Brevet FR2794036A1 — publié le 20001201

La présente invention concerne un procédé et un appareil perfectionné pour améliorer les vitesses de nettoyage de chambres. Plus particulièrement, la présente invention a trait à un procédé et à un appareil qui améliorent la vitesse effective d'attaque d'une entité chimique réactive qui attaque chimiquement des matières accumulées provenant des composants de la chambre de traitement. La fabrication d'écrans d'affichage à cristaux liquides, d'écrans plats, de transistors à fils minces et d'autres dispositifs à semi-conducteur est effectuée dans une pluralité de chambres dont chacune est conçue pour conduire une opération particulière sur le substrat. Beaucoup de ces opérations peuvent entraîner une accumulation de matière (par exemple de matière déposée sur le substrat en couches, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur, dépôt physique en phase vapeur, d'évaporation thermique, matière provenant de l'attaque chimique de surfaces de substrats, etc.) sur les surfaces des chambres. Cette matière accumulée peut s'effriter des surfaces des chambres et contaminer les dispositifs sensibles qui y sont traités. En conséquence, les chambres de traitement doivent être fréquemment nettoyées pour les débarrasser des matières accumulées (par exemple tous les 1 à 6 substrats). Pour nettoyer les surfaces des chambres, on donne la préférence à un procédé de nettoyage à sec in situ. Dans un procédé de nettoyage à sec in situ, un ou plusieurs gaz sont dissociés pour former une ou plusieurs entités gazeuses réactives (par exemple des ions fluor, des radicaux). L'entité réactive nettoie les surfaces des chambres en formant des composés volatils avec la matière accumulée sur ces surfaces. L'inconvénient est que, ordinairement, comme décrit en détail ci-dessous, ces procédés de nettoyage de chambres prennent un temps considérable et consomment des quantités considérables de gaz de nettoyage, et élèvent par conséquent de façon indésirable le coût par substrat traité dans une chambre de traitement. En outre, on observe fréquemment de grandes variations de vitesse de nettoyage entre des chambres de traitement nettoyées par des procédés de nettoyage identiques. Par conséquent, il existe le besoin d'un procédé et d'un appareil perfectionnés pour l'attaque chimique de matière accumulée provenant des surfaces de chambres. Conformément à la présente invention, il a été mis en évidence que les vitesses de nettoyage de chambres pouvaient être élevées dans une proportion allant jusqu'à 20 à 100 % lorsque les surfaces de chambres exposées à des entités gazeuses réactives de nettoyage étaient revêtues d'un polymère fluoré (par exemple un polytétrafluoréthylène (PTFE), un copolymère de tétrafluoréthylène et d'hexafluoropropylène (FEP), un copolymère de tétrafluoréthylène et d'éther de perfluoropropylvinyle (PFA) ) . La présente invention comprend donc un système de traitement de substrats dans une chambre et de nettoyage par enlèvement de la matière accumulée provenant de composants de la chambre. Le système comprend un générateur d'entité réactive conçu pour générer une entité réactive gazeuse destinée à l'attaque chimique de matière accumulée provenant de composants de la chambre, et une chambre de traitement pourvue d'au moins un composant revêtu de polymère fluoré qui est exposé à l'entité réactive. Pour atteindre avantageusement l'incidence maximale sur l'efficacité de nettoyage de la chambre, le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprennent des composants de grandes dimensions tels qu'une plaque de distribution de gaz ou une plaque d'appui et/ou une pluralité de composants plus petits (par exemple cadre protecteur dans la chambre, garnitures de paroi, suscepteurs, lignes de conductance du gaz, etc.) de manière à constituer un fort pourcentage de la surface spécifique exposée à l'entité réactive. De préférence, toutes les surfaces avec lesquelles l'entité réactive entre en contact sont revêtues d'un polymère fluoré. Grâce au revêtement de PTFE, de FEP ou de PFA des composants exposés de la chambre, non seulement on a observé des améliorations de la vitesse de nettoyage, mais les variations de vitesse de nettoyage entre chambres de traitement