Brevet FR2786117A1 — publié le 20000526

I Forme d'un micropoint formé par faisceau laser et procédé de marquage de micropoints La présente invention concerne la forme d'un point (ou mi- cropoint) dont la visibilité optique est améliorée et un procédé pour former le point qui est destiné à la gestion de produits ou à la sécurité en un emplacement spécifique à la surface d'un article à marquer, tel qu'une plaquette de semiconducteur, un substrat de verre tel qu'un sub- strat à cristaux liquides, une électrode telle qu'une puce nue, la surfa- ce d'un circuit intégré (CI), divers produits en céramique, ou une par- tie de conducteur d'un CI. Par exemple, dans les procédés de fabrication de semiconduc- teurs, il est nécessaire d'établir des paramètres de fabrication variés et stricts pour chaque procédé. Afin de contrôler les paramètres, une marque tel qu'un numéro, un caractère, ou un code à barres est réalisée à l'aide de points sur la surface d'une partie de plaquette de semicon- ducteur. Il existe plus de 100 procédés de fabrication d'un semicon- ducteur, et, en outre, un certain nombre de procédés de formation de composants et d'aplanissement sont exécutés dans chaque procédé. Les procédés comprennent, par exemple, l'application d'un résist, la pro- jection d'un motif sur un résist de manière réductrice, le développe- ment de résist, et l'aplanissement de divers films tels qu'un film iso- lant et un film métallique pour remplir l'espace créé par exemple lors de la mise en place de fils de cuivre. Par ailleurs, la marque faite par points est généralement for- mée en irradiant la surface d'une partie d'une plaquette de semiconduc- teur avec un faisceau laser pulsé continu à travers un système optique. Le marquage n'est pas limité à une fois. Afin de montrer les caracté- ristiques historiques des procédés de fabrication, on marque générale- ment les données historiques minimum requises dans les procédés de fabrication. Cependant, la zone de marquage sur la plaquette de semi- conducteur est limitée à une région extrêmement étroite, la taille et le nombre des points à marquer sont donc limités en conséquence. La zo- ne de marquage, la taille d'un point, et le nombre de points sont spéci- fiés par la norme SEMI et autres normes similaires. Comme divulgué, par exemple, dans le Brevet japonais n 2-299216, les informations d'une plaquette de semiconducteur sur la- quelle est réalisé le marquage par points sont lues comme étant une variation du facteur de réflexion d'un faisceau laser émis par un laser He-Ne ou une variation de vibration d'une onde de chaleur d'un fais- ceau laser ordinaire. En se basant sur les informations lues, on établit divers paramètres de fabrication dans des procédés de fabrication suc- cessifs. Lorsque les informations ne sont pas lues avec précision et sont erronées, toutes les plaquettes de semiconducteur deviennent dé- fectueuses sauf exception. La plupart des lectures défectueuses sont provoquées par un marquage non clair par points. L'un des facteurs de non clarté est la forme du point élémentaire, en tant qu'élément d'une marque. On considère généralement que l'influence de la profondeur d'un point est importante. Comme divulgué, par exemple, dans le Bre- vet japonais n 60-37716, un point est habituellement formé en faisant fondre et en retirant une partie de la plaquette de semiconducteur dans un état de point lumineux avec l'irradiation d'un faisceau laser de grande énergie afin d'obtenir la profondeur de point requise. Dans ce cas, la partie fondue et retirée est accumulée autour du point ou bien dispersée et collée dans la partie périphérique du point, et cela peut empêcher la formation du composant et exercer une grande influence sur la qualité. En outre, dans le cas du marquage à points réalisé au la- ser YAG, à cause de la particularité du laser YAG ou du fonctionne- ment déclenché (commutateur de Q), une fluctuation est susceptible de se produire dans la sortie laser et une variation se produit dans la pro- fondeur ou la taille du point. Afin de résoudre ces problèmes, comme divulgué, par exem- ple, dans les Brevets japonais n 59-84515 et 2-205281, le même point est irradié de manière répétée avec un faisceau laser pulsé de relative- ment faible énergie. Dans le premier Brevet, afin de former un point, tout en réduisant séquentiellement le diamètre du point impulsion après impulsion, le même point est irradié de manière répétée avec un faisceau laser, formant ainsi un point profond. Dans le deuxième Bre- vet, la fréquence d'une impulsion laser de la première durée est établie à 1 kHz ou moins et la fréquence d'une impulsion laser émise de façon subséquente est établie à une haute fréquence de récurrence de 2 à 5 kHz pour, de ce fait, former un point présentant une profondeur de 0,5 à 1,0 tm ou 1,0 à 1,5 gim. D'un autre côté, comme la production de poussières ne peut pas être évitée par le procédé de marquage décrit ci-dessus, un procédé de marquage laser qui apporte une excellente visibilité et supprime la production de poussières a été proposé dans, par exemple, le Brevet japonais n 10-4040. Ce brevet divulgue un procédé de marquage laser pour former une marque à points en projetant un motif de masque à cristaux liquides sur la surface d'un matériau semiconducteur en émet- tant un faisceau laser pulsé, dans lequel la densité d'énergie est établie dans un intervalle allant de 18 à 40 J/cm2, la largeur d'impulsion étant sélectionnée dans une plage allant de 0,05 à 0,40 ms, la surface du ma- tériau semiconducteur étant irradiée avec un faisceau laser pulsé, et un certain nombre de petites saillies sont créées dans la région d'irradia- tion laser dans un procédé consistant à faire fondre et à recristalliser la surface du matériau semiconducteur. Selon le procédé de marquage, par l'irradiation du faisceau laser qui est émis sur une base d'unité pixel, on forme un certain nom- bre de petites saillies présentant chacune une hauteur d'environ 1 [tm ou moins et un diamètre de 0,5 à 1,0 pm sur la surface d'un article à marquer. L'intervalle entre saillies voisines est d'environ 1,5 à 2,5 gtm et la densité de saillies est de 1,6 à 4,5.107 unités/cm2. A cause de la réflexion de lumière irrégulière due au nombre de petites saillies, on obtient une forme de marque à points très claire, et, de plus, la pro- duction de poussières dans le cas de la formation peut être supprimée. Il est certain que l'une des causes de non clarté du point (ci- après, la clarté du point est appelée "visibilité"), est liée à la profon- deur du point. Cependant, même lorsque le point est assez profond, dans le cas o le diamètre de l'ouverture est grand, par exemple, quand un faisceau laser assez puissant pour obtenir la profondeur requise est émis, la densité d'énergie présente généralement une distribution gaus- sienne. Le point présente par conséquent une surface légèrement cour- bée qui a une pente d'ensemble peu inclinée, si bien que la différence entre le point et la zone périphérique n'est pas facilement discriminée par le moyen de lecture. Dans le Brevet japonais mentionné plus haut n 2-205281, bien que la profondeur de point soit spécifiquement dé- crite comme valant de 0,5 à 1,0 jam ou de 1,0 à 1,5 grm, le diamètre du point n'est pas du tout décrit, et la forme du point est simplement dé- crite comme étant une forme gaussienne. Dans la divulgation du Brevet japonais n 59-84515, étant donné que l'on décrit que le diamètre de l'ouverture du point vaut, la première fois, entre 100 et 200 grm, et que la profondeur est de 1 gm ou moins et que, de manière spécifique, le faisceau laser est émis qua- tre fois, la profondeur du point dans ce cas est au plus de 3 à 4 prm. Dans les dessins du brevet, la forme du point formé en une fois est si- milaire à la forme gaussienne. On peut donc considérer que des points ayant chacun une pro- fondeur requise, dont la taille est uniforme dans une certaine mesure, sont formés par tous les procédés de marquage divulgués dans les bre- vets