Brevet FR2770702A1 — publié le 19990430

La présente invention concerne de façon générale les oscillateurs commandés par tension et, plus particulièrement, un oscillateur commande' par tension du type multibande ainsi qu'un procédé associé de sélection entre bandes de fréquence. Les systèmes de télécommunications cellulaires et les systèmes d'appel de personnes utilisent souvent des oscillateurs locaux mis en oeuvre au moyen de boucles à phase asservie (Pli) pour fournir des fréquences de référence à des mélangeurs se trouvant dans des étages de conversion de fréquence. Un composant de la boucle à phase asservie est un oscillateur commande' par tension (VCO) qui produit un signal oscillant dont la fréquence est déterminée par une tension de commande d'entrée, comme cela est bien connu. Dans certains systèmes de télécommunications, comme le système cellulaire numérique GSM (Global System for Mobiles), il existe de multiples normes de fréquence. En Europe, le système GSM offre des normes de fréquence à 900 MHz et 1 800 MHz. Aux Etats-Unis d'Amérique, la norme de fréquence GSM actuelle est à 1 900 MHz. Dans le téléphone cellulaire GSM, le mélangeur contenu dans ltémetteur-récepteur effectue une conversion de fréquence vers le haut (transposition) ou vers le bas (abaissement) sur la fréquence de 900 MHz ou la fréquence de 1 800 MHz, et, ou bien, éventuellement sur la fréquence de 1 900 MHz. L'oscillateur local doit fournir une fréquence de référence comprise entre environ 1150 et 1 185 MHz pour la conversion de la fréquence de 900 MHz et entre 1 575 et 1 655 MHz pour la conversion de la fréquence de 1 800 MHz. Un VCO classique unique ne peut généralement pas travailler sur un intervalle de fréquence aussi large tout en maintenant des performances de faible bruit de phase. Une solution apportée à la recherche du VCO à large bande, connue dans la technique, est décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n" 4 581 768. Selon ce brevet, comme on peut le voir à la figure 1 de la présente demande de brevet, un transistor 10, une diode varicap, ou varactor, 11, une bobine d'induction 12 et des condensateurs 14 et 16 fonctionnent en oscillateur de Colpitts normal. La tension d'accord VTUNE modifie la capacité du varactor 11 et la fréquence de sortie de l'oscillateur. Un deuxième varactor 18 est incorporé dans l'émetteur du transistor 10 afin de modifier l'impédance de l'émetteur du transistor 10 en fonction d'un signal de commande VBAND. Une faible valeur de VBAND fait fonctionner ltoscillateur sur une bande de fréquence inférieure, et une valeur élevée de VBAND décale l'oscillateur vers une bande de fréquence supérieure. La mise en oeuvre effectuée à l'aide de deux varactors qui est représentée sur la figure 1 est coûteuse à fabriquer. De plus, lorsque la tension alternative présente sur la bobine d'induction 12 devient importante dans la bande de fréquence supérieure, le transistor 10 tend à se saturer, ce qui augmente le bruit de phase de l'oscillateur. Le besoin existe donc d'un oscillateur commandé par tension qui fonctionne sur un large intervalle de fréquence sans dégrader les performances relatives au bruit de phase. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages ; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: la figure 1 est un schéma simplifié illustrant un oscillateur commandé par tension du type multibande classique; la figure 2 est un schéma fonctionnel montrant un système de transmission de données; la figure 3 est un schéma fonctionnel simplifié représentant l'oscillateur local de la figure 2; la figure4 est un schéma simplifié représentant un autre mode de réalisation de l'étage oscillateur; et la figure 5 est un schéma simplifié représentant le circuit de polarisation de la figure 3. On se reporte à la figure 2 qui montre un système 20 de transmission de données sans fil, doté d'une antenne 22 émettant et recevant des signaux modulés de radiofréquence (RF). Le système 20 de transmission de données est applicable à des systèmes cellulaires et des systèmes d'appel de personnes, y compris le système GSM à 900 MHz et le système GSM à 1 800 MHz. Les signaux modulés RF sont acheminés de l'antenne 22 à la section récepteur via un commutateur 24, et de la section émetteur à l'antenne 22 via le