Brevet FR2752334A1 — publié le 19980213

La présente invention concerne un dispositif à semiconducteurs et un procédé pour fabriquer ce dispositif à semiconducteurs, dans lequel un décollement des couches en forme de plaques empilées dans un cadre de montage peut être empêché lors d'une procédure de liaison d'un fil, afin de pouvoir obtenir une grande fiabilité de la connexion entre le fil et le cadre de montage. Un cadre de montage récemment développé comprend des couches en forme de plaques empilées, qui sont formées par placage d'un corps formé d'une plaque en cuivre (Cu) avec du nickel en tant que plaque inférieure ou plaque de base et par placage du corps plaqué de nickel avec du palladium (Pd) et en outre avec de l'or (Au). On va décrire ci-après un dispositif à semiconducteurs classique utilisant le cadre de montage incluant de telles couches en forme de plaques de nickel/de palladium/d'or empilées. La figure 9, annexée à la présente demande, est une vue en coupe montrant la structure du dispositif à semiconducteurs classique. Comme cela est représenté sur la figure 9, le dispositif à semiconducteurs classique comprend un cadre de montage 1 comprenant une partie 2 constituée d'un plot en forme de tranche, une partie formant conducteur intérieur 5 et une partie formant conducteur extérieur 8, une plaquette à semiconducteurs 3 réunie et montée sur la partie 2 constituée d'un plot formé d'une tranche du cadre de montage 1, à l'aide d'un agent adhésif tel qu'une pâte d'argent, et un fil métallique 6 servant à connecter l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 à une zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1. La zone périphérique de la plaquette à semiconducteurs 3, c'est-à-dire une zone incluant la partie 2 constituée d'un plot en forme de branche, la partie formant conducteur intérieur 5, la microplaquette à semiconducteurs 3 et le fil métallique 6, est enrobée de façon étanche dans une résine de scellement 7 de sorte que partie formant conducteur extérieur 8 du cadre de montage 1, qui fait saillie à l'extérieur de la résine de scellement 7, peut être connectée de façon appropriée à un équipement externe. Ci-après, on va décrire un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs classiques. Les figures 10 à 13, annexées à la présente demande, sont des vues en coupe servant à illustrer la procédure de fabrication pour le dispositif à semiconducteurs classique. Tout d'abord, comme cela est représenté sur la figure 10 annexée à la présente demande, la microplaquette à semiconducteurs 3 est réunie à la partie 2 constituant un plot en forme de tranche du cadre de montage 1 à l'aide d'un agent adhésif tel qu'une pâte à l'argent (cette procédure étant désignée comme étant la procédure de liaison de la tranche). Ensuite, comme cela est représenté sur la figure 11, on connecte électriquement l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 montée sur la partie 2 constituée d'un plot en forme de tranche, à la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1 à l'aide du fil métallique 6 (cette procédure étant désignée comme étant la procédure de liaison du fil). Cette procédure est exécutée en général au moyen d'un procédé de liaison par soudage à boule écrasée, lorsqu'on utilise un fil d'or comme fil métallique. De façon spécifique, on utilise un dispositif pour la liaison d'un fil possédant un outil de liaison 20 désigné sous le terme de capillaire, de sorte que le fil métallique 6 comportant une pointe en forme de boule est pressé contre et est connecté à l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 selon une première procédure de liaison, et le fil métallique 6 est successivement pressé contre et connecté à la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 lors d'une seconde procédure de liaison. Au moyen de ces deux procédures de liaison, l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 est connectée électriquement à la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 par l'intermédiaire du fil métallique 6. Dans cette procédure de liaison d'un fil pour connecter l'électrode 4 à la zone de liaison 5a, la première procédure de liaison est exécutée dans des conditions correspondant à une puissance ultrasonique de 55 mW et une charge en pression de 60 g, et la seconde procédure de liaison est exécutée dans des conditions correspondant à une puissance ultrasonique de 90 à 100 mW et une charge de compression de 100 g. Le fil métallique 6 possède d'une manière générale un diamètre d'environ 30 à 35 mW. Après exécution de la procédure de liaison du fil, la zone incluant la partie 2 constituée d'un plot en forme de tranche, la partie formant conducteur intérieur 5, la plaquette à semiconducteurs 3 et le fil métallique 6 est renfermée de façon étanche dans la résine de scellement 7 comme cela est représenté sur la figure 12. Cette procédure est exécutée par moulage par transfert en plaçant le cadre de montage 1 supportant la plaquette à semiconducteurs 3 dans un moule. Enfin, comme cela est représenté sur la figure 13, on met en forme la partie formant conducteur extérieur 8 qui fait saillie à l'extérieur de la résine de scellement 7. On fabrique ainsi le dispositif à semiconducteurs classique. Cependant, dans le dispositif à semiconducteurs fabriqué au moyen des procédures classiques de fabrication, il se présente le problème indiqué ci-après. Les figures 14 (a) et 14(b), qui sont annexées à la présente demande, sont respectivement une vue en coupe et une vue en perspective, à plus grande échelle, du voisinage de la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 dans le dispositif à semiconducteurs classique. Comme cela est représenté sur la figure 14(a), le cadre de montage 1 comprend une couche 10 formée d'une plaque de nickel, une couche 11 formée d'une plaque de palladium et une couche 12 formée d'une plaque d'or, empilées successivement sur un corps en cuivre 9. La couche 10 formée d'une plaque de nickel, la couche 11 formée d'une plaque de palladium et la couche 12 formée d'une plaque d'or possèdent des épaisseurs égales respectivement à 0,5 mm, 0,03 mm et 0,002 mm. A cet instant, comme cela est représenté sur les figures 