Brevet FR2758010A1 — publié le 19980703

Elément magnétorésistif, détecteur magnétique, dispositif d'enregistrement magnétique et leur utilisation. La présente invention concerne un film stratifié qui utilise un matériau magnétique, et en particulier un élément à interaction aiman- tation/conduction qui utilise ce film et a un effet de magnétorésistance de grande sensibilité. Les éléments magnétorésistifs classiques qui utilisent un matériau magnétique comprennent ceux faits d'un empilement métal magnétique/ métal non magnétique ou films stratifiés, comme par exemple un empilement oxyde magnétique/oxyde supraconducteur/ oxyde magnétique décrit dans le brevet japonais non examiné n 63249/1993. Un élément magnétorésistif préparé à l'aide du film stratifié classique a un effet de magnétorésistance aussi faible qu'environ 10%1 dans un fort champ magnétique d'au moins 1000 Oe, ou bien, même si l'effet de magnétorésistance peut être obtenu dans un champ magnéti- que de quelques Oe, l'élément présente un effet de magnétorésistance aussi faible que 5% environ. Donc, lorsque l'élément magnétorésistif est utilisé en tant que détecteur magnétique, il ne crée qu'une faible variation du signal et nécessite donc une amplification du signal et un calibrage du signal. Par conséquent, la structure devient complexe et a pour inconvénient que le coût des dispositifs auxiliaires est supérieur à celui du détecteur proprement dit. Comme en outre un commutateur utilisant le magnétisme est actionné mécaniquement, on rencontre des problèmes associés à la longévité de la partie mobile, aux dimensions importantes de la partie mobile et au faible espace disponible pour le montage du commutateur. Par contre, un matériau ferromagnétique de type perovskite donne une grande variation du signal. Mais son problè- me est qu'il lui faut un champ magnétique relativement important. La présente invention propose quant à elle un détecteur magnétique simple, et un matériau qui élimine la nécessité d'avoir des dispositifs auxiliaires comme un amplificateur. La présente invention propose un élément magnétorésistif comprenant l'association d'un matériau magnétostrictif, électro- conducteur, cristallin ou amorphe, avec une couche électro-isolante et un matériau magnétorésistif de type oxyde, ou l'association d'un maté- 1() riau magnétostrictif de type oxyde, électro-isolant, avec un matériau magnétorésistif de type oxyde. Le matériau magnétorésistif de type oxyde est un oxyde contenant un élément trivalent, comme Mn et une terre rare, en tant que principal élément constitutif, qui devient ferromagnétique en cas de déficit en un élément bivalent comme un métal alcalino-terreux, un élément monovalent comme un métal alcalin, ou en oxygène, ou bien en cas d'écart par rapport à la composition stoechiométrique, même s'il est normalement anti-ferromagnétique à la température de transition magnétique ou en-dessous. Ce matériau a une faible résistance électri- 2() que, comme un métal, dans l'état ferromagnétique à la température de transition magnétique ou en-dessous. Par contre, il a une forte résis- tance électrique, comme un semi-conducteur ou un isolant, dans l'état paramagnétique à une température supérieure à la température de transition magnétique. Dans ce matériau magnétorésistif, un électron d'un composant principal, par exemple Mn, est responsable de l'aiman- tation et de la conduction, et l'effet de magnétorésistance est dû à une relation étroite entre l'aimantation et la conduction. Cet effet a été étudié depuis environ l'année 1994 sous le nom d'effet CMR. Toute- fois, un fonctionnement à température ambiante demande un champ 3) magnétique de plusieurs dizaines de Tesla, et un fonctionnement à faible champ magnétique est nécessaire pour une utilisation dans un capteur ou analogue. Ce matériau magnétorésistif est un oxyde qui contient par exemple du manganèse comme principal élément constitu- tif, et les propriétés magnétiques et électriques sont étroitement reliées à la structure du cristal. Quand par exemple l'élément des terres rares est modifié, c'est-à-dire quand le rayon des ions change, la température de transition magnétique change aussi. On peut attribuer cela à une modification dans l'éelément principal responsable de la conduction et à une relation entre l'élément principal (par exemple le manganese) et l'oxygène. En outre, l'application d'une pression provo- que une modification de la distance relative entre éléments principaux et, donc, une modification de la température de transition magnetique. Donc, pour l'élément à interaction aimantation/conduction de l'oxyde ferromagnétique, l'interaction aimantation/conduction est sensible à une énergie extérieure, c'est-à-dire aux stimuli comme une onde électromagnétique, un champ electrique, un champ magnétique. la lumière, la pression, la chaleur et des sons. Quand on fait passer un courant pendant la création de l'interaction aimantation/conduction. l'électron responsable de la conduction et l'électron du manganèse provoquent l'interaction aimantation/conduction. Dans ce cas, une modification de l'interaction est détectée sous la forme d'une variation de la résistance électrique. Le matériau magnétorésistif de type oxyde est un oxyde ayant une structure de pérovskite DEMnO3, ou une structure de pérovskite à couches DE2nIMnnO2n+l o DE représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant des éléments des terres rares et des éléments alcalino-terreux et n représente un entier égal à I ou plus. Des exemples particuliers comprennent (La, Ca)lMnlOy; (La, Sr)lMnlOy; BilMnlOy; (La, A)lMnlx(Co, Fe, Ni)xOy o A représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Sr, Pb et Cd; (D, E)lMnlxGxOy o D représente au moins un élément des terres rares, E représente au moins un élément alcalino-terreux et G représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Fe, Co, Ni et Cr; {(Pr, Nd), (Ba, Sr)}l(Mnl _xGx)l(); (Bi, Ca)l(MnlxGx)IOy; Lal(MnlxGx)lOy; Gdl(MnlxGx)lOy; J(L. ) M)lOy o J représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Ca, Sr et Pb, L représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ni, Mn, Cr et Fe et M représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant W, Sb, Mo et V; (Sr, La)lMnlIxQxOy o Q représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Co, Ni, Nb, Sb et Ta; La3Mn2Oz; (La, J)3Mn2O,; et (La, J)3(Mn, L)20z o, dans les formules, x est compris entre plus de 0 et 3,5 y est compris entre 2,7 et 3,3 et z est compris entre 5 et 8. Dans la présente demande, "(La, Ca)" signifie par exemple que le matériau contient au moins un élément parmi La et Ca. La couche électro-isolante est formée de préférence d'un oxyde ayant une structure de type pérovskite, et des exemples de maté- riaux qui peuvent être utilisés ici comprennent ROy o R représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Si, Ti, Mo, W. Zr. Ta, Cr, AI, Mg, Hf et Ca et y vaut de 1,4 à 2,2; DOy o D représente 1) au moins un élément des terres rares; JTiOz o J représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Ca, Sr et Pb et z vaut de 2,7 à 3,3; Pbl{(Zr, Ti), L}iOz o L représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ni, Mn, Cr et Fe, ces matériaux ayant une résistivité électrique qui n'est pas inférieure à 107 Q2.cm. L'épaisseur de la couche électro-isolante est de préférence comprise entre 0,001 et 1,0 [m, de manière souhaitable entre 