Brevet FR2761530A1 — publié le 19981002

COMPOSANT ELECTRIQUE OU ELECTRONIQUE, NOTAMMENT CIRCUIT ELECTRIQUE OU ELECTRONIQUE OU MEMOIRE NON VOLATILE La présente invention concerne un composant électrique ou électronique, notamment un circuit électrique ou électronique ou une mémoire non volatile. Au cours de la dernière décennie, de rapides progrès ont été faits dans le domaine du dépôt de films de structures composites épitaxiales à base d'oxydes, qui sont par exemple à l'origine de progrès conséquents dans le domaine des supraconducteurs en oxyde de cuivre et qui ont permis de préparer des films épitaxiaux de matériaux tels que les oxydes de manganèse magnétorésistifs. L'une des nombreuses autres familles de matériaux qui ont été réalisés récemment par cette approche épitaxiale sont les oxydes ferroélectriques. L'une des caractéristiques attrayantes de ces matériaux est leur champ de polarisation réversible non volatile. D'autre part on a développé de nombreux dispositifs à effet de champ électrique qui vont des mémoires dynamiques à accès aléatoire (DRAMs) à des nano-systèmes modèles tels les gaz électroniques à deux dimensions basés sur des structures en arséniure de gallium (GaAs). Tous ces dispositifs nécessitent l'utilisation d'électrodes métalliques permanentes pour produire et maintenir le champ électrique, ce qui constitue un inconvénient majeur parce que leur fabrication implique un travail de lithographie important et délicat pour la réalisation des électrodes métalliques. Le but de cette invention est de proposer un nouveau composant électrique ou électronique rendant les électrodes permanentes ainsi que les procédures lithographiques qui sont habituellement nécessaires pour leur réalisation plus simple ou totalement superflues. En outre la fabrication de ce composant est non-invasive. Ce but est atteint par le composant selon l'invention caractérisé en ce qu'il comporte une structure composite comprenant au moins une couche d'un matériau ferroélectrique et au moins un semi-conducteur ou un film mince d'un métal ou d'un supraconducteur, en contact intime avec au moins une des faces de ladite couche de matériau ferroélectrique, ainsi que des moyens pour générer, ou ayant été réalisé avec des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique et pour modifier de ce fait localement, à l'échelle allant du nanomètre au micromètre, la densité électronique d'une zone dudit semiconducteur ou du film mince de métal ou du supraconducteur, cette zone étant proche de ladite face de matériau ferroélectrique Selon des modes de réalisation préférés, lesdits moyens pour générer des modifications locales peuvent comporter un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle agencée pour balayer de manière sélective une face de ladite structure composite et ledit semiconducteur, ou film mince de métal ou de supraconducteur. Selon un mode de réalisation préféré, ladite structure peut être constituée d'un semi-conducteur ou d'un film mince de métal ou de supraconducteur en contact intime avec une première face de ladite couche d'un matériau ferroélectrique et d'un film très mince de semi-conducteur, métallique ou supraconducteur en contact intime avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique. Selon ce mode de réalisation, la surface de la structure qui est balayée est celle du film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur en contact intime avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique et une tension est appliquée entre ledit film très mince et ledit semi-conducteur ou film mince, métallique ou supraconducteur en contact intime avec la première face de la couche de matériau ferroélectrique. Selon une forme de mise en oeuvre du procédé, ladite électrode ponctuelle peut être constituée par la pointe d'un microscope à sonde locale. Selon une autre forme de mise en oeuvre du procédé, ladite électrode ponctuelle peut également être constituée par une source de particules. Selon un premier mode de réalisation ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau électronique. Selon un deuxième mode de réalisation ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau ionique. Selon un autre mode de réalisation, ladite électrode ponctuelle peut également être constituée par une source de rayonnement. D'une manière particulièrement avantageuse, I'état de polarisation dudit matériau ferroélectrique est représenté par une caractéristique sensible à des modifications locales de la densité électronique dudit semi-conducteur dudit film mince métallique ou supraconducteur. D'une manière préférentielle, ladite caractéristique est la conductance tunnel entre une sonde locale balayant la surface de la structure et la couche très mince de semi-conducteur de film métallique ou supraconducteur. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'une forme de réalisation préférée du composant selon l'invention et de ses variantes et en référence aux figures 1 et 2 annexées qui représentent des vues schématiques en perspective illustrant deux modes de réalisation du composant électrique ou électronique selon l'invention. Le composant selon l'invention tel que représenté par la figure 1 comporte principalement une structure composite 10 comprenant une couche 11 en un matériau ferroélectrique sous la forme d'une plaque plane et un semiconducteur ou un film 12 en métal ou un supraconducteur en contact intime avec une des faces de la couche 11. Par ailleurs, le composant comporte des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche 11 de matériau ferroélectrique et pour modifier de ce fait localement la densité électronique d'une zone dudit semi-conducteur ou dudit film mince 12 de métal ou en supraconducteur proche de la face de la couche il de matériau ferroélectrique. Ces moyens comportent un dispositif pour appliquer une tension entre ledit semi-conducteur ou ledit film mince 12 en métal ou en supraconducteur et au moins une électrode ponctuelle 13 agencée pour balayer de manière sélective la face de ladite couche 11 de matériau ferroélectrique, opposée à la face portant le film mince 12. Cette électrode ponctuelle est constituée par exemple par une pointe d'un microscope à sonde locale. Elle peut également être constituée par une source de particules. Cette source de particules peut être agencée pour générer un faisceau électronique. Cette source de particules peut également être agencée pour générer un faisceau ionique. Elle peut également être une source de rayonnement Pour une première application particulièrement avantageuse de l'invention, le composant sert à écrire un circuit électrique. Selon une seconde application le composant est utilisé pour réaliser des mémoires. L'écriture s'effectue à l'échelle du nanomètre avec une sonde locale servant d'électrode ponctuelle ou de source de particules permettant une modification locale de la polarisation d'un ferroélectrique. La polarisation (t) du matériau de la couche ferroélectrique modifie la densité électronique du métal ou du semi conducteur proche de la surface et cette modification définit le circuit électronique ou une unité de mémoire. Dans ce but, dans un premier contexte idéal, un microscope à force atomique (AFM) avec une pointe conductrice balaye la surface de la structure composite dite hétérostructure épitaxiale ferroélectrique composée dans ce cas des matériaux suivants : Pb(ZrO.52 TiO.48)03 (PZT)/SrRuO3 pendant qu'une tension est appliquée entre la pointe et le semi-conducteur ou le film de métal ou le supraconducteur. Lorsque le champ électrique entre la pointe et le film conducteur est plus grande que le champ coercitif de la couche 11 de matériau ferroélectrique, la polarisation de cette couche bascule localement sous la pointe et induit un flux de charges d'écran dans la couche de métal ou de semi-conducteur modifiant ainsi la densité totale de porteurs et donc la résistivité du conducteur, qui peut être mesurée avec les techniques standard de mesures de transport électroniques. Dans le contexte idéal, le semi-conducteur ou le film mince métallique ou supraconducteur a une faible densité de porteurs et une caractéristique électrique ou électronique qui est sensible à des changements de densité d'état électronique. Selon une deuxième forme de réalisation avantageuse, représentée par la figure 2, la structure 10 est complétée par un matériau semi-conducteur métallique ou supraconducteur 14 déposé sur la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique opposée au film mince 12. Ce matériau se présente avantageusement sous la forme d'un film très mince qui est en contact intime avec le matériau ferroélectrique. II peut avoir la forme d'un film continu ou celle d'îlots. Ce film constitue à la fois un moyen pour appliquer une tension sur la couche de matériau ferroélectrique en combinaison avec le film mince 12 et un moyen de passivation de la surface du matériau ferroélectrique polarisé. Les moyens pour générer des modifications locales de la polarisation comportent un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle, agencée pour balayer de manière sélective cette structure 10 et ledit film 14 et éventuellement ledit film 14 et ledit film 12. La polarisation du matériau ferroélectrique peut être obtenue en appliquant des impulsions de tension sur l'électrode ponctuelle et éventuellement en présence d'une tension à travers la couche de matériau ferroélectrique d'une valeur inférieure à sa tension coercitive. Ce composant permet d'établir un effet de champ local d'une manière noninvasive, permettant ainsi de créer des nano-structures électroniques sans contacts électriques réalisées par des procédés lithographiques. L'intérêt de l'invention est qu'elle offre une approche et des perspectives complètement nouvelles pour la fabrication de dispositifs à effet de champ et de petites structures électroniques. Le basculement de domaines avec un microscope de proximité dans la direction verticale, produisant