Brevet FR2799907A1 — publié le 20010420

CIRCUIT A SEMICONDUCTEUR AYANT UN CIRCUIT DE SORTIE DONT LA VITESSE DE BALAYAGE PEUT ETRE REGLEE. APPAREIL ET PROCEDE POUR REGLER AUTOMATIQUEMENT LA VITESSE DE BALAYAGE DU CIRCUIT DE SORTIE DU CIRCUIT A SEMICONDUCTEUR DESCRIPTION ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à un circuit à semiconducteur, tel qu'un circuit de transmission de données, etc., ayant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée, à un procédé de réglage de la vitesse de balayage d'un circuit à semiconducteur, et à un appareil pour régler automatiquement la vitesse de balayage du circuit sortie. Description de la technique concernée Dans un circuit à semiconducteur, tel que circuit de transmission de données ou analogue, afin de parvenir à une transmission de données à haute vitesse sans diminuer le temps de cycle de transmission de données, on souhaite augmenter la vitesse de balayage d'un signal de sortie en provenance d'un circuit de sortie formant un étage de sortie du circuit transmission de données. Si la vitesse de balayage augmentée, la forme d'onde de transmission ne va pas être satisfaisante, à cause d'un effet de caractéristiques de fréquence du support de transmission de données. Par conséquent, afin de parvenir à la fois à la transmission de données à haute vitesse et à la commande appropriée de la forme d'onde de transmission, le circuit de transmission de données a besoin d'être conçu de sorte que la vitesse de balayage d'un signal de sortie provenant de son circuit de sortie reste à l'intérieur d'une plage prédéterminée de valeurs. Même si le circuit de transmission de données est ainsi conçu, la vitesse de balayage du signal de sortie peut ne pas être obtenue de manière souhaitable, en fonction de l'état du circuit de sortie fabriqué ou sa période d'utilisation. Afin de surmonter problème, on décrit une technique concernant un circuit de compensation de tampon de sortie dans la Demande de Brevet Japonais non Examiné KOKAI, publication n H8-97 693. Le circuit décrit détecte au moins la capacité de pilotage de courant d'un dispositif à semiconducteur inclus dans un circuit interne P2, en utilisant un oscillateur en anneau qui est formé sur un substrat P3 sur lequel le dispositif à semiconducteur est formé. Selon cette détection résultante, une valeur de résistance variable d'un élément à résistance variable formant un tampon de sortie est commandée de façon à compenser la vitesse de balayage du dispositif à semiconducteur. Tout en compensant la vitesse balayage, un signal de commande produit en utilisant compteur ou deux convertisseurs D/A (numérique analogique) est utilisé, et un transistor MOS est utilisé en tant qu'élément à résistance variable. Dans le circuit de compensation de tampon de sortie décrit dans la publication, la capacité de pilotage de courant du dispositif à semiconducteur dans le circuit interne P2 est détectée en utilisant l'oscillateur en anneau. La détection de la capacité de pilotage de courant pour savoir combien de courant peut s'écouler est la détection de la valeur de résistance selon la loi d'Ohm, c'est-à-dire I = V/R. Par conséquent, dans le circuit décrit, la compensation de la vitesse de balayage est effectuée en détectant la capacité de pilotage de courant. Dans une structure de ce type, si le même type de transistor que celui inclus dans le circuit interne de l'oscillateur en anneau est utilisé dans le tampon de sortie, on peut s'attendre ce que la compensation de la vitesse de balayage soit obtenue dans la structure dans laquelle la résistance du transistor dans le tampon de sortie varie. La vitesse de balayage peut être obtenue sur base d'une constante de temps qui est un produit d' valeur de résistance et d'une capacité parasite dans le tampon de sortie. Ainsi, la vitesse de balayage précise du tampon de sortie ne peut pas être complètement réglée dans un circuit ayant la structure dans laquelle la capacité parasite a un certain effet. Selon la technique décrite, au moins deux convertisseurs pour produire un signal de commande pour le réglage la vitesse de balayage sont nécessaires. Dans cette structure, afin de maintenir la précision des convertisseurs D/A et pour fixer de façon appropriée une valeur de résistance variable souhaitée, la taille du circuit de compensation est augmentée de façon voulue et une technique complexe a besoin d'être développée pour fabriquer un circuit de compensation RÉSUME DE L'INVENTION La présente invention a été établie en considération des problèmes précédents. Par conséquent, un objectif de la présente invention est de proposer circuit à semiconducteur ayant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée de façon appropriée et être fixée à une valeur souhaitée avec une précision élevée, et un procédé pour régler vitesse de balayage du circuit de sortie sans quelconque processus compliqué. Un autre objectif de l'invention est de proposer un appareil pour régler automatiquement la vitesse balayage d'un circuit de sortie qui est inclus dans circuit à semiconducteur. Afin d'atteindre les objectifs précédents, selon le premier aspect de la présente invention, on propose un circuit à semiconducteur incluant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée et qui sort un signal, envoyé par un circuit interne ledit circuit à semiconducteur comprenant - au moins un circuit de sortie qui sort un signal envoyé par un circuit interne, de façon externe, dont la vitesse de balayage est réglée en réponse à signal de paramétrage ; - un circuit de sortie reproduit, qui a une structure identique à la structure du circuit de sortie, reçoit un signal impulsionnel et sort le signal impulsionnel, et dont la vitesse de balayage est réglée en réponse au signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour le réglage de vitesse de balayage qui alimente le circuit de sortie reproduit par le signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; et - un dispositif d'alimentation en signal de paramétrage qui délivre le signal de paramétrage pour fixer la vitesse de balayage du circuit de sortie et du circuit de sortie reproduit. Dans la structure, la vitesse de balayage circuit de sortie reproduit peut être fixée accordant le signal de paramétrage tout en observant le signal impulsionnel provenant du circuit de sortie reproduit. La vitesse de balayage du circuit de sortie est réglée pour être sensiblement identique à la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit. Selon la présente invention, ayant fixé la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit, le paramétrage de la vitesse de balayage du circuit de sortie peut être aisément achevé. De plus, parce que le circuit de sortie reproduit a la même structure que celle du circuit de sortie, aucune technique spécifique complexe pour fabriquer le circuit à semiconducteur n'est nécessaire. Le circuit de sortie reproduit et les circuits de sortie doivent avoir des niveaux différents de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon la structure de la présente invention, les circuits de sortie et le circuit de sortie reproduit ont les mêmes structures et sont formés, de manière souhaitable, sur le même substrat semiconducteur, ainsi la précision de fabrication et la capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, ayant fixé la vitesse de balayage de porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Le dispositif d'alimentation en signal impulsionnel peut comprendre un générateur d'impulsions qui produit le signal impulsionnel et amène le signal impulsionnel au circuit de sortie reproduit ou à borne d'alimentation en impulsions par l'intermédiaire de laquelle le signal impulsionnel est amené au circuit de sortie reproduit. Dans la structure, le signal impulsionnel amené en provenance du dispositif d'alimentation signal impulsionnel, et 1a vitesse de balayage circuit de sortie reproduit est fixée. Ensuite, vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit fixée sur la base du signal de paramétrage en provenance de l'unité de paramétrage. La vitesse balayage du circuit de sortie est réglée pour être sensiblement identique à la vitesse de balayage circuit de sortie reproduit. Dans