Brevet FR2816112A1 — publié le 20020503

MODULE A SEMI-CONDUCTEURS La présente invention concerne un module à semi- conducteurs et plus particulièrement un module à semi- conducteurs comprenant plusieurs éléments semi-conducteurs connectés réciproquement en parallèle. La figure 7A, annexée à la présente demande, montre une vue en plan d'un module à semi-conducteurs clas- sique (la partie formant couvercle n'est pas représentée) et la figure 7B représente une vue en coupe transversale prise suivant les lignes IV-IV de la figure 7B. Comme cela est représenté sur les figures 7A et 7B, dans le module à semiconducteurs classique désigné d'une manière générale par la référence 200, un substrat isolant 71 est disposé sur une plaque de base 1. Dans une surface avant du substrat isolant 71, un réseau 14 de fils de grilles, un réseau 72 de fils de collecteurs et un réseau 73 de fils d'émetteurs sont formés. Plusieurs tran- sistors bipolaires à grille isolée 31 (désignés ci-après par "IGBT") et des diodes à effet unidirectionnel 32 (désignées ci-après sous le terme "diodes") sont disposés dans le réseau 72 de fils de collecteur. Les collecteurs des transistors IGBT 31 et les cathodes des diodes 32 sont connectés au réseau 72 de fils de connecteur. Comme cela est représenté sur la figure 7A, le réseau 73 de fils d'émetteurs est agencé sous la forme de la lettre "L" le long de deux côtés du réseau 72 de fils de collecteurs. Par ailleurs le réseau 14 de fils de grille est formé le long d'un autre côté du réseau 72 de fils de collecteurs. Ceci concerne le cas du travail lors d'une étape de liaison pour le raccordement des réseaux de fils respectifs aux transistors IGBT 31 et analogues. Une configuration de surface arrière 74 est for- mée dans une surface arrière du substrat isolant 71 et est fixée à la plaque de base 1 par une couche de soudure 2. Les transistors IGBT 31 et les diodes 32 sont connectés respectivement au réseau 14 de fils de grilles et au réseau 73 de fils d'émetteurs par des fils de liaison 35 et 34. En outre le réseau 14 de fils de grilles, le réseau 73 de fils d'émetteurs et le réseau 72 de fils de collec- teurs sont connectés respectivement aux électrodes de grille 41, aux électrodes de collecteur 42 et aux élec- trodes d'émetteur 43 par des fils de liaison 36, 37 et 38. Une partie formant boîtier 6 est formée sur la plaque de base 1 de manière à entourer le substrat isolant 71. Après la liaison par fil des transistors IGBT 31 et analogues, on injecte un matériau formant gel 7 pour réa- liser l'étanchéité, à l'intérieur de la partie formant boîtier 6, et on place une partie 8 formant couvercle sur l'ensemble. Dans le module à semi-conducteurs 200 possédant la structure classique, étant donné que les distances de câblage entre les électrodes 43 des émetteurs et les diodes 32 disposées en parallèle entre elles diffèrent les unes des autres, des charges (par exemple une impédance, une capacité) des fils diffèrent entre elles parmi les diodes 32. Par conséquent, même lorsqu'une tension constante est appliquée au module à semi-conducteurs, par exemple des tensions appliquées aux diodes 32 montées réciproquement en parallèle diffèrent entre elles, ce qui peut détruire certaines des diodes. Ceci s'applique également aux transistors IGBT 31. En outre, pour permettre au module à semi- conducteurs de véhiculer un courant intense, il est nécessaire que la section transversale des réseaux de fils possède des dimensions conséquentes. Contrairement à cela, si les réseaux de fils sont épais, il se pose un problème consistant en ce que le substrat isolant 71 se fissure en raison d'une différence entre les coefficients de dilatation du substrat isolant 71 d'un matériau céramique et du réseau de fils 73 formé d'un métal. En outre si la largeur du réseau de fil 73 est importante, il se pose un problème consistant en ce qu'il est difficile d'exécuter le module à semi-conducteurs de faible taille. Compte tenu de ceci, un but de la présente invention est de fournir un module à semi-conducteurs, dans lequel les longueurs de câblage des éléments semi- conducteurs montés réciproquement en parallèle soient approximativement identiques. Un second but de la présente invention est de fournir un module à semi-conducteurs, dans lequel la sec- tion transversale des réseaux de fils