Brevet FR2809811A1 — publié le 20011207

DISPOSITIF DE DETECTION DE PRESSION La présente invention concerne un dispositif de détection de pression, notamment du type constitué un diaphragme métallique servant à recevoir une pression et une plaquette de capteur à semiconducteurs fixée au - phragme métallique, et qui détecte la pression sur base d'une déformation de la plaquette de capteur lorsque pression est appliquée au diaphragme, et est adoptee de préférence dans un système de commande de la pression d'injection d'un moteur diesel pour un véhicule. dispositif de détection de pression décrit précédemment est de préféren ce adopté pour détecter la pression 'un fluide à haute pression. La demande de brevet japonais publiée N 11-94666 décrit un dispositif de détection de pression constitué d'un diaphragme métallique servant à recevoir une pression, et d'une plaquette de capteur à semiconducteur fixée au diaphragme métallique. Les faces cette plaquette ont pour orientation (1 0 0) et cette plaquette possède une forme rectangulaire. En outre des axes cristallins (directions d'axes) perpendiculaires entre eux sont disposés dans des positions pivotées d un angle 0 compris entre 15 et 37 par rapport à une droite parallèle à un côté de la plaquette de capteur. Conformément au dispositif de détection de pres sion, le degré de non-linéarité de la tension d'offset (TNO) en fonction de la température en tant que facteur d'erreur provoqué par la contrainte thermique est réduit dans les limites d'environ 2 . de la déviation totale, en raison de 1a disposition des axes mentionnée précédemment. I1 est souhaitable que le dispositif de détection de pression présente une précision accrue de détection. Par exemple, lorsque le dispositif est appliqué à un système de commande de la pression d'injection d'un moteur diesel pour un véhicule, une composante d'erreur du dispositif intervient pour environ 60 % de toutes les erreurs dans le système. 'est pourquoi il est souhaitable que la valeur TNO soit réduite à moins d'environ 1 % de la déviation totale, c est-à-dire que la non-linéarité TNO soit réduite à la moitié de la non-linéarité TNO du dispositif classique décrit ' '. Les auteurs à la base de la présente invention ont identifié les problèmes décrits ci-après pour aboutir à l'exigence indiquée précédemment. Les auteurs à la base de la présente invention ont simule une distribution de l'erreur provoquée par une contrainte minimale dans la plaquette de capteur du dispositif en utilisant le procédé aux éléments finis (FEM). Un résultat de cette simulation est représenté sur la figure , annexée à la présente demande. Une plaquette de capteur 30 possède des faces ayant une orientation (1 0 0). Les résistances des jauges de chaque groupe 51 à 54 sont disposées le long d'axes cristallins perpendiculaires entre eux sur face (1 0 0). Les résistances 51 à 54 des jauges sont disposées d'une manière symétrique par rapport au centre K la plaquette 30, c'est-à-dire 1e centre du diaphragme , et sont séparées du point K par une distance r. De façon plus détaillée, les résistances des jauges 51 et 54 sont dispo sées symétriquement par rapport au centre K et sont sépa rées les unes des autres par une distance égale à et les résistances des jauges 52, 53 sont disposées symétri quement par rapport au centre K en étant séparées l'une de l'autre par la distance 2r. La figure 6 représente un résultat de simulation lorsqu'on règle l'angle 0 à une valeur de 31 . La distribu- tion 'une erreur AaN provoquée par la contrainte thermique apparaît dans la plaquette à capteur 30 comme représenté sur figure 6. Par exemple, lorsque le dispositif détecte une pression de 100 MPa en tant que valeur maximale une surface de l'erreur D6N dans les limites de MPa correspond à une surface de la non-uniformité TNO inférieure à 2 % en déviation maximale. C'est pourquoi l'agencement des résistances des jauges 51 à 54 représen tées