Brevet FR2792734A1 — publié le 20001027

CIRCUIT PHOTONIQUE INTEGRE COMPRENANT UN COMPOSANT OPTIQUE RESONANT ET PROCEDÉS DE FABRICATION DE CE CIRCUIT DESCRIPTION DOMAINE TECHNIQUE La présente invention concerne les circuits photoniques intégrés. Elle s'applique notamment aux systèmes intégrés de télécommunications optiques et d'interconnexions optiques. ETAT DE LA TECHNIQUE ANTERIEURE Il est connu de coupler optiquement, par l'intermédiaire d'un miroir par exemple, un guide de lumière formé sur un substrat, à un laser de type VCSEL hybridé à ce substrat. EXPOSE DE L'INVENTION La présente invention a pour objet un circuit photonique intégré dans lequel un composant optique résonant, par exemple un émetteur laser, est optiquement couplé à un guide de lumière formé sur un substrat, avec un rendement de couplage supérieur à celui du couplage mentionné ci-dessus, entre le laser de type VCSEL et le guide de lumière. De façon précise, la présente invention a pour objet un circuit photonique intégré formé sur un substrat et comprenant au moins un guide de lumière intégré à ce substrat, ce circuit étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins un composant optique résonant qui est intégré au substrat et destiné à émettre ou détecter de la lumière ou les deux, ce composant optique résonant étant placé au-dessus d'une partie du guide de lumière, et un moyen de couplage optique vertical entre le composant optique résonant et cette partie du guide de lumière, cette dernière étant prévue pour assurer le transfert de lumière entre le composant optique résonant et le reste du guide de lumière par l'intermédiaire du moyen de couplage optique vertical. Il convient de noter que le couplage vertical utilisé dans la présente invention autorise un réglage précis du couplage, alors qu'un couplage latéral classique est beaucoup plus délicat à mettre en oeuvre du point de vue technique. Selon un mode de réalisation préféré du circuit photonique intégré objet de l'invention, le moyen de couplage optique vertical comprend une couche d'un matériau qui est transparent à la lumière et dont l'indice optique est inférieur à celui du guide de lumière ainsi qu'à celui du matériau du composant optique résonant. De préférence, le guide de lumière est en silicium. L'invention permet de coupler efficacement un composant optique résonant à un guide de lumière en silicium dont la faible section transversale, bien qu'elle soit compatible avec les dimensions requises par la microélectronique sur silicium, ne permet pas, lorsqu'on utilise une méthode de couplage classique, un rendement d'insertion suffisant de la lumière. Avec ce guide de lumière en silicium, on utilise de préférence, en tant que substrat, une structure de type silicium sur isolant ou structure SOI (pour " Silicon On Insulator "). La possibilité de ce couplage optique entre le composant optique résonant et le guide de lumière en silicium permet l'intégration de ce composant avec d'autres composants électro-optiques et avec des dispositifs micro-photoniques passifs qui sont réalisables sur des structures de type silicium sur isolant. De telles structures sont quasiment les seules à permettre la réalisation de circuits photoniques passifs ayant des dimensions compatibles avec la microélectronique. Il convient en effet de noter que l'on obtient un fort confinement de la lumière dans les guides en silicium en raison du fort contraste d'indice entre le silicium et l'isolant constitué par de la silice. De préférence, le moyen de couplage optique vertical comprend une couche de silice. Une telle couche est bien adaptée à l'utilisation d'un guide de lumière en silicium et d'un substrat ayant une structure de type silicium sur isolant. De préférence, le composant optique résonant comprend un microrésonateur. Il convient de noter que l'utilisation d'un émetteur laser comprenant un microrésonateur ou microcavité résonante (résonateur ou cavité résonante dont les dimensions sont de l'ordre de quelques micromètres) permet, en confinant les photons produits, de favoriser le taux d'émission spontanée dans le mode désiré et donc d'abaisser le seuil d'émission stimulée de l'émetteur laser. Il convient aussi de noter qu'un tel émetteur laser est compatible avec les exigences de taille de l'intégration photonique sur silicium. De préférence, on fait en sorte que la densité d'états photoniques du mode