Brevet FR2803957A1 — publié le 20010720

MICRO-ACTIONEUR CAPACITIF A STRUCTURE DEFORMABLE OPTIMISE POUR MEMOIRE A DISQUES, ET PROCEDE DE FABRICATION - DESCRIPTION Domaine technique La présente invention a pour objet un micro-actioneur permettant à . la tête d'écriture- lecture de suivre des pistes enregistrées de petite dimension, sur un disque dur, ainsi que son procédé de fabrication. Elle trouve des applications dans le domaine des mémoires à disques durs, pour le stockage de masse d'informations. -Etat de l'art antérieure Une mémoire à disque dur montrée schématiquement sur la figure 1 comprend essentiellement un ou plusieurs disques (100) revêtus d'une couche d'enregistrement support d'informations. La ou les têtes magnétiques d'écriture et de lecture (l03) sont maintenues en position par une suspension (102). Cette suspension est montée sur un actionneur électromagnétique (101) , qui par rotation positionne la tête (103) sur la piste magnétique (l04) qui sera lue, ou enregistrée. La piste (104) comporte des zones portant des informations particulières destinées à fournir à la tête des signaux qui après traitement seront envoyés à l'actionneur (l01) afin de centrer en permanence la tête sur la piste (l04). D'une façon générale, les besoins de l'informatique font que les capacités des mémoires à disques doublent en moyenne tous les 18 mois. Pour suivre cette forte croissance en densité d'enregistrement, il faut augmenter à la fois le nombre de bits d'informations le long de la piste ce que l'homme de l'art appelle la densité .linéique, et à la fois augmenter le nombre de pistes , ce que l'homme de l'art appelle la densité radiale . Il est admis que les actionneurs ne permettront pas d'atteindre une densité radiale supérieure à 1000 pistes par millimètre. II devient donc indispensable d'adjoindre à l'actionneur selon l'art actuel, un autre actionneur, permettant un très faible déplacement de la tête, mais avec une grande précision, et une grande rapidité. C'est la raison pour laquelle l'industrie envisage un second étage d'actionneur, que l'on appelle micro- actioneur, comme montré sur la figure 2 . Plusieurs solutions ont été proposées pour réaliser ces micro- actioneurs. Celles qui paraissent les plus prometteuses, consistent à placer le micro-actioneur (200) entre la tête (l03) et la suspension (102), comme le montre la figure 2. Le micro-actioneur (200) est réalisé par les technologies souvent appelées MEM qui en terme anglo-saxon sont les initiales de Micro Electronie Machimng, c'est à dire des technologies semblables à celles de circuit intégrés. La figure 3 montre le schéma d'un micro-actioneur selon l'art antérieur. On trouve la partie mobile (300) qui se déplace dans la direction des flèches (305). Cette partie mobile est maintenue par des poutres (301) qui forment un parallélogramme déformable, relié à l'autre extrémité à une partie fixe (302). Ces poutres ont une épaisseur de 30 à 40 gm , et une largeur de 4 à 5 gin. Elles sont en silicium poly cristallin, ou parfois en nickel électrolysé. Attachés à la partie mobile (300), on trouve une série de peignes (303), entrelacés avec une autre série de peignes (304) reliés à la partie fixe (302) . La séparation entre les peignes est de l'ordre de 3 gm. En appliquant une tension de l'ordre de 80 volts, entre les peignes, par attraction ou répulsion électrostatique, les peignes se rapprochent ou s'éloignent l'un de l'autre. On peut donc obtenir une excursion de la partie mobile du micro-actioneur de plus ou moins 1,5 gin. Les poutres (301) présentent une faible flexibilité dans la direction des flèches (305), et une plus grande rigidité perpendiculairement au plan de la figure 3. Toutes les formes et structures du micro-actioneur sont réalisées par les techniques MEM, proches de celles de la microélectronique. Il faut noter que l'on trouve des micro-actioneurs à déplacement rectiligne ou d'autres micro- actioneur à déplacements rotatifs. Un exemple de ces dispositifs est décrit dans la publication Magnetic Recording Head Positioning at Very High Track Densities Using a Microactuator-Based Two-Stage Servo System par L.S Fan, H.H Ottesen, T.C Reilley et R.W.Wood, IEEE Trans on Industnal Electronics, vol. 