Brevet FR2737938A1 — publié le 19970221

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES ET UN PROCEDE DE FABRICATION D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD) et un procédé de fabrication d'un tel dispositif, et plus particulièrement un dispositif d'affichage à cristaux liquides présentant une structure d'électrode de source et de plage de contact de source combinées. Les dispositifs d'affichage à matrice active et en couche mince comprennent des transistors en couche mince (TFT) pour piloter le matériau de cristaux liquides au niveau des pixels individuels du dispositif d'affichage. Comme représenté sur la figure 6, un dispositif d'affichage à cristaux liquides classiques comprend une série de pixels présentant chacun un matériau de cristaux liquides (non représenté) inséré entre une électrode commune disposée sur une plaque supérieure (non représentée) et une électrode de pixel 6 disposée sur une plaque inférieure. La plaque inférieure comprend en outre une pluralité de lignes de grille 600 qui intersectent une pluralité de lignes de données 610. Les transistors en couche mince 620, qui fonctionnent comme composants actifs, sont disposés aux intersections des lignes de grille 600 et des lignes de données 610. Les lignes de grille 600 et les lignes de données 610 sont respectivement reliées aux grilles et sources des transistors en couche mince 620. En outre, les électrodes de pixel 6 sont reliées aux électrodes de drain respectives des transistors en couche mince 620. Des plages de contact de grille 630 ainsi que des plages de contact de données sont respectivement reliées aux lignes de grille 600 et aux lignes de données 610 pour recevoir des données provenant respectivement des circuits d'attaque ou de pilotage de grille et d'attaque ou de pilotage de données. Un procédé classique de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux li- quides comprenant des éléments de pilotage à transistors en couche mince est main- tenant décrit en référence aux figures 1 a à 1 f. Comme représenté sur la figure la, une couche conductrice est formée sur un substrat I de verre transparent, et est structurée pour former une grille 2, une élec- trode de condensateur de stockage 2D, une plage de contact de source 2A et une plage de contact de grille 2B. La plage de contact de grille 2B est utilisée pour rece- voir une tension de pilotage d'une couche active dans le dispositif à transistor en couche mince une fois terminé. Comme représenté sur la figure lb, un film isolant de grille 3, tel qu'une couche de nitrure ou un film d'oxyde, est formé sur toute la surface du substrat afin d'isoler électriquement la grille 2. Une couche active en silicium amorphe 4 est for- mée sur une partie du film isolant de grille 3 au-dessus de la grille 2. Ensuite, afin de R \13500\13O08 DOC -9 avnl 1996-18 46 -1/23 réduire la résistance de contact entre la couche active et les régions de source et de drain dans le dispositif une fois terminé, une couche semi-conductrice dopée de fa- çon appropriée 5 est formée sur la couche de silicium amorphe 4, pour servir de couche de contact ohmique. La couche de semi-conducteur dopé 5 et la couche de silicium amorphe 4 sont ensuite structurées en fonction d'une structure ou d'un motif de couche active prédéterminé. Du fait qu'il est nécessaire de disposer d'une couche de plage de contact pour communiquer l'information depuis un circuit d'attaque extérieur vers la grille et la source, le film isolant de grille 3 est sélectivement attaqué pour exposer la plage de contact de source 2A et la plage de contact de grille 2B (voir la figure lc). Ensuite, comme représenté sur la figure 1 d, une couche conductrice transparente d'ITO (oxyde d'étain dopé à l'indium) est déposée sur toute la surface du substrat et est structurée pour former une électrode de pixel 6, qui est formée sur une partie du pixel du dispositif d'affichage, tandis que des motifs en ITO 6A et 6B sont formés sur la plage de contact de source 2A et la plage de contact de grille 2B. Comme représenté sur la figure le, le transistor en couche mince 1 est formé sur la couche active, et comprend une couche conductrice déposée sur le substrat et simultanément structurée pour former des électrodes de source et de drain 7 et 8. L'électrode de source 7 est reliée à la plage de contact de source 2A et l'électrode de drain 8 est en contact avec la couche semi-conductrice dopée 5, et avec l'électrode de pixel 6. Dans la structure de dispositif terminée, l'électrode de drain 8 transmet vers l'électrode de pixel 6 un signal de données, qui est reçu depuis une couche de câblage de données, et depuis l'électrode de source 7. Le signal est stocké sous la forme d'une charge sur l'électrode de pixel 6, ce qui permet de piloter les cristaux liquides. Comme représenté sur la figure if, un film de nitrure est déposé sur toute la surface du substrat, en tant que couche de passivation 9 afin d'isoler le dispositif au- dessus duquel il se trouve afin de limiter et d'empêcher l'absorption d'impuretés. La couche de passivation 9 est sélectivement attaquée pour exposer la plage de contact de source 2A et la plage de contact de grille 2B, ce qui termine ou complète le tran- sistor en couche mince. Dans la méthode classique décrite ci-dessus, on prévoit l'électrode de source 7 et l'électrode de pixel 6 sur la même surface du film isolant de grille 3. En conséquence, il est possible que des erreurs de traitement conduisent à ce que ces deux électrodes entrent en contact. Il en résulte que des courts-circuits peuvent se produire, ce qui réduit les rendements. En outre, du fait que la plage de contact de source pour le raccordement de la source est constituée d'un matériau identique à celui de la grille, sa résistance de R \13500\13508 DOC -9 avril 1996 - 18 46 -2/23 contact avec l'électrode de source associée peut être élevée. En plus, au moins six étapes de masquage sont nécessaires: - structurer la grille, l'électrode de condensateur de stockage, la plage de contact de source et la plage de contact de grille - former la structure de la couche