Brevet FR2738060A1 — publié le 19970228

La présente invention concerne de façon générale un dispositif électro- explosif et plus particulièrement un dispositif électro-explosif comportant des résistances non linéaires et insensible aux radiofré- quences et aux décharges électrostatiques. En général, un dispositif électro-explosif (DEE) reçoit de l'énergie électrique et déclenche une onde de choc mécanique et/ou une réaction exothermique telle qu'une combustion, un déflagration ou une détona- tion. Les DEE ont été utilisés pour des applications aussi bien civiles que militaires à de nombreuses fins, comme par exemple pour déclen- cher des "airbags" (coussins gonflables de sécurité) dans les automobi- les ou pour activer une source d'énergie d'un système d'artillerie. Si l'on se réfère à la figure 1, un DEE typique 10 comprend un min- ce fil résistif ou fil de pont 12 suspendu entre deux tiges 14, dont une seulement est représentée. Le fil de pont 12 est entouré d'une composi- tion inflammable 18, généralement appelée mélange pyrotechnique. Pour initier la combustion du mélange pyrotechnique 18, on appli- que un courant continu ou à très basse fréquence par les fils conduc- teurs 16 et les tiges 14 puis au travers du fil de pont 12. Le courant tra- versant le fil de pont 12 produit un échauffement ohmique du fil de pont 12 et, lorsque le fil de pont 12 atteint la température d'inflarnmmna- tion du mélange pyrotechnique 18, le mélange pyrotechnique 18 est amorcé. Le mélange pyrotechnique 18 est une charge primaire qui allu- me une charge secondaire 20 qui à son tour allume une charge princi- pale 22. Le DEE 10 comprend en outre divers éléments protecteurs, tels qu'un manchon 23, un bouchon 24 et une enveloppe 26. Bien que le DEE 10 soit un dispositif bien connu, l'environnement électromagnétique dans lequel fonctionnent les DEE s'est considérable- ment modifié ces quatre dernières décennies. Une modification surve- nue dans l'environnement opérationnel des DEE est que les DEE se sont trouvés soumis à des niveaux plus élevés d'interférences électro- magnétiques (EMI). Le fonctionnement indispensable de radars à gran- de puissance et d'équipements de communication à proximité de DEE, comme sur le pont d'envol d'un porte-avions, a conduit à un environ- nement opérationnel typique qui comprend des champs électromagné- tiques de forte intensité. Le DEE qui déclenche un airbag dans une automobile peut être soumis à des EMI sérieuses pendant la durée nor- male de vie du véhicule. Les DEE se sont donc trouvés soumis à des ni- veaux élevés de EMI aussi bien dans des environnements militaires que non militaires. Les champs radiofréquence (RF) à haute intensité qui présentent un sérieux problème EMI peuvent induire un couplage d'énergie élec- tromagnétique par voie directe ou indirecte jusqu'à un DEE et provo- quer un déclenchement accidentel. Il peut y avoir couplage direct de l'énergie électromagnétique au DEE lorsque le rayonnement RF frappe le châssis du DEE, le DEE étant en situation de charge d'une antenne réceptrice. Il peut y avoir également couplage indirect de l'énergie élec- tromagnétique au DEE lorsqu'un arc induit par RF éclate au voisinage du DEE et qu'il y a couplage avec le DEE, comme par les fils de celui-ci. Une décharge induite par RF peut survenir chaque fois qu'une charge s'accumule dans un intervalle d'air suffisamment pour ioniser le gaz et établir un canal ionisé. Les DEE qui se trouvent au voisinage de champs RF intenses, com- me les navires de surface, peuvent recevoir des composantes de signal dues au redressement du rayonnement RF. Le rayonnement RF peut être redressé par exemple en raison d'un simple phénomène de diode au contact d'un métal, qui est généralement causé par la corrosion des contacts ou par des fixations mal reliées. Le signal redressé peut com- porter des composants à des fréquences bien inférieures à celles de la source de rayonnement RF et peut également contenir une composante continue, avec couplage possible de n'importe laquelle de ces composan- tes au DEE susceptible de provoquer un allumage accidentel. Le rayon- nement RF peut se trouver redressé dans de nombreux environne- ments o l'on peut trouver un DEE, y compris un environnement auto- mobile lorsque l'on commute très rapidement des courants ou des tens- ions importants, produisant ainsi des niveaux de bruit élevés. Une autre manière de laquelle un DEE peut être accidentellement déchargé résulte du couplage d'une décharge électrostatique (DES) au DEE. Une DES est caractérisée par un signal qui présente une tension élevée et une énergie assez faible. Bien que l'énergie de la DES soit ha- bituellement insuffisante pour provoquer un échauffement ohmique si- gnificatif du DEE, la tension élevée peut créer un champ électrique suf fisamment important entre les broches d'entrée du DEE pour allumer le mélange pyrotechnique. Une façon de protéger un DEE des EMI consiste à installer un ou plusieurs filtres passifs. Il existe divers types standard de filtres pas- sifs que l'on peut utiliser pour atténuer les signaux RF parasites. Ces filtres peuvent être habituellement classés en type L, pi ou T, ou en combinaisons des trois types. Les filtres passifs de type L, pi et T, qui sont respectivement illustrés sur les figures 2(A), 2(B) et 2(C), ont été traditionnellement utilisés comme première mesure d'élimination des problèmes EMI. Les filtres passifs classiques que l'on utilise avec les DEE présen- tent cependant plusieurs inconvénients. Un filtre classique consiste en une combinaison d'inducteurs, de condensateurs et/ou d'autres élé- ments à pertes tels que des ferrites résistifs. En général, les perfor- mances du filtre sont directement proportionnelles au nombre et à la dimension des éléments utilisés pour sa construction. On peut ainsi calculer un filtre permettant d'atténuer dans une large mesure un si- gnal si on augmente ensemble les dimensions des inductances, des con- densateurs et des ferrites. Egalement, un filtre comportant un grand nombre d'étages présentera généralement des performances amélio- rées. Les dimensions du filtre sont cependant souvent limitées par l'es- pace disponible. De ce fait, il peut ne pas être possible d'ajouter un fil- tre à un DEE, ou il se peut que le filtre qui entrera dans l'espace dispo- nible soit inefficace pour protéger le DEE des EMI. Les filtres sont habituellement construits à partir de composants passifs standard assemblés sur une carte de circuit imprimé ou câblés à l'intérieur d'un châssis métallique. Un exemple typique d'un filtre RF est illustré figure 3A. Le filtre RF 30 comprend, entre autres, un condensateur céramique 32 et une inductance toroiïdale enroulée 34. Comme illustré sur la figure 3(B), le condensateur céramique 32 pos- sède une pluralité de couches d'électrodes 38 séparées par un matériau diélectrique céramique 36. Comme on le voit sur la figure 3A, la dimen- sion du condensateur 32 et de l'inductance 34 rendent le filtre 30 trop gros pour de nombreuses applications, comme dans les systèmes d'ar- mes o l'espace est particulièrement restreint. Il existe donc un besoin d'un DEE de petite taille qui soit protégé de façon adéquate à l'encontre des EMI. Outre la contrainte de l'espace disponible, le coût