le circuit à semiconducteur ayant structure précédente, 1a vitesse de balayage du circuit sortie reproduit peut être fixée en faisant varier résistance du circuit reproduit sur la base signaux de paramétrage reçus, et le dispositif alimentation en signal de paramétrage délivre signal de paramétrage constitué de signaux numériques produits lors de mises en oeuvre de commutateurs. Dans cette structure, le circuit de sortie reproduit reçoit signaux numériques produits lors de mises en oeuvre commutateurs. La vitesse de balayage du circuit sortie reproduit peut être fixée en modifiant, exemple, la résistance du circuit de sortie reproduit la base des signaux numériques reçus, réalisant ainsi un réglage aisé de la vitesse de balayage en mettant en oeuvre les commutateurs. Selon le deuxième aspect de la présente invention, propose un procédé de réglage de la vitesse balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit a semiconducteur précédent, le procédé comprenant - la commande du dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter le circuit de sortie reproduit par un signal impulsionnel ayant une fréquence prédéterminée ; et - la commande du dispositif d'alimentation en signal de paramétrage pour fixer la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit par le signal de paramétrage tout en observant un signal de sortie du circuit de sortie reproduit. Selon ce procédé, en ayant fixé la vitesse de balayage du circuit de sortie reproduit, le réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie peut etre aisément achevé. De plus, parce que le circuit de sortie reproduit a la même structure que celle du circuit de sortie, aucune technique spécifique ou complexe n'est nécessaire pour fabriquer le circuit à semiconducteur. Le circuit de sortie reproduit et les circuits de sortie doivent avoir différents niveaux de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon la structure de la présente invention, les circuits de sortie et le circuit de sortie reproduit ont les memes structures et sont formés sur le même substrat semiconducteur, ainsi la précision de fabrication et la capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Selon le troisième aspect de la présente invention, on propose un circuit comprenant - un circuit de sortie dont la vitesse balayage peut être réglée sur la base d'un signal de paramétrage et qui sort un signal depuis un circuit interne vers un circuit externe ; - une porte reproduite qui a une structure identique à la structure du circuit de sortie et dont la vitesse de balayage peut être réglée la base d'un signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel qui alimente la porte reproduite par un signal impulsionnel ; - un dispositif d'alimentation qui fournit un jeu de signaux numériques qui forment un jeu unique selon une combinaison prédéterminée afin de fixer la vitesse de balayage de la porte reproduite ; et - une mémoire qui stocke de manière non volatile le signal de paramétrage, au moyen duquel une vitesse de balayage appropriée de la porte reproduite est obtenue, la mémoire délivrant le signal de paramétrage stocké au circuit de sortie. Selon cette structure, tout en observant la vitesse de balayage de la porte reproduite, le jeu unique de signaux numériques selon une combinaison prédéterminée est délivré par le dispositif d'alimentation, et le signal de paramétrage au moyen duquel une vitesse de balayage appropriée de la porte reproduite peut être obtenue est stocké. Sur la base du signal de paramétrage stocké, la vitesse de balayage circuit de sortie peut être réglée. Selon le quatrième aspect de la présente invention, on propose un appareil de réglage automatique de la vitesse de balayage qui règle automatiquement la vitesse de balayage du circuit sortie inclus dans le circuit ayant la structure précédente, l'appareil comprenant - un dispositif d'observation qui observe un signal provenant de ladite porte reproduite ; et - un dispositif de commande qui commande le réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie ; et dans lequel ledit dispositif de commande . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter ladite porte reproduite par un signal, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique pour fournir, par commutation, le signal numérique selon une combinaison prédéterminée et détermine un ou plusieurs signaux numériques lorsque ledit dispositif d'observation détecte une vitesse balayage souhaitée de ladite porte reproduite, et écrit le signal ou les plusieurs signaux numériques déterminés dans ladite mémoire. Selon cette structure, la vitesse de balayage du circuit peut être réglée de manière automatique. Selon le cinquième aspect de la présente invention, on propose un circuit à semiconducteur comprenant un circuit de sortie dont vitesse de balayage peut être réglée et qui sort signal, en provenance d'un circuit interne, de façon externe par rapport à un substrat semiconducteur, ledit circuit à semiconducteur comprenant - une porte reproduite qui a structure identique à la structure du circuit de sortie et qui est agencée sur un substrat semiconducteur sur lequel le circuit de sortie est agencé ; - une borne de mesure par l'intermédiaire de laquelle un signal provenant de ladite porte reproduite est délivré ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage qui alimente ladite porte reproduite un signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; - un dispositif d'alimentation en signal numérique qui délivre un jeu de signaux numériques qui sont fixés selon une combinaison prédéterminée, afin de fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite ; et - une mémoire qui stocke de façon non volatile un ou plusieurs signaux numériques pour fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite à une valeur souhaitée, parmi le jeu de signaux numériques fixés selon une combinaison prédéterminée. Selon le sixième aspect de la présente invention, on propose un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage qui règle de façon automatique la vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit ayant la structure précédente, l'appareil comprenant - un dispositif d'observation qui observe un signal provenant de ladite borne de mesure ; - un dispositif de commande qui commande le réglage de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite ; et dans lequel ledit dispositif de commande . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel pour alimenter ladite porte reproduite par un signal impulsionnel, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique pour fournir, par commutation, les signaux numériques selon une combinaison prédeterminée, et détermine un ou plusieurs signaux numériques au moyen desquels le dispositif d'observation observe si le signal provenant de ladite porte reproduite satisfait à des caractéristiques prédéterminées, et écrit les signaux numériques déterminés dans ladite mémoire. Le dispositif de commande peut exécuter un processus pour prendre des statistiques de périodes de temps nécessaires pour le réglage automatique de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite, et commande un étage de sortie pour délivrer un résultat du processus. Selon le septième aspect de la présente invention, on propose un circuit comprenant - un circuit de sortie qui délivre un signal fourni, et dont la vitesse de balayage peut être réglée en réponse à un signal de paramétrage ; - un circuit de sortie reproduit qui reçoit un signal impulsionnel et délivre un signal impulsionnel et dont la vitesse de balayage peut être réglée en réponse au signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel qui alimente ledit circuit de sortie reproduit par un signal impulsionnel ; - un dispositif d'alimentation signal de paramétrage qui fournit le signal de paramétrage audit circuit de sortie et audit circuit de sortie reproduit. Selon le huitième aspect de la présente invention, on propose un procédé de réglage de vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit précédemment mentionné, comprenant - l'amenée d'un signal impulsionnel ayant une fréquence souhaitée au circuit de sortie reproduit à partir dudit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel ; - l'amenée d'un signal de paramétrage audit circuit de sortie reproduit tout en observant le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit, et - l'alimentation dudit circuit de sortie par un signal de paramétrage qui est délivré quand on observe que le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit satisfait à des caractéristiques prédéterminées. Les signaux de paramétrage amenés audit circuit de sortie et audit circuit de sortie reproduit peuvent être sensiblement identiques. Le signal de paramétrage amené audit circuit de sortie reproduit, qui est délivré quand on observe que le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit satisfait à des caractéristiques prédéterminées, peut être stocké dans une mémoire, le signal de paramétrage stocké est amené audit circuit de sortie. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement ' la lecture de la description qui va suivre lorsque prise en relation avec les dessins annexés, dans lesquels - la figure 1 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un circuit à semiconducteur selon le premier mode de réalisation ; - la figure 2 est un schéma de circuit représentant la structure d'une porte reproduite et de ses sections périphériques ; - la figure 3 est un schéma circuit représentant la structure interne d' unité de paramétrage de résistance ; - la figure 4 est un schéma circuit représentant la structure interne d' unité de paramétrage de résistance ; - la figure 5 est un schéma explicatif pour expliquer une vitesse de balayage la porte reproduite qui est mesurée en utilisant unité de mesure de forme d'onde ; - la figure 6 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un circuit à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de présente invention ; - la figure 7 est un exemple de schéma pour expliquer une ligne de réglage automatique de vitesse de balayage pour régler automatiquement la vitesse de balayage d'une porte reproduite dans des circuits à semiconducteur ; - la figure 8 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage selon le troisième mode de réalisation de la présente invention ; - la figure 9 est un schéma de circuit représentant la structure d'une porte reproduite et ses sections périphériques ; - la figure 10 est un organigramme pour expliquer le fonctionnement de l'appareil de réglage selon le troisième mode de réalisation ; - la figure 11 est un schéma fonctionnel représentant un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention ; et - les figures 12A et 12B sont des schémas représentant des procédures opérationnelles de l'appareil de réglage selon le quatrième mode de réalisation. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES On va maintenant expliquer les modes réalisation préférés de la présente invention en référant aux dessins annexés. Premier mode de réalisation La figure 1 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un circuit à semiconducteur selon le premier mode de réalisation. Ce circuit à semiconducteur comprend un circuit interne 2, des circuits de sortie 4a, 4b, .. ., 4n dont la vitesse balayage peut être réglée, une porte reproduite 6, générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage, et une unité de commutation 7. Le circuit interne 2 comprend un générateur de signal d'horloge 3 qui alimente une section prédéterminée à l'intérieur du circuit à semiconducteur par un signal d'horloge, et est prévu pour réaliser fonction prédéterminée pour la transmission de données etc. La porte reproduite 6 a la même structure que celle des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n. Le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 par un (des) cycle(s) prédéterminé(s) d'une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage qui a une forme rectangulaire, quand il reçoit un signal d'horloge en provenance du générateur de signal d'horloge 3 et qu'un mode de réglage de vitesse de balayage est spécifie. L'unité de commutation 7 est prévue pour fixer vitesse de balayage de la porte reproduite 6. Dans sa structure, les circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n et la porte reproduite 6 sont formés sur le même substrat semiconducteur 1. Le circuit à semiconducteur selon le premier mode de réalisation comprend des bornes de sortie 11, une borne de mesure 9, et une borne de commande de mode 8. Les bornes de sortie 9 sont prévues pour délivrer des signaux, respectivement transmis par les circuits sortie 4a, 4b, ..., 4n, de façon externe par rapport substrat semiconducteur. La borne de mesure 9 sert à mesurer la vitesse de balayage de la porte reproduite 6. La borne de commande de mode 8 procure un signal de commande de mode au générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage. Dans ce mode réalisation, le circuit à semiconducteur comprend pluralité de circuits de sortie. Cependant, le circuit à semiconducteur peut comprendre, de manière arbitraire, au moins un ou plusieurs circuits de sortie. De plus, le circuit à semiconducteur peut comprendre une borne d'entrée pour introduire un signal en provenance d'un autre circuit à semiconducteur vers l'étage frontal du circuit interne 2. La figure 2 est un schéma de circuit représentant la structure de la porte reproduite 6 et de ses sections périphériques. Une des caractéristiques de la présente invention est que la structure de la porte reproduite 6 est la même que celle des circuits de sortie 4a, 4b, .., 4n et que la porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n sont formés sur le même substrat semiconducteur. Pour une compréhension aisée cette caractéristique, sur la figure 2, la référence numérique "6" est suivie par les références numériques secondaires (4a, 4b, ..., 4n). Au lieu d'expliquer à la fois la porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, on va seulement expliquer la structure interne de la porte reproduite 6 dans la suite du document. La porte reproduite 6 comprend un circuit C-MOS, une unité de paramétrage de résistance 100, une unité de paramétrage de résistance 101, et un transistor MOS 107 du type N. Le circuit C-MOS relie un transistor MOS 103 du type P à un transistor MOS 104 du type N. L'unité de paramétrage de résistance 100 est agencée entre une borne de source du transistor MOS 103 du type P et une ligne de source (VCc). L'unité de paramétrage de résistance 101 est agencée entre une borne de source du transistor MOS 104 du type N et une ligne de masse (gnd). Le transistor MOS 108 du type N introduit un signal de sortie du circuit C-MOS dans la borne de grille du transistor MOS 108 du type N, et relie la borne de drain du circuit C-MOS à une autre ligne de source (Vcc). La borne de drain du transistor MOS 107 du type N est reliée à une borne de mesure 9. Une impulsion pour le réglage de la vitesse balayage est introduite dans les grilles reliées commun des deux transistors 103 et 104 formant le circuit C-MOS, dans le cas où le circuit représenté à la figure 2 est la porte reproduite 6. D'un autre côté un signal provenant du circuit interne 2 est introduit dans les grilles reliées en commun des deux transistors 103 et 104, dans le cas où le circuit représenté à figure 2 est l'un des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n à la figure 2. De plus, dans le cas de l'un des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, une borne correspondante des bornes de sortie 11 est reliée à la borne de drain du transistor MOS 107 du type N. L'unité de commutation 7 est constituée par huit commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. commutateurs opérationnels peuvent être réalisés utilisant, par exemple, un commutateur en boîtier DIP ou un shunt à ressort. Quand une personne en charge mettre en oeuvre les commutateurs opérationnels met oeuvre l'un ou l'autre des commutateurs opérationnels à un instant donné, un niveau de tension d'une ligne signal correspondant au commutateur opérationnel mis oeuvre est fixé soit à un niveau haut "H", soit à un niveau bas "L". Quatre lignes de signal respectivement reliées aux commutateurs opérationnels 110, 111, 112 et 113 sont reliées à l'unité de paramétrage résistance 100 dans la porte reproduite 