Brevet FR2833702A1 — publié le 20030620

La présente invention concerne un dispositif de détection de rayonnement infrarouge et un procédé pour fabriquer un tel réseau, et plus particulièrement un réseau de détection de rayonnement infrarouge comportant des détecteurs de rayonnement infrarouge pouvant corriger les angles de support de parties formant structures d'isolation thermique, et un procédé de fabrication d'un tel réseau. Sur la figure 22, annexée à la présente demande, une vue en coupe transversale d'un détecteur de rayonnement infrarouge désigné dans sa totalité par la référence 400 est décrite dans JP 10-253447 A. Le détecteur de rayonnement infrarouge 700 comprend un substrat semiconducteur 701. Un bras de support 702 est disposé sur le substrat semiconducteur 701. En outre une extrémité d'une partie déplaçable 705 est fixée au bras de support 702 et la partie déplaçable 705 est disposée en porte-à-faux. La partie déplaçable 705 possède une structure stratifiée formée d'un film 703 absorbant le rayonnement infrarouge et d'un film réfléchissant 704. Dans le détecteur de rayonnement infrarouge 700, lorsqu'un rayonnement infrarouge rencontre la partie dépla- çable 705, le film 703 absorbant l'infrarouge absorbe le rayonnement infrarouge et convertit la lumière en chaleur. Etant donné que les coefficients de dilatation thermique du film 703 d' absorption de la lumière infrarouge et du film réfléchissant 704 formant la partie déplaçable 705 diffèrent entre eux, si la partie déplaçable 705 est chauffée, la partie déplaçable 705 fléchit conformément au principe des corps formés de deux matériaux. Lorsque la partie déplaçable 705 fléchit, l'angle de réflexion de la lumière de lecture qui éclaire le film réfléchissant 704 varie. C'est pourquoi, lorsque cette variation est détectée en tant que variation de l'intensité de réflexion dans une position de détection prédéterminée, le rayonnement infrarouge incident est détecté. Par ailleurs JP 2000-326299 A décrit également un détecteur de rayonnement infrarouge possédant approximativement la même structure et basé sur le principe de corps formés de deux matériaux. Dans un réseau de détection du rayonnement infrarouge possédant de tels détecteurs de rayonnement infrarouge 700 agencés chacun de manière à constituer un pixel, même si un rayonnement infrarouge uniforme est projeté sur l'ensemble des pixels, les intensités de réflexion d'une lumière de lecture ne deviennent pas uniformes étant donné que les angles des films réfléchissants 704 par rapport au substrat semiconducteur 701 ne sont pas uniformes parmi les pixels. C'est pourquoi, il se pose ici un problème consistant en ce que les intensités de la lumière de lecture réfléchie ne sont pas uniformes et il se produit une altération de l'image désignée sous l'expression bruit de configuration fixe. En outre, il se pose un problème consistant en ce que même lorsque la quantité de rayonnement infrarouge qui rencontre les détecteurs de lumière de rayonnement infrarouge 700 varie, les angles des films réfléchissants 704 ne varient pas de façon similaire dans tous les pixels. Bien qu'un procédé consistant à prévoir une interférence de la lumière de lecture pour chaque pixel afin de réduire des variations parmi les pixels ait été proposé pour réduire ces problèmes, il est difficile de garantir qu'une condition d'interférence est constante dans l'ensemble des pixels, et par conséquent il est impossible d'éliminer un bruit de configuration fixe. Par ailleurs, il a été proposé un autre procédé utilisant un appareil de prise de vues CCD ou analogue pour capter la lumière réfléchie provenant de la lumière de lecture et corriger électriquement un signal de formation d'image. Cependant, bien qu'en supprimant un bruit de configuration fixe, ce procédé requiert l'appareil de prise de vues, un circuit de correction de signaux, etc. et c'est pourquoi il se pose un problème consistant en ce que le coût d'un système de détection incluant des détecteurs de rayonnement infrarouge est très élevé. Le but de la présente invention est de fournir un réseau de détection de rayonnement infrarouge incluant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge apte à régler les angles de support de parties déplaçables des détecteurs de rayonnement infrarouge respectifs et d'éliminer un bruit de configuration fixe. La présente invention a trait à un réseau de détection de rayonnement infrarouge comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge disposés sur un substrat sous la forme d'une matrice. Les détecteurs de rayonnement infrarouge comprennent chacun : a) un bras de support fixé, par une extrémité, audit substrat et possédant une structure stratifiée formée d'une couche isolante et d'une couche de câblage ; une partie de structuré d'isolation thermique supportée par ledit bras de support, comprenant une couche isolante possédant une première surface destinée à servir de surface d'incidence du rayonnement infrarouge rencontrant cette surface, et une seconde surface destinée à servir de surface d'incidence d'une lumière de lecture rencontrant cette surface, un film réfléchissant est formé sur ladite seconde surface de ladite couche isolante et une résistance connectée à ladite couche de câblage, et lorsque lesdits bras de support chauffés jusqu'à une température de détection par ledit rayonnement infrarouge fléchissent de façon réversible, lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge modifient la direction de réflexion de ladite lumière de lecture rencontrant lesdits films réfléchissants, lesdits bras de support fléchissant d'une manière non réversible lorsque lesdites résistances véhiculent un courant traversant lesdites couches de câblage, et que lesdits bras de support sont chauffés jusqu'à une température supérieure à ladite température de détection. La présente invention a trait également à un dispositif de détection de rayonnement infrarouge, caractérisé en ce qu'il comporte en outre : une pluralité de fils de lignes et connectés respectivement à des premières extrémités desdites résistances desdits détecteurs de rayonnement infrarouge disposés dans une direction de lignes ; plu- ralité de fils de colonnes connectés respectivement à d'autres extrémités desdites résistances desdits détecteurs de rayonnement infrarouge disposés suivant une direction de colonnes ; un circuit de balayage vertical servant à sélectionner n'importe quel fil désiré de ligne parmi ladite pluralité de fils de lignes ; circuit de balayage hori- zontal servant à sélectionner n'importe quel fil de colonne désiré parmi ladite pluralité de fils de colonnes, et des éléments de commande collectés en série avec lesdites résistances et incluses dans lesdits détecteurs de lumière infrarouge, lesdites résistances véhiculant un courant en utilisant lesdits éléments de commande desdits détecteurs de rayonnement infrarouge, avec des lignes et des colonnes sélectionnées par ledit circuit de balayage vertical et ledit circuit de balayage horizontal. Selon une autre caractéristique de l'invention, un constituant principal desdites résistances est un élément sélectionné parmi un groupe incluant le titane, le tantale, le nitrure de titane et le nitrure de tantale. Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdites résistances sont des diodes. Selon une autre caractéristique de l'invention, le réseau de détection de lumière infrarouge comporte en outre : une pluralité de fils de lignes connectés respectivement à des premières extrémités desdites diodes desdits détecteurs de rayonnement infrarouge disposés suivant une direction de ligne ; pluralité de fils de colonnes connectés respectivement à d'autres extrémités desdites diodes desdites détecteurs de rayonnement infrarouge disposés suivant une direction de colonne, un circuit de balayage vertical pour sélectionner un fil de ligne désiré parmi ladite pluralité de fils de lignes, un circuit de balayage horizontal servant à sélectionner n'importe quel fil de colonne désiré parmi ladite pluralité de fils de colonnes, lesdites diodes desdits détecteurs de rayonnement infrarouge avec des lignes et des colonnes sélectionnées par ledit circuit de balayage vertical et ledit circuit de balayage horizontal véhiculant un courant. Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdites couches isolantes et lesdites couches de câblage formant lesdites bras de support sont formés de couches céramiques et de couches métalliques ayant des coefficients de dilatation thermique différents les uns des autres. Selon une autre caractéristique de l'invention, des plaques isolantes supportées par des colonnes de support sont disposées sur lesdites secondes surfaces desdites couches isolantes pour être approximativement parallèles auxdites couches isolantes et lesdites films réfléchissants sont formés sur lesdites plaques isolantes. L'invention concerne en outre un réseau de détection de lumière comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge disposés sur un substrat sous la forme d'une matrice, lesdites détecteurs de rayonnement infrarouge comprenant chacun : a) un bras de support fixé, par une extrémité, audit substrat et possédant une structure stratifiée formée d'une couche isolante et d'une couche de câblage, b) une partie de structure d'isolation thermique supportée par ledit bras de support, comprenant une couche isolante possédant une première surface pour un rayonnement infrarouge rencontrant cette surface, une seconde surface pour lire une lumière rencontrant cette surface, une couche formant miroir semi-transparent pour transmettre une partie de ladite lumière de lecture, de réfléchir l'autre partie de ladite lumière de lecture, mais une résistance connectée à ladite couche de câblage; et c) une couche formant miroir disposée sur ladite structure pour réfléchir ladite lumière de lecture transmise par ladite couche formant miroir semi-transparent et amenant ladite lumière de lecture réfléchie par ladite couche formant miroir semi-transparent à interférer avec ladite lumière de lecture réfléchie par ladite couche formant miroir pour créer de ce fait une lumière d'interférence, et lorsque lesdits bras de support chauffés jusqu'à une température de détection par ledit rayonnement infrarouge fléchissent de façon réversible, ledit détecteur de rayonnement infrarouge modifie l'intensité de ladite lumière d'interférence, lesdits bras de support fléchissant de façon non réversible lorsque lesdites résistances véhiculent un courant traversant