Brevet FR2744286A1 — publié le 19970801

PROCEDE DE REALISATION DE COMPOSANTS DE TYPE TRANSISTOR, FONCTIONNANT A HAUTE FREQUENCE OU A HAUTE TEMPE RATURE DESCRIPTION Domaine technique et art antérieur L'invention concerne le domaine de la réalisation de circuits intégrés, en particulier de transistors à grilles auto-alignées, par exemple les transistors de type FET ("Field-Effect Transistor" ou transistor à effet de champ). De manière plus particulière, l'invention concerne la réalisation de tels composants sur des substrats semi-conducteurs. Dans ce cas, le substrat comporte des zones dopées définissant par exemple une source, une grille et un drain. Des points de connexion relient ces zones dopées à des zones conductrices, en surface du substrat semi-conducteur. Ces points de connexion définissent des contacts de type ohmique ou Schottky. Les technologies connues, de type MOSEET permettent de réaliser une intégration poussée et sont extrêmement avancées. En fait, la technique de réalisation de composants sur des substrats semi-conducteurs à grand gap est récente et mal maîtrisée. Elle peut présenter néanmoins de nombreux avantages. En particulier, l'utilisation de composants sur des substrats SiC est très intéressante. Les caractéristiques physiques de ce matériau permettent de réaliser des dispositifs haute fréquence (comme les composants réalisés sur AsGa), et plus puissants (que les composants réalisés sur Si), qui peuvent fonctionner à haute température (température de fonctionnement jusqu'à 600 C, alors que la limite pour les composants réalisés sur Si est de 250"C) . De plus, la forte conductivité thermique du SiC, très supérieure à celle du Si, permet de limiter les dispositifs de refroidissement qu'il est nécessaire d'intégrer dans les circuits. La réalisation de circuits sur un substrat tel que le SiC nécessite une technologie particulière. Sa caractéristique HF en impose également l'architecture. Les technologies connues, de type silicium, ne sont pas applicables à la réalisation de tels circuits. Actuellement, on connaît la réalisation de composants MESFET sur matériaux semi-conducteurs III-V, de type AsGa. De telles réalisations de circuits sont décrites par exemple dans l'article de K. YAMASAKI et al., intitulé "Self-align implantation for n+ layer technology (Saint) for high speed GaAs ICs", paru dans Electronics Letters, volume 18, n"3, page 119-121 (1982), ainsi que dans l'article de C.F. WAN et ai. intitulé "A comparison study of GaAs E/D-MESFETs fabricated with self aligned and non-self-aligned processes", paru dans GaAs IC Symposium, page 133-136, 1987. Les techniques décrites dans ces documents nécessitent de faire une fausse grille en résine sur laquelle on dépose un diélectrique, et/ou de réduire la dimension de la grille par gravure latérale (que la grille soit en un matériau diélectrique ou en résine). Or, ces étapes sont de mise en oeuvre très délicate. Par ailleurs, on ne peut pas, sur un substrat semi-conducteur à bande large, et notamment sur un substrat SiC, réaliser une grille Schottky avant de réaliser la métallisation de la source et du drain, car cette métallisation nécessite un recuit à plus de 1000 C. Or, à cette température, le matériau conducteur dont est constituée la grille réagit avec la souscouche ou avec le substrat pour former de nouveaux matériaux, qui empêchent dans certains cas un contact (pour un composant MOSFET) ou un contact Schottky (pour un composant MESFET), ce contact étant souhaité entre le métal de grille et le semi-conducteur. En effet, par exemple, lors de la réalisation d'un contact en tungstène sur une grille en silicium polycristallin, le métal subit un recuit pour pouvoir réagir sur le silicium polycristallin, ce qui engendre des problèmes au niveau des plots de contact dus au perçage de l'oxyde. Un autre problème est le besoin, pour travailler sur un semi-conducteur de type SiC, d'éviter de réaliser une implantation source-drain à travers une résine, car il faut pouvoir faire l'implantation à chaud (actuellement à plus de 6G0 C). . Les deux documents mentionnés ci-dessus mettent en oeuvre une telle étape d'implantation à travers une résine, et ceci n'est pas transposable sur un substrat SiC. Enfin, certaines techniques aboutissent à des grilles ayant une section en forme de "T", et les branches du "T" occasionnent des capacités parasites qui limitent les caractéristiques des dispositifs. Exposé de l'invention L'invention a pour objet un procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique de type transistor, comportant une source et un drain reliés par un canal ainsi qu'une grille commandant le canal, ce procédé comportant les étapes suivantes - une première étape de réalisation du canal par dopage d'un substrat semi-conducteur à grand gap, - une deuxième étape de réalisation d'une fausse grille en un matériau minéral, - une troisième étape de réalisation de zones source et drain dans le substrat, de part et d'autre de la fausse grille, - une quatrième étape de réalisation des contacts de la source et du drain, - une cinquième étape d'élimination de la fausse grille, - une sixième étape de métallisation de la zone grille. Les zones source et drain sont donc réalisées, dans le substrat, de part et d'autre de la fausse grille réalisée antérieurement. Ainsi, cette fausse grille sert de masque à l'implantation. Par ailleurs, la fausse grille conserve son intégrité lors d'une implantation réalisée à une température d'environ 6000C ou lors d'un recuit d'implantation jusqu'à des températures supérieures à 1100 C : il ne se produit plus de réaction dans laquelle un composant métallique de la grille puisse être impliqué, puisque la métallisation de la zone grille n'intervient qu'à la fin du procédé, après élimination de la fausse grille. Le substrat semi-conducteur à bande large peut être du SiC, du GaN ou du diamant. L'intérêt de choisir un composant semiconducteur à bande large et en particulier en SiC est lié à la forte conductivité thermique de celui-ci, qui permet d'éviter des dispositifs de refroidissement dans les circuits. Par ailleurs, les caractéristiques physiques du SiC permettent de réaliser des dispositifs HF puissants, et pouvant fonctionner à haute température. Ce procédé est compatible avec les techniques de réalisation planaire de composants. En particulier, la première étape peut mettre en oeuvre un dépôt d'une couche isolante sur le substrat, puis une gravure d'une partie de cette couche isolante, et une implantation, dans la partie du substrat dénudé, d'un dopant. I1 est possible de réaliser, après gravure de la couche isolante, un dépôt d'une couche mince isolante. Ceci permet de garantir un dopage maximal en surface du substrat SiC lors de l'étape ultérieure d'implantation. Le procédé est également compatible avec les techniques de formation de composants, de type "MESA". Ainsi, la première étape peut mettre en oeuvre une implantation de dopant dans le substrat, puis une gravure du substrat de manière à former le canal. I1 peut être prévu, avant implantation du dopant, de réaliser le dépôt d'une couche mince isolante, de manière à garantir un dopage maximal en surface du SiC. Une étape de polissage mécanochimique peut en outre être réalisée, après gravure du substrat. Dans tous les cas, quelle que soit la technique de préparation du substrat utilisé (planaire ou mesa), la seconde étape peut comporter le dépôt d'une couche de matériau minéral, et par exemple diélectrique, sur le substrat, puis une gravure de cette couche pour obtenir la fausse grille. En particulier, la gravure peut être réalisée après une étape de lithographie, permettant de définir la forme de la grille, la gravure permettant ensuite de transférer l'image ainsi définie dans la couche constituée du matériau diélectrique. Par ailleurs, la deuxième étape du procédé (réalisation d'une fausse grille) peut être suivie d'une étape de formation d'espaceurs sur les flancs de la grille. Ces espaceurs permettent une maîtrise du profil de concentration des dopants sous la grille, de façon à éviter les courts-circuits entre source-grille et/ou drain-grille. En outre, après réalisation de la fausse grille et, éventuellement, des espaceurs, et avant la réalisation de la troisième étape (réalisation de zones source et drain dans le substrat) on peut procéder au dépôt d'une couche d'oxyde mince. Un tel dépôt à pour but d'obtenir un profil d'implantation maximal en surface, dans le substrat, lors de la réalisation des zones source et drain. La troisième étape peut en outre être suivie d'un recuit à une température T supérieure ou égale à 1000 C, afin d'activer les dopants. La fausse grille conserve son intégrité lors du recuit d'implantation, de même que lors de l'implantation réalisée à une température de l'ordre de 600"C. La quatrième étape peut comporter le dépôt d'une seconde couche isolante, la gravure de cette couche au-dessus des zones d'implantation source et drain, et le dépôt et la gravure d'au moins une