Brevet FR2752616A1 — publié le 19980227

Titre APPAREIL A BASE DE TRANSISTOR ET PROCEDE DE DETECTION MOLECULAIRE ET D'ACCROISSEMENT DE L'INTENSITE DU CHAMP Domaine de l'invention La présente invention concerne des dispositifs de détection moléculaire. Arrière-plan de l'invention Un effort accru a été entrepris pour développer des puces pour la détection moléculaire. En général, une puce de détection moléculaire comprend un substrat sur lequel est disposé un ensemble de sites de liaison. Chaque site de liaison (ou site d'hybridation) comporte un récepteur moléculaire respectif qui se lie ou s'hybride avec une molécule ayant une structure prédéterminée. Une solution échantillon est appliquée à la puce de détection moléculaire, et des molécules dans l'échantillon se lient ou s'hybrident à un ou plusieurs sites d'hybridation. Les sites de liaison particuliers auxquels l'hybridation se produit sont détectés, et une ou plusieurs structures moléculaires à l'intérieur de l'échantillon est ou sont déduite(s) par la suite. Les puces de détection moléculaire sont d'un grand intérêt pour le séquençage de gènes. Ces puces, souvent désignées comme puces d'ADN, utilisent un ensemble de sites de liaison sélectifs ayant chacun des sondes d'ADN simple brin respectives. Un échantillon de fragments d'ADN simple brin, désignés comme ADN cible, est appliqué à la puce d'ADN. Les fragments d'ADN se fixent à une ou plusieurs sondes d'ADN par un processus d'hybridation. En détectant les sondes d'ADN qui ont un fragment d'ADN hybridé, une séquence de bases de nucléotides à l'intérieur du fragment d'ADN peut être détectée. Pour accélérer le processus d'hybridation, une concentration locale d'ADN cible peut être augmentée à des sites prédéterminés en utilisant des accroissements de l'intensité du champ électrique. Ici, chaque site a une électrode associée avec celui-ci pour générer sélectivement, de ce fait, un champ électrique. Le champ électrique est généré en appliquant un potentiel électrique entre une électrode du site et une contreélectrode d'une partie périphérique de la puce. Pour attirer des fragments d'ADN sur le site, la polarité du potentiel électrique est sélectionnée pour générer un champ électrique ayant une polarité opposée à la charge des fragments d'ADN. Pour déshybrider le site, un champ électrique ayant la même polarité que les fragments d'ADN peut être généré pour repousser les fragments d'ADN du site. Plusieurs approches ont été utilisées pour détecter un événement d'hybridation sur un site de liaison. Dans une approche, un marqueur radioactif est fixé à chacune d'une pluralité de molécules dans l'échantillon. La liaison d'une molécule à un récepteur moléculaire peut alors être détectée en détectant le marqueur radioactif. D'autres approches pour la détection utilisent des étiquettes fluorescentes, telles que des fluorophores qui s'allument sélectivement lorsque l'hybridation se produit. Ces fluorophores sont éclairés par une source lumineuse de pompage extérieure au substrat. Une caméra extérieure à circuit à couplage de charges (CCD) est utilisée pour détecter la fluorescence des fluorophores éclairés. Brève description des dessins L'invention est présentée en détail dans les revendications j ointes. Cependant, d'autres caractéristiques de l'invention deviendront plus apparentes et l'invention sera mieux comprise en référence à la description détaillée suivante en liaison avec les dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est un schéma fonctionnel d'un mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire suivant la présente invention La figure 2 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé de détection d'une liaison d'une molécule à un récepteur moléculaire dans un appareil de détection moléculaire La figure 3 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé de détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor La figure 4 est un organigramme d'un autre mode de réalisation d'un procédé de détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor ; La figure 5 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire suivant la présente invention La figure 6 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de - détection moléculaire La figure 7 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire suivant la présente invention La figure 8 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation de la présente invention ; et La figure 9 est un organigramme récapitulant les étapes suivies pour accroître et détecter un événement de liaison différentielle. Description détaillée d'un mode de réalisation préféré Des modes de réalisation de la présente invention