Brevet FR2750253A1 — publié le 19971226

Domaine de l'invention La présente invention concerne des modules contenant des composants électriques et optiques connectés en coopération et plus spécifiquement, un module permettant de connecter électriquement des composants optiques et des circuits de pilotage dans un circuit électrique. Arrière-plan de l'invention Les émetteurs- récepteurs électroniques portables tels que les téléphones cellulaires et sans fil, les récepteurs de recherche de personne et similaire deviennent de plus en plus populaires. Dans certains cas, il est possible d'envoyer des messages complets, y compris des messages alphanumériques et/ou des graphiques au moyen de nouveaux dispositifs. Par conséquent, des messages complets peuvent être envoyés à des récipiendaires spécifiques au moyen d'un récepteur de recherche de personne ou similaire et suite à la réception du message complet, le récipiendaire peut souhaiter émettre une réponse. Dans ce cas, il est souhaitable de disposer d'un dispositif d'émission électronique d'un certain type inclus dans le dispositif portable. Dans d'autres cas, il peut être souhaitable de partager avec d'autres le message reçu et/ou de simplement recevoir et/ou émettre des données de communication sur les dispositifs électroniques supplémentaires. Le problème est qu'il est difficile et peu commode de porter divers émetteurs-récepteurs de communication et divers dispositifs électroniques, par exemple des téléphones et/ou des radio bidirectionnelles de même que des récepteurs de recherche de personne, des télécommandes et d'autres dispositifs. Dans de nombreux cas, il est souhaitable de prévoir un affichage visuel sur un émetteur-récepteur de communication afin de fournir à l'opérateur un message visuel ou une image graphique. Le problème est que les affichages visuels sur des récepteurs de communication de l'art antérieur sont d'une taille extrêmement limitée et qu'ils nécessitent une énergie électrique relativement élevée ainsi qu'une quantité importante de surface pour être suffisamment grands afin de produire un affichage utile et dans la plupart des cas, ils sont destinés à être visualisés par l'opérateur du dispositif. En outre, comme préalablement mentionné, à certains instants, il est souhaitable que l'image transmise sur l'émetteur-récepteur électronique puisse être visualisée par plus de personnes que simplement l'utilisateur du dispositif. C'est dans ce cas qu'un affichage pouvant être visualisé par de nombreux individus est souhaité, tel qu'un affichage de projection. Dans l'art antérieur, il est classique de prévoir des affichages visuels utilisant des affichages à cristaux liquides, des diodes émettrices de lumière visualisées directement etc... Ces éléments produisent des affichages très grands et encombrants qui augmentent fortement la taille de l'émetteur-récepteur et qui nécessitent des quantités relativement importantes d'énergie. En outre, ces affichages, lorsqu'ils sont utilisés sur des dispositifs électroniques portables tels que des récepteurs de recherche de personne, des téléphones cellulaires ou similaire, limitent fortement la quantité de messages qui peut être reçue. Selon un exemple, l'art antérieur inclut un miroir de balayage pour produire un affichage visuel mais à nouveau, celui-ci nécessite des quantités relativement importantes d'énergie et il est très compliqué et sensible aux chocs. Par ailleurs, le miroir de balayage génère une vibration dans l'unité, ce qui réduit de manière substantielle le confort visuel et l'acceptabilité. Une façon d'alléger le problème de la taille dans les affichages visuels et de l'inclusion d'un affichage de projection et/ou d'une liaison de communication de données dans les dispositifs portables de ce type consiste à utiliser un module électro-optique incorporant une source de lumière double, à savoir une source contenant à la fois des sources de lumière à DEL et des sources de lumière d'un laser à émission de surface à cavité verticale (VCSEL). En incorporant ces deux types de sources de lumière dans un unique module, un affichage visuel tel qu'un affichage virtuel miniature généré par les DEL et un affichage de projection et/ou une liaison de communication de données générés par les VCSEL est possible. Par conséquent, un dispositif d'émetteur-récepteur possible qui puisse recevoir des communications et/ou des données, qui puisse être visualisé par l'intermédiaire d'un affichage visuel tel qu'un affichage virtuel miniature et qui puisse recevoir et/ou émettre des données par l'intermédiaire d'un port d'interface de données tel qu'une interface d'émission de données infrarouge ou visible et/ou un affichage de projection laser visible serait hautement avantageux. Pour réaliser la conception d'un tel émetteur-récepteur, il serait avantageux de fabriquer une source de lumière à émission sur les deux côtés qui comporte, formés sur un substrat commun constitué par une unique plaquette semiconductrice ou par une pluralité de plaquettes semiconductrices liées, une pluralité de DEL visibles et au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) fabriqué pour émettre de la lumière dans une plage visible et/ou dans une plage infrarouge. Par conséquent, il est souhaitable de proposer un module électro-optique intégré qui contienne en son sein une puce d'affichage à émission sur les deux côtés montée entre deux structures de montage optiquement transparentes ou montée dans une structure de base en plastique moulé comportant des ouvertures ou fenêtres centrales définies dedans formées sur des surfaces opposées de la structure, les deux types de structures de montage incorporant un moyen pour réaliser un interfaçage avec une carte de circuit imprimé et des circuits de pilotage tel que des passages, des interconnexions électriques conformées, des plots de connexion/montage, des grilles de connexion noyées et/ou des vias en trous de passage plaqués et des éléments optiques. Par conséquent, il existe un besoin pour des structures d'interconnexion et de mise sous module ainsi que pour des techniques afférentes o des réseaux de DEL, des lasers à émission en surface à cavité verticale (VCSEL), des éléments optiques et un circuit électronique puissent être commodément incorporés. Il existe également un besoin pour des structures d'interconnexion et de mise sous module ainsi que pour des techniques afférentes qui permettent de réduire significativement la limitation pesant sur la taille du module électro-optique. Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à proposer un nouveau module électro-optique amélioré qui inclut une source de lumière ou une puce d'affichage à émission sur les deux côtés. Un objet de la présente invention consiste à proposer un module électrooptique intégré qui soit significativement plus petit que des modules intégrés précédents. Un objet de la présente invention consiste à proposer un module électro-optique intégré dans lequel un réseau de DEL et au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) peuvent être formés en tant que dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés incluant des interconnexions électriques. Un objet de la présente invention consiste également à proposer une mise sous module incorporant un nouveau procédé de fabrication d'un réseau de DEL bidimensionnel et au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) sur un unique substrat, constitué par une ou plusieurs plaquettes semiconductrices, pour ainsi former une puce d'affichage à émission sur les deux côtés comportant formées en son sein des interconnexions électriques qui, en combinaison avec les éléments optiques, constituent des applications d'appareil de formation d'image d'information haute densité, des applications de liaison de transmission de communication de données et des applications d'affichage de projection. Résumé de l'invention Les problèmes mentionnés ci-avant ainsi que d'autres sont significativement résolus et les buts mentionnés ci-avant ainsi que d'autres sont réalisés selon un module électro-optique intégré incluant un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés formé par un substrat, composé d'une ou de plusieurs plaquettes semiconductrices, comportant une surface principale munie d'un réseau de dispositifs émetteurs de lumière visible (DEL) formé sur la surface principale au niveau de sa partie centrale et coopérant pour générer une image complète, et au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) formé sur une surface opposée du substrat permettant d'émettre une lumière visible et/ou infrarouge. Le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés émet ainsi de la lumière suivant des directions opposées. Est décrit le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés, monté entre des substrats optiquement transparents et entre une base moulée formée en plastique ou similaire et comportant définies en son sein une ouverture centrale et une partie optiquement transparente au travers de laquelle la lumière émise passe selon des directions opposées. En outre, le module électro-optique selon un mode de réalisation inclut un élément optique qui est formé dans ou positionné sur le dessus de la partie optiquement transparente. Est proposé un moyen pour réaliser une interface avec une carte de circuit imprimé, comportant monté dessus au moins un circuit de pilotage. Le réseau de DEL bidimensionnel pour des applications d'appareil de formation d'image est constitué par une pluralité de DEL (une ou plusieurs d'entre elles forment un pixel) agencées selon des rangées et des colonnes afin de former un motif d'adressage X-Y bidimensionnel. L'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) est formé sur une surface opposée du substrat soit en tant qu'unique VCSEL émetteur, soit en tant que réseau de VCSEL agencés selon des rangées et des colonnes afin de former un motif d'adressage X-Y bidimensionnel similaire au réseau de DEL. Une structure de montage est formée en tant que deux substrats transparents optiquement séparés ou en tant que composant moulé. La structure de montage comporte une pluralité de conducteurs électriques formés en son sein ou positionnes dessus en tant que pistes électriques, chacun s'étendant depuis une pluralité de plots de connexion/montage formés de manière à être adjacents à un bord du réseau de DEL et à l'au moins un VCSEL jusqu'à une pluralité de moyens pour une connexion électrique, par exemple des plots de connexion/montage, interfacés avec une grille de connexion montée en surface ou noyée et/ou des vias à trous de passage plaqués formées autour de la périphérie de la base. Dans le cas o une structure de montage moulée est utilisée, la structure de montage est formée en une matière plastique optiquement transparente ou opaque moulée ou en un certain autre matériau approprié définissant une partie transparente optiquement située centralement monolithique ou une ouverture en fenêtre sur une première surface principale et sur une seconde surface principale. Dans le cas o une ouverture en fenêtre est formée dans la structure de montage, suite au moulage de la structure de montage, un objectif est formé dans l'une des fenêtres par l'intermédiaire d'un moulage par injection ou selon une variante, un substrat optiquement transparent peut être moulé par injection dans l'ouverture en fenêtre, lequel présente ensuite une surface de réfraction ou de diffraction matricée ou pressée sur sa surface principale supérieure pour ainsi assurer une correction/agrandissement initial de la lumière émise par la pluralité de DEL. Une pluralité de plots de connexion/montage et de conducteurs électriques sont formés dans la base moulée. Le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés est monté entre les surfaces principales intérieures des substrats transparents optiquement ou du composant de base moulé en utilisant une connexion par fils soudés sur des bosses de puce connu de l'art. Est prévu un substrat de pilotage tel qu'une carte PCB standard comportant une pluralité de conducteurs formés en son sein, en contact électrique avec le moyen pour la connexion électrique, par exemple les plots de connexion/montage formés autour de la périphérie de la structure de montage. Une pluralité de circuits de pilotage et de contrôle sont montés sur le substrat de pilotage et ils comportent des bornes d'entrée de données et en outre, ils comportent des bornes de sortie de signal de commande connectées aux dispositifs émetteurs de lumière et à l'au moins un VCSEL pour activer les dispositifs émetteurs de lumière et l'au moins un VCSEL afin de générer des images et/ou de la lumière conformément à des signaux de données appliqués sur les bornes d'entrée de données en utilisant des interconnexions électriques conformées, des plots de connexion/montage, des broches de montage, des grilles de connexion noyées et/ou des vias à trous plaqués. Brève description des dessins Les nouvelles caractéristiques qui sont considérées comme étant typiques de l'invention sont présentées dans les revendications. L'invention elle-même cependant ainsi que d'autres caractéristiques et avantages afférents seront mieux compris par report à des descriptions détaillées qui suivent que l'on lira en conjonction avec les dessins annexés parmi lesquels: la figure 1 est une vue en coupe fortement agrandie du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés constitué par un réseau de dispositifs émetteurs de lumière formés sur une première surface principale d'un substrat et par un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) formé sur une seconde surface principale opposée du substrat; la figure 2 est une vue en coupe simplifiée d'un module électro- optique dont des parties ont été ôtées, selon la présente invention; la figure 3 est une vue agrandie en plan de dessus d'une puce d'affichage à DEL/VCSEL à émission sur les deux côtés montée entre deux structures de montage transparentes, incluant des connexions électriques; la figure 4 est une vue en coupe simplifiée d'un autre mode de réalisation d'un module électro-optique complet de la présente invention incluant deux structures de montage en plastique, des parties ayant été ôtées; la figure 5 est une vue en perspective éclatée qui représente les positions relatives des composants du module électro-optique de la figure 4 selon la présente invention; et la figure 6 est une vue en coupe simplifiée d'un autre mode de réalisation d'un module électro- optique complet de la présente invention incluant un composant de montage en plastique moulé, des parties ayant été ôtées. Description du mode de réalisation préféré Au cours de la présente description, des index de référence identiques sont utilisés pour identifier des éléments identiques conformément aux différentes figures qui illustrent l'invention. Il est bien entendu qu'une large variété de dispositifs émetteurs de lumière y compris des affichages à cristaux liquides (LCD), des diodes émettrices de lumière, des lasers à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) etc... peuvent être utilisés pour le réseau de dispositifs émetteurs de lumière (DEL) de la présente invention. Par report plus spécifiquement à la figure 1, est représentée une vue en coupe