couche métallique pour métalliser les zones source et drain. De manière à ce que la deuxième couche isolante affleure la partie supérieure de la fausse grille, on peut procéder à un polissage mécanochimique après dépôt de cette couche isolante. Ceci permet de définir un plan de référence pour les étapes suivantes. Après dépôt des couches métalliques, il peut être procédé à un recuit à une température supérieure à 1000"C. Là encore, la fausse grille n'est pas affectée et aucune réaction parasite n'est déclenchée. Un tel recuit à haute température permet d'obtenir de bons contacts ohmiques entre le métal de source et de drain d'une part, et le semi-conducteur d'autre part. La cinquième étape peut comporter le dépôt d'une couche de résine, la gravure de la couche de résine et de la deuxième couche à l'aplomb de la fausse grille, puis la gravure de la fausse grille. Cette étape commence donc la substitution de la grille, en un matériau minéral, par exemple diélectrique, par une grille en un matériau métallique. Selon une variante, cette étape peut comporter une gravure de la fausse grille et, éventuellement, de la seconde couche isolante, puis un dépôt métallique pour réaliser la métallisation de la grille. Selon cette variante, le procédé est plus facile à réaliser technologiquement. Un ou plusieurs dépôts métalliques supplémentaires peuvent ensuite être réalisés sur les zones de contact de la source, de la grille et du drain. Alors, une étape de polissage mécanochimique des dépôts métalliques et de la seconde couche isolante peut être réalisée, ce qui permet de retirer d'une manière très sélective, par abrasion, les dépôts métalliques pouvant se trouver sur cette seconde couche isolante. Seules les parties métallisées ne se trouvant pas sur ce plan de référence seront conservées. Brève description des figures. De toute façon, les caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux à la lumière de la description qui va suivre. Cette description porte sur les exemples de réalisation, donnés à titre explicatif et non limitatif, en se référant à des dessins annexés sur lesquels - les figures 1A à 1H représentent une première variante d'un premier mode de réalisation d'un procédé selon l'invention, - les figures 2A à 2H représentent une seconde variante du premier mode de réalisation d'un procédé selon l'invention, - les figures 3A à 3H représentent une première variante d'un second mode de réalisation d'un procédé selon l'invention, - les figures 4A à 4H représentent une seconde variante d'un second mode de réalisation d'un procédé selon l'invention. Description détaillée de modes de réalisation de l'invention Le procédé selon l'invention peut être appliqué à plusieurs types d'isolement des dispositifs. L'isolement peut être assuré tout d'abord par une technique "MESA". Dans ce cas, on utilise la gravure du substrat pour assurer l'isolement des dispositifs entre eux. Les structures ainsi définies sont planarisées par polissage mécanochimique d'un oxyde épais. A l'heure actuelle cette technique est au point et industrielle. Dans le cadre de cette première technique d'isolement, deux variantes d'un procédé selon l'invention vont être exposées. La première variante va être décrite en liaison avec les figures 1A à 1H. Une implantation de dopants est réalisée, à chaud, sur toute la surface d'un substrat 2 semiconducteur à bande large. Ce substrat peut être par exemple en SiC. Le choix du dopant dépend du dopage du canal que l'on veut réaliser (azote pour un dopage de type n, aluminium ou bore pour un dopage de type p). Préalablement, une couche mince isolante, par exemple une couche d'oxyde d'environ 50 nm d'épaisseur peut être déposée, ce qui permet de réaliser une implantation uniforme des dopants dans le substrat. De façon à permettre l'isolation des dispositifs individuels entre eux, une gravure de la couche de dopage 4 et du substrat 2 est réalisée, après une étape de lithographie. A cette fin, par exemple un dépôt d'aluminium ou d'oxyde de silicium d'environ 1000 nm est réalisé, puis un dépôt de résine pour définir les masques. L'aluminium ou l'oxyde de silicium est ensuite gravé, de même que le substrat 2 sur environ 1 ut L'aluminium ou l'oxyde de silicium est retiré, on obtient ainsi les dispositifs individuels, chacun possédant son propre canal. Eventuellement, une étape de dépôt d'une couche d'isolant (par exemple SiO2) suivie d'un polissage mécanochimique permet d'atteindre une bonne planéité des structures. Ceci permet