Brevet FR2741474A1 — publié le 19970523

AX 2741474 Chambre de traitement sous vide, procédé de pulvérisation sous vide et dispositif formant magnétron pour la chambre La présente invention concerne une chambre de traitement sous vide contenant une électrode de pulvérisation et une contre-électrode qui forme avec celle-ci un espace de décharge et dont une zone superficielle est hors de portée optique par rapport à l'électrode de pulvérisation. L'invention concerne aussi un procédé de pulvérisation sous vide et un dispositif formant magnétron pour la chambre. L'électrode de pulvérisation peut être une électrode dont le matériau enlevé par pulvérisation est déposé comme matériau en couche sur des pièces à traiter, dans le sens d'un revêtement par pulvérisation, ou une électrode sur laquelle des pièces à pulvériser sont disposées, dans le sens d'une corrosion par pulvérisation. Il s'agit par ailleurs de cas de la technique de pulvérisation mentionnée dans lesquels il se forme dans la chambre de traitement des couches parasites isolantes électriquement dans la mesure o on enlève de l'électrode de pulvérisation de la matière qui présente une conductibilité électrique plus mauvaise qu'un métal, ou dans la mesure o le matériau enlevé de l'électrode de pulvérisation réagit avec un gaz réactif et donne le revêtement isolant mauvais conducteur ou non conducteur mentionné. Dans ces cas, le problème est qu'en raison du revêtement isolant mentionné formé sur la contre-électrode, le processus de décharge entre l'électrode de pulvérisation et la contre-électrode varie dans le temps et devient instable. Alors qu'avec la pulvérisation haute fréquence, le revêtement isolant croissant de l'électrode non pulvérisée, appelée dans ce qui suit électrode anodique, a pour conséquence un déplacement du potentiel de polarisation automatique de courant continu de la décharge (en raison de la couche de capacité variable dans le temps au niveau de l'électrode anodique), avec une pulvérisation en courant continu, la couche isolante mentionnée de l'anode a les conséquences suivantes: la tension de décharge augmente et la fonction de l'anode se perd de plus en plus en raison du découplage, agissant en mode de courant continu, de ladite couche de capacité. A l'heure actuelle, on préfère précisément la pulvérisation en courant continu, en particulier la pulvérisation réactive en courant continu, par exemple en raison de la configuration de l'installation qui est moins coûteuse que les installations de pulvérisation haute fréquence. Que ce soit pour la pulvérisation haute fréquence ou pour la pulvérisation en courant continu utilisée de préférence, à l'heure actuelle, il faudrait nettoyer en permanence l'électrode anodique ou l'anode afin de garantir des conditions de traitement tant soit peu constantes. Il est bien évident que cela ne serait absolument pas rentable et que cela créerait sans cesse des problèmes concernant la contamination du traitement. Avec les sources de pulvérisation par magnétron, qui sont de préférence mises en oeuvre pour la pulvérisation en courant continu en raison des vitesses de pulvérisation élevées, le problème mentionné est particulièrement aigu. Il est manifeste que lors de la pulvérisation de matériaux mauvais conducteurs d'électricité ou lors de la pulvérisation de matériaux bon conducteurs dans une atmosphère de gaz réactif dans laquelle un matériau mauvais conducteur est formé par réaction, le problème d'isolation mentionné se pose aussi pour l'électrode de pulvérisation. Ce problème a toutefois été résolu, en particulier en ce qui concerne la mise en oeuvre de générateurs de décharge de courant continu peu coûteux, grâce à la superposition d'une tension pulsée comme le décrit en détail EP-0 564 789 ou la demande US N 08/020 672, en utilisant notamment une technique de découpage peu coûteuse. Pour la pulvérisation en courant continu, on a tenté jusqu'à présent de résoudre le problème indiqué plus haut, en ce qui concerne l'anode, en augmentant la surface anodique ou en prévoyant des volets ou des labyrinthes supplémentaires qui préservent des zones superficielles conductrices d'électricité dégagées par rapport au courant de particules, de telle sorte que la décharge de pulvérisation ne puisse pas se propager dans ces zones (respect des distances formant zones obscures), d'une part, et que les électrons, notamment, trouvent une voie de basse impédance sur les surfaces libres de l'anode malgré le revêtement isolant des surfaces anodiques exposées à la décharge de pulvérisation, d'autre part. La figure la représente la partie gauche d'une installation de pulvérisation par magnétron typique sans mesures supplémentaires pour dégager la surface anodique par rapport à une couche isolante. 