Brevet FR2741477A1 — publié le 19970523

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES AINSI QUE SON PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides et plus particulièrement un dispositif d'affichage à cristaux liquides dans lequel la géné- ration des bosses ou excroissances est contrôlée. Plus précisément, elle concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides, une plage de contact pour un dispositif à cristaux liquides, un transistor en couche mince pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, et un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides. Les transistors en couche mince (TFT) ont été largement utilisés comme dispositifs de commutation pour la commutation des éléments d'image (ou pixels), dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides du type à matrice active, en réponse à un signal d'image. Un tel dispositif habituellement appelé "TFT-LCD" est composé 1 5 d'une plaque inférieure sur laquelle des transistors en couche mince et des électrodes de pixels correspondantes sont formés, d'une plaque supérieure présentant des filtres de couleur pour les électrodes de pixels correspondantes et une électrode commune, et de cristaux liquides remplissant l'espace entre les plaques inférieure et supérieure. Dans les transistors en couche mince des dispositifs d'affichage à cristaux liquides ci-dessus, pour réduire le temps de parcours dans les conducteurs, on utilise un film en aluminium présentant une faible résistivité pour l'électrode de grille, la ligne de grille, les électrodes de source et de drain, la plage de connexion et analogue. Toutefois. ce type de transistor en couche mince présente un problème, en ce que des excroissances ou bosses sont générées sur la surface du film en aluminium métallique du fait des contraintes de compression existant entre l'aluminium métallique et le substrat isolant sur lequel l'aluminium métallique est formé. Ces contraintes de compression sont générées du fait que le substrat isolant se courbe ou se replie à cause des différences de coefficient de dilatation thermique entre le substrat isolant et l'aluminium métallique lors des traitements à haute température (par exemple le dépôt d'une couche isolante de grille par dépôt chimique en phase vapeur activé au plasma (PECVD) et analogue). Plus spécifiquement, du fait que le coefficient de dilatation de l'aluminium Al (environ 20 x 10-6 par C est supérieur à celui du verre (environ 4 x 10-6 par C) qui constitue le substrat isolant, le substrat en verre empêche l'expansion du film d'aluminium pendant les traitements à haute température, ce qui provoque des repliements ou des bombements de substrat. R I iS0)9, HSt)') DOC - i arl 1 96 1/26 Quand de telles contraintes de compression sont appliquées au film d'aluminium métallique, les atomes d'aluminium dans le film d'aluminium métallique, tendent à diffuser depuis les endroits o les contraintes sont importantes vers les endroits o les contraintes sont faibles. De la sorte. les atomes d'aluminium montent vers la surface du film d'aluminium métallique pour diminuer la contrainte de compression, ce qui génère des excroissances ou bosses. Si une couche déposée dans le traitement ultérieur par dessus le film d'aluminium métallique ne recouvre pas complètement les irrégularités de surface dues aux excroissances, les pistes métalliques sont coupées au moment des traite- ments d'attaque ultérieurs, ce qui fait diminuer le rendement de fabrication. Pour ré- soudre ce problème, différentes approches ont été proposées. Par exemple, la figure 1 est une vue en plan d'une ligne de signal d'un dispo- sitif d'affichage à cristaux liquides classique. La ligne de signal est constituée d'une ligne de grille 1' disposée sur un substrat. d'une électrode de grille 2' reliée à la ligne de grille 1' (c'est-à-dire composée d'une partie 2a dans une direction verticale, et une plage ou plot de contact 3', composée d'une partie 2c reliée à la ligne de grille 1' dans une direction horizontale. La figure 2 est une vue en coupe du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 1, prise le long des lignes A-A', B-B' et C-C'. La vue en coupe selon la ligne A-A' est celle de l'électrode de grille. La vue en coupe le long de la ligne B-B' est celle de la ligne de grille. La vue en coupe le long de la ligne C-C' est celle de la plage de contact. Une ligne en aluminium métallique 2a, 2b, 2c d'une structure de film unique est formée sur un substrat isolant 1. Un film d'oxyde anodique 3 est formé sur la surface de chacune des lignes d'aluminium métallique 2a et 2b (c'est-à-dire des électrode et ligne de grille 2a et 2b) et sur la ligne d'aluminium métallique 2c (c'est-à-dire la partie de la plage de contact 2c) à l'exception d'une partie découverte de celle-ci. En outre, un métal réfractaire 4 est formé sur la portion de la ligne d'aluminium métallique 2c qui n'est pas recouverte par le film d'oxyde anodique 3. Une couche isolante de grille 5 est formé sur toute la surface du film isolant 1 sur laquelle chacune des lignes d'aluminium métallique 2a-2c est formée, à l'exception de la partie de la ligne d'aluminium métallique 2c sur laquelle le métal réfractaire est formé. Les figures 3a, 3b, 3c et 3d sont des vues en coupe illustrant une méthode classique de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 1, le long des lignes A-A', B-B' et C-C'. La vue en coupe le long de la ligne A-A' repré- sente l'électrode de grille. La vue en coupe le long de la ligne B-B' représente la ligne de grille. La vue en coupe le long de la ligne C' est celle de la plage de contact. R i3 410 1 5 O DOC - 3 a. ri 19%t - '!2/ En référence à la figure 3a, une couche de AI métallique est déposée sur un substrat isolant 1. L'aluminium métallique est sélectivement enlevé par photolithographie pour former une électrode de grille 2a. une ligne de grille 2b, et une plage de contact 2c constituant des lignes d'aluminium métallique. En référence à la figure 3b, un film de résine photosensible (PR) non repré- senté est formé sur toute la surface du substrat isolant I sur laquelle les lignes d'aluminium métallique 2a, 2b et 2c sont formées. Ensuite, le film photosensible est structuré de sorte à ce qu'il ne reste que sur la ligne d'aluminium métallique 2c de la plage de contact. En utilisant le film de résine photosensible structurée en tant que masque, par oxydation anodique, un film d'oxyde anodique 3 de A1203 est formé sur la surface des lignes d'aluminium métallique 2a et 2b de l'électrode de grille et de la ligne de grille respectivement. et sur la ligne d'aluminium métallique 2c de la plage de contact, sauf dans la partie de la plage de contact pour laquelle il reste de la résine photosensible (c'est-à-dire la partie découverte de la ligne d'aluminium métallique 2c de la plage de contact. Le film d'oxyde anodique n'est pas formé sur la partie découverte de la ligne d'aluminium métallique 2c de la plage de contact, de sorte à maintenir la circulation du courant dans la partie d'électrode servant de plage de contact lorsque l'on fait fonctionner le dispositif d'affichage à cristaux liquides. En référence à la figure 3c, après avoir enlevé la structure de résine photosen- sible, on dépose un métal réfractaire sur toute la surface du substrat isolant 1 sur la- quelle la ligne d'aluminium métallique est formée. Le métal réfractaire est enlevé par photolithographie sélectivement, de sorte à former un film de métal réfractaire 4 uni- quement sur la partie découverte de la ligne métallique 2c o