0,003 et 0,1 pm. Le matériau magnétorésistif de type oxyde doit être solide- ment lié physiquement au matériau magnétostrictif et, dans la présente invention, la couche isolante doit être mince tout en conservant la propriété d'isolation électrique. Dans la présente invention, l'épaisseur a pu être amenée à environ 0,1 pm grâce à une croissance épitaxiale alignée utilisant l'oxyde de type pérovskite. Le matériau magnétostrictif est de préférence un matériau ferromagnétique, et l'utilisation de métaux cristallins, de métaux amorphes et d'oxydes est particulièrement préférée. Les métaux ferromagnétiques cristallins préférés que l'on peut utiliser dans la présente invention comprennent ceux représentés par les formules générales DFe2, DFe3, D6Fe23 et D2Fe17 dans lesquel- les D représente au moins un élément des terres rares. Des exemples particuliers de ces métaux comprennent des matériaux contenant pas moins de 50% en volume de l'un quelconque des composés suivants: TbFe2; SmFe2; T(FelxXx)2; T(FeixXx)3 T6(Fel-xXx)23 et T2(Fe1lXx)17 o T représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Tb, Dy, Ho, Sm, Gd, Tm et Er, X représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni et Cu, et x est de préférence compris entre plus de () et 0,5. Le terme de "métal cristallin" désigne tous les métaux dans lesquels existe une phase cristalline (pas une phase amorphe). Les métaux ferromagnétiques amorphes préférés que l'on peut utiliser ici comprennent ceux représentés par les formules générales DFexMey, DFe3, D6Fe23 et D2Fe17 dans lesquelles D représente au moins un élément des terres rares, Me représente au moins un élément semi-métallique, x vaut de 1,8 à 10 et y vaut de 0 à 0,1. Des exemples particuliers de ces métaux ferromagnétiques amorphes que l'on peut utiliser ici comprennent des matériaux conte- nant pas moins de 50% en volume de l'un quelconque des composes suivants: TbFe2B0o01; SmFe2B(o,01; T(FclxXx)2Zy; T(FelXx)3Z,; T6(Fel- xXx)23Zy; et T2(Fel.xXx)17Zy o T représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Tb, Dy, Ho, Sm, Gd, Tm et Er, X représente au moins un élément choisi dans le groupe compre- nant Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni et Cu, Z représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant B, C, Si, P. S, As, Se, Sb et Te, x est compris entre plus de 0 et 0,5 et y est compris entre plus de 0 et 0, 1. Des matériaux magnétostrictifs de type oxyde préférés que l'on peut utiliser ici comprennent les ferrites, un oxyde de fer ayant une structure spinelle et un oxyde de cobalt. Des exemples particuliers de matériaux magnétostrictifs de type oxyde que l'on peut utiliser dans la présente invention compren- nent NiFe204; ColFe204; Y3Fe5O12; Fe304; (Ba, Ph)Fe,04 et BaFe12019 L'élément de détection magnétique (élément à interaction aimantation/conduction) de la présente invention comprend: une structure stratifiée faite d'un film multi-couches comprenant deux couches ou plus formées d'un matériau magnétostrictif et d'un maté- ) riau magnétorésistif de type oxyde; un moyen permettant de faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magné- torésistif de type oxyde. Le film stratifié comprend un mince film de matériau magnétorésistif de type oxyde composé d'un oxyde de type pérovskite à base de Mn; et un matériau ferromagnétique magnéto- strictif. L'unité minimale contient deux couches. Cependant, lorsque le matériau magnétostrictif est électro-conducteur, une couche isolante est disposée entre les deux couches. Dans ce cas, l'unité minimale contient trois couches. Le détecteur magnétique de la présente invention comprend une structure stratifiée faite d'un film multi-couches comprenant deux couches ou plus formées d'un matériau magnétostrictif et d'un maté- riau magnétorésistif de type oxyde; un moyen permettant de faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; un 1() moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magneto- résistif de type oxyde; et un moyen servant à appliquer de l'extérieur une énergie au film stratifié. Le moyen permettant de faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde est un moyen dans lequel un courant est amené par des électrodes de Pt, Ag, Au, Cu ou analogue. La tension créée à ce moment là est surveillée par Liun voltmètre. Les bornes servant à la détection de la tension peuvent être les mêmes que celles d'amenée du courant. Un actionneur, un élément de commutation et une source d'énergie formant la charge peuvent être directement régulés par modification du courant qui circule dans le matériau magnétorésistif de type oxyde. Dans ce cas, seules les bornes permettant la circulation du courant sont nécessaires. L'application de l'extérieur d'une énergie comme une onde électromagnétique, un champ magnétique, une lumière, des sons. une pression ou de la chaleur, au détecteur magnétique fait que la séquence des spins magnétiques du manganèse répond avec une grande sensibilité, et change. Ce changement peut être lu comme une modification du courant ou de la tension. Par conséquent, le détecteur magnétique peut être utilisé comme un actionneur ou un détecteur de grande sensibilité. En outre, la présente invention propose un détecteur magnéti- que et un élément de commande du courant, qui comprend: un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat, et un matériau magnétostrictif, électro- conducteur, cristallin, ou un matériau magnétostrictif, électro-conducteur, amorphe. stratifié sur le matériau magnétorésistif par l'intermédiaire d'une couche d'oxyde électro-isolante; un moyen servant à faire passer Liun courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif de type oxyde, une aimantation étant détectée à partir d'une modifica- tion de la résistance électrique du film stratifié en réponse à l'aimanta- tion dans le cas d'un détecteur magnétique, et l'aimantation étant utilisée pour faire varier le courant dans le cas d'un élément de commande du courant. Dans une autre configuration du film stratifié, le matériau magnétostrictif est placé en position de couche inférieure sur le substrat et le matériau magnétorésistif de type oxyde est placé en posi- tion de couche supérieure, avec interposition de la couche d'oxyde isolante. La présente invention propose en outre un détecteur magnéti- que et un élément de commande du courant, qui comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat, et un matériau magnétostrictif, électro-isolant. stratifié sur le matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen servant à faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le ) matériau magnétorésistif de type oxyde, une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse à l'aimantation dans le cas d'un détecteur magnétique, et l'aimantation étant utilisée pour faire varier le courant dans le cas d'un élément de commande du courant. Dans un autre mode de réalisation du film stratifié, le film peut être formé par stratification du matériau magnétostrictif électro- isolant puis du matériau magnétorésistif de type oxyde sur le substrat. L'élément magnétorésistif ci-dessus, comprenant un film stratifié, peut être utilisé comme un détecteur magnétique de la manièrer suivante. Dans un film à trois couches qui comprend une couche électro-isolante placée entre le matériau magnétostrictif électro- conducteur et le matériau magnétorésistif de type oxyde, une électrode est