Brevet FR2782842A1 — publié le 20000303

DISPOSITIF COMPORTANT DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES DANS DES REGIONS MUTUELLEMENT ISOLEES D'UNE COUCHE DE MATERIAU SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF. Domaine technique La présente invention concerne un dispositif électronique comprenant des composants formés dans des régions mutuellement isolées d'une couche de matériau semi-conducteur. Elle concerne également un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Au sens de la présente invention on entend par composant électronique aussi bien un composant individuel tel qu'un transistor ou une diode qu'un ensemble de composants, tel qu'un étage de commutation logique, un étage de commutation de puissance ou un étage d'amplification, par exemple. Un composant peut en particulier comporter une ou plusieurs zones dopées d'un substrat semi-conducteur. L'invention trouve des applications de façon générale dans la réalisation de circuits intégrés et plus particulièrement de circuits qui comprennent à la fois des composants fonctionnant sous faible tension, et des composants dits de puissance, ou qui comprennent plusieurs composants de puissance. On désigne par composants de puissance des composants susceptibles de supporter des différences de potentiel élevées, pouvant atteindre 1000 volts ou plus et/ou susceptibles d'être traversés par des courants élevés, pouvant atteindre plusieurs ampères. Etat de la technique antérieure La fabrication des circuits intégrés tend vers une intégration toujours plus forte des composants sous la forme d'ensembles monolithiques de composants correspondant à des fonctions toujours plus complexes. Ainsi, on souhaite, par exemple, associer dans un même ensemble à la fois des composants de type logique, fonctionnant sous faible tension, et des composants de puissance. De telles associations de composants, intégrés dans un même substrat semi- conducteur, posent des problèmes d'isolation électrique mutuelle. Les impératifs d'isolation électrique peuvent concerner les composants individuels ou des parties de circuit intégré. Une première possibilité d'isolation des composants consiste à former dans le substrat des régions dopées formant des jonctions N-P polarisées en inverse. Ce type d'isolation, assez répandu, n'est toutefois pas utilisable lorsque les tensions existant aux bornes des composants sont des tensions alternatives. De plus, l'isolation par jonctions polarisées en inverse s'avère inefficace pour des courants de diffusions générés par des composants sujets à des variations rapides et de forte amplitude de la tension et du courant qui leur sont appliqués. Une deuxième possibilité d'isolation mutuelle des composants consiste à former dans le substrat des caissons entourés par des parois diélectriques d'isolation. Les caissons à parois diélectriques sont formés de telle façon que chaque composant ou ensemble de composants se trouve dans une région de substrat électriquement isolée des autres composants. Une mise en oeuvre connue du principe d'isolation par des parois diélectriques consiste à utiliser un substrat de type SOI dans lequel sont pratiquées des tranchées d'isolation. Un substrat de type SOI (Silicon On Insulator- silicium sur isolant) comporte une couche de silicium disposée au-dessus d'une couche isolante, par exemple, d'oxyde de silicium. Les tranchées sont pratiquées dans la couche de silicium avec une profondeur suffisante pour atteindre la couche d'oxyde. Elles sont ensuite garnies d'un dépôt d'oxyde de silicium. Les tranchées garnies d'oxyde de silicium forment ainsi les parois diélectriques latérales des caissons et la couche isolante du substrat SOI forme la paroi de fond. Le garnissage des tranchées d'isolation est nécessaire non seulement pour garantir durablement leurs propriétés d'isolation électrique mais aussi pour obtenir une surface supérieure plane de la couche de silicium. Une couche plane est en effet nécessaire dans un grand nombre d'applications o des techniques de fabrication de type "planar" sont mises en oeuvre. Les traitements de microélectronique faisant appel à des procédés photographiques, tels que la photolithogravure, s'accommodent difficilement de surfaces présentant des défauts