Brevet FR2745584A1 — publié le 19970905

Luminophore et son procédé de tabrication La présente Invention concerne un luminophore et son procedé de fabrication et, plus particulièrement, un luminophore constitué principalement d'une solution massive formée de nitrure de gallium et de nitrure d'indium et dopez avec une substance de dopage, donnant lieu à une émission de lumière en raison de l'excitation par des électrons, et un procédé de production d'un luminophore. La demande de brevet japonais No. 41686/1976 publiée décrit un luminophore dont une matrice est réalisée en exposant du Ga2O3 à une nitruration dans une atmosphère de gaz ammoniaque et dopée avec du Cd. Le luminophore décrit n'est pas appliqué à la luminescence en raison de l'excitation par des électrons et le document japonais decrit ci-dessus ne traite pas de la iuminescence imputable à une excitation par des électrons. Un luminophore GaN qui est dopé avec du u Zn i n ou du Mg. servant de dopant, est connu dans le domaine d'une diode luminascente (LED), cependant il ne constitue pas un luminophore excite par des électrons. La nitruration de Ga2O3 dans une atmosphère d'azote provoque la nitruration du Ga2O3 à partir de sa surface. Cependant, l'exposition du Ga2O3 nitruré à une température élevée force sa surface à s'oxyder de nouveall. Plus s spécifiquement, du nitrure de gal 1 ium peut provoquer l'élimination de I'azote depuis ce dernier et une oxydation par l 'oxygène. Ainsi, l'utilisation de Ga2O3 à titre de mater au de départ pour le luminophore rend très dufficile une nitration complète du Ga2O3, de sorte que le nitrure de gallium obtenu ne parvient pas a p réser; te r une qualité satisfaisante du fait que l'oxygène restant dans le nitrure nuit à la luminescence du luminophore.De même, en supposant que du nitrure de e gallium serait appliqi.ré sur un élément excité par des électrons, de la poudre de nitrure de gallium servant d luminophore se déposerait sur un substrat et serait expossee à une calcination dans une atmosphère ambiante. Ainsi, le luminophore serait exposé à différents traitements thermiques durant la fabrication de l'élément, donnant lieu à un risque d'altération de la surface du luminophore. De me me, le dopage du nitrure de gallium avec un matériau de dopage par une réaction normale équilibrée thermiquement nécessite l'augmentation de la température de réaction à un niveau aussi élevé que 1100 C ou plus. Malheureusement, le nitrure de gallium commence sa sublimation à une temperature d'à peu près 800 C. Ainsi, la production du luminophore au nitrure de gallium par la réaction normale équilibrée thermiquement requiert l'établissement de conditions gênantes, tel qu'un chauffage sous une plus grande pression, de sorte que la production est rendue très ditticile ou pratiquement impossible. La présente invention a été réalisée au vu de l'inconvénient précité de l'art antérieur. Par conséquent, n but de la présente invention est de proposer un luminophore contenant principalement du nitrure de gallium ou analogue, qui soit capable de présenter une plus grande qualité. Un autre but de la présente invention est de proposer un luminophore qui soit capable d'effectuer une luminescence en raison de l'excitation par des électrons, sans être affecte de façon nuisible par l'oxygène. U n a I t r e but de la présente invention est de proposer un luminophore qui soit capable d'obtenir une luminescence des différentes couleurs lumineuses d'après la sélection des matériaux de départ. Un autre but encorne de I d présente invention est de proposer un luminophore qui soit capable de présente des caractéristiques lumineuses et des caractéristiques de durée de vie satisfaisantes. Un autre but encore de la présente invention est de proposer un procédé de fabrication d'un luminophore qui soit capable de fournir un luminophore offrant les avantages décrits ci-dessus. Sel on un aspect de la présente invention, il est propose un luminophore qui est représenté par une formule chimique Ga1-xInxN:A (0#x Selon un autre aspect de la presente invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un luminophore représenté par une tormule chimique GalxInxN:A (0# De meme, selon cet aspect de la présente invention, il est proposé un procédé de production d'un luminophore représenté par une tormule chimique G a1 - xInxN:A (0# Comme décrit ci-dessus, le luminophore de la présente invention est représenté par une formule chimique Ga1-xInxN:A (0# Concernant la production d luminophore, le groupe de matériaux de départ contenant au moins le composé de gallium sans oxygène tel que, par exemple, du sulfate de gallium, est préparé. Le groupe de matériaux de départ peut contenir en outre le composé d'indium dans oxygène tel que, par exemple, du sulfure d'indium et la substance de dopage sans oxygène telle que, par exemple, d sulfure ou du chlorure de Zn, du sulfure ou du chlorure de Mg, ou analogue, tel que nécessaire. Dans le groupe de matériaux de depart, les matériaux de départ contenant au moins le compose de gallium sans oxygène et la substance de dopage sans oxygène sont sélectionnés et mélangés ensemble, afin de préparer le mélange décrit ci-dessus. Ensuite, le mélange est expose à un chauffage rapide et à un refroidissement rapide dans une atmosphère contenant de l'azote, qui est dépourvue d'oxigène ou ne contient pas d'oxygène. Le chauffage rapide et le refroidissement rapide sont effectués au moyen de plasma à une température élevée. Plus particulièrement, un gaz réactif contenant