Brevet FR2832250A1 — publié le 20030516

SUPPORT OPTIQUE A DOUBLE NIVEAU D'ENREGISTREMENT Domaine technique La présente invention concerne un support optique enregistrable à double niveau d'enregistrement. On entend par support à double niveau d'enregistrement un support présentant, sur au moins une face, deux niveaux, ou deux zones d'enregistrement superposées. Pour les distinguer, les niveaux superposés sont dits superficiel et et enterré . Un disque optique à double niveau peut être du type à simple face ou à face double. Dans ce dernier cas, chaque face du disque peut être à double niveau, avec un nombre total de niveaux d'enregistrement égal à quatre. L'invention trouve des applications dans l'enregistrement de données audio, vidéo ou de données informatiques. Etat de la technique antérieure. On connaît des disques optiques enregistrables et même ré-enregistrables, au format DVD. Ces disques comportent sur une ou sur deux de leurs faces un unique niveau d'enregistrement pourvu d'une couche de matériau à changement de phase. Il s'agit, par exemple, d'une couche de matériau cristallin susceptible d'être rendue amorphe de façon locale sous l'action d'un faisceau d'écriture. La modulation du faisceau d'écriture selon un signal numérique, permet de former dans la couche à changement de phase une succession de zones de matériau amorphe et de zones de matériau cristallin. La succession des zones correspond au codage du signal qui est ainsi inscrit dans la matière. Les transitions entre les phases de la matière sont provoquées par un échauffement local de la couche sous l'effet du faisceau d'écriture. Un échauffement à une température permettant une recristallisation de la couche à changement de phase peut être mis en oeuvre pour un éventuel effacement des données enregistrées. La lecture subséquente du signal enregistré a lieu par balayage d'une succession de zones sur le niveau d'enregistrement. La lecture fait appel à des propriétés de réflectivité différente du matériau dans sa phase amorphe et sa phase cristalline. Le balayage est effectué par un faisceau de lecture focalisé sur le niveau, et est combiné à une mesure de l'intensité de la lumière réfléchie. Les équipements de lecture et d'écriture permettant d'enregistrer les disques sont pourvus d'une diode laser fournissant le faisceau d'écriture. Il s'agit d'une diode émettant un faisceau de lumière rouge dont la longueur d'onde est voisine de 650 nm. L'empilement de deux niveaux d'enregistrement dans un disque a été envisagé pour accroître la capacité de stockage de ces disques. On peut se reporter à ce sujet aux documents (1) à (9) dont les références sont précisées à la fin de la présente description. En particulier, les documents (8) et (9) concernent des techniques d'enregistrement réversible. Les disques à deux niveaux présentent des difficultés d'enregistrement et, dans une moindre mesure, de lecture. Ces difficultés proviennent du fait que la transparence limitée du niveau superficiel constitue un obstacle pour l'accès au niveau enterré. Une autre difficulté tient au fait qu'un refroidissement trop lent de la couche à changement de phase peut provoquer une cristallisation incontrôlée d'une zone devant être amorphe. Une nouvelle difficulté apparaît dans le sens qu'un éventuel choix d'une longueur d'onde d'enregistrement différente de la longueur d'onde usuellement retenue, rend les disques à double niveau d'enregistrement incompatibles avec les équipements actuels de lecture et d'enregistrement. Les effets de cette incompatibilité sont particulièrement gênants pour des équipements destinés au grand public. Exposé de l'invention. L'invention a pour but de proposer un support d'enregistrement, et en particulier un disque, du type à double niveau, ne présentant pas les limitations indiquées ci-dessus. Un but est en particulier de proposer un support compatible avec la longueur d'onde d'écriture et de lecture des équipements existants. Un but est encore de proposer un support permettant un enregistrement rapide et fiable, jouissant d'une bonne pérennité. Pour atteindre ces buts, l'invention propose plus précisément un support optique présentant, sur au moins une face, un niveau d'enregistrement superficiel et un niveau d'enregistrement enterré, susceptibles d'être lus et enregistrés au moyen d'un faisceau optique présentant une longueur d'onde comprise entre 620 et 670 nanomètres, et dans lequel chacun des niveaux présente une réflectivité comprise entre 6% et 12%. Les inventeurs ont en effet découvert qu'il était possible d'effectuer une écriture et une lecture de données sur un support à double niveau, avec des équipements existants, dont la longueur d'onde est de l'ordre de 650 nm. Les gammes de réflectivités indiquées ci-dessus, permettent en effet l'enregistrement et la lecture des supports avec une puissance inférieure à 22 