la figure 6 permet d'obtenir la non-linéarite TNO dans les limites de 2 % en déviation maximale. C'est pour quoi l'agencement des résistances des jauges 51 a 54 représentées sur la figure 6 peut fournir la non-linéarité TNO inférieure à 2 %, mais dépassant 1 % en déviation maximale. Pour réduire la valeur TNO par exemple à 1 % de la déviation maximale, les résistances des jauges 51 à 54 doivent être disposées dans des positions plus proches du point K, comme on le comprendra en référence à la figure 6. Cependant, lorsque des résistances des jauges 51 à 54 sont disposées dans des positions plus proches du point K, la sensibilité des résistances des jauges diminue. C'est pourquoi la sensibilité est déterminée par une différence entre les contraintes produites sur les axes cristallins . C'est pourquoi, le rapport signal/bruit (S/N) du dispositif s'altère, et c'est pour quoi il est difficile de détecter de façon précise la pression. La présente invention a pour objet de résoudre les problèmes mentionnés précédemment, et un but est de fournir un dispositif de détection de pression possédant une faible valeur TNO. Conformément à un premier aspect de l'invention, il est prévu un de détection de pression, comprenant un diaphragme circulaire formé d'un métal et destiné à recevoir une pression; une plaquette de capteur rectangulaire fixée au diaphragme et formée d'un semiconducteur monocristallin possedant des faces à orientation (1 0 0), plaquette de capteur possédant un côté qui fait un angle compris entre 15 27 par rapport à un axe cristallin du semiconducteur monocristallin, et quatre jauges extensométriques disposées selon une symétrie ponctuelle sur la plaquette de capteur par rapport au centre de la plaquette de capteur pour détecter la pression sur la base de déformations du diaphragme et de la plaquette de capteur, lesquelles jauges extensométriques étant constituées par un - premier couple de jauges extensométriques disposées sur un premier axe parallèle à l'axe cristallin , et par un second couple de jauges extensométriques disposées sur un second axe perpendiculaire au premier axe, caractérisé en ce que le rapport r/D1 de la dis tance r de chacune des jauges extensométriques par rapport au centre au diamètre D1 du diaphragme se situe dans une gamme comprise entre 0,2 et 0,7. Il est préférable que le rapport A/Dl soit situé dans une gamme comprise entre 0,25 et 0,45. Selon un autre aspect, la présente invention a trait à un dispositif de détection de pression, compre nant . un diaphragme circulaire formé 'un métal et destiné à recevoir une pression; une plaquette de capteur rectangulaire fixée au diaphragme et formée d'un semiconducteur monocristallin possédant des faces à orientation (1 0 0), plaquette de capteur possédant un côté qui fait un angle compris entre 15 et 27 par rapport à un axe cristallin du semiconducteur monocristallin, et quatre jauges extensométriques disposées selon une symétrie ponctuelle sur la plaquette de capteur par -rapport au centre de la plaquette de capteur pour détecter la pression sur la base de déformations du diaphragme et de la plaquette de capteur, lesquelles jauges extensométriques etant constituées par un premier couple de jauges extensométriques disposées sur un premier axe parallèle à 'axe cristallin , et un second couple de jauges extensométriques disposées sur un second axe perpendiculaire au premier axe, caractérisé en ce que le rapport r/D2 de la dis tance r de chacune des jauges extensométriques rapport centre à la longueur D2 du côté de la plaquette de capteur se situe dans une gamme comprise entre 0 et 0,5. Il est préférable que le rapport r/D2 situe dans une gamme comprise entre 0,2 et 0,28. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée après prise en référence aux dessins annexés les quels . - la figure 1A est une vue en plan d un capteur pression selon la présente invention; - 1a figure 1B est une vue en coupe transversale capteur de pression, prise 1e long de l'axe sur la figure 1A; - la figure 2 est un schéma du circuit capteur de pression; - les figures 3A à 3C sont des vues en coupe transversales schématiques de la plaquette capteur illustrant des étapes de fabrication de la présente inven tion; - la figure 4 est un graphique représentant une variation de la non-linéarité TNO en fonction rapport r/Dl; - la figure 4 est un graphique représentant une variation de la non-linéarité TNO en fonction du rapport r/D2; et - la figure 6, dont il a déjà été fait mention, représente un résultat de simulation montrant la distribu tion d'une erreur provoquée une contrainte thermique dans la plaquette de capteur. On va décrire ci-apres des formes de réalisation spécifiques de la présente invention en référence aux des sins annexés, sur lesquels mêmes éléments constitutifs ou des éléments constitutifs similaires sont désignés par les mêmes chiffres de référence. En référence aux figures 1A et 1B, on y voit représenté un dispositif détection de pression 1 com portant une tige métallique 20 possédant un diaphragme circulaire 10 dont le diametre est D1, une plaquette de capteur 30 fixée à une face 11 du diaphragme 10 par l'intermédiaire d'une face 31 de la plaquette, qui est formée d'un semiconducteur monocristallin et possède une forme de plaque plane et une forme carrée, dans laquelle la longueur d'un côté est D2. Le milieu de pression (gaz, liquide ou analogue), qui correspond à la pression d'injec tion de carburant d'un moteur pour un véhicule, est appliqué à une face 12 du diaphragme métallique 10. Le dispositif 10 détecte la pression sur la base d'une défor mation du diaphragme 10 et la plaquette de capteur 30. La tige métallique 20 possède une forme cylin drique et une partie creuse formée par découpage ou ana logue. En outre, la tige métallique 20 est réalisée en covar ou analogue, qui est composé d'un alliage du système Fi-Ni-Co possédant un coefficient de dilatation thermique égal à celui du verre. diaphragme 10 est formé sur l'extrémité de la tige métallique 20, et une partie d'ouverture (non représentée) est formée sur l'autre extrémité. La pression est introduite depuis la partie d'ouverture dans une direction représentée par une flèche sur la figure 1B, et la face 12 du diaphragme 10 reçoit la pression. Ici on va indiquer les dimensions de la tige métallique 20. Le diamètre extérieur du cylindre de la tige métallique est réglé à une valeur de 6,5 mm et le diamètre intérieur du cylindre est réglé à une valeur de 2,5 mm. L'épaisseur du diaphragme 10 est réglée sur une valeur de 0,65 mm pour la mesure d'une pression de 20 MPa et sur 1,40 mm pour la mesure d'une pression de 200 MPa. La plaquette de capteur 30 possède une face d'orientation (1 0 0) et est constituée d'un substrat en silicium monocristallin possédant une forme de plaque plane allongée et d'une épaisseur uniforme. La face 31 de la plaquette est fixée à la face 11 du diaphragme 10 par une couche de verre 40 formée d'un verre à bas point de fusion ou analogue. Ici on va indiquer les dimensions de la plaquette de capteur 30. La plaquette 30 possède une forme carrée de 3,56 mm x 3,56 mm et une épaisseur de 0,2 mm. Par ailleurs l'épaisseur de la couche de verre 40 est égale à 0,06 mm. La plaquette de capteur 30 possède des axes cristallins , qui sont perpendiculaires entre eux et sont essentiellement parallèles à une surface de la plaquette. Comme cela est représenté sur la figure 1, la plaquette 30 est disposée de telle sorte que chacun des axes fait un angle 0 compris entre 15 et 37 par rapport à une ligne A ou B représentée en trait mixte, parallèle à un côté de la plaquette de capteur 30. En d'autres termes, chacun des axes est pivoté d'un angle 0 par rapport à la ligne en trait mixte A ou B. Ici, une direction de l'un des axes cristallins faisant un angle 0 avec la ligne formée de tirets A est désignée comme étant