Brevet FR2752330A1 — publié le 19980213

PROCEDE D'ELIMINATION DE CONTAMINANTS METALLIQUES D'UN SUBSTRAT SIMOX CONTEXTE DE L'INVENTION La présente invention concerne un procédé d'élimination de contaminants métalliques d'un substrat SIMOX. Ces dernières années, les exigences concernant des améliorations de performances à grande vitesse d'un dispositif semiconducteur ont augmenté, donnant lieu à une technique pour isoler un substrat semiconducteur par une couche diélectrique noyée dans le substrat semiconducteur afin de réduire la capacité parasitaire et la capacité des conducteurs électriques. Le substrat SIMOX est un substrat à séparation par de l'oxygène implanté dans lequel un substrat de silicium est séparé par une couche d'oxyde enterrée formée par implantation d'ions oxygène. Un procédé classique de formation d'un substrat SIMOX sera décrit en référence aux figures 1A et 1B. En se référant à la figure lA, des ions oxygène 3 sont implantés dans un substrat de silicium monocristallin 1 à une dose dans la gamme de 0,4x1018 cm-2 et à une température de substrat autour de 600"C afin de former une couche d'oxyde implantée 4. En se référant à la figure 1B, le substrat 1 est soumis à un traitement thermique à une température d'au moins 1300"C pendant quelques heures pour provoquer une réaction de l'oxygène avec le silicium pour former une couche d'oxyde de silicium enterrée 5 dans le substrat à base de silicium 1. Des contaminants métalliques peuvent être introduits dans le substrat SIMOX pendant le procédé d'implantation d ions oxygène. Un résultat d'analyse des contaminants métalliques dans le substrat SIMOX est signalé par K. Watanabe et al. dans la conférence SOI internationale IEEE, octobre 1994, page 95. Des défauts continus de dislocation et d'empilement formés dans le substrat SIMOX sont signalés par J. Stoemanos et al. dans Proceedings of Sixth International Symposium On SOI Technology and Devices 1994, page 16. Les défauts continus de dislocation et d'empilement peuvent provoquer une détérioration de la performance des dispositifs, telle qu'une augmentation du courant de fuite. Il n'y a pas eu de rapport concernant l'élimination des contaminants métalliques du substrat SIMOX. Des contaminations par des métaux lourds du substrat de silicium ne dépassent habituellement pas une limite détectable du dispositif d'analyse déjà connu. Comme procédé de sorption par getter des métaux lourds introduits dans les procédés de dispositif, des gaz inertes, tels que l'azote ou l'argon, sont implantés sous forme d'ions dans le substrat de silicium. En variante, un film de silicium polycristallin est formé sur une surface inférieure du substrat de silicium qui est décrit dans la publication du brevet japonais ouverte à l'inspection publique N" 1-235242. Les publications de brevets japonais ouvertes à l'inspection publique 4-53140 et 4-17182 décrivent la réalisation d'un traitement thermique et d'une formation d'un film de polysilicium. Comme décrit ci-dessus, les contaminants métalliques, les défauts de dislocation ou d'empilement peuvent provoquer une détérioration de la résistance du film d'oxyde et une augmentation du courant de fuite. Pour obtenir une performance élevée et une fiabilité élevée du dispositif formé sur le substrat SIMOX, il est nécessaire de réduire la concentration en contaminants métalliques du substrat SIMOX pour empêcher les défauts de dislocation et d'empilement. Néanmoins, dans la technique antérieure, il n'y a pas de rapport concernant un essai pour éliminer les contaminants métalliques du substrat SIMOX. Si de l'azote ou de l'argon est implanté sous forme d'ions dans le substrat SIMOX ou si un film de polysilicium est formé sur la surface inférieure du substrat SIMOX, aucun effet réel ne peut être obtenu. A savoir, si de l'azote ou de l'argon est implanté sous forme d'ions dans le substrat SIMOX alors, pendant un traitement thermique, les contaminants de type métaux lourds peuvent être capturés par des défauts formés pendant l'implantation d'ions. Si le film de polysilicium est formé sur la surface inférieure du substrat SIMOX, alors les contaminants de type métaux lourds peuvent être capturés par les grains cristallins de polysilicium. Néanmoins, si le traitement thermique est réalisé pour réparer les défauts cristallins dans le substrat SIMOX ou pour réaliser une cristallisation du polysilicium pour donner une perfection cristalline, la capacité d'élimination des contaminants de type métaux lourds par sorption par getter est réduite. Habituellement, si le traitement thermique est réalisé à une température élevée d'au moins 1300"C, l'implantation