possède une dimension importante sans accroissement de la taille du module. La présente invention a trait à un module à semi- conducteurs, dans lequel au moins deux éléments semi- conducteurs sont disposés dans une première direction, au moins deux régions de plots d'électrodes disposées dans une direction approximativement perpendiculaire à ladite première direction, sont connectées respectivement réci- proquement en parallèle, caractérisé en ce qu'il comporte: a) une plaque de base, b) un substrat formant une couche inférieure comprenant: un premier substrat isolant ayant une forme approximativement rectangulaire, et dont la surface arrière est fixée sur ladite plaque de base, des premier et second plots d'électrodes ayant des formes approximativement identiques et disposées sur une surface avant dudit premier substrat isolant le long d'un premier côté dudit premier substrat isolant de manière à être juxtaposés entre eux dans cet ordre à partir d'un coin dudit premier côté, et des premier et second fils, qui sont juxtaposés entre eux le long de l'autre côté dudit premier substrat isolant approximativement perpendiculairement audit premier côté et incluant ladite partie d'angle dudit premier côté, ledit second fil s'étendant sur le côté desdits premier et second plots d'électrodes et ledit premier fil s'étendant à côté dudit premier plot d'électrode, moyennant l'interposition du second fil, c) un substrat formant couche supérieure disposé sur ledit substrat formant couche inférieure, comprenant: un second substrat isolant ayant une forme approximativement rectangulaire, et un premier fil formant étrier reliant ledit pre- mier fil audit premier plot d'électrode et un second fil formant étrier reliant ledit second fil audit second plot d'électrode, ces fils formant étriers étant formés dans une surface arrière dudit second substrat isolant, d) un premier élément semi-conducteur connecté électriquement audit premier fil et un second élément semi- conducteur connecté électriquement audit second fil, ces éléments semiconducteurs étant formés dans une surface avant dudit second substrat isolant, et e) un capot disposé sur ladite plaque de base de manière à recouvrir ledit substrat formant couche infé- rieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. Dans ce module à semi-conducteurs, les longueurs de câblage entre les éléments semi-conducteurs et les élec- trodes d'émetteur sont approximativement uniformes entre les éléments semi-conducteurs montés en parallèle. Ceci conduit approximativement aux mêmes charges, telles que des impédances, entre les fils qui sont installés réciproquement en parallèle. Il en résulte qu'il est possible d'empêcher un défaut de fonctionnement induit par une surcharge, de cer- tains éléments semi-conducteurs apparaissant dans un module à semiconducteurs classique, et par conséquent d'améliorer la fiabilité du module à semi-conducteurs. Bien que le module à semi-conducteurs décrit ici comprenne deux éléments semi-conducteurs, un module à semi- conducteurs comprenant trois ou un nombre plus élevé d'éléments semi-conducteurs entre également dans le cadre de la présente invention. En outre, la partie formant capot est formée par une partie formant boîtier et une partie formant couvercle. La présente invention concerne également un module à semi-conducteurs qui comporte en outre une couche résistant à la soudure et recouvrant une partie avant dudit substrat formant couche inférieure, caractérisé en ce que ledit premier fil formant étrier et à la fois ledit premier fil et ledit premier plot d'électrode sont connectés entre eux par des couches de soudure cachées dans des trous for- més dans ladite couche résistante à la soudure, tandis que ledit second fil formant étrier et à la fois ledit second fil et ledit second plot d'électrode sont connectés entre eux par des couches de soudure cachées dans les trous formés dans ladite couche résistante à la soudure. L'utilisation d'une couche résistante à la sou- dure permet d'utiliser aisément une structure dans laquelle des couches de fils se croisent. Une surface dudit substrat formant couche infé- rieure est supérieure à une surface dudit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second fils et lesdits premier et second plots d'électrodes s'étendent au- delà dudit substrat formant