Brevet FR2807909A1 — publié le 20011019

COUCHE MINCE SEMI-CONDUCTRICE DE GaInN, SON PROCEDE DE PREPARATION ; DEL COMPRENANT CETTE COUCHE ET DISPOSITIF D'ECLAIRAGE COMPRENANT CETTE DEL DESCRIPTION L'invention concerne une couche mince, semi-conductrice, de GaInN et son procédé de préparation. L'invention a trait, en outre, à une diode électroluminescente (DEL), particulier une diode électroluminescente émettant de la lumière blanche, comprenant, dans sa zone active, une telle couche mince et, enfin, un dispositif éclairage comprenant une telle diode. Le domaine technique de l'invention peut être défini comme celui la production de lumière blanche. La lumière blanche répondant aux critères édictés par la CIE en 1964 La production lumière blanche fait actuellement l'objet de nombreuses recherches, afin de mettre au point des dispositifs présentant notamment un faible coût, une consommation énergie peu élevée, une longue durée de vie et un rendement énergétique. En effet, la lumière blanche a longtemps été essentiellement produite par les lampes à incandescence dont le rendement et la durée de vie sont très faibles, puisqu'ils sont respectivement voisins de 5 % et de 1 000 heures Le rendement des tubes fluorescents et leur durée de vie sont supérieurs, puisqu ils sont voisins de 25 % et de 1 000 heures pour les lampes fluorescentes, mais, ils présentent un certain nombre d'inconvénients : en effet, il 'agit de tubes vide, compliqués et chers à fabriquer et qui, en outre, contiennent plusieurs milligrammes de mercure hautement toxique, leur destruction en fin de vie pose donc sérieux problème environnemental. De plus, les tubes fluorescents produisent une lumière qui n'est pas agréable, ce qui limite souvent leur utilisation. En terme d'efficacité, les meilleures lampes industrielles actuelles sont les lampes à basse pression de sodium, qui ont une efficacité de l'ordre de 35 . I1 s'agit, comme pour les tubes fluorescents, de lampes peu agréables, voire inacceptables pour un éclairage courant à cause de leur couleur. La recherche s'est donc orientée vers d'autres dispositifs qui soient sûrs, solides, fiables, de grande durée de vie, susceptibles de produire de la lumière blanche à faible coût avec un rendement énergétique supérieur ou égal à celui dispositifs mentionnés plus haut. A titre d'exemple, de telles sources de lumière blanche ont été envisagées, entre autres,... les phosphores, les polymères électroluminescents et les semi-conducteurs. Les polymères électroluminescents, tels que le sont très bon marché et la technologie pour leur mise en #uvre, qui consiste simplement à intercaler le polymère entre des électrodes semi-transparentes, est très simple. Toute la gamme des couleurs visibles peut être obtenue et l'émission de blanc se fait soit par combinaison de couleurs, soit utilisation d'un seul composé de spectre assez large. Cependant, ces composés ne sont utilisés actuellement que pour l'illumination d'écrans à cristaux liquides en lumière orange. La faible durée de des émetteurs de vert et de bleu de ce type interdit la production de lumière blanche par ces polymères électroluminescents. La production de lumière blanche les semi-conducteurs, repose essentiellement les nitrures et, en particulier, les nitrures d'éléments du groupe III, qui, seuls, émettent du vert ou du bleu avec une grande efficacité et une grande longévite. Le composé de type nitrure le plus utilisé est GaInN qui émet de la lumière du bleu au rouge. Une couche mince de nitrures, par exemple, de GaInN, insérée dans un matériau, tel que le Ga Al)N et dont la bande interdite fixe la longueur d'onde émission et donc la couleur, constitue ainsi la brique élémentaire de la zone active des Diodes Electroluminescentes (DEL) de haute brillance. L'épaisseur de la couche de GaInN est 0 genéralement inférieure ou égale à 100 A et l'on parle alors communément de DEL à puits quantiques GaInNN/Ga(Al)N dont l'émission est centrée sur une couleur particulière, par exemple, le bleu ou vert. I1 est couramment admis que la composition en indium et/ou l'épaisseur de la couche