Brevet FR2767387A1 — publié le 19990219

DISPOSITIF POUR LA MESURE SPECTROMETRIQUE DANS LE DOMAINE DE LA DETECTION DE PHOTONS y DESCRIPTION Domaine technique et art antérieur L'invention relève du domaine de la détection de rayonnement y, le détecteur utilisé étant un semiconducteur. Elle concerne en outre le domaine des mesures spectrométriques en imagerie y. De nombreux types de détecteurs ont été imaginés pour la détection de rayonnement r. L'emploi de détecteur solide à base de semi-conducteurs a été le principal apport de ces 30 dernières années aux techniques de détection du rayonnement y. Les détecteurs à base de semi-conducteurs réalisent directement la conversion en énergie du rayonnement y dans la matière, sans passer par des étapes intermédiaires, comme l'émission de photons visibles dans le cas des scintillateurs. On s'affranchit ainsi des problèmes de couplage synonymes de perte de rendement. L'énergie nécessaire pour créer une paire électron-trou dans un semi-conducteur est beaucoup plus faible que dans un gaz ou dans un scintillateur (environ 4eV dans les semi-conducteurs, contre 30eV dans les gaz, et 300eV dans les systèmes scintillateur photomultiplicateur) . En conséquence, le nombre de charges libres créées par photon détecté est plus important, ce qui permet d'obtenir de meilleures résolutions en énergie, avec un faible bruit. De plus, le numéro atomique et la densité élevés des matériaux semi-conducteurs permettent d'utiliser des volumes de détection nettement inférieurs à ceux des détecteurs à gaz ou des scintillateurs, tout en conservant la même efficacité quantique de détection. L'utilisation de ces matériaux semi-conducteurs comme détecteurs de rayonnement X ou y implique le dépôt de deux contacts électriques à la surface du matériau, aux bornes desquels une tension de polarisation est appliquée. Les porteurs de charges, c'est-à-dire les paires électron-trou créées par l'interaction du photon y avec le matériau, vont se séparer sous l'action du champ électrique, les électrons migrant vers l'électrode positive et les trous vers l'électrode négative. L'aptitude de ces porteurs de charge à migrer vers les électrodes sans se faire piéger par des défauts présents dans le matériau semi-conducteur conditionnera la résolution en énergie du spectre mesuré. Cette aptitude, appelée aussi propriété de transport des porteurs de charge, est mesurée par la mobilité et la durée de vie des électrons et des trous. La mesure spectrométrique de photons incidents consiste à détecter le maximum de photons dans le volume du détecteur, ce qui nécessite une forte épaisseur pour une meilleure efficacité quantique de détection, et à mesurer avec précision l'énergie déposée par le photon, ce qui nécessite un excellent rendement de collection des trous et électrons migrant respectivement vers l'électrode négative et positive. Ces deux paramètres (efficacité quantique de détection et efficacité de collection des porteurs de charge) sont antinomiques puisque le premier est proportionnel et le second inversement proportionnel à l'épaisseur du détecteur. L'efficacité quantique de détection peut être améliorée en optimisant l'épaisseur du détecteur, par rapport au domaine d'application, car elle ne dépend que de la densité et du numéro atomique du détecteur (pour une énergie donnée des photons incidents). Par contre, les performances des détecteurs y actuels sont limités par la présence de défauts natifs dans les semi-conducteurs qui, en piégeant les porteurs de charge durant leur migration vers les électrodes, diminuent leur durée de vie et ainsi détériorent la résolution en énergie du détecteur. Ces défauts natifs apparaissent systématiquement durant la cristallogénèse du matériau semi-conducteur. La bibliographie portant sur l'étude de ces défauts est abondante et elle montre que la cristallogénèse de tous les semi-conducteurs de haute résistivité pouvant fonctionner à température ambiante n'est pas maîtrisée au point de supprimer ces défauts. L'efficacité de collection des porteurs de charge (trous et électrons) peut être améliorée selon différentes méthodes, présentées dans le document EP-763 751. Ce document présente également un procédé pour la correction de la mesure spectrométrique dans le domaine de la détection de photons y. Ce procédé consiste à mesurer, non pas l'amplitude totale du signal total intégré (électron + trou) en fonction de son temps de montée (méthode dite de correction "trou", décrite dans FR-2 738 693), mais à mesurer l'amplitude de la contribution électronique seule en fonction de son seul temps de montée (méthode dite de correction "électron"). La mesure, et par conséquent la connaissance mathématique, de la fonction corrélant l'amplitude du signal électron et son temps de montée, permet de corriger l'amplitude mesurée associée à l'interaction de chaque photon dans tout le volume du détecteur. L'avantage de la correction "électron" est que la relation existant entre l'amplitude du signal électron et son temps de montée ne dépend que de la mobilité des électrons qui varie peu sur tout un lingot et d'un lingot à l'autre : la mobilité dépend principalement du réseau cristallin. Par contre, la correction "trous" dépend de la durée de vie des trous dont les variations sur un même lingot peuvent être importantes. En effet, cette durée de vie est imposée par les différents défauts créés lors de la cristallogénèse, qui est mal maîtrisée. Une conséquence