Brevet FR2780551A1 — publié le 19991231

-1 MICROMODULE ELECTIRONIQUE INTEGRE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL MICROMODULE La présente invention concerne un micromodule électronique comprenant une plaquette support, une puce de circuit intégré, et au moins un enroulement plat formant une bobine d'antenne. Ces dernières armnnées, on a développé des circuits intégrés fonctionnant sans contact par l'intermédiaire d'une bobine d'antenne, comprenant des moyens pour recevoir ou émettre des données par couplage inductif en présence d'un champ magnétique émis par une station d'émission et/ou réception de données. De tels circuits intégrés, ou transpondeurs passifs, permettent de réaliser divers objets portatifs électroniques fonctionnant sans contact comme des cartes à puce, des étiquettes électroniques, des jetons électroniques,... La présente invention concerne la fabrication de tels objets portatifs, et plus particulièrement la fabrication de la partie électronique de ces objets portatifs. Le procédé le plus généralement utilisé pour réaliser la partie électronique d'un objet portatif fonctionnant sans contact consiste à prévoir une plaquette support sur laquelle on dépose une bobine et une puce de silicium. La bobine est ensuite connectée à la puce et l'ensemble est recouvert d'une résine de protection. Généralement, la plaquette support est une plaquette de circuit imprimé. La bobine est un fil de cuivre rapporté par collage ou une bande de cuivre gravée. La connexion bobine/puce est assurée par des fils métalliques soudés ultrasoniquement. L'ensemble forme un micromodule électronique destiné à être introduit dans le corps d'un objet portatif (carte plastique, jeton, pastille, clef...) ou fixé à sa surface. Ce procédé présente l'inconvénient de nécessiter diverses étapes de manutention, de manipulation des éléments constitutifs 2 2780551 des micromodules, d'assemblage, de câblage, de contrôle... qui grèvent le prix de revient des micromodules et limitent les cadences de production. Par ailleurs, ce procédé ne permet pas de réaliser des micromodules de très faible épaisseur. Ainsi, la plaquette de circuit imprimé présente généralement une épaisseur de l'ordre de micromètres, la puce de silicium une épaisseur de l'ordre de micromètres après abrasion chimique ou mécanique de sa face arrière, et la hauteur des boucles formées par les fils de câblage est de l'ordre de 120 micromètres. Enfin, la résine d'enrobage recouvre les fils sur une épaisseur de 20 à 50 micromètres. Au total, l'épaisseur d'un micromodule classique est de l'ordre de 400 à 500 micromètres. En comparaison, une carte plastique présente une épaisseur de l'ordre de 760 micromètres. Ainsi, il est fréquent que des cartes à puce sans contact incorporant ce type de micromodule présentent des défauts de planéité. On connaît par ailleurs divers procédés permettant de réaliser collectivement une pluralité de bobines sur une tranche de silicium (wafer) comportant une pluralité de circuits intégrés, par exemple le procédé décrit dans le brevet US 4 857 893. Après découpe de la tranche de silicium, on obtient des micromodules intégrés de faible épaisseur. Les étapes de manutention, d'assemblage et de connexion des puces et des bobines sont supprimées. Cependant, la surface offerte par une puce de silicium, de quelques millimètres carrés, est insuffisante pour réaliser une bobine d'inductance élevée. Les circuits intégrés pourvus d'une bobine intégrée demeurent ainsi réservés à des applications dites "de proximité", o la distance de conmmnunication par induction électromagnétique est faible et de l'ordre du millimètre. Il est par ailleurs envisageable de réaliser sur une tranche de silicium des bobines de plus grandes dimensions, par exemple des bobines entourant les zones o se trouvent les circuits intégrés. Cette solution présente toutefois 3 2780551 1' inconvénient de diminuer le nombre de circuits intégrés pouvant être réalisés collectivement sur une même tranche de silicium et d'augmenter leur prix de revient. Dans l'industrie du semi- conducteur, le prix de revient d'une puce de silicium est en effet déterminé par le coût de production de la tranche de silicium divisé par le nombre de puces