Brevet FR2829288A1 — publié le 20030307

des différentes molécules primaires présentes dans l'échantillon analysé par le dispositif. STRUCTURE DE CONTACT SUR UNE REGION PROFONDE FORMEE DANS UN SUBSTRAT SEMICONDU-Lux La présente invention concerne le domaine des circuits intégrés et plus particulièrement la réalisation d'une structure de contact avec une région profonde et dapée dans un substrat de .. sillclum. Certains composants électroniques constituant les circuits intégrés sont réalisés verticalement. C' est le cas, par exemple, des transistors bipolaires verticaux. L'émetteur et la base du transistor bipolaire vertical se situent en surface de la tranche en silicium. Le collecteur du transistor bipolaire est en profondeur dans le substrat. On doit alors réaliser la connexion entre le collecteur en profondeur et les interconnexions de surface du cTrcuit intogré. Un exemple de réalisation d'un transistor bipolaire NPN classique d'un circuit intégré est donné en figure 1A. Dans un substrat 1 en silicium de type de conductivité P on implante localement des ions de facon à créer des régions 2 de type de conductivité N. On fait croître alors une couche épitaxice 3 de type de conductivité N au-dessus de toute la surface du silicium. La région en silicium 2 devient alors une région enterrée. A titre dexemple les ions dopants le substrat 1 sont des ions de bore avec une concentration de 1x10l5 at/cm3. Les ions depanCs la rgion 2 sont des ions d' arsenic avec une cci S intrinsque 6, une base 8 et un meLLeur 9. Le puits en siliclum 5 est uDe rAgion de silictum, du mme Lype de conducLiviLA que la rAgion 2, qui relie la rgion enterrde 2 la surface de la tranche. Le collecLeur inLrinsque 6 esL une rAgion de silicium du mme Lype de conductivit que la rgion enterre 2 et en contacL AlecLrique avec celle-ci grce une rAgion de LransiLion implanL6e 7 du ^ Lype de conducLiviLA que les rAgions 6 eL 2. La base 8 du LransisLor bipolaire esL ure rAgion de silictum du Lype de conducLiviLA P siLude la surface du substrat. La base 8 est rdalise l'intArieur de la couche ipitaxiale 3 et se siLue au-dessus collecteur inLrinsque 6. [6meLLeur 9 esL une rAgion de Lype de conducLivitd N, fort _ nL depe eL strictement incluse dans la base 8. Afin disoler latral _ nt les divers {lments constituLifs du LransisLor bipolaire on utilise des Lrancbes 4 remplies doxyde. On enLoure ainsi entiArement la base 8 par la Lranche 4 afin de l'isoler latAral _ nt du puiLs en siliclum S. Ea figure 1B, vue de dessus de la figure 1A, reprAsente la trancbe 4 entouranL entiArement la base 8 eL le puiLs collec Lenr 5. Les autres rgions de la figure 1A ne sont pas reprdsen tes, pour des raisons de clart6, sur ceLLe figure 1B. Les prises de contacLs sur l'meLLeur, la base eL le collecLeur ne sont pas reprsentes sur la figure 18. De mme on na pas reprAsent un ventuel caisson entourant le LransisLor bipolaire afin de l'isoler des autres {lments du ctrcuiL inL6gr6. Le foncLionn _ nt dun Lel Lransistor est classique. Tant que le poLentiel entre la base eL l'meLLeur n'esL pas posiLit, les lecLrons siLus dans 1' _ LLeur 9 ne peuvent pas franchir la barrière de potentiel générce par la jonction base/émetteur. Dès que cette barrière de potentiel stabaisse un flux diélectrons s'écoule de l'émetteur vers le collecteur intrinsèque. Le courant électrique ainsi généré est dirigé vers la surface du cTrcuit intagré afin dêtre traité par les autres éléments de ce circuit. Le courant collecteur parcourt successi- vement la région de transition 7, la couche enterrée 2 et le puits collecteur 5. On cherche à optimiser le transistor bipolaire de facon à obtenir les performances les plus élevoss possible. Pour cela lhomme du métier tente de diminuer l'épaisseur de la base 8 et de réduire toutes les capacités et les résistances internes du dispositif. Des contraintes dues au procédé techrologique limitent la réduction de l'épaisseur de la base. C'est le cas, en particulier, lorsque les dopants de la région de transition 7 ou de la région enterrce 2 diffusent vers la surface dans la base 8. Le niveau de dopage de cette base est alors incontrôlable. On doit, pour éviter ce phénomène, diminuer