de ces différences est que la correction "électron" peut corriger les mesures dans la plupart des matériaux semi-conducteurs, ce qui n'est pas le cas de la correction "trou". Les deux documents cités ci-dessus exposent l'un et l'autre un dispositif pour réaliser ou pour corriger des mesures spectrométriques. Dans les deux cas, on utilise un préamplificateur classique juste en sortie du détecteur, puis une électronique spécifique pour mesurer l'amplitude du signal (composante électronique dans EP-763 751 et signal global dans FR-2 738 693) et son temps de montée. Dans les deux cas, le signal est mesuré à l'aide d'un préamplificateur de charge classique acheté dans le commerce et connu de l'homme de l'art (exemple : préamplificateur 5093 acheté chez eV Products). La figure 1 représente schématiquement un détecteur 2, par exemple CdTe, et son préamplificateur 4. La charge, déposée par le photon absorbé par le détecteur 2, est intégrée aux bornes d'une capacité Ci 8 dite "d'intégration". Cette capacité est en contre réaction avec une résistance Ri 10 (par l'utilisation d'un préamplificateur opérationnel) qui permet de "décharger" la charge intégrée aux bornes de la capacité. C'est en fonction de la nature du semiconducteur et de la charge à mesurer que la constante de temps Ri, Ci peut être adaptée. Dans tous les cas, le courant d'obscurité associé au détecteur n'est pas mesuré et donc intégré aux bornes de la capacité Ci, sa valeur absolue étant encore beaucoup trop élevée. En effet, elle est supérieure à la charge déposée par le photon interagissant dans le détecteur, Elle dépend de la résistivité du semi-conducteur mais aussi de la tension de polarisation appliquée aux bornes du détecteur. Or, la tension de polarisation doit être suffisante pour collecter les charges déposées par chaque photon et ainsi mesurer leur énergie. Les faibles propriétés de transport des charges (mobilité et durée de vie) nécessitent des tensions de polarisation (entre 100 et 500 volts selon ltépaisseur du détecteur) pour lesquelles le courant d'obscurité reste élevé. Par conséquent, une capacité 12 dite de "découplage" est insérée entre le détecteur et la capacité. Cette capacité 12 supprime la composante continue du courant d'obscurité et seuls les impulsions transitoires correspondant aux différentes interactions des photons dans le détecteur, sont prises en compte. Ce principe de mesure est aujourd'hui la seule configuration possible du point de vue "électronique" autorisant la mesure de la charge déposée sans que celle-ci soit "noyée" par le courant d'obscurité. Malheureusement, cette configuration n'est pas optimale du point de vue électronique, en termes de rapport signal/bruit, car l'introduction de la capacité de "découplage" 12 a l'inconvénient de ramener une capacité parasite entre l'entrée du préamplificateur et la masse électrique (référence des tensions) . L'effet en sortie du préamplificateur en est une multiplication de la tension de bruit du préamplificateur dans le rapport somme des capacités par rapport à la masse sur Ci, capacité d'intégration, d'où une augmentation de la composante de bruit produit par le dispositif électronique d'amplification. La suppression de la capacité de découplage a été réalisée dans une chaîne de spectrométrie classique (A.C. Huber et al. High Performance, thermoelectrically cooled X-Ray and Gamma Ray detectors , Invited Paper at the International Conference on the Application of Accelerators in Research and Industry, Denton, Texas, USA, November 1994)- Mais, il est alors nécessaire de refroidir le détecteur CdTe utilisé (à -30"C) afin de diminuer la valeur moyenne du courant d'obscurité. Les performances sont alors bonnes mais il est nécessaire d'utiliser des éléments Peltier pour chaque détecteur. Il en résulte une utilisation difficile, par exemple dans un système d'imagerie constitué de 1600 détecteurs. Exposé de l'invention L'invention cherche à résoudre ce problème. Plus particulièrement, l'invention a pour objet un dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteur, comportant - un détecteur à semi-conducteurs, de résistivité supérieure à 109Q.cm, - un préamplificateur de charge situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage ni résistance de polarisation entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'un signal ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d' un signal, fourni par ledit détecteur à semi-conducteur en réponse à l'interaction d'un photon y avec le matériau semi-conducteur, ce dispositif comportant des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal total fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur. Le dispositif pour l'exploitation d'un signal peut comporter en outre - des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons, - ou bien des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, d'une amplitude de la composante électronique du signal ou bien d'une amplitude du signal total. L'invention a également pour objet un dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteurs, comportant - un détecteur à semi-conducteur, de résistivité supérieure à lO9Q.cm, - un préamplificateur opérationnel situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'une pluralité de signaux ou d'une pluralité d'ensemble de données, chacun étant représentatif de l'évolution temporelle d'un signal fourni par le détecteur à semi conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon avec le matériau semi-conducteur, ce dispositif comportant * des moyens pour produire, pour chaque signal ou ensemble de données, une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal total fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur, * et des moyens permettant d'établir une relation, ou corrélation, entre d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques et, d'autre part, un second ensemble de données représentant les charges totales détectées ou les charges résultant de la collection des électrons. Le dispositif d'exploitation d'une pluralité de signaux peut comporter en outre des moyens pour produire un signal représentatif, ou une donnée représentative de la charge électrique maximale ou de la charge maximale correspondant à au moins une partie des premier et second ensembles de données. L'invention a également pour objet un dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteurs, comportant - un détecteur à semi-conducteur, de résistivité supérieure à 109Q.cm, - un préamplificateur opérationnel situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'un signal, ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d'un signal, obtenu par le détecteur à semi-conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon y à mesurer avec le matériau semi-conducteur, comportant - des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction du photon y avec le matériau semi-conducteur, - des moyens pour produire une donnée représentative ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons, - des moyens pour déterminer une charge électrique maximale, à partir * des signaux ou des données sur le temps de montée de la composante électronique de signal, la charge totale détectée ou la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons * et à partir d'une relation, ou corrélation, entre, d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques et, d'autre part, un second ensemble de données représentant les charges totales détectées ou les charges résultant de la collection des électrons. Ce dispositif peut comporter en outre des moyens pour corriger la charge mesurée à partir de la charge maximale, du temps de montée correspondant à cette charge maximale, et du temps de montée effectivement mesuré. Avantageusement, le préamplificateur de charge est rapide et à bas bruit. Un détecteur à semi-conducteur pour l'invention peut être en tellure de cadmium (CdTe ou CdTe:Cl) ou en CdZnTe (par exemple : CdZnTe:Cl) ou en HgI2 ou en PbI2 ou en GaAl ou en PbIn ; ce matériau est tiré par la méthode dite "méthode Brigman haute pression" ("High Pressure Bridgman Method" ou HPBM), et la résistivité obtenue est dix fois supérieure à celle des matériaux CdTe connus jusqu'alors (obtenus par "Traveling Heater Method" ou THM, ou par "Bridgman Method" ou BM), à la température ambiante. Le faible courant de polarisation du détecteur peut alors être écoulé par la résistance de contre-réaction, par la suppression de la capacité de liaison 12 et de la résistance de polarisation 16. On bénéficie ainsi de la disparition de la capacité parasite de la capacité de liaison et donc d'une amélioration du bruit propre de l'électronique associée au détecteur. L'invention présente d'autres avantages dans le domaine de la détection de photons gamma. En particulier, la suppression de la capacité de découplage et de la résistance de polarisation associée permettent de réduire le nombre de composants associés à chaque détecteur, ce qui, dans le cas d'une structure matricielle, facilite la réalisation de l'électronique intégrée (dans le cas d'une réalisation de type ASIC), et limite son coût. Par ailleurs, il est possible d'utiliser une faible tension de polarisation aux bornes du détecteur, tout en maintenant d'excellentes performances de détection : ceci permet de limiter le courant d'obscurité, donc le vieillissement du détecteur, ainsi que le bruit associé à la mesure de la charge intégrée. L'utilisation de la méthode de correction du procédé d'exploitation tel que décrit dans le document EP-763 751 (méthode de correction "électron") permet d'améliorer très nettement, à température ambiante, les performances d'un détecteur à base de semi-conducteur, en termes de résolution en énergie et d'efficacité de détection. La combinaison de cette méthode avec l'utilisation d'un détecteur de résistivité supérieure à 109 Q.cm, conformément à l'invention, permet de maintenir ces excellentes performances de détecteurs, tout en utilisant une très faible tension de polarisation aux bornes des électrodes déposées de part et d'autre des faces du détecteur. La très forte résistivité du détecteur utilisé, et l'utilisation de la méthode de correction électron permettant d'améliorer les performances associées à la méthode de correction "électron", en supprimant la capacité de découplage à température ambiante. L'association du détecteur à forte résistivité, à la méthode de correction "électron" permet de réduire considérablement le courant d'obscurité, en valeur moyenne, ainsi que le bruit associé. L'obtention d'un très faible courant d'obscurité permet de supprimer la capacité de découplage et ainsi d'améliorer le bruit associé à la mesure. L'invention concerne également une gamma-caméra comportant un nombre N de détecteurs fonctionnant à température ambiante, de petite dimension, chaque détecteur étant du type décrit ci-dessus. On obtient donc un dispositif