Brevet FR2757868A1 — publié le 19980703

La présente invention se rapporte à la fabrication de circuits intégrés. Plus particulièrement, l'invention fournit une résine de photorésist d'ArF et une méthode de préparation de celle-ci et, plus particulièrement, un copolymère de photorésist approprié pour une sous- microlithographie utilisant une lumière de l'ultraviolet lointain (DUV) en tant que source de lumière et une méthode pour préparer un tel copolymère. Egalement, la présente invention fournit un photorésist incluant une telle résine. Récemment les photorésists à amplification chimique ont prévalu dans les dispositifs semi-conducteurs puisqu'on a trouvé qu'ils étaient sensibles à la lumière DUV, qui est reconnue comme une source de lumière appropriée pour accomplir l'intégration élevée du dispositif semi-conducteur. Un photorésist à amplification chimique a généralement un générateur photoacide et un polymère de matrice ayant une structure chimique qui réagit sensiblement avec un acide. En ce qui concerne le mécanisme d'action d'un tel photorésist, lorsque le photorésist est exposé à travers un masque à une source de lumière DUV, des protons sont générés par l'action du générateur photoacide et ensuite, réagissent avec la chaîne principale ou latérale du polymère de matrice. Cette réaction augmente la solubilité du copolymère dans une solution de développement en convertissant la structure du copolymère, par exemple, en le décomposant, en le réticulant ou en changeant sa polarité. Donc, lorsque traité avec la solution de développement, le copolymère est dissous aux régions exposées tandis qu'il reste non dissous aux régions non exposées, laissant ainsi la forme du masque sous la forme d'une image positive sur le substrat. Dans l'intervalle, la résolution des motifs formés par photolithographie est généralement proportionnelle à la longueur d'onde de la source de lumière. Ainsi, des motifs plus fins peuvent être formés lorsque la longueur d'onde est plus courte. Comme résultat de l'effort pour trouver de nouvelles sources lumineuses appropriées pour améliorer la résolution la lumière de l'UV lointain (DUV) a été développée pour l'intégration des dispositifs semi- conducteurs à une échelle de 1 giga ou plus. Généralement, les photorésists doivent avoir une résistance à l'attaque et une résistance thermique élevées. En addition, le photorésist utilisé pour l'ArF doit être développé dans une solution d'hydroxyde de tétraméthylammonium (TMAH) à 2,38%. Cependant, en fait, il est difficile d'obtenir une résine de photorésist qui satisfasse entièrement ces propriétés. Par exemple, les résines ayant un squelette de poly(méthylméthacrylate), qui est transparent à la lumière des courtes longueurs d'ondes ci-dessus, sont faciles à synthétiser. Mais il y a des problèmes en application pratique en raison de leur faible résistance à l'attaque et de leur faible développement dans une solution de TMAH. La résistance à l'attaque peut être améliorée par l'introduction de monomères à cycles aliphatiques dans la chaîne principale. Mais il est virtuellement impossible de synthétiser une résine ayant une chaîne principale consistant en des cycles aliphatiques. De façon à résoudre les problèmes ci-dessus, AT & T (ou Bell Laboratory) a développé une résine ayant du norbornène, de l'acrylate et de l'anhydride maléïque, substitué à la chaîne principale représentée par la formule I suivante: I I O:=0 Dans la Formule I, la partie A anhydride maléïque est utilisée dans le but de polymériser les groupes cyclo-aliphatiques-oléfines mais bien dissoute dans une solution de TMAH à 2,38% même à l'état de non-exposition. Cette dissolution peut être inhibée en augmentant la proportion de la partie Y, substituée au t- butyle, dans la chaîne principale. Dans ce cas, la partie z, fonctionnant pour augmenter l'adhésivité à un substrat, devient relativement faible en proportion, ce qui mène au décollement du photorésist du substrat, par exemple une tranche. En tant que résultat, la formation de bons motifs est impossible par cette méthode. Bell Laboratory a suggéré un système à deux composants incluant un composé cholestérol en tant qu'inhibiteur de dissolution. Cet inhibiteur de dissolution doit, cependant, être ajouté en grande quantité, par exemple, d'environ 30% en poids de la résine, de sorte que les résines du Bell Laboratory sont en principe problématiques en utilisation pour une résine de photorésist. Donc, un objet de la présente invention est de surmonter les problèmes ci-dessus rencontrés dans l'art antérieur et de fournir une résine de photorésist d'ArF qui est peu dissoute dans les solutions de développement sans changement chimique de sa structure en addition à être supérieure en résistance à l'attaque, résistance thermique et adhésivité. Un objet de la présente invention est de fournir un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il est polymérisé à partir d'un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (CI-b COR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o [FORMULE IV] 0 Selon une caractéristique du copolymère de photorésist de l'invention lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t- butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct5-ène-2-carboxylique. Selon une autre caractéristique du copolymère de photorésist de l'invention, R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t- butyle. Selon encore une autre caractéristique du copolymère de photorésist de l'invention ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. Selon toujours une autre caractéristique du copolymère de photorésist ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes dans lesquels R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1, Plus particulièrement le copolymère de photorésist de l'invention est caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, le t-butyl -norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2- carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. L'invention propose également un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend un monomère de 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate de la formule VIII suivante; o H 8 -CH2-CH2-OH HH Selon une caractéristique de ce copolymère de photorésist ledit monomère est synthétisé à partir de cyclopentadiène et de 2-hydroxyéthyl acrylate. Selon une autre caractéristique de ce copolymère de photorésist ledit monomère est préparé par polymérisation de ladite unité récurrente avec le monomère de formule IX suivante: C02CH2CH20H 2-hydroxyéthyl 5-nor- t-butyl 5-norbor- bornène-2-carboxylate nène-2-carboxylate HO acide anhydride 5-norbornène 2- maléique carboxylique Selon encore une autre caractéristique de ce copolymère de photorésist ladite résine comprend le poly(2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate/t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate/acide 5-norbornène 2- carboxylique/anhydride