Brevet FR2779829A1 — publié le 19991217

APPAREIL ET PROCEDE POUR INSPECTER DES DEFAUTS DE CONTACT SUR DES DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEUR Demandes connexes La présente demande est basée sur la demande préliminaire de brevet américain n 60/090 137, déposée le 22 juin 1998. Domaine de l'invention La présente invention concerne le domaine de l'inspection des dispositifs à semi-conducteur. Plus particulièrement, l'invention concerne la détection de défauts de contact, tels que des trous de contact non ouverts en utilisant un microscope électronique à balayage. Contexte de l'invention Les circuits intégrés sont fabriqués en formant d'abord des dispositifs (composants) à semi- conducteurs discrets à l'intérieur de plaquettes en silicium. Un motif d'interconnexion métallique à plusieurs niveaux est ensuite formé sur les dispositifs mettant en contact leurs éléments actifs et les connectant ensemble pour créer les circuits souhaités. Les couches d'interconnexion sont formées en déposant une couche isolante sur des dispositifs discrets, en formant un motif et en gravant des trous de contact dans cette couche, et ensuite en déposant un matériau conducteur dans les trous. Une couche conductrice est ensuite typiquement appliquée sur la couche isolante. La couche conductrice est ensuite mise en forme et gravée pour former des interconnexions entre les contacts de dispositif pour créer un premier niveau de circuits. Le dépôt d'une couche isolante, la formation de trous de contact ou de trous traversants, la formation de couches de matériau conducteur, et la formation des motifs, etc. sont effectués de façon répétée pour créer des circuits à plusieurs niveaux. En fonction de la complexité du circuit intégré global, de nombreux niveaux, par exemple deux à quatre niveaux de métal, sont typiquement requis pour former les interconnexions nécessaires et pour connecter les interconnexions aux plages de contact qui permettent les connexions externes au circuit terminé. Une haute densité de circuits intégrés conçus avec des dimensions inférieures au micron nécessite un contrôle dimensionnel extrêmement précis et des procédés d'inspection très sensibles pour inspecter le motif d'interconnexions et/ou les trous de contact pour assurer l'intégrité dimensionnelle et structurelle des motifs de conception. Ces conditions deviennent de plus en plus strictes au fur et à mesure que les circuits deviennent plus denses et miniaturisés, comme pour la production en série des mémoires à semi- conducteur, telles qu'une DRAM de 64 Mo ou une DRAM de 256 Mo, qui peuvent actuellement nécessiter typiquement des dimensions de circuits allant de 0,25 à 0,30 pm. L'inspection des trous de contact pour des conditions telles que des conditions de non-ouverture, est en train de devenir de plus en plus importante parce que le rapport de côtés (A/R) d'un trou de contact, c'est-à-dire le rapport entre sa profondeur et son diamètre, a augmenté en même temps que la demande croissante pour une haute densité en dispositifs (composants) à semi-conducteur. Cependant, la microscopie optique normale qui utilise une lumière visible d'une longueur d'onde de 488 nm a une limitation technique pour l'inspection des caractéristiques intérieures des trous de contact parce qu'elle ne permet pas un degré suffisamment élevé de résolution pour inspecter les caractéristiques intérieures des trous de contact, qui peuvent être d'une taille de l'ordre de 200 nm ou moins. La microscopie optique n'est pas non plus capable de fournir une taille de faisceau spot de 1 pm ou moins. Résumé de l'invention Un objet de la présente invention est de prévoir un procédé et appareil pour inspecter des défauts de contact sur des dispositifs à semi-conducteur qui prévoient une inspection de défaut de contact pour des images de contact au moyen de valeurs numérisées, non pas à l'oeil nu ni au microscope, qui supprime sensiblement un ou plusieurs problèmes dus aux limitations et aux inconvénients de l'art connexe. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur et un système d'inspection de défaut de contact pour détecter la présence de défauts de contact pour des contacts avec un rapport de cotes élevé, c'est-à-dire le rapport entre la profondeur d'un trou de contact et son diamètre. Encore un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur et un système d'inspection de défaut de contact pour détecter des défauts de contact sur une surface de plaquette dans un délai court de façon à l'appliquer aux réglages de la production en série. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteur utilisant un procédé d'inspection de défaut de contact et un système d'inspection de défaut de contact. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé et système d'inspection de défaut de contact pour détecter rapidement l'emplacement des défauts de contact pour améliorer le rendement de production des dispositifs à semi-conducteur. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé d'inspection et un système d'inspection pour détecter la présence de défauts de motif sur des dispositifs à semi-conducteur ainsi que des défauts de motif de photorésist (résine photosensible) après un traitement de développement pendant un processus de photogravure. Pour réaliser ces objets ainsi que d'autres, la présente invention concerne un procédé et appareil pour inspecter au moins une partie d'une plaquette de semi-conducteur. Dans l'invention, des données d'image d'un microscope électronique à balayage (SEM) sont lues pour la partie de la plaquette de semi-conducteur. A l'intérieur des données d'image SEM, des données d'image pour une caractéristique sur la plaquette sont identifiées. Un paramètre concernant la caractéristique est calculé et comparé à une plage de valeurs acceptables pour le paramètre. Sur la base de la comparaison entre le paramètre et la plage de valeurs acceptables, la caractéristique peut être classifiée. Dans un mode de réalisation, le paramètre calculé est la dimension ou taille de la caractéristique. Par exemple, quand la caractéristique est un trou de contact dans un circuit intégré, le paramètre peut être le diamètre du trou mesuré en pixels de données d'image. Par exemple, il peut être déterminé qu'un trou de contact particulier a une largeur de vingt pixels. Dans un autre mode de réalisation, le paramètre peut être une intensité de pixel moyenne pour des pixels qui se trouvent à l'intérieur de la caractéristique. Encore une fois, par exemple, quand la caractéristique est un trou de contact, le paramètre peut être la moyenne des intensités de pixel pour les pixels qui sont associés au trou de contact. Quand le paramètre mesuré se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre, la caractéristique peut être classifiée comme acceptable. Quand le paramètre se trouve en dehors de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre, la caractéristique peut être classifiée comme un défaut. Par exemple, quand la caractéristique est un trou de contact, on peut conclure que le trou est un défaut, par exemple parce qu'il n'est pas ouvert. Dans un mode de réalisation de l'invention, deux paramètres sont calculés pour la caractéristique. Les deux paramètres peuvent être, par exemple, une dimension d'une caractéristique, telle qu'un trou de contact, mesurée en pixels associés à la caractéristique. Le deuxième paramètre peut être la moyenne des intensités de pixel pour les pixels associés à la caractéristique. Les deux paramètres sont comparés aux plages prédéterminées de valeurs acceptables pour les paramètres. Dans un mode de réalisation o les deux paramètres se trouvent simultanément à l'intérieur de leurs plages acceptables respectives, la caractéristique, par exemple le trou de contact, peut être classifiée comme étant acceptable. Par exemple, un trou de contact dans ces circonstances peut être classifié comme ouvert et de taille et forme correctes. La relation entre les paramètres et leurs plages respectives peut être utilisée pour classifier la caractéristique comme appartenant à l'un de plusieurs types ou catégories. Par exemple, chacun des paramètres peut être utilisé pour classifier une caractéristique basée sur le fait de savoir si le paramètre se trouve au-dessous, à l'intérieur ou au- dessus de sa plage de valeurs acceptables. Dans un mode de réalisation, les données d'image SEM sont générées à la fois à partir d'électrons secondaires et d'électrons rétrodiffusés d'énergie supérieure dans le microscope électronique à balayage. Les valeurs de données sont numérisées et peuvent se présenter sous la forme de niveaux de pixels numérisés en échelle de gris ou de valeurs de pixels codés par couleurs. Dans un mode de réalisation de l'invention, une structure de grille ou de maille est utilisée pour caractériser les caractéristiques inspectées, comme en déterminant l'emplacement et/ou la taille des caractéristiques inspectées. La structure de grille ou de maille inclut typiquement une paire d'axes mutuellement orthogonaux superposée à l'image de la partie de la plaquette en cours d'analyse. A titre d'alternative, les axes de maille peuvent former toute autre relation géométrique appropriée, par exemple triangulaire, trapézoïdale, etc. Dans un mode de réalisation, la procédure d'emplacement de maille détermine l'emplacement, la forme et/ou les motifs périodiques des caractéristiques en analysant des valeurs de pixel suivant une ligne parallèle à l'un des axes orthogonaux qui est successivement positionnée à des emplacements de pixel suivant l'autre axe orthogonal. Par exemple, l'approche par maille peut inclure le positionnement d'une ligne verticale en plusieurs positions de pixel horizontales et l'addition des valeurs d'intensité des pixels verticaux à chaque position horizontale. Les intensités totalisées peuvent être comparées à chaque position horizontale pour identifier une augmentation en intensité qui peut être utilisée pour indiquer la présence d'une caractéristique, telle qu'un trou de contact. Ce processus peut être répété pour une pluralité de positions de pixel suivant une seule dimension. Il peut ensuite être répété dans la dimension orthogonale, de sorte que le motif, la forme et la taille de toutes les caractéristiques peuvent être déterminés. Cette approche peut aussi être utilisée pour déterminer la taille optimale d'une sous-grille ou unité de maille contenant des caractéristiques à analyser. Par exemple, la procédure par maille peut être utilisée pour sélectionner la taille optimale d'une unité de maille en pixels contenant cent trous de contact à analyser en même temps. Cette approche rend plus efficace le traitement de l'invention pour inspecter des caractéristiques en ce que tout traitement superflu peut être éliminé en optimisant la surface de chaque région à inspecter. Dans un mode de réalisation, les données de pixel d'image SEM sont utilisées pour calculer un profil d'intensité pour chaque caractéristique, c'est-à-dire trou de contact, inspectée. Dans un mode de réalisation, le profil d'intensité est d'abord généré en additionnant les valeurs d'intensité de pixel pour une caractéristique suivant un axe orthogonal à chacune d'une pluralité de positions de pixel disposées suivant l'axe rectangulaire orthogonal. Par exemple, à chaque position de pixel horizontale, les valeurs d'intensité de pixel dans la direction verticale sont additionnées, leur moyenne est calculée et elles sont tracées par rapport à la position de pixel de l'axe horizontal. Le profil d'intensité de pixel peut alors être utilisé pour