d'imagerie gamma à performances améliorées, notamment en terme de résolution en énergie et de contraste d'image. Par ailleurs, les coûts de réalisation sont réduits, par suppression de deux composants électroniques, la capacité de découplage et la résistance de polarisation de chaque détecteur. L'invention a également pour objet un procédé de détection de rayonnement gamma mettant en oeuvre le dispositif exposé ci-dessus. Brève description des figures De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels - La figure 1 représente un dispositif selon l'art antérieur. - La figure 2 représente schématiquement un dispositif selon l'invention. - La figure 3 représente un dispositif pour la correction de mesures spectrométriques dans le domaine de la détection de photons y. - La figure 4A et 4B représentent des résultats de calibrage d'une chaîne de mesure biparamétrique. - La figure 5 représente un spectre en amplitude d'un dispositif de l'art antérieur, avec capacité de découplage. - La figure 6 représente un spectre en amplitude d'un dispositif selon l'invention, sans capacité de découplage. Exposé détaillé de modes de réalisation de l'invention La figure 2 représente une réalisation d'un dispositif conforme à l'invention. Un détecteur à semi-conducteur 14, de haute résistivité (supérieure à 103.cm) est relié à un préamplificateur 4, composé d'un amplificateur opérationnel 6 et d'une capacité d'intégration 8. La capacité est en contre-réaction ainsi qu'une résistance 10 qui permet de décharger la charge intégrée à ses bornes. Le détecteur est par exemple un détecteur à base de tellure de cadmium (CdTe ou CdZnTe) ou un détecteur à base de HgI2 ou de PbI2. Les matériaux constitutifs de ce détecteur sont obtenus par exemple par méthode HPBM : une telle méthode permet d'obtenir des matériaux dont la résistivité est dix fois supérieure à celle des matériaux connus habituellement utilisés en spectrométrie y (détecteurs fonctionnant à température ambiante). Selon un autre critère, on choisit un matériau pour lequel le produit de la mobilité des électrons par leur durée de vie est supérieur à 10-4 cm2/volt. Selon l'invention, un tel détecteur permet d'éviter l'introduction d'une capacité de découplage entre le détecteur 14 et préamplificateur 4. De préférence, le détecteur a une épaisseur comprise entre 3 et 6 mm, et fonctionne avec des tensions appliquées entre ses deux électrodes comprises entre 100 et 500 volts. De manière avantageuse, ce détecteur peut être exploité à température ambiante par un procédé et un dispositif de correction de mesures spectrométriques dans le domaine de la détection de photons y, du type de celui décrit dans le document EP-763 751 Un tel dispositif va être brièvement rappelé en liaison avec la figure 3. Sur cette figure, la référence 16 désigne une source de rayonnement qui émet des photons y en direction d'un détecteur 14, à semi-conducteur, du type décrit ci-dessus. Des moyens 54 sont par ailleurs prévus qui permettent de choisir la polarisation du détecteur. En réponse à l'interaction d'un photon y avec le matériau semi-conducteur du détecteur 14, des charges sont collectées. Le signal correspondant aux charges collectées est disponible en sortie du préamplificateur de charges 4 (par exemple un préamplificateur eV 5093). Le signal de sortie du préamplificateur de charges 4 est transmis à un préamplificateur de lecture 58, dont le gain peut par exemple être réglé entre 1 et 3. Des moyens peuvent en outre être prévus pour ajuster la polarité du signal. Les moyens 60 combinent un amplificateur et un filtre passe-haut. Le filtre passehaut permet de rejeter toute composante continue. Le signal amplifié et filtré attaque ensuite un filtre passe-haut 62. Ce filtre permet de rejeter le signal lent, c'est-à-dire la composante lente du signal qui est due aux trous. En sortie, est donc obtenu un signal qui correspond à la composante électronique du signal total. La constante de temps du filtre passe-haut 62 est choisie très petite devant le temps collection des trous et supérieure ou égale ou comparable au temps de collection des électrons. Un signal représentatif de l'évolution temporelle de la seule composante électronique est donc transmis à un détecteur de crête 64 à la sortie duquel est relié un discriminateur 66 de montée vers la crête du signal. Pour ce dernier élément, un transistor, par exemple un transistor 2N 2894, charge un condensateur jusqu'au niveau crête du signal. En sortie, une tension est observée, indiquant que le transistor charge le condensateur. Dès le passage de la crête du signal, la charge est arrêtée et la tension collecteur s'annule. Le signal obtenu en sortie du discriminateur 66 est transmis à des moyens 68 qui permettent de déterminer l'instant de fin de montée t1 de la composante électronique du signal total. La tension collecteur du transistor du discriminateur 66 est appliquée à un comparateur. Par conséquent, pendant la charge, c'est-à-dire pendant la montée de la composante électronique, un courant d'environ 2 milliampères est fourni en entrée d'un intégrateur 70, dont la capacité d'intégration est sélectionnée en même temps que la constante du filtre passe-haut 62. Des signaux logiques contrôlent la phase d'intégration. Un amplificateuradaptateur 72 suit l'intégrateur et fournit un signal, ou une tension, proportionnel au temps de migration rapide qui est une bonne approximation du temps de collection des