Brevet FR2777913A1 — publié le 19991029

PROCEDE POUR LE DECAPAGE A SEC ET REACTEUR POUR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE Domaine de l'invention La présente invention concerne des techniques de décapage à sec. Arrière-Plan de l'invention Le décapage (l'attaque) à sec utilise une décharge luminescente sous basse pression pour retirer un dépôt superficiel solide mince, qu'il s'agisse d'un film sur une pièce à usiner, comme sur une plaquette, constituant une partie d'un mode opératoire de production d'une telle pièce à usiner, ou qu'il s'agisse de le retirer d'une cuve de réacteur à des fins de nettoyage. La décharge luminescente ou de plasma est délivrée avec un débit donné de gaz de décapage. Les molécules de gaz de décapage sont par conséquent riches en un élément de décapage, tel que du fluor, parfois du chlore ou même des espèces plus complexes. Lors de la dissociation du gaz de décapage pendant la décharge, il se forme des radicaux de décapage. Ces radicaux réagissent sur la surface, avec les dépôts sur celle-ci qui doivent être éliminés, de façon à devenir un produit gazeux qui est ensuite éliminé du réacteur par pompage. On ajoute habituellement d'autres gaz au gaz de décapage afin d'optimiser le processus de décapage, tel que de l'oxygène, comme le montre le Tableau 1. I1 y a de nombreuses raisons à la mise en oeuvre de tels gaz additifs, telles, que, par exemple - la limitation de la contamination du réacteur par des sous-produits de décapage, comme, par exemple, par S provenant du gaz de décapage SF6 - l'amélioration de la sélectivité de décapage pour différentes surfaces de matériau, par exemple un film devant être décapé et un autre devant rester non décapé - l'ajustement de la vitesse de décapage relative pour deux surfaces de matériau différentes à décaper, comme par exemple deux films - l'amélioration de l'uniformité de la vitesse de décapage le long de la surface à traiter. Le Tableau 1 présente certains exemples de procédés de décapage à sec connus. Tableau 1 Décapant Radical Solide Porteur sortant Commentaires SF6 F Si SiF4 De préférence avec un peu d'oxygène SF6 F Si3N4 SiF4, N2 De préférence avec un peu d'oxygène NF3 F Si3N4 SiF4, N2 Oxygène inutile CC14 C1 Al Aloi3 Oxygène interdit C2F6 F, CF3 SiO2 SiF4 Bombardement ionique nécessaire Le décapage à sec sert à le plus souvent à dessiner des motifs sur des films minces partiellement protégés par un film de résist. Le film de résist est habituellement déposé par un mode opératoire photolithographique, en particulier pour la fabrication de circuits intégrés. Néanmoins, la présente invention a été spécifiquement développée pour l'appliquer au nettoyage de réacteurs, en particulier de réacteurs PECVD. Cependant, l'invention peut s'appliquer au nettoyage par décapage à sec d'autres réacteurs et au décapage à sec de pièces à usiner dans le contexte de leurs processus de fabrication. Ceci est particulièrement vrai pour des applications de décapage à sec dans le domaine du traitement des plaquettes. On utilise le procédé PECVD pour déposer un film mince sur un substrat . Un gaz réactif est introduit dans un réacteur basse pression, dans lequel une décharge luminescente est maintenue constante. Le gaz réactif est dissocié et le sous-produit auquel on s'intéresse se dépose sous la forme d'un film solide sur toutes les surfaces exposées, et donc sur les surfaces intérieures du réacteur lui-même et sur le substrat à revêtir. Quand l'épaisseur souhaitée sur le substrat est atteinte, la décharge luminescente est arrêtée et le substrat revêtu est retiré. Ainsi, à la fin du processus de revêtement, non seulement le substrat est recouvert mais toutes les surfaces de paroi du réacteur, exposées directement ou indirectement à la décharge luminescente, sont également revêtues. Le phénomène qui est qu'après le revêtement d'une pièce à usiner à l'intérieur du réacteur, les parois du réacteur sont également revêtues, n'est pas spécifique au procédé PECVD, mais est également connu pour d'autres processus de revêtement, tels que, par exemple, par pulvérisation cathodique, évaporation, comme par arc cathodique, faisceau d'électrons ou chauffage en creuset. Les applications typiques du procédé PECVD, auxquelles la présente invention s'applique en particulier, concernent l'électronique, l'optique et ltopto-électronique. Une liste non exhaustive d'exemples de fabrication de film par PECVD et de leur application est présentée dans le Tableau 2. Tableau 2 Nom du film Contenu Gaz de départ Applications typiques Silicium Si Hx SiH4 Transistors en film amorphe ~ mince, photodiodes Alliages SiGe, SiC + GeH4, CH4 Semi-conducteurs à intervalle faible ou élevé a-Si:H dopé Si Px, Si Bx + PH3, B2H6 Contacts électriques Nitrure de SiNXHy + NH3, N2 Isolateur, grille de silicium TFT, barrière Oxyde de SiOXHy SiO(CH3), + N2O Isolateur, grille de silicium TFT, barrière Polyméthyl- S(CH3)x S1Hx(CH2)y Couche de résist silane photosensible Oxynitrure SiNxOy + N2O + NH3 Verre à indice élevé Fluoroxyde SiFxOy SiF4 + N2O, etc Verre à indice faible TFT : Transistor à couche mince Dans le présent contexte, on doit clairement distinguer le processus de revêtement, comme en particulier le revêtement PECVD, du procédé de décapage à sec, que la présente invention concerne spécifiquement, mais dans le contexte d'un revêtement préalable également. On doit noter que la plupart des applications des films PECVD sont très sensibles à une contamination par la poussière, ce qui n'est néanmoins pas spécifique aux dépôts par PECVD. Souvent, et en particulier pour des procédés PECVD, le risque de contamination du film par de la poussière, c'est-à-dire de quelconques contaminants solides, avant, pendant et après le procédé de dépôt de couche, doit être réduit au minimum possible. Comme le montre le Tableau 2, des films pertinents déposés par PECVD sont à base de silicium. Ainsi, un procédé de décapage à sec correspondant pour nettoyer le réacteur devrait être à base de fluor. Comme le réacteur ne doit pas être corrodé par un tel nettoyage par décapage à sec, il devrait résister au fluor et est donc fait en un matériau résistant au fluor, tel que Ni ou, et en