Brevet FR2738926A1 — publié le 19970321

La présente invention concerne un module modulateur de lumière et un procédé de fabrication du module modulateur de lumière et, plus particulièrement, un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur dans le module modulateur de lumière. La figure 10 (a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière de l'art antérieur pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur. Dans cette figure, le chiffre de référence 25 désigne un modulateur de lumière et une pastille laser intégrés comprenant un laser à semiconducteur 2 et un modulateur de lumière à semiconducteur i qui est optiquement couplé au laser 2. Bien que cela ne soit pas représenté à la figure, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est optiquement couplé à une lentille. Le modulateur de lumière et la pastille laser intégrés 25 sont disposés sur un sous- montage 9. Un patte de liaison 21 pour le modulateur de lumière 1 et une patte de liaison 22 pour le laser 2 sont disposées sur un côté du sousmontage 9. Le sous-montage 9 est disposé sur un support 20 comprenant un conducteur. Sur le support 20, un diélectrique d'alumine en bande 23 ayant une épaisseur prescrite est disposé en parallèle au sous-montage 9 et un conducteur en bande 24 ayant une largeur prescrite est disposé dans le centre de la surface du diélectrique d'alumine 23. Le support 20, le diélectrique d'alumine 23 et le conducteur en bande 24 forment une ligne en bande 3 qui est une sorte de ligne plate parallèle en plan. Par exemple, la ligne en bande 3 comprend un conducteur en bande 24 d'une largeur de 250 pmn et un diélectrique d'alumine 23 d'une épaisseur de 250 Mm et a une impédance caractéristique Z0 de 50 Q. Une résistance terminale 5 et comprenant une résistance de film mince est fabriquée sur une portion terminale du diélectrique d'alumine 23. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à une première borne du conducteur en bande 24 tandis que l'autre extrémité de celle-ci est reliée à un trou traversant 6 à la masse. La résistance de la résistance terminale 5 est de 50 Q qui est 2 2738926 équivalente à l'impédance caractéristique Z0 de la ligne en bande 3 pour rendre la ligne en bande 3 en ligne d'accord. Une seconde borne, opposée à la première borne, du conducteur en bande 24 est reliée à une alimentation de signaux 8. Une borne de signal d'entrée du modulateur de lumière à semiconducteur 1 est reliée à la première borne du conducteur en bande 24 par l'intermédiaire de la patte de liaison 21 par un fil 4. De préférence, un fil d'or de 25 pm de 0 est utilisé comme fil 4. Un fil d'alimentation 7 pour fournir une alimentation électrique au laser à semiconducteur 2 est relié au laser à semiconducteur 2 par l'intermédiaire de la patte de liaison 22. La figure 10(b) est un schéma de circuit équivalent du module modulateur de lumière représenté en figure 10 (a), par lequel un signal électrique haute fréquence appliqué au circuit de l'alimentation en signaux 8 est transmis au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Dans ce schéma de circuit équivalent, le caractère de référence L1 désigne une inductance du fil 4, C désigne une capacité du modulateur de lumière à semiconducteur 1, R désigne une résistance de la résistance terminale 5, et Z0 désigne une impédance caractéristique de la ligne en bande 3. La ligne en bande 3 ayant l'impédance caractéristique Z0 est reliée à l'alimentation en signaux 8. La résistance R et un circuit série comprenant l'inductance L1 et le condensateur C sont reliés en parallèle, et un noeud de la résistance R et du circuit série est relié à la ligne en bande 3. L'inductance L1 du fil 4 est proportionnelle à la longueur du fil 4. Une description est donnée du fonctionnement du module modulateur de lumière de l'art antérieur. Une lumière laser émise du laser à semiconducteur 2 est appliquée au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Puisque des signaux électriques de haute fréquence sont appliqués par la ligne en bande 3 et le fil 4 à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1, la lumière laser est modulée en réponse aux signaux de haute fréquence et 3 2738926 émise à une lentille. Les signaux de haute fréquences ont une bande de fréquence de 2 - 10 GHz. Lorsque le modulateur de lumière à semiconducteur 1 module la lumière laser par des signaux électriques de haute fréquence, si l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 n'est pas équivalente à l'impédance de l'alimentation en signaux 8 vue par le circuit, certains des signaux de haute fréquence appliqués au circuit de l'alimentation en signaux 8 n'atteignent pas le modulateur de lumière 1 et retournent à l'alimentation en signaux 8. Ce phénomène est appelé une réflection haute-fréquence ou une perte de retour Sll et la perte de retour Sll est définie par Sll = 10 log (énergie de réflection/énergie