Brevet FR2813075A1 — publié le 20020222

ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne des matériaux de céramique piézoélectrique, des compacts en céramique piézoélectrique frittée utilisant ces matériaux et des dispositifs en céramique piézoélectrique formés en ces compacts en céramique piézoélectrique frittée, et l'invention concerne plus particulièrement un compact en céramique piézoélectrique frittée utilisé avantageusement pour former un dispositif en céramique piézoélectrique qui doit présenter un coefficient de couplage électrochimique relativement faible et une stabilité en température supérieure de la fréquence de résonance, ainsi qu'un matériau de céramique piézoélectrique pour former le compact en céramique piézoélectrique frittée. 2. Description de l'art antérieur Jusqu'ici, les compacts en céramique piézoélectrique frittée formés en cuisant un matériau de céramique piézoélectrique composé de zirconite de titanate de plomb, à savoir PbZr03-PbTi03 ainsi qu'un composé pérovskite d'un complexe à base de plomb, à savoir Pb(MaXMdY)03 dissous dedans (dans lequel Ma est au moins un élément divalent ou un élément trivalent et Md est au moins un élément pentavalent ou un élément hexavalent) ont été utilisés pour former des filtres ou des oscillateurs utilisant des ondes dans la masse ou des ondes de surface. Puisqu'un compact en céramique piézoélectrique frittée formé en cuisant un matériau de céramique piézoélectrique contenant Mn en tant que Ma, qui est un composant accepteur, présente une perte relativement faible parmi les compacts piézoélectriques à base de zirconite de titanate de plomb, le compact en céramique piézoélectrique frittée décrit ci-avant a été largement utilisé dans diverses applications. En outre, des tentatives pour modifier de diverses manières les compositions des matériaux de céramique piézoélectrique ont été menées afin d'améliorer les propriétés de résonance de ces compacts en céramique piézoélectrique frittée. Par exemple, il a été décrit dans la demande de brevet non examinée du Japon de numéro de publication 5-327397 que lorsqu'un matériau de céramique piézoélectrique représenté par la formule (Pb,_XMeX) {(Mnl,3Nb2,3)aTibZrc}03 est utilisé, dans lequel Me est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba et Sr et x, a, b et c satisfont 0,005 En outre, dans la demande de brevet non examinée du Japon de numéro de publication 5-24916, un matériau est décrit, ce matériau contenant un corps choisi parmi Si02 selon une teneur de 0,005 à 0,040% en poids et A1203 selon une teneur de 0,005 à 0,040% en poids en tant que matériau de céramique piézoélectrique basé sur {PbSr) {(TiZr)(MnNb)}03 qui permet de réduire une variation dans les propriétés électriques. Des compacts piézoélectriques frittés formés avec ces matériaux piézoélectriques présentent des propriétés relativement supérieures telles que des propriétés de résonance et une stabilité en température et par conséquent, ils peuvent être utilisés avantageusement pour diverses applications industrielles. Cependant, lorsqu'un compact en céramique piézoélectrique frittée classique présentant des propriétés en température relativement supérieures, comme décrit ci-avant, est utilisé pour former un filtre à bande étroite qui est nécessaire pour présenter des propriétés en température meilleures que celles d'un filtre à bande large, un problème peut se poser dans certains cas en ce sens que la longueur d'ondes de transmission centrale dans le filtre varie considérablement. En outre, puisque le compact en céramique piézoélectrique frittée classique qui a été décrit ci-avant présente un coefficient de couplage électromécanique relativement élevé dans un état dans lequel le degré de polarisation est saturé, il s'ensuit que, dans l'état qui a été décrit ci-avant, se pose un problème consistant en ce qu'un filtre à largeur de bande (ou bande passante) étroite ou un oscillateur hautement précis, dont tous deux doivent présenter une différence faible entre la fréquence de résonance et la fréquence d'anti-résonance, ne peuvent pas être proposés. Qui plus est, afin de diminuer le coefficient de couplage électromécanique lorsque le degré de polarisation est non saturé, une dégradation de la résistance de résonance ou une augmentation de la variation du degré de polarisation se produit et en tant que résultat, des pertes d'insertion des filtres peuvent être augmentées, des oscillations des oscillateurs peuvent devenir instables ou le rendement de fabrication peut être diminué. Afin de résoudre les problèmes décrits ci-avant, il a été divulgué que la variation du degré de polarisation peut être diminuée en concevant de façon appropriée un procédé de polarisation pour polariser les compacts piézoélectriques dans le brevet numéro 2 783 022, dans le brevet numéro 2 890 863 et dans la publication de demande de brevet examinée du Japon numéro 7-10584. Conformément aux procédés divulgués dans ces publications, le degré de polarisation peut être diminué de façon efficace ; cependant, une dégradation de la résistance de résonance ne peut pas être évitée lorsque le degré de polarisation est diminué. Par conséquent, lorsque les procédés mentionnés ci-avant sont appliqués à un compact piézoélectrique pour former un filtre ou un oscillateur, la perte d'insertion du filtre peut être augmentée ou l'oscillation de l'oscillateur peut devenir instable dans certains cas. En outre, une étape de polarisation doit être réalisée au moins deux fois lors de la fabrication de produits piézoélectriques et en tant que résultat, le temps requis pour la fabrication de produits piézoélectriques est de manière désavantageuse prolongé. RÉSUMÉ DE L'INVENTION Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à résoudre les problèmes qui ont été décrits ci-avant et de façon davantage particulière, à proposer un matériau