do pant sur la surface de la plaquette de silicium. Ce type de dépôt s'effectue dans le four à pression atmosphérique. Pour achever la distribution entre les plaquettes, le gaz porteur doit être envoyé avec un grand débit de gaz vecteur, ce qui engendre une importante consommation de gaz. Les fours horizontaux ou verticaux utilisés ont généralement une enceinte de forme tubulaire dans laquelle les plaquettes de silicium sont disposées sur un support en quartz ou en cardure de silicium. L'une des extrémités de i'enceinte tubulaire est dotée d'une porte pour permettre l'introduction des plaquettes. L'autre extrémité est obturée par une paroi terminale inamovible. Le gaz dopant, le gaz résctif et le gaz vecteur sont généralement injectés au travers d'un orifice pratiqué dans la paroi terminale de l'enceinte tubulaire. Pour obtenir une bonne uniformité de traitement il est nécessaire de limiter le nombre de plaquettes dans le four, généralement pas plus de 50, et de laisser À un espace relativement important entre chaque plaquette. L'utilisation d'un gaz vecteur pose également des problèmes de condensations importantes d'acide dans le four et l'environnement. Ce dépôt d'acide issu du dopant aura des répercussions sur la répétitivité du traitement de la plaquette mais également sur les différents éléments extérieurs À constituants du four ce qui implique des démontages fréquents pour nettoyage du four et notamment du tube en quartz composant 1'enceinte de ce dernier. D'autre part des diffuseurs en quartz, pour améliorer le résultant sont nécessai res, accentu ant l es coûts d'exp lo itation et de g esti on des parti es en quartz. La remise en fonction après nettoyage nécessite des essais préliminaires entrarnant des pertes de capacité productive. D'autres phénomènes comme le manque d'uniformité sur la plaquette, sur charge et de charge à charge, un effet de mémoire de dopage, des inclusions parasites des dopants dans la maille cristallographique du silicium à cause de l'oxygène excédant, des modifications de durées de vies de porteurs minoritaires, la limitation de diamètre des plaquettes sont autant de facteurs obligeant des choix d'équipement plus onéreux. La présente invention à pour objet de résoudre les problèmes sus évoqués en proposant un nouveau procédé de dopage, de diffusion et d'oxydation. À Le procédé selon l' invention se caractérise essentiel lement en ce qu'il consiste conjointement à 1'introduction du gaz dans 1'enceinte du four à soumettre cette dernière à une dépression. Cet effet permet d'accrotre la vitesse des gaz dans l'enceinte et ne rend plus nécessaire l'emploi de grandes quantités de gaz vecteurs. Seuis les gaz réactifs sont présents dans l'enceinte À de dopage du Silicium. Selon une autre caractéristique de l' invention, la valeur de la dépression est comprise entre 100 et 800 millibars. Cette plage de valeur est compatible avec des moyens relativement simples pour la création de la dépression. L' invention concerne également une techn ique d' injection de l'oxygène qui permet de doser avec précision la quantité d'oxygène pour limiter la vitesse du craquage du dopant, c'est-à-dire sa décomposition moléculaire. L' invention concerne également le dispositif permettant de réal iser une opération de dopage, de diffusion ou d'oxydation des plaquettes. Le dispositif comprend un four pourvu d'une enceinte fermée hermétiquement par une porte, dans laquelle encointe sont introduites les plaquettes, ledit four comportant au moins une tubulure d'injection d'au moins un gaz dans l'enceinte pour accomplir l'une des opérations susvisées. Le dispositif tel que défini se caractérise essentiellement en ce qu'il comprend en outre au moins une tubulure d'extraction du gaz, et un moyen d'aspiration connecté à la tubulure d'extraction du gaz, apte à créer dans l'enceinte une dépression constante et contrôlée. Ainsi, I'utilisation de grandes quantités de gaz vecteur en l'espèce l'azote n'est plus nécessaire en raison de la dépression créée. De plus, la condensation périphérique d'acide est fortement réduite, I'acide étant en grande partie aspiré par le moyen d'aspiration. La