de GaInN fixe l'énergie de transition du puits quantique, par conséquent, la longueur d'onde d'émission de la DEL. Les puits quantiques GaInNN/Ga(Al)N présentent cependant pour des compositions en indium supérieures à 10 %, des propriétés optiques tout fait particulieres, parmi lesquelles on peut mentionner la durée de. radiative anormalement longue des excitons et la variation très faible de l'énergie de bande interdite en fonction de la pression. Les DEUS bleues de haute brillance, dont le rendement est d'ores et déjà très élevé (supérieur à 10 %), permettent la production de lumière blanche par une technologie hybride, dans laquelle la DEL bleue sert au pompage de phosphores ou de polymères. La combinaison de la luminescence jaune de ces composés avec celle de la DEL produit de la lumière blanche par addition de couleurs. Cette technologie est actuellement largement utilisée aussi bien par NICHIA, que par HEWLETT-PACKARD , GELCORE ou par SIEMENS-OSRAM et son application à l'éclairage domestique est tout à fait prometteuse. Cependant, le couplage d'une DEL et d'un autre constituant, tel que le phosphore ou le polymère, en vue d'obtenir de la lumière blanche, est, du fait de son caractère hybride, un procédé coûteux et complexe, comprenant plusieurs étapes technologiques, impliquant, par exemple, le dépôt sur une DEL bleue, a posteriori, d'un composé de type phosphore ou polymère avant encapsulation. L'équilibrage des couleurs avec un dispositif hybride DEL-polymère/phosphore n'est pas facile et l'on n'obtient pas aisément un blanc qualifié d' agréable pour l'éclairage domestique En outre, le dispositif, à l'instar du procédé pour sa préparation, est complexe, comporte nombreux éléments et est donc moins fiable que la DEL nitrure de base dont la durée de vie intrinsèque est d'environ 100 000 heures. Enfin, de manière inhérente, le rendement d'un système hybride, dans lequel les pertes sont inévitables est inférieur à celui de la DEL nitrure de pompe. Il serait donc intéressant de disposer de diodes électroluminescentes DEL émettant directement de la lumière blanche, pour s'affranchir des inconvénients des dispositifs hybrides impliquant le couplage d'une DEL bleu ( verte) avec un phosphore ou polymère. Il a été récemment montré, dans l'article de B. DAMILANO, N. GRANDJEAN, F. SEMOND, J. MASSIES et M. LEROUX, Appl. Phys. Lett. 75, 962 (1 ), qu'il était possible de produire de la lumière blanche sous excitation optique, au moyen d'un laser dans une structure monolithique à base de semi-conducteurs nitrures d'éléments III de la classification périodique. I1 s'agit d'un empilement de quatre plans de boîtes quantiques GaN séparés par des couches d'AIN. La taille des boîtes quantiques fixe la longueur d'onde d'émission et il suffit donc d'ajuster celle-ci dans chaque plan de façon à ce que l'émission résultante des quatre plans soit blanche par le simple principe de l'addition des couleurs. Cette structure ne peut malheureusement pas être utilisée comme zone active dans un dispositif optoélectronique de type diode électroluminescente (DEL) pour une raison simple : le matériau AIN ne peut être dopé de type p. De plus, l'injection électrique dans type de structure est difficile à contrôler et peut poser un problème d'équilibrage des couleurs qui rend finalement difficile la production de blanc. I1 existe donc un besoin pour une couche semi-conductrice émettant directement de la lumière blanche (ou toute autre lumière résultant de combinaison de plusieurs couleurs, notamment de couleurs primaires), qui puisse être insérée directement comme zone active dans une DEL, à l'instar des puits quantiques GaInNN/Ga(Al)N, aujourd' utilises pour ces DEUS commerciales bleues et vertes , cette couche unique pouvant être fabriquée, simplement, à faible coût par un procédé sûr, fiable, éprouvé et présentant un nombre limité d'étapes. Le but de la présente invention est, entre autres de répondre à ces besoins. Ce but et d'autres encore sont atteints, conformément à la présente invention, par une couche mince, semi-conductrice, unique, de GaInN, émettant