de céramique piézoélectrique présentant des propriétés préférables pour la conception de filtres à largeur de bande étroite ou d'oscillateurs hautement précis, un compact en céramique piézoélectrique frittée formé en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique et un dispositif en céramique piézoélectrique comprenant le compact en céramique piézoélectrique frittée. Un matériau de céramique piézoélectrique conformément à la présente invention comprend une solution solide qui comporte un composant primaire constitué par PbTi03, PbZr03 et Pb(MaXMdY)03 où Ma est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant des éléments divalents et des éléments trivalents et Md est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant des éléments pentavalents et des éléments hexavalents, dans lequel la solution solide présente un système cristallin tétragonal et un rapport XIY qui est le rapport de la teneur en Ma X sur la teneur en Md Y supérieur au rapport stoechiométrique. Lorsqu'un matériau de céramique piézoélectrique présentant une composition prédéterminée et un système cristallin prédéterminé est choisi de façon spécifique, une stabilité en température supérieure de la fréquence de résonance d'un compact en céramique piézoélectrique frittée qui est formé en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique décrit ci-avant peut être obtenu. Par comparaison avec le cas dans lequel le rapport XIY coïncide avec le rapport stoechiométrique, le coefficient de température de la fréquence de résonance peut être diminué. Lorsque le système cristallin est autre qu'un système cristallin tétragonal, même lorsque le rapport XIY est augmenté jusqu'à plus que le rapport stoechiométrique, l'effet d'amélioration des propriétés de température ne peut pas être obtenu. Selon le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention, il est préférable que Ma soit du Mn et que Md soit au moins un élément sélectionné parmi le groupe comprenant Nb, Sb, Ta et W. Lorsque les teneurs en Mn, Nb, Sb, Ta et W sont respectivement représentées par A, B, C, D et E, le rapport accepteurs sur donneurs, c'est-à-dire AI(B + C + D + 2E), satisfait de préférence 0,525 Lorsque 0,525 Selon le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention, il est préférable que de plus de zéro à environ 20 moles (en pourcentage) de l'élément Pb qui est contenu dans le composant primaire décrit ci-avant soit remplacé par au moins un élément sélectionné parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La. Lorsqu'un remplacement est réalisé comme il a été décrit ci-avant, les effets de diminution de variation au niveau du coefficient de couplage électromécanique, de fréquence de résonance et de degré de polarisation du compact en céramique piézoélectrique frittée qui est obtenu en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique peuvent être davantage significatifs par comparaison avec le cas dans lequel un remplacement n'est pas réalisé. En outre, lorsque environ une à quatre moles (en pourcentage) du Pb sont remplacées, l'effet de variations décroissantes peut être davantage amélioré. A cet égard, lorsque plus d'environ 20 moles (en pourcentage) de l'élément Pb sont remplacées, la température de Curie du compact en céramique piézoélectrique frittée est diminuée et en tant que résultat de la température qui est utilisée lors de l'usinage ou lors du traitement pour former un dispositif en céramique piézoélectrique, les propriétés piézoélectriques du compact en céramique piézoélectrique frittée peuvent disparaître dans certains cas. Selon le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention, environ 0,003 à 0,1 parties en poids de Si02 et environ 0,003 à 0,1 parties en poids de A1203 sont de préférence contenues en relation avec 100 parties en poids du composant primaire. Les teneurs en Si02 et en A1203 comme décrit ci-avant servent à améliorer la résistance mécanique du compact en céramique piézoélectrique frittée qui est obtenu en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique. Lorsque les teneurs en Si02 et en A1203 sont respectivement augmentées jusqu'à plus qu'environ 0,1 parties en poids, une résistance de résonance non souhaitée du compact en céramique piézoélectrique frittée peut être augmentée dans certains cas. La présente invention peut également être appliquée à un compact en céramique piézoélectrique frittée formé en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique qui a été décrit ci-avant. En particulier, ce compact en céramique piézoélectrique frittée est obtenu en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention dans une atmosphère d'oxygène à une concentration d'oxygène d'environ 80% en volume ou plus. Le compact en céramique piézoélectrique frittée est de préférence utilisé dans un état polarisé non saturé présentant un coefficient de couplage électromécanique correspondant à environ 80% ou moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique frittée dans un état polarisé saturé. La présente invention peut également être appliquée à un dispositif en céramique piézoélectrique comprenant le compact en céramique piézoélectrique frittée décrit ci-avant et des électrodes sont prévues sur des surfaces du compact en céramique piézoélectrique frittée. En tant que ces dispositifs en céramique piézoélectrique, par exemple, un filtre, un dispositif de piégeage ou un oscillateur peuvent être mentionnés. