Brevet FR2806486A1 — publié le 20010921

L'invention concerne d'une manière générale des procédés et des systèmes pour fabriquer des masques d'ablation par laser et plus particulière ment des solutions pour créer un vide dans une chambre à vide et déposer des couches pendant la fabrication tels masques. L'ablation par laser est technique disponible pour former des carac téristiques sur la surface d'un composant ou pour former des trous traversants dans le composant. Des parties 'lectionnées de la surface du composant sont exposées au rayonnement laser de haute énergie, qui provoque une rupture chimique des liaisons dans le matériau exposé. Sous l'effet de fa rupture des liaisons chimiques, il se produit une dilatation localisée. Le matériau, qui a été dilaté, peut être éliminé en utilisant des techniques classiques, comme par exemple la corrosion chimique. Un masque d'ablation laser est utilisé de façon typique pour déter miner le diagramme ou la configuration d'exposition sur la surface du compo sant. Le masque d'ablation laser utilise un substrat transparent, sur lequel une ou plusieurs couches peuvent être formées et structurées pour produire un revêtement qui définit le diagramme d'exposition. Les matériaux servant à former le revêtement sont choisis de manière à être résistants à un endomma gement en tant que résultat l'exposition à l'énergie laser. Le substrat et le revêtement doivent posséder une résistance à un endommagement induit par laser pendant des opérations d'ablation, lors desquelles un laser possède une intensité supérieure à 150 m]/cm2. Un matériau approprié pour le substrat est le quartz. Le revêtement situé sur le substrat en quartz peut être formé d'une seule couche métallique, comme par exemple une couche de chrome ou d'aluminium. Sinon le revêtement peut être formé de multiples couches diélectriques, possédant des indices de réfraction alternativement élevés et faibles. Le brevet US 4 923 au nom de Kirch décrit un masque d'ablation par laser qui est formé de multiples couches diélectriques, qui sont structurées de manière à définir un diagramme d'exposition. La Figure 1 annexée à présente demande montre une représentation schématique de l'utilisation d'une ablation par laser dans le procédé de forma tion de têtes d'impression à let d'encre. Ce procédé est décrit de façon plus détaillée dans le brevet US n 5 408 738 au nom de Schantz et al.. Une bande continue 10 d'un matériau polymère est déroulée d'un rouleau 12, d'une manière commandée. Le matériau en forme de bande peut être le polymère vendu par la société dite 3M Corporation sous fa marque enregistrée KAPTON. Des trous 14 d'entraînement par roues dentées le long des côtés opposes de la bande peuvent être utilisés pour commander de façon précise le déplacement du matériau en forme de bande par rapport à une source laser 16, telle qu'un laser excimère. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la Figure 1, la source laser est située de façon typique à l'intérieur d'une chambre de traitement par laser. On peut structurer un ou plusieurs masques 18 d'ablation par laser pour définir toutes les caractéristiques qui doivent etre formées dans la bande continue 10. Les caractéristiques sont répétées à un intervalle commandé de sorte que des composants doubles pour une tête pression à jet d'encre peuvent être formés sur la bande, après que cette dernière a été découpée. Sur la Figure 1, le masque 18 est structuré manière à définir un réseau de chambres d'évaporation. En plus de l'étagement du déplacement de la bande continue 10, la source laser 16 peut être étagee. Le processus répétitif se poursuit jusqu'à ce qu'un élément en forme de buse soit formé. Un système optique 20 peut être utilisé pour focaliser l'énergie laser, ' traverse le masque 18. La partie traitée de la bande avance alors à un poste de nettoyage non représenté, dans lequel tous les débris sont retirés de la bande. Le poste suivant est un poste de liaison, dans lequel des substrats 22 de dispositifs de chauffage sont fixés à la bande dans des positions qui correspondent réseaux de chambres d'évaporation. Chaque substrat de dispositif de chauffage peut être un dé de silicium, sur lequel des résistances sont formées selon réseau qui est adapté au réseau de chambres d'évaporation de sorte qu'il existe une correspondance biunivoque entre les réseaux. La bande peut alors être découpée de manière à produire des têtes d'impression individuelle 24 qui sont fixées à d'autres composants pour former des cartouches à jet d'encre. En se référant à nouveau au masque d'ablation par laser 18 utilisé dans le poste d'ablation, il existe un certain nombre d'étapes également importantes de fabrication du masque. Le matériau pour former le substrat du masque doit être choisi pour ses propriétés optiques, tandis que l'énergie laser se propage à travers le substrat. Le quartz est un matériau de substrat préféré. substrat doit être soigneusement nettoyé avant la formation du revêtement sur au moins une surface du substrat. Le processus de nettoyage élimine couches organiques à l'état de traces, comme par exemple des résidus décomposés qui doivent être utilisés pour polir le substrat en quartz. Des impuretes peuvent avoir une grande influence sur la durée de vie du masque d'ablation par laser. On applique ensuite le revêtement sur le substrat. On peut utiliser des tech niques classiques de dépôt physique en phase vapeur (PVD). Le traitement PVD requiert de placer le substrat dans une chambre à vide et d'établir un vide dans la chambre. Fréquemment, une pompe mécanique est commandée par une soupape de création d'un vide approximatif pour réduire la pression à l'intérieur la chambre à une valeur de consigne de pression particulière. Une seconde pompe est ensuite utilisée pour produire un environnement à vide poussé a l'intérieur de la chambre. Les matériaux sont introduits dans la chambre à vide pour dépôt de couches en phase vapeur. Comme cela a été indiqué précédemment, le revêtement sur le substrat peut être formé d'une seule couche métal ou d'un métal composite ou