Brevet FR2762741A1 — publié le 19981030

PROCEDE DE COMMANDE D'UN DETECTEUR D'IMAGE OFFRANT UNE PROTECTION CONTRE LES EBLOUISSEMENTS, ET DETECTEUR D'IMAGE METTANT EN OEUVRE LE PROCEDE La présente invention se rapporte aux détecteurs d'images utilisant des matrices de points photosensibles. Elle concerne un procédé de commande de ces détecteurs d'images, permettant de limiter les effets des surexpositions de certaines zones de l'image. L'invention trouve une application particulièrement intéressante dans le cas de la détection des images radiologiques. Elle conceme également un détecteur d'image mettant en oeuvre ce procédé. II est courant de réaliser des matrices de points photosensibles à l'aide de techniques de dépôts en films minces de matériaux semiconducteurs, du silicium amorphe hydrogéné (aSiH) par exemple, sur des supports isolants. Ces matrices photosensibles permettent de détecter des images contenues dans un rayonnement visible ou proche du visible. De telles matrices photosensibles sont aussi utilisées à la détection d'images radiographiques; il suffit à cet effet d'interposer un écran scintillateur entre le rayonnement X et la matrice photosensible, pour convertir le rayonnement X en un rayonnement lumineux dans la bande de longueurs d'onde auxquelles les points photosensibles sont sensibles. L'un des intérêts des détecteurs d'image utilisant ces matrices photosensibles, réside dans le fait que les images obtenues sont du type numérique, offrant comme avantage notamment une facilité du traitement et du stockage de l'image. Cependant, compte tenu des techniques de lecture des différents points photosensibles, des effets d'éblouissements dûs à des surexpositions de certains zones de l'image, peuvent avoir des conséquences néfastes plus importants que dans le cas des images obtenues par les techniques photographiques traditionnelles. En effet dans ce dernier cas, les effets de l'éblouissement restent circonscrits sensiblement dans la ou les zones surexposées, alors que avec les matrices photosensibles ces effets sont répercutés au niveau de points photosensibles appartenant à des zones non surexposées. Les points photosensibles qui forment ces matrices sont organisés en lignes et en colonnes, et comprennent chacun le plus souvent une photodiode, montée en série avec un élément interrupteur. L'élément interrupteur peut être une diode dite de commutation, ou bien un transistor. L'état "fermé" de l'élément interrupteur correspond dans le cas d'un transistor, à l'état "passant" de ce dernier (état dans lequel il est mis en conduction par une commande appliquée à sa grille), et l'état "ouvert" de l'interrupteur correspond à l'état contraire du transistor, c'est-àdire à l'état "bloqué". Quand c'est une diode qui remplit la fonction d'interrupteur: I'état "fermé" correspond au cas où une tension est appliquée à la diode avec les convenant à la faire conduire dans le sens de conduction direct, la polarités diode est dite alors "polarisée en direct" ; I'état "ouvert" de l'interrupteur correspond au cas dans lequel une tension est appliquée à la diode avec des polarités contraires à celles nécessaires à sa conduction dans le sens direct, la diode est "bloquée", elle est dite alors "polarisée en inverse". Dans chaque point photosensible, la diode de commutation et la photodiode sont montées avec des sens de conduction opposés, dans une configuration dite "tête-bêche". Une telle disposition est bien connue, notamment par les demandes de brevet français 86 14058 (n" de publication 2 605 166) et 88 12126 (n" de publication 2 636 800), dans lesquelles sont décrits une matrice de points photosensibles de type à deux diodes en configuration "tête-bêche", un procédé de lecture des points photosensibles, et une manière de réaliser un tel dispositif photosensible. La figure 1 représente un schéma simplifié d'un détecteur d'image 1, comportant une matrice photosensible 2 du type ciaessus mentionné, organisée d'une manière classique. La matrice 2 comporte des points photosensibles P1 à P25, formés chacun par une photodiode Dp et une diode de commutation Dc montées en série suivant une configuration dite "tête-bêche". La matrice comporte des conducteurs en ligne Y1 à Y5 croisés avec des conducteurs en colonne X1 à X5, avec à chaque croisement, un point photosensible P1 à P25 connecté entre un conducteur ligne et un conducteur colonne. Les points photosensibles P1 à P25 sont disposés suivant des lignes L1 à L5 des colonnes CL1 à CL5. Dans l'exemple de la figure 1, seulement 5 lignes et 5 colonnes sont représentées qui définissent 25 points photosensibles, mais une telle matrice peut avoir une capacité beaucoup plus grande, pouvant aller jusqu'à plusieurs millions de points photosensibles ou pixels. II est à noter que pour détecter des images radiologiques, le détecteur 1 peut comporter une couche 9 (symbolisée sur la figure 1 par un carré en traits pointillés) d'une substance scintillatrice déposée sur la matrice 2, afin de constituer un écran scintillateur convertissant un rayonnement X incident en un rayonnement auquel sont sensibles les points photosensibles. La matrice 2 peut elle-même être réalisée sur un support isolant transparent 7 (représenté en trait plein) en verre par exemple, contre lequel peut être plaquée une source de lumière dite additionnelle SL (représentée en pointillé), destinée à produire une remise à niveau optique qui est davantage expliquée dans une suite de la description. Cette source SL peut être formée par exemple avec des diodes électroluminescentes, comme décrit dans une demande de brevet français publiée avec le n" 2 598 250. En supposant que le support 7 soit situé dans un meme plan que celui de la figure, la source SL est située dans un plan plus profond, à l'opposé de la matrice 2 et du scintillateur 9. Dans chaque point photosensible P1 à P25, les deux diodes Dp, Dc sont reliées entre elles soit par leur cathode, soit par leur anode comme dans l'exemple représenté. La cathode de la photodiode Dp est reliée à un conducteur colonne X là X5, et la cathode de la diode de commutation Dc est reliée à un conducteur ligne Y1 à Y5. Dans une phase d'acquisition d'image ou de prise d'image, les deux diodes Dp, Dc de chaque point photosensible P1 à P25 sont polarisées en inverse, et dans cet état elles constituent chacune une capacité. II est à noter que généralement les deux diodes Dp, Dc sont conçues pour que la capacité présentée par la photodiode Dp soit la plus forte (de l'ordre par exemple de 50 fois). Durant la phase de prise d'image, des charges sont produites par la photodiode de chacun des points photosensibles PI à P25, charges dont la quantité est fonction de l'éclairement du point photosensible. Ces charges s'accumulent en un point "A", sur le noeud (à potentiel flottant) formé au point de jonction des deux diodes Dp, Dc. Une opération de lecture permet de connaître la quantité de charges accumulées par chacun des points photosensibles PI à P25. Cette lecture s'effectue ligne par ligne, simultanément pour tous les points photosensibles reliés à un même conducteur ligne VI à Y5. A cet effet, le dispositif photosensible comporte un circuit de commande ligne 3, dont des sorties SY1 à SV5 sont reliées respectivement aux