Brevet FR2762928A1 — publié le 19981106

L'invention concerne une structure composite com- portant un substrat de croissance, plusieurs composants microélectroniques et une couche de diamant, la couche de diamant possédant, entre les composants, des zones minces, au niveau desquelles l'épaisseur de la couche de diamant est égale au maximum à 90 % et de préférence au maximum à % et d'une manière particulièrement préférentielle au maximum à 10 % de l'épaisseur de la couche de diamant dans la zone des composants, et un procédé pour fabriquer la structure composite, selon lequel on réalise le traitement préalable d'un substrat de croissance et on le place dans un réacteur, dans lequel notamment un vide peut être éta- bli, on dispose plusieurs composants micro-électroniques sur le substrat de croissance en utilisant un procédé de dépôt, et pour le dépôt d'une couche de diamant on réalise un ensemencement préalable d'une surface avec des germes de croissance pour la couche de diamant et on dépose la couche de diamant à partir d'une phase gazeuse, en prévoyant dans la couche de diamant des zones minces entre les composants, cette structure et ce procédé étant d'un type connu d'après le document allemand de base DE 44 27 715 Ci. D'après le document allemand DE 44 27 715 Cl dont on parle, on connaît un procédé pour fabriquer un substrat composite, selon lequel on dépose tout d'abord directement une couche de diamant sur un substrat de croissance. Ensuite on dispose une couche semiconductrice sur la couche de diamant. Sur la couche semiconductrice ou en s'aidant du point de vue fonctionnel de la couche semiconductrice, on dispose ensuite plusieurs composants micro-électroniques. On désigne sous le terme de composants (dispositifs) des composants individuels comme par exemple des diodes, des transistors, des condensateurs, des inductances, etc., mais également des groupes de composants comme par exemple des circuits intégrés (IC), des amplificateurs, des mémoires, etc. De ce fait, lors de la croissance de la couche semi- conductrice, afin que le nombre d'emplacements de défauts au-dessous des composants, c'est-à-dire dans la zone des racines des composants, soit réduit, la couche de diamant possède des bords à l'extérieur des racines des composants. Sur ces bords, qui sont situés entre les composants et au niveau desquels la couche de diamant est plus mince que dans la zone des racines des composants, la qualité de la couche semiconductrice déposée ultérieurement est améliorée au-dessus de la couche de diamant. En raison de cette amé- lioration de la qualité de la couche semiconductrice, au moins dans la zone des racines des composants, le taux de rebut lors de la fabrication des composants est réduit. Après la fabrication épitaxiale connue en soi des compo- sants et de leurs contacts de raccordement, on sépare ensuite les composants notamment par sciage, auquel cas il est possible d'éliminer le substrat de croissance par cor- rosion sélective éventuellement avant ou également après la séparation du substrat de croissance. En dépit de cette amélioration, le taux de rebut est de plus en plus élevé de sorte que ces composants sont de plus en plus coûteux. D'autre part, la fabrication d'une telle couche de diamant comportant des bords est compliquée du point de vue techno- logique et par conséquent est également coûteuse. La présente invention a pour but d'améliorer la structure de composition de base de manière que les coûts d'ensemble pour les composants micro-électroniques, qui sont fabriqués à l'aide de la structure composite, soient réduits et ce pour une qualité aussi bonne que possible des composants. Ce problème est résolu conformément à l'invention à l'aide d'une structure composite de base caractérisée en ce que les composants sont disposés directement sur le substrat de croissance et/ou sont fabriqués moyennant l'utilisation fonctionnelle du matériau du substrat de croissance, et que la couche de diamant est disposée sur la surface des composants, qui est tournée à l'opposé du subs- trat de croissance - désignée ci-après comme étant la sur- face du substrat, et à l'aide d'un procédé du type indiqué, caractérisé en ce - que sur le substrat de croissance, on dépose tout d'abord, de façon connue en soi, les composants, directe- ment et/ou moyennant l'utilisation du substrat de crois- sance, le substrat de croissance pourvu des composants étant désigné ci-après pour simplifier sous le terme subs- trat, - que pour l'ensemencement, on applique tout d'abord les germes de croissance pour la couche de diamant uniquement aux composants déposés, qu'on effectue l'ensemencement sur la surface tournée à l'opposé du substrat de croissance - désigné ci-après sous l'expression surface du substrat - des composants, et - qu'on dépose la couche de diamant après l'ensemencement sur la surface du substrat des composants. En dépit de la température élevée, qui met en danger les composants, lors du dépôt notamment de diamant polycristallin sur les composants déjà terminés et fabri- qués directement de façon connue sur le substrat de crois- sance, le taux de mise au rebut est réduit, ce qui réduit les coûts globaux de fabrication des composants. En outre le procédé de fabrication des composants est connu en soi et peut être réalisé à très bon marché, et ceci est égale- ment valable pour le dépôt de la couche de diamant, dont il n'est plus nécessaire de tenir compte de la structure (bords). En particulier les composants peuvent être en outre séparés les uns des autres par sciage de la structure composite, auquel cas dans la plupart des composants, la couche de diamant déposée peut toujours encore être réuti- lisée après le sciage. Selon une autre