Brevet FR2780550A1 — publié le 19991231

La présente invention concerne un panneau d'affichage à plasma, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel panneau et, plus précisément, une composition d'une couche diélectrique d'un tel panneau à plasma qui recouvre à la fois des électrodes transparentes et des électrodes de bus d'un tel panneau. Un panneau d'affichage à plasma PDP attire l'attention dans le domaine des dispositifs d'affichage, par exemple pour l'affichage en couleurs sur une grande surface d'affi- chage. En particulier, un panneau d'affichage à plasma alternatif, du type à décharges en surface entre trois élec- trodes, possède une structure dans laquelle plusieurs paires d'électrodes d'affichage destinées à créer des décharges en surface sont formées sur un substrat à la surface du dispositif d'affichage, puis sont recouvertes d'une couche diélectrique, et des électrodes d'adressage, qui sont per- pendiculaires aux électrodes d'affichage, et une couche luminescente qui recouvre les électrodes d'adressage sont formées sur le substrat à sa surface arrière. Une image à afficher est écrite sous forme de charges de parois alors qu'une décharge est créée successivement entre les élec- trodes d'affichage et les électrodes d'adressage, une électrode d'affichage étant utilisée comme électrode de manipulation. Ensuite, une tension d'entretien est appliquée entre les paires d'électrodes d'affichage pour la création d'une décharge d'entretien. Ce fonctionnement est celui du type fondamental de panneau d'affichage à plasma connu. Un affichage en couleurs peut être réalisé lorsque les couches luminescentes de trois couleurs primaires sont exci- tées par les rayons ultraviolets créés par la décharge d'entretien et émettent les couleurs correspondantes de fluorescence RVB (rouge, vert, bleu). En conséquence, pour l'émission d'une couleur par la couche phosphorescente pla- cée sur le substrat du côté de la face arrière, un matériau transparent d'électrode est formé sur le substrat sur les paires des électrodes d'affichage. En outre, une structure d'électrode d'affichage de type transparent ayant une électrode de bus métallique à sa surface est en général utilisée pour donner une valeur réduite à la résistance de l'électrode d'affichage. Le matériau transparent d'électrode est un semi- conducteur habituellement formé d'oxyde d'étain et d'indium ITO (par exemple un mélange d'oxyde d'indium In203 et d'oxyde d'étain SnO2). La conductivité de l'électrode transparente est faible par rapport à celle du métal. En conséquence, une fine couche métallique conductrice est ajoutée comme élec- trode métallique de bus sur l'électrode transparente afin qu'elle accroisse sa conductivité. Une couche diélectrique qui recouvre les électrodes transparentes et les électrodes de bus est habituellement formée par dépôt d'une couche d'une pâte de verre à faible température de fusion sur le substrat puis par cuisson de celle-ci à une température élevée, par exemple de 600 C. Une telle cuisson à température élevée pose un problème car l'électrode transparente peut subir une réduction d'épais- seur ou peut même disparaître. Ce phénomène se produit car un effet électrochimique existe entre les électrodes trans- parente et de bus à cause de la différence des tendances à l'ionisation entre les matériaux des électrodes transparente et de bus qui sont empilées. Si l'électrode transparente s'amincit ou disparaît, la tension de décharge d'entretien appliquée entre les électrodes d'affichage de chaque paire s'élève si bien que le pilotage stable du panneau d'affi- chage à plasma devient difficile. Les inventeurs ont pro- posé, dans la demande de brevet japonais n Hei 9-038 932, le réglage de l'élévation de la valeur de la résistance de l'électrode transparente par mélange d'un matériau transparent d'électrode au matériau diélectrique. Cependant, le mélange du matériau transparent d'électrode ne permet pas la solution du problème posé par la disparition de l'élec- trode transparente par un effet électrochimique entre l'électrode transparente et l'électrode de bus, si bien que le problème de la disparition locale de l'électrode