Brevet FR2813434A1 — publié le 20020301

La présente invention concerne une technique de mesure utilisée pour la fabrication de pastilles semi- conductrices et plus précisément pour déterminer l'alignement les unes par rapport aux autres de couches semi-conductrices superposées. La fabrication de dispositifs de semi-conducteurs complexes sur des pastilles typiquement faites de silicium, comprend de multiples étapes consistant à déposer des couches superposées de différents matériaux. Ces multiples couches contiennent des éléments correspondants prévus pour coopérer les uns avec les autres. Un décalage entre des éléments correspondants situés sur différentes couches peut dégrader les performances du dispositif ou peuvent rendre ce dispositif totalement inopérant. En conséquence les couches des pastilles doivent être précisément ajustées les unes par rapport aux autres c'est-à-dire précisément alignées les unes par rapport aux autres dans une direction verticale pour permettre au dispositif de fonctionner comme prévu. Etant donné que la complexité des dispositifs semi-conducteurs s'accroît constamment, les dimensions des éléments deviennent en conséquence de plus en plus réduites ce qui s'accompagne d'une réduction des tolérances acceptables dans les décalages entre couches. Cette tolérance acceptable est fréquemment fixée à 1/3 de la largeur de la ligne critique du procédé. Par exemple, pour la technologie courante à 0,18 microns, la tolérance est de 0,06 microns (60 nanomètres). Comme la fabrication de ces pastilles est coûteuse, il est souhaitable de mesurer l'erreur d'alignement du recouvrement (parfois appelée "erreur" dans le texte ci- dessous) après chaque étape de lithographie, c'est-à-dire après chaque application ou impression d'une couche sur la pastille, de façon à vérifier que l'alignement de la couche nouvellement imprimée avec la couche précédente est dans les tolérances acceptables. Si cette erreur est en dehors des tolérances acceptables, la couche défectueuse peut, dans certains cas, être retirée et remplacée par une couche alignée avec précision après que les paramètres de fonctionnement de l'équipement de fabrication aient été modifiés sur la base de l'erreur mesurée. Dans d'autres cas la pastille est mise au rebus, ce qui permet de ne pas engager les dépenses associées aux étapes suivantes de procédé pour des pastilles défectueuses. Il est également possible sur la base de ces mesures d'erreur de collecter des données statistiques pour le contrôle de procédé permettant de suivre en fonction du temps les erreurs d'alignement du recouvrement, ces données étant utilisées pour contrôler le procédé de fabrication des pastilles. Un outil de lithographie est une machine indispensable pour la fabrication des pastilles. Elle place la figure prévue sur la pastille. Un de ces outils de lithographie est appelé un stepper. Pour alléger le texte, le mot stepper est utilisé ici pour représenter tous les types d'outils de lithographie. Un stepper place l'image prévue sur la pastille dans un ensemble de champs. Chaque champ peut comprendre par exemple un ensemble de micro-plaques qui deviendront des composants électroniques quand la pastille aura été découpée selon des lignes prévues. Pour faciliter les mesures de vérification des recouvrements, il est de pratique courante d'inclure dans chaque champs des marques servant à l'alignement, ces marques étant encore appelées cibles. Par exemple, une cible peut être placée à chaque coin du champs et éventuellement une autre à l'intérieur du champs. Un exemple de marque de ce type, connu comme "la boîte dans la boîte", est illustré sur les figures 1 et 2. La cible 1 sur la pastille 3 comprend les formes 5 et 9 situées respectivement dans les couches 7 et 11. Par exemple, la forme "intérieure" 5 est fréquemment un carré plein fait d'un agent photorésistant, et la forme "extérieure" 9 est fréquemment comprise dans une couche de substrat. Typiquement, la forme 5 est un carré de 10 microns et la forme 9 est un carré de 20 microns. D'autres versions de cibles sont connues comme "le cadre dans le cadre" (voir 15 sur la figure 3) et "la barre dans la barre" (voir 17 dans la figure 4). Ces cibles sont sensiblement les mêmes, la cible 17 étant une cible 15 à laquelle on aurait retiré les coins. Plus précisément, la forme extérieure 19 de la cible 15 est un ensemble de segments 21 à 24 reliés les uns aux autres pour former un mur continu 15a. La forme extérieure 19' de la cible 17 est un ensemble de segments 21' à 24' qui ne sont pas joints les uns aux autres. Une coupe de ces deux cibles est illustrée sur la figure 4. La forme 5 des figures 3 et 4 peut être la même forme pleine que celle des figures 1 et 2. La forme 5 peut également être un cadre ou une barre. Le mot "forme" est utilisé ici dans un sens large et représente n'importe quelle forme géométrique reconnaissable par un système de métrologie automatique dans le but de mesurer l'alignement du recouvrement. Cette forme peut être le contour extérieur d'un seul élément, comme le carré plein 5, ou peut être définie par une pluralité d'éléments, connectés les uns aux autre ou non, comme les segments 21 à 24 et 21' à 24'. Les systèmes de métrologie automatiques pour effectuer des mesures d'erreur d'alignement du recouvrement de deux couches sont bien connus. Ces systèmes génèrent à l'aide d'une caméra CCD une image optique de la cible, cette image étant ensuite digitalisée. Cette image digitalisée est traitée de façon à déterminer la position du centre de la cible. Une technique standard pour mesurer cette position utilisée pour les mesures d'erreurs d'alignement du recouvrement de deux couches consiste à repérer les bords des cibles. De nombreux algorithmes