Brevet FR2809883A1 — publié le 20011207

ARRIÈRE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne des parties complexes hautes fréquences ainsi que des dispositifs de communication mobile qui les utilisent et de façon davantage particulière, la présente invention concerne une partie complexe hautes fréquences qui est obtenue en connectant un filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception à un filtre à ondes acoustiques de surface d'une manière en cascade ainsi qu'un dispositif de communication mobile qui l'utilise. 2. Description de l'art antérieur Au Japon, un procédé PDC (Cellulaire Numérique Personnel) qui utilise la bande à 800 MHz ou la bande à 1,5 GHz est présentement adopté dans les dispositifs de communication mobile et des bandes de fréquences correspondantes sont réservées pour une transmission de mobile et pour une transmission de station. C'est-à-dire que la bande d'émission et la bande de réception du dispositif mobile sont réservées de telle sorte qu'une émission et une réception simultanées soient réalisées en utilisant un seul canal pour la bande d'émission et un seul canal pour la bande de réception. L'intervalle entre le canal de fonctionnement pour l'émission et le canal de fonctionnement pour la réception est contrôlé/commandé de manière à être toujours maintenu constant. Présentement, la plupart des duplexeurs, lesquels sont utilisés pour partager une seule antenne pour l'émission et la réception, présentent souvent une construction dans laquelle un filtre diélectrique est utilisé comme proposé dans la publication de brevet non examiné du Japon N 9-83214. La figure 8 représente un schéma fonctionnel d'un duplexeur classique qui est décrit dans la publication de brevet non examiné du Japon N 9-83214. Un duplexeur 50 inclut un circuit de dérivation 51, un filtre diélectrique de côté de réception 52 qui utilise un résonateur coaxial diélectrique, un filtre à ondes acoustiques de surface 53 et un filtre diélectrique de côté d'émission 54 qui utilise un résonateur coaxial diélectrique. Le circuit de dérivation 51, le filtre diélectrique de côté de réception 52 et le filtre à ondes acoustiques de surface 53 sont connectés entre une première borne 501 et une seconde borne 502. Le circuit de dérivation 51 et le filtre diélectrique de côté d'émission 54 sont connectés entre la première borne 501 et une troisième borne 503. Dans une telle construction, une antenne ANT est connectée à la première borne 501, la seconde borne 502 est connectée à un circuit de réception Rx et la troisième borne 503 est connectée à un circuit d'émission Tx. Cependant, conformément au duplexeur classique mentionné ci- avant, l'utilisation d'un filtre diélectrique a pour effet que le duplexeur devient grand et que le réglage de la fréquence centrale devient difficile. En tant que résultat de cette situation, une augmentation de la dimension d'un dispositif de communication mobile et une détérioration de ses caractéristiques deviennent des problèmes. Ceci est dû au fait que la longueur du filtre diélectrique est égale à;/4 (X: la longueur d'onde d'un signal de réception ou la longueur d'onde d'un signal d'émission). Par exemple, la longueur du filtre est de 5 centimètres ou cm dans la bande à 1,5 GHz et elle va jusqu'à 9,375 centimètres ou cm dans la bande à 800 MHz. Bien que le diélectrique qui constitue le filtre diélectrique doive être ajusté finement afin de régler la fréquence centrale du filtre diélectrique, il est très difficile d'appliquer un réglage fin au diélectrique. RÉSUMÉ DE L'INVENTION La présente invention a été élaborée afin de résoudre les problèmes mentionnés ci-avant. Les objets de la présente invention consistent à proposer un duplexeur qui soit aisé à miniaturiser et dans lequel la fréquence centrale est réglée aisément ainsi qu'à proposer un dispositif de communication mobile qui l'utilise. A cette fin, conformément à un premier aspect de la présente invention, on propose un duplexeur qui inclut un circuit de dérivation, qui est connecté à une antenne, pour réaliser une dérivation sur un côté de réception et sur un côté d'émission; un filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, qui est connecté au côté de réception dudit circuit de dérivation, pour faire en sorte qu'un signal de réception soit passé et qu'un signal d'émission soit atténué; un filtre à ondes acoustiques de surface, qui est connecté audit filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception en tant qu'étage suivant dudit filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, pour faire en sorte que le signal de réception soit passé et que le voisinage du côté hautes fréquences du signal de réception soit atténué; et un filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission qui est connecté au côté d'émission dudit circuit de dérivation, pour faire en sorte que le signal d'émission soit passé et que le signal de réception soit atténué. L'utilisation d'un filtre du type résonnant parallèle LC permet d'adapter aisément le duplexeur à la fréquence du signal de réception ou à la fréquence du signal d'émission en modifiant les valeurs des inducteurs et des condensateurs sans modifier les dimensions des contours externes des inducteurs et des condensateurs qui constituent le filtre du type résonnant parallèle LC. Par conséquent, une miniaturisation du duplexeur est facilitée en association avec le réglage de la fréquence centrale. Le circuit de dérivation peut inclure un symétriseur. Puisqu'un circuit de dérivation est construit en utilisant un symétriseur, une borne qui est connectée à un circuit d'émission comme observé depuis une borne qui est connectée à un circuit de réception et la borne qui est connectée au circuit de réception comme observé depuis la borne qui est connectée au circuit d'émission sont toutes deux ouvertes en termes de hautes fréquences. Par conséquent, puisqu'une isolation complète est obtenue entre ces bornes, le signal de réception est empêché d'interférer avec le côté du signal d'émission et vice versa. Par conséquent, la fiabilité du duplexeur est améliorée. Un duplexeur peut en outre inclure un substrat à multiples couches ou multicouche qui est formé en empilant une pluralité de couches diélectriques. Dans le duplexeur, le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission peuvent être intégrés dans le substrat multicouche et le filtre à ondes acoustiques de surface peut être monté sur le substrat multicouche. Un substrat multicouche est formé en empilant une pluralité de couches diélectriques, substrat multicouche dans lequel le circuit de dérivation, un filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et un filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission sont intégrés, et un filtre à ondes acoustiques de surface est monté sur ce même substrat multicouche. Par conséquent, un réglage en adaptation correspondant peut être aisément réalisé entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, entre le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre à ondes acoustiques de surface ainsi qu'entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission. Ceci élimine la nécessité de circuits d'adaptation qui réalisent un réglage en adaptation correspondant. Par conséquent, le duplexeur peut être davantage miniaturisé. En outre, une perte due à un câblage entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, entre le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre à ondes acoustiques de surface ainsi qu'entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission peut être améliorée. Par conséquent, la perte globale du duplexeur peut être améliorée. La connexion de chaque élément pris parmi le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, le filtre à ondes acoustiques de surface et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission peut être assurée dans le substrat multicouche. Par conséquent, une miniaturisation supplémentaire du duplexeur peut être réalisée. Conformément à un second aspect de la présente invention, un dispositif de communication mobile inclut un duplexeur selon un premier aspect de la présente invention. Puisque le duplexeur qui peut être aisément miniaturisé et dont la fréquence centrale peut être aisément réglée est utilisé, le dispositif de communication mobile miniaturisé et haute performance peut être obtenu. BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est un schéma fonctionnel d'un mode de réalisation conformément à un duplexeur de la présente invention; la figure 2 est un schéma de circuit réel du duplexeur qui est représenté sur la figure 1; la figure 3 est une vue en perspective du duplexeur qui est représenté sur la figure 2; les figures 4A à 4G sont des vues de dessus d'une première couche diélectrique jusqu'à une septième couche diélectrique, de façon