Brevet FR2760089A1 — publié le 19980828

Agencement et procédé pour ameliorer le vide dans un système à vide très poussé. La présente invention concerne des perfectionnements apportés en vue d'améliorer le vide dans un système à vide très poussé (ultravide) comprenant une enceinte susceptible de relâcher du gaz à sa surface. Dans un système métallique étuvable dans lequel doit être réalisé un vide très poussé (c'est-à-dire un vide d'au moins 10-1 Torr, voire d'un ordre de grandeur de 10-13 à 10-14 Torr), les parois métalliques de l'enceinte à vide constituent une source inépuisable de gaz. L'hydrogène contenu dans le métal de construction (par exemple acier inoxydable, cuivre, alliage d'aluminium) diffuse librement dans l'epais- seur du métal et est relâché à la surface définissant l'enceinte. De même, lorsque les parois de la chambre à vide sont bombardées par des particules (rayonnement de synchroton, électrons ou ions) -comme c'est la cas dans les accélérateurs de particules-, il en résulte l'expulsion aussi d'espèces moléculaires plus lourdes, telles que CO, C02, CH4, produites en surface après dissociation d'hydrocarbures, carbures et oxydes. Le niveau de vide obtenu dans l'enceinte est donc défini par l'équilibre dynamique entre le dégazage à la surface définissant l'enceinte et la vitesse de pompage des pompes utilisées. L'obtention d'un vide élevé implique à la fois une grande propreté de la surface de l'enceinte réduisant l'émission de gaz et une vitesse de pompage élevée. Pour les systèmes à vide des accélérateurs de particules dont les chambres sont généralement de petite section, les pompes doivent être rapprochées les unes des autres ou bien il faut mettre en oeuvre un pompage continu, afin de surmonter la limitation de conductance. Dans ces conditions, pour parvenir à obtenir un vide aussi poussé que possible, il est connu de compléter le vide produit par des pompes mécaniques en effectuant un pompage complémentaire, notamment à l'aide d'un getter disposé dans l'enceinte : ce matériau est capable de produire des composés chimiquement stables par réaction avec les gaz présents dans une enceinte à vide (notamment H2, 2, CO, C 2, N2) et cette réaction donne lieu à la disparition des espèces moléculaires concernées, ce qui correspond à un effet de pompage. Toutefois, quel que soit le processus de pompage mis en oeuvre, et malgré l'efficacité du pompage réparti que permet d'effectuer la mise en oeuvre d'un getter non évaporable, le niveau de vide susceptible d'être obtenu dans l'enceinte reste défini par l'équilibre dynamique entre la vitesse de pompage (quels que soient les moyens mis en oeuvre) et le taux de dégazage de la surface métallique de l'enceinte (quelle qu'en soit la cause) ; autrement dit pour une vitesse de pompage donnée, le niveau de vide reste tributaire du taux de dégazage dans l'enceinte. Pour améliorer la qualité de l'ultravide dans l'enceinte, il s'avère donc souhaitable de tenter de réduire sensiblement le taux de dégazage à la surface de la paroi métallique de l'enceinte, et par là même d'accroître sensiblement l'efficacité des moyens de pompage. L'invention a donc pour but de proposer une solution perfectionnée qui permette de résoudre ces problèmes et qui, en raison du taux de dégazage se produisant dans l'enceinte, accroisse notablement l'efficacité des moyens de pompage mis en oeuvre et permette d'aboutir, de façon plus économique, à des vides très poussés ou ultravides (par exemple de l'ordre de 10.10 à 10-13 Torr). A ces fins, il est proposé conformément à l'invention un agencement perfectionné permettant d'améliorer l'obtention d'un vide très poussé (ultravide) dans une enceinte métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, qui se caractérise essentiellement en ce qu'il consiste en un revêtement déposé sur au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte et comprenant au moins une couche mince d'au moins un catalyseur choisi parmi le ruthénium et/ou le rhodium et/ou le palladium et/ou l'osmium et/ou l'iridium et/ou le platine et/ou un alliage contenant au moins l'un de ceux-ci. Grâce à la mise en oeuvre d'un tel agencement, on bénéficie d'un avantage essentiel, dans le cadre de la présente invention, des corps catalyseurs utilisables qui réside dans leur faible oxydation : lorsque ces catalyseurs sont exposés à l'air, ils ne réagissent que très faiblement avec l'oxygène à leur