au moins deux lumières visibles, de couleurs déterminées dont 'addition peut notamment permettre d'obtenir de la lumière blanche. Par couche de GaInN, on entend une couche de GaInN, ou de GaInN contenant éventuellement un faible pourcentage, par exemple, d'arsenic, de phosphore ou d'antimoine. Par faible pourcentage, on entend généralement un pourcentage inférieur à 5 %. Plus précisément, la couche mince selon 'invention est formée par la juxtaposition ou superposition d'au moins deux dépôts de GaInN (de même composition ou de composition différente) dont chacun emet une lumière visible d'une couleur déterminée. Avantageusement, la combinaison desdites au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées produit de la lumière blanche. Selon l'invention, on obtient de manière totalement inattendue, l'émission de plusieurs lumières couleurs déterminées différentes, à partir d'une seule et même couche mince, unique, de GaInN. Jusqu'à présent, il n'était possible, à partir d'une seule couche mince de GaInN, de n'obtenir 'une seule lumière de couleur bien définie, par exemple bleue, verte ou jaune, comme c'est le cas dans les puits quantiques bleus ou verts, actuellement utilisés dans DEUS. On obtient, selon l'invention plusieurs émissions de lumière de couleurs déterminées et différentes, non plus à partir de plusieurs couches, nettement délimitées de GaIn(Al)N, séparées par des barrières, par exemple, de Ga(Al)N, mais bien à partir d'une seule et même couche mince, de GaInN. La couche de la présente invention se différencie donc fondamentalement de la structure complexe du document de DAMILANO et al., cité plus haut. En effet, dans ce document, ce sont quatre couches différentes séparées,/indépendantes, isolées, qui émettent avec des longueurs d'onde différentes dont la combinaison est blanche, alors que, selon 1 invention, on serait en présence dans un cas similaire, au contraire, d'une seule couche qui émettrait, par exemple, quatre longueurs d'onde différentes. Si l'on avait transposé ce type de structure réalisée pour le système GaN au système GaInNN/Ga(Al)N, en plaçant dans une jonction -n Ga(Al)N moins deux couches de GaInN séparées par une barrière en Ga(Al)N, leur émission serait centrée, par exemple, l'une sur le jaune et l'autre sur bleu et 'émission résultante globale serait du blanc, selon les critères CIE 1964. Cependant, dans le type de structure, il n'est pas aisé de contrôler l'injection électronique dans les différentes couches de GaInN, ce pose un problème d'équilibrage des couleurs et rend difficile la production de blanc. L'approche adoptée, selon l'invention, est fondamentalement différente, puisqu'une seule et même couche mince semi-conductrice, à base d'alliage de GaInN, émet non plus une seule couleur, mais plusieurs couleurs, dont la combinaison fournit, de préférence, la lumière blanche. Indiquons au passage qu'il est possible d'émettre dans tout le spectre visible et de manière continue, à partir de la couche mince unique de 'invention. Si la combinaison de ces lumières visibles de couleurs déterminées produit, de préférence, de la lumière blanche, toute lumière d'une couleur issue de la combinaison de deux lumières de couleurs déterminées ou plus peut être obtenue, par la couche selon l'invention. Ces lumières de couleurs déterminées, différentes, sont, de préférence, des couleurs dites primaires : bleue, verte ou rouge. Le blanc peut s'obtenir, par exemple, à partir de trois dépôts, qui émettent, respectivement, des lumières bleue, verte et rouge, le blanc peut de même s'obtenir à partir de deux depôts seulement, qui émettent, respectivement, des lumières bleue et jaune. De manière totalement inattendue et qui va à l'encontre de ce qui était communément admis jusqu'à présent, les inventeurs ont mis évidence, à partir d'expériences menées en photoluminescence sur des échantillons réalisés en laboratoire en Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), que hétérostructures GaInN/GaN n'ont pas le comportement attendu pour des puits quantiques. Plus précisément les inventeurs ont démontré, de