bien connus permettent d'effectuer cette opération, comme par exemple la méthode des centres de gravité, ou la méthode de la courbe égalisatrice. Une fois que les bords ont été repérés, les cibles utilisées dans le cas de mesures bi-couches ayant des formes carrées, la position du centre est la moyenne des positions horizontales (Y) et verticales (X) des bords. Cette technique, connue sous le nom de "Smart Plus", est utilisée dans le système IVS 120 de SCHLUMBERGER VERIFICATION SYSTEMS, CONCORD, MA. Elle est expliquée en détails dans le manuel de l'utilisateur du système IVS 120 auquel l'homme du métier pourra utilement se reporter. L'erreur d'alignement du recouvrement entre deux couches est déterminée en calculant la différence de position entre le centre de la forme extérieure et le centre de la forme intérieure. Une fois que les positions des centres des deux formes sont connues, l'erreur d'alignement du recouvrement est déterminée en soustrayant les coordonnées du centre de la forme intérieure des coordonnées du centre de la forme extérieure. Ceci peut exprimé par la relation suivante: Erreur d'alignement de recouvrement = (OR-OL)-( IR-IL), (OB-OT)-(IB-IT) o OR est la coordonnée en x du bord droit de la forme extérieure; OL est la coordonnée en x du bord gauche de la forme extérieure; OB est la coordonnée en y du bord inférieur de la forme extérieure; OT est la coordonnée en y du bord supérieure de la forme extérieure; IR est la coordonnée en x du côté droit de la forme intérieure; IL est la coordonnée en x du bord gauche de la forme intérieure; IB est la coordonnée en y du bord inférieur de la forme inférieure; IT est la coordonnée en y du bord supérieur de la forme intérieure. Cette erreur comprend donc une coordonnée en x et une coordonnée en y et peut donc être représentée sur un graphe montrant par ailleurs les limites des tolérances acceptables. En représentant les coordonnées en x et en y de l'erreur calculée, l'opérateur du stepper peut facilement déterminer si le procédé est dans les spécifications acceptables (c'est-à- dire si les tolérances acceptables n'ont pas été dépassées). Qui plus est, la représentation graphique des résultats peut guider l'opérateur pour effectuer les ajustement nécessaires des paramètres de fonctionnement du stepper de telle sorte qu'il n'y ait plus d'erreur d'alignement si la couche défectueuse est réappliquée. Différents types de représentation graphique, ainsi que des diagrammes et des tables destinées au contrôle de procédé, sont connus et d'usage courant. Il existe également des méthodes automatiques permettant, sur la base des mesures d'erreur d'alignement du recouvrement des deux couches, de fournir des indicateurs qualité du type bon / mauvais / ajustement des paramètres de fonctionnement du stepper nécessaire. Les valeurs d'erreur sont utilisées comme données d'entrée pour corriger automatiquement le paramètrage du stepper. L'une de ces techniques est décrie dans un papier d'Edward A. McFADDEN et Christopher O. AUSSCHNITT intitulé " A computer aided engineering Workstation for Registration Control", publié dans SPIE volume 1087 d' Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control III (1989, page 255-266). L'homme du métier pourra donc utilement s'y référer. Il n'est pas suffisant de mesurer seulement le recouvrement entre deux couches pour s'assurer qu'elles sont dans les tolérances acceptables car pour certaines combinaisons de couches c'est le recouvrement simultané de trois couches ou plus qui est critique (ce qu'on désignera par la suite par le terme recouvrement multicouche). Il est connu qu'une de ces combinaisons comprend une couche de substrat actif (par exemple des nitrures), une couche de polysilicium et une couche supérieure de contact (métallisée). Cette combinaison est probablement la plus contraignante pour les tolérances d'alignement pendant le processus de fabrication des pastilles. La première couche de contact doit être très précisément alignée à la fois avec les couches de polysilicium et de nitrure, avec des tolérances très faibles. Même si le décalage n'est que de 60 nm, la valeur maximum permise pour la technologie à 0,18 microns, entre la couche de polysilicium et la couche de nitrure et entre la première couche de contact et la couche de polysilicium, l'erreur totale d'alignement du recouvrement résultant entre la première couche de contact et la couche de nitrure sera au maximum de 120 nm, ce qui est très au-delà de la tolérance acceptable de nm. Des mesures tricouches sont faites depuis des années par des fabricants de pastilles semi-conductrices. Cependant, aucun n'utilise un procédé de mesures en une seule étape qui permettrait de gagner du temps, d'accroître les capacités de production et d'automatiser le processus de contrôle du stepper. La méthode utilisée le plus couramment par les fabricants de pastilles actuellement consiste à effectuer deux mesures séparées de recouvrement des couches deux à deux (par exemple nitrure première couche de contact et polysilicium première couche de contact), ces mesures constituant un indicateur qualité binaire, bon ou mauvais, pour la pastille. Néanmoins cette méthode présente plusieurs défauts. Premièrement, effectuer deux mesures séparées du décalage des couches deux à deux prend deux fois plus de temps qu'effectuer une mesure de décalage de deux couches. Cette approche réduit donc la capacité de production. Deuxièmement, une erreur d'alignement du recouvrement multicouches ne peut pas être corrigée en ajustant simplement les paramètres de fonctionnement du stepper associés à une seule couche, car les alignements nécessaires pour corriger le décalage d'une première couche par rapport à une seconde couche peuvent avoir des