Brevet FR2785718A1 — publié le 20000512

CATHODE FROIDE A EMISSION DE CHAMP DESCRIPTION L'invention a trait à une cathode à émission de champ. En ce qui concerne la commande de courant, on peut grouper les cathodes froides à émission de champ en deux groupes. Le courant est commandé au moyen d'une résistance dans l'un des groupes et au moyen d'un transistor dans l'autre groupe. Ci-dessous, on explique les cathodes froides à émission de champ typiques en ce qui concerne la façon dont on commande le courant et en ce qui concerne un dispositif limitant le courant. La publication de brevet japonais non examinée N 5-47296 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un dispositif limitant le courant constitué d'une résistance, et de cônes émetteurs auxquels le dispositif limitant le courant est relié électriquement. La figure 1 illustre la cathode froide à émission de champ suggérée. La cathode froide à émission de champ illustrée se compose d'un substrat 9 électriquement conducteur, d'une couche isolante 5 formée sur le substrat 9, d'une électrode de grille 2 formée sur la couche isolante 5 et d'une pluralité de cônes émetteurs 6 formés au niveau d'une surface du substrat 9 dans une ouverture de grille 1 formée à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5. Chacun des cônes émetteurs 6 possède une résistance 13 en dessous de lui. La publication de brevet japonais non examinée N 5-144370 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un dispositif limitant le courant, constitué d'une résistance, et une électrode de grille 2 reliée électriquement au dispositif limitant le courant. Les figures 2A et 2B illustrent la cathode à émission de champ suggérée. La cathode froide à émission de champ illustrée se compose d'un substrat 9 électriquement conducteur, d'une couche isolante 5 formée sur le substrat 9, d'une électrode de grille 2 formée sur la couche isolante 5 et d'une pluralité de cônes émetteurs 6 formés au niveau d'une surface du substrat 9 dans une ouverture de grille 1 formée à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5. L'électrode de grille 2 se compose d'une couche très résistive 23, et d'une couche faiblement résistive 22 formée sur la couche très résistive 23 sous la forme d'un réseau maillé. La publication de brevet japonais non examinée N 4-284324 a suggéré une cathode froide à émission de champ telle qu'illustrée dans la figure 3. La cathode froide à émission de champ suggérée se compose d'un substrat électriquement conducteur 9, d'une couche isolant 5 formée sur le substrat 9, d'une électrode de grille 2 formée sur la couche isolante 5, d'une pluralité de cônes émetteurs 6 formés au niveau d'une surface du substrat 9 dans une ouverture de grille 1 formée à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5, d'une ligne d'alimentation en énergie 7 formée sur la couche isolante 5, et d'un connecteur 18 reliant électriquement l'électrode de grille 2 à la ligne d'alimentation en énergie 7. La publication de brevet japonais non examinée N 5-67441 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un dispositif limitant le courant constitué d'un transistor. La figure 4 illustre la cathode froide à émission de champ suggérée. La cathode froide à émission de champ illustrée se compose d'un substrat électriquement conducteur 9, d'une couche isolante 5 formée sur le substrat 9, d'une électrode de grille 2 formée sur la couche isolant 5, d'une pluralité de cônes émetteurs 6 formés au niveau d'une surface du substrat 9 dans une ouverture de grille formée à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5 et d'un transistor comprenant une base 19 et un émetteur 20, formé dans le substrat 9. La publication de brevet japonais non examinée N 10-12128 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un dispositif limitant le courant ayant des tranchées. La figure 5 illustre la cathode froide à émission de champ suggérée. La cathode froide à émission de champ illustrée se compose d'un substrat électriquement conducteur 9 comprenant une région 7 limitant l'écoulement de courant au niveau d'une surface de celle-ci, d'une couche isolante 5 formée sur le substrat 9, d'une électrode de grille 2 formée sur la couche isolante 5, et d'une pluralité de cônes émetteurs 6 formés au niveau d'une surface du substrat 9 dans une ouverture de grille formée à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5. Une pluralité de tranchées sont formées à travers la couche isolante et pénètrent en outre dans une certaine profondeur du substrat 9. Chacune des tranchées est remplie d'un isolant électrique 8. Les tranchées remplies de l'isolant électrique 8 définissent la région 7 limitant l'écoulement de courant. La publication de brevet japonais non examinée N 6-176686 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un dispositif limitant le courant constitué d'un transistor. De manière spécifique, la cathode froide à émission de champ suggérée se compose d'une matrice d'émetteurs, d'une ligne d'alimentation en énergie pour fournir de l'énergie électrique aux émetteurs, et d'un transistor à effet de champ situé entre la matrice d'émetteurs et la ligne l'alimentation en énergie, et possédant une région de source, une électrode de grille et une région de drain. La publication de brevet japonais non examinée N 10-50205 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un substrat semi-conducteur, une pluralité de régions électriquement conductrices formées dans le substrat, une pluralité de cathodes en forme de pilier, chacune formée sur chacune des régions électriquement conductrices, et des électrodes, chacune formée sur chacune des régions électriquement conductrices avec une couche isolante intercalée entre elles, et chacune formée avec une ouverture autour de chacune des cathodes. Chacune des cathodes comprend une couche supérieure et une couche inférieure qui possèdent des conductivités électriques différentes l'une de l'autre afin de définir ainsi une jonction p-n entre elles. La couche supérieure de chacune des cathodes est électriquement isolée des régions électriquement conductrices. La publication de brevet japonais non examinée N 10-64407 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un émetteur ayant un sommet pointu et relié électriquement à une électrode de cathode, une électrode de grille ayant une ouverture autour de l'émetteur, et une résistance de pincement ayant une caractéristique de courant saturé et située entre l'émetteur et l'électrode de cathode. La publication de brevet japonais non examinée N 10-21820 a suggéré une cathode froide à émission de champ comprenant un substrat de silicium ayant des régions électriquement