condensation résiduelle sera quant à elle récupérée par des dispositifs annexes tels que tuiles et autres. La présente invention à également pour objet un dispositif de dopage de diffusion ou d'oxydation de plaquettes de silicium comprenant un four pourvu d'une enceinte fermée hermétiquement par une porte, dans laquelle enceinte sont introduites lesdites plaquettes, ledit four comportant au moins une tubulure d'introduction d'au moins un gaz dans l'enceinte pour accomplir les opérations précitées D'autres avantages et caractéristiques de l' invention appara tront à la lecture de la description d'une forme préférée de réalisation, donnce à titre d'exemple non limitatif et illustrée par les dessins joints dans lesquels: - la figure 1 représente schématiquement le dispositif de dopage de diffusion ou d'oxydation de plaquettes de silicium selon la présente invention, - la figure 2 représente en coupe longitudinale un dispositif de dopage de diffusion ou d'oxydation selon l'invention. Comme représenté le dispositif de dopage, de diffusion ou d'oxydation de plaquettes de silicium selon l'invention, comprend un four 1 doté d'une enceinte étanche 2 associée à des moyens de chauffage 3, et dans laquelle sont introduites les plaquettes de silicium devant subir l'une des opérations précitées. Le four 1 comporte au moins une tubulure d' introduction 5a, 5b, 5c, d'au moins un gaz dans 1'enceinte 2 pour accomplir les opérations précitées et comprend en outre au moins une tubulure 6 d'extraction du gaz, et un moyen d'aspiration 7 connectée à ladite tubulure 6 d'extraction du gaz, apte à créer dans l'enceinte une dépression constante et contrôlée, cette unité d'aspiration étant située à distance du four 1 dans une zone tempérée. L'enceinte 2, par exemple de forme tubulaire, est fermée hermétiquement par une paroi terminale fixe 2a et par une porte 2b installées à ses extrémités, la porte, en position de fermeture, et la paroi terminale étant normales à l'axe longitudinal de symétrie de l'enceinte tobulaire. Les moyens de chauffage 3, constitués par exemple par des résistances électriques sont répartis ou enroulés autour de 1'enceinte tubulaire et sont disposés à écartement de cette dernière ou bien à son contact. De préférence, I'enceinte tubulaire 2 présente une section droite en forme de couronne circulaire. Cette disposition confère à la paroi de l'encointe une bonne résistance mécanique à la pression atmosphérique lorsque le volume interne de 1'enceinte est soumis à dépression. La porte 2b est solidaire d'une monture engagée en coulissement sur un support approprié. Les mouvements de fermeture et d'ouverture de la porte s'effectuent selon l'axe longitudinal de l'enceinte tubulaire. À la porte est associé un fourreau s'étendant vers l'extérieur de l'enceinte dans lequel est montée la queue d'une pel le de chargement des plaquettes. Cette pel le reçoit À Ies supports des plaquettes. Préférentiellement à ce fourreau est associé un moyen de réglage de l' incl inaison de la pel le et led it fourreau est monté avec une possibilité de déplacement en pivotement autour d'un axe horizontal, normal à l'axe longitudinal de la pelle. Par action sur les moyens de réglage, la pelle, à vide, est plus ou moins inclinée vers le haut, de sorte que lorsqu'elle est chargée elle puisse sensiblement venir se positionner sensiblement selon un plan horizontal. Ce réglage peut être opéré avec un poids sur la pelle, le poids de cette charge correspondant au poids de la charge à traiter. Préférentiellement, la porte 2b de l'enceinte du four est constituée en quartz opaque ou opacifié et possède un joint d'étanchéité approprié réalisé en une matière à base de d'élastomère fluoré. Une tel le matière est notamment connue sous le nom commercial de " VITON ". Une telle matière est notamment fabriquse par la STE DUPONT DE NEMOURS. Le quartz opaque constitue une barrière efficace aux infrarouges, on évite ainsi de brûler le joint d'étanchéité. Pour renforcer encore la protection du joint d'étanchéité, la partie terminale de l'enceinte tubulaire 2 (celle destinée à recevoir la porte 2b) est réalisée en quartz opaque. Dans la