réalisées. Ainsi, par exemple, la réalisation de bobines de 6 mm2 sur une tranche de silicium comportant des circuits intégrés d'une surface de 2 mm2 multiplie par trois le prix de revient de chaque circuit intégré. En définitive, les procédés consistant à intégrer des circuits électroniques et des bobines sur une même tranche de silicium n'apparaissent pas avantageux malgré le gain de main d'oeuvre que représente la suppression des étapes d'assemblage et de câblage des bobines et des circuits intégrés. On connaît enfin diverses filières technologiques permettant de réaliser à faible coût et de façon collective des bobines intégrées, notamment la filière des multicouches polyimide/oxyde de silicium /cuivre sur tranche de silicium. Une fois individualisées, les bobines se présentent sous la forme de puces de faibles dimensions qui peuvent être assemblées et connectées à des puces de circuits intégrés. On retrouve toutefois les problèmes de main d'oeuvre dus à la nécessité de manipuler, assembler et connecter deux par deux des composants individuels de petite taille. Ainsi, un objectif de la présente invention est de prévoir un procédé permettant de fabriquer collectivement des micromodules de faible épaisseur comprenant une bobine intégrée et un circuit intégré, sans augmentation du prix de revient des circuits intégrés et sans nécessiter des étapes d'assemblage deux à deux de composants individuels. Un autre objectif de la présente invention est de prévoir un micromodule hybride à deux modes de fonctionnement, à savoir un mode de fonctionnement conventionnel par l'intermédiaire de plages de contact et un mode de fonctionnement sans contact par 4 2780551 l'intermédiaire d'une bobine d'antenne, qui soit de faible encombrement et simple à réaliser. Ces objectifs sont atteints grâce à un procédé de fabrication collective d'une pluralité de micromodules électroniques comprenant chacun une plaquette support, une puce de circuit intégré comportant des plages de connexion électrique, et au moins une bobine, procédé comprenant les étapes consistant à assembler sur une plaque support une pluralité de puces de circuits intégrés; déposer à la surface de la plaque support une couche électriquement isolante recouvrant l'ensemble des puces; pratiquer dans la coucne isolante une pluralité d'ouvertures en regard des plages de connexion des puces; réaliser collectivement, sur la plaque support, une pluralité d'enroulements plats formant bobines; connecter chaque bobine à une puce correspondante; découper la plaque support pour individualiser les micromodules. Avantageusement, la connexion des bobines aux puces est réalisée en déposant un matériau conducteur dans les ouvertures pratiquées dans la couche isolante. Avantageusement, le matériau conducteur déposé dans les ouvertures est le matériau conducteur formant les bobines. Selon un mode de réalisation, on réalise la bobine sur plusieurs niveaux conducteurs séparés par des couches isolantes. Selon un mode de réalisation, la plaque support est en silicium. L'étape de dépôt d'une couche isolante comprend une étape de dépôt d'une couche de polyimide et une étape de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium. Les bobines sont réalisées par dépôt électrolytique et gravure d'une couche de cuivre. Selon un mode de réalisation, l'étape de découpe de la plaque support est précédée d'une étape de dépôt d'une matière de protection sur l'ensemble de la plaque support. La présente invention concerne également un micromodule électronique comprenant une plaquette support, une puce de circuit intégré et au moins un enroulement plat formant bobine, dans lequel la puce est enterrée dans au moins une couche 2780551 électriquement isolante comprenant au moins une couche d'au moins un matériau isolant, la bobine étant agencée sur la couche isolante. Selon un mode de réalisation, la bobine est connectée à la puce par l'intermédiaire d'ouvertures métallisées traversant la couche isolante pour atteindre des plages de connexion électrique de la puce. Selon un mode de réalisation, la puce est recouverte par au moins deux couches isolantes, l'une des deux couches isolantes !0 sert de support à l'enroulement formant bobine, et l'autre couche isolante sert