Brevet FR2736468A1 — publié le 19970110

TRANSISTOR BIPOLAIRE A STRUCTURE OPTIMISEE Le domaine de l'invention est celui des transistors bipolaires et notamment de transistors bipolaires à hétérojonction, à structure verticale, dans lesquels le courant est transporté perpendiculairement à la surface du substrat, utilisés pour des applications hyperfréquences. Ils sont constitués d'un empilement de couches de matériaux semiconducteurs, dont au moins une couche superficielle est gravée en "mésa", c'est-à-dire dire forme un motif en relief. La figure 1 décrit la structure classique d'un transistor bipolaire à hétérojonction dits HBT, dont l'émetteur, la base et le collecteur sont sur trois niveaux différents. Classiquement un contact CE est réalisé à la surface de l'émetteur par superposition de couches adaptées. Latéralement deux contacts CB1 et CB2 sont réalisés au niveau de la base de part et d'autre de l'émetteur et deux contacts CC1 et CC2 sont également réalisés au niveau du collecteur de part et d'autre de la base. Ce type de structure verticale pose un problème de recombinaisons électrons/trous, au niveau des surfaces libres s1 et S2 illustrées en figure 1, ces recombinaisons jouant un rôle majeur dans la dégradation de gain en courant. Ce phénomène étant d'autant plus important que les transistors sont de petites tailles (fuite des électrons sur les bords), les applications en hyperfréquences de telles structures verticales sont fortement pénalisées par ce problème. En effet, pour un fonctionnement en hyperfréquence, un transistor bipolaire consiste en plusieurs transistors élémentaires (encore appelés doigts) mis en parallèle et afin de limiter la résistance de base d'un transistor élémentaire, il est nécessaire de limiter la largeur de l'émetteur. Typiquement, la largeur d'un doigt peut être de l'ordre de 2 pm pour des applications à des fréquences inférieures à 100 GHz, alors que la longueur du doigt d'émetteur peut être d'une trentaine de microns. Certaines solutions ont déjà été apportées à ce problème et notamment dans le cadre de transistors HBT élaborés avec des matériaux GaAIAs/GaAs. Notamment, il a été envisagé d'introduire une couche de passivation entre émetteur et base, créant une zone dépeuplée, intermédiaire dans laquelle les recombinaisons électrons/trous sont rendues pratiquement impossibles en raison de la disparition des porteurs libres dans cette zone. Plus précisément, la figure 2 décrit une structure dans laquelle l'émetteur possède une architecture particulière obtenue par gravure partielle d'une couche de GaAIAs déposée sur une couche de GaAs dopée p, constituant la base. Deux contacts CB1 et CB2 sont réalisés au niveau de la couche émettrice sur des surfaces s'1 et s'2 puis par un traitement adaptée, ces contacts peuvent diffuser sur l'épaisseur eo. Dans cette configuration, les recombinaisons électrons/trous dans la base, favorisées antérieurement au niveau de la surface libre de la base, sont limitées en raison de l'épaisseur eo d'émetteur, maintenue au- dessus de la base. Le problème de ce type de structure réside cependant dans leur mauvaise stabilité dans la mesure o la diffusion réalisée pour les contacts ne peut être entièrement maîtrisée et peut donc ainsi continuer à évoluer avec le temps et la température. C'est pourquoi l'invention propose une structure optimisée de transistor bipolaire à hétérojonction dans laquelle les recombinaisons de surface sont minimisées grâce à une architecture particulière d'émetteur. Plus précisément l'invention a pour objet un transistor bipolaire à hétérojonction à base de matériaux semiconducteurs du groupe III-V comprenant un substrat sur lequel sont respectivement superposés un collecteur, une base et un émetteur, caractérisé en ce que l'émetteur possède une structure dite de "double mésa" comprenant au moins trois couches (1), (2) et (3) de matériaux semiconducteurs MI, Mll, Mil, superposés à partir de la base, les couches (1) et (2) présentant une section plus grande que la section de la couche (3), les sections des couches étant définies parallèlement au substrat, la couche (1) étant faiblement dopée pour assurer la fonction de passivation. De préférence, les couches (1) et (3) sont constituées à partir du même matériau semiconducteur MI; les matériaux MI et Mll possédant des comportements différents vis-à-vis d'un couple de procédés de gravure. Dans