Brevet FR2737019A1 — publié le 19970124

MICROELEMENTS DE BALAYAGE POUR SYSTEME OPTIQUE DESCRIPTION Domaine technique La présente invention concerne le domaine des microéléments de balayage pour système optique, en particulier les micromiroirs orientables pour système optomécanique et leurs procédés de réalisation. De tels composants trouvent leur application dans des systèmes optiques miniaturisés dont le besoin se fait sentir dans de nombreuses applications, notamment dans le domaine automobile, médical ou dans le domaine du contrôle industriel. Un des éléments clés de ces microsystèmes est l'élément de balayage des faisceaux lumineux, dont la réalisation présente des difficultés particulières dès que les angles de déflexion recherchés dépassent quelques degrés. Etat de la technique Un premier dispositif connu est décrit dans un article de M.A. Mignardi intitulé "Digital micromirror array for projection TV", paru dans Solide State Technology, pages 63-68, Juillet 1994. Ce dispositif est schématisé sur la figure 1 et comporte un micromiroir 2 qui présente une surface supérieure réfléchissante et qui joue également le rôle d'électrode supérieure par rapport à deux électrodes inférieures 6, 8 déposées sur un substrat 10. En jouant sur les tensions appliquées entre les différentes électrodes, il est possible de faire subir au miroir 2 un mouvement de déflexion autour d'une poutre de torsion 4. Ceci entraîne la déviation d'un faisceau incident 7 d'un angle a compris entre environ +10 et -10 . Dans ce type de dispositif, les contraintes de réalisation technologique et la nécessité de réaliser le meilleur compromis possible entre les tensions de commande des électrodes et une valeur élevée de l'angle de déflexion conduisent à élaborer des schémas plus complexes, comme celui décrit dans l'article de T. Usuda, intitulé "Mechanical sensors: a novel silicon torsional resonator with two degrees of freedom", paru dans The 7th Int. Conf. on Solid State Sensors and actuators, pages 10 et 11, 19.. En effet, dans le schéma de la figure 1, une distance interélectrode e la plus petite possible est nécessaire afin de minimiser les tensions de commande, ce qui s'oppose à une grande amplitude de déflexion. Les schémas plus complexes existants essayent donc de séparer la zone de commande et la zone de réflexion des miroirs par différentes astuces (forme géométrique, double axe de torsion,...). Tous ces dispositifs ont en commun de fonctionner sur les mêmes principes: ils renvoient le faisceau vers le demi-espace d'o provient le faisceau incident. Un autre dispositif est décrit dans l'article de H. Goto, intitulé "High performances microphotonic devices with microactuator", paru dans SPIE, Miniature and Micro-Optics and Micromechanics, pages 32 à 39, 1993. Dans ce cas une structure miroir de forme géométrique bien calculée est collée sur un élément piézoélectrique. La vibration unidirectionnelle de la céramique excite les modes propres du résonateur constitué par le miroir et lui imprime une oscillation résonnante suivant deux directions, quand les fréquences de commande de l'élément piézoélectrique correspondent aux fréquences du résonateur. Ce système est intéressant car il permet un balayage à deux degrés de liberté, mais il ne fait pas véritablement appel aux microtechnologies et il n'est pas compatible avec un mode de fabrication collective. Exposé de l'invention L'invention a tout d'abord pour objet de proposer un nouveau type de microéléments de balayage pour système optique, compatible avec les techniques de fabrication collective. Plus précisément, l'invention a pour objet un microélément de balayage pour système optique caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat - une membrane en un matériau diélectrique déposé sur une surface du substrat, une partie de la membrane présentant une zone réfléchissante et pouvant subir une déflexion selon au moins une première direction, au-dessus d'une cavité pratiquée dans le substrat. - des moyens pour faire subir à cette partie de la membrane une déflexion selon au moins une direction. Cet élément est entièrement compatible avec les techniques collectives de fabrication connues dans le domaine de la microélectronique. La membrane peut définir deux plans faisant entre eux un angle a non nul. En outre, la partie de la membrane située au- dessus de la cavité peut subir une déflexion suivant au moins une deuxième direction au-dessus de la cavité. L'amplitude suivant une des directions de déflexion peut alors être supérieure à l'amplitude suivant une des autres directions de déflexion. La partie de la membrane pouvant subir une déflexion peut être reliée par une micropoutre à une partie fixe qui porte les moyens pour faire subir une déflexion à la partie mobile. La partie fixe peut alors