Brevet FR2788708A1 — publié le 20000728

Description RÉFERENCE DE L'APPLICATION Cette application est en parti une continuité de notre application enregistrée le 23 juin 1998 au numéro 98 08103. Certains traits de la présente invention sont tirés de l'application citée ci-dessus et s'y réfèrent. DOMAINE DE L'INVENTION La présente invention concerne une innovation de la technologie de traitement de surfaces des tranches de silicium dans la fabrication de circuits intégrés et de matériaux semi-conducteurs. L'industrie de la microélectronique requiert l'utilisation de nettoyages et donc d'équipements spécifiques dans le but de maîtriser le niveau d'impuretés de type organiques, métalliques ou particulaires afin d'améliorer la qualité des puces et donc le rendement des dispositifs. SUPPORT DE L'INVENTION Pour réaliser les circuits intégrés, l'industrie de la microélectronique utilise des solutions chimiques pour le nettoyage de la surface des substrats semi- conducteurs. Les procédés de nettoyage sont utilisés afin de maîtriser le taux de contaminants en surface ainsi qu'à l'intérieur du matériau. Ces procédés sont implémentés sur des appareils composés d'autant de bacs qu'il y a d'étapes de nettoyage chimique en phase liquide. On utilise donc des produits chimiques à fortes concentrations à l'état liquide qu'il faut acheminer en salle blanche à l'équipement de production. La technologie de nettoyage de tranches de silicium la plus répandue parmi les sites de production repose d'une part sur le procédé RCA inventé par Werner KERN et PUOTINEN en 1970 et d'autre part sur des équipements composés de bacs fabriqués en différents matériaux comme le PVDF "polyvinyladiene fluoride" ou le quartz. Ces équipements sont un assemblage de différentes méthodes de nettoyage et de séchage: leurs dimensions sont en conséquence de la technologie utilisée à savoir que leur empattement est assez important. Etant donné le coût d'entretien des salles blanches de plus en plus onéreux, une préoccupation majeure devient d'une part la réduction de la taille des équipements d'élaboration des semi-conducteurs et d'autre part la simplification des procédés par une plus grande maîtrise des produits chimiques utilisés. Ces équipements de nettoyages à plusieurs bacs représentent un coût de maintenance assez important du fait du nombre de bains chimiques incorporés et d'instrumentations associées. Le procédé standard RCA reste la référence malgré les efforts de développement. Toutefois le RCA, composé de différentes étapes de nature chimiques différentes, requiert l'utilisation de produits chimiques liquides de fortes concentrations et pour une efficacité de plus en plus haute fonctionne à des températures élevées. Les produits utilisés demandent des recyclages et traitements avant rejet tout comme la forte évaporation engendrée par les paramètres du procédé. Tout ceci conduit à une hausse des coûts d'exploitation pour une technologie qui atteint sa limite en terme d'efficacité. Cette limite se situe à différents points à savoir la rugosité de surface des tranches de silicium due à la température des solutions chimiques et aux réactions hasardeuses, le déficit d'efficacité de retrait des contaminants en fin de procédé étant donné qu'une étape sert à retirer la contamination engendrée par la précédente et occasionne une contamination à son tour. Le développement de nouvelles technologies a conduit soit à chercher une solution sur l'équipement soit sur le procédé chimique de nettoyage, mais rarement sur les deux ensemble, d'o le résultat d'inadéquation entre les besoins de nettoyage de plaques et les fonctions des techniques proposées pour aborder la fabrication des ULSI ( Ultra Large Scale Integrated). L'intégration croissante de transistors impose de contrôler tous les types de contamination à savoir organique, métallique et particulaire. De ce fait les technologies actuelles ou en substitution ne correspondent plus aux exigences des nouvelles filières. Il s'avère que les paramètres prépondérants sont aussi bien de nature technique en terme d'efficacité et d'évolution potentielle que de la gestion des coûts par la mise en oeuvre des techniques. Le développement de nouveaux procédés a conduit certains industriels à explorer la solution en phase vapeur. Cette solution offre certains avantages comme éviter la recontamination des tranches en cours de traitement mais n'améliore en rien le nettoyage de façon intrinsèque. Toutefois l'utilisation de source chimique à l'état de gaz offre certains avantages comme la pureté des produits et la distribution de ceux-ci in situ. Mais cette voie de solution ne permet pas de réduire les coûts d'exploitation du fait d'appareillage complexes contrôlant l'atmosphère par exemple ou comme des temps d'élaboration assez longs pour une efficacité toute relative. Le développement de nouveaux procédés de traitement chimique des plaques de silicium a conduit par exemple Kazuyoshi Manako de Sumitomo Sitix à explorer une voie en milieu acide et propose dans son application de référence JP 509,222 une solution liquide de nettoyage à base de HF ( acide fluorhydrique) à l'état liquide et d'ozone. Ce procédé se réalise en utilisant un bain de HF en recirculation dans lequel est injecté le gaz d'ozone. Cette technique offre une substitution au procédé standard, mais ne permet pas d'établir un nettoyage correspondant aux besoins des fondeurs car il reste incomplet. En effet cette solution HF: 03 offre les fonctions de gravure de la couche de silice ou d'oxyde natif du substrat comme l'a montré Y Fukazawa de Toshiba au travers de plusieurs travaux publiés et retire les métaux nobles avec un certain niveau, d'efficacité voisin des solutions standards et les particules avec une efficacité inférieure à la solution standard. Globalement Kazuyoshi Manako offre la possibilité d'utiliser une solution chimique innovante mais incomplète par ses fonctions en utilisant une méthode classique. Sa limitation à des étapes de gravures vient de la méthode de réalisation et de l'orientation de nettoyer une surface plutôt que la préparer, mais aussi du fait de l'unique étape de nettoyage ce qui a pour effet d'augmenter la rugosité et laisse des particules et un taux élevé de carbone. Une autre voie a été explorée par Man Wong de Texas Instrument et propose dans son application de référence US 184,801 une solution HF: 03 à l'état de vapeur en utilisant l'acide fluorhydrique à l'état de gaz aussi bien à la source qu'au cours du procédé. Cette solution offre les mêmes compromis que la technique des professeurs japonais Kazuyoshi Manako et Y Fukazawa. La technique repose sur l'outil de réalisation qui permet d'utiliser des produits à l'état de gaz en contrôlant deux paramètres essentiels que sont la pression et la température. Ce type d'appareil et son exploitation ne permet pas de réduire les coûts comme l'exprime les besoins des fondeurs pour les filières de gravure inférieure à 0,18 [um: cette technique est préférée pour une étape de nettoyage particulière qui suit l'étape de gravure sèche mais en aucun cas utilisée pour préparer les tranches à une croissance épitaxiale ou d'oxyde de grille ou encore de retrait d'abrasifs à la suite d'un polissage par CMP ( Chemo Mechanical Polishing). SOMMAIRE DE L'INVENTION Etant donné l'état de l'art, le problème posé suppose une réduction des coûts par l'utilisation de solutions très diluées et de gaz plutôt que des produits liquides pour des raisons de pureté, de flexibilité d'emploi de solution au caractère souhaité, de contrôle simultané des trois mécanismes de dépôts d'impuretés (précipitation, inclusion et cémentation) et d'une réalisation simplifiée au maximum par l'utilisation d'un seul bac à toutes les étapes comprenant les séquences de nettoyage, de préparation de surface avant et après nettoyage et de séchage nécessaire pour réduire les impuretés au taux souhaité. La technique faisant l'objet de la présente invention est basée sur une flexibilité d'emploi en fonction de l'étape d'élaboration du semiconducteur, sur la réduction des coûts par l'utilisation d'une solution de rinçage dopé, solution très diluée laquelle comporte ou pas des gaz dissolus dans une eau ultra pure traitée et sur une haute efficacité de retrait des différents types de contaminants selon une technique de retrait simultané. Un moyen de réalisation et son procédé qui complète et améliore les fonctions souhaitées est conçu afin de répondre aux besoins des fondeurs. Cet outil de réalisation ainsi qu'un procédé original de traitement des substrats semi-conducteurs sous forme de trois cycles d'étapes d'un cycle de séchage font l'objet de la présente invention. Chaque