Brevet FR2777710A1 — publié le 19991022

DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR CAPABLE DE REDUIRE LA PERTE DE COUPLAGE PAR RAPPORT A UNE FIBRE OPTIQUE DESCRIPTION La présente invention concerne généralement un dispositif laser à semi-conducteur. Plus spécifiquement, la présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur ayant des caractéristiques d'une haute puissance de sortie/ d'un haut rendement, et également des caractéristiques monomodes supérieures. Comme procédé pour coupler de façon optique un dispositif de guide d'onde optique à semi-conducteur (à savoir, un dispositif de fonction optique) à une fibre optique monomode (à savoir, l'autre dispositif de fonction optique), une diode laser à semi-conducteur et un commutateur à semi-conducteur sont utilisés. Dans ce procédé de "couplage en butée", une surface de bord d'un dispositif de guide d'onde optique s'appuie directement sur une fibre optique. Cependant, conformément à ce procédé de "couplage en butée", puisque les tailles de point ou tailles de spot de la lumière laser propagée à travers les guides d'ondes optiques sont différentes les unes des autres, il se produirait une perte de couplage indicative de la perte en quantité de lumière de guide d'onde au niveau de la partie en butée directe. Normalement, une taille de point ou taille de spot (diamètre de mode) d'un faisceau laser projeté par un dispositif à semi-conducteur est sélectionnée pour être de l'ordre de 1 micromètre. De plus, normalement, une taille de point d'un faisceau laser pour une fibre optique est sélectionnée pour correspondre approximativement à 5 micromètres. En conséquence, une perte de couplage survenue dans le "couplage en butée" entre le dispositif optique à semi-conducteur et la fibre optique passera à environ 10 dB. De façon classique, comme procédé pour réduire une perte de couplage, un objectif est utilisé pour convertir des tailles de point des faisceaux laser. Cependant, quant au procédé de couplage en utilisant un tel objectif, puisque la tolérance pour l'alignement de l'objectif est faible, il est difficile dans la pratique d'assembler cet objectif avec le dispositif optique à semi-conducteur. Par conséquent, le coût de fabrication des modules respectifs augmenterait. En particulier, très récemment, des champs d'application de diodes laser à semi-conducteur s'étendent rapidement des systèmes de transmission de base à d'autres systèmes, tels qu'un système d'abonnés, un système LAN (réseau local), et un système de liaison de données. Dans ces circonstances, un grand nombre de modules de diode laser à semi-conducteur fabriqués à faible coût sont absolument nécessaires. Par conséquent, il est souhaité de réduire le nombre total de composants nécessaires quand une diode laser à semi- conducteur elle-même est fabriquée. En outre, puisque la plus grande partie du coût de fabrication de ces modules est due au travail d'assemblage difficile, la fibre optique est couplée à la diode laser à semi- conducteur en utilisant un assemblage facile par l'intermédiaire d'un alignement passif. Sur la base des aspects techniques décrits ci-dessus, diverses sortes de dispositifs de couplage optique et divers types de sources de lumière, dans lesquels les dispositifs de couplage optique sont intégrés avec des diodes laser à semi-conducteur, ont été développés. Par exemple, la diode laser à taille de point (" spot size ") de faisceau élargie avec le ruban actif effilé latéral est décrite dans "International Conference on Indium Phosphide and Related Material, Conference Proceedings", pages 657 à 660, en 1997. Dans cette diode laser à taille de point de faisceau élargie, tout le résonateur se compose de la zone de couche active. Et cette diode laser à taille de point de faisceau élargie peut faire vibrer de la lumière laser avec une caractéristique de température supérieure et aussi avec un taux de convergence élevé. La figure 1A montre de façon représentative la structure de la diode laser à taille de point de faisceau élargie décrite ci-dessus avec le ruban actif effilé latéral. En se référant maintenant à la figure 1A, la diode laser à taille de point de faisceau élargie présente la structure décrite ci-dessous. Une couche en InP de type P 721 et une couche active en InGaAsP 701 sont formées sur un substrat en InP de type P 708. Une couche en InP de type N 714 est formée sur une couche en InP de type P 721. Une couche en InP de type P 712 est formée sur une couche en InP de type N 714. Une couche en InP de type N 710 est formée sur toute la surface de l'élément. En outre, une pellicule 703 avec une faible puissance réfléchissante est prévue sur une surface avant de la diode laser à taille de point de faisceau élargie. De plus, une pellicule 702 avec une haute puissance réfléchissante est prévue sur une surface arrière de la diode laser à taille de point de faisceau élargie. La figure lB représente de façon représentative la forme de la couche active 701 contenue dans cette diode laser à taille de point de faisceau élargie avec le ruban actif effilé latéral. Les dimensions a, b, c et d indiquées sur cette figure lB valent respectivement 300 pm, 1,2 pm, 0,6 pm et 5 pm. La couche active 701 inclut une zone de couche active 705 et une zone de couche active effilée 706. La zone de couche active effilée 706 a une structure telle que la largeur de la zone de couche active effilée 706 est rétrécie à une zone proche du plan de radiation de lumière laser. En se référant maintenant à la figure 1A et à la figure lB, cette diode laser à taille de point de faisceau élargie avec le ruban actif effilé latéral possède une structure telle que la largeur de la couche active 701 est rétrécie à une zone proche du plan de radiation de lumière laser. Dans cette diode laser à semi-conducteur, puisque le résonateur tout entier correspond à la zone active, il est possible de raccourcir relativement la longueur de ce laser à semi-conducteur. En conséquence, cette diode laser à semi-conducteur possède une structure avantageuse pour avoir un taux de convergence élevé. De plus, cette diode laser à semi-conducteur spécifique peut être fabriquée en utilisant les mêmes étapes de fabrication que pour la diode laser à semi-conducteur ayant la largeur de couche active uniforme classique. Dans la diode laser à taille de point de faisceau élargie avec le ruban actif effilé latéral, quand la longueur de la zone de couche active effilée 706 est raccourcie tout en maintenant la longueur du résonateur à une valeur constante, le volume de la couche active 701 augmente. En conséquence, le gain de cette diode laser à semi-conducteur augmente réduisant la valeur de courant de seuil et de courant de fonctionnement à des températures élevées. De plus, plus la longueur de cette zone de couche active effilée 706 raccourcit, plus le degré de couplage au mode de radiation augmente réduisant le rendement de couplage de cette diode laser à semi-conducteur par rapport à la fibre optique. D'autres dispositifs laser à semi-conducteur classiques ont été décrits comme suit. La demande de brevet japonais publiée (JP-A-Heisei -22 577) décrit un "LIGHT EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICE". Ce dispositif (diode laser) à semi-conducteur émetteur de lumière est équipé de la structure de conversion de taille de point de faisceau, et est capable de bloquer un phénomène de sorte que la