Brevet FR2774808A1 — publié le 19990813

À STRUCTURE DOUBLEMENT DAMASQUINEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION Domaine de l'invention Cette invention se rapporte, en général, à un composant à semi-conducteur et à son procédé de fabrication, et, plus particulièrement, à un composant de métallisation et d'interconnexion multiniveau et à son procédé de fabrication. Description de l'art antérieur Le niveau d'intégration des circuits intégrés s'accroissant, le nombre d'interconnexions qui sont nécessaires à la connexion des dispositifs s'accroît également. Par conséquent, la conception qui fait is usage deux couches métalliques ou plus constitue progressivement la norme prévalant dans la fabrication des circuits intégrés. Lorsque le niveau d'intégration est encore accru, un rendement de fabrication élevé et une fiabilité satisfaisante sont difficiles à obtenir. Le procédé de traitement par damasquinage est une technique de fabrication qui met en jeu la création de lignes d'interconnexion en gravant tout d'abord une tranchée dans une couche diélectrique plane, puis en remplissant cette tranchée de métal. Le procédé est en mesure d'introduire du métal de cuivre qui n'est pas aisément gravé dans le dispositif à semi-conducteur. Par conséquent, ce procédé constitue le meilleur choix possible qui puisse s'offrir à l'industrie manufacturière des interconnexions en dessous de la barre de 0,25 micromètre. La technique de traitement par damasquinage classique présente un certain nombre de problèmes. Par exemple, la profondeur des lignes de tranchée est difficile à ajuster, le profil de la paroi latérale de la traversée est difficile à normaliser et la fenêtre de traitement est très étroite. La figure 1A à la figure 1D sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de fabrication d'un procédé classique de traitement par double damasquinage. Comme montré sur la figure 1A, une couche isolante 102 est déposée par dessus un substrat semi-conducteur 100. Puis, un masque est utilisé pour définir la configuration de l'interconnexion sur la io couche isolante 102. Un processus de gravure est mis en oeuvre pour former une tranchée 104 dans la couche isolante 102. Puis, en se référant à la figure lB, une épaisse couche de photorésist 106 est formée par dessus la is couche isolante 102, remplissant la tranchée 104. Des processus de définition et de gravure sont ensuite effectués pour exposer la surface de la couche isolante 102 dans la tranchée 104 de manière à former une première traversée 108. Ensuite, comme montré sur la figure lC, un processus de gravure est mis en oeuvre pour retirer les parties de la couche isolante 102 qui sont exposées dans la première traversée 108 et pour former une seconde traversée 108', exposant le substrat semi- conducteur 100. Puis, la couche de photorésist 106 est retirée, comme montré sur la figure 1D, de manière à former une troisième traversée 110 présentant deux largeurs différentes. Une couche conductrice (non représentée) est formée par dessus la structure complète; après quoi, un processus de polissage est mis en oeuvre pour retirer la couche conductrice par dessus la couche isolante 102. Ceci achève la formation de la structure doublement damasquinée. Le procédé de fabrication par double damasquinage selon le procédé classique qui est décrit ci-dessus n'est pas sans présenter d'inconvénient. Après que la tranchée ait été formée, il est nécessaire de réaliser une étape de photolithographie pour former la première traversée. Puis, la largeur de la première traversée étant inférieure à celle de la tranchée, survient, de ce fait, un mésalignement de la configuration au cours de la procédure de définition. En outre, il est difficile de graver et de former la traversée en raison du rapport d'allongement élevé de la seconde traversée. La figure 2A à la figure 2E sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de fabrication d'un autre procédé classique de traitement par double damasquinage. Comme montré sur la figure 2A, une couche isolante 202 est déposée par dessus un substrat semi-conducteur 200. Puis, un masque est employé pour définir la configuration de l'interconnexion sur la couche isolante 202. Un processus de gravure est mis en oeuvre pour former une tranchée 204 à l'intérieur de la couche isolante 202 et pour exposer la surface du substrat semi-conducteur 200. Ensuite, en se référant à la figure 2B, une couche de photorésist 206 est formée par dessus la couche isolante 202, remplissant la traversée 204. Puis, comme montré sur la figure 2C, un masque est utilisé pour définir la configuration de la tranchée 208 à l'intérieur de la couche de photorésist 206 et le photorésist indésirable 206 est retiré de manière à exposer des parties de la couche isolante 202. La fiche de photorésist 206' demeure dans la traversée 