isolantes, une couche résistive formée sur les régions électriquement isolantes, une couche isolante formée sur la couche résistive, une couche conductrice de grille formée sur la couche isolante, et une pluralité de cathodes coniques, chacune située dans une ouverture formée à travers la couche conductrice de grille et la couche isolante au-dessus des régions électriquement isolantes. Comme il est évident, on confère une fonction de limitation d'écoulement de courant en vue d'empcher la destruction d'une cathode par une décharge anormale, soit à une électrode de grille soit à un substrat électriquement conducteur auquel est relié un cône émetteur. On peut conférer cette fonction de limitation d'écoulement de courant en ajoutant soit une résistance soit un transistor à une cathode froide à émission de champ. Toutefois, si l'on conférait la fonction de limitation d'écoulement de courant en ajoutant une résistance à une cathode froide à émission de champ, la cathode froide à émission de champ résultante serait accompagnée d'un problème en ce qu'il est impossible de commander la cathode froide à émission de champ à une fréquence élevée. De plus, un problème surviendrait en ce que le nombre de cônes émetteurs par unité de surface serait réduit, si un dispositif limitant le courant était formé dans une électrode de grille. La raison en est la suivante. Lorsqu'on confère la fonction de limitation d'écoulement de courant en ajoutant une résistance à une cathode froide à émission de champ, il serait possible de disposer une résistance à proximité d'un cône émetteur, tel qu'illustré par exemple dans les figures 2A et 2B. Dans une telle disposition, la fonction de limitation d'écoulement de courant commencerait à s'exercer immédiatement après le début de la décharge. Toutefois, si l'on doit limiter l'écoulement de courant de décharge uniquement au moyen d'une résistance, celle-ci devrait avoir une grande résistance. Selon les résultats des expérimentations réalisées par les inventeurs, la résistance doit posséder une résistivité de 0,4 Q. cm ou plus. Si l'on applique une tension élevée sur une anode qui capture des électrons éjectés d'une cathode froide, il faudrait que la résistance ait une résistivité supérieure à 0,4 Q. cm. Si une cathode froide est pourvue d'une telle résistance ayant une valeur élevée, les charges électriques se déplaceraient lentement dans chacune des électrodes dans une cathode froide, aboutissant à ce que la cathode froide ne puisse fonctionner à fréquence élevée. Dans une cathode froide comprenant un dispositif limitant le courant constitué d'une résistance, lorsque la décharge a lieu entre un cône émetteur et une électrode de grille, une tension appliquée entre une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur est également appliquée à la résistance. Une cathode froide fonctionne à une tension d'une dizaine de volts. Ainsi, il serait nécessaire d'espacer d'une certaine distance la résistance de la tension afin de protéger la résistance du gradient de tension créé par la tension à appliquer entre une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur. Selon les expérimentations réalisées par les inventeurs, cette distance doit tre égale ou supérieure à um. Lorsqu'une pluralité d'ouvertures de grille sont formées dans une surface de 10 um x 10 pm et une ligne d'alimentation en énergie est formée autour des ouvertures de grille à une distance de 5 um dans une cathode froide, une telle cathode froide pourrait avoir une densité à laquelle on dispose des cônes émetteurs par unité de surface, de 25% par rapport à la densité la plus grande que pourrait avoir une cathode froide. Bien que l'on puisse augmenter la densité susmentionnée en agrandissant la surface susmentionnée, il se produirait une variance importante de la distance entre les ouvertures de grille et une ligne d'alimentation en énergie, ce qui n'est pas pratique pour une utilisation concrète. Une cathode froide comprenant un dispositif limitant le courant constitué d'un transistor s'accompagne du problème en ce que la cathode froide serait détruite en raison du retard provoqué par le déplacement des charges électriques pour le fonctionnement du transistor, avant que le transistor ne fonctionne effectivement. La raison en est la suivante. Lorsqu'un dispositif limitant le courant est constitué par un transistor, les charges électriques doivent se mouvoir jusqu'à ce qu'un transistor commence à faire fonctionner celui-ci, à savoir, jusqu'à ce qu'une couche de déplétion se dilate. C'est-à-dire, un écoulement de courant n'est pas limité à moins que des charges électriques se meuvent, lesquelles charges électriques s'accumulent à la fois dans la capacité électrostatique d'un transistor et la capacité électrostatique définie par un câblage s'étendant de la cathode froide au transistor. Si ces charges électriques sont converties en chaleur par effet Joule, en particulier si ces charges électriques sont déchargées pendant une période tout à fait courte, les cônes émetteurs situés autour d'un site au niveau duquel les charges électriques sont déchargées, fondraient. Si de tels cônes émetteurs fondus forment un pont par-dessus une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur, l'électrode de grille n'est pas isolée correctement du substrat, aboutissant à ce que la cathode froide ne puisse plus fonctionner. RESUME DE L'INVENTION Vu les problèmes susmentionnés, le but de la présente invention est de proposer une cathode froide à émission de champ qui peut éviter sa destruction due à une décharge anormale se produisant entre un cône émetteur et une électrode de grille, sans diminuer la densité à laquelle on dispose les cônes émetteurs sur un substrat. Il est proposé une cathode froide à émission de champ comprenant (a) un substrat électriquement conducteur, (b) une pluralité de cônes émetteurs formés au niveau d'une surface de substrat, (c) une électrode de grille, (d) une couche isolante intercalée entre le substrat et l'électrode de grille, l'électrode de grille et la couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures en alignement l'une à l'autre, les cônes émetteurs étant formés dans les ouvertures, caractérisée en ce que le substrat et l'électrode de grille sont tous deux pourvus d'une fonction de limitation de la circulation d'un courant dans ceux-ci. Il est de plus proposé une cathode froide à émission de champ comprenant (a) un substrat électriquement conducteur, (b) une pluralité de cônes émetteurs formés au niveau d'une surface de substrat, (c) une électrode de grille, (d) une couche isolante intercalée entre le substrat et l'électrode de grille, l'électrode de grille et la couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures en alignement l'une à l'autre, les cônes émetteurs étant formés dans les ouvertures, les cônes émetteurs étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé de cônes émetteurs, le substrat étant formé avec des tranchées entourant chacun des groupes, tel que vu dans une direction d'une droite normale au substrat, les tranchées étant remplies d'un isolant électrique, caractérisée en ce que l'électrode de grille comprend une première couche résistive et une deuxième couche résistive formée sur la première couche résistive, la première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de la deuxième couche résistive, la deuxième couche résistive étant composée d'un métal ou d'un composé de celui-ci. La cathode froide à émission de champ peut tre caractérisée en ce que l'électrode de grille comprend une première couche résistive et une deuxième couche résistive formée sur la première couche résistive, la première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de la deuxième couche résistive, la deuxième couche résistive contenant une impureté à une concentration plus élevée que celle de la première couche résistive. La cathode froide à émission de champ peut tre caractérisée en ce que l'électrode de grille comprend une première couche résistive et une deuxième couche résistive formée sur la première couche résistive, la première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de la deuxième couche résistive, la deuxième couche résistive chevauchant une portion des tranchées de sorte que la deuxième couche résistive entoure au moins deux des régions, tel que vu dans une direction d'une droite normale au substrat. La cathode froide à émission de champ peut tre caractérisée en ce que l'électrode de grille comprend une première couche résistive et une deuxième couche résistive formée sur la première couche résistive, la première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de la deuxième couche résistive, la deuxième couche résistive entourant au moins une des régions et faisant intersection avec les tranchées en dehors des régions, tel que vu dans une direction d'une droite normale au substrat. La cathode froide à émission de champ peut tre caractérisée en ce que l'électrode de grille comprend des connecteurs d'ouverture, chacun reliant électriquement les ouvertures situées en alignement avec un groupe des cônes émetteurs, l'une à l'autre, une deuxième couche résistive disposée de sorte à entourer les connecteurs d'ouverture, et une ligne résistive reliant électriquement ledit chacun des connecteurs d'ouverture à la deuxième couche résistive, les connecteurs d'ouverture et la ligne résistive possédant tous deux une résistivité supérieure à une résistivité de la deuxième couche résistive. On décrira ci-dessous les avantages obtenus à l'aide de la présente invention précitée. Comme indiqué précédemment, la cathode à émission de champ selon la présente invention est conçue en vue de posséder une fonction de limitation de courant à la fois dans une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur situé juste au-dessous des cônes émetteurs. Ainsi, la cathode froide à émission de champ peut fonctionner à fréquence élevée et on évite une diminution d'une densité à laquelle on dispose des cônes émetteurs sur un substrat. En outre, mme s'il se produisait une décharge anormale entre une électrode de grille et un cône émetteur en raison de matières étrangères existantes entre une électrode de grille et un cône émetteur, d'une dégradation du vide à proximité d'une cathode froide et d'ions se dirigeant vers une cathode froide, la cathode froide à émission de champ serait détruite. La raison en est la suivante. Si une décharge se produit entre une électrode de grille et l'un quelconque des cônes émetteurs disposés en matrice, due aux raisons précitées, des charges électriques positives accumulées sur une électrode de grille selon la capacité électrostatique définie entre une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur, se concentrent vers un site au niveau duquel s'est produite la décharge. Puisque l'électrode de grille dans la cathode froide à émission de champ selon la présente invention est rendue résistive, on diminue un courant maximal de crte et les charges électriques positives se concentrent progressivement vers un site de décharge. Ainsi des charges électriques participent à la décharge du cône émetteur au substrat, aboutissant à ce qu'il est possible d'empcher la destruction immédiate de la cathode froide à émission de champ après décharge. Ensuite, une couche de déplétion se dilate dans une région juste au-dessous du cône émetteur au niveau duquel s'est produite la décharge, et ainsi un courant est astreint à circuler dans la région. En résultat, il existe un gradient de tension créé entre le substrat électriquement conducteur et une surface supérieure de la région. Ainsi on élève la tension sur le cône émetteur et, en conséquence, la décharge cesse au niveau du cône émetteur. C'est-à-dire que la cathode froide à émission de champ selon la présente invention permet d'éviter son endommagement dû à la décharge de charges électriques accumulées au niveau d'une électrode de grille, en raison des couches résistives de l'électrode de grille. En outre, l'alimentation de l'électrode de grille et du substrat en énergie est interrompue par une couche de déplétion qui se dilate dans une région de limitation de courant formée dans les tranchées et qui empche un courant d'y circuler. Ainsi on peut faire cesser la décharge. Les couches résistives formées au niveau de l'électrode de grille suppriment le courant de crte créé au début de la décharge. Ainsi, on peut concevoir les couches résistives pour qu'elles aient une résistance inférieure à celle d'une résistance incorporée dans une cathode froide classique en tant que dispositif limitant le courant. En conséquence, la cathode froide à émission de champ selon la présente invention peut fonctionner à une fréquence supérieure à une fréquence à laquelle fonctionne une cathode froide à émission de champ classique incorporant un dispositif limitant le courant constitué uniquement d'une résistance. C'est-à-dire qu'il est possible de faire varier rapidement une tension à appliquer entre une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur, aboutissant à ce qu'il serait possible de commander rapidement une quantité d'électrons à éjecter à partir des cônes émetteurs. Dans une décharge anormale, une tension entre une électrode de grille et un substrat électriquement conducteur est répartie en fonction de l'impédance de la première couche résistive de