Brevet FR2751127A1 — publié le 19980116

La présente invention concerne un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, et un procédé de formation de nervures de barrage destinées à un tel panneau. Plus précisément, l'invention concerne un panneau d'affichage à décharge dans un plasma et un dispositif de formation de nervures de barrage destinées à un tel panneau qui permet d'éviter la séparation des nervures de barrage. Récemment, on a recherché de plus en plus des dispositifs d'affichage ayant une épaisseur réduite et une plus grande surface d'affichage. Parmi les divers dispositifs d'affichage, les panneaux d'affichage à décharge dans un plasma présentent une épaisseur réduite et ils peuvent etre facilement adaptés à l'affichage en couleurs et à une grande surface d'affichage. En outre, ces panneaux à décharge dans un plasma émettent de la lumière et ont une excellente visibilité. En conséquence, ils sont prometteurs par exemple pour la formation de postes de télévision à grand écran, montés sur des murs (demandes publiées de brevet japonais non examinées n' 3-179 630 (1991), 5299 019 (1993) et 7-261 298 (195)). Un panneau à décharge dans un plasma est un dispositif d'affichage ayant un espace de décharge délimité entre deux substrats opposés avec un espacement minuscule et fermé périphériquement de manière étanche. Le panneau à décharge dans un plasma a habituellement des nervures de barrage formées sur l'un des substrats pour le cloisonnement de l'espace de décharge. Dans le cas d'un panneau à décharge dans un plasma destiné à l'affichage en couleurs par exemple, des nervures allongées de barrage sont formées sous forme équidistante sur un substrat et des couches fluorescentes sont placées entre les nervures de barrage. La formation des nervures de barrage comprend habituellement l'application d'une pâte de verre par sérigraphie sur le substrat, puis la cuisson du substrat résultant. Cependant, ce procédé présente des difficultés associées à la réduction de largeur des nervures de barrage et au pas de disposition de ces nervures, si bien qu'un affichage très précis ne peut pas être réalisé. Lorsqu'on essaie d'augmenter la dimension de la surface d'affichage, la contraction du masque de sérigraphie rend impossible la conservation de positions relatives uniformes entre les électrodes et les nervures de barrage sur toute la surface d'affichage. Une surimpression doit être réalisée environ dix fois pour la formation de nervures de barrage de hauteur prédéterminée. Cette caractéristique provoque la déformation des nervures de barrage à l'impression et à la cuisson, et peut provoquer un défaut de décharge. On a proposé, comme variante au procédé de sérigraphie, un procédé de sablage dans des applications pratiques. Dans ce procédé, une couche d'un matériau de nervures de barrage est formée sur une surface d'un substrat, et un masque ayant un dessin prédéterminé de nervures de barrage est formé par photolithographie. Ensuite, la couche du matériau de nervures de barrage est retirée sélectivement pour la formation des nervures de barrage sous le masque par projection d'un abrasif en direction perpendiculaire à la couche du matériau des nervures de barrage, puis le masque est retiré. Lors de la formation de nervures de barrage de faible largeur par ce procédé de sablage, les nervures de barrage risquent de se séparer du substrat lorsque le masque est retiré ou sous l'action d'une force extérieure telle qu'une vibration appliquée lorsque le substrat est combiné à un substrat auxiliaire pour le montage d'un panneau d'affichage. A la suite d'études poussées, les inventeurs ont constaté selon l'invention que les problèmes précités pouvaient être résolus lorsque les nervures de barrage avaient une résistance d'adhérence au substrat supérieure à celle du masque, et la présente invention met en oeuvre cette caractéristique. Dans un premier aspect, l'invention concerne un procédé de formation de nervures de barrage destinées à un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, comprenant les étapes suivantes le dépolissage d'une surface de substrat destinée à la formation de nervures de barrage, la formation d'une couche de matériau de nervures de barrage sur la surface dépolie de formation de nervures de barrage, la formation, sur la couche du matériau de nervures de barrage, d'un masque ayant un dessin correspondant aux nervures de barrage à former, l'enlèvement partiel de la couche du matériau de nervures de barrage par projection d'un abrasif contre la couche du matériau de nervures de barrage pour la formation des nervures de barrage sous le masque, et l'enlèvement du masque, si bien que des