14(a) et 14(b), dans la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5, on voit qu'une zone de décollement 13, dans laquelle une couche 12 formée d'une plaque d'or est décollée, est formée avec une forme semi-circulaire autour d'une partie de pointe 6a du fil métallique 6, au niveau de laquelle le fil métallique 6 est pressé et découpé avec l'outil de liaison 20. La zone décollée 13 peut s'étendre non seulement à la couche 11 formée de la plaque de palladium, mais également à la couche 10 formée de la plaque de nickel et au corps sous-jacent 9. En raison de la présence de la zone décollée 13, la couche 10 formée de la plaque de nickel peut être corrodée et la solidité de la liaison avec le fil peut être altérée. En outre, un matériau décollé de cette plaque peut adhérer, de façon nuisible, à l'outil de liaison 20 du dispositif de liaison du fil de sorte que la pointe en forme de bille d'un fil ultérieur peut être déformée lors de la procédure ultérieure de liaison d'un fil (première procédure de liaison). Par conséquent, le matériau décollé de la plaque peut introduire un défaut de liaison du fil. Sous l'effet de la poursuite du mécanisme provoquant l'apparition de la zone décollée 13 lors de la seconde procédure de liaison, on estime que la couche en forme de plaque se décolle étant donné que la seconde procédure de liaison est exécutée par application d'une puissance ultrasonique plus intense que lors de la première procédure de liaison. De façon spécifique, la procédure actuelle de liaison d'un fil est exécutée nécessairement au moyen de l'application d'ondes ultrasoniques, d'une charge et d'une chaleur pour réaliser une liaison instantanée et solide du fil, afin de réaliser la connexion à grande vitesse (fabrication en grande série) et d'une manière très fiable. En outre, la couche formée de la plaque d'or possède une épaisseur aussi faible que possible (environ 0,002 mm) de manière à réduire le coût de fabrication. Lorsqu'on connecte l'électrode de la plaquette à semiconducteurs à la partie formant conducteur intérieur au moyen du fil métallique, tout en appliquant les ondes ultrasoniques au cadre de montage ayant une telle structure moyennant l'utilisation du dispositif de liaison de fil, la vibration ultrasonique ne peut pas être absorbée d'une manière suffisante à l'intérieur de la couche formée de la plaque d'or. C'est pourquoi, une fissure se forme au niveau dé la limite entre la couche formée de la plaque d'or et la couche formée de la plaque de palladium, en particulier au niveau de la périphérie de la zone comprimée par l'outil de liaison, ce qui conduit en définitive à un décollement ou un écaillement de la couche en forme de plaque. Le but de l'invention est de fournir un dispositif à semiconducteurs et un procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs, selon lequel, lors d'une procédure de liaison du fil pour un cadre de montage ayant une structure formée de plaques empilées, dont la couche la plus extérieure est formée d'un matériau mou tel que de l'or, on peut réunir fermement un fil au cadre de montage, d'une manière très efficace, sans décollement ou écaillement de la couche la plus extérieure. La puissance ultrasonique (indiquée en unités mW) d'un outil de liaison utilisé pour réaliser la liaison du fil peut provoquer un décollement d'une couche en forme de plaque et, notamment, une plaque formée d'un matériau mou tel que de l'or, peut être aisément affectée par la puissance ultrasonique. C'est pourquoi, des moyens pour atteindre l'objectif mentionné précédemment sont constitués par une structure dans laquelle les ondes ultrasoniques peuvent être absorbées par une couche en forme de plaque dans une zone de liaison d'une partie formant conducteur intérieur, ou sinon un procédé, selon lequel un fil métallique est réuni à la partie formant conducteur intérieur sans l'utilisation d'ondes ultrasoniques ou moyennant l'application d'une puissance ultrasonique très faible. Le dispositif à semiconducteurs selon la présente invention comprend une plaquette à semiconducteurs comportant un plot d'électrode; un cadre de montage comprenant au moins une partie formant conducteur intérieur et une partie formant conducteur extérieur, ledit cadre de montage étant formé d'un corps métallique et de couches de plaques empilées formées sur ledit corps, la couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées étant formée d'un matériau mou; et un fil métallique servant à raccorder ledit plot d'électrode de ladite plaquette à semiconducteurs audit cadre de montage, ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées possédant une épaisseur plus importante dans une zone de ladite partie formant conducteur intérieur, dans laquelle ledit fil métallique est connecté, que dans une autre zone. De cette manière, la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées possède une épaisseur plus importante dans la zone de la partie formant conducteur intérieur, dans laquelle le fil métallique est connecté. C'est pourquoi, même lorsqu'on applique la puissance ultrasonique lors de la procédure de liaison du fil, les vibrations sont absorbées par la couche la plus extérieure, ce qui empêche le décollement de cette couche. Selon un aspect du dispositif à semiconducteurs, ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées dans ladite partie formant conducteur intérieur est formée du même matériau que ledit fil métallique. De cette manière, étant donné que le fil métallique et la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées sont formés du même matériau mou, la fonction d'absorption des vibrations ultrasoniques peut être améliorée et la liaison peut s'en trouver facilitée. Selon un autre aspect du dispositif à semiconducteurs, le corps de la partie formant conducteur intérieur est formé de préférence d'une plaque de cuivre, les couches en forme de plaques empilées de la partie formant conducteur intérieur sont de préférence formées par empilage successif d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or, et le fil métallique est de préférence formé d'un matériau contenant de l'or comme constituant principal. De cette manière, on peut empêcher la formation