Brevet FR2792455A1 — publié le 20001020

i PROCEDE ET INSTALLATION DE CORRECTION D'UN CIRCUIT INTEGRE PAR UN FAISCEAU D'IONS CONTROLE PAR LE PROFIL DES VARIATIONS DU TAUX DE PARTICULES SECONDAIRES DETECTEES L'invention concerne un procédé et une installation de correction d'un circuit intégré permettant notamment d'en corriger les défauts (débogage), en effectuant au moins un dépôt ou au moins une gravure d'une couche de matériau conducteur du circuit intégré, à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé (FIB). Les systèmes dits à FIB ("focused ion beams) permettent de réaliser des gravures et/ou des dépôts sans masque à l'aide d'un faisceau d'ions positifs de haute énergie (plus de 20 keV) focalisé sur une zone localisée d'un circuit intégré o une correction doit être effectuée. On peut ainsi, par exemple, pratiquer une ouverture dans la couche isolante de passivation, puis graver (sectionner) des pistes conductrices ou déposer des ponts d'interconnexion entre pistes conductrices. Les systèmes FIB permettent une observation microscopique visuelle qualitative de la dernière couche de surface par détection des ions ou des électrons secondaires, mais qui n'est pas de qualité suffisante pour contrôler précisément la réalisation ou l'évolution d'une opération de dépôt ou de gravure. En outre, l'observation microscopique fait courir le risque d'une détérioration du circuit (cf. par exemple "Electrical Biaising and Voltage Contract Imaging in a Focused Ion Beam System", A.N. Campbell et al, ISTFA'95, 21 st International Symposium For Testing and Failure Analysis, 6-10 November, 1995, Santa Clara, California, pp 33-41). L'observation microscopique visuelle qualitative est en outre quasi-impossible dans le cas des circuits dits "planar" dont la dernière couche plane de matériau diélectrique masque les effets topographiques, interdisant la formation d'une image microscopique conventionnelle en contraste topographique. Par ailleurs, les systèmes à faisceau d'électrons du type dits IDS ("Integrated Diagnostic System"), permettent l'analyse d'un circuit intégré sous test, alors que des vecteurs de signaux électriques lui sont appliqués, mais ne permettent pas de modifier in situ les caractéristiques du circuit intégré. Pour modifier le circuit, il est nécessaire d'utiliser un système FIB après analyse par le système IDS. En outre, ces systèmes IDS trouvent leurs limites lorsque les défauts portent sur des couches profondément enterrées et/ou parcourues avec des faibles tensions qui peuvent être inférieures à 1V. Or, compte tenu notamment du taux d'intégration toujours croissant des circuits intégrés modernes et de la nécessité qu'il y a de pouvoir tester et corriger les circuits intégrés aussi rapidement que possible, le problème se pose de pouvoir réaliser des opérations de correction à l'aide d'un système FIB de façon précise, contrôlée, fiable et rapide, notamment sans avoir à transférer le circuit sur un système IDS pour contrôler la qualité de la correction effectuée. En effet, ces transferts successifs du système FIB au système IDS et réciproquement sont longs et coûteux. Le problème se pose aussi de pouvoir déterminer précisément le moment o l'opération de dépôt ou de gravure réalisée sous FIB est terminée et doit être stoppée, afin d'éviter une gravure ou un dépôt ultérieur pouvant être néfaste. Le problème se pose aussi de pouvoir effectuer ces opérations de la façon la plus automatisée possible, et sur tous les types de circuits, y compris les circuits passives ou non, ou les circuits dits "planar" pour lesquels la visibilité en observation microscopique et la qualité de mesure en IDS sont extrêmement réduites. US-5 140 164 décrit un procédé pour réaliser la gravure d'un matériau diélectrique jusqu'à une piste métallique à l'aide d'un système FIB, dans lequel on soumet la piste métallique à un signal alternatif basse fréquence, et on contrôle la gravure du matériau diélectrique en visualisant le couplage capacitif du signal de contraste de potentiel issu de la détection des électrons secondaires en mode image. Pour ce faire, ce document utilise une colonne délivrant un faisceau d'ions focalisé FIB à la place de la colonne délivrant le faisceau d'électrons d'un IDS 5000 (SCHLUMBERGER TECHNOLOGIES). Ce document prétend que le fait de stimuler électriquement le circuit par un signal AC alors que celui-ci est soumis à un faisceau d'ions permet la visualisation des couches profondes conductrices. Néanmoins, cela est faux en pratique sur les circuits fortement intégrés, et l'on constate que l'on distingue à peine plus profondément que la couche de métal supérieure, la capacité formée par la couche de passivation filtrant en fait le signal considérablement, notamment dans le cas d'un circuit dit "planar". Ce document explique également que les conducteurs enterrés et les conducteurs découverts peuvent être distingués grâce à l'image en contraste de potentiel lorsque les conducteurs sont stimulés par des signaux, ce qui permet de déterminer précisément le point final de la gravure du matériau diélectrique, lorsque l'on découvre un conducteur enterré, par le fait que l'on constate une disparition du couplage capacitif En effet, tant que couplage capacitif n'a pas disparu, on observe un "flash" sur l'image, c'est-à-dire une baisse rapide d'intensité après chaque changement d'état. Ce document préconise aussi de vérifier, étape par étape, le succès d'une opération de dépôt de métal en observant la nature du signal de contraste de potentiel détecté en mode SIM (par exemple en observant l'image obtenue avec ce signal), alors qu'une séquence de test est déroulée en cycle à basse fréquence (par exemple 1Hz). Si le signal détecté est un signal DC (signal carré sans couplage capacitif), le contact est bon, alors que le signal détecté est un signal AC (avec un couplage capacitif), la connexion n'est pas bonne. Néanmoins, l'utilisation du couplage capacitif pour la détection de la piste dénudée ou pour le dépôt d'une piste conductrice pose de nombreux problèmes pratiques. Tout d'abord, la valeur de la capacité visualisée dépend de l'épaisseur de l'oxyde isolant recouvrant la piste, de sorte que le phénomène du couplage capacitif diminue rapidement avec la profondeur et disparaît au-delà de la deuxième couche de métal enterré. De même, la capacité formée par l'isolant n'étant pas directionnelle, les autres pistes métalliques au voisinage du puits gravé influencent considérablement le couplage capacitif, pouvant entraîner des erreurs de détection. Egalement, le couplage capacitif ne peut pas être utilisé pour les pistes DC, ni pour les pistes non connectées, telles que les pistes d'alimentation ou de masse qui sont souvent sujettes à des erreurs devant être corrigées sous FIB. Par ailleurs, ce document prévoit que le signal de stimulation AC peut être une séquence de test déroulée en cycles à basse fréquence, par exemple 1Hz, pour permettre l'observation du couplage capacitif. Or, une séquence de test pour un circuit intégré moderne peut comprendre plus de 100 000 vecteurs, nécessitant alors une durée de plus de 24 h pour tous les vecteurs. Et, dès lors qu'il n'est pas possible de prédire quel vecteur de test excitera la piste que l'on cherche à atteindre, l'obtention de l'image permettant le contrôle du couplage capacitif peut requérir une durée importante prohibitrice. En particulier, si le signal de la piste observé ne change qu'une fois lors de la séquence, le contrôle par couplage capacitif ne sera pas assez précis. Dans le cas d'une opération de dépôt métallique pour établir i0 une jonction entre deux pistes du circuit, l'observation du couplage capacitif décrite dans ce document fournit uniquement une appréciation qualitative du bon contact entre le dépôt effectué et une piste du circuit, mais ne permet pas de vérifier que la piste connectée est bien celle qui devait l'être, ni que la connexion électrique réalisée entre les deux pistes est bien celle qui devrait être faite. Enfin, la technique de couplage capacitif décrite dans ce document ne permet pas de suivre une opération de coupure d'une piste conductrice réalisée avec un système FIB, qui est l'opération pour laquelle le plus de problèmes se posent en pratique. L'invention vise donc à pallier ces inconvénients en proposant un procédé permettant de contrôler précisément une opération de gravure ou de dépôt d'une couche de matériau conducteur d'un circuit intégré réalisée à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé, et ce sans avoir à analyser le circuit intégré avec un autre système tel qu'un système IDS à faisceau d'électrons. L'invention vise en particulier à permettre de réaliser, et d'interrompre précisément l'opération de gravure ou de dépôt, en assurant que le circuit est correctement corrigé sans gravure ou dépôt inutile. L'invention vise à ce titre à permettre de réaliser ces opérations dans le temps minimum nécessaire sans erreur possible. L'invention vise aussi à permettre d'éviter les erreurs de positionnement, de gravure ou de dépôt lors de la correction d'un circuit à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé. L'invention vise également à permettre un contrôle automatisé des opérations de gravure ou de dépôt de matériau conducteur sous FIB. L'invention vise aussi à proposer