Brevet FR2805889A1 — publié le 20010907

DISPOSITIF AMPLIFICATEUR POUR CAPTEURS ET SYSTEME DE MESURE D' GRANDEUR PHYSIQUE EQUIPE D'UN DISPOSITIF DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne un dispositif amplificateur pour capteurs et un système de mesure d'une grandeur physique, équipé d'un tel dispositif. Le dispositif de l'invention est destiné en particulier à des capteurs à réponse en tension et/ou en impédance. On entend par capteur à réponse en tension et/ou en impédance un capteur aux bornes duquel une variation de différence de potentiel et/ou une variation d'impédance traduisent la modification de la grandeur physique à laquelle le capteur est sensible. L'invention trouve applications dans la réalisation de systèmes de mesures et en particulier de systèmes de mesure incluant capteurs miniaturisés ou intégrés, appelés micro-capteurs. A titre d'exemple, l'invention peut être mise à profit pour la réalisation de sondes thermiques, de dosimètres ou de photomètres. Etat de la technique antérieure Les capteurs à réponse en tension et/ou en impédance, mentionnés ci-dessus, peuvent être modélisés en considérant qu'ils sont équivalents à une source de tension fixe en série avec une impédance variable, à une source de tension variable en série avec une impédance fixe, ou une source de tension variable en série avec une impédance variable. En désignant par et ZTh les valeurs de tension et d'impédance du capteur, et par X une grandeur physique à laquelle capteur est sensible, on peut définir des sensibilites en tension e et en impédance z du capteur telle que Un capteur qui 'est sensible à une grandeur physique que par son impédance peut être caractérisé par : dETh = 0 et dZTh = zdX. Un capteur qui n'est sensible à une grandeur physique que par la source de tension peut être caractérisé par dETh = edX et dZTh = 0. Les sensibilités et z) des capteurs aux grandeurs physiques sont souvent faibles. Ceci est particulièrement le lorsque les capteurs sont sensibles à des grandeurs physiques secondaires qui accompagnent un phénomène que l'on veut observer (mesures de la température à l'aide de résistances variables par exemple). Une faible sensibilité des capteurs se traduit par une précision limitée des mesures et par une influence importante du bruit de mesure. Exposé de l'invention L'invention a pour but /de proposer un dispositif amplificateur pour les capteurs et un système de mesure qui permettent d'éviter les limitations indiquées ci- dessus. Un but est en particulier de proposer un dispositif amplificateur permettant d'obtenir un signal de mesure aux bornes d'une impédance additionnelle distincte du capteur. Un est encore de proposer un système de mesure dont la sensibilité aux grandeurs physiques à mesurer est grandement améliorée. Un est également de proposer un tel système qui autorise une bonne précision de mesure, qui soit peu sensible au bruit et qui permette ainsi une diminution seuils de détection. Pour atteindre ces buts, l'invention a plus précisément pour objet un dispositif amplificateur d'un capteur à réponse en tension et/ou impédance. Le dispositif comprend - des moyens de contrôle de tension, connectés à des bornes de sortie du capteur pour imposer entre lesdites bornes une tension sensiblement constante, - au moins une impédance dite additionnelle connectée en série avec le capteur dans un circuit de polarisation, entre des bornes de sortie dudit dispositif. Grâce moyens de contrôle de tension, une modification de l'impédance équivalente du capteur ou une modification de la tension délivrée par la source i de tension équivalente du capteur, se traduit par une modification du courant qui traverse le capteur. Ceci est dû au fait que tension à ses bornes est imposée et fixe. Or, comme l'impédance additionnelle est connectée en série avec le capteur dans le circuit de polarisation, le courant du capteur traverse aussi cette impédance. La modification du courant se retrouve donc sous forme de modification de la tension aux bornes de l'impédance additionnelle. L'impédance additionnelle est connectée entre des bornes de sortie du circuit, de sorte que la variation de la tension aux bornes de l'impédance additionnelle soit incluse dans le signal de sortie. Les bornes de sortie du dispositif sont par exemple les bornes l'impédance additionnelle ou les bornes de l'ensemble formé par l'impédance additionnelle en série avec le capteur (aux bornes duquel la tension constante). Selon une réalisation particulière du dispositif de l'invention, moyens de contrôle de tension peuvent comporter transistor à effet de champ. Le capteur est alors connecté entre la grille et la source du transistor l'impédance additionnelle est connectée entre la grille et le drain du transistor. Le transistor est par exemple un transistor MOS (Metal- Oxyde-Semiconducteur connecté en source commune et polarisé de préférence en régime de saturation. Le choix d'un courant