présenter un axe de symétrie par rapport auquel la micropoutre est parallèle. Cette dernière peut être décalée par rapport à cet axe. La partie mobile de la membrane peut être décalée latéralement par rapport à l'axe de symétrie de la partie fixe. De plus, les moyens pour faire subir une déflexion à la partie mobile peuvent comporter plusieurs groupes de moyens répartis de part et d'autre de l'axe de symétrie. Les moyens de déflexion peuvent être du type piézoélectrique ou électrostatique. En outre, la partie de la membrane pouvant subir une déflexion peut être orientée suivant un plan cristallographique du substrat. La cavité peut être située au bord d'une ouverture débouchante pratiquée dans le substrat, cette ouverture débouchante pouvant éventuellement être une ouverture traversant toute l'épaisseur du substrat. Un dispositif de microoptique peut par ailleurs comporter un microélément tel que décrit ci-dessus, associé à une seconde zone réfléchissante disposée de manière à réfléchir, en direction de la zone réfléchissante de la membrane, un faisceau lumineux, dit faisceau entrant, provenant d'une certaine direction, celui-ci subissant alors deux réflexions successives pour former ensuite un faisceau sortant. Cette deuxième zone réfléchissante peut être formée par ou sur une paroi d'une ouverture débouchante ou traversante pratiquée dans le substrat. Cette paroi peut par ailleurs être orientée suivant un plan cristallographique du substrat. Selon un mode de réalisation particulier, un dispositif microoptique selon l'invention permet de résoudre le problème de l'assemblage de plaquettes entières de composants. En effet, au-delà de la fabrication collective des composants entrant en jeu dans un microsystème, il est souhaitable, en particulier pour des raisons de coût, que leur assemblage puisse également se faire au niveau de plaquettes entières et non pas seulement d'éléments individuels. De plus, il est important que l'architecture des différents composants à assembler permette de la manière la plus simple possible leur empilement. Pour qu'un tel empilement soit possible avec des éléments de microbalayage ou des dispositifs de microoptique incorporant de tels éléments, il est souhaitable que la déflexion du faisceau lumineux se fasse vers l'avant du dispositif, et non pas vers l'arrière, c'est-à-dire que l'angle défini par un faisceau entrant dans le dispositif et un faisceau sortant du dispositif soit supérieur à 90 . Afin de résoudre ce problème, un dispositif de microoptique tel que décrit ci-dessus peut en outre être caractérisé en ce que la seconde zone réfléchissante soit disposée de façon à ce que le faisceau entrant et le faisceau sortant fassent entre eux un angle supérieur à 90 . Les deux zones réfléchissantes peuvent définir deux plans sensiblement parallèles lorsque la membrane est en position de repos. Ces deux plans peuvent être parallèles à un plan cristallographique donné du substrat. Brève description des figures - la figure 1 représente un dispositif selon l'art antérieur, - les figures 2 et 3 sont des modes de réalisation de l'invention, - les figures 4 à 10 représentent diverses formes de membrane vibrante, - les figures 11 et 12 représentent deux exemples de dispositif comportant un élément selon l'invention, - les figures 13 à 20 représentent des étapes de réalisation de microéléments selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation La figure 2 est un premier exemple de réalisation d'un dispositif selon l'invention. Sur cette figure la référence 12 désigne un substrat, d'un matériau isolant ou semi-conducteur, par exemple un substrat en silicium. Une cavité 18 a été ouverte dans ce substrat. Avant que la matière occupant cette cavité ne soit éliminée, un dépôt préalable d'une membrane 14, 16 en un matériau diélectrique a été réalisé sur la surface du substrat. L'ouverture de la cavité 18 a permis de libérer une partie de la membrane, en particulier la partie 14. Cette dernière est de préférence traitée, par exemple par un revêtement 20, de façon à former une zone réfléchissante (appelée aussi miroir dans le reste de la description) pour une certaine gamme de longueurs d'onde. L'extrémité 14 de la membrane peut subir une déflexion, par exemple suivant une direction sensiblement perpendiculaire à son plan, comme indiqué sur la figure 2 (mouvement d'élongation). Ces déflexions peuvent être induites par des moyens de déflexion, du type piézoélectrique ou électrostatique. Sur la figure 2 sont représentés des moyens piézoélectriques, comportant une électrode inférieure 22, disposée par dessus la membrane 16, une couche 24 d'un matériau piézoélectrique et une électrode supérieure 26. Des moyens 28 sont en outre prévus pour établir entre les électrodes 26 et 22 la tension voulue. La couche de matériau