Brevet FR2741759A1 — publié le 19970530

La présente invention concerne un amplificateur de tension, recevant une tension d'entrée et fournissant une tension de sortie, comportant un étage amplificateur incluant un premier et un deuxième transistors montés en paire différentielle, le premier transistor recevant sur sa base la tension d'entrée, le deuxième transistor recevant sur sa base une tension opposée à ladite tension d'entrée, le collecteur du premier transistor étant relié à une borne positive d'alimentation par une première branche comportant une charge résistive, le collecteur du deuxième transistor, fournissant la tension de sortie, étant relié à la même borne positive d'alimentation par une deuxième branche comportant une charge résistive. Un tel amplificateur de tension est décrit dans le brevet américain n 4, 904,952. Cet amplificateur de tension connu fournit un fort gain en tension, tout en ayant un bon comportement en fréquence. On constate toutefois que sa caractéristique de transfert perd de sa linéarité au voisinage des limites de la plage de variation de la tension de sortie. De plus, le nombre d'étages de transistors étant au minimum de trois entre les deux potentiels d'alimentation du circuit, cette plage de variation est nécessairement réduite, ce qui présente un inconvénient majeur dans les applications "basse tension". La présente invention a pour but de remédier à ces inconvénients, en proposant un amplificateur de tension dont la linéarité de la caractéristique de transfert est améliorée au voisinage des limites de la plage de variation de la tension de sortie, tout en présentant un nombre limité d'étages de transistors entre les deux potentiels d'alimentation du circuit. En effet, selon la présente invention, un amplificateur de tension du type défini dans le paragraphe introductif est caractérisé en ce que la deuxième branche est formée d'au moins deux éléments résistifs montés en série présentant ainsi entre eux au moins un premier noeud intermédiaire entre la borne positive d'alimentation et le collecteur du deuxième transistor, en ce qu'il est muni d'une troisième branche comportant un élément résistif placé en série avec une source de courant, laquelle troisième branche est disposée entre la borne positive d'alimentation et une borne négative d'alimentation et présente entre l'élément résistif et la source de courant un deuxième noeud intermédiaire, en ce qu'il est muni de moyens pour effectuer une comparaison entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du premier transistor d'une part, et entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du deuxième transistor d'autre part, et pour ajouter au courant débité dans une portion de la charge résistive de la deuxième branche, un premier courant qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du premier transistor devient inférieur à celui du deuxième noeud intermédiaire et un second courant qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du deuxième transistor devient supérieur à celui du deuxième noeud intermédiaire. Un tel amplificateur présente, outre l'avantage de disposer d'une caractéristique de transfert à linéarité améliorée sur une plus large plage de variation de la tension d'entrée, celui de fournir une sortie unique, non différentielle, ce qui le rend particulièrement adapté à des applications de type conversion analogique/numérique, o la tension de sortie de l'amplificateur est comparée à une gamme de tensions de référence, elles aussi de nature non différentielle. Un mode de réalisation particulièrement avantageux de l'invention présente un amplificateur de tension caractérisé en ce que les moyens de comparaison entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du premier transistor d'une part, et entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du deuxième transistor d'autre part comprennent respectivement un troisième et un quatrième transistors montés en paire différentielle d'une part, un cinquième et un sixième transistors montés en paire différentielle d'autre part, la base du troisième transistor étant reliée au collecteur du premier transistor, celle du quatrième transistor au deuxième noeud intermédiaire, la base du cinquième transistor étant reliée au collecteur du deuxième transistor, celle du sixième transistor au deuxième noeud intermédiaire, les collecteurs des troisième et sixième transistors étant reliés au premier noeud intermédiaire. Les paires différentielles additionnelles étant montées en parallèle avec l'étage amplificateur, l'amplificateur présente ainsi un nombre limité d'étages à transistors entre les deux potentiels d'alimentation du circuit, la somme des chutes de tension aux bornes des divers transistors étant par conséquent elle aussi limitée, ce qui rend l'amplificateur particulièrement adapté aux applications "basses tensions". Une variante de l'invention permet de régler les seuils de comparaison, sans pour autant modifier de manière significative le gain de l'amplificateur, afin de limiter les effets de la correction apportée à la tension de sortie aux seules plages de variation ou cette dernière évolue de manière non-linéaire. Un tel amplificateur de tension est caractérisé en ce que l'élément résistif séparant la borne positive d'alimentation du premier noeud intermédiaire et l'élément résistif compris dans la troisième branche ont une valeur voisine, et en ce que le courant débité par la source de courant comprise dans la troisième branche a une valeur voisine de la valeur maximale du courant passant dans le deuxième transistor. Un amplificateur de tension selon une autre variante de l'invention est caractérisé en ce que l'élément résistif séparant le premier noeud intermédiaire de la borne positive d'alimentation a une valeur inférieure à celle de l'élément résistif séparant le premier noeud intermédiaire du collecteur du deuxième transistor. La portion de la charge résistive dans laquelle circulent, en plus du courant de fonctionnement normal de l'étage amplificateur, le ou les courants ajoutés par les paires différentielles additionnelles, étant limitée, la chute de tension provoquée par le ou les courants ajoutés par les paires différentielles additionnelles est ainsi limitée à un simple effet correcteur. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la description suivante d'un mode de réalisation de l'invention, faite à titre d'exemple, et en regard des dessins annexés, dans lesquels: - la figure 1 est un schéma fonctionnel partiel d'un amplificateur de tension selon l'invention, - la figure 2 est un schéma fonctionnel partiel d'un amplificateur de tension selon un mode de réalisation avantageux de l'invention, - la figure 3 est un ensemble de caractéristiques décrivant l'évolution des potentiels des collecteurs des premier et deuxième transistors en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur, - la figure 4 est une caractéristique décrivant l'évolution du premier courant ajouté dans une portion de la charge résistive en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur, - la figure 5 est une caractéristique décrivant l'évolution du deuxième courant ajouté dans une portion de la charge résistive en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur, la figure 6 est un ensemble de caractéristiques décrivant l'évolution du courant dans ladite portion de la charge résistive en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur, - la figure 7 est une caractéristique décrivant l'évolution de la tension de sortie en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur, - la figure 8 est une caractéristique décrivant l'évolution de la dérivée de la tension de sortie en fonction de la dérivée de la tension d'entrée de l'amplificateur. La figure 1 décrit schématiquement un amplificateur de tension selon l'invention. Deux transistors Q1 et Q2 sont montés en paire différentielle: l'émetteur du transistor Q1 est relié à une des bornes d'une résistance, l'émetteur du transistor Q2 étant relié & l'autre borne de la même résistance. Chacun des deux émetteurs est relié à une borne d'une source de courant, l'autre borne de ladite source de courant étant reliée & une borne négative d'alimentation, appelée GND. La base du transistor Q1 reçoit la tension d'entrée de l'amplificateur de tension, appelée Vin, la base du transistor Q2 recevant l'opposée de ladite tension d'entrée, soit -Vin. Le collecteur du premier transistor Q1 est relié & la borne positive d'alimentation, appelée VCC, par une première branche comportant une charge résistive, le collecteur du deuxième transistor Q2, fournissant la tension de sortie appelée Vout, étant relié à la même borne positive d'alimentation VCC par une deuxième branche comportant une charge résistive. La première branche est formée d'un élément résistif R1. La deuxième branche est formée d'au moins deux éléments résistifs, appelés R21 et R22, montés en série et présentant entre eux au moins un premier noeud intermédiaire, appelé NI, entre la borne positive d'alimentation VCC et le collecteur du deuxième transistor Q2. L'amplificateur de tension est muni d'une troisième branche comportant un élément résistif R3 placé en série avec une source de courant 13, laquelle troisième branche est disposée entre la borne positive d'alimentation VCC et une borne négative d'alimentation GND et présente entre l'élément résistif R3 et la source de courant I3 un deuxième noeud intermédiaire. L'amplificateur de tension est en outre muni de moyens 10 et 11 pour effectuer une comparaison entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire, appelé Vref, et celui du collecteur du premier transistor d'une part, et entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire Vref et celui du collecteur du deuxième transistor d'autre part. Ces mêmes moyens permettent d'ajouter au courant débité dans une portion de la charge résistive de la deuxième branche, un premier courant IO qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du premier transistor, appelé VC1, devient inférieur à Vref, et un second courant IO' qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du deuxième transistor, appelé VC2, devient supérieur à Vref. La figure 2 décrit schématiquement un amplificateur de tension selon un mode de réalisation avantageux de l'invention. Les structures de l'étage amplificateur et des branches comportant les charges résistives sont identiques à celles décrites par la figure 1. Un mode de réalisation des moyens 10 et 11 y est en outre exposé: ils comprennent respectivement un troisième transistor Q3 et un quatrième transistor Q4, montés en paire différentielle, et un cinquième transistor Q5 et un sixième transistor Q6, montés en paire différentielle. La base du troisième transistor Q3 est reliée au collecteur du premier transistor, celle du quatrième transistor Q4 au deuxième noeud intermédiaire, la base du cinquième transistor Q5 est reliée au collecteur du deuxième transistor, celle du sixième transistor Q6 au deuxième noeud intermédiaire. Les collecteurs des troisième et sixième transistors