respective, et la figure 4H est une vue de dessous de la septième couche diélectrique; la figure 5 est un graphique qui représente une caractéristique d'émission du duplexeur qui est représenté sur les figures 4A à 4H; la figure 6 est un autre schéma de circuit du duplexeur qui est représenté sur la figure 1; la figure 7 est un schéma fonctionnel qui représente une unité RF (Radio Fréquence ou hyperfréquences) d'un téléphone portable, qui est un dispositif de communication mobile classique; et la figure 8 est un schéma fonctionnel qui représente un duplexeur classique. DESCRIPTION DES MODES DE RÉALISATION PRÉFÉRÉS Ci-après, les modes de réalisation conformément à la présente invention sont décrits par report aux dessins. La figure 1 est un schéma fonctionnel d'un mode de réalisation conformément à un duplexeur de la présente invention. Un duplexeur 10 inclut des première à troisième bornes 101 à 103, un circuit de dérivation 11, un filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12, un filtre à ondes acoustiques de surface 13 et un filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14. Le circuit de dérivation 11, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 et le filtre à ondes acoustiques de surface 13 sont connectés entre la première borne 101 et la seconde borne 102. Le circuit de dérivation 11 et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14 sont connectés entre la première borne 101 et la troisième borne 103. Dans une telle construction, une antenne ANT est connectée à la première borne 101, un circuit de réception Rx est connecté à la seconde borne 102 et un circuit d'émission Tx est connecté à la troisième borne 103. La figure 2 est un schéma de circuit réel du duplexeur selon la figure 1. Le circuit de dérivation 11 inclut des inducteurs Lsll et Ls12. L'inducteur Lsl 1 est connecté entre une première borne 111 qui est la première borne 101 du duplexeur 10 et une seconde borne 112 qui est connectée au filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12. L'inducteur Ls12 est connecté entre la première borne 111 et une troisième borne 113 qui est connectée au filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14. Le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 inclut des inducteurs Lrl à Lr3 et des condensateurs Cr1 à C5. L'inducteur Lrl et le condensateur Cr1 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qrl, I'inducteur Lr2 et le condensateur Cr2 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qr2, et l'inducteur Lr3 et le condensateur Cr3 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qr3. Les résonateurs parallèles LC Qrl à Qr3 sont connectés d'une manière en cascade via des condensateurs interétages Cr4 et Cr5 entre une première borne 121 qui est connectée au circuit de dérivation 11 et une seconde borne 122 qui est connectée au filtre à ondes acoustiques de surface 13. Le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14 inclut des inducteurs Ltl à Lt3 et des condensateurs Ctl à Ct5. L'inducteur Ltl et le condensateur Ctl1 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qtl, l'inducteur Lt2 et le condensateur Ct2 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qt2, et l'inducteur Lt3 et le condensateur Ct3 sont connectés en parallèle afin de constituer un résonateur parallèle LC Qt3. Les résonateurs parallèles LC Qtl à Qt3 sont connectés d'une manière en cascade via des condensateurs interétages Ct4 et Ct5 entre une première borne 141 qui est connectée au circuit de dérivation 11 et une seconde borne 142, laquelle est la troisième borne 103 du duplexeur 10. La figure 3 est une vue en perspective qui représente une construction réelle du duplexeur de la figure 2. Le duplexeur 10 inclut un substrat à multiples couches ou multicouche 15 dans lequel le circuit de dérivation 11 (figure 2), le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 (figure 2) et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14 (figure 2) sont intégrés. Un filtre à ondes acoustiques de surface en puce nue 13 est monté sur le substrat multicouche 15. Des bornes externes T1 à T4 sont formées sur des faces latérales depuis la face de dessus jusqu'à la face de dessous du substrat multicouches 15, les bornes externes T1 à T3 jouant le rôle de première borne 101 à troisième borne 103, de façon respective, du duplexeur 10 et la borne externe T4 jouant le rôle de borne de masse. Les figures 4A à 4G sont