cycle d'étapes est particulier à une étape critique de fabrication des semi-conducteurs et est basé sur une implémentation identique sur l'outil de réalisation. Les étapes critiques concernées par la présente invention concerne un cycle d'étapes pour le traitement de surface des substrats semi-conducteurs avant une croissance de couches minces telles qu'une croissance d'oxyde thermique utilisé comme oxyde de grille pour des transistors ou une croissance épitaxiale ou d'un dépôt de couches minces, un cycle d'étapes pour le traitement de surface des substrats semi- conducteurs après une étape d'abrasion ou de polissage utilisant ou pas une solution abrasive sur tout type de couches minces à savoir silicium, isolant, métaux et un cycle d'étapes pour le traitement de surface des substrats semi-conducteurs pour une action de gravure de couches isolantes telles qu'une couche d'oxyde thermique, chimique ou d'une couche de matériaux à caractère isolant de type polymère déposée par différentes méthodes. En effet les besoins des fondeurs prennent en compte des paramètres comme la logistique, la maintenance, les rejets de produits, les produits utilisés et leur quantité, la modularité du procédé et son évolution à travers le temps, une efficacité de retrait de tous les types de contamination, de la maîtrise des surfaces comme la micro rugosité ou encore le type de terminaisons chimiques en fin de cycle. Ces caractéristiques sont le fruit de l'évolution des besoins. Par conséquent la technique de la présente invention doit comporter les fonctions qui sont la réponse à ces besoins à coûts maîtrisés. L'outil de réalisation comprend un seul bac dans lequel seront effectuées l'ensemble des étapes paramétrées d'un procédé de traitement de surface. Cette technique de réalisation répond aux critères suivants: - réduction de l'empattement - évite l'effet de contamination à l'interface air-liquide des tranches de silicium dû au déplacement vertical des plaques à travers les différents bacs - réduction d'appareillages comme les bacs, les pompes, les filtres, les systèmes de chauffe, les joints, les vannes, les systèmes de maîtrise des bains chimiques - la réduction drastique des rejets - l'utilisation de matériaux et d'outils disposés à des positions o leur efficacité est accrue - pas de conduites externes et installation d'adduction particulière - apporter une solution fraîche durant l'ensemble du cycle - implémenter l'ensemble d'un cycle de traitement de surface sur le même bac - implémenter sur le même outil le procédé de préparation de surface et le procédé de séchage. BREVE DESCRIPTION DES SCHEMAS Les différents aspects cités auparavant sont illustrés dans les schémas référencés comme suit: - figure n 1: vue de face du bac intérieur contenant le bain et son contre-bac - figure n 2: descriptif du dispositif de production d'ondes acoustiques par des zones piézoélectriques synchrones et asynchrones - figure n 3-a: descriptif d'une zone piézoélectrique - figure n 3-b: descriptif du fonctionnement synchrone de zones piézoélectriques - figure n 4: vue générale du système de filtration de la solution de rinçage dopé - figure n 5: vue générale du système de bullage du solvant - figure n 6: vue générale de l'ampoule de bullage du gaz HCI - figure n 7: vue générale de l'ampoule de bullage du gaz 03 - figure n 8: vue générale de l'ampoule de bullage du gaz HF figure n 9: descriptif du dispositif de distribution de la solution de rinçage dopé dans le bac - figure n 10: vue générale du système de distribution latérale de la solution de rinçage dopé dans le bac - figure n 1: vue générale du système de distribution de la solution de rinçage dopé dans le bac avec flux gravitationnel - figure n 12: vue générale du système de maintien des tranches de substrats semi-conducteurs à l'intérieur du bac - figure n 13: descriptif du circuit primaire de gestion de l'eau ultra pure servant à alimenter en eau ultra pure traitée le dispositif de bullage - figure n 14: descriptif du système de distribution des différents produits et utilisation des différents composants et dispositifs servant au fonctionnement et à l'implémentation du procédé de traitement de surface de substrats semi-conducteurs par une solution de rinçage dopé. DÉTAILS DE L'INVENTION Les différents instruments qui caractérisent la technique de traitement de surface de substrats semi-conducteurs servant à l'implémentation d'un procédé de traitement de surface utilisant une solution de rinçage dopé sont cités et décrits dans leur fonctionnement et leur utilisation dans la présente invention en utilisant les références des schémas précités. Un système de refroidissement des liquides par un échangeur de chaleur qui sert à maintenir à une température en dessous de la température ambiante la solution de rinçage dopé. Ce dernier passe au travers d'un serpentin qui a pour effet d'échanger de la chaleur entre la solution de rinçage dopé à exploiter et un liquide maintenu à température constante. Un échangeur de chaleur dit principal est positionné dans le circuit primaire, montré à la figure n 13, d'eau ultra pure traitée et un second échangeur de chaleur dit de support positionné avant l'entrée de la solution de rinçage dopé dans la chambre 2 montré à la figure n 14. Un dispositif de maintien à très haute température de l'eau ultra pure, montré à la figure n 14, est utilisé pour alimenter la chambre 2 en une eau ultra pure proche de la vaporisation. Ce système est un chauffe-eau 56 dont le fonctionnement est basé sur le chauffage par micro-ondes de tubes de quartz dans lesquels circule l'eau. Trois pompes pneumatiques de puissance variable permettant de faire circuler les liquides et d'alimenter les différents composants de ce dispositif 1, à savoir une pompe principale pl, montrée à la figure n 14, dédiée à la circulation de la solution de rinçage dopé pour alimenter l'échangeur de chaleur secondaire et le système de filtration de la solution avant injection dans la chambre 2. Une pompe dite pompe secondaire p2, montrée à la figure n 14, qui sert à alimenter en eau. ultra pure à haute température la chambre pour le séchage. La troisième pompe p3, montrée à la figure n 13, sert à alimenter en eau ultra pure traitée le dispositif de bullage ou la chambre 2 et maintient par la circulation de l'eau ultra pure traitée le niveau requis de cette eau en fonction de la demande. Plusieurs types de filtres à gaz, montrés à la figure n 14, sont utilisés à savoir un filtre de rétention particulaire 53 pour le gaz HF à la sortie de son injecteur, un filtre de rétention particulaire 47 pour le gaz HCI à la sortie de son injecteur, un filtre de rétention particulaire 50 pour le gaz 03 à la sortie de son injecteur, un filtre de rétention particulaire 58 pour le gaz N2 à la sortie de son injecteur placé à la source. Ces filtres seront choisis suivant la fourniture des fabricants commrnre Millipore ou Pall. Trois filtres identiques à membranes servant à la rétention particulaire, montrés à la figure n 14, sont utilisés pour filtrer une solution de rinçage après dissolution d'un gaz et avant libération dans la conduite principale montrée sur la figure n 14. Ces trois filtres à liquides ont le même pouvoir de rétention et seront choisis suivant la fourniture des fabricants comme Millipore ou Pall. Un filtre à membranes adapté à la filtration des solvants existant déjà sur le marché et qui est utilisé pour filtrer un solvant dans la solution de séchage. L'art de la présente invention repose en effet sur l'utilisation de gaz plutôt que de liquide. Les produits sont à la source à l'état de gaz et sont dissolus par une technique de bullage dans de l'eau ultra pure traitée. De ce fait, trois injecteurs, montrés à la figure n 14, sont utilisés avant la filtration du gaz dans une ampoule de bullage et chaque injecteur est dédié à l'injection d'un gaz en particulier, à savoir un injecteur pour le gaz HF permettant de contrôler le débit de ce dernier, un injecteur pour le gaz HCI permettant de contrôler le débit de ce dernier,un injecteur nommé ozoneur pour le gaz 03permettant de contrôler le débit de ce dernier. La production d'ozone se fait à partir d'un autre gaz qui est l'oxygène. Un générateur d'ozone est l'instrument qui va séparer les atomes d'oxygène et les rassembler pour former l'ozone sous le contrôle d'un arc électrique plusieurs fabricants proposent ce type de dispositif et ne requiert pas de spécificités pour la présente technique. L'ensemble des instruments cités dans la présente invention sont reliés à un micro-contrôleur, lequel permet le fonctionnement général du dispositif 1 par la coordination d'ouverture et de fermeture de vannes