Brevet FR2786492A1 — publié le 20000602

Domaine de l'invention La présente invention se rapporte à de nouveaux agents de réticulation ("agents réticulants") pour des compositions de photorésist négatives utilisables dans la région de l'ultraviolet lointain du spectre de la lumière, à un procédé pour préparer ceux-ci, et à une composition de photorésist négative utilisant ceux-ci. Plus spécifiquement, elle se rapporte à des agents de réticulation pour photorésists qui sont appropriés pour des procédés de photolithographie utilisant des sources de lumière KrF (248 nm) , ArF (193 nm) , un faisceau E, un faisceau d'ions et des UV E lors de la préparation d'un microcircuit d'un élément de semi-conducteur hautement intégré, et à des compositions de photorésist employant ceux-ci. Contexte de l'invention Récemment, des photorésists UVD (ultraviolet lointain) du type à amplification chimique se sont prouvés être utiles pour atteindre une sensibilité élevée dans les procédés pour préparer des microcircuits dans la fabrication de semi-conducteurs. Ces photorésists sont préparés par mélange d'un générateur de photo-acide avec des macromolécules de matrice polymérique ayant des structures à acide labile. Selon le mécanisme de réaction d'un tel photorésist, le générateur de photo-acide génère un acide lorsqu'il est irradié par des rayons ultraviolets provenant de la source de lumière, et la chaîne principale ou la chaîne ramifiée de la macromolécule de matrice polymérique est réticulée avec l'acide généré pour former une structure réticulée. Ainsi, la portion exposée à la lumière ne peut pas être dissoute par développement de la solution et reste inchangée, produisant ainsi une image négative d'un masque sur le substrat. Dans le procédé de lithographie, la résolution dépend de la longueur d'onde de la source lumineuse plus la longueur d'onde est courte, plus le motif qui peut être formé est petit. Cependant, lorsque la longueur d'onde de la source lumineuse est diminuée de façon à former un micromotif [par exemple, dans le cas de l'utilisation d'une lumière de 193 nm de longueur d'onde ou UVE (ultraviolet extrême)] cela est désavantageux en ce que la lentille du dispositif d'exposition est déformée par la source lumineuse, raccourcissant ainsi sa durée de vie. La mélamine, un agent de réticulation conventionnel, a seulement trois groupes fonctionnels pour une réticulation avec un acide. De plus, une grande quantité d'acide doit être générée lorsque la mélamine est utilisée en tant qu'agent de réticulation, parce que l'acide est consommé par la réaction de réticulation. Comme résultat, une exposition à une lumière d'énergie plus élevée est requise pour de tels agents de réticulation. De façon à surmonter les avantages décrits cidessus, les composants du type à amplification chimique qui réticulent avec une résine de photorésist et utilisent des quantités moindre d'énergie sont désirés. Cependant, de tels agents de réticulation du type à amplification chimique n'ont pas encore été développés. De plus, dans un motif d'intégrité élevé, la solution de développement peut être imbibée dans le site réticulé, pour gonfler le site réticulé. Ainsi, de façon à former un motif d'intégrité plus élevé, l'incorporation d'un nouvel agent de réticulation, qui effectue la réticulation de façon plus élaborée, est requis. La figure 1 montre un motif de photorésist qui a été formé en utilisant une composition de photorésist comprenant un agent de réticulation conventionnel (J. Photopolymer Science and Technology, Vol. 11, No. 3, 1998, 507-512) . Le motif est un motif de L/S de 0,225 m obtenu par un procédé de photolitographie employant une source de lumière ArF et un agent de réticulation monomérique. Comme on le voit à partir de la figure 1, un gonflement se produit dans un motif de photorésist conventionnel, de sorte qu'un motif de moins de 0,225 m de L/S est difficile à obtenir. RESUME DE L'INVENTION L'objet de l'invention est de fournir un agent de réticulation de photorésist, et un procédé pour préparer celui-ci. Un autre objet de la présente invention est de fournir une composition de photorésist comprenant l'agent de réticulation, et un procédé pour préparer la composition. Encore un autre objet de l'invention est de