électrons, c'est-à-dire du temps de montée de la composante électronique. Le signal de sortie du discriminateur 66 ou le signal préamplifié et filtré, prélevé en sortie des moyens 60 ou 62, sert également à déclencher des moyens 74 de détection du seuil du début de montée du signal. Pour cela, le signal préamplifié et filtré est comparé à un seuil bas. Le franchissement de ce seuil bas provoque la transmission d'un signal en sortie des moyens 74 vers des moyens 76 de déclenchement d'une séquence d'intégration dans le temps et de remise à zéro de l'intégrateur 70 en fin de séquence. De même, ces moyens 76 transmettent au détecteur crête 64 un signal de remise à zéro en fin de séquence. Un adaptateur 78 en sortie des moyens 76 permet de générer un signal Sy de synchronisation. Le détecteur crête 80 prélève un signal en sortie de l'ensemble amplificateur-filtre passe-haut 60. Ce détecteur de crête 80 peut être constitué de manière similaire au détecteur 64. En sortie de chacun de ces détecteurs 64, 80 un adaptateur 65, 81 permet d'obtenir un signal représentatif de l'amplitude, c'est-à-dire de la charge, de la composante électronique du signal total, ou du signal total luimême (composante électronique + composante trou). Comme expliqué dans le document EP-763 751, l'information portant sur le temps de montée de la composante électronique et l'information portant sur l'amplitude, ou la charge, de la composante électronique du signal total, ou du signal total luimême, peut être exploitée en produisant un signal représentatif, ou une donnée représentative, de la charge maximale Qm, ou de l'amplitude maximale du signal total, qui aurait du être détecté si le signal fonctionnait sans pertes. Des données de corrélations peuvent être préalablement établies à l'aide d'un réseau de courbes. Chaque mesure d'un couple de données (temps de montée, amplitude ou charge de la composante électronique ou du signal total) peut alors être comparée à un tel réseau de courbes. On peut également, au lieu d'un réseau de courbes, mémoriser toutes les données relatives aux corrélations (courbe, énergie) dans des moyens de mémorisation, par exemple dans un ordinateur conventionnel. L'attribution d'une mesure (Qrn, Tm) à une courbe et à une énergie donnée peut ensuite être réalisée par des moyens informatiques, par exemple à l'aide du même ordinateur spécialement programmé à cet effet. Des moyens d'affichage des données, sous forme graphique par exemple, peuvent également être prévus. Il est ensuite possible d'effectuer une correction, soit par une électronique dédiée, soit par informatique. Quel que soit le cas de figure, le principe consiste donc à mesurer le temps de montée du signal, son amplitude, et obtenir l'amplitude maximale qui aurait due être mesurée grâce à la connaissance de la relation, ou de la corrélation, entre les charges mesurées et les temps de montée. Ainsi, si la corrélation établie est linéaire, la charge Qc obtenue par correction est donnée par la relation Qc = Qm x To/tm, Où Qm représente la charge mesurée, Tm le temps de montée mesuré de la composante électronique et lo le temps de montée associé à la charge Qo maximale, obtenue après comparaison du couple (tm, Qm) de mesure avec les relations ou corrélations préalablement établies. Tout ceci vaut aussi bien pour un matériau semi-conducteur ou seul le signal électronique subsiste, que pour un matériau semi-conducteur pour lequel le signal trou existe, si petit fut-il. Dans ce dernier cas, le signal comporte d'une part une composante électronique qui correspond à la collection des électrons, et d'autre part une composante trou qui correspond à la collection des trous. La composante électronique peut être isolée ou identifiée par différenciation temporelle ou filtrage. On peut ainsi se retrouver dans le cas où seul le signal électronique existe : on identifie l'amplitude du signal mesuré Qm et le temps de montée mesurée Tm, de la composante électronique, et on compare ces résultats avec les corrélations. On peut également, afin de disposer d'un rapport signal/bruit plus important, mesurer l'amplitude du signal total (composante électronique plus composante trou), le temps de montée de la composante électronique, et comparer ces données avec une corrélation préalablement établie entre l'amplitude totale de signaux et les temps de montée des composantes électroniques de ces signaux. Dans ce cas, les corrélations peuvent ne plus être linéaires mais, comme on l'a dit, le rapport signal/bruit est plus important. On obtient ainsi la charge totale maximale qui aurait due être mesurée si l'interaction s'était produite au voisinage de la cathode. D'autres informations et exemples sur le procédé de traitement des données sont fournis dans le document EP-763 751. Des mesures comparatives ont été effectuées sur des spectres biparamétriques et des spectres d'amplitude, pour un dispositif de l'art antérieur (avec capacité de découplage) et un dispositif selon l'invention (en l'absence de capacité de découplage). Pour le dispositif de l'art antérieur, les résultats ont été obtenus dans les conditions suivantes - source cobalt 57 DP3 - programme d'acquisition et de correction développés sur labview. Les figures 4A et 4B présentent les résultats obtenus dans les mêmes conditions en injectant via un générateur d'impulsion un signal calibré en amplitude (gain élevé) et en temps sur une petite capacité simulant le détecteur. Cette mesure permet de