pneumatiques, des pompes en fonction du paramétrage du procédé de traitement de substrats semi-conducteurs faisant l'objet de la présente invention. Le dispositif de traitement des substrats 1 montré par une vue de face à la figure n l comporte un bac de forme cylindrique 2 nommé chambre et un contre-bac 3 à deux niveaux. Ce contre-bac 3 a un niveau supérieur 4 séparé du niveau inférieur 6 par une plaque parsemée d'orifices 5. Le niveau supérieur 4 est un collecteur de la solution de rinçage dopé utilisée dans le procédé de traitement de substrats. La technique d'implémentation du dit procédé de traitement de surface est caractérisée par l'utilisation d'une solution continuellement renouvelée et donc par un flux dynamique qui entre dans la chambre 3 par un dispositif de distribution de la solution de rinçage dopé. Ce dispositif décrit par les figures n 9, 10, Il permet d'injecter la solution de rinçage dopé dans la chambre de deux techniques différentes et complémentaires à savoir une injection 7, décrite par la figure n I l, au-dessus des tranches de substrats semi-conducteurs 9, par un flux gravitationnel réparti entre trois tubes parsemés d'orifices disposés sur la longueur du cylindre et une injection latérale 8, décrite par la figure n 10, par un flux dirigé vers les tranches de substrats semi- conducteurs 9 en utilisant six tubes parsemés d'orifices àjet parallèle aux tranches 9 et contrôlé tant en direction qu'en cinétique par un apport d'azote. Ces six tubes sont fixés sur la paroi intérieure de la chambre 12 dans le sens de la longueur du cylindre et lo répartis autour des tranches. De cette façon les tranches de substrats semi- conducteurs 9 sont constamment sous le flux dynamique de la solution injectée à la fois par l'injection 7 et l'injection 8 comme le montre les schémas des figures n 10 et I l. Après passage sur les tranches 9 la solution de rinçage dopé s'écoule et sort par gravitation de la chambre 2 par un dispositif de vidange contrôlé par une vanne à diaphragme 11 ce qui permet soit d'isoler la chambre ou de maîtriser la cinétique d'écoulement. Le niveau inférieur 6 du contre-bac 3 fait office de plénum pour récupérer la solution de rinçage dopé après son unique passage dans la chambre 2. Ce double niveau est utile pour éviter tout risque de contamination chimique des rejets par évaporation sur la chambre de traitement des substrats. La chambre 2 de forme cylindrique caractérisée en ce qu'elle comporte tout autour et sur la longueur du cylindre un dispositif de vibrations 13. La chambre 2 a un volume donné qui est fonction du nombre de tranches ainsi que du diamètre de ces dernières et peut être usinée en utilisant comme matériaux le perfluoroalkoxy ( PFA) ou le quartz. Les tranches de substrats semi-conducteurs 9 se trouvent posées sur un dispositif 10 doté d'une structure particulière. Cette structure caractérisée en ce qu'elle est réalisée avec deux types de matériaux à savoir un acier inoxydable et par du PFA ou un autre matériau: polymère possédant une compatibilité chimique avec la solution de rinçage dopé utilisée comme le décrit la figure n 12. Le dispositif 1 est doté d'une source de vibration située sur les parois intérieures 12 de la chambre 2. Les ondes acoustiques sont produites par le dispositif de vibration 13 et sont propagées perpendiculairement à la paroi intérieure 12 à travers le bain vers l'intérieur de la chambre 2. C'est pourquoi le dispositif 13 épouse cette forme cylindrique décrite par la figure n 1 o la source de vibration agit. Comme le montre la figure n 2 le dispositif de vibrations 13 caractérisé en ce qu'il comporte huit sources piézoélectriques nommées A, B, C, D, E, F, G, H. Une zone piézoélectrique permet la production d'ondes acoustiques 14 par l'effet piézoélectrique lequel provoque des vibrations. Le dispositif 13 caractérisé par la bande de fréquence de propagation des ondes acoustiques comprise entre 500 KHz (kilo Hertz) et 5 MHz (méga Hertz). Les huit zones piézoélectriques sont disposées tout autour de la chambre 2. Leur position permet de balayer la surface des tranches Il de semi-conducteurs 9 placées au centre de la chambre 2. Les ondes acoustiques 14 sont propagées dans le plan perpendiculaire à la paroi intérieure 12 et sont dirigées vers les tranches 9 de telle manière que l'ensemble de la surface des tranches disposées verticalement par le dispositif 10 se trouvent protégées par les ondes acoustiques à une distance de l'ordre de 10 angstrôms de leur surface. Le dispositif 13 caractérisé par sa forme permet que les faces avant et arrière des tranches 9 se trouvent balayées de part et d'autre par les ondes acoustiques produites à partir des huit zones piézoélectriques nommées A, B, C, D, E, F, G, H. Chaque zone piézoélectrique comme le montre la figure n 3-a est caractérisée par sa forme particulière qui épouse la longueur de la chambre 2. Chaque zone piézoélectrique est placée entre la paroi externe et la paroi interne 12 de la chambre 2. Ces zones sont constituées de matériaux à effet piézoélectrique dont une réalisation peut être faite à l'aide de plaques de quartz emprisonnées dans un liquide et qui sont métallisées pour la génération de l'effet piézoélectrique, ce qui en constitue la source de production d'ondes acoustiques. Celles-ci provoquent des vibrations dans le milieu liquide dans lequel elles se propagent. Les ondes sont parallèles au plan des faces de tranches de semiconducteurs 9 comme le montre la figure n 3-b, ce qui a pour effet d'améliorer durant le procédé quelque soit le cycle y compris le cycle de séchage l'efficacité de traitement de surface. La disposition des huit zones piézoélectriques est une caractéristique essentielle du dispositif 1 et la production de vibrations est continue durant l'ensemble de cycle utilisant une solution de rinçage dopé. Cet outil 1 caractérisé en ce qu'il consiste à implémenter un procédé de traitement de surface par voie humide et d'un procédé de séchage in situ qui utilise une solution de rinçage dopé. Etant donné la forme de chaque zone piézoélectrique 15, les ondes acoustiques sont produites des faces intérieures 12 opposées et perpendiculaires aux tranches 9. Ainsi comme le montre la figure n 3-a les ondes acoustiques propagées 16 sont divergentes pour une zone donnée et balayent dans le plan vertical les tranches 9 sur leur face avant et arrière. Le dispositif 13 caractérisé en ce que chaque zone piézoélectrique 15 est de forme concave 17 correspondant au contour de la chambre 2 permet par la génération d'ondes acoustiques divergentes 16 dans le plan horizontal et parallèles dans le plan vertical des tranches 9. Ceci est dû à la propagation des ondes 16 dans le plan perpendiculaire à la paroi 12 d'o elles sont produites et à la forme concave 17 qui la caractérise. Chaque zone piézoélectrique 15 produit des ondes acoustiques de même sens mais de directions divergentes du fait de la concavité 17 de la source piézoélectrique 15 et donc ces ondes pour une zone donnée comme la zone A génèrent des ondes non parallèles entre elles dans le plan horizontal des tranches 9 mais de fréquence identique comprise dans la bande comprise entre 500 kHz et 5 MHz.. La propagation des ondes acoustiques 14 du dispositif 13 se caractérise par le fait que les ondes acoustiques sont parallèles et opposées de direction de propagation du fait de la disposition des zones piézoélectriques 15 qui se font face comme les zones A et E, B et F, C et G, D et H, ce qui est illustré à la figure no 3-b. La surface des tranches 9 est balayée de la même façon de part et d'autre du substrat par des ondes divergentes 16 produites d'une source 15 concave 17 qui se croisent. Le dispositif 13 caractérisé en ce qu'il consiste à faire croiser des ondes acoustiques produites et générées 18 par deux zones piézoélectriques différentes opposées. La fréquence de propagation est la même pour deux zones 19 et 20 se faisant face ce qui est caractérisé par des ondes acoustiques parallèles 18 de même fréquence et de directions opposées entre les zones piézoélectriques 15 A et E, B et F, C et G, D et H. Le dispositif de propagation d'ondes acoustiques 13 est caractérisé par une synchronisation de génération d'ondes acoustiques pour les faces opposées A et E, B et F, C et G, D et H. Ceci est rendu possible par l'utilisation du même transducteur pour deux zones 15 opposées 19 et 20 car ce dernier fixe la fréquence comprise dans la bande déterminée en fonction du courant d'alimentation. Le dispositif 13 caractérisé en ce qu'il consiste à générer des ondes acoustiques selon une technique synchrone par la propagation des ondes acoustiques 18 à la même fréquence pour deux zones