un procédé simple à mettre en oeuvre et prenant en compte les diverses situations pouvant être rencontrées lors de la correction d'un circuit intégré sous FIB. L'invention vise de surcroît à proposer une installation permettant la mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention. Pour ce faire, I'invention concerne un procédé de dépôt ou 0o de gravure d'une zone, dite zone corrigée, d'une couche de matériau conducteur d'un circuit intégré à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé appliqué sur une portion de surface du circuit intégré dans lequel: - on choisit une première zone de mesure d'une piste de matériau conducteur, dite piste de mesure, du circuit intégré, dans laquelle le profil des variations dans le temps du signal électrique parcourant cette piste de mesure, alors qu'au moins une borne d'entrée du circuit intégré reçoit des signaux électriques prédéterminés, doit changer au cours de l'opération de dépôt ou de gravure, depuis un profil de signal électrique erroné, à un profil de signal électrique corrigé, - on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques adaptés pour pouvoir générer lesdits profils de signal électrique erroné et corrigé dans la piste de mesure au niveau de ladite première zone de mesure, - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la première zone de mesure, - on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit premier profil de mesure, représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la première zone de mesure, sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence des signaux électriques, - on compare la forme du premier profil de mesure à celle d'un profil, dit profil de référence, prédéterminé correspondant au profil de signal électrique corrigé attendu, de façon à contrôler la réalisation ou l'évolution d'une opération de dépôt ou de gravure de la zone corrigée. Avantageusement et selon l'invention, pour élaborer un profil de mesure, on balaye la zone de mesure avec le faisceau d'ions focalisé selon une fenêtre de balayage correspondant à la zone de mesure, on échantillonne la détection de taux de particules secondaires selon une fréquence d'échantillonnage fe prédéterminée, on réalise ainsi une pluralité de mesures successives, et pour chaque mesure, on acquiert à partir du taux de particules secondaires détecté, et on mémorise, une valeur numérique, dite valeur mesurée, o0 représentative du potentiel électrique de la piste de mesure à l'instant de la mesure. Avantageusement et selon l'invention, on choisit la fréquence d'échantillonnage fe supérieure à 1 MHz -notamment de l'ordre de 1 0MHz-. Avantageusement et selon l'invention, on utilise une installation comprenant des moyens pour réaliser une image selon une fenêtre de balayage du faisceau d'ions focalisé, avec une fréquence de balayage fb prédéterminée, et on choisit la fréquence d'échantillonnage fe supérieure ou égale à la fréquence de balayage fb. Avantageusement, le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux logiques cadencés selon une fréquence d'horloge fs, et en ce qu'on choisit la fréquence d'échantillonnage fe et la fréquence fs des signaux électriques de telle sorte que fe > 2 fs. Avantageusement et selon l'invention, on choisit fe et fs pour que fe soit de l'ordre de 10 fs. Avantageusement et selon l'invention, pour élaborer un profil de mesure, on balaye le faisceau d'ions focalisé selon une direction de balayage au moins sensiblement perpendiculaire à la direction de propagation des signaux électriques dans la piste de mesure, et avec une fenêtre de balayage de largeur inférieure à celle de la piste de mesure. Cela est vrai aussi bien pour élaborer le premier profil de mesure que tout autre profil de mesure, notamment un deuxième profil de mesure servant de profil de référence. Avantageusement et selon l'invention, pour élaborer un profil de mesure, on élimine par filtrage passe-bas la variation au cours du temps de la valeur moyenne des valeurs mesurées due à la charge locale du faisceau au cours de la période de mesure, et on mémorise le profil de mesure ainsi obtenu. Avantageusement et selon l'invention, on convertit le profil obtenu par les valeurs de mesure du taux de particules secondaire en un profil de mesure logique de façon à pouvoir comparer le premier profil de mesure et le profil de référence par comparaison logique. Par ailleurs, avantageusement et selon l'invention, on réalise une opération de dépôt ou de gravure en configurant le faisceau d'ions focalisé selon une première configuration, et on contrôle périodiquement la o0 réalisation ou l'évolution de l'opération en: - interrompant l'opération, - puis en configurant le faisceau d'ions focalisé selon une deuxième configuration, distincte de la première configuration, et adaptée à la détection du taux de particules secondaires et à l'acquisition d'un profil de mesure, et on détecte le taux de particules secondaires et on élabore au moins un profil de mesure avec la deuxième configuration. Dans la deuxième configuration, le faisceau d'ions focalisé présente une énergie (déterminée par la tension d'accélération) plus faible que celle du faisceau d'ions focalisé dans la première configuration, et ce, quelle que soit la valeur choisie pour le courant du faisceau. Avantageusement et selon l'invention, la deuxième configuration est adaptée pour former un faisceau d'ions focalisé cohérent d'énergie minimum -notamment de l'ordre de 3 keV-. A titre de profil de référence, on peut utiliser soit un deuxième profil de mesure, soit un profil prédéterminé théoriquement et/ou à partir des données de simulation, selon la nature de l'opération à effectuer et les possibilités offertes par la topographie du circuit intégré. En outre, avantageusement et selon l'invention, lors d'une étape préliminaire dans laquelle on met à nu au moins une zone, dite zone à découvrir, d'au moins une piste de matériau conducteur, par gravure d'une zone, dite zone de gravure, de matériau diélectrique, - on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques prédéterminés pour pouvoir générer un profil de signal électrique prédéterminé, dit profil de signal électrique attendu, dans la zone à découvrir, s - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la zone de gravure, - on élabore et on mémorise un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la zone de gravure sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence des signaux électriques, - on compare la forme du profil de mesure, dit profil attendu, prédéterminé correspondant au profil de signal électrique attendu, - on poursuit la gravure tant que le profil de mesure n'est pas semblable au profil attendu, et on interrompt la gravure lorsque le profil de mesure est semblable au profil attendu. Si le profil de mesure obtenu n'est pas le profil attendu, on sait de plus qu'une erreur est intervenue, soit lors de la localisation du faisceau, soit dans la simulation du circuit, soit lors de la détection ou de la localisation du défaut du circuit à corriger. On peut, en tout cas, interrompre le procédé de correction et on évite d'effectuer une gravure ou un dépôt inutile de matériau conducteur. Cette vérification préliminaire est en particulier avantageuse dans le cas d'un circuit planifié pour lequel l'image obtenue sous FIB est très peu précise. Avantageusement et selon l'invention, pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure, d'une piste de matériau conducteur, dite piste à couper, en vue de la coupure de cette piste, - on choisit une première zone de mesure sur la piste à couper, décalée par rapport à la zone de gravure, pour élaborer le premier profil de mesure, - on choisit une deuxième zone de mesure sur la piste à couper, opposée à la première zone de mesure par rapport à la zone de gravure, on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la deuxième zone de mesure, et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure, représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la deuxième zone de mesure sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer le premier profil de mesure, - on utilise ce deuxième profil de mesure à titre de profil de référence, - on interrompt la gravure lorsque l'un seulement du premier profil de mesure et du deuxième profil de mesure devient constant, exempt de variations logiques, tandis que l'autre comprend encore des variations logiques, mais on poursuit la gravure tant cette condition ne s'est pas produite. Dans une variante, avantageusement et selon l'invention, pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure, d'une piste de matériau conducteur, dite piste à couper, en vue de la coupure de cette piste, - on choisit une première zone de mesure sur la zone de gravure de la piste à couper, - on utilise à titre de profil de référence, un profil de mesure initial obtenu sur la première zone de mesure avant d'entamer l'opération de gravure, on poursuit la gravure tant que le premier profil de mesure est semblable au profil de référence, et on interrompt la gravure lorsque le premier profil de mesure comparé au profil de référence devient constant, exempt de variations logiques. Avantageusement et selon l'invention, pour le dépôt d'une couche de matériau conducteur sur une zone à corriger s'étendant entre