Brevet FR2744462A1 — publié le 19970808

PROCEDE ET DISPOSITIF POUR REALISER UN DEPOT PAR PULVERISATION CATHODIQUE A PARTIR D'UNE CIBLE PORTEE A HAUTE TEMPERATURE DESCRIPTION Domaine technique et art antérieur L'invention concerne la technique de dépôt par pulvérisation cathodique magnétron, à partir d'une cible. Elle trouve une application particulièrement intéressante dans le cas d'une cible comportant un composé de zirconium. En effet, la zircone, de par ses propriétés de conducteur ionique et d'isolant thermique est un matériau à très large champ d'applications industrielles, surtout lorsqu'elle est stabilisée: - dans sa phase quadratique:la zircone partiellement stabilisée présente une bonne résistance aux chocs thermiques et trouve des applications en tant que dépôt pour chambre de combustion, - ou dans sa phase cubique:elle est alors complètement stabilisée, et elle trouve des applications à plus haute température, avec moins de sollicitations en cyclage thermique. La possibilité de faire des revêtements de surface avec ce matériau élargit encore le domaine d'application, car elle permet de conférer les propriétés spécifiques énoncées ci-dessus à la surface de matériaux communs. Pour les applications de barrière thermique, des revêtements d'épaisseur comprise entre 100 et 500 pm sont convenables. La technologie la plus couramment utilisée pour réaliser de tels dépôts est la projection thermique d'une poudre, par torche à plasma. Ce type de B 12358.3/PM revêtement donne satisfaction en ce qui concerne la formation de la barrière thermique, et peut être appliqué sur des pièces de géométrie complexe. Par contre, du fait de leur porosité, les dépôts obtenus sont perméables à l'oxygène, ce qui entraîne une corrosion sous-jacente du substrat. Il peut en résulter le décollement du revêtement lors de cyclages ou de chocs thermiques. Pour ces raisons, d'autres technologies ont été développées, en particulier les dépôts en phase vapeur. D'une manière générale, ces technologies conduisent à des dépôts denses et adhérents, et donc de tenue aux chocs thermiques et à la corrosion supérieure aux matériaux obtenus par projection à chaud. Deux méthodes de dépôts sous vide ont été développées: la pulvérisation cathodique et l'évaporation par bombardement électronique. La pulvérisation cathodique magnétron met en oeuvre un plasma de décharge confiné magnétiquement près de la surface de la cible. Elle peut se faire en courant continu, avec une cible métallique sous pression partielle d'oxygène, ou en mode radiofréquence. Dans tous les cas, les vitesses de dépôt sont de l'ordre de quelques un par heure au mieux. Ces vitesses sont difficilement compatibles avec les épaisseurs (100 à 300 in) utilisées dans les fonctions de barrière thermique. Par ailleurs, la pulvérisation radiofréquence, est, à cause des difficultés d'accord d'impédance, très mal adaptée au traitement des pièces complexes. Enfin, si la voie réactive est plus souple, elle implique, notamment dans le cas de la zircone, l'utilisation de cibles métalliques convenablement dopées, ou d'installation de copulvérisations complexes, pour B 12358.3/PM obtenir la concentration en éléments stabilisants voulue. Dans tous les systèmes magnétrons, on s'efforce de refroidir la cible afin de protéger de la désaimantation les circuits magnétiques situés derrière la cathode, et de limiter la dégradation des cibles. L'évaporation par bombardement électronique est, quant à elle, convenable en ce qui concerne la vitesse de dépôt. Par contre, et comparativement aux techniques de pulvérisation, elle présente certaines limites. En particulier, l'adhérence des couches obtenues, ainsi que leurs propriétés mécaniques, sont généralement moindres, sauf si on utilise une assistance par plasma. En outre, il faut opérer généralement sous un vide plus poussé qu'en pulvérisation. Le dépôt ne peut se faire qu'en configuration verticale, le substrat étant situé au- dessus de la source. Par ailleurs, la directivité marquée de