Brevet FR2810450A1 — publié le 20011221

ELEMENT A SEMICONDUCTEUR DE PUISSANCE COMPORTANT DES DIODES DE DETECTION DE TEMPERATURE ET DES DIODES D'ABSORPTION D'ELECTRICITE STATIQUE, ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR COMPRENANT CET ELEMENT La présente invention concerne un élément à semiconducteur de puissance et un dispositif à semiconducteur de puissance, et elle con- cerne plus particulièrement une technique pour réduire le bruit de haute fréquence d'un dispositif à semiconducteur de puissance, ayant une fonction de détection de température. Un système de commande utilisant un élément à semiconduc- teur de puissance avec une diode de détection de température est utilisé pour éviter une dégradation ou autres de propriétés de l'élément, sous l'effet d'une élévation anormale de la température de jonction pendant le fonctionnement d'un élément à semiconducteur de puissance tel qu'un transistor bipolaire à grille isolée, ou IGBT, ou un transistor à effet de champ MOS de puissance, de type longitudinal. En d'autres termes, une section de diode de détection de température qui est constituée par une diode en silicium polycristallin et qui est complètement séparée électri- quement d'une section d'élément à semiconducteur de puissance, par I'utilisation d'une pellicule d'oxyde isolante, est formée à l'intérieur du substrat semiconducteur dans lequel est formée la section d'élément à semiconducteur de puissance. Un signal de détection indiquant le niveau d'élévation de la température de jonction de la section d'élément à semi- conducteur de puissance, qui a été détecté par la section de diode de détection de température, est transmis à une section de circuit de com- mande disposée à l'extérieur de l'élément à semiconducteur de puis- sance, et la section de circuit de commande effectue une opération de comparaison du signal de détection reçu avec un niveau prédéterminé et, 2 2810450 sur la base du résultat de l'opération, elle commande de façon appropriée la section d'élément à semiconducteur de puissance, pour éviter ainsi la dégradation, ou autres, des propriétés de la section d'élément à semi- conducteur de puissance, sous l'effet de l'élévation de la température de jonction. Dans ce cas, des bornes d'entrée de la section de diode de détection de température constituée par une diode en silicium polycris- tallin, et des bornes d'entrée de la section de circuit de commande sont connectées par exemple en utilisant une section de conducteurs consti- tuée par une paire d'éléments consistant en fils de connexion, et une paire d'éléments consistant en conducteurs relais; et l'élément à semi- conducteur de puissance et la section de circuit de commande sont logés dans un boîtier en résine. Le boîtier en résine est joint ici à une surface supérieure d'une plaquette de dissipation de chaleur, le long d'une partie périphérique ex- térieure. L'élément à semiconducteur de puissance comprenant la section de diode de détection de température est collé sur un substrat électri- quement isolant formé sur la plaquette de dissipation de chaleur. En outre, la demande de brevet du Japon ouverte à l'examen du public n 07-202129 (1995) décrit un élément à semiconducteur de puis- sance équipé d'une section de diodes de détection de température et d'une section de diode d'absorption électrostatique. Ainsi, en se référant à la figure 9, on note qu'une section de diodes de détection de tempéra- ture constituée par une multiplicité de diodes connectées séquentielle- ment en série dans le sens direct, est formée sur un substrat semicon- ducteur sur lequel est formé un transistor à effet de champ MOS de type longitudinal, et une section de diode d'amélioration de la résistance aux décharges électrostatiques, constituée par une diode connectée en pa- rallèle en sens inverse est formée entre une électrode d'anode à une ex- trémité de la section de diodes de détection de température, et une élec- trode de cathode à l'autre extrémité. Cette dernière diode a pour fonction d'éviter un fonctionnement défectueux de la section de diodes de détec- tion de température sous l'effet de l'électricité statique qui est générée entre les deux bornes de la section de diodes de détection de tempéra- ture précitée. Par exemple, il est possible de garantir l'aptitude à sup- 3 2810450 porter une tension de 200 V en utilisant la section de diode d'absorption d'électricité statique mentionnée en dernier. Par conséquent, en cons- truisant l'élément à semiconducteur de puissance de la manière repré- sentée sur la figure 9, il est possible d'améliorer l'immunité à des dé- charges électrostatiques tout en détectant l'élévation de la température de jonction de la section d'élément à semiconducteur de puissance. Dans l'élément à semiconducteur de puissance qui est décrit dans la demande de brevet précitée, si le nombre de diodes connectées en série dans la section de diodes de détection de température est aug- menté le plus possible à l'intérieur de la plage de la tension de source d'alimentation d'un circuit de comparaison de chute de tension en sens direct, envisagé ultérieurement, de la section de circuit de commande, la sensibilité de la section de diodes de détection de température vis-à-vis d'un changement de température augmente, ce qui améliore la précision de détection. Inversement, si la section de diodes de détection de tempé- rature est construite avec une seule diode, la sensibilité diminue, ce qui abaisse relativement la précision, ce qui fait qu'il est difficilement conce- vable de construire la section de diodes de détection de température avec une seule diode. Ensuite, la figure 10 monte un schéma synoptique de circuit d'un dispositif à semiconducteur dans lequel est incorporé un élément à semiconducteur de puissance 1P représenté sur la figure 9. Comme dé- crit précédemment, chaque section du dispositif à semiconducteur de la figure 10 est logée dans le boîtier en résine qui est joint à la surface su- périeure de la plaquette de dissipation de chaleur le long des périphéries extérieures. Comme représenté sur la figure 10, une section de circuit de commande 8P formée sur un substrat pour des circuits de commande (non représenté) est construite avec une section de circuit de commande d'élément à semiconducteur 2P pour commander l'élément à semicon- ducteur de puissance, une section de circuit 3P pour générer un courant de commande IF appliqué à une section de diodes de détection de tempé- rature 5AP, et une section de circuit amplificateur opérationnel de chute de tension, 4P, pour détecter une élévation anormale de la température de jonction, en comparant une chute de tension en sens direct, qui est un signal de détection de la section de diodes de détection de température 4 2810450 AP, avec un niveau prédéterminé. Ici, le symbole 1PP désigne une sec- tion d'élément IGBT et le symbole 5BP désigne une diode qui constitue une section de diode d'absorption d'électricité statique. Le dispositif à semiconducteur de puissance classique incorpo- rant l'élément à semiconducteur de puissance 1P représenté sur la figure , présente les problèmes suivants, bien qu'il contribue à l'amélioration de l'immunité vis-à-vis des décharges électrostatiques. Ainsi, si une onde de perturbation électromagnétique de haute fréquence, provenant de l'extérieur, arrive à l'intérieur du dispositif à semiconducteur de puis- sance, en particulier au voisinage de l'élément à semiconducteur de puissance 1P, ou si une onde de perturbation électromagnétique de mode supérieur, générée par l'élément à semiconducteur de puissance 1P pré- cité, lui-même, est présente au voisinage de l'élément à semiconducteur de puissance 1 P, une force électromotrice est générée sous l'effet du couplage électrostatique, et un couplage électromagnétique est produit entre la plaquette de dissipation de chaleur et les chemins (comprenant le chemin "aller" et le chemin "retour") du courant de commande IF de la section de diodes de détection de température, réalisés avec un élément consistant en un fil de connexion, 10P, et un élément consistant en un conducteur relais, 9P, ou entre les chemins précités et la masse du dis- positif à semiconducteur de puissance, ou entre les chemins précités et l'électrode (électrode de grille, électrode de commande, ou autres) pour un courant électrique élevé qui est appliqué à l'élément à semiconducteur de puissance, ou qui est fourni par celui-ci. Cette force électromotrice est générée de la même manière dans chaque chemin parmi le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF précité, et il en résulte qu'une différence de force électromotrice est générée entre le chemin "aller" et le chemin "retour". Ici, I'onde de pertubation électromagnétique de haute fréquence provenant de