active; structurer le film isolant de grille pour exposer la partie de plage de contact; - former l'électrode de pixel; - former les électrodes de source et de drain; et - structurer le film de passivation pour exposer la partie de plage de contact. Ainsi, ce procédé classique nécessite un nombre d'étapes de fabrication exces- sif, ce qui augmente le coût et réduit encore le rendement. Afin de résoudre les problèmes sus-mentionnés, un des objets de la présente invention est de fournir un dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé de fabrication d'un tel dispositif, dans lequel les erreurs de traitement puissent être em- pêchées et qui permette d'augmenter le rendement grâce à la mise en place de la couche de passivation avant de procéder à l'attaque chimique du film isolant de grille. Pour accomplir l'objectif de la présente invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides qui comprend, dans l'ordre suivant, les étapes de: formation d'une première couche isolante; - formation d'une deuxième couche isolante; - gravure par attaque de ladite deuxième couche isolante; et - gravure par attaque de ladite première couche isolante. Dans un premier mode de réalisation, le procédé comprend les étapes de: formation d'une première structure de couche conductrice sur le substrat; - formation de la première couche isolante en recouvrant la surface dudit sub- strat comprenant ladite première structure de couche conductrice; formation d'une seconde structure de couche conductrice sur ladite première couche isolante; - formation de la seconde couche isolante en recouvrant la surface du substrat comprenant ladite structure de couche conductrice; - attaque sélective desdites seconde et première couches isolantes pour former un premier trou de contact et un second trou de contact exposant res- pectivement ladite première structure de couche conductrice et ladite seconde structure de couche conductrice; et - formation d'une troisième couche conductrice sur ladite seconde couche isolante, ladite troisième couche conductrice étant reliée électriquement R \13500\13508 DOC -9 avril 1996 - 18 46 - 3/23 auxdites première et seconde structures de couches conductrices à travers lesdits premier et second trous de contact. Dans un autre mode de réalisation, le procédé comprend les étapes de: formation d'une première couche conductrice sur le substrat; - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour former une électrode de grille et une plage de contact de grille; - formation de ladite première couche isolante sur la surface du substrat comprenant l'électrode de grille et la plage de contact de grille; - formation d'une couche semi-conductrice sur ladite première couche isolante; - formation d'une couche semi-conductrice dopée par des impuretés sur ladite couche semi-conductrice; - enlèvement sélectif d'une partie de ladite couche semi-conductrice dopée aux impuretés et de ladite couche semi-conductrice, sauf dans une partie au-dessus de ladite électrode de grille; - formation d'une seconde couche conductrice sur ledit substrat; - attaque de ladite seconde couche conductrice pour former une électrode de source, une plage de contact de source et une électrode de drain, ladite électrode de source étant reliée à ladite plage de contact de source; - formation de ladite seconde couche isolante en tant que couche de passivation sur toute la surface dudit substrat; - attaque sélective de ladite seconde couche isolante et de ladite première couche isolante pour former un premier trou de contact exposant ladite plage de contact de source, un second trou de contact exposant une partie de ladite électrode de drain, et un troisième trou de contact exposant ladite plage de contact de grille; - formation d'une couche conductrice transparente sur ledit substrat; et - formation d'une structure dans ladite couche conductrice transparente pour former une première structure conductrice transparente reliée à la plage de contact de source à travers ledit premier trou de contact, une électrode de pixel reliée à ladite électrode de drain à travers ledit second trou de contact, et une seconde structure conductrice transparente reliée à ladite plage de contact de grille à travers ledit troisième trou de contact. Dans encore un autre mode de réalisation, le procédé comprend les étapes de: - formation d'une première couche conductrice sur la surface d'un substrat; - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour réaliser une électrode de grille, une plage de contact de grille et une plage de contact de source; R\13500\13i08 DOC -a9 anl 199618 46-4/23 - formation de ladite couche isolante sur la surface du substrat comprenant ladite couche conductrice structurée; - formation d'une couche semi-conductrice sur ladite couche isolante; - formation d'une couche semi-conductrice dopée aux impuretés sur ladite couche semi-conductrice: - formation d'une structure dans ladite couche semi-conductrice dopée aux impuretés et dans ladite couche semiconductrice pour réaliser une couche active; - formation d'une seconde couche conductrice recouvrant ledit substrat, y com- pris ladite couche active; - formation d'une structure dans ladite seconde couche conductrice pour réaliser une électrode de source et une électrode de drain sur ladite couche active; - formation de ladite seconde couche isolante en tant que couche de passivation recouvrant la surface du substrat comprenant la plage de contact de source, une partie de ladite électrode de drain, ladite plage de contact de grille et une partie de ladite électrode de source; - attaque sélective de ladite seconde couche isolante et de ladite première couche isolante pour former un premier trou de contact exposant ladite plage de contact de source, un second trou de contact exposant ladite partie de ladite électrode de drain, un troisième trou de contact exposant ladite plage de contact de grille et un quatrième trou de contact exposant ladite partie de ladite électrode de source; formation d'une électrode de pixel reliée électriquement à ladite électrode de drain à travers ledit second trou de