laser soit renforcée afin que les photons soient astreints à occuper ce mode. On rappelle que ce renforcement sélectif du taux d'émission spontanée dépend du rapport Q/V o Q est le facteur de qualité de la cavité et V le volume du mode associé. Si le facteur de qualité de la microcavité est suffisant, cela permet alors de transférer un fort pourcentage (quelques dizaines de %) de l'émission spontanée dans le mode laser. De préférence, le microrésonateur est un microrésonateur à microdisque (" microdisk ") ou à microanneau (" microring ") ou encore une microstructure à base d'un cristal photonique à une ou deux dimensions. Un résonateur à microdisque ou à microanneau, exploitant des modes de galerie (appelés " whispering gallery modes " dans les articles en langue anglaise) permet d'obtenir un fort confinement des photons. Il en est de même pour un microrésonateur constitué par une microstructure à base de cristal photonique à une ou deux dimensions. Au sujet de ce dernier, on consultera le document [1] qui, comme les autres documents cités par la suite, est mentionné à la fin de la présente description. De préférence, le matériau du composant optique résonant est choisi parmi les composés semiconducteurs III-V qui sont parmi les matériaux émetteurs et/ou détecteurs les plus performants. Ce matériau peut être une hétérostructure semiconductrice III-V à puits quantiques (" quantum wells ") ou à boites quantiques (" quantum boxes "). Cela permet, dans le cas o le composant optique résonant est un émetteur laser, d'abaisser le seuil de cet émetteur laser en augmentant le confinement des excitons dans ce dernier. L'émission stimulée est d'autant plus favorisée que la densité d'états convoluée exciton- photon est importante dans le mode laser souhaité. Un émetteur laser à une ou deux dimensions a ainsi un seuil très bas. Il convient de noter que les puits quantiques sont plus simples à former que les boîtes quantiques mais que ces dernières permettent un confinement optimal des excitons. Il convient aussi de noter qu'une hétérostructure semiconductrice III-V à base de puits quantiques ou de boites quantiques peut émettre à des longueurs d'onde qui sont comprises dans la gamme allant de 1,3 pm à 1,5 pm, longueurs d'onde auxquelles le silicium est transparent. Remarquons en outre que, pour réaliser des circuits photoniques intégrés, il convient de disposer de sources de lumière et de composants optiques passifs de dimensions microniques. En ce qui concerne les composants optiques passifs, la technologie " silicium sur isolant " permet, grâce au grand contraste d'indice optique entre, d'une part, le silicium et, d'autre part, la silice et l'air, d'assurer le fort confinement de la lumière qui est nécessaire à la miniaturisation de ces composants. En outre, la réalisation de sources de lumière à microcavités permet de satisfaire à des exigences de miniaturisation et de faible consommation électrique tout en étant compatible avec la technologique " silicium sur isolant ". La présente invention concerne également un procédé de fabrication du circuit photonique intégré objet de l'invention, dans lequel on forme un substrat comprenant une première couche destinée à la fabrication du guide de lumière et une deuxième couche destinée à la fabrication du moyen de couplage optique et l'on rapporte une troisième couche ou portion de couche sur cette deuxième couche par une technique dite de collage de plaquette (" wafer bonding "), cette troisième couche ou portion de couche étant destinée à la fabrication du composant optique résonant ou comprenant ce dernier. La présente invention concerne en outre un autre procédé de fabrication du circuit photonique intégré objet de l'invention, dans lequel on forme un substrat comprenant une première couche destinée à la fabrication du guide de lumière et une deuxième couche destinée à la fabrication du moyen de couplage optique et l'on forme, sur cette deuxième couche, une hétérostructure à base d'un matériau actif comprenant des nanocristaux de InAs (formant des boîtes quantiques) dans une matrice de Si ou de Si3N4, cette hétérostructure étant destinée à la fabrication du composant optique résonant. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: * la figure 1 est une vue en coupe longitudinale schématique d'un circuit photonique intégré conforme à l'invention, la figure 2 est une vue de dessus schématique d'un premier mode de réalisation particulier du circuit photonique intégré objet de l'invention, comprenant un microrésonateur de type microdisque, * la figure 3 est une vue en coupe longitudinale schématique du circuit de la figure 2, O la figure 4 est une vue de dessus schématique d'un deuxième mode de réalisation particulier du circuit photonique intégré objet de l'invention, comprenant un microrésonateur à base de cristal photonique à une dimension, * la figure 5 est une vue en coupe longitudinale schématique du circuit de la figure 4, et * la figure 6 est une vue en coupe longitudinale schématique d'une structure utilisable pour la fabrication d'un circuit conforme à l'invention. EXPOSE DÉTAILLÉ DE MODES DE REALISATION PARTICULIERS Dans le circuit photonique intégré conforme à l'invention, qui est schématiquement représenté sur la figure 1, une microsource laser 2, à microcavité résonante, est associée à un guide de lumière 4 de façon à permettre le transfert de la lumière engendrée par la microsource dans ce guide de lumière. Ce dernier peut être optiquement relié à d'autres composants optiques passifs (non représentés) du circuit photonique, qui reçoivent alors la lumière engendrée par la microsource et transmise par le guide de lumière. Le guide de lumière 4 est formé, dans l'exemple représenté, à partir d'une structure de type silicium sur isolant. Cette structure comprend un substrat en silicium 6, sur lequel on a formé une couche de silice 8, ainsi qu'une couche de silicium formée sur cette couche de silice 8 et traitée pour former le guide de lumière 4. La microsource laser 2 est formée au-dessus d'une extrémité 10 de ce guide de lumière et une couche intermédiaire en silice 12 est interposée entre la microsource laser et cette extrémité du guide de lumière. On réalise ainsi une intégration verticale d'une partie active (microsource laser) du circuit photonique et d'une partie passive (guide de lumière) de ce circuit, la partie active étant positionnée au- dessus de cette partie passive. La couche intermédiaire 12 a pour fonction de transférer la lumière émise par la microsource laser vers l'extrémité 10 du guide de lumière par couplage évanescent vertical, ce qui est symbolisé par la flèche F1 de la figure 1. L'extrémité 10 du guide d'onde, qui se trouve en-dessous de cette couche intermédiaire, est prévue pour récupérer la lumière ainsi transférée. Cette dernière se propage ensuite dans le reste 14 du guide de lumière (ce qui est symbolisé par la flèche horizontale F2) pour être éventuellement envoyée à d'autres composants passifs (non représentés) du circuit photonique intégré. L'utilisation de la microsource laser à microcavité résonante 2 et de la structure de type silicium sur isolant rend particulièrement performant le transfert de lumière de la microsource au guide de lumière du fait de la compatibilité, en termes de confinement optique, d'une telle source laser et d'une telle structure. Comme on le verra plus loin, l'extrémité du guide d'onde destiné à récupérer la lumière émise par la microsource laser peut être ce que l'on appelle un " collecteur de photons " et il convient alors que le reste 14 du guide d'onde soit suffisamment couplé à ce collecteur de photons pour inhiber le caractère résonant de ce dernier qui, sinon, provoquerait un filtrage supplémentaire de lumière (non souhaité). Dans l'exemple des figures 2 et 3, la microsource laser a une configuration de type microdisque 2a. On voit sur ces figures la structure de type silicium sur isolant comprenant encore le substrat de silicium 6, la couche de silice 8 formée sur ce dernier et, sur cette couche de silice, le guide de lumière en silicium 4 dont l'extrémité 10 constitue alors un collecteur de photon (en silicium). Sur ce dernier se trouve la couche intermédiaire en silice 12. La microsource de type microdisque 2a est formée sur cette couche intermédiaire. A titre purement indicatif et nullement limitatif la largeur L du guide de lumière vaut 0,3 pm, le diamètre D de la microsource à microdisque vaut environ 5 pm, l'épaisseur E1 de la couche de silice 8 vaut 0,5 pm, l'épaisseur E2 de la couche de silicium, à partir de laquelle sont formés le collecteur 10 et le reste 14 du guide de lumière, vaut 0,2 pm, l'épaisseur E3 de la couche intermédiaire de silice 12 vaut 0,2 pm et l'épaisseur E4 de la microsource laser à