manière surprenante, que l'émission de photons dans l'alliage GaInN provient de porteurs extrêmement localisés dont l'extension de la fonction d'onde associée est de l'ordre de quelques mailles atomiques. La mise en évidence experimentale de la très forte localisation des porteurs dans l'alliage GaInN est notamment à la base de la présente invention, puisqu'elle permet de juxtaposer différents dépôts de GaInN, d'épaisseur voisine, par exemple, de quelques nanomètres, sans qu'il y ait couplage des fonctions d'onde, ce qui aboutirait à un seul niveau d'énergie. En effet, si l'on considère une fine couche d'un matériau semi-conducteur A d'épaisseur Lw, insérée dans un matériau B à bande interdite plus grande, l'énergie E(Lw) du puits quantique B/A/B est fixée par Lw. Si l'on réalise deux dépôts de matériau A de largeur Lwl et Lw2, l'énergie du puits quantique B/A/A/B est unique et ne dépend que de Lwl + Lw2. Si l'on insère une très fine barrière de matériau B de largeur Lb entre les deux dépôts de matériau A, nous avons alors un système à puits quantiques couplés B/A/B/A/B dont le niveau de base dépend de Lwl, Lw2 et Dans les semi-conducteurs traditionnels de type arséniure (tel que le GaAs), les fonctions d'ondes associées aux porteurs - électron et trou ont des extensions latérales de plusieurs dizaines d'Angstrôms. Aussi, la barrière Lb doit-elle être supérieure à 100 pour découpler les deux puits et observer l'émission de chacun d'entre eux. Dans les puits quantiques à base de GaInN, il a été mis en évidence, selon l'invention, ce est inattendu, que la fonction d'onde porteurs est si localisée qu'il n'y a plus de couplage entre puits, même pour des épaisseurs de barrieres très fines, par exemple inférieures au nanomètre. En fait, la juxtaposition de deux dépôts de GaInN, c'est-à-dire sans croissance intermédiaire d'une barrière Ga(Al)N, d'épaisseurs différentes correspondant à des énergies transitions différentes, conduit aux deux transitions distinctes. I1 est donc possible, selon 'invention, de réaliser une couche mince de GaInN dont l'épaisseur est inférieure ou égale à 100 Â, présentant des maxima d'émissions à différentes longueurs d'onde, sans couplage. Ainsi, il a été réalisé en épitaxie, par EJM et par épitaxie en phase vapeur i d'organo-métalliques (EPVOM), des hétérostructures GaInN/GaN, émettant, à température ambiante dans tout le domaine visible, du bleu (0,4 um) au rouge (0,66 pm). invention concerne, en outre, un procédé de préparation d'une couche mince, semi-conductrice, unique, de GaInN, contenant éventuellement un faible pourcentage arsenic, de phosphore ou d'antimoine, ladite couche émettant au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées, dans lequel le dépôt de ladite couche est réalisé de manière fractionnée dans le temps, en effectuant successivement des dépôts de GaInN (de même composition, ou de composition différente), une interruption de croissance étant prévue entre chaque dépôt chacun desdits dépôts émettant une lumière visible de couleur déterminée. Avantageusement, la combinaison desdites au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées produit de la lumière blanche. Avantageusement, la couleur de la lumière, émise par chacun des dépôts, est fixée en agissant sur la température, et/ou la durée de la croissance du dépôt, et/ou les autres paramètres éventuels régissant la croissance du dépôt, et/ou la température pendant l'interruption de croissance, et/ou la durée de ladite interruption. Selon l'invention, la couche unique, de GaInN est déposée, non pas de façon continue, mais de façon séquentielle, avec une interruption de croissance entre chaque dépôt. En d'autres termes, le dépôt de GaInN est fractionné et une interruption de croissance doit être réalisée pour obtenir que chaque dépôt émette une lumière de couleur déterminée, après dépôt d'une quantité ad hoc de GaInN. En outre, selon l'invention, il a été mis en évidence, de manière totalement surprenante, que l'épaisseur de GaInN n'est pas directement le facteur qui détermine l'énergie de transition et donc la couleur de