1 désigne un corps cible pulvérisé, 2 un châssis de fixation pour le corps cible 1, 3 des vis de fixation pour le châssis de support 2 et le corps cible 1, 4 une feuille de contact conductrice de chaleur, une plaque de refroidissement, 6 des conduits de refroidissement pour l'agent de refroidissement, 7 une anode en forme de châssis, 8 une bride de fixation située côté installation pour le magnétron, 9 une isolation électrique entre la cathode, d'une part, et la bride/l'anode, d'autre part, un système magnétique avec un carter de système magnétique 11, 12 une courbe de champ magnétique qualitative, 13 un revêtement isolant parasite, et 14 un interstice. En 13, on a représenté purement schématiquement et qualitativement le dépôt d'un revêtement isolant parasite formant une couche de capacité, sur l'anode 7. Comme on peut le voir, cela finit par interrompre la voie de décharge entre cathode et anode. Il faut considérer que l'interstice 14 entre l'anode 7 et le châssis de serrage 2 remplit, il est vrai, les conditions de zone obscure, moyennant quoi il ne peut pas se produire de décharge à cet endroit, mais que des particules de revêtement peuvent pénétrer dans cet interstice et, comme on l'a représenté, recouvrir l'anode ainsi que des parties de la bride de fixation 8. La figure lb a pour but de faire comprendre des mesures connues qui résolvent le problème décrit à l'aide de la figure la. Elle montre la moitié droite d'une source de magnétron, et pour des composants identiques, on a utilisé les mêmes chiffres de référence que sur la figure la. Comme il ressort de la comparaison des figures, l'interstice 14', qui remplit les conditions de zone obscure, est conçu comme un labyrinthe, de sorte que la forme étagée de l'interstice telle qu'on l'a représentée à titre d'exemple en 15 fait de l'ombre à des zones superficielles anodiques, en ce qui concerne le matériau pulvérisé qui pénètre dans l'interstice formant zone obscure. On obtient ainsi que les zones anodiques ne soient pas revêtues d'une couche isolante et qu'en étant dégagées, elles maintiennent la voie de décharge électrique. Attirés par le potentiel anodique et en raison de leur très grande mobilité, les électrons traversent l'interstice formant zone obscure 14' vers les surfaces anodiques 15 dégagées, et le circuit reste ainsi fermé. On sait aussi utiliser, à la place des labyrinthes décrits à l'aide de la figure 1, ce qu'on appelle des dispositifs nervurés ou des volets qui doivent agrandir non seulement les zones d'ombre pour des zones superficielles anodiques, mais aussi toute la surface anodique. Cela est censé éviter que l'obstruction des surfaces anodiques par la couche isolante, par rapport à la surface anodique totale, soit trop rapide. On se référera à ce sujet à US-A-3 514 391, DE-PS-34 27 587 et DE-PS-36 12 721. Un inconvénient important des épaulements mentionnés doit être considéré dans le fait qu'il n'est pas possible d'obtenir à partir du début de la pulvérisation des conditions de fonctionnement constantes dans le temps. La croissance continue non entravée du revêtement isolant sur l'anode modifie en permanence les conditions de décharge. Même avec des dispositifs de volets ou de labyrinthes, il faut un temps relativement long pour que l'état de fonctionnement se stabilise car, à partir du début du fonctionnement, les surfaces anodiques actives commencent par diminuer. Même après que les surfaces anodiques dégagées ont garanti exclusivement la fermeture du circuit de décharge, la tension de décharge reste élevée en raison des voies relativement longues que les électrons doivent parcourir. Or, des tensions élevées entraînent régulièrement une fréquence accrue de claquages et de décharges disruptives, ce qui gêne le processus de pulvérisation et rend en particulier inutilisable la couche formée, dans le cas d'une pulvérisation de revêtement. Contrairement à l'utilisation de systèmes de labyrinthes, une simple augmentation de la surface