également d'avoir un seul plan de référence, et facilite énormément l'assemblage et les étapes suivantes, notamment les étapes de lithographie. Le fait de disposer d'une couche d'oxyde, en dehors des structures MESA est intéressant du point de vue des capacités sous les plots de contact. En effet, les capacités entre les plots de métal et le substrat sont minimisées, ce qui intéresse tout particulièrement les dispositifs haute fréquence. I1 est ensuite procédé (figure 1B) à la mise en place d'une fausse grille. Cette opération est réalisée par dépôt d'isolant minéral, par exemple diélectrique, (par exemple du nitrure de silicium Si3N4) sur environ 700 nm. Une étape de lithographie permet de définir les grilles, une étape de gravure sèche permettant de transférer l'image ainsi définie dans la couche minérale. On procède ensuite à l'élimination de la résine de lithographie. Ainsi est obtenue, sur le substrat 2 et au-dessus de la couche de canal 4 une fausse grille 6. Cette couche (minérale) est apte à supporter le procédé technologique sans réaction chimique avec le substrat et est apte à être gravée sélectivement par rapport aux autres couches. Il peut également être procédé à une étape de formation d'espaceurs 8, 10 sur les flancs de la grille. A cette fin, un dépôt d'oxyde de silicium (par exemple sur 300 nm) est réalisé, et la gravure pleine tranche de cette couche d'oxyde de silicium permet d'obtenir les espaceurs 8, 10. Ces espaceurs ont une largeur qui est maîtrisée, à la fois par le choix de l'épaisseur de départ et la technique de gravure. Ils permettent une maîtrise du profil de concentration des dopants sous la grille de façon à éviter les courtscircuits source-grille et/ou drain-grille. D'une manière générale, quel que soit le mode de réalisation choisi de la présente invention, on peut éviter les courts-circuits entre la source et la grille et le drain et la grille soit par les espaceurs (en une couche d'oxyde gravée), soit par un dépôt d'oxyde en surface (la couche d'oxyde enrobant alors la grille) Eventuellement, un dépôt d'une couche d'oxyde 12 (figure 1C) peut être réalisée, par exemple sur environ 50 nm. Un tel dépôt a pour but de permettre d'obtenir un profil d'implantation ayant une concentration maximale en surface, dans les zones source 14 et drain 16. I1 peut être ensuite procédé à l'implantation, à une température d'environ 600"C, des zones de source 14 et drain 16 (par exemple de l'azote pour un dopage de type n et du bore ou de l'aluminium pour un dopage de type p). Les tranches ainsi obtenues sont ensuite recuites (à une température de l'ordre de 1100 C) afin d'activer les dopants. La couche d'oxyde 12 est ensuite éliminée, par exemple par du HF dilué. Une couche minérale épaisse 18 est ensuite réalisée, sur une épaisseur d'environ 500 à 600 nm (ce peut être une couche de diélectrique, par exemple une couche d'oxyde tel que l'oxyde de silicium) : cette couche 18 est une couche de protection (figure 1D) qui recouvre les parties latérales du dispositif, mais également la partie correspondant à la fausse grille. Une étape de lithographie permet ensuite de définir les surfaces 20, 22, où on va ouvrir, par gravure, la couche isolante 18 pour venir prendre les contacts électriques sur les zones de source 14 et de drain 16. La métallisation des zones de contact source et drain est ensuite réalisée par dépôt du métal retenu (tungstène sur n+, aluminium sur p+), lithographie, gravure de ce métal et enfin retrait de la résine de lithographie. On obtient ainsi la structure illustrée sur la figure 1E, où des références 24 et 26 définissent les contacts de source et drain. Un recuit métal haute température (T > 1100 C) est effectué, afin d'obtenir de bons contacts ohmiques entre le métal de source et de drain d'une part et le semi-conducteur 2 d'autre part. Une deuxième étape de métallisation (figure 1F) de la source et du drain permet d'optimiser l'épaisseur finale de la métallisation. Pour cela, un dépôt métallique supplémentaire est réalisé, suivi d'une étape de lithographie et de transfert de l'image lithographique dans le métal, par gravure de celui-ci, à l'aide d'un masque de résine qui est éliminé après gravure. On obtient ainsi la structure de la figure 1F, où apparaissent, sur la première couche de métallisation 24, 26 une deuxième couche de métallisation 28, 30 au niveau des zones source et drain. I1 est ensuite procédé à la substitution de la grille. A cette fin, une couche 32 de résine de protection (oxyde