Brevet FR2801684A1 — publié le 20010601

FILTRE ANTICALORIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE FILTRE DESCRIPTION Domaine technique La présente invention se rapporte à un filtre anticalorique et à un procédé de fabrication ce filtre. Un filtre anticalcrique peut par exemple être utilisé pour filtrer un éclairage opératoire composé d'une source lumineuse qui émet de l'énergie, ou rayonnement, dans les domaines visible et infrarouge. Il doit permettre de filtrer la lumière émise par cette source afin d'éviter que le rayonnement infrarouge ne gêne 'équipe chirurgicale ou le patient. filtre doit bloquer les plus grandes longueurs d'ondes, tout en restant neutre au sens la perception des couleurs par l'#il humain dans le domaine visible. Les plus faibles longueurs d'onde peuvent également être absorbées ou réfléchies par le filtre Outre l'éclairage médical, un tel filtre peut également être utilisé pour une lampe de soins, une lampe de bureau, un système d'éclairage par fibres optiques, un vitrage, un système de projection optique, une ampoule, etc ... Art antérieur Dans le cadre de l'application éclairage opératoire ou "éclairage chirurgical", ce type de filtre est fabriqué à partir d'un verre dopé opaque au rayonnement infrarouge. Le spectre de transmission de ce verre dopé pour épaisseur de 3 mm est proposé sur la figure 1 en annexe, référencé 1, et comparé avec spectre de transmission d'un verre ordinaire de 3 d'épaisseur, reférencé 3. Sur cette figure, l'axe des ordonnées représente la transmission interne T et l'axe des abscisses, la longueur d'onde k en nm. Un traitement multicouche de ce verre dopé destiné à déposer des couches de Si02 et de Nb205 permet d'améliorer sa transmission dans le domaine visible pour en faire un filtre anticalorique appelé ci-après filtre verre dopé. Les performances optiques de ce . Itre sont données dans le tableau 1 suivant : Tableau 1 Dérinition Filtre verre dopé Radian énergétique RE (MW/M2 /Lux) 4,25 Transmission moyenne visible i"(%) Température de couleur 3585 T, ,,,, (K) Indice de rendu de couleur IRC ou RA (normes CIE) P., (normes CIE) 84,4 Compagnie Internationale d'Eclairage Malgré ces bonnes performances, le filtre verre dopé est un matériau cher et qui ne fonctionne pas bien milieu humide et chaud. Par exemple dans les pays à climat tropical, il est nécessaire de protéger ce filtre de l'humidité et des UV par une couche supplémentaire de Si02, ce qui accroît son coût fabrication. Exposé de l'invention La présente invention a précisément pour but pallier les inconvénients précités, en fournissant filtre anticalorique à faible coût de fabrication ayant les propriétés requises dans le domaine visible ou domaine du spectre visible et dans le domaine infrarouge. Ce filtre anticalorique comprend un substrat, moins couche d'un matériau réflecteur infrarouge et un revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible. particulier, la présente invention fournit un filtre anticalorique comprenant un substrat, une couche d'un matériau réflecteur infrarouge recouvrant au moins une surface du substrat, et un revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible recouvrant ladite couche du matériau réflecteur infrarouge. substrat peut être un substrat de verre, tel que du verre ordinaire transparent, ou de plastique. Le substrat de verre a, par exemple, pour une épaisseur de 2 mm, transparence de 30% à 3 pm environ. Lorsque le substrat est en plastique, il peut être nécessaire, dans certains cas, qu'il soit résistant à des temperatures de 200 à 3000C, notamment lorsque la technique de fabrication du filtre comprend des traitements à ces températures. Le matériau réflecteur infrarouge peut être un oxyde conducteur transparent, par exemple de l'oxyde d ' indium dopé à 1 1 étain (ITO) . Ces oxydes métalliques sont bien connus dans l'industrie du bâtiment, par exemple du vitrage, puisqu'ils sont transparents dans le visible et réflecteurs dans l'infrarouge. En faisant varier la composition chimique l'oxyde conducteur transparent, il est possible modifier le niveau de réflexion infrarouge et longueur d'onde de transition entre un comportement dielectrique, c'est-à-dire transparent et métallique, ci -à-dire réflecteur. C'est le cas par exemple pour Selon l'invention, l'oxyde d'indium dopé à l'étain peut présenter un rapport Sn/In allant d'environ 9 environ 11% en masse, par exemple d'environ 10% masse. Un rapport d'environ 10% en masse permet d'obtenir un niveau de réflexion maximal. D'autres matériaux réflecteurs peuvent être utilisés, par exemple des métaux tels que de l'or, de l'argent ou de l'aluminium. Mais ils sont également réflecteurs dans le visible, il est donc nécessaire de déposer en couches très minces, par exemple de 10 nm environ, pour conserver une transmission suffisante. Selon l'invention, le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible peut comprendre au moins un groupe d'empilement répété N fois d'au moins un premier film et d'au moins un deuxième film, dans lequel ledit groupe d'empilement présente une alternance du premier film et du deuxième film, le premier film ayant une épaisseur L ou multiple de L étant constitué d'un premier matériau ayant un indice de réfraction n,, et le deuxième film ayant épaisseur H ou multiple de H et étant constitué deuxième matériau ayant un indice de réfraction dans lequel N est un nombre entier et H et L sont épaisseurs géométriques, et dans lequel N, H, L, n, n# sont tels que le revêtement formant un filtre interférentiel présente une fenêtre de transmission située entre 400 et 800 nm. La définition de l'épaisseur géométrique donnée en considérant un film ou une couche mince déposé sur un substrat quelconque et une longueur d'onde référence ko. Cette couche d'épaisseur e a indice valeur n pour cette longueur d'onde référence. Si on éclaire la couche avec une source de longueur d'onde #,o, la partie du rayonnement lumineux I-,, réfléchie à la première interface, c'est-a- dire l'interface air-couche, va interférer avec celle I-# réfléchie à la seconde interface, c'est-à-dire à l'interface couche-substrat comme le montre la figure 16 en annexe. Le déphasage de l'onde 12 par rapport à l'onde Il provient du passage au travers de la couche et vaut S'il est égal à (2p+1)n, avec p entier, dans la mesure où la valeur de l'indice du substrat plus faible que celle de l'indice de la couche déposée, les interférences sont destructives et la réflexion est minimale à ko. Pour cette longueur d'onde, la couche est appelée couche quart-d'onde et est notée H si 1 indice est fort, L si l'indice est faible. 