pratique cette partie opaque est assemblée à la partie transparente de l'enceinte par tous moyens connus de l'homme de l'art. Dans la forme préférée de réalisation, cet assemblage est réalisé par soudage. Toujours dans le but de renforcer la protection thermique du joint, un écran thermique est disposé dans l'enceinte en regard de la porte. La porte, par son joint d'étanchéité, est appliquée contre un rebord annulaire que possède la partie terminale opaque de l'encainte tobulaire, ce rebord annulaire étant également opaque. La face annulaire de ce rebord, en regard du joint de la porte constitue un plan de joint et reçoit le joint en pression. Ce joint est préférentiellement monté dans une gorge annulaire creusée dans la porte 2b. Pour absorber les défauts de parallélisme entre la porte et le plan de joint, ladite porte est montée de manière flottante sur sa monture, c'est-à-dire avec une latitude déplacement limité autour de deux axes sécants et orthogonaux parallèles au plan de joint et le long d'un axe normal à ce plan de joint. Préférentiellement entre la porte et sa monture sont disposés un ou plusieurs organes élastiques et le fourreau comporte une partie axialement déformable. Pour résister à la chaleur, les parois du four à savoir, la paroi tubulaire de l'enceinte 2 et la paroi terminale 2a sont constituées en quartz. L'enceinte tubulaire pourra étre équipée d'une chemise interne en carbure de silicium de forme tubulaire. Cette chemise s'oppose à la déformation radiale vers l'intérieur de l'enceinte tubulaire 2 notamment lorsque cette dernière est soumise à une forte température. Le trejet des gaz dans l'enceinte 2 du four 1 s'établit depuis une zone amont 8 vers une zone aval g située à distance de la précédente, les plaquettes À de silicium 4 étant disposoes entre ces deux zones sur le trajet des gaz. Ces plaquettes 4 sont disposées dans 1'enceinte 2 du four de manière transversale à la direction d'écoulement des gaz dans cette dernière. Ainsi est créée une perte de charge relativement importante grâce à laquelle les gaz peuvent venir balayer les surface à traiter des plaquettes. Les plaquettes 4 sont installées sur un support amovible 10 introduit dans I'enceinte 2 du four. Ce support est réalisé en une matière apte à résister tant à ia chaleur qu'au pouvoir corrosif des gaz. Ainsi ce support pourra être constitué en carbure de silicium ou bien en quartz. Le support et les plaquettes, après positionnement dans l'enceinte, sont disposés à écartement de la paroi terminale 2a et de la porte 2b, ce qui ménage la zone amont 8, cette dernière étant située entre la paroi terminale 2a et 1'emplacement du support de plaquettes, et la zone aval 9 située entre la porte 2b et ledit emplacement, le flux gazeux dans ladite enceinte 2 étant établi entre 1'une et 1'autre zone et la zone de l'enceinte correspondant à l'emplacement du support de plaquettes de À silicium étant la zone la plus chaude de ladite enceinte 2. La ou les tubulures d'introduction 5a, 5b, 5c du ou des gaz dans l'enceinte 2 du four traversent de part en part la paroi terminale 2a de ce dernier ou la porte 2b et débouchent dans 1'une ou 1'autre zone amont 8 ou aval 9 de la tubulure d'extraction 6 des gaz traverse de part en part la paroi terminale du À four 2a ou la porte 2b et débouche dans 1'autre zone amont 8 ou aval 9 de I'enceinte 2. Selon la forme préférée de réalisation, la ou les tubulures 5a, 5b, c d'introduction du gaz dans 1'enceinte 2 et la tobulure d'extraction 6 du gaz traversent de part en part la paroi terminale 2a de 1'enceinte, et les tubulures d' introduction 5a, 5b, 5c du gaz débouchent dans la zone amont 8 de 1'encointe tandis que la tubulure d'extraction 9 des gaz débouche dans la zone aval 9 de ladite enceinte 2. L'une des tubulures 5c d'introduction de gaz dans 1'enceinte 2 reçoit un gaz résctif en l'espèce de l'oxygène. Avantageusement cette tubulure 5c débouche dans la zone la plus chaude de cette dernière, au plus prés de l'emplacement occupé par le support de plaquettes, pour éviter le craquage anticipé du gaz dopant. Comme dit précédemment le dispositif selon l'invention est équipé