Brevet FR2812405A1 — publié le 20020201

SYSTEME D'INTERCONNEXION OPTIQUE POUR CIRCUIT INTEGRE REALISE SUR UN SUBSTRAT SOI DOMAINE TECHNIQUE L'invention concerne un système d'interconnexion optique pour circuit intégré réalisé sur un substrat SOI. Elle concerne en particulier un système d'interconnexion permettant la distribution optique d'un signal d'horloge entre différents blocs d'un circuit intégré. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE L'industrie de la microélectronique a entamé le passage aux technologies sur substrat SOI (de l'anglais Silicon-On-Insulator) permettant un saut technologique se traduisant par un gain en vitesse d'au moins 20%. Sur ces substrats, des mémoires et des microprocesseurs ont été développés. Un point crucial qui affecte la limitation des performances des circuits intégrés, compte tenu de leur complexité croissante, est celui des interconnexions. Les technologies actuelles utilisent 7 niveaux d'interconnexions qui occupent une place considérable et limitent les performances en vitesse des circuits. Le remplacement de l'aluminium par le cuivre pour réaliser ces interconnexions a permis de gagner en performances mais ce gain s'avère insuffisant pour les prochaines générations de circuits intégrés. Par ailleurs, l'optique a été introduite dans les systèmes de télécommunications et, progressivement, les interconnexions optiques se développent pour les courtes distances (armoires, paniers, cartes...). Il a également été proposé de réaliser des composants optoélectroniques sur des substrats SOI en utilisant le film superficiel de silicium comme guide d'onde de faibles pertes dans le proche infrarouge. Ainsi l'article "Optical modulation at 1.3 pm on silicon-on-insulator (SIMOX) standard substrate for spatial light modulator applications" de N. LANDRU et al., paru dans Electronics Letters, 20 janvier 2000, vol. 36, NO 2, pages 161 à 163, divulgue un modulateur de lumière comprenant une structure en anneau. La lumière se propage dans le film de silicium du substrat SOI. Le confinement latéral de la lumière dans le film de silicium est obtenu par dopage de régions du film. EXPOSE DE L'INVENTION Il est proposé selon la présente invention de réaliser des microguides optiques dans le film de silicium d'un substrat SOI pour obtenir des interconnexions optiques au sein de circuits intégrés en technologie CMOS. L'invention s'applique en particulier à la distribution des signaux d'horloge. Elle permettra de résoudre l'un des points de blocage prévisible de la "roadmap" pour les années 2005 à 2010 qui est celui de la distribution des signaux d'horloge dans des circuits comportant plusieurs centaines de millions de transistors avec des fréquences d'horloge atteignant la dizaine de gigahertz. L'invention a donc pour objet un système d'interconnexion dans un circuit intégré réalisé sur un substrat SOI, c'est-à-dire un substrat présentant un film de silicium supporté par une couche de matériau électriquement isolant, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un microguide optique constitué d'un ruban délimité dans le film de silicium par des zones de confinement latéral. Les zones de confinement latéral peuvent être des zones du film de silicium gravées et remplies d'un matériau de confinement, par exemple un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium. Elles peuvent être des zones oxydées du film de silicium. Avantageusement, le système d'interconnexion est disposé entre les blocs fonctionnels du circuit intégré, sous les canaux de routage de ce circuit intégré. Ce système d'interconnexion peut notamment être un système de distribution de signaux d'horloge. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompagnée des dessins annexés parmi lesquels: les figures 1A à 1C illustrent une première variante de réalisation d'un microguide optique pour un système d'interconnexion optique selon la présente invention, - les figures 2A à 2C illustrent une deuxième variante de réalisation d'un microguide optique pour un système d'interconnexion optique selon la présente invention, - la figure 3 est une représentation en coupe transversale d'une partie d'un circuit intégré montrant l'emplacement de microguides optiques, selon la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE D'UN MODE DE REALISATION DE L'INVENTION Un substrat SOI est généralement constitué d'un substrat de silicium supportant successivement une couche d'oxyde et un film de silicium dans lequel sont réalisés des dispositifs électroniques. Ce film de silicium constitue naturellement un guide d'onde optique aux longueurs d'ondes du proche infrarouge utilisées dans les télécommunications optiques (1,3 pm). Un arbre de microguides, de largeur inférieure au pm, peut y être réalisé, admettant de faibles rayons de courbure. Ces microguides peuvent être réalisés en utilisant autant que faire se peut les étapes technologiques de fabrication des circuits intégrés. Ils peuvent être placés dans l'espace disponible sous les canaux de routage, entre les blocs fonctionnels qui constituent un circuit VLSI (sur une même puce). La lumière peut être injectée en bord de puce, soit à partir d'une fibre optique en utilisant les couches diélectriques servant à l'isolation des connexions