Brevet FR2796084A1 — publié le 20010112

La présente invention concerne un procédé et une solution de placage chimique ou sans courant. Plus précisément, elle concerne un procédé et une solution de placage chimique qui conviennent pour réaliser des câblages ou connexions en cuivre par application d'un placage de cuivre sur des trous de contact ou des interconnexions de type damasquinage dans un dispositif à circuits intégrés, par exemple. On utilise habituellement un alliage d'aluminium comme matériau pour câblage fin d'un circuit intégré à haute densité formé sur une pastille à semi- conducteurs (appelée dans la suite dispositif à semi-conducteurs). Cependant, pour augmenter encore la vitesse du dispositif à semi-conducteurs, il est nécessaire d'utiliser comme matériau de câblage du cuivre ou de l'argent qui ont une faible résistance spécifique. En particulier, le cuivre a une basse résistance spécifique, de 1,8 mW.cm, de sorte qu'il est avantageux pour augmenter la vitesse d'un dispositif à semi-conducteurs. En outre, le cuivre a une résistance à l'électromigration qui est supérieure à celle d'un alliage d'aluminium d'environ un ordre de grandeur. Ainsi, on prévoit que le cuivre sera un matériau utilisé dans la prochaine génération. Un grand nombre de trous de contact ou trous traversants (appelés dans la suite trous de contact) sont formés dans un dispositif à semi-conducteurs pour relier électriquement des éléments ou des circuits multicouches. Habituellement, on forme les trous de contact en pratiquant des ouvertures dans des couches d'isolation intermédiaires entre les couches et en insérant un matériau conducteur dans ces ouvertures. Dans les années récentes, on a utilisé dans la pratique un procédé de damasquinage unique dans lequel une rainure est formée dans la couche d'isolation intermédiaire et du cuivre est introduit dans la rainure pour former un câblage en rainure ou un procédé de damasquinage double dans lequel du cuivre est introduit dans une rainure et une ouverture pratiquée dans le fond de la rainure pour former en une seule fois un câblage en rainure et un trou de contact. La galvanoplastie a attiré l'attention au cours des dernières années comme procédé dans lequel du cuivre est introduit dans un trou de contact avec une bonne précision. Une couche mince de cuivre formée par galvanoplastie a une faible concentration d'impuretés et une faible résistance de sorte qu'elle est avantageuse pour augmenter la vitesse d'un dispositif à semi-conducteurs. Cependant, la possibilité d'introduire du cuivre dans le trou de contact dépend beaucoup de la qualité d'une couche de base (couche d'ensemencement) nécessaire pour former une couche de cuivre par galvanoplastie. Plus précisément, quand on introduit du cuivre dans un trou de contact par galvanoplastie, il est nécessaire que la couche d'ensemencement recouvre de manière satisfaisante les parties en gradin. Jusqu'à maintenant, on a utilisé comme couche d'ensemencement une couche de cuivre formée par pulvérisation cathodique et ayant une épaisseur d'environ 100 nm. Toutefois, dans bien des cas, la couche d'ensemencement formée par pulvérisation cathodique ne recouvre pas les parties en gradin de manière très satisfaisante si bien qu'il est difficile de former uniformément la couche d'ensemencement dans le trou de contact. Par ailleurs, quand le rapport d'allongement du trou de contact (rapport du diamètre à la profondeur de l'ouverture du trou de contact) est supérieur à 1:5, il est sensiblement impossible d'obtenir un recouvrement uniforme des parties en gradin. Ainsi, on a tenté d'améliorer le recouvrement uniforme des parties en gradin en formant une couche d'ensemencement par placage chimique (placage par réduction chimique) de cuivre. Cependant, le placage chimique présente l'inconvénient que l'activité catalytique du cuivre est faible, que l'épaisseur nécessaire pour la couche d'ensemencement est difficile à obtenir et que la durée de vie d'une solution de placage chimique est courte. En outre, comme les particules de cuivre sont grossières, il se forme des petits vides entre les particules