couche supérieure recouvrant ledit substrat formant couche inférieure. Avec cette structure, il est facile de réaliser une liaison par fil. Les premier et second éléments semi- conducteurs et lesdits premier et second fils sont connectés entre eux par des fils de liaison, et lesdits premier et second plots d'électrodes et une électrode externe sont connectés entre eux par des fils de liaison. La présente invention concerne en outre un module à semi-conducteurs, dans lequel au moins deux éléments semi-conducteurs sont juxtaposés dans une première direction et une région de plot d'électrode est disposée dans une direction approximativement perpendiculaire à ladite première direction, sont connectés entre eux, caractérisé en ce qu'il comporte: a) une plaque de base, b) un substrat formant couche inférieure compre- nant: un premier substrat isolant ayant une forme approximativement rectangulaire, la surface arrière étant fixée à ladite plaque de base, et un conducteur de câblage de la couche inférieure ayant une forme approximativement rectangulaire et formé dans une surface avant dudit premier substrat isolant, ledit conducteur de câblage de la couche infé- rieure possédant une découpe s'étendant vers l'intérieur à partir de l'une des parties d'angle ou leur proximité, une zone dudit conducteur de câblage de la couche inférieure le long d'un côté adjacent à ladite partie d'angle étant une zone de connexion avec lesdits éléments semiconducteurs, tandis qu'une zone dudit conducteur de câblage de la couche inférieure le long de l'autre côté adjacent à ladite partie d'angle est ladite région de plot d'électrode; c) un substrat formant couche supérieure disposé sur ledit substrat formant couche inférieure et compre- nant: un second substrat isolant ayant une forme approximativement rectangulaire, et un conducteur de câblage formant couche supé- rieure ayant une forme approximativement rectangulaire et formé dans une surface arrière dudit second substrat iso- lant et connecté audit conducteur de câblage de la couche inférieure par l'intermédiaire d'une couche de soudure, ledit conducteur de câblage de la couche supé- rieure possédant une fente dans une partie chevauchant ladite fente dudit conducteur de câblage de la couche inférieure et ayant approximativement la même forme, d) des premier et second éléments semi- conducteurs connectés électriquement à ladite zone de connexion dudit conducteur de câblage de la couche inférieure et formés dans une surface avant dudit second substrat isolant; et e) un capot disposé sur ladite plaque de base de manière à recouvrir ledit substrat formant couche infé- rieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. De ce fait il est possible d'empêcher un défaut de fonctionnement, provoqué par une surcharge, de certains éléments semi-conducteurs apparaissant dans un module à semi-conducteurs classiques, et par conséquent d'améliorer la fiabilité du module à semi-conducteurs. En outre, étant donné qu'une section transversale des réseaux de fils possède des dimensions conséquentes, l'impédance est faible et par conséquent on obtient une amélioration des caractéristiques du module à semi- conducteurs. Il est préférable qu'une surface dudit substrat formant couche inférieure soit supérieure à une surface dudit substrat formant couche supérieure, et que ladite zone de connexion et ladite région de plot d'électrode s'étendent au-delà dudit substrat formant couche supérieure qui recouvre ledit substrat formant couche inférieure. Avec cette structure il est facile de réaliser une liaison par fil. Les premier et second éléments semi-conducteurs et ladite zone de connexion sont connectés entre eux par des fils de liaison, et ladite région de plot d'électrode et une électrode externe sont connectées entre elles par un fil de liaison. Les éléments semi-conducteurs peuvent être formés par des combinaisons de transistors bipolaires à grille isolée et par des diodes à effet unidirectionnel. En outre on peut injecter un matériau formant gel de manière à cacher ledit substrat formant couche inférieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. Ceci permet de fixer les éléments semi- conducteurs et par conséquent d'améliorer la fiabilité du module à semi-conducteurs. Comme cela a déjà été décrit précédemment, les longueurs de câblage des éléments semi-conducteurs juxtapo- sés sont approximativement égales dans le module à semi- conducteurs selon la présente invention, et par conséquent la fiabilité du module à semi-conducteurs s'en trouve amé- liorée. De même, dans le module à semi-conducteurs selon la présente invention, la surface en coupe transversale des parties du fil augmente et par conséquent l'impédance et analogue diminuent et la capacité du module à semi- conducteurs s'améliore. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après avec référence aux dessins annexés, sur lesquels: - les figures 1A et lB représentent le module à semi-conducteurs conforme à la première forme de réali- sation de la présente invention; - la figure 2 représente la surface avant du substrat formant couche inférieure du module à semi- conducteurs selon la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 3 représente la surface arrière du substrat formant couche supérieure dans le module à semi- conducteurs conforme à la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 4 représente le module à semi- conducteurs conforme à la seconde forme de réalisation de la présente invention; - la figure 5 représente la surface avant du substrat formant couche inférieure dans le module à semi- conducteurs selon la seconde forme de réalisation de la présente invention; - la figure 6 représente la surface arrière du substrat formant couche supérieure dans le module à semi- conducteurs selon la seconde forme de réalisation de la présente invention; et - les figures 7A et 7B, dont il a déjà été fait mention, représentent un module à semi-conducteurs clas- sique. Première forme de réalisation. Les figures 1A et lB représentent un module à semi-conducteurs conforme à une première forme de réa- lisation. La figure 1A est une vue en plan (une partie formant couvercle n'est pas représentée) du module à semi- conducteurs conforme à la première forme de réalisation et la figure lB est une vue en coupe transversale prise suivant la ligne I-I sur la figure 1A. Comme cela est représenté sur les figures 1A et lB, dans le module à semiconducteurs selon la première forme de réalisation désignée d'une manière générale par la référence 100, un substrat formant couche inférieure 10 est disposé sur une plaque de base 1. Le substrat formant couche inférieure 10 comprend un premier substrat isolant 11 formé par un matériau céramique tel que AIN. Dans une face avant du premier substrat isolant 11 sont formés un réseau 14 de fils de grilles, un réseau 12 de fils d'émetteurs et un réseau 13 d'électrodes d'émetteurs. Ces réseaux de fils sont réalisés par exemple en cuivre. La figure 2 représente une surface avant du subs- trat formant couche inférieure 10. La direction x du premier substrat isolant 11 et les réseaux 12 de fils d'émetteurs sont juxtaposés entre eux. En outre, dans une direction y du premier substrat isolant 11, les plots d'électrodes d'émetteurs 13 possédant approximativement les mêmes formes sont juxtaposés entre eux. Les réseaux 12 de fils d'émetteurs possèdent approximativement les mêmes largeurs (direction x), mais des longueurs de plus en plus grandes (direction y) en direction des plots d'électrodes d'émetteurs. Par ailleurs, dans une partie d'extrémité infé- rieure du premier substrat isolant 11, le réseau 14 de fils de grilles est disposé dans la direction x. Une couche 15 résistant à la soudure est formée sur une zone d'appui d'un substrat formant couche supé- rieure 20 dans la surface avant du premier substrat isolant 11. La couche 15 résistant à la soudure est formée par un matériau isolant, par exemple à base d'époxy. Des ouvertures 16 et 17 sont formées dans des positions prédéterminées de la couche 15 résistant à la soudure. Les réseaux 12 de fils d'émetteurs sont exposés dans les ouvertures 16 et les plots d'électrodes d'émetteurs 13 sont exposés dans les ouvertures 17. En outre, une configuration de surface arrière 18 constituée d'une couche métallique est formée dans une surface arrière du premier substrat isolant 11. La confi- guration de surface arrière 18 est fixée sur une surface avant de la plaque de base 1 par une couche de soudure 2. Le substrat formant couche supérieure 20 est placé sur le substrat formant couche inférieure 10. Des réseaux 22 de fils en forme d'étriers sont disposés sur