particulier, l'aluminium. Si, après le dépôt de couche, le réacteur n'est pas nettoyé et ensuite un substrat non revêtu est introduit dans ce réacteur non nettoyé afin d'y être revêtu, il s'ensuit deux conséquences fâcheuses - Les parois du réacteur pour la deuxième opération et pour les opérations suivantes sont différentes par rapport aux opérations précédentes, du fait du revêtement des parois du réacteur. Ainsi, les propriétés du revêtement déposé sur le substrat peuvent varier d'une opération à une autre. - Les revêtements, en particulier déposés par PECVD, sont habituellement durs et fragiles. Ainsi, de tels films déposés sur les parois du réacteur, lorsqu'ils se cumulent, vont accumuler une contrainte et vont se fissurer et s'écailler. On sait très bien, dans l'industrie utilisant du silicium amorphe, qu'un nettoyage périodique, idéalement après chaque opération de revêtement, est obligatoire pour maintenir un bon rendement et éviter la contamination par des particules du processus de dépôt de couche. Un tel nettoyage obligatoire du réacteur est réalisé bien plus commodément par un procédé de décapage à sec que par un nettoyage manuel. Par conséquent, en particulier dans ce domaine, c'est le nettoyage par décapage à sec qui est devenu le plus courant. Après un tel nettoyage par décapage à sec, tous les dépôts dus à un dépôt de revêtement précédent, et en particulier à un dépôt par PECVD, doivent être éliminés. S'il restait une mince couche même dans un recoin éloigné du réacteur, alors, quand les cycles se cumulent, cette couche de film va aussi s'accumuler jusqu'à ce qu'un pelage ou un écaillage génère une contamination importante dans le réacteur du fait des particules. En conséquence, il est très important que le processus de nettoyage dure jusqu'à ce que le dernier recoin caché du réacteur soit tout à fait nettoyé. Durant l'opération de décapage, un réacteur de revêtement et, en particulier, un réacteur de revêtement par PECVD, est inefficace du point de vue de la production de revêtement. Ainsi, afin de maximiser le rendement de l'équipement, les temps de nettoyage par décapage devraient être aussi courts que possible et donc la vitesse de décapage devrait être aussi grande que possible. La plupart des gaz mis en jeu dans des procédés de décapage à sec sont potentiellement nuisibles pour l'environnement. Les molécules instables sont habituellement très toxiques et corrosives. Des molécules plus stables, si elles sont libérées dans l'environnement, peuvent affecter la transparence aux infrarouges de l'atmosphère et contribuer à un réchauffement global, tout comme la combustion de carburant fossile (CO2) et le développement de l'agriculture (CH4). Par conséquent, tout système de traitement industriel devrait présenter une minimisation des rejets dans l'atmosphère. Le plus souvent, les systèmes de décapage à sec et, en particulier, les systèmes de nettoyage de réacteur sous vide ont, en aval du réacteur de traitement et du moyen de pompage, un système d'épuration, de façon à éliminer les gaz potentiellement nuisibles présents dans le mélange de gaz d'échappement. Ainsi, l'industrie électronique optimise ses procédés, non seulement pour obtenir les meilleures performances des dispositifs à fabriquer et non seulement pour atteindre les plus faibles coûts de ceux-ci, mais aussi pour que les activités de fabrication aient un impact sur l'environnement le plus faible possible. Si des gaz industriels libérés dans l'environnement sont suffisamment stables pour s'accumuler dans l'atmosphère, alors ils peuvent modifier l'équilibre global de l'atmosphère. Deux exemples bien connus sont la destruction de la couche d'ozone, le réchauffement global. Comme on sait que la destruction de l'ozone est liée principalement aux molécules chlorées et que la présente invention se base sur l'utilisation commune de gaz de décapage fluorés, on ne se concentre que sur le réchauffement global. Le mécanisme du réchauffement global est lié au fait que les molécules de gaz industriel s sont transparentes au spectre visible incident du rayonnement solaire et sont opaques au rayonnement infrarouge sortant en provenance de la surface de la terre. Les constituants normaux de l'atmosphère, N2, 02, Ar, sont transparents aux infrarouges. Si l'atmosphère devient partiellement opaque aux infrarouges, typiquement dans la plage des longueurs d'onde de 5 à 20 Clam, il se produit un réchauffement global. Pour un gaz donné, ce qui définit sa contribution à l'opacité atmosphérique aux infrarouges est le produit de deux paramètres clés, à savoir la concentration et la section d'absorption des infrarouges. La section d'absorption des infrarouges pour une molécule donnée est liée à sa structure. En bref, une molécule est active si elle a de nombreuses liaisons chimiques non symétriques. Par exemple, SF6 et C2F6 sont des molécules actives, tandis que F2 est inactive. La concentration d'une molécule donnée dans l'atmosphère est le résultat de deux mécanismes opposés la quantité libérée de ce gaz dans l'atmosphère et la destruction de cette molécule due à une réaction chimique avec un constituant quelconque de la surface de la terre. Ce mécanisme de dégradation est résumé en un seul paramètre, à savoir la durée de vie atmosphérique, qui donne une échelle de temps pour que la molécule soit éliminée de l'atmosphère. Ainsi, le paramètre clé "concentration" est fonction du dégagement annuel et de la durée de vie atmosphérique. La durée de vie atmosphérique d'une molécule est par conséquent étroitement liée à la réactivité de cette molécule. Par ailleurs, si une molécule est très passive, elle va survivre dans l'atmosphère pendant un temps très long et, très vraisemblablement, fera l'objet d'une manipulation sans danger parce qu'elle est incapable de réagir avec des molécules biologiques. Au contraire, si une molécule est réactive, elle ne va pas s'accumuler dans l'atmosphère mais sera nocive et, dans le pire des cas, sa réactivité même la rendra difficile à maintenir à l'état stocké du fait d'une corrosion des récipients et tuyauteries de stockage. Par conséquent, dans le but de raccourcir la durée de vie atmosphérique, le commerce des gaz industriels