Brevet FR2831966A1 — publié le 20030509

APPAREIL DE PHOTOLITHOGRAPHIE INCORPORANT UN DISPOSITIF DE DEPLACEMENT ACTIONNE PAR UN ELEMENT PIEZOELECTRIQUE ET PROCEDE DE PHOTOLITHOGRAPHIE COMPRENANT UN DEPLACEMENT DE REGIONS EXPOSEES. La présente invention se rapporte à un appareil de photolithographie, tel que ceux utilisés pour la fabrication de composants électroniques intégrés. Plus particulièrement, l'invention concerne un appareil de ce type, qui est adapté pour la fabrication de composants électroniques avec une haute résolution. Un appareil de ce type peut notamment utiliser une source de lumière à courte longueur d'onde, par exemple inférieure à 200 nanomètres. A ce jour, la meilleure résolution avec laquelle un appareil de photolithographie reproduit un motif sur une plaquette de matériau semiconducteur est d'environ 0, 1 micromètre. On entend par résolution la dimension minimale des motifs pouvant être imprimés à la surface d'une plaquette, pour constituer des composants électroniques sur cette plaquette. Une meilleure résolution signifie une taille de motif plus petite. Le motif est enregistré sur un masque placé au dessus de la plaquette de matériau semiconducteur, entre la plaquette et une source de lumière produisant une lumière pour l'exposition de la plaquette. La présente invention se rapporte aussi bien à des appareils de photolithographie destinés à la fabrication de composants électroniques intégrés en petites séries qu'en grandes séries. Pour le premier type d'appareils, parfois appelés aligneurs de masques ( mask aligners ), les motifs du masque sont en général transférés sur la plaquette en gardant les mêmes dimensions, c'est-à-dire avec un rapport géométrique de transfert 1 : 1. Pour le deuxième type d'appareils, la dimension minimale des motifs peut être réduite selon un facteur déterminé, en général un facteur 4, grâce à un ensemble d'éléments optiques placés entre le masque et la plaquette. Lorsqu'un motif est imprimé sur la surface d'un échantillon par un procédé photolithographique à une seule exposition, la dimension minimale du motif à l'issue de cette exposition est liée à la longueur d'onde de la source de lumière utilisée et à la qualité des éléments optiques interposés sur le passage de la lumière. Cette dimension minimale optique est aujourd'hui, pour les appareils de photolithographie les plus avancés, notamment ceux utilisant une longueur d'onde d'exposition de 193 nanomètres, d'environ 0, 1 micromètre. Or, il est généralement accepté que la poursuite de la miniaturisation des composants électroniques, se traduisant par l'augmentation de la résolution du procédé de photolithographie, est le moteur essentiel de l'évolution microélectronique. Les raisons principales de la nécessité de diminuer la taille des composants et de leurs constituants sont l'augmentation de la vitesse des microprocesseurs, mais également la rentabilité de la fabrication même des composants. La présente invention se place dans ce contexte général des efforts considérables qui sont consacrés à la réduction de la dimension des motifs des structures électroniques. Le brevet américain 6,187, 486 décrit un procédé photolithographique comprenant plusieurs expositions successives de la même surface d'une plaquette de matériau semiconducteur recouverte de résine photosensible (ou photoresist ), permettant d'augmenter la résolution. Entre deux expositions successives, la plaquette est légèrement déplacée parallèlement à elle-même. La résolution obtenue par un tel procédé dépend de la longueur et de la précision du déplacement de la plaquette entre deux expositions. La présente invention a notamment pour but de proposer un appareil de photolithographie convenant pour la mise en oeuvre d'un tel procédé, qui permet des déplacements avec une grande précision. Ce but est atteint grâce à un appareil de photolithographie du type précité, qui comprend une source de lumière, un masque et un support agencé pour recevoir de façon amovible un échantillon destiné à être exposé à une lumière produite par la source de lumière au travers du masque. Le masque est agencé pour empêcher le passage de la lumière au niveau de zones opaques de ce masque et laisser passer la lumière au niveau de zones transparentes de ce masque, en sorte de définir au dessus du support des régions exposées et des régions non-exposées. L'échantillon est solidarisé avec le support, et une surface de l'échantillon est disposée au niveau des régions exposées et non-exposées. Selon l'invention, l'appareil comprend en outre un premier dispositif de déplacement actionné par au moins un premier élément piézoélectrique permettant de déplacer les régions exposées et les régions non-exposées sur la surface de l'échantillon suivant une première direction sensiblement perpendiculaire au passage de la lumière. Grâce à ces dispositions, la précision du déplacement est liée à la précision de la commande de l'élément piézoélectrique. Or celle-ci peut être particulièrement élevée. Elle dépend essentiellement de la précision de la tension électrique de commande appliquée à l'élément piézoélectrique. Lorsqu'un tel appareil de