Brevet FR2755151A1 — publié le 19980430

PROCéDé ET APPAREIL POUR RECTIFIER DES LIGNES CONDUCTRI S SUR UN SUBSTRAT L'invention est relative à un procédé et à un appareil de rectification d'une ligne métallique sur un substrat. Elle concerne aussi un substrat présentant une ligne métallique rectifiée ou modifiée. Elle se rapporte plus particulièrement à un procédé et à un appareil faisant appel à une ablation au moyen d'un laser et à une projection pour obtenir le dépôt de ligne métallique, l'adhérence des ions métalliques au substrat pouvant être améliorée à l'aide d'effets électrostatique et thermique. Des lignes métalliques sont utilisées de façon courante, notamment pour connecter des circuits sur des plaquettes de circuits imprimés d'ordinateurs personnels et dans des modules à multiplicité de circuits intégrés. Les techniques existantes de dépôts de ligne métallique comprennent le dépôt chimique en phase vapeur à l'aide d'un laser et le dépôt, à l'aide d'un laser, à partir de précurseurs métalliques. Ces techniques présentent intrinsèquement un certain nombre d'inconvénients. Ainsi, les procédés de dépôt chimique en phase vapeur nécessitent des gaz toxiques et une chambre à vide. Le dépôt à partir de précurseurs métalliques nécessite un procédé humide qui peut endommager le circuit environnant ou introduire des défauts dans ce dernier. Une technique de dépôt métallique moins coûteuse et moins dommageable pour l'environnement est l'ablation par laser. L'ablation par laser de pellicules métalliques est une technique bien connue ; elle consiste à focaliser un faisceau laser sur la pellicule métallique. La chaleur et l'onde de choc engendrées par le faisceau laser enlèvent, ou refoulent, les particules de la pellicule. Les pellicules minces de métaux tels que le cuivre et l'or peuvent être aisément éliminées, ou enlevées par ablation, en utilisant des lasers à lumière verte, tels que des lasers à modulation de facteur de qualité et à double rayonnement Nd:YAG, Nd:YLF, ou des lasers à vapeur de cuivre. Dans l'une des techniques d'ablation au laser, on utilise un laser à impulsions afin de déposer des pellicules minces complexes sur des substrats. Quand on utilise cette technique, un faisceau laser focalisé est dirigé, de façon inclinée, sur une pellicule cible. Le faisceau de particules en panache qui provient de la pellicule aboutit sur un substrat disposé parallèlement à la cible. Les particules se déposent ainsi sur le substrat pour former un revêtement épitaxial mince. Dans cette technique, le substrat et la cible sont tous les deux sous vide. Cette technique est utile pour effectuer des revêtements de lignes métalliques conductrices sur des grandes surfaces, les lignes n'étant cependant pas localisées. L'invention fournit un procédé pour déposer des lignes métalliques qui est caractérisé en ce qu'on dispose un premier substrat, présentant un revêtement métallique sur sa surface, à distance d'un second substrat de façon telle que ce second substrat soit adjacent au coté du premier substrat présentant le revêtement métallique. Ce revêtement métallique est éliminé par ablation pour émettre des ions du revêtement métallique. Un champ électrique est appliqué aux premier et second substrats afin d'entraîner les ions vers le second substrat et pour faire adhérer de façon électrostatique les ions métalliques au second substrat. Dans une réalisation, on prévoit un réflecteur pour réfléchir de façon répétée, à travers le second substrat, un faisceau laser entre ce réflecteur et la ligne métallique déposée. On chauffe ainsi le second substrat et, de cette façon, on améliore l'adhérence des ions métalliques au second substrat. Selon un autre de ses aspects, l'invention se rapporte à un appareil pour le dépôt de lignes métalliques. On prévoit un premier substrat présentant sur sa surface un revêtement métallique, et un laser est utilisé pour enlever par ablation le revêtement métallique afin d'émettre des ions métalliques. Un second substrat, sur lequel la ligne métallique doit être déposée, est disposé à distance du premier substrat, du côté de la surface présentant le revêtement