Brevet FR2816053A1 — publié le 20020503

CAPTEUR DE PRESSION A SEMICONDUCTEUR AYANT UN CIRCUIT DE TRAITEMENT DE SIGNAL La présente invention concerne un capteur de pression formé sur un substrat semiconducteur conjointement à un circuit destiné à trai- ter des signaux provenant du capteur de pression. De façon générale dans un capteur de pression à semiconduc- teur, il est nécessaire d'étalonner les erreurs de sortie du capteur occa- sionnées par une fluctuation du processus de fabrication ou d'autres fac- teurs. L'étalonnage est effectué dans un circuit de traitement de signal connecté à un élément détecteur. Un exemple de l'étalonnage de signal de sortie est décrit dans un article intitulé "DSP-BASED CMOS MONOLITHIC PRESSURE SENSOR FOR HIGH VOLUME MANUFACTURING, pages 362-365 de "Transducers '99, 7-10 juin 1999, Sendai, Japon". Cet article propose d'effectuer un étalonnage numérique de signaux de sortie de capteurs et de stocker une valeur d'étalonnage dans une mémoire non volatile incor- porée sur la puce. On connaît l'utilisation d'éléments CMOS dans un circuit de traitement de signal pour un capteur de pression à semiconducteur, comme décrit dans les documents JP-A-8 64693 et JP-A-7-326771. Les éléments CMOS sont habituellement formés sur un substrat en silicium ayant une orientation de surface (100), qui a un faible niveau d'énergie de frontière (qu'on appelle ci-après un substrat de type (100)), comme indi- qué dans un ouvrage intitulé "Semiconductor Device - Basic Theory and Process Technology" (publié initialement en 1987 et dont la sixième édi- tion est parue en 1992, page 205). On connaît de façon générale la tech- nique consistant à réduire la taille d'un capteur à semiconducteur en for- mant le circuit de traitement de signal qui comprend les éléments CMOS sur une puce, conjointement à l'élément capteur. D'autre part, le document JP-A-4-119672 suggère que le capteur de pression formé sur le substrat de type (100) a un problème de préci- sion, du fait qu'une tension de décalage est générée par une contrainte thermique sur une membrane, et que la dépendance de la tension de dé- calage vis-à-vis de la température est non linéaire. Il suggère également que la tension de décalage due à la contrainte thermique peut être réduite en utilisant un substrat semiconducteur en silicium ayant une orientation de surface (110), dans la fabrication d'un capteur de pression de type discret. Cependant, il reste encore un problème d'erreurs de sortie dans un capteur de pression à semiconducteur, malgré diverses suggestions faites dans l'art antérieur. La présente invention a été faite en considérant le problème mentionné cidessus, et un but de la présente invention est de procurer un capteur de pression à semiconducteur perfectionné ayant une préci- sion de détection élevée, en minimisant une influence nuisible de la con- trainte thermique sur la tension de sortie du capteur. Le capteur de pression à semiconducteur conforme à la pré- sente invention est composé d'un élément détecteur de pression et d'un circuit de traitement de signal, formés tous deux sur un substrat semicon- ducteur ayant une orientation de surface (110) (qu'on appelle un substrat de type (110)). L'élément détecteur de pression comprend une membrane et quatre extensomètres formés sur la membrane. La membrane est dé- formée sous l'effet d'une pression qui lui est appliquée, et la déformation de la membrane est convertie par les extensomètres en un signal électri- que. Les extensomètres réalisés sous la forme d'une couche de diffusion sur le substrat sont connectés pour former un pont de Wheatstone. Une tension constante est appliquée au pont à titre de tension d'entrée, et le pont émet une tension de signal représentant la pression à mesurer. Le circuit de traitement de signal pour traiter la tension de sortie de l'élément détecteur comprend des éléments CMOS ou des éléments Bi- CMOS. Le circuit de traitement de signal comporte un amplificateur pour amplifier la tension de sortie provenant de l'élément détecteur. La tension de sortie est appliquée à l'amplificateur à partir de son circuit d'entrée composé d'une paire de transistors. Les transistors de la paire sont pla- ces sur le substrat de façon qu'un courant entre une source et un drain dans les deux transistors circule dans la même