Brevet FR2797716A1 — publié le 20010223

DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR SUR UN SUBSTRAT SOI La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et un procédé de fabrication de celui-ci, et elle concerne plus particuliè- rement un dispositif à semiconducteur formé sur un substrat silicium sur isolant, ou SOI, et un procédé de fabrication de celui-ci. Dans un transistor à effet de champ MOS (qu'on appelle ci- après un transistor MOS) classique formé sur un substrat SOI ayant une pellicule d'oxyde enterrée formée sur un substrat isolant et une couche SOI (silicium sur isolant) formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, un phénomène qu'on appelle un effet d'abaissement de barrière induit par le drain (ou DIBL pour "drain induced barrier lowering") retient l'attention actuellement du fait de perfectionnement d'éléments. La figure 65 montre de façon caractéristique une structure en coupe d'un transistor MOS classique Q1 formé sur un substrat SOI 1 classique. Le substrat SOI 1 comporte une pellicule d'oxyde enterrée 3 formée sur un substrat en silicium 2 et une couche SOI 4 formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 3. Une région de canal 7 est disposée dans la couche SOI 4 avec une région de drain 5 et une région de source 6 dis- posées de part et d'autre de la région de canal, tandis qu'une électrode de grille 9 est disposée au-dessus de la région de canal 7 avec interpo- sition d'une pellicule d'isolant de grille 8 pour former le transistor MOS Q1. Le transistor MOS Q1 est un transistor à canal n. Lorsqu'on applique des tensions à l'électrode de grille 9 et à la région de drain 5 dans un tel transistor MOS Q1, une barrière de poten- tiel au voisinage de la région de source 6 s'abaisse et des électrons cir- culent de la région de source 6 vers la région de drain 5 à travers un ca- nal formé dans la région de canal 7. Alors que ceci est un fonctionne- ment normal, l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain est un phénomène qui abaisse la barrière de potentiel d'une jonction p-n de la région de source 6 et qui abaisse la tension de seuil du transistor Q1 sous l'effet de l'application d'une tension élevée à la région de drain 5. En particulier, dans le transistor MOS Q1 formé sur le substrat SOI 1 représenté sur la figure 65, I'effet d'abaissement de barrière induit par le drain se manifeste notablement à cause d'un fonctionnement dans un état électriquement flottant de la région de canal 7 et d'un champ électri- que (qu'on appelle un champ électrique de drain) qui s'infiltre sur la ré- gion de source 6 à partir de la région de drain 5 à travers la pellicule d'oxyde enterrée 3, comme représenté par des flèches sur la figure 65, ce qui occasionne un problème. Il est particulièrement important pour un transistor MOS formé sur un substrat SOI de résoudre le problème de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain. Les figures 66A et 66B montrent de façon caractéristique l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain. La figure 66A est un dia- gramme de modèle du transistor MOS Q1, et la figure 66B est un schéma de principe d'une barrière de potentiel PB. Comme représenté sur la figure 66B, la barrière de potentiel PB est maintenue et des électrons ne s'écoulent pas hors de la région de source 6 lorsque la tension de drain VD est égale à zéro, comme repré- senté sur une courbe caractéristique A. Cependant, lorsque la tension de drain VD est appliquée, la valeur de la barrière de potentiel PB se réduit sous l'effet de la tension de drain VD. En se référant à la figure 66B, on note que la tension de drain VD est relativement faible sur une courbe caractéristique B et relative- ment grande sur une courbe caractéristique C. Par conséquent, il en ré- sulte que la barrière de potentiel PB se réduit sous l'effet d'un champ électrique de drain pour abaisser la tension de seuil même si aucune ten- sion n'est appliquée à l'électrode de grille 9. Lorsque la barrière de po- tentiel PB se réduit au-delà d'une certaine valeur, des électrons s'écou- lent à partir de la région de source 6 vers la région de drain 5 même si aucune tension n'est appliquée à l'électrode de grille 9, ce qui empêche désavantageusement l'électrode de grille 9 d'accomplir une opération de commutation. En particulier, dans un transistor MOS à canal court ayant un canal de faible longueur, développé dans le but de perfectionner l'élé- ment, le champ électrique de drain se renforce de manière relative et par conséquent l'influence de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain est plus grave. En outre, à la suite de l'amélioration du niveau d'intégration, on craint qu'une opération d'un élément adjacent exerce une influence sur un transistor MOS, comme on le montre ci-dessous. La figure 67 est une vue en plan montrant deux transistors MOS Q1 et Q2, vus à partir d'une position située au-dessus des électrodes de grille 9 et 91. Les électrodes de grille 9 et 91 des transistors MOS Q1 et Q2 sont disposées perpendiculairement l'une à l'autre, et une région de drain 51 (une région de source 61 est formée de l'autre côté de l'élec- trode de grille 91) du transistor MOS Q2 est disposée parallèlement à une région de drain 5, une région de source 6 et une région de canal 7 du transistor MOS Q1, avec interposition d'une pellicule d'isolation d'élé- ments IR. La figure 68 est une coupe selon la ligne X-X sur la figure 67. Comme représenté sur la figure 68, la région de drain 51 du transistor MOS Q2 est placée face à la région de canal 7 du transistor MOS Q1, avec interposition de la pellicule d'isolation d'éléments IR formée par une pellicule d'oxyde de silicium. Par conséquent, lorsqu'une tension de drain VD1 est appliquée à la région de drain 51, un champ électrique de drain s'infiltre jusqu'à la région de source 6 à travers la pellicule d'oxyde enter- rée 3, pour induire des électrons sur une partie de bord de la région de canal 7, et les électrons occasionnent une fuite de courant du transistor MOS Q1. En outre, une partie du champ électrique qui traverse la pelli- cule d'isolation d'éléments IR induit également des électrons sur la partie de bord de la région de canal 7. En particulier dans les circonstances présentes dans lesquelles la distance entre les transistors MOS Q1 et Q2, c'est-à-dire une distance L représentée sur la figure 67, devient plus courte à la suite de l'amélio- ration du niveau d'intégration, le problème de la fuite de courant (qu'on appelle une fuite de bord) à partir de la partie de bord de la région de canal 7, est un phénomène qu'on ne peut pas négliger. De plus, lors- qu'une diode est formée à la place du transistor MOS Q2, un phénomène similaire se produit à cause d'une tension appliquée à une région de se- miconducteur de la diode. Ce phénomène apparaît également de façon similaire dans un transistor MOS formé sur un substrat en silicium massif. Selon un premier aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend un substrat SOI ayant un substrat en sili- cium, une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et un élément à semiconducteur formé dans la couche SOI, et la pellicule d'oxyde enterrée contient du fluor de façon pratiquement uniforme avec une concentration déterminée, sur toute l'étendue. Dans le premier aspect, la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée est abaissée par le fluor qu'elle contient, et la capacité parasite entre l'élément à semiconducteur et le substrat en sili- cium peut être réduite. Selon un second aspect de la présente invention, I'élément à semiconducteur est un transistor à effet de champ MOS. Dans le second aspect, I'influence d'un effet d'abaissement de barrière induit par le drain peut être atténuée lorsque l'élément à semi- conducteur est un transistor à effet de champ MOS. De plus, lorsqu'une tension de drain est appliquée à une région de drain d'un transistor MOS formé dans la couche SOI, un champ électrique de drain qui s'infiltre dans la région de source à partir de la région de drain à travers la pelli- cule d'oxyde enterrée est si affaibli qu'il est possible d'empêcher qu'un seuil ne s'abaisse à cause d'une réduction d'une barrière de potentiel au voisinage de la région de source, résultant du champ électrique, pour empêcher des électrons de s'écouler à partir de la région de source lors- que aucune tension de grille n'est appliquée, et pour empêcher une opé- ration de commutation défectueuse. Du fait d'une telle amélioration de la résistance à l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain, il est possible de réduire la concentration en impureté d'une région de canal du transistor MOS et il est possible d'améliorer la possibilité d'attaque en courant, pour améliorer la vitesse de fonctionnement du transistor MOS. En outre, diverses capacités parasites peuvent être réduites du fait de la réduction de la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde en- terrée, pour obtenir un effet de réduction de la puissance consommée. En outre, du fait de la réduction de la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée, un champ électrique de drain qui s'infiltre dans la région de canal du transistor MOS à partir d'un élément adjacent à travers la pellicule d'oxyde enterrée, est affaibli, pour empêcher l'appa- rition d'électrons sur une partie de bord de la région de canal et pour at- ténuer l'apparition d'une fuite de courant sur la partie de bord de la ré- gion de canal du transistor MOS. Selon un troisième aspect de la présente invention, I'élément à semiconducteur est un transistor à effet de champ MOS, le transistor à effet de champ MOS a une région de canal formant un canal et une ré- gion de drain et une région de source formées de part et d'autre de la région de canal dans la couche SOI, et la pellicule d'oxyde enterrée com- prend des première et seconde régions contenant du fluor, formées dans des régions correspondant à des parties inférieures de la région de drain et de la région de source, et contenant du fluor de façon pratiquement uniforme, en une concentration déterminée, sur toutes les étendues, et une région normale formée dans une région correspondant à une partie inférieure de la région de canal et ne contenant pas de fluor. Dans le troisième aspect, le transistor à effet de champ MOS comporte la région normale formée dans la région correspondant à la partie inférieure de la région de canal et ne contenant pas de fluor, grâce à quoi il est possible de commander le potentiel de la région de canal avec le potentiel du substrat en silicium, et il est donc possible d'atténuer une fluctuation de potentiel de la région de canal. En outre, il est possi- ble d'atténuer l'influence de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain du fait de la présence des première et seconde régions contenant du fluor. Selon un quatrième aspect de la présente invention, la valeur maximale de la concentration déterminée de fluor est un niveau quelcon- que dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022 cm'3. Dans le quatrième aspect, on peut obtenir une structure capa- ble d'atténuer de façon fiable l'influence de l'effet d'abaissement de bar- rière induit par le drain. Selon un cinquième aspect de la présente invention, le disposi- tif à semiconducteur comprend en outre une pellicule d'isolation d'élé- ments formée dans la couche SOI autour du transistor à effet de champ MOS de façon à atteindre la surface principale de la pellicule d'oxyde enterrée, à partir de la surface principale de la couche SOI, et la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. Dans le cinquième aspect, la constante diélectrique relative de la pellicule d'isolation d'éléments est réduite, et par conséquent un champ électrique qui s'infiltre dans la région de canal du transistor MOS à partir d'un élément adjacent à travers la pellicule d'isolation d'éléments est affaibli, tandis que