photolithographie est utilisé selon un procédé à plusieurs expositions d'une même surface recouverte de résine photosensible, la dimension minimale des motifs pouvant être obtenus à l'issue d'au moins deux expositions est égale à la dimension minimale optique diminuée de la longueur du déplacement contrôlé par l'élément piézoélectrique. Or ce dernier peut prendre des valeurs contrôlées quelconques entre 1 micromètre et 0, 01 micromètre par exemple, permettant d'obtenir une dimension minimale de motif inférieure à la dimension minimale optique. Avantageusement, l'appareil de photolithographie selon l'invention comprend en outre un second dispositif de déplacement actionné par au moins un second élément piézoélectrique. Ce second dispositif de déplacement permet de déplacer les régions exposées et les régions non-exposées suivant une seconde direction sensiblement perpendiculaire au passage de la lumière et distincte de ladite première direction. De façon préférée, lesdites première et seconde directions sont perpendiculaires entre elles. On peut ainsi utiliser le principe de l'invention pour la réalisation de motifs de forme quelconque. Les déplacements des régions exposées et des régions non-exposées au niveau de la surface de l'échantillon peuvent être obtenus selon différentes manières. Chaque mode de réalisation correspondant peut être plus particulièrement approprié que les autres selon la conception générale de l'appareil de photolithographie et selon certaines caractéristiques des éléments optiques traversés par la lumière, notamment le grandissement et le grossissement optiques à différents niveaux du chemin de la lumière. Selon un premier mode de réalisation, le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer le support et/ou le masque l'un par rapport à l'autre. Lorsque le masque est sensiblement plan, le déplacement du support et/ou du masque est avantageusement effectué à l'intérieur d'un plan parallèle à celui du masque. Pendant ces déplacements, l'échantillon est solidarisé avec le support par un système adapté. Selon un second mode de réalisation, l'appareil de photolithographie comprend en outre au moins un élément optique disposé entre la source de lumière et le support, et le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer ledit élément d'optique. On entend par élément optique des composants tels que des lentilles, des miroirs, des diaphragmes, etc. Suivant un troisième mode de réalisation, le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer la source de lumière. Dans un mode de réalisation de l'invention correspondant à des appareils de photolithographie plus particulièrement destinés à la fabrication de composants électroniques intégrés en petites séries, le masque et la surface de l'échantillon destinée à être exposée à la lumière sont amenés l'un contre l'autre lors des expositions. Les déplacements des régions exposées et nonexposées au niveau de la surface de l'échantillon sont alors obtenus par des déplacements relatifs du support et du masque l'un par rapport à l'autre. Pendant ces déplacements, l'échantillon est solidarisé avec le support. Afin d'éviter tout risque de rayure de la surface de l'échantillon contre le masque lors de ces déplacements, l'appareil peut comprendre un troisième dispositif de déplacement agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le masque et le support, et de ce fait éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le masque et ladite surface de l'échantillon. Ce troisième dispositif de déplacement peut aussi être actionné par au moins un troisième élément piézoélectrique. Ainsi, grâce à ce troisième dispositif de déplacement, le masque et la surface de l'échantillon sont éloignés l'un de l'autre lors des déplacements relatifs du masque et de l'échantillon correspondant aux déplacements des régions exposées et non-exposées sur la surface de l'échantillon. Ils sont ensuite rapprochés l'un de l'autre pour les périodes d'exposition, presque jusqu'à obtenir le contact ou un quasi-contact entre la surface l'échantillon et le masque. Selon une amélioration de ce mode de réalisation permettant d'éviter d'éventuelles dégradations de la surface de l'échantillon occasionnées par le contact avec le masque, l'appareil comprend en outre une cale de hauteur permettant d'arrêter le rapprochement du masque et de la surface de l'échantillon, avant que le masque prenne appui sur cette dernière. Le troisième dispositif de déplacement peut être alors agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le support ou le masque et la cale de hauteur. Selon un mode de réalisation particulier de l'appareil de photolithographie, le support est agencé de telle façon qu'au moins un élément piézoélectrique muni d'électrodes de commande est destiné à être en contact avec l'échantillon lorsque l'échantillon est placé dans l'appareil pour être exposé à ladite lumière. Lorsque le masque est sensiblement plan, ledit troisième dispositif de déplacement est avantageusement agencé pour provoquer un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque, l'échantillon et ladite cale de hauteur suivant une