Brevet FR2793895A1 — publié le 20001124

UN DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAL LIQUIDE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristal liquide et plus particulièrement uni dispositif d'affichage à cristal liquide qui présente une meilleure adhésion entre les connections du support intermédiaire mlliS en oeuvre dans un procédé de montage de pouce dit TCP (Tape Carrier Package) et un panneau d'affichage à cristal liquide présentant une couche d'isolation organique, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tcl afficheur. If De façon générale, un affichage à cristal liquide contrôle la transmissivité de la lumière à travers des cellules à cristal liquide en fonction d'un signal vidéo, de sorte à afficher une image représentative du signal vidéo transmis au panneau à cristal liquide, dans lequel les cellules à cristal liquide sont rangées sous forme de matrice. Pour obtenir ce résultat, l'afficheur à cristal liquide comprend des circuits intégrés de i 5 pilotage pour piloter les cellules à cristal liquide qui sont disposées dans la matrice sur le panneau à cristal liquide. Les circuits intégrés de pilotage sont fabriqués sous forme de puces. Les circuits imprimés de pilotage sont chargés sur la bande, lorsque l'afficheur à cristal liquide est réalisé par mise en oeuvre du procédé de transfert automatique sur bande (TAB). nM De façon alternative, si l'affichage à cristal liquide est réalisé par mise en oeuvre du procédé dit de puce sur verre (Chip On Glass ou COG), les puces des circuits intégrés de pilotage sont montés sur le panneau à cristal liquide. Les puces de circuits intégrés qui sont implémentées dans un système COG sont électriquement reliées à une portion de plage de connexion du panneau à cristal liquide à l'aide des connexions du support intermédiaire. La figure I montre une vue de dessus d'un panneau à cristal liquide classique. Le panneau à cristal liquide 2 présente une structure comprenant un substrat inférieur à 4, un substrat supérieur à 6, qui sont fixés de sorte à se trouve l'un face à l'autre. Le panneau à cristal liquide 2 comprend aussi une portion d'affichage 8 qui est munie de no cellules à cristal liquide disposées sous forme de matrice, et une portion de plage de grille 12 et une portion de plage de données 14 disposées de sorte que chaque portion est reliée entre les puces de circuit intégré de pilotage (non représentées) et la portion d'affichage 8. La portion d'affichage 8 comprend des lignes de grille et des lignes de données disposées sur le substrat inférieur 4 de sorte à se couper, des transistors en couche mince pour commuter les cellules à cristal liquide disposées aux intersections des lignes de grille et de données, et des électrodes de pixel qui sont chacune connectées aux transistors en couche mince pour piloter les cellules à cristal liquide. En outre, la portion d'affichage 8 présente des filtres chromatiques séparés par une 2 2793895 matrice noire sur le substrat supérieur 6, qui présente la même taille qu'une région de cellule, ainsi qu'une électrode commune transparente qui appliquée sur la surface des filtres chromatiques. Le substrat inférieur 4 et le substrat supérieur 6 sont séparés l'un de l'autre par des espaceurs, de sorte à définir une ouverture de cellule, et que l'ouverture de cellule puisse être remplie de matériau à cristal liquide. Par ailleurs, le substrat inférieur 4 et le substrat supérieur 6 sont fixés l'un à l'autre par un matériau de scellement qui entoure la portion d'affichage 8. La portion de plage de grille 12 et la portion de plage de données 14 sont prévues sur les bords du substrat inférieur 4 qui ne solnt pas recouverts par le substrat supérieur 6. La portion de plage de grille 12 applique un signal de pilotage de grille provenant des puces des circuit intégrés de pilotage de grille, qui sont comprises dans les puces de circuit intégré de signal, aux lignes de grille de la portion d'affichage 8. La portion de plage de données 14 transmet un signal vidéo provenant des puces de circuit intégré de pilotage de données, qui sont inclus dans les puces de circuit intégré de pilotage, aux lignes de données de la portion d'affichage 8. Le panneau à cristal liquide 2 présentant la structure qui vient d'être décrite, utilise une couche de protection qui est disposée sur l'ensemble de la surface du substrat inférieur 4 afin de protéger les électrodes de pixel et les transistors en couche mince. La couche de protection classique est une couche inorganique en SiNx, en SiOx ou en d'autres matériaux similaires. Afin de minimiser l'effet de couplage causé par les capacités parasites, les électrodes de pixel et les lignes de données qui SOlnt l'une face à l'autre, sont séparées l'une de l'autre en leur centre par la couche protec- trice