Brevet FR2760893A1 — publié le 19980918

Cathode à émission de champ La présente invention concerne une cathode à émission de champ connue sous l'appellation de cathode froide. Lorsque le champ électrique que l'on a à la surface d'un métal ou d'un semi-conducteur est d'une valeur aussi élevée que 109 V/m, des électrons passent par la barrière de potentiel suite à l'effet tunnel, pénétrant ainsi dans l'espace placé sous vide et à la température ambiante. Ce phénomène est appelé émission de champ. La cathode destinée à émettre des électrons sous un tel principe est appeléc une cathode à émission de champ (FEC) ou bien un élément à émission de champ. Récemment, une cathode à émission de champ de type plan, constituée d'éléments à émission de champ de la taille des microns, pourrait avoir été fabriquée en utilisant en totalité la technique de micro-traitement des semi-conducteurs. La structure, dans laquelle une pluralité de cathodes à émission de champ sont disposées sur un substrat de cathode, peut être utilisée comme moyens de fourniture d'électron pour des dispositifs d'affichage plats, ou bien divers dispositifs électroniques, du fait que les émetteurs s'y trouvant peuvent irradier des électrons sur la surface fluorescente. La Figure 14 est une vue en perspective montrant une cathode à émission de champ que l'on appelle une cathode de type Spindt (que l'on appelle parfois FEC par la suite) à titre d'exemple de la cathode à émission de champ mentionnée ci-dessus. En se référant à la Figure 14, une couche de cathode 101 est formée sur un substrat de cathode 100. Une couche résistive 102, une couche isolante 103 et une électrode de grille 104 sont formées successivement sur la couche de cathode 101. Ensuite, des émetteurs coniques 115 sont respectivement formés dans des ouvertures ménagées dans la couche d'électrode de grille 104 et la couche isolante 104. Le bout de chaque émetteur conique 115 est observé depuis l'ouverture ménagée dans la couche d'électrode de grille 104. Dans le FEC, l'émetteur conique 115 et la couche d'électrode de grille 104 peuvent être espacés d'une distance de l'ordre des sous-microns, par utilisation d'une technique de micro-traitement utilisée pour la fabrication utilisée par la fabrication des dispositifs à circuits intégrés. Par conséquent, l'émetteur peut émettre des électrons lorsqu'une faible tension, de l'ordre de plusieurs dizaines de Volts, est appliquée entre l'émetteur 115 et l'électrode 104. Comme représenté sur la Figure 14, le substrat d'anode 116, sur lequel une couche de substance fluorescente est appliquée en revêtement, est disposé sur le substrat de cathode 100, sur lequel une pluralité de cathodes à émission de champ sont formées en motif de matrice. Dans le dispositif d'affichage, des électrons peuvent être émis en appliquant la tension VQZ et la tension V,, portant ainsi à la luminescence la couche en substance fluorescente. La raison pour laquelle la couche résistive 102 est disposée entre l'émetteur 115 et la couche de cathode 102 est la suivante dans la cathode à émission de champ de type Spindt, étant donné que l'espacement qu'il y a entre l'émetteur 115 et la couche d'électrode de grille 104 est fixée à une valeur très petite, de la poussière souvent produit un court-circuit entre un émetteur 115 et une couche d'électrode de grille 104 dans un processus de fabrication. Lorsqu'un court-circuit est constitué entre une couche d'électrode de grille 104 et un émetteur 115, la tension peut ne pas être appliquée entre toutes les couches d'électrodes de grille 104 restantes et les émetteurs 115 restants, si bien que la totalité du système devient inopérant. Lorsque la cathode à émission de champ est mise en initialement en fonction, des gaz sont dégagés localement, ceci provoquant souvent une décharge entre l'émetteur 115 et la couche d'électrode de grille 104 ou l'anode 116. En résultat, la couche de cathode 101 peut parfois être détruite du fait de la plus grande valeur du courant qui s'y écoule. De plus, étant donné qu'un émetteur spécifique, qui tend à émettre des électrons facilement parmi une pluralité d'émetteurs 15, émet ces électrons de façon intense, il accepte localement un courant excessif. Ceci provoque souvent un point anormalement brillant sur l'écran. La couche résistive 102 est disposée entre l'émetteur 115 et la couche de cathode 101. Une émission d'électrons excessive d'un émetteur 115 spécifique provoque une augmentation du courant passant par cet émetteur 115. La couche résistante 102 fait chuter la tension, de manière à supprimer l'émission d'électrons par l'émetteur conique 115, si bien que l'émetteur 115 peut être empêché d'émettre des électrons de façon incontrôlable. La couche résistive 102 peut empêcher le courant de se concentrer sur un émetteur 115 spécifique, menant ainsi à une amélioration du rendement des FED au niveau de la fabrication et de la stabilité du fonctionnement des FED. Cependant, même lorsque la cathode à émission de champ a une couche résistive disposée entre la cathode et l'émetteur, comme représenté sur la Figure 14, il est difficile d'égaliser le nombre des électrons émis depuis un grand nombre d'émetteurs. Un court-circuit entre une électrode de grille et un émetteur provoque souvent un défaut dans la ligne correspondante. Dans une zone d'émetteurs dans laquelle une pluralité d'émetteurs forment la source d'émetteurs correspondant à chaque pixel un court-circuit se produisant entre un émetteur et une électrode de grille rend difficile de fournir un courant suffisant. Par conséquent, il y a l'inconvénient de la diminution de la luminance seulement au niveau du point défectueux spécifique dans un visuel d'affichage. Un objet de l'invention est de fournir une cathode à émission de champ qui puisse uniformiser la quantité d'électrons émis depuis chaque émetteur, de manière qu'aucun défaut de ligne ne se produise, même si une électrode de grille est mise en court-circuit électrique avec un émetteur. Pour atteindre l'objet mentionné ci-dessus, une cathode à émission de champ comprend des émetteurs ayant des bouts à angle vif; des électrodes de grille entourant chacune le bout à angle vif de chaque émetteur; des électrodes formant canal, chacune formée sur un substrat de cathode; chacun des émetteurs étant constitué de métal ou d'un composé métallique, déposé ou traité et formé sur une extrémité de chacune des électrodes formant canal; des cathodes étant chacune formée à l'autre extrémité de chacune des électrodes formant canal; et au moins une électrode de commande de courant étant disposée entre les émetteurs et chacune des cathodes, afin de réguler le courant passant par chacune des électrodes formant canal. Dans la cathode à émission de champ, une couche isolante, formée entre chacune des électrodes de commande de courant et chacune des électrodes formant canal. Chacune des électrodes formant canal est constituée d'un film mince semi-conducteur. De plus, selon le premier aspect de l'invention, une cathode à émission de champ comprend un substrat de cathode laminé, sur lequel une électrode de commande de courant, une première couche isolante, une cathode, une électrode formant canal, une deuxième couche isolante, et une électrode de grille sont laminées, successivement, le substrat de cathode laminé ayant des ouvertures traversant l'électrode de grille et la deuxième couche isolante; des émetteurs, formés chacun sur l'électrode formant canal, exposés à titre de surface inférieure dans chacune des ouvertures; et un canal, formé dans une partie de l'électrode formant canal, en face de l'électrode de commande courant, via une première couche isolante; dans laquelle un courant de canal, passant de la cathode vers les émetteurs, via l'électrode formant canal, est modulé par ajustement de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant. Une pluralité de cathodes en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant en bande, sont agencées