d'entrée). Comme on peut le voir à partir de la figure 10(b), cette perte de retour Sll est significativement influencée par le câblage au modulateur de lumière à semiconducteur 1 en ce que l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 dépend de l'inductance L1 du fil 4. Lorsque la perte de retour Sll est grande, la forme d'onde du signal électrique de haute-fréquence est désordonnée. Aussi, la perte de retour Sll est souhaitée pour être aussi petite que possible. Cependant, dans le module modulateur de lumière de l'art antérieur, par exemple, la perte de retour Sll à 2,5 GHz est aussi élevé que - 5 dB, et il est nécessaire de réduire la perte de retour à environ - 10 dB. C'est un objet de la présente invention de réaliser un module modulateur de lumière qui peut réduire la perte de retour en reliant une résistance terminale à une borne d'une ligne en bande par un fil et un procédé de fabrication du module modulateur de lumière. D'autres objets et avantages de l'invention deviendront apparents à partir de la description détaillée qui suit. La description détaillée et des modes de réalisation spécifiques décrits sont prévus seulement pour une illustration puisque diverses additions et modifications dans la portée de 4 2738926 l'invention seront apparentes à ceux de l'art à partir de la description détaillée. Selon un premier aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux étant intégrés sur un sous-montage, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière semiconducteur modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée des signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résitance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil reliant la première extrémité de la résistance terminale à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. Selon un second aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, la résistance terminale est disposée sur une portion du sous- montage. Dans cette structure, puisqu'un espace vacant du 2738926 sous-montage est effectivement utilisé, la dimension du module modulateur de lumière est réduite. Selon un troisième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière laser ci-dessus décrit, l'emplacement de la résistance terminale peut être changé. De ce fait, la longueur du second fil peut être changée de sorte que l'inductance du second fil prend la valeur optimum en changeant l'emplacement de la résistance terminale, de la sorte la perte de retour est minimisée. Selon un quatrième aspect de la présente invention, le module modulateur de lumière ci-dessus décrit comprend de plus une patte de liaison disposée sur le sous-montage et reliant le second fil. De ce fait, le second fil est divisé en deux parties, c'est-à-dire, une partie reliant le modulateur de lumière à la seconde patte de liaison et une partie reliant la seconde patte de liaison à la résistance terminale. Puisque la longueur de chaque partie du second fil est courte, la résistance du second fil est augmentée. Selon un cinquième aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil 6 2738926 reliant la première extrémité de la résistance terminale & une portion intermédiaire du premier fil. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance d'une portion du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance des fréquences du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. Selon un sixième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, la résistance terminale est disposée & proximité de la première borne de la ligne en bande. De ce fait, une partie d'un espace pour disposer la ligne en bande peut être ménagée pour la résistance terminale 5, résultant en une réduction dans la dimension du module modulateur de lumière. Selon un septième aspect de la présente invention, dans le module modulateur de lumière ci-dessus décrit, le second fil a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière & semiconducteur a une capacité C (pF), et l'inductance L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0,7 - 2.5 nH/pF) De ce fait, l'inductance du second fil est établie à une valeur optimum selon la capacité C du modulateur de lumière à semiconducteur. Selon un huitième aspect de la présente invention, un module modulateur de lumière comprend une alimentation en signaux pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière 7 2738926 laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; une résistance terminale pour terminer la ligne en bande, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande; et un second fil reliant la première extrémité de la résistance terminale à la première borne de la ligne en bande. Dans cette structure, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. Selon un neuvième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend les étapes de préparer un sous-montage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière d'une alimentation en signaux; disposer un sous-montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant 8 2738926 reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur par un second fil. Dans un module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. Selon un dixième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la résistance terminale est disposée sur une portion du sous-montage. Puisqu'un espace vacant du sous-montage est effectivement utilisé, la dimension du module modulateur de lumière est réduite. Selon un onzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la longueur du second fil est réglée en changeant la position o la résistance terminale est disposée. De ce fait, la longueur du second fil peut être changée de sorte que l'inductance du second fil prend la valeur optimum en changeant l'emplacement de la résistance terminale, de la sorte la perte de retour est minimisée. Selon un douzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, une patte de liaison qui relaye le second fil est disposée sur le sous-montage. De ce fait, le second fil est divisé en deux parties, à savoir une partie reliant le modulateur de lumière à la seconde patte de 9 2738926 liaison et une partie reliant la seconde patte de liaison à la résistance terminale. Puisque la longueur de chaque partie du second fil est courte, la résistance mécanique du second fil est augmentée. Selon un treizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend préparer un sousmontage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière d'une alimentation en signaux; disposer le sous- montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à une portion intermédiaire du premier fil par un second fil. Dans le module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance d'une portion du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation de courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par 2738926 l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. Selon un quatorzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, la résistance terminale est disposée à proximité de la première borne de la ligne en bande. De ce fait, une partie d'un espace pour disposer la ligne en bande peut être ménagé pour la résistance terminale , résultant en une réduction en la dimension du module modulateur de lumière. Selon un quinzième aspect de la présente invention, dans le procédé cidessus décrit, le second fil a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur a une capacité C (pF) et l'inductance de L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0,7 - 2.5 nH/pF) De ce fait, l'inductance du second fil est établie à une valeur optimum selon la capacité C du modulateur de lumière à semiconducteur. Selon un seizième aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière comprend préparer un sousmontage sur lequel un laser à semiconducteur et un modulateur de lumière à semiconducteur ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière d'une alimentation en signaux; disposer le sous- montage sur un support; disposer une ligne en bande pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support, la ligne en bande ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux; disposer une résistance terminale pour terminer la ligne en bande sur le support, la résistance terminale ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la bande d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1il 2738926 à la première borne de la ligne en bande par un premier fil; et relier la première extrémité de la résistance terminale à la première borne de la ligne en bande par un second fil. Dans un module modulateur de lumière fabriqué comme décrit ci-dessus, une inductance du second fil et une inductance du premier fil sont présentes entre l'alimentation en signaux et la résistance terminale. De ce fait, lorsque la fréquence du signal est augmentée, du courant circulant dans la résistance terminale diminue et cette diminution compense une augmentation en courant circulant à travers le modulateur de lumière, de la sorte la dépendance de fréquence du courant total est réduite. En conséquence, un écart d'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux d'une valeur prescrite est réduit et la perte de retour est réduite. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - La figure l(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un premier mode de réalisation de la présente invention et la figure l(b) est un schéma de circuit équivalent de celui-ci; - La figure 2 est un graphe représentant la relation entre la fréquence et la perte de retour pour expliquer un effet du premier mode de réalisation de la présente invention; - Les figures 3(a), 3(b) sont des schémas de circuit pour expliquer une fonction du premier mode de réalisation de la présente invention; - La figure 4 est un graphe représentant la relation entre l'inductance d'un second fil et la perte de retour selon le premier mode de réalisation de la présente invention; 12 2738926 - La figure 5 est un graphe représentant la relation entre l'inductance optimum du second fil et la capacité d'un modulateur de lumière à semiconducteur selon le premier mode de réalisation de la présente invention; - La figure 6 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un second mode de réalisation de la présente invention; - La figure 7 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 8 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 9 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention; - La figure 10(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon l'art antérieur et la figure 10(b) est un schéma de circuit équivalent de celui-ci; et - La figure 11 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. Mode de réalisation 1 La figure l(a) est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, le chiffre de référence 25 désigne un modulateur de lumière et une pastille laser intégrés comprenant un laser à semiconducteur 2 et un modulateur de lumière à semiconducteur 1 qui est optiquement couplé au laser 2. Le modulateur de lumière 1 module une lumière laser produite par le laser 2 en réponse à un signal électrique de haute fréquence appliqué par une alimentation en signaux 8. Bien que cela ne soit pas représenté à la figure, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est 13 2738926 optiquement couplé & une lentille. Le modulateur de lumière et la pastille laser intégrés 25 sont disposés sur un sous- montage 9. Une patte de liaison 21 pour le modulateur de lumière 1 et une patte de liaison 22 pour le laser 2 sont disposées sur un côté du sous-montage 9. Le sous-montage 9 est disposé sur un support 20 comprenant un conducteur. Sur le support 20, une ligne en bande 3 et une résistance terminale 5 sont disposées sur les deux côtés du sous-montage 9 et en parallèle & celui-ci. Plus spécifiquement sur le côté droit du sous-montage 9 à la figure, un diélectrique d'alumine en bande 23 ayant une épaisseur prescrite est disposé en parallèle au sous-montage 9 et un conducteur en bande 24 ayant une largeur prescrite est disposé au centre de la surface diélectrique d'alumine 23. Le support 20, le diélectrique d'alumine 23 et le conducteur en bande 24 forment la ligne en bande 3 qui est une sorte de ligne plate en plan parallèle. Par exemple, la ligne en bande 3 comprend un conducteur en bande 24 d'une largeur de 250 pm et un diélectrique d'alumine 23 d'une épaisseur de 250 pm et a une impédance caractéristique Z0 de Q. Une première borne du conducteur en bande 24 est reliée à une borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur 1 par un premier fil 4 et une seconde borne, opposée à la première borne, du conducteur en bande 24 est reliée à l'alimentation en signaux 8. Le premier fil 4 est relayé par la patte de liaison 21. Cette patte de liaison 21 facilite le câblage au sous-montage 9 lorsque le sous-montage 9 est monté sur le support 20. C'est-à-dire, dans le sous- assemblage du sous-montage 9, le modulateur de lumière à semiconducteur 1 est relié à la patte de liaison 21 par un fil et, lorsque le sous-montage 9 est monté sur le support 20 la patte de liaison 21 est reliée à la ligne en bande 3 par un fil. De préférence, un fil d'or de 25 Hm de 0 est utilisé comme premier fil 4. Sur le côte gauche du sous-montage 9 à la figure, un substrat d'alumine 26 est disposé et une résistance terminale comprenant une résistance à film mince est disposée sur le 14 2738926 substrat d'alumine 26. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière 1 par un second fil 10 et l'autre extrémité de la résistance terminale 5 est reliée & un trou traversant 6 & la masse. La résistance de la résistanceterminale 5 est de 50 Q qui est équivalente à l'impédance caractéristique Z0 de la ligne en bande 3 pour rendre la ligne en bande 3 en ligne d'accord. Un fil du même matériau que le premier fil 4 est utilisé comme second fil 10. Un fil d'alimentation 7 pour fournir une alimentation électrique au laser semiconducteur 2 est relié au laser semiconducteur 2 par l'intermédiaire d'une patte de liaison 22. La figure l(b) est un schéma de circuit équivalent du module modulateur de lumière représenté en figure l(a), par lequel un signal électrique de haute-fréquence appliqué au circuit par l'alimentation en signaux 8 est transmis au modulateur de lumière à semiconducteur 1. Dans ce circuit équivalent, le caractère de référence L1 désigne une inductance du premier fil 4, L2 désigne une inductance du second fil 10, C désigne une capacité du modulateur de lumière à semiconducteur 1, R désigne une résistance de la résistance terminale 5, Z0 désigne une impédance caractéristique de la ligne en bande 3. La ligne en bande 3 ayant l'impédance