de silicium) est déposée. Une étape de lithographie permet, à l'aide de ce masque de résine, de définir les zones à ouvrir dans la couche minérale 18, en particulier à l'aplomb de la fausse grille 6. A l'aide du masque, une étape de gravure humide (par exemple par acide fluorhydrique) permet de graver effectivement la couche 18 par rapport à la fausse grille. Ensuite, toujours à l'aide du même masque de résine, une étape de gravure, par exemple humide, va permettre de graver, d'une manière très sélective et en respectant des cotes dimensionnelles fixées, la fausse grille (réalisée par exemple en nitrure de silicium) ainsi que les espaceurs. On obtient alors la structure représentée sur la figure 1G, où une cavité 34 a pu être définie, à l'emplacement de la fausse grille. Alors que la résine utilisée pour les étapes de lithographie et de gravure précédentes est toujours en place, on réalise, par exemple par évaporation, un dépôt d'une ou plusieurs couches de métaux, ce qui permet de définir la grille finale 36 (figure 1H). A l'aide d'un mélange chimique approprié (par exemple de l'acétone dans un bain à ultrasons) on retire ensuite la résine 32 et le dépôt métallique sur cette résine. Seules les parties ouvertes dans la résine restent alors en étant métallisées. Ainsi, la substitution de la grille de diélectrique par une grille métallique pilotable électriquement a été effectuée. Une seconde variante de ce premier mode de réalisation va être maintenant décrite, en liaison avec les figures 2A à 2H. En fait, les étapes, correspondant aux figures 2A à 2C sont identiques à celles décrites ci-dessus en liaison avec les figures 1A et 1C. Pour cette raison, les références numériques sur les figures 2A à 2C sont les mêmes que sur les figures 1A et 1C, et y désignent les mêmes éléments. Cette seconde variante correspond donc toujours bien à une préparation de type "MESA" du substrat. Une étape de nettoyage (par exemple dans une solution de FH dilué) permet d'éliminer la couche d'oxyde 12. Un dépôt d'oxyde épais, d'environ 3 um d'épaisseur est ensuite réalisé. La couche d'oxyde recouvre l'ensemble du dispositif. Une étape de polissage mécanochimique permet de ramener la couche d'oxyde 40 à une épaisseur juste suffisante pour permettre à cette couche d'affleurer la partie supérieure de la fausse grille 6 (figure 2D). Ainsi, un plan de travail est correctement défini, pour les étapes ultérieures. Une étape de lithographie et de gravure de la couche d'oxyde 40 permet d'ouvrir les zones 42, 44 dans lesquelles les contacts des zones source 14 et drain 16 vont être réalisés. Après élimination de la résine lithographique, il est procédé au dépôt d'une couche métallique 46, 48 qui permet de définir les contacts (figure 2E). Un métal particulièrement bien adapté est le tungstène, déposé sur une épaisseur de 50 nm. Le dépôt métallique peut être suivi d'un recuit à haute température (T > 11000C), qui permet d'obtenir de bons contacts ohmiques entre le métal et le semiconducteur. Une étape de lithographie et de gravure (par exemple gravure humide par le mélange acide phosphorique-alcool chaud) permet ensuite de graver la couche diélectrique qui constitue les grilles 6, réalisées par exemple en nitrure de silicium, et ceci d'une manière sélective par rapport à la couche 40 d'oxyde de silicium et par rapport aux couches métalliques environnantes. On obtient ainsi une cavité 50, à l'emplacement précédemment occupé par les fausses grilles (voir figure 2F). On réalise ensuite un ou plusieurs dépôts métalliques. Les métaux déposés sont de préférence choisis de manière à réaliser un excellent contact Schottky (par exemple Ti, épaisseur d'environ 150 nm), une excellente barrière de diffusion (par exemple TiN, épaisseur d'environ 150 nm), et enfin un excellent conducteur électrique à très faible résistivité (par exemple Cu, épaisseur d'environ 500 nm). Une couche métallique 52 est ainsi réalisée sur l'ensemble du dispositif (figure 2G). Une étape de planarisation mécanochimique de cette couche 52 permet de retirer d'une manière très sélective, par abrasion, les dépôts métalliques se trouvant sur la couche diélectrique plane 40. Seules les parties métallisées ne se trouvant pas sur ce plan de référence vont être conservées, et de cette façon réaliser la métallisation 54 des grilles, mais aussi la métallisation 56 des sources et 58 des drains. Cette seconde variante permet l'obtention de lignes métalliques de section rectangulaire, ce qui n'est pas le cas