Brevet FR2753294A1 — publié le 19980313

La présente invention concerne des têtes magnétiques d'écriture/lecture en combinaison à couche mince utilisées dans des têtes magnétiques du type flottant ou analogue. En particulier, elle est relative à des têtes magnétiques d'écriture/lecture en combinaison à couche mince, dans lesquelles une tête d'écriture du type à induction est déposée sur une tête de lecture utilisant l'effet de magnétorésistance. La figure 3 est une vue en coupe, à grande échelle, de têtes magnétiques classiques de lecture/ écriture en combinaison à couche mince. La combinaison comprend une tête de lecture hl qui utilise lteffet de magnétorésistance conféré à la face du côté arrière d'une coulisse comme composant d'une tête flottante et une tête inductive h2 déposée sur son dessus à des fins d'écriture. La tête de lecture hl comprend une couche inférieure de protection 1 en matériau magnétique ayant une perméabilité élevée, une couche inférieure d'entrefer formée sur son dessus et constituée de A1203 ou analogue, et un élément magnétorésistif 3 formé sur son dessus. L'élément 3 est constitué, à partir du bas, de trois couches, c'est-à-dire une couche magnétique douce ou couche adjacente douce, une couche amagnétique, et une couche magnétorésistive ou couche MR. En général, la couche magnétorésistive est constituée d'un alliage de Fe-Ni (permalloy), la couche amagnétique de tantale (Ta) et la couche magnétique douce d'un alliage de Ni Fe-Nb. Une couche dure de polarisation 4 est prévue comme couche longitudinale aux deux côtés de l'élément magnétorésistif 3. Une couche principale d'amorce 5 en un matériau amagnétique conducteur de l'électricité de faible résistance électrique, par exemple en cuivre (Cu) ou en tungsten (W), est formée sur la couche de polarisation 4 et la couche inférieure d'entrefer 2. Une couche supérieure d'entrefer 7 en oxyde d'aluminium (A1203) etc., est formée sur son dessus. Une couche inférieure de noyau 8 constituée de permalloy, etc. est déposée sur la couche supérieure d'entrefer 7 par électrodéposition ou analogue. Dans la tête inductive h2, la couche inférieure de noyau 8 agit en noyau acheminer le champ magnétique d'enregistrement vers un support d'enregistrement, alors que dans la tête de lecture hl, la couche inférieure de noyau 8 agit en couche supérieure de protection. Une couche d'entrefer (couche en matériau amagnétique) 10 constituée d'oxyde d'aluminium (A1203) ou analogue et une couche isolante 11 en polyimide ou en réserve sont déposées sur la couche inférieure de noyau 8, et une couche de spires 12 formée en spirale par mise en motif est formée sur la couche isolante 11. La couche de spires 12 est constituée d'un matériau amagnétique, conducteur de l'électricité, de faible résistance électrique, par exemple de cuivre (Cu), et est entourée par une couche isolante 14 en polyimide ou en réserve. Une couche supérieure de noyau 15 en matériau magnétique, par exemple en permalloy, est fournie sur la couche isolante 14. L'extrémité antérieure 15a de la couche supérieure 15 du noyau est en regard de la couche inférieure 8 du noyau par l'intermédiaire de la couche entrefer 10 de manière à former une couche d'un entrefer magnétique ayant une longueur G1 qui achemine le champ magnétique d'enregistrement sur un support d'enregistrement, et l'extrémité 15b côté base est reliée magnétiquement à la couche inférieure 8 du noyau. La figure 4 est une vue en plan représentant la formation des couches de spires qui acheminent le courant d'enregistrement dans la couche 12 des spires. Comme représenté en figures 3 et 4, une première couche d'amorce de spires 18 est formée sur la couche isolante 14 de façon à croiser la couche de spires 12, et l'extrémité antérieure 18a de la première couche d'amorce des spires 18 présente un trou ménagé sur la couche isolante 14 et est reliée électriquement au centre 12a de la couche de spires 12. Une seconde couche d'amorce des spires 19 présente aussi un autre trou ménagé sur la couche isolante 14 et est reliée électriquement à la borne extérieure 12b de la couche 12. Les première et seconde couches d'amorce des spires 18 et 19 sont constituées du même matériau que la couche supérieure 15 du noyau, et les trois couches 18, 19 et 15 sont formées simultanément par électrodéposition. La tête inductive h2 servant à l'écriture est constituée