nervures de barrage destinées à cloisonner un espace de décharge sont formées sur le substrat. Dans un second aspect, l'invention concerne un procédé de formation de nervures de barrage destinées à un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, comprenant la formation d'une couche diélectrique destinée à recouvrir une surface d'un substrat formée avec des électrodes, le dépolissage d'une surface de la couche diélectrique, la formation d'une couche d'un matériau de nervures de barrage sur la surface dépolie de la couche diélectrique, la formation, sur la couche du matériau de nervures de barrage, d'un masque ayant un dessin correspondant aux nervures de barrage à former, l'enlèvement partiel de la couche du matériau de nervures de barrage par projection d'un abrasif contre la couche du matériau de nervures de barrage pour la formation de nervures de barrage sous le masque, et l'enlèvement du masque, si bien que des nervures destinées à cloisonner un espace de décharge se forment sur le substrat. Dans un troisième aspect, l'invention concerne un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs électrodes formées sur une surface du substrat, une couche diélectrique recouvrant les électrodes et ayant une surface à ondulations microscopiques dont la rugosité est comprise entre 4 et 6 pm, et les nervures de barrage ayant un dessin prédéterminé et étant formées pour le cloisonnement d'un espace de décharge de manière que leurs parois soient perpendiculaires de façon générale à la surface du substrat, par formation d'une couche d'un matériau de nervures de barrage à la surface de la couche diélectrique, par recouvrement de la couche du matériau de nervures de barrage par un masque ayant un dessin prédéterminé, et par enlèvement d'une partie de la couche du matériau de nervures de barrage exposée par le masque, par sablage. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels les figures l(a) à l(f) illustrent des étapes de traitement, en coupe schématique, lors de la mise en oeuvre d'un procédé de formation de nervures de barrage d'un panneau d'affichage à décharge dans un plasma selon l'invention les figures 2(a) et 2(b) sont des coupes schématiques représentant les nervures de barrage formées selon l'invention et selon la technique antérieure respectivement la figure 3 est une vue schématique en perspective représentant un panneau à décharge dans un plasma ; la figure 3a est une vue en perspective de la partie cerolée de la figure 3, représentant un panneau à décharge dans un plasma en surface à électrodes triples et pilotage en courant alternatif, auquel peut être appliquée la présente invention la figure 4 est une coupe schématique suivant la ligne X-X de la figure 3a ; et la figure 5 est une coupe schématique suivant la ligne Y-Y des électrodes transparentes voisines et des électrodes de bus de la figure 3a. Une surface de formation de nervures de barrage d'un substrat est définie dans le présent mémoire comme étant une surface d'un film de passivation formé entre une surface d'un substrat isolant et les électrodes, comme étant une surface de la couche diélectrique isolant les électrodes d'un espace de décharge, ou comme étant une surface d'un film destiné à empêcher la coupure des électrodes et à protéger les électrodes et le substrat isolant contre une opération de sablage. Des exemples de substrats isolants sont un substrat de verre et un substrat de quartz, le substrat de verre étant préférable à cause de son faible court. La couche diélectrique est décrite dans la suite avec un panneau d'affichage à décharge en surface à électrodes triples, piloté par un courant alternatif, utilisé à titre d'exemple. Plusieurs électrodes linéaires d'adressage sont formées à une distance prédéterminée les unes des autres sur une surface isolante arrière. Les matériaux utilisés pour les électrodes d'adressage ne présentent pas de restrictions particulières, car les matériaux connus d'électrodes peuvent être utilisés. Des exemples sont Ag, Au, Al, Cu et Cr, les empilements formés de ces différents métaux, et les oxydes métalliques, tels que l'oxyde d'étain et d'indium (ITO), l'argent ou une structure à trois couches Cr/Cu/Cr étant préférés. De préférence, les électrodes d'adressage ont une épaisseur comprise entre 1 et 1,5 pm et une largeur comprise entre 50 et 100 pm, et elles sont formées avec un pas compris entre 200 et 400 pm. La surface de formation de nervures de barrage est dépolie. La surface dépolie a de préférence une surface à ondulations microscopiques dont la rugosité est comprise entre 4 et 6 pm. Des exemples de procédés donnant cette rugosité à la surface du substrat isolant sont des procédés