Brevet FR2806398A1 — publié le 20010921

La présente invention concerne un procédé pour fabriquer un système de capteur, en particulier un capteur micromécanique de débit massique. Des capteurs micromécaniques connus comprennent un substrat, dans lequel est formée une ouverture, au- dessus de laquelle une membrane est tendue sur une face du substrat. Des capteurs de ce type sont utilisés par exemple dans des moteurs à combustion interne de véhicules automo- biles pour déterminer par exemple la quantité de la masse d'air traversant la zone d'admission du moteur. A cet effet, des éléments chauffants et des éléments formant capteurs sont disposés sur la membrane. La membrane est chauffée au moyen de l'élément chauffant à une température qui est supérieure à la température ambiante, et une circulation d'air, qui s'effectue le long de la face supé- rieure de la membrane, refroidit cette dernière, ce qui est détecté par un ou plusieurs capteurs de température. Le degré de refroidissement est une mesure du débit d'air traversant. Un capteur de ce type est connu par exemple d'après le document allemand DE 195 27 861 Al. La précision de la mesure et sa reproductibilité dépendent de la précision des dimensions de la membrane et de la précision de l'agencement des éléments chauffants et des éléments formant capteurs sur la membrane. Ces derniers peuvent être positionnés au moyen de procédés appropriés avec une précision qui est suffisante dans la pratique. Au contraire ce qui est problématique c'est la position avec laquelle les dimensions de la membrane peuvent être réalisées d'une manière reproductible. Les dimensions de la membrane sont déterminées par la taille de l'ouverture présente dans la face supérieure du substrat et par conséquent par la position des bords du substrat, qui délimitent l'ouverture. Des tolérances lors de la fabrication de l'ouverture réduisent la précision avec laquelle les bords du substrat peuvent être positionnés par rapport aux éléments chauffants et aux éléments formant capteurs. Etant donné que le flux de chaleur, qui provient de la membrane et pénètre dans le substrat et se produit dans la zone des bords du substrat, influe sur la mesure, le résultat de la mesure dépend de la position des bords du substrat. Des causes de tolérances dans la fabrication d'ouvertures sont par exemple des alignements défectueux des masques utilisés, des variations de l'épaisseur du substrat, des tolérances cristallographiques et des tolé- rances sur la vitesse d'attaque chimique, la direction d'attaque chimique et la durée de l'attaque chimique lors de la formation de l'ouverture. Dans le document allemand mentionné DE 27 861 Al, on applique sur la membrane des couches métalliques en forme de bandes ayant une conductibilité thermique élevée dans la région des bords du substrat. De ce fait, les bords intérieurs des bandes métalliques sont plus proches du capteur et des éléments chauffants que les bords du substrat. L'influence des bords du substrat sur les dimensions de la membrane est de ce fait réduite. Le problème (le but) de l'invention est de créer une possibilité de maintenir à une valeur aussi faible que possible les tolérances, qui sont provoquées par la fabri- cation, dans un système de capteur du type indiqué initia- lement. Cet objectif est atteint à l'aide d'un procédé pour fabriquer un système de capteur, en particulier un capteur micromécanique de débit massique, caractérisé en ce qu'on forme dans le substrat, à partir d'une face supérieure de ce substrat, au moins deux cavités, qui sont situées à distance l'une de l'autre et on les remplit au moins partiellement par un matériau qui est différent du matériau du substrat, on applique une couche formant membrane sur une face supérieure du substrat, et on aménage par attaque chimique dans le substrat, à partir d'une face inférieure de ce substrat, au moins un renfoncement, qui s'étend jusqu'à la couche formant membrane entre les cavités. Conformément à l'invention, les cavités, qui agissent en tant que dispositifs d'arrêt d'attaque chi- mique, garantissent lors de l'attaque chimique qui commence à partir de la face inférieure du substrat que les parois latérales du renfoncement terminé rencontrent toujours la couche formant membrane aux mêmes emplacements, et ce indépendamment de l'endroit o la corrosion commence au niveau de la face