l'électrode de grille et les tranchées sont remplies d'un isolant électrique. C'est-à-dire qu'il se crée une différence de tension plus petite dans la première couche résistive par rapport à celle d'une cathode froide classique incorporant un dispositif limitant le courant, constitué uniquement d'une couche très résistive formée au niveau d'une électrode de grille. En conséquence, on peut concevoir une distance entre une ouverture de grille et une ligne résistive sur une surface de l'électrode de grille pour qu'elle soit inférieure à la mme dans une cathode froide classique incorporant un dispositif limitant le courant constitué uniquement d'une couche très résistive. Ainsi, la cathode froide à émission de champ selon la présente invention permet d'augmenter la densité à laquelle les cônes d'émetteurs sont agencés par unité de surface. Selon la présente invention, les couches résistives faisant office de dispositif limitant le courant, formées au niveau de l'électrode de grille, peuvent avoir une résistance égale à environ 1/5 d'une résistance d'une cathode froide classique ayant une électrode de grille résistive. Ceci signifie que la cathode froide à émission de champ selon la présente invention pourrait fonctionner à une fréquence cinq fois supérieure à une fréquence à laquelle fonctionne une cathode froide classique. En outre, une distance entre une ouverture de grille et une ligne résistive dans la cathode froide à émission de champ selon la présente invention peut tre égale à environ 1/2 de la mme dans une cathode froide classique ayant une électrode de grille résistive. En résultat on peut augmenter de 70% ou plus, une densité à laquelle on dispose les cônes émetteurs sur un substrat. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels : La figure 1 est une vue en perspective d'une cathode froide à émission de champ classique. La figure 2A est une vue en plan d'une autre cathode froide à émission de champ clastique. La figure 2B est une vue en coupe prise le long de la droite IIA-IIA dans la figure 2A. La figure 3 est une vue en perspective d'encore une autre cathode froide à émission de champ classique. La figure 4 est une vue en coupe d'une autre cathode froide à émission de champ classique de plus. La figure 5 est une vue en coupe d'à nouveau encore une autre cathode froide à émission de champ classique. La figure 6 est une vue en perspective éclatée d'une cathode froide à émission de champ selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 7 est une vue en coupe de la partie de la cathode froide à émission de champ illustrée à la figure 6. La figure 8 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 9 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 10 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention. [Premier mode de réalisation] La figure 6 est une vue en perspective éclatée d'une cathode froide à émission de champ selon le premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 7 est une vue en coupe d'une partie de la cathode froide à émission de champ illustrée à la figure 6. Comme le mieux représenté à la figure 6, la cathode froide à émission de champ comprend un substrat 9 électriquement conducteur, une couche isolante 5 formée sur le substrat 9 et une électrode de grille 2 formée sur la couche isolante 5. Une pluralité de cônes émetteurs 6 sont formés sur le substrat 9 électriquement conducteur. Chacun des cônes émetteurs 6 possède une forme conique, une hauteur de 0,6 pm et éjecte des électrons de son sommet. Les cônes émetteurs 6 sont groupés en une pluralité de groupes. Dans le premier mode de réalisation, un groupe comprend quatre cônes émetteurs 6, tel qu'illustré à la figure 6. Le substrat électriquement conducteur 9 est formé avec une tranchée 12 sous forme d'un réseau maillé. La tranchée 12 possède par construction une largeur de 1,5 um et une profondeur de 10 pm. La tranchée 12 est remplie d'un isolant électrique 8 constitué de verre au borosilicate phosphoré (BPSG). Les isolants électriques 8 sont espacés d'environ 10 um les uns des autres. Une région 7 du substrat 9 entourée par l'isolant électrique 8 est désignée ci-dessous par région limitant l'écoulement de courant. Un groupe des cônes émetteurs 6 est situé dans chacune des régions 7 limitant l'écoulement de courant. Les ouvertures de grille 1 sont formées à travers l'électrode de grille 2 et la couche isolante 5. Chacune des ouvertures de grille 1 est coaxiale à chacun des cônes émetteurs 6. Les cônes émetteurs 6 éjectent des électrons à l'extérieur de la cathode froide à émission de champ à partir des sommets de ceux-ci, à travers les ouvertures de grille 1. L'électrode de grille 2 se compose d'une couche très résistive 3 en tant que première couche résistive, et d'une couche d'alimentation en énergie 4 en tant que deuxième couche résistive. La couche très résistive 3 possède une résistivité d'environ 0,04 Q. cm et une épaisseur d'environ 0,15 um, et est constituée de polysilicium. La couche d'alimentation en énergie 4 possède une épaisseur d'environ 0,2 un et une largeur d'environ 0,15 pm, et est constituée de WSi. La couche d'alimentation en énergie 4 sépare un groupe des quatre ouvertures de grille 1, des autres groupes et elle chevauche l'isolant électrique 8. Chacune des ouvertures de grille 1 formée à travers l'électrode de grille 2 possède un diamètre d'environ 0,6 um, et elle est espacée d'au moins 2,5 pm de la ligne d'alimentation en énergie 4. La couche isolante 5 possède une épaisseur d'environ 0,45 u, et elle est constituée d'une couche de dioxyde de silicium formée à l'aide d'un dépôt chimique en phase vapeur (CVD). La couche isolante 5 est formée avec une pluralité d'ouvertures, chacune ayant un diamètre d'environ 0,8 pm et coaxiale à la fois à l'ouverture de grille associée 1 et au cône émetteur 6 associé. Bien que non représentée, la cathode froide à émission de champ est fixée dans une enceinte maintenue sous vide, et l'électrode de grille 2 et le substrat 9 sont tous deux reliés électriquement à un câblage par lequel on applique une tension à l'extérieur de l'enceinte. Une anode à laquelle on applique une tension positive, est située en vis à vis de la cathode froide à émission de champ. Les électrons éjectés de la cathode froide sont attirés vers l'anode. Les électrons éjectés suivent une trajectoire établie et parviennent à un dispositif, contribuant ainsi au fonctionnement du dispositif. On explique ci-dessous un fonctionnement de la cathode froide à émission de champ selon le premier mode de réalisation. D'abord, lorsqu'on applique une tension de 60 V entre l'électrode de grille 2 et le substrat électriquement c tension égale à une tension