Brevet FR2790860A1 — publié le 20000915

PROCEDE ET DISPOSITIF POUR COMMANDER UN PANNEAU D'AFFICHAGE A PLASMA CONTEXTE DE L'INVENTION Domaine de l'Invention La présente invention concerne un procédé et un dispositif pour commander un panneau d'affichage à plasma qui peut afficher une image comprenant divers niveaux de luminosité. Description de l'Art Connexe Un panneau d'affichage à plasma est connu comme l'un des panneaux d'affichage plats. Dans l'affichage à plasma, du phosphore activé agit comme illuminant pour l'affichage. Plus précisément, le panneau d'affichage à plasma comprend de multiples cellules à décharge contenant chacune du phosphore. Le phosphore est activé par les rayons ultraviolets générés par la décharge de gaz effectuée dans chaque cellule. Certains des affichages à plasma développés peuvent afficher une image comprenant divers niveaux de luminosité. Ce panneau d'affichage à plasma est utile pour un écran de télévision plat, pour un panneau d'affichage public, etc. Le panneau d'affichage à plasma comporte habituellement un dispositif de commande qui contrôle les sorties de chaque cellule à décharge, de manière à commander le panneau d'affichage. Le dispositif de commande doit contrôler le nombre de sorties par unité de temps pendant chaque fonctionnement de cellule pour afficher une image comprenant divers niveaux de luminosité. Une séquence connue pour contrôler le nombre de sorties est une séquence de commande qui est une séquence dite de champs secondaires. Dans la séquence de champs secondaires, chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires. Dans un cas o le dispositif de commande emploie cette séquence de champs secondaires pour afficher une image comprenant divers niveaux de luminosité, une pluralité d'images représentées chacune par des données binaires sont affichées sur le panneau d'affichage alors que les images changent très rapidement. C'est-à- dire que l'effet de mémorisation visuelle amène un observateur à reconnaître la pluralité d'images qui changent comme une seule image comprenant divers niveaux de luminosité. Etant donné que le panneau d'affichage à plasma ne peut pas ajuster le niveau de luminosité en contrôlant les tensions, le procédé de commande utilisant la séquence de champs secondaires est employé. Autrement dit, chaque cellule présente simplement deux phases, de sortie et de repos. Les figures lA et lB sont des schémas destinés à expliquer la séquence de champs secondaires utilisée de manière classique. La séquence de commande montrée comporte huit champs secondaires (SF1 à SF8), ainsi, le nombre maximal de niveaux de luminosité autorisé est de 256. Dans ce cas, les champs secondaires SF1, SF2,.... SF7, SF8 correspondent, respectivement, au bit le plus significatif, au second bit,... au septième bit, au bit le moins significatif. Et ils sont respectivement pondérés par les rapports de luminosité 128(27), 64 (26)..., 2(21), 1(2 ). Le 1dispositif de commande du panneau d'affichage à plasma sélectionne le champ secondaire en fonction du niveau de luminosité représenté par un signal vidéo fourni afin d'afficher une image comprenant divers niveaux de luminosité. Chacun des champs secondaires comporte deux sections, une période de balayage tl et une période de maintien t2. Pendant la période de balayage tl, le dispositif de commande détermine la phase (sortie ou repos) de chaque cellule tout en balayant le panneau d'affichage à plasma. Pendant la période de maintien t2, les cellules dans la phase de sortie, conformément à la détermination pendant la période de balayage tl, sortent des lumières. Le nombre de sorties pendant la période de maintien t2 est fonction du nombre d'impulsions de maintien. L'impulsion de maintien fournit une luminosité appropriée conformément à la position du champ secondaire. La durée de la période de balayage tl est constante. C'est-à-dire que tous les champs secondaires ont la même période de balayage tl indépendamment des différences du rapport de luminosité appliqué à chaque champ secondaire. Etant donné que la séquence de champs secondaires est une séquence sur l'axe des temps pour contrôler le panneau d'affichage à plasma afin de le commander, des cas o certains champs secondaires ont une période de maintien t2 insuffisante peuvent survenir lorsqu'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur a une fréquence élevée. Dans le cas d'un panneau à haute résolution, il est difficile d'obtenir le nombre de niveaux de luminosité parce que la séquence de champs secondaires doit balayer un grand nombre de lignes. Même en envisageant le pire, il est impossible d'obtenir le nombre minimal nécessaire de niveaux de luminosité nécessaires pour afficher une image. Une séquence plus complexe que celle montrée sur la figure lB a été appliquée à un panneau d'affichage à plasma couleur en usage, afin d'éviter que des images inutiles soient affichées pendant l'affichage d'images animées. Par exemple, la Publication KOKAI de Demande de Brevet Japonais Non Examinée N H9-127911 présente une technique qui disperse les trames secondaires de sortie et les trames secondaires de repos. La présentation est incorporée dans le présent document par voie de référence dans son intégralité. De plus, un procédé pour disperser les bits supérieurs dans un champ secondaire, un procédé pour linéariser des données représentant le niveau de luminosité, et similaire, ont été proposés ou sont utilisés. Dans les cas ci-dessus, une séquence de commande nécessite plus de 8 champs secondaires afin d'afficher une image comprenant 256 niveaux de luminosité sur un panneau d'affichage à plasma; par conséquent, il est plus difficile d'obtenir une période de maintien t2 suffisante. Dans le panneau à haute résolution, la période de balayage tl, qui détermine la phase de sortie, occupe presque une période de séquence dans 1 champ. Par exemple, dans un signal vidéo de NTSC (National Television System Committee) ou de télévision à haute définition, la durée d'une période dans 1 champ est fixée à un soixantième de/seconde. Dans un cas o un dispositif de commande commande un panneau d'affichage