métallique. Un champ électrique est appliqué aux premier et second substrats pour entraîner les ions métalliques vers le second substrat et pour faire adhérer électrostatiquement les ions au second substrat. L'adhérence des ions métalliques au second substrat est améliorée en chauffant le second substrat à l'aide d'une réflexion répétée d'un faisceau laser à travers le second substrat entre un réflecteur et la ligne métallique déposée. Selon encore un autre aspect de la présente invention, des lignes métalliques sur un premier substrat peuvent être rectifiées ou modifiées, notananent augmentées, en disposant un second substrat, présentant un revêtement métallique sur sa surface, à distance du premier substrat de telle sorte que la ligne métallique sur le premier substrat soit adjacente à la surface du second substrat présentant le revêtement métallique. Le revêtement métallique est éliminé par ablation pour refouler des ions de ce revêtement métallique. Un champ électrique est appliqué au second substrat et à la ligne métallique pour entraîner les ions vers la ligne métallique et pour faire adhérer de façon électrostatique les ions métalliques à la ligne métallique. Selon encore un autre de ses aspects, l'invention concerne un appareil pour rectifier ou modifier, notamment augmenter, une ligne métallique sur un premier substrat. Un second substrat présente un revêtement métallique sur sa surface et un laser est utilisé pour éliminer par ablation le revêtement métal lique afin d'émettre des ions métalliques. La ligne métallique est disposée en face de la surface du second substrat qui présente le revêtement métallique. Un champ électrique est appliqué au second substrat et à la ligne métallique pour entraîner les ions métalliques vers la ligne métallique et pour faire adhérer de façon électrostatique les ions à la ligne métallique. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront avec la description de certains de ses modes de réalisation, celle-ci étant effectuée en se référant aux dessins ciannexés sur lesquels la figure 1 est une vue en plan de côté d'un appareil de dépôt de métal par laser pour un exemple de réalisation de la présente invention, la figure 2 est une vue en plan de côté d'un exemple de cellule pour le dépôt métallique et l'adhésion selon la présente invention, la figure 3 est une vue en plan de côté d'un exemple de système de chauffage selon la présente invention, la figure 4A et la figure 4B sont des images au microscope de sections d'échantillons fabriqués en utilisant la présente invention, la figure 5 est une vue en plan de côté d'une cellule pour rectifier une ligne métallique selon un exemple de réalisation de la présente invention, et la figure 6 est une vue de dessous de la cellule représentée sur la figure 5. Dans la présente invention, on utilise la technique d'ablation par laser pour déposer des lignes métalliques sur des substrats en procédant à l'ablation d'une pellicule métallique avec un procédé sec qui ne nécessite pas d'utilisation du vide. En combinaison avec l'ablation par laser, un champ électrique est appliqué au substrat sur lequel on effectue l'ablation et au substrat sur lequel les lignes métalliques sont déposées afin d'entraîner les ions métalliques enlevés par ablation vers leur emplacement de dépôt et de faire adhérer électrostatiquement les ions métalliques à la surface du substrat recevant les dépôts. La figure 1 illustre un appareil de dépôt métallique par laser correspondant à un exemple de réalisation de la présente invention. Dans cet exemple de réalisation, le laser 1 est un laser à état solide à modulation du facteur de qualité Q à harmonique double de type Nd:YLF ou Nd:YAG, par exemple celui distribué par la société Continuum Inc. à Santa Clara, Californie, États-Unis. Le faisceau 13 émis par le laser 1 est agrandi par le télescope 2 en un faisceau élargi 14. Le faisceau 14 atteint le miroir dichroïque 3 qui dirige ce faisceau 14 sur la lentille objectif 4. La lentille objectif 4 focalise le faisceau en une tache à limite de diffraction sur 11 échantillon 5. Dans l'exemple de réalisation montré sur la figure 