l'extérieur du dispositif à semiconducteur de puissance et qui entre dans le dispositif à semiconducteur peut être par exemple un bruit consistant en une onde de radio, un bruit hertzien généré par un appareil hertzien, un bruit hertzien généré par un téléphone portable, ou autres. La génération d'une telle onde de perturbation électromagnétique de haute fréquence au voisinage de l'élément à semiconducteur de puis- 2810450 sance se produit souvent, par exemple si le dispositif à semiconducteur de puissance est utilisé comme un composant électronique dans un corps mobile, tel qu'une automobile. La bande de fréquence d'une telle onde de perturbation électromagnétique de haute fréquence s'étend par exemple dans la gamme d'environ 1 MHz à 10 GHz. Il va sans dire que des ondes de perturbation électromagnétique au-dessous ou au-dessus de cette gamme peuvent occasionner le problème mentionné ici. Ici, le bruit occa- sionné par une onde de perturbation électromagnétique, qui est le pro- blème mentionné ici, est appelé le "mode commun". En outre, si une ligne de force magnétique d'une onde de per- turbation électromagnétique est couplée à une boucle de courant électri- que formée par le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF, une force électromotrice est générée dans la boucle de courant électrique précitée, à cause de l'induction électromagnétique. Le bruit dans ce cas est un bruit qu'on appelle le "mode normal". Par conséquent, les modes de génération de force électromo- trice mentionnés en premier et en dernier apparaissent tous deux sous la forme d'un bruit de haute fréquence sur un signal de chute de tension en sens direct (correspondant approximativement à un signal de tension continue) qui est généré entre les deux bornes de la section de diodes de détection de température. Si ces deux modes induisent une force élec- tromotrice élevée en comparaison avec la sensibilité (coefficient de tem- pérature) de la section de diodes de détection de température, un défaut gênant se produit dans le fonctionnement de la section de circuit amplifi- cateur opérationnel de chute de tension qui reçoit le signal de chute de tension en sens direct de la section de diodes de détection de tempéra- ture, pour effectuer une opération de comparaison du signal reçu avec un niveau prédéterminé, ce qui occasionne un problème consistant en une diminution du niveau de l'immunité vis-à-vis d'une onde de perturbation électromagnétique (ou EMI pour "electromagnetic interference"). En d'autres termes, si la température de jonction au moment du fonctionne- ment de la section d'élément à semiconducteur de puissance s'élève, la somme des chutes de tension en sens direct dans la section de diodes de détection de température change conformément à cette élévation, et le niveau de la force électromotrice de bruit s'élève dans une mesure telle 6 2810450 que la section de circuit de commande ne peut pas acquérir de manière exacte le signal de données ainsi changé. Par conséquent, la section de circuit de commande ne peut pas détecter le niveau de l'élévation de la température de jonction de la section d'élément à semiconducteur de puissance avec une bonne précision pour la commande. Selon un premier aspect de la présente invention, un élément à semiconducteur de puissance comprend: un substrat semiconducteur; une section d'élément à semiconducteur de puissance formée sur le substrat semiconducteur; une première section de diode formée sur le substrat semiconducteur pour détecter une température de la section d'élément à semiconducteur de puissance; et une seconde section de diode formée sur le substrat à semiconducteur et connectée entre deux bornes de la première section de diodes pour absorber l'électricité stati- que, et la première section de diodes comprend une multiplicité de pre- mières diodes connectées séquentiellement en un sens direct, la seconde section de diodes comprend au moins une seconde diode connectée en sens inverse, et une caractéristique d'impédance en haute fréquence de la seconde section de diode dans une bande de fréquence d'une onde de perturbation électromagnétique qui peut être générée au voisinage de la section d'élément à semiconducteur de puissance, est équivalente à une caractéristique d'impédance en haute fréquence de la première section de diode dans la bande de fréquence. Selon un second aspect de la présente invention, la seconde section de diodes comprend une multiplicité de secondes diodes con- nectées séquentiellement en sens inverse, le nombre de la multiplicité de secondes diodes est égal au nombre de la multiplicité de premières dio- des, et une caractéristique d'impédance en haute fréquence de chacune de la multiplicité de secondes diodes dans la bande de fréquence est équivalente à une caractéristique d'impédance en haute fréquence de chacune de la multiplicité de premières diodes dans la bande de fré- quence. Selon un troisième aspect de la présente invention, un disposi- tif à semiconducteur de puissance comprend: I'élément à semiconducteur de puissance selon le premier aspect; une section de conducteur du côté du chemin "aller", ayant une extrémité connectée à une borne du côté de 7 2810450 l'anode de la première section de diodes de l'élément à semiconducteur de puissance; une section de conducteur du côté du chemin "retour", ayant une extrémité connectée à une borne du côté de la cathode de la première section de diodes de l'élément à semiconducteur de puissance; une section de circuit amplificateur opérationnel ayant une borne d'entrée connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller"; une section de circuit de génération de courant de com- mande connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller", et ayant une configuration prévue pour générer un cou- rant de commande de la première section de diodes; et une section de circuit de commande d'élément ayant une borne de commande connectée à une borne de sortie de la section de circuit d'amplificateur opération- nel, et ayant une borne de sortie connectée à une électrode de com- mande de la section d'élément à semiconducteur de puissance de l'élé- ment à semiconducteur de puissance. Selon un quatrième aspect de la présente invention, le disposi- tif à semiconducteur de puissance comprend en outre: un condensateur ayant une armature connectée à l'autre extrémité de la section de con- ducteur du côté du chemin "aller", et ayant son autre armature connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "re- tour", le condensateur ayant une caractéristique d'impédance telle que son impédance dans la bande de fréquence soit inférieure à son impé- dance à l'extérieur de la bande de fréquence. Selon un cinquième aspect de la présente invention, la section de conducteur du côté du chemin "aller" comprend: une section de fil de connexion du côté du chemin "aller", ayant une extrémité connectée à la borne du côté de l'anode; et une section de conducteur relais du côté du chemin "aller", ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "aller", et la section de conducteur du côté du chemin "retour" comprend: une section de fil de connexion du côté du chemin "retour", ayant une extrémité connectée à la borne du côté de la cathode; et une section de conducteur relais du côté du chemin "retour", ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "retour", et la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" et la section de conducteur 8 2810450 relais du côté du chemin "retour" sont entourées par une section de cir- cuit magnétique en ferrite. Selon un sixième aspect de la présente invention, la section de circuit magnétique en ferrite est constituée par un circuit magnétique en ferrite tubulaire. Selon un septième aspect de la présente invention, la section de circuit magnétique en ferrite comprend un premier circuit magnétique en ferrite tubulaire et un second circuit magnétique en ferrite tubulaire, la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" est entourée par le premier circuit magnétique en ferrite, et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" est entourée par le second circuit magnétique en ferrite. Selon un huitième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur de puissance comprend en outre: un diélectrique qui est intercalé entre des sections en regard respectives de la section de conducteur du côté du chemin "aller" et de la section de conducteur du côté du chemin "retour". Selon un neuvième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur de puissance comprend en outre: un diélectrique qui est intercalé entre des sections en regard respectives de la section de conducteur du côté du chemin "aller" et de la section de conducteur du côté du chemin "retour". Selon un