l'évaporation n'est pas adaptée aux pièces de géométrie complexe. Cette technique présente de plus des difficultés d'exploitation au défilé et le contrôle de la coévaporation est délicat. Enfin, il est impossible de faire des dépôts dans des alésages. Toutes ces caractéristiques sont très limitatives pour des applications industrielles très larges de l'évaporation par bombardement électronique. Exposé de l'invention L'invention vise à proposer un dispositif et un procédé pour réaliser des dépôts par pulvérisation cathodique magnétron, permettant d'obtenir des conditions de décharge magnétron stables en courant continu ou en courant pulsé, en particulier dans le cas d'une cible de zircone. L'invention doit de préférence permettre d'obtenir des dépôts denses et adhérents, B 12358.3/PM contrairement à ceux obtenus en projection thermique, ainsi que des vitesses de dépôt élevées, contrairement à la pulvérisation radiofréquence. Par ailleurs, elle doit être mieux adaptée que la pulvérisation radiofréquence et que l'évaporation pour faire des dépôts sur des pièces complexes (la pulvérisation RF pose des problèmes d'accord d'impédance, tandis que l'évaporation est fortement directive). Elle doit, de préférence permettre d'obtenir des revêtements constituant des barrières thermiques de haute performance, en ce qui concerne la résistance à la corrosion et la tenue aux chocs thermiques, en particulier dans le cas de dépôt de zircone. De manière plus précise, l'invention a pour objet un dispositif pour réaliser un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron, comportant des moyens pour chauffer une cible d'un matériau à déposer. Le fait de chauffer la cible et de la porter à haute température (par exemple: T>600 C, ou 700 C, ou 900 C) diminue l'énergie de liaison dans le matériau de la cible. Il en résulte une augmentation du taux de pulvérisation et, donc, de la vitesse de dépôt. Les dépôts obtenus sont denses et adhérents, contrairement à ceux obtenus en projection thermique. La position de la cible est indifférente, d'o une certaine souplesse dans la conception des installations, contrairement à la technique d'évaporation. De même, toujours par rapport à la technique d'évaporation, les dépôts obtenus sont homogènes dans toute la zone des substrats située en vue directe de la cathode, qui présente une grande surface d'émission. Il est en outre aisé de contrôler le flux de vapeur, lequel est généralement très stable. Par ailleurs, il est possible d'effectuer des dépôts dans des alésages, ainsi que de contrôler B 12358.3/PM étroitement les caractéristiques des couches déposées en jouant sur les paramètres de fonctionnement. Le dispositif peut mettre en oeuvre une configuration magnétron plane. La cathode du magnétron est alors une surface plane. La cible est de préférence soit une plaque mince, de quelques millimètres d'épaisseur, constituée du matériau à pulvériser, soit un dépôt de ce matériau réalisé par projection thermique sur la cathode. De même, le dispositif peut mettre en oeuvre une configuration magnétron cylindrique. Cette configuration peut être de type "post" (c'est-à-dire avec une cathode cylindrique destinée à être entourée par le substrat sur lequel le dépôt doit être effectué) ou de type "hollow" (c'est-à-dire avec une cathode cylindrique creuse, renfermant le ou les substrats à revêtir). Les moyens pour chauffer la cible peuvent être des moyens pour établir un plasma radiofréquence devant la cible. Les moyens de chauffage de la cible peuvent, selon une variante, comporter un élément chauffant résistif en contact avec la cible. Les moyens de chauffage peuvent également comporter, selon une autre variante, des moyens pour diriger un faisceau d'électrons sur la cible. Dans ce cas, peuvent également être prévus des moyens pour assurer un mouvement de balayage du faisceau d'électrons sur la surface de la cible: ceci permet d'obtenir un chauffage homogène de cette surface. En outre, une électrode secondaire peut alors être