Brevet FR2744845A1 — publié le 19970814

DISPOSITIF LASER A SEMI-CONDUCTEUR A FAIBLE BRUIT DE FONCTIONNEMENT, MEME A HAUTE TEMPERATURE AMBIANTE Contexte de l'invention La présente invention concerne un dispositif laser à semi-conducteur susceptible de fonctionner avec un faible bruit, même à température ambiante élevée. Récemment, un dispositif laser à semi-conducteur a été largement utilisé comme source lumineuse dans le domaine des unités à disque optique et des systèmes de communication optiques. En particulier, il est demandé que le dispositif laser à semi-conducteur utilisé pour l'unité à disque optique ait un bruit de contreréaction optique faible, lors de la lecture de données à partir d'un disque optique. Concernant une telle exigence, il est bien connu qu'un dispositif laser à autopulsation génère de la lumière laser ayant une faible caractéristique de cohérence et un faible bruit de contre-réaction optique.Dans ces conditions, si le dispositif laser à autopulsation est utilisé comme source lumineuse d'une d'unité à disque optique il n'est pas nécessaire d'utiliser un module à haute fréquence pour supprimer le bruit de contre-réaction optique et il n'est pas nécessaire de prendre des dispositions correctrices à l'encontre du rayonnement électromagnétique. Il en résulte qu'il est possible de donner à une unité à disque optique une taille réduite et un coût réduit. Dans l'intervalle, le fonctionnement en autopulsation peut être obtenu en formant une zone absorbante saturable à l'intérieur d'un résonateur laser et en commandant le niveau d'absorption saturable. Un tel fonctionnement à autopulsation et une telle structure laser sont décrites dans "(Extended Abstract of 18th Conference on Solid State Devices and Materials), page 153, article D-1-2, page 21, Proceedings in llth semiconductor laser symposium". En outre, six exemples de laser à autopulsation sont mentionnés dans les Extended Abstract (41st spring meeting, 1994), the Japan Society of Applied Physics and Related Societies. Le rapport décrit une structure laser à autopulsation, telle qu'une partie d'une couche active, positionnée sur les deux côtés d'un guide d'onde "ridge" (à arête), est utilisée comme zone absorbante saturable. Le dispositif laser à semi-conducteur mentionné ci-dessus a cependant l'inconvénient suivant. Précisément, un dispositif laser à semi-conducteur classique stoppe le fonctionnement en autopulsation en présence d'une haute température ambiante. D'autre part, il est supposé que la source lumineuse de l'unité de disque optique est utilisée à une température ambiante d'au plus 60 C. Dans ce cas, le dispositif laser à semi-conducteur mentionné ci-dessus ne convient pas pour être la source lumineuse de l'unité de disque optique, qui peut être utilisée à une température ambiante élevée, ceci du fait d'une augmentation de bruit du dispositif laser. Résumé de l'invention Par conséquent, un objet de la présente invention est de proposer un dispositif laser à semi-conducteur pouvant fonctionner à faible bruit, même à haute température ambiante. Un dispositif laser selon la présente invention comprend une pluralité de couches semi-conductrices, stratifiées dans une direction prédéterminée sur un substrat, afin de former un résonateur laser. Le résonateur laser comprend une zone absorbante saturable formée en son sein, une première facette définissant une surface d'émission laser, et une deuxième facette, opposée à la première facette. Selon un aspect de la présente invention, le diamètre de spot d'un profil de guide d'onde lumineuse dans la direction prédéterminée est supérieur à 0,4 um. Le résonateur laser comprend en outre des premier et deuxième films réfléchissants dont sont revêtues les première et deuxième facettes afin d'obtenir une réflectivité supérieure à 50 %. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront plus clairement à la lecture de la description ci-après, faite en référence aux dessins annexés, dans lesquels Brève description des dessins la figure 1 représente une illustration destinée à décrire la structure d'un dispositif laser à semi-conducteur classique; la figure 2 représente une illustration destinée à décrire une composition d'une couche active et de couches de confinement illustrées sur la figure 1; la figure 3 est une illustration graphique destinée à décrire la relation de dépendance entre le fonctionnement en autopulsation du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 1 et la température; la figure 4 représente une illustration destinée à décrire une esquisse