Brevet FR2758333A1 — publié le 19980717

La présente invention se rapporte à une technique pour la fabrication de dispositifs électroniques ou semi- conducteurs. Plus particulièrement, la présente invention procure une nouvelle technique de photolithographie utilisant, par exemple, une source de lumière de ArF (i.e., 193 nm) et une nouvelle résine de photorésist à amine introduite qui est appropriée pour la photolithographie utilisant la source de lumière de ArF mais n'est pas limitée à cette source de lumière. Dans des exemples de modes de réalisation, la présente invention procure des techniques pour utiliser la nouvelle résine de photorésist dans un procédé de lithographie pour la fabrication de circuits intégrés à semi-conducteurs ou analogues. Dans la fabrication de dispositifs semi-conducteurs très intégrés, la formation précisément contrôlée de structures est souvent requise pour former de petites régions qui forment des éléments de dispositifs électroniques sur une tranche d'un matériau de silicium. Ces régions sont souvent créées par un procédé de photolithographie. La photolithographie utilise souvent des étapes de revêtir par centrifugation une couche mince d'un matériau de photorésist sur une surface de la tranche de silicium ou sur un film sur le silicium o il faut former le motif. La couche mince du matériau de photorésist est souvent sélectivement exposée en utilisant un rayonnement tel qu'une lumière ultraviolette, des électrons ou des rayons X. Un outil d'exposition tel qu'un masque utilisant un "steppeur" expose sélectivement la couche mince du matériau de photorésist. Les régions exposées de la couche mince sont souvent développées par un procédé chimique. Après développement, la couche mince recouvrant la tranche ou le silicium comprend des régions exposées qui restent pour un traitement subséquent. L'étape de traitement subséquent comme une attaque imprime le motif fait par la région exposée dans la tranche de silicium ou film sur le silicium. Les photorésists facultatifs conventionnels sont souvent des matériaux à trois composants. Ces matériaux comprennent un matériau de matrice, couramment appelé la résine, qui sert de liant et établit les propriétés mécaniques du film. Additionnellement, le photorésist comprend un sensibilisateur couramment appelé l'inhibiteur, qui est un composé photo-acide ("PAC"), et un solvant qui met le résist en suspension dans un état liquide jusqu'à ce qu'il soit appliqué au substrat qui est traité. La résine est souvent inerte au rayonnement incident de formation de l'image et ne subit souvent pas de changement chimique lors du rayonnement mais donne au film de résist des propriétés telles qu'une adhérence et une résistance à l'attaque. Additonnellement, la résine donne d'autres propriétés au film comme l'épaisseur du résist, la flexibilité et la stabilité à l'écoulement thermique. Un exemple d'un matériau de résine est une résine conventionnelle de poly(acrylate). La résine de polyacrylate est souvent relativement facile à synthétiser. Par exemple, des techniques conventionnelles de polymérisation sont souvent utilisées pour former ce type de résine dans de nombreuses applications. Malheureusement, ces résines ont une mauvaise résistance à l'attaque et de mauvaises caractéristiques de développement. Dans certains cas la résistance à l'attaque peut être améliorée par introduction d'entités cycliques aliphatiques dans la chaîne du polymère principal de poly(acrylate). Cependant, même dans ces cas il reste toujours de nombreuses autres limites. Par exemples, le développement d'une résine conventionnelle de polyacrylate produit souvent un bord de résist supérieur "arrondi", comme le montre la figure 1, par exemple. En conséquence, la résine de polyacrylate ne peut souvent pas donner des motifs de photorésist de haute résolution mais des motifs de plus basse résolution. Ces motifs de plus basse résolution ne peuvent simplement pas créer des caractéristiques précises pour la fabrication de dispositifs semi- onducteurs très intégrés. De ce qui précède, on peut voir qu'un photorésist amélioré produit pour produire un motif de haute résolution est très souhaitable. La présente invention se rapporte à une technique de fabrication de dispositifs électroniques ou semi- conducteurs. Dans un exemple de mode de réalisation, la présente invention procure une nouvelle technique de photolithographie utilisant ArF comme source de lumière (i.e., 193 nm), et une nouvelle résine de photorésist à amine introduite, qui est appropriée à la photolithographie en utilisant la source de lumière de ArF. Dans d'autres modes de réalisation, la présente invention procure des techniques pour utiliser la nouvelle résine de photorésist dans un procédé de lithographie dans la