placée sur le matériau magndétorésistif de type oxyde et est raccordée au moyen servant à l'envoi d'un courant. En outre, une électrode servant à détecter la tension dans la partie de structure à trois couches du film et un moyen de détection de cette tension sont également branchés. L'application d'un champ magnétique à l'élément ayant un tel film à trois couches provoque une modification de la résistance électrique du matériau magnétorésistif de type oxyde. Quand on lfait circuler un courant dans l'électrode, on peut surveiller la modification de la tension dans l'électrode de détection de la tension, ce qui permet d'utiliser cet élément dans un détecteur ou élément de détection des champs magnétiques. Par ailleurs, dans un film à deux couches qui comprend un matériau magnétostrictif électro-isolant et un matériau magnétorésistif de type oxyde, une électrode est placée sur le matériau magnétorésistif de type oxyde et est raccordée au moyen d'envoi d'un courant. Une électrode de détection de la tension dans la partie de structure à deux couches du film et un moyen de détection de cette tension sont en outre branchés. L'application d'un champ magnétique à l'élément ayant un tel film à deux couches provoque une modification de la résistance électrique du matériau magnétorésistif de type oxyde. Quand on fait circuler un courant dans l'électrode, on peut surveiller la modification de la tension dans l'électrode de détection de la tension, ce qui permet d'utiliser cet élément dans un détecteur ou élément de détection des champs magnétiques. Cet élément est plus avantageux que l'élément ci-dessus qui utilise un matériau magnétostrictif électro-conducteur. car sa structure est plus simple. Dans le cas de la construction ci-dessus, deux bornes de courant servant à permettre la circulation d'un courant dans la direc- tion longitudinale à l'intérieur d'un plan du film et deux bornes de tension servant à détecter la tension produite à cet instant sont placées dans le film stratifié se trouvant sur le substrat. Cet ensemble est en ) outre fixé sur un support et couplé à un moyen d'alimentation en courant et à un moyen de détection de la tension. Dans cet état, l'application extérieure d'un champ magnétique au détecteur magnéti- que provoque une modification de la tension créée dans les bornes de tension, qui dépend de la valeur du champ magnétique appliqué, ce qui permet de détecter ce champ magnétique. Les bornes de courant peuvent être les mêmes que les bornes de tension. Le pourcentage de variation de tension dans ce cas s'élève à une valeur comprise entre 500 et 1000%, ce qui est supérieur de deux ordres de grandeur ou plus à celui obtenu avec un élément magnéto- résistif classique. La résistivité du matériau magnétorésistif de type oxyde vaut de I à 10 mú2.cm, et la valeur absolue de la tension produite est augmentée de 4 à 5 ordres de grandeur par rapport à celle d'un élément magnétorésistif classique. Par conséquent, on peut obtenir un détecteur ou élément de détection magnétique qui a un fort rapport signal/bruit (S/N). De plus, la valeur du courant pendant le fonction- nement de l'élément peut être réduite à environ quelques microampères. ce qui évite la production de chaleur dans l'électrode et les fils de câblage et empêche la détérioration du film magnétorésistif provoquée par la chaleur ainsi produite. On a essentiellement utilisé un matériau magnétique métalli- que comme le Permalloy (Ni-Fe) dans un matériau ferromagnétique à utiliser dans les têtes magnétiques classiques, c'est-dire dans un film magnétorésistif. Au contraire, selon la présente invention, la résistivité du matériau magnétique est aussi élevée que plusieurs dizaines de g..cm. Par conséquent, contrairement à l'art antérieur dans lequel le film magnétorésistif de l'élément doit avoir une épaisseur très faible. n'excédant pas quelques centaines d'Angstrôms, pour assurer une sortie de reproduction élevée, la présente invention permet d'éliminer cette nécessité d'avoir un film de très faible épaisseur. Il n'est pas non plus nécessaire d'augmenter le courant envoyé dans l'élément. Donc, la préparation de ce film ayant une épaisseur faible est inutile et, en outre. le problème de diminution de la sensibilité dû à une augmentation du champ coercitif par les trous d'épingle présents dans le film ne se pose plus. Il est de plus inutile d'envoyer un courant important. ce qui résout le problème de détérioration de l'élément accélérée par la chaleur produite ou autre. Un effet dit de "magnétorésistance géante", qui est un phéno- mène différent de l'effet de magnétorésistance qui précède, a été proposé. Cet effet de "magnétorésistance géante" est un phénomène dans lequel il apparaît un très fort effet de magnétorésistance dans un film stratifié ayant une structure à trois couches qui comprend un matériau non magnétique pris en sandwich entre des matériaux ferro- magnétiques. Ce phénomène est dû à une interaction des spins entre le matériau ferromagnétique du haut et le matériau ferromagnétique du bas, à travers la couche non magnétique. Le détecteur ou élément de détection magnétique qui utilise ce phénomène a pour inconvénient que la sensibilité de détection est faible même si la sortie de reproduc- tion est relativement élevée. Ce problème peut être résolu grâce i la présente invention. En outre, il existe un élément à jonction tunnel lferromagnéti- que en tant qu'élément de détection magnétique, basé sur un principe différent de celui de l'élément de détection magnétique évoqué ci- dessus. Cet élément comprend un isolant très mince, d'une épaisseur de quelques dizaines d'AngstrOms, pris en sandwich entre de minces films de matériau ferromagnétique, et il peut être utilisé comme élément de détection magnétique à fort signal de sortie et de grande sensibilité. Le phénomène d'effet tunnel ferromagnétique se produit uniquement à très basse température, ce qui fait qu'il est difficile d'appliquer ce phénomène à un élément de détection magnétique. Toutefois, selon la présente invention, ce problème peut être résolu et l'utilisation de l'élément près de la température ambiante est possible. La présente invention propose en outre un dispositif d'enre- gistrement magnétique capable de lire un signal magnétique, enregistré dans un support d'enregistrement magnétique, à l'aide d'un élément de détection magnétique, cet élément de détection magnétique compre- nant un film stratifié avec une structure à trois couches qui comprend un oxyde isolant pris en sandwich entre des matériaux magnétiques (c'està-dire le matériau magnétorésistif de type oxyde et le matériau magnétostrictif électro-conducteur, cristallin ou amorphe, qui précè- dent) et le film stratifié lit un signal magnétique enregistré dans le support d'enregistrement magnétique. Quand l'élément de détection magnétique s'approche du support d'enregistrement magnétique o est enregistrée une information, le champ magnétique provenant du support d'enregistrement magnétique provoque une variation de la tension de détection par exemple, qui permet de lire l'information inscrite dans le support d'enregistrement magnétique. La présente invention propose en outre un procédé d'utilisa- tion d'un détecteur magnétique, ce détecteur comprenant un substrat et un film stratifié fait d'un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat et d'un matériau magnétostrictif électro-isolant