commutateur 24. La section émetteur et la section récepteur ont chacune deux trajets mutuellement exclusifs : un pour la bande de télécommunications à 900 MHz et un pour la bande de télécommunications à 1 800 MHz. Le schéma fonctionnel de la figure 2 peut facilement être étendu à d'autres trajets de signaux, pour d'autres fréquences de transmission de données. Dans la section récepteur, un filtre passe-bande 26 est centré sur la bande à 900 MHz et est optimisé pour cette bande. Un filtre passebande 28 est centré sur la bande à 1 800 MHz et est optimisé pour cette bande. Un mélangeur 30 reçoit une fréquence de référence de la part d'un oscillateur local 32 fonctionnant sur une première bande de fréquence (1 150 à 1 185 MHz) en réponse à un signal "SéLECTEUR DE BANDE". Le mélangeur 30 abaisse (changement de fréquence vers le bas), à l'aide de l'oscillateur local, le signal à 900 MHz filtré en un signal de fréquence intermédiaire fonctionnant à 225 MHz. On note que l'intervalle réel de fonctionnement pour la réception à 900 MHz GSM est de 925 à 960 MHz. De la même façon, le mélangeur 34 reçoit la fréquence de référence de la part de l'oscillateur local 32, fonctionnant sur une deuxième bande de fréquence (1 580 à 1 655 MHz) en réponse au signal "SELEUTEUR DE BANDE", et abaisse le signal à 1 800 MHz filtré en un signal de fréquence intermédiaire à 225 MHz. L'intervalle réel de fonctionnement pour la réception à 1 800 MHz GSM est de 1 805 à 1 880 MHz. Un filtre, du type à ondes acoustiques de surface, de fréquence intermédiaire 36 exerce encore un filtrage sur les signaux de fréquence intermédiaire. Un démodulateur 38 convertit le signal de fréquence intermédiaire en signaux de données "en phase" (f) et "en quadrature" (Q) de la bande de base. Les signaux de données I et Q représentent les données reçues, par exemple des communications vocales numérisées ou des numéros d'appel de personnes. D'autres circuits de traitement de signaux (non représentés) convertissent les données I et Q en signaux audio destinés à l'écouteur d'un téléphone cellulaire ou en informations à visualiser pour un dispositif d'appel de personnes. Dans la section émetteur, les signaux I et Q représentent par exemple des données vocales numérisées reçues de la part du microphone du téléphone cellulaire. Les signaux I et Q sont modulés par un modulateur 40. Pour la fréquence à 900 MHz du système GSM, la fréquence intermédiaire est de 270MHz. Un mélangeur 42 reçoit une fréquence de référence de la part de I'oscillateur local 32 fonctionnant sur une troisième bande de fréquence (1 150 à 1185 MHz) en réponse à un signal "SéLECTEUR DE BANDE" et transpose (changement de fréquence vers le haut) les données modulées à 270 MHz en signaux à 900 MHz. L'intervalle réel de fonctionnement pour l'émission à 900 MHz GSM est de 880 à 915 MHz. Pour l'émission à 1 800 MHz GSM, la fréquence intermédiaire est de 135 MHz. Un mélangeur 44 reçoit une fréquence de référence de la part de l'oscillateur local 32 fonctionnant sur une quatrième bande de fréquence (1 575 à 1 650 MHz) en réponse à un signal "SELECrEUR DE BANDE" et transpose (changement de fréquence vers le haut) les données modulées en signaux à 1 800 MHz. L'intervalle réel de fonctionnement pour l'émission à 1 800 MHz GSM est dc 1 710 à 1 785 MHz. Les amplificateurs 46 et 48 appliquent un gain aux signaux à 900 MHz et à 1 800 MHz, respectivement, qui sont acheminés via le commutateur 24 à l'antenne 22. L'oscillateur local 32 est représenté de manière plus détaillée sur la figure 3. L'oscillateur local 32 est approprié à une fabrication sous forme de circuit intégré, à l'aide de procédés classiques de fabrication des circuits intégrés. Certains éléments de l'oscillateur 32, par exemple des bobines d'induction et des condensateurs d'une grande capacité, sont disposés matériellement en dehors de la puce du fait de contraintes liées à la surface de la puce. L'oscillateur local 32 comporte de multiples étages oscillateurs. Les étages oscillateurs sont séparément optimisés pour diverses bandes de fréquence intéressantes, par exemple un étage oscillateur pour l'émission à 900 MHz GSM, un étage oscillateur pour la réception à 900 MHz GSM, un étage oscillateur pour l'émission à 1 800 MHz GSM, un étage oscillateur pour la