Brevet FR2750788A1 — publié le 19980109

La présente invention concerne une installation de pulvérisation en courant continu et, plus précisément, une telle installation qui a d'excellentes propriétés de réduction de la fusion d'un support d'enregistrement optique et de la corrosion électrique d'un arbre d'entraînement en rotation d'une palette sous l'action des charges électriques négatives qui circulent lors de la production du support d'enregistrement optique. On décrit d'abord une installation de pulvérisation de type connu en référence aux figures 5 à 8B. La figure 5 représente une configuration schématique de l'installation connue de pulvérisation, la figure 6 est un schéma repré- sentant une partie de cette installation, correspondant à une partie perfectionnée selon la présente invention, la figure 7 représente la fusion d'un substrat dans cette installation de pulvérisation, et les figures 8A et 8B représentent des détériorations d'un arbre rotatif d'une palette tournante, la figure 8A étant une coupe de la palette tournante et la figure 8B une coupe agrandie de l'arbre de rotation. On a en général fabriqué les supports d'enregistrement optique (appelés dans la suite "disques optiques") par une opération de pulvérisation cathodique. Dans l'opération de pulvérisation, un matériau cible est utilisé comme électrode négative, et une palette de montage d'un substrat placée en face du matériau cible et un boîtier d'une chambre sous vide sont mis à la masse électrique. A ce moment, des ions positifs d'un courant de plasma circule vers la cible cathodique, et des électrons circulent vers la masse à travers la palette, un masque de fixation du substrat du disque optique à la palette, et le boîtier de la chambre. En général, un poste de montage de substrat (appelé dans la suite "base de disque") est placé à la surface de la palette, et le substrat est fixé à la base de disque avec le masque qui est composé d'un masque périphérique interne et d'un masque périphérique externe. Des exemples de disques optiques sont un disque photomagnétique ayant un film d'enregistrement formé d'un métal des terres rares et d'un métal de transition, et un disque à changement de phase ayant un film d'enregistrement formé de GeSbTe ou analogue. En général, un tel disque optique a une structure multicouche, une couche d'enregistrement étant maintenue entre les couches diélectriques. En outre, on a proposé, comme disque de reproduction, un type comprenant une structure multicouche appelée 1,structure à très haute résolution" dans laquelle une couche de masque et une couche diélectrique sont placées entre un substrat et une couche de réflexion de reproduction. Dans ce cas, on utilise en général une matière diélectrique choisie dans le groupe formé par SiN, AlN, TiO et les oxydes et nitrures de Si, Al, Ta, Ti et leurs alliages. Lors de la fabrication d'un disque optique ayant une couche diélectrique, on a habituellement tendance à former la couche diélectrique par une opération de pulvérisation cathodique en courant continu. La raison en est que la formation de la couche diélectrique par pulvérisation réactive à hautes fréquences ou analogue prend beaucoup de temps. Des disques optiques sont fabriqués successivement par pulvérisation en courant continu par répétition des étapes suivantes : le montage d'un substrat sur une palette avec un masque de fixation de substrat, la disposition d'une palette dans une chambre sous vide pour la formation d'un film, puis la formation successive d'un film diélectrique, d'un film d'enregistrement et analogue sur le substrat, le démontage du substrat de la palette à l'extérieur de la chambre sous vide, et la disposition de la palette sur laquelle un nouveau substrat est monté à l'intérieur de la chambre sous vide. La configuration concrète et le fonctionnement schématique d'une installation de pulvérisation en courant continu utilisés pour la fabrication de disques optiques sont maintenant décrits en référence à la figure 5. Une installation 50 de pulvérisation en courant continu comporte une chambre sous vide 1 constituant une chambre de formation de film, une unité 2 de réglage d'une condition de vide à l'intérieur de la chambre sous vide 1, une alimentation à haute tension continue 3 assurant une décharge dans un plasma, une unité 5 à cathode de pulvérisation connectée à l'alimentation à haute tension continue 3 par une ligne d'alimentation 4, une palette 6 placée en face de l'unité 5 afin qu'elle en soit séparée par une distance spécifique, et une unité 7 de transmission d'un gaz de pulvérisation, tel que Ar, dans la chambre sous vide 1. L'unité 5 à cathode de pulvérisation comporte une plaque cible 8, une plaque de support 9 et un ensemble à aimant 