Brevet FR2819904A1 — publié le 20020726

RÉGULATEUR DE TENSION PROTÉGÉ CONTRE LES COURTS-CIRCUITS La présente invention concerne le domaine des régulateurs de tension et en particulier celui des régulateurs à faible tension de déchet. Un régulateur à faible tension de déchet (Low Drop Out) réalisé sous forme de circuit intégré peut être utilisé pour fournir un potentiel prédéterminé avec un faible bruit à un ensemble de circuits électroniques à partir d'un potentiel d'ali- mentation fourni par une pile rechargeable. Un tel potentiel d'alimentation décroît avec le temps, et est susceptible de comporter du bruit causé par l'action de radiations électromagnétiques voisines sur les liaisons pile/régulateur. Le régulateur est dit à faible tension de déchet car il permet de fournir un potentiel proche du potentiel d'alimentation. La figure 1 représente schématiquement un régulateur à faible tension de déchet classique. Le régulateur comporte une borne de sortie 0 prévue pour être reliée à une charge R. La charge R, essentiellement résistive, représente l'impédance d'entrée de l'ensemble des circuits alimentés par le régulateur. Par simplicité, on considère par la suite que la charge R est une résistance. Le régulateur comprend un amplificateur opérationnel 2 dont l'entrée inverseuse E-est reliée à un potentiel de référence positif Vref et dont l'entrée non-inverseuse E+ est reliée à la borne de sortie 0 par une boucle de contre réaction. L'amplificateur opérationnel 2 est alimenté entre un potentiel d'ali- mentation Vbat positif fourni par la pile et un potentiel de masse GND. Un transistor MOS de puissance Tl, à canal P, a son drain relié à la borne de sortie 0 et sa source reliée au potentiel Vbat. La grille du transistor Tl est reliée à la borne de sortie de l'amplificateur 2. Le transistor Tl est un transistor MOS, notamment pour minimiser, par rapport à l'emploi d'un transistor bipolaire, la différence entre le potentiel de sortie Vout de la borne 0 et le potentiel d'alimentation Vbat. Un condensateur de charge C est disposé entre la borne de sortie 0 et le potentiel GND. Le régulateur maintient le potentiel de la borne de sortie 0 à une valeur égale au potentiel de référence Vref. Toute variation du potentiel Vbat se traduit par une variation du potentiel Vout, qui est transmise par la boucle de contre réaction sur la borne E-. Toute variation de la charge R se traduit par une variation du courant Iout fourni par le régulateur à la charge. Lorsque la charge R diminue, le courant Iout augmente. De manière classique, le régulateur de tension comporte un dispositif de protection contre les courts-circuits destiné à limiter la consommation du régulateur en fixant le courant maximal qui peut être fourni par le régulateur. Le régulateur comporte un. dispositif 4 de protection contre les courts-circuits. Le dispositif 4 comporte un transistor MOS T2, à canal P, dont la source est reliée au potentiel Vbat et dont la grille est reliée à la grille du transistor Tl. Le drain du transistor T2 est relié au drain et à la grille d'un transistor MOS 6, à canal N, dont la source est reliée au potentiel GND. Une source de courant CS produisant un courant Iref est également reliée au drain du transistor T2. Un transistor MOS 7, à canal N, a sa source reliée au potentiel GND et sa grille reliée à la grille du transistor 6. Le drain du transistor 7 est relié au potentiel Vbat par l'intermédiaire d'une résistance Rl. Un transistor MOS T3, à canal P, a sa source reliée au potentiel Vbat, son drain relié à la grille du transistor Tl, et sa grille reliée au drain du transistor 7. Le courant Irep traversant le transistor T2 dépend du courant Iout traversant le transistor Tl du fait que les sources de ces transistors sont connectées et que leurs grilles reçoivent un même signal. Le courant traversant le transistor 6 est nul quand le courant Irep traversant le transistor T2 est inférieur au courant Iref. Aucun courant ne traverse alors le transistor 7 et la résistance Rl, et la grille du transistor T3 a un potentiel égal à Vbat. Lorsque le courant Irep est supérieur à Iref, le transistor 6, le transistor 7 et la résistance Rl sont traversés par un courant égal à Irep-Iref. La grille du transistor T3 a alors un potentiel égal à Vbat-Rl (Irep-Iref). Les transistors T2 et T3, la résistance Rl et le courant Iref sont choisis de telle manière que, lorsque le courant Iout est inférieur à une valeur seuil It, le transistor T3 n'est pas conducteur. Si le courant Iout dépasse la valeur seuil It, le transistor T3 devient conducteur et tend à amener le potentiel