conducteurs ligne VI à Y5. Le circuit de commande ligne 3 a pour fonction notamment d'appliquer aux différents conducteurs lignes Y1 à Y5, simultanément ou par des adressages successifs de chacun de ces conducteurs lignes, des impulsions destinées notamment à réaliser une polarisation des photodiodes et la lecture des quantités de charges accumulées. Les conducteurs ligne VI à VS qui ne sont pas adressés sont maintenus à un potentiel de référence Vr ou potentiel de repos, qui peut être la masse par exemple, et qui peut etre aussi le même potentiel que celui qui est appliqué aux conducteurs colonne XI à X5. La lecture des points photosensibles reliés à un conducteur ligne Y1 à VS donné, engendre dans chaque conducteur colonne XI à X5 la circulation d'un courant proportionnel à la quantité de charges stockées dans le point photosensible correspondant. Les conducteurs colonne X1 à X5 sont reliés à un circuit de lecture CL, comprenant dans l'exemple un circuit intégrateur 5 et, un circuit multiplexeur 6 formé par exemple d'un registre à décalage à entrées parallèles et sortie série pouvant être du type C.C.D. (Charge Coupled Device). Chaque conducteur colonne X1 à X5 est relié à une entrée négative " - " d'un amplificateur GI à G5 monté en intégrateur. Une capacité d'intégration CI à C5 est montée entre l'entrée négative " - " et une sortie S1 à S5 de chaque amplificateur. La seconde entrée "+" de chaque amplificateur G1 à G5 est reliée à un potentiel qui dans l'exemple est le potentiel de référence Vr, potentiel qui par suite est imposé à tous les conducteurs colonne X1 à X5. Chaque amplificateur comporte un élément interrupteur Il à 15. Chaque amplificateur comporte un élément interrupteur Il à 15 dit de remise à zéro (constitué par exemple par un transistor de type MOS), monté en parallèle avec chaque capacité d'intégration C1 à C5. Les sorties SI à S5 des amplificateurs sont reliées à des entrées El à E5 du multiplexeur 6. Cette disposition classique permet de délivrer en sortie SM du multiplexeur 6, des signaux qui correspondent aux quantités de charges accumulées aux points "A" de tous les points photosensibles PI à P25. Ces signaux (non représentés) sont délivrés en "série" et ligne par ligne (L1 à L5), c'est-à-dire successivement pour chaque point photosensible d'une même ligne et ceci ligne après ligne. II est à noter que lors de la lecture d'un point photosensible, le courant qui circule dans le conducteur colonne X1 à X5 comprend non seulement le courant relatif à ce point photosensible, mais aussi des courants de fuite venant d'autres points photosensibles reliés à ce conducteur colonne. Le plus souvent, ces courants qui s'ajoutent au signal utile peuvent être négligés, mais dans certaines configurations de l'image, les photodiodes peuvent atteindre et dépasser des niveaux de polarisation critiques, ce qui confère à ces courants indésirables des valeurs prohibitives. Ces effets des niveaux de polarisation des photodiodes seront mieux perçus avec les explications qui suivent données, en référence aux figures 2a à 2e qui retracent des étapes d'un procédé de commande de fonctionnement classique, appliqué au détecteur d'image de la figure 1. La figure 2a représente des signaux appliqués par le circuit de commande ligne 3 au premier conducteur ligne VI, signaux qui sont donc appliqués à tous les points photosensibles P1 à P5 constituant la première ligne L1. La figure 2d représente des variations d'une tension VA, présente au point "A" à potentiel flottant de l'un de ces points photosensibles, le premier point photosensible PI par exemple. A un instant to qui représente le début d'un cycle de fonctionnement, une impulsion IP1 dite de polarisation (fig. 2a) est appliquée au premier conducteur ligne Y1. Les deux diodes Dp, Dc de chaque point photosensible étant réunies par leur anode, l'impulsion de polarisation IPI est négative par rapport à la tension de repos Vr, et son amplitude a une valeur VP1 de l'ordre par exemple de -5V. L'impulsion de polarisation IP1 met la diode de commutation Dc en conduction directe dans un premier temps, la tension VA au point "A" (fig. 2d) passe à une valeur VA1 qui correspond à la tension de coude de la diode de commutation Dc, puis va en augmentant vers une valeur VA2 correspondant sensiblement à la tension VP1, moins la tension de coude de la diode de commutation Dc. La photodiode Dp étant polarisée en inverse elle constitue une capacité qui est chargée à la valeur VA2. A partir d'un instant t1 où cesse l'impulsion de polarisation IPI : la tension sur le conducteur ligne VI retrouve la valeur de repos Vr et la diode de commutation Dc est polarisée en inverse et forme une capacité; ; par suite, la tension VA au point "A" diminue à une valeur VA3 par division capacitive. Cette valeur VA3 est celle de la polarisation en inverse dite initiale de la photodiode Dp, valeur qui est amenée à descendre pour chaque point photosensible PI à P25 en fonction de son éclairement lors d'une prise d'image. Dans l'exemple décrit, où l'impulsion de polarisation IP1 a pour unique but de fixer une valeur initiale de polarisation des photodiodes Dp, cette impulsion de polarisation IPI peut être appliquée simultanément à tous les conducteurs lignes Y1 à VS. A partir d'un instant t2 où débute une phase de prise d'image représentée à la figure 2b par un créneau Phi, chacun des points photosensibles P1 à P25 est exposé à un signal lumineux dont l'intensité est fonction du contenu de l'image. Quand un flash lumineux ou signal lumineux est appliqué à un point photosensible, le photocourant induit des charges la capacité de la photodiode Dp: la tension de polarisation inverse en est diminuée et passe de la valeur VA3 à une valeur Vax. La charge lumineuse Qx détectée par ce point photosensible est, au premier ordre donnée par la relation suivante: Qx = (VA3 - Vax) x Cph ; où Cph est la capacité de la photodiode Dp en polarisation inverse. Les caractéristiques électriques de chaque point photosensible sont optimisées généralement pour que la valeur Vax résultant de l'exposition, soit comprise entre deux limites de tension qui définissent entre elles une plage ou gamme de fonctionnement prévue. La première limite est constituée par la valeur de polarisation initiale VA3, pour l'intensité d'exposition la plus faible. La seconde limite Vlin correspond à l'intensité d'exposition la plus forte prévue ; elle est donnée par la tension de repos Vr moins une marge de tension Vm. Cette marge de tension est ménagée pour garantir que, dans une gamme d'intensités d'exposition correspondant à la gamme de fonctionnement prévue, les points photosensibles P1 à P25 restent bien polarisés en inverse à une valeur suffisante pour éviter des nonlinéarités entre la charge lumineuse QX et sa traduction par une variation de tension. Ainsi donc à partir de l'instant t2, pour le premier point PI par exemple: si cette intensité d'exposition est nulle, la tension VA au point "A" conserve la valeur VA3 comme représenté par une courbe sI : ou bien à l'opposé, si cette intensité d'exposition possède la valeur maximum prévue, la tension au point "A" diminue jusqu'à la limite de la valeur Vlin de la marge de tension comme illustré par une seconde courbe s2. L'instant