Brevet FR2769376A1 — publié le 19990409

PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF A GUIDE D'ONDES OPTIQUE UTILISANT UN SYSTEME A PLASMA COUPLE DE MANIERE INDUCTIVE CONTEXTE DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif pour communications optiques et plus particulièrement, un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique. 2. Description de l'art associé Un dispositif à guide d'ondes optique est un dispositif de transmission optique de base destiné à transmettre un signal optique, parmi divers composants optiques constituant un circuit à ondes de lumière. Le dispositif à guide d'ondes optique comprend des couches de revêtement supérieures et inférieures formées sur un substrat et un guide d'ondes optique destiné à effectuer un guidage d'ondes de la lumière formée entre les couches de revêtement supérieures et inférieures. Le guide d'ondes optique doit présenter un motif uniforme pour transmettre la lumière. Pour cela, un procédé pour former une couche de noyau sur la couche de revêtement inférieure et mettre en forme la couche de noyau est requis. La couche de noyau est mise en forme au moyen d'un procédé de gravure utilisant un système de gravure ionique réactive (RIE) tel que représenté sur la figure 1. Pour être plus spécifique, une couche de noyau et un motif de masque exposant une aire prédéterminée de la couche de noyau sont formées séquentiellement sur un substrat 40. Le motif de masque est habituellement formé de résine photosensible. Le substrat résultant 40 est chargé sur une électrode de cathode 43 du système de RIE, comme représenté sur la figure 1. L'énergie à radio fréquences (RF), générée par un générateur d'énergie à RF 41, est appliquée à une électrode de cathode 43 et une polarisation en courant continu (CC) est appliquée à une électrode supérieure 45, séparée d'une distance prédéterminée et opposée à la cathode 43. En même temps, un gaz réactif est délivré dans le système de RIE pour permettre à un plasma d'être généré depuis le gaz réactif par l'énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 43. Le plasma ainsi généré atteint le substrat 40 et réagit avec la couche de noyau exposée par le motif de masque, pour ainsi mettre en forme la couche de noyau. Le motif de masque, c'est- à-dire un motif de résine restant, est ensuite éliminé. Dans ce procédé de gravure utilisant le système de RIE, la vitesse de gravure est lente. Lorsque par exemple, une couche de silice est utilisée comme couche de noyau, la vitesse de gravure est très lente, à savoir d'environ 300 À/min. (30 nm/min.) à 500 A/min. (50 nm/min.). Ainsi, pour former un guide d'ondes optique par gravure d'une couche de noyau ayant une épaisseur d'environ 8gm ou davantage, une gravure pendant une durée d'environ 3 à 5 heures est requise. En conséquence, la productivité d'un processus de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique est dégradée. Un procédé d'augmentation de puissance à RF peut être utilisé pour augmenter la vitesse de gravure. Dans ce procédé, la concentration du plasma généré est augmentée en augmentant la puissance à RF, de manière à augmenter ainsi l'énergie pour la gravure. Toutefois, en augmentant la puissance à RF, un autre problème peut se produire en ce que la tension de polarisation en CC appliquée à l'électrode supérieure 45 augmente jusqu'à un niveau anormal. Cette augmentation de polarisation en CC peut endommager le guide d'ondes optique ou la couche de revêtement inférieure et le substrat. Ce type de détérioration diminue les caractéristiques d'un circuit à ondes de lumière comportant un dispositif à guide d'ondes optique. D'autre part, lorsque le motif de masque est formé de résine photosensible, un défaut du motif de résine peut être produit en raison d'une limitation de la résolution dépendant de l'épaisseur de la résine. Ce défaut du motif de résine peut générer des défauts dans le profil ou la forme du motif de couche de noyau, c'est-à-dire dans le guide d'ondes optique. Ainsi, une erreur de transmission optique peut être générée. Pour être plus spécifique, le guide d'ondes optique peut généralement être d'une hauteur d'environ 8 um. Ainsi, l'épaisseur du motif de résine requise pour un processus de gravure doit être maintenue sans être entièrement utilisée avant que la couche de noyau soit entièrement éliminée par gravure. Le rapport de sélection de gravure d'une couche de matériau, c'est-à- dire d'une couche de silice, utilisée comme couche de noyau, par rapport au motif de