stratifié sur le matériau magnétorésistif de type oxyde, le détecteur magnétique étant utilisé sur une plage étendue de températures allant de 50K a 400K grâce à une régulation de la température de transition magnéti- que du matériau magnétorésistif de type oxyde. A la place du matériau magnétostrictif électro-isolant, on peut stratifier sur le matériau magnétorésistif de type oxyde un matériau magnétostrictif électro- conducteur de type oxyde, avec une couche d'oxyde isolant interposee entre eux. De plus, comme exposé précédemment, le matériau magnéto- strictif et le matériau magnétorésistif de type oxyde peuvent former la couche inférieure ou la couche supérieure, respectivement, dans les deux types de détecteurs magnétiques qui précèdent. L'élément magnétorésistif de la présente invention peut être utilisé dans un dispositif d'enregistrement d'un système de calcul destiné à un ordinateur de grande taille, un ordinateur personnel ou analogue. Il peut en outre être utilisé aussi comme dispositif d'enregis- trement pour une installation de télécommunications optiques ou pour une installation d'actionnement optique, ou encore comme élément arithmétique. De préférence, la préparation du film stratifié ayant une structure à deux couches, par stratification d'un matériau magnétorésistilf de type oxyde et d'un matériau magnétostrictif, ou une structure à trois couches, par stratification d'un matériau magnétorésistif de type oxyde et d'un matériau magnétostrictif avec une couche isolante interposée entre ces matériaux, peut se faire par pulvérisation cathodique, par pulvérisation d'ions, par dépôt sous vide, par laser, par une enduction sol-gel suivie d'un frittage, ou par un procédé équivalent. Il est égale- ment possible de préparer le film stratifié sur un substrat comme un substrat monocristallin d'oxyde d'aluminium et de lanthane, un substrat monocristallin de titanate de strontium, un substrat mono- cristallin d'oxyde de magnésium ou un substrat monocristallin d'oxyde de zirconium. Le substrat est de préférence un substrat en verre, un substrat monocristallin de silicium, un substrat monocristallin d'arsenic gallium, un substrat monocristallin de grenat gallium- gadolinium ou analogue. De préférence, chaque couche de matériau magnétorésistift et chaque couche de matériau magnétostrictif sont formées par croissance mutuelle suivant une orientation épitaxiale. Lors de la préparation du film stratifié, dans le cas d'un matériau magnétorésistif de type oxyde, la température du substrat est établie à une valeur optimale comprise entre 300 et 80() C, et une atmosphère oxydante (comme 02, 03, N20, N02 ou analogue) est introduite pour préparer la couche de matériau magnétorésistif de type oxyde. Dans le cas d'une couche isolante, la température du substrat est établie à une valeur optimale comprise entre 300 et 800 C, et la couche isolante est ensuite préparée dans une atmosphère oxydante (comme 02, 03, N20, NO2 ou analogue) ou dans le vide. Dans le cas d'un métal, la température du substrat est établie à une valeur optimale comprise entre la température ambiante et 500 C, et la couche métalli- que est ensuite préparée dans l'air sous une pression ne dépassant pas ) 0,13 Pa (10-3 Torr), dans une atmosphère de gaz inerte sous une pression ne dépassant pas 130 Pa (1 Torr) ou dans le vide. Quand le film d'oxyde est formé par pulvérisation cathodique, par dépôt laser ou par enduction, on utilise de préférence une cible frittée ou une poudre de matériau de départ ayant une composition prédéterminée, alors que dans le cas d'undépôt sous vide, on utilise de préférence une source de dépôt d'alliage en phase vapeur en métal ou en alliage ayant une composition chimique prédéterminée. La présente invention peut être utilisée dans un dispositif d'enregistrement magnétique de la manière suivante. On branche un ) moyen servant à envoyer un courant à l'élément de détection magnéti- que de la présente invention et un moyen servant à détecter la tension de l'élément et, séparément à l'élément de détection magnétique, on monte sur le même support un élément servant à inscrire un signal d'information sur le support d'enregistrement magnétique, c'est-à-dire ce qu'on appelle la "tête magnétique d'enregistrement". Le support déplace l'élément vers une position prédéterminée du support d'enre- gistrement magnétique grâce à un système d'entraînement commandé par une section de commande afin qu'un signal d'information puissc être écrit ou lu. Cela donne un dispositif d'enregistrement magnétique de petites dimensions, de grande densité et de grande capacité. Quand le film stratifié de la présente invention est utilisé dans l'élément de détection magnétique, le détecteur ou le dispositif d'enregistrement, il est de préférence utilisé à une température proche de la température de transition magnétique du matériau magnétorésistif ) de type oxyde. La raison en est que, dans cette plage de températures, on peut facilement provoquer un alignement et un désalignement de l'aimantation par une énergie externe. Une utilisation du film stratifié de la présente invention dans cette plage de températures permet d'obtenir un élément de détection magnétique, un détecteur ou un dispositif d'enregistrement ayant une grande sensibilité de détection et une sortie puissante, ce que l'on ne pouvait pas atteindre dans l'art antérieur. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée suivante, faite en référence aux dessins d'accom- 2() pagnement dans lesquels les figures l(a) et l(b) sont des vues en coupe de deux films stratifiés ayant une structure à trois couches, préparés par stratification, les figures 2(a) et 2(h) sont des vues en coupe de deux détec- teurs magnétiques préparés par stratification selon la présente invention, la figure 3 est une courbe montrant le taux de variation de la tension en fonction du champ magnétique appliqué au détecteur magnétique de la présente invention, la figure 4 est une représentation schématique montrant iun autre élément de détection magnétique selon la présente invention, ) la figure 5 est une courbe montrant le taux de variation de la tension en fonction du champ magnétique appliqué à un autre élément de détection magnétique de la présente invention, la figure 6 est une représentation schématique montrant un mode de réalisation dans lequel l'élément magnétorésistif de la présente invention a été appliqué à une installation médicale à domicile, la figure 7 est une courbe montrant la variation de la tension en fonction du temps dans un mode de réalisation dlans lequel l'élément magnétorésistif de la présente invention a été appliqué à une installation médicale à domicile, la figure 8 est une représentation schématique montrant un mode de réalisation dans lequel l'élément magnétorésistif de la présente invention a été appliqué à un détecteur d'approche, et la figure 9 est une courbe montrant la relation entre la tension et la distance entre un objet et l'élément magnétorésistif, dans un mode de réalisation dans lequel l'élément magnétorésistif de la présente invention a été appliqué à un détecteur d'approche. L'utilisation du matériau magnétorésistif de type oxyde et du matériau magnétostrictif permet à la magnétostriction d'appliquer une déformation au matériau magnetorésistif de type oxyde. En outre, l'utilisation du matériau magnétorésistif de type oxyde et du matériau magnétostrictif permet