était en faveur des molécules à activité chimique modérée. Par ailleurs, si ces molécules sont suffisamment actives, d'une part elles ne vont pas risquer de s'accumuler dans l'atmosphère, mais vont conduire à de sérieux problèmes de manipulation sûre, en particulier quand elles sont manipulées sous haute pression. En ce qui concerne le dégagement annuel, qui constitue un paramètre de l'opacité aux IR, il est requis que la quantité des gaz libérés reste aussi faible que possible. Des combinaisons d'épurateur, brûleur et laveur de gaz devront être installées à la sortie des équipements de procédés de décapage à sec, et des normes de plus en plus sévères sur la concentration dans les gaz rejetés vont être établies, en particulier pour des gaz ayant un fort impact potentiel sur le réchauffement global, c'està-dire sur le produit de la section d'absorption des infrarouges et de la durée de vie atmosphérique. Par conséquent, le traitement des gaz d'échappement devient une fraction significative du procédé de décapage à sec et, par conséquent, contribue de façon significative aux coûts de l'équipement. Plus on laisse du gaz de décapage circuler dans le dispositif d'échappement d'un système, et plus importante sera la charge du système de traitement de gaz en aval. Si les gaz d'échappement sont très dilués dans un gaz passif, la destruction du composant minoritaire va être plus coûteuse. Le système d'épuration devra avoir un volume bien plus important pour maintenir le temps de réaction nécessaire à l'intérieur de l'épurateur, la chaleur devra être évacuée (avec refroidissement ultérieur) pour le traitement de tous les gaz résiduels conjointement avec les composants minoritaires. Les molécules très réactives sont facilement détruites dans un système d'épuration. D'autre part, il est difficile d'éliminer les molécules stables. Par exemple, CF4 doit être brûlé dans une atmosphère oxydante à une température très élevée afin d'être détruit. Il est aussi très difficile d'assurer une concentration de CF4 très basse à la sortie de l'épurateur. Résumé de l'invention Un objet de la présente invention est de réaliser un procédé pour le décapage (l'attaque) à sec, qui soit capable de réduire de façon significative la contribution à l'opacité IR atmosphérique. Par conséquent, un objet de la présente invention est de réduire le dégagement annuel de gaz de décapage dans l'environnement. Ceci est réalisé, selon l'invention, par un procédé pour le décapage à sec d'une surface à l'intérieur d'un réacteur de traitement sous vide, ce procédé comprenant - la mise sous vide du réacteur - la génération d'une décharge luminescente à l'intérieur du réacteur - l'introduction d'un gaz de décapage réactif dans le réacteur et la réaction dudit gaz de décapage à l'intérieur dudit réacteur - le retrait de gaz avec des produits réactionnels de ladite réaction, hors du réacteur, et comprenant en outre l'étape - d'établissement d'un débit initial du gaz de décapage dans le réacteur puis de réduction du débit durant ladite réaction. Sous cet aspect, la présente invention s'écarte de l'idée admise que, dans un procédé de décapage à sec, et en particulier de nettoyage par décapage à sec, une fois que la décharge luminescente est amorcée et que le gaz de décapage est introduit dans le réacteur, les dépôts en surface devant être éliminés par décapage à sec sont d'abord éliminées à une vitesse pratiquement constante. Ensuite, la vitesse d'élimination des dépôts en surface diminue progressivement. Pendant ce temps, la fraction de gaz de décapage non consommé sortant par l'échappement augmente. L'ouverture d'un réacteur nettoyé par décapage à sec durant cette période de temps montre que le réacteur n'est alors que partiellement propre, les surfaces relativement grandes étant toujours recouvertes par des dépôts en surface devant être éliminés. L'origine de cette deuxième phase est la non uniformité du procédé de nettoyage. On doit noter que cette non uniformité combine les variations d'épaisseur du dépôt de revêtement précédemment réalisées dans le réacteur, en particulier par PECVD, ce procédé étant conçu pour optimiser l'uniformité du dépôt sur le substrat, et pas ailleurs, et des variations de la vitesse de décapage. Cette deuxième phase du cycle de décapage à sec, et en particulier de nettoyage par décapage à sec, peut représenter une fraction significative du temps total de décapage à sec, cette fraction variant en fonction du processus de fabrication utilisé antérieurement pour le dépôt de couche. Cette deuxième période, alors que la fraction de gaz de décapage non consommé éliminé vers l'échappement augmente, peut varier d'un tiers à presque deux tiers du temps total du cycle de décapage à sec. Quand on se rapproche de la fin de ce deuxième cycle, la fraction de gaz de décapage non consommé devient brutalement constante. Comme on le vérifie en ouvrant ensuite le réacteur, il ne reste pas de dépôt visible sur la surface dans le réacteur, précisément quand la fraction de gaz n'ayant pas réagi devient constante. Néanmoins, on ajoute une période de nettoyage supplémentaire pour parfaire l'élimination de tous résidus dans les recoins cachés du réacteur. La durée de cette période additionnelle requise dépend des détails de conception du réacteur et du processus de dépôt en revêtement particulier qui y a antérieurement été effectué. Habituellement, ce temps supplémentaire est de l'ordre de 10 % du temps total de nettoyage par décapage à sec. Ainsi, selon cet objet, la présente invention propose que la quantité de gaz de décapage nécessaire pour le cycle de décapage à sec soit significativement réduite par réduction de l'introduction de ce gaz après une première période de décapage à sec, alors qu'un débit de gaz de décapage constant est maintenu. Par réduction du gaz de décapage dans la deuxième période du cycle, aucune réduction de l'effet décapant n'est provoquée, mais on obtient une réduction significative du gaz de décapage non consommé passant dans l'échappement. Encore selon le premier objet de l'invention, un autre but de celle-ci est de réduire significativement la durée de vie atmosphérique d'un gaz de décapage à sec. Ceci est accompli