physiques, tels que le sablage, et des procédés chimiques, tels qu'une attaque chimique. Dans le procédé de sablage, un abrasif, par exemple des particules de carbonate de calcium ou des billes de verre ayant des dimensions particulaires comprises entre 10 et 30 pm, est projeté contre la surface du substrat isolant avec une pression d'environ 1,5 à 3 bar pendant 5 à 15 min, afin que le substrat isolant prenne la rugosité précitée. Un exemple de procédé d'attaque chimique est un procédé d'attaque de type humide dans lequel le substrat isolant est immergé dans une matière d'attaque telle que l'acide fluorhydrique, pendant 1 à 10 min (suivant la nature de la matière d'attaque qui est utilisée). Pour que la surface de la couche diélectrique formée sur le substrat isolant prenne la rugosité précitée, il faut (1) que la couche diélectrique soit formée d'un matériau diélectrique à une température prédéterminée, ou (2) que la couche diélectrique soit formée d'un matériau diélectrique mélangé à des charges ayant des diamètres particulaires prédéterminés, à une température prédéterminée. Dans les deux cas, le matériau diélectrique est appliqué avec une épaisseur de 10 à 20 lum, qui est réduite à la moitié dans une opération ultérieure de cuisson. Dans le premier cas (1), le matériau de la couche diélectrique n'est pas soumis à des restrictions particulières, car les matériaux diélectriques connus peuvent être utilisés. Un exemple de matériau est une pâte de verre à faible température de fusion contenant une poudre de verre à faible température de fusion et un liant d'une résine (telle que l'éthylcellulose ou analogue). Une "faible température de fusion" indique dans le présent mémoire une température inférieure à 600 C. La pâte de verre à faible température de fusion est appliquée au substrat par un procédé connu, et elle est cuite à une température inférieure d'environ 10 à 20 C à la température de vitrification de la poudre de verre à faible température de fusion. Ainsi, la couche diélectrique est formée avec la rugosité précitée de surface. Plus précisément, la température de cuisson est comprise entre environ 560 et 570 C. Lorsque la température de cuisson est nettement inférieure à 560 C, la couche diélectrique devient poreuse, si bien que de nombreux pores traversent la couche diélectrique dans la direction de la profondeur. Comme un gaz de décharge chargé dans un panneau (espace de décharge) s'échappe progressivement par les pores, la quantité de ce gaz diminue. Ainsi, la couche diélectrique poreuse provoque des fuites lentes qui conduisent à un défaut d'éclairement. La température de cuisson ne dépasse pas de préférence 570 C environ, car la rugosité de surface diminue alors. Dans le second cas (2), la pâte de verre précitée est mélangée à des charges ayant des diamètres particulaires prédéterminés, puis est appliquée au substrat par un procédé connu, et elle est cuite pour la formation de la couche diélectrique. La pâte utilisée contient de préférence (a) des charges ayant une dimension particulaire moyenne comprise entre 1,5 et 5 pm (de préférence entre 1,5 et 3 pm) et dépourvues de particules ayant des diamètres particulaires qui ne dépassent pas 1 pm, en quantité comprise entre 6 et 18 % en poids (de préférence entre 10 et 15 % en poids), ou (b) des charges ayant un diamètre particulaire moyen compris entre 4 et 10 pm (de préférence entre 4 et 6 pm), à raison de 10 à 35 % en poids (de préférence de 15 à 25 % en poids). Les pâtes (a) et (b) donnent une couche diélectrique ayant une rugosité prédéterminée de surface (de préférence comprise entre 4 et 6 pm) dans laquelle les charges sont partiellement exposées à la surface de la couche diélectrique par l'opération de cuisson. La température de cuisson est de préférence comprise entre 575 et 595 C. Lorsque la température de cuisson n'est pas nettement inférieure à 575 C, la cuisson peut être insuffisante. Lorsque la température de cuisson dépasse nettement 595 C, des cloques (protubérances analogues à des cratères) se forment si bien que les nervures de barrage ne peuvent pas être formées convenablement et la couche diélectrique ne peut pas être réalisée avec une épaisseur prédéterminée. Comme la viscosité de la pâte diminue lorsque la température de cuisson augmente, une plus grande température de cuisson réduit les effets du mélange des charges. En conséquence, une température avantageuse de cuisson est comprise entre environ 575 et 580 C. Un solvant (terpinéol ou analogue) peut être ajouté à la pâte de verre à faible température de fusion pour l'ajustement de la viscosité de la pâte à une valeur convenant à son application. Les nervures de barrage