d'une zone décollée dans la partie formant conducteur intérieur comprenant la couche formée de la plaque de palladium, qui présente une faible sensibilité à la corrosion. Le premier procédé pour fabriquer un disposée tif à semiconducteurs selon l'invention comprend une étape pour préparer une plaquette à semiconducteurs possédant un plot d'électrode, une étape pour préparer un cadre de montage comprenant au moins une partie formant conducteur intérieur et une partie formant conducteur extérieur, le cadre de montage étant formé d'un corps métallique et de couches de plaques empilées formées sur le corps, la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées étant formée d'un matériau mou, une première étape de liaison consistant à relier un fil métallique au plot d'électrode, alors qu'une pointe du fil métallique est disposée sur le panneau d'électrode de la plaquette à semiconducteurs, moyennant l'application d'une charge et d'ondes ultrasoniques, et une seconde étape de liaison pour relier le fil métallique à la partie formant conducteur intérieur, alors qu'une autre partie du fil métallique est disposée sur la partie formant conducteur intérieur, moyennant l'application d'une charge, sans l'application d'ondes ultrasoniques. Selon ce procédé, on peut connecter le fil métallique et la partie formant conducteur intérieur entre eux en appliquant une charge de pression seule, sans utiliser les ondes ultrasoniques, dans la seconde procédure de liaison. C'est pourquoi, on peut obtenir une liaison solide du fil en un bref intervalle de temps, sans que ceci n'entraîne le décollement de la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées. Le second procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la présente invention comprend une étape servant à préparer une plaquette à semiconducteurs possédant un plot d'électrode, une étape servant à préparer un cadre de montage comprenant une partie formant conducteur intérieur et une partie formant conducteur extérieur, le cadre de montage étant formé d'un corps métallique et de couches en forme de plaques empilées, la couche la plus extérieure parmi les couches formées de plaques empilées étant formée d'un matériau mou, une première étape de liaison pour relier un fil métallique au plot d'électrode, alors qu'une pointe du fil métallique est placée sur le plot d'électrode de la plaquette à semiconducteurs, avec application d'une charge et d'ondes ultrasoniques, et une seconde étape de liaison pour relier le fil métallique à la partie formant conducteur intérieur, alors qu'une autre partie du fil métallique est placée sur la partie formant conducteur intérieur, moyennant l'application d'une charge plus élevée que lors de la première étape de liaison et d'ondes ultrasoniques avec une puissance plus faible que lors de la première étape de liaison. Selon ce procédé, étant donné que la puis sance ultrasonique utilisée lors de la seconde procédure de liaison est extrêmement faible, on peut éviter le décollement de la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées, qui est dû aux ondes ultrasoniques appliquées avec une puissance plus élevée que dans la première procédure de liaison dans le procédé de fabrication classique. Dans le second procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, la première étape de liaison est de préférence exécutée avec une puissance ultrasonique d'environ 55 mW et une charge d'environ 60 g, et la seconde étape de liaison est de préférence exécutée avec une puissance ultrasonique comprise entre 0 et 20 mW et une charge comprise entre 150 et 250 g. En outre, dans les premier et second procédés de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, le fil métallique utilisé dans les première et seconde étapes de liaison est de préférence formé du même matériau que pour la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées. Selon un aspect de ces procédés, les couches en forme de plaques empilées sont formées de préférence par empilages successifs d'une couche formée d'une plaque de métal, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or sur le corps formé d'une plaque de cuivre lors de l'étape de préparation du cadre de montage, et le fil métallique utilisé dans des première et seconde étapes de liaison est de préférence formé d'un matériau contenant de l'or en tant que constituant principal. La seconde étape de liaison est exécutée de préférence à une température de 150 à 3000C. De même, la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques peut posséder une épaisseur plus importante dans une zone de la partie formant conducteur intérieur, dans laquelle le fil métallique est connecté. De cette manière, même lorsque les ondes ultrasoniques sont appliquées pour réaliser la connexion entre la partie formant conducteur intérieur et le fil métallique lors de la seconde procédure de liaison, la vibration ultrasonique peut être absorbée par la couche la plus extérieure faisant partie des couches en forme de plaques empilées, de manière à empêcher le décollement. Le troisième procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la présente invention comprend une étape pour préparer une plaquette à semiconducteurs possédant un plot d'électrode, une étape pour préparer un cadre de montage comprenant une partie formant conducteur intérieur et une partie formant conducteur extérieur et formé par empilage successif d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or sur un corps métallique, une première étape de liaison pour relier le plot d'électrode à un fil métallique formé d'un matériau contenant de l'or comme constituant principal, alors qu'une pointe du fil métallique est placée sur le plot d'électrode de la plaquette à semiconducteurs, moyennant l'application d'une charge et d'ondes ultrasoniques, et une seconde étape de liaison servant à relier le fil métallique à la partie formant conducteur intérieur, alors qu'une autre partie du fil métallique est placée sur la partie formant conducteur intérieur, moyennant l'application d'une charge de 150 à 250 g et d'ondes ultrasoniques avec une puissance comprise entre 0 et 20 mW. Selon ce procédé, la puissance des ondes ultrasoniques utilisées