une direction x, et une direction des autres axes faisant un angle 0 avec la ligne en trait mixte B est désignée comme étant une direction y. Par ailleurs les axes cristallins passent par le centre K de la plaquette de capteur 30. Les résistances de jauges extensométriques 51 à 54 sont formées sur une autre surface 32 de la plaquette de capteur 30 sous la forme de quatre éléments piézorésistifs, et chacune des résistances 51 à 54 des jauges de contrainte possède une forme rectangulaire. Chaque groupe de deux des résistances 51 54 des jauges extensométriques sont disposées dans la direction x ou dans la direction y comme cela est représenté sur la figure 1. Toutes les résistances des jauges extensométriques sont séparées du centre K de la plaquette de capteur 30 par une distance r, et sont disposées symétriquement par rapport au centre K. Un couple des résistances 51 et 54 des jauges extensométriques sont disposées de telle sorte qu'un grand côté de ces résistances est disposé parallèlement à la direction x, et un autre couple des résistances 51 et 54 des jauges extensométriques sont disposées de telle sorte qu'un grand côté de ces résistances est disposé parallèle ment à la direction y. Le centre K de la plaquette de cap teur 30 correspond à un centre du diaphragme 10. En effet les résistances 51 à 54 des jauges extensométriques sont disposées sur un cercle dont le rayon est r et dont le centre correspond au centre K, de telle sorte qu'elles sort disposées symétriquement par rapport à ce centre K. En outre, dans cette forme de réalisation, le rapport entre le diamètre D1 du diaphragme 10 et la dis tance r, qui est exprimé par r/D1, est réglé de manière à être compris dans la gamme entre 0,2 et 0,7 (de préférence entre 0,25 et 0,4). En outre le rapport entre la longueur D2 du côté de la plaquette 30 de capteur et la distance r, qui est exprimée par r/D2, est réglé dans une gamme com prise entre 0, 17 et 0, 5 (de préférence entre 0, 2 et 0, 28) . La raison pour laquelle les rapport sont réglés comme décrit précédemment va être expliquée ci-après. Les résistances 51 à 54 des jauges extensomé- triques sont connectées entre elles comme cela est repré senté sur la figure 2 de manière à constituer un circuit en pont Wheaststone. En outre des câblages et des plots de connexion sont formés sur la plaquette de capteur 30 de manière à connecter le circuit en pont de Wheaststone à un circuit externe. En outre, un film de passivation est formé sur plaquette de capteur 30. Ces éléments ne sont pas représentés sur les figures 1A et 1B, mais sont représentés sur les figures 3A à 3C qui illustrent les étapes fabrication de la plaquette de capteur 30. Ci-après, on va décrire les étapes principales fabrication en référence aux figures 3A à 3C. Ces figures représentent des vues en coupe transversale correspondant a une vue en coupe transversale représentée sur la figure Après qu'une configuration a été formée sur une pastille semiconductrice de type n représentée sur la figure 3, photolithographie, comme cela est représenté sur la figure 3B, forme des régions 61 de type P+ sur la pastille en faisant diffuser du bore ou analogue dans la pastille 60. régions 61 de type P+ correspondent aux résistances 52 et 53 des jauges extensométriques en tant qu'éléments formant résistances piézoélectriques. Par ailleurs figures 3A à 3C montrent uniquement une plaquette de capteur de la pastille 60, mais en réalité une pluralité de plaquettes de capteurs sont formées sur la pastille 60. Par ailleurs, pour l'obtention de l'angle 0 com pris entre 15 et 37 entre les axes cristallins et la ligne en trait mixte A ou B parallèle au côté de la plaquette de capteur 30, lorsque les lignes de marquage correspondent au côté de la plaquette de capteur 30, sont formées sur la pastille 60 au moyen d'une étape de photo lithographie, la pastille 60 tourne d'un angle prédétermine par rapport à un masque pour la formation