inorganique, et doivent être séparées l'une de l'autre par une distance constante, par exemple de 3 à 5 gimn. Ceci et indispensable parce que la couche de protection i5 norganique présente une constante diélectrique élevée. De ce fait, l'électrode de pixel qui détermine le taux d'ouverture doit être d'une faible taille. De façon classique, pour rendre l'électrode de pixel plus importante, de telle sorte à améliorer le taux d'ouverture, on utilise un matériau organique tel que du benzocyclobutène (BCB), qui présente une constante diélectrique faible, et qui est utilisé comme couche de protection. Par exemple, dans la demande US-A-5 798 812, est prévu un film d'isolation organique qui recouvre la surface de pixel et les portions des zones de plage de l'afficheur à cristal liquide. Du fait que la couche de protection organique présente une constante diélectri- que plus faible que la couche de protection inorganique d'environ 2,7, l'électrode de pixel peut recouvrir la ligne de données. De la sorte, I'électrode de pixel peut présenter une taille plus importante d'une quantité correspondant au recouvrement entre l'électrode de pixel et les lignes de données, de telle sorte à améliorer le taux d'ouverture de la cellule à cristal liquide. 3 2793895 Un afficheur à cristal liquide fabriqué dans un système de transfert automatique sur bande permet au support muni de connexions sur lequel sont fixées les puces de circuit intégré de pilotage d'entrer en contact avec les portions de plage de grille et de données. Le traitement de transfert automatique sur bande implique que le support intermédiaire soit de façon répétée collé sur puis séparé des portions de plage de données et de portions de plage de grille du panneau à cristal liquide. Afin d'éviter que les électrodes mécaniques qui sont utilisées comme plage de connexion de données ne soient endommagés du fait des étapes répétées de collage et de séparation entre le support et la portion de plage de connexion de données du panneau à cristal x tl liquide, les plages de connexion de données qui sont incluses dans la portion de plage de connexion de données et qui sont définies par des électrodes métalliques sont reliées au support par l'intermédiaire d'électrodes transparentes. Toutefois, la couche de protection organique, faiblement liée avec la couche d'isolation de grille, se sépare donc facilement de la couche d'isolation de grille. Il en résulte que l'électrode transparente, sur la couche de protection organique, peut aussi très facilement être séparée. Ce problème est décrit ci-dessous en référence aux figure de 2 à 5B. La figure 2 est une vue détaillée d'une partie de la portion de plage de grille 12 de la figure 1. La figure 3A est une vue en coupe représentant la portion de plage de grille le long de la ligne A-A' représentée sur la figure 2. La figure 3B est une vue en !o) coupe transversale de la portion de plage de grille 12 le long de la ligne B-B' repré- sentée sur la figure 2. En référence à la figure 2, 3A et 3B, les portions de plage de grille 16 sont disposées sur un substrat de verre inférieur 22, en même temps que les lignes de grille qui sont incluses dans la portion d'affichage. Une couche d'isolation de grille 24 et une couche de protection organique 26 sont séquentiellement déposées ?5 sur toute la surface du substrat de verre inférieur 22 sur laquelle sont ménagées des plages de grille 16. La couche d'isolation de grille 24 et la couche organique de protection 26 sont structurées de sorte à former des trous au niveau de chacune des plages de grille 16. Les trous qui sont disposés au niveau de chacune des plages de grille 16 permettent de découvrir les plages de grille 16. Des motifs d'électrode 1o transparents 20 sont ensuite formés sur la couche de protection organique, de telle sorte que les motifs d'électrode transparentes 20 sont reliés à chacune des plages de grille à travers le trou 18. On notera que la couche de protection organique 26 est faiblement liée ou collée à la couche d'isolation de grille 24, et se sépare donc facilement de la couche d'isolation de grille 24 lorsque le support est séparé de la portion de plage de grille 12 du panneau à cristal liquide. En outre, l'adhésion entre la couche de protection orga- nique 26 et la couche d'isolation de grille 24 est encore affaiblie par les trous 18 qui sont définis dans la couche de protection organique 26 et dans la couche d'isolation 4 2793895 de grille 24, de telle sori-te que presque l'ensemble de la couche de protection organi- que 26 se sépare lorsque l'on sépare le support de la plage de grille 12. De ce fait, la portion de plage de grille 12 ne présente pas une surface uniforme du fait de la séparation de la couche de protection organique 26. A cause de ceci, le support est faiblement relié à la