Brevet FR2754107A1 — publié le 19980403

DETECTEUR DE RAYONNEMENT PHOTONIQUE DE GRANDES DIMENSIONS DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne un détecteur de rayonnement photonique de grandes dimensions. Etat de la technique antérieure Les détecteurs infrarouges de hautes performances actuellement les plus employés sont basés sur une technique d'hybridation d'une puce de détection sur une puce de lecture via un réseau de microbilles (par exemple à base d'indium) assurant l'interconnexion électrique et mécanique des deux puces. Le circuit de lecture qui permet de lire les signaux détectés par chaque pixel et de les multiplexer sur une seule sortie ou un petit nombre de sorties, est un circuit analogique à base de silicium. La complexité de ces circuits (taille, densité, caractère analogique) empêche, en effet, d'envisager raisonnablement toute autre technologie pour les réaliser. La puce de détection est généralement constituée d'un grand nombre de pixels disposés selon une structure bidimensionnelle ou mosaïque à ixj pixels (par exemple 128x128, 256x256, 640x480 pixels) ou éventuellement selon une structure unidimensionnelle ou quasi-unidimensionnelle à ixj pixels avec i=l ou i j (par exemple 288x4, 480x4 pixels) . Pour réaliser des composants de hautes performances, le matériau de détection le plus couramment employé est un alliage CdxHg1xTe (0 Plusieurs variantes technologiques existent pour fabriquer ces jonctions. La technique actuellement la plus mature est basée sur un procédé planaire utilisant une implantation ionique pour former la jonction, comme décrit dans les documents référencés [1] ou [2] en fin de description. On peut souligner que si la prise de contact sur la zone N se fait au niveau de chaque pixel, celle sur la zone P est usuellement commune à toutes les diodes élémentaires constituant le dispositif. Comparativement à d'autres technologies, celle-ci offre de nombreux avantages liés essentiellement à sa relative simplicité qui induit une très bonne reproductibilité/fiabilité : absence de gravures pour définir les surfaces actives, empilement métallurgique simple (cette structure nécessite une seule couche alors qu'au moins deux couches sont nécessaires pour les structures à hétérojonction), moindre sensibilité du niveau de bruit basse fréquence des détecteurs à la polarisation du dispositif. La robustesse et la fiabilité de cette technologie sont démontrées par le fait que les composants ainsi fabriqués ont été les premiers à être disponibles industriellement. De plus il a été récemment montré que l'on pouvait obtenir le même niveau de courant d'obscurité dans ces structures dans lesquelles une jonction matériau N sur matériau P est formée, comme illustré sur les figures 1A et 1B et décrit dans le document référencé [3], que dans les structures à hétérojonction où la zone P se situe au-dessus de la zone N, comme illustré sur la figure 2. En effet, les figures 1A et 1B illustrent respectivement une vue schématique d'un détecteur de rayonnement infrarouge bidimensionnel hybridé sur son circuit de lecture ainsi qu'un agrandissement d'un pixel montrant une coupe d'un élément de détection. Sur la figure 1A sont représentés notamment une puce détectrice 10, un circuit 11 en silicium, et des connexions métalliques 12 (microbilles d'indium par exemple), le signal vidéo étant obtenu en 13. La figure 1B correspond à un agrandissement de la partie référencée 14 sur la figure 1A. Sur cette figure sont représentés un substrat CdZnTe 20, une couche de CdHgTe 21, une diode N/P 22 réalisée dans cette couche 21, une couche de passivation 23, une couche anti-reflet 24, un contact 25, une microbille d'indium 12, un circuit en silicium 27, le rayonnement reçu 28 étant une illumination infrarouge. La figure 2 illustre un détecteur à hétérojonction P sur N comprenant une couche substrat CdZnTe 30 surmontée d'une couche détectrice de type N 31 de CdxHglxTe, d'une couche détectrice de type P 32 de Cd,Hgl-,Te avec y > x, et une couche de passivation 33. Sur cette figure 2 sont également représentés un contact pixel 34, et un contact substrat 35, commun à tous les pixels, qui est situé en bout de mosaïque. Actuellement le besoin en circuits bidimensionnels à très grand nombre de pixels, par exemple de format supérieur ou égal à 256x256 éléments, est de plus en plus pressant. Avec ces composants