à plasma employant le mode XGA (Extended Graphic Array) pour une zone d'affichage de 1024 X 768 en utilisant un signal vidéo de NTSC ou de télévision haute définition comprenant 8 champs secondaires, la durée totale de la période de balayage tl atteint 12 ms ou plus même si l'écriture pour 1 ligne peut être réalisée en moins d'environ 2 microsecondes. Etant donné qu'un soixantième de seconde équivaut à 16,7 ms, la durée applicable à la période de maintien t2 est d'environ 4 ms. Si ce panneau d'affichage emploie la séquence décrite ci-dessus pour annuler l'affichage d'image inutile, la durée applicable à la période de maintien t2 sera réduite. Si le panneau d'affichage emploie une plus haute résolution plutôt que celle du mode XGA, la durée applicable à la période de maintien t2 sera réduite davantage, du fait de la période de balayage tl étendue provoquée par le plus grand nombre de lignes de balayage. En conséquence, il est difficile d'obtenir une période de maintien t2 suffisante. De plus, la durée de période dans 1 champ sera inférieure à un soixantième de seconde, tandis que le dispositif de commande traite un signal vidéo fourni par un magnétoscope effectuant une option de reproduction (avance rapide, rembobinage, etc.) ou par une console de jeu vidéo ou similaire. Par conséquent, il est également difficile d'obtenir une période de maintien t2 suffisante. RESUME DE L'INVENTION C'est un objet de l1 présente invention de proposer un procédé et un dispositif destinés à commander un panneau d'affichage à plasma. Pour réaliser l'objet ci-dessus, un procédé pour commander un panneau d'affichage à plasma selon un premier aspect de la présente invention est un procédé pour commander le panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, le procédé comprenant: la commande du panneau d'affichage à plasma en utilisant une première séquence de champs secondaires prédéterminée lorsqu'une fréquence d'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est égale ou inférieure à une fréquence prédéterminée; et la commande du panneau d'affichage à plasma en utilisant une seconde séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est supérieure à la fréquence prédéterminée. Selon la présente invention, une séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que celle d'une séquence de champs secondaires normale est sélectionnée si la fréquence du signal de synchronisation verticale est élevée. Ainsi, le panneau d'affichage à plasma est commandé correctement. La seconde séquence de champs secondaires peut être une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires. La seconde séquence de champs secondaires peut être une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. La seconde séquence de champs secondaires peut être une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. Plus précisément, le procédé comprend: la mémorisation, au préalable, dans une mémoire, de plusieurs types d'ensembles de données préparés pour générer plusieurs types de séquences de champs secondaires comprenant les première et seconde séquences de champs secondaires; la spécification de la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur, et la sélection d'un ensemble de données qui peuvent être lues parmi les ensembles de données dans la mémoire conformément à la fréquence spécifiée; la lecture de l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir de la mémoire; la génération d'une séquence de trames secondaires conformément à l'ensemble de données lu; et la commande du panneau d'affichage à plasma conformément à la séquence de trames secondaires générée. L'ensemble de données préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires peut être sélectionné en tant qu'ensemle de données qui peuvent être lues parmi les ensembles de données dans la mémoire tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas délivré. Ainsi, la synchronisation est établie rapidement immédiatement après l'application du signal de synchronisation verticale, pour commander le panneau d'affichage à plasma correctement. De plus, le procédé peut comprendre: l'écriture des données d'image fournies de l'extérieur dans une mémoire de champs; la lecture des données d'image à partir de la mémoire de champs de manière asynchrone par rapport à une synchronisation d'écriture; et la fourniture des données d'image de lecture au panneau d'affichage à plasma. Pour réaliser l'objet ci-dessus, un dispositif pour commander un panneau d'affichage à plasma selon un second aspect de la présente invention est un dispositif pour commander le panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, le dispositif comprenant: un circuit de générateur 15 pour générer les séquences de champs secondaires; un circuit de commande 17 pour commander le panneau d'affichage à plasma conformément aux séquences de champs secondaires générées par le circuit de générateur 15; un circuit de mémorisation 20 pour mémoriser plusieurs types d'ensembles de données préparés pour la génération, par le circuit de générateur 15, de plusieurs types de séquences de champs secondaires; et un circuit de sélecteur 19 pour spécifier une fréquence d'un signal de synchronisation verticale qui est appliqué de l'extérieur par l'intermédiaire d'une borne d'entrée, et pour sélectionner un ensemble de données, qui peuvent être lues par le circuit de générateur 15, parmi les ensembles de données mémorisés dans le circuit de mémorisation 20 conformément à la fréquence spécifiée; dans lequel le circuit de générateur 15 lit l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir du circuit de mémorisation 20, et génère la séquence de champs secondaires conformément à l'ensemble de données lu. Selon ce mode de réalisation, le dispositif pour commander le panneau d'affichage à plasma peut commander le panneau d'affichage à plasma correctement en utilisant plusieurs types de séquences de champs secondaires correspondant à une fréquence du signal de synchronisation verticale entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée. L'ensemble de données qui peuvent être lues tandis qu'un signal de