Brevet FR2817084A1 — publié le 20020524

LASER A ZnO POLYCRISTALLIN POMPE ELECTRIQUEMENT ET PROCEDE DE REALISATION DESCRIPTION Domaine technique La présente invention a pour objet un laser à ZnO polycristallin pompé électriquement et un procédé de réalisation de ce laser. Etat de la technique antérieure On connaît des lasers à semiconducteur comprenant une couche mince de ZnO polycristallin et des moyens de pompage optique. L'article de H. CAO et al. intitulé "Ultraviolet lasing in resonators formed by scattering in semiconductor polycristalline films", publié dans la revue"Applied Physics Letters", vol. 73, no25, 21 décembre 1998, pp. 3656-3658, décrit ainsi un laser où les cavités résonnantes sont auto-constituées en raison de la forte diffusion optique dans le milieu actif. Ce milieu est obtenu en faisant croître une couche mince d'oxyde de zinc polycristallin sur un substrat en silice fondue amorphe. Le milieu actif est pompé optiquement à l'aide d'un faisceau provenant d'un laser YAG-Nd à modes verrouillés, dont la fréquence est triplée pour atteindre 355 nm. L'émission laser s'effectue dans l'ultraviolet, à environ 380 nm. Par ailleurs, l'article de Z. K. TANG et al. intitulé"Room-temperature ultraviolet laser emission from self-assembled ZnO microcrystalline thin film" publié dans la revue-, Applied Physics Letters", vol. 72, no25, 22 juin 1998, pp. 3270-3272 décrit un laser comprenant des microcristallites de ZnO hexagonal obtenues par MBE ("Molecular Beam Epitaxy"). Ces microcristallites se trouvent assemblées automatiquement sous forme de réseau sur un substrat en saphir. Là encore, le pompage est optique à partir de l'émission d'un laser YAG-Nd triplé en fréquence. Le pompage optique de ces structures est complexe et les rend difficiles d'emploi. La présente invention a justement pour but de remédier à cet inconvénient. Exposé de l'invention A cette fin, l'invention propose un laser utilisant encore une couche de ZnO polycristallin mais autorisant un pompage électrique (et non plus optique), ce qui est une grande simplification. De façon plus précise, la présente invention a pour objet un laser à semiconducteur à ZnO polycristallin, caractérisé en ce qu'il comprend : - sur un substrat, une sous-couche constituée par un film mince polycristallin d'un matériau dont les paramètres de réseau cristallin sont adaptés à ceux de ZnO, cette sous-couche étant constituée d'une mosaïque de grains ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan du film, - sur la sous-couche, une couche mince formée de grains de ZnO ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan de la couche, chaque grain étant entouré d'une paroi en un matériau électriquement isolant, - des moyens de pompage électrique aptes à faire circuler un courant perpendiculairement au plan de la couche mince. L'invention a également pour objet un procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ZnO polycristallin conforme à la définition qui précède. Ce procédé est caractérisé en ce qu'il consiste à : - déposer sur un substrat une sous-couche constituée par un film mince polycristallin d'un matériau dont les paramètres de réseau cristallin sont adaptés à ceux de ZnO, cette sous-couche étant constituée d'une mosaïque de grains ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan du film, - faire croître sur la sous-couche une couche mince de ZnO en présence d'un matériau électriquement isolant donnant lieu à une ségrégation de composition avec ZnO, la croissance de la couche s'effectuant alors par grains de ZnO entourés d'une paroi en ledit matériau isolant. De préférence, la sous-couche est, par exemple, en ZnO (wurtzite) ou GaN (wurtzite) ou AIN (wurtzite) ou MgO (rocksalt). De préférence encore, le matériau électriquement isolant est en MgO ou CaO ou SrO, ou BiO, ou BaO, ou TiO2, par exemple. Les moyens permettant d'obtenir une cavité résonnante peuvent être, comme il est d'usage dans la technique des lasers à semiconducteur, des miroirs disposés de part et d'autre de la couche de ZnO, ou un réseau de Bragg réparti à la surface de ladite couche, ou tout autre moyen équivalent. Brève description des dessins - la figure 1 montre, en vue de dessus, une couche mince de ZnO polycristallin avec des grains entourés d'une paroi électriquement conductrice selon l'art antérieur ; - la figure 2 montre, en coupe transversale, un substrat et une couche polycristalline selon l'art antérieur ; - la figure 3 montre, en vue de dessus, des grains entourés d'une paroi électriquement isolante