d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 représente une illustration destinée à décrire une structure de couches du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 4: la figure 6 représente une illustration destinée à décrire la composition d'une couche active et de couches de confinement illustrées sur la figure 5; la figure 7 représente une caractéristique destinée à décrire la température maximale admissible pour un fonctionnement en autopulsation, en fonction e la perte de miroir et de la largeur mésa d'une structure mésa, et en fonction des températures ambiantes du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 1; la figure 8 représente une illustration graphique destinée à décrire la relation existant entre un courant ce seuil et la réflectivité d'une facette du dispositif laser à semi-conducteur dans la condition d'un niveau COD constant illustré sur la figure 5; la figure 9 représente une illustration destinée à décrire une structure de couche d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention; la figure 10 représente une illustration destinée à décrire une esquisse du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 9; la figure 11 représente une illustration destinée à décrire le procédé de fabrication d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; la figure 12 représente une illustration destinée à décrire un procédé de fabrication dérivé du procédé de fabrication illustré sur la figure 11; la figure 13 représente une illustration destinée à décrire la structure du dispositif laser à semi-conducteur obtenu par les procédés de fabrication illustrés sur les figures 11 et 12; la figure 14 représente une illustration destinée à décrire une esquisse du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 13; et la figure 15 est une vue de côté du dispositif laser à semi-conducteur illustré sur la figure 14. Description du mode de réalisation préféré En se référant aux figures 1 à 3, la description va être faite eu égard à un dispositif laser à semi-conducteur classique, de manière à faciliter une meilleure compréhension de la présente invention. Le dispositif laser à semi-conducteur est du type d'un dispositif laser à semi-conducteur à pulsation à lumière rouge, en AlGaInP, ayant une structure de guide d'onde "ridge" (à arête), à titre d'exemple typique des structures laser à autopulsation et ayant des zones absorbantes saturables, ménagées dans une couche active, des deux côtés du guide d'onde "ridge" (à arête). Sur la figure 1, le dispositif laser à semi-conducteur a une structure de résonateur laser formée sur un substrat en n-GaAs 11. Une couche tampon en n-GaAs 12, une couche de confinement en n-AlGaInP 13, une couche active à multi-puits quantiques en GaInP/AlGaInP 14, et une couche de confinement en p-AlGaInP 15 sont formées dans l'ordre, sur le substrat 12, suivant une direction verticale (stratification). Une structure mésa, en forme de ruban, est formée sur la couche de confinement 15 et comprend une couche de confinement en p-AlGaInP 16 et une couche de contact en p-GaAs 17. Deux couches de blocage de courant 18 sont formées sur la couche de confinement 15 des deux côtés de la structure mésa. Une couche de contact en p-GaAs 19 est formée sur la structure mésa et les deux couches de blocage de courant 18. Une électrode-n 20 est formée sur une surface inférieure du substrat 11, tandis qu ' une électrode-p 21 est formée sur la couche de contact 19. Deux zones absorbantes saturables 22 sont formées dans la couche active à multi-puits quantiques 14 des deux côtés de la structure mésa. Le fond de la structure mésa a une largeur de mésa de 4 um. L'épaisseur de la couche de confinement 15 est égale à 0,4 ,um. Bien que ceci ne soit pas décrit sur la figure 1, le dispositif laser à semi-conducteur a des facettes avant et arrière qui définissent des surfaces d'émission laser. Chacune des facettes avant et arrière est revêtue de films de revêtement d'alumine pour donner une réflectivité égale à 30 %. En se référant à la figure 2, la description va traiter de la composition en aluminium d'un cristal de AlGaInP dans une structure à puits quantiques de la couche active à multipuits quantiques 14 et des couches de confinement 13 et 15. La taille de spot est définie par la valeur de l'épaisseur de la couche active à multipuits quantiques 14, divisée par un facteur de confinement de lumière suivant la direction verticale. Dans ce cas, la taille de spot est égale à 0,29 um. Le dispositif laser à semi-conducteur sert de dispositif laser à pulsation parce