lumière laser s'échappant du coeur dans la zone de conversion de taille de point est renvoyée à la zone de gain de cette diode laser. Concrètement parlant, cette diode laser se caractérise en ayant une structure de réflexion capable de réfléchir la lumière laser diffusée à proximité de la structure de conversion de taille de point et de la zone de gain. Cette lumière laser diffusée s'échappe du coeur et entre ensuite dans la zone de gain. De plus, la demande de brevet japonais publiée (JP- A-Heisei 9-61 652) présente un "SEMICONDUCTOR OPTICAL WAVEGUIDE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF". Dans le guide d'onde optique à semiconducteur et le procédé de fabrication de celui-ci, quand l'élément optique, tel que le dispositif laser à semi-conducteur, est couplé à un autre élément optique ou la fibre optique sans utiliser le système d'objectif, le rendement de couplage peut être accru. La structure de ce guide d'onde optique à semi-conducteur représente une forme effilée telle que l'épaisseur de la couche de coeur du guide d'onde optique change continuellement d'une manière exponentielle. La présente invention a été réalisée pour résoudre les problèmes expliqués ci-dessus. Donc, un objet de la présente invention est de prévoir un dispositif laser à semi-conducteur capable de réaliser un haut rendement de couplage entre ce dispositif laser à semi-conducteur et une fibre optique sous la condition que ce dispositif laser à semi- conducteur ait une structure effilée courte. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un dispositif laser à semi-conducteur capable d'obtenir une faible valeur de seuil et un haut rendement de couplage en même temps à une température élevée. De façon à réaliser un aspect de la présente invention, un dispositif laser à semi-conducteur inclut une couche portant des électrons, une couche active, et une couche portant des trous. La couche portant des électrons est formée sur un substrat à semi-conducteur. La couche active inclut une première zone de couche active droite ayant une première largeur et une deuxième zone de couche active droite ayant une deuxième largeur. Et la couche active est formée sur la couche portant des électrons en contact avec la couche active. Ici, la première zone de couche active droite est réunie avec la deuxième zone de couche active droite, la deuxième largeur est plus étroite que la première largeur, et une couche active irradie de la lumière laser en réponse à l'application d'une tension supérieure ou égale à une tension prédéterminée. Une couche portant des trous est formée sur la couche active en contact avec la couche active. Aussi bien la première largeur que la deuxième largeur peuvent être telles que la lumière laser dans un mode en guide d'onde interfère avec la lumière laser dans un mode de rayonnement dans la deuxième zone de couche active droite. Les deux zones de couche active droite ont seulement le mode le plus bas. La couche active peut rayonner une lumière laser d'une longueur d'onde de X micromètres, la première largeur de la première zone de couche active droite peut correspondre sensiblement à 0,923 x X micromètres, et la deuxième largeur de la deuxième couche active peut correspondre sensiblement à 0,462 x X micromètres. La couche active peut rayonner une lumière laser sensiblement d'une longueur d'onde égale à 1,3 micromètres, la première zone de couche active droite peut avoir la première largeur sensiblement de la même largeur que 1,2 micromètres, et la deuxième couche active peut avoir la deuxième largeur sensiblement d'une largeur égale à 0,6 micromètre. La deuxième zone active peut avoir une longueur telle qu'une phase de la lumière laser dans un mode en guide d'onde est égale à une phase de la lumière laser dans un mode de rayonnement dans la zone active. Le dispositif laser à semi-conducteur peut en outre inclure une couche de blocage de courant formée entre la couche portant des électrons et la couche portant des trous. La couche de blocage de courant peut comprendre une couche de blocage de trous et une couche de blocage d'électrons. Ici, la couche de blocage de trous est formée sur la couche portant des électrons et la couche de blocage d'électrons est formée sur la couche de blocage de trous. Le dispositif laser à semi-conducteur peut être couplé à une fibre optique monomode et un rendement de couplage entre le dispositif laser à semi-conducteur et la fibre optique monomode est inférieur ou égal à 5,0 dB. La couche active peut avoir une longueur telle qu'une perte de la lumière laser propagée est inférieure ou égale à 0,3 dB. Ici, la perte survient alors que la lumière laser effectue un aller-retour à la couche active. Le dispositif laser à semi-conducteur peut en outre inclure un réseau de diffraction formé sous la deuxième zone active. La couche active peut rayonner une lumière laser d'une longueur d'onde de X micromètres et le réseau de diffraction peut avoir sensiblement un intervalle de ?/6,364 micromètres. La couche active peut rayonner une lumière laser sensiblement d'une longueur d'onde égale à 1,3 micromètres et le réseau de diffraction peut avoir sensiblement un même intervalle égal à 204,3 nanomètres. Le dispositif laser à semi-conducteur peut être exploité dans un mode unique de sorte qu'un rapport de suppression de sous-mode est inférieur ou égal à 50 dB. Les figures 1A et lB montrent de façon représentative la structure du laser de conversion de taille de point de type à effilement actif latéral classique, la figure 1A montre la structure globale du laser de conversion de taille de point de type à effilement actif latéral classique, et la figure lB montre la forme d'une zone de couche active dans le laser de conversion de taille de point de type à effilement actif latéral classique; les figures 2A, 2B et 2C montrent de façon représentative un dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention, la figure 2A est une vue en perspective du premier mode de réalisation de la présente invention, la figure 2B est une vue en coupe prise suivant une ligne A-A' de la figure 2A selon le premier mode de réalisation de la présente invention, et la figure 2C est une vue en coupe prise suivant une ligne B-B' de la figure 2A suivant le premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 montre de façon représentative une forme d'une couche active dans le dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention; les figures 4A à 4E sont des schémas montrant un procédé pour fabriquer le dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une représentation graphique pour montrer le rendement de couplage entre une fibre optique et le dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation; la figure 6 est une représentation graphique pour montrer le rendement de couplage pour un seul aller- retour dans le laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation; la figure 7 montre de façon représentative un dispositif laser à semi-conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention; et les figures 8A et 8B montrent de façon représentative une forme d'une couche active dans le dispositif laser à semi-conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, la figure 8A est une vue de dessus d'une couche active, et la figure 8B est une vue en coupe d'une couche active. En se référant maintenant aux dessins, divers modes de réalisation préférés de la