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective qui représente un oscillateur en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à un mode de réalisation de la présente invention ; la figure 2 est une vue en perspective éclatée qui représente un filtre en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à un autre mode de réalisation de la présente invention ; la figure 3 est une vue avant qui représente un filtre en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à encore un autre mode de réalisation de la présente invention ; et la figure 4 est une vue qui représente la relation entre le coefficient de couplage électromécanique et la résistance de résonance lorsque le degré de polarisation est diminué dans le cas dans lequel le rapport de la pression partielle d'oxygène est modifié dans une atmosphère de cuisson pour former un compact en céramique piézoélectrique frittée qui présente une composition qui est préparée selon l'exemple de la présente invention. DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Ci-après, des exemples particuliers d'un dispositif en céramique piézoélectrique conformément à la présente invention seront décrits. La figure 1 est une vue en perspective qui représente un oscillateur 1 en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à un mode de réalisation de la présente invention. L'oscillateur 1 qui est représenté sur la figure 1, lequel oscillateur utilise un mode vibration en cisaillement, comprend un compact en céramique piézoélectrique frittée 3 qui se présente sous la forme d'une plaque rectangulaire qui est traitée au moyen d'un traitement de polarisation suivant la direction qui est représentée par une flèche 2 et sur des surfaces principales individuelles du compact en céramique piézoélectrique frittée 3, des électrodes de vibration 4 et 5 sont prévues. Les électrodes de vibration 4 et 5 sont prévues au niveau de côtés de parties d'extrémité qui sont opposés l'un à l'autre suivant la direction longitudinale du compact en céramique piézoélectrique frittée 3. Dans l'oscillateur 1 qui a été décrit ci-avant, lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de vibration 4 et 5, le compact en céramique piézoélectrique frittée 3 est amené à résonner conformément à un mode vibration en cisaillement. La figure 2 est une vue en perspective éclatée qui représente un filtre 6 en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à un mode de réalisation de la présente invention. Le filtre 6 comprend un compact en céramique piézoélectrique frittée 7 qui se présente sous la forme d'une plaque rectangulaire. Sur une surface principale du compact en céramique piézoélectrique frittée 7, un premier jeu d'électrodes de vibration 8 et 9 et un second jeu d'électrodes de vibration 10 et 11 sont formés. L'électrode de vibration 8 est connectée à une électrode de connexion 12 qui est formée au niveau d'une partie d'extrémité suivant la direction longitudinale du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 via une ligne de connexion 13, et l'électrode de vibration 11 est connectée à une électrode de connexion 14 qui est formée au niveau de l'autre partie d'extrémité suivant la direction longitudinale du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 via une ligne de connexion 15. Les électrodes de vibration 9 et 10 sont connectées l'une à l'autre via une ligne de relais 16. Sur l'autre surface principale du compact en céramique piézoélectrique frittée 7, même si ceci n'est pas représenté sur la figure, une électrode de vibration de côté de masse qui est opposée aux deux électrodes de vibration 8 et 9 du premier jeu et une électrode de vibration de côté de masse qui est opposée aux deux électrodes de vibration 10 et 11 sont formées, et ces électrodes de vibration de côté de masse sont toutes deux connectées à une électrode de côté de masse qui est formée au niveau d'une partie centrale suivant la direction longitudinale du compact en céramique piézoélectrique frittée 7. Le compact en céramique piézoélectrique frittée 7 quia été décrit ci-avant est reçu dans un évidement 18 qui est formé dans un boîtier en céramique 17. Dans le boîtier en céramique 17, des électrodes terminales ou de borne 19, 20 et 21 sont formées de manière à s'étendre depuis l'évidement 18 jusqu'aux surfaces externes. En outre, le boîtier en céramique 17 est recouvert d'un couvercle 22 et sur le couvercle 22, des électrodes terminales ou de borne 23, 24 et 25 sont respectivement formées en des positions qui correspondent à celles des électrodes terminales ou de borne 19, 20 et 21. L'électrode de connexion 12 qui est formée sur le compact en céramique piézoélectrique frittée 7 est connectée à l'électrode terminale ou de borne 19 dans le boîtier en céramique 17 par un adhésif conducteur qui n'est pas représenté sur la figure. De manière similaire à ce qui a été décrit ci-avant, l'électrode de connexion 14 est connectée à l'électrode terminale ou de borne 20 au moyen d'un adhésif conducteur. En outre, les électrodes de connexion de côté de masse du compact en céramique piézoélectrique frittée 7, qui ne sont pas représentées sur la figure, sont connectées à l'électrode terminale ou de borne 21 au moyen d'un adhésif conducteur. En outre, le couvercle 22 qui a été décrit ci-avant est lié au boîtier en céramique 17 au moyen d'un adhésif de manière à recouvrir l'ouverture de l'évidement 18. Par conséquent, un espace fermé est formé dans l'évidement 18 dans lequel le compact en céramique piézoélectrique frittée 7 est reçu. En outre, les électrodes terminales ou de borne 19, 20 et 21 sont respectivement connectées aux électrodes terminales ou de borne 23, 24 et 25. Lorsque le filtre 6 décrit ci-avant est utilisé, les électrodes terminales ou de borne 19 ou 23 et 20 ou 24 sont connectées à des lignes de signal et l'électrode terminale ou de borne 21 ou 25 est connectée à la masse. Dans ce filtre 6, une cavité est formée autour du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 dans le cas dans lequel un mode vibration en extension suivant l'épaisseur est utilisé et par ailleurs, lorsqu'un mode vibration en cisaillement est utilisé, un matériau d'amortissement qui est constitué par exemple par un caoutchouc silicone est prévu de manière à recouvrir au moins une zone