peuvent être pratiquement éliminées, la quantité passant dans la chambre de traitement peut être augmentée dans une mesure importante et la quantité de gaz précurseur nécessaire pour le nettoyage peut être réduite. A cause des grandes dépenses qu'entraînent des gaz précurseurs tels que NF3, tant du point de vue pécuniaire qu'en ce qui concerne l'environnement (par exemple réchauffement de la planète), toute réduction de consommation du gaz précurseur est bénéfique. D'autres objectifs, particularités et avantages de la présente invention ressortiront de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées, faite en regard des dessins annexés sur lesquels : La Figure unique est une représentation en élévation latérale d'un appareil de traitement dont la configuration est conforme à la présente invention. La Figure unique est une représentation en élévation latérale d'un appareil de traitement 10 de configuration conforme à la présente invention. Tout appareil de traitement convenable peut être modifié de la manière décrite dans le présent mémoire, par exemple l'appareil PECVD modèle AKT-1600 fabriqué par la firme Applied Kamatsu Technology et décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N' 5 788 778, incorporé ici dans son intégralité à titre documentaire, l'appareil de traitement de marque commerciale GIGAFILL fabriqué par la firme Applied Materials Inc. et décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N' 5 812 403 incorporé ici dans son intégralité à titre documentaire, des chambres de dépôt thermique, etc. Par commodité, on a représenté sur la Figure unique un appareil PECVD AKT-1600 de configuration conforme à la présente invention. L'appareil PECVD AKT-1600 est conçu pour la fabrication d'écrans à cristaux liquides à matrice active et il peut être utilisé pour déposer du silicium amorphe, du dioxyde de silicium, des oxynitrures de silicium et du nitrure de silicium comme cela est connu dans l'art antérieur. L'appareil de traitement 10 représenté sur la Figure unique comprend une chambre de dépôt 11 comportant une plaque 12 de distribution de gaz qui présente des ouvertures 12a-u et une plaque d'appui 13 conçue pour délivrer des gaz de traitement et des gaz de nettoyage dans la chambre de dépôt 11, et un suscepteur 14 qui sert à supporter un substrat 16 à traiter à l'intérieur de la chambre de dépôt 11. Le suscepteur 14 comprend un élément chauffant 18 (par exemple un élément chauffant à résistance) couplé à un organe de réglage 20 pour l'élévation de la température du substrat 16 à une température de traitement et pour le maintien du substrat 16 à la température de traitement pendant le traitement. Un mécanisme élévateur 22 est couplé au suscepteur 14 par l'intermédiaire d'un élément élévateur 24 pour permettre de soulever le substrat 16 du suscepteur 14. Plus particulièrement, une pluralité de tiges élévatrices 26 (maintenues fixement par un porte-tige 28) s'engagent dans le suscepteur 14 (par plusieurs ouvertures 30 prévues à cet effet) de manière à entrer en contact avec le substrat 16 et à le soulever du suscepteur 14 lorsque ce dernier est abaissé par le mécanisme élévateur 22. La chambre de dépôt 11 comprend en outre une garniture de paroi 29 qui empêche la matière de s'accumuler sur la paroi de la chambre et qui peut être enlevée et nettoyée, et un cadre protecteur 31 qui surplombe le bord du substrat et qui empêche ainsi la matière de se déposer ou de s'accumuler sur le bord de la tranche. En plus de leurs fonctions décrites ci-dessus, la plaque 12 de distribution de gaz et le suscepteur 14 servent aussi d'électrodes plates parallèles respectivement supérieure et inférieure, pour générer un plasma à l'intérieur de la chambre de dépôt 11. Par exemple, le suscepteur 14 peut être relié à la terre et la plaque 12 de distribution de gaz peut être couplée à un générateur de radiofréquences 32 par l'intermédiaire d'un réseau d'adaptation 34. Un plasma à radiofréquences peut donc être généré entre la plaque 12 de distribution de gaz et le suscepteur 14 par l'application d'une énergie de radiofréquence qui y est fournie par le générateur de radiofréquence 32 par l'intermédiaire du réseau d'adaptation 34. Une pompe à vide 36 est couplée à la