de planéité importants. Les défauts de planéité ne sont en effet pas compatibles avec les procédés photographiques qui présentent généralement une faible profondeur de champ. Le garnissage des tranchées est réalisé classiquement en formant sur les flancs des tranchées une couche d'oxyde de silicium. L'oxyde de silicium peut être formé par un traitement d'oxydation des flancs de tranchées ou peut être déposé selon un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD, Chemical Vapor Deposition). Lors du garnissage des tranchées, l'oxyde de silicium se forme non seulement dans les tranchées, mais aussi à la surface de la couche de silicium. Or, en raison du coût de la formation du garnissage d'oxyde et des opérations de retrait de l'oxyde indésirable à la surface de la couche de silicium, les tranchées sont réalisées avec une très faible largeur. L'étroitesse des tranchées pose cependant des problèmes lors de leur gravure. Le contrôle de la gravure des tranchées devient plus incertain et la vitesse de gravure devient plus lente lorsque la profondeur des tranchées est augmentée ou que leur largeur est réduite. De plus, il est nécessaire de veiller à ce que l'ouverture des tranchées ne se colmate pas, afin de permettre au gaz de dépôt, par exemple le silane, d'accéder au fond des tranchées. Cette difficulté peut être surmontée en conférant aux tranchées une section en "V" de façon à présenter une ouverture de quelques degrés. Des mesures particulières doivent cependant être prises pour l'obtention d'un profil particulier des tranchées. Un autre problème rencontré avec un garnissage d'oxyde de silicium dans les tranchées est que ce matériau présente un coefficient de dilatation différent de celui du silicium de la couche semi- conductrice dans laquelle sont formés les composants. Lors de traitements thermiques, liés à des étapes de fabrication de circuits intégrés, postérieures au garnissage des tranchées, des contraintes mécaniques peuvent être engendrées par les différences de dilatations des différents matériaux. Ces contraintes sont susceptibles de provoquer des défauts dans les composants, résultant, par exemple, de glissements de structure selon les plans cristallins du semi-conducteur. Les défauts dans les composants sont préjudiciables au bon fonctionnement des composants et donc au rendement de fabrication des circuits intégrés. Pour éviter les dilatations différentielles des matériaux il est possible de garnir les tranchées en tapissant les flancs de tranchées d'une couche plus fine d'oxyde puis en comblant les tranchées avec du silicium polycristallin (polysilicium). Le silicium polycristallin, qui n'est pas isolant, se forme dans les tranchées mais aussi, de même que l'oxyde de silicium, à la surface libre de la couche de silicium. Ainsi, le polysilicium, qui en soi n'est pas utile au fonctionnement du circuit, doit être retiré de la surface de la couche de silicium afin de parachever la fabrication du circuit intégré. Le silicium polycristallin est retiré de la surface de la couche de silicium, par exemple par un traitement mécanochimique qui s'avère délicat et coûteux. Après le retrait du silicium polycristallin de la surface de la couche de silicium, des pistes d'interconnexion peuvent être formées au-dessus de cette surface pour connecter entre-eux des composants. On constate cependant que l'existence de parties conductrices au-dessus des régions comprenant les composants, est susceptible, notamment pour des composants de puissance, de modifier localement les champs électriques latéraux entre différents caissons de la couche semi-conductrice ou entre les composants. L'augmentation locale des champs électriques, lorsqu'elle atteint des valeurs de champ critique du matériau utilisé, risque de provoquer un claquage des composants. On connaît par ailleurs, par le document (1), dont la référence est précisée à la fin de la présente description, un procédé de centrifugation de verre dit SOG (Spin-On Glass) qui permet d'obtenir sur un substrat présentant initialement des reliefs, une surface plane et homogène. Les épaisseurs des couches de verre obtenues par le procédé SOG sont faibles et ne permettent pas de résoudre les problèmes évoqués ci- dessus. De plus, le procédé SOG