d'ions azote ou argon dans le substrat SIMOX ou la formation du film de polysilicium sur la surface inférieure du substrat SIMOX n'est plus efficace. Dans les circonstances ci-dessus, il a été nécessaire de développer un nouveau procédé de formation d'un substrat SIMOX en réduisant la concentration en contaminants métalliques et la densité de défauts cristallins. RESUME DE L'INVENTION Par conséquent, un but de la présente invention est de fournir un nouveau procédé de formation d'un substrat SIMOX dépourvu des problèmes décrits cidessus. Un autre but de la présente invention est de fournir un nouveau procédé de formation d'un substrat SIMOX ayant une concentration en contaminants métalliques réduite. Un autre but encore de la présente invention est de fournir un nouveau procédé de formation d'un substrat SIMOX ayant une densité de défauts cristallins réduite. Encore un autre but de la présente invention est de fournir un procédé d'élimination des contaminants métalliques d'un substrat SIMOX. Les buts, les caractéristiques et les avantages ci-dessus et d'autres de la présente invention apparaîtront à la lecture des descriptions suivantes. La présente invention fournit un procédé de formation d'un substrat de silicium comprenant les étapes suivantes. On forme un film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat à base de silicium. On réalise une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure du substrat de silicium à une température de substrat dans la gamme de 400"C-700"C. On élimine le film de sorption par effet getter du substrat de silicium. On soumet le substrat de silicium à un traitement thermique à une température d'au moins 1300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium dans le substrat de silicium. Il est préférable que le film de sorption par effet getter comprenne un film de polysilicium, un film de silicium amorphe, un film d'oxyde de silicium, un film de nitrure de silicium ou des placages de n importe quelle combinaison de ceux-ci. La présente invention fournit un procédé de formation d'un substrat à base de silicium comprenant les étapes suivantes. On forme un film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat de silicium. On réalise une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure du substrat de silicium à une température de substrat dans la gamme de 400"C- 700"C. On soumet le substrat de silicium à un premier traitement thermique à une température dans la gamme de 500"C-1000"C. On élimine le film de sorption par effet getter du substrat de silicium. On soumet le substrat de silicium à un second traitement thermique à une température d'au moins 1300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium dans le substrat de silicium. Il est préférable que le film de sorption par effet getter comprenne un film de polysilicium, un film de silicium amorphe, un film d'oxyde de silicium, un film de nitrure de silicium ou des placages de n importe quelle combinaison de ceux-ci. La présente invention fournit un procédé de formation d'un substrat de silicium comprenant les étapes suivantes. On forme un premier film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat de silicium. On réalise une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure du substrat de silicium à une température de substrat dans la gamme de 400"C-700"C. On soumet le substrat de silicium à un premier traitement thermique à une température dans la gamme de 500"C-1000"C. On élimine le premier film de sorption par effet getter du substrat de silicium. On forme un second film de sorption par effet getter au moins sur la surface inférieure du substrat de silicium. On soumet le substrat de silicium à un second traitement thermique à une température d'au moins 1300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium dans le substrat de silicium. Il est préférable que le film de sorption par effet getter comprenne un film de polysilicium, un film de silicium amorphe, un film d'oxyde de silicium, un film de nitrure de silicium ou des placages de n importe quelle combinaison de ceux-ci. Il est aussi préférable que le second film de sorption par effet getter soit formé sur toute la surface du substrat de silicium. BREVES DESCRIPTIONS DES DESSINS Des modes de réalisation préférés selon la présente invention seront décrits en détail en se référant aux dessins annexés. Les figures 1A et 1B représentent des vues partielles en élévation en coupe droite illustrant des substrats SIMOX dans des étapes séquentielles mises en jeu dans le procédé de formation classique. Les figures 2A à 2D représentent des vues partielles en