lorsque l'on cherche à détecter un signal important, comme c'est par exemple le cas dans le mode caméra thermique opérant dans la bande 8-12 pm et en observation d'une scène à une température voisine de 300 K, on peut assister, notamment dans les structures planaires N sur P, à un phénomène de dépolarisation des diodes situées loin des prises de contacts, dites contacts substrat dans la suite de la description, qui se trouvent usuellement en bord de matrice, et qui sont communes à tous les pixels de la matrice comme indiqué ci-dessus. Ce phénomène peut s' avérer très gênant pour faire fonctionner le dispositif et peut même le rendre inutilisable. Il est lié à la valeur de la résistance d'accès à ces diodes du centre du composant. Dans le cas des structures planaires N sur P, cette résistance d'accès est déterminée par les propriétés de transport de la zone P de la couche 21 de CdHgTe (dopage typique dans la gamme de quelques 1016 cm 3 mobilité typique des porteurs (trous) dans la gamme 300-500 cm2/V/s) ainsi évidemment qu'à la taille du composant. Pour remédier à ce problème, certaines solutions évidentes peuvent être proposées. Parmi celles-ci on peut considérer un contact substrat (i.e., dans le cas des structures planaires sur la zone P de la couche 21 de CdHgTe) au voisinage de chaque diode ou de chaque groupe de diodes, de taille suffisamment restreinte pour éviter tout problème de dépolarisation. Ceci implique toutefois une diminution du facteur de remplissage de la mosaïque, et donc une baisse de sa performance, soit au niveau de chaque pixel soit au niveau de chaque groupe de pixels, ainsi qu'une complexité technologique accrue (connectique entre tous les contacts substrats). Une autre solution consiste à augmenter l'épaisseur de la couche 21 de CdHgTe par rapport à la couche habituellement utilisée (épaisseur eO) et donc celle de la zone P qui subsiste après implantation ionique des zones N, dans le cas des structures planaires N sur P. Là encore la performance du dispositif est dégradée : soit le rendement quantique diminue (par exemple si eO est supérieure à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires), soit le courant d'obscurité augmente (si eO est inférieure à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires), soit les deux (si eO est inférieure à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires et si l'épaisseur finale de la couche est supérieure à la longueur de diffusion des porteurs minoritaires). Dans tous les cas le rapport entre le courant photonique et le courant d'obscurité diminue. Ce problème de résistance d'accès se présente à un niveau beaucoup moins important dans les structures à hétérojonction qui utilisent une structure P sur N, comme illustré sur la figure 2, et qui bénéficient des excellentes propriétés de conduction des couches de type N liées à la très haute mobilité des électrons dans ces couches ; dans ces structures c'est cette couche de type N qui assure le contact substrat commun à toutes les diodes. Toutefois cette technologie présente de sérieux inconvénients par rapport à la technologie planaire N sur P. L'invention a pour objet de pallier le problème de résistance série élevée rencontré sur les diodes fabriquées avec la technologie planaire décrite ci-dessus et situées au centre de grandes mosaïques bidimensionnelles à ixj pixels (i et j étant grands, par exemple supérieurs à 128) destinées à détecter un fort niveau de signal, tout en permettant de conserver les caractéristiques électro-optiques des détecteurs. Exposé de l'invention La présente invention concerne un détecteur de rayonnement photonique bidimensionnel de grandes dimensions basé sur une technique d'hybridation d'une puce de détection sur une puce de lecture via un réseau de microbilles assurant l'interconnexion électrique et mécanique des deux puces, la puce de détection étant constituée d'une structure bidimensionnelle de ixj pixels, une couche active étant épitaxée sur un substrat, chaque composant élémentaire photosensible consistant en une diode N/P ou P/N réalisée dans la couche active, la prise de contact sur la zone N ou P se faisant au niveau de chaque pixel, la prise de contact sur l'autre zone P ou N étant commune à toutes les diodes, caractérisé en ce qu'il comprend une couche intermédiaire de grand gap (ou largeur de bande interdite), transparente