anodique donne un temps nettement plus long d'augmentation de la tension de décharge, étant donné que la surface anodique augmente continuellement et régulièrement. De telles conditions de fonctionnement non reproductibles, qui ont une incidence directe sur la qualité des revêtements dans le cas d'un revêtement par pulvérisation, ne sont pas acceptables en présence des exigences de qualité actuelles. On renverra à ce sujet au revêtement de cibles de mémoire ou de structures semi- conductrices. La présente invention a pour but de créer une chambre de traitement sous vide du type spécifié en introduction, qui supprime les inconvénients mentionnés et qui permette de réaliser des matériaux mauvais conducteurs d'électricité allant jusqu'aux matériaux diélectriques, sans perturbation, c'est-à-dire sans formation d'arc, et avec une reproductibilité élevée, moyennant une productivité, c'est-à- dire une rentabilité, élevée et des durées de vie longues. Le processus de pulvérisation doit se stabiliser rapidement. Le but fixé est atteint, selon l'invention, grâce au fait qu'une troisième électrode forme un autre espace de décharge avec la zone superficielle de la contre-électrode qui est hors de portée optique par rapport à l'électrode de pulvérisation (et ne remplit pas les conditions de zone obscure), et qu'il existe une liaison globalement sans obstacles pour les électrons entre les espaces de décharge (à savoir entre l'espace de décharge cité en dernier et l'espace de décharge de pulvérisation). Grâce à cette caractéristique, on obtient que la zone superficielle anodique dégagée soit étendue dans l'espace grâce à la décharge supplémentaire très bonne conductrice d'électricité, de sorte que les électrons de la décharge de pulvérisation peuvent s'écouler à tout moment vers l'anode pratiquement sans obstacles, suivant une faible impédance, et ce malgré le revêtement isolant croissant sur les zones superficielles anodiques directement tournées vers la décharge de pulvérisation. Un mode de réalisation de l'invention prévoit que la contre-électrode entoure l'électrode de pulvérisation avec une distance formant zone obscure, et que la liaison la plus courte entre la zone superficielle et la troisième électrode soit nettement plus grande. D'une manière avantageuse, l'alimentation électrique et/ou le dimensionnement de la troisième électrode par rapport à la contre-électrode sont tels que la contre- électrode agit comme cathode par rapport à la troisième électrode. Selon la présente invention, la troisième électrode est isolée électriquement par rapport à la contre-électrode ou est reliée à celle- ci par l'intermédiaire d'une résistance ohmique ou directement, ou la troisième électrode n'est formée que lors de la pulvérisation au niveau de la contre- électrode, ou encore la contre-électrode est reliée à la troisième électrode à l'aide d'une source de tension. Dans un mode de réalisation de l'invention, l'enveloppe intérieure de la chambre de traitement sous vide forme la troisième électrode. L'invention prévoit que l'électrode de pulvérisation soit alimentée par rapport à la contre-électrode avec un courant continu ou avec une tension continue pulsée, de préférence, et que ces deux électrodes soient reliées par l'intermédiaire d'un générateur de courant continu pourvu d'une unité de découpage montée en amont et de préférence parallèle. La surface pulvérisée de l'électrode de pulvérisation se compose avantageusement d'un matériau qui est plus mauvais conducteur que le métal, et/ou un dispositif réservoir de gaz contenant un gaz réactif est relié à la chambre. L'électrode de pulvérisation peut faire partie d'une source de magnétron. Selon l'invention, un dispositif formant magnétron est prévu pour générer un champ magnétique dans l'espace de décharge supplémentaire, et lors de la mise en oeuvre d'un magnétron comme source de pulvérisation, son champ de dispersion forme de préférence le champ magnétique mentionné dans ledit espace de décharge. Un autre but de l'invention est de créer un procédé de pulvérisation sous vide selon lequel un revêtement mauvais conducteur d'électricité est produit dans un récipient à vide, une décharge étant générée entre une électrode de pulvérisation et une contre-électrode. Ce but est atteint grâce au fait que des zones superficielles de la contre-électrode sont hors de portée optique par