0 1 angle que fait le rayon réfracté dans le milieu indice n. En général, on travaille à incidence normale, cosO vaut 1. Si l'on pose p=O, on a ainsi l'épaisseur une lame quart d'onde sera donc e=kc,/4n Cette épaisseur est notée H si n est un indice fort si n est un indice faible. L'architecture d'un empilement est, en général, donnée en multiples de films ou couches quart d'onde, c'est ce qu'on appelle l'épaisseur géométrique. L'intérêt d'une telle notation est de pouvoir décaler spectralement les propriétés de l'empilement en ne changeant que la valeur de la longueur d'onde de référence, dans la mesure où l'indice n est constant entre les deux longueurs d'onde. Par exemple, dans le revêtement interférentiel, le premier matériau peut être du SiO- et le deuxième matériau peut être du TiO-,#. Par exemple, aussi, premier matériau peut être SiO- et le deuxième matériau Si3N4 - Tout autre couple de matériaux ayant comportement diélectrique et des valeurs d'indice différentes est acceptable. Lorsqu'il s'agit de SiO# et de Ti02, le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible peut comprendre un premier groupe d'empilement présentant une alternance de type 0,5L/H/0,5L répétée 8 fois. En outre, il peut comprendre un deuxième groupe d'empilement présentant une alternance de type 0,65L/1,3H/0,65L répétée 8 fois. Par exemple, dans le filtre anticalorique, le substrat peut être un substrat de verre, la couche d'oxyde conducteur transparent peut être une couche d'oxyde d'indium dopée à l'étain, et le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible peut être un empilement dans lequel alternent des films de SiOZ et des films de TiO,, tempilement commençant par un film de Si02 déposé la couche d'ITO et se terminant par un film de TiO-, en contact avec l'atmosphère, ledit empilement comprenant 17 films de SiO2 et 16 films de TiO?. Lorsqu'il s'agit de SiO- et de Si3N4, le revêtement formant un filtre interférentiel dans domaine visible comprend un premier groupe empilement presentant une alternance de type O,SL/H/0, répétée 6 s. Il peut comprendre en outre un deuxième groupe empilement présentant une alternance de type 65L/1,3H/0,65L répétée 6 fois. Le filtre anticalorique peut comprendre en outre couche antireflet et/ou une couche anti-rayure. Le filtre de la présente invention peut être utilisé par exemple dans un système optique tel qu'un éclairage opératoire, une lampe de soins, une lampe, une lampe de bureau, un système d'éclairage par fibres optiques, un vitrage, un système de projection optique, une ampoule, etc ... La présente invention se rapporte donc aussi à un tel système comprenant un filtre conforme à celui de la présente invention, par exemple à éclairage opératoire ou à une lampe de soins, par exemple de soins médicaux, esthétiques, etc ... La source lumineuse peut être par exemple une ampoule à filament, une lampe halogène, une lampe à incandescence, etc ... La présente invention se rapporte également à un procédé de fabrication d'un filtre anticalorique comprenant un substrat, au moins une couche d'un materiau réflecteur infrarouge et un revetement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible. Ce procédé comprend les étapes consistant à a) fournir un substrat, b) déposer sur au moins une surface dudit substrat une couche d'un matériau réflecteur infrarouge, c) déposer sur ladite couche du matériau infrarouge un revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible. Selon l'invention, dans l'exemple selon lequel le materiau réflecteur infrarouge est de 1 oxyde d'indium dope à l'étain (ITO) , ce matériau peut etre déposé par pulvérisation cathodique magnétron sur le substrat, par exemple à partir d'une cible frittée dont la composition est d'environ 9 à environ 11% en masse, par exemple d'environ 10% en masse d'oxyde d'étain dans In-03. Dans le cas de l'ITO, le procédé de l'invention peut comprendre en outre une étape a,) de recuit du matériau réflecteur infrarouge déposé sur le substrat. Lorsque le filtre interférentiel comprend au moins un groupe d'empilement répété N fois tel que défini précédemment, dans lequel le premier matériau est SiO- et dans lequel le deuxième matériau est Ti02, l'étape c) de dépôt du filtre interférentiel peut être une etape de dépôt des films réalisée par une technique 'évaporation sous vide ou de pulvérisation cathodique. Le dépôt de films minces par évaporation sous vide est très employé pour l'élaboration de fonctions optiques complexes. Certains appareils automatisés peuvent être très utiles pour la présente invention car ils permettent de déposer des multicouches de quatre matériaux différents. L'évaporation sous vide peut être réalisée par exemple au moyen d'un canon à électron. Cet appareil consiste à défléchir un faisceau d'électrons émis par un filament dans un creuset contenant le matériau à déposer. Le matériau cible s'évapore et se condense sur substrat placé en regard du creuset Cette méthode permet de déposer des matériaux de nature différente tels que des oxydes et des métaux. Le canon à électron Peut être exemple le modèle EVA 1200 (marque de commerce) la Société Alliance Conce#Dt, FRANCE. Dans le cas des oxydes, il peut être nécessaire ajouter de l'oxygène dans l'enceinte afin d'améliorer la stoechiométrie des couches. La faible pression de travail de l'ordre de 10- à 10-3 Pa permet le dépôt de film mince d'une grande pureté. Cependant, l'énergie des espèces évaporées étant inférieure à 1 eV, c'est-à- dire relativement faible, les couches ont souvent une structure colonnaire et sont peu denses et peu adhérentes. Pour améliorer cette structure et l'adhérence, peut irradier par un faisceau d'ions la couche en cours de croissance. Il s'agit alors d'évaporation assistée. Cette assistance ionique peut être réactive par exemple lorsqu'on utilise des ions oxygène, ou non réactive exemple lorsqu'on utilise des ions argon. differents paramètres de dépôt comme l'énergie, temperature, les pressions partielles, le flux ou nature des ions contribuent à optimiser les proprietés optiques des couches déposées. La pulvérisation cathodique quant à elle consiste à faire une décharge électrique en milieu gazeux avec un rare ou réactif, entre la cathode constituée du materiau à déposer et l'électrode à la masse la plus proche. Les ions du plasma généré bombardent la cible, et les espèces pulvérisées se condensent sur substrat. T a -LI pulvérisation cathodique magnétron est procédé de dépôt à forte énergie pour les especes pulvérisées (quelques eV). L'adhérence des couches déposées est souvent supérieure à celle observée dans le cas de l'évaporation. Cependant, la pression de travail dans l'enceinte est plus élevée, de l'ordre 0, 1 à 1 Pa, ce qui peut générer un certain taux pollution dans les couches. La structure des films dépend essentiellement la pression et de la distance cible-substrat. ailleurs, le dépôt d'oxyde nécessite soit de travailler en radiofréquence, c'est-à-dire à environ 13,56 soit en courant continu DC sur une cible métallique en milieu réactif. Dans le premier cas, la température de dépôt plus élevée qu'en DC, de l'ordre de 800C et la vitesse de dépot est plus lente. pulvérisation cathodique ou pulvérisation cathodique magnétron peut être réalisée par exemple au moyen d'une machine de pulvérisation cathodique magnétron de type BAK 550 (marque de commerce) de Société Balzers, LICHTENSTEIN. Selon l'invention, lorsque le filtre interférentiel comprend au moins un groupe d'empilement répété N fois tel que défini précédemment, dans lequel le premier matériau est SiO.