de cuivre à l'intérieur de la couche mince formée. Pour remédier à ces inconvénients, la présente invention fournit un procédé de placage chimique et une solution de placage chimique permettant de former une couche mince de bonne qualité avec du cuivre dans un élément ayant un grand rapport d'allongement, comme un trou de contact d'un dispositif à semi- conducteurs. Ainsi, la présente invention concerne un procédé de placage chimique dans lequel, quand une surface d'un élément activé qui doit être muni d'un placage est soumise à un placage chimique de cuivre à l'aide d'une solution de placage chimique contenant un sel de cuivre, un agent chélatant et un réducteur, un sel d'un métal comme l'or, le nickel, le palladium, le cobalt ou le platine est ajouté à la solution de placage chimique en tant quaccélérateur de placage en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique. Ainsi, dans le procédé selon l'invention, un sel d'un métal ayant une grande activité catalytique, comme l'or, le nickel, le palladium, le cobalt ou le platine est ajouté à la solution de placage chimique en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique de sorte que, au stade initial du placage chimique, la quantité appropriée de métal (accélérateur de placage) ayant une activité catalytique plus élevée que le cuivre peut précipiter sur la surface de l'élément qui doit être muni d'un placage avant que le cuivre précipite, après quoi le cuivre précipite sur ce métal. Ainsi, le cuivre peut précipiter uniformément pour former une couche mince de placage de cuivre de bonne qualité. Au contraire, en l'absence d'accélérateur de placage, la couche mince de placage de cuivre n'est pas uniforme car il se forme des vides. De plus, quand la quantité d'accélérateur dépasse 1 mol%, la couche mince de placage de cuivre précipite de manière anormale et il est impossible d'obtenir un placage uniforme. En outre, la présente invention fournit une solution de placage appropriée pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention qui est une solution de placage chimique contenant un sel de cuivre, un agent chélatant et un réducteur à laquelle est ajouté un sel d'un métal comme l'or, le nickel, le palladium, le cobalt ou le platine en tant qu'accélérateur de placage chimique en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui suit et se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe schématique montrant une étape du placage chimique selon la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe schématique montrant une autre étape du placage chimique selon la présente invention; la figure 3 est une vue en coupe schématique montrant une autre étape du placage chimique selon la présente invention; la figure 4 est une vue en coupe schématique montrant une autre étape du placage chimique selon la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe schématique montrant une autre étape du placage chimique selon la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe schématique montrant une situation dans laquelle une couche mince de placage de cuivre obtenue par placage chimique n'est pas formée de manière uniforme; et la figure 7 est une vue en coupe schématique montrant une situation dans laquelle du cuivre est précipité de manière anormale sur une couche mince de placage de cuivre obtenue par placage chimique. Dans le procédé et la solution selon l'invention, pour obtenir des effets satisfaisants, il est nécessaire d'ajouter le sel de métal jouant le rôle d'accélérateur de placage en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre. De plus, quand la quantité de cuivre précipité atteint 1 % en masse ou plus par rapport à la teneur en cuivre de la composition de la solution de placage, on rajoute du sel de métal jouant le rôle d'accélérateur de placage de sorte que la quantité d'accélérateur de placage dans la solution de placage est maintenue constante si bien que la durée de vie de la solution de placage est prolongée ce qui est avantageux pour des utilisations répétées. Dans ce cas, il est judicieux que la quantité de sel de métal rajoutée soit