Brevet FR2746960A1 — publié le 19971003

DIMINUTION DE L'EPAISSEUR PAR LA FACE ARRIERE EN UTILISANT L'USINAGE PAR FAISCEAU D'IONS L'invention se rapporte en général au domaine de capteurs d'image et, en particulier, à la diminution de l'épaisseur des dispositifs à transfert de charge par la face arrière. Dans la fabrication des barrettes de photodétecteurs, il est quelquefois nécessaire que les dispositifs puissent avoir leur épaisseur diminuée à partir de la face arrière dû à des exigences fonctionnelles. Parmi ces exigences on peut énurnérer la maximisation de la réponse spectrale aux ultraviolets, la mmimisation de l'épaisseur du volume du capteur sensible, et des considérations d'antireflet. On rencontre des difficultés lors de la diminution de l'épaisseur ou de l'enlèvement du substrat de manière mécanique ou de manière chimique si les dispositifs sont physiquement de petites dimensions ou que la dimension des détails du dispositif est petite ou que les couches dopées sont très minces. On doit également minimiser la contrainte mécanique sur le dispositif. De plus, la diminution de l'épaisseur du substrat peut supprimer effectivement le trajet de masse du dispositif; en fonction de la conception. On a besoin d'une diminution de l'épaisseur précise afin d'obtenir une bonne uniformité de réponse. Parmi les procédés de la technique antérieure pour diminuer l'épaisseur des capteurs d'image par la face arrière on trouve un procédé mécanico-chimique illustré par le brevet U.S. n" 5 162 251 ou une attaque chimique illustrée par le brevet U.S. n" 5 244 817. Aucun de ces enseignements ne procure l'aptitude à diminuer l'épaisseur du substrat de manière à la fois opportune et précise. Comme on peut le voir à partir de la discussion précédente, on a toujours besoin dans la technique d'un procédé et d'un appareil qui peuvent diminuer efficacement l'épaisseur des substrats des capteurs d'image à semi-conducteur de manière très précise et opportune. La présente invention a pour but de surmonter un ou plusieurs des problèmes énoncés précédemment en appliquant un faisceau d'ions neutralisés à la face arrière des dispositifs de détection d'image afin de diminuer l'épaisseur des dispositifs en enlevant le substrat à un niveau moléculaire. Le procédé laisse une surface arrière qui est aussi lisse que la surface l'était avant de commencer le processus de diminution de l'épaisseur par la face arrière. En quelques mots, la présente invention procure un procédé pour fabriquer des capteurs d'image à épaisseur réduite par la face arrière comprenant les étapes consistant à: fournir un capteur d'image à semi-conducteur ayant des circuits gravés sur une première surface principale; délivrer un faisceau d'ions neutralisés ayant un moyen de commande pour contrôler la direction, la largeur, l'intensité et l'énergie particulière individuelle du faisceau neutre d'ions; déterminer une épaisseur désirée du capteur d'image ; et enlever par attaque une partie d'une seconde surface du capteur d'image qui est opposée à la première surface, grâce au faisceau neutre jusqu'à ce que le capteur d'image soit de l'épaisseur désirée. La présente invention s'attaque aux problèmes précédemment décrits à l'intérieur de la technique antérieure en enlevant le matériau au niveau moléculaire pratiquement sans aucune contrainte mécanique induite dans le dispositif pendant le procédé de diminution d'épaisseur. Ceci peut être obtenu par l'utilisation de la technique d'usinage ionique sur une petite échelle aflu d'assurer l'enlèvement du matériau de manière uniforme et contrôlable. Cette technique doit être applicable à la fois au niveau de la plaquette et au niveau du dispositif. La présente invention aborde de plus le problème de la diminution de l'épaisseur par la face arrière d'une barrette de photodétecteurs après que celle-ci ait été montée dans son boîtier. Des précautions devront être prises afin de minimiser les effets possibles de charge et de dopage des couches. Un système d'usinage ionique de faibles dimensions peut être suffisent pour mettre en oeuvre le procédé de la présente invention. La fuble dimension du faisceau que l'on peut obtenir avec un système de petites dimensions pour la configuration d'un faisceau d'ions et la commande fme procurée par son logiciel sont considérées comme appropriées pour la création du dispositif envisagé par la présente invention. Ce qui précède et d'autres buts de la présente invention deviendront plus apparents à la lecture de la description qui suit faite en référence aux dessms annexés dans lesquels des références numériques identiques ont été utilisées, autant que possible, pour désigner des éléments identiques qui sont communs aux figures. La présente invention procure les avantages suivants: (1) une détection