classifier la caractéristique conformément à l'invention. Dans un mode de réalisation, pour normaliser les profiles d'intensité pour toutes les caractéristiques, la valeur d'intensité de fond est soustraite de toutes les valeurs d'intensité dans chaque unité de maille. Ceci a pour effet de réduire la valeur de fond de chaque profil d'intensité à zéro. Ensuite, un seuil peut être fixé dans le profil normalisé de sorte qu'il est conclu que des intensités de pixel au-dessus du seuil sont associées à la caractéristique inspectée. Ensuite, les premier et deuxième paramètres identifiés ci-dessus peuvent être calculés à partir du profil. Par exemple, la dimension de la caractéristique peut être calculée en comptant le numéro de position de pixel suivant une première dimension, ayant des valeurs d'intensité totalisées dans la dimension orthogonale qui dépassent le seuil. Puisqu'il est supposé que les sommes d'intensité de pixel qui dépassent le seuil sont associées à la caractéristique, alors le nombre de positions de pixel avec des sommes dépassant le seuil donne une mesure d'une dimension de la caractéristique, mesurée en pixels. Le deuxième paramètre peut être calculé en calculant une moyenne des valeurs d'intensité qui dépassent le seuil. Ces deux paramètres peuvent être comparés à leurs plages prédéterminées respectives de valeurs acceptables de façon à classifier la caractéristique particulière comme appartenant à l'une des classifications prédéterminées de type de caractéristique. Le procédé et système d'inspection de l'invention prévoient de nombreux avantages par rapport aux approches antérieures. Par exemple, certaines approches antérieures utilisent des procédés optiques, tels que des microscopes optiques ou un examen à l'oeil nu pour détecter des défauts de contact. Ces systèmes sont incapables de distinguer de petites irrégularités au niveau des caractéristiques qui aboutissent à des circuits défectueux. Le microscope électronique à balayage utilisé en relation avec la présente invention prévoit une résolution nettement supérieure de sorte que des irrégularités plus petites peuvent être détectées. L'invention est donc applicable pour présenter des caractéristiques de circuit dont les tailles sont dans la plage inférieure au micron. De plus, en raison de l'approche par maille de l'invention, le traitement des données de pixel de l'invention est extrêmement efficace. Le traitement et l'identification des défauts peuvent être effectués très efficacement et rapidement de sorte que le procédé et système d'inspection de l'invention peuvent très bien être appliqués aux réglages pour la production en série des plaquettes et circuits. Selon un autre aspect, la présente invention concerne un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur qui comprend les étapes consistant à positionner une cassette de traitement équipée de plaquettes avec une pluralité de trous de contact formés à sa surface; sélectionner une plaquette spécifique dans la cassette et la charger sur un porte-objet à l'intérieur d'une chambre de référence du SEM; aligner la plaquette chargée pour le balayage par faisceau d'électrons; déplacer le porte-objet équipé de la plaquette jusqu'à une position spécifique liée à une direction d'incidence du faisceau d'électrons du SEM; ouvrir un obturateur pour le faisceau d'électrons de balayage sur une position spécifique de la plaquette; adresser automatiquement pour détecter la position d'inspection en reconnaissant une image de référence pré- dessinée formée sur la plaquette; balayer la position d'inspection par le faisceau d'électrons du SEM; effectuer une mise au point automatique pour obtenir une image plus nette en répétant le balayage par faisceau d'électrons; fermer l'obturateur pour isoler du faisceau d'électrons la plaquette mise au point automatiquement; inspecter un défaut de contact en comparant la valeur de signal électronique détectée à partir d'une surface unitaire contenant au moins un trou de contact après le balayage par faisceau d'électrons, avec une valeur de signal électronique définissant un contact normal; inspecter encore un défaut de contact dans une autre position de la plaquette en déplaçant le porte-objet vers une autre position et en répétant les mêmes étapes; et inspecter encore un défaut de contact pour toutes les plaquettes à l'intérieur de la cassette en déchargeant la plaquette terminée et en chargeant d'autres plaquettes dans la chambre de référence et en répétant les mêmes étapes. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé pour fabriquer des dispositifs à semiconducteur comprend les étapes consistant à former des trous de contact pour des couches spécifiques de matériau isolant formées sur un substrat à semi- conducteur; inspecter le contact de chaque trou de contact en comparant la valeur de signal électronique détectée à partir de la surface incluant au moins un trou de contact à une valeur de signal électronique correspondant à un contact normal; et effectuer le traitement ultérieur pour le processus de fabrication des dispositifs à semi-conducteur après avoir chargé des couches de matériau conducteur à l'intérieur des trous de contact après l'inspection. L'étape d'inspection de défaut de contact peut être effectuée pour un emplacement d'échantillonnage spécifique sur le substrat de semi-conducteur, par exemple pour appliquer l'étape d'inspection de défaut de contact à la chaîne de production en série. Après avoir terminé le traitement de développement pour la formation du motif de photorésist (résine photosensible), l'étape d'inspection de défaut peut en outre être effectuée pour le fond du motif de photorésist pour la formation des trous de contact. Selon encore un autre aspect, la présente invention inclut un procédé de fabrication de dispositifs à semi- conducteur qui comprend les étapes consistant à former un motif de trous de contact de photorésist de façon à former des trous de contact pour des couches de matériau isolant formées sur un substrat de semi- conducteur; et inspecter le contact de chaque trou de contact en comparant la valeur de signal électronique détectée à partir d'une surface unitaire incluant au moins un motif de trou de contact à une valeur de signal électronique correspondant à un motif de contact normal. Brève description des dessins Ce qui précède, ainsi que d'autres objets, caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront de la description plus spécifique des modes de réalisation préférés de l'invention, comme représentés sur les dessins ci-joints sur lesquels les mêmes numéros de référence se réfèrent aux mêmes pièces pour l'ensemble des différentes vues. Les dessins ne sont pas forcément à l'échelle, au lieu de cela l'accent est mis sur la représentation des principes de l'invention. La figure 1 est un schéma fonctionnel qui représente le fonctionnement d'un microscope électronique à balayage (SEM); la figure 2 est une représentation graphique schématique montrant le spectre énergétique des électrons émis, incluant des électrons secondaires et des électrons rétrodiffusés, dans un SEM quand un témoin est irradié par un faisceau d'électrons; la figure 3 est un schéma fonctionnel qui représente une configuration d'un SEM en ligne; la figure 4 est un schéma fonctionnel montrant un mode de réalisation d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur conformément à la présente invention; la figure 5 est un schéma fonctionnel montrant un mode de réalisation alternatif d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur conformément à la présente invention; la figure 6 est un schéma fonctionnel montrant un autre mode de réalisation alternatif d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur conformément à la présente invention; la figure 7 est un schéma fonctionnel montrant un autre mode de réalisation alternatif d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur conformément à la présente invention; la figure 8 est un schéma fonctionnel montrant un mode de réalisation d'un procédé et système d'inspection de défaut de contact conformément à la présente invention; la figure 9 est un schéma fonctionnel montrant un autre mode de réalisation d'un procédé et système d'inspection de défaut de contact conformément à la présente invention; la figure 10 est un schéma fonctionnel montrant un autre mode de réalisation d'un procédé et système d'inspection de défaut de contact conformément à la présente invention; la figure 11 contient un organigramme schématique qui représente le flux logique d'un mode de réalisation d'un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi- conducteur conformément à la présente invention; la figure 12 contient un organigramme schématique qui représente le flux logique d'un mode de réalisation alternatif d'un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur conformément à la présente invention; la figure 13 contient un organigramme schématique qui représente le flux logique d'un autre mode de réalisation alternatif d'un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi- conducteur conformément à la présente invention; la figure 14 contient un organigramme schématique qui représente le flux logique d'un autre mode de réalisation alternatif d'un procédé d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi- conducteur conformément à la présente invention; la figure 15 est un schéma représentant un motif d'emplacements d'échantillonnage de puce sur une plaquette pour l'inspection de défaut de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 16 est un schéma représentant un détail des régions d'échantillonnage à l'intérieur d'un des emplacements d'échantillonnage de puce de la figure 15; la figure 17 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif à semi-conducteur avec des trous de contact formés sur celui-ci qui peut être utilisé avec l'inspection de défaut de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 18 représente des données d'image SEM pour des trous de contact après la définition de maille par un procédé de reconnaissance d'emplacement de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 19 représente schématiquement une maille définie pour effectuer le procédé de reconnaissance de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 20 représente schématiquement une maille définie pour effectuer le procédé de reconnaissance de contact selon un mode de réalisation alternatif de la présente invention; la figure 21 est une représentation schématique d'une relation entre une unité de contact et des unités de pixel horizontales et verticales selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 22 contient un profil d'intensité d'une unité de contact avant la suppression de la valeur de fond selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 23 contient un profil d'intensité de l'unité de contact de la figure 22 après la suppression de la valeur de fond; la figure 24 contient un profil d'intensité d'une image SEM d'unités de contact après la suppression de la valeur de fond; la figure 25 contient un tableau de codes identifiant les résultats de l'inspection de défaut de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 26 contient un tableau montrant une partie des résultats de l'inspection de défaut de contact selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 27 contient un organigramme représentant le flux logique d'une séquence de traitement du dispositif à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 28 est un schéma fonctionnel représentant un flux logique d'un mode de réalisation