Brevet FR2766620A1 — publié le 19990129

REALISATION DE MICROSTRUCTURES OU DE NANOSTRUCTURES SUR UN SUPPORT Domaine technique La présente invention concerne la réalisation de microstructures ou de nanostructures sur un support. Les microstructures, et les nanostructures pour des dimensions encore inférieures, se présentent sous la forme d'un réseau de microvolumes de matériau obtenus à la surface d'un support. Par microvolume, on entend par exemple des volumes de forme parallélépipédique, de dimensions préférentiellement inférieures au micromètre. Généralement, on s'intéresse à des microstructures en matériau semiconducteur et en particulier en silicium, en AsCe, en composés ITI-V et en SiC Cependant, on s'intéresse égalaient aux matériaux conducteurs, tels que les métaux, et aux matériaLtx diélectriques tels que SiO2. Ces mlcro- ou nanostructures sont destinées à la réalisation de dispositifs électroniques, optiques ou optoélectroniques. En particulier, ce type de structures permet la réalIsation d'un réseau de boîtes quantiques (appelées quantum dots" dans la terminologie anglo-saxonne), ou de dispositifs électroniques dits mono-électrons ou à blocage de Coulomb ("Coulomb biockade") ou encore de dispositirs émetteurs de lumière. Etat ce la teoDoique antérieure Lorsque l'on veut réaliser ces microstructures, on utilise les techniques aujourd'hui classiques du domaine de la micro-électronique. En particulier, on utilise les principes de la lithographie combinée avec des opérations de gravure sèche ou humide, d'implantation ionique, de dépôts et de traitement thermique. Par exemple, si l'on veut réaliser un réseau carré de microvolumes parallélépipédiques en silicium monocristallin, chaque microvolume ayant 1 um de côté pour 0,2 um d'épaisseur, les microvolumes étant espacés les uns des autres de 0,5 um, on peut partir d'une plaquette SSI (Silicium Sur Isolant) présentant une couche de silicium monocristallin de 0,2 um d'épaisseur. On applique sur la couche de silicium de la plaquette une couche de résine photosensible que l'on insole grace à une machine d'insolation à faisceau d'électrons ("Electron Beam Pattern Generator") de façon à inscrire dans la résine une matrice de lignes et de colonnes de largeur 0,5 um représentant les espaces entre les microvolumes. Le développement de la résine dégage les parties exposées, mettant à nu la couche de silicium correspondant à la matrice de lignas et de colonnes. La plaquette est alors soumise à un traitement de gravure plasma attaquant sélec.ivement le silicium par rapport à la résine. La procédé de gravure se termine quand la couche de silice sous-jacente est atteinte. Après enlèvement de la résine, on obtient un réseau de microvolumes ayant chacun l ;m x i um x 0,2 um de dimensions et espacées de 0,5 um. Si nécessaire, les espaces entre microvolumes peuvent être ensuite comblés par une couche diélectrique telle que SiOq, soit en utilisant un procédé d'oxydation thermique, soit un dépôt du type CVD. La réalisation d'un réseau de microvolumes peut aussi être obtenue an utilisant un procédé de lithographia par intarrarométria ou. holographie comme le divulgue l'article "Scalable Fabrication and Optical Characterization of nm Si Structures" par S.H. ZAIDI et al., paru dans Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 358, pages 957-968, Materials Research Society. L'utilisation de ces techniques permet la réalisation de microstructures pour des dimensions de l'ordre du micromètre ou de quelques dixièmes de micromètre. Pour obtenir les meilleures résolutions en terme de lithographie, on utilise l'insolation par faisceau d'électrons ou un photorépéteur sur tranche fonctionnant avec une longueur d'onde de 248 nm ou 193 nm. Pour réaliser des microstructures avec des microvolumas de dimensions bien inférieures (par exemple quelques dizaines de nanomètres), il n'existe pas de moyens connus dès lors que l'on souhaite obtenir, de façon économiquement acceptable et sur de grandes surfaces, des microstructures organisées selon un plan d'organisation prédéterminé. On peut noter cependant que l'on peut réaliser des microvolumes d'un premier matériau à l'intérieur d'une matrice d'un deuxième matériau, par exemple en introduisant dans cette matrice, par implantation ionique, des atomes du premier matériau en une concentration telle et avec un traitement thermique tel que ces atomes se rassemblent en précipités à l'intérieur de la matrice. On peut ainsi obtenir des précipités de silicium dans une matrice de 510 de l'ordre de 10 nm. Une telle technique est décrite par exemple dans l'article "Control of and Mechanisms for Room Temperature Visible Light mission from Silicon Nanostructuras in SiO) forme by Si Ion Imol~ntation" de T. KOMODA et al., paru dans Mat. Ras. Soc. Symp. Proc. Vol. 358, pages 