la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée est également réduite, et par conséquent le champ électrique de drain qui s'infiltre dans la région de canal à travers l'oxyde enterré est si faible que l'induction d'électrons dans la partie de bord de la région de canal est atténuée encore davantage. Selon un sixième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend un substrat en silicium, un transistor à effet de champ MOS formé sur le substrat en silicium, et une pellicule d'isola- tion d'éléments formée dans la surface principale du substrat en silicium autour du transistor à effet de champ MOS, et la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. Dans le sixième aspect, la constante diélectrique relative de la pellicule d'isolation d'éléments est si réduite qu'un champ électrique s'in- filtrant dans une région de canal du transistor MOS formé sur le substrat en silicium massif, à partir d'un élément adjacent, à travers la pellicule d'isolation d'éléments, est affaibli pour empêcher l'induction d'électrons sur une partie de bord de la région de canal et pour atténuer l'apparition d'un courant de fuite sur la partie de bord de la région de canal du tran- sistor MOS. Selon un septième aspect de la présente invention, un dispositif à semiconducteur comprend un substrat SOI ayant un substrat en sili- cium, une pellicule d'oxyde enterrée formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, et une pellicule d'isolation d'éléments formée dans la couche SOI autour du transistor à effet de champ MOS de façon à atteindre la surface principale de la pellicule d'oxyde enterrée, à partir de la surface principale de la couche SOI, et la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. Dans le septième aspect, un courant de fuite peut être effecti- vement réduit sur une partie de bord de la région de canal du transistor MOS, lorsqu'un champ électrique provenant d'un élément adjacent, s'in- filtrant dans la région de canal à travers la pellicule d'isolation d'élé- ments, induit principalement des électrons sur la partie de bord de la ré- gion de canal du transistor MOS. La présente invention porte également sur un procédé de fabri- cation d'un dispositif à semiconducteur. Selon un huitième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semicon- ducteur comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée et un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, comprend les étapes suivantes: (a) on implante des ions d'oxygène dans le substrat en silicium pour atteindre une dose de 1 x 1017 à 2 x 1018 cm-2, (b) on im- plante des ions de fluor dans le substrat en silicium dans la même plage que la plage des ions d'oxygène, pour atteindre une dose de 1 x 1014 à I x 1019 cm-2, et (c) on effectue un traitement thermique dans une con- dition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser l'oxygène et le fluor introduits par implantation ionique, et pour former la pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon pratiquement uniforme avec une concentration déterminée, sur toute l'étendue. Selon un neuvième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée conte- nant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, comprend les étapes suivantes: (a) on implante des ions d'oxygène dans le substrat en silicium pour atteindre une dose d'environ 4 x 1017 cm-2, (b) on implante des ions de fluor dans le subs- trat en silicium dans la même plage que la plage des ions d'oxygène, pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2, et (c) on effectue une oxydation dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser l'oxygène et le fluor introduits par implantation ionique, et pour former la pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon prati- quement uniforme, avec une concentration déterminée, sur toute l'éten- due, tout en formant une pellicule d'oxyde sur la surface du substrat en silicium. Selon un dixième aspect de la présente invention, I'étape (b) comprend l'étape qui consiste à définir une position plus proche d'une partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée et à implanter des ions de fluor dans la position, et à définir une position plus proche d'une par- tie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée et à implanter des ions de fluor dans la position. Selon un onzième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée conte- nant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, comprend les étapes suivantes: (a) on prépare un substrat en silicium pour l'assemblage, différent du substrat en sili- cium précité, et on forme une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon pratiquement uniforme avec une concentration prédétermi- né sur toute l'étendue, sur la surface principale du substrat en silicium pour l'assemblage, (b) on implante des ions d'hydrogène dans une posi- tion plus profonde que l'interface entre la pellicule d'oxyde enterrée et le substrat en silicium pour l'assemblage, de façon à atteindre une dose de 1 x 1016 à 1 x 1017 cm-2 pour former une couche de défauts, (c) on as- semble le substrat en silicium pour l'assemblage et le substrat en sili- cium, de façon que la surface principale du substrat en silicium pour l'as- semblage, comportant la pellicule d'oxyde enterrée, soit disposée face à la surface principale du substrat en silicium, et (d) on effectue un traite- ment thermique dans une condition de température de 400 à 700 C pour exfolier une partie du substrat en silicium pour l'assemblage qui est op- posée à la pellicule d'oxyde enterrée, conjointement à la couche de dé- fauts, pour former ainsi le substrat SOI. Selon un douzième aspect de la présente invention, I'étape (a) comprend les étapes suivantes (a-1) on forme une pellicule d'oxyde sur la surface principale du substrat en silicium pour l'assemblage, (a-2) on implante des ions de fluor dans la pellicule d'oxyde pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2, et (a-3) on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser uniformément le fluor introduit par implantation ionique sur toute l'étendue. Selon un treizième aspect de la présente invention, I'étape (a-2) comprend l'étape d'implantation d'ions de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde. Selon un quatorzième aspect de la présente invention, I'étape (a-2) comprend les étapes consistant à implanter des ions de fluor dans une position plus proche d'une partie supérieure de la pellicule d'oxyde, et à implanter des ions de fluor dans une position plus proche d'une par- tie inférieure de la pellicule d'oxyde. Selon un quinzième aspect de la présente invention, I'étape (a) comprend l'étape de formation de la pellicule d'oxyde enterrée par dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD), en utilisant un gaz réactif contenant du fluor. Selon un seizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium, une couche d'oxyde enterrée conte- nant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, comprend les étapes suivantes: (a) on prépare un substrat en silicium pour l'assemblage, qui est différent du substrat en silicium précité, et on forme une couche de silicium poreux sur la surface principale du substrat en silicium pour l'assemblage, par un processus d'anodisation, (b) on fait croître par épitaxie une couche de silicium mo- nocristallin sur la couche de silicium poreux, pour former ainsi une cou- che épitaxiale, (c) on forme une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon pratiquement uniforme avec une concentration déterminée sur toute l'étendue, sur la couche épitaxiale, (d) on assemble le substrat en silicium pour l'assemblage et le substrat en silicium, de façon que la surface principale du substrat en silicium pour l'assemblage sur laquelle est formée la pellicule d'oxyde enterrée soit orientée face à la surface principale du substrat en silicium, et (e) on enlève une partie du substrat en silicium pour l'assemblage qui est opposée à la pellicule d'oxyde en- terrée, conjointement à la couche de silicium poreux, et on enlève en- suite la couche de silicium poreux pour former le substrat SOI. Selon un dix-septième aspect de la présente invention, I'étape (c) comprend les étapes suivantes: (c-1) on forme une pellicule d'oxyde sur la surface principale du substrat en silicium pour l'assemblage, (c-2) on implante des ions de fluor dans la pellicule d'oxyde pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2, et (c-3) on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C, pour diffuser uniformément le fluor introduit par implantation ionique sur toute l'étendue. Selon un dix-huitième aspect de la présente invention, I'étape (c-2) comprend l'étape d'implantation d'ions de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde. Selon un dix-neuvième aspect de la présente invention, I'étape (c-2) comprend les étapes d'implantation d'ions de fluor dans une posi- tion plus proche d'une partie supérieure de la pellicule d'oxyde, et d'im- plantation d'ions de fluor dans une position plus proche d'une partie infé- rieure de la pellicule d'oxyde. Selon un vingtième aspect de la présente invention, I'étape (a) comprend l'étape de formation de la pellicule d'oxyde enterrée par dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD) en utilisant un gaz réactif contenant du fluor. Selon un vingt-et-unième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée, et un transistor à effet de champ MOS formé sur la couche SOI, comprend les étapes suivantes: (a) on prépare un substrat SOI ordinaire ayant une pellicule d'oxyde enterrée ne contenant pas de fluor, formée sur le substrat en silicium, et la couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée ne contenant pas de fluor, (b) on implante des ions de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée ne 1 1 contenant pas de fluor, pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm2, et (c-3) on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser uniformément le fluor intro- duit par implantation ionique sur toute l'étendue, et pour convertir la pel- licule d'oxyde enterrée ne contenant pas de fluor de façon à donner la pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor. Selon un vingt-deuxième aspect de la présente invention, l'étape (b) comprend l'étape d'implantation d'ions de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde enterrée ne contenant pas de fluor. Selon un vingt-troisième aspect de la présente invention, l'étape (b) comprend les étapes d'implantation d'ions de fluor dans une position plus proche d'une partie supérieure de la pellicule d'oxyde enter- rée ne contenant pas de fluor, et d'implantation d'ions de fluor dans une position plus proche d'une partie inférieure de la pellicule d'oxyde enter- rée ne contenant pas de fluor. Un but de la présente invention est de procurer un transistor MOS atténuant l'influence d'un effet d'abaissement de barrière induit par le drain, ainsi que de procurer un transistor MOS évitant l'apparition d'une fuite de courant sur une partie de bord d'une région de canal, ré- sultant de l'influence d'un champ électrique provenant d'un élément à semiconducteur adjacent. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: La figure I montre une structure en coupe d'un transistor MOS conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 2 montre un exemple de distribution de concentration en fluor dans une pellicule d'oxyde enterrée du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 3 montre une structure en coupe du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention, com- prenant une partie périphérique; La figure 4 montre une structure en plan du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 5 montre la structure en coupe du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 6 montre une structure en coupe d'une modification n 1 du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 7 montre une structure en coupe d'une modification n 2 du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 8 montre une structure en plan d'une modification n 3 du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la pré- sente invention; La figure 9 montre une structure en coupe de la modification n 3 du transistor MOS conforme au premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 10 montre une structure en coupe d'un transistor MOS conforme à un second mode de réalisation de la présente invention; La figure 11 illustre l'effet/fonction du transistor MOS conforme au second mode de réalisation de la présente invention; Les figures 12 à 22 montrent des étapes de fabrication du tran- sistor MOS conforme au second mode de réalisation de la présente in- vention; Les figures 23 à 28 montrent des étapes de fabrication d'un substrat SOI par la technique SIMOX à dose élevée; Les figures 29 à 36 montrent des étapes de fabrication d'un substrat SOI par la technique SIMOX à faible dose; Les figures 37 à 48 montrent des étapes de fabrication d'un substrat SOI par une technique appelée Smart Cut; Les figures 49 à 55 montrent des étapes de fabrication d'un substrat SOI par une technique ELTRAN; Les figures 56 à 64 montrent des étapes de fabrication d'un transistor MOS conforme à un quatrième mode de réalisation de la pré- sente invention; La figure 65 montre une structure en coupe d'un transistor MOS classique formé sur un substrat SOI; Les figures 66A et 66B illustrent un problème du transistor MOS classique formé sur un substrat SOI; La figure 67 montre une structure en plan de transistors MOS classiques formés sur un substrat SOl; et La figure 68 illustre un problème des transistors MOS classi- ques formés sur un substrat SOI. A. Premier mode de réalisation A-1. Structure du dispositif La figure 1 montre de façon caractéristique une structure en coupe d'un transistor à effet de champ MOS (qu'on appellera ci-après un transistor MOS) Ql1 formé sur un substrat SOI 10, conforme à un pre- mier mode de réalisation de la présente invention. Le substrat SOI 10 comporte une pellicule d'oxyde enterrée 31 formée sur un substrat en silicium 2 et une couche SOI 4 formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 31. La couche SOI 4 comporte à l'intérieur d'elle une région de canal 7 ainsi qu'une région de drain 5 et une région de source 6 disposées de part et d'autre de la région de canal 7, tandis qu'une électrode de grille 9 est disposée sur la région de canal 7, avec interposition d'une pellicule isolante de grille 8, pour former le transistor MOS Ql1. Le transistor MOS Ql1 est un transistor à canal n. La pellicule d'oxyde enterrée 31 contient du fluor (F) de façon pratiquement uniforme sur la totalité de son étendue, et elle a une cons- tante diélectrique relative réduite en comparaison avec une pellicule d'oxyde de silicium ne contenant pas de fluor, qui a une constante di- électrique relative d'environ 3,9. La constante diélectrique relative est légèrement inférieure à 3,9 lorsque la concentration de fluor dans la pel- licule d'oxyde enterrée 31 est de 1 x 1019 cm-3, tandis que la constante diélectrique relative est d'environ 3,0 lorsque la concentration de fluor de la pellicule d'oxyde enterrée 31 est de 1 x 1022cm-3. Ainsi, la concentration de fluor de la pellicule d'oxyde enterrée 31 est fixée de façon à avoir un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022cm-3, pratiquement sur toute l'étendue, et la distribu- tion de la concentration de fluor est établie dans la plage donnée par la formule numérique (1) suivante: log10 NFmax Dans la formule numérique (1), NFmax représente la concentra- tion maximale (cm-3) de fluor dans la pellicule, et NFmin représente la concentration minimale (cm-3) de fluor dans la pellicule. La formule numérique (1) ci-dessus signifie que la distribution de la concentration de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 31 s'étend au maximum sur deux ordres de grandeur. La figure 2 montre un exemple de distribution de concentration de fluor vérifiant la formule numérique (1). En se référant à la figure 2, on note que l'axe horizontal montre la relation de position de la structure dans le substrat SOI 10, dans la direction de la profondeur, et l'axe vertical montre la concentration en fluor. Comme représenté sur la figure 2, la concentration en fluor, qui est au minimum NFmin (1 x 1018 cm-3) dans la pellicule d'oxyde enterrée 31 (qu'on désigne par BOX) au voisinage de la frontière entre celle-ci et la couche SOI 4 (qu'on désigne par SOI), et au voisinage de la frontière entre celle-ci et le substrat en silicium 2 (qu'on désigne par SUBSTRAT Si), est au maximum NFmax (1 x 1020 cm-3) dans les parties restantes, et on peut dire que la concentration de fluor est au moins de 1 x 1019 cm-3 pratiquement sur toute l'étendue. Par conséquent, même si une partie * ayant une concentration de fluor extrêmement faible est présente à l'in- terface BOS-SOI (ou l'interface SOI-BOS), I'effet/fonction de la présente invention peut être suffisamment atteint lorsqu'une distribution de con- centration pratiquement uniforme est atteinte dans la pellicule d'oxyde enterrée 31. On a vérifié que, même si la concentration de fluor change dans une région très étroite au voisinage de l'interface BOX-SOI, ceci n'a que très peut d'influence sur la constante dielectrique relative de la pelli- cule d'oxyde enterrée 31. A-2. Effet/fonction Ainsi, la pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor a une constante diélectrique relative réduite, pour atteindre l'effet/fonction sui- vant: Premièrement, il est possible d'atténuer un effet d'abaissement de barrière induit par le drain. La pellicule d'oxyde enterrée 31 a une constante diélectrique relative réduite, et par conséquent un champ élec- trique de drain qui s'infiltre dans la région de source 6 à partir de la ré- gion de drain 5 à travers la pellicule d'oxyde enterrée 31 est affaibli, même si une tension de drain est appliquée à la région de drain 5, grâce à quoi un seuil ne peut pas être réduit sous l'effet d'une réduction d'une barrière de potentiel au voisinage de la région de source 6 résultant du champ électrique. Il est donc possible d'éviter que des électrons ne s'écoulent à partir de la région de source 6 lorsque aucune tension de grille n'est appliquée, ce qui évite une opération de commutation défec- tueuse. Secondement, il est possible de réduire la concentration en im- pureté de la région de canal 7, à cause de l'amélioration de la résistance à l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain, et il est possible d'améliorer l'aptitude d'attaque en courant, pour améliorer la vitesse de fonctionnement du transistor MOS Ql 1. Troisièmement, il est possible de réduire diverses capacités pa- rasites, du fait de la réduction de la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée 31. La figure 3 montre de façon caractéristique diverses capacités parasites dans le transistor MOS Ql 1. La figure 3 illustre le transistor MOS Qll représenté sur la fi- gure 1, y compris une pellicule d'isolation inter-couche IZ, qui comporte des trous de contact DCH et SCH atteignant respectivement la région de drain 5 et la région de source 6. Une couche d'interconnexion de drain DWL et une couche d'interconnexion de source SWL, constituées par un matériau conducteur tel que l'aluminium, sont respectivement enterrées dans les trous de contact DCH et SCH. La figure 3 montre également une pellicule d'isolation d'éléments IR formée dans la couche SOI 4 autour du transistor MOS Ql 1, pour isoler électriquement le transistor MOS Q 1l par rapport à un autre élément. Une couche d'interconnexion WL constituée par un matériau conducteur tel que l'aluminium est formée sur une partie de la pellicule d'isolation inter-couche IZ correspondant à la pellicule d'isolation d'éléments IR. Comme représenté sur la figure 3, une capacité parasite Cl ré- sultant de la pellicule d'oxyde enterrée 31, de la pellicule d'isolation d'éléments IR et de la pellicule d'isolation inter-couche IZ est présente entre la couche d'interconnexion WL et le substrat en silicium 2, et une capacité parasite C2 résultant de la pellicule d'oxyde enterrée 31 est présente entre les régions de drain et de source 5 et 7 et le substrat en silicium 2. En supposant que T1, T2 et T3 représentent respectivement les épaisseurs de la pellicule d'oxyde enterrée 31, de la pellicule d'isolation d'éléments IR et de la pellicule d'isolation inter-couche IZ, et que sl, s2 et s3 représentent respectivement les constantes diélectriques relatives de la pellicule d'oxyde enterrée 31, de la pellicule d'isolation d'éléments IR et de la pellicule d'isolation intercouche IZ, on peut obtenir la valeur de la capacité parasite C1 par rapport au substrat en silicium 2 par la formule numérique (2) suivante C1 = (2) T1 T2 +T3 l1 ú2 83 On peut réduire la capacité parasite C1 en diminuant la cons- tante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée 31. Ceci s'ap- plique également à la capacité parasite C2. On peut améliorer la vitesse de fonctionnement du transistor MOS Qll en réduisant les capacités parasites C1 et C2. En outre, on peut également réduire la consommation de puissance en réduisant les capacités parasites C1 et C2. Quatrièmement, un champ électrique provenant d'un élément adjacent ne peut pas influencer le transistor MOS Qll, à cause de la ré- duction de la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enter- rée 31. La figure 4 est une vue en plan de deux transistors MOS Q1 et Q2, vus à partir d'une position située au-dessus de l'électrode de grille 9 et d'une électrode de grille 91. L'électrode de grille 9 du transistor MOS Qll1 et l'électrode de grille 91 du transistor MOS Q2 sont disposées per- pendiculairement l'une à l'autre, tandis qu'une région de drain 51 (une région de source 61 est formée de l'autre côté de l'électrode de grille 91) du transistor MOS Q2 est disposée parallèlement à la région de drain 5, la région de source 6 et la région de canal 7 du transistor MOS Ql 1, avec interposition de la pellicule d'isolation d'éléments IR. La figure 5 est une coupe selon la ligne X-X sur la figure 4. Bien que la région de drain 51 du transistor MOS Q2 soit située face à la région de canal 7 du transistor MOS Q1, avec interposition de la pelli- cule d'isolation d'éléments IR formée par une pellicule d'oxyde de sili- cium, comme représenté sur la figure 5, la constante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée 31 est réduite, et par conséquent un champ électrique de drain qui s'infiltre dans la région de canal 7 à tra- vers la pellicule d'oxyde enterrée 31 est si faible que l'induction d'élec- trons sur une partie de bord de la région de canal 7 est atténuée, même si une tension de drain VD1 est appliquée à la région de drain 51. Ainsi, I'apparition d'une fuite de courant (qu'on appelle ci-après une fuite de bord) est atténuée dans la partie de bord de la région de ca- nal 7 du transistor MOS Ql 1. On décrira en se référant à la modification n 1 suivante la ré- duction de la fuite de bord occasionnée par des électrons induits par une partie du champ électrique de drain traversant la pellicule d'isolation d'éléments IR. A-3. Modification n 1 Bien qu'on ait décrit le premier mode de réalisation en se réfé- rant à la structure qui empêche le champ électrique de drain de s'infiltrer dans la région de source 6 et qui empêche le champ électrique provenant de l'élément adjacent de s'infiltrer dans la région de canal 7, au moyen de la pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor, le champ électri- que provenant de l'élément adjacent atteint la région de canal 7 à travers la pellicule d'isolation d'éléments IR. La figure 6 montre une structure pour réduire ceci. La figure 6 illustre des structures en coupe de deux transistors MOS adjacents, Qll et Q2, en correspondance avec la coupe selon la ligne X-X