calibrer en amplitude et en temps la chaîne d'acquisition et d'identifier ses éventuelles non linéarité afin de déconvoluer l'influence du détecteur et de la chaîne électronique sur la qualité de la mesure. On observe que des temps de 100 ns à 1 us sont mesurables pour des amplitudes correspondant à 122 KeV. Le bruit associé à la mesure est faible pour l'amplificateur seul (figure 4A) et beaucoup plus élevé pour l'amplificateur + le préamplificateur (figure 4B). Un spectre en amplitude de l'échantillon eV-01100, dans les conditions ci-dessus, est présentée sur la figure 5. Sur le spectre biparamétrique amplitude-temps de montée (non représenté), on observe une relation amplitude-temps de montée peu bruitée sur une grande dynamique d'amplitude et de temps. Cette relation est mesurable sur le pic 122 KeV, et surtout sur le pic 136 KeV, ce qui témoigne de la finesse de la mesure et par conséquent de la qualité de l'électronique. La comparaison de la figure 4B et d'un tel spectre démontre que le bruit associé à la mesure de la relation amplitude-temps de montée est en grande partie dû au préamplificateur et non aux fluctuations du détecteur. Cette relation entre l'amplitude et le temps de montée permettra de corriger la mauvaise efficacité de collection des charges et ainsi d'améliorer les performances du détecteur. Les curseurs verticaux espacés de deux fois la largeur à mi-hauteur du pic permettent d'évaluer l'efficacité de détection du pic 122 KeV à environ 25% +2%. Elle est calculée en effectuant le rapport (nombre de coups entre les deux curseurs)/(nombre de photons incidents calculé à l'aide de l'activité de la source, du collimateur et de la géométrie d'irradiation comprenant le collimateur) . Le nombre de photons 122 KeV incidents est donné par le débit de photons incidents à sa surface (Inc. Counts=420 photons/seconde), le pourcentage de photons 122 KeV émis par la source cobalt 57 déduit de ceux qui créent l'échappement (85,7-3=83%) et le temps d'acquisition (900 secondes). La figure 5 représente le spectre en amplitude. La tension de polarisation a été fixée à 250 volts ce qui dégrade le pic sur vallée (P/V=2 contre P/V=3 à 850 volts) et la résolution en énergie (R=11% contre R=4,5% à 850 volts). Les mesures présentées ci-dessus ont été réalisées avec une capacité de liaison entre le détecteur et le préamplificateur. Cette capacité permet de s'affranchir de la valeur moyenne du courant d'obscurité. Selon l'invention, cette capacité et la résistance de polarisation sont supprimées. Le matériau choisi, très résistant (résistivité supérieure à 109Q.cm), fonctionne sous une faible tension (comprise par exemple entre 100 et 500 V), à température ambiante. L'avantage d'imposer une faible tension de polarisation est d'augmenter le temps de transit des électrons, ce qui permet de mesurer des temps de montée plus longs avec un faible bruit. Cela reste possible tant que les électrons créés sous la cathode (et responsables en grande partie du pic 122 KeV) migrent sur toute l'épaisseur du détecteur, c'est-à-dire tant que le canal du pic 122 KeV reste constant. Un compromis est donc à trouver entre l'efficacité de collection des électrons créés sous la cathode et l'aptitude de l'électronique à mesurer les faibles temps de montée des électrons très près de l'anode. Ce compromis dépend de l'épaisseur des détecteurs et de la tension de polarisation appliquée. L'autre avantage de travailler à faible tension de polarisation est d'obtenir un très faible courant d'obscurité (10 nA à 100 nA) d'où un vieillissement moins rapide du détecteur et une diminution du bruit du détecteur. Outre le fait d'augmenter les temps de transit des électrons, ce qui facilite la mesure du temps de montée associé à de faibles amplitudes, l'utilisation d'une faible tension de polarisation (250 volts sur une épaisseur de 5 mm) présente d'autres avantages - le détecteur vieillit moins vite, - les risques de claquages sont limités, - le bruit associé au courant d'obscurité est plus faible et constant dans le temps. La figure 6 montre que, dans un dispositif selon l'invention, le courant d'obscurité est suffisamment faible pour ne pas saturer le préamplificateur associé au détecteur. Les résultats ont été obtenus avec un système identique à celui déjà décrit ci-dessus, mais sans capacité de découplage. Les résultats montrent une nette amélioration de la résolution en énergie : R=7% sans capacité (figure 6) contre R=11% avec capacité (figure 5). La suppression de cette capacité de liaison a permis d'améliorer le bruit associé au signal détecteur, ce qui améliore la finesse de la relation amplitude-temps de montée (figure 6, sans capacité, à comparer avec la figure 5, avec capacité). Les avantages du dispositif selon l'invention sont, entre autres, ceux déjà cités ci-dessus (limitation du vieillissement, des risques de claquage, et du bruit des courants à l'obscurité). De plus, on constate de meilleures performances (réduction du bruit de mesure) pour un plus faible coût (l'implantation d'une capacité et d'une résistance est coûteuse). Avant toute correction, un détecteur CdZnTe, commercialisé par eV-Products, de qualité spectrométrique de 5 mm d'épaisseur présente une efficacité de détection de 26% +5% et une résolution en énergie de 5% à 122 KeV. La méthode de correction proposée est basée sur la mesure de la contribution électronique au signal, les électrons ayant des propriétés de transport bien