dans la seconde procédure de liaison est très faible. C'est pourquoi, la liaison d'un fil peut être réalisée sans décollement de la couche la plus extérieure formée d'une plaque d'or parmi les couches en forme de plaques empilées et sans exposition de la couche formée d'une plaque de palladium, apte à être corrodée, ou sans exposition de la couche formée de la plaque de nickel et du corps du cadre de montage sousjacent. En outre, grâce à l'application d'une telle charge élevée, on peut réaliser la liaison en conformité avec la propriété de l'ensemble des couches en forme de plaques empilées comprenant la couche formée d'une plaque de nickel, la couche formée d'une plaque de palladium et la couche formée d'une plaque d'or, on peut obtenir une connexion très solide en un bref intervalle de temps, et on peut réaliser le dispositif à semiconducteurs résultant avec une haute fiabilité. Le troisième procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs peut en outre inclure, après les première et seconde étapes de liaison, une étape d'enrobage étanche de la plaquette à semiconducteurs, du fil métallique et de la partie formant conducteur intérieur, au moyen d'une résine. De cette manière, la partie formant conducteur intérieur, qui est logée dans un boîtier de scellement dans une résine avec un faible coût de fabrication peut être aisément corrodée en raison d'un pourcentage d'eau contenu dans la résine de scellement, peut être exempte de toute corrosion, par exemple à partir d'une zone décollée. De cette manière, on peut fabriquer un dispositif à semiconducteurs bon marché et fiable. Selon un aspect du procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, la seconde étape de liaison est exécutée de préférence à une température comprise entre 150 et 3000C. De cette manière, on peut exécuter la seconde procédure de liaison à une température de recuit comparativement faible, qui convient pour les propriétés de l'ensemble des couches en forme de plaques empilées incluant la couche formant la plaque de nickel, la couche formée de la plaque de palladium et la couche formée de la plaque d'or. Par conséquent, on peut obtenir la liaison avec une haute fiabilité en un bref intervalle de temps. Selon un autre aspect du procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs, la seconde étape de liaison peut être exécutée avec une puissance ultrasonique de 0 mW. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels - la figure 1 est une vue en coupe servant à illustrer la structure d'un dispositif à semiconducteurs selon une première forme de réalisation; - la figure 2 est une vue en coupe à plus grande échelle du voisinage d'une zone de liaison d'une partie formant conducteur intérieur dans le dispositif à semiconducteurs de la première forme de réalisation; - la figure 3 est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de liaison d'une tranche lors de la fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon une seconde forme de réalisation; - la figure 4 est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de liaison d'un fil lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs selon la seconde forme de réalisation; - la figure 5 est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de scellement dans une résine lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs selon la seconde forme de réalisation; - la figure 6 est une vue en coupe servant à représenter une procédure de mise en forme du conducteur extérieur lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs selon la seconde forme de réalisation; - les figures 7(a) et 7(b) sont des diagrammes servant à comparer des conditions pour la procédure de liaison d'un fil lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs selon le second mode de mise en oeuvre, aux conditions présentes dans le cas d'une procédure classique de liaison d'un fil; - les figures 8(a) et 8(b) sont des vues en coupe et en perspective à plus grande échelle du voisinage d'une zone de liaison d'une partie formant conducteur intérieur formé lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs selon le second mode de mise en oeuvre; - la figure 9, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe servant à représenter la structure d'un dispositif à semiconducteurs classique; - la figure 10, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de liaison d'une tranche lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs classique; - la figure 11, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de liaison d'un fil lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs classique; - la figure 12, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe servant à illustrer une procédure de scellement dans une résine lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs classique; - la figure 13, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe servant à représenter une procédure de mise en forme d'un conducteur extérieur lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs classique; et - les figures 14(a) et 14(b), dont il a déjà été fait mention, représentent une vue en coupe et une vue en perspective à plus grande échelle du voisinage d'une zone de liaison d'une partie formant conducteur intérieur formé lors de la fabrication du dispositif à semiconducteurs classique. (Forme de réalisation 1) On va maintenant décrire une première forme de réalisation de l'invention en référence à la figure 1, qui est une vue en coupe servant à représenter la structure d'un dispositif à semiconducteurs correspondant à cette forme de réalisation. Comme cela est représenté sur la figure 1, le dispositif à semiconducteurs selon cette forme de réalisation comprend une plaquette semiconductrice 3 réunie par un agent adhésif tel qu'une pâte d'argent pour être montée sur une partie 2 constituée d'un plot en forme de tranche, d'un cadre de montage 1, une électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 est connectée électriquement à une partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1 par l'intermédiaire d'un fil métallique 6. La microplaquette à semiconducteurs 3, le fil métallique 6 et la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1 