Brevet FR2780199A1 — publié le 19991224

La présente invention concerne un dispositif à semiconducteur et, plus particulièrement, un dispositif de mémorisation ferroélectrique et son procédé de fabrication. Les systèmes modernes de traitement de l'information nécessitent qu'une partie importante de l'information stockée dans leurs mémoires soit accessible de façon directe afin qu'on puisse assurer un rapide accès à l'information. En raison du fonctionnement rapide des mémoires mises en oeuvre dans les techniques utilisant les semiconducteurs, on a mis au point des mémoires vives ferroélectriques (dites FRAM), et ces FRAM offrent l'avantage important d'être rémanentes, ce qui résulte du fait qu'un condensateur ferroélectrique comporte deux plaques de condensateur entre lesquelles se trouve une matière ferroélectrique possédant deux états différents stables de polarisation qui peuvent être définis au moyen d'une boucle d'hystérésis représentant la variation de la polarisation en fonction de la tension appliquée. Récemment, l'utilisation de semblables matières ferroélectriques a atteint le stade des applications commerciales dans le domaine de l'industrie des semiconducteurs. Les éléments de mémorisation ferroélectriques sont rémanents, programmables au moyen d'une tension faible, par exemple inférieure à 5 V (mémoire flash avec 18-22 V), et ont un court temps d'accès, d'un ordre inférieur à la nanoseconde (mémoire flash de l'ordre de la microseconde), ainsi qu'une robustesse permettant un nombre virtuellement illimité de cycles de lecture et d'écriture. Ces éléments de mémorisation consomment en outre peu de puissance (le courant d'attente est inférieur à 1 gA) et présentent une bonne résistance aux radiations. Les matières ferroélectriques qui ont permis ce bond en avant dans les applications aux circuits intégrés comprennent les composés diélectriques ferroélectriques à structure du type pérovskite, comme par exemple le zirconate- titanate de plomb (PZT) PbZrxTil.xO3, le titanate de baryum-strontium (BST), le PLZT (zirconate-titanate de plomb-lanthane), et le SBT (strontiumbismuth- tantale). Dans un processus de fabrication de mémoires ferroélectriques, un point crucial est qu'il faut obtenir une caractéristique ferroélectrique sans aucune dégradation ainsi qu'une structure à un seul condensateur/un seul transistor et une structure métallique multiniveau. En particulier, dans le cas du PZT, les caractéristiques ferroélectriques sont directement liées aux quantités de structure cristalline de pérovskite produites par recuit après dépôt. Puisque la pellicule de PZT est formée de manière hétérogène, la formation de la structure cristalline de pérovskite par recuit après dépôt est fortement affectée par la matière en contact avec elle, comme les électrodes du condensateur (c'est-à-dire l'électrode inférieure et l'électrode supérieure). Notamment, le platine catalyse une réaction de réduction, c'est-à-dire facilite l'oxydation du PZT, ce qui amène des défauts inacceptables dans l'interface entre les électrodes et le PZT, entraînant ainsi un déficit en titane (qui s'oxyde facilement) pour le PZT et, finalement, des problèmes de fiabilité. L'invention a été faite en liaison avec le problème ci-dessus évoqué, et c'est donc un but de l'invention de fournir un procédé permettant de fabriquer un dispositif de mémorisation ferroélectrique ayant des caractéristiques ferroélectriques améliorées, comme une bonne endurance lecture/écriture avec rétention aux températures élevées. Pour obtenir cet avantage, ainsi que d'autres, et selon le but de l'invention, le procédé de fabrication d'une mémoire ferroélectrique comporte la formation d'une première couche isolante sur un substrat semiconducteur. Une pluralité de transistors de fonctionnement ont déjà été formés sur une région active dans et sur le substrat semiconducteur. Chaque transistor comporte une électrode de grille dotée d'une couche d'encapuchonnage isolante et une paire de régions source/drain se prolongeant depuis les bords