synchronisation verticale de fréquence basse est appliqué est un ensemble de données qui a été préparé pour générer la première séquence de champs secondaires prédéterminée. Au contraire, l'ensemble de données qui peuvent être lues tandis qu'un signal de synchronisation verticale de fréquence élevée est appliqué est un ensemble de données qui a été préparé pour générer une seconde séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires. Le circuit de générateur 15 peut générer la seconde séquence de champs/ secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires. Ou bien, le circuit de générateur 15 peut générer la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. Ou bien, le circuit de générateur 15 peut générer la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. De plus, le circuit de sélecteur 19 peut sélectionner un des ensembles de données dans le circuit de mémorisation 20 qui est préparé pour la génération, par le circuit de générateur 15, de la seconde séquence de champs secondaires en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas appliqué. Ainsi, la synchronisation est établie rapidement immédiatement après l'application du signal de synchronisation verticale pour commander le panneau d'affichage à plasma correctement. De plus, le dispositif peut comprendre: une mémoire de champs 14 pour mémoriser les données d'image fournies p.r l'intermédiaire de la borne d'entrée; et l1 un circuit d'alimentation 16 pour lire les données d'image à partir de la mémoire de champs 14, et pour fournir les données d'image lues au panneau d'affichage à plasma, dans lequel le circuit d'alimentation 16 lit les données d'image de manière asynchrone par rapport à une synchronisation de mémorisation de la mémoire de champs 14. Pour réaliser l'objet ci-dessus, un dispositif pour commander un panneau d'affichage à plasma selon un troisième aspect de la présente invention est un dispositif pour commander le panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, le dispositif comprenant: des moyens de génération 15 pour générer les séquences de champs secondaires; des moyens de commande 17 pour commander le panneau d'affichage à plasma conformément aux séquences de champs secondaires générées par les moyens de génération 15; des moyens de mémorisation 20 pour mémoriser plusieurs types d'ensembles de données préparés pour la génération, par les moyens de génération 15, de plusieurs types de séquences de champs secondaires; et des moyens de sélection 19 pour spécifier une fréquence d'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur, et pour sélectionner un ensemble de données qui peuvent être lues par les moyens de génération 15 parmi les ensembles de données mémorisés dans les moyes de mémorisation 20 conformément à la fréquence spécifiée; dans lequel les moyens de sélection 19 sélectionnent un ensemble de données qui est préparé pour la génération, par les moyens de génération 15, d'une première séquence de champs secondaires prédéterminée, parmi les ensembles de données mémorisés dans les moyens de mémorisation 20 en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est égale ou inférieure à une fréquence prédéterminée, et sélectionnent un autre ensemble de données qui est préparé pour la génération, par les moyens de génération 15, d'une seconde séquence de champs secondaires prédéterminée dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires, parmi les ensembles de données mémorisés dans les moyens de mémorisation 20 en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est supérieure à la fréquence prédéterminée, et les moyens de génération lisent l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir des moyens de mémorisation 20, et génèrent la séquence de champs secondaires conformément à l'ensemble de données lu. Les moyens de génération 15 peuvent générer la seconde séquence de champs secondaires, qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble de données lu à partir des moyens de mémorisation 20 est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. Ou bien, les moyens de génération 15 peuvent générer la seconde séquence de champs secondaires, qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble de données lu à partir des moyens de mémorisation 20 est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. Ou bien, les moyens de génération 15 peuvent générer la seconde séquence de champs secondaires, qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble de données lu à partir des moyens de mémorisation 20 est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. De plus, les moyens de sélection 19 peuvent sélectionner l'ensemble de données préparé pour la génération, par les moyens de génération 15, de la seconde séquence de champs secondaires tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas appliqué. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Ces objets et d'autres objets et avantages de la présente invention deviendront plus évidents lors de la lecture de la description détaillée qui suit et des dessins joints, sur lesquels / les figures 1A et lB sont des schémas destinés à expliquer une séquence de champs secondaires classique pour commander un panneau d'affichage à plasma; la figure 2 est un schéma montrant la structure d'un dispositif de commande selon le mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 est un schéma montrant la structure d'un panneau d'affichage à plasma; les figures 4A à 4F sont des diagrammes illustrant des signaux de tension à appliquer au panneau d'affichage à plasma pour le commander; les figures 5A et 5B sont des diagrammes montrant chacun, schématiquement, une relation entre des signaux entrés par l'intermédiaire d'une borne d'entrée et une image à afficher sur le panneau d'affichage à plasma; les figures 6A à 6E sont des schémas destinés à expliquer les séquences de champs secondaires à employer pour commander le panneau d'affichage à plasma selon le mode de réalisation; et la figure 7 est un schéma montrant la structure d'un circuit de commande qui obtient une séquence de champs secondaires raccourcie en réduisant une