maléïque) de formule X suivante: C) o4OiX (o> OXv'VO4o>?z 02 H H2 CH2 O Un autre objet de la présente invention est de fournir une méthode pour préparer le copolymère de photorésist de l'invention caractérisée en ce qu'elle comprend l'étape de: copolymérisation à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (CJ COR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o [FORMULE IV] Selon une caractéristique de cette méthode pour préparer un copolymère de photorésist de l'invention lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5- ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2] oct-5-êne-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. Selon une autre caractéristique de cette méthode pour préparer un copolymère de photorésist ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle, et le t-butyle. Selon encore une autre caractéristique de cette méthode pour préparer un copolymère de photorésist de l'invention ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. Selon toujours une caractéristique de cette méthode pour préparer un copolymère de photorésist lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon une particularité de cette méthode pour préparer un copolymère de photorésist de l'invention ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. Selon une autre particularité de cette méthode de préparation d'un copolymère de photorésist de l'invention ledit vinylène carbonate et lesdits un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1 sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon encore une autre particularité de cette méthode de préparation d'un copolymère de photorésist de l'invention lesdits initiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et le t- butylperacétate. Selon toujours une particularité de cette méthode de préparation d'un copolymère de photorésist de l'invention lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant une copolymérisation en masse ou une polymérisation en émulsion. Dans cette méthode de préparation d'un copolymère de photorésist de l'invention ledit solvant de polymérisation est choisi dans le groupe incluant le cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide, le tétrahydrofurane seuls ou en combinaison. Un objet supplémentaire de la présente invention est de fournir un photorésist comprenant le copolymère de photorésist qui est un copolymère copolymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (CFbn COR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o0 [FORMULE IV] Selon une caractéristique du photorésist de l'invention lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2] oct-5ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et/ou l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. Selon une autre caractéristique du photorésist de l'invention ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t-butyle. Selon encore une autre caractéristique du photorésist de l'invention ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. Selon toujours une caractéristique du photorésist de l'invention ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et d'un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. Selon toujours une autre caractéristique du photorésist de l'invention lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. Toujours un autre objet de la présente invention est de fournir une méthode pour fabriquer le photorésist caractérisé caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes de: fourniture d'un copolymère qui est copolymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante; mélange dudit copolymère et d'un sensibilisant dans un solvant organique, pour produire une solution de photorésist; avec [FORMULE II] (can COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o0 %?o0 [FORMULE IV] Selon une caractéristique de cette méthode de préparation d'un photorésist lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. Selon une autre caractéristique de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t-butyle. Selon encore une autre caractéristique de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3000 à 000. Selon toujours une caractéristique de cette méthode de préparation d'un photorésist lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléique de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon toujours une autre caractéristique de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit copolymêre est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. Selon une particularité de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit vinylène carbonate et les un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1 sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon une autre particularité de cette méthode de préparation d'un photorésist lesdits intiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et le t-butylperacétate. Selon encore une autre particularité de cette méthode de préparation d'un photorésist lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant une méthode de polymérisation en masse ou de polymérisation en solution. Selon toujours une particularité de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit solvant organique est sélectionné dans le groupe incluant le cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide, le tétrahydrofurane seuls ou en combinaisons. Selon toujours une autre particularité de cette méthode de préparation d'un photorésist ledit sensibilisant comprend un générateur photoacide qui est sélectionné dans le groupe incluant un sel onium ou un acide sulfonique organique. Une autre méthode de préparation d'un photorésist est caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes (i) & (iii) suivantes: (i) étape de dissolution de 9 à 11 g de résine de copolymère de poly (2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/5- norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque) dans 39 à 42 g de solvant méthyl 3-méthoxypropionate; (ii) étape d'ajout de 0,02 à 1 g de triphényl sulfonium triflate ou de dibutylnaphthyl sulfonium triflate ou d'un mélange de ces deux générateurs photoacides dans le produit réactionnel de l'étape (i); et (iii) étape d'agitation et de filtration du produit réactionnel de l'étape (ii) pour produire un photorésist. Un autre objet de cette invention est de fournir une méthode de synthèse d'un monomère caractérisé en ce qu'elle comprend les étapes de: placement d'un cyclopentadiène dans un réacteur et mélange avec un solvant tétrahydrofurane; ajout d'un t-butyl acrylate dans le réacteur; agitation avec lesdits réactants et ensuite réaction sur lesdits réactants; élimination dudit solvant par un évaporateur rotatif après achèvement de la réaction; et réduction de la pression et distillation après élimination dudit solvant, pour produire un t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate. Selon une caractéristique de cette méthode de synthèse d'un monomère