rapport à la décharge et sont reliées à la décharge de pulvérisation par l'intermédiaire d'une décharge supplémentaire. Enfin, l'invention a pour but de créer un dispositif formant magnétron comportant une électrode de pulvérisation et une contre-électrode dont une zone superficielle est hors de portée optique par rapport à l'électrode de pulvérisation. Ce but est atteint grâce au fait qu'une troisième électrode forme avec ladite zone superficielle un espace de décharge. Le champ de dispersion du dispositif formant magnétron de l'invention traverse avantageusement l'espace de décharge. Enfin, un dispositif formant magnétron est prévu spécialement pour générer un champ magnétique primaire dans l'espace de décharge. L'invention va maintenant être décrite en référence à d'autres figures. Les figures la et lb représentent des mesures connues qui ont été expliquées précédemment. La figure 2 montre de façon tout à fait schématique le principe qui est mis en oeuvre dans une chambre de traitement sous vide de l'invention, la figure 3 montre schématiquement la mise en oeuvre du procédé ou du principe de l'invention dans une chambre de traitement sous vide de l'invention pour la pulvérisation haute fréquence, la figure 4 montre un autre mode d'exécution du procédé de la figure 3, la figure 5 montre schématiquement l'optimisation de la chambre à vide de la figure 4 compte tenu d'écarts, dus au champ magnétique, par rapport aux lois de Koenig, la figure 6a représente schématiquement un premier mode de réalisation d'une chambre de pulvérisation à courant continu préférée, avec trois possibilités de potentiel, la figure 6b montre, en vue d'une explication heuristique de l'action d'une variante du dispositif de la figure 6a, la zone cathode/anode de celui-ci, agrandie, la figure 6c montre, en vue d'une explication heuristique de l'action d'une autre variante du dispositif de la figure 6a, la zone cathode/anode de celui-ci, agrandie, la figure 7 montre un autre mode de réalisation de la chambre de pulvérisation à courant continu préférée, représentée d'une manière analogue à la figure 6a, et la figure 8 est une représentation partiellement en coupe d'une chambre préférée. La figure 2 représente une électrode de pulvérisation 20 mise au potentiel cathodique. Entre elle et une contre- électrode 22 mise au potentiel anodique, la décharge primaire I est entretenue dans un gaz de travail comme par exemple de l'argon. Le matériau cible de l'électrode 20 est pulvérisé et il est lui-même mauvais conducteur d'électricité, nettement plus mauvais qu'un métal, voire diélectrique, ou bien il se forme dans la décharge primaire I, entre le matériau pulvérisé à partir de l'électrode 20 et un gaz réactif introduit, une liaison de matériau mauvaise conductrice. En tout cas, une couche isolante 24 se dépose entre autres sur l'électrode anodique 22. Hors de portée optique directe par rapport à l'électrode de pulvérisation 20, comme on l'a représenté à titre d'exemple, on prévoit une troisième électrode 26 annulaire. Des mesures telles que des tôles formant écrans, ou des éléments de la troisième électrode 26 elle-même, comme on l'a représenté schématiquement en 28, permettent d'empêcher, grâce à des interstices 29 qui obéissent aux conditions de zone obscure, que la décharge I ne se répande aussi derrière l'électrode 22. Entre la troisième électrode 26 et l'électrode anodique 22, au contraire, règnent des conditions d'écartement qui autorisent la formation et l'entretien d'une décharge II, appelée dans ce qui suit décharge subsidiaire. Comme on l'a représenté schématiquement avec la suspension unilatérale des écrans 28 maintenus à une distance formant zone obscure, il existe également un passage pratiquement libre entre l'espace de décharge I et l'espace de décharge II. On obtient ainsi les conditions suivantes: - la face arrière de l'électrode anodique 22 ne présente pas de revêtement parasite; - la décharge subsidiaire II forme une liaison très bonne conductrice entre l'électrode anodique 22 et la troisième électrode 26 et, à la manière d'un circuit équivalent, une liaison de faible impédance entre l'espace de décharge I et les surfaces conductrices de l'électrode anodique 22. La décharge subsidiaire II très bonne conductrice est parallèle au revêtement parasite 24 et court-circuite celui-ci. Comme la décharge subsidiaire II