163-168, 1995, Matarials Research Society. Cependant, les précipités obtenus sont répartis au hasard dans la matrice. De façon analogue, en réalisant un dépôt (par exemple, par évaporation) sur une surface, on peut obtenir des noyaux de condensation répartis au hasard sur la surface. L'article "Generation and Structural Analysis of Silicon Nanoparticles" de PING LI et K. SATTLER, paru dans Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 358, pages 123-126, 1995, Materials Research Society, divulgue l'évaporation de silicium sur une surface de silicium ou de graphite. Les applications de ces microstructures sont multiples et dépendent des propriétés particulières de chacune. Ces propriétés sont liées à un effet de taille sur les états électroniques des porteurs dans ces matériaux, aux effets de surale, d'interface, à l'existence ou non de phases intergranulaires, etc. Une application particulière est la réalisation d'émetteurs de lumière, notamme.- 2 partir de materieux tels que le silicium qui, a l'état monocristallin massif ne sont pas émetteurs (voir l'article de T. KOMOKA déjà cité). Une autre application est la réalisation de dispositifs électroniques basés sur le confinement quantique des porteurs électroniques dans les microvolumes de la structure ou à des effets de blocage de Coulomb. Cette application est décrite dans l'article "Modellinc the Multiplicity of Conductance Structures in Clusters of Silicon Quantum Dots" de D. EI. BOERINGER et R. SU, paru dans Mat. Ras. Soc. Symp. Troc. Vol. 358, pages 569-574, i995, Materials Research Society. Exposé de l'invention La présente invention a été conçue afin de permettre la réalisation de micro-structures pouvant comporter des microvolumes de dimensions nettement inférieures aux microvolumes réalisables actuellement, par exemple quelques dizaines de nm, de façon économique et sur de grandes surfaces. En outre, ces microstructures sont organisées selon un plan prédéterminé au lieu d'être réparties au hasard. L'invention propose un procédé de réalisation, de micro- ou de nanostructures, qui s'applique à des matériaux cristallins, qu'ils soient semiconducteurs, conducteurs ou diélectriques. L'invention a donc pour objet un procédé de réalisation de micro- ou de nanostructure sur un support, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - mise en contact d'une race d'une première plaquette an matériau cristallin avec une face d'une deuxième plaquette en matériau cristallin, de façon que les réseaux cristallins présentés par lesdites faces soient décalés d'un angle déterminé apte à permettra la formation d'un réseau de défauts cristallins au sein d'une zone cristalline au voisinage de l'interface des deux plaquettes, ce réseau de défauts cristallins définissant la micro- ou la nanostructure, - amincissement de l'une des deux plaquettes pour révéler la micro- ou Is la nanostructure sur un support constitué par l'autre plaquette. La mise en contact peut notre préférentiellement du type hydrophobe, c' est-à-dire 2 collage direct des faces desdites plaquettes. Elle peut entre du type hydrophile, c'est-à-dlre impliquant une fine couche interméziaire, par exemple une couche d'oxyde formée naturellemenl sur une face d'une plaquette ou sur les faces des plaquettes. Avantageusement, le procédé comporte en outre une étape de traitement thermique destinée soit à compléter la formation du réseau de défauts cristallins si la mise en contact est insuffisante pour l'achever, soit à l'achever complètement. De plus, ce traitement peut être apte à renforcer les liaisons interatomiques entre les faces des plaquettes mises en contact. Ce traitement thermique peut être réalisé avant ou après l'étape d'amincissement. L'étape d'amincissement peut être réalisée au moyen d'une technique choisie parmi la rectification, l'abrasion mécanique ou l'abrasion chimique. L'étape d'amincissement peut aussi être réalisée par clivage de l'une des plaquettes qui, avant l'étape de mise en contact a été soumise, au travers de sa face a mettre en contact, à une étape d'implantation ionique destinée à créer, à une profondeur déterminée et correspondant à l'amincissement désirée, une couche de microcavités susceptible de générer un plan de clivage lors d'une étape postérieure de traitement thermique permettant d'élever la température de la couche de microcavités. L'ilantacion ionique peut être réalisée au moyen d'ions hydrogène. Dans le cas où l'étape d'amincissement est ainsi réalisée, il peut être prévu une seule étape de traitement thermique permettant simultanément de compléter ou d'achever la formation du réseau de défauts cristallins, de renforcer les liaisons interatomiques entre les faces des plaquettes mises an contact et ae générer la plan de clivage. En fonction des utilisations auxquelles la micro- ou la nanostructure est drsti-.