de faire varier la tempéra- ture de transition magnétique du matériau magnétorésistif de type oxyde. L'utilisation du matériau magnétorésistif de type oxyde et du matériau magnétostrictif fait varier l'interaction aimantation/conduction du matériau magnétorésistif de type oxyde. Lors de l'application d'iun champ magnétique, il se produit une aimantation du matériau magnéto- résistif de type oxyde. En même temps, l'application d'une déformation au matériau magnétorésistilf de type oxyde par le matériau magnéto- strictif élève la température de transition magnétique, et il apparaît une aimantation du matériau magnetoresistif de type oxyde à une température proche de la température de transition magnétique. L'apparition de cette aimantation provoque une modification de la conductivité électrique, avec passage d'une caractéristique semi- conductrice ou isolante à une caractéristique métallique. Cela crée un effet de magnétorésistance géante dans le film stratifié fait du maté- riau magnétorésistif de type oxyde et du matériau magnétostrictif, ce qui permet d'obtenir un élément, à sortie puissante et de grande sensi- bilité, qui peut être utilisé comme détecteur ou élément de détection magnétique. En outre, dans un film stratifié ayant une structure à deux couches préparée par stratification d'un matériau magnétorésistil de type oxyde et d'un matériau magnétostrictif sur un substrat, ou une structure à trois couches préparée par stratification d'un matériau magnétorésistif de type oxyde, d'un matériau magnétostrictif et d'une couche isolante placée entre le matériau magnétorésistif de type oxyde et le matériau magnétostrictif, un courant est envoyé dans le matériau magnétorésistif de type oxyde et un champ magnétique est appliqué de l'extérieur. Cela permet au champ magnétique appliqué d'augmenter l'aimantation du matériau magnétorésistif à une température proche de la température de transition magnétique et, en même temps, le maté- riau magnétostrictif est déformé par le champ magnétique, ce qui provoque aussi une déformation de l'oxyde magnétorésistif. Celat provoque donc une modification de la température de transition magnétique et l'interaction aimantation-conduction fait que la tension créée dans la partie stratifiée change en fonction du champ magnétique. De plus, lorsque l'élément de détection magnétique de la présente invention est utilisé comme moyen de lecture d'un signal enregistré dans le support d'enregistrement magnétique, la tension créée dans l'élément varie en fonction du champ magnétique appliqué à l'élément par le support d'enregistrement magnétique. Nous allons maintenant décrire des exemples de modes de réalisation de la présente invention en référence aux figures 1 (a) et 1 (b). Les figures 1(a) et l(b) sont des vues en coupe de deux films stratifiés respectifs comprenant une structure à trois couches sur un substrat 11. Sur les figures l(a) et 1(b), la référence 12 désigne une couche de matériau magnétorésistif de type oxyde, la référence 13 désigne une couche isolante et la référence 14 une couche de matériau magnétostrictif. Dans cet exemple, la couche isolante était faite de SrTiOx (avec x compris entre 2,7 et 3,3), le matériau magnétorésistif de type oxyde était du Lal xSrxMnOy (avec x compris entre 0,15 et 0,3 et y compris entre 2,7 et 3,3), et le matériau magnétostrictif était du SmFe2, SmFe2B001 ou Co2Fe204. Dans ce cas et comme représenté sur les figures l(a) et l(b), l'un ou l'autre des matériaux magnétorésistif de type oxyde et magnétostrictif peut être stratifié en tant que couche supérieure par l'intermédiaire de la couche isolante. En outre, on a utilisé pour le substrat 11 un monocristal ayant subi un polissage miroir. En ce qui concerne l'épaisseur des couches formant le film stratifié ayant une structure à trois couches, on a formé sur un substrat 11 en LaA103 (face 100), ayant des dimensions de 10 mm x 10 mm x 0,5 mm, une couche isolante 13 de 10 nm d'épaisseur, une couche 12 de matériau magnétorésistif de type oxyde de 100 nm d'épaisseur et 1) une couche 14 de matériau magnétostrictif de 500 nm d'épaisseur. Quand le matériau magnétostrictif n'est pas électro-conducteur, on peut omettre la couche isolante 13. Le tableau I résume un exemple des conditions de formation du film pour un matériau magnétostrictif électro-conducteur et le tableau 2 résume un exemple des conditions de formation du film pour un matériau magnétostrictif qui n'est pas électro-conducteur. TABLEAU 1 Couche de matériau magnétorésistif de type oxyde nature de la couche: La0,75Ndo,05Sr0,15Cao,05MnOy (LNSCMO) procédé de formation de la couche dépôt laser en phase vapeur substrat: monocristal LaAIO3, face (100) température du substrat: 650 C nature du gaz de pression partielle oxygène pression totale de l'atmosphère: 0,013 Pa (10-4 Torr) énergie du laser: I J/cm2/impulsion x 10) Hz vitesse de formation de la couche: 0,05 nm/s épaisseur de la couche: 100 nm Couche isolante: nature de la couche: SrTiO2 procédé de formation de la couche: dépôt laser en phase vapeur substrat: sur LNSCMO température du substrat: 400 C nature du gaz de pression partielle: oxygène pression totale de l'atmosphère: 0,013 Pa (10-4 Torr) énergie du laser: I J/cm2/impulsion x 10 Hz vitesse de formation de la couche: 0,05 nm/s épaisseur de la couche: 10 nm Couche de magnétostriction: nature de la couche: SmFe2 procédé de formation de la couche: pulvérisation par magnétron CC substrat: sur SrTiO2 température du substrat: 200 C nature du gaz: Ar pression totale: 0,026 Pa (2.10(-4 Torr) énergie de pulvérisation: 600 V x 0,2 A vitesse de formation de la couche: 0,5 nm/s épaisseur de la couche: 500 nm TABLEAU 2 Couche de matériau magnétorésistif de type oxyde nature de la couche: La0,75Nd()05Sr0(15Cao,05MnOy (LNSCMO) procédé de formation de la couche À dépôt laser en phase vapeur substrat: monocristal LaA103, face (1 00) température du substrat: 650 C nature du gaz de pression partielle: oxygène pression totale de l'atmosphère: 0,013 Pa (10-4 Torr) énergie du laser: I J/cm2/impulsion x 10 Hz vitesse de formation de la couche: 0,05 nm/s épaisseur de la couche: 100 nm Couche de magnétostriction: nature de la couche: Co2Fe2Oz procédé de formation de la couche dépôt laser en phase vapeur substrat: sur LNSCMO température du substrat: 550 C nature du gaz de pression partielle: oxygène pression totale de l'atmosphère: 0,013 Pa (1(-4 Torr) énergie du laser: I J/cm2/impulsion x 10 Hz vitesse de formation de la couche: 0,05 nm/s épaisseur de la couche: 500 nm Des modes de réalisation d'une application du film stratifié ayant une structure à trois couches ou une structure à deux couches a un détecteur magnétique sont représentés sur les figures 2(a) et 2(b). Les figures 2(a) et 2(b) sont des vues schématiques en coupe de détec- teurs magnétiques. Pour la préparation du détecteur magnétique représenté sur les figures 2(a) et 2(b), on forme dans l'ordre, sur un substrat 21 en LaA103 monocristallin, une couche 22 de matériau magnétorésistif de type oxyde en La0,75Nd0o05Sr0o,15Ca0,05MnOy (avec z compris entre 2,7 et 3,3), une couche isolante 23 en SrTiOy (avec y compris entre 2,7 et 3,3) et une couche 24 de matériau magnétostrictif en SmFc,, de la même manière que celle décrite ci-dessus (figure 2(a)). En variante, on peut former dans l'ordre, sur un substrat 21 en LaAIO3 monocristallin. une couche 24 de matériau magnétostrictif