présente invention seront décrits en détail. D'abord, un dispositif laser à semi- conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention sera décrit ci-dessous. Les figures 2A, 2B et 2C montrent de façon représentative un dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2A est une vue en perspective du premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2B est une vue en coupe prise suivant une ligne A-A' de la figure 2A selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2C est une vue en coupe prise suivant une ligne B-B' de la figure 2A selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Nous allons maintenant faire une description de la structure globale de ce premier dispositif laser à semi-conducteur en nous référant à la figure 2A, à la figure 2B et à la figure 2C. Comme représenté sur ces dessins, une couche de confinement de type N 109 est formée sur un substrat de type N 108. Aussi bien une couche active 101 qu'une couche de blocage de courant sont formées sur la couche de confinement de type N 109. Une couche de confinement de type P 110 est formée sur la couche active 101. La couche de blocage de courant se compose d'une couche de blocage de courant de type P 113 située au niveau d'une couche inférieure et d'une couche de blocage de courant de type N 114 située au niveau d'une couche supérieure. Une couche enterrée de type P 112 est prévue aussi bien sur la couche de confinement de type P 110 que sur la couche de blocage de courant. Une couche de contact de type P 115 est formée sur la couche enterrée de type P 112. Une couche isolante 123 est formée sur la couche de contact de type P 115. Une ouverture est formée sur la couche isolante 123, et l'ouverture est formée sur la couche active 101. En outre, une électrode de type P 121 est formée sur l'ensemble de l'ouverture, de la couche de contact de type P 115, et de la couche isolante 123. La couche de contact de type P 115 possède une fonction capable de réduire une résistance de contact par rapport à l'électrode de type P 121. De plus, une électrode de type N 122 est formée sur une surface inférieure du substrat de type N 108. Une tension de CC (courant continu) est appliquée au dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention en utilisant aussi bien l'électrode de type P 121 qu'une électrode de type N 122. En outre, une pellicule 103 ayant une faible puissance réfléchissante est prévue sur une surface avant du dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. De plus, une pellicule 102 ayant une haute puissance réfléchissante est prévue sur une surface arrière du dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 3 montre de façon représentative une forme de la couche active 101 dans le dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Nous allons maintenant faire une description de la structure de la couche active 101 selon le premier mode de réalisation de la présente invention en nous référant à la figure 3. La couche active 101 est formée pour faire vibrer une lumière laser d'une longueur d'onde de X micromètres en réponse à l'application d'une tension de CC. En se référant maintenant à la figure 3, la couche active 101 se compose d'une première zone de couche active droite 105 et d'une deuxième zone de couche active droite 107. Les formes de la première zone de couche active droite 105 et de la deuxième zone de couche active droite 107 représentent soit des formes rectangulaires soit des formes sensiblement rectangulaires. Une largeur "w2" de la deuxième zone de couche active droite 107 est plus étroite qu'une largeur "wl" de la première zone de couche active droite 105. Dans le cas o la lumière laser, que la couche active 101 décrite ci-dessus fait vibrer, est propagée en monomode à travers un guide d'onde optique de la couche active 101 décrite ci-dessus, la taille de point ou taille de spot de la lumière laser est élargie au niveau de la première zone de couche active droite 105. Ceci est un objet de la présente invention. En particulier, la couche active 101 fait vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde de k micromètres, et quand la largeur de la première zone de couche active droite 105 est formée pour être constituée de 0,923 x X micromètres et la largeur de la deuxième zone de couche active droite 107 est formée pour être constituée de 0,462 x X micromètres, il y aura une interférence entre un mode en guide d'onde et un mode de rayonnement de la lumière laser qui vibre au niveau de la couche active 101 du dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention. Les figures 4A à 4E sont des schémas montrant un procédé pour fabriquer le dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention. En se référant aux figures 4A à 4E, un procédé pour fabriquer le dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention sera décrit. D'abord, la couche de confinement de type N 109 est formée sur le substrat de type N 108. Ensuite, la couche active 101 est formée sur la couche de confinement de type N 109. La couche active 101 est constituée de InGaAsP. La couche active 101 se compose d'une couche de puits quantiques de multiplexage contraints. La couche active 101 est conçue pour faire vibrer la lumière laser ayant une longueur d'onde de x micromètres. Par la suite, la couche de confinement de type P 110 est formée sur la couche active 101. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées ci-dessus sont terminées, une structure de dispositif montrée sur la figure 4A est formée. Ensuite, un masque en SiO2 116, montré sur la figure 4B, est formé sur la couche de confinement de type P 110. La forme du masque en SiO2 116 est basée sur la forme d'une couche active d'un dispositif laser à semi-conducteur en cours de fabrication. Quand une gravure isotrope est utilisée à l'aide d'une réaction chimique, telle qu'une gravure humide dans le procédé de gravure mentionné ci-dessous, la taille du masque SiO2 116 peut être déterminée en considérant la quantité de gravure latérale par la gravure isotrope. Ensuite, une plaquette, sur laquelle le masque en SiO2 116 est formé, est gravée de façon humide à partir de sa surface supérieure pour supprimer partiellement la couche active 101, la couche de confinement de type P 110, et la couche de confinement de type N 109 à former à partir du mésa en ruban montré sur la figure 4C. Il convient aussi de noter que les procédés de gravure mentionnés ci-dessous peuvent s'appliquer au traitement de gravure décrit ci-dessus. Les procédés de gravure sont adoptés au procédé de gravure sèche pour utiliser les réactions chimiques, au procédé de gravure anisotrope pour faire progresser les traitements de gravure anisotrope suivant une direction de profondeur d'une pellicule mince à l'aide d'un mécanisme physique, et au procédé de gravure par faisceau d'ions. Quand l'aspect d'endommagement par rapport à la couche active 101 est considéré, aussi bien le procédé de gravure humide que le procédé de gravure sèche utilisant la réaction chimique sont de préférence utilisés dans le premier mode de réalisation. Dans ce cas, la forme d'un masque, utilisé quand le procédé de gravure anisotrope et le procédé de gravure par faisceau d'ions sont utilisés au lieu du procédé de gravure humide expliqué ci-dessus, n'est pas particulièrement représentée sur ces dessins. La taille du masque de gravure est égale à la taille de la couche active 101 à fabriquer. Ensuite, la couche de blocage de courant de type P 113 est formée sur la couche de confinement de type N 109. Par la suite, la couche de blocage de courant de type N 114 est formée sur la couche de blocage de courant de type P 113. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées ci- dessus sont terminées, une structure de dispositif montrée sur la figure 4D est formée. Ensuite, le masque en SiO2 116 est supprimé. Par la suite, la couche enterrée de type P 112 est formée pour couvrir toute la structure de dispositif. Ensuite, la couche de contact de type P 115 est formée sur la couche enterrée de type P 112. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées ci- dessus sont terminées, la structure de dispositif montrée sur la figure 4E est formée. Après cela, aussi bien l'électrode de type P 121 que l'électrode de type N 112 sont formées sur la plaquette décrite ci-dessus au moyen du processus de fabrication d'électrodes normalement exécuté. Ensuite, la plaquette résultante est clivée au niveau du clivage de la plaquette résultante pour constituer un élément d'une longueur prédéterminée. Un élément qui est découpé dans la plaquette résultante possède la couche active 101 composée à la fois de la première zone de couche active droite 105 et de la deuxième zone de couche active droite 107. Dans un souci de facilité d'explication, une surface latérale o la première zone de couche active droite 105 est exposée est appelée une "surface arrière", et l'autre surface latérale o la deuxième zone de couche active droite 107 est exposée est appelée une "surface avant" dans le premier mode de réalisation. Après cela, la pellicule à faible réflectance 103 est formée sur la surface avant expliquée ci-dessus de l'élément découpé, et la pellicule à haute réflectance 102 est formée sur la surface arrière expliquée ci-dessus de celle-ci. Selon les étapes de fabrication expliquées ci-dessus, on obtient la structure finale du premier dispositif laser à semi- conducteur de la présente invention représenté sur les figures 2A, 2B et 2C. Nous allons maintenant décrire le fonctionnement du dispositif laser à semi-conducteur décrit ci-dessus selon le premier mode de réalisation de la présente invention. D'abord, comme montré sur la figure 3, dans le dispositif laser à semi-conducteur du premier mode de réalisation de la présente invention, la couche active 101 se compose de la première zone de couche active droite 105 et de la deuxième zone de couche active droite 107. En plus, la largeur "w2" de la deuxième zone de couche active droite 107 est plus étroite que la largeur "wl" de la première zone de couche active droite 105. La lumière laser émise à partir de la couche active 101 est propagée jusqu'à la première zone de couche active droite 105. Et ensuite, la lumière laser est couplée aussi bien au mode en guide d'onde qu'au mode de rayonnement de la deuxième zone de couche active droite 107 de celui-ci au niveau d'une partie de jonction entre la première zone de couche active droite et la deuxième zone de couche active droite 107. Puisque la constante de transmission du mode en guide d'onde est différente de celle du mode de rayonnement, la lumière laser dans le mode en guide d'onde interférera avec la lumière laser dans le mode de rayonnement alors que deux ensembles de la lumière laser sont transmis suivant la deuxième zone de couche active droite 107. Quand la longueur de la deuxième zone de couche active droite 107 est déterminée d'une manière telle que ces deux modes ont une relation en phase, la taille de point de la lumière laser à la surface de bord de la deuxième zone de couche active droite 107 est élargie. En conséquence, le rendement de couplage entre la lumière laser et la fibre optique peut être accru. Un exemple concret du dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention sera maintenant expliqué. Dans cet exemple concret, la longueur d'onde d'oscillation de la lumière laser est sélectionnée pour être une longueur de 1,3 micromètres en réponse à l'application d'une tension de CC supérieure ou égale à une tension de CC présélectionnée. En se référant maintenant aux figures 2A, 2B et 2C, un exemple structurel concret du premier dispositif laser à semi-conducteur est décrit comme suit. Le substrat de type N 108, la couche de confinement de type N 109, et la couche de blocage de courant de type N 114 sont réalisées en InP de type N. Cet InP de type N implique une couche en InP dans laquelle un ion de type N est injecté. La couche active 101 est réalisée en InGaAsP, et se compose d'une couche de puits quantiques de multiplexage contraints. Cette couche active 101 est conçue sous une condition telle que cette couche active 101 vibre en ayant une longueur d'onde de 1,3 micromètres en réponse à l'application d'une tension de CC supérieure ou égale à une tension prédéterminée. La couche de confinement de type P 110, la couche de blocage de courant de type P 113, et la couche enterrée de type P 112 sont réalisées en InP de type P. Cet InP de type P implique une couche en InP dans laquelle un ion de type P est injecté. La couche de contact de type P 115 est réalisée en InGaAsP de type P. Cet InGaAsP de type P implique une couche en InGaAsP dans laquelle un ion de type P est injecté. La pellicule à faible réflectance 103 décrite ci-dessus est sélectionnée pour avoir 30 pour cent de réflectance, et la pellicule à haute réflectance 102 décrite ci-dessus est sélectionnée pour avoir 95 pour cent de réflectance. En se référant maintenant à la figure 3, la couche active 101 se compose de la première zone de couche active droite 105 et de la deuxième zone de couche active droite 107. La première zone de couche active droite 105 est façonnée sous une condition telle qu'une longueur "Ll" de celle-ci est sélectionnée pour correspondre à 240 micromètres, et une largeur "wl" de celle- ci est sélectionnée pour correspondre à 1,2 micromètres. La deuxième zone de couche active droite 107 est façonnée sous une condition telle qu'une longueur "L2" de celle-ci est sélectionnée pour correspondre à 60 micromètres, et une largeur "w2" de celle-ci est sélectionnée pour correspondre à 0,6 micromètres. Une longueur globale de la couche active 101 est sélectionnée pour correspondre à 300 micromètres. Ensuite, en se référant aux figures 4A à 4E, un procédé pour fabriquer l'exemple concret du dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention sera décrit. D'abord, la couche de confinement en InP de type N 109 est formée sur le substrat en InP de type N 108. Ensuite, la couche active 101 ayant l'épaisseur de 0,2 micromètre est formée sur la couche de confinement en InP de type N 109. La couche active 101 est réalisée en InGaAsP. La couche active 101 est construite à partir d'une couche de puits quantiques de multiplexage contraints. La couche active 101 est conçue pour faire vibrer la lumière laser ayant une longueur d'onde de 1,3 micromètres. Par la suite, la couche de confinement en InP de type P 110 est formée sur la couche active 101. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées ci- dessus sont terminées, une structure de dispositif montrée sur la figure 4A est formée. Ensuite, un masque en SiO2 116, montré sur la figure 4B, est formé sur la couche de confinement en InP de type P 110. Dans ce cas, une forme du masque en SiO2 116 est constituée de premières zones de masque et de deuxièmes zones de masque. Ces premières et deuxièmes zones de masque sont formées en alternance d'une manière continue. La première zone de masque est réalisée en ayant la largeur "wl'" de 3,2 micromètres et la longueur "2L1" de 480 micromètres, tandis que la deuxième zone de masque est réalisée en ayant la largeur "w2'" de 2,6 micromètres et la longueur "2L2" de 120 micromètres. Ensuite, la plaquette sur laquelle ce masque en SiO2 est formé est gravée de façon humide à partir de la surface supérieure de celle-ci pour supprimer partiellement la couche active 101, la couche de confinement en InP de type P 110, et la couche de confinement en InP de type N 109 à former à partir de mesa en ruban montré sur la figure 4C. La largeur "wl" de la couche active 101 est formée pour se trouver à 1, 2 micromètres sous la première zone de masque du masque en SiO2 116, et la largeur "w2" de celle-ci est formée pour se trouver à 0,6 micromètre sous la deuxième zone de masque de celle-ci. A ce moment-là, le traitement de gravure est effectué en tenant compte de ce que l'on appelle le phénomène "de gravure latérale" provoqué par le traitement de gravure humide. Il convient aussi de noter que les procédés de gravure mentionnés ci-dessous peuvent s'appliquer au traitement de gravure décrit ci-dessus. Les procédés de gravure sont adoptés au procédé de gravure sèche pour utiliser les réactions chimiques, au procédé de gravure anisotrope pour faire progresser les traitements de gravure anisotrope suivant une direction de profondeur d'une pellicule mince à l'aide d'un mécanisme physique, et au procédé de gravure par faisceau d'ions. Cependant, quand l'aspect d'endommagement par rapport à la couche active 101 est considéré, aussi bien le procédé de gravure humide que le procédé de gravure sèche utilisant la réaction chimique sont de préférence utilisés dans l'exemple concret de ce premier mode de réalisation. Dans ce cas, la forme d'un masque, utilisé quand le procédé de gravure anisotrope et le procédé de gravure par faisceau d'ions sont utilisés au lieu du procédé de gravure humide expliqué ci-dessus, n'est pas particulièrement représentée sur ces dessins. La taille de ce masque de gravure est égale à la taille de la couche active 101 à fabriquer. Autrement dit, la première zone de masque du masque en Si02 116 décrit ci-dessus est réalisée en ayant la largeur "wl'" de 1,2 micromètres et la longueur "2L1" de 480 micromètres. Tandis que la deuxième zone de masque du masque en Sio2 116 décrit ci-dessus est réalisée en ayant la largeur "w2'" de 0,6 micromètre et la longueur "2L2" de 120 micromètres. Ensuite, la couche de blocage de courant en InP de type P 113 est formée sur la couche de confinement de type N 109 au moyen du procédé d'épitaxie en phase vapeur aux organométalliques (MOVPE) pour avoir une épaisseur de 0,7 micromètres. Par la suite, la couche de blocage de courant en InP de type N 114 est formée sur la couche de blocage de courant en InP de type P 113 au moyen du procédé MOVPE pour avoir l'épaisseur de 0,7 micromètres. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées ci-dessus sont terminées, une structure de dispositif montrée sur la figure 4D est formée. Ensuite, le masque en SiO2 116 est supprimé. Par la suite, la couche enterrée en InP de type P 112 est formée sur toute la structure de dispositif pour avoir l'épaisseur de 2,0 micromètres. Ensuite, la couche de contact en InGaAsP de type P est formée sur la couche enterrée en InP de type P 112 pour avoir l'épaisseur de 0,5 micromètre. Quand les étapes de processus de fabrication expliquées cidessus sont terminées, une structure de dispositif montrée sur la figure 4E est formée. Ensuite, la couche isolante 123 est formée sur la couche de contact en InGaAsP de type P 115 et une partie de la couche isolante 123 est supprimée pour créer une ouverture sur la couche active 101. * Après cela, l'électrode de type P 121 est formée sur toute la structure de dispositif, et l'électrode de type N 122 est formée sous le substrat en InP de type N 108 en exécutant le processus bien connu de fabrication d'électrodes. Ensuite, la plaquette résultante est clivée pour créer un élément ayant une longueur présélectionnée. A ce moment- là, l'élément est découpé dans cette plaquette pour être formé à partir de la couche active 101 de sorte que la première zone de couche active droite 105 a une longueur "Ll" de 240 micromètres et la deuxième zone de couche active droite 107 a une longueur "L2" de 60 micromètres. Dans un souci de facilité d'explication, une surface latérale o la première zone de couche active droite 105 est exposée est appelée une "surface arrière", tandis qu'une autre surface latérale o la deuxième zone de couche active droite 107 est exposée est appelée une "surface avant" dans l'exemple concret de ce premier mode de réalisation. Après cela, la pellicule à faible réflectance 103 ayant la réflectance de 30 pour cent est formée sur la surface avant expliquée ci-dessus de l'élément découpé, et la pellicule à haute réflectance 102 ayant la réflectance de 95 pour cent est formée sur la surface arrière de celle-ci expliquée ci-dessus. Selon les étapes de fabrication expliquées ci-dessus, on obtient la structure concrète du premier dispositif laser à semi- conducteur de la présente invention. Nous allons maintenant décrire les évaluations du dispositif laser à semi-conducteur décrit ci- dessus selon l'exemple concret expliqué ci-dessus du premier dispositif laser à semi-conducteur de la présente invention. D'abord, une évaluation est effectuée du dispositif laser à semi-conducteur selon le premier mode de réalisation en utilisant un élément fabriqué sur la base des conditions mentionnées ci-dessous. La couche active 101 est formée pour faire vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde d'environ 1,3 micromètres. La longueur de la couche active 101 est sélectionnée pour correspondre à environ 300 micromètres. La longueur "Li" de la première zone de couche active droite 105 est sélectionnée pour correspondre à environ 240 micromètres, et la longueur "L2" de la deuxième zone de couche active droite 105 est sélectionnée pour correspondre à environ 60 micromètres. La largeur "wl" de la première zone de couche active droite 105 est sélectionnée pour correspondre à environ 1,2 micromètres, et la largeur "w2" de la deuxième zone de couche active droite 105 est sélectionnée pour correspondre à environ 0,6 micromètre. La pellicule à faible réflectance 103 a une réflectance d'environ 30 pour cent, et la pellicule à haute réflectance 102 a une réflectance d'environ 95 pour cent. Quand une tension présélectionnée est appliquée à l'élément de dispositif laser à semi-conducteur capable de satisfaire aux conditions décrites ci-dessus, cet élément de dispositif laser à semi- conducteur fait vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde de 1,31 micromètres. De plus, quand les caractéristiques de courant/sortie de lumière de ce dispositif laser à semi-conducteur ont été évaluées, ce dispositif laser vibrant sous une condition de température ambiante, la valeur de courant de seuil était de 4,0 mA, et en plus le rendement d'émission de lumière représentait 0,6 W/A. De plus, ce dispositif laser vibrant sous une condition de température de 85 C, la valeur de courant de seuil était 15,9 mA, et en plus le rendement d'émission de lumière