Brevet FR2816063A1 — publié le 20020503

Filtre optique actif, son procédé de fabrication et son utilisation pour un système multiplex La présente invention est relative à un filtre optique actif, à son procédé de fabrication et à son utilisation pour un système multiplex optique à division de longueur d'onde. Le domaine technique de l'invention est celui de la fabrication de systèmes de télécommunications par fibres optiques. Afin d'accroître la capacité de transport de réseaux câblés à fibre optique, il est connu de multiplexer plusieurs canaux pour les faire transiter simultanément dans une fibre, puis de les démultiplexer ; lorsque le multiplexage est effectué par division de la bande de transmission (en longueur d'onde) de la fibre, on parle généralement de système WDM pour Wavelength Division Multiplex ; afin d'augmenter le nombre de canaux susceptibles d'être multiplexés pour accroître la capacité d'une fibre en restant dans une plage de longueur d'onde déterminée, il faut disposer d'un multiplexeur (et d'un démultiplexeur) susceptible de traiter (mélanger ou séparer) plusieurs faisceaux dont les longueurs d'onde sont très voisines ; on a donc besoin de composants optiques de filtration ayant une bande passante très étroite (de l'ordre de 10 mètres) et un taux de réjection très élevé ; on a également besoin de tels composants qui soient commutables. Il a été proposé dans le brevet US 5,355, 237 un dispositif multiplexeur comportant plusieurs guides d'onde d'entrée, un réseau diffractant s'étendant le long d'une courbe concave, un guide d'onde de sortie dont une face est couplée à une fibre optique, des diodes laser qui s'étendent orthogonalement à l'axe de la fibre et à chacune desquelles est associé un réseau de diffraction de surface adapté à la longueur d'onde de la diode ; ce document décrit également un démultiplexeur. Les inconvénients de ces composants et systèmes optiques sont leur coût élevé, leur rendement médiocre et leur forte sensibilité à la température et à la polarisation du faisceau incident. Le brevet US 5,216, 680 expose une méthode mathématique d'analyse de phénomènes de résonance dans un guide d'onde et suggère d'en appliquer les résultats à la conception d'un filtre optique résonnant pour laser, sans toutefois décrire le filtre ; le brevet US 6,035, 089 expose que cette méthode peut être utilisée pour concevoir un filtre constitué de bandes creusées dans un guide d'onde supporté par un substrat, puis rempli d'un matériau propre à obtenir une structure résonante, en particulier à 533,4 nm. Il est par ailleurs connu de réaliser des filtres optiques (passebande en transmission) par empilement de nombreuses couches minces d'épaisseur et d'indice de réfraction déterminé, pour transmettre une longueur d'onde déterminée. Il est également connu de réaliser des filtres de Bragg photoinscrits dans une fibre ; ces filtres fonctionnent en réflexion. La présente invention a pour objet de proposer un filtre optique amélioré, un multiplexeur (et un démultiplexeur) incorporant ce filtre, et son procédé de fabrication. Selon l'invention, on propose un filtre à couches minces dans lequel au moins une des couches minces, dite couche active, est réalisée dans un matériau non amorphe ; l'indice et/ou la géométrie de cette couche peut donc être substantiellement modifiée de façon réversible, lorsqu'elle est placée dans un champ électrique, notamment lorsqu'elle est traversée par un courant électrique. Ledit matériau est en outre transparent aux longueurs d'onde de travail, en particulier dans le domaine infrarouge, notamment aux longueurs d'onde voisines de 1,5 micron. Grâce à l'invention, en appliquant une tension électrique à deux bornes du composant, on peut modifier les caractéristiques du filtre, grâce aux propriétés piézoélectriques, photoélectriques et/ou photo réfractives du matériau constituant la couche active. Le matériau constitutif de ladite couche active peut être essentiellement cristallin ; cependant, dans de nombreux cas, ce matériau est partiellement cristallin. Bien que ce matériau puisse avoir des propriétés des matériaux conducteurs ou semi-conducteurs, il aura dans de nombreux cas des propriétés des matériaux électriquement isolants. Ladite couche mince active peut en particulier être réalisée par dépôt d'un matériau choisi parmi