t3 marque la fin de la phase de prise d'image Phi. A partir de cet instant t3, la tension VA au point "A" conserve sensiblement une même valeur jusqu'à un instant t4 qui est le début d'une phase de lecture PHL. A l'instant t4, la phase de lecture PHL débute par l'application au premier conducteur ligne VI (Fig. 2a), d'une impulsion de lecture IL ayant un même signe (négatif) que l'impulsion de polarisation IP1 (une telle impulsion de lecture n'est appliquée qu'à un unique conducteur ligne à la fois). Dans l'exemple classique qui est décrit, l'impulsion de lecture IL a une amplitude VP2 plus grande que celle (VP1) de l'impulsion de polarisation IP1, afin d'engendrer des charges dites "d'entraînement" qui, dans chaque point photosensible, s'ajoutent à la quantité de charges produites par la photodiode Dp, comme expliqué dans les documents de brevet cités plus haut. Ces charges d'entraînement additionnées aux charges correspondant au signal lumineux utile, permettent de minimiser l'effet néfaste (particulièrement aux faibles valeurs) produit par les qualités médiocres que présente une diode de commutation Dc utilisée comme interrupteur. L'application de l'impulsion de lecture IL a pour effet de mettre la diode de commutation Dc en polarisation directe: cette dernière charge la capacité constituée par la photodiode Dp. La charge de la capacité de photodiode détermine un courant sur le conducteur colonne XI, pendant que la tension VA au point "A" augmente jusqu'à une valeur VA4 qui correspond à l'amplitude VP2, moins la tension de coude de la diode de commutation Dc. La différence entre l'amplitude VP1 de l'impulsion de polarisation IPI et l'amplitude VP2 de l'impulsion de lecture IL (VP2 - VP1) engendre, sur le premier conducteur colonne X1, un courant correspondant à la charge d'entraînement ; à ce courant d'entratnement, s'ajoute un courant correspondant à la différence entre la valeur de la tension au point "A" avant la prise d'image et après (VA3 - Vax), courant qui représente la charge lumineuse. Cette explication fournie pour le premier point photosensible PI est valable pour les autres points photosensibles de la même ligne LI, qui sont lus dans le même temps et qui donnent lieu simultanément à des courants sur les autres conducteurs colonnes X2 à X5. La lecture des points photosensibles étant opérée ligne par ligne, les autres points photosensibles appartenant aux autres lignes L2 à L5, bien que reliés eux aussi à ces même conducteurs colonnes, n'y induisent pas en principe de courant, tant que le conducteur ligne Y2 à VS auquel ils sont reliés ne reçoit pas une impulsion de lecture semblable à l'impulsion IL. L'instant t5 marque la fin de la lecture de la première ligne LI. La phase de lecture PHL se poursuit par les lectures successives des lignes L2, L3, L4 et L5, pour lesquelles successivement sont appliquées des impulsions de lecture (non représentées) d'une même manière que cidessus décrit. La phase de lecture se termine à un instant t6. La figure 2e représente les états "ouvert" et "fermé des interrupteurs de remise à zéro Il à 15 (montrés à la fig. 1), interrupteurs qui n'autorisent l'opération d'intégration par les amplificateurs GI à G5 que quand ils sont à l'état "ouvert". La figure 2e illustre le fait que ces interrupteurs Il à 15 ne sont à l'état "ouvert" que pendant la phase de lecture PHL, et que par conséquent, seuls les courants circulant dans les conducteurs colonne X1 à X5 durant une phase de lecture sont pris en compte. A un instant t7, débute une phase de remise à niveau représentée à la figure 2c par un créneau RAN. Le but de cette remise à niveau est de conférer aux tensions VA aux points "A", une valeur inférieure à celle de la valeur initiale de polarisation VA3. En effet, à l'issue de la phase de lecture PHL, la tension VA du point "A" de tous les points photosensibles PI à P25 affiche la tension VA4 plus élevée que la valeur de l'amplitude VP1 de I'impulsion de polarisation IP1. II faut donc, en prévision d'un cycle de fonctionnement suivant, ramener la tension VA à une valeur qui permette la mise en conduction dans le sens direct de la diode de commutation Dc, lors de l'application d'une impulsion de polarisation suivante IP2. Une telle diminution de la valeur de la tension VA est obtenue à partir de l'instant t7, en exposant la matrice 2 à un éclairement additionnel à l'aide de la source de lumière additionnelle SL précédemment mentionnée. L'instant t8 représente la fin de l'éclairement additionnel ; à cet instant, la tension VA a été réduite à une valeur VA5 inférieure à la valeur initiale VA3 de polarisation, valeur VA3 qui ainsi pourra à nouveau lui être conféré par l'application d'une impulsion de polarisation IP2 suivante, à un instant t9 du début d'un nouveau cycle. II est à observer que pendant la lecture des points photosensibles d'une ligne L1 à L5 donnée, les points photosensibles non adressés mais situés sur une même colonne qu'un point photosensible lu, délivrent un courant dit "de fuite", qui est intégré avec le signal utile. Pour chaque point photosensible, ce courant est dû principalement au courant de fuite de la photodiode Dp, courant qui est faible et qui en tout état de cause engendre, pendant la durée de la trame c'est-à-dire de la lecture de toutes les lignes L1 à L5, un bruit intégré négligeable. Cependant dans certains cas, L'image à détecter peut comporter des zones d'une très grande luminosité, au point que dans les points photosensibles correspondants à ces zones, la quantité de charges engendrées par la surexposition est elle-même grande et peut déterminer la mise en conduction dans le sens direct des diodes Dp, Dc de ces points photosensibles. Une telle possibilité est illustrée à la figure 2d, à partir de l'instant t2, par une troisième courbe en traits pointillés repérés s3. L'instant t2 marque le début de la phase de prise d'image Phi. En supposant que le premier point photosensible P1 soit exposé à une très forte intensité lumineuse, les charges produites par la photodiode Dp engendrent une forte diminution de la tension de polarisation inverse au point "A". La tension VA diminue donc, jusqu'à éventuellement passer par zéro c'est-à-dire la tension de repos Vr, puis changer de signe et croître en positif jusqu'à une valeur positive VA+; la photodiode Dp est alors polarisée en direct. La tension VA conserve ensuite une valeur positive par rapport à la tension de repos Vr jusqu'à la phase de lecture PHL où, par l'application d'une impulsion de lecture IL, elle est portée à la valeur négative VA4 et où la photodiode Dp est à nouveau polarisée en inverse. Durant le temps où elle est polarisée en direct, une photodiode Dp foumit au conducteur colonne un courant parasite beaucoup plus important que le courant de fuite habituel, et ce courant parasite important est pris en compte en même temps que celui du signal utile délivré par un point photosensible appartenant à une ligne différente, mais situé sur une même colonne. En référence à nouveau à la figure 1, en supposant par exemple qu'une zone fortement surexposée de la matrice 2 soit constituée par les points photosensibles P13, P14 et P18, P19 appartenant aux lignes L3, L4 et aux colonnes CL3, CL4. Ces points photosensibles