fournir un élément semi-conducteur fabriqué en utilisant la composition de photorésist. De façon à atteindre ces objets, la présente invention fournit un agent de réticulation qui comprend un composé représenté par la Formule Chimique 1 suivante: où, R1, R2 et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en CI-10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle ; R3 représente un hydrogène ou un méthyle ; m représente 0 ou 1 ; n représente un nombre de 1 à 5. L'invention concerne également un monomère d'agent. de réticulation de photorésist comprenant un composé représenté par la Formule Chimique 1 : où R1, R2 et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en Ci-10 linéaire ou ramifié une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle ; R3 représente un hydrogène ou un méthyle ; m représente 0 ou 1 ; n représente un nombre de 1 à 5. De préférence, le monomère de réticulation de l'agent de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par les formules chimiques la à 1d suivantes : L'invention concerne aussi un agent de réticulation de photorésist comprenant un homopolymère ou copolymère du composé représenté par la Formule Chimique 1. Selon une première caractéristique de l'agent de réticulation de photorésist de l'invention, le copolymère comprend de plus des unités récurrentes dérivées d'un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en un acide acrylique, un acide méthacrylique et un anhydride maléïque. @ Dans ce cas, le copolymère peut de plus comprendre des unités récurrentes dérivées du composé représenté par la Formule Chimique 2 suivante : où, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; g et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5 ; R5 et R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R7, R8, R9 et R10 représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle. Plus particulièrement, le composé de Formule Chimique 2 est l'acide 5-norbornène-2-carboxylique. Selon une variante de l'agent de réticulation de photorésist comprenant un monomère ou un copolymère du composé représenté par la Formule Chimique 1, l'agent de réticulation est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par chacune des Formules Chimiques 3, 4 et 5 suivantes : où, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; g et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5, m est un nombre valant 0 ou 1 ; n est un nombre de 1 à 5 ; R3 , R5 et R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R1, R2, R7, R8, R9, R10, et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en Ci-10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en Ci-10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en CI-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle et a, b et ç représentent individuellement le rapport de polymérisation de chaque comonomère, nommément a : b = 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la formule chimique 3 ; a : b = 10 à 90 % en mole : 10 à 90 % en mole dans la formule chimique 4 ; et a : b : c = 0 à 90 % en mole : 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la formule chimique 5. Dans ce cas, de préférence l'agent de réticulation de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par chacune des Formules Chimiques 6 à 13 suivantes : L'invention concerne également une composition de photorésist qui comprend (i) un agent de réticulation selon l'invention (ii) un polymère de photorésist, (iii) un générateur de photo-acide et (iv) un solvant organique. Selon une caractéristique la composition de l'invention, ledit polymère de photorésist comprend des groupes hydroxyles. Dans ce cas, le polymère de photorésist est de préférence sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par les Formules Chimiques 14 à 19 suivantes : Selon une variante de la composition de photorésist de l'invention, le générateur de photo-acide est un plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en le diphényl iodure hexafluorophosphate, le diphényl oidure hexafluoroarsenate, le diphényl iodure hexafluoroantimonate, le diphényl p-méthoxyphényl- triflate, le diphényl p-toluènyl triflate, le diphényl pisobutylphényl triflate, le diphényl p-tert-butylphényl triflate, le triphénylsulfonium hexafluorophosphate, le