204. La largeur de la tranchée 208 est supérieure à celle de la traversée 204. En se référant à la figure 2D, une étape de gravure est alors accomplie sur la couche isolante 202 de manière à former une tranchée 208' en utilisant la configuration de tranchée 208 à l'intérieur de la s couche de photorésist 206. Ensuite, comme montré sur la figure 2E, la couche de photorésist 206 et la fiche de photorésist 206' sont retirées. Une couche conductrice (non représentée) est formée sur la structure complète; après quoi, un processus de polissage est mis en oeuvre pour retirer la couche conductrice par dessus la couche isolante 202. Ceci achève la formation de la structure doublement damasquinée. Le procédé décrit présente encore des inconvénients. Par exemple, il n'y a pas de couche d'arrêt de gravure au sein de la couche isolante, par conséquent, elle peut être surgravée au cours de l'opération de gravure de la tranchée. Le niveau d'intégration des circuits intégrés s'accroissant, il est de plus en plus difficile de retirer le bouchon de photorésist au sein de la traversée. En outre, ce procédé fait également usage de plusieurs étapes photolithographiques et de gravures qui sont accompagnées d'un mésalignement survenant au cours des procédures de formation de la traversée et de la tranchée. RESUME DE L'INVENTION Par conséquent, un objet de l'invention est de réaliser une structure doublement damasquinée et son procédé de fabrication qui utilise une étape d'implantation d'azote pour former une couche d'arrêt de gravure. La présente invention améliore l'ajustement de l'arrêt de gravure au cours du processus de gravure qui est utilisé pour former la tranchée. De plus, une couche en polysilicium ou en nitrure de silicium est utilisée comme masque pour réduire le mésalignement au cours de l'étape consistant à former la tranchée et la traversée. s L'invention atteint les objets identifiés ci- dessus en réalisant un nouveau procédé de formation d'une structure doublement damasquinée. Une couche diélectrique est formée par dessus un substrat semi- conducteur. Une couche formant masque configurée est io formée sur la couche diélectrique. Une première étape d'implantation est réalisée pour implanter des gaz ou des ions azote et une étape de recuit thermique est ensuite accomplie de manière à former une première couche d'arrêt de gravure au sein de la couche diélectrique. La première couche d'arrêt de gravure comporte une ouverture de traversée à la position correspondant à la couche formant masque. Une couche de photorésist configurée est formée. Puis, un espacement est formé sur la paroi latérale de la couche de photorésist et la couche d'espacement sous la couche de photorésist demeure. Une seconde étape d'implantation est effectuée pour former une seconde couche d'arrêt de gravure sur la couche diélectrique; la seconde couche d'arrêt de gravure comporte une ouverture de tranchée. Après quoi, la couche d'espacement, l'espacement et la couche formant masque sont retirés. Des parties de la couche diélectrique sont retirées de façon à former la tranchée et la traversée en utilisant une étape de gravure anisotrope. Une couche conductrice est formée dans la tranchée et la traversée de manière à former la structure doublement damasquinée qui est couplée au substrat de semi-conducteur. L'invention atteint les objets identifiés ci- dessus en réalisant un nouveau procédé de formation d'une structure doublement damasquinée. Une couche diélectrique est formée par dessus le substrat semi- conducteur. Une couche formant masque comportant une ouverture est formée sur la couche diélectrique. Un espacement est formé sur la paroi latérale de l'ouverture. Une couche d'arrêt d'implantation est formée au sein de la couche diélectrique par 0o accomplissement d'une première étape d'implantation pour implanter des ions azote. La couche d'arrêt d'implantation est formée à la position correspondant à l'ouverture formée par l'espacement. L'espacement est retiré, et une autre ouverture de tranchée est s15 formée dans la couche formant masque. Une seconde étape d'implantation est réalisée pour former une couche d'arrêt de gravure au sein de la couche diélectrique. La couche d'arrêt de gravure est formée à la position correspondant à l'ouverture sur la couche formant masque. Une troisième étape d'implantation est effectuée pour réduire la capacité d'anti- implantation de la couche d'arrêt d'implantation. La couche d'arrêt d'implantation est transformée en structure non cohésive ou une structure du type oxyde. Puis, une étape gravure anisotrope est accomplie pour former une tranchée et une traversée. La traversée expose le substrat semi-conducteur. Enfin, une couche conductrice est formée dans la tranchée et la traversée. Ceci achève la formation de la structure doublement damasquinée. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres objets, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description détaillée suivante des modes de réalisation qui sont préférés mais non limitatifs. La description est faite en se référant aux dessins d'accompagnement, dans lesquels: la figure 1A à la figure 1D (art antérieur) sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de fabrication d'un procédé classique de traitement par double damasquinage; la figure 2A à la figure 2E (art antérieur) sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de fabrication d'un autre procédé classique de traitement par double damasquinage; les figures 3A à 3I sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de processus d'un mode de réalisation préféré du procédé de fabrication par double damasquinage; les figures 4A à 4G sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de processus d'un autre mode de réalisation préféré du procédé de fabrication par double damasquinage. DESCRIPTION DU MODE DE REALISATION PREFERE Les figures 3A à 3I sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de processus d'un mode de réalisation préféré du procédé de fabrication par double damasquinage. En se référant à la figure 3A, une couche diélectrique 302 est formée sur un substrat semi- conducteur 300. Sur le substrat, se trouvent de nombreux dispositifs, mais de manière à simplifier les figures, ceux-ci ne sont pas représentés. La couche diélectrique 302, par exemple, est une couche en dioxyde de silicium ou en verre au borophosphosilicate ou comprend des matériaux faiblement diélectriques, ayant une épaisseur d'environ 20000 A. Une couche formant masque 304 est ensuite formée sur la couche diélectrique 302. Ensuite, en se référant à la figure 3B, une première étape d'implantation I31 est accomplie pour implanter des réactants, par exemple, des gaz ou des ions d'azote, au sein de la couche diélectrique 302 en utilisant la couche formant masque 304. Puis, une étape de recuit à une température d'environ 350-450 C est réalisée pour former une première couche d'arrêt de gravure 306, par exemple, une couche en nitrure de silicium, à une profondeur d'environ 9000-10000 A. La plage de température de recuisson est ajustée de manière à ne pas affecter pas la diffusion des implants. Le brevet des Etats- Unis d'Amérique n 5 314 843 décrit un procédé d'implantation concernant la régulation de l'énergie d'implantation lors de l'implantation de réactants à la profondeur déterminée selon une concentration déterminée. A la suite de quoi, en se référant à la figure 3C, après que la première couche d'arrêt de gravure 306 ait été formée, une couche d'espacement 308, par exemple, un espacement en nitrure de titane ou en polysilicium est formée, par exemple, selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, par dessus la couche diélectrique 302 et la couche formant masque 304. Puis, une couche de photorésist 309 est formée par dessus l'espacement 308. Ensuite, en se référant à la figure 3D, des parties de la couche d'espacement 308 et de la couche de photorésist 309 sont retirées jusqu'à ce que la surface supérieure de la couche formant masque 304 soit exposée, de-manière à former un espacement 308' sur la paroi latérale du masque 304 et pour laisser un espacement 308" au-dessous de la seconde couche de photorésist 309. Le première couche de photorésist 304, l'espacement 308' et l'espacement 308" constituent un masque de tranchée. Comme montré sur la figure 3E, une seconde implantation est accomplie pour implanter des réactants, par exemple, des ions d'azote au sein de la couche diélectrique 302. Puis, une réaction est effectuée:une étape de recuit à une température d'environ 350- 450 C est réalisée pour former une seconde couche d'arrêt de gravure 310, par exemple, une couche en io nitrure de silicium, à une profondeur d'environ 1000- 2000 A en utilisant le masque de tranchée. En se référant à nouveau au brevet des Etats-Unis d'Amérique nO 5 314 843, un procédé d'implantation est décrit, qui concerne la régulation de l'énergie d'implantation lors de l'implantation de réactants à la profondeur déterminée selon une concentration déterminée. Ensuite, en se référant à la figure 3F, le masque de tranchée est retiré. La première couche d'arrêt de gravure 306 et la seconde couche d'arrêt de gravure 310 sont formées au sein de la couche diélectrique 302. La première couche d'arrêt de gravure 306 comporte une ouverture qui est utilisée pour former une traversée, et la seconde couche d'arrêt de gravure 310 comporte une ouverture qui est utilisée pour former une tranchée. La taille de l'ouverture dans la première couche d'arrêt de gravure 306 correspond à la couche formant masque 304, et la taille de l'ouverture dans la seconde couche d'arrêt de gravure 310 correspond à la taille de l'ouverture dans le masque de