résine, est d'environ 1:1. Ainsi, un motif de résine ayant une épaisseur d'environ 10 pm ou davantage est requis pour graver une couche de noyau ayant une épaisseur d'environ 8 gm. La limitation de la résolution est accompagnée par le processus d'exposition et de développement, pour former le motif de résine ayant la grande épaisseur mentionnée ci-dessus. En conséquence, des défauts de motif de résine peuvent être générés par l'exposition ou des défauts de développement. Un défaut peut également être généré sur le profil ou forme du motif de couche de noyau, c'est-à-dire le guide d'ondes optique obtenu par le processus de mise en forme de la couche de noyau, utilisant le motif de résine défectueux. RESUME DE L'INVENTION Pour résoudre les problèmes ci-dessus, un but de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique, par lequel la productivité est accrue dès lors qu'un processus de mise en forme d'une couche de noyau peut être exécuté à grandes vitesses. Un autre but de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique par lequel le profil, la forme ou un autre aspect d'un guide d'ondes optique formé au moyen d'un motif de masque plus mince peut être amélioré par l'introduction d'un motif de masque ayant une sélectivité de gravure élevée par rapport à une couche de noyau. Pour atteindre le premier but, dans un procédé de fabrication d'un guide d'ondes optique, d'abord une couche de revêtement inférieure, puis une couche de noyau, sont formées sur un substrat. La couche de noyau peut être une couche de silice, une couche polymère optique ou une couche d'oxyde de monocristal. Un motif de masque exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. Le motif de masque est formé par une couche de résine photosensible, une couche de silicium amorphe ou une couche de siliciure. Comme alternative, le motif de masque peut être formé par une couche métallique telle qu'une couche de chrome ou une couche de titane. La couche métallique est formée par pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons. L'étape de formation du motif de masque peut être exécutée comme suit. Un motif de résine photosensible, exposant la couche de noyau, est formé sur la couche de noyau. La couche métallique est formée sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine. Un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau, est formé en supprimant le motif de résine tout en supprimant simultanément une partie de la couche métallique formée sur le motif de résine. Comme alternative, l'étape de formation du motif de masque peut être réalisée comme suit. La couche métallique est formée sur la couche de noyau. Un motif de résine photosensible, exposant la couche métallique, est formé sur la couche métallique. Un motif de masque métallique exposant, la couche de noyau, est réalisé en mettant en forme la couche métallique exposée, en utilisant le motif de résine comme masque. L'étape de mise en forme de la couche métallique exposée est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche ou humide. Le substrat comportant le motif de masque est formé sur une électrode de cathode d'un système à plasma à couplage inductif comportant l'électrode de cathode, une électrode supérieure opposée à l'électrode de cathode par intervalles prédéterminés et une bobine à plasma couplée de manière inductive intercalée entre l'électrode supérieure et l'électrode de cathode. Un plasma provenant d'un gaz de réaction est généré en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergie à RF à l'électrode de cathode et à la bobine à plasma couplée de manière inductive, pour mettre en forme sur la couche de noyau exposée par le motif de masque, et obtenir un guide d'ondes optique. Le gaz de réaction comprend un gaz fluorure tel qu'un gaz de tétrafluorure de carbone ou un gaz d'hexafluorure de soufre. Puis, une couche de revêtement supérieure couvrant le guide d'ondes optique est formée. Pour atteindre le deuxième but, dans un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, une couche de revêtement inférieure et une couche de noyau sont formées en séquence sur un substrat. La couche de noyau peut être une couche de silice, une couche polymère optique ou une couche d'oxyde de monocristal. Un motif de masque métallique exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. Le motif de masque métallique est formé par une couche de chrome ou une couche de titane. Le motif de masque métallique est formé par pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons. L'étape