caractéristique de l'invention concernant la structure, la couche de diamant est formée de plusieurs îlots de diamant, à chaque composant est associé un îlot de diamant et les îlots de diamant sont disposés dans la zone des composants et au-dessus de ces derniers et les îlots de diamant sont séparés spatialement les uns des autres. Selon une autre caractéristique, la couche de diamant possède des bords à l'extérieur d'emplacements de contact déjà établies et/ou envisagées des composants et un composant ne comporte pas de diamant ou comporte un diamant uniquement en une quantité négligeable, au niveau de ses emplacements de contact. Selon une autre caractéristique, la couche de diamant est constituée par du diamant polycristallin. Selon une autre caractéristique, la couche de diamant fait saillie au moins par zones au-delà du bord d'un composant. Selon une autre caractéristique, la couche de diamant comporte, dans sa zone marginale et/ou au-dessus d'un composant individuel, des bords, au niveau desquels l'épaisseur de la couche varie brusquement d'au moins 10 % de l'épaisseur de la couche de diamant, de préférence d'au moins 50 % et notamment de préférence d'au moins 90 % de l'épaisseur de la couche de diamant. Selon une autre caractéristique, la couche de diamant possède, dans la zone située au-dessus d'un compo- sant individuel, des parties de diamant séparées spatiale- ment les unes des autres. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, pour l'ensemencement sur la surface du substrat, on dépose une poudre de diamant notamment mise en suspen- sion possédant de préférence un diamètre de grains attei- gnant jusqu'à 200 pm, et qu'on frotte ou on polit mécanique- ment les grains de la poudre de diamant dans la surface du substrat. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, pour l'ensemencement on applique sur la surface du substrat un liquide comportant des corps en diamant de telle sorte qu'on irradie ce liquide avec des ultrasons. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, pour l'ensemencement, on applique sur la surface du substrat une poudre de diamant, notamment mise en sus- pension, possédant de préférence un diamètre de grains atteignant jusqu'à 200 pm et on frotte ou on polit les grains de.la poudre de diamant dans la surface du substrat et avant ou ultérieurement on applique sur la surface du substrat un liquide contenant des grains de diamant - de préférence ayant un diamètre de grains atteignant jusqu'à pm - et qu'on irradie ce liquide avec des ultrasons. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, on ensemence sélectivement la surface du substrat. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, avant l'ensemencement, on applique sur la surface du substrat, au niveau des zones minces, une couche d'immu- nisation, qui au moins complique et de préférence empêche une nucléation pour le diamant, après l'immunisation par zones, on applique à la surface du substrat, dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation, des germes de croissance pour la couche de diamant formée ulté- rieurement, et on élimine la couche d'immunisation avant et/ou pendant le dépôt de la couche de diamant. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, avant l'ensemencement on dépose sur la surface du substrat, au niveau des emplacements minces, une couche d'immunisation, qui au moins complique et de préférence empêche une nucléation pour le diamant, qu'après l'immuni- sation par zones, on ensemence la surface du substrat dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation, on exécute l'ensemencement par voie mécanique et/ou par irradiation d'un liquide, qui possède des germes de crois- sance pour la couche de diamant, avec des ultrasons et la couche d'immunisation est éliminée avant et/ou pendant le dépôt de la couche de diamant. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, la surface du substrat comporte par zones, dans la zone du composant, une couche d'immunisation qui au moins complique et de préférence empêche une nucléation pour le diamant, après l'immunisation par zones, on ensemence la surface du composant dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation, on exécute l'ensemencement méca- niquement et/ou par irradiation d'un liquide, qui contient des germes de croissance pour la couche de diamant formée ultérieurement, avec des ultrasons et après l'ensemencement on exécute, dans la zone des germes de croissance, un dépôt en phase gazeuse de diamant. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, on dépose la couche de diamant selon un procédé de projection à arc électrique. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, on dépose la couche de diamant à l'aide d'un pro- cédé CVD plasmatique, notamment un procédé de projection à arc électrique, à des températures inférieures à 450 C, de préférence inférieures à 350 C et notamment de préférence inférieures à 300 C. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, le dépôt de diamant est exécuté à l'aide d'un pro- cédé de projection à arc électrique, que pour la production d'un plasma on introduit un gaz, de préférence un gaz rare, et notamment de préférence de l'argon, qu'ensuite on effec- tue une inflammation électrique et qu'à partir de là un plasma est produit, qu'on introduit le H2 dans un plasma de gaz inerte et qu'on l'enflamme pendant une phase de chevau- chement et on l'utilise comme matériau de plasma, et qu'après la phase de transfert, on arrête l'introduction de gaz inerte. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, dans le réacteur, on introduit de l'oxygène dans le réacteur, au moins conjointement avec le gaz utilisé comme matériau précurseur. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, avant l'inflammation du plasma, on recouvre au moins indirectement la surface ensemencée du substrat, avant le plasma et/ou avant un courant de gaz, qui agit de manière à recouvrir le substrat avec du diamant, à partir d'un matériau précurseur et après stabilisation du plasma et/ou du courant de gaz réalisant le recouvrement, à partir d'un matériau précurseur du revêtement. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, pour l'inflammation du plasma, et on maintient le revêtement pendant un intervalle de temps compris entre 5 et 30 mn, de préférence entre 10 et 20 mn et égal d'une manière particulièrement préférentielle à environ 15 mn. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, on refroidit le revêtement au moins pendant le recouvrement du substrat, notamment en y faisant circuler un agent de refroidissement liquide. Selon une autre caractéristique concernant le procédé, on met en température le substrat pendant le dépôt de la couche de diamant et ce à une température inférieure à 450 C et de préférence inférieure à 350 C et d'une manière particulièrement préférable inférieure à 300 C. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les- quels: - la figure 1 représente un substrat de crois- sance qui comporte plusieurs composants et sur lequel est déposée la couche de diamant, qui est agencée sous la forme d'îlots individuels de diamant; - la figure 2 représente une partie d'une coupe d'un composant sur lequel est disposée une couche de dia- mant formée par des blocs de diamant; - la figure 3 est un dessin de principe d'une installation de dépôt CVD (CVD = dépôt chimique en phase vapeur) servant à déposer un diamant sur des substrats; - la figure 4 montre une représentation détaillée d'un porte-substrat; - la figure 5 montre une représentation détaillée d'une buse pour le procédé de dépôt CVD utilisant un dispo- sitif de projection à arc électrique; et - la figure 6 représente un dessin détaillé d'un élément de revêtement. Sur la figure 1, on a représenté la structure composite 32, qui comporte plusieurs composants micro-élec- troniques 33. Les composants 33 sont disposés directement sur le substrat de croissance 35. Comme cela est visible notamment sur la figure 2, les composants 33 sont fabriqués moyennant l'utilisation fonctionnelle du matériau du subs- trat de croissance 35. L'utilisation fonctionnelle doit être comprise en ce sens que dans la zone d'un composant 33, le substrat de croissance 35 comporte par exemple une couche fonctionnelle ensevelie 38, comme notamment des couches semiconductrices dopées de type n ou de type p ou intrinsèques. Le substrat de croissance 35 et les couches fonc- tionnelles 36, 37 et 38 du composant 33, qui sont disposées sur ce substrat, forment un substrat 2, sur la surface extérieure 6 duquel on forme une couche de diamant 34, notamment à l'aide d'un procédé de dépôt à projection CVD à arc électrique. La couche de diamant 34 est formée par des îlots individuels de diamant séparés spatialement les uns des autres et qui sont déposés exclusivement dans la zone des composants 33, sous la forme polycristalline. Pour obtenir une bonne adhérence sur la surface des composants 33, les îlots de diamant sont subdivisés pour leur part en petits blocs individuels de diamant, qui sont également séparés les uns des autres. Grâce à ces dispositions, notamment la tension entre la couche de diamant 34 et la surface du com- posant sous-jacent 33 est au moins réduite. Sur la figure 2, on a représenté une partie d'une coupe d'un composant micro-électronique selon l'invention 33, qui s'étend transversalement à la surface plate du substrat 335 fabriqué notamment en silicium largement mono- cristallin. Le composant 33 possède des couches fonction- nelles 38 ensevelies dans le substrat de croissance 35. En ce qui concerne les couches fonctionnelles ensevelies 38, il peut s'agir par exemple de couches semiconductrices dopées de type n ou p ou de couches semiconductrices à conduction intrinsèque, le dopage étant réalisé de façon usuelle, notamment par diffusion et/ou implantation ionique. Sur les couches fonctionnelles ensevelies 38 sont disposées les couches électriquement isolantes 37, qui sont constituées par exemple de SiO2 et d'un diamant non dopé, et qui sont déposées de préférence à partir d'une phase gazeuse et/ou d'une phase liquide, par voie épitaxiale. Dans le plan de la face plate du substrat de croissance 35 sont disposés, dans la couche isolante 37 ou les couches fonctionnelles ensevelies 38, des voies conduc- trices 39 qui sont réalisées de préférence en aluminium. Au-dessus d'une couche isolante 37 est disposée une autre couche fonctionnelle 36, qui est déposée de façon appropriée selon un processus d'épitaxie connu d'une manière générale à partir d'une phase gazeuse et/ou d'un liquide sursaturé. Des blocs individuels de la couche de diamant 34 sont disposés au-dessus des couches fonctionnelles déposées 36 et également au moins en partie au-dessus des voies conductrices 39. Les blocs de diamant de la couche de dia- mant 34 sont séparés les uns des autres spatialement de sorte qu'après le dépôt de la couche de diamant 34, la sur- face 6 du substrat 2 comporte encore des zones libres. En particulier de telles zones libres de la sur- face 6 du substrat sont prévues au niveau d'emplacements de contact 40, au niveau desquels un contact électrique est établi avec le composant 33. Sur la figure 3, on a représenté un dessin de principe d'un dispositif servant à recouvrir un substrat 2 avec une couche de diamant 34. En ce qui concerne ce dispo- sitif, il s'agit d'une installation connue sous la désigna- tion "supersonic-DC-Arcjet", c'est-à-dire une