ou pixels ayant été fortement surexposés, ils se retrouvent en polarisation directe; par suite ils délivrent même sans être adressés, un fort courant sur les conducteurs colonnes X3, X4 auxquels ils sont reliés. Dans le cas de cet exemple, dans la phase de lecture ligne par ligne de la matrice qui commence par la première ligne L1, loin de la zone surexposée, tous les autres points photosensibles reliés aux conducteurs colonnes X3, X4, bien que non surexposés, se voient "parasités" par un courant grand devant leur propre signal: par conséquent, ils apparaissent artificiellement saturés. Ces configurations peuvent survenir fréquemment, notamment dans le cas des images radiologiques, où les doses situées dans la dynamique du détecteur c'est-à-dire qui ne saturent pas ce dernier, sont fréquemment dépassées par des doses dites "de flux nu" ; ces doses "de flux nu" correspondent à des zones du détecteur recevant un rayonnement X direct du générateur de rayons X, n'ayant traversé aucune zone anatomique et n'ayant donc subi aucune atténuation. Il est courant que ces doses de flux nu soient 10 à 100 fois supérieures à la dose maximum pour laquelle le détecteur a été optimisé. Dans ces conditions, les points photosensibles situés dans les parties d'image recevant ces fortes doses présentent les dysfonctionnements expliqués ci-dessus, et engendrent des artefacts d'images intolérables, même dans les zones non surexposées. L'invention a pour but d'apporter une solution à ce problème de la trop forte intensité lumineuse d'une ou plusieurs zones de l'image. Elle propose un procédé de commande de fonctionnement d'un détecteur d'image, permettant d'éliminer les charges excédentaires produites par ces excès d'intensité lumineuse, avant que ces charges ne perturbent la lecture de la matrice photosensible. Suivant l'invention, un procédé de commande d'un détecteur d'image comportant une matrice de points photosensibles comprenant chacun un élément interrupteur en série avec une photodiode, le procédé consistant d'une part, à appliquer une tension de polarisation dite initiale ayant une première valeur aux photodiodes de manière à leur conférer une polarisation en inverse, avant de procéder à une phase de prise d'image durant laquelle la matrice est exposée à un signal lumineux et chaque point photosensible produit des charges dont la quantité est fonction de son éclairement, les charges accumulées dans chaque point photosensible engendrant une variation de la tension de polarisation initiale s'exerçant dans le sens d'une diminution de cette tension, le procédé consistant d'autre part à lire les points photosensibles dans une phase de lecture survenant après la phase de prise d'image, le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste en outre, entre la phase de prise d'image et la phase de lecture, à conférer une polarisation en inverse ayant une seconde valeur, uniquement à des photodiodes dont la tension de polarisation initiale a été réduite au delà d'une valeur limite donnée. Ceci permet, par exemple pour des points photosensibles ayant été soumis à de très forts éclairements ayant entraînés une inversion de polarisation de leur photodiode, de repolariser ces photodiodes en inverse, sans modifier la valeur de la tension des points photosensibles qui ont été soumis à des intensités d'éclairement compris dans la gamme de mesure prévue, et donc sans perturber la lecture de ces derniers. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit, faite à titre d'exemple non limitatif, en référence aux figures annexées, dans lesquelles: - la figure 1 déjà décrite représente le schéma d'un détecteur d'image, auquel peut s'appliquer le procédé de l'invention; - les figures 2a à 2e montrent les étapes d'un procédé classique de commande de fonctionnement d'un détecteur d'image; - les figures 3a à 3e forment un chronogramme illustrant le procédé de commande de l'invention; - la figure 4 montre schématiquement un détecteur d'image, ayant une matrice dont les points photosensibles utilisent un transistor comme élément interrupteur. Dans l'exemple non limitatif décrit, le procédé de l'invention s'applique à la commande du détecteur d'image montré à la figure 1, et il diffère du procédé connu décrit aux figures 2a à 2e en ce qu'il comporte une étape supplémentaire dite "de repolarisation", située entre la phase de prise d'image et la phase de lecture. En conséquence, les fonctionnements sont identiques avec les deux procédés jusqu'à l'instant du début de cette étape de repolarisation. Il est à noter que par rapport à un circuit de commande ligne classique, le dispositif de commande 3 montré à la figure I comporte en plus une source de tension Il (représentée en traits pointillés), lui permettant de définir l'amplitude d'un signal utile à l'étape supplémentaire conforme à l'invention. Les figures 3a à 3e décrivent les différentes étapes du procédé de l'invention. La figure 3a représente des signaux appliqués par le circuit de commande ligne 3 au premier conducteur ligne VI ; la figure 3b représente la phase de prise d'image Phi ; la figure 3c représente la phase de remise à niveau RAN ; la figure 3d représente des variations de la tension VA au point "A" à potentiel flottant du premier point photosensible PI ; la figure 3e représente l'état "ouvert" et l'état "passant" des interrupteurs de remise à zéro Il à 15 (montrés fig. i). A un instant to qui représente le début d'un cycle de fonctionnement, une impulsion IPI de polarisation (fig. 3a) est appliquée au premier conducteur ligne Y1. Cette impulsion A un l'instant t2 où débute la phase de prise d'image Phi, chacun des points photosensibles P1 à P25 est exposé à un signal lumineux dont l'intensité est fonction du contenu de l'image. Comme déjà expliqué en référence à la figure 2d, d'une part, si l'éclairement du premier point photosensible PI est compris dans la gamme d'éclairement prévue, la tension Va reste comprise entre la valeur initiale de polarisation Va3 (matérialiste par la première courbe s1 pour l'éclairement minimum) et la limite Vlin de la marge de tension (matérialisée par la seconde courbe s2 pour l'éclairement maximum), limite Vlin qui représente la valeur d'intensité d'éclairement maximum prévu ; d'autre part, si l'intensité d'éclairement du premier point photosensible PI est plus grande que l'intensité maximum prévue, les charges produites engendrent au point "A" une variation de la tension VA telle que celles diminue au-delà de la valeur Vlin, jusqu'à éventuellement passer par zéro c'est-à-dire la tension de repos Vr, et même éventuellement changer de signe et croître en positif jusqu'à une valeur positive VA+ (comme représenté par la troisième courbe s3), la photodiode Dp passant alors en polarisation directe. A partir de l'instant t3 où s'achève la phase de prise d'image, la tension VA conserve la valeur qu'elle a acquise durant cette dernière phase, jusqu'à un instant t4 auquel débute une opération propre au procédé de l'invention. L'invention propose en effet d'intervenir, avant la phase de lecture PHL, uniquement au niveau des points photosensibles dont l'éclairement a été supérieur à l'intensité maximum prévue, de manière à éviter que les effets des surexpositions de certains points