dixième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur de puissance comprend: l'élément à semiconducteur de puissance conforme au second aspect; une section de conducteur du côté du chemin "aller" ayant une extrémité connectée à une borne du côté de l'anode de la première section de diodes de l'élément à semicon- ducteur de puissance; une section de conducteur du côté du chemin "re- tour", ayant une extrémité connectée à une borne du côté de la cathode de la première section de diodes de l'élément à semiconducteur de puis- sance; une section de circuit amplificateur opérationnel ayant une borne d'entrée connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller"; une section de circuit de génération de courant de commande connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller", et ayant une configuration prévue pour générer un 9 2810450 courant de commande de la première section de diodes; et une section de circuit de commande d'élément ayant une borne de commande con- nectée à une borne de sortie de la section de circuit amplificateur opéra- tionnel, et ayant une borne de sortie connectée à une électrode de com- mande de la section d'élément à semiconducteur de puissance de l'élé- ment à semiconducteur de puissance. Selon un onzième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur de puissance comprend en outre: un condensateur ayant une armature connectée à l'autre extrémité de la section de con- ducteur du côté du chemin "aller" et ayant l'autre extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "retour", le condensateur ayant une caractéristique d'impédance telle que son im- pédance dans la bande de fréquence soit inférieure à son impédance à l'extérieur de la bande de fréquence. Selon un douzième aspect de la présente invention, la section de conducteur du côté du chemin "aller" comprend: une section de fil de connexion du côté du chemin "aller", ayant une extrémité connectée à la borne du côté de l'anode; et une section de conducteur relais du côté du chemin "aller", ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "aller", la section de con- ducteur du côté du chemin "retour" comprend: une section de fil de con- nexion du côté du chemin "retour", ayant une extrémité connectée à la borne du côté de la cathode; et une section de conducteur relais du côté du chemin "retour", ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "retour", et la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" étant entourées par une section de cir- cuit magnétique en ferrite. Selon un treizième aspect de la présente invention, le dispositif à semiconducteur de puissance comprend en outre: un diélectrique qui est intercalé entre des sections en regard respectives de la section de conducteur du côté du chemin "aller" et de la section de conducteur du côté du chemin "retour". Selon les premier à troisième aspects de l'invention, si la sec- tion d'élément à semiconducteur de puissance est incorporée dans le 1 0 2810450 dispositif à semiconducteur de puissance, même si des ondes de pertur- bation électromagnétique de haute fréquence sont générées au voisinage de la section d'élément à semiconducteur de puissance, la différence de force électromotrice générée entre la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin "retour" peut être réduite, ce qui réduit le degré d'influence des ondes de pertur- bation électromagnétique sur la sensibilité de la première section de dio- des. Ceci permet à la section de circuit amplificateur opérationnel de re- cevoir un signal qui a des signaux de bruit réduits en comparaison avec des signaux classiques, et qui est plus proche du signal de détection d'origine de la première section de diodes, de façon que la section de circuit de commande d'élément puisse commander la section d'élément à semiconducteur de puissance avec une précision plus élevée que précé- demment. Selon le quatrième aspect de l'invention, dans la bande de fré- quence des ondes de perturbation électromagnétique, le condensateur peut fonctionner comme un filtre passe-bas qui bloque la transmission de la différence de force électromotrice générée entre la section de con- ducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin "retour", vers les deux bornes d'entrée de la section de circuit amplificateur opérationnel, le degré d'influence des ondes de perturba- tion électromagnétique sur la sensibilité de la première section de diodes peut être réduit encore davantage, grâce à quoi la section de circuit am- plificateur opérationnel peut recevoir un signal qui contient des signaux de bruit réduits encore davantage et qui est encore plus proche du signal de détection d'origine de la première section de diodes. Selon les cinquième et septième aspects de l'invention, grâce à la présence de la section de circuit magnétique en ferrite, une inductance ayant une valeur relativement élevée est établie dans chaque section parmi la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" et la sec- tion de conducteur relais du côté du chemin "retour", le filtre passe-bas LC constitué par ces inductances et le condensateur arrête suffisamment la transmission aux deux bornes d'entrée de la section de circuit amplifi- cateur opérationnel de la différence de force motrice générée entre la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conduc- 1 1 2810450 teur du côté du chemin "retour", grâce à quoi le degré d'influence des ondes de perturbation électromagnétique sur la sensibilité de la première section de diodes peut être réduit encore davantage. Selon le sixième aspect de l'invention, du fait que la section de circuit magnétique en ferrite est formée en particulier par un circuit ma- gnétique en ferrite tubulaire, I'effet d'atténuation du bruit du filtre passe- bas LC qui est établi entre les deux bornes d'entrée de la section de cir- cuit amplificateur opérationnel, peut être renforcé davantage, grâce à quoi le degré d'influence des ondes de perturbation électromagnétique sur la sensibilité de la première section de diodes peut être réduit encore davantage. Selon le huitième aspect de l'invention, du fait de la présence du diélectrique, il est possible de réduire encore davantage les compo- santes inductives que présentent la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin "retour", ce qui permet de réduire la force électromotrice qui peut être générée dans chaque section parmi la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin "retour", par induction électromagnétique occasionnée par la génération des ondes de perturba- tion électromagnétique. Par ce point, la présente invention peut contri- buer à restreindre le degré d'influence des ondes de perturbation élec- tromagnétique sur la sensibilité de la première section de diodes. En ou- tre, conformément à cet aspect de l'invention, du fait que la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin "retour" sont disposées face à face, de façon qu'un diélectri- que puisse être intercalé entre elles, la dimension entre les deux sec- tions de conducteur peut être réduite, et l'aire de la boucle de courant électrique allant de l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller" jusqu'à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "retour", en passant par la première section de diodes et la seconde section de diodes, peut être remarquablement réduite. Ceci permet de réduire suffisamment le nombre de lignes de flux magnétique des ondes de perturbation électromagnétique qui sont en couplage avec la boucle de courant électrique précitée, grâce à quoi la force électromo- trice qui peut être générée dans la section de conducteur du côté du 12 2810450 chemin "aller" et dans la section de conducteur du côté du chemin "re- tour" peut être suffisamment réduite. Par ce point également, la présente invention peut contribuer encore davantage à restreindre le degré d'in- fluence des ondes de perturbation électromagnétique sur la sensibilité de la première section de diodes. Un but de la présente invention est donc de réduire autant que possible l'influence exercée sur la sensibilité de la section de diodes de détection de température par la force électromotrice générée par cou- plage entre le chemin du courant de commande devant être appliqué à la section de diodes de détection de température, et la plaquette de dissi- pation de chaleur, la masse ou l'électrode de la section d'élément à se- miconducteur de puissance. En outre, un autre but de la présente inven- tion est de réduire l'inductance de la section de conducteur relais. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est une représentation illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un pre- mier mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 2 est une coupe longitudinale illustrant un élément à semiconducteur de puissance de la présente invention, comportant une section d'élément à semiconducteur de puissance et une première section de diodes qui sont formées sur un substrat semiconducteur; La figure 3 est une vue en plan d'un élément à semiconducteur de puissance de la présente invention, illustrant une disposition des pre- mière et seconde sections de diodes; La figure 4 est une représentation illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un se- cond mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 5 est une vue en perspective illustrant une structure interne d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un se- cond mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 6 est une vue en perspective illustrant une structure interne d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un 13 2810450 * exemple modifié d'un second mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 7 est une représentation illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un troi- sième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 8 est une vue en perspective illustrant une structure interne d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un troi- sième mode de réalisation préféré de la présente invention; La figure 9 est une représentation illustrant une structure d'un transistor à effet de champ MOS avec une diode de détection de tempé- rature de l'art antérieur; et La figure 10 est un schéma synoptique illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance classique, utili- sant un IGBT avec une diode de détection de température. Points visés et résumé des modes de réalisation préférés Comme décrit précédemment, si une onde de perturbation électromagnétique est générée au voisinage de l'élément à semiconduc- teur de puissance, une force électromotrice est générée dans chaque chemin parmi le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de com- mande IF par couplage électrostatique et couplage électromagnétique, et ces forces électromotrices se changent en une différence de force élec- tromotrice entre le chemin "aller" et le chemin "retour", et donc en un bruit de haute fréquence entre les deux bornes d'entrée de la section de circuit amplificateur opérationnel de chute de tension. Le premier facteur qui occasionne une telle génération d'un bruit de mode commun semble être la structure elle-même de l'élément à semiconducteur de puissance représenté sur la figure 9. En d'autres termes, dans l'élément à semicon- ducteur de puissance représenté sur la figure 9, une section de diodes de détection de température (a) constituée par une multiplicité de diodes connectées en sens direct, et une section de diodes d'absorption d'élec- tricité statique (b) connectée en sens inverse entre la borne d'anode et la borne de cathode de la section de diodes (a) précitée, sont formées à l'intérieur du même substrat semiconducteur. En outre, la caractéristique d'impédance (qu'on appelle ci-après caractéristique d'impédance en haute fréquence) que chaque diode à jonction pn formée à l'intérieur du 1 4 2810450 même substrat semiconducteur présente dans la bande de fréquence d'ondes de perturbation électromagnétique qui sont susceptibles d'être générées au voisinage de l'élément à semiconducteur de puissance, semble être approximativement la même. Par conséquent, dans l'élément à semiconducteur de puissance représenté sur la figure 9, il y a un dés- équilibre entre la caractéristique d'impédance en haute fréquence de la section de diodes de détection de température et la caractéristique d'im- pédance en haute fréquence de la section de diodes d'absorption d'élec- tricité statique. Ce point s'applique de façon similaire dans l'élément à semiconducteur de puissance 1P représenté sur la figure 10. Par consé- quent, une différence de force électromotrice est générée sous la forme d'un bruit de mode commun entre la section de chemin "aller" et la sec- tion de chemin "retour" du courant de commande IF, et en outre, du fait que le degré de déséquilibre entre les caractéristiques d'impédance en haute fréquence des deux sections de diodes est considérablement éle- vé, le bruit mentionné ci-dessus semble être induit sous la forme d'une force électromotrice élevée, en comparaison avec le coefficient de tem- pérature de la section de diodes de détection de température. Par conséquent, à titre de première solution, un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré est construit de manière qu'une section de diodes d'absorption d'électri- cité statique d'un élément à semiconducteur de puissance utilisé dans ce dispositif à semiconducteur, ait une caractéristique d'impédance en haute fréquence équivalente à la caractéristique d'impédance en haute fré- quence d'une section de diodes de détection de température. Plus préfé- rablement, en supposant que la caractéristique d'impédance en haute fréquence de chaque diode à jonction PN formée à l'intérieur du même substrat semiconducteur soit approximativement la même, la section de diodes d'absorption d'électricité statique est construite avec une multipli- cité de diodes connectées en sens inverse, et le nombre de la multiplicité de diodes constituant la section de diodes d'absorption d'électricité stati- que est fixe de façon à être égal au nombre de la multiplicité de diodes constituant la section de diodes de détection de température. En outre, le second facteur qui occasionne la génération de la force électromotrice par le bruit de mode commun semble être le dés- 1 5 2810450 équilibre entre les caractéristiques d'impédance d'entrée (les caractéris- tiques d'impédance dans la bande de fréquence précitée des ondes de perturbation électromagnétique) des deux bornes d'entrée de la section de circuit amplificateur opérationnel de chute de tension, 4P, représentée sur la figure 10. Cependant, du fait que le déséquilibre de ces caractéristiques d'impédance d'entrée ne peut pas être éliminé, il est nécessaire d'imaginer un plan pour éviter une diminution du niveau d'immunité aux perturbations électromagnétiques (ou EMI), tout en acceptant ce dés- équilibre. Par conséquent, à titre de seconde solution, le dispositif à se- miconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré est construit de manière qu'un condensateur (par exemple un condensa- teur à céramique) capable de fonctionner comme un filtre passe-bas qui peur amortir suffisamment un signal d'entrée dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électromagnétique, soit disposé dans la sec- tion d'entrée de circuit de commande, c'est-à-dire au voisinage de la section de jonction entre une section d'extrémité de la section de con- ducteur relais et le motif sur le substrat de commande ayant un motif pour la section de circuit de commande. En outre, à titre de troisième solution dans ce mode de réalisa- tion préféré, sur la base des première et seconde solutions précitées, une ou deux sections de circuit magnétique en ferrite tubulaire sont dis- posées de façon à entourer la section de conducteur relais de chemin "aller" et la section de conducteur relais de chemin "retour" du courant de commande IF. Ceci offre la possibilité de former un filtre passe-bas LC de façon que, même dans une situation dans laquelle un flux magnétique des ondes de perturbation électromagnétique est couplé à une paire de sections de conducteur relais, pour générer une force électromotrice, la tension de force électromotrice générée ne puisse pas être transmise et appliquée à la section d'entrée de circuit de commande, en fixant de fa- çon appropriée la valeur d'inductance que produit la section de circuit magnétique en ferrite. En outre, à titre de quatrième solution dans ce mode de réali- sation préféré, sur la base des première et seconde solutions précitées, un diélectrique intercalé entre des sections en regard respectives de la 1 6 2810450 section de conducteur du côté du chemin "aller" et de la section de con- ducteur du côté du chemin "retour" du courant de commande IF, est dis- posé entre le chemin "aller" et le chemin "retour". Cette solution vise également à réduire l'influence du bruit de mode normal, de la même ma- nière que les solutions précédentes. Dans ce qui suit, on décrira en dé- tail les première à quatrième solutions mentionnées ci-dessus, en se ré- férant aux dessins annexés. Premier mode de réalisation préféré La figure 1 est un schéma synoptique illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré. Sommairement, ce dispositif est constitué par un élément à semiconducteur de puissance, 1, en une seule puce, une sec- tion de fil de connexion 10, une section de conducteur relais 9, et une section de circuit de commande 8. La section de conducteur relais 9 et la section de fil de connexion 10 