conformément à l'invention ; - la figure 4 montre, en coupe, un empilement avec une sous-couche et une couche de ZnO conformément à l'invention ; - la figure 5 représente schématiquement un laser conforme à l'invention. Description de modes particuliers de réalisation Sur les figures 1 et 2 on voit la structure d'une couche de ZnO polycristallin habituel, obtenu par les méthodes classiques de dépôt sous vide. Sur la figure 1, les grains sensiblement hexagonaux 10 sont séparés par des parois 12 électriquement conductrices. La figure 2 illustre la manière désordonnée dont les grains de la couche 22 croissent en partant du substrat 20. Selon l'invention, on s'y prend comme suit : on dépose sur un substrat 40 une sous-couche 42 polycristalline ayant un paramètre de réseau adapté au réseau de ZnO ; cette sous-couche présente une structure en mosaïque : l'axe cristallographique c des grains est très fortement orienté perpendiculairement au plan du film et ces grains sont désordonnés dans le plan du film (plan dit "a-b) ; on fait croître sur cette sous-couche une couche 44 de ZnO en présence d'un élément qui ne s'incorpore pas à la structure cristalline wurtzite de ZnO mais qui donne lieu à une ségrégation de composition. Les grains de ZnO de la couche 44 croissent alors de manière régulière avec l'un des axes cristallographiques (c) perpendiculaire au plan de la couche, les deux autres axes (a-b) étant orientés de manière aléatoire dans le plan de la couche. Les grains sensiblement hexagonaux 30 (figure 3) sont entourés d'une paroi électriquement isolante 32. L'épaisseur de la sous-couche polycristalline 42 est comprise entre environ 1 nm et environ 100 nm. L'épaisseur de la couche 44 est comprise entre environ 1 nm et 1 mm. Le substrat peut être en verre amorphe ou en quartz amorphe ou en silicium amorphe, par exemple. Les dépôts de couche peuvent s'effectuer par pulvérisation magnétron RF ou par ablation laser. Comme on le voit sur la figure 5, l'empilement obtenu peut être complété par deux électrodes 46-48 dont l'une est reliée à un générateur de courant 50 et l'autre est à la masse. Deux miroirs 52 et 54 disposés de part et d'autre de la couche active 44 forment un résonateur. L'émission stimulée est symbolisée par la flèche 56. Elle se produit dans l'ultraviolet entre O O environ 2450 A et 3500 A. Le caractère régulier des grains et leur isolement électrique les uns des autres ont pour effet de canaliser les lignes de courant et d'éviter la diffusion de celui-ci. C'est ce qui rend le pompage électrique efficace. REVENDICATIONS 1. Laser à semiconducteur à ZnO polycristallin, caractérisé en ce qu'il comprend : - sur un substrat (40), une sous-couche (42) constituée par un film mince polycristallin d'un matériau dont les paramètres de réseau cristallin sont adaptés à ceux de ZnO, cette sous-couche étant constituée d'une mosaïque de grains ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan du film, - sur la sous-couche (42), une couche mince (44) formée de grains (30) de ZnO ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan de la couche (44), chaque grain (30) étant entouré d'une paroi (32) en un matériau électriquement isolant, - des moyens de pompage électrique (46,48, 50) aptes à faire circuler un courant perpendiculairement au plan de la couche mince (44). 2. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel la sous-couche (42) est en ZnO, GaN, AIN ou MgO. 3. Laser à semiconducteur selon la revendication 1, dans lequel le matériau électriquement isolant (32) est en MgO, CaO, SrO, BiO, BaO ou Tri02. 4. Procédé de réalisation d'un laser à semiconducteur à ZnO polycristallin selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste à : - déposer sur un substrat (40) une sous-couche (42) constituée par un film mince polycristallin d'un matériau dont les paramètres de réseau cristallin sont adaptés à ceux de ZnO, cette sous-couche étant constituée d'une mosaïque de grains ayant un axe cristallographique perpendiculaire au plan du film, - faire croître sur la sous-couche (42) une couche mince (44) de ZnO en présence d'un matériau électriquement isolant donnant lieu à une ségrégation de composition avec ZnO, la croissance de la couche (44) s'effectuant alors par grains de ZnO (30) entourés d'une paroi (32) en ledit matériau isolant. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la sous-couche (42) est en ZnO, GaN, AIN ou MgO. 6. Procédé selon la revendication 4, dans lequel le matériau électriquement isolant (32) est en MgO, CaO, SrO, BiO, BaO ou Tri02.