sont scellés au moyen d'une résine de scellement 7, et la partie formant conducteur extérieur 8, qui fait saillie à l'extérieur de la résine de scellement 7, est mise en forme. En tant que caractéristique du dispositif à semiconducteurs selon cette forme de réalisation, une zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1, qui est une zone dans laquelle le fil métallique 6 est réuni lors d'une procédure de réunion d'un fil, comporte une couche en forme de plaque possédant une épaisseur plus importante. On va maintenant décrire cette caractéristique de façon détaillée. La figure 2 est une vue en coupe servant à représenter la connexion entre la partie formant conducteur intérieur 5 et le fil métallique 6 au voisinage de la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5. Comme cela est représenté sur la figure 2, le cadre de montage 1 selon cette forme de réalisation comprend un corps 9 formé d'une plaque de cuivre et des couches en forme de plaques formées sur le corps 9, c'est-à-dire une couche 10 formée d'une plaque de nickel, une couche 11 formée d'une plaque de palladium et une couche 12 formée d'une plaque d'or. Dans ce cadre de montage 1, la couche 12 formée d'une plaque d'or possède une épaisseur supérieure à la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5. Par exemple la couche 12 formée d'une plaque d'or possède une épaisseur d'environ 0,03 mm dans la zone de liaison 5a, alors qu'elle possède une épaisseur d'environ 0,002 mm dans une autre zone. Lors du raccordement de l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 à la partie formant conducteur intérieur 5 par l'intermédiaire du fil métallique 6 en or, même lorsque des ondes ultrasoniques d'un outil de liaison d'un dispositif de liaison de fil sont appliquées à cette zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5, la vibration ultrasonique peut être absorbée à un certain degré étant donné que la couche formant plaque d'or la plus extérieure 12 est par conséquent épaisse. C'est pourquoi, la couche 12 formée d'une plaque d'or ne peut pas faire l'objet d'un décollement ou simplement une zone superficielle de cette couche se décolle. Par conséquent, la couche 12 formée d'une plaque de palladium et la couche 10 sous-jacente formée d'une plaque de nickel ne peuvent pas être exposées lors de la procédure de liaison d'un fil, et une réduction de la solidité de la liaison du fil due au décollement de la couche la plus extérieure peut être empêchée. Dans cette forme de réalisation, une couche 10 formée d'une plaque de nickel et la couche 11 formée d'une plaque de palladium possèdent des épaisseurs égales respectivement à 0,25 mm et 0,03 mm, ce qui ne limite pas l'invention. De même la couche 12 formée d'une plaque d'or dans cette forme de réalisation possède une épaisseur de 0,03 mm dans la zone de liaison 5a et une épaisseur de 0,002 mm dans une autre zone, ce qui également n'est pas censé limiter l'invention. (Forme de réalisation 2) On va maintenant décrire un procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs selon une seconde forme de réalisation, en référence aux figures 3 à 6, qui sont des vues en coupe servant à illustrer les procédures de fabrication du dispositif à semiconducteurs selon cette forme de réalisation. Tout d'abord, dans la procédure illustrée sur la figure 3, on prépare un cadre de montage 1 comportant une partie 2 constituant un plot formé d'une tranche, une partie formant conducteur intérieur 5 et une partie formant conducteur extérieur 8. Bien que l'on n'ait pas représenté la coupe détaillée du cadre de montage 1, le cadre de montage 1 selon cette forme de réalisation possède essentiellement la même structure que celui de la première forme de réalisation représentée sur la figur plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or, formées sur ledit corps. Contrairement à la première forme de réalisation, la couche formée d'une plaque d'or, c'est-à-dire la couche la plus extérieure, de cette forme de réalisation possède une épaisseur essentiellement uniforme sur l'ensemble de la surface et notamment ne possède pas une épaisseur plus importante dans une zone de liaison 5a. Les épaisseurs de la couche formée de la plaque de nickel, de la couche formée de la plaque de palladium et de la couche formée de la plaque d'or sont égales respectivement à 0,5 mm, 0,03 mm et 0,002 mm. Sur la partie 2 constituant un plot formé d'une tranche du cadre de montage 1 possédant une telle structure, on réunit une plaquette à semiconducteurs 3 à l'aide d'un agent adhésif tel qu'une pâte à l'argent. Ensuite, dans la procédure illustrée sur la figure 4, on connecte électriquement une électrode 4 de la plaquette à semiconducteur 3 montée sur la partie 2 constituée par un plot en forme de tranche, à la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1 au moyen d'un fil métallique en or 6. Cette procédure est exécutée, comme la procédure classique de liaison d'un fil, au moyen de la liaison à boule écrasée utilisant un dispositif de liaison de fil (non représenté) comportant un outil de liaison 20 désigné sous le terme capillaire. Le fil métallique 6 possède un diamètre d'environ 25 à 35 mm. La procédure de liaison du fil comprend d'une manière générale une première procédure de liaison pour connecter une extrémité du fil métallique 6 à l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3, une seconde procédure de liaison pour connecter l'autre extrémité du fil métallique 6 à la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1. Dans ce cas, lors de la première procédure de liaison, l'extrémité (en général en forme de'boule) du fil métallique 6 est comprimée contre l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 avec une charge d'environ 60 g, à l'aide de l'outil de liaison 20, moyennant l'application d'ondes ultrasoniques, de sorte que le fil métallique 6 peut être relié à la plaquette à semiconducteurs 3. Lors de la seconde procédure de liaison, une partie du fil métallique 6, dont une extrémité est connectée à l'électrode 4 de la plaquette à semiconducteurs 3 est repoussée contre la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5 à l'aide de l'outil de liaison 