de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique comme ci-dessus. Par ailleurs il est judicieux que le pH de la solution de placage chimique soit de 8 à 12 et que la température de la solution soit de 20 à 60'C. Comme le montrent les figures, quand le placage chimique de cuivre est réalisé dans la production d'un dispositif à semi-conducteurs, des couches barrières 3, 5 en nitrure de tantale sont formée au préalable sur une surface d'un câblage en cuivre 2 au fond d'un trou de contact 6 (figure 1) et sur la surface des parois du trou 6 (figure 2). Plus précisément, sur le câblage en cuivre 2 formé sur une pastille 1 par gravure, on applique une couche isolante 4 en Si02, puis on forme le trou de contact 6 par gravure et on applique sur celui-ci une couche barrière. Cependant, très souvent, un contaminant organique fon-né à partir d'un gaz organique contenu en faible proportion dans l'air d'un dispositif à vide ou d'une salle blanche au cour d'un processus préliminaire adhère à ces couches barrières en formant une couche monomoléculaire. Ainsi, pour former une couche de câblage en cuivre par un procédé de placage chimique, il est judicieux de soumettre une surface destinée à recevoir un placage (surface d'une couche barrière) à un traitement d'activation catalytique (prétraitement) par les procédés (1) à (5) suivants au moyen d'un métal ayant une grande activité catalytique comme le palladium. (1) Retrait d'une substance organique Un contaminant constitué par une substance organique sur une surface destinée à recevoir un placage est retiré par un traitement aux ultraviolets et à l'ozone (UV/03), par un traitement de carbonisation à plasma ou par un traitement à l'eau contenant de l'ozone dissous. (2) Traitement pour conférer une nature hydrophile Une surface d'un métal ou d'un oxyde dans une couche barrière est oxydée dans l'eau pour la rendre hydrophile et former sur elle des groupes -OH. Ce peut être un traitement à l'eau contenant de l'ozone dissous comme en (1), un traitement avec un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, un traitement avec l'acide hypochloreux, un traitement avec un mélange d'ammoniaque et de peroxyde d'hydrogène ou un traitement avec du permanganate d'ammonium. (3) Traitement de couplage Un colloïde de palladium (Pd) pour le traitement catalytique de l'étape suivante et amené à adhérer à une surface qui doit recevoir un placage au moyen d'un agent de couplage de type silane ou de type titane. Cet agent de couplage permet une liaison de coordination des groupes -OH formés par le traitement (2) et une liaison covalente du colloïde de Pd pour le traitement d'activation catalytique de l'étape suivante. Ainsi, cet agent a pour effet d'augmenter l'adhérence entre le colloïde et la surface. (4) Traitement catalytique Un colloïde d'un métal à grande activité catalytique, comme le palladium, est fixé sur une surface destinée à recevoir un placage au moyen de agent de couplage de dénomination commerciale Catalyst 9F produit par la société Shipley ou de l'agent de couplage de dénomination commerciale Enplate Activator 444 produit par la société Enthone OMI. (5) Traitement d'activation La surface du colloïde de Pd fixé en (4) ci-dessus est activée avec l'un des agents de dénomination commerciale Accelerator 19 ou Accelerator 240 produits par la société Shipley pour exposer la surface de Pd. Du cuivre réduit peut précipiter sur ce palladium exposé. Un contaminant organique qui ne forme pas une couche mince monomoléculaire n'adhère pas de manière inhérente à la surface d'une pastille au stade de la production. Ainsi, la substance organique qui adhère à la couche barrière peut être retirée par un traitement humide avec de l'eau contenant de l'ozone dissous à la température ambiante ayant une concentration de 0,5 ppm ou plus, de préférence de 5 à 15 ppm, par exemple avec une coupelle rotative, à un débit de 1 à 30 litres/minute pendant environ 10 secondes à 20 minutes. Dans ce cas, il est plus efficace d'appliquer des ondes ultrasonores qui permettent de raccourcir la durée du traitement. Lors du retrait d'un contaminant organique, il est