direction. De préférence, les extensomètres sont placés sur le substrat de type (110) le long de son axe cristallographique , et les transistors de la paire dans le circuit d'entrée d'amplificateur sont placés de façon que le courant source-drain circule dans la direction de l'axe cristallogra- phique . La membrane est formée avec une forme octogonale pour égaliser l'influence des contraintes thermiques sur chaque extensomètre. Le circuit de traitement de signal comprend une mémoire non volatile dans laquelle des données pour ajuster la tension de sortie du détecteur sont écrites à partir de l'extérieur. Du fait que l'élément détecteur de pression et le circuit de trai- tement de signal sont formés sur le substrat de type (110), I'influence des contraintes thermiques sur les signaux de sortie de capteur est réduite, et par conséquent la pression est détectée avec une précision élevée. Du fait que les transistors de la paire dans le circuit d'entrée d'amplificateur sont placés sur le substrat de façon à égaliser les directions de courant source-drain, I'amplificateur est capable d'amplifier une tension de sortie de détecteur de faible niveau avec une précision élevée. La dépendance de la tension de sortie du capteur vis-àvis de la température, qui peut exister à un bas niveau, est aisément ajustée sur la base des données dans la mémoire non volatile. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'un mode de réalisation préféré, donné à titre d'exemple non limitatif. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure 1 est une coupe montrant une structure d'un capteur de pression à semiconducteur conforme à la présente invention; La figure 2 est une vue en plan montrant des positions d'exten- somètres formés sur un substrat semiconducteur; La figure 3 est un schéma de circuit montrant un pont formé par les extensomètres; La figure 4 est un schéma montrant une structure d'un circuit de traitement de signal formé sur le substrat semiconducteur; La figure 5 est une coupe montrant un assemblage de capteur dans lequel le capteur de pression à semiconducteur est monté; La figure 6A est une vue en plan schématique montrant des po- sitions d'extensomètres formés sur un substrat de type (100); La figure 6B est une vue en plan schématique montrant des po- sitions d'extensomètres formés sur un substrat de type (110); La figure 7A est une représentation graphique montrant une distribution de contrainte thermique dans la direction x sur le substrat de type (100); La figure 7B est une représentation graphique montrant une distribution de contrainte thermique dans la direction y sur le substrat de type (100); La figure 7C est une représentation graphique montrant une distribution de contrainte thermique dans la direction x sur le substrat de type (110); et Les figures 8A et 8B sont des schémas montrant des directions d'axes cristallographiques sur le substrat de type (100). Premièrement, en se référant aux figures 6A-6B et 7A-7C, on expliquera un concept général de la présente invention. On étudie l'in- fluence des contraintes thermiques sur les tensions de sortie de capteur dans un capteur à membrane formé sur le substrat semiconducteur ayant une orientation de surface (100) (qu'on appelle ci-après le substrat de type (100)) et dans un capteur à membrane formé sur le substrat semi- conducteur ayant l'orientation de surface (110) (qu'on appelle ci-après le substrat de type (110)). Les figures 6A et 6B montrent des positions d'extensomètres Ra, Rb formés respectivement sur le substrat de type (100) et sur le substrat de type (110). Les extensomètres Ra, Rb sont formés sur une membrane carrée 12. Une ligne A-A' sur la figure 6A et une ligne C-C' sur la figure 6B désignent respectivement une direction x. Une ligne B-B' sur la figure 6A désigne une direction y qui est perpendiculaire à la direction x. Les axes cristallographiques du substrat de type (100) s'éten- dent à la fois dans la direction x et la direction y, comme représenté sur la figure 6A. Une paire d'extensomètres Ra sont placés dans la direction x et une autre paire d'extensomètres Rb sont placés dans la direction y. D'autre part, dans le substrat de type (110), un axe cristallographique s'étend dans la direction x, tandis qu'un axe cristallographique s'étend dans la direction y, comme représenté