mW. Chaque niveau d'enregistrement comporte une ou plusieurs couches de matériau à changement de phase. Il peut s'agir d'un matériau tel que les chalcogénures, de type GeSbTe, AgInSbTe ou InSbTe, de même que des séléniures ou des oxydes de tellure. Ces matériaux présentent des propriété de changement de phase entre un état amorphe et un état cristallin, avec des réflectivités différentes. Le matériau à changement de phase peut aussi être un matériau de type magnéto-optique. Le changement de phase se traduit alors par une modification d'une propriété de rotation de la polarisation d'un faisceau lumineux par effet Kerr ou Faraday. Le matériau est de préférence choisi avec des propriétés de changement de phase réversibles pour autoriser un ré-enregistrement. Les couches de matériau à changement de phase sont de préférence intercalées dans des couches de matériaux diélectriques tels que ZnS-Si02 ou AIN ou encore Si3N4. Celles-ci contribuent à l'ajustage des valeurs de réflectivité. Selon un exemple particulier, le matériau diélectrique est du ZnS-Si02 (80%-20%) et le matériau à changement de phase est de Ge2Sb2Tes. Une simulation optique réalisée à partir du formalisme d'Abeles, permet d'établir les paramètres d'épaisseur des différentes couches de matériau utilisées. Le calcul de ces paramètres prend en compte les indices optiques n et k des matériaux diélectriques et des matériaux à changement de phase, de même que ceux d'éventuels réflecteurs optiques et de supports mécaniques ou thermiques associés à ces couches. Selon une réalisation avantageuse des niveaux d'enregistrement, les couches à changement de phase peuvent, en effet, être associées à des puits thermiques. Les puits thermiques garantissent un refroidissement plus rapide des couches à changement de phase et évitent une cristallisation parasite. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, en référence à la figure du dessin annexé. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Description détaillée de modes particuliers de mise en oeuvre de l'invention. La figure unique annexée est une coupe schématique d'une partie d'un disque optique conforme à l'invention, utilisable comme support d'enregistrement. Il convient de préciser que, pour des raisons de clarté, les différentes parties de la figure ne sont pas représentées selon une échelle uniforme. Le disque de la figure comprend, dans l'ordre depuis une face de lecture 10, un premier substrat de support 12, un premier niveau d'enregistrement 20, une couche intermédiaire transparente de colle 14, un deuxième niveau d'enregistrement 30 et un deuxième substrat de support 16. Les substrats de support sont des substrats de polycarbonate usuels servant à la fabrication de disques optiques. Ils peuvent être remplacés par tout autre matériau, à condition que le premier substrat reste transparent à un faisceau d'écriture et de lecture. Le disque optique peut présenter deux autres niveaux d'enregistrement, non représentés sur la figure, qui seraient alors accessibles par une autre face, opposée à la première face 10. Le disque de la figure est un disque à double niveau, mais à face simple. Le premier niveau d'enregistrement 20, encore désigné par niveau superficiel comprend dans l'ordre depuis le premier substrat 12, une première couche diélectrique 22 de ZnS-Si02, une couche à changement de phase 24 en GeBbzTcg, une couche de résistance thermique 25 en ZnS-Si02, une couche de puits thermique 26, par exemple en ITO (oxyde d'indium- étain), et une deuxième couche diélectrique 28 en ZnSSi02. Les couches de résistance thermique et de puits thermique ne sont pas indispensables. Elles permettent toutefois un refroidissement rapide de la couche à changement de phase lorsque celle-ci a subi un échauffement par un faisceau d'écriture. Dans le cas d'une couche à transition amorphe, c'est-à-dire une couche cristalline qui est rendue localement amorphe pour l'écriture de données, un refroidissement rapide permet d'éviter toute recristallisation parasite incontrôlée. Comme indiqué précédemment, les matériaux des couches à changement de phase et des couches diélectriques peuvent être remplacés par d'autres matériaux présentant des propriétés de changement de phase ou diélectriques. Les matériaux du premier niveau sont toutefois choisis dans leur composition ou leur épaisseur de façon à laisser passer une partie de la lumière qui leur est appliquée. Le niveau d'enregistrement superficiel est considéré comme semitransparent. Le niveau d'enregistrement enterré comprend sensiblement les mêmes couches. Dans l'exemple illustré, il comprend une première couche diélectrique 32 de ZnS-Si02, une couche à changement de phase 34 en Ge2Sb2Tes, une deuxième couche diélectrique 38 en ZnS- Si02 et une couche de réflecteur 39. La couche de réflecteur permet d'augmenter la réflectivité du niveau d'enregistrement