42, 3,pp. 222-223, June 1995. D'autres techniques utilisant la déformation de quartz piézo électrique, ont été proposées. Bien que donnant satisfaction à certains égards, les micro- actioneurs, selon les structures décrites par la figure 3, présentent de nombreux défauts La force d'attraction entre les peignes est directement liée à la capacité entre les peignes. Malgré des formes en créneaux qui permettent d'augmenter les surfaces en regard de ces peignes, la capacité ainsi formée est de 2 à 3 picofarads. L'énergie développées par ces micro actioneurs est donc très faible. Des peignes semblables à ceux des micro- actioneurs sont également utilisés pour réaliser des accéléromètres. Dans ce cas, les peignes sont protégés par un chapeau étanche, qui évite que des poussières, des particules, de l'humidité, puissent s'intercaler entre les peignes, pouvant perturber, ou même bloquer leur mouvement. Dans le cas des micro-actioneurs pour mémoire à disque, la partie mobile du micro-actioneur supporte la tête. Il est donc impossible selon cet art antérieur, d'étanchéifier les espaces entre les peignes pour éviter les agressions extérieures. On trouve ce problème à deux niveaux --- Toutes les opérations de montage du micro-actioneur sur la suspension, et de la tête sur le micro-actioneur, nécessitant des manipulations sont très risquées à cause de la fragilité des micro- actioneurs. Par exemple, la soudure des plots de sortie de la tête est très délicate, car c'est un procédé ultrasonique qui est souvent utilisé. Cette technique est incompatible avec la fragilité du micro-actioneur, qui serait irrémédiablement détruit par l'énergie ultrasonique. Avant d'être monté dans la mémoire à disque, l'ensemble suspension, micro-actioneur, tête d'écriture/lecture, subit de nombreux nettoyages, qui sont autant de cause de destruction du micro-actioneur, car si un liquide s'infiltre entre les peignes, il est très difficile de l'en extraire. Ainsi, on peut dire que ces micro-actioneurs, sont difficilement compatibles avec les procédés d'assemblage utilisés actuellement dans l'industrie. --- Le risque est tout aussi grand, lorsque le micro-actioneur supportant la tête est en fonctionnement à l'intérieur de la mémoire à disque. La tête vole à quelques dizaines de nanomètres au dessus du disque. A l'arrière de la tête on trouve au cours du temps des accumulations de fines particules , issues des atterrissages et décollages de la tête. Ces particules ne gênent pas le vol de la tête. Par contre, les mêmes particules, peuvent pénétrer entre les peignes du micro-actioneur qui sont situés juste sous la tête, et bloquer son fonctionnement. Par ailleurs, la mémoire à disque est parfois soumise à des chocs accidentels. Selon les normalisations internationales, une mémoire a disque doit pouvoir accepter des chocs supérieurs à 500 g . L'énergie du choc se transmet du disque vers la tête. Cette dernière décolle du disque, puis est rabattue avec violence par la suspension sur le disque. Le micro-actioneur risquerait d'être gravement endommagé. Afin d'éviter ces inconvénients, une nouvelle structure, représentée sur les figures 4A, 4B, et 4C, a été proposée par la demande de brevet d'invention N 9906430 du 18 mai 1999. II s'agit d'une structure déformable utilisant un élastomère du type latex (200) ayant un faible module d'Young, qui sous l'influence de couches conductrices (403) déposées dans le plan du micro-actionneur, décalées les unes des autres, formant un moteur électrostatique, qui génère des forces de cisaillement, déforment l'élastomère, produisant un déplacement du plan supérieur du micro-actionneur (401) , par rapport au plan inférieur (402), comme le montrent les figures 4B et 4C, selon les polarisations électriques des électrodes (403) . Bien que donnant satisfaction à certains égards, les micro actioneurs utilisant la déformation d'un élastomère, décrits précédemment, présentent une rigidité importante face aux forces de déformation produites par le moteurs électrostatique. La présente invention ajustement pour but de remédier à ces inconvénients, en proposant une structure de moteur électrostatique beaucoup plus efficace d'une part, et une structure déformable à base