qu'il comprend les zones 22 absorbantes saturables, ayant une caractéristique d'absorption appropriée. Il en résulte que le dispositif laser à semi-conducteur peut fonctionner avec un faible bruit. En se référant à la figure 3, la description va être faite eu égard à la relation existant entre la puissance de sortie lumineuse et le courant du dispositif laser à semi-conducteur. Si la température ambiante du dispositif laser à semi-conducteur augmente, le dispositif à semi-conducteur stoppe le fonctionnement pulsatoire, comme illustré par les pointillés de la figure 3. En d'autres termes, un dispositif laser à semi-conducteur classique voit le bruit augmenter lorsqu'il y a augmentation de la température ambiante. D'autre part il est supposé que la source lumineuse d'unité à disque optique est utilisée à la température ambiante maximale de 60"C. Avec une telle température ambiante, si le dispositif laser à semi-conducteur mentionné ci-dessus est utilisé comme source lumineuse de l'unité à disque optique, il est impossible de conserver un fonctionnement pulsatoire. En se référant aux figures 4 à 8, la description va être faite eu égard à un dispositif laser à semi-conducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif laser à semi-conducteur a la même structure de résonateur laser que le dispositif laser à semi-conducteur mentionné en liaison avec la figure 1. Par conséquent, le dispositif laser à semi-conducteur comprend des parties analogues désignées par des numéros de référence identiques sur la figure 1, sauf que la facette avant du dispositif laser à semi-conducteur est recouverte par des films réflecteurs multiples 31, présentant une forte réflectivité, et que la facette arrière du dispositif laser à semi-conducteur est recouverte par des films réflecteurs multiples 32, présentant une forte réflectivité. Les films réflecteurs multiples 31 et 32 à forte réflectivité ont une réflectivité supérieure à 50 %.La taille de spot d'un profil de guide d'onde lumineux est supérieur à 0,4 um. En utilisant un procédé MOVPE (Epitaxie en Phase Vapeur aux Organométalliques), la couche tampon en n-GaAs 12, la couche de confinement en n-AlGaInP 13, la couche active à multipuits quantiques en GaInP/AlGaInP 14, la couche de confinement en p-AlGaInP 15, une couche de blocage d'attaque en p-GaInP, la couche de confinement en p-AlGaInP 16, une couche en film mince en p-GaInP et la couche de contact en p-GaAs 17 sont formées, dans cet ordre, sur le substrat en n-GaAs 11 suivant la direction verticale. Pour des raisons de commodité, la couche de blocage d'attaque en p-GaInP et la couche en film mince en p-GaInP ne sont pas représentées sur la figure 5. Ensuite la couche de confinement 16 et la couche de contact 17 sont gravées par photolithographie et gravure de manière à former une structure mésa en forme de ruban. Le fond de la structure mésa a une largeur de mésa de 4 um. En utilisant le procédé MOVPE, deux couches de blocage de courant 18 sont formées sur la couche de confinement 15 des deux côtés de la structure mésa. La couche de contact en p-GaAs 19 est formée sur la structure mésa et les deux couches de blocage de courant 18. L'électrode-n 20 est formée sur une surface inférieure du substrat 11, tandis que l'électrode-p 21 est formée sur la couche de contact 19. Les facettes avant et arrière sont formées par clivage, comme illustré sur la figure 5. Après cela, les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité sont formés sur la facette avant du dispositif à semi-conducteur par utilisation de films multiples en silicium/alumine amorphes. De manière analogue, les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité sont formés sur la facette arrière du dispositif laser à semi-conducteur, par utilisation de films multiples en silicium/alumine amorphes. Les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité ont une réflectivité égale à 60 %, tandis que les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité ont une réflectivité égale à 95 %. Dans l'exemple, deux zones absorbantes saturables 22 sont formées dans la couche active à multipuits quantiques 14 des deux côtés de la structure mésa. Sur la figure 6, la description va concerner la composition en aluminium d'un cristal en AlGaInP dans une structure à puits quantiques de la couche active à multipuits quantiques 14 et des couches de confinement 13 et 15. Dans l'exemple, la structure à puits quantiques a une structure symétrique qui présente une symétrie par rapport à une ligne en traits mixtes. Spécifiquement, la structure à