bien peut être un empilage diélectrique. L'empilage diélectrique inclut des couches possédant des indices de réfraction alternative ment élevés et faibles. L'absorption de l'énergie du laser par le revetement du masque est une cause principale de l'altération du masque. C'est pourquoi le revêtement du masque doit être réfléchissant pour la lumière possédant la longueur d'onde de l'énergie laser. Une réflexion par l'empilage diélectrique est un résultat de l'interférence constructive et destructive au niveau des interfaces couches en aboutement. Chaque couche possède de préférence une épaisseur égale à environ un quart de la longueur d'onde l'énergie laser, à laquelle elle est exposée. Chaque couple de couches diélectrique réflé chit un pourcentage de la lumière incidente. En déposant un nombre suffisant de paires couches, presque la totalité de l'énergie laser est réfléchie. On peut ensuite structurer le revêtement en utilisant des techniques classiques. Par exemple, on peut utiliser la corrosion ionique réactive (RIE) ou la corrosion utilisant un faisceau d'ions (IBE). Bien que le masque résultant puisse fonctionner parfaitement dans le rôle qui lui est affecté, la durée de vie de fonctionnement du masque d'ablation est limitée. L'endommagement induit par laser dans des masques d'ablation dépend encore de façon critique niveau de la densité de défauts du revêtement. C'est-à-dire que l'endommage ment, apparaît en tant que résultat de l'exposition au rayonnement laser haute énergie, augmente lorsque fa densité de défauts augmente. Le temps d'arrêt l'équipement, qui est requis pour remplacer les masques, réduit débit de production dans le processus de fabrication de la tête d'impression à jet d'encre. II nécessaire de disposer d'un procédé et d'un système pour fabriquer un masque résistant à un rayonnement de haute énergie, de manière à accroî tre la durée de vie de fonctionnement du masque. Un procédé pour fabriquer un masque pour un rayonnement de haute énergie inclut la mise en place d'un substrat transparent dans une chambre à vide, puis l'exécution d'au moins l'un de (1) réduction de la cadence initiale de l'établissement de vide dans la chambre par rapport à des techniques classiques d'établissement de vide et (2) réduction de la vitesse de dépôt de couches d'oxyde de silicium (par exemple S102) dans un empilage diélectri que. Lorsque la procédure d'évacuation mieux commandée est combinée à la cadence de dépôt plus lente du S!02, le revêtement résultant possède une densité de défauts qui est étonnamment faible. Par conséquent la durée de vie de fonctionnement du masque est accrue. Dans le premier mode de mise en oeuvre de l'invention, l'établissement commandé d'un vide dans la chambre à vide inclut une procédure de création d'un vide approximatif en deux étapes, suivie par une étape de création vide poussé. Un premier raccord pour l'établissement d'un vide approximati qui est relié à la chambre à vide, est activé pour réduire la pression à un niveau inférieur à la pression atmosphérique. Lorsque l'environnement dans la cham bre est réduit à une première pression de seuil (c'est-à-dire une première valeur de consigne), un second raccord de création d'un vide approximatif est activé. Ce second raccord de création d'un vide approximatif possède une cadence de purge maximale qui dépasse la cadence de purge maximale premier raccord. Ceci peut être obtenu par addition d'une soupape de by-pass à la soupape classique de l'établissement d'un vide approximatif, qui est relié a une pompe. La soupape de by-pass peut posséder un orifice qui est inférieur à l'orifice traversant la soupape de création d'un vide approximatif, ce four nit la différence des cadences maximales d'établissement de vide. Dans une autre forme de réalisation, les deux raccords sont raccordés à des pompes séparées de création d'un vide approximatif. Cette autre forme de realisation est moins préférable étant donné qu'elle requiert un coût supplémentaire de fourniture de la pompe supplémentaire. Lorsque le second dispositif de raccordement de création d'un vide approximatif réduit la pression à l'intérieur de l'environnement de la chambre à une seconde valeur de seuil, le dispositif de raccordement de création d'un vide poussé est activé. Le dispositif de raccordement de création d'un vide pousse peut être une pompe de diffusion ou un dispositif similaire est à même de créer et de maintenir une pression de vide pour le processus de dépôt de matériau, comme par exemple le dépôt physique en phase vapeur (PVD). De préférence on dépose un empilage diélectrique sur le substrat. On peut ensuite structurer l'empilage pour définir un diagramme ou une structure d'exposition désirée. De préférence la structuration est conçue de manière à former un masque d'ablation par laser pour la fabrication d'une tête d'im pression à jet d'encre. Ceci requiert que le revêtement du substrat comprenne des ouvertures pour la formation d'un réseau de chambres d'évaporation dans l'autre substrat. cadences maximales différentes de création du vide pour les premier et second raccords de création d'un vide approximatif sont censées réduire la turbulence de l'air qui est créée par le processus de création de vide. Par exemple, dans la réalisation dans laquelle le premier raccord comprend un orifice ayant une faible taille non classique, alors que le second raccord com prend orifice plus grand qui est usuel pour la création d'un vide approxi matif, l'étape initiale est exécutée plus lentement (c'est-à-dire avec une cadence plus lente d'enlèvement de masse), que ce qui est usuel. Ceci présente deux avantages. Tout d'abord, une moins grande turbulence apparaît de sorte que la matière particulaire est moins susceptible de se déposer sur la surface du substrat, qui est située à l'intérieur de la chambre à vide. C'est-à-dire qu'il existe une réduction des effets nuisibles du phénomène qui est désigné quelquefois sous l'expression "effet de nuage de Wilson". En second lieu, il existe une sensibilité réduite vis-à-vis du processus provoquant une évaporation et