du DEE et du fil- tre peut également limiter la dimension du filtre. Le coût de chaque fitre est directement lié au nombre de condensateurs, d'inductances et autres éléments formant le filtre. Bien que certains filtres peuvent ne comporter que peu de composants, le coût unitaire pour l'assemblage du filtre peut être relativement élevé par rapport au coût d'un DEE. Ainsi, avec une production à grande échelle des DEE et de leurs filtres associés, l'augmentation générale de coût peut devenir tout à fait im- portante. Un autre inconvénient des filtres passifs est qu'ils sont incapables de filtrer de nombreux signaux à basse fréquence qui peuvent provo- quer un allumage accidentel du DEE. Comme le signal de déclenche- ment d'un DEE est un signal continu, les filtres classiques sont conçus pour transmettre librement le continu et autres signaux à basse fré- quence. Ces fitres sont cependant incapables d'atténuer les signaux à basse fréquence dus au redressement des signaux RF ainsi que d'autres signaux continus ou à basse fréquence. Même avec un filtre qui peut efficacement filtrer de nombreux ty- pes d'EMI, le DEE n'est pas complètement à l'abri d'un déclenchement accidentel. Dans un système de filtrage classique, le fitre et le DEE sont essentiellement deux composants distincts. Si l'on se réfèere à la fi- gure 4, un champ magnétique B qui ne se propage pas peut induire une f.úé.m. par induction dans une boucle fermée. La f.é.m. est proportion- nelle à coAB, avec B = goH, A étant la surface en section droite et (e étant la fréquence du champ magnétique B. Le DEE peut être en outre protégé des EMI par blindage. Le blin- dage d'un DEE n'est cependant efficace que si la construction d'une barrière et les procédures opérationnelles peuvent garantir l'intégrité de la structure du blindage. Lorsque l'on fabrique un grand nombre de DEE, il devient probable que certains des DEE présenteront des défauts dans la structure du blindage. Le blindage du DEE n'est donc pas la meilleure manière de protéger le DEE. Un autre composant conçu pour protéger un DEE d'un allumage accidentel est l'éclateur. L'éclateur est utilisé pour réduire le risque de production d'un déclenchement accidentel par une décharge électrosta- tique (DES) et il est essentiellement constitué de deux électrodes con- ductrices écartées d'une distance précise, définissant ainsi un intervalle d'air. Lorsque la valeur du champ électrique développé entre les conducteurs dépasse la rigidité diélectrique de l'air, un amorçage sur- vient et la charge électrique en excès passe librement dans l'intervalle d'air d'un conducteur à l'autre conducteur. Le conducteur qui reçoit la charge en excès est habituellement relié à la terre de manière à pouvoir éloigner la charge de tous les éléments sensibles du DEE. Un éclateur se base sur un espacement précis des électrodes pour être sûr qu'une décharge statique sera dérivée à la terre. La technolo- gie de construction des intervalles d'air précis peut impliquer des tech- niques de fabrication coûteuses. Il en résulte qu'un éclateur peut ac- croître significativement le coût d'un DEE. L'éclateur peut également être détruit lors de l'installation et de la manipulation du DEE. Un éclateur typique est constitué d'une feuille ou disque de décharge avec une ouverture centrale au travers de la- quelle peuvent passer les fils conducteurs. Une mince couche électri- quement conductrice est en contact avec le boîtier du DEE mais est hors de contact des fils conducteurs d'une distance égale à l'intervalle d'air précis. Si les fils conducteurs sont coudés, comme pendant le mon- tage, l'efficacité de l'éclateur peut être sérieusement compromise. Pour réduire la sensibilité d'un DEE aux signaux parasites, on peut augmenter l'énergie totale du signal de déclenchement qui est né- cessaire pour allumer le DEE. De ce fait, des signaux parasites à bas niveau peuvent passer par le fil de pont sans provoquer aucun alluma- ge et seul le signal de déclenchement à haut niveau possédera une énergie suffisante pour allumer le DEE. Un signal de déclenchement de plus haut niveau n'est cependant pas toujours souhaitable. Typiquement, un DEE possède un système d'amorçage qui applique le signal de déclenchement au DEE. Le sys- tème d'amorçage possède typiquement un condensateur qui accumule la charge nécessaire pour produire le signal de déclenchement. Si l'on augmente l'énergie du signal de déclenchement et que la tension reste constante, la taille du condensateur doit également augmenter. Du fait du condensateur plus grand, le coût du système d'amorçage augmente notablement. Ainsi, en diminuant l'importance du niveau du signal de déclenchement, on peut réduire le coût du DEE et du système d'amor- çage. Il est également souhaitable de disposer d'un signal de déclenche- ment plus faible lorsque la quantité d'énergie ou de puissance disponi- ble est limitée. Par exemple, on fabrique actuellement de nombreuses automobiles avec des airbags doubles dont chacun nécessite un DEE distinct. Les automobiles futures pourront comporter cinq airbags ou plus et pourront également comprendre des DEE pour commander les ceintures de sécurité en cas de collision. Avec le plus grand nombre de DEE qu'il y aura vraisemblablement dans une automobile, le niveau du signal de déclenchement devra être aussi faible que possible. Dans l'environnement automobile, un airbag doit être activé aussi vite que possible en cas de collision afin de maximiser la protection pro- curée à l'occupant du véhicule. Le DEE qui active l'airbag doit donc être capable de se déclencher rapidement, tout en ne pouvant pas être déclenché accidentellement par des radiofréquences parasites ou par une DES. En outre, comme décrit ci-dessus, le DEE doit en outre être activé avec un signal de déclenchement à faible énergie. L'industrie a eu des difficultés à produire un DEE qui puisse être activé rapidement, qui soit insensible aux RF et à une DES et qui soit peu coûteux à fabriquer, et qui soit amorcé avec un signal de déclenchement à faible énergie. L'utilisation d'un DEE dans l'environnement automobile présente également d'autres difficultés. Par exemple, le DEE couramment uti- lisé aujourd'hui pour activer les airbags d'automobiles utilise typique- ment de l'azide de plomb comme charge primaire. L'azide de plomb est un matériau extrêmement explosif et produit à l'amorçage une onde de choc très rapide. En raison de la nature extrêmement explosive de l'a- zide de plomb et de l'importance de l'onde de choc produite lors de l'ex- plosion, il faut nécessairement placer un tamis d'acier autour du DEE pour empêcher que le choc en sortie du DEE ne vienne percer l'airbag. Le tamis d'acier à haute résistance complique cependant le processus de fabrication et grève encore le coût de la structure du DEE. Il existe donc un besoin pour un DEE à faible coût qui ne requière pas l'utilisa- tion d'un explosif primaire. La sensibilité d'un DEE peut également être abaissée par utilisa- tion d'une perle de ferrite. Lorsque l'on place sur un fil une perle de fer- rite creusée, la perle de ferrite laissera passer le signal continu de dé- clenchement mais présentera une impédance qui augmentera avec la fréquence. En cas d'EMI, la perle de ferrite présentera ainsi une