piézoélectrique peut être en ZnO, en CdS, en AlN ou en un matériau ferroélectrique, déposé sous forme de couches minces. Le mode d'excitation en élongation peut être mis en jeu avec des épaisseurs assez faibles de matériau piézoélectrique, ce qui permet de réaliser un dispositif peu encombrant. Le mode d'excitation en flexion demande une épaisseur de matériau piézoélectrique plus importante, mais rentre néanmoins dans le cadre de la présente invention. Dans le cas du mode en flexion, la force d'excitation imposée par le matériau piézoélectrique sur la membrane est dirigée suivant la flèche F' présentée en trait interrompu sur la figure 2, tandis que dans le cas du mode d'excitation en élongation, la force d'excitation est la force F représentée en trait plein sur la figure 2. D'une façon plus générale, le mode d'excitation en flexion ou en élongation dépend de l'orientation cristalline du matériau piézoélectrique et de sa géométrie, et, en particulier, de son épaisseur e. Il est également possible d'utiliser, comme matériau piézoélectrique, des céramiques épaisses collées au-dessus de la membrane mobile, comme dans la publication de H. Goto, déjà citée ci-dessus dans l'introduction de la présente demande. Une autre solution pour réaliser un moyen de déflexion de la membrane est de réaliser une commande électrostatique par électrodes en regard. Un tel dispositif est illustré sur la figure 3 o des références numériques identiques à celles de la figure 2 désignent les mêmes éléments. La référence 30 désigne une première électrode, en surface du substrat 12, la référence 32 désigne une deuxième électrode située sous la membrane 16 et sur un substrat 34, qui ne repose pas directement sur la face supérieure du substrat 12, mais en est séparée par un espacement 36 obtenu par suppression d'une couche de matière en surface du substrat 12. L'application, aux électrodes 30, 32 d'une certaine tension permet de les rapprocher ou de les éloigner l'une de l'autre, et d'obtenir un mouvement correspondant de la membrane 14, 16. Dans le cas o le substrat 12 est un substrat de silicium, l'électrode 30 peut être obtenue par implantation ionique superficielle de bore, pour former de la silice, et le substrat 34 peut être une couche mince de silicium. La solution consistant à réaliser une commande électrostatique demande une succession d'étapes technologiques sans doute un peu plus complexe que dans le cas d'une commande piézoélectrique, mais supprime évidemment l'utilisation de ce matériau piézoélectrique qui est toujours délicat à réaliser. La membrane en matériau diélectrique peut avoir diverses formes. Sur les figures 2 et 3 la membrane définit en fait deux plans faisant entre eux un angle a strictement supérieur à 90 . Il est clair qu'un réflecteur selon l'invention peut être réalisé, d'une manière générale, en donnant à l'angle a une valeur quelconque. Cependant, ainsi qu'on le verra plus loin, un angle a tel que la partie 14 de la membrane soit dirigée selon un plan cristallographique du substrat 12 peut être préféré. Une membrane, sans son substrat, est représentée en perspective sur la figure 4, la référence 38 désignant les moyens de déflexion de la membrane, par exemple des moyens électrostatiques tels qu'ils ont été décrits ci-dessus en liaison avec la figure 3. Dans le mode de réalisation de la figure 4, la membrane présente une largeur constante suivant un axe Oz, la seule possibilité d'actionnement étant alors en flexion autour de l'axe Oz. Il peut être également intéressant de disposer d'une structure permettant d'entraîner le miroir, non pas (ou pas seulement) en flexion autour de l'axe Oz, mais aussi en torsion autour de l'axe Oy, comme illustré sur la figure 5. Sur cette dernière, la partie centrale de la membrane (entre la zone o sont disposés les moyens d'activation des mouvements du miroir, et le miroir lui-même) est réduite à une micropoutre 40. Ce mode de réalisation offre en outre l'avantage d'ouvrir des dégagements latéraux 42, 44 par lesquels il est possible d'attaquer le substrat lors de la réalisation de la cavité 18 (voir figure 2). Il existe également des modes vibration mécanique d'ordre plus élevé, qui correspondent à des déformations plus complexes de la poutre. Cependant, si ces modes existent, quelle que soit la configuration géométrique des poutres, ils ne peuvent être efficacement excités que si le dispositif d'excitation utilisé, piézoélectrique ou électrostatique, induit une force mécanique dont la répartition spatiale par rapport à la poutre possède la symétrie convenable. En particulier, une configuration de poutre telle que celle de la figure 5, associée à une paire d'électrodes unique (ou un seul cristal piézoélectrique) possédant le même axe de symétrie xx' dans le plan de la plaque permet une