la lumière émise d'une hétérostructure GaInN/GaN, contrairement à ce qui est connu pour les semi-conducteurs III - V classiques, tels que GaAS/AlGaAS ou GaInAs/GaAs, par exemple, mais plutôt étonnamment, la température et/ou la durée de croissance du dépôt, et/ou la température pendant l'interruption de croissance et/ou la durée de ladite interruption. En relation avec ce qui a déjà été expliqué plus haut, les inventeurs ont, par une série d'expériences menées en laboratoire, apporté la preuve que les obj responsables de la luminescence dans GaInN sont de tailles nanométriques, voire subnanométriques. objets se forment pendant la croissance de GaInN et leur taille et, par voie de conséquence, leur énergie dépendent du temps de dépôt et/ou des conditions croissance. manière préférée, on fixe la couleur de la lumière émise par chacun des dépôts, en agissant sur la durée et/ou la température de la croissance de chacun des dépôts. On peut éventuellement effectuer une remontée en température, lors de l'interruption de croissance, entre chaque dépôt. Par ailleurs, les objets, cités ci-dessus, tels que clusters d'InN, paires In - In, qui forment pendant la croissance et entraînent une très forte localisation des porteurs, et par conséquent, toute absence de couplage, sont de nature intrinsèque ne dépendent pas de la technique de dépôt, de croissance, utilisée. En d'autres termes, les propriétés inattendues des couches décrites ici sont liées intrinsequement à l'alliage GaInN et ne dépendent pas de technique de dépôt utilisé. Celle-ci pourra donc être toute technique connue de l'homme du métier : cela constitue un avantage extrêmement important la présente invention. Les dépôts pourront donc être réalisés par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM), mais aussi par Epitaxie en Phase Vapeur d'Organométalliques (EPVOM). I1 est extrêmement intéressant, selon l'invention, que la technique d'EPVOM puisse être mise en #uvre, car c'est la technique qui est aujourd'hui généralement utilisée dans la fabrication des DEU S nitrures bleues, vertes et blanches. Ainsi, 1 invention a-t-elle également pour objet une diode électroluminescente comprenant, dans sa zone active, au moins une couche mince, selon l'invention, telle 'elle a été décrite ci-dessus. De préférence, ladite couche mince et donc la diode émettent de la lumière blanche. L'invention a enfin trait à un dispositif d'éclairage, de préférence en lumière blanche, comprenant ladite diode. i On peut ainsi surmonter tous les inconvénients liés aux dispositifs de production de lumière blanche de l'art antérieur et produire de la lumière blanche à bas coût, faible consommation d'énergie, très longue durée de vie (par exemple 100 000 heures), très basse tension et sans toxicité. La lumière blanche est produite selon l'invention directement par électroluminescence, par un seul élément donc de façon monolithique (sans converter ), sans avoir recours à des techniques hybrides complexes et donc coûteuses, basées sur le couplage d'une bleue et d'un autre constituant phosphore ou polymère. Le rendement d'un système monolithique, selon l'invention, est, de manière évidente, meilleur celui d'un système hybride dans lequel les pertes sont inévitables. De la même manière que les puits quantiques GaInNN/Ga(Al)N, actuellement utilisés dans les DEU S commerciales bleues ou vertes, la couche mince, selon l'invention, peut être facilement insérée directement comme zone active dans une DEL. La présente invention permet de réduire le coût des DEL S blanches, puisqu'il n'est plus nécessaire d'utiliser un phosphore ou un polymère en plus d'une DEL bleue nitrures pour la production de blanc. Cela elimine un certain nombre d'étapes technologiques introduites par le dépôt du phosphore /polymère sur les DEUS,, avant encapsulation, et donc une simplification du procédé de fabrication. Les autres étapes du procédé restent les mêmes et ne nécessitent aucune modification, puisque l'invention ne i concerne que la zone active des DEUS. Les DEUS et dispositifs de production de lumière selon l'invention sont donc