de la grille du transistor Tl au potentiel Vbat. Le transistor Tl devient alors moins conducteur et le courant Iout revient vers la valeur limite It. Le circuit 4 permet donc de limiter le courant dans la charge à la valeur It. Le courant It doit être supérieur au courant nominal que le régulateur doit fournir. Un inconvénient du dispositif 4 est qu'à la mise sous tension du régulateur, le condensateur C est chargé avec un courant égal au courant It quelle que soit la valeur de la résistance R. Cette charge à fort courant a pour effet d'échauffer et de détériorer le condensateur C. Un objet de la présente invention est de prévoir un dispositif de protection contre les courts circuits qui permette d'éviter que le condensateur C soit traversé par un fort courant à la mise sous tension du régulateur. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un régulateur de tension ayant une borne de sortie propre à être reliée à une charge, comportant un dispositif de limitation du courant traversant la charge à un premier courant de seuil si le potentiel de la borne de sortie est inférieur à un potentiel de seuil, et à un second courant de seuil plus élevé que le premier courant de seuil si le potentiel de la borne de sortie est supérieur au potentiel de seuil. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le dispositif de limitation comporte un comparateur pour comparer le potentiel de la borne de sortie au potentiel de seuil, des première et seconde boucles de réaction propres à limiter le courant traversant la charge respectivement aux premier et second courants de seuil, et un bloc d'aiguillage commandable par le comparateur pour activer soit la première soit la seconde boucle de réaction selon que le potentiel de la borne de sortie est inférieur ou non au potentiel de seuil. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bloc d'aiguillage est propre à fournir un courant dépendant du courant traversant la charge sur une première ou sur une seconde sortie, et chaque boucle de réaction, reliée à une sortie du bloc d'aiguillage, comporte un bloc de commande propre à fournir un signal de commande lorsqu'il reçoit du bloc d'aiguillage un courant supérieur à un courant de référence, et comporte en outre un moyen de blocage qui reçoit la sortie des blocs de commande et qui fait décroître le courant traversant la charge lorsque l'un quelconque des premier et second signaux de commande est actif. Selon un mode de réalisation de la présente invention le régulateur de tension comporte un commutateur de puissance disposé de manière à relier la borne de sortie à un premier potentiel d'alimentation, et un premier amplificateur opérationnel dont les entrées inverseuse et non inverseuse sont respectivement reliées au potentiel de référence et à la borne de sortie, une borne de commande du commutateur de puissance étant reliée à la sortie du premier amplificateur opérationnel et le dispositif de limitation du courant traversant la charge étant relié à la borne de commande du commutateur de puissance, la charge comportant un condensateur et une première impédance reliés en parallèle entre la borne de sortie et un second potentiel d'alimentation. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bloc d'aiguillage comporte un premier transistor MOS d'un premier type ayant sa source reliée au premier potentiel d'alimentation et sa grille reliée à la borne de commande du commutateur de puissance, et des deuxième et troisième transistors MOS du premier type ayant leurs sources reliées au drain du premier transistor, les drains des deuxième et troisième transistors constituant respectivement les première et seconde sorties du bloc d'aiguillage. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le comparateur comprend des quatrième et cinquième transistors MOS d'un second type dont les drains sont reliés au premier potentiel d'alimentation, dont les grilles sont respectivement reliées au potentiel de seuil et à la borne de sortie, les sources des quatrième et cinquième transistors étant respectivement reliées aux grilles des deuxième et troisième transistors, ainsi qu'au second potentiel d'alimentation par l'intermédiaire de première et deuxième sources de courant. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le bloc de commande de chaque boucle de réaction comporte un couple de transistors MOS du second type dont les sources sont reliées au second potentiel d'alimentation, dont les grilles sont reliées l'une à l'autre ainsi qu'à une source de courant produisant un courant de référence, le drain et la grille d'un premier transistor du couple de transistors étant reliés l'un à l'autre ainsi qu'à l'une des sorties du bloc d'aiguillage, le courant traversant le second transistor du couple de transistors correspondant au signal de commande fourni par le bloc de commande. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le moyen de blocage qui reçoit la sortie des blocs de commande comprend une résistance dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation et dont une seconde borne est disposée de manière à recevoir la somme des signaux de commande fournis par les blocs de commande, et un sixième transistor MOS du premier type dont la source est reliée au premier potentiel d'alimentation, dont le drain est relié à la borne de commande du commutateur de puissance, et dont la grille est reliée à la seconde borne de la résistance. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le moyen de blocage qui reçoit la sortie des blocs de commande comprend une seconde impédance dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation et dont une seconde borne est disposée de manière à recevoir la somme des signaux de commande fournis par les blocs de commande, une troisième impédance, appa- riée à la seconde impédance dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation et dont une seconde borne reçoit un courant constant prédéterminé, un second amplificateur opérationnel dont les entrées non inverseuse et inverseuse sont respectivement reliées à la seconde borne des seconde et troisième impédances, et un septième transistor MOS du premier type dont la source est reliée au premier potentiel d'alimentation, dont le drain est relié à la borne de commande du commutateur de puissance, et dont la grille est reliée à la sortie du second amplificateur opérationnel. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le premier potentiel d'alimentation, le potentiel de référence et le potentiel de seuil sont des potentiels positifs de valeurs décroissantes, le second potentiel d'alimentation est un potentiel de masse, le commutateur de puissance et les transistors du premier type sont des transistors MOS à canal P, et les transistors du second type sont des transistors MOS à canal N. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles : la figure 1, précédemment décrite, représente schématiquement un régulateur de tension muni d'un dispositif classique de protection contre les courts-circuits ; la figure 2 représente schématiquement un régulateur de tension comprenant un dispositif de limitation de courant selon la présente invention ; la figure 3 représente schématiquement un premier mode de réalisation du régulateur de tension de la figure 2 ; la figure 4 représente un exemple de réalisation du régulateur de tension de la figure 3 ; et la figure 5 représente schématiquement un second mode de réalisation du régulateur de tension de la figure 2. La figure 2 représente schématiquement un régulateur de tension dont la borne de sortie 0 est reliée à une charge R, et qui comporte l'amplificateur opérationnel 2, le transistor Tl et le condensateur de charge C du régulateur classique décrit précédemment. Selon la présente invention, le régulateur comporte un dispositif 8 de limitation de courant dont une première borne d'entrée est reliée à la borne de sortie 0 et dont une seconde borne d'entrée est reliée à un potentiel de seuil Vt. Le dispositif 8 est en outre relié à la grille du transistor Tl. Le dispositif 8 compare le potentiel Vout de la borne 0 au potentiel Vt. Le potentiel Vt est choisi inférieur au potentiel Vref. Selon que Vout est inférieur ou supérieur à Vt, le courant Iout est limité à un premier ou à un second courant de seuil faible Itl ou fort It2. A la mise sous tension du régulateur, le condensateur C est chargé par le courant Itl jusqu'à ce que le potentiel Vout atteigne la valeur Vt. Le courant Itl est faible pour ne pas détériorer le condensateur C. Lorsque le potentiel Vout devient supérieur au potentiel Vt, le courant traversant le transistor Tl devient égal à It2 alors que le condensateur C n'est pas complètement chargé. La fin de la charge du condensateur C se fait avec le courant It2. Après la mise sous tension du régulateur, si la charge R devient faible sans que le potentiel Vout chute en deçà du potentiel Vt, par exemple en cas de court-circuit limité de la charge R, le courant Iout est limité au courant It2. Le courant fourni par le régulateur est alors sensiblement égal au courant fourni par un régulateur muni d'un dispositif de protection classique si It2 = It. Si la charge R devient très faible et que le