au moins deux zones distinctes, dites zones à relier, de matériau conducteur du circuit intégré qui doivent être reliées électriquement par ladite couche, - on choisit une première zone de mesure, éloignée des zones à relier et de la zone corrigée, mais reliée électriquement par une piste de matériau conducteur du circuit intégré à l'une des deux zones à relier, dite première zone à relier, pour élaborer le premier profil de mesure, - on choisit une deuxième zone de mesure sur l'autre zone à relier, dite deuxième zone à relier, - et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure, représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté au-dessus de la deuxième zone de mesure sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer le premier profil de mesure élaboré par détection au-dessus de la première zone de mesure, - on utilise ce deuxième profil de mesure à titre de profil de référence, - on poursuit le dépôt tant que le premier profil de mesure n'est pas semblable au deuxième profil de mesure, et on interrompt le dépôt lorsque le premier profil de mesure devient semblable au deuxième profil de mesure. Par ailleurs, avantageusement et selon l'invention, pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure, d'une piste de matériau conducteur, dite piste à couper, en vue de la coupure de cette piste, alors que cette piste est normalement parcourue par un signal électrique continu exempt de variations logiques, - on choisit une première zone de mesure sur la zone de gravure de la piste à couper, - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la première zone de mesure, on élabore et on mémorise le premier profil de mesure simultanément à, et au fur et à mesure de l'opération de gravure, - on utilise, à titre de profil de référence, un profil de mesure initial obtenu sur la première zone de mesure avant d'entamer l'opération de gravure, - on poursuit l'opération de gravure tant que le premier profil de mesure conserve la même valeur moyenne, et on interrompt la gravure lorsque l'on détecte un changement de la valeur moyenne du premier profil de mesure. Egalement, avantageusement et selon l'invention, on utilise, à titre de séquence de signaux électriques prédéterminés pour élaborer, mémoriser, et comparer le premier profil de mesure au profil de référence, une partie d'une séquence de vecteurs de tests du circuit intégré entraînant des variations logiques dans chaque zone de mesure, notamment dans la première zone de mesure. En outre, avantageusement et selon l'invention, on applique aux bornes d'entrée du circuit intégré des signaux logiques comprenant deux niveaux logiques, des transitions logiques montantes et des transitions logiques descendantes. Contrairement à US-5 140 164 dans lequel on observe en temps réel, instantanément, au cours de la gravure du diélectrique ou du dépôt, le couplage capacitif sur l'image SIM du circuit (c'est-à-dire sur la valeur moyenne o0 du taux de particules secondaires pour l'ensemble de la fenêtre de balayage du faisceau d'ions focalisé alors que les signaux électriques à l'entrée sont appliqués à basse fréquence (de l'ordre de 1Hz)), dans un procédé selon l'invention, on mémorise et on utilise la forme du profil de mesure acquise dans le temps sur une période prédéterminée en échantillonnant les mesures sur la fenêtre de balayage -notamment selon une fréquence d'échantillonnage égale à la fréquence de ce balayage-. En particulier, on utilise la fréquence, le nombre, et l'amplitude des transitions logiques montantes et/ou descendantes des signaux, pour contrôler l'opération de gravure ou de dépôt de matériau conducteur. L'invention s'étend également à une installation de mise en oeuvre d'un procédé selon l'invention. L'invention concerne ainsi une installation de correction d'un circuit intégré par un faisceau d'ions focalisé comprenant: - des moyens pour former un faisceau d'ions focalisé et l'appliquer sur la surface d'un circuit intégré à corriger, - des moyens de détection d'un taux de particules secondaires - des moyens de stimulation électrique du circuit intégré pour appliquer sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques prédéterminés, caractérisée en ce qu'elle comprend: - des moyens pour élaborer et mémoriser au moins un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence de signaux électriques. Ainsi, par rapport à l'état de la technique (US-5 140 164 ou installation FIB traditionnelle), l'installation selon l'invention comporte des moyens permettant, à partir du signal issu du détecteur des particules secondaires (photomultiplicateur), d'élaborer et de mémoriser un profil de mesure dans le temps (et non seulement de réaliser une image du circuit en contraste de potentiel). Avantageusement et selon l'invention, l'installation comprend de surcroît des moyens pour réaliser un filtrage passe-bas d'un profil de mesure et des moyens pour convertir un profil de mesure en un profil de mesure logique. L'invention concerne aussi un procédé et une installation caractérisés en combinaison par tout ou partie des caractéristiques mentionnées ci-dessus ou ci-après. D'autres buts, caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture des exemples et de la description suivante qui se réfèere aux figures annexées dans lesquelles: - la figure 1 est une vue schématique d'une installation selon l'invention, - la figure 2 est une vue schématique représentant plus en détail les moyens pour élaborer et mémoriser les profils de mesure d'une installation selon l'invention, - la figure 3a est un organigramme illustrant schématiquement un mode de réalisation des étapes pour élaborer et mémoriser un profil de mesure dans un procédé selon l'invention, et la figure 3b est un organigramme illustrant schématiquement des modes de réalisation des étapes pour comparer les profils dans un procédé selon l'invention, - la figure 4 est une vue schématique de dessus d'un circuit intégré pouvant être traitée par un procédé selon l'invention, - la figure 5 est un graphe illustrant des exemples de signaux électriques appliqués à l'entrée du circuit intégré dans un procédé selon l'invention, - la figure 6 est une vue schématique de dessus illustrant le mode de balayage d'un faisceau d'ions focalisé sur une piste de matériau conducteur au cours de l'élaboration d'un profil de mesure (les dimensions de la fenêtre de balayage ayant été exagérément agrandies et l'échelle longitudinale ayant été exagérément dilatée pour plus de clarté) dans un procédé selon l'invention, - la figure 7 est un graphe illustrant schématiquement un exemple de profil de mesure mémorisé, et ce profil de mesure converti en un profil de mesure logique, dans un procédé selon l'invention, - la figure 8 est une vue schématique partielle en coupe transversale d'une portion de circuit intégré sur laquelle on souhaite réaliser une opération de gravure ou de dépôt selon l'invention, - la figure 9 est une vue schématique similaire à la figure 8 après réalisation d'un puits à travers trois couches de matériau diélectrique, - la figure 10 est une vue schématique de dessus d'une portion du circuit intégré de la figure 9 illustrant les zones de mesure et de gravure d'une piste lors d'une opération de gravure selon l'invention, et sur laquelle les différentes pistes conductrices des différents niveaux du circuit intégré sont représentées par transparence, - les figures 1 1 et 13 sont des vues similaires à la figure 9 représentant une étape intermédiaire et, respectivement, une étape finale de l'opération de gravure d'une piste de matériau conducteur, et les figures 12 et 14 sont des graphes représentant les profils de mesure obtenus respectivement, à chacune de ces étapes, - les figures 15 à 19 sont des vues similaires aux figures 10 à 14 illustrant une variante du procédé selon l'invention pour la gravure d'une piste de matériau conducteur, - la figure 20 est un graphe illustrant un profil de mesure obtenu dans le cas de la gravure d'une piste de matériau conducteur selonl'invention parcourue par un signal continu, - la figure 21 est une vue schématique partielle en coupe transversale d'une portion de circuit intégré sur laquelle on souhaite réaliser une opération de dépôt de matériau conducteur après réalisation de deux puits à travers des couches de matériau diélectrique pour mettre à nu deux zones de matériau conducteur à relier par le dépôt, - la figure 22 est une vue schématique de dessus d'une portion de circuit intégré de la figure 21, les pistes de matériau conducteur des différents niveaux étant représentées par transparence, - la figure 23 est une vue schématique de dessus similaire à la figure 22 représentant une plus grande portion du circuit intégré avant réalisation de l'opération de dépôt, - la figure 24 est un graphe représentant des profils de mesure initiaux obtenus avant une opération de dépôt sur les zones de mesure de la figure 23, - les figures 25 et 27 sont des vues similaires à la figure 21 représentant une étape intermédiaire et, respectivement, une étape finale de l'opération de dépôt, et les figures 26 et 28 sont des graphes représentant les profils de mesure obtenus, respectivement, à chacune de ces étapes, - la figure 29 est une vue similaire à la figure 23 représentant la portion du circuit intégré après réalisation de