Q3 et Q6 sont reliés au premier noeud intermédiaire, et ceux des quatrième et cinquième transistors Q4 et Q5 à la borne positive d'alimentation VCC. Dans ce mode de réalisation, l'élément résistif R21 et l'élément résistif R3 compris dans la troisième branche ont une valeur voisine, et le courant débité par la source de courant I3 a une valeur voisine de la valeur maximale du courant passant dans le deuxième transistor, laquelle est de l'ordre de 2.I1. En outre, l'élément résistif R21 a une valeur inférieure à celle de l'élément résistif 22. On choisit R21 inférieur à R22/10, de sorte que la chute de tension aux bornes de R21 ne provoque qu'un effet correcteur sur la tension de sortie Vout. Enfin, pour des raisons de symétrie de fonctionnement de l'amplificateur, la valeur de la charge résistive de la première branche R1 est égale à la somme des valeurs des éléments résistifs R21 et R22 composant la charge résistive de la deuxième branche. Les figures 3 à 7 décrivent l'évolution de divers signaux internes à l'amplificateur en fonction de la tension d'entrée de celui- ci, afin de faciliter la compréhension de son fonctionnement. La figure 3 décrit l'évolution des potentiels VC1 et VC2, en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur Vin. Les figures 4 et décrivent l'évolution des premier et deuxième courants, respectivement IO et IO', ajoutés dans une portion de la charge résistive, dans ce cas R21, en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur Vin. La figure 6 décrit l'évolution du courant total dans ladite portion de la charge résistive R21 en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur. La courbe IR210 y figure le courant qui circulerait dans la deuxième branche si les moyens 10 et 11 n'existaient pas, c'est-à-dire dans le cas de la paire différentielle classique. Les courbes en pointillés y figurent les courants qui circuleraient dans la portion de la charge résistive R21, si, dans un premier cas, la valeur maximale du courant IO' était ajoutée au courant 1R210, et dans un deuxième cas, si la valeur maximale du courant IO' était ajoutée au courant précédemment obtenu. La figure 7 décrit en trait gras l'évolution de la tension de sortie en fonction de la tension d'entrée de l'amplificateur selon l'invention, la courbe en trait fin décrivant, elle, l'évolution de la tension de sortie d'une paire différentielle classique. Lorsque Vin est négatif et grand en valeur absolue, le transistor Q1 est très peu conducteur alors que le transistor Q2 est très conducteur. Le courant dans la première branche est donc très faible, alors que le courant dans la deuxième branche est important. La chute de tension dans l'élément résistif R1 est négligeable, alors que les chutes de tension dans les éléments résistifs R21 et R22 sont significatives. On observe sur la figure 5 que VC1 est alors nettement supérieur à Vref. Le transistor Q4 est donc peu conducteur alors que le transistor Q3 est très conducteur et fait passer un courant IO au travers de la résistance R21. Vref étant nettement supérieur à VC2, le transistor Q5 est peu conducteur alors que le transistor Q6 est très conducteur et fait passer un courant IO' supplémentaire au travers de la résistance R21. Le courant total IR21 circulant au travers de la résistance R21 est décrit par la figure 6. Le courant circulant dans la deuxième branche étant à son niveau maximal, la tension de sortie est alors à son niveau le plus bas, comme le montre la figure 7, et la chute de tension additionnelle générée dans R21 par les courants ajoutés I0 et I0' explique la différence de valeur entre le niveau bas de la tension de sortie de l'amplificateur selon l'invention et celui de la tension de sortie de la paire différentielle classique. Lorsque Vin augmente, tout en restant négatif, la première zone de fonctionnement non-linéaire de l'étage amplificateur classique est atteinte: le transistor Ql conduit plus, alors que le transistor Q2 conduit moins, le courant circulant dans la première branche augmente alors que le courant circulant dans la deuxième branche diminue. Les potentiels VC1 et Vref se rapprochent, augmentant la conduction de Q4 et diminuant la conduction de Q3, provoquant l'annulation progressive du courant IO au travers de la résistance R21. Tout au long de la portion linéaire, qui correspond au changement de signe de Vin, le transistor Q5 reste peu conducteur alors que le transistor Q6 reste très conducteur, et maintient la circulation du courant IO' au travers de la résistance R21. Lorsque Vin augmente, la deuxième zone de fonctionnement non- linéaire de l'étage amplificateur classique est atteinte: le transistor Q1 conduit encore plus alors que le transistor Q2 conduit encore moins, le courant circulant dans la première branche augmente alors que le courant circulant dans la deuxième branche diminue. Les potentiels VC2 et Vref se rapprochent, augmentant la conduction de Q5 et diminuant la conduction de Q6, provoquant l'annulation progressive du courant IO' au travers de la résistance R21. Enfin, lorsque Vin est grand, le transistor Q2 est très peu conducteur alors que le transistor Q1 est très conducteur. Le courant dans la deuxième branche est donc très faible, alors que le courant dans la première branche est important. La chute de tension dans l'élément résistif R1 est significative, alors que les chutes de tension dans les éléments résistifs R21 et R22 sont négligeables. La tension de sortie est alors à son niveau le plus haut, comme le montre la figure 7. Cette figure montre