troisième direction perpendiculaire au plan du masque. Un autre mode de réalisation de l'invention correspond à des appareils de photolithographie plus particulièrement adaptés à la fabrication de composants électroniques intégrés en grandes séries. Dans ces appareils, un ensemble d'éléments optiques est intercalé entre le masque et la surface de l'échantillon destinée à être exposée à la lumière. Le masque n'est alors plus en contact à aucun moment avec ladite surface de l'échantillon, ce qui permet de remplacer rapidement un premier échantillon par un second échantillon destiné à être exposé, une fois les expositions du premier échantillon terminées. Dans un tel appareil, les déplacements des régions exposées et non-exposées au niveau de la surface de l'échantillon sont obtenus de même que précédemment par des déplacements relatifs du support et du masque l'un par rapport à l'autre. L'échantillon étant solidarisé avec le support lors de ces déplacements, des déplacements relatifs du masque et de la surface de l'échantillon sont ainsi obtenus. Lorsque l'ensemble d'éléments optiques intercalé entre le masque et la surface de l'échantillon réalise un grandissement optique déterminé, il est avantageux de procéder à un mouvement de l'échantillon solidarisé avec le support pour déplacer les régions exposées et non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon. On obtient ainsi une meilleure précision des déplacements des régions exposées et non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon. Lesdits premier et second dispositifs de déplacement actionnés respectivement par au moins un premier et un second éléments piézoélectriques sont alors agencés pour provoquer des déplacements du support. Dans d'autres configurations d'appareils de photolithographie adaptés pour la fabrication de composants électroniques intégrés en grandes séries, ces appareils sont équipés de systèmes de remplacement rapide d'échantillons. A cause de l'encombrement de ces systèmes de remplacement rapide d'échantillons, il peut alors être avantageux de procéder à des mouvements du masque pour déplacer les régions exposées et non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon. Dans ce cas, lesdits premier et second dispositifs de déplacement actionnés respectivement par au moins un premier et un second éléments piézoélectriques sont agencés pour provoquer des déplacements du masque. Au moins un troisième dispositif de déplacement peut alors être agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le masque et une cale de hauteur. Ceci permet de faciliter les mouvements du masque qui déplacent les régions exposées et non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon. Ce troisième dispositif de déplacement peut-être actionné par au moins un troisième élément piézoélectrique. Ce troisième dispositif de déplacement peut aussi, pour ce type d'appareil de photolithographie, être agencé de façon à permettre un ajustement précis de la hauteur de ladite surface de l'échantillon. Dans ce cas, il est placé sous le support de l'échantillon, par exemple entre ce support et un système de remplacement rapide d'échantillons, pour permettre d'ajuster précisément la hauteur de la surface de l'échantillon. Cet ajustement précis peut intervenir après un premier réglage grossier de cette hauteur lors du remplacement d'échantillon. L'invention concerne aussi un appareil de photolithographie comprenant en outre un contrôleur d'exposition piloté pour commander une série d'expositions d'un même échantillon, et pour commander lesdits premier et/ou second dispositifs de déplacement actionnés respectivement par au moins un élément piézoélectrique. Le contrôleur d'exposition est alors piloté de sorte que deux expositions successives de l'échantillon sont séparées par au moins un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le support, le masque, la source de lumière et un élément optique, le déplacement étant provoqué par l'un au moins des dits premier et/ou second dispositifs de déplacement. Pour cela, l'échantillon est maintenu solidaire avec le support pendant toute la durée de la série d'expositions. Le contrôleur peut être en outre piloté pour commander un troisième dispositif de déplacement, de sorte qu'un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque, le support et une cale de hauteur est provoqué par ledit troisième dispositif de déplacement, entre un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le support, le masque, la source de lumière et un élément optique provoqué par ledit premier et/ou ledit second dispositifs de déplacement d'une part et une exposition de la surface de l'échantillon d'autre part. L'invention concerne encore un procédé de photolithographie suivant lequel une surface d'un échantillon est exposée au travers d'un masque à une lumière produite par une source de lumière, le masque étant agencé pour empêcher le passage de la lumière au niveau de zones opaques de ce masque et laisser passer la lumière au niveau de zones transparentes de ce masque, en sorte de définir au niveau de la surface de l'échantillon des régions exposées et des régions