par un procédé pour décaper à sec une surface à l'intérieur d'un réacteur de traitement sous vide, qui comprend - la mise sous vide du réacteur - la génération d'une décharge luminescente à l'intérieur du réacteur - l'introduction d'un gaz de décapage réactif dans le réacteur et la réaction du gaz de décapage à l'intérieur dudit réacteur - le retrait de gaz avec des produits réactionnels de ladite réaction, hors dudit réacteur, et qui comprend en outre l'étape d'apport de SF4 audit gaz de décapage. Sous ce deuxième aspect, la présente invention s'écarte de l'idée admise, en raison de sa réactivité chimique, SFg va avoir un très faible effet sur le réchauffement global du fait de sa courte durée de vie atmosphérique et va être facilement et efficacement détruit dans un épurateur. Il a été mis en évidence selon l'invention que SF4 est parfaitement capable de réaliser un décapage, en particulier de silicium et de composés à base de silicium, à une vitesse de décapage compétitive et sans aucun effets indésirables, tels qu'une contamination chimique d'un film traité et/ou des parois du réacteur. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé de décapage à sec dont l'effet négatif sur l'opacité aux IR dans l'atmosphère est réduit de la façon la plus significative, par une combinaison de la réduction de la quantité de gaz de décapage sortant d'un réacteur lors d'une opération de décapage à sec et de la réduction de la durée de vie atmosphérique d'un tel gaz de décapage sortant du réacteur, ce qui réduit les deux paramètres contribuant à la concentration de gaz de décapage dans l'atmosphère. Comme la quantité de gaz de décapage à sec non consommé retirée du réacteur lors d'une opération de décapage à sec est significative pour la réduction du débit de gaz de décapage dans le réacteur sans affecter négativement le procédé de décapage, on propose en outre de surveiller les éléments du gaz sortant du réacteur et de contrôler la réduction établie selon l'invention du débit du gaz réactif n'ayant pas réagi qui circule dans le réacteur en fonction des éléments surveillées. Dans un mode de réalisation préféré de décapage à sec et en particulier de nettoyage par décapage à sec avec SF4, on préfère que le gaz de décapage soit constitué de SF4 au moins de façon prédominante. On atteint une réduction très significative du gaz de décapage utilisé dans une installation dans laquelle le réacteur est un réacteur PECVD et, par conséquent, de préférence un réacteur parmi une multitude de réacteurs PECVD fonctionnant en parallèle pour le traitement par lots de pièces à usiner par une opération de revêtement par PECVD, comme le montrent et décrivent les documents DE-A-44 12 902 et 44 12 915 et les documents correspondants US-A-5 693 238 et 5 515 986, tous intégrés à la présente invention par référence, présentant des structures à réacteurs PECVD multiples. Dans tous ses aspects, le procédé de l'invention peut être utilisé pour le décapage à sec de surfaces ou de substrats dans un processus de fabrication, mais s'applique en particulier au nettoyage de surfaces qui sont les surfaces intérieures d'un réacteur. Par conséquent, le procédé de l'invention s'applique en particulier au décapage à sec de surfaces ayant des dépôts en surface à base de carbone ou à base de silicium, ou des dépôts qui sont à base d'un métal réfractaire tel que W, Ta, Mo, un gaz de décapage contenant du SF4 convenant en particulier au décapage de dépôts en surface à base de silicium. Dans un mode de réalisation préféré du procédé de décapage à sec par l'application selon l'invention d'un gaz de décapage constitué au moins essentiellement de SF4, de l'oxygène est ajouté. Un réacteur de traitement sous vide qui atteint l'objectif concernant la réduction de gaz de décapage utilisé pendant tout le cycle de décapage comprend au moins un moyen générateur de décharge luminescente relié à une source d'énergie électrique, une entrée de gaz raccordée à un moyen formant réservoir de gaz contenant un gaz, de décapage à sec ou un mélange de gaz, par l'intermédiaire d'un dispositif de commande de débit contrôlable, et comprend en outre une unité de commande, dont la sortie est raccordée de façon opérationnelle à l'entrée de commande du dispositif de commande de débit et génère un signal de sortie commandant le dispositif de commande de débit de façon à diminuer le débit de gaz allant dudit moyen formant réservoir au réacteur durant une période de temps prédéterminée au cours d'un cycle de décapage à sec prédéterminé. Si l'on considère l'aspect contribution à la réduction de la durée de vie atmosphérique d'un gaz de décapage, il est proposé un réacteur de traitement sous vide qui comprend un moyen de pompage pour faire le vide dans le réacteur et un moyen générateur de décharge luminescente relié à une source d'énergie électrique, un moyen formant réservoir de gaz raccordé au réacteur et contenant un gaz de décapage réactif, dans lequel le gaz de décapage réactif comprend du SF4. D'autres modes de réalisation préférés du procédé et des réacteurs de traitement sous vide de l'invention sont spécifiés dans les revendications dépendantes. Brève Description des Figures On va maintenant décrire davantage la présente invention à l'aide des figures, qui, à titre d'exemples, montrent Figure 1, en fonction du temps de décapage à sec, la courbe (a) de gaz de décapage consommé SF6, en pourcentage du débit constant dans le réacteur lors d'un nettoyage par décapage à sec, et (b) la courbe de concentration de gaz avec le composant éliminé par décapage, SiF3 Figure 2, en fonction du temps de traitement, les courbes (a) de gaz de décapage frais d'entrée et (b) de gaz de décapage non consommé sortant ; la courbe du silicium éliminé par décapage (c) ; la courbe en fonction du temps de l'énergie HF de la décharge de plasma (d), tel qu'admise dans un procédé de nettoyage par décapage à sec habituel et utilisée comme base pour la présente invention Figure 3, selon une représentation analogue à celle de la Figure 2, les courbes (a) à (d) en résultat du procédé de l'invention dans une première forme de réalisation Figure 4, selon une représentation analogue à la Figure 2 ou 