1, un dispositif d'illumination 11 fournit de la lumière qui est déviée par le miroir 9 vers le miroir dichroïque 3. Le dispositif d'illumination 11 est utilisé comme source blanche pour illuminer l'échantillon 4 de sorte qu'on puisse contrôler le procédé ainsi que l'emplacement de la tache focalisée. On peut utiliser un dispositif d'illumination du type distribué par la société Edmund Scientific Company, à Barrington, New Jersey, États-Unis. Dans l'exemple de réalisation, on utilise aussi une caméra CCD 10 pour faire une image de l'emplacement du procédé et la contrôler. L'image est fournie à l'ordinateur 8 qui calcule les emplacements subséquents du procédé en se basant sur un trajet programmé. N'importe quel type de caméra vidéo peut convenir dans ce but. L'échantillon 5 est supporté par l'étage 6. Ce dernier est équipé de dispositifs de commande de mouvements X-Y 15 qui sont comnandés par l'ordinateur 8. Les dispositifs de comnande de mouvements et l'ordinateur peuvent être fournis par la Société New England Affiliated Technologies à Lawrence, Massachusetts, États-Unis, et ces équipements comprennent, par exemple, un étage de précision X-Y-8080, un dispositif de commande PCX2, et un entraînement à micropas 202M, le dispositif de commande étant interfacé à un ordinateur IBM PC 486 ou à un ordinateur compatible. L'ordinateur 8 commande aussi la puissance du laser 1. En réglant la position de l'étage 6 et la puissance du laser 1, l'ordinateur 8 permet le dépôt de motifs spécifiques sur l'échan- tillon 5. Le dépôt de lignes métalliques sur un substrat est illustré sur la figure 2. Un premier substrat 21, qui est en verre dans l'exemple de réalisation, est disposé dans le trajet du faisceau laser focalisé 17. Le substrat en verre 21 présente un revêtement métallique 22 disposé sur le côté du substrat 21 le plus éloigné de la lentille objectif 4. Le revêtement 22 peut être déposé par des techniques classiques de dépôt par pulvérisation ou par placage de métal. Le faisceau 17 passe à travers le substrat en verre 21 et atteint le revêtement métallique 22 par son côté arrière, c'est-à-dire à l'interface du revêtement métallique 22 et du substrat 21. Le contact du faisceau 17 avec le revêtement métallique 22 entraîne une ablation du revêtement 22. Au cours de l'ablation, des ions métalliques 25 s'éloignent du revêtement métallique 22 et sont accélérés. Un second substrat 23, qui est aussi en verre dans l'exemple de réalisation, est disposé au voisinage du côté du premier substrat 21 qui présente le revêtement métallique 22. Étant donné que les ions métalliques 25 sont accélérés à partir du substrat 21, du fait de l'ablation provoquée par le faisceau laser 17 qui est focalisé, ces ions métalliques 25 entrent en contact avec le second substrat en verre 23. Un champ électrique est appliqué au premier substrat en verre 21 et au second substrat en verre 23 grâce à une alimentation 12. L'alimentation 12, qui engendre le champ électrique dans ce mode de réalisation, présente une électrode positive 30 reliée à la ligne métallique d'initialisation pour assurer un scellement chimique permanent comme discuté ci-dessous. Une électrode négative 31 est connectée au second substrat 23. Dans l'exemple de réalisation de l'invention, les tensions appliquées aux électrodes sont d'au moins 300 volts. Le champ électrique entraîne les ions métalliques 25 chargés positivement vers le second substrat 23. Le transfert d'ions métalliques 25 de la pellicule métallique 22 vers la surface 26 a pour origine la force électrostatique et les ondes de choc acoustiques provoquées par l'ablation au laser. Le champ électrique appliqué au premier et au second substrats en verre 21 et 23 contribue aussi à l'adhérence des ions métalliques 25 au second substrat 23. En raison du contact de l'électrode négative avec le second substrat 23, les ions positifs, tels que les ions sodium dans ce substrat 23, s'éloignent par migration de la surface 26 vers l'électrode négative. Les ions négatifs tels que l'oxygène restent dans le substrat en verre 23. Ces ions négatifs provoquent l'adhérence électrostatique avec les ions