non exposées, le procédé comprenant au moins deux expositions successives de la surface l'échantillon séparées par un déplacement des régions exposées et des régions non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon, ledit déplacement étant provoqué par au moins un dispositif de déplacement actionné par au moins un élément piézoélectrique. Le procédé de photolithographie peut comprendre en outre un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque, ladite surface de l'échantillon et une cale de hauteur, ce déplacement intervenant entre le déplacement des régions exposées et des régions non-exposées par rapport à la surface de l'échantillon d'une part et une exposition de la surface de l'échantillon d'autre part. Le procédé de photolithographie peut encore comprendre une étape d'alignement de la surface de l'échantillon par rapport au masque, cet alignement procédant par au moins un déplacement du masque et/ou de l'échantillon provoqué par au moins un dispositif de déplacement actionné par au moins un élément piézoélectrique. L'invention concerne enfin un substrat à base de matériau semiconducteur comportant des composants électroniques intégrés obtenus par un procédé d'obtention comprenant un procédé de photolithographie tel que précédemment décrit. Elle concerne aussi un produit microélectronique ou un produit nanométrique obtenu par un tel procédé d'obtention. On entend par produit nanométrique toute pièce de matériau mise en forme qui possède au moins une de ses dimensions inférieure à 1 micromètre. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront au cours de la description suivante de formes de réalisation, données à titre d'exemples non limitatifs, en regard des dessins joints. Sur les dessins : - la figure 1 représente un premier mode de réalisation d'un appareil de photolithographie selon l'invention, plus particulièrement adapté pour la fabrication de composants électroniques intégrés en petites séries ; - les figures 2a à 2c illustrent l'obtention d'un motif sur la surface de l'échantillon par un procédé de photolithographie à deux expositions successives ; - la figure 3 représente un second mode de réalisation d'un appareil de photolithographie selon l'invention, plus particulièrement adapté pour la fabrication de composants électroniques intégrés en grandes séries ; - la figure 4 représente un perfectionnement du système de support du masque pour un appareil tel que celui représenté sur la figure 3. Sur les différentes figures, les mêmes références désignent des éléments identiques ou similaires. Afin de faciliter une lecture des figures, certaines proportions ont été augmentées par rapport à d'autres pour faire ressortir des détails en relation avec la description. Par ailleurs toutes les figures correspondent à des configurations d'appareils de photolithographie selon lesquelles le passage lumière est disposé verticalement, du haut vers le bas. Le masque est alors horizontal, dans un plan sensiblement perpendiculaire à la direction verticale du passage de la lumière. Ainsi qu'illustré par la figure 1, le support d'un appareil de photolithographie adapté pour la fabrication de composants intégrés sur une plaquette de matériau semiconducteur, par exemple de silicium 1, comprend une embase 13 dans laquelle peut se déplacer un piston 12 grâce à des billes 14 servant de guide du piston 12 dans l'embase 13. Le piston 12 est par exemple actionné par l'injection ou l'évacuation d'un gaz au moyen de la conduite 15 débouchant dans l'embase 13 sous le piston 12. La butée 16 repère la fin de la course du piston 12 par rapport à une hauteur fixe. Une première partie de support 10 est placée sur une extrémité supérieure horizontale du piston 12, et est reliée à celui-ci par un cristal piézoélectrique 6 permettant de contrôler un déplacement horizontal de la première partie de support 10 par rapport au piston 12. Au moins une bille 11 complète l'appui de la partie de support 10 sur le piston 12 de façon à assurer la stabilité de ladite première partie de support 10 sans gêner ses déplacements contrôlés par le cristal piézoélectrique 6. Le cristal piézoélectrique 6 est recouvert sur deux de ses faces par des électrodes 7,8 perpendiculaires au déplacement horizontal de ladite première partie de support 10 contrôlé par ce cristal piézoélectrique 6. Les électrodes 7,8 sont reliées respectivement aux deux bornes d'un générateur 9 de tension électrique. L'ajustement de cette tension électrique permet la commande des déplacements de ladite première partie de support 10 dans la direction de contraction et de dilatation du cristal 6 sous l'effet de la dite tension. Une seconde partie de support 4 est placée au dessus de ladite première partie de support 10, en étant reliée à cette dernière par un cristal piézoélectrique 17. Une électrode horizontale inférieure 18 est située entre le cristal piézoélectrique 17 et la première partie de support 10. Une autre électrode horizontale 18a, dite supérieure, est située entre le cristal piézoélectrique 17 et ladite seconde partie de support 4. Ces électrodes 18,18a sont reliées au générateur de tension électrique 