élévation en coupe droite illustrant des substrats SIMOX dans des étapes séquentielles mises en jeu dans un nouveau procédé de formation dans un premier mode de réalisation selon la présente invention. Les figures 3A à 3D représentent des vues partielles en élévation en coupe droite illustrant des substrats SIMOX dans des étapes séquentielles mises en jeu dans un nouveau procédé de formation dans un deuxième mode de réalisation selon la présente invention. Les figures 4A à 4D représentent des vues partielles en élévation en coupe droite illustrant des substrats SIMOX dans des étapes séquentielles mises en jeu dans un nouveau procédé de formation dans un troisième mode de réalisation selon la présente invention. La figure 5 représente un diagramme illustrant la différence de concentration en contaminants de type Fe de substrats SIMOX formés selon la présente invention et selon le procédé classique. La figure 6 représente un diagramme illustrant la différence de densité de piqûres de corrosion de substrats SIMOX formés selon la présente invention et selon le procédé classique. MODES DE REALISATION PREFERES Un premier mode de réalisation selon la présente invention va être décrit en se référant aux figures 2A à 2D. En se référant à la figure 2A, on dépose un film de polysilicium 2 ayant une épaisseur de 1 à 2 nanomètres sur une surface inférieure d'un substrat de silicium monocristallin 1 par dépôt chimique en phase vapeur. Compte tenu des effets de sorption par effet getter, une petite taille des grains de cristaux est préférable de sorte que la température de croissance est de préférence d'environ 600"C. En variante, on peut former un film de silicium amorphe ayant une épaisseur de 1 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression à une température de 550"C pendant quatre heures. En variante, en outre, on peut former un film de nitrure de silicium ayant une épaisseur de 0,5 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression ou par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à plasma en utilisant du SiH2Cl2 gazeux et du NH4 gazeux. A la place du film de sorption par effet getter ci-dessus, on peut utiliser un film d'oxyde de silicium ou des placages de ces films. En se référant à la figure 2B, on maintient le substrat de silicium monocristallin 1 à une température dans la gamme de 400 C-700 C pour une implantation ultérieure d'ions oxygène 3 dans la surface du substrat de silicium monocristallin 1 à une dose de 0,4 à 1,8 x 1018 pour former une couche implantée d'oxygène 4. Lorsqu'on maintient le substrat à une telle température élevée, alors les contaminants métalliques sont capturés par le film de polysilicium 2 formé à la surface inférieure du substrat de silicium monocristallin 1. Si l'on maintient le substrat à une température inférieure à 400"C, alors il est nécessaire de poursuivre le traitement thermique pendant un temps prolongé dépassant 10 heures compte tenu de la longueur de diffusion de Fe. Ainsi, le film de polysilicium ou le film de nitrure de silicium sert de source d'absorption pour absorber le silicium interstitiel produit dans les trous d'implantation d'ions ou de décharge. L'absorption du silicium interstitiel conduit à une réduction de la densité des défauts d'empilement formés dans un procédé ultérieur de formation d'un film d'oxyde de silicium lors d'un traitement thermique à température élevée. En se référant à la figure 2C, on décape ensuite le film de polysilicium 2 dans lequel les contaminants métalliques et le silicium interstitiel ont été absorbés en utilisant une solution d'attaque de type KOH. Si le film de nitrure de silicium est formé comme film de sorption par effet getter, alors le film de nitrure de silicium peut être décapé par une solution d'attaque de type H3PO4. En se référant à la figure 2D, on réalise un traitement thermique du substrat 1 à une température d'au moins 1300"C, les atomes d'oxygène implantés réagissant avec le silicium afin de former un film d'oxyde de silicium enterré 5 dans le substrat à base de silicium monocristallin 1. Dans l'implantation des ions oxygène dans le substrat 1, une grande quantité de silicium interstitiel est éliminé, mais a déjà été absorbée par le film de sorption par effet getter 2 éliminé. Pour ces raisons, la production de défauts d'empilement est bien empêchée. On forme ainsi un substrat SIMOX. On mesure la concentration en contaminants de type Fe et la densité de piqûres de corrosion du substrat SIMOX. On mesure la concentration en contaminants de type Fe par analyse par absorption atomique. La figure 5 illustre la différence de concentration en contaminants