effets négatifs sur l'alignement de cette première couche par rapport à une troisième couche. En conséquence, une erreur d'alignement du recouvrement mumticouche calculée en faisant deux mesures de décalage des couches deux à deux ne peut souvent être corrigée qu'avec l'aide d'un ingénieur procédé pour déterminer les alignements des paramètres de fonctionnement du stepper nécessaires. Le choix de ces alignements est rendu difficile par le fait que les deux mesures d'alignement de décalage des couches deux à deux ont été effectuées dans des conditions différentes. L'intervention de personnel de niveau ingénieur est très coûteuse, et allonge le délai nécessaire pour ajuster le paramétrage du stepper, ce qui pénalise la capacité de production. L'objet de la présente invention est de proposer une technique améliorée pour la mesure de l'alignement de couches semi-conductrices superposées les unes par rapport aux autres. Un autre objet de la présente invention est de permettre la mesure simultanée de l'alignement de plus de deux couches semi-conductrices superposées les unes par rapport aux autres. Un autre objet de la présente invention est de définir une cible pour la vérification de l'alignement du recouvrement de couches multiples, qui n'occupe pas plus d'espace à la surface de la pastille qu'une cible pour le recouvrement de deux couches. Un autre objet de la présente invention est de développer une cible qui permet la mesure de l'alignement de plus de deux couches semiconductrices superposées en une fois. Un autre objet de la présente invention est de développer une méthodologie qui permette de mesurer l'alignement de plus de deux couches semi-conductrices superposées en une fois et d'obtenir des mesures d'erreur d'alignement de recouvrement utiles. Un autre objet de la présente invention est de faciliter le traitement des pastilles en cas d'erreur d'alignement du recouvrement sur des pastilles comprenant plus de deux couches semi-conductrices superposées, sans l'intervention d'un ingénieur procédé. Un autre objet de la présente invention est d'améliorer la capacité de production en diminuant le temps nécessaire à la mesure et à l'analyse d'une erreur d'alignement de couches multiples. A cette fin et selon un premier aspect, l'invention concerne un procédé pour constituer une cible utilisée pour la mesure de l'alignement les unes par rapport aux autres de plus de deux couches semi-conductrices sur une pastille, caractérisée en ce que au moins une première, une seconde et une troisième couche se recouvrent l'une l'autre, une première forme étant située à un endroit donné de la première couche, une seconde forme étant située à un endroit donné de la seconde couche, cette seconde forme ayant une forme et une taille données, et présentant au moins une discontinuité à un endroit prédéterminé, une troisième forme étant située à un endroit donné de la troisième couche, cette troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de la seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des deuxième et troisième formes s'inscrive dans la dite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont alignées l'une par rapport à l'autre. Un autre aspect de la présente invention concerne un procédé pour mesurer l'alignement relatif les unes par rapport aux autres de plus de deux couches semi- conductrices situées sur une pastille, caractérisée en ce que au moins une première, une seconde et une troisième couche se recouvrent l'une l'autre, une première forme étant située à un endroit donné de la première couche, une seconde forme étant située à un endroit donné de la seconde couche, cette seconde forme ayant une forme et une taille données, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, une troisième forme étant située à un endroit donné de la troisième couche, cette troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de la seconde forme et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont alignées l'une par rapport à l'autre, cette méthode comprenant des mesures d'erreur d'alignement entre la première forme et chacune des seconde et troisième formes. Un autre aspect de la présente invention concerne un procédé pour la mesure de l'alignement relatif les unes par rapport aux autres de plus de deux couches semi- conductrices déposées sur une pastille, cette pastille étant fabriquée avec un stepper paramétré pour appliquer chaque couche sur une pluralité de champs définis sur la pastille, caractérisée en ce que une première forme est située à un endroit donné d'une première couche couvrant un champs, une seconde forme est située à un endroit donné d'une seconde couche couvrant un champs, cette deuxième forme ayant une forme et une taille données et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, une troisième forme étant située à un endroit donné d'une troisième couche couvrant un champs, cette troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de la seconde forme et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont alignées l'une par rapport à l'autre, cette méthode comprenant des mesures de l'erreur d'alignement du recouvrement entre la première forme et chacune des seconde et troisième formes. Un autre aspect de l'invention concerne un procédé pour fabriquer des pastilles semi-conductrices, caractérisée en ce que au moins une première, seconde et troisième couche se recouvrent l'une l'autre, une première forme étant située à un endroit donné de la première couche, une seconde forme étant située à un endroit donné de la seconde couche, cette seconde forme ayant une forme et une taille données, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, une troisième forme étant située à un endroit donné de la troisième couche, cette troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de la seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième forme s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couche sont alignées l'une par rapport à l'autre, une première mesure d'erreur du recouvrement étant effectuée entre la première et la deuxième forme, une seconde mesure d'erreur d'alignement du recouvrement étant effectuée entre la première et la troisième forme, ce qui permet d'obtenir une erreur moyenne entre les première et seconde erreurs d'alignement du recouvrement mesurées, le paramétrage du procédé de production des pastilles étant automatiquement ajusté sur la base de cette erreur moyenne. Un autre aspect de la présente invention concerne un appareil de contrôle automatique du procédé de fabrication des pastilles semi-conductrices, caractérisé en ce que l'équipement comprend des moyens pour déposer au moins une première, seconde et troisième couche qui se recouvrent l'une l'autre sur des pastilles, des moyens pour constituer une première forme à un endroit donné de la première couche, des moyens pour constituer une seconde forme à un endroit donné de la seconde couche, cette seconde forme ayant une forme et une taille données et ayant au moins une discontinuité à un endroit prédéterminé, des moyens pour constituer une troisième forme à un endroit prédéterminé de la troisième couche, cette troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de la seconde forme et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième forme s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couche sont alignées l'une par rapport à l'autre, des moyens de mesure pour mesurer une première erreur d'alignement du recouvrement entre la première forme et la seconde forme et d'autres moyens de mesure pour mesurer une seconde erreur d'alignement du recouvrement entre la première forme et la troisième forme, et des moyens pour obtenir l'erreur moyenne entre les premières et secondes mesures d'erreur d'alignement du recouvrement, et des moyens de contrôle pour déterminer automatiquement le paramétrage du procédé de fabrication des pastilles sur la base de cette erreur moyenne. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront clairement de la description qui en est faite ci-après, à titre indicatif et nullement limitatif, en référence aux dessins annexés, dans lesquels: -la figure 1 est une vue de dessus d'une cible "boîte dans la boîte" connue, utilisée pour vérifier l'alignement du recouvrement entre deux couches semi- conductrices; -la figure 2 est une section dans le plan II-II de la figure 1; -la figure 3 est une vue de dessus d'une cible "cadre dans le cadre" connue; -la figure 4 est une vue de dessus d'une cible entre "barre dans la barre" connue; -la figure 5 est une section dans le plan V- V des figures 3 et 4; -la figure 6 est une vue de dessus d'une cible selon l'invention; -la figure 7 est une section de la figure 6 dans le plan VII-VII; -la figure 8 est une section de la figure 6 dans le plan VIII-VIII; -la figure 9 est une vue de dessus d'un autre mode de réalisation de la cible suivant l'invention, et -la figure 10 est une vue de dessus d'un autre mode de réalisation de la cible suivant l'invention. L'invention concerne donc une cible améliorée pour la vérification du recouvrement de couches multiples. Dans le cas particulier d'une couche triple, la nouvelle cible comprend trois couches, par exemple deux couches de substrat et une couche photorésistante, et permet la mesure simultanée du déplacement des trois couches à l'aide d'une seule image prise par le système de métrologie du recouvrement. Selon l'invention, l'image de la cible est capturée et des mesures du déplacement des trois couches sont faites en une fois. L'invention permet également d'utiliser les résultats de mesure pour générer automatiquement les données nécessaires pour que l'opérateur du stepper puisse décider, sans l'aide d'un ingénieur procédé, si la fabrication est bonne, mauvaise, ou si un alignement du paramétrage du stepper est nécessaire. L'invention permet également d'utiliser les résultats des mesures pour le contrôle statistique du procédé. La cible peut prendre de multiples formes qui permettent d'atteindre les mêmes résultats que ceux qui sont décrits ci-dessous. Les moyens utilisés pour capturer l'image des formes et digitaliser cette image sont conventionnels et ne varient pas en fonction de la forme de la cible. En revanche, le traitement de l'image digitalisée variera en fonction de la cible, comme on l'expliquera ci-dessous. Un mode de réalisation d'une cible suivant l'invention en trois couches est illustré sur les figures 7 et 8. La couche de nitrure 41 est recouverte par une couche de polisilicium 43, et une première couche de contact 45 recouvre l'ensemble. De manière connue, une couche photorésistante 5 recouvre partiellement la première couche de contact 45 et joue un rôle de protection dans une étape de procédé qui consiste à éliminer toute la couche 45 sauf la partie recouverte par la couche photorésistante. En conséquence, quand le procédé de production des pastilles en est au stade illustré sur les figures 7 et 8, la mesure de l'alignement de la couche 45 après élimination par rapport aux couches 41 et 43 peut être effectuée en déterminant la position de la couche photorésistante 5 par rapport à ces couches 41 et 43. La cible à trois couches selon l'invention permet donc de mesurer par exemple le recouvrement de la couche photorésistante par rapport aux deux substrats à la fois. La cible à trois couches est conçue sur la base de la cible de vérification du recouvrement à deux couches déjà connue. Des changements importants par rapport à la cible connue à deux couches