lesdites couches de câblage et que lesdits bras de support sont chauffés à une température qui est supérieure à ladite température de détection. La présente invention concerne en outre un procédé pour fabriquer un réseau de détection de rayonnement infrarouge comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge disposés sur un substrat sous la forme d'une matrice, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à préparer un substrat; une étape consistant à déposer une couche sacrificielle sur ledit substrat; une étape de formation de couches isolantes pour définir les zones de la partie de structure d'isolation thermique et des zones formant bras de support sur ladite couche sacrificielle, une étape de formation de résistances pour former des résistances dans lesdites zones de parties formant structures d'isolation thermique desdites couches isolantes, une étape de formation de films réfléchissants servant à former des films réfléchissants sur lesdites résis- tances, une étape de recuit pour chauffer ledit substrat formant lesdits films réfléchissants, et une température prédéterminée de recuit, une étape consistant à former une couche de câblage raccordée auxdites résistances sur lesdites zones formant bras de support desdites couches isolantes après ladite étape de recuit, et une étape de retrait de ladite couche sacrificielle et de production desdits détecteurs de rayonnement infrarouge avec lesdites parties de la structure d'isolation thermique supportées par ledit substrat au moyen desdits bras de support constitués par les couches isolantes et lesdites couches de câblage, ledit procédé incluant en outre une étape de correction servant à amener lesdites résistances incluses dans lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge à véhiculer un courant après que lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge ont été formés, et à chauffer lesdites résistances à une température inférieure à ladite température de recuit, de sorte que lesdits bras de support fléchissent d'une manière non réversible et les angles de support desdits films réfléchissants par rapport audit substrat devenant approximativement uniformes dans l'ensemble desdits détecteurs de rayonnement infrarouge. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite étape de formation de résistances comprend une étape consistant à former un film de silicium polycristallin sur lesdites couches isolantes, à implanter des impuretés de type n et des impuretés de type p dans ledit film de silicium polycristallin et à former lesdites résistances à partir de diodes à jonction pn. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ciaprès prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels : - la figure 1 est une vue en perspective du détecteur de rayonnement infrarouge conformément à la pre- mière forme de réalisation de la présente invention; - la figure 2 représente une vue en plan du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 3 représente le schéma du circuit du réseau de détection de rayonnement infrarouge selon la première forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 4A à 4E représentent des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du réseau de détection du rayonnement infrarouge conformément à la première forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 5 représente un schéma du système de correction conformément à la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 6 est un schéma du système optique de lecture ; - la figure 7 est un schéma d'un module à dépression; - la figure 8 est un schéma du dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe; - la figure 9 est une vue en perspective du détecteur de rayonnement infrarouge selon la seconde forme de réalisation préférée de la présente invention; - les figures 10A à 10E sont des vues en coupe transversale illustrant l'étape de fabrication du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la seconde forme de réalisation de la présente invention; - la figure 11 représente un schéma de circuit du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la seconde forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 12 représente le schéma d'un circuit du réseau de détection du rayonnement infrarouge conformément à la troisième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 13 représente un schéma du système de correction conformément à la troisième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 14 est une vue en coupe transversale du détecteur de rayonnement infrarouge conformément à la quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - les figures 15A à 15D sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - la figure 16 est une vue en perspective du détecteur de rayonnement infrarouge conformément à la cinquième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - les figures 17A à 17D sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la cinquième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - la figure 18 est une vue en coupe transversale du détecteur de rayonnement infrarouge conformément à la sixième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - la figure 19A est une vue en plan du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la septième forme de réalisation préférée de la présente invention ; - la figure 19B est une vue en coupe transversale du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la septième forme de réalisation préférée de la pré- sente invention; - les figures 20A à 20E sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du réseau de détection de rayonnement infrarouge selon la septième forme de réalisation préférée de la présente invention; - la figure 21 est un schéma du système optique de lecture; - la figure 22, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe transversale du détecteur de rayonnement infrarouge classique; et - la figure 23, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe transversale du détecteur de rayonnement infrarouge classique. La figure 1 est une vue en perspective d'un détecteur de rayonnement infrarouge (correspondant à un pixel) désigné dans son ensemble par la référence 100 et contenu dans un réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à une première forme de réalisation préférée. Le détecteur de rayonnement infrarouge 100 comprend un substrat en silicium 1. La surface supérieure du substrat en silicium 1 est recouverte par un film d'oxyde de silicium 2. Sur le film d'oxyde de silicium 2 est disposé un bras de support 20fixé par deux parties de support 11 au substrat en silicium 1 et une partie de structure d'isolation thermique 30 supportée en porte-à-faux par deux bras de support 20. Le bras de support 20 possède une structure à deux couches comprenant une couche isolante 23 formée d'oxyde de silicium, une couche de câblage en aluminium 24, et la couche de câblage en aluminium 24 sert également de fil électrique. La partie de la structure d'isolation thermique 30 inclut une couche d'oxyde de silicium 31 et une résistance 32 disposée dans la couche d'oxyde de silicium 31. Bien que ceci ne soit pas visible de l'extérieur, la résistance 32 est disposée avec une forme sinueuse (forme en zig-zag) comme indiqué par la ligne formée de tirets sur la figure 1. Un film réfléchissant 32 en aluminium est disposé sur la surface supérieure de la partie de structure d'isolation thermique 30. La résistance 32 est raccordée à la couche de câblage en aluminium 24 du bras de support 20 par une partie de contact 34. En outre, la couche de câblage en aluminium 24 du bras de support 20 est connectée électriquement à un circuit (non représenté) disposé dans le substrat en silicium 1 au moyen de parties de support 11 du bras de support 20. On va décrire ci-après un procédé de détection du rayonnement infrarouge utilisant le détecteur de rayonnement infrarouge 100. Un rayonnement infrarouge rencontre le détecteur de rayonnement infrarouge 100 à partir de la zone située au-dessous du substrat en silicium 1. Ceci augmente la température de la partie de la structure d'isolation thermique 30 et en outre la température du bras de support 20. La couche isolante 23 et la couche de câblage en aluminium 24 formant le bras de support 20ont des coefficients de dilatation thermique différents. C'est pourquoi, étant donné que la température du bras de support 20 augmente, le bras de support 20fléchit et se déforme sur la base du principe concernant une structure à deux matériaux. Il en résulte que l'angle de support de la partie de structure d'isolation thermique 30 (c'est-à-dire l'angle entre le substrat en silicium 1 et la partie de structure d'isolation thermique 30) varie. Une lumière de lecture rencontre la partie de structure d'isolation thermique 30 à partir du haut et est réfléchie par le film réfléchissant 33. Etant donné que l'angle de support de la partie de structure d'isolation thermique 30 varie, la direction de réflexion de la lumière réfléchissante varie. C'est pourquoi la détection de l'intensité de la lumière réfléchissante dans une position de détection prédéterminée permet de détecter la quantité du rayonnement infrarouge qui irradie la partie de structure d'isolation thermique 30. La figure 2 est une vue schématique du réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la première forme de réalisation préférée désignée dans son ensemble par la référence 110. Le réseau de détection du rayonnement infrarouge 110 inclut une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge 100 et chaque détecteur de rayonnement infrarouge 100 forme un pixel du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110. De façon plus spécifique, les 128 détecteurs de rayonnement infrarouge (pixels) 100 sont disposés dans la direction verticale et 128 détecteurs de rayonnement infrarouge (pixels) 100 sont disposés dans la direction horizontale sur le substrat en silicium 1. Sur la figure 2, les détecteurs de rayonnement infrarouge 100 sont représentés schématiquement. La figure 3 représente le schéma d'un circuit du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 représenté sur la figure 2. Sur la figure 3, la zone entourée par la ligne formée de tirets représente un circuit contenu dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110, et l'autre zone représente des circuits disposés à l'extérieur du réseau 110 de détection du rayonnement infrarouge. Le circuit à l'intérieur du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 