impulsion de maintien. DESCRIPTION DETAILLEE DU MODE DE REALISATION PREFERE Un mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit avec référence aux dessins joints. La figure 2 est un schéma montrant la structure d'un dispositif de commande 10 pour un panneau d'affichage à plasma, selon le mode de réalisation de la présente invention. Comme montré sur la figure 2, le dispositif de commande 10 commande un panneau d'affichage à plasma 12 conformément à un signal vidéo, à un signal de synchronisation horizontale SH et à un signal de synchronisation verticale Sv qui sont fournis par l'intermédiaire d'une borne d'entrée 11; ainsi, le panneau d'affichage à plasma 12 affiche une image. Le dispositif de commande 10 comprend un circuit de conversion de signal 13, une mémoire de champs 14, un circuit de générateur de séquence 15, un circuit de sélecteur de données 16, un circuit de commande 17 et un circuit de régulateur de séquence 18. Le circuit de conversion de signal 13 reçoit le signal vidéo, le signal de synchronisation horizontale SH et le signal de synchronisation verticale Sv, et les convertit en données à écrire dans la mémoire de champs 14. La mémoire de champs 14 est une mémoire vive, ou similaire, et mémorise les données converties par le circuit de conversion de signal 13. Les données dans la mémoire de champs 14 peuvent être lues par le circuit de sélecteur de données 16 de manière asynchrone par rapport à l'écriture de données par le circuit de conversion de signal 13. Le circuit de générateur de séquence 15 génère une séquence de commande qui indique les étapes pour commander le panneau d'affichage à plasma 12. Le circuit de générateur de séquence 15 fournit la séquence de commande générée au circuit de sélecteur de données 16 et au circuit de commande 17. Le circuit de sélecteur de données 16 lit les données dans la mémoire de champs 14 selon une synchronisation conformément à la séquence de commande générée par le circuit de générateur de séquence 15, et fournit les données lues au panneau d'affichage à plasma 12. Le circuit de commande 17 génère un signal de commande correspondant à la séquence de commande fournie par le circuit de générateur de séquence 15, et applique le signal de commande généré au panneau d'affichage à plasma 12. Le circuit de régulateur de séquence 18 est préparé pour réguler la séquence de commande générée par le circuit de générateur de séquence 15 conformément à la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Le circuit de régulateur de séquence 18 comprend un circuit de surveillance de fréquence 19 et un circuit de mémorisation de données de séquence 20. Le circuit de surveillance de fréquence 19 spécifie la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11 tout en la surveillant. Le circuit de surveillance de fréquence 19 génère un signal pour sélectionner un ensemble de données de séquence parmi les ensembles de données de séquence mémorisés dans le circuit de mémorisation de données de séquence 20 conformément à la fréquence spécifiée du signal de synchronisation verticale Sv. Le signal généré est appliqué au circuit de mémorisation de données de séquence 20. Le circuit de mémorisation de données de séquence 20 mémorise au préalable plusieurs types d'ensembles de données préparés chacun pojr la génération, par le circuit de générateur de séquence 15, d'une séquence de commande sur la base de la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv. Le circuit de mémorisation de données de séquence 20 permet au circuit de générateur de séquence 15 de lire un des ensembles de données de séquence correspondant au signal fourni par le circuit de surveillance de fréquence 19. La figure 3 est un schéma montrant la structure du panneau d'affichage à plasma 12. Comme montré sur la figure 3, le panneau d'affichage à plasma 12 comprend un dispositif de commande de balayage 21, un dispositif de commande commun 22, un dispositif de commande de données 23 et une matrice de cellules 24. Des cellules à décharge 25 sont agencées dans la matrice de cellules 24. Dans chaque ligne de la matrice de cellules 24, les cellules à décharge 25 sont agencées de manière à émettre des lumières rouges, vertes et bleues, dans cet ordre. Le panneau d'affichage à plasma 12 est un panneau d'affichage de type à matrice de points dans lequel la matrice de cellules 24 comporte m lignes et n colonnes. Des électrodes de balayage SC1, SC2,... SCm et des électrodes communes SU1, SU2,..., SUm sont agencées dans la matrice de cellules 24 parallèlement aux lignes. Ces électrodes contrôlent le fonctionnement des cellules à décharge 25. Et, des électrodes de données D1, D2,... Dn sont agencées dans la matrice de cellules 24 parallèlement aux colonnes. Les électrodes de données contrôlent également le fonctionnement des cellules à décharge 25. Le dispositif de commande de balayage 21 génère des signaux de tension conformément à la séquence de commande, et les applique aux électrodes de balayage SC1 à SCm. Le dispositif de commande commun 22 génère des signaux de tension conformément à la séquence de commande, et les applique aux électrodes communes SUl à SUm. Le dispositif de commande de balayage 21 et le dispositif de commande commun 22 spécifient la séquence de commande sur la base du signal de commande fourni par le circuit de commande 17. Le dispositif de commande de données 23 génère des signaux de tension conformément au signal de données fourni par le circuit de sélecteur de données 16, et les applique aux électrodes de données Dl à Dn. Les figures 4A à 4F illustrent les signaux de tension à appliquer aux électrodes de balayage SC1 à SCm, aux électrodes communes SUx (x; 0-m) et aux électrodes de données Dy (y; 0-n), pour commander le panneau d'affichage à plasma 12. La figure 4A est un diagramme montrant le signal de tension à appliqueraux électrodes communes SUx (x; 0-x). Comme montré sur la figure 4A, le dispositif de commande commun 22 applique une tension constante à l'électrode commune SUx pendant une période de balayage tl décrite ultérieurement, et applique une tension d'impulsion représentant le nombre