trans- parente n'est pas résolu. La raison de la disparition de l'électrode transparente n'est pas toujours très claire, mais on peut supposer qu'une réaction d'oxydo- réduction, mettant en oeuvre l'effet électrochimique entre l'électrode transparente et l'élec- trode de bus, apparaît lorsque la couche diélectrique est cuite à température élevée et provoque la dissolution du matériau transparent d'électrode dans la couche diélec- trique. Compte tenu du problème précité, l'invention a pour objet la réalisation d'un panneau d'affichage à plasma et un procédé de fabrication d'un tel panneau qui évite la disparition locale de l'électrode transparente. L'invention a aussi pour objet un panneau d'affichage à plasma et un procédé de fabrication d'un tel panneau qui règle la tension de décharge d'entretien à une valeur réduite par réduction de la résistance de l'électrode transparente. A cet effet, l'invention concerne un panneau d'affi- chage à plasma qui comporte des électrodes transparentes, des électrodes de bus et une couche diélectrique qui recouvre ces électrodes sur un substrat au moins d'une paire de substrats qui sont opposés l'un à l'autre et séparés par un espace de décharge, et un élément principal de la compo- sition de l'électrode de bus est incorporé à la composition du matériau diélectrique. En outre, selon une caractéristique de l'invention, l'électrode de bus est essentiellement composée d'oxyde de cuivre qui est aussi incorporé à la couche diélectrique. Les disparitions locales de l'électrode transparente paraissent supprimées, même après un traitement à température élevée, car l'élément principal de l'électrode de bus est incorporé au matériau diélectrique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est une vue éclatée en perspective d'un panneau d'affichage à plasma dans un mode de réalisation préféré de l'invention; la figure 2 est coupe du panneau de la figure 1; la figure 3 est une vue en plan du panneau représentant la disposition relative des électrodes X et Y et de l'électrode d'adressage d'un panneau d'affichage à plasma du type à décharges en surface à trois électrodes; la figure 4 est un schéma représentant le résultat observé par mise en oeuvre de l'invention lorsque de l'oxyde de cuivre est incorporé à la couche diélectrique du pan- neau; la figure 5 est un schéma représentant d'autres résultats observés selon l'invention lorsque de l'oxyde de cuivre est incorporé à la couche diélectrique du panneau; la figure 6 est un autre schéma qui représente d'autres résultats observés selon l'invention lorsque de l'oxyde de cuivre est incorporé à la couche diélectrique du pan- neau; et la figure 7 est un schéma représentant les résultats observés selon l'invention lorsque de l'oxyde de cuivre est incorporé à la couche diélectrique du panneau. La figure 1 est une vue éclatée en perspective d'un panneau d'affichage à plasma alternatif du type à décharges en surface à trois électrodes, dans un mode de réalisation préféré de l'invention. En outre, la figure 2 représente une coupe d'un tel panneau. On décrit maintenant la structure d'un tel panneau en référence à ces deux figures. Dans cet exemple, le faisceau d'affichage est émis dans la direction du substrat 10 de verre du côté d'affichage (sens indiqué par les flèches de la figure 2). La référence 20 désigne un substrat de verre placé du côté de la surface arrière. Une électrode X 13X et une électrode Y 13Y, comprenant l'élec- trode très conductrice 12 de bus formée sur l'électrode transparente 11, sont formées sur le substrat 10 de verre du côté d'affichage, et ces paires d'électrodes, c'est-à-dire les électrodes 13X et 13Y, sont recouvertes d'une couche diélectrique 14 et d'une couche protectrice 15 constituée de MgO. L'électrode 12 de bus est placée le long de la partie d'extrémité de l'électrode transparente, sur des côtés opposés de celle-ci, sur chacune des électrodes X et Y pour la compensation de la conductivité de l'électrode trans- parente 11. L'électrode 12 de bus est par exemple une électrode métallique ayant une structure à trois couches de type chrome-cuivre-chrome. En outre, l'électrode transparente 11 