3, les courbes (a) à (d) réalisées avec une autre forme de réalisation du procédé de l'invention Figure 5, de façon schématique, un réacteur de traitement sous vide de l'invention dans un premier mode de réalisation Figure 6, à titre de comparaison, les courbes résultantes de l'élimination par décapage avec un débit d'entrée constant standard de gaz réactif (a) avec la réduction de débit étagée de l'invention (b) Figure 7, des résultats de comparaison de nettoyage par décapage à sec avec du SF6 couramment utilisé (a) et avec le SF4 utilisé selon l'invention, représentés par la concentration de gaz contenant du matériau décapé Figure 8, des résultats de comparaison d'impuretés restantes sur des transistors à film mince (TFT) déposés dans un système PECVD, juste après nettoyage par décapage avec un gaz de décapage à base de SF6 (a) et de SF4 (b); Figure 9, de façon schématique, un deuxième réacteur de traitement sous vide de l'invention. Description Davantage Détaillée de l'invention On va résumer les exigences du procédé de décapage à sec Une limitation du gaz de décapage non consomme délivré à l'échappement du procédé. Le gaz de décapage devrait être converti en un support gazeux des dépôts en surface à décaper et ne devrait pas être évacué vers l'échappement en étant non consommé. Ceci est réalisé, selon l'invention, par diminution du débit de gaz de décapage à sec non consommé dans le récipient faisant l'objet d'une opération de décapage à sec. L'élimination de sous-produits stables. Après avoir traversé le plasma, le gaz de décapage est transformé en de nombreux sous-produits. Si l'un d'entre eux est une molécule stable nocive pour l'environnement et difficile à détruire, le procédé va conduire à des rejets non acceptables ou va alourdir les coûts du système avec une épuration sophistiquée. A titre d'exemple, un fluorocarbure tel que C2F6 ou C3F6 peut produire, lorsqu'il est traité par un plasma, des quantités relativement grandes de CF4, lequel est difficile à éliminer. Cette exigence est satisfaite par l'utilisation, selon l'invention, d'un gaz de décapage à sec qui est à base de SF4. Sélection d'une molécule de gaz de décapage modérément stable. Le meilleur choix pour un gaz de décapage fluoré est, selon l'invention, la molécule modérément réactive SF4. En conséquence, ce gaz de décapage satisfait aux exigences de la disponibilité industrielle et d'un faible coût. Vitesse de décapage suffisante pour une application industrielle. Le potentiel d'un gaz de décapage fluoré donné pour un décapage à sec rapide est difficile à prédire. Une analyse expérimentale, la seule approche sûre, a montré que le SF4 utilisé selon l'invention apporte des vitesse de décapage nettement suffisantes. En conséquente, le SF4 utilisé selon l'invention ne conduit pas à des dépôts solides potentiels, par exemple de fluorures métalliques, tels que WF6, TaF5. Le SF4 exploité selon l'invention donne une molécule qui n'est pas trop stable, et la décharge de plasma apporte une énergie de dissociation suffisante pour ce gaz, alors que des molécules plus stables consommeraient davantage d'énergie de décharge provenant du plasma pour des résultats équivalents. Ainsi, à nouveau, on Le SF4 utilisé selon l'invention ne conduit pas à davantage de résidus contaminants que ne le fait SF6. Absence de corrosion majeure du système Ceci est un objectif important également satisfait par le SF4 appliqué selon l'invention. Par exemple, il faudrait exclure HF des réacteurs à base de quartz, et SF6 des réacteurs contenant du cuivre ou de l'argent. Sur la Figure 1 est analysée la séquence de nettoyage par décapage à sec du procédé de décapage à sec standard. Ainsi, on présente l'analyse dans le temps d'un procédé de nettoyage par décapage d'un réacteur PECVD après dépôt de TFT. En tant que gaz de décapage, on utilise SF6. Durant le temps de nettoyage, un débit constant de SF6 à 100 % est maintenu dans le réacteur, et la décharge est maintenue avec une énergie HF constante. Des données sont mesurées par spectrométrie de masse d'échantillons de gaz provenant de la ligne d'échappement du réacteur. La courbe (b) montre le débit de silicium éliminé du réacteur par décapage, par exemple sous la forme Six3*. La courbe (a) montre la fraction de gaz de décapage à sec consommé, donc de SF6. Le temps de nettoyage par plasma global est estimé à partir de l'épaisseur du dépôt en surface à éliminer ou est basé sur une mesure de point final. Dans tous les cas, le temps de nettoyage par décapage est rallongé d'une durée supplémentaire pour assurer que tous les recoins cachés du réacteur sont assurément complètement nettoyés. Comme le montre la Figure 1, la séquence du procédé peut être divisée en plusieurs périodes successives, qui sont mises en évidence sur la Figure 2 (1) Avant démarrage de la décharge de plasma HF, le débit de gaz de décapage à sec est établi. Il va sans dire que cette période pendant laquelle le gaz de décapage circule en étant totalement non consommé dans le réacteur doit être minimisée. (2) La décharge de plasma est démarrée. Pendant cette période, le système est dans un état stable, le gaz de décapage se transforme en un gaz porteur de silicium, et le matériau de dépôt, qui est à base de silicium, est éliminé à une vitesse constante, comme le montre la Figure 2(c), période NO 2. Pendant cette période, la fraction de gaz de décapage non consommé évacué, comme le montre la zone ombrée de la Figure 2(b), est relativement petite. (3) Dans une troisième période de la durée du cycle du procédé de décapage, la vitesse d'élimination du matériau en surface, c'est-à-dire d'élimination du silicium, Figure 2(c), diminue progressivement. Par conséquent, et de façon correspondante, la fraction de gaz de décapage à sec non consommé, SF6, augmente (Figure 2(b)). Si l'on ouvre le réacteur durant cette période, on voit qu'il est partiellement propre, certaines de ses surfaces étant néanmoins toujours recouvertes de dépôts en surface qu'il faut éliminer, comme un film à base de silicium. L'origine de ce comportement dans la période NO 3 est, comme mentionné ci-dessus, la non uniformité du procédé de nettoyage. Cette troisième période peut être assez