Brevet FR2831705A1 — publié le 20030502

MICRO-CONDENSATEUR VARIABLE A FORT RAPPORT ET FAIBLE TENSION D'ACTIONNEMENT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un micro-condensateur variable, à fort rapport entre capacité maximale et capacité minimale et à faible tension d'actionnement. L'invention se rapporte donc au domaine des micro-composants passifs, des MEMS (pour Micro-ElectroMechanical-Systems) et de la radiofréquence. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Les micro-condensateurs variables utilisés en téléphonie mobile doivent répondre aux caractéristiques suivantes : - gamme de variation de capacité : idéalement de 0,5 à 5 pF, soit un rapport entre capacité maximale et capacité minimale de 10 ; - tension d'alimentation inférieure à 5 V - facteur de qualité : Q = supérieur à 30 i RCo - dimensions inférieures à 0,05 mm2 ; - variation de capacité en fonction de la tension de commande la plus linéaire possible. Dans le domaine de la micro-électronique, les micro-condensateurs variables conventionnels sont réalisés en silicium ou en AsGa, en utilisant soit des structures à jonction pn, soit des jonctions à barrière Schottky. Ces composants présentent l'inconvénient d'avoir une plage de variation de capacité inférieure à 30% (rapport entre capacité maximale et capacité minimale de 1, 3), des pertes résistives élevées et par conséquent un facteur de qualité faible (typiquement inférieur à 10). Les micro-condensateurs variables MEMS présentent, de par leur conception et leur principe de fonctionnement, un facteur de qualité plus important que les micro-condensateurs variables conventionnels, typiquement supérieur à 30. On peut les classer en deux catégories : ceux où la variation de capacité est due à une variation d'entrefer et ceux où la variation de capacité est due à une variation de surface. Les micro-condensateurs variables MEMS à variation d'entrefer sont décrits dans 11 articles "A Micromachine-Based Low Phase-Noise GHz VoltageControlled Oscillator for Wireless Communications"de Darrin J. Young et al, paru dans Transducers'99, 7-10 juin 1999, Sendai, Japon, pages 1386-1389. Ce sont les micro-condensateurs MEMS les plus courants. Un tel système est constitué d'une électrode fixe, disposée sur un substrat, et d'une électrode supportée par des poutres formant ressort et située en regard de l'électrode fixe. Le déplacement de l'électrode mobile se fait suivant la direction de l'entrefer. L'entrefer entre les deux électrodes peut être ajusté par l'application d'une différence de potentiel, ce qui provoque une variation de capacité. Ce système permet d'obtenir des dimensions de 200 m x 200 m (soit 0, 04 mm2) pour une capacité variant de 2, 11 pF pour une différence de potentiel nulle entre les électrodes à 2, 46 pF pour une différence de potentiel de 5, 5 V. Ces micro-condensateurs à variation d'entrefer présentent les inconvénients suivants. Du fait de la non-linéarité des forces électrostatiques, la variation d'entrefer doit être limitée au tiers de l'entrefer initial pour éviter que l'électrode mobile ne vienne se coller sur l'électrode fixe. On arrive alors théoriquement à une variation de capacité limitée à 50%. Pour remédier à ce problème tout en conservant le même principe de fonctionnement, un fonctionnement thermique peut être envisagé comme le propose l'article "The realisation and design considerations of a flipchip integrated MEMS tunable capacitor"de Kevin F. Harsh et al., paru dans Sensors and Actuators 80 (2000), pages 108-118. Cependant, ce type d'actionnement induit, dans la majorité des applications, une consommation excessive. Un autre inconvénient de ces micro-condensateurs à variation d'entrefer est que la variation de capacité n'est pas linéaire par rapport à la tension de commande. De plus, ce type de composant est sensible aux accélérations (capacité non stable en fonction des accélérations). Les micro-condensateurs variables MEMS à variation de surface sont basés sur l'utilisation d'un micro-actionneur à peignes interdigités. L'actionneur électrostatique est utilisé pour déplacer une structure en peignes et modifier ainsi le recouvrement de surface de chacune des dents constitutives du microcondensateur. Ces micro-condensateurs présentent les inconvénients suivants. Leur tension d'actionnement est élevée. Elle est classiquement comprise entre 80 et 200 V. On peut se reporter à ce sujet à l'article "RF MEMS from a device perspective"de J. Jason Yao paru dans J. Micromech. Microeng. 