sont nécessaires pour permettre la mesure améliorée objet de l'invention. La figure 6 montre une cible 27 selon l'invention. Cette cible présente le même aspect général et occupe la même surface de la pastille qu'une cible à deux couches, comme celle illustrée sur les figures 3 et 4, mais en diffère en ce que une partie de la forme extérieure est incluse dans la seconde couche de substrat. Plus précisément, la cible 27 comprend une forme intérieure 5 qui est un carré plein de matière photorésistante comme pour les cibles connues, et une forme extérieure 29 comprenant huit segments 31 à 38. La forme 29 est en réalité une combinaison de deux formes imbriquées situées respectivement sur les deux couches de substrat. Les figures 6, 7 et 8 illustrent un mode de réalisation de la cible adapté à l'exemple de composition des trois couches décrit ci-dessus comme ayant des tolérances particulièrement contraignantes (nitrure, polysilicium, et couche de premier contact). Les segments pleins 31, 34, 36 et 37 composent une forme située sur la couche de nitrure 41 (voir figure 8), et les segments évidés 32, 33, 35 et 38 composent une figure située sur la couche de polysilicium 43 (voir figure 7). Ces formes sont créées de façon connue en soi et en conséquence, il n'est pas nécessaire de donner ici plus de détails. Comme on peut le voir facilement en comparant la figure 6 aux figures 1, 3 et 4, la cible à trois couches 27 n'occupe pas un espace plus grand à la surface de la pastille que les cibles conventionnelles à deux couches. Cette caractéristique avantageuse est obtenue en créant une discontinuité (comme on peut le voir sur les figures 6 et 9) dans la forme située sur une des couches de substrat suffisamment grande pour permettre à au moins une partie de la forme située sur l'autre couche de substrat de s'y inscrire quand les deux couches de substrat sont alignées l'une par rapport à l'autre. Plus précisément, la forme située sur la couche de nitrure comprend une discontinuité, par exemple entre les segments 31 et 37 la couche de polysilicium comprend une discontinuité correspondante décalée, par exemple entre les segments 32 et 38. Lorsque ces deux couches se recouvrent l'une l'autre tout en restant alignées, les segments situés dans l'une s'inscrivent dans la discontinuité formée dans l'autre. En conséquence, on peut comprendre facilement que l'invention peut être utilisée avec des cibles du type "barre dans la barre". Comme on l'a expliqué ci-dessus, le système de métrologie automatique obtient une image pour un recouvrement de deux couches, mais l'art antérieur demande deux images séparées montrant le recouvrement de deux couches pour mesurer l'erreur d'alignement du recouvrement d'une couche triple. L'un des aspects avantageux de la présente invention, est qu'une seule image est nécessaire pour mesurer l'erreur d'alignement du recouvrement d'une couche multiple. Plus précisément, les techniques de traitements connues permettant de localiser les bords des cibles de l'art antérieur peuvent être utilisées pour localiser les bords des formes des cibles selon l'invention. Cependant, alors que le traitement est prévu pour déterminer les bords de seulement quatre segments appartenant à la forme extérieure en ce qui concerne les cibles illustrées sur les figures 1, 3 et 4, il doit localiser des bords pour huit segments appartenant à la forme dans le cas de la cible de la figure 6. Modifier ce traitement connu en soi pour localiser les segments suppléments et leurs bords est unetâche simple et facile pour l'homme du métier ayant des connaissances ordinaires dans son domaine, et il n'est donc pas nécessaire de détailler cette opération. Une fois que les bords des segments 31 à 38 et du carré en matériau photorésistant 5 ont été localisés, le système peut effectuer une mesure d'erreur d'alignement du recouvrement bicouche entre le carré en matériau photorésistant 5 et par exemple la couche de nitrure 41 en utilisant la technique connue décrite précédemment appelée "Smart Plus". La même approche est également utilisée pour effectuer une mesure d'erreur d'alignement du recouvrement bicouche entre le carré en matériau photorésistant 5 et la couche de polysilicium 43. Le traitement additionnel nécessaire pour localiser les quatre segments supplémentaires représentent bien entendu une durée supplémentaire par rapport au temps nécessaire pour localiser quatre segments seulement. Cependant ce temps supplémentaire est négligeable en comparaison avec le temps nécessaire pour effectuer une mesure d'erreur d'alignement bicouche complète. En conséquence, l'invention permet un gain de temps considérable, et permet d'augmenter les capacités de fabrication des pastilles semi-conductrices. La figure 9 montre une cible à trois couches 30 qui est un autre mode de réalisation de la cible 27 décrite ci-dessus. La principale différence réside dans la disposition des segments les uns par rapport aux autres à l'intérieur d'une même couche de substrat. Pour la cible 27, les segments de la forme 29 situés dans une même couche de substrat sur des faces opposées se font face. Le segment 32 est donc face au segment 35 sur la couche de polysilicium et le segment 34 est face au segment 37 sur la couche de nitrure. Comme on peut le voir sur la figure 9 représentant la cible 30, la disposition des huit segments 49 à 56 composant la cible 29' est différente. Les deux segments face à face 49 et 54, par exemple, sont situés sur des couches différentes. Cependant il est essentiel que les formes situées respectivement sur chaque couche de substrat comprennent chacune au moins un segment situé sur chacun des bords de la cible. Ce type de forme ne présente pas de difficultés en ce qui concerne la mesure