la plage de contact est exposée. Le métal réfractaire est simplement laissé sur la partie découverte de la plage de contact de sorte à supprimer des excroissances générées sur la surface de l'aluminium métallique pendant les traitements ultérieurs à haute température (par exemple le dépôt d'une couche isolante de grille par PECVD et analogue). Du fait qu'aucune couche d'oxyde anodique n'est formée sur la partie découverte de la plage de contact, l'excroissance est générée sur la surface du film d'aluminium métallique de la plage de contact pendant les traitements à haute température suivants. Ceci provoque une coupure dans la ligne métallique du fait d'un agent d'attaque dans les traitements ultérieurs, et ceci détériore le rendement. Du fait que le métal réfractaire est laissé sur la partie découverte de la plage de contact, l'effet de l'excroissance est supprimé grâce à la force mécanique appliquée par la couche de métal réfractaire 4. En référence à la figure 3d, une couche isolante est formée sur toute la surface. Ensuite, un film de résine photosensible est formé sur toute la surface, à l'exception R I 1300), SOI) DOC - 3 a l,o - 3'26 de la couche en métal réfractaire 4 de la partie découverte de la plage de contact. En utilisant le film de résine photosensible structuré en tant que masque, on enlève une partie de la couche isolante de grille 5 au niveau de la plage de contact. Ensuite, on enlève le film de résine photosensible structuré, de sorte à former une ligne métallique découverte de plage de contact 2c, sans couche isolante de grille par des- sus. Dans l'approche décrite ci-dessus, de l'aluminium métallique présentant une faible résistivité est utilisé comme ligne de signal pour minimiser le temps de transit dans la ligne, mais les excroissances générées pendant les traitements à haute tempé- rature ne sont pas supprimées par la couche d'oxyde anodique formée sur l'aluminium métallique. Du fait de la génération d'excroissances, la ligne métallique peut être coupée par l'agent d'attaque dans les étapes de traitement ultérieures, ce qui diminue le rendement. Une autre approche pour supprimer l'apparition d'excroissances sur l'aluminium métallique consiste à former une électrode de grille dans une seule structure de film à partir d'un alliage d'aluminium. Dans un tel alliage d'aluminium, on ajoute des impuretés métalliques telles que Ta, Si et Cu, à l'aluminium, jusqu'à quelques pourcent atomique, pour supprimer la diffusion de l'aluminium, ce qui empêche l'apparition de l'excroissance. Toutefois, cette approche présente un inconvénient, car elle tend à faire augmenter la résistivité de la ligne, ce qui la rend inapplicable pour des surfaces importantes et/ou pour des dispositifs d'affichage à cristaux liquides à transistors en couche mince à haute définition. Par exemple, la figure 4 est une vue en coupe illustrant une autre méthode connue pour fabriquer des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (divulguée dans le brevet japonais publié 6-104 437). le long des lignes A-A', B-B' et CC' de la fi- gure 1. La vue en coupe le long de la ligne A-A' représente l'électrode de grille. La vue en coupe le long de la ligne B-B' représente la ligne de grille. La vue en coupe le long de la ligne C-C' représente la plage de contact. En référence à la figure 4, chaque ligne métallique AI/AlTa 2a, 2b, 2c est formée sur un substrat isolant 1, et est composée d'un film d'aluminium métallique, et d'un film métallique de Al/Ta. formé sur le film d'aluminium métallique. Une couche d'oxyde anodique 3 est formée sur la surface des lignes métalliques AI/AITa 2a (c'est-à-dire de l'électrode de grille) et 2b (c'est-à-dire de la ligne de grille), et sur les parois latérales de la ligne métallique d'AI/AlTa 2c de la plage de contact. Une couche isolante de grille 5 est formée sur toute la surface du substrat isolant 1 sur laquelle les lignes métalliques Al/AITa 2a, 2b, 2c sont formées. à l'exception de la partie découverte de la ligne métallique Al/AlTa 2c de la plage de contact. Un métal \3500'4 300 D(X' -3 arI 1Q06 -4 '6 réfractaire 4 est déposé sur la partie découverte de la ligne AI/AlTa métallique 2c de la plage de contact et sur une partie de la couche isolante de grille 5. Les figures 5a à 5e sont des vues en coupe illustrant encore une autre méthode classique de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides, le long des lignes A-A', B-B' et C-C. La vue en coupe le long de la ligne A-A' représente l'électrode de grille. La vue en coupe le long de la ligne B-B' représente la ligne de grille. La vue en coupe le long de la ligne C-C' représente la plage de contact. En référence à la figure 5a, de l'aluminium métallique est déposé sur un sub- strat isolant 1. Une couche métallique AlTa constituée d'un alliage d'aluminium et d'un métal réfractaire est déposée sur l'aluminium métallique. La structure combinant l'aluminium métallique et le film métallique d'AlTa est sélectivement enlevée par photolithographie pour former une ligne métallique AI/AITa 2 d'une structure de film double, structure dans laquelle le film d'AITa est déposé au-dessus du film d'Al. En référence à la figure 5b, un film de résine photosensible 6 est formé sur toute la surface du substrat isolant I sur laquelle les lignes Al/AITa métalliques 2a, 2b, 2c sont formées. Ensuite, le film photosensible 6 est structuré de telle sorte à n'être laissé que sur les parties supérieures de la ligne métallique Al/AITa 2c de la plage de contact. En référence à la figure 5c, en utilisant le film de résine photosensible structuré en tant que masque, par oxydation anodique. on forme un film d'oxyde anodique 3 sur la surface des lignes métalliques Al/AITa 2a, 2b de l'électrode de grille et de la ligne de grille, et uniquement sur les parois latérales de la ligne métallique Al/AITa 2c, de sorte à découvrir la plage de contact pour permettre une connexion électrique vers l'extérieur. Un film d'oxyde anodique A1203 est formé sur les parois latérales du film d'aluminium métallique de la ligne métallique Al/AlTa 2a, 2b, 2c, et un film d'oxyde anodique AlTaOx est formé sur la surface AlTa métallique des lignes métalliques Al/AlTa 2a, 2b, et sur les parois latérales de la plage métallique 2c. En référence à la figure 5d, un film isolant de grille 5 est déposé sur toute la surface du substrat isolant sur laquelle les lignes métalliques Al/AITa 2a, 2b. 2c sont formées. Le film isolant de grille 5 est enlevé par photolithographie uniquement sur la partie supérieure de la ligne métallique Al/AlTa 2c de la plage de contact. En référence à la figure 5e, un métal réfractaire est déposé sur toute la surface de film isolant de grille, et sur la ligne métallique AI/AlTa 2c, dans la partie o la plage de contact est découverte. Le métal réfractaire est sélectivement enlevé par photolithographie pour former un film de métal réfractaire 4 qui ne s'étend sur la partie découverte de la ligne métallique Al/AlTa 2c. Dans la partie découverte de la plage de contact sur laquelle il n'y a pas de film d'oxyde anodique, l'apparition des R 1,I)0/ 1q4) DOC - av 1 990 - 5/26 excroissances n'est empêchée que par la force mécanique appliquée par le film AlTa pendant les traitements ultérieurs à haute température (par exemple le dépôt du film isolant de grille par PECVD ou CVD (dépôt chimique en phase vapeur)). Pour améliorer cet effet, les métaux réfractaires tels que Cr, Mo et Ta sont déposés en outre pour recouvrir la partie découverte de la plage de contact. Selon cette approche, lorsqu'on utilise