puits quantiques a des puits qui sont au nombre de 5 et qui ont une largeur égale à 5 nm. Le dispositif laser à semi-conducteur a une taille de spot égale à 0,43 um suivant la direction verticale. Le dispositif laser à semi-conducteur sert de dispositif laser à pulsation, parce qu'il comprend des zones absorbantes saturables 22 ayant une capacité d'absorption appropriée. Il en résulte que le dispositif laser à semi-conducteur peut fonctionner à faible bruit et que, en outre, le fonctionnement pulsatoire est maintenu à une température ambiante égale à 60"C. En se référant à la figure 7, la description va être faite eu égard au fonctionnement du dispositif laser à semi-conducteur. Sur la figure 7, une température maximale admissible pour le fonctionnement pulsatoire est représentée en fonction de la largeur mésa et d'une perte par effet miroir. Les réflectivités des films réflecteurs multiples 31 et 32 à forte réflectivité et la longueur du résonateur laser sont modifiées, pour faire varier la perte par effet miroir. En particulier, le dispositif laser à semi-conducteur, émettant en lumière rouge et à base de AlGaInP, adopte une structure de guide d'onde, dans laquelle la couche active n'est pas interrompue, en prenant en considération la caractéristique de son matériau.En outre, du point de vue de la fiabilité de fonctionnement sur une longue durée, il est nécessaire que la structure du guide d'onde ait une largeur qui ne soit pas inférieure à 4 um. Dans l'exemple, la largeur de la structure en guide d'onde correspond à la largeur du fond de la structure mésa. Dans le dispositif laser à semi-conducteur comprenant la structure de guide d'onde d'une largeur d'au moins 4 um, il est possible de maintenir le fonctionnement pulsatoire à une température ambiante de 60"C à condition que la perte par effet miroir ne dépasse pas 10 cm1 Dans la pratique, le résonateur laser a une longueur ne dépassant pas 700 um. Une telle valeur est une valeur maximale, qui a déjà été mentionnée dans le domaine des dispositifs laser à semi-conducteur émettant en lumière rouge.En prenant en considération les indications ci-dessus, le fonctionnement pulsatoire mentionné ci-dessus est obtenu à condition que les facettes avant et arrière aient des réflectivités d'au moins 50 W Z En général, si la facette du résonateur laser a une forte réflectivité, il est difficile d'obtenir une puissance de sortie lumineuse élevée, du fait de la réduction d'une puissance de sortie lumineuse maximale par suite du dommage optique catastrophique (COD Catastrophic Optical Damage). Pour obtenir une puissance de sortie lumineuse stabilisée de 5 mW, il est nécessaire d'obtenir un niveau COD qui soit égal à au moins deux à trois fois le niveau de sortie lumineux.Etant donné que le dispositif laser à semi-conducteur mentionné ci-dessus a une taille de spot égale à 0,4 um, il est possible d'obtenir la puissance de sortie lumineuse élevée de 15 mW, même si le dispositif laser à semi-conducteur comprend des surfaces de facette ayant une forte réflectivité d'au moins 50 %. Lorsque le dispositif laser à semi-conducteur a une taille de spot agrandie et comprend les facettes à forte réflectivité pour obtenir un niveau COD de valeur constante, il y a augmentation de la fluctuation du courant seuil, comme illustré sur la figure 8. Bien que ceci n'ait pas à voir avec la combinaison des facettes d'une forte réflectivité d'au moins 50 % et d'une taille de spot d'au moins 0,4 um, il est possible d'augmenter la température ambiante, ce qui permet de maintenir le fonctionnement pulsatoire par la combinaison mentionnée ci-dessus. Ceci est imputable à la réduction de la perte par effet miroir, qui contribue directement au fonctionnement pulsatoire. En se référant aux figures 9 et 10, la description va concerner un dispositif laser à semi-conducteur selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif laser à semi-conducteur comprend des parties analogues, qui ont été désignées par des numéros de référence identiques à ceux de la figure 4, sauf que la couche absorbante saturable 41 en n-GaInP est formée, entre la couche de confinement en n-AlGaInP 13 et la couche de confinement en n-AlGaInP 13', et qu'une couche absorbante saturable en n-GaInP 42 est formée, entre la couche de confinement en p-AlGaInP 16 et la couche de confinement en p-AlCaInP 16'. En utilisant le procédé MOVPE, la couche tampon en n-GaAs 12, la couche de confinement en n-AlGaInP 13, la couche absorbante saturable en n-GaInP 41, la couche de confinement en n-AlGaInP 13', la couche active à