Brevet FR2737342A1 — publié le 19970131

COMPOSANT SEMICONDUCTEUR AVEC DISSIPATEUR THERMIQUE INTEGRE Le domaine de l'invention est celui des composants semiconducteurs de puissance et notamment celui des transistors bipolaires présentant un grand intérêt dans des applications hyperfréquences. L'invention concerne l'introduction d'un dissipateur thermique au niveau du composant de puissance, permettant ainsi d'augmenter pour une température de fonctionnement donnée, la puissance disponible par unité de surface de semiconducteur. Dans le cadre des transistors de puissance et plus particulièrement dans le cadre de transistors bipolaires à hétérojonction HBT, d'une manière générale, les composants sont réalisés en matériaux du groupe III-V et résultent d'une technologie verticale. Ils présentent au moins une structure de "mésa" émetteur, depuis laquelle les charges s'écoulent perpendiculairement au substrat. La figure 1 illustre une configuration classique de transistor bipolaire HBT. Un substrat 6 comprend un collecteur 3 qui peut être enterré dans le substrat 6 sur lequel repose une couche de base 2, qui elle-même supporte une couche émetteur 1 et une couche de prise de contact. Le courant électrique traverse ainsi les couches E, B, C d'émetteur, base et collecteur perpendiculairement à leur plan. De tels transistors sont capables de commander des densités de courant extrêmement importantes atteignant 2.105 A.cm-2 et de très fortes tensions. Ceci entraîne d'importants problèmes de dissipation thermique puisque le collecteur du transistor soumis à de très fortes tensions est soumis à un fort échauffement, la chaleur dégagée étant d'autant plus difficile à évacuer que la structure est verticale, en mésa. Afin de résoudre ce problème de dissipation thermique, l'invention propose un composant dans lequel est intégré un dissipateur thermique métallique, présentant une structure partiellement aérienne, I'autre partie du dissipateur reposant sur la face avant du composant. Plus précisément, I'invention a pour objet un dispositif semiconducteur comprenant au moins une région dite "mésa" en relief par rapport à une première face du substrat dite face avant ladite région étant la source d'un important dégagement de chaleur, le "mésa" et la face avant étant recouverts d'une couche de passivation CP, caractérisé en ce que le dispositif comprend un dissipateur thermique métallique épais comportant: - une partie aérienne PI en forme de pont dont les jambes reposent sur la couche de passivation CP au niveau de I'ensemble d'un "mésa" en relief; une partie PlI recouvrant des régions de la face avant du substrat, autres que celles constituant le "mésa" en relief. Le dispositif semiconducteur selon l'invention peut comprendre un transistor ou des transistors montés en parallèle, chaque transistor présentant deux mésa successifs à partir du substrat, un premier mésa constitué par la base, un second mésa constitué par l'émetteur, le premier mésa comportant des métallisations de base mB de part et d'autre de l'émetteur, le second mésa comportant une métallisation d'émetteur mE, la partie aérienne PI du dissipateur thermique étant en forme de pont dont les jambes reposent sur la couche CP au niveau de l'ensemble métallisation mE/métallisation mB. Dans une première variante de l'invention, le contact émetteur CE peut être pris à une extrémité du doigt émetteur. L'invention a également pour objet un dispositif semiconducteur précédemment décrit dans lequel la couche de passivation CP est ouverte localement au niveau des doigts d'émetteur de manière à assurer un contact électrique CE' homogène au niveau de l'émetteur, mais dont la réalisation technologique est plus délicate que celle du contact CE dans la première variante de l'invention. Cette variante de l'invention permet de résoudre le problème rencontré dans les dispositifs de pussance et concernant la non homogénéité de courant injecté à une extrémité des émetteurs des transistors élémentaires. En effet, le courant est naturellement plus important à proximité du point d'alimentation, ceci entraînant une limitation de surface d'un transistor élémentaire, inférieure typiquement à 100 pm2 pour ne pas excéder des densités de courant de 106 A.cm-2. Le composant semiconducteur selon l'invention peut avantageusement comprendre un substrat dont la face arrière est métallisée pour constituer un plan de masse relié au dissipateur thermique par l'intermédiaire de via-trous réalisés dans le substrat. L'invention peut avantageusement être appliquée à des transistors bipolaires à hétérojonction de puissance de type GalnP/GaAs épitaxiés sur substrat GaAs. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles: - la figure 1 illustre une structure de transistor bipolaire à hétérojonction, selon l'art connu, décrit précédemment; - la figure 2 montre une vue en coupe d'un doigt élémentaire d'un transistor de puissance, selon une première variante de l'invention; - la figure 3 illustre deux transistors mis en parallèle dans un composant selon une première variante de l'invention; la figure 4 illustre deux transistors mis en parallèle dans un composant selon une deuxième variante de l'invention dans lequel les contacts d'émetteur CE' sont pris sur les doigts d'émetteur; - la figure 5 montre l'évolution de la résistance thermique en fonction du nombre de doigts que comportent des composants avec dissipateur thermique et sans dissipateur thermique; - la figure 6 illustre la résistance thermique d'un doigt élémentaire en fonction du nombre de doigts dans des composants avec dissipateur thermique et sans dissipateur thermique; - la figure 7 montre le gain hyperfréquence en fonction de la fréquence pour des composants avec dissipateur thermique et sans dissipateur thermique; - la figure 8 illustre un procédé de réalisation d'un dissipateur thermique couplé à des transistors bipolaires. La figure 2 est relative à un exemple de transistor de puissance selon une première variante de l'invention et montre une vue en coupe d'un doigt élémentaire d'un composant HBT. Elle illustre la partie aérienne du dissipateur thermique métallique qui repose sur la couche de passivation CP, au niveau des métallisations de base mB et de la métallisation émetteur mE. Ainsi à partir d'un substrat semiconducteur 6, d'un sous-collecteur enterré 4 dans le substrat, un premier mésa 3 constitue le collecteur de part et d'autre duquel figurent des métallisations mC permettant la prise de contact au niveau du collecteur. Sur le collecteur, une couche de base 2 est recouverte partiellement d'une couche d'émetteur 1 de part et d'autre de laquelle sont réalisées des métallisations de base mB. L'émetteur est lui aussi recouvert d'une métallisation mE. L'ensemble est protégé grâce à une couche de passivation CP. Les jambes du pont constituant la partie aérienne du dissipateur thermique reposent sur la couche CP au niveau des métallisations mB et mE. La figure 3 illustre l'association de deux transistors mis en parallèle. Dans les composants classiques on peut typiquement associer jusqu'à au moins quatre transistors en parallèle. Il apparaît sur la figure 3a, la partie aérienne PI du dissipateur thermique, se présentant sous forme de pont, dont les jambes reposent sur les mésa, émetteur/base. La prise de contact émetteur CE est assurée de manière classique à une extrémité du doigt émetteur. La figure 3b montre une vue de dessus des deux transistors associés et met en évidence le bus de base bB et le bus collecteur bC qui permettent de prendre latéralement les contacts au niveau des bases et des collecteurs. Les points CE1 et CE2 sont relatifs aux contacts électriques pris au niveau des émetteurs des transistors. Cette vue de dessus est coupée au niveau des métallisations d'émetteur mE selon un premier plan Pi et coupée au niveau de la face avant du substrat selon un second plan P2- La première partie du dissipateur thermique recouvre le plan pl, la seconde partie du drain thermique recouvre le plan P2. Dans l'exemple de composant décrit en figure 3, un via-trou est représenté au niveau du plan P2 permettant de relier le dissipateur thermique avec un plan de masse situé au niveau de la face arrière du substrat. Typiquement, la face arrière du substrat peut être métallisée par exemple avec de l'or après amincissement pour réaliser le plan de masse. Dans une telle configuration, la mise à la masse au travers du substrat, des électrodes supérieures permet le refroidissement et I'homogénéisation de la température des transistors, I'évacuation de la chaleur dissipée s'effectuant d'une part sous le composant à travers le substrat et d'autre part via la métallisation supérieure épaisse que constitue la partie aérienne du dissipateur thermique. Dans une seconde variante de l'invention illustrée en figure 4, les contacts émetteurs CE'1 et CE'2 sont pris directement sur chacun des doigts, et donc toute une partie de la couche CP est dégagée au niveau de la métallisation d'émetteur mE. Pour assurer un couplage thermique correct entre le dissipateur thermique et le transistor, la couche de passivation CP doit présenter une conductivité thermique suffisante. Typiquement, le matériau de la couche CP peut être choisi parmi SiN, GaN, Bn, SiC, le diamant. Le dissipateur thermique est constitué d'un métal bon conducteur thermique, il peut notamment s'agir d'or ou de cuivre. Pour illustrer l'intérêt que représente le dissipateur thermique ici proposé, des composants semiconducteurs comprenant des structures à plusieurs doigts élémentaires avec dissipateur thermique et sans dissipateur thermique ont été comparés. Dans les deux types de composant, chacun des doigts présente une surface d'émetteur de 2x30 pm2 avec un espacement inter-doigt de 32 pm. La figure 5 montre l'évolution de la résistance thermique en fonction du nombre de doigts, pour des composants avec dissipateur thermique (courbe 5a) et sans dissipateur thermique (courbe 5b). Par ailleurs, la figure 6 illustre l'évolution de la résistance thermique de chacun des doigts dans un composant à 4 doigts avec dissipateur thermique (courbe 6a) et sans dissipateur thermique (courbe 6b). Il ressort des figures 5 et 6 qu'une diminution importante de la résistance thermique est obtenue grâce à la présence du dissipateur thermique et qu'en l'absence de dissipateur thermique, la résistance thermique augmente linéairement avec le nombre de doigts. Cela est dû au couplage thermique