excitation du mode de flexion (correspondant à Of sur la figure 5), mais est plutôt mal adaptée pour exciter le mode de torsion (correspondant à Ot). Il est donc préférable d'adapter la géométrie du dispositif, en particulier la position de la poutre et la disposition des éléments du système d'excitation, au type de mode que l'on désire exciter. Une solution, pour obtenir une bonne excitation des deux modes de flexion et de torsion peut consister, comme illustré sur la figure 6, à utiliser une géométrie de poutre non symétrique par rapport à l'axe xx', la zone d'excitation pouvant rester unique et symétrique par rapport à ce même axe. La configuration de la figure 6 présente une dissymétrie, mais celle-ci est en fait encore peu marquée. Lorsque les contraintes spatiales, lors de la réalisation du dispositif, le permettent, il est possible d'accentuer encore cette dissymétrie, comme illustré sur la figure 7 o, par rapport à l'axe xx' et au dispositif d'excitation 50, la poutre 48 et le miroir 52 sont déportés au maximum vers la droite, c'est-à-dire dans la direction z'. Une autre solution, pour pouvoir exciter simultanément les modes de torsion et de flexion, est illustrée sur la figure 8 et consiste à utiliser une configuration d'excitation comportant plusieurs groupes de moyens d'excitation, (plusieurs paires d'électrodes ou plusieurs cristaux piézoélectriques) qui permettent de modifier, par un adressage convenable, par exemple des paires d'électrodes ou des cristaux piézoélectriques mis en jeu, le mode d'excitation de la poutre 54. Sur la figure 8, sont schématisés deux groupes de moyens d'excitation sous la forme de deux paires d'électrodes 56, 58 pour une excitation du type électrostatique: les deux paires d'électrodes peuvent être adressées, en phase et/ou en opposition de phase suivant le mode de vibration mécanique à privilégier, par l'utilisation de fréquences d'excitation généralement différentes. Une configuration voisine, à trois paires d'électrodes 60, 62, 64 permet également de créer la dissymétrie souhaitée, comme illustré sur la figure 9. Bien entendu, d'autres configurations peuvent être imaginées et les configurations décrites ci-dessus peuvent être combinées, afin de rompre la symétrie spatiale entre l'élément mobile (miroir et poutre) et les zones d'excitation. Par ailleurs, il peut être utile de favoriser, dans certains cas, l'amplitude d'une direction de balayage par rapport à l'amplitude d'une autre direction de balayage: c'est le cas de la télémétrie automobile o le balayage horizontal doit être de l'ordre de 10 à 20, alors qu'un balayage vertical de l'ordre de 3 est suffisant. Au contraire, dans certaines autres applications, on cherchera à rendre à peu près égaux les angles de balayage dans les deux directions, et donc de faire en sorte que Ot soit à peu près égal à Of. Des configurations plus complexes, avec des évidements, permettent de jouer également sur l'amplitude respective des angles de balayage et sur les valeurs des fréquences de résonance des modes de vibration. Ainsi, sur la figure 10, une poutre 66 relie une zone d'excitation 68 à une zone miroir 70, cette dernière présentant, dans sa partie supérieure, un évidement 72 qui favorisera le mouvement de torsion. Là encore, il est possible de combiner ce dernier mode de réalisation avec les modes de réalisation déjà décrits ci-dessus. Un autre mode de réalisation de l'invention est illustré sur la figure 11. Une membrane 78 en un matériau diélectrique avec son élément d'actionnement , sont déposés sur un substrat 76. Conformément à l'invention, une partie de la membrane, présentant une zone réfléchissante 77 peut subir une déflexion au- dessus d'une cavité 82 pratiquée dans le substrat 76. Par ailleurs, une autre ouverture 74 débouchant à la surface du substrat 76 est pratiquée dans ce dernier. Sur une paroi 86 de cette ouverture, une zone réfléchissante, par exemple un micromiroir fixe 84, peut être réalisée, qui permet par exemple de réfléchir un faisceau incident ou entrant 85 selon une direction 87 en direction de la zone réfléchissante 77 de la membrane. Cette dernière va réfléchir le faisceau 87 selon une direction 89 (faisceau sortant), les mouvements de flexion étirés ou de torsion de la membrane permettant de faire varier la direction du faisceau sortant 89. Selon une variante, représentée sur la figure 12, un trou traversant 90 est pratiqué dans le substrat 88. Une membrane, son élément excitation et la cavité sont désignés respectivement par les références 94, 96, 92. Sur une paroi de l'ouverture 90, située dans une zone inférieure par rapport à la zone o est déposée la membrane 94, peut être formée une surface réfléchissante, par exemple par un micromiroir fixe 98. Ce micromiroir peut être disposé de telle façon qu'un faisceau entrant 