en motif de matrice. Une zone d'émetteurs est formée de la pluralité d'émetteurs, à une intersection entre chaque cathode et chaque électrode de commande courant. La zone d'émetteurs correspond à un pixel. Dans le premier aspect, les anodes sur lesquelles la substance fluorescente est prévue sont formées sur le substrat d'anode. Le substrat d'anode est revêtu et disposé de manière à être placé en regard du substrat de cathode. La tonalité d'une image affichée sur le substrat d'anode peut être modulée en appliquant un signal d'image analogique ou numérique à chacune desdites électrodes de commande de courant. En outre, selon le deuxième aspect de l'invention, une cathode à émission de champ comprend un substrat de cathode laminé constitué d'une électrode formant canal, d'une cathode, d'une couche isolante et d'une électrode de grille, formées successivement sur un substrat de cathode, le substrat de cathode laminé ayant des ouvertures pénétrant l'électrode de grille, et la couche isolante; des émetteurs, chacun formés sur l'électrode formant canal, exposés à titre de surface inférieure dans chacune des ouvertures; un canal, formé dans une partie de l'électrode formant canal; une électrode de commande de courant, placée en regard du canal, sur laquelle la couche isolante est amincie; dans laquelle un courant de canal passant de la cathode vers les émetteurs via l'électrode formant canal est commandé par ajustement d'une tension appliquée à l'électrode de commande de courant. Dans le deuxième aspect, une pluralité de cathodes en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant en bande agencées en motif de matrice. Une zone d'émetteurs est formée d'une pluralité d'émetteurs à une intersection de chaque cathode et de chaque électrode de commande courant. Le substrat qui est appliqué en revêtement est disposé de manière à être placé en regard du substrat de cathode. La tonalité d'une image affichée sur le substrat d'anode peut être modulée par l'application d'un signal d'image analogique ou numérique, appliqué à chacune des électrodes de commande de courant. De plus, selon le troisième aspect de la présente invention, une cathode à émission de champ comprend un substrat de cathode laminé, constitué d'une électrode formant canal, d'une cathode, d'une couche isolante et d'une électrode de grille, qui sont formées successivement sur un substrat, le substrat de cathode laminé ayant des ouvertures pénétrant l'électrode de grille et la couche isolante; les émetteurs étant chacun formés sur l'électrode formant canal, exposée à titre de surface inférieure dans chacune des ouvertures; et une électrode de commande de courant, formée sur un canal dans l'électrode formant canal et disposée entre l'émetteur et la cathode; dans laquelle une barrière de Schottky est formée sur une interface entre l'électrode de commande de courant et l'électrode formant canal; dans laquelle un courant canal passant depuis la cathode vers les émetteurs via l'électrode formant canal, est modulé par ajustement d'une tension appliquée à l'électrode de commande de courant. Dans le deuxième aspect, une pluralité d'électrodes de commande de courant en bande agencées en motif de matrice, et une zone d'émetteurs sont formée d'une pluralité d'émetteurs à une intersection de chaque cathode et de chaque électrode de commande courant. Le substrat d'anode qui est appliqué en revêtement est disposé de manière à être placé en regard du substrat de cathode. La tonalité d'une image affichée sur le substrat d'anode peut être modulée. En outre, selon le quatrième aspect de la présente invention, une cathode à émission de champ comprenant : un substrat de cathode laminé formé à partir d'une électrode de commande de courant, d'une couche première couche isolante, d'une cathode, d'une électrode formant canal, d'une deuxième couche isolante et d'une électrode de grille qui sont formées successivement sur un substrat de cathode, le substrat de cathode laminé ayant des ouvertures pénétrant l'électrode de grille et la deuxième couche isolante; des émetteurs chacun formés sur l'électrode formant canal, exposés à titre de surface inférieure dans chacune des ouvertures; un canal étant formé dans une partie de l'électrode formant canal placée en regard de l'électrode de commande de courant via la première couche isolante; dans laquelle un courant passant par le canal est modulé par une tension appliquée à l'électrode de commande de courant de manière qu'un courant passant de la cathode vers l'émetteur formé juste au-dessus du canal via l'électrode formant canal soit régulée. De plus, selon le cinquième aspect de la présente invention, une cathode à émission de champ comprend : un substrat de cathode laminé, formé à partir d'une électrode de commande de courant, d'une première couche première couche isolante, d'une cathode, d'une électrode formant canal, d'une deuxième couche isolante et d'une électrode de grille, qui sont formées successivement sur un substrat de cathode, le substrat de cathode laminé ayant des ouvertures pénétrant l'électrode de grille et la deuxième couche isolante; des émetteurs, chacun formés sur l'électrode formant canal, exposés à titre de surface inférieure dans chacune des ouvertures; l'électrode formant canal étant constituée d'une couche semi-conductrice de type I (intrinsèque), prise en sandwich entre les couches de nature ohmique; un canal formé dans une portion de l'électrode formant canal placée en regard de l'électrode de commande de courant, via la première couche isolante; dans laquelle le courant passant par le canal est modulé par une tension appliquée à l'électrode de commande de courant, de manière qu'un courant passant de la cathode vers l'émetteur formé juste au-dessus du canal, via l'électrode formant canal, soit régulé. Dans les quatrièmes et cinquièmes aspects, une pluralité de cathodes en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant en bande sont agencées en motif de matrice. Une zone d'émetteurs est formée d'une pluralité d'émetteurs à une intersection de chaque électrode. Le substrat d'anode qui est appliqué en revêtement est disposé de manière à être placé en regard du substrat de cathode. La tonalité d'une image affichée sur le substrat d'anode peut être modulée en appliquant un signal d'image analogue ou digital sur chacune des électrodes de contrôle. Toujours encore, selon le sixième aspect de la présente invention, une source constituée d'une zone à semi-conducteur de type N ou P, dans une surface d'un substrat semi-conducteur de type P ou N, et un drain formé à partir d'une zone à semi-conducteur de type N ou P dans une surface du substrat de semi-conducteur de type P ou N; un émetteur ayant un bout à angle vif, formé sur le drain; une couche isolante formée sur une surface du substrat semi-conducteur, sauf à l'emplacement d'au moins le drain et la source; une électrode de grille formée sur la couche isolante de manière à entourer le bout de l'émetteur; une électrode de grille formant canal formée sur la couche isolante entre le drain et la source; et une électrode d source formée sur la source; dans laquelle un courant d'émission de l'émetteur est commandé en modulation par une tension de signal appliquée à une électrode de commande tandis qu'un signal d'image analogique ou numérique fourni est amené à l'électrode de grille formant canal. Comme décrit ci-dessus, la cathode à émission de champ de la présente invention peut commander le courant d'émetteur selon la tension appliquée à l'électrode de commande de courant. Ainsi, le courant d'émetteur, pour chaque émetteur parmi un grand nombre d'émetteurs, peut être commandé de façon égale. Par conséquent, la cathode à émission de champ mise en oeuvre sur un dispositif d'affichage peut uniformiser la luminance de chaque pixel, permettant ainsi un ajustement de la luminance. De plus, lorsqu'une électrode de grille est mise en court-circuit avec un émetteur, une densité de courant excessive