le transistor bipolaire selon l'invention, le matériau MI est de préférence du GalnP, le matériau Mll étant de préférence du GaAs. Le transistor bipolaire à hétérojonction peut de plus avantageusement comprendre une couche (4) intégrée, entre l'émetteur proprement dit et des couches d'accès au contact CE. Cette couche peut typiquement être élaborée à partir de matériau (111) dopé plus faiblement que dans la couche (3) pour constituer une résistance de ballast intégrée au niveau de l'émetteur. La présence de cette couche (4) peut s'avérer particulièrement intéressante dans des applications de puissance utilisant notamment des transistors bipolaires à hétérojonction montés en parallèle, applications pour lesquelles le phénomène d'emballement thermique est crucial. En effet, le mécanisme fondamental de l'emballement thermique, provient du décalage d'environ - 1,5 mV/K de la caractéristique IE (VBE) (courant d'émetteur en fonction de la tension appliquée entre l'émetteur et la base). Cela entraîne qu'une fraction du composant élémentaire draine la majorité du courant émetteur. Si l'on fixe, par exemple le courant de la base, plus le composant s'échauffe et plus le courant se concentre dans les zones les plus chaudes de plus en plus localisées. Ce mécanisme induit finalement la formation d'un point chaud qui entraîne la destruction du dispositif. L'utilisation d'une résistance intégrée par rapport à la solution classique qui consiste à rapporter une résistance extérieure sur l'émetteur, permet de diminuer d'une trentaine de pourcent (évalué expérimentalement) la valeur de la résistance nécessaire pour pallier l'emballement thermique, ce qui conduit par conséquent à un niveau de performances nettement supérieur. L'invention sera mieux comprise et d'autres avantages apparaîtront à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre non limitatif et grâce aux figures annexées parmi lesquelles: - la figure 1 illustre une structure classique de transistor bipolaire; - la figure 2 illustre une architecture de transistor bipolaire selon l'art antérieur; la figure 3 illustre la structure de transistor bipolaire selon l'invention; - la figure 4 illustre un exemple de structure épitaxiale, utilisée dans un transistor bipolaire à hétérojonction, selon l'invention; - la figure 5 illustre une vue générale en coupe d'un exemple de transistor bipolaire selon l'invention. L'invention propose une nouvelle architecture de transistor bipolaire et notamment de transistor bipolaire à hétérojonction dans laquelle l'émetteur possède une structure originale. La figure 3 illustre cette structure composée d'au moins trois couches (1), (2) et (3) superposées à la base B, elle-même superposée au collecteur C. En utilisant des matériaux Mi et MIllI tels qu'on maîtrise très bien leur gravure sur respectivement la base B et la couche (2) on est en mesure de réaliser l'architecture en double "mésa" de l'émetteur sur la base. Ceci permet ainsi d'élaborer les contacts de base CB1 et CB2, sans avoir recours à des processus de diffusion dans le milieu émetteur comme cela avait été proposé dans l'art antérieur. Nous allons décrire l'invention dans le cas précis d'un transistor bipolaire à hétérojonction élaboré à partir de matériaux semiconducteurs GalnP et GaAs. En effet, ce couple est particulièrement intéressant par rapport au système plus conventionnel GaAI/As/GaAs pour plusieurs raisons. Par ailleurs, il existe divers procédés de gravure, soit par voie chimique aqueuse, soit par gravure sèche, qui permettent de graver sélectivement le couple GalnP/GaAs. Ainsi, il est possible de graver entièrement une-couche en GalnP et s'arrêter sur une couche en GaAs avec une sélectivité infinie. Plus précisément, à partir d'une structure épitaxiée de transistor possédant toutes les couches fonctionnelles de matériaux semiconducteurs on peut réaliser la géométrie illustrée en figure 3. Le transistor bipolaire à hétérojonction peut ainsi être élaboré à partir de la succession de couches suivantes illustrées en figure 4. Sur un substrat S semi-isolant en GaAs, on réalise de façon classique: une couche de sous-collecteur (SC), il s'agit typiquement de GaAs (Si) dopé n, de concentration 4.1018 cm-3 et d'épaisseur de l'ordre de 800 nm; - une couche de collecteur (C) en GaAs (Si) dopé n, de concentration 2.1016 cm-3 et d'épaisseur de l'ordre de 1000 nm; - une couche de base (B) en GaAs (carbone) dopé p, de concentration de l'ordre de 7.1019 cm-3 et d'épaisseur de l'ordre de 120 nm. La structure émettrice sur laquelle porte l'invention: - une couche (1) en GalnP (Si) dopé n de concentration 3.1017 cm-3 de faible épaisseur, environ 30 nm; - une couche (2) en GaAs (Si) dopé n de concentration 3. 