19 afin de permettre de commander des déplacements verticaux de ladite seconde partie de support 4 par rapport à ladite première partie de support 10. Eventuellement, le support comprend en outre un autre dispositif de déplacement non représenté sur la figure 1, intercalé entre ladite première partie de support 10 et l'électrode inférieure 18. Ce dispositif supplémentaire de déplacement comprend une troisième partie de support et un cristal piézoélectrique supplémentaire recouvert de deux électrodes reliées à un générateur supplémentaire de tension électrique. Ce cristal piézoélectrique supplémentaire relie ladite troisième partie de support à ladite première partie de support 10. Une bille analogue à la bille 11 stabilise l'appui de ladite troisième partie de support sur ladite première partie de support 10. Le générateur supplémentaire de tension électrique permet alors de contrôler des déplacements horizontaux de la plaquette 1 de matériau semiconducteur par rapport au piston 12 dans une direction perpendiculaire à celle des déplacements contrôlés par le cristal piézoélectrique 6. Toutes les électrodes de commande des cristaux piézoélectriques, en dehors de leurs connexions aux générateurs de tensions électriques, sont isolées électriquement des différentes pièces de l'appareil de photolithographie par des couches de matériau isolant non représentées sur les figures. La plaquette 1 de silicium destinée à recevoir le traitement par photolithographie est placée sur une extrémité horizontale supérieure de ladite second partie de support 4. Elle est immobilisée par rapport à cette seconde partie de support 4 par des orifices reliés à une conduite d'aspiration 5 permettant de maintenir fermement la plaquette 1 sur la seconde partie de support 4. Dans la configuration de l'appareil de photolithographie représentée sur la figure 1, lors d'une exposition de la surface S de la plaquette 1 à la lumière 3, cette surface S est amenée contre le masque 2. Ce masque 2, plan et disposé horizontalement, contient un enregistrement de motifs sous forme de zones opaques 2o et transparentes 2t à la lumière 3 (voir figure 2a). Ainsi, la lumière 3 ne parvient jusqu'à la surface S de la plaquette 1 qu'au niveau des zones de cette surface S situées à l'aplomb des zones transparentes 2t du masque 2. Une plaquette 1 de matériau semiconducteur, par exemple de silicium, recouverte de résine photosensible, est placée sur ladite seconde partie de support 4. Une aspiration d'air par la conduite 5 immobilise la plaquette 1 sur la seconde partie de support 4. Une montée rapide du piston 12, commandée par injection d'air dans la conduite 15, permet d'approcher rapidement la plaquette 1 du masque 2, jusqu'au contact avec la butée 16. Toutes les électrodes de commande des cristaux piézoélectriques, en dehors de leurs connexions électriques aux générateurs de tensions électriques, sont isolées des différentes pièces de l'appareil de photolithographie par des couches d' La plaquette 1 est alors alignée par rapport au masque 2 par réglage de la tension électrique délivrée par le générateur 9, ainsi qu'éventuellement par réglage de la tension électrique délivrée par ledit générateur supplémentaire. Cet alignement utilise, selon l'une des méthodes connues de l'homme du métier, des repères inscrits sur le masque 2 et des repères inscrits sur la plaquette 1. On se reportera par exemple au brevet US 5 830 610 pour la description de l'une de ces méthodes. Grâce à l'utilisation de dispositifs de déplacements horizontaux actionnés par des cristaux piézoélectriques, la précision de cet alignement (ou overlay accuracy ) est améliorée par rapport celle obtenue avec d'autres dispositifs n'utilisant pas d'actionneurs piézoélectriques. Dans le cas présent, cette précision d'alignement peut être inférieure à 200 nanomètres. Une fois l'alignement vertical de la plaquette 1 par rapport au masque 2 réalisé, la plaquette 1 est amenée au contact du masque 2 par ajustement de la tension électrique délivrée par le générateur 19. Ce déplacement vertical fin de la plaquette 1 complète le déplacement initial rapide effectué par le piston 12. Ainsi la surface S de la plaquette 1 est amenée contre le masque 2, sans appuyer de façon excessive contre ce masque et sans mouvements dans une direction parallèle à celle du masque 2, afin d'éviter tout risque d'endommagement de la surface S lors du contact avec le masque 2, ainsi que tout risque d'endommagement du masque 2. Une première exposition de la surface S à la lumière 3, au travers du masque 2, est alors effectuée. Ainsi que l'illustre schématiquement la figure 2a, la lumière 3 traverse le masque 2 au niveau des zones transparentes 2t du masque, provoquant une exposition des parties de la surface S de la plaquette 1 situées à l'aplomb de ces zones transparentes 2t. La zone opaque 2o du masque 2 empêche la lumière 3 d'atteindre la partie de la surface S située à l'aplomb de cette zone opaque 2o, sur une largeur de motif Ll. Une fois la première exposition terminée, la plaquette 1, fixée sur ladite seconde partie de support 4 (figure 1), est descendue par modification de la