polarisation important permet en effet de garantir une bonne constance, de la tension grille-source. Les moyens de polarisation peuvent comporter par exemple une source de courant connectée entre les source et drain du transistor. L'invention concerne également un système de mesure d une grandeur physique utilisant capteur à réponse en tension ou en impédance, associé à un dispositif amplificateur tel que décrit. Bien que réalisable avec tout type capteur à réponse tension et/ou en impédance le système de mesure peut comporter en particulier un capteur choisi parmi un thermocouple, un dosimètre ou un capteur chimique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Brève description des figures - La figure 1 est une représentation schématique simplifiée d'un système de mesure conforme à 'invention ; - figure 2 est un schéma électrique représentant une possibilité de réalisation du système de mesure à partir d'un transistor à effet de champ ; - Les figures 3 à 5 sont des schémas électriques illustrant trois applications particulières du système de mesure de la figure 2 ; - La figure 6 est un graphique montrant l'évolution temporelle de la tension de sortie d'un système de mesVre conforme à l'invention incluant un capteur de potentiel hydrogène ; - La figure 7 est un graphique indiquant la valeur maximum d'une tension de sortie dudit système de mesure en fonction de valeurs de potentiel hydrogène mesurées dans une solution. Description détaillée de modes de mise en oeuvre de 'invention Dans la description qui suit, des éléments identiques similaires ou équivalents des différentes figures sont repérés avec les mêmes références numériques. La figure 1 illustre le principe de fonctionnement général de l'invention. Un capteur 10 et une impédance additionnelle sont connectés en série dans un circuit de polarisation relié aux bornes de moyens de polarisation 14. moyens de polarisation 14 font circuler dans le capteur et l'impédance additionnelle 12 un courant note I la figure. L'impédance additionnelle 12 est connectée entre n#ud 16, qui la relie au capteur 10, et une borne de sortie 18. Le capteur 10 est connecté entre le n#ud 16 une borne de masse 20. Des moyens de contrôle de tension 22 sont également connectés au noeud 16. Ils imposent tension constante aux bornes de la charge, c'est-à- dire, dans l'exemple de la figure, entre le noeud 16 la borne de masse 20. i L'entrée du dispositif correspond aux bornes capteur et la sortie en tension du dispositif peut être prise aux bornes de l'impédance additionnelle, c' -à- dire entre le noeud 16 et la borne de sortie 18. Comme la tension aux bornes du capteur est constante, la sortie du dispositif peut aussi etre prise entre la borne de sortie 18 et la borne de masse 20. C'est cette deuxième solution qui est retenue dans la suite de la description. La figure 2 montre une réalisation particulière du système de mesure dans lequel les moyens de contrôle de courant 22 comportent un transistor à effet de champ à grille isolée, par exemple du type MOSFET à canal et dans lequel les moyens de polarisation 14 comportent une source de courant. Le drain, la source et la grille du transistor 22 sont respectivement connectés la borne de sortie 18, à la borne de masse 20 et au n#ud 16. La source de courant délivre un courant de valeur Io qui est dérivé en un premier courant de valeur IDs traversant le canal du transistor et en un deuxième courant I qui traverse l'impédance additionnelle . Le choix d'un fort courant de polarisation (Io I) permet de faire fonctionner le transistor 22 dans un régime sature et donc de fixer sa tension de grille (ici la tension grille-source) à une valeur d'équilibre quasiment constante. Cette valeur, imposée aux bornes du capteur 10, est notée VGso dans la suite du texte. courant I qui traverse l'impédance additionnelle 12 est sensiblement le même que le courant qui traverse la charge 10 en série avec l'impedance additionnelle. En effet, la valeur IG d'un courant de grille du transistor, partant du n#ud 16, est extrêmement faible (I IG) . L'ensemble formé par le capteur 10 et l'impédance additionnelle 12 constitue un pont diviseur entre la tension drain-source du transistor, notée VDs, et la tension grille-source. Par ailleurs, l'impédance additionnelle de valeur Z connectée entre le drain et la grille du transistor 22 agit comme une boucle de rétroaction permettant l'asservissement et la stabilisation la tension grille-source, c'est-à-dire la tension aux bornes du capteur. On observe sur la figure que le capteur 1 est modélise comme une source de tension équivalente 24, de valeur en série avec une impédance équivalente 26 de valeur ZTh. La figure indique ces équivalents de Thévenin. Comme la tension VGso est constante, une variation dETh ou dZTh des caractéristiques ETh, ZTh du capteur 10, en réponse à une variation de la grandeur physique à détecter, sont transformées en variation du courant I. Ces