1018 cm-3 de très faible épaisseur, environ 5 nm; - une couche (3) en GalnP (Si) dopé n de concentration 3.1017 cm-3 d'épaisseur de l'ordre de 120 nm. De préférence, on intègre à la structure émettrice une couche de résistance de ballast, soit une couche (4) de concentration en dopage inférieur au dopage des couches (1) à (3), soit: - une couche (4) en GalnP (Si) dopé n de concentration de 7.1016 cm-3 d'épaisseur 250 nm. On intègre également de manière classique: - une couche (5) de GalnP (Si) fortement dopée n de concentration 3.1018 cm-3, d'environ 100 nm d'épaisseur. Cette couche sert de couche de transition entre l'émetteur majoritairement en GalnP et une couche supérieure en GaAs, facilitant la prise de contact ohmique d'émetteur; - une-couche (6) en GaAs (Si) fortement dopée de concentration 3.1018 cm-3 d'épaisseur voisine de 200 nm; - une couche optionnelle (7) en GalxlnxAs (Si) dopée 3.1018 cm-3 de 20 nm d'épaisseur sur laquelle est réalisée le contact émetteur CE. A partir de l'empilement de toutes ces couches on réalise l'architecture souhaitée par gravure sélective du couple GalnP/GaAs. La dimension latérale du "mésa" comprenant la couche (3) est fixée par un procédé de gravure sèche telle que la gravure ionique réactive (RIE) qui utilise le contact ohmique d'émetteur comme masque de gravure; les contacts d'émetteurs CE étant préalablement réalisés sur la couche supérieure (7). Les métallisations permettant la réalisation des contacts d'émetteur peuvent être un alliage en AuGe/Ni/Au. Dans un second temps, I'ensemble peut être recouvert d'une résine positive, ultérieurement gravée o l'on souhaite délimiter le "mésa" inférieur correspondant aux couches (1) et (2). Dans les zones non recouvertes de résine, on grave les couches (1) et (2) jusqu'à la surface de la base. Par implantation ionique de Bore, on peut élaborer des caissons d'isolation électrique (Cl), de manière à limiter les capacités basecollecteur. Le bore diffuse en profondeur sous la couche de base, sur laquelle on peut définir ultérieurement par métallisation les contacts base CB1 et CB2 (illustrés en figure 5). Le retrait de la résine sur les zones protégées conduit à l'obtention de la structure désirée. L'ensemble est recouvert d'une couche de passivation protectrice (P). REVENDICATIONS 1. Transistor bipolaire à hétérojonction à base de matériaux semiconducteurs du groupe III-V comprenant un substrat sur lequel sont respectivement superposés un collecteur, une base et un émetteur, caractérisé en ce que l'émetteur possède une structure dite de "double mésa" comprenant au moins trois couches (1), (2) et (3) de matériaux semiconducteurs MI, Mll, MlIlI, superposés à partir de la base, les couches (1) et (2) présentant une section plus grande que la section de la couche (3), les sections des couches étant définies parallèlement au substrat. 2. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 1, caractérisé en ce que la base et la couche (Il) sont constituées à partir du même matériau semiconducteur Mll, les couches (1) et (3) étant également constituées à partir du même matériau semiconducteur Ml, les matériaux MI et Mll possédant des comportements différents vis-à-vis d'un couple de procédés de gravure. 3. Transistor bipolaire à hétérojonction selon la revendication 2, caractérisé en ce que le matériau MI est du GalnP et que le matériau Mll est du GaAs. 4. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'émetteur comprend également une couche (4) superposée à la couche (3), plus faiblement dopée que ladite couche (3), de manière à constituer une résistance de ballast intégrée au transistor. 5. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il comprend au moins une couche (5) facilitant la prise de contact ohmique plus dopée que les couches constituant l'émetteur. 6. Transistor bipolaire à hétérojonction selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend des caissons d'isolation électrique par implantation ionique au niveau du collecteur, de part et d'autre de la superposition collecteur, base, émetteur.