sont elles-mêmes formées sur la surface de formation des nervures de barrage ayant la rugosité prédéterminée de surface (de préférence comprise entre 4 et 6 pm). Lorsque la rugosité de surface n'est pas comprise dans cette plage de 4 à 6 um, des effets d'accrochage ne peuvent pas être obtenus par augmentation de la surface de contact. Une rugosité de surface de 4,5 à 5,5 pm est très avantageuse. Plus précisément, une couche d'un matériau de nervures de barrage est formée sur la surface correspondante, et un masque ayant un dessin correspondant aux nervures de barrage à réaliser est disposé sur cette couche. La couche du matériau de nervures de barrage est alors retirée sélectivement par sablage. Ainsi, les nervures de barrage sont formées sous le masque qui est ensuite retiré. Le matériau des nervures de barrage n'est pas soumis à des restrictions particulières, car les matériaux connus pour ces nervures peuvent être utilisés. Un exemple de matériau de nervures de barrage est une pâte de verre à faible température du fusion, contenant un verre à faible température de fusion et un liant de résine, et diluée par un solvant de manière que la viscosité convienne à l'application. Des exemples de résines contenues dans une pâte de verre à faible température de fusion sont des résines cellulosiques, par exemple l'éthylcellulose. La couche du matériau de nervures de barrage a de préférence une épaisseur comprise entre 150 et 250 pm. La formation de cette couche est assurée par tout procédé connu d'application. La couche du matériau de nervures de barrage peut contenir une première couche contenant 2 à 4 % en poids d'une résine cellulosique et une seconde couche contenant 1 à 2 * en poids d'une résine cellulosique et formée sur la première couche. La première et la seconde couche ont de préférence un rapport d'épaisseur compris entre 13/1 et 15/1. La résine contenue dans la première couche est carbonisée lors de la cuisson et accroît la résistance d'adhérence de la couche du matériau de nervures de barrage à la surface de formation des nervures de barrage. La seconde couche est utilisée afin qu'elle facilite le traitement par sablage, comme décrit dans la suite. Lors de la formation du masque sur la couche du matériau de nervures de barrage, un matériau de réserve photographique sous forme d'un film sec est collé sur la couche du matériau de nervures de barrage, puis exposé et développé. Dans une variante, une solution d'un matériau de réserve photographique est appliquée sur la couche du matériau de nervures de barrage, puis exposée et développée, ou une solution d'un matériau de réserve photographique est déposée par sérigraphie sur la couche du matériau de nervures de barrage. La couche du matériau de nervures de barrage est alors retirée sélectivement à son tour par sablage, si bien qu'une partie de cette couche reste sous le masque. Dans le procédé de sablage, l'abrasif, tel que des particules de carbonate de calcium, de carbure de silicium ou des billes de verre de dimension particulaire comprise entre 10 et 30 pm, est de préférence projeté contre la couche du matériau de nervures de barrage avec une pression comprise entre environ 1,5 et 3 bar, pendant 15 à 30 min. Ensuite, le masque est retiré (par pelage). De préférence, une solution aqueuse faiblement alcaline contenant 0,1 à 1,0 i en poids de carbonate de sodium est utilisée comme solution pour ltenlèvement du masque par pelage. L'utilisation de cette solution empêche plus efficacement la séparation des nervures de barrage de la surface de formation des nervures par rapport à l'utilisation classique de la solution d'hydroxyde de sodium. L'enlèvement du masque est réalisé par un procédé connu, tel que l'immersion ou la pulvérisation. Le substrat résultant est cuit à environ 560 C pour la formation d'une structure de substrat ayant les nervures de barrage. Les nervures de barrage ont une hauteur d'environ 100 à 200 um après la cuisson. Le procédé de formation des nervures de barrage selon la présente invention peut être appliqué non seulement à des panneaux à décharge dans un plasma (de type fonctionnant en courant continu ou alternatif), mais aussi à un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active dans lequel une couche de cristaux liquides est empilée sur une couche de décharge dans un gaz qui est utilisée comme élément de commutation. On décrit maintenant des exemples de procédés de formation de nervures de barrage destinées à des panneaux B décharge dans un plasma. EXEMPLES On décrit l'invention à titre d'exemple lors de son application à un panneau à décharge dans un plasma en surface à électrodes triples pilotées par un courant