longue par rapport à la durée totale du cycle de nettoyage. A la fin de cette troisième période, on rencontre un point d'inflexion E du débit sortant de ce gaz portant des composants du dépôt en surface à éliminer, comme le point d'inflexion du courant ionique de Six3* selon la Figure 1. Comme on peut le vérifier en ouvrant le réacteur à ce moment E, il ne reste pas de dépôt ou film visible dans le réacteur précisément à ce point. (4) Cette période supplémentaire de temps de nettoyage assure une élimination parfaite des dépôts en surface, même dans les recoins cachés d'un réacteur PECVD. La longueur requise pour cette quatrième période dépend des détails de la conformation du réacteur et des particularités des processus antérieurs, comme le processus de dépôt par PECVD précédent. Habituellement, avec un procédé PECVD, ce temps supplémentaire est de l'ordre de 10 8 du temps total de nettoyage par décapage à sec. (5) Fin du procédé, où l'énergie HF est coupée. I1 va sans dire que le débit de gaz de décapage doit être coupé également pour éviter de gâcher du gaz de décapage. Sur les Figures 3 et 4 et en s'écartant des analyses d'un procédé de nettoyage à sec standard selon la Figure 1 ou 2, on présente deux modes de réalisation d'un procédé de nettoyage par décapage à sec selon l'invention. Selon la Figure 3, après mise en place d'un débit initial constant de gaz de décapage en f0, le débit de gaz de décapage est réduit. La réduction commence dès que le gaz dans l'échappement montre que le décapage des dépôts en surface à éliminer diminue. Néanmoins, le moment où la réduction de débit commence n'est pas critique aussi longtemps que cette réduction ne réduit pas la vitesse de décapage. Selon la Figure 3(a), l'entrée de gaz de décapage est réduite dans une étape S. De nouveau sur la Figure 3 (b), la zone ombrée montre la fraction de gaz réactif non consommé qui est évacué, cette fraction étant significativement réduite par comparaison à l'opération standard de la Figure 2(b). Sur la Figure 4, le débit de gaz de décapage initial f0 est stable et, comme montré, diminue de préférence linéairement dès que le gaz évacué indique un décapage réduit du dépôt en surface à éliminer. La zone ombrée de la Figure 4(a) montre une réduction considérable du gâchis de gaz de décapage non consommé, par comparaison à la Figure 2(a). Ainsi, comme cela apparaît clairement à partir des Figures 3 et/ou 4, en fonction de la réduction souhaitée du gâchis de gaz de décapage non consommé, on peut sélectionner une réduction du débit de gaz en une ou plusieurs étapes allant jusqu'à un ajustement sophistiqué du minutage de réduction. On doit noter qu'on peut faire varier encore d'autres paramètres du procédé, comme par exemple la pression dans le réacteur et/ou l'énergie HF, comme le montre la Figure 4(d), pour optimiser le procédé de décapage à sec, par exemple, de plus, en ce qui concerne la consommation d'énergie pendant cette période de réduction de débit de gaz. Selon ce premier aspect de l'invention, et comme on l'a souligné ci-dessus, quand un réacteur devant être nettoyé ou une surface de substrat devant être décapée à sec est partiellement décapé, il est inutile de mettre en oeuvre le même débit initial f0 de gaz de décapage. Ainsi, le débit de gaz peut être réduit quand le décapage à sec a été partiellement réalisé, sans que la vitesse de décapage soit affectée. En conséquence, la quantité de gaz de décapage non consommé et donc gâché est considérablement réduite, ce qui réduit d'une part les coûts pour un tel gaz de décapage à sec, mais en particulier contribue à réduire la libération de gaz de décapage dans l'atmosphère, si l'on prend en compte le "dégagement annuel", pour un nettoyage au gaz donné, du côté échappement du réacteur. La Figure 5 montre schématiquement un réacteur de l'invention qui réalise le procédé de décapage à sec de l'invention tel que décrit jusqu'à maintenant. Un réacteur 1, tel qu'un réacteur PECVD, est raccordé par un moyen formant soupape pouvant être commandée 3, à un moyen formant réservoir de gaz contenant un gaz de traitement par revêtement, par exemple pour un dépôt en couche par PECVD. Sur la Figure 6, les lignes interrompues (a) montrent un débit de gaz de décapage constant standard, de 1000 Ncm3 de SF6, et l'élimination résultante de dépôts en surface à base de silicium, indiquée par la teneur en SiF3 du gaz d'échappement. Le réacteur 1 comprend un moyen générateur de décharge luminescente, représenté schématiquement en 5, raccordé à une source d'énergie appropriée, comme une source d'énergie HF (non représentée). Dans le réacteur 1, comme par exemple un réacteur PECVD, des substrats sont revêtus par PECVD pendant le fonctionnement de la décharge luminescente et sous l'apport d'un gaz de procédé, commandé par la soupape pouvant être commandée 3. Pour le décapage à sec dans le réacteur ou pour le nettoyage par décapage à sec du réacteur 1, un gaz de décapage à sec, tel que SF6 ou, selon l'invention, SF4, est introduit dans le réacteur 1 depuis un moyen formant réservoir de gaz de décapage 7 par l'intermédiaire d'un moyen formant soupape pouvant être commandée 9. Du côté échappement du réacteur 1, muni d'une pompe 11, est disposée une unité d'analyse de gaz 13, comme par exemple une unité de spectromètre de masse, surveillant les contenus du gaz d'échappement du réacteur 1. Dès qu'il se produit une diminution de l'efficacité de décapage, celle-ci est détectée par une unité de différenciation 15 à la sortie de l'unité 13 et une unité de comparateur 17. Ensuite une unité de commutation 19 est commutée d'une source de signal 21 à la sortie de l'unité 13 par l'intermédiaire, de préférence, d'une unité d'amplificateur non linéaire 20. Ainsi, avant qu'une diminution de l'efficacité de décapage soit détectée, la soupape 9 est commandée à une valeur constante de débit selon la valeur f0, laquelle est réglée par l'unité 21. Dès qu'une diminution de l'efficacité de décapage est détectée, la soupape 9 est commandée par l'intermédiaire de l'unité d'amplification 20 en fonction de la courbe de diminution de l'efficacité de décapage. Ainsi, avec une telle technique, il devient possible de commander