fournissent avantageusement un appareil de détection moléculaire qui détecte la liaison ou l'hybridation d'une molécule avec un récepteur moléculaire en détectant une charge associée à la molécule. Un mode de réalisation préféré utilise un transistor ayant une grille qui est située sur un site de liaison. Le transistor est utilisé à la fois pour détecter des événements de liaison et pour contrôler l'hybridation et la déshybridation sur le site de liaison. Une paire différentielle comprenant le transistor et un second transistor peut être utilisée pour la détection d'hybridation différentielle. La paire différentielle est avantageuse pour éliminer le recours à une contre-électrode. La figure 1 est un schéma fonctionnel d'un mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire 10 suivant la présente invention. L'appareil de détection moléculaire 10 comprend un transistor 12 ayant une grille 14, une source 16, et un drain 18. Le transistor 12 a un canal semi-conducteur 20 qui couple électriquement la source 16 au drain 18. Une conductance entre la source 16 et le drain 18 est fonction d'une tension ou d une charge appliquée à la grille 14. Le transistor 12 peut être formé en utilisant différentes technologies connues. De préférence, le transistor 12 comprend un transistor à couches minces (TFT) ou un transistor à effet de champ (FET), tel qu'un transistor à effet de champ MOS (MOSFET). Dans ces cas, le canal semi-conducteur peut être formé d'une couche semi-conductrice à couches minces ou d'un matériau semiconducteur non épitaxié. La grille 14 peut être soit directement couplée au canal semi-conducteur 20, soit couplée au canal semi-conducteur 20 par un isolant (non spécialement illustré). La grille 14 est placée sur un site de liaison pour recevoir un récepteur moléculaire 22. De préférence, le récepteur moléculaire 22 est lié directement à la grille 14, auquel cas, la grille 14 supporte ou définit le site de liaison. Ici, le récepteur moléculaire 22 peut être lié à la grille 14 par une électrode d'amorçage. De manière plus générale, le récepteur moléculaire est électriquement couplé à la grille 14. En général, le récepteur moléculaire 22 est sélectionné en fonction d'une molécule 24 qui doit être détectée. Le récepteur moléculaire 22 comprend généralement une molécule synthétique ou biologique qui présente une affinité spécifique avec la molécule 24 à détecter. Le récepteur moléculaire 22 peut comprendre une chaîne d'au moins un nucléotide qui s'hybride avec une chaîne complémentaire d'au moins un nucléotide compris dans la molécule. Ici, par exemple, le récepteur moléculaire 22 peut comprendre une sonde d'ADN pour détecter une séquence d'ADN complémentaire correspondante dans la molécule 24. On remarquera, cependant, que le cadre de l'invention n'est pas limité à la détection de l'hybridation de molécules d'ADN. Par exemple, des modes de réalisation de la présente invention peuvent être utilisés pou détecter des événements de liaison anticorps-antigène et d'hybridation d'ARN. La conductance entre la source 16 et le drain 18 est modifiée par une charge associée à la molécule 24 lorsque la molécule 24 se lie avec le récepteur moléculaire 22. La liaison de la molécule 24 au récepteur moléculaire 22 est détectée par la détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor 12 qui provient de la charge associée à la molécule 24 couplée à la grille 14. La charge associée à la molécule 24 peut être naturelle dans la molécule 24, telle que la charge naturelle dans une molécule d'ADN. La charge associée à la molécule 24 peut également provenir d'un élément chargé 26 fixé à la molécule 24. L'élément chargé 26 est utilisé pour accroître de manière significative l'amplitude de la charge associée à la molécule 24. Si on le désire, sensiblement toutes les charges associées à la molécule 24 peuvent être fournies par l'élément chargé 26. L'élément chargé 26 peut avoir la forme d'un cordon chargé fixé à la molécule 24. Le cordon chargé peut avoir une forme sphérique, avec un diamètre de l'ordre de 0,1 à 1,0 Hm. Si la molécule 24 comprend une chaîne polymère, l'élément chargé 26 peut être fixé à une extrémité de la chaîne polymère en utilisant des techniques d'amorçage classiques. Ce qui permet, par exemple, de fixer l'élément chargé 26 à une extrémité d'une molécule d'ADN. Dans un autre mode de réalisation, l'élément chargé 26 est incorporé directement dans la structure moléculaire de la molécule 24. Par exemple, l'élément chargé 26 peut être incorporé directement dans une hélice d'ADN. On remarquera que l'utilisation de l'élément chargé 26 est facultative pour les différents modes de réalisation de la présente