installation à jet supersonique et à arc électrique à courant continu. L'installation de dépôt CVD possède une gamme de puissances comprise entre 1 et 5 kW. Le réacteur cylindrique 10 (récipient) est réa- lisé en acier inoxydable selon un agencement à paroi double, ce qui permet un refroidissement à l'aide d'eau, qui est relié au réacteur par l'intermédiaire d'un raccord à eau 13. Pour créer le vide dans l'enceinte intérieure 14 du réacteur, le dispositif comporte un système de pompe 15 qui est pourvu d'une unité de régulation de pression 31 et comprend trois pompes individuelles. La pression pouvant être obtenue est égale à environ 10-1 Pa. Comme pompes, il est prévu une pompe à disque rotatif et une pompe à piston rotatif. D'autre part, le dispositif comporte un système d'alimentation en gaz 16, auquel les gaz nécessaires pour un plasma (argon et hydrogène) ainsi que les gaz de traite- ment nécessaire pour la croissance du diamant, notamment de l'oxygène et du méthane, peuvent être introduits comme cela est désiré dans l'enceinte intérieure 14 du réacteur. Pour la détermination de la température du subs- trat 2 au-dessus de 400 C, il peut être judicieux que le dispositif comporte un pyromètre thermique. A l'intérieur du réacteur 10, dans lequel un vide peut être créé de préférence, est disposé un porte-substrat 1, qui est prévu pour loger selon une disposition à plat et avec une bonne conduction thermique, le substrat 2 préala- blement traité et déjà ensemencé. L'agencement de construc- tion du porte-substrat 1 est représenté sur la figure 4. Le porte-substrat 1 possède notamment un bloc massif à symétrie de révolution 17, qui possède une forme en T en coupe transversale et est formé de Cu. Le bloc est traversé en son centre par un thermocouple 12, qui est réa- lisé de préférence en chrome/aluminium (Cr/Al) et qui sert à mesurer la température du substrat 2. La surface libre de la section transversale la plus étendue du bloc 17 - dési- gnée ci-après comme étant la face 3 du substrat - est tour- née vers le substrat 2. Le corps de refroidissement 18 en Cu est disposé en étant étroitement en contact et en réali- sant un bon contact thermique, autour de la section trans- versale plus mince du substrat. Le corps de refroidissement 18 possède intérieurement des canaux 19 pouvant être par- courus par un fluide de refroidissement, notamment de l'eau, et qui sont reliés à un système de refroidissement 32. En raison de l'utilisation du cuivre, qui est bon conducteur thermique, et de l'écoulement intérieur du fluide de refroidissement on peut, avec un tel porte-subs- trat 1, réaliser une mise en température d'un substrat, qui est disposé sur le porte-substrat et est pourvu notamment d'une couche qui conduit bien la chaleur, par exemple en argent conducteur, à des températures inférieures à 400 C pendant un recouvrement avec du diamant. En général avec un tel refroidissement du substrat 2 et pour une température maximale de l'eau d'environ 368 K, on peut réaliser une mise en température seulement environ entre 400 C et 500 C. D'autre part, la régulation possible de la température est également limitée à une zone d'environ 85 C. A la place de l'argent conducteur, on peut égale- ment disposer entre le substrat 2 et la face du substrat une fente étroite, que traverse un gaz, la mise en tempéra- ture s'effectuant alors par convection. Etant donné que cette fente a une taille inférieure la plupart du temps à 1 mm, ce cas doit être considéré au sens de la présente demande également comme une conduction thermique directe. Ceci est au moins en partie peu satisfaisant pour le dépôt d'un revêtement à des températures plus basses du type de celles qui sont nécessaires notamment dans le cas présent du dépôt de diamant sur des composants micro-élec- troniques 33 au moins dans une large mesure fabriqués, et notamment de composants micro-électroniques 33 équipés de voies conductrices 39 en aluminium. Pour améliorer cet état de choses, le porte-subs- trat 1 comporte, sur sa face 3 portant le substrat, un disque de climatisation 4, qui est parcouru intérieurement (canaux de circuit d'écoulement 11) par un courant de gaz de mise en température et sur lequel est disposé le subs- trat 2. Eventuellement une couche d'isolation thermique 20 peut être disposée entre le disque de climatisation 4 et la face 3 du substrat. Etant donné que le disque de climatisation 4 s'applique uniquement par des barrettes 21 au moins indi- rectement sur la face 3 du substrat, la chaleur entre le disque de climatisation 3 et la face 3 du substrat du bloc 17 est au moins par endroits transférée par contact direct. Le transfert thermique s'effectue sur toute la surface entre le bloc 17 et le corps de refroidissement 18. En outre, un agencement en forme de barrette du disque de climatisation 4 est possible auquel cas le gaz de mise en température, notamment de l'air, circule à l'intérieur des canaux 22 qui se forment entre le disque 3 du substrat et le disque de climatisation 4. Toutes les possibilités et également leurs combi- naisons ont en commun le fait que l'ensemble d'évacuation de la chaleur dans le porte-substrat 11 est faible par rap- port à une évacuation de chaleur dans le cas de l'ins- tallation sur toute la surface. Ceci est avantageux étant donné que dans des cas appropriés, l'action de refroidisse- ment peut être trop importante, ce qui a pour effet que la température du substrat est alors trop faible. Bien que la capacité calorifique spécifique du gaz de mise en température soit égale approximativement seulement à 25 % de la capacité calorifique spécifique de l'eau, un substrat 2 disposé au moins indirectement sur le disque de climatisation 4 et par conséquent sur la