en SmFe2, une couche isolante 23 en SrTiOy (avec y compris entre 2,7 et 3,3) et une couche 22 de matériau magnétorésistif de type oxyde en La0, 75Nd0o05Sr0o,15Ca0,05MnOz (avec z compris entre 2,7 et 3,3), de la même manière que celle décrite ci-dessus (figure 2(b)). Des électrodes de platine 25 servant à appliquer un courant au matériau magnétorésistif de type oxyde 22 sont formées sur le matériau magnétorésistif de type oxyde 22. Sur les figures 2(a) et 2(b). la référence 27 désigne une source de courant qui sert à appliquer un courant par l'intermédiaire de l'électrode 25 et qui permet de faire circuler un courant de I tA dans la couche 22 d'oxyde magnétorésistif. Des électrodes de platine 26 sont formées afin que la tension produite dans la partie stratifiée lors de l'application d'un courant au matériau magnétorésistif (le type oxyde 22 puisse être détectée par un voltmètre 28. L'application au détecteur d'un champ magnétique compris entre -1 kOe et I kOe, parallèlement à la couche de matériau magnéto- résistif de type oxyde, fait changer la résistance électrique du matériau magnétorésistif de type oxyde en réponse au champ magnétique, ce qui conduit à une modification de la tension entre les électrodes 26. La figure 3 montre le taux de variation de la tension en fonction du champ magnétique appliqué. Sur la figure 3, les abscisses représentent le champ magnétique appliqué tandis que les ordonnées représentent le taux de variation de la tension (AV) par rapport à la tension créée sans champ magnétique appliqué. Une valeur AV de 0,5 indique la création d'une tension qui est la moitié de la tension créée sans champ magnétique appliqué. La figure 3 montre qu'une variation du champ magnétique externe de I kOe conduit à un taux de variation de la tension de 0,9. Cette valeur n'est pas moins de deux ordres de grandeur plus élevée que celle obtenue avec un élément magnètorésistif classique, par exemple un élément magnétorésistif utilisant un film magnétique en Permalloy. L'utilisation de cette propriété permet * d'obtenir un élément de détection magnétique de grande sensibilité. Un autre mode de réalisation de la présente invention va être décrit en référence à la figure 4. La figure 4 est une représentation schématique du détecteur magnétique de la présente invention. L'élément magnétorésistif représenté sur la figure 4 comprend un substrat 41 en MgO monocristallin et un film stratifié 46, conforme à la présente invention, placé sur le substrat. Le film stratifié 46 a été traité par photolithographie et usinage ionique pour avoir des dimen- sions longitudinale et transversale de 50 x 200 im. Lors de la lforma- tion du film stratifié 46, on forme une couche de 500 nm d'épaisseur de matériau supermagnétostrictif amorphe SmFe2 par pulvérisation cathodique, une couche de 10 nm d'épaisseur d'oxyde isolant SrTiO3 sur celui-ci, et une couche de matériau magnétorésistif de type oxyde en La075Nd0,05Sr0o,15Ca0o,05MnOy(avec y compris entre 2,7 et 3,3) par laser. On envoie à partir de l'électrode un courant de 1 pIA en direction de la surface du film stratifié 46. Sur la figure 4, la référence 47 désigne un voltmètre qui sert à détecter la tension créée dans le film stratifié 46. L'application à l'élément d'un champ magnétique 49 compris entre -100 Oe et 100 Oc, parallèlement à la surface du film de l'élément, fait varier la tension détectée en fonction de l'intensité du champ magnèti- que. La figure 5 montre le taux de variation de la tension en fonction du champ magnétique appliqué. Sur la figure 5, les abscisses représen- tent l'intensité du champ magnétique appliqué tandis que les ordonnées représentent le taux de variation de la tension (AV) en réponse a une variation du champ magnétique, comme sur la figure 3. Un champ 1() magnétique de 50 Oe provoque une valeur AV de 0,8 ce qui indique que la tension est environ 80% inférieure à celle créée lorsque le champ magnétique est nul. Ce taux de variation de la tension n'est pas moins d'un ordre de grandeur supérieur à celui d'un élément magnéto- résistif classique. L'utilisation du film stratifié de la présente inven- tion permet d'obtenir un élément de détection magnétique à sortie puissante et de grande sensibilité. L'élément magnétorésistif de la présente invention peut être utilisé comme tête dans un dispositif d'enregistrement magnétique du fait de l'effet de magnétorésistance décrit ci-dessus, à savoir une bonne sensibilité magnétique, une bonne valeur de sortie et une faible consommation d'énergie. En outre, l'élément magnétorésistif de la présente invention peut être appliqué à un détecteur d'angle de rotation, à un détecteur de position, à un capteur de jauge linéaire, et analogues. Un mode de réalisation va maintenant être décrit, dans lequel l'élément magnétorésistif de la présente invention est utilisé dans un dispositif médical à domicile. La figure 6 est une représentation schématique du dispositif de traitement à domicile. Le dispositif de traitement médical à domicile de la figure 6 est utilisé pour surveiller ) la respiration d'un patient alité ou d'une personne âgée ayant besoin de soins. La référence 63 désigne un patient alité ou une personne âgée. et la référence 61 désigne un aimant permanent placé sur la poitrine de ce patient. La référence 64 désigne un lit. Lors de la respiration. l'aimant 61 se déplace de manière périodique dans la direction verticale. Le déplacement de l'aimant 61 correspond à une variation de distance et, donc, à une variation de l'intensité du champ magnétique pour l'élément magnétorésistif de la présente invention désigné par la réfé- rence 62. L'élément magnétorésistif 62 détecte une modification de la position de l'aimant 61 provoquée par la respiration de la personne comme une modification du champ magnétique. Cette modification est convertie par le détecteur 65 en une variation de tension ou de courant déduite d'une modification de la résistance électrique qui permet de surveiller en continu le déplacement périodique de l'aimant 61. Dans ce cas, lorsqu'il n'y a pas de déplacement périodique de l'aimant 61. un signal est envoyé sous forme optique ou électrique à un dispositif d'alarme 66. Ce dispositif d'alarme peut être relié à un système de surveillance centralisée associé à une alarme, comme une sonnerie, et à un système de communication. La figure 7 montre la variation de la tension fournie pal- l'élément magnétorésistif dans le dispositif médical à domicile de la présente invention. La figure 7 montre la variation de la tension en fonction du temps. Comme représenté sur la figure 7, la respiration fait déplacer verticalement l'aimant, ce qui modifie la distance entre l'aimant et l'élément magnétorésistif 62. Cela conduit à une variation de l'intensité du champ magnétique que reçoit l'élément magnétorèsistif 62, d'o une modification de la résistance électrique. La valeur de cette modification est aussi élevée que plusieurs %, et plusieurs milli- volts en ce qui concerne la tension. Une variation aussi importante de la tension peut être facilement soumise à un traitement du signal et permet de connaître avec sûreté et précision l'état du patient alité ou de la personne âgée à l'aide d'un simple processeur de signal. peu onéreux. L'utilisation d'un système de détection basé sur l'eftfet de ) magnétorésistance selon la présente invention permet de surveiller à domicile une personne âgée ou un patient