une surface arrière du substrat formant couche supérieure 20. La figure 3 représente la surface arrière du substrat formant couche supérieure 20, lequel comprend un second substrat isolant 21. Les réseaux 22 de fils formant étriers sont juxtaposés entre eux dans une direction y du second substrat isolant 21. Une couche 25 résistant à la soudure est disposée dans une surface arrière du second substrat isolant 21, des ouvertures 26 et 27 étant formées dans cette couche. Les réseaux 22 de fils formant étriers sont exposés dans les ouvertures 26 et 27, lesquelles sont formées de manière à être situées au-dessus des parties d'ouvertures 16 et 17 formant couche inférieure 10, lorsque le substrat formant couche inférieure 20 est placé sur le substrat formant couche inférieure 10. Les réseaux 12 de fils d'émetteurs, les plots d'électrodes d'émetteurs 13 du substrat formant couche inférieure 10 et les réseaux 22 de fils formant étriers du substrat formant couche supérieure 20 sont connectés élec- triquement entre eux par des couches de soudure 3 et 4, qui sont cachées dans les ouvertures 16, 17, 26 et 27. D'autre part, un réseau 28 de fils de collecteurs est disposé dans une surface avant du second substrat iso- lant 21. Des combinaisons de transistors IGBT (transistors bipolaires à grille isolée) 31 et de diodes (diodes à effet de roue libre) 32 sont disposées à proximité les unes des autres dans une direction x sur le réseau 28 de fils de collecteurs. Les transistors IBGT 31 et les diodes 32 sont connectés par une couche de soudure 5 au réseau 28 de fils de collecteurs. Ceci connecte électriquement des électrodes de collecteurs (non représentées) des transistors IGBT 31 et des cathodes (non représentées) des diodes au réseau 28 de fils de collecteurs. Des électrodes d'émetteurs (non représentées) des transistors IGBT 31 et des anodes (non représentées) des diodes sont connectées par des fils de liaison 33. En outre, les anodes des diodes sont connectées aux réseaux 12 de fils d'émetteurs formés sur le substrat formant couche inférieure 10, par des fils de liaison 34. Des électrodes de grilles (non représentées) des transistors IGBT 31 sont connectées au réseau 14 de fils de grilles par des fils de liaison 35. Le réseau 14 de fils de grilles est connecté à des électrodes de grilles 41 par des fils de liaison 36. Par ailleurs, le réseau 28 de fils de collecteurs est connecté aux électrodes de collecteurs 42 par des fils de liaison 37. De même, les plots d'électrodes d'émetteurs 13 sont connectés aux électrodes d'émetteurs 43 par des fils de liaison 38. Une partie formant boîtier 6 est formée sur la plaque de base 1 de manière à entourer le substrat formant couche inférieure 10 et analogue. Après la liaison par fil des transistors IGBT 31 et analogues, un matériau formant gel 7 pour l'étanchéité est injecté à l'intérieur de la partie formant boîtier 6, et une partie formant couvercle 8 est mise en place. Etant donné que la partie formant couvercle 8 est montée sur la partie formant boîtier 6, le substrat formant couche inférieure 10 et analogue sont enfermés de façon étanche dans une partie formant capot (non représentée) formée par la partie formant boîtier 6 et la partie formant capot 8. Par conséquent, dans le module à semi-conducteurs conforme à la première forme de réalisation, les émet- teurs des transistors IGBT 31 et les anodes des diodes 32 sont connectés respectivement aux électrodes d'émetteurs 33 par l'intermédiaire de réseaux 12 de fils d'émetteurs, de la couche de soudure 3, des réseaux 22 de fils formant étriers, de la couche de soudure 4 et des plots d'élec- trodes d'émetteurs 13. Dans ce cas, comme cela est représenté sur les figures 2 et 3, le réseau 12 de fils d'émetteurs, qui est le plus court dans la direction y, est connecté au réseau 22 de fils d'étriers qui est le plus long dans la direction x. De ce fait, les longueurs de câblage depuis les transistors IGBT 31 et les diodes 32 jusqu'aux électrodes d'émetteur 43 sont approximativement identiques parmi les transistors IGBT 31 disposés côte-à-côte. Il en résulte que des charges telles qu'une impédance depuis les transistors IGBT 31 et les diodes 32 en direction des électrodes d'émetteur 43 sont appliquées uniformément parmi les fils juxtaposés entre eux. C'est pourquoi il est possible d'empêcher