fortement agrandie d'un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 constitué par un réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12 formés sur une première surface principale 13 d'un substrat 14 et par un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) 16 formé sur une seconde surface principale opposée 17 du substrat 14. Par souci de simplification de l'illustration, seulement une partie représentative du substrat 14 a été terminée. Le substrat 14 est représenté sur la figure 1 comme étant composé d'un unique substrat ou élément de plaquette. Il est bien entendu que selon une variante, le substrat 14 peut être composé de deux plaquettes semiconductrices séparées telles que deux plaquettes en arséniure de gallium (GaAs) ou par une unique plaquette en arséniure de gallium (GaAs) et par un élément de substrat en saphir qui sont liés ou fondus ensemble dos à dos pour former un unique substrat effectif. La liaison des plaquettes sera typiquement terminée suite à la fabrication des dispositifs émetteurs de lumière 12 sur une première plaquette et des VCSEL 16 sur une seconde plaquette. Comme représente sur la figure 1, le substrat 14 comporte formés sur la surface principale la plus supérieure 13 la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière 12. Il est bien entendu que les dispositifs émetteurs de lumière (DEL) 12 utilisés selon la présente invention incluent une large variété de dispositifs émetteurs de lumière, y compris des affichages à cristaux liquides (LCD), des diodes émettrices de lumière (DEL), des dispositifs électroluminescents à la fois organiques et inorganiques et des lasers tels que des lasers à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) etc... mais le terme "dispositifs émetteurs de lumière" sera utilisé dans la totalité de la présente description par souci de simplification. Selon ce mode de réalisation, chacun des dispositifs émetteurs de lumière 12 et des lasers à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) 16 formé sur le substrat 14 définit un pixel avec les dispositifs émetteurs de lumière 12 et lors de l'utilisation d'une pluralité de VCSEL 16, ils sont positionnés selon des rangées et des colonnes et ils coopèrent pour générer une image complète et/ou émettre de la lumière lorsqu'il y a activation au niveau d'une partie centrale de la première surface principale 13 et de la seconde surface principale opposée 17. Par report spécifiquement à la structure et à la fabrication du réseau de DEL 12 est représentée une pluralité de couches de matériau formées sur la première surface principale 13 du substrat 14 incluant au moins une couche conductrice de matériau supportée par la surface principale 13 du substrat 14, une première couche de confinement de porteurs sur la couche conductrice, une couche active sur la première couche de confinement de porteurs et une seconde couche de confinement de porteurs sur la couche active. Les couches de la pluralité de couches de matériau sont séparées selon une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière isolés positionnes selon une matrice de rangées et de colonnes, la couche conductrice connectant une première électrode de chaque diode dans une colonne à une première électrode de chaque autre diode dans la colonne. Une pluralité de conducteurs de rangée, un pour chaque rangée, connectant une seconde électrode de chaque diode dans une rangée à une seconde électrode de chaque autre diode dans la rangée et une pluralité de conducteurs de colonne, un pour chaque colonne, sont connectés chacun à la couche conductrice adjacente à une extrémité de chaque colonne. Plus spécifiquement, la structure inclut le substrat 14 sur lequel sont positionnées, selon l'ordre qui suit, une couche conductrice 20, une première couche de confinement de porteurs 22, une couche active 24, une seconde couche de confinement de porteurs 26 et une couche capuchon conductrice 28. Il est bien entendu que d'autres applications pourraient être utilisées pour la fabrication des DEL 12 telles qu'une implantation etc... et que la technique de fabrication particulière décrite ici est simplement destinée à représenter une technique de la formation des DEL 12. Selon un mode de réalisation spécifique, le substrat 14 est formé en arséniure de gallium (GaAs) non dopé de telle sorte que le substrat 14 est un semiconducteur semi-isolant. La couche conductrice 20 est une couche en GaAs obtenue par croissance épitaxiale sur la surface du substrat 14 et elle est dopée lourdement (1018 ou plus) à l'aide d'un dopant tel que du sélénium, du silicium etc... afin de faire en sorte qu'elle constitue un conducteur de type N+ relativement bon. Dans cet exemple spécifique, la couche conductrice 20 est obtenue par croissance jusqu'à une épaisseur dans la plage d'approximativement 1000 à 10000 angstrôms. La première couche de confinement de porteurs 22 est une couche en phosphure d'indium-gallium- aluminium obtenue par croissance épitaxiale sur la surface de la couche conductrice 20 et dopée (1017 - 1018) à l'aide de silicium pour obtenir une semiconductivité de type N. Dans ce mode de réalisation spécifique, la couche de confinement de porteurs 22 est obtenue par croissance jusqu'à une épaisseur dans la plage d'approximativement 1000 à 8000 angstrôms. La couche active 24 est une couche non dopée en phosphure d'indium-gallium-aluminium obtenue par croissance épitaxiale sur la surface de la couche de confinement de porteurs 22 jusqu'à une épaisseur dans la plage d'approximativement 100 à 2000 angstrôms. La seconde couche de confinement de porteurs 26 est une couche en phosphure d'indium-gallium-aluminium obtenue par croissance épitaxiale sur la surface de la couche active 24 et dopée (1016 - 1018) à l'aide de zinc pour obtenir une semiconductivité de type P. Dans ce mode de réalisation spécifique, la couche de confinement de porteurs 26 est obtenue par croissance jusqu'à une épaisseur dans la plage d'approximativement 1000 à 8000 angstrôms. Une couche capuchon conductrice 28 est obtenue par croissance épitaxiale sur la surface de la couche de confinement de porteurs 26 jusqu'à une épaisseur dans la plage d'approximativement 100 à 1000 angstrôms et elle est dopée lourdement (1019) à l'aide de zinc afin de la constituer en tant que bon conducteur de type P+. La fraction moléculaire d'aluminium dans les couches de confinement de porteurs 22 et 26 est donnée par Iny(AlxGai.x)1.yP, o x est dans la plage d'approximativement 0,7 à 1, 0 et y est dans la plage de 0,4 à 0,7. Par souci de simplification de la fabrication dans l'exemple spécifique décrit, les couches 20 à 28 sont obtenues par croissance épitaxiale en tant que couches de couverture audessus de la totalité du substrat 14 mais il est bien entendu que d'autres procédés, y compris un masquage et une croissance sélective ou une gravure sélective, peuvent être utilisés pour assurer l'aire nécessaire pour les étapes qui suivent. Des parties de la couche capuchon 28, de la couche de confinement de porteurs 26 et de la couche active 24 ainsi que de la couche de confinement de porteurs 22 ont été gravées pour former ou séparer des mesas organisés selon un réseau bidimensionnel ou une matrice bidimensionnelle de rangées et de colonnes (seulement un mesa complet 30 est représenté par souci de commodité). La surface supérieure de chaque mesa 30 du réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12 définit une zone d'émission de lumière pour une diode émettrice de lumière. Pendant la fabrication, une étape d'isolation de colonne est réalisée en gravant des tranchées 31 au travers de la couche