ou le traitement, puisqu'il suffit simplement de programmer le système pour associer les segments 50 et 54 avec la couche de polysilicium, etc, ce qui est une tâche simple. Jusqu'à ce point, la description de l'invention concernait une cible à couches triples. Cependant, l'invention peut être facilement appliquée pour des mesures simultanées d'alignement du recouvrement pour plus de trois couches. Dans les figures 6 et 9, chacun des quatre bords de la figure extérieure comprend seulement deux segments, un appartenant à chaque couche de substrat. En principe, plus de deux segments pourraient être utilisés. Ainsi pour une cible à quatre couches, chaque bord pourrait avoir trois segments un appartenant à chacune des trois couches de substrat. La seule limite au nombre de couches qui peuvent être mesurées en utilisant des cibles selon l'invention vient de la taille des cibles et de l'espace occupé sur les pastilles. Ainsi si l'espace disponible à la surface de la pastille pouvait être augmenté, chaque bord pourrait comprendre plus de deux segments. De la même façon, si la taille des segments pouvait être réduite sans compromettre la précision et la fiabilité des mesures, chaque bord pourrait comprendre un nombre de segments plus important. Bien sûr, une combinaison de ces deux possibilités peut être envisagée, combinant une légère augmentation de l'espace disponible à la surface de la pastille avec une légère diminution des dimensions des segments. La figure 10 illustre un autre mode de réalisation d'une cible multicouche selon l'invention. En plus de formes intérieures et extérieures identiques à celles décrites pour la cible à trois couches, la cible multicouche comprend une troisième forme périphérique à la forme extérieure. Ainsi, ce mode de réalisation de la cible multicouche demande une surface disponible sur la pastille plus importante que la cible bicouche traditionnelle ou que la cible à trois couches décrite plus haut. Plus précisément, la cible 57 comprend une forme intérieure 5, une forme intermédiaire 58, une forme extérieure 59. La forme 5 peut être un carré plein en matériau photorésistant identique à celui décrit ci- dessus pour les cibles à deux et trois couches. La forme 58 est composée de huit segments 61 à 68. Par commodité ces segments 61 à 68 sont tous représentés évidés sur la figure 10. Cependant ces segments peuvent être dans une configuration identique aux segments 31 à 38 ou aux segments 49 à 56 représentés aux figures 6 et 9. La forme 59 de la cible 57 est composée de douze segments 71 à 82. Ils sont tous représentés évidés sur la figure 10. On peut comprendre facilement que l'ajout de la forme 59 permet de conduire une mesure d'erreur d'alignement du recouvrement simultanée pour trois couches supplémentaires par rapport à la cible à trois couches portant donc ce total à six couches. Dans un mode de réalisation possible, les segments 71, 74, 79 et 82 constituent une forme située sur une couche, les segments 72, 75, 78 et 81 constituent une forme située sur une autre couche, et les segments 73, 76, 77 et 80 constituent une forme située sur la troisième couche. Bien, sûr, d'autres distributions des segments dans les différentes couches sont facilement envisageables. Le traitement des données de l'image digitalisée obtenue à partir de la cible représentée sur la figure 10 dure bien entendu plus longtemps que celui des données des cibles représentées aux figures 6 et 9. Cependant, avec l'amélioration des performances des microprocesseurs, ce temps supplémentaire est un facteur mineur, en particulier quand on le compare avec le gain de temps substantiel résultant de la possibilité d'effectuer la vérification d'alignement d'une couche multiple en une fois avec une seule image. La mesure peut être appliquée selon l'invention sur une couche triple par exemple en reprenant l'exemple ci- dessus, pour déterminer l'alignement de la couche photorésistante (et en conséquence de la première couche de contact) et de la couche de nitrure. On applique pour cela la méthode de calcul conventionnelle pour deux couches décrites en détails ci-dessus ou une autre technique bien connue qui permet de localiser le centre des formes. De façon comparable, l'alignement de la couche photorésistante et de la couche de polysilicium peut être déterminé de la même façon. A partir de ces mesures sur trois couches, l'invention permet également de calculer l'erreur d'alignement de recouvrement entre la couche de nitrure et la couche de polysilicium. C'est un calcul mathématique simple il n'est donc pas nécessaire de le détailler ici. Selon un autre aspect avantageux de l'invention, il est possible de déterminer l'erreur moyenne entre d'une part l'erreur d'alignement du recouvrement du nitrure par rapport à la couche photorésistante, et d'autre part l'erreur d'alignement du recouvrement du polysilicium par rapport à la couche photorésistante. Cette moyenne est une indication concernant le déplacement entre la première couche de contact et les deux autres couches, et est particulièrement importante pour automatiser le processus de répartition des opérations en trois catégories bon/mauvais/adaptation des paramètres de fonctionnement du procédé. Comme on l'a expliqué plus haut, un système de métrologie automatique conventionnel utilise un algorithme pour ajuster les paramètres de fonctionnement du stepper sur la base d'une mesure d'erreur d'alignement du recouvrement bicouche. Les mesures d'erreur d'alignement du recouvrement sur trois couches ne pouvaient pas être utilisées pour des procédures de contrôle automatique car elles mettaient en jeu deux mesures de recouvrement bicouche indépendantes. Avec la présente invention, utilisant une image unique pour mesurer le