possible de mettre en oeuvre au préalable *d'autres traitements comme un traitement à sec à l'ozone sous irradiation avec des ultraviolets et un traitement à sec de carbonisation à plasma d'oxygène. On réalise le traitement d'oxydation dans l'eau pour oxyder la surface du métal constituant le câblage 2 au fond de la couche barrière 5 ou du trou 6 ou son composé dans l'eau pour le rendre hydrophile et pour former efficacement des groupes -OH sur la surface. Ainsi, dans le traitement à l'eau contenant de l'ozone dissous, il est particulièrement préférable que la réaction se déroule en même temps que le traitement de retrait de la substance organique. Quand le traitement de retrait de la substance organique est un traitement à sec, on peut utiliser tout produit capable d'oxyder le métal constituant la couche barrière ou son composé, ou tout procédé de traitement comme le traitement à l'eau contenant de l'ozone dissous, un traitement avec un mélange d'acide sulfurique et de peroxyde d'hydrogène, un traitement à l'acide hypochloreux ou un traitement avec le permanganate d'ammonium. Il est possible de mettre en oeuvre le traitement consistant à faire réagir les groupes -OH formés par le traitement d'oxydation dans l'eau avec l'agent de couplage pour la liaison chimique en utilisant un agent de couplage de type silane ou un agent de couplage de type titane. On préfère un composé ayant un groupe capable de se lier par coordination avec l'étain, par exemple, pour protéger un catalyseur colloïdal de Pd utilisé dans le procédé subséquent, comme un groupe amino ou un groupe thiol dans une chaîne moléculaire d'un hydrocarbure ou à l'extrémité opposée à un atome de Si ou de Ti. De plus, des parties en saillie et des parties en creux sont formées sur la surface traitée avec l'agent de couplage de type silane ou de type titane du fait de la taille moléculaire, ce qui rend la surface rugueuse. Ainsi, il suffit de maintenir une nature hydrophile telle qu'un colloide d'un métal catalytique dans le traitement subséquent soit adsorbé sur la surface ainsi traitée. Cet agent de couplage de type silane ou de type titane est typiquement un composé contenant un ou des groupes -OH, -COOR ou -OR (R est un groupe alkyle) dans la chaîne moléculaire ou à l'extrémité. Il est judicieux que, du fait du traitement avec la solution colloïdale d'un métal catalytique, par exemple le palladium protégé avec le chlorure stanneux, l'atome d'étain du chlorure stanneux en tant qu'agent protecteur du colloïde de palladium soit lié par coordination au groupe amino ou au groupe thiol de l'agent de couplage de type silane ou de type titane pour lier le colloïde de palladium. Autrement dit, la solution colloïdale de Pd protégée par le chlorure stanneux agit sur la pastille 1 après le traitement de couplage, et l'atome d'étain du colloïde de Pd est lié par coordination au groupe amino ou au groupe thiol de l'agent de couplage de type silane ou titane sur la pastille 1, de sorte que le colloïde de Pd peut être fixé solidement. Dans ce cas il est possible d ' 'utiliser tout catalyseur colloïdal de Pd comme le catalyseur de dénomination commerciale Catalyst 9F produit par la société Shipley. Comme il est utilisé dans un procédé pour produire des semi- conducteurs, un catalyseur colloïdal de Pd dans lequel un agent protecteur pour protéger le colloïde de Pd est le chlorure stanneux est préférable. L'excès de chlorure stanneux qui n'est pas lié par coordination à la surface de la pastille 1 est éliminé par lavage avec une solution aqueuse de HBF4 ou de H2so4 pour exposer Pd et achever le prétraitement. Au cours du retrait par lavage, un activateur contenant HBF4, COMMe l'activateur de dénomination commerciale Accelerator 19 produit par la société Shipley, est particulièrement préférable en ce qui concerne la qualité et les performances tandis qu'un activateur de type acide sulfurique comme l'activateur de dénomination commerciale Accelerator 240 est préférable en ce qui concerne l'environnement, bien qu'il pose certains problèmes concernant la qualité et les performances. Dans le produit obtenu en faisant