un défaut de fonction- nement, provoqué par une surcharge, de certains éléments semi-conducteurs, qui apparaissent dans un module à semi- conducteurs classiques, et par conséquent améliorer la fiabilité du module à semi-conducteurs. Seconde forme de réalisation. La figure 4 est une vue en plan d'un module à semi-conducteurs 101 selon une seconde forme de réalisation. Dans le module à semi-conducteurs 101, un réseau de fils 55 formé dans une surface avant du substrat formant couche inférieure 50 et un réseau de fils 61 formé dans une surface arrière d'un substrat formant couche supérieure 60 diffèrent du module à semi-conducteurs 100 conforme à la première forme de réalisation. D'autres éléments de la structure sont identiques à ceux du module à semi- conducteurs 100 et par conséquent seront désignés par les mêmes symboles de référence que ceux utilisés pour la première forme de réalisation. La figure 5 représente une surface avant du subs- trat formant couche inférieure 50, qui comprend un premier substrat isolant 51 formé de AIN par exemple. Un conducteur de câblage de couche inférieure 52 en cuivre ayant par exemple une forme approximativement rectangulaire est disposé sur le premier substrat isolant 51. De même, le réseau 14 de fils de grille, qui s'étend dans la direction x, est disposé dans une partie d'extrémité de fond du premier substrat isolant 51. Dans le conducteur de câblage de couche infé- rieure 52, une fente 53 est découpée en direction de l'intérieur à partir d'une partie d'angle. Des zones adja- centes à la fente 53 sont une zone de liaison 55 et une zone de plot d'électrode 56. La figure 6 représente une surface arrière du substrat formant couche supérieure 60, qui comprend un second substrat isolant 61 formé de AIN par exemple. Un conducteur de câblage de couche supérieure en cuivre par exemple ayant une forme approximativement rectangulaire est disposé sur le second substrat isolant 61. Dans le conducteur de câblage de couche supé- rieure 62, une fente 63 est découpée en direction de l'intérieur à partir d'une partie d'angle. Comme cela est représenté sur la figure 4, lorsque le substrat formant couche supérieure 60 est dis- posé sur le substrat formant couche inférieure 50, la fente 63 chevauche la fente 53. Le conducteur de câblage de couche inférieure 52 et le conducteur de câblage de couche supérieure 62 sont connectés électriquement par une couche de soudure (non représentée). Les diodes 32 sont connectées à la zone de connexion 55 par les fils de liaison 34. La zone de plot d'électrode 56 est connectée aux électrodes d'émetteur 43 par les fils de liaison 38. D'autres fils sont similaires à ceux présents dans la première forme de réalisation. La partie formant boîtier 6 est formée sur la plaque de base 1 de manière à entourer le substrat formant couche inférieure 50 et analogue. Après la liaison par fil des transistors IGBT 31 et analogues, un matériau formant gel servant à établir l'étanchéité (non représenté) est injecté à l'intérieur de la partie formant boîtier 6, et une partie formant couvercle (non représentée) est mise en place. Par conséquent, dans le module à semi-conducteurs 101 selon la seconde forme de réalisation, des fentes 53 et 63 sont formées dans le conducteur de câblage de couche inférieure 52, et le conducteur 62 de câblage de couche inférieure. Par conséquent, des longueurs de câblage s'étendant entre la zone de plot d'électrode 56 et les diodes connectées à la zone de connexion 55 au voisinage des fentes 53 et 63 sont plus longues que dans le cas o les fentes 53 et 63 ne sont pas formées. Ceci réduit les différences des longueurs de câblage entre les diodes 32 connectées dans la zone de connexion 55 au voisinage des fentes 53 et 63 (le côté droit de la zone 55 sur la figure ) et à partir des diodes 32 connectées à la zone de connexion 55 dans une position largement éloignée des fentes 53 et 63 (le côté gauche par rapport à la zone 55 sur la figure 5). Il en résulte que, comme dans la première forme de réalisation, ceci peut réduire des variations de charges telles que l'impédance mesurée entre les transistors IGBT 31 et des diodes 32 et les électrodes d'émetteur 43 parmi les éléments disposés en parallèle entre eux. Ceci permet d'empêcher un défaut de fonctionne- ment de certains éléments semi-conducteurs, qui