10. La plaque cible 8, qui joue le rôle d'une électrode négative, est formée d'un matériau cible, tel que Si. La plaque cible 8 est placée afin qu'elle soit fixée sur la plaque de support 9. L'ensemble 10 à aimant est placé derrière la plaque de support 9. La plaque cible 8 et la palette 6 formant une électrode positive constituent une paire d'électrodes. Un substrat 11 d'un disque optique, tel qu'un disque photomagnétique sur lequel doit être formé un film, est monté sur la palette 6 en face de l'unité 5 à l'aide d'un masque périphérique interne 12 et d'un masque périphérique externe 13, une base 14 de disque étant placée entre le substrat 11 et la palette 6. On décrit maintenant le fonctionnement de l'installation 50 de pulvérisation en courant continu. D'abord, l'intérieur de la chambre sous vide 1 est évacué au degré voulu de vide, par exemple de 1.10-4 Pa ou moins, par l'unité 2 de réglage de vide. Ensuite, un gaz de pulvérisation, par exemple un mélange gazeux de Ar et N2, est introduit dans la chambre sous vide 1 à une pression spécifique par l'unité 16 d'alimentation en gaz de pulvérisation. Une tension négative spécifique est appliquée dans cet état à la plaque 9 de support, c'est-à-dire à la plaque cible 8, par l'alimentation continue 3 à haute tension. Un champ électrique est ainsi créé entre la palette 6 et la plaque 9 de support qui forme la paire d'électrodes pour la création d'une décharge luminescente. L'argon gazeux est ionisé par la décharge luminescente, et des ions d'argon bombardent la plaque cible 8. En conséquence, des atomes ou analogues du matériau cible sont pulvérisés à partir de la plaque 8 et se déposent à la surface du substrat 11 monté sur la palette 6, placée en face de la plaque 8, avec formation d'un film mince constitué de SiN. La figure 6 représente un trajet de circulation de courant dans une chambre sous vide 1, après pulvérisation cathodique. Comme décrit précédemment, lorsque le champ électrique est créé entre la palette cible et la plaque cible 8, des ions d'argon gazeux (gaz inerte) bombardent la plaque cible 8 et des atomes de matériau cible sont ainsi pulvérisés à partir de la plaque 8. Les atomes de matériau cible se déposent à la surface du substrat 11, et une charge électrique négative, telle que des électrons qui sont créés simultanément, circule à partir de la palette 6 constituant une anode vers la masse par l'intermédiaire du masque périphérique interne 12, du masque périphérique externe 13 et de la paroi de la chambre sous vide 1. Cependant, comme l'indique la figure 7, lorsqu'une couche isolante 19, par exemple un film de SiN, est déposée avec recouvrement sur la palette 6, avec augmentation des fréquences de travail de la palette 6, la circulation des charges électriques négatives, telles que les électrons créés pendant la pulvérisation, a tendance à être interrompue par la couche isolante déposée 19. La circulation des charges électriques négatives se concentre alors sur le masque périphérique interne 12 et le masque périphérique externe 13 formés chacun d'acier inoxydable ou analogue. Plus concrètement, les charges électriques négatives circulent vers la masse en passant dans des parties dans lesquelles les masques périphériques interne 12 et externe 13 sont mis au contact de la face 14 du disque. En conséquence, bien que la pulvérisation habituelle ne donne qu'une élévation de température de 50 OC environ, la température de chacun des masques périphériques interne 12 et externe 13 dépasse la température de transition vitreuse (140 OC) du substrat 11. Le substrat 11 fond ainsi dans des parties auxquelles il est mis au contact du masque périphérique interne 12 et du masque périphérique externe 13 et forme des parties 20 de fusion du substrat. Le disque optique peut ainsi donner des défauts tels qu'une anomalie de double réfraction. L'installation connue pose aussi un autre problème. Comme l'indique la figure 6, lorsque les fréquences de travail de la palette 6, du masque périphérique interne 12 et du masque périphérique externe 13 augmentent pour la production répétée de disques optiques, un film diélectrique, un film métallique et analogue ont tendance à se déposer sur les surfaces si bien que la palette 6, le masque périphérique interne 12 et le masque périphérique externe 13 sont isolés électriquement. Cependant, comme les masques interne 12 et externe 13 sont mis en contact d'une unité de montage-démontage de substrat lors du montage-démontage du substrat 11, les films déposés sur les surfaces des masques 12, 13 sont retirés si bien qu'une partie non isolante se forme sur une partie de la surface de chaque masque. Lorsque la pulvérisation en courant continu est réalisée pour la formation d'une couche