d'élastomère offrant une plus faible rigidité dans le sens des déplacements, d'autre part, ainsi que le procédé de fabrication. Exposé de l'invention A cette fin, l'invention propose un micro-actioneur constitué d'une membrane périphérique déformable en matériau du type élastomère, séparant deux plans horizontaux, qui maintiennent des électrodes verticales formant un condensateur. Les électrodes verticales sont séparées par une distance légèrement supérieure au déplacement des deux plans horizontaux, ce qui fait que le volume interne à la membrane périphérique est entièrement occupé par le moteur électrostatique, lui permettant de générer des forces très importantes, en regard de celles nécessaires à la déformation de la membrane périphérique. Les électrodes verticales sont alternativement attachées au plan horizontal supérieur, et au plan horizontal inférieur. Leur polarisation électrique est telle que chaque électrode verticale, est soumise à la fois à une force d'attraction qui se cumule à une force de répulsion générées par les électrodes voisines. Le micro-actionneur selon l'invention, présente une grande flexibilité dans la direction de déplacement, et une forte rigidité perpendiculairement au plan du micro-actioneur, ce qui lui permet d'encaisser des chocs, et même de les amortir. Selon l'invention, le micro-actioneur est très robuste, il est insensible aux particules, ou aux liquides. Les électrodes sont dans un volume totalement isolé de l'extérieur par la membrane périphérique. II fonctionne avec des tensions inférieures à 100 Volts. Il ne présente pas de fatigue ni d'hystérésis. Il est parfaitement compatible avec les procédés actuellement utilisés dans l'industrie pour l'assemblage des têtes sur leur suspension. Il ne présente aucun risque à l'intérieur de la mémoire à disque face à l'accumulation de particules. Vu de l'extérieur, il se présente sous la forme d'un volume homogène , qui se déforme en fonction des forces générées par le moteur électrostatique. De façon plus précise, la présente invention a pour objet, un micro- actioneur pour mémoire à disque, et son procédé de fabrication, constitué d'un ensemble d'électrodes planes verticales maintenues alternativement par un plan horizontal supérieur et par un plan horizontal inférieur, les plans horizontaux supérieur et inférieur, étant tenus par une membrane périphérique déformable du type élastomère, comme du caoutchouc du latex, ou du silicone. La polarisation électrique des électrodes verticales, génère sur chacune d'elle une force d'attraction et de répulsion par rapport aux électrodes voisines ces forces d'attraction et de répulsion s'ajoutant pour engendrer une force résultante de grande intensité. La membrane déformable qui supporte les plans horizontaux supérieurs et inférieurs, assure l'étanchéité du moteur électrostatique par rapport à l'environnement extérieur au micro-actionneur. Le plan horizontal inférieur du micro-actioneur est collé sur la suspension , le plan horizontal supérieur du micro-actioneur supporte la tête. La déformation de la membrane périphérique est très petite par rapport à sa hauteur, ce qui n'engendre aucune hystérésis, ni de fatigue. Le micro-actioneur, selon l'invention, présente une capacité sensiblement supérieure a celle des micro-actioneurs selon l'art antérieur. L'intensité des forces engendrées par le moteur électrostatique, dont les électrodes se déplacent perpendiculairement à leur plan, est sensiblement plus importante que celle des moteurs électrostatiques de l'art antérieur. Selon un autre mode de l'invention, la membrane périphérique entre les plans horizontaux supérieur et inférieur, a une forme optimisée, afin qu'elle offre une faible résistance à la déformation, dans la direction du déplacement. Selon un autre mode préféré de l'invention, le micro-actionneur a une forme circulaire, faisant pivoter l'un par rapport à l'autre les plans horizontaux supérieur et inférieur. Le micro-actioneur selon l'une quelconque des structures décrites précédemment, présente une grande rigidité verticale. En cas de choc, le matériau déformable de par son élasticité, absorbera le choc, évitant par la même une détérioration de la tête, du micro-actioneur lui