une condensation d'eau, de sorte qu'il est moins probable que du liquide pénètre pour atteindre la surface du substrat du masque. Une sensibilité réduite à la pollution et à l'eau sur la surface du substrat du masque réduit les sites de défauts interfaciaux entre substrat et l'empilage diélectrique. Ceci se produit également dans le cas où l'empilage diélectrique est remplacé par une seule couche métallique telle que chrome ou de l'aluminium. Dans une forme de mise oeuvre du processus de création d'un vide approximatif en deux étapes, les activations des trois raccords de création d'un vide ne se chevauchent pas. Par exemple le premier raccord de création d'un vide approximatif peut être active dans la gamme de pression de 760 torrs à 200 torrs, le second raccord pour création d'un vide approximatif peut être activé dans la gamme de 200 torrs à 150 mtorrs, et le dispositif de raccor dement en forme de pompe à vi peut être activé dans la gamme qui commence à 150 mtorrs. Cependant, la forme de réalisation préférée inclut une activation en chevauchement premier et second raccords de création d'un vide approximatif. Ceci peut être obtenu par déclenchement du second raccord à 300 torrs, alors que le premier raccord n'est pas désactivé avant que la pression dans la chambre à vi soit réduite à 200 torrs. Étant donné qu'il existe des fluctuations de la pression de vide, le procédé à chevauchement réduit la probabilité que le premier raccord soit commandé de façon cyclique répétée entre des états "activé" et "désactivé". Par conséquent le mécanisme de commutation des raccords y subit une usure plus faible. Le mécanisme de commutation peut être formé d'un ou de plusieurs relais, mais on peut utiliser d'autres solutions sans sortir du cadre de l'invention. Le système pour la mise en oeuvre du procédé de création d'un vide approximatif en deux étapes inclut boîtier pour la formation de la chambre à vide, un mécanisme de contrôle de pression qui inclut des relais activés pour la valeur de consigne de pression, première et seconde soupapes pour la création d'un vide approximatif, comprenant des canaux de by-pass, et la pompe à vide poussé. Les première et seconde soupapes de création d'un vide approximatif peuvent être raccordées à une seule pompe de création d'un vide approximatif ou peuvent être raccordées à des pompes séparées. Le méca nisme de contrôle peut comporter une jauge Pirani et les relais activés par des valeurs consigne de pression, mais on peut utiliser d'autres dispositifs. Comme indiqué précédemment, la seconde forme de réalisation de l'invention comprend une étape pour déposer de l'oxyde de silicium (de préférence du S!02 qui est déposé par évaporation à partir d'un matériau formant source de S102), à une cadence inhabituellement réduite. La gamme optimale été déterminée comme étant une cadence de dépôt comprise entre 1 %/seconde et 3 À/seconde. Une cadence de dépôt supérieure à cette gamme définit processus qui est sensible à une densité élevée de défauts revê tement. D'autre part une cadence de dépôt inférieure à cette gamme peut conduire à une mauvaise adhérence de l'empilage diélectrique au substrat du masque Étant donné que la cadence de dépôt est soumise à des fluctuations, le mode de mise en oeuvre le plus préféré vise à réaliser une cadence dépôt de S!02 egale à 2,0 À/seconde, de sorte que les fluctuations sont susceptibles de rester dans la gamme de 1,6 À/seconde à 2,4 À/seconde. Le materiau de revêtement, qui est déposé pour former des couches entre les couches de Sl02, de préférence déposé à la même cadence que le Sl02, mais la quantité couches à indice de réfraction élevé est de façon typique moins sensible à la cadence de dépôt. Un matériau acceptable est l'oxyde d'hafnium (par exemple Hf02). La configuration alternée de S!02 et de Hf02 fournit la structure alternée désirée comprenant un matériau à faible indice de réfraction et un matériau à indice de réfraction élevé. L'avantage de l'invention réside dans le fait qu'une réduction de la densité de défauts dans le masque d'ablation par laser réduit l'endommage ment induit par laser pendant l'utilisation du masque. II en résulte que la durée de vie opérationnelle du masque d'ablation est étendue. II s'ensuit que la fréquence de substitution de masques d'ablation usés par des masques de remplacement diminue pendant la fabrication de produits de consommateurs, tels que des têtes d'impression d'entrée, ce qui accroît le débit de fabrication. façon plus précise, l'invention concerne un procédé pour fabriquer un masque de protection contre un rayonnement de haute énergie, caractérisé en ce comprend les étapes consistant à - placer un substrat dans une chambre à vide ; - activer un premier raccord pour l'établissement d'un vide approximatif à ladite chambre à vide, ledit premier raccord pour l'établissement d'un vi approximatif possédant un débit maximum de création de vide approximatif ; - détecter l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est 'duite à une première pression de seuil ; - activer un second raccord de création d'un vide approximatif à ladite chambre à vide, ledit second raccord de création d'un vide approximatif possédant un second débit maximum supérieur audit premier débit maximum ; - détecter l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est réduite à la seconde pression de seuil ; - activer un raccord de pompe à vide poussé à ladite chambre à vide en réponse à la détection du fait que ladite pression inférieure à ladite seconde pression de seuil ; et - déposer au moins une couche sur ledit substrat dans ladite chambre à vide pour former un revêtement qui résiste à endommagement lorsqu'il est exposé à un faisceau de haute énergie. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comprend en outre les étapes consistant à - détecter l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est réduite à une pression de seuil intermédiaire qui située entre lesdites première et seconde pressions de seuil ; et - désactiver ledit premier raccord pour l'établissement d'un vide approximatif en réponse à la détection du fait que ladite pression à l'inté rieur de ladite chambre à vide est inférieure à ladite pression de seuil intermédiaire, ce qui fournit une gamme entre la première pression de seuil et la pression de seuil intermédiaire, dans laquelle lesdits premier et second raccords de création d'un vide approximatif sont activés simul tanément. Selon une autre caractéristique de l'invention, lesdites étapes d'activation desdits premier et second raccords de création d'un vide approximatif incluent deux pompes à vide indépendantes fonctionnant sélectivement. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite étape d'activation dudit dispositif de raccordement de pompe à vide poussé inclut l'actionnement sélectif d'une pompe de diffusion, qui est indépendante desdites pompes à vide actionnées lors des étapes d'activation desdits premier et second raccords de création d'un vide approximatif. Selon une autre caractéristique de l'invention, le procédé comprend en outre étapes consistant à - désactiver ledit premier raccord de création d'un vide approximatif, en reponse à la détection du fait que ladite pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est inférieure à ladite première pression de seuil ; - désactiver ledit second raccord de création d'un vide approximatif en réponse à la détection du fait que ladite pression à l'intérieur ladite chambre à vide est inférieure à ladite seconde pression de seuil. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite étape dépôt inclut le dépôt en phase vapeur d'une pile de couches pour former un masque d'ablation par laser, incluant le dépôt d'une pluralité de couches d'oxyde de silicium à un débit se situant dans la gamme de 1 ./seconde à 3 Â/seconde. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite étape de dépôt en phase vapeur consiste à alterner lesdites couches d'oxyde de silicium avec des couches d'oxyde d'hafnium. Selon une autre caractéristique de l'invention, ladite étape de structura tion est mise en oeuvre pour former un masque d'ablation par laser pour fabriquer une tête d'impression à jet d'encre. L'invention concerne en outre un système pour fabriquer un masque d'ablation par laser, caractérisé en ce qu'il comprend - une chambre à vide configurée de manière à y placer un substrat ; - un capteur pour contrôler la pression de vide dans ladite chambre à vide ; - une première source de création d'un vide approximatif couplée manière à purger ladite chambre à vide, ladite première source d'établis sement de vide approximatif possédant une première capacité d'établisse ment de vide et étant apte à répondre audit capteur pour être désactivée à une première valeur de pression de consigne de désactivation ; - une seconde source de création d'un vide approximatif couplée de manière à purger ladite chambre à vide, ladite seconde source création d'un vide approximatif possédant une seconde capacité d'éva cuation supérieure à ladite première capacité d'évacuation, ladite seconde source de création d'un vide approximatif étant apte à répondre à ladite source pour être activée à une première valeur de consigne de pression d'activation, qui est inférieure à la pression atmosphérique et pour être désactivée à une seconde valeur de consigne de pression de désactivation qui est inférieure à ladite première valeur de consigne de désactivation ; - une pompe à vide poussé raccordée de manière à purger ladite chambre à vide, ladite pompe à vide poussé étant apte à répondre audit capteur pour être activée pour une seconde valeur de consigne de pression d'ac tivation qui est inférieure à ladite première valeur de consigne d'acti vation ; et - un équipement de dépôt pour déposer un matériau sur ledit substrat dans ladite chambre à vide pour former un revêtement qui est résistant à un rayonnement laser de haute énergie. Selon une autre caractéristique de l'invention, le système comporte en outre un dispositif de commande raccordé audit capteur pour fixer à force lesdites première et seconde valeurs de consigne d'activation et pour fixer à force lesdites première et seconde valeurs de consigne de désactivation, ledit dispositif commande étant configuré de telle sorte qu'une gamme de pressions allant de la pression atmosphérique à ladite première valeur consigne désactivation chevauche une gamme de pressions allant de ladite première valeur de consigne d'activation jusqu'à ladite seconde valeur consigne désactivation, ce qui fournit une gamme de fonctionnements de ladite seconde source d'établissement de vide, qui est différente de la gamme de fonctionnement de ladite première source d'établissement de vide, mais en etant en chevauchement avec cette dernière. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressorti ront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, lesquels - la Figure 1 est une illustration schématique du procédé de formation têtes d'impression à jet d'encre à l'aide d'une ablation par laser, confor mément à la fois à l'art antérieur et à la présente invention ; la Figure 2 est un schéma-bloc de composants pour la mise en oeuvre la création de vide commandé et du dépôt commandé conformément à l'invention ; - la Figure 3 est une vue schématique d'une première forme de réalisation du dispositif de commande de la Figure 2 ; - la Figure 4 est une vue schématique d'une seconde forme de réalisation du dispositif de commande de la Figure 2 ; et - la Figure 5 illustre un organigramme représentant les pas d'exécution de la création de vide commandée et des dépôts commandés, en utilisant système de la Figure 2. En se référant à la Figure 2, un système 26 pour fabriquer un masque d'ablation par laser pour l'industrie des têtes d'impression à jet d'encre représenté comme comprenant une chambre à vide 28. Bien que l'invention sera décrite telle qu'elle est utilisée dans un système conçu pour un traitement de dépôt chimique par vapeur (PVD), ces techniques sont applicables à d'autres procédés. Un raccord de liaison à la chambre à vide 28 est une liaison avec l'équi pement de dépôt 30. On peut utiliser l'équipement, qui