les concentrations de dopants dans la région de transition 7 et dans la couche enterrée 2. On doit également augmenter la distance de ces sources de dopant à la base 8. Les résistances internes du dispositif augmentent alors fortement car les niveaux de dopage diminuent et les distances à parcourir par le courant augmentent. La capacité entre le collecteur et le substrat du transistor bipolaire doit également être optimisée afin diaméliorer les performances du transistor bipolaire. Cette capacité est proportionnelle à la surface de la jonction entre les régions 2 et le substrat 1. Il faut pour améliorer les performances du transistor bipolaire réduire la taille de la région 2 sans augmenter aucune résistance interne du dispositif Les différents niveaux de dapage et les dimensions internes du dispositif sont de plus en plus difficiles à optimiser au fur et à mesure que les règles de dessin qui gèrent le s dimensions minimales utilisables pour le dispos it if diminuent. Un objet de la présente invention est de permettre la diminution des résistances internes d'un dispositif utilisant une région profonde dopée et la diminution de la capacité parasite de ladite région profonde, c'està-dire la réduction des dimensions de ladite région profonde. Un autre objet de la présente invention est d'accroître les performances des transistors bipolaires verticaux. Un autre objet de la présente invention est de diminuer sensiblement les coûts de fabrication des dispositifs nécessitant un contact vers une couche profonde de silicium dopé. Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit une structure de contact avec une région profonde dun premier type de conductivité formoe dans un substrat semiconduc- teur, comportant une tranchée adjacente à la région profonde; une région intermédiaire du premier type de conductivité situce au-dessous de la tranchée et en contact électrique avec la région profonde; et un puits en silicium dapé du premier type de conductivité en contact électrique avec la région intermédiaire et disjoint de la région profonde. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier type de conductivité est N; le substrat est du silicTum monocristallin dont le type de conductivité est P; le dopage de la région profonde est supérieur à 5X1013 at/cm3; le dopage de la région intermédiaire est supérieur à 1xlol9 at/cm3; et le dopage du puits en silicium dopé est supérieur à 1xlO19 at/cm3. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région intermédiaire recouvre partiellement la région profonde et le puits en silicium dopé. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région profonde est bornée latéralement, au moins en sa partie supérieure, par une tranchée. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région profonde, la région intermédiaire et le puits dopé constituent la prise de contact du collecteur d'un transistor bipolaire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région profonde constitue la base profonde d'un transistor bipolaire et en ce que la région intermédiaire et le puits dopé constituent la prise de contact sur la base profonde du transis- tor bipolaire. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région profonde est disposce entre un caisson dun second type de conductivité et le substrat d'un second type de conductivité afin disoler le caisson du substrat. La présente invention prévoit aussi un procédé de réalisation d'un contact avec une région profonde d'un premier type de conductivité formée dans un substrat en silicium d'un second type de conductivité, comportant les étapes suivantes: a) graver une tranchée dans le substrat; b) implanter au fond de la tranchée un dopant qui, après diffusion, formera une région intermédiaire du premier type de conductivité; c) remplir la tranchée avec au moins un matériau diélec trique; d) implanter un puits en silicium du premier type de conductivité adjacent à la tranchée; e) implanter avec un dopant du premier type de conducti vité une région profonde adjacente à ladite tranchée et disjointe du puits en silicium dopé; et f) effectuer au moins un recuit de la structure après l'une au moins des opérations b) à e) de façon à former, par diffusion des dopants implantés sous la tranchée, une région intermédiaire du premier type de conductivité se confondant en partie avec la région profonde et le puits. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une tranchée remplie dau moins un matériau diélectrique délimite l' implantation du dopant du premier type de conductivité dans la région profonde. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la région profonde et la tranchée remplie isolent le substrat initial du substrat d'un second type de conductivité dun transistor MOS. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1A et 1B représentent un transistor NPN réalisé selon l'art antérieur; les figures 2, 3A, 3B, 4 représentent des étapes successives de fabrication d'une structure de contact sur une région profonde formée dans un substrat semiconducteur selon la présente invention; les figures 5 et 6 représentent les profils de dapage selon deux coupes verticales; la figure 7 représente un transistor MOS latéral à caisson isolé selon la présente invention; la figure 8 représente un transistor bipolaire vertical optimisé avec la présente invention. Dans les diverses figures, des éléments homologues sont désignés par les mêmes références. De plus, comme cela est habituel dans la représentation des circuits intégrés, les diverses figures ne sont pas tracées à l'échelle. La figure 2 représente une étape initiale de la réali- sation d'une structure de contact sur une région profonde selon la présente invention. On dépose sur un substrat en silicium 10 de type P. une couche de protection 21, par exemple du nitrure de silicium de 100 nm d'épaisseur. En utilisant une étape de photo lithographie on grave la couche 21 et on crce, dans la partie supérieure du substrat en silicium 10 des tranchées, par exemple selon le motif illustré dans la vue de dessus de la figure 1B. Trois coupes de tranchée sont représentées. Un masque de résine 24 crée une ouverture 25 au droit de la tranchée centrale 27. On implante de l' arsenic à une dose inférieure à 5x10l6 at/cm2 et avec une énergie inférieure à 100 keV à travers cette ouverture. Les ions d' arsenic sont alors stoppés par la résine 24 ou la couche 21 de telle façon que seul le fond de la tranchée centrale 27 soit implanté dans une région en silicium 26. Les figures 3A et 3B représentent une étape suivante de la réalisation de la structure de contact sur une région profonde selon la présente invention. La figure 3A représente une partie du substrat de silicium vu en coupe; la figure 3B représente une partie du substrat de silicium vu de dessus. On élimine la résine 24, et on remplit, de manière classique, les tranchées avec un isolant. Une étape de polissage macano- chimique et un recuit terminent le processus de création des tranchées isolantes. Au- dessous de la tranchée centrale une région intermédiaire en silicTum 28 de type N est obtenue par diffusion des dopants, implantés dans la région 26, durant ledit recuit. Pour des raisons de clarté on désigne par la référence 29 les tranchées remplies situées au-dessus d'une région intermédiaire 28 et par la référence 30 les tranchées remplies non situses au-dessus dune région intermédiaire 28. La figure 3B représente deux régions de silicium entièrement entources dune tranchée 29, 30. La figure 4 illustre une étape suivante du procédé de fabrication de la structure de contact sur une région profonde. On implante du phosphore à forte dose pour former un puits de silicium dopé 40 situé entre la tranchée centrale 29 et la tranchée de droite. Par exemple on implante du phosphore avec une dose comprise entre 2x1ol5 et 2X10l6 at/cm2 avec une énergie de 400 keV. Un recuit, par exemple de 950 C pendant vingt minutes, permet la diffusion de ce puits 40 de façon à ce qu'il recouvre partiellement la région intermédiaire 28 dans une région en sili- cTum 41. Le puits en silicium 40 étant borné par des tranchées, ne s'étend pas latéralement même en cas de diffusion thermique importante des dopants. On implante ensuite du phosphore à forte énergie dans une région profonde en silicium 42 située entre la tranchée centrale 29 et la tranchée