de support à un conducteur reliant une extrémité de la bobine à une plage de connexion de la puce. Selon un mode de réalisation, la puce est recouverte par au moins deux couches isolantes et la bobine comprend au moins deux enroulements plats agencés respectivement sur chacune des couches isolantes. La présente invention concerne également un micromodule hybride comprenant une plaquette support comportant sur sa face avant des plages de contact, dans lequel la plaquette support comporte sur sa face arrière un micromodule selon l'invention, le micromodule comprenant une puce de circuit intégré à deux modes de fonctionnement, avec ou sans contact, et une couche isolante comportant des ouvertures pour connecter la puce aux plages de contact. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante du procédé de fabrication selon l'invention et de divers exemples de réalisation de micromodules selon l'invention, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: - les figures 1 et 2 illustrent une première étape du procédé selon l'invention et représentent respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe une plaque support sur laquelle sont déposées des puces de silicium, 6 2780551 - les figures 3A à 3D sont des vues partielles en coupe de la plaque support et illustrent d'autres étapes du procédé selon 1 ' invention, - la figure 4 est une vue de dessus d'un premier exemple de réalisation d'un micromodule selon l'invention, - la figure 5 est une vue d'ensemble d'une pluralité de micromodules selon l'invention, réalisés collectivement sur la plaque support susmentionnére, - les figures 6 et 7 représentent respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe un deuxième exemple de réalisation d'un micromodule selon l'invention, - les figures 8 et 9 représentent respectivement par une vue de dessus et une vue en coupe un troisième exemple de réalisation d'un micromodule selon l'invention, les figures O10A et 10B représentent respectivement par une vue de dessous et une vue de dessus un micromodule hybride comprenant un micromodule selon l'invention et des plages de contact, et - la figure 11 est le schéma électrique sous forme de blocs d'un circuit intégré fonctionnant sans contact et d'une station d'émission/réception de données. De façon générale, l'idée de la présente invention est de réaliser collectivement des bobines sur un support sur lequel ont été préalablement agencées des puces de circuits intégrés. Le support est distinct de la tranche de silicium à partir de laquelle les circuits intégrés ont été fabriqués et le procédé n'entraîne pas une augmentation de leur prix de revient. Les bobines sont réalisées au moyen d'une technologie à faible coût. On obtient ainsi, après découpe du support, des micromodules intégrés à faible prix de revient. Une première étape du procédé selon l'invention, illustrée par les figures 1 et 2, consiste à agencer une pluralité de puces de silicium 1 sur une plaque support 2 choisie de préférence rigide. Les puces sont fixées à la plaque support 2 par tout moyen classique, par exemple par collage, et sont agencées à une 7 2780551 distance D prédéterminée les unes des autres. Cette étape est de préférence automatisée pour l'obtention d'un positionnement précis des puces. A cet effet, des mires 3 peuvent être prévues sur la plaque support 2. Les puces de silicium 1 sont des circuits intégrés du type fonctionnant sans contact et comportent des plages métallisées 4 prévues pour être connectées à une bobine. Les puces sont issues d'une tranche de silicium amincie par un procédé d'abrasion classique, chimique ou mécanique. L'épaisseur des puces peut être choisie inférieure à celle des puces montées sur des plaquettes de circuit imprimé en raison de la rigidité de la plaque support 2, et être de l'ordre de 50 à 150 micromètres. Selon l'invention, on va ensuite fabriquer sur la plaque support 2 une pluralité de bobines intégrées qui formeront avec les puces 1 des micromodules intégrés de faible épaisseur. Dans ce qui suit, on décrira un exemple de mise en oeuvre du procédé selon l'invention faisant appel à la technologie polyimide/oxyde de silicium/cuivre sur substrat de silicium, utilisée dans l'art antérieur pour réaliser des