triphénylsulfonium hexafluoroarsenate, le triphénylsulfonium hexafluoroantimoante, le triphénylsulfonium triflate et le dibutylnaphthylsulfonium triflate. Selon une autre caractéristique de la composition de photorésist de l'invention, le solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en la cyclohexanone, le méthyl 3-méthoxypropionate, l'éthyl 3- éthoxypropionate et le propylène glycol méthyl éther acétate. L'invention propose encore un procédé pour former un motif de photorésist, qui comprend les étapes de (a) revêtement de la composition de l'invention sur une tranche, (b) exposition de la tranche à une lumière en employant un appareil d'exposition, et (c) développement de la tranche exposée. Selon une caractéristique de ce procédé, la source de lumière est sélectionnée dans le groupe consistant en ArF (193 nm) , KrF (248 nm) , un faisceau E, des rayons X, des UV E et des UV D (ultraviolet lointain). Selon une autre caractéristique de ce procédé, l'étape de développement est mise en oeuvre en utilisant une solution de développement alcaline. Dans ce cas, la solution de développement alcaline préférée est une solution de TNAH aqueuse à 2,38 % pds ou 2,5 % pds. Toujours un autre objet de l'invention est un élément semi-conducteur fabriqué par le procédé de l'invention. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 montre un motif de photorésist préparé en utilisant un agent de réticulation conventionnel. Les figures 2 à 5 montrent les motifs de photorésist préparés en utilisant un agent de réticulation selon la présente invention. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Les inventeurs ont effectué des études intensives pour atteindre les objets de l'invention décrits cidessus, et ont trouvé que le composé représenté par la Formule Chimique 1 suivante a les propriétés appropriées pour servir en tant que monomère de réticulation pour un polymère de photorésist négatif. où, R1, R2 et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en Ci-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant -au moins un groupe'hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en Ci-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle ; R3 représente un hydrogène ou un méthyle, m représente 0 ou 1 ; n représente un nombre de 1 à 5. Les polymères de l'agent de réticulation ayant des unités récurrentes dérivées des composés de Formule Chimique -1 réagissent avec une résine de photorésist ayant un (des) groupe(s) hydroxyle en présence d'un acide, pour induire une réaction de réticulation entre les polymères de photorésist. Le composé est un agent de réticulation du type à amplification chimique, et donc se combine de plus avec la résine de photorésist pour générer une acide (H+) pour induire une réticulation en chaîne continue. La portion exposée de la résine de photorésist peut être polymérisée à une densité élevée au cours de l'étape de post-cuisson dans le procédé de fabrication de semi-conducteur, donnant ainsi un excellent motif avec une faible énergie d'exposition. En addition, les groupes hydroxyle générés par ouverture du cycle pendant le procédé de réticulation participent de plus à la réaction de réticulation, de sorte qu'une réticulation plus efficace peut être effectuée, et que le photorésist peut être polymérisé à une densité plus élevée. Par conséquent, la différence de solubilité dans la solution de développement entre la portion exposée et la portion non exposée pendant le procédé de développement devient plus prononcée de sorte qu'un motif ayant un excellent profil peut être obtenu. L'agent de réticulation de photorésist selon la présente invention peut être un homopolymère du composé représenté par la Formule Chimique 1 ; il est plus préférable que l'agent de réticulation soit un copolymère de (i) le composé représenté par la Formule Chimique 1 et (ii) un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en un acrylate, un méthacrylate et un anhydride maléïque, en tant que second monomère. Le copolymère d'agent de réticulation peut de plus comprendre le composé de la Formule Chimique 2 suivante en tant que troisième monomère. où, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; g et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5 ; R5 