métalliques positifs à la surface de contact 26. Un scellement chimique permanent provoqué par une couche mince d'oxyde métallique est formé après disparition (suppression) du champ électrique. Les lignes conductrices métalliques peuvent ainsi être formées sur la surface 26 du second substrat 23 à partir des ions métalliques 25. Une plaque chaude 20 peut être utilisée pour augmenter la migration des ions positifs, dans le second substrat 23 en verre, vers l'électrode négative et, ainsi, améliorer l'adhérence des ions métalliques 25 à la surface 26 du second substrat 23. La chaleur augmente la diffusion et permet une plus grande mobilité des ions dans le verre. La figure 3 illustre, à titre d'exemple, une variante de système et de procédé pour chauffer le second substrat en verre 23. Dans l'exemple de réalisation de la figure 3, le second substrat 23 est chauffé après dépôt d'une ligne métallique 40. Le système et le procédé de la figure 3 s'appliquent aussi, cependant, au chauffage du second substrat 23 au cours du dépôt de la ligne métallique 40. Sur la figure 3, la ligne métallique 40 a été déposée sur la surface 26 du second substrat 23. Dans cet exemple de réalisation représenté, la ligne métallique 40 est en aluminium. Elle peut être également en argent ou en d'autres métaux connus pouvant convenir pour former des lignes métalliques de connexion électrique. Le second substrat 23 repose par une surface 27, à l'opposé de la surface 26, sur un réflecteur métallique 41 à coefficient de réflexion élevé. Le réflecteur métallique 41 est ainsi adjacent à la surface 27 et à l'opposé de la ligne métallique 40. Le réflecteur 41 peut être réalisé en n'importe quelle surface métallique réfléchissante. Dans l'exemple de réalisation représenté, le réflecteur 41 est en aluminium. Pour chauffer le second substrat 23, un faisceau 42 de réseau de diodes laser est focalisé sur une lentille 43. Le réseau de diodes laser (non représenté) utilisé pour former le faisceau 42 peut être n'importe quel réseau de diodes laser connu. Un réseau de diodes laser donné à titre d'exemple est celui distribué par la société Opto Power Corp sous le numéro de référence OPC-AO2O-trrrm-cs (d'une largeur approximative d'un centimètre, avec une distance d'émetteur à émetteur de 400 ssm et une taille d'ouverture d'émetteur de 200 X 1 ym). Le réseau de diodes laser est, dans cette réalisation, une source laser distincte du laser 1. Le faisceau 42 est, dans cet exemple de réalisation, de la lumière dans le proche infrarouge. La lentille 43 focalise le faisceau 42 en un faisceau focalisé 44. Ce faisceau focalisé 44 est dirigé, à travers le second substrat 23, vers le réflecteur 41. Le réflecteur 41 réfléchit le faisceau focalisé 44 en retour vers le haut à travers le second substrat vers la ligne métallique 40. Cette dernière retourne par réflexion le faisceau focalisé 44 vers le bas à travers le substrat 23 vers le réflecteur métallique 41 qui, de nouveau, réfléchit, le faisceau focalisé 44 vers le haut, et ainsi de suite. Le faisceau focalisé 44 subit ainsi plusieurs réflexions entre la ligne métallique et le réflecteur métallique 41. La ligne métallique 40 et le réflecteur 41 agissent comme un guide d'ondes pour le faisceau focalisé 44. Étant donné que le faisceau focalisé 44 est réfléchi de façon répétée à travers le second substrat en verre, ce dernier absorbe une partie de la lumière et ainsi une partie de l'énergie du faisceau focalisé 44. Cette absorption d'énergie chauffe le second substrat 23, ce qui améliore l'adhérence électrostatique des ions métalliques 25 de la ligne métallique 40 à la surface 26 du second substrat 23. Dans l'exemple de réalisation, le second substrat 23 est chauffé à 3000C. Les figures 4A et 4B sont des images prises au microscope, en coupe, de l'interface 50 entre la ligne métallique 40 et le second substrat 23 dans un échantillon fabriqué en utilisant la présente invention. La figure 4A est une image prise au microscope à contraste par interférence de différences (ou interférences destructrices) montrant que la ligne métallique 40 adhère à la surface 26 du second substrat en verre 