détruit le canal. L'émetteur mis en court-circuit avec l'électrode de grille peut être séparé de la cathode, si bien que la manifestation d'un défaut de ligne peut être empêché. En appliquant une faible tension, de 5 à 15 V à l'électrode de commande de courant, le courant d'émetteur peut être modulé et l'émission de l'émetteur être coupée. Un motif en matrice de cathodes en bande et d'électrode de commande de courant permet aux cathodes à émission de champ d'être balayées lignes par ligne (ou bien d'être attaquées en balayage). De plus, la tonalité d'une image qui est affichée sur le substrat d'anode placée en regard de la cathode peut être modulé en entrant des signaux image analogiques ou numériques sur l'émetteur de commande de courant ou l'électrode de grille formant canal. Les objets ci-dessus et d'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention vont devenir évidents à la lecture de la description ci-après en liaison avec les dessins annexés qui illustrent des modes de réalisation préférés de la présente invention, à titre d'exemple. la figure 1 est une vue en coupe transversale représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un premier mode de réalisation de réalisation de la présente invention; la figure 2 est une vue en plan représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 3 est une vue en plan représentant la configuration d'une cathode à émission de champ modifiée selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 4 est une vue en coupe transversale représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est une vue en coupe représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est une vue en plan représentant la configuration d'une cathode à émission de champ selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; la figure 9 représente la relation intervenant entre la tension d'électrode de commande de courant et le courant d'émetteur pour fournir du courant et la relation intervenant entre la tension d'électrode de commande de courant et le courant d'anode pour fournir du courant, dans une cathode à émission de champ selon la présente invention; la figure 10 est un diagramme représentant une autre configuration d'un dispositif d'affichage utilisant la cathode à émission de champ selon le premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 11 représente des variations du courant d'anode par rapport aux tensions d'électrode de commande actuelles d'une cathode à émission de champ selon la présente invention: la figure 12 est un diagramme représentant la configuration d'une cathode à émission de champ proposée; la figure 13 est un diagramme représentant la configuration d'un dispositif d'affichage, utilisant la cathode à émission de champ représenté sur la Figure 11; et la figure 14 est un diagramme illustrant la configuration d'une cathode à émission classique. Les modes de réalisation selon la présente invention vont à présent être décrits ci-dessous, en référence aux dessins annexés. La figure 1 est une vue en coupe transversale illustrant la configuration d'une cathode à émission de champ selon le premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 est une vue en plan de la cathode à émission de champ représenté sur la figure 1. La figure 2 représente seulement l'agencement des électrodes de commande de courant 3, des cathodes 4 et des électrodes formant canal 5. Dans la cathode à émission de champ représentée sur la figure 1, une électrode de commande de courant 3 est formée sur le substrat de cathode 1 qui est réalisé en verre, par déposition sous-vide et mise en motifs, par exemple, un film de niobium. Un premier film isolant 2, constitué de dioxyde de silicium ou de nitrure de silicium, est formé sur la structure intermédiaire. Une cathode 4 est mise en motif sur le premier film isolant 2. Dans l'intervalle, une électrode formant canal 5 est formée d'un film en silicium amorphe (a-Si) ou en polysilicium ayant une épaisseur inférieure à environ 5 pm. L'électrode formant canal 5 est connectée électriquement à la cathode 4, de manière à croiser l'électrode de commande de courant 3 via la première couche isolante 2. Une deuxième couche isolante 6, réalisée en dioxyde de silicium, est formée sur l'électrode formant canal 5. Une électrode de grille 7 est formée sur la deuxième couche isolante 6. Une pluralité d'ouvertures 8 sont ménagées dans la deuxième couche isolante 6 et l'électrode de grille 7. Des émetteurs 9, chacun étant réalisés en un métal à point de fusion élevé, en un composé comprenant du carbone, un nitrure, du silicium ou un carbure sont formés en partie basse de l'ouverture 8 ou sur l'électrode formant canal 5. Un film de canal, de type à pleine déplétion, est formé seulement sur la portion sur laquelle l'électrode formant canal 8 croise l'électrode de commande de courant 3. Les parties restantes sont constituées par exemple de a-Si ayant une conductivité élevée. Le canal est normalement à l'état non-conducteur. Lorsqu'une tension positive prédéterminée est appliquée à l'électrode de commande de courant 8, un canal N est crée du fait des charges négatives induites, établissant ainsi un état conducteur. La figure 2 est une vue en plan illustrant la cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus. La figure 1 est une vue en coupe transversale, illustrant la cathode à émission de champ, suivant la ligne en traits mixtes représentée sur la figure 2. Comme représenté sur la figure 2, les électrodes de commande de courant en bande 3 et les cathodes en bande 4 sont agencées en un motif de matrice. Par exemple, les électrodes de commande courant 3 forment des lignes, tandis que les cathodes 4 forment des colonnes. Les électrodes de commande de courant 3 sont constituées de premières électrodes de commande de courant 3-1, 3-2,... qui croisent les canaux et des deuxièmes électrodes de commande de courant 31-1, 3a-2,... agissant comme des lignes. Une extrémité de chaque électrode formant canal 5 est directement disposée sur la cathode en bande 4, de manière à être connectée à la cathode en bande 4. Des canaux sont respectivement formés sur les électrodes 5, s'étendant depuis les points de croisement et aux points auxquels les premières électrodes de commande de courant 3-1, 3-2,... se croisent. L'électrode formant canal 5, s'étendant depuis le canal, a une plus grande largeur. Une pluralité d'émetteurs coniques 9 formés sur l'électrode formant canal 5 correspondent à un pixel dans un dispositif d'affichage. C'est-à-dire que chacun parmi Kij et K(i+1)j correspond à un pixel. Sur la figure 2, la première couche isolante 2, la deuxième couche isolante 6 et l'électrode de grille 7 ne sont pas représentées. Dans la cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus, lorsqu'une tension de seuil ou une tension de valeur supérieure est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, un canal N est formé dans le canal, dans un état normalement hors service, pour établir un état conducteur. Ainsi, un courant passe de la cathode 4 aux émetteurs 9, bien que les émetteurs 9 émettent des électrons. La tension de seuil est par exemple une faible tension, de 5 à 15 V. Le nombre des électrons mobiles dépend de la longueur du canal. Plus le canal devient long, plus la tension de seuil est basse. Le courant d'émetteur, comme représenté sur la figure 9, augmente avec le carré de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3. Le nombre des électrons émis depuis chaque émetteur 9 peut être ajusté par modulation de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3. Par conséquent, comme représenté sur la figure 9, dans la cathode appliquée à un dispositif d'affichage, le courant d'anode, c'est-à-dire la luminance, peut etre ajustée en modulant la tension qui est appliquée sur l'électrode de commande de courant 3. Lorsque la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3 est fixée à une valeur inférieure à la tension de seuil, le canal passe