variations, amplifiées au travers de l'impédance additionnelle 12, de valeur Z, sont mesurées comme des variations dVDs de la tension drain-source VDs du transistor. La variation dVDS peut être reliée aux variations dZTh et dETh par la relation suivante Pour des capteurs sensibles à une grandeur X seulement au travers de leur source de tension ETh équivalente avec une sensibilité e telle que dETh = et dZTh = 0, le circuit est avantageux en particulier lorsque la condition suivante est satisfaite Cette condition permet d'obtenir un signal de sortie de plus forte amplitude qu'un signal que délivrerait le capteur pris seul. En d'autres termes, la valeur Z de l'impédance additionnelle est préférentiellement choisie supérieure à valeur ZTh de l'impédance interne 26 du capteur. Pour des capteurs sensibles à une grandeur physique seulement par l'impédance ZTh avec une sensibilité z telle que dZTh = zdX et dETh = 0, le circuit est avantageux en particulier lorsque la condition suivante est vérifiée La figure 3 illustre le système de mesure de la figure 2 adapté à un capteur thermique du type thermocouple. Les thermocouples fonctionnent sur un principe mettant à profit l'effet Seebeck. Celui-ci relie les variations de la température T à des variations d'un potentiel thermoélectrique. L'impédance du thermocouple cependant sensiblement invariable. Ainsi, le thermocouple peut être modélisé, comme montre la figure 3, par une source de tension variable 24 de valeur ETh en série avec une impédance 26, purement résistive, avec une valeur RTh. Dans cet exemple, il est préférable de choisir une impédance additionnelle 12 également purement résistive, de valeur R. Dans le cas où le transistor 22 est un transistor de type MOS à canal N avec une tension de seuil VT, un fonctionnement optimal est obtenu lorsque les relations suivantes sont vérifiées En considérant la tension VDS comme tension de sortie, la sensibilité de mesure de la température est amplifiée pour atteindre la valeur où a est la sensibilité intrinsèque thermocouple. La figure 4 donne un autre exemple d'application de l'invention dans lequel capteur 10 est un dosimètre, c'est-à-dire un capteur sensible aux rayonnements. Un tel composant utilise par exemple une capacité de type MOS (Metal-Oxyde-Semiconducteur). Le degré d'irradiation est mesuré la variation d'un potentiel électrique VFb dit potentiel de bande plate. Le capteur 10 peut donc être modélisé par une source de tension 24 variable, de valeur ETh et de sensibilité constante e en série avec une impédance 26 purement capacitive de valeur CTh. Dans l'exemple de la figure 4, l'impédance additionnelle 12 est aussi choisie purement capacitive présente une valeur C. Le transistor 22 un transistor MOS à canal P avec une tension de seuil VT. observe à ce sujet que le sens du courant est inversé par rapport aux figures précédentes qui correspondent à des montages autour d'un transistor à canal N. Dans cet exemple, le circuit fonctionne façon optimale avec des composants choisis pour satisfaire les relations suivantes En linéarisant la réponse de la capacité en définissant ainsi sa sensibilité intrinsèque la sensibilité de la mesure de dose de rayonnement D, notée est telle que La figure 5 donne un troisième exemple dans lequel le capteur 10 est une capacité ionosensible à effet de champ du type ISFEC (Ion Sensitive Field Effect Capacitor). De tels capteurs sont utilisés en pH-métrie. La mesure du pH d'une solution se fait au travers de la variation d'un/potentiel électrique ' une interface isolant/électrolyte. Les capteurs de type ISFEC peuvent être modélisés par une source de tension variable 24 de valeurs et de sensibilité s, en série avec une impédance sous la forme d'un condensateur MOS 26a de valeur capacitive constante CTh, en série avec une résistance 26b de valeur RS. Cette valeur résistive provient la résistance série de l'électrolyte et d'une électrode de référence du capteur. On peut observer sur la figure que l'impédance additionnelle 12 comprend une valeur capacitive C sous la forme d'un condensateur 12a, en parallèle avec une valeur resistive R sous la forme d'une résistance 12b. On observe également qu'une résistance 28 de valeur Rp est connectée en parallèle à la charge entre le nceud et la borne de masse 20. Des résistances de fuite, de fortes valeurs, correspondent aux fuites de courant de la capacité MOS 26a et la capacité grille-source du transistor 22. Les résistances 12b et 28, de plus faibles valeurs, forment un pont diviseur et permettent de négliger ces résistances de fuite, dont la valeur est difficilement déterminable. Elles permettent donc de contrôler les courants de fuite. L'amplification des propriétés de détection du pH obtenue dans le pont formé par le capteur 10 et le condensateur 12a est cependant atténuée par la valeur de la résistance série de valeur RS et les effets du pont des résistances 12b-28. Ce transistor 22 est un