inférieure. La position des bords du substrat par rapport aux cavités est par conséquent indé- pendante de tolérances lors de la formation du renfoncement. En modifiant la distance entre les cavités et/ou leur profondeur, on peut régler intentionnellement les dimensions de la membrane. Des différences entre les propriétés de mesure des agencements de capteurs individuels d'une série de fabrication sont par conséquent supprimées, ce qui, en particulier dans le cas de la fabrication en masse d'un système de capteur, réduit le nombre de pièces mises au rebut et réduit les coûts. Un autre avantage de l'invention réside dans le fait que dans le cas d'un rétrécissement, qui est obtenu lors de l'attaque chimique, du renfoncement en direction de la couche formant membrane dans la zone des bords du subs- trat, le matériau du substrat au-dessous de la couche formant membrane est comparativement épais et possède par conséquent une bonne conductibilité thermique. Les dimen- sions de la membrane sont définies de ce fait d'une façon particulièrement précise, étant donné que des variations brusques de la conductibilité thermique peuvent être réalisées plus facilement de cette manière. On utilise en particulier du silicium ou de l'arséniure gallium en tant que matériau du substrat. En principe conformément à l'invention, on peut envisager d'utiliser n'importe quel matériau qui présente un compor- tement anisotropique au regard de l'attaque chimique et dans lequel un renfoncement rétréci peut être formé au moyen de l'attaque chimique. Conformément à une forme de réalisation pratique préférée de l'invention, on forme les cavités sous la forme de fentes, d'encoches, de rainures, de maillons ou de tranchées, qui s'étendent parallèlement entre elles et possèdent de préférence une largeur constante et/ou une profondeur constante. Avec des cavités de ce type, on peut former de façon simple des bords rectilignes du substrat et par conséquent des membranes présentant des limites rectilignes. Selon une autre caractéristique de l'invention, les cavités s'étendent dans le substrat approximativement perpendiculairement à la couche formant membrane. Selon une autre forme de réalisation préférée prise à titre d'exemple de l'invention, on forme deux groupes de cavités réalisées de préférence avec des formes identiques, qui de préférence sont parallèles entre elles. La formation de groupes de cavités sur les deux faces de la membrane garantit que latéralement par rapport à la région située entre les groupes dans lesquels un ren- foncement s'étend en direction de la couche formant mem- brane, le renfoncement peut être formé par attaque chimique uniquement jusqu'aux extrémités inférieures des cavités. Etant donné que la vitesse d'attaque chimique dans le subs- trat présente une dépendance directionnelle, il se présente dans chaque cas entre les cavités d'un groupe une situation telle que la vitesse de l'attaque chimique résultante est nettement plus faible en direction de la couche formant membrane qu'entre les deux groupes de cavités, de sorte que le renfoncement s'est déjà formé par attaque chimique jusqu'à la couche formant membrane alors qu'une attaque chimique est encore en cours dans chaque cas entre les cavités d'un groupe dans la zone des extrémités inférieures des cavités. Entre les groupes, le renfoncement grandit par conséquent nettement plus rapidement en direction de la couche formant membrane qu'à l'intérieur des groupes. Il en résulte que sur les deux côtés du renfoncement, le matériau du substrat possède au-dessous de la couche formant membrane une épaisseur approximativement égale à celle des cavités. Selon une caractéristique de l'invention, les distances entre des cavités adjacentes d'au moins un groupe sont, dans tous les cas, faibles par rapport à la distance entre les groupes et sont de préférence choisies de manière à être approximativement égales. Selon une caractéristique de l'invention, on forme les cavités avec une largeur et/ou une profondeur, qui est la même pour toutes les cavités. Selon une caractéristique de l'invention, on forme les cavités, dans tous les cas, avec une largeur de quelques micromètres, et de préférence avec une largeur dans la gamme comprise entre environ 1 et 2 micromètres. Selon une caractéristique de l'invention, on forme les cavités avec une profondeur importante par rap- port à leur largeur