Brevet FR2756923A1 — publié le 19980612

DISPOSITIF DETECTEUR DE TYPE SEMI-CONDUCTEUR REFERENCES CROISEES CONCERNANT LES DEMANDES APPARENTEES Cette demande est basée sur la demande de brevet japonais antérieure No. H.8-328794 déposée le 9 décembre 1996 et sur la demande de brevet japonais antérieure No. H. 8-329818 déposée le 10 décembre 1996, dont les contenus sont inclus ici par référence. La présente demande revendique les bénéfices de l'antériorité de ces documents ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION 1. Domaine de l'invention La présente invention concerne un dispositif détecteur de type semi-conducteur qui peut être utilisé, par exemple comme détecteur de pression pour détecter la pression de l'air d'admission du moteur d'une automobile. 2. Description de l'art apparenté La fig. 15 montre la constitution d'un détecteur de la pression de l'air d'admission pour une automobile, d'un type conventionnel. L'unité 101 à élément sensible à la pression est fixée sur un côté (face) d'un substrat 100 en céramique. L'unité 101 à élément sensible à la pression est constituée par une microplaquette 101a de détection et par une base 101b en verre et elle mesure la pression du milieu à surveiller (l'air d'admission d'un moteur). Une microplaquette à circuit intégré 102, servant au traitement des signaux, est fixée sur l'autre côté (face) d'un substrat 100 en céramique. La microplaquette à circuit intégré 102, servant au traitement des signaux et l'unité 101 à élément sensible à la pression sont connectées ensemble électriquement par des conducteurs électriques formés sur le substrat 100 en céramique et par les fils métalliques de connexion 103 et 104. Un signal de détecteur produit en réponse à la détection de la pression par l'unité 101 à élément sensible à la pression est émis par la microplaquette à circuit intégré 102 servant au traitement des signaux. Le substrat en céramique 100 est fixé à un boîtier 106 dans lequel la borne 105 est insérée et moulée. Une extrémité de la borne 105 est connectée électriquement à la microplaquette à circuit intégré 102 servant au traitement des signaux par l'intermédiaire d'un fil métallique de connexion 107 et des conducteurs sur le substrat 100 en céramique. L'autre extrémité de la borne 105 est exposée au niveau de l'unité 106a de connexion du boîtier 106. Le contact électrique avec l'extérieur est assuré par l'autre extrémité de la borne 105. Un couvercle 108 et un fond 109, ayant un trou 109a d'introduction de la pression, sont fixés au boîtier 106. La pression est introduite par le trou 109a d'introduction de la pression du fond 109 jusqu'à une chambre 110 de réception de la pression et la pression introduite est détectée par l'unité 101 à élément sensible à la pression. Par ailleurs, le couvercle 108, le fond 109 et le boîtier 106 sont réalisés en résine. Le couvercle 108 et le fond 109 sont fixés d'une manière permanente au boîtier 106 à l'aide d'un agent adhésif 111. Egalement, le substrat en céramique 100 est fixé d'une manière permanente au boîtier 106 par l'agent adhésif 111. Compte tenu du mode de fixation utilisant un agent adhésif, la chambre de réception de la pression 110 et une chambre 112 à circuit, dans laquelle est placée la microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux, sont rendues étanches. Un trou (évent) 108a formé dans le couvercle 108 pour permettre à l'air de s'échapper durant les opérations de chauffage et de durcissement, est fermé subséquemment par l'agent adhésif 111. Le milieu à mesurer (air) introduit par le trou 109a d'introduction de la pression contient, en particulier, des gaz d'échappement et de l'eau acide condensée, produite par le refroidissement des gaz d'échappement. Par conséquent, en logeant l'unité 101 à élément sensible à la pression pour détecter la pression et la microplaquette à circuit intégré 102 servant au traitement des signaux dans des chambres séparées, la microplaquette à circuit intégré 102 servant au traitement des signaux, peut être protégée contre un environnement contaminé de la chambre 110 de réception de la pression. Toutefois, pour placer l'unité 101 à élément sensible à la pression et la microplaquette à circuit intégré 102 servant au traitement des signaux, dans des chambres séparées et conserver celles-ci fermés d'une manière étanche, il faut, en plus de l'adhésion étanche entre le fond 109 et le boîtier 106, assurer une adhésion étanche entre le couvercle 108 et le boîtier 106, entre le substrat 100 en céramique et le boîtier 106 et au niveau du trou (évent) 108a du couvercle, ce qui pose des problèmes au niveau de la fiabilité de l'étanchéité et de la complexité de la structure. Par ailleurs, la demande de brevet japonais mise à la disposition du public pour consultation No. H.7-243926 décrit un dispositif susceptible d'améliorer la fiabilité de l'étanchéité à l'air, ce dispositif comprenant un diaphragme métallique, le déplacement de ce diaphragme métallique étant transmis à une unité à élément sensible à la pression, par l'intermédiaire d'une huile de silicone. Toutefois, quand on utilise une telle huile de silicone, la précision de la mesure de la pression est diminuée, du fait de la dilatation thermique de cette huile. Un objet de la présente invention est de fournir un dispositif détecteur de type semi-conducteur capable de protéger une microplaquette à circuit intégré servant au traitement de signaux, contre un environnement contaminé, tout en permettant des mesures très précises sans nécessité de placer l'unité à élément sensible à la pression et la microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux dans des chambres séparées. RESUME DE L'INVENTION Pour atteindre l'objectif ci-dessus, la présente invention fournit une microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux qui est incorporée ou encapsulée dans un élément moulé à circuit intégré, lequel élément moulé est constitué d'une pièce avec une unité à élément sensible à la pression. L'élément