potentiel Vout chute en deçà du potentiel Vt, par exemple en cas de court-circuit franc, le courant traversant le transistor Tl est limité au courant Itl. Le courant fourni par le régulateur est alors inférieur au courant fourni par un régulateur muni d'un dispositif de protection classique, ce qui représente un avantage supplémentaire de la présente invention. La figure 3 représente schématiquement un premier mode de réalisation du régulateur de tension de la figure 2. Le dispositif 8 comprend un transistor MOS T2 à canal P, dont la source est reliée au potentiel Vbat et dont la grille est reliée à la grille du transistor Tl. Le transistor T2 est disposé de manière à être traversé par un courant Irep dépendant du courant de sortie Iout. Le drain du transistor T2 est relié à une borne d'entrée d'un moyen d'aiguillage 10. Un comparateur de tension 12 a une première borne d'entrée reliée à la borne de sortie 0, une deuxième borne d'entrée reliée à un potentiel de seuil Vt, et est prévu pour commander le moyen d'aiguillage 10. Une première borne de sortie du moyen d'aiguillage 10 est reliée à une borne d'entrée d'un moyen de commande 14 qui commande un commutateur 16 et une seconde borne de sortie du moyen d'aiguillage 10 est reliée à une borne d'entrée d'un moyen de commande 20 qui commande un commutateur 22. Un transistor MOS T3, à canal P, a sa source reliée au potentiel Vbat et son drain relié à la grille du transistor Tl. La grille du transistor T3 est couplée à un noeud G3. Le noeud G3 est relié au potentiel Vbat par l'intermédiaire d'une résistance RI. En outre, le noeud G3 est relié au potentiel GND par l'intermédiaire des commutateurs 22 et 16, en parallèle. Le comparateur de tension 12 commande le moyen d'aiguillage 10 de manière que le courant Irep soit fourni soit au moyen de commande 14 soit au moyen de commande 20, selon que le potentiel Vout est inférieur ou supérieur au potentiel Vt. Dans le cas où le potentiel Vout est inférieur au potentiel Vt, le courant Irep est fourni au moyen de commande 14. Le moyen de commande 14 est prévu pour maintenir le commutateur 16 ouvert ou fermé selon que le courant Irep, reçu sur sa borne d'entrée, est inférieur ou supérieur à un courant de référence Irefl. Quand le courant Irep devient supérieur au courant Irefl, le commutateur 16 est fermé et un courant circule dans la résistance RI. Le potentiel du noeud G3 chute, le transistor T3 devient passant et fait décroître la conduction des transistors Tl et T2 jusqu'à ce que le courant Irep devienne inférieur au courant Irefl. Le circuit agit comme un limiteur de courant limitant le courant Irep à la valeur Irefl. Le courant lout est donc limité à un courant Itl dépendant du courant Irefl. Dans le cas où le potentiel Vout est supérieur au potentiel Vt, le moyen d'aiguillage 10 est commandé par le comparateur de tension 12 de manière que le courant Irep est fourni à la borne d'entrée du moyen de commande 20. Le moyen de commande 20, de même structure que le moyen de commande 14, est prévu pour maintenir le commutateur 22 ouvert ou fermé selon que le courant reçu sur sa borne d'entrée est inférieur ou supérieur à un courant de référence Iref2. Le courant lout fourni par le régulateur de tension est alors limité à une valeur It2 dépendant du courant Iref2. La figure 4 représente un exemple de réalisation du régulateur de tension de la figure 3. Le comparateur de tension 12 comprend deux transistors MOS T4 et T5, à canal N, dont les drains sont reliés au potentiel Vbat et dont les sources sont respectivement reliées au potentiel GND par l'intermédiaire de sources de courant CS4 et CS5. Les grilles des transistors T5 et T4 constituent les première et seconde entrées du comparateur 12. Le moyen d'aiguillage 10 comprend deux transistors MOS T6 et T7, à canal P, dont les sources sont reliées au drain du transistor T2 et dont les grilles sont respectivement reliées aux sources des transistors T4 et T5. Les transistors T4 et T5 forment une paire différentielle. Les drains des transistors T7 et T6 consti- tuent respectivement les première et seconde bornes de sortie du moyen d'aiguillage 10. Le moyen de commande 14 comprend un transistor MOS à canal N dont la source est reliée au potentiel GND, et dont le drain et la grille sont connectés l'un à l'autre ainsi qu'à une source de courant produisant le courant Irefl. Le drain et la grille du transistor du moyen de commande 14 constituent la borne d'entrée du moyen de commande 14. Le commutateur 16 est un transistor MOS à canal N connecté en miroir de courant avec le transistor du moyen de commande 