diélectrique dans ces conditions, la surface de la palette 6 est isolée et ainsi chargée, et elle ne subit pas le bombardement des électrons, mais les parties non isolantes et les surfaces des masques 12, 13 sont bombardées de manière concentrée par les électrons. Les températures des masques périphériques interne 12 et externe 13 augmentent donc excessivement. Si ces températures dépassent la température de fusion du substrat 11, celui-ci subit une fusion et les caractéristiques du disque optique sont dégradées par des variations de double réfraction. Dans le cas de l'utilisation d'une palette de type tournant, le problème suivant se pose aussi. La figure 8A est une coupe d'une palette de type tournant. La palette fixe est retenue sur un organe 21 de maintien supporté, afin qu'il puisse tourner, par un support 15 par l'intermédiaire d'un palier 22 et d'un boîtier 23 de palier. La force de rotation est introduite par un couplage par aimant 24. La palette de type tournant utilise le palier 22 comme partie rotative comme décrit précédemment, si bien que les électrons qui viennent frapper la palette 6 passent à travers le boîtier 21 et circulent vers le boîtier 23 du palier par la bague externe du palier, les billes et la bague interne du palier, puis circulent à la masse par le support 15. A ce moment, il existe une interruption électrique entre les billes et les bagues interne et externe du palier 22 à cause de la présence de la graisse entre elles et de la rotation des billes, si bien que, si le support 15 n'est pas isolé, des décharges disruptives se forment dans les parties indiquées sur la figure 8B. Les parties auxquelles des décharges disruptives se sont formées risquent de présenter une corrosion électrique et donc un défaut de rotation de la palette 6. La même remarque s'applique dans le cas où un mécanisme rotatif est placé dans le corps principal de la chambre. La présente invention a pour objet la réalisation d'une installation de pulvérisation destinée à empêcher la circulation des charges électriques négatives, telles que les électrons, vers un masque périphérique interne et un masque périphérique externe pour la fixation d'un substrat même lorsqu'un film isolant, par exemple un film de SiN, est déposé sur une palette formant une anode, si bien que le problème de la fusion du substrat est résolu et un disque optique de qualité stable est produit, et l'invention concerne aussi un disque optique produit avec une telle installation de pulvérisation. La présente invention a aussi pour objet la mise à disposition d'une installation de pulvérisation destinée à former un film diélectrique par pulvérisation en courant continu à grande vitesse avec suppression du bombardement concentré des électrons sur les masques, même lorsqu'un disque optique est produit avec une palette et des masques qui ont subi une utilisation fréquente, si bien qu'il n'est pas nécessaire de changer fréquemment la palette pour la production d'un disque optique de qualité stable, et l'invention concerne aussi un disque optique produit par une telle installation de pulvérisation. La présente invention a aussi pour objet la mise à disposition d'une installation de pulvérisation qui, dans le cas de l'utilisation d'une palette rotative, est destinée à empêcher l'apparition d'une corrosion électrique due à la circulation d'un courant dans un palier d'un arbre rotatif de la palette, et à produire un disque optique tournant, avec conservation d'une fonction stable de rotation de la palette pendant une longue période. A cet effet, dans un premier aspect, la présente invention concerne une installation de pulvérisation en courant continu destinée à former un support d'enregistrement optique ayant au moins un ou plusieurs types de films diélectriques, comprenant un masque de fixation d'un substrat du support d'enregistrement optique sur une palette de l'installation de pulvérisation en courant continu, le masque étant formé d'un organe isolant de l'électricité ou étant recouvert d'un tel organe. L'organe isolant de l'électricité peut être une céramique ou un haut polymère. Dans un second aspect, la présente invention concerne une installation de pulvérisation en courant continu destinée à former un support d'enregistrement optique ayant au moins un ou plusieurs types de films diélectriques, comprenant une palette de fixation d'un substrat du support d'enregistrement optique, un support de fixation de la palette, et une base de disque destinée au montage du substrat sur la palette, la palette, le support ou la base de disque au moins étant isolés électriquement. Dans l'installation de pulvérisation en courant continu selon la présente invention, chacun des masques périphériques interne et externe