est actuellement - ponible. II existe également trois raccords pour la création d'un vide 32, 34 et 36, qui sont raccordés à la chambre à vide. Comme cela sera décrit plus loin façon plus détaillée, les trois raccords pour la création d'un vide sont activés et désactivés d'une manière indépendante pour produire une purge à etages multiples de la chambre. Chacun des raccords inclut une soupape 38, 40 et 42. La soupape de dérivation 38 aboutissant au premier raccord 32 pour la creation d'un vide est initialement activée. La soupape principale de création d'un vide approximatif est ensuite activée une fois que la pression à l'intérieur de la chambre 28 atteint une valeur de consigne présélectionnée. La cadence maximale de création de vide du premier raccord 32 est inférieure à la cadence maximale de création de vide du second raccord 34. conséquent la première étape du procédé de création d'un vide approximati produit moins de turbulence que si le second raccord 34 était utilisé au stade initial. Étant donné que la chambre est plus sensible à des effets nuisibles induits turbulence au début de la création du vide, la capacité réduite premier raccord peut être sélectionnée pour l'obtention d'une densité inférieure défauts pour des masques d'ablation par laser. Dans une forme réalisation, le second raccord de création de vide 34 comporte une ouverture qui est compatible avec la création classique d'un vide approximatif, tandis le premier raccord 32 possède une ouverture qui est d'une taille inhabi- tuellement petite. La soupape de by-pass 38 et la soupape de création de vide approximatif sont représentées comme étant `reliées à une ou plusieurs pompes 44 de créa tion d'un vide approximatif. Dans une forme de réalisation, les soupapes sont connectées à des pompes séparées. Cependant, dans la forme de réalisation préférée, les soupapes sont reliées à la même pompe, ce qui réduit la dépense pour le système 26. La pompe de création d'un vide approximatif peut être une pompe mécanique classique utilisée dans des systèmes PVD connus. Le troisième raccord 36 de création d'un vide est relié à la soupape à vide pousse 42, qui est raccordé à une pompe à vide poussé 46. La soupape et la pompe peuvent être des dispositifs classiques. Par exemple la pompe à vide pousse peut être une pompe de diffusion, mais on peut utiliser des pompes cryo- géniques ou turbomoléculaires. Le troisième raccord 36 est activé après les premier et second raccords 32 et 34 pour réduire la pression dans la chambre 28 à une seconde valeur de consigne d'activation. Le processus de création d'un vide approximatif crée dans la chambre un vide intermédiaire, tandis que la pompe de diffusion peut réduire la pression dans la chambre à un état de vide poussé. Une valeur de consigne de pression appropriée pour l'activation de la soupape à vide poussé 42 est égale à 150 mtorrs. La pression à l'intérieur de la chambre 28 peut être contrôlée moyen nant l'utilisation d'une jauge Pirani 48. Cependant on peut utiliser d'autres dispositifs de contrôle connus. Une jauge Pirani utilise deux résistances de charge raccordées à des branches d'un circuit en demi-pont. Les résistances de charge possèdent des coefficients de température positifs. L'une des deux resistances de charge est isolée, de sorte que la chaleur produite par con- duction du courant dans la résistance isolée est rayonnée dans le gaz alentour. L'autre résistance de charge est raccordée à un puits de chaleur à la tempé rature ambiante, de sorte que la chute de tension dans la résistance est associée plus directement à une température ambiante. Lorsque la pression du gaz tombe à une valeur inférieure à la pression atmosphérique, il existe une quan tité plus faible de molécules de gaz pour véhiculer la chaleur émanant de la résistance de charge isolée. Par conséquent, la résistance isolée augmente à une température supérieure à une température ambiante. Le coefficient de tempé rature positif de la résistance isolée entraîne un accroissement de la valeur résistive de la résistance. À son tour la valeur résistive accrue produit une chute de tension plus élevée aux bornes de la résistance. Étant donné que la conductibilité thermique de l'environnement gazeux entourant la résistance isolée est fonction de la pression dans l'environnement, chute de tension aux bornes de la résistance est fonction de la pression. Le circuit en demi-pont fonctionne de manière à soustraire les effets d'une variation de la température ambiante, des effets d'une variation de pression. Bien que l'on décrive une jauge Pirani, il existe d'autres techniques pour contrôler la pression dans la chambre 28. La jauge 48 est raccordée à un dispositif de commande 50 qui règle l'activation des trois soupapes 38, 40 et 42. Le dispositif de commande inclut circuit de commutation et peut inclure le circuit de traitement de signaux servant à déterminer la pression dans la chambre sur la base de signaux provenant de la jauge 48. Le circuit de commutation peut être mis en oeuvre dans une forme de réalisation qui permet un chevauchement des gammes de pressions pour l'activation des trois raccords 32, 34 et 36 (comme cela sera décrit en référence à la Figure 3). Sinon la forme de réalisation peut être une forme de réalisation dans laquelle les trois gammes s'excluent mutuellement (comme cela sera expliqué en référence à la Figure 4). En se référant à la forme de réalisation à chevauchement de gammes d'un dispositif de commande 58 sur la Figure 3, on a représenté des soupapes à commande électrique 38, 40 et 42. Sinon, la commutation soupapes peut être principalement ou exclusivement mécanique. La source d'alimenta tion 52 est connectée à des bornes de commutation des premier et second relais 54 et 56. Le dispositif de commande 58 de la Figure 3 inclut un troi sième relais 60. Lorsque les relais sont dans un état relaxé (c'est-a-dire un état désexcité), les bornes de commutation des relais sont connectees électri quement à des bornes normalement fermées (NC). Par conséquent la source d'alimentation 52 est isolée du troisième