l'opération de dépôt. L'installation selon l'invention représentée figure 1 comprend un système FIB qui est par exemple un système IDS P2X commercialisé par la Société SCHLUMBERGER (FRANCE) et incorporant les différents dispositifs matériels et logiciels permettant de corriger un circuit intégré à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé 41, et de réaliser des images en contraste de potentiel par détection des électrons secondaires. Ainsi, ce système comprend une colonne 2 permettant de générer un faisceau d'ions focalisé 41 sur une face supérieure 42 d'un circuit intégré 21 à tester placé sur un support de circuit 3. La colonne FIB 2 est dotée des dispositifs traditionnels connus de pilotage du faisceau en ce qui concerne, d'une part, ses caractéristiques énergétiques (énergie d'extraction, énergie d'accélération, énergie incidente...), et d'autre part, la focalisation et son orientation. En particulier, la colonne FIB 2 est équipée d'un dispositif connu permettant de balayer le faisceau d'ions sur une fenêtre de balayage prédéterminée dont la position et les dimensions peuvent être modifiées par l'utilisateur à volonté à partir du système informatique associé. La colonne FIB 2 comprend un photomultiplicateur 4 de détection des électrons secondaires fournissant le signal du taux d'électrons secondaires détecté à une carte de traitement du signal 5, connue en elle-même, permettant de générer une image en contraste de potentiel de la fenêtre de balayage du faisceau 41. Cette carte 5 fait partie d'un système informatique 23 de traitement et de calcul dotée en particulier d'une mémoire de masse, d'une unité centrale à microprocesseurs, et des différents périphériques traditionnels d'une station de travail informatique (clavier, souris...) dont un écran d'affichage 6. Les caractéristiques générales du système FIB IDS P2X sont bien connues, leur connaissance étant implicite, et seules les caractéristiques concernant l'invention sont décrites plus en détail. Le support 3 du circuit intégré 21 sous test est adapté pour permettre de placer le circuit intégré 21 dans une chambre sous vide 43 dans laquelle le faisceau d'ions 41 focalisé est émis, alors que les broches 44 d'entrée et de sortie du circuit intégré 21 sont électriquement reliées à l'extérieur de la chambre 43 par un faisceau de câbles 7 à un système 8 de commande de test de circuit intégré. Ce système 8 de commande de test est aussi connu en lui- même et par exemple formé d'un système HP82000 équipé du logiciel HP82000 et de l'extension "TABULAR LINK", commercialisé par la Société HEWLETT PACKARD (FRANCE). Les caractéristiques générales de ce système sont bien connues, leur connaissance étant implicite et seules les caractéristiques concernant l'invention sont décrites. Ce système 8 comprend en particulier une station 9 informatique de traitement et de calcul et une unité de commande électrique, dite testeur LSI 10, qui met en forme et gère les différents signaux à appliquer au circuit intégré 21 à analyser. La station 9 et le testeur LSI 10 sont reliés ensemble de façon connue par un bus 11 de commande GPIB. La station 9 informatique comprend de façon traditionnelle une carte mère 12 à microprocesseurs, des mémoires vives et de masse associées, les différents périphériques traditionnels associés (clavier, souris...) dont un écran 13 d'affichage. La station 9 informatique du système 8 de commande de test est aussi reliée à l'unité informatique du système 1 FIB par un réseau informatique, par exemple de type éthernet, comprenant une carte réseau 14 associée à l'unité informatique du système 1 FIB, une carte réseau 15 de la station informatique 9 du système 8 de commande de test, et un câble réseau 16 reliant ces cartes réseau 14, 15. Le testeur LSI 10 comprend une carte de connexion 17 1o dans laquelle sont issues les différentes voies de commande et d'alimentation du circuit intégré 21. Cette carte de connexion 17 est reliée par le faisceau de câbles 7 au circuit intégré 21 placé dans la chambre 43 du système 1 FIB. Par ailleurs, le testeur LSI 10 est relié à l'unité informatique du système 1 FIB par un câble 18 transmettant un signal de déclenchement TRIGGER du système 8 de commande de test au système 1 FIB permettant de synchroniser la détection des électrons secondaires par le détecteur 4 et l'émission des signaux électriques aux bornes d'entrée du circuit intégré 21 sous test par le testeur LSI 10. Le câble 18 envoie le signal TRIGGER à la carte 5 de traitement du signal issu du photomultiplicateur 4. Le système 1 FIB incorpore en outre des moyens, dit moyens 19 d'acquisition, aptes à élaborer et mémoriser au moins un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux des électrons secondaires détectés sur une période de temps prédéterminée, et de façon synchronisée avec le testeur LSI 10. Ces moyens 19 d'acquisition élaborent ainsi les profils de mesure à partir du signal reçu du détecteur photomultiplicateur 4. Sur les figures 1 et 2, ces moyens 19 d'acquisition sont représentés sous forme matérielle par une carte spécifique qui peut être rajoutée au système 1 FIB. Néanmoins, de préférence avantageusement et selon l'invention, ces moyens 19 d'acquisition peuvent être entièrement réalisés sous forme de logiciel par programmation appropriée du système informatique 23 du système 1 FIB, conformément à l'organigramme représenté figure 3a. La figure 2 représente plus en détail différents éléments du système 1 FIB de l'installation selon l'invention. La colonne FIB 2 est contrôlée par une carte 20 qui permet d'élaborer des signaux de commande SCAN de balayage du faisceau et BLANKING de déviation latérale du faisceau hors de la zone du circuit intégré 21 à tester. Le photomultiplicateur 4 est relié à une carte de traitement 22 qui délivre un signal analogique, dit signal VIDEO, dont la valeur est représentative du taux d'électrons secondaires détecté par le photomultiplicateur 4, et un signal RESET de réinitialisation. Ces deux signaux VIDEO et RESET sont fournis à la carte 5 de traitement du signal qui est reliée à o0 l'unité informatique 23 pour former l'image sur l'écran 6. La carte 20 de pilotage du faisceau délivre également des signaux RASTER et SYNC à la carte 5 de traitement du signal en vue de la synchronisation et de la formation de l'image, de façon traditionnelle. Les quatre signaux VIDEO, RESET, RASTER et SYNC sont également utilisés avant leur arrivée à la carte 5 de traitement du signal, pour élaborer et mémoriser les profils de mesure grâce à la carte ou partie de logiciel 19. Lorsque cette fonction est réalisée par logiciel, il suffit de programmer l'unité informatique 23 de façon appropriée pour élaborer et mémoriser les profils de mesure à partir des quatre signaux RASTER, SYNC, RESET et VIDEO. Dans un procédé selon l'invention, on acquiert (on élabore et on mémorise) des profils de mesure représentatifs des variations dans le temps du taux des électrons secondaires détecté sur une période de temps correspondant à une séquence de signaux électriques que l'on applique sur au moins une borne d'entrée 44 du circuit intégré 21 placée dans le support 3. Grâce à ces profils de mesure, on peut contrôler la réalisation ou l'évolution d'une opération de dépôt ou de gravure sur une zone à corriger du circuit intégré 21. Lorsque ce contrôle peut être effectué à partir d'un profil de mesure unique obtenu avec une zone de mesure correspondant à la zone d'une piste de matériau conducteur sur laquelle on réalise une opération de gravure ou de dépôt, l'acquisition du profil de mesure peut être effectuée simultanément à ladite opération de gravure ou de dépôt. Dans le cas contraire, il est nécessaire d'alterner les étapes de gravure ou dépôt et les étapes d'acquisition du(des) profil(s) de mesure. Ainsi, on réalise régulièrement des étapes d'acquisition de profil de mesure et de comparaison avec au moins un profil de référence, et on interrompt l'opération de gravure ou de dépôt lors de chaque étape d'acquisition d'un profil de mesure. De préférence, avantageusement et selon l'invention, lors de l'acquisition de chaque profil de mesure, on interrompt l'opération de gravure ou de dépôt, et on configure le faisceau d'ions focalisé selon une deuxième configuration, distincte de la première configuration servant à effectuer l'opération de dépôt ou de gravure, cette deuxième configuration étant adaptée à la détection du taux d'électrons secondaires sans réaliser de gravure ou de dépôt. Dans cette deuxième configuration, on utilise de préférence un faisceau d'ions focalisé cohérent d'énergie minimum -notamment de l'ordre de 3 keV-. Autrement dit, sans cette deuxième configuration, l'énergie du faisceau est adaptée pour être aussi faible que possible tout en formant néanmoins un faisceau cohérent. En outre, on interrompt les alimentations en gaz de gravure ou de dépôt dans la chambre 43 lorsque l'on réalise l'acquisition d'un profil de mesure. Au contraire, dans la première configuration, l'énergie du faisceau est adaptée pour permettre une gravure ou un dépôt optimum - notamment est de l'ordre de 30 keV-, et la chambre 43 est alimentée en gaz de gravure ou de dépôt. Ainsi, le faisceau peut être placé soit dans la première configuration de gravure ou de dépôt, soit dans la deuxième configuration