réception à 1 800 MHz GSM, etc. L'étage oscillateur approprié est validé par un signal de polarisation fonction du mode de fonctionnement courant du système de transmission de données 20. L'étage oscillateur 50 comporte un transistor 52 dont le collecteur est couplé à un noeud 54. L'émetteur du transistor 52 est couplé par l'intermédiaire de la combinaison parallèle d'une résistance 56 et d'un condensateur 58 à un conducteur 60 d'alimentation électrique, fonctionnant au potentiel de la terre. Un condensateur 62 est couplé entre la base et l'émetteur du transistor 52. Un circuit résonant 64, comportant un condensateur 66, une bobine d'induction 68 et un varactor 70, est couplé entre la base du transistor 52 et le conducteur d'alimentation électrique 60. Un signal de commande VTUNE est appliqué via une résistance 73 pour commander la capacité effective du varactor 70. La base du transistor 52 reçoit un signal de polarisation VBIAS1 via une résistance 72. L'étage oscillateur 74 comporte des composants analogues à ceux de l'étage oscillateur 50, le collecteur du transistor analogue 52 étant couplé au noeud analogue 54 et la base recevant le signal de polarisation VBIAS2. Des étages oscillateurs supplémentaires, analogues à 50 et 74, peuvent être couplés au noeud 54. Chaque étage oscillateur reçoit la même tension VTUNE de commande du varactor dans son circuit résonant correspondant. Un circuit de polarisation 80 fonctionne sous commande du signal de commande SELEatUR DE BANDE afin de valider l'un des signaux de sortie VBIAS1 ou VBIAS2, d'une manière mutuellement exclusive. Une valeur du signal SELECTEUR DE BANDE active VBIAS1 et désactive VBIAS2, ce qui valide l'étage oscillateur 50 et invalide l'étage oscillateur 74. Une autre valeur du signal SELECTEUR DE BANDE active VBIAS2 et désactive VBIASl, ce qui valide l'étage oscillateur 74 et invalide l'étage oscillateur 50. Le circuit de polarisation 80 est en mesure de fournir des signaux de polarisation VBIASn à des étages oscillateurs supplémentaires. Chaque étage oscillateur est optimisé pour une bande de fréquence particulière par une sélection des valeurs du circuit de résonance 64. Par exemple, dans le circuit oscillateur 50, optimisé pour la réception à 900 MHz GSM, la bobine d'induction 60 est choisie à 12 nH, le condensateur 62 est choisi à 10 pF et le condensateur 58 est choisi à 2,4 pK Dans l'étage oscillateur 74, qui est optimisé pour la réception à 1 800 MHz GSM, la bobine d'induction 68 est choisie à 8 nH, le condensateur 62 est choisi à 4,7 pF et le condensateur 58 est choisi à 1,5 pF. On fixe la valeur de la bobine d'induction 68 en faisant varier la longueur d'une ligne de transmission de type microruban. Le condensateur 66 réalise un blocage du courant continu et possède des valeurs s'échelonnant entre 10 et 20 pF. Des étages oscillateurs supplémentaires validés par VBIASn peuvent être couplés au noeud 54 afin d'assurer la sélection d'autres bandes de fréquence. Un autre mode de réalisation d'étage oscillateur est présenté sur la figure 4. Sur cette figure, les composants qui possèdent des fonctions analogues ont reçu des numéros de référence correspondant à ceux utilisés sur la figure 3. Sur la figure 4, la bobine d'induction 68 est couplée entre une borne du condensateur 66 et le conducteur d'alimentation électrique 60. Un condensateur 69 et le varactor 70 sont couplés en série entre la même borne du condensateur 66 et le conducteur d'alimentation électrique 60. Dans le montage de la figure 4, le condensateur 69 réduit le couplage entre le varactor et la bobine d'induction, ce qui augmente le facteur de qualité "Q" de l'oscillateur. On revient à la figure 3. L'oscillateur local 32 comporte en outre un transistor 82 monté suivant une configuration à base commune, son émetteur étant couplé au noeud 54 et son collecteur étant couplé à un noeud 84. Une résistance 86 est couplée entre le noeud 84 et la base du transistor 82. Un condensateur 88 est couplé entre la base du transistor 82 et le conducteur d'alimentation électrique 60. Une bobine d'induction 87 est une bobine d'arrêt de polarisation placée entre une alimentation électrique VCC et le noeud 84. Le noeud 84 fournit donc un potentiel d'alimentation électrique au circuit de polarisation 80 et au transistor 