photosensibles ne soient répercutés au niveau de points photosensibles normalement éclairés. A cet effet le procédé de l'invention consiste à appliquer à tous les points photosensibles P1 à P25, une impulsion dite "de repolarisation" Irp ayant, par rapport au potentiel de repos Vr, une même polarité que l'impulsion de polarisation IP1, et une amplitude convenant à fixer la potentiel du point "A" à une valeur égale ou inférieure à la limite Vlin de marge de tension, limite qui est atteinte pour les intensités maximum prévues. Suivant l'invention donc, une impulsion de repolarisation Irp (montrée à la figure 3a) est appliquée à l'instant t4 à tous les conducteurs ligne VI à Y5. L'impulsion de repolarisation Irp agit sur la tension VA de tous les points "A" des points photosensibles P1 à P25, en fonction de la valeur atteinte par cette tension à la fin de la phase de prise d'image Phi, d'une même manière que celle qui est décrite ci-après pour le premier point photosensible PI. Dans l'exemple décrit, I'impulsion de repolarisation Irp est négative. Elle possède une amplitude VP1' telle que, compte tenu notamment de la tension de coude de la diode de commutation Dc, elle détermine au point "A" une tension dite de repolarisation ayant une valeur Vrp comprise dans la marge de tension, c'est-à-dire entre la tension de repos Vr et la valeur Vlin de cette marge. Dans ces conditions: - si à la fin de la phase de prise d'image Phi, la tension VA possède une valeur comprise entre VA3 et Vlin c'est-à-dire comprise dans la gamme prévue, I'application de l'impulsion de repolarisation Irp reste sans effet, car la diode de commutation Dc étant restée polarisée en inverse à une valeur supérieure à Vlin, elle ne conduit pas; les allures des première et seconde courbes s1, s2 ne sont pas modifiées. - si à la fin de la phase de prise d'image PHi, la tension VA possède une valeur comprise entre Vlin et la valeur positive VA+, c'est-àdire résultant d'une surexposition: dans ce cas, I'impulsion de repolarisation Irp possède une amplitude suffisante pour mettre la diode de commutation Cd en conduction directe, et charger la capacité formée par la photodiode Dp ; la tension au point "A" tend alors vers la valeur Vrp de la tension de repolarisation, valeur qui correspond à l'amplitude de l'impulsion Irp moins la tension de coude de la diode de commutation Dc. On voit par la troisième courbe s3 correspondant aux valeurs de surexposition, que la tension VA retourne vers une valeur de polarisation inverse à partir de l'instant t4, pour atteindre la valeur de repolarisation Vrp à un instant t5. Le temps écoulé entre les instants t4 et t5 dépend de la valeur de surexposition atteinte, et la durée T1 de l'impulsion de repolarisation Irp doit être suffisante pour permettre de charger la capacité constituée par la photodiode Dp à la valeur de repolarisation Vrp; dans ce but, I'impulsion de repolarisation Irp peut avoir sensiblement une même durée que l'impulsion de polarisation IPI. De préférence, la valeur Vrp de repolarisation est choisie proche de la tension limite Vlin, afin que pour les points photosensibles P1 à P25 qui ont été surexposés, la polarisation en inverse qui leur est donnée ait une valeur assez élevée pour réduire au maximum le courant de fuite résiduel. L'instant t5 marque la fin de l'impulsion de repolarisation Irp appliquée à tous les conducteurs ligne Y1 à VS. A partir de l'instant t5, la tension VA au point "A" conserve une même valeur de polarisation inverse jusqu'à un instant t6 qui est le début de la phase de lecture PHL. A l'instant t6, la phase de lecture PHL débute par l'application au premier conducteur ligne VI (fig. 2a) d'une impulsion de lecture IL, en vue donc de lire les points photosensibles P1 à P5 de la premier ligne L1 (et uniquement ceux de la première ligne). Dans cet exemple, I'impulsion de lecture a une amplitude VP2 plus grande que celle VP1 de l'impulsion de polarisation IPI, afin de créer des charges "d'entraînement" comme il a été expliqué précédemment. Comme déjà décrit en référence aux figures 2a à 2e, l'application de l'impulsion de lecture IL a pour effet de mettre la diode de commutation Dc en polarisation directe : quelle que soit à cet instant la valeur de la tension VA, comprise entre Va3 et Vlin ou bien à la valeur de repolarisation Vrp, la diode de commutation Dc charge la capacité constituée par la photodiode Dp, et par suite porte la tension VA à la valeur VA4 qui correspond à l'amplitude VP2 de l'impulsion de lecture moins la tension de coude de la diode de commutation Dc. La charge de la capacité de photodiode Dp détermine un courant sur le conducteur colonne Xl. La différence entre l'amplitude Vp1 de l'impulsion de polarisation IP1 et l'amplitude Vp2 de l'impulsion de lecture IL engendre, sur ce premier conducteur colonne XI, un courant correspondant à la charge d'entraînement. A ce courant d'entraînement s'ajoute un courant correspondant à la différence de polarisation entre la valeur Va3 de la tension au point "A" avant la prise d'image, et la valeur de la tension en ce point juste avant la lecture. Ce demier courant constitue le courant utile représentant la charge lumineuse, si la tension au point "A" est comprise entre VA3 et Vlin; mais si cette différence de polarisation est plus grande du fait que la tension au point "A" avait la valeur de repolarisation Vrp, la mesure n'est pas significative car donnée par une surexposition du point photosensible. Cette explication foumie pour le premier point photosensible P1 est valable pour les autres points photosensibles de la même ligne L1, qui sont lus dans le même temps, et qui donnent lieu simultanément à des courants sur les autres conducteurs colonnes X2 à X5. La lecture des points photosensibles étant opérée ligne par ligne, les autres points photosensibles appartenant aux autres lignes L2 à L5, bien que reliés eux aussi à ces mêmes conducteurs colonnes, n'y induisent pas de courant de lecture tant qu'ils ne sont pas eux-mêmes en phase de lecture. L'étape de repolarisation conforme à l'invention, permet de supprimer les courants parasites importants susceptibles d'être délivrés par des points photosensibles surexposés, pendant que s'effectue la lecture de points photosensibles appartenant à une autre ligne. Les seuls courants parasites qui subsistent sont donnés par les courants de fuite habituels, dont la valeur est négligeable, et qui n'entachent pas les mesures d'une erreur importante. L'instant t7 marque la fin de la lecture de la première ligne L1. La phase de lecture PHL se poursuit par les lectures successives des lignes L2, L3, L4 et L5 et se termine à un instant t8. La figure 3e représente les états "ouvert" et "fermé" des interrupteurs de remise à zéro Il à 15 (montrés à la fig. 1), interrupteurs qui n'autorisent l'opération d'intégration par les amplificateurs Gl à G5 que quand ils sont à l'état "ouvert". La figure 3e illustre le fait que ces interrupteurs Il à 15 ne sont à l'état "ouvert" que pendant la phase de lecture PHL, et que par conséquent, seuls les courants circulant dans les conducteurs colonne X1 à X5 durant une phase de lecture sont pris en compte. A un instant t9, débute une phase de remise à niveau représentée à la figure 3c par un créneau