de vibration ou aire de vibration du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 afin d'amortir une vibration non nécessaire. La figure 3 est une vue avant qui représente un filtre 26 en tant que dispositif en céramique piézoélectrique conformément à un autre mode de réalisation de la présente invention. Le filtre 26 comprend un compact en céramique piézoélectrique frittée 27 qui présente une structure qui est sensiblement équivalente à celle du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 qui est représenté sur la figure 2. Les mêmes index de référence des constituants qui sont représentés sur la figure 2 désignent les constituants équivalents qui sont prévus pour le compact en céramique piézoélectrique frittée 27 et des descriptions en double afférentes sont omises. Sur une surface principale du compact en céramique piézoélectrique frittée 27, comme dans le cas du compact en céramique piézoélectrique frittée 7 qui est représenté sur la figure 2, des électrodes de vibration 8 à 11, des électrodes de connexion 12 et 14, des lignes de connexion 13 et 15 et une ligne de relais 16 sont prévues et sur l'autre surface principale qui n'est pas représentée sur la figure, des électrodes de vibration de côté de masse et une électrode de connexion de côté de masse sont prévues. En outre, une borne de connexion 28 est connectée à l'électrode de connexion 12 sur le compact en céramique piézoélectrique frittée 27 par soudure ou similaire et selon une manière similaire à celle-ci, une borne de connexion 29 est connectée à l'électrode de connexion 14. En outre, une borne de connexion 30 est connectée à l'électrode de connexion de côté de masse qui n'est pas représentée sur la figure du compact en céramique piézoélectrique frittée 27. Lorsque le filtre 26 qui a été décrit ci-avant est utilisé, les bornes de connexion 28 et 29 sont connectées à des lignes de signal et la borne de connexion 30 est connectée à la masse. En outre, lorsqu'un mode vibration en cisaillement est utilisé dans le filtre 26, un matériau d'amortissement qui est constitué par exemple par un caoutchouc silicone, qui n'est pas représenté sur la figure, est prévu sur une surface du compact en céramique piézoélectrique frittée 27. Afin de former les compacts en céramique piézoélectrique frittée 3, 7 et 27 prévus dans les dispositifs en céramique piézoélectrique tels que l'oscillateur 1 et les filtres 6 et 26, un compact en céramique piézoélectrique frittée qui est obtenu en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention est utilisé. Le compact en céramique piézoélectrique frittée est de préférence utilisé dans un état polarisé non saturé dans lequel le coefficient de couplage électromécanique correspond à environ 80% ou moins de celui qui est obtenu dans un état polarisé saturé. La raison ne est qu'un procédé permettant de diminuer le degré de polarisation doit être utilisé afin d'obtenir un coefficient de couplage électromécanique faible qui est requis pour par exemple un filtre à largeur de bande étroite. En outre, un compact en céramique piézoélectrique frittée qui est formé en cuisant le matériau de céramique piézoélectrique dans une atmosphère d'environ 80% en volume ou plus d'oxygène est préférable. En réalisant une cuisson dans cette atmosphère d'oxygène comme décrit ci-avant, même lorsque le degré de polarisation est diminué de telle sorte que le coefficient de couplage électromécanique vaut environ 80% ou moins de celui dans un état polarisé saturé, la résistance de résonance n'est pas augmentée de manière significative. Par conséquent, par exemple, lorsqu'un filtre est formé en utilisant le compact en céramique piézoélectrique frittée décrit ci-avant, la perte d'insertion de ce filtre peut être contrôlée/commandée de manière à ne pas être augmentée de manière significative. Le matériau de céramique piézoélectrique permettant de former le compact en céramique piézoélectrique frittée est une solution solide qui comporte un composant primaire constitué par PbTi03, PbZr03 et Pb(MaXMdY)03 (où Ma est au moins un élément divalent ou élément trivalent et Md est au moins un élément pentavalent ou un élément hexavalent), où le système cristallin de cette solution solide est un système cristallin tétragonal et le rapport XIY, c'est-à-dire le rapport de la teneur en Ma X sur la teneur en Md Y supérieur au rapport stoechiométrique. . Lorsque le rapport X/Y excède le rapport stoechiométrique, par comparaison au cas dans lequel le rapport XIY est égal ou inférieur au rapport stoechiométrique, des propriétés de température supérieures qui sont requises pour des filtres à largeur de bande étroite peuvent être obtenues. La raison pour laquelle le système cristallin de cette solution solide est limité au système cristallin tétragonal réside dans le fait que lorsque le système cristallin est autre que le système cristallin tétragonal, l'effet d'amélioration des propriétés de température ne peut pas être obtenu même lorsque le rapport XIY est supérieur au rapport stoechiométrique. Selon le matériau de céramique piézoélectrique décrit ci-avant, il est préférable que Ma soit du Mn et que Md soit au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb, Sb, Ta et W. Lorsque la teneur en Mn est représentée par A et que les teneurs en Nb, Sb, Ta et W sont respectivement représentées par B, C, D et E, 0,525 La raison pour laquelle 0,525 En outre, lorsque, plus de zéro jusqu'à environ 20 moles (en pourcentage) de l'élément Pb dans le composant primaire du matériau de céramique piézoélectrique qui a été décrit ci-avant sont remplacées par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Sa, Br et La, des variations au niveau du coefficient de couplage électromécanique, de la fréquence de résonance et du degré de polarisation peuvent être diminuées. En particulier, lorsque environ 1 à 4% en moles de