appliquée à la cathode froide à l'extérieur de l'enceinte. En outre, si la cathode froide fonctionne correctement, les régions 7 limitant l'écoulement de courant possèdent la mme tension et ont une faible impédance. On explique ci-dessous un fonctionnement de la cathode froide à émission de champ dans le cas où une décharge anormale se produirait entre l'électrode de grille 2 et les cônes émetteurs 6. On suppose à présent qu'il se produit une décharge entre la couche très résistive 3 de l'électrode de grille et l'un quelconque des cônes émetteurs 6. Par exemple, une telle décharge se produit lorsque des matières étrangères pénètrent entre le cône émetteur 6 et l'électrode de grille 2, lorsque le degré de vide se dégrade à proximité d'un cône émetteur, ou lorsque des cations entrent dans la cathode froide en provenance de l'anode. Si une telle décharge se produit, l'impédance entre le cône émetteur 6 et l'électrode de grille diminue brusquement et ainsi les charges électriques accumulées dans l'électrode de grille 2 se concentrent vers un site 10 au niveau duquel s'est produite la décharge. Toutefois, on conçoit l'électrode de grille 2 dans le premier mode de réalisation pour qu'elle ait une résistance élevée, il s'y produit une chute de tension aboutissant à une diminution d'une tension autour du cône émetteur au niveau duquel s'est produite la décharge. Puisque la ligne d'alimentation en énergie 4 est sous la forme d'un réseau maillé, mme s'il se produit une décharge au niveau d'un cône émetteur situé dans une des mailles, les cônes émetteurs situés dans les autres mailles ne sont pas influencés par la décharge. Ainsi, puisque les charges électriques sont limitées en déplacement, en raison d'une résistance de la couche très résistive 3, on empche la concentration brusque de charges électriques aboutissant à ce que la cathode froide à émission de champ se voit protégée de la destruction à un stade initiale de la décharge. On conçoit la couche très résistive 3 pour qu'elle ait une résistivité dans la plage de 0,02 Q. cm à 2,0 S2. cm, les deux valeurs incluses. On détermine cette plage d'après les résultats des expérimentations réalisées par les inventeurs. Si la résistivité est inférieure à 0,02 Q. cm, il ne se produit pas une chute de tension suffisante pendant la décharge, ce qui n'assure pas une fonction suffisante de limitation de l'écoulement de courant. D'autre part, on peut réaliser une fonction de limitation de l'écoulement de courant au moyen d'une couche résistive ayant une résistivité inférieure ou égale à 2,0 Q. cm. Il n'est pas toujours nécessaire que la couche très résistive 3 ait une résistivité supérieure à 2,0 S2. cm. Puisqu'une résistance de l'électrode de grille 2 perturbe le déplacement des charges électriques existant entre l'électrode de grille 2 et le substrat électriquement conducteur 9, la couche très résistive 3 de l'électrode de grille 2 interfère avec le fonctionnement de la cathode froide à émission de champ, à fréquence élevée. En conséquence, il faudrait que la couche très résistive 3 ait une résistance minimale dans une plage admissible, lorsque l'on conçoit la cathode froide à émission de champ. Une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 1 doit tre supérieure ou égale à 2,5 um. On a déterminé la distance de 2,5 um d'après les résultats des expérimentations réalisées par les inventeurs. Si une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 1 est inférieure à 2,5 um, il se crée un gradient de tension abrupt dans la couche très résistive 3, et ainsi, la couche très résistive 3 pourrait tre détruite par effet Joule. D'autre part, si une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 1 est trop longue, le nombre des cônes émetteurs 6 par unité de surface serait diminué. Ainsi, il faudrait qu'une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 1 soit minimale dans une plage admissible, lorsque l'on conçoit la cathode froide à émission de champ. En outre, une diminution d'une impédance entre le cône émetteur 6 et l'électrode de grille 2 aboutit à une différence de tension entre les régions adjacentes 7, limitant l'écoulement de courant, juste au-dessous du site 10. La différence de tension provoque la dilatation d'une couche de déplétion 11 partant de l'isolant électrique 8 dans la région 7 limitant l'écoulement de courant, située juste au-dessous du site 10 au niveau duquel s'est produite la décharge, aboutissant à une zone réduite dans laquelle circule un courant. Ainsi, une impédance dans les régions 7 limitant l'écoulement de courant augmente et la différence de tension entre le cône émetteur 6 et l'électrode de grille 2 est diminuée au niveau du site 10. En résultat, on arrte la décharge. On détermine une résistivité de la couche très résistive 3, une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 4 et une distance entre les isolants électriques en fonction de l'environnement de travail de la cathode froide à émission de champ. Dans le premier mode de réalisation, l'environnement de travail est le suivant. Degré de vide : 10-6 Pa Distance entre une cathode froide et une anode : 1,5 mm Tension entre une cathode froide et une anode : 6 kV Courant total : 40 mA Surface d'une électrode de grille : 12 mm2 Si les tensions à appliquer à une électrode de grille et/ou une anode sont encore supérieures à celles susmentionnées, ou si un degré de vide s'est encore dégradé permettant ainsi qu'une décharge se produise facilement, il faudrait faire en sorte que la couche très résistive 3 ait une résistance plus élevée ou qu'une distance entre les ouvertures de grille 1 et la ligne d'alimentation en énergie 4 soit plus longue. Comme indiqué jusqu'ici, le premier mode de réalisation a une structure telle que le substrat électriquement conducteur 9 est formé avec la tranchée 12 qui est remplie de l'isolant électrique 8, et l'électrode de grille 2 se compose de la couche très résistive 3 et de la ligne d'alimentation en énergie 4. Mme s'il se produit une décharge entre le cône émetteur 6 et l'électrode de grille 2, cette structure empche la destruction de la cathode froide à émission de champ en supprimant le déplacement des charges électriques en raison de la couche très résistive 3 dans un stade initial de décharge, et encore en augmentant la résistance de la région 7 limitant l'écoulement de courant en raison de la dilatation de la couche de déplétion 11 à partir de la tranchée 12. La résistance ainsi augmentée limite l'écoulement de courant à partir de l'électrode de grille 2 vers le substrat 9 au niveau du site de décharge 10, aboutissant à ce que la décharge ne peut tre maintenue, ce qui assure une protection de la cathode