contact; - formation d'une première couche transparente conductrice reliée à ladite plage de contact de grille à travers ledit troisième trou de contact; et - formation d'une seconde couche transparente conductrice reliant électri- quement ladite plage de contact de source à ladite électrode de source à travers lesdits premier et quatrième trous de contact. L'invention a aussi pour objet l'application de ce procédé à la fabrication d'une structure de contact électrique pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, cette fabrication comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche conductrice sur une surface d'un substrat; - dépôt de ladite première couche isolante sur ladite première couche conductrice et sur ladite surface dudit substrat; - dépôt de ladite seconde couche isolante sur une partie de ladite première couche isolante au-dessus de ladite première couche conductrice; R \13500\13508 DOC -9 avril 1996 - 18 46 - 5/23 - enlèvement sélectif dans une seule étape d'attaque de parties desdites première et seconde couches isolantes pour exposer une partie de ladite première couche conductrice; et - dépôt d'une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium sur ladite partie exposée de ladite première couche conductrice. L'invention a aussi pour objet une plage de contact assurant une connexion électrique à une électrode de données d'un dispositif de commutation dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, ladite plage de contact comprenant: - une partie de ladite électrode de données exposée lors de l'attaque de ladite deuxième couche isolante; et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium disposée sur ladite partie de ladite électrode de données. Elle concerne aussi un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant un élément de commutation présentant une électrode de données et une telle plage de contact. L'invention a pour objet un contact électrique dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat; - une couche conductrice formée sur ledit substrat; - des première et seconde couches isolantes formées sur ladite couche conductrice, lesdites première et seconde couches isolantes comprenant un trou commun exposant une partie de ladite couche conductrice, la paroi latérale dudit trou étant sensiblement régulière; et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium disposée sur ladite partie exposée de ladite couche conductrice. Dans un autre mode de réalisation, le dispositif d'affichage à cristaux liquides comprend: - une ligne de données; et - une plage de contact, ladite plage de contact comprenant: - une partie de ladite ligne de données, et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium disposée sur ladite ligne de données. L'invention a aussi pour objet une plage de contact dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat; - un premier trou de contact dans ladite première couche isolante exposant une partie dudit substrat; R \13500\13S08 DOC -9 avrI 1996- 18 46-6/23 - un second trou de contact dans ladite seconde couche isolante aligné avec ledit premier trou de contact; - une première couche conductrice formée sur ladite surface exposée dudit substrat; et - une seconde couche conductrice formée sur ladite première couche conductrice. Dans ce cas, ladite seconde couche conductrice comprend avantageusement de l'oxyde d'étain dopé à l'indium. L'invention concerne aussi une structure de câblage dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat; et - une première couche conductrice formée sur une première partie dudit substrat; - ladite première couche isolante étant formée sur une deuxième partie dudit substrat et sur ladite première couche conductrice; - une seconde couche conductrice formée sur une première partie de ladite couche isolante; - ladite seconde couche isolante étant formée sur ladite seconde couche conductrice et sur une seconde partie de ladite première couche isolante au- dessus de ladite première couche conductrice; - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium formée sur ladite seconde couche isolante; dans laquelle un premier trou de contact traverse lesdites première et seconde couches isolantes pour découvrir ou exposer une partie de ladite première couche conductrice et dans laquelle un second trou de contact traverse ladite seconde couche isolante pour exposer une partie de ladite seconde couche conductrice, ladite couche d'étain dopé à l'indium s'étendant à travers lesdits premier et second trous de contact pour relier électriquement ladite première couche conductrice et ladite seconde couche conductrice. L'invention a aussi pour objet une structure de câblage dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat; - une première couche conductrice formée sur une partie dudit substrat; - ladite première couche isolante présentant un premier trou traversant exposant une partie de ladite première couche conductrice; - ladite seconde couche conductrice formée sur une partie de ladite première couche isolante; - ladite seconde couche isolante présentant un deuxième trou traversant exposant ladite partie exposée de ladite première couche conductrice et présentant un R\13500\13S08 DOC - 9 avnl 1996 - 18 46 - 7/23 troisième trou traversant exposant une partie de ladite seconde couche conductrice; et - une troisième couche conductrice formée sur ladite seconde couche isolante et reliant électriquement ladite première couche conductrice à ladite seconde couche conductrice à travers lesdits premier, second et troisième trous traversants. Dans ce cas, la troisième couche conductrice comprend avantageusement de l'oxyde d'étain dopé à l'indium. L'invention concerne aussi un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat présentant une première surface; - une première couche conductrice disposée sur une région prédéterminée de ladite première surface; - ladite première couche isolante étant formée sur la surface dudit substrat ainsi que sur ladite première couche conductrice, ladite première couche isolante comprenant un premier trou de contact exposant une partie prédéterminée de