6. Quatre lignes de signal respectivement reliées aux commutateurs opérationnels 120, 121, 122 et 123 sont reliées à l'unité de paramétrage de résistance 101 dans la porte reproduite 6. Un élément capacitif désigné par référence numérique 105 comprend une valeur de résistance fixée par l'unité de paramétrage de résistance 100, et une capacité parasite qui a un effet sur la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 au flanc arrière d'un signal de sortie provenant de cette dernière. De manière similaire, un élément capacitif désigné par la référence numérique 106 comprend une valeur de résistance fixée par l'unité de paramétrage de résistance 101, et une capacité parasite qui a un effet sur la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 au flanc avant d'un signal de sortie provenant de cette dernière. La figure 3 est un schéma de circuit interne représentant la structure de l'unité de paramétrage de résistance 101. L'unité de paramétrage de résistance 101 comprend quatre transistors MOS 130, 131, 132, et 133 du type N qui sont reliés en parallèle les uns aux autres. Les bornes de grille des transistors MOS 130, 131, 132 et 133 du type N sont respectivement reliées à des lignes de signal S1, S2, S3 et S4. Les lignes de signal S1, S2, S3 et S4 sont respectivement reliées aux commutateurs opérationnels 120, 121, 122 et 133. Sur la base de signaux numériques (1 = niveau haut "H", 0 = niveau bas "L") sur les lignes de signal respectives S1, S2, S3 et S4, la valeur de résistance entre les bornes A-B sur la représentation peut être modifiée. Par exemple, dans le cas où les signaux numériques sur les lignes de signal S1, S2, S3 et S4 sont à "1000", seul le transistor MOS 130 du type N est à l'état passant. On notera que la valeur de resistance entre les bornes A-B est représentée par un symbole de référence "R" dans cette description. La valeur de résistance entre les bornes A-B peut être représentée par "R/2", dans le cas où les signaux sur les lignes de signal S1, S2, S3 et S4 sont à "1100". La valeur de résistance entre elles est "R/3", dans le où les signaux sur les lignes de signal Sl, S2, S3 et S4 sont à "1110". De plus, la valeur de résistance entre elles est "R/4", dans le cas où les signaux sur les lignes de signal S1, S2, S3 et S4 sont à "111l". Par conséquent, lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 120 à 123, la valeur de résistance fixée par l'unité de paramétrage de résistance 101 peut être modifiée. Cela permet le réglage de la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 au flanc avant du signal de sortie. La figure 4 est un schéma de circuit représentant la structure interne de l'unité de paramétrage de résistance 100. Cette unité de paramétrage de résistance 100 comprend quatre transistors MOS 135, 136, 137 et 138 du type P qui sont reliés en parallèle les uns aux autres. Les bornes de grille des transistors MOS 135, 136, 137 et 138 du type P sont respectivement reliées à des lignes de signal S5, S6, S7 S8. Les lignes de signal S5, S6, S7 et S8 sont les lignes respectivement reliées aux commutateurs opérationnels 110, 111, 112 et 113. Sur la base de signaux numériques (1 = niveau haut "H", 0 = niveau bas "L" sur les lignes de signal respectives S5, S6, S7 et S8, valeurs de résistance entre les bornes C-D sur la représentation peuvent être modifiées. Par exemple, dans cas où les signaux numériques sur les lignes de signal S5, S6, S7 et S8 sont à "1000", seul le transistor MOS 135 du type P est à l'état passant. La valeur de résistance entre les bornes C-D peut être représentée par "R/2", dans le cas où signaux numeriques sur les lignes de signal S5, , S7 et S8 sont a "1100". La valeur de résistance entre elles est "R/3", dans le cas où les signaux sur lignes de signal S5, S6, S7 et S8 sont à "1110". plus, la valeur de résistance entre elles est "R/4", dans 1e cas où signaux sur les lignes de signal , S6, S7 et S8 sont à "1111". Par conséquent, lors la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels à 113, la valeur de résistance fixée par l'unité paramétrage de resistance 100 peut être modifiée. Cela permet le réglage de la vitesse de balayage la porte reproduite 6 au flanc arrière du signal sortie. suppose que les valeurs de resistance sont fixées ensemble par les unités de paramétrage de résistance 100 et 101. De manière plus spécifique, on va donner des explications concernant la mise en oeuvre de la porte reproduite 6, en se référant à la figure 2, pour faciliter la compréhension de la présente invention. Dans le cas où un signal de flanc avant est introduit dans la porte reproduite 6, le transistor MOS 103 du type P est à l'état bloquant, et le transistor MOS 104 du type N est à l'état passant. A ce moment, une tension au niveau d'un noeud M diminue, ayant pour conséquence que le transistor MOS 107 du type N est à l'état bloquant et qu'une tension au niveau de 1a borne de mesure 9 est à un niveau haut (un signal de flanc avant de la porte reproduite 6). Cela est fait par une constante de temps qui est un produit de la valeur de résistance fixée par l'unité de paramétrage de résistance 101 et de la capacité parasite 106. A l'inverse, dans le cas où un signal flanc arrière est introduit dans la porte reproduite 6, le transistor MOS 103 du type P est à l'état passant, et le transistor MOS 104 du type N est à l'état bloquant. A ce moment, une tension au niveau du noeud M augmente, ayant pour conséquence que le transistor 107 du type N est à l'état passant et qu'une tension niveau de la borne de mesure 9 est à un niveau bas (un signal de flanc arrière de la porte reproduite 6). Cela est fait par une constante de temps qui est un produit de la valeur de résistance fixée par l'unité de paramétrage de résistance 100 et de la capacité parasite 105. Par conséquent, la porte reproduite 6 reçoit les signaux numériques qui sont produits lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123-. La vitesse de balayage de la porte reproduite 6 peut être réglée sur la base des signaux numériques reçus. En d'autres termes, la vitesse de balayage de cette dernière peut être aisément réglée lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels. Comme le montre la figure 5, par exemple, un temps de montée TR durant lequel le flanc avant augmente depuis un niveau d'impulsion A(V) jusqu'à un niveau d'impulsion B(V), et un temps de décroissance TF durant lequel le flanc avant diminue depuis le niveau d'impulsion B(V) jusqu'au niveau d'impulsion A(V), sont respectivement égaux à (c d (ns/v)) et (e f (ns/v)). Si le temps montée TR et le temps de décroissance TF sont respectivement égaux à (c d (ns ) et f (ns/v)), on peut supposer que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est à valeur souhaitée. Après cela, le réglage de la vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, .. , 4n doit etre exécuté. On va maintenant donner des explications concernant un procédé de réglage de la vitesse de balayage de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n inclus dans le circuit à semiconducteur représenté à la figure 1. La personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage procure un signal de niveau haut à la borne de commande de mode 8. Après cela, le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de vitesse de balayage. La vitesse de balayage la porte reproduite 6 est mesurée, en utilisant unité de mesure (observation) de forme d'onde, telle. qu'un oscilloscope, etc., par l'intermédiaire de la borne de mesure 9. Ensuite, on détermine si la mesure résultante satisfait aux caractéristiques de la vitesse de balayage représentée à la figure 5. Dans le cas où la mesure résultante ne satisfait pas aux caractéristiques la personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage met en oeuvre les commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Particulièrement, jusqu'a ce que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, qui est mesurée par l'intermédiaire de la borne de mesure 9, satisfasse aux caractéristiques de figure 5, une opération pour passer le niveau de tension d'une tension des lignes de signal reliées à leurs commutateurs opérationnels correspondants d'un niveau haut à un