à bande double est possible ; (2) il est possible de diminuer l'épaisseur des dispositifs alors qu'ils sont contenus dans des boîtiers; (3) une contrainte mécanique minimale est exercée sur le substrat du dispositif; (4) elle permet une diminution de épaisseur plus importante des dispositifs puisque celle-ci est effectuée sans contact, c'est-à-dire une approche à fable contrainte ; (5) elle procure un degré élevé d'uniformité aux dispositifs à épaisseur réduite ; (6) les dispositifs peuvent être accordés et différentes courbes de réponse photo sensible peuvent être obtenues ; et (8) elle prend en compte les systèmes dans lesquels de multiples dispositifs peuvent être usinés ensemble. La figure 1 est une représentation d'un système d'usinage par ions. La figure 2 est une représentation en coupe d'un dispositif photosensible. La figure 3 est un diagramme illustrant les profondeurs de pénétration des diverses longueurs d'onde. La figure 4 est une illustration d'un capteur montrant la partie du substrat enlevée par le faisceau d'ions neutres, et La figure 5 est une illustration d'un dispositif à épaisseur réduite par l'arrière, un rayonnement étant incident sur sa face arrière. On a découvert que la partie arrière d'un substrat d'un dispositif de détection à semi-conducteur peut être enlevée en utilisant des faisceaux d'ions neutralisés. En se référant à la figure 1, l'utilisation de faisceaux neutre d'ions pour enlever le matériau d'une surface a été mise en oeuvre pendant de nombreuses années à des fins de génération de surfaces précisément définies, telles que celles requises dans des surfaces optiques de très haute qualité. Cette technique a été généralement appelée usinage par faisceau d'ions. Comme il est représenté sur la figure 1, un système d'usinage caractéristique par faisceau d'ions est constitué d'une structure de support de source d'ions 10, qui incorpore un étage de translation X-Y 12. L'étage de translation X-Y 12 positionne la source du faisceau 13 à son emplacement correct sous la commande d'un ordinateur. En général, la source du faisceau ellemême n'est pas modulée (ce qui pourrait changer à la fois la largeur et l'intensité du faisceau 14). Au lieu de cela, le temps d'arrêt, qui ici est le temps où le faisceau est maintenu à un emplacement donné, est commandé afin d'assurer l'enlèvement déterminé du matériau. L'énergie déposée dans des composants de l'échantillon due aux impacts des particules ioniques peut chauffer l'échantillon, et ceci doit être pris en compte lorsque l'on déterrnine les vitesses d'enlèvement et les temps d'arrêt. De multiples passages du composant 15 qui est usiné peuvent être requis pour produire l'enlèvement et la précision nécessaires de la surface finale. Comme cela est envisagé dans la présente invention, le système de la figure 1 peut être utilisé pour réduire l'épaisseur du substrat par la face arrière. La surface arrière des composants qui sont usinés sera traversée par le faisceau d'ions neutralisés, avec pour effet que le matériau sera enlevé sous l'impact des atomes présents dans le faisceau. Pour un fiLisceau ayant une énergie de particules donnée, la vitesse d'enlèvement du matériau du composant est directement proportionnelle au nombre d'atomes incidents sur la surface. Dans l'usinage des échantillons 15, tel que représenté sur la figure 1, un certain type de support doit être prévu pour l'échantillon 15 alors que le faisceau d'ions neutralisés 14 est appliqué. De préférence, l'échantillon 15 est monté sur un support de composants 16 qui à son tour est monté sur une structure de support 17. Le système entier doit être enfermé dans une chambre à vide 18. Traditionnellement, des composants uniques, tels qu'une optique de grandes dimensions, ont été montés dans ce système. Toutefois, la présente invention permet, de manière classique, I'installation de nombreux composants de petites dimensions pour leur traitement dans un passage unique, chacun des composants étant monté sur le support approprié. L'usinage par ions doit être effectué dans un environnement sous vide 18 afin d'éviter l'altération du faisceau. De plus, l'usinage par ions est généralement effectué avec le circuit dans une orientation analogue à celle représentée sur la figure 1, le faisceau étant dirigé vers le haut et les composants 15 qui sont usinés ayant leurs faces dirigées vers le bas. Ceci permet au système 18 de tirer avantage de la force de la pesanteur pour minimiser le re-dépôt du matériau, lequel doit être considéré, dans cette étape, comme un contaminant pour le composant usiné ou les composants usinés. On pourra utiliser des directions de faisceau autres que normale, signifiant perpendiculaire au substrat, afin de minirniser les effets possibles de dopage. n peut être nécessaire de