piézoélectriques opposées de face 19 et 20 alors que dans la même période temporelle il consiste à générer des ondes acoustiques 14 selon une technique asynchrone par la propagation des ondes acoustiques 14 à des fréquences différentes comprises dans la bande qui s'étend de 500 kHz à 5 MHz pour deux zones piézoélectriques consécutives 21 et 22 réparties autour des tranches 9 telles que les zones Aet B, C et D, E et F, Get H. Donc, une zone piézoélectrique 15 se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques divergentes 16 dans le plan horizontal des tranches 9 à la même fréquence. Cette même zone piézoélectrique 19 se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques 18 parallèles dans le plan vertical à la même fréquence qui se croisent et croisent dans le plan horizontal des tranches 9 les ondes acoustiques 18 parallèles mais de directions opposées dans le plan horizontal des tranches 9 générées par une autre zone indépendante 20 lui faisant face et reliée au même transducteur que la zone 19: ce qui décrit la technique synchrone du dispositif 13. Donc par unité de temps soit à un instant donné, une zonepiézoélectrique 15 se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques divergentes 16 dans le plan horizontal des tranches 9 à la même fréquence, soit à une fréquence donnée. Cette même zone piézoélectrique 21 se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques 14 parallèles dans le plan vertical des tranches 9 à une fréquence donnée qui se croisent et croisent dans le plan horizontal les ondes acoustiques 14 divergentes générées à une fréquence différente de la fréquence donnée de la zone 21 par une autre zone indépendante 22 lui étant juxtaposée sur la face de la chambre 2 et non reliée au même transducteur que la zone 21: ce qui décrit la technique asynchrone du dispositif 13. La technique proposée dans la présente invention caractérisée en ce qu'elle permet d'utiliser le procédé de traitement de surface à toutes les étapes de fabrication des semi-conducteurs. Le procédé de traitement de surface caractérisé en ce qu'il consiste en une solution de rinçage dopé, laquelle est injectée dans la chambre 2 contenant les substrats semi-conducteurs 9 par un dispositif de distribution d'injection I de la solution de rinçage dopé, comme le montre la figure n 9, selon deux techniques différentes et complémentaires. En effet la solution prête à être injectée dans la chambre 2 est conduit par deux techniques différentes à savoir la technique basée sur la gravitation 7 injectée au-dessus des tranches 9 par trois tubes en quartz ou en un autre matériau Ces tubes sont parsemés de trous pour laisser passer la solution directement au-dessus des tranches 9 comme le montre la figure n 11 par des jets 23 répartis en trois endroits différents et couvrant l'ensemble de la tranche 9 maintenue verticalement par le dispositif 10. Alors que le dispositif de distribution d'injection I caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif de distribution latérale 8 de la solution par le biais de six tubes parsemés d'orifices comme le montre la figure n 10. Chaque tube est fixé sur la paroi intérieur 12 et est raccordé à une arrivée d'azote de sorte que la solution de rinçage dopé soit injectée par jet contrôlé 24 tant en direction qu'en cinétique. Ce dernier dispositif 8 caractérisé en ce qu'il comporte une vanne à l'entrée de chaque tube, ce qui permet d'accomplir la technique de séchage par la solution de rinçage dopé. Ces tubes, de même fabrication que ceux du système 7, à accès et débit contrôlé se trouvent dans le plan vertical des tranches 9 et du fait du jet orienté 24 vers ces mêmes tranches permettent d'injecter une solution en coordination avec le dispositif de vidange 11 à débit contrôlé par une vanne à diaphragme. Le dispositif de distribution d'injection I caractérisé en ce qu'il consiste à associer ou dissocier un mode d'injection à savoir soir le système 7 et le système 8. Ce dispositif de distribution d'injection I est une caractéristique du dispositif 1 et permet le fonctionnement et la réalisation du procédé de traitement de substrats en solution de rinçage dopé. La dite solution de rinçage dopé 42 caractérisée en ce qu'elle consiste à la combinaison ou pas des solutions de rinçage 28, 32, 36. La dite solution de rinçage caractérisée en ce qu'elle consiste à la dissolution de gaz par une technique de bullage. La technique de bullage de gaz caractérisée en ce qu'elle consiste à la dissolution de gaz dans l'eau ultra pure traitée 27 par un dispositif de bullage. Le dit dispositif de bullage caractérisé en ce qu'il comporte autant d'ampoules qu'il y a de dissolutions de gaz différents comrnme le montre les figures n 6, 7, 8. Le dit dispositif de bullage caractérisé en ce qu'il comporte une distribution de l'eau ultra pure traitée 27 à chaque ampoule de bullage dédiée à la dissolution d'un gaz donné comme le montre la figure n 14. Chaque dite ampoule de bullage caractérisée en ce qu'elle consiste à former une solution de rinçage par dissolution d'un gaz déterminé. Etant donné l'utilisation de trois gaz que sont l'acide fluorhydrique HF, l'acide chlorhydrique HCI et l'ozone 03, le dispositif de bullage comprend donc trois lignes d'arrivée de ces gaz 26, 31, 35 et donc trois ampoules de bullage. La figure n 6 décrit l'ampoule de bullage 43 du gaz HCI caractérisée en ce qu'elle consiste à faire buller le gaz HCI qui arrive par la ligne 26 dans une enceinte hermétique 25 dans laquelle arrive la ligne de l'eau ultra pure traitée 27. La technique de bullage du gaz HCI caractérisée en ce qu'elle consiste à maintenir un niveau d'eau ultra pure traitée entre un niveau inférieur 29 et un niveau supérieur 30. Le gaz se détend et est adsorbé dans l'eau ultra pure traitée 27 ce qui réalise la dissolution du gaz HCI et forme une solution de rinçage 28. La figure n 7 décrit l'ampoule de bullage 44 du gaz 03 caractérisée en ce qu'elle consiste à faire buller le gaz 03 qui arrive par la ligne 31 dans une enceinte hermétique 25 dans laquelle arrive la ligne de l'eau ultra pure traitée 27. La technique de bullage du gaz 03 caractérisée en ce qu'elle consiste à maintenir un niveau d'eau ultra pure traitée entre un niveau inférieur 33 et un niveau supérieur 34. Le gaz se détend et est adsorbé dans l'eau ultra pure traitée 27 ce qui réalise la dissolution du gaz 03 et forme une solution de rinçage 32. La figure n un traitement d'injection avant son unique passage sur les substrats semi-conducteurs. Le dit traitement d'injection caractérisé en ce qu'il consiste à un maintien à une température inférieure à 19 C par l'échangeur de chaleur de support e2 et d'une filtration FF, dont le fonctionnement est décrit à la figure n 4, de la solution de rinçage dopé avant son unique passage dans le dispositif 2 contenant les substrats semi-conducteurs 9 puis injectée par le dispositif de distribution d'injection I, comme le montre la figure n 9. La filtration FF, dont le fonctionnement est décrit à la figure n 4, caractérisée en ce qu'elle comporte quatre types de filtres différents à savoir un filtre chimique F1, un filtre à membranes de rétention particulaire F2, un filtre à membrane positive F3, un filtre à membrane négative F4. La filtration FF caractérisée en ce qu'elle consiste en un traitement par étapes successives et indivisibles de la solution de rinçage dopé à savoir une étape de filtration chimique par le filtre F1, suivie d'une étape de filtration particulaire par le filtre F2, suivie d'une étape de filtration ionique des colloides chargés négativement par le filtre F3 puis d'une étape de filtration ionique des colloides chargés positivement dans le filtre F4. Le dispositif I caractérisé en ce qu'il comporte au sein de la chambre 2 un dispositif de maintien vertical 10 des tranches 9 comme le montre la figure n 1. Ce dispositif 10 caractérisé en ce qu'il permet de supporter les tranches 9 par lots de 25 tranches et ne requiert pas d'autres outils tels que des paniers. Comme le montre la figure n 9, ce dispositif 10 caractérisé en ce qu'il comporte une structure de barreaux en acier inoxydable 40 d'un diamètre prédéterminé, gainé ou pas d'un autre matériaux polymère, fixé sur le fond de la chambre 2 et d'une structure de deux tubes creux 41 de diamètre prédéterminé en matériaux polymère qui s'emboîtent dans la structure de barreaux 40. Le dispositif 10 caractérisé en ce qu'il consiste à faire glisser la structure 41, qui supporte les tranches en chargement, sur la structure 40 pour entrer les tranches 9 au centre de la chambre 2. Le dispositif 10 caractérisé en ce qu'il consiste à faire glisser la structure 41, qui supporte les tranches en