l'élément Pb sont remplacés, l'effet de diminution de la variation peut être davantage amélioré. Lorsque plus d'environ 20% en moles de l'élément Pb sont remplacés, la température de Curie du compact en céramique piézoélectrique frittée est diminuée et en tant que résultat de la température qui est utilisée lors de l'usinage ou lors du traitement pour former un dispositif en céramique piézoélectrique, par exemple la température utilisée lors de l'étape de refluage de soudure, les propriétés piézoélectriques du compact en céramique piézoélectrique frittée peuvent disparaître dans certains cas. En outre, lorsque environ 0,003 à 0,1 parties en poids de Si02 et environ 0,003 à 0,1 parties en poids de A1203 en relation avec 100 parties en poids du composant primaire sont contenues dans le matériau de céramique piézoélectrique, la résistance mécanique du compact en céramique piézoélectrique frittée peut être améliorée. Lorsque les teneurs en Si02 et en A1203 sont respectivement supérieures à environ 0,1 parties en poids, la résistance de résonance peut être augmentée de façon non souhaitable dans certains cas. Ci-après, le matériau de céramique piézoélectrique et le compact en céramique piézoélectrique frittée conformément à la présente invention seront décrits par report à des exemples détaillés plus particulièrement. Exemples En tant que matériau de départ pour le matériau de céramique piézoélectrique, Pb304, SrC03, CaC03, Ba03, La203, Zr02, Ti02, MnC03, Nb205, Sb203, Ta205, W03, A1203 et Si02 sont préparés. Puis après que ces matériaux de départ sont mélangés et pulvérisés de manière à présenter des compositions conformément à celles qui sont présentées au niveau des tableaux 1 à 3, une calcination est mise en oeuvre à une température comprise entre 800 C et 1100 C pendant une à quatre heures. Les mélanges calcinés ainsi obtenus sont pulvérisés et ainsi, des échantillons 1 à 70 qui sont représentés au niveau des tableaux 1 à 3 des matériaux de céramique piézoélectrique comprenant une solution solide sont obtenus. Au niveau des tableaux 1 à 3, les compositions des matériaux de céramique piézoélectrique des pièces de test sont représentées par la formule PbaZrbTi,#MaXMdY03 + aSi02 + aA1203, où la teneur en Pb a, la teneur en Zr b, la teneur en Ti c, la teneur en Mn A, la teneur en Nb B, la teneur en Sb C, la teneur en Ta D et la teneur en W E sont représentées en rapport molaire et "élément de remplacement du Pb/teneur de remplacement" est représenté en pourcentage molaire en relation avec un pourcentage molaire égal à 100 de Pb. En outre, la teneur en Si02 a et la teneur en A1203 a sont représentées en parties en poids en relation avec 100 parties en poids de PbaZrbTicMaXMdY03. Le système cristallin de la solution solide de chaque échantillon est également représenté au niveau des tableaux 1 à 3. A cet égard, le symbole de référence "MPB" signifie une frontière de phase cristalline entre un système cristallin tétragonal et un système cristallin rhomboédral. Au niveau des tableaux 1 à 3, des numéros d'échantillons repérés au moyen d'une astérisque correspondent à des exemples comparatifs qui sont hors du cadre de la présente invention. Les échantillons respectifs 1 à 70 des matériaux de céramique piézoélectrique obtenus sont découpés en pastilles en ajoutant un agent de liaison organique approprié, et des parties moulées se présentant sous la forme d'un parallélépipède rectangle de 20 mm x 30 mm x 8,5 mm sont formées au moyen d'un moulage par pression. Puis ces parties moulées sont soumises à cuisson entre 1050 et 1250 C pendant une à cinq heures dans une atmosphère d'oxygène et ainsi, des compacts en céramique piézoélectrique frittée sont obtenus. Après qu'un polissage par poudre abrasive est réalisé pour ces compacts en céramique frittée, des électrodes pour la polarisation sont formées dessus et un traitement de polarisation est réalisé en appliquant un champ électrique de 1 à 4 kV/mm pendant 30 à 60 minutes sur le compact en céramique frittée qui est placé dans une huile silicone à une température de 80 C à 100 C. En ce qui concerne les échantillons 6, 12, 18, 24, 30, 55, 61, 67 et 73, puisque les propriétés d'isolation électrique des compacts en céramique frittée afférents sont diminuées, le traitement de polarisation sous les conditions décrites ci-avant ne peut pas être réalisé. Par conséquent, un traitement de polarisation est réalisé en appliquant un champ électrique de 5,5 kV/mm pendant 30 minutes à chacun des compacts en céramique frittée qui ont été mentionnés ci-avant et qui sont placés dans un huile silicone diminuée jusqu'à 60 C. Puis les compacts en céramique frittée polarisés sont découpés selon des plaques rectangulaires d'une longueur de 5,1 millimètres, d'une largeur de 1,7 millimètres et d'une épaisseur de 0,3 millimètres en utilisant un outil de coupe de telle sorte que leur direction polarisée soit suivant la direction longitudinale de la plaque, et ces plaques coupées sont ensuite polies. Les propriétés piézoélectriques dans un mode vibration de cisaillement des pièces de test ainsi formées sont évaluées. Les tableaux 4 à 6 représente des caractéristiques piézoélectriques des échantillons 1 à 70. Au niveau des tableaux 4 à 6, le coefficient de couplage électromécanique k,5 (%) dans un état polarisé saturé, le coefficient de couplage électromécanique k15 (%) dans un état polarisé non saturé, la résistance de résonance Zr (0); la valeur absolue 1 f2-TC' (ppm/ C) du coefficient de température d'une fréquence de résonance f, dans une plage de température qui va de -20 C à 80 C, la résistance à la flexion (MPa) au moyen d'un test de flexion en trois points et des variations individuelles (des déviations standards) du coefficient de couplage électromécanique k,5 et de la fréquence de résonance fr, qui sont tous obtenus à partir de quinze éléments de