de sorties par cellule 25 à celle-ci pendant une période de maintien t2 décrite ultérieurement. La figure 4B est un diagramme montrant le signal de tension à appliquer à l'électrode de balayage SC1. Comme montré sur la figure 4B, le dispositif de commande de balayage 21 applique une impulsion d'écriture Pw1 qui désigne la phase (sortie ou repos) de chaque cellule 25 à l'électrode de balayage SC1 pendant la période de/ balayage tl décrite ultérieurement, et applique une tension d'impulsion représentant le nombre de sorties par cellule 25 à celle-ci pendant la période de maintien t2 décrite ultérieurement. La figure 4C est un diagramme montrant le signal de tension à appliquer à l'électrode de balayage SC2, et les figures 4D et 4E montrent les signaux de tension à appliquer, respectivement, aux électrodes de balayage SCm-1 et SCm. Le dispositif de commande de balayage 21 applique une impulsion d'écriture Pwz aux électrodes de balayage SCz (z; 0-m) pendant la période de balayage tl décrite ultérieurement. L'impulsion d'écriture Pwz désigne la phase (sortie ou repos) de chaque cellule 25. Le dispositif de commande de balayage 21 applique également une tension d'impulsion aux électrodes de balayage SCz pendant la période de balayage t2 décrite ultérieurement. La tension d'impulsion est préparée pour contrôler le nombre de sorties de chaque cellule 25. La figure 4F est un diagramme montrant un signal de tension à appliquer aux électrodes de données Dy (y; 0-n). Comme montré sur la figure 4F, le dispositif de commande de données 23 applique un signal de tension aux électrodes de données Dy pendant la période de balayage tl décrite ultérieurement. Le signal de tension indique la phase (sortie ou repos) de chaque cellule 25. Les opérations du dispositif selon le mode de réalisation de la présente invention vont maintenant être décrites. Le dispositif de commande 10 montré sur la figure 2 est capable de sélectionner des séquences pour commander le panneau d'affichage à plasma 12 conformément à la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Les figures 5A et 5B sont des schémas montrant la relation entre les signaux d'entrée provenant de la borne d'entrée 11 et une image à afficher sur le panneau d'affichage à plasma 12. La figure 5A montre schématiquement le signal entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11, et la figure 5B montre schématiquement le signal pour afficher une image sur le panneau d'affichage à plasma 12. Dans le panneau d'affichage à plasma 12, il est difficile de contrôler le niveau de luminosité en contrôlant une tension. Ce fait permet à chaque cellule du panneau d'affichage à plasma 12 de n'avoir que deux phases sélectionnables, sortie ou repos. Afin d'afficher une image présentant divers niveaux de luminosité sur le panneau d'affichage à plasma 12, le dispositif de commande 10 contrôle le nombre de sorties par unité de temps pour chaque cellule du panneau d'affichage à plasma 12. Le dispositif de commande 10 emploie la séquence de champs secondaires en tant que séquence de commande pour contrôler le nombre de sorties. Les figures 6A à 6E sont des schémas destinés à expliquer la séquence de champs secondaires employée dans le dispositif de commande 10. La figure 6B montre une séquence de champs secondaires à employer par le dispositif de commande 10 lorsqu'un signal de synchronisation verticale Sv ayant une fréquence normale, telle que montrée sur la figure 6A, est entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv est de 60 Hz, Laquelle est utilisée dans un signal vidéo, par exemple, pour le NTSC (National Television System Committee) ou pour la télévision haute définition, le dispositif de commande 10 commande le panneau d'affichage à plasma 12 avec la séquence de champs secondaires normale montrée sur la figure 6B. Les figures 6D et 6E montrent des séquences de champs secondaires à employer par le dispositif de commande 10 lorsqu'un signal de synchronisation verticale Sv dont la fréquence est supérieure à la normale est tel que montré sur la figure 6C. Le dispositif de commande 10 commande le panneau d'affichage à plasma 12 avec la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D ou 6E lorsqu'il reçoit un signal provenant, par exemple, d'un magnétoscope effectuant une option de reproduction (avance rapide, rembobinage, etc.), d'une console de jeu vidéo, ou similaire. La séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D comporte moins de champs secondaires dans un champ que la séquence de champs secondaires normale montrée sur la figure 6B. Plus précisément, le champ secondaire SF8 pour le bit le moins significatif est éliminé dans la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D. La séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6E a moins d'impulsions de maintien dans chacun des champs secondaires SF1 à SF8 que la séquence de champs secondaires normale de la figure 6B. Le taux de réduction des impulsions de maintien pour chaque champ secondaire est constant. De plus, le dispositif de commande 10 peut employer une séquence de champs secondaires comportant moins de champs secondaires et d'impulsions de maintien que la séquence de champs secondaires normale montrée sur la figure 6B afin de contrôler les opérations de sortie du panneau d'affichage à plasma 12. Par conséquent, le dispositif de commande 10 emploie une séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que celle de la séquence de champs secondaires normale pour commander le panneau d'affichage à plasma 12 lorsque le signal de synchronisation verticale entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11 a une fréquence supérieure à une fréquence prédéterminée. Chacune des séquences de champs secondaires montrées sur les figures 6B, 6D et 6E comporte la période de balayage tl et la période de maintien t2. La période de balayage tl est une période qui permet au dispositif de commande 10 de balayer la matrice de cellules 24 afin de déterminer les phases (sortie et repos) de chaque cellule 25 et d'indiquer les phases déterminées aux cellules 25. La période de maintien t2 est une période