présente une très faible impédance ohmique, très vite, les revêtements isolants 24 n'ont plus aucun effet. Comme on l'a dessiné, le flux électronique est garanti sur la décharge II qui étend en réalité dans l'espace les surfaces libres de l'électrode anodique 22. Le potentiel de la troisième électrode 26, indiqué par P26 par rapport à celui de l'électrode anodique 22, est avantageusement anodique, là encore, par rapport à celle-ci, moyennant quoi l'électrode anodique 22 a une action cathodique dans la décharge subsidiaire II. On a parlé volontairement d'électrodes anodique et cathodique, en prenant en compte le cas de la décharge I haute fréquence et éventuellement aussi II. Si on choisit en effet, en suivant les lois de Koenig, une surface d'électrode tournée vers la décharge I qui est plus petite que celle de l'électrode 22, un potentiel cathodique se met en place au niveau de l'électrode 20 et un potentiel anodique au niveau de l'électrode 22, lors d'un fonctionnement haute fréquence, sans que ces dernières soient définies par des potentiels de courant continu comme anode et cathode. C'est dans ce sens qu'on parle aussi d'"anode" et de "cathode" en considérant des hautes fréquences. Les figures 3 et 5 indiquent quelques possibilités de concevoir une chambre de traitement sous vide de l'invention pour la pulvérisation haute fréquence. Pour la compréhension, on suppose qu'on applique les lois de surface de Koenig et qu'il est possible de modifier dans certaines limites le rapport de surfaces exigé par Koenig en prévoyant des champs magnétiques en forme de tunnels, et on se référera à ce sujet à DE-OS-37 06 698, selon la demande US N 047 896 ou N 829 739. Selon la figure 3, un oscillateur haute fréquence 30 est branché sur la cathode de pulvérisation 20 et sur l'anode opposée 22. Des écrans formant zone obscure 28 empêchent la décharge de se répandre derrière l'anode 22. L'écran 28 laisse cependant un passage pratiquement sans obstacles entre l'espace de décharge I et la face arrière de l'anode 22. Là, la troisième électrode 26 est disposée à une certaine distance de décharge de la face arrière de l'anode 22, et mise de préférence au potentiel anodique par rapport à celle-ci, grâce à une source de tension continue 32. Comme sur la figure 2, on n'a pas représenté l'enveloppe intérieure de la chambre à vide car cette enveloppe sert de préférence de troisième électrode 26, mais cela ne change rien aux principes expliqués. A l'aide d'une représentation analogue à la figure 3, la figure 4 montre la situation lorsque, à la place d'une source de tension continue 32 entre la troisième électrode 26' et l'anode 22, on installe un oscillateur haute fréquence 32'. Pour faire fonctionner la troisième électrode 26' comme une anode par rapport à l'anode 22 dans un cas o la décharge subsidiaire II est elle aussi une décharge haute fréquence, on choisit pour la surface active, pour la décharge, de la troisième électrode 26' une surface plus grande que la surface anodique libre qui participe à la décharge subsidiaire II, comme on l'a représenté schématiquement. Comme on l'a dit plus haut, on sait que pour la pulvérisation haute fréquence, grâce à l'application de champs magnétiques en forme de tunnels au niveau de l'anode et en conservant l'action d'anode de celle- ci, on peut réduire nettement sa surface, pratiquement jusqu'à un rapport de 1, par rapport à la surface cathodique pulvérisée. Si on exploite cela de manière conséquente avec l'installation de la figure 4, on obtient une installation telle qu'elle est représentée schématiquement sur la figure 5. A l'aide des figures 6 à 8, on va maintenant expliquer le mode de réalisation nettement préféré de la chambre de traitement sous vide de l'invention, à savoir la pulvérisation en courant continu. Des premiers modes de réalisation fondamentaux (a) à (c) sont représentés schématiquement sur la figure 6a. Dans la chambre à vide 40, on prévoit la cathode 20, de préférence une cathode de magnétron, isolée par rapport à l'enveloppe de la chambre comme on l'a représenté schématiquement à l'aide de l'isolation 41. L'anode 22, conçue comme une anode annulaire, forme en même temps avec sa partie intérieure l'écran formant zone obscure 28. Elle est isolée par rapport à l'enveloppe de la chambre 40 comme on l'a représenté schématiquement, là encore, à l'aide de l'isolation 