latéraux de l'électrode de grille à l'intérieur de la région active, jusqu'à une profondeur prédéterminée. Un ensemble de condensateur ferroélectrique est formé sur la première couche isolante. L'ensemble de condensateur ferroélectrique comporte une électrode inférieure, une pellicule ferroélectrique et une électrode supérieure, dans cet ordre, depuis la première couche isolante. Une couche d'adhésion/bamrrière peut en outre être formée au-dessous de l'électrode inférieure. La couche d'adhésion/barrière est faite par exemple de dioxyde de titane (TiO2). L'électrode inférieure est faite d'une multicouche comprenant une électrode d'oxyde conductrice et une électrode de platine. L'électrode d'oxyde conductrice est faite par exemple de dioxyde d'iridium (IrO2), que l'on a obtenu par une technique de pulvérisation par magnétron en courant continu. On utilise l'électrode de platine afin de produire, de manière avantageuse, une structure cristalline favorable pour le dépôt de la pellicule ferroélectrique. On peut également utiliser d'autres électrodes appropriées. La pellicule ferroélectrique est faite de PZT (zirconate- titanate de plomb). La pellicule ferroélectrique de PZT résultante possède une quantité relativement plus importante de titane que de zirconate. Par exemple, la composition en titane et zirconate est dans le rapport d'environ 3:2, 7:3, ou 4:1. L'électrode supérieure est faite d'une multicouche de dioxyde d'iridium et d'iridium, dans cet ordre. On applique un processus photographique pour former le condensateur ferroélectrique. Après réalisation du motif du condensateur, on forme une couche de barrière de diffusion de façon à couvrir le condensateur ferroélectrique. La séquence de traitement suivante vise à former une interconnexion. Sur la structure résultante, on forme une deuxième couche isolante intercouche. On forme une première ouverture dans la deuxième couche isolante intercouche et une couche de barrière de diffusion à une électrode inférieure. Pour minimiser l'action catalytique de l'électrode de platine, en tant qu'agent réducteur, sur la pellicule de PZT, on effectue un traitement thermique en ambiance d'oxygène à environ 450 C via un recuit thermique rapide ou dans un four. Ce traitement thermique en ambiance d'oxygène aide à la formation d'une électrode de dioxyde d'iridium stable, minimise les défauts au niveau de l'interface entre la pellicule ferroélectrique et l'électrode inférieure, et minimise la variation de contrainte de l'électrode de dioxyde d'iridium. On forme une première couche de barrière de réaction dans la première ouverture et par dessus la deuxième couche isolante intercouche. On forme une deuxième ouverture dans la couche de barrière, les deuxième et première couches isolantes intercouche jusqu'à la région source/drain. On forme une deuxième couche de barrière de réaction sur la structure résultante, puis on dépose par dessus une couche métallique principale. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: les figures lA à 1J sont des vues en section droite d'un substrat semiconducteur à des stades choisis du processus de formation du condensateur ferroélectrique, selon l'invention; la figure 2A représente la boucle d'hystérésis d'un condensateur ferroélectrique selon l'invention; et la figure 2B représente la boucle d'hystérésis d'un condensateur ferroélectrique selon la technique antérieure. On se reporte maintenant aux figures pour décrire de manière détaillée le procédé de fabrication d'un dispositif de mémorisation ferroélectrique. Les figures lA à 1J sont des vues en section droite d'un substrat semiconducteur à différents stades du processus de formation du condensateur ferroélectrique. Comme on peut le voir sur la figure lA, il est produit un substrat semiconducteur possédant un transistor 104 en une région active et une première couche isolante 106. La région active est entourée par une région 102 d'isolation de dispositif ayant un motif prédéterminé. Le transistor 104 comporte une électrode de grille dotée d'une couche