d'un procédé d'inspection de contact conformément à la présente invention; la figure 29 est un organigramme schématique représentant un flux logique du relevé des données d'image du microscope électronique à balayage conformément au procédé de la figure 28; les figures 30A-30D contiennent un organigramme schématique représentant le flux logique de la reconnaissance des positions de trou de contact conformément au procédé de la figure 28; les figures 31A-31D contiennent un organigramme schématique représentant le flux logique du calcul des profils de trous de contact conformément au procédé de la figure 28; les figures 32A-32B contiennent un organigramme schématique représentant le flux logique de l'inspection de trous de contact conformément au procédé de la figure 28. Description détaillée des modes de réalisation préférés La figure 1 contient un schéma fonctionnel d'un système de microscope électronique à balayage 100 qui peut être utilisé conformément à la présente invention pour inspecter des trous de contact sur des dispositifs à semi-conducteur. En se référant à la figure 1, un canon d'électrons 102 projette un faisceau d'électrons à travers une lentille de champ 104. Le faisceau traverse une bobine de déflexion 122, un iris 106 d'une lentille de l'objectif 108 et un obturateur 124. Le faisceau d'électrons mis au point est projeté sur, et amené à balayer une surface témoin ou échantillon 110, qui peut être la surface d'une plaquette de semi- conducteur en cours d'inspection. Des électrons secondaires et des électrons rétrodiffusés émis par le témoin sont détectés dans un détecteur de signal 112 qui génère des signaux indiquant les électrons reçus. Le signal électronique détecté est amplifié dans un amplificateur de signal 114. Le signal amplifié peut être balayé sur la surface fluorescente à l'intérieur d'un tube à rayon cathodique (CRT) 118 de sorte qu'il se forme une image visible de la surface témoin. Le balayage du CRT 118 est commandé par une bobine de déflexion 116 qui est corrélée avec le balayage de la surface témoin commandée par la bobine de déflexion 122. Dans le SEM, la surface de balayage du témoin est divisée en fins pixels et les signaux électroniques détectés par chaque élément de pixel sont transférés par ordre chronologique de façon à former l'image SEM. A cet effet, le signal électronique traversant l'amplificateur de signal 114 est transféré à un circuit de balayage 120 de sorte que l'angle de déflexion du faisceau d'électrons est commandé dans la deuxième bobine de déflexion 122. De plus, les données du signal électronique amplifié pour chaque pixel peuvent être transférées vers une unité de traitement 115 qui peut effectuer diverses fonctions de conditionnement et de traitement du signal. L'unité de traitement 115 peut convertir le signal électronique pour chaque pixel en une valeur discrète d'échelle de gris ou codée par couleurs, pour créer une image. La valeur d'échelle de gris peut adopter l'un de 256 niveaux possibles codés de façon numérique par une valeur binaire entre 0 et 255. Une mémoire peut être utilisée pour mémoriser les valeurs d'échelle de gris pour chaque pixel. Un ordinateur, faisant également partie de l'unité de traitement, peut traiter les valeurs d'image comme souhaité. Dans une configuration, l'ordinateur peut être programmé pour analyser les données d'échelle de gris pour effectuerl'inspection de contact de l'invention comme décrite en détail ici. La figure 3 contient un schéma fonctionnel montrant les caractéristiques d'un système SEM en ligne dans lequel l'inspection de contact peut être effectuée en ligne. Dans les processus antérieurs, les données d'image SEM sont acquises et analysées hors ligne, c'est-à-dire séparément du processus de fabrication. Etant donné que l'approche en ligne de l'invention a largement amélioré l'efficacité, les données d'image SEM peuvent être acquises et analysées pendant le processus de fabrication. Ainsi, les étapes d'inspection supplémentaires utilisées dans les approches antérieures sont éliminées. Le système SEM en ligne inclut une section optique électronique, une section de référence, une section sous vide, et une section électrique. La section optique électronique inclut un générateur de faisceau d'électrons 14, un déflecteur de faisceau d'électrons 15, et un détecteur de signal 16. La section de référence inclut une partie de transfert de témoin 12 pour transférer le témoin, c'est-à-dire la plaquette, depuis une cassette vers une chambre de référence et une partie d'alignement de témoin 13. La section sous vide inclut une partie de création de vide 11 pour maintenir un vide à l'intérieur de la chambre de référence. La section électrique inclut un ordinateur principal 10 avec un contrôleur principal 21 pour commander la section optique électronique, la chambre de référence, la section sous vide et d'autres composants système. La section électrique inclut aussi une unité de mémorisation ou mémoire principale 22 qui peut mémoriser les valeurs de données de signal détectées provenant du détecteur de signal 16, et un affichage principal 19 pour afficher des images générées à partir du signal électronique détecté. Un contrôleur de mise au point automatique 18 effectue la mise au point automatique pour fournir des images nettes. Dans un microscope électronique à balayage typique, le faisceau d'électrons irradie la surface témoin, et des électrons secondaires sont générés et sont émis à partir de la surface témoin. Les électrons du faisceau peuvent aussi être diffusés à partir de la surface. La figure 2 montre un spectre énergétique des électrons émis et diffusés par le témoin quand le témoin est irradié. Comme le montre la figure 2, le plus grand nombre d'électrons secondaires (SE) se trouve dans la bande d'énergie électronique inférieure à 50 eV, et la plupart des électrons rétrodiffusés (BSE) se trouve dans une bande d'énergie nettement supérieure. Le SEM en ligne largement disponible utilise les électrons secondaires (SE) générés dans la bande de basse énergie d'environ 20 eV de sorte que les images des surfaces et des bords sont nettes. Cependant, dans le cas de l'inspection de caractéristiques, telles que des trous de contact avec des rapports de cotes élevées, c'est-à-dire le rapport entre la profondeur du trou et son diamètre, les électrons secondaires générés à l'intérieur des trous de contact peuvent se dissiper pendant qu'ils traversent les trous de contact, de sorte que les images des trous de contact ne sont pas nettes. Puisque ces caractéristiques sont typiquement examinées optiquement à l'oeil nu, des images nettes sont essentielles pour la détection des défauts de contact. Les figures 4-7 contiennent des schémas fonctionnels de divers modes de réalisation de systèmes d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur selon la présente invention. Le système de la figure 4 contient certains des mêmes composants que le SEM en ligne montré sur la figure 3. Cependant, il inclut aussi un module d'inspection de défaut de contact 60 à l'intérieur d'un ordinateur principal 20. Comme décrit ci- dessus, la structure du SEM en ligne inclut une section optique électronique incluant un générateur de faisceau d'électrons 14, un déflecteur de faisceau d'électrons 15 et une partie de détecteur de signal 16. Le détecteur de signal utilise de préférence un détecteur capable de détecter à la fois les électrons secondaires (SE) et les électrons rétrodiffusés (BSE) émis après irradiation du témoin par le faisceau d'électrons. Le système inclut aussi une chambre de référence incluant une partie d'alignement de témoin 13 pour tourner ou incliner le porte-objet sur lequel la plaquette de référence à inspecter est positionnée, tout en le déplacant suivant les axes X, Y et Z. Une partie de création de vide 11 maintient l'état sous vide de la chambre de référence à un niveau souhaité. Une partie de transfert de témoin 12 transfère le témoin à la chambre de référence. La section électrique inclut un ordinateur principal 20 avec une partie de contrôleur principal 21 pour commander la section optique électronique, la chambre de référence, la partie de création de vide 11 et d'autres sous-systèmes. Une unité de mémorisation ou mémoire principale 22 mémorise le signal détecté provenant du détecteur de signal 16. Un affichage principal 19 affiche une image dérivée à partir du signal électronique détecté. Un contrôleur de mise au point automatique 18 effectue automatiquement l'opération de mise au point pour un affichage net de l'image. Ce mode de réalisation inclut aussi le module d'inspection de défaut de contact 60 pour analyser les informations contenues dans le signal électronique transféré depuis le détecteur de signal 16, et mémorisées dans l'ordinateur principal 20 pour inspecter des contacts conformément à l'invention. La figure 5 représente un autre mode de réalisation d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi- conducteur selon la présente invention. Le système de la figure 5 contient aussi certains des mêmes composants que le SEM en ligne de la figure 3. Certaines différences consistent à ce qu'il inclut aussi un module d'inspection de défaut de contact 60 et un module de mesure de dimension critique (CD) de contact 70 qui peut être à l'intérieur d'un ordinateur principal 20. Une dimension critique est une dimension d'une caractéristique spécifique en cours d'inspection. Par exemple, dans le cas de trous ronds, la dimension critique pourrait être le diamètre du trou. Dans un mode de réalisation, le module de mesure de dimension critique de contact (CD) 70 mesure en comparant le diamètre de contact des images de contact générées par le SEM à des valeurs standard pré- mémorisées. La figure 6 représente encore un autre mode de réalisation d'un système d'inspection en ligne de défaut de contact pour des dispositifs à semi- conducteur selon la présente invention. Le système de la figure 6 contient aussi certains des mêmes composants que le SEM en ligne de la figure 3. Certaines différences consistent en ce qu'il inclut aussi un ordinateur secondaire 80 interfacé avec un ordinateur principal 10 et un module d'inspection de défaut de contact 60 à l'intérieur de l'ordinateur secondaire 80. L'ordinateur secondaire 80 peut utiliser un ordinateur individuel standard disponible dans le commerce et peut inclure un affichage secondaire et une unité de mémorisation ou mémoire secondaire. La présence de défauts de contact peut être détectée par le module d'inspection de défaut de contact 60 dans l'ordinateur secondaire 80 en analysant les données provenant du signal électronique de contact qui peuvent être mémorisées dans l'unité de mémorisation principale 22. La figure 7 représente un autre mode de réalisation d'un système d'inspection de défaut de contact pour des dispositifs à semi-conducteur selon la présente invention. Le système de la figure 7 contient aussi certains des mêmes composants que le SEM en ligne de la figure 6 avec un ordinateur secondaire 80 interfacé avec un ordinateur principal 40. Il dispose également d'un module d'inspection de défaut de contact 60 dans l'ordinateur secondaire 80 et d'un module de mesure de CD de contact 70 dans l'ordinateur principal 40. Les figures 8-10 contiennent des schémas fonctionnels montrant divers modes de réalisation de modules d'inspection de défaut de contact 60 selon la présente invention. En se référant à la figure 8, un module d'inspection de défaut de contact 60 peut inclure un module de lecture de signal SEM 60a qui reçoit le signal SEM indiquant les