Brevet FR2830684A1 — publié le 20030411

CONTACT DE BASE DE TRANSISTOR BIPOLAIRE L'invention concerne le domaine des transistors bipolaires, et plus particulièrement le domaine des transistors bipolaires de puissance. Les transistors bipolaires peuvent notamment être des transistors bipolaires à simple homojonction, à simple hétérojonction, ou à double hétérojonction. Les transistors de puissance, notamment dans le domaine hyperfréquence, pour des applications civiles ou bien militaires, ont une caractéristique importante qui est leur puissance de sortie. A cette caractéristique de puissance de sortie du transistor bipolaire se rattache directement celle de gain en puissance du transistor bipolaire. Un problème connu est d'augmenter cette caractéristique de puissance de sortie en dégradant le moins possible les autres caractéristiques du transistor bipolaire. Un transistor bipolaire comporte un émetteur, une base et un collecteur. Un transistor bipolaire comporte également des contacts en matériau conducteur qui sont respectivement associés à l'émetteur, à la base et au collecteur. Les contacts en matériau conducteur du transistor bipolaire sont distincts des couches actives en matériau semi-conducteur du transistor bipolaire. Dans le domaine des transistors bipolaires hyperfréquence, chaque contact comprend généralement un ou plusieurs doigts sous forme de rubans ainsi qu'un bus ou un pont alimentant en courant ledit ou lesdits doigts ou récupérant le courant issu du ou desdits doigts. Selon un premier art antérieur, pour augmenter la puissance de sortie du transistor bipolaire, il est proposé d'augmenter la surface totale du contact de l'émetteur. En effet, la surface totale du contact de l'émetteur est directement liée à la puissance de sortie maximale que peut fournir un transistor bipolaire. Pour cela, il est proposé de modifier la topologie du transistor bipolaire en augmentant le nombre de doigts que comporte le contact d'émetteur ainsi que de façon correspondante le nombre des doigts que comportent les autres contacts. Cependant, au fur et à mesure de l'augmentation du nombre de doigts, à partir d'un certain nombre de doigts, plusieurs inconvénients apparaissent. L'un des inconvénients est la chute du gain en puissance du transistor bipolaire due d'une part à l'augmentation de l'inductance équivalente du pont du contact d'émetteur alimentant en courant les doigts du contact d'émetteur et d'autre part à l'élargissement des bus du contact de base et du contact de collecteur ; dans le domaine hyperfréquence, cette diminution conjointe du gain en puissance et de la puissance de sortie devient, par exemple et à titre non limitatif, notable à partir d'une dizaine de doigts du contact d'émetteur en bande X. Un autre inconvénient est la différence de phase entre les courants qui alimentent respectivement un doigt central du contact d'émetteur et un doigt extérieur du contact d'émetteur ; cet inconvénient va devenir particulièrement gênant dans le domaine hyperfréquence au fur et à mesure que la fréquence de fonctionnement du transistor bipolaire va augmenter. Un autre inconvénient est l'importance de la place prise par le contact d'émetteur comportant une dizaine de doigts. Selon un deuxième art antérieur, pour augmenter la puissance de sortie du transistor bipolaire, il est également proposé d'augmenter la surface totale du contact de l'émetteur. En effet, la surface totale du contact de l'émetteur est directement liée à la puissance de sortie maximale que peut fournir un transistor bipolaire. Pour cela, il est proposé de modifier la topologie du transistor bipolaire en augmentant la longueur du ou des doigts que comporte le contact d'émetteur ainsi que de façon correspondante le nombre des doigts que comportent les autres contacts. Cependant, au fur et à mesure de l'augmentation de la longueur du ou des doigts, à partir d'une certaine longueur de doigt, des inconvénients apparaissent. L'un des inconvénients est l'augmentation de l'impédance des doigts du contact de base et des doigts du contact de collecteur. L'augmentation de l'impédance des doigts du contact de base, d'abord et surtout, et l'augmentation de l'impédance des doigts du contact de collecteur, ensuite et dans une moindre mesure, ont pour conséquence de diminuer le gain en puissance du transistor bipolaire et donc la puissance de sortie du transistor bipolaire. Dans le domaine hyperfréquence, cette diminution conjointe du gain en puissance et de la puissance de sortie devient notable, par exemple et à titre non limitatif, à partir d'une longueur dépassant environ 80um en bande X. Une autre conséquence de cet inconvénient est d'entraîner des inhomogénéités substantielles au niveau de la densité de courant traversant le collecteur et au niveau de la puissance dissipée dans le transistor bipolaire, ce qui a surtout des effets néfastes au niveau de la fiabilité du transistor bipolaire car celui-ci est localement, c'est-à-dire au niveau de certaines de ses parties constitutives, soumis à un courant et à une dissipation thermique d'énergie nettement supérieurs à ceux pour lesquels ce transistor bipolaire a été conçu. La fiabilité du transistor bipolaire est notablement dégradée. Selon un troisième art antérieur, afin de réduire l'impédance des doigts du contact de base, principal facteur diminuant la puissance de sortie du transistor et dégradant son gain en puissance après application du deuxième art antérieur, la section des doigts du contact de base est augmentée de manière à réduire l'impédance des doigts du contact de base. Un inconvénient de cet art antérieur réside dans le fait que l'augmentation importante de la section des doigts du contact de base entraînant une diminution notable et intéressante de l'impédance des doigts du contact de base peut toutefois se révéler insuffisante pour une application donnée particulièrement exigeante au niveau de la puissance de sortie et du gain en puissance du transistor bipolaire. Or, il n'est pas possible d'augmenter indéfiniment la section des doigts du contact de base sans augmenter du même coup de manière significative la surface totale occupée par le transistor bipolaire. L'invention se propose de réduire substantiellement l'inconvénient du troisième art antérieur en conservant une surface