et/ou à l'épaisseur de la couche for- mant membrane, le taux d'élancement des cavités étant situé notamment dans la gamme comprise entre environ 1:10 et 1:20. Si, conformément à une forme de réalisation pré- férée, la couche formant membrane est réalisée avec un matériau qui possède une conductibilité thermique nettement plus faible que celle du matériau du substrat, alors la conductivité thermique varie de façon correspondante brusquement au niveau de la transition entre la membrane et le substrat au niveau du bord du substrat. Plus le matériau du substrat est épais dans la région des bords du substrat, plus cette variation de la conductibilité thermique est prononcée pour les mêmes matériaux et pour la même épaisseur de la couche formant membrane. De préférence, la largeur des cavités se situe dans la gamme comprise entre environ 1 et 2 micromètres, alors que leur profondeur est comprise de préférence entre environ 10 et 20 micromètres. De préférence on utilise du bioxyde de silicium, du nitrure de silicium et/ou de l'oxynitrure de silicium à la fois pour remplir les cavités et former la couche formant membrane. En principe, on envisage d'utiliser n'importe quel matériau qui agit en tant que dispositif d'arrêt d'attaque chimique, le choix du matériau dépendant notamment du matériau utilisé pour le substrat et/ou du milieu d'attaque chimique utilisé. Pour former les cavités on utilise un processus d'attaque chimique, en particulier un processus d'attaque chimique plasmatique, au moyen duquel les cavités peuvent être formées avec une grande précision à la fois en ce qui concerne leur position dans le substrat et leurs dimensions. Selon une autre caractéristique de l'invention, on remplit la cavité avec la couche formant membrane, en particulier avec l'application de la première d'une pluralité de nappes de matériau, qui forment la couche formant membrane. Selon une autre caractéristique de l'invention, on remplit les cavités lors d'un processus d'oxydation thermique, lors duquel en particulier on place le substrat dans une atmosphère d'oxygène à haute température et on fait croître les cavités conjointement avec l'oxyde du substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, au moins un élément de capteur et au moins un élément chauffant sont appliqués sur la couche formant membrane. Selon une autre caractéristique de l'invention, on forme l'élément formant capteur et/ou l'élément chauf- fant à partir d'un revêtement métallique, qui a été appli- qué auparavant à la couche formant membrane, en particulier lors d'un processus de photolithographie et d'attaque chimique. L'invention concerne également un système de capteur, notamment d'un capteur micromécanique de débit massique, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat et une couche formant membrane, qui est appliquée sur une face supérieure du substrat, au moins deux cavités étant formées dans le substrat, qui partent de sa face supérieure qui sont disposées à distance l'une de l'autre et qui sont remplies au moins en partie par un matériau qui est différent du matériau du substrat, et au moins un renfoncement, qui s'étend à partir d'une face inférieure du substrat et qui atteint la couche formant membrane entre les cavités, et est formé par attaque chimique dans le substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, au moins un élément de capteur et au moins un élément chauffant sont appliqués sur la couche formant membrane. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'invention concerne un système de capteur fabriqué par l'un des procédés précédents. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence au dessin annexé, dont la figure unique représente schématiquement une coupe d'un système de capteur selon l'invention, qui a été fabriqué conformément au procédé selon l'invention. Le système de capteur selon l'invention, qui est représenté partiellement sur la figure, comprend un subs- trat 12 qui est formé par une pastille de silicium et dans laquelle des cavités en forme de tranchées 24 ayant une largeur constante et une profondeur constante, sont formées à partir d'une face supérieure. Les cavités 24 s'étendent parallèlement entre elles et sont disposées suivant deux groupes, la distance entre les deux groupes étant nettement supérieure à la distance réciproque des cavités 24 dans chaque groupe. La largeur