des lignes d'inscription, lors du contrôle optique de la pastille. Ensuite, on forme successivement une pellicule d'oxyde 30, des éléments de câblage et des plots connexion 62 et un film de passivation 64. On supprime le film de passivation 64 formé sur les plots 62. Ensuite, découpe la plaquette de capteur 30 à partir de la pastille au moyen d'une étape de découpage en dés. Enfin, achève le dispositif de détection de pression 1 en fixant plaquette à capteur 30 sur le diaphragme 10 avec verre à bas point de fusion. Dans ce dispositif 1, lorsque la pression appliquée dans la direction indiquée par la flèche repré sentée sur la figure 18, le diaphragme 10 et la plaquette de capteur 30 sont déformés sous l'effet de la pression. A cet instant, dans l'état dans lequel une tension continue constante V est appliquée aux bornes d'entrée Ia et Ib dans le circuit de Wheaststone représenté sur la figure 2, la deformation de la plaquette de capteur 30 entraîne des variations de la valeur résistive des résistances 51 à jauges extensométriques. De préférence une tension Vout en fonction de la pression détectée est délivrée par bornes de sortie Pa et Pb, de sorte que la pression est detectée. De façon détaillée, une contrainte est provoquee la déformation de la plaquette de capteur 30 sous l'effet de la pression. La contrainte est produite dans direction x et dans la direction y parallèles aux axes cristallins . C'est pourquoi, lorsque la contrainte produite dans la direction x est réglée sur axx et que la contrainte produite dans la direction y est réglée sur ayy, une valeur proportionnelle à l'amplitude de la différence entre axx et ayy est détectée en tant que tension Vout. Ci-après on va expliquer la raison pour laquelle rapports r/D1 et r/D2 sont tels qu'indiqués précédem ment, en référence aux figures 4 à 6. Dans cette forme de realisation, la distribution d'une erreur 06N provoquée par la contrainte thermique, c'est-à-dire la non-linéarité de température de tension d'offset (TNO), apparaît également comme représenté sur la figure 6. La valeur TNO produite dans la plaquette à cap teur 30 est analysée au moyen du procédé aux éléments finis (FEM), en tenant compte de la disposition des résistances 51 54 des jauges extensométriques, des formes et des dimensions de la plaquette de capteur 30 et du diaphragme 10. I1 en résulte que, lorsque les rapports r/Dl et r/D2 sont réglés comme décrit précédemment, il s'avère que l'amplitude de la valeur TNO est réduite à la moitié de celle de l'art antérieur dans une gamme de températures de fonctionnement du dispositif (par exemple de -40 C à 140 C). Des exemples d'études concernant la valeur TNO sont indiqués sur les figures 4 et 5. Une relation entre le rapport r/Dl et l'amplitude de la valeur TNO et une relation entre le rapport r/D2 et l'amplitude de la valeur TNO est décrite par la valeur FEM sur la base d'un exemple du diaphragme 10, de la tige métallique 20 et de la plaquette de capteur 30 formée de matériaux et ayant des dimensions indiquées précédemment. En outre l'angle 8 est réglé à 31 , c'est-à-dire que l'étude est effectuée avec le dispositif possédant la distribution de la valeur TNO représentée sur la figure 6. Ici la valeur TNO est exprimée conformément à la relation suivante . TNO = [ f (Voffset (HT) - Voffset (RT)) /FS1 - @ (Voffset (LT) - Voffset (RT)) /FS} ] x 100 Voffset(T) étant une tension de sortie de point zéro une température T, RT désignant la température ambiante, HT la température maximale dans l'étendue de fluctuation de tem pératures (dans cette forme de réalisation 140 C), LT désignant la température la plus basse dans la limite de la largeur de fluctuation de la température et FS étant une largeur de déviation maximale de la tension de sortie (portée). La figure 4 représente un résultat obtenu par simulation de la relation entre le rapport r/Dl et l'amplitude de la non linéarité TNO au moyen du procédé FEM. Pour