ladite première couche conductrice; - une seconde couche conductrice formée sur une partie prédéterminée de la première couche isolante; - ladite seconde couche isolante étant formée sur la surface du substrat comprenant ladite seconde couche conductrice; ladite seconde couche isolante présentant un second trou de contact exposant une partie prédéterminée de ladite seconde couche conductrice et exposant la région dudit premier trou de contact; et - une troisième couche conductrice formée sur ladite seconde couche isolante et électriquement reliée auxdites première et seconde couches conductrices via lesdits premier et second trous de contact. Dans ce cas, la première couche conductrice est de préférence une électrode de grille et ladite seconde couche conductrice est de préférence une électrode de source. Ladite troisième couche conductrice comprend aussi avantageusement un matériau approprié pour former une électrode de pixel. L'invention concerne encore un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon un tel procédé, comprenant: - un substrat; - une première couche conductrice sur ledit substrat comprenant: - une électrode de grille; - une plage de contact de grille; et - une plage de contact de source; R \13500\1308 DOC - 9 avnl 1996 - 18 46 - 8/23 - un film isolant de grille sur ladite surface dudit substrat. une partie dudit film isolant de grille recouvrant ladite électrode de grille; - une couche semi-conductrice sur ladite partie dudit film isolant de grille; - une couche semi-conductrice dopée par des impuretés sur ladite couche semi- conductrice; - une électrode de source et une électrode de drain sur ladite couche semi- conductrice dopée par des impuretés; - une couche de passivation recouvrant ladite plage de contact de source, ladite électrode de drain, ladite plage de contact de grille, et ladite électrode de source; - un premier trou de contact traversant ladite couche de passivation et ledit film isolant de grille pour exposer ladite plage de contact de source; et - un second trou de contact traversant ladite couche de passivation pour exposer ladite électrode de drain; - un troisième trou de contact traversant ladite couche de passivation et ledit film isolant de grille pour exposer ladite plage de contact de grille; - un quatrième trou de contact traversant ladite couche de passivation pour exposer ladite électrode de source; - une électrode de pixel reliée électriquement à ladite électrode de drain à travers ledit second trou de contact; et - une couche conductrice transparente reliant électriquement ladite plage de contact de source et ladite électrode de source à travers ledit premier trou de contact et ledit quatrième trou de contact. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui suit d'un mode de réalisation de l'invention donné à titre d'exemple, en référence aux figures qui montrent: - les figures la et If sont des vues en coupe illustrant des étapes de fabrication selon un procédé classique de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides; - les figures 2a à 2e sont des vues en coupe illustrant les étapes d'un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un mode de réa- lisation préféré de la présente invention; - la figure 3 est une vue en coupe illustrant une structure d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un second mode de réalisation de la pré- sente invention; - la figure 4 est un diagramme de circuit d'un exemple d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, dans lequel un matériau de grille est relié avec un matériau de source selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; et R \13500\13508 DOC- 9 avril 1996 - 18 46 -9/23 - la figure 5 est une vue en coupe verticale du dispositif de la figure 4; - la figure 6 représente schématiquement un mode de réalisation d'une matrice d'affichage selon l'art antérieur. En se référant d'abord à la figure 2a, une couche conductrice est formée sur un substrat de verre transparent 1, et est structurée pour former une électrode de grille 2, une électrode de condensateur de stockage 2D, et une plage de contact de grille 2B, qui sont toutes formées du même matériau. L'électrode de grille est utilisée pour ap- pliquer une tension afin de piloter la couche active dans le transistor en couche mince une fois complété. Comme représenté sur la figure 2b, un film isolant de grille 3, tel qu'un film de nitrure ou un film d'oxyde est formé sur toute la surface du substrat afin d'isoler électriquement la grille 2. Une couche active semi-conductrice 4 est ensuite formée sur le film isolant de grille 3. La couche active 4 est de préférence une couche de silicium amorphe déposée par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ensuite, afin de réduire la résistance de contact entre la couche active et les électrodes de source et de drain formées ensuite, une couche semi- conductrice dopée par des impuretés 5 est formée sur la couche de silicium amorphe 4, pour constituer une couche de contact ohmique. La couche semi-conductrice dopée 5 et la couche de silicium amorphe 4 sont attaquées selon un motif ou une structure de couche active prédéterminée. Comme représenté sur la figure 2c, une couche conductrice pour former l'électrode de source 7 et l'électrode de drain 8 est ensuite formée sur le substrat, en structurant une couche de matériau conducteur déposé par pulvérisation. En utilisant les électrodes de source et de drain 7 et 8 comme masque, des parties de la couche semi-conductrice dopée 5 sont exposées, et ensuite attaquées. L'électrode de source 7 constitue ainsi une partie d'une région de transistor et sert de plage de contact de source 7A au-dessus du film isolant de grille 3, de telle sorte que la même couche conductrice constitue une partie du câblage de source et l'électrode de source du transistor en couche mince. Comme représenté sur la figure 2d, une couche de passivation 9, par exemple un film de nitrure, est déposée sur toute la surface du substrat par un traitement de CVD. Ensuite, des parties prédéterminées de la couche de passivation 9 et du film isolant de grille 