représentait 0,4 W/A. En plus, même sous une condition de température de 85 C, une puissance de sortie de lumière supérieure à 40 mW pouvait être obtenue. Qui plus est, comme résultat de mesure du rendement de couplage entre ce dispositif laser à semi-conducteur et une fibre optique monomode avec un diamètre de coeur de 10 micromètres, le rendement de couplage de -4,0 dB pouvait être obtenu au maximum. En plus, dans un cas o le centre de la couche active de ce dispositif laser à semi-conducteur se situe éloigné du centre de la fibre optique expliquée ci-dessus d'environ 2, 5 micromètres sur la surface de couplage, le rendement de couplage était réduit de 1 dB. Au contraire, un tel dispositif laser à semi- conducteur a été fabriqué en utilisant la couche active effilée ayant une longueur de 60 micromètres conformément à la technique classique. Comme résultat de mesure du rendement de couplage entre ce dispositif laser à semi-conducteur résultant et la fibre optique, un rendement de couplage de -6,0 dB a été obtenu au maximum. Ceci implique que le rendement de couplage du dispositif laser à semi- conducteur mentionné en dernier s'était détérioré d'environ 2 dB, en comparaison avec le dispositif laser à semi-conducteur de la présente invention. La figure 5 représente de façon graphique une perte de couplage de lumière laser survenue dans le dispositif laser à semi-conducteur décrit ci-dessus. La perte de couplage de lumière laser survient entre une fibre optique monomode et le premier dispositif laser à semi-conducteur fabriqué quand le premier dispositif laser à semi-conducteur fait vibrer la lumière laser. Ici, sur le premier dispositif laser à semi-conducteur, la longueur de la deuxième zone de couche active droite (à savoir, la longueur du dispositif de conversion) est sélectionnée pour correspondre à "L" micromètres, et la longueur de la première zone de couche active droite 107 est sélectionnée pour correspondre à 240 micromètres. Il convient de noter que la figure 5 représente de façon graphique une relation corrélative entre la longueur "L" du dispositif de conversion et la perte de couplage par rapport à la fibre optique monomode, qui est calculée en introduisant le procédé de propagation de faisceau 3-D (BPM). Lorsque la longueur "L" du dispositif de conversion varie, le rendement de couplage est atténué en oscillation dû au mode de relation de phase. Comme résultat de calcul obtenu en utilisant le BPM 3-D, quand la longueur "L" du dispositif de conversion est sélectionnée pour être 60 micromètres, un rendement de couplage entre le premier dispositif laser à semi- conducteur et la fibre optique passe à environ -3,0 dB. Par contre, comme résultat de calcul obtenu en utilisant le BPM 3-D, quand la longueur "L" du dispositif de conversion est sélectionnée de façon similaire pour correspondre à 60 micromètres, un rendement de couplage entre la fibre optique et le dispositif laser à semi-conducteur utilisant la zone active conique formée par la technique classique passe à environ -5,9 dB. Par conséquent, quand la longueur "L" du dispositif de conversion est réglée sur 60 micromètres, le rendement de couplage entre le premier dispositif laser à semi- conducteur et la fibre optique peut être amélioré d'environ 3 dB, en comparaison avec le rendement de couplage entre la fibre optique et un tel dispositif laser à semi-conducteur classique utilisant la zone active effilée. En outre, dans un dispositif laser à semi- conducteur, il est nécessaire de réduire la perte de la quantité de lumière laser pendant que la lumière laser effectue un aller-retour dans la couche active. La figure 6 montre de façon graphique un rendement de couplage calculé par le BPM 2-D dans un cas o la lumière laser réfléchie à la surface de bord avant est encore une fois couplée à la premiere zone de couche active droite 105 ayant une largeur "wl". Il est similaire au résultat de calcul lié à la relation corrélative entre la longueur "L" du dispositif de conversion et la perte de couplage par rapport à la fibre optique monomode. Lorsque la longueur "L" du dispositif de conversion varie, le rendement de couplage est atténué en oscillation dû à la relation entre la phase du mode en guide d'onde et la phase du mode de radiation de la lumière laser. Quand la longueur "L" du dispositif de conversion est réglée sur micromètres pour optimiser le rendement de couplage par rapport à la fibre optique, la phase de la lumière laser dans le mode de guide d'onde est sensiblement opposée à la phase de la lumière laser dans le mode de rayonnement. Par conséquent, puisque le diamètre de faisceau se rétrécit, le faisceau laser peut être facilement couplé à la première zone de couche active droite 105 ayant la largeur "wl". En conséquence, la longueur de la zone de conversion de taille de point ou taille de spot passe à micromètres, à savoir elle peut être raccourcie à 1/5e, ou moins, de la couche active effilée classique. En plus, la perte de la lumière laser qui est propagée alors que ladite lumière laser effectue un aller-retour dans le résonateur du dispositif laser à semi- conducteur devient petite, à savoir égale à environ 0,2 dB. Comme il apparaît d'après la description précédente, conformément au premier mode de réalisation de la présente invention, il est possible de réaliser le dispositif laser à semiconducteur capable d'avoir une faible valeur de seuil, un haut rendement, et un haut rendement de couplage même à haute température. Ensuite, nous allons décrire ci-dessous un dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. La figure 7 montre de façon représentative un dispositif laser à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Nous allons maintenant faire une description de la structure globale de ce deuxième dispositif laser à semi-conducteur en nous référant à la figure 7. Comme représenté sur ce dessin, une couche de confinement de type N 609 et le réseau de diffraction 617 mentionné ci-dessous sont formés sur un substrat de type N 608. Aussi bien une couche active 601 qu'une couche de blocage de courant sont formées sur la couche de confinement de type N 609. Une couche de confinement de type P 610 est formée sur la couche active 601. La couche de blocage de courant est construite à partir d'une couche de blocage de courant de type P 613 située au niveau d'une couche inférieure et d'une couche de blocage de courant de type N 614 située au niveau d'une couche supérieure. Une couche enterrée de type P 612 est prévue à la fois sur la couche de confinement de type P 610 et la couche de blocage de courant. Une couche de contact de type P 615 est formée sur la couche enterrée de type P 612. Une couche isolante 623 est formée sur la couche de contact de type P 615. Une ouverture est formée dans la couche d'isolation 623, et l'ouverture est formée sur la couche active 601. En outre, une électrode de type P 621 est formée sur l'ensemble de l'ouverture, de la couche de contact de type P 615, et de la couche isolante 623. La couche de contact de type P 615 possède une fonction capable de réduire une résistance de contact par rapport à l'électrode de type P 621. De plus, une électrode de type N 622 est formée sur une surface inférieure du substrat de type N 608. Une tension de CC est appliquée au dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention en utilisant aussi bien l'électrode de type P 621 qu'une électrode