à l'état non-conducteur, si bien que le courant fournit de la cathode 4 à l'émetteur 9 est coupé. Par conséquent, l'électrode de commande de courant 3 et la cathode 4 peuvent être utilisées pour une opération d'attaque de balayage dynamique, sans avoir à attaquer en balayage l'électrode de grille 7. Par conséquent, lorsque la cathode à émission de champ est appliquée à un dispositif d'affichage, une image peut être affichée en appliquant un signal d'image à la cathode, pour chaque ligne, et en attaquant séquentiellement en balayage l'électrode de commande de courant 3. Dans ce cas, étant donné qu'une tension fixe à laquelle des électrons peuvent être émis depuis l'émetteur 9 est simplement appliquée à l'électrode de grille 7, il n'est pas nécessaire d'attaquer en balayage l'électrode de grille 7 sur laquelle une tension plus élevée que celle de l'électrode de commande de courant 3 est appliquée. En résultat, la configuration du circuit d'attaque peut être simplifiée. De plus, étant donné que l'électrode de grille 7 n'est pas balayée, elle peut être constituée d'une électrode massive qui ne doit pas être mise en forme de motif. Cependant, il est mieux préférable d'utiliser une électrode de grille mise en motifs, en considération de la manifestation d'une capacité parasite. La partie canal de l'électrode formant canal 5 est constituée d'un film ultra-mince de type à déplétion complète, ayant une épaisseur de 0,1 à 0,2 pm. Dans ce cas, lorsque l'émetteur 9 passe hors de contrôle, le canal peut être détruit du fait de la valeur excessive de sa densité de courant. Par conséquent, du fait que le canal détruit ne fait plus passer aucun courant, le défaut de ligne provoqué par un court-circuit de l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7 peut être empêché. Dans l'explication donnée ci-dessus, plusieurs émetteurs 9 sont formés pour constituer un pixel. Cependant, un émetteur 9 unique peut être formé de manière à agir comme un pixel. La configuration d'une cathode à émission de champ, modifiée selon le premier mode de réalisation de la présente invention, est représentée sur la figure 3. La figure 3 est une vue en plan illustrant une cathode à émission de champ qui correspond à celle de la figure 2. La figure 3 représente simplement un schéma des électrodes de commande courant 3, des cathodes 4 et des électrodes 5 formant canal. En se référant à la figure 3, une pluralité de cathode en bande 4 et une pluralité d'électrodes de commande de courant en bande 3 sont agencées en un motif de matrice. Les électrodes 3 et 4 sont mises en motif à l'intersection à laquelle les électrodes de commande de courant 3 croisent la cathode 4. L'électrode formant canal 5, sur laquelle une pluralité d'émetteurs 9 sont formées à l'intersection, est formée en le motif représenté sur la figure 3. C'est-à-dire qu'une pluralité d'électrodes formant canal 5, à partir de chacune desquelles les émetteurs 9 sont formés, sont réalisés respectivement en un motif en îlots. La cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus a la même fonction que celle du premier mode de réalisation. La configuration de la cathode à émission de champ selon le deuxième mode de réalisation de la présente invention va être représenté sur la figure 4. Dans la cathode à émission de champ représentée sur la figure 4, une électrode formant canal 5, constituée en silicium amorphe (a-Si) ou en polysilicium ayant une épaisseur inférieure à 0,5 pm, est formée sur une portion du substrat de cathode 1 réalisé en verre. Une cathode 4 est mise en motif sur l'électrode formant canal 5. Une couche isolante 11, constituée de dioxyde de silicium ou nitrure de silicium, est formée sur la surface de l'électrode formant canal 5. Une électrode de grille 7 est formée sur la surface de la couche isolante 11. Une pluralité d'ouvertures sont formées de manière à pénétrer dans la couche isolante 11 et l'électrode de grille 7. Un émetteur conique 9, réalisé en un métal à point de fusion élevé, en carbone, en nitrure, en composé silicium ou en carbure est formé en partie inférieure de chaque ouverture 8, c'est-à-dire sur l'électrode formant canal 5. De plus, un canal, constitué d'un film mince de type à déplétion complète, est formé dans une portion dr l'électrode formant canal 5. L'électrode de commande de courant 5 est formée sur la couche isolante 11 pour couper la portion canal et la couche isolante 11. La partie restante de l'électrode formant canal 5, sauf la portion canal, est constituée d'un matériau ayant une conductivité élevée, par exemple a-Si. Ce canal est normalement à un état non-conducteur. Lorsqu'une tension positive prédéterminée est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, des charges électriques sont induites dans le canal, établissant ainsi un état de conduction. Dans la cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus, lorsqu'une tension de seuil est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, la largeur de la couche à déplétion dans le canal, qui est normalement à l'état non-conducteur, est rendue plus étroite, c'est-à-dire qu'est établi un état de conduction. Ainsi, étant donné que du courant est fourni de la cathode 4 à l'émetteur 9, l'émetteur 9 émet des électrons. La tension de seuil est, par exemple, une faible tension de 5 à 15 Volts. Le nombre des électrons mobiles dépend de la longueur de canal. Plus la longueur de canal devient longue, plus la tension de seuil devient faible. La conductivité de canal peut être modulée en ajustant la tension qui est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, si bien que le nombre d'électrons émis depuis chaque cathode 9 peut être modulé. Le courant d'émetteur comme représenté sur la figure 9 varie en fonction du carré de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3. Les électrodes formant le courant 3 et les cathodes 4 sont respectivement formées en un motif à bande et sont agencées en un motif de matrice. Lorsque la cathode à émission de champ est appliquée à un dispositif d'affichage, une image peut être affichée par application d'un signal d'image aux cathodes 4 pour chaque ligne et en procédant à une attaque de balayage séquentiel des électrodes de commande de courant 3. Dans ce cas, l'émetteur 9 peut émettre des électrons simplement en appliquant une tension fixe à l'électrode de grille 7. Etant donné qu'il n'est pas nécessaire de procéder à une attaque de balayage de l'électrode de grille 7 sur laquelle une tension plus élevée que celle de l'électrode de commande de courant 3 est appliquée, le circuit d'attaque peut voir Sa configuration simplifiée. Lorsque la cathode à émission de champ est appliquée à un dispositif d'affichage, la luminance peut être ajustée en faisant varier le courant d'anode par rapport à la tension qui est appliquée à l'électrode de commande de courant 3. De plus, la portion canal de l'électrode formant canal 5 est constituée d'un film ultra-mince de type à pleine déplétion, ayant une épaisseur de 0,1 à 0,2 pm. Ainsi, lorsque émetteur 9 passe hors de contrôle, la densité de courant du canal augmente, si bien que le canal est détruit. Etant donné que l'émetteur 9 défectueux peut être séparé de la cathode 4, la manifestation d'un défaut de ligne imputable à un court-circuit entre l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7 peut être empêchée. Une pluralité d'émetteurs 9 peuvent être formées pour correspondre à un pixel. Un émetteur 9 peut être formé pour correspondre à un pixel. La figure 5 est une vue en coupe transversale représentant une cathode à émission de champ selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Dans la cathode à émission de champ représentée sur la figure 5, une électrode formant canal 5, réalisée en silicium amorphe (a-Si) ou en polysilicium ayant une épaisseur inférieure à environ 0,5 pm, est formé sur le substrat de cathode 1 réalisé en verre. Un canal est formé dans une portion de l'électrode formant canal 5. Une