portion de plage de grille 12 lorsqu'il est collé de nouveau à la portion de plage de grille 12 diminuant la surilace de connexion et augrnenltant la résislance. En outre, l'électrode transparente 20 est ainsi séparée dans la portion de plage de grille 12 lorsque la couche de protection organique 26 est séparée et expose les plages de grille 16. De la sori- te les plages de grille 16 peuvent Mn être facilement endommagées ou oxydées. La figure 4 est une vue en détail d'une portion de plage de données 14 de la figure 1. La figure 5A est une vue en coupe transversale représentant la portion de plage de données 14 le long de la ligne A-A' de la figure 4, et la figure 5B est une vue en coupe transversale de la portion de plage de données 14 le long de la ligne B- 3' de la figure 4. Les plages de données 28, telles que représentées sur la figure 4, 5A et 5B sont disposées sur la couche d'isolation de grille 24 d'un substrat inférieur 22, en même temps que les lignes de données (non représentées). Une couche semi-conductrice 30 sous la plage de données 28 s'étend jusqu'à la ligne de données. La couche de protection organique 26 cst disposée sur toute la surface de la couche d'isolation de grille 24 sur laquelle sont prévues les plages de données. La couche de protection organique 26 est structurée de sorte à définir des trous 18 au niveau de chacune des plages de données 28. Des trous 18 définis au niveau de chacune des plages de données 28 permettent d'cxposer les plages de données 28. Des motifs d'électrode transparents 20 sont définis sur la couche de protection organique 26 de telle sorte que les motifs d'électrode 20 soient reliés à chacune des plages de données 28 à travers le trou 18. On notera que la couche de protection organique 26 est faiblement collée à la couche d'isolation de grille 24, et se sépare donc facilement de la couche d'isolation de grille 24 lorsque le support intermédiaire est séparé de la portion de plage de données 14 du panneau à cristal liquide. En outre, l'adhésion entre la couche de protection organique 26 et la couche d'isolation de grille 24 est encore affaiblie par les trous 18 qui sont définis sur la couche de protection organique 26, de sor-te que presque l'ensemble de la couche de protection organique 26 est enlevé pendant ce traitement. 1> De ce fait, la portion de plage de données 14 présente une surface qui n'est pas uniforme à cause de la séparation avec la couche de protection organique 26. A cause de ceci, le support intermédiaire est faiblement relié à la portion de plage de données 14 lorsqu'il est collé de nouveau à la portion de plage de données 14 diminuant la 2793895 surface de connexion qui provoque une résistance plus importante. Par ailleurs, l'électrode transparente 20 est aussi séparée de la portion de plage de grille 12 en même temps que la couche de protection organique 26 de telle sori-te que les plages de données 28 sont exposées, ainsi les plages de données 28 sont fiacilement endommia- gées ou oxydées. Afin de surmonter les problèmes décrits ci-dessous, les modes de réalisation de la présente invention fourrnissenit un affichage à cristal liquide qui présente unec adhé- sion plus importante entre le support intermédiaire mis en oeuvre dans le procédé TCP et un panneau à cristal liquide, tout en assurant un taux d'ouverture important I c grâce à l'usage d'une couche d'isolation organique. Un afficheur à cristal liquide de la présente invention présentant une portion de plage de contact pour entrer en contact avec un circuit intégré de pilotage, comprend un substrat, des plages d'électrode sur le substrat, des électrodes transparentes dispo- sées sur les plages d'électrode, et une couche semi-conductrice disposée entre les i. substrats et les électrodes transparentes, la couche semiconductrice étant en contact avec les électrodes transparentes. Selon un mode de réalisation, la couche semi-conductrice a une forme sensi- blement annulaire. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, l'afficheur comprend un film 2) conducteur anisotrope disposé sur le substrat. Selon encore un autre mode de réalisation, l'afficheur comprend une couche d'isolation de grille disposée sur le substrat. Selon une autre caractéristique de l'invention, la couche semiconductrice est disposée entre la couche d'isolation de grille et les électrodes transparentes. _5 Selon une autre caractéristique de l'invention, la couche semi-conductrice est sur la couche d'isolation de grille pour empêcher une attaque de la couche d'isolation de grille qui se trouve sensiblement en dessous de la couche semiconductrice. Selon un mode de réalisation, la couche semi-conductrice est réalisée en silicium amorphe. n0 La présente invention propose également un afficheur à cristal liquide compre- nant un substrat, une surface de plage sur le substrat et comprend une pluralité de plages d'électrode sur le substrat, une pluralité d'électrodes transparentes sur les plages d'électrode, et une couche semi-conductrice disposée au niveau de la surface de plage, au moins partiellement en-dessous des plages d'électrode et en contact avec les électrodes transparentes. Selon un mode de réalisation de l'invention, la couche semi-conductrice est réalisée en silicium amorphe. 