tranchée. Par conséquent, la taille de la tranchée est supérieure à celle de la traversée. En se référant à la figure 3G, des parties de la couche diélectrique 302 sont retirées, par exemple, en utilisant un procédé de gravure anisotrope et en utilisant les première et seconde couches d'arrêt de gravure 306 et 310 comme couches d'arrêt pour protéger la couche diélectrique sous-jacente 302 de la gravure. En outre, les première et seconde couches de gravure 306 et 310 comportent des ouvertures; de ce fait, la tranchée/traversée 312 et la tranchée 313 sont formées au cours du processus de gravure. Additionnellement, le substrat est exposé par la traversée 312. Ensuite, en se référant à la figure 3H, une couche conductrice 314 est formée par dessus la structure illustrée sur la figure 3G. La couche conductrice 314 est fabriquée en métal, par exemple, en cuivre, en aluminium, en un alliage d'aluminium ou en un alliage d'aluminium-cuivre. En se référant à la figure 3I, la couche conductrice 314 par dessus la seconde couche d'arrêt de gravure 310 formée par dessus la couche diélectrique 302 est retirée, par exemple, grâce à un procédé de polissage mécanique par voie chimique, de manière à former une structure d'interconnexion 314' dans la tranchée/traversée 312 et la tranchée 313. Ceci achève la formation de la structure doublement damasquinée. Les figures 4A à 4G sont des vues en coupe transversale montrant les étapes de processus d'un autre mode de réalisation préféré du processus de fabrication par double damasquinage. Premièrement, en se référant à la figure 4A, une couche diélectrique 402 est formée sur un substrat semi-conducteur 400. Sur le substrat, se trouvent de nombreux dispositifs, mais de manière à simplifier les figures, ceux-ci ne sont pas représentés. La couche diélectrique 402, par exemple, est une couche en dioxyde de silicium ou en verre de borophosphosilicate ou comprend des matériaux faiblement diélectriques, ayant une épaisseur d'environ 20000 A. Une couche formant masque 404 comportant une ouverture est formée sur la couche diélectrique 402. Ensuite, en se référant à la figure 4B, une couche d'espacement 406, par exemple, en nitrure de titane ou en polysilicium, est formée, par exemple, en utilisant un procédé de dépôt chimique en phase vapeur, par dessus la structure illustrée sur la figure 4A. Comme montré sur la figure 4C, des parties de l'espacement 406 sont retirées, par exemple, en utilisant un procédé de contre-gravure, pour former un espacement 406' sur la paroi latérale de la couche formant masque 404 dans l'ouverture. Puis, une première étape d'implantation I41 est accomplie pour implanter des réactants, par exemple, des ions d'azote, au sein de la couche diélectrique 402 afin de former une couche d'arrêt d'implantation 408, par exemple, une couche en nitrure de silicium, ayant une profondeur d'environ 1 000-2 000 A en utilisant la couche formant masque 404 et l'espacement 406'. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 5 314 843 décrit un procédé d'implantation concernant la régulation de l'énergie d'implantation lors de l'implantation de réactants à une profondeur déterminée selon une concentration déterminée. La taille de la couche 2s d'arrêt d'implantation 408 est identique à celle de l'ouverture formée dans l'espacement 406' et la couche formant masque 404. Ensuite, en se référant à la figure 4D, l'espacement 406' est retiré, puis une autre étape de définition est réalisée pour former une ouverture de tranchée dans la couche formant masque 406'. Un second processus d'implantation I42 est mis en oeuvre pour implanter des réactants, par exemple, des ions d'azote, au sein de la couche diélectrique 402. Puis, un processus de recuit à une température supérieure est mis en oeuvre pour former une couche d'arrêt de gravure 410, par exemple, une couche en nitrure de silicium, à une profondeur d'environ 9 000-10 000 A. s En se référant à nouveau au brevet des Etats-Unis d'Amérique nO 5 314 843, il décrit un procédé d'implantation concernant la régulation de l'énergie d'implantation lors de l'implantation de réactants à une profondeur déterminée selon une concentration déterminée. Du fait que la couche d'arrêt d'implantation 408 et la couche formant masque 404 peuvent être employées comme couches barrières au cours du second processus d'implantation I42, la couche d'arrêt de gravure 410 n'est pas formée derrière la couche d'arrêt d'implantation 408 et la couche formant masque 404. Puis, en se référant à la figure 4E, une troisième étape d'implantation I43 est accomplie pour transformer la couche d'arrêt d'implantation 408 en une structure non cohésive 408', par exemple, en implantant des gaz d'oxygène dans la couche d'arrêt d'implantation 408 sans effectuer d'étape de recuit à haute température, mais de telle sorte qu'une couche