n'est pas adapté au remplissage de tranchées qui traversent de part en part la couche de silicium des substrats de type SOI. En effet pour sécher le SOG, il faut évacuer par vaporisation des polymères contenus dans ce matériau. Or cette opération ne peut être mise en oeuvre de façon correcte que pour de faibles épaisseurs de matériau, en particulier pour des épaisseurs plus faibles que la profondeur des tranchées. Exposé de l'invention La présente invention a pour but de proposer un dispositif comportant des composants électroniques dans des régions isolées les unes des autres, ainsi qu'un procédé de fabrication d'un tel dispositif, ne présentant pas les difficultés mentionnées ci-dessus. Un but est en particulier de proposer un dispositif avec des tranchées garnies de matériau isolant, n'engendrant pas de contraintes élevées dues à des phénomènes de dilatation différentielle. Un autre but est de proposer un tel dispositif présentant une isolation électrique améliorée et peu sensible à des inhomogénéités locales de champ électrique, dues à des conducteurs électriques. Un autre but est de proposer un procédé permettant d'éviter la formation parasite de matériau sur une surface libre du dispositif. Un but est aussi de proposer un procédé peu coûteux à mettre en oeuvre et adapté à une fabrication en série. Pour atteindre ces buts, l'invention concerne plus précisément un procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants électroniques dans des régions d'une couche de matériau semi-conducteur, ces régions étant mutuellement isolées, et le procédé comportant les étapes suivantes: a) formation de composants électroniques dans des régions d'une couche de matériau semi-conducteur formée sur une couche isolante électrique, b) formation de tranchées traversant la couche de matériau semi-conducteur de part en part afin de séparer les régions, c) remplissage des tranchées avec un matériau de remplissage, isolant électrique, fluide, et susceptible d'être durci, et d) durcissement dudit matériau de remplissage. Les étapes du procédé peuvent être exécutées selon l'ordre successif cidessus en ménageant dans la couche de matériau semi-conducteur des espacements pour les tranchées. Les tranchées sont alors gravées dans ces espacements après la formation totale ou partielle des composants. Il est possible également de former d'abord les tranchées puis les composants. On entend au sens de l'invention par durcissement du matériau de remplissage une réduction de sa fluidité de façon suffisante pour garantir le maintien du matériau dans les tranchées. Le matériau de remplissage peut cependant conserver une souplesse suffisante pour absorber les contraintes d'une dilatation différentielle avec le matériau semi- conducteur. Par ailleurs, on entend par matériau fluide aussi bien un matériau rendu liquide par chauffage ou par dissolution dans un solvant liquide, qu'un matériau formé d'un mélange de liquides qui réagissent chimiquement entre eux pour devenir lentement solides. Le matériau de remplissage isolant électrique peut être choisi parmi les polyimides, les polyacryliques, les silicones. Le matériau isolant peut en particulier être un matériau de type sol-gel. Le durcissement du matériau de remplissage, selon le type de matériau choisi, peut être obtenu par évaporation d'un solvant contenu dans le matériau, par réticulation ou par réaction chimique. Comme le matériau de remplissage est mis en place à l'état liquide, il est possible d'obtenir automatiquement une surface de matériau plane. Avantageusement, le matériau de remplissage peut être utilisé en quantité suffisante pour recouvrir une surface superficielle libre de la couche de matériau semi-conducteur ou du substrat. Ainsi, cette surface libre peut être également rendue plane. Le remplissage des tranchées peut être réalisé en une seule opération ou peut comporter une succession alternée d'étapes de remplissage partiel des tranchées avec le matériau de remplissage fluide et d'étapes de durcissement dudit matériau. Ce procédé de l'invention est adapté à isoler des régions de semiconducteur avec des tranchées qui peuvent présenter une profondeur P telle que P > 5 pm. En effet, grâce à l'introduction du matériau de remplissage à l'état fluide, en