sur la figure 4. Comme représenté sur la figure 6, une région de drain 51 du transistor MOS Q2 est disposée face à une région de canal 7 du transistor MOS Q1, avec interposition d'une pellicule d'isolation d'éléments IR1 formée par une pellicule d'oxyde de silicium contenant du fluor. La pellicule d'isolation d'éléments IR1 a une constante diélectrique relative réduite, et par conséquent un champ électrique de drain qui tra- verse la pellicule d'oxyde enterrée 31 et atteint la région de canal 7 est faible, même si une tension de drain VD1 est appliquée à la région de drain 51, tandis qu'une pellicule d'oxyde de drain 31 a également une constante diélectrique relative réduite, et par conséquent un champ élec- trique de drain qui s'infiltre dans la région de canal 7 à travers la pelli- cule d'oxyde enterrée 31 est faible, et l'induction d'électrons dans une partie de bord de la région de canal est réduite encore davantage. La concentration maximale de fluor dans la pellicule d'isolation d'éléments IR1 est fixée à un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022 cm3. A-4. Modification n 2 On a décrit la modification n 1 en se référant à la structure vi- sant à atténuer l'influence du champ électrique provenant de l'élément adjacent au moyen de la pellicule d'isolation d'éléments IR1 et de la pel- licule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor, en relation avec la figure 6, mais une structure représentée sur la figure 7 est également disponible lorsqu'on se limite à l'atténuation de l'influence d'un champ électrique provenant d'un élément adjacent. La figure 7 illustre des structures en coupe de deux transistors MOS adjacents Q1 et Q2, qui sont électriquement isolés l'un de l'autre par une pellicule d'isolation d'éléments IR1 contenant du fluor, tandis qu'une pellicule d'oxyde enterrée 3 ne contient pas de fluor mais a la même structure que dans l'art antérieur. La concentration maximale de fluor dans la pellicule d'isolation d'éléments IR1 est fixée à un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022 cm-3. Par conséquent, lorsqu'une tension de drain VD1 est appliquée à une région de drain 51, un champ électrique de drain qui s'infiltre dans une région de canal 7 à travers la pellicule d'oxyde enterrée 3 ne peut pas être atténué, bien-qu'un champ électrique de drain qui traverse la pellicule d'isolation d'éléments IR1 et atteint la région de canal 7 puisse être atténué. Cependant, si le champ électrique de drain qui traverse la pellicule d'isolation d'éléments IR1 et atteint la région de canal 7 est la principale source induisant des électrons sur une partie de bord de la ré- gion de canal 7, une fuite de courant peut effectivement être réduite avec seulement la pellicule d'isolation d'éléments IR1. A-5. Modification n 3 Bien qu'on ait décrit chacune des modifications n 1 et 2 repré- sentées sur les figures 6 et 7 en se référant à une structure dans laquelle la pellicule d'isolation d'éléments établie entre deux transistors MOS ad- jacents formés sur un substrat SOI contient du fluor, une pellicule d'iso- lation d'éléments pour un transistor MOS formé sur un substrat en sili- cium massif peut être formée par une pellicule d'oxyde de silicium conte- nant du fluor. La figure 8 est une vue en plan montrant deux transistors adja- cents Q21 et Q22 formés sur un substrat en silicium massif, vus à partir d'une position située au-dessus d'électrodes de grille 92 et 93. Comme représenté sur la figure 8, I'électrode de grille 92 du transistor MOS Q21 et l'électrode de grille 93 du transistor MOS Q22 sont disposées perpendiculairement l'une à l'autre, tandis qu'une région de drain 53 (une région de source 63 est établie de l'autre côté de l'élec- trode de grille 93) du transistor MOS Q22 est disposée parallèlement à une région de drain 52, une région de source 62 et une région de canal 72 du transistor MOS Q21, avec interposition d'une pellicule d'isolation d'éléments IR2. La figure 9 est une coupe selon la ligne X-X sur la figure 8. Comme représenté sur la figure 9, la région de drain 53 du transistor MOS Q22 formé sur un substrat en silicium massif 101 est disposée face à la région de canal 72 du transistor MOS Q21, avec interposition de la pellicule d'isolation d'éléments IR2 formée par une pellicule d'oxyde de silicium contenant du fluor. La pellicule d'isolation d'éléments IR2 a une constante diélectrique relative réduite, et par conséquent un champ élec- trique de drain qui traverse la pellicule d'isolation d'éléments IR2 et at- teint la région de canal 72 peut être atténué lorsqu'une tension de drain VD1 est appliquée à la région de drain 53, même si la distance entre les transistors MOS Q21 et Q22, c'est-à-dire une distance L représentée sur la figure 8, est courte, pour empêcher l'induction d'électrons sur une par- tie de bord de la région de canal 72 et pour réduire la fuite de courant qui résulte de tels électrons. Bien que chacun des documents Japanese Patent Laying-Open, Gazettes N 547726 (1993), 5-21822 (1993 et 3-149821 (1991) décrive l'introduction de fluor dans une pellicule d'oxyde enterrée, la technique décrite dans chacun de ces documents dépose du fluor sur un côté de couche SOI de la pellicule d'oxyde enterrée et réduit les niveaux d'inter- face de la couche SOI et de la pellicule d'oxyde enterrée. Aucun des do- cuments ci-dessus n'envisage la question de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain ou de fuite de bord, et bien entendu ne décrit ni ne suggère l'atténuation de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain ou la réduction de la fuite de bord. L'atténuation de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain et la réduction de la fuite de bord conformément à la présente invention ne peuvent être obtenus par le dépôt de fluor sur le côté de la couche SOI, et ceci est la preuve que l'atténuation de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain ou la réduction de la fuite de bord n'est pas une question envisagée. Bien que le document Japanese Patent Laying-Open, Gazette N 9-246265 (1997) décrive une technique d'introduction de fluor dans une pellicule d'oxyde d'isolation d'éléments formée sur un substrat en silicium massif, la technique décrite dans ce document vise à réduire I'épaisseur de la pellicule d'oxyde d'isolation d'éléments en réduisant la constante diélectrique relative, et à réduire un courant de fuite de l'élé- ment résultant de défauts cristallins. Au contraire, dans la présente in- vention, la réduction d'un courant de fuite, qu'on appelle une fuite de bord, ne résultant pas de défauts cristallins mais apparaissant selon un autre mécanisme (résultant d'une induction électrique) est la question envisagée, pour réduire la fuite de bord en employant une pellicule d'oxyde d'isolation d'éléments contenant du fluor pour isoler des transis- tors MOS les uns des autres. La fuite de bord est un courant d'un type absolument différent du courant de fuite résultant de défauts cristallins, et est un phénomène reconnu dans la structure pour isoler des transis- tors MOS les uns des autres. Cependant, le document Japanese Patent Laying-Open, Gazette N 9-246265 n'envisage pas la question de la fuite de bord, et bien entendu ne propose ni ne suggère rien concernant la réduction de la fuite de bord. B. Second mode de réalisation B-1. Structure de dispositif La figure 10 montre de façon caractéristique une structure en coupe d'un transistor MOS Q31 formé sur un substrat SOl 10 conformé- ment à un second mode de réalisation de la présente invention. Le substrat SOI 10 a une pellicule d'oxyde enterrée 32 formée sur un substrat en silicium 2 et une couche SOI 4 formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 32. La couche SOI 4 contient une région de canal 7 ain- si qu'une région de drain 5 et une région de source 6 disposées de part et d'autre de la région de canal 7, tandis qu'une électrode de grille 9 est disposée sur la région de canal 7 avec interposition d'une pellicule d'isolation de grille 8 pour former le transistor MOS Q31. Le transistor MOS Q31 est un transistor à canal n. La pellicule d'oxyde enterrée 32 est formée par des régions contenant du fluor (première et seconde régions contenant du fluor) 321 et 322 établies dans des régions correspondant à des parties inférieures de la région de drain 5 et de la région de source 6, respectivement, et formées par des pellicules d'oxyde de silicium contenant du fluor (F) de façon pratiquement uniforme, et une région normale 323 établie dans une région correspondant à une partie inférieure de la région de canal 7 et formée par une pellicule d'oxyde de silicium classique ne contenant pas de fluor. Les régions contenant du fluor 321 et 322 ont une constante diélectrique relative réduite en comparaison avec la région normale 323 ayant une constante diélectrique relative d'environ 3,9. La concentration de fluor des régions contenant du fluor 321 et 322 est fixée à un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022 cm-3, pratiquement sur toute les étendues. B-2. Effet/fonction La pellicule d'oxyde enterrée 32 comporte ainsi la région nor- male 323 formée par une pellicule d'oxyde de silicium classique ne con- tenant pas de fluor, dans la région correspondant à la partie inférieure de la région de canal 7, grâce à quoi une fluctuation de potentiel de la ré- gion de canal 7 peut être atténuée, de façon similaire à l'art antérieur. On décrira cet effet en se référant à la figure 11. La figure 11 montre un transistor MOS virtuel VQ en correspondance avec la structure du transistor MOS Q31 représenté sur la figure 10. Si l'on suppose que le substrat en silicium 2 est une électrode de grille et la région normale 323 est une pellicule d'oxyde de grille sur la figure 11, il en résulte que le potentiel de la région de canal 7 change également lorsque le potentiel VD2 du substrat en silicium 2 change, de façon similaire à un transistor MOS ordinaire. Par conséquent, lorsqu'on fixe le potentiel du substrat en sili- cium 2, on obtient dans une certaine mesure un effet de fixation du po- tentiel de la région de canal 7. Pour obtenir davantage cet effet, on doit augmenter la cons- tante diélectrique relative de la pellicule d'oxyde enterrée 32, au moins dans la partie correspondant à la partie inférieure de la région de canal 7, et la région normale 323 est formée dans ce but. La constante diélec- trique relative de la région normale 323 est d'environ 3,9, ce qui est su- périeur à celle des régions contenant du fluor 321 et 322. Le potentiel du substrat en silicium 2 est généralement fixé à 0 V, et par conséquent son influence s'exerce sur la région de canal 7 à travers la région normale 323, ce qui permet d'atténuer une fluctuation de potentiel de la région de canal 7. Ainsi, conformément à la structure représentée sur la figure 10, il est possible de réduire l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain en établissant la région normale 323 au voisinage de la partie se trouvant immédiatement au-dessous du canal, pour augmenter l'effet de fixation de potentiel, et en établissant les régions contenant du fluor 321 et 322 au voisinage des parties se trouvant immédiatement au-dessous des jonctions source/drain, pour atténuer un champ électrique qui s'infil- tre à partir de la région de drain 5 à travers la pellicule d'oxyde enterrée 32. On peut minimiser l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain en optimisant les dimensions de la région normale 323. Au lieu d'établir la région normale 323, on peut introduire du fluor dans la partie de la pellicule d'oxyde enterrée 32 correspondant à la partie inférieure de la région de canal 7 de façon à minimiser l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain, en utilisant effectivement l'effet d'atténuation du champ électrique qui s'infiltre à partir de la région de drain 5 et l'effet de fixation du potentiel du substrat en silicium 