99 soit réfléchi sous la forme d'un faisceau 101 vers la membrane 94, la surface réfléchissante de cette dernière entraînant une seconde déviation pour former un faisceau sortant 103. Avec cette configuration, le faisceau entrant 99 et le faisceau sortant 103 font entre eux un angle proche de en tout cas supérieur à 90 , ce qui n'est pas le cas avec la configuration représentée sur la figure 11 o l'angle entre les faisceaux entrant et sortant est proche de 00. Suivant l'orientation de la zone réfléchissante 98 et pour certains faisceaux incidents 99, il est même possible d'obtenir un faisceau sortant 103 parallèle au faisceau entrant 99. Préférentiellement, la zone réfléchissante 95 de la membrane et la zone réfléchissante 98 forment deux plans parallèles ou sensiblement parallèles, par exemple lorsque la membrane 94 est au repos. Dans le cas d'un substrat 88 en silicium, ce résultat peut être obtenu en choisissant pour ces deux plans un plan cristallographique (plan 1,1,1 ou 1,-1,1). Le dispositif de la figure 12 permet d'obtenir une direction du faisceau sortant à peu près identique ou en tout cas très voisine de la direction du faisceau incident. Dans les dispositifs avec un seul miroir cette condition ne pouvait être réalisée qu'en incidence rasante, ce qui pose de délicats problèmes de géométrie et d'alignement. Toutes les structures décrites ci-dessus sont compatibles avec les modes de fabrication collective utilisés en microélectronique. Un procédé de réalisation d'un dispositif selon l'invention va maintenant être décrit. D'une façon générale, un procédé de réalisation d'un microélément de balayage selon l'invention comporte: - une étape de dépôt, sur une surface d'un substrat, d'une membrane en un matériau diélectrique, - une étape de formation d'une cavité dans le substrat, une partie de la membrane, qui présente une zone réfléchissante, pouvant subir une déflexion selon au moins une première direction au-dessus de cette cavité, - une étape de formation de moyens pour faire subir à cette partie de la membrane une déflexion selon au moins une direction. La formation de la cavité peut être réalisée par attaque ionique réactive micro-onde. La cavité peut être située au bord d'une ouverture débouchant à la surface du substrat sur laquelle la membrane est déposée, ou pouvant même traverser ce substrat. Cette ouverture peut être réalisée par exemple par gravure chimique préférentielle. On peut donc ainsi dégager des parois orientées suivant des plans cristallographiques. La membrane peut être éventuellement gravée pour y réaliser des ouvertures. D'autres étapes, notamment pour la formation des moyens pour faire subir une déflexion à la membrane, sont décrites ci-dessous. Un exemple détaillé va être donné pour la réalisation d'un dispositif conforme à celui de la figure 12, mais l'homme du métier saura adapter les différentes étapes pour obtenir des réalisations conformes, par exemple, à celles des figures 2 ou 11. Par ailleurs, on prendra l'exemple d'un substrat en silicium et d'une membrane réalisée en silice, mais, là encore, l'homme du métier saura adapter les différentes étapes à des substrats et à des éléments d'autres natures. Dans une première étape, illustrée sur la figure 13, on réalise un masquage double face d'un substrat 104 en silicium. On peut utiliser par exemple des masques 106, 112 en silice déposés en CVD. Ce masquage peut par exemple suivre la trace des plans 1,1,1 sur le plan de surface 1,0,0 du substrat en silicium. Les masques présentent respectivement des ouvertures 108 et 110 dont les dimensions A (suivant une direction perpendiculaire au plan de la figure 13) et B (voir figure 13) dépendent de la géométrie désirée. En pratique, si l'on considère des plaques de silicium d'épaisseur de l'ordre de 500pm, on peut choisir A de l'ordre de 500 à 15001m, en fonction de la section du faisceau lumineux à défléchir. B peut avoir des dimensions du même ordre. Bien entendu, il est toujours possible de choisir des plaques de silicium plus épaisses (de 1 à 2 mm) et d'augmenter les dimensions. De plus, les ouvertures 108 et 110 n'ont pas forcément les mêmes dimensions. Dans une deuxième étape, on réalise une gravure chimique préférentielle du silicium (double face) ce qui conduit à la formation d'une ouverture 114 qui traverse le substrat 104. Cette méthode de gravure repose sur la différence de vitesse de gravure entre différents plans cristallographiques d'un même matériau pour certains agents d'attaque. En général, la vitesse d'attaque est très lente suivant l'un des plans cristallins (les plans de type (111) par exemple) et très rapide suivant les autres. On obtient donc des géométries de gravure particulières qui découlent de cette propriété et dont la forme est imposée par les configurations angulaires