Brevet FR2754634A1 — publié le 19980417

ARRIERE-PLAN DE l'INVENTION Domaine de l'invention La présente invention concerne la structure d'un panneau d'affichage plasma ainsi que son procédé de fabrication; en particulier, elle concerne la structure de nervures barrières (parois de séparation) formées entre des électrodes d'adresse pour définir un espace de décharge plasma ainsi qu'un procédé de fabrication afférent. Art antérieur En tant que partie de la structure d'un panneau d'affichage plasma à trois électrodes à décharge en surface, deux électrodes d'affichage sont prévues le long d'une ligne d'affichage sur un substrat en verre avant et une pluralité d'électrodes d'adresse qui sont positionnées perpendiculairement par rapport aux deux électrodes d'affichage sont prévues sur un substrat en verre arrière. Les deux substrats en verre sont positionnés de manière à se faire face l'un l'autre et sont scellés ensemble, un espace de décharge les séparant. Une partie au niveau de laquelle les deux électrodes d'affichage et les électrodes d'adresse s'intersectent est une zone de cellule d'affichage. Une décharge (une décharge d'adresse) est réalisée entre les électrodes d'affichage et les électrodes d'adresse et une charge de paroi qui est générée par la décharge est utilisée pour réaliser une décharge soutenue entre les électrodes d'affichage. Les parois de séparation (nervures barrières) réalisées en un matériau isolant sont formées entre les électrodes d'adresse afin d'empêcher que la décharge d'adresse n'exerce une influence non souhaitable sur des cellules adjacentes. Des fluorophosphores formés sur les électrodes d'adresse ainsi qu'entre les parois de séparation sont irradiés par les rayons ultraviolets générés par la décharge plasma et divers faisceaux lumineux couleur sont émis par les fluorophosphores afin de constituer un affichage. Les figures 6A et 6B sont des vues en coupe de la partie essentielle représentant un processus utilisé pour former des parois de séparation ordinaires. Comme décrit ci-avant, une pluralité d'électrodes d'adresse 7 sont formées sur un substrat en verre arrière 6, et une couche diélectrique 10 est formée dessus en utilisant une impression par sérigraphie afin d'appliquer une couche en pâte de verre puis en soumettant ensuite la couche à un processus de recuit. Une couche de paroi de séparation 8 formée par une pâte en verre présentant un point de fusion bas est déposée sur la structure résultante au moins d'une impression par sérigraphie et est séchée. Puis un film sec constitué par un matériau photosensible est amené à adhérer dessus. Une exposition et un développement sont réalisés sur la structure résultante de telle sorte que des couches de film sec 11 subsistent dans les régions où des parois de séparation doivent être formées. La vue en coupe de la figure 6A représente cet état. Afin de réaliser la conformation d'une couche de paroi de séparation épaisse 8 constituée par une pâte de verre sèche, suite à cela, comme représenté sur la figure 6B, de fines particules 13 d'alumine ou de silice sont expulsées de manière forcée depuis un éjecteur à air 12 afin d'ôter les parties exposées de la couche de paroi de séparation 8 par gravure. Ceci est une procédure de décapage au sable largement connue qui forme de manière satisfaisante une paroi de séparation comparativement épaisse. Cependant, avec la procédure de décapage au sable, lorsque les particules sont expulsées et qu'elles viennent frapper la couche de paroi de séparation 8, une électrification par contact se produit de telle sorte que les grains et la surface de couche de paroi de séparation 8 acquièrent des charges négatives et positives par exemple. En tant que résultat, comme représenté selon la vue en coupe de la figure 7, lorsque la procédure de décapage au sable est terminée, une certaine part du matériau utilisé pour les parois de séparation ou une certaine part des particules abrasives subsistent en tant que substance résiduelle 8a sur la couche diélectrique 10 qui recouvre les électrodes d'adresse 7. Il a eté confirmé de manière significative qu'une accumulation de la substance résiduelle 8a est générée par une électrification par contact. Cependant, la façon précise selon laquelle l'électrification par contact a pour effet que la substance résiduelle 8a s'accumule sur les électrodes