impé- dance à ces signaux qui vont alors convertir en chaleur l'énergie élec- tromagnétique des signaux. L'efficacité d'une perle de ferrite est assez limitée. Lorsqu'augmen- te l'intensité du signal parasite, la température de la perle de ferrite augmente et, pour une certaine température, la perle de ferrite perd ses caractéristiques magnétiques. Après que la perle de ferrite soit de- venue trop chaude, l'EMI n'est plus convertie en chaleur par la perle de ferrite mais, au contraire, est appliquée au DEE, amorcant éventuelle- ment le DEE. Ainsi, pour des niveaux de signal plus élevés, la perle de ferrite est incapable d'éloigner lEMI du DEE. Un but général de l'invention est de pallier les inconvénients pré- cités de l'art antérieur. Un but de la présente invention est de proposer un dispositif élec- tro-explosif qui soit insensible aux interférences électromagnétiques. Un autre but de la présente invention est de proposer un dispositif électro-explosif qui soit insensible aux décharges électrostatiques. Un autre but de la présente invention est de proposer un dispositif électro-explosif qui soit insensible aux champs RF parasites. Un autre but encore de la présente invention est de proposer un dispositif électro-explosif de petite taille. Un autre but encore de la présente invention est de proposer un dispositif électro-explosif de relativement faible coût. Un autre but encore de la présente invention est de proposer un dispositif électro-explosif qui puisse être amorcé avec un signal à faible énergie. Pour atteindre ces buts ainsi que d'autres, conformément à la présente invention, dans une mise en oeuvre préférentielle on réalise sur un substrat un dispositif électro-explosif (DEE) qui comporte un premier et un deuxième élément fabriqués sur le substrat, les deux présentant une première résistance. Un troisième élément interconnec- te les deux éléments, présente une deuxième résistance qui est très inférieure à la première résistance, et destinée à une évaporation dans un plasma pour amorcer un composé pyrotechnique. La liaison série des trois éléments présente une résistance d'ensemble avec des carac- téristiques non linéaires. Pour des faibles intensités de signal, le troi- sième élément reçoit notablement moins d'énergie d'un signal appliqué que les deux autres éléments. Pour les intensités de signal plus élevées, la résistance du troisième élément est en revanche très supérieure à celle des deux autres éléments, de sorte que le troisième élément reçoit la plus grande quantité de l'énergie provenant du signal appliqué. Dans une mise en oeuvre, le premier, le deuxième et le troisième élément sont formés d'une couche d'aluminium, le premier et le deuxiè- me élément étant réalisés en forme de serpentin et possédant un rap- port entre étendue de surface et volume très supérieur à celui du troi- sième élément. De la sorte, un signal RF parasite ou une DES verront la plus grande part de leur énergie convertie en chaleur par les élé- ments en serpentin, avec seulement une faible quantité dissipée par le troisième élément. Le substrat est de préférence thermiquement con- ducteur de sorte que toute chaleur produite par le premier ou le troi- sième élément sera éloignée du premier ou du troisième élément. Pour faciliter et améliorer le processus d'amorçage, on dépose une couche de zirconium sur le troisième élément, couche qui s'échauffe en même temps que le troisième élément. La couche de zirconium explose dans un plasma avec le troisième élément et ces deux matériaux se conden- sent sur le composé pyrotechnique, qui comprend un mélange de per- chlorate de potassium et de zirconium. Un DEE selon l'invention peut opérer plus rapidement et plus efficacement du fait que le zirconium vaporisé peut directement réagir avec le perchlorate de potassium dans le composé pyrotechnique. Dans une autre mise en oeuvre, le troisième élément est formé d'une couche de zirconium en forme de noeud papillon et les deux pre- miers éléments comprennent des résistances métal-oxyde formées entre une phase d'oxyde formée sur la couche de zirconium et un métal d'un contact électrique sur-jacent. Les contacts électriques sont formés sur l'une et l'autre extrémité de la couche de zirconium et présentent une grande étendue de surface. Les résistances métal-oxyde sont bien plus grandes que celles de la couche de zirconium mais diminuent avec l'intensité du signal appliqué. Ainsi, avec un signal d'amorçage à haute intensité, la couche de zirconium recevra la plus grande partie de l'é- nergie provenant du signal d'amorçage, jusqu'à ce que la couche de zir- conium soit convertie en un plasma. Un autre aspect de l'invention concerne un élément de dérivation utilisable avec un dispositif électro-explosif. L'élément de dérivation comprend un substrat et une couche conductrice formée sur le substrat. La couche conductrice a une forme en noeud papillon avec une partie centrale étroite. On forme un premier et un deuxième contact sur l'une et l'autre extrémité de la couche conductrice en forme de noeud papil- lon. La couche conductrice présente un trajet à faible impédance entre le premier et le deuxième contact. La partie centrale de la couche con- ductrice joue le rôle de fusible et s'évapore en un plasma pour une in- tensité de signal supérieure à un certain niveau de seuil. De préféren- ce, la couche conductrice comprend de l'aluminium et le substrat est thermiquement conducteur, de manière à pouvoir éloigner la chaleur ohmique de la couche d'aluminium. 0 D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-dessous, en relation avec les dessins annexés. Ces dessins illustrent des mises en oeuvre préférentielles de la pré- sente invention pour expliquer les principes de cette dernière en liaison avec la description. Les dessins ne sont pas nécessairement à l'échelle, l'accent ayant été surtout mis sur une claire illustration des principes de l'invention. La figure 1 est une vue perspective en coupe d'un dispositif électro- explosif classique. Les figures 2(A), 2(B), 2(C) sont des schémas équivalents pour des filtres passifs en L, en Pi et en T, respectivement. La figure 3(A) est une vue latérale en coupe d'un fitre passif de type L. La figure 3(B) est une vue en perspective coupée d'un condensateur illustré sur le fitre passif de type L de la figure 3(A). La figure 4 est un circuit équivalent d'un DEE illustrant le couplage avec un champ magnétique. La figure 5(A) est une vue de dessus d'un dispositif électro-explosif selon une première mise en oeuvre de l'invention. La figure 5 est une vue latérale en coupe du dispositif électro- explosif de la figure 5(A). La figure 6 est une vue latérale en coupe du dispositif électro- explosif de la figure 5(A) dans un initiateur. La figure 7(A) est une vue de dessus d'un dispositif électro-explosif selon une deuxième mise en oeuvre de l'invention. La figure 7(B) est une vue latérale en coupe du dispositif électro- explosif de la figure 7(A). La figure 8(A) est une vue de dessus d'un élément de dérivation * selon une troisième mise en oeuvre de l'invention. La figure 8(B) est une vue latérale en coupe de l'élément de dérivation de la figure 8(A). 