particulier liquide, des tranchées relativement profondes et étroites peuvent être comblées. On peut noter, à ce sujet, que les tranchées peuvent s'étendre, au moins en partie dans la couche isolante électrique sous-jacente à la couche de matériau semi-conducteur. Par ailleurs, avant le remplissage des tranchées, il est possible de doper les flancs des tranchées, de les oxyder et/ou de les tapisser par un dépôt de matériau. Ces opérations sont destinées pour l'essentiel à augmenter la tenue en tension entre les régions isolées de la couche de matériau semi- conducteur. Le procédé de l'invention peut comporter en outre, après l'étape d) la formation au-dessus de la couche de matériau semi-conducteur de pistes conductrices d'interconnexion des composants. Les pistes conductrices peuvent être prévues pour connecter entre eux différents composants d'une même région ou des composants faisant partie de régions différentes, mutuellement isolées. Ces pistes conductrices peuvent également être prévues pour relier des composants à des bornes de connexion du dispositif. Selon une mise en oeuvre particulière du procédé, avant la réalisation des pistes d'interconnexion, on peut former une couche du matériau d'isolation électrique et/ou de remplissage au-dessus d'une surface libre de la couche de matériau semi- conducteur et on peut pratiquer des ouvertures dans lesdites couches afin de mettre à nu des zones de la couche de matériau semi-conducteur, pour la connexion des pistes avec des composants. Il est aussi possible, sans étape supplémentaire de formation de matériau, de mettre à profit le matériau de remplissage pour isoler et éloigner les pistes d'interconnexion de la couche de matériau semi-conducteur. Cette caractéristique permet également de réduire l'influence des pistes sur les champs électriques existant entre les régions du substrat. Le matériau isolant électrique de remplissage peut être mis en forme, notamment à la surface de la couche de matériau semi-conducteur, selon un motif déterminé. La mise en forme peut être réalisée selon des procédés usuels de la microélectronique. Toutefois, de façon avantageuse, on peut utiliser un matériau de remplissage photosensible et le mettre en forme par un développement chimique après insolation à travers un masque présentant un motif approprié. L'invention concerne également un dispositif comprenant une couche de matériau isolant électrique et une couche de matériau semi-conducteur formée sur la couche de matériau isolant électrique. Dans ce dispositif des tranchées d'isolation remplies d'un matériau de remplissage isolant électrique, traversent de part en part la couche de matériau semi-conducteur et présentent des flancs de tranchées qui délimitent des régions de la couche de matériau semi-conducteur. De plus, le matériau de remplissage est choisi parmi des matériaux isolants présentant un état initial liquide et pouvant être durcis. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, en référence aux figures des dessins annexés. Cette description est donnée à titre purement illustratif et non limitatif. Brève description des figures - La figure 1 est une coupe schématique d'une partie d'un substrat dans lequel sont formés des composants. - Les figures 2A et 2B sont des coupes schématiques de la partie de substrat de la figure 1 dans laquelle on a pratiqué une tranchée. - La figure 3 est une coupe schématique de la partie de substrat de la figure 2A et illustre une étape de préparation de la tranchée. - La figure 4 est une coupe schématique de la partie de substrat de la figure 3, dont la tranchée est comblée d'un matériau de remplissage. - La figure 5 est une coupe schématique de la partie de substrat de la figure 4 illustrant la mise en forme du matériau de remplissage. - La figure 6 est une coupe schématique de la partie de substrat de la figure 5 illustrant la formation de pistes d'interconnexion à sa surface. Description détaillée de modes particuliers de mise en oeuvre de l'invention La description qui suit, pour des raisons de simplification, se rapporte à un substrat ne comportant qu'une seule tranchée qui sépare deux régions de substrat. Toutefois, une pluralité de tranchées peuvent être prévues pour séparer et isoler plusieurs