surface du porte-substrat 1 peut être mis en température, et ce à des températures inférieures à 400 C et même inférieures à 300 C. De ce fait les composants micro-électroniques 33 sont également chargés faiblement, notamment de façon négligeable, lors du dépôt du diamant. En raison de la plus faible température lors du recouvrement de composants micro-électroniques 33 avec du diamant, le taux de mise au rebut est nettement réduit. D'autre part, la gamme de tem- pératures, dans laquelle le substrat 2 peut être mis en température, est accrue. En vis-à-vis du substrat 2 est disposée une buse 23 qui convient pour produire un jet de gaz qui recouvre le substrat 2 avec du diamant. De telles buses ont été déve- loppées à l'origine pour le vol dans l'espace, et dans ce cas d'utilisation, la dissociation du gaz de support formé d'hydrogène représente une perte élevée. Au contraire le degré de dissociation du gaz de support, qui est désigné comme étant le gaz de traitement ou le gaz précurseur par exemple lors de l'épitaxie d'un diamant à partir de la phase gazeuse, est important. L'agencement de la buse 23 est représenté sur la figure 5. La buse 23 possède une cathode 9 qui est disposée intérieurement d'une manière axiale et centrée dans la buse et est déplaçable axialement et qui possède un point de fusion de 3410 C et un formé d'un alliage de tungstène contenant 2 % de thorium. La cathode 9 est agencée sous la forme d'une aiguille de buse et agit simultanément en tant qu'aiguille de fermeture de l'ouverture 24 de la buse. Une ouverture d'admission du gaz 25 pour un ou éventuellement plusieurs gaz, qui formeront ultérieurement un plasma, notamment de l'hydrogène, est aménagée dans la zone située approximativement au centre de la cathode 9. Une anode 8 est disposée dans la zone, située côté sortie, de la buse 23. L'ouverture proprement dite 24 de la buse est formée par un insert, à savoir ce qu'on appelle le dis- positif d'étranglement 26, qui fait partie de l'anode 8. L'arc électrique de décharge nécessaire pour la formation du plasma est stabilisé dans la zone du dispositif d'étran- glement 26. Dans la zone de la pointe de l'aiguille de la cathode 9, c'est-à-dire au niveau de la fermeture de l'ouverture de buse 24, un disque d'injection 27 installé concentriquement par rapport à la cathode 9 est disposé en tant qu'entrée pour un ou plusieurs gaz du plasma, tandis qu'à l'extérieur de l'ouverture de buse 24 est disposé un disque d'injection 28 pour les gaz de traitement (CH4 et 02) L'anode 8 de la buse est réalisée en forme de dôme et est disposée, dans la zone de l'ouverture de buse, concentriquement autour de la cathode 9. L'anode 8 absorbe le courant d'électrode et est soumise à des contraintes thermiques intenses. Pour réduire les contraintes, la sur- face de contact de l'anode est fortement accrue, ce qui augmente le gradient de pression dans la zone de dilata- tion. Sous l'effet du gradient élevé de pression, la lon- gueur de parcours libre augmente et la zone de contact de l'anode 8 est lubrifiée. Entre l'entrée et la sortie de la buse 24, la pression chute d'environ 105 Pa à environ 0,3.102 Pa, c'est-à-dire entre 3 et 4 puissances de dix. Legaz de plasma formé se détend fortement, ce qui a pour effet que le plasma initialement chaud est compris entre environ 000 et 30 000 K et est refroidi à environ 5000 K. La pression statique présente à la sortie de la buse est supé- rieure à la pression dans le réacteur. La vitesse du jet atteint approximativement le triple de la vitesse du son en particulier en raison de la forte dilatation du plasma. Ci-après, on va décrire brièvement le fonctionne- ment de la buse 23 - c'est-à-dire du dispositif Arcjet. Dans la buse 23, un champ électrique est établi entre la cathode 9 et l'anode 8. Les électrons arrivant de la cathode 9 sont fortement accélérés. Une partie de l'énergie cinétique des électrons est évacuée par l'intermédiaire de phénomènes de chocs, sur le gaz constituant ultérieurement le plasma - désigné ci-après encore seulement sous le terme * d'hydrogène -, ce qui produit l'ionisation et la dissocia- tion de l'hydrogène. L'hydrogène est introduit au centre de la cathode en forme d'aiguille 9, tangentiellement à la cathode 9, ce qui a pour effet qu'un tourbillonnement est appliqué à l'hydrogène. En raison de la géométrie convergente de la chambre à gaz entre l'anode 8 et le boîtier qui l'entoure, l'hydrogène est accéléré, à une faible distance en amont du dispositif de limitation 26, vient en contact avec l'arc de décharge sortant de la pointe de la cathode. La pression élevée relative dans la zone du dispositif de limitation 26 conduit à une fréquence élevée de chocs et par conséquent à un bon contact thermique entre les électrodes de l'arc de décharge et l'hydrogène et à la formation du plasma. En aval de la buse 23, le jet de plasma s'élargit de sorte que sa densité d'énergie diminue. Le disque d'injection 28, qui est situé en avant, c'est-à-dire qui est situé côté sortie d'écoulement, intro- duit, dans le plasma en écoulement rapide, le gaz de trai- tement ou le gaz précurseur, dont l'énergie est accrue dans le plasma et dont le courant de gaz est dirigé vers le substrat 2, o il se dépose en formant le diamant. Entre la buse 23 et la surface à recouvrir 6 du substrat est disposé un élément de recouvrement 7 qui est représenté de façon plus détaillée sur la figure 6. L'élé- ment de recouvrement 7 en forme de plaque possède une forme approximativement triangulaire. L'élément de revêtement en forme de plaque 7 est monté de manière à pouvoir tourner autour d'un axe de pivotement 29 qui est parallèle à la normale de la surface du substrat 2. Au niveau d'une zone marginale, le dispositif