10 (2000) R9-R38. La surface du composant est importante, typiquement voisine de 1 mm2. Les valeurs de capacité sont faibles (d'environ 30 à 100 fF). En outre, ces composants sont également sensibles aux accélérations et aux chocs. EXPOSÉ DE L'INVENTION Le condensateur variable MEMS selon l'invention permet de remédier aux inconvénients de l'art antérieur. La structure proposée est comparable aux condensateurs à variation d'entrefer (membrane ou poutre suspendue au-dessus d'une électrode fixe), mais s'en distingue radicalement par son mode de fonctionnement. En effet, alors que pour les condensateurs de l'art connu, on évite le collage de l'électrode mobile sur l'électrode fixe, dans le cas de l'invention on provoque un collage localisé avec interposition d'une couche diélectrique constituée d'un matériau diélectrique solide avec éventuellement une absence de matériau en certaines zones. C'est alors la surface de collage qui, en fonction de la tension de commande, détermine la variation de capacité. L'invention a donc pour objet un microcondensateur MEMS à capacité variable du type à variation d'entrefer, comprenant : - au moins une électrode fixe disposée sur une face d'un substrat, - au moins une électrode déformable située en regard de l'électrode fixe, - des moyens formant couche diélectrique interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, - des moyens fléchissant par rapport à ladite face du substrat, comprenant ladite électrode déformable et prévus pour enserrer les moyens formant couche diélectrique entre l'électrode déformable et l'électrode fixe de manière à obtenir une surface de moyens formant couche diélectrique enserrée variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, - des moyens d'application d'une force de fléchissement auxdits moyens fléchissants, destinée à déplacer l'électrode déformable par rapport à l'électrode fixe pour obtenir entre ces électrodes une capacité variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité et des deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité. Les moyens fléchissants peuvent être choisis parmi une membrane, une poutre fixée par l'une de ses extrémités ou une poutre fixée par ses deux extrémités. Les moyens formant couche diélectrique peuvent être choisis parmi une couche de matériau diélectrique continue, une couche de matériau diélectrique présentant des trous et un ensemble d'éléments séparés les uns des autres. Ces éléments peuvent comprendre des plots et/ou des bandes. Les moyens formant couche diélectrique peuvent être solidaires de l'électrode fixe et/ou de l'électrode déformable. Avantageusement, le substrat est une plaquette de silicium recouverte d'une couche d'oxyde de silicium. les moyens formant couche diélectrique peuvent être en Si3N4 ou en Si02 ou en TaON. Les moyens fléchissants peuvent aussi être prévus pour enserrer une partie des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode déformable et l'électrode fixe avant l'application d'une force de fléchissement. Les moyens d'application d'une force de fléchissement peuvent être choisis parmi des moyens électrostatiques, des moyens électromagnétiques, des moyens thermiques et des moyens piézoélectriques ou par une combinaison de ces moyens. Les moyens d'application d'une force de fléchissement peuvent comprendre des moyens thermiques agissant par effet bilame. Ces moyens thermiques peuvent comprendre au moins une résistance chauffante disposée sur les moyens fléchissants. L'électrode déformable peut constituer les moyens de fléchissement. Si les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens électrostatiques, les premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité peuvent être constitués d'électrodes d'application d'un champ électrique, les deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité étant constitués d'électrodes d'application d'un champ électrique. Avantageusement, ladite électrode fixe et/ou ladite électrode déformable ont une configuration permettant d'obtenir une variation de capacité linéaire en fonction des moyens d'application de la force de fléchissement. Ladite configuration peut consister à donner à une électrode, choisie parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable, une largeur restreinte à l'endroit où l'électrode fixe et l'électrode déformable sont