Brevet FR2792458A1 — publié le 20001020

La présente invention concerne un dispositif à semi-conducteur dans lequel des pellicules disposées en couches et des couches de câblage sur un substrat semi-conducteur sont liées ensemble via la technique de liaison du type dit état solide, ainsi qu'un procédé de fabrication associé. Plus particulièrement, elle concerne une amélioration visant à réduire les bruits de rayonnement. Dans le domaine des dispositifs à semi-conducteur, on connaissait jusqu'à aujourd'hui un écran contre le bruit électromagnétique, permettant d'éliminer le bruit, et dans lequel un matériau électriquement conducteur est appliqué au périmètre d'une couche de câblage placée sur un substrat semi- conducteur à la manière d'un encapsulage, comme décrit par exemple dans le brevet japonais mis à la disposition du public H-5-47767. On connaît aussi, comme révélé par le brevet japonais mis à la disposition du public H-5-47943, une structure disposée dans un dispositif à semi-conducteur hybride analogique-numérique, o une ligne de blindage est disposée entre une ligne de signal numérique haute fréquence et une ligne de signal analogique susceptible de présenter du bruit, en des points d'intersection, et une ligne de blindage est disposée comme couches supérieure et inférieure et sur les côtés latéraux des lignes de signal analogique. Dans la technique classique décrite ci-dessus, le câblage présent sur le substrat semi-conducteur est encapsulé via un isolant doté d'une matière électriquement conductrice afin d'empêcher les effets liés au bruit de rayonnement. Cette structure est efficace pour empêcher l'apparition du bruit de rayonnement sur ce même substrat semi-conducteur. Toutefois, s'il s'agit d'empêcher le bruit de rayonnement sur le substrat semi-conducteur à plusieurs couches, la structure ci-dessus décrite ne peut pas être utilisée directement. Plus spécialement, avec le substrat semi-conducteur à plusieurs couches, il faut un processus de formation de pellicules multicouche. Avec l'augmentation du nombre des couches de la pellicule multicouche, la surface de la pellicule multicouche devient de plus en plus irrégulière, de sorte que toute planéité régulière est perdue. Si le nombre de couches augmente encore, la surface de pellicule devient encore plus irrégulière, au point d'entraîner une rupture de la ligne pendant le traitement. Ceci indique que l'on rencontre des difficultés pour former la ligne de blindage comme décrit ci-dessus. Si la vitesse de fonctionnement devient plus grande dans les dispositifs à semi-conducteur au cours de temps à venir, il va devenir nécessaire de réduire la longueur du câblage (d'augmenter la densité) et d'utiliser des câblages plus proches de câblages rectilignes. Ainsi, puisque le niveau de rayonnement augmente avec la vitesse de fonctionnement, il est nécessaire de prendre des mesures contre le bruit de rayonnement, de réduire la longueur du câblage (afin d'augmenter la densité) et d'utiliser des câblages plus proches de câblages rectilignes. Ceci est en liaison intime avec une structure de dispositif du substrat semi-conducteur, de sorte qu'il est nécessaire de tenter d'augmenter la vitesse de fonctionnement du substrat semi-conducteur en tenant compte de la couche de mise à la masse électrique, de la couche de source d'alimentation électrique et de la couche de câblage entourant la structure de dispositif. C'est donc un but de l'invention de produire un dispositif à semi- conducteur nouveau, dans lequel il est possible de réduire la longueur du câblage, d'utiliser des câblages plus proches de câblages rectilignes et de prendre des mesures contre le bruit de rayonnement, ainsi qu'un procédé permettant de fabriquer ce dispositif à semi-conducteur nouveau. Selon un aspect, l'invention propose un dispositif à semi-conducteur dans lequel plusieurs substrats semi-conducteurs, portant chacun des éléments semi-conducteurs, sont liés ensemble, o une couche isolante est déposée sur chaque substrat semi-conducteur, un câblage de connexion étant formé qui traverse la couche isolante pour assurer la connexion avec une couche de câblage se trouvant sur l'élément semi- conducteur, et o une couche électriquement conductrice d'un matériau électriquement conducteur, présentant une ouverture formée par tracé de motif en concordance avec le câblage de connexion, est formée sur une surface de jonction d'au moins l'un des substrats semi-conducteurs. Les substrats semi-conducteurs sont liés ensemble de façon à interconnecter les câblages de connexion formés sur chaque substrat semi- conducteur. Selon un autre aspect, l'invention propose un procédé permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteur dans lequel plusieurs substrats semi- conducteurs, portant chacun des éléments semi-conducteurs, sont liés ensemble, le procédé comportant les opérations qui consistent à déposer une couche isolante sur un substrat semi-conducteur et former un câblage de connexion connecté à une couche de câblage des éléments semiconducteurs dans la couche isolante, former une couche électriquement conductrice d'un matériau électriquement conducteur, dotée d'une ouverture formée par tracé de motif en concordance avec le câblage de connexion, sur une surface de jonction d'au moins l'un des substrats semi-conducteurs, rendre lisse la surface de jonction de chaque substrat semi-conducteur et appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats semi-conducteurs placés l'un sur l'autre afin d'interconnecter les substrats semi-conducteurs et d'interconnecter les câblages de connexion formés dans chaque substrat semi-conducteur. Selon l'invention, on prévoit une électrode de câblage et une électrode de mise à la masse électrique sur chaque substrat semi-conducteur portant des éléments semi-conducteurs. On dépose une couche isolante et une couche de mise à la masse, sous forme d'une couche électriquement conductrice, dans cet ordre, sur la surface de chaque substrat semiconducteur. On perce une ouverture dans la couche isolante et dans la couche de mise à la masse, et on connecte électriquement l'une à l'autre une électrode de couche de mise à la masse et la couche de mise à la masse via un matériau électriquement conducteur chargé dans l'ouverture. On rend planes et lisses les surfaces des substrats semi-conducteurs, formés de plusieurs couches. On met les surfaces rendues planes des deux substrats semi-conducteurs face à face et on les aligne l'une par rapport à l'autre. On lie l'une à l'autre les substrats semi-conducteurs, ainsi alignés, en leur appliquant des charges (dans le sens mécanique de ce terme). Par cette technique, c'est-à-dire en formant une couche de mise à la masse électrique entre les deux substrats, il est fait en sorte que le bruit de rayonnement produit par des éléments respectifs se trouvant sur le substrat semi- conducteur sont absorbés par la couche de mise à la masse, tandis que le bruit de rayonnement produit par chaque élément se trouvant sur le substrat semi- conducteur du côté opposé est de même absorbé par la couche de mise à la masse, si bien qu'il est possible que la couche de mise à