des vues de dessus des couches diélectriques qui constituent le substrat multicouche du duplexeur selon la figure 3. La figure 4H est une vue de dessous de la couche qui est représentée sur la figure 4G. Le substrat multicouche 15 est formé en empilant de façon séquentielle, depuis le dessus ou sommet, des premières à septième couches diélectriques 151 à 157 dont chacune inclut une céramique présentant une constante diélectrique relative d'approximativement 6 et dont des composants principaux sont l'oxyde de baryum, l'oxyde d'aluminium et la silice puis en les soumettant à cuisson à une température de cuisson de 1 000 C ou au-dessous. Une zone La pour monter le filtre à ondes acoustiques de surface 13 dessus et les bornes externes T1 à T4 sont formées sur la face sommitale ou de sommet de la première couche diélectrique 151. Des électrodes de masse Gpl et Gp2 sont formées sur la face sommitale de la seconde couche diélectrique 152. Des électrodes microbandes ST1 et ST2 sont formées sur la face sommitale de la troisième couche diélectrique 153. Des électrodes de condensateur Cpl à Cp6 sont formées sur la face sommitale de la quatrième couche diélectrique 154. Des électrodes de condensateur Cp7 à Cp14 sont formées sur la face sommitale de la cinquième couche diélectrique 155. Des électrodes de condensateur Cp1 5 à Cp20 sont formées sur la face sommitale de la sixième couche diélectrique 156. Des électrodes de masse Gp3 et Gp4 sont formées sur la face sommitale de la septième couche diélectrique 157. Les bornes externes T1l à T4 sont formées sur la face de fond ou inférieure de la septième couche diélectrique 157 (comme indiqué par un index de référence 157u sur la figure 4H). Des électrodes de trou de via Vhl à Vh6 sont formées sur la seconde couche diélectrique 152 à la cinquième couche diélectrique 155 de manière à passer au travers des couches diélectriques 152 à 155. Les première à septième couches diélectriques 151 à 157 sont obtenues en mélangeant, en association avec un agent de liaison et similaire, une céramique diélectrique dont des composants principaux sont l'oxyde de baryum, I'oxyde d'aluminium et la silice, lesquels composants principaux peuvent être soumis à cuisson à par exemple une température entre 850 C et 1000 C, de manière à obtenir des feuilles. Les électrodes microbandes ST1 et ST2, les électrodes de condensateur Cpl à Cp20, les électrodes de masse Gpl à Gp4, la zone La et les bornes externes T1 à T4 qui incluent Ag, Pd, Ag-Pd, Cu et similaire sont formées de façon en correspondance sur les faces supérieures ou sur les faces inférieures des première à septième couches diélectriques 151 à 157 au moyen d'un procédé d'impression connu, d'un procédé de pulvérisation connu, d'un procédé de dépôt sous vide connu ou similaire. Le substrat multicouche 15 est obtenu en empilant ces première à septième couches diélectriques 151 à 157 et en les soumettant intégralement à cuisson. Les électrodes de trou de via Vhl à Vh6 qui sont prévues à l'intérieur du substrat multicouche 15 établissent chacune des connexions entre les électrodes microbandes ST1 et ST2, les électrodes de condensateur Cpl à Cp20 et les électrodes de masse Gpl et Gp2. Dans le duplexeur 10 constitué selon la construction mentionnée ci-avant, les inducteurs Lsll et Ls12 (figure 1) du circuit résonnant 11 sont formés en utilisant les électrodes microbandes ST 11 et ST12. Les inducteurs Lrl à Lr3 du filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 sont respectivement formés en utilisant les électrodes de trou de via Vh3 à Vhl. Le condensateur Crl du filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp17 et l'électrode de masse Gp3, le condensateur Cr2 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp16 et l'électrode de masse Gp3, le condensateur Cr3 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp15 et l'électrode de masse Gp3, le condensateur Cr4 est formé en utilisant les électrodes de condensateur Cp3, Cp2, Cp8, Cp10, Cp17 et Cp16 et le condensateur Cr5 est formé en utilisant les électrodes de condensateur Cp2, Cpl, Cp7, Cp9, Cp16 et Cpi 5. Par exemple, les inducteurs Ltl à Lt3 du filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14 sont respectivement formés en utilisant les électrodes de trou de via Vh4 à Vh6. En outre, le condensateur Cto1 du filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp18 et l'électrode de masse Gp4, le condensateur Ct2 