des cavités 24 est située, dans tous les cas, dans la gamme de quelques micromètres, et de pré- férence dans la gamme comprise entre environ 1 et 2 micro- mètres, alors que la profondeur des cavités 24 se situe de préférence dans la gamme comprise entre environ 10 et 20 micromètres. Les cavités ou tranchées 24 peuvent être réalisés avec un taux d'élancement d'environ 10 à 20. La profondeur des cavités 24 est choisie en fonction notamment de l'épaisseur du substrat 12, qui peut avoir par exemple une valeur d'environ 400 micromètres. Les cavités 24 sont remplies d'un matériau qui diffère du matériau du substrat et est constitué du matériau dont est également constituée une couche formant membrane 14, que l'on fait croître sur la face supérieure du substrat 12 et qui possède une faible- épaisseur par rapport au substrat 12. Le matériau utilisé pour le remplissage des cavités 24 et pour la membrane 14 est de préférence du bioxyde de silicium, du nitrure de silicium ou de l'oxynitrure de silicium, et il est également possible d'utiliser des mélanges de ces matériaux. Entre les groupes de cavités 24, il est prévu un système de mesure situé sur la couche formant membrane 14 qui, dans la forme de réalisation représentée - qui à cet égard est simplement un exemple - comprend un élément chauffant 18 disposé en position centrale et deux capteurs de température 16, qui sont disposés latéralement à la même distance de l'élément chauffant 18. Par exemple il est également possible de prévoir une pluralité d'éléments chauffants et/ou une pluralité d'éléments formant capteurs sur chaque face respectivement du ou de chaque élément chauffant. En outre, on pourrait également utiliser simplement un seul capteur de température. De plus il est possible de disposer les capteurs de température sur les deux faces du ou des éléments chauffants, à des distances différentes du ou des éléments chauffants. L'élément chauffant 18 et les éléments formant capteurs 16 ainsi que d'autres structures non représentées, comme par exemple des voies conductrices, ont été formés par usinage d'une couche métallique qui a été appliquée au préalable sur la couche formant membrane 14, au moyen d'un processus de photolithographie et d'attaque chimique. Dans le substrat 12 est formé un renfoncement 22, qui part de la face inférieure du substrat et qui s'étend jusqu'à la couche formant membrane 14 en se rétrécissant en direction de la couche formant membrane 14 et qui possède des sections de paroi latérale rectilignes 26a, 26b dans la représentation donnée sur la figure. Le renfoncement 22 est formé par un procédé d'attaque chimique à partir de la face inférieure du substrat au moyen d'un masque 28 représenté sur la figure. Le renfoncement terminé 22 est constitué essen- tiellement de deux régions trapézoïdales, la partie, qui est délimitée par les sections de paroi latérales 26a, s'étendant dans la région qui est délimitée par les sec- tions de paroi latérales 26a, s'étendant depuis la face intérieure du substrat 12 jusqu'aux extrémités inférieures des cavités 24. Au niveau du plan qui est défini par les extrémités inférieures des cavités 24, les parois latérales du renfoncement 22 sont décalés parallèlement et continuent à s'étendre en direction de la couche formant membrane 14 en tant que sections de paroi latérale 26b de la seconde région trapézoïdale. Dans cette région, les sections de paroi latérales 26b commencent, dans tous les cas, à partir de l'extrémité inférieure de la cavité 24 du groupe concerné qui est située dans la position la plus intérieure et atteignent la face inférieure de la couche formant membrane 14. Avec le renfoncement 22, une fenêtre est ainsi formée dans le substrat 12, fenêtre au-dessus de laquelle la couche formant membrane 14 est étirée et forme entre les bords 13 du substrat, qui délimitent la fenêtre, une membrane libre 15 qui ne repose pas sur le matériau du substrat. Les dimensions de la membrane 15 perpendiculai- rement à l'étendue des cavités 24 sont par conséquent déterminées par la position des bords 13 du substrat. La membrane 15, qui est constituée de bioxyde de silicium, de nitrure de silicium et/ou d'oxynitrure de silicium, possède une conductibilité thermique nettement inférieure à celle du substrat 12, qui est formé de silicium. Le système de mesure constitué par l'élément chauffant 18 et les capteurs