la masse élimine l'effet réciproque s'exerçant sur les éléments semi-conducteurs présents sur les substrats semi-conducteurs. Puisqu'une couche commune de mise à la masse est prévue entre les deux substrats, il est possible de réaliser une interconnexion de mise à la masse tridimensionnelle via l'ouverture de façon à réduire la longueur de câblage de mise à la masse électrique. Selon une autre possibilité, on prévoit une couche de mise à la masse électrique et une couche de source d'alimentation électrique, en commun pour deux substrats semi-conducteurs, entre les deux substrats semiconducteurs. Ainsi, on place l'électrode de câblage, l'électrode de mise à la masse et l'électrode de source d'alimentation électrique sur l'un des substrats semi- conducteurs portant les éléments semi-conducteurs, on forme séquentiellement une couche isolante, une couche de mise à la masse et une couche isolante sur la surface du substrat semi-conducteur, et on forme des ouvertures dans la couche isolante, la couche de mise à la masse et la couche isolante. Dans les ouvertures, on place un élément électriquement conducteur. On connecte électriquement la couche de mise à la masse à l'électrode de mise à la masse. On connecte l'élément électriquement conducteur qui est présent dans l'une des ouvertures à l'électrode de source d'alimentation électrique, tandis qu'on connecte à l'électrode de câblage l'élément électriquement conducteur présent dans l'ouverture restante. On isole, au moyen d'un isolant, la couche de câblage de mise à la masse, la couche de câblage de source d'alimentation électrique et le câblage du trou passant, après quoi on effectue un polissage de surface. Sur le substrat semi-conducteur du côté opposé, qui porte des éléments semi-conducteurs, on prévoit une électrode de câblage, une électrode de mise à la masse électrique et une électrode de source d'alimentation électrique, tandis qu'on forme séquentiellement une couche isolante et une couche de source d'alimentation électrique sur la surface du substrat. Des ouvertures sont formées dans la couche isolante et la couche de source d'alimentation électrique et un élément électriquement conducteur est placé dans les ouvertures. On connecte électriquement la couche de mise à la masse à l'électrode de mise à la masse. On connecte électriquement l'élément électriquement conducteur présent dans l'une des ouvertures au câblage de source d'alimentation électrique, tandis qu'on connecte à l'électrode de câblage l'élément électriquement conducteur présent dans l'ouverture restante. On isole électriquement la couche de câblage de mise à la masse, la couche de câblage de source d'alimentation électrique et le câblage présent dans le trou passant au moyen d'un isolant, après quoi on effectue un polissage de surface. On met les deux substrats face à face et on les aligne de façon que les couches de câblage, les couches de mise à la masse et le câblage de source d'alimentation électrique soient alignés les uns avec les autres, et on applique une charge (mécanique) depuis les deux côtés des substrats. Puisque la couche de mise à la masse électrique et la couche de source d'alimentation électrique fonctionnant respectivement comme moyen de mise à la masse et comme source d'alimentation électrique des éléments des deux substrats sont prévues entre les substrats, on peut effectivement réduire la longueur de câblage, tandis que le bruit de rayonnement produit à partir de l'un des substrats semi-conducteurs peut être absorbé par la couche de mise à la masse. L'invention propose donc un montage dans lequel la couche de mise à la masse et la couche de source d'alimentation électrique sont prises en sandwich entre les deux substrats lorsque les substrats sont liés ensemble. Ainsi, sont prévus des moyens permettant de réduire le câblage et d'empêcher l'interférence réciproque des bruits de rayonnement venant des deux substrats. Selon l'invention telle que décrite ci-dessus, puisqu'une couche électriquement conductrice (couche de mise à la masse) est prévue entre les premier et deuxième substrats, portant chacun des éléments semiconducteurs, les bruits de rayonnement venant des éléments semiconducteurs qui se trouvent sur le premier substrat peuvent être arrêtés sans affecter les éléments semi- conducteurs qui se trouvent sur le deuxième substrat. De plus, la transmission de signaux entre les premier et deuxième substrats peut être réalisée par un câblage de connexion (câblage de trou passant) prévu dans la couche de mise à la masse prise en sandwich entre les premier et deuxième substrats. Si une couche conductrice faisant fonction de couche de source d'alimentation électrique est prévue sur chacun des premier et deuxième substrats de façon à s'étendre parallèlement à une couche conductrice faisant fonction d'une couche de mise à la masse électrique, ces couches conductrices peuvent servir de sources d'alimentation électrique pour les premier et deuxième substrats via les trous passants, ce qui améliore l'efficacité. De plus, dans le procédé de fabrication selon l'invention, les premier et deuxième substrats issus de traitements séparés, qui portent les éléments semi-conducteurs, sont liés ensemble par la technique de liaison du type état solide. Ainsi, les substrats à plusieurs couches, constitués de substrats semi- conducteurs ayant des fonctions différentes, peuvent être produits facilement, ce qui assure une fabrication efficace. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est une vue simplifiée en section droite montrant un mode de réalisation d'un dispositif à semi-conducteur selon l'invention, et elle montre plus particulièrement l'état qui précède la connexion d'unification; la figure 2 est une vue simplifiée en section droite montrant l'état de connexion et d'unification du dispositif à semi- conducteur de la figure 1; la figure 3 est une vue simplifiée en section droite montrant un autre mode de réalisation d'un dispositif à semi- conducteur selon l'invention, et elle montre plus particulièrement l'état qui précède la connexion d'unification; la figure 4 est une vue simplifiée en section droite montrant l'état de connexion et d'unification du dispositif à semi-conducteur de la figure 3; la figure 5 est une vue simplifiée en section droite montrant un autre mode de réalisation d'un dispositif à semi-conducteur selon l'invention, et elle montre plus particulièrement l'état qui précède la connexion d'unification; la figure 6 est une vue simplifiée en section droite montrant l'état de connexion et d'unification du dispositif à semi- conducteur de la figure 5; la figure 7 est une vue simplifiée montrant une structure de connexion, à titre d'exemple, avec un circuit d'excitation externe; la figure 8 est une vue simplifiée montrant une autre structure de connexion, à titre d'exemple, avec un circuit d'excitation externe; les figures 9A à 9G sont des vues simplifiées en section droite illustrant un processus de fabrication, pas à pas, qui est présenté à titre d'exemple, au moyen de la liaison du type dit état solide; les figures O10A à 10I sont des vues simplifiées en section droite montrant un autre