et~R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R7, R8, R9 et R10 représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié, un acétal en Ci-10 linéaire ou ramifié, un alkyle en Ci-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle. Un composé préféré de Formule --Chimique 2 est l'acide 5-norbornène-2-carboxylique. Des exemples des agents de réticulation selon la présente invention sont représentés par les Formules Chimiques 3 à 5 suivantes : Dans les formules 3 à 5, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5 ; est un nombre valant 0 ou 1 ; est un nombre de 1 à 5 ; R3, R5 et R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R1, R2, R7, R8, R9, R10 et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en Ci-10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en Ci-10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et a, b et c représentent individuellement le rapport de polymérisation de chaque comonomère. De préférence a : b = 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 3 ; a : b = 10 à 90 % en mole : 10 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 4 ; et a : b : c = 0 à 90 % en mole : 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 5. Le mécanisme de réaction pour les agents de réticulation selon l'invention est décrit en référence au Schéma Réactionnel 1 montré ci-après. D'abord, un agent de réticulation selon la présente invention est mélangé avec une résine de photorésist, et le mélange est revêtu sur un substrat de semi-conducteur conventionnel (étape 1). Ensuite, lorsqu'une région prédéterminée du substrat est exposée à la lumière, la portion exposée génère un acide (étape 2). En raison de l'acide généré à partir de la portion exposée, l'agent de réticulation de la présente invention et le photorésist se combinent ensemble, et en tant que résultat d'une telle réticulation, de l'acide est de plus généré. Puisqu'un groupe hydroxyle réticulable est régénéré sur l'agent de réticulation, une réticulation en chaîne continue est mise en oeuvre (étape 3). Dans le schéma réactionnel 1 suivant, m de la Formule Chimique 1 vaut 0 : R3 a R4 b agent de réticulation o 0 'V1 Ri R2 on # OH OH - polymère de photorésist /AVVVA4vAAWAVAWAVA ayant un groupe hydroxyle ! génération d'acide lors d'une exposition Rs R4 'j'a '' ' b OH Ri R2 H+ acide OH OH OH OH Rs /\ ? f;\, / OH + ( H+ ) ' 0 4--j R2 1 W CH OR R'' CH -"I(H sert de catalyseur puisque de l'acide est à nouveau généré après réticulation (réticulation du type à amplification chimique) Après réticulation un (des) groupe(s) réticulable(s) est (sont) régénéré(s) Préparation des agents de réticulation La préparation des polymères de réticulation selon la présente invention est spécifiquement décrite aux exemples 1 à 10 ci-après. Préparation des compositions de photorésist et formation des motifs de photorésist Puisque les agents de réticulation de la présente invention sont des agents de réticulation du type à amplification chimique, les compositions de photorésist selon la présente invention comprennent (i) une résine de photorésist négative (ii) un agent de réticulation selon la présente invention et (iii) un générateur de photoacide, avec (iv) un solvant organique dans lequel ces substances sont mélangées. En tant que générateur de photo-acide, des composés du type onium ou sulfure sont de préférence utilisés. Par exemple, le générateur de photo-acide peut être un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en le diphényl iodure hexafluuorophosphate, le diphényl iodure hexafluoroarsenate, le diphényl iodure hexafluoroantimonate, le diphényl-p-méthoxyphényl triflate, le diphényl p-tolyényl triflate, le diphényl pisobutylphényl triflate, le diphényl p-tert-butylphényl triflate, le triphénylsulfonium hexafluorophosphate, le triphénylsulfonium hexafluoroarsenate, le triphenylsulfonium hexafluoroantimonate, le triphénylsulfonium triflate et le dibutylnaphthylsulfonium triflate. En tant que solvant organique, la cyclohexanone, le méthyl 3-méthoxypropionate, l'éthyl 3-éthoxypropionate et/ou le propylène glycol méthyl éther acétate peuvent être utilisés dans un solvant simple ou solvant mixte. Une composition de photorésist préparé selon la présente invention est revêtue par rotation sur