de type Fe des substrats SIMOX formés selon la présente invention et selon le procédé classique. Le substrat SIMOX formé selon la présente invention présente une concentration en contaminants de type Fe inférieure de plus d'un ordre à celle du substrat SIMOX formé par le procédé classique. La figure 6 illustre la différence de densité de piqûres de corrosion par décapage SECCO de substrats SIMOX formés selon la présente invention et selon le procédé classique. Le substrat SIMOX formé selon la présente invention présente une densité de piqûres de corrosion inférieure de plus d'un ordre à celle du substrat SIMOX formé par le procédé classique. Un deuxième mode de réalisation selon la présente invention va etre décrit en se référant aux figures 3A à 3D. En se référant à la figure 3A, on dépose un film de polysilicium 2 ayant une épaisseur de 1 à 2 nanomètres sur une surface inférieure d'un substrat de silicium monocristallin 1 par dépôt chimique en phase vapeur. Compte tenu des effets de sorption getter, une petite taille des grains de cristaux est préférable de sorte que la température de croissance est de préférence d'environ 600"C. En variante, on peut former un film de silicium amorphe ayant une épaisseur de 1 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression à une température de 550"C pendant quatre heures. En variante, en outre, on peut former un film de nitrure de silicium ayant une épaisseur de 0,5 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression ou par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à plasma en utilisant du SiH2Cl2 gazeux et du NH4 gazeux. A la place du film de sorption getter ci-dessus, on peut utiliser un film d'oxyde de silicium ou des placages de ces films. On maintient le substrat de silicium monocristallin 1 à une température dans la gamme de 400"C-700"C pour une implantation ultérieure d'ions oxygène 3 dans la surface du substrat de silicium monocristallin 1 à une dose de 0,4 à 1,8 x 1018 pour former une couche implantée d'oxygène 4. En se référant à la figure 3B, même après l'implantation des ions oxygène 3 dans la surface du substrat de silicium monocristallin 1, on maintient le substrat 1 à une température élevée dans la gamme de 500"C-1000"C, de façon à permettre la diffusion thermique des contaminants métalliques de la surface supérieure du substrat 1 jusqu'à la surface inférieure de celui-ci, de façon à ce que les contaminants métalliques soient capturés par le film de polysilicium 2 formé sur la surface inférieure du substrat de silicium monocristallin 1. Si aucun autre traitement thermique n'est réalisé, les contaminants métalliques introduits à la surface supérieure du substrat 1 ne peuvent pas diffuser dans la surface inférieure du substrat 1 et restent dans le substrat 1 et ne sont donc pas capturés par le film de sorption getter. L'autre traitement thermique ci-dessus peut être réalisé dans le système d'implantation d'ions mais l'autre traitement thermique devrait être réalisé à une température supérieure à la température de l'implantation d'ions. Les contaminants métalliques introduits dans le procédé d'implantation d'ions peuvent précipiter lorsque la température chute à la température ambiante et lorsque la solubilité des matières solides chute aussi. Pour réaliser le procédé de sorption getter des contaminants métalliques précipités en solution solide, la température doit être supérieure à celle de l'implantation d'ions. Par exemple, une température de 500"C à 1000"C est efficace. En se référant à la figure 3C, on décape ensuite le film de polysilicium 2 dans lequel les contaminants métalliques et le silicium interstitiel ont été absorbés en utilisant une solution d'attaque de type KOH. Si le film de nitrure de silicium est formé comme film de sorption par effet getter, alors le film de nitrure de silicium peut être décapé par une solution d'attaque de type H3PO4. En se référant à la figure 3D, on réalise un traitement thermique du substrat 1 à une température d'au moins 1300"C, les atomes d'oxygène implantés réagissant avec le silicium afin de former un film d'oxyde de silicium enterré 5 dans le substrat de silicium monocristallin 1. Dans l'implantation des ions oxygène dans le substrat 1, une grande quantité de silicium interstitiel est éliminée, mais a déjà été absorbée par le film de sorption getter 2 éliminé. Pour ces raisons, la production de défauts d'empilement est bien empêchée. On forme ainsi un substrat SIMOX. Un troisième mode de réalisation selon la présente invention va être décrit en se référant aux figures 4A à 4D. En se référant à la figure 4A, on dépose un film de