ladite méthode utilise environ 66 g de cyclopentadiène, environ 500 g de solvant tétrahydrofurane et environ 128 g de t-butyl acrylate. Selon une autre caractéristique de cette méthode de synthèse d'un monomère ladite étape d'agitation est mise en oeuvre pendant 9 à 11 heures à une température d'environ -20 à 70 C. Selon encore une autre caractéristique de cette méthode de synthèse d'un monomère ladite étape d'agitation est mise en oeuvre pendant 10 heures à la température d'environ -30 à 60 C. Une autre méthode de synthèse d'un monomère proposée par l'invention est caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes (i) à (iv) suivantes: (i) dissolution d'un cyclopentadiène de formule VI suivante et de 2-hydroxyéthylacrylate de formule VII suivante au même taux dans un solvant éther ou tétrahydrofurane; (ii) réaction à une température d'environ -30 à C pendant 24 heures du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) élimination du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de la réaction; (iv) réduction de la pression et distillation du produit réactionnel de l'étape (iii), pour produire un 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, avec [FORMULE VI] [FORMULE VII] C--O LI- { IH2 o0 H Selon une caractéristique de cette méthode de synthèse d'un monomère ledit cyclopentadiène est obtenu par craquage d'un dicyclopentadiène de formule V suivante à une température d'environ 120 à 170 C: [FORMULE V] L'invention fournit également un procédé de préparation d'un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) et (vi) suivantes: (i) étape de placement d'un 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, d'un t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate et d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 5 à 7 heures à 50 à 140 C sous une pression de 30 à 230 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. Selon une caractéristique de ce procédé de préparation d'un copolymère de photorésist ledit procédé comprend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement de 91 g d'un 2-hydroxyéthyl -norbornène-2- carboxylate, 97 g d'un t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate et 86 g de vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 6 heures à 65 à 120 C sous une pression de 50 à 200 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. Un autre procédé de préparation d'un copolymère de photorésist fourni par l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement d'un 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, d'un t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate et d'anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 5 à 7 heures à 50 à 140 C sous une pression de 30 à 230 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. Selon une caractéristique de ce procédé de préparation d'un copolymère de photorésist ledit procédé comprend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement de 91 g d'un 2-hydroxyéthyl -norbornène-2-carboxylate, 97 g d'un t- butyl 5- norbornène-2-carboxylate et 98 g d'anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 6 heures à 65 à 120 C sous une pression de 50 à 200 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. Encore un autre procédé de préparation d'un copolymère de photorésist qui est fourni par l'invention est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes (i) à (vii): (i) étape de placement d'un bicyclo[2,2,2]oct-5- ène-2-hydroxyéthyle, d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t- butylacrylate et d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape d'ajout d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge avec une atmosphère d'azote du réacteur; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 5 à 8 heures à une température de à 80 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. Selon une caractéristique de procédé de préparation d'un copolymère de photorésist ledit procédé comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement de 98 g d'un bicyclo[2,2,2] oct-5-ène-2-hydroxyéthyle, 104 g d'un bicyclo[2,2,2]oct- 5-ène-t-butylacrylate et de 86 g d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape d'ajout de 2 1 d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout de 1,5 g d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 6 heures à 65 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. Toujours un autre procédé de préparation d'un copolymère de photorésist est fourni par l'invention qui est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement d'un bicyclo[2,2,2]oct-5- êne-2-hydroxyéthyle, d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t- butylacrylate et d'un anhydride maléique dans un réacteur; (ii) étape d'ajout d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 5 à 8 heures à une température de à 80 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. Selon une caractéristique de ce procédé de préparation d'un copolymère de photorésist ledit procédé comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement de 98 g d'un bicyclo[2,2,2]oct5-ène-2-hydroxyéthyle, 104 g d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t- butylacrylate et 98 g d'anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape d'ajout de 2 1 d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout de 1,5 g d'azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 6 heures à 65 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape(iv); (vi) étape de précipitation du résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. Toujours un autre procédé de préparation d'un copolymère de photorésist est fourni par l'invention qui est caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) à (iv) suivantes: (i) étape de dissolution d'l mole d'anhydride maléïque de formule IX suivante, 0,05 à 0,8 mole d'un 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, 0,5 à 0,95 mole de t-butyl 5norbornène-2-carboxylate et 0,01 à 0,2 mole d'acide 5-norbornène-2carboxylique dans un solvant tétrahydrofurane ou du toluène; (ii) étape de placement de 0,5 à 1,0 g d'un initiateur azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 4 à 24 heures à 65 à 70 C sous une atmosphère d'azote ou d'argon; et (iv) étape de précipitation et de séchage du produit réactionnel de l'étape (iii) pour produire le copolymère de photorésist poly(2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxy- late/5-norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque). L'invention propose également un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend un monomère de 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2carboxylate de la formule VIII suivante; H i 0- CH2-CH2 OH H Selon une caractéristique de ce copolymère de photorésist ledit monomère est synthétisé à partir de cyclopentadiène et de 2-hydroxyéthyl acrylate. Selon une autre caractéristique de ce copolymère de photorésist ledit monomère est préparé par