une tranche de silicium pour former un film fin, et le film est "cuit doucement" dans une étuve ou sur une plaque chaude à 70 à 200 C, le plus préférablement à 100 à 170 C pendant 1 à 5 minutes. Ensuite, le film de photorésist est exposé à une lumière en utilisant un appareil d'exposition aux ultraviolets lointains ou un appareil d'exposition à laser excimer, et ensuite "post-cuit" à 10 à 200 C, plus préférablement à 100 à 200 C. En tant que source de lumière, ArF, KrF, un faisceau E, des rayons X, des UVE (ultraviolets extrêmes), des UVD (ultraviolets lointains) ou analogues peuvent être utilisés. L'énergie d'exposition est de préférence de 0,1 à 100 mJ/cm2. La tranche exposée est développée par imprégnation de la tranche dans une solution de développement alcaline telle qu'une solution de TMAH aqueuse à 2,38 % pds ou 2,5 % pds pendant un temps prédéterminé, de préférence pendant 1,5 minutes, pour obtenir un ultramicro motif. Les nouveaux agents de réticulation selon la présente invention, étant des agents de réticulation du type à amplification chimique, ont une excellente aptitude de réticulation à une énergie d'exposition plus faible. Une composition des photorésist comprenant un agent de réticulation selon la présente invention a une sensibilité élevée et une excellente aptitude à la polymérisation à des longueurs d'onde d'exposition extrêmement courtes, spécialement à la longueur d'onde d'ArF (193 nm), permettant ainsi d'obtenir un micro-motif ayant un excellent profil. DESCRIPTION DETAILLEE DU MODE DE REALISATION PREFERE L'invention est décrite plus en détail en se référant aux exemples ci-après, mais il doit être noté que la présente invention n'est pas restreinte à ces exemples. Exemple 1 De l'acroléine (30 g), de l'AIBN (0,6 g) et du tétrahydrofurane (75 g) ont été placés dans un flacon de 200 ml, et mis à réagir- à 65 C sous une atmosphère d'azote ou d'argon pendant 8 heures. Après que la polymérisation a été complète, la polyacroléine a été précipitée à partir d'éthyl éther (rendement : 60 %). La polyacroléine ainsi obtenue (20 g), de l'éthane- 1,2-diol (150 g), de l'acide toluène-p-sulfonique (lg) et du benzène (200 g) ont été placés dans un flacon à fond rond de 1000 ml, et la réaction a été effectuée sous reflux avec un séparateur d'eau Dean et Stark attaché au flacon, jusqu'à ce que de l'eau ne soit plus générée. Après que la réaction a été complète, le produit a été précipité à partir d'eau distillée, pour obtenir un composé pur représenté par la Formule. Chimique 6a suivante (rendement :-45 %) . En tant que catalyseur de réaction, un acide tel que de l'acide trifluorométhanesulfonique, de l'acide chlorhydrique ou du trifluorure de bore-éthérate peuvent être utilisés à la place de l'acide toluène-p-sulfonique. En tant que solvant de réaction, un solvant non carbonyl tel que le tétrahydrofurane peut être utilisé à la place du benzène. Exemple 2 La procédure selon l'Exemple 1 a été répétée mais en utilisant du propane-1,2-diol (20 g) à la place de l'éthane-1,2-diol, pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique.7a (rendement : 45 %). Exemple 3 Dans un flacon de 100 ml, du 2-vinyl-1,3-dioxolane (0,1 mole) de Formule Chimique la, de l'acide acrylique (0,06 mole), du tétrahydrofurane (20 g) et de l'AIBN (0,2 g) ont été placés, et le mélange a été mis à réagir à 65 C sous une atmosphère d'azote ou d'argon pendant 8 heures. Après que 1 a. ~ polymérisation a été~complète, les polymères ont été précipités à partir d'eau distillée ou d'éthyl éther, pour obtenir le composé de Formule Chimique 6 (rendement : 60 %). Exemple 4 La procédure selon l'Exemple 3 a été répétée mais en utilisant du 2-vinyl-1,3-dioxane (0,1 mole) de Formule Chimique lb à la place du 2-vinyl-1,3-dioxolane de Formule Chimique la, pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 7 (rendement : 55 %). Formule Chimique 7 Exemple 5 Dans un flacon de 250 ml, du 2-vinyl-1,3-dioxolane (0,3 mole) de Formule Chimique la, de l'anhydride maléique (0,1 mole), de l'AIBN (0,8 g) et du tétrahydrofurane (41 g) ont été placés, le mélange a été mis à réagir à 65 C sous une atmosphère d'azote ou d'argon pendant 8 heures. Après que la copolymérisation a été complète, les polymères ont été précipités à partir d'éthyl