caractéristique Z0 est relié à l'alimentation en signaux 8. L'inductance L1 est reliée à la ligne en bande 3. La capacité C et un circuit série comprenant l'inductance L2 et la résistance R sont reliés en parallèle et un noeud du condensateur C et du circuit série est relié à l'inductance L1. Dans la structure de l'art antérieur, la résistance terminale 5 est reliée directement à la ligne en bande 3. Cependant, dans ce premier mode de réalisation, la résistance terminale 5 est reliée à la ligne en bande 3 par le second fil 10 et le premier fil 4, de sorte que la perte de retour Sll du signal de haute- fréquence est réduite en comparaison à celle réalisée dans la structure de l'art antérieur. Par exemple, dans les schémas de circuits équivalents selon l'art 2738926 antérieur (figure 10(b)) et selon le premier mode de réalisation de l'invention (figure l(b)), lorsque la perte de retour Sll est calculée sur la supposition que la capacité C du modulateur de lumière 1 est de 0, 8 pF, l'inductance L1 du premier fil 4 est de 0,5 nH, l'inductance L2 du second fil 10 est de 1,2 nH, et la résistance R de la résistance terminale est de 50 Q. ces résultats sont tracés comme représenté en figure 2. La figure 2 est un graphe représentant les caractéristiques perte de retour Sll (dB) c. fréquence (GHz) selon le premier mode de réalisation en comparaison à l'art antérieur. Comme représenté en figure 2, à la fois dans le premier mode de réalisation et l'art antérieur, la perte de retour Sll augmente avec une augmentation en fréquence dans la gamme de fréquence disponible de 2 GHz à 10 GHz. Lorsque la perte de retour Sll selon le premier mode de réalisation est comparée à la perte de retour Sll selon l'art antérieur à 2,5 GHz, cette première est d'environ 10 dB inférieur à cette dernière. C'est-à-dire, la perte de retour Sll selon le premier mode de réalisation est réduite à environ 1/10 de la perte de retour Sll selon l'art antérieur. La fonction du circuit selon ce premier mode de réalisation sera décrite théoriquement. La perte de retour Sll prend sa plus petite valeur lorsque l'impédance du circuit relié à l'alimentation en signaux 8 est égale à l'impédance caractéristique de la ligne en bande 3, c'est-à- dire, 50 Q. vue par l'alimentation en signaux 8. Cependant, dans le circuit de l'art antérieur, comme on peut le voir à partir de la figure 3(a), le courant IR circulant à travers la résistance R (50 Q) de la résistance terminale est constant même lorsque la fréquence est augmentée. Par ailleurs, dans le circuit série comprenant l'inductance L1 du premier fil et la capacité C du modulateur de lumière 1, lorsque la fréquence est augmentée, la réactance du condensateur C diminue en excédant une augmentation dans la réactance de l'inductance L1 dans la gamme de fréquences disponible de 2 GHz à 10 GHz, de sorte que le courant IC qui circule à travers le condensateur C du modulateur de lumière 16 2738926 augmente avec l'augmentation en fréquence. De ce fait, l'impédance totale du circuit vue par la borne d'entrée devient inférieure à 50 Q, de la sorte la perte de retour Sll est augmentée. Cependant, dans le circuit selon le premier mode de réalisation de l'invention, comme on peut le voir à partir de la figure 3(b), puisque l'inductance L1 du premier fil 4 et l'inductance L2 du second fil 10 sont présentes entre la résistance R de la résistance terminale 5 et la borne d'entrée, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance R de la résistance terminale 5 diminue. La diminution dans le courant IR compense l'augmentation dans le courant IC circulant à travers le condensateur C du modulateur de lumière 1. En conséquence, la dépendance de fréquence du courant total, c'est-à-dire, IR + IC, est réduite. En d'autres termes, l'écart de l'impédance du circuit vue par l'alimentation en signaux 8 de 50 Q est réduit et, dans ce premier mode de réalisation, la perte de retour Sll est réduite en comparaison à celle obtenue dans le circuit de l'art antérieur. Ensuite, une valeur optimum pour l'inductance L2 du second fil 10 sera examinée. L'inductance L1 du premier fil 4 est d'environ 0,5 nH qui est équivalente à 500 Mm lorsqu'elle est convertie en une longueur d'un fil d'Au de 25 pm de 0. La capacité C du modulateur de lumière 1 est de 0,4 - 0,8 pF. La perte de retour Sll est calculée à quatre capacités différentes C, c'est-à-dire, 0,4, 0,6, 0,8 et 1,0 pF, et les résultats sont tracés comme représenté en figure 4. La figure 4 est un graphe illustrant la dépendance de la perte de retour Sll sur l'inductance L2 à 2,5 GHz. Comme on peut le voir à partir du graphe, la valeur de l'inductance L2 à laquelle la perte de retour Sll prend sa plus petite valeur (ci-après référée en inductance optimum L2) varie selon la valeur de la capacité C, mais l'inductance optimum L2 peut être approximativement représentée par L2 (nH) = C(pF) X m(nH/pF)... (1) 