41. Entre la cathode 20 et l'anode 22 est monté le générateur de courant continu 42. Dans cette installation, l'enveloppe intérieure de la chambre , désignée par 26", agit comme troisième électrode. Comme on l'a représenté schématiquement à l'aide du sélecteur 43, l'anode 22 peut être sollicitée par un potentiel de la façon suivante: (a) la cathode 20 et l'anode 22 et, de ce fait, le générateur 42 sont isolés par rapport à la troisième électrode 26"; (b) entre l'anode et la troisième électrode 26" est montée une résistance; (c) l'anode 22 est mise au potentiel de la troisième électrode 26" au niveau de l'enveloppe, habituellement au potentiel de référence, c'est-à- dire au potentiel de masse. La figure 6b montre un détail agrandi de la figure 6a pour le mode de montage (a). En raison de la charge négative sur la couche isolante 24 de l'anode 22, le potentiel de plasma de la décharge de pulvérisation I est réduit par rapport à la troisième électrode 26", c'est-à-dire à la paroi d'enveloppe de la chambre 40 habituellement mise à la masse. Il se forme la décharge subsidiaire II entre les surfaces anodiques libres et l'enveloppe, l'anode 22 agissant comme cathode par rapport à cette décharge. Dès que la décharge subsidiaire II s'est formée, avec un potentiel de plasma d'environ 30 V, la décharge de pulvérisation I avec l'anode et la cathode est liée, par l'intermédiaire de cette décharge II, au potentiel de masse de la troisième électrode 26", avec un potentiel différentiel d'environ 30 V. Pour des raisons de sécurité, en particulier dans les états de fonctionnement o la décharge subsidiaire II n'est pas encore formée, et donc au début du processus de pulvérisation, une résistance R est montée entre l'anode 22 et le récipient correspondant à 26", selon la variante (b). Cela garantit que la différence de potentiel entre l'anode 22 et le potentiel de référence au niveau de l'enveloppe ne puisse pas augmenter dangereusement avant que la décharge subsidiaire II ne se forme. La figure 6c représente la situation selon la variante de commutation (c). Le corps anodique métallique de l'anode 22 définit ici une plaque d'un condensateur formé par la couche isolante 24, tandis que l'autre plaque est définie par la couche de charge négative sur la couche isolante 24. la décharge subsidiaire II se forme ici entre la couche de charge négative 44 peu mobile et les surfaces libres de l'anode 22. La troisième électrode est formée ici en réalité par la couche de charge négative 44. Si on revient à la figure 6a et si on tient compte des explications données pour les figures 6b et 6c, on peut voir que grâce à la variation de la résistance R de 0 à oe, on peut réaliser les extrêmes selon la figure 6b ou 6c. Mais il faut considérer que quand on réussit à produire une décharge subsidiaire selon la figure 6b avant qu'il ne se forme une décharge subsidiaire selon la figure 6c, cette dernière ne se formera plus. Pour des raisons de stabilité, on procède de préférence selon la possibilité (a) et en tenant compte des aspects de sécurité selon (b). La figure 7 représente un autre principe de variante. Comme l'homme de l'art peut le voir facilement, l'anode 22 est mise ici à un potentiel négatif par rapport à la troisième électrode 26" à l'aide d'un générateur de courant continu 46 prévu spécialement, moyennant quoi à partir du début du processus, la décharge subsidiaire II est amorcée avec l'anode 22 fonctionnant comme une cathode. Bien qu'il soit moins optimal que les variantes décrites précédemment, sous l'aspect de la dépense, ce mode de réalisation est le plus sûr en ce qui concerne la maîtrise du processus, comme on peut le voir facilement. Comme cathode 20, on utilise de préférence, dans tous les cas, une cathode de magnétron. Pour maîtriser les problèmes de couche isolante causés sur la cathode 20 par le matériau de pulvérisation cathodique ou par le matériau de couche, on superpose de préférence une tension alternative, de préférence pulsée, comme on l'a représenté sur la figure 7 en 47. Cela est réalisé de préférence (comme on l'a représenté en trait discontinu en 48) grâce à une unité de découpage qui court-circuite le générateur de courant continu 42 et, commandée ou régulée, crée une liaison d'équilibrage de charge à faible impédance ohmique pour la cathode 20, comme l'ont décrit en détail US-08/020 672 et EP-0 564 