14. La source du transistor 16 est reliée au potentiel GND et le drain du transistor 16 est relié au noeud G3. Le moyen de commande 20 comprend un transistor MOS à canal N dont la source est reliée au potentiel GND et dont le drain et la grille sont reliés l'un à l'autre ainsi qu'à une source de courant produisant le courant Iref2. Le drain et la grille du transistor du moyen de commande 20 constituent la borne d'entrée du moyen de commande 20. Le commutateur 22 est un transistor MOS à canal N connecté en miroir de courant avec le transistor du moyen de commande 20. La source du transistor 22 est reliée au potentiel GND et le drain du transistor 22 est relié au noeud G3. Lorsque le potentiel Vout est inférieur au potentiel Vt, le potentiel de la source du transistor T5 est inférieur au potentiel de la source du transistor T4. Il en résulte que le potentiel de la grille du transistor T7 est inférieur au potentiel de la grille du transistor T6. Le transistor T7 est alors plus conducteur que le transistor T6. Les transistors T4, T5, T6 et T7 sont choisis de manière que le courant Irep traverse alors uniquement le transistor T7 et non le transistor T6. Le drain du transistor du moyen de commande 14 reçoit alors le courant Irep. Tant que le courant Irep est inférieur au courant Irefi, les transistors 14 et 16 ne sont traversés par aucun courant. Lorsque le courant Irep devient supérieur au courant Irefl, les transistors 14 et 16 sont traversés par un courant Irep-Irefl. Lorsque le courant Irep-Iref est suffisamment élevé, la chute de potentiel aux bornes de la résistance RI met en conduction le transistor T3 de manière à limiter le courant Iout à une valeur Itl, comme cela a été décrit en relation avec les figures 2 et 3. Lorsque le potentiel Vout est supérieur au potentiel Vt, le courant Irep traverse le transistor T6 et non le transistor T7. Le fonctionnement du moyen de commande 20 et du commun- tateur 22 est alors semblable au fonctionnement du moyen de commande 14 et du commutateur 16 qui vient d'être exposé et le courant lout est limité à une valeur It2. La figure 5 représente schématiquement un second mode de réalisation du régulateur de tension de la figure 2. Le dispositif 8 comprend le transistor MOS T2 à canal P, le comparateur de tension 12, le moyen d'aiguillage 10, les commutateurs 16 et 22 et les moyens de commande 14 et 20 du dispositif 8 décrit précédemment. Un transistor MOS T3', à canal P, a sa source reliée au potentiel Vbat et son drain relié à la grille du transistor Tl. La grille du transistor T3'est reliée à la sortie d'un amplificateur opérationnel 26 alimenté entre les potentiels Vbat et GND. Les entrées non inverseuse E+ et inverseuse E-de l'amplificateur 26 sont reliées au potentiel Vbat par l'intermédiaire respectivement d'impédances Zl et Z2. Les impédances Zl et Z2 sont égales et appariées, de manière que toute variation de valeur de Zl, par exemple à la suite d'une variation de température ou de processus de fabrication, corresponde à une variation égale de Z2. L'entrée inverseuse de l'amplificateur 26 est également reliée au potentiel GND par l'intermédiaire d'une source de courant produisant un courant 12 constant prédéterminé. L'entrée non inverseuse de l'amplificateur 26 est reliée au potentiel GND par l'intermédiaire des commutateurs 16 et 22, en parallèle. La commande du transistor T3 par l'amplificateur 26 dépend du rapport des chutes de potentiel dans les impédances Zl et Z2. Les impédances Zl et Z2 étant égales et appariées, il en découle que la commande du transistor T3'est indépendante des valeurs des impédances Zl et Z2 et dépend seulement du rapport entre les courants traversant les impédances Zl et Z2. Le courant 12 traversant l'impédance Z2 est constant. Le courant traversant l'impédance Zl est comparable au courant traversant la résistance RI de la figure 3. Le courant Iout dépend ainsi de Iref ou de Iref2 selon que le potentiel Vout est inférieur ou supérieur au potentiel Vt. La commande du transistor T3 étant indépendante des valeurs Zl et Z2, le courant Iout est indépendant des variations des impédances Zl et Z2, ce qui constitue un avantage supplémentaire de la présente invention. En outre, le gain de l'amplificateur 26 peut être choisi élevé de manière que la commande du transistor T3'soit peu sensible à une dérive de la tension de seuil du transistor T3', ce qui constitue un autre avantage de la présente invention. Lorsque le courant Iout varie brusquement, la boucle de limitation de courant réagit avec un retard, introduit notamment par l'amplificateur 26. Ce retard