processus de fabrication, pas à pas, présenté à titre d'exemple, au moyen de la liaison du type dit état solide; la figure 11 est une vue simplifiée montrant un autre ordinateur à panneau plat à titre d'exemple d'application; et la figure 12 est une vue simplifiée montrant un processus d'interconnexion de dispositifs LSI d'espèces différentes au moyen du processus " puce-sur-puce ". On va maintenant expliquer de manière détaillée, en liaison avec les dessins, des modes de réalisation préférés de la structure d'un dispositif à semi- conducteur, ainsi qu'un procédé de fabrication associé, selon l'invention. Les figures 1 et 2 montrent les particularités du dispositif à semi- conducteur constituant une forme de réalisation de l'invention. Dans le présent mode de réalisation, deux substrats semi-conducteurs 1 et 2, portant chacun des éléments semi-conducteurs, sont connectés et unifiés entre eux. Sur les substrats 1 et 2, sont formées des couches de câblage 3 et 4, faisant respectivement fonction d'interconnexions d'éléments semiconducteurs. Sont prévus des câblages de connexion 5 et 6, appelés ici des câblages de trou passant, qui sont dotés d'ouvertures, appelées ici des trous passants. Les câblages de trou passant 5 et 6 peuvent aussi être ce que l'on appelle des prises, destinées à assurer la connexion électrique via des éléments électriquement conducteurs disposés dans des trous, à la place des câblages dits de trou passant. Sur les substrats 1 et 2, sont disposées des couches isolantes 7 et 8. Les câblages de trou passant 5 et 6 sont formés par chargement d'un matériau électriquement conducteur dans les trous passants 14 et 15 qui sont respective- ment formés dans ces couches isolantes 7 et 8. Sur les couches isolantes 7 et 8, sont déposées des couches de câblage de mise à la masse électrique 9 et 10, qui sont formées respectivement d'un matériau métallique électriquement conducteur. Les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 sont chacune formées sensiblement sous la forme d'un motif continu non interrompu, sauf que des trous passants 16 et 17, se connectant aux trous passants 14 et 15 formés dans les couches isolantes 7 et 8 respectives, y sont percées de manière à coïncider sensiblement avec les câblages de trous passants 5 et 6 respectifs. Dans le même temps, les trous passants 16 et 17 sont légèrement plus grands, en diamètre, que les trous passants 14 et 15 de façon qu'il soit formé un intervalle par rapport aux trous passants 7 et 8. Dans cet intervalle, sont incorporés des matériaux isolants 12 et 13 destinés à assurer l'isolation entre les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 et les câblages de trou passant 5 et 6. Ainsi, les trous passants 16 et 17 ont les dimensions qu'il faut pour qu'il ne soit pas provoqué un claquage diélectrique des matériaux isolants 12 et 13 incorporés dans l'intervalle défini entre les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 et les câblages de trou passant 5 et 6. Selon la configuration ci-dessus présentée, le trou passant 14 est d'abord percé dans le substrat par un processus photolithographique, un processus de formation des pellicules et un processus de décollement. Dans le trou passant 14, est formé le câblage de trou passant 5, au moyen du processus photolithographique et du processus de décollement, comme représenté sur la figure 1. La couche de câblage de mise à la masse 9 comportant le trou passant 16 est ensuite formée sur la couche isolante 16, et le câblage de trou passant 5 est également formé dans le trou passant 16. Le matériau isolant 12 est ensuite formé entre la couche de câblage de mise à la masse 9 et le câblage de trou passant 5, après quoi est effectué un polissage de surface. Sur le substrat 2, on forme de la même façon la couche isolante 8, la couche de câblage de mise à la masse 10, le trou passant 15, le matériau isolant 13 et le câblage de trou passant 6, après quoi on effectue le polissage en surface. Les substrats 1 et 2 sont placés de façon à concorder entre eux, si bien que les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 sont en face l'une de l'autre. Il est alors appliqué une charge (mécanique) depuis les deux côtés des substrats 1 et 2. Sous l'effet de cette charge imposée, les substrats 1 et 2 se connectent ensemble, les câblages de trou passant 5 et 6 et les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 se liant entre eux. Après la connexion, on vérifie la conduction électrique entre les câblages de trou passant 5 et 6 et la conduction électrique entre les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10. Dans le même temps, on connecte électriquement les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 à une électrode de mise à la masse, non représentée, du substrat 1 et à une électrode de mise à la masse, non représentée, du substrat 2, respectivement. Dans le présent mode de réalisation, on utilise des pellicules d'oxyde de silicium au titre des couches isolantes 7 et 8, tandis qu'on utilise du cuivre au titre des couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 et des câblages de trou passant 5 et 6. De plus, on utilise des pellicules d'oxyde de silicium au titre des matériaux isolants 12 et 13. Il est également possible d'utiliser une pellicule d'oxyde d'aluminium ou de nitrure de silicium pour les couches isolantes 7 et 8 et les matériaux isolants 12 et 13 et d'utiliser de l'or et de l'aluminium pour les couches de câblage de mise à la masse 9 et 10 et pour les câblages de trou passant 5 et 6. Les figures 3 et 4 montrent une configuration dans laquelle la couche de câblage de mise à la masse n'est formée que sur le substrat 1 des deux substrats appariés 1 et 2, portant chacun les éléments semi-conducteurs. Sur les substrats 1 et 2, sont formées les couches de câblage 3 et 4 faisant fonction d'interconnexions pour les dispositifs à semiconducteur. Les câblages de trou passant 5 et 6 formés dans les trous passants sont électriquement connectés à ces couches de câblage respectives 3 et 4, comme dans le mode de réalisation précédent. Sur les substrats 1 et 2, sont respectivement formées les couches isolantes 7 et 8. Les câblages de trous passants 5 et 6 sont formés par chargement du matériau électriquement conducteur dans les trous passants 14 et qui sont respectivement formés dans ces couches isolantes 7 et 8. Sur le seul substrat 1, est formée la couche de câblage de mise à la masse 9 faite par exemple en un matériau métallique électriquement conducteur, par dépôt sur la couche isolante 16. La couche de câblage de mise à la masse 9 est formée de manière sensiblement continue, sauf qu'une ouverture (trou passant) 16 se raccordant au trou passant 14 formé dans la couche isolante 16, y est percée de façon à être sensiblement en concordance avec le câblage de trou passant 5. Dans le même temps, le trou passant 16 est formé de façon à être légèrement plus grand que le trou passant 14. Un matériau isolant 12 est enterré dans l'intervalle qui est formé entre la périphérie externe du trou passant 16 et le câblage de trou passant 5 afin que soit assurée l'isolation entre la couche de câblage