alité de manière sûre et peu onéreuse, ce qui revenait très cher dans l'art antérieur. Nous allons maintenant décrire un mode de réalisation dans lequel l'élément de détection magnétique de la présente invention est utilisé dans un détecteur d'approche. La figure 8 est une représentation schématique montrant l'utilisation d'un détecteur d'approche utilisé pour rentrer une voiture dans un garage. La référence 81 désigne un garage ou une place de parking et la référence 82 une Voiture. La direction dans laquelle avance la voiture est indiquée par une flèche. Quand la voiture 82 est rangée dans le garage 81, un élément magnétorésistif 83 est placé dans une position o le voiture s'approche du garage et est raccordé à un dispositif de commande et d'alarme 84. Le dispositif de commande et d'alarme 84 permet à un courant de circuler dans l'élément magnétorésistif 83 pour mesurer la tension ou le courant, et de délivrer les résultats de la mesure au dispositif d'alarme afin d'informer le conducteur de ces résultats par un son, une lumière ou analogue. La variation de tension dans le cas o un courant de I pA circule dans l'élément magnétorésistif 83 et o un aimant s'approche est représentée sur la figure 9. Sur la figure 9, les abscisses représen- tent la distance entre l'élément magnétorésistif et l'aimant tandis que les ordonnées représentent la tension produite quand un courant de i tA est envoyé dans l'élément magnétorésistif. Quand l'aimant s'approche de l'élément magnétorésistif, la tension diminue de moitié ) pour une distance de 2 à 3 cm entre l'aimant et l'élément magnétorésistif. Dans le cas d'un aimant en ferrite, la tension diminue de moitié à une distance d'environ 10 cm. Par conséquent, on peut mesurer la distance en surveillant la tension ou le courant. De plus, la partie de détection de ce système comprend un élément magnétorésistif et a donc une structure très simple, est très fiable et peu coûteuse. Selon la présente invention, on peut obtenir un élément de détection magnétique ayant une forte sensibilité et une réponse bonne et rapide, de sorte qu'il est possible d'obtenir un dispositif domestique. un dispositif médical, un dispositif écologique, un dispositif d'enregis- ) trement magnétique ou un instrument de mesure magnétique. Par rapport aux détecteurs d'approche classiques de type mécanique, optique, diélectrique ou autre, le détecteur d'approche de la présente invention est peu coûteux, a une meilleure reproductibilité et demande moins d'entretien. De plus, par rapport au système classi- que de surveillance médicale, le système de surveillance est moins susceptible d'influencer le patient, a une plus grande fiabilité et est bon marché. Quand la présente invention est appliquée à une tête magnetique destinée à l'enregistrement magnétique, il est possible d'obtenir un élément ayant une faible consommation d'énergie et une sortie puissante. De plus, selon la présente invention, on peut avoir un effet de magnétorésistance important à température ambiante, par synergie entre la magnétostriction et la magnétorésistance, ce qui évite dc devoir recourir à une installation de refroidissement. De plus, selon la présente invention, on obtient une f)rte tension de sortie même quand le courant servant à détecter cette tension a une valeur réduite, ce qui présente l'avantage d'empêcher la détérioration de l'élément du fait de la production de chaleur ou analo- gue. De plus, selon la présente invention, la sortie de tension est si élevée que le bruit créé au moment de la production du signal n'a pas d'influence. Donc, le dispositif de détection peut être simplifié, et on obtient un système de faible coût. En outre, selon la présente invention, la variation de la résis- tance est si grande que l'application d'une tension donnée provoque ) une variation importante de la valeur du courant, ce qui permet d'utiliser avantageusement la présente invention dans une commande de courant. Il est bien entendu que la description qui précède n'a été donnée qu'à titre purement illustratif et non limitatif et que des variantes ou des modifications peuvent y être apportees dans le cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Elément magnétorésistif caractérisé en ce qu'il comprend l'association d'un matériau magnétostrictif (14), électro-conducteur, cristallin, avec une couche électro-isolante (13) et un matériau magnéto- résistif de type oxyde (12). 2. Elément magnétorésistif caractérisé en ce qu'il comprend l'association d'un matériau magnétostrictif, électro-conducteur, amorphe, avec une couche électro-isolante et un matériau magnetoresistif de type oxyde. 3. Elément magnétorésistif caractérisé en ce qu'il comprend 1() l'association d'un matériau magnétostrictif électro-isolant de type oxyde avec un matériau magnétorésistif de type oxyde. 4. Elément magnétorésistif selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que le matériau magnétorésistif de type oxyde est un oxyde ayant une structure de pérovskite AMnO3 ou une structure de pérovskite à couches DE2nIMnnO2n+l o DE représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant des éléments des terres rares et des éléments alcalino-terreux et n représente un entier égal à 1 ou plus. 5. Elément magnétorésistif selon la revendication I ou 2, ) caractérisé en ce que la couche électro-isolante est faite d'un oxyde. 6. Elément magnétorésistif selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que les couches formées desdits matériaux constituant l'élément magnétorésistif sont liées mécanique- ment les unes aux autres de façon solide. 7. Elément de détection magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un élément magnétorésistif selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, un moyen (25) pour faire circuler un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde et un moyen (2(6) pour détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif de type ) oxyde. 8. Elément magnétorésistif selon l'une quelconque des reven- dications 1 à 3, caractérisé en ce que le matériau magnétorésistif de type oxyde est l'un quelconque des matériaux suivants: (La, Ca)1MnlOy; (La, Sr)lMnlOy; BilMnlOy; (La, A)iMnlx(Co, Fe, Ni)xOy o A repré- sente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Sr, Pb et Cd; (D, E)lMnlxGxOy o D représente au moins un élément des terres rares, E représente au moins un élément alcalino-teTrreux et G représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Fe. Co, Ni et Cr; {(Pr, Nd), (Ba, Sr)}l(MnlxGx)lOy; Lal(MnlxGx)iO,; (Bi, Ca)l(MnlxGx)lOy; Gdl(MnlxGx)lOy; J(L, M)lOy o J représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Ca, Sr et Pb, L représente au moins un élément choisi dans le groupe compre- nant Ni, Mn, Cr et Fe et M représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant W, Sb, Mo et V; (Sr, La)lMnlxQxOy o Q repré- sente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Co, Ni. Nb, Sb et Ta; La3Mn2Oz; (La, J)3Mn2Oz; et (La, J)3(Mn, L),20z o, dans les formules, x est compris entre plus de 0 et 3,5 y est compris entre 2,7 et 3,3 et z est compris entre 5 et 8. 