bobines intégrées Ainsi, la plaque support 2 est ici une tranche vierge de silicium d'une épaisseur standard de l'ordre de 675 micromètres, qui sera amincie au cours d'une étape finale du procédé de fabrication. Les figures 3A à 3C sont des vues partielles en coupe de la plaque support 2 illustrant diverses étapes du procédé selon l'invention. Les épaisseurs des divers éléments ne sont pas reproduites à l'échelle dans un souci de lisibilité des figures. Au cours de l'étape illustrée par la figure 3A, la plaque support 2 est recouverte par une couche 5 de polyimide. De façon classique, le polyimide est déposé en phase liquide, puis réparti sur la plaque 2 par centrifugation et polymérisé dans une étuve. Selon la viscosité du polyimide, plusieurs étapes de dépôt, centrifugation et polymérisation peuvent être nécessaires pour l'obtention d'une couche 5 recouvrant entièrement les puces de silicium 1. xS 2780551 Cette étape est suivie d'une étape classique de rectification ("planarisation") de la couche polyimide 5, par exemple par abrasion mécanique. De préférence, on poursuit l'abrasion jusqu'à ce que l'épaisseur de la couche de polyimide 5 au dessus des puces de silicium 1 soit assez faible, par exemple de l'ordre de 10 micromètres. L'étape suivante, illustrée par la figure 3B, consiste à déposer sur la couche rectifiée 5 une fine couche d'oxyde de silicium 6, d'une épaisseur de l'ordre de 5 à 10 micromètres. L'oxyde est déposé de façon classique, par exemple en phase vapeur selon la technique CVD ("Chemical Vapor Deposition"). On considérera maintenant dans un souci de simplicité que les couches de polyimide 5 et d'oxyde de silicium 6 ne forment qu'une seule et méme couche isolante 7 dans laquelle la puce 1 est enterrée. En effet le dépôt cumulé de ces deux matières est une particularité du procédé utilisé ici, le polyimide permettant de réaliser en peu de temps une couche isolante de forte épaisseur et l'oxyde servant de support à une couche de cuivre déposée au cours d'une étape décrite plus loin. Au cours de l'étape illustrée par la figure 3C, on perfore la couche isolante 7 pour faire apparaître des ouvertures 8 en regard des plages métallisées 4 des puces de silicium 1. De préférence, les ouvertures 8 sont réalisées par gravure chimique de la couche isolante 7, au moyen d'un masque de gravure en résine photosensible que l'on a préalablement insolé et développé. Un mode de réalisation particulier de cette étape de gravure consiste à graver tout d'abord la couche d'oxyde 6 au moyen d'un premier agent de gravure non agressif pour le polyimide, avec interposition d'un masque de gravure. On utilise ensuite la couche d'oxyde gravée comme masque de gravure pour graver la couche de polyimide 5, au moyen d'un deuxième agent de gravure non agressif pour 1 'oxyde. Au cours de l'étape illustrée par la figure 3D, on dépose sur la couche isolante 7 une couche cuivre 9 d'une épaisseur de l'ordre de 20 à 50 micromètres, par exemple par électrolyse. La 9 2780551 couche de cuivre 9 pénètre dans les ouvertures 8 et adhère aux plages 4 de connexion de la puce 1. La couche de cuivre 9 est ensuite gravée de manière à faire apparaître des enroulements plats en forme de bobines 10, chaque enroulement étant connecté à une puce de silicium 1. :La figure 4 représente un exemple de bobine 10 réalisée selon le procédé de 1' invention, formant avec une puce enterrée 1 un micromodule intégré 20. Ici, la bobine 10 chevauche la puce 1 dans une position sensiblement décalée permettant de faire coincider les extrémités de la spire interne et de la spire externe avec les plages de connexion 4 de la puce 1. La figure 5 donne une vue d'ensemble de la surface de la plaque de silicium 2. On voit que l'on a réalisé collectivement une pluralité micromodules 20. Avant d'être découpée en micromodules individuels, la plaque 2 est de préférence recouverte d'une couche de résine de protection, puis amincie par abrasion de sa face arrière jusqu'à l'obtention d'une épaisseur de l'ordre de 100 micromètres. Au final, les micromodules selon l'invention présentent une faible épaisseur, de l'ordre de 200 à 300 micromètres. Ainsi, le procédé selon l'invention permet de réaliser des micromodules intégrés comparables en