de l'aluminium pur pour l'électrode de grille ou lorsque l'on forme un alliage d'aluminium comprenant un métal réfractaire au-dessus de l'électrode en aluminium, le film d'oxyde anodique et/ou l'alliage d'aluminium (AlTa) au-dessus de l'électrode d'aluminium empêchent l'apparition des excroissances sur la surface de l'électrode d'aluminium pendant les traitements ulté- rieurs à haute température, du fait des forces mécaniques appliquées à l'électrode d'aluminium. Toutefois cette approche présente plusieurs inconvénients. Par exemple, la structure de l'empilement substrat en verre/film d'aluminium/film d'AlTa, dans cet ordre, ne supprime pas la diffusion d'aluminium provoquée par les contraintes de compression entre le substrat de verre et le film d'aluminium pendant les traitements à haute température. De la sorte, lorsque la force mécanique appliquée à l'aluminium métallique par les couches formées au-des- sus de l'aluminium métallique n'est pas suffisante, et/ou lorsqu'il n'y a pas de film d'oxyde anodique formé sur l'aluminium métallique, on ne peut pas contrôler suffi- samment l'apparition d'excroissances par la seule force mécanique de la couche d'AITa. Il est possible de réduire le nombre d'excroissances, mais des excroissances de grande taille apparaissent encore. En outre, pour supprimer l'apparition des excroissances de grande taille. l'alliage d'aluminium déposé sur l'aluminium métallique est conçu pour présenter une épaisseur (de l'ordre de 2000 à 3000 Angstroems, i.e. 200 à 300 nm) plus importante que celle de l'aluminium métallique (c'est- à-dire de l'ordre de 1000 Angstroems, i.e. nm). Toutefois, le dépôt d'un alliage d'aluminium plus épais présentant une résistivité plus importante au-dessus de l'aluminium métallique augmente le temps de transmission total à travers la ligne. En outre, du fait que l'alliage d'aluminium (AlTa) présente une résistivité importante, il n'est pas approprié pour des dispositifs d'affichage à cristaux liquides à matrice active présentant une taille d'image importante, un taux d'ouverture important, ou une résolution importante. Afin de résoudre les problèmes sus-mentionnés, un des objets de la présente invention est de fournir une structure de dispositif d'affichage à cristaux liquides et un procédé de fabrication d'un tel dispositif, dans lequel le procédé est simplifié et dans lequel une couche tampon est formée entre le substrat de verre et un film d'aluminium métallique, ce qui empêche l'apparition des excroissances. R \IS300',13509 DOC - 3 avril 1996 -6/26 Pour réaliser cet objet de l'invention. il est proposé un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant - un substrat; - une première couche métallique sur ledit substrat, ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et - une seconde couche métallique au- dessus de ladite première couche métallique, ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fusion. Dans un mode de réalisation, la première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. Dans un mode de réalisation, la seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. La premier métal peut comprendre au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène. le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. Le second métal peut comprendre au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. De préférence, l'alliage d'aluminium de la première couche métallique comprend environ de 0,1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. Dans un mode de réalisation, l'alliage d'aluminium de ladite première couche métallique comprend un alliage aluminium-tantale. Le dispositif peut en outre comprendre: - une première couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique; et - une seconde couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique, ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présentant un angle non nul par rapport à la direction normale du substrat. L'invention a aussi pour objet une plage de contact pour un dispositif à cristaux liquides, comprenant: - un substrat; - une première couche métallique sur ledit substrat, ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion: et R I 0 1 il D()(O-a - l1)6 - 7i26 - une seconde couche métallique au-dessus de ladite première couche métallique, ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fusion. Dans un mode de réalisation. la première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. Dans un mode de réalisation, la seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. La premier métal peut comprendre au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale. le titane, le molybdène. le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. Le second métal peut comprendre au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. De préférence, l'alliage d'aluminium de la première couche métallique comprend environ de 0,1 à 0.2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène. le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. Dans un mode de réalisation, l'alliage d'aluminium de ladite première couche métallique comprend un alliage aluminium-tantale. La plage de contact peut en outre comprendre: - une première couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique: et - une seconde couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique. ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présentant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat. Dans un mode de réalisation, la plage de contact comprend en outre une couche conductrice sur la seconde couche métallique. Cette couche conductrice peut comprendre une source ou un drain d'un élément de commutation. Elle peut aussi comprendre une électrode transparente. L'invention a aussi pour objet un transistor en couche mince pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant - un substrat; une première couche métallique sur ledit substrat. ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et R 135OOI 3SO)O DOC - 3 a- rI I q, - 8126 - une seconde couche métallique au-dessus de ladite première couche métallique, ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fusion. Dans un mode de réalisation, la première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. Dans un mode de réalisation, la seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. La premier métal peut comprendre au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. Le second métal peut comprendre au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. De préférence, l'alliage d'aluminium de la première couche métallique comprend environ de 0,1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. Dans un mode de réalisation, l'alliage d'aluminium de ladite première couche métallique comprend un alliage aluminium-tantale. Le transistor en couche mince peut en outre comprendre: - une première couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique; et - une seconde couche d'anodisation recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique, ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présentant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat. Dans un mode de réalisation, le transistor en couche mince comprend en outre: - une première couche isolante au-dessus desdites première et seconde couches anodisées et dudit substrat; - une couche semi-conductrice au-dessus de ladite première couche isolante; - une couche semi-conductrice dopée au-dessus de ladite couche semi- conductrice; et - une troisième couche métallique au-dessus de ladite couche semi-conductrice dopée de ladite première couche isolante, ladite troisième couche métallique présentant des première et seconde parties séparées l'une de l'autre. Dans un mode de réalisation, le transistor en couche comprend en outre R I 1SO.