électrons reçus depuis une plaquette pendant qu'elle est irradiée par le faisceau d'électrons. Un module de reconnaissance des emplacements de contact 60d analyse le signal SEM pour déterminer les emplacements des trous de contact et/ou d'autres caractéristiques à inspecter. Un module de calcul de profil de contact et de suppression de fond 60e génère des profils d'intensité pour les trous de contact en utilisant les données de signal SEM. Le profil d'intensité est typiquement normalisé en supprimant des données provoquées par des effets d'intensité de fond de sorte que la forme du profil d'intensité peut être examinée indépendamment des effets de fond. Un module d'inspection de défaut de contact 60f analyse les profils d'intensité pour les trous de contact pour identifier des défauts de contact. Dans un mode de réalisation, comme décrit ci-dessous en détail, la valeur d'intensité moyenne pour le contact est comparée à un seuil prédéterminé pour identifier un défaut. Un module d'affichage de résultat 60g peut afficher les résultats de l'analyse de défaut. Dans un mode de réalisation, le module de lecture de signal SEM 60a lit les informations numérisées de signal électronique pour des contacts qui sont mémorisées dans l'unité de mémorisation ou mémoire principale 22 de l'ordinateur principal 20. Le SEM en ligne numérise l'intensité des signaux électroniques détectés par le balayage du faisceau d'électrons et mémorise les intensités comme des niveaux d'échelle de gris ou codés par couleurs. Dans un système, la valeur d'échelle de gris affectée à chaque pixel est l'une de 256 valeurs possibles, allant de 0 à 255. La plus haute intensité est définie comme 255 et la plus basse intensité est définie comme 0. Les valeurs d'intensité numérisées sont codées par couleurs, c'est-à-dire en échelle de gris, par chaque élément de pixel. Les images de contact sont produites en lisant la valeur d'échelle de gris pour chaque pixel par ordre chronologique et en affichant les images de pixel sur un tube à rayon cathodique, un moniteur et/ou une imprimante. L'échelle de gris peut être convertie en couleurs pour un affichage couleur. En se référant à la figure 9, le mode de réalisation du module d'inspection de défaut de contact représenté sur celle-ci inclut une modification par rapport au mode de réalisation de la figure 8. Sur la figure 9, le module de calcul de profil de contact 60e (1) et le module de suppression de valeur de fond 60e (2) sont prévus comme des modules séparés par opposition au module combiné 60e montré sur la figure 8. La figure 10 est un schéma fonctionnel montrant un autre mode de réalisation du module d'inspection de défaut de contact 60 selon la présente invention. En se référant à la figure 10, le module d'inspection de défaut de contact 60 inclut un module de réseau de transmission de fichiers graphiques 60b, un module pour convertir des fichiers graphiques en signaux SEM 60c, un module de reconnaissance des emplacements de contact d, un module combiné de calcul de profil de contact et de suppression de valeur de fond 60e, un module d'inspection de défaut de contact 60f et un module d'affichage de résultat 60g. En se référant à la figure 6, le module de réseau de transmission de fichiers graphiques 60b est un moyen de transmission de signaux entre l'ordinateur principal , 40 et l'ordinateur secondaire 80. Le module 60b convertit les informations du signal électronique numérisé pour un contact mémorisé dans l'unité de mémorisation principale 22 de l'ordinateur principal , 40 en un fichier graphique, et les transfère ensuite à l'ordinateur secondaire 80. Le module pour convertir un fichier graphique en signaux SEM 60c lit le code couleur, c'est-à-dire l'échelle de gris, du fichier graphique transféré à l'ordinateur secondaire 80 et le convertit en signal SEM numérisé. Le module de reconnaissance des emplacements de contact 60d, le module de calcul de profil de contact et de suppression de valeur de fond e, le module d'inspection de défaut de contact 60f et le module d'affichage de résultat 60g sont décrits comme ci-dessus en se référant aux figures 8 et 9. Les figures 11-14 contiennent des organigrammes de divers modes de réalisation du traitement d'inspection en ligne des défauts de contact sur des dispositifs à semi-conducteur par des systèmes d'inspection de défaut de contact selon la présente invention. En se référant à la figure 11, la partie d'inspection de défaut de contact 60 de la figure 4 effectue l'inspection de défaut de contact sur la plaquette avec une pluralité de trous de contact sur celle-ci en utilisant le SEM en ligne installé sur l'ordinateur principal 40. D'abord, à l'emplacement déterminé du SEM en ligne, on positionne (S10) une cassette sur laquelle des plaquettes avec une pluralité de trous de contact est installée. Ensuite, après avoir extrait de la cassette une plaquette à inspecter, celle-ci est chargée sur le porte-objet à l'intérieur de la chambre de référence du SEM (S12). Ensuite, le côté plat de la plaquette est aligné. Puis, la plaquette chargée est alignée pendant le balayage du faisceau d'électrons (S14), et le porte- objet sur lequel la plaquette est installée est déplacé pour être placé à un certain emplacement pour la direction incidente du faisceau d'électrons du SEM (S16). L'obturateur placé sous la lentille de l'objectif est ouvert de façon à irradier le faisceau d'électrons sur un certain emplacement de la plaquette, et un adressage automatique est effectué (S20). L'adressage automatique reconnaît un certain emplacement en appliquant une image standard pré-dessinée à l'emplacement en question de sorte que l'inspection peut être effectuée par rapport à l'image standard. Ensuite, l'emplacement à inspecter est irradié par le faisceau d'électrons provenant du SEM (S22), et le balayage par faisceau d'électrons est effectué de façon répétée par la partie commandant la mise au point automatique pour une image nette du contact (S24). Puis, l'obturateur est fermé de façon à terminer le balayage par faisceau d'électrons de la plaquette (S26). Ensuite, le profil d'intensité du signal électronique pour chaque contact détecté par le balayage par faisceau d'électrons selon la présente invention est inspecté (S28). Il est alors déterminé si une inspection de défaut de contact doit être effectuée à d'autres emplacements de la plaquette (S30). Si oui, le flux revient à l'étape S16, et le porte-objet est déplacé vers d'autres emplacements de la plaquette, et les étapes ci-dessus sont répétées. Quand l'inspection de défaut de contact est terminée, la plaquette est déchargée (S32). Il est déterminé s'il existe des plaquettes supplémentaires à inspecter (S34). Si oui, une autre plaquette dans la cassette est chargée dans la chambre de référence, et les étapes ci-dessus sont répétées, effectuant ainsi l'inspection de défaut de contact pour toutes les plaquettes à l'intérieur de la cassette. Si l'inspection est terminée pour toutes les plaquettes, la cassette est sortie (S36), terminant ainsi le processus. En se référant au mode de réalisation de la figure 12, le procédé d'inspection de défaut de contact pour la plaquette avec une pluralité de trous de contact sur celle-ci est montré en utilisant le SEM en ligne de la figure 5 avec l'ordinateur principal 30 dans lequel la partie d'inspection de défaut de contact 60 et la partie de mesure de CD de contact 70 sont formés ensemble. L'inspection de défaut de contact est effectuée comme exposée sur la figure 11, mais contrairement au mode de réalisation de la figure 11, l'obturateur est fermé (S26), l'inspection de défaut de contact est déterminée (S27), et la mesure de CD de contact (S29) est effectuée quand aucune inspection de défaut de contact n'est effectuée (S28). La figure 13 montre le procédé d'inspection en ligne de défauts de contact pour la plaquette avec une pluralité de trous de contact sur celle-ci en utilisant le SEM en ligne de la figure 6 sur laquelle la partie d'inspection de défaut de contact 60 se trouve dans l'ordinateur secondaire 80, et non pas dans l'ordinateur principal 10. Comme le montre la figure 13, quand l'obturateur est fermé (S26), le signal SEM mémorisé dans la mémoire principale de l'ordinateur principal est transmis vers l'ordinateur secondaire, et il est déterminé si l'inspection de défaut de contact est nécessaire pour un autre emplacement de la plaquette (S31). L'ordinateur secondaire reçoit le signal transmis de façon à effectuer l'inspection de défaut de contact (S37). Dans le mode de réalisation de la figure 14, l'ordinateur secondaire et l'ordinateur principal échangent des commandes réciproquement dans le cas o la partie d'inspection de défaut de contact 60 serait installée sur l'ordinateur secondaire, et non pas sur l'ordinateur principal montré sur la figure 6. Par les mêmes étapes montrées sur la figure 11, l'obturateur est fermé (S26), la transmission du signal SEM mémorisé dans la partie de mémorisation principale de l'ordinateur principal vers l'ordinateur secondaire est déterminée (S31- 1), et l'inspection de défaut de contact est effectuée par l'ordinateur secondaire (S31- 2). Il est déterminé s'il est nécessaire d'effectuer l'inspection de défaut de contact à d'autres emplacements (S31-3, S31-4). La figure 15 montre des régions ombrées numérotées (#2 - #37) à tester sur une plaquettes 110 selon l'inspection de défaut de contact de l'invention. Une région désignée par "AP" montre un point d'alignement et "# 1" montre l'emplacement de mise au point libre de la puce. A l'intérieur de chaque région ombrée numérotée de la figure 15, plusieurs emplacements d'échantillonnage peuvent être définis. Par exemple, pour la puce ou la région # 2 de la figure 15, la figure 16 montre cinq emplacements d'échantillonnage, c'est-à-dire en haut à gauche (2,1), en haut à droite (2,2), en bas à droite (2,3), en bas à gauche (2,4) et au centre (2,5). Les emplacements d'échantillonnage ou numéros d'échantillonnage peuvent être choisis de différentes façons à l'intérieur d'une unité de puce échantillonnée. Dans ce mode de réalisation de la présente invention, donné à titre d'exemple, 175 emplacements sont échantillonnés sur 35 puces ou régions d'échantillonnage, cinq emplacements d'échantillonnage étant testés sur chaque puce. Dans un mode de réalisation dans lequel un agrandissement de 12,5 k d'un SEM en ligne est utilisé, il peut y avoir 98 contacts à l'intérieur d'une image de 480x480 pixels de chaque emplacement d'échantillonnage. Avec cinq emplacements d'échantillonnage pour chacune de 35 régions, 17150 contacts sont inspectés. La figure 17 est une vue schématique en coupe transversale d'un dispositif à semi-conducteur avec des trous de contact à inspecter conformément à la présente invention. La figure 17 montre le processus de formation d'un contact enterré d'une DRAM de 64 Mo. Une couche d'oxyde de champ 131 définit une région active formée au-dessus d'un substrat de semi-conducteur 130. Une grille 132 est formée au-dessus de la région active et est couverte par un espaceur 133. Après qu'une première couche isolante 134 d'un film d'oxyde haute température a été formée au-dessus de la surface, un premier trou de contact 137 est formé comme un contact direct pour une ligne binaire 135. Après la formation de la ligne binaire 135, une deuxième couche isolante 136 est formée au-dessus de la surface comme BPSG, et un deuxième trou de contact 138 est formé pour une ligne de mot. En tant qu'exemple de l'inspection de la présente invention, l'inspection est effectuée pour le contact enterré