2. En d'autres termes, il est possible d'obtenir l'effet d'atténuation du phénomène d'abaissement de barrière induit par le drain et l'effet de fixation du potentiel de la région de canal 7, d'une manière bien équili- brée, en fixant la constante diélectrique relative de la partie de la pelli- cule d'oxyde enterrée 32 correspondant à la partie inférieure de la région de canal 7, à un niveau intermédiaire entre la constante diélectrique re- lative des régions contenant du fluor 321 et 322, et celle d'une pellicule d'oxyde de silicium ordinaire. De plus, lorsqu'on utilise la structure du transistor MOS Q31, il est bien entendu possible d'atténuer l'influence d'un champ électrique provenant d'un élément adjacent, en introduisant du fluor dans une pelli- cule d'isolation d'éléments entre le transistor MOS Q31 et l'élément adja- cent. B-3. Procédé de fabrication On va maintenant décrire un procédé de fabrication du transis- tor MOS Q31 en se référant aux figures 12 à 22 qui montrent des étapes de fabrication, dans l'ordre. Premièrement, on prépare le substrat SOI 1 ayant la pellicule d'oxyde enterrée 3 formée sur le substrat en silicium 2 et la couche SOI 4 formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 3, et on forme des pellicules d'isolation d'éléments IR, du type tranchée, atteignant la surface princi- pale de la pellicule d'oxyde enterrée 3 à partir de celle de la couche SOI 4, comme représenté sur la figure 12. On peut former les pellicules d'isolation d'éléments IR par un procédé classique. Par exemple, on forme sur la surface principale de la couche SOI 4 une pellicule d'oxyde pour la protection de surface, et on forme sur celle-ci une pellicule de nitrure ou similaire, pour définir le motif d'un masque pour la formation de tranchées. On peut obtenir les pellicules d'isolation d'éléments IR en formant des tranchées sur la couche SOI 4 en coïncidence avec le mas- que, et en introduisant dans les tranchées des pellicules d'oxyde formées par dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD) ou une technique simi- laire. A l'étape représentée sur la figure 13, on forme une pellicule d'oxyde thermique OX sur la surface principale de la couche SOI 4, dans une condition de température de 700 à 1000 C. La pellicule d'oxyde thermique OX définira ultérieurement une pellicule d'oxyde de grille. A l'étape représentée sur la figure 14, on superpose sur la pel- licule d'oxyde thermique OX une couche de silicium polycristallin dopé, PS, contenant une impureté de type p, en procédant par dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (ou LPCVD), dans une condition de température de 500 à 700 C. Ensuite, on forme l'électrode de grille 9 en définissant un motif dans la couche de silicium polycristallin dopé PS, et on implante des ions de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 3, à travers l'électrode de grille 9 remplissant la fonction d'un masque, à l'étape représentée sur la figure 15. On implante les ions de fluor avec une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2 et une énergie de 130 keV à 300 keV, de façon que la position du maximum de concentration soit au centre de la pellicule d'oxyde enter- rée 3. Du fait de la présence de l'électrode de grille 9, du fluor n'est pas injecté dans la partie de la pellicule d'oxyde enterrée 3 correspondant à la partie inférieure de l'électrode de grille 9, mais lapartie correspondant à la partie inférieure de l'électrode de grille 9 définit la région normale 323 qui est une pellicule d'oxyde de silicium classique, tandis que les parties situées de part et d'autre de celle-ci définissent les régions con- tenant du fluor 321 et 322, pour obtenir la pellicule d'oxyde enterrée 32 comme représenté sur la figure 16. A l'étape représentée sur la figure 17, on effectue une implan- tation ionique d'arsenic (As) dans la couche SOI 4, à travers l'électrode de grille 9 faisant fonction de masque. Les ions d'arsenic sont implantés avec une dose de 1 x 1013 à 1 x 1014 cm"2, pour former ce qu'on appelle les couches de drain faiblement dopé (ou LDD), désignées par la réfé- rence LD. Ensuite, on forme une pellicule d'oxyde par dépôt chimique en phase vapeur pour recouvrir la pellicule d'oxyde thermique OX et l'élec- trode de grille 9, et ensuite on effectue une attaque anisotrope de réduc- tion d'épaisseur pour former des pellicules d'oxyde de paroi latérale SX sur des parois latérales de l'électrode de grille 9, comme représenté sur la figure 18. A ce moment, on enlève également la pellicule d'oxyde thermique OX, sauf la partie se trouvant sous l'électrode de grille 9, pour définir la pellicule d'oxyde de grille 8 sous l'électrode de grille 9. A l'étape représentée sur la figure 19, on effectue une implan- tation ionique d'arsenic (As) dans la couche SOI 4 à travers l'électrode de grille 9 et les pellicules d'oxyde de paroi latérale SX remplissant la fonction de masques. On implante les ions d'arsenic avec une dose de 1 x 1015 à 1 x 1016 cm-2, et on effectue finalement un recuit à une tem- pérature de 800 à 1000 C pour former la région de drain 5 et la région de source 6. A ce moment, le fluor se trouvant dans les régions contenant du fluor 321 et 322 de la pellicule d'oxyde enterrée 32 diffuse uniformément. A ce moment, du fluor diffuse également dans les pellicules d'isolation d'éléments IR, qui subissent à leur tour une réduction de la constante diélectrique relative du fait de l'introduction de fluor. La concentration maximale de fluor dans les pellicules d'isolation d'éléments IR est de préférence à un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022 cm3. Si la concentration de fluor dans les pellicules d'isolation d'élé- ments IR ne peut pas être obtenue suffisamment seulement par diffusion par les étapes mentionnées ci-dessus, les pellicules d'oxyde pour définir les pellicules d'isolation d'éléments IR peuvent contenir préalablement du fluor à l'étape représentée sur la figure 12. Ensuite, on forme par dépôt chimique en phase vapeur la pelli- cule d'isolation inter-couche IZ d'environ 1 pm d'épaisseur, pour recouvrir la couche SOI 4 globale, comme représenté sur la figure 20. La pellicule d'isolation inter-couche IZ est formée par une pellicule d'oxyde de sili- cium (SiO2), une pellicule de TEOS (tétraéthylorthosilicate), une pellicule de PSG (verre phosphosilicaté), une pellicule de BPSG (verre borophos- phosilicaté), ou similaire. Ensuite, on aplanit la pellicule d'isolation inter-couche IZ après quoi on forme à travers la pellicule d'isolation inter-couche IZ les trous de contact DCH et SCH atteignant les surfaces de la région de drain 5 et de la région de source 6, comme représenté sur la figure 21, et on enterre dans les trous de contact DCH et SCH un matériau conducteur tel que de l'aluminium ou du tungstène, pour former la couche d'interconnexion de drain DWL et la couche d'interconnexion de source SWL. Enfin, on forme une pellicule de protection PF au moyen d'une pellicule d'oxyde ou similaire, pour recouvrir la pellicule d'isolation inter- couche IZ globale, comme représenté sur la figure 22, et on effectue un recuit dans de l'hydrogène à une température de 400 à 450 C, pour ainsi améliorer la qualité de pellicule de chaque pellicule d'oxyde telle que la pellicule de protection PF, et former le transistor MOS Q31. La figure 10 montre le transistor MOS Q31 en omettant l'illus- tration des couches de drain faiblement dopé, LD, des pellicules d'oxyde de paroi latérale SX et autres, dans un but de simplification. Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence à un transistor MOS à canal n, elle s'applique également à un transistor MOS à canal p. Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence au procédé consistant à ne pas injecter de fluor dans la partie de la pellicule d'oxyde enterrée 3 correspondant à la partie inférieure de l'électrode de grille 9, mais à former la région normale 323 qui est une pellicule d'oxyde de silicium classique, du fluor peut être introduit sélectivement par im- plantation ionique dans la partie de la pellicule d'oxyde enterrée 3 cor- respondant à la partie inférieure de la région de canal 7, préalablement à l'étape représentée sur la figure 12, par exemple au moment o on intro- duit également du fluor dans la partie (correspondant à la partie qui cor- respond à la partie inférieure de la région de canal 7) de la pellicule d'oxyde enterrée 3 correspondant à la partie inférieure de l'électrode de grille 9, comme décrit ci-dessus. Dans ce cas, la dose de fluor qui est injectée dans cette partie est fixée de façon que la constante diélectrique relative de la partie soit à un niveau intermédiaire entre la constante di- électrique relative des régions contenant du fluor 321 et 322 représen- tées sur la figure 16, et celle d'une pellicule d'oxyde de silicium ordinaire. C. Troisième mode de réalisation On décrit sous la forme d'un troisième mode de réalisation de la présente invention divers procédés de fabrication du substrat SOI 10 ayant la pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor, décrite en rela- tion avec le premier mode de réalisation. C-1. Procédé utilisant la technique SIMOX à dose élevée La technique SIMOX ("separation by implanted oxygen", c'est-à- dire séparation par oxygène implanté) est un procédé de formation d'une pellicule d'oxyde enterrée dans un substrat en silicium, par l'implantation d'ions d'oxygène dans le substrat en silicium, et on peut introduire du fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée en utilisant ce procédé. On va maintenant décrire deux procédés de fabrication d'un substrat SOI 10 par la technique SIMOX à dose élevée, en se référant aux figures 23 à 28 montrant des étapes de fabrication, dans l'ordre. C-1-1. Premier procédé Premièrement, on prépare un substrat en silicium 2 et on ef- fectue une implantation ionique d'oxygène avec une énergie de 100 à 200 keV pour atteindre une dose de 1 x 1017 à 2 x 1018 cm'2 à l'étape représentée sur la figure 23. En outre, on effectue une implantation ioni- que de fluor avec une énergie de 130 à 300 keV pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2 à la même profondeur de pénétration (Rp) que pour les ions d'oxygène dans les conditions d'implantation mention- nées ci-dessus, pour former une région soumise à implantation ionique, IM. * Ensuite, on effectue un traitement thermique dans une condi- tion de température de 1000 à 1350 C pour diffuser l'oxygène et le fluor, pour former ainsi une pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor de façon pratiquement uniforme sur toute son étendue, comme représenté sur la figure 24. En même temps, le caractère cristallin de la couche de silicium sur la pellicule d'oxyde enterrée 31 est rétabli pour former une couche SOI 4, ce qui achève la fabrication du substrat SOI 10. Dans cette étape, le fluor et l'oxygène injectés dans des cou- ches de silicium dans les parties supérieure et inférieure de la région IM soumise à l'implantation ionique contribuent également à la formation de la pellicule d'oxyde enterrée 31. La profondeur d'implantation des ions de fluor est égalisée avec celle des ions d'oxygène, afin de concentrer les ions de fluor et les ions d'oxygène à la même profondeur et de faire diffuser ces ions de fa- çon thermique pour obtenir ainsi la pellicule d'oxyde enterrée 31 conte- nant du fluor réparti uniformément sur toute l'étendue. Lorsqu'on forme un substrat SOI comprenant une pellicule d'oxyde enterrée 31 ayant une épaisseur de 400 nm et une couche de silicium (c'est-à-dire une couche SOI), formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 31, ayant une épaisseur de 170 nm, par exemple, I'énergie d'injection pour le fluor est fixée à environ 220 keV, afin d'injecter du fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde enterrée. Pour obtenir une pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor uniformément réparti sur toute