LiNbO3, BaTiO3, ZnO ; cette couche peut également être réalisée par dépôt d'autre matériaux habituellement utilisés pour la fabrication de couches minces ; cependant, afin de ne pas obtenir une structure amorphe résultant des techniques habituelles de dépôt de ces matériaux, il est nécessaire de modifier le procédé de dépôt pour obtenir une couche partiellement cristalline ; en particulier lorsqu'on utilise du Ta205, on peut provoquer le dépôt à une température supérieure à la température habituelle ; on peut notamment opérer à une température située dans une plage allant de 200 ou 300oC jusqu'à 800 ou 900oC, plutôt que d'opérer aux températures habituelles qui sont généralement inférieures ou égales à 100oC. Afin d'éviter le dépôt d'une couche mince amorphe, on peut également augmenter l'énergie du faisceau d'ions ou d'électrons utilisé pourl'"évaporation"du matériau à déposer, afin de favoriser l'arrachement de macro-structures cristallines et leur dépôt sur le substrat. Selon un premier mode préféré de réalisation, ladite couche active partiellement au moins cristalline, est celle dans laquelle sont formés les motifs du réseau ; ainsi, la modification de faible amplitude, de l'indice et/ou des dimensions de cette couche provoque un déplacement de la fréquence centrale du filtre. Selon une deuxième mode préféré de réalisation, le filtre a couches minces peut comporter deux couches minces actives s'étendant de part et d'autre d'une troisième couche mince inactive dans laquelle sont formés les motifs du réseau résonnant ; dans ce cas notamment, les couches actives peuvent être constitués d'ITO modifié pour obtenir une transparence aux longueurs d'ondes voisines de 1, 55 um. Du fait que les filtres à couches minces selon l'invention peuvent être commandés électriquement de façon à modifier leurs caractéristiques optiques, ils peuvent notamment être utilisés pour constituer des systèmes optiques de traitement d'informations de type "add-and-drop"et des systèmes optiques de commutation de type "cross-connect". Les caractéristiques particulières des filtres selon l'invention permettent leur utilisation pour des applications nécessitant une fréquence élevée ; le changement d'état (et des caractéristiques) de la couche mince active peut en effet être effectué à des fréquences de l'ordre de 1MHz à 10 GHz. Selon une première variante de réalisation de l'invention, on utilise des structures résonantes à une longueur d'onde déterminée et sous une incidence déterminée ; une résonance est obtenue par la construction d'un réseau de motifs à la surface et le cas échéant dans l'épaisseur d'au moins un guide d'onde constitué par une couche mince ou un empilement de couches minces ; la résonance résulte d'un couplage électromagnétique par le réseau entre une onde incidente proche de la normale à la surface du guide d'onde et/ou des couches minces, et un mode guidé du guide d'onde : la résonance est observée lorsque des fréquences temporelle et spatiale de l'onde incidente sont sensiblement égales à celles correspondant à un mode propre de la structure ; à cet effet, on prévoit généralement des motifs dont les dimensions sont voisines de la longueur d'onde désirée, et généralement inférieures à celles-ci. Selon un autre aspect de l'invention, chacun des motifs peut être constitué d'une région de couche mince dont l'indice est modifié localement par l'implantation d'ions dans la couche mince ; cette implantation est obtenue en soumettant la couche mince à un bombardement ionique, par un faisceau d'ions délivré par un accélérateur de particules, un canon à ions et/ou un implanter ionique. Cette opération d'implantation fait appel à une technique connue notamment pour doper un matériau semi-conducteur avec des matériaux dopants. Pour l'application de cette technique à l'invention, on utilisera généralement comme matériau dopant un matériau choisi parmi l'erbium, le niobium, le titane, le silicium, le phosphore ou le germanium. Afin de doper seulement certaines régions de la couche mince pour former les motifs dopés, on utilise de préférence une technique de masquage de la couche mince telle que celle utilisée pour la gravure : on recouvre la couche mince à doper d'un masque"perforé"de forme complémentaire à celle du réseau de motifs à former ; le masque empêche ainsi que les parties