prévue, ainsi que des moyens pour diriger le faisceau d'électrons vers cette électrode: lorsqu'une température convenable de la cible est atteinte, le faisceau d'électrons est dirigé vers l'électrode B 12358.3/PM secondaire, que l'on polarise positivement. Au cours de la pulvérisation, si la puissance de décharge ne suffit pas à maintenir la température de la cible dans un domaine convenant à la stabilité du plasma, on redirige momentanément le faisceau d'électrons sur la cible. Le chauffage de la cible peut être également réalisé à l'aide de moyens pour émettre un rayonnement en direction de la cible. Selon une autre variante, les moyens de chauffage de la cible peuvent comporter des moyens pour induire une induction électromagnétique haute fréquence à la surface de la cible. Dans le cas d'une configuration magnétron cylindrique de type "post", ces moyens pour induire une induction électromagnétique peuvent comporter au moins une spire conductrice positionnée autour de la cathode cylindrique du dispositif. Des moyens peuvent alors être également prévus pour déplacer la spire le long de la cathode cylindrique, ce qui permet d'assurer un chauffage homogène de la cible. Dans tous les cas, des moyens de contrôle de la température de la cible peuvent être prévus. Ainsi, la mesure de la température de la cible peut être par exemple assurée par un pyromètre ou par un élément thermocouple convenablement isolé électriquement. L'invention concerne également un procédé pour réaliser un dépôt, sur un substrat, par pulvérisation cathodique magnétron, le matériau à pulvériser étant déposé sur une cible, et ce procédé comportant: - une étape préalable de chauffage de la cible, - une étape de pulvérisation du matériau. Ce procédé permet de résoudre les problèmes et présente les avantages expliqués ci-dessus en liaison avec le dispositif selon l'invention. B 12358.3/PM Dans le cadre de ce procédé, la cible peut être chauffée par plasma radiofréquence, elle peut être également solidaire d'un élément chauffant résistif. Elle peut être chauffée par un faisceau d'électrons, ce dernier pouvant, après chauffage, être dirigé sur une anode secondaire polarisée positivement, de manière à travers le flux de vapeur du magnétron. Selon une variante, le chauffage peut être réalisé par un rayonnement provenant d'une source lumineuse, ou par une induction magnétique haute fréquence. Enfin, le procédé peut mettre en oeuvre une étape de contrôle de la température de la cible. Brève description des figures De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels: - les figures 1A et lB illustrent un premier mode de réalisation de l'invention, avec un chauffage par plasma RF, - la figure 2 représente un autre mode de réalisation de l'invention, avec un chauffage par élément résistif, - les figures 3A et 3B représentent un troisième mode de réalisation, avec un chauffage par bombardement électronique, - la figure 4 représente un quatrième mode de réalisation de l'invention, avec un chauffage radiatif, - les figures 5A, 5B et 6 représentent des modes de réalisation de l'invention avec magnétron cylindrique, B 12358.3/PM - la figure 7 représente un mode de réalisation de l'invention, avec magnétron cylindrique et chauffage par induction, - les figures 8A à 11B représentent divers mode de fonctionnement d'un dispositif selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention Divers modes de réalisation de l'invention vont être expliqués de manière détaillée, ces différents dispositifs mettant en oeuvre différents types de configuration magnétron, plane, cylindrique interne ou externe, et différents moyens de chauffage. Ces dispositifs sont tous installés dans une enceinte, non représentée sur les figures, munie d'un groupe de pompage et des diverses servitudes rencontrées ordinairement dans les installations de dépôts sous vide. De manière classique, les divers dispositifs décrits comportent une cathode, des moyens magnétiques pour établir le champ nécessaire au niveau de la