de température 16 est disposé drune manière centrale sur la membrane 15, dans la forme de réalisation représentée. Alors que la région trapézoïdale supérieure du renfoncement 12, qui atteint la couche formant membrane 14, est située exactement au centre entre les cavités 24, la région trapézoïdale inférieure du renfoncement 22, qui commence à partir de la face inférieure du substrat, est légèrement décalée vers la gauche dans l'exemple repré- senté. Cette illustration montre clairement que des tolé- rances au début de l'attaque chimique formant le renfoncement 22 n'ont aucune influence sur la position de la membrane 15 par rapport aux cavités 24. La fabrication du renfoncement 22 au moyen d'une procédure d'attaque chimique en liaison avec les cavités 24 conforme à l'invention qui va être expliquée ci-après garantit que les bords 13 du substrat et par conséquent la membrane 15 possèdent toujours la même position par rapport aux cavités 24 indépendamment de la position du masque 28 par rapport aux cavités 24. Dans l'exemple représenté, la membrane 15 est disposée au centre entre les cavités 24. Pour la fabrication du système de capteur, conformément à l'invention on forme tout d'abord les tran- chées 24 dans la pastille en silicium 12, lors d'un pro- cessus d'attaque chimique plasmatique. Ensuite, on remplit les tranchées 24 avec du bioxyde de silicium, du nitrure de silicium et/ou de l'oxynitrure de silicium ou un autre matériau qui convient en tant que dispositif d'arrêt d'attaque chimique, tout en appliquant simultanément la première couche de la couche formant membrane 14, qui est formée du même matériau, sur la face supérieure de la pas- tille de silicium 12. Le remplissage des cavités 24 et l'application d'au moins la première nappe de la couche formant membrane 14 peuvent par conséquent s'effectuer en une seule étape opératoire, de sorte qu'avec la formation des cavités 24, une seule étape de travail supplémentaire suffit. Le remplissage des cavités 24 et l'application de la couche formant membrane 14 peuvent par exemple s'effectuer au moyen d'un processus d'oxydation thermique, lors duquel la pastille de silicium 12 est placée dans une atmosphère d'oxygène à une température élevée, de sorte que les cavités 24 croissent conjointement avec la formation du bioxyde de silicium et que simultanément la couche formant membrane 14 croît sur la face supérieure de la pastille 12. En outre dans cas il apparaît sur la face inférieure de la pastille 12 une couche d'oxyde, qui sert ultérieurement de masque 28. Ensuite on applique une couche métallique sur la couche formant membrane 14, à partir de laquelle on forme ensuite, lors d'un processus de photolithographie et d'attaque chimique, le système de mesure, dans l'exemple représenté l'élément chauffant 18, les capteurs de tempé- rature 16 ainsi que d'autres structures qui sont néces- saires pour le système de mesure, comme par exemple des connecteurs. Ensuite, on forme par attaque chimique le ren- foncement 22 dans le substrat 12 à partir de la face infé- rieure de ce substrat, sa position relative par rapport aux cavités 24 étant déterminée à l'aide du masque 28. La forme de l'espace évidé, qui est formé dans le substrat au cours du processus d'attaque chimique et qui possède une section transversale trapézoïdale, dépend en principe du matériau du substrat, de l'orientation des plans cristallins dans le substrat 12 et du choix des moyens d'attaque chimique. Pendant le processus d'attaque chimique le ren- foncement 22, qui se développe en direction de la couche formant membrane 14 et ce faisant se rétrécit, atteint les extrémités inférieures des cavités 24, ce qui permet une croissance supplémentaire du renfoncement 22 en direction de la couche formant membrane 14 uniquement entre les groupes de cavités 24. Dans chaque groupe, la progression de l'attaque chimique est bloquée ou arrêtée dans tous les cas respectivement entre deux cavités adjacentes 24 au moment o les surfaces inclinées, qui sont dirigées l'une vers l'autre entre les cavités 24 se rencontrent. De ce fait les petites encoches de section transversale triangu- laire, qui sont représentées sur la figure, apparaissent dans la région des extrémités inférieures des cavités 24. Les cavités 24 agissent par conséquent, pendant la production du renfoncement 22, comme une sorte de dia- phragme ou de