surface et il n'est donc plus besoin de procéder à une étape d'activation par chauffage en vue d'éliminer la couche de passivation. Il en résulte également un autre avantage résidant dans la durée de vie en principe illimitée de la couche de catalyseur, puisque l'absorption de gaz est thermiquement réversible. Cette couche de catalyseur constitue un écran qui inhibe le dégazage du métal de la paroi de l'enceinte, sans en produire à son tour. En outre, dans les chambres des accélérateurs de particules, c'est cette couche qui subit les impacts des particules ou du rayonnement de synchrotron et qui, formant écran, empêche la libération d'espèces moléculaires susceptible de polluer le vide dans l'enceinte. Il en résulte que, par ce moyen, on empêche, au moins dans une grande mesure, le dégazage, quelle qu'en soit la cause, dans l'enceinte. Enfin, un catalyseur tel que précité est apte à procurer un effet de pompage de surface d'espèces moléculaires présentes dans l'enceinte. Un catalyseur mis en oeuvre sous la forme d'une couche telle que precitée s'étend sur toute la longueur de l'enceinte et conserve donc l'avantage d'un pompage réparti de façon uniforme. De plus, une couche de catalyseur conforme à l'invention n'occupe aucun espace sensible et offre l'avantage de procurer un effet de pompage sous un encombrement nul, ce qui permet sa mise en oeuvre même dans des cas où les contraintes géométriques interdiraient l'emploi d'un matériau de pompage sous forme de ruban. Il faut toutefois noter que le recours à une couche de catalyseur présente un aspect défavorable qui réside dans le fait que, contrairement au getter non évaporable, le catalyseur ne procure qu'un effet de pompage sélectif autrement dit, il est capable de pomper certaines espèces moléculaires : H2 et CO, mais pas toujours d'autres espèces moléculaires : N2 et C02. Toutefois, cette sélectivité peut, dans certaines applications plus particulièrement envisagées (chambres à vide d'accélérateur de particules), ne pas se révéler rédibitoire du fait que les espèces moléculaires H2 et CO sont majoritaires. Il faut en outre noter, au surplus, que les catalyseurs présentent un effet de pompage de l'espèce H2 qui certes existe, mais reste limité sous basse pression. Toutefois, un abaissement de la température permet d'améliorer la quantité de H2 pompée : de l'ordre d'une fraction seulement de couche moléculaire à la température ambiante d'environ 20"C, cette quantité croît à plus basse temperature. Par exemple, avec le palladium qui constitue un catalyseur actuellement préféré en raison des résultats procurés, la pression d'équilibre pour une monocouche d'hydrogène adsorbée en surface est de 10-7 Torr à la température ambiante, mais elle devient complètement négligeable à la température d'ébullition de l'azote liquide (77 K). La mise en oeuvre d'un catalyseur conformément à l'invention s'effectue de façon simple - on effectue un dépôt d'au moins une couche mince d'au moins un catalyseur sur au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique de l'enceinte, ledit catalyseur étant choisi parmi le ruthénium et/ou le rhodium et/ou le palladium et/ou l'osnium et/ou l'iridium et/ou le platine et/ou un alliage contenant au moins l'un de ceux-ci - on assemble l'enceinte avec un système à vide et - on fait le vide à l'aide du système de pompage. Après la mise en place dans le système à vide définitif, la surface de la couche de catalyseur est en principe recouverte de quelques monocouches de vapeur d'eau qui doivent être éliminées par pompage. L'élimination est plus rapide si le pompage est accompagné d'un étuvage du système à vide, par chauffage à une température d'environ 100 à 1500C. Le dépôt de la couche de catalyseur sur la surface de la paroi métallique de l'enceinte peut s'effectuer par tout moyen approprie connu de l'Homme de Métier et efficace dans le contexte technique considéré, notamment par dépôt electrolytique ou par pulvérisation cathodique. Pour remédier à l'insuffisance de la capacite de pompage du catalyseur vis-à-vis de certaines espèces moléculaires telles que H2, on peut prévoir que le revêtement déposé sur la paroi métallique de l'enceinte comprenne en outre au moins une sous-couche de getter non évaporable déposée sur la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte et sur laquelle sous-couche est déposée la couche superficielle de catalyseur. La ou les