dévier l'angle du faisceau neutralisé de la normale afin d'empêcher l'effet de dopage à l'intérieur du substrat. De plus, ou au lieu de cela, l'énergie utilisée pour accélérer le faisceau d'ions neutralisés peut être modifiée afin d'empêcher que les ions puissent pénétrer dans la surface du substrat. En conséquence, on limite l'enlèvement du matériau aux couches supérieures du substrat. Le faisceau d'ions qu'on utilise ici est un faisceau d'ions neutralisés. Un faisceau d'ions neutralisés employé par le mode de réalisation préféré comprend un ion à atomique chargé qui est positivement chargé, et le faisceau comprendra essentiellement une quantité égale d'électrons. En ayant seulement les particules séparées à la source du faisceau, il est possible d'accélérer les particules afin de procurer l'impact nécessaire sur la surface du composant. Pour ce type de système, l'ion atomique préféré est celui de l'argon. Toutefois, l'homme de l'art comprendra que de nombreux autres ions, tels que ceux du krypton peuvent également être utilisés. Au même moment, il n'est pas désirable de charger la surface qui est usinée du fait que ceci encouragera le re-dépôt du matériau sur le composant. Dans le cas des matériaux à semi-conducteur qui sont le sujet de cette demande, il devrait également être possible de doper le matériau de manière non désirable. Afin de mmmiser ces possibilités, un faisceau d'électrons est inclus à l'intérieur du faisceau d'ions atomiques, ayant pour résultat qu'aucune charge n'est transmise au composant. En fait, une recombinaison importante peut se produire pendant la durée de propagation du faisceau vers le composant. La recombinaison n'empêchera pas l'efficacité du faisceau du fait que les particules à l'intérieur du faisceau ont déjà été accélérées et se déplacent à des vitesses similaires lorsque la recombinaison se produit. La figure 2 illustre le type de détecteur à semi-conducteur envisagé par le mode de réalisation préféré de la présente invention. Les considérations présentées ici ne sont pas limitées à ce dispositif spécifique. Ainsi, cette configuration devra être considérée comme une représentation d'un type de technologie comme envisagé seulement par le mode de réalisation préféré, et d'autres configurations seront facilement apparentes à l'homme de rart. Un substrat 21, formé d'un matériau semi-conducteur de type p, a formé sur celul-ci: un canal enterré 22 formé à partir d'un matériau de type n ; une région de transfert 23 ; une région de stockage 24 ; un oxyde épais 25 ; une 1ère couche de polysiliciurn 26 ; une 2 couche de polysilicium 28 ; un oxyde d'isolement 27 ; afin de former un dispositif 20. Le système illustré sur la figure 2 souffle d'un problème de sensibilité qui est fonction de la réponse du matériau au rayonnement électromagnétique. Dans son évaluation la plus simple, la réponse photoélectrique d'un tel dispositif est mesurée par l'efficacité avec laquelle un photon générera une paire élément-trou à l'intérieur du substrat 21 mais suffisamment près des régions de stockage et de transfert pour être collectée et déplacée par le cadencement par horloge des grilles. En se référant maintenant à la figure 3, qui est un diagramme montrant que le rayonnement de longueur d'onde plus longue pénètre plus profondément dans le matériau, il est apparent que le rayonnement infrarouge (IR) indiqué par la flèche 31 pénètre plus profondément dans le matériau. La pénétration peut être si profonde que les électrons générés par le rayonnement infrarouge peuvent ne pas avoir le temps de se déplacer vers la zone de collecte et de stockage avant qu'ils ne soient sortis par le cadencement par horloge. Une telle charge peut être collectée dans des cycles d'horloge suivants et/ou au niveau de pixels adjacents, altérant ainsi les informations représentatives de l'image désirée ou réduisant la Fonction de Transfert de Modulation d'image (hum). En contradiction avec le phénomène qui existe avec le rayonnement infrarouge, le rayonnement ultraviolet (UV) 32 ne pénètre pas suffisamment à travers la première couche de polysilicium 26 et la couche d'oxyde d'isolement 27 pour générer une charge dans la région de collecte. Les longueurs d'onde nominalement vinyles 33 sont les seules qui pénètrent à la profondeur appropriée pour être utilisées pour générer des informations représentatives de rimage ou de la collecte des photons. On se réfere à la figure 4, qui est une illustration du dispositif 30 de la figure 3, dans laquelle la partie du substrat qui doit être enlevée par le faisceau d'ions neutralisés est représentée par la ligne en tirets interrompus 5. Le comportement global en utilisation de ce dispositif est modifié en diminuant l'épaisseur du substrat 21 (figure 4) de la quantité représentée par la