totale occupée par le transistor bipolaire qui soit comparable à celle du troisième art antérieur. En décidant de considérer de plus près l'effet de l'augmentation de la section des doigts du contact de base sur la diminution de leur impédance, on peut s'apercevoir que cette augmentation de section des doigts du contact de base a des effets très différents sur les différentes parties constitutives de l'impédance, à savoir la résistance des doigts du contact de base d'une part et l'inductance des doigts du contact de base d'autre part. Le paramètre le plus limitatif en ce qui concerne l'impédance des doigts du contact de base est la résistance. Tandis qu'une augmentation importante de la section des doigts du contact de base diminue la résistance de manière importante et satisfaisante, cette augmentation diminue peu l'inductance qui devient alors rapidement le paramètre le plus limitatif. Considérons les exemples numériques d'un ruban de faible section, par exemple de largeur valant environ 1um et d'épaisseur valant environ 0, 1 um, et d'un ruban de section importante, par exemple de largeur valant environ 5um et d'épaisseur valant environ 0, 6um. La résistance du ruban de section importante est inférieure à celle du ruban de faible section d'un facteur valant environ une trentaine, tandis que l'inductance du ruban de section importante est inférieure à celle du ruban de faible section d'un facteur valant seulement environ deux. La solution de l'invention propose donc une structure particulière de doigt du contact de base, applicable à seulement un, à plusieurs ou bien à tous les doigts du contact de base, permettant une diminution de l'inductance du ou des doigts du contact de base correspondants de manière à réduire les inhomogénéités au niveau de la densité de courant et de la puissance dissipée de sorte que la puissance de sortie et le gain en puissance du transistor bipolaire soient améliorés. Au contraire des structures de doigt du contact de base selon les différents art antérieurs dans lesquels chaque doigt du contact de base est constitué d'un seul et unique ruban de base alimenté par une seule de ses deux extrémités, cette structure particulière selon l'invention est basée sur l'utilisation d'au moins deux rubans séparés par un isolant et alimentés par des courants d'amplitude équivalente mais de sens opposé. Selon l'invention, il est prévu un transistor bipolaire comportant au moins un contact de base en matériau conducteur comprenant un ou plusieurs doigts, caractérisé en ce qu'au moins un doigt comporte deux rubans séparés par un isolant et disposés de manière à pouvoir être alimentés chacun par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre ruban, de sorte que l'inductance équivalente des deux rubans est inférieure à l'inductance de chacun des rubans. Selon l'invention, il est prévu plus précisément un transistor bipolaire de puissance comportant au moins un émetteur, une base, un collecteur, un contact d'émetteur, un contact de base, un contact de collecteur, les contacts étant en matériau électriquement conducteur et comportant chacun un bus relié à un ou plusieurs doigts, chaque doigt du contact de base étant en regard d'au moins un doigt du contact d'émetteur, le ou les doigts du contact de base étant suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, caractérisé en ce que pour au moins un doigt du contact de base, la section du doigt du contact de base est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du doigt du contact de base qu'à la résistance du doigt du contact de base, le doigt du contact de base comporte deux rubans de base, les deux rubans de base sont séparés l'un de l'autre par un isolant électrique, les deux rubans de base et le bus du contact de base sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que les deux rubans de base puissent être alimentés chacun par un courant d'alimentation issu du bus du contact de base et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, et soient suffisamment proches l'un de l'autre pour que l'inductance équivalente des deux rubans de base soit substantiellement inférieure à l'inductance de chacun des rubans de base pris séparément. L'invention sera mieux comprise et d'autres particularités et avantages apparaîtront à l'aide de la description ci-après et des dessins joints, donnés à titre d'exemples, où : - la figure 1 représente schématiquement la répartition détaillée des inductances partielles dans un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention ; - la figure 2 représente schématiquement la vue en perspective de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention ; - la figure 3 représente schématiquement la vue de dessus de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit doigt étant environné par des doigts des contacts d'émetteur et de collecteur ; - la figure 4 représente schématiquement la décomposition détaillée en parties élémentaires passives équivalentes d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur comme selon l'invention. Un transistor bipolaire de puissance est un transistor destiné à pouvoir fournir une puissance élevée, son gain en puissance et sa puissance de sortie étant des paramètres. Un transistor bipolaire comporte au moins, de manière classique, un émetteur avec un contact d'émetteur associé, une base avec un contact de base associé, un collecteur avec un contact de collecteur associé, les différents contacts étant en matériau électriquement conducteur lequel matériau électriquement conducteur est de préférence un matériau métallique. Les différents contacts peuvent aussi être thermiquement conducteurs ou non : c'est indifférent en ce qui concerne le principe de l'invention. Les contacts sont destinés à être reliés aux connexions qui relient les différents composants électroniques dans un circuit électronique. Pour un transistor bipolaire destiné à fonctionner dans le domaine hyperfréquence, chaque contact comporte un bus et un ensemble de un ou de plusieurs doigts, généralement plusieurs, qui sont reliés au bus de manière à pouvoir être alimentés par le bus. Le bus peut également être appelé pont lorsqu'il n'est pas sensiblement dans le même plan que les doigts. La disposition relative du bus et des doigts permet au bus d'alimenter en parallèle