chambre de dépôt 11 pour vider d'air/pomper la chambre avant, pendant ou après le traitement, selon le cas. L'appareil de traitement 10 comprend en outre un premier circuit 38 d'alimentation en gaz couplé à une entrée 40 de la chambre de dépôt 11 afin de faire arriver les gaz de traitement à cette chambre à travers la plaque d'appui 13 et la plaque 12 de distribution de gaz. Le premier circuit 38 d'alimentation en gaz comprend un système 42 à soupape et régulateur (par exemple régulateurs d'écoulement massique à commande par ordinateur, débitmètres, etc.) couplé à l'entrée 40 de la chambre de dépôt 11 et une pluralité de sources 44a, 44b de gaz de traitement couplées au système 42 à soupape et régulateur. Le système 42 à soupape et régulateur règle l'écoulement des gaz de traitement vers la chambre de dépôt 11. Les gaz de traitement particuliers utilisés dépendent des matières qui sont déposées dans la chambre de dépôt 11. En plus du premier circuit 38 d'alimentation en gaz, l'appareil de traitement 10 comprend un second circuit 46 d'alimentation en gaz couplé à l'entrée 40 de la chambre de dépôt 11 (par l'intermédiaire d'une ligne de conductance de gaz 48) qui y font arriver des gaz de nettoyage pendant le nettoyage de la chambre de dépôt 11 (par exemple pour éliminer la matière accumulée des diverses surfaces intérieures de la chambre 11). Le second circuit 46 d'alimentation en gaz comprend une chambre à plasma 50 à distance couplée à la ligne 48 de conductance de,gaz et une source 52 de gaz précurseur et une source 54 de véhicules gazeux secondaires à la chambre à plasma 50 à distance par l'intermédiaire d'un système 56 à soupape et régulateur et respectivement d'un système 58 à soupape et régulateur. Des exemples de gaz précurseurs de nettoyage comprennent NF3, CF4, SF4, C2F6, CC14, C2Cl6, etc., comme cela est bien connu dans l'art antérieur. Le véhicule gazeux secondaire, lorsqu'il est utilisé, peut être constitué par ou comprendre tout gaz non réactif, compatible avec le traitement de nettoyage, qui est utilisé (par exemple argon, hélium, hydrogène, azote, oxygène, etc.). Les sources 52, 54 de gaz précurseur et de véhicules gazeux secondaires peuvent comprendre une seule et unique de source de gaz, le cas échéant. Un générateur de micro-ondes 60 de grande puissance fournit de l'énergie de micro-ondes à la chambre à plasma 50 à distance pour activer le gaz précurseur qui se trouve dans la chambre d'activation à distance (comme décrit ci- dessous). Un organe 62 d'étranglement d'écoulement est avantageusement disposé le long de la ligne 48 de conductance de gaz pour permettre d'entretenir une différence de pression entre la chambre à plasma 50 à distance et la chambre de dépôt 11. Pendant le nettoyage de la chambre de dépôt 11, un gaz précurseur est délivré à la chambre à plasma 50 à distance depuis la source 52 de gaz précurseur. La vitesse d'écoulement du gaz précurseur est réglée par le système 56 à soupape et régulateur. Le générateur de micro-ondes 60 à grande puissance délivre de l'énergie de micro-ondes à la chambre à plasma 50 à distance et excite le gaz précurseur pour former une ou plusieurs entités réactives (par exemple des radicaux fluor) qui cheminent vers la chambre de dépôt 11 par la ligne de conductance de gaz 48. L'entité ou les entités réactives franchissent ensuite l'entrée 40, traversent la plaque d'appui 13, la plaque 12 de distribution de gaz et entrent dans la chambre de dépôt 11. Un véhicule gazeux secondaire peut être envoyé à la chambre à plasma 50 à distance depuis la source 54 de véhicules gazeux secondaires pour faciliter le transport de l'entité ou des entités réactives vers la chambre 11 et/ou pour faciliter le nettoyage de la chambre ou l'amorçage ou la stabilisation du plasma dans la chambre de dépôt 11 si un plasma à radiofréquence est utilisé pendant le nettoyage de la chambre. Des exemples de paramètres du procédé de nettoyage pour la chambre de dépôt 11 lorsqu'on utilise NF3 comme gaz précurseur de nettoyage comprennent une vitesse d'écoulement du gaz précurseur d'environ 2 1/min et une pression dans la chambre de dépôt d'environ 66,7 Pa. Une puissance de micro-ondes de 3 à 12 kW, de préférence de 5 kW, est fournie à la chambre à plasma 