microdisque vaut 0,2 pm. Dans l'exemple des figures 4 et 5, la microsource laser comprend un résonateur 2b à base d'un cristal photonique à une dimension. On voit encore sur ces figures 4 et 5 le substrat de silicium 6 recouvert par la couche de silice 8, elle-même surmontée du guide de lumière en silicium 4. Dans le cas des figures 4 et 5, l'extrémité de ce guide de lumière est rectiligne et prolonge le reste 14 (lui-même rectiligne) de ce guide de lumière. Cette extrémité est recouverte par la couche intermédiaire en silice 12, elle-même recouverte par la microsource laser 2 à base de cristal photonique à une dimension. A titre purement indicatif et nullement limitatif, la longueur Ls de cette microsource à base de cristal photonique vaut environ 3 pm, la largeur L du guide de lumière vaut 0,3 pm, l'épaisseur El de la couche de silice 8 vaut 0,5 pm, l'épaisseur E2 de la couche de silicium, à partir de laquelle sont formés l'extrémité 10 et le reste 14 du guide de lumière, vaut 0,2 pm, l'épaisseur E3 de la couche intermédiaire 12 vaut 0,2 pm et l'épaisseur E4 de la microsource à base de cristal photonique vaut 0,2 pm. Dans la configuration particulière des figures 2 et 3 et dans l'autre configuration particulière des figures 4 et 5 on retrouve les éléments importants du schéma de la figure 1 que sont la source à microcavité résonante, la couche intermédiaire de couplage évanescent et le guide de lumière (en silicium dans les exemples considérés). Dans le cas des figures 2 et 3, le couplage évanescent s'effectue vers un collecteur de photons qui forme lui-même un disque fortement couplé au reste du guide de lumière. Dans le cas des figures 4 et 5, le couplage évanescent s'effectue directement depuis la cavité résonante de la microsource vers le guide de lumière à travers la couche intermédiaire. Compte tenu des faibles dimensions données plus haut à titre d'exemple pour les circuits des figures 2 à 5, l'intervalle spectral libre entre les modes de cavité est appréciable: dans le cas des figures 2 et 3, l'intervalle spectral libre entre deux modes est de l'ordre de quelques dizaines de nanomètres pour un microdisque dont le rayon vaut quelques micromètres (voir à ce sujet le document [2]) et, dans le cas des figures 4 et 5, o l'on utilise un cristal photonique à une dimension, cet intervalle peut dépasser une centaine de nanomètres (voir à ce sujet le document [3]). De telles caractéristiques sont en accord avec les performances qui sont généralement requises pour les télécommunications optiques par exemple (actuellement 30 nm de plage spectrale utile). Pour la fabrication des structures des figures 2 à 5 on peut commencer par élaborer le matériau actif de la microsource laser (on reviendra sur cela par la suite) puis définir cette microsource laser, par exemple par lithographie électronique puis gravure ionique réactive (" reactive ion etching ") et définir ensuite les composants passifs (susceptibles de se trouver sur le substrat 6) et le guide de lumière 4 ainsi que d'éventuels autres guides de lumière par exemple par lithographie optique ou électronique ou par gravure sèche et/ou humide. La microsource laser peut être pompée soit par voie optique soit par voie électrique mais le pompage par voie optique est plus simple à mettre en oeuvre que le pompage par voie électrique car ce dernier nécessite le dépôt de couches métalliques (pour former des contacts électriques) ainsi que le dopage de matériaux semiconducteurs. Les circuits photoniques intégrés des figures 2 à 5 présentent l'avantage de permettre l'exploitation de matériaux électro-optiques, comme par exemple InP, qui ont de forts indices de réfraction et sont en contact avec l'air et avec des matériaux, comme par exemple la silice, qui ont de faibles indices de réfraction, ce qui assure un excellent confinement optique. De ce fait il n'est pas nécessaire de réaliser des composants très épais (plusieurs micromètres d'épaisseur) ni de suspendre ces composants au-dessus d'une lame d'air au moyen d'un micro-usinage. On résout ainsi en particulier les problèmes de fabrication et de fiabilité mécanique qui sont généralement observés dans le cas des microlasers suspendus de type microdisque résonant (voir à ce sujet le document [4]). De plus, les procédés de fabrication des parties actives et passives des circuits photoniques intégrés des figures 2 à 5 sont suffisamment