niveau bas et vice versa est répétée. Dans le cas où la mesure résultante satisfait aux caracteristiques après l'opération pour fixer le niveau de tension, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est complètement fixée. A ce moment, des signaux pour fixer la même valeur de résistance que celle la porte reproduite 6 sont amenés à la fois unités de paramétrage de résistance 100 et 101 dans chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n. Donc, la vitesse de balayage de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., est réglée de façon à être la même que la valeur de paramétrage de vitesse de balayage de la porte reproduite 6. Selon ce mode de réalisation, un signal de niveau haut est transmis à la borne de commande de mode . Une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage est envoyée à la porte reproduite 6. La vitesse de balayage au niveau de la borne de mesure 9 est fixée à une valeur prédéterminée en utilisant les commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. La vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est fixée sur la base de signaux numériques produits lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Ensuite, la vitesse de balayage de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon à être la même que celle de la porte reproduite 6. Selon ce mode de réalisation de la présente invention, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, le réglage de la vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n peut aisément être achevé. De plus, la porte reproduite 6 a la même structure que la structure de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, ainsi aucune technique complexe n'est nécessaire pour fabriquer le circuit à semiconducteur. Normalement, la porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, ... , 4n doivent avoir des niveaux différents de précision de fabrication et des quantités différentes de capacité parasite entre les deux. Cependant, selon structure de la présente invention, les circuits de sortie et la porte reproduite ont les mêmes structures et sont formés sur le même substrat semiconducteur ainsi la précision de fabrication et 1a capacité parasite sont identiques entre les deux. Par conséquent, en ayant fixé la vitesse de balayage de la porte reproduite, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée. Deuxième mode de réalisation L'une des caractéristiques du deuxième mode de réalisation est qu'une impulsion pour 1e réglage de la vitesse de balayage est directement amenée à la porte reproduite 6 de façon à régler la vitesse balayage de la porte reproduite 6. La figure 6 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un circuit à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les éléments identiques sont désignés par mêmes références numériques que celles représentées à la figure 1. Dans ce circuit à semiconducteur selon ce mode de réalisation, on propose une borne de production d'impulsions 10 pour le réglage de la vitesse de balayage pour alimenter la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage, au lieu du générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage représenté à la figure 1. I1 n' a aucune autre différence dans le circuit à semiconducteur représenté à la figure 6 par rapport à ceux des figures 2 à 4. On va maintenant donner des explications concernant un procédé de réglage de la vitesse de balayage de circuits de sortie inclus dans le circuit à semiconducteur représenté à la figure 6. La personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 une impulsion pour 1e réglage la vitesse de balayage par l'intermédiaire de la borne de production d'impulsions 9 pour le réglage de la vitesse de balayage. Ensuite, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée en utilisant une unité de mesure de forme d'onde, telle qu'un oscilloscope, etc., par l'intermédiaire de la borne de mesure 9. Ensuite, on détermine si la mesure résultante satisfait aux caractéristiques de la vitesse de balayage représentées à la figure 5. Dans le cas où la mesure résultante ne satisfait pas aux caractéristiques, la personne qui est en charge du réglage de la vitesse de balayage met en oeuvre les commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Particulièrement, jusqu'à ce que la vitesse de balayage à la borne de mesure 9 satisfasse aux caractéristiques, une opération, pour passer le niveau de tension d'une tension des lignes de signal reliées à leurs commutateurs opérationnels correspondants d'un niveau haut à un niveau bas et vice versa, est répétée. Dans le cas où la mesure résultante satisfait aux caractéristiques après l'opération de fixation du niveau de tension, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est complètement fixée. A ce moment, des signaux pour fixer la même valeur de résistance que celle de la porte reproduite 6 sont amenés aux deux unités de paramétrage de résistance 100 et 101 dans chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n. Donc, la vitesse de balayage de chacun des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon à être la meure que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6. Selon le deuxième mode de réalisation, une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage est amenée à la porte reproduite 6 par l'intermédiaire de la borne de production d'impulsions 10 pour le réglage de la vitesse de balayage. Ensuite, la vitesse de balayage à la borne de mesure 9 est réglée de façon à être une valeur prédéterminée, lors de la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. Ensuite, la vitesse de balayage de porte reproduite 6 est fixée sur la base de signaux numériques produits par la mise en oeuvre des commutateurs opérationnels 110 à 113 et 120 à 123. La vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon à être la même que celle de la porte reproduite 6. Selon 1e deuxième mode de réalisation, le même effet peut être obtenu que celui du premier mode de réalisation. Parce que le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage n'est pas présent, il n'y a pas besoin de prévoir de câblage ou analogue pour relier le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage et le générateur de signal d'horloge 3 ' la porte reproduite 6. De plus, si le générateur de signal d'horloge 3 n'est pas nécessaire dans le circuit interne 2, il n'y a pas besoin de prévoir le générateur de signal d'horloge 3 lui-même. Seules la porte reproduite 6 et l'unité de commutation 7 sont nécessairement ajoutées dans le circuit à semiconducteur. Troisième mode de réalisation L'une des caractéristiques du troisième mode de réalisation de 1a présente invention est que la vitesse de réglage des circuits de sortie est réglée de façon automatique. La figure 7 est un exemple de vue de dessus d une ligne de réglage automatique de vitesse de balayage pour régler automatiquement la vitesse de balayage d'un circuit de sortie dans des circuits à semiconducteur. Une courroie de transport 300, sur laquelle des circuits à semiconducteur 200a, 200b, ..., sont placés à des intervalles prédéterminés, est mobile par un mécanisme de commande de déplacement de courroie non représenté. Un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400, comme on va l'expliquer par la suite, est agencé de façon adjacente à un côté de la courroie de transport 300. Le mécanisme de commande de déplacement de courroie commande la courroie de transport 300 pour qu'elle se déplace dans un sens représenté par le repère E. Pendant cette commande, quand une borne pour le réglage de vitesse de balayage incluse dans chacun des circuits à semiconducteur transportés 200a, 200b, ..., est en contact électrique avec une partie correspondante de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400, le mécanisme de commande de déplacement de courroie interrompt de façon temporaire la commande du déplacement de la courroie de transport 300. Après une période prédéterminée, le mécanisme de commande de déplacement de courroie commande de nouveau la courroie de transport 300 pour qu'elle se déplace dans le sens E. En faisant ainsi, la vitesse de balayage du circuit de sortie dans chacun des circuits à semiconducteur 