polymérisation de ladite unité récurrente avec le monomère de formule IX suivante: COCHCHOH + 2-hydroxyéthyl 5-nor- t-butyl 5-norbor- bornène-2-carboxylate nène-2-carboxylate o HOC acide anhydride 5-norbornène 2- maléique carboxylique Selon encore une autre caractéristique de ce copolymère de photorésist ladite résine comprend le poly(2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate/t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate/acide 5-norbornène 2- carboxylique/anhydride maléïque) de formule X suivante: O CH, O40 H /o110 H/4O ? CH- I ' CH, I ' OH Encore un autre objet de la présente invention est de fournir une méthode pour fabriquer un dispositif de circuit intégré, caractérisée en ce que ladite méthode comprend les étapes de: fourniture d'un substrat; application d'un film de résist comprenant un copolymère de photorésist polymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante; exposition d'une portion du film de résist en utilisant une irradition électromagnétique; et développement dudit film de résist pour former une portion exposée dudit substrat correspondant à ladite portion dudit film exposée et mise en oeuvre d'un procédé de fabrication de semi- conducteur sur ladite portion exposée dudit substrat, avec: [FORMULE II] (CI-b COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant un à dix atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] [FORMULE IV] Selon une caractéristique de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, le t-butyl -norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2- carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. Selon une autre caractéristique de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et t-butyle. Selon encore une autre caractéristique de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. Selon toujours une caractéristique de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon toujours une autre caractéristique de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré ledit copolymère de photorésist est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1 en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Selon une particularité de cette méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré lesdits initiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'-azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et le t-butylperacétate. Toujours un autre objet de la présente invention est de fournir un dispositif partiellement complètement semi-conducteur, caractérisé en ce que ledit dispositif comprend: un substrat; et un film de résist comprenant un copolymère de photorésist polymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante recouvrant ledit substrat, avec: [FORMULE II] (Cin COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] [FORMULE IV] Selon une caractéristique de ce dispositif partiellement complètement semi-conducteur lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl -norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2- carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. Selon une autre caractéristique de ce dispositif partiellement complètement semi-conducteur ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle, et le t-butyle. Selon encore une autre caractéristique de ce dispositif partiellement complètement semi-conducteur ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. Selon toujours une caractéristique de ce dispositif partiellement complètement semi-conducteur ledit copolymère de photorésist est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et d'un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. Selon une particularité du dispositif partiellement complètement semiconducteur lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t- butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct5-ène-2-carboxylique. Le nouveau copolymère de photorésist de la présente invention est préparé à partir de un ou plus composés bicycloalcènes de formule II suivante, d'anhydride maléïque de formule III suivante et/ou de vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] COOR o, R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitués ou non-substitués; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] 0 [FORMULE IV] Dans la Formule II, le groupe R préféré est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle et le t-butyle. C'est-à-dire que les exemples préférés du bicycloalcène incluent le 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2- carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate le t-butylbicylo [2,2,2]oct-5-ène- 2carboxylate et/ou l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. Le copolymère de l'invention a un poids moléculaire dans l'intervalle d'approximativement 3000 à 100 000. Un des copolymères préférables de l'invention est préparé à partir de vinylène carbonate et de un ou plus alcènes bicycliques o R est l'hydrogène, le 2-hydroxy éthyle et le t-butyle et n vaut 1. C'est-àdire, qu'il * est sélectionné parmi le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique. Les nouveaux copolymères de la présente invention, consistant en un ou plus composés bicycloalcènes de Formule II, et d'anhydride maléïque de Formule III ou de vinylène carbonate de Formule IV, peuvent être préparés selon des techniques de polymérisation radicalaire ordinaires en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. Ils sont polymérisés par polymérisation en masse ou pour polymérisation en solution. Pour le solvant de polymérisation, le cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide, le tétrahydrofurane seuls ou les combinaisons de ceux- ci peuvent être utilisés. Habituellement, la polymérisation est mise en oeuvre en présence d'un initiateur de polymérisation, tel que le benzoylperoxyde, le 2,2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétyl peroxyde, le lauryl peroxyde et le t-butylperacétate. Une composition de photorésist positif utile pour former de fins motifs positifs dans des dispositifs semi- conducteurs peut être obtenue par mélange du nouveau copolymêre de photorésist de l'invention avec un générateur photoacide dans un solvant organique d'une manière typique. Lors de la formulation, la quantité de polymère dépend du solvant organique, du générateur photoacide et des conditions de lithographie et est de préférence d'environ 10 à 30% en poids du solvant organique utilisé. Pour fabriquer un photorésist, le copolymère de l'invention est d'abord dissous dans du cyclohexanone ou en une quantité de 10 à 30% en poids et un sel onium d'un acide sulfonique organique, en tant que générateur photoacide, est ajouté en une quantité d'environ 0,1 à % en poids du polymère de résist. Ensuite, cette solution est filtrée avec un filtre ultrafin pour mener à une solution de photorésist. Cette solution de photorésist est revêtue par centrifugation sur une tranche de silicium qui est, ensuite, cuite doucement à