17 2738926 o m est la constante proportionnelle (m = 0,7 - 2,5). Par exemple, lorsque la capacité C est de 0,4 pF, l'inductance optimum L2 est d'environ 0,5 nH à partir de la figure 4 et la constante proportionnelle m dans ce cas est de 1,25 à partir de la formule (1). La relation entre la capacité C et l'inductance optimum L2 est représentée en figure 5. En figure 5, les marques o et * représentent des valeurs de l'inductance optimum L2 à 2,5 GHz et 10 GHz, respectivement. Puisque les tracés prennent des valeurs dans une gamme de m = 0,7 à m = 2,5 en figure 5, on confirme que la formule (1) est correcte. Bien que les résultats représentés aux figures 4 et 5 soient obtenus lorsque l'inductance L1 du premier fil 4 est de 0,5 nH, même lorsque l'inductance L1 prend une valeur autre que 0,5 nH, elle satisfait la condition de m = 0,7 - 2,5 dans la formule (1), de sorte que la formule (1) est applicable à ce cas. De plus, l'examen de l'inductance optimum L2 dans ce cas est accompli de la manière similaire que décrit ci-dessus. Comme décrit ci-dessus, selon le premier mode de réalisation de l'invention, puisque la résistance terminale 5 est reliée à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière semiconducteur 1 par le second fil 10 et le premier fil 4, l'inductance L2 du second fil 10 et l'inductance L1 du premier fil 4 sont présentes entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution dans le courant IR compense une augmentation dans le courant IC circulant à travers le modulateur de lumière 1 à cause de l'augmentation en fréquence. En conséquence, la perte de retour Sll est réduite. De plus, puisque l'inductance L2 du second fil 10 est établie sur la base de la formule (1), l'inductance L2 peut être établie à une valeur optimum pour la capacité C du modulateur de lumière 1. Mode de réalisation 2 18 2738926 La Figure 6 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un second mode de réalisation de la présente invention. En figure 6, les mêmes chiffres de référence que ceux représentés en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 6 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure i à l'excepté que la résistance terminale 5 est située à proximité de la première borne de la ligne en bande 3 et reliée à la patte de liaison 21 par le second fil 10. Plus spécifiquement, le substrat d'alumine 26 est disposé sur une ligne d'extension de la ligne en bande 3 et adjacent à la première borne de la ligne en bande 3 et la résistance terminale 5 est disposée sur le substrat d'alumine 26 de sorte qu'elle s'étend dans la direction de largeur de la ligne en bande 3. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée à un trou traversant à la masse 6 et l'autre extrémité de celle-ci est reliée à la patte de liaison 21 par le second fil 10. C'est-à-dire, l'extrémité non à la masse de la résistance terminale 5 est reliée à la première borne de la ligne en bande 3 par le second fil 10 et une partie du premier fil 4. Dans ce second mode de réalisation de l'invention, puisque la résistance terminale 5 est située à proximité de la première borne de la ligne en bande 3, une partie de l'espace pour disposer la ligne en bande 3 peut être ménagée pour la résistance terminale 5, de la sorte on peut se dispenser de l'espace pour la résistance terminale 5 sur le côté gauche du sous-montage représenté en figure 1, résultant en une réduction dans la dimension du module modulateur de lumière. De plus, à la différence de la structure selon le premier mode de réalisation, la résistance terminale 5 est reliée à une portion intermédiaire du premier fil 4 par le second fil 10. Egalement dans ce cas, l'inductance L2 du second fil 10 et l'inductance L1 d'une partie du premier fil 19 2738926 4 sont présentes entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant IR circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution dans le courant IR compense une augmentation dans le courant IC circulant à travers le modulateur de lumière 1 à cause de l'augmentation en fréquence. En conséquence, la perte de retour Sll est réduite. Mode de réalisation 3 La Figure 7 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un cablâge à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 7 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure 1 à l'excepté qu'une seconde patte de liaison 11 est disposée sur une portion du sous-montage 9 entre la résistance terminale 5 et le modulateur de lumière à semiconducteur 1, et le second fil 10 reliant la résistance terminale 5 au modulateur de lumière 1 est relayé à la seconde patte de liaison 11. Dans ce troisième mode de réalisation de l'invention, la seconde patte de liaison 11 qui relaye le second fil 10 est disposée sur le sous- montage 9 et le second fil 10 est divisé en deux parties, c'est-à-dire, une partie l0a reliant le modulateur de lumière 1 à la seconde patte de