forment ensemble une section de conduc- teur de connexion qui couple l'un à l'autre l'élément à semiconducteur de puissance 1 et la section de circuit de commande 8. Le dispositif à semi- conducteur est logé dans un boîtier en résine qui est joint, le long de la section périphérique extérieure, à la surface supérieure d'une plaquette de dissipation de chaleur. Premièrement, l'élément à semiconducteur de puissance 1 est constitué par un substrat semiconducteur qu'on envisagera ultérieure- ment, une section d'élément à semiconducteur de puissance 1A (ici, un IGBT est dessiné, mais il peut s'agir d'une autre section d'élément, comme par exemple un transistor à effet de champ MOS de puissance de type longitudinal) formé sur le substrat semiconducteur, une première section de diodes ou section de diodes de détection de température, lB, formée sur le même substrat semiconducteur, pour détecter la tempéra- ture de jonction au moment du fonctionnement de l'élément à semicon- ducteur de puissance 1A, et une seconde section de diodes, ou section de diodes d'absorption d'électricité statique 1C, formée sur le même substrat semiconducteur et connectée entre les deux bornes de la pre- mière section de diodes lB ou entre la borne du côté de l'anode, 6, et la borne du côté de la cathode, 7, pour absorber l'électricité statique qui est produite dans la première section de diodes lB, afin d'améliorer l'immu- 1 7 2810450 nité aux décharges électrostatiques. En outre, la première section de diodes lB est construite avec n (n > 2) premières diodes 1BD connectées séquentiellement dans le sens direct, et la seconde section de diodes 1C est construite avec n secondes diodes 1CD connectées séquentiellement dans le sens inverse. En outre, la caractéristique d'impédance en haute fréquence de la première diode 1BD dans la bande de fréquence des on- des de perturbation électromagnétique, est approximativement égale à la caractéristique d'impédance en haute fréquence de la seconde diode l1CD dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électromagnéti- que, de façon que la caractéristique d'impédance en haute fréquence de la première section de diodes lB dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électromagnétique soit équivalente à la caractéristique d'impédance en haute fréquence de la seconde section de diodes 1C dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électromagnéti- que. En outre, la section de fil de connexion 10 est constituée par une section de fil de connexion du côté du chemin "aller" 10A ayant une extrémité connectée à la borne du côté de l'anode 6, une section de fil de connexion du côté du chemin "retour" 10B ayant une extrémité connectée à la borne du côté de la cathode, 7, et des première et seconde sections de fil de connexion du côté de commande, 10C et 10D, ayant une extré- mité respectivement connectée aux électrodes de commande ou aux bor- nes d'électrodes de commande 1GT et lET de la section d'élément à se- miconducteur de puissance 1A. En outre, la section de conducteur relais 9 est constituée par une section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "aller" 10A, une section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur de connexion du côté du chemin "retour" B, une première section de conducteur relais du côté de commande 9C ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la première section de fil de connexion du côté de commande 10C, et un second conducteur relais du côté de commande 9D. Ici, la section de fil de connexion du côté du chemin "aller" 10A et la section de conducteur relais du côté du 18 2810450 chemin "aller" 9A constituent une "section de conducteur du côté du chemin aller" et, d'autre part, la section de fil de connexion du côté du chemin "re- tour" 10OB et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B constituent une "section de conducteur du côté du chemin retour". D'autre part, le motif de la section de circuit de commande 8 est formé sur un substrat de commande (non représenté), et la section de circuit de commande 8 a les éléments suivants. Ainsi, une section de cir- cuit amplificateur opérationnel de chute de tension, 4, comporte une borne d'entrée 41 connectée à l'autre extrémité de la section de conduc- teur relais du côté du chemin "aller" 9A, et elle reçoit la chute de tension en sens direct détectée et fournie par la première section de diodes lB, pour effectuer une opération de comparaison du signal reçu avec un ni- veau de détermination prédéterminé. Si le niveau du signal reçu en en- trée dépasse le niveau de détermination prédéterminé, la section de cir- cuit amplificateur opérationnel de chute de tension, 4, détermine que la température de jonction au moment du fonctionnement de la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A s'est élevée jusqu'à une température anormale qui occasionne une dégradation des caractéristi- ques, et autres, et elle émet vers une borne de commande 2CT d'une section de circuit de commande d'élément 2 un signal de commande indi- quant que l'élévation anormale de la température de jonction a été dé- tectée. De plus, une borne de sortie 20T de la section de circuit de com- mande d'élément 2 est connectée à l'électrode de commande 1GT de la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A, par l'intermédiaire d'une section de conducteur du côté de commande (9C, 10C). En outre, une section de circuit de génération de courant de commande 3 est constituée par une source d'énergie ayant une tension prédéterminée et par une résistance ayant une valeur de résistance prédéterminée. Une extrémité de sortie de la section de circuit de génération de courant de commande 3 est connectée à l'autre extrémité de la section de conduc- teur du côté du chemin "aller" 9A, grâce à quoi la section de circuit de génération de courant de commande 3 génère et fournit en sortie un cou- rant de commande IF qui traverse la première section de diodes lB. En outre, un condensateur 11 (par exemple un condensateur à céramique) ayant une armature ou première électrode connectée à l'autre extrémité 1 9 2810450 de la section de conducteur du côté du chemin "aller" 9A, et ayant l'autre armature ou la seconde électrode connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "retour" 9B, est disposé sous la forme d'un condensateur de découplage dans la section de circuit de commande 8. Le matériau, la valeur de capacité, et autres, de ce condensateur 11 sont fixés de façon qu'il ait une caractéristique telle que son impédance dans la bande de fréquence décrite précédemment soit inférieure à son impédance dans les autres bandes de fréquence. Par conséquent, le condensateur 11 peut fonctionner comme un filtre passe- bas capable de coupler un signal de bruit d'une tension de force électro- motrice qui peut éventuellement être générée entre le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF, à cause des ondes de per- turbation électromagnétique de haute fréquence. Ici, les symboles sous forme de triangles dessinés aux extrémités libres des deux sections de conducteur 9B, 9D sur la figure 1 signifient que les extrémités libres des deux sections 9B, 9D sont connectées à une source d'énergie (tension négative) d'un circuit d'alimentation (non repré- senté) de l'élément à semiconducteur de puissance 1. De plus, la section de circuit amplificateur opérationnel 4 englobe une borne standard (non représentée) connectée à la source d'énergie précitée (tension négative). Ici, la figure 2 est une coupe longitudinale illustrant la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A constituant un IGBT, et la première section de diodes lB, constituée par des diodes en silicium po- lycristallin, qui sont toutes deux formées de façon mutuellement adja- cente sur le substrat semiconducteur de puissance 1S. Sur la figure 2, les numéros de référence 16 et 18 désignent une couche de type P et le numéro de référence 17 désigne une couche de type N. Dans l'élément à semiconducteur de puissance 1 pour ce dispositif à semiconducteur, une diode en silicium polycristallin lB qui est électriquement isolée de la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A par une pellicule d'oxyde isolante 19, et qui comporte une multiplicité de jonctions P-N disposées en sens direct, est formée sur le substrat semiconducteur 1S et fonctionne comme une section de détection de température de jonction à sensibilité élevée. Entre les deux bornes 6, 7 (voir la figure 1) de la diode en silicium polycristallin lB, une seconde section de diodes lC 2810450 constituée par une multiplicité de secondes diodes (le nombre des se- condes diodes est égal au nombre des premières diodes) connectées en série en sens inverse, est formée sur le même substrat semiconducteur IS, à titre de