l'influence des paires additionnelles de transistors dans les zones de non-linéarité de la caractéristique de la tension de sortie. En effet, dans la première zone non-linéaire, o Vout augmente trop tôt avec Vin dans le cas de la paire différentielle classique, l'ajout des courants IO et I0' maintient artificiellement Vout au niveau bas plus longtemps, puis la diminution progressive de IO permet & Vout d'augmenter quasi-linéairement. De même, dans la deuxième zone non-linéaire, o Vout augmente trop lentement avec Vin dans le cas de la paire différentielle classique, l'ajout du courant IO' maintient artificiellement Vout & un niveau intermédiaire plus longtemps, puis la diminution progressive de IO' permet à Vout d'augmenter quasi- linéairement. De la sorte, la zone o la tension de sortie évolue linéairement en fonction de la tension d'entrée est élargie. On peut observer ce résultat sur la figure 8, o l'on voit deux caractéristiques d(Vin)/d(Vout) en fonction de la tension d'entrée Vin, l'une en trait fin correspondant & une paire différentielle classique, et l'autre en trait gras correspondant à un amplificateur selon l'invention. La partie "plate", o la dérivée de la tension de sortie Vout par rapport & la tension d'entrée Vin est constante, correspond à la partie o la tension de sortie évolue linéairement en fonction de la tension d'entrée. La zone ainsi délimitée est clairement plus large pour un amplificateur de tension selon l'invention que pour une paire différentielle classique. REVENDICATIONS 1. Amplificateur de tension, recevant une tension d'entrée et fournissant une tension de sortie, comportant un étage amplificateur incluant un premier et un deuxième transistors montés en paire différentielle, le premier transistor recevant sur sa base la tension d'entrée, le deuxième transistor recevant sur sa base une tension opposée à ladite tension d'entrée, le collecteur du premier transistor étant relié à une borne positive d'alimentation par une première branche comportant une charge résistive, le collecteur du deuxième transistor, fournissant la tension de sortie, étant relié à la même borne positive d'alimentation par une deuxième branche comportant une charge résistive, amplificateur de tension caractérisé en ce que la deuxième branche est formée d'au moins deux éléments résistifs montés en série présentant ainsi entre eux au moins un premier noeud intermédiaire entre la borne positive d'alimentation et le collecteur du deuxième transistor, en ce qu'il est muni d'une troisième branche comportant un élément résistif placé en série avec une source de courant, laquelle troisième branche est disposée entre la borne positive d'alimentation et une borne négative d'alimentation et présente entre l'élément résistif et la source de courant un deuxième noeud intermédiaire, en ce qu'il est muni de moyens pour effectuer une comparaison entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du premier transistor d'une part, et entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du deuxième transistor d'autre part, et pour ajouter au courant débité dans une portion de la charge résistive de la deuxième branche, un premier courant qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du premier transistor devient inférieur à celui du deuxième noeud intermédiaire et un second courant qui s'annule progressivement lorsque le potentiel du collecteur du deuxième transistor devient supérieur à celui du deuxième noeud intermédiaire. 2. Amplificateur de tension selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de comparaison entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du premier transistor d'une part, et entre le potentiel du deuxième noeud intermédiaire et celui du collecteur du deuxième transistor d'autre part comprennent respectivement un troisième et un quatrième transistors montés en paire différentielle d'une part, un cinquième et un sixième transistors montés en paire différentielle d'autre part, la base du troisième transistor étant reliée au collecteur du premier transistor, celle du quatrième transistor au deuxième noeud intermédiaire, la base du cinquième transistor étant reliée au collecteur du deuxième transistor, celle du sixième transistor au deuxième noeud intermédiaire, les collecteurs des troisième et sixième transistors étant reliés au premier noeud intermédiaire. 3. Amplificateur de tension selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que l'élément résistif séparant la borne positive d'alimentation du premier noeud intermédiaire et l'élément résistif compris dans la troisième branche ont une valeur voisine, et en ce que le courant débité par la source de courant comprise dans la troisième branche a une valeur voisine de la valeur maximale du courant passant dans le deuxième transistor. 4. Amplificateur de tension selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'élément résistif séparant le premier noeud intermédiaire de la borne positive d'alimentation a une valeur inférieure à celle de l'élément résistif séparant le premier noeud intermédiaire du collecteur du deuxième transistor. 5. Amplificateur de tension selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la valeur de la charge résistive de la première branche est égale à la somme des valeurs des éléments résistifs composant la charge résistive de la deuxième branche. 6. Amplificateur de tension selon l'une des revendications 1 à , caractérisé en ce que les éléments résistifs qui constituent la charge de l'étage amplificateur sont des résistances.