\13S00 DOC -3 avrlI 1996 -9/26 - une deuxième couche isolante par-dessus ladite troisième couche métallique. ladite seconde couche isolante présentant un trou de contact; et - une électrode transparente au-dessus de ladite seconde couche isolante, ladite électrode transparente étant électriquement reliée à la seconde partie de ladite troisième couche métallique par l'intermédiaire dudit trou de contact. Il peut aussi comprendre une électrode transparente au moins partiellement au- dessus de ladite première couche isolante, ou une électrode transparente par-dessus ladite seconde portion de ladite troisième couche métallique. L'invention a enfin pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche métallique sur un substrat, ladite première couche comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion: et - formation d'une seconde couche métallique au-dessus de ladite première couche métallique, ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une température de fusion inférieure à ladite première température de fusion. Dans un mode de réalisation, la première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. Dans un mode de réalisation, la seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. La premier métal peut comprendre au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. Le second métal peut comprendre au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. De préférence, l'alliage d'aluminium de la première couche métallique comprend environ de 0,1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. Dans un mode de réalisation, l'alliage d'aluminium de ladite première couche métallique comprend un alliage aluminium-tantale. L'étape de formation d'une première couche métallique et l'étape de formation d'une seconde couche métallique comprennent avantageusement des étapes consistant à structurer lesdites première et seconde couches métalliques en utilisant un masque commun. On peut en outre prévoir une étape de formation sensiblement simultanée d'une première couche d'anodisation sur une paroi latérale de ladite première couche R \13001 3 09 DOC - 3 avl 1996 - 10/26 métallique et d'une seconde couche d'anodisation sur une paroi latérale de ladite seconde couche métallique, ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques formant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat. Il est bien entendu que la description générale qui précède et la description détaillée qui suit ne sont données qu'à titre d'exemple et ne doivent pas être considé- rées comme restreignant la portée de l'invention revendiquée. Les dessins annexés, qui sont incorporés dans cette demande et en constituent une partie, illustrent divers modes de réalisation de l'invention, et, avec la description, servent à expliquer les principes de l'invention. Les figures montrent: - la figure 1, une vue de dessus d'une ligne de signal d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides classique; - la figure 2, une vue en coupe du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 1, le long des lignes A-A'. B-B' et C-C'; - les figures 3a, 3b, 3c et 3d sont diverses vues en coupe illustrant un procédé classique de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides du type de celui de la figure 1. le long des lignes A- A', B-B' et C-C'; - la figure 4 est une vue en coupe illustrant une autre méthode classique de fa- brication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 1, le long des lignes A-A', B-B' et C-C'; - les figures 5a, 5b, 5c, 5d et 5e sont diverses vues en coupe illustrant encore une autre méthode classique de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 1. le long des lignes A-A', B-B' et C-C'; - la figure 6 est une vue de dessus d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un mode de réalisation de la présente invention; - les figures 7a, 7b et 7c sont diverses vues en coupe illustrant une méthode de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6 selon un mode de réalisation de la présente invention. le long des lignes A-A', B-B' et C-C'; - les figures 8a, 8b, 8c. 8d et 8e sont diverses vues en coupe illustrant encore une méthode de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6 selon un mode de réalisation de la présente invention, le long des lignes A- A', B-B' et C-C'; - la figure 9 est un graphique montrant la variation de densité de formation d'excroissances en fonction de l'épaisseur de la couche tampon AlTa; - la figure 10 est un graphique montrant la variation de densité de formation d'excroissances en fonction de la température de recuit; R I) DOC -: d I, '1- 11/26 - la figure 1l 1 est un graphique montrant la variation de taille des excroissances en fonction de la structure métallique de grille; - la figure 12 est une vue en coupe illustrant une autre méthode de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6, selon le mode de réali- sation de la présente invention, le long des lignes A-A', B-B' et C-C'; et - la figure 13 est une vue en coupe illustrant encore une autre méthode de fabri- cation du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6, selon le mode de réalisation de la présente invention, le long des lignes A-A', B-B' et C-C'. Il est maintenant fait référence en détail au mode de réalisation actuellement préféré de l'invention, dont des exemples sont illustrés dans les dessins joints. La figure 6 est une vue de dessus d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon un mode de réalisation de la présente invention. Il comprend une ligne de grille 1'. une électrode de grille 2' qui est formée de sorte à être reliée à la ligne de grille 1', et s'étend sensiblement perpendiculairement à la ligne de grille 1'. Une ligne de données 3' est formée dans une direction perpendiculaire à la ligne de grille 1'. Les figures 7a à 7c sont diverses vues en coupe illustrant une méthode de fa- brication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6 selon un mode de réalisation de la présente invention, le long des lignes A-A'. B-B' et C-C' de la figure 6. La vue en coupe le long de la ligne A-A' représente le transistor en couche mince, y compris son électrode de grille 2. La vue en coupe le long de la ligne B- B' représente la ligne de grille. La vue en coupe le long de la ligne C- C' représente la plage de contact constituant la ligne de données 3'. Dans la structure du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la présente in- vention, en référence aux figures 7b et 7c, une première couche métallique 2a, 2b et 2c est formée sur un substrat 1 et est de préférence constituée d'un alliage d'aluminium. Dans l'alliage d'aluminium, on ajoute une impureté à l'aluminium, comprenant un métal réfractaire présentant une première température de fusion. Sur chaque première couche métallique 2a, 2b et 2c, on forme une seconde couche métallique 3a, 3b. 3c. Chaque seconde couche métallique 3a. 3b, 3c est de préférence constituée d'aluminium pur, ou d'un alliage d'aluminium comprenant de préférence un métal réfractaire avec une deuxième température de fusion inférieure à la première température de fusion. En outre, on forme un premier film d'oxyde anodique 4a sur les parois latérales de chaque première couche métallique 2a. 2b, 2c, et on forme un second film d'oxyde métallique 4b sur la surface de