inclut une pluralité des détecteurs de réseaux infrarouge (pixels) 100. Les deux extrémités des couches de câblage en aluminium 24 des détecteurs de rayonnement infrarouge (pixels) 100 sont connectées à un circuit de balayage horizontal 151 et à un circuit de balayage vertical 152 par l'intermédiaire de transistors 154 de commutation de pixels. Le circuit de balayage horizontal 151 et le circuit de balayage vertical 152 sont connectés à un circuit 72 de synchronisation de sélection des pixels, qui est disposé à l'extérieur. Ces connexions sont établies au moyen d'électrodes en forme de plots (non représentées) par exemple disposées sur le réseau 110 de détection de rayonnement infrarouge. Dans un tel circuit, le circuit 72 de synchronisation de sélection de pixels commande le circuit de balayage horizontal 151 et le circuit de balayage vertical 152 de telle sorte qu'une ligne et une colonne dans le réseau de détection du rayonnement infrarouge sont sélectionnées. Dans le second réseau sélectionné de détection de rayonnement infrarouge, un transistor de commutation de sélection horizontale 153 et un transistor 154 de commutation de pixels sont rendus conducteurs, ce qui a pour effet qu'un courant circule depuis une source d'énergie de chauffage 70 disposée à l'extérieur au moyen d'un générateur d'impulsions 71. L'électrisation provoque l'échauffement d'un composant formant résistance 155 du pixel, et la température du pixel augmente de façon correspondante. La valeur du courant circulant est réglée par la source d'alimentation de chauffage, et la durée de transfert de courant est réglée par le générateur d'impulsions de sorte que l'augmentation de la température au niveau du pixel est réglée. Bien que ces fils et ces circuits soient fabriqués dans le substrat en silicium 1, étant donné qu'ils bloquent la transmission du rayonnement infrarouge, il est souhaitable de ne pas les disposer directement audessous des parties de la structure d'isolation thermique. On va décrire ci-après un procédé de fabrication du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 conforme à la première forme de réalisation préférée en référence aux figures 4A à 4E. Les figures 4A à 4E sont des vues en coupe transversale de la figure 1 prises dans la direction I-I. Comme cela est indiqué au niveau de la ligne représentée par les lignes formées de tirets sur la figure 1, la section en coupe est coudée à mi-distance. C'est-à-dire que les surfaces en coupe transversale dans les régions A et B dans la direction 1-1 correspondent respectivement aux régions A et B dans la coupe transversale représentée sur les figures 4A à 4E. Sur les figures 4A à 4E, on a représenté un détecteur de rayonnement infrarouge 1 logé dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110. Le procédé de fabrication inclut les étapes 1 à 5 suivantes. Etape 1 : Comme représenté sur la figure 4A, une zone de circuit 3 comprend des circuits de balayage, des transistors de commutation, etc., pour la transmission sélective d'un courant traversant les détecteurs de rayonnement infrarouge (pixels). Un câblage de circuit 4 enseveli dans un film de silicium 5 est formé sur la zone de circuit 3. Le câblage de circuit 4 connecte la zone de circuit 3 à la couche de câblage en aluminium 24 du détecteur de rayonnement infrarouge. Ensuite on forme un film d'oxyde de silicium (film de protection) 2 de l'oxyde de silicium pour recouvrir le câblage de circuit 4, et en outre, on forme une couche sacrificielle (couche entretoise) 6 en silicium polycristallin par exemple sur le film de protection 2. Ensuite, on réalise une attaque chimique de la couche sacrificielle 6 dans une position prédéterminée devant être ouverte, et on dépose un film d'oxyde de silicium 21. On raccorde le film d'oxyde de silicium 21 au film de protection 2 au niveau de la surface inférieure de l'ouverture. On effectue une attaque chimique de la couche sacrificielle 6 à l'aide d'une attaque chimique par plasma en utilisant un plasma de gaz chlore par exemple. Etape 2 : Comme cela est représenté sur la figure 4B, on dépose du titane sur le film d'oxyde de silicium 21, et au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape d'attaque chimique en utilisant un plasma de chlore gazeux, on forme la résistance 32. Comme représenté sur la figure 1, on structure la résistance 32 pour lui donner une forme sinueuse (forme en zig-zag). Ensuite, on forme un film d'oxyde de silicium 22 de manière à recouvrir la résistance 32. On aplanit le film d'oxyde de silicium 22 dans une zone supposée être la partie de structure d'isolation thermique, en utilisant le procédé CMP. Etape 3 : Comme cela est illustré sur la figure 4C, après le dépôt d'une couche d'aluminium, grâce à une étape photolithographique et une étape d'attaque chimique utilisant un plasma de chlore gazeux, on forme le film réfléchissant 33presque sur toute la surface supposée être la partie de structure d'isolation thermique. Ensuite, pour former le bras de support 20 et la partie de structure d'isolation thermique 30, à l'aide d'une étape de photolithographie et d'une étape d'attaque chimique en utilisant un plasma de gaz formé de trifluorure de métal, on structure le film d'oxyde de silicium 21 et le film d'oxyde de silicium 22. La structuration provoque une exposition partielle de la couche sacrificielle 6. Etant donné qu'un gaz d'attaque chimique est envoyé dans la partie où la couche sacrificielle 6 est exposée de manière à retirer la couche sacrificielle 6 lors d'une étape ultérieure, cette partie exposée est désignée comme étant un trou d'attaque chimique 25. Etape 4 : Comme représenté sur la figure 4D, à ce stade, étant donné que la fabrication de la partie de la structure d'isolation thermique 30 est déjà complète, un recuit est exécuté à une température d'environ 400 C. Sous l'effet du recuit, la partie de la structure d'isolation thermique 31 n'est pas déformée d'une manière non réversible à une température de 400 C ou moins. Ensuite, au moyen d'une étape de photolithographie et d'une étape d'attaque chimique utilisant un plasma d'un gaz formé de trifluorure de méthane, on forme la partie de contact 34 de la résistance 32 et un trou de contact 36 au-dessus du câblage 4 du circuit (la partie de contact de la résistance 32 n'est pas représentée sur le dessin). Ensuite, on forme une couche d'aluminium par pulvérisation à la température ambiante. On structure la couche d'aluminium au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape d'attaque chimique en utilisant un gaz formé de chlore gazeux, ce qui a pour effet que la couche d'aluminium devient la couche de câblage en aluminium 24 sur le bras de support 20. La couche de câblage en aluminium 24 est connectée à la résistance 32 et au circuit de câblage 4 par l'intermédiaire du trou de contact 26. Grâce à ces étapes, le bras de support 20possède une structure à deux couches comprenant la couche isolante 23 (constituée par les films d'oxyde de silicium 21 et 22) et la couche de câblage en aluminium 24, et par conséquent présente l'effet d'un composant formé de deux matériaux. Etant donné que l'aluminium est formé par pulvérisation à une température ambiante, lorsqu'une température supérieure à la température ambiante est appliquée, l'aluminium fléchit d'une manière non réversible et se déforme (déformation par contraction dans ce cas). Etape 5 : Comme cela est représenté sur la figure 4E, la couche sacrificielle 6 est dissoute moyennant l'utilisation de difluorure de xénon, et la partie 30 formant structure d'isolation thermique supportée en porte-àfaux par le bras de support 20est achevée. Grâce à ces étapes, le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 comprenant la pluralité des détecteurs de rayonnement infrarouge 100 est achevé. Même s'ils sont fabriqués avec le plus grand soin, les détecteurs de rayonnement infrarouge 100 présentent des valeurs différentes de fléchissement au niveau des bras de support 20. Etant donné que les angles de support des parties de structure d'isolation thermique 30 (c'est-à-dire les angles entre le substrat en silicium 1 et les parties 30 de la structure d'isolation thermique) diffèrent par conséquent les uns des autres à l'intérieur des réseaux, même lorsque la lumière de lecture est projetée sur le réseau de détection de rayonnement infrarouge, cette différence est détectée comme étant un bruit de configuration fixe. Au contraire, le procédé de fabrication selon la présente forme de réalisation requiert une correction des angles de fléchissement (angles de support) de manière que les angles de support dans tous les détecteurs de lumière à infrarouge 100 formant un réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 deviennent approximativement similaires entre eux. On va décrire ci-après le procédé de correction utilisable à cet effet. Tout d'abord, comme cela est représenté sur la figure 5, on fixe une plaquette 51 qui porte maintenant le réseau de détection du rayonnement infrarouge 110 à la suite des étapes 1 à 5 décrites précédemment, sur un plateau 61 d'un dispositif de test 60. Une aiguille de test 62 du dispositif de test 60 est alors placée en contact avec un plot de borne de la plaquette 51 de telle sorte qu'il est facile d'appliquer une tension de commande à la plaquette 51. Une tension de commande, une tension d'horloge et analogue pour l'activation du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 sont appliquées au moyen d'une carte de test 63 à partir de la source d'alimentation de chauffage 70, du générateur d'impulsions 71 et du circuit 72 de synchronisation de sélection de pixels. Le plateau 61 servant à porter la plaquette 51 est ouvert dans une position correspondant à une surface d'incidence de la plaquette 51, que rencontre le rayonnement infrarouge. Un rayonnement infrarouge uniforme est projeté au moyen d'un four à corps noir de type plat 64 disposé au-dessous du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110, sur l'ensemble de la surface d'incidence du dispositif de détection de rayonnement infrarouge 110, que rencontre le rayonnement infrarouge. En fonction de la forme du four à corps noir 64, le rayonnement infrarouge peut être projeté d'une manière uniforme sur l'ensemble de la surface du réseau 110 de détection du rayonnement infrarouge, à l'aide d'un système optique. En face du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 est disposé un système de lecture optique 80 possédant un agencement servant à modifier la quantité