déchargement, sur la structure pour sortir les tranches 9 de la chambre 2 après traitement. La dite solution de rinçage caractérisée en ce qu'elle consiste à la dissolution de gaz dans de l'eau ultra pure traitée 27. La dite eau ultra pure traitée 27 caractérisée en ce qu'elle consiste à un cycle de traitement dans un circuit primaire avant alimentation du dispositif de bullage. Le dit circuit primaire, comme le montre la figure n 13, caractérisé en ce qu'il comporte des étapes successives qui sont par ordre de passage l'étape de demande et donc d'ouverture de la vanne vl et action de la pompe p3, suivie de l'ouverture des vannes v2, v3, v5. Le circuit primaire caractérisé en ce qu'il consiste en un traitement par étapes qui sont dans l'ordre l'étape de filtration ionique exécutée d'abord par un filtre à membranes négatives fl puis par un filtre à membranes positives f2, suivi d'une étape de filtration à oxygène f3, suivi d'une étape de maintien à une température prédéterminée par un échangeur de chaleur principal e 1 et va rejoindre le réservoir R. Si une demande est faite au niveau du dispositif de bullage alors la vanne v4 est ouverte sinon elle reste fermée. Le dit circuit primaire caractérisé en ce qu'il consiste à alimenter en fonction de la demande en une eau ultra pure traitée par la conduite 27 le dispositif de bullage. L'injection de la solution de rinçage dopé 42 caractérisée en ce qu'elle consiste à faire passer cette même solution 42 par le dispositif I et l'ouverture des vannes v22 et v23 et à l'ouverture de la vanne v32 après l'ouverture de la vanne v33 pour la filtration de l'azote au travers d'un filtre à gaz 58 tandis que la vanne v34 est fermée. L'injection de la solution de rinçage dopé 42 par le dispositif I et l'ouverture des vannes v22 et v23 dans la chambre 2 caractérisée par le traitement final de la solution de rinçage dopé 42 et l'ouverture du dispositif de vidange 11. L'injection de la solution 42 par le dispositif I caractérisée par le dispositif d'injection 7 et par l'ouverture de la vanne v22 simultanée avec la vanne v23 et par le dispositif d'injection 8 et de ses vannes v24, v25, v26, v27, v28, v29. Le traitement final caractérisé par le passage de la solution de rinçage dopé 42 dans l'échangeur de chaleur de support e2 par l'ouverture des vannes v19 et v20 et la filtration FF et par l'ouverture de la vanne v21. La solution de rinçage dopé 42 caractérisée en ce qu'elle est la combinaison simultanée d'une seule ou de deux ou de trois des solutions de rinçage 28, 32, 36 et donc la fermeture de la vanne v6. La combinaison de la solution de rinçage 28 caractérisée par la filtration de cette même solution 28 par un filtre à membrane de rétention particulaire 48 et l'ouverture de la vanne vl. La solution de rinçage 28 caractérisée par sa formation dans l'ampoule de bullage 43 après ouverture de la vanne v1 5 pour passage dans le filtre à gaz 47 et la vanne v16 pour alimenter la ligne d'arrivée 26 du gaz HCl contrôlée par un injecteur 46. La combinaison de la solution de rinçage 32 caractérisée par la filtration de cette même solution 32 par un filtre à membrane de rétention particulaire 51 et l'ouverture de la vanne vI0. La solution de rinçage 32 caractérisée par sa formation dans l'ampoule de bullage 44 après ouverture de la vanne v14 pour passage dans le filtre à gaz 50 et la vanne v13 pour alimenter la ligne d'arrivée 31 du gaz 03 contrôlée par un ozoneur 49. La combinaison de la solution de rinçage 36 caractérisée par la filtration de cette même solution 36 par un filtre à membrane de rétention particulaire 54 et l'ouverture de la vanne v12. La solution de rinçage 36 caractérisée par sa formation dans l'ampoule de bullage 45 après ouverture de la vanne v17 pour passage dans le filtre à gaz 53 et la vanne v1 8 pour alimenter la ligne d'arrivée 35 du gaz HF contrôlée par un injecteur 52. Il est proposé des conditions d'utilisation et d'implémentation de ce procédé: - Débit d'entrée dans le bac des produits dissous fixé à 20 1/min, - Débit d'ozone gaz: 100 g / hr, - Débit d'acide chlorhydrique gaz: 200 g / hr, - Débit d'acide fluorhydrique: 10 cc /s Tout dispositif concerné par les étapes de ce procédé sont considérés inactifs si ils ne sont pas cités dans la description Le procédé de traitement de substrats semi-conducteurs caractérisé en ce qu'il consiste à trois cycles d'étapes utilisant une solution de rinçage dopé 42 et d'un cycle d'étapes utilisant une solution de séchage 55 et une solution de rinçage dopé 42. Ce procédé est décrit par son implémentation sur l'outil de réalisation explicité précédemment. Chaque cycle d'étapes est particulier à une étape critique de fabrication des semi-conducteurs et est basé sur une implémentation identique sur l'outil de réalisation. La description du procédé implémenté sur l'outil de réalisation se réfère sur la figure n 14 et de toutes les autres références apportées sur les figures de 1 à 13. Un procédé de traitement des substrats semi-conducteurs 9 caractérisé en ce qu'il consiste en un cycle d'étapes pour un traitement en solution de rinçage dopé 42 avant une croissance de couches minces telles qu'une croissance d'oxyde thermique utilisé comme oxyde de grille pour des transistors ou une croissance épitaxiale ou d'un dépôt de couches minces. Ce cycle caractérisé par l'utilisation du dispositif de vibration 13 durant l'ensemble du cycle. Ce cycle caractérisé en ce qu'il comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil 1 comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange 11 et v37: Ainjection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 32, B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison des solutions 28 et 36, C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 32, D- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison des solutions 28, 32, 36, E- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 28. Un cycle d'étapes pour le traitement de surface des substrats semiconducteurs caractérisé en ce qu'il consiste à un traitement après une étape d'abrasion ou de polissage utilisant ou pas une solution abrasive sur tout type de couches minces à savoir silicium, isolant, métaux. Ce cycle caractérisé par l'utilisation du dispositif de vibration 13 durant l'ensemble du cycle. Ce cycle caractérisé en ce qu'il comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil I comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange 11 et v37: A- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison des solutions 28 et 36, B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 32, C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison des solutions 28, 32, 36, D- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 28. Un cycle d'étapes pour le traitement de surface des substrats semiconducteurs caractérisé en ce qu'il consiste à un traitement par une action de gravure de couches isolantes telles qu'une couche d'oxyde thermique, chimique ou d'une couche de matériaux à caractère isolant de type polymère déposée par différentes méthodes. Ce cycle caractérisé par l'utilisation du dispositif de vibration 13 durant l'ensemble du cycle. Ce cycle caractérisé en ce qu'il comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil I comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange 11 et v37: A- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 32, B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison des solutions 28, 32, 36, C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 28. Le procédé de traitement des substrats semi-conducteurs implémenté sur l'appareil 1 a un cycle de séchage des tranches 9. Le cycle de séchage caractérisé en ce qu'il consiste à injecter une solution de rinçage dopé 42 par la technique d'injection 7 et une solution de séchage proche de l'état de vaporisation 55 par la technique d'injection simultanée 7 et 8. La dite solution de séchage proche de l'état de vaporisation 55 caractérisée en ce qu'elle se forme par une alimentation en eau ultra pure d'un chauffe-eau 56 et à l'ouverture de la vanne v30. La dite solution de séchage caractérisée en ce qu'elle consiste à une combinaison d'un ou de deux produits à savoir un produit tel que le gaz d'azote par l'ouverture de vannes v33 et v34 avant la filtration du gaz d'azote par le filtre 58 pour alimenter une ampoule de mixage 57, un produit tel qu'un solvant par l'ouverture des vannes v35, v36 avant la filtration par un filtre à membranes 59 pour alimenter une ampoule de mixage 57. Le solvant combiné ou pas à la solution de séchage 55 caractérisé en ce qu'il pourra être le méthanol dont sa concentration est limitée à 1 ppm (parties par million) dans