invention. Le transistor 12 peut comprendre facultativement une seconde grille 28 qui est utilisée pour détecter la caractéristique électrique modifiée. Alors que la grille 14 est disposée sur un premier côté du canal semiconducteur 20, la seconde grille 28 est disposée sur un second côté du canal semi-conducteur 20. La seconde grille 28 peut être utilisée comme moyen de commande de gain et de contre-réaction active pour améliorer la sensibilité de détection de la caractéristique électrique modifiée. La figure 2 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé de détection d'une liaison d'une molécule à un récepteur moléculaire dans un appareil de détection moléculaire. Comme indiqué par la case 30, le procédé comprend une étape de fourniture d'un transistor ayant une grille sur un site de liaison dans l'appareil de détection moléculaire. Cette étape peut être réalisée en utilisant l'un quelconque des différents modes de réalisation d'un appareil de détection moléculaire, tel que décrit ici. Le récepteur moléculaire est placé sur le site de liaison défini par la grille du transistor. Comme indiqué par la case 32, le procédé comprend une étape de détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor qui intervient lorsque la molécule se lie avec le récepteur moléculaire. La caractéristique électrique modifiée provient d'une charge associée à la molécule couplée à la grille du transistor. L'étape de détection de la caractéristique électrique modifiée du transistor peut être réalisée de plusieurs manières. Deux approches, qui font référence à l'appareil de la figure 1, sont illustrées par les organigrammes des figures. 3 et 4. La figure 3 est un organigramme d'un mode de réalisation d'un procédé de détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor 12. Comme indiqué par la case 40, le procédé comprend une étape de polarisation du transistor 12, d'une manière prédéterminée, avant la liaison de la molécule 24 au récepteur moléculaire 22. Ici, un niveau de tension prédéterminé respectif est appliqué à chacun(e) de la source 16 et du drain 18 du transistor 12. Si le transistor 12 comprend la seconde grille 28, cette étape comprend facultativement une étape d'application d'un niveau de tension prédéterminé à la seconde grille 28. Comme indiqué par la case 42, une étape de mesure d'un premier courant de canal entre la source 16 et le drain 18 est réalisée avant la liaison de la molécule 24 au récepteur moléculaire 22. Le premier courant de canal provient de la polarisation du transistor 12 réalisée à 1 'étape précédente. Après mesure du premier canal de courant, la molécule 24 peut s'hybrider avec ou se lier au récepteur moléculaire 22. Comme indiqué par la case 44, l'intensité de champ de la liaison peut être accrue en réalisant une étape d'application d'une première tension à au moins un élément parmi la grille 14, la source 16, et le drain 18. La première tension est sélectionnée pour générer un champ électrique qui attire la molécule 24 sur le site de liaison. Dans un mode de réalisation préféré, sensiblement tous les champs électriques sont générés par une tension appliquée à la grille 14. Après hybridation, une étape facultative de déshybridation de toutes les molécules indésirables dans le site de liaison peut être réalisée. Plus spécialement, comme indiqué par la: case 46, une étape de déshybridation peut être réalisée en appliquant une seconde tension à au moins un élément parmi la porte 14, la source 16 et le drain 18. La seconde tension est sélectionnée pour fournir un champ électrique qui repousse les molécules indésirables du site de liaison. Les molécules indésirables peuvent comprendre, par exemple, des molécules non liées et des molécules partiellement liées. De préférence, sensiblement tous les champs électriques sont générés par une tension appliquée à la grille 14. Comme indiqué par la case 48, une étape de repolarisation du transistor 12 est réalisée. Ici, le transistor 12 est polarisé de la même manière prédéterminée que dans l'étape indiquée par la case 40. Comme indiqué par la case 50, une étape de mesure d'un second courant de canal entre la source 16 et le drain 18 est réalisée après la liaison de la molécule 24 au récepteur moléculaire 22. Le second courant de canal provient de la polarisation du transistor 12 réalisée à 1 'étape précédente. La caractéristique électrique modifiée est détectée par une étape de détection d'une différence entre le premier courant de canal et le second courant de canal, indiquée par la case 52. Par exemple, la caractéristique électrique modifiée peut être déterminée lorsqu'une différence entre le premier courant de canal et le second