82. Un condensateur 89 est un condensateur de blocage de courant continu. Le condensateur 88 réalise un court-circuit pour le courant alternatif vis-à-vis de la base du transistor 82, ce qui crée une basse impédance sur le noeud 54, par exemple 13 Q lorsqu'on regarde dans l'émetteur du transistor 82 et pour un courant de 2 mA. Comme le transistor 52 de l'étage oscillateur sélectionné débite un courant dans le noeud 54, la faible impédance entraîne qu'il n'y a pratiquement pas d'excursions de courant alternatif, à savoir seulement environ 16 mV de tension efficace. La faible impédance et l'excursion réduite en tension alternative existant sur le noeud 54 empêchent que les étages oscillateurs non sélectionnés n'apportent une contribution parasite à l'étage oscillateur sélectionné. Le noeud 84 formé sur le collecteur du transistor 82 est un point à impédance relativement élevée, ayant une excursion en tension alternative d'environ 375 mV de tension efficace. Ainsi, le transistor 82 assure une mise en tampon et une isolation entre le noeud de basse impédance 54 et le noeud de haute impédance 84. Le signal "SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR" constitue un signal de sortie commun pour les étages oscillateurs de l'oscillateur local 32. Un signal de sortie commun est approprié lorsque les étages oscillateurs sont validés de manière mutuellement exclusive. Le signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR est le signal envoyé par l'oscillateur local aux mélangeurs 30 et 34. Si la section récepteur de la figure 2 fonctionne dans le mode à 900 MHz GSM, le signal éLECTEUR DE BANDE active VBIASi, ce qui valide l'étage oscillateur 50 optimisé pour cette norme de fréquence. Le mélangeur 30 abaisse le signal de 900 MHz filtré à l'aide du propre signal de l'oscillateur local. Si la section récepteur est en train de traiter le mode à 1800 MHz GSM, alors le signal éLECTEUR DE BANDE active VBIAS2, ce qui valide l'étage oscillateur 74 optimisé pour cette norme de fréquence. Le mélangeur 34 abaisse le signal de 1 800 MHz filtré à l'aide du propre signal de l'oscillateur local. Le signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLA TEUR pourrait être commuté sur le mélangeur 42 ou 44 dans le cas où les sections émetteur et récepteur fonctionnent en mode semi-duplex, ou alternat. Le signal SELECTEUR DE BANDE valide alors un étage oscillateur afin qu'il fournisse le signal d'oscillateur local opérant dans la bande de fréquence appropriée. Pour le mode duplex, un autre ensemble d'étages oscillateurs commandés séparément ayant un signal de sortie de l'oscillateur associé, comme représenté sur les figures 2 et 3, est nécessaire pour les mélangeurs 42 et 44. Lorsqu'il est nécessaire de valider plus d'un étage oscillateur à la fois, alors, au lieu que tous les oscillateurs aient un noeud commun 54, les transistors supplémentaires tels que le transistor 82 pourraient produire un signal de sortie séparé pour un ou plusieurs étages oscillateurs. Le signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR est divisé, de manière programmée, par un entier "N" dans un circuit 91 de division par N. Le signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR divisé est appliqué à une entrée d'un détecteur de phase 90. La deuxième entrée du détecteur de phase 90 reçoit une fréquence de référence fonctionnant à 13 MHz. Le signal de sortie du détecteur de phase 90 est filtré par un filtre en boucle 92 et devient le signal VTUNE servant à commander les étages oscillateurs 50 et 74. Le détecteur de phase 90, le filtre 92, l'étage oscillateur 50 (ou bien l'étage oscillateur 74) et le circuit 91 de division par N fonctionnent à la manière d'une boucle à phase asservie dans laquelle le signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR divisé est comparé avec la fréquence de référence. Toute différence de fréquence apparaît comme un niveau de courant continu représentant l'erreur de phase. Ce niveau de courant continu est filtré pour commander le varactor 70. La capacité du varactor 70 diminue en cas d'augmentation du niveau de VTUNE et augmente en cas de diminution du niveau de VTUNE. L'étage oscillateur 50 est configuré en oscillateur de Colpitts, dont la fréquence vane en fonction de l'impédance présente sur la