d'éther, et séchés in vacuo pour obtenir un composé pur de Formule Chimique 8 (rendement : 80 %). En tant qu'initiateur de polymérisation, un initiateur de polymérisation radical conventionnel tel que du lauryl peroxyde peut être utilisé à la place de l'AIBN (rendement : 40 %). Exemple 6 La procédure selon l'Exemple 5 a été répétée mais en utilisant du 2-vinyl-1,3-dioxane (0,3 mole) de Formule Chimique lb à la place du 2-vinyl-1,3-dioxolane de Formule Chimique la, pour obtenir le composé représenté par la Formule Chimique 9 (rendement : 42 %). Exemple 7 (Etape 1) 0,5 mole d'acide acrylique et 200 ml de THF ont été placés dans un flacon de 200 ml. 0,12 mole de pyridine a été ajouté, et ensuite 0,1 mole de 2-(2-bromoéthyl)-1,3dioxolane de Formule Chimique 20 a été ajouté. Le mélange a été mis à réagir pendant 1 à 2 jours. Après la fin de la réaction, les sels solides blancs et le solvant ont été rejetés et le résidu a été distillé sous pression réduite pour obtenir un monomère de Formule Chimique le. (Etape 2) 0,1 mole du monomère de réticulation de Formule le (le premier monomère), 0 à 0,1 mole d'anhydride maléïque (le second monomère), et 0 à 0,5 mole d'acide 5norbornène-2-carboxylique (le troisième monomère) ont été mélangés avec 20 g de tétrahydrofurane en présence de 0,2 g d'initiateur de polymérisation,=1'AIBN, dans un flacon de 200 ml. Le mélange a été mis à réagir à 65 C sous azote ou argon pendant 8 heures. Après la fin de la polymérisation, le polymère résultant a été préciité par un solvant éthyl éther ou de l'eau distillée pour obtenir le polymère de Formule Chimique 10. Exemple 8 (Etape 1) La procédure selon l'Exemple 7 (Etape 1) a été répétée mais en utilisant du 2-(2-bromoéthyl)-1,3-dioxane de Formule Chimique 21 à la place du 2-(2-bromoéthyl)- 1,3-dioxolane de Formule Chimique 20, pour obtenir un monomère représenté par la Formule Chimique ld. (Etape 2) La procédure selon l'Exemple 7 (Etape 2) a été répétée mais en utilisant le monomère de Formule Chimique 1d à la place du monomère de Formule Chimique le, pour obtenir le polymère de Formule Chimique 11. Exemple 9 0,1 mole de monomère de réticulation de formule le obtenu à l'Exemple 7 (Etape 1), 0,2 g d'AIBN, et 20 g de tétrahydrofurane ont été mélangés dans un flacon de 200 ml. Le mélange a été mis à réagir à 65 C sous azote ou argon pendant 8 heures. Après la fin de la polymérisation, le polymère résultant a été précipité par un solvant éthyl éther ou de l'eau distillée pour obtenir l'homopolmyère de réticulation de Formule Chimique 12 : Exemple 10 La procédure selon l'Exemple 9 a été répétée mais en utilisant le monomère de Formule Chimique 1d obtenu à ' l'Exemple 8 (Etape 1) à la place du monomère de Formule Chimique le, pour obtenir l'homopolymère de réticulation de Formule Chimique 13. Exemple 11 (i) La résine de photorésist représentée par la Formule Chimique 14 suivante, c'est-à-dire le poly(bicyclo[2.2.1]hept-5-ène/2-hydroxyéthylbicyclo- [2.2.1]hept-5-ène 2-carboxylate/anhydride maléique) (20g), (ii) l'agent de réticulation de Formule Chimique 6a obtenu à l'Exemple 1 ci-dessus (5 g) et (iii) du triphénylsulfonium triflate en tant que générateur de photo-acide (0,6 g) - ont été dissous dans du propylène glycol méthyl éther--acétate (200 g), pour préparer une composition de photorésist. La composition de photorésist ainsi préparée a été revêtue sur une tranche de silicium, et cuite doucement à 110 C pendant 90 secondes, exposée à une lumière en utilisant un appareil d'exposition ArF, post-cuite à 110 C pendant 90 secondes, et ensuite développée avec une solution de développement de TMAH à 2,38 % pds. Comme résultat, un ultramicro-motif négatif de 0,13 m de L/S a été obtenu comme illustré en figure 2. L'énergie utilisée pour l'exposition était de 18 mJ/cm2.La sensibilité de polymérisation de la composition de photorésist était vraiment excellente à une telle énergie d'exposition de faible intensité et le gonflement montré en figure 1 n'était pas observé. Ces résultats sont dus à la vraiment excellente aptitude à la polymérisation de la résine poly(3,3-diméthoxypropène), un agent de réticulation selon la présente invention, et de la réticulation intime résultant de celui-ci. Exemple 12 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 