50 à distance par le générateur de micro-ondes 60 à grande puissance pour exciter le gaz précurseur NF3. La chambre à plasma 50 à distance est avantageusement maintenue sous pression d'au moins 600 Pa et de préférence d'environ 800 Pa. D'autres plages de paramètres ou d'autres caractéristiques chimiques du procédé de nettoyage sont décrites dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N' 5 788 778 précité, incorporé à titre de référence. Comme on l'a décrit en préambule, les problèmes usuels accompagnant des procédés classiques de nettoyage comprennent les faibles vitesses de nettoyage et les grandes variations des vitesses de nettoyage entre des chambres de traitement. Conformément à la présente invention, on a mis en évidence le fait que les vitesses de nettoyage et les variations de ces vitesses entre chambres dépendaient de l'état de la surface intérieure des chambres, et que toutes les surfaces intérieures entre une source de plasma à distance (par exemple la chambre à plasma 50 à distance) et une chambre (par exemple la chambre de dépôt 11) ("surfaces d'aval") affectaient les vitesses de nettoyage. Plus particulièrement, on suppose qu'une opération de désactivation dépendant de la surface a pour effet que l'entité réactive utilisée pendant le nettoyage (par exemple, entité d'attaque chimique active telle que des radicaux F) se combine en formant une entité non réactive (F2 dans le cas de radicaux F) qui ne participe pas au nettoyage de la chambre. Ce processus de désactivation subordonné à la surface paraît avoir lieu au niveau de nombreuses surfaces de matières comprenant à la fois des surfaces d'aluminium nues et anodisées. on a observé conformément à la présente invention que par le revêtement d'un ou plusieurs composants d'aval avec du PTFE, du FEP ou du PFA, désignés par le terme général de polymères fluorés, on obtenait des vitesses de nettoyage notablement plus grandes et que les variations des vitesses de nettoyage entre chambres étaient pratiquement éliminées. Les composants qui ont montré l'effet le plus important sur la performance de nettoyage comprennent une plaque de distribution de gaz de la chambre et une plaque d'appui. Les composants pour lesquels on a observé un léger effet sur la performance de nettoyage comprennent un cadre protecteur dans la chambre, les garnitures de paroi, le suscepteur et la ligne de conductance de gaz. Les composants pour lesquels on a observé un faible effet sur la performance de nettoyage comprennent une source d'énergie de micro-ondes de la chambre, un magnétron et un applicateur de micro-ondes. En vue d'améliorer les vitesses de nettoyage de la chambre, on doit revêtir d'un polymère fluoré un certain pourcentage des composants de la chambre. Bien que ce pourcentage puisse varier, des pourcentages élevés sont préférables pour atteindre la plus grande vitesse de nettoyage, un revêtement à 100 % des surfaces exposées étant très préférable. On doit remarquer qu'une élévation de la vitesse de nettoyage (par exemple jusqu'à 15 %) peut aussi être obtenue par l'utilisation d'un plasma à radiofréquences dans une chambre de traitement conjointement avec une source de plasma à distance, c'est- à-dire par alimentation de l'électrode 12 pour former les gaz à l'état de radicaux arrivant de la source de plasma à distance, ou en introduisant secondairement des gaz de nettoyage dans un plasma. Toutefois, la puissance de radiofréquences appliquée doit être limitée afin d'éviter une détérioration des composants de la chambre de traitement par suite du bombardement ionique. En ce qui concerne l'appareil de traitement 10 de la Figure unique, en vue d'accroître la vitesse de nettoyage et de réduire les variations de cette vitesse entre la chambre de dépôt 11 et d'autres chambres de dépôt (non représentées), un ou plusieurs composants d'aval de l'appareil de traitement 10 sont pourvus d'un revêtement de polytétrafluoréthylène (PTFE), d'un copolymère de tétrafluoréthylène et d'hexafluoropropylène (FEP) ou d'un copolymère de tétrafluoréthylène et d'éther de perfluoropropylvinyle ("revêtement de polymère fluoré 64"). Comme le représente la Figure unique, les surfaces intérieures de la chambre de dépôt 11, la plaque de distribution de