capuchon 28, de la couche de confinement de porteurs 26, de la couche active 24, de la couche de confinement de porteurs 22, de la couche conductrice 20 et partiellement dans le substrat 14. Les tranchées s'étendent sur la totalité de la longueur de chaque colonne de telle sorte que la couche conductrice 20 est séparée selon une pluralité de colonnes, chaque colonne de la couche conductrice 20 étant associée à seulement une colonne de mesa 30 et chaque colonne de mesa 30 étant séparée électriquement des autres colonnes de mesa par une tranchée 31. D'une façon similaire, les mesa 30 sont définis en gravant une tranchée (non représentée) au travers de la couche capuchon 28, de la couche de confinement de porteurs 26, de la couche active 24 et partiellement dans la couche de confinement de porteurs 22 entre chaque rangée dans le réseau. Chaque tranchée s'étend sur la longueur d'une rangée et empêche une diaphonie entre des dispositifs émetteurs de lumière adjacents dans une colonne tout en permettant à la borne inférieure de chaque dispositif émetteur de lumière dans une colonne d'être connectée à la borne inférieure de chaque autre dispositif émetteur de lumière dans la même colonne. Une couche 32 en un matériau diélectrique qui, dans cet exemple spécifique, est du Si3N4, est ensuite déposée sur la plaquette afin d'assurer une passivation des surfaces gravées et une isolation entre les couches métalliques. La surface de plaquette est replanarisée à l'aide d'une couche 33 en polyimide. Des vias sont ensuite gravées dans la couche 32 et dans la couche 33 sur le sommet de chacun des mesa 30 afin d'assurer un accès à la couche capuchon conductrice 28. Un métal de contact P (non représenté) est appliqué sur la surface mise à nu de la couche capuchon conductrice 28 en utilisant des techniques de pelage standards pour constituer des contacts ohmiques avec la borne supérieure de chaque dispositif émetteur de lumière dans une rangée et pour former des bus de courant de rangée entre les contacts. Il est bien entendu que le réseau de DEL 12 est positionné selon des rangées et des colonnes afin de définir tous les pixels d'une image complète générée par les DEL 12 et qu'il est en fonctionnement connecté à une pluralité de plots de connexion (dont il est discuté présentement) adjacents à des bords externes du substrat 14. Sur l'ensemble de cette description, des références à des rangées et des colonnes sont réalisées par souci de simplification de la description mais il est bien entendu par l'homme de l'art que ces termes sont complètement interchangeables puisque les rangées et les colonnes d'une matrice dépendent de façon générale d'une orientation physique et sont modifiées en faisant simplement tourner le dispositif de 90 . Par report plus spécifiquement à la structure et à la fabrication du laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) 16, sont représentées une pluralité de couches de matériau formées sur une seconde surface principale opposée 17 du substrat 14. Il est bien entendu qu'il s'agit simplement d'une représentation d'une structure de VCSEL et qu'il peut y avoir bon nombre de ces structures situées sur le substrat 14 pour former des réseaux. Il est en outre bien entendu que d'autres applications pourront être utilisées pour la fabrication du VCSEL 16 de la présente invention telles qu'une gravure de tranchées ou similaire. En général, le VCSEL 16 est formé en déposant une pluralité de couches sur un substrat puis en gravant les couches vers le bas jusqu'au substrat pour former le VCSEL. Toute autre information concernant la formation des VCSEL selon ce procédé peut être trouvée dans le brevet des Etats-Unis n 5 034 092 intitulé "PLASMA ETCHING OF SEMICONDUCTOR SUBSTRATES", délivré le 23 Juillet 1991, dont la demanderesse est la même que celle de la présente invention. Le substrat 14, comme préalablement mentionné, est réalisé en arséniure de gallium non dopé. L'arséniure de gallium est représenté tel qu'utilisé pour le substrat 14 afin de faciliter la croissance épitaxiale de multiples couches présentant des concentrations en aluminium élevées et basses en arséniure de gallium 34 et en arséniure d'aluminium 35 tellesque Alo,85GaAs et Aloi5GaAs. Il est bien entendu que d'autres substrats semiconducteurs pourraient être utilisés également. Un dépôt épitaxial de multiples couches alternées de différentes compositions est réalisé au moyen de techniques bien connues de l'art telles qu'une épitaxie par jet moléculaire (MBE), un dépôt chimique en phase vapeur d'organométallique (MOCVD) ou similaire. Ces techniques permettent un dépôt épitaxial de couches relativement minces et épaisses d'une certaine variété de matériaux tels que l'arséniure de gallium, l'arséniure d'aluminium-gallium, l'arséniure d'aluminium, le silicium ou similaire. La fabrication des dispositifs de VCSEL utilise un dépôt épitaxial de façon extensive afin de fabriquer la multitude de couches en différents matériaux qui constituent le dispositif. Il est bien entendu que le VCSEL 16 peut être fabriqué afin d'émettre de la lumière visible et/ou de la lumière infrarouge. Plus spécifiquement, le VCSEL 16 peut être fabriqué de manière à émettre de la lumière dans une plage visible de bleu, de vert, de rouge lors de l'utilisation de couches actives en nitrure d'indium-gallium (InGaN) ou en utilisant du phosphure d'indium-gallium-aluminium (InGaAlP) afin d'obtenir une lumière dans une plage de rouge. En outre, le VCSEL 16 peut être fabriqué afin d'émettre une lumière infrarouge en utilisant de l'arséniure de gallium (GaAs), de l'arséniure d'indium-gallium (InGaAs) et/ou de l'arséniure-phosphure d'indium-gallium (InGaAsP) afin d'émettre une lumière dans une plage infrarouge. A nouveau, il est bien entendu que le module électro-optique 10 est fabriqué de telle sorte qu'il comporte un unique VCSEL 16 formé sur lui ou une pluralité de VCSEL 16 formés sur lui, définissant un réseau de VCSEL 16. A titre d'exemple, le VCSEL 16 est fabriqué par dépôt épitaxial de couches ou de films alternés en arséniure d'aluminium-gallium (AlGaAs) dopé au silicium 34 avec une faible fraction d'aluminium (Al) et en arséniure d'aluminium-gallium (AlGaAs) dopé au silicium 35 avec une fraction élevée d'aluminium (AI), plus spécifiquement Alo,L5Gao,s5As et Alo, 85Gao,,5As dopés au silicium, sur la seconde surface principale opposée 17 du substrat 14. Le dépôt de couches alternées en arséniure d'aluminum- gallium dopé 34 et 35 forme un premier jeu de réflecteurs ou piles de miroir 36 pour le dispositif de VCSEL. Les épaisseurs des couches alternées en arséniure d'aluminium-gallium 34 et en arséniure d'aluminium-gallium 35 sont établies à approximativement un quart de la longueur d'onde de la fréquence pour laquelle le dispositif est conçu pour fonctionner. De façon générale, le rendement d'un VCSEL est augmenté en augmentant le nombre de couches alternées dans les régions de réflecteur. Une région de gainage 37 est disposée de façon épitaxiale sur de multiples couches en arséniure d'aluminium-gallium 34 et 35. La région de gainage 37 comporte typiquement deux parties qui ne sont pas représentées pour éviter de surcharger la figure. Tout d'abord, une couche en arséniure d'aluminium-gallium dopé au silicium est déposée sur la première pile de réflecteurs. En second lieu, une couche en arséniure d'aluminium-gallium non dopé est déposée sur la couche en arséniure d'aluminium-gallium dopé au silicium. Une région active 38 est déposée de façon épitaxiale sur la région de gainage 37. La région active 38 est classiquement constituée par deux régions barrières (non représentées) qui