de revêtement 7 possède une ouver- ture de dépôt 30 de préférence de forme circulaire, qui est adaptée à la forme du substrat. Dans l'autre zone, l'élé- ment de recouvrement 7 est situé à la même distance de l'axe de pivotement que l'ouverture de dépôt. L'élément de recouvrement est réalisé avec une forme fermée hormis au niveau de l'ouverture de dépôt 30, le diamètre de l'ouverture de dépôt 30 correspondant au moins approximati- vement au diamètre du substrat 2 et étant notamment légère- ment supérieur à ce dernier. On recouvre la surface ensemencée 6 du substrat 2 avec l'élément de recouvrement 7, avant l'inflammation du plasma, puis on le retire à nouveau éliminé seulement après la stabilisation du plasma et/ou du courant de gaz agissant en tant que recouvrement et formé d'un matériau précurseur. Après l'inflammation du plasma, la durée du recouvrement est comprise entre 5 et 30 mn et de préférence entre 10 et mn et est égale notamment de préférence à environ 15 mn. Il est judicieux que l'élément de revêtement 7 soit refroidi au moins pendant le recouvrement du substrat 2. Le refroidissement s'effectue de façon appropriée à l'aide d'un liquide de refroidissement, de préférence de l'eau, qui circule dans des canaux qui sont aménagés dans l'élément de recouvrement. D'autre part il est avantageux de faire pénétrer, avant l'inflammation du plasma, tout d'abord un gaz inerte, de préférence un gaz rare, d'une manière particulièrement préférentielle de l'argon (Ar) entre une anode et une cathode, à enflammer l'argon et à produire à partir de là un plasma de Ar. Dans le plasma de Ar on introduit, pendant une phase de transfert, de l'hydrogène, on l'enflamme et on l'utilise comme matériau de plasma, auquel cas à la suite de la phase de transfert, on interrompt l'alimentation en argon. Dans le cadre de ce mode opératoire, le gaz de processus utilisé comme matériau précurseur est introduit au plus tôt avec le gaz H2, notamment au plus tôt après la phase de transfert dans le plasma, auquel cas il est judi- cieux d'introduire de l'oxygène (02) conjointement avec le gaz de traitement utilisé en tant que matériau précurseur. Ci-après, on va décrire le procédé pour fabriquer une structure composite selon l'invention. Tout d'abord, on place dans le réacteur 10 le substrat de croissance 35 net- toyé et habituellement préalablement traité, et on crée le vide dans le réacteur 10. Après avoir effectué le vide, à l'aide du substrat de croissance 35 et en utilisant un pro- cédé épitaxial on fabrique plusieurs composants micro-élec- troniques de façon connue, en rapport avec leur structure à couches. Comme cela a déjà été mentionné précédemment, le substrat de croissance 35 et les couches fonctionnelles 36, 37 et 38 du composant 33, qui sont disposées sur le subs- trat, forment le substrat 2, qui doit recevoir la couche de diamant 34 sur sa surface extérieure 6. Après la fabrication du substrat 2, on dépose par zones, par exemple au moyen d'un procédé lithographique, sur la surface 6 du substrat, qui est tournée à l'opposé du substrat de croissance 35, une couche d'immunisation ou par exemple une photolaque AZ4533 ayant pour épaisseur de couche 1,5 pm et que l'on fait cuire à environ 80 C. L'ensemencement de la surface 6 du substrat est empêché ou au moins rendu compliqué dans la zone de la couche d'immu- nisation. Sous le terme complication il faut comprendre qu'après l'ensemencement, la densité de germes présents dans ces zones est trop faible pour la formation d'un dépôt fermé de diamant. L'ensemencement de la surface restante libre 6 du substrat s'effectue après le dépôt de la couche d'immunisa- tion. La surface du substrat est ensemencée de préférence mécaniquement et/ou à l'aide d'ultrasons. Dans le cas de l'ensemencement à l'aide d'ultrasons, on place le substrat dans un récipient conte- nant une suspension diamant - eau et on l'irradie à l'aide d'ultrasons. On applique des germes de croissance à la sur- face 6 du substrat de préférence dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation. Lors de l'ensemencement mécanique, on dépose sur la surface 2 du substrat, une boue ou une pâte formée d'isopropanol et de poudre de diamant et on frotte et on polit les grains de la poudre de diamant dans la surface 6 du substrat. De même on applique des germes de croissance sur la surface 6 du substrat, de préférence à l'extérieur de la couche d'immunisation. Après l'ensemencement, on retire la couche d'immunisation et on dépose la couche de diamant 34 - comme cela a déjà été décrit précédemment. En particulier on peut éliminer la couche d'immunisation lors du dépôt de la couche de diamant 34 ou déjà avant le dépôt de cette couche, par exemple par dissolution dans de l'acétone, cal- cination dans le plasma d'oxygène, corrosion plasmatique ou retrait purement thermique. De même d'autres types d'ensemencements sélectifs sont possibles à la place du mode opératoire indiqué lors de l'ensemencement. Ainsi il est particulièrement approprié de déposer, aux emplacements o ultérieurement la couche de diamant doit être disposée, une photolaque qui est mélangée à des germes de croissance pour la couche de diamant. Par conséquent ici il n'y a aucune suppression d'un ensemence- ment et au contraire l'ensemencement est prédéterminé par la photolaque. Dans le tableau indiqué ci-après, on a représenté les paramètres d'essais pour différents matériaux formant substrats et leurs résultats. On a appliqué un traitement préalable comparable à tous les substrats, en particulier on les a nettoyés et on les a ensemencés conformément au procédé indiqué plus loin; la densité de germes et la taille des germes de croissance étaient comparables. Pour le tableau, on a