de mesure, et ce instantanément, sans avoir à déplacer le circuit intégré 21. Il est à noter en outre que dans les deux configurations, il est possible de choisir un courant de faisceau de valeur quelconque, par exemple comprise entre 5 pA et 6000 pA, librement, permettant d'adapter la valeur du courant de faisceau pour obtenir, dans la première configuration, une gravure ou un dépôt de qualité appropriée et, dans la deuxième configuration, un signal approprié pour réaliser les profils de mesure. En pratique, pour la première configuration et pour la deuxième configuration, on établit et on mémorise dans l'unité informatique 23, une pluralité de fichiers de configuration du faisceau comprenant les paramètres de commande de la colonne FIB 2, à savoir un fichier de configuration du faisceau pour chaque valeur d'énergie de faisceau et chaque valeur de courant de faisceau particulières. Par ailleurs, pour l'acquisition d'un profil de mesure, l'unité informatique 23 commande la carte 20 de contrôle du faisceau, de façon que ce dernier balaye une fenêtre de balayage 24 correspondant à la zone de mesure souhaitée. Les moyens 19 d'acquisition -notamment l'unité informatique 23- sont aussi adaptés et programmés pour échantillonner le taux d'électrons secondaires détecté par le photomultiplicateur 4, selon une fréquence d'échantillonnage fe prédéterminée qui est supérieure ou égale à deux fois la fréquence avec laquelle on applique les signaux électriques aux bornes d'entrée du circuit intégré, notamment de l'ordre de 10 fois cette fréquence fs. Avantageusement, on choisit une fréquence d'échantillonnage fe qui est égale à la fréquence de balayage fb définie par la carte de contrôle 20 du faisceau. Cette fréquence de balayage, et i5 donc la fréquence d'échantillonnage fe, est avantageusement de l'ordre de 10 MHz, et notamment correspond à une fenêtre de balayage 24 comprenant 512 lignes, et pour chaque ligne, 512 points de mesure. Comme on le voit figure 6, on balaye de préférence le faisceau d'ions focalisé selon une direction de balayage perpendiculaire à la direction de propagation des signaux électriques dans la piste 25 sur laquelle on effectue la mesure. Autrement dit, la fenêtre de balayage 24 a une largeur inférieure à la largeur de la piste de mesure 25, et les lignes de balayage s'étendent parallèlement à la largeur de cette piste. La figure 6 n'est évidemment que schématique dans la mesure o les 512 lignes et 512 colonnes de la fenêtre de balayage 24 ne sont pas représentées, et les échelles ne sont pas conformes à la réalité. En particulier, la fenêtre de balayage 24 est en général beaucoup moins large que la piste de mesure 25, et les différentes lignes de balayage ne sont pas écartées comme représenté. Dans le système 1 FIB mentionné ci-dessus, le balayage du faisceau commandé par la carte de contrôle 20 est de type continu, et l'échantillonnage est réalisé sur l'acquisition des signaux à partir du photomultiplicateur 4 par les moyens 19 d'acquisition du profil de mesure. Pour augmenter la valeur de la fréquence d'échantillonnage fe, il est possible de commander la carte de contrôle 20 de façon que celle- ci émette un signal BLANKING de déviation latérale du faisceau qui est périodique, de fréquence correspondant à la fréquence d'échantillonnage fe souhaitée. De la sorte, le faisceau d'ions 41 focalisé est lui- même découpé par ce signal BLANKING à la fréquence d'échantillonnage, et l'acquisition des signaux issus du photomultiplicateur 4 est effectuée de façon synchronisée avec ce signal BLANKING périodique. La figure 3a représente un organigramme du procédé permettant d'élaborer et de mémoriser un profil de mesure. Lors de l'étape 26, le testeur LSI 10 envoie une séquence de vecteurs de tests (signaux électriques logiques de test) aux bornes d'entrée 44 du circuit intégré placé dans la chambre 43 du système FIB sur le support 3. La figure 5 représente des exemples de profils de tels signaux électriques au cours du temps, dont un signal d'horloge CLK et trois signaux de données DATAI, DATA2, DATA3. En pratique, il y a bien sûr beaucoup plus de signaux, notamment un signal pour chaque borne d'entrée 44. Simultanément, le signal de déclenchement TRIGGER est adressé au système FIB 1 par le testeur LSI 10, via le câble 18. Le lancement de la séquence de test et l'envoi du signal de déclenchement TRIGGER sont commandés par la station informatique 9 du système 8 de commande de test. Simultanément, le faisceau d'ions focalisé 41 est commandé pour effectuer le balayage de la zone de mesure correspondant, lors de l'étape 27. Le changement d'état logique du signal de déclenchement TRIGGER déclenche le début de l'acquisition des signaux par les moyens 19 d'acquisition lors de l'étape 28. A partir de cet instant, les différentes valeurs issues du photomultiplicateur 4, échantillonnées selon la fréquence d'échantillonnage fe, sont détectées et mémorisées en tant que valeurs analogiques lors de l'étape 30, jusqu'à la fin de la mesure qui peut être le fin de la séquence de vecteurs de tests ou une fin anticipée commandée par un nouveau changement d'état logique du signal de déclenchement TRIGGER. Lors de l'étape subséquente 31, on examine si une nouvelle acquisition d'une série de valeurs de mesure (nouveau profil de mesure) est ou non requise par la station informatique 9 du système 8 de commande de test. Dans l'affirmative, le procédé est réitéré à partir de l'étape 26 pour mémoriser une nouvelle série de valeurs de mesure sur la même zone de mesure ou dans une zone de mesure différente. Lors de l'étape subséquente 32, chaque profil de mesure obtenu et mémorisé à l'étape 30 subit un filtrage passe-bas permettant d'éliminer la variation au cours du temps de la valeur moyenne des valeurs mesurées due à 0o la charge locale du faisceau au cours de la période de mesure. On mémorise le profil de mesure filtré ainsi obtenu lors de l'étape 33. La figure 7 représente (courbe supérieure) un exemple de profil de mesure 56 obtenu à l'étape 32 et mémorisé à l'étape 33. Comme on le voit, ce profil de mesure 56 n'est pas formé de créneaux strictement carrés, mais résulte de différentes valeurs analogiques du signal issu du photomultiplicateur 4 aux différents points de mesures échantillonnés lors du balayage du faisceau d'ions focalisé 41 sur la zone de mesure. Un tel profil de mesure 56 peut ensuite être converti en un profil de mesure logique 57 lors d'une étape de conversion 34 en vue de permettre une comparaison logique automatique ultérieure. Lors d'une telle étape ultérieure de conversion, on produit par filtrage numérique un profil logique 57 formé uniquement de fronts montants et de fronts descendants entre une valeur basse affectée à la valeur zéro, et une valeur haute affectée à la valeur 1, de façon connue en soi. Le filtrage numérique peut être effectué à partir du calcul de la dérivée au cours du temps de la fonction représentant les différentes valeurs mesurées et les variations de valeurs de cette dérivée par rapport à des seuils prédéterminés. La courbe du bas 57 de la figure 7 représente le profil de mesure logique 57 obtenu à partir du profil de mesure 56 représenté à la courbe du haut de cette figure 7. La figure 3b représente les étapes de comparaison des différents profils permettant de contrôler la réalisation ou l'évolution d'une étape de gravure ou de dépôt dans un procédé selon l'invention. Un premier profil de mesure est réalisé dans une première zone de mesure sur une première piste de mesure comme indiqué aux étapes 26 à 33 précédemment. L'acquisition de ce premier profil 35 de mesure est représentée par l'étape 35 figure 3b. Ce premier profil de mesure est comparé à un profil de référence qui peut être soit un profil connu prédéterminé et mémorisé dans l'unité informatique 23 du système FIB 1, conformément à l'étape 36; soit un profil de mesure réalisé sur une deuxième zone de mesure d'une deuxième piste identique ou non à la première piste de mesure, ce deuxième profil de mesure étant obtenu et mémorisé conformément aux étapes 26 à 33 o0 précédemment décrites, globalement désignées par l'étape 37 figure 3b; soit un profil logique de simulation mémorisé par la station informatique 9 du système 8 de commande de test et qui correspond au profil des signaux électriques parcourant la première piste de mesure, l'obtention de ce profil de simulation étant représentée par l'étape 38 figure 3b. Comme on le voit figure 3b, la comparaison peut être effectuée soit visuellement lors d'une étape 39 de comparaison à l'oeil, soit automatiquement, c'est-à-dire par comparaison logique effectuée par l'unité informatique du système FIB 1 lors d'une étape 40 de comparaison automatique. Dans ce dernier cas, les profils de référence et de mesure à comparer doivent être des profils logiques. Dans l'exemple de la figure 3b, on comprend que lorsque le profil de référence est un profil connu prédéterminé 36, on préfèere effectuer une comparaison visuelle 39 avec le premier profil de mesure 35 tel que mémorisé à l'issue de l'étape 33. Néanmoins, rien n'empêche, si ce profil connu prédéterminé est un profil logique, d'effectuer également une comparaison logique 40 à partir de ce profil 36. De même, le profil de simulation 38 étant un profil logique peut être comparé par voie logique (étape 40) avec le premier profil de mesure 35 après la conversion de ce dernier en un profil de mesure logique lors de l'étape 34. Mais il est aussi possible d'effectuer une comparaison visuelle du profil de simulation 38 avec le premier profil de mesure 35 avant ou après sa conversion logique. Il est à noter qu'il est possible -notamment pour une opération de gravure-, d'effectuer l'acquisition d'un profil de mesure simultanément à l'opération réalisée sur la piste de matériau conducteur, dès lors que l'on utilise un seul profil de mesure et un profil de référence théorique 36 ou issue de la simulation 38, et que la zone de mesure correspond exactement à la zone dans laquelle l'opération est effectuée. Les figures 8 à 14 illustrent un premier mode de réalisation de l'invention dans lequel on réalise la coupure d'une piste de matériau conducteur 45 située au troisième niveau dans l'épaisseur du circuit intégré 21, c'est-à-dire sous trois couches successives de matériau diélectrique. Dans l'étape préliminaire représentée figures 8 et 9, on 0o creuse, à l'aide du faisceau d'ions focalisé 41, un puits 46 jusqu'à atteindre la piste de matériau conducteur 45 de façon à la découvrir. Lors de cette étape préliminaire, on découvre la zone 47 de la piste 45 de matériau conducteur par gravure d'une zone 48 de gravure du matériau diélectrique en appliquant le faisceau d'ions focalisé 41 selon la première configuration sur cette zone de gravure 48, la fenêtre de balayage du faisceau 41 correspondant à cette zone de gravure 48. Pour détecter la fin de la gravure diélectrique, on applique sur les bornes d'entrée 44 du circuit intégré 21 une séquence de signaux électriques prédéterminée pour pouvoir générer un profil de signal électrique prédéterminé, dit profil de signal électrique attendu, dans la zone 47 à découvrir; on détecte le taux d'électrons secondaires au-dessus de la zone 48 de gravure après avoir placé le faisceau 41 selon la deuxième configuration; on élabore et on mémorise un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux d'électrons secondaires détecté au- dessus de la zone 48 de gravure sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence des signaux électriques; on compare la forme du profil de mesure à celle d'un profil, dit profil attendu, prédéterminé correspondant au profil de signal électrique attendu; on poursuit la gravure tant que le profil de mesure n'est pas semblable au profil attendu, et on interrompt la gravure lorsque le profil de mesure est semblable au profil attendu. Ainsi, on utilise un profil de mesure détecté simultanément à la gravure du matériau diélectrique, comme décrit précédemment en référence aux figures 1 à 3b, et on compare ce profil de mesure au profil attendu qui est issu de la simulation pour détecter la fin de la gravure du matériau diélectrique. Dans tout le texte, les profils sont qualifiés de "semblables" lorsqu'ils présentent la même fréquence, des transitions synchrones dans le même sens, et des amplitudes du même ordre. Il est à noter que lors d'une telle étape préliminaire, non seulement on détecte ainsi qu'une piste de matériau conducteur 45 est découverte par la gravure, mais de surcroît, on identifie la piste 45 de matériau conducteur qui est atteinte, ce qui permet de s'assurer que cette piste 45 est bien celle que l'on souhaitait découvrir puisque le profil de mesure correspond au profil attendu, qui, lui-même correspond au profil des signaux électriques parcourant ladite piste 45 de matériau conducteur. De ce fait, si une autre piste de matériau conducteur est découverte, on découvre facilement cette erreur en constatant l'apparition d'un profil de mesure distinct du profil attendu, et on interrompt rapidement le procédé. Il est également à noter que lors de la gravure du matériau diélectrique, l'influence des autres pistes de matériau conducteur adjacentes, notamment dans i5 les couches intermédiaires, n'a pas d'importance puisque le profil des signaux électriques dans ces autres couches n'est pas le même que le profil attendu (et ce contrairement à US-5 140 164 dans lequel la piste atteinte n'est pas identifiée, et dans lequel les autres couches métalliques influencent le couplage capacitif). Dans la première variante de réalisation représentée figures 10 à 14, on grave une zone de gravure 49 de la piste 45 pour la couper. Pour ce faire: - on choisit une première zone de mesure 50 sur la piste à couper 45, décalée par rapport à la zone de gravure 49, pour élaborer un premier profil de mesure 52, - on choisit une deuxième zone de mesure 51 de la piste à couper 45, opposée à la première zone de mesure 50 par rapport à la zone de gravure 49, on détecte le taux des électrons secondaires au-dessus de la deuxième zone de mesure 51, et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure 53, représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer le premier profil de mesure 52, - on utilise ce deuxième profil de mesure 53 à titre de profil de référence, - on interrompt la gravure lorsque l'un seulement du premier profil de mesure 52 et du deuxième profil de mesure 53 devient constant, exempt de variations logiques, tandis que l'autre comprend encore des variations logiques, mais on poursuit la gravure tant cette condition ne s'est pas produite. Les deux zones de mesure 50, 51 étant opposées l'une de l'autre par rapport à la zone de gravure 49, au fur et à mesure de la gravure et de la coupure de la piste à couper 45 (qui constitue la piste de mesure), le signal io électrique initialement présent dans la piste à couper 45 au niveau des deux zones de mesure 50, 51 tend à disparaître dans l'une 51 seulement de ces deux zones de mesure 50, 51. En conséquence, lorsque l'on constate que le potentiel électrique de l'une de ces deux zones de mesure 50, 51 devient constant, alors que l'autre continue à être variable en fonction des signaux électriques à l'entrée du circuit intégré, on est certain que la coupure de la piste à couper 45 est réalisée. Les figures 11 et 12 représentent un état intermédiaire au cours de la gravure de la piste à couper 45, alors que les figures 13 et 14 représentent l'état final, la piste à couper 45 étant effectivement coupée. Dans l'état intermédiaire, comme on le voit figure 12, le deuxième profil de mesure 53 présente une amplitude de transition plus faible que le premier profil de mesure 52 qui fait office de profil de référence. En effet, la piste 45 étant en cours de coupure, elle présente une section plus faible et donc une résistance plus importante, ce qui diminue la valeur de la tension au niveau de la deuxième zone de mesure 51, les signaux électriques étant supposés, dans l'exemple représenté, provenir du côté de la première zone de mesure 50. Dans cette première variante de l'invention, la zone de gravure 49 est distincte des zones de mesure 50, 51. En conséquence, il est nécessairedans ce cas de procéder par itération successive en interrompant régulièrement le procédé de gravure pour passer en mode mesure (dans la deuxième configuration du faisceau d'ions focalisé) d'une part, sur la première zone de mesure 50, puis sur la deuxième zone de mesure 51, conformément au procédé décrit en référence aux figures 3a à 3b cidessus. Il est à noter également que l'étape de comparaison ne consiste pas dans cette variante à examiner si les deux profils de mesure sont identiques, mais au contraire consiste à vérifier que si l'un seulement des deux profils de mesure est devenu constant, tandis que l'autre continue à être variable. Les figures 15 à 19 représentent une variante de l'invention dans laquelle on réalise encore la gravure d'une piste de matériau conducteur 45 à couper, mais on choisit une zone de mesure 54 qui est située sur la zone de gravure 49 de la piste à couper 45. On utilise à titre de profil de référence, un profil de mesure initial 55 obtenu sur la zone de mesure 54 avant d'entamer l'opération de gravure. On poursuit la gravure tant que le profil de mesure 58 est semblable à ce profil de référence 54, et on interrompt la gravure lorsque le profil de mesure 58, comparé au profil de référence, devient constant, exempt de variations logiques, comme représenté figure 19. Dans cette deuxième variante, on comprend que lorsque la piste à couper 45 est coupée, le faisceau d'ions focalisé 41 vient alors au contact d'une couche de matériau diélectrique inférieure qui n'est pas parcourue par un signal électrique, de sorte que le profil de mesure 58 devient au moins sensiblement constant. Pour déterminer que le profil de mesure 58 devient constant, on fixe avantageusement un seuil d'amplitude en dessous duquel on considère que ce profil 58 est devenu constant. En effet, dans la pratique, il faut noter que le signal détecté par le photomultiplicateur 4 n'est jamais parfaitement constant et incorpore toujours des variations, même lorsque le faisceau d'ions 41 est appliqué sur une couche de matériau diélectrique. La figure 20 représente un graphe obtenu dans une variante de l'invention dans laquelle la piste de matériau conducteur 45 à couper est une piste qui n'est normalement pas parcourue par des signaux électriques logiques, mais au contraire par un signal électrique continu exempt de variations logiques. Dans ce cas: - on choisit une zone de mesure 54 sur la