section d'amélioration de l'immunité aux perturbations électromagnétiques. Ici, la figure 3 est une vue en plan du substrat semiconducteur 1S illustrant une disposition de la première section de diodes 1 B et de la seconde section de diodes 1 C. Le numéro de référence 30 sur la figure 3 désigne une section qui est soumise à une opération de con- nexion de fils. La coupe longitudinale selon la ligne en trait mixte I-Il re- présentée sur la figure 3 correspond à la configuration de la première section de diodes 1 B représentée sur la figure 2. La structure en coupe longitudinale selon la ligne en trait mixte III-IV sur la figure 3 correspond à la structure de la seconde section de diodes, qui a la même structure que la première section de diodes lB représentée sur la figure 2. Les numéros de référence 16A et 18A désignent une couche de type N, et le numéro de référence 17A désigne une couche de type P. Du fait que cha- cune des secondes diodes ICD constituant la seconde section de diodes 1C est réalisée sous la forme d'une diode en silicium polycristallin sur le même substrat semiconducteur 1S, chacune des secondes diodes 1CD a une caractéristique d'impédance en fonction de la fréquence qui équivaut à celle de la première diode 1BD pour la détection de la température. Le dispositif à semiconducteur conforme à ce mode de réalisa- tion préféré produit un effet qui est le suivant: même si une force élec- tromotrice basée sur l'impédance de la section de fil de connexion 10 ou de la section de conducteur relais 9, est générée à cause de couplages (couplage électrostatique et couplage électromagnétique) générés entre la plaquette de dissipation de chaleur et les chemins du courant de com- mande IF de la section de diodes de détection de température lB, réali- sés avec la section de fil de connexion 10 et la section de conducteur relais 9 sur la figure 1, ou entre les chemins mentionnés ci-dessus et la masse, ou entre les chemins mentionnés ci-dessus et l'électrode pour un courant électrique élevé qui est introduit dans l'élément à semiconduc- teur de puissance 1, ou est fourni par celui-ci, à cause de l'influence des ondes de perturbation électromagnétique de haute fréquence générées au voisinage de l'élément à semiconducteur de puissance 1A, la force 21 2810450 électromotrice due à l'influence des ondes de perturbation électromagné- tique générées entre le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF pour détecter la température, ne contribue pas autant à exercer une influence sur la sensibilité de la section de diodes de détec- tion de température 1B, du fait que les première et seconde sections de diodes 1B, 1C dans les deux sens sont formées dans la section de for- mation de diodes sur le substrat semiconducteur 1S, sans avoir une diffé- rence mutuelle en ce qui concerne les caractéristiques d'impédance en haute fréquence. De plus, ce dispositif produit en outre un effet qui est le suivant: du fait que le condensateur 11 en céramique ou autres, ayant une caractéristique d'impédance faible pour des ondes de haute fré- quence, est monté sur la section d'entrée de signal de la section de cir- cuit de commande 8, le condensateur 11 peut fonctionner comme un filtre passe-bas capable d'amortir suffisamment le niveau du signal d'entrée dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électromagnéti- que, de façon que la force électromotrice due à l'influence des ondes de perturbation électromagnétique qui sont générées entre le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF pour détecter la tempé- rature, ne contribue pas autant à exercer une influence sur la sensibilité de la section de diodes de détection de température lB. Ici, le nombre des secondes diodes 1CD constituant la seconde section de diodes lC peut être différent du nombre des premières diodes 1BD constituant la première section de diodes lB, à condition que la ca- ractéristique d'impédance en haute fréquence, mentionnée ci-dessus, de la seconde section de diodes 1C elle-même, soit la même que celle de la première section de diodes lB. Par exemple, le nombre des secondes diodes 1CD peut être égal à un. Second mode de réalisation préféré Ce mode de réalisation préféré est caractérisé en ce que, en plus de la structure caractéristique d'un premier mode de réalisation préféré, il est ajouté une structure telle que "la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B soient entourées par une section de circuit magnétique en ferrite". Dans ce qui suit, on décrira sa structure caracté- ristique en se référant aux dessins annexés. 22 2810450 La figure 4 est un schéma synoptique illustrant une structure d'un circuit équivalent d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré. La structure de circuit de la figure 4 diffère de la structure de circuit de la figure 1 en ce que (1) en plus d'une inductance parasite que la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A possède en propre, la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A a une première inductance 12A pro- duite par le premier circuit magnétique en ferrite tubulaire mentionné ul- térieurement, et ayant une valeur supérieure à la première inductance parasite précitée, et en ce que (2) en plus d'une inductance parasite que la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B possède en propre, la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B a une seconde inductance 12B produite par un second circuit magnétique en ferrite tubulaire mentionné ultérieurement, et ayant une valeur supé- rieure à l'inductance parasite précitée. Ceci permet aux deux inductances 12A et 12B d'induire une induction mutuelle, et constitue un filtre passe- bas LC entre les deux inductances et le condensateur 11. A ce moment, en fixant de façon appropriée la valeur de chacune des inductances 12A, 12B et la valeur de capacité du condensateur 11, on peut réaliser un fil- tre passe-bas LC qui présente une caractéristique d'arrêt du signal d'en- trée dans la bande de fréquence des ondes de perturbation électroma- gnétique. La figure 5 est une vue en perspective illustrant une structure interne du dispositif à semiconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré, représenté sur la figure 4, avec une partie de ce- lui-ci représentée en coupe. En se référant à la figure 5, on note que la section inférieure du boîtier en résine 21 est fixée sur la section périphérique extérieure de la surface supérieure de la plaquette de dissipation de chaleur 25 décrite précédemment. En outre, la section de base 21B de la surface de paroi intérieure d'une section de surface latérale 21A, dans la direction longi- tudinale du boîtier 21, a une forme qui fait saillie vers l'espace intérieur du boîtier 21. En d'autres termes, la forme en coupe longitudinale de la section de surface latérale 21A mentionnée ci-dessus a la forme de la lettre L. En outre, la surface inférieure du substrat semiconducteur 1S est 23 2810450 collée sur la surface supérieure du substrat isolant 27 fixé sur la surface supérieure de la plaquette de dissipation de chaleur 25, de façon que le substrat semiconducteur 1IS soit disposé de manière à faire face à la section de base 21B. Comme représenté sur les figures 2 et 3, la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A et les première et seconde sections de diodes lB, 1C sont formées sur la surface supérieure du substrat semiconducteur 1S. En outre, une multiplicité de motifs de con- ducteurs linéaires 10A2, 10B2, auxquels une extrémité des fils de connexion 1OA1, 1OB1, qu'on mentionnera ultérieurement, doit respectivement être connectée par pression, sont formés sur la surface supérieure de la sec- tion de base 21B du boîtier en résine 21. Ainsi, en se référant à la figure , on note que la section de fil de connexion du côté du chemin "aller" A représentée sur les figures 1 et 4 est constituée par un fil de con- nexion du côté du chemin "aller" 10A1 dont l'autre extrémité est connec- tée par pression sur une plage de connexion du côté du chemin "aller" 6 (correspondant à la borne du côté de l'anode) disposée sur la surface supérieure du substrat semiconducteur 1S, et par un motif de conducteur du côté du chemin "aller" 10A2. De façon similaire, la section de fil de connexion du côté du chemin "retour" 10B représentée sur les figures 1 et 4 est constituée par un fil de connexion du côté du chemin "retour" B1 dont l'autre extrémité est connectée par pression à une plage de connexion du côté du chemin "retour" 7 (correspondant à la borne du côté de la cathode) disposée sur la surface supérieure du substrat semicon- ducteur 1S, et par un motif de conducteur du côté du chemin "retour" 10B2. En outre, une partie d'extrémité de la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et de