sont déposées sur chaque côté d'une région de puits quantique sous contrainte centrale. Les deux régions barrières sont réalisées selon une épaisseur d'approximativement 100 angstrôms chacune d'arséniure d'aluminium-gallium non dopé. La région de puits quantique sous contrainte est de façon générale constituée par de l'arséniure de gallium non dopé présentant une épaisseur approximative de 80 angstrôms. Une seconde région de gainage 39 est déposée de façon épitaxiale sur la région active 38. La région de gainage 39 est classiquement constituée par deux parties (non représentées). Tout d'abord, de l'arséniure d'aluminium-gallium non dopé est déposé sur la région active 38. En second lieu, de l'arséniure d'aluminium-gallium dopé au carbone est déposé sur l'arséniure d'aluminium-gallium non dopé. Il est bien entendu que parmi les dopants P alternatifs, le béryllium et le zinc peuvent également être utilisés. Un second réflecteur ou seconde pile de miroir 40 est déposé de façon épitaxiale sur la seconde région de gainage 39. La seconde région de réflecteur est constituée par des couches alternées d'arséniure d'aluminium-gallium dopé au carbone 41, avec une faible fraction d'aluminium, et d'arséniure d'aluminium-gallium dopé au carbone 42, avec une fraction élevée d'aluminium, plus spécifiquement Alo,85Gao,15As et Alo,15Gao,85As dopés au carbone. De façon générale, l'épaisseur de la dernière couche alternée est approximativement égale à la moitié de la longueur d'onde au lieu d'un quart de longueur d'onde, comme utilisé pour les autres couches alternées. Une couche de métal 43 typiquement réalisée en titane, en platine, en or ou en nickel est déposée sur la dernière des couches alternées 34 et 35. La couche de métal 43 est fabriquée de telle sorte que des motifs géométriques soient formés en utilisant un processus de pelage (lift- off) classique. Il est bien entendu que d'autres structures de masquage et d'autres procédés pourraient être utilisés pour fabriquer des motifs géométriques tels qu'une photoréserve, des diélectriques ou similaire. La couche de métal 43 une fois conformée joue le rôle de masque de gravure pour graver des couches alternées exposées. Après dépôt de façon épitaxiale de multiples couches sur le substrat 14, la structure de VCSEL est définie à l'aide de la couche de métal 43 et est gravée. Après que la gravure est terminée, une structure de VCSEL comme représenté est obtenue, laquelle peut émettre de la lumière dans une plage qui dépend des matériaux particuliers utilisés lors de la fabrication du ou des VCSEL 16, comme préalablement décrit. Un autre procédé de fabrication du ou des VCSEL 16 est décrit dans le brevet des Etats-Unis n 5 258 316 intitulé "PATTERNED MIRROR VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER", délivré le 2 Novembre 1993, dont la demanderesse est la même que celle de la présente invention. Est décrite la formation d'un ou de plusieurs VCSEL en définissant une zone de fonctionnement dans le second réflecteur ou la seconde région de miroir 40 afin de former une tranchée entourant la zone de fonctionnement et en étendant la profondeur de la tranchée de façon suffisante afin de réduire la réflectivité au-dessous d'une valeur requise pour supporter un effet laser dans un volume du laser entre la tranchée et la couche active. Bien que des séquences spécifiques d'étapes aient été décrites lors de la fabrication d'un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10, il est bien entendu par l'homme de l'art que bon nombre des étapes sont interchangeables et que la séquence exacte utilisée dépend des procédés spécifiques appliqués, y compris des produits chimiques, des températures, etc...En outre, il est bien entendu que pendant la fabrication du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10, la séquence de croissance de couches épitaxiales peut être mise en oeuvre tout d'abord mais de préférence, le réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12 est formé en premier. Comme préalablement mentionné, la technique de croissance pour les deux côtés du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés sera le plus probablement le procédé MOCVD bien que d'autres techniques telles que CBE, MBE ou MOMBE pourraient être utilisées. La clé pour le processus de fabrication du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 est la protection de la structure épitaxiale sur le dessous de la plaquette. Par conséquent, une couche épaisse en arséniure de gallium (GaAs) devrait être utilisée en tant que couche de protection pour permettre des rayures et endommagements de traitement typiques lorsque la structure épitaxiale opposée est fabriquée. Il est bien entendu que ni la séquence décrite, ni la séquence revendiquée ne sont destinées à limiter d'une quelconque façon la présente invention à une séquence spécifique d'étapes pour la formation du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10. Par report maintenant aux figures 2 à 6, est décrite l'incorporation du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 décrit ci-avant dans un module électro-optique complet 50. Plus spécifiquement, par report aux figures 2 et 3, sont représentés selon une vue en coupe simplifiée le module électro-optique 50 dont des parties ont été ôtées, et une vue agrandie en plan de dessus du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 monté entre deux structures de montage optiquement transparentes 52, incluant des connexions électriques. Le module électro-optique 50 est de façon générale constitué par le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 et par la structure de montage 52. La structure de montage 52 selon ce mode de réalisation particulier est formée en tant que deux composants sensiblement plans en un verre optiquement transparent ou similaire et elle comporte montés sur elle une pluralité de plots de connexion/montage 53 et une pluralité de conducteurs électriques 54, ce qui permet d'assurer une interface électrique avec une pluralité de plots de connexion 55 formés sur le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 lorsque le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 est aligné de manière appropriée sur une pluralité de surfaces internes de la structures de montage 52 en utilisant des bossements 56 et des techniques de liaison de bossements standards. Les conducteurs de la pluralité de conducteurs électriques 54 sont décrits selon le mode de réalisation préféré, lesquels conducteurs s'étendent chacun depuis un plot de connexion/montage 53 sur une pluralité de surfaces principales intérieures 57 d'une structure de montage optiquement transparente 52, en une position adjacente à un bord d'une partie centrale, en s'étendant sensiblement sur la même étendue qu'une image complète générée par les DEL 12 et par au moins un VCSEL 16 du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10, jusqu'à un plot de connexion/montage 58 positionné à proximité de la périphérie externe de la structure de montage 52, afin de connecter électriquement les rangées et les colonnes des dispositifs émetteurs de lumière 12 et des VCSEL 16 à des plots de connexion/montage 58 positionnes approximativement au niveau de la périphérie externe. Est en outre décrite l'utilisation de grilles de connexion noyées ou montées en surface et/ou de vias à trous plaqués pour former les moyens requis pour connecter électriquement les composants ensemble. En formant en éventail les conducteurs électriques 54, les plots de connexion/montage 58 peuvent être construits de manière à être suffisamment importants pour assurer un contact électrique