indépendants pour conserver tous les acquis des techniques de fabrication de circuits photoniques sur des structures de type silicium sur isolant. Dans ce qui suit, on revient sur la fabrication de la microsource laser. Plus précisément, on considère maintenant l'intégration, au reste du circuit, du matériau actif à partir duquel est formée cette microsource laser. En tant que matériau actif, on utilise de préférence un composé semiconducteur III-V ayant un gap direct, matériau qui est parfaitement maitrisé pour fabriquer les lasers classiquement utilisés dans le domaine des télécommunications optiques à 1,3 pm et 1,55 pm. Deux voies sont possibles et indiquées dans ce qui suit. Selon un premier mode de mise en oeuvre particulier on fabrique une structure de type silicium sur isolant comprenant un substrat en silicium 6, sur lequel est formée une couche de silice 8, ainsi qu'une couche de silicium 16 formée sur cette couche de silice 8, ou on utilise une structure commercialement disponible de ce genre. On forme ensuite une couche de silice 18, destinée à la formation de la couche intermédiaire 12, sur la couche de silicium 16 puis une couche complète ou une portion de couche d'un composé semiconducteur III-V, par exemple InP, sur cette couche de silice 18. Cette couche 20 ou cette portion de couche de InP est rapportée sur cette couche de silicqe 18 par la technique appelée collage de plaquette (" wafer bonding "). Lorsque l'on utilise une portion de couche de InP, cette portion ne s'étend donc que sur une partie de la couche 18. On fabrique ensuite la microsource laser 2 à partir de cette couche 20 en InP, par épitaxie de InP/GaInAsP et des techniques connues de fabrication des microsources lasers, de manière à obtenir une hétérostructure GaInAsP/InP (à puits quantiques ou à boîtes quantiques). On fabrique ensuite la couche intermédiaire de couplage vertical 12 à partir de la couche de silice 18 puis on fabrique le microguide de lumière 4 (y compris l'extrémité 10 de ce dernier qui se trouve sous la couche 12) à partir de la couche de silicium 16 de la structure silicium sur isolant. Au lieu de former la microsource laser par épitaxie à partir de la couche 20 ou la portion de couche en InP, on peut aussi transférer, sur la structure de type silicium sur isolant munie de la couche de silice 18, une structure laser complète formée à partir de InP, ce transfert se faisant encore par la technique de collage de plaquette. Le deuxième mode de mise en oeuvre particulier utilise aussi un substrat de type silicium sur isolant. Sur ce substrat, on forme une couche de silice destinée à la formation de la couche de couplage intermédiaire et, sur cette couche de silice, on fabrique par dépôt chimique en phase vapeur (" chemical vapor deposition ") et épitaxie une hétérostructure à base d'un matériau actif, appelé matériau SIA et constitué de nanocristaux de InAs répartis dans une matrice de Si ou de Si3N4. Ce matériau SIA est fabriqué par une combinaison des techniques de dépôt chimique en phase vapeur, pour obtenir la matrice de Si ou de Si2N4, et d'épitaxie par jets moléculaires (" molecular beam epitaxy "), pour obtenir les nanocristaux de InAs. Au sujet d'un tel matériau SIA on pourra consulter le document [5]. Après la fabrication de l'hétérostructure, on fabrique comme précédemment la couche intermédiaire de couplage vertical 12 et le guide de lumière 4 (y compris l'extrémité 10 de ce dernier). On donne ci-après des précisions supplémentaires sur la fabrication de circuits photoniques intégrés conformes à l'invention. Des substrats SOI (Si/SiO2/Si) appelés " Unibond " sont commercialement disponibles auprès de la Société SOITEC. Au sujet de microsources lasers à microdisque ou microanneau on consultera également les documents [6], [7] et [8]. Au sujet des cristaux photoniques, on se reportera aussi au document [9]. Au lieu de coupler une microsource laser du genre de celles des figures 1 à 5 à une extrémité d'un guide de lumière conformément à l'invention, il est possible de coupler cette microsource laser à une partie quelconque d'un guide de lumière (toujours par l'intermédiaire d'une couche intermédiaire de couplage), en adaptant, si cela est nécessaire, cette partie à la microsource (par exemple en donnant à cette partie une configuration de collecteur de lumière dans le cas o la microsouce laser est de type microdisque ou microanneau). De plus, l'invention n'est pas limitée à l'intégration d'une microsource laser: un microrésonateur intégré conformément à l'invention peut être utilisé non seulement en tant qu'émetteur laser mais encore en tant qu'amplificateur de lumière ou en tant que photodétecteur résonant ou même en tant qu'émetteur laser et photodétecteur résonant, en alternant ces deux utilisations. Les documents cités dans la présente description sont les suivants: [1]T. Baba, IEEE J. Select. Topics. In Quantum Electron. 