- et dans lequel le deuxieme matériau est Si3N4, l'étape de dépôt du filtre interferentiel peut être une étape de dépôt des films réalisee par une technique de dépôt plasma. La présente invention réside notamment dans l'association d'un filtre infrarouge et d'un filtre Visible, pouvant être déposés sur un substrat de verre ordinaire, ainsi que dans le niveau de performance d'éclairage de ce filtre. filtre de la présente invention permet de filtrer le rayonnement infrarouge d'un éclairage qu T lampe à incandescence sans perturber la vision des couleurs par l'#il humain. Le filtre offre également une transmission importante dans le domaine spectral visible. Il permet d'éviter l'échauffement de la zone d'observation de garantir une bonne vision des couleurs et bon rendement d'éclairage puissance lumineuse/puissance électrique. outre, son coût est bien inférieur aux filtres de l' antérieur car il utilise un substrat qui peut être en verre ordinaire. autres caractéristiques et avantages apparaitront encore à la lecture de la description et des exemples qui suivent, donnés bien entendu à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures en annexe. Brève description des figures - La figure 1 représente un spectre de transmission d'un verre de type verre dopé et un spectre de transmission d'un verre ordinaire. - La figure 2 représente une fenêtre transmission dans la gamme visible. - La figure 3 représente les spectres réflexion et de transmission expérimentales modélisées d'un film d'ITO de 250 d'épaisseur déposé sur un substrat de verre. - La figure 4 représente un spectre transmission d'un substrat de verre nu de 2 d'épaisseur. - Les figures 5 et 6 représentent la variation des indices de réfraction déterminée ellipsométrie respectivement pour SiO-, et Ti02 pour différentes méthodes de dépôt. - La figure 7 représente la variation coefficient d'extinction k déterminé ellipsométrie pour TiO2 pour différentes méthodes de dépôt. La figure 8 représente la variation de l'indice réfraction en fonction de la tension du canon à ion pour le dépôt de Ti02- figure 9 représente la transmission empilement N x(0,5L/H/O,SL) pour différentes valeurs de N avec k0=880 nm. La figure 10 représente les spectres transmission de l'empilement x (0,5L/H/0,5L) + N x (0,5mL/mH/0,5mL) sur substrat pour différentes valeurs de m. figure 11 illustre l'effet du recuit d' couche d'ITO sur les propriétés optiques cette couche. La figure 12 illustre une étude paramétrique différentes spécifications en fonction 1 épaisseur d'ITO avec deux groupes d empilement répétés 5 fois suivant architecture x (0,65L/3H/0,65L) + 5 x (5H/L/5H)/ITO/Verre. figure 13 est un graphique illustrant famélioration des performances de filtrage de 1 architecture avec le nombre d'empilements films de Si02 et de TiO-,. figure 14 est une illustration d'une étude paramétrique de différentes spécifications fonction de l'épaisseur d'ITO avec revêtement formant un filtre interférentiel comprenant deux groupes d'empilement répétés 8 fois suivant une architecture x (0,5L/H/0,5L) + 8 x (0,65L/1,3H/0,65L)/ITO/ Verre. figure 15 représente pour comparaison spectre théorique de transmission du filtre de présente invention, et le spectre obtenu expérimentalement, pour un revêtement formant filtre interférentiel Si02/TiO2. figure 16 est un schéma illustrant des réflexions multiples de la lumière au travers d'une couche mince et transparente. - La figure 17 représente pour comparaison spectre thermique de transmission du filtre la présente invention et le spectre obtenu expérimentalement pour un revêtement formant filtre interférentiel SiO-/Si#,N4. - La figure 18 illustre une étude paramétrique des performances de transmission (%) et température de couleur (K) en fonction l'épaisseur d'une couche d'ITO sur verre avec un revêtement formant un filtre interférentiel Si02lSi3Ne, comprenant deux groupes d'empilement répétés 8 fois suivant une architecture 8 x (0,65L/3H/0,65L) + 8 x (5H/L/5H)/ITO/Verre Exemples A. Introduction Les inventeurs ont dans un premier temps, séparé les deux domaines spectraux. Ils présentent ci-dessous, la démarche qui conduit à définir l'architecture d'un empilement purement diélectrique pour former revêtement formant le filtre interférentiel dans domaine visible. Ce filtre anticalorique selon l'invention doit exemple répondre aux spécifications suivantes dans domaine visible : # Radiant énergétique (partie infrarouge l'intensité lumineuse totale transmise) inférieur à 4,5 MW/M2 Lux, # Transmission visible de la chaîne complète (intensité lumineuse transmise dans le domaine spectral visible) supérieure à 60%, Température de couleur de la chaîne optique entre 3500 et 4000 K, Indice de Rendu de Couleur (IRC) : supérieur 90, Rendu de couleur dans les rouges (R q) supérieur à 50. Ensuite, la partie filtration infrarouge est traitée avec un matériau réflecteur dans ce domaine. Après avoir présenté les propriétés optiques de plusieurs d'entre eux, ils expliquent leur choix. B. Détermination des composants du filtre interférentiel dans le domaine visible filtre diélectrique Pour simplifier le procédé de fabrication, le choix est limité à deux matériaux diélectriques différents de type oxyde : Si02 et Ti02. Ces deux matériaux ont un contraste d'indice fort, An=l environ, et ne posent pas de problème particulier quant à leur approvisionnement. Ils sont d'ailleurs utilisés couramment dans l'industrie de l'optique et font 1 objet d'une bibliographie importante. Le choix des différents composants a fait selon différents critères : - fort contraste d'indice les effets interférentiels sont marqués et les performances pourront être atteintes avec moins de films, - facilité d'approvisionnement et coût ces matériaux sont connus du milieu industriel et peu onéreux. C. Détermination des indices des matériaux Indices de réfraction et choix de la méthode de depôt Le tableau 2 ci-dessous récapitule les differentes techniques de dépôt qui ont été testées pour chaque monocouche (SiO., et Ti02) - Tableau 2 Récapitulatif des différentes