d'abord les plus rapprochées, la largeur de cette électrode augmentant en s'éloignant de cet endroit, l'autre électrode parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable étant de largeur constante. Si les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens électrostatiques, ces moyens électrostatiques peuvent comprendre au moins une électrode située à un emplacement laissé libre par la configuration donnée à ladite électrode. Les moyens fléchissants peuvent être du type multicouche. L'invention a aussi pour objet un procédé d'obtention d'une capacité variable entre une électrode fixe et une électrode déformable située en regard de l'électrode fixe, des moyens formant couche diélectrique étant interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : - enserrer une première surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une première valeur de capacité, - enserrer une deuxième surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une deuxième valeur de capacité. Avantageusement, la déformation de l'électrode déformable est obtenue par un effet choisi parmi l'effet électrostatique, l'effet électromagnétique, l'effet thermique, l'effet piézoélectrique ou par une combinaison de ces effets. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels : - la figure 1A est une vue schématique et de dessus d'une première variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - la figure 1B est une vue en coupe longitudinale, selon l'axe BB, du micro-condensateur variable de la figure 1A, - la figure 2 est une vue schématique et de dessus d'une deuxième variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - les figures 3A et 3B sont des vues en coupe longitudinale montrant le fonctionnement d'un micro-condensateur variable selon l'invention, - la figure 4 est une vue schématique et de dessus d'une troisième variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - la figure 5 est une vue schématique et de dessus d'une quatrième variante de micro-condensateur variable selon l'invention, - les figures 6A à 6E sont des vues en coupe longitudinale montrant la réalisation d'un microcondensateur variable selon l'invention à partir d'un substrat en silicium, - la figure 7 est une vue en coupe longitudinale d'un autre micro-condensateur variable selon l'invention, - la figure 8 est une vue en coupe longitudinale d'encore un autre micro-condensateur variable selon l'invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE MODES DE REALISATION DE L'INVENTION Une première variante de micro-condensateur variable selon l'invention est illustrée par les figures 1A (vue de dessus) et 1B (vue en coupe longitudinale). Le micro-condensateur est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 1 à partir de laquelle un évidement 2 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou intérieure 3 disposée au fond de l'évidement. Une couche de matériau diélectrique 4 est déposée sur l'électrode fixe 3. Au-dessus et à une certaine distance de la couche de matériau diélectrique 4 est disposée une électrode déformable ou supérieure 5 fixée à ses deux extrémités au substrat 1. L'électrode 5 comprend une partie centrale située en regard de l'électrode fixe 3 et deux parties latérales situées de part et d'autre de la partie centrale. La couche de matériau diélectrique 4 permet d'éviter tout courtcircuit entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3. Elle assure une fonction capacitive au microcondensateur. Deux autres électrodes, référencées 6 et 7, sont disposées au fond de l'évidement 2, de part et d'autre de l'électrode fixe 3. Les électrodes 6 et 7 sont chacune situées en regard de l'une des parties latérales de l'électrode déformable 5. Les électrodes 6 et 7 et les parties latérales de l'électrode déformable 5 servent à l'application d'une force d'attraction électrostatique destinée à rapprocher la partie centrale de l'électrode 5 de l'électrode fixe 3 jusqu'à venir en butée sur la couche de matériau diélectrique 4. La figure 2 représente, vu de dessus, une deuxième variante de micro-condensateur variable selon l'invention. Cette variante permet d'éviter la présence d'électrodes ou de parties d'électrode en dépassement latéral. L'électrode déformable 11 est fixée par ses deux extrémités au substrat 10 comme précédemment. Elle est constituée d'une simple bande. Au fond de l'évidement et en regard de l'électrode déformable 11 sont disposées