moulé à circuit intégré décrit ci- dessus est logé dans un boîtier. Quand l'élément moulé à circuit intégré est logé dans le boîtier, l'élément moulé à circuit intégré est fixé au boîtier de manière à ce que les extrémité des broches de connexion insérées et moulées dans le boîtier soient connectées électriquement aux bornes externes de l'élément moulé à circuit intégré. Dans ces conditions, un signal du détecteur est émis depuis les autres extrémités des broches de connexion. En intégrant la microplaquette à circuit intégré, servant au traitement des signaux, dans un élément moulé à circuit intégré, la microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux peut être protégée de l'environnement contaminé qui prévaut à l'emplacement o l'unité à élément sensible à la pression est installée. L'unité à élément sensible à la pression et la microplaquette à circuit intégré, servant au traitement des signaux, peuvent être connectées électriquement d'une manière spécifique en utilisant une grille de connexion. Dans ce cas, la grille de connexion peut être utilisée pour les connexions externes. Quand une ouverture est formée dans l'élément moulé à circuit intégré, que l'unité à élément sensible à la pression est installée dans l'ouverture et, qu'en outre, l'unité à élément sensible à la pression et la grille de connexion exposée dans l'ouverture sont connectées électriquement par des fils métalliques conducteurs, la qualité des connexions électriques entre l'unité à élément sensible à la pression et la grille de connexion peut être excellente. Quand la grille de connexion est constituée par l'alliage 42 et que l'élément moulé à circuit intégré est réalisé en utilisant une résine thermodurcissable, on peut appareiller les coefficients de dilatation respectifs, pour éviter que la grille de connexion ne se sépare de l'élément moulé à circuit intégré, par suite de contraintes thermiques. Lorsque l'élément moulé à circuit intégré est fixé de manière permanente au boîtier en résine par un agent du type résine pour injection et que les bornes externes de l'élément moulé à circuit intégré et les broches de connexion insérées et moulées dans le boîtier sont recouvertes par un agent du type résine pour injection, cela permet également de protéger les bornes externes et les broches de connexion contre l'environnement contaminé de la chambre de réception de la pression. Quand une ouverture en forme d'évidement est formée dans l'élément moulé à circuit intégré et qu'une unité à élément sensible à la pression est installée dans l'ouverture, il est préférable de former une autre portion d'évidement dans une portion opposée à l'ouverture, constituée en formant un évidement, sur la face latérale arrière de l'élément moulé à circuit intégré. De cette manière, quand un bloc de résine est formé pour constituer l'élément moulé à circuit intégré, une résistance à l'écoulement de la résine s'établit sur le côté ayant l'ouverture en forme d'évidement pour loger l'unité à élément sensible à la pression et sur le côté face arrière ayant le second évidement. Dans ces conditions, l'écoulement de la résine n'est pas dévié vers un côté d'une face. On peut alors obtenir un bloc de résine pleine d'une excellent homogénéité et sans bulles. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS Ces objets, ainsi que d'autre objets, traits caractéristiques et particularités de la présente invention, apparaitront plus clairement à la lecture de la description détaillée et des revendications qui suivent, et à l'examen des dessins annexés, tous ces éléments faisant partie de la demande. Dans les dessins: la fig. 1 est une vue en plan d'un détecteur de pression de type semi-conducteur selon une première forme d'exécution de la présente invention; la fig. 2 est une vue en coupe, prise suivant la ligne II - II de la fig. 1; la fig. 3 est une vue en coupe, prise suivante la ligne III - III de l'élément moulé à circuit intégré représenté sur la fig. 1; la fig. 4 est une vue en coupe prise suivant la ligne IV - IV de la fig. 1; la fig. 5 est une vue en coupe montrant le détecteur de pression, lorsqu'un couvercle 30 est fixé à un boîtier 20; la fig. 6 est une vue en coupe montrant un détecteur de pression de type semi-conducteur, selon une seconde forme d'exécution de la présente invention; la fig. 7 est une vue en plan d'un détecteur de pression de type semi-conducteur, selon la seconde forme d'exécution; la fig. 8 est une vue en coupe montrant le détecteur de pression lorsqu'un élément moulé à circuit intégré est monté dans un corps principal de boîtier; la fig. 9 est une vue en plan montrant le détecteur de pression lorsque le couvercle du corps principal du boîtier est enlevé; la fig. 10 est une vue en coupe montrant comment la résine s'écoule lors du moulage du bloc de résine; la fig. 11 est une vue en coupe montrant un détecteur de pression de type semi-conducteur, selon une troisième forme d'exécution de la présente invention; la fig. 12 est une vue en coupe montrant un détecteur de pression de type semi- conducteur, selon une quatrième forme d'exécution de la présente invention; la fig. 13 est une vue en coupe montrant un détecteur de pression de type semi-conducteur, selon une cinquième forme d'exécution de la présente invention; la fig. 14 est une vue en plan montrant le détecteur de pression lorsque le couvercle du corps principal du boîtier est enlevé; la fig. 15 est une vue en coupe montrant la constitution d'un détecteur de pression de type semi-conducteur, conventionnel. DESCRIPTION DETAILLEE DE FORMES D'EXECUTION PREFEREES Les figs. 1 à 4 montrent la constitution d'un détecteur de pression de type semi-conducteur, selon une première forme d'exécution. La fig. 1 est une vue en plan de celui-ci, la fig. 2 est une vue en coupe prise suivant la ligne II - II de l'élément moulé 1 à circuit intégré de la fig. 1, la fig. 3 est une vue en coupe prise suivant la ligne III - III de l'élément moulé 1 à circuit intégré représenté sur la fig. 1 et