entre doigts élémentaires. En revanche, en présence du dissipateur thermique, chacun des doigts apparaît découplé thermiquement de ses voisins. Par ailleurs, la diminution de la résistance thermique améliore à la fois les performances électriques et la fiabilité du composant en diminuant sa température de fonctionnement. A ce titre, la figure 7 montre l'évolution du gain hyperfréquence en fonction de la fréquence, pour différents courants collecteur (de 5 mA à 40 mA) pour une tension entre émetteur et collecteur VCE = 7V. La figure 7a est relative à un composant comportant une structure à deux doigts, sans dissipateur thermique. La figure 7b est relative à un composant comportant une structure à deux doigts avec dissipateur thermique. Il apparaît ainsi que le gain hyperfréquence peut être majoré de 2 dB à 10 GHz, ce qui s'avère très important pour le rendement de puissance ajoutée des dispositifs. Nous allons décrire un exemple de procédé de réalisation de dissipateur thermique utilisé dans un composant selon l'invention, illustré en figure 3. De manière classique on réalise à partir de couches épitaxiées sur substrat semiconducteur, la structure de "double mésa" désirée, permettant l'élaboration par exemple de transistors bipolaires. L'ensemble du composant est recouvert d'une couche de passivation CP. Puis on dépose sur cette couche de passivation CP une résine positive R1, ultérieurement insolée localement de manière à dégager les zones dans lesquelles on voudra implanter le dissipateur thermique comme illustré en figure 8a (qu'il s'agisse des parties aériennes PI représentées ou des parties PII non représentées). L'ensemble est alors recouvert d'une fine couche métallique obtenue par évaporation. Cette fine couche métallique servira ultérieurement d'électrode pour le dépôt d'or électrolytique qui permettra la réalisation du dissipateur thermique métallique épais (figure 8b) Au- dessus de cette fine couche métallique, on dépose une résine R2, ultérieurement insolée là o l'on élabore le dissipateur thermique. On procède au dépôt d'or électrolytique sur une forte épaisseur (typiquement une dizaine de microns) réalisation proprement dite du dissipateur thermique. On pulvérise la fine couche métallique là o il n'y a pas d'or électrolytique. On retire l'ensemble de la résine R1, de manière à faire apparaître la partie aérienne PI du dissipateur thermique. REVENDICATIONS 1. Dispositif semiconducteur comprenant au moins une région dite "mésa" en relief par rapport à une première face du substrat dite face avant, ladite région étant la source d'un important dégagement de chaleur, le "mésa" et la face avant étant recouverts d'une couche de passivation (CP), caractérisé en ce que le dispositif comprend un dissipateur thermique métallique comportant: - une partie aérienne (PI) se présentant sous forme de pont dont les jambes reposent sur la couche (CP) au niveau de l'ensemble d'un "mésa" en relief; - une partie (PII) recouvrant des régions de la face avant du substrat, autres que celles constituant le "mésa" en relief. 2. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un transistor ou des transistors montés en parallèle, chaque transistor présentant deux mésa successifs à partir du substrat, un premier mésa constitué par la base, un second mésa constitué par l'émetteur, le premier mésa comportant des métallisations de base (mB) de part et d'autre de l'émetteur, le second mésa comportant une métallisation d'émetteur (mE), la partie aérienne (PI) du dissipateur thermique reposant sur la couche (CP) au niveau de l'ensemble métallisation (mE)/métallisations (mB), les contacts d'émetteur (CE) étant déportés par rapport aux transistors. 3. Dispositif semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend un transistor ou des transistors montés en parallèle, chaque transistor présentant deux mésa successifs à partir du substrat, un premier mésa constitué par la base, un second mésa constitué par l'émetteur, le premier mésa comportant des métallisations de base (mB) de part et d'autre de l'émetteur, le second mésa comportant une métallisation d'émetteur (mE), la partie aérienne (PI) du dissipateur thermique reposant au niveau de l'ensemble métallisation (mE)/métallisation (mB), partiellement sur la couche (CP) et partiellement sur la métallisation (ME), les contacts émetteurs (CE') étant pris directement sur les transistors. 4. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la partie (PII) est reliée à la face arrière du substrat par l'intermédiaire de via-trous au travers du substrat, ladite face arrière présentant un plan de masse métallique. 5. Dispositif semiconducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que les transistors sont des transistors bipolaires à hétérojonction de type GalnP/GaAs. 6. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche de passivation (CP) est de type SiN, GaN, BN, SiC. 7. Dispositif semiconducteur selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le dissipateur thermique est en métal bon conducteur thermique de type or, cuivre. 8. Dispositif semiconducteur selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'épaisseur du dissipateur thermique est voisine d'une dizaine de microns.