base du transistor 52. Les composants de l'étage oscillateur 50 sont sélectionnés de manière à avoir une bande de fréquence de 35 MHz, accordable de 1 150 à 1 185 MHz, en réponse à un niveau du signal VTUNE compris entre 1 et 3 V. La sensibilité de l'étage oscillateur 50 est donc de 17,5 MHz/V. Les composants de l'étage oscillateur 74 sont sélectionnés de façon à avoir une bande de fréquence de 80 MHz, accordable de 1 575 à 1 655 MHz, en réponse au niveau du signal VTUNE compris entre 1 et 3 V. La sensibilité de l'étage oscillateur 74 est de 40 MHz(V. Chaque étage oscillateur étant optimisé pour une bande de fréquence particulière par sélection des valeurs du circuit résonant 64, l'oscillateur local 32 fonctionne comme un oscillateur multibande ayant une même tension de réglage d'accord VTUNE qui commande le varactor de l'étage oscillateur validé, indépendamment du détecteur de phase 90. Le détecteur de phase 90 n'a pas besoin d'être ajusté ou compensé séparément en cas de commutation entre diverses bandes de fréquence. La boucle à phase asservie commande la fréquence du signal SIGNAL DE SORTIE DE L'OSCILLATEUR pour asservir la phase avec la fréquence 13 MHz. En optimisant les étages oscillateurs pour chaque bande de fréquence intéressante, l'intervalle des valeurs de VTUNE est maintenu au minimum, à savoir de 1 à 3 V, ce qui améliore les performances de l'étage oscillateur en ce qui concerne le bruit de phase. L'étage oscillateur voulu pour le mode de fonctionne ment courant du système de transmission de données est choisi par validation du signal de commande VBIASn approprié. On se reporte à la figure 5, qui représente le circuit de polarisation 80, lequel comporte des résistances 100 et 102, un transistor configuré en diode 104 et une résistance 106, couplés entre le noeud 84, qui fonctionne sensiblement à la tension VCC, et le conducteur d'alimentation électrique 60. Un courant de référence IREF de 20 tA circule dans le transistor 104. Ce même courant de référence est reproduit, en miroir, dans un transistor 108 et une résistance 110. le signal SELECTEUR DE BANDE peut être un signal numérique pouvant avoir ou bien une valeur basse (niveau 0 logique) ou bien une valeur haute (niveau 1 logique). Un signal SELECIEUR DE BANDE bas supprime la polarisation et rend non conducteur un transistor 112. La tension de collecteur du transistor 108 descend jusqu'à un point où un transistor 114 conduit. Le courant de référence obtenu par effet de miroir passe dans une résistance 118, un transistor configuré en diode 116 et le transistorll4 pour arriver au transistor 108. Le courant de référence est de nouveau reproduit, en miroir, dans un transistor 120. Le courant qui passe dans le transistor 120 circule dans une résistance 122, une résistance 124, un transistor configuré en diode 126 et une résistance 128 et établit sur le collecteur d'un transistor 126 une tension VBIAS1 afin de valider l'étage oscillateur 50. Le transistor 112 étant non conducteur, aucun courant ne passe dans des transistors 132, 136 et 142. La tension VBLAS2 est fixée à un niveau bas, insuffisant pour valider l'étage oscillateur 74. Un signal SELECTEUR DE BANDE haut appliqué dans la résistance 130 rend conducteur le transistor 112, si bien que ce dernier conduit le courant de référence obtenu par effet de miroir qui circule dans le transistor 108. La tension de collecteur du transistor 108 augmente et rend non conducteur le transistor 114. Le courant passant dans le transistor 112 circule également dans le transistor configuré en diode 132 et une résistance 134. Le courant passant dans le transistor 132 est reproduit en miroir dans le transistor 136 et passe dans une résistance 138, une résistance 140, le transistor configuré en diode 142 et une résistance 144. Une tension VBLAS2 s'établit sur le collecteur du transistor 142 de façon à valider l'étage oscillateur 74. Le transistor 114 étant non conducteur, aucun courant ne circule dans les transistors 116, 120 et 126. La tension VBIAS1 est fixée à un niveau bas, insuffisant pour valider l'étage oscillateur 50. Ainsi, la combinaison des transistors 112, 108, 104 et 114 fonctionne comme un amplificateur différentiel qui dirige le courant de référence IREF sur le collecteur du tran sistor 132 ou 116 en fonction du