la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B, ayant toutes deux une forme de plaque semblable à un parallélépipède rectangle, est jointe respectivement à l'autre extré- mité du motif de conducteur du côté du chemin "aller" 10A2 et du motif de conducteur du côté du chemin "retour" 10B2. En outre, un point essentiel de ce mode de réalisation préféré consiste en ce que la section de con- ducteur relais du côté du chemin "aller" 9A, à l'exclusion de son autre partie d'extrémité, est insérée ou introduite avec jeu dans un trou tra- versant (non représenté) d'un premier circuit magnétique en ferrite tu- bulaire 12AF, pour être ainsi entourée par le premier circuit magnétique 24 2810450 en ferrite 12AF. Ici, on fait couler un adhésif (non représenté) entre une surface de paroi du trou traversant du premier circuit magnétique en fer- rite 12AF, et une section principale sur la surface de la section de con- ducteur relais du côté du chemin "aller" 9A, qui est insérée dans le trou traversant mentionné ci-dessus. De façon similaire, la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B, à l'exclusion de son autre partie d'extrémité, est insérée avec jeu dans un trou traversant (non re- présenté) d'un second circuit magnétique en ferrite tubulaire 12BF, et l'espace entre les deux sections 9B, 12BF est rempli avec un adhésif (non représenté) pour coller l'une à l'autre les deux sections 9B, 12BF, pour la fixation. D'autre part, le substrat de commande 22 pour la section de circuit de commande est monté sur une section de support (non repré- sentée), qui est disposée sur la surface de paroi intérieure de la section de surface latérale 21A du boîtier en résine 21, et dont la section longi- tudinale a par exemple la forme de la lettre L, et le substrat de com- mande 22 est fixé sur la section de support par brasage ou autres. Des motifs de circuit (non représentés) de la section de circuit de commande 8 des figures 1 et 4 sont formés sur la surface supérieure du substrat de commande 22 (bien que ceci ne soit pas représenté, des composants électriques nécessaires sont montés sur les motifs de circuit), et des trous traversants 22H sont disposés dans le substrat de commande 22 pour l'insertion de l'autre extrémité de chaque section parmi la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section de conduc- teur relais du côté du chemin "retour" 9B, mentionnées ci-dessus. Ceci permet d'insérer l'autre extrémité de la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A dans le trou traversant 22H correspondant du substrat de circuit de commande 22, et la partie faisant saillie à partir du trou traversant 22H précité est brasée sur une plage de connexion du côté du chemin "aller" 22PA disposée autour du trou traversant 22H pré- cité. De façon similaire, l'autre extrémité de la section de conducteur re- lais du côté du chemin "retour" 9B est insérée dans le trou traversant 22H correspondant du substrat de circuit de commande 22, et la partie faisant saillie à partir du trou traversant 22H précité est brasée sur une plage de connexion du côté du chemin "retour" 22PB disposée autour du 2810450 trou traversant 22H précité. En outre, le condensateur 11 représenté sur les figures 1 et 4 est brasé entre la plage de connexion du côté du che- * min "aller" 22PA et la plage de connexion du côté du chemin "retour" 22PB. Ici, la figure 5 illustre un état dans lequel une seule paire de sections de conducteur relais 9 (9A, 9B) sont insérées dans les trous tra- versants des premier et second circuits magnétiques en ferrite tubulaires 12AF, 12BF; cependant, ceci est fait uniquement dans un but d'illustra- tion, c'est-à-dire qu'un nombre quelconque de paires de sections de con- ducteur relais 9 sont respectivement entourées par les premier et second circuits magnétiques en ferrite 12AF, 12BF correspondants. En outre, comme exemplifié sur la figure 5, I'espace intérieur du boîtier en résine 21 peut être rempli avec un gel 30 de façon à enro- ber le substrat semiconducteur 1S, la section de base 21B et les parties intermédiaires des premier et second circuits magnétiques en ferrite 12AF, 12BF. De cette manière, les premier et second circuits magnéti- ques en ferrite 12AF, 12BF seront fixés plus fermement. Ici, la structure de la figure 5 à l'exclusion des premier et se- cond circuits magnétiques en ferrite 12AF, 12BF correspond à la struc- ture interne du dispositif à semiconducteur de puissance conforme à un premier mode de réalisation représenté sur la figure 1. Le dispositif à semiconducteur de puissance de ce mode de réalisation préféré produit un effet qui est le suivant: même s'il apparaît une situation dans laquelle un flux magnétique des ondes de perturbation électromagnétique de haute fréquence est couplé à la boucle de courant électrique formée par le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF de la section de diodes de détection de température lB, qui sont réalisés avec la section de fil de connexion 10 et la section de conducteur relais 9 de la figure 4, I'influence que la force électromotrice entre le chemin "aller" et le chemin "retour" exerce sur la sensibilité de la section de diodes de détection de température lB, peut être supprimée au moyen du filtre passe-bas LC qui est formé avec les premier et second circuits magnétiques en ferrite tubulaires 12AF, 12BF, dans lesquels les sections de conducteur relais respectives 9A, 9B du chemin "aller" et du chemin "retour" sont insérées, et avec le condensateur 11 monté sur la 26 2810450 section d'entrée de signal de la section de circuit de commande 8. Exemple modifié du second mode de réalisation préféré La figure 6 montre un exemple modifié du second mode de réa- lisation préféré dans lequel les bornes relais de la présente invention sont insérées dans les trous traversants des circuits magnétiques en ferrite tubulaires. La structure du dispositif à semiconducteur de puissance représenté sur la figure 6 diffère de celle du second mode de réalisation préféré représenté sur la figure 5 par le fait que la section principale de la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section principale de la section relais du côté du chemin "retour" 9B, à travers lesquelles circule le courant de commande IF de la section de diodes de détection de température, sont insérées ensemble dans un trou traver- sant (non représenté) d'un seul circuit magnétique en ferrite tubulaire 12F, et sont entourées par ce trou. Ici, un espace entre les sections prin- cipales des deux sections de conducteur relais 9A, 9B et le trou traver- sant mentionné ci-dessus est rempli avec l'adhésif décrit précédemment, d'une manière similaire. De plus, comme représenté sur la figure 6, I'es- pace à l'intérieur du boîtier en résine 21 peut être rempli avec un gel 30 pour renforcer la fixation du circuit magnétique en ferrite 12F. De cette manière, l'inductance mutuelle M dans l'induction mu- tuelle des première et seconde inductances 12A, 12B qui sont produites par le circuit magnétique en ferrite 12F, peut être augmentée en compa- raison avec le cas du second mode de réalisation préféré, grâce à quoi la propriété de coupure de signal du filtre LC peut être améliorée (le niveau d'atténuation du filtre peut être augmenté). Troisième mode de réalisation préféré Ce mode de réalisation préféré concerne un perfectionnement du premier mode de réalisation préféré, et il est caractérisé en ce qu'un diélectrique intercalé entre les sections en regard respectives de la sec- tion de conducteur du côté du chemin "aller" (en particulier sa section de conducteur relais) et de la section de conducteur du côté du chemin "re- tour" (en particulier sa section de conducteur relais), est disposé de fa- çon à former un groupe de condensateurs entre la section de conducteur du côté du chemin "aller" et la section de conducteur du côté du chemin 27 2810450 "retour". La figure 7 est une représentation illustrant une structure de circuit d'un dispositif à semiconducteur de puissance conforme à ce mode de réalisation préféré. La figure 7 diffère de la figure 1 par le fait qu'un groupe de condensateurs 13C est disposé entre la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B. Ce groupe de condensateurs 13C est consti- tué par le diélectrique 13 suivant. On peut mentionner ici le mica, la cé- ramique, le silicium et autres, à titre d'exemple du diélectrique 13. La figure 8 est une vue en perspective illustrant une structure interne du dispositif à semiconducteur de puissance de ce mode de réali- sation préféré, et son point caractéristique réside en ce que la dimension entre la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B, à travers lesquelles circule le courant de commande IF de la section de diodes de détection de température 