tension électrique délivrée par le générateur 19. Lorsque la surface S est suffisamment éloignée du masque 2, la plaquette 1 est déplacée dans une direction horizontale par modification des tensions électriques délivrées respectivement par le générateur 9 et ledit générateur supplémentaire. La direction et la longueur de ce déplacement horizontal dépendent des variations appliquées à ces deux tensions électriques. Selon l'exemple illustré par la figure 2b, ce déplacement a une longueur d et est effectué selon la direction de mesure de la largeur du motif Ll. La plaquette 1 est alors de nouveau immobilisée dans une nouvelle position horizontale. Elle est alors ramenée au contact du masque 2 en rétablissant la tension électrique délivrée par le générateur 19 à sa valeur lors de la première exposition. Une seconde exposition de la surface S à la lumière 3, au travers du masque 21 est alors effectuée (figure 2c). D'après les figures 2a à 2c, la largeur finale L2 du motif imprimé sur la surface S de la plaquette 1, correspondant à la zone de cette surface S qui n'a pas été exposée au moins une fois à la lumière 3, est égale à la largeur Ll diminuée de la longueur du déplacement d (L2 = Ll-d). En mode de développement positif, ce motif de largeur L2 correspond à une ligne de largeur L2 qui reste recouverte de résine après développement. En mode de développement négatif, ce motif de largeur L2 correspond à une ligne de largeur L2 sur laquelle la résine est retirée lors du développement. Ainsi, le procédé selon l'invention permet d'obtenir, avec un masque unique, et grâce à la combinaison de plusieurs expositions avec des déplacements suffisamment précis de la surface S, une largeur de motifs inférieure à celle de motifs obtenus par une seule exposition utilisant le même masque. Grâce à la présente invention, la dimension minimale du motif réalisable n'a pas de limite inférieure, cette dimension minimale étant contrôlée par l'opérateur au moyen des actionneurs piézoélectriques. La figure 3 représente un appareil de photolithographie incorporant un système optique 26 entre la plaquette 1 destinée à être exposée à la lumière 3 et le masque 2. Dans la configuration représentée sur cette figure, le masque 2 est inséré de façon fixe dans un cadre 20. Ce cadre 20 est relié à une monture 25 fixe par l'intermédiaire d'un cristal piézoélectrique 21 disposé de façon à provoquer des déplacements horizontaux du cadre 20 par rapport à la monture 25. Ce cristal piézoélectrique 21 porte deux électrodes verticales 22,23 sur deux de ses faces opposées. Ces électrodes 22,23 sont reliées aux bornes du générateur 24 de tension électrique qui permet de commander les déplacements du masque 2 suivant la direction des contractions et des dilatations du cristal piézoélectrique 21. Eventuellement, le masque 2 peut être équipé d'un dispositif de déplacement supplémentaire, analogue au précédent, permettant de commander des déplacements horizontaux du masque 2 par rapport à la monture 25 suivant une direction perpendiculaire à celle des déplacements précédents. Par combinaison des déplacements horizontaux du masque 2 suivant ces deux directions perpendiculaires, des déplacements du masque 2 de longueurs quelconques et suivant des directions quelconques dans le plan horizontal peuvent être obtenus. Les autres éléments de l'appareil représenté sur la figure 3 correspondent à ceux de l'appareil représenté sur la figure 1, et possèdent des références identiques. On se reportera pour ces éléments aux explications données ci-dessus en relation avec la figure 1. Pour la configuration d'appareil de photolithographie correspondant à la figure 3, le générateur 19 de tension électrique permet l'ajustement précis de la hauteur de la surface S de la plaquette 1 de silicium lors du placement de cette plaquette 1 sur la partie de support 4. La plaquette 1 est ainsi montée ou descendue sous l'action du cristal piézoélectrique 17, de façon à positionner sa surface S par rapport à l'ensemble d'éléments optiques 26 et par rapport au masque 2. Plus exactement, cette surface S doit être amenée dans le plan conjugué avec celui du masque 2 par le système optique 26. Selon le procédé de l'invention, le masque 2 est déplacé horizontalement entre deux expositions successives de la surface S à la lumière 3. Ces déplacements sont obtenus par modification des tensions électriques délivrées par le générateur 24 et par un générateur supplémentaire contrôlant des déplacements horizontaux du masque dans une direction perpendiculaire à celles des déplacements contrôlés par le générateur 24. Les régions exposées en non-exposées au niveau de la surface S de la plaquette 1 de silicium sont alors déplacées jusqu'à obtenir la position souhaitée des ces régions pour l'exposition suivante de la surface S à la lumière 3. Dans le système de support de masque représenté sur la figure 4, le masque 2 peut en outre être déplacé verticalement grâce aux deux cristaux piézoélectriques 26a, 26b. Ces deux cristaux piézoélectriques, équipés respectivement des électrodes 27a, 27b et 28a, 28b sont montés en parallèle et reliés au générateur 29 de tension