de mise à la masse 9 et le câblage de trou passant 5. Avec la configuration ci-dessus présentée, on forme d'abord le trou passant 14 dans le substrat 1 en utilisant un processus photolithographique, un processus de formation de pellicule et un processus de décollement. On forme ensuite un câblage de trou passant 5 dans le trou passant 14, en utilisant le processus photolithographique et le processus de décollement, comme représenté sur la figure 3. Sur la couche isolante 7, on forme ensuite une couche de câblage de mise à la masse 9, possédant le trou passant 16, o est également formé le câblage de trou passant 5. Entre la couche de câblage de mise à la masse 9 et le câblage de trou passant 5, on forme un matériau isolant, après quoi on effectue un polissage de surface. On forme de la même façon la couche isolante 8, le trou passant 15 et le câblage de trou passant 6, après quoi on effectue un polissage de surface. On place les surfaces I et 2, ainsi préparées, en alignement mutuel de façon que la couche de câblage de mise à la masse 9 et la couche isolante soient en face l'une de l'autre, puis on impose une charge des deux côtés des substrats 1 et 2. Sous l'effet de la charge imposée, les substrats 1 et 2 se connectent l'un à l'autre, les câblages de trou passant 5 et 6 se liant l'un à l'autre et les couches de câblage de mise à la masse 9 se liant de même l'une à l'autre. Après la connexion, on vérifie la conduction électrique entre les câblages de trou passant 5 et 6. Dans le même temps, on connecte électriquement la couche de câblage de mise à la masse 9 avec une électrode de mise à la masse, non représentée, du substrat 1. Dans le présent mode de réalisation, on utilise respectivement des pellicules d'oxyde de silicium, du cuivre, des pellicules d'oxyde de silicium et du cuivre pour les couches isolantes 7 et 8, la couche d'électrode de mise à la masse 9, les câblages de trou passant 5 et 6 et le matériau isolant 12. Il est également possible d'utiliser une pellicule d'oxyde d'aluminium et une pellicule de nitrure de silicium pour les couches isolantes 7 et 8 et pour le matériau isolant 12, et d'utiliser de l'or ou de l'aluminium pour la couche d'électrode de mise à la masse 9 et pour les câblages de trou passant 5 et 6. Les figures 5 et 6 représentent une configuration dans laquelle une couche de câblage de source d'alimentation électrique est formée sur le substrat 1 des substrats appariés 1 et 2 qui portent les éléments semi-conducteurs et dans laquelle une couche de câblage de mise à la masse est formée sur le substrat 2 du côté opposé. Sur les substrats 1 et 2, sont formées les couches de câblage 3 et 4, servant respectivement à l'interconnexion des dispositifs à semiconducteur. Les câblages de trou passant 5 et 6 qui sont formés respectivement dans les trous passants 14 et 15 sont électriquement connectés aux couches de câblage 3 et 4, respectivement, comme dans le précédent mode de réalisation. Sur les substrats 1 et 2, sont déposées des couches isolantes 7 et 8. Les câblages de trou passant 5 et 6 sont formés par chargement d'un matériau électriquement conducteur dans les trous passants 14 et 15 qui sont formés respectivement dans les couches isolantes 7 et 8. Sur le seul substrat 2, est formée la couche de câblage de mise à la masse 10, faite par exemple en un matériau métallique électriquement conducteur, par dépôt sur la couche isolante 8. La couche de câblage de mise à la masse 10 est formée de manière sensiblement continue, sauf qu'une ouverture (trou passant) 17 se raccordant au trou passant 15 formé dans la couche isolante 8 y est formée, sensiblement en concordance avec le câblage de trou passant 6. Dans le même temps, le trou passant 17 est formé de façon à être légèrement plus grand que le trou passant 15. Un matériau isolant 13 est enterré dans l'intervalle formé entre la périphérie externe du trou passant 17 et le 1l câblage de trou passant 6 afin que soit assurée l'isolation entre la couche de câblage de mise à la masse 10 et le câblage de trou passant 6. Comme pour le substrat 1 situé du côté opposé, la couche isolante est faite de plusieurs couches et une couche de câblage de source d'alimentation électrique 20 est disposée entre les couches isolantes 7 et 11. Dans la couche de câblage de source d'alimentation électrique 20 et la couche isolante 11, sont respectivement formés des trous passants 18 et 19. Un câblage de trou passant 5 passe dans ces trous passants 18 et 19. Un matériau isolant 12 est incorporé dans un intervalle de façon à assurer l'isolation électrique entre la couche de câblage de source d'alimentation électrique 20 et le câblage de trou passant 5. Dans la configuration ci-dessus présentée, on forme d'abord le trou passant 14 dans le substrat 1 en utilisant un processus photolithographique, un processus de formation de pellicule et un processus de décollement. On forme ensuite le câblage de trou passant 5 dans le trou passant 14, en utilisant le processus photolithographique et le processus de décollement, comme représenté sur la figure 5. Sur la couche isolante 7, on forme ensuite la couche de câblage de source d'alimentation électrique 20 comportant le trou passant 18 et la couche isolante 11, comportant le trou passant 19. Dans ces trous passants 18 et 19, on forme également le câblage de trou passant 5. Entre la couche de câblage de source d'alimentation électrique 20 et le câblage de trou passant 5, on forme un matériau isolant 12, après quoi on effectue un polissage de surface. De la même façon, on forme sur le substrat 2 la couche isolante 8, le trou passant 15, le câblage de trou passant 6 et la couche de câblage de mise à la masse 10, après quoi on effectue un polissage de surface. On place les substrats 1 et 2, ainsi préparés, en alignement mutuel de façon que la couche isolante 11 et la couche de câblage de mise à la masse 10 soient en face l'une de l'autre, et on applique une charge depuis les deux côtés des substrats 1 et 2. Sous l'effet de la charge appliquée, les substrats 1 et 2 se raccordent l'un à l'autre, les câblages de trou passant 5 et 6 se liant ensemble, et, de même, la couche isolante 11 et la couche de câblage de mise à la masse 10 se liant l'une à l'autre. Dans chacune des configurations ci-dessus décrites, on peut utiliser tout procédé approprié permettant de raccorder un circuit d'excitation externe, utilisé d'habitude dans un dispositif à semi-conducteur. Par exemple, cela suffit si, comme représenté sur la figure 7, montrant un dispositif à semi-conducteur constitué d'une puce semi- conductrice A et d'une puce semi-conductrice B liées l'une à l'autre, la taille externe de la puce semi-conductrice A est fixée de façon à être plus grande que celle de la puce semi-conductrice B, et un fil de connexion W est lié par soudage de fil à un plot de connexion P exposé sur la surface de jonction de la puce semi- conductrice A. f faut noter que la structure du dispositif à semiconducteur de la figure 7 est présentée sur l'une quelconque des figures 2, 4 et 6, et que les puces semi-conductrices A et B sont chacune constituées d'un substrat semi- conducteur, sur lequel