des plans d'attaque lente et par l'orientation initiale des cristaux. On peut appliquer ce procédé au silicium, dont les propriétés à cet égard sont bien connues. Mais des configurations tout à fait similaires peuvent être obtenues avec d'autres matériaux tels que le germanium ou avec les semi-conducteurs composés tels que GaAs ou InP ou autres. Il faut simplement prendre garde, dans ce dernier cas, à la présence de deux types de plans atomiques. L'attaque préférentielle permet donc de dégager des parois 116, 118, 120, 122 orientées suivant des plans cristallographiques, tels que les plans 1,1,1 ou 1,-1,1. Ces plans forment alors avec la verticale un angle 8 d'environ 36 . La structure représentée sur la figure 14 est symétrique par rapport à un plan médian contenu dans la tranche de silicium 104 et dont la trace est représentée sur la figure 14 par l'axe xx'. Il est également possible, et dans certains cas préférable, de réaliser une structure dissymétrique, par exemple en jouant sur les dimensions des ouvertures des masques. Une telle structure est illustrée sur la figure 15, o l'ouverture 124 présente, dans sa partie inférieure, des parois 128, 130 s'étendant sur une plus grande distance que les parois 126, 132 dans la partie supérieure. Dans une troisième étape, les masques sont supprimés et, comme illustré sur la figure 16, un dépôt d'une couche 134, 136 de silice épaisse est réalisé, par exemple par PECVD. Cette couche de silice va constituer le corps de la membrane mobile. Le dépôt se fait uniquement sur la face supérieure du substrat 104. Son épaisseur dépend bien sûr de la rigidité souhaitée. En pratique, on utilise des couches de 4 à 40pm d'épaisseur. Dans une quatrième étape, cette couche de silice peut être gravée. La figure 17 représente une vue de dessus de la couche 136 de silice, la référence 138 désignant la partie de la couche déposée sur la paroi inclinée de l'ouverture 114. Cette étape aboutit à la formation d'ouvertures 140, 142 qui permettront: - de réaliser ultérieurement l'attaque du substrat 104 afin d'ouvrir une cavité sous la membrane et de la libérer partiellement, - de définir une poutre reliant la partie mobile de la membrane à la zone de commande des mouvements de cette membrane (comme les poutres 40, 48, 54 sur les figures 5, 7, 8). Sur la figure 17 les ouvertures sont représentées symétriquement par rapport à un plan perpendiculaire au substrat en silicium et dont la trace est représentée, sur la figure 17, par l'axe YY'. En fait, il est possible de donner à ces ouvertures une forme quelconque. De même, les dimensions, telles que les dimensions C, D, F, G (voir figure 17) peuvent être définies de manière quelconque. En pratique, ces dimensions sont de l'ordre de la centaine ou de plusieurs centaines de micromètres. Les masques utilisés pour la gravure de la couche 136 peuvent être des masques métalliques simples posés sur cette couche. Une cinquième étape va permettre la réalisation, dans le substrat 104 d'une cavité 144 (voir figure 18) par gravure isotrope du silicium à partir des ouvertures 140, 142 pratiquées dans la couche 136 de silice. La technique utilisée est de préférence l'attaque ionique réactive micro-onde, utilisant par exemple du SF6. Ce type d'attaque ionique possède une très grande sélectivité entre le silicium et la silice. La membrane 138, 136 peut donc être désolidarisée du substrat silicium 104 sans que la couche de silice 136, 138 constituant cette membrane soit notablement affectée. En pratique, les épaisseurs de silicium gravé étant de l'ordre de 300 pim (légèrement supérieur à la moitié de l'épaisseur des plaquettes de silicium) et la sélectivité étant supérieure à 100, la couche de silice n'est affectée que très faiblement par la gravure (seulement sur une épaisseur d'environ 2 à 3im). Les géométries de gravure obtenues à partir des ouvertures 140, 142 pratiquées dans le masque de silice sont à peu près connues dès que les dimensions de ces ouvertures dépassent une centaine de microns. On peut, en première approximation, considérer que la profondeur d'attaque d(t) est égal au produit de la vitesse d'attaque par le temps de gravure et est à peu près la même dans toutes les directions de gravure, à partir des bords des ouvertures 140, 142. Sur la figure 18 des traits interrompus 143-1,... 