6 2793895 Selon un autre mode de réalisation de l'invenltion, la couche semiconductrice présente une structure sensiblement annulaire. À I'al'ficheur- selon l'invention comprend un film condiucteur anisotrope disposé sur le substrat. Selon un aspect de l'invention, I'afficheur comprend une couche d'isolation de g-ille sur le substrat. Selon un autre aspect de l'invention, la couche semi-conductrice est disposée de sorte à empêcher l'attaque de la couche d'isolation de grille qui se trouve sensi- blement ren dessous de la couche semi-conductrice et des plages d'électrode. iL'invention propose également uni afficheur à cristal liquide comprenalnt un substlrat en verre, une couche d'isolation de grille sur le substrat en verre, des plages d'électrode sur le substrat en verre, des électrodes transparentes sur les plages d'électrode, afin de protéger les plages d'électrode, une couche semi-conductrice sur la couche d'isolation de grille pour empêcher une attaque de la couche d'isolation de 1 5 grille qui est en contact avec les plages d'électrodes, et dans lequel la couche semi- conductrice est en contact avec les électrodes transparentes. Selon un mode de réalisation de l'invention, la couche semi-conductrice présente une structlure sensiblement annulaire et en ce qu'un bord de la plage d'électrode est partiellement recouvert par la couche semi-conductrice. 2() SSelon un autre mode de réalisation, la couche semi-conductrice est réalisée en silicium amorphe. Selon un aspect de l'invention, la couche de silicium amorphe est disposée au dessus de la couche d'isolation de grille. Selon un autre aspect de l'invention, l'électrode transparente est disposée sur la couche semi-conductrice et en contact avec la plage d'électrode à travers des trous ménages dans la couche de silicium amorphe et dans la couche d'isolation de grille lorsque la plage d'électrode est une plage de grille. Selon un autre aspect de l'invention, la couche semi-conductrice est disposée au moins partiellement en dessous de la plage d'électrode lorsque la plage d'électrode est une plage de données. Selon un autre aspect de l'invention, l'électrode transparente est disposée au dessus de la couche semi-conductrice et de la plage de données. L'invention propose également un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une portion de plage de contact, destiné à entrer Cen contact avec un circuit intégré de pilotage, le procédé comprenant les étapes de la fourniture d'un substrat en verre la formation de plages de grille sur le substrat en verre 7 2793895 le recouvrement de toute la surface du substrat en verre palr une couche d'isola- lion de grille et la formation de trous découvrant les plages de grille; la forlmation de plages de données sur la couche d'isolation de grille la disposition d'une couche semi-conductrice sur la couche d'isolation de grille et la formation de la couche semi-conductrice partiellement en dessous des plages de données et au moins partiellement en recouvrement des plages de grille le revêtement sur toute la surface du substrat de verre d'une couche de protec- tion organique l'attaque séquentielle de la couche de protection organique et de la couche d'isolation de grille dans la zone des plages de grille et des pl.ages de dolnnées et enlèvement de la couche de protection organique des surfaces des plages de grille et de données; et la formation d'électrodes transparentes sur les plages de données et de grille pour protéger les plages de données et de grille. Selon uni mode de réalisation du procédé, l'étape de disposition de la couche semi-conductrice comprend la formation de la couche semiconductrice pour qu'elle présente une structure sensiblement annulaire permettant au bord de l'une des plages de données ou de grille d'être partiellement recouvert par la couche semi-conductrice. Selon un autre mode de réalisation du procédé, l'étape d'attaque séquentielle de la couche d'isolation de grille comprend la protection de la couche d'isolation de g-ille en empêchant une attaque de la couche d'isolation de grille qui se trouve sensi- blement en dessous de la couche semi-conductrice. Selon un mode de réalisation du procédé, l'étape de formation de l'électrode tralnsparente comprend le placement de l'électrode transparente de telle sorte que la couche semi-conductrice se trouve sensiblement en