200a, 200b, .. , peut être réglée de façon automatique par l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400. La figure 9 est un schéma de circuit representant la structure d'une porte reproduite et de ses sections périphériques qui sont incluses dans le circuit à semiconducteur. Dans ce mode de réalisation également, la porte reproduite 6 a la même structure que celle des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n, et porte reproduite 6 et les circuits de sortie 4a, 4b, .. ., 4n sont formés sur le même substrat semiconducteur 1. Dans le circuit représenté à la figure 9, il y a un groupe de bornes de paramétrage de résistance 12 incluant des bornes 140 à 147 qui sont reliées à l'une ou l'autre des unités de paramétrage de résistance 100 et 101, respectivement par l'intermédiaire de lignes de signal, au lieu de l'unité de commutation 7 incluse dans le circuit représenté à la figure 2. Des signaux numériques peuvent être transmis aux lignes de signal par l'intermédiaire du groupe de bornes de paramétrage de résistance 12. De plus, une mémoire non volatile 14 comprenant une ROM, etc., et un tampon 19 prévu pour mettre en tampon des données de sortie provenant de la mémoire non volatile 14, sont ajoutés dans le circuit à semiconducteur. Ce tampon 19 est dans un mode d'impédance élevée quand un signal de niveau bas est amené à ce dernier par l'intermédiaire d'une borne de commande d'impédance élevée 13, et est déconnecté des lignes de signal correspondantes (normalement, le tampon 19 est réservé pour mettre en tampon données quand un signal de niveau haut est amené à dernier). Normalement, un signal de niveau bas appliqué à une borne de commande d'écriture 18, et signal de niveau haut est appliqué à une borne de lecture (R niveau haut actif) de la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire d'un inverseur 16. Ensuite, des signaux numériques stockés dans des zones prédéterminées (DO à D7) de la mémoire non volatile 14 sont respectivement amenés aux lignes de signal par l'intermédiaire du tampon 19 (une tension appropriée est appliquée à une borne d'adresse non représentée, etc.). Si un signal de niveau haut est introduit dans une borne d'écriture (W : niveau haut actif) de la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne de commande d'écriture 18, des signaux numériques transmis par l'intermédiaire d'une borne de données 17 sont stockés dans les zones prédéterminées (DO à D7) de la mémoire 14. L'inverseur 16 intervertit la borne de lecture (R) et la borne d'écriture (W), ainsi tandis que l'une d'entre elles est en fonctionnement, l'autre ne l'est pas. Par conséquent, quand il faut fixer la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, un signal de niveau bas est amené au tampon 19 par l'intermédiaire de la borne de commande d'impédance élevée 13, et le tampon 19 est déconnecté des lignes de signal. L'appareil réglage de la vitesse de balayage 400 détermine un plusieurs signaux numériques pour obtenir une vitesse de balayage prédéterminée de la porte reproduite , parmi un jeu de signaux numériques (à appliquer groupe de bornes de paramétrage de résistance 12) qui est fixée de manière unique selon une combinaison prédéterminée. Dans l'état où le tampon 19 est déconnecté des lignes de signal, une opération pour écrire les données numériques dans la mémoire non volatile 14 est exécutée. Pendant cette opération, un signal de niveau haut est amené à la borne de commande d'écriture 18, et les signaux numériques sont amenés à la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne de données 17 de facon à être stockés dans les zones respectives (DO à D7). L'envoi d'un signal de niveau haut à la borne de commande d'écriture 18 est terminé, et l'envoi de signaux numériques à la mémoire non volatile 14 par l'intermédiaire de la borne d'impédance élevée 13 est terminé. De plus, le tampon 19 n'est pas davantage déconnecté des lignes de signal, c'est-à-dire que le tampon 19 est relié aux lignes de signal, de ce fait les signaux numériques stockés dans la mémoire non volatile 14 sont envoyés lignes de signal respectives. La figure 8 est un schéma fonctionnel représentant la structure de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400. Cet appareil réglage de vitesse de balayage 400 comprend une unité de contact de bornes 410 ayant des bornes qui sont électriquement en contact avec un circuit prédéterminé des circuits à semiconducteur 200a, 200b, ..., une unité de mesure (observation) 401, une unité de commande 402 une unité d'affichage 403, et une imprimante 404. La section de contact de bornes 410 possède une borne 9b a mettre en contact avec la borne de mesure 9, une borne 12b (on notera que seulement une borne 12b est représentée à la figure 8) à mettre en contact avec une borne correspondante des bornes de paramétrage de résistance 12, une borne 13b à mettre en contact avec la borne de commande d'impédance élevée 13, une borne 17b à mettre en contact avec la borne de données 17, une borne 18b à mettre en contact avec la borne de commande d'écriture 18, et une borne 8b à mettre en contact avec la borne de commande de mode 8. L'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400 a la structure précédente, de sorte qu'un réglage automatique de la vitesse de balayage est accompli avec le circuit à semiconducteur du premier mode de réalisation dont certains éléments sont remplacés par des élements correspondants du circuit à semiconducteur représenté à la figure 9. On va maintenant expliquer le fonctionnement de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400 en se référant à l'organigramme, ., de la figure 10. Le circuit à semiconducteur 200a devient un circuit cible pour le réglage automatique de la vitesse de balayage lors de l'interruption temporaire du déplacement de la courroie de transport 300. Dans ce cas, les bornes 9b, 12b, 13b, 17b, 18b et 8b de la section de contact de bornes 410 sont respectivement en contact avec la borne de mesure 9, une borne de paramétrage de résistance correspondante particulière 12, la borne de commande d'impédance élevée la borne de données 17, la borne de commande d'écriture 18, et la borne de commande de mode 8. L'unité de commande 402 alimente la borne de commande de mode 8 par un signal de commande de mode de niveau haut par l'intermédiaire de la borne 8b (étape S100 ), et alimente la borne de commande d'impédance élevée 13 par un signal de commande de mode de niveau bas par l'intermédiaire de la borne 13b (étape S1002). En conséquence de cela, le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage dans un mode de réglage de vitesse de balayage alimente la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage, et la mémoire non volatile 14 est déconnectée des lignes de signal. Après cela, la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée (ou observée) par l'unité de mesure 401 par l'intermédiaire de la borne 9b. Lorsque l'unité de commande 402 détermine que la mesure résultante satisfait aux caractéristiques de vitesse de balayage représentées à la figure 5 (Oui à l'étape S1003), la procédure continue à l'étape S1005. D'un autre côté, quand on détermine que la mesure résultante ne satisfait pas aux caractéristiques (Non ' l'étape S1003), la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée de façon répétée tout en appliquant un jeu unique de signaux numériques à la borne 12b selon une combinaison de signal prédéterminée, jusqu'à ce que la mesure résultante satisfasse aux caractéristiques, déterminant de ce fait un jeu spécifique de signaux numériques pour satisfaire aux caractéristiques (étapes S1003, S1004). Selon la combinaison de signal prédéterminée, des jeux uniques de signaux numériques à appliquer respectivement aux bornes 140 à 147 peuvent comprendre les combinaisons de bits suivantes "00001111", "10000111", "11000011", et "11100001". La section de commande 402 alimente la borne de commande d'écriture 18 par un signal de niveau haut par l'intermédiaire de la borne 18b, de sorte que la mémoire non volatile 14 est validée pour l'écriture de données. Ensuite, 1a section de commande 402 envoie jeu déterminé de signaux numériques à la mémoire volatile 14 en provenance de