sur la figure 6B. Tous les extensomètres Ra, Rb sont placés dans la direction x, du fait que la sensibilité dans la direction x est très supérieure à la sensibilité dans la direction y dans le substrat de type (110). Dans les deux substrats de type (100) et de type (110), un cir- cuit en pont est formé par une paire d'extensomètres Ra et une paire d'extensomètres Rb. Dans le substrat de type (100), un changement de résistance AR dans chaque résistance d'extensomètre R, et une tension de sortie d'extensomètre AV qui est un signal de sortie de capteur, sont exprimés par les formules suivantes, dans lesquelles une direction d'un courant I circulant dans chaque extensomètre Ra, Rb est x, une compo- sante de direction x d'une contrainte imposée est cx, une composante de direction y d'une contrainte imposée est cay, un coefficient de résistance piézoélectrique est =44, un changement de résistance de Ra est ARa, et un changement de résistance de Rb est ARb: AR =(1/2).R.(cx - cy). =44 AV =(1/2).(ARa - ARb).l Dans le substrat de type (110), AR et AV sont exprimés par les formules suivantes AR = (1/2).R.ax.n44 AV = (1/2).(ARa ARb).l On examinera des distributions de la contrainte thermique en se référant aux figures 7A, 7B et 7C. La contrainte thermique dans la direc- tion x du substrat de type (100) est représentée sur la figure 7A, la con- trainte thermique dans la direction y du substrat de type (100) est repré- sentée sur la figure 7B, et la contrainte thermique dans la direction x du substrat de type (110) est représentée sur la figure 7C. Comme on le voit sur la figure 7A, la contrainte thermique ax dans la direction x du substrat de type (100) est élevée aux deux extré- mités de la membrane 12, tandis que la contrainte thermique cy dans la direction y est élevée dans la partie médiane et faible aux deux extrémi- tés. Une différence entre ax et cyy (ax - ay) qui représente une compo- sante d'erreur de contrainte thermique dans les extensomètres Ra, est une valeur positive. D'autre part, comme on le voit sur la figure 7B, la contrainte thermique ax dans la direction x du substrat de type (100) est élevée dans la partie médiane et faible aux deux extrémités de la mem- brane 12, tandis que la contrainte thermique ay dans la direction y est faible dans la partie médiane et élevée aux deux extrémités. Une diffé- rence entre 6x et oy (ax - ay), qui représente une composante d'erreur de contrainte thermique dans les extensomètres Rb, est une valeur négative. Comme décrit ci-dessus, dans le substrat de type (100), la com- posante d'erreur de contrainte thermique dans les extensomètres Ra est une valeur positive et celle dans les extensomètres Rb est une valeur né- gative. Par conséquent, les deux composantes d'erreur s'additionnent dans la formule ci-dessus exprimant la tension de sortie d'extensomètre AV. Ceci signifie que les composantes d'erreur dans les deux extensomè- tres Ra et Rb formés sur le substrat de type (100) affectent défavorable- ment la tension de sortie d'extensomètre à un degré plus élevé. Au contraire, dans le substrat de type (110), la distribution de la composante d'erreur de contrainte thermique ax dans la direction x est pratiquement symétrique par rapport aux extensomètres Ra et Rb, comme on le voit sur la figure 7C. Par conséquent, seule une faible différence possible entre les composantes d'erreur dans les extensomètres Ra et Rb affecte la tension de sortie d'extensomètre AV. Ceci signifie que l'in- fluence de la contrainte thermique sur la tension de sortie d'extensométre est plus faible dans le substrat de type (110) que dans le substrat de type (100). Cependant, dans le capteur de pression à semiconducteur clas- sique, on a utilisé le substrat de type (100) à cause de sa densité de charges à la frontière, qui est un facteur de piégeage d'atomes d'impure- tés, et du fait que des fluctuations fonctionnelles dans des éléments sont les plus faibles parmi divers types de substrats. Dans un ouvrage intitulé "Grove's Fundamentals of Semiconductor Devices" (page 382; écrit par Andrew S. Grove, traduit par S. Tarui, publié par McGraw-Hill en 1992, septième édition), il est indiqué qu'un rapport de la densité de charges à la frontière dans trois types de substrats est: (111):(110):(100) = 3:2:1. Ceci signifie que la densité de charges à