de type N 622. En outre, une pellicule 603 ayant une faible puissance réfléchissante est prévue sur une surface avant du dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. De plus, une pellicule 602 ayant une haute puissance réfléchissante est prévue sur une surface arrière du dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 8A et 8B montrent de façon représentative une forme de la couche active 601 dans le dispositif laser à semi- conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Nous allons maintenant faire une description de la structure de la couche active 601 selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention en nous référant aux figures 8A et 8B. La figure 8A est une vue de dessus de la couche active 601, et la figure 8B est une vue en coupe de la couche active 601. La couche active 601 est formée pour faire vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde de x micromètres en réponse à l'application d'une tension de CC. En se référant maintenant aux figures 8A et 8B, la couche active 601 se compose d'une première zone de couche active droite 605 et d'une deuxième zone de couche active droite 607. Les formes de la première zone de couche active droite 605 et de la deuxième zone de couche active droite 607 représentent soit des formes rectangulaires, soit des formes sensiblement rectangulaires. Une largeur "w2" de la deuxième zone de couche active droite 607 est plus étroite qu'une largeur "wl" de la première zone de couche active droite 605. Dans le cas o la lumière laser, que la couche active 601 décrite cidessus fait vibrer, se propage en mode unique à travers un guide d'onde optique de la couche active 601 décrite ci-dessus, la taille de point ou taille de spot de la lumière laser est élargie au niveau de la première zone de couche active droite 605. Ceci est un objet de la présente invention. En particulier, la couche active 601 fait vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde de ? micromètres, et quand la largeur de la première zone de couche active droite 605 est formée pour être constituée de 0,923 x X micromètres et la largeur de la deuxième zone de couche active droite 607 est formée pour être constituée de 0,462 x ? micromètres, il y aura une interférence entre un mode de guide d'onde et un mode de rayonnement de la lumière laser qui vibre au niveau de la couche active 601 du dispositif laser à semi- conducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention. De plus, le réseau de diffraction 617 est formé sur le substrat de type N sous la deuxième zone de couche active droite 607, comme montré sur la figure 8B. Le réseau de diffraction 617 possède un intervalle de "T". Quand une longueur d'onde de lumière laser émise par le dispositif laser à semiconducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention est égale à k micromètres, le réseau de diffraction 617 est formé pour être égal à X/6,384 micromètres de l'intervalle "T". Le deuxième dispositif laser à semi-conducteur expliqué ci-dessus possède la caractéristique suivante différente de celle du premier dispositif laser à semi- conducteur. C'est-à-dire, le réseau de diffraction 617 est différemment prévu sur le substrat de type N 608 sous la deuxième zone de couche active droite 607. Ensuite, nous allons faire une description pour la fabrication du dispositif laser à semi-conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. Ce deuxième mode de fabrication de la présente invention inclut en outre une étape consistant à former le réseau de diffraction 617 sur le substrat de type N 608 correspondant à la partie inférieure de la deuxième zone active 607 au moyen du procédé d'exposition à un faisceau d'électrons en plus du premier mode de fabrication de la présente invention. Ensuite, nous allons faire une description du fonctionnement du dispositif laser à semi-conducteur décrit ci-dessus selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention. D'abord, comme montré sur les figures 8A et 8B, dans le dispositif laser à semi-conducteur du deuxième mode de réalisation de la présente invention, la couche active 601 se compose de la première zone de couche active droite 605 et de la deuxième zone de couche active droite 607. En plus, la largeur "w2" de la deuxième zone de couche active droite 607 est plus étroite que la largeur "wl" de la première zone de couche active droite 605. La lumière laser émise par la couche active 601 se propage jusqu'à la première zone de couche active droite 605. Et ensuite, la lumière laser est couplée aussi bien au mode en guide d'onde de la deuxième région de couche active droite 607 qu'au mode de rayonnement de celle-ci au niveau d'une partie de jonction entre la première zone de couche active droite 605 et la deuxième zone de couche active droite 607. Puisque la constante de transmission du mode de n guide d'onde est différente de celle du mode de rayonnement, la lumière laser dans le mode de guide d'onde interférera avec la lumière laser dans le mode de rayonnement alors que deux ensembles de lumière laser sont transmis le long de la deuxième zone de couche active droite 607. Quand la longueur de la deuxième zone de couche active droite 607 est déterminée d'une manière telle que ces deux modes ont une relation en phase, la taille de point de la lumière laser à la surface de bord de la deuxième zone de couche active droite 607 est élargie. En conséquence, le rendement de couplage entre la lumière laser et la fibre optique peut être accru. Qui plus est, puisque l'effet d'interférence provoqué par le réseau de diffraction 617 s'ajoute à l'effet du premier mode de réalisation, le pic de la longueur d'onde de la lumière laser d'oscillation devient plus prononcé. Ensuite, un exemple concret du dispositif laser à semi-conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention sera maintenant expliqué. Dans ce deuxième exemple concret, la longueur d'onde d'oscillation de la lumière laser est sélectionnée pour être une longueur de 1,3 micromètres en réponse à l'application d'une tension de CC supérieure ou égale à une tension de CC présélectionnée. Ce deuxième exemple concret du dispositif laser à semi-conducteur inclut en outre le réseau de diffraction 617 en plus du premier exemple concret de la présente invention. Le réseau de diffraction 617 est formé pour avoir un intervalle "T" de 204,3 nanomètres. Et le réseau de diffraction 617 est formé sur le substrat de type N 608 correspondant à la partie inférieure de la deuxième zone active 607. En plus, un procédé pour fabriquer ce deuxième exemple concret du dispositif laser à semi-conducteur inclut en outre une étape consistant à former le réseau de diffraction 617 en plus du procédé pour fabriquer le premier exemple concret de la présente invention. Le réseau de diffraction 617 est formé pour avoir un intervalle "T" de 204,3 nanomètres au moyen du procédé d'exposition à un faisceau d'électrons. Et le réseau de diffraction 617 est formé sur le substrat de type N 608 correspondant à la partie inférieure de la deuxième zone active 607. Quand une tension présélectionnée est appliquée au deuxième exemple concret du dispositif laser à semi- conducteur selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention, ce deuxième dispositif laser à semi-conducteur concret fait vibrer une lumière laser ayant une longueur d'onde de 1,31 micromètres. En plus, un taux de suppression de