est habituellement formée d'oxyde d'étain et d'indium (cons- titué d'un mélange d'oxyde d'indium In203 et d'oxyde d'étain SnO2) avec addition de l'électrode 12 de bus qui assure une conductivité suffisante. Dans certains cas, l'électrode transparente est formée sur un film d'oxyde d'étain (film nesa). En outre, la couche diélectrique 14 est formée sur un matériau de verre à faible température de fusion essentiel- lement composé d'oxyde de plomb. Plus précisément, les matériaux de verre appartiennent au groupe PbO-SiO2-B203-ZnO ou PbO-SiO2-B203-ZnO-BaO. Des électrodes d'adressage Ai, A2, A3, en forme de bandes sont disposées à la surface arrière du substrat 20 de verre sur le film 21 de passivation de la couche inférieure, comprenant par exemple un film d'oxyde de silicium. Ces électrodes d'adressage sont recouvertes de la couche diélec- trique 22. En outre, ces électrodes d'adressage A1-A3 sont disposées respectivement entre les parois 23 de séparation en forme de bandes (nervures) formées respectivement sur le substrat 20. Les parois 23 de séparation assurent l'isole- ment des cellules de décharge dans la direction des élec- trodes d'affichage et empêchent l'effet de diaphonie lumineuse. Pour chaque nervure adjacente 23, des matières luminescentes rouge, verte et bleue 24R, 24G, 24B sont déposées séparément afin qu'elles recouvrent les électrodes d'adressage et la surface des parois de la nervure. En outre, comme l'indique la figure 2, le substrat 10 du côté d'affichage et le substrat 20 du côté de la surface sont combinés avec maintien entre eux d'un espace 25 d'environ 100 pm. Cet espace 25 est rempli d'un mélange d'un gaz de décharge Ne + Xe. La figure 3 est une vue en plan d'un panneau indiquant la relation entre les électrodes X, Y et les électrodes d'adressage du panneau d'affichage à plasma du type à décharges en surface à trois électrodes. Les électrodes X référencées X1 à X10 sont disposées parallèlement en direc- tion latérale et sont connectées à une source commune de tension à la partie d'extrémité du substrat alors que les électrodes Y référencées Y1 à Y10 sont placées respective- ment entre les électrodes X. Ces électrodes X,Y sont appa- riées pour la formation d'une ligne d'affichage, et la tension de décharge d'affichage est appliquée en alternance entre ces paires d'électrodes X et Y. Les références XD1, XD2 et YD1, YD2 désignent des électrodes factices placées à la face externe de la zone efficace d'affichage pour compen- ser la caractéristique de défaut de linéarité de la partie périphérique du panneau. Les électrodes d'adressage A1 à A14 placées à la surface arrière du substrat 20 sont perpen- diculaires aux électrodes X et Y. Les électrodes X et Y sont appariées et la tension de décharge d'entretien est appliquée en alternance à ces élec- trodes. Chaque électrode d'adressage est utilisée pour écrire des informations qui créent une décharge dans un plasma pour l'adressage, entre chaque électrode d'adressage et l'électrode Y qui est balayée en fonction des informa- tions. Lorsque la tension de la décharge d'entretien est appliquée à l'électrode d'affichage, une tension due aux charges accumulées par la décharge d'adressage s'ajoute à la surface (c'est-à-dire à la surface de la couche protectrice ) de la couche diélectrique 14 pour la création d'une décharge dans un plasma d'entretien. Des faisceaux ultra- violets créés par la décharge dans un plasma sont émis vers la couche luminescente 22 pour la création des couleurs respectives. Les faisceaux lumineux créés sont émis vers le substrat 10 du côté d'affichage comme indiqué par la flèche rectiligne de la figure 2. Comme décrit précédemment, l'électrode transparente est une couche semi-conductrice dont la conductivité est relati- vement faible par rapport à celle de l'électrode de bus 12 et donc l'électrode métallique 12 de bus est placée au bord latéral. En conséquence, même lorsque la conductivité de l'électrode transparente 11 est un peu inférieure à celle de l'électrode métallique 12 de bus, la résistance dans la direction longitudinale de l'électrode X 13X et de l'élec- trode Y 13Y est conservée à une valeur inférieure