789. On augmente de préférence la densité de plasma dans la décharge subsidiaire II en appliquant un champ magnétique. La figure 8 représente schématiquement une installation réalisée et mise au point à l'heure actuelle. A l'enveloppe de récipient 50 agissant comme troisième électrode, on fixe par bride une source de magnétron planar du type ARQ 100 du déposant. Une bague 54 fonctionnant à un potentiel flottant entoure, suivant une distance formant zone obscure, la cible 56 de la source 52. Il est tout à fait possible de réaliser la bague 54 d'une seule pièce avec l'enveloppe 50. L'anode 58 agissant comme contre-électrode est fixée à l'enveloppe à l'aide de supports isolants 60et est approchée, côté cible, à une distance formant zone obscure tandis que côté enveloppe, l'espace de décharge prévu pour la décharge subsidiaire II est dégagé par rapport à l'enveloppe 50. B désigne le champ magnétique et en particulier le champ de dispersion de la source de magnétron 52, qui traverse l'anode 58 et forme ainsi un champ magnétique notable dans l'espace de décharge subsidiaire situé entre l'anode 58 et l'enveloppe 50. L'anode a été montée selon la variante de montage (b) de la figure 6a, avec R = lkQ. La distance radiale Ar entre l'anode 58 et l'enveloppe 50 était d'environ 80 mm. La distance d entre la face arrière de l'anode et l'enveloppe était de 10 à 15 mm. L'enveloppe était mise à la masse. Avec la source mentionnée, l'intensité de champ magnétique dans l'espace de décharge subsidiaire de la largeur d était de 100 G. La chambre de l'invention a fonctionné de la façon suivante: puissance du magnétron: 2 kW à 4 kW; tension de décharge primaire entre la cible - 400 V à 600 V en mode métallique, 56 et l'anode 58: - 200 V à 330 V en mode réactif; pression d'argon: 4-10-3 mbar à 8-10-3 mbar; gaz réactif: 02, N2 pression d'oxygène: 2-10-3 mbar; pression d'azote: 3-10-3 mbar; distance substrats à couvrir-cible: 70 mm. La tension entre la masse et l'anode 58 négative par rapport à celle-ci était située entre 0 V et 100 V, étant précisé qu'en choisissant la résistance R mentionnée, on a fixé le fonctionnement à 20 V à 40 V. On recommande les valeurs suivantes. Magnétron: Intensités de champ magnétique habituelles et typiques, mesurées parallèlement à la nouvelle surface de pulvérisation et directement au niveau de la surface cible, dans le sens radial par rapport au centre de la cible: valeurs typiques de 150 G à 700 G, étant précisé qu'on utilise de préférence des intensités de champ de 150 G à 400 G. Plage de pressions de travail: Comme plage de pressions totales, on utilise de préférence une pression située entre 1 x 10-3 mbar et 1 x 10-1 mbar. Dimensionnement de l'espace de décharge subsidiaire: Dans l'espace de décharge, les plus petites distances entre les surfaces solides entourant cet espace sont: 1 Xf 15 Xf. On choisit de préférence une valeur qui ne dépasse pas 5Xf. Xf désigne la longueur de course libre du gaz de travail utilisé, en présence des conditions de pression indiquées. Cela donne une extension minimale typique de l'espace de décharge subsidiaire, dans toutes les dimensions, de 5 mm à 50 mm, de préférence de 5 mm à 30 mm et plus particulièrement entre 10 mm et 25 mm. Comme on l'a déjà dit, il s'agit de l'espacement de surfaces de bord le plus court qui se forme le long de l'espace de décharge subsidiaire. Champ magnétique subsidiaire: Comme on l'a dit, le champ magnétique subsidiaire peut être généré dans l'espace de décharge subsidiaire grâce à des aimants prévus spécialement à cet effet, ou encore grâce au champ de dispersion d'une installation de magnétron prévue. De préférence au niveau d'au moins un point de l'espace de décharge subsidiaire, ce champ magnétique est de préférence supérieur à 10 G et peut aller jusqu'à l'intensité de champ magnétique maximale du magnétron utilisé, mais de préférence au niveau d'au moins un point situé entre les électrodes qui définissent l'espace de décharge subsidiaire, il ne dépasse pas 50 % du champ de magnétron, comme on l'a défini plus haut, comme valeur maximale. On a déposé des couches de SiO2, de TiO2 et de SiN à des vitesses relativement élevées de 46 A/s en mode métallique pour une puissance de source de 2 kW pour les couches de SiO2, et de 22 A/s en mode métallique, également avec une puissance de source de 2 kW pour des couches de SiN. Le