alternatif. La construction générale du panneau à décharge dans un plasma en surface est décrite dans la suite en référence aux figures 3a, 4 et 5 qui représentent respectivement une vue en perspective et des coupes du panneau à décharge dans un plasma. Deux électrodes d'entretien X et Y (aussi appelées électrodes du dispositif) sont formées pour chaque ligne L d'affichage de matrice à une surface interne d'un substrat avant 11 de verre. Les électrodes X et Y comprennent chacune une électrode transparente 41 et une électrode métallique 42 (électrodes de bus) et elles sont couvertes d'une couche diélectrique 17 pour le pilotage en courant alternatif. Un film protecteur 18 de MgO est formé à une surface de la couche diélectrique 17 par dépôt en phase vapeur. Des électrodes A d'adressage, une couche diélectrique 27, des nervures 29 de barrage et des couches fluorescentes 28 de trois couleurs (R, G, B) sont aussi formées à une surface interne d'un substrat arrière de verre 21. Les nervures de barrage 29 ont chacune une configuration linéaire en plan. Les nervures de barrage 29 cloisonnent un espace 30 de décharge, le long d'une ligne d'affichage matriciel pour la délimitation de sous-éléments d'image respectifs, et délimitent l'espace 30 de décharge avec un espacement prédéterminé. Chaque élément d'image d'affichage comprend trois sous-éléments d'image placés le long de la ligne. Chaque sous-élément d'image comporte une combinaison d'une cellule de décharge d'adressage formée à l'intersection d'une électrode A d'adressage et d'une électrode Y d'entretien et une cellule de décharge d'affichage est formée entre les électrodes d'entretien X et Y. Dans le panneau à décharge dans un plasma, les nervures 29 de barrage sont disposées suivant un dessin dit en bandes" et, en conséquence, les sous-éléments d'image de chaque rangée dans l'espace 30 de décharge sont disposés successivement transversalement à toutes les lignes L. Les sous-éléments d'image de chaque rangée sont destinés à émettre de la lumière d'une même couleur. I1 faut noter que la figure 4 est une coupe suivant la ligne X-X de la figure 3a et la figure 5 une coupe suivant la ligne Y-Y de la structure du substrat avant de la figure 3a. On décrit maintenant les procédés de formation des nervures de barrage sur un substrat arrière suivant l'invention. Exemple 1 et exemple comparatif 1 On a déposé en phase vapeur Cr, Cu et Cr dans cet ordre avec des épaisseurs de 100, 1 000 et 200 nm respectivement sur un substrat de verre 1. Ensuite, les couches de Cr/Cu/Cr ont été mises sous forme de motifs, par une technique photolithographique connue, pour la réalisation des électrodes 2 d'adressage ayant chacune une largeur de 70 pm et un pas de 120 pm. Une pâte de verre à faible température de fusion contenant des charges de A1203 ayant une dimension particulaire moyenne, un diamètre particulaire maximal et une teneur indiquée dans le tableau 1 (sans particules dont les diamètres ne dépassent pas 1 um dans l'exemple 1), un verre à faible température de fusion, une résine et un solvant de terpinéol a été appliquée avec une épaisseur de 15 pm sur le substrat résultant. Le substrat a alors été cuit à 575 C pendant 10 min pour la formation d'une couche diélectrique 3. Dans l'exemple 1, la couche diélectrique avait une surface à ondulations microscopiques de rugosité comprise entre 4 et 6 pm comme indiqué sur la figure 2(a). Dans l'exemple comparatif 1, la couche diélectrique avait une surface à ondulations microscopiques de rugosité ne dépassant pas 2 pm comme indiqué sur la figure 2(b). Les couches diélectriques ont été vitrifiées. La pâte de verre à faible température de fusion a alors été appliquée à une épaisseur de 180 pm sur la couche diélectrique 3 pour la formation d'une couche 4 d'un matériau de nervures de barrage (voir figure l(a)). Un film sec 5 ayant un liant de résine constitué d'un polymère acrylique contenant du méthacrylate de méthyle a été appliqué au substrat résultant (voir figure l(b)). Ensuite un masque 6 a été formé sur la couche de matériau de nervures de barrage afin qu'il recouvre des parties placées entre les électrodes d'adressage, par exposition et développement du film sec (voir figure l(c)). Ensuite, des particules de carbonate de calcium ayant des dimensions particulaires comprises entre 10 et 30 pm ont été projetées contre la couche du matériau de nervures de barrage avec une pression d'environ 2,2 bar pendant 20 min (procédé de sablage). Grâce au sablage, des parties de la couche du matériau de nervures de barrage qui n'étaient pas couvertes par le masque ont été retirées. Ainsi, des nervures 7 de barrage ayant une largeur de 70 pm et une