RAN. D'une même manière que déjà expliqué en référence aux figures 2a à 2e, la remise à niveau RAN s'effectue à l'aide de la source additionnelle SL. Elle a pour but de ramener la valeur de la tension VA au point "A" à une valeur VA5 inférieure à la valeur VA3 de polarisation initiale. L'instant t10 représente la fin de l'éclairement additionnel, c'est-àdire de la phase RAN ; à cet instant, la tension VA a été ramenée à une valeur VA5 inférieure à la valeur initiale VA3 de polarisation, ce qui permettra de replacer la diode de commutation Dc en polarisation directe, par l'application d'une impulsion de polarisation IP2 suivante dans un cycle de fonctionnement suivant. Cette description du procédé de l'invention a été faite en fonction d'une application à la commande du détecteur d'image montré à la figure 1, dont les points photosensibles utilisent des diodes de commutation en tant qu'éléments interrupteurs. Les diodes de commutation constituent des "interrupteurs" de qualité médiocre, ce qui conduit à utiliser une technique de charges d'entraînement pour améliorer l'efficacité de lecture quand les quantités de charges à mesurer sont de faible valeur. Compte tenu de la méthode utilisée pour créer ces charges d'entraînement, méthode consistant à appliquer pour la lecture une tension (VP2), plus élevée que celle (VPI) qui sert à la polarisation initiale, il est bien nécessaire en vue d'un cycle suivant d'opérer une remise à niveau. Mais l'invention, qui consiste à intercaler une phase de repolarisation entre la phase de prise d'image et celle de lecture, peut s'appliquer aussi bien s'il n'y a pas création de charges d'entraînement, ni de phase de remise à niveau RAN. L'invention peut également s'appliquer aussi bien dans le cas d'un procédé dans lequel, I'impulsion servant à la polarisation initiale possède la même amplitude que celle servant à la lecture; il est à noter que dans un tel cas, la même impulsion peut servir à la fois à la lecture d'un cycle de fonctionnement, et à la polarisation initiale du cycle suivant. Enfin l'invention peut s'appliquer aussi dans le cas où, dans chaque point photosensible, la fonction d'interrupteur est remplie par un transistor, comme montré à la figure 4. La figure 4 représente le schéma d'un détecteur d'image 1' qui diffère de celui représenté à la figure I principalement, en ce qu'il comporte une matrice 20 dans laquelle, pour chaque point photosensible P1' à P25', I'élément interrupteur monté en série avec la photodiode Dp est un transistor T. Dans l'exemple non limitatif décrit, dans chaque point photosensible P1' à P25', le transistor T est relié par sa source S à la cathode de la photodiode Dp c'est-à-dire au point "A", sa grille G est reliée à un conducteur ligne Y1 à VS auquel appartient le point photosensible, et son drain D est relié au conducteur colonne X1 à X5 auquel appartient le point photosensible. Les anodes de toutes les photodiodes Dp sont réunies et reliées à une source de tension 10, délivrant dans l'exemple une tension de polarisation V1-, négative par rapport à un potentiel de référence Vr1 qui est la masse par exemple, et auquel les conducteurs colonnes X1 à X5 sont portés. Les états "bloqué" et "passant" d'un transistor T, sont obtenus par l'application sur sa grille G d'une tension ayant par rapport à la source S, une polarité et une valeur appropriées. Dans la configuration montrée à la figure 4, I'état "bloqué" est obtenu (quelle que soit la tension entre le drain D et la source S du transistor) par l'application sur la grille G d'une tension dite de blocage -Vg (de l'ordre par exemple de -10 volts), négative par rapport au potentiel de référence Vrai, c'est-à-dire de la masse dans l'exemple. Cette tension de blocage -Vg est délivrée par les sorties SVl à SVS du circuit de commande ligne 3, et peut constituer la tension de repos appliquée aux conducteurs ligne VI à VS: - I'état "passant" est obtenu en appliquant à la grille G une tension positive +Vg dite de conduction, par exemple de +10 volts par rapport à Vrai. Cette tension de conduction peut être délivrée par les sorties SY1 à SVS, sous la forme d'une impulsion constituant une commande d'état "passant". Le procédé de l'invention prévoit d'effectuer, après la prise d'image Phi et avant la lecture des points photosensibles (comme dans le cas du détecteur de la figure 1), une opération de repolarisation permettant de conférer à des points photosensibles surexposés, une valeur de polarisation inverse telle qu'elle leur évite de délivrer des courants parasites importants pendant la lecture des autres points photosensibles. A cette fin, il est proposé dans cette version de l'invention, de commander les transistors T de manière à mettre à l'état "passant" uniquement ceux de ces transistors qui présentent entre leur source S et leur drain D, c'est-à-dire entre la tension de référence Vrl ou masse et le point "A" à potentiel flottant, une différence de tension supérieure à celle correspondant à la gamme d'intensité d'exposition prévue, supérieure à 3 volts par exemple. Ceci peut être obtenu de manière simple, en appliquant à la grille G des transistors T une impulsion de commande dite de repolarisation Icr (non représentée), ayant une amplitude Vcr inférieure à la valeur de la tension -Vg de blocage qui réalise un blocage complet du transistor : dans ces conditions en effet, le transistor est mis à l'état "passant" si sa tension drain-source dépasse une valeur donnée. Ainsi par exemple, dans le cas des transistors T dont le drain D est au potentiel (0 volt) d'un conducteur colonne X1 à X5, et dont la source S est reliée au point "A" d'un point photosensible P1' à P25': si la tension en certains des points "A" (et donc à la cathode de la photodiode) devient inférieure à -3 volts, les transistors de ces points "A" (et seulement ceux-là) sont mis à l'état "passant", si l'amplitude Vcr de l'impulsion appliquée sur la grille G de ces transistors est de l'ordre de -8 volts, soit dans l'exemple non limitatif décrit, 2 volts de moins que la tension de blocage -Vg. En plus de sources de tension (non représentées) que peut comporter de façon classique le circuit de commande ligne 3, en vue de délivrer des signaux pour la mise à l'état "passant" et à l'état "bloqué" des transistors T, il peut comporter une source de tension 12 (représentée en traits pointillés) lui permettant de conférer à l'impulsion de commande de repolarisation la la valeur de tension Vcr nécessaire. Les caractéristiques présentées par le transistor T dans son état "passant", le rendent beaucoup plus apte qu'une diode à remplir la fonction d'interrupteur. En conséquence, I'utilisation d'un transistor dans cette fonction dispense d'ajouter des charges d'entraînement pour améliorer l'efficacité de la lecture, ce qui rend le fonctionnement beaucoup plus simple. En supposant que tous les conducteurs lignes Y1 à Y5 reçoivent la tension de blocage -Vg (-10 volts par rapport à la tension de référence Vrai) qui alors constitue la tension de repos, un cycle de fonctionnement peut débuter par l'application simultanée à tous les conducteurs lignes VI à VS, d'une première impulsion (non représentée) de commande d'état passant IcI (+10 volts par rapport à la tension de référence