ligne en tirets interrompus 5 ayant pour résultat le dispositif de la figure 5 ayant un substrat à épaisseur réduite par la face arrière dans la mesure où le rayonnement incident peut être amené dans la région de collecte et dans les zones de stockage 24 à partir de la face arrière du dispositif 30 sur la figure 5. La figure 5 montre le fonctionnement caractéristique après diminution de l'épaisseur par la face arrière d'un dispositif utilisé dans des approches techniques dans la communauté scientifique et qui est créé à partir du dispositif représenté sur la figure 4. De manière caractéristique, ces dispositifs à épaisseur réduite sont créés en utilisant des techniques de meulage mécanique ou d'attaque chimique précédemment décrites. Bien que ces deux approches puissent être utilisées, la technique d'enlèvement par faisceau d'ions neutralisés décrite ici procure les nombreux avantages que l'on a précédemment indiqués. La nouvelle approche consistant à employer l'usinage assisté par ions pour diminuer épaisseur par la face arrière des capteurs d'image n'a pas été utilisée pour traiter des dispositifs à semi-conducteur de ce type ou de cette manière. L'usinage par ions, qui est essentiellement l'enlèvement du matériau au niveau atomique, présente un certain nombre d'avantages comprenant: la minimisation de la contrainte mécanique de la cible usinée; un degré élevé d'aptitude à déterminer la quantité du matériau qui est enlevé lorsque le matériau a été caractérisé de manière appropriée; et, lorsque le système d'usinage est commandé de manière approprié, la minimisation de la chaleur en excès du composant qui est usine. ll est envisagé que le procédé de diminution de épaisseur par ions décrit dans la présente invention soit employé pour créer des dispositifs capteurs présentant des possibilités de bande de sensibilisation double. En réduisant répaisseur d'un dispositif de manière telle que le dispositif a une épaisseur plus réduite entre une zone et une autre, des zones de détection à bande différente sont de ce fait créées en ayant une première partie du dispositif sensible à une première longueur d'onde et une seconde partie du dispositif sensible à une longueur d'onde différente. Ce capteur à bandes multiples peut être créé par le procédé de réduction d'épaisseur par faisceau neutre d'ions de la présente invention. n est donc possible de former des combinaisons de sensibilité aux rayons infrarouge, visible, ultraviolet ou rayonnement X dans un seul capteur. L'amélioration, en ce qui concerne les capteurs au silicium envisagés, portera sur une réponse au bleu accentuée et une réponse aux ultraviolets accentuée mais ne sera pas limité à celles-ci Des capteurs à double bande sensibles au rayonnement visible et au rayonnement infrarouge comprenant PtSi PdSi IrSi par exemple, sont également envisagés. La réduction de l'épaisseur par la face arrière grâce à un faisceau neutre d'ions est une technique qui procure une aide dans le contrôle de l'efficacité quantique et de la Fonction de Transfert de Modulation (FTM) d'un dispositif. Le contrôle de ces paramètres par la présente invention procure des paramètres supérieurs et a un effet positif sur le rendement du dispositif. Ceci est dû fondamentalement à la réception de la lumière à partir de la face arrière à des fins d'éclairement. Lorsqu'on éclaire par la face arrière, il n'y a pas de structure de grille qui puisse interférer avec l'efficacité quantique du dispositif comme cela est le cas lorsque le dispositif est éclairé par la face avant sur laquelle on forme les grilles du circuit. Les capteurs à base de silicium sont montés dans des supports pour faciliter le montage et l'alignement avec un système optique afin de former une chambre photographique. Le procédé pour fixer un capteur au silicium éclairé par la face avant (plaquette) comprend l'application d'une couche adhésive à la surface de montage du support de plaquette et le placement du capteur dans la couche adhésive. Ce procédé est compliqué lorsqu'il est appliqué à des capteurs à épaisseur réduite par la face arrière du fait que le procédé de diminution d'épaisseur enlève le substrat de silicium, affaiblissant le substrat. Les procédés classiques de fabrication de capteurs à épaisseur réduite par la face arrière demandent que le côté pixel du capteur soit placé dans l'adhésif ce qui fait que la plus grande partie de l'intégrité structurelle est supprimée de la plaquette et quine structure de support intermédiaire doit être utilisée pour renforcer le substrat avant le processus de diminution d'épaisseur. Avec l'approche d'enlèvement du matériau par faisceau d'ions, il est possible de diminuer l'épaisseur de la plaquette tandis qu'elle est montée dans le boîtier final En éliminant de ce fait des étapes, cela