test, sont représentés. Au niveau des tableaux 4 à 6, des numéros d'échantillon repérés au moyen d'une astérisque (*) sont des exemples comparatifs qui sont en-dehors du cadre de la présente invention. Sur la figure 4, les relations entre le coefficient de couplage électromécanique K15 et la résistance de résonance Zr d'un élément de test présentant une composition et un système cristallin de l'échantillon 4 (tableau 1) sont représentées. Les relations décrites ci-avant sont obtenues lorsque les concentrations en oxygène dans l'atmosphère de cuisson, c'est-à-dire des rapports de la pression partielle d'oxygène sur la pression totale, sont de 99, 80 et 20% et lorsque le degré de polarisation est diminué. La figure 4 représente qu'à un degré de polarisation auxquels les mêmes coefficients de couplage électromécanique K,5 sont obtenus, la résistance de résonance Zr qui est obtenue en réalisant une cuisson dans une atmosphère d'oxygène à un rapport de pression partielle d'oxygène d'environ 80% ou plus (une concentration en oxygène d'environ 80% en volume ou plus) est plus faible par comparaison à celle obtenue à un rapport d'une pression partielle d'oxygène de 20% (c'est-à-dire le cas dans lequel aucun contrôle d'atmosphère n'est réalisé). Par conséquent, lorsqu'un compact en céramique fritté présentant un coefficient de couplage électromécanique faible est formé en contrôlant/commandant le degré de polarisation, en réalisant une cuisson dans une atmosphère à un rapport d'une pression partielle d'oxygène d'environ 80% ou plus, un corps fritté présentant une résistance de résonance faible, c'est-à-dire une perte faible, peut être obtenu. Par report aux tableaux 1 à 6, lorsque des échantillons sont comparés les uns aux autres, lesquels échantillons présentent un système cristallin tétragonal, contiennent les mêmes éléments et présentent des rapports différents de la teneur en Ma X sur la teneur en Md Y, c'est-à-dire présentent des AI(B+C+D+2E) différents, en d'autres termes lorsqu'une comparaison est réalisée entre les échantillons 1 à 6, entre les échantillons 7 à 12, entre les échantillons 13 à 18, entre les échantillons 19 à 24, entre les échantillons 25 à 30, entre les échantillons 62 à 67 et entre les échantillons 68 à 73, de façon respective, des échantillons dans le cadre de la présente invention, c'est-à-dire des échantillons pour lesquels AI(B+C+D+2E) est supérieur à 0,500 présente un coefficient de température faible Ifs -TC de la fréquence de résonance f, par comparaison avec des échantillons qui présentent un rapport stoechiométrique de 0,500 et ainsi, on peut comprendre que la stabilité en température de la fréquence de résonance est améliorée. En outre, même si AI(B+C+D+2E) est supérieur au rapport stoechiométrique de 0,500 dans les échantillons 50 à 61, l'effet d'amélioration de la stabilité en température de la fréquence de résonance ne peut pas être obtenue. Comme on peut le voir lorsqu'une comparaison est réalisée entre les échantillons 62 à 73 ainsi qu'entre les échantillons 1 à 30, en augmentant AI(B+C+D+2E) décrit ci-avant jusqu'à plus que le rapport stoechiométrique, la stabilité en température de la fréquence de résonance peut être améliorée même si la teneur en ZrB et la teneur en TiC sont modifiées. Lorsque A/(B+C+D+2E) est inférieur à 0,525 dans les échantillons du système cristallin tétragonal 1, 2, 7, 8, 13, 14, 19, 20, 26, 62, 63, 68 et 69, f, - TCl est augmenté jusqu'à 40ppm/ C ou plus et il s'ensuit que ces échantillons ne conviennent pas pour former un compact en céramique piézoélectrique fritté pour une utilisation dans un filtre à bande passante ou largeur de bande étroite qui doit présenter une précision plus élevée de sa dépendance de la fréquence de résonance vis-à-vis de la température. Lorsque AI(B+C+D+2E) >1, comme dans le cas des échantillons 6, 12, 18, 24, 30, 67 et 73, un traitement de polarisation ne peut pas être aisément réalisé sous des conditions de polarisation typiques. En outre, Pb dans le composant primaire de la composition de l'échantillon 4 est remplacé dans les échantillons 31 à 40 par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La. Par conséquent, lorsque l'échantillon 4 est comparé aux échantillons 31 à 40, l'effet de remplacement décrit ci-avant peut être confirmé. C'est-à-dire que dans l'échantillon 4 dans lequel l'élément Pb n'a pas été remplacé, la variation de k15 est de 0,24% et par ailleurs, dans les échantillons 31 à 36 et dans les échantillons 38 à 40 dans lesquels environ 20% ou moins (pourcentage molaire) de l'élément Pb dans le composant primaire ont été remplacés par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La, la variation de kl5 peut être diminuée jusqu'à entre 0,01% à 0,06%. En particulier, conformément aux échantillons 31 à 33 ainsi qu'aux échantillons 38 à 40 dans lesquels environ 1 à 4% (pourcentage molaire) de l'élément Pb sont remplacés, la variation de k,5 peut être diminuée jusqu'à 0,01 %. En outre, la variation de fr est également de préférence influencée par le remplacement de l'élément Pb par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La. C'est-à-dire que dans l'échantillon 4 dans lequel le remplacement décrit ci-avant n'est pas réalisé, la variation de fr est de 10 kHz et par ailleurs, dans les échantillons 31 à 36 et dans les échantillons 38 à 40 dans lesquels environ 20% (pourcentage molaire) ou moins de l'élément Pb dans le composant primaire sont remplacés par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La, la variation de fr peut être diminuée jusqu'à entre 3 et 6 kHz. En particulier, conformément aux échantillons 31 à 33 et aux échantillons 38 à 40 dans lesquels environ 1 à 4% (pourcentage molaire) de l'élément Pb sont remplacés, la variation de fr peut être diminuée jusqu'à 3 kHz. Conformément à l'échantillon 37 dans lequel environ 20% (pourcentage