d'encapuchonnage isolante et une région source/drain s'étendant depuis les bords latéraux de l'électrode de grille à l'intérieur de la région active jusqu'à une profondeur prédéterminée. Comme on peut le voir sur la figure lB, on forme une couche d'adhésion/bamrrière 108 sur la première couche isolante 106. La couche d'adhésion/barrière 108 sert à améliorer l'adhésion entre l'électrode inférieure à venir d'un condensateur ferroélectrique et la première couche isolante 106. De plus, elle fait fonction de couche de barrière destinée à empêcher la diffusion de matière. La couche d'adhésion/barrière 108 est faite par exemple de dioxyde de titane (TiO2). On fait séquentiellement déposer sur la couche d'adhésion/barrière 108, au titre d'une électrode inférieure du condensateur, une couche d'électrode en oxyde 110 et une couche d'électrode en platine 112. La couche d'électrode en oxyde 110 est faite de dioxyde d'iridium (IrO2) et est formée par une technique de pulvérisation par magnéton en courant continu. On applique un traitement thermique afin d'intensifier les caractéristiques de l'électrode, dans une ambiance d'oxygène, à environ 600 C. L'épaisseur de la couche d'électrode en dioxyde d'iridium 110 est de préférence d'environ 50 nm (500 À). L'électrode en platine 112 sert à amener de manière avantageuse la formation d'une structure cristalline favorable pour le dépôt de la pellicule ferroélectrique et elle possède une épaisseur d'environ 270 nm (2 700 A). L'homme de l'art comprendra que d'autres électrodes appropriées peuvent également être utilisées. Par exemple, au lieu de la double couche de dioxyde d'iridium et de platine, on peut employer une couche unique de Ir, Rh ou Ru. De plus, la structure à double couche peut comporter une couche inférieure choisie dans le groupe constitué par IrO2, ITO, RhO2, RuO2 et MoO3, tandis que la couche supérieure est choisie dans le groupe constitué par Pt, Ir, Rh et Ru. On forme une pellicule ferroélectrique 114 sur la couche d'électrode inférieure, 110 et 112, et, comme pellicule ferroélectrique, on peut choisir le PLZT ou le PZT (zirconate-titanate de plomb). La formation de la pellicule ferroélectrique (PZT) selon l'invention est réalisée de la manière suivante. On dépose sous forme amorphe, par un processus sol- gel, une couche de précurseur comprenant les constituants d'une matière ferroélectrique. La couche de précurseur possède un constituant de titane en une quantité relativement plus importante que le constituant de zirconate. Par exemple, le rapport de composition du titane au zirconate est de 3:2, 7:3 ou 4:1. On effectue un recuit après dépôt afin de permettre une transformation de phase, faisant passer la couche amorphe telle que déposée dans la phase cristalline, à savoir une phase diélectrique ferroélectrique du type pérovskite, qui possède les caractéristiques diélectriques ferroélectriques voulues. Le "post- recuit" s'effectue en atmosphère d'oxygène à une température supérieure à 650 C, de préférence à environ 700 C, via un processus thermique rapide ou au moyen d'un four. On dépose une double couche d'électrode, couche d'oxyde 116 et couche de métal 118, séquentiellement sur la pellicule ferroélectrique 114 faisant fonction d'électrode supérieure du condensateur. L'électrode en oxyde 116 est faite de dioxyde d'iridium (IrO2) et est formée par une technique de pulvérisation par magnétron en courant continu. On applique le traitement thermique afin de produire une couche d'électrode conductrice en oxyde stable, en atmosphère d'oxygène, à environ 450 C. L'épaisseur de la couche d'électrode en dioxyde d'iridium 110 est de préférence d'environ 30 nm (300 A). L'électrode de métal 118 est faite d'iridium et possède une épaisseur d'environ 170 nm (1 700 A). il apparaîtra évident à l'homme de l'art que l'on peut aussi utiliser d'autres électrodes appropriées. Par exemple, on peut utiliser une couche simple de Ir, Rh ou Ru à la place de la double couche de dioxyde d'iridium et de platine. De plus, la structure à double couche