transistor à canal P avec i une tension de seuil VT. Pour un fonctionnement optimal du circuit, composants sont choisis pour satisfaire les relations suivantes comportement de la tension VDS du système de figure 5 est dynamique. Il présente d'abord un régime transitoire A lié aux effets du pont 10, 12a capteur/capacité puis d'un régime continu B lié au pont résistif 28, 12b. Ces régimes sont indiqués sur la figure 6. Celle-ci indique la tension VDS, reportée en ordonnée et exprimée en Volt en fonction du temps reporté en abscisse et exprimé en millisecondes. Le maximum de. tension Vn,a,, est ainsi représentatif de l'amplification des propriétés de détection. La sensibilité de mesure du potentiel hydrogène est amplifiée pour atteindre la valeur Le rapport est représentatif de l'amplification du pont capacitif alors que coefficient Ct est représentatif de l'atténuation l'amplification due au pont résistif (R, Rp) et à la résistance série RS (U Ceci ressort de la figure 7 qui indique en ordonnee les tensions Vma, mesurées avec le système de la figure 5, en fonction du pH reporté en abscisse. Les tensions sont exprimées en Volt. REVENDICATIONS . Dispositif amplificateur pour capteur (10) réponse en tension et/ou impédance comprenant - des moyens de contrôle de tension (22) connectés à des bornes de sortie (16, 20) du capteur pour imposer entre lesdites bornes une tension sensiblement constante, - au moins une impédance additionnelle (12) connectée en série avec le capteur dans un circuit de polarisation, entre des bornes de sortie (18-16 ; 18-20) dudit dispositif. . Dispositif selon la revendication 1, dans lequel les moyens de contrôle de tension (22) comportant un transistor à effet de champ avec une grille, une source et un drain, dans lequel le capteur (10) est connecté entre la grille et la source du transistor et dans lequel l'impédance additionnelle (12) est connectée entre la grille et le drain transistor. . Dispositif selon la revendication 1 dans lequel le transistor est du type MOS (Metal-Oxyde Semiconducteur). 4. Dispositif selon la revendication 1, comprenant des moyens de polarisation (14) pour polariser le transistor dans un régime de saturation. 5. Dispositif selon la revendication 2, dans lequel les moyens de polarisation (14) comportent une source de courant connectée aux bornes de sortie (18, et entre les source et drain du transistor (22). 6. Système de mesure d'une grandeur physique comprenant un capteur (10) à réponse en tension et/ou impédance et un dispositif amplificateur selon l'une quelconque des revendications précédentes. 7. Système de mesure selon la revendication 6, dans lequel le capteur est un thermocouple. 8. Système selon la revendication 7, dans lequel le capteur présente un potentiel thermoélectrique (2 de valeur ETh et une impédance (26) de valeur purement résistive RTh, dans lequel l'impédance additionnelle (12) présente une valeur résistive R et dans lequel inégalités suivantes sont vérifiées où VT, IG, Io, VDs, VGso et I sont respectivement tension de seuil d'un transistor à effet de champ à canal N, utilisé comme moyen de contrôle de tension, un courant de grille du transistor, un courant de polarisation du transistor, une tension drain-source du transistor, une tension de grille-source d'équilibre du transistor et un courant traversant le capteur. 9. Système selon la revendication 8, dans lequel le capteur est un dosimètre MOS équivalent à une source de tension variable (24) de valeur ETh et présentant une impédance (26) de valeur capacitive CTh, dans lequel l'impédance additionnelle (12) présente une impédance capacitive C et dans lequel les inégalités suivantes sont vérifiées où IG, Ia, VDS, VGso et I sont respectivement une tension de seuil d'un transistor à effet de champ à canal P, utilisé comme moyen de contrôle de tension, un courant de grille du transistor, un courant de polarisation du transistor, une tension drain source du transistor, une tension de grille-source d'équilibre du transistor et un courant traversant le capteur. 0. Système selon la revendication 6, dans lequel le capteur (10) est un capteur ionosensible de type ISFEC équivalent à une source de tension variable (24) de valeur ETh en série avec une impédance formée d'une capacité constante (26a) de valeur CTh et une résistance (26b) dans lequel l'impédance additionnelle (12) présente une capacité de valeur C en parallèle avec une résistance de valeur R, dans lequel une résistance (28) de valeur Rp est connectée en parallèle capteur (10), et dans lequel les inégalités suivantes sont vérifiées où VT, Ic, Ia, VDS, Vcso et I sont respectivement une tension de seuil d'un transistor à effet de champ à canal P, utilise comme moyen de contrôle de tension, un courant de grille du transistor, un courant de polarisation du transistor, une tension drain-source du transistor, une tension de grille-source d'équilibre du transistor et courant traversant le capteur.