termes d'encombrement à ceux réalisés dans l'art antérieur sur des tranches de silicium comportant des circuits intégrés. Toutefois, la surface occupée par les bobines, choisie en fonction de l'application envisagée, n'a pas d'incidence sur le prix de revient des circuits intégrés qui sont réalisés ici sur une tranche de silicium indépendante. Le processus de fabrication des bobines étant nettement moins coûteux que le processus de fabrication des circuits intégrés, le prix de revient des micromodules selon l'invention n'augmente pas de façon rédhibitoire en fonction de la surface occupée par les bobines. En effet, la réalisation d'un micromodule selon l'invention ne nécessite en pratique que 2 à 5 masques de gravure (selon le mode de réalisation choisi) alors que la fabrication d'un circuit intégré nécessite classiquement une vingtaine de Wi o2780551 masques de gravure. En outre, la précision requise pour la réalisation des bobines n'est que de l'ordre de 1 à 2 micromètres alors qu'un circuit intégré est réalisé aujourd'hui avec une précision inférieure au micromètre. D'autre part, le procédé selon l'invention offre des possibilités étendues en termes de conception des micromodules, grâce à la possibilité de prévoir plusieurs niveaux conducteurs, ici plusieurs niveaux de cuivre séparés par des couches isolantes. De façon générale, plusieurs niveaux conducteurs peuvent être prévus pour démultiplier le nombre d'enroulements de la bobine. Un compromis peut être fait entre une extension du nombre d'enroulements dans le plan de la plaque support et une extension du nombre d'enroulements sur plusieurs niveaux conducteurs. Pour fixer les idées, les figures 6 et 7, 8 et 9 représentent deux autres exemples de réalisation de micromodules selon l'invention. Le micromodule 30 illustré sur les figures 6 et 7 comporte une bobine 31 de plus grande taille que celle du micromodule de la figure 4, la bobine 31 entourant ici la puce de silicium 1. La connexion de la spire externe de la bobine 31 à l'une des plages métallisées 4 de la puce de silicium est assurée par une piste conductrice 32 en cuivre agencée sur une première couche isolante 33, la bobine 31 étant agencée sur une deuxième couche isolante 34. La connexion de la piste 32 à la bobine 31 est assurée par une ouverture 35 pratiquée dans la couche 34 et sa connexion à la plage métallisée t est assurée par une ouverture 36 pratiquée dans la couche 33. Enfin, la spire interne de la bobine 31 est connectée à l'autre plage métallisée 4 par l'intermédiaire de deux ouvertures superposées 37, 38 pratiquées dans les couches isolantes 33, 34. Une variante de réalisation consiste à' intervertir les positions relatives de la bobine 31 et de la piste 32 sur chacune des couches isolantes. Le micromodule 40 représenté sur les figures 8 et 9 comporte deux couches isolantes 41, 42 et une bobine 43 comprenant deux enroulements plats 44, 45 superposés et connectés en série. Le premier enroulement 44, représenté en traits pointillés sur la figure 8, est déposé sur la couche isolante 41. L'une de ses extrémités est connectée à une plage métallisée 4 de la puce 1 par l'intermédiaire d'une ouverture 46 pratiquée dans la première couche isolante 41. L'autre extrémité de l'enroulement 44 est connectée à une extrémité du deuxième enroulement 45 par l'intermédiaire d'une ouverture 47 pratiquée dans la deuxième couche isolante 42. Enfin, l'autre extrémité de l'enroulement 45 est connectée à l'autre plage métallisée 4 de la puce 1 par l'intermédiaire de deux ouvertures superposées 48, 49 pratiquées dans les deux couches isolantes 41, 42. Les figures 10A et 0lB représentent respectivement la face arrière 60-1 et la face avant 60-2 d'un micromodule hybride 60 pour carte à puce à deux modes de fonctionnement. Le micromodule comprend une plaquette support 61 de faible épaisseur, par exemple une plaquette en époxy. Sur la face arrière 60-1 de la plaquette 61 est collé un micromodule 50 selon l'invention, du type décrit en relation avec les figures 6 ou 8, comprenant une plaquette support 2 et une bobine 51 entourant une puce de silicium 52 enterrée dans une couche isolante 53. La bobine 51, réalisée sur deux premiers niveaux de la couche isolante 53, est recouverte