zone de gravure 49 de la piste à couper, - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la zone de mesure 54, on élabore et on mémorise un profil de mesure 59 simultanément à, et au fur et à mesure de l'opération de gravure, - on poursuit l'opération de gravure tant que le profil de mesure 59 conserve la même valeur moyenne, et on interrompt la gravure lorsque l'on détecte un changement de la valeur moyenne du profil de mesure 59. Ainsi, dans cette variante, on utilise, à titre de profil de référence, un profil de mesure initial 59a obtenu sur la zone de mesure 54 avant d'entamer l'opération de gravure. Le profil de mesure initial 59a constituant le profil de référence est un profil constant exempt de variation logique. Mais le profil de mesure 59 subit une modification de valeur moyenne lorsque la piste 45 est coupée à l'instant tf. C'est cette variation de valeur en tf qui permet de déterminer la fin de l'opération comme représenté figure 20. Il est à noter qu'il est possible également d'utiliser la première variante de l'invention dans laquelle on utilise deux zones de mesure distinctes de part et d'autre de la zone de gravure pour contrôler la gravure d'une piste à couper 45 parcourue par un signal électrique continu exempt de variation logique. En effet, on constatera alors un changement de valeur moyenne dans chacune des deux zones de mesure. Les figures 21 à 29 illustrent une variante de l'invention dans laquelle on réalise une opération de dépôt d'une couche 60 de matériau conducteur sur une zone, dite zone à corriger 61, s'étendant entre au moins deux zones distinctes 62, 63, dites zones à relier 62, 63, de matériau conducteur du circuit intégré qui doivent être reliés électriquement par ladite couche 60. Pour ce faire: - on choisit une première zone de mesure 64, éloignée des zones à relier 62, 63 et de la zone à corriger 61, mais reliée électriquement par une piste 65 de matériau conducteur du circuit intégré à l'une 62 des deux zones à relier, dite première zone à relier 62, pour élaborer un premier profil de mesure 67, on choisit une deuxième zone de mesure 66 sur l'autre zone à relier 63, dite deuxième zone à relier 63, - et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure 68, représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté au- dessus de la deuxième zone de mesure 66 sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer ledit premier profil de mesure 67, - on utilise ce deuxième profil de mesure 68 à titre de profil de référence, - on poursuit le dépôt tant que le premier profil de mesure 67 n'est pas semblable au deuxième profil de mesure 68, et on interrompt le dépôt io lorsque le premier profil de mesure 67 devient semblable au deuxième profil de mesure 68. Préalablement, il y a lieu bien sûr de graver deux puits 69, dans les couches de matériau diélectrique du circuit intégré afin de découvrir les zones 62, 63 des pistes de matériau conducteur 65, respectivement 71, à relier. Pour ce faire, on réalise deux étapes préliminaires de gravure du matériau diélectrique comme décrit ci-dessus. Initialement, la piste 65 de la première zone à relier 62 et de la première zone de mesure 64 n'est parcourue par aucun signal électrique, de sorte que le premier profil de mesure 67 est un profil constant (profil plat exempt de variation logique) comme représenté figure 24. Au fur et à mesure du dépôt, (figures 25 et 27) la connexion électrique s'établit et la piste 65 se trouve être parcourue par les mêmes signaux électriques que la piste 71, de sorte que le premier profil de mesure 67 devient semblable au deuxième profil de mesure 68 comme représenté figure 28. Lorsque cette condition est réalisée, on peut interrompre le dépôt. Comme on le voit figure 29, le dépôt d'une telle couche métallique s'accompagne d'un phénomène de diffusion périphérique désigné en général "overspray". C'est la raison pour laquelle on n'utilise pas deux zones de mesure situées à proximité l'une de l'autre, afin d'être certain que c'est bien la piste de matériau conducteur 65 qui est reliée électriquement à la piste de matériau conducteur 71 par l'intermédiaire de la couche 60 de matériau conducteur. Comme on le voit, l'invention permet de réaliser des gravures et des dépôts de matériau conducteur de façon extrêmement précise et fiable sans risque d'erreur avec un système de faisceau d'ions focalisé, et ce sans avoir recours à un système de microscopie à faisceau électronique. EXEMPLES: Un circuit intégré réalisé en technologie CMOS de type ASIC de faible consommation (3,3V) en technologie dite "planar" 0,35 gm avec trois niveaux de métal, présente une défaut fonctionnel détecté au vecteur 7053 d'une séquence de vecteurs de tests. Grâce au logiciel de simulation, l'origine de i0 ce défaut a été corrélée à sa première manifestation logique au vecteur 5064. La comparaison des états logiques avec les données de simulation démontre que la défaillance consiste en une piste du niveau de métal le plus profond qui est reliée en permanence à l'alimentation positive qui fournit un signal logique en permanence égal à 1. On a réalisé une coupure de cette piste comme indiqué dans la première variante décrite ci-dessus et on a arrêté la gravure de la piste dès que l'un des deux profils de mesure s'est avéré constant. Sur le même circuit, une piste du deuxième niveau de métal le plus profond a ensuite été connectée électriquement à une piste du niveau de métal le plus profond conformément au procédé décrit en référence aux figures 21 à 29. L'invention a permis de corriger cinq circuits intégrés différents avec un taux de succès de 100% en 8 h. Le fonctionnement électrique de chaque circuit intégré après correction est vérifié grâce au système 8 de commande de test, sans avoir à ôter le circuit intégré 21 du support 3 du système FIB 1. Il est à noter que l'invention peut faire l'objet de diverses variantes par rapport aux modes de réalisation décrits et représentés. En particulier, il est également possible d'envisager de détecter non pas les électrons secondaires, mais les ions secondaires. De plus, il est possible de n'appliquer les signaux électriques qu'à certaines des bornes d'entrée du circuit intégré, et non à l'intégralité de celles-ci, dès lors que l'on connait les bornes d'entrée qui stimulent la ou les pistes de mesure. Enfin, les systèmes à faisceau d'ions focalisé et les systèmes de commande de test des circuits intégrés sont bien connus de l'homme du métier, ainsi que leurs dispositifs et logiciels annexes, de sorte qu'il n'est pas nécessaire de les décrire plus en détail. REVENDICATIONS 1/- Procédé de dépôt ou de gravure d'une zone, dite zone à corriger (49, 61), d'une couche de matériau conducteur d'un circuit intégré à l'aide d'un faisceau d'ions focalisé appliqué sur une portion de surface du circuit intégré dans lequel: - on choisit une première zone de mesure (50, 54, 64) d'une piste de matériau conducteur, dite piste de mesure, du circuit intégré, dans laquelle le profil des variations dans le temps du signal électrique parcourant cette piste de mesure, alors qu'au moins une borne d'entrée du circuit intégré reçoit des signaux électriques prédéterminés, doit changer au cours de l'opération de dépôt ou de gravure, depuis un profil de signal électrique erroné, à un profil de signal électrique corrigé - on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques adaptés pour pouvoir générer lesdits is profils de signal électrique erroné et corrigé dans la piste de mesure au niveau de ladite première zone de mesure (50, 54, 64), - on détecte le taux de particules secondaires au- dessus de la première zone de mesure (50, 54, 64), - on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit premier profil de mesure (35, 52, 67), représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la première zone de mesure (50, 54, 64), sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence des signaux électriques, - on compare la forme du premier profil de mesure (35, 52, 67) à celle d'un profil, dit profil de référence (36, 37, 38, 53, 68) prédéterminé correspondant au profil de signal électrique corrigé attendu, de façon à contrôler la réalisation ou l'évolution d'une opération de dépôt ou de gravure de la zone à corriger (49, 61). 2/ - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pour élaborer un profil de mesure, on balaye la zone de mesure avec le faisceau d'ions focalisé selon une fenêtre de balayage (24) correspondant à la zone de mesure, on échantillonne la détection de taux de particules secondaires selon une fréquence d'échantillonnage fe prédéterminée, on réalise ainsi une pluralité de mesures successives, et pour chaque mesure, on acquiert à partir du taux de particules secondaires détecté, et on mémorise, une valeur numérique, dite valeur mesurée, représentative du potentiel électrique de la piste de mesure à l'instant de la mesure. 