recouvrement de couches multiples, il est possible d'utiliser la moyenne des deux erreurs citées ci-dessus de façon très efficace comme donnée d'entrée d'un système automatisé conventionnel permettant d'effectuer la répartition des opérations dans les trois catégories mentionnées cidessus. De plus, cette approche permet d'utiliser la moyenne des erreurs calculée pour effectuer l'ajustement des paramètres de fonctionnement du stepper à l'aide d'un système automatisé conventionnel. Ainsi, l'intervention d'un ingénieur procédé n'est pas nécessaire, et la capacité de production est améliorée. L'invention peut également être utilisée pour calculer la moyenne pondérée des deux erreurs de mesure citées ci-dessus. Ceci est avantageux dans un certain nombre de situations, comme par exemple quand la tolérance acceptable entre la première couche de contact et la couche de nitrure est différente de la tolérance acceptable entre la première couche de contact et la couche de polysilicium. Dans ce cas, la moyenne des erreurs doit être pondérée en fonction des tolérances. Il est prévu que les résultats produits selon l'invention soient les mesures d'erreur d'alignement du recouvrement suivantes: 1. première couche photorésistante par rapport au premier substrat 2. première couche photorésistante par rapport au second substrat 3. premier substrat par rapport au second substrat 4. première couche photorésistante par rapport à la moyenne de 1 et 2 5. première couche photorésistante par rapport à la moyenne pondérée de 1 et 2. Bien que plusieurs modes de réalisation de la présente invention aient été décrits en détails ci- dessus, des modifications variées seront facilement apparentes à l'homme du métier ayant des connaissances ordinaires. Par exemple, l'invention inclut les cibles décrites, leurs sous-ensembles et leurs combinaisons. Ces modifications et d'autres sont inclues dans la présente invention telle que définie par les revendications suivantes. REVENDICATIONS 1. Procédé pour constituer une cible utilisée pour mesurer l'alignement relatif de plus de deux couches semi-conductrices l'une par rapport à l'autre situées sur une pastille, caractérisée en ce que la méthode comprend les étapes suivantes: Composer au moins une première, deuxième et troisième couche qui se recouvrent l'une l'autre; Réaliser une première forme à un endroit donné de ladite première couche; Réaliser une seconde forme à un endroit donné de ladite seconde couche, cette dite seconde forme ayant une forme et une taille données et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, et Constituer une troisième forme à un endroit donné de ladite troisième couche, cette dite troisième forme ayant ladite forme et ladite taille de ladite seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont bien ajustées l'une par rapport à l'autre. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la seconde et la troisième forme constituent une forme combinée ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée quand la seconde et la troisième couche sont alignées. 3. Procédé suivant la revendication 2, caractérisée en ce que la forme combinée se présente comme un contour extérieur, la première forme étant située à l'intérieur de ce contour quand la première, la seconde et la troisième couche sont alignées. 4. Procédé suivant la revendication 3, caractérisée en ce que ladite forme combinée est une forme géométrique à plusieurs côtés rectilignes. 5. Procédé suivant la revendication 4, caractérisée en ce que ladite forme de ladite forme combinée est un carré. 6. Procédé suivant la revendication 4, caractérisée en ce que lesdites seconde et troisième formes sont constituées d'une pluralité de segments séparés. 7. Procédé suivant la revendication 6, caractérisée en ce que les segments appartenant respectivement aux dites seconde et troisième formes sont situés sur des côtés opposés de la cible. 8. Procédé suivant la revendication 7, caractérisée en ce que lesdits segments appartenant respectivement aux dites seconde et troisième formes qui sont sur des faces opposées de la cible sont situés l'un face à l'autre. 9. Procédé suivant la revendication 2, caractérisée en ce que lesdites seconde et troisième forme sont constituées d'une pluralité de segments séparés, chaque côté de la forme combinée comprenant au moins un segment et une discontinuité appartenant respectivement aux dites seconde et troisième formes. 10. Procédé suivant la revendication 1, caractérisée en ce que la méthode comprend les étapes suivantes: Déposer une quatrième couche et une cinquième couche; Constituer une quatrième forme à un endroit donné de ladite quatrième couche, ladite quatrième forme ayant une forme donnée et une taille différente de ladite taille donnée, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, et Constituer une cinquième forme à un endroit donné de ladite cinquième couche, ladite cinquième forme ayant ladite forme donnée et ladite taille de ladite quatrième forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des quatrième et cinquième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les quatrième et cinquième couches sont bien ajustées l'une par rapport à l'autre. 11. Procédé suivant la revendication 10, caractérisée en ce que les quatrième et cinquième forme forment une autre forme combinée ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée de ladite quatrième forme quand les quatrième et cinquième couches sont alignées. 12. Procédé suivant la revendication 11, caractérisée en ce que lesdites quatrième et cinquième forme sont constituées d'une pluralité de segments séparés, chaque côté de l'autre forme combinée comprenant au moins un segment et une discontinuité appartenant respectivement aux dites quatrième et cinquième formes. 