3 sont sélectivement attaquées pour former des premier, second et troisième trous de contact 20, 30 et 40, permettant de découvrir ou exposer une région prédéterminée de la plage de contact de source 7A au-dessus du film isolant de grille 3, une région prédéterminée de l'électrode de drain 8 et une région prédéterminée de la plage de contact de grille 2B. Pour réaliser des connexions R\13500\1350 DOC -9avril 1996 -18 46 - 1023 il électriques externes les plages de contact 7A et 2B doivent être découvertes ou exposées. Comme représenté sur la figure 2e, une couche en oxyde d'étain dopé à l'indium (ITO) est ensuite déposée sur le substrat par pulvérisation cathodique ou par un traitement de dépôt chimique en phase vapeur, et est attaquée selon un motif pré- déterminé pour former une électrode de pixel 6. Comme représenté encore sur la fi- gure 2e, l'électrode de pixel 6 est reliée à la surface supérieure de l'électrode de drain 8. Au même moment, une structure en ITO 6B est formée sur la plage de contact de grille 2B. En outre, une structure en ITO 6A est disposée sur la plage de contact de source 2A, qui est une partie de l'électrode de données du dispositif d'affichage à cristaux liquides. Le transistor en couche mince de la présente invention présentant des contacts électriques ou des structures de câblage comprenant une plage de contact de grille 2B, une couche 6B et une couche 6A, et une plage de contact de source 7A est ainsi complété. Comme décrit ci-dessus, l'électrode de pixel 6 est formée après le traitement de passivation dans la présente invention. Au contraire, dans la méthode classique l'électrode de pixel 6 est formée après le traitement de formation de la plage de contact, ou le traitement de formation de la source ou drain. Ainsi, la couche de pas- sivation est interposée entre le matériau de formation de la source ou du drain, et l'électrode de pixel, ce qui isole effectivement ces couches et empêche les courts-cir- cuits. En outre, à l'inverse du procédé classique, le procédé selon la présente inven- tion ne nécessite pas d'étape permettant d'exposer ou de découvrir la plage de contact directement après avoir déposé le film isolant de grille, et les plages de contact de source et de grille sont exposées par attaque pendant le traitement de passivation. Ainsi, l'électrode de pixel, qui est réalisée à partir d'ITO (oxyd'étain dopé à l'indium) est formée au-dessus des plages de contact de source et de grille. En outre, la plage de contact de source n'est pas formée du matériau de la grille, mais est formée à partir d'un matériau de formation de la source, au moment du dépôt de source et de drain. Ainsi, on peut éviter le problème d'une résistance de contact im- portante entre la plage de contact de source et la source, qui est provoquée par la formation de la plage de contact de source à partir du matériau de grille. La figure 3 illustre un deuxième mode de réalisation de la présente invention, dans lequel les étapes de gravure ou attaque du film isolant de grille et de gravure ou attaque de la couche de passivation pour découvrir ou exposer la plage de contact sont réalisés en une seule étape de masquage. En particulier, la plage de contact de source 2A est constituée du matériau de grille, comme dans la méthode classique, et R \13500\13q08 DOC -9 avrl 1996 - 18 46 - 11/23 est formée en même temps que la grille 2, que l'électrode de condensateur de stockage 2D et que la plage de contact de grille 2B. Après avoir formé les premier, second, troisième et quatrième trous de contact 45, 50, 55 et 60, on dépose du matériau pour former l'électrode de pixel. Il en résulte que du fait que les premier 45, et quatrième 60 trous de contact sont formés par dessus la plage de contact de source 2A (qui est constituée du même matériau que la grille) et par dessus l'électrode de source 7, l'électrode de source 7 et la plage de contact de source 2A peuvent être reliées l'une à l'autre dans la même étape que celle pendant laquelle l'électrode de pixel 6 est formée. Ainsi, après avoir structuré l'ensemble, une première couche conductrice transparente 6C relie l'électrode de source 7 avec la plage de contact de source 2A, et une seconde couche conductrice transparente 6 (c'est-à-dire l'électrode de pixel) est reliée à l'électrode de drain 8. En d'autres termes, une couche conductrice est formée sur un substrat de verre transparent 1 et est structurée pour former une grille 2, une électrode de condensa- teur de stockage 2D, une plage de contact de source 2A et une plage de contact de grille 2B. Après avoir formé un film isolant de grille 3 sur toute la surface du substrat, on forme séquentiellement sur cette surface une couche de silicium amorphe 4 et une couche de semi-conducteur dopée 5. Ces couches sont ensuite atta- quées selon une structure de couche active prédéterminée. On dépose ensuite une couche conductrice sur le substrat et on l'attaque selon un motif prédéterminé, de sorte à former une électrode de source 7 et une électrode de drain 8. Après avoir formé une couche de passivation 9 sur toute la surface du substrat, on attaque sélectivement la couche de passivation 9 et la couche isolante de grille 3, de sorte à former un premier trou de contact découvrant la plage de contact de source 2A ainsi qu'un troisième trou de contact exposant la plage de contact de grille 2B. Du fait que la couche de passivation et le film isolant de grille 3 sont de préférence attaqués en une seule étape, les parois latérales des premier et second trous de contact sont planes et régulières. On dépose ensuite de l'ITO (oxyde d'étain dopé à l'indium) sur toute la surface du substrat, et cette couche est structurée pour former une électrode de pixel 6 qui est reliée avec l'électrode de drain 8 à travers le trou de contact qui se trouve au-dessus de l'électrode de drain 8 dans la partie du pixel. En même temps, les motifs ou structures d'ITO 6A, 6B, 6C sont formés pour établir un contact avec la plage de contact de source 2A et la plage de contact de grille 2B à travers des trous de contact formés dans le film isolant de grille 3 et la