processus de revêtement par pulvérisation a été stable pratiquement à partir du début aussi bien en mode métallique qu'en mode réactif: le plasma subsidiaire II s'est formé directement au début du fonctionnement. REVENDICATIONS 1. Chambre de traitement sous vide contenant une électrode de pulvérisation (20, 56) et une contre-électrode (22, 58) qui forme avec celle-ci un espace de décharge (I) et dont une zone superficielle est hors de portée optique par rapport à l'électrode de pulvérisation, caractérisée en ce qu'une troisième électrode (26, 26', 26", 50) forme avec la zone superficielle un autre espace de décharge (II) et en ce qu'il existe une liaison globalement sans obstacles pour les électrons entre les espaces de décharge (I, II). 2. Chambre selon la revendication 1, caractérisée en ce que la contreélectrode entoure l'électrode de pulvérisation (20, 56) avec une distance formant zone obscure, et la liaison la plus courte entre la zone superficielle et la troisième électrode (26, 26', 26", 50) est nettement plus grande. 3. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisée en ce que l'alimentation électrique et/ou le dimensionnement de la troisième électrode (26, 26', 26", 50) par rapport à la contre-électrode (22, 58) sont tels que la contre-électrode (22, 58) agit comme cathode par rapport à la troisième électrode. 4. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce que la troisième électrode (26, 26', 26", 50) est isolée électriquement par rapport à la contre-électrode (22, 58) ou est reliée à celle- ci par l'intermédiaire d'une résistance ohmique ou directement, ou en ce que la troisième électrode n'est formée que lors de la pulvérisation au niveau de la contre-électrode (22), ou en ce que la contre-électrode est reliée à la troisième électrode à l'aide d'une source de tension (32, 32', 46). 5. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que son enveloppe intérieure forme la troisième électrode. 6. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que l'électrode de pulvérisation est alimentée par rapport à la contre-électrode avec un courant continu ou avec une tension continue pulsée, de préférence, et en ce que ces deux électrodes sont reliées par l'intermédiaire d'un générateur de courant continu (42) pourvu d'une unité de découpage (48) montée en amont et de préférence parallèle. 7. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que la surface pulvérisée de l'électrode de pulvérisation se compose d'un matériau qui est plus mauvais conducteur que le métal, et/ou en ce qu'un dispositif réservoir de gaz contenant un gaz réactif est relié à la chambre. 8. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce que l'électrode de pulvérisation fait partie d'une source de magnétron. 9. Chambre selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce qu'un dispositif formant magnétron est prévu pour générer un champ magnétique dans l'espace de décharge supplémentaire (II), et en ce que lors de la mise en oeuvre d'un magnétron comme source de pulvérisation, son champ de dispersion forme de préférence le champ magnétique mentionné dans ledit espace de décharge (II). 10. Procédé de pulvérisation sous vide selon lequel un revêtement mauvais conducteur d'électricité est produit dans un récipient à vide, une décharge (I) étant générée entre une électrode de pulvérisation et une contre-électrode, caractérisé en ce que des zones superficielles de la contre- électrode sont hors de portée par rapport à la décharge (I) et sont reliées à la décharge de pulvérisation (I) par l'intermédiaire d'une décharge supplémentaire (II). 11. Dispositif formant magnétron pour une chambre à vide selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, comportant une électrode de pulvérisation et une contre- électrode (58) dont une zone superficielle est hors de portée optique par rapport à l'électrode de pulvérisation (56), caractérisé en ce qu'une troisième électrode (50) forme avec ladite zone superficielle un espace de décharge (II). 12. Dispositif formant magnétron selon la revendication 11, caractérisé en ce que son champ de dispersion traverse l'espace de décharge (II). 13. Dispositif formant magnétron selon la revendication 11 ou 12, caractérisé en ce qu'un dispositif formant magnétron est prévu spécialement pour générer un champ magnétique primaire dans l'espace de décharge (II).