de gauche. Les tranchées masquent et bornent latéralement cette implantation. Par exemple on implante du phosphore avec une dose comprise entre 5X1014 et 2X1016 at/cm3 avec une énergie supérieure à 300 keV. Un recuit rapide, par exemple de 1000 C pendant 10 s, permet l' activation électrique du phosphore implanté sans provoquer de diffusion importante. La région profonde 42, de type N. recouvre une partie de la région intermédiaire 28 de type N. précédemment diffusée, dans une région en silicium 43. La région 42 délimite un caisson en silicium 44 de type P dont les frontières sont la région profonde 42, les tranchées et la surface du substrat. Une implan- tation ionique optionnelle effectuce dans ce caisson permet d'ajuster le type et le niveau de dopage du caisson 44. Si aucune implantation nest effectuée, le caisson 44 possède le type et le niveau de dopage du substrat initial. I1 est alors, dans le cas du présent exemple, entièrement isolé du substrat 10 de type P également. En effet le caisson 44 est isolé verticalement par des jonctions et latéralement par les tranchées. Ainsi on vient de créer une structure de contact avec une région profonde 42 de type N constituée d'une région intermé diaire 28 et dun puits en silicium dopé 40. On assure un contact é lectrique de faible ré s i stance entre le s di f férentes régions de cette structure par le recouvrement des régions 28 et 40 dans la zone 41 et des régions 28 et 42 dans la zone 43. Les fonctionnalités des régions 42, 28, 40 de la figure 2 5 4 sont similaires respectivement à celles des régions 7, 2, 5 de la figure 1A. La région profonde 42 est comme la région 7, une région de transition pour le courant. Elle a en plus un rôle d' isolation verticale qui nécessite une augmentation de son dopage. La région intermédiaire 28 a un rôle similaire à celui de la couche enterrce 2: elle conduit le courant de la région profonde 42 vers le puits de silicium dopé 40. Cependant les dimensions de cette région intermédiaire sont très réduites par rapport à celles de la couche enterrce 2. Les capacités parasites et les résistances associées à cette couche seront également très réduites. La structure de la figure 4 autorise de meilleurs compromis pour l'intégration des dispositifs nécessitant une couche enterrée. Elle n'est pas limitée lorsque les dimensions des dispositifs diminuent. Elle est d'autant plus efficace que les dimensions sont petites, inférieures à 0.5 m et de préférence inférieures à 0.1 m. Le procédé est économique car aucune étape dépitaxie, coûteuse en milieu industriel, n'a été utilisse. Les profils de dopage obtenus par ce procédé sont reproductibles car ils sont obtenus à partir dimplantations ioniques et de recuits thermiques limités. Le rendement de fabri- cation des circuits intogrés est amélioré. La figure 5 représente le profil de dopage selon l'axe vertical AA' de la figure 4. Cet axe AA' traverse le caisson 44 et la couche profonde 42 perpendiculairement à la surface du silicium. L'axe des abscisses représente la profondeur (d) à partir de la surface du substrat 10, l'axe des ordonnées repré- sente la concentration (c) d'atomes dopants suivant une échelle logarithmique. Ce profil de dopage démontre l' isolation par jonctions, dans le sens vertical, du caisson en silicium 44 de type P vis à vis du substrat 10 de type P. Pour obtenir cette isolation il faut polariser en inverse les deux jonctions N/P crcces entre les régions 42 et 44 d'une part et entre la région 42 et le substrat 10 d'autre part. Une tension positive doit être appliquce à la région profonde 42, en utilisant la région inter- médiaire 28 et le puits 40. La figure 6 représente la concentration c en fonction de la profondeur d selon l'axe vertical BB' de la figure 4. Cet axe BB' traverse le puits en silicium dopé 40, la région 41 et la région 28. Ce profil de dopage démontre la continuité électrique entre les régions 40 et 28 et en particulier la superposition des concentrations des atomes dopants des régions 40 et 28 dans la région 41. Cette sur-concentration de la région 41 associce à la faible profondeur du puits dopé 40 permet dobtenir une résis tance minimale pour le flux