d'adresse 7 n'est pas encore connue. Mais puisque la substance résiduelle 8a s'accumule essentiellement sur les électrodes d'adresse 7 comme représenté sur la figure 7, on sent qu'une réaction entre les charges électriques acquises par le matériau de paroi et les particules abrasives et le potentiel électrique des électrodes d'adresse 7 a pour effet que les vitesses d'abrasion diffèrent. Lorsqu'on considère une structure sur laquelle une substance résiduelle 8a subsiste suite à la procédure de décapage au sable, laquelle est difficile à ôter, et que cette structure ainsi que le substrat en verre avant sont assemblés ensemble, la présence de la substance résiduelle 8a a pour effet que les caractéristiques des cellules au niveau des intersections des électrodes d'affichage et des électrodes d'adresse sont non uniformes. RESUME DE L'INVENTION Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication grâce auquel aucune substance résiduelle n'est accumulée même lorsque la procédure de décapage au sable est utilisée pour conformer une couche de paroi de séparation, ainsi qu'un panneau d'affichage plasma afférent. Un autre objet de la présente invention consiste à proposer un procédé de fabrication grâce auquel une vitesse de gravure uniforme peut être maintenue même lorsque la procédure de décapage au sable est réalisée pour conformer une couche de séparation de paroi, et un panneau d'affichage plasma afférent. Afin d'atteindre les objets mentionnés ci-avant, selon la présente invention, on propose un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma qui comporte deux substrats isolants se faisant face l'un l'autre, un espace de décharge d'intervention les séparant, et qui assure un affichage en générant une décharge plasma entre des électrodes formées sur les substrats isolants, lequel comprend les étapes de formation d'une pluralité d'électrodes sur les substrats isolants; formation d'une couche en pâte conductrice sur les substrats isolants; formation d'un film de masquage sur la couche en pâte en des emplacements entre la pluralité d'électrodes; propulsion de manière forcée de particules contre la couche en pâte afin d'ôter par gravure des parties de la couche en pâte où le film de masquage n'est pas formé ; et exposition de la couche en pâte à une atmosphère de recuit de manière à former des parois de séparation entre la pluralité d'électrodes. En outre, afin d'atteindre les objets mentionnés ci-avant, selon un autre aspect de l'invention, on propose un procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma qui comprend deux substrats isolants se faisant face l'un l'autre, un espace de décharge d'intervention les séparant, et qui assure un affichage en générant une décharge plasma entre des électrodes formées sur les substrats isolants, le procédé comprenant les étapes de formation d'une pluralité d'électrodes sur les substrats isolants; formation d'un film mince conducteur sur les substrats isolants; formation d'une couche en pâte sur le film mince conducteur; formation d'un film de masquage sur la couche en pâte en des emplacements entre la pluralité d'électrodes; propulsion de manière forcée de particules contre la couche en pâte afin d'ôter par gravure des parties de la couche en pâte où le film de masquage n'est pas formé ; et exposition de la couche en pâte à une atmosphère de recuit de manière à former des parois de séparation entre la pluralité d'électrodes. De préférence, la conductivité de la couche de pâte ou du film mince est réduite au niveau de l'étape au niveau de laquelle la couche en pâte est exposée à l'atmosphère de recuit. Selon le procédé de fabrication, lors de la procédure de décapage au sable permettant de former une couche de nervure barrière, la conductivité de la couche en pâte ou du film mince formé sur la couche en pâte permet le déplacement libre des charges électriques qui sont générées du fait de l'électrification par collision et une vitesse de gravure uniforme peut être obtenue indépendamment de la présence des electrodes d'adresse. Un polymère organique, des complexes de transfert de charge organique s constitués par un donneur d'électrons et par accepteur d'électrons, un oxyde conducteur ou un métal conducteur peuvent être utilisés en tant que matériaux conducteurs. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective éclatée de la structure schématique d'un panneau d'affichage plasma d'un type décharge en surface à trois électrodes; la figure 2 est une vue en coupe prise le long de deux électrodes d'affichage de PDP; la figure 3 est une vue en plan d'un panneau d'affichage plasma qui représente une relation entre des électrodes X et Y et des électrodes d'adresse pour le PDP à décharge en surface à trois électrodes; la figure 4 est une vue en coupe d'un procédé de fabrication d'un substrat en verre arrière selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une vue en coupe d'un procédé de fabrication d'un substrat en verre arrière selon un second mode de réalisation de la présente invention; la figure 6 est une vue en coupe de la partie essentielle qui représente un procédé de formation de parois de séparation ordinaire; et la figure 7 est une vue en coupe après la fin du processus de décapage au sable. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PREFERES Les modes de réalisation préférés de la présente invention seront maintenant décrits par report aux dessins annexés. Il est à noter que bien qu'il s'agisse de modes de réalisation préférés, ils ne peuvent pas être considérés comme imposant de quelconques limites sur le cadre technique de la présente invention. La figure 1 est une vue en perspective éclatée de la structure schématique d'un panneau d'affichage plasma (ci-après appelé également "PDP") d'un type à décharge en surface à trois électrodes selon le présent mode de réalisation. La figure 2 est une vue en coupe prise le long de deux électrodes d'affichage du PDP. La structure de base sera maintenant décrite par report aux figures 1 et 2. Un substrat en verre avant 1 est un substrat isolant sur le côté d'affichage ; une lumière est émise vers le haut au travers du substrat en verre 1 sur la figure 1. Un substrat en verre 6 est un substrat isolant arrière. Il n'est pas nécessaire que le substrat arrière 6 soit transparent ; il peut être constitué par une céramique. Sur l'arrière du substrat en verre isolant 1 sur le côté d'affichage sont formées des électrodes X et Y. Les électrodes X et Y jouent le rôle de deux électrodes d'affichage dont chacune comprend une électrode transparente 2 et une électrode de bus hautement conductrice 3. Les électrodes X et Y sont recouvertes d'une couche diélectrique 4 réalisée en un verre présentant un point de fusion bas tel que PbO et d'une couche de protection 5 réalisée en MgO. Les électrodes de bus 3 sont prévues le long des extrémités et sur des côtés opposés des électrodes X et Y afin de compenser la conductivité des électrodes transparentes 2. Les électrodes transparentes 2 sont réalisées par exemple en oxyde d'indium et d'étain (ITO) et les électrodes de bus 3 comportent une structure à trois couches constituée par exemple par Cr/Cu/Cr. En ce qui concerne le substrat en verre arrière 6, des électrodes d'adresse en forme de bande 7 sont formées sur une sous-couche constituée par un film de passivation (non représenté) qui est par exemple un film en oxyde de silicium et ces électrodes sont recouvertes d'une couche diélectrique (également non représentée). Les électrodes d'adresse 7 présentent une structure à trois couches constituée par exemple par Cr/Cu/Cr, et la couche diélectrique est formée en un verre à point de fusion bas tel que PbO. Des parois de séparation en forme de bande (nervures barrières) 8 sont formées de manière à être adjacentes aux électrodes d'adresse 7. Les parois de séparation 8 sont réalisées en un verre à point de fusion bas tel que PbO et elles ont deux fonctions: la coupure d'une influence imposée sur les cellules adjacentes pendant une décharge d'adresse et l'empêchement d'une diaphonie par voie lumineuse. Des fluorophosphores de rouge, bleu et vert 9 sont peints entre les nervures barrières 8 de telle sorte qu'ils recouvrent les électrodes d'adresse 7 et les surfaces des nervures barrières 8. Comme représenté sur la figure 2, lorsque le substrat de côté d'affichage 1 et le substrat arrière 6 sont assemblés ensemble, il y a un espace d'approximativement 100 llm qui les sépare. Un gaz de mélange de décharge, soit Ne + Xe, est injecté dans des espaces 25 qui sont définis par les nervures barrières 8. Sur la figure 2, la souscouche 20 et la couche diélectrique 10 sont représentées. La figure 3 est une vue en plan du PDP à décharge