sus-mentionnés. La forme des points formés, cependant, est une forme classique et le diamètre est grand par rapport à la profondeur. La visibilité manque donc encore de fiabilité. Etant donné que la ré- duction de taille (diamètre) du point à former n'est pas divulguée, le brevet n'a pas pour but de réduire la dimension classique qui va de 50 à 150 gm. On utilise simplement les valeurs numériques courantes qui sont spécifiées, par exemple, par la norme SEMI. On ne peut donc pas s'attendre à un accroissement sensiblement grand du nombre de points et de la zone de formation de points. En outre, il est difficile de mar- quer des informations variées. La visibilité de la marque à points est élevée lorsqu'il y a une grande différence concernant la direction de réflexion de la lumière et la quantité de réflexion entre la marque et sa périphérie. Lorsque la profondeur est relativement grande par rapport au diamètre de l'ouver- ture, la visibilité est élevée, comme expliqué ci-dessous. La direction de réflexion de la lumière réfléchie dans le trou, incidente pour un an- gle d'incidence prédéterminé, n'étant pas régulière mais irrégulière, la lumière réfléchie ressortant de l'ouverture du trou est réduite. En sup- posant que la zone périphérique du trou est une surface lisse, la lumiè- re dans la zone périphérique est réfléchie dans la même direction, si bien que la clarté est élevée. La visibilité est élevée quand le contraste est grand. Les petites saillies formées par le procédé de marquage di- vulgué dans le Brevet japonais n 10-4040 sont trop petites pour être observées individuellement. La différence entre la quantité de lumière réfléchie irrégulière de la surface de réflexion irrégulière en tant que surface de groupement des saillies et la quantité de lumière réfléchie de la surface lisse est faible, si bien qu'il est difficile de distinguer la surface de réflexion irrégulière de la surface lisse périphérique. La vi- sibilité est inévitablement mauvaise. Etant donné qu'il n'y a pas de description de la taille d'une marque à points en tant que groupement de petites saillies, on considère que la taille du point est la même que celle du point classique et la zone de formation de marque à points est limitée. Même si la taille du point obtenu est petite, une pluralité de petites saillies sont dispersées dans un point dans ce cas, si bien que la visibilité de chaque point est encore détériorée. La présente invention est destinée à résoudre les problèmes décrits cidessus. Plus précisément, un premier objet de l'invention est d'obtenir une forme de marque à points présentant une excellente visi- bilité même quand elle est petite et un deuxième objet est de proposer un procédé de marquage par points pour former avec précision ce type de marque à micropoints. Les autres objets de l'invention deviendront évidents à la lecture de la description suivante. Les objets sont effectivement atteints par la présente inven- tion. Les inventeurs de la présente invention ont examiné et analy- sé de manière nouvelle et spécifique les dispositifs et procédés classi- ques de marquage par points et les formes de point obtenues et ont trouvé que le facteur principal qui rend un nmicropoint lisible de ma- nière fiable, bien qu'il soit petit, est la forme du point, et que la forme idéale ne peut pas être obtenue par les dispositifs et procédés classi- ques de marquage. Par exemple, comme montré en figure 2 et comme divulgué dans le Brevet japonais n 2-205281, selon le dispositif de marquage classique, tout d'abord, un caractère à imprimer sur une plaquette de semiconducteur et un mode de marquage sont sélectionnés à l'aide d'une unité d'entrée 21. Un contrôleur 22 de dispositif de marquage commande un élément déclenché à ultrasons 23, un obturateur interne 24, un obturateur externe 25, un atténuateur (atténuateur optique) 26, et un miroir à galvanomètre 27 afin de marquer un point de profondeur prédéterminée sur une plaquette W selon le mode de marquage de point et un point est réalisé à chaque impulsion déclenchée. Dans la fi- gure 2, le numéro de référence 11 représente un miroir à réflexion to- tale; 12 une ouverture interne (sélecteur de mode); 13 un boîtier de lampe; 14 un miroir de sortie; 15 une ouverture; 16 un miroir de mise à niveau; 17 un afocal de Galilée; 18 une ouverture; 19 une lentille f- 0; et 20 un laser YAG. Selon un tel procédé de marquage général, comme décrit ci- dessus, la distribution de densité d'énergie du faisceau laser émis jus- qu'à la surface de la plaquette de semiconducteur présentant une forme gaussienne, la surface intérieure du point formé à la surface de la pla- quette est légèrement courbée par l'influence de la distribution de den- sité d'énergie. Les procédés de marquage sont basés sur l'invention du Brevet américain n 4 522 656. L'invention de ce brevet américain est caractérisée en ce que, en irradiant la surface d'une plaquette avec un faisceau laser présentant un diamètre qui est 1,5 à 6,5 fois plus grand que le diamètre du point à réaliser, on empêche la conduction thermi- que jusqu'à la zone périphérique, l'énergie est utilisée de manière ef- fective, et la partie centrale du point d'irradiation est fondue pour for- mer un trou. En d'autres termes, le procédé utilise effectivement la densité d'énergie distribuée dans la forme gaussienne du faisceau laser. L'énergie d'une partie correspondant à la partie inférieure de la distri- bution de densité d'énergie, dans laquelle l'intensité du laser est fai- ble, est dirigée vers la périphérie de la partie d'ouverture du trou pour, de ce fait, chauffer la périphérie, empêcher la perte d'énergie thermi- que par la conduction thermique depuis la partie centrale du trou, et réaliser effectivement la formation du trou dans la partie centrale. Ce- pendant, puisqu'une partie de l'énergie du laser n'est pas directement utilisée pour la formation du trou mais est consumée, le rendement est faible. De plus, la chaleur reste dans la partie périphérique du trou par l'irradiation de la périphérie du trou avec un faisceau laser et un effet indésirable peut être exercé sur le produit. En outre, le procédé de marquage ne peut former qu'une marque peu profonde présentant un grand diamètre de trou comme décrit plus haut et la partie périphéri- que du trou est enflée. Ceci détériore encore la visibilité. Les inventeurs ont examiné davantage la forme des points de marquage ayant une excellente visibilité, et ils ont trouvé qu'en éta- blissant la largeur d'impulsion et la densité d'énergie du faisceau laser dans une plage prédéterminée, comme il sera décrit ici plus loin, et en commandant la distribution de densité d'énergie, un point formé par chaque faisceau laser émis à la surface d'un article à marquer a une forme particulière qui n'est pas conventionnellement connue et, bien qu'il s'agisse d'un micropoint simple, sa visibilité est supérieure à cel- le d'une forme de point de marquage comportant une cavité formée par le marquage laser classique. Selon un premier aspect de l'invention, on réalise un point formé à la surface d'un article à marquer en utilisant un faisceau laser comme source d'énergie. Bien qu'il s'agisse d'un micropoint dont la longueur sur la surface de l'article à marquer est de 1 à 15 prm, le point de marquage a une forme qui est très lisible et est formé de points cha- cun formé par une zone d'irradiation laser ponctuelle. La partie centra- le de chaque point de marquage comporte une saillie qui fait saillie vers le haut depuis la surface de l'article à marquer et la hauteur de la saillie vaut de 0,01 à 5 gm. Afin de clarifier le mécanisme de formation d'une telle forme de point de marquage, les inventeurs ont mis en oeuvre un certain nom- bre d'expériences suivant plusieurs points de vue et en ont tiré les conclusions présentées ci-dessous. Lorsque chacune des zones de formation de point est irradiée avec un faisceau laser, la surface de la partie irradiée de l'article à marquer est fondue et un bain de