fabrication de circuits intégrés à semi-conducteurs ou analogues. Dans un mode de réalisation spécifique, la présente invention procure une méthode de préparation du nouveau copolymère de photorésist. Entre autres, le copolymère comprend au moins des cyclo-oléfines aliphatiques et une amine. Le copolymère est préparé généralement à une température comprise entre environ 60 et environ 200 C, mais il peut facilement l'être à d'autres températures. La pression maintenue pendant la préparation est comprise entre environ 200 et 500 atm, mais elle peut être autre. Dans un autre mode de réalisation, la présente invention procure le nouveau copolymère de photorésist. Entre autres, le copolymère comprend au moins des cyclo- oléfines aliphatiques et une amine. Le copolymère est préparé généralement à une température comprise entre environ 60 et environ 200 C, mais il peut également l'être à d'autres températures. La pression maintenue pendant la préparation est comprise entre environ 200 et environ 500 atm, mais elle peut être autre. Dans un autre mode de réalisation, la présente invention procure un copolymère de photorésist comprenant au moins des cyclo-oléfines aliphatiques et une amine. Le copolymère est préparé généralement à une température comprise entre environ 60 et environ 200 C mais il peut également l'être à d'autres températures. La pression maintenue pendant la préparation est comprise entre environ 200 et environ 500 atm, mais elle peut être autre. De nombreux bénéfices sont obtenus par la présente invention. En particulier, la présente invention procure un nouveau copolymère de photorésist qui est supérieur par sa résistance à l'attaque, sa résistance thermique et son adhésivité. De plus, il permet au motif résultant d'avoir une partie supérieure sensiblement rectangulaire plutôt que celle arrondie couramment trouvée dans des résines de photorésist conventionnelles. La stabilité du photorésist est également améliorée. Dans d'autres modes de réalisation, la présente invention permet d'obtenir de meilleurs résultats par une entité d'amine. Dans ce mode de réalisation, la résolution du motif de photorésist est améliorée, la stabilité de PED est accrue et on obtient un profil du photorésist rectangulaire. La présente invention procure un motif de photorésist qui n'est généralement pas influencé par la durée du développement ou analogue comme les techniques conventionnelles (i.e., une perte du haut d'un motif se produit) qui reposent sur un anhydride maléique pour la polymérisation d'une oléfine alicyclique. Ces bénéfices et d'autres sont trouvés dans certains sinon tous les modes de réalisation décrits ici et d'autres. Les bénéfices ci-dessus et d'autres ainsi que les aspects de l'invention deviendront apparents de la description de modes de réalisation en se référant aux dessins joints. - la figure 1 montre un profil d'image d'un motif idéal (A) et un profil d'image d'un motif pratique (B) formé par exposition à la lumière selon la technique conventionnelle ; et - la figure 2 montre un profil de motif formé en utilisant le nouveau copolymère à amine introduite de l'invention. Dans un exemple de mode de réalisation, la présente invention procure une nouvelle résine de photorésist que l'on peut utiliser, par exemple, avec une source de lumière de ArF (i.e., 193 nm). La présente invention procure également une nouvelle résine de photorésist à amine introduite qui est appropriée à la photolithographie, en utilisant ArF comme source de lumière. Additionnellement, la présente invention procure des techniques pour utiliser la nouvelle résine de photorésist dans un procédé de lithographie. Dans un mode de réalisation spécifique, la présente invention appartient à un nouveau copolymère de photorésist consistant en au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine. Des exemples préférés des cyclo-oléfines aliphatiques comprennent le carbonate de vinylène, l'acide 2-cyclopentène-1-acétique, le 2- cyclopentène-1-(t-acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2,]oct-5-ène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carbo- xylique, le bicyclo[2,2,2}oct-5-ène-2-carboxylate, de 2- hydroxyéthyle, le 2-hydroxyéthyl-5-norbonène-2- carboxylate, le 5-norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbonène-2-carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol et leurs structures sont montrées par les formules chimiques suivantes : o = OMC"H2 -CO+ carbonate de 5ÀnyIène acide-2-cycbpentène-i-acéqe 2-cycopenène-i- (acétate de butyle tertiaire) CH20H cyclopentène cyclohexène norbomylène norbornylène-2-rnéthanol Dans la présente invention, on pense généralement que certains composés améliorent des propriétés sélectionnées de la nouvelle résine de photorésist. En particulier, certains