ée, après l'étape d'amincissement, il peut être prévu une étape consistant à traiter sélectivement les défauts cristallins par rapport à ladite zone cristalline afin d'accentuer la différence de comportement physique/électrique ou optoélectronique des défauts cristallins par rapport à ladite zone cristalline. Cette étape de traitement sélectif peut consister à rendre conducteurs les défauts cristallins de manière que ladite zone cristalline forme des plots cristallins reliés électriquement entre eux. Dans ce cas, on peut procéder à une diffusion de phosphore qui diffuse oréférentiellement au niveau des défauts cristallins. L'étape de traitement sélectif peut aussi consister en une isolation électrique afin que ladite zone cristalline forme des plots cristallins isolés électriquement entre eux. Dans ce cas, on peut procéder à une attaque chimique des défauts cristallins, éventuellement suivie du dépôt d'un isolant électrique. Ladite isolation électrique peut être du type où une conduction électrique pt y avoir lieu par un atrat physique tel que lteffet tunnel ou l'effet Fowler-Nordheim. L'étape de traitement sélectif peut aussi consister à traiter les défauts cristallins de manière que ladite zone cristalline forme des plots cristallins reliés entre eux par des zonas semiconductrices ou présentant une barrière de potentiel. L'invention a aussi pour objet une micro- ou nanostructure sur un support, caractérisée en ce qu'alle est obtenue selon le procédé décrit ci-dessus à partir de plaquettes dont les faces à mettre an contact sont en matériaux semiconducteurs .a.u lu moins l'une de ces faces à mettre en contact peut être en SIC ou en matériau semiconducteur III-V tel que AsGa ou GaAlAs. L'invention a encore pour objet une microou nanostructure sur un support, caractérisée en ce qu'elle est obtenue selon le procédé décrit ci-dessus, l'une des plaquettes étant constituée d'une plaquette Silicium-Sur-Isolant, l'autre plaquette étant en silicium et constituant la plaquette amincie, le procédé permettant l'obtention d'une micro- ou d'une nanostructure constituée de microvolumes de silicium sur une couche d'isolant. Brève description des dessins L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages et particularités apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, accompaynée des dessins annexes parmi lesquels - la figure 1 représente deux plaquettes de matériau cristallin avant leur mise an contact, selon le procédé de réalisation de la présente invention, - la figure 2 est une vue de côté d'un ensemble orme des deux plaquettes de la figure 1 après leur mise an contact, - la figure 3 est une vue me côté de l'ensemble représenté à la figure 2, après l'étape d'amincissement du procédé selon la présente invention, - la figure t est une vue de côté d'une microstructure obtenue par la présente invention. Description détaillée de modes me réalisation de l'invention La figure 1 montre deux plaquettes 1 et 2 en silicium de plan cristallograp'niCue (1,0,0) avant leur mise en contact et présentant des faces planes, respectivement 3 ec 4, an regur5. 5 faces planes 3 et 4 ont reçu un traitement de surface pour les rendre hydrophobes. Ceci assurera une mise en contact intime et adhérent des faces 3 et 4. Ce traitement de surface comprend une étape de nettoyage chimique se terminant par exemple par une étape d'attaque à l'acide fluorhydrique. Pour plus de détails, on pourra se reporter au chapitre "Silicon Surface Chemical Composition and Morphology" par Gregg S. HIGASHI et Yves J. CHABAL, pages 433 et suivantes de l'ouvrage "Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology", publié sous la direction de Werner KERN chez Noyes Publications, Park Ridge, New Jersey, USA. On effectue une mise en contact des faces 3 et 4 avec collage par adhésion moléculaire, à température ambiante, an veillant que les réseaux cristallins présentés par les deux faces soient décalés l'un par rapport à l'autre d'un angle 9 déterminé, par exemple 0,6 . L'ensemble constitue par ces deux plaquettes solidarIsées est alors souri s a un traitement thermique a ne température de l'ordre de 950 C pendant environ 30 minutes. Lors de ce traitement thermique, des liaisons interatomiques plus fortes et plus nombreuses s'établissent entre les deux plaquettes. En raison de l'angle de torsion existant entre les deux réseaux cristallins, un réseau de défauts cristallins, par exemple un réseau de dislocations, s'établit au voisinage de l'interface entre les deux plaquettes, dans une couche de faible épaisseur (quelques dizaines à quelques centaines de nm) centrée sur l'interface. Cao est représenté schématiquement sur ld figure t où la référence 5 désigne cette interface, les défauts cristallins (ou dislocations) étant ficurês sous la