Brevet FR2826183A1 — publié le 20021220

deuxième région est du même ordre de grandeur. TRANSISTOR MOS DE PI7ISSANCE LA= La présente invention concerne des transistors MOS de moyenne puissance. Dans le domaine des transistors MOS de moyenne puis- sance, on connaît des structures de type vertical dans lesquelles la source est du côté de la face avant et le drain du côté de la face arrière, et des structures de type latéral dans lesquelles la source et le drain sont du côté de la face avant. De facon générale, quand le courant à commuter est relativement important, on préfère les transistors de type vertical pour minimiser les résistances d'accès. En effet, comme on va le montrer ci-après, les struc- tures de type latéral posent un problème lié aux résistances des métallisations daccès à la source et/ou au drain. Néanmoins, les structures latérales sont souvent plus facile à réaliser et technologiquement plus simple. Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir une structure de transistor MOS de moyenne puissance de type latéral dans laquelle les résistances d'accès au drain et à la source sont réduites. Un objet plus particulier de la présente invention est de prévoir un tel transistor de type à canal P. Les figures 1A et 1B illustrent respectivement une vue en coupe et une vue de dessus schématique d'un transistor MOS à canal P classique de type latéral. La figure 1A étant une vue en coupe selon la ligne A-A de la figure 1B. On notera qu'aucune de ces figures ntest à l'échelle par rapport à un dispositif récl et que ces figures ne sont pas à l'échelle l'une par rapport à l'autre, comme cela est classique dans le domaine de la représen- tation des composants semiconducteurs. Le transistor MOS à canal P des figures 1A et 1B est réalisé dans un substrat semiconducteur 1 de type N. généralement une couche épitaxiée formoe au-dessus dune tranche de silicium monocristallin de type N+. Audessus de ce substrat sont formés des doigts de grille 3 séparés du substrat par une couche isolante mince 4. De facon classique, les doigts de grille sont en silicium polycristallin et 1'isolant de grille est de 1'oxyde de silicium. Les doigts de grille sont interconnoctés et reliés à une borne de grille d'une facon non représentée. Les doigts de grille sont revêtus et entourés latéralement d'une couche isolante 5, également généralement en oxyde de silicium. Ces doigts de grille servent de masque pour la formation dans le substrat 1 de régions fortement dopées de type P. Ces régions P correspondent alternativement à des doigts de source S et à des doigts de drain D. Chacun des doigUs de source et des doigts de drain est revêtu d'un doigt de métal, respectivement 7 et 8. Les doigts de métal sont gravés dans un premier niveau de métallisa- tion. La structure est recouverte d'une couche isolante 9 dans laquelle sont formées des ouvertures pour permettre détablir des contacts entre une métallisation de source 11 et les doigUs de métal de source 7 et entre une métallisation de drain 12 et les doigts de drain 8. Les métallisations de source et de drain sont gravées dans un deuxTème niveau de métallisation. Seule la métal- lisation de drain 12 est visible dans la vue en coupe de la figure 1A. Dans la vue de dessus de la figure 1B, on a représenté la métallisation de source 11 en contact avec des prolongements des doigts de source 8. La métallisation de drain recouvre sensi- blement l' ensemble des doigts de drain et de source et est en contact avec les doigUs de drain. Les zones de contact entre les premier et deuxième niveaux de métal l i sat ion sont indiquces en figure 1B par des carrés marqués dune croix. Ouelle que soit la topologie choisie pour le deuxTème niveau de métallisation, on notera qu'au moins pour les doigts de drain ou les doigUs de source, il existe une certaine longueur du premier niveau de métallisation entre le contact avec la deuxième métal l i sat ion et l'extrémité de chaque doigt et cette longueur correspond à une résistance d'accès. Un des aspects de la présente invention a été de pren- dre conscience de l' existence de cette résistance d'accès et de sa valeur. Si on considère que les doigts de métal de drain et de source