l'étendue, on peut injecter du fluor en deux phases. En d'autres termes, on considère la position pour la formation de la pellicule d'oxyde enterrée 31 pour effectuer une implantation ioni- que avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus pro- che de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31, dans une première phase, et pour effectuer une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31, dans une seconde phase. Lorsqu'on forme un substrat SOI comprenant une pellicule d'oxyde enterrée 31 ayant une épaisseur de 400 nm et une couche de silicium (c'est-à-dire une couche SOI), formée sur la pellicule d'oxyde enterrée 31, ayant une épaisseur de 170 nm, par exemple, on injecte du fluor avec une énergie de 160 keV dans une première phase, et on l'in- jecte ensuite avec une énergie de 260 keV dans une seconde phase. C-1-2. Second procédé Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence à la pellicule d'oxyde enterrée 31 formée en injectant de l'oxygène et du fluor et en effectuant ensuite un traitement thermique en commun, pour diffu- ser ainsi simultanément l'oxygène et le fluor, un traitement thermique peut être effectué individuellement, comme décrit ci-dessous. Premièrement, on prépare un substrat en silicium 2 et on ef- fectue une implantation ionique d'oxygène avec une énergie de 100 à keV pour atteindre une dose de 1 x 1017 à 2 x 1018 cm'2 à l'étape représentée sur la figure 25, pour former une région IM1 soumise à une implantation ionique. Ensuite, on effectue un traitement thermique dans une condi- tion de température de 1000 à 1350 C pour diffuser l'oxygène, pour for- mer ainsi une pellicule d'oxyde enterrée 3 (d'environ 400 nm d'épais- seur), qui est identique à la pellicule classique, comme représenté sur la figure 26. En même temps, le caractère cristallin de la couche de silicium sur la pellicule d'oxyde enterrée 3 est rétabli pour former une couche SOI 4. A l'étape représentée sur la figure 27, on effectue une implan- tation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 3 avec une énergie de 130 à 300 keV pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm'2 à la même profondeur de pénétration (Rp) que pour les ions d'oxy- gène dans les conditions d'implantation mentionnées ci-dessus. On peut injecter du fluor en considérant la position pour former une pellicule d'oxyde enterrée 31, en effectuant une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une pre- mière phase, et en effectuant ensuite une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une seconde phase. Enfin, on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser uniformément le fluor, pour obtenir ainsi la pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor ré- parti uniformément sur toute l'étendue, comme représenté sur la figure 28. Il en résulte que le caractère cristallin de la couche SOI 4 est rétabli en même temps. C-2. Procédé utilisant la technique SIMOX à faible dose La technique SIMOX à faible dose, qui est un procédé de fabri- cation d'une pellicule d'oxyde enterrée avec une dose d'oxygène ap- proximativement égale au quart de celle de la technique SIMOX à dose élevée, a des inconvénients consistant en ce que la pellicule d'oxyde enterrée a une faible épaisseur, comporte des trous d'épingle et a une mauvaise tenue en tension. Une technique proposée pour éliminer ces inconvénients est la technique ITOX ("internai thermal oxidation", c'està- dire oxydation thermique interne). On peut introduire du fluor dans la pel- licule d'oxyde enterrée en utilisant cette technique. On va maintenant dé- crire deux procédés de fabrication d'un substrat SOI 10 par la technique SIMOX à faible dose à laquelle est appliquée la technique ITOX, en se référant aux figures 29 à 36 montant des étapes de fabrication, dans l'ordre. C-2-1. Premier procédé Premièrement, on prépare un substrat en silicium 2 et on ef- fectue une implantation ionique d'oxygène avec une énergie de 100 à keV pour atteindre une dose d'environ 4 x 1017 cm'2 à l'étape repré- sentée sur la figure 29. En outre, on effectue une implantation ionique de fluor avec une énergie de 130 à 300 keV pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm'2 à la même profondeur de pénétration (Rp) que pour les ions d'oxygène dans les conditions d'implantation mentionnées ci- dessus, pour former une région IM2 soumise à implantation ionique. Ensuite, on effectue un traitement thermique dans une condi- tion de température de 1000 à 1350 C pour diffuser de l'oxygène et du fluor, pour former ainsi une pellicule d'oxyde enterrée 31a (environ 80 nm d'épaisseur) contenant du fluor de façon pratiquement uniforme sur toute son étendue, comme représenté sur la figure 30. En même temps, le ca- ractère cristallin d'une couche de silicium sur la pellicule d'oxyde enter- rée 31a est rétabli, pour former une couche SOI 4. Dans cette étape, le fluor et l'oxygène injectés dans des cou- ches de silicium dans les parties supérieure et inférieure de la région IM2 soumise à une implantation ionique, contribuent également à la formation de la pellicule d'oxyde enterrée 31a. La profondeur d'implantation des ions de fluor est égalisée avec celle des ions d'oxygène, de façon à concentrer les ions de fluor et les ions d'oxygène à la même profondeur, et à effectuer une diffusion thermique de ces ions, pour obtenir ainsi la pellicule d'oxyde enterrée 31a contenant du fluor réparti uniformément sur toute l'étendue. Dans l'étape représentée sur la figure 31, on effectue à nou- veau un traitement thermique dans la condition de température de 1000 à 1350 C, pour réduire la densité de défauts de la pellicule d'oxyde enter- rée 31a, pour obtenir ainsi finalement une pellicule d'oxyde enterrée 31 ayant une excellente qualité de pellicule. A ce moment, on effectue un chauffage dans une condition pour former une pellicule d'oxyde thermi- que OX1 sur la surface du substrat 2, par exemple dans une atmosphère d'oxygène, de façon que l'oxygène qui est consommé dans la formation de la pellicule d'oxyde OX1 diffuse également partiellement dans le substrat 2, et qu'une oxydation interne soit occasionnée sur la pellicule d'oxyde enterrée 31a pour augmenter l'épaisseur. Par conséquent, l'épaisseur de la pellicule d'oxyde enterrée 31 finale est d'environ 100 nm. La pellicule d'oxyde thermique OX1 est finalement enlevée. On peut injecter du fluor en considérant la position pour la for- mation de la pellicule d'oxyde enterrée 31, en effectuant une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une première phase, et en effectuant ensuite une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une seconde phase. C-2-2. Second procédé Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence à la pellicule d'oxyde enterrée 31 formée en injectant de l'oxygène et du fluor et en effectuant ensuite un traitement thermique en commun, pour diffu- ser ainsi simultanément l'oxygène et le fluor, un traitement thermique peut être effectué individuellement, comme décrit ci-dessous. Premièrement, on prépare un substrat en silicium 2 et on ef- fectue une implantation ionique d'oxygène avec une énergie de 100 à 200 keV pour atteindre une dose d'environ 4 x 1017 cm'2 à l'étape repré- sentée sur la figure 32, pour former une région IM3 soumise à une im- plantation ionique. Ensuite, on effectue un traitement thermique dans une condi- tion de température de 1000 à 1350 C pour diffuser de l'oxygène, pour former ainsi une pellicule d'oxyde enterrée 3a (environ 400 nm d'épais- seur), comme représenté sur la figure 33. Le caractère cristallin d'une couche de silicium sur la pellicule d'oxyde enterrée 3a est rétabli en même temps, pour former une couche SOI 4. A l'étape représentée sur la figure 34, on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour ré- duire la densité de défauts de la pellicule d'oxyde enterrée 3a, et obtenir finalement une pellicule d'oxyde enterrée 3 ayant une excellente qualité de pellicule. A ce moment, une pellicule d'oxyde thermique OX2 est for- mée sur la surface du substrat 2, tandis que l'oxygène consommé dans la formation de la pellicule d'oxyde OX2 diffuse partiellement dans le subs- trat 2, et une oxydation interne est occasionnée sur la pellicule d'oxyde enterrée 3a pour augmenter l'épaisseur. Par conséquent, I'épaisseur to- tale de la pellicule d'oxyde enterrée 3 finale est d'environ 100 nm. A l'étape représentée sur la figure 35, on effectue une implan- tation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 3 avec une énergie de 130 à 300 keV pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2 à la même profondeur de pénétration (Rp) que pour les ions d'oxy- gène dans les conditions d'implantation mentionnées ci-dessus. Enfin, on effectue un traitement thermique dans une condition de température de 1000 à 1350 C pour diffuser uniformément du fluor, pour obtenir ainsi une pellicule d'oxyde enterrée 31 (environ 100 nm d'épaisseur) contenant du fluor réparti uniformément sur toute l'étendue, comme représenté sur la figure 30. Il en résulte que le caractère cristallin de la couche SOI 4 est rétabli en même temps. On peut injecter du fluor en considérant la position pour la for- mation de la pellicule d'oxyde enterrée 31, en effectuant une implantation ionique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une première phase, et en effectuant ensuite une implantation thermique avec une énergie pour injecter du fluor dans une position plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée 31 dans une seconde phase. C-3. Procédé utilisant la technique "Smart Cut" Une technique "Smart Cut", qui est une technique d'implanta- tion d'ions d'hydrogène (H) dans un substrat en silicium pour former une couche de défauts dans une partie plus profonde que la surface, occa- sionnant une fissuration dans une position ayant la concentration la plus élevée d'hydrogène injecté et l'exfoliation d'une couche de silicium, peut être appliquée à une tranche d'assemblage pour la fabrication d'un subs- trat SOI. Un substrat SOI fabriqué par ce procédé est appelé un substrat "Unibond", ce qui est une désignation commerciale de la société SOITEC (Silicon On Insulator Technologies) développant cette technique. On va maintenant décrire deux procédés de fabrication d'un substrat SOI 10 par la technique "Smart Cut", en se référant aux figures 37 à 48 montrant des étapes de fabrication, dans l'ordre. C-3-1. Premier procédé Premièrement, on prépare un substrat en silicium 21 et on forme une pellicule d'oxyde thermique OX3 sur sa surface principale, comme représenté sur la figure 37. Dans l'étape représentée sur la figure 38, on effectue une im- plantation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3 pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm'2. On fixe l'énergie d'injec- tion de façon que la profondeur de pénétration (Rp) d'ions de fluor soit approximativement égale à la moitié de l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX3, afin de diffuser uniformément le fluor injecté dans la pel- licule d'oxyde thermique OX3 dans une étape ultérieure de recuit à haute température. Lorsque l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX3 est de 400 nm, par exemple, on fixe l'énergie d'injection à 120 à 130 keV, afin d'implanter des ions de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde thermique OX3. On peut injecter le fluor en deux phases, en effectuant une im- plantation ionique dans une position plus proche de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde thermique OX3 dans une première phase, et en effectuant ensuite une implantation thermique dans une position plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde thermique OX3 dans une seconde phase. Lorsque l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX3 est de 400 nm, par exemple, I'énergie d'injection pour la première phase peut être fixée à 60 keV et celle pour la seconde phase peut être