par un troisième niveau de la couche isolante 53 et/ou par une résine de protection. La puce de silicium 52 est un circuit intégré à deux modes de fonctionnement d'un type connu, par exemple celui décrit dans la demande WO 97/49059. La puce 52 comporte ainsi deux plages métallisées 4 connectées à la bobine 51, pour le mode de fonctionnement sans contact, et des plages métallisées 54 pour le mode de fonctionnement avec contact. Les plages 54 sont accessibles grâce à des ouvertures 55 débouchant à l'air libre, pratiquées dans la couche isolante 53 ainsi que, le cas échéant, dans la résine de protection. Les plages 54 sont reliées électriquement, par l'intermédiaire de fils 62 d'aluminium ou d'or et d'orifices 63 pratiqués dans la plaquette support 61, à des plages de contact Cl à C6 du type ISO 7816 12 2780551 agencées sur la face avant 60-2 du micromodule hybride 60 (figure O10B). Sur la face avant 60-1, le micromodule 60 comporte deux autres plages C7 à C8 prévues par la norme précitée mais généralement non utilisées. Ainsi, le circuit intégré 52 peut être activé par l'intermédiaire des plages de contact Cl à C6 ou par induction électromagnétique. L'emplacement occupé par le micromodule 50 sur la face arrière 60-1 est représenté en traits pointillés sur la figure O10B. On voit que les plages Cl à C8 ne recouvrent pas l'emplacement correspondant sur la face avant 60-2 afin de rne pas former écran à la circulation d'un champ magnétique dans la bobine 51. Le micromodule hybride 60 selon l'invention offre ainsi une bonne perméabilité magnétique et les plages Cl à C8 ne diminuent pas de façon sensible la distance de communication. Bien entendu, le micromodule hybride qui vient d'être décrit peut recevoir tout type de micromodule selon l'invention, par exemple le micromodule représenté en figure 4 dans lequel la bobine chevauche le circuit intégré. En pratique, les couches isolantes sur lesquelles reposent les niveaux conducteurs supérieurs d'un micromodule selon l'invention peuvent être de simples couches d'oxyde afin de limiter le nombre d'étapes de fabrication, ou comporter une alternance de couches d'oxyde et de couches polyimide/oxyde. De façon générale, le procédé selon l'invention n'est pas limité à la filière technologique qui vient d'être décrite et peut être mis en oeuvre avec toute technologie permettant d'enterrer une puce de silicium dans une couche isolante, puis de déposer ou intégrer une bobine sur ou dans la couche isolante. A titre de rappel, la figure 11 représente très schématiquement un exemple d'architecture de circuit intégré IC fonctionnant sans contact, communiquant par induction électromagnétique avec une station RD d'émission et/ou de réception de données. Le circuit IC et la station RD sont équipés chacun d'une bobine d'antenne, respectivement Lp, Ls. Le circuit IC comprend une capacité d'entrée Cp, une unité centrale UC à 13 2780551 microprocesseur ou à logique câblée, une mémoire MEM, un pont de diodes Pd, un circuit démodulateur-décodeur DD et un circuit modulateur-codeur MC. La capacité d'entrée Cp forme avec la bobine Lp un circuit résonant LpCp de fréquence propre Fp. Le démodulateur DD, le modulateur MC et le pont de diodes Pd sont connectés en parallèle avec le circuit d'antenne LpCp. En présence d'un champ magnétique alternatif émis par la bobine Ls de la station RD, une tension induite Vp apparaît aux bornes du circuit d'antenne LpCp. Cette tension Vp est redressée par le pont Pd pour fournir au circuit IC une tension continue d'alimentation Vcc. Pour la transmission de données numériques à la station RD, l'unité centrale UC communique les données à émettre au circuit modulateur MC qui module la charge de la bobine Lp en fonction des données qu'il reçoit, selon un codage prédétermine. Les modulations de charge se répercutent par couplage inductif sur la bobine Ls et sont détectées par la station Rd. L'extraction des données reçues est assurée par une opération inverse de démodulation et de décodage. Pour la transmission de données numériques vers la puce IC, la station RD module 1 'amplitude du champ magnétique en fonction des données à émettre, selon un codage prédéterminé. Dans la puce IC, le circuit DD démodule la tension Vp, décode