couche de passivation 9. En outre, selon un mode de réalisation additionnel de la présente invention, une ligne de réparation, ou un circuit de protection contre l'électricité statique peu- vent être aussi prévus pendant le dépôt de la couche d'électrode de pixel. R \13500\13508 DOC 9 avril 1996 -18 46 - 12/23 La figure 4 est un diagramme schématique d'un circuit de protection contre l'électricité statique 100, et la figure 5 est une vue en coupe à plus grande échelle d'une partie 150 du circuit. Dans le circuit représenté à la figure 4, si un potentiel élevé provoqué par une décharge électrostatique est présent sur une électrode de source 7, le transistor 170, par exemple est rendu conducteur pour décharger l'électrode de source 7 vers la ligne de grille 2. De façon analogue, la ligne de grille 2 peut être déchargée vers l'électrode de source 7 par l'intermédiaire du transistor 160. Comme représenté sur la figure 5, la liaison entre la ligne de grille 2 et l'électrode de source 7 est réalisée en formant des trous de contact dans les films isolants 3 et 9, et en déposant ensuite un matériau conducteur 6D (de préférence de l'oxyde d'étain dopé à l'indium) dans ces trous lorsque l'on forme l'électrode de pixel. Selon la présente invention telle qu'elle est décrite ci-dessus, la fabrication du transistor en couche mince du dispositif d'affichage à cristaux liquides peut être réalisée en utilisant cinq étapes de masquage (l'étape de formation de la grille, l'étape de formation de la couche active, l'étape de formation de la source et du drain, l'étape d'attaque de la couche de passivation et du film isolant de grille et la formation de l'électrode de pixel), tandis que le procédé classique nécessite six étapes de masquage, voire plus. Ainsi, on peut réduire les coûts de fabrication. En outre, puisque la plage de contact de source est formée dans un matériau identique à celui de l'électrode de source, on peut résoudre le problème de résistance de contact au niveau du contact entre la plage de contact de source et l'électrode de source. De plus, du fait que l'électrode de pixel est formée après la formation de la couche de passivation, on peut empêcher les erreurs de traitement qui conduisaient à un contact entre l'électrode de pixel et la source ou le drain. D'autres modes de réalisation de l'invention apparaîtront clairement à l'homme de l'art après la lecture de cette description et lors de la mise en oeuvre de l'invention qui y est décrite. Il est entendu que la description et les modes de réalisation qui sont indiqués ne peuvent être considérés que comme exemplaires. R \ 13500\13508 DOC- 9 avril 1996 - I S 46 -13/23 REVENDICATIONS I.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. d'une structure de contact électrique. d'une plage de contact. d'un contact électrique ou d'une structure de cablâge pour dispositif d'affichage à cristaux liquides, qui comprend, dans l'ordre suivant, les étapes de: - formation d'une première couche isolante (3); - formation d'une deuxième couche isolante (9); - gravure par attaque de ladite deuxième couche isolante (9); et - gravure par attaque de ladite première couche isolante (3). _.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides se- lon la revendication I comprenant les étapes de: - formation d'une première structure de couche conductrice (2) sur le substrat (1); - formation de la première couche isolante (3) en recouvrant la surface dudit substrat (1) comprenant ladite première structure de couche conductrice (2); - formation d'une seconde structure de couche conductrice (7) sur ladite pre- mière couche isolante (3); - formation de la seconde couche isolante (9) en recouvrant la surface du substrat comprenant ladite structure de couche conductrice (7); - attaque sélective desdites seconde et première couches isolantes (9, 3) pour former un premier trou de contact et un second trou de contact exposant res- pectivement ladite première structure de couche conductrice (2) et ladite se- conde structure de couche conductrice (7); et - formation d'une troisième couche conductrice sur ladite seconde couche isolante (9), ladite troisième couche conductrice étant reliée électriquement auxdites première et seconde structures de couches conductrices (2, 7) à travers lesdits premier et second trous de contact. 3.- Application du procédé selon la revendication 1 à la fabrication d'une structure de contact électrique pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, cette fabrication comprenant les étapes de: - dépôt d'une première couche conductrice (2A, 2B) sur une surface d'un substrat ( 1); dépôt de ladite première couche isolante (3) sur ladite première couche conductrice (2A. 2B) et sur ladite surface dudit substrat (1); '41)1 i)( o 1) - i i I)O - 14/23 I5 dépôt de ladite seconde couche isolante (9) sur une partie de ladite premiere couche isolante (3) au-dessus de ladite premiere couche conductrice (2A. 2B): enlèvement sélectif dans une seule étape d'attaque de parties desdites première et seconde couches isolantes (3. 9) pour exposer une partie de ladite première couche conductrice (2A. 2B): et dépôt d'une couche d'oxvde d'étain dopé à l'indium (6A. 6B) sur ladite partie exposée de ladite première couche conductrice (2A. 2B). 4.- Une plage de contact assurant une connexion électrique à une électrode de données d'un dispositif de commutation dans un dispositif d'affichage à cristaux li- quides fabriqué selon le procédé de la revendication 1. ladite plage de contact com- prenant: - une partie (7A) de ladite électrode de données (7) exposée lors de l'attaque de ladite deuxième couche isolante (9): et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium (6A) disposée sur ladite partie (7A) de ladite électrode de données. 5.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant uin élément de commutation présentant une plage de contact selon la revendication 4. 6.