de couches entre la couche inférieure 8 du noyau et la couche supérieure 15 de celui-ci. Dans la tête h2, le courant d'enregistrement est acheminé jusqu'à la couche de spires 12 par l'intermédiaire des première et seconde couches 18 et 19, et un champ magnétique d'enregistrement est induit dans les couches supérieure et inférieure 15 et 8 du noyau par l'intermédiaire de la couche 12. Des signaux magnétiques sont enregistrés sur un support d'enregistrement tel qu'un disque dur au moyen d'un champ magnétique interne agissant entre la couche inférieure 8 du noyau et l'extrémité antérieure 15a de la couche supérieure du noyau suivant la longueur G1 de l'entrefer magnétique. Dans la combinaison classique des têtes magnétiques d'écriture/lecture à couche mince qu'on représente en figures 3 et 4, la couche de spires 12 est constituée d'un matériau ayant une faible résistance électrique, tel que le cuivre, alors que les couches des amorces de spires 18 et 19 et la couche supérieure 15 du noyau sont réalisées en matériau magnétique doux, tel que le permalloy. L'impédance du trajet acheminant un courant d'enregistrement dans la couche 12 des spires dépend par conséquent non seulement de la résistivité de cette couche mais également des résistivités des couches 18 et 19 réalisées en matériau magnétiques doux. Cependant, la résistivité du matériau magnétique doux employé dans les première et seconde couches 18 et 19 est supérieure à celle du cuivre, et par conséquent l'impédance augmente et il se produira des bruits. Dans le but d'augmenter la densité d'enregistrement des signaux magnétiques sur des support s d'enregistrement tels que des disques durs, la longueur G1 de la couche formant l'entrefer magnétique entre la couche inférieure 8 et la couche supérierue 15 du noyau doit être diminuée et la fréquence du champ magnétique induit dans la couche inférieure 8 et dans la couche supérieure 15 du noyau par l'intermédiaire de la couche de spires 12 doit être portée à plusieurs centaines de hertz ou davantage. Un tel enregistrement magnétique de haute fréquence nécessite une amélioration de la caractéristique magnétique 12 de la couche inférieure 8 et de la couche supérieure 15 du noyau et l'utilisation de matériaux présentant une haute perméabilité magnétique, une densité du flux magnétique de saturation élevée, une faible force coercitive et une résistivité élevée. Les couches supérieures 15 du noyau de la technique antérieure constituées de permalloy, etc., présentent une résistivité relativement faible et par conséquent des pertes élevées dans le noyau sous l'effet des pertes par courants de Foucault pendant un enregistrement à haute fréquence. On a proposé de constituer la couche supérieure 15 du noyau avec des matériaux magnétiques doux ayant une résistivité élevée dans le but d'effectuer l'enregistrement à haute fréquence dans les têtes magnétiques à couche mince qu'on représente en figures 3 et 4. Cependant, dans ce cas, la première couche d'amorce des spires 18 et la seconde couche d'amorce des spires 19 sont constituées du même matériau à résistivité élevée que la couche supérieure 15 du noyau, et par conséquent un enregistrement à haute fréquence produira un bruit perceptible par suite de l'augmentation de l'impédance. Un objet de la présente invention est de fournir des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince dans lesquelles une couche d'amorce de spires conduisant le courant d'enregistrement jusqu'à une couche de spires constituée d'un autre matériau conducteur ayant une faible résistivité, différent du matériau formant la couche supérieure du noyau de manière à empêcher l'augmentation de l'impédance dans les enregistrements à haute fréquence. Un autre objet de la présente invention est de fournir des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince dans lesquelles la couche supérieure du noyau est constituée d'un matériau magnétique ayant une excellente caractéristique magnétique douce et une résistivité élevée de manière à améliorer les caractéristiques des enregistrements à haute fréquence. Un autre objet encore de la présente invention est de fournir des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince dans lesquelles une couche d'amorce des spires peut être formée sans augmentation du nombre total des couches de la tête et des étapes de fabrication. Selon la présente