en surface à trois électrodes représentant la relation entre les électrodes X et Y et les électrodes d'adresse 7. Les électrodes X, soit X1 à X10, sont agencées horizontalement en parallèle et sont connectées collectivement au niveau de l'extrémité du substrat 1. Les électrodes Y, soit Y1 à Ylo, sont situées entre les électrodes X et sont agencées de manière indépendante au niveau de l'extrémité du substrat 1. Les paires des électrodes X et Y forment des lignes d'affichage et une tension de soutien de décharge pour un affichage est appliquée en alternance sur ces paires. XD 1 et XD2 ainsi qu'YD1 et YD2 sont des électrodes fictives prévues à l'extérieur de zones d'affichage valides afin de relaxer des caractéristiques non linéaires qui apparaissent en tant que résultat d'un procédé utilisé pour la fabrication d'une partie périphérique du panneau. Bien qu'une seule électrode fictive ou une seule paire d'électrodes fictives soit prévue sur les quatre cotés du panneau de la figure 3, un nombre différent d'électrodes fictives peut être choisi. Les électrodes d'adresse, soit A1 à A14, sont prévues sur le substrat de côté d'affichage 1 et elles intersectent les électrodes X et Y. La tension de décharge de soutien est appliquée en alternance sur les paires d'électrodes X et Y, et les électrodes Y sont utilisées en tant qu'électrodes de balayage pour écrire des données. Les électrodes d'adresse sont utilisées pour une écriture de données et en concordance avec les données à écrire, des décharges plasma se produisent entre l'électrode d'adresse et l'électrode Y à balayer. Par conséquent, seulement un unique courant de décharge de cellule est requis pour alimenter les électrodes d'adresse. Puisque la tension de décharge est déterminée conformément à la tension produite en combinant les tensions de l'électrode d'adresse et de l'électrode Y, l'affichage plasma peut être piloté à l'aide d'une tension comparativement faible. Au moyen du pilotage du PDP à l'aide d'un courant faible et d'une tension faible, un écran d'affichage de grande dimension est possible. Des charges de paroi qui ont été générées par la décharge d'adresse se produisant entre les électrodes d'adresse 7 et les électrodes Y subsistent sur la couche diélectrique 4 et sont utilisées pour maintenir une décharge en surface entre les paires d'électrodes d'affichage 2 et 3. Les figures 4A à 4D sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication du substrat en verre arrière 6 selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Selon ce mode de réalisation, un matériau conducteur est contenu dans la couche de paroi de séparation 80 de telle sorte que des charges électriques générées par une électrification par collision se produisant pendant la procédure de décapage au sable soient étalées uniformément de manière à assurer une vitesse de gravure uniforme. Du fait qu'un matériau organique conducteur, par exemple, est choisi en tant que matériau conducteur, la conductivité du matériau peut être réduite ou supprimée au moyen d'une procédure de recuit qui est réalisée après la gravure de la procédure de décapage au sable. En d'autres termes, la couche de paroi de séparation 80 est conductrice pendant la procédure de décapage au sable mais après soumission à un recuit, la couche 80 devient une couche de paroi de séparation isolante. Le matériau conducteur mentionné ci-avant sera décrit ultérieurement en détail. Lorsque de la polyaniline, soit un polymère organique conducteur, est utilisée en tant que matériau conducteur, elle est générée de la manière qui suit. Tout d'abord, une solution de Nméthyl-2-pyrrolidone comprenant de la polyaniline à 5 % en poids est déposée par centrifugation sur le substrat en verre 6 afin de former un film mince dessus. Le substrat en verre 6 qui a reçu en dépôt le film mince en polyaniline est immergé dans une solution d'acide sulfurique à 5 % à 40"C pendant environ 2 minutes puis est rincé à l'aide d'eau froide. Puisque le substrat en verre 6 a été immergé dans une solution d'acide sulfurique, le film en polyaniline acquiert une charge électrique et est dopé pour augmenter sa conductivité. Le film mince en polyaniline qui présente une certaine conductivité est raclé sur le substrat en verre 6 et est transformé en poudre. La polyaniline pulvérulente à 5 % en poids se voit ajouter une pâte de verre