similaire à la couche diélectrique 402 soit formée au cours de l'étape de recuit à température élevée. Cette troisième étape d'implantation I43 détruit le cristal du nitrure de silicium ou réduit la couche en nitrure de silicium en une structure de type oxyde. Par conséquent, elle inhibe la capacité de la couche d'arrêt d'implantation 408 à faire barrière. A la suite de quoi, en se référant à la figure 4F, les parties de la couche diélectrique 402 sont retirées, par exemple, en utilisant un procédé de gravure anisotrope, de manière à exposer le substrat semiconducteur 400 en utilisant la couche formant masque 404 et la couche d'arrêt de gravure 410 comme couches barrières. Par conséquent, la couche diélectrique 402 au-dessous de la couche formant masque 404, et la couche d'arrêt de gravure 410 ne sont pas retirées et, enfin, une tranchée/traversée 412 et une tranchée 413 sont formées. Ensuite, comme montré sur la figure 4G, une couche conductrice, par exemple, une couche en métal, est formée par dessus la structure telle qu'elle est montrée sur la figure 4F. Le matériau utilisé pour la couche conductrice peut être du cuivre, de l'aluminium, un alliage d'aluminium ou un alliage d'aluminium-cuivre. La couche conductrice par dessus la couche formant masque 404 est retirée, par exemple, en utilisant un procédé de polissage mécanique par voie chimique, de manière à former une structure d'interconnexion 414 dans la tranchée/traversée 412 et la tranchée 413. Ceci achève la formation de la structure doublement damasquinée. La caractéristique de la présente invention inclut l'emploi de deux étapes d'implantation pour former les deux couches d'arrêt de gravure au sein de la couche diélectrique. L'invention ne rencontre pas de difficulté à ajuster l'arrêt de gravure, à la différence de l'art antérieur. Une autre caractéristique de la présente invention est celle de réaliser une structure doublement damasquinée et son procédé de fabrication. La présente invention emploie l'espacement comme masque de tranchée, mais deux masques sont utilisés dans l'art antérieur. Le mésalignement du procédé classique ne survient pas dans la présente invention. Bien que l'invention ait été décrite à titre d'exemple et en termes d'un mode de réalisation préféré, il doit être compris que l'invention n'y est pas limitée. Au contraire, elle est destinée à couvrir diverses modifications et agencements et procédures similaires, et l'étendue des revendications en annexe devrait par conséquent accorder l'interprétation la plus large de manière à embrasser toutes ces modifications, agencements et procédures similaires. REVENDICATIONS 1. Structure doublement damasquinée, comprenant: un substrat semiconducteur (300); une couche diélectrique (302) formée par dessus le substrat semi-conducteur (300); une première couche d'arrêt de gravure (306) formée au sein de la couche diélectrique (302), la première couche d'arrêt de gravure (306) comportant une première ouverture; une seconde couche d'arrêt de gravure (310) formée par dessus la couche diélectrique (302), la seconde couche d'arrêt de gravure (310) comportant une seconde ouverture formée à la position correspondant à la première ouverture de la première couche d'arrêt de gravure (306); et une structure d'interconnexion (314') formée au sein de la couche diélectrique (302), la première couche d'arrêt de gravure (306) et la seconde couche d'arrêt de gravure (310). 2. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (302) est d'environ 20000 A. 3. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend du dioxyde de silicium. 4. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend du verre au borophosphosilicate. 5. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend des matériaux faiblement diélectriques. 6. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche d'arrêt de gravure (306) est formée au sein de la couche diélectrique (302) à une profondeur d'environ 10000 A à partir de la surface du substrat semi-conducteur (300). 7. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la première couche d'arrêt de gravure (306) est une couche en nitrure de silicium. 8. Structure doublement damasquinée selon la revendication 7, caractérisée en ce que la couche en nitrure de silicium (306) est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique (302) et en effectuant une étape de recuit. 9. Structure doublement damasquinée selon la revendication 8, caractérisée en ce que les réactants comprennent l'azote/les ions d'azote. 10. Structure doublement damasquinée selon la revendication 8, caractérisée en ce que la température de l'étape de recuit est d'environ 350-450 C. 11. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la seconde couche d'arrêt de gravure (310) est plus haute que la première couche d'arrêt de gravure (306), d'environ 8000 A. 12. Structure doublement damasquinée selon la revendication 11, caractérisée en ce que la seconde couche d'arrêt de gravure (310) est une couche en nitrure de silicium. 