de formation du motif de masque métallique est exécutée comme suit. Un motif de résine photosensible exposant la couche de noyau est formé sur la couche de noyau. La couche métallique est formée sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine. Un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau, est formé en supprimant le motif de résine tout en supprimant simultanément une partie de la couche métallique formée sur le motif de résine. Comme alternative, l'étape de formation du motif de masque métallique peut être réalisée comme suit. La couche métallique est formée sur la couche de noyau. Un motif de résine photosensible, exposant la couche métallique, est formé sur la couche métallique. Un motif de masque métallique exposant la couche de noyau est réalisé en mettant en forme la couche métallique exposée en utilisant le motif de résine comme masque. L'étape de mise en forme de la couche métallique exposée est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche ou humide. Le substrat comportant le motif de masque métallique est formé sur une électrode de cathode d'un système à plasma à couplage inductif comportant l'électrode de cathode, une électrode supérieure opposée à l'électrode de cathode par intervalles prédéterminés et une bobine à plasma couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure et l'électrode de cathode. Un plasma provenant d'un gaz de réaction est généré en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergie à RF à l'électrode de cathode et à la bobine à plasma couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau exposée par le motif de masque, et obtenir un guide d'ondes optique. Le gaz de réaction comprend un gaz fluorure tel qu'un gaz de tétrafluorure de carbone ou un gaz d'hexafluorure de soufre. Puis, une couche de revêtement supérieure couvrant le guide d'ondes optique est formée. Selon la présente invention, la productivité est augmentée car un processus de mise en forme de la couche de noyau peut être exécuté à grandes vitesses. Un motif de masque ayant une sélectivité de gravure élevée par rapport à la couche de noyau est également utilisé, permettant ainsi une amélioration du profil ou de la forme du guide d'ondes optique formé en réalisant un motif de masque plus mince. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Les buts et avantages de la présente invention ci- dessus deviendront plus clairs en décrivant en détail des modes de réalisation préférés de celle-ci en référence aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une coupe transversale d'un système de gravure ionique réactive RIE; les figures 2 à 5 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de réalisation d'un motif de masque utilisé pour fabriquer un dispositif à guide d'ondes optique selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant une étape de fabrication d'un guide d'ondes optique utilisant le motif de masque réalisé selon le premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 7 est une coupe transversale d'un système à plasma couplé de manière inductive utilisé pour fabriquer un guide d'ondes optique; la figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant une étape d'achèvement du dispositif à guide d'ondes optique selon le premier mode de réalisation de la présente invention; et les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. DESCRIPTION DES MODES DE REALISATION PREFERES Les modes de réalisation de la présente invention peuvent être modifiés en diverses autres formes et la portée de la présente invention ne doit pas être interprétée comme étant limitée par les modes de réalisation. Les modes de réalisation sont fournis pour expliquer plus complètement la présente invention aux hommes de l'art. Sur les dessins, les formes ou autres éléments sont exagérés ou simplifiés pour la clarté. Des numéros de référence semblables sur les dessins indiquent les mêmes éléments. Les figures 2 à 5 sont des vues en coupe transversale illustrant un procédé de réalisation d'un motif de masque utilisé pour fabriquer un dispositif à guide d'ondes optique selon un premier mode de réalisation de la présente invention. La figure 2 montre l'étape de formation d'une couche de revêtement inférieure 200 et d'une couche de noyau 300 sur un substrat 100. Pour être plus spécifique, la couche de revêtement inférieure 200 et la couche de noyau 300 sont formées en séquence sur un substrat plat 100 fait de silicium ou de verre. La couche de noyau 300 est ultérieurement