Brevet FR2766619A1 — publié le 19990129

La présente invention a trait à des transistors à effet de champ à hétérostructure à efficacité de modulation accrue, dans lesquels une succession de couches à hétérostructure est déposée sur un substrat semiconducteur. Les nouveaux domaines d'application de l'électronique moderne des communications exigent l'utilisation de plages de fréquences toujours accrues. Il en résulte en permanence de nouvelles exigences en circuits intégrés, qui constituent les éléments fondamentaux des systèmes modernes. Il en résulte par conséquent l'exigence du développement de nouveaux transistors à faible bruit et à amplification de puissance améliorée pour des puissances de travail toujours accrues. Avec le développement d'un transistor à effet de champ à hétérostructure AlGaAs/GaAs (HFET), Mimura et al. (A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-Al(x)Ga(1-x)As heterojunctions. - Jpn. J.Appl.Phys., vol.19(5), pages 225-227, 1980) ont présenté pour la première fois un type de transistor entièrement nouveau. Un concept présenté expérimentalement par Dingle et ai. (Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices. - Appl.Phys.Lett., Vol.33(7), pages 665-667, 1987) d'un HFET avec dopage de modulation, dans ce cas l'appellation MODFET est également habituelle, est utilisé en vue de la fabrication de nouveaux transistors plus rapides. Dans ce concept, est importante une utilisation visée d'un effet quantique apparaissant dans une hétérotransition dans la zone de canal active pour le transport de porteurs de charge dans un gaz d'électrons dit bidimensionnel (2DEG) et les propriétés de transport considérablement améliorées vis-à-vis du cristal semiconducteur pur en raison de la séparation spatiale de porteurs de charge libres dans la région du canal et de centres d'impuretés ionisés fixes dans la région dopée d'une couche d'alimentation, en particulier, les valeurs de mobilité très élevées pour des concentrations en porteurs de charge simultanément plus élevées. Ce type de transistor à base des matériaux semiconducteurs se composant de silicium (Si) et d'alliages de silicium-germanium (Si/Ge) est du type à conduction p connu d'une publication (T.P. Pearsall et al.: GexSil-x modulation doped p-channel field-effect transistor. - Proc. t Intern. Symp. On Silicon MBE, Vol.85-7, pages 400-405, Mai 1985, Toronto, Canada; Ed. J.C. Bean, Electrochem. Soc., Pennington, N.J.). Le MODFET indiqué dans ces documents contient une succession de couches semiconductrices, se composant de couches alternées de silicium et d'alliages de silicium-germanium, qui permettent la structure d'un p-MODFET à canal conducteur p. Ce canal est également extrêmement limité spatialement par une influence voulue de la structure de bande dans le matériau semiconducteur et désigné par gaz de trous dit bidimensionnel (2DHG). On connaît en outre des MODFET à conduction n, à base également de matériaux semi- conducteurs Si et Si/Ge (brevet US N 4.710.788; demande de brevet européen 02 28 516 B1; brevets allemands DE 3.731.000 C2 et DE 4. 101.167 A1). Dans les publications US 4.710.788 et EP 02 28 516 B1, on produit, à l'aide d'une hétérotransition d'une succession de couches semiconductrices Si.:Gel /Si, un gaz d'électrons bidimensionnel (2DEG). Dans ce cas, des électrons sont essentiellement guidés à l'intérieur de la couche semiconductrice Si. Les publications DE 3.731.000 C2, DE 4.101.167 A1 et EP 06 83 522 A2 indiquent des possibilités d'utilisation et des variantes de dispositifs de semiconducteurs intégrés, qui sont constitués de HFET à canal p et à canal n, y compris la succession des différentes couches semiconductrices. La publication US 4.710.788 contient également des successions de couches hétérogènes à plusieurs canaux 2DEG, qui présentent cependant toujours entre des canaux adjacents une zone fortement dopée. Précisément, ces couches fortement dopées superposées se masquent mutuellement, de sorte qu'une commande des canaux conducteurs par la grille n'est encore possible que de façon limitée. Dans le cas de la réalisation d'un transistor à un seul canal, cet effet de masquage n'apparaît pas, cependant la conduction est limitée uniquement à une zone du gaz de porteurs de charge bidimensionnel. De plus, le nombre des porteurs de charge se trouvant dans un canal est n, et ainsi impose