gaz 12, la plaque d'appui 13, le suscepteur 14, l'entrée 40, la ligne de conductance de gaz 48, la garniture de paroi 29 de la chambre et le cadre protecteur 31 portent le revêtement protecteur 64. Le cas échéant, les composants portant le revêtement 64 de polymère fluoré peuvent être moins nombreux. En ce qui concerne la chambre de dépôt PECVD de la Figure unique, le revêtement 64 de polymère fluoré élève notablement la vitesse de nettoyage et réduit dans une large mesure les variations de vitesse de nettoyage d'une chambre à l'autre sans créer de dérive du procédé de production ni de variations des propriétés de films PECVD déposés dans la chambre de dépôt 11. Le revêtement de polymère fluoré 64 est considéré comme recouvrant des sites d'adsorption de surface oÙ le processus de désactivation dépendant de la surface est supposé avoir lieu (par exemple par le maintien d'une concentration forte et uniforme en radicaux F) et on considère également qu'il réduit la quantité de matière déposée sur les surfaces des composants de la chambre de dépôt 11 pendant le processus qui s'y déroule (par exemple la réduction de la quantité de matière qui doit être enlevée par nettoyage des surfaces des composants et du temps nécessaire à l'élimination de matière pendant le nettoyage). Le revêtement de polymère fluoré selon l'invention peut être appliqué in situ ou ex-situ. Pour l'application in situ de revêtements de PTFE, on peut utiliser un gaz précurseur tel que CHF3 pour revêtir les composants de la chambre de traitement en se servant d'un plasma à micro- ondes ou à radiofréquences. Par exemple, à l'intérieur de l'appareil de traitement 10, une source 52 de gaz précurseur CHF3 peut faire arriver du CHF3 à la chambre à plasma 50 à distance dans laquelle une énergie de micro- ondes appliquée au moyen du générateur 60 de micro-ondes à grande puissance dissocie le CHF3 en CF2 et HF. Les produits CF2 et HF se déplacent vers la chambre de dépôt 11 et, sur son trajet, le CF2 forme un revêtement de polymère fluoré sur la ligne de conductance de gaz 48, le réducteur d'écoulement 62, l'entrée 40, la plaque d'appui 13, la plaque 12 de distribution de gaz, le suscepteur 14 et les surfaces intérieures de la chambre de dépôt 11. En variante, le CHF3 (et, le cas échéant, le CF2 venant de la chambre à plasma 50 à distance) peuvent être introduits dans la chambre de dépôt 11 tandis qu'un plasma à radiofréquences est généré à l'intérieur de cette chambre au moyen du générateur de radiofréquences 32. Comme dans le cas du plasma à micro-ondes de la chambre à plasma 50 à distance, le plasma à radiofréquences dans la chambre de dépôt 11 dissocie le CHF3 en CF2 qui, à son tour, dépose un revêtement de polymère fluoré sur les composants de la chambre. Ensuite, la chambre 11 peut être chauffée (par exemple avec la commande 20 et l'élément chauffant à résistance 18 ou par tout mécanisme classique de chauffage capable de chauffer entièrement la chambre à la température souhaitée) de manière à faire fondre/refondre le revêtement de polymère fluoré. On utilise avantageusement une température de l'élément chauffant d'environ 315-427'C (500-800'F). On forme ainsi sur les composants de la chambre un revêtement uniforme de polymère fluoré, ayant avantageusement une température d'environ 0,5 à 10 pm. Pour l'application ex-situ de revêtements protecteurs, des composants de la chambre tels que la plaque 12 de distribution de gaz et la plaque d'appui 13 reçoivent avantageusement un revêtement uniforme constitué d'une mince couche (par exemple d'environ 0,5 à 10 pm) de PTFE, de FEP ou de PFA contenu en solution ou en suspension dans un liquide tel que l'eau, l'alcool isopropylique, etc. Après quelques minutes de séchage à l'air ou après une cuisson au four à une température de l'élément chauffant de 315 à 427-C (500-8000F) , les composants de la chambre peuvent être réinstallés dans la chambre de traitement. on doit s'efforcer d'empêcher l'obturation des petits trous d'injection de gaz de la plaque de distribution du gaz par effet capillaire. Il y a lieu de remarquer que le revêtement protecteur de l'invention décrit ici diffère de polymères fluorés qui s'accumulent indésirablement au cours du temps sur des surfaces de la