le débit de gaz de décapage amené dans le réacteur 1 en fonction de la diminution de la vitesse de décapage. Il est évident que la soupape 9 peut être commandée par un minuteur et n'être en rapport avec aucune analyse de gaz d'échappement, soit par étapes, soit en continu. Le procédé de l'invention convient en particulier au nettoyage par décapage à sec de réacteurs de revêtement sous vide, en particulier de réacteurs PECVD, et tout spécialement pour des réacteurs PECVD multiples destinés au revêtement de substrats par lots. Ainsi, une multitude de réacteurs PECVD fonctionnant en parallèle sont nettoyés par décapage à sec en parallèle, si bien que le procédé de l'invention économise une quantité considérable de gaz de décapage à sec qui sinon serait évacué vers l'atmosphère ambiante. Par conséquent, le réacteur de l'invention, représenté de façon schématique sur la Figure 5, est de préférence un réacteur PECVD devant être nettoyé selon l'invention, en particulier l'un d'une multitude de réacteurs PECVD fonctionnant en parallèle. Les traits pleins (b) montrent la réduction du débit de gaz de décapage à sec, tel que SF6, de 800 Ncm3 à environ 500 Ncm3 en une seule étape. La courbe d'élimination résultante montre une différence minimale des effets du décapage. La durée des deux opérations de nettoyage est la même, à savoir d'environ 170 secondes jusqu'au point E (voir la Figure 2(c)). Dans le deuxième aspect, à savoir celui considérant l'application d'un gaz de décapage a un procédé de décapage à sec avec une durée de vie atmosphérique considérablement réduite, on trouve que l'utilisation de SF4 en tant que gaz de décapage ou au moins en tant que composant de gaz de décapage conduit à la solution la plus satisfaisante. On sait, d'après la réactivité chimique de SF4, que celui-ci va avoir très peu d'effet sur le réchauffement global, du fait d'une courte durée de vie atmosphérique, et qu'il va pouvoir être facilement et efficacement détruit dans un épurateur. Néanmoins, il n'était pas prévisible que SF4 fût capable de réaliser un décapage, en particulier de silicium et de composés à base de silicium, à une vitesse de décapage compétitive par comparaison avec des gaz de décapage connus, et sans effets indésirables, tels qu'une contamination chimique de la surface décapée. On a réalisé des expériences comparatives de nettoyage par décapage dans un réacteur PECVD industriel. Les résultats sont présentés sur la Figure 7. De façon identique, on a nettoyé des réacteurs revêtus de a- Si:H avec un gaz de décapage à base de SF6 (a) et un autre à base de SF4. Les courbes temporelles respectives de Six3* dans l'échappement du réacteur sont indiquées sous la forme d'une mesure de la vitesse de décapage de Si. L'énergie HF et le débit de gaz de décapage sont maintenus constants. En résultat, il est évident que le décapage à sec avec un gaz de décapage à base de SF4 et au moins aussi efficace qu'avec un gaz de décapage à base de SF6. L'intensité du pic de masse 85 - pour Six3* - est représentée à l'échelle logarithmique. Le point final E, défini selon la Figure 2, apparaît à peu près après le même temps de nettoyage, et pour SF4 après un temps plus court. D'autres analyses de la capacité de décapage de SF4 ont confirmé que SF4 est, pour les procédés de décapage, du même type qu'un gaz de décapage au fluor atomique classique, tel que SF6, NF3 et XeF2. Un décapage par SF4 conduit à toutes les caractéristiques bien connues des gaz de décapage à base de fluor atomique - décapage rapide de Si (cristallin et amorphe, SiN, SiC, etc) - le décapage de SiO2 requiert l'assistance d'un bombardement ionique - sans autre additif gazeux, le décapage de Si est isotrope. Un nettoyage par décapage efficace avec SF4, comme pour SF6, nécessite qu'une fraction d'oxygène soit ajoutée dans le mélange de gaz de décapage à sec injecté. Comme pour le décapage avec SF6, le rôle de O2 est de déplacer le fluor par rapport au soufre dans la décharge de plasma et de faciliter l'évacuation du soufre sous forme d'un gaz (SO2) Le risque de contamination potentiel majeur pour SF4 est de ce fait bien évidemment le soufre. Ce danger existe déjà avec SF6, et a été étudié et évalué dans l'industrie électronique. On peut minimiser les résidus de soufre en ajoutant de l'oxygène dans le procédé. SF6 a été estimé satisfaisant et il est aujourd'hui utilisé fréquemment dans l'industrie. Toutefois, pour SF4, le risque est plus grand parce que la fraction molaire de soufre est plus importante par molécule (40 W). De plus, une autre contamination pourrait résulter de sous-produits inattendus de la réaction de SF4 avec des surfaces de paroi et/ou de substrat. La circonstance la plus sensible pour détecter une contamination après décapage est le dépôt par PECVD d'un dispositif électronique juste après nettoyage par décapage à sec du réacteur. Ainsi, on dépose un semi-conducteur dans le réacteur, et si une contamination est introduite dans le matériau déposé, le dispositif électronique va présenter une performance dégradée. L'une des meilleures techniques pour identifier le degré de contamination du silicium est la spectrométrie de masse à ions secondaires (SIMAS) On a réalisé un TFT par dépôt dans un réacteur PECVD juste après avoir nettoyé par décapage le réacteur avec un gaz de décapage à base de SF4 et, à titre de comparaison, avec un gaz de décapage à base de SF6. Les résultats sont présentés sur la Figure 8. On trouve que la teneur en soufre atomiqe dans le silicium amorphe est inférieure à 5 x 1018 cm-3, et donc inférieure à 10 ppm (parties par million) avec un nettoyage du réacteur par décapage préalable à base de SF4 (b) et à base de SF6. Les niveaux de contamination pour un nettoyage par décapage à base de SF4 (b) et un nettoyage par décapage à base de SF6 (a) sont équivalents. On a mesuré les deux transistors et on a trouvé qu'ils avaient des performances électroniques satisfaisantes. Ainsi, SF4, en tant que gaz de décapage, n'a pas d'inconvénient par comparaison avec SF6, mais est moins stable ; il contribue donc moins à charger l'atmosphère. Le SiF4 résultant du décapage à sec de surfaces à base de silicium avec du SF4 est rapidement détruit par