une température de 80 à 150 C pendant 1 à 5 mn dans une étuve ou sur une plaque chaude. Un procédé d'exposition est mis en oeuvre par l'utilisation d'un appareil de pas à pas et qui emploie une lumière de l'UV lointain ou un laser excimeur en tant que source de lumière. Après cela, la tranche est soumise à une post-cuisson à une température de 100 à 200 C. Une image de résist ultrafine positive peut être obtenue par immersion de la tranche post-cuite pendant 90 secondes dans une solution de TMAH à 2,38%. La présente invention sera mieux comprise à la lumière des exemples suivants qui sont donnés pour illustrer, mais ne sont pas à considérer comme limitant, la présente invention. EXEMPLE I Synthèse du 2-hydroxyéthyl-5-norbornène-2-carboxylate Le dicyclopentadiène de formule V suivante a été craqué à environ 120 à 170 C, obtenant ainsi du cyclopentadiène de formule VI: [FORMULE V] [FORMULE VI] C> Le cyclopentadiène de Formule VI et le 2- hydroxyéthylacrylate de formule VII suivante ont été dissous au même taux dans de l'éther ou du tétrahydrofurane. Après cela, ceci a été mis à réagir à une température d'environ -30 à 60 C pendant 24 heures. Après cela, le solvant a été éliminé en utilisant un évaporateur rotatif et les résidus ont été distillés sous vide pour donner le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate de formule VIII suivante qui était un mélange endo et exo. [FORMULE VII] C -O CH2 CH2 o H [FORMULE VIII] H C-O CH2-CH2-OH EXEMPLE II Synthèse du t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate Dans un réacteur, 66 g de cyclopentadiène ont d'abord été placés et ensuite mélangés avec 500 g de tétrahydrofurane. 128 g de t-butyl acrylate ont été ajoutés dans le réacteur. Après cela, ces réactants ont été soumis à une réaction à une température de -30 & 60 C pendant 10 h avec agitation. Apres la fin de la réaction, le solvant a été vaporisé sous vide par utilisation d'un évaporateur rotatif puis distillé sous vide pour produire le composé titre: le rendement est de 90%. EXEMPLE III Synthèse du copolymère 91 g du 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate synthétisé à l'Exemple I, 97 g du t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate synthétisé à l'Exemple II, et 86 g de vinylène carbonate ont été placés dans un réacteur qui a été, ensuite, purgé avec une atmosphère d'azote. Une réaction a été effectuée pendant 6 heures à 65- 120 C sous une pression de 50 à 200 atm. Après la fin de la réaction, une partie du solvant a été éliminée par un évaporateur rotatif et le résidu du solvant a été précipité dans de l'éthyl éther. Le précipité a été filtré et séché dans une étuve à vide. Le produit résultant a été utilisé en tant que résine de photorésist. EXEMPLE IV Synthèse du copolymère 91 g du 2-hydroxyéthyl -5-norbornène-2- carboxylate synthétisé à l'Exemple I, 97 g du 2-t-butyl 5-norbornène- 2-carboxylate synthétisé à l'Exemple II, et 98 g d'anhydride maléïque ont été placés dans un réacteur qui a été, ensuite, purgé avec une atmosphère d'azote. Une réaction a été effectuée pendant 6 h à 65-120 C sous une pression de 50 à 200 atm. Après la fin de la réaction, une partie du solvant a été éliminée par un évaporateur rotatif et le résidu du solvant a été précipité dans de l'éthyl éther. Le précipité a été filtré et séché dans une étuve à vide. Le produit résultant a été utilisé en tant que résine de photorésist. EXEMPLE V Synthèse du Copolymère 98 g de bicyclo [2,2,2] oct-5-ène-2-hydroxéthyle, 104 g de bicyclo [2,2,2] oct-5-êne-t-butylacrylate et 86 g de vinylène carbonate ont été placés dans un réacteur et ensuite, mélangés avec 2 1 de solvant tétrahydrofurane. Après cela, 1,5 g d'azobisisobutyronitrile (AIBN) ont été placés dans le réacteur et ensuite, le réacteur a été purgé avec une atmosphère d'azote. Une réaction a été effectuée pendant 6 h à 65 C. Après la fin de la réaction, une partie du solvant a été éliminée par un évaporateur rotatif et le résidu du solvant a été précipité dans de l'éthyl éther. Le précipité a été filtré et séché dans une étuve à vide. Le produit résultant a été utilisé en tant que résine de photorésist. EXEMPLE VI Synthèse du Copolymère 98 g de bicyclo [2,2,2] oct-5-ène-2-hydroxéthyle, 104 g de bicyclo [2,2,2] oct-5-ène-t-butylacrylate et 86 g d'anhydride maléïque ont été placés dans un réacteur et ensuite, mélangés avec 2 1 de solvant tétrahydrofurane. Apres cela, 1,5 g d'azobisisobutyronitrile (AIBN) ont été placés dans le réacteur et ensuite, le réacteur a été purgé avec une atmosphère d'azote. Une réaction a été effectuée pendant 6 h à 65 C. Après l'achèvement de la réaction, une partie du solvant a été éliminée par un évaporateur rotatif et le résidu du solvant a été précipité dans de l'éthyl éther. Le précipité a été filtré et séché dans une étuve à vide. Le produit résultant a été utilisé en tant que résine de photorésist. EXEMPLE VII Synthèse de la résine photosensible d'ArF Synthèse du poly[2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/acide 5- norbornène 2-carboxylique/anhydride maléique]. 1 mole d'anhydride maléïque de formule IX suivante, 0,05 à 0,8 mole de 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, 0,5 à 0,95 mole de t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate et 0,01 à 0,2 mole d'acide 5-norbornène 2- carboxylique ont été dissous dans du tétrahydrofurane ou du toluène. Après cela, ceci a été dissous dans un solvant. Une réaction radicalaire a été exécutée à une température d'environ 60 à 70 C pendant 4 à 24 heures sous une atmosphère d'azote ou d'argon en présence de 0,5 à 10 g d'azobisisobutyronitrile (AIBN), en tant qu'initiateur. La résine ainsi produite par cette polymérisation a été précipitée dans de l'éthyl éther ou de l'hexane et séchée pour donner la résine poly[2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate/t-butyl -norbornène-2-carboxylate/acide 5-norbornène 2- carboxy- lique acide/anhydride maléïque] de formule X suivante. [FORMULE IX] CtHCHOH 2-hydroxyéthyl 5-nor- t-butyl 5-norbor- bornène-2-carboxylate nène-2-carboxylate HO acide anhydride 5-norbornène 2- maléique carboxylique [FORMULE X] Co, SIHOC I'o CH2 CH2 OH EXEMPLE VIII Préparation du Film de Photorésist et Formation du Motif g de poly[2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/acide 5- norbornène 2-carboxylique/anhydride maléique] ont été dissous dans 40 g de solvant 3-méthoxyméthyl propionate et ajoutés avec 0,02 à 1 g de triphényl sulfonium triflate ou de dibutylnaphthyl sulfonium triflate ou un mélange de ces deux générateurs photoacides. Après avoir été bien agité, le mélange a été passé à travers un filtre de 0,10 gm. Ce filtrat a été revêtu sur une tranche et mis en motif. Lorsque le revêtement avait environ 0,6 um d'épaisseur, un motif vertical L/S a été obtenu avec une résolution de 0,14 gm. Comme décrit ci-dessus, le photorésist préparé à partir du nouveau copolymère de l'invention est supérieur en résistance