invention, des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince comprennent : un élément magnétorésistif, une couche principale d'amorce acheminant un courant de détection jusqu'à l'élément magnétorésistif, une couche inférieure de noyau formée sur la couche principale d'amorce par l'intermédiaire d'une couche isolante, une couche supérieure de noyau en regard de la couche inférieure du noyau par l'intermédiaire d'un entrefer magnétique à la section en regard du support d'enregistrement, une couche de spires induisant un champ magnétique tant dans la couche supérieure du noyau que dans la couche inférieure de celui-ci, et une couche de spires d'extraction formée simultanément du même matériau lors de la même étape que la couche d'amorce principale, où la couche d'extraction est connectée au centre bobiné de la couche de spires. De préférence, une couche conductrice de l'électricité est formée entre la couche d'extraction et le centre bobiné de la couche de spires avec le même matériau et dans la même étape que la couche inférieure du noyau. Une couche d'amorce de spires peut être formée sur la couche isolante avec le même matériau dans la même étape que la couche de spires, et la couche d'amorce des spires peut être reliée électriquement à la couche d'extraction des spires. Une autre couche d'amorce de spires peut être intégralement en saillie sur la borne extérieure de la couche de spires. Les couches inférieure et supérieure du noyau sont de préférence constituées d'un alliage magnétique doux comprenant Fe comme constituant principal, d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué des métaux des terres rares, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta et W, et 0. Les couches inférieure et supérieure du noyau sont de préférence constituées d'un alliage magnétique doux comprenant Co comme constituant principal, au moins un élément comme constituant principal choisi dans le groupe constitué de Fe, Ni, Pd, Mn et Al, au moins un élément choisi dans le groupe constitué des métaux des terres rares, Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W et Y, et O. Dans la présente invention, les têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince comportent deux trajets du courant d'enregistrement jusqu'à la couche de spires, c'est-à-dire un trajet allant de la première couche d'amorce des spires jusqu'au centre bobiné de la couche de spires par l'intermédiaire de la couche d'extraction des spires (et de la couche conductrice de l'électricité) et un autre trajet allant de la seconde couche d'amorce des spires jusqu'à la borne de sortie de la couche de spires. Etant donné que les première et seconde couches d'amorce des spires sont constituées du même matériau de faible résistivité que la couche des spires, la couche d'extraction, les première et seconde couches d'amorce des spires, et la couche des spires présentent une faible impédance. La résistance de la couche conductrice de l'électricité est pratiquement négligeable car celle-ci a un volume extrêmement faible, bien qu'étant constituée du même matériau magnétique de haute résistivité que la couche inférieure du noyau. Etant donné que les couches supérieure et inférieure du noyau sont constituées d'un matériau différent de celui de la couche d'amorce des spires, un matériau magnétique doux approprié ayant une densité élevée du flux magnétique de saturation, une faible force coercitive et une résistivité élevée autre que le permalloy, etc., peut être employé pour les couches supérieure et inférieure du noyau sans augmentation de l'impédance des trajets du courant d'enregistrement, et la caractéristique d'enregistrement à haute fréquence du support d'enregistrement est améliorée. La couche d'extraction des spires et la couche principale d'amorce sont formées lors de la même étape, et les première et seconde couches d'amorce des spires et la couche des spires sont réalisées lors des mêmes étapes. La couche d'extraction et les première et seconde couches d'amorce peuvent être formées sans augmenter le nombre des couches dans la direction verticale. La présente invention sera mieux comprise lors de la description suivante faite en liaison avec les dessins annexés dans lesquels La figure 1 est une vue en coupe, à grande échelle, des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince selon la présente invention, coupe