électrode de commande de courant 3, mise en motif, est formée sur l'électrode formant canal 5. Une couche isolante 12, réalisée en dioxyde de silicium ou en nitrure de silicium, est formée sur l'électrode de commande de courant 3 et la cathode 4. Pour former une barrière de Schottky à l'interface entre l'électrode formant canal 5 et l'électrode de commande de courant 3, la quantité dopée avec une impureté dans l'électrode formant canal 5 et un matériau métallique de l'électrode de commande de courant 3 font l'objet d'une sélection. Une électrode de grille 7 est formée sur la couche isolante 12. Une pluralité d'ouvertures 8 sont formées pour pénétrer dans la couche isolante 12 et l'électrode de grille 7. Des émetteurs coniques 9, dont chacun est en métal à point de fusion élevé, en carbone, en nitrure, en composé silicium ou en carbure, sont formés sur la partie inférieure de l'ouverture 8 ou sur l'électrode formant canal 7. Dans l'électrode formant canal 5, la partie se trouvant sous l'électrode de commande de courant 3, qui est un film mince de type à pleine déplétion, est formée sous forme de canal. La partie restante de l'électrode formant canal 5, sauf le canal, est formée par exemple en a-Si ayant une conductivité élevée. Ce canal est normalement à un état non-conducteur. Lorsqu'une tension positive prédéterminée est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, un état conducteur est établi. Dans la cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus, lorsqu'une tension égale ou supérieure à la tension de seuil est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, la largeur de la couche de déplétion dans un canal à l'état non-conducteur est rendue plus étroite, si bien qu'un état conducteur est établi. Cette opération permet à du courant de passer de la cathode 4 à l'émetteur 9, si bien que l'émetteur 9 émet des électrons. La tension de seuil est une tension de faible valeur, de 5 à 15 V. Le nombre d'électrons mobiles est commandé selon la longueur du canal. Plus la longueur de canal est grande, plus la conductivité devient faible. La conductivité de canal peut être modulée en ajustant la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3, si bien que le nombre des électrons émis par chaque émetteur 9 peut être modulé. Dans ce cas, le courant d'émetteur, comme représenté sur la figure 9, varie en fonction du carré de la tension qui est appliqué à l'électrode de commande de courant 3. De plus, pour être appliquées à un dispositif d'affichage, les électrodes de commande de courant 3 et les cathodes 4 sont respectivement formées en motif à bande et sont agencés en motif de matrice. Une image peut être affichée en appliquant un signal d'image aux cathodes 4 à chaque ligne et en attaquant en balayage séquentiellement les électrodes de commande de courant 3. Dans ce cas, une tension fixe à laquelle l'émetteur 9 peut émettre des électrons est appliquée sur l'électrode de grille 7. Etant donné qu'il n'est pas nécessaire d'attaquer en balayage l'électrode de grille 7 à laquelle une tension plus élevée que celle de l'électrode de commande de courant 3 est appliquée, la configuration du circuit d'attaque peut être simplifiée. Dans un dispositif d'affichage utilisant la cathode à émission de champ, la luminance peut être ajustée en modulant le courant d'anode qui varie par rapport à la tension appliquée aux électrodes de commande de courant 3, comme représenté sur la figure 9. La partie canal de l'électrode formant canal 5 est constituée d'un film ultra mince de type à pleine déplétion, ayant une épaisseur de 0.1 à 0.2 pm. Ainsi lorsque l'émetteur 9 passe hors de contrôle, le canal peut être détruit du fait de la densité excessive de courant du canal. Ceci permet à l'émetteur 9 incontrôlable d'être séparé de la cathode 9. Il peut être empêché qu'un défaut de ligne se produise du fait d'un court-circuit entre l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7. Plusieurs émetteurs 9 peuvent être formés de manière correspondante à un pixel ou un émetteur neuf peut être formé pour correspondre à un pixel. Dans les cathodes de l'émission de champ selon les premier à troisième mode de réalisation, le procédé de fabrication de l'électrode formant canal 3, dans lequel un canal est partiellement formé, va être décrit ci-après. Selon le premier procédé de fabrication, une électrode formant canal est d'abord formée avec du silicium amorphe P (a-Si). Seule la partie formant canal (a-Si) est dopée avec des impuretés de types grand N, tel que du phosphore, pour la convertir en zone à silicium amorphe de type P. Ainsi, une électrode formant canal ayant partiellement un canal de type à pleine déplétion peut être fabriquée. Selon le deuxième procédé de fabrication, une électrode formant canal est d'abord formée en silicium amorphe de type P (a-Si). Ensuite la partie restante (a-Si), sauf la partie canal à former, est dopée avec des impuretés de type P, tel que du bore, pour être convertie en une zone de silicium amorphe de type P'. Ainsi une électrode formant canal, ayant partiellement un canal de type à plein déplétion, peut être fabriquée. Etant donné que le silicium amorphe de type P a un effet mémoire, il peut être utilisé pour l'opération d'attaque à balayage. La figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant la cathode à émission de champ selon le quatrième mode de réalisation de la présente invention. La cathode à émission de champ selon le quatrième mode d'organisation, représentée sur la figure 6, diffère de? celle selon le premier mode d'organisation, représentée sur la figure 1. C'est-à-dire que le canal est formé sous l'émetteur 9. L'électrode de commande de courant 3 est formée sous l'émetteur 9, via le canal et la première couche isolante 2. Dans cette structure selon le premier procédé de fabrication un canal peut être formé dans l'électrode canal 5, en dopant avec des impuretés de type N, via l'ouverture ménagée dans l'électrode de grille 7 et la deuxième couche isolante 6. La cathode à émission de champ du quatrième mode de réalisation ressemble à celle du premier mode de réalisation concernant son fonctionnement et les indications mentionnées ci-dessus. Par conséquent, il ne va être de nouveau donné une description de celle-ci. La figure 7 est une vue en coupe traversale illustrant la cathode à émission de champ selon le cinquième mode de réalisation de la présente invention. La figure 8 est un plan illustrant la cathode à émission de champ de la figure 7. La figure 8 représente seulement le schéma de l'électrode de commande de courant 3, la cathode 4 et les couches à contact ohmique 13-1 et 13-2. En se référant aux figures 7 et 8 le canal à la différence des premiers modes de réalisation de la figure 1 est formé sous l'émetteur 9, tandis que l'électrode de commande de courant 3 est formé sous l'émetteur 9 via le canal et la première couche isolante. L'électrode formant canal 14 est constitué d'une couche a-Si de type T (intrinsèque), prise en sandwich entre les couches à contact ohmique 13-1 et 13-2. La couche I a une résistance spécifique de 107 à 10e n-cm. Chacune des couches I 13-1 et 13-2 a une résistance spécifique de 10) à 105 Q-cm. Cette structure permet la résistance de la zone formant l'émetteur 9 d'être égalisé. Chacune des couches à contact ohmique 13-1 et 13-2 sont formées par dopages avec des impuretés de type N dans la surface a-Si de nature I (intrinsèque), désignée par 14. Dans la cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus, selon le cinquième mode de réalisation, le canal est normalement à l'état non conducteur. La couche à contact ohmique 13-2 agit comme couche de résistance, connectée électriquement à la cathode 4. Dans la zone à canal, lorsqu'une tension de seuil est appliquée à l'électrode de commande de courant 3, du courant passe de la couche à contact ohmique 13-2 à la couche à la contact ohmique 13-1, via la couche I 14, si bien que l'émetteur 9 émette des électrons. A