mise en forme pour obtenir un guide d'ondes optique. Ainsi la couche de noyau 300 est formée d'un matériau à travers lequel la lumière peut être guidée ou se propager. La couche de noyau 300 est également formée d'un matériau ayant un indice de réfraction plus élevé que celui de la couche de revêtement inférieure 200. Dans le cas, par exemple, d'un guide d'ondes optique en silice, une couche de silice contenant du silicium oxydé (SiO2) comme composante principale est utilisée comme couche de noyau 300. Comme alternative, la couche de noyau 300 peut être formée par une couche de matériau organique telle qu'une couche d'oxyde de monocristal ou un polymère optique. Le présent mode de réalisation prend comme exemple le cas de l'utilisation d'une couche de silice comme couche de noyau 300, mais la présente invention n'est pas limitée à ce mode de réalisation. La figure 3 montre l'étape de formation d'un motif de résine photosensible 450 sur la couche de noyau 300. Pour être plus spécifique, le motif de résine 450 exposant une aire prédéterminée de la couche de noyau 300 est formé sur la couche de noyau 300. Le motif de résine 450 couvre ici une portion de la couche de noyau 300 destinée à être gravée ultérieurement. La figure 4 montre l'étape de formation d'une couche métallique 500 sur l'ensemble de la surface de la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine 450. La couche métallique 500 est formée sur l'ensemble de la surface de la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine 450. La couche métallique 500 est formée d'un métal ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau 300. Par exemple, lorsque la couche de silice est utilisée comme couche de noyau 300, la couche métallique 500 est formée de titane (Ti) ou de chrome (Cr). La couche métallique 500 est de préférence formée de chrome (Cr). La couche métallique 500 est formée par un procédé de dépôt utilisant un système de pulvérisation ou un système de dépôt par faisceau d'électrons. La figure 5 montre l'étape de formation d'un motif de masque 550. Le motif de masque 550 est formé par suppression du motif de résine 450 et de la couche métallique 500 formée sur le motif de résine 450 en utilisant un procédé de pelage. Le procédé de pelage est exécuté en utilisant un solvant chimique. Le solvant chimique doit être ici capable de dissoudre et d'éliminer le motif de résine 450 en fonction de la qualité du matériau du motif de résine 450. De l'acétone ou analogue par exemple, est utilisée comme solvant chimique. Le solvant chimique dissout et élimine le motif de résine 450. Lorsque le motif de résine 450 est dissout, la couche métallique 500 déposée sur le motif de résine 450 est également éliminée. Ainsi, seule la couche métallique 500 directement déposée sur la couche de noyau 300 exposée par le motif de résine 450 subsiste, formant ainsi le motif de masque 550. Comme décrit ci-dessus, le motif de masque 550 est formé d'un matériau ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau inférieure 300. En conséquence, le motif de masque 550 peut être formé de manière plus mince qu'un motif de masque formé de résine photosensible. Ainsi, le motif de masque métallique 550 peut être formé précisément par le procédé de pelage. Le présent mode de réalisation décrit le motif de masque 550 formé par la couche de chrome comme décrit ci-dessus, mais le matériau du motif de masque 550 peut varier en fonction du matériau de la couche de noyau 300 destinée à recevoir un motif ultérieurement. Le motif de masque 550 peut utiliser une couche métallique telle que par exemple, une couche de titane, une couche polymère telle qu'une couche de résine photosensible, une couche d'oxyde telle qu'une couche de silicium oxydé, une couche diélectrique telle qu'une couche de silicium amorphe ou une couche de siliciure. La figure 6 est une vue en coupe transversale illustrant une étape de formation d'un guide d'ondes optique 350 par formation de motif sur la couche de noyau 300. La figure 7 est une coupe transversale d'un système à plasma couplé de manière inductive (ICP) utilisé pour former le guide d'ondes optique 350. Le système à ICP comprend une électrode de cathode 600, d'une électrode supérieure 700 séparée d'une distance prédéterminée, et opposée à l'électrode de cathode 600, et d'une bobine à ICP 900. Une première énergie à RF générée par un premier générateur d'énergie à RF 800 est appliquée à l'électrode de cathode 600 et une polarisation en CC (courant continu) est appliquée à