électrique. Ainsi le cadre 20 du masque 2 peut être monté et abaissé par rapport à la monture 25. Lorsque le cadre 20 est abaissé, le dispositif de déplacement formé par le cristal piézoélectrique 21, les électrodes 22,23 et le générateur 24 de tension électrique permet le déplacement horizontal du masque 2. Les billes 30a, 30b facilitent ce déplacement horizontal en supportant le poids du masque 2 et du cadre 20. Une plaque semirigide 32 relie le cadre 20 au cristal piézoélectrique 21 afin de transmettre les déplacements provoqués par le cristal 21. Des cales de hauteur 31a, 31b permettent de repérer de façon très précise la hauteur du masque 2. La hauteur de ces cales 31a, 31b est contrôlée par les cristaux piézoélectriques 32a, 32b reliés en parallèle au générateur 35 de tension électrique par leurs électrodes respectives 33a, 34a et 33b, 34b. Une fois la position transversale du masque 2 ajustée à l'aide du générateur 24, le réglage de la tension électrique délivrée par le générateur 35 permet d'ajuster la hauteur des cales 31a, 31b par rapport aux éléments optiques de l'appareil de photolithographie. Le réglage de la tension électrique délivrée par le générateur 29 permet ensuite de monter le cadre 20 et le masque 2 jusqu'à obtenir l'appui du cadre 20 contre des cales de hauteur 30a, 30b. Ce déplacement vertical est permis par la plaque semi-rigide 32 capable de supporter une certaine flexion sans modification de sa longueur. Ainsi des conditions optiques optimales sont réalisées pour l'exposition de la surface S à la lumière 3. L'invention appliquée au présent appareil de photolithographie peut être associée à plusieurs formes de la lumière 3. Cette lumière 3 peut être envoyée sur la surface S de la plaquette 1 au travers du masque 2 de façon à éclairer simultanément toute la surface du masque 2. Pour les appareils de photolithographie utilisés pour la réalisation de composants électroniques en grande série, ce mode est connu sous le nom de wafer stepper . La lumière 3 peut aussi être envoyée sous la forme d'une ligne balayant le masque 2 au cours d'un déplacement de cette ligne. Ce mode, désigné par mode scanners, est plus particulièrement adapté aux expositions qui nécessitent une forte intensité de la lumière 3. Par ailleurs, la présente invention est avantageusement combinée avec des sources de lumière à courte ou très courte longueur d'onde, jusqu'au domaine ultraviolet dit extrême ultraviolet ( extreme UV). Ce domaine comprend notamment des longueurs d'onde de l'ordre de 13 nanomètres. La dimension minimale optique correspondant à ces valeurs de longueur d'onde est alors combinée aux déplacements très précis des régions exposées et non-exposées selon l'invention, afin de réduire la dimension des motifs imprimés sur la plaquette 1 de matériau semiconducteur. REVENDICATIONS 1. Appareil de photolithographie, comprenant une source de lumière, un masque (2) et un support (4) agencé pour recevoir de façon amovible un échantillon (1) destiné à être exposé à une lumière (3) produite par la source de lumière au travers du masque, l'échantillon (1) pouvant être solidarisé avec le support (4), le masque (2) étant agencé pour empêcher le passage de la lumière (3) au niveau de zones opaques (2o) de ce masque et laisser passer la lumière (3) au niveau de zones transparentes (2t) de ce masque, en sorte de définir au dessus du support des régions exposées et des régions non-exposées, une surface (S) de l'échantillon étant disposée au niveau de ces régions, et comprenant en outre un premier dispositif de déplacement actionné par au moins un premier élément piézoélectrique (6) permettant de déplacer les régions exposées et les régions non-exposées suivant une première direction sensiblement perpendiculaire au passage de la lumière (3). 2. Appareil de photolithographie selon la revendication 1, comprenant en outre un second dispositif de déplacement actionné par au moins un second élément piézoélectrique, permettant de déplacer les régions exposées et les régions non-exposées suivant une seconde direction sensiblement perpendiculaire au passage de la lumière, et distincte de ladite première direction. 3. Appareil de photolithographie selon la revendication 2, dans lequel lesdites première et seconde directions sont perpendiculaires entre elles. 4. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer le support (4) par rapport au masque (2). 5. Appareil de photolithographie selon la revendication 4, dans lequel, le masque (2) étant sensiblement plan, le déplacement du support (4) est effectué à l'intérieur d'un plan parallèle à celui du masque (2). 6. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer le masque (2) par rapport au support (4). 7. Appareil de photolithographie selon la revendication 6, dans lequel, le masque (2) étant sensiblement plan, le déplacement du masque (2) est effectué à l'intérieur du plan contenant ce masque (2). 8. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre au moins un élément optique disposé entre la source de lumière et le support (4), et dans lequel le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer ledit élément optique. 9. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le premier et/ou le second dispositifs de déplacement sont agencés pour déplacer la source de lumière. 10. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre un troisième dispositif de déplacement, qui est agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le masque (2) et le support (4). 11. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre une cale de hauteur, ainsi qu'un troisième dispositif de déplacement qui est agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le support (4) et la cale de hauteur. 12. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comprenant en outre une cale de hauteur (31a, 31b), ainsi qu'un troisième dispositif de déplacement qui est agencé pour éloigner et/ou rapprocher l'un de l'autre le masque (2) et la cale de hauteur (31a, 31b). 13. Appareil de photolithographie selon la revendication 11 ou la revendication 12, dans lequel, le masque étant sensiblement plan, ledit troisième dispositif de déplacement est agencé pour provoquer un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque (2), le support (4) et la cale de hauteur (31a, 31b) suivant une troisième direction perpendiculaire au plan du masque (2). 14. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, dans lequel le troisième dispositif de déplacement est actionné par au moins un troisième élément piézoélectrique (17). 15. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications précédentes, dans lequel le support (4) est agencé de telle façon qu'au moins un élément piézoélectrique (6,17) muni d'électrodes de commande est destiné à être en contact avec l'échantillon (1). 16. Appareil de photolithographie selon l'une quelconque des revendications précédentes, comprenant en outre un contrôleur d'exposition piloté pour commander une série d'expositions d'un même échantillon (1), et pour commander les dits premier et/ou second dispositifs de déplacement, de sorte que deux expositions successives de l'échantillon (1) sont séparées par au moins un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le support (4), le masque (2), la source de lumière et un élément optique, le déplacement étant provoqué par ledit premier et/ou second ledit dispositifs de déplacement, l'échantillon (1) étant solidarisé avec le support (4) pendant toute la durée de la série d'expositions. 17. Appareil de photolithographie selon la revendication 16, dans lequel le contrôleur est piloté en outre pour commander un troisième dispositif de déplacement, et dans lequel un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque (2), le support (4) et la cale de hauteur (31a, 31b) est provoqué par ledit troisième dispositif de déplacement, entre un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le support (4), le masque (2), la source de lumière et un élément optique provoqué par ledit premier et/ou ledit second dispositifs de déplacement d'une part et une exposition l'échantillon (1) d'autre part. 18. Procédé de photolithographie suivant lequel une surface (S) d'un échantillon (1) est exposée au travers d'un masque (2) à une lumière (3) produite par une source de lumière, le masque (2) étant agencé pour empêcher le passage de la lumière (3) au niveau de zones opaques (2o) de ce masque et laisser passer la lumière au niveau de zones transparentes (2t) de ce masque, en sorte de définir au niveau de la surface (S) de l'échantillon (1) des régions exposées et des régions non-exposées, le procédé comprenant au moins deux expositions successives de la surface (S) de l'échantillon (1) séparées par un déplacement des régions exposées et des régions nonexposées par rapport à la surface de l'échantillon, ledit déplacement étant provoqué par au moins un dispositif de déplacement actionné par au moins un élément piézoélectrique (6). 19. Procédé de photolithographie selon la revendication 18, suivant lequel un déplacement d'au moins un élément choisi parmi le masque (2), le support (4) et une cale de hauteur (31a, 31b), est provoqué entre le déplacement des régions exposées et des régions non- exposées par rapport à la surface (S) de l'échantillon (1) d'une part et une exposition de la surface (S) de l'échantillon (1) d'autre part. 20. Procédé de photolithographie selon la revendication 18 ou la revendication 19, comprenant en outre une étape d'alignement de la surface (S) de l'échantillon (1) par rapport au masque (2), cet alignement procédant par au moins un déplacement du masque (2) et/ou de l'échantillon (1) provoqué par au moins un dispositif de déplacement actionné par au moins un élément piézoélectrique (6). 21. Substrat à base de matériau semiconducteur comportant des composants électroniques intégrés obtenus par un procédé d'obtention comprenant un procédé de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 18 à 20. 22. Produit microélectronique obtenu par un procédé d'obtention comprenant un procédé de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 18 à 20. 23. Produit nanométrique obtenu par un procédé d'obtention comprenant un procédé de photolithographie selon l'une quelconque des revendications 18 à 20.