- Un contact électrique dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fa- briqué selon le procédé de la revendication 1 comprenant: - un substrat (1); - une couche conductrice (2A. 2B) formée sur ledit substrat (1); des première (3) et seconde (9) couches isolantes formées sur ladite couche conductrice, lesdites première et seconde couches isolantes comprenant un trou commun (45, 55) exposant une partie de ladite couche conductrice, la paroi latérale dudit trou étant sensiblement régulière; et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium (6A, 6B) disposée sur ladite partie exposée de ladite couche conductrice. 7.- Une plage de contact dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fa- briqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant - un substrat (1); - un premier trou de contact dans ladite première couche isolante (3) exposant une partie dudit substrat; - un second trou de contact dans ladite seconde couche isolante (9) aligné avec ledit premier trou de contact; R I 00\ 3508 DOC - 28 ma 1996 - i3 06 - E si23 une première couche conductrice (2A. 2B) formée sur ladite surface exposée dudit substrat (1): et une seconde couche conductrice (6A. 6B) formée sur ladite première couche conductrice. 8.- Une plage de contact selon la revendication 7, dans laquelle ladite seconde couche conductrice (6A. 6B) comprend de l'oxvde d'étain dopé à l'indium. 9.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides se- Ion la revendication 1 comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice (2) sur le substrat (1): - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour former une électrode de grille (2) et une plage de contact de grille (2B); formation de ladite première couche isolante (3) sur la surface du substrat (1) comprenant l'électrode de grille (2) et la plage de contact de grille (2B); - formation d'une couche semi-conductrice (4) sur ladite première couche iso- lante (3); - formation d'une couche semi-conductrice dopée par des impuretés (5) sur la- dite couche semi-conductrice (4); - enlèvement sélectif d'une partie de ladite couche semi-conductrice dopée aux impuretés (5) et de ladite couche semi-conductrice (4), sauf dans une partie au- dessus de ladite électrode de grille (2); - formation d'une seconde couche conductrice sur ledit substrat; - attaque de ladite seconde couche conductrice pour former une électrode de source (7), une plage de contact de source (7A) et une électrode de drain (8), ladite électrode de source étant reliée à ladite plage de contact de source (7A); - formation de ladite seconde couche isolante (9) en tant que couche de passiva- tion sur toute la surface dudit substrat (1); - attaque sélective de ladite seconde couche isolante (9) et de ladite première couche isolante (3) pour former un premier trou de contact (20) exposant ladite plage de contact de source (7A), un second trou de contact (30) exposant une partie de ladite électrode de drain (8), et un troisième trou de contact (40) exposant ladite plage de contact de grille (2B); - formation d'une couche conductrice transparente sur ledit substrat; et - formation d'une structure dans ladite couche conductrice transparente pour former une première structure conductrice transparente (6A) reliée à la plage de contact de source (7A) à travers ledit premier trou de contact (20), une électrode de pixel (6) reliée à ladite électrode de drain (8) à travers ledit second R 1ffS(DO)C.',.s,I - '6 - I- 23 trou de contact (30). et une seconde structure conductrice transparente (6B) reliée à ladite plage de contact de grille 12B) à travers ledit troisième trou de contact (40). 10.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides se- Ion la revendication 1. comprenant les étapes de - formation d'une première couche conductrice sur la surface d'un substrat (1): formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour réaliser une électrode de grille (2). une plage de contact de grille (2B) et une plage de contact de source (2A); - formation de ladite couche isolante (3) sur la surtface du substrat (1) compre- nant ladite couche conductrice structurée; - formation d'une couche semi-conductrice (4) sur ladite couche isolante (3); - formation d'une couche semi-conductrice dopée aux impuretés (5) sur ladite couche semi-conductrice (4); - formation d'une structure dans ladite couche semi-conductrice dopée aux impuretés (5) et dans ladite couche semi-conductrice (4) pour réaliser une couche active; - formation d'une seconde couche conductrice recouvrant ledit substrat, y com- pris ladite couche active; - formation d'une structure dans ladite seconde couche conductrice pour réaliser une électrode de source (7) et une électrode de drain (8) sur ladite couche ac- tive; - formation de ladite seconde couche isolante (9) en tant que couche de passiva- tion recouvrant la surface du substrat (1) comprenant la plage de contact de source (2A), une partie de ladite électrode de drain (8), ladite plage de contact de grille (2B) et une partie de ladite électrode de source (7); - attaque sélective de ladite seconde couche isolante (9) et de ladite première couche isolante (3) pour former un premier trou de contact (45) exposant ladite plage de contact de source (2A), un second trou de contact (50) exposant ladite partie de ladite électrode de drain (8), un troisième trou de contact (55) exposant ladite plage de contact de grille (2B) et un quatrième trou de contact (60) exposant ladite partie de ladite électrode de source (7); - formation d'une électrode de pixel (6) reliée électriquement à ladite électrode de drain (8) à travers ledit second trou de contact (50); - formation d'une première couche transparente conductrice (6B) reliée à ladite plage de contact de grille (2B) à travers ledit troisième trou de contact (55); et R l3 0ol 3 508 DOC 2 6- ' 1 3 O,6 - I 7/21 formation d'une seconde couche transparente conductrice (6A) reliant électri- quement ladite plage de contact de source (2A) à ladite électrode de source (7) à travers lesdits premier et quatrième (60) trous de contact. I.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant: - une ligne de données (2A); et - une plage de contact. ladite plage de contact comprenant: - une partie de ladite ligne de données, et - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium (6A) disposée sur ladite ligne de données. 