un contraste électronique non susceptible de passivation est particulièrement avantageux. L'avantage principal de cette approche est qu'elle permet d'écrire directement des structures électroniques sub-microniques sans substitution chimique et sans procédé lithographique etlou électrodes permanentes. L'effet de champ est local, réversible, non-volatile, et non-invasif. Cette technique a un autre avantage, elle permet d'avoir un mécanisme de détection pour la lecturelécriture de domaines ferroélectriques qui n'est pas sensible à une détérioration du contraste due à une passivation électrostatique. Dans la pratique, toute sonde locale qui permet de basculer la polarisation d'un matériau ferroélectrique peut être utilisé. Par exemple un microscope à effet tunnel qui peut être utilisé pour polariser ce matériau ferroélectrique, si ce dernier est recouvert d'une couche suffisamment mince conductrice. Ce microscope à effet de tunnel peut également être utilisé pour mesurer et lire les changements dans la densité de porteurs produits par le champ électrique, par exemple en mesurant les modifications dans la conductivité d'effet tunnel (densités d'états). Pour la lecture de petits domaines ferroélectriques, d'autres mécanismes de contraste peuvent être envisagés qui se basent sur les propriétés piézoélectriques et pyroélectriques des ferroélectriques. De manière similaire à ce que nous avons décrit plus haut, ces approches ne seraient également pas susceptibles à une passivation. La présente invention n'est pas limitée aux formes de réalisations décrites, mais peut s'étendre à diverses variantes et modifications découlant de manière implicite de la description ci-dessus. REVENDICATIONS 1.- Composant électrique ou électronique, notamment circuit électrique ou électronique ou mémoire non volatile, caractérisé en ce qu'il comporte une structure composite (10) comprenant au moins une couche (11) d'un matériau ferroélectrique et au moins un semi-conducteur ou un film mince d'un métal ou d'un supraconducteur (12), en contact intime avec au moins une des faces de ladite couche de matériau ferroélectrique, ainsi que des moyens (13) pour générer, ou ayant été réalisé avec des moyens pour générer des modifications locales de la polarisation de ladite couche de matériau ferroélectrique et pour modifier de ce fait localement, à l'échelle allant du nanomètre au micromètre, la densité électronique d'une zone dudit semiconducteur ou du film mince de métal ou du supraconducteur, cette zone étant proche de ladite face de matériau ferroélectrique. 2.- Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits moyens pour générer des modifications locales comportent un dispositif pour appliquer une tension entre au moins une électrode ponctuelle (13) agencée pour balayer de manière sélective une face de ladite structure composite (10) et ledit semi-conducteur, ou film mince de métal ou de supraconducteur. 3.- Composant selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite structure (10) est constituée d'un semi-conducteur ou d'un film mince (12) ou de métal ou de supraconducteur en contact intime avec une première face de ladite couche (11) d'un matériau ferroélectrique et d'un film très mince semi-conducteur, métallique ou supraconducteur (14) en contact intime avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique. 4.- Composant selon les revendication 2 et 3, caractérisé en ce que la surface de la structure qui est balayée est celle du film très mince (14) semi conducteur, métallique ou supraconducteur en intime contact avec la deuxième face de la couche de matériau ferroélectrique et en ce qu'une tension est appliquée entre ledit film très mince et ledit semi-conducteur ou ledit film mince métallique ou supraconducteur en intime contact avec la première face de la couche de matériau ferroélectrique. 5.- Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle est constituée par une pointe d'un microscope à sonde locale. 6.- Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle (13) est constituée par une source de particules. 7.- Composant selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau électronique. 8.- Composant selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite source de particules est agencée pour générer un faisceau ionique. 9.- Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite électrode ponctuelle (13) est constituée par une source de rayonnement. 10.- Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'état de polarisation dudit matériau ferroélectrique est représenté par une caractéristique sensible à des modifications locales de la densité électronique, dudit semi-conducteur, dudit film métallique ou supraconducteur. 11.- Composant selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite caractéristique est la conductance tunnel entre une sonde locale balayant la surface de structure (10) et la couche très mince (14) de semi-conducteur de film métallique ou supraconducteur.