seulement agir la solution colloïdale de Pd sur la pastille 1, le colloïde de Pd est simplement adsorbé sur celle-ci. Il est donc impossible de réaliser le traitement d'activation tout en appliquant des ondes ultrasonores. Quand on met en oeuvre le traitement par ultrasons, un problème se pose du fait que Pd est retiré. Cependant, au cours du traitement préliminaire avec l'agent de couplage de type silane ou de type titane contenant des groupes -NH2 OU -SH et de la liaison par coordination subséquente du colloïde de Pd, Pd est lié chimiquement à la surface et adhère donc solidement, ce qui permet de réaliser le traitement d'activation en appliquant des ondes ultrasonores. Dans ce cas, un petit trou borgne ayant un rapport d'allongement de 1:4 ou plus et un diamètre de 0,3 ktm ou moins est traité aussi de manière tout à fait efficace, et il est possible aussi de recouvrir d'un placage l'intérieur d'un trou ayant un rapport d'allongement de 1: 10 et un diamètre de 0, 18 #tm. Cette étape de prétraitement est réalisée dans une seule et unique coupelle. Pour ce faire, un dispositif à coupelle rotative permettant de réaliser plusieurs traitements dans une même coupelle est préférable. Il est possible aussi d'utiliser un bain d'immersion. Il est possible d'appliquer le prétraitement du placage chimique non seulement au procédé de formation d'un câblage sur une pastille à semiconducteurs mais aussi au traitement de surface de tous les métaux et de toutes les substances inorganiques. Ainsi, il est possible de réaliser un placage robuste et précis avec un haut pouvoir couvrant sans traitement destiné à rendre la surface rugueuse. Dans ce cas, il est judicieux d'utiliser une solution de placage chimique contenant un sel de cuivre, un agent chélatant ampholytique comme la glycine, un agent chélatant de type sel d'ammonium comme le succinate d'ammonium, un réducteur comme l'hypophosphite d'ammonium et un agent tensioactif non ionique, cationique ou anionique de type sel d'ammonium. Ainsi, par exemple, on peut mélanger un sel de cuivre (chlorure ou sulfate), un agent chélatant ampholytique comme la glycine et un agent chélatant de type sel d'ammonium comme le succinate d'ammonium ou le malate. d'ammonium, ajuster le pH du mélange avec de l'ammoniaque et utiliser un réducteur sans ions alcalins comme l'hypophosphite d'ammonium, l'acide hypophosphoreux, le borohydrure d'ammonium ou l'hydrazine, et un agent tensioactif non ionique, cationique ou anionique de type sel d'ammonium. Après ce prétraitement, le dispositif à semi-conducteurs est plongé dans la solution de placage chimique de cuivre selon la présente invention. De préférence, la solution de placage chimique a la composition suivante: chlorure de cuivre (sel de cuivre): 5 à 50 g/litre, par exemple 10 g/litre (on peut utiliser aussi le sulfate de cuivre, le nitrate de cuivre ou le sulfamate de cuivre) chlorure de nickel (accélérateur de placage): 1 mol% ou moins, par exemple 1 mol% par rapport au chlorure de cuivre (on peut utiliser aussi le sulfate de nickel, le nitrate de nickel ou le sulfamate de nickel) éthylènediamine (agent chélatant): 20 à 40 g/litre, par exemple 30 g/litre (on peut utiliser aussi l'acide éthylènediaminetétraacétique (EDTA nitrate de cobalt (réducteur): 25 à 250 g/litre, par exemple 40 g/litre. Concernant les agents indiqués entre parenthèses, il est nécessaire de déterminer la masse correspondant au nombre de moles de chlorure de cuivre ou d'éthylènediamine quand on les utilise. Il est préférable en outre que la température de la solution de placage soit de 20 à 60'C, par exemple 50'C et que son pH soit de 8 à 12, par exemple 9. Quand on réalise le placage en respectant ces domaines, il est possible de former une couche mince de placage de cuivre stable et d'empêcher un décollement de la couche mince, une précipitation anormale (précipitation à d'autres endroits que sur la surface qui doit être recouverte d'un placage, par exemple précipitation sur une paroi interne d'un récipient de bain de placage) et la sédimentation. Dans la composition de la solution de placage, le sel de nickel est ajouté