matériau fondu (ci-après appelé bain de fusion) est créé. A cet instant, la température du matériau fondu est plus faible vers le rebord du bain de fusion et est plus élevée vers le centre. Le gradient de température provoque une distribution dans la tension de surface, et un mouvement se produit dans le matériau fon- du. Simultanément à l'arrêt de l'irradiation à impulsions, le refroidis- sement commence et le matériau se solidifie. Dans un état o le maté- riau est fondu, la partie centrale du bain de fusion est une interface li- bre et le rebord du bain de fusion correspond à une extrémité fixe, si bien que cet état est similaire à celui d'un film dont la périphérie est fixe. Dans ce type d'état, la tension de surface agit et un mouvement dynamique similaire à une vibration de film se produit dans la partie centrale du bain de fusion. La longueur d'une amplitude dans le mode de vibration de film est déterminée substantiellement par la viscosité propre au maté- riau et par la tension de surface. Par conséquent, plus le diamètre du bain de fusion est grand, plus le nombre de vibrations augmente. Par exemple, dans le cas du silicium, la longueur d'une amplitude étant d'environ 3 à 5 grm, une forme de micropoint présentant un contraste effectif peut être obtenue sur une petite surface. I a été également confirmé par les expériences qu'un point de marquage peut être formé sur une petite surface avec peu d'influence de la gravité. Quand le motif d'irradiation laser est carré, le bain de fusion est aussi carré. Lorsqu'il est circulaire, le bain de fusion est aussi cir- culaire. Par ailleurs, la vibration similaire à celle d'un film se produit également dans un mode correspondant à la forme carrée ou circulaire. Les figures 21 à 30 montrent de manière schématique des modes de vi- bration de film carrés et circulaires. Quand le mode de vibration aug- mente, le nombre d'ondes vibratoires augmente et le mode de vibra- tion passe d'un motif en creux à un motif saillant. On comprendra également à l'aide des résultats expérimentaux qui seront présentés plus loin que le mouvement du bain de fusion a une forte corrélation avec la vibration de film. La figure 21 montre un mode de vibration de film circulaire dans un état o la surface d'un article à marquer est dilatée en une sur- face courbée vers le haut. La figure 22 montre un mode de vibration de film circulaire dans un état o la surface d'un article à marquer est au contraire creusée en une surface courbée vers le bas. La figure 23 illustre un mode de vibration de film circulaire dans un état o un creux en forme d'anneau est formé et la surface fait saillie vers le haut suivant une forme presque conique au centre du creux en forme d'an- neau à la surface de l'article à marquer. La figure 24 montre un mode de vibration de film circulaire comportant une partie dilatée en forme d'anneau et une surface en creux courbée vers le bas au centre de la partie dilatée. La figure 25 montre un mode de vibration de film circu- laire comportant une partie dilatée en forme d'anneau et faisant saillie vers le haut de façon conique au centre de la partie dilatée. La figure 26 montre un mode de vibration de film circulaire comportant de ma- nière concentrique une partie en creux en forme d'anneau comme par- tie la plus à l'extérieur, une partie dilatée, et une partie en creux à la surface de l'article à marquer. Les figures 27 à 30 montrent des modes de vibration de film de forme carrée correspondant respectivement aux figures 21 à 24. Ici, la figure 30 est particulière en ce qu'une partie dilatée ne présente pas une simple forme d'anneau mais une forme ondulée dans laquelle les coins d'un carré sont grandement dilatés. Après un certain nombre d'expériences, on a trouvé que la forme de marque à points dans n'importe lequel des modes de vibration de film est incomparablement plus petite que la forme classique et peut être obtenue en établissant la largeur d'impulsion et la densité d'énergie du faisceau laser comme paramètres de marquage dans leurs plages prédéterminées et en commandant la distribution de densité d'énergie. Le dispositif, proposé précédemment par les inventeurs, de marquage laser divulgué dans le Brevet japonais n 9-323080 est un exemple préféré de dispositif de marquage laser utilisé pour réaliser la forme du point de marquage selon le premier aspect de l'invention. Etant donné que la construction est décrite en détail dans la descrip- tion de la demande mentionnée, nous n'allons en donner qu'une simple description ici. Le numéro de référence 1 de la figure 1 désigne un dispositif de marquage destiné à réaliser des caractères, des codes à barres, des codes 2D ou autres à la surface d'un article à marquer en utilisant un laser comme source lumineuse. Le dispositif de marquage 1 comprend un laser 2, un homogénéisateur 3 de faisceau pour homogénéiser la distribution d'énergie d'un faisceau laser émis par le laser 2, un mas- que à cristaux liquides 4 qui est conçu pour transmettre/absorber le faisceau laser selon l'affichage d'un motif, un moyen 5 de conversion de profil de faisceau pour convertir la distribution de densité d'énergie du faisceau laser correspondant à chaque pixel du masque à cristaux liquides 4 en une distribution requise, et une unité à lentilles 6 pour condenser le faisceau qui est passé par le masque à cristaux liquides 4 sur la surface de la plaquette de semiconducteur sur une base d'unité de point. La longueur maximale d'un point dans le masque à cristaux liquides 4 vaut de 50 à 2000 ptm et la longueur maximale d'un point dans l'unité à lentilles 6 vaut de 1 à 15 prm. Afin de former un micropoint ayant une telle forme, il est né- cessaire de contrôler de façon très précise la qualité et la quantité du faisceau laser irradié sur une base d'unité de point. Afin d'obtenir un faisceau laser ayant un très petit diamètre de l'invention à partir d'un faisceau laser présentant un grand diamètre de faisceau, un faisceau laser à haute puissance et de haute qualité est nécessaire. Cependant, il est difficile de condenser davantage le faisceau laser en raison du phénomène de diffraction du laser à haute puissance. Même si le fais- ceau laser peut être encore plus condensé, l'angle du rayonnement sor- tant de la lentille devient grand et la profondeur de foyer devient ex- trêmement courte, si bien qu'il est difficile de considérer qu'un vrai procédé puisse être mis en oeuvre. En outre, un système à lentilles ul- tra-précis est aussi requis en ce qui concerne la résolution et autres paramètres associés. Dans le cas o l'on utilise un tel système, le coût de revient est accru, de sorte que ce système de lentilles ne peut pas ll être utilisé du point de vue économique. Afin de réaliser un micropoint avec un système à lentilles or- dinaires, le faisceau laser émis par le laser 2 est divisé et converti en faisceaux laser de diamètre plus petit, présentant une énergie nécessai- re et suffisante pour réaliser un point, et la distribution de densité d'énergie du faisceau laser sur la base de l'unité de point doit être convertie en un profil approprié pour réaliser la forme du point. Afin de former un profil approprié et équilibré, il est nécessaire d'homogé- néiser la distribution de densité d'énergie du faisceau laser sur la base de l'unité de point, qui n'est pas encore converti, avant de réaliser la forme. Afin d'obtenir la source de lumière pour la marque à micro- points, il est préférable d'utiliser le masque à cristaux liquides 4 dans lequel les cristaux liquides du masque à cristaux liquides 4, capables chacun de transmettre/absorber arbitrairement la lumière selon des données variées enregistrées dans l'unité centrale de commande, sont agencés en matrice. Il est également nécessaire de convertir le faisceau laser émis par le laser présentant une distribution de densité d'énergie gaussienne en un faisceau présentant une forme homogénéisée similaire, par exemple, à une forme de chapeau haut-de-forme en utilisant l'homogé- néisateur 