9. Elément magnétorésistif selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que la couche isolante est faite de l'un quelconque des matériaux suivants: ROy o R représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Si, Ti, Mo, W, Zr, Ta, Cr, AI, Mg. ) Hf et Ca; DOy o D représente au moins un élément des terres rares; JTiOz o J représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ba, Ca, Sr et Pb et z vaut de 2,7 à 3,3; Pbl{(Zr, Ti). L}10z o L représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ni, Mn, Cr et Fe, lesdits matériaux ayant une résistivité électrique qui n'est pas intérieure à 1(07 Ä.cm et, dans lesdits maté- riaux, y étant compris entre 1,4 et 2,2 et z entre 2,7 et 3,3. 10. Elément magnétorésistif selon la revendication 1, caracté- risé en ce que le matériau magnétostrictif électro-conducteur et cristallin est un matériau contenant pas moins de 50% en volume de l'un quelconque des matériaux suivants: T(FelxXx)2; T(FeiXxX)3; T6(FelxXx)23 et T2(Fel.xXx)17 o T représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Tb, Dy, Ho, Sm, Gd, Tm et Er, X représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni et Cu, x étant compris entre plus de 0 et (),5. 1 1. Elément magnétorésistif selon la revendication 2, caracté- risé en ce que le matériau magnétostrictif électro-conducteur et amorphe est un matériau contenant pas moins de 50% en volume de l'un quelconque des composés suivants T(FelxXx)2Zy; T(FelxXx)3Zy; T6(FelxXx)23Zy; et T2(Fel.xXx)17Zy o T représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant Tb, Dy, Ho, Sm, Gd, Tm et Er, X représente au moins un élément choisi dans le groupe compre- nant Ti, V, Cr, Mn, Co, Ni et Cu, Z représente au moins un élément choisi dans le groupe comprenant B, C, Si, P. S, As, Se, Sb et Te, x est compris entre plus de 0 et 0,5 et y est compris entre plus de () et 0,1. 12. Elément magnétorésistif selon la revendication 3, caracté- risé en ce que le matériau magnétostrictif électro-isolant de type oxyde est l'un quelconque des matériaux suivants: NiFe,04: CoIFe204; Y3Fe5012; Feo04; (Ba, Pb)Fe204 et BaFe12O,19 13. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend: un film stratifié ayant une structure à trois couches formée d'un oxyde isolant pris en sandwich entre un matériau magnétostrictif, électro- conducteur et cristallin, et un matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen permettant de l'aire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen servant à détecter une ) tension créée dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à appliquer de l'extérieur une énergie au film stratifié. 14. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un film stratifié ayant une structure à trois couches formée d'un oxyde isolant pris en sandwich entre un matériau magnétostrictif, électro- conducteur et amorphe, et un matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen permettant de faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à appliquer de l'extérieur une énergie au film stratifié. ) 15. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un film stratifié ayant une structure à deux couches formée d'un maté- riau magnétostrictif, électro-isolant et de type oxyde, et d'un matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen permettant de faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnètorésistif de type oxyde; et un moyen servant à appliquer de l'extérieur une énergie au film stratifié. 16. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat, et un matériau magnétostrictif, électro- conducteur et cristallin, placé sur le matériau magnètorésistil par l'intermédiaire d'un oxyde isolant; un moyen servant à fl'aire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif. 1) une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résis- tance électrique du film stratifié en réponse à l'aimantation. 17. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétostrictif, électro- conducteur et cristallin, placé sur le substrat, et un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le matériau magnétostrictif cristallin par l'intermédiaire d'un oxyde isolant; un moyen servant à faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le maté- riau magnétorésistif, une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse à l'aimantation. 18. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat, et un matériau magnétostrictilf. électro-isolant, placé sur le matériau magnétorésistif; un moyen servant à faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif, une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse a l'aimantation. 19. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnètostrictif. électro-isolant, placé sur le substrat, et un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le matériau magnétostrictif, électro-isolant; un moyen servant à faire passer un courant dans le matériau magnéto- resistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnetoresistif, une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse à l'aimantation. 20. Detecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnétorésistif de type oxyde placé sur le substrat, et un matériau magnétostrictif. electro-conducteur et amorphe, placé sur le matériau magnétorésistif de type oxyde par l'intermédiaire d'un oxyde isolant; un moyen 1() servant à faire passer un courant dans le matériau magnétorésistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif, une aimantation étant detectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse a l'aimantation. 21. Détecteur magnétique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat; un film stratifié comprenant un matériau magnetostrictif, électro-conducteur et amorphe, place sur le substrat, et un matériau magnétorésistif de type oxyde, place sur le matériau magnètostrictif, électro-conducteur et amorphe par l'intermédiaire d'un oxyde isolant; un moyen servant à faire passer un courant dans le matériau magneéto- résistif de type oxyde; et un moyen servant à détecter une tension créée dans le matériau magnétorésistif, une aimantation étant détectée à partir d'une modification de la résistance électrique du film stratifié en réponse à l'aimantation. 22. Dispositif d'enregistrement magnétique, capable de lire un signal magnétique, enregistré dans un support d'enrm-egistrement magnétique, à l'aide d'un élément de détection magnetique, caractérisé en ce que l'élément de détection magnetique comprend un film stratifié ayant une structure à trois couches qui comprend un oxyde magnéto- resistif et un matériau magnétostrictif électro-conducteur, cristallin ou amorphe, avec une couche d'oxyde isolant interposée entre eux, et le film stratifié lit un signal magnétique enregistré dans le support d'enregistrement magnétique. 23. Procédé d'utilisation d'un détecteur magnétique, caractérisé en ce qu'un matériau magnétorésistif de type oxyde et un matériau magnétostrictif sont liés mécaniquement l'un à l'autre pour former un détecteur magnétique ayant un faible champ magnétique et une grande sensibilité, et la température de transition magnétique du matériau magnétorésistif de type oxyde est régulée pour que le détecteur magnétique puisse être utilisé sur une plage étendue de températures allant de 50K à 400K. 24. Procédé d'utilisation d'un détecteur magnétique, caractérisé en ce qu'un matériau magnêtorésistif de type oxyde et un matériau magnétostrictif sont liés mécaniquement l'un à l'autre pour tormer un 1) détecteur magnétique fonctionnant avec un faible champ magnétique et une grande sensibilité à température ambiante, ledit détecteur magnéti- que étant incorporé, en service, dans une installation domestique oui médicale.