cible, un substrat sur lequel le dépôt est à réaliser. La cathode est mise sous tension à l'aide de moyens de mise sous tension appropriés. Les substrats seront représentés dans les positions ordinaires qu'ils occupent dans les installations classiques de pulvérisation cathodique magnétron, c'est-à-dire en général en vue directe de la cathode, en favorisant si possible les incidences normales de la vapeur. Sur les figures 1A à 4, des références numériques identiques y désignent les mêmes éléments. Selon un premier mode de réalisation (figures lA et lB), une configuration magnétron plan est mise en oeuvre. Le dispositif comporte une semelle conductrice ou cathode 6, plane, ainsi qu'un circuit magnétique 2 constitué d'aimants permanents à forte intensité. Ces B 12358.3/PM aimants sont convenablement refroidis à l'aide d'un circuit de refroidissement adapté, et ils sont isolés thermiquement de la cathode 6 par un isolant thermique 4, afin que leur température ne dépasse pas le point de Curie. Il est également possible de remplacer les aimants permanents par une bobine magnétique, située à distance de la cathode 6, auquel cas la couche d'isolant thermique 4 n'est plus forcément nécessaire. Sur la cathode 6 est déposée une cible 8. Celle-ci peut être une plaque mince (quelques mm d'épaisseur) du matériau à pulvériser, préparée par les technologies classiques de la céramique, et fixée sur la cathode 6. La cible peut également être constituée par un dépôt du matériau à pulvériser, ce dépôt étant réalisé par projection thermique sur la cathode 6. Un substrat 10 sur lequel le matériau de la cible 8 doit être déposé est situé en regard de l'ensemble constitué par la cathode et la cible. Des moyens, non représentés sur la figure, pour mesurer la température de la cible 8, peuvent être prévus, par exemple un pyromètre. Dans ce premier mode de réalisation, le chauffage de la cible 8 est assuré par l'établissement d'un plasma radiofréquence 14 devant la cible. Ce plasma est établi en polarisant la cathode 6 et la cible 8 avec une source de puissance radiofréquence 12. Lorsqu'une température convenable de la cible 8 est atteinte (pour la zircone: T>700 C ou 900 C), il est possible: - de superposer une source de tension 16 continue (ou moyenne fréquence, ou pulsée) pour établir le plasma 18 (figure lB) de décharge et effectuer le dépôt; - d'interrompre le chauffage radiofréquence, ou bien de le maintenir continûment, ou bien de l'interrompre périodiquement, ou bien de maintenir le chauffage B 12358.3/PM radiofréquence continûment et de déclencher le plasma 18 séquentiellement, - d'arrêter le chauffage radiofréquence et de déclencher le dépôt par plasma 18, à l'aide d'une source de tension continue, ou moyenne fréquence, ou pulsée, en connectant une source de tension adaptée. Un second mode de réalisation va être décrit en liaison avec la figure 2. Un élément supplémentaire est prévu: une plaque chauffante 5, ou élément chauffant résistif, est disposée entre la couche d'isolant thermique 4 et la cathode 6. Il s'agit toujours d'une configuration magnétron plan, avec un circuit magnétique identique à celui décrit ci-dessus pour le premier mode de réalisation. La cible 8 est portée à haute température en alimentant l'élément résistif 5. Ensuite, la décharge est établie à l'aide d'une source 16 de tension continue, ou moyenne fréquence, ou pulsée, ce qui conduit à la formation du plasma 18. Un troisième mode de réalisation va être décrit en liaison avec les figures 3A et 3B. La configuration est toujours de type magnétron plan, mais le chauffage est cette fois réalisé par bombardement électronique. A cette fin, une source à électrons 20 est prévue, par exemple un canon à électrons, une cathode creuse ou tout autre dispositif émetteur d'électrons. Son faisceau peut être défléchi par un bobinage magnétique ou par des moyens 22 de déflexion électrostatique, ou bien il peut être dirigé géométriquement sur la cible. Cette dernière joue alors le rôle d'anode. Pour