sont formées des couches isolantes et des couches de câblage diverses, comme décrit ci-dessus. Selon une autre possibilité et comme représenté sur la figure 8, les puces semi-conductrices A et B peuvent être de tailles sensiblement égales et un fil de connexion W peut être lié à un plot de connexion P formé sur le côté dorsal de la puce semi-conductrice B. Dans ce cas, le plot P doit être électriquement connecté via un câblage de trou passant à une couche de câblage préfixée de la puce semi-conductrice B ou à une couche de câblage exposée à la surface de jonction de la puce semi- conductrice A. Le procédé de fabrication du dispositif à semi-conducteur ayant la structure ci-dessus décrite va être expliqué ci-après. Le procédé de fabrication exploite la liaison du type dit état solide. Le processus utilisé à cet effet peut être décrit par le procédé représenté sur les figures 9A à 9G et le procédé représenté sur les figures 10A à 10I. Les figures 9A à 9G représentent à titre d'exemple un procédé de fabrication par liaison directe du type état solide d'un substrat de dispositif hétérogène. Selon ce procédé de fabrication, on prépare un premier substrat semi-conducteur 21, par exemple un substrat du type SOI, c'est-à-dire un substrat sur isolant, ou un substrat du type hétéro- épi, comme représenté sur la figure 9A. On forme ce substrat semi-conducteur 21 en déposant une couche d'arrêt de gravure 21b et une couche de dispositif 21c sur une base de silicium 21a. On grave la couche de dispositif 21c jusqu'à une puce semi- conductrice, comme représenté sur la figure 9B. Ensuite, on lie un substrat semi-conducteur 22, par exemple un substrat de câblage portant un câblage facultatif, ou un substrat de dispositif hétérogène, par liaison du type dit état solide sur la couche de dispositif 21c, comme représenté sur la figure 9C. La liaison du type état solide exploite le phénomène selon lequel, si on approche l'une de l'autre les surfaces de deux plaquettes, la disposition stable s'écrase de façon à produire une attraction interatomique et, si une certaine distance est atteinte, l'attraction devient équivalente à celle existant dans la masse de sorte que ceci conduit finalement à une liaison. La liaison du type état solide a pour avantage qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser un adhésif ou un échauffement. La surface d'une matière solide réelle se stabilise du fait de l'oxydation dans le cas d'un métal ou de l'adsorption dans le cas d'un matériau organique. Ainsi, un simple contact est insuffisant pour produire la connexion. Toutefois, si on retire la couche superficielle stable par collision au moyen d'atomes inertes, par exemple des atomes d'argon, de façon à exposer une couche instable et active, il est possible de réaliser une liaison du type état solide de manière fiable se conformant au principe de la liaison. Par conséquent, dans la liaison du type état solide ci-dessus décrite, il est indispensable de rendre lisse la surface de jonction et d'activer la surface. La figure 9D montre l'état dans lequel le deuxième substrat semi- conducteur 22 est lié au premier substrat semi-conducteur 21. On décape par gravure la base de silicium 21a du premier substrat semi-conducteur 21, comme représenté sur la figure 9E. On enlève ensuite par gravure une couche 21b d'arrêt de gravure, comme représenté sur la figure 9F, afin d'achever la réalisation d'un circuit intégré tridimensionnel. Enfin, on découpe le circuit intégré tridimensionnel de façon à produire des puces semi-conductrices et ainsi obtenir un dispositif à semi- conducteur d'une taille préfixée. Les figures 10A à 10I représentent un procédé faisant appel à un substrat fictif. Ce procédé est identique à celui présenté sur les figures 9A à 9G jusqu'à la gravure de la couche de dispositif 21c (figure 10B). Selon ce procédé, on forme la couche de dispositif 21c par gravure et on place sur celle-ci un substrat fictif 31 et on le lie en position (figures O10C à 10D). On enlève par gravure la base de silicium 21a se trouvant sur le premier substrat semi-conducteur 21 (figure 10E). On enlève ensuite par gravure la couche 21 d'arrêt de gravure, comme représenté sur la figure 10F. De cette manière, il ne reste que la couche de dispositif 21C sur le substrat fictif. On lie ensuite l'ensemble résultant par une liaison du type état solide sur le deuxième substrat semi-conducteur 22, par exemple un substrat de câblage ou un substrat de dispositif hétérogène. Par cette opération, la couche de dispositif 21c est transcrite sur le deuxième substrat semi-conducteur 22. Enfin, on enlève par décollement le substrat fictif 31, comme représenté sur la figure 10H, puis on découpe la partie restante suivant les positions indiquées par une ligne en trait mixte, de façon à obtenir un circuit intégré tridimensionnel, comme on peut le voir sur la figure 10I. Ce qui précède est un procédé de fabrication grossier. On va expliquer ci-après un procédé, présenté à titre d'exemple, permettant de fabriquer un dispositif à semi-conducteur possédant les couches de câblage de mise à la masse électrique, et les autres couches. Exemple particulier 1 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à produire préalablement une électrode de câblage sur un premier substrat semi-conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le premier substrat et à percer des trous passants se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante et la couche de mise à la masse (3) une étape consistant à former un câblage de trou passant dans les trous passants pour assurer la connexion électrique avec l'électrode de câblage; (4) une étape consistant à former un isolant entre le câblage de trou passant ménagé dans le trou passant de la couche de mise à la masse et la couche de mise à la masse; (5) une étape consistant à rendre lisse l'une des surfaces principales du premier substrat; (6) une étape consistant à produire préalablement une électrode de câblage sur un deuxième substrat semi-conducteur; (7) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse sur le deuxième substrat semi- conducteur et à former des trous passants se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante et la couche de mise à la masse; (8) une étape consistant à former un câblage de trou passant dans le trou passant pour assurer la connexion électrique de l'électrode de câblage; (9) une étape consistant à former un isolant entre le câblage de trou passant présent à l'intérieur du trou passant ménagé dans la couche de mise à la masse et la couche de mise à la masse; (10) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat semi- conducteur; (Il) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats semi- conducteurs de façon que les câblages de trou passant et les couches de mise à la masse des premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face les uns des autres; (12) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats; et (13) une étape consistant à connecter électriquement et mécaniquement les câblages de trou passant et les couches de mise à la masse sous l'effet de la charge de compression. Exemple particulier 