0 On va maintenant faire référence aux détails de mises en oeuvres préférentielles de l'invention qui sont illustrées sur les dessins an- nexés. Sur les figures 5(A) et 5(B), un dispositif DEE 50 selon une pre- mière mise en oeuvre de l'invention comprend une tranche de silicium ou de substrat thermiquement conducteur mais électriquement isolant 52, tel que de l'alumine, avec des couches de dioxyde de silicium 52 sur les surfaces recto et verso. Les minces couches de dioxyde de silicium 53 procurent une isolation électrique d'avec le substrat 52 tout en pro- curant un trajet à faible résistance thermique d'un côté du substrat 52 à l'autre. De préférence, le substrat 52 a une faible résistivité nominale et présente une largeur d'environ 250 mils (6,35 mm) et les couches 53 de dioxyde de silicium ont une épaisseur d'environ 500 nanomètres. Une mince couche 54 d'aluminium est déposée par dessus la couche de dioxyde de silicium 53 et elle est retirée sélectivement par gravure pour produire un motif en serpentin. La couche 54 d'aluminium forme un premier chemin 541, un deuxième chemin 542 et une surface en noeud papillon 543, la surface en noeud papillon 543 interconnectant le premier et le deuxième chemin 541 et 542. Le premier et le deuxième chemin 541 et 542 ont de préférence une largeur d'environ 50 mils (1,27 mmn) et la surface en noeud papillon 53 a de préférence des di- mensions d'environ 5 mils sur 10 mils (0,127 mm sur 0,254 mm) à l'en- droit le plus étroit de la surface 543. Une couche 58 de zirconium est déposée sélectivement sur la ré- gion en noeud papillon 543. La couche 58 de zirconium n'est pas limitée à la forme illustrée mais peut recouvrir une surface supérieure ou infé- rieure de la surface en noeud papillon 543. Par exemple, la couche 58 de zirconium peut s'étendre sur pratiquement toute la longueur de la surface en noeud papillon 543 depuis le premier chemin 541 jusqu'au deuxième chemin 542. La couche de zirconium 58 a une épaisseur d'en- viron 1 fm de préférence. Les couches 551 et 552 de titane/nickel/or (Ti/Ni/Au) sont déposées sélectivement sur les extrémités des chemins d'aluminium 541 et 542 respectivement. Le titane des couches 55 assure une adhésion à la cou- che d'aluminium 54, le nickel donne un contact soudable et l'or protège de l'oxydation la surface du nickel. Les contacts aux couches Ti/Ni/Au 551 et 552sur les chemins d'aluminium 541 et 542 peuvent être réali- sés de toutes manières appropriées, comme par soudage de fils, reflux de soudure ou époxy conducteur. Les couches Ti/Ni/Au 55 ont de préfé- rence une épaisseur d'environ 0,6 pm. En référence aux figures 5(B) et 6, on forme un initiateur 60 en dé- posant une couche 59 de titane/nickel/or (Ti/Ni/Au) au verso du subs- trat 52 par dessus la couche de dioxyde de silicium 53, puis en reliant la couche Ti/Ni/Au 59 à un socle 62, qui est de préférence formé à partir d'une céramique ou d'un alliage métallique, comme en Kovar M. La cou- che Ti/Ni/Au 59 est reliée au socle 62 par une pâte à souder ou époxy conducteur qui est ensuite chauffé pour permettre à la soudure de s'é- couler ou à l'époxy de durcir. On applique un époxy conducteur 64 entre les-broches 66 du socle 62 et on place les couches Ti/Ni/Au 55 et le cou- vercle 68 sur le socle 62 pour former une enceinte remplie d'un mélange générateur de gaz ou mélange pyrotechnique 69. En fonctionnement, un signal de déclenchement appliqué à l'initia- teur 60 transite par les broches 66, au travers de l'époxy conducteur 64 et jusqu'aux couches Ti/Ni/Au 55. Le signal de déclenchement produit un courant qui s'écoule le long de l'un des deux chemins 541 ou 542 au travers de la surface en noeud papillon 543 puis au travers de l'autre des deux chemins 541 ou 542. La résistance de la couche d'aluminium 54 est essentiellement constituée de trois résistances en série, les che- mins 541 et 542 ayant chacun une résistance R1 et la surface en noeud papillon 543 ayant une résistance Rb. En général, on peut calculer la résistance R de la couche d'alumi- nium 54 à partir de l'équation suivante: R = p (L/hw) (Éq. 1) p étant la résistivité globale du matériau, L étant la longueur de la tra- ce du métal, h étant la hauteur ou l'épaisseur et w étant la largeur. Avec l'initiateur 60, l'impédance électrique offerte à un signal ap- pliqué aux broches 66 est purement résistive par nature et est approxi- mativement égale à la somme de 2R1 et Rb. La couche d'aluminium 54 définit un réseau diviseur résistif avec les résistances R1 et Rb et le si- gnal qui est réellement appliqué à la surface en noeud papillon 543 est atténué d'une quantité égale au rapport Rb/2R1. L'atténuation A du signal appliqué peut être simplifiée en: A = (Lb/wb) / (2Lp/wp) (Éq. 2) Lb et wb étant la longueur et la largeur de la surface en noeud pa- pillon 543 et Lb et wp étant la longueur et la largeur de l'un ou l'autre des chemins 541 ou 542. Comme il ressort de l'équation 2, l'atténuation A d'un signal est une valeur constante pour les faibles niveaux d'un signal d'entrée et elle n'est déterminée que par les rapports relatifs de longueur à largeur des résistances R1 et Rb. La couche d'aluminium 54 est de préférence choisie pour donner une atténuation A d'environ 1/20, c'est-à-dire envi- ron -26 dB. L'homme de l'art comprendra cependant que la valeur de l'atténuation A n'est pas limitée à cette valeur précise mais que d'au- tres valeurs de l'atténuation A peuvent être obtenues en faisant sim- plement varier les paramètres géométriques de la couche d'aluminium 54. En raison de l'atténuation A obtenue par le réseau résistif des ré- sistances R1 et de la résistance Rb, la majeure partie de l'énergie élec- trique appliquée à l'initiateur 60 est convertie en chaleur par chauffage ohmique des deux résistances R1. Les résistances R1 possèdent un rap- port surface à volume élevé de manière à procurer une grande étendue de surface pour la conduction de la chaleur depuis les résistances R1, au travers de la couche supérieure de dioxyde de silicium 53, puis dans le substrat thermiquement conducteur en silicium 52 et jusqu'au socle 62. L'initiateur 60 peut en outre comporter un drain thermique pour éliminer encore plus la chaleur par dissipation de la surface en noeud papillon 543 et donc depuis la couche en zirconium 58. Le DEE 50 est donc insensible à un couplage d'énergie RF. En rai- son du réseau résistif défini par les résistances R1 et Rb, l'énergie RF de couplage est atténuée de sorte que le noeud papillon 543 ne reçoit qu'une fraction de l'énergie. En outre, comme la chaleur provenant des résistances R1 ainsi que de la résistance R3 est conduite en éloigne- ment de la surface en noeud papillon 543, la surface en noeud papillon 543 et la couche de zirconium 58 restent relativement froides. En con- séquence, l'énergie RF de couplage peut être dissipée en chaleur sans déclencher accidentellement le DEE 50. Le DEE 50 est également insensible à une décharge électrostatique (DES) car le temps de la décharge est trop court pour chauffer le noeud papillon 543 dans une mesure appréciable. Un signal impulsionnel d'une DES verra la très grande majorité de l'énergie couplée aux gran- des résistances R1, la chaleur produite par la résistance R1 étant dissi- pée de façon sûre au travers du socle 62. Pour déclencher le DEE 50, on fait passer un courant de durée suf- fisante par les