courant de canal dépasse un seuil prédéterminé. Si on le souhaite, la tension appliquée à la seconde grille 28 dans les étapes de polarisation indiquées par les cases 40 et 48 est sélectionnée pour fournir une commande de gain qui améliore la sensibilité de détection d'une différence entre le premier courant de canal et le second courant de canal. La figure 4 est un organigramme d'un autre mode de réalisation d'un ' procédé de détection d'une caractéristique électrique modifiée du transistor 12. Comme indiqué par la case 60, le procédé comprend une étape de polarisation du transistor 12 d'une manière prédéterminée. Ici, un niveau de tension prédéterminé respectif est appliqué à chacun(e) de la source 16 et du drain 18. Comme indiqué par la case 62, une étape de détermination d'une tension pour la seconde grille 28 pour produire un courant de canal prédéterminé est réalisée. La caractéristique électrique modifiée est détectée par une étape, indiquée par la case 64, de détection d'une différence entre un niveau de tension prédéterminé et la tension déterminée à l'étape décrite précédemment. Le niveau de tension prédéterminé peut être, par exemple, une tension qui produit le courant de canal prédéterminé avant hybridation. Par suite, la caractéristique électrique modifiée peut être déterminée lorsque la seconde tension de grille (post-hybridation) qui produit le courant de canal prédéterminé dépasse un seuil prédéterminé. La figure 5 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire suivant la présente invention. L'appareil de détection moléculaire comprend un premier transistor 70, qui agit comme dispositif de détection, et un second transistor 72, qui agit comme dispositif de commutation. Le premier transistor 70 a une grille 74, une source 76, et un drain 78. La grille 74 est placée sur un site de liaison pour recevoir un récepteur moléculaire. Une caractéristique électrique modifiée du premier transistor 70 intervient lorsqu'une molécule se lie au récepteur moléculaire. Le second transistor 72 couple et découple sélectivement la grille 74 du premier transistor 70 avec une source de tension 80 pour générer sélectivement un champ électrique sur le site de liaison. Dans le mode de réalisation illustré, le second transistor 72 comprend une source 82 couplée à la source de tension 80, et un drain 84 couplé à la grille 74 du premier transistor. Le second transistor 72 comprend, de plus, une grille 86 qui reçoit un signal d'entrée pour contrôler sélectivement un couplage électrique entre la source 82 et le drain 84. Par suite, le signal d'entrée contrôle un couplage et un découplage électrique sélectif entre la source de tension 80 et la grille 74 du premier transistor 70. La source de tension 80 est appliquée entre la source 82 du second transistor 72 et une contre-électrode 88. La contre-électrode 88 est disposée en un point qui est distant du site de liaison. Pour générer un champ électrique sur le site de liaison, le second transistor 72 est débloqué en appliquant un signal d'entrée approprié à la grille 86. En réponse à ce signal d'entrée, la source de tension 80 est électriquement couplée à la grille 74 du premier transistor 70. En conséquence, un champ électrique est généré à la grille 74. La polarité et l'amplitude du champ électrique est fonction de la polarité et de l'amplitude de la source de tension 80. En général, la polarité et l'amplitude de la source de tension 80 sont sélectionnées en fonction de la réalisation d'une étape d'hybridation, d'une étape de déshybridation, ou d'une étape de criblage. Pour réaliser une détection ou une étape de détection, le second transistor 72 est bloqué en appliquant un signal d'entrée approprié à la grille 86. En réponse à ce signal d'entrée, la grille 74 du premier transistor 70 est électriquement découplé de, la source de tension 80. L'une quelconque des approches décrites ici pour détecter une caractéristique électrique modifiée du premier transistor 70 peut être ensuite utilisée pour détecter une molécule liée au site de liaison. La figure 6 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire. Ce mode de réalisation comprend un premier transistor 100, un second transistor 102, une source de tension 104, et une contre-électrode 106, interconnectés comme sur la figure 6. Cependant, le premier transistor 100 dans ce mode de réalisation comprend, de plus, une grille inverse 108. La grille inverse 108 est utilisée comme moyen de commande de gain et/ou de contre-réaction active pour améliorer la sensibilité de détection de la caractéristique électrique modifiée du premier transistor 100. Par exemple, la grille inverse 108 peut être utilisée suivant