de la couche mince qu'il recouvre ne soient soumises au flux ionique ; il permet donc la préservation, dans la couche mince qu'il recouvre, de zones non dopées entourant les régions dopées. Par ailleurs, en faisant varier l'intensité et/ou la durée d'exposition des parties non masquées de la couche mince au faisceau d'ions, on peut faire varier la configuration ionique des motifs dopés, en particulier la densité volumique d'ions implantés et/ou la profondeur d'implantation, afin d'obtenir une configuration de forme (profil) et/ou d'indice déterminé. On peut en outre procéder à un recuit de structure après dopage pour modifier, de façon contrôlée, par migration des ions dans la couche mince, le gradient d'indice et/ou de population ionique dans les motifs dopés. Alternativement, le réseau de motifs peut être obtenu par gravure d'une couche mince par un faisceau d'électrons et/ou par microlithographie (ou procédé équivalent). Selon un autre aspect de l'invention, ladite structure et/ou ledit réseau est bipériodique ou pluripériodique : elle (il) comporte une pluralité de premiers motifs identiques, qui peuvent être en forme de plots saillants, qui sont régulièrement espacés selon deux directions parallèles au guide d'onde, et selon un premier pas ; elle (il) comporte en outre une pluralité de deuxièmes motifs identiques régulièrement espacés selon lesdites directions et selon ledit premier pas, qui sont disposés imbriqués avec lesdits premiers motifs et qui sont de forme et/ou de configuration et/ou de dimensions différentes de celles des premiers motifs. Ainsi, lesdits premiers plots ou motifs forment un premier sous-réseau qui est imbriqué avec un second sous- réseau constitué par lesdits seconds plots ou motifs. Généralement, et en conséquence de cette imbrication, un premier motif et un second motif adjacent au premier motif seront séparés d'une distance égale à la moitié dudit pas ; dans un mode préféré de réalisation, le réseau résonnant peut comporter plus de deux sous-réseaux, en particulier 3 ou 4 sous-réseaux imbriqués pour former un réseau multipériodique. Une telle structure permet d'assurer un filtrage passe-bande en réflexion, qui est doté d'un taux de réjection élevé et qui permet une inclinaison (généralement de faible valeur) de l'onde incidente par rapport à la normale à la surface des couches minces du guide d'onde, cette inclinaison étant souhaitable pour séparer le faisceau réfléchi du faisceau incident, sans nécessiter l'usage d'une lame semiréfléchissante ou d'un système interférentiel. Une telle structure permet d'obtenir des performances améliorées pour des variations de l'angle d'incidence, de l'angle d'ouverture, ou de polarisation du faisceau incident. Selon un autre aspect de l'invention, on utilise un composant optique comportant plusieurs couches minces superposées sur un substrat et incorporant deux telles structures résonantes, qui sont de préférence disposées symétriquement par rapport à un plan médian, et qui sont identiques et/ou résonantes à la même longueur d'onde ; on obtient ainsi un filtre passe-bande en transmission qui est doté d'un taux de réjection élevé, et qui est simple à fabriquer. Le réseau de motifs peut être obtenu par gravure par un faisceau d'électrons et/ou par microlithographie (ou procédé équivalent). La réalisation d'un composant incorporant deux réseaux résonants peut être effectuée en gravant (ou en implantant) les deux réseaux sur deux portions d'une couche mince reposant sur un substrat commun ; le substrat peut ensuite être coupé en deux parties qui peuvent être assemblées pour former le composant ; l'assemblage peut être effectué par mise en contact des deux parties par la face sur laquelle est prévu le réseau ; cet assemblage peut être obtenu par adhésion moléculaire ; alternativement les deux parties peuvent être assemblées par leurs portions respectives du substrat, le cas échéant par collage. Selon une variante de réalisation, on peut réaliser un dopage (ou une gravure) à la surface de chacun de deux empilements de couches minces prévues sur chacune des deux faces d'un substrat commun aux deux empilements. De préférence le réseau est gravé (ou implanté) dans une structure anti-reflet comportant au moins une couche mince. Des performances améliorées (bande étroite et réjection élevée) sont