à celle de l'électrode de bus. Cependant, dans le procédé de formation de la couche diélectrique, qui a été décrit précédemment, si l'électrode transparente est détériorée, une telle zone détériorée de l'électrode transparente nécessite une tension de décharge plus grande que celle d'une zone non détériorée si bien que le fonctionnement stable du dispositif dans son ensemble devient difficile. En conséquence, dans un mode de réalisation préféré de l'invention et afin qu'une réduction de conductivité de l'électrode transparente 11 ne soit pas provoquée par une détérioration de celle-ci, l'élément ou ingrédient principal de la composition de l'électrode de bus est incorporé à la composition de la couche diélectrique 14 qui est au contact de l'électrode de bus 12 et recouvre celle-ci. Par exemple, lorsque l'électrode 12 de bus possède une structure à trois couches de chrome-cuivre-chrome, des particules d'oxyde de cuivre sont mélangées à la couche diélectrique 14. Par ailleurs, l'oxyde de cuivre est dopé dans la composition du verre de la couche diélectrique 14. En conséquence, même après l'opération ultérieure de cuisson à haute température, l'effet électrochimique et la réaction d'oxydo-réduction entre la couche diélectrique 14 et l'électrode 11 de bus peuvent être empêchés et la disparition localisée de l'élec- trode transparente peut être évitée. Par exemple, lorsque l'oxyde de cuivre est mélangé au matériau de la couche diélectrique, dans le cas d'une élec- trode 12 de bus essentiellement composée de cuivre, l'effet électrochimique et la réaction d'oxydo-réduction dans l'électrode transparente 11, l'électrode de bus 12 et la couche diélectrique 14 peuvent aussi être évités. Plus précisément, l'effet électrochimique et la réaction d'oxydo- réduction dans laquelle du cuivre, qui est l'élément principal de l'électrode de bus, circule vers la surface de l'électrode transparente après que le cuivre a apparu du côté de la couche diélectrique 14 par ionisation, provoquent une réaction de réduction de In203. In réduit est en outre ionisé et dissous dans le verre de la couche diélectrique 14 pour la formation d'un trou, la réduction ultérieure de In pouvant être réglée par addition, comme partie du verre, de Cu et In au matériau du verre. Les figures 4 à 7 représentent les résultats observés selon l'invention lorsque l'électrode transparente 11 est constituée d'oxyde d'étain et d'indium, l'électrode de 12 de bus est constituée de chrome-cuivrechrome, et la couche diélectrique 14 comprend déjà de l'oxyde d'indium qui est le principal élément de l'électrode transparente, et de l'oxyde de cuivre est incorporé à la couche diélectrique 14. Dans un exemple, dans le cas o l'électrode transparente contient de l'oxyde d'étain et d'indium et de l'oxyde d'étain SnO2, la couche diélectrique contient de l'oxyde d'indium InO3 et, pour une électrode de bus constituée essentiellement de cuivre entouré de chrome, la couche diélectrique contient de l'oxyde de cuivre. La composition de verre du groupe PbO-SiO2-B203-ZnO-BaO se mélange à l'oxyde d'indium en poudre qui est le principal élément de l'électrode transparente. De préférence, la couche diélectrique contient 0,1 à 3,0 % en poids de cuivre. La couche diélectrique contient très avantageusement 0,3 à 1,0 % en poids de cuivre. Quatre échantillons de couches diélectriques sont indiqués sur les dessins: échantillon i: 1,0 % en poids d'oxyde de cuivre dopé dans une composition de verre (figure 4), échantillon 2: 0,5 % en poids d'oxyde de cuivre dopé dans une composition de verre (figure 5), échantillon 3: 0,3 % en poids d'oxyde de cuivre dopé dans une composition de verre (figure 6), échantillon 4: de l'oxyde de cuivre n'est pas intro- duit comme matière de dopage dans la composition de verre (figure 7). Pour que des particules d'oxyde de cuivre soient mélangées au matériau du verre, les particules d'oxyde de cuivre sont mélangées, en combinaison avec un solvant et un liant convenables, à la poudre de verre pour la formation d'une pâte. Ensuite, la pâte est déposée par sérigraphie sur le substrat puis elle est cuite. Il faut que les particules d'oxyde de cuivre aient