également une limite naturelle à une amélioration des propriétés du transistor. Une grandeur déterminant les propriétés du transistor est l'efficacité dite de modulation (Foisy, M.C. et al., IEEE Trans. Electr. Dev., Vol.35, N 7, pages 871- 877, 1988), qui constitue une mesure pour les porteurs de charge présents dans le gaz de porteurs de charge bidimensionnel à mobilité élevée. Des propriétés importantes du transistor comme la fréquence limite, la pente et la fréquence de transit sont positivement influencées par un accroissement de l'efficacité de modulation. La présente invention a par conséquent pour objet de proposer un transistor à effet de champ à hétérostructure (n-HFET ou p-HFET) du type indiqué dans le préambule avec une succession de couches à hétérostructure qui provoque globalement, vis-à-vis de l'état de la technique, une amélioration des propriétés du transistor. Ce problème est résolu par le fait qu'un empilage de couches de la succession de couches à hétérostructure se compose de plusieurs couches non dopées et au moins deux canaux à conduction n (n- HFET) ou deux canaux à conduction p (p-HFET) sont formés à travers au moins deux hétérotransitions. Selon une autre caractéristique, le transistor à effet de champ à hétérostructure utilise un substrat de silicium fortement ohmique avec une résistivité d'au moins 102Qcm. Selon une autre caractéristique, la succession de couches à hétérostructure, dans le cas d'un n-HFET, possède les caractéristiques suivantes: - une couche-tampon en un premier alliage de Si/Ge est déposée sur un substrat de silicium, - une première couche d'alimentation en un second alliage de Si/Ge est ensuite déposée, - un empilage de couches non dopé se composant de plusieurs couches alternées d'une couche de silicium non dopée et d'une couche non dopée en un troisième alliage de Si/Ge est ensuite déposé, de manière à obtenir plusieurs hétérotransitions et à former ainsi plusieurs canaux à conduction n, - une seconde couche d'alimentation en un quatrième alliage Si/Ge est ensuite déposée, - une couche de recouvrement non dopée en silicium termine la succession de couches à hétérostructure, - sur la couche de recouvrement, l'électrode de commande forme un contact Schottky, ou l'électrode de commande est réalisée en tant que contact MOS, se composant d'un oxyde et d'une couche métallique. Selon une autre caractéristique, la première couche d'alimentation possède un dopage p avec 1014 à 1010 atomes par cm- en vue du réglage de la tension de seuil, qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium de la première couche-tampon, et de la première couche d'alimentation est de l'ordre de 20 à 50% atomiques et s'élève de préférence à 30 à 40% atomiques. Selon une autre caractéristique, la première couche d'alimentation contient un premier dopage n, qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche et un dopage p de la couche-tampon est alors omis. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium du troisième alliage non dopé Si/Ge est de l'ordre de 20 à 50% atomiques. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium de la seconde couche d'alimentation est de l'ordre de 20 à 60% atomiques et de préférence de 30 à 40% atomiques. Selon une autre caractéristique, la seconde couche d'alimentation contient un second dopage n, qui est éloigné de 2 à 10 nm du côté inférieur de la couche. Selon une autre caractéristique, la succession de couches à hétérostructure, dans le cas d'un p-HFET, possède les caractéristiques suivantes: - une couche-tampon en un premier alliage de Si/Ge est déposée sur un substrat de silicium - une première couche d'alimentation en un second alliage de Si/Ge est ensuite déposée, - une multihétérostructure non dopée se composant de plusieurs couches alternées d'une couche non dopée en un troisième alliage de Si/Ge et d'une couche non dopée en un quatrième alliage de Si/Ge à teneur en Ge accrue est ensuite déposée, de manière à former à travers plusieurs hétérotransitions, plusieurs canaux à conduction p, - une seconde couche d'alimentation en un cinquième alliage de Si/Ge est ensuite déposée, - une couche de recouvrement non dopée en silicium termine ensuite la succession de couches à hétérostructure, - sur la couche de recouvrement, l'électrode de commande forme un contact Schottky ou l'électrode de commande est réalisée