de lumière réfléchie détectée conformément à une variation de l'angle d'une surface réfléchissante du détecteur de rayonnement infrarouge (pixel) 100 irradié par le rayonnement infrarouge. Différents types de structures peuvent être utilisés pour le système optique de lecture 80. L'une d'elles est illustrée sur la figure 6. Dans le système optique de lecture 80, une diode laser 81 est utilisée en tant que source de lumière de lecture, et à l'aide d'une lentille collimatrice 82 et d'un diviseur de faisceau 83, une lumière parallèle rencontre la plaquette 51 portant le réseau de détection de rayonnement infrarouge. Si les surfaces réfléchissantes de tous les pixels ne sont pas fléchies (c'est-à-dire si elles ne présentent aucune inclinaison), la lumière de lecture est réfléchie dans la même direction que la ligne normale d'incidence. En traversant la lentille 84, la lumière de lecture converge approximativement en un point. Au contraire, si une surface réfléchissante est fléchie, la position de convergence de la lumière de lecture réfléchie par le pixel correspondant diffère de la position de convergence des autres rayons. Avec un dispositif d'arrêt 85 servant à limiter le flux de la lumière de lecture et disposé au point de convergence de la lumière de lecture, la lumière de lecture est bloquée conformément au degré de fléchissement. Etant donné que la quantité de lumière bloquée varie en fonction de la quantité du rayonnement infrarouge projeté sur le sujet ou sur le système optique de lecture, il est souhaitable que le dispositif d'arrêt 85 soit variable de manière à régler la quantité de la lumière bloquée. En traversant le dispositif d'arrêt 85, la lumière de lecture est focalisée sous la forme d'une image par la lentille 84 sur une surface de réception de lumière d'un appareil de prise de vues CCD 86. L'appareil de prise de vues CCD 86 détecte les quantités de fléchissement en tant que contraste intense ou faible de l'image formée par la lumière de lecture. Par conséquent, le rayonnement infrarouge rencontrant le réseau de détection du rayonnement infrarouge 110 est détecté en tant qu'image formée par la lumière de lecture. Comme représenté sur la figure 5, un signal détecté par l'appareil de prise de vues CCD 86 est transmis à un appareil d'analyse d'images 87 et les quantités de la lumière réfléchie au niveau des pixels respectifs sont calculées d'une manière quantitative. Par ailleurs, la source d'alimentation de chauffage 70 servant à faire passer un courant dans la résistance à l'intérieur du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 est connectée au réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 par l'intermédiaire du générateur d'impulsions 71. Le circuit 71 de synchronisation de sélection de pixels commande les circuits de balayage horizontal/vertical contenus dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110. Un dispositif de calcul de signal 88 a pour fonction de recevoir une information de position concernant les positions des pixels dans le réseau 110 de détection de rayonnement infrarouge et des données concernant les quantités de la lumière réfléchie provenant du dispositif d'analyse d'images 87, de commander le circuit de synchronisation et le générateur d'impulsions du réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 et de régler le nombre d'impulsions pour un courant électrique pour les pixels respectifs en fonction des quantités de la lumière réfléchie. Comme décrit précédemment, le circuit de synchronisation fonctionne de telle sorte qu'un pixel A est sélectionné et que le pixel A est pulsé dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110. Le courant pulsé chauffe la résistance contenue dans le pixel A et, de façon correspondante, augmente la température du pixel A. La température de la résistance est réglée de préférence par la durée du courant pulsé. Sous l'effet de cette électrisation, le degré de fléchissement (degré de coudage) du bras de support varie sur la base du principe d'un composant formé de deux matériaux. Lorsque la quantité de lumière réfléchie au niveau du pixel A atteint une valeur prédéterminée, l'électrisation du pixel A est terminée. Etant donné que la couche de câblage en aluminium du bras de support est formée par pulvérisation à la température ambiante, un chauffage du bras de support de cette manière provoque une contraction de la couche de câblage en aluminium. La contraction de la couche de câblage en aluminium est irréversible. Ensuite, un pixel B proche du pixel A est sélectionné et est électrisé de façon similaire, ce qui permet d'ajuster la quantité de lumière réfléchie. Etant donné que tous les pixels sont excités les uns après les autres, les quantités de lumière réfléchie au niveau de l'ensemble des pixels deviennent uniformes. La plaquette 51 placée dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge et présentant les valeurs de fléchissement dans tous les pixels corrigés de manière à être uniformes au moyen d'une étape de correction telle que celle indiquée plus haut, est montée sur un module à dépression (ou vide), comme indiqué d'une manière globale par la référence 50 sur la figure 7. Le module à dépression 50 comprend une fenêtre de transmission à infrarouge 52 pour la pénétration du rayonnement infrarouge et une fenêtre de transmission de lumière visible 53 pour la lecture d' une lumière pour l'entrée et la sortie de la lumière de lecture. Le montage sur le module à dépression 50 a pour but d'empêcher un rayonnement de chaleur provoqué par convection à partir des parties de la structure d'isolation thermique, et par conséquent a pour but d'améliorer la sensibilité de détection. La figure 8 représente un schéma d'un dispositif de détection d'un rayonnement infrarouge à vision directe, désigné dans son ensemble par la référence 90, pour l'application du réseau de détection de rayonnement infrarouge. Le dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe 90 est constitué par une combinaison du module à dépression 50supportant le réseau de détection de rayonnement infrarouge, une lentille à infrarouge 55 et un système optique de lecture 56. Le système optique de lecture 56 peut posséder la même structure que celle du système optique de lecture 80 décrit précédemment. Dans le dispositif de détection de rayonnement infrarouge 90, un rayonnement infrarouge émanant d'un sujet traverse la lentille à infrarouge 55 et rencontre le réseau de détection de rayonnement infrarouge à l'intérieur du module à dépression 50. D'autre part la lumière quittant le système optique de lecture 56 rencontre le réseau de détec- tion de rayonnement infrarouge et, après avoir été réfléchie par une plaque réfléchissante du dispositif de détection de rayonnement infrarouge, elle sort du dispositif de détection de rayonnement infrarouge 90 en tant que lumière de lecture. C'est pourquoi en observant par exemple directement à l'oeil cette lumière de lecture, on peut voir l'image du sujet. Naturellement sans aucune limitation à la vision directe, une image infrarouge peut être captée par un appareil de prise de vues CCD ou analogue fixé à une partie formant oculaire du système optique de lecture. Bien qu'on utilise de l'oxyde de silicium comme matériau des bras de support 20 et des parties de la structure d'isolation thermique 30 dans les détecteurs de rayonnement infrarouge 100 décrits ci-dessus, on peut utiliser du nitrure de silicium et une combinaison d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium ou analogue à la place de l'oxyde de silicium. En outre, bien qu'on utilise du titane en tant que matériau pour la résistance 32, on peut utiliser un autre métal qui résiste à la chaleur produite pendant la correction des quantités de fléchissement. Parmi une variété de métaux, le nitrure de titane, le nitrure de tantale et le tantale notamment, qui ont une résistance électrique relativement élevée et sont résistants à une température élevée, sont des matériaux préférables. En outre, la couche de câblage en aluminium disposée dans les bras de support 20 peut être remplacée par une autre couche de métal ayant un coefficient de dilatation thermique très différent d'un autre matériau (par exemple de l'oxyde de silicium, du nitrure de silicium, etc. ) du système formé de deux matériaux. Le nitrure de titane, le titane, l'aluminium, le tungstène, l'or, le cuivre et le platine notamment sont préférables étant donné que ces matériaux présentent une excellente adhérence à l'oxyde de silicium et au nitrure de silicium et ont des coefficients de dilatation thermique très différents de ceux de l'oxyde de silicium et du nitrure de silicium. En outre, au lieu d'activer de façon répétée chaque pixel avec des impulsions avant que la quantité de réflexion au niveau de ce pixel atteigne la quantité prédéterminée pour la correction de l'angle de support (degré de fléchissement) de la partie de structure d'isolation thermique telle que décrite précédemment, un courant pulsé peut être appliqué de manière à balayer l'ensemble des pixels. Dans ce cas, une impulsion est appliquée aux pixels qui doivent être électrisés, mais aucune impulsion n'est appliquée aux pixels ne nécessitant pas d'être électrisés. Lors d'une telle électrisation au moyen de ces étapes, un intervalle entre la première impulsion électrisant un pixel jusqu'à l'impulsion suivante d'électrisation, est un intervalle de temps utilisé pour l'électrisation de tous les autres pixels, et des intervalles à courant pulsé sont suffisamment longs. C'est pourquoi il est possible de supprimer l'influence d'accroissements de la température au niveau des pixels en raison de l'électrisation d'impulsions et d'obtenir par conséquent les quantités précises de lumière réfléchie à la température ambiante, et étant donné que les circuits de balayage pour sélectionner les pixels peuvent être commandés à une vitesse constante, la structure des circuits de balayage et un procédé de commande des circuits de balayage peuvent être aisés à réaliser. La figure 9 est une vue en perspective d'un détecteur de rayonnement infrarouge conformément à une seconde forme de réalisation préférée, indiqué d'une manière globale par la référence 200. Sur la figure 9, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. A la place de la résistance 32, le détecteur de rayonnement infrarouge inclut une diode à jonction pn 37 constituée par une région en silicium 35 de type p et une région en silicium 36 de type n. Les figures 10A à 10E sont des