pour la formation d'une ligne de mot pendant le processus de fabrication d'une DRAM de 64 Mo. Comme le montre la figure 17, l'inspection peut aussi être effectuée pour le contact direct 137 ou après le processus de développement du motif de photorésist pour la formation de ces contacts. Dans le procédé d'inspection de défaut de contact de l'invention, une taille d'image optimale est d'abord sélectionnée pour chaque emplacement inspecté sur la base de la dimension d'une caractéristique inspectée, telles que le diamètre d'un trou de contact rond. Dans un mode de réalisation, une image SEM typique inclut 480x480 pixels. Une telle image peut être prise pour chacun des emplacements numérotés de la figure 16. En fonction de la taille et de la distance entre les trous de contact, une taille d'image optimale pour chaque contact individuel est déterminée. La figure 18 montre un exemple d'images de contact d'un SEM en ligne avec un agrandissement de 12,5 k pour un emplacement d'échantillonnage d'un dispositif à semi-conducteur. Il se compose de 480x480 pixels, et le nombre de contacts représentés sur les images est de 98, c'est-à-dire 14 dans la direction horizontale et 7 dans la direction verticale. La résolution optimale est déterminée et vérifiée sur la base de la taille de la caractéristique, c'est-à-dire du trou de contact, inspectée et de la distance entre les trous. Dans un système par exemple, chaque pixel peut distinguer approximativement 12 nm dans le SEM. A présent, il est connu que les trous de contact peuvent avoir des diamètres de l'ordre de nm. Le nombre de pixels couvrant une caractéristique est sélectionné pour assurer qu'une irrégularité au niveau d'une caractéristique peut être détectée sur l'image. Par exemple, quand une région inspectée a cent ouvertures dans une grille espacée uniformément, un ensemble de cent sous-grilles de 48x48 pixels peut être utilisé pour couvrir tous les trous, incluant l'espace entre trous, chaque sous-grille étant associée à un trou. Une grille ou maille rectangulaire avec des lignes horizontales et verticales peut être superposée sur le tableau de 480x480 pixels pour former cent sous-grilles de 48x48 pixels utilisées pour inspecter chaque trou. Conformément à l'invention, il est alors déterminé que la grille de 48x48 pixels est suffisante pour distinguer toutes les irrégularités dans le trou examiné. La dimension du trou est comparée à la quantité d'espace dans chaque sous-grille pour déterminer si le nombre de pixels couvrant le trou lui-même est suffisant pour analyser le trou. La résolution est déterminée en divisant la dimension critique, c'est-à-dire le diamètre de trou, par le nombre de pixels couvrant le trou. La résolution est comparée à un seuil, tel que le seuil de 12 nm/ pixel, pour déterminer si la résolution est adéquate. Quand la résolution de pixel est déterminée, la structure maillée peut être utilisée pour localiser et déterminer les dimensions des trous de contact. Dans un mode de réalisation, les lignes verticales et horizontales dans une structure maillée ou de grille sont utilisées pour localiser les trous. En se référant à la figure 18 qui représente ce processus de reconnaissance des emplacements de contact du module 60d, la maille ou grille est placée sur les images de contact alignées dans la matrice, et les pas de l'axe horizontal et de l'axe vertical sont ajustés à l'intérieur d'une certaine surface de recherche de sorte que chaque contact est placé sur chaque maille. A ce moment-là, les pas peuvent être contrôlés en augmentant ou diminuant le nombre de pixels produisant les images de contact. La surface de recherche de la ligne maillée est de préférence définie pour inclure la surface dans laquelle le même motif de trous de contact est répété. En se référant à la figure 18, le processus de reconnaissance des emplacements de contact utilisant la recherche de maille détermine que chaque unité de maille ou sous-grille se compose d'au moins 32 pixels dans la dimension horizontale, et d'au moins 62 pixels dans la dimension verticale, et que la surface de recherche est déterminée en déplaçant la ligne maillée imaginaire de l'axe horizontal 150 et la ligne maillée imaginaire de l'axe vertical 152 à l'intérieur des plages incluant au moins 32 pixels sur l'axe horizontal et au moins 62 pixels sur l'axe vertical, détectant ainsi l'emplacement de la plus petite valeur numérisée du signal électronique, de sorte qu'aucun contact sur les images de contact n'est gêné par la ligne maillée. Dans un mode de réalisation, la recherche de maille est effectuée en positionnant soit la ligne verticale soit la ligne horizontale dans une première position. Les valeurs d'intensité suivant la ligne sont totalisées pour déterminer une intensité totale pour la ligne. On fait ensuite progresser la ligne jusqu'à la position suivante. Par exemple la ligne verticale peut progresser suivant l'axe horizontal jusqu'à la position suivante o les valeurs d'intensité suivant la ligne verticale sont encore une fois totalisées. A chaque position, la valeur d'intensité totale est comparée à un seuil prédéterminé et au total précédent. Une augmentation en intensité peut être utilisée pour indiquer que le bord d'un trou a été atteint, en supposant que les trous ont une intensité plus haute que le fond. Dans d'autres modes de réalisation, les trous ont une intensité plus basse que le fond. Le processus peut continuer à travers toute la structure de grille et/ou définir la taille et la forme de chaque trou. Quand tous les totaux ont été calculés dans une direction, le processus peut être répété pour l'autre dimension, ayant pour résultat la caractérisation complète de la taille, de la forme et de l'emplacement des trous. Ces informations peuvent être utilisées pendant un traitement ultérieur pour différents usages. En connaissant les emplacements et formes des trous, tout traitement inutile de pixels non liés aux trous est éliminé. De plus, si pendant le traitement ultérieur, un défaut est identifié, l'emplacement exact du trou défectueux est facilement déterminée. Après avoir effectué la reconnaissance des emplacements de trou, l'origine d'une unité de maille initiale, comme montrée sur la figure 18 par exemple, est le numéro de pixel XO = 13 sur l'axe horizontal et le numéro de pixel YO = 23 sur l'axe vertical. Les unités de la même taille peuvent être soumises à la comparaison, c'est pourquoi la reconnaissance des emplacements de contact est effectuée comme ci-dessus. L'unité de maille peut être utilisée avec différents réglages, c'est-à-dire comme montré sur la figure 19 sur laquelle un trou de contact 153 est placé sur une unité de maille en sautant une unité de maille entre deux unités, ou comme montré sur la figure 20 sur laquelle au moins deux trous de contact 153 peuvent être placés sur une unité de maille. En outre, l'approche de reconnaissance des emplacements du procédé par maille ci-dessus peut être utilisée dans diverses formes d'images si un motif d'images est répété sur chaque surface unitaire, telle que des images de plage de forme carrée ou ovale, par opposition aux images de contact de forme ronde ci- dessus. La figure 18 montre une image SEM d'une unité de contact (480x480 pixels) pour la définition de la maille pour effectuer un processus de reconnaissance des emplacements de contact selon la présente invention.Comme décrit ci-dessus, dans cet exemple, l'unité de maille du présent test est définie comme 32x62 pixels, et le numéro de pixel d'origine (XO, YO) est (13,23). La définition ci-dessus de l'unité de maille est déterminée en déplaçant la ligne maillée horizontale 150 et la ligne maillée verticale 152 à l'intérieur des plages de recherche définies par chaque ligne maillée comme décrit ci- dessus, qui peut être définie par environ 60 pixels et environ 30 pixels correspondant à chaque pas de l'unité de maille, respectivement. Dans un autre mode de réalisation, chaque ligne est analysée pour identifier la valeur de la plus basse intensité correspondant à chaque ligne maillée pour déterminer l'emplacement des trous. Les figures 19 et 20 montrent différents types de définitions de maille comme décrites ci-dessus, et la figure 21 montre que l'unité de contact est désignée par des unités de pixel de façon à expliquer la génération d'un profil d'intensité de contact. La figure 22 montre un premier profil d'intensité à l'intérieur d'une unité de maille montrant des valeurs d'intensité par rapport à l'axe vertical avant que les intensités de valeur de fond ne soient supprimées pour normaliser le profil. La figure 23 montre le profil d'intensité de la figure 22 avec une valeur de seuil de contact définie après la suppression de la valeur d'intensité de fond. Dans le présent test, la valeur seuil du signal électronique est fixée à 5, et le numéro de pixel de seuil est 20, montré sur la figure 23. Le trou de contact examiné couvre les pixels 20- suivant l'axe vertical. La figure 24 montre des profils d'intensité pour des images SEM des contacts de la figure 18 après normalisation par suppression de la valeur de fond. La figure 25 est un tableau qui contient des résultats codés de l'inspection de défaut de contact de l'invention effectuée sur les contacts de la figure 18. Les contacts entourés sur la figure 24 correspondent à l'emplacement défini comme des défauts de contact sur la figure 25 par un code 4. La figure 26 est un tableau montrant une partie des résultats de l'inspection de défaut de contact pour chaque emplacement d'échantillonnage montré sur la figure 15 dans le présent test par rapport à l'emplacement d'échantillonnage de chaque puce, le nombre de tous les contacts correspondant à chaque critère de classification de contacts selon la présente invention est indiqué. C'est-à-dire, pour chacun des cinq emplacements sur chaque puce région de test, le nombre de chaque classification de type de trou trouvé à cet emplacement est présenté. Par exemple, à l'emplacement (1, 3), il y avait 87 trous de contact classifiés comme type D, 3 trous classifiés comme type E, 5 trous classifiés comme type G et 3 trous classifiés comme type H. Il convient de noter qu'à chaque emplacement, 98 trous sont inspectés et classifiés, pour un total de 17 150 trous inspectés sur les 35 régions d'inspection. Dans un mode de réalisation, le test peut être terminé en une heure dû aux économies de temps de traitement réalisées par l'invention. L'approche est donc applicable à la production en série. Le module de calcul de profil de contact 60e (1) est utilisé pour créer un premier profil d'intensité des valeurs de signal électronique détectées ci-dessus pour chaque unité de maille des mailles spécifiques ci-dessus. Le module de suppression des valeurs de fond e (2) est utilisé pour créer un deuxième profil d'intensité à partir du premier profil d'intensité en soustrayant la valeur de fond de chaque unité de maille du premier profil d'intensité. Le premier profil d'intensité et le deuxième profil d'intensité sont calculés en utilisant des valeurs de signal électronique qui sont numérisées selon chaque pixel contenu dans chaque unité de maille. Cependant, les valeurs de signal électronique acquises de chaque unité de maille contiennent à la fois la valeur de signal électronique du contact correspondant et la valeur de signal électronique produite par la région extérieure entourant le contact. Dans la présente invention, pour obtenir une valeur de signal électronique précise qui inclut l'intensité seulement de l'intérieur du contact dans la limite d'une unité de maille, la valeur