3 de faisceau. Les différents types d'homogénéisateur 3 de faisceau sont comme suit: un type irradiant la surface du masque im- médiatement en utilisant, par exemple, une lentille en oeil de mouche, des optiques binaires, ou une lentille cylindrique, et un type irradiant la surface du masque avec un faisceau en utilisant un actionneur tel qu'un miroir polygonal ou un scanner à miroir. Quand le faisceau laser dont la distribution de densité d'éner- gie a été homogénéisée par l'homogénéisateur 3 de faisceau doit être reconverti en un profil de distribution de densité d'énergie approprié pour obtenir la forme de point préférée, on utilise en plus le convertis- seur 5 de profil de faisceau. Comme convertisseur 5 de profil de fais- ceau, on peut utiliser, par exemple, un élément optique de diffraction, un élément optique holographique, un masque ouvrant ou un masque à cristaux liquides comportant des régions d'absorption/transmission, un réseau de microlentilles convexes ou concaves, et autres éléments semblables. Le moyen de conversion de profil de faisceau n'est pas toujours nécessaire pour obtenir la forme de point de marquage de l'in- vention. L'article W à marquer comme cible de traitement dans l'invention est une plaquette de semiconducteur, un substrat de verre tel qu'un substrat à cristaux liquides, une électrode telle qu'une puce nue, la surface d'un CI, divers produits en céramique, une partie de conduc- teur d'un CI, ou autre élément semblable. La plaquette de semiconduc- teur est représentée en elle-même, et elle comprend aussi une plaquet- te sur laquelle est formé un film d'oxyde (SiO2) ou un film de nitrure (SiN), une plaquette épitaxiale, et une plaquette sur laquelle est formé de l'arsénure de gallium ou un composé phosphoreux d'indium. Le deuxième aspect de l'invention propose un procédé de marquage approprié pour former la marque à micropoints ayant une forme particulière à la surface d'un article W à marquer. Même lorsque le dispositif de marquage 1 est utilisé, tant que les paramètres de marquage spécifiés par le deuxième aspect de l'in- vention ne sont pas satisfaits, le point de l'invention ayant la forme particulière mentionnée ci-dessus ne peut être obtenu. Plus précisément, le procédé selon le deuxième aspect de l'in- vention comprend les étapes consistant à: homogénéiser une distribu- tion d'énergie du faisceau laser émis par le laser 2 à l'aide de l'homo- généisateur 3 de faisceau comme décrit plus haut; former le motif dé- siré en commandant le masque à cristaux liquides 4 dans lequel la lon- * gueur maximale de chaque pixel vaut de 50 à 2000 prm et irradier le masque à cristaux liquides avec le faisceau laser homogénéisé par l'homogénéisateur 3 de faisceau; établir la densité d'énergie du fais- ceau laser qui est passé à travers le masque à cristaux liquides 4 à une valeur comprise entre 1,0 et 3,7 J/cm2; et condenser le faisceau laser pour chaque point à l'aide de l'unité à lentilles 6, qui est passé à tra- vers le masque à cristaux liquides, sur la surface de l'article à marquer de façon que la longueur maximale de chaque point soit comprise entre 1 et 15 nm. Afin de former le point ayant la forme particulière de l'inven- tion, les inventeurs de la présente invention ont mené à bien un certain nombre d'expériences pour connaître l'influence de la longueur d'onde, de la densité d'énergie, et de la largeur d'impulsion d'un faisceau laser. Il en résulte que la longueur d'onde n'affecte que le taux d'absorption de la plaquette de semiconducteur. Lorsqu'on utilise le silicium comme matériau de la plaquette de semiconducteur par exemple, afin d'obtenir la forme de point de l'invention, il est nécessaire de réduire modéré- ment la pénétration dans le silicium au fur et à mesure que la forme du point devient plus petite. En conséquence, le résultat le plus souhaita- ble est obtenu à environ 532 nm. Cependant, la longueur d'onde ne peut être spécifiée de manière inconditionnelle puisqu'elle diffère en fonction du matériau de l'article à marquer. D'autre part, en ce qui concerne la largeur d'impulsion, on a examiné une plage dans laquelle une plage admissible de la densité d'énergie peut être établie de façon suffisamment large et la sortie du laser peut être supprimée autant que possible. Il en résulte que la pla- ge de 10 à 500 ns a été trouvée satisfaisante pour former le point de l'invention. De préférence, cette plage va de 50 à 120 ns. Dans le cas de 500 ns ou plus, la densité d'énergie devient trop élevée, si bien que l'on ne peut pas obtenir aisément la forme de point désirée et le laser lui-même devient inévitablement grand. Dans un procédé réalisé dans une zone ps avec un laser, il se produit une transpiration considérable et la plage de densité d'énergie admissible est extrêmement étroite. La densité d'énergie dépend largement de la longueur d'onde du laser, de la largeur d'impulsion, et des caractéristiques optiques du matériau à traiter. Par conséquent, il est préférable de déterminer la densité d'énergie en considération à la fois de la longueur d'onde et de la largeur d'impulsion. Dans le cas o l'on spécifie les valeurs de lon- gueur d'onde du laser et la largeur d'impulsion comme décrit ci-dessus, des valeurs de 1,0 à 3,7 J/cm2 sont appropriées. Une autre plage préfé- rable pour la densité d'énergie d'un faisceau laser passé à travers le masque à cristaux liquides et divisé est de 1,5 à 3,5 J/cm2. Strictement parlant, un film d'oxyde natif très fin est formé à la surface d'une plaquette de semiconducteur, plus spécialement, faite de silicium. Dans l'invention, le film d'oxyde est simultanément défor- mé. Par conséquent, il est nécessaire de prendre en compte les points suivants afin de déformer de préférence le film d'oxyde: 1) Le point de fusion du film d'oxyde (SiO2) est plus élevé que celui de la plaquette de silicium (Si). 2) Le film d'oxyde est amorphe et n'a pas de point de passa- ge clair en phase liquide. Il est ramolli autour du point de fusion du si- licium. 3) Le film d'oxyde est transparent d'une région visible à une région proche de l'infrarouge et absorbe le silicium. D'après les points qui précèdent, dans le cas d'une irradiation par impulsions, la plaquette de silicium est directement chauffée et fondue à travers le film d'oxyde. Le film d'oxyde est ramolli par la conduction thermique du silicium et prend la forme de points selon la forme de la surface du silicium par déformation élastique. Lorsque le film d'oxyde s'épaissit, cependant, l'augmentation de température dans le film d'oxyde par la conduction thermique n'est pas suffisante au ni- veau de l'interface du film d'oxyde, qui est en contact avec l'extérieur. En conséquence, l'augmentation de température ne peut pas suivre le rythme de déformation du silicium et il se produit une déformation plastique (craquelure). Les expériences ont montré que l'épaisseur du film d'oxyde sur la surface qui est dans le mode de vibration de film au moment de la formation de point similaire à celle d'une plaquette complètement nue valait entre 1500 et 2000 angstrôms. Lorsque le film d'oxyde sur la surface présente une épaisseur d'environ 1500 angstroms ou moins, des points peuvent être formés dans le mode de vibration de film simi- laire à celui d'une plaquette nue. De préférence, en plus des paramètres de marquage, on ajoute un paramètre concernant le placement du moyen 5 de conversion de profil de faisceau soit en amont soit en aval du masque à cristaux li- quides 4. Le moyen 5 de conversion de profil de faisceau prend la for- me d'une matrice de points de la même taille que la matrice de pixels du masque à cristaux liquides 4 et convertit la distribution de densité d'énergie d'un faisceau laser en une distribution requise. Le moyen de conversion de profil de faisceau règle la distribution thermique dans les points de motif d'irradiation, réglant ainsi la hauteur de la saillie de la marque à points. La longueur maximale de chacun des pixels du masque à cris- taux liquides 