destinés à fixer un substrat sur une palette est formé d'un matériau isolant, tel qu'une céramique ou du "Teflon", si bien que, même lorsqu'une couche isolante telle qu'un film de SiN se dépose à la surface de la palette comme anode, il est possible d'empêcher la circulation des charges électriques négatives, telles que les électrons créés pendant la pulvérisation, vers le masque périphérique interne et le masque périphérique externe, avec de cette manière protection du substrat contre la fusion. Dans le cas d'une installation de pulvérisation en courant continu ayant un support de type rotatif, il est possible d'empêcher la circulation des charges électriques négatives entre la palette et la masse par l'intermédiaire d'un palier de l'arbre rotatif de la palette et d'empêcher ainsi que les électrons ne viennent bombarder le masque périphérique interne et le masque périphérique externe lors de la pulvérisation. Cette caractéristique protège efficacement le disque optique contre une fusion due à une élévation de température de chacun des masques périphériques interne et externe. En outre, comme des charges électriques négatives ne circulent pas vers le palier, il est possible d'éviter l'apparition de la corrosion électrique du palier si bien que la rotation de la palette peut rester constante. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels la figure 1 est une coupe d'une installation de pulvérisation dans un premier mode de réalisation de l'invention la figure 2 est une coupe d'une installation de pulvérisation dans un second mode de réalisation de l'invention la figure 3 est une coupe d'une installation de pulvérisation dans un troisième mode de réalisation de l'invention ; la figure 4 est une coupe d'une installation de pulvérisation dans un quatrième mode de réalisation de l'invention la figure 5 est une vue représentant la configuration schématique d'une installation de pulvérisation de la technique antérieure la figure 6 est une vue schématique d'une partie de l'installation de pulvérisation de la technique antérieure, correspondant à une partie perfectionnée par la présente invention la figure 7 est une vue illustrant la fusion du substrat dans l'installation de pulvérisation de la technique antérieure ; et les figures 8A, 8B représentent des détériorations d'un arbre rotatif d'une palette de type tournant, la figure 8A étant une coupe de la palette tournante et la figure 8B une coupe agrandie de l'arbre rotatif. On décrit maintenant des modes de réalisation préférés de l'installation de pulvérisation selon l'invention en référence aux figures 1 à 4. La figure 1 est une coupe du premier mode de réalisation, la figure 2 une coupe du second mode de réalisation, la figure 3 une coupe du troisième mode de réalisation et la figure 4 une coupe du quatrième mode de réalisation. Premier mode de réalisation La figure 1 représente une partie essentielle de l'installation de pulvérisation dans le premier mode de réalisation de l'invention. Dans cet exemple, les parties qui correspondent à celles qu'on a décrites en référence à la figure 5 portent les mêmes références numériques et leur description est omise. L'installation de pulvérisation comporte une paire d'électrodes, une électrode négative et une électrode positive. L'électrode négative est composée d'une plaque cible 8 formée d'un matériau cible tel que Si et d'une plaque de support 9 sur laquelle est fixée la plaque cible 8. L'électrode positive est composée d'une palette 6 placée en face de l'électrode négative. Un substrat 11 d'un disque optique est monté du côté de l'électrode positive par l'intermédiaire d'une base 14 de disque à l'aide d'un masque périphérique interne 12 et d'un masque périphérique externe 13. Dans ce mode de réalisation, chacun des masques périphériques interne 12 et externe 13 est formé ou recouvert d'un matériau isolant de l'électricité, tel que le "Teflon" ou une céramique, afin que des charges électriques négatives ne puissent pas circuler après concentration sur les masques périphériques interne 12 et externe 13. Cette disposition protège efficacement le substrat 11 contre la fusion. L'installation mettant en oeuvre le masque de ce mode de réalisation a été utilisée pour une mesure de détermination de la fusion d'un substrat. A titre comparatif, la même mesure a été réalisée avec l'installation ayant le masque de la technique antérieure. La mesure a été réalisée avec cinq supports de palette sur chacun desquels étaient montés vingt-quatre substrats. La surface de chaque palette 6 sur laquelle des films diélectriques de SiN ont été déposés était isolée électriquement de la masse. Le substrat 11 était formé de polycarbonate. A titre d'échantillon, on a utilisé un disque