la frontière du substrat de type (110) est deux fois plus élevée que celle du substrat de type (100). Malgré ce qui est indiqué ci-dessus, on trouve que le substrat de type (110) est utilisable de façon appropriée à titre de substrat du capteur de pression, en utilisant des processus de fabrication récents. Le capteur de pression à semiconducteur conforme à la présente invention est formé sur le substrat de type (110) pour utiliser son mérite, découvert dans l'étude décrite ci-dessus, c'est-à-dire que l'influence de contraintes thermiques sur les signaux de sortie de capteurs est faible. On décrira un mode de réalisation préféré de la présente inven- tion en se référant aux figures 1-5. Comme représenté sur la figure 1, le capteur de pression du type à membrane, Sl, conforme à la présente in- vention, est formé sur le substrat en silicium 10, de type (110). Le subs- trat 10 est un substrat de type semiconducteur de type N formé par diffu- sion de phosphore (P) dans du silicium (Si). Le substrat 10 est une puce de forme rectangulaire découpée dans un plus grand substrat, comme re- présenté sur la figure 2. Une cavité 11 est formée sur la surface arrière (la face inférieure sur la figure 1) du substrat 10, par attaque anisotrope utilisant une solution alcaline. Une partie du substrat 10 qui est amincie par la cavité 11, remplit la fonction d'une membrane 12 qui est déformée conformément à une pression appliquée à la surface avant du substrat 10. Des extensomètres Ra, Rb, qui convertissent la déformation de la mem- brane en signaux électriques, sont formés sur la surface avant (la face supérieure sur la figure 1) du substrat 10. Les extensomètres Ra, Rb constituent un élément détecteur de pression conjointement à la mem- brane 12. Une couche de diffusion de type P formée par diffusion de bore (B) ou d'une substance semblable dans le silicium (Si), forme les exten- somètres Ra, Rb. Une forme en plan de la membrane 12 est un octogone, comme représenté sur la figure 2. Cette membrane octogonale 12 est dé- finie par des faces perpendiculaires à des axes cristallographiques , et , comme décrit dans le document JP-A-4-119672. Les extensomètres Ra, Rb sont positionnés par rapport aux axes cristal- lographiques d'une manière identique à celle représentée sur la figure 6B. Ainsi, quatre extensomètres Ra, Rb sont placés dans la direction de l'axe cristallographique ayant une sensibilité élevée, comme représenté sur la figure 2. Les extensomètres Ra, Rb sont connectés pour former un pont de Wheatstone, comme représenté sur la figure 3. Chaque extenso- mètre est un élément résistif, et la résistance des extensomètres Ra pla- cés à une périphérie de la membrane change dans une direction diffé- rente de celle des extensomètres Rb placés dans une partie centrale de la membre 12, en réponse à une contrainte imposée. Une tension constante continue V est appliquée entre les deux bornes d'entrée la et lb du pont de Wheatstone, comme représenté sur la figure 3. La résistance des extensomètres Ra, Rb change conformément à une valeur de déformation de la membrane 12 occasionnée par la pres- sion appliquée, et une tension de sortie de capteur Vout apparaît entre des bornes de sortie Pa et Pb conformément à la pression appliquée. Un circuit de traitement de signal 14 qui comprend des transis- tors CMOS 13 est formé sur la surface avant du substrat 10, comme re- présenté sur la figure 1. Le circuit de traitement de signal 14 applique la tension constante V au pont de Wheatstone et traite (amplifie, étalonne, etc.) la tension de sortie de capteur Vout. Les transistors CMOS 13 sont constitués par des transistors NMOS ou des transistors PMOS. Ces tran- sistors sont formés en diffusant dans du silicium des impuretés telles que du bore et du phosphore, et en formant des grilles en silicium polycristal- lin, G, dans un processus connu. Des résistances et des condensateurs formant le circuit de traitement de signal 14 conjointement aux transistors CMOS 13 sont également formés sur la surface avant du substrat 10. Le circuit de traitement de signal 14 comprend également une mémoire non volatile telle qu'une mémoire morte programmable et effaça- ble (EPROM), dans laquelle des données sont écrites à partir de l'exté- rieur. Les signaux de sortie provenant de l'élément détecteur de