trois électrodes alignées, les électrodes 12,13 et 14. L'électrode 13 est en position centrale et sert, conjointement avec l'électrode déformable 11, à l'application d'une force d'attraction électrostatique destinée à rapprocher la partie centrale de l'électrode 11 du fond de l'évidement. On obtient des micro-condensateurs variables entre d'une part l'électrode déformable 11 et l'électrode fixe 12 et d'autre part entre l'électrode déformable 11 et l'électrode fixe 14. Un micro-condensateur variable unique peut être obtenu en reliant les électrodes 12 et 14 entre elles. Entre l'électrode déformable 11 et les électrodes fixes 12,13 et 14 est disposée une couche de matériau diélectrique (non représenté sur la figure 2). Cette couche de matériau diélectrique peut être déposée sur les électrodes fixes et/ou sur l'électrode déformable. En variante, l'électrode inférieure peut être constituée d'une simple bande et les trois électrodes alignées disposées en regard de l'électrode inférieure. Dans ce cas, ces trois électrodes sont disposées par exemple sur la face inférieure d'une poutre ou d'une membrane. Les figures 3A et 3B illustrent le fonctionnement d'un micro-condensateur variable selon l'invention, par exemple celui représenté aux figures 1A et 1B. En l'absence de différence de potentiel entre les électrodes, le micro-condensateur est dans l'état représenté à la figure 1B. En fonctionnement, une tension continue appropriée V1 est appliquée entre les électrodes 6 et 7'd'une part et 5 d'autre part (voir la figure 1A). Il en résulte une force d'attraction électrostatique qui plaque la partie centrale de l'électrode déformable 5 sur la couche de matériau diélectrique 4. On obtient alors, entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3, une capacité initiale Co (voir la figure 3A). L'application d'une tension continue appropriée V2 entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3 augmente la force d'attraction électrostatique et plaque davantage l'électrode déformable 5 sur la couche de matériau diélectrique 4. On obtient alors, entre l'électrode déformable 5 et l'électrode fixe 3, une capacité C > Co. Il existe une relation qui relie la capacité C à la tension V2. Cette relation est déterminée par le profil et la répartition des électrodes du micro-condensateur. La mise en butée de l'électrode déformable sur la couche de matériau diélectrique pour obtenir une valeur de capacité initiale peut être obtenue autrement que par des forces électrostatiques. Cet effet peut être obtenu grâce à des forces électromagnétiques, des forces thermiques (au moyen d'un bilame) ou des forces piézoélectriques. La figure 4 illustre une autre variante de micro-condensateur variable où la capacité initiale résulte de l'action d'un bilame thermique assisté par l'application de forces électrostatiques. Dans cette vue de dessus, la référence 20 désigne le substrat, la référence 21 désigne l'électrode déformable formant poutre fixée à ses deux extrémités et la référence 21 désigne l'électrode fixe disposée au fond de l'évidement. La couche de matériau diélectrique n'est pas représentée. Des résistances chauffantes 23 sont disposées sur l'électrode déformable 21 à proximité de ses extrémités. Le passage d'un courant dans les résistances chauffantes 23 induit une élévation locale de la température et un effet bilame qui provoque la déformation de l'électrode déformable 21 pour l'amener jusqu'au contact avec la couche de matériau diélectrique. Une fois l'électrode déformable en contact, son maintien en position déformée peut être assuré uniquement par des forces électrostatiques en utilisant les électrodes 21 et 22. Ceci permet d'éviter une consommation excessive du composant. Cette force électrostatique peut éventuellement être associée à l'effet bilame lors de la phase de déformation et de mise en contact. L'invention combine plusieurs avantages particulièrement intéressants. Un premier avantage consiste dans l'amplitude de variation de la capacité. Cette amplitude est très importante, typiquement de 0,5 à 5 pF. Ce résultat s'explique par le fait que dans le cas d'une poutre partiellement collée une très faible variation de surface de collage suffit à modifier sensiblement la capacité du micro-condensateur. En effet, la capacité a pour expression : avec So la permittivité électrique du vide, Er la constante diélectrique de l'isolant, S la surface de collage et