l'électrode supérieure 700. Une deuxième énergie à RF est également appliquée à la bobine à ICP 900. L'ensemble de la configuration du système à ICP est similaire à celle d'un système à RIE classique, à l'exception du fait que la bobine à ICP 900 est introduite et que la deuxième énergie à RF est appliquée à la bobine à ICP 900. Comme décrit ci-dessus, un substrat 100 sur lequel la couche de noyau 300 et le motif de masque 550 sont formés est chargée sur l'électrode de cathode 600 du système à ICP. Un gaz réactif est délivré au système à ICP par l'intermédiaire d'une ligne de fourniture de gaz (non représentée). Une première énergie à RF est appliquée à l'électrode de cathode 600, une deuxième énergie à RF est appliquée à la bobine à ICP et une polarisation en CC est appliquée à l'électrode supérieure 700. Les éléments du gaz de réaction délivré dans le système à ICP sont excités dans une phase de plasma par les première et deuxième énergies à RF respectivement appliquées à l'électrode de cathode 600 et à la bobine à ICP 900. Le plasma est ici généré sous diverses formes en fonction de conditions telles que la première énergie à RF, la deuxième énergie à RF, la pression partielle dans le système à ICP, le type de gaz de réaction, la quantité de gaz de réaction fournie ou la sortie du système à ICP. Le plasma contient des éléments du gaz de réaction, qui sont des ions excités par le gaz de réaction, un radical réactif, des électrons, etc. Les ions excités sont ici accélérés par la première énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et les ions accélérés entrent en collision avec le substrat 100. Ce bombardement ionique provoque la gravure sélective de la couche de noyau 300 exposée par le motif de masque 550. A ce moment, le mouvement des électrons (e) dans le plasma est modifié par la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 900. C'est-à-dire que les électrons du plasma exécutent un mouvement en spirale ainsi qu'un mouvement rectiligne. En conséquence, les électrons et les éléments du gaz de réaction ou les électrons et les ions du plasma ont davantage de chances d'entrer en collision entre eux. Ainsi, la probabilité de génération de plasma augmente, augmentant ainsi la concentration de plasma. L'augmentation de la concentration de plasma indique une augmentation de la concentration des ions dans le plasma, radicaux ou électrons. Cette augmentation d'ions, etc., augmente l'effet de bombardement ionique, permettant ainsi une gravure plus rapide de la couche de noyau 300 exposée par le motif de masque 550. Dans le présent mode de réalisation, un gaz de réaction comportant un gaz fluorure est utilisé comme gaz de réaction. Un gaz de tétrafluorure de carbone (CF4) par exemple, pouvant générer des ions fluorure de carbone (CFx+) et un radical fluorure ou un gaz hexafluorure de soufre (SF6) pouvant générer des ions hexafluorure de soufre et un radical fluorure, est fourni comme gaz de réaction. Ce gaz fluorure fourni est excité dans une phase plasma par la première énergie à RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 900. A ce moment, CFx, CFx, Fx, F+, F et des électrons (e) existent à l'intérieur du plasma qui est généré lorsque CF4 est utilisé comme gaz de réaction. SFX, SFX +, Fx, F, F et e existent à l'intérieur d'un plasma qui est généré lorsque SF6 est utilisé comme gaz de réaction. F: ou CFx est ici accéléré par la première énergie RF appliquée à l'électrode de cathode 600 et entre en collision avec le substrat 100. En conséquence, la couche de noyau 300 est gravée par le bombardement ionique dû à F+ ou CFX+ Comme décrit ci-dessus, la concentration d'ions qui provoque le bombardement ionique dû au mouvement en spirale de e à l'intérieur du plasma par la deuxième énergie à RF appliquée à la bobine à ICP 800, telle que F ou CFx+ est augmenté. Ainsi, la vitesse de gravure de la couche de noyau 300 devient plus grande. Dans le présent mode de réalisation, un guide d'ondes optique 350 ayant une épaisseur d'environ 8 gm ou davantage peut être formée en utilisant des conditions de gravure concrètes données en exemple ultérieurement. Environ 10 sccm (centimètres cubes standards par minute) à 50 sccm par exemple, de SF6 ou CF4 sont délivrés à un système à ICP. La pression d'air dans le système à ICP est ici maintenue à environ 3 à mTorr (0,4 à 4 Pa). Environ 10 à 400 W de la première énergie à RF sont également appliqués à l'électrode de cathode 600 et environ 100 à 1500 W de la deuxième énergie à RF sont appliqués