l'ensemble des doigts de manière sensiblement simultanée. Les doigts de chaque type de contact, que ce soit de l'émetteur, de la base ou du collecteur, sont généralement alignés parallèlement les uns aux autres. Les doigts des différents types de contact s'intercalent les uns entre les autres de manière à ce que, par exemple pour un transistor en émetteur commun, chaque doigt du contact de base soit en regard de deux doigts du contact d'émetteur, chaque doigt du contact de collecteur soit en regard de deux doigts du contact d'émetteur, chaque doigt du contact d'émetteur soit en regard à la fois d'un doigt du contact de base et d'un doigt du contact de collecteur. Les doigts des différents types de contact peuvent également s'intercaler les uns entre les autres de manière à ce que, par exemple, chaque doigt du contact de base soit en regard à la fois d'un doigt du contact d'émetteur et d'un doigt du contact de collecteur, chaque doigt du contact de collecteur soit en regard de deux doigts du contact de base, chaque doigt du contact d'émetteur soit en regard de deux doigts du contact de base. Le transistor bipolaire considéré ici correspond à un transistor bipolaire ayant la caractéristique avantageuse particulière des transistors bipolaires selon le deuxième art antérieur, à savoir un ou plusieurs longs doigts du contact de base. Le ou les doigts du contact de base sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, c'est-àdire que leur longueur est telle qu'avec une structure de doigt du contact de base selon le deuxième art antérieur la densité du courant et la puissance dissipée seraient substantiellement inhomogènes ; en fait grâce à la structure particulière de doigt du contact de base du transistor bipolaire selon l'invention, ces inhomogénéités seront substantiellement réduites, voire rendues négligeables. Pour au moins l'un des doigts du contact de base, ou pour plusieurs des doigts du contact de base ou préférentiellement pour tous les doigts du contact de base, la section du doigt du contact de base est importante. Plus précisément, la section du doigt de base est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du ou des doigts du contact de base qu'à la résistance du ou des doigts du contact de base. L'importance de la section du doigt de base est telle que l'inductance du ou des doigts de contact de base est devenue une caractéristique plus déterminante et plus limitative que leur résistance au niveau de la puissance de sortie et du gain en puissance du transistor bipolaire. Que l'invention concerne un ou plusieurs doigts du contact de base, on ne parlera, par souci de simplicité, dans toute la suite du texte, sauf mention contraire, au niveau de la structure du ou des doigts du contact de base, que d'un ou du doigt du contact de base. Le doigt du contact de base comporte deux rubans de base. Le doigt du contact de base peut comporter un ou plusieurs autres rubans ainsi qu'un ou plusieurs autres éléments, mais le doigt du contact de base est de préférence constitué desdits deux rubans de base. Dans tous les cas précédents, les deux rubans de base sont séparés l'un de l'autre par un isolant électrique. L'isolant électrique est suffisamment isolant électriquement pour que les charges circulant dans l'un des rubans ne puissent pas passer dans l'autre ruban en proportion notable. L'isolant électrique peut aussi être isolant thermique ou non : c'est indifférent en ce qui concerne le principe de l'invention. Les deux rubans de base et le bus du contact de base sont structurés et disposés de manière à ce que les deux rubans de base puissent être alimentés, c'est-à-dire soient alimentés lors du fonctionnement du transistor bipolaire, chacun par un courant d'alimentation issu du bus du contact de base. Les deux rubans de base et le bus du contact de base sont également structurés et disposés de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, et soient suffisamment proches l'un de l'autre pour que l'inductance équivalente des deux rubans de base soit substantiellement inférieure à l'inductance de chacun des rubans de base pris séparément. En effet, si les deux rubans sont trop éloignés l'un de l'autre, l'inductance équivalente reste très légèrement inférieure à celle d'au moins l'un des deux rubans (à l'inductance de chacun des rubans si ceux-ci sont identiques), mais la différence est peu importante et l'amélioration au niveau de la puissance de sortie et du gain en puissance du transistor bipolaire est négligeable. Pour que l'effet obtenu par l'interaction de ces deux courants de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale, qui consiste principalement en une inductance équivalente réduite, puisse avoir lieu de façon notable, il faut que les deux courants soient relativement proches l'un de l'autre. Pour cela, il est préférable que tous les parties de l'un des rubans soient au voisinage d'au moins une partie de l'autre ruban. De même, les valeurs des amplitudes des deux courants doivent être suffisamment voisines, car plus elles sont différentes et plus la différence entre l'inductance équivalente et l'inductance de l'un des rubans est faible jusqu'à devenir négligeable auquel cas la puissance de sortie et le gain en puissance du transistor bipolaire ne sont pas améliorés de manière sensible. De manière plus précise et à titre d'exemple préférentiel, la structure d'un doigt du contact de base selon l'invention va maintenant être décrite en liaison avec les figures 1 à 3. La figure 1 représente schématiquement la répartition détaillée des inductances partielles dans un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention. Un bus bs alimente deux rubans rb1 et rb2 par l'intermédiaire d'un courant i. Les deux rubans rb1 et rb2 sont sensiblement identiques. Les inductances présentes sont d'une part l'inductance propre L de chaque ruban rb1 ou rb2 ainsi que l'inductance mutuelle M provenant du couplage entre les rubans rb1 et rb2. Le ruban rb1 est alimenté par le courant i1 tandis que le ruban rb2 est alimenté par le courant i2, le courant i correspondant sensiblement à la somme des courants i1 et i2. Les courants i1 et i2 ont des sens de circulation qui sont opposés l'un à l'autre. Comme les rubans rb1 et rb2 ont la même inductance L, les courants i1 et i2 ont des amplitudes