même, ou de la surface du disque. Selon l'invention, le déplacement de la surface supérieure du micro- actioneur par rapport à sa surface inférieure, peut-être rectiligne, ou rotatif. Ce déplacement peut être mesuré par la variation de capacité entre des électrodes voisine. II est donc possible d'asservir les déplacements du micro-actionneur, et par là même de s'affranchir de possibles non linéarités dans la déformation de la membrane périphérique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention, ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif mais non limitatif, en référence aux dessins annexés. Brève description des dessins. les figures 1, déjà décrite, montre le schéma d'une mémoire à disques * la figure 2 , déjà décrite, montre la position du micro-actioneur, entre la tête et la suspension. la figure 3 déjà décrite, montre la structure d'un micro-actioneur selon un art antérieur. les figures 4 A, 4B, 4C, déjà décrites, montrent une structure d'un micro-actioneur selon un autre art antérieur utilisant la déformation d'un matériau du type élastomère, ainsi que les déplacements des plans (401) et (402) selon la polarité des électrodes. les figure 5 montre la coupe d'un micro-actionneur selon l'invention. la figure 6 montre le mouvement du plan horizontal supérieur par rapport au plan horizontal inférieur. la figure 7 montre un micro-actionneur à déplacement circulaire, la figure 8 montre le procédé de réalisation du premier groupe d'électrodes verticales, attachées au plan inférieur. la figure 9 montre le procédé de réalisation du second groupe d'électrodes verticales attachées au plan supérieur. la figure 10 montre le procédé de réalisation de la membrane périphérique ainsi que celui du plan supérieur. Exposé détaillé d'un mode de réalisation La figure 5 montre un premier mode de réalisation du micro- actioneur selon l'invention. Le rnicro-actioneur (200) selon un premier mode de l'invention, se présente sous la forme d'un parallélépipède plat. Sa largeur et sa longueur sont sensiblement égales à celles de la tête (103) de la figure 2, qui sera collée sur sa surface supérieure (502), tandis que sa surface inférieure (501) sera collée sur la suspension (102) de la figure 2. L'épaisseur du micro-actioneur (200) est de l'ordre de 30gm à 100m, sa longueur de 1,25 mm, et sa largeur de lmm, lorsque la tête (103) est au format international dit pico . Le micro-actioneur (200) apparaît de . l'extérieur, comme un parallélépipède plat, constitué de deux surfaces rigides (502) et (501) reliées entre elles par une membrane périphérique déformable (500) ,constituée d'une élastomère, comme du caoutchouc, du latex, ou du silicone, donné à titre d'exemple non limitatif. L'élasticité d'un matériau se définit par son module d' Young . Le nickel par exemple a un module d'Young de 200 Giga Pascal (200GPa). Le silicium supérieur à 100GPa. Les élastomères déformables (500) selon l'invention, présentent un module d'Young compris entre 0,1 Méga Pascal (0,1MPa) , et 100 MPa. Le latex par exemple a un module d' Young de 4MPa. A l'intérieur du micro-actioneur, on trouve un . ensemble d'électrodes verticales supportées alternativement par les plans (502) et (501). Ainsi, les électrodes (503) et (505) sont tenues par le plan supérieur (502), alors que l'électrode (504) est tenue par le plan inférieur (501). Ces électrodes une fois alimentée par une tension électrique, forment un moteur électrostatique, qui génère des forces horizontales entre chaque électrode, perpendiculaires au plan des électrodes, qui se transmettent aux surfaces rigides supérieure (502) et inférieure (501). Ces surfaces sous l'effet des forces produites par les électrodes vont se déplacer en déformant légèrement la membrane périphérique (500) . La figure 6 montre un exemple de déplacement. Supposons que l'électrode (503) soit polarisée positivement, que l'électrode (504) soit également polarisée positivement, et que l'électrode (505) soit polarisée négativement. L'électrode (503) sera repoussée de l'électrode (504), alors que cette dernière sera attirée par l'électrode (505) . On voit donc, selon l'invention que chaque électrode est soumise à une force de répulsion selon une de ses faces , et d'attraction selon l'autre face, ou vice et versa, les forces s'additionnant pour donner une résultante générale qui déplacera le plan supérieur par rapport au plan inférieur. A titre d'exemple, si l'on considère un micro-actionneur ayant les dimensions définies précédemment, les électrodes forment une capacité de 58 pF, et génèrent une force de 0,24 , pour une tension appliquée de 100 volts. Si les déplacement maximum recherchés entre le plan supérieur (502) et le plan inférieur (501) est de plus ou moins 2 pm, alors la séparation entre chaque électrode sera légèrement supérieure à 2 pm, soit par exemple 3@m. Afin d'éviter tout court circuit entre électrode si à cause d'un . problème quelconque, le déplacement du plan supérieur par rapport au plan inférieur était plus grand que 3 1im qui ferait que les électrodes puissent se toucher, l'ensemble des électrodes attachées au plan horizontal inférieur par exemple, selon l'invention sont .isolées par une couche mince diélectrique. Selon l'invention, le micro-actionneur a une forme rectangulaire, avec un mouvement rectiligne du plan supérieur par rapport au plan inférieur. Afin de réduire la rigidité de la partie de la membrane périphérique parallèle au déplacement, selon un mode optimisé de l'invention, la forme de ces parties de la membrane, peuvent avantageusement être circulaires, ou coudées . Selon un autre mode de . réalisation, le micro-actionneur est rotatif. Dans ce cas, les plans supérieur (502) et inférieur (501) ont une forme circulaire. Les électrodes verticales sont positionnées selon des rayons, et la membrane périphérique extérieure est circulaire, comme le montre la figure 7 vue en plan. On retrouve la membrane périphérique (500), les électrodes verticales (503) , (504) , (505), installées sous forme de rayons, attachées alternativement aux surfaces supérieures et inférieures du micro- actionneur. Au centre, on trouve un pilier (700) qui présente une rigidité importante dans le plan, mais une faible rigidité en rotation. Le déplacement relatif des deux surfaces supérieure et inférieure, est de l'ordre de plus ou moins un à deux microns. Si l'épaisseur du micro-actioneur est de 100 gm , la déformation de la membrane périphérique ne sera que de quelques pour-cent. Les matériaux déformables selon l'invention peuvent accepter des déformations élastiques de l'ordre de 700 pour-cent. Les déformations du micro actioneur selon l'invention, sont tellement petites par rapport à ce que le matériau pourrait encaisser, qu'elles ne s'accompagnent ni d'hystérésis, n 1 de fatigue. En mesurant la capacité entre les électrodes (503) et (S04) par exemple, qui traduit directement la séparation entre ces électrodes, c'est à dire qui donne une mesure précise des déplacements, il est possible de réaliser une boucle d'asservissement électronique, qui de ce fait annule toute non linéarité dans les déplacements. Le micro-actioneur (200) selon l'invention, apparaît comme un ensemble homogène, sans micro-cavités. II est inerte chimiquement, notamment aux agents liquïdes de nettoyage. Il est très robuste mécaniquement, surtout dans les directions perpendiculaires au plan des surfaces (501) et (502). Comme la membrane périphérique reliant les deux plans rigides du micro-actionneur, est constitué de,matériau déformable, et comme le micro-actionneur est situé entre la suspension et la tête, il constitue un parfait amortisseur de chocs. Procédé de fabrication Sur un substrat (800) qui peut avantageusement être une tranche de silicium, comme utilisé dans le domaine de la microélectronique, on dépose une première couche (801) dite sacrificielle , c'est à dire que . l'on éliminera par la suite. Cette couche peut-être de la résine, ou un polymère que l'on peut dissoudre dans des solvants spécifiques, ou une couche métallique ou diélectrique, connus de l'homme de l'art. La couche sacrificielle peut avoir une épaisseur de quelques microns. Sur cette couche sacrificielle, on dépose une couche diélectrique (501) qui constituera la surface inférieure du micro-actionneur. Cette couche peut être du Si02 par exemple déposé selon des procédés à basse température, comme le CVD soit en terme anglo-saxon Chemical Vapor Déposition , procédé connu de l'homme de l'art. La couche de Si02 peut avoir une épaisseur de l'ordre de quelques microns. Sur cette couche de Si02, on dépose une couche conductrice qui après photolithographie et gravure, techniques connues des procédés de la microélectronique, constituera des interconnexions (802) reliés à la source de tension, sur lesquels on va réaliser le premier ensemble d'électrodes . On dépose ensuite une couche de résine photosensible (803) d'épaisseur de quelques microns à une centaine de microns. On réalise ensuite une lithographie, suivie d'une révélation qui va réaliser des tranchées (804) dans la résine, ces tranchées débouchant vers le bas sur les conducteurs (802) . On comblera ensuite ces tranchées par croissance électrolytique d'un conducteur, comme du cuivre, ou du nickel par exemple. D'autres méthodes de comblement connues de l'homme de l'art, comme le CVD par exemple peuvent également être utilisées. On élimine ensuite la résine, et on dépose sur toutes les surfaces des électrodes, une couche diélectrique fine de l'ordre de 1000 A , comme du Si02 par exemple, en utilisant un dépôt CVD par exemple, afin que le dépôt soit le plus homogène possible . Cette couche isolera les électrodes. Sur cet ensemble, on dépose une couche de résine, ou de matériau organique disolvable par un solvant connu de l'homme de l'art. Cette couche (900) de la figure 9, a une épaisseur supérieure à la hauteur du premier ensemble d'électrodes (804) . Sur cette couche (900), on dépose une couche de S102 (901) qui servira de masque de gravure de la couche (900). Après lithographie, et gravure de la couche de Si02 (901), on grave la couche (900) sous forme de tranchées (902) , dont le fond ne touchera pas la couche (50l) . Le fond pourra se situer à environ 5 #tm au dessus . de la couche (501). On dépose ensuite une couche mince conductrice (903) qui tapissera l'intérieur des tranchées (902). En utilisant cette couche conductrice comme électrode, on fera pousser par électrolyse un matériaux conducteur comme du nickel ou du cuivre à l'intérieur des tranchées (902) constituant ainsi un second ensemble d'électrodes qui seront attachées au plan supérieur. On peut également utiliser un dépôt CVD pour combler les tranchées (902 . Sur la surface (903), on réalise ensuite une lithographie, suivie d'une gravure pour faire les connexions (1000) des électrodes du plan supérieur, comme le montre la figure 10. Les connections (1000) relient donc les électrodes supérieures à la source de tension. On réalise ensuite une lithographie suivie d'une gravure de la couche de S102 (901), afin de réaliser par gravure sélective, une tranchée (l001) dans la couche (900) . Cette tranchée peut avoir une largeur de 10 à l00#tm par exemple. Elle a la forme de la membrane périphérique. Cette tranchée est ensuite comblée par l'élastomère. Il se présentent sous la forme soit liquide, soit pâteuses , et se polymérise par ajout d'un liquide de polymérisation, associé à une température de l'ordre de 50 C. L'élastomère peut-être déposé soit à la raclette, soit par centrifugation. On dépose sur l'ensemble une couche de S102 épaisse, de plusieurs microns (1003) . On réalise ensuite une lithographie sur la couche de S102 (1003), afin de réaliser de nombreuses ouvertures, qui laissent la couche de S102 sous la forme d'une grille (1002) ouverte, jusqu'à la surface de la couche (900). On grave sélectivement par gravure ionique réactive, la couche (900), au travers des trous de la grille de Si02, puis on élimine totalement la couche (900) par dissolution sélective à l'aide d'un solvant approprié, connu de l'homme de l'art. On obtient donc la structure complète du micro-actionneur selon l'invention. Les électrodes supérieures sont tenues par la grille de Si02 rigide , réalisée dans la couche épaisse (1003), qui est déposée sur la membrane périphérique (l001) . On dépose par collage, sur la couche épaisse de S102 en forme de grille (1003) une couche qui peut-être un polymère , d'une dizaine de microns d'épaisseur, qui assurera l'étanchéité totale du micro-actionneur. On élimine enfin la première couche sacrificielle (801) afin de libérer chaque micro-actionneur du substrat (800) qui les a tenus pendant toute les étapes de fabrication. REVENDICATIONS 1. Micro-actioneur pour mémoire à disque, disposé entre la tête (103) et la suspension (102) animé par un moteur électrostatique, caractérisé en ce que le moteur électrostatique est constitué d'électrodes planes verticales (503), (504), (505) tenues alternativement par deux plans rigides horizontaux (502) et (50l), les deux plans horizontaux étant reliés par une membrane périphérique déformable (500) . 