relais 60, comme cela est représenté sur la Figure 3. Lors de l'étape initiale de création de vide, les trois relais 54 56 et 60 sont dans l'état désexcité de la Figure 3. Il en résulte que le premier relais 54 raccorde la source d'alimentation 52 à la soupape de by-pass 38. Comme cela est décrit en référence à la Figure 2, la soupape de by-pass 38 possède une cadence relativement faible d'évacuation. Ceci réduit la turbulence provoquée par l'initialisation de la création du vide. Cependant, sur la base la soupape by-pass 38, en tant que seul élément de raccordement pour réduire la pression dans la chambre à vide 28 à un nouveau suffisant pour le fonc tionnement de la pompe à vide poussé 46 puisse régler à une valeur élevée inacceptable le temps total pour la création du vide. C'est pourquoi seconde etape de création de vide approximatif déclenche l'activation la soupape principale de création d'un vide approximatif 40. Dans un exemple d'applica tion, la soupape de by-pass peut être activée à partir de la pression atmosphérique d'environ 760 torrs jusqu'à une première pression de désactivation égale à torrs. Cependant, lorsque la jauge 48 détecte le fait que pression à l'intérieur de la chambre à vide atteint une première valeur de consigne d'activation sélectionnée, le second relais 56 passe à l'état excité, dans lequel source d'alimentation 52 est connectée à la borne normalement ouverte (NO) du relais. Cette valeur de consigne d'activation peut être égale à 300 torrs par exemple. L'activation du second relais 56 raccorde la source d'alimentation 52 à la borne de commutation du troisième relais 60. Étant donné que le troisième relais est dans un état désexcité, la borne de commu tation du troisième relais est accouplée à ta source d'alimentation pour la borne NC, qui est connectée à la soupape 40 principale de création d'un vide approximatif. Dans la gamme de pressions allant de 300 torrs à 200 torrs, à la fois la soupape by-pass 38 et la soupape principale 40 de création d'un vide approximati sont activées. Cependant, lorsque le point de consigne de désactivation de 200 torrs est atteint, le premier relais 54 est excité, qui désactive la soupape de by-pass 38. La soupape principale de création d'un vide approximatif reste activée jusqu'à ce que le point de consigne présélec- tionné suivant soit atteint. Une valeur de consigne appropriée est 150 mtorrs. Pour cette valeur de consigne, le troisième relais 60 est activé, ce qui conduit au fait que les trois relais sont tous dans un état excité. La soupape de by-pass 38 et la soupape 40 de création d'un vide approximatif sont isolées de la source d'alimentation 52 alors que la soupape à vide poussé 42 est couplée à la source d'alimentation. La pompe à vide poussé 46 de la Figure 2 est alors actionnée pour réduire la pression dans la chambre 28 à la valeur désirée. La forme de réalisation sans chevauchement d'un dispositif de commande 62 est représentée sur la Figure 4. Cette forme de réalisation inclut seulement deux relais 64 et 66. Dans une étape initiale de création d'un vide approximatif, les deux relais sont dans les états désexcités représentés sur la Figure 4. Par conséquent la source d'alimentation 52 est connectée électrique ment à la soupape de by-pass 38, mais est isolée du second relais 66 qui commande l'activation de la soupape principale 40 de création d'un vide approximati et la soupape à vide poussé 42. Le premier relais 64 est excité lorsque jauge 48 située dans la chambre 28 détecte le fait la pression dans la chambre a été amenée à une première valeur de consigne. Lorsque la première valeur de consigne est atteinte, le premier relais 64 excité, puis le second relais 66 reste à l'état désexcité. Ceci connecte la soupape principale 40 de creation d'un vide approximatif à la source d'alimentation 52 et décon necte la soupape de by-pass 38. La valeur de consigne peut être égale à 200 torrs, mais ceci n'est pas critique. La soupape principale 40 de création d'un vide approximatif reste acti vée jusqu'à ce qu'une seconde valeur de consigne de la pression soit détectée dans la chambre 26. Une seconde valeur de consigne acceptable est 150 mtorrs. Au niveau de cette seconde valeur de consigne, le second relais est commute sur l'état excité, ce qui a pour effet de désactiver la soupape principale 40 de création d'un vide approximatif et d'activer la soupape a vide poussé Le fonctionnement de la soupape à vide poussé est identique à celui décrit en référence à la Figure 3. fois que la chambre à vide 28 a été correctement purgée les etapes de dépôt de l'empilage électrique sont exécutées. Le matériau utilisé pour former couches, qui ont des indices de réfraction faibles, est de préférence du bioxyde de silicium (SI02). Le Si02 est déposé à partir d'un materiau source formé de S102 à une faible cadence non classique. On a découvert que la cadence optimale pour le dépôt de Si02 se situe dans la gamme 1 Â/seconde à 3 Â/seconde. De préférence le S102 est évaporé de la source de S102, plutôt qu'en suivant la technique classique consistant à utiliser un matériau source de Si ou SIO. Un matériau acceptable pour former cou ches possédant un indice de réfraction élevé sont l'oxyde d'hafnium (Hf02). La Figure 5 est un organigramme indiquant les pas de formation d'un masque d'ablation par laser, que l'on peut utiliser dans le système de la Figure 1 pour former des têtes d'impression à jet d'encre. L'étape initiale 68 consiste à positionner un substrat transparent 67 dans la chambre à vide 28 la Figure 2. Le substrat est de préférence formé de quartz, mais d'autres maté riaux pour le substrat (par exemple de la silice) sont connus pour former masques d'ablation par laser. Lors du pas 70, la première étape de la procédure de création de vide approximatif est déclenchée. Sur la Figure le premier raccord 32 de création d'un vide approximatif est active pour commencer à purger la chambre à vide 28. La soupape de by-pass possede une cadence maximale relativement faible de création de vide, de sorte la turbulence à l'intérieur de la chambre est