aisé dessus. Les conducteurs électriques 54 et les plots de connexion/montage 53 et 58 peuvent être formés à partir de connexions en cuivre noyées en surface, d'interconnexions obtenues par impression par sérigraphie en pate de soudure, d'interconnexions plaquées à l'or ou par évaporation de métal. En outre, une technologie sol-gel, incorporant les étapes habituelles d'impression, de conformation et de fusion, peut être utilisée, ainsi qu'une métallisation à film mince standard au cours de laquelle des couches de métal sont déposées par exemple par pulvérisation. Dans un système de métallisation typique, une première couche de chrome est appliquée par pulvérisation afin de fonctionner en tant que couche d'adhésif sur les structures de montage 52. Une seconde couche de cuivre est appliquée au-dessus du chrome afin d'assurer la conduction électrique souhaitée et une couche d'or est appliquée au- dessus du cuivre afin de constituer une couche barrière et adhésive pour d'autres connexions. Il est bien entendu que la métallisation peut être soit un procédé additif, soit un procédé soustractif, la conformation et la gravure étant réalisées au moyen de n'importe lequel de divers procédés bien connus de l'art afin d'obtenir la structure finale souhaitée. Les plots de connexion/montage 58 sont destinés à assurer une interface électrique avec une carte de pilotage externe telle qu'une carte de circuit imprimé FR4 standard. Il est bien entendu qu'une pluralité de circuits de pilotage/commande sont montés sur la carte de pilotage en utilisant des techniques de liaison par fil standards ou de liaison par bossement standards. Pendant le fonctionnement, des signaux reçus par les circuits de pilotage/commande activent la pluralité de DEL 12 et au moins un VCSEL 16 pour générer une image ou un signal en réponse à cela. Il est bien entendu qu'une lumière est émise par le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés suivant des directions opposées comme indiqué par des flèches directionnelles sur les figures 2, 4, 5 et 6. Une vue agrandie, similaire à celle de la figure 2, du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 assemblé selon un autre mode de réalisation d'un module électro-optique complet 60 est représentée sur la figure 4. Par report spécifiquement à la figure 5, est représenté en perspective le module électro-optique complètement intégré 60 de la présente invention. Selon le mode de réalisation des figures 4 et 5, des parties qui sont similaires à celles décrites en conjonction avec les figures 2 et 3 sont désignées au moyen d'index de référence similaires auxquels est ajouté un symbole prime pour indiquer le mode de réalisation différent. Selon ce mode de réalisation, sont prévus un premier substrat de pilotage 62 et un second substrat de pilotage 63, chacun étant formé de manière à comporter une ouverture centrale 64 le traversant, s'étendant sensiblement sur la même étendue que l'image complète générée par le réseau de DEL 12' et que la lumière émise par l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) 16'. La formation des ouvertures centrales 64 permet aux substrats de pilotage 62 et 63 d'être montés sur des côtés de structures de montage 52' opposés aux montages du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10'. Les substrats de pilotage 62 et 63 sont montés sur les structures de montage 52' en utilisant une pluralité de bossements électriquement conducteurs standards 65 et des techniques de liaison par bossements. L'image complète générée par le réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12' et la lumière infrarouge visible émise par l'au moins un VCSEL 16 du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés O10' passent chacune au travers des structures de montage optiquement transparentes 52' et au travers des ouvertures centrales 64 dans les substrats de pilotage 62 et 63. Dans ce mode de réalisation particulier, la structure de montage 52' est formée par deux composants en plastique optiquement transparent moulés sensiblement plans ou similaire et ceux-ci se voient former additionnellement en leur sein une pluralité de connexions électriques représentées ici en tant que pluralité de vias à trous plaqués 66 et/ou que pluralité de grilles de connexion noyées (non représenté) afin de connecter électriquement le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10' avec une pluralité de circuits de pilotage et de commande 68. Par report spécifiquement à la figure 6, une vue en coupe agrandie d'un module électro-optique complètement intégré 70 est représentée. Dans le mode de réalisation de la figure 6, des parties qui sont similaires à celles décrites en conjonction avec les figures 2 et 3 sont désignées à l'aide d'index de référence similaires auxquels est ajouté le symbole double prime afin d'indiquer le mode de réalisation différent. Un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés " est positionné dans une structure de montage optiquement opaque 72. Dans le mode de réalisation le plus simple, la structure de montage moulée 72 est un composant séparé formé en tant que structure en forme d'anneau porteur en un matériau opaque tel qu'un plastique opaque moulé, une résine ou tout autre matériau qui convient pour les buts examinés ici, en définissant des ouvertures/"fenêtres" centrales dedans (non représentées) ou des parties centrales optiquement transparentes 74 formées de manière à s'étendre sensiblement sur la même étendue que la lumière émise par le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10". Il est bien entendu que les parties centrales 74 et/ou les ouvertures centrales (non représentées) sont formées sur des surfaces opposées de la structure de montage 72. La structure de montage 72 est formée en plastique moulé, plus spécifiquement en une résine par transfert ou injection sensiblement opaque présentant un coefficient de dilatation thermique (CTE) de 15 à 20 ppm (parties par million). La structure de montage 72 comporte formées en son sein l'une des parties centrales 74, une lentille de réfraction ou de diffraction 76 qui présente sensiblement la même taille que le réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12" de telle sorte que l'image générée par les dispositifs émetteurs de lumière 12" en coopération soit complètement visible au travers, une fois que le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10" est aligné de manière appropriée sur la structure de montage 72, en utilisant des techniques de liaison par bossements standards. La lentille de réfraction ou de diffraction 76 peut être formée en estampant ou en pressant la surface de lentille sur la surface principale supérieure de la partie centrale transparente optiquement 74 au moyen d'un moulage par injection de la lentille 76 dans une ouverture centrale (non représentée) ou au moyen d'un moulage par injection d'un substrat transparent dans l'ouverture centrale puis par estampage ou pression de la surface de lentille sur la surface principale supérieure du substrat. Sont décrits dans ce mode de réalisation une pluralité de conducteurs électriques 78 dont chacun s'étend depuis un plot de connexion/montage 79 sur une pluralité de surfaces principales intérieures 80 de la structure de montage 72 en une position adjacente à un bord de la partie centrale 74, jusqu'à une pluralité de substrats de pilotage noyés 82 positionnés à l'intérieur de la structure de montage 72 afin de connecter électriquement les rangées et les colonnes des dispositifs émetteurs de lumière 12" et l'au moins un VCSEL 16" à une pluralité de circuits de pilotage et de commande 68'. Est