23. La figure 4B est une image au microscope optique en champ sombre montrant que la ligne métallique 40 adhère à la surface 26 du second substrat en verre 23. Un essai de traction manuelle exécuté sur une ligne métallique échantillon déposée selon la présente invention, en faisant appel au système de chauffage décrit en relation avec la figure 3, a montré une force considérable d'adhérence entre la ligne métallique et le second substrat en verre. Cet essai de traction manuelle a montré qu'unie ligne métallique déposée en utilisant la présente invention adhérait de façon beaucoup plus efficace au substrat que la ligne métallique déposée en utilisant des techniques conventionnelles. Dans l'exemple de réalisation décrit à l'aide de la figure 3, un champ électrique est appliqué au second substrat en verre 23. Le champ électrique agit en combinaison avec le chauffage du second substrat 23 pour améliorer l'adhérence de la ligne métallique 40 au second substrat en verre 23. Sur la figure 3, l'électrode positive 30 est connectée à la ligne métallique 40 et l'électrode négative 31 est connectée au réflecteur métallique 41. Les ions positifs dans le second substrat 23 migrent vers l'électrode négative 31, laissant les ions négatifs s'associer par adhérence électrostatique avec les ions positifs dans la ligne métallique 40. Quand le système de chauffage montré sur la figure 3 est utilisé lors du dépôt de la ligne métallique 40, l'électrode positive 30 reste connectée au revêtement métallique 22 du premier substrat en verre 21 comme montré sur la figure 2. Le réflecteur métallique 41 est inséré sous le second substrat 23 dans la figure 2. Le faisceau focalisé 44 est alors dirigé, à travers le second substrat 23, vers le réflecteur 41 et se réf lé- chit ainsi de façon répétée, comme décrit ci-dessus en relation avec la figure 3, entre le réflecteur 41 et la ligne métallique 41, au cours du dépôt de cette dernière. Le chauffage localisé à l'aide du faisceau de diodes laser en réseau présente l'intérêt que la chaleur est concentrée là où elle est nécessaire par les propriétés de réflexion naturelle du métal déposé. Le substrat eu dessous de la ligne peut être chauffé à une température plus élevée sans endommager d'autres composants comme cela peut arriver quand on utilise une plaque chaude. Le chauffage du substrat augmente la mobilité des ions, ce qui améliore les réactions chimiques qui font adhérer le métal au substrat. Le chauffage peut aussi permettre que le métal déposé s'écoule dans les défauts du substrat, ce qui améliore l'adhérence. En plus, le chauffage, selon l'exemple de réalisation décrit ci-dessus, peut provoquer une forme de recuit localisé des lignes métalliques, qui peut minimiser les frontières ou joints de grain, ou dislocations, dans la structure métallique pour fournir une ligne plus homogène. On se réfère de nouveau à la figure 2. Par le réglage des dispositifs de commande 15 de l'étage et de la puissance du laser 1, l'ordinateur 8 permet le mouvement de l'étage 6, et donc de l'échantillon 5, sous le faisceau 17. Ceci permet que des motifs de ligne métallique soient inscrits sur l'échantillon 5. En variante, le faisceau peut être déplacé avec un dispositif de balayage et une lentille de balayage, l'échantillon étant maintenu immobile sous le faisceau. L'espacement 18 entre le premier substrat en verre 21 et le second substrat en verre 23 peut être réglé pour faire varier la taille caractéristique (largeur) des lignes métalliques résultantes sur le second substrat 23. Lorsque les substrats 21 et 23 sont éloignés l'un de l'autre pour augmenter l'espacement 18, la taille caractéristique des lignes augmente. L'épaisseur du revêtement métallique 22 peut varier afin de modifier l'épaisseur des lignes métalliques sur le second substrat 23. Quand on dispose d'un revêtement métallique 22 plus épais sur le substrat 21, on peut enlever par ablation davantage d'ions métalliques 25. Ceci produit une ligne métallique plus épaisse. La force de la liaison entre les ionse métalliques 25 et le second substrat 23 est améliorée par le chauffage du second substrat 23 (soit au cours