13. Structure doublement damasquinée selon la revendication 12, caractérisée en ce que la couche en nitrure de silicium (310) est formée en implantant de l'azote/des ions d'azote au sein de la couche diélectrique (302) et en effectuant une réaction. 14. Structure doublement damasquinée selon la revendication 1, caractérisée en ce que la taille de s la seconde ouverture est supérieure à celle de la première ouverture. 15. Structure doublement damasquinée comprenant: un substrat semiconducteur (300); une couche diélectrique (302) formée par dessus le lo substrat semi-conducteur (300); une première couche de nitrure de silicium (306) formée dans la couche diélectrique (302), la première couche de nitrure de silicium (306) comportant une première ouverture, la première couche de nitrure de is silicium (306) étant formée en implantant les premiers réactants au sein de la couche diélectrique (302) et en effectuant une première étape de recuit; une seconde couche de nitrure de silicium (310) formée par dessus la couche diélectrique (302), la seconde couche de nitrure de silicium (310) comportant une seconde ouverture à la position correspondant à la première ouverture de la première couche de nitrure de silicium (306), le seconde couche de nitrure de silicium (310) étant formée en implantant les seconds réactants au sein de la couche diélectrique (302) et en effectuant une seconde étape de recuit, la taille de la seconde ouverture étant supérieure à celle de la première ouverture. 16. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (302) est d'environ 20000 A. 17. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend du dioxyde de silicium. 18. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend du verre au borophosphosilicate. s 19. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la couche diélectrique (302) comprend des matériaux faiblement diélectriques. 20. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la première couche de nitrure de silicium (306) est formée au sein de la couche diélectrique (302) à une profondeur d'environ 10000 A à partir de la surface du substrat semi-conducteur (300). 21. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que les premiers réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 22. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la température de la première étape de recuit est d'environ 350-450 C. 23. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que les seconds réactants comprenant de l'azote/des ions d'azote. 24. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la température de la seconde étape de recuit est d'environ 350-450 C. 25. Structure doublement damasquinée selon la revendication 15, caractérisée en ce que la seconde couche de nitrure de silicium (310) est plus haute que la première couche d'arrêt de gravure (306), d'environ 8 000 A. 26. Procédé de formation d'une structure doublement damasquinée, comprenant les étapes consistant: à fournir un substrat semi-conducteur (300); à former une couche diélectrique (302) par dessus le substrat semi-conducteur (300) à former une couche formant masque (304) configurée par dessus la couche diélectrique (302); à effectuer une première étape d'implantation (I31 pour former une première couche d'arrêt de gravure (306) au sein de la couche diélectrique (302), la première couche d'arrêt de gravure (306) comportant une ouverture de traversée; à former une couche d'espacement (308) par dessus la couche formant masque (304); à former une couche de photorésist (309) configurée par dessus la couche d'espacement (308); à retirer des parties de la couche de photorésist (309) et de la couche d'espacement (308) de manière à former un espacement (308') sur la paroi latérale de la couche formant masque (304) et à laisser la couche d'espacement (308) au-dessous de la couche de photorésist (309); à effectuer une seconde étape d'implantation (I32 pour former une seconde couche d'arrêt de gravure (310) par dessus la couche diélectrique (302), la seconde couche d'arrêt de gravure (310) comportant une ouverture de tranchée; à retirer la couche d'espacement (308), l'espacement (308') et la couche formant masque (304); à retirer des parties de la couche diélectrique (302) de manière à exposer des parties du substrat semi-conducteur (300), la première couche d'arrêt de gravure (306) et la seconde couche d'arrêt de gravure (310); à former une couche conductrice (314) par dessus le substrat semiconducteur (300), la première couche d'arrêt de gravure (306) et la seconde couche d'arrêt de gravure (310); et à retirer la couche conductrice (314) au-dessus de la seconde couche d'arrêt de gravure (310) de manière à former la structure doublement damasquinée. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (302) est d'environ 20000 A. 28. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la couche diélectrique (302) comprend du dioxyde de silicium. 29. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la couche diélectrique (302) comprend du verre au borophosphosilicate. 30. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la couche diélectrique (302) comprend des matériaux faiblement diélectriques. 31. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la première couche d'arrêt de gravure (306) est formée au sein de la couche diélectrique (302) à une profondeur d'environ 10000 A à partir de la surface du substrat semi-conducteur (300). 32. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la première couche d'arrêt de gravure (306) est une couche en nitrure de silicium. 33. Procédé selon la revendication 32, caractérisé en ce que la couche en nitrure de silicium est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique (302) et en effectuant une étape de recuit. 34. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce que les réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 35. Procédé selon la revendication 33, caractérisé en ce que la température de l'état de recuit est d'environ 350-450 C. 36. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la seconde couche d'arrêt de gravure (310) est plus haute que la première couche d'arrêt de gravure (306), d'environ 8 000 A. 37. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que la seconde couche d'arrêt de gravure (310) est une couche de nitrure de silicium. 38. Procédé selon la revendication 37, caractérisé en ce que la couche de nitrure de silicium (310) est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique 39. Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que les réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 40. Procédé selon la revendication 38, caractérisé en ce que la température de l'étape de recuit est d'environ 350-450 C. 41. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'espacement (308') comprend du polysilicium. 42. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'espacement (308') comprend du nitrure de titane. 43. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'étape de retrait de la couche formant masque (304) et des parties de la couche d'espacement (308) comprend l'emploi d'un procédé de contre- gravure. 44. Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce que l'étape de retrait de la seconde couche d'arrêt de gravure (310) comprend l'emploi d'un procédé de polissage mécanique par voie chimique. 45. Structure doublement damasquinée, comprenant: un substrat semiconducteur (400); une couche diélectrique (402) formée par dessus le substrat semi-conducteur (400); une traversée (412) formée au sein de la couche lo diélectrique (402) et exposant le substrat semi- conducteur (400); une tranchée (413) formée au sein de la couche diélectrique (402); une couche d'arrêt de gravure (410) formée à l'interface de la tranchée (413) et de la couche diélectrique (402); et une structure d'interconnexion (414) formée dans la tranchée (413) et la traversée (412). 46. Structure doublement damasquinée selon la revendication 45, caractérisée en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (402) est d'environ 20000 A. 47. Structure doublement damasquinée selon la revendication 45, caractérisée en ce que la couche diélectrique (402) comprend du dioxyde de silicium. 48. Structure doublement damasquinée selon la revendication 45, caractérisée en ce que la couche diélectrique (402) comprend du verre au borophosphosilicate. 49. Structure doublement damasquinée selon la revendication 45, caractérisée en ce que la couche diélectrique (402) comprend des matériaux faiblement diélectriques. 50. Structure doublement damasquinée selon la revendication 45, caractérisée en ce que la couche d'arrêt de gravure (410) est une couche en nitrure de silicium. 51. Structure doublement damasquinée selon la revendication 50, caractérisée en ce que la couche de nitrure de silicium (410) est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique (402) et en effectuant une étape de recuit. 