chambre comme conséquence du dépôt de polymère fluoré sur un substrat sous-jacent, ou qui sont formés comme sous-produit de certains procédés de dépôt chimique en phase vapeur (c'est-à-dire qu'ils ne sont pas formés en continu), du fait que cette matière indésirablement accumulée se caractérise par son manque d'uniformité, présentant souvent à la fois des zones d'accumulations épaisses qui peuvent s'effriter des surfaces de la chambres, et des zones sans accumulation de matière. En conséquence, cette accumulation indésirable de sous-produit et de matière déposée doit être éliminée des surfaces de la chambre. Toutefois, ces accumulations indésirables de polymère fluoré ne réagissent pas avec le fluor formant l'entité gazeuse réactive et elles doivent donc être éliminées par d'autres moyens moins efficaces. Grâce au revêtement de composants d'aval de la chambre avec du PTFE, du FEP ou du PFA, on a observé des amélio rations de la vitesse de nettoyage allant jusqu'à 100 %, et les variations de vitesse de nettoyage entre chambres de traitement ont été pratiquement éliminées. En conséquence, le débit de la chambre de traitement est élevé dans une mesure importante par l'utilisation de la présente invention, et la quantité de gaz précurseur nécessaire pour le nettoyage est réduite. A cause du coût élevé associé aux gaz précurseurs tels que NF3, tant d'un point de vue pécuniaire (par exemple le NF3 coûte à l'heure actuelle environ 220 dollars/kg) et du point de vue de l'environnement (par exemple, le NF3 est un gaz de "réchauffement de la planète"), une réduction de la consommation de gaz précurseur est extrêmement bénéfique. En outre, les polymères fluorés sont non cassants, ils ne coûtent pas chers et ils sont faciles à appliquer, contrairement à des revêtements (par exemple AlF3) qui ont été appliqués de façon classique pour empêcher la corrosion de surfaces de chambres ou pour empêcher la matière accumulée de s'en détacher par effritement. La description ci-dessus ne révèle que les formes de réalisation préférées de l'invention, et des modifications de l'appareil et du procédé divulgués ci-dessus qui rentrent dans le cadre de l'invention sont faciles à concevoir pour des spécialistes en ce domaine. Par exemple, bien que la présente invention ait été décrite en rapport avec une chambre PECVD, il y a lieu de remarquer qu'elle peut être appliquée à une grande variété de chambres de traitement comprenant des chambres de dépôt thermique. En outre, des procédés de nettoyage utilisant des entités réactives (par exemple des entités réactives générées par un plasma à radiofréquences à l'intérieur d'une chambre de traitement, ou des entités réactives générées par une source de plasma à distance, etc.), peuvent être rendus plus performants par l'utilisation des revêtements de polymères fluorés décrits dans le présent mémoire. Enfin, bien que tout polymère fluoré soit considéré comme améliorant le nettoyage lorsqu'il est appliqué de la manière décrite ici, on a observé que les polymères fluorés PTFE, FEP et PFA amélioraient le nettoyage dans une mesure importante et on leur donne la préférence. En conséquence, bien que la présente invention ait été décrite en rapport avec ces formes de réalisation préférées, on doit comprendre que d'autres formes de réalisation peuvent rentrer dans le cadre de l'invention, telle que définie dans les revendications. REVENDICATIONS 1. Plaque de distribution de gaz conçue pour distribuer un gaz à mesure que ce gaz entre en s'écoulant dans une chambre de traitement, caractérisée en ce qu'elle comprend : une base dans laquelle une pluralité d'ouvertures est formée ; et un revêtement continu de polymère fluoré formé sur la matière de la base. 2. Appareil suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement de polymère fluoré a une épaisseur d'environ 0,5 à 10 pm. 3. Plaque d'appui conçue pour distribuer un gaz à mesure qu'il entre en s'écoulant dans une chambre de traitement, caractérisée en ce qu'elle comprend : des surfaces intérieures qui sont exposées au gaz entrant dans la chambre ; et un revêtement de polymère fluoré sur une partie des surfaces intérieures. 