la solution de séchage 55. Ce cycle caractérisé par l'utilisation du dispositif de vibration 13 durant l'ensemble du cycle. Ce cycle caractérisé en ce qu'il comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil 1 comme suit: A- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution 28 et par l'ouverture des vannes v37 et du dispositif de vidange 11, Binjection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par l'injection 7 d'une solution de rinçage dopé 42 sans combinaison par l'ouverture de la vanne v22 et la fermeture de la vanne v23 et la fermeture du dispositif de vidange 1 1 et de la vanne v37, C- injection simultanée pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par l'injection 8 d'une solution de séchage 55 par l'ouverture des vannes v32, v29, v24 et la fermeture des vannes v28 et v25 et par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 sans combinaison par l'ouverture des vannes v23, v26, v27 et l'ouverture du dispositif de vidange 11 et de la vanne v38, D- injection simultanée pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par l'injection 8 d'une solution de séchage 55 par l'ouverture des vannes v32, v28, v25 et la fermeture des vannes v29 et v24 et par les injections simultanées 7 et 8 d'une solution de rinçage dopé 42 sans combinaison par l'ouverture de la vanne v23 et la fermeture des vannes v26, v27 et l'ouverture du dispositif de vidange 11 et de la vanne v38, E- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre 2 par les injections simultanées 7 et 8 et l'ouverture des vannes v22, v23, v24, v25,v26, v27, v28, v29 de la ligne d'alimentation 60 et de la fermeture du dispositif de vidange 11. REVENDICATIONS I - Le dispositif (1) de traitement des substrats caractérisé en ce qu'il comporte un bac de forme cylindrique (2) nommé chambre et un contre-bac (3), d'un dispositif de distribution d'injection (I) du liquide de traitement, d'un dispositif de vibrations (13) situé sur les parois intérieures (12) de la chambre (2), d'un dispositif (10) de maintien, d'entrée et de sortie des tranches de substrats semi- conducteurs (9) dans la chambre (2), d'un dispositif de vidange (11). 2 - Dispositif selon la revendication n 1 caractérisé en ce que le contre-bac (3) comporte un niveau supérieur (4) séparé du niveau inférieur (6) par une plaque parsemée d'orifices (5). Le niveau supérieur 4 est un collecteur de la solution de rinçage dopé (42) et de la solution de séchage (55) utilisées dans le procédé de traitement de substrats. Le niveau inférieur (6) du contre-bac (3) fait office de plénum pour récupérer le liquide de traitement après son unique passage dans la chambre (2). 3- Dispositif selon la revendication n l caractérisé en ce que le dispositif de distribution d'injection (I) permet d'injecter la solution de rinçage dopé (42) dans la chambre (2) de deux techniques différentes et complémentaires à savoir une injection (7) au-dessus des tranches de substrats semi-conducteurs (9), par un flux gravitationnel réparti entre trois tubes parsemés d'orifices disposés sur la longueur du cylindre et une injection latérale (8) par un flux dirigé vers les tranches de substrats semi-conducteurs (9) en utilisant six tubes parsemés d'orifices à jet parallèle aux tranches (9) et contrôlé tant en direction qu'en cinétique par un apport d'azote. Ces six tubes sont fixés sur la paroi intérieure de la chambre (12) dans le sens de la longueur du cylindre et répartis autour des tranches. 4- - Dispositif selon les revendications n l et 3 caractérisé en ce que le dispositif de distribution d'injection (I) permet d'injecter la solution de séchage (55) dans la chambre (2) selon une injection latérale (8) par un flux dirigé vers les tranches de substrats semi-conducteurs (9) en utilisant six tubes parsemés d'orifices à jet parallèle aux tranches (9) et contrôlé tant en direction qu'en cinétique par un apport d'azote. Ces six tubes sont fixés sur la paroi intérieure de la chambre 12 dans le sens de la longueur du cylindre et répartis autour des tranches Dispositif selon la revendication n l caractérisé en ce que le dispositif de vibrations (13) situé sur les parois intérieures (12) de la chambre (2) consiste à produire des ondes acoustiques qui sont propagées perpendiculairement à la paroi intérieure (12) à travers le bain vers l'intérieur de la chambre (2), 6- Dispositif selon les revendications n 1, 5 caractérisé en ce que le dispositif de vibrations (13) situé sur les parois intérieures (12) de la chambre (2) comporte huit zones piézoélectriques nommées ( A, B, C, D, E, F, G, H)disposées tout autour de la chambre (2), 7- Dispositif selon les revendications n 5, 6 caractérisé en ce que le dispositif de vibrations (13) situé sur les parois intérieures (12) de la chambre (2) fonctionne dans une bande de fréquence de propagation des ondes acoustiques comprise entre 500 KHz (kilo Hertz) et 5 MHz (méga Hertz). 8- Dispositif selon les revendications n 1, 5 caractérisé en ce que le dispositif de vibrations (13) situé sur les parois intérieures (12) de la chambre (2) permet par sa forme de couvrir les faces avant et arrière des tranches (9) maintenues verticales par le dispositif (10) par les ondes acoustiques produites à partir des huit zones piézoélectriques nommées ( A, B, C, D, E, F, G, H). 9- Dispositif selon les revendications n 5, 6, 8 caractérisé en ce que chaque zone piézoélectrique (15) consiste à produire les ondes acoustiques (16) qui sont produites des faces intérieures (12) opposées et perpendiculaires aux tranches (9), les ondes acoustiques propagées (16) sont divergentes pour une zone (15) donnée et balayent dans le plan vertical les tranches (9) leur face avant et arrière. - Dispositif selon les revendications n 5, 6, 8 caractérisé en ce que chaque zone piézoélectrique (15) du dispositif de vibrations (13) est de forme concave (17) correspondant au contour de la chambre (2) et permet par la génération d'ondes acoustiques divergentes (16) dans le plan horizontal et parallèles dans le plan vertical des tranches (9). 11- Dispositif selon les revendications n 9, 10 caractérisé en ce que chaque zone piézoélectrique (15) produit des ondes acoustiques de même sens mais de directions divergentes du fait de la concavité (17) de la zone piézoélectrique (15) et donc ces ondes pour une zone donnée comme la zone A génèrent des ondes non parallèles entre elles dans le plan horizontal des tranches (9) mais de fréquence identique comprise dans la bande comprise entre 500 kHz et 5 MHz.. 12- Dispositif selon les revendications n 5, 6, 8, 9 caractérisé en ce que le dispositif de vibrations (13) consiste à faire croiser des ondes acoustiques produites et générées (18) par deux zones piézoélectriques différentes opposées dont la fréquence de propagation est la même pour deux zones (19) et (20) se faisant face ce qui est caractérisé par des ondes acoustiques parallèles (18) de même fréquence et de directions opposées entre les zones piézoélectriques opposées (A et E), (B et F), (C et G), (Det H). 13- Dispositif selon les revendications n 5, 6, 8, 9 caractérisé en ce que le dispositif de vibration (13) consiste à générer des ondes acoustiques selon une technique synchrone par la propagation des ondes acoustiques (18) à la même fréquence pour deux zones piézoélectriques opposées de face (19) et (20) alors que dans la même période temporelle il consiste à générer des ondes acoustiques (14) selon une technique asynchrone par la propagation des ondes acoustiques (14) à des fréquences différentes comprises dans la bande qui s'étend de 500 kHz à 5 MHz pour deux zones piézoélectriques consécutives (21) et (22) réparties autour des tranches (9) telles que les zones (A et B), (C et D), (E et F), (G et H). 