en tant que contact MOS, se composant d'un oxyde et d'une couche métallique. Selon une autre caractéristique, la première couche d'alimentation possède un dopage n avec 1014 à 1016 atomes par cm3 en vue du réglage de la tension de seuil, qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium de la couchetampon est comprise entre 5 et 100% atomiques et croît continûment à un écartement croissant du substrat de 7% atomiques jusqu'à la valeur maximale et la première couche d'alimentation possède une teneur en germanium constante de la valeur maximum atteinte de la première couche-tampon. Selon une autre caractéristique, la première couche d'alimentation contient un premier dopage p, qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche et un dopage n de la couche d'alimentation est alors omis. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium du troisième alliage de Si/Ge non dopé est de l'ordre de 50 à 90% atomiques et la teneur en germanium du quatrième alliage de Si/Ge non dopé est comprise entre 60 et 100% atomiques. Selon une autre caractéristique, la teneur en germanium de la seconde couche d'alimentation est comprise entre 5 et 100 atomiques, la teneur en germanium diminuant à épaisseur de couche croissante. Selon une autre caractéristique, la seconde couche d'alimentation contient un deuxième dopage p. qui est éloigné de 2 à 10 nm du côté inférieur de la couche. Selon une autre caractéristique, l'écartement entre l'électrode de commande et le canal conducteur supérieur est réglable, au moins l'épaisseur de la couche de contact étant réduite à proximité de la grille. Dans la succession de couches à hétérostructure, se trouvent, dans le nHFET, plusieurs zones avec 2DEG ou dans le p-HFET, plusieurs zones avec 2DHG, qui peuvent être commandées par une grille de transistor ou également plusieurs grilles de transistors sans se masquer mutuellement. Simultanément, davantage de porteurs de charge ns à mobilité élevée sont également disponibles à travers plusieurs canaux. Ainsi, l'invention présente l'avantage que, vis- à-vis de l'état de la technique, on obtient des pentes de transistor sensiblement accrues, qui permettent d'espérer des temps de commutation plus courts, en particulier dans des circuits intégrés. En outre, d'autres propriétés particulièrement importantes pour la technique en haute fréquence, comme la fréquence de transit et la fréquence limite augmentent également. L'invention sera expliquée ci-après plus en détail à l'aide d'exemples de réalisation en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la Figure 1 est une coupe schématique à travers un HFET à deux canaux en vue de l'explication de la succession de couches, la Figure 2 est une coupe schématique à travers un HFET, qui est réalisé en tant que n-MODFET à deux canaux, la Figure 3 représente un calcul de simulation de l'allure de la structure de bande et de la concentration en électrons du n-MODFET à deux canaux selon la Figure 2, la Figure 4 est une coupe schématique d'un HFET, réalisé en tant que p-MODFET à deux canaux. Dans l'exemple de réalisation selon la Figure 1, on a représenté une succession de couches d'un HFET. On utilise en tant que substrat 1 du silicium monocristallin usuel dans la fabrication des semiconducteurs, d'orientation (100), qui possède une résistivité de, par exemple, 103 2cm. On empêche ainsi des capacités parasites gênantes et des courants de fuite dans le matériau du substrat. Sur le substrat de Si, on fait croître sur toute la surface, par exemple par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), la succession de couches. En vue du réglage des propriétés électriques et/ou mécaniques des canaux conducteurs, on dépose ensuite sur le substrat une couche- tampon 2 se composant, par exemple, de Sic,7Ge0,3 non dopé. La couche- tampon 2 dans son ensemble possède une épaisseur d'environ 1 pm. Elle a pour effet que des défauts cristallins sont de préférence localisés à la couche-limite entre le substrat 1 et la couche-tampon 2 et une répartition précise des contraintes mécaniques grâce à la composition de l'alliage SixGel-x pour les couches semiconductrices suivantes. Vient ensuite une première couche d'alimentation 3, qui est dopée p à l'aide de bore, par exemple jusqu'à 10 nm au-dessous de la surface de la couche. Cette couche sert au réglage de la tension de seuil du