froide à émission de champ contre la destruction. [Deuxième mode de réalisation] La figure 8 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Dans la figure 8, la tranchée 12 est représentée par une ligne brisée. Les dimensions des constituants dans le deuxième mode de réalisation sont les mmes que celles dans le première mode de réalisation. La cathode froide à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation est structurellement différente du première mode de réalisation en ce que la ligne d'alimentation en énergie 4 chevauche la tranchée 12 qui entoure quatre régions limitant l'écoulement de courant. L'autre structure est la mme que celle du premier mode de réalisation. Puisque la ligne d'alimentation en énergie 4 dans le deuxième mode de réalisation chevauche la tranchée 12 qui entoure quatre régions limitant l'écoulement de courant, il est possible d'augmenter une densité à laquelle on dispose les cônes émetteurs 6 au niveau d'une surface du substrat 9, par rapport à celle du premier mode de réalisation. Selon le deuxième mode de réalisation, mme si la décharge se produit entre l'électrode de grille 2 et l'un quelconque des cônes émetteurs 6, la couche très résistive 3 provoque une chute de tension et ainsi une tension est réduite autour de l'électrode de grille à proximité du cône émetteur 6 au niveau duquel s'est produite la décharge, aboutissant à une limitation de l'écoulement de courant. En outre, puisque la ligne d'alimentation en énergie 4 est sous forme d'un réseau maillé, si une décharge se produit au niveau d'un cône émetteur situé dans l'une quelconque des mailles, les cônes émetteurs situés dans les autres mailles ne sont pas influencés par la décharge. De façon similaire au premier mode de réalisation, la couche très résistive 3 possède une résistivité dans la plage de 0,02 Q. cm à 2,0 S2. cm, les deux valeurs incluses. La ligne d'alimentation en énergie 4 est espacée d'au moins 2,5 um de l'une quelconque des ouvertures de grille 1. [Troisième mode de réalisation] La figure 9 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. La cathode froide à émission de champ selon le troisième mode de réalisation est structurellement différente des première et deuxième formes de réalisation en ce que l'électrode de grille 2 comprend une région faiblement résistive 14 à la place de la ligne d'alimentation en énergie 4 et une région très résistive 15 à la place de la couche très résistive 3. La région faiblement résistive 14 contient une impureté à une concentration inférieure à une concentration à laquelle la région très résistive 15 contient une impureté. L'électrode grille 2 dans le troisième mode de réalisation est constituée de polysilicium, et possède une épaisseur d'environ 1,5 Vm. L'électrode de grille 2 se compose de deux régions, c'est-à-dire, la région faiblement résistive 14 sous forme d'un réseau maillé et la région très résistive 15 partagée en une pluralité de sous-régions par la région faiblement résistive 14 en forme de réseau maillé. La région très résistive 15 est formée avec une pluralité d'ouvertures de grille 1. On peut former les régions faiblement et très résistives 14 et 15 en faisant varier une dose d'impureté à implanter par implantation ionique dans l'électrode de grille 2. Dans le troisième mode de réalisation, on conçoit la région très résistive 15 pour qu'elle ait une résistivité d'environ 0,2 Q. cm et la région faiblement résistive 14 pour qu'elle ait une résistivité d'environ 0,002 n. cm. La région faiblement résistive 14 a une largeur de 0,2 um, et les régions faiblement résistives 14 sont espacées verticalement et horizontalement, l'une de l'autre, d'environ 20 um. Dans la figure 9 la tranchée 12 est représentée par une ligne brisée. Les tranchées 12 sont espacées verticalement et horizontalement, l'une de l'autre, d'environ 10 um et ont une largeur de 1,5 um et une profondeur de 10 um. Dans le troisième mode de réalisation, on conçoit la région faiblement résistive 14 pour qu'elle ne chevauche pas la tranchée 12, mais qu'elle coupe simplement la tranchée 12. Ainsi les ouvertures de grille 1 sont situées au centre de la région très résistive partagée par la région faiblement résistive 14. En outre, les cônes émetteurs 6 et les ouvertures de grille 1 ne sont pas formés dans les régions 7 limitant l'écoulement de courant, situées de façon adjacente à la région 7 limitant l'écoulement de courant dans laquelle sont formés les cônes émetteurs 6. Cette disposition créerait une différence de tension entre la région 7 limitant l'écoulement de courant dans laquelle l'écoulement de courant est effectivement limité et les régions 7 limitant l'écoulement de courant, situées de façon adjacente à celle-ci, mme s'il se produit une décharge entre l'électrode de grille 2 et un ou plusieurs cônes émetteurs 6. En résultat, une couche de déplétion se dilate à partir de la tranchée 12 pour réaliser ainsi une fonction de limitation de l'écoulement de courant. De façon similaire au deuxième mode de réalisation susmentionné, l'électrode de grille dans le troisième mode de réalisation est constituée de polysilicium. La région très résistive 15 possède une résistivité dans la plage de 0,02 Q. cm à 2,0 Q. cm. C'est le cas parce que, si la résistivité est inférieure à 0,02 H. cm, la chute de tension pendant la décharge n'est pas suffisante et si la résistivité est supérieure à 2,0 Ot. cm, la résistivité interférerait avec le déplacement des charges électriques existant entre l'électrode de grille et le substrat pour interdire le fonctionnement de la cathode froide à émission de champ à fréquence élevée. La région faiblement résistive 14 doit tre espacée de 2,5 um ou plus, de l'une quelconque des ouvertures de grille 1. Si une distance entre la région faiblement résistive 14 et les ouvertures de grille 1 est inférieure à 2,5 um, un gradient de tension de la région très résistive 15, pendant la décharge, serait tellement abrupt qu'elle serait détruite par effet Joule. Si la distance était trop grande, le nombre de cônes émetteurs 6 à monter sur le substrat 9 par unité de surface serait limité. Ainsi, on optimise de préférence la à l'aide d'une résistivité de la région très résistive 15 et ainsi de suite. [Quatrième mode de réalisation] La figure 10 est une vue en plan d'une cathode froide à émission de champ selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention. La cathode froide à émission de champ selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention est structurellement différente des première à troisième formes de réalisation dans une structure de l'électrode de grille 2. L'autre structure, à part l'électrode de grille 2, est