14 - Dispositif selon la revendication n 13 caractérisé en ce qu'une zone piézoélectrique (15) fonctionne par la propagation d'ondes acoustiques divergentes (16) dans le plan horizontal des tranches (9) à la même fréquence. Cette même zone piézoélectrique (19) se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques (18) parallèles dans le plan vertical à la même fréquence qui se croisent et croisent dans le plan horizontal des tranches (9) les ondes acoustiques (18) parallèles mais de directions opposées dans le plan horizontal des tranches (9) générées par une autre zone indépendante (20) lui faisant face et reliée au même transducteur que la zone (19). - Dispositif selon la revendication n 13 caractérisé en ce qu'une zone piézoélectrique (15) fonctionne par la propagation d'ondes acoustiques divergentes (16) dans le plan horizontal des tranches (9) à la même fréquence. Cette même zone piézoélectrique (19) se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques (18) parallèles dans le plan vertical à la même fréquence qui se croisent et croisent dans le plan horizontal des tranches (9) les ondes acoustiques (18) parallèles mais de directions opposées dans le plan horizontal des tranches (9) générées par une autre zone indépendante (20) lui faisant face et reliée au même transducteur que la zone (19): ce qui décrit la technique synchrone du dispositif (13). Donc par unité de temps soit à un instant donné, une zone piézoélectrique (15) se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques divergentes (16) dans le plan horizontal des tranches (9) a la même fréquence, soit à une fréquence donnée. Cette même zone piézoélectrique (21) se caractérise par la propagation d'ondes acoustiques (14) parallèles dans le plan vertical des tranches (9) à une fréquence donnée qui se croisent et croisent dans le plan horizontal les ondes acoustiques (14) divergentes générées à une fréquence différente de la fréquence donnée de la zone (21) par une autre zone indépendante (22) lui étant juxtaposée sur la face de la chambre (2) et non reliée au même transducteur que la zone (21). 16 - Dispositif selon la revendication n l caractérisé en ce que le dispositif de vidange (11) consiste après passage sur les tranches (9) de liquide de traitement à écouler par gravitation de la chambre (2) ce même liquide de traitement contrôlé par une vanne à diaphragme (11) ce qui permet soit d'isoler la chambre ou de maîtriser la cinétique d'écoulement. 17 - Dispositif selon la revendication n l caractérisé en ce que le dispositif (10) de maintien permet de supporter les tranches (9) par lots de 25 tranches et ne requiert pas d'autres outils tels que des paniers. 18 - Dispositif selon la revendication n 17 caractérisé en ce qu'il comporte une structure de barreaux en acier inoxydable (40) d'un diamètre prédéterminé, gainé ou pas d'un autre matériau polymère, fixé sur le fond de la chambre (2) et d'une structure de deux tubes creux (41) de diamètre prédéterminé en matériau polymère qui s'emboîtent dans la structure de barreaux (40). 19 - Dispositif selon la revendication n 17 caractérisé en ce que le dispositif de maintien sert à faire glisser la structure (41), qui supporte les tranches en chargement, sur la structure (40) pour entrer les tranches (9) au centre de la chambre (2). - Dispositif selon la revendication n 17 caractérisé en ce que le dispositif de maintien sert à faire glisser la structure (41), qui supporte les tranches en déchargement, sur la structure (40) pour sortir les tranches (9) de la chambre (2) après traitement. 21 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n l caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semi-conducteurs (9) consiste à utiliser soit une solution de rinçage dopé (42), soit une solution de séchage (55), soit les deux solutions. 22 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 21 caractérisé en ce que la dite solution de rinçage dopé (42) consiste à la combinaison ou pas d'une seule, de deux, de trois des solutions de rinçage (28), (32), (36) et qu'elle subit un traitement d'injection avant son unique passage sur les substrats semi-conducteurs. 23 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que la solution de rinçage consiste à la dissolution de gaz dans de l'eau ultra pure traitée (27) par une technique de bullage. 24 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 23 caractérisé en ce que la technique de bullage de gaz consiste à la dissolution de gaz dans l'eau ultra pure traitée (27) par un dispositif de bullage. - Dispositif selon la revendication n 24 caractérisé en ce que le dit dispositif de bullage comporte autant d'ampoules de bullage qu'il y a de dissolutions de gaz différents et une distribution de l'eau ultra pure traitée (27) à chaque ampoule de bullage dédiée à la dissolution d'un gaz donné et comprend donc trois lignes d'arrivée de ces gaz (26), (31), (35) et donc trois ampoules de bullage (43), (44), (45). 26 - Dispositif selon la revendication n 25 caractérisé en ce que chaque ampoule de bullage consiste à former une solution de rinçage par dissolution d'un gaz déterminé. 27 - Dispositif selon les revendications n 25, 26 caractérisé en ce que la dite ampoule de bullage (43) du gaz HCI sert à faire buller le gaz HCI qui arrive par la ligne (26) dans une enceinte hermétique 25 dans laquelle arrive la ligne de l'eau ultra pure traitée (27), ce qui en constitue la technique de bullage du gaz HCI. 28 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 27 caractérisé en ce que la technique de bullage du gaz HCI consiste à maintenir un niveau d'eau ultra pure traitée entre un niveau inférieur (29) et un niveau supérieur (30). Le gaz se détend et est adsorbé dans l'eau ultra pure traitée 27 ce qui réalise la dissolution du gaz HCI et forme une solution de rinçage (28). 29 - Dispositif selon les revendications n 25, 26 caractérisé en ce que l'ampoule de bullage (44) du gaz 03 sert à faire buller le gaz 03 qui arrive par la ligne (31) dans une enceinte hermétique (25) dans laquelle arrive la ligne de l'eau ultra pure traitée (27), ce qui en constitue la technique de bullage du gaz 03. 30 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 29 caractérisé en ce que la technique de bullage du gaz 03 consiste à maintenir un niveau d'eau ultra pure traitée entre un niveau inférieur (33) et un niveau supérieur (34). Le gaz se détend et est adsorbé dans l'eau ultra pure traitée (27) ce qui réalise la dissolution du gaz 03 et forme une solution de rinçage (32). 31 - Dispositif selon les revendications n 25, 26 caractérisé en ce que l'ampoule de bullage (45) du gaz HF sert à faire buller le gaz HF qui arrive par la ligne (35) dans une enceinte hermétique (25) dans laquelle arrive la ligne de l'eau ultra pure traitée (27), ce qui en constitue la technique de bullage du gaz HF. 32 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 31 caractérisé en ce que la technique de bullage du gaz HF consiste à maintenir un niveau d'eau ultra pure traitée entre un niveau inférieur (37) et un niveau supérieur (38). Le gaz se détend et est adsorbé dans l'eau ultra pure traitée (27) ce qui réalise la dissolution du gaz HF et forme une solution de rinçage (36). 33 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que le dit traitement d'injection consiste en un maintien à une température inférieure à 19 C par l'échangeur de chaleur de support (e2) par l'ouverture des vannes (v19 et v20) et d'une filtration (FF) comportant quatre types de filtres différents à savoir un filtre chimique (F1), un filtre à membranes de rétention particulaire (F2), un filtre à membrane positive (F3), un filtre à membrane négative (F4) par l'ouverture de la vanne (v21). 34 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 33 caractérisé en ce que la filtration (FF) consiste en un traitement par étapes successives et indivisibles de la solution de rinçage dopé (42) à savoir une étape de filtration chimique par le filtre (F1), suivie d'une étape de filtration particulaire par le filtre (F2), suivie d'une étape de filtration ionique des colloides chargés négativement par le filtre (F3) puis d'une étape de filtration ionique des colloides chargés positivement dans le filtre (F4). - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 23 caractérisé en ce que la dite eau ultra pure traitée (27) consiste à un cycle de traitement dans un circuit primaire avant alimentation du dispositif de bullage. 36 -Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 35 caractérisé en ce que le cycle du circuit primaire comporte des étapes successives et qui sont par ordre de passage l'étape de demande et donc d'ouverture de la vanne (vl) et action de la pompe (p3), suivie de l'ouverture des vannes (v2, v3, v5) et consiste en un traitement par étapes qui sont dans l'ordre l'étape de filtration ionique exécutée d'abord par un filtre à membranes négatives (fl) puis par un filtre à membranes positives (f2), suivi d'une étape de filtration à oxygène (f3), suivi d'une étape de maintien à une température prédéterminée par un échangeur de chaleur principal (el) et va rejoindre le réservoir (R). 37 - Dispositif selon la revendication n 36 caractérisé en ce que le dit circuit primaire sert à alimenter en fonction de la demande en une eau ultra pure traitée par la conduite (27) le dispositif de bullage. 38 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que l'injection de la solution de rinçage dopé (42) consiste à faire passer cette même solution (42) par le dispositif I et l'ouverture des vannes (v22 et v23) et à l'ouverture de la vanne (v32) après l'ouverture de la vanne (v33) pour la filtration de l'azote au travers d'un filtre à gaz (58) tandis que la vanne (v34) est fermée. 