transistor. A la première couche d'alimentation 3 succède l'empilage de couches 4, se composant d'une couche de Si non dopé 41 d'environ 5 nm d'épaisseur, dans laquelle se forme le canal d'électrons bidimensionnel souhaité, ainsi qu'une couche 42 de Sic, Gen,, d'environ 3 nm d'épaisseur, également non dopée. Par répétition des deux couches 41 et 42, on prépare, en vue de la conduction, d'autres canaux d'électrons. Les couches 41 et 42 sont d'épaisseur et de composition inférieures à l'épaisseur de couche critique précitée pour les paramètres de croissance utilisés. Sur l'empilage de couches 4, on dépose une autre couche d'alimentation 5, par exemple de composition Si,ruGe0,3. Cette seconde couche d'alimentation 5 pourrait également être en un alliage de Si.Ge,-, dont la teneur en Ge diminue continûment. La teneur en Ge est au plus de 5 à 30% atomiques à la surface- limite à la seconde couche d'alimentation et diminue à épaisseur de couche croissante jusqu'à environ 0% atomique. Grâce à une diminution continue de la teneur en Ge, on évite un saut de bande de conduction à la transition avec la couche de recouvrement 6. Une couche de recouvrement 6 en silicium non dopé, qui possède une épaisseur d'environ 5 nm, achève la succession de couches à hétérostructure. Sur la couche 6, on dépose les contacts 11, 12 et 13 nécessaires pour un transistor à effet de champ. L'écartement de l'électrode de commande 12 du canal à conduction n supérieur peut être obtenu par une réduction de l'épaisseur de la couche de recouvrement 6. Ceci peut également être obtenu localement à proximité de l'électrode de commande 12 par une opération de gravure. Une implantation ionique 10, qui s'étend à proximité des bornes de source et de drain 11 et 13 de la couche 2 à 6, assure un contact faiblement ohmique des deux électrodes. Dans l'exemple de réalisation selon la Figure 2, on fait à nouveau croitre une couche-tampon 2 sur un substrat 1. On réalise dans la première couche d'alimentation 3 suivante par exemple avec de l'antimoine, un dopage n 8 mince (environ 2 nm) limité spatialement, grâce auquel on obtient une concentration élevée en électrons dans les canaux. Dans ce cas, en raison du dopage n 8 présent, un dopage p 7 de réglage de la tension de seuil peut être omis dans la couche d'alimentation 3. A la première couche d'alimentation 3 succède, de manière analogue au premier exemple, l'empilage de couches avec par exemple deux canaux à conduction n. A l'intérieur d'une seconde couche d'alimentation 5, se trouve, de manière analogue à la première couche d'alimentation 3, une zone 9 dopée n, qui se trouve à proximité de la surface-limite de la couche 4, sans toutefois la toucher. Ce dopage 9 a également pour but d'assurer un accroissement de la concentration en électrons dans les canaux. On réalise également ensuite de façon analogue au premier exemple, une couche de recouvrement 6, sur laquelle sont disposées les électrodes de commande du transistor. La Figure 3 représente un calcul de simulation de l'allure de la structure de bande et de la concentration en électrons du n-MODFET à deux canaux selon la Figure 2. L'allure de la bande de conduction E. et de la bande de valence Ev est représentée en référence au niveau de Fermi EF. Dans l'allure de la bande de conduction, sont visibles les deux canaux obtenus par la succession de couches à hétérostructure du DEG bidimensionnel, générés par les couches 41 et 42. Les chiffres de référence portés dans la bande de correction correspondent à ceux de la Figure 2. L'accroissement obtenu, grâce à la succession de couches à hétérostructure, de l'efficacité de modulation est indiqué par la concentration en électrons n(x), qui présente dans les canaux deux maxima distincts 14 et 15. Les porteurs de charge qui se déplacent à l'intérieur des canaux présentent une mobilité de porteurs de charge accrue par rapport aux porteurs de charge 16 qui circulent à proximité de la couche de dopage 8. Le saut de bande de conduction généré près de la surface par le contact des couches 5 et 6 est sans importance pour les propriétés électriques du transistor, car l'allure de la bande s'y trouve bien au- dessus du niveau de Fermi et ainsi on y trouve uniquement une concentration en électrons extrêmement faible. La teneur en Ge décroissante proposée en variante dans la structure de couche dans la couche 