prise le long de la ligne I-I de la figure 2 lia figure 2 est une vue isométrique des têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince selon la présente invention avant la formation d'une couche isolante et d'une couche supérieure de noyau lia figure 3 est une vue en coupe, à grande échelle, d'une tête magnétique classique à film fin ; et La figure 4 est une vue partielle en plan du trajet de circulation du courant jusqu'à une couche de spires dans une tête magnétique classique à couche mince. On décrira maintenant la présente invention en liaison avec les figures. La figure 1 est une vue en coupe de têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince selon la présente invention, et la figure 2 est une vue isométrique des têtes magnétiques de lecture/ écriture en combinaison à couche mince avant la formation d'une couche isolante 14 et d'une couche supérieure de noyau. La vue en coupe de la figure 1 est prise le long de la ligne I-I de la figure 2. Les têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince sont fournies à la face côté arrière d'une coulisse d'une tête magnétique du type flottant montée dans des disques durs et analogues et comprend une tête de lecture hl qui utilise l'effet magnétorésistif et une tête inductive d'écriture h2 déposée sur son dessus. La tête de lecture hl comprend des couches entre une couche inférieure de protection 1 et une couche inférieure de noyau 8 (couche supérieure de protection), et la tête inductive d'écriture h2 comprend les couches placées au-dessus de la couche inférieure 8 du noyau. La couche inférieure de protection 1 constituée d'un alliage de Fe-Al-Si ou de permalloy est prévue à la face côté arrière, et une couche inférieure d'entrefer 2 constituée d'un matériau isolant tel qu'un oxyde d'aluminium (A1203) est fournie sur la couche inférieure de protection 1. Un élément magnétorésistif 3 est formé sur la couche inférieure 2 de l'entrefer. La couche magnétorésitive 3 comprend les trois couches suivantes une couche d'alliage de Ni-Fe-Nb une couche de matériau amagnétique (par exemple, de tantale) et une couche ayant des effets magnétorésistifs (alliage de Fe-Ni) Des couches dures de polarisation 4, qui acheminent un champ magnétique longitudinal de polarisation jusqu l'élément magnétorésistif 3, sont formées de manière à venir en contact avec les deux côtés de l'élément 3. Les couches dures de polarisation 4 prévues aux deux côtés de l'élément magnétorésistif 3 sont fournies avec la couche principale d'amorce 5 qui achemine un courant de détection jusqu'à l'élément magnétorésistif 3. La couche 5 est constituée d'un matériau amagnétique conducteur de l'électricité ayant une faible résistivité, tel que le tungstène (W), le cuivre (Cu) ou l'or (Au). La couche 6 d'extraction des spires est prévue sur la couche inférieure 2 de l'entrefer. La couche 6 est constituée du même matériau que la couche principale d'amorce 5, et est formée simultanément avec cette couche de manière à en être séparée, sur la base des étapes suivantes. Une couche d'un matériau amagnétique, conducteur de l'électricité, ayant une faible résistivité, est déposée sur l'élément magnétorésistif 3, la couche dure de polarisation 4 et la couche inférieure d'entrefer 2 par un procédé de pulvérisation cathodique ou par un procédé d'évaporation. La couche du matériau amagnétique, conducteur de l'électricité, autre que les zones employées comme couche principale d'amorce 5 et comme couche d'extraction des spires 6 est enlevée par un procédé d'attaque chimique à l'état humide ou par un procédé d'attaque chimique à l'état sec. Lorsque la sélectivité entre l'attaque chimique à l'état humide ou l'attaque chimique à l'état sec n'est pas trouvée entre les matériaux pour l'élément magnétorésistif 3 et la couche dure de polarisation 4 et le matériau amagnétique conducteur de l'électricité pour la couche principale d'amorce 5, une couche de réserve est formée sur des zones autres que les couche principale d'amorce 5 et la couche d'extraction des spires 6, un matériau amagnétique ayant une faible résistivité électrique est déposé sur le dessus par un procédé de pulvérisation cathodique à basse température, par exemple un magnétron à courant alternatif, haute fréquence, ou un procédé de pulvérisation par faisceau ionique, et la couche de réserve est enlevée. Par conséquent, la couche