à la bobine à ICP 900. Dans les conditions de gravure décrites ci-dessus, la couche de silice utilisée comme couche de noyau 300 peut être gravée à une vitesse de gravure d'environ 3000 /min (300 nm/min.) ou davantage. Lorsqu'une couche de chrome est ici utilisée comme motif de masque 500, elle peut effectuer la sélectivité de gravure avec la couche de noyau 300 (c'est-àdire, la couche de chrome) d'environ 1:85. C'est-à-dire que lorsque la couche de chrome utilisée comme motif de masque 550 est consommée sur environ 1 A (0,1 nm), la couche de silice utilisée comme couche de noyau 300 est gravée sur une épaisseur d'environ 65 A (6,5 nm), puis éliminée. En conséquence, le motif de masque 550, c'est-à- dire la couche de chrome, peut être introduit de manière plus mince. Une couche de résine inférieure plus mince pour réaliser un motif sur la couche de chrome en utilisant le procédé de pelage peut également être introduite, permettant de réaliser le motif de résine avec une haute résolution. Ainsi, le profil ou forme du motif de couche de chrome formé par le procédé de pelage, c'est-à-dire le motif de masque 550, est amélioré, de sorte qu'un motif de masque 550 ayant un motif plus précis est obtenu. Un procédé de gravure exécuté dans la condition de gravure d'utilisation du gaz de la famille des fluorures fournit des caractéristiques de gravure hautement anisotropes. Ainsi, les parois latérales du guide d'ondes optique 350 sont inclinées presque à angles droits par rapport à la surface du substrat 100. C'est-à-dire que le guide d'ondes optique 350 ayant un excellent profil de parois latérales peut être obtenu, et des caractéristiques de parois latérales plus uniformes peuvent être obtenues. Selon le premier mode de réalisation de la présente invention, le guide d'ondes optique 350 d'une épaisseur de 8 Hm ou davantage, ayant un excellent profil peut être formé en une durée plus courte par l'effet décrit ci-dessus. La figure 8 est une vue en coupe transversale illustrant une étape d'achèvement du dispositif à guide d'ondes optique par formation d'une couche de revêtement supérieure 250 couvrant le guide d'ondes optique 350. Après que le motif de masque 550 restant sur le guide d'ondes 350 est éliminé, la couche de revêtement supérieure 250 couvrant le guide d'ondes 350 est formée. La couche de revêtement supérieure 250 est formée d'un matériau ayant un indice de réfraction inférieur au matériau du guide d'ondes 350. La couche de revêtement supérieure 250 est formée de préférence du même matériau que celui de la couche de revêtement inférieure 200. Les figures 9 à 11 sont des vues en coupe transversales illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les mêmes numéros de référence dans le deuxième mode de réalisation que ceux du premier mode de réalisation indiquent les mêmes éléments. Dans le premier mode de réalisation, le motif de masque 550 est réalisé par mise en forme de la couche métallique 500 en utilisant le procédé de pelage. Toutefois, dans le deuxième mode de réalisation, un motif de masque 550a est réalisé par mise en forme d'une couche métallique 500a en utilisant un processus de gravure sélective. En se référant à la figure 9, la couche de revêtement inférieure 200 et la couche de noyau 300 sont formées en séquence sur le substrat 100 comme dans le premier mode de réalisation. La couche métallique 500a ayant unegrande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau 300 est formée sur la couche de noyau 300 en fonction du matériau de la couche de noyau 300 à graver. La couche métallique 500a par exemple, est formée de Ti ou Cr. La couche métallique 500a est formée par pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons. La figure 10 est une vue en coupe transversale illustrant l'étape de formation du motif de masque 550a par mise en forme de la couche métallique 500a. Un motif de résine photosensible 450a, exposant une partie de la couche métallique 500a, est formé sur la couche métallique 500a. La couche métallique exposée 500a est gravée en utilisant le motif de résine 450a comme masque de gravure, réalisant ainsi le motif de masque 550a, c'est-à-dire un motif de masque métallique, exposant une partie de la couche de noyau 300. Un procédé de gravure humide ou un procédé de gravure sèche utilisant un plasma peut être utilisé pour graver la couche métallique 500a. Le motif de masque 550a est formé d'un métal ayant une grande sélectivité de gravure par rapport à la couche de noyau inférieure 300, de sorte qu'il peut