les données reçues et les envoie à l'unité centrale UC, qui peut les charger dans la mémoire MEM. 14 2780551 REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication collective d'une pluralité de micromodules électroniques (20, 30, 40) comprenant chacun une plaquette support, une puce de circuit intégré (1) comportant des plages de connexion électrique (4), et au moins une bobine (10, 31, 43), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à assembler sur une plaque support (2) une pluralité de puces de circuits intégrés (1); déposer à la surface de la plaque support (2) une couche électriquement isolante (5, 6, 7, 33, 34, 41, 42) recouvrant 1 'ensemble des puces; pratiquer dans la couche isolante une pluralité d'ouvertures (8, 36, 37, 38, 46, 48, 49) en regard des plages (4) de connexion des puces; réaliser collectivement, sur la plaque support, une pluralité d'enroulements plats formant bobines (10, 31, 43, 44, 45); connecter chaque bobine à une puce correspondante, et découper la plaque support (2) pour individualiser les micromodules. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel la connexion des bobines aux puces est réalisée en déposant un matériau conducteur dans les ouvertures pratiquées dans la couche isolante. 3. Procédé selon la revendication 2, dans lequel le matériau conducteur déposé dans les ouvertures est le matériau conducteur formant les bobines. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, dans lequel on réalise la bobine (31, 32, 43, 44, 45) sur plusieurs niveaux conducteurs séparés par des couches isolantes (33, 34, 41, 42). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la plaque support (2) est en silicium, l'étape de dépôt d'une couche isolante comprend une étape de dépôt d'une couche de polyimide et une étape de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium, et les bobines sont réalisées par dépôt électrolytique et gravure d'une couche de cuivre. 2780551 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel l'étape de découpe de la plaque support est précédée d'une étape de dépôt d'une matière de protection sur l'ensemble de la plaque support. 7. Micromodule électronique (20, 30, 40, 50) comprenant une plaquette support (2), une puce de circuit intégré (1, 52) et au moins un enroulement plat formant bobine (10, 31, 43, 44, 45, 51), caractérisé en ce que la puce est enterrée dans au moins une couche électriquement isolante (5, 6, 7, 33, 34, 41, 42, 53) comprenant au moins une couche d'au moins un matériau isolant, et en ce que la bobine est agencée sur la couche isolante. 8. Micromodule selon la revendication 7, dans lequel la bobine est connectée à la puce par l'intermédiaire d'ouvertures (8, 36, 37, 38, 46, 47, 48, 49) métallisées traversant la couche isolante pour atteindre des plages (4) de connexion électrique de la puce. 9. Micromodule (30) selon l'une des revendications 7 et 8, dans lequel: - la puce est recouverte par au moins deux couches isolantes (33, 34, 41, 42), - l'une des deux couches isolantes (34, 42) sert de support à 1 'enroulement formant bobine, et - l'autre couche isolante (33, 41) sert de support à un conducteur (32, 44, 73) reliant une extrémité de la bobine à une plage (4) de connexion de la puce. 10. Micromodule (40) selon l'une des revendications 7 à 9, dans lequel la puce est recouverte par au moins deux couches isolantes (41, 42) et la bobine (43) comprend au moins deux enroulements plats (44, 45) agencés respectivement sur chacune des couches isolantes. 11. Micromodule selon l'une des revendications 7 à 10, dans lequel la plaquette support (2) est en silicium et la couche isolante (7) comprend une couche de polyimide (5) et une couche d'oxyde de silicium (6). 16 2780551 12. Micromodule hybride (60) comprenant une plaquette support (61) comportant sur sa face avant (60-2) des plages de contact (C1-C8), caractérisé en ce que la plaquette support (61) comporte sur sa face arrière (60-1) un micromodule (50) selon5 l'une des revendications 7 à 11, le micromodule (50) comprenant une puce de circuit intégré (52) à deux modes de fonctionnement, avec ou sans contact, et une couche isolante (33) comportant des ouvertures (55) pour connecter la puce (52) aux plages de contact (ClC8).