hauteur de 180 pm ont été formées avec un pas de 220 pm (voir figure l(d)). Une solution aqueuse contenant 0,5 à 2,0 % en poids de carbonate de sodium a alors été pulvérisée sur le substrat résultant à une pression de 0,5 à 3,0 bar pendant 3 à 8 min, puis de l'eau pure à une pression de 0,5 à 3,0 bar a été pulvérisée pendant 2 à 12 min pour l'enlèvement du masque 6 (voir figure l(e)). Ensuite, le substrat résultant a été cuit à 560 C. On a ainsi obtenu une structure de substrat arrière 8 (voir figure l(f)). Les résultats sont indiqués dans le tableau 1. Tableau 1 Ex. 1 Ex. comp. 1 Charges A B A B Diam. part. moyen 5 pm 1,5 pm 2,5 pm 1,5 pm Diam. part. maximal 15 pm 5,5 pm 15 pm 5,5 pm Concentration, poids 6 % 18 % 8 % 6 * Rugosité 4-6 pm pm Evaluation OK NG Dans le tableau 1, "NG" indique que 5 à 30 % des nervures de barrage ont été retirées par pelage, et "OK" indique que les nervures de barrage n'ont pas été pelées, cette désignation étant aussi utilisée dans la suite du présent mémoire. Le tableau indique qu'une plage efficace de rugosité de surface est comprise entre 4 et 6 pm. Comme on peut le noter, le procédé de l'exemple 1 permet d'éviter la séparation des nervures de barrage lors de l'enlèvement du masque. En outre, le procédé permet d'éviter la séparation des nervures de barrage qui pourrait être provoquée par les vibrations ou analogues lorsque la structure du substrat arrière est combinée à une structure complémentaire de substrat avant. En outre, comme la couche diélectrique est vitrifiée, les fuites lentes du gaz de décharge peuvent être évitées. Exemples 2 à 4 et exemples comparatifs 2 et 3 Dans ces exemples, des structures de substrat arrière ont été fabriquées pratiquement de la même manière que dans l'exemple 1, mais la couche diélectrique n' a pas été formée sur les électrodes d'adressage et la surface du substrat a été soumise à une opération de dépolissage de la surface comme décrit dans la suite. (1) La surface du substrat a été dépolie par un procédé de sablage dans lequel des particules de carbonate de calcium ayant des dimensions de 10 à 30 pm ont été projetées à la surface du substrat avec une pression d'environ 2,2 bar pendant 5 à 15 min (exemple 2). (2) La surface du substrat a été dépolie par un procédé d'attaque chimique dans lequel le substrat a été immergé dans une matière d'attaque à base d'acide fluorhydrique pendant 1 à 10 min (exemples 3 et 4 et exemple comparatif 3). Un substrat comprenant un substrat qui n'a été soumis a aucun de ces procédés de dépolissage de surface a été réalisé pour la comparaison (exemple comparatif 2). Les résultats sont représentés dans le tableau 2. Tableau 2 Rugosité Ex. comp. 2 1 pm NG Ex. 2 - 4 pra OK Ex. 3 - 5 pm OK Ex. 4 ~ 4 pm OK Ex. comp. 3 - 3 m NG Le tableau 2 indique que la séparation des nervures de barrage peut être évitée lorsque le substrat a été soumis à une opération de dépolissage de la surface. ExemDles 5 et 6 et exemples comparatifs 4 à 7 Des structures de substrat arrière ont été fabriquées pratiquement de la même manière que dans l'exemple 1, mais une pâte de verre à faible température de fusion contenant des charges ayant pratiquement la même distribution de dimension de particules que dans la technique antérieure a été utilisée, et diverses températures de cuisson ont été utilisées. Les résultats figurent dans le tableau 3. Tableau 3 Tempéra- Temps de Rugosité Evalua- Note ture séjour tion Ex. comp. 4 530 c 10 min 9 pm NG *1 Ex. comp. 5 540 C 10 min 8 pm NG *1 Ex. comp. 6 550 C 10 min 7 pin NG *1 Ex. 5 560 C 10 Tableau 4 Temps de traitement Résistance d'adhérence Ex. 7 1 1 Ex. 8 4 3 Ex. 9 1 1,1 4 Le tableau 4 indique que la résistance d'adhérence peut être efficacement accrue par ajustement convenable de la quantité de résine cellulosique contenue. Exemples 10 à 15 On a fabriqué des structures de substrat arrière pratiquement de la même manière que dans l'exemple 1, mais on a utilisé les solutions aqueuses indiquées dans le tableau 5 pour l'enlèvement du masque. Les résultats sont indiqués dans le tableau 5. Tableau 5 Solution Concentration Evaluation d'enlevement en poids Ex. 10 carbonate de sodium 0,1 % OK Ex. 11 carbonate de sodium 0,5 * OK Ex. 12 carbonate de sodium 1,0 * OK Ex. 13 carbonate de sodium 2,0 % NG Ex. 14 hydroxyde de sodium 0,1 % NG Ex. 15 hydroxyde de sodium 0,2 % NG Comme on peut le noter dans le tableau 5, il est préférable d'utiliser, comme solution d'enlèvement du masque, une solution aqueuse faiblement alcaline contenant du carbonate de sodium et de préférence à une concentration de 0,1 à 1,0 % en poids. Exemple 16 On a fabriqué une structure de substrat arrière pratiquement de la même maniere