6b obtenu à l'Exemple 2, au lieu de l'agent de réticulation obtenu à l'Exemple 1, pour. former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de L/S de 0,13 m a été obtenu (Figure 3). Exemple 13 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 6 obtenu à l'Exemple 3, au lieu de réticulation obtenu à l'Exemple 1, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de L/S de 0,13 m a été obtenu. Exemple 14 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 7 obtenu à l'Exemple 4, à la place de l'agent de réticulation obtenu à l'Exemple 1, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,13 m de L/S a été obtenu. Exemple 15 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 8 obtenu à l'Exemple 5, à la place de l'agent de réticulation obtenu à l'Exemple 1, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,13 m de L/S a été obtenu (Figure 4). Exemple 16 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 9 obtenu à l'Exemple 6, au lieu de l'agent de réticulation obtenu à l'Exemple 1, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,13 m de L/S a été obtenu (Figure 5). Exemple 17 La procédure selon l'Exemple 11 a été répétée mais en utilisant l'agent de réticulation de Formule Chimique 10 obtenu à l'Exemple 7 et la résine de photorésist de Formule Chimique 15, au lieu de l'agent de réticulation obtenu à l'Exemple 1 et la résine de photorésist de Formule Chimique 14, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,13 m de L/S a été obtenu. Exemple 18 La procédure selon l'Exemple 17 a été répétée mais en utilisant la résine de photorésist de Formule Chimique 16, à la place de la résine de photorésist de Formule Chimique 15, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,20 m de L/S a été obtenu. Exemple 19 La procédure selon l'Exemple 17 a -été répétée mais en utilisant la résine de photorésist de Formule Chimique 17, à la place de la résine de photorésist de Formule Chimique 15, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,20 m de L/S a été obtenu. Exemple 20 La procédure selon l'Exemple 17 a été répétée mais en utilisant la résine de photorésist de Formule Chimique 18, à la place de la résine de photorésist de Formule 15, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,20 m de L/S a été obtenu. Exemple 21 La procédure selon l'Exemple 17 a été répétée mais en utilisant la résine de photorésist de Formule Chimique 19, à la place de la résine de photorésist de Formule Chimique 15, pour former un motif de photorésist. Un ultramicro-motif négatif de 0,20 m de L/S a été obtenu. REVENDICATIONS 1. Monomère d'agent de réticulation de photorésist comprenant un composé représenté par la formule chimique 1 : où R1, R2 et R représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou -ramifié incluant au moins un groupe "hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle ; R3 représente un hydrogène ou un méthyle ; m représente 0 ou 1 ; n représente un nombre de 1 à 5. 2. Monomère de réticulation de photorésist selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'il est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par les Formules Chimiques la à 1d suivantes : 3. Agent de réticulation de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend un homopolymère ou un copolymère du composé représenté par la Formule Chimique 1. 4. Agent de réticulation de photorésist selon la revendication 3, caractérisé en ce que le copolymère comprend de plus des unités récurrentes dérivées d'un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en un acide acrylique, un acide méthacrylique et un anhydride maléique. 5. Agent de réticulation de photorésist selon la revendication 4, caractérisé en ce que le copolymère comprend de plus des unités récurrentes dérivées du composé représenté par la Formule Chimique 2 suivante où, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; g et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5 ; R5 et R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R7, R8, R9 et R10 représentent individuellement un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en Ci-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant- --au moins un groupe- hydroxyle, un acide carboxylique en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle. 6. Agent de réticulation de photorésist selon la revendication 5, caractérisé en ce que le composé de formule chimique 2 est l'acide 5-norbornène-2carboxylique. 