méthodes de dépât étudiées Evaporation Balayage Assistance Nature gazeux ionique l'assistance 1 Simple non non 2 Réactive oxygène non 3 Assistée non oui argon 4 Réactive assistée oxygène oui argon 5 Assistée réactive non oui oxygène 6 Réactive assistée réactive oxygène oui oxygène Les propriétés optiques de chaque couche unitaire siO# TiO-- ont été déterminées par ellipsométrie spectroscopique UV-Visible-proche IR. Pour faciliter cette opération, les couches mesurees ont été déposées sur silicium. Bien que silicium ne soit pas optimal dans le domaine visible car est difficile, aux courtes longueurs d'onde, séparer l'absorption due à la couche de celle due substrat, ses propriétés optiques sont bien connues, et son opacité dans le domaine visible permet de ne pas être gêné par les réflexions sur la face arrière du substrat. Pour retrouver les caractéristiques des films, le modèle le plus couramment utilisé est le modèle de Cauchy dont l'expression de l'indice réel est la suivante n B,k-' + C,k-' propriétés d'un matériau diélectrique sont ainsi retrouvées : une valeur de n constante aux fortes longueurs d'onde et une augmentation sensible de cette valeur lorsque la longueur d'onde diminue, est-à-dire que les fréquences en augmentant se rapprochent de la valeur du "gap", correspondant à l'énergie de bande interdite. Pour des matériaux dont l'absorption est non négligeable et mesurable par ellipsométrie, c'est-à- dire pour des valeurs de k de l'ordre de -3 ou plus, le modèle de la queue d'Urbach pour k décroissant exponentiellement de l'#TV vers les plus grandes longueurs d'onde peut être utilisé. On pose alors : Le coefficient 1240 vient du fait que les inventeurs ont travaillé en nm alors que le phénomène est physiquement décrit en unité d'énergie (eV). Ils ont cherché à superposer au mieux spectres expérimentaux et calculés en ajustant numériquement les 5 paramètres : A,, Bn, CnI A#,, B##. La technique de dépôt choisie est celle qui permet d'obtenir les caractéristiques optiques de chaque matériau se rapprochant de celles des matériaux massifs, avec le plus fort contraste d'indice observable entre les deux oxvdes. Les résultats obtenus sur les différentes couches déposées sont proposés sur les figures 5 et 6 pour n et 7 pour k. Sur les figures 5 et 6, l'axe des abscisses indique la longueur d'onde k en nm, l'axe des ordonnées indique l'indice de réfraction n du matériau, et sur la figure 7, il indique le coefficient k. La figure 5 a éte réalisée avec SiO-, et la figure 6 avec TiO,. La légende indiquée sur la f igure 5 est également valable pour les figures 6 et 7. La référence 9 indique une évaporation simple, la référence 11 une évaporation assistée, la référence 13 évaporation réactive, la référence 15 une évaporation réactive assistée, la référence 17 une evaporation assistée réactive et la référence 19 évaporation réactive assistée réactive. En ce qui concerne l'oxyde de silicium, il a noter que la valeur du coefficient d'absorption de SiO-, est non mesurable par ellipsométrie car elle est inférieur à 10-3 . ksjO# a donc été posé. LI indice de réfraction du SiO2 varie peu en fonction des conditions de dépôt : à 600 nm, il varie de 1,46 à 1,485. Cependant, les valeurs de n les plus faibles et les plus proches de celles du matériau massif sont obtenues dans le cas de l'évaDoration simple, l'évaporation assistée, l'évaporation réactive l'évaporation réactive assistée réactive. Dans le cas du TiO?, les valeurs de n les plus faibles sont observées dans le cas de l'évaporation simple et de l'évaporation réactive. C'est le plus fort contraste d'indice aulil faut obtenir ; la méthode choisie est donc soit l'évaporation assistée, soit l'évaporation réactive assistée réactive. Par ailleurs, l'absorption des couches d'oxyde titane est la plus faible dans le cas de l'évaporation réactive, l'évaporation réactive assistée et l'évaporation réactive assistée réactive. Par élimination, la méthode choisie llevaporation réactive assistée réactivement. C'est semble être le meilleur compromis entre un bon contraste d'indice et une faible absorption du TiO,#. Afin d'optimiser l'indice de ce dernier, l'énergie ions irradiant le film ou la couche en cours croissance a été augmentée au moyen d'un canon à ions. La figure 8 représente la variation d'indice de réfraction en fonction de la tension du canon à ions. Sur cette figure, l'axe des abscisses indique l'indice de réfraction n, et l'axe des ordonnées, la longueur d'onde k en nm. Sur cette figure, la référence indique la courbe obtenue avec une tension du canon a ions de 100 V et 2 A et la référence 23 : 160 V et 2 Lorsque la tension du canon augmente, l'indice augmente. Si l'énergie est encore augmentée, compétition apparaît entre le dépôt du matériau et érosion par les ions. Par ailleurs, une plus forte énergie peut générer des défauts, sources d'absorption. Les indices des films ou couches unitaires ont donc été déterminés par ellipsométrie en utilisant le modèle de Cauchy. Les paramètres obtenus sont les suivants : A. B#, C', S'02 1,455 3,33 x 10-3 0 TiO, 2,262 1,39 x 1()-2 4,1 x 1()-3 A,, B,, et C,, étant les paramètres de Cauchy pour ces matériaux. Pour ce . concerne le coefficient d'absorption k du Ti02, les valeurs des paramètres obtenues sont les suivantes 1 x 1 0_' By,,=51-7 1 ko=O, 4 pm. Ces parametres donnent une valeur de k=4,1 x 10-3à 400 nm. Une fois que les valeurs d'indice des couches unitaires ont eté déterminées, le filtre diélectrique a pu être réalise. D. Calcul du filtre interférentiel dans le domaine visible Les inventeurs ont choisi de traiter le problème en deux étapes : la première concernant le domaine visible, la seconde le domaine infrarouge. Les spécifications données ci-dessus dans chacun de ces deux domaines été déterminées à partir d'un film idéal sur le spectre complet de 300 à 3000 nm et ont une influence négligeable les unes sur les autres. Ils ont traité le domaine visible et déterminé les caractéristiques d'un filtre telles qu'elles répondent à certaines spécifications propres à ce domaine spectral (Tv,s, TOCOUL) - Ces caractéristiques ont été revues après la deuxième étape. Les valeurs suivantes ont été utilisées comme point de départ : T 1 pour k 400 nm T > 9 pour 440 k 590 nm T pour 690 nm T 0,03 pour > 770 nm Cet ensemble de valeurs cibles décrit une fenêtre transmission qui est schématisée sur la figure cette figure, T(%) représente la transmission pourcent, et k, la longueur d'onde en nm. Ils cherché à la retrouver par calcul en superposant couches minces alternées de SiO, et TiO-. Pour toutes les architectures qui vont suivre, les épaisseurs sont données en épaisseur géométrique. Cette convention d'écriture a été expliquée précédemment. Ils ont cherché