la fig. 4 est une vue en coupe prise suivant la ligne IV - IV de l'élément moulé 1 à circuit intégré de la fig. 1. Le détecteur de pression de type semi-conducteur selon la première forme d'exécution est utilisé comme détecteur de la pression de l'air d'admission d'un moteur d'une automobile, constitué en logeant un élément moulé 1 à circuit intégré dans un boîtier 20. L'élément moulé 1 à circuit intégré est formé en moulant un bloc de résine 3 en une résine époxyde contenant une charge, ce bloc encapsulant une grille 2 de connexion constituée de l'alliage 42. Une ouverture 3a est formée dans le bloc de résine 3 de l'élément moulé 1 à circuit intégré. Une unité 10 à élément sensible à la pression (unité de détection) est montée à l'intérieur de l'ouverture 3a. Comme représenté sur la fig. 3 et sur la fig. 4, l'unité 10 à élément sensible à la pression est constituée d'une microplaquette 11 de détection, formée par un substrat de silicium avec une base en verre 13 fixée anodiquement à la microplaquette 11 de détection. Un diaphragme lia déplacé par la pression reçue est formé dans la microplaquette 11 de détection. Une jauge de diffusion 12 dont la résistance change en fonction du déplacement du diaphragme lia est formée sur la surface du diaphragme lia. En outre, une chambre à pression de référence est formée entre la microplaquette 11 de détection et la base 13 en verre, et le diaphragme lia est déplacé conformément à la différence de pression entre la pression appliquée sur la surface et la pression dans la chambre de pression de référence. L'unité 10 à élément sensible à la pression est fixée de manière permanente au bloc de résine 3 à l'intérieur de l'ouverture 3a, à l'aide d'un agent adhésif 14, de type résine. En outre, un élément organique protecteur 15 du type gel organique est appliqué en revêtement sur le pourtour de l'unité 10 à élément sensible à la pression. Non seulement l'élément protecteur 15 protège la microplaquette 11 de détection contre les contaminations, mais également il isole électriquement les conducteurs de la grille 2 de connexion les uns des autres. En outre, les fils métalliques de connexion 16, qui ne sont pas couverts par l'élément protecteur 15 du type gel, sont recouverts d'un film organique (non représenté), déposé depuis une phase vapeur, ce qui permet d'isoler électriquement les fils métalliques de connexion 16 les uns des autres. La jauge de diffusion 12, formée sur la surface de la microplaquette de détection 11, est connectée électriquement à la grille 2 de connexion par un motif de connexion constitué à partir d'un film mince d'aluminium (non représenté), formé sur la microplaquette 11 de détection et des fils métalliques de connexion 16. Comme représenté sur la fig. 4, les signaux électriques émis sont fournis à une microplaquette à circuit intégré 17 servant au traitement des signaux, disposée sur la grille 2 de connexion à l'intérieur de l'élément moulé 1 à circuit intégré et ils sont émis en tant que signaux de détection après avoir subi un traitement prédéterminé dans la microplaquette à circuit intégré 17, servant au traitement des5 signaux. En d'autres termes, la microplaquette à circuit intégré 17, servant au traitement des signaux, est connectée électriquement à trois bornes externes 2a, 2b et 2c de la grille 2 de connexion. Les bornes externes 2a, 2b et 2c représentent, respectivement, une borne d'alimentation en courant, une borne de mise à la masse et une borne de sortie des signaux de détection de la plaquette à circuit intégré 17 servant au traitement des signaux. Le boîtier 20 est réalisé en résine, par exemple en PBT (polybutylène téréphtalate). Comme représenté sur la fig. 2, le boîtier 20 comporte une ouverture 20a pour loger l'élément moulé 1 à circuit intégré et une unité de connexion 20b. Trois broches de connexion 21a, 21b et 21c, réalisées en cuivre, sont insérées dans le boîtier 20. Les extrémités des broches de connexion 21a, 21b et 21c sont fixées, respectivement, aux bornes externes 2a, 2b et 2c, par une soudure assurant la conduction d'électricité. En outre, les autres extrémités respectives des broches de connexion 21a, 2lb et 21c sont exposées dans l'unité de connexion 20b et les connexions électriques vers l'extérieur sont assurées par ces portions exposées. L'élément moulé 1 à circuit intégré est fixé à l'intérieur de l'ouverture 20a du boîtier 20, par un agent du type résine pour injection (agent d'encapsulation) 4. Dans ce cas, les bornes externes 2a, 2b et 2c, ainsi que les broches de connexion 21a, 2lb et 21c sont couvertes par l'agent 4 du type résine pour injection et, par conséquent, on peut empêcher l'eau ou similaire d'arriver en passant entre les bornes externes 2a, 2b et 2c et le bloc de résine 3, à l'intérieur de l'élément moulé 1 à circuit intégré. En outre, la corrosion des broches de connexion 21a, 2lb et 21c est empêchée, ce qui évite les fuites électriques. Après avoir monté l'élément moulé 1 à circuit intégré sur le boîtier 20, comme représenté sur la fig. 5, le boîtier 20 reçoit un couvercle 30. Le couvercle 30 comprend un trou 30a d'introduction de la pression 30a, pour introduire de la pression, dans une chambre 22 de réception de la pression, dans le boîtier 20. Le couvercle 30 est fixé de manière permanente au boîtier 20 par un agent adhésif 31, grâce à quoi la chambre5 22 pour recevoir la pression est protégée de manière étanche contre l'extérieur. En outre, le trou 30a pour introduire la pression est relié à un réservoir de compensation de la pression, par l'intermédiaire d'un tube en caoutchouc, non représenté. Une résine thermodurcissable (résine époxyde) est utilisée pour le bloc de résine 3 et, dans ces conditions, le bloc de résine 3 a une excellente résistance contre les contaminations. Le coefficient de dilatation thermique de la résine époxyde contenant une charge est de 14 ppm, ce qui est relativement15 proche du coefficient de dilatation thermique de 4 ppm de l'alliage 42, qui est le matériau