photomagnétique ayant une structure à quatre couches de films diélectriques de SiN formées par pulvérisation en courant continu. En outre, pour qu'un état créant facilement une fusion du substrat 1 soit obtenu, on a utilisé la palette 6 à la surface de laquelle des films à structure à quatre couches avaient été déposés au cours d'un programme d'environ trois cents cycles. Les résultats mesurés figurent dans le tableau 1. Comme l'indiquent ces résultats, dans le cas de l'installation ayant le masque de la technique antérieure, deux à quatre des vingt-quatre substrats montés sur chaque support ont présenté une fusion alors que dans l'installation ayant le masque selon l'invention, aucun des vingt-quatre substrats n'a subi une fusion. Tableau 1 Support nO 1 2 1 3 4 1 5 Exemple de l'invention 0/24 0/24 | 0/24 0/24 0/24 Exemple comparatif 4/24 3/24 | 4/24 2/24 3/24 Second mode de réalisation La figure 2 représente une partie essentielle d'une installation de pulvérisation dans un second mode de réalisation de l'invention. Dans cet exemple, les parties qui correspondent à celles qu'on a décrites en référence à la figure 5 portent les mêmes références numériques et leur explication est omise. L'installation de pulvérisation comporte une paire d'électrodes, une électrode négative et une électrode positive. L'électrode négative est composée d'une plaque cible 8 formée d'un matériau cible tel que Si et d'une plaque de support 9 sur laquelle est placée à demeure la plaque cible 8. L'électrode positive est composée d'une palette 6 placée en face de l'électrode négative. Le substrat 11 d'un disque optique est porté du côté de l'électrode positive par une base 14 de disque, à l'aide d'un masque périphérique interne 12 et d'un masque périphérique externe 13. Dans ce mode de réalisation, une entretoise 16 d'un matériau isolant de l'électricité, par exemple de verre, est placée entre la palette 6 et un support 15 afin que la palette 6 soit isolée de la masse. Dans cette configuration, il est possible d'éviter la circulation des charges électriques négatives qui se concentrent sur le masque périphérique interne 12 et le masque périphérique externe 13, et ainsi de protéger le substrat 11 contre la fusion. Troisième mode de réalisation La figure 3 représente une partie essentielle d'une installation de pulvérisation dans un troisième mode de réalisation de l'invention. Dans cet exemple, les parties qui correspondent à celles qu'on a décrites en référence à la figure 5 portent les mêmes références numériques et leur explication est omise. Bien qu'un substrat ou analogue monté sur la palette 6 ne soit pas représenté sur la figure 3, tous les éléments ont la même configuration que sur la figure 5. La structure d'une palette tournante dans cet exemple est la suivante. Un organe 21 de maintien de palette qui supporte une palette 6 est supporté afin qu'il puisse tourner sur un boîtier 23 de palier du côté fixe par l'intermédiaire d'un palier 22. Un isolateur 25 est placé entre le boîtier 23 et le support 15 afin que la conduction électrique entre eux soit évitée. En outre, une force de rotation utilisée pour l'entraînement en rotation de la palette 6 est transmise depuis l'extérieur par couplage par un aimant 24. Dans cette configuration, il est possible d'empêcher des charges électriques négatives créées dans la palette 6 et analogue de circuler vers la masse et donc d'empêcher la circulation des charges électriques négatives et leur concentration sur le masque périphérique interne et le masque périphérique externe. Cette disposition empêche efficacement la fusion du substrat et la corrosion électrique du palier 22 et améliore donc le comportement de la palette 6 en rotation. Ainsi, on peut préparer un disque optique de qualité stable. L'isolateur 25 peut être d'un type choisi dans le groupe qui comprend les céramiques, le verre, le caoutchouc, le "Teflon" et d'autres résines, notamment époxydes. Quatrième mode de réalisation La figure 4 représente une partie essentielle d'une installation de pulvérisation dans un quatrième mode de réalisation de l'invention. Dans cet exemple, les parties qui correspondent à celles qu'on a déjà décrites en référence à la figure 5 sont désignées par les mêmes références. Bien qu'un substrat et analogue montés sur une palette 6 ne soit pas représenté sur la figure 4, ils ont aussi la configuration indiquée sur la figure 5. La structure d'une palette de type tournant dans ce mode de réalisation est caractérisée en ce que la palette 6 est fixée à un organe 21 de maintien de palette par un isolateur 26 destiné à empêcher la conduction électrique entre la masse du corps de la chambre et la palette 6. L'organe 21 de maintien de la palette reçoit une force de