qui permet au dispositif de commande 10 de contrôler les cellules 25 de sorte que les cellules dans la phase de sortie basée sur la détermination pendant la période de balayage tl émettent des lumières. En plus des périodes de balayage et de maintien tl et t2, la séquence de champs secondaires peut comporter une période de prédécharge ou similaire pour une écriture stable vers les cellules. Le circuit de surveillance de fréquence 19 spécifie la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Ensuite, le circuit de surveillance de fréquence 19 génère un signal pour sélectionner un ensemble de données de séquence correspondant à la fréquence spécifiée parmi les ensembles de données de séquence dans le circuit de mémorisation de données de séquence 20, et délivre le signal au circuit de mémorisation de données de séquence 20. Par exemple, lorsqu'un signal de synchronisation verticale Sv dont la fréquence est de 60 Hz, qui est adéquate pour le NTSC ou pour la télévision haute définition, est entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11, le circuit de surveillance de fréquence 19 délivre un signal au circuit de mémorisation de données de séquence 20 pour la sélection de données de séquence afin que le circuit de générateur de séquence 15 génère la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6B. Le circuit de générateur de séquence 15 lit un ensemble de données de séquence approprié parmi les ensembles de données de séquence dans le circuit de mémorisation de données de séquence 20. L'ensemble de données de séquence approprié est un ensemble de données de séquence correspondant au signal généré par le circuit de surveillance de fréquence 19. Le circuit de mémorisation de données de séquence 20 permet au circuit de générateur de séquence 15 de lire uniquement l'ensemble de données de séquence approprié sur la base du signal fourni. Ainsi, le circuit de régulateur de séquence 18 régule une séquence de commande à générer par le circuit de générateur de séquence 15. Dans un autre cas o, par exemple, un signal est entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11 à partir du magnétoscope exécutant l'option de reproduction, de la console de jeu vidéo, ou similaire, le circuit de surveillance de fréquence 19 délivre un signal au circuit de mémorisation de données de séquence 20 pour la sélection de données de séquence afin que le circuit de générateur de séquence 15 génère la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D ou 6E. Le circuit de générateur de séquence 15 lit un ensemble de données de séquence approprié parmi les ensembles de données de séquence dans le circuit de mémorisation de données de séquence 20, et génère une séquence de commande en se basant sur l'ensemble de données de séquence lu. Le circuit de générateur de séquence 15 fournit la séquence de commande générée au circuit de sélecteur de données 16 et au circuit de commande 17. Le circuit de sélecteur de données 16 lit les données à partir de la mémoire de champs 14 selon une synchronisation conformément à la séquence de commande fournie par le circuit de générateur de séquence 15, et fournit les données lues au panneau d'affichage à plasma 12. Ainsi, le dispositif de commande 10 commande le panneau d'affichage à plasma 12 avec la séquence de champs secondaires raccourcie lorsque le signal de synchronisation verticale de fréquence élevée Sv est entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Les techniques présentées dans les Publications KOKAI de Demandes de Brevets Japonais Non Examinées H10-187094 et H10-214059 peuvent être applicables en tant que procédé pour obtenir la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D dans laquelle les champs secondaires sont rédtuits. Les présentations de ces demandes de brevets sont incorporées dans le présent document par voie de référence dans leur intégralité. De plus, une technique présentée dans la Publication KOKAI de Demande de Brevet Japonais Non Examinée NO H10- 307562 peut être applicable en tant que procédé pour obtenir la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6E dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites. De plus, le dispositif de commande 10 commande le panneau d'affichage à plasma 12 avec la séquence de champs secondaires raccourcie montrée sur la figure 6D ou 6E pendant les intervalles d'application du signal de synchronisation verticale Sv. Plus précisément, le circuit de surveillance de fréquence 19 délivre un signal au circuit de mémorisation de données de séquence 20 pour la sélection de données de séquence afin que le circuit de générateur de séquence 15 génère la séquence de champs secondaires montrée sur la figure 6D ou 6E alors qu'aucun signal de synchronisation verticale Sv n'est appliqué par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11. Par conséquent, le dispositif de commande 10 peut commander le panneau d'affichage à plasma 12 sans défaillances même si un signal de synchronisation verticale de fréquence élevée Sv est fourni au dispositif de commande 10 au départ. Les caractéristiques de fonctionnement du panneau d'affichage à plasma 12 ne permettent pas au dispositif de commande 10 de quitter l'opération alors que la séquence de commande est activée. De plus, le dispositif de commande 10 doit synchroniser la séquence de commande avec le signal de synchronisation verticale Sv pendant une période o les séquences de champs ne sont pas générées. Dans ces circonstances, le dispositif de commande 10 utilise la séquence de champs secondaires raccourcie pour commander le panneau d'affichage à plasma 12 pendant les intervalles d'application du signal de synchronisation verticale Sv afin d'établir rapidement la synchronisation pour commander le panneau d'affichage à plasma 12 correctement. Dans un cas o la séquence de champs secondaires raccourcie ayant des impulsions de maintien réduites montrée sur la figure 6E est utilisée, le circuit de mémorisation de données de séquence 20 agit en tant que circuit de mémorisation de configuration d'impulsions 26, comme montré sur la figure 7. Dans ce cas, le circuit de