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp19 et l'électrode de masse Gp4, le condensateur Ct3 est formé en utilisant l'électrode de condensateur Cp20 et l'électrode de masse Gp4, le condensateur Ct4 est formé en utilisant les électrodes de condensateur Cp4, Cp5, Cp1 1, Cp13, Cp18 et Cp19 et le condensateur Ct5 est formé en utilisant les électrodes de condensateur Cp5, Cp6, Cp12, Cp14, Cp19 et Cp20. La figure 5 est un graphique qui représente la caractéristique de transmission du duplexeur des figures 4A à 4H. Cette caractéristique de transmission a été mesurée entre la première borne 101 destinée à être connectée à l'antenne ANT et la seconde borne 102 destinée à être connectée au circuit de réception Rx. A titre de comparaison, est également représenté un cas dans lequel le filtre à ondes acoustiques de surface (ligne en pointillés) n'est pas prévu. Ce tracé démontre qu'un pôle d'atténuation du filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 est généré au voisinage de 1,98 GHz et qu'un gain de -30 (dB) ou au dessous peut être obtenu à 2,03 GHz ou au dessous et qu'un pôle d'atténuation du filtre à ondes acoustiques de surface 13 est généré au voisinage de 2,28 GHz et qu'un gain de -30 (dB) ou au dessous peut être obtenu à 2,26 GHz ou plus. C'est-à-dire qu'il est bien entendu que le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 14 peut atténuer un signal qui présente approximativement la fréquence d'émission et que le filtre à ondes acoustiques de surface 13 peut atténuer approximativement un côté hautes fréquences du signal de réception. La figure 6 est un autre schéma de circuit réel du duplexeur de la figure 1. Un duplexeur 20 diffère du circuit réel de la figure 2 en ce sens que le circuit de dérivation 21 inclut un symétriseur qui comporte des inducteurs Ls21 et Ls22. Une extrémité de l'inducteur Ls21 est connectée à la première borne 101 du duplexeur 20 et son autre extrémité est reliée à la masse. Une extrémité de l'inducteur Ls21 est connectée au filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception 12 et son autre extrémité est connectée au filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission 14. Conformément au duplexeur du mode de réalisation décrit ci- avant, l'utilisation du filtre du type résonnant parallèle LC permet de pouvoir adapter aisément le duplexeur à la fréquence de signal de réception ou à la fréquence de signal d'émission sans modifier les dimensions des contours externes des inducteurs et des condensateurs qui constituent le filtre du type résonnant parallèle LC, en modifiant les valeurs des inducteurs ou des condensateurs. Par conséquent, une miniaturisation et un réglage de la fréquence centrale sont facilités. Les dimensions externes du duplexeur sur les figures 4A à 4H sont de 9,4 x 3,0 x 2,0 mm3. Le duplexeur est muni du substrat multicouche qui est formé en empilant une pluralité de couches diélectriques. Le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission sont intégrés dans le substrat multicouche et le filtre à ondes acoustiques de surfaces est monté sur le substrat multicouche. Par conséquent, un réglage d'adaptation ou de mise en correspondance est facilité entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, entre le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre à ondes acoustiques de surface ainsi qu'entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission, ce qui élimine la nécessité des circuits d'adaptation ou de mise en correspondance correspondants pour réaliser un réglage d'adaptation ou de mise en correspondance. Par conséquent, le duplexeur peut être davantage miniaturisé. En outre, une perte de câblage peut être améliorée entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, entre le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre à ondes acoustiques de surface ainsi qu'entre le circuit de dérivation et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission. Par conséquent, la perte globale du duplexeur peut être améliorée. En outre, la connexion de chaque composant que sont le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, le filtre à ondes acoustiques de surface et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission peut être réalisée dans le substrat multicouche. Par conséquent, une miniaturisation encore supplémentaire du duplexeur peut être réalisée. Comme dans le cas du duplexeur de la figure 6, lorsque