métalliques et un transfert de la lumière à la racine de l'arbre de microguides par un coupleur à réseau de diffraction, soit par le couplage direct d'une diode laser au microguide. La modulation du signal optique est obtenue soit directement par modulation du courant de la diode laser, soit par intégration d'un modulateur à puits quantiques SiGe/Si. La détection du signal optique est obtenue par un photodétecteur intégré soit de type métal- semiconducteur-métal (MSM), soit à base de SiGeC. Le film de silicium d'un substrat SOI forme naturellement un guide d'onde optique aux longueurs d'onde des télécommunications optiques. Ces guides optiques sur substrat SOI et les performances des composants d'extrémité (modulateurs et détecteurs) en développement sur le silicium permettent d'envisager la réalisation de transmissions optiques à des fréquences de plusieurs GHz à l'intérieur d'une puce de circuit intégré. Pour que l'insertion des éléments optiques dans les circuits intégrés VLSI soit réaliste, la conception de ces éléments doit être faite en tenant compte de la technologie de fabrication des circuits de façon à utiliser le plus possible les étapes de fabrication des transistors CMOS ou BiCMOS. Dans le cas de la distribution du signal d'horloge par voie optique, cette application de l'invention permet de réduire les écarts de phase et donc d'assurer un meilleur synchronisme dans le circuit. Les inventeurs de la présente invention ont vérifié que le film de silicium d'un substrat SOI de type SIMOX (Separation by IMplanted OXygen) peut former un très bon guide optique à la longueur d'onde de 1,3 pm bien que, dans les substrats standard utilisés en microélectronique, l'épaisseur de ce film soit très mince (0,2 pm) et celle de la couche de silice limitée (0,45 pm). Les pertes de propagation mesurées dans les guides plans pour de tels substrats sont de l'ordre de dB/cm, ce qui correspond aux fuites de lumière vers la partie massive du substrat du fait de la faible épaisseur de la couche de silice enterrée. D'autres substrats SOI, en particulier ceux commercialisés par la société SOITEC sous le nom Unibond, offrent une beaucoup plus grande latitude dans le choix des épaisseurs de la couche de silice enterrée et du film de silicium. De tels substrats permettent donc d'envisager la réalisation de guides optiques présentant des pertes de propagation extrêmement réduites. Ces épaisseurs peuvent être alors choisies pour que les pertes par fuite de lumière vers la partie massive du substrat, au travers de la couche de silice enterrée, soient négligeables. Ces épaisseurs peuvent également être choisies pour que le guide optique puisse être quasi- monomode quelle que soit la polarisation de la lumière (TE ou TM) et pour que le couplage de la lumière dans le guide soit optimum. La différence élevée d'indice de réfraction entre le silicium et la silice conduit à un fort confinement du champ électromagnétique dans le guide d'onde. Le champ électromagnétique peut être confiné latéralement en délimitant un ruban (qui forme un guide deux dimensions) soit par gravure du film de silicium et dépôt de silice ou de nitrure dans les zones gravées, soit par oxydation. Il est ainsi possible de réaliser des microguides de faible largeur (de l'ordre de 1 pm), espacés entre eux de quelques gm seulement et pouvant accepter des rayons de courbure de l'ordre de 5 pm sans pertes prohibitives. On peut alors disposer plusieurs de ces microguides dans l'espace disponible entre les blocs fonctionnels d'un circuit intégré, sous les canaux de routage. Les figures lA à IC sont des vues en coupe transversale et partielles. La figure 1A montre un substrat SOI 10 d'un type standard pour la microélectronique. Le substrat 10 est constitué d'une partie massive ou support 11 en silicium supportant successivement une couche 12 en oxyde de silicium et un film 13 de silicium. L'épaisseur initiale du film de silicium 13 est généralement de l'ordre de 0,2 pm. Le film 13 sera aminci à environ 0,1 pm pour y réaliser des transistors. Les parties du film réservées à l'optique doivent néanmoins garder une épaisseur minimale de 0,2 pm pour limiter les fuites de lumière vers le support 11. Une première variante de réalisation d'un microguide, compatible avec les procédés microélectroniques, est de déposer une couche de nitrure de silicium 15 sur le film 13 du substrat 10 qui a été au préalable oxydé thermiquement pour préserver la qualité de l'interface. Le film 13 supporte donc successivement une couche 14 d'oxyde thermique de 30 nm d'épaisseur environ et la couche 15 de nitrure de silicium. Tous les composants optiques à réaliser (guides, diviseur de faisceau, réseaux de couplage) sont alors délimités par photolithographie et gravure de toute l'épaisseur de la couche de nitrure 15. La figure lB montre cette délimitation latérale pour un guide d'onde. La gravure de la couche 15 fournit une partie 16 délimitant la largeur du guide d'onde à obtenir et des parties 17 et 18 situées de part et d'autre de la partie 16 et délimitant les zones de confinement latéral du guide d'onde. La couche de nitrure 15 sert alors de masque pour une oxydation partielle du film de silicium 13. Cette oxydation définit la géométrie des composants optiques. La figure 