contact avec les électrodes transparentes. Ainsi, la présente invention rend possible les avantages d'une adhésion plus forte entre le support intermédiaire et les portions de plage d'un afficheur à cristal liquide, tout en améliorant le taux d'ouverture de l'affichage à cristal liquide. D'autres caractéristiques, éléments seront décrits plus en détail plus ci-dessous, en référence à des modes de réalisation préférés de la présente invention et des dessins joints. L'invention sera mieux comprise à la lumière de la description détaillée qui est donnée ci-dessous et des dessins joints, qui ne sont donnés qu'à titre d'illustration et qui ne limitent pas la présente invention et dans lesquels la figure I est une vue de dessus d'un affichage à cristal liquide classique la figure 2 est une vue de dessus montrant en détail une partie de la portion de plage de grille représentée sur la figure 1; 8 2793895 la figure 3A est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de grille le long de la ligne A-A' de la figure 2 la figure 3B est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de grille le long de la ligne B-B' de la figure 2; la figure 4 est une vue de dessus montrant en détail une partie de la portion de plage de données représentée sur la figure I; la figure 5A est une vue en coupe transversale montrant une portion de plage de données le long de la ligne A' de la figure 4 la figure 5B est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de w) données le long de la ligne B-B' de la figure 4; la figure 6 est une vue de dessus montrant en détail une partie de la portion de plage de grille incluse dans un affichage à cristal liquide selon le mode de réalisation de la présente invention; la figure 7A est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de I 5 grille le long de la ligne A-A' de la figure 6; la figure 7B est une vue en coupe transversale montrant une portion de plage de grille le long de la ligne B-B' de la figure 6; la figure 8 est une vue de dessus montrant en détail une partie d'une portion de plage de données incluse dans un afficheur à cristal liquide selon un autre mode de réalisation préféré de la présente invention; la figure 9A est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de données le long de la ligne A-A' de la figure 8; et la figure 9B est une vue en coupe transversale montrant une portion de plage de données le long de la ligne B-B' de la figure 8. C5 Les modes de réalisation de la présente invention permettant d'améliorer l'adhésion entre un support intermédiaire et les portions de plage d'un panneau à cristal liquide sont décrit en détail en référence aux figures 6 à 9B. La figure 6 est une vue de dessus détaillée montrant une partie de la portion de plage de grille qui est incluse dans un afficheur à cristal liquide selon un mode de En réalisation préféré de la présente invention. La figure 7A est une vue en coupe transversale qui montre la portion de plage de grille le long de la ligne A-A' de la figure 6, et la figure 7B est une vue en coupe transversale qui montre la portion de plage de grille, le long de la ligne B-B' de la figure 6. Des plages de grille 16, tel que représenté sur la figure 6, 7A, et 7B sont prévues sur un substrat de verre inférieur 22, en même temps que les lignes de grille d'une portion d'affichage (non représentée), de préférence formés tous en même temps. Une couche d'isolation de grille 24 est disposée sur toute la surface de substrat de verre inférieur de sorte à recouvrir des plages de grille 16. La couche 9 2793895 d'isolation de grille 24 est structurée de sorte à définir des trous 18 qui sont position- nés au niveau de chacune des plages de grille 16. Les trous 18 permettent de décou- xrir ou exposer les plages de grille 16. Ensuite, des motifs semiconducteurs 32, de préférence en silicium amorphe, sont disposés sur la couche d'isolation de grille 24, autour de chacun des trous 18. Le motif semi-conducteur 32 présente dc préférence une forlme sensiblemenit annulaire en chevauchant une partie du bord de la plage de grille 16. Ensuite, une couche organique de protection cst revêtue sur toute la surface de la couche d'isolation de grille 24, de sorte à bien situer le motif semi-conducteur 32. La couche protectrice organique est ensuite enlevée de la portion de plage de grille, du panneau à cristal liquide. par une opération de formation de structure. La couche d'isolation de grille 24 est aussi structurée par un traitement d'attaque. Lors de l'attaque de la couche d'isolation de grille 24, le motif semi- conducteur 32 fonctionne comme une couche d'empêchemlent d'attaque pour empêcher la sous gravure de la couche d'isolation de grille 24. On notera que si la largeur du motif semi-conducteur 32 est trop faible, une sous gravure de la couche d'isolation