143-5 représentent l'évolution de la zone d'attaque à différents instants t1, t2, t3, t4, t5. Pour une désolidarisation complète de la zone 138 du substrat 136, il faut que le front d'attaque atteigne au moins le point K, qui marque la limite inférieure de la zone 138. En général, il y aura surgravure au voisinage du plan de surface. Cette surgravure n'est pas gênante compte tenu du rôle de couche d'arrêt joué par la silice (effet de sélectivité entre la silice et le silicium). L'épaisseur E de silicium restant au bas du substrat sera relativement faible, en général plus faible qu'une demi-épaisseur du substrat. Afin d'augmenter la tenue mécanique de ce dernier, et donc du dispositif tout entier, il peut être intéressant d'utiliser une géométrie dissymétrique, comme celle de la figure 15, qui permet de garder des valeurs de E plus importantes. Dans le cas o le dispositif d'actionnement du mouvement de la membrane est du type piézoélectrique, on procède ensuite (figure 19) au dépôt et à la gravure de l'électrode inférieure 146, du matériau piézoélectrique 148 et de l'électrode supérieure 150. On peut ensuite déposer une couche 152, 154, 156, 158 d'un matériau permettant d'augmenter la réflectivité des miroirs, par exemple un dépôt de métal (Ti, Au Al, Pt, Cr) ou un dépôt de multicouche diélectrique (SiO2-TiO2). Cette étape de dépôt d'une couche réfléchissante peut être éventuellement réalisée en même temps que les étapes de dépôt des électrodes 146, 150, si les dépôts métalliques mis en jeu sont identiques. La structure obtenue est finalement celle de la figure 19. La membrane 138 est désolidarisée du substrat silicium, mais il reste encore à réaliser une étape de désolidarisation latérale. Ceci peut être fait par sciage sur toute l'épaisseur du substrat; dans ce cas, les éléments de microbalayage sont individualisés et le traitement collectif est stoppé à cette étape. La désolidarisation latérale peut également être réalisée par sciage latéral sur une épaisseur légèrement supérieure à la moitié de la plaque de silicium, par exemple avant d'assembler une plaquette contenant les éléments de microbalayage avec d'autres plaquettes du dispositif à réaliser, l'individualisation des dispositifs s'effectuant après assemblage. Compte tenu de la fragilité des membranes, il peut être favorable de rigidifier les structures avant sciage, à l'aide d'une résine durcissable qui pourra être dissoute par la suite. Les étapes décrites ci-dessus conviennent pour la réalisation d'un dispositif avec moyen d'actionnement piézoélectrique. Dans le cas d'un dispositif avec actionneur à force électrostatique, une partie des étapes décrites ci-dessus sont identiques: il s'agit en particulier de celles qui conduisent à la réalisation des doubles miroirs et de la membrane mobile. La grande différence provient de la réalisation de la commande électrostatique, avant le dépôt de la couche de silice 136. De préférence la structure support utilisée pour réaliser la commande électrostatique est une structure SIMOX obtenue par implantation d'oxygène, puis recuit approprié, afin de réaliser une couche de silice isolante enterrée. L'intérêt de cette structure, dans le cas d'une commande électrostatique, est qu'elle permet de réaliser, par ablation localisée de la couche de silice enterrée, un espace interélectrode très fin (de l'ordre de 0,2 à 0,3 pm) et très uniforme. Ceci permet, entre autres, de minimiser les tensions de commande nécessaires à l'excitation mécanique de la membrane comportant le miroir mobile. Comme dans les étapes précédentes et compte tenu des dimensions importantes mises en jeu (de l'ordre de 100m à 1 mm) et du caractère plus critique des positionnements, les masques utilisables pour la formation des électrodes peuvent être obtenus par des techniques de lithographie classique, ou bien ce sont des masques mécaniques. On part donc d'une structure SIMOX comme celle illustrée sur la figure 20 o la référence 160 désigne un substrat en silicium, la référence 162 la surface supérieure du substrat, la couche de silice enterrée étant désignée par la référence 164. Ensuite (figure B), le masque 166, 168 est disposé sur la surface 162. On réalise alors l'électrode inférieure par dopage du support de silicium. Ce dopage est par exemple effectué par implantation de bore à forte dose dans les zones concernées, avec une énergie telle que le dopage obtenu 170 soit localisé juste au- dessous de la couche 164 de silice enterrée. On procède ensuite à une dissolution localisée de la couche de silice enterrée. Cette dissolution s'effectue par attaque chimique (par exemple source d'attaque traditionnelle à base d'acide fluorhydrique) à travers une ou plusieurs ouvertures pratiquées dans la couche de silicium superficielle 162. Après dissolution localisée de la couche de silice, les ouvertures sont éventuellement bouchées par un dépôt couvrant (non représenté) (par exemple Si3N4 obtenu en CVD). Ensuite, on supprime les masques, la couche de silicium de surface et la couche de silice enterrée dans les zones complémentaires aux zones de commande. Des dépôts métalliques permettent les prises de contact des électrodes inférieure et supérieure. On obtient donc la structure de zones de commande localisées représentées sur la figure 20C, la zone de