la borne de données 17 par l'intermédiaire de la borne 17b (étape S1005). En conséquence de cela, le jeu déterminé de signaux numériques est stocké dans les zones prédéterminées de la mémoire non volatile 14 d'une manière non volatile. Après l'envoi des signaux numériques au circuit à semiconducteur 200a, l'envoi d'un signal de niveau haut à la borne de commande d'écriture 18 est terminé. La section de commande 402 interrompt l'envoi d'un signal de niveau bas à la borne de commande d'impédance élevée 13 par l'intermédiaire de la borne 13b (étape S1006 . La section de commande 402 interrompt l'envoi d' signal de commande de mode à la borne de commande de mode 8 par l'intermédiaire de la borne 8b (étape S1008). En conséquence, le tampon 19 n'est pas davantage dans un état d'impédance élevée, et les données stockées dans les zones prédéterminées de mémoire non volatile 14 sont lues et envoyées lignes de signal correspondantes. De plus, le générateur d'impulsions 5 pour le réglage de la vitesse de balayage interrompt l'alimentation de la porte reproduite 6 par une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage. Donc, la vitesse de balayage des circuits de sortie 4a, 4b, ..., 4n est réglée de façon automatique de façon à être identique à la vitesse de balayage fixée pour la porte reproduite 6. Selon ce mode de réalisation, tandis que la vitesse de balayage de la porte reproduite 6 est mesurée par l'intermédiaire de la borne 9b qui à mettre en contact avec la borne de mesure 9, unique de signaux numériques, qui sont fixés selon combinaison de signal prédéterminée, est envoyé à partir du groupe de bornes de paramétrage de résistance 12. De plus, des signaux numériques représentant une valeur souhaitée, c'est-à-dire la vitesse de balayage de la porte reproduite 6, sont stockés dans la mémoire non volatile 14. Sur la base de ces signaux numériques stockés, la vitesse de balayage des circuits de sortie est réglée et fixée à une valeur prédéterminée. Cela définit un circuit à semiconducteur ayant une porte reproduite dont la vitesse de balayage peut être réglée de façon automatique, et un appareil qui règle de façon automatique la vitesse de balayage de la porte reproduite incluse dans le circuit à semiconducteur. Comme le premier mode de réalisation, selon ce mode de réalisation, aucune technique complexe n'est nécessaire pour la fabrication du circuit. En ayant fixé 1a vitesse de balayage de la porte reproduite 6, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée dans la structure dans laquelle la capacité parasite a un effet sur la vitesse de balayage. La section de commande 402 mesure, en utilisant une minuterie intégrée, les périodes de temps durant lesquelles "les procédures respectives des étapes S1003 et S1004 sont totalement exécutées. De plus, section commande 402 obtient la valeur moyenne périodes temps mesurées et la période de temps totale durant laquelle la vitesse de balayage de la porte reproduite réglée par jour. La section de commande 402 commande l'unité d'affichage 403 pour afficher les valeurs obtenues, et commande l'imprimante 404 pour imprimer les valeurs affichées, pour faciliter de ce fait le processus de gestion de la ligne de fabrication semiconducteur. Ouatrième mode de réalisation L'une des caractéristiques du quatrieme mode de réalisation est que le réglage automatique de la vitesse de balayage est effectué dans circuit à semiconducteur représenté à la figure 6 dont certains éléments sont remplacés par des éléments correspondants circuit à semiconducteur représenté à figure 9. figure 11 est un schéma fonctionnel représentant la structure d'un appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 450 selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention. éléments identiques sont désignés par les mêmes références numériques que celles représentées à figure 8. 'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 450 représenté à la figure 11 comprend une borne 10b à mettre en contact avec borne de production d'impulsions 10 pour le réglage de la vitesse de balayage, au lieu de la borne 8b de l'appareil de réglage automatique de vitesse de balayage 400 représenté à la figure 8. Dans ce mode de réalisation, il y a une procédure de l'étape 01 pour envoyer une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage par l'intermédiaire de la borne 10b comme le montre la figure 12A, et une procédure de l'étape S1007 pour interrompre l'envoi d'une impulsion pour le réglage de la vitesse de balayage, comme le montre la figure 12B, de sorte que la vitesse de balayage de la porte reproduite est réglée de façon automatique. Selon ce mode de réalisation également, on définit un circuit à semiconducteur, dans lequel la vitesse de balayage de sa porte reproduite est réglée de façon automatique, et un appareil qui règle de façon automatique la vitesse de balayage de la porte reproduite incluse dans le circuit à semiconducteur. Comme le deuxième mode de réalisation, aucune technique complexe n'est nécessaire pour fabriquer le circuit à semiconducteur. En ayant fixé la vitesse de balayage de 1a porte reproduite 6, la vitesse de balayage des circuits de sortie peut être réglée avec une précision élevée même si la capacité parasite a un effet sur la vitesse de balayage. Selon le quatrième mode de réalisation, l'unité de commande 405 exécute un processus pour prendre des statistiques de périodes de temps pour le réglage de la vitesse de balayage, commande l'unité d'affichage 403 pour afficher les valeurs calculées, et commande l'imprimante 404 pour imprimer les valeurs obtenues, pour faciliter ce fait le processus de gestion de la ligne de fabrication de semiconducteur. Différents modes de réalisation et modifications peuvent être apportés à la présente invention sans s'écarter de l'esprit et de l'étendue de l'invention. Par exemple, la largeur de grille du transistor du circuit formant les unités de paramétrage de résistance 100 et 101 peut être modifiée, et les valeurs de résistance fixées par les unités de paramétrage de résistance 100 et 101 peuvent être multipliées leur poids associé. Le circuit à semiconducteur de la présente invention peut être un circuit de transmission de données, un dispositif de pilotage de , ou analogue. Cependant, la présente invention n' pas limitée à ce qui précède, et de quelconques autres dispositifs appropriés peuvent être utilisés. Les modes de réalisation précédemment décrits sont destinés à illustrer la présente invention, et non à limiter l'étendue de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Circuit à semiconducteur incluant un circuit de sortie dont la vitesse de balayage peut être réglée et qui sort un signal, envoyé par un circuit interne (2), ledit circuit à semiconducteur (200a, 200b, ...) étant caractérisé en ce qu'il comprend - au moins un circuit de sortie (4a à 4n) qui sort un signal envoyé par un circuit interne (2), de façon externe, et dont la vitesse de balayage est réglée en réponse à un signal de paramétrage ; - un circuit de sortie reproduit (6), ayant structure identique à la structure du circuit de sortie (4a à 4n), qui reçoit un signal impulsionnel et sort signal impulsionnel, et dont la vitesse de balayage est réglée en réponse au signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) pour le réglage de vitesse de balayage qui alimente ledit circuit de sortie reproduit (6) par le signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; et - un dispositif d'alimentation en signal de paramétrage (7, 12, 13, 14) qui délivre le signal de paramétrage pour fixer la vitesse de balayage dudit circuit de sortie (4a à 4n) et dudit circuit de sortie reproduit (6), et dans lequel la vitesse de balayage dudit circuit de sortie reproduit (6) est fixée sur la base du signal de paramétrage, et la vitesse de balayage du circuit de sortie (4a à 4n) est réglée pour être sensiblement identique à la vitesse de balayage dudit circuit de sortie reproduit (6). 2. Circuit à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que - ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) comprend un générateur 'impulsions (5) qui produit le signal impulsionnel et amène le signal impulsionnel au circuit de sortie reproduit (6) ou à une borne d'alimentation en impulsions (10) par l'intermédiaire de laquelle le signal impulsionnel est amené au circuit sortie reproduit (6). 