en faible quantité de 1 mol% ou moins. Cette quantité est appropriée pour réaliser un placage chimique de cuivre unifonne et pour obtenir une couche mince dense sans vides et une solution de placage chimique à plus grande durée de vie. La demanderesse a établi que les propriétés de la couche mince de placage sont influencées par la quantité de sel de nickel ajoutée. En effet, en l'absence de sel de nickel, le cuivre 9 croît sous forme de particules, comme le montre la figure 6, le cuivre précipitant sur la couche de catalyseur de Pd de la couche barrière 5 sous forme d'îlots de sorte qu'il se forme des vides entre les particules de cuivre 9, qu'il n'est pas possible de former une couche mince dense et que l'adhérence est médiocre. En outre, quand la quantité de sel de nickel ajoutée est supérieure à 1 mol% par rapport au sel de cuivre dans la solution de placage chimique, il se forme des précipités de cuivre 9' anormaux sur la surface de la couche mince de cuivre résultante 7 comme le montre la figure 7, ce qui est défavorable. Cependant, quand le sel de nickel est ajouté en une quantité spécifique de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la solution de placage chimique, il est possible d'obtenir une couche mince dense sans vides comme le montre la figure 3. Ceci est dû au fait que le nickel, qui a une plus grande activité catalytique que le cuivre, a tendance à précipiter uniformément sur toute la couche de catalyseur de Pd au stade initial du placage chimique. Dans ce cas, il ne se forme pas d'îlots de cuivre comme sur la figure 6 mais on observe une précipitation uniforme du cuivre sur la couche de catalyseur de Pd. En outre, le cuivre croît à l'état colonnaire, ce qui conduit à la formation d'une couche mince de placage 7 sans vides. De plus, l'addition d'une petite quantité de sel de nickel à la solution de placage chimique permet de prolonger la durée de vie de la solution de placage sous l'effet de l'activation catalytique et d'augmenter la vitesse de formation de la couche mince. Par exemple, quand on compare la cas où on ajoute 1 mol% de sel de nickel par rapport au sel de cuivre dans la solution de placage chimique au cas où on n'ajoute pas de sel de nickel, on obtient les résultats suivants: pas d'addition: durée de vie: correspond à 250 cm 2 /litre (épaisseur de couche mince de 100 nm) c'est à dire qu'un litre de solution de placage permet de former une couche mince épaisse de 100 rim. d'une superficie pouvant atteindre 250 cm 2 ; vitesse de formation de couche mince: 15 nm/min Addition: durée de vie: correspond à 550 cm 2 /litre (épaisseur de couche mince de 100 nm) c'est à dire qu'un litre de solution de placage permet de former une couche mince épaisse de 100 nm. d'une superficie pouvant atteindre 550 cm 2 ; vitesse de formation de couche mince: 30 nin/min. Ces résultats révèlent que la durée de vie et la vitesse de formation de couche mince dans le cas de l'addition du sel de nickel sont au moins deux fois plus élevées que dans le cas sans addition. En outre, l'effet de la petite quantité de sel de nickel ajoutée pour former une couche mince de cuivre 7 uniforme comme le montre la figure 3 diminue progressivement depuis le stade où plus de 1% en masse de sel de nickel par rapport à la teneur en cuivre de la solution de placage chimique précipitent. Ainsi, il est possible de former en continu une couche mince de placage de cuivre uniforme et sans vides sous l'effet de l'activation catalytique supplémentaire due à l'addition supplémentaire de sel de nickel à la solution de placage chimique en la même quantité (c'est à dire 1 mol% ou moins) qu'au stade initial. Il est possible de répéter cette nouvelle addition de sel de nickel tant que l'effet est maintenu. Cependant, le nombre d'additions dépend dans une large mesure de la composition de la solution de placage chimique initiale. Le sel d'ammonium est utilisé intégralement dans l'agent chélatant, le réducteur (acide hypophosphoreux) et le tensioactif (de type anionique), et l'ammoniaque est utilisée pour ajuster le pH. Cependant, on peut aussi utiliser la composition suivante: chlorure de cuivre 10 à 100 g/litre (on peut utiliser aussi le sulfate de cuivre ou le sulfamate de cuivre) glycine 2 à 50 g/litre (agent chélatant ampholytique qui peut aussi être un autre acide aminé) succinate d'ammonium 2 à 50 g/litre (sel d'ammonium de l'acide malique, de l'acide citrique, de l'acide malonique ou de l'acide formique) hypophosphite d'ammonium 2 à 50 g/litre* (acide hypophosphoreux, hydrazine ou borohydrure d'ammonium) ammoniaque 5 à 200 ml/litre (le pH est ajusté à une valeur appropriée dans le domaine de 8 à 12). laurylsulfate d'ammonium 0, 1 à 20 mg/litre (Quand le pH est dans le domaine acide, on peut utiliser un activateur cationique, quand le pH est dans le domaine alcalin, on peut utiliser un activateur anionique et quand le pH est dans le domaine ampholytique, on peut utiliser un activateur non ionique). Il est judicieux que la quantité de sel métallique à activité catalytique, tel qu'un sel de nickel, de cobalt, de palladium ou d'or qui joue le rôle d'accélérateur de placage, soit de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre. Il est efficace de mettre en oeuvre le traitement sous l'action d'ondes ultrasonores dans chacune des étapes, au moins à l'état humide. Pour ce faire, il est recommandé de réaliser chaque étape dans la même enceinte à l'aide d'un dispositif à coupelle rotative ou à bain d'immersion tandis qu'une solution de traitement est projetée sur un élément en' rotation qui doit être recouvert d'un placage, ou bien l'élément est plongé dans la solution de traitement après le traitement et est chauffé à une température prédéterminée. Il est judicieux d'utiliser une eau de lavage contenant 1% ou moins d'oxygène dissous dans le lavage qui suit le traitement. C'est à dire que la proportion d'oxygène dissous est abaissée à 1% ou moins dans l'eau de lavage ce qui permet d'éviter l'oxydation de la couche mince de placage et d'augmenter la conductivité. Il est judicieux aussi de réaliser un traitement de cuisson après le placage chimique. Grâce au procédé et à la solution de placage selon l'invention, il est possible d'obtenir un trou d'un diamètre de 0,25 gin ou moins et d'un rapport d'allongement de 5 ou plus, et même d'obtenir un diamètre de 0,13 pLm et un rapport d'allongement de 10 ou plus. Par exemple, même quand le rapport d'allongement d'un trou de contact est égal à 1:10 (par exemple, diamètre d'ouverture de 0J #Lm et profondeur de 1 #tm), il est possible de former une couche de cuivre uniforme recouvrant les parties en gradin de manière satisfaisante. Dans le mode de réalisation précédent, le sel de nickel est ajouté du fait de son effet d'activation catalytique. Il est possible d'obtenir le même effet quand on ajoute un sel d'un métal ayant une activité catalytique plus grande que le cuivre, comme l'or, le palladium, le cobalt ou le platine. La couche de cuivre 7 formée par placage chimique constitue une couche d'ensemencement et en outre le trou de contact est recouvert totalement par une couche mince de placage de cuivre 10 comme le montre la figure 4. Dans ce cas, comme le montre la figure 5, il est possible de former un câblage plat en cuivre IOA en polissant la partie supérieure. Le cuivre déposé par placage chimique est plus dur que le cuivre déposé par galvanoplastie et il est possible d'améliorer la résistance à l'électromigration. De plus, le procédé et la solution selon l'invention peuvent être utilisés non seulement dans un dispositif à semi-conducteurs mais aussi pour un câblage en cuivre pour un substrat de circuit, et la solution de placage peut être remplacée par une solution de placage chimique contenant un réducteur différent du réducteur mentionné ci-dessus; Selon le mode de réalisation précédent, comme un sel de nickel ayant une plus grande activité catalytique que le cuivre est ajouté comme accélérateur de placage en la quantité appropriée par rapport au sel de cuivre, il est possible de former une couche mince de cuivre dense sans vides par placage chimique, ce qui permet d'obtenir les effets suivants: (1) il est possible de réaliser uniformément la formation de la couche d'ensemencement