52. Structure doublement damasquinée selon la revendication 51, caractérisée en ce que les réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 53. Structure doublement damasquinée selon la revendication 51, caractérisée en ce que la température de l'étape de recuit est d'environ 350- 450 C. 54. Procédé de formation d'une structure doublement damasquinée, comprenant les étapes consistant: à fournir un substrat semi-conducteur (400); à former une couche diélectrique (402) par dessus le substrat semi-conducteur (400); à former une couche formant masque (404) comportant une première ouverture par dessus la couche diélectrique (402); à former un espacement (406') sur la paroi latérale de la première ouverture; à effectuer une première étape d'implantation (I41 pour former une couche d'arrêt d'implantation au sein de la couche diélectrique (402) ayant une première profondeur en s'éloignant de la surface supérieure de la couche diélectrique (402); à retirer l'espacement (406'), et à définir une seconde ouverture dans la couche formant masque (404); à effectuer une seconde étape d'implantation (I42 pour former une couche d'arrêt de gravure (410) au sein de la couche diélectrique (402) ayant une seconde profondeur en s'éloignant de la surface supérieure de s la couche diélectrique (402); à effectuer une troisième étape d'implantation (I43 pour réduire la capacité d'anti-implantation de la couche d'arrêt d'implantation (408); à retirer des parties dudit diélectrique pour lo former une tranchée (413) et une traversée (412), la traversée (412) exposant le substrat semi-conducteur (400); à former une couche conductrice dans la tranchée (413) et la traversée (412) et par dessus la couche diélectrique (402); et à retirer la couche conductrice et la couche formant masque (404) de la couche diélectrique (402). 55. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la couche diélectrique (402) comprend du dioxyde de silicium. 56. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la couche diélectrique (402) comprend du verre au borophosphosilicate. 57. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la couche diélectrique (402) comprend des matériaux faiblement diélectriques. 58. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que l'étape de formation de l'espacement (406') comprend les sous-étapes suivantes, qui consistent: à former une couche d'espacement (406) par dessus le substrat semi-conducteur (400); et à retirer des parties de la couche d'espacement (406) pour former l'espacement (406') sur la paroi latérale de l'ouverture. 59. Procédé selon la revendication 58, caractérisé en ce que la couche d'espacement (406) comprend du polysilicium. 60. Procédé selon la revendication 58, caractérisé s en ce que la couche d'espacement (406) comprend du nitrure de titane. 61. Procédé selon la revendication 58, caractérisé en ce que l'étape de retrait des parties de la couche d'espacement (406) comprend l'emploi d'un procédé de contre-gravure. 62. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la couche d'arrêt d'implantation (408) comprend du nitrure de silicium. 63. Procédé selon la revendication 62, caractérisé en ce que la couche en nitrure de silicium (408) est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique (402) et en effectuant une étape de recuit. 64. Procédé selon la revendication 63, caractérisé en ce que les réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 65. Procédé selon la revendication 64, caractérisé en ce que la température de l'étape de recuit est d'environ 350-450 C. 66. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la seconde couche d'arrêt de gravure (410) est une couche en nitrure de silicium. 67. Procédé selon la revendication 66, caractérisé en ce que la couche en nitrure de silicium (410) est formée en implantant des réactants au sein de la couche diélectrique (402) et en effectuant une étape de recuit. 68. Procédé selon la revendication 67, caractérisé en ce que les réactants comprennent de l'azote/des ions d'azote. 69. Procédé selon la revendication 67, caractérisé en ce que la température de l'étape de recuit est d'environ 350-450 C. 70. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la première profondeur est plus basse que la seconde profondeur. O10 71. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche diélectrique (402) est d'environ 20000 A. 72. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la première profondeur est d'environ 1000- is 2000 A. 73. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la seconde profondeur est d'environ 10000 A. 74. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la troisième étape d'implantation comprend l'implantation de gaz d'oxygène dans la position correspondant à la couche d'arrêt d'implantation (408) de manière à transformer la couche d'arrêt d'implantation (408) en une structure non cohésive. 75. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que la troisième étape d'implantation comprend l'implantation de gaz d'oxygène dans la position correspondant à la couche d'arrêt d'implantation (408) et la réalisation d'une étape de recuit de manière à transformer la couche d'arrêt d'implantation (408) en une structure du type oxyde. 76. Procédé selon la revendication 54, caractérisé en ce que des parties de l'étape de retrait de la couche conductrice et de la couche formant masque (404) comprennent l'emploi d'un polissage mécanique par voie chimique.