4 est spécifiée à 50 à 2000 rm en raison de la limite de résolution d'un système à lentilles existant quand un faisceau laser transmis au masque à cristaux liquides 4 est condensé sur l'article à marquer si bien que la longueur maximum d'un point est établie dans un intervalle allant de 1 à 15 m par un système à lentilles. Lorsque la longueur maximum (diamètre) d'un point est inférieure à 1 m, il est difficile de lire chaque point avec un capteur de système optique exis- tant. Lorsque la longueur maximum dépasse 15 gm, non seulement il n'est pas possible de marquer une quantité suffisante d'informations mais en plus la zone de marquage est limitée. Chacune des valeurs vaut de 3/20 à 1/100 de 100 pnm qui est la taille maximum du point de marquage permise par la norme SEMI actuelle. On peut comprendre combien ces dimensions sont petites. La figure 1 est un diagramme représentant schématiquement un dispositif de marquage par micropoints de l'invention. La figure 2 est un diagramme montrant la structure d'ensem- ble d'un dispositif général de marquage par points utilisant un faisceau laser. La figure 3 et une vue stéréoscopique observée à l'AFM de la forme de points formés par le procédé de l'invention et leur agence- ment. La figure 4 est une coupe transversale des points de la figure 3. Les figures 5A et 5B sont une vue en coupe et une vue stéréos- copique observées à l'AFM d'une forme de point selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Les figures 6A et 6B sont une vue en coupe et une vue stéréos- copique observées à l'AFM d'une forme de point selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 7A et 7B sont une vue en coupe et une vue stéréos- copique observées à l'AFM d'une forme de point selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 8A et 8B sont une vue en coupe et une vue stéréos- copique observées à l'AFM d'une forme de point selon un premier exem- ple comparatif. Les figures 9A et 9B sont une vue en coupe et une vue stéréos- copique observées à l'AFM d'une forme de point selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 1OA et 10B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à I'AFM d'une forme de point selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 1l1A et lB sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 12A et 12B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un septième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 13A et 13B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un deuxième exemple comparatif. Les figures 14A et 14B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un troisième exemple comparatif. Les figures 15A et 15B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un quatrième exemple comparatif. Les figures 16A et 16B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à I'AFM d'une forme de point selon un cinquième exemple comparatif. Les figures 17A et 17B sont une vue en coupe et une vue sté- réoscopique observées à l'AFM d'une forme de point selon un sixième exemple comparatif. La figure 18 est un graphe montrant la corrélation entre la den- sité d'énergie et la hauteur de la saillie de chacun des marquages de point du premier au septième modes de réalisation et du premier au sixième exemples comparatifs. La figure 19 est une vue en plan représentant des caractères af- fichés à l'aide de points de l'invention. La figure 20 est une vue en plan représentant des caractères af- fichés à l'aide de points classiques. La figure 21 est une vue stéréoscopique montrant un premier exemple de la forme de point basée sur un mode de vibration de la surface d'un bain de fusion dans un procédé de formation de point. La figure 22 est une vue stéréoscopique illustrant un deuxième exemple de la forme de point. La figure 23 est une vue stéréoscopique montrant un troisième exemple de la forme de point. La figure 24 est une vue stéréoscopique montrant un quatrième exemple de la forme de point. La figure 25 est une vue stéréoscopique montrant un cinquième exemple de la forme de point. La figure 26 est une vue stéréoscopique montrant un sixième exemple de la forme de point. La figure 27 est une vue stéréoscopique montrant un septième exemple de la forme de point. La figure 28 est une vue stéréoscopique montrant un huitième exemple de la forme de point. La figure 29 est une vue stéréoscopique montrant un neuvième exemple de la forme de point. La figure 30 est une vue stéréoscopique montrant un dixième exemple de la forme de point. Des modes de réalisation et exemples préférés de l'invention vont maintenant être décrits en détail, en référence aux dessins d'accom- pagnement. La figure 1 est un diagramme représentant schématiquement un mode de réalisation d'un dispositif de marquage laser pour former un micropoint de l'invention. Dans la figure 1, le numéro de référence 2 désigne un oscilla- teur à laser; 3 un homogénéisateur de faisceau; 4 un masque à cristaux liquides; 5 un convertisseur de profil de faisceau; et 6 une unité à len- tilles formant condenseur. Le caractère de référence W désigne un ar- ticle à marquer. Dans ce mode de réalisation, on utilise par exemple comme article W à marquer une plaquette de semiconducteur. La pla- quette de semiconducteur W dans ce mode de réalisation comprend non seulement une plaquette de silicium mais aussi une plaquette générale telle qu'une plaquette sur laquelle est formé un film d'oxyde ou un film de nitrure, une plaquette de semiconducteur épitaxial, et une pla- quette de semiconducteur formée en utilisant de l'arsénure de gallium ou un composé phosphoreux d'indium. Dans le dispositif 1 de marquage laser, un faisceau laser pré- sentant une distribution de densité d'énergie gaussienne émis par l'os- cillateur 2 est homogénéisé par l'homogénéisateur 3 de faisceau pour donner un faisceau présentant une distribution de densité d'énergie en forme de haut-de-forme dont les valeurs de crête sont presque les mê- mes. La surface du masque à cristaux liquides 4 est irradiée avec le faisceau laser présentant la distribution de densité d'énergie homogé- néisée telle que mentionnée ci-dessus. Comme il est bien connu, un motif de marquage requis peut être affiché sur le masque à cristaux li- quides 4. Le faisceau laser passe à travers une partie des pixels qui est dans un état de transmission de lumière dans une région d'affichage du motif. La distribution de densité d'énergie de chaque division lumineu- se transmise sur la base d'unité de pixel a la même forme que celle ho- mogénéisée par l'homogénéisateur 3 de faisceau et est uniforme. Un composant optique pour permettre à un faisceau laser ayant, par exemple, une distribution de densité d'énergie gaussienne d'avoir une forme de distribution de densité d'énergie homogénéisée est appelé de façon générique l'homogénéisateur 3 de faisceau. Par exemple, il y a un composant optique d'un système servant à irradier la surface entière d'un masque en utilisant, par exemple, une lentille en oeil de mouche, des optiques binaires, ou une lentille cylindrique, ou pour balayer la surface d'un masque en réalisant une opération de mi- roir en utilisant un actionneur tel qu'un miroir polygonal ou un scan- ner à miroir. Dans l'invention, comme décrit plus haut, la largeur d'impul- sion du faisceau laser vaut de 10 à 500 ns et la densité d'énergie est commandée dans la plage allant de 0,15 à 3,5 J/cm2. Quand le faisceau laser est commandé en respectant ces valeurs numériques, le point de forme particulière de l'invention peut être formé. La surface irradiée par unité de temps dans le masque à cris- taux liquides 4 est égale à un nombre de points de 10 x 11. Tous les points sont irradiés par le faisceau laser en même temps. Ce nombre de points étant souvent insuffisant, le motif de marquage peut être divisé en une pluralité de sections et le masque à cristaux liquides affiche sé- quentiellement les sections. en commutant et en combinant les sec- tions, le motif de la marque complet peut être formé à la surface de