molaire) ou plus de l'élément Pb sont remplacées, la température de Curie est diminuée et il s'ensuit que l'échantillon est aisément influencé par la chaleur. Par conséquent, les variations de k,5 et f, sont augmentées. L'effet d'ajout de Si02 et d'AI203 au composant primaire du matériau de céramique piézoélectrique peut être confirmé en réalisant une comparaison entre les échantillons 41 à 49 et l'échantillon 4 qui présente une composition équivalente à ceci près que les composés mentionnés ci-avant ne sont pas présents. Lorsque les résistances à la flexion sont comparées, l'échantillon 4 présente une résistance à la flexion de 92 MPa tandis que les échantillons 41 à 49 présentent des résistances à la flexion de 95 MPa ou plus. Conformément aux échantillons 42 à 45 ainsi que 47 à 49 qui contiennent 0,003 partie en poids ou plus de Si02 et 0,003 partie en poids ou plus d'AI203, les résistances à la flexion sont augmentées jusqu'à 105 MPa ou plus. Conformément aux échantillons 45 et 49 qui contiennent respectivement du Si02 et de l'AI203 selon une teneur supérieure à 0,1 partie en poids, les propriétés de frittage sont dégradées et en outre, la résistance de résonance est augmentée jusqu'à plus de 5 @Z. En tant que résultat, les teneurs en Si02 et en A1203 sont de préférence d'environ 0,1 partie en poids ou moins. La teneur en Pb dans le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention présente un certain niveau de tolérance. C'est-à-dire que comme on peut le voir dans le cas des échantillons 74 et 75, même lorsque la teneur en Pb a est modifiée dans la plage de 93 à 101 mol, les propriétés du compact en céramique piézoélectrique frittés ne sont pas influencés de façon significative. A cet égard, lorsque la teneur en PB a est augmentée au-delà de la plage mentionnée ci-avant, une déformation du compact en céramique fritté se produit aisément et par ailleurs, lorsque la teneur est diminuée jusqu'à moins que la plage mentionnée ci-avant, on peut comprendre qu'un compact en céramique fritté dense de façon satisfaisante est difficile à obtenir. La présente invention a été décrite jusqu'ici par report à des exemples particuliers ; cependant, le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention et le compact en céramique piézoélectrique fritté obtenu en soumettent à cuisson ce même matériau de céramique piézoélectrique ne sont pas limités aux exemples qui ont été décrits ci-avant et dans le cadre de la présente invention, diverses modifications peuvent être réalisées. En outre, le mode de vibration qui est utilisé dans le dispositif en céramique piézoélectrique qui est formé en utilisant le compact en céramique piézoélectrique fritté de la présente invention n'est pas limité à un mode vibration en cisaillement mais par exemple, un mode vibration en étalement, un mode vibration en extension suivant l'épaisseur ou une onde de surface peuvent également être utilisés. Par conséquent, la présente invention peut être appliquée à n'importe quel type de mode de vibration. Qui plus est, le compact en céramique piézoélectrique fritté de la présente invention n'est pas seulement appliqué à un filtre ou à un oscillateur mais est également appliqué à un autre dispositif qui utilise les propriétés piézoélectriques tel qu'un dispositif de piégeage. En particulier, le compact en céramique piézoélectrique fritté de la présente invention peut être appliqué de manière avantageuse à des applications dans lesquelles un coefficient de couplage électromécanique faible et des propriétés de température supérieure sont requis. Comme il a été par conséquent décrit, le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention comprend une solution solide qui comporte un composant primaire constitué par PbTi03, PbZr03 et Pb(Ma,Mdy)03 où Ma représente un ou plusieurs éléments bivalents ou trivalents et Md représente un ou plusieurs éléments pentavalents ou hexavalents où la solution solide présente un système cristallin tétragonal et le rapport XIY qui est le rapport de la teneur en Ma X sur la teneur en Md Y est supérieure au rapport stoechiométrique. Comme on peut le voir au vu des résultats des exemples qui ont été décrits ci-avant, la dépendance vis-à-vis de la température de la fréquence de résonance peut être diminuée dans un compact en céramique piézoélectrique fritté qui est obtenu en soumettant à cuisson le matériau de céramique piézoélectrique. En tant que résultat, un dispositif en céramique piézoélectrique tel qu'un filtre qui présente une stabilité en température supérieure de la fréquence de résonance peut être obtenu en utilisant le compact en céramique piézoélectrique fritté. Selon le matériau de céramique piézoélectrique conformément à la présente invention, l'effet d'amélioration de la stabilité en température de la fréquence de résonance est davantage significative dans le cas où Ma représente du Mn et Md est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb, Sb, Ta et W et lorsque les teneurs afférentes sont représentées respectivement par A, B, C, D et E, 0,525- Lorsque, de plus de zéro à environ 20% (pourcentage molaire) de l'élément Pb contenu dans le composant primaire dans le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention sont remplacés par un élément ou plus pris parmi Ca, Ba, Sr et La, l'effet de variations décroissantes au niveau du coefficient de couplage électromécanique et de la fréquence de résonance peut être amélioré. Par ailleurs, lorsque de 0,003 à 0,1 parties en poids de Si02 et de 0,003 à 0,1 parties en poids d'AI203 sont dans le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention en relation avec 100 parties en poids du composant primaire, la résistance mécanique d'un compact en céramique piézoélectrique fritté obtenu peut être amélioré. Lorsque qu'un compact en céramique piézoélectrique fritté est formé en soumettant