39 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 38 caractérisé en ce que l'injection de la solution de rinçage dopé (42) par le dispositif (I) et l'ouverture des vannes (v22) et (v23) dans la chambre (2) se réalise par le traitement final de la solution de rinçage dopé (42) et l'ouverture du dispositif de vidange (11). - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 39 caractérisé en ce que l'injection de la solution (42) par le dispositif (I) se réalise par le dispositif d'injection (7) et par l'ouverture de la vanne (v22) simultanée avec la vanne (v23) et par le dispositif d'injection (8) et de ses vannes (v24, v25, v26, v27, v28, v29). 41 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que la combinaison de la solution de rinçage (28) se réalise par la filtration de cette même solution (28) au moyen d'un filtre à membrane de rétention particulaire (48) et l'ouverture de la vanne (vl 1). 42 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 41 caractérisé en ce que la solution de rinçage (28) se forme dans l'ampoule de bullage (43) après ouverture de la vanne (vlS) pour passage dans le filtre à gaz (47) et la vanne (v16) pour alimenter la ligne d'arrivée (26) du gaz HCI contrôlée par un injecteur (46). 43 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que la combinaison de la solution de rinçage (32) se réalise par la filtration de cette même solution (32) par un filtre à membrane de rétention particulaire (51) et l'ouverture de la vanne (v 1 0). 44 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 43 caractérisé en ce que la solution de rinçage (32) se forme dans l'ampoule de bullage (44) après ouverture de la vanne (v14) pour passage dans le filtre à gaz (50) et la vanne (v13) pour alimenter la ligne d'arrivée (31) du gaz 03 contrôlée par un ozoneur (49). - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 22 caractérisé en ce que la combinaison de la solution de rinçage (36) se réalise par la filtration de cette même solution (36) par un filtre à membrane de rétention particulaire (54) et l'ouverture de la vanne (v12). 46 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 45 caractérisé en ce que la solution de rinçage (36) se forme dans l'ampoule de bullage (45) après ouverture de la vanne (v17) pour passage dans le filtre à gaz (53) et la vanne (v18) pour alimenter la ligne d'arrivée (35) du gaz HF contrôlée par un injecteur (52). 47 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 21 caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semiconducteurs (9) se réalise sur le dispositif (1) et consiste à trois cycles d'étapes utilisant une solution de rinçage dopé (42) et d'un cycle d'étapes utilisant une solution de séchage (55) et une solution de rinçage dopé (42). 48 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 47 caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semiconducteurs (9) consiste en un cycle d'étapes pour un traitement en solution de rinçage dopé (42) avant une croissance de couches minces telles qu'une croissance d'oxyde thermique ou une croissance épitaxiale ou d'un dépôt de couches minces par l'utilisation du dispositif de vibration (13) durant l'ensemble du cycle lequel comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil 1 comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange (11) et (v37): A- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (32), B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison des solutions (28) et (36), C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé 42 après combinaison de la solution (32), D- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison des solutions (28, 32, 36), E- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (28). 49 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 47 caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semi-conducteurs (9) consiste en un cycle d'étapes pour un traitement après une étape d'abrasion ou de polissage utilisant ou pas une solution abrasive sur tout type de couches minces à savoir silicium, isolant, métaux par l'utilisation du dispositif de vibration (13) durant l'ensemble du cycle lequel comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil 1 comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange (I 1) et (v37): Ainjection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison des solutions (28) et (36), B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (32), C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison des solutions (28, 32, 36), D- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (28). - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 47 caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semi- conducteurs (9) consiste en un cycle d'étapes pour un traitement par une action de gravure de couches isolantes telles qu'une couche d'oxyde thermique, chimique ou d'une couche de matériaux à caractère isolant de type polymère déposée par différentes méthodes et par l'utilisation du dispositif de vibration (13) durant l'ensemble du cycle lequel comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil (1) comme suit avec l'ouverture de la vanne du dispositif de vidange (11) et (v37): Ainjection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (32), B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison des solutions (28, 32, 36), C- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (28). 51 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 21 caractérisé en que le procédé de traitement des substrats semiconducteurs (9) comporte un cycle de séchage lequel consiste à injecter une solution de rinçage dopé (42) par la technique d'injection (7) et une solution de séchage proche de l'état de vaporisation (55) par la technique d'injection simultanée (7) et (8). 52 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 51 caractérisé en ce que la dite solution de séchage proche de l'état de vaporisation (55) se forme par une alimentation en eau ultra pure d'un chauffe-eau (56) et à l'ouverture de la vanne (v30) et qu'elle consiste à une combinaison d'un ou de deux produits à savoir un produit tel que le gaz d'azote par l'ouverture de vannes (v33, v34) avant la filtration du gaz d'azote par le filtre (58) pour alimenter une ampoule de mixage (57), un produit tel qu'un solvant par l'ouverture des vannes (v35, v36) avant la filtration par un filtre à membranes (59) pour alimenter une ampoule de mixage (57). 53 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n 52 caractérisé en ce que le solvant combiné ou pas à la solution de séchage (55) peut être le méthanol dont sa concentration est limitée à 1 ppm (parties par million). 54 - Procédé utilisant le dispositif selon la revendication n0 53 caractérisé en ce que le procédé de traitement des substrats semiconducteurs (9) comporte un cycle de séchage qui se réalise par l'utilisation du dispositif de vibration (13) durant l'ensemble du cycle lequel comporte les étapes successives, indivisibles et implémentées sur l'appareil (1) comme suit: A- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) après combinaison de la solution (28) et par l'ouverture des vannes (v37) et du dispositif de vidange (11), B- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par l'injection (7) d'une solution de rinçage dopé (42) sans combinaison par l'ouverture de la vanne (v22) et la fermeture de la vanne (v23) et la fermeture du dispositif de vidange (11) et de la vanne (v37), C- injection simultanée pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par l'injection (8) d'une solution de séchage (55) par l'ouverture des vannes (v32, v29, v24) et la fermeture des vannes (v28, v25) et par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) sans combinaison par l'ouverture des vannes (v23, v26, v27) et l'ouverture du dispositif de vidange (11) et de la vanne (v38), D- injection simultanée pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par l'injection (8) d'une solution de séchage (55) par l'ouverture des vannes (v32, v28, v25) et la fermeture des vannes (v29, v24) et par les injections simultanées (7) et (8) d'une solution de rinçage dopé (42) sans combinaison par l'ouverture de la vanne (v23) et la fermeture des vannes (v26, v27) et l'ouverture du dispositif de vidange (11) et de la vanne (v38), E- injection pour une période temporelle prédéterminée dans la chambre (2) par les injections simultanées (7)et (8) et l'ouverture des vannes (v22, v23, v24, v25,v26, v27, v28, v29) de la ligne d'alimentation (60) et de la fermeture du dispositif de vidange (11).