ce moment le courant fournit à chaque émetteur 9 est égalisé par l'action de résistance exercée par les couches à contact ohmique 13-1 et 13-2. La tension de seuil est par exemple une faible tension, de 5 à 15 V. Le nombre d'électrons mobiles est modulé par la longueur de canal. Plus le canal devient long, plus la tension de seuil devient faible. Le courant d'émetteur comme représenté sur figure 9 varie avec le carré de la tension appliquée à l'électrode de courant 3. Le nombre d'électrons émis à partir de chaque émetteur 9 peut être ajusté en modulant la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3. Par conséquent, dans la cathode à émission de champ appliquée à un dispositif d'affichage, le courant d'anode, c'est-à-dire la luminance, comme représenté sur la figure 9, peut être modulée par ajustement de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant 3. Comme représenté sur la figure 8, chaque électrode de commande de courant 3 et chaque cathode 4 sont constituées en un motif en bande. Une matrice X-Y est formée avec les électrodes de commande d'émetteur 3 et les cathodes 4. Dans la cathode à émission de champ appliquée à un dispositif d'affichage, une image peut être affichée par application d'un signal d'image aux cathodes 4, à chaque ligne et en attaquant en balayage séquentiellement les électrodes de commande de courant 3. Dans ce cas, une tension fixe est simplement appliquée à l'électrode de grille 7 pour émettre des électrons depuis l'émetteur 9. Etant donné qu'il n'est pas nécessaire d'attaquer en balayage l'électrode de grille 7 à laquelle une tension supérieure à celle de l'électrode de commande de courant 3 est appliquée, la configuration du circuit d'attaque peut être simplifiée. En outre, la partie canal de l'électrode formant canal 14 est constituée d'un film ultra mince de type à pleine déplétion, d'une épaisseur de 0.1 à 0,2 pm. Ainsi, lorsque l'émetteur passe hors de contrôle, le canal peut être détruit du fait de l'augmentation de sa densité de courant. En résultat, un défaut de ligne provoqué par un court-circuit entre l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7 peut être empêché. Comme décrit ci-dessus, les cathodes à l'émission de champ que l'on a dans les premier à cinquième modes d'organisation sont applicables comme sources d'électron pour des dispositifs d'affichage. Un dispositif d'affichage, utilisant la cathode à émission de champ selon le premier mode d'organisation comme source d'électrons, va être décrit ci-dessous en référence à la figure 10. En se référant à la figure 10, cette structure diffère de la configuration de la cathode à émission de champ selon le premier mode d'organisation représenté sur la figure 1 en ce que le substrat cathode 1 est espacé du substrat d'anode isolant 50 d'une distance prédéterminée, tout en étant placés en regard l'un de l'autre. Le substrat d'anode 50 est formé par exemple de verre. Un film conducteur mince, destiné à former une anode 51, est constitué sur la surface intérieure du substrat d'anode 50. Une couche de substance fluorescente 8 est appliquée en vêtement sur la surface de l'anode 51. Le générateur d'impulsion de balayage 3-1 génère séquentiellement une chaîne d'impulsion celle de balayage destinée à la pluralité de cathodes en bande via la résistance R, pour balayer de façon régulée chaque pixel. Une tension de grille Vg est appliquée à l'électrode de grille 7. Une tension de grille Va est appliquée à l'anode 51. Lorsqu'un signal vidéo analogique 40, destiné à une image souhaitée, est émis sur l'électrode de commande de commande 3-1, seul le canal de l'électrode formant canal 5 qui est connecté à la cathode 4 sélectionnée par l'impulsion de balayage par le générateur d'une puissance de balayage 3-1 devient conductrice. Ainsi, le courant correspondant au niveau du signal vidéo analogique à 40 est fourni à l'émetteur 9 formé sur l'électrode formant canal 5. A ce moment, étant donné qu'un champ électrique fort se produit entre le bout de l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7, l'émetteur 9 émet des électrons proportionnellement à la densité du courant fourni. Les électrons émis par champ se déplacent dans l'espace placée sous vide, entre le substrat cathode 1 et le substrat d'anode 50, et heurtent ensuite la couche de substance fluorescente 52 appliquée en revêtement sur l'anode 51. Dans ce processus, il y a luminance de la substance fluorescence 52. L'intensité lumineuse est proportionnelle au courant d'anode passant par l'anode 51. Par exemple, lorsque le signal vidéo analogique 40 à appliquer à l'électrode de commande de courant 3 varie, comme représenté par la partie inférieure de la figure 11, le courant d'anode passant par l'anode 51 varie comme représenté par la partie supérieure de la figure 11. C'est-à-dire que, étant donné que l'intensité lumineuse sur le substrat d'anode correspond au niveau du signal vidéo analogique 40, une image, dont la tonalité est modulée en fonction du signal vidéo 40, est affichée sur le substrat d'anode 50. Dans la commande de tonalité, un signal analogique d'une valeur inférieure à quelques Volts peut être appliqué sur l'électrode de commande de courant 3. L'ajustement de la luminance peut être effectué en modulant le niveau de la tension de grille Vg. Comme décrit ci-dessus, la configuration mentionnée ci-dessus peut facilement effectuer une commande de tonalité continue avec de faibles tensions, en comparaison du cas dans lequel un signal de commande tonal est appliqué à l'électrode de grille 7. Pour cette raison, la commande tonale peut être exécutée avec une faible consommation de puissance et pour un faible coût. Pour réaliser des tons proportionnels au niveau du signal de commande tonal, le signal analogique ou numérique peut être appliqué à l'électrode de commande de courant 3, via le circuit de compensation de tonalité. Le procédé de commande d'attaque que l'on a dans le dispositif d'affichage représenté sur la figure 10 est applicable aux cathodes à émission de champ selon les deuxième à cinquième modes de réalisation. La cathode à émission de champ ayant la structure représentée sur la figure 12 est proposée ici. Dans cette cathode à émission de champ, deux zones en silicium de type N (ou P), désignées par 21-1 et 21-2, disposées à distance prédéterminée l'une de l'autre, sont formées en diffusant en elles des impuretés de type N (ou P), dans par exemple la surface d'un monocristal du substrat 21 en silicium de type P (ou N). Une couche isolante 16 est formée sur le substrat de silicium 21 de type P (ou N), entre les zones de silicium 21-1 et 21-2 de type N (ou P). Une électrode à grille de canal 23 est formée sur la couche isolante 16. Un canal de type N 24 est formé entre la zone de silicium de type N (ou P) 21-1 et la zone en silicium de type N (ou P) 21-2. Enfin, un transistor à effet de champ C-MOS (FET) est formé. C'est-à-dire, la zone en silicium de type N (ou P) 21-2 agit comme drain; la zone en silicium de type N (ou P) 21-1 agit comme source; et l'électrode de grille formant canal 23 agit comme électrode de grille. L'électrode de source 25 est formée sur la zone en silicium de type N (ou P) 21-1. Un émetteur 9 ayant un bout à angle vif est formé sur la zone de silicium de type N (ou P) 21-2. Une électrode de grille 7 est formée sur la couche isolante 16 de manière à entourer le bout de l'émetteur 9. La cathode à émission de champ ayant la structure mentionnée ci-dessus est applicable comme source d'électrons dans un dispositif d'affichage. La structure de l'application mentionnée ci-dessus va être décrite ci-dessous, en référence à la figure 13. Comme représenté sur la figure 13, un substrat d'anode isolant 50 est disposé au-dessus du substrat en silicium P (ou N) 21 pour la cathode à émission de champ représentée sur la figure 12, espacé d'une distance prédéterminée et en regard l'un de l'autre. Le substrat d'anode est formé par exemple en verre. Un film