liaison 11 et une partie 10b reliant la seconde patte de liaison 11 à la résistance terminale 5. Puisque la longueur de chaque partie du fil 10 est courte, la résistance mécanique du fil 10 est augmentée. Mode de réalisation 4 La Figure 8 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un quatrième mode de réalisation de la 2738926 présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 8 est fondamentalement identique & la structure représentée en figure 1 à l'excepté que la résistance terminale 5 est disposée sur le sous-montage 9. Plus spécifiquement, la résistance terminale 5 est située sur un espace vacant du sous-montage 9 sur le côté gauche du modulateur de lumière et du laser intégrés 25. Une extrémité de la résistance terminale 5 est directement reliée à la seconde patte de liaison 11 qui est reliée au modulateur de lumière 1 par le second fil 10 et l'autre extrémité de celle- ci est reliée à la masse par un troisième fil 27. Dans ce quatrième mode de réalisation de la présente invention, puisque la résistance terminale 5 est disposée sur le sous-montage 9, un espace vacant du sous-montage 9 peut être effectivement utilisé, résultant en une réduction dans la dimension du module modulateur de lumière. Mode de réalisation 5 La figure 9 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière pour expliquer un câblage à un modulateur de lumière à semiconducteur selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Dans cette figure, les mêmes chiffres de référence que ceux représentés en figure 1 désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes. La structure représentée en figure 9 est fondamentalement identique à la structure représentée en figure 1 à l'excepté que l'emplacement de la résistance terminale 5 peut être changé. Plus spécifiquement, la résistance terminale 5, par exemple, une pastille de résistance, est fixée au substrat d'alumine 26. Dans la fabrication du module modulateur de lumière, le substrat d'alumine 26 est fixé à une portion prescrite du support 20 par soudure ou analogue. Une extrémité de la résistance terminale 5 est reliée au modulateur de lumière 1 par le second fil 10 via la seconde patte de liaison 11 et l'autre extrémité de celle-ci est reliée à la masse par le 21 2738926 troisième fil 27. Puisque la résistance terminale 5 est à la masse non pas par un trou traversant comme représenté en figure 7 mais par le troisième fil 27, le substrat d'alumine 26 est mobile avant qu'il soit fixé au support 20. Puisque le substrat d'alumine 26 est mobile comme décrit ci- dessus, même lorsque le module modulateur de lumière est sujet à une défectuosité dans le processus d'inspection à cause d'une perte de retour défectueux grande, il est possible de rendre le module modulateur de lumière non défectueux en changeant l'emplacement du substrat d'alumine 26 et réglant la longueur du second fil 10 de sorte que la perte de retour Sll prend sa plus petite valeur. De façon identique, lorsque le module modulateur de lumière est fabriqué, la capacité C du modulateur de lumière 1 est mesurée et classée et, après cela, la résistance terminale 5 est située de sorte que le second fil 10 a une longueur optimum pour la capacité C de la rangée, de la sorte la perte de retour Sll du module modulateur de lumière est réduite dans la production en série. Comme décrit ci-dessus, dans ce cinquième mode de réalisation de l'invention, puisque l'emplacement de la résistance terminale 5 peut être changé, la plus petite perte de retour Sll est réalisée en réglant la longueur du second fil 10 de sorte que le fil a l'inductance optimum. Mode de réalisation 6 La figure 11 est une vue en plan illustrant schématiquement un module modulateur de lumière selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. Dans les premier à cinquième modes de réalisation de l'invention, la résistance terminale est reliée à la borne de signaux d'entrée du modulateur de lumière par le second fil ou elle est reliée à la portion intermédiaire du premier fil. Cependant, la résistance terminale 5 peut être reliée directement à la première borne de la ligne en bande 3 par le second fil 10 comme représenté en figure 11. Egalement dans ce cas, l'inductance du second fil 10 est présente entre l'alimentation en signaux 8 et la résistance terminale 5. De 22 2738926 ce fait, lorsque la fréquence est augmentée, le courant circulant à travers la résistance terminale 5 diminue et cette diminution en courant compense une augmentation dans le courant circulant à travers le modulateur de lumière à5 semiconducteur i à cause de l'augmentation dans la fréquence. En conséquence, la perte de retour Sll est réduite. 23 2738926 REVENDICATIONS 1. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de hautefréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux étant intégrés sur un sous-montage (9), le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1). 2. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée sur une portion du sous-montage (9). 3. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'emplacement de la résistance terminale (5) peut être changé. 4. Module selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une patte de liaison (11) disposée sur le sous-montage (9) et relayant le second fil (10). 24 2738926 5. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semi-conducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à une portion intermédiaire du premier fil (4). 6. Module selon la revendication 1 ou 5, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée à proximité de la première borne de la ligne en bande (3). 7. Module modulateur de lumière selon la revendication 1 ou 5, caractérisé en ce que le second fil (10) a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) a une capacité C (pF), et l'inductance L est réglée selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0.7 - 2.5 nH/pF) 8. Module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: 2738926 une alimentation en signaux (8) pour fournir un signal électrique de haute fréquence; un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière semiconducteur (1) intégrés, le modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse au signal électrique de haute- fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux; une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités opposées, la seconde extrémité étant à la masse; un premier fil (4) reliant la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3); et un second fil (10) reliant la première extrémité de la résistance terminale (5) à la première borne de la ligne en bande (3). 9. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer un sous- montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute fréquence sur le support (20), la 26 2738926 ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support (20), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) par un second fil (10). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée sur une portion du sous-montage (9). 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la longueur du second fil (10) est ajustée en changeant la position o la résistance terminale (5) est disposée. 12. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une patte de liaison (11) qui relaye le second fil (10) est disposée sur le sous-montage (9). 13. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il comprend: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser à semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer le sous-montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence sur le support, la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes opposées, 27 2738926 la seconde borne étant reliée à l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support, la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémité opposées, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à une portion intermédiaire du premier fil (4) par un second fil (10). 14. Procédé selon la revendication 9 ou 13, caractérisé en ce que la résistance terminale (5) est disposée à proximité de la première borne de la ligne en bande (3). 15. Procédé selon la revendication 9 ou 13, caractérisé en ce que le second fil (10) a une inductance L (nH) et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) a une capacité (C) (pF), et l'inductance L est établie selon la formule suivante: L (nH) = C (pF) X m (m = 0.7 - 2. 5 nH/pF) 16. Procédé de fabrication d'un module modulateur de lumière, caractérisé en ce qu'il consiste à: préparer un sous-montage (9) sur lequel un laser semiconducteur (2) et un modulateur de lumière à semiconducteur (1) ayant une borne d'entrée de signaux sont montés, le laser à semiconducteur (2) produisant une lumière laser et le modulateur de lumière à semiconducteur (1) modulant la lumière laser en réponse à un signal électrique de haute-fréquence qui est appliqué à la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière (1) à partir d'une alimentation en signaux (8); disposer le sous-montage (9) sur un support (20); disposer une ligne en bande (3) pour transmettre le signal électrique de haute-fréquence sur le support (20), la ligne en bande (3) ayant des première et seconde bornes 28 2738926 opposées, la seconde borne étant reliée & l'alimentation en signaux (8); disposer une résistance terminale (5) pour terminer la ligne en bande (3) sur le support (20), la résistance terminale (5) ayant des première et seconde extrémités, la seconde extrémité étant à la masse; relier la borne d'entrée de signaux du modulateur de lumière à semiconducteur (1) à la première borne de la ligne en bande (3) par un premier fil (4); et relier la première extrémité de la résistance terminale (5) à la première borne de la ligne en bande (3) par un second fil (10).