du, soit après le, dépôt de la ligne métallique), par l'application d'un champ électrique au premier et au second substrats 21 et 23, et aussi en augmentant l'intensité du faisceau laser 13. Quand la technique de dépôt par ablation laser et projection de métal, avec une liaison effectuée de façon électrostatique selon la présente invention, est utilisée pour former des images, comme lors de la préparation d'un masque de lithographie, cette technique peut former deux masques métalliques simultanément. Quand le revêtement métallique 22 est complètement éliminé par ablation, mettant à nu la surface du substrat 21, on forme un masque ayant une image positive. En même temps un masque complémentaire est formé sur le second substrat 23 présentant une image négative. Les masques positifs et négatifs formés selon cette réalisation de la présente invention peuvent être utilisés sur les photorésists utilisés en lithographie. Des photorésists positifs et négatifs sont utilisés. Le masque positif peut être uti lisé sur le photorésist positif et le masque négatif sur le photorésist négatif. La figure 5 montre une variante d'exemple de réalisation de la présente invention dans laquelle la technique de dépôt métallique par projection au laser est utilisée pour rectifier une ligne métallique sur un substrat, par exemple en remplissant une ouverture dans la ligne métallique. Comne montré sur la figure 5, la pellicule métallique 60 est disposée sur une surface d'un substrat 61. Le faisceau 62 de lumière laser collimatée est dirigé à travers le substrat 61, qui est transparent au faisceau 62, vers le revêtement métallique 60. Ceci provoque l'ablation d'ions 63 du revêtement métallique 60 et leur projection vers le substrat cible 65. Le substrat cible 65 comporte trois électrodes, ou lignes métalliques, 66, 67 et 68. L'une de ces lignes métalliques, celle de référence 67 dans cet exemple, doit être rectifiée. Afin de canaliser les ions 63 plus directement sur la ligne métallique 67 (et non vers les lignes métalliques 66 et 68 ou vers le substrat environnant 65), un champ électrique est appliqué au substrat 61 et à la ligne métallique 67. Comme montré dans l'exemple de réalisation décrit sur la figure 5, ceci est réalisé en connectant une électrode 70 au revêtement métallique 60 et en liant directement l'électrode 71 à la ligne métallique 67. En variante, l'électrode 70 pourrait être connectée au substrat 61. Par la connexion de l'électrode 71 directement à la ligne métallique 67, qui doit être rectifiée, la ligne métallique 67 présente une charge opposée à celle du revêtement métallique 60 et à celle des autres ligne métallique 66 et 68 au voisinage de l'électrode 65. En conséquence, les ions 63 qui sont enlevés par ablation du revêtement métallique 60, qui ont aussi une charge opposée à celle de la ligne métallique 67, sont attirés par la force électrostatique directement vers la ligne métallique 67. En conséquence, un dépôt plus précis, plus fin, des ions 63 peut être obtenu. La figure 6 est une vue de dessous de 1' exemple de cellule illustré sur la figure 5. En focalisant le faisceau 62 de lumière laser collimatée sur la pellicule métallique 60 opposée à l'ouverture 80 dans la ligne métallique 67, en combinaison avec le champ électrique appliqué directement sur la ligne métallique 67, la technique de la présente invention permet le dépôt d'ions métalliques 63 dans l'ouverture 80 de la ligne métallique 67. Un tel dépôt effectue un pontage de l'ouverture 80 vers la ligne métallique 67 et rectifie l'électrode. Comme illustré sur la figure 6, seule une partie de la ligne 67 présente une charge négative. En conséquence, les ions métalliques 63 seront initialement attirés seulement sur cette partie de la ligne. Quand le métal est déposé, cependant, une connexion électrique est finalement réalisée entre les deux parties de la ligne métallique 67, ce qui résulte en l'attraction des ions métalliques 63 vers les deux côtés du pont. Les forces électrostatiques, dues au potentiel appliqué, attirant les ions métalliques 63 vers la ligne métallique 67, réalisent finalement des liaisons fortes des ions