constitutif de la grille 2 de connexion. Par conséquent, le bloc de résine 3 et la grille 2 de connexion peuvent être empêchés de se séparer l'un de l'autre, en cas de contrainte thermique. La présente invention n'est pas limitée à la première forme d'exécution décrite ci-dessus, mais elle peut être modifiée de manière pertinente dans le domaine décrit dans les revendications. Par exemple, comme matériaux pour constituer l'élément moulé 1 à circuit intégré et le boîtier 20, on peut utiliser des matériaux autres que ceux décrits ci-dessus. En outre, on peut utiliser des techniques de brasage, de calfeutrage et similaire au lieu du soudage, pour immobiliser les bornes externes 2a, 2b et 2c, ainsi que, respectivement, les broches de connexion 21a, 2lb et 21c. En outre, la grille 2 de connexion et les broches de connexion 21a, 2lb et 21c peuvent être constituées de métaux qui sont différents, comme décrit dans la forme d'exécution ci- dessus ou elles peuvent être constituées d'un même métal, tel que le cuivre, ou similaire. Dans ce cas, une ligne pour signaux, permettant de transmettre un signal de la microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux vers l'unité de connexion 20b, peut être constituée par ce même matériau. En outre l'unité 10 à élément sensible à la pression peut ne pas être placée à l'intérieur d'une ouverture 3a de l'élément moulé 1 à circuit intégré, à condition d'être intégré à l'élément moulé 1 à circuit intégré. Par exemple, la face supérieure de l'élément moulé 1 à circuit intégré peut être aplatie et l'unité 10 à élément sensible à la pression peut être montée dessus. Toutefois, vu que la fixation des fils métalliques de connexion se fait sur la grille 2 de connexion, il est préférable de placer l'unité 10 à élément sensible à la pression à l'intérieur de l'ouverture 3a, o la grille 2 de connexion est exposée, comme dans la forme d'exécution décrite ci-dessus. Ensuite, on va expliquer une seconde forme d'exécution de la présente invention, en se reportant aux figs. 6 à 10. Les figs. 6 et 7 montrent un détecteur 121 de pression de type semiconducteur, selon la seconde forme d'exécution. Le détecteur est utilisé, par exemple, pour mesurer la pression de l'air d'admission d'un moteur, dans une plage de mesure allant, par exemple de 10 kPa [abs] environ à 250 kPa [abs] environ. L'air d'admission, qui est le milieu dont on mesure la pression, contient, en particulier, des gaz d'échappement, de l'eau condensée acide produite par le refroidissement des gaz d'échappement et similaire. Par conséquent, le détecteur 121 de pression de type semi-conducteur est utilisé dans un environnement contaminé. Le détecteur 121 de pression de type semi-conducteur est réalisé de manière à avoir trois bornes de sortie 123 partant d'une face arrière d'un bloc 122 de résine dans un récipient rectangulaire formé par le procédé de moulage par transfert susmentionné. Les trois bornes 123 correspondent, respectivement, à une borne d'alimentation en courant, une borne de sortie de signal et une borne de mise à terre. A l'intérieur du bloc 122 de résine, il y a une grille 124 de connexion et une microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux, montée sur une portion 124a de connexion au circuit servant au traitement des signaux de la grille 124 de connexion. La grille 124 de connexion est constituée par la portion 124a de connexion au circuit servant au traitement des signaux, par trois portions 124b de connexion aux bornes pour constituer les bornes 123 et par quatre portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression. Quand un signal du détecteur est fourni à la microplaquette à circuit intégré 1255 servant au traitement des signaux, la microplaquette à circuit intégré 125, servant au traitement des signaux, soumet le signal à un traitement de signal et le fournit comme un signal détecté. Sept plages de connexion, formées sur la surface de la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux et les portions respectives de la grille 124 de connexion, sont connectées électriquement par des fils métalliques 126 de connexion. Le bloc 122 de résine est réalisé avec une portion 127 de montage du détecteur, formée dans un évidement rectangulaire sur un côté, o est montée la microplaquette à circuit intégré servant au traitement des signaux. Les extrémités des portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression de la grille 124 de connexion sont exposées aux quatre coins de la face inférieure de la portion 127 de montage du détecteur. En outre, sur le côté face arrière de la portion 127 de montage du détecteur du bloc 122 de résine, il y a deux rainures 128 ayant la forme d'évidements, constituant des portions d'évidement. Les rainures 128 sont prévues pour opposer une résistance à l'écoulement de la résine lors du moulage du bloc 122 de résine, comme cela sera décrit plus loin. Des trous 128a pour les broches de support, qui pénètrent dans le moule à circuit intégré pour exposer la face arrière des portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression, sont formés aux deux extrémité des rainures respectives 128 en évidement. Les trous 128a sont formés pour les broches de support supportant les portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression, lesquelles broches sont insérées depuis le côté face arrière de l'élément moulé à circuit intégré, lors du moulage du bloc 122 de résine. Une base en verre 129 est fixée de manière permanente au centre de la portion 127 de montage du détecteur comme décrit précédemment, et une microplaquette 130 de détection de la pression est fixée par dessus, par fixation anodique. La microplaquette 130 de détection de la pression est formée dans un substrat de silicium. Un diaphragme est formé par une attaque chimique dans la portion centrale de la microplaquette 130 de détection de la pression, Un espace fermé hermétiquement est formé entre la microplaquette 130 de détection de la pression et la base 129. L'espace est