pression sont étalonnés ou ajustés sur la base des données écrites dans la mé- moire non volatile. Plus particulièrement, la sensibilité, la tension de dé- calage, la caractéristique de température, la dépendance de la tension de décalage de l'élément détecteur vis-à-vis de la température, et autres, sont étalonnées ou ajustées sur la base des données écrites dans la mé- moire non volatile. Comme représenté sur la figure 4, une paire de transistors 15a, b qui forment un circuit d'entrée d'un amplificateur différentiel 15 dans le circuit de traitement de signal 14 sont placés d'une manière particu- lière. Ainsi, ces transistors sont places de façon qu'un courant entre un drain D et une source S de chaque transistor circule dans la même direc- tion que dans l'autre. La tension de sortie de capteur Vout qui est appli- quée à l'amplificateur différentiel 15 est amplifiée dans celui-ci et ensuite appliquée à un processeur de signal 16. Le processeur de signal 16 émet un signal de sortie final après ajustement ou étalonnage de la tension de sortie de capteur. Dans un exemple de l'amplificateur différentiel 15 représenté sur la figure 4, les deux transistors 15a et 15b formant le circuit d'entrée sont des transistors à canal N. Les deux transistors 15a, 15b sont placés sur le substrat 10 de façon qu'une direction du courant entre la source S et le drain D dans chaque transistor devienne parallèle à l'axe cristallo- graphique . Les deux transistors 15a, 15b peuvent être placés de façon que le courant de source-drain de chaque transistor circule paral- lèlement à un autre axe cristallographique , à condition que les deux directions du courant source-drain soient les mêmes. Les deux tran- sistors 15a, 15b peuvent être des transistors à canal P. En se référant à nouveau à la figure 1, on note qu'une couche d'oxydation de grille 17 pour isoler la couche de diffusion des transistors CMOS 13 par rapport aux grilles G, une couche isolante 18 consistant en dioxyde de silicium pour isoler divers composants dans le circuit de trai- tement 14, et une couche de protection 19 consistant en nitrure de sili- cium, pour recouvrir l'extérieur du capteur de pression S1, sont superpo- sées dans cet ordre sur la surface avant du substrat 10. Une ouverture est formée dans la couche de protection 19, et une plage de connexion 20 en aluminium ou autres est formée dans l'ouverture. Le circuit de traite- ment de signal 14 est connecté électriquement à un circuit extérieur par l'intermédiaire de la plage de connexion 20, par soudage de fil. Un subs- trat en verre 21 est collé sur la surface arrière du substrat 10 pour fermer hermétiquement la cavité 11 qui est maintenue sous vide. Le capteur de pression à semiconducteur S1 décrit ci-dessus est fabriqué en utilisant des processus connus. Le capteur de pression à semiconducteur Sl ainsi fabriqué est installé dans un boîtier 30, formant un assemblage de capteur, comme représenté sur la figure 5. Le boîtier est constitué par un matériau tel qu'une résine, et une borne pour con- necter électriquement le capteur de pression S1 à un circuit extérieur est encastrée dans le boîtier 30 dans un processus de moulage. Le capteur de pression Sl est collé sur une surface intérieure du boîtier 30 par l'in- termédiaire du substrat en verre 21. La plage de connexion 20 et la borne 31 sont connectées électriquement par un fil de connexion 32. Un tube d'introduction de pression 33 à travers lequel une pression à mesurer est introduite dans le boîtier 30, est formé d'un seul tenant avec le boîtier 30. Le boîtier 30 peut être séparé en deux parties pour monter aisément le capteur de pression S1 sur une partie, et pour accoupler ensuite les deux parties. La pression introduite dans l'assemblage de capteur s'exerce sur la membrane 12 du capteur de pression Sl. La membrane 12 est dé- formée par la pression exercée, et la déformation est convertie en une tension de signal électrique Vout par les extensomètres Ra, Rb. La ten- sion de signal Vout est traitée dans le circuit de traitement de signal 14. Le signal traité est émis par la borne 31 à titre de signal représentant la pression détectée. Comme décrit ci-dessus, I'élément détecteur de pression cons- titué par la membrane 12 et les extensomètres Ra, Rb, est formé sur le substrat semiconducteur de type (110) (et