chauffer la cible, un faisceau d'électrons est dirigé sur cette dernière et peut être animé d'un mouvement de balayage lorsque l'on veut obtenir un chauffage homogène: à cette fin, une tension variable peut être appliquée aux moyens 22 de déflexion. B 12358.3/PM Lorsque la température convenable de la cible 8 est atteinte, cette dernière est polarisée négativement pour établir la décharge, à l'aide des moyens de tension 16. Le faisceau d'électrons est alors dirigé sur une anode secondaire 24 que l'on polarise positivement avec des moyens 26. Le faisceau traverse alors le flux de vapeur en ionisant celle-ci, ce qui provoque une diminution de l'impédance du plasma et une baisse de la tension nécessaire à la décharge. Si, au cours de la décharge, la puissance de décharge ne suffit pas à maintenir la température de la cible dans un domaine convenant à la stabilité du plasma 18, le faisceau d'électrons peut être momentanément redirigé sur la cible. Il est également possible de simplement couper l'alimentation de la source 20 d'électrons. Un quatrième mode de réalisation, illustré sur la figure 4 met en oeuvre un chauffage de la cible par un rayonnement électromagnétique provenant d'une ou plusieurs sources 30, 32 de rayonnement, par exemple du type lampe à halogène, lampe à arc, image du foyer d'un four solaire, lampe à infrarouge, laser continu ou impulsionnel. La source est placée de façon à irradier la cible 8. Une autre configuration magnétron peut être mise en oeuvre: il s'agit de la configuration magnétron cylindrique. Celle-ci peut être de type "hollow" (figure 5A), c'est-à-dire avec une cathode cylindrique creuse 40 sur la surface intérieure de laquelle une cible 42 est fixée ou déposée. La cathode cylindrique renferme le, ou les, substrat(s) 44 sur lequel, ou lesquels, le matériau constitutif de la cible 42 doit être déposé. Le champ magnétique est établi à l'aide d'un solénoïde coaxial 46 qui entoure B 12358.3/PM les substrats et la cathode. La cible 42 peut être un tube mince du matériau à déposer, sertie sur la surface intérieure de la cathode 40, ou bien un dépôt de ce matériau obtenu par projection thermique sur la surface intérieure du cylindre conducteur 40. Comme dans le premier mode de réalisation, le chauffage de la cible 42 est assuré par un plasma radiofréquence devant la cible. Celui-ci est établi en polarisant la cathode avec une source de puissance radiofréquence 48. Lorsque la température convenable de la cible est atteinte, il est possible: - de superposer une source de tension 50 (continue, ou moyenne fréquence, ou pulsée) pour établir le plasma de décharge et effectuer le dépôt; il est également possible d'interrompre le chauffage radiofréquence ou de le maintenir continûment, ou de l'interrompre périodiquement, ou encore de maintenir le chauffage radiofréquence continûment et de déclencher le plasma à l'aide des moyens 50, séquentiellement, - d'arrêter le chauffage radiofréquence et de déclencher le dépôt par plasma, à l'aide de la source de tension 50 (source continue, ou moyenne fréquence, ou pulsée). La configuration magnétron cylindrique peut également être de type "post" (figure 5B), c'est-à-dire avec une cathode cylindrique 52 à la surface de laquelle la cible 54 est réalisée, et entourée par le ou les substrats 56, 58 sur lesquels le dépôt doit être réalisé. Là encore, le champ magnétique est délivré par un solénoïde coaxial 60 entourant le substrat et la cathode. La cible 54 est soit un tube mince, creux, du matériau à déposer, serti sur la cathode 52, soit un dépôt de ce matériau obtenu par projection thermique sur la même cathode. B 12358.3/PM Le mode de fonctionnement de cette seconde configuration magnétron cylindrique est le même que celui décrit ci-dessus pour la configuration magnétron cylindrique "hollow". Selon une variante, illustrée schématiquement sur la figure 6 pour la configuration "post", un élément résistif chauffant 66 est introduit à l'intérieur d'une cathode 62 sur laquelle est déposée la