fiables, simples, solides à grande durée de vie, peu coûteux, preservant l'environnement, faciles à fabriquer et produisant une lumière agréable. I1 est possible, lors de ce procédé, d'équilibrer facilement les couleurs, afin d'obtenir un blanc agréable pour l'éclairage domestique ayant une dominante à la demande. En outre, la fiabilité du dispositif ne peut être qu'améliorée en raison de sa simplicité. I1 faut savoir qu'une LED nitrures a une durée vie estimée à environ 100 000 heures. Un mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on fixe la couleur de chacun des dépôts, en agissant sur les durées de dépots, va maintenant être décrit plus en détail, en référence aux dessins joints, dans lesquels - La figure 1 illustre la préparation par le procédé de l'invention d'une hétérostructure comprenant des couches barrières de Ga(Al)N entre lesquelles est disposée une couche mince selon l'invention. La partie gauche du graphique, comprenant un axe de croissance (A), illustre la croissance des couches et dépôts, en fonction du temps (t) ; la partie droite du graphique montre les températures de croissance (T), utilisées au cours du temps, lors de la croissance des divers couches et dépôts, ainsi que lors des interruptions de croissance (parties en pointillés). - Les figures 2 et 3 sont des graphiques i qui donnent l'intensité de photoluminescence (I en unité arbitraire), en fonction de l'énergie de photoluminescence (E en eV), à température ambiante, pour diverses couches de GaInN préparées en fractionnant le dépôt dans le temps ou sans fractionner le dépôt dans le temps, et en faisant varier la durée du ou des dépôts (8, 2, 6, 3 minutes). La réalisation d'une couche mince de GaInN, émettant de la lumière blanche, nécessite,. dans un premier temps, l'étalonnage en longueur d'onde de l'hétérostructure comprenant une couche de GaInN et des couches barrières, de préférence, de Ga(Al)N, en fonction des conditions de croissance de l'alliage GaInN. I1 est, en effet, nécessaire de couvrir une bonne partie du spectre visible, au moins du bleu au jaune, pour pouvoir, par addition de couleurs, obtenir du blanc, par exemple, par combinaison des lumières bleue et jaune. Une fois l'étalonnage effectué, les différents dépôts de GaInN, correspondants aux couleurs voulues, sont réalisés par le procédé de l'invention, afin d'obtenir, par superposition, juxtaposition, des différents dépôts de GaInN de même composition ou de compositions différentes, une couche mince, unique, émettant une couleur résultant de l'addition des couleurs déterminées, différentes, émises par chacun des dépôts. Dans un dispositif de type DEL, le dépôt de la couche mince, selon l'invention, se fait généralement sur une couche barrière formant substrat, qui est, par exemple, une couche de Ga(Al)N, généralement de type n. L'hétérostructure se termine par une couche barrière, cette couche terminale est, par exemple, une couche de Ga(Al)N généralement de type Dans le mode de réalisation decrit, afin obtenir, selon l'invention, une émission de lumière blanche à partir d'une seule et même couche mince de GaInN, on effectue le dépôt de cette couche, non pas de façon continue, mais de façon séquentielle, fractionnée dans le temps, avec interruption de croissance, après chaque dépôt de GaInN. Le procédé utilisé décrit schématiquement sur la figure 1. Sur cette figure, les températures Tl, TZ et T3 représentent les températures utilisées, respectivement, pour les n dépôts de GaInN GaInN/1, GaInN/2,..., GaIn/N, pour l'éventuelle remontée en température ou recuit pendant l'interruption de croissance (T2), et pour le dépôt des couches barrières substrat et terminale, de préférence, de Ga(Al)N (T3). La température T1 est généralement comprise entre 500 0 et 8000C. La température Tz est généralement de 500 à 800 C. La température T3 est généralement de 750 à 1 050 C. Dans ce mode de réalisation, la couleur de la lumière émise par chacun des dépôts est fixée par la durée de ceux-ci, les autres paramètres de croissance, tels que la température,' comme on l'a indiqué ci-dessus, restant