en outre décrite l'utilisation de grilles de connexion montées en surface ou noyées et de vias par trous plaqués afin de former le moyen requis pour connecter électriquement les composants ensemble. La structure de montage 72, dans ce mode de réalisation spécifique, est constituée à l'aide d'une partie centrale 74 d'approximativement 0,2 pouce de côté et à l'aide d'une périphérie externe de 0,5 pouce de côté. Des conducteurs électriques 78 et des plots de connexion/montage 79 peuvent être formés à partir des connexions en cuivre noyées en surface, des vias à trous plaqués, d'interconnexions à impression par sérigraphie en pâte de soudure, d'interconnexions plaquées à l'or ou d'une évaporation de métal. Le module électro-optique 70 est interfacé électriquement avec des composants externes en utilisant une pluralité de bossements 84 et des techniques de liaison par bossements standards ou selon une variante, n'importe quel autre moyen approprié pour un interfaçage électrique bien connu de l'art. En ce qui concerne les modes de réalisations décrits ici, les circuits de pilotage et de commande 68 et 68' sont de façon générale formés en tant que circuits intégrés plus petits qui sont liés par fil ou liés par bossement à des contacts électriques sur les substrats de pilotage 62, 63 et 82. Les substrats de pilotage 62, 63 et 82 sont par exemple une carte de circuit imprimé appropriée telle que FR4 ou similaire et ils comportent soit des bossements 65 en un matériau de contact tel qu'une soudure C5, un métal plaqué soudable ou similaire, soit des broches de connexion (non représentées) positionnées sur les surfaces principales inférieures afférentes, comme représenté sur la figure 4, ou noyées dans la structure de montage, comme représenté sur la figure 6. Dans certaines applications spécifiques, les substrats de pilotage 62, 63 et 82 peuvent être d'uniques puces semiconductrices comportant tous les composants de pilotage et d'interconnexion intégrés dessus. Les bossements 65 (si ils sont utilisés) et ceux utilisés dans les dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés d'interfaçage 10, 10' et 10" ainsi que les structures de montage 52, 52' et 72 (dont il a été préalablement discuté) sont formés en un matériau qui est relativement bon conducteur électrique et qui peut être au moins partiellement fondu et ramené à l'état initial afin de former une bonne connexion physique. Le matériau qui peut être utilisé à cette fin inclut l'or, le cuivre, la soudure et plus particulièrement une soudure haute température, une époxy conductrice etc... Une hauteur de bossement de jusqu'à 80 micromètres peut être formée sur un plot de connexion/montage carré ou selon un diamètre de 20 micromètres. Pour des pas plus petits, des bossements de cuivre d'un diamètre de 5 micromètres présentant un pas de 10 micromètres ont été formés selon une hauteur de bossement de 20 micromètres. Par ailleurs, des bossements en or d'un diamètre de 15 micromètres pour un pas de 30 micromètres ont été formés jusqu'à une hauteur de 30 à 45 micromètres. Les interstices entre chacun des dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés 10, 10' et 10" et chacune des structures de montage 52, 52' et 72 peuvent être respectivement remplis d'un matériau optiquement transparent (représenté sur la figure 4) qui peut être n'importe quel matériau approprié pour supporter et constituer les modules électro- optiques 52, 60 et 70. Par conséquent, dans le mode de réalisation décrit, les dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés 10, 10' et 10" et les structures de montage 52, 52' et 72 ne sont pas liés physiquement ensemble et les différents coefficients de dilatation ont peu d'effet, voire pas d'effet. Il est bien entendu que pour de meilleurs résultats, les structures de montage 52, 52' et 72 et les dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés 10, 10' et 10" doivent être construits selon des indices de réfraction qui sont aussi proches que possible dans la pratique. Si par exemple les indices de réfraction des structures de montage et des dispositifs optoélectroniques émission sur les deux côtés diffèrent de manière significative, on observe une tendance consistant en ce que la lumière est réfléchie à. l'arrière depuis le substrat 14 du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés 10 et que le rendement du module électro-optique est réduit. De façon générale, un indice de réfraction d'approximativement 1,5 pour les structures de montage 52, 52' et 72 et pour les dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés 10, 10' et 10" s'est avéré être acceptable. Il est bien entendu que les images générées par le réseau de dispositifs émetteurs de lumière 12 et par l'au moins un VCSEL 16 sont de façon générale trop petites pour être perçues de façon appropriée (pour pleinement comprendre) à l'aide de l'oeil humain et de façon générale, un agrandissement d'au moins 10x est nécessaire pour une visualisation confortable et complète. Par conséquent, la lentille 76 peut être formée en tant qu'unique lentille, et un agrandissement optique supplémentaire qui est obtenu par un système ou une lentille externe 76 dans le module électro-optique 70 peut être formé en tant que système d'agrandissement complet. Plusieurs exemples de systèmes d'agrandissement optique qui peuvent être incorporés dans la lentille 76 ou appliqués de façon externe à celle-ci sont décrits dans la demande de brevet US connexe de numéro de série 08/405 057 intitulée "A SINGLE FOLD OPTICAL MAGNIFIER FOR USE IN IMAGE MANIFESTATION APPARATUS", déposée le 16 Mars 1995 dont la demanderesse est la même que celle de la présente invention. En outre, une description davantage détaillée de l'utilisation du module électro-optique et du dispositif optoélectroniques à émission sur les deux côtés de la présente invention, incorporés dans un dispositif électronique tel qu'un émetteur-récepteur électronique, peut être trouvée dans la demande de brevet US connexe déposée à la même date et intitulée "MULTI FUNCTIONAL PORTABLE ELECTRONIC TRANSCEIVER", dont la demanderesse est la même que celle de la présente invention. Par conséquent, la présente invention illustre et enseigne des modules électro-optiques intégrés comportant contenus dedans des dispositifs optoélectroniques à émission sur les deux côtés composés par des réseaux de dispositifs de génération de lumière et de lasers à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) formés sur un élément de substrat commun. La structure de montage sur laquelle le dispositif optoélectronique est monté est formée en un certain matériau optiquement transparent ou selon une variante, en un matériau transparent et/ou opaque moulé tel qu'un plastique comportant formé en son sein des conducteurs électriques et/ou des vias à trous plaqués. Les modules ne sont pas limités du point de vue de la taille par les connexions électriques et optiques et sont sensiblement plus petits que des modules intégrés précédents qui réalisent les mêmes fonctions. Par ailleurs, la présente invention illustre et enseigne des modules électro-optiques intégrés dans lesquels la structure de montage est formée en tant que composant moulé en combinaison avec les éléments optiques formés dedans de manière à créer une structure de montage de façon générale monolithique et un composant de lentille. Bien qu'aient été présentés et décrits des modes de réalisation spécifiques de la présente invention, d'autres modifications et améliorations apparaîtront à l'homme de l'art. Nous souhaitons qu'il soit compris par conséquent que la présente invention n'est pas limitée aux formes particulières présentées et nous entendons que les revendications annexées couvrent toutes les modifications qui ne s'écartent ni de l'esprit, ni du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Module électro-optique intégré caractérisé par un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10), composé par un substrat (14) muni d'un réseau de dispositifs émetteurs de lumière (12) formé sur sa première surface principale (13) et coopérant pour générer une image complète, et d'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16) formé sur une seconde surface principale opposée (17) du substrat (14), pouvant ainsi émettre de la lumière suivant des directions opposées. 