un empilement ayant une fenêtre transmission entre 450 et 750 nm environ. Ils sont partis de l'architecture suivante . Air/N x (0, 5L/H/0,5L) /substrat, qui donne les spectres transmission représentés sur la figure 9 en fonction la valeur de N. Sur cette figure, l'axe des abscisses représente la longueur d'onde en nm et l'axe des ordonnées la transmission en pourcent. La référence 25 indique la courbe obtenue avec N = 3, la référence 27 avec N = 5 et la référence 29 avec N = 7. On constate sur cette figure que l'accroissement du nombre d'empilements, donc de couches permet une transition plus abrupte entre transmission et réflexion. Ce phénomène sera discuté par la suite pour déterminer le meilleur compromis entre performances optiques du filtre et difficultés technologiques de réalisation. Pour essayer d'élargir la zone de réjection du filtre, ici entre 800 et 1000 nm, il est possible de superposer à ce premier empilement un second, décalé vers les plus fortes longueurs d'onde. Il a donc été ajouté au premier groupe d'empilement, un deuxième identique centré à une longueur d'onde de référence kl=mko. En d'autres termes, les inventeurs ont multiplie épaisseurs de ce deuxième groupe par m et considère empilement total suivant à la longueur d'onde référence ko : N x (0,5L/H/O,SL) + N x (0,5mL/mH/0,5mL). Ils ont posé, dans un premier temps N=5 et comportement du filtre en fonction de m a été analysé. Les spectres de transmission calculés sont représentés sur la figure 10 en annexe. Sur cette figure, l'axe des abscisses indique la longueur d'onde en nm et l'axe des ordonnées, la transmission en pourcent. La référence 31 indique la courbe obtenue avec m la référence 33 avec m =1,2, la référence 35 avec m et la référence 37 avec m 1,4. m=1,3 a ainsi été choisi car cette valeur donne un bon compromis entre zone de réjection dans le proche infrarouge et transmission visible par rapport aux spécifications données. Ce choix n'est pas primordial car il ne s'agit que dv architecture de départ dont les épaisseurs de chaque couche seront ensuite modifiées par calcul. Cette méthode peut être poursuivie en rajoutant un troisième groupe décalé vers les plus hautes longueurs d'onde. Plusieurs calculs ont été effectués dans ce sens mais les résultats n'ont pas été probants. En effet, un élargissement de la zone de réjection constaté, mais la fenêtre de transmission considérablement réduite et s'éloigne trop des spécifications de départ. De plus, le nombre de couches à déposer augmente ce qui ne va pas dans le sens de la réduction des coûts de traitement. En revanche, il est possible d'augmenter le nombre de couches de chaque groupe pour obtenir une fenêtre de transmission aux pentes plus abruptes. E. Choix du réflecteur infrarouge matériau réflecteur infrarouge choisi dans cet exemple est de l'oxyde d'indium dopé à 'étain (ITO) . Les propriétés optiques des couches d' déposées ont été modélisées. Les inventeurs ont cherché à retrouver les valeurs des indices n et k du matériau et ainsi ont pu calculer les spectres de réflexion et de transmission de l'empilement total filtre visible + filtre IR. Modélisation des propriétés optiques de 11ITO propriétés optiques des couches ITO déposées ont été modélisées. Les inventeurs cherché à retrouver les valeurs des indices n et k du matériau et ainsi ils ont pu calculer les spectres de réflexion et transmission de l'empilement total, c'est-à-dire filtre visible + filtre IR. Le modèle de Drude rend compte de présence de porteurs libres dans les matériaux reflecteurs en particulier des métaux. Couplé avec modèle de Lorentz qui considère la présence de porteurs liés dans les matériaux diélectriques, il permet de modéliser les propriétés optiques de matériaux comme l'ITO. Les indices n et k du matériau, puis les spectres de réflexion et de transmission à partir de la fonction diélectrique issue de ce modèle ont été calculés. La méthode est la suivante : des valeurs de départ des paramètres y et cop du modèle de Drude des équations de la fonction diélectrique, ont été choisies puis n et k de la couche modélisée puis R et T de l'ensemble couche/substrat ont été calculés. Une minimisation numérique par méthode des moindres carrés converge vers les paramètres du modèle tels que spectres calculés et expérimentaux soient superposés au mieux. L'épaisseur de la couche a également été déterminée par calcul puis comparée à la mesure. Ces paramètres finaux ont donné un spectre de dispersion des valeurs n et k qui a permis d'extrapoler les propriétés optiques de la couche à une épaisseur quelconque. Plusieurs ITO de nature différente ont ainsi été modélisées. La figure 3 en annexe montre la superposition entre les spectres expérimentaux en réflexion et transmission recalculés ou modélisés pour l'un d'entre eux. cette figure, l'axe des abscisses représente la longueur d'onde en nm, l'axe des ordonnées représente la transmission ou la réflexion en pourcent. cette figure, les courbes référencées 5A et 5B representent respectivement les spectres de transmission et de réflexion calculés par le modèle de Drude et les courbes référencées 7A et 7B représentent respectivement les spectres de transmission et de réflexion obtenus selon l'invention. Un bon accord entre l'expérience et le calcul notamment dans la partie infrarouge du spectre peut être constaté. domaine des plus courtes longueurs d'onde est moins bien simulé probablement parce que 1 absorption du substrat verre est sous-estimée. De plus, le calcul ne prend pas en compte le début de l'absorption du matériau aux plus grandes énergies, proches de son fl gap " Cette absorption visible a été, dans un premier temps négligée pour prédire l'épaisseur de réflecteur nécessaire à la fabrication du filtre. Par la suite, lorsque l'empilement a été déposé, il a été vérifié que cette absorption est négligeable. . Etude des paramètres de dépôt de la couche d'ITO : influence du recuit L'oxyde d'indium dopé à l'étain a été déposé par pulvérisation cathodique magnétron sur verre, à partir d'une cible frittée dont la composition est de 10% en masse d'oxyde d'étain dans In-O-.. La qualité optique de cet oxyde déposé en couche mince dépend du taux d'oxygène dans le film ainsi que de son état cristallin. Pour conserver la même stoechiométrie celle de l'oxyde massif, il est nécessaire d'ajouter certain pourcentage d'oxygène dans l'enceinte lors du dépôt. La figure 11 en annexe illustre l'effet du recuit d'une couche dITO sur les propriétés optiques de réflexion et de transmission de cette couche. cette figure, l'axe des abscisses indique la longueur d'onde #, en nm, et l'axe des ordonnées, la réflexion ou la transmission en pourcent. Les références 39A et 39B indiquent respectivement les spectres de