résistances R1 et Rb pour augmenter la température de la résistance Rb. Les résistances R1 et Rb ont un coefficient de tempé- rature positif de sorte que les résistances augmenteront avec la tempé- rature de la couche d'aluminium 54. Comme la surface en noeud papil- lon 543 est bien plus petite que les résistances en serpentin R1, le si- gnal de déclenchement fera en sorte que la surface en noeud papillon 543 va s'échauffer bien plus rapidement que les autres surfaces 541 et 542. Au fur et à mesure de l'augmentation de la température de la sur- face en noeud papillon 543, la valeur de la résistance Rb va s'accroître de deux ordres de grandeur et va finalement devenir plus élevée que les résistances R1. De ce fait, la surface en noeud papillon 543 va rece- voir la plus grande partie de l'énergie électrique provenant du signal de déclenchement et va rapidement se chauffer et s'évaporer en même temps que la couche de zirconium 58 en un plasma. Le plasma se condense sur une petite surface du composé pyrotech- nique voisin 69, provoquant son échauffement. Une fois qu'un volume critique du matériau pyrotechnique 69 atteint le point d'inflammation, la totalité du composé pyrotechnique s'enflamme. La couche de zirco- nium 58 facilite l'inflammation du composé pyrotechnique 69 en aug- mentant la masse de matériau dans la surface en noeud papillon 543 qui va passer du solide au plasma. Avec une masse plus importante, on dispose d'une plus grande quantité de matériau pour condensation sur la poudre pyrotechnique 69 et d'une plus grande quantité d'énergie thermique qui peut être transférée. Comme décrit ci-dessus, lorsque la température de la surface en noeud papillon 543 augmente, la valeur de la résistance Rb va augmen- ter. Une fois que l'on arrive à la fusion de la surface en noeud papillon 543, la valeur de la résistance Rb, dont la géométrie a été choisie en fonction de la résistance d'un système d'initiation, correspond à la ré- sistance parasite du système d'initiation délivrant le signal de déclen- chement. Ainsi, en adaptant la résistance accrue de la couche d'alumi- nium 54 au système d'initiation, on peut transférer la quantité maxi- male d'énergie à la surface en noeud papillon 543. Le composé pyrotechnique 69 est une combinaison de zirconium en poudre et de perchlorate de potassium. Avec certains DEE antérieurs, on chauffait une couche de matériau conducteur ou semiconducteur jusqu'à l'état de plasma et le plasma se condensait sur le composé pyro- technique afin d'enflammer le DEE. Avec l'invention, au contraire, la couche de zirconium 58 est trans- formée en un état plasma en même temps que la surface en noeud pa- pillon 543. Le zirconium vapeur facilite l'inflammation en réagissant directement avec le perchlorate de potassium. Le DEE selon l'invention constitue pour cette raison un système d'inflammation plus efficace car on vaporise avec le métal un élément du mélange pyrotechnique 69. En utilisant du zirconium qui brûle à l'inflammation, un DEE de l'inven- tion élimine le recours à un explosif primaire tel que l'azide de plomb. Pour cette raison, le DEE de l'invention peut être entouré par un tamis en acier de moindre rigidité et de moindre coût. On a soumis un DEE selon l'invention à un signal RF sinusoïdal à 12 MHz qui transférait approximativement 1,5 W d'énergie efficace à la structure DEE. Le DEE ne possédait pas de drain thermique supplé- mentaire et l'on n'avait pas cherché à augmenter le flux d'air au dessus de la structure DEE. Après avoir soumis le DEE à ce signal pendant approximativement 15 minutes, la chaleur avait été effectivement dis- sipée de la structure DEE, de telle sorte que la structure DEE pouvait être aisément tenue à la main. En outre, une inspection visuelle de la résistance en serpentin et du noeud papillon n'a révélé aucun endom- magement. La structure DEE a été soumise à des fréquences addition- nelles avec des résultats semblables. Le DEE selon l'invention est pour cette raison insensible à l'énergie RF efficace. On a également subi à une DES un DEE selon l'invention. La DES consistait en impulsions de courant d'approximativement 30 A pendant diverses durées allant jusqu'à 1 ls. L'inspection visuelle de la structure DEE après les impulsions DES n'a révélé aucun endommagement. En raison de la géométrie des résistances en serpentin et du noeud papil- lon, il y a principalement couplage de la DES avec les résistances en serpentin, la distance du noeud papillon, la majeure partie de l'énergie étant dissipée par les résistances en serpentin. Les DEE ont été égale- ment soumis à des impulsions répétées, sans qu'aucun résultat négatif ne survienne. Pour être sûr que les DEE selon l'invention se déclenchent avec un signal de déclenchement approprié, on a connecté les DEE à un con- densateur électrolytique de 480 p.F qui avait été chargé à 8 V. Le con- densateur était commuté en série avec la structure DEE par un tran- sistor métal-oxyde-semiconducteur (MOSFET). On a déclenché divers DEE avec cette installation d'essai après test RF et après test DES pour vérifier le bon fonctionnement des DEE. Comme prévu, tous les DEE ont été enflammés avec une plage d'énergie totale allant de 1,0 mJ à 3,0 mJ absorbés du condensateur électrolytique. Avec l'invention, seule une petite portion des 15 mJ disponibles d'énergie est nécessaire pour déclencher le DEE. Un DEE selon l'inven- tion peut ainsi être déclenché avec de faibles énergies. Les possibilités de déclenchement à faible énergie de l'invention sont particulièrement avantageuses dans le cas d'un circuit de déclenchement initiateur avec une résistance parasite élevée, comme dans les systèmes d'airbags pour automobile.]l est également bien plus aisé de déclencher plusieurs DEE à partir d'une seule source à basse énergie lorsque l'on a un com- posant à faible énergie de déclenchement. Ainsi, avec une unique sour- ce à basse énergie on pourra activer les nombreux airbags qui seront vraisemblablement installés dans les automobiles futures. Un DEE selon l'invention est une structure intégrée relativement simple qui peut être produite avec des géométries extrêmement rédui- tes. Le DEE procure une atténuation constante des signaux RF parasi- tes et perturbateurs sur la totalité du spectre de fréquence, et peut éga- lement dissiper de façon sûre et répétitive l'énergie d'un événement DES typique aussi bien en mode broche-à-broche que broche-à-boîtier. L'invention n'est pas limitée au composés pyrotechniques de zirco- nium et de perchlorate de potassium mais peut aussi bien employer d'autres composés pyrotechniques. Par exemple, les composés pyro- techniques peuvent comprendre toute combinaison appropriée d'un métal en poudre avec un oxydant approprié tel que TiH1,68KClO4 ou d'autres mélanges tels que le bore et le nitrate de potassium BKNO3. Si l'on utilise du nitrate de potassium BKNO3 comme composé pyro- technique, on peut appliquer un revêtement de bore sur la surface en noeud papillon 543 pour renforcer le processus d'inflammation. Comnme cela apparaîtra à l'homme de l'art, en adaptant la phase vapeur chaude du plasma au composé pyrotechnique, on peut utiliser des matériaux variés pour revêtir la surface en noeud papillon 543 afin de renforcer le processus d'inflammation. Le