telle que de l'oxyde de plomb qui est un matériau de paroi de séparation classique et la pâte obtenue est utilisée en tant que matériau de pâte pour les parois de séparation. Comme représenté sur la figure 4A, un film d'électrode d'adresse comportant une structure à trois couches constituée par Cr/Cu/Cr est déposé sur une sous-couche de passivation (non représentée) sur le substrat en verre 6. Le film d'électrode d'adresse est ensuite conformé en utilisant la procédure de lithographie ordinaire afin de former les électrodes d'adresse 7. Suite à cela, comme représenté sur la figure 4B, une couche de verre à point de fusion bas contenant de l'oxyde de plomb en tant qu'élément primaire selon environ 10 llm est formée et est soumise à un recuit afin de constituer la couche diélectrique 10. Comme représenté sur la figure 4C, la couche de matériau de paroi de séparation mentionnée ci-avant 80 à laquelle est ajoutée la polyaniline est formée au moyen d'une impression par sérigraphie de telle sorte que son épaisseur soit d'environ 130 ijm dans une condition à sec. La couche de matériau de paroi de séparation 80 est ensuite séchée. Séquentiellement, un film sec photosensible est collé sur la couche de matériau de paroi de séparation 80 et celui-ci est exposé et développé par photolithographie afin de constituer un film de masquage 11. La couche de matériau de paroi de séparation 80 est conformée au moyen du procédé de décapage au sable en utilisant le film de masquage 11. Lors de cette procédure de conformation, puisque la couche de matériau de paroi de séparation 80 est conductrice, des charges électriques peuvent se déplacer librement au travers de la couche 80 même si l'électrification par collision se produit. En tant que résultat, les charges électriques sont pratiquement uniformément dispersées et une différence au niveau de la vitesse de gravure qui s'accompagne d'un manque d'uniformité au niveau des charges est éliminée. Par conséquent, comme représenté sur la figure 4D, les parois de séparation 80 sont formées sans substance résiduelle subsistant au-dessus des électrodes d'adresse 7. La structure résultante est soumise à un recuit à environ 500"C pendant environ 60 minutes. Pendant ce processus, la polyaniline qui est le polymère organique conducteur contenu dans les parois de séparation 80 est décomposée et se transforme en un matériau isolant. Le présent inventeur a réalisé une analyse thermogravimétrique (TGA) du film en polyaniline après recuit et il a été confirmé que le film en polyaniline exposé à la température de recuit était décomposé et que son poids était modifié. La température du recuit est de préférence de 400"C ou plus lorsqu'une pâte organique conductrice est utilisée. Lorsque le substrat en verre est utilisé, la température de recuit est de préférence inférieure à 600"C tout en prenant le risque d'un endommagement apporté au substrat en verre en considération. Lorsqu'un substrat de céramique résistant à la chaleur est utilisé en tant que substrat isolant, la température de recuit peut être augmentée jusqu'à 1000"C. Lorsque le substrat en verre est soumis à un recuit à une telle température, sa conductivité est perdue. Puis des fluorophosphores de rouge, bleu et vert sont formés sur la couche diélectrique 10 et les parois de séparation 80 au moyen d'une impression et un dégazage est réalisé. Le substrat en verre arrière est ensuite terminé. Les figures 5A à 5C sont des vues en coupe d'un procédé de fabrication d'un substrat en verre arrière selon un second mode de réalisation de la présente invention. Selon ce mode de réalisation, au lieu d'ajouter un matériau conducteur au matériau de paroi de séparation, une couche conductrice 81 est déposée entre une couche de matériau de paroi de séparation classique et une couche diélectrique 10 et après que le procédé de décapage au sable a été terminé, elle est transformée selon un matériau non conducteur par décomposition. La procédure de fabrication qui utilise ce procédé est plus simple que ne l'est le procédé selon lequel la paroi de séparation contient un matériau conducteur. Comme représenté sur la figure 5A, sur la couche diélectrique 10 est déposée la couche conductrice 81 qui inclut 1 % en poids de la poudre de polyaniline mentionnée ci-avant dissoute dans un solvant contenant du toluène en tant qu'élément primaire. Un