principale d'amorce 5 ainsi que la couche d'extraction 6 sont constituées du même matériau par le même procédé de déposition. La couche d'extraction 6 est formée de façon qu'elle soit en saillie suivant une longueur T1 donnée par rapport à la spire la plus à l'extérieur 12c d'une couche de spires 12 qui sera formée ultérieurement, et la couche principale d'amorce 5 et la couche d'extraction des spires 6 sont séparées l'une de l'autre par un interstice Ta. Une couche d'entrefer supérieure 7 constituée d'un matériau isolant (matériau amagnétique, tel qu'un oxyde d'aluminium A1203) est déposée de manière à recouvrir entièrement l'élément magnétorésistif 3, la couche principale d'amorce 5 et la couche d'extraction 6 par un procédé de pulvérisation cathodique ou analogue. Après la formation de la couche d'entrefer supérieure 6, un trou ayant une largeur minimum T2 est ménagé par un procédé de fraisage ionique ou analogue de manière à permettre la conduction de l'extrémité inférieure 9a d'une couche conductrice de l'électricité 9 qu'on décrit ci-dessous. La couche inférieure 8 du noyau, constituée d'un alliage de Fe-Ni (permalloy) ou d'un matériau magnétique doux ayant une résistivité élevée est fournie sur la couche d'entrefer supérieure 7. La couche inférieure 8 du noyau agit aussi en couche supérieure de protection pour la tête de lecture hl qui utilise l'effet magnétorésistif. La couche conductrice de l'électricité 9 est prévue à l'arrière de la couche inférieure 8 du noyau. La couche 9 est constituée du même matériau et est formée par le même procédé que la couche inférieure 8. Plus précisément, la couche 8 est déposée par un procédé d'électrodéposition ou de pulvérisation cathodique, et une couche constituée du même matériau magnétique que la couche supérieure 7 est formée simultanément dans le trou ayant la largeur T2 ménagé dans la couche 7 de sorte que la couche inférieure 8 du noyau et la couche 9 sont séparées l'une de l'autre par un interstice Tb donné. L'extrémité inférieure 9a de la couche 9 est reliée à la couche d'extraction des spires 6. La couche 9 relie la couche 6 et la couche de spires 12. I1 est préférable que la largeur T3 ou aire en section transversale de la couche conductrice de l'électricité 9 soit aussi grande que possible dans le but de diminuer la résistance électrique de cette couche, laquelle est constituée du même matériau magnétique doux d'une résistance aussi élevée que celle de la couche inférieure 8 du noyau. Une couche d'entrefer 10 constituée d'un matériau amagnétique, par exemple d'oxyde d'aluminium A1203 ou de SiO2, est formée sur la couche conductrice de l'électricité 9 et la couche d'entrefer supérieure 7 par un procédé de pulvérisation cathodique. La couche 10 détermine une longueur d'interstice G1 entre la couche inférieure 8 du noyau et l'extrémité antérieure 15a de la couche supérieure 15 du noyau dans la tête inductive h2. Une couche isolante 11 constituée d'un matériau résineux organique tel qu'un polyimide est formée sur la couche 10. La couche 10 et la couche isolante 11 sont enlevées par un procédé de fraisage ionique de sorte que la largeur minimum est T4 au-dessus de la couche 9. En outre, la couche supérieure 7, la couche 10 et la couche isolante 11 sont enlevées par un procédé de fraisage ionique de sorte que la largeur minimum est T5 au-dessus de la couche d'extraction des spires 6. Une couche de spires 12 constituée d'un matériau amagnétique, conducteur de l'électricité ayant une faible résistivité , tel que le cuivre, est formée en spirale sur la couche isolante 11. La couche de spires 12 est formée entre des motifs de réserve sur la couche isolante 11 par un procédé d'électrodéposition, de sorte que le centre bobiné 12a de la couche 12 est connecté à la couche conductrice de l'électricité 9 par l'intermédiaire d'un trou ayant la largeur T4. Comme représenté en figure 2, une seconde couche d'amorce de spires 16 et la couche de spires 12 sont formées simultanément et intégralement de façon que la seconde couche 16 soit reliée à l'extrémité extérieure 12b de la couche 12. La seconde couche 16 s'étend jusqu'à l'extérieur de la couche de spires 12. Une première couche de spires 13 constituée du même matériau de faible résistivité, par exemple de cuivre, que la couche de spires 12 est également formée lors de l'étape dans laquelle la couche 12 et la seconde