Vrai). La mise à l'état "passant" d'un transistor T a pour effet d'appliquer le potentiel de référence Vrl ou masse au point "A", c'est-à-dire à la cathode de la photodiode Dp dont l'anode est au potentiel de polarisation V1- négatif; il en résulte que la photodiode est polarisée en inverse, à une valeur de -5 volts par exemple, qui constitue sa polarisation inverse initiale ; elle constitue alors une capacité. A l'instant t1 où cesse l'impulsion de commande Ici, la tension sur les conducteurs lignes Y1 à Y5 retourne à la valeur de la tension de blocage -Vg. Dans tous les points photosensibles, la capacité constituée par la photodiode est alors chargée au potentiel de la tension de référence Vrai, et la photodiode Dp reste polarisée en inverse. La photodiode conserve une même valeur de polarisation jusqu'à la phase de prise d'image Phi qui constitue l'étape suivante. Durant la prise d'image, pour chaque point photosensible P1' à P25' en fonction de l'intensité de l'éclairement auquel il est exposé, la tension au point "A" est susceptible de varier depuis la valeur du potentiel de référence Vrl (correspondant à 0 volt dans l'exemple) jusqu'à -3 volts par exemple pour l'intensité la plus forte dans la gamme de fonctionnement prévue; pour une variation amenant la tension au point "A" au-delà de cette valeur, le point photosensible entre en dépassement dans la marge de tension servant à garantir la linéarité comme déjà expliqué précédemment, et il peut même ensuite s'il y a eu une très forte surexposition, atteindre une valeur plus négative que celle (V1-) présente sur l'anode et donc passer en polarisation directe. Après la prise d'image, une impulsion de commande de repolarisation Icr est appliquée à tous les conducteurs ligne V1 à VS. Comme expliqué plus haut, cette impulsion met à l'état "passant" seulement ceux des transistors T dont la source S (laquelle est reliée au point "A" à potentiel flottant) présente par rapport au drain D une différence de potentiel minimum, qui dans l'exemple est obtenue pour les points photosensibles qui sont entrés en dépassement dans ladite marge de tension. Dans un tel cas, la mise à l'état "passant" d'un transistor T repolarise à par exemple -3 volts le point "A" correspondant. Après la phase de repolarisation, survient la phase de lecture durant laquelle chaque conducteur ligne Y1 à Y5 reçoit, ligne par ligne, une seconde impulsion de commande d'état "passant" lc2 (non représentée). Cette mise à l'état "passant" d'un transistor a pour effet de rétablir le potentiel de référence Vrl au point "A" correspondant, ce qui engendre sur le conducteur colonne X1 à X5 correspondant, la circulation d'un courant proportionnel à la différence de potentiel entre la tension de référence Vr1 et le potentiel atteint par le point "A" suite à la prise d'image. II est à remarquer que la seconde impulsion de commande d'état "passant" lc2 a servi non seulement à réaliser la lecture des points photosensibles d'une ligne L1 à L5 donnée, mais aussi à réaliser la polarisation inverse initiale des photodiodes Dp, de telle manière que pour un cycle de fonctionnement suivant, il est possible de passer directement à la phase de prise d'image. Bien entendu, les sens de montage des photodiodes Dp dans l'exemple ci-dessus, et celui des diodes de commutation Dc avec les photodiodes Dp dans l'exemple précédent, peuvent être inversés si les polarités des tensions et impulsions décrites sont également inversées. REVENDICATIONS 1. Procédé de commande d'un détecteur d'image comportant une matrice (2, 20) de points photosensibles (P1 à P25) comprenant chacun un élément interrupteur (Dc, T) en série avec une photodiode (Dp), le procédé consistant d'une part, à appliquer une tension de polarisation dite initiale ayant une première valeur (VA3) aux photodiodes (Dp) de manière à leur conférer une polarisation inverse, avant de procéder à une phase de prise d'image (Phi) durant laquelle la matrice (2) est exposée à un signal lumineux et chaque point photosensible produit des charges dont la quantité est fonction de son éclairement, les charges accumulées dans chaque point photosensible (P1 à P25) engendrant une variation de la tension de polarisation initiale s'exerçant dans le sens d'une diminution de cette tension, le procédé consistant d'autre part à lire les points photosensibles dans une phase de lecture (PHL) survenant après la phase de prise d'image (Phi), le procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste en outre, entre la phase de prise d'image et la phase de lecture, à conférer une polarisation en inverse ayant une seconde valeur (Vrp), uniquement à des photodiodes (Dp) dont la polarisation initiale inverse a été réduite au-delà d'une valeur limite (Vlin) donnée. 2. Procédé de commande suivant la revendication 1, caractérisé en ce que la différence de tension entre la première valeur (VA3) de la polarisation initiale et la valeur limite (Vlin), constitue une gamme de fonctionnement correspondant aux intensités d'exposition prévues. 3. Procédé de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la seconde valeur de polarisation (Vrp) est égale ou inférieure à la valeur limite (Vlin). 4. Procédé de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'élément de commutation est une diode dite de commutation (Dc). 5. Procédé de commande suivant la revendication 4, caractérisé en ce que dans chaque point photosensible (P1 à P25), la diode de commutation (Dc) et la photodiode (Dp) sont montées en série avec des sens de conduction inverses l'une par rapport à l'autre. 6. Procédé de commande suivant l'une des revendications précédentes, les points photosensibles (P1 à P25) étant disposés d'une part, en lignes (L1 à L5) comprenant chacune un conducteur ligne (VI à Y5), et d'autre part en colonnes (CL1 à CL5) comprenant chacune un conducteur colonne (X1 à X5), pour chaque point photosensible (P1 à P25) la diode de commutation (Dc) étant reliée à un conducteur ligne et la photodiode (Dp) étant reliée à un conducteur colonne, le procédé est caractérisé en ce qu'il consiste d'une part avant la phase de prise d'image (Phi), à polariser les photodiodes (Dp) en inverse à la valeur de polarisation initiale (VA3) en appliquant sur les conducteurs ligne (VI à Y5) une impulsion dite de polarisation (IP1) ayant une première amplitude (VPI), et d'autre part entre la phase de prise d'image (Phi) et la phase de lecture (PHL), à appliquer sur ces conducteurs ligne une impulsion dite de polarisation (Irp) ayant une seconde amplitude (VPI') inférieure à la première amplitude (VP1) de l'impulsion de polarisation (IP1). 7. Procédé de commande suivant la revendication 6, caractérisé en ce que une impulsion de repolarisation (Irp) est appliquée simultanément à tous les conducteurs ligne (VI à Y5). 8. Procédé de commande suivant l'une des revendications I ou 2 ou 3, caractérisé en ce que l'élément de commutation est un transistor (T). 