effets sont obtenus par l'introduction de cyclo-oléfines aliphatiques. Par exemple, des composés tels que l'acide 2-cyclopentène-1- acétique, l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique et l'acide 5-norbonène-2-carboxylique utilisés comme monomère pour améliorer la sensibilité du photorésist. Le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de butyle tertiaire, le 2-cyclpentène-1-(acétate de butyle tertiaire) et le 5-norbonène-2-carboxylate de butyle tertiaire peuvent être utilisés comme inhibiteur de dissolution. Le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2- hydroxyéthyle et le norbornylène-2-méthanol peuvent être utilisés comme promoteur d'adhérence. Le norbornylène, le cyclopentène, le carbonate de vinylène et le cyclohexène peuvent être ajoutés dans des exemples représentatifs et ne doivent pas limiter le cadre de l'invention. Toute personne d'une compétence ordinaire reconnaîtra d'autres variantes, alternatives et modifications. Dans un mode de réalisation spécifique l'entité d'amine dans le copolymère de photorésist de la présente invention est sélectionnée parmi la N-méthylallyl amine, l'allyl amine, la N-allylaniline, la N-allylcyclohexyl amine et la N-allylcyclopentyl amine et leurs structures sont montrées dans les formules chimiques II qui suivent : H H N CH3 NH2 N) N-rnéthylayl amine alyl amine N-allyl andline N ON H - N-allylcycbhexyl amine N-allylcycbpentyl amine Selon la présente invention, le copolymère est de préférence compris, par son poids moléculaire, entre environ 3 000 et 200 000. On peut utiliser une grande variété de techniques pour obtenir le nouveau copolymère de la présente invention. Par exemple, au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine sont polymérisées à une haute température et sont maintenues à une haute pression en présence d'un initiateur de polymérisation radicalaire. Les composants sont soumis à une polymérisation en masse et une polymérisation en solution. Dans un mode de réalisation, la présente invention peut utiliser une grande variété de solvants. Dans un xemple d'un mode de réalisation, le solvant peut être sélectionné parmi la cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide ou tout mélange de ceux-ci. Additionnellement, les solvants ci-dessus et/ou leurs mélanges peuvent être employés pour la réaction de polymérisation selon la présente invention. L'initiateur de radicaux peut inclure un péroxyde de benzoyle, du 2,2'-azobisisobutyronitrile (AIBN) du peroxyde d'acétyle, du peroxyde de lauryle, du peracétate de butyle tertiaire, du péroxyde du butyle tertiaire et du peroxyde de di-butyle tertiaire et d'autres. Une variété d'initiateurs peut être utilisée. Par exemple, le peroxyde de di-butyle tertiaire peut être utilisé en tant qu'initiateur polymérique, mais sans être limité à ce composé. On peut utiliser AIBN ou le péroxyde de lauryle. En ce qui concerne la température et la pression de polymérisation, on peut les contrôler selon les réactants. Par exemple, la température peut être comprise entre 60 et 200 C, mais elle n'est pas limitée à cette gamme. La pression est comprise entre environ 50 et 200 atm, mais elle n'est pas limitée à cette gamme. En conséquence, la température et la pression sont souvent sélectionnées selon les réactants particuliers utilisés dans le procédé de polymérisation. Selon les réactants, la polymérisation est effectuée pendant un temps sélectionné. Par exemple, la polymérisation radicalaire est de préférence effectuée pendant 1 à 24 heures. Une composition de photorésist positif peut être obtenue en mélangeant le nouveau polymère de photorésist de l'invention avec un générateur de photo-acides dans un solvant organique, d'une manière typique. On peut l'utiliser pour obtenir l'image de résist positif ultrafine. Lors d'une formulation, la quantité du copolymère dépend du solvant organique, du générateur de photo-acides et des conditions de lithographie et elle st de préférence d'environ 10-30 % en poids du solvant organique utilisé pour la fabrication du photorésist. La méthode de fabrication du photorésist utilisant le copolymère selon l'invention est illustrée en détail par la description qui suit. Par exemple, le copolymère de l'invention est dissous dans la cyclohexanone en une quantité de 10-30 % en poids et un sel d'onium ou un acide sulfonique organique, en tant que générateur de photo-acides, est ajouté en une quantité d'environ 0,1-10 % en poids du polymère de résist. La filtration de la solution avec un filtre ultrafin donne une solution du photorésist. Cette solution du photorésist est enduite par centrifugation sur une pastille de silicium qui est alors cuite à l'état mou à une température de 80-150 C pendant 1-5 minutes dans un four ou sur une