peut comporter une couche inférieure choisie dans le groupe comprenant IrO2, ITO, RhO2, RuO2 et MoO3 et une couche supérieure choisie dans le groupe comprenant Pt, Ir, Rh et Ru. On dépose sur la couche d'électrode supérieure 118 une couche de masquage épaisse 120, d'une épaisseur d'environ 50 nm (500 A), par exemple une couche de dioxyde de titane (TiO2) 120. Via un processus photolithographique, on donne une configuration voulue, par tracé de motif, à la couche de masquage 120. En utilisant ce motif de masquage, on grave de manière anisotrope les couches d'électrode supérieure 118 et 116 par un processus de gravure par ions réactifs afin de former le motif de l'électrode supérieure. On grave ensuite la pellicule ferroélectrique de PZT exposée 114 via un processus de photogravure. Pour éliminer les dommages dus à la gravure, on effectue un traitement thermique à une température d'environ 450 C. Après cela, on grave séquentiellement, via un processus de photogravure, les couches d'électrode inférieure 112 et 110 et la couche d'adhésion/barrière 108 afin de former la structure voulue qui est représentée sur la figure 1 C. On dépose sur la structure résultante que représente la figure 1C une couche de barrière de diffusion 122. Comme couche de barrière de diffusion, on choisit par exemple une couche de dioxyde de titane (TiO2). Son épaisseur est de préférence de 50 à 100 nm (500 à 1 000 A) environ. Cette couche de barrière de diffusion sert à empêcher que la matière du condensateur ne diffuse vers l'extérieur. On effectue un traitement thermique pour densifier la couche de barrière de diffusion 122, dans une atmosphère d'oxygène à une température supérieure à 650 C. On grave ensuite partiellement la couche de barrière de diffusion 122 déposée afin de former la structure ferroélectrique représentée sur la figure 1D. Comme on peut le voir sur la figure 1E, on forme classiquement une deuxième couche isolante 124 au-dessus de la structure résultante, au moyen d'une couche d'oxyde déposée par CVD (dépôt chimique en phase vapeur). On grave séquentiellement la deuxième couche isolante 124 et la couche de barrière de diffusion 122 afin de former une première ouverture allant jusqu'à la couche de platine 112 de l'électrode inférieure. Le platine peut catalyser une réaction de réduction. Cette caractéristique réductrice peut oxyder la pellicule de PZT de façon à produire des défauts au niveau de l'interface entre l'électrode inférieure et la pellicule de PZT. Pour minimiser l'effet catalytique de l'électrode de platine en tant qu'agent réducteur sur la pellicule de PZT, on effectue un traitement thermique en l'atmosphère d'oxygène à environ 450 C via un processus de recuit thermique rapide (RTP) ou au moyen d'un four. Ce traitement thermique en ambiance d'oxygène aide à la formation d'une électrode inférieure stable, à savoir une électrode de dioxyde d'iridium, minimise les défauts au niveau de l'interface entre la pellicule ferroélectrique (pellicule de PZT) et une électrode inférieure (platine), et minimise les variations des contraintes (qui sont produites du fait de la tendance du dioxyde d'iridium à se transformer en iridium pendant le processus de recuit) pour l'électrode de dioxyde d'iridium. On forme la première couche de barrière de réaction 126 dans la première ouverture 125 et par dessus la couche isolante intercouche 124, comme représenté sur la figure IF. Par exemple, on forme une couche de nitrure de titane jusqu'à une épaisseur d'environ 90 nm (900 A). On forme les deuxièmes ouvertures 128 dans la première couche de barrière 126, les deuxième et première couches isolantes intercouche 124 et 106, jusqu'à la région source/drain, comme représenté sur la figure 1G. On se reporte maintenant à la figure 1H. On forme une deuxième couche de barrière de réaction 130 sur la structure résultante. La deuxième couche de barrière de réaction 130 est faite d'une structure à double couche, à savoir une couche de titane d'environ 30 nm (300 À) et une couche de nitrure de titane d'environ 