avec du cuivre sur le trou de contact du dispositif à semi- conducteurs et l'introduction du cuivre dans celui-ci sans qu'il se forme des vides, et d'améliorer l'adhérence à la surface qui doit être munie d'un placage; (2) l'addition d'une petite quantité de sel de nickel peut au moins doubler la durée de vie et la vitesse de formation de couche mince de la solution de placage chimique; (3) l'addition répétée du sel de nickel au cours de la durée de vie de la solution de placage chimique permet de prolonger la solution de placage et de l'utiliser de manière répétée; (4) la formation de la couche d'ensemencement de cuivre et l'introduction du cuivre sous l'effet du placage chimique rendent la couche mince plus dure que dans le cas de la galvanoplastie, et augmentent la résistance à l'électromigration; (5) comme ce procédé de placage chimique est différent du procédé de placage chimique qui utilise le formol comme réducteur, les effets sur le corps humain et l'environnement sont atténués, et ce procédé peut être appliqué aussi à un câblage en cuivre pour un substrat de circuit. Il est possible d'apporter différentes modifications à ce mode de réalisation. Par exemple, les composants de la solution de placage, comme le sel de cuivre, l'accélérateur de placage, le réducteur, l'agent chélatant et également l'agent de prétraitement ne sont pas critiques, et il est possible aussi d'utiliser d'autres composants ayant les mêmes caractéristiques. En outre, il est possible d'appliquer le placage chimique non seulement au damasquinage double et au damasquinage simple du circuit intégré d'une pastille à semi-conducteurs mais aussi à différents autres câblages et à tous les éléments qui doivent être munis d'un placage. REVENDICATIONS 1. Procédé de placage chimique caractérisé en ce que, quand une surface d'un élément activé (6) qui doit être muni d'un placage (7) est soumise à un placage chimique de cuivre à l'aide d'une solution de placage chimique contenant un sel de cuivre, un agent chélatant et un réducteur, un sel d'un métal comme l'or, le nickel, le palladium, le cobalt ou le platine est ajouté à la solution de placage chimique en tant qu'accélérateur de placage en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique. 2. Procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce que, quand la quantité de cuivre précipité atteint 1% en masse ou plus par rapport à la teneur en cuivre dans la composition de la solution de placage chimique, le sel de métal en tant qu'accélérateur de placage est ajouté de nouveau. 3. Procédé selon la revendication 2 caractérisé en ce que la quantité de sel de métal ajouté de nouveau est égale à 1 moM ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que le pH de la solution de placage chimique est de 8 à 12. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes caractérisé en ce que la température de la solution de placage chimique est de 20 à 600C. 6. Solution de placage chimique caractérisée en ce qu'elle contient un sel de cuivre, un agent chélatant et un réducteur et en ce qu'un sel d'un métal comme l'or, le nickel, le palladium, le cobalt ou le platine est ajouté en tant qu'accélérateur de placage chimique en une quantité de 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage pour soumettre à un placage chimique de cuivre une surface d'un élément activé (6) qui doit être muni d'un placage (7). 7. Solution selon la revendication 6 caractérisée en ce que, quand la quantité de cuivre précipité atteint 1% en masse ou plus par rapport à la teneur en cuivre dans la composition de la solution de placage chimique, le sel de métal en tant qu'accélérateur de placage est ajouté de nouveau. 8. Solution selon la revendication 7 caractérisée en ce que la quantité de sel de métal ajouté de nouveau est égale à 1 mol% ou moins par rapport au sel de cuivre dans la composition de la solution de placage chimique. 9. Solution selon l'une quelconque des revendications 6 à 8 caractérisée en ce que son pH est de 8 à 12. 10. Solution selon l'une quelconque des revendications 6 à 9 caractérisée en ce que sa température est de 20 à 60'C.