niveau du signal SELECTEUR DE BANDE. Les bases des transistors 112 et 114 sont les entrées et les collecteurs sont les sorties de l'amplificateur différentiel. Les résistances 100, 102 et 106 et le transistor 104 fixent le point de commutation du signal SELECTEUR DE BANDE aux environs de 1,7 V. En résumé, l'invention produit un oscillateur commandé par tension du type multibande qui possède un certain nombre d'étages oscillateurs qui sont chacun accordés sur une bande de fréquence particulière. Un circuit de polarisation fonctionne sous commande d'un signal SELECTEUR DE BANDE afin de valider les étages oscillateurs d'une manière mutuellement exclusive. Puisque chaque étage oscillateur comporte un unique varactor de réglage d'accord, l'oscillateur commandé par tension utilise un seul varactor par bande de fréquence. Il n'existe qu'un seul signal de commande d'accord pour toutes les bandes. L'oscillateur commandé par tension ne subit sensiblement aucune dégradation en ce qui concerne le bruit de phase, puisque la polarisation de réglage d'accord est maintenue très basse, chaque résonateur étant séparément validé et optimisé sur une bande de fréquence voulue. La faible impédance existant sur le noeud commun des étages oscillateurs sélectionné et non sélectionné empêche les étages oscillateurs d'interférer entre eux. Les étages oscillateurs pouvant être sélectionnés qui sont chacun accordés sur une fréquence particulière permettent à l'oscillateur commandé par tension (VCO) de supporter les multiples normes de fréquence sans que ceci complique la conception des étages oscillateurs ou n'introduise un bruit de phase non souhaitable. Lorsque l'oscillateur commandé par tension de type multibande est incorporé dans un boîtier de circuit intégré, une seule broche externe est nécessaire pour la sortie de l'oscillateur local, ce qui est très souhaitable pour l'obtention de semiconducteurs à coût réduit et à degré d'intégration élevé. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du dispositif et du procédé dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Oscillateur commandé par tension, caractérisé en ce qu'il comprend: un circuit de polarisation (80) fonctionnant sous commande d'un signal sélecteur de bande destiné à valider une pluralité de signaux de polarisation; et une pluralité d'étages oscillateurs (50, 74) possédant des entrées de validation, qui sont couplées de façon à recevoir les signaux de polarisation, et des entrées de commande, qui sont couplées de façon à recevoir un signal de commande de tension, où un étage oscillateur produit un signal d'oscillation sur une sortie, fonctionnant à une fréquence qui est déterminée par le signal de commande de tension, lorsqu'il est validé par l'un des signaux de polarisation. 2. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pluralité d'étages oscillateurs comporte: un premier oscillateur (50) qui possède une entrée de validation, couplée de façon à recevoir un premier signal de polarisation, et une entrée de commande couplée de façon à recevoir le signal de commande de tension, où le premier oscillateur produit un premier signal d'oscillateur sur une sortie, fonctionnant à une fréquence déterminée par le signal de commande de tension, lorsqu'il est validé par le premier signal de polarisation; et un deuxième oscillateur (74) qui possède une entrée de validation, couplée de façon à recevoir un deuxième signal de polarisation, et une entrée de commande couplée de façon à recevoir le signal de commande de tension, où le deuxième oscillateur produit un deuxième signal d'oscillateur sur une sortie, fonctionnant à une fréquence déterminée par le signal de commande de tension, lorsqu'il est validé par le deuxième signal de polarisation. 3. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit de polarisation (80) valide les premier et deuxième signaux de polarisation d'une manière mutuellement exclusive en réponse au signal de sélecteur de bande. 4. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 2, caractérisé en ce que des parties du premier oscillateur, des parties du deuxième oscillateur et des parties du circuit de polarisation sont incorporées dans un circuit intégré. 