7. Agent de réticulation de photorésist selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'agent de réticulation est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par chacune des Formules Chimiques 3,4 et 5 suivantes : ' où, X et Y représentent individuellement 0, S ou C ; g et h représentent individuellement un nombre valant 1 ou 2 ; 1 est un nombre de 0 à 5, m est un nombre valant 0 ou 1 ; est un nombre de 1 à 5 ; R3 , R5 et R6 représentent individuellement un hydrogène ou un méthyle ; R1, R2, R7, R8, R9, R10, et R représentent individuellement un alkyle en CI-10 linéaire ou ramifié, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée, un acide carboxylique en Ci-10 linéaire ou ramifié, un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié, un alkyle en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, un ester en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, une cétone en C1-C10 linéaire ou ramifiée incluant au moins un groupe hydroxyle, un acide carboxylique en CI-10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle, et un acétal en C1-C10 linéaire ou ramifié incluant au moins un groupe hydroxyle et- a, b et c représentent individuellement le rapport de polymérisation de chaque comonomère nommément a : b = 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 3 ; a : b = 10 à 90 % en mole : 10 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 4 ; et a : b : c = 0 à 90 % en mole : 10 à 100 % en mole : 0 à 90 % en mole dans la Formule Chimique 5. 8. Agent de réticulation de photorésist selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par chacune des Formules Chimiques 6 à 13 suivantes : 9. Composition de photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend (i) un agent de réticulation selon la revendication 3, (ii) un polymère de photorésist, (iii) un générateur de photo-acide et (iv) un solvant organique. 10. Composition de photorésist selon la revendication 9, caractérisée en ce que le polymère de photorésist comprend des groupes hydroxyle. 11. Composition de photorésist selon la revendication 10, caractérisée en ce que le polymère de photorésist est sélectionné dans le groupe consistant en les composés représentés par les Formules Chimiques 14 à 19 suivantes : 12. Composition de photorésist selon la revendication 9, caractérisé en ce que le générateur de photo-acide est un ou plus composés sélectionnés dans le groupe consistant en le diphényl iodure hexafluorophosphate, le diphényl iodure hexafluoroarsenate, le diphényl iodure hexafluoroantimonate, le diphényl p-méthoxyphényl triflate, le diphényl p-toluènyl triflate, le diphényl p-isobutylphényl trifalte, le diphényl p-tert-butylphényl triflate, le triphénylsulfonium hexafluorophosphate, le triphénylsulfonium hexafluoroantimonate, le triphényl-sulfonium hexafluoroarsenate, le triphénylsulfonium triflate et le dibutylnaphthylsulfonium triflate. 13. Composition de photorésist selon la revendication 9, caractérisée en ce que le solvant organique est sélectionné dans le groupe consistant en la cyclohexanone, le méthyl 3-méthoxypropionate, l'éthyl 3- éthoxypropionate et le propylène glycol méthyl éther acétate. 14. Procédé de formation d'un motif de photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de (a) revêtement de la composition selon la revendication 9 sur une tranche, (b) exposition de la tranche à une lumière en employant un appareil d'exposition, et (c) développement de la tranche exposée. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la source de lumière est sélectionnée dans le groupe consistant en ArF (193 nm), KrF (248 nm), un faisceau E, des rayons X, des UV E et des UV D (ultraviolet lointain). 16. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'étape de développement est mise en oeuvre en utilisant une solution de développement alcaline. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la solution de développement alcaline est une solution de TMAH aqueuse à 2,38% pds ou 2,5 % pds. 18. Elément semi-conducteur fabriqué par le procédé selon la revendication 14.