dispositif d'alignement qui garantit que le renfoncement 22 rencontre la face inférieure de la couche formant membrane 14 exactement à l'emplacement qui est prédéterminé par les cavités 24 et définit la membrane 15. Les deux groupes de cavités 24 sont disposés de telle sorte qu'elles couvrent la plage de tolérances de la fenêtre qui est présente dans le masque 28 pour former le renfoncement 22 et agissent en tant que focalisation latérale pour le renfoncement 22, qui croit en direction de la couche formant membrane 14 pendant l'attaque chimique. Il en résulte que la largeur de la membrane 15 peut être réglée de façon précise au moyen des distances présentes entre les deux cavités 24 intérieures et au moyen de leur profondeur. Les tranchées 24, qui sont formés par attaque chimique plasmatique, et le système de mesure, qui est constitué par l'élément chauffant 18 et par les capteurs de température 16 et qui est formé par le processus de photolithographie et d'attaque chimique, peuvent être positionnés avec une très grande précision. Les tolérances au moins concernant l'élément chauffant 18 et les capteurs de température 16 peuvent être égales à moins de 1 micro- mètre. La position des bords 13 du substrat par rapport aux cavités 24 est indépendante de tolérances dans l'attaque chimique du renfoncement 22, qui peuvent être supérieures à micromètres. Par conséquent conformément à l'invention les bords 13 du substrat, c'est-à-dire les dimensions de la membrane 15, et par conséquent les propriétés de mesure du système de capteurs peuvent être réglées d'une manière reproductible avec une précision extrêmement élevée. Si pendant le fonctionnement du système de cap- teurs conforme à l'invention la membrane 15, qui est chauffée par l'élément chauffant 18, est refroidie par une circulation de gaz, alors le signal de mesure, qui est délivré par les capteurs de température 16 et qui repré- sente une mesure du refroidissement et par conséquent du débit de passage du gaz, est indépendant de tolérances dans la position du renfoncement 22 sur la face inférieure du substrat. Des systèmes de capteurs, qui sont fabriqués conformément à l'invention, ne présentent par conséquent aucune différence entre eux en ce qui concerne les carac- téristiques de mesure, c'est-à-dire que des variations nuisibles entre les séries sont évitées conformément à l'invention. En principe non seulement les capteurs thermiques, mais également d'autres systèmes de capteurs, dans lesquels on utilise des membranes minces, peuvent être fabriqués au moyen du procédé selon l'invention, au moyen duquel des membranes à couches minces positionnées de façon précise peuvent être fabriquées dans un substrat au moyen d'une attaque chimique sur la face arrière. Par conséquent on peut également fabriquer des capteurs de pression ou ce qu'on appelle des thermopiles, grâce à l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour fabriquer un système de capteur, en particulier un capteur micromécanique de débit massique, caractérisé en ce qu'on forme dans le substrat (12), à partir d'une face supérieure de ce substrat, au moins deux cavités (24), qui sont situées à distance l'une de l'autre et on les remplit au moins partiellement par un matériau qui est différent du matériau du substrat, on applique une couche formant membrane (14) sur une face supérieure du substrat (12), et on aménage par attaque chimique dans le substrat (12), à partir d'une face inférieure de ce substrat, au moins un renfoncement (22), qui s'étend jusqu'à la couche formant membrane entre les cavités (24). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on réalise les cavités (24) sous la forme de fentes, d'encoches, de rainures, de sillons ou de tran- chées, qui s'étendent parallèlement entre elles et possè- dent de préférence une largeur constante et/ou une profon- deur constante. 3. Procédé selon l'une ou l'autre des revendica- tions 1 et 2, caractérisé en ce que les cavités (24) s'étendent dans le substrat (12) approximativement perpen- diculairement à la couche formant membrane (14). 4. Procédé selon au moins l'une des revendica- tions 1 à 3, caractérisé en ce qu'on forme deux groupes de cavités (24) ayant de préférence des formes identiques, qui s'étendent de préférence parallèlement entre elles. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que les distances entre des cavités adjacentes (24) d'au moins un groupe sont, dans tous les cas, faibles par rapport à la distance entre les groupes et sont de préfé- rence choisies de manière à être approximativement égales. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 5, caractérisé en ce qu'on forme les cavités (24) avec une largeur et/ou une profondeur, qui est la même pour toutes les cavités. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 6, caractérisé en ce qu'on forme les cavités (24), dans tous les cas, avec une largeur de quelques micromètres, de préférence avec une largeur dans la gamme comprise entre environ 1 et 2 micromètres. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 7, caractérisé en ce qu'on forme les cavités (24) avec une profondeur importante par rapport à leur largeur et/ou à l'épaisseur de la couche formant membrane (14), le taux d'élancement des cavités (24) étant situé notamment dans la gamme comprise entre environ 1:10 et 1:20. 9. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 8, caractérisé en ce que les cavités (24) sont réalisées avec une profondeur de quelques dizaines de micromètres, et de préférence avec une profondeur dans la gamme comprise entre environ 10 et 20 micromètres. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 9, caractérisé en ce que la couche formant membrane (14) est réalisée avec un matériau qui possède une conductibilité thermique plus faible et notamment nettement plus faible que celle du matériau du substrat. 11. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 10, caractérisé en ce que pour le remplissage des cavités (24) et pour la formation de la couche formant membrane (14), on utilise le même matériau, en particulier du bioxyde de silicium, du nitrure de silicium et/ou de l'oxynitrure de silicium. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 11, caractérisé en ce qu'on utilise du silicium ou de l'arséniure de gallium en tant que matériau pour le substrat (12). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 12, caractérisé en ce qu'on forme les cavités (24) lors d'un processus d'attaque chimique, en particulier un processus d'attaque chimique plasmatique. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 13, caractérisé en ce qu'on remplit la cavité (24) avec la couche formant membrane (14), en particulier avec l'application de la première d'une pluralité de nappes de matériau, qui forment la couche formant membrane (14). 15. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 14, caractérisé en ce qu'on remplit les cavités (24) lors d'un processus d'oxydation thermique, lors duquel en particulier on place le substrat (12) dans une atmosphère d'oxygène à haute température et on fait croître les cavités (24) conjointement avec l'oxyde du substrat (12). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 15, caractérisé en ce qu'au moins un élément de capteur (16) et au moins un élément chauffant (18) sont appliqués sur la couche formant membrane (14). 17. Procédé selon la revendication 16, caracté- risé en ce qu'on forme l'élément formant capteur (16) et/ou l'élément chauffant (18) à partir d'un revêtement métallique, qui a été appliqué auparavant à la couche for- mant membrane (14), en particulier lors d'un processus de photolithographie et d'attaque chimique. 18. Agencement de capteur, notamment d'un capteur micromécanique de débit massique, caractérisé en ce qu'il comporte un substrat (12) et une couche formant membrane (14), qui est appliquée sur une face supérieure du substrat (12), au moins deux cavités (24) étant formées dans le substrat (12), qui partent de sa face supérieure, qui sont disposées à distance l'une de l'autre et qui sont remplies au moins en partie par un matériau qui est différent du matériau du substrat, et au moins un renfoncement (22), qui s'étend à partir d'une face inférieure du substrat (12) et qui atteint la couche formant membrane (14) entre les cavités (24), et est formé par attaque chimique dans le substrat (12). 19. Agencement de capteur selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'au moins un élément de capteur (16) et au moins un élément chauffant (18) sont appliqués sur la couche formant membrane (14). 20. Système de capteur selon l'une quelconque des revendications 1 à 19, caractérisé en ce qu'on le réalise à l'aide d'un procédé selon au moins l'une des revendications 1 à 17.