vues en coupe transversale illustrant les étapes de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 200. Les figures 10A à 10E illustrent une coupe transversale du dispositif de la figure 9, prise dans la direction II-II. Sur les figures 10A à 10E, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur les figures 4A à 4E désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Le procédé de fabrication inclut les étapes 1 à 5 suivantes. Etape 1 : Comme représenté sur la figure 10A, au moyen d'un procédé similaire à celui décrit précédemment en référence à la première forme de réalisation préférée, les éléments s'étendant jusqu'au film d'oxyde de silicium 21 sont formés sur le substrat en silicium 1. Une couche de silicium polycristallin 37 est lors formée sur le film d'oxyde de silicium 21. Etape 2 : Comme représenté sur la figure 10B, des ions 38 de type n tel que de l'arsenic par exemple, sont implantés dans l'ensemble de la surface de la couche de silicium polycristallin 37. Etape 3 : Comme représenté sur la figure 10C, après la formation d'un masque de resist 40, on implante des ions 39 de type p tel que du bore par exemple. On forme ainsi une jonction pn. Etape 4 : Comme représenté sur la figure 10D, un masque de resist 41 est formé sur la couche de silicium polycristallin 37, et au moyen d'une corrosion en utilisant un plasma de chlore gazeux, on élimine la partie utile de la couche de silicium polycristallin 37. Ainsi on forme la couche de silicium polycristallin 37 telle que représentée sur la figure 9 et qui est constituée par la région 35 de type p et la région 38 de type n. Etape 5 : Comme représenté sur la figure 10E, de la même manière que dans la première forme de réalisation préférée, le film d'oxyde de silicium 22 est formé sur la couche de silicium polycristallin 37 et est aplani au moyen du procédé CMP. Ensuite, on forme un film réfléchissant 33 en aluminium et on lui applique un recuit à 400 C. En outre, après formation d'un trou de contact 26, on forme la couche de câblage en aluminium 24 par pulvérisation à la température ambiante. Enfin, on dissout une couche sacrificielle 6 en utilisant du difluorure de xénon, ce qui permet d'achever la réalisation du détecteur de rayonnement infrarouge 200 tel que représenté sur la figure 9. La figure 11 représente le schéma d'un circuit d'un réseau de détection de rayonnement infrarouge 210 qui inclut les détecteurs de rayonnement infrarouge 200. Sur la figure 11, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 3 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Ce réseau de détection à rayonnement infrarouge a une structure identique à celle du réseau de détection du rayonnement infrarouge 110 conformément à la première forme de réalisation préférée hormis que des diodes 156 sont utilisées en tant qu'éléments de commande pour la sélection des pixels. Dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 210, des diodes 156 et les résistances 155 sont connectées en série dans les pixels respectifs. Etant donné que les diodes 156 empêchent la circulation d'un courant néfaste, les pixels peuvent être sélectionnés même sans l'utilisation du transistor de commutation 154 (voir figure 3) dans chaque pixel. Les transistors de commutation 154 sont disposés dans les lignes du réseau de détection de rayonnement infrarouge. Bien qu'ils aient été exprimés sous la forme de connexions série des diodes 156 et des résistances 155 dans le schéma de circuit, les circuits des détecteurs de rayonnement infrarouge 200 sont des diodes à jonction pn comportant ces deux éléments dans une structure réelle. Etant donné que plus d'une diode à jonction pn est formée et que de telles diodes sont connectées en série, il est possible de régler les valeurs résistives. Dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 210, comme dans la première forme de réalisation préférée, il est possible de commander le circuit de balayage horizontal 151 et le circuit de balayage vertical 152 avec le même circuit externe 72 de synchronisation de sélection de pixels de manière à électriser chaque pixel. En ce qui concerne le nombre de lignes et de colonnes dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge conformément à la seconde forme de réalisation préférée, il est prévu 128 colonnes comme dans la première forme de réalisation préférée. En ce qui concerne les moyens de correction de la quantité de fléchissement au niveau de chaque pixel, on exécute un procédé similaire à celui de la première forme de réalisation préférée. Le réseau de détection de rayonnement infrarouge 210 corrige les angles de support (quantités de fléchissements) des parties de structure d'isolation thermique 30 en utilisant le système représenté sur la figure 5, qui est similaire à celui de la première forme de réalisation préférée. La plaquette corrigée de manière à présenter des quantités de fléchissement uniformes peut être montée sur le module à dépression comme dans la première forme de réalisation préférée et est en outre incorporée dans un dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe (voir les figures 7 et 8). Comme cela a été décrit précédemment, étant donné que le réseau 210 de détection de rayonnement infrarouge selon la seconde forme de réalisation préférée inclut un nombre plus faible de transistors de commutation, les étapes de fabrication sont simplifiées. La figure 12 représente le schéma d'un circuit d'un réseau de détection de rayonnement infrarouge 220 conformément à une troisième forme de réalisation préférée. Sur la figure 12, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 11 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. En ce qui concerne la disposition des pixels, 32 pixels sont disposés verticalement et 32 pixels sont disposés horizontalement, et des fils pour les pixels respectifs sont connectés à des plots 160. Ceci permet aux diodes contenues dans les pixels respectifs de transmettre un courant depuis l'extérieur par l'intermédiaire des plots. C'est pourquoi, étant donné que les résistances des pixels respectifs sont des diodes dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 220, les pixels peuvent être sélectionnés et excités même sans l'utilisation d'un circuit de balayage horizontal et d'un circuit de balayage vertical. C'est pourquoi, bien qu'il existe une limitation à la taille de la plaquette du réseau, il est possible de former un réseau relativement étendu. La raison qu'il y a de disposer de 32 pixels verticalement et de 32 pixels horizontalement dans l'agencement de pixels est basée sur le fait qu'il faut une échelle suffisante pour fabriquer les plots 160 au niveau de la périphérie du réseau conformément au nombre des pixels, et par conséquent cet agencement n'est pas limité. La figure 13 est un schéma d'un système utilisé pour réaliser la correction au niveau des pixels respectifs dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 220. Sur la figure 13, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 5 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Pendant la correction dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 220, la plaquette 51 comprenant le réseau de détection de rayonnement infrarouge 220 est fixée au dispositif de test 60 et un rayonnement infrarouge est projeté d'une manière uniforme sur l'ensemble de la surface du réseau en utilisant le four à corps noir de type plat 64 comme dans la première forme de réalisation préférée. Comme dans la première forme de réalisation préférée, sur le côté portant la surface réfléchissante du réseau est disposé le système optique de lecture 80 agencé de manière à modifier la quantité de lumière réfléchie conformément à une variation de l'angle de la surface réfléchissante du pixel irradié par le rayonnement infrarouge. Après avoir traversé le système optique de lecture 80, la lumière de lecture est focalisée sur une image sur la surface de réception de lumière de l'appareil de prise de vues CCD 86 et est détectée. A partir d'un signal de détection, le dispositif d'analyse d'image 87 calcule la quantité de la lumière réfléchie dans chaque pixel. Par ailleurs, la source d'alimentation de chauffage 70 servant à délivrer un courant pulsé au réseau de détection du rayonnement infrarouge 220 est connectée au réseau par l'intermédiaire d'un circuit de commutation 73. Lorsque la source d'alimentation de chauffage 70 et le circuit de commutation 73 sont activés, les températures augmentent dans les résistances situées dans les pixels respectifs, ce qui conduit à une modification irréversible consistant en un fléchissement des bras de support. L'appareil de prise de vues CCD 86 contrôle la lumière réfléchie alors que le courant pulsé est arrêté, et lorsque la quantité de lumière réfléchie au niveau d'un certain pixel atteint une quantité prédéterminée, alors le circuit de commutation est commandé de manière à arrêter l'électrisation appliquée à ce pixel. Lorsque cette étape est appliquée aux pixels respectifs, les quantités de lumière réfléchie de l'ensemble des pixels contenus dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 220 deviennent uniforme. La plaquette corrigée de cette manière est montée sur le module à dépression 50 comme dans la première forme de réalisation préférée, et est en outre incorporée dans le dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe 90 (voir les figures 7 et 8). La figure 14 est une vue en coupe transversale d'un détecteur de rayonnement infrarouge conformément à une quatrième forme de réalisation désignée dans son ensemble par la référence 300. Les figures 15A-15D représentent une coupe transversale pendant les étapes de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 300. Sur la figure 14, les mêmes chiffres de référence que ceux utilisés sur la figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Cette coupe transversale est une coupe transversale prise suivant une partie correspondant à 1-1 sur la figure 1. Dans le détecteur de rayonnement infrarouge 300, un film mince de nichrome possédant une épaisseur réglée pour l'obtention d'une résistance de couche d'environ 400 #/ # est disposé en tant que film 42 absorbant le rayonnement infrarouge dans le film d'oxyde de silicium 21 de la partie de structure d'isolation thermique 30. Le reste de la structure est identique à celle du détecteur de rayonnement infrarouge 100 représenté sur la figure 1. Il est souhaitable que le film d'oxyde de silicium présent entre le film 42 d'absorption du rayonnement