de signal électronique de fond provenant de l'extérieur de la région de contact, c'est-à-dire, de la région entourant le contact, est soustraite du profil d'intensité pour générer le deuxième profil d'intensité normalisé. Cela s'appelle la suppression de "l'effet de décoloration". Dans un mode de réalisation de la présente invention, le calcul du profil d'intensité de contact et la suppression de valeur de fond sont effectués par le module 60e conformément à l'équation suivante (1). X Y = X (1); o (B / Bc)Xc X est la somme des valeurs de signal électronique au-dessus d'un seuil prédéterminé dans la limite d'une unité de maille; B est la somme des valeurs de signal électronique au-dessous d'un seuil prédéterminé dans la limite d'une unité de maille; Bc est le nombre des signaux électroniques ayant une valeur au-dessous d'un seuil prédéterminé dans la limite d'une unité de maille; Xc est le nombre de signaux électroniques ayant une valeur au- dessus d'une valeur prédéterminée dans la limite d'une unité de maille; et Y est la valeur de signal électronique avec une compensation de fond dans la limite d'une unité de maille. Dans l'équation (1), la valeur prédéterminée ci-dessus peut être déterminée en supprimant la valeur de fond et en obtenant des résultats de mesure précis. Dans un mode de réalisation, par exemple, la valeur est 100, mais il n'est pas limité à cette valeur. La valeur Y, le résultat de l'équation (1), est la somme des signaux électroniques compensés à l'intérieur de chaque unité de maille. Dans un mode de réalisation, une limite inférieure et supérieure est définie pour la valeur de Y dans l'équation (1). Si la valeur de Y calculée pour un contact particulier se trouve au-dessous de la limite inférieure, on en conclut que le contact est un défaut. Dans un mode de réalisation, ce type de relevé au-dessous de la limite inférieure prédéterminée indique un défaut de trou de contact non- ouvert. L'équation (1) est typiquement utilisée pour l'inspection de trous de contact avec des formes irrégulières. Par exemple, l'équation (1) peut être utilisée pour l'inspection, avant la formation des trous, de la couche de photorésist utilisée pour former les trous de contact. Dans un autre mode de réalisation, le calcul du profil de contact et la suppression de la valeur de fond sont effectués conformément aux équations suivantes (2)-(4). p = (p) - pN (2); Nnk (pN) P. =hi (3) = (h - hN) pN = ligne de base[(pN)'] (4); o n est le numéro de pixel de l'axe horizontal; k est le numéro de pixel de l'axe vertical; Pnk est la valeur de signal numérisée pour un pixel dans une position d'axe horizontal n et une position d'axe vertical k; N est le numéro de la maille en cours d'analyse; hiN est le numéro de pixel initial sur l'axe horizontal dans la limite d'une unité de maille; et hfN est le numéro de pixel final sur l'axe horizontal dans la limite d'une unité de maille. Les équations (2)-(4) sont décrites en se référant aux figures 21 et 22. La figure 21 est une représentation graphique montrant des unités de pixel à l'intérieur d'une unité de maille pour un contact, utilisées pour calculer le profil d'intensité selon la présente invention. La figure 22 est un tracé schématique représentant un premier profil d'intensité à l'intérieur d'une unité de maille, calculé avant la soustraction de la valeur de fond pour une image de contact de la figure 18. Dans un mode de réalisation, le profil d'intensité est généré en progressant vers des positions discrètes suivant l'un des axes et en totalisant les valeurs d'intensité suivant la direction orthogonale à chaque position et en traçant les sommes d'intensité de pixel par rapport au nombre de pixels suivant l'axe des pixels. Par exemple, le profil de la figure 22 peut être formé en progressant à travers les positions de pixel suivant l'axe vertical et en totalisant les intensités de pixel dans la direction horizontale. Dans le profil de la figure 22, le résultat est un profil d'intensité avec un pic proche du centre qui indique la présence d'un trou de contact dans l'unité de maille particulière. Le trou s'étend environ à partir de la position de pixel 16 jusqu'à la position de pixel 44 et occupe donc environ 28 pixels dans la direction verticale. Le profil inclut une légère baisse en intensité au sommet du pic au centre du trou, ce qui indique une chute de l'intensité détectée au fond du trou. Cette forme de profil d'intensité indique un trou de contact normal. La valeur (PkN)' de l'équation (3) est la valeur moyenne du signal électronique par pixel au niveau du numéro de pixel d'axe vertical k. Elle est dérivée en divisant la somme (niveau) entière des valeurs numérisées du signal électronique qui correspondent à chaque pixel sur la ligne du numéro de pixel d'axe vertical k (figure 21; k=20), c'est-à-dire la hauteur de la courbe sur la figure 22, par le nombre de pixels horizontaux à la position d'axe vertical k, qui est donnée par hfN-hiN. La figure 22 montre le profil résultant généré à partir de l'équation (3). pmN est une valeur minimale de (PkN)', c'est-à- dire il s'agit de la valeur d'intensité de fond ou de base. Donc, PkN présente une valeur moyenne de signal électronique par pixel en soustrayant la valeur de fond. La figure 23 est un tracé d'un deuxième profil d'intensité après la soustraction de la valeur de fond pmN conformément à l'équation (2). La figure 24 montre le deuxième profil d'intensité normalisé pour les contacts de l'image de contact de la figure 18. Dans un mode de réalisation, le processus d'inspection de défaut de contact de l'invention analyse en outre les résultats des équations (2)-(4) pour classifier les contacts selon le fait s'il s'agit de défauts et, si oui, de quels types de défauts. Le deuxième profil d'intensité (figure 24) de chaque trou est analysé pour identifier et classifier les défauts. Dans un mode de réalisation, comme montré sur la figure 23, un seuil, par exemple 5, est appliqué au deuxième profil d'intensité (la valeur moyenne de signal électronique par pixel après soustraction de la valeur de fond). La dimension critique CDN du contact est définie comme la longueur (ou largeur) du pic dans le profil au niveau du seuil. Comme le montre la figure 23, le seuil étant fixé à 5, la dimension critique CDN pour le contact est CDN = 40 - 20 = 20 pixels. La dimension critique CDN, qui peut être par exemple le diamètre d'un trou de contact, peut être calculée d'après l'équation (5) ci-dessous. avN k=Vf CDN = W (5); o Lk = N k= V viN est le numéro de pixel initial de l'axe vertical à l'intérieur de l'unité de maille; vfN est le numéro de pixel final de l'axe vertical à l'intérieur de l'unité de maille; PkN=(Pk) ' Pm; et WkN indique si une valeur d'intensité de pixel se trouve au-dessus du seuil, spécifiquement, N 1, si Pk seuil 0, siPk l'équation (6) ci-dessous. k=v. N E k N BSEN = v (6). CDN Il convient de noter que les équations (5) et (6) représentent une approche d'inspection alternative à celle de l'équation (1). L'intensité de pixel moyenne BSE" à laquelle il est fait référence dans les équations (5) et (6) correspond à la valeur Y calculée dans l'équation (1). De plus, la valeur CDN dans les équations (5) et (6) remplace la valeur Xc dans l'équation (1). Après que le nombre de pixels CDN et la valeur moyenne de l'intensité de pixel BSEN ont été calculés pour le contact en cours d'inspection, ils peuvent être utilisés pour classifier l'état du contact. Dans un mode de réalisation, une valeur de limite supérieure NOC2 et une valeur de limite inférieure NOC1 peuvent être fixées pour le nombre de pixels CDN. Ces limites sont utilisées pour définir une plage de nombres de pixel acceptables pour des contacts normaux. Les limites peuvent aussi être fixées pour l'intensité de pixel moyenne BSEN. Une valeur de limite supérieure NOT2 et une valeur de limite inférieure NOT1 peuvent être utilisées pour définir une plage de valeurs de pixel moyennes pour un contact normal. Les valeurs CDN et BSEN pour chaque contact analysé sont comparées à leurs plages respectives pour classifier les contacts. Dans un mode de réalisation, chaque contact est classifié comme appartenant à l'un de neuf types possibles en fonction de la comparaison des valeurs CDN et BSEN à leurs plages respectives. Un exemple des neuf états possibles et de leurs classifications de type et codes numériques correspondants est présenté dans le tableau 1. Classification (BSEN) (NOT1) (NOT1) S (BSEN) (BSE)(NOT2) l (NOT2) (CD N)(NOCl) Type A (code 1) Type B (code 2) Type C (code 3) (NOC1)> (CDN) Type D (code 4) Type E (code 5) Type F (code 6) k(NOC2) (CD') > (NOC2) Type G (code 7) Type H (code 8) Type I (code 9) Tableau 1 - Classification des contacts Les trois colonnes du tableau 1 définissent trois états de profondeur du trou de contact. Elles sont disposées par ordre décroissant de profondeurs. C'est-à-dire, la première colonne définit trois états, notamment, les types A, D et G, avec des trous de contact relativement profonds. La deuxième colonne inclut trois états de profondeur normale des trous de contact, les types B, E et H. La troisième colonne définit trois états, les types C, F et I, d'une profondeur de contact insuffisante. Ces types de trous de contact définissent des trous de contact partiellement ouverts ou des trous de contact non- homogènes. Les lignes du tableau 1 sont organisées dans l'ordre croissant des diamètres de trou de contact. Sur la première ligne, incluant les types A, B et C, les types de trou de contact ont des diamètres qui ne sont pas suffisamment petits. La deuxième catégorie, incluant les types D, E et F, définit des trous de contact d'un diamètre normal. La troisième catégorie, incluant les types G, H et I, définit des trous de contact avec des diamètres excessivement grands. Comme le montre le tableau 1, la classification du type E est réalisée avec à la fois CDN et BSEN dans leurs plages prédéterminées respectives, indiquant un contact normal. Les autres types, pour lesquels l'une des valeurs ou les deux valeurs se trouvent en dehors des plages, sont classifiés dans l'un des types restants qui peuvent être utilisés pour indiquer différents degrés de types de défauts de contact. L'affichage de résultat 60g peut afficher les résultats de la classification des contacts normaux et/ou des défauts de contact classifiés par le module d'inspection de défaut de contact 60f. Les résultats peuvent être montrés comme des valeurs numérisées par rapport à l'emplacement de chaque contact. La figure 25 contient un tableau qui représente un exemple de classification et d'emplacement de pixel pour les trous de contact de la figure 24. Le fait qu'un contact soit normal ou défectueux est montré comme un code numérique par rapport à l'emplacement de chaque contact correspondant aux deuxièmes profils d'intensité. Le code "5" représente le type E et signifie un contact normal, et le code "4" représente un défaut de contact de type D. Dans un mode de réalisation, le type D représente un contact non-ouvert. Les valeurs X de la figure 25 représentent le numéro de pixel initial de l'axe horizontal pour chaque unité de maille, et les valeurs Y représentent le numéro de pixel initial de l'axe vertical. La figure 26 contient un tableau avec les résultats de l'inspection de l'invention à cinq emplacements dans chacune de sept régions sur une plaquette de semi- conducteur. Le tableau montre le nombre de contacts de chaque type de classification à l'intérieur de chaque emplacement. Les valeurs pour CDN et BSEN peuvent être utilisées pour classifier les contacts