le procédé de la figure 4 pour détecter la caractéristique électrique modifiée. La figure 7 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation d'un appareil de détection moléculaire suivant la présente invention. Ce mode de réalisation utilise un premier transistor de détection 110 et un second transistor de détection 112 couplés pour former une paire différentielle. Le premier transistor de détection 110 a une grille 114, une source 116, et un drain 118. Le second transistor de détection 112 a une grille 120, une source 122, et un drain 124. La source 116 est couplée à la source 122 pour former la paire différentielle. La grille 114 du premier transistor de détection 110 est placée sur un premier site de liaison pour recevoir un premier récepteur moléculaire. La grille 120 du second transistor de détection 122 est placée sur un second site de liaison pour recevoir un second récepteur moléculaire. Pour réaliser une hybridation différentielle et la détection de celle-ci, le premier site de liaison et le second site de liaison reçoivent des récepteurs moléculaires identiques. Un premier transistor de commutation 126 comprend une grille 128, une source 130, et un drain 132. Une source de tension 134 est appliquée entre la source 130 et une contre-électrode 136 placée à distance du premier site de liaison. Le drain 132 est couplé à la grille 114 du premier transistor de détection 110. En fonction d'un signal d'entrée appliqué à la grille 128, le premier transistor de commutation 126 couple et découple sélectivement la grille 114 du premier transistor de détection 110 avec la source de tension 134. Par suite, un champ électrique peut être généré sélectivement sur le premier site de liaison. Un second transistor de commutation 140 comprend une grille 142, une source 144, et un drain 146. Une source de tension 148 est appliquée entre la source 144 et une contre-électrode 150 placée à distance du second site de liaison. On remarquera que les contre-électrodes 136 et 150 peuvent comprendre des électrodes séparées ou peuvent comprendre une seule électrode. Le drain 146 est couplé à la grille 120 du second transistor de détection 112. En fonction d'un signal d'entrée appliqué à la grille 142, le second transistor de commutation 140 couple et découple sélectivement la grille 120 du second transistor de détection 112 avec la source de tension 148. Par suite, un champ électrique peut être généré sélectivement sur le second site de liaison. Pour générer des champs électriques sur le premier site de liaison et le second site de liaison, le premier transistor de commutation 126 et le second transistor de commutation 140 sont débloqués en appliquant dès signaux d'entrée appropriés aux grilles 128 et 142. Le premier transistor de commutation 126 et le second transistor de commutation 140 peuvent être débloqués, soit sensiblement simultanément, soit séquentiellement. La polarité et l'amplitude des champs électriques sont fonction de la polarité et de l'amplitude des sources de tension 134 et 142. Pour accroître un événement d'hybridation différentielle entre le premier site de liaison et le second site de liaison, les amplitudes des sources de tension 134 et 142 sont sélectionnées pour différer d'une différence de tension. Si des molécules ayant une affinité aux récepteurs moléculaires sur le premier site de liaison et le second site de liaison sont appliquées à l'appareil, la différence de tension conduit à un nombre accru de molécules liées à des récepteurs moléculaires sur l'un des deux sites de liaison. Un événement de liaison peut être détecté, d'abord, en appliquant.des signaux d'entrée appropriés aux grilles 128 et 142 pour bloquer le premier transistor de commutation 126 et le second transistor de commutation 140. Par suite, les grilles 114 et 120 sont découplées avec les sources de tension 134 et 142. Le premier transistor de commutation 126 et le second transistor de commutation 140 peuvent être bloqués soit sensiblement simultanément, soit séquentiellement. Une différence dans une caractéristique électrique prédéterminée entre le premier transistor de détection 110 et le second transistor de détection 112 est ensuite détectée pour détecter l'hybridation différentielle. L'hybridation différentielle est détectée lorsque la différence dépasse un seuil prédéterminé. Dans un mode de réalisation, la paire différentielle formée par le premier transistor de détection 110 et le second transistor de détection 112 est polarisée pour détecter une différence dans la conductance du canal qui provient de l'hybridation différentielle. La différence dans les conductances du canal entraîne une différence dans les courants