utilisé comme chambre a de pression de référence. Plusieurs résistances utilisant l'effet piézorésistif sont formées sur la portion de diaphragme de la microplaquette 130 de détection de la pression. Les10 résistances en question sont connectées pour former un circuit de pont. Les bornes pour les signaux et les bornes pour l'alimentation en courant du circuit de pont sont connectées à quatre plages d'électrodes respectives de la microplaquette 130 de détection de la pression.15 Les plages d'électrodes aux quatre coins de la microplaquette 130 de détection de la pression et les parties exposées des portions de connexion pour l'unité 124 à élément sensible à la pression, sont connectées électriquement par des fils métalliques de connexion 131. Le signal de détection émis20 par la microplaquette 130 de détection de la pression est fourni à la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux par l'intermédiaire des fils métalliques de connexion 131 et des portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression. Quand le diaphragme de la microplaquette 130 de détection de la pression est déplacé par la pression reçue, les valeurs des résistances sont changées par effet piézorésistif. Par conséquent, l'état d'équilibre du circuit de pont n'est pas maintenu et le signal de détecteur, correspondant à la pression, est émis. Quand la microplaquette 130 de détection de la pression est montée, on applique une résine 132 comme protection sur le diaphragme de la microplaquette 130 de détection de la pression et sur les parties de surface des portions 124c de connexion à l'unité à élément sensible à la pression, auxquelles les fils métalliques 131 de connexion sont connectés. La résine 132 a une dureté telle que la fonction de détection de la pression de la microplaquette 130 de détection de la pression n'est pas altérée. Par exemple, on utilise en tant que résine 132 un matériau du type gel appartenant au groupe des résines de silicone. Le module d'élasticité complexe du matériau est, par exemple, d'environ 103 à 105 Pa. Une couche mince d'un agent de revêtement (non représentée) est appliquée sur la surface des fils 131 de connexion, ce qui permet d'en assurer l'isolation électrique même dans un environnement contaminé. Ensuite, on va expliquer un montage, dans lequel le détecteur 121 de pression de type semi-conducteur est monté sur un boîtier 133. Sur les figs. 8 et 9, le boîtier 133 est formé, par exemple en résine PBT. Le boîtier 133 est pourvu d'une portion 133a de montage, dont la face de montage est ouverte et une portion 133b de connexion. Trois broches 134 de connexion sont insérées et moulées dans le boîtier 133, pour que les extrémités des trois broches 134 de connexion soient exposées dans la portion de connexion 133b. Le détecteur 121 de pression de type semi-conducteur est logé dans laportion 133a de montage du boîtier 133. Trois bornes 123 (trois portions 124b de connexion de bornes) et les broches de connexion 134 sont connectées électriquement par soudage. En outre le bloc 122 de résine du détecteur de pression 121 de type semi-conducteur est fermé par une résine d'encapsulation en utilisant un agent du type résine pour injection (agent étanche d'encapsulation) 135. De cette manière, le détecteur 121 de pression de type semi-conducteur est fixé de manière permanente à l'intérieur du boîtier 133. L'agent 135 du type résine pour injection doit avoir une dureté et une adhésivité de nature à éviter que des bulles ne soient formées à l'intérieur de la portion de montage 133a, même quand une pression négative est appliquée par l'intermédiaire de l'espacement entre la microplaquette à circuit intégré et les broches 134 insérées de connexion, et de nature à assurer que le bloc 122 de résine dans lequel la microplaquette à circuit intégré pour le traitement des signaux est encapsulée soit fixé de manière solide et permanente à la portion de montage 133a et à faire en sorte que les portions soudées des bornes 123 et des broches 134 de connexion puissent être protégées même dans un environnement contaminé. Comme agents 135 du type résine pour injection, on peut citer les caoutchoucs du type résine de silicone, les résines du type époxyde et similaire, ayant un module d'élasticité d'environ à 106. Lorsque le détecteur 121 de pression de type semi- conducteur est monté dans le boîtier 133, un couvercle 137 fait en résine PBT est fixé d'une manière permanente à une ouverture 136 de la portion de montage 133a. Le couvercle 137 est pourvu, pour l'introduction de la pression, d'un trou 138 ayant une forme cylindrique et formé dans la portion centrale de ce couvercle. Ensuite, on va expliquer brièvement le procédé de moulage du bloc 122 de résine du détecteur 121 de pression de type semi-conducteur. La fig. 10 illustre l'étape quand la résine circule dans une unité de moule au cours de l'opération de moulage, la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux étant montée sur la grille 124 de connexion. Les fils métalliques de connexion 126 sont connectés entre la grille 124 de connexion et la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux. Dans cet état, la grille 124 de connexion est montée dans une portion prédéterminée du moule inférieur 139 et elle est supportée par les broches de support. Ensuite, après avoir fermé l'unité de moule par un moule supérieur 140, une résine thermodurcissable 141 est injectée dans l'unité de moule et elle est poussée à l'intérieur par un piston 142. Ainsi, quand la résine thermodurcissable 141 est fondue par la chaleur des moules supérieur 139 et inférieur 140, la résine thermodurcissable 141 circule dans une cavité 144 entre les moules supérieur 139 et inférieur 140, en passant par une porte 143, sous l'effet de la pression produite par le piston 142. Dans ce cas, comme l'espacement entre une protubérance 140a du moule supérieur 140 (portion correspondant à la portion de montage 127 du bloc 122 de résine) et les protubérances 139a et 139b du moule