infrarouge et le film réfléchissant 33 ait une épaisseur d'environ 1,2 m. C'est pourquoi, lorsque l'épaisseur de ce film d'oxyde de silicium est égale à environ 1,2 m, l'épaisseur de film optique pour le rayonnement infrarouge ayant une longueur d'onde de 10 m est égale à environ 2,5 m, et on obtient le meilleur facteur d'absorption (absorbance). Ceci est choisi pour garantir la meilleure absorbance pour le rayonnement infrarouge ayant une longueur d'onde de 10 mm, étant donné que l'émittance d'énergie du rayonnement infrarouge à partir d'un objet ayant une température proche de la température ambiante est maximale au voisinage de la longueur d'onde de 10 m et que la sensibilité de détection de détecteurs de rayonnement infrarouge augmente lorsque le rendement d'absorption de cette longueur d'onde augmente. On va maintenant décrire un procédé de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 300 en référence aux figures 15A à 15D. Sur les figures 15A à 15D, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur les figures 4A à 4E désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Le procédé de fabrication inclut les étapes suivantes 1 à 4. Etape 1 : Comme dans la première forme de réalisation préférée, on forme les éléments constituant la couche sacrificielle 6 les uns à la suite des autres sur le substrat en silicium 1, et on forme ensuite le film d'oxyde de silicium 21 (voir figure 15A). Lors de cette étape, le film d'oxyde de silicium 21 est réalisé sous la forme de deux couches. Pour former le film d'oxyde de silicium 21, on forme tout d'abord un film d'oxyde de silicium destiné à servir de première couche. Sur cette couche on forme un film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge, qui est constitué par un film mince de nichrome. En outre, on forme un film d'oxyde de silicium servant de seconde couche, de manière à recouvrir le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge. Le film d'oxyde de silicium de la première couche est de préférence aussi mince que possible. De façon appropriée, le film mince de nichrome destiné à servir de couche de silicium polycristallin 37 possède une résistance de couche comprise entre 100 et 500 #/ D. Et ce qui est plus approprié, l'épaisseur du film mince de nichrome est réglée de telle sorte que cette résistance de couche soit comprise entre 300 et 400 #/ #. Le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge est structuré au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape de gravure ionique. Etape 2 : Comme représenté sur la figure 15B, on forme la résistance 32 formée de titane sur le film d'oxyde de silicium 21 et on forme le film d'oxyde de silicium 22 sur le film d'oxyde de silicium 21 et on l'aplanit au moyen du procédé CMP. La résistance 32 possède une forme sinueuse. On règle l'épaisseur du film d'oxyde de silicium 22 de manière que la distance entre la couche de silicium polycristallin 37 et le film réfléchissant 33 devienne égale à environ 1,2 m. En tenant compte de l'indice de réfraction de l'oxyde de silicium de cette manière, l'épaisseur de film optique de l'élément diélectrique sur le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge est égale à environ 2,5 m. Dans cette condition, un recuit est exécuté à environ 400 C. Etapes 3, 4 : Comme cela est représenté sur les figures 15C et 15D, en tant que première forme de réalisation préférée, la couche sacrificielle 6 est dissoute après que la couche de câblage en aluminium 24 ait été formée par pulvérisation à la température ambiante. Grâce à ces étapes indiquées ci-dessus, on achève la réalisation du détecteur de rayonnement infrarouge 300 représenté sur la figure 14. Un réseau de détection de rayonnement infrarouge 310 comprenant une pluralité des détecteurs de rayonnement infrarouge 300 est placé dans le système de correction représenté sur la figure 5, et les quantités de fléchissement au niveau des pixels respectifs sont corrigées au moyen du même procédé que celui correspondant dans la première forme de réalisation préférée. Une plaquette contenant le réseau de détection de rayonnement infrarouge 310 pourvu des quantités de fléchissements corrigées de manière à être uniformes est montée sur le module à dépression 50 comme dans la première forme de réalisation préférée, et est en outre incorporée dans un dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe (voir les figures 7 et 8). Le réseau 310 de détection de rayonnement infrarouge inclut le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge conformément à la quatrième forme de réalisation préférée, et en outre la distance entre le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge et le film réfléchissant 33 est constante, et par conséquent la sensibilité de détection du rayonnement infrarouge augmente. La figure 16 représente une vue en perspective d'un détecteur de rayonnement infrarouge conformément à une cinquième forme de réalisation préférée désignée dans son ensemble par la référence 400. Sur la figure 16, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Le détecteur de rayonnement infrarouge 400 est caractérisé en ce qu'une partie réfléchissante 45 destinée à réfléchir le rayonnement infrarouge est formée séparément de la partie de structure d'isolation thermique 30. L'autre structure est identique à celle des détecteurs de rayonnement infrarouge 100. La partie réfléchissante 45 est formée sur la partie de structure d'isolation thermique 30 et est constituée par un film d'oxyde de silicium 46 et par le film réfléchissant 33. Lorsqu'on utilise une telle structure, même si la partie de structure d'isolation thermique 30, le bras de support 20 et analogues fléchissent et sont déformés, la partie réfléchissante 45 reste intacte et c'est pourquoi la planéité de la surface réfléchissante est maintenue. Dans un réseau de détection de rayonnement infrarouge 410 possédant plus d'un détecteur de rayonnement infrarouge 400, 128 pixels sont disposés verticalement et 128 pixels sont disposés horizontalement dans l'agencement comme dans le réseau de détection de rayonnement infrarouge 110 conformément à la première forme de réalisation préférée, et lorsque des circuits de balayage de substrats en silicium 1 sont activés par le circuit de synchronisation de sélection de pixels, les résistances des pixels respectifs sont amenées à véhiculer un courant à partir de l'extérieur. On va maintenant décrire un procédé de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 400 en référence aux figures 17A à 17D. Les figures 17A à 17D représentent une coupe transversale de l'objet de la figure 16 prise suivant la ligne III-III. Le procédé de fabrication inclut les étapes 1 à 4 suivantes. Etape 1 : Comme cela est représenté sur la figure 17A, bien qu'il s'agisse d'une étape similaire à celle décrite précédemment en référence à la première forme de réalisation préférée, on forme les éléments jusqu'au film d'oxyde de silicium 22 sur le substrat en silicium 1. Etape 2 : Comme cela est représenté sur la figure 17B, on dépose une couche sacrificielle 47 en silicium polycristallin sur l'ensemble de la surface. Ensuite, au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape d'attaque chimique utilisant un plasma formé de chlore gazeux, on élimine la couche sacrificielle 47 au niveau d'une partie supposée être une colonne de support 48 de la partie réfléchissante 45. On forme ensuite le film d'oxyde de silicium 46 incluant la partie réfléchissante 45 sur la couche sacrificielle 47 et on l'aplanit au moyen du procédé CMP de manière qu'elle soit structurée en ayant la forme de la partie réfléchissante 45. On forme un film d'aluminium sur le film d'oxyde de silicium aplani 46, et on le structure au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape d'attaque chimique en utilisant du plasma formé de chlore gazeux pour former le film réfléchissant 33. Etant donné que la fabrication de la partie de structure d'isolation thermique 30 et de la partie réfléchissante 45 est achevée à ce stade, on exécute un recuit à environ 400 C. De ce fait la partie de structure thermiquement isolante 30 et la partie réfléchissante 45 ne passent pas dans un état déformé irréversible à une température de 400 C ou moins. Etape 3 : Comme représenté sur la figure 17C, on élimine la couche sacrificielle 47 située sur le bras de support 20 en laissant subsister la couche sacrificielle 47 dans la partie réfléchissante 45. Après formation du trou de contact 26, on forme une couche d'aluminium par pulvérisation à la température ambiante. En outre on structure la couche d'aluminium de manière à former la couche de câblage d'aluminium 24 sur le bras de support 20. Il en résulte que le bras de support 20possède une structure à deux couches formées d'oxyde de silicium et d'aluminium, et par conséquent l'effet d'une structure à deux matériaux devient disponible. Etant donné que la couche d'aluminium est formée par pulvérisation à la température ambiante, la couche d'aluminium est fléchie et déformée de façon irréversible lorsqu'une température supérieure à la température ambiante est appliquée. Etape 4 : Comme cela est illustré sur la figure 17D, on dissout les couches sacrificielles 6 et 47 en utilisant du difluorure de xénon, ce qui permet d'achever la fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 400 comme représenté sur la figure 16. On place le réseau de détection de lumière infrarouge 410 incluant la pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge 400 dans le système de correction représenté sur la figure 5 et on corrige les quantités ou grandeurs de fléchissement au niveau du pixel respectif au moyen du même procédé que celui correspondant à la première forme de réalisation préférée. On place une plaquette, dont les grandeurs de fléchissement sont corrigées de manière à être uniformes, sur le module à dépression 50 comme dans la première forme de réalisation préférée, et on l'incorpore en outre dans le dispositif 9 de détection de rayonnement infrarouge à vision directe (voir les figures 7 et 8). La figure 18 est une vue en coupe transversale d'un détecteur de rayonnement infrarouge conformément à une sixième forme de réalisation préférée désignée dans son ensemble par la référence 500. Sur la figure 18, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 16 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La figure 18 représente une coupe transversale 16 prise suivant la ligne III-III. Le détecteur de rayonnement infrarouge 500 possède