de courant traversant successivement les régions 40 et 28 dans le sens de l'axe BB,. La figure 7 représente la structure dun transistor MOS latéral selon la présente invention dont le caisson est entière ment isolé. A partir des opérations technologiques réalisoes à la figure 4, une implantation ionique de bore est effectuée dans le caisson en silicTum 44 désigné maintenant par la référence 47. Cette implantation permet l'ajustement du niveau de dapage du substrat en silicium 47 du futur transistor MOS. De manière classique on fait croître un oxyde de grille, on dépose et on grave du silicium polycristallin 50 qui forme la grille du transistor MOS. On implante avec une forte dose darsenic les régions 48 de source et drain du transistor MOS ainsi que la surface 49 du puits en silicium dopé 40. Le substrat 47 de ce transistor MOS est entièrement isolé du substrat initial 10 tant quune différence de potentiel positive existe entre la région profonde 42 et les régions en silicium adjacentes de dopage opposé. Cette configuration connue sous le nom de triple caisson à été obtenue sans traitement thermique important ce qui est incompatible avec les procédés de fabrication submicronique et sans croissance dune couche de silicium épitaxiée. Le niveau de dopage de la région 42 permet diajuster la tenue en tension du substrat 47 du transistor MOS vis à vis du substrat initial 10 et de réduire le gain du transistor bipolaire parasite formé par le 2 5 substrat 47 du transistor MOS, la région profonde 42, et le substrat initial 10. Le thyristor parasite généré par les sources et les drains 48 du transistor MOS, le caisson isolé 47, la région profonde 42 et le substrat 10 est également un paramètre important pour l'optimisation de cette structure. En particulier ce thyristor parasite ne peut pas se déclencher si le potentiel de la région profonde 42 est bien contrôlé. Pour cela il faut que la résistance diaccès à la région profonde 42 à travers la région intermédiaire 28 et le puits en silicium dopé 40 soit faible. La présente invention permet un contrôle aisé de tous les paramètres physiques des régions 49, 40, 28, 42, 47 afin doptimiser cette structure à triple caisson. La compacité de la structure obtenue permet une intogration facile dans les circuits numériques à haute densité dintogration utilisant des transistors MOS. Cette compacité permet également de diminuer toutes les résistances internes parasites et d'éviter ainsi le déclenchement intempestif des thyristors parasites. La figure 8 représente la structure d'un transistor bipolaire selon la présente invention. A partir des opérations technologiques réalisces à la figure 4, on réalise une implanta tion de phosphore dans la région 44. Cette implantation compense le niveau de dopage initial de type P de cette région et permet d'obtenir localement une région 51 dont le dopage est de type N. Par des opérat ions courante s en technologie bipolai re on réal i se alors la base 52 du transistor bipolaire, la prise de contact 53 du collecteur et la région 54 d'émetteur. La présente invention permet d'obtenir une faible résistance entre le collecteur intrinsèque 51 du transistor bipolaire et la prise collecteur 53. La surface entre d'une part les zones 42, 28, 40 et d'autre part le substrat 10 est minimisée et circonscrite à lintérieur du périmètre défini par les tranchées entourant le transistor bipolaire. La capacité du collecteur du transistor bipolaire est faible. Les deux caractéristiques ci-dessus permettent d'accroître sensiblement les performances dynamiques du compo- sant, en particulier la fréquence maximale de fonctionnement (Fmax) ainsi que la fréquence de transition (Ft). Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. En particulier, on peut changer, selon les objectifs, le type de dopant des différentes couches ainsi que les ions implantés pour crécr les zones dopées. On peut utiliser n'importe quel type de substrat de départ tant quil existe, à sa surface une couche faiblement dopée. En particulier les substrats épitaxiés utilisés en techno- logie MOS sont adaptés à la présente invention. Ces substrats en silicium, très fortement dopés en volume, présentent sur leur face avant une couche de silicTum épitaxié de 10 à 20 m dépaisseur et faiblement dopé. On peut utiliser le mode d'accès à des couches profondes selon la présente invention pour réaliser des accès à des couches profondes de divers types constituant des éléments de divers composants. On peut par exemple réaliser des dispositifs de type bipolaire avec une base 42 profonde et avec une reprise du contact de base en surface. On peut agencer ces transistors bipolaires pour faire des structures thyristor. Tout dispositif fonctionnant verticalement, le courant devant être collecté en volume, peut avantageusement être réalisé à partir de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Structure de contact avec une région profonde (42) d' un premier type de conductivité formoe dans un substrat semi conducteur, caractérisée en ce qu'elle comporte: une tranchée (29) adjacente à la région profonde (42) ; une région intermédiaire ( 28) du premier type de conductivité située au-dessous de la tranchée (29) et en contact électrique avec la région profonde (42); un puits en silicium dopé (40) du premier type de conductivité en contact électrique avec la région intermédiaire (28) et disjoint de la région profonde (42). 2. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisée en ce que: le premier type de conductivité est N; le substrat est du silicium monocristallin dont le type de conductivité est P; le dopage de la région profonde (42) est supérieur à X1018 at/cm3; le dopage de la région intermédiaire (28) est supérieur à lxl0l9 at/cm3; le dopage du puits en silicTum dopé (40) est supérieur à 1x1019 at/cm3. 3. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisoe en ce que la région intermédiaire ( 28) recouvre partiellement la région profonde (42) et le puits en silicium dopé (40). 4. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région profonde (42) est bornée latéralement, au moins en sa partie supérieure, par une tranchée (29, 30). 3 0 5. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région profonde (42), la région inter médiaire (28) et le puits dopé (40) constituent la prise de contact du collecteur d'un transistor bipolaire. 6. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région profonde (42) constitue la base profonde d'un transistor bipolaire et en ce que la région inter- médiaire ( 2 8) et le puits dopé ( 40) constituent la prise de contact sur la base profonde du transistor bipolaire. 7. Structure de contact selon la revendication 1, caractérisée en ce que la région profonde (42) est disposée entre un caisson (44, 47) dun second type de conductivité et le substrat (10) d'un second type de conductivité afin disoler le caisson (44, 47) du substrat (10). 8. Procédé de réalisation d'un contact avec une région profonde (42) dun premier type de conductivité formée dans un substrat (10) en silicium dun second type de conductivité, caractérisé en ce quil comporte les étapes suivantes: a) graver une tranchée dans le substrat (10); b) implanter au fond de la tranchée un dopant qui, après diffusion, formera une région intermédiaire (28) du premier type de conductivité; c) remplir la tranchée (29) avec au moins un matériau diélectrique i d) implanter un puits en silicTum du premier type de conductivité (40) adjacent à la tranchée (29); e) implanter avec un dopant du premier type de conducti- vité une région profonde (42) adjacente à ladite tranchée (29) et disjointe du puits en silicium dopé (40); et f) effectuer au moins un recuit de la structure après l'une au moins des opérations b) à e) de facon à former, par diffusion des dopants implantés sous la tranchée (27, 29), une région intermédiaire ( 28) du premier type de conductivité se confondant en partie avec la région profonde (42) et le puits (40). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une tranchée remplie d'au moins un matériau diélectrique ( 29, ) délimite limplantation du dopant du premier type de conduc tivité dans la région profonde (42). 10. ProcdA salon la revendicaLion 9, caracL6risA en ce que la region profonde (42) et la ranches remplie (29, 30) isolenL le subsLrat initial (10) du subsLrat (47) d'un second