1B, est fixée de façon à être suffisamment fai- ble, et un diélectrique 13 est inséré entre ces sections. Ainsi, bien que le motif de conducteur du côté du chemin "aller" 10A2 soit le même que ce- lui de la figure 5, le motif de conducteur du côté du chemin "retour" 10B2 a la forme de la lettre L, et l'autre section d'extrémité du motif 10B2 mentionné ci-dessus, à laquelle doit être jointe une section d'extrémité de la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B, fait face à l'autre extrémité du motif de conducteur du côté chemin "aller" A2 correspondant. Par conséquent, la section de conducteur relais du côté du chemin "aller" 9A et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" 9B, dont une section d'extrémité est respectivement con- nectée à l'autre extrémité des motifs de conducteur 10A2, 10B2, se font face, et le diélectrique 13 est inséré entre les deux sections de conduc- teur relais 9A, 9B. Il résulte de ceci que les sections de conducteur relais 9A, 9B forment deux électrodes du groupe de condensateurs 13C sur la figure 7. Ici, le substrat semiconducteur 1S ayant la section de diodes de détection de température lB, la section de diodes d'absorption d'électri- cité statique 1C et la section d'élément à semiconducteur de puissance 1A, ainsi que le substrat de commande 22 sur lequel est monté le con- 28 2810450 densateur 11, ont des structures équivalentes à celles décrites précé- demment dans les premier et second modes de réalisation préférés. Dans le dispositif à semiconducteur de puissance de ce mode de réalisation préféré, du fait que les sections de conducteurs relais du côté du chemin "aller" et du côté du chemin "retour" 9A, 9B, se faisant face sur la figure 8, ont une configuration telle que l'aire de la boucle de courant électrique formée par le chemin "aller" et le chemin "retour" du courant de commande IF de la section de diodes de détection de tempé- rature lB peut être rendue très faible, le nombre des lignes de flux ma- gnétique qui sont en couplage avec la boucle de courant électrique pré- citée, sous l'effet des ondes de perturbation électromagnétique de haute fréquence, peut être réduit pour induire une plus faible force électromo- trice. En outre, comme représenté sur les figures 7 et 8, I'inductance des sections de conducteur relais du côté du chemin "aller" et du côté du chemin "retour", 9A, 9B, elles-mêmes, peut être réduite par l'insertion du diélectrique 13. Par conséquent, la configuration de cette section de con- ducteur relais 9 produit un effet consistant en ce que la tension de force électromotrice induite par induction électromagnétique entre le chemin "aller" et le chemin "retour" de la section de fil de connexion 10, peut être restreinte au minimum, pour éviter ainsi que cette tension de force électromotrice exerce une influence sur la sensibilité de la section de diodes de détection de température lB. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap- portées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Elément à semiconducteur de puissance (1), comprenant un substrat semiconducteur (1S); une section d'élément à semiconducteur de puissance (1A) formée sur le substrat semiconducteur; une première section de diode (lB) formée sur le substrat semiconducteur pour détec- ter une température de la section d'élément à semiconducteur de puis- sance; et une seconde section de diode (1C) formée sur le substrat à semiconducteur et connectée entre deux bornes de la première section de diode, pour absorber l'électricité statique; caractérisé en ce que la première section de diode comprend une multiplicité de premières diodes (1BD) connectées séquentiellement en sens direct; la seconde section de diode comprend au moins une seconde diode (1CD) connectée en sens inverse; et en ce qu'une caractéristique d'impédance en haute fréquence de la seconde section de diode dans une bande de fréquence d'une onde de perturbation électromagnétique qui peut être générée au voisinage de la section d'élément à semiconducteur de puissance, est équivalente à une caractéristique d'impédance en haute fréquence de la première sec- tion de diode dans-cette bande de fréquence. 2. Elément à semiconducteur de puissance selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que la seconde section de diode comprend une multiplicité de secondes diodes connectées séquentiellement en sens in- verse; le nombre de la multiplicité de secondes diodes est égal au nom- bre de la multiplicité de premières diodes; et une caractéristique d'impé- dance en haute fréquence de chaque diode de la multiplicité de secondes diodes dans la bande de fréquence précitée est équivalente à une ca- ractéristique d'impédance en haute fréquence de chaque diode de la multiplicité de premières diodes dans cette bande de fréquence. 3. Dispositif à semiconducteur de puissance, caractérisé en ce qu'il comprend: l'élément à semiconducteur de puissance (1) selon la 2810450 revendication 1 ou 2; une section de conducteur du côté du chemin "aller" (9A + 10A) ayant une extrémité connectée à une borne du côté de l'anode de la première section de diode de l'élément à semiconducteur de puis- sance; une section de conducteur du côté du chemin "retour" (9B + 10B) ayant une extrémité connectée à une borne du côté de la cathode de la première section de diode de l'élément à semiconducteur de puissance; une section de circuit amplificateur opérationnel (4) ayant une borne d'entrée (41) connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller"; une section de circuit de génération de courant de commande (3) connectée à ladite autre extrémité de la section de con- ducteur du côté du chemin "aller", et ayant une configuration prévue pour générer un courant de commande de la première section de diode; et une section de circuit de commande d'élément (2) ayant une borne de com- mande (2CT) connectée à une borne de sortie de la section de circuit d'amplificateur opérationnel et ayant une borne de sortie (2DT) connec- tée à une électrode de commande (1GT) de la section d'élément à semi- conducteur de puissance de l'élément à semiconducteur de puissance. 4. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendi- cation 3, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: un condensateur (11) ayant une armature connectée à ladite autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "aller", et ayant l'autre armature connectée à l'autre extrémité de la section de conducteur du côté du chemin "re- tour"; et en ce que ledit condensateur a une caractéristique d'impédance telle que son impédance dans la bande de fréquence précitée soit infé- rieure à son impédance à l'extérieur de cette bande de fréquence. 5. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendi- cation 4, caractérisé en ce que la section de conducteur du côté du che- min "aller" comprend: une section de fil de connexion du côté du chemin "aller" (1OA) ayant une extrémité connectée à la borne du côté de I'anode; et une section de conducteur relais du côté du chemin "aller" (9A) ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la section de fil de connexion du côté du chemin "aller", la section de conducteur du côté du chemin "retour" comprend: une section de fil de connexion du côté du chemin "retour" (10B) ayant une extrémité connectée à la borne du côté de la cathode; et une section de conducteur relais du côté du chemin 31 2810450 "retour" (9B) ayant une extrémité connectée à l'autre extrémité de la sec- tion de fil de connexion du côté du chemin "retour", et la section de con- ducteur relais du côté du chemin "aller" et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" sont entourées par une section de circuit ma- gnétique en ferrite. 6. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendi- cation 5, caractérisé en ce que la section de circuit magnétique en ferrite est constituée par un seul circuit magnétique en ferrite tubulaire (12F). 7. Dispositif à semiconducteur de puissance selon la revendi- cation 5, caractérisé en ce que la section de circuit magnétique en ferrite comprend un premier circuit magnétique en ferrite tubulaire et un second circuit magnétique en ferrite tubulaire (12AF, 12BF), la section de con- ducteur relais du côté du chemin "aller" est entourée par un premier cir- cuit magnétique en ferrite (12AF), et la section de conducteur relais du côté du chemin "retour" est entourée par le second circuit magnétique en ferrite (12BF). 8. Dispositif à semiconducteur de puissance selon l'une quel- conque des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus un diélectrique (13) qui est intercalé entre des sections en regard respectives de la section de conducteur du côté du chemin "aller" et de la section de conducteur du côté du chemin "retour".