constants. Ainsi, les durées des dépôts séquentiels de GaInN correspondent-elles à atdl, Atd2 ..., Atdn, à titre d'exemple, les durees de dépôts sont de 2 à 8 minutes. A chaque durée de dépôt correspond une lumière émise de couleur déterminée. Après chaque dépôt, on observe une interruption de croissance d'une durée Atil, Oti2,.... Cette interruption de croissance peut s'accompagner, mais cela n'est pas forcement nécessaire, et dépend des conditions de croissance, d'une remontée en température ou recuit (T2), par exemple, jusqu'à 100 ou 200 C au-dessus de Tl. Une fois tous les dépôts formant la couche mince, selon l'invention, effectués, chaque dépôt correspondant à une couleur et la combinaison de l'ensemble des couleurs produisant, de préférence, de la lumière blanche, on effectue le dépôt de la couche terminale généralement de Ga(Al)N de type L'invention va maintenant être décrite en référence aux exemples suivants, donnes à titre illustratif et non limitatif. Exemple 1 On réalise par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM) le dépôt d'une couche mince de GaInN sur une couche substrat de GaN préalablement déposée sur un substrat ad-hoc qui peut être par exemple GaN lui-même, le saphir, le silicium, ou le carbure de silicium, dans les conditions de croissance suivantes la couche est déposée en contir)u en une seule fois avec une durée de dépôt de deux minutes (Atdl = 2', n = 1), sans fractionner le dépôt dans le temps. La couche terminale est également du GaN. On obtient ainsi une hetérostructure émettant dans le violet (voir figure 2 courbe en haut à droite). Exemple 2 On réalise le dépôt d'une couche mince GaInN par EJM dans les mêmes conditions que celles de 1 exemple 1, sauf que la couche est déposée en continu en une seule fois avec une durée de dépôt de huit minutes (Atdl = 8', n = 1). On obtient ainsi une hetérostructure émettant dans le rouge (voir figure 2 courbe au milieu à gauche). Exemple 3 On réalise le dépôt d'une couche mince GaInN par EJM dans les mêmes conditions que celles de 1 exemple 2, le temps total de dépôt étant de huit minutes, mais on fractionne le temps de dépôt du GaInN en quatre dépôts successifs de même composition avec durée de dépôt de deux minutes pour chaque dépôt (Atdl = atdz = Otd3 = Atd4 = 21, n = 4), avec interruption de croissance entre chaque dépôt (d'une durée de 1 minute) et remontée en température d'un incrément de 100 - 200 C par rapport à la température de croissance. On obtient ainsi une hétérostructure émettant de nouveau dans le violet, soit l'énergie correspondant à une seule fois deux minutes (voir figure 2, courbe en bas à droite). Exemple 4 On réalise le depôt d'une couche mince de GaInN par EJM dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 1, mais la couche est déposée en continu en une seule fois avec une durée de dépôt de trois minutes (Atdl = 3', n = 1) . On obtient ainsi une hétérostructure émettant dans le bleu (voir figure 3, courbe du milieu). Exemple 5 On réalise le depôt d'une couche mince de GaInN par EJM dans les mêmes conditions que celles de l'exemple 1, sauf que la couche est déposée en continu, en une seule fois, avec une durée de dépôt de six minutes (Atdl = 6', n = 1 . On obtient ainsi une hétérostructure émettant dans le jaune - vert (voir figure 3, courbe du haut). Exemple 6 On réalise le depôt d'une couche mince de GaInN selon l'invention, par EJM, dans les mêmes conditions que celles des exgmples 4 et 5, mais on fractionne le temps de dépôt. En réalisant un dépôt fractionne dans le temps, on réalise successivement premier dépôt de GaInN pendant une durée de trois minutes (Atdl = 3') avec les conditions de croissance de l'exemple 4, puis un second dépôt de GaInN de même composition nominale que le premier dépôt, pendant durée de six minutes (Otd2 = 6', n = 2), comme dans l'exemple 5. Les autres conditions de croissance demeurent identiques lors des premier et second dépots et on observe une courte interruption de croissance entre les deux dépôts (d'une durée d'environ 1 minute avec une remontée en température de 100 à 200 C par rapport