espèces moléculaires, telles que l'hydrogène, sont ainsi transférées de la surface exposée au vide à la couche de getter non évaporable soit à la température ambiante sur un temps long, soit de façon accélérée sur un temps plus court, voire très court, en mettant en oeuvre un chauffage à une température d'environ 50 à 70"C. Ainsi, alors qu'à la température ambiante d'environ 20"C une couche de palladium saturée par H2 permet d'atteindre un vide de 10-7 Torr seulement, à 70"C le même catalyseur peut conduire à un vide de 10-13 Torr. Pour ce qui est de la couche de getter non évaporable, du choix du ou des matériaux constitutifs et de son procéde de réalisation, on pourra avoir recours à toute solution connue de l'Homme de Métier et propre à donner satisfaction dans le cadre de la présente invention. Toutefois, de préférence et de façon très avantageuse, on pourra avoir recours aux dispositions exposées dans la demande de brevet FR 96 07 625 au nom de la Demanderesse, à laquelle on se reportera pour une information détaillée. On rappellera seulement que le matériau NEG doit en particulier posséder un grand pouvoir d'absorption et une grande diffusivité pour l'hydrogène, avec si possible capacité à former une phase hydrure ; il doit, en outre, présenter une pression de dissociation de la phase hydrure inférieure à 10.13 Torr à environ 200C. Le matériau doit également posséder une température d'activation aussi basse que possible, compatible avec les températures d'étuvage des systèmes à vide (environ 400"C pour les chambres en acier inoxydable, 200 - 250"C pour les chambres en cuivre et alliage d'aluminium) et compatible avec la stabilité du matériau à l'air, à environ 20"C ; dans ces conditions, d'une façon générale la température d'activation doit être au plus égale à 400"C, mais pas inférieure à 1500C. En définitive, le titane, le zirconium, le hafnium, le vanadium et le scandium qui présentent une limite de solubilité pour l'oxygène, à la température ambiante, supérieure à 2 % peuvent constituer des getter non évaporables appropriés pour constituer un revêtement en couche mince dans le cadre de l'invention. On peut, bien entendu, retenir également tout alliage de ces corps entre eux, ou tout alliage d'un ou plusieurs de ces corps avec d'autres, de manière à combiner les effets obtenus, voire à obtenir des effets nouveaux ne résultant pas directement du cumul des effets individuels. Pour la mise en oeuvre d'une structure multicouche conforme à l'invention, on commence par déposer au moins une couche mince de getter non évaporable sur la surface de la paroi de l'enceinte, puis on dépose sur la précédente au moins une couche de catalyseur. De façon préférée, le getter et le catalyseur sont tous deux déposés par pulvérisations cathodiques successives. Un exemple de mise en oeuvre pratique de ce procédé peut comprendre les étapes qui suivent - on nettoie l'enceinte ; on introduit un dispositif de dépôt en couche mince à l'intérieur de l'enceinte ; on crée un vide relatif dans l'enceinte ; on effectue un étuvage de l'enceinte afin d'évacuer la plus grande partie possible de la vapeur d'eau ; puis on effectue le dépôt du getter en une couche mince sur au moins la plus grande partie de la surface de la paroi définissant l'enceinte - on rétablit la pression atmosphérique dans l'enceinte ; et on extrait le dispositif de dépôt hors de l'enceinte - on cree un vide relatif dans l'enceinte ; on réalise un étuvage de l'installation à la température voulue tout en maintenant l'enceinte à une température inférieure à la température d'activation du getter - on arrête l'étuvage de l'installation et simultanément on élève la température de l'enceinte jusqu'à la température d'activation du getter que l'on maintient pendant une durée prédéterminée (par exemple 1 à 2 heures) ; et enfin on ramène la température de l'enceinte à la température ambiante ; à la fin de cette procédure, la surface de la couche mince de getter est propre et son dégazage thermique est fortement réduit ; - enfin on dépose au moins une couche de catalyseur sur la couche NEG. Dans le cas préféré de dépôt par pulvérisations cathodiques, le dépôt de la couche NEG énoncée dans la première étape ci-desus est réalisée à l'aide d'au moins une première électrode appropriée pour la pulvérisation cathodique du getter comme indiqué dans le document FR 96 07 625. Puis, le dépôt achevé, cette