procure un procédé qui est plus simple et plus tactile à mettre en oeuvre. La présente invention propose une technique pour réduire l'épaisseur par la face arrière des dispositifs, dans laquelle il est possible de réduire l'épaisseur du dispositif au niveau de la plaquette sans structure de support intermédiaire. Ceci procure un grand degré d'universalité dans la fabrication des dispositifs de détection d'image à épaisseur réduite par la face arrière. Le procédé d'enlèvement de matériau par faisceau d'ions est un procédé sans contact qui communique une contrainte mécanique minimale sur le substrat du dispositif. Le matériau est ablaté par l'énergie des particules d'argon qui sont accélérées vers la surface de matériau qui doit être enlevé. Ce procédé est moins agressif que le polissage ou le meulage pour enlever le matériau et résulte en un usinage au niveau atomique. Tant que la surface du substrat 21 présente une structure cristalline homogène, la surface du substrat 31 qui découle du procédé d'usinage par ions sera de la même qualité que la surface qui existait avant l'usinage par ions. n conviendra de noter que la surface sera irrégulière si le substrat 21est composé de multiples ingrédients. Ceci provient du fait que des configurations variables structurelles ou de matériaux peuvent avoir des vitesses d'enlèvement différentes. De même, il conviendra de noter que l'application d'un revêtement en silicium n'aura pas pour résultat une non-uniformité appréciable. On peut obtenir une réduction de l'épaisseur plus importante du fait que c'est une approche sans contact/à faible contrainte. La réduction de l'épaisseur du substrat àun niveau d'épaisseur de 25 ,um est désirable pour un rendement optique le plus élevé (minimisation de la réponse aux infrarouges dans ce cas). Le déterminisme et la facilité d'enlèvement permettront un procédé à rendement élevé. En diminuant l'épaisseur par la face arrière en utilisant un faisceau neutre d'ions, I'uniformité du dispositif final est très élevée et le temps nécessaire pour exécuter le procédé peut être prévisible, en d'autres termes la technique peut être facilement déterminée. Les techniques enseignées par ce qui précède permettent l'accord de la réponse du dispositif en fonction du niveau de réduction de l'épaisseur utilisée de manière déterministe. En partant de la même conception d'un dispositif, on peut obtenir différentes courbes de réponse photoélectrique. Ceci permet un haut degré d'automatisation dans le processus. De même, le processus peut être dynamiquement modifié afin de produire des dispositifs ayant des réponses différentes à l'intérieur d'une ligne de montage. Les applications pour ces dispositifs à épaisseur réduite par la face arrière comprennent: la détection à distance; la surveillance de l'environnement; la formation d'image pour des applications militaires; les observations astronomiques; les communications lasers, les télécommunications, les surveillances des rayonnements pour des régions; les applications à des réseaux linéaires TDI, linéaires ou multilinéaires, pour lesquels un niveau élevé de contrôle de l'épaisseur de la plaquette ou du dispositif est nécessaire. En créant les dispositifs comme envisagé par la présente invention, lorsque l'on emploie des procédés dans lesquels le composant ou le canon est déplacé, on peut usiner en une seule passe de multiples composants soit sous forme de plaquettes, soit après mise en boîtier. Ces possibilités permettent de nouveau un degré élevé d'universalité dans le procédé de fabrication. En rendant contrôlable le procédé de fabrication afin d'obtenir une épaisseur de plaquette, ou de dispositif, ajustable en assurant l'enlèvement uniforme du matériau du substrat grâce au faisceau d'ions neutralisés, le procédé de la présente invention permet la compensation de la variabilité de la focalisation et de la variabilité de la fabrication de plaquette brute et assure qu'une forte uniformité dans l'épaisseur des plaquettes peut être obtenue. Les éléments de base nécessaires pour mettre en oeuvre le procédé enseigné par la présente invention comprennent: - un canon à faisceau neutre d'ions (alimentation en gaz) - une chambre à vide - un mécanisme de type trame - un dispositif de fixation - un masquage - dans le boîtier - de multiples canons basés sur la dimension de la zone - des commandes X-Y par ordinateur - une table de correspondance pour le positionnement du faisceau d'ions - la connaissance des vitesses d'enlèvement et des énergies d'ablation possibles avant qu'un endommagement thermique ne se produise - une capacité de test optique afin de caractériser l'enlèvement et de valider la quantité. L'invention a été décrite par référence à un mode de réalisation préféré. Toutefois, on appréciera que des variantes