de grille 24 se produira au niveau de la surface attaquée. Si ceci se produit, la plage de grille va être endom- magée pendant le traitement de transfert automatique sur bande, et l'électrode transparente qui doit être formée après le traitement d'attaque peut s'ouvrir du fait de la formation d'une marche par le motif semi-conducteur 32 et la couche d'isolation de grille attaquée 24. De la sorte, la largeur de la couche semi-conductrice 32 doit être réglée de façon appropriée pour éviter toute sous gravurle de la couche d'isolation de rIîille. Enfin, les électrodes transparentes 20 sont formées sur chaque motif semi- conducteur. Les électrodes transparentes 20 protègent les plages de grille 16. La portion de plage de grille présentant la structure qui vient d'être décrite élimine toute nécessité d'une couche de protection organique, et d'unile couche d'isolation de grille 24 autour des plages de grille 16, et expose partiellement la surface du substrat de verre inférieur 22, commne représenté sur la figure 7B. En conséquence, la portion de plage de grille empêche la séparation d'électrode transparente 20 provoquée par la faible adhésion entre la couche de protection orga- nique et la couche d'isolation de grille 24, lorsque l'on répète le traitement de transfert automatique sur bande. En outre, un film à conduction anisotrope ACF (non représenté) destiné à relier les connexions du support intermédiaire à la portion de plage de grille est en contact direct avec le substrat de verre inférieur 22. De la sorte, on conserve une adhésion très importante entre la portion de plage de grille, et les connexions du support intermédiaire. La figure 8 est une vue de dessus détaillée montrant une partie d'une portion de plage de données qui est incluse dans l'afficheur à cristal liquide selon un autre mode 2793895 de réalisation préféré de la présente invention. La figure 9A est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de données le long de la ligne A-A' de la figure 8, et la figure 9B est une vue en coupe transversale montrant la portion de plage de données le long de la ligne B-B' de la figure 8. En réftrence aux figures 8, 9A, et 9B la portion dc la plage de grille comprend des motifs de semi-conducteur 32 qui sont dc préfércncec réalisés en silicium amorphe, sur la couche d'isolation de grille 24 et qui sont disposés sur le substrat de verre inférieur 22. Chaque motif semi- conducteur 32 présente de préférence une configuration sensiblement en forme d'anneau ou simnilaire à celle la portion de plage de grille. En outre, le motif de semi- conducteur 32 disposé sur la couche d'isolation de grille 24 s'étend jusqu'à la ligne de données (non représentée). En conséquence, le mlotif semi-conducteur 32 présente sensiblement la même forme que celle de la portion de plage dc données classique. En outre, la portion de plage de données présente des plages de données 28 qui sont remplis au niveau des trous avec les motifs de semi- conducteur 32, et sont aussi recouvertes par la circonférence intérieure de chaque motif semiconducteur 32. Chaque plage de données 28 est en contact avec la couche d'isolation de grille 24 autour du trou défini par le motif semi-conducteur 32 présentant la configuration sensiblement en annieatu. Ensuite, une couche de protection organique est disposée sur toute la surface de la couche d'isolation de grille 24 munie du motif semi- conducteur 32 et des plages de données 28. La couche de protection organique est structurée de telle sorte à être éliminée de la portion de plage de données. La couche d'isolation de grille 24 est aussi structurée par le traitement d'attaque. Lorsque la couche d'isolation de grille est attaquée, les motifs semi-conducteurs 32 servent d'élément d'empêchement de l'attaque pour empêcher la sous gravure de la couche semi-conductrice 24. En conséquence, la couche d'isolation de grille 24 est conservée uniquement sous les plages de données 28 et sous les motifs semiconducteurs 32. On notera que si la largeur du motif semi-conducteur 32 est trop faible, il se produira une sous gravure de la couche d'isolation de grille 24. Si ceci advient, la plage dc grille peut être endommagée lors du traitement automatique sur bande, et l'électrode o transparente qui doit être formée après le traitement d'attaque peut s'ouvrir à cause de l'épaulement provoqué par le motif semi-conducteur 32 et la couche d'isolation de gTrille 24 sous gravée. De la sorte, la largeur du motif semi-conducteur 32 doit être déterminée de façon appropriée à éviter une sous gravure de la couche d'isolation de urille 24. Enfin, des électrodes transparentes 20 sont formées sur les motifs semi- conducteurs 32 et les plages de données 28. Les électrodes transparentes 20 protègent les plages de données 28. La portion de plage de