5. Oscillateur commande' par tension selon la revendication 4, caractérisé en ce que les signaux de sortie des premier et deuxième oscillateurs sont fournis sur une sortie commune du circuit intégré. 6. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un transistor (82) qui possède une première borne de conduction couplée aux sorties des premier et deuxième oscillateurs, une deuxième borne de conduction couplée à la sortie commune du circuit intégré, et une borne de commande couplée à un conducteur d'alimentation électrique. 7. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 2, caractérisé en ce que le premier oscillateur comporte: un transistor (52) ayant une première borne de conduction couplée à la sortie du premier oscillateur, une deuxième borne de conduction couplée à un conducteur d'alimentation électrique, et une borne de commande couplée de façon à recevoir le premier signal de polarisation ; et un circuit résonant (64) couplé entre la borne de commande du transistor et le conducteur d'alimentation électrique et fonctionnant sous commande d'un signal de réglage d'accord. 8. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 7, caractérisé en ce que le premier oscillateur comporte en outre: un premier condensateur (62) couplé entre la deuxième borne de conduction du transistor et la bome de commande du transistor; et un deuxième condensateur (58) couplé entre la deuxième borne de conduction du transistor et le conducteur d'alimentation électrique. 9. Oscillateur commandé par tension selon la revendication 7, caractérisé en ce que le circuit résonant comporte: un varactor (70) ayant une première borne couplée au conducteur d'alimentation électrique et une deuxième borne couplée de façon à recevoir le signal de réglage d'accord; une bobine d'induction (68) ayant une première bome couplée à la deuxième borne du varactor; et un condensateur (66) couplé entre la deuxième borne de la bobine d'induction et la bome de commande du transistor. 10. Procédé de sélection entre bandes de fréquence, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: valider un signal parmi un premier et un deuxième signal de polarisation en réponse à un signal sélecteur de bande; produire un premier signal d'oscillateur fonctionnant à une fréquence déterminée par un signal de commande de tension en cas de validation par le premier signal de polarisation ; et produire un deuxième signal d'oscillateur fonctionnant à une fréquence déterminée par le signal de commande de tension en cas de validation par le deuxième signal de polarisation. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu 'il comporte en outre l'opération consistant à fournir les premier et deuxième signaux d'oscillateur sur une sortie commune. 12. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que les premier et deuxième signaux de polarisation sont validés d'une manière mutuellement exclusive en réponse au signal sélecteur de bande. 13. Système de télécommunications sans fil, caractérisé en ce qu'il comprend: un mélangeur (30) couplé de façon à recevoir un signal de radiofréquence, ou signal RF, et un signal de référence, où le mélangeur abaisse le signal RF en un signal de fréquence intermédiaire, ou signal IF, en réponse au signal de référence ; et un oscillateur local (32) comportant: (a) un circuit de polarisation (80) fonctionnant sous commande d'un signal sélecteur de bande de façon à valider une pluralité de signaux de polarisation, et (b) une pluralité d'étages oscillateurs (50, 74) ayant des entrées de validation, qui sont couplées de façon à recevoir les signaux de polarisation, et des entrées de commande, qui sont couplées de façon à recevoir un signal de commande de tension, où un étage oscillateur produit un signal d'oscillateur sur une sortie au titre du signal de référence, fonctionnant à une fréquence déterminée par le signal de commande de tension, lorsqu'il est validé par l'un des signaux de polarisation. 14. Système de télécommunications sans fil selon la revendication 13, caractérisé en ce que des parties de la pluralité d'étages oscillateurs et des parties du circuit de polarisation sont incorporés dans un circuit intégré. 15. Système de télécommunications sans fil selon la revendication 14, caractérisé en ce que les signaux de sortie de la pluralité d'étages oscillateurs sont fournis sur une sortie commune du circuit intégré.