90 nm (900 A). On dépose séquentiellement des couches d'aluminium de plusieurs centaines de nanomètres (plusieurs milliers d'angstrôms) et de nitrure de titane de 25 nm (250 A) afin de former une première ligne métallique 132. Par des processus de photogravure bien connus, on applique un tracé de motif à la première ligne métallique 132, à la deuxième couche de barrière de réaction 130 et à la première couche de barrière 126 afin de former une couche de contact qui connecte électriquement l'électrode inférieure à la région source/drain, et on forme aussi, en même temps, une ligne de bit, comme schématiquement représenté sur la figure 1 I. Comme représenté sur la figure J, on dépose une troisième couche isolante 134 par-dessus la structure résultante. Au titre de la troisième couche isolante 134, on peut choisir une couche d'oxyde du type ECR (résonance cyclotronique électronique). On forme la couche d'oxyde ECR par un procédé consistant à d'abord déposer une couche d'oxyde ECR jusqu'à une épaisseur d'environ 500 nm (5 000 A), à la rendre plane ("planarisation") et à la redéposer jusqu'à une épaisseur d'environ 650 nm (6 500 A). Selon une autre possibilité, on peut utiliser une couche d'oxyde TEOS (tétraéthylorthosilicate renforcé par plasma) obtenue par une technique CVD. On grave la troisième couche isolante 134, la deuxième couche isolante 124, la couche de barrière de diffusion 122 et la couche de masquage 120 afin de former une troisième ouverture 136 qui atteint l'électrode supérieure du condensateur ferroélectrique. Bien que ceci ne soit pas représenté, on forme simultanément une autre ouverture exposant la première ligne de métal. On applique un traitement thermique pour activer la couche de titane présente dans la deuxième ouverture 128 et le substrat de silicium en atmosphère d'azote à environ 450 C. Pour former une deuxième ligne métallique, on effectue la séquence de traitement suivante. On dépose séquentiellement une couche d'aluminium de 600 nm (6 000 A) d'épaisseur et une couche de nitrure de titane d'environ 25 nm (250 A) d'épaisseur, dans la troisième ouverture 136 et au-dessus de la troisième couche isolante 134. Par photolithographie, on grave les couches de titane et la couche d'aluminium afin de former une deuxième ligne métallique 138. On peut former en outre une couche de nitrure de titane d'une épaisseur d'environ 90 nm (900 A) avant de former la couche d'aluminium. Après cela, on effectue sur la structure résultante un processus de passivation. La présente invention fournit un condensateur ferroélectrique qui possède une pellicule ferroélectrique comportant une quantité de constituant titane relativement plus importante que le constituant zirconate, de manière à améliorer les caractéristiques ferroélectriques. Par exemple, le rapport de composition du titane au zirconate peut être de 3:2, 7:3, ou 4:1. Selon la présente invention, on effectue un traitement thermique après formation d'une ouverture de contact dans une couche isolante sur le condensateur ferroélectrique déjà formé de façon à améliorer les caractéristiques ferroélectriques. La figure 2A montre la boucle d'hystérésis d'un condensateur ferroélectrique selon l'invention, respectivement avant (voir le numéro de référence 10) et après (voir le numéro de référence 12) l'exécution d'environ 1010 cycles de fatigue. Comme on peut le voir, il n'y a sensiblement pas de différence entre la boucle d'hystérésis initiale (numéro de référence 10) et la boucle correspondant à l'exécution de 1010 cycles. Ceci signifie que le condensateur selon l'invention maintient sensiblement sa caractéristique ferroélectrique initiale après environ 101 cycles. La figure 2B montre la boucle d'hystérésis d'un condensateur ferroélectrique selon la technique antérieure, cette figure étant destinée à permettre une comparaison avec l'invention telle que représentée sur la figure 2A. Il faut noter que le rapport de composition du zirconate au titane constituant la pellicule ferroélectrique est de 13:12 et qu'on utilise une