plaque chaude. Un procédé d'exposition est effectué par l'utilisation d'un steppeur qui emploie une lumière UV profonde ou bien un laser excimeur en tant que source de lumière. Ensuite, la pastille est soumise à une post-cuisson à une température de 100-200 C. Une image de résist positif ultrafine peut être obtenue en immergeant la pastille post-cuite pendant 90 secondes dans une solution à 2,38 % de TMAH. Comme les groupes amine sont enchaînés à la chaîne principale du nouveau copolymère de photorésist de l'invention, ils ne sont pas diffusés par la post- cuisson. Lors de la post-cuisson, une diffusion d'acide se produit dans la couche du photorésist sous la partie en quartz qui est irradiée avec une plus grande énergie lumineuse parce que l'acide est bien plus abondant que l'amine dans la couche tandis que la diffusion de l'acide est empêchée par l'amine dans la couche de photorésist sous la partie de chrome qui est irradiée par peu d'énergie lumineuse. En conséquence, il se forme des images de haute résolution qui ont le même effet que celui montré à la figure 2. De plus, même si les amines bsorbent la lumière de ArF, le motif n'est pas affecté de façon délétère parce que la quantité est plus faible que la quantité du générateur de photo-acides. EXEMPLE I : Synthèse du Copolymère (1) Comme le montre la formule chimique III qui suit, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5norbornène-2-carboxylique et la N-méthylallyl amine ont été chargés à un rapport molaire de 1:1:1:1 dans un réacteur haute pression et polymérisés en présence de peroxyde de di-butyle tertiaire sous une pression d'azote de 50, 60, 70, 80, 90 et 100 atm. Le rendement était de 40 % à 80 atm et de 60 % à 100 atm. H 0 0 ',/N C H3 + OC HOC N CH CO2CH3CH3OH l H2X ~~~~~~~~~~~~~CH3 ~~C H2 co2~~ HOC t ~H2 X CH2 OH o chacun de w, x, y et z représente un rapport de polymérisation. EXEMPLE II : Synthèse du Copolymère (2) Comme montré par la formule chimique IV qui suit, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le arbonate de vinylène, le 5-norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique et la N-méthyallyl amine ont été chargés à un rapport molaire de 1:2:1:1:1 dans un réacteur haute pression et polymérisés à une température de 60-150 C pendant 1-24 heures en présence de AIBN. H o liV~~0 O /-N-CH, )À+ OC a Co HOC CO2CH3CI13OH CE 0A 01 ) x '1 \ 9 ( X0y CH2 OH o chacun de v, w, x, y et z représente un rapport de polymérisation. Comme on l'a précédemment décrit, après avoir été traité avec une solution à 2,38 % en poids de TMAH, le photorésist employant le nouveau copolymère de l'invention peut être développé en un motif sans partie supérieure arrondie, ce qui améliore ainsi significativement la résolution. La présente invention a été décrite à titre d'exemple et on comprendra que la terminologie utilisée est destinée à être dans la nature de la description plutôt pour la limiter. De nombreuses modifications et variantes de la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements ci-dessus. REVENDICATIONS 1. Copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il consiste en au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine. 2. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites au moins deux cyclo- oléfines aliphatiques sont sélectionnées dans le groupe comprenant le carbonate de vinylène, l'acide 2cyclopentène-1-acétique, le 2-cyclopentène-1-(acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate de butyle tertiaire, l'acide bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique, le bicyclo[2,2,2]oct-5ène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2- carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2- carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbornène-2- carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol. 3. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amine précitée est sélectionnée dans le groupe comprenant la N-méthylallyl amine, l'allylamine, la N-allylaniline, la Nallylcyclohexyl amine et la N-allylcyclopentyl amine. 4. Copolymère de photorésist selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le copolymère précité est compris, par son poids moléculaire, entre environ 3 000 et 200 000. 5. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend l'étape de polymériser au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine à une température de 60-200 C sous une pression de 50-200 atm. 6. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdites au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques sont sélectionnées dans le groupe comprenant le carbonate de vinylène, l'acide 2-cyclopentène-1-acétique, le 2cyclopentène-1-(acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carbo- ylique, le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de 2- hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2- hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol. 7. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'amine précitée est sélectionnée dans le groupe comprenant la N-méthylallyl amine, l'allylamine, la Nallylaniline, la N-allylcyclohexyl amine et la N- allylcyclopentyl amine. 9. Photorésist, caractérisé en ce qu'il comprend un copolymère de photorésist d'au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine. 10. Photorésist selon la revendication 9, caractérisé en ce que lesdites au moins deux cyclo- oléfines aliphatiques sont sélectionnées dans le groupe comprenant le carbonate de vinylène, l'acide 2-2cyclopentène-1-acétique, le 2-cyclopentène-l-(acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate de butyle tertiaire, l'acide bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique, le bicyclo[2,2,2]oct-5ène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2- carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2- carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbornène-2- carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol. 11. Photorésist selon la revendication 9, caractérisé en ce que l'amine précitée est sélectionnée dans le groupe comprenant la N-méthylallyl amine, l'allylamine, la N-allylaniline, la N-allylcyclohexyl amine, et la N-allylcyclopentyl amine. 12. Photorésist selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que le copolymère est compris par son poids moléculaire entre environ 3 000 et 200 000. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés, caractérisé qu'il comprend les étapes de : prévoir un substrat ; appliquer un film de résist comprenant un copolymère d'au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine ; exposer une portion du film de résist en utilisant un rayonnement électromagnétique ; développer ledit film de résist pour former une portion exposée dudit substrat correspondant à ladite portion dudit film exposé et accomplir un procédé de fabrication d'un semi-conducteur sur ladite portion exposée dudit substrat. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le copolymère précité d'au moins deux cyclo- oléfines aliphatiques et une amine est polymérisé à une température de 60-200 C sous une pression de 50-200 atm. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques précitées sont sélectionnées dans le groupe comprenant le carbonate de vinylène, l'acide 2-cyclopentène-1-acétique, le 2-cyclopentène-1-(acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carbo- xylique, le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de 2- hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2- hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'amine précitée est sélectionnée dans le groupe comprenant la N-méthylallyl amine, l'allylamine, la N-allylaniline, la N-allylcyclohexyl amine, et la N- allylcyclopentyl amine. 17. Procédé de fabrication d'un dispositif à circuits intégrés selon l'une quelconque des revendications 13 à 16, caractérisé en ce que le copolymère précité est compris par son poids moléculaire entre environ 3 000 et 200 000. 18. Dispositif semi-conducteur partiellement complété, caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat ; et un film de résist comprenant un copolymère d'au moins deux cyclo-oléfines aliphatiques et une amine recouvrant ledit substrat. 19. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 18, caractérisé en ce que les aux moins deux cyclo-oléfines aliphatiques précitées sont sélectionnées dans le groupe comprenant le carbonate de vinylène, l'acide 2-2-cyclopentène-1-acétique, le 2- cyclopentène-1-(acétate de butyle tertiaire), le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de butyle tertiaire l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique, le bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5-norbornène-2-carboxylate de 2-hydroxyéthyle, le 5norbornène-2-carboxylate de butyle tertiaire, l'acide 5norbornène-2-carboxylique, le cyclopentène, le cyclohexène, le norbonylène et le norbonylène-2-méthanol. 21. Dispositif semi-conducteur selon l'une quelconque des revendications 18 à 20, caractérisé en ce que le copolymère précité est compris, par son poids moléculaire, entre environ 3 000 et 200 000. 20. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'amine précitée est sélectionnée dans le groupe comprenant la Nméthylallyl amine, l'allylamine, la N-allylaniline, la N- allylcyclohexyl amine, et la N-allylcyclopentyl amine. 8. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon l'une quelconque des revendications 5 à 7, caractérisé en ce que ledit copolymère est compris, par son poids moléculaire, entre environ 3 000 et 200 000.