12.- Une structure de câblage dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant: - un substrat (1); et - une première couche conductrice (2A) formée sur une première partie dudit substrat; - ladite première couche isolante (3) étant formée sur une deuxième partie dudit substrat et sur ladite première couche conductrice (2A); - une seconde couche conductrice (7) formée sur une première partie de ladite couche isolante (3); - ladite seconde couche isolante (9) étant formée sur ladite seconde couche conductrice (7) et sur une seconde partie de ladite première couche isolante (3) au-dessus de ladite première couche conductrice (2A); - une couche d'oxyde d'étain dopé à l'indium (6C) formée sur ladite seconde couche isolante (9); dans laquelle un premier trou de contact (45) traverse lesdites première (3) et se- conde (9) couches isolantes pour découvrir ou exposer une partie de ladite première couche conductrice (2A) et dans laquelle un second trou de contact (60) traverse ladite seconde couche isolante (9) pour exposer une partie (7A) de ladite seconde couche conductrice (7), ladite couche d'étain dopé à l'indium s'étendant à travers lesdits premier (45) et second (60) trous de contact pour relier électriquement ladite première couche conductrice (2A) et ladite seconde couche conductrice (7). 13.- Une structure de câblage dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant - un substrat (1); - une première couche conductrice (2A) formée sur une partie dudit substrat; R I',)\ I S;S DOC - 2S rea 1996 - 13 06 - I 8/23 - ladite première couche isolante (3) présentant un premier trou traversant exposant une partie de ladite première couche conductrice (2A); - ladite seconde couche conductrice (7) formée sur une partie de ladite première couche isolante (3); - ladite seconde couche isolante (9) présentant un deuxième trou traversant exposant ladite partie exposée de ladite première couche conductrice et présentant un troisième trou traversant exposant une partie (7A) de ladite se- conde couche conductrice (7); et - une troisième couche conductrice (6C) formée sur ladite seconde couche isolante (9) et reliant électriquement ladite première couche conductrice (2A) à ladite seconde couche conductrice (7) à travers lesdits premier, second et troisième trous traversants. 14.- Une structure de câblage selon la revendication 13. dans laquelle la troi- sième couche conductrice (6C) comprend de l'oxyde d'étain dopé à l'indium. 15.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant: - un substrat (1); - une première couche conductrice sur ledit substrat comprenant: - une électrode de grille (2); - une plage de contact de grille (2B); et - une plage de contact de source (2A); - un film isolant de grille (3) sur ladite surface dudit substrat, une partie dudit film isolant de grille (3) recouvrant ladite électrode de grille (2); - une couche semi-conductrice (4) sur ladite partie dudit film isolant de grille (3); - une couche semi-conductrice dopée par des impuretés (5) sur ladite couche semi-conductrice (4); - une électrode de source (7) et une électrode de drain (8) sur ladite couche semi-conductrice dopée par des impuretés (5); - une couche de passivation (9) recouvrant ladite plage de contact de source (2A), ladite électrode de drain (8), ladite plage de contact de grille (2B), et la- dite électrode de source (7); - un premier trou de contact (45) traversant ladite couche de passivation (9) et ledit film isolant de grille (3) pour exposer ladite plage de contact de source (2A); et R 1I 3500\13508 DOC -.23 ma 19)6 - 13 06 - 19/23 - un second trou de contact (50) traversant ladite couche de passivation (9) pour exposer ladite électrode de drain (8); - un troisième trou de contact (55) traversant ladite couche de passivation (9) et ledit film isolant de grille (3) pour exposer ladite plage de contact de grille (2B); - un quatrième trou de contact (60) traversant ladite couche de passivation (9) pour exposer ladite électrode de source (7); - une électrode de pixel (6) reliée électriquement à ladite électrode de drain (8) à travers ledit second trou de contact (50); et - une couche conductrice transparente (6C) reliant électriquement ladite plage de contact de source (2A) et ladite électrode de source (7) à travers ledit premier trou de contact (45) et ledit quatrième trou de contact (60). 16.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides fabriqué selon le procédé de la revendication 1, comprenant: - un substrat (1) présentant une première surface; - une première couche conductrice (2) disposée sur une région prédéterminée de ladite première surface: - ladite première couche isolante (3) étant formée sur la surface dudit substrat ainsi que sur ladite première couche conductrice (2), ladite première couche isolante (3) comprenant un premier trou de contact exposant une partie pré- déterminée de ladite première couche conductrice; - une seconde couche conductrice (7) formée sur une partie prédéterminée de la première couche isolante; - ladite seconde couche isolante (9) étant formée sur la surface du substrat comprenant ladite seconde couche conductrice (7); ladite seconde couche isolante présentant un second trou de contact exposant une partie prédéterminée de ladite seconde couche conductrice (7) et exposant la région dudit premier trou de contact; et - une troisième couche conductrice (6D) formée sur ladite seconde couche isolante (9) et électriquement reliée auxdites première (2) et seconde (7) couches conductrices via lesdits premier et second trous de contact. 17.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 16, dans lequel ladite première couche conductrice (2) est une électrode de grille et la- dite seconde couche conductrice (7) est une électrode de source. R \13 00\13s08 DOC - 8 ma 1996 - 13 09 - 20/23 I 18.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 16 ou 17, dans lequel ladite troisième couche conductrice comprend un matériau approprie pour former une électrode de pixel. R \13500\13508 DOC -28 al 1996- 13 09 - 21/123