être formé d'une manière mince. Le motif de résine 450a destiné à former le motif de masque 550a peut également être formé de manière mince, permettant ainsi la formation d'un motif de résine 450a de haute résolution. En conséquence, le profil ou la forme du motif de masque 550a est amélioré. La figure 11 est une vue en coupe transversale illustrant l'étape de formation d'un guide d'ondes optique 350 par mise en forme de la couche de noyau 300. Le guide d'ondes optique 350 est formé par gravure d'une partie de la couche de noyau exposée 300 en utilisant un procédé de gravure utilisant un système à ICP. La couche de noyau 300 est, par exemple, mise en forme de manière sélective par un gaz réactif tel que SF6 ou CF4. Ainsi, l'effet tel que décrit dans le premier mode de réalisation peut être obtenu. Puis, le masque de gravure restant 550a est éliminé, formant ainsi la couche de revêtement supérieure 250, comme représenté sur la figure 8. Comme décrit ci-dessus, la couche de noyau peut être mise en forme plus rapidement en utilisant le gaz de réaction tel que SF6 ou CF4, et le système à ICP qui peut générer des ions fluorure ou des ions fluocarbone. En conséquence, la productivité de fabrication du dispositif à guide d'ondes optique peut être améliorée. Une grande sélectivité de gravure avec la couche de noyau peut également être obtenue en introduisant un motif de masque métallique, etc., de sorte qu'un motif de masque plus mince peut être introduit. De plus, des caractéristiques de gravure fortement anisotropes peuvent être obtenues, permettant de former un excellent profil proche de la perpendicularité du guide d'ondes optique. La présente invention a été décrite en détail en référence aux modes de réalisation décrits ci-dessus, mais la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation. Il est évident qu'un grand nombre de modifications ou améliorations peuvent être réalisées à l'intérieur de l'esprit technique de la présente invention par les hommes de l'art. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, comprenant les étapes consistant à: former en séquence une couche de revêtement inférieure (200) et une couche de noyau (300) sur un substrat (100); former un motif de masque (550), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); charger le substrat (100) sur lequel le motif de masque (550) est formé, sur une électrode de cathode (600) d'un système à plasma couplé de manière inductive comportant l'électrode de cathode (600), une électrode supérieure (700), opposée à l'électrode de cathode (600) à intervalles prédéterminés, et une bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure (700) et l'électrode de cathode (600); générer un plasma à partir d'un gaz de réaction en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergies à RF (radiofréquence) à l'électrode de cathode (600) et à la bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau (300) exposée par le motif de masque (550) et obtenir un guide d'ondes optique (350); et former une couche de revêtement supérieure (250) couvrant le guide d'ondes optique (350). 2. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel la couche de noyau (300) est une couche choisie dans le groupe constituée d'une couche de silice, une couche polymère optique et une couche d'oxyde de monocristal. 3. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel le motif de masque est formé d'une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de résine photosensible, une couche de silicium amorphe et une couche de siliciure. 4. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel le motif de masque (550) est formé d'une couche métallique (500). 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel la couche métallique (500) est une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de chrome et d'une couche de titane. 6. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel la couche métallique (500) est formée par pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons. 7. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel l'étape de formation du motif de masque (550) comprend les sous-étapes consistant à: former un motif de résine photosensible (450), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); former la couche métallique (500) sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine (450); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par suppression du motif de résine (450) en supprimant simultanément une partie de la couche métallique (500) formée sur le motif de résine (450). 8. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 4, dans lequel l'étape de formation du motif de masque (550) comprend les sous-étapes consistant à: former la couche métallique (500) sur la couche de noyau (300); former un motif de résine photosensible (450), exposant la couche métallique (500), sur la couche métallique (500); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par mise en forme de la couche métallique (500) en utilisant le motif de résine (450) comme masque. 9. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 8, dans lequel l'étape de mise en forme de la couche métallique (500) est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche ou humide. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 1, dans lequel le gaz de réaction comprend un gaz fluorure. 11. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 10, dans lequel le gaz fluorure est choisi dans le groupe constitué de gaz tétrafluorure de carbone et de gaz hexafluorure de soufre. 12. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique, comprenant les étapes consistant à: former en séquence une couche de revêtement inférieure (200) et une couche de noyau (300) sur un substrat (100); former un motif de masque métallique (550a), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); charger le substrat (100) sur lequel le motif de masque métallique (500a) est formé, sur une électrode de cathode (600) d'un système à plasma couplé de manière inductive comportant l'électrode de cathode (600), une électrode supérieure (700), opposée à l'électrode de cathode (600) à intervalles prédéterminés, et une bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, intercalée entre l'électrode supérieure (700) et l'électrode de cathode (600); générer un plasma à partir d'un gaz de réaction en délivrant le gaz de réaction au système à plasma couplé de manière inductive et en appliquant respectivement une première et une deuxième énergies à RF à l'électrode de cathode (600) et à la bobine à plasma (900) couplée de manière inductive, pour mettre en forme la couche de noyau (300) exposée par le motif de masque (550a) et obtenir un guide d'ondes optique (350); et former une couche de revêtement supérieure (250) couvrant le guide d'ondes optique (350). 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel la couche de noyau (300) est une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de silice, une couche polymère optique et une couche d'oxyde de monocristal. 14. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel le motif de masque métallique est formé d'une couche choisie dans le groupe constitué d'une couche de chrome et une couche de titane. 15. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel la couche de masque métallique (500a) est formée par pulvérisation ou dépôt par faisceau d'électrons. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel l'étape de formation du motif de masque métallique (550a) comprend les sous-étapes consistant à: former un motif de résine photosensible (450a), exposant la couche de noyau (300), sur la couche de noyau (300); former la couche métallique (500a) sur la structure résultante sur laquelle est formé le motif de résine (450a); et former un motif de masque métallique, exposant la couche de noyau (300), par suppression du motif de résine (450a) en supprimant simultanément une partie de la couche métallique (500a) formée sur le motif de résine (450a). 17. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel l'étape de formation du motif de masque métallique (550a) comprend les sous-étapes consistant à: former la couche métallique (500a) sur la couche de noyau (300); former un motif de résine photosensible (450a), exposant la couche métallique (500a), sur la couche métallique (500a); et former un motif de masque métallique sur la couche de noyau (300) par mise en forme de la couche métallique (500a) en utilisant le motif de résine (450a) comme masque. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 17, dans lequel l'étape de mise en forme de la couche métallique (500a) est exécutée en utilisant un procédé de gravure sèche ou humide. 19. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 12, dans lequel le gaz de réaction comprend un gaz fluorure. 20. Procédé de fabrication d'un dispositif à guide d'ondes optique selon la revendication 19, dans lequel le gaz fluorure est choisi dans le groupe constitué de gaz tétrafluorure de carbone et de gaz hexafluorure de soufre.