20. A cet instant, aucune onde ultrasonique n'est appliquée ou, sinon, la puissance des ondes ultrasoniques appliquées est réduite de manière à être aussi faible que 20 mW ou moins, et une charge d'environ 200 g, qui est supérieure à celle utilisée dans la première forme de réalisation, est appliquée. C'est une caractéristique du procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs selon cette forme de réalisation. Grâce à cette charge de pression et à un recuit, le fil métallique 6 est connecté à la partie formant conducteur intérieur 5 et est sectionné avec le bord de l'outil de liaison 20. Ensuite, lors de la procédure illustrée sur la figure 5, une fois achevée les procédures respectives de liaison décrites précédemment, on enrobe d'une manière étanche dans une résine de scellement 7 la plaquette à semiconducteurs 3, le fil métallique 6 et la partie 2 constituée d'un plot en forme de tranche,et la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1. On met en oeuvre cette procédure au moyen du moulage par transfert en plaçant le cadre de montage 1 supportant la plaquette à semiconducteurs 3 dans un moule. Ensuite, on sectionne une partie du cadre de montage 1 à l'extérieur de la résine de scellement 7 pour séparer cette partie du cadre de montage de la partie formant conducteur extérieur 8. Enfin, lors de la procédure illustrée sur la figure 6, on met en forme la partie formant conducteur extérieur 8 qui fait saillie à l'extérieur de la résine de scellement 7, ce qui achève la fabrication du dispositif à semiconducteurs. Comme cela a été décrit précédemment, dans le procédé de fabrication du dispositif à semiconducteurs selon cette forme de réalisation, la première procédure de liaison est exécutée dans des conditions correspondant à une puissance ultrasonique de 55 mW et une charge de pression de 60 g, alors que la seconde procédure de liaison est mise en oeuvre dans les conditions correspondant à la puissance ultrasonique de 0 à 20 mW et la charge de pression d'environ 200 g. En adoptant ces conditions très différentes de celles de la procédure de liaison classique à fil, on peut empêcher un décollement des couches en forme de plaques formées sur le cadre de montage 1. En particulier, lorsque le fil métallique 6 est formé du même matériau mou que celui de la couche en forme de plaque la plus extérieure du cadre de montage 1, la solidité de la liaison entre le fil métallique et la partie formant conducteur intérieur peut être accrue de façon supplémentaire. Les figures 7(a) et 7(b) sont des schémas illustrant une comparaison concernant la puissance ultrasonique et la charge de pression de l'outil de liaison entre la procédure de liaison d'un fil selon cette forme de réalisation et la procédure classique de liaison d'un fil, la figure 7(a) représentant les conditions pour la procédure classique et la figure 7(b) représentant les conditions pour la présente procédure. Dans la première procédure de liaison, c'est-à-dire la procédure pour relier le fil métallique à la plaquette à semiconducteurs, les conditions pour la présente procédure sont les mêmes que celles pour la procédure classique. Cependant, dans la seconde procédure de liaison, c'est-à-dire la procédure servant à relier le fil métallique au cadre de montage, dans cette forme de réalisation, la puissance ultrasonique est réduite à un cinquième ou moins et la charge de pression est approximativement doublée par rapport à la procédure classique. Il n'est pas toujours nécessaire que la puissance ultrasonique adoptée dans la seconde procédure de liaison soit égale à 0 mW. Par exemple, pour une puissance ultrasonique d'environ 10 mW ou ayant une valeur très proche de 0 mW, on peut réaliser la liaison du fil métallique sans provoquer le décollement de la couche la plus extérieure formée d'une plaque d'or, dans la mesure où la puissance ultrasonique ne dépasse pas 20 mW. On va maintenant examiner la raison pour laquelle le procédé selon cette forme de réalisation permet de réaliser la seconde procédure de liaison servant à relier le fil métallique 6 à la partie formant conducteur intérieur 5, sans formation d'une zone décollée 13 formée de façon classique, et représentée sur les figures 14 (a) et 14(b). Lors de la liaison du fil, la puissance ultrasonique agit de manière à faire glisser le fil métallique sur une substance devant être raccordée, et la charge et la chaleur agissent pour réaliser une compression thermique du fil métallique contre le matériau à raccorder. La température de recuit est en général approximativement de 2000C. En combinant de façon appropriée ces conditions,il est possible de réaliser une procédure rapide de liaison, lors de laquelle une liaison requiert 5 ms et l'ensemble de la procédure de liaison requiert environ 15 ms. Cependant, la raison pour laquelle la seconde procédure de liaison de cette forme de réalisation permet de réaliser une liaison solide sans provoquer le décollement de la couche en forme de plaque la plus extérieure en un bref intervalle de temps de 15 ms n'a pas encore été suffisamment expliquée. Cependant, la présente invention a révélé un fait expérimental consistant en ce que des conditions telles que la charge élevée et la température de recuit comparativement basse sont en bonne conformité avec les propriétés de l'ensemble des couches formées de plaques empilées de nickel / de palladium / d'or. Les faits expérimentaux suivants sont également confirmés, à cet égard Par exemple, dans le cas où la puissance ultrasonique est réglée à 0 mW et où la température de recuit est réglée à environ 2500C dans la seconde procédure de liaison, la charge de pression peut être inférieure à 200 g. En outre, dans le cas où la puissance ultrasonique est réglée à 20 mW ou la température de recuit est égale à 1800C, la charge de pression est de préférence réglée à une valeur dépassant 200 g. On notera qu'une température supérieure de recuit permet de raccourcir la durée de liaison. On va maintenant résumer les conditions de liaison pour la seconde procédure de liaison, que l'on obtient au moyen des expériences effectuées pour la mise au point de la présente invention. La puissance ultrasonique n'est de