surveillance de fréquence 19 délivre un signal pour la sélection de configuration d'impulsions au circuit de mémorisation de configuration d'impulsions 26 lorsque le signal de synchronisation verticale Sv dont la fréquence est supérieure à la fréquence normale est entré par l'intermédiaire de la borne d'entrée 11, afin que le circuit de générateur de séquence 15 génère une séquence de commande pour la réduction des impulsions de maintien. Ensuite, le circuit de générateur de séquence 15 lit un ensemble de données de configuration d'impulsions approprié parmi les ensembles de données de configuration d'impulsions dans le circuit de mémorisation de configuration d'impulsions 26. Les données de configuration d'impulsion appropriées sont un ensemble de données de Fonfiguration d'impulsions correspondant au signal généré par le circuit de surveillance de fréquence 19. Le circuit de mémorisation de données de configuration d'impulsions 26 permet au circuit de générateur de séquence 15 de lire uniquement l'ensemble de données d'impulsions approprié en se basant sur le signal fourni par le circuit de surveillance de fréquence 19. Le dispositif de commande 10 peut raccourcir la séquence de champs secondaires par la réduction à la fois des champs secondaires et des impulsions de maintien. Comme décrit ci-dessus, le dispositif de commande raccourcit la séquence de champs secondaires en réduisant les champs secondaires ou les impulsions de maintien lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale Sv entré est supérieure à une fréquence prédéterminée, afin d'afficher correctement une image présentant divers niveaux de luminosité sur le panneau d'affichage à plasma 12. Divers modes de réalisation et diverses modifications peuvent être réalisés sans s'écarter de l'esprit général et de l'étendue de l'invention. Les modes de réalisation décrits ci-dessus sont destinés à illustrer la présente invention, non à limiter l'étendue de la présente invention. L'étendue de la présente invention est montrée par les revendications jointes plutôt que par le mode de réalisation. Les diverses modifications réalisées dans le sens d'un équivalent des revendications de l'invention et selon les revendications doivent être considérées comme étant comprises dans l'étendue de la présente invention. La présente demande de brevet est basée sur la Demande de Brevet Japonais No Hll-061342 déposée le 9 mars 1999 et comprenant une description, des revendications, des dessins et un résumé. La présentation de la Demande de Brevet Japonais ci-dessus est incorporée dans le présent document par voie de référence dans son intégralité. REVENDICATIONS 1. Procédé pour commander un panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, caractérisé en ce que ledit procédé comprend: la commande dudit panneau d'affichage à plasma en utilisant une première séquence de champs secondaires prédéterminée lorsqu'une fréquence d'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est égale ou inférieure à une fréquence prédéterminée; et la commande dudit panneau d'affichage à plasma en utilisant une seconde séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est supérieure à la fréquence prédéterminée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde séquence de champs secondaires est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde séquence de champs secondaires est une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la seconde séquence de champs secondaires est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend, de plus: la mémorisation, au préalable, dans une mémoire, de plusieurs types d'ensembles de données préparés pour générer plusieurs types de séquences de champs secondaires comprenant les première et seconde séquences de champs secondaires; la spécification de la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur, et la sélection d'un ensemble de données qui peuvent être lues parmi les ensembles de données dans ladite mémoire conformément à la fréquence spécifiée; la lecture de l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir de ladite mémoire; la génération d'une séquence de trames secondaires conformément à l'ensemble de données lu; et la commande dudit panneau d'affichage à plasma conformément à la séquence de trames secondaires générée. 6. Procédé selon la reyendication 5, caractérisé en ce que l'ensemble de données préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires est sélectionné en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues parmi les ensembles de données dans ladite mémoire tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas délivré. 7. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comprend, de plus: l'écriture de données d'image fournies de l'extérieur dans une mémoire de champs; la lecture des données d'image à partir de ladite mémoire de champs de manière asynchrone par rapport à une synchronisation d'écriture; et la fourniture des données d'image lues audit panneau d'affichage à plasma. 8. Dispositif pour commander un panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, ledit dispositif comprenant: un circuit de générateur (15) pour générer les séquences de champs secondaires; un circuit de commande (17) pour commander ledit panneau d'affichage à plasma conformément aux séquences de champs secondaires générées par ledit circuit de générateur (15); un circuit de mémorisation (20) pour mémoriser plusieurs types d'ensembles de données préparés pour la génération, par ledit circuit de générateur (15), de plusieurs types de séquences de champs secondaires; et un circuit de sélecteu (19) pour spécifier une fréquence d'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur par l'intermédiaire d'une borne d'entrée, et pour sélectionner un ensemble de données qui peuvent être lues par ledit circuit de générateur (15) parmi les ensembles de données mémorisés dans ledit circuit de mémorisation (20) conformément à la fréquence spécifiée, caractérisé en ce que ledit circuit de générateur (15) lit l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir dudit circuit de mémorisation (20), et génère la séquence de champs secondaires conformément à l'ensemble de données lu. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que ledit circuit de sélecteur (19) sélectionne un ensemble de données qui est préparé pour la génération, par ledit circuit de générateur (15), d'une première séquence de champs secondaires prédéterminée parmi les ensembles de données mémorisés dans ledit circuit de mémorisation (20) en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues, lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale fourni par l'intermédiaire de la borne d'entrée est égale ou inférieure à une fréquence prédéterminée, et sélectionne un autre ensemble de données qui est préparé pour la génération, par ledit circuit de générateur (15), d'une seconde séquence de champs secondaires dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires parmi les ensembles de données mémorisés dans ledit circuit de mémorisation (20) en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale fourni par l'intermédiaire de la borne d'entrée est supérieure à la fréquence prédéterminée. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit circuit de générateur (15) génère la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires. 11. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit circuit de générateur (15) génère la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. 12. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit circuit de générateur (15) génère la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires. 13. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit circuit de sélecteur (19) sélectionne un des ensembles de données dans ledit circuit de mémorisation (20)/ qui est préparé pour la génération, par ledit circuit de générateur (15), de la seconde séquence de champs secondaires en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas délivré. 14. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend, de plus: une mémoire de champs (14) pour mémoriser des données d'image fournies par l'intermédiaire de la borne d'entrée; et un circuit d'alimentation (16) pour lire les données d'image à partir de ladite mémoire de champs (14), et pour fournir les données d'image lues audit panneau d'affichage à'plasma, dans lequel ledit circuit d'alimentation (16) lit les données d'image de manière asynchrone par rapport à une synchronisation de mémorisation de ladite mémoire de champs (14). 15. Dispositif pour commander un panneau d'affichage à plasma en utilisant des séquences de champs secondaires dans lesquelles chaque champ comporte une pluralité de champs secondaires, ledit dispositif comprenant: des moyens de génération (15) pour générer les séquences de champs secondaires; des moyens de commande (17) pour commander ledit panneau d'affichage à plasma conformément aux séquences de champs secondaires générées par lesdits moyens de génération (15); des moyens de mémorisation (20) pour mémoriser plusieurs types d'ensembles le données préparés pour la génération, par lesdits moyens de génération (15), de plusieurs types de séquences de champs secondaires; et des moyens de sélection (19) pour spécifier une fréquence d'un signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur, et pour sélectionner un ensemble de données qui peuvent être lues par lesdits moyens de génération (15) parmi les ensembles de données mémorisés dans lesdits moyens de mémorisation (20) conformément à la fréquence spécifiée, caractérisé en ce que lesdits moyens de sélection (19) sélectionnent un ensemble de données qui est préparé pour la génération, par lesdits moyens de génération (15), d'une première séquence de champs secondaires prédéterminée parmi les ensembles de données mémorisés dans lesdits moyens de mémorisation (20) en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est égale ou inférieure à une fréquence prédéterminée, et sélectionnent un autre ensemble de données qui est préparé pour la génération, par lesdits moyens de génération (15), d'une seconde séquence de champs secondaires prédéterminée dont la longueur de champ est plus courte que la longueur de champ de la première séquence de champs secondaires parmi les ensembles de données mémorisés dans les moyens de mémorisation (20) en tant qu'ensemble de données qui peuvent être lues lorsque la fréquence du signal de synchronisation verticale appliqué de l'extérieur est supérieure à la fréquence prédéterminée, et lesdits moyens de génération lisent l'ensemble de données qui peuvent être lues à partir desdits moyens de mémorisation (20), et génèrent la séquence de champs secondaires conformément à l'ensemble de données lu. 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que lesdits moyens de génération (15) génèrent la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble de données lu à partir desdits moyens de mémorisation (20) est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. 17. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que lesdits moyens de génération (15) génèrent la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble de données lu à partir desdits moyens de mémorisation (20) est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. 18. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que lesdits moyens de génération (15) génèrent la seconde séquence de champs secondaires qui est une séquence de champs secondaires dans laquelle un champ secondaire prédéterminé manque par rapport à la première séquence de champs secondaires et dans laquelle les impulsions de maintien sont réduites de sorte que la seconde séquence de champs secondaires soit plus courte que la première séquence de champs secondaires, si l'ensemble /de données lu à partir desdits moyens de mémorisation (20) est préparé pour générer la seconde séquence de champs secondaires. 19. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que lesdits moyens de sélection (19) sélectionnent l'ensemble de données préparé pour la5 génération, par lesdits moyens de génération (15), de la seconde séquence de champs secondaires tandis que le signal de synchronisation verticale n'est pas délivré.