aux deux parties de la ligne métallique 67. La technique de la présente invention facilite la rectification d'électrodes en permettant un dépôt précis d'ions métalliques. Ceci est particulièrement utile pour la rectification ou la réparation de lignes métalliques fines. En outre, les lignes métalliques peuvent être allongées, mises en forme, ou augmentées d'une autre manière en utilisant cette technique. REVENDICATIONS 1. Procédé de rectification ou de modification, notamment d' augmentation, d'une ligne métallique sur un premier substrat (23), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à a) disposer un second substrat (21), présentant un revêtement métallique (22) sur l'une de ses surfaces, et à distance du premier substrat (23), de façon telle que la ligne métallique sur le premier substrat soit adjacente à la surface du second substrat présentant le revêtement métallique b) enlever par ablation le revêtement métallique (22) pour émettre des ions à partir de ce revêtement métallique ; et c) appliquer un champ électrique au second substrat (21) et à la ligne métallique pour entraîner les ions (25) vers la ligne métallique et pour contribuer, par effet électrostatique, à l'adhérence desdits ions à cette ligne. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape d'application d'un champ électrique au second substrat et à la ligne métallique comprend la connexion d'une première électrode (30) au second substrat (21) et d'une seconde électrode (31), ayant une charge opposée à celle de la première électrode, à la ligne métallique, de façon telle que la ligne métallique et les ions soient chargés de façon opposée et s'attirent par effet électrostatique. 3. Substrat présentant une ligne métallique rectifiée ou modifiée, notamment augmentée, caractérisé en ce que cette rectification ou cette modification est obtenue par le procédé consistant à a) disposer un second substrat (21) présentant un revêtement métallique (22) sur une de ses surfaces et à distance du premier substrat (23) de façon telle que la ligne métallique sur le premier substrat soit adjacente à la surface du second substrat présentant le revêtement métallique b) enlever par ablation le revêtement métallique pour émettre des ions à partir du revêtement métallique ; et c) appliquer un champ électrique au second substrat et à la ligne métallique pour entraîner lesdits ions vers la ligne métallique et pour contribuer à l'adhérence, par effet électrostatique, des ions à cette ligne métallique. 4. Appareil pour rectifier ou modifier, notamment augmenter, une ligne métallique sur un premier substrat (23), caractérisé en ce qu'il comprend a)un second substrat (21) présentant un revêtement métallique (22) sur une de ses surfaces qui est en face de la ligne métallique b) des moyens pour enlever par ablation le revêtement métallique afin d'émettre des ions métalliques ; et c) des moyens pour appliquer un champ électrique au second substrat et à la ligne métallique pour entraîner les ions métalliques vers la ligne métallique et faire adhérer ces ions à la ligne. 5. Appareil selon la revendication 4, caractérisé en ce que les moyens pour appliquer un champ électrique comprennent une première électrode présentant une première charge et connectée au second substrat, et une seconde électrode présentant une charge opposée à celle de la première électrode et connectée à la ligne métallique, de façon que la ligne métallique et les ions soient chargés de façon opposée et soient ainsi attirés l'un vers l'autre par effet électrostatique. 6. Appareil selon la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce qu'il comporte des moyens de chauffage (42, 43, 44, 41) du substrat présentant la ligne métallique (40). 7. Appareil selon la revendication 6, caractérisé en ce que les moyens de chauffage comprennent, d'une part, un réflecteur sur la face du substrat (23) présentant la ligne métallique (40) qui est opposée à cette dernière et, d'autre part, des moyens pour diriger un faisceau laser vers le réflecteur (41) de façon telle que ce dernier soit réfléchi plusieurs fois sur la ligne métallique (40) et sur ce réflecteur.