une dimension aussi petite que pos- sible pour ne pas assurer la protection contre le faisceau d'affichage, c'est-à-dire qu'elles n'arrêtent pas la lumière émise par la couche luminescente. En outre, pour que l'oxyde de cuivre soit incorporé à la poudre de verre, les particules d'oxyde de cuivre sont mélangées par exemple à la poudre de verre essentiellement composée d'oxyde de plomb. Le mélange est alors dissous à une température qui peut atteindre environ 1 300 C. Ainsi, l'oxyde de cuivre est incorporé à la composition de verre. Ensuite, la composition de verre est refroidie depuis l'état dissous, à une température aussi élevée que 1 300 C comme indiqué, puis est broyée et mise sous forme d'une pâte avec un solvant et un liant. Ensuite, la composition de verre est imprimée et cuite. La température de cuisson est en général comprise entre 580 et 600 C. La poudre de verre est dis- soute dans cette opération afin qu'elle forme une couche diélectrique. Comme l'indique la figure 7 qui représente un échan- tillon dans lequel la couche diélectrique contient de l'oxyde d'indium qui est le principal élément de la composi- tion de l'électrode transparente, mais qui ne contient pas d'oxyde de cuivre, après l'opération de cuisson à tempéra- ture élevée de la couche diélectrique, l'électrode trans- parente disparaît localement et des trous sont formés comme indiqué par la zone sombre désignée par la référence 30. D'autre part, sur les figures 4 à 6 sur lesquelles le matériau diélectrique contient de l'oxyde d'indium qui est le principal élément de l'électrode transparente et contient aussi de l'oxyde de cuivre, la disparition locale de l'électrode transparente peut être maîtrisée même après l'opération de cuisson à température élevée du matériau diélectrique. Sur la figure 7, lorsque l'oxyde de cuivre n'est pas du tout introduit dans la couche diélectrique comme matière de dopage, un grand nombre de trous fins d'environ 1 pm sont créés comme l'indique la référence 30. Par ailleurs, lorsque 1,0 % en poids d'oxyde de cuivre dope l'électrode transparente de la figure 4, la disparition de l'électrode transparente, c'est-à-dire la création de trous, est presque éliminée. En outre, lorsque l'oxyde de cuivre est dopé en quantité égale à 0,5 % en poids comme indiqué sur la figure 5, la création des trous est aussi prati- quement éliminée. Même lorsque 0,3 % en poids d'oxyde de cuivre sont introduits par dopage comme l'indique la figure 6, le nombre de trous est réduit à une valeur égale ou inférieure au tiers du nombre représenté sur la figure 7, lorsque le cuivre n'est pas utilisé comme matière de dopage de la couche diélectrique. Cette disposition illustre la réduction des pertes ou disparitions d'électrode transpa- rente. Les observations qui précèdent permettent à l'homme du métier de comprendre que l'inclusion d'un élément prin- cipal de la composition d'une électrode transparente et d'un élément principal de la composition de l'électrode de bus dans la couche diélectrique 14, qui est au contact de l'électrode de bus 12 et la recouvre, empêche efficacement les disparitions locales de l'électrode de bus ou de l'électrode transparente lors des traitements à haute température, par exemple pendant l'opération de cuisson. En conséquence, dans un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à plasma selon l'invention, il est efficace d'incorporer l'élément principal de l'électrode de bus et, encore mieux, l'élément principal à la fois de l'électrode de bus et de l'électrode transparente, à la pâte de verre lorsque celle-ci est imprimée afin qu'elle recouvre l'électrode transparente et l'électrode de bus sur le substrat sur lequel elles sont formees. Dans de tels procédés selon l'invention, la conductivité de l'électrode transparente n'est jamais abaissée, même après une opération à haute température utilisée pour la cuisson de la pâte et le traitement ultérieur à haute température de scellement de deux feuilles de substrat de verre. Dans le mode de réalisation préféré, le matériau de l'électrode de bus est essentiellement composé d'oxyde de cuivre. Cependant, on peut prévoir le même effet lors de l'utilisation d'une autre substance telle que l'aluminium A1, un alliage d'aluminium Al-Cu, Al-Cr, Al-Cu-Mn, etc. , le cobalt Co, l'argent Ag, le molybdène Mo, le chrome Cr, le tantale Ta, le tungstène W ou le fer Fe comme autre substance. Comme indiqué précédemment, dans le mode de réalisation préféré de l'invention, les disparitions locales de l'élec- trode transparente peuvent être évitées par incorporation de l'élément principal de la composition de l'électrode de bus du panneau d'affichage à plasma dans la couche diélectrique qui recouvre l'électrode de bus. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux panneaux, procédés et structures qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce qu'il comprend: une électrode transparente (11) ayant une composition qui contient un premier élément comme élément principal, une électrode de bus (12) ayant une composition qui contient un second élément comme élément principal, et une couche diélectrique (14) qui recouvre les élec- trodes transparente (11) et de bus (12) sur au moins un substrat d'une paire de substrats (10, 20) opposés l'un à l'autre et délimitant entre eux un espace de décharge, la couche diélectrique (14) ayant une composition qui contient le second élément. 2. Panneau selon la revendication 1, caractérisé en ce que la composition de la couche diélectrique (14) contient en outre le premier élément. 3. Panneau selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bus d'électrode est essentiellement formé de chrome- cuivre-chrome, et la composition de la couche diélectrique (14) contient de l'oxyde de cuivre. 4. Panneau selon la revendication 3, caractérisé en ce que le rapport pondérai de l'oxyde de cuivre dans la couche diélectrique (14) est compris entre 0,1 et 3,0 % en poids. 5. Panneau selon la revendication 4, caractérisé en ce que le rapport pondéral de l'oxyde de cuivre dans la couche diélectrique (14) est compris entre 0,3 et 1,0 % en poids. 6. Panneau selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche diélectrique (14) contient un verre à faible température de fusion. 7. Panneau selon la revendication 6, caractérisé en ce que le verre à faible température de fusion est sélectionné dans le groupe qui cotient l'oxyde de plomb, l'oxyde de bismuth et un matériau à base d'acide phosphorique. 8. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage à plasma qui comprend un premier substrat sur lequel sont formées plusieurs électrodes transparentes (11), plusieurs électrodes de bus (12), et une couche diélectrique (14) qui recouvre les électrodes transparentes (11) et les électrodes de bus (12), et un second substrat opposé au premier, les deux substrats (10, 20) délimitant entre eux un espace de décharge, caractérisé en ce qu'il comprend: la formation d'une couche d'une pâte diélectrique (14) sur le premier substrat afin qu'elle recouvre les électrodes transparentes (11) et les électrodes de bus (12), cette pâte ayant une composition qui contient un élément principal d'une composition des électrodes de bus (12), et la cuisson du premier substrat lorsqu'il porte la couche de pâte diélectrique (14) dans une atmosphère de cuisson pour la formation de la couche diélectrique (14). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la composition de la couche de pâte diélectrique (14) comprend un élément principal d'une composition des élec- trodes de bus (12) et un élément principal d'une composition des électrodes transparentes (11). 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'élément principal de la composition des électrodes de bus (12) est le cuivre. 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche de pâte diélec- trique (14) comprend la formation d'une pâte d'une poudre par dissolution d'une poudre d'oxyde de cuivre à haute température, le cuivre étant l'élément principal de la com- position des électrodes de bus (12), et une poudre de verre à faible température de fusion comme matériau diélectrique, puis le broyage de la poudre d'oxyde de cuivre et de la poudre de verre à faible température de fusion. 