couche 16 sont électrodéposées. Comme représenté en figure 1, la borne de connexion 13a de la première couche d'amorce de spires 13 est connectée à la couche d'extraction des spires 6 par l'intermédiaire du trou ayant la largeur T5 qui traverse la couche supérieure d'entrefer 7, la couche d'entrefer 10 et la couche isolante 11. Des couches d'amorce d'électrode 21 et 22 sont prévues sur la couche isolante comme représenté en figure 2. Les couches 21 et 22 sont constituées du même matériau amagnétique, conducteur de l'électricité, par exemple de cuivre, par le même procédé d'électrodéposition que la couche de spires 12, la seconde couche d'amorce de spires 16 et la première couche d'amorce de spires 13. Les bornes de connexion 21a et 22a des couches 21 et 22 sont connectées à la couche principale d'amorce 5 par l'intermédiaire de trous qui sont formés dans la couche d'entrefer supérieure 7, la couche d'entrefer 10 et la couche isolante 11 en dehors de la région dans laquelle la couche inférieure 8 du noyau est formée. En conséquence, la couche de spires 12, la première couche d'amorce des spires 13, la seconde couche d'amorce des spires 16 et les couches d'amorce des électrodes 21 et 22 sont formées simultanément. Dans cette étape, des motifs de réserve sont formés sur des zones autres que ces couches situées sur la couche isolante 11, et un matériau amagnétique, conducteur de l'électricité, par exemple en Cu, est déposé par électrodéposition entre les motifs. Ensuite, la couche isolante 14 constituée d'un matériau résineux organique tel qu'un polyimide est formée sur le dessus, et la couche supérieure 15 du noyau est déposée sur le dessus en utilisant du permalloy ou un matériau de haute résistivité ayant une excellente caractéristique magnétique douce par un procédé d'électrodéposition ou de pulvérisation cathodique. L'extrémité antérieure 15a de la couche 15 est reliée à la couche d'entrefer 10 ayant une longueur G1 sur la couche inférieure 8 du noyau. Un trou ayant une largeur minimum T6 est ménagé de manière à traverser la couche 10, la couche isolante 11 et la couche isolante 14, de sorte que le côté base de la couche supérieure 15 est relié magnétiquement à la couche inférieure 8 du noyau par l'intermédiaire du trou. Un film de protection (non représenté dans les figures) en matériau amagnétique, par exemple en oxyde d'aluminium A1203 est formé sur la couche supérieure 15 du noyau. On décrira maintenant le fonctionnement de la tête inductive h2. Un courant d'enregistrement circule entre la première couche d'amorce des spires 13 et le centre bobiné 12a de la couche de spires 12 par l'intermédiaire de la couche d'extraction des spires 6 et de la couche conductrice 9. Etant donné que la première couche 13 est constituée du même matériau de faible résistivité que la couche 12 et que la couche 6 est formée du même matériau de faible résistivité que la couche principale d'amorce 5, la première couche 13 et la couche 6 présentent une faible résistance électrique. La résistance électrique de la couche conductrice 9 est extrêmement basse bien que cette couche soit constituée du même matériau magnétique tendre ayant une résistivité élevée que la couche inférieure 8 du noyau, car la couche 9 a des dimensions sensiblement petites dans le sens du courant. La seconde couche d'amorce des spires 16 présente aussi une faible résistance électrique car elle est constituée du même matériau de faible résistivité que la couche 12. Il en résulte que le trajet du courant vers la couche de spires 12 a une faible impédance, se traduisant par la réduction du bruit. La circulation du courant dans la couche de spires 12 induit un champ magnétique d'enregistrement dans la couche inférieure 8 du noyau et la couche supérieure 15 du noyau, et produit un champ magnétique de fuite entre la couche inférieure 8 et l'extrémité antérieure 15a de la couche supérieure 15, en suivant la longueur de l'entrefer magnétique G1 pour enregistrer le signal magnétique sur le support d'enregistrement. Un matériau magnétique doux peut être choisi de manière appropriée pour former la couche inférieure 8 du noyau et la couche supérieure 15 du noyau, dans lesquelles un champ magnétique d'enregistrement est induit, quelque soit le matériau pour le trajet de circulation du courant. Par exemple, tant la couche inférieure 8 que la couche supérieure 15 du noyau