des autres techniques, qui engendrent des sections en forme de "T", et où les branches du "T" occasionnent des capacités parasites qui limitent les caractéristiques de certains dispositifs. De plus, la gravure des métaux est difficile à réaliser par voie sèche, dans la mesure où ils ne forment pas de composés volatils (par exemple Cu) et nécessite des équipements lourds. Par ailleurs, cette seconde variante présente également un niveau lithographique en moins (il s'agit du niveau de métallisation de la grille) Un autre type d'isolement des dispositifs peut être mis en oeuvre : il vagit de la technique d'implantation localisée des tranches, ou technique planaire. Dans ce cas, le type de dopage du substrat assure l'isolement des circuits entre eux. C'est à partir de ce second mode d'isolement que vont être décrites les premières et secondes variantes du second mode de réalisation. La première variante va être décrite en liaison avec les figures 3A à 3H. Tout d'abord, un dépôt 60 d'un matériau isolant tel que l'oxyde de silicium est réalisé sur un substrat 62, ce dernier étant en un matériau semi-conducteur à bande large, tel que du SiC. Une étape de lithographie résine permet de définir les zones à ouvrir et une étape de gravure transfère l'image ainsi définie dans la couche minérale 60. Après retrait de la résine, un dépôt d'une couche mince d'oxyde de silicium (épaisseur d'environ 50 nm) 64 est réalisé, afin d'obtenir un profil d'implantation dans le matériau 62, ayant une concentration maximale en surface (figure 3A). L'implantation du dopage est réalisé, définissant ainsi le canal 66, les zones gravées de la couche 60 définissant les zones d'implantation. Les tranches obtenues peuvent ensuite être recuites, afin d'activer les dopants (température de recuit de l'ordre de 11000C). La couche d'oxyde mince 64 est alors éliminée (FH dilué). I1 est ensuite procédé à la mise en place de la fausse grille. Cette opération est réalisée par dépôt, sur tout le dispositif, d'une couche minérale (par exemple du nitrure de silicium) suivie d'une étape de lithographie, pour la définition des grilles. Le transfert de cette image dans la couche d'isolant diélectrique est réalisé par gravure. On obtient ainsi une fausse grille 68 en un matériau diélectrique (figure 3B). Comme dans le cas du premier mode de réalisation, des espaceurs 70, 72 peuvent être déposés sur les flancs de la grille. A cette fin, un dépôt d'oxyde de silicium (de l'ordre de 300 nm) est réalisé, dont la gravure pleine tranche permet d'obtenir les espaceurs. Ces derniers ont une largeur maîtrisée, à la fois par le choix de l'épaisseur de départ et par la technique de gravure. Ils permettent d'atteindre une maîtrise du profil de concentration des dopants sous la grille. Préalablement à l'implantation des zones source et drain, un second dépôt de même nature (oxyde de silicium) 74 est réalisé, sur une épaisseur d'environ 50 nm. Ce dépôt a pour but d'obtenir une concentration en dopants maximale en surface dans le matériau 62. I1 est ensuite procédé à l'implantation des zones source 76 et drain 78, à une température d'environ 600"C (figure 3C). Les tranches sont ensuite recuites, à une température d' environ 1100 C, afin d'activer les dopants. La couche mince d'oxyde 74 est ensuite éliminée. Ainsi, la fausse grille sert de masque à l'implantation des zones source et drain, à des températures de l'ordre de 600"C, tout en conservant son intégrité. De même, lors des recuits à des températures supérieures à 1000"C, l'intégrité de la fausse grille reste conservée. Une couche 80 de diélectrique épais est réalisée, par exemple une couche d'oxyde de silicium, sur environ 500 nm. Cette couche 80 est une couche de protection qui recouvre les parties latérales du dispositif et la fausse grille. Une étape de lithographie définit, à l'aide d'un masque de résine, les zones 82, 84 à ouvrir dans la couche diélectrique 80 de protection afin de réaliser la métallisation des zones source 76 et drain 78 (figure 3D). I1 est ensuite procédé au dépôt de la métallisation source 86 et de la métallisation drain 88. En fait, on procède à un dépôt métallique (tungstène ou aluminium) sur l'ensemble du dispositif, puis à une lithographie et à une gravure de ce dépôt métallique, afin de définir les zones 86, 88 (figure 3E). Un recuit métal à haute température (T > 11000C) est ensuite effectué, qui permet d'obtenir de bons contacts ohmiques entre les zones 86, 88 et le semi-conducteur 62. Une deuxième étape de