12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche de pâte diélec- trique (14) comprend la formation d'une pâte d'une poudre par dissolution d'une poudre d'oxyde de cuivre à haute tem- pérature, le cuivre étant l'élément principal de la composi- tion des électrodes de bus (12), d'une poudre d'oxyde d'indium, l'indium étant l'élément principal de la composi- tion des électrodes transparentes (11), et d'une poudre de verre à faible température de fusion constituant un matériau diélectrique, et le broyage de la poudre d'oxyde de cuivre, de la poudre d'oxyde d'indium et de la poudre de verre à faible température de fusion. 13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche de pâte diélec- trique (14) comprend le mélange de particules de l'élément principal de la composition des électrodes de bus (12) dans un mélange de poudres. 14. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'étape de formation de la couche de pâte diélec- trique (14) comprend le mélange de particules de l'élément principal de la composition des électrodes de bus (12) et de particules de l'élément principal de la composition des électrodes transparentes (11). 15. Structure de substrat d'un panneau d'affichage à plasma de type alternatif, caractérisée en ce qu'elle comprend, sur une surface de substrat, une électrode trans- parente (11) formée d'un conducteur transparent et une électrode de bus (12) formée d'un conducteur métallique recouvrant partiellement le conducteur transparent, une couche diélectrique (14) recouvrant la surface du substrat de manière que la couche soit au contact des électrodes transparentes (11) et des électrodes de bus (12) à la fois, et la couche diélectrique (14) a une composition qui contient un élément principal d'une composition d'électrode de bus (12) en quantité suffisante pour empêcher la diffu- sion de l'élément principal d'électrode de bus (12) dans la couche diélectrique (14). 16. Structure de substrat de panneau d'affichage à plasma de type alternatif, caractérisée en ce qu'elle comprend, sur une surface d'un substrat, une électrode transparente (11) formée d'un conducteur transparent, une électrode de bus (12) formée d'un conducteur métallique recouvrant partiellement l'électrode transparente (11), et une couche diélectrique (14) recouvrant la surface du sub- strat de manière qu'elle recouvre à la fois l'électrode transparente (11) et l'électrode de bus (12) et qu'elle soit à leur contact, la couche diélectrique (14) ayant une compo- sition qui contient à la fois un élément principal d'une composition d'électrode de bus (12) et un élément principal d'une composition d'électrode transparente (11) en quantité qui suffit pour empêcher la diffusion de l'électrode bus (12) et de l'électrode transparente (11) dans la couche diélectrique (14). 17. Panneau d'affichage à plasma, caractérisé en ce qu'il comprend: deux substrats (10, 20) opposés l'un à l'autre et séparés par un espace de décharge, au moins une électrode de bus (12) formée sur l'un des deux substrats (10, 20) et ayant une composition qui contient un premier élément comme élément principal, au moins une électrode transparente (11) qui recouvre l'électrode de bus (12) et ayant une composition qui contient un second élément comme élément principal, et une couche diélectrique (14) formée sur l'un des sub- strats (10, 20) et recouvrant les électrodes transparente (11) et de bus (12), la couche diélectrique (14) ayant une composition qui contient au moins le premier élément. 18. Panneau selon la revendication 17, caractérisé en ce que la composition de la couche diélectrique (14) contient aussi le second élément. 19. Panneau selon la revendication 17, caractérisé en ce que le premier élément est choisi dans le groupe formé par les alliages d'aluminium, le cobalt, l'argent, le molyb- dène, le chrome, le tantale, le tungstène, le fer et le cuivre. 20. Panneau selon la revendication 19, caractérisé en ce que le premier élément est le cuivre et la composition de la couche diélectrique (14) contient de l'oxyde de cuivre. 21. Panneau selon l'une quelconque des revendications 18 à 20, caractérisé en ce que le second élément est l'indium et la composition de la couche diélectrique (14) contient de l'oxyde d'indium.