que dans l'exemple 1, mais on a utilisé une couche d'un matériau de nervures de barrage contenant des charges ayant des diametres particulaires de 4 à 6 pin et de 1 à 2 pin dans des proportions de 15 à 25 * et de 3 à 7 % en poids respectivement, et la température de cuisson était comprise entre 575 et 580 'C. Les nervures de barrage résultantes ne présentaient pas de séparation et le gaz de décharge présentait de faibles fuites. Exemple comparatif 8 On a fabriqué une structure de substrat arriere pratiquement de la même maniere que dans l'exemple 1, mais on a utilisé une couche d'un matériau de nervures de barrage contenant des charges ayant des diamètres particulaires de 1 à 2 pin et de 2 à 3 pin respectivement en proportions de 5 à 10 % et de 6 à 10 % respectivement, et la température de cuisson était comprise entre 560 et 570 'C. 30 % environ des nervures de barrage résultantes se sont séparées par pelage. Exemple 17 On a formé des couches fluorescentes entre les nervures de la structure de substrat arriere réalisée dans l'exemple 1 par un procédé de sérigraphie. On a déposé une couche d'oxyde d'étain et d'indium à une épaisseur de 100 nm sur un substrat avant de verre et on l'a délimitée pour la formation des électrodes d'entretien (largeur 180 pm, pas 80 pin). Ensuite, on a déposé Cr, Cu et Cr dans cet ordre avec des épaisseurs respectives de 100, 1 000 et 200 nm respectivement, et on les a mis sous forme d'un dessin d'électrodes de bus (largeur 70 pin, pas 220 pin). On alors formé une couche diélectrique d'un verre à faible température de fusion ayant une épaisseur de 28 pin sur toute la surface du substrat avant résultant. En outre, on a formé un film protecteur de MgO de 600 nm d'épaisseur sur la couche diélectrique. Ainsi, la structure du substrat avant a été terminée. Ensuite, on a raccordé la structure du substrat arrière et la structure du substrat avant, les électrodes d'adressage étant placées perpendiculairement aux électrodes d'entretien et aux électrodes de bus, et la périphérie des substrats a été fermée de manière étanche. Ainsi, un panneau à décharge dans un plasma a été terminé comme indiqué sur les figures 3 à 5. Un gaz de décharge à base de néon (contenant 4 % en volume de xénon) a été chargé dans l'espace délimité entre les substrats par les nervures de barrage, à une pression interne de 0,67 bar. La séparation des nervures de barrage ne s'est pas produite pendant la fabrication du panneau à décharge dans un plasma, et le panneau à décharge dans un plasma ne présentait pas de fuites lentes du gaz de décharge. Les procédés de formation de nervures de barrage selon l'invention donnent une plus grande résistance d'adhérence entre la couche du matériau de nervures de barrage et la surface de formation des nervures de barrage (la surface du substrat ou de la couche diélectrique), si bien que les nervures de barrage ne peuvent pas se séparer de la surface de formation des nervures de barrage lorsque le masque est retiré après la formation des nervures de barrage par sablage. Le panneau à décharge dans un plasma selon l'invention a une résistance d'adhérence accrue entre les nervures de barrage et la couche diélectrique. En conséquence, les nervures de barrage ne peuvent pas se séparer de la couche diélectrique sous l'action d'une force extérieure appliquée lorsque le panneau est assemblé (ou les structures de substrat sont raccordées). Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux procédés et panneaux qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation de nervures de barrage destinées à un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes le dépolissage d'une surface de substrat (1, 21) destinée à la formation de nervures de barrage, la formation d'une couche (4) de matériau de nervures de barrage sur la surface dépolie de formation de nervures de barrage (7, 29), la formation, sur la couche (4) du matériau de nervures de barrage, d'un masque (6) ayant un dessin correspondant aux nervures de barrage à former, l'enlèvement partiel de la couche (4) du matériau de nervures de barrage par projection d'un abrasif contre la couche du matériau de nervures de barrage pour la formation des nervures de barrage sous le masque, et l'enlèvement du masque (6), si bien que des nervures de barrage (7, 29) destinées à cloisonner un espace de décharge sont formées sur le substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface dépolie de formation des nervures de barrage (7, 29) est une surface à ondulations microscopiques ayant une rugosité de surface comprise entre 4 et 6 pin. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la surface de formation de nervures de barrage (7, 29) est dépolie par un procédé de sablage ou d'attaque chimique. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche (4) du matériau de nervures de barrage comprend au moins deux couches comprenant une premiere couche ayant 2 à 4 g en poids d'une résine cellulosique et une seconde couche ayant 1 à 2 t en poids d'une résine cellulosique et placée sur la première couche. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le masque (6) est retiré par utilisation d'une solution aqueuse faiblement alcaline. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la solution aqueuse faiblement alcaline est une solution aqueuse de carbonate de sodium. 7. Procédé de formation de nervures de barrage destinées à un panneau d'affichage à décharge dans un plasma, comprenant la formation d'une couche diélectrique (3, 27) destinée à recouvrir une surface d'un substrat (1, 21) formée avec des électrodes (2, A), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes le dépolissage d'une surface de la couche diélectrique (3, 27), la formation d'une couche (4) d'un matériau de nervures de barrage sur la surface dépolie de la couche diélectrique, la formation, sur la couche (4) du matériau de nervures de barrage, d'un masque (6) ayant un dessin correspondant aux nervures de barrage à former, l'enlèvement partiel de la couche (4) du matériau de nervures de barrage par projection d'un abrasif contre la couche du matériau de nervures de barrage pour la formation de nervures de barrage sous le masque, et l'enlèvement du masque (6), si bien que des nervures (7, 29) destinées à cloisonner un espace de décharge se forment sur le substrat. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la surface dépolie de la couche diélectrique (3, 27) est une surface à ondulations microscopiques ayant une rugosité de surface comprise entre 4 et 6 pm. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche diélectrique (3, 27) est formée par cuisson d'une pâte de verre à faible température de fusion, contenant une poudre d'un verre à faible température de fusion et un liant de résine, à une température inférieure de 10 à 20 'C à la température de vitrification de la poudre de verre à faible température de fusion. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche diélectrique (3, 27) est formée par cuisson d'une pâte de verre à faible température de fusion contenant une poudre de verre à faible température de fusion, un liant de résine, et 6 à 18 * en poids de charges ayant un diamètre particulaire moyen compris entre 1,5 et 5 pin, sans particules ayant des diamètres ne dépassant pas 1 pin. 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche diélectrique (3, 27) est formée par cuisson d'une pâte de verre à faible température de fusion contenant une poudre de verre à faible température de fusion, un liant de résine et 10 à 35 * en poids de charges ayant un diamètre particulaire moyen compris entre 4 et 10 pin. 12. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche diélectrique (3, 27) est formée par cuisson d'une pâte de verre à faible température de fusion entre environ 575 et 595 C. 13. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche (4) du matériau de nervures de barrage comporte au moins deux couches comprenant une premiere couche de matériau de nervures de barrage contenant 2 à 4 * en poids d'une résine cellulosique et une seconde couche d'un matériau de nervures de barrage contenant 1 à 2 % en poids de résine cellulosique placée sur la première couche de matériau de nervures de barrage. 14. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masque (6) est retiré par une solution aqueuse faiblement alcaline. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la solution aqueuse faiblement alcaline est une solution aqueuse de carbonate de sodium. 16. Panneau d'affichage à décharge dans un plasma, caractérisé en ce qu'il comprend plusieurs électrodes (2, A) formées sur une surface du substrat, une couche diélectrique (3, 27) recouvrant les électrodes et ayant une surface à ondulations microscopiques dont la rugosité est comprise entre 4 et 6 pin, et les nervures de barrage (7, 29) ayant un dessin prédéterminé et étant formées pour le cloisonnement d'un espace de décharge de manière que leurs parois soient perpendiculaires de façon générale à la surface du substrat, par formation d'une couche d'un matériau de nervures de barrage à la surface de la couche diélectrique (3, 27), par recouvrement de la couche (4) du matériau de nervures de barrage par un masque (6) ayant un dessin prédéterminé, et par enlèvement d'une partie de la couche (4) du matériau de nervures de barrage exposée par le masque, par sablage.