métallisation (figure 3F) de la source et du drain permet d'optimiser l'épaisseur finale de la métallisation. Pour cela, un dépôt métallique supplémentaire est réalisé, suivi d'une étape de lithographie et de transfert de l'image lithographique dans le métal, par gravure de celui-ci, à l'aide d'un masque de résine qui est éliminé après gravure. On obtient ainsi la structure de la figure 3F, où apparaissent, sur la première couche de métallisation 86, 88 une deuxième couche de métallisation 90, 92 au niveau des zones source et drain. I1 est ensuite procédé à la substitution de la grille. Une étape de lithographie permet, à l'aide d'un masque de résine, de définir les zones à ouvrir dans la couche diélectrique 80, en particulier à l'aplomb de la fausse grille 68. A l'aide du masque, une étape de gravure humide (par exemple par acide fluorhydrique) permet de graver effectivement la couche 80 par rapport à la fausse grille. Ensuite, toujours à l'aide du même masque de résine, une étape de gravure va permettre de graver, d'une manière très sélective et en respectant des cotes dimensionnelles fixées, la fausse grille réalisée par exemple en nitrure de silicium, ainsi que les espaceurs réalisés par exemple en oxyde de silicium. On obtient alors la structure représentée sur la figure 3G, où une cavité 96 a pu être définie, à l'emplacement de la fausse grille. Alors que la résine utilisée pour les étapes de lithographie et de gravure précédentes est toujours en place, on réalise, par exemple par évaporation, un dépôt d'une ou plusieurs couches de métaux, ce qui permet de définir la grille finale 98 (figure 3H). A l'aide d'un mélange chimique approprié (acétone + ultrasons) on retire ensuite la résine et le dépôt métallique sur cette résine. Seules les parties ouvertes dans la résine restent alors en étant métallisées. Ainsi, la substitution de la grille de diélectrique par une grille métallique pilotable électriquement a été effectuée.. Une seconde variante de ce second mode de réalisation va être décrite en liaison avec les figures 4A à 4H. Sur les figures 4A à 4C, les étapes de procédé sont identiques à celles décrites ci-dessus en liaison avec les figures 3A et 3C. Les références numériques y sont, pour cette raison, les mêmes et y désignent les mêmes éléments. Après élimination de la couche d'oxyde 74 (figure 4D), on procède au dépôt d'une couche d'oxyde 100 (environ 3 um) dont le niveau maximum est ramené au niveau de la hauteur de la fausse grille 68, par polissage mécanochimique. Ainsi, un plan de travail est correctement défini, pour les étapes ultérieures. Une étape de lithographie et de gravure de la couche d'oxyde 100 permet d'ouvrir les zones 102, 104 dans lesquelles les contacts des zones source 76 et drain 78 vont être réalisés. Après élimination de la résine lithographique, il est procédé au dépôt d'une couche métallique 106, 108 qui permet de définir les contacts (figure 4E) . Un métal particulièrement bien adapté est le tungstène, déposé sur une épaisseur de 50 nm. Le dépôt métallique peut être suivi d'un recuit à haute température (T > 1100 C), qui permet d'obtenir de bons contacts ohmiques entre le métal et le semiconducteur. Une étape de lithographie et de gravure (par exemple gravure humide par le mélange acide phosphorique-alcool chaud) permet ensuite de graver la couche diélectrique qui constitue les grilles 68, réalisées par exemple en nitrure de silicium, et ceci d'une manière sélective par rapport à la couche 100 d'oxyde de silicium et par rapport aux couches métalliques environnantes. On obtient ainsi une cavité 110, à l'emplacement précédemment occupé par les fausses grilles (voir figure 4F). On réalise ensuite un ou plusieurs dépôts métalliques. Les métaux déposés sont de préférence choisis de manière à réaliser un excellent contact Schottky (par exemple Ti, épaisseur d'environ 150 nm), une excellente barrière de diffusion (par exemple TiN, épaisseur d'environ 150 nm), et enfin un excellent conducteur électrique à très faible résistivité (par exemple Cu, épaisseur d'environ 500 nm). Une couche métallique 112 est ainsi réalisée sur l'ensemble du dispositif (figure 4G). Une étape de planarisation mécanochimique de cette couche 112 permet de retirer d'une manière très sélective, par abrasion, les dépôts métalliques se trouvant sur la couche diélectrique plane 100. Seules les parties métallisées ne se trouvant pas sur ce plan de référence vont être conservées, et de cette façon réaliser la métallisation 114 des