seule couche pour l'électrode supérieure (par exemple du platine). Comme on peut le voir, il existe une variation importante de la boucle d'hystérésis entre la phase initiale (voir le numéro de référence 13) et la boucle correspondant à l'exécution d'environ 101 cycles de fatigue (voir le numéro de référence 14). Le tableau 1 suivant est fourni pour indiquer les avantages de l'invention. TABLEAU 1 Paramètre Condensateur Condensateur ferroélectrique de la figure ferroélectrique de la 2A figure 2B Commutation à 5 V 70,4 gC/cm2 63, 7 pC/cm2 Non-commutation i 5 V 16,7 gC/cm2 32,8 gC/cm2 Commutation à 3 V 59,1 tC/cm2 51,8 tC/cm2 Non-commutation à 3 V 12,1 uC/cm2 26,5 gC/cm2 2Pr ià 5 V 53,7 gC/cm2 30,9 pC/cm2 2Pr à 3 V 47,0 gC/cm2 25,3 gC/cm2 2Pr (après fatigue) 46,4 uC/cm2 6,8 tC/cm2 %, 2Pr 90,8 % 5,8 % ou moins Comme on peut le voir sur le tableau 1, la charge de commutation à 5 V et à 3 V selon l'invention est notablement plus élevée que celle de la technique antérieure. La charge de non-commutation selon l'invention est environ deux fois plus grande que celle de la technique antérieure. De ce fait, la polarisation rémanente selon l'invention est environ deux fois plus élevée que dans la technique antérieure. Après environ 101 cycles de fatigue (à + 5 V d'impulsion bipolaire, 1 MHz, rapport cyclique de 50 %), l'invention montre un paramètre 2Pr d'environ 46,4 pC/cm2, soit 90,8 % de la valeur de 2Pr avant fatigue (soit 47/6,4 x 100). D'autre part, la technique antérieure montre un paramètre 2Pr d'environ 6,8 gC/cm2, qui n'est que de 5,8 % du 2Pr d'avant la fatigue (soit ,3/6,8 x 100). Selon l'invention, le condensateur ferroélectrique présente une bonne caractéristique ferroélectrique, par exemple une robustesse assurée face à des nombres virtuellement illimités de cycles de lecture et d'écriture et une polarisation rémanente élevée. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer à partir des procédés et des dispositifs dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif de mémorisation ferroélectrique sur un substrat semiconducteur (100), ledit substrat semiconducteur comportant un transistor (104), ledit transistor ayant une région source/drain et une électrode de grille, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: former une première couche isolante (106) sur ledit substrat semiconducteur; former un condensateur ferroélectrique sur ladite première couche isolante, ledit condensateur ferroélectrique étant constitué d'une électrode inférieure (110, 112), d'une pellicule ferroélectrique (114) et d'une électrode supérieure (116, 118), ladite pellicule ferroélectrique contenant une plus grande quantité de titanate que de zirconate; former une deuxième couche isolante (124); graver une partie sélectionnée (125) de ladite deuxième couche isolante et former une première ouverture allant à ladite électrode inférieure; appliquer un traitement thermique afin d'empêcher une réaction au niveau de l'interface entre ladite électrode inférieure et ladite pellicule ferroélectrique; graver lesdites deuxième et première couches isolantes et former une deuxième ouverture (128) allant jusqu'à ladite région source/drain; et former une couche de contact (132) sur ladite deuxième couche isolante dans lesdites première et deuxième ouvertures afin de connecter électriquement ladite électrode inférieure avec ladite région source/drain. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après ladite opération de formation de ladite première couche isolante, la formation d'une couche de collage (108) visant à améliorer l'adhésion. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite couche de collage comprend TiO2. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode inférieure (110, 112) est choisie dans le groupe comprenant Pt, Ir, Rh et Ru. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode inférieure (110, 112) est faite d'une structure à double couche, o l'on choisit une couche (110) dans le groupe comprenant IrO2, ITO, RhO2, RuO2 et MoO3, et on choisit l'autre couche (112) dans le groupe comprenant Pt, Ir, Rh et Ru. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite pellicule ferroélectrique (114) est choisie dans un groupe comprenant le PZT et le PLZT. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le rapport de composition du zirconate et du titane dans le PZT est de 4:6, 3:7, ou 2:8. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le rapport de composition du zirconate et du titane dans le PLZT est de 4:6, 3:7, ou 2:8. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode supérieure (116, 118) est choisie dans le groupe comprenant Pt, Ir, Ru et Rh. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode supérieure (116, 118) est faite d'une structure à double couche, o l'on choisit une couche (116) dans le groupe comprenant IrO2, ITO, RhO2, RuO2 et MoO3, et on choisit l'autre couche (118) dans le groupe comprenant Pt, Ir, Rh et Ru. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre la formation d'une couche de barrière de diffusion (122) servant à empêcher que les matières environnantes ne diffusent dans ledit condensateur ferroélectrique. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce ladite couche de barrière de diffusion (122) comprend TiO2. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit traitement thermique est effectué dans une atmosphère d'oxygène à une température d'environ 450 C en utilisant un four ou un processus RTP (un traitement thermique rapide). 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après ladite opération de formation de ladite première ouverture (125), l'opération de formation d'une couche de barrière (130). 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que ladite couche de barrière (130) comprend TiN. 16. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contact conductrice (132) est faite d'une structure multicouche de Ti, TiN, AI et TiN, dans cet ordre. 17. Dispositif de mémorisation ferroélectrique, caractérisé en ce qu'il comprend: un transistor (104) formé sur une région active d'un substrat semiconducteur (100), ledit transistor étant fait d'une couche d'oxyde de grille, d'une électrode de grille dotée d'un masque et d'éléments d'écartement formant des parois latérales, et d'une région source/drain; une première couche isolante (106) formée sur ledit transistor et audessus dudit substrat semiconducteur; un condensateur ferroélectrique (110 à 118) formé sur ladite première couche isolante, ledit condensateur ferroélectrique étant fait d'une électrode inférieure (110, 112), d'une pellicule ferroélectrique (114) et d'une électrode supérieure (116, 118); une deuxième couche isolante (124) formée sur ledit condensateur ferroélectrique et au-dessus de ladite première couche isolante; une première ouverture (125) formée dans ladite deuxième couche isolante jusqu'à ladite électrode inférieure. une deuxième ouverture (128) formée dans lesdites deuxième et première couches isolantes jusqu'à ladite région source/drain; et une couche de contact (132) formée dans lesdites première et deuxième ouvertures et audessus de ladite deuxième couche isolante pour faire fonction de couche de connexion électrique entre ladite électrode inférieure et ladite région source/drain. 18. Dispositif de mémorisation ferroélectrique selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une couche de collage placée entre ladite première couche isolante et ladite électrode inférieure afin d'améliorer l'adhésion entre elles. 19. Dispositif de mémorisation ferroélectrique selon la revendication 17, caractérisé en ce que ladite pellicule ferroélectrique (114) est choisie dans le groupe constitué par le PZT et le PLZT. 20. Dispositif de mémorisation ferroélectrique selon la revendication 19, caractérisé en ce que le rapport de composition du zirconate et du titane dans le PZT est de 4:6, 3:7, ou 2:8. 21. Dispositif de mémorisation ferroélectrique selon la revendication 19, caractérisé en ce que le rapport de composition du zirconate et du titane dans le PLZT est de 4:6, 3:7, ou 2:8.