d l'épaisseur de l'isolant. Dans le cas des micro-condensateurs MEMS de l'état de l'art, l'isolant est de l'air (Er vaut donc 1) et d est généralement compris entre 0,5 et 2 m. Dans le cas des micro-condensateurs selon l'invention, la capacité est principalement définie par la zone collée, c'est-à-dire la zone où Er = 7,5 dans le cas du nitrure de silicium et où d est voisin de 0,15 m. Il est donc clair que l'effet d'une augmentation de la surface de collage sur la capacité est fortement accentué par la forte valeur de Er et la faible valeur de d. Un deuxième avantage résulte de la faible valeur de la tension d'actionnement du dispositif (inférieure ou égale à 3V). On peut noter à ce sujet, que le collage de l'électrode déformable permet de diminuer très fortement la tension de maintien de la poutre déformée. Les calculs montrent par exemple que, dans le cas d'une poutre où une dizaine de volts sont nécessaires pour coller l'électrode déformable, moins de 2 volts suffisent ensuite à la maintenir en position déformée. Un troisième avantage résulte de la grande stabilité de la capacité obtenue. En effet, la valeur de la capacité est essentiellement définie par le collage de l'électrode déformable sur l'isolant. Dans cette zone, l'entrefer est fixe et indépendant de toute perturbation extérieure (vibrations, chocs, température...), ce qui rend la capacité parfaitement stable dans le temps. Un quatrième avantage est que la réalisation du micro-condensateur est compatible avec les procédés de fabrication des circuits intégrés. Un cinquième avantage provient du faible encombrement du composant obtenu, typiquement 350 m x 50 m, soit moins de 0,02 mm2. Un sixième avantage est que la loi de variation de la capacité en fonction de la tension appliquée est modifiable par simple redéfinition des électrodes. Ceci peut être mis en évidence par la structure représentée à la figure 5. La figure 5 illustre un micro-condensateur réalisé à partir d'un substrat 30. Le substrat 30 supporte, au-dessus d'un évidement, les extrémités d'une électrode déformable 31 constituant une poutre. L'électrode déformable 31 comprend, comme le dispositif de la figure 1A, une partie centrale et deux parties latérales. Au fond de l'évidement sont disposées cinq électrodes fixes : les électrodes 32 et 33 disposées chacune en regard de l'une des parties latérales de l'électrode 31 et les électrodes 34,35 et 36 disposées en regard de l'électrode déformable 31. Une couche de matériau diélectrique non représentée est interposée entre l'électrode déformable 31 et les électrodes 32 à 36. Cette couche de matériau diélectrique est par exemple déposée sur les électrodes 32 à 36. Les électrodes 32 et 33 servent à la mise en contact de l'électrode déformable 31 avec la couche de matériau diélectrique pour obtenir une valeur de capacité initiale. Les électrodes 35 et 36 servent à l'actionnement de l'électrode déformable 31 en vue d'obtenir une valeur de capacité désirée. L'électrode 34 sert également à l'actionnement de l'électrode déformable 31. Elle sert en plus à la définition de la capacité utile du micro-condensateur. La forme incurvée donnée à l'électrode fixe 34, dont la largeur est minimale au centre du dispositif, et la présence des électrodes d'actionnement 35 et 36 dans la zone laissée libre par le rétrécissement de l'électrode 34 permettent de "linéariser"la variation de capacité en fonction de la tension de commande de capacité utile. Les figures 6A à 6E illustrent un procédé de réalisation d'un micro-condensateur selon l'invention. La figure 6A montre un substrat 40 en silicium sur lequel on a fait croître, par oxydation thermique, une couche 41 d'oxyde de silicium de 3 lim d'épaisseur. Par lithographie et gravure, un évidement 42 de 2 Um de profondeur est créé dans la couche d'oxyde 41 (voir la figure 6B). Au fond de l'évidement 42, on dépose une couche d'or 43 de 1 yam d'épaisseur (voir la figure 6C). Par lithographie et gravure, l'électrode fixe ou les électrodes fixes sont définies à partir de cette couche 43. Une couche en nitrure de silicium 44 de 150 nm d'épaisseur est déposée sur l'électrode fixe ou les électrodes fixes. La figure 6D montre que l'évidement a été comblé par une couche sacrificielle 45 de polymère, par exemple de 1, 5 um d'épaisseur. La couche sacrificielle 45 est planarisée et une couche d'aluminium 46 de 2 m d'épaisseur est déposée sur la couche sacrificielle 45 