multipuits quantiques en GaInP/AlGaInP 14, la couche de confinement en p-AlGaInP 15, la couche de confinement en p-AlGaInP 16, la couche absorbante saturable en p-GaInP 42, la couche de confinement en p-AlGaInP 16' et la couche de contact en p-GaAs 17 sont formées dans cet ordre sur le substrat en n-GaAs 11 suivant la direction verticale. Pour la même raison mentionnée en liaison avec la figure 5, la couche de blocage d'attaque en p-GaInP et la couche en film mince en p-GaInP ne sont pas représentées sur la figure 9. Ensuite, la couche de confinement en p-AlGaInP 16, la couche absorbante saturable en p-GaInP 42, la couche de confinement en p-AlGaInP 16' et la couche de contact en p-GaAs 17 sont gravées par photolithographie et gravure de manière à former une structure mésa en forme de ruban. En utilisant le procédé MOVPE, deux couches de blocage de courant 18 sont formées sur la couche de confinement 15, des deux côté de la structure mésa. La couche de contact en p-GaAs 19 est formée sur la structure mésa et les deux couches de blocage de courant 18. L'électrode-n 20 est formée sur une surface inférieure du substrat 11 tandis que l'électrode-p 21 est formée sur la couche de contact 19. Par le clivage effectué on forme les facettes avant et arrière. Après cela, on forme les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité sur la facette avant du dispositif laser à semi-conducteur par utilisation des films multiples en silicium/alumine amorphes. De manière analogue, les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité sont formés sur les facettes arrière du dispositif laser à semi-conducteur par utilisation des films multiples en silicium/alumine amorphes. Les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité ont une réflectivité supérieure à 50 % tandis que les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité ont une réflectivité supérieure à 50 t. Dans l'exemple, une zone absorbante saturable 43 est formée dans la couche absorbante saturable 41, sous la structure mésa. Une zone absorbante 44 est formée dans la couche absorbante saturable 42. Le fonctionnement pulsatoire du dispositif laser à semi-conducteur est analogue à celui décrit en liaison avec les figures 4 et 5. Par conséquent, le dispositif laser à semi-conducteur peut conserver un fonctionnement pulsatoire à une température ambiante élevée et peut donner une puissance de sortie lumineuse élevée. En se référant aux figures 11 à 15, la description va traiter d'un dispositif laser à semi-conducteur selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. Le dispositif laser à semi-conducteur est constitué de parties qui sont analogues à celles de la figure 4 et sont désignées par des numéros de référence identiques, sauf pour un film d'isolation en SiO2 52 et l'emplacement d'une couche absorbante saturable 53. En utilisant le procédé MOVPE, la couche tampon en n-GaAs 12, la couche de confinement en n-AlGaInP 13, la couche active à multipuits quantiques en GaInP/AlGaInP 14, la couche de confinement en p-AlGaInP 15, la couche de confinement en p-AlGaInP 16, et la couche de contact en p-GaAs 17 sont formées dans cet ordre sur le substrat en n-GaAs 11 suivant la direction verticale. Pour la même raison que celle mentionnée en liaison avec la figure 5, la couche de blocage d'attaque en p-GaInP et la couche en film mince en p-GaInP ne sont pas représentées sur la figure 11. Ensuite, la couche de confinement en p-AlGaInP 16 et la couche de contact en p-GaAs 17 sont gravées par photolithographie et gravure de manière à former la structure mésa en forme de ruban.En utilisant le procédé MOVPE, deux couches de blocage de courant 18 sont formées sur la couche de confinement en 16, des deux côtés de la structure mésa. Après cela, une gorge 51 est formée par gravure, de façon à traverser de manière orthogonale la couche de contact 17. Précisément, une partie des deux couches de blocage de courant 18 et une partie de la couche de contact 17 sont enlevées par gravure. Ensuite, le film d'isolation en SiO2 52 est formé de manière à couvrir la gorge 51. En outre, la couche de contact en p-GaAs 19 est formée sur la structure mésa, le film d'isolation en SiO2 52 et les deux couches de blocage de courant 18. L'électrode-n 20 est formée sur une surface inférieure du substrat 11, tandis que l'électrode-p 21 est formée sur la couche de contact 19. Par le clivage effectué, les facettes avant et arrière sont formées. Les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité sont formés sur la facette avant du dispositif laser à