2. Module électro-optique intégré selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce que le substrat (14) est constitué par une première plaquette semiconductrice et par une seconde plaquette semiconductrice liées l'une à l'autre. 3. Module électro-optique intégré selon la revendication 2, caractérisé en outre en ce que la première plaquette semiconductrice et la seconde plaquette semiconductrice sont formées en arséniure de gallium (GaAs). 4. Module électro-optique intégré selon la revendication 1, caractérisé en outre en ce que le réseau de dispositifs émetteurs de lumière (12) émet une lumière visible et l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16) émet une lumière s'inscrivant dans la plage qui va du visible à l'infrarouge. 5. Module électro-optique intégré selon la revendication 4, caractérisé en outre par une structure de montage (52), formée pour permettre le montage du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10) sur une pluralité de surfaces intérieures (57) de la structure de montage (52), la structure de montage (52) définissant en outre un élément pris parmi une première ouverture centrale (64) et une première partie centrale optiquement transparente (74), s'étendant sensiblement sur la même étendue que l'image complète générée par le réseau de dispositifs émetteurs de lumière (12) et un élément pris parmi une seconde ouverture centrale (64) et une seconde partie centrale optiquement transparente (74), s'étendant sensiblement sur la même étendue que la lumière émise par l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16), et comportant une pluralité de plots de connexion (53) formés sur la pluralité de surfaces intérieures (57) entourant le premier élément pris parmi une première ouverture centrale (64) et une première partie centrale optiquement transparente (74) et l'élément pris parmi une seconde ouverture centrale (64) et une seconde partie centrale optiquement transparente (74), et une pluralité de moyens (54) pour une connexion électrique formés sur la structure de montage (52) afin d'interfacer électriquement le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10) et la structure de montage (52). 6. Procédé de fabrication d'un module électro-optique, caractérisé par les étapes de: formation d'un dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10), incluant une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière (12) sur une première surface principale (13) d'un substrat (14), chacun de la pluralité de dispositifs émetteurs de lumière (12) comportant des première et seconde électrodes pour activer les dispositifs émetteurs de lumière (12), les dispositifs émetteurs de lumière (12) définissant une pluralité de pixels positionnés selon des rangées et des colonnes et coopérant pour générer une image complète, lorsqu'ils sont activés, au niveau d'une partie centrale du substrat (14), le substrat (14) étant en outre formé avec au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16) formé sur une seconde surface principale opposée (17) du substrat (14), comportant des première et seconde électrodes pour activer l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (16) au niveau d'une partie centrale du substrat (14), le dispositif optoélectronique à émission sur deux côtés (10) comportant en outre une pluralité de plots de connexion (55) en des positions adjacentes à des bords externes afférents et à l'extérieur des parties centrales de la première surface principale (13) et de la seconde surface principale opposée (17), les première et seconde électrodes des dispositifs émetteurs de lumière (12) et les première et seconde électrodes de l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16) étant connectées à une pluralité de plots de connexion externe (55); formation d'une structure de montage (52) comportant une pluralité de surfaces principales intérieures (57) pour monter le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10) et un moyen (53) pour une connexion électrique sur le dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10); et montage du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10) sur la pluralité de surfaces principales intérieures (57) de la structure de montage (52), le moyen (53) pour une connexion électrique de la structure de montage (52) étant en contact électrique avec la pluralité de plots de connexion externe (55) du dispositif optoélectronique à émission sur les deux côtés (10). 7. Procédé de fabrication d'un module électro-optique selon la revendication 6, caractérisé en outre par les étapes de: formation d'au moins un substrat de pilotage (62) comportant une première surface principale et une seconde surface principale opposées, une pluralité de plots de connexion étant formés dessus la première surface principale et la seconde surface principale; formation d'une pluralité de circuits de pilotage et de contrôleur (68) comportant une pluralité de bornes d'entrée de données et comportant en outre une pluralité de bornes de sortie de signal de commande adaptées pour être connectées aux première et seconde électrodes de dispositifs émetteurs de lumière (12) et de l'au moins un laser à émission en surface à cavité verticale (VCSEL) (16); montage de l'au moins un substrat de pilotage (62) sur la structure de montage (52), la pluralité de plots de connexion sur la première surface principale de l'au moins un substrat de pilotage (62) étant en contact électrique avec le moyen pour une connexion électrique de la structure de montage (52); et montage de la pluralité de circuits de pilotage et de contrôleur (68) sur la seconde surface principale opposée de l'au moins un substrat de pilotage (62), la pluralité de bornes de sortie de signal de commande étant en contact électrique avec la pluralité de plots de connexion sur la seconde surface principale opposée de l'au moins un substrat de pilotage (62). 8. Procédé de fabrication d'un module électro-optique selon la revendication 7, caractérisé en outre en ce que l'étape de formation d'une structure de montage (52) avec un moyen pour une connexion électrique inclut l'étape de formation du moyen pour la connexion électrique avec au moins l'une d'une pluralité de plots de connexion (53), d'une pluralité de grilles de connexion montées en surface, d'une pluralité de grilles de connexion noyées et d'une pluralité de vias à trous plaqués (66). 9. Procédé de fabrication d'un module électro-optique selon la revendication 6, caractérisé en outre en ce que l'étape de formation d'une pluralité de dispositifs émetteurs de lumière (12) sur la première surface principale (13) du substrat (14) inclut la formation d'une pluralité de diodes émettrices de lumière organiques, d'une pluralité de diodes émettrices de lumière inorganiques, d'une pluralité de dispositifs à cristaux liquides (LCD) et d'une pluralité de lasers à émission en surface à cavité verticale sur le substrat.