sous-mode correspond à 45 dB qui peut composer un indice de stabilité pour une oscillation monomode. De plus, quand les caractéristiques de sortie courant/ lumière de ce deuxième dispositif laser à semi-conducteur concret ont été évaluées, ce dispositif laser vibrant sous une condition de température ambiante, la valeur de courant de seuil était 4,0 mA, et en plus le rendement d'émission de lumière représentait 0,5 W/A. Qui plus est, ce dispositif laser àsemi-conducteur vibrant sous une condition de température de 85 C, la valeur de courant de seuil était 15,0 mA, et en plus le rendement d'émission de lumière représentait 0,38 W/A. En plus, même sous une condition de température de 85 C, une puissance de sortie de lumière supérieure à 40 mW pouvait être obtenue. En plus, comme résultat de mesure du rendement de couplage entre ce dispositif laser à semi-conducteur et une fibre optique monomode avec un diamètre de coeur de micromètres, un rendement de couplage de -4,0 dB pouvait être obtenu au maximum. En plus, dans un cas o le centre de la couche active de ce dispositif laser à semi-conducteur se situe éloigné du centre de la fibre optique expliquée ci-dessus d'environ 2,5 micromètres sur la surface de couplage, le rendement de couplage était réduit de 1 dB. Comme il apparait de la description précédente, conformément au deuxième mode de réalisation de la présente invention, il est possible de réaliser le deuxième dispositif laser à semi- conducteur capable d'avoir une faible valeur de seuil, un haut rendement, et un haut rendement de couplage, même à des températures élevées. En outre, puisque le réseau de diffraction 617 est utilisé, il est aussi possible de réaliser un tel rendement de couplage supérieur par rapport à la fibre optique monomode en plus des caractéristiques monomodes similaires à l'exemple classique montré sur les figures 1A et 1B. REVENDICATIONS 1. Dispositif laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une couche portant des électrons (109) formée sur un substrat à semiconducteur; une couche active (101) incluant une première zone de couche active droite ayant une première largeur et une deuxième zone de couche active droite ayant une deuxième largeur, et formée sur ladite couche portant des électrons (109) en contact avec ladite couche active (101), dans lequel ladite première zone de couche active droite est réunie avec ladite deuxième zone de couche active droite, ladite deuxième largeur est plus étroite que ladite première largeur, et ladite couche active (101) rayonne de la lumière laser en réponse à l'application d'une tension supérieure ou égale à une tension prédéterminée; et une couche portant des trous (110) formée sur ladite couche active (101) en contact avec ladite couche active (101). 2. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ladite première largeur et ladite deuxième largeur sont prédéterminées de sorte que ladite lumière laser dans un mode de guide d'onde interfère avec ladite lumière laser dans un mode de rayonnement dans ladite deuxième zone de couche active droite. 3. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel ladite couche active (101) rayonne de la lumière laser d'une longueur d'onde de x micromètres, ladite première largeur de ladite première zone de couche active droite vaut sensiblement 0,923 x X micromètres, et la deuxième largeur de ladite deuxième couche active (101) vaut sensiblement 0,462 x X micromètres. 4. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel ladite couche active (101) rayonne de la lumière laser sensiblement d'une même longueur d'onde que 1,3 micromètres, ladite première zone de couche active droite a ladite première largeur sensiblement d'une largeur égale à 1,2 micromètres, et ladite deuxième couche active (101) a ladite deuxième largeur sensiblement d'une largeur égale à 0,6 micromètre. 5. Dispositif laser à semi- conducteur selon la revendication 1, dans lequel ladite deuxième zone active a une longueur telle qu'une phase de ladite lumière laser dans un mode de guide d'onde est égale à une phase de ladite lumière laser dans un mode de rayonnement dans ladite zone active. 6. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 2, dans lequel ladite deuxième zone active a une longueur telle qu'une phase de ladite lumière laser dans ledit mode de guide d'onde est égale à une phase de ladite lumière laser dans ledit mode de rayonnement dans ladite zone active. 7. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant en outre: une couche de blocage de courant formée entre ladite couche portant des électrons (109) et ladite couche portants des trous. 8. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 2, comprenant en outre une couche de blocage de courant formée entre ladite couche portant des électrons (109) et ladite couche portant des trous (110). 9. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 7, dans lequel ladite couche de blocage de courant comprend: une couche de blocage de trous formée sur ladite couche portant des électrons (109); et une couche de blocage d'électrons formée sur ladite couche de blocage de trous. 10. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit dispositif laser à semi-conducteur est couplé à une fibre optique monomode et un rendement de couplage entre ledit dispositif laser à semi-conducteur et ladite fibre optique monomode est inférieur ou égal à 5,0 dB. 11. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ladite couche active (101) a une longueur telle qu'une perte de ladite lumière laser est inférieure ou égale à 0,3 dB, dans lequel ladite perte survient tandis que ladite lumière laser effectue un aller- retour dans ladite couche active (101). 12. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 6, dans lequel ladite couche active (101) a une longueur telle qu'une perte de puissance de ladite lumière laser est inférieure ou égale à 0,3 dB, dans lequel ladite perte survient tandis que ladite lumière laser effectue un aller-retour dans ladite couche active (101) 13. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, comprenant en outre: un réseau de diffraction formé sous ladite deuxième zone de couche active droite. 14. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 2, comprenant en outre: un réseau de diffraction formé sous ladite deuxième zone de couche active droite. 15. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 5, comprenant en outre: un réseau de diffraction formé sous ladite deuxième zone de couche active droite. 16. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 7, comprenant en outre: un réseau de diffraction formé sous ladite deuxième zone de couche active droite. 17. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 13, dans lequel ladite couche active (101) irradie de la lumière laser d'une longueur d'onde de X micromètres et ledit réseau de diffraction a sensiblement un intervalle de X + 6,364 micromètres. 18. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 13, dans lequel ladite couche active (101) irradie de la lumière laser sensiblement d'une longueur d'onde égale à 1,3 micromètres et ledit réseau de diffraction a sensiblement un intervalle égal à 204,3 nanomètres. 19. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 10, dans lequel ledit dispositif laser à semi-conducteur fonctionne en mode unique de sorte qu'un taux de suppression de sous-mode est inférieur ou égal à 50 dB.