semi-conducteur, par utilisation des films multiples en silicium/alumine amorphes. De manière analogue, les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité sont formés sur la facette arrière du dispositif laser à semi-conducteur, par utilisation des films multiples en silicium/alumine amorphes.Les films réflecteurs multiples 31 à forte réflectivité ont une réflectivité supérieure à 50 % tandis que les films réflecteurs multiples 32 à forte réflectivité ont une réflectivité supérieure à 50 %. Dans l'exemple, le dispositif laser à semi-conducteur est pourvu d'une structure à injection de courant en forme de ruban. Une partie de la structure d'injection de courant est constituée d'une zone de non injection de courant. La zone absorbante saturable 53 est formée dans la couche active à multipuits quantiques 14, sous le film d'isolation en Six2. Le fonctionnement pulsatoire du dispositif laser à semi-conducteur est analogue à celui décrit en liaison avec les figures 4 et 5. Par conséquent, le dispositif laser à semi-conducteur peut conserver son fonctionnement pulsatoire à une température ambiante élevée et peut donner une puissance de sortie lumineuse élevée, en combinant la taille de spot de grande dimension et les films réflecteurs multiples à forte réflectivité ayant des valeurs élevées de réflectivité. En plus, on peut effectuer une implantation d'ions sur la zone absorbante saturable 53 de manière à commander la durée de vie des porteurs, dans la zone absorbante saturable 53. Bien que la présente invention ait été décrite en liaison avec quelques modes de réalisation de celle-ci, il est facilement possible à l'homme de l'art de mettre l'invention en pratique de différentes autres manières. Par exemple, bien que le dispositif laser à semi-conducteur soit appliqué à la structure symétrique eu égard à la composition en aluminium de la couche active à multipuits quantiques et des couches de confinement, le dispositif laser à semi-conducteur peut être réalisé en lui donnant une structure asymétrique. Dans ce cas, ceci facilite l'agrandissement de la taille du spot et la réduction de la différence d'indice de réfraction entre l'indice de réfraction équivalent au niveau de la structure mésa et l'indice de réfraction équivalent des deux côtés de la structure mésa. REVENDICATIONS 1. Dispositif laser à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend une pluralité de couches semi-conductrices (12, 13, 14, 15, 16, 17) stratifiées suivant la direction verticale sur un substrat (11), afin de former un résonateur laser, ledit résonateur laser comprenant en son sein une zone d'absorption saturable (43, 44), une première facette définissant une surface d'émission laser et une deuxième facette, opposée à ladite première facette; la taille de spot d'un profil de guide d'onde de lumière dans ladite direction verticale étant supérieure à 0,4 um; ledit résonateur comprenant en outre des premier et deuxième films (31, 32) réfléchissants, dont sont revêtues lesdites première et deuxième facettes, pour donner une réflectivité supérieure à 50 %. 2. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de couches semi-conductrices (12, 13, 14, 15, 16, 17) comprend une couche active et une couche de confinement (13, 15), formée sur ladite couche active, une structure mésa (16, 17) étant formée sur ladite couche de confinement (15), ladite pluralité de couches semi-conductrices comprenant en outre deux couches de blocage (18), formées des deux côtés de ladite structure mésa (16, 17), afin de confiner un courant, ladite zone absorbante saturable (43, 44) étant formée sur ladite couche active (14), des deux côtés de ladite structure mésa (16, 17). 3. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ladite pluralité de couches semi-conductrices comprend une couche active (14) et des couches de confinement (13, 15), formées sur ladite couche active et sous ladite couche active (14), ladite zone absorbante saturable (43, 44) étant formée sur au moins l'une desdites couches de confinement (13, 15). 4. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 1, dans lequel ledit résonateur laser est équipé d'une structure d'injection de courant en forme de ruban, une partie de ladite structure d'injection de courant en forme de ruban étant une zone de non injection de courant, ladite zone absorbante saturable étant formée sur ladite zone de non injection de courant. 5. Dispositif laser à semi-conducteur selon la revendication 4, dans lequel une implantation d'ions est effectuée dans ladite zone absorbante saturable (53).