2 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à produire préalablement une électrode de câblage sur un premier substrat semi-conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le premier substrat et à percer des trous passants se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante et la couche de mise à la masse; (3) une étape consistant à former un câblage de trou passant dans les trous passants pour assurer la connexion électrique avec l'électrode de câblage; (4) une étape consistant à former un isolant entre le câblage de trou passant ménagé dans le trou passant de la couche de mise à la masse et la couche de mise à la masse (5) une étape consistant à rendre lisse la surface principale du substrat; (6) une étape consistant à produire préalablement une électrode de câblage sur un deuxième substrat semi-conducteur; (7) une étape consistant à déposer une couche isolante sur le deuxième substrat semi- conducteur et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de câblage dans la couche isolante; (8) une étape consistant à former un câblage de trou passant dans le trou passant afin d'assurer la connexion électrique avec l'électrode de câblage; (9) une étape consistant à rendre lisses les surfaces principales du deuxième substrat; (10) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats de façon que les câblages de trou passant se trouvant dans les premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient disposés en face les uns des autres et de façon que la couche de mise à la masse électrique du premier substrat soit en face de la couche isolante du deuxième substrat; (11) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des deux substrats; et (12) une étape consistant à connecter électriquement les câblages de trou passant ensemble et à connecter mécaniquement la couche isolante du premier substrat et la couche isolante du deuxième substrat l'une à l'autre, sous l'effet de la charge de compression. Exemple particulier 3 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi- conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de câblage sur un premier substrat semi- conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante, une couche de mise à la masse électrique et une autre couche isolante sur le premier substrat et à percer des trous passants se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante, la couche de mise à la masse électrique et l'autre couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de trou passant dans les trous passants pour assurer la connexion électrique avec l'électrode de câblage; (4) une étape consistant à former un isolant entre le cablage de trou passant ménagé dans les trous passants de la couche de mise à la masse et la couche de mise à la masse; (5) une étape consistant à rendre lisse la surface principale du substrat; (6) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de cablage sur un deuxième substrat semi-conducteur; (7) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de source d'alimentation électrique sur le deuxième substrat semi- conducteur et à former des trous passants se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante et la couche source d'alimentation électrique; (8) une étape consistant à former un câblage de trou passant pour assurer la connexion électrique avec l'électrode de câblage dans le trou passant; (9) une étape consistant à former un isolant entre le câblage de trou passant de la couche de source d'alimentation électrique et la couche de source d'alimentation électrique; (10) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat semi- conducteur; (11) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats semi- conducteurs en alignement l'un avec l'autre de façon que les câblages de trou passant ménagés dans les premier et deuxième substrats semi- conducteurs soient en face l'un de l'autre et de façon que les couches isolantes et les couches de source d'alimentation électrique des premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face les unes des autres; (12) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats; et (13) une étape consistant à connecter électriquement les câblages de trou passant et à connecter mécaniquement les couches isolantes et les couches de source d'alimentation électrique sous l'effet de la charge de compression. Exemple particulier 4 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de câblage et une électrode de mise à la masse sur un premier substrat; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le premier substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse électrique de trou passant se connectant électriquement à l'électrode de mise à la masse dans le trou passant; (4) une étape consistant à rendre lisse la surface du premier substrat; (5) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un deuxième substrat semi-conducteur; (6) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le deuxième substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (7) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse électrique de trou passant se connectant électriquement à l'électrode de mise à la masse dans le trou passant; (8) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat semi- conducteur; (9) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats semi- conducteurs en alignement l'un avec l'autre de façon que les couches de mise à la masse des premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face l'une de l'autre; (10) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats; et (11) une étape consistant à connecter électriquement et mécaniquement les couches de mise à la masse sous l'effet de la charge de compression. Exemple particulier 5 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un premier substrat semi-conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le premier substrat et à percer un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse de trou passant dans le trou passant afin d'assurer la connexion électrique avec l'électrode de mise à la masse électrique; (4) une étape consistant à rendre lisse la surface du premier substrat; (5) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un deuxième substrat semi-conducteur; (6) une étape consistant à former une couche isolante sur le deuxième substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (7) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse de trou passant se connectant électriquement à l'électrode de mise à la masse dans le trou passant; (8) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat semi- conducteur; (9) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats de façon que les couches de mise à la masse et les câblages de mise à la masse de trou passant des premier et deuxième substrats soient en face les uns des autres; (10) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats; et (11) une étape consistant à connecter électriquement la couche de mise à la masse et le câblage de mise à la masse de trou passant sous l'action de la charge de compression et à connecter mécaniquement la couche de mise à la masse du premier substrat et