chaque seconde couche métallique 3a, 3b, ainsi que sur la surface de la seconde couche métallique 3c. à l'exception d'une partie découverte de la seconde couche métallique 3c de la plage de contact. O0\ t IS OO l DOC - 3 a rl 19')16 - 12 'e Un premier film isolant 5 est formé sur toute la surface du substrat isolant I et sur toute la surface des première et seconde couches métalliques 2a à 2c et 3a à 3c, à l'exception de la partie découverte de la seconde couche métallique 3c de la plage de contact. On décrit maintenant un procédé de fabrication préféré de cette structure. En référence à la figure 7a. chaque première couche métallique 2a, 2b, 2c qui est formée sur un substrat isolant. dans ce mode de réalisation, est de préférence constituée d'un alliage d'aluminium. L'alliage d'aluminium comprend de préférence environ 0,1 à 2 % atomique d'un métal réfractaire présentant une température de fusion supérieure à environ 1500 C. Ensuite, on forme sur la première couche métallique 2a, 2b, 2c, des secondes couches métalliques respectives 3a, 3b, 3c constituées d'aluminium pur ou d'un alliage d'aluminium et d'un métal réfractaire présentant une température de fusion inférieure à environ 1500 C, ledit métal réfractaire étant ajouté à l'aluminium en une proportion d'environ 0, 1 à 2 % atomique. Chaque seconde couche métallique 3a, 3b, 3c est de préférence empilée sur les premières couches métalliques respectives correspondantes 2a, 2b. 2c. Le métal réfractaire de la première couche métallique 2a, 2b, 2c comprend de préférence un ou plus des métaux suivants: le tantale (Ta). le titane (Ti), le molyb- dène (Mo), le tungstène (W), le niobium (Nb), le zirconium (Zr) et le vanadium (V). Le métal réfractaire de la seconde couche métallique 3a, 3b. 3c comprend de préfé- rence du silicium, du cuivre, ou les deux. Dans la structure de la présente invention telle que décrite ci-dessus, durant les étapes de traitement à haute température ulté- rieurs, bien qu'aucun film d'oxyde anodique ne soit formé sur les première et se- conde couches métalliques. aucune excroissance n'est générée sur la surface de la se- conde couche métallique. En référence à la figure 7b, les premières couches métalliques 2a, 2b, 2c et les secondes couches métalliques 3a, 3b, 3c sont sélectivement enlevées par photo- lithographie en même temps, en utilisant un masque commun, ce qui permet de structurer en même temps les première et seconde couches métalliques qui sont em- pilées l'une sur l'autre et constituent une structure de film double. En d'autres termes, un îlot constitué de la seconde couche métallique empilée sur la première couche métallique est produit contemporanément. Pendant les traitements à haute température ultérieurs (par exemple dépôt d'un film isolant de SiO2 ou de SiNx par PECVD ou CVD), et bien qu'aucun film d'oxyde anodique ne soit formé sur les première/seconde couches métalliques, il n'y a pas d'apparition d'excroissances sur la couche métallique. En référence à la figure 7b, un film de résine photosensible est structuré de sorte à n'être maintenu que sur la partie découverte de la plage de contact de la R Il 1O(l1SO DO( - asrl 100)6. 13'26 seconde couche métallique 3c le long de la ligne C-C'. Par un traitement d'oxydation anodique, un premier film d'oxyde anodique 4a est formé sur les parois latérales de chaque première couche métallique 2a. 2b, 2c, et un second film d'oxyde anodique 4b est formé sur toute la surface de chaque seconde couche métallique 3a et 3b. et de la seconde couche métallique 3c, à l'exception de la partie découverte de la seconde couche métallique 3c le long de la ligne C-C'. Chacun des premier et second films d'oxyde anodique 4a et 4b, dans ce mode de réalisation, présente de préférence un angle non nul par rapport à la direction latérale ou normale du substrat. En référence à la figure 7c, un premier film isolant 5 (de préférence SiO2 ou SiNx) est formé sur toute la surface du substrat isolant 1 ainsi que des première et seconde couches métalliques 2a à 2c et 3a à 3c. Ensuite, le premier film isolant 5 est enlevé sélectivement par photolithogra- phie, de sorte à exposer la partie découverte de la seconde couche métallique 3c de la plage de contact, le long de la ligne C-C'. Les figures 8a à 8e montrent des vues en coupe illustrant une autre méthode de fabrication du dispositif de la figure 6, selon un mode de réalisation de la présente invention, le long des lignes A-A', B-B' et CC'. La vue en coupe le long de la ligne A-A' représente le transistor en couche mince. La vue en coupe le long de la ligne B- B' représente la ligne de grille, la vue en coupe le long de la ligne CC' représente la plage de contact. En référence à la figure 8a, une première couche métallique 2a. 2b, 2c est formée sur un substrat isolant 1 et est de préférence constituée d'un alliage d'aluminium. L'alliage d'aluminium comprend de préférence un métal réfractaire avec une température de fusion supérieure à environ 1500C, qui est ajouté à l'aluminium dans une proportion d'environ 0,1 à 0,2 % atomique. Ensuite, une se- conde couche métallique 3a, 3b, 3c est formée respectivement sur les premières couches métalliques 2a, 2b et 2c. Chaque seconde couche métallique 3a. 3b et 3c comprend de préférence de l'aluminium pur, ou un alliage d'aluminium et d'un métal réfractaire présentant une température de fusion inférieure à environ 1500 C et qui est ajouté à l'aluminium dans une proportion d'environ 0,1 à 0.2 % atomique. Le métal réfractaire mentionné ci-dessus de la première couche métallique 2a, 2b, 2c comprend de préférence un ou plus des métaux suivants: Le tantale (Ta), le titane (Ti), le molybdène (Mo), le tungstène (W), le niobium (Nb), le zirconium (Zr) et le vanadium (V). Le métal réfractaire mentionné ci-dessus de la seconde couche métallique comprend de préférence du silicium, du cuivre, ou les deux. Ensuite, les premières couches métalliques 2a, 2b, 2c et les secondes couches métalliques correspondantes 3a, 3b, 3c sont enlevées par photolithographie sélectivement, et en même temps, en R \ 13 S00\ 13 509 DOC - 3 avril 1996 - 14/26 utilisant un masque commun, de sorte à former une ligne métallique empilée pré- sentant une structure de film double. En référence à la figure 8b, un film photosensible (non représenté) est formé sur toute la surface de la structure résultante et est structuré de sorte à n'être conservé que sur la partie de plage de contact découverte de la seconde couche métallique 3c sur la ligne C-C' (partie découverte de la plage de contact). Ensuite, par oxydation anodique, un premier film d'oxyde anodique 4a est formé sur les parois latérales de chaque première couche métallique 2a, 2b, 2c et un second film d'oxyde anodique 4b est formé sur toute la surface des secondes couches métalliques 3a et 3b sur les lignes A-A' et B-B' et sur la seconde couche métallique 3c sur la ligne C-C' à l'exception de la partie de plage de contact découverte de celle-ci. Chacun des premier et second films d'oxyde anodique 4a et 4b présente de préférence un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat 1. Ensuite, un premier film isolant (de préférence SiO2 ou SiNx formé par PECVD ou CVD) est formé sur toute la surface du substrat isolant. Dans cette structure, même aux en- droits o le premier film isolant 5 n'est pas formé au-dessus des films d'oxyde ano- dique 4a, 4b, il n'y a pas d'apparition d'excroissance. En référence à la figure 8c, le premier film isolant 5 est enlevé sélectivement par photolithographie, de sorte à exposer la partie de plage