première électrode est enlevée hors de l'enceinte et remplacée, avant d'aborder la seconde étape ci-dessus, par au moins une seconde électrode appropriée pour la pulvérisation cathodique du catalyseur. Pour éviter les sujetions entraînées par le changement des électrodes, on peut envisager de mettre en place, dès le départ, une électrode double comportant simultanément les deux matériaux NEG et catalyseur et excitable de façon séquentielle ; pour obtenir des dépôts homogènes sur toute la paroi de l'enceinte, une telle électrode peut être tournante. Comme il va de soi et comme il résulte déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application et de réalisation qui ont été plus particulièrement envisagés ; elle en embrasse au contraire toutes les variantes. REVENDICATIONS 1. Agencement permettant d'améliorer le vide dans un système à vide très poussé (ultravide) comprenant une enceinte métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, caractérisé en ce qu'il consiste en un revêtement déposé sur au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte et comprenant au moins une couche mince d'au moins un catalyseur choisi parmi le ruthénium et/ou le rhodium et/ou le palladium et/ou l'osmium et/ou l'iridium et/ou le platine et/ou un alliage contenant au moins l'un de ceux-ci, ce grâce à quoi, sa surface ne s'oxydant que peu au contact de l'air, ladite couche de catalyseur n'est pas chargée en oxygène lorsqu'exposée à l'air et elle est apte à effectuer un pompage moléculaire d'au moins certaines espèces moléculaires présentes dans l'enceinte. 2. Agencement selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche mince de catalyseur est en palladium. 3. Agencement selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le catalyseur est refroidi, ce grâce à quoi la capacité de pompage du catalyseur est accrue. 4. Agencement selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le revêtement comprend en outre au moins une sous-couche de getter non évaporable déposée sur la surface de la paroi métallique définissant l'enceinte et sur laquelle sous-couche est déposée la couche superficielle de catalyseur, ce grâce à quoi certaines espèces moléculaires, faiblement pompées par la couche de catalyseur, sont transférées à travers cette dernière dans la sous-couche de getter non évaporable et la capacité de pompage globale est celle de la sous-couche de getter non évaporable. 5. Agencement selon la revendication 4, caractérisé en ce que le getter non évaporable est choisi parmi le titane et/ou le zirconium et/ou le hafnium et/ou le vanadium et/ou le scandium et/ou un alliage comprenant au moins l'un de ceux-ci. 6. Agencement selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que le revêtement est chauffé à une température d'environ 50 à 70"C, ce grâce à quoi le transfert des gaz est accéléré. 7. Procédé pour la mise en oeuvre d'un catalyseur propre à créer un vide très poussé (ultravide) dans une enceinte définie par une paroi métallique susceptible de relâcher du gaz à sa surface, caractérisé par la succession des étapes qui suivent - on effectue un dépôt d'au moins une couche mince d'au moins un catalyseur sur au moins la quasi totalité de la surface de la paroi métallique de l'enceinte, ledit catalyseur étant choisi parmi le ruthénium et/ou le rhodium et/ou le palladium et/ou l'osnium et/ou l'iridium et/ou le platine et/ou un alliage contenant au moins l'un de ceux-ci - on assemble l'enceinte avec un système à vide et - on fait le vide à l'aide du système de pompage. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'en même temps qu'on fait le vide à l'aide du système de pompage, on effectue un étuvage du système à vide par chauffage à une température d'environ 100 à 1500C, ce grâce à quoi, la couche de catalyseur, étant débarassée de sa vapeur d'eau par l'étuvage, acquiert sa pleine réacti- vité chimique. 9. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérise en ce que préalablement au dépôt du catalyseur, on dépose au moins une couche mince de getter non évaporable sur la surface de la paroi de l'enceinte. 10. Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que le dépôt du catalyseur est effectué par dépôt électrolytique ou par pulvérisation cathodique. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que le getter non évaporable et le catalyseur sont tous deux déposés par pulvérisations cathodiques.