contrôlée. Par conséquent un avantage qu'il y a d'utiliser la soupape de by-pass est que le système moins sensible à l'apparition d'une matière particulaire et/ou à de l'eau atteignant le reste de la surface du substrat. Comme indiqué précédemment, l'introduction d'une pollution ou d'un liquide sur la surface du substrat augmente la densité de dépôt, ce qui réduit la durée de vie de fonctionnement du masque d'ablation par laser. D'autre part un élément à considérer dans le cas de l'utili- sation du premier raccord à réaction inhabituellement lente est la durée nécessaire pour produire le masque d'ablation par laser est accrue d'une manière conséquente. C'est pourquoi on utilise la seconde etape de la procédure de création d'un vide approximatif. Lors du pas 72, le processus de contrôle de la pression dans chambre à vi conduit à la détection du fait que la première valeur de consigne et d'activation est atteinte. À cette pression, le second raccord de création vide est activé sous l'effet de l'actionnement de la soupape principale 40 création d'un vide approximatif, comme indiqué lors du pas Le second raccord 34 de création d'un vide avec une cadence plus élevée réduit la durée necessaire pour la procédure de création d'un vide approximatif. Dans la forme de réalisation sans chevauchement d'un dispositif de commande qui a été décrit en référence à la Figure 4, la détection de la première valeur de consigne d'activation et le déclenchement de la seconde étape de la procédure de création d'un vide approximatif (c'est-à-dire les pas 72 et 74) coïncident avec la désactivation du premier raccord Cependant, dans la forme de réalisation à chevauchement de gammes de Figure 3, les gammes d'activation des premier et second raccords 32 et 34 se chevauchent. Cette forme de réalisation avec chevauchement requiert les étapes addition nelles 76 et 78 de détection du moment où la première valeur de consigne de désactivation est atteinte et la désactivation du premier raccord 32. Lors du pas 80, la seconde valeur de consigne d'activation/de désactiva tion est atteinte. Ceci déclenche l'activation du second raccord de création vide. Simultanément le raccord à vide poussé 36 est activé lors du pas 82. Lorsque la pression à l'intérieur de la chambre à vide atteint le niveau appro prié, le processus de dépôt commence. Facultativement on peut appliquer une couche adhésive ou une couche de masquage structurée avec une technique de décollement, au substrat avant l'empilage diélectrique, comme cela est connu dans la technique. Cependant les couches les plus importantes conformément à l'invention sont les couches qui sont utilisées pour former l'empilage diélec trique. L'empilage diélectrique est une structure formée par alternance d'un matériau ayant un indice de réfraction élevé et d'un matériau ayant un faible indice de réfraction. Le tableau 1 représente une forme de réalisation d'un empilage diélectrique. Le matériau (H) de la couche à indice de réfraction élevé peut etre du Hf02, tandis que le matériau de la couche à faible indice de réfraction (L) est de préférence du Si02. Des mesures de l'épaisseur de couches étaient basées sur un dispositif de commande de cadence Sycon. La température de revêtement était égale à 275 C et la pression partielle gène était égale à 1,0E-4 torr pour tous les matériaux. Le revêtement résultant était un empilage de dix-huit couches ayant un coefficient de réflexion optique élevé pour une longueur d'onde de 248 nm et pour une incidence normale sur un substrat en quartz. TABLEAU 1 Numéro Numéro Matériau de la couche de la couche de la couche 1 H 0,831 kÀ 2 L 0,307 kÂ 3 H 0,831 kÂ 4 L 0,307 kÂ 5 H 0,831 kÂ 6 L 0,307 IçÀ 7 H 0,831 kÂ 8 L 0,307 kÂ 9 H 0,831 kÂ 10 L 0,307 kÂ 11 H 0,831 kÀ 12 L 0,307 kÂ 13 H 0,831 kÂ 14 L 0,307 kÂ 15 H 0,831 kÀ 16 L 0,307 k.4 17 H 0,831 kÂ 18 L 0,614 kÂ Lors du pas 84 de la Figure 5, on a déposé une couche (H) possédant premier indice élevé. La cadence de dépôt pour former l'empilage de dix huit couches tableau 1 était de 2,0 Â/s, moyennant l'utilisation de 3,0 grammes/ centimètre cube (g/cm3) pour le Hf02. La cadence de dépôt des couches à indice réfraction élevé est moins importante que la cadence de dépôt du S!02. Lors du pas 86, on a formé la première couche de Si02 l'empilage. La cadence optimale de dépôt est de 1 À/seconde à 3 À/seconde. En raison des fluctuations propres de la cadence de dépôt, la gamme pratique préférée se situe entre 1,6 À/seconde et 2,4 Â/seconde, moyennant l'utilisation d'une densité physique de 2,2 g/cm3. De façon idéale, la cadence de dépôt est égale à environ 2,0 À/seconde. Une cadence de dépôt supérieure à la gamme optimale définit un processus qui est sensible à une densité élevée de défauts du revêtement. D'autre part, une cadence de dépôt située au-dessous de cette gamme peut conduire à une mauvaise adhérence d'une couche S!02 à une couche adjacente. Le pas de décision 88 est un pas, lors duquel une détermination est faite pour savoir si la couche, qui a été déposée lors du pas 86, ou non la couche finale dans l'empilage diélectrique. Si l'empilage n'est pas terminé, la procédure revient aux 84 et 86 pour former une autre paire de couches. Lorsqu'une réponse affirmative est produite lors du pas de décision 88, le processus avance au 90 pour effectuer la structuration du masque d'ablation par laser pour produire la configuration d'exposition désirée. Dans cette forme de réalisation préférée, le profil d'exposition est conçu pour la fabrication de têtes d'impression à encre, comme cela a été décrit en référence à la Figure 1. REVENDICATIONS 1 Procédé pour fabriquer un masque (18) de protection contre un rayonnement de haute énergie, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à - placer (68) un substrat (67) dans une chambre à vide (28) ; - activer (70) un premier raccord (32) pour l'établissement d'un vi approximatif à ladite chambre à vide, ledit premier raccord pour Péta blissement d'un vide approximatif possédant un débit maximum de création de vide approximatif ; - détecter (72) l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vi est réduite à une première pression de seuil ; - activer (74) un second raccord (34) de création d'un vide approximatif à ladite chambre à vide, ledit second raccord de création d'un vide approximatif possédant un second débit maximum supérieur audit premier débit maximum ; - détecter (80) l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est réduite à la seconde pression de seuil ; - activer (82) un raccord (36) de pompe à vide poussé à ladite chambre à vide en réponse à la détection du fait que ladite pression est inférieure ladite seconde pression de seuil ; et - déposer (84 et 86) au moins une couche sur ledit substrat dans ladite chambre à vide pour former un revêtement qui résiste à un endomma gement lorsqu'il est exposé à un faisceau de haute énergie. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à - détecter (76) l'instant où la pression à l'intérieur de ladite chambre à vide (28) est réduite à une pression de seuil intermédiaire qui est située entre lesdites première et seconde pressions de seuil ; et - désactiver (78) ledit premier raccord (32) pour l'établissement d'un vide approximatif en réponse à la détection du fait que ladite pression à l'intérieur de ladite chambre à vide est inférieure à ladite pression de seuil intermédiaire, ce qui fournit une gamme entre première pression de seuil et la pression de seuil intermédiaire, dans laquelle lesdits premier et second raccords (32 et 34) de création d'un 'de approximatif sont activés simultanément. 3. Procédé selon l'une ou l'autre des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdites étapes d'activation (70 et 74) desdits premier et second raccords (32 et 34) de création d'un vide approximati incluent deux pompes à vide indépendante (44) fonctionnant sélectivement. 4. Procédé selon la revendication 3, selon lequel ladite étape d'activation (82) dudit dispositif de raccordement (36) de pompe à vide poussé inclut l'actionnement sélectif d'une pompe de diffusion (46), qui est indépendante desdites pompes à vide (44) actionnées lors des étapes d'activation (70 et 74) desdits premier et second raccords (32 et 34) création d'un vide approximatif. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1, 3 et 4, caracté risé en ce comprend en outre les étapes consistant à - désactiver (78) ledit premier raccord (32) de création d'un vide approximatif, en réponse à la détection (76) du fait que ladite pression à l'intérieur de ladite chambre à vide (28) est inférieure à ladite première pression de seuil ; et - désactiver (82) ledit second raccord (34) de création d'un vide appro ximatif en réponse à la détection (80) du fait ladite pression à l'inté rieur ladite chambre à vide est inférieure à ladite seconde pression de seuil. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que ladite étape de dépôt inclut le dépôt en phase vapeur d'une pile de couches pour former un masque d'ablation par laser 18), incluant le dépôt (86) d'une pluralité de couches d'oxyde de silicium à un débit se situant dans la gamme de 1 Â/seconde à 3 Â/seconde. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite étape de dépôt phase vapeur (86) consiste à alterner lesdites couches d'oxyde de silicium avec des couches d'oxyde d'hafnium. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ladite étape de structuration est mise en oeuvre pour former un masque d'ablation par laser (18) pour fabriquer une tête d'impression à jet d'encre (24). 9. Système pour fabriquer un masque d'ablation par laser (18), caracte- risé en ce qu'il comprend une chambre à vide (28) configurée de manière à y placer un substrat (67) ; - un capteur (48) pour contrôler la pression de vide dans ladite chambre vi ; - première source (38) de création d'un vide approximatif couplée de manière à purger ladite chambre à vide, ladite première source d'établis sement de vide approximatif possédant une première capacité d'établis sement de vide et étant apte à répondre audit capteur pour être désacti vée à une première valeur de pression de consigne de désactivation ; - une seconde source (40) de création d'un vide approximatif couplée de manière à purger ladite chambre à vide, ladite seconde source de création d'un vide approximatif possédant une seconde capacité d'éva cuation supérieure à ladite première capacité d'évacuation, ladite seconde source de création d'un vide approximatif étant apte à répondre à ladite source pour être activée à une première valeur de consigne de pression d'activation, qui est inférieure à la pression atmosphérique et pour être désactivée à une seconde valeur de consigne de pression de désactivation qui est inférieure à ladite première valeur de consigne de désactivation ; - une pompe à vide poussé (46) raccordée de manière à purger ladite chambre à vide, ladite pompe à vide poussé étant apte à répondre audit capteur pour être activée pour une seconde valeur de consigne de pression d'activation qui est inférieure à ladite première valeur de consigne d'activation ; et un équipement de dépôt (30) pour déposer un materiau sur ledit substrat dans ladite chambre à vide pour former un revêtement qui est résistant à un rayonnement laser de haute énergie. 10. Système selon la revendication 9, caractérisé en ce 'il comporte outre un dispositif de commande (58 ;62) raccordé audit capteur (48) pour fixer à force lesdites première et seconde valeurs de consigne d'activation pour fixer à force lesdites première et seconde valeurs de consigne de désactivation, ledit dispositif de commande étant configuré de telle sorte 'une gamme de pressions allant de la pression atmosphérique à ladite première valeur de consigne de désactivation chevauche une gamme de pressions allant de ladite première valeur de consigne d'activation jusqu'à ladite seconde valeur de consigne de désactivation, ce qui fournit une gamme de fonctionnements de ladite seconde source (40) d'établissement de vide, qui est différente de la gamme de fonctionnement de ladite première source (38) d'établissement de vide, mais en étant en chevauchement avec cette dernière.