5 provoque éventuellement l'élimination complète du saut de bande de conduction. En outre, dans l'allure de la concentration en électrons représentée, on obtient que la zone dopée 9 dans la couche 5 est occupée uniquement par peu de porteurs de charge et ainsi, dans une variante, on peut également omettre complètement ce dopage 9. Sur la Figure 4 on a représenté la succession de couches d'un p-MODFET. En tant que substrat 1, on utilise à nouveau du silicium monocristallin d'orientation (100), qui possède une résistivité de par exemple 10 0cm. Au substrat de Si succède tout d'abord, obtenu par exemple par épitaxie par faisceau moléculaire (MBE), en vue du réglage des propriétés électrique et/ou mécaniques des canaux conducteurs sur le substrat, une couche-tampon 2, se composant d'un alliage de Six.Gel-, non dopé d'une épaisseur totale de par exemple 4000 nm, dont la teneur en Ge croit par exemple continûment. La teneur en Ge est à la surface- limite avec le substrat 1 d'environ 52z atomiques au moins et croît audessus de la couche jusqu'à environ 70% atomiques. A celle- ci succède une première couche d'alimentation 3 d'une épaisseur d'environ 500 nm à teneur en Ge constante de 70% atomiques. A l'intérieur de cette couche d'alimentation 3 on réalise, par exemple à l'aide de bore, un dopage 8 mince (environ 2 nm), limité spatialement. A la première couche d'alimentation 3 succède l'empilage de couches, se composant d'une couche de SiO,3GeO,7 non dopée d'environ 3 nm d'épaisseur, ainsi que d'une couche 42 de Si0,1Ge0,9 d'environ 5 nm d'épaisseur déposée au-dessus, dans laquelle se forme le canal de trous bidimensionnel souhaité, qui est également non dopé. Les couches 41 et 42 se répètent une autre fois, de sorte qu'il est formé un second canal de trous bidimensionnel. Par répétition multiple des deux couches 41 et 42, on peut préparer pour la conduction d'autres canaux de trous. Une seconde couche d'alimentation de composition Si.Ger,-, avec une épaisseur d'environ 20 nm est déposée sur la couche 42. Une couche de recouvrement 6 en silicium non dopé, qui possède une épaisseur d'environ 5 nm, termine la succession de couches à hétérostructure. Sur la couche 6 on dépose, de manière analogue à l'exemple 1, les contacts 11, 12 et 13 nécessaires pour un transistor à effet de champ. L'invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation indiqués, mais est applicable à d'autres exemples. Par exemple, on peut imaginer de former également avec d'autres matériaux, comme par exemple GaAs/GaAlAs, une hétérostructure de couches comparable à l'objet de l'invention. R E V E N D I C A T I ON S 1. Transistor à effet de champ à hétérostructure à efficacité de modulation élevée dans lequel une succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6) est déposée sur un substrat semiconducteur (1), caractérisé en ce qu'un empilage de couches de la succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6) se compose de plusieurs couches non dopées (41, 42) et au moins deux canaux à conduction n (n-HFET) ou deux canaux à conduction p (p- HFET) sont formés à travers au moins deux hétéro- transitions. 2. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un substrat de silicium fortement ohmique (1) de résistivité d'au moins 102Qcm est utilisé. 3. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6) possède dans le cas d'un n- HFET les caractéristiques suivantes: - une couche-tampon (2) en un premier alliage de Si/Ge est déposée sur un substrat de silicium (1), - une première couche d'alimentation (3) en un second alliage de Si/Ge est ensuite déposée, - un empilage de couches non dopé (4), se composant de plusieurs couches alternées d'une couche de silicium non dopé (41) et d'une couche non dopée en un troisième alliage de Si/Ge (42), est ensuite déposé de manière à obtenir plusieurs hétérotransitions et ainsi à former plusieurs canaux à conduction n, - une seconde couche d'alimentation (5) en un quatrième alliage Si/Ge est ensuite déposée, - une couche de recouvrement non dopée (6) en silicium termine ensuite la succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6), - sur la couche de recouvrement (6), l'électrode de commande (12) forme un contact Schottky, ou l'électrode de commande est réalisée en tant que contact MOS, se composant d'un oxyde et d'une couche métallique. 4. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 3, caractérisé en ce que la première couche d'alimentation (3) possède un dopage p (7) avec 1014 à 1016 atomes par cm en vue du réglage de la tension de seuil, qui est éloignée de 2 à 10 nm de la surface de la couche. 5. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 3, caractérisé en ce que la teneur en germanium de la première couche-tampon (2), et de la première couche d'alimentation (3) est comprise entre 20 et % atomiques et s'élève de préférence à 30 à 40% atomiques. 6. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche d'alimentation (3) contient un premier dopage n (8), qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche et un dopage p (7) de la couche-tampon est alors omis. 7. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 3, caractérisé en ce que la teneur en germanium du troisième alliage Si/Ge non dopé (42) est comprise entre 20 et 50% atomiques. 8. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 3, caractérisé en ce que la teneur en germanium de la seconde couche d'alimentation (5) est comprise entre 20 et 60% atomiques et s'élève de préférence de 30 à 40% atomiques. 9. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la seconde couche d'alimentation (5) contient un second dopage n (9), qui est éloigné de 2 à nm du côté inférieur de la couche. 10. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6), dans le cas d'un p-HFET, possède les caractéristiques suivantes: - une couche-tampon (2) en un premier alliage de Si/Ge est déposée sur un substrat de silicium (1), - une première couche d'alimentation (3) en un second alliage de Si/Ge est ensuite déposée, une multihétérostructure non dopée se composant de plusieurs couches alternées d'une couche non dopée en un troisième alliage de Si/Ge (41) et d'une couche non dopée en un quatrième alliage de Si/Ge (42) à teneur accrue en Ge est ensuite déposée, de manière à former plusieurs canaux à conduction p dans plusieurs hétérotransitions, - une seconde couche d'alimentation (5) en un cinquième alliage de Si/Ge est ensuite déposée, une couche de recouvrement non dopée (6) en silicium termine ensuite la succession de couches à hétérostructure (2, 3, 4, 5, 6), - sur la couche de recouvrement (6), l'électrode de commande (12) forme un contact Schottky ou l'électrode de commande est réalisée en tant que contact MOS, se composant d'un oxyde et d'une couche métallique. 11. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 10, caractérisé en ce que la première couche d'alimentation (3) possède un dopage n (7) avec 1014 à 101 atomes par cm- en vue du réglage de la tension de seuil, qui est éloigné de 2 à 10 nm de la surface de la couche. 12. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 10, caractérisé en ce que la teneur en germanium de la couche-tampon (2) s'élève de 5 à 100% atomiques et croît continûment à écartement croissant du substrat de 5% atomiques jusqu'à la valeur maximale et la première couche d'alimentation (3) possède une teneur en germanium constante de la valeur maximale atteinte de la première couche-tampon (2). 13. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première couche d'alimentation (3) contient un premier dopage p (8), qui est éloigné de 2 à nm de la surface de la couche et un dopage n de la couche d'alimentation (3) est alors omis. 14. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 10, caractérisé en ce que la teneur en germanium du troisième alliage de Si/Ge non dopé (41) est compris entre 50 et 90- atomiques et la teneur en germanium du quatrième alliage de Si/Ge non dopé (42) est comprise entre 60 et 100-. atomiques. 15. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 10, caractérisé en ce que la teneur en germanium de la seconde couche d'alimentation (5) est comprise entre 5 et 100 ' atomiques, la teneur en germanium diminuant à épaisseur de couche croissante. 16. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la seconde couche d'alimentation (5) contient un second dopage p (9), qui est éloigné de 2 à nm du côté inférieur de la couche. 17. Transistor à effet de champ à hétérostructure selon la revendication 3 ou 10, caractérisé en ce que l'écartement entre l'électrode de commande (12) et le canal conducteur supérieur est réglable, au moins l'épaisseur de la couche de contact étant réduite à proximité de la grille.