2. Micro-actioneur pour mémoire à disques, selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes verticales sont alimentées par une tension de polarité telle que chaque électrode est soumise à une force d'attraction sur une de ses faces, et une force de répulsion sur l'autre face, ces forces étant de même direction. 3. Micro-actioneur pour mémoire à disque, selon la revendication 1 caractérisé en ce que la membrane périphérique (500) est un élastomère du type caoutchouc, latex, silicone, ayant un module d'Young compris entre 0,1 et 100 MPa. 4. Micro-actioneur pour mémoire à disque, selon la revendication 2 caractérisé en ce que les électrodes verticales soient isolées les unes des autres par une couche diélectrique. 5. Micro-actioneur pour mémoire à disques, selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que les électrodes verticales (503) , (504) , (505) , soient dans un milieu étanche protégé par la membrane périphérique déformable (500) et les deux plans horizontaux (501) et (502), par rapport à l'environnement extérieur au micro- actionneur. 6. Micro-actioneur pour mémoire à disque, selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que le micro-actionneur a un déplacement linéaire, ou un déplacement rotatif. 7. Micro-actioneur pour mémoire à disque, selon l'une quelconque des revendications 1 à 6 caractérisé en ce qu'il comporte des moyens de mesure de la capacité entre deux électrodes voisines, représentative du déplacement du micro-actionneur. 8. Micro-actioneur pour mémoire à disque, selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que les plans horizontaux (501) et (502) sont reliés par un matériau élastique qui absorbe les chocs mécaniques, entre la suspension (l02) , et la tête (103). 9. Procédé de fabrication du micro-actionneur pour mémoire à disque, selon la revendication 1 dans lequel on réalise les étapes suivantes ---Sur un substrat (800), on dépose une couche sacrificielle (801), puis une couche rigide (501) isolante. ---On réalise un premier niveau d'interconnexions (802) du premier ensemble d'électrodes maintenues sur le plan horizontal inférieur. --- On dépose une couche épaisse de résine (803) dans laquelle on réalise des tranchées (804) que l'on comble par un matériau conducteur. ---On élimine la résine (803) ---On dépose une couche mince diélectrique d'isolation qui recouvre les électrodes. --- On dépose une couche sacrificielle organique (900) d'épaisseur supérieure à la hauteur du premier ensemble d'électrodes. ---On dépose une couche de Si02 (901) sur la couche sacrificielle (900) ---On réalise une lithographie, suivie d'une gravure de la couche de S102 (90l) afin de réaliser un masque de gravure de tranchées (902) dans la couche sacrificielle (900). --- On dépose une couche conductrice (903), et on comble par électrolyse les tranchées (902). --- On grave la couche conductrice sur la surface de la couche de S102 (901) afin de réaliser un second niveau d'interconnexions du second ensemble d'électrodes verticales. ---On grave la couche de Si02 (901) afin de faire un masque à la gravure profonde de la couche (900) pour réaliser une tranchée (1001) ayant la forme de la membrane périphérique (S00). --- On comble la tranchée (1001) par un matériau élastomère à l'aide d'une raclette, ou par centrifugation. --- On dépose une couche de Si02 épaisse (1003) que l'on grave sélectivement sous la forme d'une grille. On grave par gravure ionique réactive la couche (900) au travers des trous de la grille de Si02, puis on élimine par dissolution chimique la totalité de la couche sacrificielle (900) --- On colle sur la grille de Si02, une membrane d'étanchéité --- On élimine la couche sacrificielle (801) pour libérer tous les micro-actionneurs réalisés sur le substrat (800).