non le substrat de type (100)). Le circuit de traitement de signal 14 incluant les éléments MOS 13 est également formé sur le même substrat 10. Ainsi, I'élément détecteur de pression et le circuit de traitement de signal sont formés de manière inté- grée sur le même substrat de type (110). On peut donc réduire la taille du capteur de pression à semiconducteur Sl, avec un faible coût. Du fait que le substrat de type (110) est utilisé, I'influence des contraintes thermiques sur le signal de capteur est considérablement infé- rieure à celle du capteur classique utilisant le substrat de type (100). Par conséquent, les erreurs de détection dues aux contraintes thermiques sont faibles, et les signaux de sortie de capteur sont aisément ajustés ou étalonnés dans le circuit de traitement de signal 14. Plus particulière- ment, l'influence des contraintes thermiques apparaît sous la forme d'une dépendance de la tension de décalage vis-à-vis de la température. La ré- duction de l'influence des contraintes thermiques conduit à une réduction de la dépendance de la tension de décalage vis-à-vis de la température. Par conséquent, une valeur de l'ajustement de sortie exigée est faible dans le capteur de pression de la présente invention. En outre, une non-linéarité d'une tension de décalage vis-à-vis de la température (une composante secondaire de la dépendance vis-à- vis de la température) est également considérablement réduite dans le capteur de pression conforme à la présente invention, en comparaison avec celle du capteur de pression classique. Il n'est donc pas nécessaire d'effectuer un étalonnage concernant la non-linéarité. Si un tel étalonnage est exigé, le circuit de traitement de signal 14 doit être perfectionné. Dans le capteur de pression de la présente invention, des signaux de sor- tie de capteur exacts sont obtenus seulement en ajustant une faible dé- pendance de la tension de décalage vis-à-vis de la température (une composante primaire). En outre, en donnant à la membrane 12 la forme d'un octogone défini par des côtés perpendiculaires aux axes cristallographiques , et , et en optimisant un rapport entre les côtés de l'octogone, comme suggéré dans le document JP-A-4-119672 mentionné ci-dessus, on peut réduire encore davantage et minimiser l'influence des contraintes thermiques. En changeant la forme de la membrane 12 pour passer d'une forme rectangulaire habituelle à l'octogone, il est possible d'aplanir en- core davantage la courbe de distribution de contrainte thermique repré- sentée sur la figure 7C. De ce fait, une différence de contraintes thermi- ques entre deux extensométres Ra et Rb devient plus faible, et on peut réduire l'influence des contraintes thermiques. Le circuit d'entrée de l'amplificateur différentiel 15 représenté sur la figure 4 est constitué par une paire de transistors 15a, 15b, et les deux transistors 15a, 15b sont placés de façon que le courant de source- drain dans les deux transistors circule dans la même direction. On expli- quera ci-dessous la raison pour laquelle on place les deux transistors a, 15b de cette manière. La tension de signal de sortie provenant des extensomètres doit être amplifiée, du fait que son niveau est très faible. L'amplificateur différentiel 15 doit avoir une précision élevée pour ampli- fier la tension de très faible niveau. Si une puce de semiconducteur T1 est découpée à partir d'une tranche de type (100), le long de son axe cristallographique , comme représenté sur la figure 8A, les directions d'axes cristallographi- ques le long des deux côtés deviennent également parallèles à l'axe . Dans ce cas, les transistors peuvent être placés sur cette puce T1 soit le long du côté x, soit le long du côté y, sans occasionner une diffé- rence de direction d'axe cristallographique entre les deux transistors 15a, 15b. Ceci s'applique également à une puce T1 qui est découpée à partir de la tranche de type (100), le long de son axe cristallographique , comme représenté sur la figure 8A. Cependant, la puce de semiconduc- teur utilisée dans le mode de réalisation ci-dessus est découpée à partir de la tranche de type (110), ce qui fait que la direction de l'axe cristallo- graphique du côté x devient parallèle à l'axe , et la direction de l'axe cristallographique du côté y devient parallèle à l'axe , comme * représenté sur la figure 2. En d'autres termes, les axes cristallographi- ques dans les directions x et y ne sont pas les mêmes dans ce cas. Le coefficient de la résistance piézoélectrique diffère en fonction de la direc- tion des axes cristallographiques. Par conséquent, si les deux transistors a, 15b sont placés sur la puce dans des directions différentes par rap- port à l'axe cristallographique, I'appariement d'une paire de transistors n'est pas obtenu. Si l'appariement de la paire de transistors constituant le circuit d'entrée de l'amplificateur 15 n'est pas obtenu, des erreurs de sor- tie de capteur (la tension de décalage) augmentent. Pour obtenir un bon appariement de la paire de transistors 15a, 15b, dans le mode de réalisa- tion de la présente invention, ils sont placés de façon que les directions de courant entre la source S et le drain D des deux transistors deviennent les mêmes par rapport à l'axe cristallographique. De cette manière, I'am- plificateur 15 amplifie un signal de bas niveau avec une précision élevée. En outre, conformément à la présente invention, la mémoire non volatile est incluse dans le circuit de traitement de signal 14. Des don- nées pour ajuster les signaux de capteur peuvent être écrites dans la mémoire non volatile à partir de l'extérieur, même après l'achèvement de I'assemblage de capteur. Par conséquent, des erreurs de signal de cap- teur dues à une fluctuation du processus de fabrication peuvent être com- pensées aisément sur la base des données écrites dans la mémoire non volatile. La présente invention n'est pas limitée au mode de réalisation décrit ci-dessus, mais peut être modifiée de diverses manières. Par exemple, le circuit de traitement de signal 14 peut être composé d'un cir- cuit Bi-CMOS qui comprend des transistors bipolaires et des transistors CMOS. Il va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Capteur de pression à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semiconducteur (10) ayant une surface d'orienta- tion (110); un élément détecteur de pression (12, Ra, Rb) formé sur le substrat semiconducteur, l'élément détecteur de pression émettant un signal électrique (Vout) conformément à une pression qui lui est appliquée; et un circuit de traitement de signal (14) incluant des éléments CMOS, formé sur le substrat semiconducteur, pour traiter le signal électrique (Vout) émis par l'élément détecteur de pression, le circuit de traitement de signal (14) comprenant un circuit amplificateur (15) ayant un circuit d'entrée composé d'une paire de transistors (15a, 15b) par lequel le si- gnal électrique émis par l'élément détecteur de pression est appliqué au circuit amplificateur, dans lequel les transistors de la paire de transistors (15a, 15b) sont placés sur le substrat semiconducteur de façon que le courant entre une source (S) et un drain (D) des deux transistors circule dans une même direction. 2. Capteur de pression à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément détecteur de pression comprend une membrane (12) qui est déformée sous l'effet de la pression appliquée sur elle, et des extensomètres (Ra, Rb) formés sur la membrane sous la forme d'une couche de diffusion, les extensomètres convertissant la dé- formation de la membrane pour donner le signal électrique. 3. Capteur de pression à semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la membrane (12) a une forme en plan octogo- nale. 4. Capteur de pression à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de traitement de signal (14) comprend des circuits Bi-CMOS. 5. Capteur de pression à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit de traitement de signal (14) comprend une mémoire non volatile dans laquelle des données sont écrites à partir de l'extérieur, et le signal électrique (Vout) émis par l'élément détecteur de pression est ajusté sur la base des données écrites dans la mémoire non volatile. 6. Capteur de pression à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les transistors de la paire de transistors (15a, b) constituant le circuit d'entrée de l'amplificateur (15) sont placés sur le substrat semiconducteur (10) de façon que le courant entre une source (S) et un drain (D) des deux transistors circule dans une direction paral- lèle à un axe cristallographique du substrat semiconducteur.