régions d'un même substrat, et ce dans différentes directions. La figure 1 montre un substrat 10 qui comporte une couche superficielle 12 de matériau semi- conducteur, une couche enterrée 14 de matériau isolant électrique et une couche épaisse de support mécanique 16. Le substrat 10 est, par exemple, un substrat de type SOI. Les couches semi-conductrice 12 et isolante 14 sont alors respectivement du silicium et de l'oxyde de silicium (SiO2). La couche semi-conductrice présente par exemple une épaisseur comprise entre 5 et 200 pim et la couche isolante une épaisseur de 0,1 pim à quelques micromètres. Selon une variante, une unique couche de matériau isolant électrique, épaisse, peut servir de couche isolante et de couche de support mécanique. Dans l'exemple de la figure 1, la couche semi- conductrice 12 est une couche de silicium de type N. Des zones dopées de type P, 18a, 18b, sont formées dans la couche semi-conductrice de type N afin d'y réaliser des jonctions P-N 20a, 20b. Dans la suite du texte on considère que chacune des jonctions 20a, 20b constitue un composant électronique. De façon générale, les composants formés dans ou sur la couche semi-conductrice 12 sont réalisés selon des techniques de microélectronique connues pouvant comporter, par exemple, des oxydations thermiques, des implantations ioniques, des diffusions thermiques, des étapes de dépôt de matériau et des étapes de photolithogravure. Ces techniques, bien connues en soi ne sont pas décrites plus en détail ici. Une fine couche de protection 22, en oxyde de silicium, est prévue pour protéger la face supérieure libre 24 de la couche semi-conductrice 12. La figure 2A montre la réalisation d'une tranchée 30 qui traverse la couche semi-conductrice 12. La tranchée 30 peut être pratiquée par exemple par une gravure, anisotrope ou non. Sa profondeur dépend essentiellement de l'épaisseur de la couche semi- conductrice 12 superficielle et peut varier entre quelques microns à quelques centaines de microns. De préférence, comme le montre la figure 2A, la gravure du matériau semiconducteur est sélective par rapport au matériau isolant, de façon à arrêter la tranchée 30 à l'interface de la couche semi-conductrice 12 et de la couche isolante 14. Selon une variante, illustrée par la figure 2B, la tranchée 30 peut aussi traverser tout ou partie de la couche isolante 14 pour s'étendre jusque dans la couche de support 16. On observe sur les figures 2A et 2B que la tranchée 30 est pratiquée dans une zone de substrat dépourvue de composants et s'étend de façon sensiblement perpendiculaire aux couches du substrat. Cette zone peut cependant être dopée; il s'agit, par exemple, d'une zone dopée superficiellement de type n ou p Les deux régions de la couche semi-conductrice séparées par la tranchée sont repérées avec les références 32a et 32b. Les deux régions sont latéralement délimitées par des flancs de tranchée 34a, 34b. Une étape suivante, illustrée par la figure 3, comprend le nettoyage des flancs de tranchée 34a, 34b et la préparation de la tranchée pour son garnissage. La couche de protection 22, visible sur les figures précédentes, est retirée. L'étape de préparation de la tranchée peut comporter un dopage des flancs de tranchée et un traitement thermique pour faire diffuser les matériaux dopants. La préparation peut aussi comporter une oxydation des flancs de tranchée ou une formation d'un dépôt de matériau, par exemple de l'oxyde de silicium, pour tapisser les flancs de tranchée. Le dépôt de matériau peut être réalisé par évaporation, par pulvérisation ou par voie chimique en phase vapeur (CVD), à partir de gaz silane. Dans l'exemple décrit, on procède dans l'ordre à un dopage des flancs, à une diffusion thermique du dopant, au retrait de la couche de protection 22, à une oxydation thermique sur une épaisseur de l'ordre de 0 à lpm puis à un dépôt d'oxyde de silicium sur une épaisseur comparable. Les traitements thermiques peuvent éventuellement être évités lorsque les composants 20a, b sont sensibles à la chaleur. Sur la figure 3, une couche d'oxyde de silicium 36 tapisse les flancs 34a, 34b de la tranchée et recouvre la surface supérieure 24 de la couche semi- conductrice 12. La figure 4 montre le remplissage de la tranchée avec un