de contact découverte de la seconde couche métallique 3c le long de la ligne C-C'. En référence à la figure 8d, après avoir déposé successivement une couche semi-conductrice, et une couche semi-conductrice dopée, sur le premier film isolant , une couche semi-conductrice structurée 6 et une couche semi-conductrice dopée structurée 7 sont structurées par photolithographie sur la première couche isolante 5 le long de la ligne A-A'. Ensuite, une couche métallique est déposée sur toute la surface de la structure résultante et est structurée par photolithographie pour former une troisième couche métallique 8 constituant les électrodes de source et de drain, sur la couche semi- conductrice dopée 7, et sur la seconde couche métallique 3c, le long de la ligne C-C'. En référence à la figure 8e. un second film isolant 9 est formé sur toute la sur- face de la troisième couche métallique 8 et du premier film isolant 5, et enlevé par photolithographie de sorte à former un trou de contact dans la partie de drain de la * troisième couche métallique 8, et à exposer une partie de la troisième couche métal- lique 8 sur la ligne C-C'. Ensuite un film conducteur transparent est déposé sur toute la surface de la structure résultante et est structuré par photolithographie pour former une électrode de pixel et une électrode transparente 10. L'électrode de pixel est for- mée de telle sorte à être reliée à travers le trou de contact formé dans l'électrode de R I;100\13s DOC- 1 as nl 1Q96- IS/26 drain le long de la ligne A-A', et l'électrode transparente 10 est formée sur une partie du second film isolant 9 et de la troisième couche métallique 8 sur la ligne C-C'. Dans cette structure, lorsque le substrat de verre, les films d'AITa et d'AI sont empilés dans cet ordre, la diffusion de l'aluminium provoquée par les contraintes de compression générées des différences dans les coefficients de dilatation entre le verre, AlTa et Al est supprimée par Ta. Ainsi, il n'y a pas d'apparition d'excroissances. En outre, du fait que le film d'aluminium formé sur le film d'AlTa présente le même coefficient de dilatation thermique (et les mêmes caractéristiques physiques) que l'AlTa, les contraintes de compression ne sont pas générées à l'interface entre les films d'AITa et d'AI pendant les traitements ultérieurs à haute température. Du fait que les contraintes de compression qui existent entre le substrat de verre et le film d'aluminium sont absorbées par la couche (tampon) d'AITa située entre le substrat en verre et le film d'aluminium, il n'y a pas d'apparition d'excroissances sur le film 1 5 d'aluminium. En conséquence, selon la présente invention, il n'y pas d'apparition d'excroissances sur le film d'aluminium, indépendamment de la force mécanique qui est appliquée ou n'est pas appliquée sur le film d'aluminium (par le film d'oxyde anodique et/ou par le métal réfractaire). Cette caractéristique de l'invention a été éta- blie par des expériences, qui sont maintenant expliquées. La figure 9 est un graphique représentant la variation de densité d'excroissances en fonction de l'épaisseur de la couche tampon d'AITa. Le recuit est réalisé pendant à peu près 30 minutes, à une température d'environ 320 C. L'épaisseur de l'aluminium sur la couche tampon d'AITa est d'environ 3000 Ang- stroems (300 nanomètres). En référence à la figure 9, lorsque l'on n'utilise pas de couche tampon en AlTa (c'est-à-dire pour une épaisseur d'AITa de zéro sur la figure 9). il y a apparition d'excroissances avec une densité d'environ 17 x 109/m2. Lorsque l'épaisseur de la couche tampon d'AITa est de 500 Angstroems (50 nanomètres), il y a apparition d'excroissance avec une densité d'environ 3 x 109/m2. Lorsque l'épaisseur de la couche tampon d'AITa est supérieure ou égale à environ 1000 Angstroems (100 na- nomètres), il n'y a pas d'apparition d'excroissances. La figure 10 est un graphique représentant la variation de densité des excrois- sances en fonction de la température de recuit. L'épaisseur de l'aluminium au-dessus de la couche tampon d'aluminium d'AlTa est d'environ 3000 Angstroems (300 nanomètres). Le recuit est poursuivi pendant environ 30 minutes. Dans le cas o il n'y a pas de couche tampon d'AITa, mais simplement de l'aluminium pur, lorsque la température de recuit est d'environ 130 C, on génère des excroissances avec une R 13500\13%09 DOC -3 arnl l,4 - I/26 densité d'environ 3 x 109/m2. Lorsque la température de recuit augmente jusqu'à environ 240 C. la densité des excroissances augmente à environ 7 x 109/m2. Lorsque la température de recuit augmente encore jusqu'à environ 300 C, la densité des excroissances augmente jusqu'à environ 15 x 109/m2. Lorsque la température de recuit augmente encore jusqu'à environ 450 C, la densité des excroissances aug- mente jusqu'à environ 25 x 109/m2. Dans le cas o on utilise une couche tampon d'AlTa présentant une épaisseur d'environ 500 Angstroems (50 nanomètres), lorsque la température de recuit est d'environ 300 C. il y a apparition d'excroissances avec une densité d'environ 3 x 109/m2. Lorsque la température de recuit augmente jusqu'à environ 450 C, la densité des excroissances augmente jusqu'à environ 20 x 109/m2. En outre, dans le cas o on augmente l'épaisseur de la couche tampon d'AlTa à environ 1000 Angstroems (100 nanomètres), il n'y a pas d'apparition d'excroissance. La figure 11 est un graphique représentant la variation de taille des excrois- sances en fonction des diverses structures du métal de la grille. Les conditions opé- ratoires sont un recuit pendant 30 minutes à une température d'environ 320 C. Dans le cas (A) o on forme directement de l'aluminium pur d'une épaisseur d'environ 3000 Angstroems (300 nanomètres) directement sur le substrat, la hauteur des excroissances est d'environ 0,5 tim. C'est-àdire qu'il y a un nombre relativement important d'excroissances. mais que la taille de chaque excroissance est relativement faible. Dans le cas (B) dans lequel un film d'aluminium d'une épaisseur d'environ 1000 Angstroems (100 nanomètres) est formé sur le substrat, et o un film d'AITa présentant une épaisseur d'environ 3000 Angstroems (300 nanomètres) est formé au- dessus de l'aluminium, la hauteur des excroissances est d'environ 0,7 tm. C'est-à- dire que le nombre d'excroissances diminue. Toutefois, comme la quantité de pres- sion appliquée sur le film d'aluminium par la couche d'AITa varie sur la surface du film d'aluminium. la taille des excroissances augmente lorsque la quantité de pres- sion est relativement faible. Dans le cas (C) dans lequel une couche tampon d'AITa présentant une épais- seur d'environ 500 Angstroems (50 nanomètres) est formée sur le substrat et o un film d'aluminium présentant une épaisseur d'environ 3000 Angstroems (300 nano- mètres) est formé sur la couche tampon d'AlTa, la hauteur des excroissances est d'environ 0,2 ptm. Dans le cas (D) dans lequel la couche tampon d'AlTa présentant une épaisseur d'environ 1000 Angstroems (100 nanomètres) est formée sur le substrat et o un film d'aluminium présentant une épaisseur d'environ 3000 Angstroems (300 nanomètres) est formé sur la couche tampon d'AlTa, il n'y a pas d'apparition d'excroissances. R i3sn)l[150) DO( - i al 196 - 17/'26 La figure 12 est une vue en coupe illustrant un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la figure 6, dans un mode de réalisa- tion de la présente invention, et le long des lignes A-A', B-B' et C-C'. Les étapes de procédé de la figure 12 sont partiellement les mêmes que celles des figures 8a à 8d. En référence à la figure 12, un