obtenues en formant les motifs de chaque réseau dans une couche (dite externe) d'indice (par exemple voisin de 1,5) inférieur à celui (par exemple voisin de 2) de la couche sur laquelle la couche externe est déposée, ce qui conduit à une structure anti-reflet. En outre, l'utilisation de motifs de contour circulaire et/ou dotés de faces latérales ou d'un profil d'indice incliné par rapport à la normale aux couches minces, améliore la tenue à l'ouverture. Pour augmenter le taux de réjection du filtre optique obtenu, on peut également prévoir plusieurs réseaux résonants superposés. Les composants selon l'invention présentent l'avantage de nécessiter un nombre réduit de couches minces, par comparaison avec des filtres à couches minces habituels. En outre, ils permettent d'obtenir des filtres plus étroits qui sont donc mieux adaptés à la division d'une bande de transmission en un grand nombre de canaux. En pratique deux ou trois couches minces peuvent suffire pour construire un filtre passe-bande ayant un taux de réjection élevé pour les longueurs d'onde éloignées de la longueur d'onde sur laquelle est centré le filtre, ayant une largeur spectrale inférieure à un nanomètre et réfléchissant ou transmettant environ 100 % du faisceau incident-en dehors de la bande passante-, même lorsque le faisceau incident est doté d'une incidence (par rapport à la normale) pouvant atteindre plusieurs degrés et/ou d'une ouverture de quelques mrd, en particulier de 5 à 20 mrd. Du fait que la position de la longueur d'onde centrale est essentiellement déterminée par la géométrie du réseau qui s'étend sur la (les) face (s) externe (s) du composant, il est facile de décaler et/ou d'ajuster la longueur d'onde centrale après réalisation du réseau : ce décalage peut en particulier être obtenu en recouvrant le réseau d'une couche mince d'indice eTdepaisseur adaptés, ou bien en modifiant 1-a- géométrie du réseau, par exemple par une étape postérieure de gravure par faisceau d'électrons. Les couches minces non actives peuvent être réalisées par dépôt d'un matériau choisi parmi des métaux tels que AI, Ni, Ag, Au, des oxydes tels que TiO2, Si02, Ta205, des fluorures (tels que Mg2), des sulfures (tels que loS) ou des nitrures ; chaque couche mince a une épaisseur allant généralement de 10 nm à 10um ; l'épaisseur de la couche mince recouvrant le réseau pour décaler la longueur d'onde centrale pourra être inférieure à ces valeurs : elle peut aller de 1 à 10 nm (nanomètre) ; les techniques habituelles de dépôt de couches minces faisant appel à l'évaporation assistée par faisceau d'ions ou d'électrons, peuvent être utilisées pour le dépôt des couches inactives. Par comparaison, le substrat a une épaisseur plus élevée, par exemple de l'ordre de 0,5 à 1 mm ; il est constitué généralement d'un matériau amorphe transparent pour les longueurs d'ondes considérées, en particulier les longueurs d'ondes voisines de 1,5 um, tel que de la silice. Dans le cas où le réseau est obtenu par gravure, on peut utiliser diverses techniques, telles que la technique de gravure sèche, de gravure humide, de gravure réactive, de gravure par faisceau ionique, le cas échéant assistée chimiquement. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention seront compris au travers de la description suivante qui se réfère aux dessins annexés, qui illustrent sans aucun caractère limitatif des modes préférentiels de réalisation de l'invention. La figure 1 est une vue schématique en perspective d'une partie d'un composant selon un premier mode de réalisation, qui comporte deux couches actives symétriques par rapport à un plan médian, dans chacune desquelles un réseau a été formé par dopage. La figure 2 est une vue schématique en coupe transversale d'une parse doum composant selon un deuxième mode-de-réalisation, dans ar ie p lequel les motifs de chaque réseau sont gravés. La figure 3 est une vue en plan schématique d'un démultiplexeur huit voies intégrant des filtres passe-bande en transmission selon l'invention. La figure 4 illustre en vue en plan l'arrangement des motifs dopés de contour carré d'un réseau pluripériodique. La figure 5 est une vue schématique en coupe par un plan transversal aux plans des couches, qui montre un motif dopé d'un réseau dont le profil transversal d'indice est incliné et incurvé. La figure 6 est une vue