polysilicium 2 ayant une épaisseur de 1 à 2 nanomètres sur une surface inférieure d'un substrat de silicium monocristallin 1 par dépôt chimique en phase vapeur. Compte tenu des effets de sorption getter, une petite taille des grains de cristaux est préférable de sorte que la température de croissance est de préférence d'environ 600"C. En variante, on peut former un film de silicium amorphe ayant une épaisseur de 1 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression à une température de 550"C pendant quatre heures. En variante, en outre, on peut former un film de nitrure de silicium ayant une épaisseur de 0,5 micromètre par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur basse pression ou par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à plasma en utilisant du SiH2Cl2 gazeux et du NH4 gazeux. A la place du film de sorption getter ci-dessus, on peut utiliser un film d'oxyde de silicium ou des placages de ces films. On maintient le substrat de silicium monocristallin 1 à une température dans la gamme de 400"C-700"C pour une implantation ultérieure d'ions oxygène 3 dans la surface du substrat de silicium monocristallin 1 à une dose de 0,4 à 1,8 x 1018 pour former une couche implantée d'oxygène 4. Même après l'implantation des ions oxygène 3 dans la surface du substrat de silicium monocristallin 1, on maintient le substrat 1 à une température élevée dans la gamme de 500"C-1000"C, de façon à permettre la diffusion thermique des contaminants métalliques de la surface supérieure du substrat 1 jusqu'à la surface inférieure de celui-ci, de façon à ce que les contaminants métalliques soient capturés par le film de polysilicium 2 formé sur la surface inférieure du substrat de silicium monocristallin 1. Si aucun autre traitement thermique n'est réalisé, les contaminants métalliques introduits à la surface supérieure du substrat 1 ne peuvent pas diffuser dans la surface inférieure du substrat 1 et restent dans le substrat 1 et ne sont donc pas capturés par le film de sorption getter. L'autre traitement thermique ci-dessus peut être réalisé dans le système d'implantation d'ions mais l'autre traitement thermique doit être réalisé à une température supérieure à la température de l'implantation d'ions. Les contaminants métalliques introduits dans le procédé d'implantation d'ions peuvent précipiter lorsque la température chute à la température ambiante et lorsque la solubilité des matières solides chute aussi. Pour réaliser le procédé de sorption getter des contaminants métalliques précipités en solution solide, la température doit être supérieure à celle de l'implantation d'ions. Par exemple, une température de 500 C à 1000"C est efficace. On décape ensuite le film de polysilicium 2 dans lequel les contaminants métalliques et le silicium interstitiel ont été absorbés en utilisant une solution d'attaque de type KOH. Si le film de nitrure de silicium est formé comme film de sorption getter, alors le film de nitrure de silicium peut être décapé par une solution d'attaque de type H3PO4. En se référant à la figure 4B, on forme comme film de sorption getter secondaire des films de placage 6 sur toutes les surfaces du substrat 1 ou sur les surfaces supérieure et inférieure et sur les parois latérales du substrat 1. En variante, il peut être possible de former le second film de sorption getter uniquement sur la surface inférieure du substrat 1. Les films de placage 6 peuvent comprendre un film d'oxyde de silicium ayant une épaisseur de 10 nanomètres et un film de nitrure de silicium ayant une épaisseur de 100 nanomètres. En se référant à la figure 4C, on réalise un traitement thermique du substrat 1 à une température d'au moins 1300"C, les atomes d'oxygène implantés réagissant avec le silicium afin de former un film d'oxyde de silicium enterré 5 dans le substrat à base de silicium monocristallin 1. Dans l'implantation des ions oxygène dans le substrat 1, une grande quantité de silicium interstitiel est éliminée, mais a déjà été absorbée par le film de sorption getter 2 éliminé. Pour ces raisons, la production de défauts d'empilement est bien empêchée. En se référant à la figure 4C, les films de placage 6 sont décapés par décapage par voie humide. On forme ainsi un substrat SIMOX. Alors que des modifications de la présente invention apparaîtront à l'homme du métier, concerné par l'invention, on comprendra que les modes de réalisation présentés et décrits à titre d'illustrations ne sont en aucun cas censés être considérés dans un sens limitatif. Par conséquent, les revendications recouvrent toute modification de la présente invention qui entre dans la portée et l'esprit de la présente invention REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un substrat de silicium, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former un film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat de silicium (1); réaliser une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure dudit substrat de silicium (1) à une température de substrat dans la gamme de 400"C-700"C; éliminer ledit film de sorption dudit substrat de silicium (1); soumettre ledit substrat de silicium (1) à un traitement thermique à une température d'au moins 1 300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium dans ledit substrat de silicium (1). 