d'une unité 7 d'aspiration des gaz dans l'enceinte 2, apte à y créer en continue une dépression de valeur constante et parfaitement contrôlée. Cette dépression à pour but d'augmenter la vitesse des gaz dans l'enceinte et d'éviter l'emploi de gaz vecteurs. Selon la forme préférée de réalisation, le moyen d'aspiration 7 comprend notamment une pompe aspirante refoulante 11 avantageusement du type à membrane. Cette pompe 11 au moins pour ses organes en contact avec les gaz sera réalisée en une matière apte à résister à la corrosion des dits gaz. On pourra utiliser une matière constituée à partir de tétrafluorosthylène. Une telle matière est connue sous le nom commercial de " TEFLON ". Toujours selon forme préférée de réalisation, I'unité d'aspiration 7 comporte des organes de contrôle et de régulation de la dépression dans l'enceinte du four, ces organes de contrôle et de réqulation étant en communication par des conduites d'une part avec la tobulure d'aspiration de la pompe et d'autre part avec la tubulure d'extraction du four. Les organes de contrôle et de réqulation comprennent notamment une capacité de gavage ou ballast, constituée par une chambre cylindrique, connectée par des conduites, d' une part à la tubu lure d'aspiration de la pompe et d'autre part à la tubulure 6 d'extraction du four, ladite capacité de gavage 12 étant par ailleurs connectée à une source sous pression de gaz de gavage, contrôlée par l'intermédiaire d'une vanne de contrôle 13, pilotée à l'ouverture et à la fermeture par un circuit de mesure et de contrôle de la dépression dynamique dans l'enceinte 2 du four l. À Le circuit de mesure et de contrôle de la dépression comprend un capteur de pression 14 disposé à l'extérieur de l'enceinte, sur la conduite de connexion s'étendant entre la capacité de gavage et la tubulure d'extraction du four ou bien sur la capacité de gavage. Ce capteur de pression 14 est apte à produire un signal d' intensité proportionnel le à la valeur de la dépression, ce signal étant appliqué à l'entrée d'un comparateur 15 qui compare la valeur de ce signal à une valeur de consigne. Ce comparateur est connecté par un circuit de - puissance à la vanne de contrôle 13 pour, en fonction de 1'écart entre la valeur de la dépression et la valeur de consigne, ajuster le degré d'ouverture de I'obturateur de la vanne de contrôle 13 et donc le débit du gaz de gavage ou commander la fermeture de l'obturateur de la vanne contrôle, ce qui permet par gavage plus ou moins prononcé de la pompe ou par absence de gavage d'ajuster à chaque instant la valeur de la dépression dans l'enceinte 2 du four. D'une autre manière, la capacité d'aspiration de la pompe étant constante 1'augmentation de débit de gaz de gavage s'accompagne d'une diminution du débit des gaz extra its de l ' encei nte du four et i nverseme nt. La capacité de gavage 12 reçoit les gaz de gavage à température ambiante et les gaz chauds extraits de l'enceinte du four. Le mélange des gaz dans cette capacité de gavage entraine des condensations qui sont récupérées par cette capacité. Ainsi ces condensations ne peuvent en aucune manière perturber le fonctionnement de la pompe 11. La capacité de gavage sera démontable en vue notamment d'extraire ces diverses condensations. On conçoit que la mesure de la dépression dans l'enceinte du four et le contrôle de cette dernière s'effectuent à l'extérieur du four dans des zones relativement froides et tempérées. Les gaz rejetés parla pompe sont ensuite neutralisés à l'aide de tous moyens appropriés. Les avantages de l'invention sont les suivants: - compatibilité avec la technologie atmosphérique, - uniformité du traitement sur chaque plaquette, sur chaque charge (ensemble de plaquette sur support), et de charge à charge, - répétitivité, - reproductivité après arrêt, suppression de l'effet mémoire, - suppression des overdoses de dopants, aucune limitation des diamètres des plaquettes, - réduction considérable de la maintenance, - réduction des coots, - propreté périphérique, - fréquence des nettoyages fortement diminuée. Il va de sol que les enseignements de la présente invention, s'appliquent aussi bien à