à l'attaque et en résistance thermique. En addition, il peut être développé dans une solution de TMAH à 2,38%. Il présente également une bonne adhésivité de sorte que des motifs L/S de 0,15 gm avec une résolution et une profondeur de focalisation satisfaisantes peuvent être obtenus à partir du revêtement de photorésist de 0,7 gm d'épaisseur. Par conséquent, l'introduction de, par exemple, 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate dans le squelette d'une résine permet la synthèse d'un photorésist excellent en adhésivité. La présente invention a été décrite d'une manière illustrative, et l'on doit comprendre que la terminologie utilisée est destinée à être de nature descriptive et non limitative. De nombreuses modifications et variations de la présente invention sont possibles à la lumière des enseignements ci-dessus. Donc, on doit comprendre que dans l'étendue des revendications annexées, l'invention peut être mise en pratique autrement que spécifiquement décrit. REVENDICATIONS 1. Copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il est polymérisé à partir d'un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (Cmn COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] 0 [FORMULE IV] >-O 2. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène-2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t- butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 3. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t- butyle. 4. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. 5. Copolymère de photorésist selon la revendication 1, caractérisé en ce que le copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes dans lesquels R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1, 6. Copolymère de photorésist selon la revendication , caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène2-carboxylique. 7. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist caractérisée en ce qu'il comprend l'étape de: copolymérisation à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (CIn COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o [FORMULE IV] 8. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist selon la revendication 7, caractérisée en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2] oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 9. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist selon la revendication 7 caractérisée en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t-butyle. 10. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist selon la revendication 7 caractérisée en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. 11. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist selon la revendication 7, caractérisée en ce que lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 12. Méthode pour préparer un copolymère de photorésist selon la revendication 7, caractérisée en ce que ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. 13. Méthode de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 12, caractérisée en ce que ledit vinylène carbonate et lesdits un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1 sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 14. Méthode de préparation d'un copolymère de photorésist selon l'une quelconque des revendications 11 et 13, caractérisée en ce que lesdits initiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et t-butylperacétate. 15. Méthode de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 7, caractérisée en ce que lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant une copolymérisation en masse ou une polymérisation en émulsion. 16. Méthode de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 15, caractérisée en ce que ledit solvant de polymérisation est choisi dans le groupe incluant le cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide, le tétrahydrofurane seuls ou en combinaison. 17. Photorésist caractérisé en ce qu'il comprend un copolymère copolymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante: [FORMULE II] (CF n COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o0 [FORMULE IV] 18. Photorésist selon la revendication 17, caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2] oct-5-ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et/ou l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 19. Photorésist selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t- butyle. 20. Photorésist selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. 21. Photorésist selon la revendication 17, caractérisé en ce que ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et d'un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. 22. Photorésist selon la revendication 21, caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate, l'acide 5-norbornène 2-carboxylique, le 2- hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 23. Méthode de préparation d'un photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes de: fourniture d'un copolymère qui est copolymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante; mélange dudit copolymère et d'un sensibilisant dans un solvant organique, pour produire une solution de photorésist; avec [FORMULE II] (Crin COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ramifié contenant 1 à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o [FORMULE IV] 24. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, le t-butyl -norbornène-2-carboxylate, l'acide 5-norbornène 2- carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5-ène- 2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylique. 25. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle, et le t-butyle. 26. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3000 à 000. 27. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 28. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que ledit copolymère est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2- hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. 29. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 28, caractérisée en ce que ledit vinylène carbonate et les un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut i sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 30. Méthode de préparation d'un photorésist selon l'une quelconque des revendications 27 et 29, caractérisée en ce que lesdits intiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et le t-butylperacétate. 31. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant une méthode de polymérisation en masse ou de polymérisation en solution. 32. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que ledit solvant organique est sélectionné dans le groupe incluant le cyclohexanone, la méthyléthylcétone, le benzène, le toluène, le dioxane, le diméthylformamide, le tétrahydrofurane seuls ou en combinaisons. 