inférieur 139 (portions correspondant aux rainures 128 du bloc 122 de résine) est rendu plus étroit, le débit de la résine thermodurcissable 141 est retardé de manière uniforme, aussi bien sur le côté supérieur que sur le côté inférieur de la grille 124 de connexion par une résistance des protubérances a, 139a et 139b. Dans ces conditions, la résine thermodurcissable 141 vient remplir les portions d'extrémité distale de la cavité 144 sans laisser de bulles. A ce moment, l'air à l'intérieur de la cavité 144 est déchargé vers l'extérieur par l'intermédiaire de l'évent 145 à air. La résine thermodurcissable 141 de remplissage est en outre chauffée dans5 l'unité de moule, durcie et solidifiée pour former ainsi le bloc 122 de résine. Ensuite, le produit moulé est sorti hors des moules supérieur 139 et inférieur 140 et coupé au niveau de la porte 143, ce qui permet d'obtenir le bloc 122 de résine. Selon cette forme d'exécution, la portion 127 de montage du détecteur est formée dans le bloc 122 de résine de manière à ce que la microplaquette à circuit intégré 125 soit encapsulée dans le bloc 122 de résine réalisé par moulage, avec la résine thermodurcissable 141. Par conséquent, il n'est pas nécessaire de prévoir un agent de revêtement pour protéger la microplaquette a circuit intégré pour le circuit 125 servant au traitement des signaux contre un environnement contaminé quand la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux est montée sur le bottier 133, ce qui permet d'effectuer l'opération d'assemblage ou de montage d'une manière simple et bon marché. En outre, l'état d'encapsulation de la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux peut être maintenu d'une manière beaucoup plus fiable qu'en utilisant une résine thermoplastique ou similaire. Comme la portion de montage 127 du détecteur pour recevoir la microplaquette 130 de détection de la pression sur le bloc 122 de résine est formée en évidement, il n'est pas nécessaire de prévoir un élément distinct pour séparer la microplaquette de détection de la pression d'un agent 135 du type résine d'injection pour protéger les portions de soudage des bornes 123 et des broches de connexion 134. Dans ces conditions, le nombre de composants peut être diminué, tout comme le nombre des étapes de montage. En outre, deux des rainures 128 sont aménagées en correspondance avec la portion 127 de montage du détecteur sur le côté face arrière du bloc 122 de résine. Par conséquent, le débit de résine thermodurcissable 141 dans l'opération de moulage par transfert est rendu uniforme sur les deux côtés de la grille 124 de connexion. Dans ces conditions, la résine peut venir remplir les portions terminales distales de la cavité 144, sans laisser à l'intérieur des bulles ou similaire, ce qui permet d'obtenir un bloc 122 de résine extrêmement fiable. La fig. 11 montre une troisième forme d'exécution de la présente invention. Une différence avec la seconde forme d'exécution est que, à la place du bloc 122 de résine, on utilise un bloc 147 de résine comportant une rainure 146 qui est large et peu profonde sur le côté face arrière du bloc 147 de résine. Les dimensions de la rainure 146 sont choisies pour10 être sensiblement égales aux dimensions de l'ouverture de la portion 127 de montage du détecteur. La dimension profondeur de la rainure 146 peut être fixée pour être moins élevée que dans le cas de la première forme d'exécution de l'invention. Même avec une telle constitution, lors de la réalisation par moulage15 du bloc 147 de résine par moulage par transfert, la résine thermodurcissable 141 pourra s'écouler d'une manière uniforme dans les portions supérieure et inférieure de la grille 124 de connexion. Dans ces conditions, le bloc 147 de résine peut être moulé de manière à ce qu'il ne reste aucun air emprisonné, formant par exemple des bulles. La fig. 12 montre une quatrième forme d'exécution de la présente invention et la différence avec la seconde forme d'exécution réside dans le fait qu'à la place du bloc 122 de résine, on a un bloc 149 de résine dans lequel une rainure 148 étroite et profonde est formée sur le côté face arrière du bloc de résine. Même avec la quatrième forme d'exécution, le fonctionnement et les effets obtenus sont sensiblement similaires à ceux de la seconde forme d'exécution. En outre, il est préférable que la dimension épaisseur du bloc de résine sur le côté face arrière de la portion 127 de montage du détecteur soit choisie pour que la résistance mécanique puisse être conservée lors du montage de la microplaquette 130 de détection de la pression. Les figs. 13 et 14 montrent une cinquième forme d'exécution de la présente invention. Une différence par rapport à la seconde forme d'exécution est qu'à la place du bloc 122 de résine, on a un bloc 150 de résine. Dans ce cas, le bloc 150 de résine n'a pas de portion pour constituer une paroi périphérique sur toute la périphérie de la portion 151 de montage du détecteur. La résine thermodurcissable est formée uniquement sur la portion o est montée la microplaquette à circuit intégré 125 servant au traitement des signaux. Cette forme d'exécution est utile quand la résine 132 pour protéger la microplaquette 130 de détection de la pression peut également être utilisée comme agent du type résine d'injection pour protéger des portions soudées des bornes 123 et des broches 134 de connexion. Quand le bloc 150 de résine est monté dans le boîtier 133, l'étanchement par la résine d'encapsulation est fait par la résine 132, de manière à ce que tout le bloc 150 de résine soit couvert. Selon la cinquième forme d'exécution, la résine 132 de protection est appliquée pour recouvrir en même temps la microplaquette 130 de détection de la pression et la périphérie externe du bloc 150 de résine, en appliquant la résine d'étanchement conformément aux techniques habituelles. La présente invention n'est pas limitée uniquement aux formes d'exécution décrites ci-dessus, mais elle peut être modifiée ou élargie comme suit. La