cible 64. Là encore, la cible 64 est soit un tube mince du matériau à déposer serti sur la cathode 62, ou bien un dépôt de ce matériau obtenu par projection thermique sur cette même cathode. Le chauffage de la cible est obtenu en alimentant l'élément chauffant 66 à l'aide de moyens 68 prévus à cet effet. Pour le reste, le fonctionnement du dispositif est identique à celui décrit ci-dessus en liaison avec la figure 2 (configuration plane). Il est également possible de réaliser une variante de ce mode de réalisation, dans le cas de la structure magnétron cylindrique de type "hollow", avec un élément chauffant qui entoure la cathode cylindrique creuse. Un chauffage par induction peut également être prévu. Ce mode de réalisation va être décrit en liaison avec la figure 7, dans le cas d'une configuration magnétron cylindrique "post". Sur la figure 7, les références numériques 52, 54, 56, 58, 60 désignent des éléments identiques à ceux décrits ci-dessus en liaison avec la figure 5B. Les moyens de chauffage par induction comportent au moins une spire 72 alimentée à l'aide de moyens d'alimentation 74 haute fréquence. La spire est positionnée autour de la cathode cylindrique 52 et de la cible 54. Des moyens peuvent être prévus pour la déplacer avec un mouvement de va et vient le long de l'ensemble cathode-cible. Une fois le chauffage réalisé, la décharge peut avoir lieu, la cathode étant B 12358.3/PM alimentée par une source d'alimentation 76, continue, ou moyenne fréquence, ou pulsée: le dépôt par pulvérisation est alors effectué sur les substrats 56, 58. Suivant la configuration employée, notamment suivant le type et l'efficacité du moyen de chauffage utilisé, plusieurs régimes de fonctionnement sont possibles, qui sont illustrés schématiquement sur les figures 8A à 11B. Dans le cas du fonctionnement continu, on maintient continûment la puissance de chauffage C (figure 8A) pendant la décharge D (figure 8B). Dans le cas du fonctionnement déclenché, le chauffage de la cible n'a lieu que lors du démarrage du procédé (figure 9A), la décharge, une fois établie, étant suffisante pour maintenir la cible à la température convenable: la décharge a lieu après chauffage (figure 9B). Dans le cas du fonctionnement alterné, le chauffage (figure 1OA) et la décharge (figure lOB) fonctionnent de manière alternée: la cible est périodiquement réchauffée après interruption périodique de la décharge. Dans le cas du mode de fonctionnement séquencé, il y a chauffage périodique de la cible (figure 11A) sans interruption de la décharge (11B). L'utilisation de ce dispositif est particulièrement intéressante dans le cas d'une cible de zircone: la zircone devient conductrice électronique au-dessus de 900 C (pour les dépôts, cette valeur est ramenée à 700 C). Portée à cette température, la cible de zircone permet de maintenir des conditions de décharge magnétron stables en courant B 12358.3/PM continu, ou en courant alternatif moyenne fréquence (40 à 350 kHertz) ou en courant pulsé. De manière plus précise, les matériaux déposés peuvent être par exemple les suivants: - zircone stabilisée avec divers stabilisants: * stabilisants classiques MgO, CaO, Y203 * stabilisants plus évolués: La203, Dy203, Er203 - mélange: ZrO2-HfO2 ou ZrO2-Ce203. Avec une cible de zircone, le dispositif et le procédé selon l'invention permettent d'obtenir des conditions de décharge magnétron stables, en courant continu, ou pulsé. Le dispositif et le procédé permettent d'obtenir des dépôts denses et adhérents. Le fait d'obtenir des dépôts denses, donc imperméables à l'oxygène, permet leur emploi dans des applications o la tenue à la corrosion et aux chocs thermique est recherchée, notamment en aéronautique. L'invention permet de plus d'obtenir des revêtements pour des barrières thermiques de haute performance en ce qui concerne la résistance à la corrosion et la tenue aux chocs thermiques. Par ailleurs, les dépôts réalisés ont de bonnes propriétés mécaniques, et leur état de surface est celui du substrat. Les