4. Appareil suivant la revendication 3, caractérisé en ce que le revêtement de polymère fluoré a une épaisseur d'environ 0,5 à 10 pm. 5. Appareil pour le traitement d'un substrat dans une chambre et pour le nettoyage de composants de la chambre par l'enlèvement de couches de matière accumulée, caractérisé en ce qu'il comprend : un générateur d'entité réactive conçu pour générer une entité réactive destinée à attaquer chimiquement la matière accumulée ; et une chambre de traitement couplée au générateur d'entité réactive et ayant au moins un composant sur lequel est formé un revêtement continu de polymère fluoré, qui est exposée à l'entité réactive générée par le générateur d'entité réactive pendant le nettoyage. 6. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que la chambre de traitement a une pluralité de composants qui sont exposés à l'entité réactive, un pourcentage des composants exposés à l'entité réactive porte un revêtement de polymère fluoré continu et le pourcentage est suffisant pour élever la vitesse de nettoyage de la chambre. 7. Appareil suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le pourcentage de composants revêtus est suffisant pour élever d'au moins 20 % la vitesse de nettoyage de la chambre. 8. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent une plaque de distribution de gaz présentant une pluralité d'ouverture à travers lesquels un gaz entre dans la chambre de dépôt. 9. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent une plaque d'appui. 10. Appareil suivant la revendication 8, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent en outre une plaque d'appui. 11. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent un cadre protecteur. 12. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent une garniture de paroi de la chambre. 13. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent un suscepteur. 14. Appareil suivant la revendication 5, caractérisé en ce que le ou les composants revêtus de polymère fluoré comprend ou comprennent une ligne de conductance de gaz conçue pour conduire une entité réactive du générateur d'entité réactive à la chambre de traitement. 15. Procédé pour nettoyer une chambre de traitement au moyen d'une entité réactive qui élimine par attaque chimique des matières accumulées sur des composants de la chambre, procédé caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant : à prévoir une chambre de traitement conçue pour la mise en oeuvre d'un procédé par lequel une matière s'accumule sur des composants de la chambre ; à pourvoir la chambre de traitement d'au moins un composant revêtu de polymère fluoré ; et à nettoyer la chambre de traitement avec une entité réactive qui enlève par attaque chimique une matière accumulée sur des composants de la chambre ; le composant revêtu de polymère fluoré étant exposé à l'entité réactive. 16. Procédé pour nettoyer une chambre de traitement utilisant une entité réactive, procédé caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant : à faire entrer un courant de gaz précurseur de polymère fluoré dans la chambre de traitement ; à générer un plasma dans la chambre de traitement de manière à former un polymère fluoré sur des composants de la chambre ; à chauffer la chambre de traitement de manière à faire fondre le polymère fluoré et à former un revêtement de polymère fluoré sur les composants de la chambre, la quantité de gaz précurseur de polymère fluoré étant réglée de manière à produire un revêtement uniforme de polymère fluoré d'environ 0,5 à 10 pm sur les composants de la chambre ; à traiter ensuite un ou plusieurs substrats dans la chambre de traitement ; et à faire entrer ensuite dans la chambre de traitement un courant d'entité réactive et à nettoyer ainsi les composants de la chambre par enlèvement de la matière accumulée. 17. Procédé suivant la revendication 16, caractérisé en ce que le revêtement de polymère fluoré est formé en continu. 18. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé en ce que le gaz précurseur de polymère fluoré est CHF3. 19. Appareil suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le polymère fluoré est PTFE. 20. Appareil suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le polymère fluoré est FEP. 21. Appareil suivant la revendication 6, caractérisé en ce que le polymère fluoré est PFA.