qui sont sensiblement égales entre elles. Soit Leq l'inductance équivalente de l'ensemble des deux rubans rb1 et rb2. L'inductance équivalente des deux rubans rb1 et rb2 vaut la moitié de la différence entre l'inductance propre L de l'un des deux rubans rb1 et rb2 et l'inductance mutuelle M provenant du couplage entre les rubans rb1 et rb2, ce qui est substantiellement inférieur, et le plus souvent très inférieur à l'inductance propre L de l'un des deux rubans rb1 et rb2. Ceci est résumé dans l'équation L-M suivante : Leq = L. Plus les rubans rb1 et rb2 sont proches l'un de 2 l'autre et plus la différence L-M tend vers zéro. Ainsi, pour peu que les rubans rb1 et rb2 soient suffisamment proches l'un de l'autre et pour peu que les amplitudes des courants circulant dans les rubans rb1 et rb2 soient suffisamment proches l'une de l'autre, l'inductance équivalente des deux rubans rb1 et rb2 sera substantiellement inférieure à l'inductance propre de chacun des deux rubans rb1 et rb2. La figure 2 représente schématiquement la vue en perspective de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention. Soit un trièdre XYZ orientant l'espace. Deux rubans 11 et 12 sont superposés. L'épaisseur des rubans 11 et 12 étant selon l'axe Z, les deux rubans 11 et 12 sont superposés dans le sens de leur épaisseur. Les deux rubans 11 et 12 sont séparés par un isolant électrique 13 lequel est par exemple une couche électriquement isolante située entre les deux rubans 11 et 12. L'isolant électrique 13 sera préférentiellement une couche de matériau diélectrique maintenant également un écart entre les rubans 11 et 12. L'isolant électrique 13 pourrait aussi être constitué d'une couche de vide. Le ruban 11 est parcouru par un courant i1 tandis que le ruban 12 est parcouru par un courant i2. Les courant i1 et i2 sont de sens opposé. Les courants i1 et i2 sont d'amplitude sensiblement égale. Les deux rubans 11 et 12 étant à peu près identiques, soit L l'inductance propre de l'un des deux rubans 11 et rt) '-t..-.-. ---... :.. ) t ! -J tt--ït J J-..., ..)---- qui sont séparés par l'isolant électrique 13 est très inférieure à l'inductance propre L de l'un des deux rubans 11 et 12. La longueur, la largeur et l'épaisseur des rubans 11 et 12 sont respectivement selon les axes Y, X et Z. Les largeurs, longueurs et épaisseurs des rubans 11 et 12 sont considérées comme étant sensiblement identiques d'un ruban à l'autre, seules des nécessités de clarté de la figure 2 ont fait représenter différentes les largeurs des rubans 11 et 12 afin de pouvoir les distinguer aisément l'un de l'autre. Considérons un exemple numérique. Considérons d'une part un doigt du contact de base selon l'art antérieur constitué d'un seul ruban de longueur valant environ 150um, de largeur valant environ 5um et d'épaisseur valant environ 0, 6um. Considérons d'autre part un doigt du contact de base selon l'invention constitué de deux rubans superposés séparés par une fine couche d'isolant diélectrique, chaque ruban ayant une longueur valant environ 150um, une largeur valant environ 5um et une épaisseur valant environ 0, 3pm. La section des doigts du contact de base est donc sensiblement la même dans les deux cas. L'inductance équivalente du doigt du contact de base selon l'art antérieur vaut environ 0, 75pH par um de longueur tandis que l'inductance équivalente du doigt du contact de base selon l'invention vaut environ 0, 05pH par um de longueur, soit environ quinze fois moins. Un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention comprend de préférence une seule paire de rubans 11 et 12 séparés par un isolant électrique 13. Ce doigt du contact de base peut aussi comprendre plusieurs paires de ce type juxtaposées les unes par rapport aux autres. La figure 3 représente schématiquement la vue de dessus de la structure d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, ledit doigt étant environné par des doigts des contacts d'émetteur et de collecteur. Un bus 10 du contact de base alimente directement un ruban 11 de base et indirectement un ruban 12 de base par l'intermédiaire de deux branches de contournement 14 et 15 décrites plus en détail ultérieurement. Tous les éléments 10 à 15 sont sensiblement dans le même plan, à savoir le plan XY qui est aussi le plan de la figure 3 ; ces éléments ne sont toutefois pas tous exactement dans le même plan dans la mesure où le ruban 11 est situé au-dessus du ruban 12 et séparé du ruban 12 par une couche diélectrique non représentée sur la figure 3 pour des raisons de clarté de la figure 3. Un bus 20 du contact de collecteur alimente directement deux doigts 2 du contact de collecteur. Deux doigts 3 du contact d'émetteur sont alimentés par un pont d'émetteur qui les relie l'un à l'autre mais qui n'est pas représenté sur la figure 3 car il est situé au-dessus du plan de la figure 3. Sur la figure 3, n'a été représenté qu'un seul doigt du contact de base. Mais le contact de base du transistor bipolaire selon l'invention en comporte généralement plusieurs avec les doigts du contact d'émetteur et les doigts du contact de collecteur qui leur sont associés. Dans le cas d'un transistor bipolaire en émetteur commun, la succession des doigts le long de l'axe X est périodique, la période étant par exemple la série suivante : doigt du contact de collecteur, doigt du contact d'émetteur, doigt du contact de base, doigt du contact d'émetteur. La période peut aussi être la série suivante : doigt du contact de collecteur, doigt du contact de base, doigt du contact d'émetteur, doigt du contact de base. En cas de pluralité de doigts du contact de base, les branches de contournement 14 et 15 sont de préférence communes à l'ensemble des doigts de base du transistor bipolaire selon l'invention. Pour que la réduction (réduction par rapport au cas de l'art antérieur ne comportant qu'un seul ruban ou bien, ce qui est équivalent, par rapport à l'inductance propre d'un seul des deux rubans du cas de l'invention) d'inductance équivalente des deux rubans parcourus par des courants de sens opposé mais d'amplitude sensiblement égale soit encore plus importante, il est préférable que lesdits courants soient le plus proche possible l'un de l'autre. L'épaisseur d'un ruban de base étant en général beaucoup plus faible que sa largeur, d'un facteur