optiquement et électriquement, située entre la couche active et le substrat. Avantageusement la couche active est une couche de CdxHglxTe, avec 0 0, où x est la composition de la couche de CdxHg1-xTe qui compose la couche active. On peut choisir Xmax Avantageusement l'épaisseur de la couche intermédiaire est comprise entre 10 et 30 plm. Dans une première variante de l'invention cette couche est dopée par écart à la stoechiométrie. Dans une seconde variante cette couche est dopée extrinsèquement de type P avec une impureté. Préférentiellement une impureté diffusant peu dans CdHgTe, par exemple As ou Sb, est employée. La présente invention trouve des applications dans - la détection de rayonnement ; - la détection de rayonnement infrarouge dans la gamme 3-30 pm, en particulier dans les fenêtres de transmission atmosphérique 3-5 pm et 8-12 pm - l'imagerie thermique. Brève description des dessins - Les figures 1A et 1B illustrent respectivement une vue schématique d'un détecteur de rayonnement infrarouge bidimensionnel de l'art antérieur, hybridé sur son circuit de lecture, et un agrandissement d'un pixel montrant une coupe d'un élément de détecteur ; - la figure 2 illustre une vue schématique en coupe d'un détecteur à hétérojonction P sur N de l'art antérieur - la figure 3 illustre un empilement multicouche employé dans le détecteur de l'invention. Exposé détaillé de modes de réalisation L'invention consiste à insérer entre le substrat en CdZnTe 40 et la couche active de CdxHglxTe 41 d'un détecteur tel que celui illustré sur la figure 1, une couche de CdyHglyTe 42 transparente optiquement et électriquement, cette couche 42 étant une couche à grand gap (ou largeur de bande interdite) et la couche active 41 de CdxHglxTe étant une couche à faible gap. Une telle structure se compose d'une couche 42 de CdyHglyTe déposée sur un substrat 40 de Cd1zZnzTe par une quelconque technique d'épitaxie, cette couche étant elle-même surmontée de la couche active 41 de CdxHg1-xTe réalisée par une quelconque technique d'épitaxie, préférentiellement la même que celle employée pour la couche de CdyHg1-yTe (mais cela n'est pas nécessaire). La figure 3 illustre l'empilement métallurgique ainsi réalisé. Préférentiellement l'hétérojonction formée par la juxtaposition de matériaux CdHgTe de compositions différentes présente une gradualité suffisante de manière à éviter la présence d'une éventuelle barrière de potentiel s'opposant au passage des trous de la couche de CdyHg1-yTe à la couche de CdxHglxTe. Cette gradualité peut être formée lors de la croissance épitaxiale ou par un recuit thermique postcroissance. La composition de la couche 42 en CdyHg1yTe est telle que la couche est transparente pour les longueurs d'ondes que l'on cherche à détecter x + e 0, où x est la composition de l'alliage CdxHg1-xTe qui compose la couche active. Plus précisément on choisit xmax L'épaisseur de la couche 42 de CdyHg1yTe est typiquement comprise entre 10 et 30 Wm (d'autres épaisseurs sont cependant possibles). Dans une première variante de l'invention cette couche 42 est simplement dopée par écart à la stoechiométrie. Dans une deuxième variante cette couche 42 est dopée extrinsèquement de type P avec une impureté. Préférentiellement une impureté diffusant peu dans CdHgTe, par exemple As ou Sb, est employée. Le dopage P de CdHgTe avec de telles impuretés a été utilisé dans le passé, par exemple dans les documents référencés [4], [5] et [6]. La résistance d'accès aux pixels d'une mosaïque 2D à partir d'un contact substrat situé en bord de mosaïque est considérablement diminuée par l'adjonction de cette couche 42 ; selon l'épaisseur de cette couche et son niveau de dopage (typiquement entre 1016 et 1017 cl~3, d'une part pour assurer une faible résistance carrée à cette couche, et d'autre part pour éviter une absorption significative par les porteurs libres de la couche du rayonnement que l'on cherche à détecter) une réduction d'un facteur deux à dix, voire plus, de la résistance d'accès aux pixels d'une mosaïque à deux dimensions à partir d'un contact substrat situé en bord de mosaïque peut être obtenue. La couche 42 de CdyHglyTe, qui est déposée, n'influe pas sur les caractéristiques électro-optiques des détecteurs élémentaires. En effet cette couche est transparente aux longueurs d'onde que l'on veut détecter et elle est de plus neutre au