peut entraîner l'apparition d'un pic du courant Iout entre l'instant où le courant Iout commence à croître et l'instant où le transistor T3 1 est rendu passant. Un bloc de protection (non représenté) peut être disposé de manière à rendre le transistor T3'inconditionnellement passant pendant une durée prédéterminée après toute chute brutale du potentiel Vout ou à la mise sous tension du régulateur de tension, de manière à supprimer un tel pic de courant. Bien entendu, la présente invention est susceptible de diverses variantes et modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. A titre d'exemple, la présente invention a été décrite en relation avec des moyens de commande 14 et 20, des commutateurs 16 et 22, un comparateur de tension 12 et un moyen d'aiguillage 10 particuliers, mais l'homme du métier adaptera sans difficultés la présente invention à un régulateur de tension utilisant des éléments de structures différentes mais remplissant des mêmes fonctions. La présente invention a été décrite en relation avec un régulateur de tension utilisant des potentiels Vbat, Vref et Vt positifs, mais l'homme du métier adaptera sans difficultés la présente invention à un régulateur de tension utilisant des potentiels négatifs en intervertissant les types des transistors MOS décrits. La présente invention a été décrite en relation avec un régulateur de tension dans lequel le potentiel Vt est choisi inférieur au potentiel Vref, mais l'homme du métier adaptera sans difficultés la présente invention à un régulateur de tension utilisant des potentiels Vt et Vref égaux. Dans ce cas, la paire différentielle formée par les transistors T4 et T5 sera déséquilibrée pour rendre le transistor T6 conducteur lorsque Vout = Vref = Vt. La présente invention a pour des raisons de simplicité été décrite en relation avec un régulateur de tension utilisant une boucle de contre-réaction non résistive et fournissant un potentiel égal à un potentiel de référence Vref reçu. Toutefois, l'homme du métier adaptera sans difficultés la présente invention à un régulateur de tension dont la boucle de contre-réaction comprend un pont résistif, et qui fournit en sortie un potentiel différent du potentiel Vref reçu. La présente invention a été décrite en relation avec un régulateur de tension utilisant un transistor de puissance Tl, mais l'homme du métier adaptera sans difficultés la présente invention à un régulateur de tension utilisant un autre type de commutateur de puissance à commande en tension. REVENDICATIONS 1. Régulateur de tension ayant une borne de sortie (0) propre à être reliée à une charge (R, C), caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif (8) de limitation du courant (Iout) traversant la charge à un premier courant de seuil (Itl) si le potentiel de la borne de sortie (vout) est inférieur à un potentiel de seuil (Vt), et à un second courant de seuil (It2) plus élevé que le premier courant de seuil si le potentiel de la borne de sortie (Vout) est supérieur au potentiel de seuil (vit). 2. Régulateur de tension selon la revendication 1, dans lequel le dispositif de limitation (8) comporte : un comparateur (12) pour comparer le potentiel (Vout) de la borne de sortie (0) au potentiel de seuil (Vt), des première et seconde boucles de réaction (14,16, 20,22, RI, T3) propres à limiter le courant traversant la charge respectivement aux premier (Itl) et second (It2) courants de seuil, et un bloc d'aiguillage (T2,10) commandable par le comparateur pour activer soit la première soit la seconde boucle de réaction selon que le potentiel de la borne de sortie (Vout) est inférieur ou non au potentiel de seuil (vit). 3. Régulateur de tension selon la revendication 2, dans lequel : le bloc d'aiguillage (T2,10) est propre à fournir un courant (Irep) dépendant du courant (Iout) traversant la charge sur une première ou sur une seconde sortie, et chaque boucle de réaction, reliée à une sortie du bloc d'aiguillage, comporte un bloc de commande (14,16 ; 20,22) propre à fournir un signal de commande lorsqu'il reçoit du bloc d'aiguillage un courant supérieur à un courant de référence (Irefi ; Iref2), et comporte en outre un moyen de blocage (T3, RI ; T3', Zl, Z2, 26) qui reçoit la sortie des blocs de commande et qui fait décroître le courant traversant la charge lorsque l'un quelconque des premier et second signaux de commande est actif. 