planarisée. Par lithographie, on détermine la forme à donner à l'électrode déformable destinée à constituer une poutre. La couche d'aluminium 46 est ensuite gravée pour fournir l'électrode désirée. La couche sacrificielle est ensuite éliminée comme le montre la figure 6E et la poutre (c'est-à-dire l'électrode déformable) réalisée dans la couche d'aluminium 46 est libérée. La figure 7 est une vue en coupe longitudinale d'un autre micro-condensateur variable selon l'invention à l'état de repos. Le microcondensateur est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 51 à partir de laquelle un évidement 52 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou inférieure 53 disposée au fond de l'évidement. Une électrode déformable ou supérieure 55 est fixée par ses deux extrémités au substrat 51. L'électrode déformable 55 supporte sur sa face interne à la structure une couche de matériau diélectrique 54. La partie déformable du micro-condensateur peut aussi être constituée d'une multicouche comprenant une couche de matériau diélectrique interne à la structure (par exemple en Si3N4) formant diélectrique pour le micro-condensateur, une couche conductrice (par exemple en or) formant l'électrode déformable et une couche de recouvrement (par exemple en Si02) externe à la structure. La figure 8 est une vue en coupe longitudinale d'encore un autre micro-condensateur variable selon l'invention et à l'état de repos. Il est fabriqué sur une face isolante d'un substrat 61 à partir de laquelle un évidement 62 a été réalisé. Il comprend une électrode fixe ou inférieure 63 disposée au fond de l'évidement. Une électrode déformable ou supérieure 65 est fixée par ses deux extrémités au substrat 61. L'électrode fixe 63 supporte un certain nombre d'éléments 64 en matériau diélectrique, par exemple en Si3N4. Ces éléments 64 peuvent être des plots de forme variée ou des bandes également de forme variée. Ils servent en particulier à éviter un courtcircuit entre les électrodes 63 et 65. Ils constituent avec le gaz qui les entoure (par exemple de l'air) le diélectrique du micro-condensateur variable. Ils peuvent être obtenus en déposant d'abord une couche continue de matériau diélectrique, puis en masquant et en gravant cette couche. Comme pour le micro-condensateur de la figure 7, les éléments en matériau diélectrique peuvent être fixés sur la face de l'électrode déformable interne à la structure. La présence d'éléments diélectriques en remplacement d'une couche continue a pour avantage de limiter les risques de collage de l'électrode déformable sur le fond de l'évidement, ce collage pouvant être dû à un phénomène de piégeage de charges dans le matériau diélectrique ou à des effets de surface. Le micro-condensateur variable selon l'invention trouve des applications dans tout composant à capacité variable. On peut citer les filtres de type 1 RLC, les amplificateurs paramétriques à faible bruit, les générateurs de fréquences harmoniques, les contrôleurs de fréquences. REVENDICATIONS 1. Micro-condensateur MEMS à capacité variable du type à variation d'entrefer, comprenant : - au moins une électrode fixe (3,12, 14, 22,34) disposée sur une face d'un substrat (1, 10, 20, 30), - au moins une électrode déformable (5,11, 21,31) située en regard de l'électrode fixe, - des moyens formant couche diélectrique (4) interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, - des moyens fléchissant par rapport à ladite face du substrat, comprenant ladite électrode déformable et prévus pour enserrer les moyens formant couche diélectrique (4) entre l'électrode déformable et l'électrode fixe de manière à obtenir une surface de moyens formant couche diélectrique enserrée variable en fonction de la force de fléchissement apliquée, - des moyens d'application d'une force de fléchissement auxdits moyens fléchissants, destinée à déplacer l'électrode déformable par rapport à l'électrode fixe pour obtenir entre ces électrodes une capacité variable en fonction de la force de fléchissement appliquée, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique (4) enserrée correspondant à une première valeur de capacité et des deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique (4) enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité. 2. Micro-condensateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont choisis parmi une membrane, une poutre fixée par l'une de ses extrémités ou une poutre fixée par ses deux extrémités. 