matériau revêtant la surface en noeud papillon 543 n'a pas be- soin d'être en contact électrique avec la surface en noeud papillon 543 mais peut, à l'opposé, être électriquement isolée de la surface en noeud papillon 543. Le matériau est en premier lieu chauffé par le transfert thermique conducteur depuis la surface en noeud papillon 543 et ne provient pas d'un chauffage par effet Joule, qui a lieu lorsqu'un courant traverse le matériau. Ainsi, on peut placer un ou plusieurs matériaux électriquement isolants mais thermiquement conducteurs entre la sur- face en noeud papillon 543 et le matériau de revêtement. L'invention, également, n'est pas limitée à des résistances en ser- pentin et/ou à une surface en noeud papillon formée en aluminium mais peut, au contraire, être réalisée à partir de matériaux conduc- teurs variés tels que des traces conductrices imprimées ou de l'époxy conducteur. En outre, les dimensions des résistances en serpentin et de la surface en noeud papillon peuvent être modifiées pour obtenir diffé- rents degrés d'atténuation. Egalement, un DEE selon l'invention peut comporter une surface en noeud papillon sans aucun type de matériau de revêtement, seule la surface en noeud papillon s'évaporant en un plasma. Dans une deuxième mise en oeuvre de l'invention, illustrée sur les figures 7(A) et 7(B), un DEE 70 comporte une tranche de silicium ou d'un substrat thermiquement conducteur mais électriquement isolant 72, tel que de l'alumine, qui possède des couches 74 de dioxyde de sili- cium que l'on a fait croître sur les surfaces recto et verso. Les couches de dioxyde de silicium 74 isolent électriquement le substrat 72 tout en procurant un faible chemin thermique de résistance sur l'étendue des surfaces recto et verso du substrat 72. De préférence, le substrat a une résistivité nominale faible et a une largeur et une longueur d'environ 50 mils (1,27 mm) et les couches de dioxyde de silicium 74 ont une épaisseur d'approximativement 500 nm. Une couche 76 de titane est déposée en phase vapeur sur la surface recto, suivie d'une couche 78 de zirconium. La couche de titane 76 a de préférence une épaisseur d'environ 0,1 gm et la couche de zirconium 78 a une épaisseur d'environ 1 pin. La couche zirconium/titane 78 est en- suite éliminée sélectivement par gravure pour former un motif en noeud papillon ayant une partie de jonction centrale avec des dimen- sions d'environ 1,5 mil sur 1,5 mil (0,038 mmn sur 0,038 mm). On dépose une couche 77 de titane/nickel/or (Ti/Ni/Au) sur la cou- che verso 74 de dioxyde de silicium et des couches Ti/Ni/Au 791 et 792 sont également déposées sur les extrémités de la couche de zirconium conformée en noeud papillon 78 pour former des plages de contact. Comme avec la mise en oeuvre des figures 5(A) et 5(B), le DEE 70 peut être relié au socle 62 avec un époxy conducteur reliant les broches du socle 66 aux plages de contact Ti/Ni/Au 791 et 792, ou avec d'autres techniques d'interconnexion, comprenant le soudage de fils, etc. La résistance du DEE 70 est formée de trois résistances en série, Rlad étant la résistance au travers des couches Ti/Ni/Au 79 jusqu'à l'une ou l'autre extrémité de la couche de zirconium en forme de noeud papillon 78, et Rbow étant la résistance de la couche de zirconium en noeud papillon 78. Dans la mise en oeuvre préférentielle, Rland est d'approximativement 10 à 20 ohms tandis que Rbow est seulement d'en- viron 0,3 ohm. La résistance de la couche de zirconium en noeud papil- lon 78 est déterminée conformément à l'équation 1. L'impédance électrique offerte à un signal appliqué entre les con- tacts Ti/Ni/Au 79 est purement résistive par nature et vaut la somme de 2Rland et Rbow Les signaux atteignant la couche de zirconium 78 sont atténués d'un degré A égal à Rbow/2Rland, qui peut être simplifié en: A = (Lbow/Wbow) / 2R1ad (Éq. 3) qui est une valeur constante pour des bas niveaux de signal d'entrée et qui n'est déterminée que par la longueur Lbow et la largeur Wbow de la couche de zirconium en noeud papillon 78 et les résistances Rland. Bien que l'atténuation A soit de préférence d'environ 1/20, ou -26 dB, toute valeur pratique d'atténuation A peut être obtenue en faisant simple- ment varier la géométrie de la couche de zirconium 78. Pour de faibles niveaux de signaux d'entrée, les résistances Rland, qui sont d'environ 10 à 20 ohms, ont un rapport surface à volume bien supérieur à la résistance Rbow. De la sorte, pour ces niveaux, les résis- tances Rland reçoivent la majeure partie de l'énergie des signaux d'en- trée et convertissent en chaleur l'énergie. Les contacts Ti/Ni/Au 79 pré- sentent une large étendue de surface pour la conduction de chaleur au travers de la couche supérieure de dioxyde de silicium 74, au travers du substrat thermiquement conducteur 72 et jusqu'au socle 62. Il en résul- te que, pour de faibles niveaux du signal d'entrée, la couche de zirco- nium en noeud papillon 78 ne dissipe qu'une fraction de la chaleur et reste relativement froide. Le DEE 70 peut donc rester insensible à tout couplage d'énergie RF ou DES avec le DEE 70. Le DEE 70 est amorcé en appliquant un signal de déclenchement présentant une intensité relativement élevée. Les résistances RIand comprennent des résistances métal-oxyde variables qui sont formées entre la couche de titane dans les contacts 79 et une couche en phase oxyde formée sur la couche de zirconium 78. Les résistances variables métal-oxyde Rland ont une résistance relativement élevée pour les fai- bles tensions, de l'ordre de 25 ohms avec un signal appliqué de 1 V. Pour des signaux de plus grande intensité, les résistances métal-oxyde Rland diminuent notablement et deviennent faibles par rapport à la ré- sistance Rbow. Il en résulte que, pour un signal de déclenchement de forte intensité, la résistance Rbow deviendra la résistance la plus im- portante et va en conséquence recevoir la majeure partie de l'énergie provenant du signal de déclenchement jusqu'à ce que la couche de zir- conium 78 s'évapore en un plasma. Le DEE 70 peut utiliser les mêmes types de composés pyrotechniques que le DEE 50. Le DEE 70 peut également comprendre un élément de dérivation monté en parallèle entre les contacts Ti/Ni/Au 79. L'élément de dériva- tion présente une faible impédance aux fréquences RF et peut com- prendre un condensateur céramique, une configuration en diode ou un fusible à base impédance. En outre, l'élément de dérivation peut être un composant discret, une combinaison de composants discrets, ou bien être intégré directement sur le substrat 72. On a constaté qu'un DEE selon la deuxième mise en oeuvre présentait une impédance RF d'environ 12 ohms. On a placé un con- densateur céramique de 0,1 RF aux bornes du DEE comme élément de dérivation et on a mesuré une impédance de 12 Z 0 ohms à 10 kHz et 0,3 Z -65 ohms à 10 MHz. Comme prévu, l'impédance était principale- ment capacitive aux fréquences élevées. L'inductance des conducteurs résonnait à 4 MHz et se révélait inductive aux fréquences plus élevées. Pour effectuer l'essai DES, on a soumis le DEE de la deuxième mi- se en oeuvre à des impulsions de courant d'approximativement 24 A pendant diverses durées, allant jusqu'à une fraction d'une microsecon- de. Une inspection du DEE après les impulsions de