dépôts obtenus ont donc une fonctionnalité anti-usure. Leurs bonnes propriétés mécaniques permettent aux dépôts obtenus d'être utilisé dans des applications anti-usure, par exemple pour des contacts mécaniques à haute température. L'invention permet d'utiliser des matières premières issues des filières industrielles ordinaires, telles que les poudres d'oxyde fritté ou projeté, ce B 12358.3/PM qui est un avantage considérable par rapport à la pulvérisation réactive. Il est possible d'utiliser, quelle que soit la configuration envisagée, plusieurs cibles de nature différente dans une installation de copulvérisation, ou bien des cibles composites, et d'ajuster ainsi la composition du dépôt. L'invention est mieux adaptée que la pulvérisation radiofréquence ou que la technique d'évaporation pour faire des dépôts sur des pièces complexes. Le dispositif magnétron plan est couramment utilisé pour faire des dépôts au défilé sur des pièces de dimensions finies ou infinies (par exemple des rouleaux de tôle). La vitesse de dépôt élevée obtenue grâce au dispositif monté sur une installation convenable permet de faire des revêtements d'oxyde au défilé. Deux exemples de dépôt réalisés vont maintenant être donnés. EXEMPLE 1 La configuration utilisée est celle d'un magnétron plan de taille 210mmx90mm. Le système de chauffage utilisé est une cathode creuse, dont l'axe est parallèle au grand axe de la cathode magnétron et incliné de 30 par rapport au plan de la cathode. L'orifice de la cathode creuse est situé à l'aplomb du bord de la cathode magnétron. La température de la cible est mesurée par un pyromètre. Un substrat de molybdène est placé parallèlement à la cathode magnétron à une distance de 70 mm. La cible est constituée d'une plaque de cuivre recouverte d'un dépôt de zircone partiellement stabilisée, effectué par projection plasma. L'épaisseur B 12358.3/PM du dépôt est de 300 Nom. La composition choisie est ZrO2-7% Y203. Lors de la première phase, la cathode creuse est démarrée et délivre un courant d'électrons de 5 A avec une énergie de 500 eV pour un débit d'argon de cm3/mn. La surface de la cible parvient, au bout de quelques minutes, à une température de 800 à 900 C. On démarre alors l'alimentation à courant continu de la cathode magnétron, en augmentant le débit de gazjusqu'à une pression de 0,5 Pa. La décharge continue s'établir de façon stable. Une puissance de décharge de 2000 W est établie sous une tension de 300 à 400 volts, plus basse que la tension ordinaire d'un magnétron: la baisse d'impédance du plasma est provoquée par l'injection des électrons de la cathode creuse. Après une demi-heure de fonctionnement, la décharge, toujours stable, est arrêtée, et la cathode creuse désactivée. On obtient alors, sur le substrat, une couche isolante de 10 pin d'épaisseur. Une analyse sommaire de la couche à la microsonde électronique montre la présence de zirconium, d'yttrium et d'oxygène dans des proportions compatibles avec la stoechiométrie de la zircone partiellement stabilisée. EXEMPLE 2 Une configuration magnétron "post" est mise en place. Elle comprend une enceinte sous vide cylindrique, de 200 mm de diamètre intérieur, entourée d'un ensemble de bobines magnétiques capable de délivrer un champ de 500 Gauss. La partie inférieure de l'enceinte est reliée au système de pompage, la partie supérieure étant fermée par une bride supportant la cathode du magnétron. Celle-ci est constituée d'un élément chauffant en Kanthal d'une longueur de 200 mm et d'un diamètre de 10 mm. La cible est constituée d'un B 12358.3/PM dépôt de zircone de composition ZrO2-20% Y203 obtenu par projection plasma sur la cathode. Cette dernière est connectée d'une part à une alimentation haute tension pour applications plasma, et d'autre part à une alimentation en courant, isolée, destinée à assurer son chauffage. Le substrat est un cylindre d'acier (non magnétique) de 90 mm de long et de 35 mm de diamètre interne. Le dépôt est obtenu de la façon suivante. L'élément chauffant