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de polysilicium (2). 3. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de silicium amorphe. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit film de sorption comprend un film d'oxyde de silicium (5). 5. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de nitrure de silicium. 6. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit film de sorption comprend des placages de n importe quelle combinaison d'un film de polysilicium (2), d'un film de silicium amorphe, d'un film d'oxyde de silicium (5) et d'un film de nitrure de silicium. 7. Procédé de formation d'un substrat de silicium, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former un film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat de silicium (1); réaliser une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure dudit substrat de silicium (1) à une température de substrat dans la gamme de 400"C-700"C; soumettre ledit substrat de silicium (1) à un premier traitement thermique à une température dans la gamme de 500"C-1000"C; éliminer ledit film de sorption dudit substrat de silicium (1); soumettre ledit substrat de silicium (1) à un second traitement thermique à une température d'au moins 1 300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium (5) dans ledit substrat de silicium (1). 8. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de polysilicium (2). 9. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de silicium amorphe. 10. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ledit film de sorption comprend un film d'oxyde de silicium (5). 11. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ledit film de sorption comprend un film de nitrure de silicium. 12. Procédé selon la revendication 7, dans lequel ledit film de sorption comprend des placages de n importe quelle combinaison d'un film de polysilicium (2), d'un film de silicium amorphe, d'un film d'oxyde de silicium (5) et d'un film de nitrure de silicium. 13. Procédé de formation d'un substrat de silicium, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: former un premier film de sorption par effet getter sur une surface inférieure d'un substrat de silicium (1); réaliser une implantation d'ions oxygène dans une surface supérieure dudit substrat de silicium (1) à une température de substrat dans la gamme de 400"C-700"C; soumettre ledit substrat de silicium (1) à un premier traitement thermique à une température dans la gamme de 500"C-1000"C; éliminer ledit premier film de sorption dudit substrat de silicium (1); former un second film de sorption par effet getter au moins sur ladite surface inférieure dudit substrat de silicium (1); soumettre ledit substrat de silicium (1) à un second traitement thermique à une température d'au moins 1 300"C pour provoquer une réaction de l'oxygène et du silicium pour former un film d'oxyde de silicium (5) dans ledit substrat de silicium (1). 14. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'un quelconque desdits premier et second films de sorption comprend un film de polysilicium (2). 15. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'un quelconque desdits premier et second films de sorption comprend un film de silicium amorphe. 16. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'un quelconque desdits premier et second films de absorption comprend un film d'oxyde de silicium (5). 17. Procédé selon la revendication 13, dans lequel l'un quelconque desdits premier et second films de sorption comprend un film de nitrure de silicium. 18. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ledit second film de sorption est formé sur toute une surface dudit substrat de silicium (1). 19. Procédé selon la revendication 13, dans lequel ledit film de sorption comprend des placages de n importe quelle combinaison d'un film de polysilicium (2), d'un film de silicium amorphe, d'un film d'oxyde de silicium (5) et d'un film de nitrure de silicium.