fixée à 180 keV. Dans l'étape représentée sur la figure 39, on effectue un trai- tement thermique (recuit à haute température) dans une condition de température de 1000 à 1300 C pour diffuser uniformément le fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3, pour former ainsi une pellicule d'oxyde OX31 contenant du fluor uniformément réparti. Dans l'étape représentée sur la figure 40, on effectue une im- plantation ionique d'hydrogène dans une position plus profonde que l'in- terface entre la pellicule d'oxyde thermique OX31 et le substrat en sili- cium 21, pour atteindre une dose de 1 x 1016 à 1 x 1017 cm-2. Une cou- che de défauts DL est formée dans la partie dans laquelle des ions d'hy- drogène sont implantés. Dans l'étape représentée sur la figure 41, on assemble le substrat en silicium 21 avec un substrat en silicium 2 préparé séparé- ment, de façon que la surface principale du substrat en silicium 21 sur laquelle est formée la pellicule d'oxyde OX31 soit placée face à celle du substrat en silicium 2. Dans l'étape représentée sur la figure 42, on effectue un trai- tement thermique dans une condition de température de 400 à 700 C pour séparer une partie inutile (opposée à la pellicule d'oxyde OX31) du substrat en silicium 21, au niveau de la couche de défauts DL. Ensuite, on effectue un traitement thermique dans une condition de température d'environ 1100 C, pour renforcer l'assemblage entre le substrat en sili- cium 21 et le substrat en silicium 2. Enfin, on polit et on reforme par recuit dans de l'hydrogène la surface séparée restante du substrat en silicium 21, de façon que la par- tie restante du substrat en silicium 21 définisse une couche SOI 4 et que la pellicule d'oxyde OX31 contenant du fluor de façon uniforme définisse ce qu'on appelle la pellicule d'oxyde enterrée 31, pour achever ainsi le substrat SOI 10, comme représenté sur la figure 43. Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence au procédé de formation de la pellicule d'oxyde 0X31 contenant du fluor uniformément réparti, par la formation de la pellicule d'oxyde thermique OX3, puis par l'implantation d'ions de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3, et par la diffusion uniforme de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3 par recuit à haute température, une pellicule d'oxyde 31 contenant du fluor peut être formée sur la surface principale du substrat en silicium 21 par dépôt chimique en phase vapeur employant un gaz réactif qui contient du fluor, à la place des étapes représentées sur les figures 37 à 39. La pellicule d'oxyde 31 contenant du fluor peut être formée dans une condition de température de 300 à 450 C par dépôt chimique en phase vapeur par plasma, par exemple, en sélectionnant l'un quelconque des gaz NF3, CF4 et C2F6 pour le gaz réactif contenant du fluor, en plus des gaz comprenant le TEOS et l'oxygène. C-3-2. Second procédé Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence au procédé consistant à accomplir individuellement l'étape de traitement thermique pour la diffusion du fluor injecté, et l'étape de traitement ther- mique pour la séparation après injection d'hydrogène, ces étapes de traitement thermique peuvent être accomplies simultanément, comme dé- crit ci-dessous. Premièrement, on prépare un substrat en silicium 21 et on forme une pellicule d'oxyde thermique OX3 sur la surface principale de celui-ci, comme représenté sur la figure 44. A l'étape représentée sur la figure 45, on effectue une implan- tation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3 pour at- teindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2. On fixe l'énergie d'injection de façon que la profondeur de pénétration (Rp) des ions de fluor soit ap- proximativement égale à la moitié de l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX3. En outre, on effectue une implantation ionique d'hydrogène dans une position plus profonde que l'interface entre la pellicule d'oxyde OX3 et le substrat en silicium 21, pour atteindre une dose de 1 x 1016 à 1 x 1017 cm'2. Une couche de défauts DL est formée dans la partie dans laquelle des ions d'hydrogène sont implantés. Dans l'étape représentée sur la figure 46, on assemble le substrat en silicium 21 avec un substrat en silicium 2 préparé séparé- ment, de façon que la surface principale du substrat en silicium 21 sur laquelle est formée la pellicule d'oxyde thermique OX3 soit placée face à la surface principale du substrat en silicium 2. Dans l'étape représentée sur la figure 47, on effectue un trai- tement thermique dans une condition de température de 400 à 700 C pour exfolier une partie inutile (partie opposée à la pellicule d'oxyde thermique OX3) du substrat en silicium 21, au niveau de la couche de défauts DL. Ensuite, on effectue un traitement thermique (recuit à haute température) dans une condition de température de 1100 à 1300 C pour diffuser uniformément le fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX3, pour ainsi former une pellicule d'oxyde OX31 contenant du fluor unifor- mément réparti, et renforcer l'assemblage entre le substrat en silicium 21 et le substrat en silicium 2. Enfin, on polit et on reforme par recuit dans de l'hydrogène la surface exfoliée restante du substrat en silicium 21, de façon que la par- tie restante du substrat en silicium 21 définisse une couche SOI 4 et que la pellicule d'oxyde OX31 contenant du fluor de façon uniforme définisse ce qu'on appelle la pellicule d'oxyde enterrée 31, en achevant ainsi le substrat SOI 10, comme représenté sur la figure 48. C-4. Procédé utilisant la technique ELTRAN La technique ELTRAN ("Epitaxial Layer TRANsfer", c'est-à-dire transfert de couche épitaxiale), qui est l'une des techniques de fabrica- tion de substrats à assemblage, est une technique de polissage! enlèvement ou exfoliation d'un substrat en silicium au niveau d'une cou- che de silicium poreux, à la place de la couche de défauts dans la tech- nique "Smart Cut" mentionnée ci-dessus. On va maintenant décrire un procédé de fabrication d'un substrat SOI 10 par la technique ELTRAN, en se référant aux figures 49 à 55 montrant des étapes de fabrication, dans l'ordre. Premièrement, on prépare un substrat en silicium 21 et on forme une couche de silicium poreux TS sur sa surface principale, comme représenté sur la figure 49. On forme la couche de silicium poreux TS en convertissant la surface du substrat en silicium en un état poreux par un processus d'anodisation consistant à immerger le substrat en silicium (substrat en silicium monocristallin) 21 et une électrode telle qu'une électrode en platine, par exemple, dans de l'acide fluorhydrique (HF) et à faire circuler un courant entre le substrat en silicium 21 remplissant la fonction d'une anode, et l'électrode en platine remplissant la fonction d'une cathode. Ensuite, on fait croître par épitaxie une couche de silicium mo- nocristallin sur la couche de silicium poreux TS pour former une couche épitaxiale EP, comme représenté sur la figure 50. On forme une pellicule d'oxyde thermique OX4 sur la couche épitaxiale EP. Dans l'étape représentée sur la figure 51, on effectue une im- plantation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX4 pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm2. On fixe l'énergie d'injec- tion de façon que la profondeur de pénétration (Rp) d'ions de fluor soit approximativement égale à la moitié de l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX4, afin de diffuser uniformément le fluor injecté dans la pel- licule d'oxyde thermique OX4 au cours d'une étape de recuit à haute température qu'on décrira ultérieurement. Lorsque l'épaisseur de la pelli- cule d'oxyde thermique OX4 est par exemple de 400 nm, on fixe l'énergie d'injection à 120 à 130 keV, afin d'implanter des ions de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde thermique OX4. On peut injecter du fluor en deux phases en accomplissant une implantation ionique dans une position plus proche de la partie supé- rieure de la pellicule d'oxyde thermique OX4 au cours d'une première phase, et en effectuant ensuite une implantation thermique dans une po- sition plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde thermique OX4 dans une seconde phase. Lorsque l'épaisseur de la pellicule d'oxyde thermique OX4 est par exemple de 400 nm, I'énergie d'injection pour la première phase peut être fixée à 60 keV et celle pour la seconde phase peut être fixée à 180 keV. Dans l'étape représentée sur la figure 52, on effectue un trai- tement thermique (recuit à haute température) dans une condition de température de 1000 à 1300 C pour diffuser uniformément le fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX4, pour former ainsi une pellicule d'oxyde OX41 contenant du fluor diffusé de façon uniforme. Dans l'étape représentée sur la figure 53, on assemble le substrat en silicium 21 avec un substrat en silicium 2 préparé séparé- ment, de façon que la surface principale du substrat en silicium 21 sur laquelle est formée la pellicule d'oxyde OX41 soit disposée face à la surface principale du substrat en silicium 2. Dans l'étape représentée sur la figure 54, on polit/enlève une partie inutile (partie opposée à la pellicule d'oxyde OX41) du substrat en silicium 21, au niveau de la couche de silicium poreux TS, pour mettre ainsi à nu la pellicule de silicium poreux TS. Selon une variante, la partie inutile peut être exfoliée au niveau de la couche de silicium poreux TS par l'application d'une force physique à la couche de silicium poreux TS. Ensuite, on enlève par attaque la couche de silicium poreux TS pour mettre à nu la couche épitaxiale EP, et on effectue ensuite une opé- ration de recuit dans de l'hydrogène dans une condition de température de 1100 à 1300 C pour reformer la surface à nu de la couche épitaxiale EP, de façon que la couche épitaxiale EP définisse une couche SOI 4 et que la pellicule d'oxyde OX41 contenant du fluor de façon uniforme défi- nisse ce qu'on appelle la pellicule d'oxyde enterrée 31, pour achever ain- si le substrat SOI 10, comme représenté sur la figure 55. Le recuit à haute température décrit en référence à la figure 52 peut être remplacé par le recuit dans de l'hydrogène mentionné précédemment. Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence au procédé de formation de la pellicule d'oxyde 0X41 contenant du fluor uniformément réparti, par formation de la pellicule d'oxyde thermique OX4, suivie de l'implantation d'ions de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX4, et par la diffusion uniforme de fluor dans la pellicule d'oxyde thermique OX4 par recuit à haute température, une pellicule d'oxyde 41 contenant du fluor peut être formée sur la couche épitaxiale EP par dépôt chimique en phase vapeur employant un gaz réactif conte- nant du fluor, à la place des étapes représentées sur les figures 50 à 52. La pellicule d'oxyde OX41 contenant du fluor peut être formée dans une condition de température de 300 à 450 C par dépôt chimique en phase vapeur par plasma, par exemple, en sélectionnant l'un quelconque des gaz NF3, CF4 et C2F6 pour le gaz réactif contenant du fluor, en plus des gaz comprenant le TEOS et l'oxygène. C-5. Modification Bien que la description ci-dessus ait été faite en référence au procédé de fabrication d'une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon uniforme par implantation ionique de fluor pendant la fa- brication d'un substrat SOI par la technique SIMOX à dose élevée, la technique "Smart Cut" ou la technique ELTRAN, selon une variante, on peut former la pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor de façon uniforme en préparant un substrat SOI ayant une pellicule d'oxyde enter- rée classique formée par une pellicule d'oxyde, et en effectuant une im- plantation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée pour attein- dre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2, par la technique SIMOX à dose élevée, la technique "Smart Cut" ou la technique ELTRAN. Lorsque l'épaisseur de la pellicule d'oxyde enterrée est de 400 nm et l'épaisseur d'une couche de silicium (c'est-à-dire la couche SOI) sur la pellicule d'oxyde enterrée est de 170 nm, par exemple, on peut former une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor diffusé de façon uniforme en fixant l'énergie d'injection pour le fluor à environ 220 keV, en effectuant une implantation ionique de fluor dans une partie centrale de la pellicule d'oxyde enterrée et en effectuant un traitement thermique (recuit à haute température) dans une condition de température de 1000 à 1300 C. Dans ce cas, on peut évidemment injecter du fluor en deux phases, en effectuant une implantation ionique dans une position plus proche de la partie supérieure de la pellicule d'oxyde enterrée dans une première phase, et en effectuant une implantation ionique dans une posi- tion plus proche de la partie inférieure de la pellicule d'oxyde enterrée dans une seconde phase. Lorsqu'on forme un substrat SOI comprenant une pellicule * d'oxyde enterrée ayant une épaisseur de 400 nm et une couche de sili- cium (c'est-à-dire une couche SOI), établie sur la pellicule d'oxyde enter- rée, ayant une épaisseur de 170 nm, par exemple, on injecte du fluor avec une énergie de 160 keV dans une première phase, et on l'injecte ensuite avec une énergie de 260 keV dans une seconde phase. D. Quatrième mode de réalisation Bien qu'on ait décrit le troisième mode de réalisation en réfé- rence au procédé de fabrication d'un substrat SOI ayant une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor uniformément réparti, préalablement à la fabrication d'un dispositif à semiconducteur, on décrira en référence à un quatrième mode de réalisation de la présente invention un procédé de formation d'une pellicule d'oxyde enterrée contenant du fluor unifor- mément réparti, au cours d'étapes de fabrication d'un dispositif à semi- conducteur. Premièrement, on prépare par la technique SIMOX à dose éle- vée, la technique "Smart Cut", la technique ELTRAN ou similaire, un substrat SOI 1 ayant une pellicule d'oxyde enterrée 3 classique, formée par une pellicule d'oxyde, comme représenté sur la figure 56. Dans une étape représentée sur la figure 57, on forme une pel- licule d'oxyde thermique OX5 sur la surface principale d'une couche SOI 4 dans une condition de température de 700 à 1000 C, et on forme en- suite une pellicule de nitrure (Si3N4) SN de 100 à 300 nm d'épaisseur, sur la pellicule d'oxyde thermique OX5, par dépôt chimique en phase va- peur à basse pression (ou LPCVD), dans une condition de température de 700 à 850 C. On peut former une couche de silicium polycristallin de à 100 nm d'épaisseur entre la pellicule d'oxyde thermique OX5 et la pellicule de nitrure SN. Ensuite, on forme un motif de matière de réserve (non repré- senté) sur la pellicule de nitrure SN, par photolithographie, et ensuite on définit un motif dans la pellicule de nitrure SN, par attaque sur la base du motif de matière de réserve. On enlève le motif de matière de réserve, et ensuite on enlève la pellicule d'oxyde thermique OX5 et la couche SOI 4, par attaque à travers la pellicule de nitrure SN dans laquelle on a défini un motif, qui remplit la fonction d'un masque, pour former ainsi une ou- verture OP atteignant la surface de la pellicule d'oxyde enterrée 3, comme représenté sur la figure 58. Dans une étape représentée sur la figure 59, on forme une pel- licule de TEOS, portant la désignation TE, de 1 à 2 pm d'épaisseur, sur la totalité de la surface du substrat 2, pour remplir l'ouverture OP avec la pellicule de TEOS TE. Ensuite, on effectue un traitement thermique (recuit) dans une condition de température de 900 à 1200 C. Dans une étape représentée sur la figure 60, on enlève la pelli- cule de TEOS TE par polissage chimio-mécanique (ou CMP) pour mettre à nu la surface de la pellicule de nitrure SN et pour effectuer un aplanis- sement. Dans une étape représentée sur la figure 61, on enlève par at- taque la pellicule de nitrure SN, pour mettre à nu la pellicule d'oxyde thermique OX5. A ce moment, la pellicule de TEOS TE remplissant l'ou- verture OP est partiellement mise à nu. Dans une étape représentée sur la figure 62, on effectue une implantation ionique de fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 3 pour atteindre une dose de 1 x 1014 à 1 x 1019 cm-2. Lorsque la pellicule d'oxyde enterrée 3 a 400 nm d'épaisseur et une couche de silicium (c'est- à-dire la couche SOI 4) sur la pellicule d'oxyde enterrée 3 a 100 nm d'épaisseur, par exemple, on fixe l'énergie d'injection pour le fluor à envi- ron 100 à 240 keV. Ensuite, on effectue un traitement thermique (recuit) dans une condition de température de 1000 à 1300 C, de façon que du fluor dans la pellicule d'oxyde enterrée 3 diffuse et qu'une pellicule d'oxyde enterrée 31 contenant du fluor diffusé de façon uniforme puisse être formée, comme représenté sur la figure 63. A ce moment, du fluor diffuse également dans la pellicule de TEOS TE remplissant l'ouverture OP, ce qui fait que la pellicule de TEOS TE définit une pellicule d'isola- tion d'éléments IR1 contenant du fluor et ayant une constante diélectri- que relative réduite. La concentration maximale de fluor dans la pellicule d'isolation d'éléments IR1 est de préférence à un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022cm-3, et si la concentration de fluor dans la pellicule de TEOS TE ne peut pas être suffisamment obtenue par diffusion au cours de l'étape mentionnée ci- dessus, du fluor peut être introduit préalablement dans la pellicule de TEOS TE à l'étape représen- tee sur la figure 59. L'étape représentée sur la figure 63 comprend des étapes d'in- jection de canal d'impureté de type p et de type n dans une région de formation de transistor MOS de type n (qu'on appelle une région nMOS) NR et une région de formation de transistor MOS de type p (qu'on ap- pelle une région pMOS) PR dans la couche SOI 4, isolées par la pellicule d'isolation d'éléments IR1. Enfin, on enlève la pellicule d'oxyde thermique OX5 dans une étape représentée sur la figure 65, tandis qu'on enlève une partie en saillie de la pellicule d'isolation d'éléments IR1, pour obtenir une struc- ture ayant la région nMOS NR et la région pMOS PR électriquement iso- lées par la pellicule d'isolation d'éléments IR1 et la pellicule d'oxyde en- terrée 31. Ensuite, on peut obtenir un dispositif à semiconducteur désiré en formant des transistors MOS dans la région nMOS NR et la région pMOS PR par un procédé classique. Dans le procédé mentionné ci-dessus, on effectue une implan- tation d'ions de fluor et un recuit à haute température avant une injection de canal qui fixe des seuils de transistors MOS, grâce à quoi la distribu- tion de concentration d'impuretés injectées dans des régions de canal n'est pas influencée par un recuit à haute température. Bien que chacun des premier à quatrième modes de réalisation de la présente invention ait été décrit essentiellement en référence au cas de l'application de la présente invention à un transistor à canal n, la présente invention est évidemment également applicable à un transistor à canal p pour atteindre un effet/fonction similaire à celui dans le cas de l'application de la présente invention à un transistor à canal n. La pré- sente invention est en outre applicable non seulement à un transistor à canal n et un transistor à canal p fabriqués indépendamment l'un de l'au- tre, mais également à un transistor à canal n et un transistor à canal p préparés dans des étapes de fabrication d'un dispositif CMOS (MOS complémentaire). Chacun des premier à quatrième modes de réalisation a été dé- crit principalement en référence à l'atténuation de l'influence de l'effet d'abaissement de barrière induit par le drain dans le transistor à effet de champ MOS et à la réduction de la fuite de bord. Cependant, lorsqu'un élément à semiconducteur autre qu'un transistor à effet de champ MOS est formé sur un substrat SOI ayant une pellicule d'oxyde enterrée conte- nant du fluor de façon uniforme, il est possible de réduire des capacités parasites entre l'élément et un substrat en silicium. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap- portées aux dispositifs et procédés décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteur, comprenant un substrat SOI ayant un substrat en silicium (2), une pellicule d'oxyde enterrée conte- nant du fluor formée sur le substrat en silicium et une couche SOI (4) formée sur la pellicule d'oxyde enterrée; et un élément à semiconducteur formé sur la couche SOI, caractérisé en ce que la pellicule d'oxyde enter- rée contient du fluor de façon pratiquement uniforme en une concentra- tion déterminée sur toute son étendue. 2. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que l'élément à semiconducteur est un transistor à effet de champ MOS (Q11). 3. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, carac- térisé en ce que la valeur maximale de la concentration de fluor détermi- née est un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022cm-3. 4. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 2, com- prenant en outre une pellicule d'isolation d'éléments (IR) formée dans la couche SOI autour du transistor à effet de champ MOS de façon à attein- dre la surface principale de la pellicule d'oxyde enterrée, à partir de la surface principale de la couche SOI, caractérisé en ce que la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. 5. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que l'élément à semiconducteur est un transistor à effet de champ MOS (Q31), ce transistor à effet de champ MOS comporte une ré- gion de canal (7) formant un canal et une région de drain (5) et une ré- gion de source (6) formées de part et d'autre de la région de canal dans la couche SOI, et la pellicule d'oxyde enterrée comprend: des première et seconde régions contenant du fluor (321, 322) formées dans des ré- gions correspondant à des parties inférieures de la région de drain et de la région de source, et contenant du fluor de façon pratiquement uni- forme en une concentration déterminée sur toutes les étendues, et une région normale (323) formée dans une région correspondant à une partie inférieure de la région de canal et ne contenant pas de fluor. 6. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 5, carac- térisé en ce que la valeur maximale de la concentration de fluor détermi- née est un niveau quelconque dans la plage de 1 x 1019 à 1 x 1022cm-3. 7. Dispositif à semiconducteur selon la revendication 5, com- prenant en outre une pellicule d'isolation d'éléments (IR) formée dans la couche SOI autour du transistor à effet de champ MOS de façon à attein- dre la surface principale de la pellicule d'oxyde enterrée, à partir de la surface principale de la couche SOI, caractérisé en ce que la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. 8. Dispositif à semiconducteur comprenant: un substrat en sili- cium (101); un transistor à effet de champ MOS (Q22) formé sur le subs- trat en silicium; et une pellicule d'isolation d'éléments (IR2) formée dans la surface principale du substrat en silicium autour du transistor à effet de champ MOS, caractérisé en ce que la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor. 9. Dispositif à semiconducteur comprenant: un substrat SOI (2) ayant un substrat en silicium, une pellicule d'oxyde enterrée (3) formée sur le substrat en silicium et une couche SOI formée sur la pellicule d'oxyde enterrée; un transistor à effet de champ MOS (Q2) formé sur la couche SOI; et une pellicule d'isolation d'éléments (IR1) formée dans la couche SOI autour du transistor à effet de champ MOS de façon à attein- dre la surface principale de la pellicule d'oxyde enterrée à partir de la surface principale de la couche SOI, caractérisé en ce que la pellicule d'isolation d'éléments contient du fluor.