mince conducteur, formant l'anode 51, est formé sur la surface inférieure du substrat d'anode 50. Une couche de substance fluorescente 52 est formée et appliquée en revêtement sur la surface de l'anode 51. Le générateur d'impulsion de balayage 25-1 fournit séquentiellement une chaîne d'impulsions de balayage à des électrodes de source en bande 25 placées en pluralité via la résistance R, pour explorer de façon permettant une commande chaque pixel. Une tension de grille Vg est appliquée à l'électrode de grille 7. Une tension d'anode Va est appliquée à l'anode 51. Lorsque le signal vidéo analogique 40 est fourni à l'électrode de grille de canal 23 pour afficher une image, seul le canal 24 disposé entre l'électrode source 25 et le drain 21-2 sélectionné par l'impulsion de balayage depuis le générateur d'impulsion de balayage 25-2 devient conducteur. En résultat, le courant correspondant au niveau du signal vidéo analogique 40 passe de l'électrode de source 25 au drain 21-1, si bien que le courant d'émetteur est fourni de l'électrode de source 25 à l'émetteur 9. Dans ce cas, étant donné qu'un fort champ électrique se produit entre le bout de l'émetteur 9 et l'électrode de grille 7, l'émetteur 9 émet des électrons correspondant à la densité du courant fourni sous l'action du champ électrique. Les électrons émis cheminent dans l'espace placé sous vide qu'il y a entre le substrat en silicium de type P ou N 21 et le substrat d'anode 50 et touche la couche de substance fluorescente 52 appliquée en revêtement sur l'anode 51. Dans un tel processus, la couche de substance fluorescente 52 entre en incandescence, mais l'intensité lumineuse est proportionnelle au courant d'anode qui passe par l'anode 51. Par exemple, le signal vidéo analogique 40 appliqué à l'électrode de grille de canal 23 varie, comme représenté par les formes d'onde inférieures sur la figure 11. Le courant d'anode passant par l'anode 51 varie, comme représenté par les formes d'ondes supérieures de la figure 11. C'est-à-dire que, étant donné l'intensité lumineuse que l'on a sur le substrat d'anode 50 est proportionnelle au niveau du signal vidéo analogique 40, une image commandée en tonalité par le signal vidéo 40 est affichée sur le substrat d'anode 50. Dans la commande de tonalité, un signal analogique, ayant une tension inférieure à quelques dizaines de Volts, peut être utilisé comme tension appliquée à l'électrode de grille formant canal 23. La luminance peut être ajustée en modulant le niveau de la tension de grille Vg. La configuration, permettant d'effectuer la commande de tonalité par le processus mentionné ci-dessus, peut facilement permettre d'effectuer une commande de tonalité continue à basse tension, en comparaison du cas dans lequel un signal de commande de tonalité est appliqué à l'électrode de grille 7. Par conséquent, la commande de tonalité peut être effectuée avec une faible consommation de puissance et pour un faible coût. Pour obtenir la tonalité proportionnelle au niveau du signal de commande de tonalité, un signal analogique ou numérique peut être appliqué à l'électrode de grille formant canal 23, via le circuit de compensation de tonalité. Comme décrit ci-dessus, selon la cathode à effet de champ de la présente invention, le courant d'émetteur peut être modulé en fonction de la tension appliquée à l'électrode de commande de courant. Par conséquent, les courants d'émetteur correspondant à plusieurs émetteurs peuvent être commandés de façon uniforme, respectivement. Dans le dispositif d'affichage utilisant les cathodes à effet de champ, la luminesence de chaque pixel peut être rendue égale et ajustée. De plus, lorsqu'une électrode de grille est mise en court-circuit avec un émetteur, la densité de courant du canal augmente si bien que le canal est détruit. Par conséquent, l'occurrence d'un défaut de ligne peut être empêché en séparant l'émetteur mis en court-circuit avec l'électrode de grille vis-à-vis de la cathode. Le courant d'émetteur peut être modulé en appliquant une faible tension, de 5 à 15 Volts, à l'électrode de commande de courant. De plus, l'émission de l'émetteur peut être coupée. Les cathodes à émission de champ peuvent être soumises à un processus d'attaque par balayage, tel qu'un processus de balayage par ligne, en formant une matrice constituées des cathodes en bande et des cathodes. De plus, la tonalité d'une image à afficher sur le substrat d'anode placé en regard du substrat de cathode peut être commandée de façon linéaire avec une basse tension en fournissant un signal d'image analogique d'une tension inférieure à plusieurs dizaines de Volts à l'électrode de commande de courant ou à la grille de canal. En résultat, la commande de tonalité peut être réalisée avec une faible consommation de puissance et pour un faible coût. Ce qui a été indiqué ci-dessus est considéré comme étant seulement illustratif des principes de la présente invention. En outre, étant donné que de nombreuses modifications et changements vont facilement être évidents à l'Homme de l'art, il n'est pas souhaité d'imiter l'invention à la construction exacte et aux applications représentées et décrites et, de manière correspondante, toutes les modifications et équivalents appropriés peuvent être considérés comme tombant dans le champ de l'invention. REVENDICATIONS 1. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend des émetteurs (9) ayant des bouts à angle vif; des électrodes de grille (7) entourant chacune le bout à angle vif de chaque émetteur (9); des électrodes formant canal (5), chacune formée sur un substrat de cathode; chacun desdits émetteurs (9) étant constitué de métal ou d'un composé métallique, déposé ou traité et formé sur une extrémité de chacune desdites électrodes formant canal (5); des cathodeS (4) étant chacune formée à l'autre extrémité de chacune desdites électrodes formant canal (5); et au moins une électrode de commande de courant (3) étant disposée entre les émetteurs (9) et chacune desdites cathodeS (4), afin de réguler le courant passant par chacune desdites électrodes formant canal (5). 2. Cathode à émission de champ selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une couche isolante, formée entre chacune desdites électrodes de commande de courant (3) et chacune desdites électrodes formant canal (5). 3. Cathode à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que chacune desdites électrodes formant canal (5) est constituée d'un film mince semi-conducteur. 4. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat de cathode laminé, sur lequel une électrode de commande de courant (3), une première couche isolante (2), une cathode, une électrode formant canal (5), une deuxième couche isolante (6), et une électrode de grille (7) sont laminées, successivement, ledit substrat de cathode laminé ayant des ouvertures (8) traversant l'électrode de grille (7) et ladite deuxième couche isolante (6), des émetteurs (9), formés chacun sur ladite électrode formant canal (5), exposés à titre de surface inférieure dans chacune desdites ouvertures (8); et un canal, formé dans une partie de ladite électrode formant canal (5), en face de ladite électrode de commande courant, via une première couche isolante (2); dans laquelle un courant de canal, passant de ladite cathode vers les émetteurs (9), via ladite électrode formant canal (5), est modulé par ajustement de ladite tension appliquée à ladite électrode de commande de courant (3). 5. Cathode à émission de champ selon la revendication 4, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une pluralité de cathodes (4) en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant (3) en bande, agencées en motif de matrice, et une zone d'émetteurs, formée de ladite pluralité d'émetteurs (9), à une intersection entre chaque cathode et chaque électrode de commande courant, ladite zone d'émetteurs correspondant à un pixel. 