à cuisson le matériau de céramique piézoélectrique de la présente invention dans une atmosphère d'oxygène à une concentration d'oxygène d'environ 80% en volume ou plus, même si le compact en céramique piézoélectrique fritté est dans un état polarisé non saturé qui présente un coefficient de couplage électromécanique correspondant à environ 80% au moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé, la résistance de résonance (pourquoi pas la résistance à la résonance ?) n'est pas augmentée de manière significative. En outre, lorsqu'un filtre est formé en utilisant le compact en céramique piézoélectrique fritté décrit ci-avant, la perte d'insertion afférente peut être diminuée. Par conséquent, lorsqu'un compact en céramique piézoélectrique fritté est placé dans un état polarisé non saturé qui présente un coefficient de couplage électromécanique correspondant à environ 80% au moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé, un dispositif en céramique piézoélectrique qui doit présenter un coefficient de couplage électromécanique faible tel qu'un filtre à largeur de bande étroite peut être obtenu en utilisant ce compact en céramique piézoélectrique fritté. REVENDICATIONS 1. Matériau de céramique piézoélectrique (3), caractérisé en ce qu'il comprend une solution solide qui comporte un composant primaire qui est composé par PbTi03, PbZr03 et Pb(Ma,Mdy)03, dans lequel jusqu'à environ 20 % molaire du Pb sont remplacés par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La, Ma est au moins un élément choisi parmi le groupe constitué par des éléments bivalents et par des éléments trivalents et Md est au moins un élément choisi parmi le groupe constitué par des éléments pentavalents et par des éléments hexavalents, dans lequel la solution solide présente un système cristallin tétragonal ; et le rapport de la teneur en Ma X sur la teneur en Md Y est supérieur au rapport stoechiométrique. 2. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 1, caractérisé en ce que Ma est du Mn et Md est au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Nb, Sb, Ta et W. 3. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 2, caractérisé en ce que, lorsque les teneurs en pourcentage molaire en Mn, Nb, Sb, Ta et W sont respectivement représentées par A, B, C, D et E, 0,525 à 0,1 partie en poids de Si02 et environ 0,003 à 0,1 partie en poids de A1203 par rapport à 100 parties en poids du composant primaire. 7. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 1, caractérisé en ce que plus de 0 % molaire du Pb contenu dans le composant primaire est remplacé par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La. 8. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'environ 1 à 4 % molaire du Pb contenu dans le composant primaire est remplacé par au moins un élément choisi parmi le groupe comprenant Ca, Ba, Sr et La. 9. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend en outre environ 0,003 à 0,1 partie en poids de Si02 et environ 0,003 à 0,1 partie en poids de A1203 par rapport à 100 parties en poids du composant primaire. 10. Matériau de céramique piézoélectrique (3) selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre environ 0,003 à 0,1 partie en poids de Si02 et environ 0,003 à 0,1 partie en poids de A1203 par rapport à 100 parties en poids du composant primaire. 11. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3), caractérisé en ce qu'il comprend un matériau de céramique piézoélectrique selon la revendication 10 qui a été soumis à cuisson dans une atmosphère présentant une concentration en oxygène d'au moins environ 80%. 12. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3), caractérisé en ce qu'il comprend un matériau de céramique piézoélectrique selon la revendication 6 qui a été soumis à cuisson dans une atmosphère présentant une concentration en oxygène d'au moins environ 80%. 13. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3), caractérisé en ce qu'il comprend un matériau de céramique piézoélectrique selon la revendication 1 qui a été soumis à cuisson dans une atmosphère présentant une concentration en oxygène d'au moins environ 80%. 14. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3) selon la revendication 13, caractérisé en ce que le compact en céramique piézoélectrique fritté est dans un état polarisé non saturé présentant un coefficient de couplage électromécanique correspondant à environ 80% ou moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé. 15. Dispositif en céramique piézoélectrique (3), caractérisé en ce qu'il comprend un compact en céramique piézoélectrique fritté selon la revendication 14 en combinaison avec des électrodes en surface (4, 5). 16. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3) selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il est dans un état polarisé non saturé et en ce qu'il présente un coefficient de couplage électromécanique correspondant à environ 80% ou moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé. 17. Dispositif en céramique piézoélectrique (3), caractérisé en ce qu'il comprend un compact en céramique piézoélectrique fritté selon la revendication 16 en combinaison avec des électrodes en surface (4, 5). 18. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3) selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il est dans un état polarisé non saturé et en ce qu'il présente un coefficient de couplage électromécanique qui correspond à environ 80% ou moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé. 19. Compact en céramique piézoélectrique fritté (3) selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il est dans un état polarisé non saturé et en ce qu'il présente un coefficient de couplage électromécanique qui correspond à environ 80% ou moins de celui d'un compact en céramique piézoélectrique fritté dans un état polarisé saturé.