transmission et de réflexion de l'ITO sans recuit, les références 41A et 41B indiquent respectivement les spectres de transmission et de réflexion de 11ITO avec un recuit à 200'C, et les références 43A et 43B indiquent respectivement les spectres de transmission et de -réflexion de l'ITO avec un recuit à 3000C. Ces spectres ont été obtenus après une optimisation de la teneur en oxygene. Le traitement thermique à 2000C suffit pas pour remplir les spécifications du filtre infrarouge. A 300"C, l'oxyde devient réflecteur à 80% dans l'infrarouge et la longueur d'onde coupure est à 1,3 #im. Les propriétés optiques de ce matériau sont alors optimisées. F. Expression quantitative des spécifications données ci-dessus : Les spécifications relatives performances du filtre sont au nombre de 5. Le tableau 3 ci-dessous reprend les valeurs à atteindre ainsi que celles obtenues avec le filtre verre dopé de 'art antérieur. Tableau Spécifications recherchées comparées aux performances obtenues par l'ensemble filtre verre dopé Définition Spécifications Filtre recherchees verre dopé Radian énergétique 4,5 MW/M2 Lux 2,5 à 4 RE Transmission moyenne > 60 61,1 visible T,j, Température de couleur entre 3500 et 4000 K 3583 TcOUL Indice de rendu de > 90 96,9 couleur IRC ou RA P-9 > 50 82,9 G. Détermination des différentes couches de l'architecture retenue Les inventeurs ont étudie les performances de l'empilement en fonction de Ilepaisseur de l'ITO. Pour chaque valeur d'épaisseur, la partie diélectrique a été recalculée afin de S'approcher au mieux des spécifications recherchées et surtout de limiter les effets d'oscillation de la transmission dans la partie visible du spectre. Les épaisseurs de chaque couche ont ainsi été recalculées mais restent liées entre elles. En fait, les coefficients multiplicateurs des deux groupes ont été calculés par rapport à longueur d'onde de référence. Enfin, après cette optimisation, les 5 grandeurs précédentes ont été recalculées. Les résultats obtenus sont regroupés sur la figure 12 annexe. Sur cette figure, l'axe des abscisses represente l'épaisseur d'ITO en nm, l'axe des ordonnees de gauche représente dans la partie inférieure le radian énergétique en MW/M2 Lux, et dans la partie superieure le pourcentage de transmission et l'axe des ordonnées de droite représente la température de couleur en K. En fonction de l'épaisseur de la couche d'ITO, la référence 4-1) indique la courbe de variation du radian énergetique RE, la référence 4-7 indique la courbe de variation de transmission T dans le visible, la réference 49 indique la variation de la température de couleur Tc, la référence 51 indique la variation de l'indice de rendu de couleur Ra, et la référence 53 indic#ue la variation de l'indice de rendu de couleur dans rouge Rg. Les deux grandeurs intéressantes en priorité sont le radian énergétique et la transmission moyenne visible. on constate qu'elles vont en sens inverse. En effet, on diminue la valeur de RE en augmentant l'épaisseur d'ITO ce qui entraîne une réduction de la transmission IR, qui s'accompagne donc d'une diminution de transmission visible. Ainsi, pour une épaisseur d'ITO de 250 nm, la limite basse de transmission visible, c'est-à-dire 60% est atteinte alors que le radian énergétique est encore largement supérieur à 5. Les objectifs ne sont pas atteints avec l'empilement multicouche diélectrique + ITO précité, la solution initiale a donc été modifiée. Comme constaté sur la figure 9 en annexe, en augmentant nombre de couches de chaque empilement, la frontière entre zone transparente et zone de réjection devient plus abrupte et le filtrage de cette dernière plus efficace. Cette remarque est d'autant plus importante que la source lumineuse est très énergétique dans cette zone. Le nombre de couches par groupe a donc été augmenté manière à réduire encore le niveau de transmission entre 750 et 1200 nm et donc le radian énergétique comme le montre la figure 13 en annexe. Cette figure illustre l'amélioration des performances de filtrage de l'architecture avec le nombre d'empilements. L'axe des abscisses représente la longueur onde k en nm et l'axe des ordonnées la transmission en pourcent. Les références 55, 57, 59 et 61 indiquent respectivement les courbes obtenues avec N = 5, N = 6, N = 7 et N = 8. La référence 63 indique le spectre d'émission de la lampe source et les flèches indiquent l'importance du radian énergétique. Pour améliorer la solution, un degré de liberté supplémentaire a été nécessaire en laissant libres, pendant le calcul, les épaisseurs de chaque couche indépendamment les unes des autres. Les performances du filtre notamment dans la forme de la fenêtre de transmission visible peuvent être améliorées. Partant toujours de l'architecture initiale N x (0,5L/H/0, + N x (0, 65L/ 1, 3H/ 0, 65L) / ITO/ Substrat, plusieurs études paramétriques en fonction de l'épaisseur d'ITO ont été entreprises avec, à chaque fois un nombre de couches différents : N=6, 7, 8, etc. . et des épaisseurs re-optimisées indépendamment. Pour atteindre les spécifications ci-dessus, calculs montrent qu'il faut 33 couches au total, cl à-dire N=8. L'étude paramétrique, conduisant à cette solution et donnant l'épaisseur d'ITO nécessaire, est proposee sur figure 14 en annexe. Sur cette figure, l'axe abscisses représente l'épaisseur d'ITO en nm, l'axe des ordonnées de gauche représente dans sa partie inférieure, le radian énergétique en MW/M2 Lux, et dans sa partie supérieure, la transmission en pourcent et l'axe des ordonnées de droite représente la température de couleur en K. En fonction de l'épaisseur de la couche d'ITO, la référence 65 indique la courbe de variation du radian énergétique RE, la référence 67 indique la courbe variation de la transmission T dans le visible, référence 69 indique la variation de la température de couleur Tc, la référence 71 indique la variation l'indice de rendu de couleur RA et la référence indique la variation de l'indice de rendu de couleur dans le rouge Rp. Une épaisseur d'ITO de 250 nm. permet d'atteindre un radian énergétique inférieur ou égal à 4,5. Toutes les spécifications sont alors atteintes puisque l'on a : RE 4,45, T#-û,jT 3514, Tv--##, 65,3, R- 97,3, R. 97,0 Le spectre de transmission théorique est proposé sur la figure 15 en annexe. Cette figure est décrite ci-dessous. H. Fabrication du filtre de la présente invention 1. Le substrat Les substrats en forme de trapèze sont en verre standard. Cette découpe permet de tester en grandeur réelle un ensemble de 6 pièces assemblées autour d une lampe source, dans les conditions opérationnelles. Ce verre a été caractérisé en ellipsométrie et transmission. Son épaisseur est de 2 mm et le spectre transmission d'un échantillon nu est proposé sur figure 4 en annexe. Sur cette figure, T représente la transmission en pourcent et k la longueur d'onde en nm. De ces caractéristiques, les propriétés optiques k ont été extraites afin de calculer précisément spectre de transmission totale du filtre sur ce substrat. 