ont une largeur de 1 m et sont distants les uns des autres de 1 m, cest-àdire que pour un carré dun millimètre de côté, on aura environ 250 doigts de source et 250 doigts de drain, et en supposant que le premier niveau de métal a une résistance de couche de 60 mQ/carré, ceci signifie qu'une bande 2 0 de 1 mm de long et de 1 m de large a une résistance de 60 Q. Pour un carré de 1 mm de côté comprenant 250 doigts, la résis- tance sera de 60/250 Q ou 240 mQ, ou en d'autres termes 240 mQ.mm2. Dans une technologie courante, cette résistance est plus élevée que la résistance à l'état passant de la zone de canal proprement dite qui est de liordre de 50 mQ.mm2. Dans l'exemple de structure de la figure 1B, cette résistance de métal est essentiellement lice aux doigUs de source. Le contact entre le niveau de métallisation et les doigts de drain est par contre très satisfaisant. La présente invention vise à réduire cette résistance d'accès à un transistor MOS latéral à doigUs multiples. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un transistor MOS de puissance formé dans une couche épitaxice d'un premier type de conductivité, elle-même formée sur la face avant dun substrat fortement dopé du premier type de conducti vité, comprenant une pluralité de doigts de drain et de source alternés du deuxième type de conductivité séparés par un canal, des doigts conducteurs recouvrant chacun des doigts de source et des doigts de drain, un deuxième niveau de métal reliant tous les doigts de métal de drain et recouvrant sensiblement l' ensemble de la structure de source-drain. Chaque doigt de source comporte une zone fortement dopée du premier type de conductivité en contact avec la couche épitaxice et avec le doigt de source correspon- dant, et en ce que la face arrière du substrat est revêtue d'une métallisation de source. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la zone fortement dopée du premier type de conductivité de chaque doigt de source s'étend sensiblement sur la longueur du doigt de source. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la zone fortement dopée du premier type de conductivité de chaque doigt de source s'étend sur des zones choisies de la longueur du doigt de source. Un avantage de la présente invention est que, dans le cas plus particulier dun transistor MOS à canal P. la structure décrite est bien compatible avec des technologies de fabrication existantes et les substrats couramment utilisés (couche épitaxiée de type N sur substrat N+). Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que dautres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1A et 1B sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus d'un transistor MOS latéral classique; les figures 2A et 2B sont respectivement une vue en coupe et une vue de dessus d'un transistor MOS selon la présente invention. Les figures 1A et 2B sont respectivement des vues en coupe selon les lignes A-A des figures 1B et 2B. De façon usuelle dans le domaine de la représentation semiconducteur, aucune des figures n'est à l'échelle par rapport à un composant réel. De plus les figures ne sont pas à l'échelle entre elles. En figures 2A et 2B, un transistor MOS latéral à canal P est formé dans une couche épitaxTée 21 de type N formé sur un substrat 22 de type N+. Le transistor comprend des doigts de grille interconnactés 23 formés audessus dun isolant mince 24 et entouré dune couche isolante 25. Dans la couche épitaxiée, entre les doigts de grille, on trouve des régions de type P for- tement dopées correspondant alternativement à des doigts de drain D et des doigts de source S. Chaque doigt de source S comprend dune part une région de type P+ 26 fortement dopée constituant le doigt de source proprement dit et d'autre part une ou plusieurs régions 27 de type N+ en contact avec le substrat. Ces régions 27 peuvent être situces sensiblement au centre des doigts de source 26 et être continues sur toute la longueur de chacun des doigts de source ou être localisées dans ces doigts. Des doigUs de métal de source 28 formés au-dessus des doigts de source sont en contact avec les régions de source proprement dites 26 de type P+ et avec les régions 27 dopées de