résine 132 pour la protection de la microplaquette 130 de détection de la pression peut recouvrir toute la portion 127 de montage du détecteur. La présente invention est applicable à tous les dispositifs de détection de type semi-conducteur subissant l'effet d'une atmosphère autres que les détecteurs de la pression de l'air (d'un gaz), tels que des détecteurs de pression hydraulique, les détecteurs d'humidité, les détecteurs de composition, les détecteurs optiques, les détecteurs d'accélération et similaire, dans des conditions de détection o les microplaquettes de détection de type semi-conducteur subissent l'influence de l'atmosphère mesurée. REVENDICATIONS 1. Détecteur de pression comprenant: un élément moulé (1) à circuit intégré, encapsulant une microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement de signaux et ayant une borne externe (2a à 2c); une unité (10) à élément sensible à la pression qui fait partie intégrante dudit élément moulé (1) à circuit intégré, dans laquelle ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux et ladite unité (10) à élément sensible à la pression sont connectées électriquement et dans laquelle ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux émet un signal de détection correspondant à la pression détectée par ladite unité (10) à élément sensible à la pression, par l'intermédiaire de ladite borne externe (2a à 2c); un boîtier (20, 30) pour loger ledit élément moulé (1) à circuit intégré; une broche (21a à 21c) de connexion, insérée et moulée dans ledit boîtier (20), dans laquelle une extrémité de ladite broche (21a à 21c) de connexion est connectée électriquement à ladite borne externe (2a à 2c) dudit élément moulé (1) à circuit intégré, quand ledit élément moulé (1) à circuit intégré est fixé audit boîtier (20) et dans laquelle l'autre extrémité de ladite broche (21a à 21c) de connexion est exposée hors dudit boîtier (20), pour assurer la conduction électrique vers l'extérieur. 2. Détecteur de pression selon la revendication 1, comprenant en outre, une grille (2) de connexion, qui est disposée dans ledit élément moulé (1) à circuit intégré, par laquelle ladite unité (10) à élément sensible à la pression et ladite microplaquette à circuit intégré (17), servant au traitement des35 signaux, sont connectées électriquement et qui fournit ladite borne externe (2a à 2c). 3. Détecteur de pression selon la revendication 2, dans lequel une ouverture (3a) est formée dans ledit élément moulé (1) à circuit intégré, de manière à ce qu'une portion de ladite grille (2) de connexion soit exposée dans cette ouverture, dans lequel ladite unité (10) à élément sensible à la pression est installée dans ladite ouverture (3a) et dans lequel ladite unité5 (10) à élément sensible à la pression et ladite grille (2) de connexion exposée dans ladite ouverture (3a) sont connectées électriquement par des fils métalliques de connexion. 4. Détecteur de pression selon la revendication 2, dans lequel ladite grille (2) de connexion est constituée par un alliage 42 et ledit élément moulé (1) à circuit intégré est réalisé par moulage en une résine thermodurcissable. 5. Détecteur de pression selon la revendication 1, dans lequel ledit boîtier (20, 30) est fait en résine, ledit élément moulé (1) à circuit intégré est fixé de manière permanente dans ledit boîtier (20) par un agent (4) du type résine pour injection et ledit agent (4) du type résine pour injection couvre ladite borne externe (2a à 2c) et ladite broche (21a à20 21c) de connexion 6. Détecteur de pression selon la revendication 1, dans lequel ledit boîtier (20, 30) comprend un couvercle (30) ayant un trou (30a) pour l'introduction de la pression d'un milieu dont la pression est à détecter, dans une chambre (22), dans laquelle est placée ladite unité (10) à élément sensible à la pression. 7. Détecteur de pression comprenant: un élément moulé (1) à circuit intégré, comprenant une microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux, encapsulée avec de la résine; une unité (10) à élément sensible à la pression, intégrée audit élément moulé (1) à circuit intégré, pour détecter la pression, dans laquelle ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux et ladite unité (10) à élément sensible à la pression sont connectées électriquement, pour que ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux fournisse un signal de détection correspondant à la pression détectée par ladite unité (10) à élément sensible à la pression; un boîtier (20, 30) réalisé en résine et ayant une portion d'ouverture (20a) dans laquelle on fait adhérer de manière permanente ledit élément moulé (1) à circuit intégré, par un agent (4) du type résine pour injection; et un moyen (2a à 2c, 21a à 21c) de transmission de signaux pour transmettre ledit signal de détection fourni par ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux, depuis l'intérieur dudit élément moulé (1) à circuit intégré, vers l'extérieur dudit boîtier (20, 30). 8. Détecteur de pression selon la revendication 7, comprenant en outre une grille (2) de connexion, disposée dans ledit élément moulé (1) à circuit intégré, pour assurer la connexion électrique de ladite unité (10) à élément sensible à la pression et de ladite microplaquette à circuit intégré (17) servant au traitement des signaux. 9. Détecteur de pression selon la revendication 8, dans lequel une ouverture (3a) est formée dans ledit élément moulé (1) à circuit intégré, de manière à ce qu'une portion de ladite grille (2) de connexion soit exposée dans ladite ouverture, dans lequel ladite unité (10) à élément sensible à la pression est25 installée dans ladite ouverture (3a) et dans lequel ladite unité (10) à élément sensible à la pression et ladite grille (2) de connexion exposée dans ladite ouverture (3a) sont connectées électriquement par des fils métalliques de connexion. 10. Détecteur de pression selon la revendication 8, dans lequel ladite grille (2) de connexion est constituée par l'alliage 42 et ledit élément moulé (1) à circuit intégré est réalisé avec une résine thermodurcissable. 