en plan schématique d'un démultiplexeur à quatre voies incorporant quatre composants formant des filtres passebande en réflexion. La figure 7 est graphe illustrant un spectre de réfraction de rayons X par une couche mince active de structure partiellement cristalline et partiellement amorphe. La figure 8 est une vue en plan schématique d'un système utilisant neuf filtres actifs fonctionnant en réflexion pour diriger sélectivement (et le cas échéant mélanger) en fonction de signaux électriques de commande, trois voies d'entrée (E) vers trois voies de sortie (S). Par référence aux figures 3 et 6, le démultiplexeur 1,2 comporte huit filtres 3 (respectivement quatre filtres 4) passe-bande centrés sur huit (respectivement quatre) longueurs d'ondes différentes correspondant aux huit (respectivement quatre) canaux à séparer. Le démultiplexeur comporte une interface 5 de couplage optique avec une fibre optique 6 transportant le rayonnement à diviser ; le faisceau incident 7 délivré par la fibre 6 forme avec la normale 8 à la face 9 du filtre un angle 10 d'incidence, dont la valeur est faible afin de limiter les perturbations susceptibles d'en résulter. Le démultiplexeur 2 figure 6 comporte quatre collimateurs 11 de sortie respectivement associés aux quatre filtres 4, qui servent à diriger vers une fibre optique 110 de sortie la partie du faisceau incident 7 qui correspond à la longueur d'onde associée au canal correspondant, et qui a été réfléchie par le filtre 4 correspondant. De façon similaire, le démultiplexeur 1 figure 3 comporte huit collimateurs 11 de sortie ; chaque démultiplexeur 1, 2 peut comporter un collimateur d'entrée intégré pour limiter l'ouverture du faisceau incident 7 en provenance de la fibre. Les filtres 3 et 4 ont une structure de plaque plane telle que celle respectivement illustrée figures 1 et 2. Chaque collimateur 11 de sortie peut être constitué par l'extrémité dopée de la fibre 110 de sortie correspondante ; l'extrémité de la fibre d'entrée 6 peut également être dopée pour former un collimateur 5. Chaque démultiplexeur 1,2 comporte un guide d'onde d'entrée 100 qui est formé dans une couche déposée sur un substrat, et qui est prolongé par d'autres guides 101 ; cette couche est munie de rainures sensiblement transversales à l'axe longitudinal des guides 100,101, chaque rainure recevant un filtre disposé transversalement aux portions de guide d'onde 100,101 ; ainsi la composante spectrale du faisceau 7 se propageant dans les guides 100,101, qui correspond à la longueur d'onde sur laquelle est centré le filtre, traverse celui-ci dans le cas de la figure 3 ou au contraire est réfléchie par le filtre dans le cas de la figure 6. Cette composante filtrée est transmise par un guide d'onde 102 de sortie à la fibre 110 de sortie ; dans le cas de la figure 6, l'extrémité du guide 102 est dopée pour former le collimateur 11 de sortie. Le filtre 3 figure 1 s'étend selon une symétrie par rapport à son plan 12 médian : il comporte, de part et d'autre de ce plan, un substrat 13 recouvert d'une couche mince 14 dans l'épaisseur de laquelle ont été formés, par implantation ionique, des motifs dopés 15,16 formant un réseau résonnant. Ce réseau comporte d'une part une-pturaflte de premiers motifs 15, de forme cylindrique selon des axes parallèles à la normale 8 à la face externe supérieure 9 et à la face externe inférieure 17 du composant 3, et de section transversale (ou contour) circulaire ; le réseau comporte d'autre part une pluralité de deuxièmes motifs 16 de forme également cylindrique et parallèle à la normale 8 au plan 12 et aux couches minces. Les motifs 15 sont de forme et de dimension identiques et sont régulièrement espacés selon deux directions orthogonales perpendiculaires à la normale 8 pour former un premier maillage carré. Les motifs 16 sont également de forme et de dimension identiques et sont espacés selon lesdites directions orthogonales perpendiculaires à la normale 8 pour former un deuxième maillage carré, qui est imbriqué avec le premier maillage carré. Les motifs 15,16 forment ainsi un réseau bipériodique à deux dimensions qui s'étend à l'intérieur de la couche 14. A cet effet, les pas longitudinaux 21 et transversaux 18 des deux maillages sont identiques, mais le diamètre 19,20 et/ou la hauteur respective des motifs 15,16 est (sont) différent (s). Le composant 3 comporte ainsi deux réseaux identiques respectivement prévus sur sa face supérieure 9 externe et sur sa face inférieure 17 externe, de façon à former un filtre passe-bande en transmission ; la fréquence (la longueur d'onde) centrale de ce filtre se calcule par les méthodes habituelles en la matière, en fonction des caractéristiques optiques et géométriques des motifs 15,16 et de la couche 14 dans laquelle ces motifs sont formés ; cette couche constitue un guide d'ondes doté de ses propres fréquences (temporelle et spatiale) de résonance. Chacune des deux couches minces 14 dans lesquelles sont formés les motifs 15,16, est constituée d'un matériau partiellement cristallin doté de propriétés piézoélectriques, photoélectriques et/ou photo réfractives ; chaque couche 14 est en contact électrique par deux parties opposées de sa tranche avec deux électrodes 140 respectivement reliées aux deux bornes d'un générateur 141 de signaux électriques de commande. Cette construction permet d'appliquer un champ électrique entre lesdites deux parties opposées de la tranche de chaque couche 14 ; il en résulte une modification des caractéristiques géométriques et/ou optiques de chaque couche 14, et par conséquent une variation de la fréquence de résonance de la structure résonnante formée dans les couches actives 14. Selon la variante de réalisation illustrée figure 2, le filtre 4 passebande en réflexion est constitué par plusieurs structures résonantes empilées selon l'axe 8 (d'incidence normale) qui est perpendiculaire aux faces des couches : ce filtre comporte un substrat 13, ainsi qu'une couche mince 14 dans une partie de l'épaisseur de laquelle est gravé un premier réseau résonant. La couche 14 s'étend entre deux couches minces actives 200 et 201 qui sont respectivement reliées par deux éléments conducteurs (formant électrodes) 300 et 301 aux bornes d'une source d'énergie électrique ; lorsque cette source délivre une tension entre ses bornes, cette tension est appliquée aux couches 200 et 201 et provoque une modification des caractéristiques de la couche 14 qu'elles enserrent ; il en résulte une modification des caractéristiques du filtre 4. Sur ce premier empilement du filtre 4 sont prévus deux autres empilements de structure similaire : un deuxième empilement comporte une couche 22 formant un substrat (ou écarteur spacer ) et recouvrant la couche 201, et une couche mince 23 comportant un deuxième réseau résonant et prise en sandwich entre deux couches actives 202 et 203 ; un troisième empilement comporte une couche 24 similaire à la couche 22 recouvrant la couche 203, et une couche mince 25 comportant un troisième réseau résonant gravé, laquelle couche 25 s'te -d s'étend entre deux couches minces actives 204 et 205. Par référence à la figure 5, les faces latérales (ou flancs) 36,37 du motif 38 d'un réseau formé à sous la surface 9 de la couche mince 40, sont inclinées, par rapport à une normale 8a à la surface 9, d'un angle 41 ; la couche mince active 40 est munie sur deux portions de sa tranche de deux électrodes permettant l'application d'un champ électrique transversal dans la couche 40. Dans le cas d'un démultiplexeur 2 utilisant des filtres 4 réfléchissants (figure 6), les filtres peuvent être alignés selon l'axe 50, leurs plans 12a respectifs étant disposés parallèlement les uns aux autres et régulièrement espacés d'un pas 51. Dans le démultiplexeur 1 illustré figure 3, les filtres transmetteurs 3 s'étendent dans deux plans 12b, 12c parallèles et sont régulièrement espacés d'un pas 52. Dans le répartiteur illustré figure 8, les neuf filtres 4 réfléchissants s'étendent dans cinq plans parallèles et sont régulièrement espacés de sorte que leurs centres optiques sont disposés aux sommets d'un maillage carré. Par référence à la figure 7, le spectre 400 de diffraction comporte un pic 401 révélant l'existence d'une structure cristalline dans la couche mince active ; le reste du spectre, incluant la bosse 402, étant significatif d'une structure amorphe. Par référence à la figure 4, le réseau 60 comporte une pluralité de mailles carrées 61 de largeur 62 qui sont disposées côte à côte et s'étendent selon deux directions orthogonales contenues dans le plan de la figure. Dans chaque maille sont prévus quatre plots motifs dopés délimités par des contours