matériau de remplissage 40. Le matériau de remplissage est déposé également à la surface libre du substrat, au-dessus de la couche semi- conductrice 12. Dans l'exemple de la figure, le matériau de remplissage est réparti à la tournette, c'est-à-dire par mise en rotation du substrat, et s'étend audessus de la couche d'oxyde 36. Le matériau de remplissage, liquide, peut être à base de polymères. Il s'agit, par exemple, d'un polyimide, choisi pour sa bonne tenue en température, d'un polyacrylique ou d'un silicone. Les acryliques sont utilisés de préférence pour minimiser les contraintes mécaniques et pour leur particularité de pouvoir être durcis par une insolation ultraviolette. Les autres matériaux de remplissage présentent une fluidité déterminée, pour l'essentiel, par leur concentration en solvant avant séchage ou polycondensation. Les silicones, tels que les méthylsiloxanes permettent d'obtenir des couches très isolantes. Des procédés sol-gel permettent également de garnir la tranchée avec d'autres matériaux. Les matériaux sol-gel passent alors successivement d'un état o des particules colloïdales sont en suspension dans un liquide (sol) à un état de gel. Un matériau dense peut finalement être obtenu par séchage. Enfin, des matériaux isolants capables de fondre sous l'effet de la chaleur peuvent également être mis en place dans la tranchée, à l'état fondu, puis solidifiés. Le dépôt de matériau de remplissage dans la tranchée et éventuellement à la surface du substrat peut être répété plusieurs fois. Les différentes étapes de dépôt peuvent alors être alternées avec des étapes de durcissement du matériau de remplissage. Comme évoqué précédemment, le durcissement peut être obtenu, par un recuit, une insolation ou par évaporation de solvant. De préférence le matériau de remplissage est choisi pour présenter de faibles variations de volume entre ses phases fluide et solide afin de limiter les contraintes induites dans la couche de matériau semi- conducteur 12. Le matériau de remplissage peut également être choisi pour sa bonne tenue en température lorsque des étapes ultérieures de formation de composants avec des traitements thermiques sont envisagées. Une étape suivante du procédé est illustrée par la figure 5. La couche de matériau de remplissage s'étendant à la surface du substrat est mise en forme selon un motif déterminé. La mise en forme est réalisée, par exemple, par gravure selon un masque (non représenté) en préservant du matériau isolant notamment au-dessus de la tranchée 30, c'est-à-dire dans une zone ou un champ électrique est susceptible d'être élevé lorsque les régions de la couche semi-conductrice 12 sont mises sous tension. L'utilisation en surface du matériau de remplissage permet d'obtenir une épaisseur d'isolant plus importante qu'avec des isolants classiques. De plus, le remplissage des tranchées et la formation de l'isolation en surface sont réalisés en même temps, en une seule opération. On observe également sur la figure 5 qu'une couche d'encapsulation 42, par exemple d'oxyde de silicium, est formée pour recouvrir le matériau de remplissage 40, mise en forme à la surface du substrat. La figure 6 montre une étape de réalisation de pistes d'interconnexion 44, 45. Cette étape comporte la formation d'ouvertures 46 à travers les couches isolantes d'oxyde 36, 42 pour mettre à nu des portions du substrat correspondant à des parties de composants, le dépôt d'une couche conductrice, par exemple de métal, et la gravure de cette couche pour mettre en forme les pistes. Dans l'exemple de la figure 6, une piste d'interconnexion relie la zone dopée P 18a du composant a à une zone dopée N du composant 20b. La formation de pistes conductrices peut aussi être mise à profit pour achever, dans certaines régions, la fabrication des circuits intégrés dont une dernière étape d'interconnexion a été volontairement omise lors des traitements précédents. DOCUMENTS CITES (1) "Spin-On Glass for Dielectric Planarization" de Satish K. Gupta, pages 15, Allied-Signal Inc., Milpitas California. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif comprenant des composants électroniques (20a, 20b) dans des régions (32a, 32b) d'une couche de matériau semi- conducteur (12), ces régions étant mutuellement isolées, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: a) formation de composants électroniques (30) des régions d'une couche de matériau semi-conducteur (12) qui recouvre une couche isolante électrique (14), b) formation de tranchées traversant la couche de matériau semi-conducteur (12) de part en part afin de séparer ledites régions (32a, 32b), c) remplissage des tranchées (30) avec un matériau de remplissage, isolant électrique, fluide, susceptible d'être durci, et d) durcissement dudit matériau de remplissage. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les étapes du procédé sont exécutées dans l'ordre successif indiqué. 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme les tranchées (30) avant les composants électroniques (20a, 20b). 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les tranchées présentent une profondeur P supérieure à 5 pm. 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel les tranchées (30) s'étendent, au moins en partie, dans la couche isolante électrique (14). 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le matériau de remplissage (40) est un matériau choisi parmi les polyimides, les polyacryliques, et les silicones. 7. Procédé selon la revendication 6, dans lequel le matériau isolant électrique est de type sol- gel. 8. Procédé selon la revendication 1, dans lequel, avant leur remplissage, on effectue au moins un traitement de préparation des tranchées, choisi parmi - le dopage de flancs (34a, 34b) des tranchées (30), - l'oxydation thermique de flancs (34a, 34b) des tranchées, - le garnissage de flancs (34a, 34b) des tranchées par un dépôt de matériau. 9. Procédé selon la revendication 1, dans lequel on forme également une couche du matériau de remplissage (40) au-dessus d'une surface libre de la couche de matériau semi-conducteur (12). 10. Procédé selon la revendication 1, dans lequel le remplissage des tranchées comporte une succession alternée d'étapes de remplissage partiel des tranchées avec le matériau isolation électrique fluide et d'étapes de durcissement dudit matériau. 11. Procédé selon la revendication 1, comprenant en outre après l'étape d) la formation au- dessus de la couche de matériau semi-conducteur de pistes conductrices (44, 45) d'interconnexion des composants. 12. Procédé selon la revendication 11, dans lequel, avant la réalisation des pistes d'interconnexion, on forme une couche de matériau d'isolation électrique et/ou de remplissage au-dessus d'une surface libre de la couche de matériau semi- conducteur (12) et on pratique des ouvertures dans lesdites couches afin de mettre à nu des zones de la couche de matériau semi-conducteur pour la connexion des pistes avec des composants. 13. Procédé selon la revendication 12, comprenant en outre une mise en forme du matériau de remplissage. 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel on utilise un matériau de remplissage photosensible et dans lequel la mise en forme est réalisée par un développement chimique après insolation du matériau de remplissage à travers un masque. 15. Procédé selon la revendication 12, dans lequel on recouvre la couche de matériau isolant électrique de remplissage d'une couche d'oxyde (42) avant d'y pratiquer les ouvertures pour la connexion des pistes. 16. Dispositif comprenant un substrat avec une couche de matériau isolant électrique (14) et une couche de matériau semi-conducteur (12) formée sur la couche de matériau isolant électrique, dans lequel des tranchées d'isolation (10) remplies d'un matériau de remplissage isolant électrique, traversent de part en part la couche de matériau semi- conducteur (12) et présentent des flancs de tranchées (34a, 34b) qui délimitent des régions (32a, 32b) de la couche de matériau semi- conducteur, les régions comprenant des composants électroniques (20a, 20b), et dans lequel le matériau de remplissage est choisi parmi des matériaux isolants présentant un état initial liquide et pouvant être durcis. 17. Dispositif selon la revendication 16, dans lequel le matériau isolant électrique est choisi parmi les matériaux polymères, les silicones et les matériaux de type sol-gel. 18. Dispositif selon la revendication 16, dans lequel les tranchées présentent une profondeur P supérieure à 5 pm.