la plaquette. Dans ce cas, afin de former une image à la surface de la pla- quette, il est naturellement nécessaire de déplacer la plaquette ou la position d'irradiation. Des procédés variés qui sont classiquement connus peuvent être utilisés à cet effet. Dans le mode de réalisation, le convertisseur 5 de profil de faisceau est irradié par le faisceau laser sur la base d'unité de point, qui est passé à travers le masque à cristaux liquides 4. Dans le conver- tisseur 5 de profil de faisceau, des composants optiques sont agencés de manière similaire en une matrice en correspondance avec les cris- taux liquides agencé en matrice du masque à cristaux liquides 4. Par conséquent, le faisceau laser qui est passé à travers le masque à cris- taux liquides 4 traverse le convertisseur 5 de profil de faisceau sur la base d'unité de point de manière correspondante un-à-un, et le faisceau laser présentant la distribution de densité d'énergie homogénéisée par l'homogénéisateur 3 de faisceau est converti en un faisceau laser pré- sentant une distribution de densité d'énergie nécessaire pour former une forme de microtrou particulière à l'invention. Bien que la distribu- tion de densité d'énergie du faisceau laser qui est passé à travers le masque à cristaux liquides 4 est convertie en la distribution de densité d'énergie requise en laissant passer le faisceau laser à travers le convertisseur 5 de profil de faisceau dans le mode de réalisation, il existe aussi un cas o le faisceau laser est directement dirigé sur l'uni- té à lentilles 6 sans convertir le profil de la distribution de densité d'énergie avec le convertisseur 5 de profil de faisceau. Le faisceau laser passé à travers le convertisseur 5 de profil de faisceau est condensé en une position prédéterminée à la surface de la plaquette de semiconducteur W par l'unité à lentilles 6, réalisant ainsi le marquage de point nécessaire sur la surface. Dans l'invention, la longueur maximum de chaque pixel dans le cristal liquide qui vaut de 50 à 2000 ptm est réduite à de 1 à 15 mm à la surface de la plaquet- te de semiconducteur W par l'unité à lentilles 6. dans le cas de la for- mation uniforme d'une marque d'une unité micron sur les surfaces d'une pluralité de plaquettes, il est nécessaire de régler la distance sé- parant la surface de marquage d'une lentille condenseuse et l'axe opti- que sur l'unité micron. Selon ce mode de réalisation, le point focal est détecté en mesurant la hauteur selon un procédé confocal qui est géné- ralement utilisé dans les microscopes à laser et autres dispositifs sem- blables, la valeur obtenue est envoyée en retour à un mécanisme de po- sitionnement précis suivant la direction verticale de la lentille, et le point focal est positionné automatiquement. Un procédé généralement connu est adopté pour le réglage de l'axe optique et le positionnement et le réglage des composants optiques. Par exemple, le réglage est réa- lisé par un mécanisme de réglage à vis pour aligner un objet sur un point lumineux de référence en utilisant la lumière de guidage d'un la- ser He-Ne ou autre laser similaire. Il suffit d'effectuer le réglage une seule fois au moment du montage. La longueur maximum du micropoint selon l'invention est par conséquent comprise dans la plage dimensionnelle allant de 1 à 15,rm. La dimension de saillie/creux est établie de 0,01 à 5 pm en considéra- tion du cas o la partie périphérique de la saillie est légèrement creu- sée. Afin de former le point ayant une telle dimension, la longueur d'un côté de chaque point dans le masque à cristaux liquides 4 doit être comprise entre 50 et 2000 gm afin de ne pas gêner une formation de point au niveau du point d'irradiation à la surface de la plaquette de semiconducteur W à cause de la limitation de résolution de l'unité de lentille condenseuse ou autre. De plus, quand l'intervalle entre le convertisseur 5 de profil de faisceau et le masque à cristaux liquides 4 est trop grand ou trop petit, à cause de l'influence de rayons périphéri- ques ou de l'influence de l'instabilité de l'axe optique, une marque for- mée à la surface de la plaquette de semiconducteur tend à être gênée. Par conséquent, dans ce mode de réalisation, il est nécessaire d'établir l'intervalle X séparant le convertisseur 5 de profil de faisceau du mas- que à cristaux liquides 4 à une valeur qui est de 0 à 10 fois celle de la longueur maximale Y de chaque pixel dans le masque à cristaux liqui- des 4. En établissant l'intervalle dans une telle plage, une image for- mée à la surface de la plaquette devient claire. Le convertisseur 5 de profil de faisceau est un composant op- tique servant à convertir la distribution de densité d'énergie homogé- néisée par l'homogénéisateur 3 de faisceau en une distribution de den- sité d'énergie optimum afin d'obtenir une forme de point particulière de l'invention. Par exemple, en faisant varier éventuellement un phé- nomène de diffraction, un phénomène de réfraction, ou une transmit- tance de lumière au niveau d'un point irradié par laser, le profil de la distribution de densité d'énergie d'un faisceau de laser incident est converti en un faisceau arbitraire. Comme composant optique, on peut utiliser par exemple un élément optique de diffraction, un élément op- tique holographique, un réseau de microlentilles convexes, ou un cris- tal liquide lui-même. Ces éléments ou autre éléments semblables sont agencés en matrice et utilisés en tant que convertisseur 5 de profil de faisceau. Les figures 3 et 4 illustrent une forme et un agencement typi- ques de points de marquage formés par le procédé de l'invention. La figure 3 et une vue stéréoscopique observée à l'AFM et la figure 4 est une coupe transversale observée à l'AFM. Selon ce mode de réalisation, la forme de chaque point formé à la surface de la plaquette de semi- conducteur W est un carré de 3,6 trm et l'intervalle entre point voisins est de 4,5 pm. Comme on peut le comprendre à partir des diagrammes, des points presque coniques formés chacun par une division de fais- ceau laser en correspondance avec chacun des pixels du masque à cris- taux liquides 4 sont formés à la surface de la plaquette de semiconduc- teur W. En outre, les marques à points de 11 x 10 sont rangées en or- dre et leur hauteur est presque identique puisque la distribution d'éner- gie du faisceau laser émis au masque à cristaux liquides 4 est homogé- néisée par l'homogénéisateur 3 de faisceau. La dimension du micropoint selon l'invention est comme dé- crit plus haut. A savoir, la longueur maximale le long de la surface de l'article W à marquer vaut de 1 à 15 ptm et la hauteur de la saillie va de 0,01 à 5 gm. Les valeurs sont obtenues par diverses expériences et sont à l'intérieur de la plage du minimum au maximum nécessaire pour assurer la limite de visibilité d'un capteur optique existant et le degré de liberté de la zone de marquage. Les figures 5A, 5B à 17A, 17B illustrent la forme de points particuliers à l'invention formés avec les paramètres du procédé de l'invention par le dispositif 1 de marquage laser adopté dans le mode de réalisation et la forme de points formés avec les autres paramètres par le dispositif 1. La spécification du dispositif 1 de marquage laser est comme suit. Laser: Nd:YAG Longueur d'onde laser: 532 nm Mode: TEMOO Sortie moyenne: 4 W à 1 kHz Largeur d'impulsion: 100 ns à 1 kHz Une expérience préliminaire comme décrit ci- dessous a été menée à bien concernant la longueur d'onde du faisceau laser pour réa- liser l'invention. Plusieurs expériences préliminaires ont été exécutées en établissant la longueur d'onde d'un faisceau laser aux trois valeurs suivantes: 355 nm, 532 nm, et 1064 nm, la densité d'énergie étant comprise entre 0,14 et 3,1 J/cm2, comme dans les modes de réalisation de l'invention et dans les exemples comparatifs qui seront décrits plus loin, la largeur d'impulsion étant choisie dans la plage allant de 10 à 700 nm et 20 ps. Bien que le taux d'absorption du silicium diffère en- tre le cas o la longueur