données présentant la structure décrite ci-dessous élimine le besoin d'une couche de protection organique et de la couche d'isolation de grille 24 s'étendant autour des plages de données 28 et l 2793895 découvre de haçon partielle la surface du substrat de verre inférieur 22 comillme repré- senté sur la figure 913. En conséquence, la portion de plage de données empêche la séparation de l'électrode transparente provoquée par la faible force d'adhésion entre la couche de protection organique et la couche d'isolation de grille 24 lorsque l'on répète le traite- ment automatique sur bande. En outre, un film à conduction anisotrope (ACF) (non représenté) destiné à lier les connexions du support intermédiaire à la portion de plage de données est en contact directement avec la surface du substrat de verre infé- rieur 22. En conséquence, l'adhésion entre la portion de plage de données et les connexions du support intermédiaire reste forte. Commlie décrit ci-dessous, des modes de réalisation préférés de la présente invention éliminent le besoin d'une couche de protection organique et d'une couche d'isolation de grille qui est classiquement disposée autour des plages. En conséquence, les modes de réalisation préférés de la présente invention empêchent la séparation de l'électrode transparente lorsque le traitement automatique sur bande est répété. Par ailleurs, des modes de réalisation préférés de la présente invention permettent à un film à conduction anisotrope (ACF) de relier les connexions du support intermédiaire à la portion de plage et de directement entrer en contact avec la surface du substrat de verre inférieur 22. En conséquence, I'adhésion entre la portion de plage et les connexions du support intermédiaire reste forte. En outre, des modes de réalisation de la présente invention proposent un motif semi- conducteur autour de la zone de plage pour empêcher une sous gravure de la couche d'isolation de grille, de telle sorte que les plages ne sont pas endommagées et que les électrodes transparentes ne présentent pas de coupures. Bien que l'invention ait été décrite en particulier en référence aux modes de réalisation préférés, I'homme du métier comprendra que des variations dans la forme et dans les détails peuvent y être faites sans s'écarter de l'esprit de l'invention. 12 2793895 REVENDICATIONS U.- Un alfficheur ài cristal liquide présentant une portion de plage de contact pour entrer en contact avec un circuit intégré de pilotage, I'afficheur comprenant: un substrat (22); des plages d'électrode (1 6) sur le substrat des électrodes transparentes (20) sur les plages d'électrode; ct une couche semi-conductrice (32) disposée entre le substrat et les électrodes transparentes. la couche semi-conductrice étant en contact avec les électrodes transparentes. 2.- L'affichieur dc la rcvendication 1, caractérisé en ce que la couche semni- conductrice a une formle sensiblemlent alnnulaire. 3.- L'afficheur de la revendication I ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend un filmi conducteur anisotrope disposé sur le substrat. 4.- L'affichieur selon l'une des revendications I à 3, caractérisé en ce qu'il comprend une couche d'isolation de grille (24) disposée sur lc substrat. 5.- I,'afficheCur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche semni- conductrice (32) est disposée entre la couche d'isolation de grille (24) et les électro- des transparentes (20). 6.- L'afficheur selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche semi- conductrice (32) est sur la couche d'isolation de grille (24) pour empêcher une atta- que de la couche d'isolation de grille qui se trouve sensiblement en dessous de la couche semi-conductricc. 7.- L'afficheur selon l'une des revendications I à 6, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice est réalisée en silicium amorphe. 8.- Un afficheur à cristal liquide avec une portion de plage de contact, destinée à entrer en contact avec un circuit intégré de pilotage, l'afficheur comprenant uni substrat (22): une surface de plage de contact sur le substrat et une pluralité de plages d'électrode sur le substrat une pluralité d'électrodes transparentes (20) sur les plages d'électrode; et 13 2793895 une couche semi-conductrice (32) disposée au niveau de la surface de plage, au moins partiellement en dessous des plages d'électrode et en contact avec les électro- des transparentes. 9.- L'afficheur selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche semi- conductrice (32) est réalisée en silicium amorphe. 1 0.- L'alticheur selon la revendication 8 ou 9, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice présenIte une structure sensiblement annulaire. 11.- L'afficheur selon la revendication 8, 9 ou 10, caractérisé en ce qu'il comprend un filin conducteur anisotrope disposé sur le substrat 12.