4. Régulateur de tension selon la revendication 3, comportant : un commutateur de puissance (Tl) disposé de manière à relier la borne de sortie (0) à un premier potentiel d'alimentation (Vbat), et un premier amplificateur opérationnel (2) dont les entrées inverseuse (E-) et non inverseuse (E+) sont respectivement reliées au potentiel de référence (Vref) et à la borne de sortie (0), une borne de commande du commutateur de puissance (Tl) étant reliée à la sortie du premier amplificateur opérationnel (2) et le dispositif (8) de limitation du courant (rouit) traversant la charge étant relié à la borne de commande du commutateur de puissance (Tl), la charge comportant un condensateur (C) et une première impédance (R) reliés en parallèle entre la borne de sortie (0) et un second potentiel d'alimentation (GND). 5. Régulateur de tension selon la revendication 4, dans lequel le bloc d'aiguillage (T2,10) comporte : un premier transistor MOS (T2) d'un premier type ayant sa source reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat) et sa grille reliée à la borne de commande du commutateur de puissance (Tl), et des deuxième (T6) et troisième (T7) transistors MOS du premier type ayant leurs sources reliées au drain du premier transistor (T2), les drains des deuxième (T6) et troisième (T7) transistors constituant respectivement les première et seconde sorties du bloc d'aiguillage. 6. Régulateur de tension selon la revendication 5, dans lequel le comparateur (12) comprend des quatrième (T4) et cinquième (tes) transistors MOS d'un second type dont les drains sont reliés au premier potentiel d'alimentation (Vbat), dont les grilles sont respectivement reliées au potentiel de seuil (vit) et à la borne de sortie (0), les sources des quatrième (T4) et cinquième (tes) transistors étant respectivement reliées aux grilles des deuxième (T6) et troisième (T7) transistors, ainsi qu'au second potentiel d'alimentation (GND) par l'intermédiaire de première (CS4) et deuxième (CS5) sources de courant. 7. Régulateur de tension selon la revendication 6, dans lequel le bloc de commande de chaque boucle de réaction comporte un couple de transistors MOS (14,16 ; 20,22) du second type dont les sources sont reliées au second potentiel d'alimentation (GND), dont les grilles sont reliées l'une à l'autre ainsi qu'à une source de courant produisant un courant de référence (Irefi ; Iref2), le drain et la grille d'un premier transistor du couple de transistors étant reliés l'un à l'autre ainsi qu'à l'une des sorties du bloc d'aiguillage, le courant traversant le second transistor du couple de transistors correspondant au signal de commande fourni par le bloc de commande. 8. Régulateur de tension selon la revendication 7, dans lequel le moyen de blocage qui reçoit la sortie des blocs de commande comprend : une résistance (RI) dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat) et dont une seconde borne est disposée de manière à recevoir la somme des signaux de commande fournis par les blocs de commande, et un sixième transistor MOS (T3) du premier type dont la source est reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat), dont le drain est relié à la borne de commande du commutateur de puissance (Tl), et dont la grille est reliée à la seconde borne de la résistance. 9. Régulateur de tension selon la revendication 7, dans lequel le moyen de blocage qui reçoit la sortie des blocs de commande comprend : une seconde impédance (Zl) dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat) et dont une seconde borne est disposée de manière à recevoir la somme des signaux de commande fournis par les blocs de commande, une troisième impédance (Z2), appariée à la seconde impédance (Zl) dont une première borne est reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat) et dont une seconde borne reçoit un courant constant prédéterminé (12), un second amplificateur opérationnel (26) dont les entrées non inverseuse et inverseuse sont respectivement reliées à la seconde borne des seconde (Zl) et troisième (Z2) impédances, et un septième transistor MOS (T3') du premier type dont la source est reliée au premier potentiel d'alimentation (Vbat), dont le drain est relié à la borne de commande du commutateur de puissance (Tl), et dont la grille est reliée à la sortie du second amplificateur opérationnel (26). 10. Régulateur de tension selon l'une quelconque des revendications 4 à 9, dans lequel le premier potentiel d'alimentation (Vbat), le potentiel de référence (Vref) et le potentiel de seuil (vit) sont des potentiels positifs de valeurs décroissantes, le second potentiel d'alimentation est un potentiel de masse, le commutateur de puissance et les transistors du premier type sont des transistors MOS à canal P, et les transistors du second type sont des transistors MOS à canal N.