réduire l'amplitude de la non linéarité TNO à la moitié (en deçà de 1 . de la déviation maximale) de l'art antérieur dans 1a gamme des températures de fonctionnement, i1 faut régler le rapport r/D1 dans la gamme de 0,2 à 0,7. De préférence il faut régler le rapport r/D1 dans la gamme de 0 25 à 0,4 étant donné qu'un pic sous 1 %de la déviation maximale apparaît dans cette gamme. La figure 5 représente un résultat obtenu en simulant la relation entre le rapport r/D2 et l'amplitude de la valeur TNO au moyen de FEM. En réduisant l'amplitude de valeur TNO à la moitié de cette valeur antérieure dans la gamme des températures de fonctionnement, le rap port r/D2 est réglé dans la gamme de 0,17 à 0,5. De préfé rence le rapport r/D2 doit être réglé sur la gamme de 0,2 à 0, étant donné qu'un pic inférieur à 1 % de déviation maximale apparaît dans cette gamme. Par ailleurs, lorsque l'angle 0 est réglé entre 15 37 , hormis 31 , on obtient par simulation les memes résultats que ceux représentés sur les figures 4 et 5. Par consequent, l'amplitude de la valeur TNO est réduite a la moitié de celle de l'art antérieur dans la gamme des temperatures de fonctionnement lorsque les rapports r/D1 et r/D2 sont réglés dans la gamme décrite précédemment dans le dispositif de détection de pression comportant la plaquette de capteur 30 qui est fixée au diaphragme métallique 10 dans lequel l'angle 0 est réglé sur la gamme de 15 à 3 . Par ailleurs, dans cette forme de réalisation i1 est préférable que l'angle 0 soit réglé à 31 étant donné que la valeur TNO apparaît dans la plaquette de capteur 30 comme représenté sur la figure 6. C'est pourquoi une zone dans laquelle l'erreur AaN produite par la contrainte thermique devient inférieure à 1 9# en déviation maximale s'étend plus dans une direction le long des axes cristallins lorsque l'angle 0 est réglé à 31 comme représenté sur la figure 6. En d'autres termes, la distribution d'erreurs DsN provoquée par la contrainte thermique dans la plaquette de capteur 30 possédant une forme de plaque plane et rectangulaire dépend de la position relative entre le côté la plaquette de capteur 30 et la direction le long des axes cristallins . Par conséquent lorsque l'angle 0 diffère de 31 , la surface, dans laquelle l'erreur AGN provoquée par la contrainte thermique devient inférieure à + 1 % en déviation maximale, devient étroite dans une direction le long des axes cristallins de sorte que limite de cette zone se rapproche du centre K de la plaquette de capteur 30. Comme décrit précédemment, un signal de sortie du dispositif de détection de pression 1 est proportionnel à 'amplitude de la différence entre la contrainte axx et contrainte ayy produites dans les directions x et y de deux axes cristallins . En outre, l'amplitude de différence augmente lorsque chaque distance des résistances à 54 des jauges extensométriques par rapport au centre la plaquette de capteur 30 augmente. C'est pourquoi lorsque l'angle 0 est réglé à 31 , les résistances 51 à jauges extensométriques peuvent être disposées dans les positions les plus éloignées du centre K de la plaquette de capteur 30 dans la zone dans laquelle la valeur TNO vient se situer à moins de 1 % en déviation maximale, ce qui a pour effet que la disposition la plus préférable résistances 51 à 54 des jauges extensométriques peut être obtenue en termes à la fois d'amélioration de sensibilité et de réduction d'erreurs provoquées par contrainte thermique. Par ailleurs l'angle 0 réglé lors des étapes fabrication diffère inévitablement d'une position standard en raison d'erreurs lors de l'étape d'alignement du masque ou bien lors de l'étape de découpage en D de la pastille ou analogue. erreurs dans des étapes de fabrication sont constituées comme étant inférieures à 2 par rapport à un angle prédeterminé 6. C'est pourquoi l'angle A inclut un angle de + 2 en tant que gamme de tolérance. exemple, l'angle 6 se situe dans une gamme