de section carrée : - deux premiers plots motifs 631, 632 dont la section carrée a un côté de largeur 64, - un second plot motif 65 dont la section carrée a un côté de largeur 66, - un troisième plot motif 67 dont la section carrée a un côté de largeur 68, les valeurs desdites largeurs étant différentes tout en étant voisines. Les plots motifs 631 sont régulièrement espacés d'un pas dont la valeur est égale à la largeur 62 de la maille ; les plots motifs 632 sont également espacés entre eux du même pas, ainsi que les plots motifs 65 entre eux d'une part et de même que les plots motifs 67 entre eux d'autre part. Les quatre plots motifs dopés de chaque maille sont disposés de façon à ce que leurs centres respectifs soient disposés au sommet d'un carré dont le côté 70 correspond à la moitié du côté 62 de la maille 61. REVENDICATIONS 1. Composant optique (3, 4) comportant au moins une couche (14,23, 25,40) mince déposée sur un substrat (13), caractérisé en ce qu'il comporte au moins une structure ou un réseau résonant (e) formé dans une couche mince et en ce qu'au moins une couche mince est constituée d'un matériau non amorphe, de façon à former un filtre passe-bande actif. 2. Composant selon la revendication 1, dans lequel le matériau constituant la couche mince active est transparent aux longueurs d'onde de travail, en, particulier dans le domaine infrarouge. 3. Composant selon l'une quelconque des revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau constituant la couche mince active est partiellement cristallin et doté de propriétés piézoélectriques et/ou photoélectriques. 4. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit réseau résonnant est formé dans ladite couche active (14) qui est en contact électrique avec deux électrodes (140). 5. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, dans lequel ledit réseau résonnant est enserré entre deux couches actives (200,201) qui sont chacune en contact avec une électrode (300, 301). 6. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le réseau est constitué de motifs ou régions (15,16) dopés. 7. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, dans lequel le réseau est pluripériodique, ledit réseau comportant une pluralité de motifs (15,16, 31,38, 63,65, 67) régulièrement espacés selon deux directions. 8. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, dans lequel la structure ou réseau (60) résonant (e) comporte : - une pluralité de premiers motifs (15) dopés ou gravés ayant une première configuration commune à tous lesdits premiers motifs, - une pluralité de deuxièmes motifs (16) dopés ou gravés ayant une deuxième configuration commune à tous lesdits deuxièmes motifs, ladite deuxième configuration étant différente de ladite première configuration. 9. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, qui comporte : - un premier réseau (15,16, 31,38) résonant pluripériodique gravé ou implanté dans au moins une première couche mince, - un deuxième réseau résonant pluripériodique gravé ou implanté dans au moins une deuxième couche mince, - au moins une troisième couche mince formant une première région de couplage et découplage associée au premier réseau, - au moins une quatrième couche mince formant une deuxième région de couplage et découplage associée au deuxième réseau, - au moins une couche épaisse formant ledit substrat. 10. Composant selon l'une quelconque des revendications 1 à 9 qui comporte deux structures ou réseaux résonants disposés symétriquement par rapport au plan (12,12b, 12c) médian du composant, de façon à former un filtre (3) passe-bande en transmission. 11. Dispositif optique à division de longueur d'onde, en particulier multiplexeur ou démultiplexeur (1,2) optique, qui comporte une pluralité de composants, en particulier de 8 ou 16 à 256 composants (3,4) selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel lesdits composants (3,4) sont mécaniquement solidaires les uns des autres, dont les longueurs d'onde centrale respectives sont de préférence différentes, et qui s'étendent sensiblement parallèlement les uns aux autres, et qui comporte en outre un moyen de collimation (11) associé à chaque composant (3,4), et le cas échéant un moyen de collimation (5) ou guide d'onde adapté pour le couplage optique du dispositif avec l'embout d'une fibre (6) optique.