1C montre les zones de confinement latéral 21 et 22 obtenues, la partie 20 en silicium constituant le coeur du guide d'onde. Le film de silicium 13 doit être aminci dans les régions o seront réalisés des composants tels que des transistors. Cette technique de réalisation assure des interfaces de bonne qualité optique entre le guide en silicium et la silice de confinement. Une autre technique pour délimiter les microguides est de graver tout ou partie du film de silicium pour y réaliser des tranchées pouvant atteindre jusqu'à la couche de silice enterrée. C'est ce qu'illustrent les figures 2A à 2C qui sont des vues en coupe transversales et partielles. La figure 2A montre un substrat SOI 30 constitué d'une partie massive ou support 31 en silicium supportant successivement une couche 32 en oxyde de silicium et un film 33 de silicium. Un masque de résine a été formé sur le film 33 afin de délimiter un guide d'onde à réaliser dans le film 33. La figure 2B montre le résultat obtenu après gravure du film 33 au travers du masque 35. Deux tranchées 36 et 37 définissent l'emplacement des zones de confinement latéral, la partie 40 en silicium constituant le coeur du guide d'onde. Le masque 35 est ensuite retiré. La figure 2C montre le résultat obtenu après le dépôt d'une couche de silice 43 sur le film 33 de silicium gravé. La silice comble les tranchées réalisées précédemment pour créer des zones de confinement latéral 41 et 42. La figure 3 est une représentation en coupe transversale d'une partie d'un circuit intégré montrant l'emplacement de microguides optiques, selon la présente invention. Le substrat SOI 50 est constitué d'un support 51 en silicium supportant une couche de silice 52 et un film de silicium 53. A partir du film de silicium 53 a été réalisé un système d'interconnexion optique comprenant des rubans de silicium 54 et 55 délimités par des zones de confinement latéral. Des blocs fonctionnels 56 et 57 ont été réalisés également dans le film de silicium 53. Une couche 58, qui est en fait une superposition de plusieurs couches, recouvre le film de silicium 53. La couche 58 assure le confinement latéral des rubans de silicium 54 et 55. Elle incorpore des connexions électriques horizontales dans les canaux de routage 60 et des connexions verticales 61 entre les niveaux de métallisation et vers les blocs fonctionnels 56 et 57. La figure 3 montre bien que le système d'interconnexion optique est disposé entre les blocs fonctionnels 56 et 57 et sous les canaux de routage 60. La diminution de la taille des motifs et l'augmentation de celle des circuits entraînent une augmentation importante de leur taille relative rapportée à celle d'un transistor. L'une des conséquences de cette évolution est que les horloges à fréquence convenable pour rythmer un module d'environ un million de transistors, ne peuvent plus assurer des relations de phase correctes pour des échanges à "longue distance" au travers de la puce. Cet état de choses conduit naturellement les concepteurs de circuits intégrés à utiliser une hiérarchie d'horloges de fréquences décroissantes pour rythmer les échanges dans les blocs, entre les blocs, et jusqu'aux échanges au travers de la puce. Pour éviter les problèmes d'asynchronisme dus au déphasage entre ces horloges, qui peuvent amener des problèmes tels que la métastabilité, il importe de maintenir des relations de phase précises entre les différents niveaux d'horloge. Les caractéristiques de la distribution optique de l'horloge selon la présente invention permettent de l'utiliser pour véhiculer l'horloge la plus rapide. Celle-ci sera détectée au niveau de chaque bloc pour générer son système d'horlogerie électrique local. Les horloges des niveaux plus globaux seront obtenues par détection et division de l'horloge optique. Elles seront distribuées électriquement. Une boucle de phase permettra d'aligner, au niveau de chaque bloc, la phase de son horloge rapide sur celle de communication. REVENDICATIONS 1. Système d'interconnexion dans un circuit intégré réalisé sur un substrat SOI (10, 30, 50), c'est-à-dire un substrat présentant un film de silicium (13, 33, 53) supporté par une couche de matériau électriquement isolant (12, 32, 52), caractérisé en ce qu'il comprend au moins un microguide optique constitué d'un ruban (20, 40, 54, 55) délimité dans le film de silicium (13, 33, 53) par des zones de confinement latéral. 2. Système d'interconnexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones de confinement latéral (41, 42) sont des zones du film de silicium (33) gravées et remplies d'un matériau de confinement. 3. Système d'interconnexion selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau de confinement est un oxyde de silicium ou un nitrure de silicium. 4. Système d'interconnexion selon la revendication 1, caractérisé en ce que les zones de confinement latéral (21, 22) sont des zones oxydées du film de silicium (13). 5. Système d'interconnexion selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est disposé entre les blocs fonctionnels (56, 57) du circuit intégré, sous les canaux de routage (60) de ce circuit intégré. 6. Système d'interconnexion selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il est un système de distribution de signaux d'horloge.