revêtement par centrifugation est utilisé pour son dépôt, l'épaisseur de la couche 81 étant d'approximativement 0,5 clam. Comme représenté sur la figure 5B, une pâte en verre à point de fusion bas comportant en tant qu'élément primaire la quantité d'oxyde de plomb équivalente à celle des cas classiques est imprimée sur la couche conductrice 81 afin de former une couche de matériau de paroi de séparation 82 de 100 clam. Après que la couche de matériau de paroi de séparation 82 a été séchée, des masques en film sec 11 sont déposés. Puis la couche de paroi de séparation 82 est gravée au moyen du procédé de décapage au sable mentionné préalablement. A cet instant, même lorsqu'une électrification se produit du fait d'une expulsion de manière forcée de particules qui viennent frapper la couche 82, la présence de la couche conductrice 81 permet le déplacement libre des charges électriques générées par l'électrification et ainsi, l'uniformité de la vitesse de gravure est maintenue. Comme représenté sur la figure 5C par conséquent, des parois de séparation 82 sont prévues, aucune substance résiduelle ne subsistant au-dessus des électrodes d'adresse 7. Les parois de séparation 82 sont soumises à un recuit en étant exposées à une atmosphère de recuit à 580"C pendant 30 minutes. En tant que conséquence de son exposition à la température de recuit, le matériau conducteur 81 contenant de la polyaniline est décomposé ou transformé selon un matériau isolant. Comme décrit ci-avant, il est préférable que cette température de recuit soit comprise entre 400 et 600"C pour un substrat en verre et entre 500 et 1000"C pour un substrat de céramique. Suite à cela, de la même manière que dans le premier mode de réalisation, des couches de fluorophosphore de rouge, vert et bleu sont imprimées et un dégazage est réalisé. De cette manière, le substrat en verre est constitué. Pour finir, lorsque le substrat arrière et le substrat avant sont scellés avec un verre de manière à se faire face l'un l'autre, un gaz de décharge tel que du Ne et du Xe est injecté dedans et la procédure de vieillissement est réalisée pour parachever un panneau d'affichage plasma. matériau conducteur] Dans les modes de réalisation mentionnés ci-avant, un exemple dans lequel un polymère organique de polyaniline est utilisé en tant que matériau conducteur a été expliqué. Un autre exemple utilisant un matériau différent sera maintenant décrit. En lieu et place d'un polymère organique, des complexes de transfert de charge comprenant un donneur d'électrons et un accepteur d'électrons peuvent être utilisés. Il est également connu qu'au moyen d'une exposition d'une telle substance à la température de recuit, celle-ci est décomposée et sa conductivité est perdue. Pour que ceci se produise, une température de recuit de 500"C ou plus est préférable. La température de recuit souhaitable pour un substrat de verre est comprise entre 500 et 600"C et pour un substrat en céramique, elle est comprise entre 500 et 1000"C. Le matériau conducteur organique décrit ci-avant est décomposé pendant la réalisation du processus de recuit pour les parois de séparation et il est transformé selon un matériau isolant. Cependant, pour autant que la conductivité des parois de séparation est trop faible pour affecter les caractéristiques électriques du panneau d'affichage plasma, ces parois de séparation peuvent être utilisées. Dans ce cas, un oxyde ou un métal conducteur ou un mélange de ceux-ci peuvent être utilisés en tant que matériau conducteur. Même le matériau d'oxyde conducteur est transformé selon un matériau isolant en modifiant la structure de sa liaison oxygène pendant la réalisation du processus de recuit des parois de séparation, et la matériau de métal est oxydé de telle sorte qu'il soit transformé selon un matériau isolant pendant le processus de recuit. Par conséquent, quel que soit le processus représenté sur les figures 4 et 5 qui est utilisé, la conductivité est élevée pendant la procédure de décapage au sable et est abaissée après que le processus de recuit est réalisé. Un matériau de polymère organique approprié est polyaniline, polythiazyl, polyacétylène, poly-p-phénylène (PPP), poly-pphénylénésulfure (pis), polyphénylénéoxyde (PPO), polyvinylénésulfure (PVS), polybenzothiofure, poly-pphénylénévinylène, poly(2,5-thiénylène-vinylène), polyazulène, polypyrrole, polythiophène, polythiophénévinylène, polysélénophène, polyfurane, poly(3 -alkylthiophène) polyfurane, polytriphénylaminepolypyridinopyridine, polypyrazinopyradine, polyméthylimine, polyoxadiazole ou leurs dérivés ou un mélange de deux ou plus de ces matériaux. Un exemple approprié d'un matériau organique utilisant des complexes de transfert de charge inclut un donneur d'électrons comportant tétrathiafulvalence (TTF), tétrathiotétracène, tétraméthyltétrasélénafulvalence (TMTSF), phénothiazyl ou un, deux ou plus de deux de ces éléments affinés et un accepteur d'électrons comportant tétracyanoquinodiméthane, fluoranyl, trinitrofluorénone, hexacyanobutadiène ou un, deux ou plus de deux de ces éléments affinés. En outre, un exemple du matériau d'oxyde conducteur mentionné ci-avant inclut un, deux ou plus de deux éléments choisis parmi les éléments Snob, In203, Tl203, TlOF, SI5iO3, ReO3, TiO, LaNiO3, LaCuO3, CuRuO, SrIrO3, SrCrO3, Ru02, OsO2 Irez, MoO2, WO2, ReO2, RhO2, ssPtO2, V203, FesO, VO2, Ti203, VO, CrO2, SrV03, CaCrOs, CaFeO3, SrFeO3, SrCoO3, LaCoO3, LuNiO3, CaRuO3, SrRuO3, La2NiO4, Nd2NiO4, CaO et NiO. Le Mo est un choix approprié pour le matériau de métal. Le matériau de métal est de préférence celui qui est transformé selon un oxyde isolant pendant la réalisation du processus de recuit. A titre de comparaison, le présent inventeur a déposé une couche de paroi de séparation 80 contenant de la polyaniline conductrice, comme représenté sur la figure 4C, sur un premier échantillon dans lequel des électrodes d'adresse 7 étalent formées et sur un second échantillon dans lequel des électrodes d'adresse 7 n'étaient pas formées. En tant que troisième échantillon, le présent inventeur a formé sur des électrodes d'adresse une couche de paroi de séparation 80 ne comportant pas de matériau conducteur. Les trois échantillons ont été gravé en utilisant le procédé de décapage au sable. Aucune substance résiduelle n'a été trouvée sur les premier et second échantillons tandis qu'une substance résiduelle a été trouvée sur le troisième échantillon. Il a été confi vitesse de décapage au sable uniforme (vitesse de gravure) peut être maintenue indépendamment de si les électrodes d'adresse sont présentes. Par conséquent, une structure de cellule uniforme peut être obtenue, ce qui contribue notablement à l'amélioration de la performance d'un panneau d'affichage plasma. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma qui comporte deux substrats isolants se faisant face l'un l'autre, un espace de décharge d'intervention les séparant, et qui réalise un affichage en générant une décharge plasma entre des électrodes formées sur lesdits substrats isolants, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'une pluralité d'électrodes sur lesdits substrats isolants; formation d'une couche en pâte conductrice sur lesdits substrats isolants; formation d'un film de masquage sur ladite couche en pâte en des emplacements entre ladite pluralité d'électrodes; propulsion de manière forcée de particules contre ladite couche en pâte afin d'ôter par gravure des parties de ladite couche en pâte ou ledit film de masquage n'est pas formé ; et exposition de ladite couche en pâte à une atmosphère de recuit de maniere à former des parois de séparation entre ladite pluralité d'électrodes. 2. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une conductivité est réduite au niveau de ladite étape au niveau de laquelle ladite couche en pâte est exposée à ladite atmosphère de recuit. 3. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite couche en pâte conductrice inclut un matériau conducteur. 4. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma qui comporte deux substrats isolants se faisant face l'un l'autre, un espace de décharge d'intervention les séparant, et qui réalise un affichage en générant une décharge plasma entre des électrodes formées sur lesdits substrats isolants, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: formation d'une pluralité d'électrodes sur lesdits substrats isolants; formation d'un film mince conducteur sur lesdits substrats isolants; formation d'une couche en pâte sur ledit film mince conducteur; formation d'un film de masquage sur ladite couche en pâte en des emplacements entre ladite pluralité d'électrodes; propulsion de manière forcée de particules contre ladite couche en pâte afin d'ôter par gravure des parties de ladite couche en pâte où ledit film de masquage n'est pas formé ; et exposition de ladite couche en pâte à une atmosphère de recuit de maniere à former des parois de séparation entre ladite pluralité d'électrodes. 5. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'une conductivité est réduite au niveau de ladite étape au niveau de laquelle ladite couche en pâte est exposée à ladite atmosphère de recuit. 6. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que ledit film mince conducteur inclut un matériau conducteur. 7. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 3 ou 6, caractérisé en ce que ledit matériau conducteur contient un polymère organique. 8. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit polymère organique est polyaniline, polythiazyl, polyacétylène, poly-p-phénylene (PPP), poly-p-phénylénésulfure (PPS), polyphénylénéoxyde (PPO), polyvinylénésulfure (PVS), polybenzothiofure, poly-pphénylénévinylène, poly(2,5-thiénylène-vinylène), polyazulene, polypyrrole, polythiophène, polythiophénévinylène, polysélénophene, polyfurane, poly(3 -alkylthiophène) polyfurane, polytriphénylaminepolypyridinopyridine, polypyrazinopyradine, polyméthylimine, polyoxadiazole ou leurs dérivés ou un mélange de deux ou plus de ces matériaux. 9. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 3 ou 5, caractérisé en ce que ledit matériau conducteur inclut des complexes de transfert de charge organique s incluant un donneur d'électrons et un accepteur d'électrons. 10. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdits complexes de transfert de charge organiques incluent un donneur d'électrons comportant tétrathiafulvalène (TTF), tétrathiotétracène, tétraméthyltétrasélénafulvalence (TMTSF), phénothiazyl ou un, deux ou plus de deux types de ces éléments affinés et un accepteur d'électrons comportant tétracyanoquinodiméthane, fluoranyl, trinitrofluorénone, hexacyanobutadiène ou un, deux ou plus de deux de ces éléments affinés. 11. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 3 ou 5, caractérisé en ce ledit matériau conducteur inclut un matériau d'oxyde conducteur. 12. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit matériau d'oxyde conducteur comprend un, deux ou plus de deux éléments choisis parmi les éléments Snob, In203, Tel203, T1OF, SrTiO3, ReO3, TiO, LaNiO3, LaCuO3, CuRuO3, SrIrO3, SrCrO3, RuO2, OsO2 Irez, MoO2, WO2, ReO2, RhO2, ssPtO2, V203, Fe304, VO2, Ti2O3, VO, CrO2, SrV03, CaCrO3, CaFeOs, SrFeO3, SrCoO3, LaCoO3, LuNiO3, CaRuO3, SrRuO3, La2NiO4, Nd2NiO4, CaO et NiO. 13. Procédé de fabrication d'un panneau d'affichage plasma selon la revendication 3 ou 5, caractérisé en ce ledit matériau conducteur contient un matériau métallique. 14. Panneau d'affichage plasma qui comporte deux substrats isolants se faisant face l'un l'autre, un espace de décharge d'intervention les séparant, et qui réalise un affichage en générant une décharge plasma entre des électrodes formées sur lesdits substrats isolants, caractérisé en ce qu'il comprend: une pluralité d'électrodes formées sur l'un desdits substrats isolants ; et une couche de nervure barrière contenant un matériau conducteur formée entre ladite pluralité d'électrodes sur ledit substrat isolant. 15. Procédé de fabrication d'un assemblage de substrat pour un panneau d'affichage plasma, ledit assemblage de substrat étant caractérisé en ce qu'il comporte un substrat isolant, une pluralité d'électrodes s'étendant en parallèle sur le substrat et une pluralité de nervures barrieres en forme de bande qui s'étendent parallèlement auxdites électrodes sur ledit substrat de manière à prendre en sandwich les électrodes et qui définissent des cavités allongées le long des électrodes entre elles, ledit procédé incluant les étapes de: formation de ladite pluralité d'électrodes sur ledit substrat isolant; formation d'une couche en pâte conductrice sur ledit substrat isolant; formation d'une couche de masquage sur la couche en pâte en des emplacements entre la pluralité d'électrodes; propulsion de particules contre la couche en pâte afin de graver des parties de la couche en pâte où la couche de masquage n'est pas formée ; et exposition de la couche en pâte à une atmosphère de recuit de manière à former lesdites nervures barrières entre ladite pluralité d'électrodes.