33. Méthode de préparation d'un photorésist selon la revendication 23, caractérisée en ce que ledit sensibilisant comprend un générateur photoacide qui est sélectionné dans le groupe incluant un sel onium ou un acide sulfonique organique. 34. Méthode de préparation d'un photorésist caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes (i) à (iii) suivantes: (i) étape de dissolution de 9 à 11 g de résine de copolymère de poly (2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/5- norbornène-2-carboxylate/anhydride maléïque) dans 39 à 42 g de solvant méthyl 3-méthoxypropionate; (ii) étape d'ajout de 0,02 à 1 g de triphényl sulfonium triflate ou de dibutylnaphthyl sulfonium triflate ou d'un mélange de ces deux générateurs photoacides dans le produit réactionnel de l'étape (i); et (iii) étape d'agitation et de filtration du produit réactionnel de l'étape (ii) pour produire un photorésist. 35. Méthode de synthèse d'un monomère caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes de: placement d'un cyclopentadiène dans un réacteur et mélange avec un solvant tétrahydrofurane; ajout d'un t-butyl acrylate dans le réacteur; agitation avec lesdits réactants et ensuite réaction sur lesdits réactants; élimination dudit solvant par un évaporateur rotatif après achèvement de la réaction; et réduction de la pression et distillation après élimination dudit solvant, pour produire un t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate. 36. Méthode de synthèse d'un monomère selon la revendication 35, caractérisée en ce que ladite méthode utilise environ 66 g du cyclopentadiène, environ 500 g du solvant tétrahydrofurane et environ 128 g de t-butyl acrylate. 37. Méthode de synthèse d'un monomère selon la revendication 35, caractérisée en ce que ladite étape d'agitation est mise en oeuvre pendant 9 à 11 heures à une température d'environ -20 à 70 C. 38. Méthode de synthèse d'un monomère selon la revendication 35, caractérisée en ce que ladite étape d'agitation est mise en oeuvre pendant 10 heures à la température d'environ -30 à 60 C. 39. Méthode de synthèse d'un monomère caractérisée en ce qu'elle comprend les étapes (i) à (iv) suivantes: (i) dissolution d'un cyclopentadiène de formule VI suivante et de 2-hydroxyéthylacrylate de formule VII suivante au même taux dans un solvant éther ou tétrahydrofurane; (ii) réaction à une température d'environ -30 à C pendant 24 heures du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) élimination du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de la réaction; (iv) réduction de la pression et distillation du produit réactionnel de l'étape (iii), pour produire un 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, avec [FORMULE VI] [FORMULE VII] =1 C -O CH2 CH2 I O H 40. Méthode de synthèse d'un monomère selon la revendication 35, caractérisée en ce que ledit cyclopentadiène est obtenu par craquage d'un dicyclopentadiène de formule V suivante à une température d'environ 120 à 170 C, avec [FORMULE V] 41. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) et (vi) suivantes: (i) étape de placement d'un 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, d'un t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate et d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 5 à 7 heures à 50 à 140 C sous une pression de 30 à 230 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. 42. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 41, caractérisé en ce que ledit procédé prend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement de 91 g d'un 2-hydroxyéthyl -norbornène-2-carboxylate, 97 g d'un t-butyl 5- norbornène-2-carboxylate et 86 g de vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 6 heures à 65 à 120 C sous une pression de 50 à 200 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. 43. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement d'un 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate, d'un t-butyl 5-norbornène-2- carboxylate et d'anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 5 à 7 heures à 50 à 140 C sous une pression de 30 à 230 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. 44. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 23, caractérisé en ce que ledit procédé comprend les étapes (i) à (vi) suivantes: (i) étape de placement de 91 g d'un 2-hydroxyéthyl norbornène-2-carboxylate, 97 g d'un t-butyl 5- norbornène-2- carboxylate et 98 g d'anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape de purge avec une atmosphère d'azote du produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 6 heures à 65 à 120 C sous une pression de 50 à 200 atm; (iv) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iii); (v) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vi) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (v) pour produire un copolymère de photorésist. 45. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes (i) à (vii): (i) étape de placement d'un bicyclo[2,2,2]oct-5- ène-2-hydroxyéthyle, d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t- butylacrylate et d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape d'ajout d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge avec une atmosphère d'azote du réacteur; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 5 à 8 heures à une température de à 80 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans un éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. 46. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 45, caractérisé en ce que ledit procédé comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement de 98 g d'un bicyclo[2,2,2] oct-5-ène-2-hydroxyéthyl, 104 g d'un bicyclo[2,2,2]oct-5- ène-t-butylacrylate et de 86 g d'un vinylène carbonate dans un réacteur; (ii) étape d'ajout de 2 1 d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étpae (i); (iii) étape d'ajout de 1,5 g d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 6 heures à 65 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. 47. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist qui comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement d'un bicyclo[2,2,2]oct-5- ène-2-hydroxyéthyle, d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t- butylacrylate et d'un anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape d'ajout d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout d'un azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 5 à 8 heures à une température de à 80 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation d'un résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. 48. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist selon la revendication 47 caractérisé en ce que ledit procédé comprend les étapes (i) à (vii) suivantes: (i) étape de placement de 98 g d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-hydroxyéthyle, 104 g d'un bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-t-butylacrylate et 98 g d'un anhydride maléïque dans un réacteur; (ii) étape d'ajout de 2 1 d'un solvant tétrahydrofurane dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape d'ajout de 1,5 g d'azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (ii) et ensuite purge du réacteur avec une atmosphère d'azote; (iv) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (iii) pendant 6 heures à 65 C; (v) étape d'élimination d'une partie du solvant par un évaporateur rotatif après l'achèvement de l'étape (iv); (vi) étape de précipitation du résidu du solvant dans de l'éthyl éther; et (vii) étape de filtration et de séchage du précipité de l'étape (vi) pour produire un copolymère de photorésist. 49. Procédé de préparation d'un copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend les étapes (i) à (iv) suivantes: (i) étape de dissolution d'l mole d'anhydride maléïque de formule IX suivante, 0,05 à 0,8 mole d'un 2- hydroxyéthyl 5-norbornène-2-carboxylate, 0,5 à 0,95 mole de t-butyl 5norbornène-2-carboxylate et 0,01 à 0,2 mole d'acide 5-norbornène-2carboxylique dans du tétrahydrofurane ou du toluène; (ii) étape de placement de 0,5 à 1,0 g d'un initiateur azobisisobutyronitrile (AIBN) dans le produit réactionnel de l'étape (i); (iii) étape de réaction du produit réactionnel de l'étape (ii) pendant 4 à 24 heures à 65 à 700C sous une atmosphère d'azote ou d'argon; et (iv) étape de précipitation et de séchage du produit réactionnel de l'étape (iii) pour produire le copolymère de photorésist poly(2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxy- late/5-norbornène-2-carboxylate/anhydride maléique). 50. Copolymère de photorésist caractérisé en ce qu'il comprend un monomère de 2-hydroxyéthyl 5- norbornène-2-carboxylate de la formule VIII suivante; H 'l-0-CH2- CH2 -OH 51. Copolymère de photorésist selon la revendication 50, caractérisé en ce que ledit monomère est synthétisé à partir de cyclopentadiène et de 2- hydroxyéthyl acrylate. 52. Copolymère de photorésist selon la revendication 50, caractérisé en ce que ledit monomère est préparé par polymérisation de ladite unité récurrente avec le monomère de formule IX suivante C02CHCHOH 2-hydroxyéthyl 5-nor- t-butyl 5-norbor- bornène-2-carboxylate nène-2-carboxylate HOC acide anhydride 5-norbornène 2- malé1que carboxylique 53. Copolymère de photorésist selon la revendication 50, caractérisé en ce que ladite résine comprend le poly(2-hydroxyéthyl 5norbornène-2- carboxylate/t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate/acide 5- norbornène 2-carboxylique/anhydride maléique) de formule X suivante: z O' 0 COH. OH 54. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré, caractérisée en ce que ladite méthode comprend les étapes de: fourniture d'un substrat; application d'un film de résist comprenant un copolymère de photorésist polymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléique de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante; exposition d'une portion du film de résist en utilisant une irradition électromagnétique; et développement dudit film de résist pour former une portion exposée dudit substrat correspondant à ladite portion dudit film exposée et mise en oeuvre d'un procédé de fabrication de semi- conducteur sur ladite portion exposée dudit substrat avec: [FORMULE II] (CHpn COOR o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant un à dix atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o0 [FORMULE IV] >-O 55. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon la revendication 54, caractérisée en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo [2,2,2]oct-5- ène-2-carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo [2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 56. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon la revendication 54, caractérisée en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et t-butyle. 57. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon la revendication 54 caractérisée en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. 58. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon la revendication 54, caractérisée en ce que lesdits un ou plus composés sélectionnés dans le groupe incluant un ou plus bicycloalcènes de formule II, un anhydride maléïque de formule III ou un vinylène carbonate de formule IV sont copolymérisés en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 59. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon la revendication 54, caractérisée en ce que ledit copolymère de photorésist est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et de un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1 en utilisant des initiateurs de polymérisation radicalaire. 60. Méthode de fabrication d'un dispositif de circuit intégré selon l'une quelconque des revendications 58 et 59, caractérisée en ce que lesdits initiateurs de polymérisation radicalaire sont sélectionnés dans le groupe incluant le benzoylperoxyde, le 2, 2'- azobisisobutyronitrile (AIBN), l'acétylperoxyde, le lauryl peroxyde et le t-butylperacétate. 61. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur, caractérisé en ce que ledit dispositif comprend: un substrat; et un film de résist comprenant un copolymère de photorésist polymérisé à partir de un ou plus composés sélectionnés parmi un ou plus bicycloalcènes de formule II suivante, un anhydride maléïque de formule III suivante ou un vinylène carbonate de formule IV suivante recouvrant ledit substrat, avec: [FORMULE II] (C n o R représente un hydrogène ou un alkyle linéaire ou ramifié contenant i à 10 atomes de carbone substitué ou non-substitué; et n vaut 1 ou 2, [FORMULE III] o [FORMULE IV] 62. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur selon la revendication 61, caractérisé en ce que lesditsbicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique. 63. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur selon la revendication 61, caractérisé en ce que ledit R est sélectionné dans le groupe incluant l'hydrogène, le 2-hydroxyéthyle, et le t-butyle. 64. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur selon la revendication 61, caractérisé en ce que ledit copolymère a un poids moléculaire dans l'intervalle d'environ 3 000 à 100 000. 65. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur selon la revendication 61, caractérisé en ce que ledit copolymère de photorésist est préparé par copolymérisation de vinylène carbonate et d'un ou plus bicycloalcènes o R est l'hydrogène, le 2hydroxyéthyle ou le t-butyle et n vaut 1. 66. Dispositif partiellement complètement semi- conducteur selon la revendication 65, caractérisé en ce que lesdits bicycloalcènes sont sélectionnés dans le groupe incluant le 2-hydroxyéthyl 5-norbornène-2- carboxylate, le t-butyl 5-norbornène-2-carboxylate, l'acide 5- norbornène 2-carboxylique, le 2-hydroxyéthyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2- carboxylate, le t-butyl bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylate et l'acide bicyclo[2,2,2]oct-5-ène-2-carboxylique.