niveau électrique : la différence de composition y-x qui peut typiquement être choisie comprise entre 0.1 et xmax - x + 0.1 permet d'assurer une contribution négligeable de la couche 42 de CdyHglyTe au courant d'obscurité du détecteur à sa température de fonctionnement. Comme mentionné ci-dessus, l'empilement métallurgique illustré à la figure 3 peut être réalisé par quelque technique d'épitaxie que ce soit. Cependant, à titre d'exemple et de manière non limitative, on peut utiliser l'épitaxie en phase liquide ou l'épitaxie par jets moléculaires qui ont déjà démontré leur capacité à faire croître des empilements multicouches encore plus complexes que ceux demandés ici, comme décrit dans les documents référencés [6] et [7] par exemple. Le procédé technologique pour la fabrication des jonctions N/P détectrices sur ces structures bicouches, décrit dans les documents référencés [1] et [2] peut alors être employé pour obtenir les dispositifs. Ce concept de diminution de résistance série dans un composant de détection bidimensionnel utilisant un contact commun, par adjonction d'une couche de grand gap transparente optiquement (et électriquement car de plus grand gap), selon 1 invention, est applicable à toute structure de détection (éventuellement à base d'autres semiconducteurs que les alliages CdHgTe, ou à base d'autres éléments de détection que des diodes P/N), hybridée ou non. Un exemple d'application industrielle du détecteur de l'invention est celui des caméras d'imagerie thermique à base de CdHgTe. REFERENCES [1] HgCdTe Infrared Diode Arrays de G.L. Destefanis (Semicond. Sci. Technol., 6, 1991, pages 88-92) [2] Hybrid 256 x 256 LWIR FPA Using MBE Grown HgCdTe On GaAs de A. Kawahara et al. (Proc. SPIE, Vol. 2552, 9-13 juillet 1995, San Diego, pages 411 420) [3] Large Improvement In HgCdTe Photovoltaic Detector Performence At LETI de G. Destefanis, J.P. Chamonal (J. of Electron. Mater., Vol. 22, NO 8, 1993, pages 1027-1032 [4] HgCdTe MBE Technology : A Focus On Chemical Doping de O.K. Wu (Mat. Res. Soc. Symp. Proc., Vol. 302, 1993, pages 423-431 [5] Controlled p-Type Sb Doping In LPE Grown Hgl-xCdxTe Epilayers de T.C. Harman (J. of Electron Mater., Vol. 22, NO 9, 1993, pages 1165-1172) [6] Hg-Rich Liquid Phase Epitaxy of Hgl-xCdxTe de M.H. Kalisher et al. (Prog. Crystal Growth and Charact., Vol. 29, 1994, pages 41-83) [7] Low Threshold Injection Laser In HgCdTe de P. Bouchut et al. (J. Electron. Mater., Vol. 22, N" 8, 1993, pages 1061-1065) REVENDICATIONS 1. Détecteur de rayonnement photonique bidimensionnel basé sur une technique d'hybridation d'une puce de détection sur une puce de lecture via un réseau de microbilles assurant l'interconnexion électrique et mécanique des deux puces, la puce de détection étant constituée d'une structure bidimensionnelle de ixj pixels, une couche active (41) étant épitaxée sur un substrat (40), chaque composant élémentaire photosensible consistant en une diode N/P ou P/N réalisée dans la couche active (41), la prise de contact sur la zone N ou P se faisant au niveau de chaque pixel, la prise de contact sur l'autre zone P ou N étant commune à toutes les diodes, caractérisé en ce qu'il comprend une couche intermédiaire (42) de grand gap, transparente optiquement et électriquement, située entre la couche active (41) et le substrat (40). 2. Détecteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche active (41) est une couche de CdxHglxTe, avec O 0, où x est la composition de l'alliage qui compose la couche active (41). 3. Détecteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que xmax 4. Détecteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que y est inférieur à xmax + 0.1 de manière à conserver un excellent accord de maille entre le substrat (40), la couche intermédiaire (42) et le reste de la structure. 5. Détecteur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche intermédiaire (42) est comprise entre 10 et 30 pm. 6. Détecteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (42) est dopée par écart à la stoechiométrie. 7. Détecteur selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (42) est dopée extrinsèquement de type P avec une impureté. 8. Détecteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que cette impureté diffuse peu dans CdHgTe. 9. Détecteur selon la revendication 8, caractérisé en ce que cette impureté est de type As ou Sb.