dopage 170 constituant l'électrode inférieure et la couche de silice superficielle 163, séparée de cette zone de dopage par un interstice 174, servant de support à l'électrode supérieure 172. Les prises de contact ne sont pas représentées sur cette figure. Après la réalisation de ces électrodes de commande les étapes déjà décrites ci-dessus (réalisation de la membrane en silice, réalisation de la cavité par gravure chimique préférentielle du silicium) peuvent être reprises, ainsi que l'étape de dépôt et de gravure des couches réfléchissantes. Finalement, la structure obtenue pour la partie du dispositif comportant la membrane et les électrodes de commande est similaire à celle représentée sur la figure 3. REVENDICATIONS 1. Microélément de balayage pour système optique, caractérisé en ce qu'il comporte: - un substrat (12, 76, 88), - une membrane (14, 16, 77, 78, 94, 95) en un matériau diélectrique déposée sur une surface du substrat, une partie (14, 77, 95) de la membrane présentant une zone réfléchissante (20), et pouvant subir une déflexion selon au moins une première direction au- dessus d'une cavité (18, 82, 92) pratiquée dans le substrat, - des moyens (22, 24, 26; 30, 32; 80,96) pour faire subir à cette partie de la membrane une déflexion selon au moins une direction. 2. Microélément de balayage selon la revendication 1, la membrane définissant deux plans faisant entre eux un angle a non nul. 3. Microélement de balayage selon l'une des revendications 1 ou 2, la partie de la membrane pouvant subir une déflexion selon au moins une première direction, pouvant également subir une déflexion selon au moins une deuxième direction au-dessus de la cavité. 4. Microélément de balayage selon la revendication 3, l'amplitude suivant une des directions de déflexion étant supérieure à l'amplitude suivant une des autres directions de déflexion. 5. Microélément selon une des revendications 1 à 4, la partie de la membrane pouvant subir une déflexion étant reliée, par une micropoutre (40, 48, 54, 66), à une partie fixe qui porte les moyens pour faire subir une déflexion à la partie mobile. 6. Microélément selon la revendication 5, la partie fixe présentant un axe de symétrie (xx') par rapport auquel la micropoutre est parallèle. 7. Microélément selon la revendication 6, la micropoutre étant décalée par rapport à cet axe. 8. Microélément selon une des revendications 6 ou 7, la partie mobile étant décalée latéralement par rapport à l'axe de symétrie de la partie fixe. 9. Microélément selon une des revendications 6 à 8, les moyens pour faire subir une déflexion à la partie mobile comportant plusieurs groupes de moyens pour faire subir une déflexion, répartis de part et d'autre de l'axe de symétrie. 10. Microélément de balayage selon l'une des revendications 1 à 9, les moyens pour faire subir une déflexion étant du type piézoélectrique ou électrostatique. 11. Microélément de balayage selon l'une des revendications 1 à 10, la partie de la membrane pouvant subir une déflexion étant orientée suivant un plan cristallographique du substrat. 12. Microélément de balayage selon l'une des revendications 1 à 11, la cavité étant située au bord d'une ouverture (74,90) débouchant à la surface du substrat sur laquelle la membrane est déposée. 13. Microélément de balayage selon la revendication 12, l'ouverture débouchante (90) étant une ouverture traversant le substrat (88). 14. Dispositif de microoptique comportant: - un microélément selon l'une des revendications 1 à 13, - une seconde zone réfléchissante (84, 98) disposée de manière à réfléchir, en direction de la zone réfléchissante de la membrane, un faisceau lumineux, dit faisceau entrant (85, 99), provenant d'une certaine direction, ce faisceau entrant subissant alors deux réflexions successives pour former un faisceau sortant (89, 103). 15. Dispositif selon l'une des revendications 12 ou 13 et selon la revendication 14, la seconde zone réfléchissante étant formée par ou sur une paroi de l'ouverture débouchante ou traversante pratiquée dans le substrat. 16. Dispositif selon la revendication 15, la paroi de l'ouverture sur laquelle la deuxième zone réfléchissante est formée étant orientée suivant un plan cristallographique du substrat. 17. Dispositif de microoptique selon l'une des revendications 14 à 16, la seconde zone réfléchissante étant disposée de façon à ce que le faisceau entrant et le faisceau sortant fassent entre eux un angle supérieur à 90 . 18. Dispositif selon l'une des revendications 14 à 17, les deux zones réfléchissantes (95, 98) définissant deux plans sensiblement parallèles lorsque la partie de la membrane présentant une zone réfléchissante est en position de repos. 19. Dispositif selon la revendication 18, les deux plans étant parallèles à un plan cristallographique donné du substrat.