du canal dans la paire différentielle. En général, la paire différentielle fournit un signal, tel qu'une tension ou un courant, qui dénote un événement d'hybridation différentielle. Facultativement, le premier transistor de détection 110 comprend une grille inverse 152 et le second transistor de détection 112 comprend une grille inverse 154. Ici, l'événement d'hybridation différentielle peut être détecté en détectant une tension de décalage non nulle qui, lorsqu'elle est appliquée entre les grilles inverses 152 et 154, produit des courants de canal égaux pour le premier transistor de détection 110 et le second transistor de détection 112. L'événement d'hybridation différentielle est détecté lorsque la tension de décalage dépasse un seuil prédéterminé. Le mode de réalisation de la figure 7 peut être modifié pour éliminer l'utilisation des contre-électrodes 136 et 150. Une telle modification est illustrée à la figure 8. La figure 8 est un schéma de principe d'un autre mode de réalisation de la présente invention. Ce mode de réalisation comprend un premier transistor de détection 160, un second transistor de détection 162, un premier transistor de commutation 164, et un second transistor de commutation 166, comme sur la figure 7. Cependant, une source de tension 168 est appliquée entre une source 170 du premier transistor de commutation 164 et une source 172 du second transistor de commutation 166,. L'amplitude de la tension génerée par la source de tension 168 fournit la tension qui mène à un nombre accru de molécules liées à des récepteurs moléculaires sur l'un des deux sites de liaison. La figure 9 est un organigramme récapitulant les étapes réalisées pour accroître et détecter un événement de liaison différentielle. Comme indiqué par la case 180, le procédé comprend une étape de fourniture d'un premier transistor de détection ayant une grille qui supporte un premier site de liaison. Comme indiqué par la case 182, le procédé comprend une étape de fourniture d'un second transistor de détection ayant une grille qui supporte un second site de liaison. Le premier site de liaison et le second site de liaison reçoivent des récepteurs moléculaires identiques. Comme indiqué par la case 184, une étape d'application d'une tension différentielle entre la grille du premier transistor de détection et la grille du second transistor de détection est réalisée pour accroître l'intensité de champ de l'événement de liaison différentielle. Comme illustré aux figures. 7 et 8, la tension différentielle peut être appliquée en utilisant soit une source de tension unique soit deux sources de tension. Comme indiqué par la case 186, l'événement de liaison différentielle est détecté par une étape de détection d'une différence dans une caractéristique électrique entre le premier transistor de détection et le second transistor de détection. Cette étape peut comprendre la détection d'une différence dans les conductances de canal ou les courants de canal entre le premier transistor de détection et le second transistor de détection. Selon une autre solution, cette étape peut comprendre une étape de détection d'une, tension de décalage non nulle qui, lorsqu'elle est appliquée entre les grilles inverses des premier et second transistors de détection, produit des courants de canal égaux. Bien qu'illustrés en termes d'un récepteur moléculaire unique sur le site de liaison, on remarquera que des modes de réalisation de la présente invention sont généralement utilisés avec une pluralité de récepteurs moléculaires identiques placés sur le site de liaison. Ici, la pluralité de récepteurs moléculaires identiques sont utilisés pour détecter une structure moléculaire prédéterminée dans un échantillon de molécules cibles. On remarquera, de plus, que des modes de réalisation de la présente invention ont généralement un ensemble de sites de liaison pour détecter différentes structures moléculaires à l'intérieur d'un échantillon de molécules cible. Ici, chaque site de liaison a un transistor de détection et, facultativement, un transistor de commutation associé à celui-ci. La pluralité de transistors qui forment un tel appareil de détection moléculaire peuvent tous être intégrés à un substrat unique en utilisant des technologies TFT ou MOSFET, par exemple. On remarquera également que tout dispositif de commutation approprié capable de coupler et de découpler sélectivement une paire de bornes, en fonction de'un signal reçu sur une entrée de commande, peut remplacer l'un quelconque des transistors de commutation décrits dans le présent document. On a ainsi décrit dans le présent document un concept, de même que plusieurs modes de réalisation