type de conductivité opposé. Des doigts de métal de drain 29 sont formés au-dessus des doigts de drain. Les doigts de métal 28 et 29 sont gravés à partir dun premier niveau de métallisation. Les doigUs de métal de source 28 sont exempts de toute connexion externe et servent seulement à établir un court-circuit entre les régions 26 et 27. Une couche isolante 30 est déposée au-dessus de la structure et une métallisation supérieure 32 est en contact avec tous les doigUs de métal de drain 29. La face arrière du substrat est recouverte d'une métal- lisation 33 et constitue une métallisation de source et est connectée au potentiel auquel doit être connectée la source, ctest-à-dire un potentiel positif dans le cas dun transistor MOS à canal P. Ainsi, quand la grille 23 du transistor MOS est conve- nablement polarisée, c'est-à-dire au potentiel de la masse dans le cas dun transistor à canal P. un courant circule de la métal- lisation de source 33 par l'intermédiaire du substrat 22 et de la couche épitaxice 21 vers les régions N+ 27. Par l'intermédiaire de doigUs de métal 28, le courant passe par les régions 26 puis par les régions de canal des transistors vers les régions de drain D, les doigUs de métal de drain 29 et la métallisation de drain 32. Dans cette structure, la résistance d'accès au drain est aussi faible que dans le cas de la structure des figures 1A et 1B. Par contre la résistance d'accès à la source est beaucoup plus faible que dans le cas de la structure des figures 1A et 1B. En effet, à titre diexemple, pour une couche épitaxice dune épaisseur de lordre de 3 m et dun niveau de dopage de 4X1016 atomes/cm3, on obtient une résistance dans la couche épitaxiée 21 entre la tranche 22 et chaque région 27 qui est seulement de 1'ordre de 15 n{2.mm2, c'est-à-dire environ 16 fois plus faible que dans le cas de la structure classique des figures 1A et 1B. Le fonctionnement du transistor MOS reste en ce qui concerne son canal un fonctionnement de type transistor latéral entre doigts de source et doigts de drain bien que la conduction de la métal lisation de source vers les doigts de source soit verticale. On pourra ainsi qualifier le transistor selon la présente invention de transistor semilatéral. La présente invention est susceptible de nombreuses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art, notamment en ce qui concerne la réalisation de chacun des doigUs de drain et de source qui pourra utiliser toute technologie connue. On pourra par exemple réaliser des structures à espaceurs pour obtenir des drains de type LDD. Tous le s type s de conduct ivité pourront être inversés pour réaliser des transistors à canal N. Les regions a+ 27 foamier dans chague doigt de source 26 pourroot ALre plus profondes que les regions P+ 26 de ces doigLs. Ainsi, les regions P+ 26 seront de preference rdalises aprAs les regions a+ 27 pour rduire les recuiLs auxgqels elles S soot soumises. REVENDICATIONS 1. Transistor MOS de puissance formé dans une couche épitaxiée (21) d'un premier type de conductivité, elle-même formée sur la face avant dun substrat (22) fortement dopé du premier type de conductivité, comprenant une pluralité de doigts de drain (D) et de source (S) alternés du deuxième type de conductivité séparés par un canal, des doigUs conducteurs (28, 29) recouvrant chacun des doigts de source et des doigUs de drain, un deuxième niveau de métal (32) reliant tous les doigts de métal de drain et recouvrant sensiblement l' ensemble de la structure de source-drain, caractérisé en ce que chaque doigt de source (26) comporte une zone (27) fortement dapée du premier type de conduc- tivité en contact avec la couche épitaxiée (21) et avec le doigt de source (28) correspondant, et en ce que la face arrière du substrat est revêtue dune métallisation de source (33). 2. Transistor MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone fortement dapée (27) du premier type de conduc tivité de chaque doigt de source s'étend sensiblement sur la longueur du doigt de source. 3. Transistor MOS selon la revendication 1, caractérisé en ce que la zone fortement dopée (27) du premier type de conduc tivité de chaque doigt de source s'étend sur des zones choisies