d'onde du faisceau laser est de 532 nm et le cas o la longueur d'onde est de 1064 nm, une tendance sensiblement identique a été observée. La pénétration au silicium, cependant, dans le cas o l'on utilisait la longueur d'onde de 532 nm, a été plus petite. Le résultat obtenu s'améliorait au fur et à mesure que les points deve- naient petits. D'un autre côté, lorsque la longueur d'onde du faisceau laser est établie à 355 nm, la pénétration au silicium est trop faible et la transpiration se produit facilement à la surface du silicium. Dans le mode de réalisation, la longueur d'onde du faisceau laser est par conséquent sélectionnée à 532 nm. La longueur d'onde du faisceau la- ser n'est pas spécifiée de manière inconditionnelle dans l'invention. Comme faisceau laser utilisé dans le mode de réalisation, on peut citer un faisceau laser produit par un dispositif à oscillation laser YAG, une deuxième harmonique d'un dispositif à oscillation laser YVO4, un faisceau laser produit par un dispositif à oscillation laser au saphir de titane, et autres dispositifs semblables. Les figures 5A, 5B à 17A, 17B montrent la forme et la di- mension des points selon les modes de réalisation 1 à 7 et les exem- ples comparatifs 1 à 6 lorsque les paramètres de marquage cités plus haut sont utilisés et, de plus, on fait varier le diamètre d'un point for- mé à la surface de la plaquette de semiconducteur W, la densité d'éner- * gie du faisceau laser, et la largeur d'impulsion du faisceau laser. [Tableau 1] Diamètre Densité Forme du point ("m) d'énergie (J/cm2) du point Mode de réalisation 1 7,2 1,19 Saillie au centre [Mode de réalisation 2 7,2 1,42 idem Mode de réalisation 23 7,2 1,6742 idem IMode de réalisation 3] 7,2 [ 1,67 ie Exemple comparatif 1 7,2 0,96 Creux au centre Mode de réalisation 4 3,6 1,50 Saillie divisée Mode de réalisation 5 3,6 2,00 Saillie au centre Mode de réalisation 6 3, 6 2,50 idem Mode de réalisation 7 3,6 3,10 idem Exemple comparatif 2 30 0,29 Creux au centre Exemple comparatif 3 30 0,43 idem Exemple comparatif 4 20 0,14 idem Exemple comparatif 5 20 0,29 Creux annulaire Exemple comparatif 6 20 0,43 Forme de volcan Les figures 5A et 5B montrent la forme et les dimensions d'un point formé à la surface de la plaquette de semiconducteur W avec le paramètre de marquage du mode de réalisation 1. Dans les dia- grammes, bien qu'il y ait un creux annulaire autour du point de mar- quage, ce point comporte une saillie presque conique qui fait saillie relativement haut dans la partie centrale. Le contraste entre la saillie et la zone périphérique est grand et une visibilité suffisante est assu- rée. Les figures 6A, 6B, 7A et 7B illustrent la forme et les dimen- sions de points de marquage formés à la surface de la plaquette de se- miconducteur W avec les paramètres de marquage des modes de réali- sation 2 et 3, respectivement. Dans chacun des diagrammes, la zone périphérique du point de marquage est presque plate et le point com- porte une saillie presque conique qui fait saillie vers le haut relative- ment haut. Le contraste entre chacun des points et sa zone périphéri- que est grand et une visibilité suffisante est assurée. Dans l'exemple comparatif 1 montré sur les figures 8A et 8B, bien que la longueur du point soit la même que celle de chacun des modes de réalisation 1 à 3 (la longueur du côté du carré vaut 7,2 pm), la densité d'énergie est de 0,96 ( plus faible que dans les modes de réalisation, et la visibilité est faible. Les figures 9A et 9B illustrent la forme et les dimensions d'un point de marquage formé à la surface de la plaquette de semicon- ducteur W avec les paramètres de marquage du mode de réalisation 4. Selon le mode de réalisation 4, bien que la longueur du point (lon- gueur du c6té du carré) soit de 3,6 gm, c'et-à-dire la même que pour les modes de réalisation 5 à 7, la saillie en forme de montagne est di- visée verticalement en deux parties et un léger creux est formé dans la zone périphérique. Toutefois, la saillie dans son ensemble étant gran- de, le contraste entre le point et sa zone périphérique est élevé et la visibilité est élevée. Les figures 0lA et lOB et les figures 1 1A et 1 lB montrent la forme et les dimensions de points de marquage formés à la surface de la plaquette de semiconducteur W avec les paramètres de marquage des modes de réalisation 5 et 6, respectivement. Dans les diagrammes, bien qu'il y ait un creux annulaire dans la zone périphérique du point de marquage, d'une manière similaire au mode de réalisation 1, le point comporte une saillie de forme presque conique qui fait saillie re- lativement haut au centre. Le contraste entre le point et sa zone péri- phérique est grand et une visibilité suffisante est assurée. Les figures 12A et 12B montrent la forme et les dimensions d'un point de marquage formé à la surface de la plaquette de semicon- ducteur W avec les paramètres de marquage du mode de réalisation 7. Dans le diagramme, la périphérie du point de marquage est presque plate d'une manière similaire au mode de réalisation 3 et le point com- porte une saillie de forme presque conique qui fait saillie relativement haut. Bien que la longueur du point soit faible, ce point est celui qui présente la meilleure visibilité. Ce point, qui présente une visibilité excellente, donne une forme de point idéale de l'invention. Les exemples comparatifs 2 à 6 montrés dans les figures 13A, 13B à 17A, 17B ne peuvent pas être considérés comme des modes de réalisation de l'invention indépendamment des formes, comme montré dans le Tableau 1 également, puisque la longueur du point de marqua- ge (la longueur maximum le long de la surface de la plaquette de semi- conducteur W) dépasse la plage allant de 1 à 15 [tm qui est l'objet de l'invention. En particulier, chacun des exemples comparatifs 3 à 5 montrés dans les figures 13A, 13B à 16A, 16B comporte un grand creux dans sa partie centrale. Dans chacun des exemples comparatifs 2 et 3 montrés dans les figures 13A, 13B et 14A, 14B, des creux annu- laires peu profonds sont formés autour de la partie centrale et le contraste entre le point de marquage et la partie périphérique plate est faible. Bien que le point soit grand, la visibilité est faible. Dans l'exemple comparatif 6 montré dans les figures 17A et 17B, la périphérie est plate et le point comporte une saillie en forme de volcan comportant un creux en son centre. Le contraste étant élevé, une visibilité suffisante est assurée. La forme de l'exemple comparatif 6 est extrêmement efficace en tant que point de marquage ordinaire. La figure 18 est un graphe obtenu en traçant la densité d'énergie et la hauteur de la saillie de chacun des points de marquage des modes de réalisation et des exemples comparatifs. Le point dans la forme particulière à l'invention comporte une saillie. Comme on peut le comprendre à partir du graphe, dans chacun des modes de réalisa- tion dans lesquels un micropoint présente une longueur (la longueur du côté d'un point carré vaut 3,6 gm ou 7,2 gm) inférieure à la longueur maximum du micropoint objet de l'invention, la densité d'énergie doit être de 1 J/cm2 ou plus. On peut comprendre ce qui suit à l'aide des figures 13A, 13B à 18, des modes de réalisation 1 à 6, et des exemples comparatifs 1 à 7. 1) Plus le diamètre (longueur maximum) du point est petit, plus la saillie est facilement formée. Plus le diamètre du point est petit, plus la longueur de l'interface libre est courte. La viscosité de la solution de silicium étant constante quand la température est constante, on peut dire qu'un mode de vibration inférieur devient dominant. 2) Dans le cas de la formation d'une saillie ayant la même hauteur, plus le diamètre du point est petit, plus la densité d'énergie requise est élevée. Plus spécifiquement, ceci correspond à raccourcir la distance entre extrémités fixes tout en maintenant une amplitude de vibration de film à une valeur constante. Plus la distance entre extrémités fixes est courte, plus la force extérieure requise (distribution de température de l'irradiation à impulsions = tension de surface) est grande. 