3/ - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'on choisit la fréquence d'échantillonnage fe supérieure à 1MHz. 4/ - Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'on choisit la fréquence d'échantillonnage fe de l'ordre de O10MHz. 5/ - Procédé selon l'une des revendications 3 à 4, caractérisé en ce que: - on utilise une installation (1) comprenant des moyens pour réaliser une image selon une fenêtre de balayage (24) du faisceau d'ions focalisé, avec une fréquence de balayage fb prédéterminée, - on choisit la fréquence d'échantillonnage fe supérieure ou égale à la fréquence de balayage fb. 6/- Procédé selon l'une des revendications 3 à 5, caractérisé en ce qu'on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux logiques cadencés selon une fréquence d'horloge fs, et en ce qu'on choisit la fréquence d'échantillonnage fe et la fréquence fs des signaux électriques de telle sorte que fe > 2 fs. 7/ - Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'on choisit fe et fs pour que fe soit de l'ordre de 10 fs. 8/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que pour élaborer un profil de mesure, on balaye le faisceau d'ions focalisé selon une direction de balayage au moins sensiblement perpendiculaire à la direction de propagation des signaux électriques dans la piste de mesure (25), et avec une fenêtre de balayage (24) de largeur inférieure à celle de la piste de mesure (25). 9/ - Procédé selon l'une des revendications 2 à 8, caractérisé en ce que pour élaborer un profil de mesure, on élimine par filtrage passe-bas la variation au cours du temps de la valeur moyenne des valeurs mesurées due à la charge locale du faisceau au cours de la période de mesure, et on mémorise le profil de mesure ainsi obtenu. / - Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce qu'on convertit le profil obtenu par les valeurs de mesure du taux de particules secondaire en un profil de mesure logique de façon à pouvoir comparer le premier profil de mesure et le profil de référence par comparaison logique. 11/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'on réalise une opération de dépôt ou de gravure en o0 configurant le faisceau d'ions focalisé selon une première configuration, et en ce qu'on contrôle périodiquement la réalisation ou l'évolution de l'opération en: - interrompant l'opération, - puis en configurant le faisceau d'ions focalisé selon une deuxième configuration, distincte de la première configuration, et adaptée à la détection du taux de particules secondaires et à l'acquisition d'un profil de mesure, et en ce qu'on détecte le taux de particules secondaires et on élabore au moins un profil de mesure avec la deuxième configuration. 12/ - Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la deuxième configuration est adaptée pour former un faisceau d'ions focalisé cohérent d'énergie minimum -notamment de l'ordre de 3 keV-. 13/- Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure (49), d'une piste (45) de matériau conducteur, dite piste à couper (45), en vue de la coupure de cette piste (45), - on choisit une première zone de mesure (50) sur la piste à couper (45), décalée par rapport à la zone de gravure (49), pour élaborer le premier profil de mesure (52), - on choisit une deuxième zone de mesure (51) sur la piste à couper (45), opposée à la première zone de mesure (50) par rapport à la zone de gravure (49), on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la deuxième zone de mesure (51), et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure (53), représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur la deuxième zone de mesure (51) sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer le premier profil de mesure (52), - on utilise ce deuxième profil de mesure (53) à titre de profil de référence, - on interrompt la gravure lorsque l'un seulement du premier profil de mesure et du deuxième profil de mesure devient constant, exempt de variations logiques, tandis que l'autre comprend encore des variations o0 logiques, mais on poursuit la gravure tant cette condition ne s'est pas produite. 14/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure (49), d'une piste de matériau conducteur, dite piste à couper (45), en vue de la coupure de cette piste (45), - on choisit une première zone de mesure (54) sur la zone de gravure (49) de la piste à couper (45), - on utilise à titre de profil de référence, un profil de mesure initial (55) obtenu sur la première zone de mesure (54) avant d'entamer l'opération de gravure, - on poursuit la gravure tant que le profil de mesure (58) est semblable au profil de référence (55), et on interrompt la gravure lorsque le profil de mesure (58), comparé au profil de référence (55), devient constant, exempt de variations logiques. / -Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que pour le dépôt d'une couche (60) de matériau conducteur sur une zone à corriger (61) s'étendant entre au moins deux zones distinctes, dites zones à relier (62, 63), de matériau conducteur du circuit intégré qui doivent être reliées électriquement par ladite couche (60), - on choisit une première zone de mesure (64), éloignée des zones à relier (62, 63) et de la zone à corriger (61), mais reliée électriquement par une piste (65) de matériau conducteur du circuit intégré à l'une (62) des deux zones à relier, dite première zone à relier (62), pour élaborer le premier profil de mesure (67), - on choisit une deuxième zone de mesure (66) sur l'autre zone à relier (63), dite deuxième zone à relier (63), et on élabore et on mémorise un profil de mesure, dit deuxième profil de mesure (68), représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté au-dessus de la deuxième zone de mesure (66) sur la même période de temps que celle utilisée pour élaborer le premier profil de mesure (67) élaboré par détection au-dessus de la première zone de mesure (64), - on utilise ce deuxième profil de mesure (68) à titre de profil de référence, - on poursuit le dépôt tant que le premier profil de mesure (67) n'est pas semblable au deuxième profil de mesure (68), et on interrompt le dépôt lorsque le premier profil de mesure (67) devient semblable au deuxième profil de mesure (68). 16/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que pour la gravure d'une zone, dite zone de gravure (49), d'une piste de matériau conducteur, dite piste à couper (45), en vue de la coupure de cette piste (45), alors que cette piste (45) est normalement parcourue par un signal électrique continu exempt de variations logiques, - on choisit une première zone de mesure (54) sur la zone de gravure (49) de la piste à couper, - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la première zone de mesure (54), on élabore et on mémorise le premier profil de mesure simultanément à, et au fur et à mesure de l'opération de gravure, - on utilise, à titre de profil de référence, un profil de mesure initial obtenu sur la première zone de mesure (54) avant d'entamer l'opération de gravure, - on poursuit l'opération de gravure tant que le premier profil de mesure conserve la même valeur moyenne, et on interrompt la gravure lorsque l'on détecte un changement de la valeur moyenne du premier profil de mesure. 17/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que, lors d'une étape préliminaire dans laquelle on met à nu au moins une zone, dite zone à découvrir (47), d'au moins une piste de matériau conducteur, par gravure d'une zone, dite zone de gravure (48), de matériau diélectrique, - on applique sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques prédéterminés pour pouvoir générer o un profil de signal électrique prédéterminé, dit profil de signal électrique attendu, dans la zone à découvrir (47), - on détecte le taux de particules secondaires au-dessus de la zone de gravure (48), on élabore et on mémorise un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté au-dessus de la zone de gravure (48) sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence des signaux électriques, - on compare la forme du profil de mesure, dit profil attendu, prédéterminé correspondant au profil de signal électrique attendu, - on poursuit la gravure tant que le profil de mesure n'est pas semblable au profil attendu, et on interrompt la gravure lorsque le profil de mesure est semblable au profil attendu. 18/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 17, caractérisé en ce qu'on utilise, à titre de séquence de signaux électriques prédéterminés pour élaborer, mémoriser, et comparer le premier profil de mesure au profil de référence, une partie d'une séquence de vecteurs de tests du circuit intégré entraînant des variations logiques dans chaque zone de mesure. 19/ - Procédé selon l'une des revendications 1 à 18, caractérisé en ce qu'on applique aux bornes d'entrée du circuit intégré des signaux logiques comprenant deux niveaux logiques, des transitions logiques montantes et des transitions logiques descendantes. / - Installation de correction d'un circuit intégré par un faisceau d'ions focalisé comprenant: - des moyens (1) pour former un faisceau d'ions focalisé et l'appliquer sur la surface d'un circuit intégré à corriger, des moyens (4, 22) de détection d'un taux de particules secondaires - des moyens (9, 10) de stimulation électrique du circuit intégré pour appliquer sur au moins une borne d'entrée du circuit intégré, une séquence de signaux électriques prédéterminés, caractérisée en ce qu'elle comprend: des moyens (19) pour élaborer et mémoriser au moins un profil de mesure représentatif des variations dans le temps du taux de particules secondaires détecté sur une période de temps correspondant à au moins une partie de ladite séquence de signaux électriques.