la structure du détecteur de rayonnement infrarouge 400 correspondant à la cinquième forme de réalisation préférée, et incluant en outre le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge. Le film mince de nichrome destiné à être utilisé en tant que couche de silicium polycristallin 37 possède de préférence une résistance de couche comprise entre 100 et 500 #/ # et de préférence entre 300 et 400 #/ D. Etant donné que les structures d'absorption à la résonance du film d'absorption de rayonnement infrarouge - élément diélectrique - film réfléchissant sont formées dans cette structure, le degré d'absorption du rayonnement infrarouge devient élevé. En outre, étant donné que la partie de structure d'isolation thermique 30 incluant le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge est séparée de la partie réfléchissante 45, la partie réfléchissante 45 reste intacte et conserve sa planéité au niveau de la surface, même si la partie formant structure d'isolation thermique 30, le bras de support 20 et analogues sont fléchis et déformés. Dans un procédé de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 500, on forme tout d'abord la partie de structure d'isolation thermique 30 incluant le film 37 d'absorption du rayonnement infrarouge au moyen du procédé selon la quatrième forme de réalisation préférée, puis on forme la partie réfléchissante 55 au moyen du procédé correspondant à la cinquième forme de réalisation préférée. Les quantités de fléchissement au niveau des pixels respectifs sont corrigées au moyen du même procédé que celui correspondant à la première forme de réalisation préférée. Une plaquette, dans laquelle les grandeurs de fléchissement sont corrigées de manière à être uniformes est montée sur le module à dépression 50comme dans la première forme de réalisation préférée, et est en outre incorporée dans le dispositif de détection de rayonnement infrarouge à vision directe 90 (voir les figures 7 et 8). Les figures 19A et 19B représentent un détecteur de rayonnement infrarouge conformément à une septième forme de réalisation préférée, désignée dans son ensemble par la référence 600. La figure 19A est une vue en plan et la figure 19B une vue en coupe transversale de l'objet de la figure 19A, prise suivant la ligne IV-IV. Sur les figures 19A et 19B, les mêmes symboles de référence que ceux utilisés sur la figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. Dans le détecteur de rayonnement infrarouge 600, un miroir réfléchissant 15 est disposé sur le substrat en silicium 1, et un miroir semi-transparent 16 est disposé sur la surface supérieure de la partie de structure d'isolation thermique, au-dessus du miroir réfléchissant 15. Le miroir réfléchissant 15 et le miroir semi-transpa- rent 16 sont disposés de manière à être approximativement parallèles entre eux. Le reste de la structure est identique à celle des détecteurs de rayonnement infrarouge. Dans cette structure, lorsqu'une lumière de lecture irradie à partir du dessus la partie de structure d'isolation thermique 30, une interférence apparaît entre la lumière de lecture réfléchie par le miroir semi-transparent 16 et la lumière de lecture transmise par le miroir semi-transparent 16 et réfléchie par le miroir réfléchissant 15. Etant donné que cette interférence varie en fonction de la quantité de fléchissement (angle de support) de la partie de structure d'isolation thermique 30, la lumière réfléchie varie en fonction du degré de fléchissement. Etant donné que le miroir réfléchissant 15 nécessaire pour réfléchir la lumière de lecture bloque le rayonnement infrarouge, plus le miroir réfléchissant 15 est grand, plus la sensibilité de détection du détecteur de rayonnement infrarouge 600 diminue. Par conséquent le miroir réfléchissant 15 possède de préférence une étendue en surface ayant la taille minimale nécessaire pour provoquer une interférence de la lumière de lecture. On va maintenant décrire en référence aux figures 20A à 20E un procédé de fabrication du détecteur de rayonnement infrarouge 600. Le procédé de fabrication inclut les étapes 1 à 5 indiquées ci-après. Etape 1 : Comme cela est représenté sur la figure 20A, on forme le film de protection 2 sur le substrat en silicium 1 en utilisant une partie de circuit 10 insérée dans ce film. Ensuite on forme une couche d'aluminium sur le film de protection 2, et on forme le miroir réfléchissant 15 au moyen d'une étape photolithographique et d'une étape d'attaque chimique. Ensuite on forme la couche sacrificielle 6 sur le miroir réfléchissant 15 et en outre on forme le film d'oxyde de silicium 21. Etape 2 : Comme cela est représenté sur la figure 20B, après avoir formé une résistance possédant une forme sinueuse (non représentée), on forme un film d'oxyde de silicium 22. Après avoir aplani le film d'oxyde de silicium 22 au moyen du procédé CMP, on structure la couche isolante 23 (les films d'oxyde de silicium 21 et 22) pour leur donner la forme du bras,de support 20 et de la partie de structure d'isolation thermique 30. Etape 3 : Comme représenté sur la figure 20C, on forme une couche de chrome sur le film d'oxyde de silicium 22 et on la structure en utilisant une étape photolithographique et une étape d'attaque chimique, ce qui conduit à la formation du miroir semi-transparent 16. Le miroir semitransparent 16 est formé au-dessus du miroir réfléchissant 15. Etant donné que la fabrication de la partie de structure d'isolation thermique 30 est achevée lors de cette étape, on exécute un recuit à environ 400 C. Par conséquent, la partie formant structure d'isolation thermique 30ne prend pas un état déformé de façon irréversible à une température de 400 C ou moins. Etape 4 : Comme représenté sur la figure 20D, on forme la couche de câblage en aluminium 24 par pulvérisation à une température ambiante au moyen d'une étape similaire à celle décrite ci-dessus en référence à la première forme de réalisation préférée. Le bras de support 20 possède une structure à deux couches comprenant la couche isolante 23 et la couche de câblage en aluminium 24, et par conséquent l'effet d'un système à deux matériaux est disponible. Etant donné que la couche de câblage en aluminium est formée par pulvérisation à la température ambiante, elle est fléchie et déformée de façon irréversible lorsqu'une température supérieure à une température ambiante est appliquée. Etape 5 : Comme cela est représenté sur la figure 20E, on dissout la couche sacrificielle 6 en utilisant du difluorure de xénon, ce qui permet d'achever la réalisation du détecteur de rayonnement infrarouge 600. On place un réseau de détection de rayonnement infrarouge 610 incluant les détecteurs de rayonnement infrarouge 600dans le système de correction représenté sur la figure 5 et on corrige les grandeurs de fléchissement au niveau des pixels respectifs en utilisant le même procédé que celui correspondant à la première forme de réalisation préférée. On installe une plaquette, dont les grandeurs de fléchissement sont corrigées de manière à être uniformes, sur le module à dépression 50 comme dans la première forme de réalisation préférée et on l'incorpore en outre dans le dispositif 90 de détection de rayonnement infrarouge à vision directe (voir figures 7 et 8). Dans le détecteur de rayonnement infrarouge 600, lorsqu'une lumière de lecture est projetée à partir du haut sur la partie de structure d'isolation thermique 30, l'intensité de réflexion de la lumière de lecture est déterminée par la condition d'interférence entre le miroir réfléchissant 15 et le miroir semi-transparent 16 disposé dans chaque pixel. Pour corriger la lumière réfléchissante interférente afin qu'elle soit uniforme au niveau de l'ensemble des pixels, on utilise un procédé de correction qui est similaire à celui correspondant à la première forme de réalisation préférée. En résumé, comme représenté sur la figure 5, on place la plaquette 51 comprenant le réseau de détection de rayonnement infrarouge sur le dispositif de test 60 et on la connecte électriquement à une source d'alimentation externe, un générateur d'impulsions, etc. On dispose le four formé d'un corps noir de type plat 64 sur le côté du réseau, qui porte la surface d'absorption du rayonnement infrarouge, de sorte que le rayonnement infrarouge est pro- jeté uniformément sur la surface d'absorption du rayonnement infrarouge du réseau. Par ailleurs, un système optique de lecture 80 est disposé sur le côté de la surface réfléchissante pour réfléchir la lumière de lecture. On peut utiliser différents types de structure pour le système optique de lecture 80. L'un d'eux est représenté sur la figure 21. Dans le système optique de lecture 80 représenté sur la figure 21, on utilise une diode laser en tant que source de lumière de lecture, et à l'aide d'une lentille de collimation 82 et d'un diviseur de faisceau 83, une lumière parallèle rencontre verticalement le côté, portant la surface réfléchissante, de la plaquette 51 équipée du réseau de détection de rayonnement infrarouge. On dispose une fente 87 au voisinage du côté du réseau portant la surface réfléchissante de sorte que la lumière de lecture est projetée uniquement sur le miroir réfléchissant 15, et le miroir semi-transparent 16 est disposé dans chaque pixel, et toute lumière autre que la lumière de lecture transmise par le miroir semitransparent 16, est bloquée. Il en résulte que la lumière de détection réfléchie est uniquement la lumière d'interférence provoquée par le miroir réfléchissant 15 et par le miroir semi-réfléchissant 16, et que le taux de modulation de la lumière de lecture est amélioré. La lumière traversant la fente 87 est soumise à une interférence de la part du miroir réfléchissant 15 et du miroir semi-transparent 16 en fonction des grandeurs de fléchissement au niveau du pixel, et traverse à nouveau une fois la fente 87 en passant par la fente 96, la lumière d'interférence est focalisée sous la forme d'une image au niveau de la lentille 84 sur la surface de réception de lumière de l'appareil de prise de vues 86, et par conséquent la lumière d'interférence de chaque pixel est captée en tant que signal. Le signal détecté de cette lumière est utilisé pour corriger les grandeurs de fléchissement au niveau des pixels respectifs à l'aide d'un procédé similaire à celui correspondant à la première forme de réalisation préférée. On place une plaquette, dans laquelle les grandeurs de fléchissement sont corrigées de manière à être uniformes au niveau des pixels respectifs, sur le module à