la couche isolante du deuxième substrat. Exemple particulier 6 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (I) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un premier substrat semi-conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche de mise à la masse électrique sur le premier substrat et à percer un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse de trou passant dans le trou passant afin d'assurer la connexion électrique avec l'électrode de mise à la masse électrique; (4) une étape consistant à rendre lisse la surface du premier substrat; (5) une étape consistant à déposer une autre couche isolante sur la couche de mise à la masse; (6) une étape consistant à rendre lisse la surface du premier substrat; (7) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de source d'alimentation électrique sur un deuxième substrat semi-conducteur; (8) une étape consistant à déposer une couche isolante sur le deuxième substrat et à former un trou passant se raccordant à une électrode de source d'alimentation électrique dans la couche isolante; (9) une étape consistant à former un câblage de source d'alimentation électrique de trou passant qui assure la connexion électrique avec l'électrode de source d'alimentation électrique dans le trou passant (10) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat; (11) une étape consistant à déposer une couche de source d'alimentation électrique servant à assurer la connexion électrique avec le câblage de source d'alimentation électrique de trou passant sur le deuxième substrat semi-conducteur; (12) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats semi- conducteurs en alignement l'un avec l'autre de façon que les couches isolantes et les couches de source d'alimentation électrique des premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face les unes des autres; (13) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats; et (14) une étape consistant à connecter électriquement la couche isolante et la couche de source d'alimentation électrique sous l'action de la charge de compression. Exemple particulier 7 du procédé de fabrication Dans le présent mode de réalisation, on connecte l'un à l'autre deux substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs au moyen des étapes de traitement suivantes: (1) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de câblage, une électrode de mise à la masse électrique et une électrode de source d'alimentation électrique sur un premier substrat semi-conducteur; (2) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante, une couche de mise à la masse électrique et une autre couche isolante sur le premier substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de source d'alimentation électrique dans la couche isolante, la couche de mise à la masse et l'autre couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de source d'alimentation électrique interne au trou passant afin d'assurer la connexion électrique avec l'électrode de source d'alimentation électrique dans le trou passant; (4) une étape consistant à former un isolant entre la paroi périphérique du trou passant présent dans la couche isolante, la couche de mise à la masse électrique et l'autre couche isolante et le cablage de source d'alimentation électrique interne au trou passant (5) une étape consistant à rendre lisse la surface du premier substrat; (6) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de source d'alimentation électrique sur un deuxième substrat; (7) une étape consistant à déposer séquentiellement une couche isolante et une couche d'alimentation électrique sur le deuxième substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de source d'alimentation électrique dans la couche isolante et dans la couche de source d'alimentation électrique; (8) une étape consistant à former un câblage de source d'alimentation électrique interne au trou passant se raccordant électriquement à l'électrode de source d'alimentation électrique dans ledit trou passant; (9) une étape consistant à rendre lisse la surface du deuxième substrat semi- conducteur; (10) une étape consistant à placer les premier et deuxième substrats semi- conducteurs en alignement l'un avec l'autre de façon que les câblages de source d'alimentation électrique internes au trou passant se trouvant sur les premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face les uns des autres et de façon que la couche isolante et la couche de source d'alimentation électrique se trouvant sur les premier et deuxième substrats semi-conducteurs soient en face l'une de l'autre; (11) une étape consistant à appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des deux substrats; et (12) une étape consistant à connecter électriquement les câblages de source d'alimentation électrique interne au trou passant et à connecter mécaniquement la couche isolante et la couche de source d'alimentation électrique sous l'action de la charge de compression. Exemple particulier 8 du procédé de fabrication Dans l'exemple particulier 1 du procédé de fabrication, les étapes de traitement suivantes sont exécutées en parallèle avec l'étape consistant à obtenir le câblage: (1) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un premier substrat semi- conducteur; (2) une étape consistant à déposer une couche isolante sur le premier substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (3) une étape consistant à former un câblage de mise à la masse électrique interne au trou passant se connectant électriquement à l'électrode de mise à la masse dans le trou passant; (4) une étape consistant à former une couche de mise à la masse électrique se connectant électriquement au câblage de mise à la masse électrique interne au trou passant se trouvant sur la couche isolante; (5) une étape consistant à rendre lisse la surface de l'un des substrats; (6) une étape consistant à obtenir préalablement une électrode de mise à la masse électrique sur un deuxième substrat semi-conducteur; (7) une étape consistant à déposer une couche isolante sur le deuxième substrat et à former un trou passant se raccordant à l'électrode de mise à la masse dans la couche isolante; (8) une étape consistant à former un cablage de mise à la masse électrique interne au trou passant se raccordant électriquement à une électrode de mise à la masse dans le trou passant du deuxième substrat; et (9) une étape consistant à former une couche de mise à la masse électrique se connectant électriquement au câblage de mise à la masse électrique interne au trou passant se trouvant sur la couche isolante. Alors que certains exemples particuliers du procédé de fabrication ont été donnés ci-dessus, il faut comprendre que ces exemples particuliers ne sont donnés qu'à simple titre illustratif et que diverses variantes peuvent leur être apportées qui restent dans le domaine défini de l'invention. On va maintenant expliquer un exemple d'application de l'invention. Avec le dispositif à semi-conducteur selon l'invention, il est possible de réaliser des circuits intégrés tridimensionnels à haut degré d'intégration qui peuvent être utilisés pour procurer les avantages suivants: a) la couche de câblage et la couche de dispositif sont disposées sous la forme de deux couches distinctes afin d'obtenir un rendement amélioré par séparation de la couche de câblage; b) puisque la couche de dispositif est réalisée au moyen de plusieurs couches liées ensemble, on réalise une séparation analogique-numérique et l'augmentation de vitesse qui en résulte; c) puisque deux couches de dispositif hétéro sont disposées, on peut réaliser une séparation analogique-numérique et obtenir la haute vitesse de fonctionnement qui en résulte; d) puisque des éléments de dispositif optique sont liés à un substrat de silicium, on peut monter un dispositif optique sur un substrat électronique; e) en liant le substrat semi-conducteur hétéro, on peut réaliser des substrats composés et, par conséquent, un substrat hétéro-épi. On peut grossièrement classer les configurations de dispositifs à semiconducteur par liaison du type état solide en fonction de la configurationde la connexion suivant un type qui exploite une liaison de puce de plaquette et un type qui exploite une liaison de plaquette à plaquette. Le premier cas peut être représenté d'exemples par un ordinateur à panneau plat, comme représenté par exemple sur la figure 11. * Dans cet ordinateur à panneau plat, les dispositifs LSI variables, qui étaient jusqu'ici chargés sur une carte de circuit imprimé, sont directement liés au substrat de verre, le panneau plat servant lui-même d'ordinateur portatif. Dans un mode de réalisation représenté sur la figure 11, une unité d'affichage 42, une unité centrale de traitement 43, une mémoire (RAM) 44, une mémoire (ROM) 45 et un dispositif LSI d'entrée/sortie 46 sont directement liés à un substrat de verre 41. La figure 12 montre un exemple de liaison de dispositifs LSI à processus hétéro de la façon puce-sur-puce. Plus spécialement, des puces LSI 52 du processus hétéro sont liées séparément sur une plaquette 51. Le présent mode de réalisation montre une technique de mise en ceuvre de dispositifs LSI par des dispositifs LSI du processus hétéro. Avec le présent exemple, aucun substrat d'interposition n'est nécessaire, de sorte qu'il est possible d'améliorer les performances du fait que l'on n'emploie pas de tampon sur le dispositif LSI. Ce dernier cas peut être illustré par un dispositif à plusieurs couches tridimensionnel au niveau de la plaquette, une couche de câblage assurant la liaison de dispositifs LSI, qu'on obtient en liant des parties de couches de câblage interconnectant les blocs fonctionnels au moyen de dispositifs LSI du système (SOC), une structure de liaison de parties boîtiers sur le dispositif LSI au niveau de la plaquette et un substrat de module à haute densité nouveau permettant de réduire l'intervalle réglementaire de traitement entre le substrat et le dispositif LSI. Dans l'un et l'autre cas, on peut réaliser des dispositifs LSI d'une grande fonctionnalité, ce qui rend possible la réalisation d'un circuit intégré tridimensionnel allant au-delà du seuil de la technique de la règle fine de type " planar ". Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des dispositifs et des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semi-conducteur dans lequel plusieurs substrats semiconducteurs (1, 2) portant chacun des éléments semi-conducteurs sont liés ensemble, caractérisé en ce qu'une couche isolante (7, 8) est déposée sur chaque substrat semi-conducteur (1, 2), un cablage de connexion (5, 6) étant formé qui traverse ladite couche isolante pour assurer la connexion avec une couche de câblage (3, 4) se trouvant sur lesdits éléments semi-conducteurs; et en ce qu'une couche électriquement conductrice (9, 10) faite d'un matériau électriquement conducteur, qui possède une ouverture formée par tracé de motif en concordance avec ledit câblage de connexion (5, 6), est formée sur une surface de jonction d'au moins l'un des substrats semi-conducteurs (1, 2); lesdits substrats semi-conducteurs (1, 2) étant liés ensemble de façon à interconnecter les câblages de connexion (5, 6) qui sont formés sur chaque substrat semi-conducteur. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits substrats semi-conducteurs (1, 2) sont liés ensemble par la technique de liaison dite état solide. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche électriquement conductrice (9, 10) est formée sur une surface de jonction de chacun des substrats semi-conducteurs appariés devant être liés ensemble, et en ce que ce sont les matériaux métalliques constituant ces couches électriquement conductrices qui sont liés ensemble. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche électriquement conductrice (9, 10) est formée sur une surface de jonction de l'un des substrats semi-conducteurs appariés devant être liés ensemble, et ce que ce sont la couche électriquement conductrice et la couche isolante du substrat semi-conducteur se trouvant du côté opposé qui sont liées ensemble. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'une couche électriquement conductrice (9, 10) est disposée entre deux couches isolantes. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche électriquement conductrice (9, 10) fait fonction d'une couche de mise à la masse électrique. 7. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche électriquement conductrice (9, 10) fait fonction d'une couche de source d'alimentation électrique. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche électriquement conductrice (9, 10) est électriquement connectée aux éléments semi-conducteurs. 9. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le diamètre interne de l'ouverture formée dans ladite couche électriquement conductrice (9, 10) est plus grand que le diamètre interne d'une ouverture formée dans ladite couche isolante (7, 8). 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les câblages de connexion (5, 6) connectés l'un à l'autre sur la surface de jonction sont isolés vis-à-vis de la couche électriquement conductrice par incorporation d'un matériau isolant (12, 13) dans une ouverture ménagée dans ladite couche électriquement conductrice (9, 10). 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à semi-conducteur dans lequel plusieurs substrats semi-conducteurs portant chacun des éléments semi-conducteurs sont liés ensemble, le procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: déposer une couche isolante sur un substrat semi-conducteur et former un cablage de connexion connecté à une couche de câblage des éléments semi-conducteurs dans ladite couche isolante; former une couche électriquement conductrice faite d'un matériau électriquement conducteur, qui possède une ouverture formée par tracé de motif en concordance avec ledit câblage de connexion, sur une surface de jonction d'au moins un des substrats semi-conducteurs; rendre lisse la surface de jonction de chaque substrat semi- conducteur; et appliquer une charge de compression depuis les deux côtés des substrats semi-conducteurs placés l'un sur l'autre afin d'interconnecter les substrats semi-conducteurs et d'interconnecter les câblages de connexion formés dans chaque substrat semi-conducteur.