peuvent être constituées d'un alliage Fe-Ni (permalloy) ou d'un matériau magnétique doux ayant une résistivité supérieure à celle du permalloy. La couche inférieure 8 et la couche supérieure 15 du noyau, constituées d'un matériau magnétique doux ayant une haute résistivité, permettent de diminuer la perte par courant de Foucault du champ magnétique d'enregistrement en haute fréquence et d'améliorer la caractéristique à haute fréquence. Des exemples de matériaux magnétiques doux ayant des densités élevées du flux magnétique de saturation et des forces coercitives plus faibles que pour le permalloy comprennent les matériaux suivants. (1) Des matériaux magnétiques doux représentés par la formule de composition FeaMbOc dans laquelle les suffixes a, b et c en atomes pour-cent satisfont des relations suivantes 50 5 10 a + b + c = 100 Dans cette formule, Fe représente le constituant principal ayant des caractéristiques magnétiques et M un ou deux éléments des terres rares ou au moins un élément des groupes 4A, 5A et 6A de la classification périodique. Etant donné que ces éléments réagissent avec l'oxygène pour former des oxydes, la résistivité du matériau peut être maîtrisée par la teneur en oxyde. Le matériau est de préférence constitué de 5 W ou moins en volume (ou en surface ou aire de la section transversale) d'une phase de fins cristaux de Fe ayant une structure bbc et d'une phase amorphe contenant de grandes quantités d'un ou de plusieurs éléments M et d'oxygène. (2) Les matériaux magnétiques doux représentés par la formule de composition (ColcTc)xMyQzXwys dans laquelle le suffixe c satisfait les relations suivantes 0,05 les suffixes y, z, w et s en atomes pour-cent satisfont les relations suivantes 3 7 0 0 T est constitué d'au moins un élément choisi parmi Fe, Ni, Pb, Mn et Al, et T et Co (cobalt) sont les constituants principaux du matériau. M est composé d'au moins un élément choisi parmi Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo et W et au moins un élément des terres rares. Q est constitué d'au moins un élément choisi parmi O, C et B. X est constitué de Si et/ou de Cr. Y est composé d'au moins un élément choisi parmi Au, Ag et les métaux à base de platine. Le matériau est de préférence constitué d'une phase cristalline fine bcc contenant Co comme constituant principal, d'une phase cristalline fine bcc contenant Fe comme constituant principal, et d'une phase amorphe contenant de grandes quantités d'un ou de plusieurs des éléments M et d'oxygène, où la teneur des phases cristallines fines est de 50 k ou moins en volume (ou en surface ou en aire de la section transversale). Pendant l'opération de lecture de la tête hl, un courant de détection est acheminé jusqu'à l'élément magnétorésistif 3 à partir des couches 21 et 22 d'amorce des électrodes en passant par la couche d'amorce principale 5, et un champ magnétique de fuite provenant d'un support d'enregistrement tel qu'un disque dur est détecté au moyen des effets magnétorésistifs de l'élément magnétorésistif 3. La première couche 13 d'amorce des spires, la seconde couche 16 d'amorce des spires et les couches d'amorce des électrodes 21 et 22 peuvent être formées simultanément lors de l'étape de réalisation de la couche de spires 12, la couche d'extraction des spires 6 et la couche principale d'amorce 5 peuvent être formées simultanément au cours d'une seule étape, et la couche conductrice de l'électricité 9 et la couche inférieure 8 du noyau peuvent être formées simultanément lors d'une seule autre étape. La tête peut donc être fabriquée au cours d'étapes simplifiées et présente une configuration simplifiée pour les couches verticales. En figure 1, la couche d'extraction des spires 6 est connectée à la couche des spires 12 par l'intermédiaire de la couche conductrice de l'électricité 9. La couche 9 peut être constituée d'un autre matériau conducteur différent de celui de la couche inférieure 8 du noyau, ou bien la couche d'extraction des spires 6 peut être reliée directement à la couche de spires 12 sans prévoir la couche 9. Dans la tête de lecture hl, la couche supérieure d'entrefer 7 peut être déposée sur la couche inférieure d'entrefer 2 dans une zone autre que l'élément magnétorésistif 3 et la couche principale d'amorce 5 et la couche d'extraction 6 peuvent être formées sur son dessus. Dans ce cas, une couche isolante constituée d'un