le circuit de dérivation est construit en utilisant le symétriseur, la troisième borne qui est connectée au circuit d'émission comme observé depuis la seconde borne qui est connectée au circuit de réception et la seconde borne comme observé depuis la troisième borne sont ouvertes en termes de hautes fréquences. Par conséquent, puisqu'une isolation complète peut être obtenue entre la seconde borne et la troisième borne, le signal de réception est empêché d'interférer avec le côté de signal d'émission et vice versa. Par conséquent, la fiabilité du duplexeur est améliorée. La figure 7 est un schéma fonctionnel qui représente une unité RF d'un téléphone portable qui est un dispositif de communication mobile classique. Le téléphone portable inclut l'antenne ANT, un duplexeur DPX, le circuit de réception Rx et le circuit d'émission Tx. Le circuit de réception Rx inclut un amplificateur bruit faible LNA, un filtre passe-bande FPBa et un mélangeur ou mixeur MIX. Le circuit d'émission inclut un filtre passe-bande FPBa, un amplificateur haute puissance PA et un mélangeur ou mixeur MIX. Une entrée de chaque composant que sont le mélangeur ou mixeur MIX du circuit de réception Rx et le mélangeur ou mixeur MIX du circuit d'émission Tx est connectée à un synthétiseur SYN qui génère un signal d'oscillation local. A cet instant, le duplexeur 10 qui est représenté sur la figure 2 ou le duplexeur 20 qui est représenté sur la figure 6 est utilisé selon le duplexeur DPX constituant l'unité RF 30 du téléphone portable. Conformément au téléphone portable du mode de réalisation présenté ciavant, puisque le duplexeur dans lequel le réglage de la fréquence centrale est facilité tandis qu'une miniaturisation est facilitée est utilisé, le téléphone portable miniaturisé haute performance peut être réalisé. Dans le duplexeur conformément au mode de réalisation décrit ci-avant, on décrit le cas dans lequel le filtre à ondes acoustiques de surface est monté sur le substrat multicouche qui comporte le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission intégrés en son sein. Selon une variante, le substrat multicouche qui comporte le circuit de dérivation, le filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception et le filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission intégrés en son sein et le filtre à ondes acoustiques de surface peut être construit de manière à être mis en oeuvre sur une carte de circuit imprimé. La partie supérieure du filtre à ondes acoustiques de surface peut être revêtue d'une résine, d'un boîtier en métal ou similaire. REVENDICATIONS 1. Duplexeur (10, 20) caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit de dérivation (11), qui est connecté à une antenne (ANT), pour réaliser une dérivation sur un côté de réception et sur un côté d'émission; un filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception (12), qui est connecté au côté de réception dudit circuit de dérivation (11), pour faire en sorte qu'un signal de réception soit passé et qu'un signal d'émission soit atténué; un filtre à ondes acoustiques de surface (13), qui est connecté audit filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception (12) en tant qu'étage suivant dudit filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception, pour faire en sorte que le signal de réception soit passé et que le voisinage du côté hautes fréquences du signal de réception soit atténué; et un filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission (14) qui est connecté au côté d'émission dudit circuit de dérivation (11), pour faire en sorte que le signal d'émission soit passé et que le signal de réception soit atténué. 2. Duplexeur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit circuit de dérivation (11) inclut un symétriseur. 3. Duplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un substrat à multiples couches ou multicouche qui est formé en empilant une pluralité de couches diélectriques, dans lequel: ledit circuit de dérivation (11), ledit filtre du type résonnant parallèle LC de côté de réception (12) et ledit filtre du type résonnant parallèle LC de côté d'émission (14) sont intégrés dans ledit substrat multicouche; et ledit filtre à ondes acoustiques de surface (13) est monté sur ledit substrat multicouche. 4. Dispositif de communication mobile, caractérisé en ce qu'il comprend un duplexeur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3.