film conducteur transparent est déposé sur toute la surface de la structure résultante des figures 8a à 8d, et est structuré par photolitho- graphie pour former une électrode transparente 10 sur une partie de la région de drain 8 sur la ligne A-A' et sur la troisième couche métallique 8 sur la ligne C-C'. Ensuite, un film isolant 9 est déposé sur toute la surface, et est structuré par photolithographie de sorte à former un second film isolant 9 sur toute la surface du substrat isolant 1, à l'exception de l'électrode transparente 10 sur la troisième couche métallique 8 sur la ligne C-C'. La figure 13 est une vue en coupe illustrant encore une méthode de fabrication du dispositif d'affichage à cristaux liquides de la figure 6 selon un mode de réalisa- tion de la présente invention, et le long des lignes A-A', B-B' et C-C'. Les étapes du procédé de la figure 13 sont partiellement les mêmes que celles des figures 8a à 8c. Une couche semi-conductrice et une couche semi-conductrice dopée sont déposées successivement sur toute la surface de la structure résultante des figures 8a à 8c, et ensuite structurées par photolithographie. Ensuite, un film conducteur transparent est déposé sur toute la surface et est sélectivement structuré par photolithographie pour former une électrode transparente 10 sur une région de pixel du premier film isolant sur la ligne A-A' et de la seconde couche métallique 3c sur la ligne C-C'. Ensuite, une troisième couche métallique est déposée sur toute la surface, et structurée par photolithographie en utilisant un masque pour la source/le drain, de sorte à former une troisième couche métallique 8 dans une partie de l'électrode transparente 10 sur la ligne A-A' et de l'électrode transparente 10 sur la ligne C-C'. Ensuite un film isolant est déposé sur toute la surface et est structuré par photolithographie pour former un second film isolant 9 sur toute la surface du substrat isolant 1 à l'exception de la troisième couche métallique 8 sur la ligne C-C'. La présente invention assure plusieurs caractéristiques uniques. Par exemple, dans la structure o le substrat de verre, le film d'AITa, et le film d'aluminium sont empilés dans cet ordre, la diffusion de l'aluminium provoquée par les contraintes de compression générées du fait de la différence dans les coefficients de dilatation thermique entre le substrat de verre, le film d'AITa et le film d'aluminium, est sup- primée par Ta. De la sorte, il n'y a pas d'apparition d'excroissances. En outre, du fait que le film d'aluminium formé sur le film d'AITa présente le même coefficient de dilatation thermique (et les mêmes caractéristiques physiques) que le film d'AITa, il n'y pas de génération de contraintes de compression à R \ 13 00\13509 DOC - 3 a, rll 1996 18/2b l'interface entre les films d'AITa et d'Ai pendant les traitements ultérieurs à haute température. Du fait que la contrainte de compression qui existe entre le substrat de verre et le film d'aluminium est absorbée par la couche tampon d'AITa, qui est disposée entre le verre et le film d'aluminium, il n'y pas de génération d'excroissances sur le film d'aluminium. Du fait qu'il n'y a pas de génération d'excroissances, il y a diminution de l'apparition de marches dans la ligne métallique lors des étapes ultérieures du pro- cédé. De la sorte, on empêche la coupure de la ligne métallique par les agents d'attaque dans le traitement de gravure. En outre, du fait que l'on empêche les défauts tels que les excroissances et la coupure de la ligne métallique, on augmente le rendement. Encore en outre, il est possible de graver simultanément les couches d'AlTa et d'Al empilées sur le substrat. Encore, du fait qu'il n'est pas indispensable de former une couche de métal réfrac- taire telle que Cr. Mo et analogue pour empêcher la formation d'excroissances sur la partie découverte de la plage de contact, le procédé est encore simplifié. Comme on empêche l'apparition d'excroissances, on empêche les courts-circuits dans la partie de traversée de la ligne de grille et de la ligne de données. D'autres modes de réalisation de l'invention apparaîtront à l'homme de l'art au vu de la description et de la mise en oeuvre de l'invention qui est décrite. Il est en- tendu que la description et les exemples ne sont donnés qu'à titre d'exemple. R I 3O0x, l50)" DO( - 3 avril 1996 - 19/26 REVENDICATIONS 1.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: - un substrat (1); - une première couche métallique (2a, 2b 2c) sur ledit substrat, ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et - une seconde couche métallique (3a, 3b, 3c) au-dessus de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c), ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fu- sion. 2.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la revendication 1, dans lequel ladite première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. 3.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides de la revendication I ou 2, dans lequel ladite seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. 4.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides de l'une des revendications 1 à 3, dans lequel ledit premier métal comprend au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane. le molybdène. le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. 5.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel ledit second métal comprend au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. 6.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 1 à 5, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c) comprend environ de 0,1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène. le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. 7.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications I à 6, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c) comprend un alliage aluminium-tantale. 8.- Le dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 1 à 7. comprenant en outre: - une première couche d'anodisation (4a) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique (2a, 2b. 2c); et - une seconde couche d'anodisation (4b) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique (3a. 3b, 3c), ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présen- tant un angle non nul par rapport à la direction normale du substrat. 9.- Une plage de contact pour un dispositif à cristaux liquides, comprenant: - un substrat (1); - une première couche métallique (2c) sur ledit substrat, ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et - une seconde couche métallique (3c) au- dessus de ladite première couche métallique (2c), ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fusion. 10.- La plage de contact selon la revendication 9, dans laquelle ladite pre- mière température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. il.- La plage de contact selon la revendication 9 ou 10, dans laquelle ladite seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. 12.- La plage de contact selon l'une des revendications 9 à 11, dans laquelle ledit premier métal comprend au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène. le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. 13.- La plage de contact selon l'une des revendications 9 à 12, dans laquelle ledit second métal comprend au moins l'un des métaux du groupe constitué par le si- licium et le cuivre. 14.