grilles, mais aussi la métallisation 116 des sources et 118 des drains. Cette seconde variante permet l'obtention de lignes métalliques de section rectangulaire, ce qui n'est pas le cas des autres techniques, qui engendrent des sections en forme de "T", et où les branches du "T" occasionnent des capacités parasites qui limitent les caractéristiques de certains dispositifs. Par ailleurs, cette seconde variante présente également un niveau lithographique en moins (il s'agit du niveau de métallisation de la grille) REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'un dispositif microélectronique de type transistor comportant une source (14, 76) et un drain (16, 78) reliés par un canal (4, 66) ainsi qu'une grille (36, 54, 98, 114) commandant le canal, ce procédé comportant les étapes suivantes - une première étape de réalisation du canal par dopage d'un substrat (2, 62) semi-conducteur à grand gap, - une seconde étape de réalisation d'une fausse grille (6, 68) en un matériau minéral, - une troisième étape de réalisation de zones source (14, 76) et drain (16, 78) dans le substrat (2, 62), de part et d'autre de la fausse grille (6, 68), - une quatrième étape de réalisation des contacts de la source (24, 28, 46, 56, 86, 90, 106, 116) et du drain (26, 30, 48, 58, 88, 92, 108, 118), - une cinquième étape d'élimination de la fausse grille, - une sixième étape de métallisation (36, 54, 98, 114) de la zone grille. 2. Procédé selon la revendication 1, le substrat semi-conducteur à bande large étant du SiC, ou du GaN ou du diamant. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, la première étape mettant en oeuvre un dépôt d'une couche isolante (60) sur le substrat (62), puis une gravure d'une partie de cette couche isolante, et une implantation, dans la partie du substrat dénudé, d'un dopant, de manière à former un canal (66). 4. Procédé selon la revendication 3, comportant, après gravure de la couche isolante, le dépôt d'une couche mince isolante (74). 5. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, la première étape mettant en oeuvre une implantation de dopants sur le substrat (2), puis une gravure du substrat de manière à former un canal (4). 6. Procédé selon la revendication 5, comportant avant implantation de dopant, le dépôt d'une couche mince isolante (12). 7. Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, comportant en outre une étape de polissage mécanochimique après gravure du substrat (2). 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la seconde étape comportant le dépôt d'une couche de matériau minéral sur le substrat, puis une gravure de cette couche pour obtenir la fausse grille (6, 68) 9. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la deuxième étape étant suivie de la formation d'espaceurs (8, 10, 70, 72) sur les flancs de la grille. 10. Procédé selon l'une des revendications précédentes comportant en outre, après réalisation de la fausse grille et, éventuellement, des espaceurs, et avant la troisième étape, le dépôt d'une couche d'oxyde mince (12, 74). 11. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la troisième étape étant suivie d'un recuit à une température T > 1000 C. 12. Procédé selon l'une des revendications précédentes, la quatrième étape comportant le dépôt d'une seconde couche isolante (18, 40, 80, 100), la gravure de cette couche au-dessus des zones d'implantation source (20, 42, 82, 102) et drain (22, 44, 84, 104), et le dépôt et la gravure d'au moins une couche métallique (24, 26, 46, 56, 48, 58, 86, 88, 106, 108) pour métalliser les zones source (14, 76) et drain (16, 78) 13. Procédé selon la revendication 12, le dépôt de la couche isolante étant suivi d'un polissage mécanochimique, de manière à ce que la couche isolante (40, 100) affleure la partie supérieure de la fausse grille (6, 68) 14. Procédé selon la revendication 12 ou 13, un recuit étant réalisé à une température supérieure à 10000C, après dépôt de couches métalliques. 15. Procédé selon l'une des revendications 12 à 14, la cinquième étape comportant une gravure de la fausse grille (6, 68) et, éventuellement, de la seconde couche isolante (40, 100). 16. Procédé selon la revendication 15, comportant un ou plusieurs dépôts métalliques (52, 54, 56, 58, 112, 114, 116, 118) sur les zones de contact de la source, de la grille et du drain. 17. Procédé selon la revendication 16, comportant en outre une étape de polissage mécanochimique des dépôts métalliques (52, 112) et de la seconde couche isolante (40, 100).