d'environ dix par exemple, les deux rubans de base sont de préférence au moins partiellement superposés, dans le sens de leur épaisseur, c'est-à-dire selon l'axe Z sur les figures 2 et 3. Les deux rubans pourraient aussi être superposés dans le sens de leur largeur, c'est-à-dire selon l'axe X sur les figures 2 et 3, mais les courants seraient globalement moins proches l'un de l'autre et la réduction de l'inductance équivalente obtenue serait moins importante que dans le cas d'une superposition dans le sens de leur épaisseur. Les deux rubans au moins partiellement superposés sont de préférence centrés l'un par rapport à l'autre comme sur les figures mais ils peuvent toutefois être décalés l'un par rapport à l'autre même si le résultat au niveau de la réduction de l'inductance équivalente est moins bon. Afin que les courants circulant dans les deux rubans et étant de sens opposé soient plus facilement d'amplitude sensiblement égale, il est préférable, pour obtenir une structure moins complexe du contact de bas et du bus associé, que les sections des deux rubans de base soient sensiblement égales entre elles. Pour cela, les deux rubans de base ont avantageusement sensiblement la même largeur ainsi qu'avantageusement sensiblement la même épaisseur. Afin qu'ayant sensiblement la même section, les deux rubans aient également sensiblement la même résistance, il est préférable que les deux rubans de base aient sensiblement la même longueur. De préférence, l'un des deux rubans de base est alimenté directement par le bus du contact de base tandis que l'autre ruban de base est alimenté indirectement par le bus du contact de base par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement appartenant au contact de base. La ou les branches de contournement et les deux rubans de base sont avantageusement tous situés sensiblement dans le même plan comme sur la figure 3. De préférence, la section de la branche de contournement est suffisamment supérieure à la section de chacun des rubans de base pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance de chacun des rubans de base de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de base soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. Dans un exemple numérique préférentiel, tandis que la largeur de chacun des rubans de base vaut environ 5um, la largeur de la ou des branches de contournement est avantageusement comprise entre 20um et 30um. La longueur de la branche de contournement vaut avantageusement au plus de l'ordre de quelques fois la longueur de chacun des rubans de base. Dans un exemple numérique préférentiel, tandis que la longueur de chacun des rubans de base vaut environ 150um, la longueur de la ou des branches de contournement vaut environ 250um. Le ruban de base alimenté indirectement est préférentiellement alimenté par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport audit ruban de base, comme les branches 14 et 15 de contournement sur la figure 3. Dans le cas où le contact de base comporte plusieurs doigts, la ou les branches de contournement sont préférentiellement communes à tous les doigts du contact de base, et s'il y a plusieurs branches de contournement celles-ci sont avantageusement symétriques par rapport au milieu de l'ensemble des doigts de contact de base. Dans un exemple numérique préférentiel, deux branches de contournement symétriques alimentent chacune les huit rubans de base indirectement alimentés. La figure 4 représente schématiquement la décomposition détaillée en parties élémentaires passives équivalentes d'un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur comme selon l'invention, le doigt du contact de base étant rattaché à un bus du contact de base. La figure 4 permet la mise en évidence d'avantages procurés par un doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention. La réduction substantielle de l'inductance du doigt du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention, lequel doigt correspondant à une structure à deux rubans dont l'inductance équivalente est nettement inférieure à l'inductance propre de l'un des rubans de base, laquelle inductance propre étant du même ordre de grandeur que l'inductance du ruban unique d'un doigt du contact de base du transistor bipolaire selon l'art antérieur, procure des avantages qui peuvent être mis en évidence à l'aide de la figure 4 laquelle est un schéma distribué du doigt du contact de base du transistor bipolaire en plusieurs sections, ledit schéma de simulation ayant été obtenu par l'intermédiaire du logiciel Microwave Design System (marque déposée). La figure 4 représente en particulier un schéma du doigt du contact de base du transistor bipolaire distribué en cinq sections dont seulement certaines d'entre elles sont représentées pour des raisons de clarté de la figure 4, les sections manquantes étant signalées par des traits pointillés, toutes les sections considérées étant décrites par leur modèle non linéaire. Sur la figure 4, seules les sections n 1, n 2 et n 5 sont représentées. Dans un exemple numérique préférentiel, le doigt du contact de base représenté a une longueur d'environ 150um, distribué en cinq sections d'environ 30um de long chacune. La borne BB représente la borne de base, c'est-à-dire la borne permettant au contact de base du transistor bipolaire d'être relié aux autres éléments du circuit dans lequel s'intègre le transistor bipolaire. La borne BC représente la borne de collecteur, c'est-à- dire la borne permettant au contact de collecteur du transistor bipolaire d'être relié aux autres éléments du circuit dans lequel s'intègre le transistor bipolaire. Les contacts de base, d'émetteur et de collecteur sont représentés à l'aide d'éléments RLC tandis que les parties actives du transistor bipolaire, constituées de couches de semi-conducteur dopé, correspondant aux cinq sections précédemment évoquées, sont quant à elles respectivement représentées par des schémas intrinsèques de section n01 à n 5 et respectivement notées SIS1 à SIS5. L'inductance Lb correspond à l'inductance du bus de base. La capacité Cpb correspond à la capacité parasite du bus de base. L'inductance Lc correspond à l'inductance du bus de collecteur. La capacité Cpc correspond à la capacité parasite du bus de collecteur. La résistance Re correspond