- L'affichieur selon l'une des revendications 8 ài 11, caractérisé en ce qu'il comprend une couche d'isolation de grille (24) sur le substrat. 13.- L'affichlCur selon la revendication 12, caractérisé en cc que la couche semi- conductrice (32) est disposée de sorte à empêcher l'attaque de la couche d'isolation de grille (24) qui se trouve sensiblement en dessous de la couche semi-conductrice (32) et des plages d'électrode. 14.- Un afficheur à cristal liquide présentant une portion de plage de contact destinée à entrer en contact avec un circuit intégré de pilotage, l'afficheur compre- nalint un substrat en verre (22) une couche d'isolation de grille (24) sur le substrat en verre des plages d'électrode (16) sur le substrat en verre; des électrodes transparentes (20) sur les plages d'électrode, arrangées pour protéger les plages d'électrode; et une couche semi- conductrice (32) sur la couche d'isolation de grille et arrangée pour empêcher l'attaque d'une couche d'isolation de grille qui est en contact avec les plages d'électrode, la couche semi-conductrice (32) étant en contact avec les électro- des transparentes (20). 15.- L'afficheur selon la revendication 14, caractérisé en ce que la couche semi- conductrice (32) présente une structure sensiblement annulaire et en ce qu'un bord de la plage d'électrode est partiellement recouvert par la couche semiconductrice. 14 2793895 16.- L'afficheur selon la revendication 14 ou 15, caractérisé cei ce que la couche semi-conductrice (32) est réalisée en silicium amorphe. 17.- l'afichieur- selon la revendication 14, caractérisé enl ce que la couche de silicium amorphe est disposée au dessus de la couche d'isolation de grille (24). 18.- L'afficheur selon l'une des revendications 14 à 17, caractérisé en ce que l'électrode transparente (20) est disposée sur la couche semi- conductrice (32) et en contact avec la plage d'électrode (16) à travers des trous ménagés dans la couche de silicium amorphe (32) et dans la couche d'isolation de grille (24) lorsque la plage d'électrode est une plage de grille. 19.- L'afficheur selon l'unile des revendications 14 à I 8, caractérisé en ce que la couche semi-conductrice (32) est disposée au moins partiellement en dessous de la plage d'électrode (28) lorsque la plage d'électrode est une plage de données. 20.- L'afficheur selon la revenidication 19, caractérisé en ce que l'électrode transparente (20) est disposée au dessus de la couche semiconductrice (32) et de la plage de données (28). 21.- Un procédé de fabrication d'un afficheur à cristal liquide présentant une portion de plage de contact, destiné à entrer en contact avec un circuit intégré de pilotage, le procédé comprenant les étapes de la fourniture d'un substrat en verre (22) la formation de plages de grille (16) sur le substrat en v\erre le recouvrement de toute la surface du substrat en verre par une couche d'isola- lion de grille (24) et la formation de trous (18) découvrant les plages de grille (16); la formation de plages de données (28) sur la couche d'isolation de grille (22) la disposition d'une couche semi-conductrice (32) sur la couche d'isolation de grille (24) et la formation de la couche semi-conductrice partiellement en dessous des plages de données et au moins partiellement en recouvrement des plages de grille; le revêtement sur toute la surface du substrat de verre d'une couche de protec- lion organique l'attaque séquentielle de la couche de protection organique et de la couche d'isolation de grille (24) dans la zone des plages de grille (16) et des plages de données (28) et enlèvement de la couche de protection organique des surfaces des plages de grille et de données; et 2793895 la formation d'électrodes transparentes (20) sur les plages dc données et de gr-ille pour protéger les plages de données et de grille. 22.- Lec procédé selon la revendication 21, caractérisé cn ce quc l'étape de disposition de la couche semi-conductrice comprend la formation de la couche semi- conductrice pour qu'elle présente une structure sensiblement aninulaire permettant au bord dc l'une des plates dc données ou de grille d'étre partiellement recouvert par la couche semi-conductricc. 23.- Le procédé selon la revendication 21 ou 22, caracteris enC ce que l'étape d'attaque séquentiellc de la couche d'isolation de grille (24) comprend la protection de la couche d'isolation dc grille en empêchant une attaque de la couche d'isolation de grille qui se trouve sensiblcment en dessous de la couche semiconductrice (32). 24.- Le procédé selon la revendication 21, 22 ou 23, caractérisé en ce que l'étape de formation dc l'électrode transparente comprend le placement de l'électrodc transparente de telic sorte que la couche semi- coniductrice se trouve sensiblement en contact avec les électlrodes transparentes.