3. Micro-condensateur selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont choisis parmi une couche de matériau diélectrique continue (4,44, 54), une couche de matériau diélectrique présentant des trous et un ensemble d'éléments (64) séparés les uns des autres. 4. Micro-condensateur selon la revendication 3, caractérisé en ce que les éléments (64) comprennent des plots et/ou des bandes. 5. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont solidaires de l'électrode fixe et/ou de l'électrode déformable. 6. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat est une plaquette de silicium (40) recouverte d'une couche d'oxyde de silicium (41). 7. Micro-condensateur selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens formant couche diélectrique sont en Si3N4 ou en Si02 ou en TaON. 8. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont prévus pour enserrer une partie des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode déformable et l'électrode fixe avant l'application d'une force de fléchissement. 9. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement sont choisis parmi des moyens électrostatiques, des moyens électromagnétiques, des moyens thermiques et des moyens piézoélectriques ou par une combinaison de ces moyens. 10. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que l'électrode déformable (5) constitue les moyens fléchissants. 11. Micro-condensateur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprennent des moyens thermiques agissant par effet bilame. 12. Micro-condensateur selon la revendication 11, caractérisé en ce que les moyens thermiques comprennent au moins une résistance chauffante (23) disposée sur les moyens fléchissants (21). 13. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que les moyens d'application d'une force de fléchissement comprenant des moyens électrostatiques, les premiers moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une première valeur de capacité sont constitués d'électrodes (5,6, 7) d'application d'un champ électrique, les deuxièmes moyens pour obtenir une surface des moyens formant couche diélectrique enserrée correspondant à une deuxième valeur de capacité sont constitués d'électrodes (3,5) d'application d'un champ électrique. 14. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que ladite électrode fixe (31) et/ou ladite électrode déformable (34) ont une configuration permettant d'obtenir une variation de capacité linéaire en fonction des moyens d'application de la force de fléchissement. 15. Micro-condensateur selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite configuration consiste à donner à une électrode (34), choisie parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable, une largeur restreinte à l'endroit où l'électrode fixe et l'électrode déformable sont d'abord les plus rapprochées, la largeur de cette électrode (34) augmentant en s'éloignant de cet endroit, l'autre électrode parmi l'électrode fixe et l'électrode déformable étant de largeur constante. 16. Micro-condensateur selon la revendication 15, caractérisé en ce que, les moyens d'application d'une force de fléchissement comprenant des moyens électrostatiques, ces moyens électrostatiques comprennent au moins une électrode (35,36) située à un emplacement laissé libre par la configuration donnée à ladite électrode (34). 17. Micro-condensateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que les moyens fléchissants sont du type multicouche. 18. Procédé d'obtention d'une capacité variable entre une électrode fixe (3,34, 43,53, 63) et une électrode déformable (5,31, 46,55, 65) située en regard de l'électrode fixe, des moyens formant couche diélectrique (4,44, 54,64) étant interposés entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant à : - enserrer une première surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une première valeur de capacité, - enserrer une deuxième surface des moyens formant couche diélectrique entre l'électrode fixe et l'électrode déformable, par déformation de l'électrode déformable, pour obtenir une deuxième valeur de capacité. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la déformation de l'électrode déformable (5,31, 46,55, 56) est obtenue par un effet choisi parmi l'effet électrostatique, l'effet électromagnétique, l'effet thermique, l'effet piézoélectrique ou par une combinaison de ces effets.