3 n 3 (1997) p.808 [2]B.E. Little et al., J. of Lightwave Technol. 15 n 6 (1997) p.998 [3]J.S. Foresi et al., Lett. To Nature 390 (1997) p.143 [4]D.Y. Chu et al., Appl. Phys. Lett. 65 n 25 (1994) [5]J. Shi et al., Appl. Phys. Lett. 70 (1997) 2586 [6]S.I. McCall et al., Appl. Phys. Lett. 60 (1992) 289 [7]J.P. Zhang et al., Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 2678 [8] T. Baba et al., IEEE Photon. Technol. Lett. 9 (1997) 878 [9]E. Yablonovitch, Phys. Lett. 58, 2059 (1987). REVENDICATIONS 1. Circuit photonique intégré formé sur un substrat et comprenant au moins un guide de lumière (4) intégré à ce substrat, ce circuit étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre au moins un composant optique résonant (2) qui est intégré au substrat et destiné à émettre ou détecter de la lumière ou les deux, ce composant optique résonant étant placé au- dessus d'une partie (10) du guide de lumière, et un moyen (12) de couplage optique vertical entre le composant optique résonant et cette partie du guide de lumière, cette dernière étant prévue pour assurer le transfert de lumière entre le composant optique résonant et le reste (14) du guide de lumière par l'intermédiaire du moyen de couplage optique vertical. 2. Circuit photonique intégré selon la revendication 1, dans lequel le moyen de couplage optique vertical comprend une couche (12) d'un matériau qui est transparent à la lumière et dont l'indice optique est inférieur à celui du guide de lumière ainsi qu'à celui du matériau du composant optique résonant. 3. Circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, dans lequel le guide de lumière (4) est en silicium. 4. Circuit photonique intégré selon la revendication 3, dans lequel le substrat est une structure de type silicium sur isolant. 5. Circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, dans lequel le moyen de couplage optique vertical comprend une couche de silice (12). 6. Circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, dans lequel le composant optique résonant (2) comprend un microrésonateur. 7. Circuit photonique intégré selon la revendication 6, dans lequel le microrésonateur est un microrésonateur à microdisque ou à microanneau (2a). 8. Circuit photonique intégré selon la revendication 6, dans lequel le microrésonateur est une microstructure à base d'un cristal photonique (2b) à une ou deux dimensions. 9. Circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, dans lequel le matériau du composant optique résonant (2) est choisi parmi les composés semiconducteurs III-V. 10. Circuit photonique intégré selon la revendication 9, dans lequel le matériau du composant optique résonant (2) est une hétérostructure semiconductrice III-V à puits quantiques ou à boîtes quantiques. 11. Procédé de fabrication du circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel on forme un substrat comprenant une première couche (16) destinée à la fabrication du guide de lumière et une deuxième couche (18) destinée à la fabrication du moyen de couplage optique et l'on rapporte une troisième couche ou portion de couche (20) sur cette deuxième couche par une technique dite de collage de plaquette, cette troisième couche ou portion de couche étant destinée à la fabrication du composant optique résonant (2) ou comprenant ce dernier. 12. Procédé de fabrication du circuit photonique intégré selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, dans lequel on forme un substrat comprenant une première couche (16) destinée à la fabrication du guide de lumière et une deuxième couche (18) destinée à la fabrication du moyen de couplage optique et l'on forme, sur cette deuxième couche, une hétérostructure à base d'un matériau actif comprenant des nanocristaux de InAs dans une matrice de Si ou de Si3N4, cette hétérostructure étant destinée à la fabrication du composant optique résonant (2).