réLérerlce 6. L'expérience montre que ces dislocations forment un réseau régulier bidimensionnel (carré dans l'exemple donné ici) de pas d'environ 40 nm. Ces faits sont expliqués de manière théorique dans l'article "TEM Observations on Grain Boundaries in Sintered Silicon" de H. FOLL et D. AST, paru dans la revue Philosophical Magazine A, 1979, vol. 40, NO 5, pages 589-610. La page 596 de cet article reproduit une photographie d'un tel réseau de dislocations. L'espacement entre deux dislocations adjacentes est fonction de l'angle 9 de désorientation des réseaux cristallins des deux plaquettes. La valeur de cet espacement varie comme l'inverse de sin(0/2) Pour 9 = 50, on obtient un espacement entre dislocations adjacentes de 4,4 nm. Pour obtenir une microstructure à partir de l'ensemble représenté à la figure 2, il suffit alors d'abraser (par rectification, abrasion mécanique ou chimique) l'une des deux plaquettes an arretant l'opération d'abrasion lorsque la zone de dislocations est atteinte. C'est ce que montre la ficure 3 Où . microstructure est désignée sous la réFérence 7. Elle repos sur un support 10 constitué par la plus grande partie de la plaquette 2. Un traitement de surface peut ensuite etre mis an oeuvre pour différencier, de manière plus spécifique, les défauts cristallins de la zone cristalline 8 environnante. On peut, par exemple, au moyen d'un oain chimique attaquer sélectivement les défauts cristallins 6 sans attaquer la zone cristalline 8 adacente. Dans l'exemple de réalisation donné lCi, on peut utiliser les bains chimiques SECCO ou WRIGHT . On obtient alors un réseau de microvolumes de silicium de forme carrée, suivant un réseau au pas p de 40 nm, isolés les uns des autres par des espacements. Une isolation diélectrique latérale des microvolumes 9 peut être effectuée. Pour cela on peut, par exemple, oxyder thermiquement la microstructure 7 ou effectuer un dépôt CVD. Pour certaines applications, la couche d'oxyde déposée sur la microstructure 7 peut être arasée, comme cela est représenté sur la figure 4, pour ne garder qu un dépôt d'isolant 11 entre les microvolumes 9. Dans ce cas, on obtient un réseau de matériau isolant se substituant au réseau de dislocations. Le traitement de surface peut aussi être mené pour rendre le réseau de dislocations conducteur, isolant, voire semiconducteur en fonction de l'application visée. Ceci permet de rendre les microvolumes ou plots cristallins, soit reliés électriquement entre eux par des liaisons conductrices, soit isolés électriquement, soit reliés par des zonas semi-conductrices ou présentant une barrir de ooren'iel. Concernant l'isolation électrlaue, on comprend aussi des isolations tallas que la conduction électrique à travers les parties isolantes peut avoir lieu par effet tunnel par exernpla, ou par Cnet Fowler-Nordheim ou par tout autre effet physique. Pour rendre conducteur le réseau de dislocations, on peut réaliser une diffusion de phosphore qui diffuse préférentiellement au niveau des dislocations. Une autre possibilité de réaliser l'étape d'amincissement consiste à appliquer le procédé décrit dans le document FR-A-2 681 472 de manière à obtenir un clivage de la plaquette concernée. Pour cela, on implante par exemple des protons dans cette plaquette pour obtenir une couche de microcavites à la profondeur voulue de la race à mettre en contact. Cette face subit le traitement de nettoyage et de collage. Le traitement thermique est ensuite appliqué. I1 permet de générer simultanément la création de dislocations et le clivage selon la couche de microcavités. L'une des plaquettes, celle destinée à constituer le support, peut être une plaquette SSI (Silicium-Sur-Isolant) et l'autre plaquette peut être un substrat massif de silicium. Le procédé selon l'invention procure alors un réseau de microvolumes de silicium sur une couche d'isolant. Les deux plaquettes de matériau cristallin peuvent être de nature différente, par exemple une plaquette de silicium et une plaquette d'arséniure de gallium, ou une plaquette de silicium et une plaquette de germanium. Par ailleurs, les plaquettes ne sont pas forcément homogènes. I1 suffit simplement que les races à mettre en contact soient en matériau cristallin, le resta des plaquettes pouvant présenter d'auras structures. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de micro- ou de nanostructure sur un support, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes - mise en contact d'une face (3) d'une première plaquette (1) en matériau cristallin avec une face (4) d'une deuxième plaquette (2) en matériau cristallin, de façon que les réseaux cristallins présentés par lesdites faces soient décalés d'un angle (0) déterminé apte à permettre la formation d'un réseau de défauts cristallins (6) au sein d'une zone cristalline (8) au voisinage de l'interface des deux plaquettes, ce réseau de défauts cristallins définissant la micro- ou la nanostructure, - amincissement de l'une des deux plaquettes pour révéler la micro- ou la nanostructure (7) sur un support (10) constitué par l'autre plaquette. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la mise an contact est du typa hydrophobe. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la mise en contact est du type hydrophile. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, lors de l'étape de mise en contact, on soumet la première et la deuxième plaquette à au moins l'une des opérations suivantes : traitement thermique, mise en pression, application d'un champ électrique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendicatIons 1 à t caractérisé en ce qu'il comporte an outre une étape de traitement thermique destinée à compléter ou achever la formation du réseau de défauts cristallins. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape d'amincissement est réalisée au moyen d'une technique choisie parmi la rectification, l'abrasion mécanique ou l'abrasion chimique. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'étape d'amincissement est réalisée par clivage de l'une des plaquettes qui, avant l'étape de mise en contact a été soumise, au travers de sa face à mettre en contact, à une étape d'implantation ionique destinée à créer, à une profondeur déterminée et correspondant à l'amincissement désirée, une couche de microcavités susceptible de générer un plan de clivage lors d'une étape postérieure de traitement thermique permettant d'élever la température de la couche de microcavités. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé an ce que l'implantation ionique est réalisée au moyen d'ions hydrogène. 9. Procédé selon l'une des revendications 7 ou 6 lorsqu'elles sont rattaches à ' reven.dicazion 1., caractérisé en ce qu'il est prévu une seule étape de traitement thermique permettant simultanément de compléter ou d'achever la formation du réseau de défauts cristallins et de générer le plan de clivage. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que, agrès l'étape d'amincissement, il est prévu une étape consistant à traiter sélectivement les défauts cristallins (6) par rapport à ladite zone cristaliine (8) afin d'accentuer la différence de comportement phvslque/électrique ou optoélectronique des dots cristallins (6) par rapport à ladite zone cristalline (8). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de traitement sélectif consiste à rendre conducteurs les défauts cristallins (6) de manière que ladite zone cristalline (8) forme des plots cristallins reliés électriquement entre eux. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les défauts cristallins (6) sont rendus conducteurs par diffusion de phosphore. 13. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de traitement sélectif consiste en une isolation électrique (11) afin que ladite zone cristalline forme des plots cristallins (9) isolés électriquement entre eux. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le traitement sélectif consiste en une attaque chimique des défauts cristallins. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que l'attaque chimique est suivie du dépôt d'un isolant électrique. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite isolation électrique est du type où une conduction électrique peut y avoir lieu par un effet physique tel que l'effet tunnel ou l'effet Fowler-Nordheim. 17. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'étape de traitement sélectif consiste à traiter les défauts cristallins de manière que ladite zone cristalline forme des plots cristallins reliés entre eux par des zones semiconductrices ou présentant une barrière de potentiel. 18. Micro- ou nanostructure sur un support, caractérisée en ce qu'telle est obtenue selon l'une quelconque des revendications 1 à 17 à partir de plaquettes (1,2) dont les faces à mettre en contact (3,4) sont en matériaux semiconoucteurs. 19. Micro- ou nanostructure sur un support selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'au moins l'une desdites faces à mettre en contact est en SiC. 20. Micro- ou nanostructure sur un support selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'au moins l'une desdites faces à mettre en contact est en matériau semiconducteur III-V tel que AsGa ou GaAlAs. 21. Micro- ou nanostructure sur un support, caractérisée en ce qu'elle est obtenue selon l'une quelconque des revendications 1 à 17, l'une des plaquettes étant constituée d'une plaquette Silicium-Sur-Isolant, l'autre plaquette étant en silicium et constituant la plaquette amincie, le procédé permettant l'obtention d'une micro- ou d'une nanostructure constituée de microvolumes de silicium sur une couche d'isolant.