un four du type horizontal qu'à un four du type vertical. À Il est bien évident que la présente invention pout recevoir tous aménagements et variantes du domains des équivalents techniques sans pour autant sortir du cadre du présent brevet. REVENDICATIONS 1/ Procédé de dopage ou diffusion, ou oxydation de plaquettes de silicium (4), lesdites plaquettes étant introduites dans l'encointe (2) d'un four (1) dans laquelle est introduit au moins un gaz pour accomplir l'opération de dopage ou de diffusion ou d'oxydation, caractérisé en ce qu'il consiste, conjointement à l' introduction et au passage du gaz dans l'enceinte (2) du four (1) à soumettre cette dernière, de manière continue à une dépression de valeur À constante. 2/ P rocédé de dopage ou d iffus ion, ou oxydati on sel on la revend icati on 1 caractérisé en ce que la valeur de la dépression dans l'enceinte du four est comprise entre 100 et 800 millibars. 3/ Dispositif de dopage de diffusion ou d'oxydation de plaquettes de silicium (4) comprenant un four (1) pourvu d'une enceinte (2) fermée hermétiquement par une porte (2b), dans laquelle enceinte sont introduites lesdites plaquettes, ledit four comportant au moins une tubulure (5a, 5b, 5c) d'introduction d'au moins un gaz dans l'enceinte (2) pour accomplir les opérations précitées caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins une tubulure (6) d'extraction du gaz, et une unité d'aspiration (7) connectée à ladite tubulure (6) d'extraction du gaz, apte à créer dans l'enccinte (2) une dépression constante et contrôlée. 4/ Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen d'aspiration comprend notamment une pompe aspirante refoulante (11). / Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que la pompe (11) est du type à membrane. 6/ D ispositif sel on la revend ication 4 ou la revend icati on 5, caractérisé en ce que la pompe (11) au moins pour ces organes en contact avec le gaz est réalisée en une matière apte à résister à la corrosion des dits gaz. À 7/ Dispositif selon la revendication 6, caractérisée en ce que cette matière est constituée à partir de tétrafluoroéthylène. 8/ Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le moyen d'aspiration (7) comporte des organes de contrôle et de réqulation de la dépression dans l'enceinte du four, ces organes de contrôle et de régulation étant en communication par des conduites d' une part avec la tubu lure d'aspiration de la pompe et d'autre part avec la tubulure d'extraction (6) du four. 9/ Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les organes de contrôle et de réqulation comprennent notamment une capacité de gavage 5. (12) ou ballast, connectée par des conduites, d'une part à la tubulure d'aspiration de la pompe (11) et d'autre part à la tubulure (6) d'extraction des gaz de l'enceinte du four, ladite capacité de gavage (12) étant par ailleurs connectée à une source de gaz sous pression contrôlée par l'intermédiaire d'une vanne de contrôle (13) pilotée à l'ouverture et à la fermeture par un circuit de mesure et de contrôle de la dépression dans l'enceinte (2) du four (1). / Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que le circuit de mesure et de contrôle de la dépression comprend un capteur de pression (14) disposé à l'extérieur de l'enceinte (2), sur la conduite de connexion s'étendant entre la capacité de gavage et la tubulure d'extraction du four, ledit capteur (14) de pression étant apte à produire un signal d'intensité proportionnelle à la valeur de la dépression, ladit signal étant appliqué à l'entrée d'un comparateur (15) qui compare la valeur de ce signal à une valeur de consigne, ledit comparateur étant connecté par un circuit de puissance à la vanne de contrôle pour, en fonction de l'écart entre la valeur de la dépression et la valeur de consigne, ajuster le degré d'ouverture de l'obturateur de la vanne (13) ou commander la fermeture de l'obturateur de la vanne de contrôle (13) ce qui permet par gavage plus ou moins prononcé de la pompe (11) ou par absence de gavage d'ajuster à chaque instant la valeur de la dépression dans l'enceinte (2) du four. 25. 