3. Circuit à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que . - la vitesse de balayage dudit circuit sortie reproduit (6) peut être fixée en faisant varier la résistance du circuit de sortie reproduit (6) sur la base des signaux de paramétrage reçus ; et - ledit dispositif d'alimentation en ignal de paramétrage (7, 12, 13, 14) délivre le signal de paramétrage constitué de signaux numériques produits lors de mises en oeuvre de commutateurs ( à 113 ; à 123). 4. Procédé de réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie (4a à 4n) inclus dans le circuit à semiconducteur (200a, 200b, ... ) selon la revendication 1, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend - l'alimentation dudit circuit de sortie reproduit (6), à partir dudit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10), par un signal impulsionnel ayant une fréquence prédéterminée ; - la modification du signal de paramétrage provenant dudit dispositif d'alimentation en signal de paramétrage (7, 12, 13) tout en observant un signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit (6). 5. Circuit selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend - un circuit de sortie (4a à 4n) dont la vitesse de balayage peut être réglée sur la base 'un signal de paramétrage et qui sort un signal depuis un circuit interne (2) vers un circuit externe ; - une porte reproduite (6) qui a structure identique à la structure du circuit de sortie (4a à 4n) et dont la vitesse de balayage peut être reglée sur la base d'un signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) qui alimente ladite porte reproduite (6) par un signal impulsionnel ; - un dispositif d'alimentation en signal numérique (7, 12, 13) qui fournit un jeu de signaux numériques ; et - une mémoire (14) qui stocke de manière non volatile le signal de paramétrage, au moyen duquel une vitesse de balayage appropriée de ladite porte reproduite (6) est obtenue, ladite mémoire (14) délivrant le signal de paramétrage stocké audit circuit de sortie (4a à 4n). 6. Appareil de réglage automatique de la vitesse de balayage qui règle automatiquement la vitesse de balayage circuit de sortie inclus dans le circuit selon la revendication 5, ledit appareil comprenant - un dispositif d'observation (401) qui observe un signal provenant de ladite porte reproduite (6) ; et - un dispositif de commande (402) qui commande le réglage de vitesse de balayage du circuit de sortie (4a à 4n), - dans lequel ledit dispositif de commande (402) . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) pour alimenter ladite porte reproduite 6) par un signal, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique (7, 12, 13) pour fournir, par commutation, le signal numérique selon une combinaison prédéterminée, et détermine un ou plusieurs signaux numériques lorsque ledit dispositif d'observation (401) détecte une vitesse de balayage souhaitée de ladite porte reproduite (6), et écrit le signal ou les plusieurs signaux numériques déterminés dans ladite mémoire (14). 7. Circuit à semiconducteur selon la revendication 5 caractérisé en ce qu'il comprend - une porte reproduite (6) qui a une structure identique à la structure du circuit de sortie (4a à 4n) et qui est agencée sur un substrat semiconducteur (1) sur lequel le circuit de sortie (4a à 4n) est agencé ; - une borne de mesure (9) par l'intermédiaire de laquelle un signal provenant de ladite porte reproduite (6) est délivré ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) pour le réglage de la vitesse de balayage qui alimente ladite porte reproduite (6) par un signal impulsionnel pour le réglage de la vitesse de balayage ; - un dispositif d'alimentation en signal numerique (7, 12 13) qui délivre un jeu de signaux numériques qui sont fixés selon une combinaison prédéterminée, afin fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite (6) ; et une mémoire (14) qui stocke de façon non volatile un ou plusieurs signaux numériques pour fixer la vitesse de balayage de ladite porte reproduite (6) à une valeur souhaitée, parmi le jeu de signaux numériques fixés selon une combinaison prédéterminée. 8. Appareil de réglage automatique de vitesse de balayage qui règle de façon automatique la vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit selon la revendication 7, ledit appareil (400) comprenant - un dispositif d'observation (401) qui observe un signal provenant de ladite borne de mesure (9) ; - un dispositif de commande (402) qui commande le réglage de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite (6), et dans lequel ledit dispositif de commande (402 . commande ledit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) pour alimenter ladite porte reproduite (6) par un signal impulsionnel, . commande ledit dispositif d'alimentation en signal numérique (7, 12, 13) pour fournir, par commutation, des signaux numériques selon combinaison prédéterminée, et détermine un ou plusieurs signaux numériques au moyen desquels le dispositi d'observation (401) observe si le signal provenant de ladite porte reproduite (6) satisfait à des caractéristiques prédéterminées, et écrit les signaux numériques déterminés dans ladite mémoire (14). 9. Appareil de réglage automatique de vitesse de balayage qui règle de façon automatique la vitesse balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit dispositif de commande (402) exécute un processus pour prendre des statistiques de périodes de temps nécessaires pour le réglage automatique de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite (6), et commande un étage de sortie pour délivrer un résultat processus. 10. Appareil de réglage automatique de vitesse de balayage qui règle de façon automatique la vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit dispositif de commande (402) exécute un processus pour prendre des statistiques de périodes de temps nécessaires pour le réglage automatique de la vitesse de balayage de ladite porte reproduite (6), et commande un étage de sortie pour délivrer un résultat du processus. 11. Circuit selon la revendication 7 caractérisé en ce qu'il comprend - un circuit de sortie (4a à 4n) qui délivre un signal fourni, et dont la vitesse de balayage peut etre réglée en réponse à un signal de paramétrage ; - un circuit de sortie reproduit (6) qui reçoit un signal impulsionnel et délivre un signal impulsionnel et dont la vitesse de balayage peut être réglée en réponse au signal de paramétrage ; - un dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) qui alimente ledit circuit de sortie reproduit (6) par un signal impulsionnel ; - un dispositif d'alimentation en signal de paramétrage (7, 12, 13, 14) qui fournit le signal de paramétrage audit circuit de sortie (4a à 4n) et audit circuit de sortie reproduit (6). 12. Procédé de réglage de la vitesse de balayage du circuit de sortie inclus dans le circuit selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend - l'amenée d'un signal impulsionnel ayant une fréquence souhaitée au circuit de sortie reproduit (6) à partir dudit dispositif d'alimentation en signal impulsionnel (5, 10) ; et - l'amenée d'un signal de paramétrage audit circuit de sortie reproduit (6) tout en observant le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit (6), et - l'alimentation dudit circuit de sortie (4a à 4n) par un signal de paramétrage qui est délivré quand on observe que le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit (6) satisfait à des caractéristiques prédéterminées. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que les signaux de paramétrage amenés audit circuit de sortie ( à 4n) et audit circuit de sortie reproduit (6) sont sensiblement identiques. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le signal de paramétrage amené audit circuit de sortie reproduit (6), qui est délivré quand on observe que le signal de sortie dudit circuit de sortie reproduit (6) satisfait à des caractéristiques prédéterminées, est stocké dans une mémoire (14), le signal paramétrage stocké est amené audit circuit de sortie (4a à 4n).