supérieures à celle des trous. Elle est décrite dans le document EP-763 751. Cette méthode consiste à mesurer la relation entre l'amplitude et le temps de montée de la composante des électrons du signal intégré. Cette relation est quasi-linéaire et présente l'avantage de ne dépendre que de la mobilité des électrons qui varie très peu le long d'un lingot, et d'un lingot à l'autre. Cela permet d'améliorer le rendement des détecteurs pouvant être corrigés, donc utilisables, pour une gamma-caméra. Cette méthode de correction est d'autant plus efficace que l'épaisseur du détecteur est plus élevée et la tension de polarisation plus faible ; cela permet d'augmenter les temps de transit des électrons et d'améliorer ainsi le bruit associé à leur mesure. La suppression de la capacité de liaison détecteurpréamplificateur de charges améliore les performances de la méthode de correction par une diminution du bruit de mesure. Selon un autre aspect de l'invention, une gamma-caméra peut être réalisée. Par exemple, on peut réaliser une caméra 20x20cm2, à base de tellure de cadmium, issu de la méthode de croissance HPBM, et utilisant la méthode de correction décrite ci-dessus. On peut juxtaposer environ 1600 détecteurs, avec des dimensions proches de 4x4x6 mm3. Un tel dispositif d'imagerie en rayonnement gamma implique la réalisation d'une électronique intégrée utilisant la technologie ASIC associée à un groupe de détecteurs (4 ou 16 détecteurs). Cette électronique peut comporter des moyens de réalisation de la méthode de correction décrite dans le document EP-763 751. La présente invention (fonctionnement de détecteurs à haute résistivité, sans capacité de découplage) permet d'améliorer les performances du dispositif d'imagerie, en terme de résolution en énergie, donc de contraste de l'image, et permet également de réduire ses coûts de réalisation, du fait de la suppression de deux composants électroniques (capacité de découplage et résistance de polarisation). REVENDICATIONS 1. Dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteurs, comportant - un détecteur (14) à semi-conducteur, de résistivité supérieure à 109Q .cm, - un préamplificateur opérationnel (4) situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'un signal ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d' un signal, fourni par ledit détecteur (14) à semi-conducteur en réponse à l'interaction d'un photon y avec le matériau semi-conducteur, ce dispositif comportant des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal total fourni par le détecteur, c' est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur. 2. Dispositif de détection de rayonnement gamma selon la revendication 1, le dispositif pour l'exploitation d'un signal comportant en outre des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons. 3. Dispositif de détection de rayonnement gamma selon l'une des revendications 1 ou 2, le dispositif pour l'exploitation d'un signal comportant des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, d'une amplitude de la composante électronique du signal ou bien d'une amplitude du signal total. 4. Dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteurs, comportant - un détecteur (14) à semi-conducteur, de résistivité supérieure à 109Q .cm, - un préamplificateur opérationnel (4) situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'une pluralité de signaux ou d'une pluralité d'ensemble de données, chacun étant représentatif de l'évolution temporelle d'un signal fourni par le détecteur (14) à semi conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon y avec le matériau semi-conducteur, ce dispositif comportant * des moyens pour produire, pour chaque signal ou ensemble de données, une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal total fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur, * et des moyens permettant d'établir une relation, ou corrélation, entre d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques et, d'autre part, un second ensemble de données représentant les charges totales détectées ou les charges résultant de la collection des électrons. 5. Dispositif selon la revendication 4, le dispositif d'exploitation d'une pluralité de signaux comportant en outre des moyens pour produire un signal représentatif, ou une donnée représentative de la charge électrique maximale ou de la charge maximale correspondant à au moins une partie des premier et second ensembles de données. 6. Dispositif de détection de rayonnements gamma à base de semi-conducteurs, comportant - un détecteur (14) à semi-conducteur, de résistivité supérieure à 109SZ.cm, - un préamplificateur opérationnel (4) situé directement en sortie du détecteur, sans capacité de découplage entre le détecteur et le préamplificateur. - un dispositif pour l'exploitation d'un signal, ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d'un signal, obtenu par le détecteur (14) à semi-conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon y à mesurer avec le matériau semi-conducteur, comportant - des moyens pour produire une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction du photon y avec le matériau semi-conducteur, - des moyens pour produire une donnée représentative ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons, - des moyens pour déterminer une charge électrique maximale, à partir * des signaux ou des données sur le temps de montée de la composante électronique de signal, la charge totale détectée ou la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons * et à partir d'une relation, ou corrélation, entre, d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques et, d'autre part, un second ensemble de données représentant les charges totales détectées ou les charges résultant de la collection des électrons. 