à la température de croissance. On constate sur la figure 3 (courbe du bas) que le spectre photoluminescence correspondant à cet échantillon comporte bien l'émission de chacun des dépôts de GaInN prise séparément, bien que la couche obtenue soit unique. Sans optimisation, la combinaison des deux pics d'émission de chacun des dépôts donne lieu à une luminescence proche du blanc. Cet exemple et la figure 3 démontrent qu'en fractionnant le temps de dépôt de l'alliage GaInN, il est possible d'obtenir une émission de lumière blanche à partir d'une seule et même couche mince de GaInN, conforme à l'invention : à chaque temps de croissance de GaInN correspond une couleur et la combinaison de l'ensemble des couleurs produit de la lumière blanche. On aurait pu obtenir le même résultat en combinant trois couleurs, telles que le bleu, le vert et rouge, au lieu de deux. De même, il a été démontré que des résultats analogues étaient obtenus par EPVOM. REVENDICATIONS 1. Couche mince, semi-conductrice, unique, de GaInN contenant éventuellement un faible pourcentage d'arsenic, de phosphore, ou d'antimoine, ladite couche émettant moins deux lumières visibles de couleurs déterminées 2. Couche mince selon la revendication 1, formée par juxtaposition ou superposition d'au moins deux dépôts de GaInN dont chacun émet une lumière visible d'une couleur déterminée. 3. Couche mince selon la revendication 1 ou la revendication 2, dans laquelle la combinaison desdites au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées produit de la lumière blanche. 4. Couche mince selon la revendication 2, dans laquelle lesdits dépôts sont au nombre de trois et émettent respectivement des lumières bleue, verte et rouge. 5. Couche mince selon la revendication 2, dans laquelle lesdits dépôts sont au nombre de deux et émettent respectivement des lumières bleue et jaune. 6. Couche selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dont l'épaisseur est inférieure 0 ou égale à A. Procédé de préparation d'une couche mince, semi conductrice, unique, de GaInN, contenant éventuellement un faible pourcentage d'arsenic, de phosphore, ou d'antimoine, laite couche émettant au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées, dans lequel le dépôt de ladite couche est réalisé manière fractionnée dans le temps, en effectuant successivement des dépôts de GaInN de même composition, une interruption de croissance étant prévue entre chaque dépôt, chacun desdits dépôts émettant lumière visible de couleur déterminée. 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel la combinaison desdits au moins deux lumières visibles de couleurs déterminées produit de la lumière blanche 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel couleur de la lumière émise par chacun dépôts est fixée en agissant sur la température, et/ou la durée de la croissance du dépôt, et/ou les autres paramètres éventuels régissant la croissance du dépot, et/ou la température pendant l'interruption de croissance, et/ou la durée de ladite interruption. 10. Procédé selon la revendication 9, dans lequel on fixe la couleur de la lumière émise chacun des dépôts en agissant sur la durée et/ou la température de la croissance de chacun des dépôts. 11. Procédé selon la revendication 7, dans lequel on effectue, en outre, une remontée en température lors de l'interruption de croissance. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel les dépôts sont réalisés par Epitaxie par Jets Moléculaires (EJM). 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, dans lequel les dépôts sont réalisés par Epitaxie en Phase Vapeur d'Organo-Métalliques (EPVOM). 14 Diode électroluminescente (DEL), comprenant dans sa zone active au moins une couche mince, selon 1 une quelconque des revendications 1 à 6. 15. Diode électroluminescente selon la revendication 14, émettant de la lumière blanche. 16 Dispositif d'éclairage comprenant au moins une diode électroluminescente selon la revendication 17. Dispositif d'éclairage émettant de la lumière blanche, comprenant au moins une diode électroluminescente selon la revendication 15.