l'eau pour former du Si (OH)4 et du HF. Ainsi, un bon épurateur à la sortie du réacteur peut n'avoir simplement qu'à réaliser un lavage par voie humide avec une neutralisation alcaline de HF. Selon la Figure 9, un réacteur selon l'invention 1 comprend un moyen formant réservoir de gaz de décapage 7, qui comprend un réservoir de gaz avec du SF4 et de préférence un réservoir de gaz avec du 02, montrés par 7a et 7b. En outre, comme montré schématiquement en 25, il comprend de préférence une unité d'épurateur pour laver par voie humide le gaz d'échappement dans une solution alcaline. Il est évident que l'on peut combiner les deux techniques de l'invention, de réduction de la quantité de gaz de décapage utilisé pour un procédé de décapage donné et d'utilisation de SF4, ce qui donne ainsi un réacteur selon l'invention, en particulier un réacteur PECVD, selon la Figure 6, pour lequel le moyen formant réservoir de gaz de décapage 7 comprend des réservoirs de stockage pour SF4 et de préférence pour O2 et est de préférence muni d'une unité d'épurateur telle que décrite à propos de la Figure 9. REVENDICATIONS 1. Procédé pour le décapage à sec d'une surface à l'intérieur d'un réacteur de traitement sous vide, ce procédé comprenant - la mise sous vide du réacteur - la génération d'une décharge luminescente à l'intérieur dudit réacteur - l'introduction d'un gaz de décapage réactif dans ledit réacteur et la réaction dudit gaz de décapage à l'intérieur dudit réacteur - le retrait du gaz avec des produits réactionnels de ladite réaction, hors dudit réacteur, et comprenant en outre l'étape d'établissement d'un débit initial (f0) dudit gaz de décapage dans ledit réacteur et de réduction dudit débit après une période de temps prédéterminée et durant ladite réaction. 2. Procédé pour le décapage à sec d'une surface à l'intérieur d'un réacteur de traitement sous vide, comprenant - la mise sous vide du réacteur - la génération d'une décharge luminescente à l'intérieur du réacteur - l'introduction d'un gaz de décapage réactif dans ledit réacteur et la réaction dudit gaz de décapage à l'intérieur dudit réacteur - le retrait du gaz avec des produits réactionnels de ladite réaction, hors dudit réacteur, et comprenant en outre l'étape de mise en oeuvre de SF4 au moins en tant qu'une partie dudit gaz de décapage. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit gaz de décapage comprend du SF4. 4. Procédé selon la revendication 1 ou 3, comprenant en outre l'étape de surveillance d'au moins un élément dudit gaz retiré dudit réacteur et de contrôle de ladite réduction en fonction dudit élément surveillé, de façon à réaliser ledit contrôle de préférence automatiquement. 5. Procédé selon l'une des revendications 2 à 4, comprenant en outre l'étape de sélection dudit gaz réactif de façon qu'il soit constitué, au moins pour une partie prédominante, dudit SF4, et, de préférence, de 2- 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit réacteur est un réacteur PECVD, de préférence un réacteur ou une multitude de réacteurs PECVD fonctionnant en parallèle pour le traitement par lots de pièces à usiner. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, dans lequel ladite surface à l'intérieur dudit réacteur est une surface intérieure dudit réacteur devant être nettoyé par décapage à sec. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, dans lequel ladite surface doit être nettoyé pour en éliminer au moins un dépôt parmi les dépôts en surface à base de carbone, à base de silicium, et à base de métal réfractaire, tel que W, Ta et Mo, et dans lequel les dépôts à base de silicium sont de préférence décapées avec ledit SF4. 9. Réacteur de traitement sous vide comprenant - un moyen de pompage (11) pour créer un vide dans ledit réacteur (1) - un moyen générateur de décharge luminescente (5) raccordé à une source d'alimentation électrique - une entrée de gaz raccordée à un moyen formant réservoir de gaz (7) contenant un gaz ou un mélange de gaz de décapage à sec, par l'intermédiaire d'un dispositif de commande de débit pouvant être commandé (9) - une unité de commande (13, 15, 17, 19, 20) dont la sortie est raccordée de façon opérationnelle à l'entrée de commande dudit dispositif de commande de débit (9) et génère un signal de sortie commandant ledit dispositif de commande de débit (9) pour diminuer le débit de gaz incluant dudit moyen formant réservoir (7) vers ledit réacteur (1) durant une période de temps prédéterminée lors de la durée d'un cycle de décapage à sec prédéterminé. 10. Réacteur de traitement sous vide comprenant un réacteur (1), - un moyen de pompage (11) pour créer un vide dans ledit réacteur (1) ; - un moyen générateur de décharge luminescente (5) raccordé à une source d'alimentation électrique ; - un moyen formant réservoir de gaz (7 ; 7a, 7b) raccordé audit réacteur (1) et comprenant un gaz de décapage réactif, dans lequel ledit gaz de décapage réactif comprend du SF4 (7a). 11. Réacteur selon la revendication 9, dans lequel ledit moyen formant réservoir de gaz (7) comprend au moins un réservoir de gaz avec un gaz de décapage réactif, qui comprend du SF4. 12. Réacteur selon l'une des revendications 9 et 11, dans lequel ladite unité de commande comprend au moins une unité d'analyse du contenu d'un gaz (13) raccordée de façon opérationnelle audit réacteur (1), ladite unité de commande générant un signal de commande pour ladite unité de dispositif de commande de débit de gaz (9) en dépendance avec la sortie de ladite unité d'analyse (13). 13. Réacteur selon l'une des revendications 10 à 12, dans lequel une partie prédominante dudit gaz de décapage réactif est constitué de SF4 et de préférence de 02. 14. Réacteur selon l'une des revendications 9 à 13, ledit réacteur (1) étant un réacteur PECVD, dans lequel ledit moyen formant réservoir comprend au moins un réservoir contenant un gaz pour dépôt chimique en phase vapeur, ledit réacteur étant de préférence l'un d'une multitude de réacteurs fonctionnant en parallèle d'une installation de traitement par lots de pièces à usiner. 15. Réacteur selon l'une des revendications 10 à 14, comprenant une unité d'épurateur par lavage par voie humide en aval dudit réacteur (1).