matériau organique ou minéral est formée sur la couche 5 et la couche 6, et la couche inférieure 8 du noyau et la couche conductrice de l'électricité 9 sont formées sur la couche isolante de sorte que la couche 9 est reliée à la couche 6 par l'intermédiaire du trou ménagé dans la couche isolante. Les têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince selon la présente invention ont un trajet du courant d'enregistrement, constitué d'une couche de spires d'extraction et d'une couche d'amorce de spires, allant jusqu la couche de spires, et est caractérisé par ce qui suit (A) Etant donné que la couche d'extraction des spires est constituée du même matériau de faible résistivité que la couche principale d'amorce et que la couche d'amorce des spires est constituée du même matériau de faible résistivité que la couche des spires, l'impédance de la couche de spires comprenant le trajet de circulation du courant peut être réduite. (B) Le trajet du courant d'enregistrement jusqu'à la couche de spires et les couches supérieure et inférieure du noyau peuvent être constitués de matériaux différents. Les couches supérieure et inférieure du noyau peuvent par conséquent être formées d'un matériau magnétique doux ayant une résistivité élevée, la perte par courant de Foucault peut être réduite dans un enregistrement à haute fréquence, ce qui se traduit par l'amélioration des caractéristiques d'enregistrement. (C) Etant donné que la couche d'extraction des spires et la couche principale d'amorce peuvent être formées simultanément, et que la couche d'amorce des spires et la couche des spires peuvent être formées simultanément, des étapes de fabrication supplémentaires pour la couche des spires d'extraction et la couche d'amorce des spires sont inutiles. La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de variantes et de modifications qui apparaîtront à l'homme de l'art. REVENDICATIONS 1 - Têtes magnétiques de lecture/écriture en combinaison à couche mince, comprenant un élément magnétorésistif (3), une couche d'amorce principale (5) conduisant un courant de détection jusqu'à l'élément magnétorésistif, une couche inférieure de noyau (8) formée sur la couche d'amorce principale par l'intermédiaire d'une couche isolante, une couche supérieure de noyau (7) en regard de la couche inférieure de noyau par l'intermédiaire d'un d'entrefer magnétique au droit de la section en regard d'un support d'enregistrement, une couche de spires (12) induisant un champ magnétique tant dans la couche inférieure que dans la couche supérieure du noyau, et une couche d'extraction des spiresrmée simultanément du même matériau dans la même étape (16) que la couche principale d'amorce, caractérisé en ce que la couche d'extraction des spires (6) est connectée au centre bobiné de la couche de spires. 2 - Têtes en combinaison selon la revendication 1, caractérisées en ce qu'une couche conductrice de l'électricité est formée entre la couche d'extraction des spires et le centre bobiné de la couche de spires avec le même matériau au cours de la même étape que la couche inférieure du noyau. 3 - Têtes en combinaison selon la revendication 1, caractérisées en ce qu'une couche d'amorce des spires est formée sur la couche isolante avec le même matériau et au cours de la même étape que la couche de spires, et la couche d'amorce des spires est reliée électriquement à la couche d'extraction des spires. 4 - Têtes en combinaison selon la revendication 1, caractérisées en ce qu'une autre couche d'amorce des spires est intégralement en saillie sur la borne extérieure de la couche de spires. 5 - Têtes en combinaison selon la revendication 1, caractérisées en ce que les couches inférieure et supérieure du noyau sont constituées d'un alliage magnétique doux comprenant Fe comme constituant principal ; d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué des métaux des terres rares, de Ti, Zr, Hf, V, Nv, Ta et W, et de O. 6 - Têtes en combinaison selon la revendication 1, caractérisées en ce que les couches inférieure et supérieure du noyau sont constituées d'un alliage magnétique doux comprenant Co comme constituant principal ; d'au moins un élément comme constituant principal choisi dans le groupe constitué de Fe, Ni, Pd, Mn et Al ; d'au moins un élément choisi dans le groupe constitué des métaux des terres rares, de Ti, Zr, Hf, Nb, Ta, Mo, W et Y, et de O.