comprenant des modes de réalisation préférés d'un procédé et d'un appareil de détection moléculaire à base de transistor. Puisque les différents modes de réalisation de la présente invention détectent un événement de liaison en détectant une charge associée à une molécule cible, ils fournissent une amélioration significative en ce qu'un transistor intégré dans l'appareil de détection moléculaire peut être utilisé pour détecter électroniquement la molécule cible. Pour améliorer la détection, la charge associée à la molécule cible peut être accrue en fixant un cordon chargé à la molécule cible. De plus, les différents modes de réalisation de la présente invention, tels que décrits dans le présent document, utilisent la grille du transistor pour réaliser l'hybridation et la déshybridation par accroissement de l'intensité du champ. De plus, une paire de transistors peut être utilisée pour accroître et détecter REVENDICATIONS 1. Procédé de détection d'une liaison d'une molécule à un récepteur moléculaire sur un site de liaison dans un appareil de détection moléculaire, ledit procédé étant caractérisé par les étapes de fourniture d'un premier transistor de détection ayant une grille, une source, un drain, et un canal semiconducteur qui couple électriquement la source au drain, la grille étant placée sur le site de liaison de manière qu'une conductance entre la source et le drain soit modifiée par une charge associée à la molécule lorsque la molécule se lie au récepteur moléculaire ; et détection d'une caractéristique électrique modifiée du premier transistor de détection qui provient de la charge associée à la molécule lorsque la molécule se lie au récepteur moléculaire. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel l'étape de détection de la caractéristique électrique modifiée du premier transistor de détection comprend la mesure d'un premier courant de canal avant liaison de la molécule au récepteur moléculaire la mesure d'un second courant de canal après liaison de la molécule au récepteur moléculaire la détection d'une différence entre le premier courant de canal et le second courant de canal. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en outre, par au moins une étape parmi les étapes de génération d'un champ électrique pour accroître l'hybridation en appliquant une tension à la grille, de génération d'un champ électrique pour déshybrider la molécule en appliquant une tension à la grille, et de fourniture d'un second transistor de détection ayant une grille qui supporte un second site de liaison, dans lequel la liaison est détectée par une différence dans une caractéristiqu?e électrique entre le premier transistor de détection et le second transistor de détection. 4. Procédé selon la revendication 1, dans lequel un second transistor de détection est électriquement relié au premier transistor de détection pour former une paire différentielle. 5. Procédé selon la revendication 4, dans lequel la liaison est détectée par détection d'une différence dans les courants de canal entre le premier transistor de détection et le second transistor de détection. 6. Appareil de détection moléculaire caractérisé par un premier transistor de détection ayant une grille, une source, un drain, et un canal semi-conducteur qui couple électriquement la source au drain, la grille supportant un premier site de liaison pour recevoir un récepteur moléculaire dans lequel une conductance entre la source et le drain est modifiée par une charge associée à une molécule qui se lie au récepteur moléculaire, et dans lequel la liaison de la molécule au récepteur moléculaire est détectée par une caractéristique électrique modifiée du premier transistor de détection provenant de la charge associée à la molécule. 7. Appareil selon la revendication 6, dans lequel au moins une partie de la charge associée à la molécule provient d'un élément chargé fixé à la molécule. 8. Appareil selon la revendication 6, caractérisé en outre, par un dispositif de commutation qui couple et découple sélectivement la grille avec une source de tension pour fournir sélectivement un accroissement de l'intensité du champ électrique sur le site de liaison. 9. Appareil selon la revendication 6, caractérisé en outre, par un second transistor de détection ayant une grille qui supporte un second site de liaison, dans lequel la liaison est détectée par une différence dans une caractéristique électrique entre le premier transistor de détection et le second transistor de détection. 10. Appareil selon la revendication 9, dans lequel le second transistor de détection est relié électriquement au premier transistor de détection pour former une paire différentielle.