préférence pas appliquée ou est appliquée de préférence dans la gamme comprise entre 0 et 20 mW. La charge de pression est de préférence située dans la gamme comprise entre 150 et 250 g. La température de recuit est de préférence située dans la gamme comprise entre 150 et 3000C. Dans ces expériences, on utilise un fil d'or ayant un diamètre d'environ 25 à 35 mm en tant que fil métalli que, et on utilise trois couches respectivement de nickel, de palladium et d'or ayant des épaisseurs mentionnées précédemment, en tant que couche en forme de plaque empilée. Les figures 8(a) et 8(b) sont respectivement une vue en coupe et une vue en perspective au voisinage de la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5, qui résulte de la seconde procédure de liaison exécutée dans des conditions où la puissance ultrasonique est égale à 0 mW et où la charge de pression est égale à 200 g. Comme cela est représenté sur les figures 8(a) et 8(b), on ne peut pas observer la zone décollée de forme annulaire 13, qui est représentée sur les figures 14(a) et 14(b), autour de la zone de liaison 5a obtenue au moyen du procédé selon cette forme de réalisation. En d'autres termes, une partie de pointe 6a du fil métallique 6 est reliée sans décollement à la couche la plus extérieure formée d'une plaque d'or 12 de la partie formant conducteur intérieur 5 du cadre de montage 1. I1 va sans dire que la plaque de cuivre du corps 9 n'est pas exposée et que la couche 10 formée de la plaque de nickel et la couche 11 formée de la plaque de palladium ne sont pas exposée et ne subissent aucun décollement. De cette manière, aucune des couches en forme de plaque ne fait l'objet d'un décollement, et par conséquent la solidité de la liaison du fil peut être stabilisée. En outre, étant donné que les couches en forme de plaques ne sont pas décollées, les matériaux des plaques n'adhèrent pas à l'outil de liaison. Par conséquent la pointe en forme de boule d'un fil métallique formé ultérieurement ne peut pas être déformée lors de la procédure ultérieure de liaison du fil, c'est-à-dire la première procédure de liaison ultérieure. Bien que ceci ne soit pas représenté sur les des sins, dans le procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteurs selon la seconde forme de réalisation, la liaison du fil peut être réalisée tout en empêchant l'exposition des couches en forme de plaque inférieure sous l'effet du décollement de la couche 12 formée de la plaque d'or, et ce également comme suit : On donne à la couche 12 formée d'une plaque d'or du cadre de montage 1 une épaisseur plus importante dans la zone de liaison 5a de la partie formant conducteur intérieur 5, et on met en oeuvre la seconde procédure de liaison (la procédure servant à relier le fil métallique à la partie formant conducteur intérieur) de la procédure de liaison du fil, tout en appliquant la puissance ultrasonique de 0 à 20 mW. De même de cette manière la résistance de la liaison peut être stabilisée d'une manière efficace. Il n'est pas absolument nécessaire que les couches en forme de plaques empilées comprennent les trois couches de nickel, de palladium et d'or comme décrit précédemment. Les effets de la présente invention peuvent être obtenus dans la mesure où la couche la plus extérieure parmi les couches en forme de plaques empilées est formée d'un matériau mou, en particulier du même matériau que celui utilisé pour le fil métallique. Dans un tel cas, même lorsque la puissance ultrasonique de l'outil de liaison du dispositif de liaison de fil est réglée à une valeur très faible, le matériau mou de la couche la plus extérieure parmi les couches formées de plaques empilées peut être relié au fil métallique par application d'une charge de pression pendant un très bref intervalle de temps, et en outre, la structure de la couche la plus extérieure ne peut pas être endommagée. C'est pourquoi, on peut relier un fil au cadre de montage possédant la structure de plaques empilées, et ce avec une haute fiabilité tout en empêchant le décollement des couches en forme de plaques lors de la procédure de liaison du fil. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comporte une plaquette à semiconducteurs (3) comportant un plot d'électrode (4); un cadre de montage (1) comprenant au moins une partie formant conducteur intérieur et une partie formant conducteur extérieur, ledit cadre de montage étant formé d'un corps métallique et de couches de plaques empilées formées sur ledit corps, la couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées étant formée d'un matériau mou; et un fil métallique (6) servant à raccorder ledit plot d'électrode (4) de ladite plaquette à semiconducteurs audit cadre de montage (1), ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées possédant une épaisseur plus importante dans une zone de ladite partie formant conducteur intérieur, dans laquelle ledit fil métallique est connecté, que dans une autre zone. 2. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées dans ladite partie formant conducteur intérieur (5) est formée du même matériau que ledit fil métallique. 3. Dispositif à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit corps de ladite partie formant conducteur intérieur (5) est formé d'une plaque de cuivre, lesdites couches en forme de plaques empilées de ladite partie formant conducteur intérieur (5) sont formées par empilages successifs d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or, et ledit fil métallique (6) est formé d'un matériau incluant de l'or comme constituant principal. 4. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend une étape pour préparer une plaquette à semiconducteurs (3) possédant un plot d'électrode (4); une étape pour préparer un cadre de montage (1) comprenant au moins une partie formant conducteur intérieur (5) et une partie formant conducteur extérieur (8), ledit cadre de montage étant formé d'un corps métallique et de couches de plaques empilées formées sur ledit corps, la couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées étant formée d'un matériau mou; une première étape de liaison consistant à relier un fil métallique (6) audit plot d'électrode (4), alors qu'une pointe dudit fil métallique est disposée sur le plot d'électrode de ladite plaquette à semiconducteurs, moyennant l'application d'une charge et d'ondes ultrasoniques; et une seconde étape de liaison pour relier ledit fil métallique (6) à ladite partie formant conducteur intérieur (5), alors qu'une autre partie dudit fil métallique est disposée sur ladite partie formant conducteur intérieur (5), moyennant l'application d'une charge, sans l'application d'ondes ultrasoniques. 5. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit fil métallique utilisé dans lesdites première et seconde étapes de liaison est formé du même matériau que ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées. 6. Procédé pour fabriquer un dispositif à semi conducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdites couches en forme de plaques empilées sont formées par empilage successif d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or sur ledit corps formé d'une plaque de cuivre lors de ladite étape de préparation dudit cadre de montage, et que ledit fil métallique utilisé (6) dans lesdites première et seconde étapes de liaison est formé d'un matériau incluant de l'or comme constituant principal. 7. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite seconde étape de liaison est exécutée à une température de 150 à 3000C. 8. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques peut posséder une épaisseur plus importante dans une zone de ladite partie formant conducteur intérieur (5), dans laquelle ledit fil métallique (6) est connecté lors de ladite étape de préparation dudit cadre de montage. 9. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend une étape servant à préparer une plaquette à semiconducteurs (3) possédant un plot d'électrode (4); une étape servant à préparer un cadre de montage (1) comprenant une partie formant conducteur intérieur (5) et une partie formant conducteur extérieur (8), ledit cadre de montage (1) étant formé d'un corps métallique et de couches en forme de plaques empilées, la couche la plus extérieure parmi lesdites couches formées de plaques empilées étant formée d'un matériau mou; une première étape de liaison pour relier un fil métallique (6) audit plot d'électrode (4), alors qu'une pointe dudit fil métallique est placée sur ledit plot d'électrode de ladite plaquette à semiconducteurs, avec application d'une charge et d'ondes ultrasoniques; et une seconde étape de liaison pour relier ledit fil métallique (6) à ladite partie formant conducteur intérieur (5), alors qu'une autre partie dudit fil métallique est placée sur ladite partie formant conducteur intérieur, moyennant l'application d'une charge plus élevée que lors de ladite première étape de liaison et d'ondes ultrasoniques avec une puissance plus faible que lors de ladite première étape de liaison. 10. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite première étape de liaison est exécutée avec une puissance ultrasonique d'environ 55 mW et une charge d'environ 60 g, et ladite seconde étape de liaison est exécutée avec une puissance ultrasonique comprise entre 0 et 20 mW et une charge comprise entre 150 et 250 g. 11. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit fil métallique (6) utilisé dans lesdites première et seconde étapes de liaison est formé du même matériau que celui utilisé pour ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques empilées. 12. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdites couches en forme de plaques empilées sont formées par empilage successif d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et une couche formée d'une plaque d'or sur ledit corps formé d'une plaque de cuivre lors de ladite étape de préparation dudit cadre de montage (1), et ledit fil métallique (6) utilisé dans lesdites première et seconde étapes de liaison est formé d'un matériau incluant l'or comme constituant principal. 13. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite seconde étape de liaison est exécutée à une température comprise entre 150 et 3000C. 14. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 9, caractérisé en ce que ladite couche la plus extérieure parmi lesdites couches en forme de plaques peut posséder une épaisseur plus importante dans une zone de la partie formant conducteur intérieur (5), dans laquelle ledit fil métallique (6) est connecté. 15. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il inclut une étape pour préparer une plaquette à semiconducteurs (3) possédant un plot d'électrode (4); une étape pour préparer un cadre de montage (1) comprenant une partie formant conducteur intérieur (5) et une partie formant conducteur extérieur (8) et formé par empilage successif d'une couche formée d'une plaque de nickel, d'une couche formée d'une plaque de palladium et d'une couche formée d'une plaque d'or sur un corps métallique; une première étape de liaison pour relier ledit plot d'électrode (4) à un fil métallique (6) formé d'un matériau contenant de l'or comme constituant principal, alors qu'une pointe dudit fil métallique est placée sur ledit plot d'électrode de ladite plaquette à semiconducteurs, moyennant l'application d'une charge et d'ondes ultrasoniques; et une seconde étape de liaison servant à relier ledit fil métallique (6) à ladite partie formant conducteur intérieur (5), alors qu'une autre partie dudit fil métallique est placée sur ladite partie formant. conducteur intérieur, moyennant l'application d'une charge de 150 à 250 g et d'ondes ultrasoniques avec une puissance comprise entre 0 et 20 mW. 16. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'il comprend en outre, après lesdites première et seconde étapes de liaison, une étape servant à enrober de façon étanche ladite plaquette à semiconducteurs (3), ledit fil métallique (6) et ladite partie formant conducteur intérieur (5) dans une résine. 17. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce que ladite étape de liaison est exécutée à une température de 150 à 3000C. 18. Procédé pour fabriquer un dispositif à semiconducteurs selon la revendication 15, caractérisé en ce que ladite seconde étape de liaison est exécutée avec une puissance ultrasonique égale à 0 mW.