est tout d'abord porté en température jusqu'à 900 C (un étalonnage température/courant est préalablement effectué). Parvenu à cette température, l'alimentation haute tension est mise en route et le plasma de décharge s'établit de façon stable. La pression d'argon est de 3 Pa et la puissance de décharge de 400 W. Un dépôt de zircone est ainsi obtenu sur le substrat, avec une vitesse de croissance de 3 pm/h. B 12358.3/PM REVENDICATIONS 1. Dispositif pour réaliser un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron comportant des moyens (12, 5, 20, 30, 32, 48, 66, 72, 74) pour chauffer une cible (8, 42, 54, 64) d'un matériau à déposer. 2. Dispositif selon la revendication 1, les moyens pour chauffer la cible permettant d'atteindre une température de la cible d'au moins 600 C. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, comportant en outre des moyens de mesure de la température de la cible. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, mettant en oeuvre une configuration magnétron plane. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, mettant en oeuvre une configuration magnétron cylindrique. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, les moyens pour chauffer la cible étant des moyens (12) pour établir un plasma RF (14) devant la cible (8). 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, les moyens pour chauffer la cible (8) comportant un élément chauffant résistif (5, 66). 8. Dispositif selon la revendication 1 à 4, les moyens pour chauffer la cible comportant des moyens (20, 22) pour diriger un faisceau d'électrons sur la cible (8). 9. Dispositif selon la revendication 8, comportant en outre des moyens (22) pour assurer un mouvement de balayage du faisceau d'électrons. 10. Dispositif selon l'une des revendications 8 ou 9, comportant en outre une électrode secondaire B 12358.3/PM (24), et des moyens pour diriger le faisceau d'électrons vers cette électrode. 11. Dispositif selon la revendication 1 à 4, les moyens pour chauffer la cible comportant des moyens pour émettre un rayonnement (30, 32) en direction de la cible. 12. dispositif selon la revendication 1 ou 5, les moyens pour chauffer la cible comportant des moyens (72) pour induire une induction électromagnétique H.F. 13. Dispositif selon les revendications 5 et 12, les moyens pour induire une induction électromagnétique comportant au moins une spire (72) conductrice positionnée autour de la cathode cylindrique (52) du dispositif. 14. Dispositif selon la revendication 13, comportant en outre des moyens pour déplacer la spire le long de la cathode cylindrique (52). 15. Procédé pour réaliser un dépôt par pulvérisation cathodique magnétron, sur un substrat (10, 44, 56, 58), le matériau à pulvériser étant déposé sur une cible (8, 42, 54, 64), ce procédé comportant: - une étape de chauffage préalable de la cible, - une étape de pulvérisation du matériau. 16. Procédé selon la revendication 15, la cible étant chauffée par un plasma radiofréquence (14). 17. Procédé selon la revendication 15, la cible étant solidaire d'un élément chauffant résistif (5, 66). 18. Procédé selon la revendication 15, la cible étant chauffée par un faisceau d'électrons. 19. Procédé selon la revendication 15, le faisceau d'électrons étant, après chauffage, dirigé sur une anode secondaire (24) polarisée positivement, de manière à traverser le flux de vapeur du magnétron. B 12358.3/PM 20. Procédé selon la revendication 15, le chauffage de la cible étant réalisé par un rayonnement provenant d'une source lumineuse (30, 32). 21. Procédé selon la revendication 15, le chauffage de la cible étant réalisé par induction magnétique H.F (72). 22. Procédé selon l'une des revendications 15 à 21, le matériau à déposer étant de la zircone stabilisée. 23. Procédé selon la revendication 22, le stabilisant étant choisi parmi MgO, CaO, Y203, La203, Dy203, Er2O3. 24. Procédé selon l'une des revendications 15 à 21, le matériau à déposer étant un mélange ZrO2-HfO2 ou ZrO2-Ce2O3. B 12358.3/PM