2. Le dépôt Dans un premier temps, la couche d'ITO est déposée le substrat verre par pulvérisation cathodique magnétron réactive. Elle est recuite à 300'C sous atmosphère N- pendant 1 heure. Les spectres en transmission et réflexion sont mesurés afin de vérifier que PITO possède les bonnes caractéristiques optiques. L'empilement Si02/TiO- est ensuite déiDosé évaporation comme décrit auparavant. La vitesse dépôt des couches est contrôlée par une balance quartz qui pilote les canons à ions et à électrons. dépôt des 33 couches diélectriques dure environ heures. L'empilement obtenu est donné dans le tableau 4 suivant : Tableau 4 Empilement obtenu Couche Matériau Epaisseur 34 Si02 64 33 T'02 85 32 S'02 155 31 Ti02 89 30 S'02 147 29 T'02 87 28 S'02 144 27 T'02 87 26 S'02 153 25 T'02 85 24 S'02 145 23 Ti02 91 22 S'02 149 21 Ti02 91 20 S'02 157 19 T'02 94 18 S'02 169 17 T'02 112 16 S'02 189 15 T'02 121 14 S'02 191 13 T'02 125 12 S'02 193 il T'02 123 10 S'02 192 9 T'02 124 8 S'02 199 7 T'02 124 6 S'02 197 5 T'02 128 4 SiO2 190 3 T'02 119 2 S'02 172 1 ITO 250 Substrat Verre 3. Résultats expérimentaux - calculs des fférents paramètres Le spectre de transmission obtenu sur l'empilement fabriqué est proposé sur la figure 15 en annexe et superposé au spectre théorique. Sur cette figure, l'axe des abscisses représente la longueur d'onde nm et ly des ordonnées la transmission en pourcent. La référence 75 indique le spectre théorique, et la référence 77 le spectre expérimental obtenu. Deux choses peuvent être constatées : - le niveau de transmission visible, est inférieur à la valeur attendue de 65%, - il existe un léger décalage de 30 nm environ vers les plus faibles longueurs d'onde. Pour ce qui est de la première remarque, on peut penser que le TiO? final est probablement plus absorbant que la valeur déterminée par les mesures ellipsométriques sur couches unitaires. Une modification de quelques 10-` suffit à diminuer la transmission de l'empilement complet de plus de 10%. Les moyens de caractérisation utilisés, en limite de sensibilité, n'ont pas permis de déterminer k avec plus de précision. Le décalage de la fenêtre de transmission vers les plus faibles longueurs d'onde vient d'une certaine imprécision dans le contrôle des épaisseurs durant la croissance. Cela est confirmé par une mesure mécanique de marche sur le bord du filtre qui indique 4,26 pm au lieu des 4,49 pm prévus. Un industriel équipé en mesure optique in situ -pourra facilement résoudre cette marge d'incertitude. Le tableau 5 regroupe les valeurs des parametres calculés avec cet empilement expérimental. On constate, mis à part ce problème de transmission visible, que toutes ces valeurs répondent aux spécifications recherchees. Tableau 5 Spécifications demandées, résultats théoriques expérimentaux Valeurs Valeurs théoriques expérimentales Radian énergétique RE (mW/m2/Lux) 4,45 3,92 Transmission moyenne visible 65,3% 50,8% TvIs Température de couleur 3514 3490 TcOUL 1 ndice rendu de couleur IRC ou RA 97,3 97,4 (normes CIE) Rq (normes CIE) 97,0 89,2 Compagnie Internationale d'Eclairage Ces résultats montrent que la réalisation d' tel filtre est démontrée théoriquement et expérimentalement. Exemple : Filtre de la présente invention dans lequel le filtre interférentiel est un filtre Si02/Si3N4 Le filtre Si02/Si3N4 a été déposé par plasma micro- onde IDECR ("Integrated Distributed Electron Cyclotron Resonnance"). L'intérêt d'un tel dispositif est le dépôt à basse température. En effet, il est possible déposer une couche de Si02 sur un substrat polycarbonate présentant de bonnes qualités optiques. Par ailleurs, la configuration géométrique de ce type de réacteur autorise le dépôt sur de grandes surfaces. Comme pour le couple Ti02/SiO2, les indices nitrure et oxyde de silicium en monocouche ont été déterminés. Utilisant leurs spectres de dispersion pour le calcul du spectre de transmission, l'empilement suivant de 25 couches sur verre (L : Si02, H : Si3N4) été réalisé : 6 x (0,5L/H/0,5L) + 6 x (0,65L/1,3H/0,65L) La figure 17 en annexe regroupe les spectres transmission théorique et expérimentale de l'empilement réalisé. Sur cette figure, l'axe des abscisses représente la longueur d'onde 2#, en nm et l'axe ordonnées représente la transmission dans le visible pourcent. La référence 79 indique le spectre théorique et la référence 81 indique le spectre expérimental. On constate de très bons résultats en longueur d'onde, au moins dans la partie visible du spectre Cette opération permet, d'une part, de valider les calculs prédictifs des spectres de transmission des empilements choisis et, d'autre part, de constater la bonne maîtrise des épaisseurs durant les dépôts. effet, lorsque l'épaisseur des couches est contrôlée situ par ellipsométrie, il est possible de réagir l'équipement à la moindre dérive. Dans une autre expérience, la même architecture que pour le couple Si02/TiO2 a été reprise, les performances d'un tel filtre en fonction de l'épaisseur d'ITO ont été calculées. Les indices mesurées des deux matériaux diélectriques sont les suivants : L'empilement suivant a été réalisé sur un substrat de verre : 8 x (0,5L/H/0,5L) + 8 x (0,65L/1,3H/0,65L)/ITO résultats obtenus sont présentés sur la figure 18 annexe. Sur cette figure, l'axe des abscisses représente l'épaisseur d'ITO en nm., l'axe des ordonnées gauche, dans sa partie inférieure représente radian énergétique en mW/mI.Lux et dans sa partie supérieure la transmission en pourcent, et l'axe des ordonnées de droite représente la température de couleur en K. En fonction, de l'épaisseur de la couche d' la référence 83 indique la courbe de variation radian énergétique RE, la référence 85 indique la courbe de variation de la transmission T dans le visible, la référence 87 indique la variation de la température de couleur Tc, la référence 89 indique la variation de l'indice de rendu de couleur RA et la référence 91 indique la variation de l'indice de rendu de couleur dans le rouge Rg. On constate que pour une épaisseur de 400 d'ITO, on obtient une transmission visible proche de 60% mais un radiant énergétique de 6,12. Il était prévisible que les performances d'un tel filtre soient inférieures à celle de l'empilement Si02/TiO2 pour le même nombre de couches puisque le contraste d'indice du couple Si02/Si3N4 est nettement plus faible : An environ égal à 0,5 à 600 nm. Les performances de ce filtre peuvent être améliorées, par exemple en augmentant le nombre de courbes. Conclusion Les inventeurs ont