11/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 10, caractérisé en ce que les plaquettes de silicium (4) sont disposées dans i'enceinte du four (2) de manière transversale à la direction d'écoulement des gaz dans cette dernière. 12/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 1 1, caractérisé en ce que les plaquettes (4) sont installées sur un support amovible (10) introduit dans l'enceinte (2) du four, ledit support et les dites plaquettes après positionnement dans l'encainte étant disposés à écartement de la paroi terminale (2a) et de la porte (2b), ce qui ménage une zone amont (8) située entre la paroi terminale (2a) et l'emplacement du support de plaquettes et une zone aval (9) située entre la porte (2b) et ledit emplacement, le flux gazeux dans iedite enceinte étant établi entre l'une et l'autre zone et la zone de l'enceinte correspondant à l'emplacement du support de plaquettes de silicium étant la zone la plus chaude de ladite enceinte. 13/ Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que la ou les tobulures (5a, 5b, 5c) d'introduction du ou des gaz dans l'enceinte du four traversent de part en part la paroi terminale (2) de l'enceinte du four ou la porte (2b) et débouchent dans l'une ou l'autre zone amont ou aval (9) et que la tubulure d'extraction (6) des gaz traverse de part en part la paroi terminale (2a) du four ou la porte (2b) et débouche dans l'autre zone avant ou arrière de enceinte (2). 14/ Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que la ou les tubulures d'introduction (5a, 5b, 5c) du gaz dans l'enceinte (2) et la tubulure d'extraction (6) du gaz traversent de part en part la paroi terminale (2a) de l'enceinte, que les tubulures (5a, 5b, 5c) d'introduction du gaz débouchent dans la zone amont (8) de l'enceinte et que la tubulure (6) d'extraction du gaz débouche dans la zone aval (9) de ladite enceinte (2). 151 Dispositif selon la revendication 13 ou la revendication 14, caractérisé en ce que la tubul ure d' introduction (5a, 5b, 5c) du gaz résctif dans I'enceinte (2) débouche dans la zone la plus chaude de cette dernière, au plus prés de l'emplacement occupé par le support de plaquettes, pour éviter le craquage anticipé du gaz dopant. 161 Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 15, caractérisé en ce que l'enceinte (2) du four (1) est de forme tubulaire, la porte (2b)étant disposée à l'une des extrémités de ladite enceinte tubulaire, et la paroi terminale (2a) à l'autre extrémité, la porte (2b), en position de fermeture, et la paroi terminale (2a) étant normales à l'axe longitudinal de symétrie de l'enceinte tubulaire. 171 Dispositif selon la revendication 16, caractérisé en ce que l'enceinte tubulaire (2) présente une section droite en forme de couronne circulaire. 18/ Dispositif seion la revendication 16 ou la revendication 17, caractérisé en ce que les moyens (3) de chauffage du four, constitués par des résistances électriques sont répartis ou enroulés autour de l'enceinte tubulaire (2). 19/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 18, caractérisé en ce que la porte (2b) est constituée en quartz opaque et présente un joint d'étanchéité. / Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 19, caractérisé en ce que les parois du four sont constituées en quartz. 21/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 20, caractérisé en ce que la partie terminale de l'enceinte du four est réalisée en quartz opaque. 22/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 21, caractérisé en ce que la porte est solidaire d'une monture engagée en coulissement sur un support et que ladite porte est montée de manière flottante sur sa monture c'est-à-dire avec une latitude déplacement limité autour de deux axes sécants et orthogonaux parallèles au plan de joint de la porte avec l'enceinte et le long d'un axe normal à ce plan de joint. 23/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 22, caractérisé en ce que l'enceinte tubulaire reçoit un chemisage interne en carbure de silicium. 24/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 3 à 23, caractérisé en ce que l'enceinte tubulaire en regard de la porte reçoit un écran