13. Procédé pour mesurer l'alignement relatif de plus de deux couches semi-conductrices l'une par rapport à l'autre situées sur une pastille, caractérisée en ce que la méthode comprend les étapes suivantes: Déposer au moins une première, seconde et troisième couche superposées sur la pastille, Constituer une première forme à un endroit donné de la première couche, Constituer une seconde forme à un endroit donné de ladite seconde couche, ladite seconde forme ayant une forme donnée et une taille donnée, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, Constituer une troisième forme à un endroit donné de ladite troisième couche, ladite troisième forme ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée de ladite seconde couche et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont bien ajustées l'une par rapport à l'autre, Et mesurer l'erreur d'alignement du recouvrement entre ladite première forme et lesdites seconde et troisième formes. 14. Procédé pour mesurer l'alignement relatif de plus de deux couches semi-conductrices l'une par rapport à l'autre situées sur une pastille, ces pastilles étant fabriquées à l'aide d'un stepper qui applique chaque couche sur une pluralité de champs définis sur la pastille, caractérisée en ce que la méthode comprend les étapes suivantes: Constituer une première forme à un endroit donné d'une première couche déposée sur un champs, Constituer une seconde forme à un endroit donné d'une seconde couche déposée sur un champs, ladite seconde forme ayant une forme donnée et une taille donnée, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, Constituer une troisième forme à un endroit donné d'une troisième couche déposée sur un champs, cette dite troisième forme ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée de ladite seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont alignées l'une par rapport à l'autre, et Mesurer l'erreur d'alignement du recouvrement entre ladite première forme et chacune des dites seconde et troisième formes. 15. Procédé pour fabriquer une pastille semi- conductrice, caractérisée en ce que cette méthode comprend les étapes suivantes: Déposer au moins une première, seconde et troisième couche qui se recouvrent sur la pastille, Constituer une première forme à un endroit donné de ladite première couche, Constituer une seconde forme à un endroit donné de ladite seconde couche, ladite seconde forme ayant une forme donnée et une taille donnée, et ayant au moins une discontinuité formée à un endroit prédéterminé, Constituer une troisième forme à un endroit donné de la troisième couche, ladite troisième forme ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée de ladite seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couche sont alignées l'une par rapport à l'autre, Mesurer une première erreur d'alignement de recouvrement entre ladite première forme et ladite seconde forme, Mesurer une seconde erreur d'alignement de recouvrement entre ladite première forme et ladite troisième forme, Calculer une erreur moyenne entre lesdites première et seconde mesures d'erreur d'alignement du recouvrement, et Déterminer automatiquement le paramétrage du procédé de fabrication des dites pastilles sur la base de ladite erreur moyenne. 16. Procédé suivant la revendication 15, caractérisée en ce que ladite erreur moyenne est une moyenne pondérée. 17. Procédé suivant la revendication 16, caractérisée en ce que la pondération utilisée pour ladite moyenne pondérée est fonction des tolérances acceptables pour les première et seconde erreurs d'alignement du recouvrement. 18. Procédé suivant la revendication 15, caractérisée en ce que la détermination automatique des paramètres de fonctionnement du procédé de fabrication comprend une opération de répartition, des pastilles en au moins deux catégories bon ou mauvais. 19. Procédé suivant la revendication 15, caractérisée en ce que la détermination automatique du paramétrage du procédé de fabrication comprend l'ajustement des paramètres de fonctionnement du stepper pour corriger les première et seconde erreurs d'alignement de recouvrement mesurées. 20. Equipement pour contrôler automatiquement un procédé de fabrication de pastilles semi-conductrices, caractérisé en ce que l'équipement comprend: des moyens pour déposer au moins une première seconde et troisième couche qui se recouvrent sur la pastille, des moyens pour constituer une première forme à un endroit donné de ladite première couche, des moyens pour constituer une seconde forme à un endroit donné de ladite seconde couche, cette dite seconde forme ayant une forme donnée et une taille donnée, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, des moyens pour constituer une troisième forme à un endroit donné de ladite troisième couche, cette dite troisième forme ayant ladite forme donnée et ladite taille donnée de ladite seconde forme, et ayant au moins une discontinuité située à un endroit prédéterminé, de façon à ce qu'une portion de chacune des seconde et troisième formes s'inscrive dans ladite au moins une discontinuité de l'autre forme quand les deuxième et troisième couches sont alignées l'une par rapport à l'autre, des moyens pour mesurer une première erreur d'alignement du recouvrement entre ladite première forme et ladite seconde forme, des moyens pour mesurer une seconde erreur d'alignement du recouvrement entre ladite première forme et ladite troisième forme, des moyens pour obtenir une erreur moyenne entre les première et deuxième erreurs d'alignement du recouvrement mesurées, et des moyens de contrôle pour déterminer automatiquement les paramètres de fonctionnement du procédé de fabrication de ladite pastille sur la base de ladite erreur moyenne.