6. Cathode à émission de champ selon la revendication 5, caractérisée en ce qu'un courant d'émission de chacun de ladite pluralité d'émetteurs (9) est commandé en modulation par la tension d'un signal d'image analogique ou numérique, appliqué à chacune desdites électrodes de commande de courant (3). 7. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat de cathode laminé constitué d'une électrode formant canal (5), d'une cathode, d'une couche isolante et d'une électrode de grille (7), formées successivement sur un substrat de cathode, ledit substrat de cathode laminé ayant des ouvertures (8) pénétrant ladite électrode de grille (7), et ladite couche isolante; des émetteurs (9), chacun formés sur ladite électrode formant canal (5), exposés à titre de surface inférieure dans chacune desdites ouvertures (8); un canal, formé dans une partie de ladite électrode formant canal (5); une électrode de commande de courant (3), placée en regard du canal, sur laquelle ladite couche isolante est amincie; dans laquelle un courant de canal passant de ladite cathode vers les émetteurs (9) via ladite électrode formant canal (5) est commandé par ajustement d'une tension appliquée à ladite électrode de commande de courant (3). 8. Cathode à émission de champ selon la revendication 7, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une pluralité de cathodes (4) en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant (3) en bande agencées en motif de matrice, et une zone d'émetteurs (9) étant formée d'une pluralité d'émetteurs (9), à une intersection de chaque cathode et de chaque électrode de commande courant. 9. Cathode à émission de champ selon la revendication 8, caractérisée en ce qu'un courant d'émission de chacun de ladite pluralité d'émetteurs (9) est commandé en modulation par la tension d'un signal d'image analogique ou numérique, appliqué à chacune desdites électrodes de commande de courant (3). 10. Une cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat de cathode laminé, constitué d'une électrode formant canal (5), d'une cathode, d'une couche isolante et d'une électrode de grille (7), qui sont formées successivement sur un substrat, ledit substrat de cathode laminé ayant des ouvertures (8) pénétrant ladite électrode de grille (7) et la couche isolante; les émetteurs (9) étant chacun formés sur ladite électrode formant canal (5), exposée à titre de surface inférieure dans chacune desdites ouvertures (8); et une électrode de commande de courant (3), formée sur un canal dans ladite électrode formant canal (5) et disposée entre ledit émetteur et ladite cathode; dans laquelle une barrière de Schottky est formée sur une interface entre ladite électrode de commande de courant (3) et ladite électrode formant canal (5); dans laquelle un courant canal passant depuis ladite cathode vers lesdits, émetteurs (9) via ladite électrode formant canal (5), est modulé par ajustement d'une tension appliquée à ladite électrode de commande de courant (3). 11. Cathode à émission de champ selon la revendication 10, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une pluralité de cathodes (4) en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant (3) en bande agencées en motif de matrice, et une zone d'émetteurs (9) étant formée d'une pluralité d'émetteurs (9), à une intersection de chaque cathode et de chaque électrode de commande courant. 12. Cathode à émission de champ selon la revendication 11, caractérisée en ce qu'un courant d'émission de chacun de ladite pluralité d'émetteurs (9) est commandé en modulation par la tension d'un signal d'image analogique ou numérique, appliqué à chacune desdites électrodes de commande de courant (3). 13. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat de cathode laminé, constitué d'une électrode de commande de courant (3), d'une première couche isolante (2), d'une cathode, d'une électrode formant canal (5), d'une deuxième couche isolante (6) et d'une électrode de grille (7), qui sont formées successivement sur un substrat, ledit substrat de cathode laminé ayant des ouvertures (8) pénétrant ladite électrode de grille (7) et ladite deuxième couche isolante (6); des émetteurs (9) étant chacun formés sur ladite électrode formant canal (5), exposée à titre de surface inférieure dans chacune desdites ouvertures (8); un canal étant formé dans une partie de ladite électrode formant canal (5), placée en regard de ladite électrode de commande de courant (3), via ladite première couche isolante (2); dans laquelle une barrière de Schottky est formée sur une interface entre ladite électrode de commande de courant (3) et ladite électrode formant canal (5); dans laquelle un courant canal passant par ledit canal est modulé par ajustement d'une tension appliquée à ladite électrode de commande de courant (3), de manière qu'un courant passant de ladite cathode vers ledit émetteur formé juste au-dessus dudit canal, vis ladite électrode formant canal (5), soit régulé. 14. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend un substrat de cathode laminé, formé à partir d'une électrode de commande de courant (3), d'une première couche première couche isolante (2), d'une cathode, d'une électrode formant canal (5), d'une deuxième couche isolante (6) et d'une électrode de grille (7), qui sont formées successivement sur un substrat de cathode, ledit substrat de cathode laminé ayant des ouvertures (8) pénétrant ladite électrode de grille (7) et ladite deuxième couche isolante (6); des émetteurs (9), chacun formés sur ladite électrode formant canal (5), exposés à titre de surface inférieure dans chacune desdites ouvertures (8); ladite électrode formant canal (5) étant constituée d'une couche semi-conductrice de type I (intrinsèque), prise en sandwich entre les couches de nature ohmique; un canal formé dans une portion de ladite électrode formant canal (5) placée en regard de ladite électrode de commande de courant (3), via ladite première couche isolante (2); dans laquelle le courant passant par ledit canal est modulé par une tension appliquée à ladite électrode de commande de courant (3), de manière qu'un courant passant de ladite cathode vers ledit émetteur formé juste au-dessus du canal, via ladite électrode formant canal (5), soit régulé. 15. Cathode à émission de champ selon l'une quelconque des revendications 13 et 14, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre une pluralité de cathodes (4) en bande et une pluralité d'électrodes de commande de courant (3) en bande agencées en motif de matrice, et une zone d'émetteurs (9) étant formée d'une pluralité d'émetteurs (9), à une intersection de chaque cathode et de chaque électrode de commande courant. 16. Cathode à émission de champ selon la revendication 15, caractérisée en ce qu'un courant d'émission de chacun de ladite pluralité d'émetteurs (9) est commandé en modulation par ladite tension d'un signal d'image analogique ou numérique, appliqué à chacune desdites électrodes de commande de courant (3). 17. Cathode à émission de champ, caractérisée en ce qu'elle comprend une source constituée d'une zone à semi-conducteur de type N ou P, dans une surface d'un substrat semi-conducteur de type P ou N, et un drain, formé à partir d'une zone à semi-conducteur de type N ou P, dans une surface dudit substrat de semi-conducteur de type P ou N; un émetteur ayant un bout à angle vif, formé sur ledit drain; une couche isolante formée sur une surface dudit substrat semi-conducteur, sauf à l'emplacement d'au moins ledit drain et la source; une électrode de grille (7), formée sur ladite couche isolante de manière à entourer le bout de l'émetteur; une électrode de grille (7) formant canal, formée sur ladite couche isolante, entre ledit drain et ladite source; et une électrode de source formée sur ladite source; dans laquelle un courant d'émission dudit émetteur est commandé en modulation par une tension de signal appliquée à une électrode de commande, tandis qu'un signal d'image analogique ou numérique fourni est amené à ladite électrode de grille (7) formant canal.