de différentes façons. C'est-à-dire, la classification des types dans laquelle tombe un contact particulier peut spécifier un type particulier de défaut de contact. Par exemple, quand BSEN pour un contact est inférieur à la valeur minimale NOT1, cela indique typiquement un trou de contact non-ouvert et classifie le trou dans l'un des types A, D et G. Quand BSEN est supérieur à la valeur maximale NOT2, le trou est considéré comme ouvert, mais toujours inacceptable pour une certaine raison. Par exemple, le trou peut avoir une forme irrégulière, comme une forme qui s'élargit ou se rétrécit vers le fond du trou. Dans ce cas, le trou est classifié comme l'un des types C, F et I. De même, quand CDN est inférieur à la valeur minimale NOC1, le défaut indiqué peut être un trou qui est trop étroit ou présente un certain type de forme irrégulière, telle qu'une forme ovale. Si CDN est supérieur à la valeur maximale NOC2, un trou de forme irrégulière est indiqué. La figure 27 contient un organigramme qui représente le flux logique d'une séquence de traitement montrant le processus de fabrication des dispositifs à semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention. D'abord, dans une étape de traitement spécifique pendant le processus de fabrication des dispositifs à semi-conducteur, un motif de photorésist (résine photosensible) correspondant aux trous de contact est formé après le dépôt du photorésist sur des couches isolantes spécifiques, telles qu'une couche de nitrure ou une couche d'oxyde, et après l'exécution de la photogravure (S40). Le motif de photorésist est formé par un traitement d'exposition et un traitement de développement. Ensuite, en utilisant le motif de photorésist comme un masque de gravure, la couche isolante sous le motif de photorésist est gravée pour former les trous de contact (S42). Ensuite, en nettoyant l'intérieur des trous de contact, et en déplaçant les plaquettes dans le SEM en ligne selon la présente invention, l'inspection de défaut des trous de contact selon la présente invention est effectuée comme décrit ci-dessus. Puis, en remplissant l'intérieur des trous de contact avec un matériau conducteur, le processus subséquent est effectué pour fabriquer des dispositifs à semi-conducteur (S46). * La figure 28 contient un organigramme schématique représentant le flux logique d'un mode de réalisation du procédé d'inspection de contact de la présente invention. A l'étape 500, les paramètres utilisés par le processus sont lus. Dans un mode de réalisation, les paramètres utilisés par le processus sont les suivants: N = numéro de pixel dans la direction de l'axe Y de l'image SEM M = numéro de pixel dans la direction de l'axe X de l'image SEM VP (pas vertical) = pas de contact de l'axe Y dans la direction de l'axe Y de la maille HP (pas horizontal) = pas de contact de l'axe X dans la direction de l'axe X de la maille MX = plage de pixels de recherche de maille de l'axe X MY = plage de pixels de recherche de maille de l'axe Y bse = seuil de base d'un profil caractéristique du contact pour la maille unitaire NO1 = valeur de limitation inférieure de l'intensité d'un profil caractéristique d'un contact normal NO2 = valeur de limitation supérieure de l'intensité d'un profil caractéristique d'un contact normal CD1 = valeur de limitation inférieure du nombre de pixels d'un profil caractéristique d'un contact normal CD2 = valeur de limitation supérieure du nombre de pixels d'un profil caractéristique d'un contact normal XN = nombre (comptage) total d'images SEM inspectées par puce ou unité de plan sur une plaquette YN = nombre (comptage) total d'images SEM inspectées par puce ou plan X = ordre d'images SEM inspectées par puce ou unité de plan sur une plaquette Y = ordre d'images SEM inspectées par puce ou plan cdata[j][i] = niveau de signal d'image SEM par pixel unitaire Ensuite, à l'étape 502, la valeur de l'axe X est initialisée à zéro, et à l'étape 504, la valeur de l'axe Y est initialisée à zéro. Le système d'inspection continue suivant l'axe Y dans une boucle interne formée par les étapes 506-520 jusqu'à ce que la valeur maximale de l'axe Y soit atteinte. Puis, la valeur de l'axe X est incrémentée, et la boucle interne est répétée à nouveau pour toutes les valeurs de l'axe Y. Enfin, la boucle externe se termine quand les valeurs finales des axes X et Y sont atteintes. A l'intérieur de la boucle interne de la figure 28, les données d'image SEM sont lues en (X, Y), et cdata[j][i] à l'étape 506, ce qui est représenté en détail sur la figure 29. Il convient de noter que l'approche par maille décrite ici utilise une structure de maille rectangulaire avec des axes X et Y orthogonaux. Il sera compris qu'une maille rectangulaire n'est pas nécessaire. D'autres formes de maille peuvent être utilisées. Par exemple, une maille triangulaire ou trapézoïdale peut être utilisée. La structure de maille est sélectionnée pour assurer que tout motif de contacts répété périodiquement sera détecté. Ensuite, à l'étape 508 de la figure 28, la position du trou de contact est déterminée. L'étape 508 est représentée en détail sur les figures 30A-30D. La reconnaissance des positions de trou de contact inclut la sélection du type et du motif de maille qui seront utilisés pour inspecter les trous de contact. Le processus détaillé sur les figures 30A-30D se déplace pixel par pixel suivant une première dimension sélectionnée (horizontale) et totalise toutes les valeurs d'intensité de pixel dans une deuxième dimension orthogonale (verticale). Quand une variation significative (saut) en intensité est détectée, le bord d'un trou est défini. Le processus continue jusqu'à ce qu'une chute significative en intensité soit détectée pour définir le bord opposé du trou. Cette approche est utilisée jusqu'à ce que tous les trous soient localisés. Il convient de noter aux étapes 550 et 582 des figures 30A-30D, que la valeur absolue des différences d'intensité est utilisée. Ceci est le cas parce que c'est la grandeur des différences d'intensité, ou le contraste, qui est importante pour définir les emplacements des contacts. Cette approche tient compte de différentes conventions qui définissent des trous comme une intensité haute ou basse. A l'étape 514 de la figure 28, des profils de trou de contact sont calculés. Ce processus est représenté en détail dans l'organigramme des figures 31A-31D. Les profils sont calculés en analysant chaque trou de contact, identifié selon le processus décrit ci-dessus en relation avec les figures 30A-30D. Un profil est calculé pour chaque trou. Dans un mode de réalisation, le profil est généré en totalisant les valeurs d'intensité dans une dimension à chaque position suivant l'autre dimension orthogonale. La moyenne peut être calculée pour les valeurs d'intensité à chaque position, et les valeurs peuvent être tracées pour générer le profil. Il convient de noter que les variables génériques F et F2 sont utilisées dans les organigrammes des figures 31A-31D. Ces variables sont interchangeables avec les variables BSEN et CD, respectivement, définies dans les équations (5) et (6) ci-dessus, conformément à un mode de réalisation préféré de l'invention. A l'étape 516 de la figure 28, les trous de contact sont inspectés conformément à la présente invention. Ce processus est représenté en détail sur les figures 32A- 32B. Comme décrit ci-dessus, les valeurs déterminées selon les figures 31A-31D sont analysées pour classifier chaque trou selon l'un de neuf types de contact. Comme remarqué ci-dessus, sur les figures 32A- 32B, les variables F et F2 sont interchangeables avec N N les variables BSE et CDN. En se référant à nouveau à la figure 28, à l'étape 518, la valeur de l'axe Y est incrémentée, et à l'étape 520, il est déterminé si les valeurs maximales de l'axe Y ont été atteintes. Si non, le flux revient au début de la boucle interne. Si oui, la valeur de l'axe X est incrémentée à l'étape 522, et le flux revient par l'intermédiaire du bloc 524 au début de la boucle externe à l'étape 504 o la valeur de l'axe Y est initialisée. Quand la boucle externe se termine, les résultats du processus d'inspection peuvent être affichés à l'étape 526. Comme remarqué ci-dessus, la figure 29 est un organigramme schématique représentant les détails de l'étape 506 consistant à lire les données d'image SEM, montrée sur la figure 28. A l'étape 528, l'index j est initialisé à zéro, et à l'étape 530, l'index i est initialisé à zéro. Les données cdata[j][i] sont lues à l'étape 532, et l'index i est incrémenté à l'étape 534. Il est déterminé à l'étape 536 si l'index i a atteint sa valeur maximale M. Si non, le flux revient à l'étape 532 o les données sont à nouveau lues. Si oui, l'index j est incrémenté à l'étape 538, et à l'étape 540, il est déterminé si j a atteint sa valeur maximale N. Si oui, le processus se termine. Si non, le flux revient à l'étape 530 o l'index i est encore une fois initialisé à zéro et le processus se répète. Dans un mode de réalisation, l'inspection de défaut de contact de la présente invention est effectuée après avoir formé les trous de contact et nettoyé l'intérieur des trous de contact (inspection après nettoyage: ACI). L'inspection de défaut peut aussi être effectuée sur les couches isolantes exposées sur les plaquettes pendant le traitement de développement pour former le motif de photorésist pour la formation des trous de contact (inspection après développement: ADI). La présente invention peut être appliquée non seulement aux trous de contact comme décrit ci-dessus mais aussi aux trous traversants à chaque étape pour connecter tous les trous de contact directement en contact avec le substrat de semi-conducteur et les couches conductrices. En outre, la présente invention peut être utilisée pour examiner un défaut de formation de motif après le traitement de développement pendant le traitement photographique pour la formation des trous de contact. De plus, à part les trous de contact de forme ronde, la présente invention peut s'appliquer pour examiner des motifs en détectant les divers types d'images de motif qui se répètent régulièrement. Selon la présente invention, la présence d'un défaut de contact est détectée précisément et exactement par des valeurs numérisées sans l'examen des images de contact à l'oeil nu ou au microscope. Pour des contacts avec un rapport de cote élevé, un défaut de contact peut être confirmé facilement et très exactement. En outre, l'inspection de défaut de contact pour toute la surface de plaquette est effectuée rapidement en fournissant le résultat de détection pour les défauts de contact, et en présentant une haute efficacité et productivité pour une chaîne de système de production en série. Il apparaît pour ceux compétents dans l'art que diverses modifications et variations de la présente invention peuvent être effectuées sans s'éloigner de l'esprit ou du domaine de l'invention. Ainsi, il est prévu que la présente invention couvre les modifications et variations de cette invention à condition qu'elles tombent dans le domaine des revendications ci-jointes et de leurs équivalences. REVENDICATIONS 1. Procédé pour inspecter au moins une partie d'une plaquette de semiconducteur, comprenant les étapes consistant à: lire des données d'image d'un microscope électronique à balayage (SEM) pour la partie de la plaquette de semi-conducteur; identifier des données d'image pour une caractéristique sur la plaquette de semi- conducteur comprises dans les données pour la partie de la plaquette de semi-conducteur; calculer un paramètre lié à la caractéristique à partir des données d'image pour la caractéristique; comparer le paramètre à une plage de valeurs acceptables pour le paramètre; et classifier la caractéristique selon la comparaison avec la plage de valeurs acceptables. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la caractéristique est un trou de contact dans un circuit integré. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le trou de contact peut être classifié comme non-ouvert si le paramètre se trouve en dehors de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la caractéristique peut être classifiée comme un défaut si le paramètre se trouve en dehors de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la caractéristique peut être classifiée comme acceptable si le paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les données d'image SEM sont générées à partir d'électrons secondaires et d'électrons rétrodiffusés. 7. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le paramètre comprend une dimension de la caractéristique. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le paramètre comprend un certain nombre de pixels de données d'image SEM associés à la caractéristique. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le paramètre comprend une intensité moyenne de pixels associés à la caractéristique. 10. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre le calcul d'un profil d'intensité de pixels d'image pour la caractéristique. 11. Procédé selon la revendication 10, dans lequel le calcul d'un profil d'intensité de pixels d'image comprend la soustraction d'une valeur d'intensité de fond des valeurs d'intensité pour des pixels dans une région qui inclut la caractéristique. 12. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre les étapes consistant à: calculer un deuxième paramètre lié à la caractéristique à partir des données d'image pour la caractéristique; comparer le deuxième paramètre à une plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre; et classifier la caractéristique selon la comparaison avec la plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le deuxième paramètre comprend une dimension de la caractéristique. 14. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le deuxième paramètre comprend un certain nombre de pixels de données d'image SEM associés à la caractéristique. 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel le deuxième paramètre comprend une intensité moyenne de pixels associés à la caractéristique. 16. Procédé selon la revendication 12, dans lequel la caractéristique peut être classifiée comme acceptable seulement si le premier paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le premier paramètre et le deuxième paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre. 17. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre la caractérisation de la caractéristique en utilisant un système de coordonnées, ladite étape de caractérisation comprenant les étapes consistant à: superposer le système de coordonnées sur une image de la partie de la plaquette de semi-conducteur; et en une pluralité d'emplacements suivant un premier axe du système de coordonnées, analyser des valeurs d'intensité de pixels disposés suivant un deuxième axe du système de coordonnées. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite analyse comprend la totalisation des valeurs d'intensité des pixels disposés suivant le deuxième axe. 19. Procédé selon la revendication 18, dans lequel ladite analyse comprend en outre la détection d'un changement au niveau des valeurs d'intensité totalisées pour une pluralité d'emplacements suivant le premier axe pour détecter la caractéristique. 20. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite analyse comprend le calcul de la moyenne des valeurs d'intensité des pixels disposés suivant le deuxième axe. 21. Procédé selon la revendication 20, dans lequel ladite analyse comprend en outre la détection d'un changement au niveau des valeurs d'intensité pour lesquelles une moyenne a été établie pour une pluralité d'emplacements suivant le premier axe pour détecter la caractéristique. 22. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite caractérisation comprend la détermination d'une taille de la caractéristique. 23. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite caractérisation comprend la détermination d'un emplacement de la caractéristique. 24. Procédé selon la revendication 17, dans lequel ladite caractérisation comprend l'identification d'un motif d'une pluralité de caractéristiques. 25. Procédé selon la revendication 24, dans lequel le motif est un motif périodique. 26. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées rectangulaire. 27. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées triangulaire. 28. Procédé selon la revendication 17, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées trapézoïdal. 29. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les données d'image SEM sont sous la forme de valeurs numérisées d'échelle de gris de pixel. 30. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les données d'image SEM sont sous la forme de valeurs numérisées de pixel codé par couleurs. 31. Appareil pour inspecter au moins une partie d'une plaquette de semiconducteur, comprenant: des moyens pour lire des données d'image d'un microscope électronique à balayage (SEM) pour la partie de la plaquette de semi-conducteur; des moyens pour identifier des données d'image pour une caractéristique sur la plaquette de semi-conducteur comprises dans les données pour la partie de la plaquette de semi-conducteur; des moyens pour calculer un paramètre lié à la caractéristique à partir des données d'image pour la caractéristique; des moyens pour comparer le paramètre à une plage de valeurs acceptables pour le paramètre; et des moyens pour classifier la caractéristique selon la comparaison avec la plage de valeurs acceptables. 32. Appareil selon la revendication 31, dans lequel la caractéristique est un trou de contact dans un circuit intégré. 33. Appareil selon la revendication 32, dans lequel les moyens pour classifier la caractéristique peuvent classifier le trou de contact comme non-ouvert si le paramètre se trouve en dehors de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 34. Appareil selon la revendication 31, dans lequel les moyens pour classifier la caractéristique peuvent classifier la caractéristique comme un défaut si le paramètre se trouve en dehors de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 35. Appareil selon la revendication 31, dans lequel les moyens pour classifier la caractéristique peuvent classifier la caractéristique comme acceptable si le paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le paramètre. 36. Appareil selon la revendication 31, dans lequel les données d'image SEM sont générées à partir d'électrons secondaires et d'électrons rétrodiffusés. 37. Appareil selon la revendication 31, dans lequel le paramètre comprend une dimension de la caractéristique. 38. Appareil selon la revendication 31, dans lequel le paramètre comprend un certain nombre de pixels de données d'image SEM associés à la caractéristique. 39. Appareil selon la revendication 31, dans lequel le paramètre comprend une intensité moyenne de pixels associés à la caractéristique. 40. Appareil selon la revendication 31, comprenant en outre des moyens pour calculer un profil d'intensité de pixels d'image pour la caractéristique. 41. Appareil selon la revendication 40, dans lequel les moyens pour calculer un profil d'intensité de pixels d'image comprend des moyens de soustraction d'une valeur d'intensité de fond des valeurs d'intensité pour des pixels dans une région qui inclut la caractéristique. 42. Appareil selon la revendication 31, comprenant en outre: des moyens pour calculer un deuxième paramètre lié à la caractéristique à partir des données d'image pour la caractéristique; des moyens pour comparer le deuxième paramètre à une plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre; et des moyens pour classifier la caractéristique selon la comparaison avec la plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre. 43. Appareil selon la revendication 42, dans lequel le deuxième paramètre comprend une dimension de la caractéristique. 44. Appareil selon la revendication 42, dans lequel le deuxième paramètre comprend un certain nombre de pixels de données d'image SEM associés à la caractéristique. 45. Appareil selon la revendication 42, dans lequel le deuxième paramètre comprend une intensité moyenne de pixels associés à la caractéristique. 46. Appareil selon la revendication 42, dans lequel la caractéristique peut être classifiée comme acceptable seulement si le premier paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le premier paramètre et le deuxième paramètre se trouve à l'intérieur de la plage de valeurs acceptables pour le deuxième paramètre. 47. Appareil selon la revendication 31, comprenant en outre des moyens pour caractériser la caractéristique en utilisant un système de coordonnées, lesdits moyens de caractérisation comprenant: des moyens pour superposer le système de coordonnées sur une image de la partie de la plaquette de semi-conducteur; et des moyens pour analyser, en une pluralité d'emplacements suivant un premier axe du système de coordonnées, des valeurs d'intensité de pixels disposés suivant un deuxième axe du système de coordonnées. 48. Appareil selon la revendication 47, dans lequel lesdits moyens d'analyse comprennent des moyens pour totaliser les valeurs d'intensité des pixels disposés suivant le deuxième axe. 49. Appareil selon la revendication 48, dans lequel lesdits moyens d'analyse comprennent en outre des moyens pour détecter un changement au niveau des valeurs d'intensité totalisées pour une pluralité d'emplacements suivant le premier axe pour détecter la caractéristique. 50. Appareil selon la revendication 47, dans lequel lesdits moyens d'analyse comprennent des moyens pour calculer la moyenne des valeurs d'intensité pour les pixels disposés suivant le deuxième axe. 51. Appareil selon la revendication 50, dans lequel lesdits moyens d'analyse comprennent en outre des moyens pour détecter un changement au niveau des valeurs d'intensité pour lesquelles une moyenne a été établie pour une pluralité d'emplacements suivant le premier axe pour détecter la caractéristique. 52. Appareil selon la revendication 47, dans lequel lesdits moyens de caractérisation comprennent des moyens pour déterminer une taille de la caractéristique. 53. Appareil selon la revendication 47, dans lequel lesdits moyens de caractérisation comprennent des moyens pour déterminer un emplacement de la caractéristique. 54. Appareil selon la revendication 47, dans lequel lesdits moyens de caractérisation comprennent des moyens pour identifier un motif d'une pluralité de caractéristiques. 55. Appareil selon la revendication 54, dans lequel le motif est un motif périodique. 56. Appareil selon la revendication 47, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées rectangulaire. 57. Appareil selon la revendication 47, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées triangulaire. 58. Appareil selon la revendication 47, dans lequel le système de coordonnées est un système de coordonnées trapézoïdal. 59. Appareil selon la revendication 31, dans lequel les données d'image SEM sont sous la forme de valeurs numérisées d'échelle de gris de pixel. 60. Appareil selon la revendication 31, dans lequel les données d'image SEM sont sous la forme de valeurs numérisées de pixel codé par couleurs.