utilisé les désignations suivantes: Nr:Numéro de l'échantillon, Sub.:Matériau du substrat, le composant micro-élec- tronique était un transistor MOSFET réalisé selon la technique SI/SiO2, qui était encore entièrement apte à fonctionner avant et après le dépôt du revêtement, CH4/H2: Rapport du méthane à l'hydrogène en pour cent [g], 02/CH4: Rapport de l'oxygène au méthane en pour cent C%], H2-Fluss: Ecoulement de gaz de l'hydrogène en [slm], ID: Flux de courant dans la buse entre l'anode et la cathode en ampères [A], Ts: Température du substrat lors du dépôt du diamant en [ C], PD: Puissance moyenne dans le dispositif Arcjet en [kW], tw: Durée du processus en [mn], dS: Epaisseur moyenne de la couche de diamant en [Mm], VS: Vitesse ou cadence de croissance en [pm/h], et Haftung: Adhérence de la couche de diamant au substrat respectif Nr. A214 A162 A163 A212 A252 A246 A219 Sub. Si Al Al Al Al ComposantWC-Co micro- électro- nique CH4/H2 0,29 0,28 0,28 0,29 0,30 0,3 0,3 02/CH4 13 15 15 13 12 12 15 H2-Fluss 15,6 14 14 15,6 15,6 14 ID 20 15 15 20 22 22 15 Ts 360 405 405 360 360 380 280 PD 2,48 1,78 1,78 2,4 2,8 2,75 1,8 tW 135 180 120 100 60 350 120 dS 1, 3 2,1 1,5 1,8 0,5 0,8 1,6 VS 0,74 0,7 0,75 1,08 0,5 1,2 0,8 Haftung bonne bonne bonne bonne bonne bonne bonne Comme cela est visible dans le tableau, on a pu obtenir des vitesses et cadences élevées de croissance sur tous les substrats, qui sont supérieures d'environ une puissance de dix aux vitesses et cadences de croissance connues à ces températures. Dans tous les échantillons indiqués, on avait une bonne adhérence de la couche de diamant sur le substrat. On a déterminé l'adhérence sur la base du test dit "Scotch- Tape" ou test ST, c'est-à-dire test utilisant une bande adhésive. Lors de ce test, on colle sur la couche de dia-5 mant une bande adhésive (marque déposée Tesa-Film). Si lors de la traction de la tige de collage la couche de diamant ne se détache pas du substrat, l'adhérence est considérée comme suffisante. REVENDICATIONS 1. Structure composite comportant un substrat de croissance, plusieurs composants micro-électroniques et une couche de diamant, la couche de diamant possédant, entre les composants, des zones minces, au niveau desquelles l'épaisseur de la couche de diamant est égale au maximum à % et de préférence au maximum à 50 % et d'une manière particulièrement préférentielle au maximum à 10 % de l'épaisseur de la couche de diamant dans la zone des compo- sants, caractérisée en ce que les composants (33) sont dis- posés directement sur le substrat de croissance (35) et/ou sont fabriqués moyennant l'utilisation fonctionnelle du matériau du substrat de croissance (35), et que la couche de diamant (34) est disposée sur la surface des composants, qui est tournée à l'opposé du substrat de croissance (35) - désignée ci-après comme étant la surface (6) du substrat. 2. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) est formée de plusieurs îlots de diamant, qu'à chaque composant est associé un îlot de diamant et que les îlots de diamant sont disposés dans la zone des composants (33) et au-dessus de ces derniers et que les îlots de diamant sont séparés spa- tialement les uns des autres. 3. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) possède des bords à l'extérieur d'emplacements de contact (40) déjà établies et/ou envisagées des composants (35) et qu'un com- posant (33) ne comporte pas de diamant ou comporte un dia- mant uniquement en une quantité négligeable, au niveau de ses emplacements de contact (40). 4. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) est constituée par du diamant polycristallin. 5. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) fait sail- lie au moins par zones au-delà du bord d'un composant (33). 6. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) comporte, dans sa zone marginale et/ou au-dessus d'un composant indi- viduel (33), des bords, au niveau desquels l'épaisseur de la couche varie brusquement d'au moins 10 % de l'épaisseur de la couche de diamant (34), de préférence d'au moins 50 % et notamment de préférence d'au moins 90 % de l'épaisseur de la couche de diamant (34). 7. Structure composite selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de diamant (34) possède, dans la zone située au-dessus d'un composant individuel (33), des parties de diamant séparées spatialement les unes des autres. 8. Procédé pour fabriquer une structure compo- site, selon lequel on réalise le traitement préalable d'un substrat de croissance et on le place dans un réacteur, dans lequel notamment un vide peut être établi, on dispose plusieurs composants micro- électroniques sur le substrat de croissance en utilisant un procédé de dépôt, et pour le dépôt d'une couche de diamant on réalise un ensemencement préalable d'une surface avec des germes de croissance pour la couche de diamant et on dépose la couche de diamant à partir d'une phase gazeuse, en prévoyant dans la couche de diamant des zones minces entre les composants, caractérisé en ce - que sur le substrat de croissance (35), on dépose tout d'abord, de façon connue en soi, les composants (33), directement et/ou moyennant l'utilisation du substrat de croissance (35), le substrat de croissance (33) pourvu des composants (33) étant désigné ci-après pour simplifier sous le terme substrat (2), - que pour l'ensemencement, on applique tout d'abord les germes de croissance pour la couche de diamant (34) unique- ment aux composants déposés (33), - qu'on effectue l'ensemencement sur la surface tournée à l'opposé du substrat de croissance (35) - désigné ci-après sous l'expression surface (2) du substrat - des composants (33), et - qu'on dépose la couche de diamant (34) après l'ensemence- ment sur la surface (2) du substrat des composants (33). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que pour l'ensemencement sur la surface (2) du subs- trat, on dépose une poudre de diamant notamment mise en suspension possédant de préférence un diamètre de grains atteignant jusqu'à 200 pm, et qu'on frotte ou on polit méca- niquement les grains de la poudre de diamant dans la sur- face (2) du substrat. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que pour l'ensemencement on applique sur la surface (2) du substrat un liquide comportant des corps en diamant de telle sorte qu'on irradie ce liquide avec des ultrasons. 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que pour l'ensemencement, on applique sur la surface (2) du substrat une poudre de diamant, notamment mise en suspension, possédant de préférence un diamètre de grains atteignant jusqu'à 200 pm et qu'on frotte ou on polit les grains de la poudre de diamant dans la surface (2) du subs- trat et qu'avant ou ultérieurement on applique sur la sur- face (2) du substrat un liquide contenant des grains de diamant - de préférence ayant un diamètre de grains attei- gnant jusqu'à 200 pm - et qu'on irradie ce liquide avec des ultrasons. 12. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on ensemence sélectivement la surface du substrat. 13. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'avant l'ensemencement, on applique sur la surface du substrat (2), au niveau des zones minces, une couche d'immunisation, qui au moins complique et de préférence empêche une nucléation pour le diamant, qu'après l'immunisation par zones, on applique à la surface (2) du substrat, dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation, des germes de croissance pour la couche de diamant (34) formée ultérieurement, et qu'on élimine la couche d'immunisation avant et/ou pendant le dépôt de la couche de diamant (34). 14. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'avant l'ensemencement on dépose sur la surface (2) du substrat, au niveau des emplacements minces, une couche d'immunisation, qui au moins complique et de préférence empêche une nucléation pour le diamant, qu'après l'immuni- sation par zones, on ensemence la surface du substrat (2) dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisa- tion, on exécute l'ensemencement par voie mécanique et/ou par irradiation d'un liquide, qui possède des germes de croissance pour la couche de diamant (1), avec des ultra- sons et que la couche d'immunisation est éliminée avant et/ou pendant le dépôt de la couche de diamant. 15. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la surface (2) du substrat comporte par zones, dans la zone du composant (33), une couche d'immunisation qui au moins complique et de préférence empêche une nucléa- tion pour le diamant, qu'après l'immunisation par zones, on ensemence la surface du composant dans la zone située à l'extérieur de la couche d'immunisation, qu'on exécute l'ensemencement mécaniquement et/ou par irradiation d'un liquide, qui contient des germes de croissance pour la couche de diamant (34) formée ultérieurement, avec des ultrasons et qu'après l'ensemencement on exécute, dans la zone des germes de croissance, un dépôt en phase gazeuse de diamant. 16. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on dépose la couche de diamant (34) selon un pro- cédé de projection à arc électrique. 17. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on dépose la couche de diamant (34) à l'aide d'un procédé CVD plasmatique, notamment un procédé de projection à arc électrique, à des températures inférieures à 450 C, de préférence inférieures à 350 C et notamment de préfé- rence inférieures à 300 C. 18. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le dépôt de diamant est exécuté à l'aide d'un procédé de projection à arc électrique, que pour la produc- tion d'un plasma on introduit un gaz, de préférence un gaz rare, et notamment de préférence de l'argon (Ar), qu'ensuite on effectue une inflammation électrique et qu'à partir de là un plasma est produit, qu'on introduit le H2 dans un plasma de gaz inerte et qu'on l'enflamme pendant une phase de chevauchement et on l'utilise comme matériau de plasma, et qu'après la phase de transfert, on arrête l'introduction de gaz inerte. 19. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce que dans le réacteur, on introduit de l'oxygène (02) dans le réacteur, au moins conjointement avec le gaz utilisé comme matériau précurseur. 20. Procédé selon la revendication 18, caracté- risé en ce qu'avant l'inflammation du plasma, on recouvre au moins indirectement la surface ensemencée (6) du subs- trat, avant le plasma et/ou avant un courant de gaz, qui agit de manière à recouvrir le substrat (2) avec du dia- mant, à partir d'un matériau précurseur et après stabilisa- tion du plasma et/ou du courant de gaz réalisant un recou- vrement, à partir d'un matériau précurseur du revêtement. 21. Procédé selon la revendication 20,caractérisé en ce que pour l'inflammation du plasma, on maintient le revêtement pendant un intervalle de temps compris entre 5 et 30 mn, de préférence entre 10 et 20 mn et égal d'une manière particulièrement préférentielle à environ 15 mn. 22. Procédé selon la revendication 20, caracté- risé en ce qu'on refroidit le revêtement au moins pendant le recouvrement du substrat, notamment en y faisant circu- ler un agent de refroidissement liquide. 23. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'on met en température le substrat pendant le dépôt de la couche de diamant (34) et ce à une température infé- rieure à 450 C et de préférence inférieure à 350 C et d'une manière particulièrement préférable inférieure à 300 C.