11. Détecteur de pression selon la revendication 7, dans lequel ledit boîtier (20, 30) comprend un couvercle (3) ayant un trou (30a) pour l'introduction de la pression du milieu dont on veut détecter la pression, à l'intérieur d'une chambre (22) dans laquelle se trouve ladite unité (10) à élément sensible à la pression. 12. Dispositif de type semi-conducteur comprenant: une microplaquette (130) de détection de type semiconducteur, qui détecte une grandeur physique et qui produit un signal correspondant à celle-ci; une microplaquette (125) de type semi-conducteur à circuit imprimé, qui traite ledit signal de ladite microplaquette (130) de détection de type semi-conducteur, pour produire un signal de détection; une grille (124a à 124c) de connexion ayant une portion (124c) de connexion à ladite microplaquette (130) de détection de type semi-conducteur, afin d'en assurer la connexion électrique et une portion (124a) de connexion à ladite microplaquette (125) à circuit imprimé de type semi- conducteur, à monter; et un bloc (122) de résine, dans lequel est encapsulée ladite microplaquette (125) à circuit imprimé de type semiconducteur, pour être montée sur ladite portion (124a) de connexion à la microplaquette à circuit intégré de type semi-conducteur et connecté électriquement avec elle, ledit bloc de résine (122) ayant une portion de montage (127) du détecteur dans laquelle ladite portion (124c) de connexion au détecteur de type semi-25 conducteur est exposée et ladite microplaquette (130) de détection de type semi-conducteur étant montée sur ladite portion (127) de montage du détecteur et connectée électriquement à ladite portion (124c) de connexion au détecteur de type semi-conducteur, exposée dans ladite portion de montage (127) du détecteur, dans lequel ladite portion (127) de montage du détecteur est réalisée avec une forme en évidement, de manière à ce que ledit bloc (122) de résine entoure une périphérie de ladite portion (127) de montage du détecteur, et35 dans lequel une rainure (128) est formée sur le côté face arrière dudit bloc (122) de résine, pour correspondre à ladite portion (127) de montage du détecteur, ladite rainure (128) opposant une résistance à l'écoulement de la résine lors du moulage dudit bloc (122) de résine. 13. Dispositif détecteur de type semi-conducteur selon la revendication 12, dans lequel ledit bloc (122) de résine est réalisé en utilisant une résine thermodurcissable. 14. Dispositif détecteur de type semi-conducteur selon la revendication 12, dans lequel ladite rainure (128) a une portion (128) qui n'atteint pas ladite portion (124c) de connexion au détecteur de type semi-conducteur. 15. Dispositif détecteur de type semi-conducteur selon la revendication 12, dans lequel ladite rainure (128) a une première portion (128) qui n'atteint pas ladite portion (124c) de connexion au détecteur de type semi-conducteur et une seconde portion (128a) qui atteint ladite portion (124c) de connexion au détecteur de type semi-conducteur. 16. Dispositif détecteur de type semi-conducteur selon la revendication 15, dans lequel une direction longitudinale de ladite première portion (128) est approximativement perpendiculaire à une direction dudit écoulement de la résine, lors du moulage dudit bloc (122) de résine. 17. Dispositif détecteur de type semi-conducteur selon la revendication 15, dans lequel ladite seconde portion (128a) est formée dans une région dans laquelle ladite première portion (128) est formée. 18. Procédé de fabrication d'un dispositif détecteur de type semiconducteur comprenant les étapes consistant à: serrer une grille (124a à 124c) de connexion entre un moule supérieur (140) et un moule inférieur (139), ce qui aboutit à la formation d'une cavité (144) entre ledit moule supérieur (140) et ledit moule inférieur (139), une protubérance35 (140a) étant disposée dans ledit moule supérieur (140) pour faire saillie dans ladite cavité (144), ledit moule inférieur (139) étant pourvu d'une protubérance (139a, 139b) en une position opposée à ladite protubérance (140a) dudit moule supérieur (140) et un espacement prédéterminé étant prévu entre ladite protubérance (140a) dudit moule supérieur (140) et ladite protubérance (139a, 139b) dudit moule inférieur (139); injecter de la résine (141) dans ladite cavité (144), ladite résine (141) passant par l'espacement entre ladite protubérance (140a) dudit moule supérieur (140) et ladite protubérance (139a, 139b) dudit moule inférieur (139); former un bloc (122) de résine en durcissant ladite résine (141) et en enlevant ledit bloc (122) de résine dudit moule supérieur (140) et dudit moule inférieur (139); et monter une microplaquette (130) de détection de type semi- conducteur à l'intérieur d'un évidement (127) dudit bloc (122) de résine, formé à une position correspondant à ladite protubérance (140a) dudit moule supérieur (140). 19. Procédé de fabrication d'un dispositif de détection de type semiconducteur selon la revendication 18, dans lequel ladite protubérance (139a, 139b) dudit moule inférieur (139) est réalisée avec une forme telle que la direction longitudinale de ladite protubérance (139a, 139b) dudit moule inférieur (139)20 s'étende sensiblement perpendiculairement à une direction d'écoulement de ladite résine (141) dans ladite étape d'injection de ladite résine (141) dans ladite cavité (144). 20. Procédé de fabrication d'un dispositif détecteur de type semiconducteur selon la revendication 18, dans lequel ladite protubérance (140a) dudit moule supérieur (140) est formée de manière à venir en contact avec ladite grille (124c) de connexion dans ladite cavité (144). 21. Procédé de fabrication d'un dispositif détecteur de type semiconducteur selon la revendication 20, dans lequel une portion de ladite protubérance (139a, 139b) dudit moule inférieur (139) est formée de manière à venir en contact avec ladite grille (124c) de connexion dans ladite cavité (144).35