dépression 50 comme dans la première forme de réalisation préférée et en outre on l'incorpore dans le dispositif 90 de détection de rayonnement infrarouge à vision directe (voir les figures 7 et 8). Comme cela a été décrit clairement dans ce qui précède, les réseaux de détection de rayonnement infrarouge conformément aux formes de réalisation ne comportent aucun motif de bruit fixe. En outre, grâce aux procédés de fabrication correspondant au mode de mise en oeuvre, les grandeurs de réflexion au niveau des pixels respectifs peuvent être ajustées au moyen d'un procédé bon marché, et on peut fabriquer un réseau de détection de rayonnement infrarouge ne comportant aucun bruit de configuration fixe. En outre, en utilisant les procédés de fabrication de réseaux de détection de rayonnement infrarouge conformément aux formes de réalisation, il est possible de régler les quantités de réflexion sans influer sur les films réfléchissants. REVENDICATIONS 1. Réseau de détection de rayonnement infrarouge (110) comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge (100) disposés sur un substrat (1) sous la forme d'une matrice, caractérisé en ce que lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100) comprenant chacun : a) un bras de support (20) fixé, par une extrémité, audit substrat (1) et possédant une structure stratifiée formée d'une couche isolante (23) et d'une couche de câblage (24); b) une partie de structure d'isolation thermique (30) supportée par ledit bras de support (20), comprenant une couche isolante (31) possédant une première surface destinée à servir de surface d'incidence du rayonnement infrarouge rencontrant cette surface, et une seconde surface destinée à servir de surface d'incidence d'une lumière de lecture rencontrant cette surface, un film réfléchissant (33) est formé sur ladite seconde surface de ladite couche isolante (31) et une résistance (32) connectée à ladite couche de câblage (24), et lorsque lesdits bras de support (20) chauffés jusqu'à une température de détection par ledit rayonnement infrarouge fléchissent de façon réversible, lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100) modifient la direction de réflexion de ladite lumière de lecture rencontrant lesdits films réfléchissants (33), lesdits bras de support (20) fléchissant d'une manière non réversible lorsque lesdites résistances (32) véhiculent un courant traversant lesdites couches de câblage (24), et que lesdits bras de support (20) sont chauffés jusqu'à une température supérieure à ladite température de détection. 2. Réseau de détection de rayonnement infrarouge (100) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre : une pluralité de fils de lignes et connectés respectivement à des premières extrémités desdites résistances (32) desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100) disposés dans une direction de lignes; une pluralité de fils de colonnes connectés respectivement à d'autres extrémités desdites résistances (32) desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100) disposés suivant une direction de colonnes; un circuit de balayage vertical (152) servant à sélectionner n'importe quel fil désiré de ligne parmi ladite pluralité de fils de lignes; un circuit de balayage horizontal (151) servant à sélectionner n'importe quel fil de colonne désiré parmi ladite pluralité de fils de colonnes, et des éléments de commande collectés en série avec lesdites résistances (32) et incluses dans lesdits détecteurs de lumière infrarouge (100), lesdites résistances (32) véhiculant un courant en utilisant lesdits éléments de commande desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100), avec des lignes et des colonnes sélectionnées par ledit circuit de balayage vertical (152) et ledit circuit de balayage horizontal (151) . 3. Réseau de détection de lumière infrarouge (110) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un constituant principal desdites résistances (32) est un élément sélectionné parmi un groupe incluant le titane, le tantale, le nitrure de titane et le nitrure de tantale. 4. Réseau de détection de lumière infrarouge (200) selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites résistances sont des diodes (37). 5. Réseau de détection de lumière infrarouge (200) selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comporte en outre : une pluralité de fils de lignes connectés respec- tivement à des premières extrémités desdites diodes (37) desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (200) disposés suivant une direction de ligne; une pluralité de fils de colonnes connectés respectivement à d'autres extrémités desdites diodes (37) desdites détecteurs de rayonnement infrarouge (200) disposés suivant une direction de colonne, un circuit de balayage vertical (152) pour sélectionner un fil de ligne désiré parmi ladite pluralité de fils de lignes, un circuit de balayage horizontal (151) servant à sélectionner n'importe quel fil de colonne désiré parmi ladite pluralité de fils de colonnes, lesdites diodes (37) desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (200) avec des lignes et des colonnes sélectionnées par ledit circuit de balayage vertical (152) et ledit circuit de balayage horizontal (151) véhiculant un courant. 6. Réseau de détection de rayonnement infrarouge (110) selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites couches isolantes (23) et lesdites couches de câblage (24) formant lesdites bras de support (20) sont formés de couches céramiques et de couches métalliques ayant des coefficients de dilatation thermique différents les uns des autres. 7. Réseau de détection de rayonnement infrarouge (400) selon la revendication 1, caractérisé en ce que des plaques isolantes (46) supportées par des colonnes de support (48) sont disposées sur lesdites secondes surfaces desdites couches isolantes (22) pour être approximativement parallèles auxdites couches isolantes (22) et que lesdites films réfléchissants (33) sont formés sur lesdites plaques isolantes (46) . 8. Réseau de détection de rayonnement infrarouge (110) comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge (600) disposés sur un substrat (1) sous la forme d'une matrice, lesdites détecteurs de rayonnement infrarouge (600) comprenant chacun : a) un bras de support (20) fixé, par une extrémité, audit substrat (1) et possédant une structure stratifiée formée d'une couche isolante (23) et d'une couche de câblage (24), b) une partie de structure d'isolation thermique (30) supportée par ledit bras de support (20), comprenant une couche isolante (23) possédant une première surface pour un rayonnement infrarouge rencontrant cette surface, une seconde surface pour lire une lumière rencontrant cette surface, une couche formant miroir semi-transparent (16) pour transmettre une partie de ladite lumière de lecture, mais réfléchir l'autre partie de ladite lumière de lecture, et une résistance connectée à ladite couche de câblage (24) ; et c) une couche formant miroir (15) disposée sur ledit substrat (1) pour réfléchir ladite lumière de lecture transmise par ladite couche formant miroir semi-transparent (16) et amenant ladite lumière de lecture réfléchie par ladite couche formant miroir semi-transparent (16) à interférer avec ladite lumière de lecture réfléchie par ladite couche formant miroir (15) pour créer de ce fait une lumière d'interférence, et lorsque lesdits bras de support (20) chauffés jusqu'à une température de détection par ledit rayonnement infrarouge fléchissent de façon réversible, ledit détecteur de rayonnement infrarouge modifie l'intensité de ladite lumière d'interférence, lesdits bras de support (20) fléchissant de façon non réversible lorsque lesdites résistances véhiculent un courant traversant lesdites couches de câblage (24) et que lesdits bras de support (20) sont chauffés à une température qui est supérieure à ladite température de détection. 9. Procédé pour fabriquer un réseau de détection de rayonnement infrarouge (110) comportant une pluralité de détecteurs de rayonnement infrarouge (100) disposés sur un substrat (1) sous la forme d'une matrice, caractérisé en ce qu'il comprend : une étape consistant à préparer un substrat (1); une étape consistant à déposer une couche sacrificielle (6) sur ledit substrat (1); une étape de formation de couches isolantes (23) pour définir les zones de la partie de structure d'isolation thermique et des zones formant bras de support sur ladite couche sacrificielle (6), une étape de formation de résistances pour former des résistances (32) dans lesdites zones de parties formant structures d'isolation thermique desdites couches isolantes (23) , une étape de formation de films réfléchissants servant à former des films réfléchissants (33) sur lesdites résistances (32), une étape de recuit pour chauffer ledit substrat (1) formant lesdits films réfléchissants (33), et une température prédéterminée de recuit, une étape consistant à former une couche de câblage (24) raccordée auxdites résistances (32) sur lesdites zones formant bras de support desdites couches isolantes (23) après ladite étape de recuit, et une étape de retrait de ladite couche sacrificielle (6) et de production desdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100) avec lesdites parties (30) de la structure d'isolation thermique supportées par ledit substrat (1) au moyen desdits bras de support (20) constituées par les couches isolantes (23) et lesdites couches de câblage (24) , ledit procédé incluant en outre une étape de correction servant à amener lesdites résistances (32) incluses dans lesdits détecteurs de rayonnement infrarouge (100 à véhiculer un courant après que lesdits détecteurs d@ rayonnement inf rarouge (100) ont été formés, et à chauffe: lesdites résistances (32) à une température inférieure , ladite température de recuit, de sorte que lesdits bras d@ support (20) fléchissent d'une manière non réversible e les angles de support desdits films réfléchissants (33) pa: rapport audit substrat (1) devenant approximativement uni formes dans l'ensemble desdits détecteurs de rayonnemen infrarouge (100). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisa en ce que ladite étape de formation de résistances compren une étape consistant à former un film de silicium polycris tallin sur lesdites couches isolantes (23), à implanter de impuretés de type n et des impuretés de type p dans ledi film de silicium polycristallin et à former lesdites résis tances à partir de diodes à jonction pn (37).