enterré. Il s'agit, par exemple d'une couche d'aluminium qui peut aussi servir de puits thermique. Comme il s'agit du niveau enterré, la couche de réflecteur 39 peut être opaque. Conformément à l'invention les niveaux d'enregistrement 20 et 30 présentent chacun une réflectivité comprise entre 8% et 12%. La réflectivité peut être ajustée en adaptant les indices optiques des couches et/ou leur épaisseur. A titre d'illustration, pour un matériau cristallisé à changement de phase présentant des indices optiques tels que n=3,8 et k=4, un matériau diélectrique avec n=2, 05 et k=0, du polycarbonate tel que n=1, 5 et k=0 on calcule les épaisseurs des couches. Dans l'exemple particulier considéré ici, les couches diélectriques et les couches de matériau à changement de phase présentent respectivement pour le niveau superficiel et le niveau enterré, dans l'ordre depuis la surface, les épaisseurs suivantes : Dls (22) = 100 nm +/-10 nm, CPs (24) = 7 nm+/-0,5 nm, D2s (28) = 100 nm +/-10 nm, Dle (32) = 120 nm, +/-10 nm, CPe (34) = 17,5nm +/-3 nm, D2e (38) = 120 nm +/-10 nm. Avec les valeurs indiquées ci-dessus, une réflectivité de 10% est obtenue. On précise que la couche d'aluminium 39 présente dans cet exemple une épaisseur de 120nm et que la couche de colle présente une épaisseur de 50m à +/-5 m. Les puissances d'écriture Pw et les puissances d'effacement Pe sont respectivement de Pw=19 mW et Pe=10mW pour le niveau enterré et Pw=12mW et Pe=6mW pour le niveau superficiel. Un rapport de signal à bruit en lecture de l'ordre de 48 et 50 dB est obtenu pour les niveaux superficiel et enterré. Selon un autre exemple, optimisé pour des réflectivités de 8%, on obtient les épaisseurs suivantes, toujours pour les mêmes matériaux : Dls (22) =80 nm +/-8 nm, CPs (24) =7 nm +/-0,5 nm, D2s (28) =100 nm +/-10 nm, Dle (32) =1000 nm +/-10 nm, CPe (34) =17,5 nm +/-3 nm, D2e (38) =40 nm +/-5 nm. Dans ce second exemple, la couche 39 de réflexion est une couche d'aluminium d'une épaisseur de 100 nm et la couche de colle présente toujours une épaisseur de l'ordre de 50m +/-5 ju. m. Le disque de la figure peut être obtenu en déposant successivement les couches des premier et deuxième niveaux d'enregistrement 20,30 respectivement sur les substrats 12 et 16. Les substrats, pourvus des couches des niveaux d'enregistrement 20,30 sont ensuite assemblés par l'intermédiaire de la couche de colle 14. La référence 40 désigne une lentille de focalisation d'un appareil de lecture et d'écriture. Celle-ci ne fait donc pas partie du support d'enregistrement. La lentille permet de focaliser sélectivement un faisceau d'écriture (ou d'effacement) ou un faisceau de lecture sur l'une des couches à changement de phase de l'un des niveaux d'enregistrement. DOCUMENTS CITES 1) US-6 030 678, 2) US-5 993 930, 3) US-5 828 648, 4) US-4 090 031, 5) US-4 219 704, 6) US-3 946 367, 7) US-4 450 553, 8) US-4 905 215, 9) US-6 143 426. REVENDICATIONS 1) Support optique présentant, sur au moins une face (10), un niveau d'enregistrement superficiel (20) et un niveau d'enregistrement enterré (30), susceptibles d'être lus et enregistrés au moyen d'un faisceau optique présentant une longueur d'onde comprise entre 620 et 670 nanomètres, et dans lequel chacun des niveaux présente une réflectivité comprise entre 6% et 12%. 2) Support selon la revendication 1, dans lequel chaque niveau comprend une couche de matériau à changement de phase (24,34) intercalée entre des couches de matériau diélectrique (22,28, 32,38). 3) Support selon, la revendication 2, dans lequel le matériau diélectrique est du ZnS-Si02 et le matériau à changement de phase est Ge2Sb2Tes. 4) Support selon la revendication 3, dans lequel les couches diélectriques (Dls, D2s, Dle, D2ec) et les couches de matériau à changement (CPs, CPe) de phase présentent respectivement pour le niveau d'enregistrement superficiel et le niveau d'enregistrement enterré, dans l'ordre depuis la surface, les épaisseurs suivantes : Dls=100nm +/-10 nm, CPs=7 nm+/-0,5 nm D2s=100nm +/-10 nm, Dle=120nm +/-10 nm, CPe=17,5nm +/-3 nm, D2e=120nm +/-10 nm. 5) Support selon la revendication 4, dans lequel les couches diélectriques (Dls, D2s, Dle, D2e) et les couches de matériau à changement (CPs, Cpe) de phase présentent respectivement pour le niveau superficiel et le niveau enterré, dans l'ordre depuis la surface, les épaisseurs suivantes : Dls=80nm +/-8 nm, CPs=7 nm+/-0, 5 nm, D2s=100nm +/-10 nm, D1e=1000nm +/-10 nm, CPe=17, 5nm +/-3 nm, D2e=40nm +/-4 nm. 6) Support selon la revendication 1, dans lequel chaque niveau d'enregistrement comprend une couche de matériau à changement de phase (24,34) du type à transition amorphe, associée à au moins une couche (26,39) formant un puits thermique. 7) Support selon la revendication 6, dans lequel le niveau enterré comprend une couche métallique (39) formant réflecteur et puits thermique.