9. Procédé de commande suivant la revendication 8, les points photosensibles (P1' à P25') étant disposés d'une part, en lignes (L1 à L5) comprenant chacune un conducteur ligne (Y1 à Y5), et d'autre part en colonnes (CL1 à CL5) comprenant chacune un conducteur colonne (X1 à X5), le procédé est caractérisé en ce que une même première extrémité (anode ou cathode) de toutes les photodiodes (Dp) est reliée à un potentiel (V1-) d'une tension de polarisation, et en ce que pour chaque point photosensible (P1' à P25'), le transistor (T) est relié par son drain (D) à un conducteur colonne (X1 à X5) et par sa grille (G) à un conducteur ligne (Y1 à Y5) et enfin par sa source (S) à la seconde extrémité (cathode ou anode) de la photodiode (Dp). 10. Procédé de commande suivant la revendication 9, caractérisé en ce qu'il consiste, pour polariser les photodiodes (Dp) en inverse à une valeur de polarisation initiale (Vr1), à appliquer sur les conducteurs lignes (VI à Y5) une impulsion dite de commande d'état "passant" (Ic) ayant, par rapport au potentiel de la source (S) des transistors (T), une polarité opposée à celle d'une tension dite "de blocage" (-Vg) dont l'application à la grille (G) d'un transistor met ce demier à l'état "bloqué". 11. Procédé de commande suivant la revendication 10, caractérisé en ce que la tension de blocage (-Vg) constitue un potentiel de repos des conducteurs lignes (VI à Y5). 12. Procédé de commande suivant l'une des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il consiste, entre la phase de prise d'image (Phi) et la phase de lecture (PHL), à appliquer sur les conducteurs lignes (VI à Y5) une impulsion dite de commande de repolarisation (Icr), ayant une même polarité que celle de la tension de blocage (-Vg) et une valeur inférieure à celle qui est nécessaire à cette dernière pour mettre un transistor (T) dans un état "bloqué". 13. Procédé de commande suivant la revendication 12, caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer une impulsion de commande de repolarisation (Icr) à tous les conducteurs lignes (Vl à Y5) simultanément. 14. Procédé de commande suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le détecteur d'image étant destiné à la détection d'images radiographiques, il comporte un écran scintillateur (9) convertissant un rayonnement X en un rayonnement lumineux dans la bande de longueurs d'onde auxquelles sont sensibles les photodiodes (Dp). 15. Détecteur d'image mettant en oeuvre le procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 14, comportant une matrice (2) de points photosensibles (P1 à P25), un circuit de commande ligne (3), chaque point photosensible (P1 à P25) comprenant un élément interrupteur (Dc, T) monté en série avec une photodiode (Dp), les points photosensibles étant disposés d'une part, en lignes (L1 à L5) comprenant chacune un conducteur ligne (VI à Y5) relié au circuit de commande ligne (3), et d'autre part en colonnes (CLI à CL5) comprenant chacune un conducteur colonne (X1 à X5), le circuit de commande ligne (3) délivrant aux conducteurs ligne, dans une phase qui précède une phase de prise d'image (Phi), une première impulsion (IP1,1c) permettant de conférer aux photodiodes (Dp) une tension de polarisation inverse dite initiale ayant une première valeur (VA3), des charges susceptibles d'être accumulées par chacun des points photosensibles (P1 à P25) durant la prise d'image entrainant une réduction de la tension de polarisation, les quantités de charges étant lues dans une phase de lecture (PHL) survenant après la phase de prise d'image (Phi), caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens (3, 11, 12) pour conférer, entre la phase de prise d'image (Phi) et la phase de lecture (PHL), une seconde valeur (Vrp) de tension de polarisation inverse uniquement à des photodiodes (Dp) dont la tension de polarisation inverse initiale a été réduite au-delà d'une valeur limite (Vlin) donnée. 16. Détecteur d'image suivant la revendication 15, caractérisé en ce que la seconde valeur (Vrp) de polarisation inverse est égale ou inférieure à ladite valeur limite (Vlin). 17. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 15 ou 16, caractérisé en ce qu'il comporte une source de tension (11, 12) coopérant avec le circuit de commande ligne (3) et les éléments interrupteurs (Dc, T), pour appliquer aux photodiodes (Dp) la seconde valeur de tension de polarisation inverse (Vrp). 18. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 15 ou 16 ou 17, caractérisé en ce que l'élément de commutation est une diode dite de commutation (Dc), et en ce que dans chaque point photosensible (P1 à P25), la diode de commutation (Dc) et la photodiode (Dp) sont montées en série entre un conducteur ligne (Y1 à Y5) et un conducteur colonne (X1 à X5) avec des sens de conduction inverses l'un par rapport à l'autre. 19. Détecteur d'image suivant la revendication 18, caractérisé en ce que avant la phase de prise d'image (Phi), le circuit de commande ligne (3) délivre sur les conducteurs lignes (Vi à Y5) une impulsion dite de polarisation (il1), dont l'amplitude (VP1) permet de définir la valeur (VA3) de la polarisation inverse initiale, et en ce que avant la phase de lecture, le circuit de commande ligne délivre une impulsion dite de repolarisation (Irp) dont l'amplitude (VP1') est inférieure à celle de l'impulsion de polarisation (IP1). 20. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 15 ou 16 ou 17, caractérisé en ce que l'élément de commutation est un transistor (T). 21. Détecteur d'image suivant la revendication 20, caractérisé en ce que une meme première extrémité (anode ou cathode) de toutes les photodiodes (Dp) est reliée à un potentiel (V1-) d'une tension de polarisation, et en ce que pour chaque point photosensible (P1' à P25'), le transistor (T) est relié par son drain (D) à un conducteur colonne (X1 à X5) et par sa grille (G) à un conducteur ligne (V1 à Y5) et enfin par sa source (S) à la seconde extrémité (cathode ou anode) de la photodiode (Dp). 22. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 20 ou 21, caractérisé en ce que le circuit de commande ligne (3) délivre aux grilles (G) des transistors (T), soit une tension dite "de blocage" (-Vg) dont l'application à la grille (G) d'un transistor met ce demier à l'état "bloqué", soit une tension dite de conduction (+Vg) ayant une polarité opposée à celle de la tension de blocage et dont l'application à la grille met le transistor à l'état "passant", ou bien encore une tension (Icr) dite de commande de repolarisation ayant une même polarité que celle de la tension de blocage (-Vg) et une valeur (Vcr) inférieure à celle de cette dernière, de manière à mettre à l'état "passant" uniquement des transistors (T) dont la tension entre la source (S) et le drain (D) est supérieure à une différence de potentiel donnée. 23. Détecteur d'image suivant la revendication 22, caractérisé en ce que la tension de blocage (-Vg) constitue un potentiel de repos des conducteurs lignes (Y1 à Y5). 24. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 22 ou 23, caractérisé en ce que la tension (Icr) dite de commande de repolarisation est appliquée sous la forme d'une impulsion à tous les conducteurs lignes (Vl à Y5) simultanément. 25. Détecteur d'image suivant l'une des revendications 15 à 24, caractérisé en ce que le détecteur d'image étant destiné à la détection d'images radiographiques, il comporte un écran scintillateur (9) convertissant un rayonnement X en un rayonnement lumineux dans la bande de longueurs d'onde auxquelles sont sensibles les photodiodes (Dp).