- La plage de contact selon l'une des revendications 9 à 13, dans laquelle ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2c) comprend environ de 0.1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par R \1300\1 309 DOC - avrI 1 6 - 21 26 le tantale, le titane, le molybdène. le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. 15.- La plage de contact selon l'une des revendications 9 à 14, dans laquelle ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2c) comprend un alliage aluminium-tantale. 16.- La plage de contact selon l'une des revendications 9 à 15, comprenant en outre: - une première couche d'anodisation (4a) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique (2c); et - une seconde couche d'anodisation (4b) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique (3c), ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présentant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat. 17.- La plage de contact selon l'une quelconque des revendications 9 à 16, comprenant en outre une couche conductrice (8, 10) sur la seconde couche métallique (3c). 18.- La plage de contact de la revendication 17. dans laquelle ladite couche conductrice (8) comprend une source ou un drain d'un élément de commutation. 19.- La plage de contact de la revendication 17. dans laquelle ladite couche conductrice comprend une électrode transparente (10). 20.- Un transistor en couche mince pour un dispositif d'affichage à cristaux liquides, comprenant: - un substrat (1); - une première couche métallique (2a) sur ledit substrat, ladite première couche métallique comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et - une seconde couche métallique (3a) au-dessus de ladite première couche métallique (2a), ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une seconde température de fusion inférieure à la première température de fusion. R \13500\13509 DOC - 3 avnl 1996 - 22 20 21.- Le transistor en couche mince de la revendication 20, dans lequel ladite première température de fusion est supérieure ou égale à 1500 C. 22.- Le transistor en couche mince de la revendication 20 ou 21, dans lequel ladite seconde température de fusion est inférieure à 1500 C. 23.- Le transistor en couche mince de l'une des revendications 20 à 22, dans lequel ledit premier métal comprend au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. 24.- Le transistor en couche mince l'une des revendications 20 à 23, dans lequel ledit second métal comprend au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. 25.- Le transistor en couche mince selon l'une des revendications 20 à 24, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a) com- prend environ de 0.1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. 26.- Le transistor en couche mince selon l'une des revendications 20 à 25, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a) com- prend un alliage aluminium-tantale. 27.- Le transistor en couche mince selon l'une des revendications 20 à 26, comprenant en outre: - une première couche d'anodisation (4a) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite première couche métallique (2a); et - une seconde couche d'anodisation (4b) recouvrant au moins partiellement une paroi latérale de ladite seconde couche métallique (3a, 3b, 3c), ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métalliques présen- tant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat. 28.- Le transistor en couche mince selon l'une quelconque des revendications à 27, comprenant en outre: - une première couche isolante (5) au- dessus desdites première et seconde couches anodisées et dudit substrat (1); R \1 S()\ 1i3 0)) DOC - 3 avri 1996 - 23/2(, une couche semi- conductrice (6) au-dessus de ladite première couche isolante (5); une couche semi-conductrice dopée (7) au-dessus de ladite couche semi- conductrice (6); et - une troisième couche métallique (8) au-dessus de ladite couche semi-conduc- trice dopée de ladite première couche isolante, ladite troisième couche métal- lique présentant des première et seconde parties séparées l'une de l'autre. 29.- Le transistor en couche mince de la revendication 28, comprenant en outre: - une deuxième couche isolante (9) par-dessus ladite troisième couche métal- lique (8), ladite seconde couche isolante présentant un trou de contact; et - une électrode transparente (10) au-dessus de ladite seconde couche isolante (9), ladite électrode transparente (10) étant électriquement reliée à la seconde partie de ladite troisième couche métallique (8) par l'intermédiaire dudit trou de contact. 30.- Le transistor en couche mince de la revendication 28, comprenant en outre une électrode transparente (10) au moins partiellement au-dessus de ladite première couche isolante (5). 31.- Le transistor en couche mince de la revendication 28 ou 30, comprenant en outre une électrode transparente (10) par-dessus ladite seconde portion de ladite troisième couche métallique (8). 32.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche métallique (2a, 2b. 2c) sur un substrat (1), ladite première couche (2a, 2b, 2c) comprenant un alliage d'aluminium et d'un premier métal présentant une première température de fusion; et - formation d'une seconde couche métallique (3a, 3b, 3c) au-dessus de ladite première couche métallique, ladite seconde couche métallique comprenant de l'aluminium pur ou un alliage d'aluminium et d'un second métal présentant une température de fusion inférieure à ladite première température de fusion. 33.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides de la revendication 32, dans lequel ladite première température de fusion est supé- rieure ou égale à 1500 C. R\1O \13500\ 309DOC -3 avr 1o96 -24/26 34.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides de la revendication 32 ou 33, dans lequel ladite seconde température de fusion est in- férieure à 1500 C. 35.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides de l'une des revendications 32 à 34, dans lequel ledit premier métal comprend au moins l'un des métaux réfractaires du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène le niobium, le zirconium et le vanadium. 36.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 32 à 35, dans lequel ledit second métal comprend au moins l'un des métaux du groupe constitué par le silicium et le cuivre. 37.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 32 à 36, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c) comprend environ de 0, 1 à 0,2 % atomique d'au moins l'un des métaux du groupe constitué par le tantale, le titane, le molybdène, le tungstène, le niobium, le zirconium et le vanadium. 38.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 32 à 37, dans lequel ledit alliage d'aluminium de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c) comprend un alliage aluminiumtantale. 39.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 32 à 38. dans lequel l'étape de formation d'une pre- mière couche métallique et l'étape de formation d'une seconde couche métallique comprennent des étapes consistant à structurer lesdites première et seconde couches métalliques en utilisant un masque commun. 40.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 32 à 39, comprenant en outre une étape de formation sensiblement simultanée d'une première couche d'anodisation (4a) sur une paroi la- térale (2) de ladite première couche métallique (2a, 2b, 2c) et d'une seconde couche d'anodisation (4b) sur une paroi latérale de ladite seconde couche métallique (3a, 3b, 3c), ladite paroi latérale de chacune desdites première et seconde couches métal- liques formant un angle non nul par rapport à la direction latérale du substrat (1). R I3O500\1309 DOC - 3 asni 1996 - 25/26