serait dû à une surcharge et apparaîtrait dans le module à semi- conducteurs classique 200 et par conséquent d'améliorer la fiabilité du module à semi-conducteurs. En outre, dans le module à semi-conducteurs 101, les parties de fils s'étendant depuis la zone de connexion jusqu'à la zone de plot d'électrode sont formées par le conducteur de câblage de couche inférieure 52, le conduc- teur de câblage de couche supérieure 62 et les couches de soudure fixant les parties entre eux. Ceci augmente la surface en coupe transversale des parties formées de fils et réduit l'impédance. Bien que les fentes 53 et 63 soient découpées en direction de l'intérieur à partir des parties d'angle du conducteur de câblage de couche inférieure 52 et du conducteur de câblage de couche supérieure 62 dans la seconde forme de réalisation, les fentes peuvent être for- mées hormis dans les parties d'angle. En outre, les formes et les longueurs des fentes peuvent être modifiées en fonction du nombre des éléments semi-conducteurs et ana- logues. REVENDICATIONS 1. Module à semi-conducteurs, dans lequel au moins deux éléments semiconducteurs (31, 32) sont disposés dans une première direction, et au moins deux régions de plots d'électrodes, disposées dans une direction approximativement perpendiculaire à ladite première direction, sont connectées respectivement réciproquement en parallèle, caractérisé en ce qu'il comporte: a) une plaque de base (1), b) un substrat formant couche inférieure (10) comprenant: un premier substrat isolant ayant une forme approximativement rectangulaire, et dont la surface arrière est fixée sur ladite plaque de base, des premier et second plots d'électrodes ayant des formes approximativement identiques et disposées sur une surface avant dudit premier substrat isolant le long d'un premier côté dudit premier substrat isolant de manière à être juxtaposés entre eux dans cet ordre à partir d'un coin dudit premier côté, et des premier et second fils, qui sont juxtaposés entre eux le long de l'autre côté dudit premier substrat isolant approximativement perpendiculairement audit premier côté et incluant ladite partie d'angle dudit premier côté, ledit second fil s'étendant sur le côté desdits premier et second plots d'électrodes et ledit premier fil s'étendant à côté dudit premier plot d'électrode, moyennant l'interposition du second fil, c) un substrat formant couche supérieure (20) disposé sur ledit substrat formant couche inférieure, comprenant: un second substrat isolant (21) ayant une forme approximativement rectangulaire, et un premier fil formant étrier reliant ledit pre- mier fil audit premier plot d'électrode et un second fil formant étrier reliant ledit second fil audit second plot d'électrode, ces fils formant étriers étant formés dans une surface arrière dudit second substrat isolant, d) un premier élément semi-conducteur connecté électriquement audit premier fil et un second élément semi- conducteur connecté électriquement audit second fil, ces éléments semi-conducteurs étant formés dans une surface avant dudit second substrat isolant, et e) un capot disposé sur ladite plaque de base (1) de manière à recouvrir ledit substrat formant couche infé- rieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. 2. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 1, comportant en outre une couche (2) résistante à la soudure et recouvrant une partie avant dudit substrat formant couche inférieure, caractérisé en ce que ledit premier fil formant étrier et à la fois ledit premier fil et ledit premier plot d'électrode sont connectés entre eux par des couches de soudure cachées dans des trous formés dans ladite couche résistante à la soudure, tandis que ledit second fil formant étrier et à la fois ledit second fil et ledit second plot d'électrode sont connectés entre eux par des couches de soudure cachées dans les trous formés dans ladite couche résistante à la soudure. 3. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce qu'une surface dudit substrat formant couche inférieure (10) est supérieure à une surface dudit substrat formant couche supérieure (20) et que lesdits premier et second fils et lesdits premier et second plots d'électrodes s'étendent au-delà dudit substrat formant couche supérieure recouvrant ledit substrat formant couche inférieure. 4. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que lesdits premier et second éléments semiconducteurs et lesdits premier et second fils sont connectés entre eux par des fils de liaison (33, 34), et lesdits premier et second plots d'électrodes et une électrode externe sont connectés entre eux par des fils de liaison (38). 5. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que lesdits éléments semi- conducteurs sont formés par des combinaisons de transistors bipolaires à grille isolée (31) et de diodes à effet unidirectionnel (32). 6. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce qu'un matériau en forme de gel (7) est injecté de manière à cacher ledit substrat formant couche inférieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. 7. Module à semi-conducteurs, dans lequel au moins deux éléments semiconducteurs (31, 32) sont juxtaposés dans une première direction et une région de plot d'électrode est disposée dans une direction approximativement perpendiculaire à ladite première direction, sont connectés entre eux, caractérisé en ce qu'il comporte: a) une plaque de base (1), b) un substrat formant couche inférieure (50) comprenant: un premier substrat isolant (51) ayant une forme approximativement rectangulaire, la surface arrière étant fixée à ladite plaque de base, et un conducteur de câblage (52) de la couche inférieure ayant une forme approximativement rectangulaire et formé dans une surface avant dudit premier substrat isolant, ledit conducteur de câblage (52) de la couche inférieure possédant une découpe (53) s'étendant vers l'intérieur à partir de l'une des parties d'angle ou leur proximité, une zone dudit conducteur de câblage de la couche inférieure le long d'un côté adjacent à ladite par- tie d'angle étant une zone de connexion (55) avec lesdits éléments semiconducteurs, tandis qu'une zone dudit conducteur de câblage de la couche inférieure le long de l'autre côté adjacent à ladite partie d'angle est ladite région de plot d'électrode; c) un substrat formant couche supérieure (60) disposé sur ledit substrat formant couche inférieure et comprenant: un second substrat isolant (61) ayant une forme approximativement rectangulaire, et un conducteur de câblage (62) formant couche supérieure ayant une forme approximativement rectangulaire et formé dans une surface arrière dudit second substrat isolant et connecté audit conducteur de câblage de la couche inférieure par l'intermédiaire d'une couche de soudure, ledit conducteur de câblage (62) de la couche supérieure possédant une fente (63) dans une partie chevauchant ladite fente dudit conducteur de câblage de la couche inférieure et ayant approximativement la même forme, d) des premier et second éléments semi- conducteurs (31, 32) connectés électriquement à ladite zone de connexion dudit conducteur de câblage de la couche inférieure et formés dans une surface avant dudit second substrat isolant; et e) un capot (6) disposé sur ladite plaque de base de manière à recouvrir ledit substrat formant couche infé- rieure, ledit substrat formant couche supérieure et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs. 8. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce qu'une surface dudit substrat formant couche inférieure (50) est supérieure à une surface dudit substrat formant couche supérieure (60), et ladite zone de connexion et ladite région de plot d'électrode s'étendent au-delà dudit substrat formant couche supérieure recouvrant ledit substrat formant couche inférieure. 9. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que lesdits premier et second éléments semiconducteurs (31, 32) et ladite zone de connexion (55) sont connectés entre eux par des fils de liaison, et que ladite région de plot d'électrode (56) et une électrode externe sont connectées entre elles par un fil de liaison. 10. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce que lesdits éléments semi- conducteurs (31, 32) sont formés par des combinaisons de transistors bipolaires à grille isolée et de diodes à effet unidirectionnel. 11. Module à semi-conducteurs selon la revendica- tion 7, caractérisé en ce qu'un matériau formant gel est injecté de manière à cacher ledit substrat formant couche inférieure (50), ledit substrat formant couche supérieure (60) et lesdits premier et second éléments semi-conducteurs (31, 32).