courant a révélé que le DEE n'était pas affecté. Les DEE ont été soumis à des impul- sions répétées sans conséquence néfaste. Pour être sûr que les DEE selon la deuxième mise en oeuvre se dé- clencheraient bien après les essais DES et RF, on a relié les DES à un condensateur électrolytique de 40 pF, qui a été chargé à 22 V, et on les a commutés en série avec le condensateur par un transistor MOSFET. On a déclenché un certain nombre de DEE avec ce montage, avec ab- sorption de 1 mJ à 3 mJ d'énergie totale. Les courants de crête mesurés dans le DEE allaient jusqu'à 16 A pendant une durée d'environ 1 à 2 gs. Les DEE 70 peuvent ainsi être enflammés à partir d'une faible fraction seulement des 10 mJ d'énergie disponible. Les DEE pour- raient être également enflammés avec un condensateur de 480 RF chargé à seulement 10 V. Avec la deuxième mise en oeuvre de l'invention, les résistances non linéaires Rland sont montées en série avec l'élément inflammateur com- prenant la couche de zirconium en forme de noeud papillon 78. Grâce à l'invention, on peut ainsi protéger l'élément igniteur des signaux RF parasites sans utiliser de grand manchon de ferrite ni de condensateur. En outre, on peut protéger l'élément igniteur d'une DES sans utiliser d'autres éléments tels que des diodes. Les figures 8(A) et 8(B) illustrent un exemple d'un élément de déri- vation 80 qui peut être placé en parallèle sur un DEE selon l'invention, tel que le DEE 50 ou le DEE 70. Dans cet exemple, l'élément de dériva- tion 80 comprend un fusible à faible impédance avec un substrat 82 de silicium ou d'aluminium poli. Une mince couche 84 de titane est dépo- sée sur le substrat 82, puis une couche plus épaisse 86 d'aluminium qui est éliminée sélectivement par gravure pour former un motif en noeud papillon. De préférence, la couche de titane 84 a une épaisseur d'environ 0,1 prn et la couche d'aluminium a une épaisseur d'environ 1,0 pm et a des dimensions d'environ 1 mil x 1 mil (0,0254 mm x 0,0254 mm) à l'endroit de la jonction du motif en noeud papillon. En outre, le substrat a une largeur d'environ 60 mils (1,52 mn). Deux couches de titane/ni- ckel/or (Ti/Ni/Au) 881 et 882 sont déposées sur chacune des extrémités de la couche d'aluminium en forme de noeud papillon 86 afin de former des contacts pour l'élément de dérivation 80. Les contacts 881 et 882 sont montés en parallèles sur les contacts du DEE, tels que les contacts 551 et 552 ou les contacts 791 et 792. La résistance de l'élément de dérivation 80 est d'approximativement 0,2 ohm et forme ainsi un trajet résistif à faible impédance pour dériver le courant hors du DEE, protégeant ainsi l'inflanmmateur. L'élément de dérivation 80 procure également, de préférence, un chemin à faible im- pédance thermique depuis la couche d'aluminium 86 jusqu'au substrat 82 ainsi que jusqu'à un drain thermique qui peut être en contact ther- mique avec le substrat 82. Avec des faibles niveaux de couplage d'énergie RF et avec une DES, l'énergie est acheminée au travers de l'élément dérivateur 80 en raison de sa faible impédance. En revanche, lorsque l'on reçoit un si- * gnal de déclenchement, le signal de déclenchement a une durée et un niveau d'énergie qui sont suffisants pour mettre en circuit ouvert l'élé- ment dérivateur 80. Une fois que cet élément dérivateur 80 a été sup- prinmé du circuit, le signal de déclenchement est appliqué au DEE pour enflammer le DEE. Comme le comprendra l'homme de l'art, la quantité d'énergie nécessaire pour mettre en circuit ouvert l'élément dérivateur peut être ajustée en faisant varier la géométrie de la couche d'alu- minium 86. Un élément dérivateur selon l'invention n'est pas limité à l'élément dérivateur 80. Par exemple, on peut intégrer un élément dérivateur sur le même substrat que le DEE, ou bien on peut le fabriquer sous forme d'un composant discret. En outre, on peut utiliser, en variante ou en complément, une diode comme élément dérivateur. Une diode peut être intégrée directement sur le substrat de silicium du DEE. Par exemple, une jonction p-n ou une barrière de Schottky possèdent tous les deux une capacité surfacique de jonction suffisamment élevée pour dériver efficacement un signal RF parasite. En outre, on peut utiliser un élé- ment dérivateur selon l'invention dans des applications autres qu'avec un DEE selon l'invention, par exemple avec d'autres DEE ou dans des types de circuits entièrement différents. REVENDICATIONS 1. Un dispositif électro-explosif (50; 70) réalisé sur un substrat (52; 72), caractérisé en ce qu'il comprend: un premier élément (541) réalisé sur ce substrat et présentant une première résistance; un deuxième élément (542) réalisé sur le substrat et présentant la- dite première résistance; un troisième élément (543) interconnectant le premier et le deuxiè- me élément et présentant une deuxième résistance, ce troisième élé- ment étant destiné à s'évaporer en un plasma pour enflammer un com- posé pyrotechnique (69); le premier, le deuxième et le troisième élément étant montés en série et ayant une résistance d'ensemble qui présente des caractéristi- ques non linéaires; les caractéristiques non linéaires de la résistance d'ensemble étant telles que le troisième élément reçoive moins d'énergie d'un signal à faible intensité que l'un ou l'autre du premier ou du deuxième élément, mais reçoive plus d'énergie d'un signal à haute intensité que l'un ou l'autre du premier ou du deuxième élément. 2. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, comprenant en outre un constituant (58) du composé pyrotechnique sur le troisième élément pour évaporation d'un plasma avec ce troisième élément. 3. Le dispositif électro-explosif selon la revendication 2, dans lequel ledit constituant comprend du zirconium et le composé pyrotechnique comprend un mélange de zirconium et de perchlorate de potassium. 4. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le premier et le deuxième élément présentent chacun un rapport de l'é- tendue de surface au volume supérieur à celui du troisième élément. 5. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le premier et le deuxième élément (541, 542) sont chacun formés sur le substrat avec un motif en serpentin. 6. Le dispositif électro-explosif selon la revendication 1, dans lequel le premier, le deuxième et le troisième élément comprennent une cou- che d'aluminium (54). 7. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le premier et le deuxième élément comprennent des résistances métal à phase oxyde et le troisième élément comprend du zirconium. 8. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le premier, le deuxième et troisième élément sont formés sur le substrat en un motif en noeud papillon. 9. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le substrat est thermiquement conducteur pour éloigner la chaleur du troisième élément. 10. Le dispositif électro-explosif de la revendication 9, comprenant en outre une couche de dioxyde de silicium (53; 74) formée entre le substrat et le premier, le deuxième et le troisième élément. 11. Le dispositif électro-explosif de la revendication 9, comprenant en outre un drain thermique relié au substrat pour dissiper la chaleur conduite au travers du substrat. 12. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, comprenant en outre un premier contact (551; 791) formé sur le premier élément et un deuxième contact (552; 792) formé sur le deuxième élément, ce pre- mier et ce deuxième contacts étant destinés à recevoir le signal à haute intensité et comprenant des couches de titane, de nickel et d'or. 13. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le troisième élément présente un coefficient de température positif tel que la deuxième résistance augmente avec la température. 14. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le premier et le deuxième élément comprennent des résistances métal à phase oxyde et la première résistance diminue avec l'intensité du si- gnal. 15. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, comprenant en outre un élément dérivateur (80) à faible impédance monté en pa- rallèle entre le premier et le deuxième élément. 16. Le dispositif électro-explosif de la revendication 15, dans lequel l'élément dérivateur comprend une couche (86) de matériau électrique- ment conducteur est réalisé en forme de noeud papillon avec une partie d'interconnexion centrale de la couche conductrice pour évaporation en un plasma avec le signal à haute intensité. 17. Le dispositif électro-explosif de la revendication 15, dans lequel la couche électriquement conductrice est réalisée sur le substrat. 18. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le signal à faible intensité inclut une décharge électrostatique qui est atténuée par le premier et le deuxième élément, empêchant ainsi cette décharge électrostatique de provoquer l'évaporation en un plasma du troisième élément. 19. Le dispositif électro-explosif de la revendication 1, dans lequel le signal à faible intensité inclut un couplage d'énergie RF qui est atté- nué par le premier et le deuxième élément, empêchant ainsi cette éner- gie RF de provoquer l'évaporation en un plasma du troisième élément. 20. Un élément dérivateur (80) pour utilisation avec un dispositif électro-explosif, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (82); une couche conductrice (86) formée sur le substrat avec une forme en noeud papillon comportant une partie centrale étroite; un premier contact (88l) formé sur l'extrémité de la couche conduc- trice en forme de noeud papillon; un deuxième contact (882) formé sur une extrémité opposée de la couche conductrice en forme de noeud papillon; la couche conductrice présentant un trajet à faible impédance entre le premier et le deuxième contact et la partie centrale de la couche con- ductrice étant destinée à être évaporée en un plasma pour une intensi- té de signal supérieure à un certain niveau de seuil. 21. L'élément dérivateur de la revendication 20, dans lequel la cou- che conductrice comporte une couche d'aluminium. 22. L'élément dérivateur de la revendication 20, dans lequel le substrat est thermiquement conducteur pour éloigner la chaleur de la couche conductrice. 23. Un dispositif électro-explosif (50; 70) réalisé sur un substrat (52; 72), caractérisé en ce qu'il comprend: un premier et un deuxième élément (541, 542) réalisés sur le subs- trat, chacun des premier et deuxième éléments présentant une premiè- re résistance; un troisième élément (543) réalisé sur le substrat, interconnectant le premier et le deuxième élément et présentant une deuxième résis- tance, ce troisième élément étant destiné à être évaporé en un plasma pour enflammer un composé pyrotechnique (69) et la deuxième résis- tance étant très inférieure à la première résistance lorsque le dispositif est à température ambiante; un signal de déclenchement du dispositif électro-explosif provo- quant une augmentation de température du troisième élément de ma- nière à rendre la deuxième résistance très supérieure à la première ré- sistance afin que la majeure partie du signal soit dissipée en chaleur par le troisième élément. 24. Le dispositif électro-explosif de la revendication 23, dans lequel le premier, le deuxième et le troisième élément (541, 542, 543) com- prennent une couche d'aluminium (54) et le premier et le deuxième élément (541, 542) ont une forme de serpentin. 25. Le dispositif électro-explosif de la revendication 23, dans lequel le premier et le deuxième élément ont une étendue de surface très supérieure à celle du troisième élément et le substrat est thermiquement conducteur. 26. Le dispositif électro-explosif de la revendication 25, dans lequel les signaux RF parasites appliqués au dispositif sont convertis en chaleur par le premier et le deuxième élément. 27. Le dispositif électro-explosif de la revendication 25, dans lequel une décharge électrostatique appliquée au dispositif est convertie en chaleur par le premier et le deuxième élément. 28. Le dispositif électro-explosif de la revendication 23, comprenant en outre sur le troisième élément un constituant (58) du composé pyro- technique pour évaporation en un plasma avec ce troisième élément. 29. Le dispositif électro-explosif de la revendication 28, dans lequel ledit constituant comprend du zirconium et le composé pyrotechnique comprend un mélange de zirconium et de perchlorate de potassium. 30. Un dispositif électro-explosif réalisé sur un substrat, caractéri- sé en ce qu'il comprend: une première couche formée sur le substrat et conformée de maniè- re à présenter une partie centrale étroite joignant l'une et l'autre extré- mité de cette couche; une couche en phase oxyde formée sur cette première couche; et un premier et un deuxième contact électrique formés sur l'une et l'autre extrémité de la première couche au dessus de la couche en pha- se oxyde pour former ainsi des résistances métal-oxyde entre les con- tacts et la première couche, ces résistances métal-oxyde ayant une ca- ractéristique non linéaire telle que les résistances métal-oxyde dimi- *w 2738060 nuent avec l'intensité d'un signal appliqué; les résistances métal-oxyde étant très supérieures à la première ré- sistance pour un signal à faible intensité mais étant très inférieures à la première résistance pour une intensité supérieure de signal de dé- clenchement, ce signal de déclenchement étant destiné à échauffer la première couche pour faire s'évaporer la portion centrale en un plasma et enflammer un composé pyrotechnique. 31. Le dispositif électro-explosif de la revendication 30, dans lequel la première couche comprend un constituant du composé pyrotechni- que. 32. Le dispositif électro-explosif de la revendication 31, dans lequel le constituant comprend du zirconium et le mélange pyrotechnique comprend un mélange de zirconium et de perchlorate de potassium. 33. Le dispositif électro-explosif de la revendication 30, dans lequel les contacts comprennent du titane. 34. Le dispositif électro-explosif de la revendication 30, dans lequel les signaux RF parasites appliqués au dispositif sont convertis en cha- leur par les résistances métal-oxyde. 35. Le dispositif électro-explosif de la revendication 30, dans lequel une décharge électrostatique appliquée au dispositif est convertie en chaleur par les résistances métal-oxyde. 36. Le dispositif électro-explosif de la revendication 30, dans lequel le substrat est thermiquement conducteur et les résistances métal-oxy- de ont une étendue de surface très supérieure à la partie centrale de la première couche.