determiné un canevas d'architecture permettant répondre à des spécifications demandées dans le domaine visible. Dans les exemples, ils ont choisi notamment le couple de matériaux diélectriques à fort contraste d'indice Ti02/SiO2. Après caractérisation de couches unitaires, ils ont défini la méthode croissance et les paramètres de dépôt. La deuxième partie de travail consistait à définir et déposer un matériau réflecteur infrarouge permettant de filtrer tout rayonnement après 1,5 pm et ne perturbant pas les propriétés optiques du filtre diélectrique. L'ITO répond à ces spécifications. Ils ont déterminé les paramètres de dépôt et appliqué un traitement thermique après dépôt, afin d'optimiser le matériau. Pour l'autre voie explorée Si02/Si3N4 déposés par plasma, les empilements calculés et réalisés ne sont pas suffisamment performants à cause du faible contraste d'indice. L'augmentation du nombre de couches peut permettre d'améliorer les filtres. Une maquette a été réalisée puis caractérisée. Les résultats obtenus sont peu différents de ceux attendus. En effet, un plus faible niveau de transmission dans le domaine visible et un léger décalage spectral de la réponse du filtre ont été observés. Un industriel possédant des installations équipées d'instruments de caractérisation in situ permettant d'agir sur les paramètres de dépôt en cours de croissance saura atteindre exactement les spécifications demandées. REVENDICATIONS 1. Filtre anticalorique comprenant un substrat, moins couche d'un matériau réflecteur infrarouge, et un revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible. 2 Filtre anticalorique comprenant un substrat, une couche d'un matériau réflecteur infrarouge recouvrant au moins une surface du substrat, et revêtement formant un filtre interférentiel dans domaine visible recouvrant ladite couche du matériau réflecteur infrarouge. 3 Filtre selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau réflecteur infrarouge est un oxyde conducteur transparent. 4. Filtre selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le matériau réflecteur infrarouge est de l'oxyde d'indium dopé à l'étain. 5. Filtre selon la revendication 4, dans lequel l'oxyde d'indium dopé à l'étain présente un rapport Sn/In allant d'environ 9 à environ 11% en masse. 6. Filtre selon la revendication 1 ou 2, dans lequel le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible comprend au moins un groupe d'empilement répété N fois d'au moins un premier film et d'au moins un deuxième film, dans lequel ledit groupe empilement présente une alternance du premier f ilm du deuxième film, le premier film ayant épaisseur L ou multiple de L et étant constitué d'un premier matériau ayant un indice de réfraction ni, et le deuxième film ayant une épaisseur H ou multiple de et étant constitué d'un deuxième matériau ayant indice réfraction n2, dans lequel N est un nombre entier H et L sont des épaisseurs géométriques, et dans lequel N, H, L, ni et n2 sont tels que revêtement formant un filtre interférentiel présente une fenêtre de transmission située entre 400 et 800 7. Filtre selon la revendication 6, dans lequel le premier matériau est Si02 et dans lequel le deuxième matériau est Ti02- 8. Filtre selon la revendication 7, dans lequel le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible comprend un premier groupe d'empilement présentant une alternance de type 0,5L/H/0,5L répétée 8 fois. 9. Filtre selon la revendication 8, comprenant outre deuxième groupe d'empilement présentant alternance de type 0,65L/1,3H/0,65L,répétée 8 fois. 10 Filtre selon la revendication 6, dans lequel le premier matériau est Si02 et dans lequel le deuxième matériau est Si3N4- 11. Filtre selon la revendication 10, dans lequel le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible comprend un premier groupe d'empilement présentant une alternance de type 0,5L/H/0,5L répétée fois. 12. Filtre selon la revendication Il comprenant outre un deuxième groupe d'empilement présentant alternance de type 0,65L/1,3H/0,65L répétée 6 fois. 13. Filtre anticalorique selon la revendication 2, dans lequel le substrat est un substrat de verre, la couche d'oxyde conducteur transparent est une couche d'oxyde d'indium dopée à l'étain, et le revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible est un empilement dans lequel alternent des films de Si02 et des films de Ti02, l'empilement commençant par un film de Si02 déposé sur la couche d'ITO et se terminant par un film de Si02 en contact avec l'atmosphère, ledit empilement comprenant 17 films Si02 et 16 films de Ti02. 14. Filtre anticalorique selon la revendication 1, dans lequel le substrat est un substrat de verre ou de plastique. 15. Système optique choisi dans le groupe comprenant une lampe, une lampe de bureau, un système éclairage par fibres optiques, un vitrage, un système projection optique et une ampoule, caractérisé en ce qu'il comprend un filtre selon l'une quelconque des revendications 1 à 14 précédentes. 16. Eclairage opératoire ou lampe de soins comprenant un filtre anticalorique selon lune quelconque des revendications 1 à 14 précédentes. 17. Procédé de fabrication du filtre anticalorique defini dans la revendication 1 précédente, ledit procédé comprenant les étapes consistant à a) fournir un substrat, b) déposer sur au moins une surface dudit substrat une couche d'un matériau réflecteur infrarouge, c) déposer sur ladite couche du matériau infrarouge un revêtement formant un filtre interférentiel dans le domaine visible. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel matériau réflecteur infrarouge étant de l'oxyde d'indium dopé à l'étain, il est déposé par pulvérisation cathodique magnétron sur le substrat. 19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel la pulvérisation cathodique magnétron est réalisee à partir d'une cible frittée dont la composition est d'environ 9 à environ 11% en masse d'oxyde d'étain dans In203- 20. Procédé selon la revendication 18 comprenant en outre une étape a,) de recuit du matériau réflecteur infrarouge déposé sur le substrat. 21 Procédé selon la revendication 17, dans lequel le filtre interférentiel étant celui défini dans revendication 7 précédente, l'étape c) de dépôt filtre interférentiel est une étape de dépôt des films réalisée par une technique d'évaporation sous vide de pulverisation cathodique. 22. Procédé selon la revendication 17, dans lequel l'étape de dépôt des films est réalisée par évaporation réactive assistée réactive. 23. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le filtre interférentiel étant celui défini dans revendication 10 précédente, l'étape c) de dépôt du filtre interférentiel est une étape de dépôt des films réalisée par une technique de dépôt plasma.