3) Un point de marquage d'une certaine taille est dans un mode de vi- bration d'ordre inférieur qui certainement comporte une saillie. Dans le Tableau 1 présenté plus haut, on voit que lorsque le diamètre du point de marquage vaut 3,6 gm, tous les modes de réalisation compor- tent une saillie, quelle que soit la forme du point. 4) Un point d'une certaine taille ou plus grand est toujours dans le mode de vibration d'une forme creuse. A savoir, un point d'inflexion entre le cas o la forme saillante est dominante et le cas o la forme creuse est dominante existe dans la plage de diamètres de point allant de 20 à 30 gm. La valeur est déterminée de façon inconditionnelle à partir de la viscosité de la solution de silicium, de la profondeur du bain de fusion et de la taille du bain de fusion (diamètre du point da marquage). D'après la conclusion qui précède, en établissant les divers paramètres de marquage spécifiés dans l'invention, la petite forme du point particulier à l'invention peut être réalisée avec certitude et avec précision. La figure 19 montre un agencement de points de marquage pour afficher des caractères obtenus par le marquage de points selon le procédé de l'invention. La figure 20 montre un agencement de points de marquage pour afficher des caractères obtenus par un marquage de points classique. Dans le cas du code 2D, la position relative des points est spécifiée à 20 % ou moins. Par exemple, dans le cas d'un point de marquage de À 5 gm, quand la précision de positionnement à une étape est de + 1 gm, une déviation en position de 20 % se produit au hasard. Dans le cas o l'on adopte le procédé de marquage classique, les caractères formés par points sont déformés comme montré en figu- re 20, concernant la précision de positionnement des points. En consé- quence, ils ne peuvent être lus comme code 2D. D'un autre côté, en ce qui concerne le point de marquage de l'invention montré en figure 19, la position relative de points voisins vaut en principe zéro lorsque l'aberration de la lentille n'est pas prise en compte. Généralement, étant donné que l'aberration d'une lentille augmente dans la zone péri- phérique extérieure de la lentille, quand on utilise la surface centrale (champ d'observation utile) de la lentille, on peut considérer qu'elle est presque nulle. Par conséquent, on peut former des points de façon régulière et avec précision comme montré en figure 19. Comme il apparaît de manière évidente dans la description ci- dessus, selon la forme de point de marquage et le procédé de marquage de point de l'invention, des micropoints de forme uniforme chacun de 3/20 à 1/100 comparé à la forme classique peuvent être formés avec précision dans les zones sur la base d'unité de point à la surface de la plaquette de semiconducteur. En outre, étant donné que le point de marquage a une forme particulière dont la partie centrale fait saillie, ce qui n'est pas obtenu de manière conventionnelle, la visibilité du point de marquage est excellente et la forme du point fonctionne suffi- samment aussi comme code 2D. La taille du point de marquage de l'invention étant grande- ment réduite comparée à la taille d'un point de marquage classique comme décrit plus haut, et la limite entre points de marquage voisins étant clairement visible, un certain nombre de points de marquage peu- vent être formés sur la même surface. Non seulement la surface de marquage est largement agrandie, mais en plus le degré de liberté concernant le choix de la zone de marquage est aussi accru. Plus particulièrement, les effets suivants sont obtenus 1) Une marque peut être réalisée à la surface d'une plaquette à un in- stant arbitraire. Par exemple, des données d'essai d'expédition d'une plaquette ou autre peuvent être marquées au moment de l'expédition de la pla- quette par un fabricant de silicium sans influence de l'application d'un fabricant de composants à qui la plaquette est destinée. De manière si- milaire, on peut réaliser non seulement des données d'essai au cours d'un procédé arbitraire mais aussi une marque d'identification de pla- quette du fabricant de composants peut être réalisée par celui-ci. En outre, lorsque l'expédition est effectuée sur une base d'unité de pla- quette, on peut marquer, dans la zone, des données d'essai de chaque puce, l'identification de plaquette, et l'identification de la puce. De plus, en formant une marque au niveau d'une encoche ou d'un coin d'une partie plate d'orientation, la crainte de ce que la marque soit trop petite pour être trouvée est éliminée. 2) On peut obtenir plus de puces à partir d'une plaquette. De manière classique, il est nécessaire de concevoir une puce en divisant de façon circulaire une plaquette afin d'assurer la zone de marquage même pour une encoche. Au contraire, selon le procédé de marquage par points de l'invention, puisque la zone dédiée au marqua- ge peut être omrnise, la surface utile pour les puces peut être agrandie. Ainsi, l'invention peut contribuer directement à l'amélioration du ren- dement de la plaquette. 3) La charge de conception est allégée. Etant donné qu'il n'est pas nécessaire de pourvoir à la zone de marquage au moment de la conception de la puce, le concepteur peut réaliser librement le dessin d'une puce. Il est avantageux pour l'invention que la formation d'un film général soit à peine réalisée dans la zone de 2 mm la plus à l'extérieur de la plaquette, plus spécialement, le côté extérieur de 1 mm et la zone sont dans un état de plaquette presque nue. Par conséquent, le marqua- ge peut être effectué de manière stable dans cette zone. REVENDICATIONS 1. Forme de micropoint de marquage formée par un faisceau laser, sur la surface d'un article à marquer en utilisant un laser comme source lumineuse, caractérisée en ce que: la forme de micropoint de marquage est constituée de points de marquage formés chacun sur chaque zone d'irradiation laser ponc- tuelle; le point comporte une saillie qui fait saillie vers le haut dans la partie centrale depuis la surface de l'article à marquer; et la longueur de chaque point de marquage sur la surface de l'article à marquer vaut de 1 à 15 gm et la hauteur de la saillie vaut de 0,01 à 5 gm. 2. Procédé pour former une marque constituée de points à la surface d'un article à marquer au moyen de faisceaux laser émis par un oscillateur (2) à laser à impulsions, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: homogénéiser la distribution d'énergie du faisceau laser émis par l'oscillateur (2) à laser à l'aide d'un homogénéisateur (3) de faisceau; former un motif souhaité en commandant un masque à cris- taux liquides (4) dans lequel la longueur maximum de chaque pixel est comprise entre 50 et 2000 ptm et irradier le masque à cristaux liquides (4) avec le faisceau laser homogénéisé par l'homogénéisateur (3) de faisceau; établir la densité d'énergie d'un faisceau laser divisé qui est passé à travers le masque à cristaux liquides (4) à une valeur allant de 1,0 à 3,7 J/cm2; et condenser le faisceau laser pour chaque point à l'aide d'une unité à lentilles (6), qui est passée à travers le masque à cristaux liqui- des (4), sur la surface de l'article à marquer de façon que la longueur maximum de chaque point soit établie à une valeur allant de 1 à 15 im. 3. Procédé de formation d'une marque à micropoints selon la revendication 2, caractérisé en ce que la densité d'énergie du faisceau laser divisé qui est passé à travers le masque à cristaux liquides (4) vaut de 1,5 à 3,5 J/cm2. 4. Procédé de formation d'une marque à micropoints selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'un moyen (5) de conversion de profil de faisceau qui prend la forme d'une matrice de points de la mê- me taille qu'une matrice de pixels du masque à cristaux liquides (4) et qui convertit une distribution de densité d'énergie du faisceau laser en une distribution requise est prévu en amont ou en aval du masque à cristaux liquides (4).