à la résistance distribuée du doigt du contact d'émetteur. L'inductance Le correspond à l'inductance du doigt du contact d'émetteur. La résistance Rc correspond à la résistance distribuée du doigt du contact de collecteur. La résistance Rbr correspond à la résistance distribuée du (selon l'art antérieur) ou des (selon l'invention) rubans de base, cette résistance Rbr étant la résistance du ou des rubans de base dans le sens de la longueur du ou des rubans de base. La résistance Rbc correspond à la résistance distribuée du contact de base, la résistance Rbc étant une résistance dans le sens de l'épaisseur du contact de base. La résistance Rbi correspond à la résistance distribuée intrinsèque de base. L'inductance Lbd correspond à l'inductance distribuée du ou des rubans de base. L'inductance Lcd correspond à l'inductance distribuée du doigt de collecteur. A l'aide du schéma distribué de simulation de la figure 4, les performances d'un transistor bipolaire selon l'art antérieur sont indiqués dans le tableau n01 ci-dessous tandis que les performances d'un transistor bipolaire selon l'invention sont indiquées dans le tableau n 2 ci-dessous. Les performances des transistors bipolaires sont des performances en fonctionnement grand signal, c'est-à-dire avec une puissance de sortie élevée. Pour l'ensemble des deux tableaux, les sections sont numérotées n01 à n 5. Le sens de propagation du signal correspondant à un signal allant de la borne BB vers la borne BC, la puissance de sortie Ps est mesurée pour chaque section au niveau du noeud situé juste en aval de la résistance Rc correspondant à la section concernée, sur la figure 4. La puissance de sortie Ps est indiquée d'une part en dBm et d'autre part en milliwatts mW, la relation suivante étant vérifiée : Ps (dBm) =10Iog[Ps (mW) ]. La puissance injectée au niveau de la borne BB vaut 18dBm. Le rendement PAE (de l'anglais power added efficiency))) est indiqué en pourcentage %. Le courant lc de collecteur est indiqué en milliampères mA. La densité Jc de courant collecteur est indiquée en kiloampères par centimètre carré kA/cm2. La puissance dissipée Pdiss est indiquée en milliwatts (mW), c'est la puissance dissipée au niveau de chaque section entre le noeud situé juste en amont de la résistance Rbc correspondant à la section concernée et le noeud situé juste en aval de la résistance Rc correspondant à la section concernée, sur la figure 4. La proportion Psratio de la puissance de sortie issue de chacune des sections est indiquée en pourcentage %. Pour le tableau n'l, le doigt du contact de base est constitué d'un ruban de base dont la largeur vaut environ 5um et l'épaisseur vaut environ 0, 6um. La résistance Rbr du ruban de base vaut environ 0. 015#/ m. L'inductance Lbd du ruban de base vaut environ 0, 75pH/um. Pour le tableau n 2, le doigt du contact de base est constitué de la superposition dans le sens de l'épaisseur de deux rubans de base séparés par un isolant, la largeur de chaque ruban de base vaut environ 5um tandis que son épaisseur vaut environ 0, 3um. La résistance Rbr de l'ensemble constitué par les deux rubans de base vaut 0. 015Q/J. Jm. L'inductance Lbd équivalente de l'ensemble constitué par les deux rubans de base vaut environ 0, 05pH/um. Les tableaux n01 et n 2 sont les suivants, leurs deux dernières lignes donnant le cas échéant le total ou la moyenne des différentes colonnes, un tiret signifiant l'absence d'information pour la case correspondante : Tableau n01 sections Ps Ps PAE Ic Jc Pdiss Psratio (dBm) (mW) (%) (mA) (kAlcm2) (mW) (%) 1 18,9 77 35, 7 21,2 35,3 123 13,1 2 20,0 101 63,2 16,4 27,3 54 17,1 3 21,1 127 63,8 21,0 35,0 68 21,6 4 21, 5 141 55,4 27,2 45,3 109 24,0 5 21,5 143 49,1 30, 7 51,2 141 24,2 Total-589-116, 7 Moyenne--50, 5-38, 8 Tableau n02 sections Ps Ps PAE Ic Jc Pdiss Psratio (dBm) (mW) (%) (mA) (kAlcm2) (mW) (%) 1 22,3 170 68,0 25, 8 43,0 74 26,1 2 21,6 146 67,1 22,5 37,5 67 22,3 3 21,0 126 62,6 20,8 34, 7 70 19,3 4 20,4 110 56,9 20,2 33, 7 78 16,9 5 20,0 100 52,2 20,1 33,5 86 15,4 Total-651-109, 4 Moyenne - - 59,3 - 36,5 Par rapport à l'art antérieur, dans le cas de l'invention, d'une part la puissance de sortie Ps passe de 589mW à 651 mW, soit un gain d'environ 10%, et d'autre part le rendement PAE quant à lui passe de 50, 5% à 59, 3%, soit un gain de 8, 8 points. La puissance ainsi que le gain en puissance du transistor bipolaire se trouve ainsi améliorés d'environ 10%. C'est un premier avantage important du transistor bipolaire selon l'invention. Par ailleurs, d'une part la densité maximale Jcmax de courant dans une section passe de 51, 2kA/cm2 à 43kA/cm2 et la puissance maximale dissipée Pdissmax dans une section passe de 141 mW à 86mW et d'autre part les densités de courant dans les différentes sections ainsi que les puissances dissipées dans les différentes sections sont plus homogènes, ce qui améliore beaucoup l'état thermique du transistor bipolaire et par conséquent augmente nettement sa fiabilité. C'est un deuxième avantage important du transistor bipolaire selon l'invention. Les deux avantages importants précités du transistor bipolaire selon l'invention ont été obtenus grâce à l'inductance équivalente réduite du doigt du contact de base. Cette inductance équivalente réduite provient de la structure particulière du doigt de contact de base laquelle structure comporte deux rubans séparés par un isolant et disposés de manière à pouvoir être parcourus par des courants de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale. Un ou plusieurs doigts du contact de base d'un transistor bipolaire selon l'invention possèdent une structure particulière précédemment décrite permettant à la fois d'augmenter la puissance de sortie et la fiabilité dudit transistor bipolaire. Cette même structure particulière peut aussi, de manière facultative, être appliquée, en plus du ou des doigts du contact de base, à un ou plusieurs doigts du contact de collecteur d'un transistor bipolaire. Les avantages précédemment décrits seront alors encore un peu plus importants, mais l'essentiel des avantages obtenus provient de ladite structure particulière du ou des doigts du contact de base. L'application de ladite structure particulière au ou aux doigts du contact de collecteur a un effet d'amélioration au second ordre par rapport à l'effet