la mme que la structure du premier mode de réalisation. L'électrode de grille 2 dans le quatrième mode de réalisation comprend une couche à connecteur d'ouverture 17 formé autour de treize ouvertures de grille 1 de sorte que les treize ouvertures de grille 1 sont reliées électriquement l'une à l'autre, une couche d'alimentation en énergie 4 chevauchant la tranchée 12 avec la couche isolante 5 intercalée entre celles-ci et disposée de sorte à entourer la couche à connecteur d'ouverture 17, et des lignes d'alimentation en énergie 16, chacune reliant électriquement chacune des couches à connecteurs d'ouverture 17 à la couche d'alimentation en énergie 4. On conçoit la couche à connecteur d'ouverture 17 et les lignes d'alimentation en énergie 16 pour qu'elles aient une résistivité dans la plage de 0,02 Q. cm à 2,0 Q. cm. Dans le présent mode de réalisation, la couche à connecteur d'ouverture 17 et les lignes d'alimentation en énergie 16 ont une résistivité d'environ 0,1 Q. cm et se composent d'une couche de polysilicium ayant une épaisseur d'environ 0,15 pm. La couche à connecteur d'ouverture 17 est façonnée de sorte à constituer un carré de 10 pm x 10 um. La ligne d'alimentation en énergie 16 possède une largeur d'environ 2 um et une longueur d'environ 12 pm. La ligne d'alimentation en énergie 16 possède une résistance dans la plage de 10 kQ à 1 MQ, les deux valeurs incluses. La couche d'alimentation en énergie 4 est constituée de WSi et possède une épaisseur d'environ 0,2 um et une largeur d'environ 1,5 um. On explique ci-dessous un procédé de fabrication de l'électrode de grille 2 utilisée dans le quatrième mode de réalisation. D'abord, le substrat électriquement conducteur 9 est formé avec la tranchée 12, qui est ensuite remplie de l'isolant électrique 8. Ensuite, la couche isolante 5 est formée sur le substrat 9. Puis une couche de polysilicium est formée sur la couche isolante 5. Ensuite une couche de WSi est formée sur la couche de polysilicium. Puis on forme un motif souhaité par photolithographie et attaque chimique afin de former ainsi la couche d'alimentation en énergie 4. Ensuite, on forme un motif souhaité sur la couche de polysilicium afin de former ainsi la couche à connecteur d'ouverture 17 et les lignes d'alimentation en énergie 16. Comme mentionné ci-dessus, on conçoit la cathode froide à émission de champ selon le quatrième mode de réalisation pour qu'elle incorpore la couche à connecteur d'ouverture 17 reliant électriquement les ouvertures de grille 1 l'une à l'autre, la couche d'alimentation en énergie 4 et les lignes d'alimentation en énergie 16 reliant électriquement la couche à connecteur d'ouverture 17 à la couche d'alimentation en énergie 4. Puisque les lignes d'alimentation en énergie 16 possèdent une résistance dans une certaine mesure, elles peuvent faire office de dispositif limitant l'écoulement de courant dans l'électrode de grille 2. La combinaison de la couche à connecteur d'ouverture 17 et des lignes d'alimentation en énergie 16 peut éliminer une limitation à propos d'un tel espacement entre les ouvertures de grille 1 et la couche d'alimentation en énergie 4, tel que mentionné dans les deuxième et troisième formes de réalisation, et ainsi peut augmenter une densité à laquelle on dispose les cônes émetteurs 6 sur le substrat 9. REVENDICATIONS 1. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, caractérisée en ce que ledit substrat et ladite électrode de grille sont pourvus tous deux d'une fonction limitant la circulation d'un courant dans ceux-ci. 2. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, lesdits cônes émetteurs étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé desdits cônes émetteurs, ledit substrat étant formé avec des tranchées (12) entourant chacun desdits groupes, vu dans une direction d'une ligne normale audit substrat, lesdites tranchées étant remplies d'un isolant électrique (8), caractérisée en ce que ladite électrode de grille comprend une première couche résistive (3) et une deuxième couche résistive (4) formée sur ladite première couche résistive, ladite première couche résistive ayant une résistivité supérieure à une résistivité de ladite deuxième couche résistive, ladite deuxième couche résistive étant composée d'un métal ou d'un composé de celui-ci. 3. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 2, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) chevauche lesdites tranchées, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 4. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est espacée de 2,5 um ou plus de l'une quelconque desdites ouvertures, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 5. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 2 ou 3, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 0,02 D. cm ou plus. 6. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 5, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 2 Q. cm ou moins. 7. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, lesdits cônes émetteurs étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé desdits cônes émetteurs, ledit substrat étant formé avec des tranchées entourant chacun desdits groupes, vu dans une direction d'une ligne normale audit substrat, lesdites tranchées étant remplies d'un isolant électrique, caractérisée en ce que ladite électrode de grille (2) comprend une première couche résistive (3) et une deuxième couche résistive (4) formée sur ladite première couche résistive, ladite première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de ladite deuxième couche résistive, ladite deuxième couche résistive contenant une impureté à une concentration supérieure à celle de ladite première couche résistive. 8. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 7, dans laquelle ladite électrode de grille (2) est composée de polysilicium. 9. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 7, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) chevauche lesdites tranchées, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 10. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est espacée de 2,5 um ou plus d'une quelconque desdites ouvertures, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 11. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 0,02 fl. cm ou plus. 12. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 11, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 2 Q. cm ou moins. 13. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, lesdits cônes émetteurs étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé desdits cônes émetteurs, ledit substrat étant formé avec des tranchées (12) partageant une surface dudit substrat en une pluralité de régions dans chacune desquelles se trouve chacun desdits groupes, lesdites tranchées étant remplies d'un isolant électrique (8), caractérisée en ce que ladite électrode de grille comprend une première couche résistive (3) et une deuxième couche résistive (4) formée sur ladite première couche résistive, ladite première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de ladite deuxième couche résistive, ladite deuxième couche résistive chevauchant une partie desdites tranchées de sorte que ladite deuxième couche résistive entoure au moins deux desdites régions, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 14. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 13, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est composée d'un métal ou d'un composé de celui-ci. 15. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 13, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) contient une impureté à une concentration supérieure à celle de ladite première couche résistive. 16. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans laquelle ladite électrode de grille (2) est composée de polysilicium. 17. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est espacée de 2,5 um ou plus de l'une quelconque desdites ouvertures, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 18. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 0,02 Q. cm ou plus. 19. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 18, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 2 SZ. cm ou moins. 20. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, lesdits cônes émetteurs étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé desdits cônes émetteurs, ledit substrat étant formé avec des tranchées (12) partageant une surface dudit substrat en une pluralité de régions dans chacune desquelles se trouve chacun desdits groupes, lesdites tranchées étant remplies d'un isolant électrique (8), caractérisée en ce que ladite électrode de grille comprend une première couche résistive (3) et une deuxième couche résistive (4) formée sur ladite première couche résistive, ladite première couche résistive possédant une résistivité supérieure à une résistivité de ladite deuxième couche résistive, ladite deuxième couche résistive entourant au moins une desdites régions et faisant intersection avec lesdites tranchées en dehors desdites régions, vue dans une direction d'une droite normale audit substrat. 21. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 20, dans laquelle ladite deuxième couche résistive est composée d'un métal ou d'un composé de celui-ci. 22. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 20, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) contient une impureté à une concentration supérieure à celle de ladite première couche résistive. 23. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans laquelle ladite électrode de grille (2) est composée de polysilicium. 24. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est espacée de 2,5 um ou plus de l'une quelconque desdites ouvertures, vue dans une direction d'une ligne normale audit substrat. 25. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 0,02 Q. cm ou plus. 26. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 25, dans laquelle ladite première couche résistive (3) possède une résistivité égale à 2 Q. cm ou moins. 27. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans laquelle ladite chacun desdits groupes desdits cônes émetteurs (6) est situé au centre de chacune desdites régions. 28. Cathode froide à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 20 à 22, dans laquelle lesdites régions sont groupées en première et deuxième régions, ladite première région étant une région dans laquelle lesdits cônes émetteurs (6) sont situés, ladite deuxième région étant une région qui est située de façon adjacente à ladite première région et dans laquelle aucun cône émetteur n'est situé. 29. Cathode froide à émission de champ comprenant : (a) un substrat (9) électriquement conducteur ; (b) une pluralité de cônes émetteurs (6) formés au niveau d'une surface dudit ; (c) une électrode de grille (2) ; (d) une couche isolante (5) intercalée entre ledit substrat et ladite électrode de grille, ladite électrode de grille et ladite couche isolante étant formées avec une pluralité d'ouvertures (1) en alignement l'une à l'autre, lesdits cônes émetteurs étant formés dans lesdites ouvertures, lesdits cônes émetteurs (6) étant groupés en une pluralité de groupes dont chacun comprend le nombre prédéterminé desdits cônes émetteurs, ledit substrat (9) étant formé avec des tranchées partageant une surface dudit substrat en une pluralité de régions dans chacune desquelles se trouve chacun desdits groupes, lesdites tranchées étant remplies d'un isolant électrique, caractérisée en ce que ladite électrode de grille (2) comprend des connecteurs d'ouverture chacun reliant électriquement lesdites ouvertures en alignement avec un groupe desdits cônes émetteurs, l'une à 1'autre, une deuxième couche résistive disposée de sorte à entourer lesdits connecteurs d'ouverture, et une ligne résistive reliant électriquement ledit chacun desdits connecteurs d'ouverture à ladite deuxième couche résistive, lesdits connecteurs d'ouverture et ladite ligne résistive possédant tous une résistivité supérieure à une résistivité de ladite deuxième couche résistive. 30. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) chevauche lesdites tranchées, vue dans une direction d'une droite normale au substrat. 31. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite ligne résistive possède une résistivité égale à 0,02 SZ. cm ou plus. 32. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 31, dans laquelle ladite ligne résistive possède une résistivité égale à 2 92. cm ou moins. 33. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite ligne résistive possède une longueur égale à 2,5 um ou plus. 34. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite ligne résistive possède une résistance dans la plage de 10 kQ à 1 MÇI, les deux valeurs incluses. 35. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle lesdits connecteurs d'ouverture et ladite ligne résistive possèdent la mme résistivité. 36. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) est composée d'un métal ou d'un composé de celui-ci. 37. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite deuxième couche résistive (4) contient une impureté à une concentration supérieure à celle de ladite première couche résistive. 38. Cathode froide à émission de champ selon la revendication 29 ou 30, dans laquelle ladite électrode de grille (2) est composée de polysilicium.