rotation qui est utilisée pour l'entraînement en rotation de la palette depuis l'extérieur par l'intermédiaire d'une partie d'introduction de rotation. Grâce à cette configuration, il est possible d'empêcher la circulation des charges électriques négatives accumulées dans la palette 6 et analogue vers la masse par l'intermédiaire du support 15, et donc d'empêcher la circulation des charges électriques négatives qui ne peuvent pas se concentrer sur le masque périphérique interne 12 et le masque périphérique externe 13. Cette disposition protège efficacement le substrat contre la fusion et permet donc la préparation d'un disque optique de qualité stable. L'isolateur 26 peut être d'un type choisi dans le groupe qui comprend une céramique, un verre, du caoutchouc, du "Teflon" ou d'autres résines telles qu'une résine époxyde. L'installation mettant en oeuvre le masque de cet exemple a été utilisée pour une mesure de la fusion du substrat. A titre de comparaison, la même mesure a été réalisée avec l'installation ayant le masque de la technique antérieure. La mesure a été exécutée avec cinq supports de palette sur chacun desquels étant montés trente-six substrats. Le substrat 11 était formé de polycarbonate. A titre d'échantillon, on a utilisé un disque photomagnétique ayant une structure à quatre couches de films diélectriques de SiN formés par pulvérisation en courant continu. On a utilisé la palette 6 à la surface de laquelle les films à structure à quatre couches ayant chacun un film isolant de 100 nm, une couche conductrice de 20 nm, une couche isolante de 30 nm et une couche conductrice de 50 nm avaient été déposés, au cours d'une opération de trois cents cycles. En outre, on a utilisé le masque périphérique interne 12 et le masque périphérique externe 13 sur les surfaces desquelles aucun film n'avait été formé. Dans l'exemple de l'invention, la résistance électrique entre la surface de la palette 6 et la masse a été réglée à environ 10 MQ, afin que le masque ait un état plus susceptible d'attirer le bombardement électronique qui a tendance à provoquer la fusion du substrat. Les résultats des mesures sont indiqués dans le tableau 2. I1 apparaît d'après ces résultats que, dans l'installation ayant le masque de la technique antérieure, un à trois des trente-six substrats montés sur chaque support ont fondu alors que, dans l'installation ayant le masque de l'invention, aucun des trente-six substrats n'a présenté de fusion. Tableau 2 Support nO 1 2 3 4 5 Exemple de l'invention 0/36 0/36 0/36 0/36 0/36 Exemple comparatif 2/36 3/36 1/36 2/36 2/36 Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art aux installations qui viennent d'être décrits uniquement à titre d'exemple non limitatif sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Installation de pulvérisation en courant continu destinée à la formation d'un support d'enregistrement optique ayant des films diélectriques d'au moins un ou plusieurs types, caractérisée en ce qu'elle comprend un masque (12, 13) destiné à fixer un substrat (11) du support d'enregistrement optique sur une palette (6) de l'installation de pulvérisation en courant continu, le masque étant formé d'un organe (12, 13) isolant de l'électricité. 2. Installation de pulvérisation en courant continu destinée à la formation d'un support d'enregistrement optique ayant des films diélectriques d'au moins un ou plusieurs types, caractérisée en ce qu'elle comprend un masque (12, 13) destiné à fixer un substrat (11) du support d'enregistrement optique sur une palette (6) de l'installation de pulvérisation en courant continu, le masque étant couvert d'un organe (12, 13) isolant de l'électricité. 3. Installation selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'organe (12, 13) isolant de l'électricité est formé d'une céramique. 4. Installation selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'organe (12, 13) isolant de l'électricité est formé d'une céramique. 5. Installation selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'organe (12, 13) isolant de l'électricité est formé d'un haut polymère. 6. Installation selon la revendication 2, caractérisée en ce que l'organe (12, 13) isolant de l'électricité est formé d'un haut polymère. 7. Installation de pulvérisation en courant continu destinée à la formation d'un support d'enregistrement optique ayant des films diélectriques d'au moins un ou plusieurs types, caractérisé en ce qu'elle comprend une palette (6) destinée à fixer un substrat (11) du support d'enregistrement optique, un support (15) destiné à fixer la palette (6) et une base (14) de disque destinée au montage du substrat sur la palette, la palette (6), le support ou la base (14) de disque au moins étant isolés électriquement.