7. Dispositif selon la revendication 6, comportant en outre des moyens pour corriger la charge mesurée à partir de la charge maximale, du temps de montée correspondant à cette charge maximale, et du temps de montée effectivement mesuré. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, le produit de la mobilité des électrons dans le semi-conducteur par leur durée de vie étant supérieur à 10-4 cm2/V. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 8, le détecteur étant en CdTe ou CdTe : Cl ou CdZnTe : Cl ou CdTeSe :Cl ou CdZnTe ou HgI2 ou PbI2 ou GaAs ou PbIn. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, le matériau constitutif du semi-conducteur étant obtenu par la méthode HPBM. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10, le détecteur ayant une épaisseur comprise entre 3 mm et 6 mm. 12. Procédé de détection de rayonnement gamma, mettant en oeuvre à température ambiante, un dispositif selon l'une des revendications 1 à 3 ainsi qu'une étape d'exploitation d'un signal, ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d'un signal, fourni par le détecteur (14) à semi-conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon y avec le matériau semi-conducteur, dans lequel est produit un signal représentatif, ou une donnée représentative, du temps de montée de la composante électronique du signal fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal total qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur. 13. Procédé selon la revendication 12, dans lequel est produit(e) en outre une donnée représentative, ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons. 14. Procédé selon l'une des revendications 12 ou 13, dans lequel est produit(e) une donnée représentative ou un signal représentatif, ou bien de l'amplitude du signal fourni par le détecteur, ou bien de l'amplitude de la composante électronique du signal fourni par le détecteur. 15 Procédé de détection de rayonnement gamma mettant en oeuvre, à température ambiante, un dispositif selon l'une des revendications 4 ou 5, ainsi qu'une étape d'exploitation d'une pluralité de signaux, ou d'une pluralité d'ensembles de données, dont chacun est représentatif de l'évolution temporelle de signaux, fournis par le détecteur (14) à semi-conducteur, chaque ensemble de données ou chaque signal étant exploité selon un procédé dans lequel - est produit un signal représentatif, ou une donnée représentative, du temps de montée de la composante électronique du signal fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal total qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction de chaque photon y avec le matériau semi-conducteur - et comportant en outre l'établissement d'une relation, ou corrélation, entre, d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques, et, d'autre part, un second ensemble de données représentant ou bien les charges totales détectées, ou bien les parties des charges totales résultant de la collection des électrons. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel est déterminé(e), ou bien est produit(e) une donnée ou un signal représentatif de la charge électronique maximale ou de la charge maximale correspondant à au moins une partie des premier et second ensembles de données. 17. Procédé de détection de rayonnement gamma mettant en oeuvre, à température ambiante, un dispositif selon l'une des revendications 6 ou 7, ainsi qu'une étape d'exploitation de signaux, dans lequel - à partir d'un signal, ou d'un ensemble de données représentatives de l'évolution temporelle d'un signal, obtenu par le détecteur (14) à semi conducteur, en réponse à l'interaction d'un photon y à mesurer avec le matériau semi-conducteur, - on produit une donnée représentative, ou un signal représentatif, du temps de montée de la composante électronique du signal fourni par le détecteur, c'est-à-dire de la composante du signal qui correspond à la collection des électrons provenant de l'interaction du photon y avec le matériau semi conducteur, - on produit une donnée représentative ou un signal représentatif, soit de la charge totale détectée, soit de la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons, - on détermine une charge électrique maximale, à partir * des signaux ou des données sur le temps de montée de la composante électronique de signal, et sur la charge totale détectée ou sur la partie de la charge totale résultant de la collection des électrons, * et à partir d'une relation, ou corrélation, entre, d'une part, un premier ensemble de données représentant les temps de montée des composantes électroniques, et, d'autre part, un second ensemble de données représentant ou bien les charges totales détectées, ou bien les parties des charges totales résultant de la collection des électrons. 18. Procédé selon la revendication 17, dans lequel on corrige la charge mesurée à partir - de la charge maximale, - du temps de montée correspondant à cette charge maximale, - et du temps de montée effectivement mesuré. 19. Procédé selon l'une des revendications 12 à 18, la tension appliquée au détecteur étant comprise entre 100 V et 500 V.