d'amélioration au premier ordre obtenu par l'intermédiaire de l'application de ladite structure particulière au ou aux doigts du contact de base, ledit effet d'amélioration concernant la puissance de sortie et la fiabilité du transistor bipolaire. De préférence, au moins un doigt du contact de collecteur comporte deux rubans de collecteur séparés par un isolant et disposés de manière à pouvoir être alimentés chacun par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre ruban de collecteur, de sorte que l'inductance équivalente des deux rubans de collecteur est inférieure à l'inductance de chacun des rubans de collecteur. De préférence, plus précisément, chaque doigt du contact de collecteur est en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de collecteur sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, et pour au moins un doigt du contact de collecteur, la section du doigt du contact de collecteur est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du doigt du contact de collecteur qu'à la résistance du doigt du contact de collecteur, le doigt du contact de collecteur comporte deux rubans de collecteur, les deux rubans de collecteur sont séparés l'un de l'autre par un isolant, les deux rubans de collecteur et le bus du contact de collecteur sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que les deux rubans de collecteur puissent être alimentés chacun par un courant d'alimentation issu du bus du contact de collecteur et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de collecteur soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, et soient suffisamment proches l'un de l'autre pour que l'inductance équivalente des deux rubans de collecteur soit substantiellement inférieure à l'inductance de chacun des rubans de collecteur pris séparément. Le doigt du contact de collecteur comportant les deux rubans de collecteur est avantageusement constitué desdits deux rubans de collecteur. De préférence, l'un des deux rubans de collecteur est alimenté directement par le bus du contact de collecteur tandis que l'autre ruban de collecteur est alimenté indirectement par le bus du contact de collecteur par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement appartenant au contact de collecteur. La section de la branche de contournement est préférentiellement suffisamment supérieure à la section de chacun des rubans de collecteur pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance de chacun des rubans de collecteur de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de collecteur soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. La longueur de la branche de contournement vaut avantageusement au plus de l'ordre de quelques fois la longueur de chacun des rubans de collecteur. Le ruban de collecteur alimenté indirectement est préférentiellement alimenté par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport audit ruban de collecteur. De préférence, le contact de collecteur comporte plusieurs doigts et la ou les branches de contournement sont communes à tous les doigts du contact de collecteur, et s'il y a plusieurs branches de contournement cellesci sont avantageusement symétriques par rapport au milieu de l'ensemble des doigts de contact de collecteur. Les deux rubans de collecteur sont avantageusement au moins partiellement superposés, dans le sens de leur épaisseur. Avantageusement, les deux rubans de collecteur ont sensiblement la même longueur, sensiblement la même largeur, sensiblement la même épaisseur. L'isolant séparant les deux rubans, que ce soient les deux rubans de base ou bien les deux rubans de collecteur, est avantageusement du Si3N4. REVENDICATIONS 1. Transistor bipolaire comportant au moins un contact de base en matériau conducteur comprenant un ou plusieurs doigts, caractérisé en ce qu'au moins un doigt comporte deux rubans (11,12) séparés par un isolant (13) et disposés de manière à pouvoir être alimentés chacun par un courant d'alimentation (i1, i2) qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation (i1, i2) de l'autre ruban, de sorte que l'inductance équivalente (Leq) des deux rubans (11,12) est inférieure à l'inductance (L) de chacun des rubans (11,12). 2. Transistor bipolaire de puissance comportant au moins un émetteur, une base, un collecteur, un contact d'émetteur, un contact de base, un contact de collecteur, les contacts étant en matériau électriquement conducteur et comportant chacun un bus relié à un ou plusieurs doigts, chaque doigt du contact de base étant en regard d'au moins un doigt (3) du contact d'émetteur, le ou les doigts du contact de base étant suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, caractérisé en ce que pour au moins un doigt du contact de base, la section du doigt du contact de base est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du doigt du contact de base qu'à la résistance du doigt du contact de base, le doigt du contact de base comporte deux rubans (11,12) de base, les deux rubans (11,12) de base sont séparés l'un de l'autre par un isolant électrique (13), les deux rubans (11,12) de base et le bus (10) du contact de base sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que les deux rubans (11,12) de base puissent être alimentés chacun par un courant d'alimentation (i1, i2) issu du bus (10) du contact de base et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation (i1, i2) circulant respectivement dans les deux rubans (11,12) de base soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, et soient suffisamment proches l'un de l'autre pour que l'inductance équivalente (Leq) des deux rubans (11,12) de base soit substantiellement inférieure à l'inductance (L) de chacun des rubans (11,12) de base pris séparément. 3. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le doigt du contact de base comportant les deux rubans (11,12) de base est constitué desdits deux rubans (11,12) de base. 4. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'un des deux rubans (11,12) de base est alimenté directement par le bus (10) du contact de base tandis que l'autre ruban (11,12) de base est alimenté indirectement par le bus (10) du contact de base par l'intermédiaire d'au moins une branche (14,15) de contournement appartenant au contact de base. 5. Transistor bipolaire selon la revendication 4, caractérisé en ce que la section de la branche (14,15) de contournement est suffisamment supérieure à la section de chacun des rubans (11,12) de base pour que la résistance de la branche (14,15) de contournement soit négligeable devant la résistance de chacun des rubans (11,12) de base de manière à ce que les deux courants d'alimentation (i1, i2) circulant respectivement dans les deux rubans (11,12) de base soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. 6. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 4 à 5, caractérisé en ce que la longueur de la branche (14,15) de contournement vaut au plus de l'ordre de quelques fois la longueur de chacun des rubans (11,12) de base. 7. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 4 à 6, caractérisé en ce que le ruban (11, 12) de base alimenté indirectement est alimenté par l'intermédiaire de deux branches (14,15) de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport audit ruban (11,12) de base. 8. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 4 à 7, caractérisé en ce que le contact de base comporte plusieurs doigts et en ce que la ou les branches (14,15) de contournement sont communes à tous les doigts du contact de base. 9. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les deux rubans (11,12) de base sont au moins partiellement superposés, dans le sens (Z) de leur épaisseur. 10. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les deux rubans (11,12) de base ont sensiblement la même longueur. 11. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les deux rubans (11,12) de base ont sensiblement la même largeur. 12. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les deux rubans (11,12) de base ont sensiblement la même épaisseur. 13. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins un doigt du contact de collecteur comporte deux rubans de collecteur séparés par un isolant et disposés de manière à pouvoir être alimentés chacun par un courant d'alimentation qui soit de sens opposé et d'amplitude sensiblement égale au courant d'alimentation de l'autre ruban de collecteur, de sorte que l'inductance équivalente des deux rubans de collecteur est inférieure à l'inductance de chacun des rubans de collecteur. 14. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que chaque doigt du contact de collecteur est en regard d'au moins un doigt du contact de l'émetteur, le ou les doigts du contact de collecteur sont suffisamment longs pour que la densité du courant traversant le collecteur et la puissance dissipée dans le transistor bipolaire puissent être substantiellement inhomogènes, et en ce que pour au moins un doigt du contact de collecteur, la section du doigt du contact de collecteur est suffisamment importante pour que les inhomogénéités de densité du courant et de puissance dissipée soient plutôt dues à l'inductance du doigt du contact de collecteur qu'à la résistance du doigt du contact de collecteur, le doigt du contact de collecteur comporte deux rubans de collecteur, les deux rubans de collecteur sont séparés l'un de l'autre par un isolant électrique, les deux rubans de collecteur et le bus du contact de collecteur sont structurés et disposés d'une part de manière à ce que les deux rubans de collecteur puissent être alimentés chacun par un courant d'alimentation issu du bus du contact de collecteur et d'autre part de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de collecteur soient de sens opposés l'un à l'autre, soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles, et soient suffisamment proches l'un de l'autre pour que l'inductance équivalente des deux rubans de collecteur soit substantiellement inférieure à l'inductance de chacun des rubans de collecteur pris séparément. 15. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 14, caractérisé en ce que le doigt du contact de collecteur comportant les deux rubans de collecteur est constitué desdits deux rubans de collecteur. 16. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, caractérisé en ce que l'un des deux rubans de collecteur est alimenté directement par le bus du contact de collecteur tandis que l'autre ruban de collecteur est alimenté indirectement par le bus du contact de collecteur par l'intermédiaire d'au moins une branche de contournement appartenant au contact de collecteur. 17. Transistor bipolaire selon la revendication 16, caractérisé en ce que la section de la branche de contournement est suffisamment supérieure à la section de chacun des rubans de collecteur pour que la résistance de la branche de contournement soit négligeable devant la résistance de chacun des rubans de collecteur de manière à ce que les deux courants d'alimentation circulant respectivement dans les deux rubans de collecteur soient d'amplitudes sensiblement égales entre elles. 18. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 16 à 17, caractérisé en ce que la longueur de la branche de contournement vaut au plus de l'ordre de quelques fois la longueur de chacun des rubans de collecteur. 19. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 16 à 18, caractérisé en ce que le ruban de collecteur alimenté indirectement est alimenté par l'intermédiaire de deux branches de contournement qui sont symétriques l'une de l'autre par rapport audit ruban de collecteur. 20. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, caractérisé en ce que le contact de collecteur comporte plusieurs doigts et en ce que la ou les branches de contournement sont communes à tous les doigts du contact de collecteur. 21. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 20, caractérisé en ce que les deux rubans de collecteur sont au moins partiellement superposés, dans le sens de leur épaisseur. 22. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 21, caractérisé en ce que les deux rubans de collecteur ont sensiblement la même longueur. 23. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 22, caractérisé en ce que les deux rubans de collecteur ont sensiblement la même largeur. 24. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications 13 à 23, caractérisé en ce que les deux rubans de collecteur ont sensiblement la même épaisseur. 25. Transistor bipolaire selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'isolant est du SisN4.