de 31 2 . Par ailleurs le rapport r/D1 et le rapport r/D2 ne sont pas nécessairement réglés simultanément dans les gammes mentionnées précédemment. Le dispositif détection de pression peut être également adapté à un dispositif détectant un fluide à haute pression en plus 'un capteur détectant la pression d'injection d'un système de commande de pression d'injection d'un moteur diesel pour un véhicule. Bien que la présente invention ait été représentée et décrite en référence aux formes de réalisation préférées indiquées précédemment, il apparaîtra à l'evidence aux spécialistes de la technique que des modifications de formes et des détails peuvent être apportés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection de pression, compre nant . un diaphragme circulaire (10) forme d'un métal et destiné à recevoir une pression; une plaquette de capteur rectangulaire (30) fixée au diaphragme et formée d'un semiconducteur monocristallin possédant des faces à orientation (1 0 0), plaquette de capteur possédant un côté qui fait un angle compris entre 15 et 27 par rapport à un axe cristallin du semiconducteur monocristallin, et quatre jauges extensométriques ( à 54) dispo sées selon une symétrie ponctuelle sur plaquette de capteur par rapport au centre (K) de la plaquette de capteur pour détecter la pression sur la base de déforma tions du diaphragme et de la plaquette de capteur, les quelles 'auges extensométriques étant constituées par un premier couple de jauges extensométriques disposées sur un premier parallèle à l'axe cristallin , et par un second couple de jauges extensométriques disposées sur un second perpendiculaire au premier axe, caractérisé en ce que le rapport r/Di de la dis tance r de chacune des jauges extensométriques par rapport au centre au diamètre D1 du diaphragme se situe dans une gamme comprise entre 0,2 et 0,7. 2. Dispositif de détection de pression selon la revendication 1, dans lequel le rapport R/Dl se situe dans une gamme comprise entre 0,25 et 0,4. 3. Dispositif de détection de pression, compre nant . un diaphragme circulaire (10) forme d'un métal et destiné à recevoir une pression; une plaquette de capteur rectangulaire (30) fixée au diaphragme et formée d'un semiconducteur monocristallin possédant des faces à orientation (1 0 0), plaquette de capteur possédant un côté qui fait un angle (0) compris entre 15 et 27 par rapport à un axe cristallin du semiconducteur monocristallin, et quatre jauges extensométriques (51 à 54) dispo sées selon une symétrie ponctuelle sur la plaquette de capteur par rapport au centre (K) de la plaquette de capteur pour détecter la pression sur la base déforma tions du diaphragme et de la plaquette de capteur, les quelles 'auges extensométriques étant constituees par un premier couple de jauges extensométriques disposées sur un premier parallèle à l'axe cristallin , et un second couple de jauges extensométriques disposées sur un second perpendiculaire au premier axe, caractérisé en ce que le rapport r/D2 la dis tance r de chacune des jauges extensométriques rapport au centre à la longueur D2 du côté de la plaquette de capteur se situe dans une gamme comprise entre 0 et 0,5. 4. Dispositif de détection de pression selon la revendication 3, caractérisé en ce que le rapport r/D2 est compris dans une gamme située entre 0,2 et 0,28. 5. Dispositif de détection de pression selon l'une ou l'autre des revendications 3 et 4, caractérisé en ce que le rapport de la distance r de chacune jauges extensométriques au centre au diamètre Dl du diaphragme se situe dans une gamme comprise entre 0,2 et 0,7. 6. Dispositif de détection de pression selon la revendication 5, caractérisé en ce que le rapport r/D1 se situe dans une gamme comprise entre 0,25 et 0,4. 7. Dispositif de détection de pression selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, caractérise ce que l'angle 0 se situe dans une gamme de valeurs correspondant à 31 + 2 .