et modifications peuvent être effectuées par l'homme de rart sans sortir de la portée de l'invention. REVENDICATIONS: 1. Procédé pour fabriquer des capteurs d'image à épaisseur réduite par la face arrière, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à fournir un capteur d'image à semi-conducteur comportant des circuits gravés sur une première surface principale; fournir une chambre à vide ayant un faisceau d'ions neutralisés et un moyen de commande pour contrôler la direction et l'intensité du faisceau d'ions neutralisés, un support pour le capteur d'image et une unité de translation ayant un moyen pour commander la position relative du faisceau d'ions neutralisés par rapport au support; placer le capteur d'image à semi-conducteur à l'intérieur de la chambre à vide sur le support d'une manière telle que le faisceau d'ions neutralisés est incident sur une seconde surface principale du capteur d'image, la seconde surface principale n'ayant pas de circuits gravés sur celle-ci et étant opposée à la première surface principale ; et éliminer par attaque une épaisseur prédéterminée du capteur d'image en commandant le faisceau d'ions neutralisés affin d'enlever une partie de la seconde surface. 2. Procédé pour fabriquer des capteurs d'image à épaisseur réduite par la face arrière caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à: fournir une pluralité de capteurs d'image à semi-conducteur ayant chacun des circuits gravés sur une première surface principale; fournir une chambre à vide ayant un faisceau d'ions neutralisés et un moyen de commande pour contrôler la direction et l'intensité du faisceau d'ions neutralisés, un support pour les capteurs d'image et une unité de translation ayant un moyen pour commander la position relative du faisceau d'ions neutralisés par rapport au support; placer les capteurs d'image à semi-conducteur à l'intérieur de la chambre à vide sur le support d'une manière telle que le faisceau d'ions neutralisés est successivement incident sur une seconde surface principale de chacun des capteurs d'image, la seconde surface principale n'ayant pas de circuits gravés sur celle-ci et étant opposée à la première surface principale ; et éliminer par attaque une épaisseur prédéterminée de chacun des capteurs d'image en commandant le faisceau d'ions neutralisés afin d'enlever une partie de la seconde surface pour chaque capteur. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le faisceau d'ions neutralisés comprend des ions d'argon. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'étape consistant à placer les capteurs d'image à semi-conducteur à l'intérieur de la chambre à vide comprend de plus l'étape consistant à les placer sur une structure de support pour le support. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape consistant à éliminer par attaque une épaisseur prédéterminée du capteur d'image en commandant le faisceau d'ions neutralisés pour enlever une partie de la seconde surface comprend de plus la commande de l'unité de translation afin de déplacer le faisceau d'ions neutralisés par rapport au capteur. 6. Capteur d'image caractérisé en ce qu'il est fabriqué à partir des étapes suivantes du procédé consistant à: fournir un capteur d'image à semi-conducteur ayant des circuits gravés sur une première surface principale; fournir une chambre à vide ayant un faisceau d'ions neutralisés et un moyen de commande pour contrôler la direction et l'intensité du faisceau d'ions neutres, un support pour le capteur d'image et une unité de translation ayant un moyen pour commander la position relative du faisceau d'ions neutres par rapport au support; placer le capteur d'image à semi-conducteur à l'intérieur de la chambre à vide sur le support d'une manière telle que le faisceau d'ions neutralisés est incident sur une seconde surface principale du capteur d'image, la seconde surface principale n'ayant pas de circuits gravés sur celle-ci et étant opposée à la première surface principale ; et éliminer par attaque une épaisseur prédéterminée du capteur d'image en commandant le faisceau d'ions neutres afin d'enlever une partie de la seconde surface. 7. Système pour réduire l'épaisseur par la face arrière de capteurs d'image caractérisé en ce qu'il comprend: une chambre Ivide à vide; un canon à faisceau d'ions neutralisés contenu à l'intérieur de la chambre à vide; un mécanisme du type balayage trame connecté de manière fonctionnelle au faisceau d'ions neutralisés pour commander le déplacement du canon à faisceau d'ions neutralisés; un dispositif de fixation pour maintenir un capteur d'image à semi-conducteur; un moyen de commande pour commander le faisceau d'ions neutralisés via le mécanisme de balayage trame ; et une table de correspondance du capteur d'image à semi-conducteur.