de l'azote et les matériaux de départ sont introduits dans un récipient de réaction et du plasma à une température aussi élevée que, par exemple, à peu pres 9/25 C (10000 K) est produit dans le récipient de réaction, à l'aide de moyens quelconques de chauffage appropries, si bien que les matériaux de départ tombant dans le récipient de réaction sont passes à travers le plasma. Les matériaux de départ sont rapidement chauffés et rerroidis à une cadence d e 1x10' à 1x104 C/s par le plasma.Ceci entraine la fusion des matériaux de départ en un moment donne dans le plasma et à une évaporation partielle durant le chauffage et à une recondensation ensuite, à un moment donne, durant le refroidissement. Ainsi, a a présente invention crée un non equilibre thermique auquel la température des matériaux de départ est brutalement réduite, lorsque les matériaux se trouvent hors de la zone de plasma à la température élevée, de sorte que les matériaux de depart peuvent être rapidement chauffes et refroidis, donnant lieu u au luminophore d'une forme sphérique représente par une formule chimique Ga1-xlnxN:A (04x Le refroidissement des matériaux de départ chauffés par des techniques de refroidissement classiques provoque la a limitation de sa cadence de refroidissement à un niveau maximal aussi faible que 1x10' C/s. Le refroidissement des matériaux à une telle cadence réduite provoque une augmentation de la pression de vapeur des éléments qui doivent en être extraits à différentes températures durant le refroidissement, ce qui ne permet pas d'obtenir une composition des matériaux qui sont obtenus durant le chauffage. Par exemple, le dopage de la substance de dopage dans la matrice. au u moyen de N2 ou N H3 par des techniques classiques de diffusion thermique, est de préférence effectué dans des conditions de chauffage à une temperature, par exemples d'a peu près 1100 C. Malheureusement, le GaN produit commence à se décomposer à une température d a peu près 800 C, de sorte qu'une défaillance dans l'obtention d'une tixation stricte des conditions synthétiques provoque facilement une variation de la composition du luminophore. Ainsi, la sublimation du produit et la reaction des matériaux de départ ont lieu simultanément, ce qui empêche sensiblement, de ce fait, d'obtenir le luminophore à capacité de cristallisation satisfaisante. Au contraire, la présente invention minimise la variation de la composition du luminophore, du fait qu'elle permet aux matériax de de départ d'être exposés à une fusion et à une nitruration a n m o ni e n t donne par du plasma et une réagglomération à un moment donné sans évaporation, faisant que la nitruration des matériaux de départ est effectuée avec une plus grande efficacité. Par exemple, lorsque l'on utilise du N2 à titre de gaz atmosphërique, le Nz se dissocie à une température de 3000 C ou plus et les matériaux de départ fondent à un moment donné à une telle température élevée.Simultanément, les matériaux de départ sont arrondis en raison de la tension superticielle, tout en tombant dans le plasma, donnant lieu à une évaporation depuis sa surface. A ce moment, l'oxygène, ayant une plus grande pression partielle, se volatilise, de sorte que la nitruration des matériaux de départ se produit en un instant. Pendant ce temps, l'évaporation des matériaux de départ progresse, cependant, le refroidissement est effectué à une cadence aussi élevée que 1x10' à 1x10@ çC/s, de sorte que l'on peut obtenir le luminophore ayant une norme sphérique, tout en étant maintenu à une température à laquelle se déroule la nitruration. Les propriétés du luminophore ainsi obtenu au moyen du procédé selon la présente invention sont décrites ci-après, en se référant aux figures 1 à 5. la figure 1 représente un spectre d'émission du luminophore de la présente invention dont la matrice est constituée de GaN. Le luminophore présente un pic d'intensité poche de 450 mm, lorsqu'il émet de la lumière en raison de l'impact sur lui d'électrons, faisant qu'il présente une couleur lumineuse bleue. La tigure 2 r e p r e' s e n t e une relation entre 1 a teneur (%.mol) de la substance de dopage (Z n ou Mg) dans le luminophore de la présente invention et une intensité relative de la luminescence du luminophore, en raison de l'impact s o r 1 o 1 des électrons. La teneur de la substance de dopage est de préférence comprise entre 0,01 %.mol et 0,3 %.mol, dans laquelle une valeur relative de l'intensite lumineuse de luminophore est d f à peu près 70 % ou plus en se basant sur sa valeur pic. La figure 3 représente une relation entre un rapport de mélange de cristal de GaN et un cristal d' i r; dans le luminophore de la présente invention et un intervalle d'energie du luminophore. Il est à noter qutun intervalle d'énergie du u luminophore varie d'après le rapport de mélange de cristaux, donnant lieu à une variation de la couleur lumineuse du luminophore. Par exemple, une augmentation d rapport de Ga permet à la couleur lumineuse de s'approcher du bleu en partant du vert, tandis qu'une augmentation du rapport d'InN lui permet de s'approcher de la couleur rouge. La figure 4 représente une relation entre une tension d'anode dans un dispositif d'affichage fluorescent présentant sur lui une anode, ainsi que le luminophore de la présente invention et une luminance du luminophore, cette relation étant obtenue lorsque le dispositif d'affichage fluorescent est attaqué. La figure 4 indique que le rapport GaN:Mg et GaInN:Zn, qui sont des exemples du luminophore de la présente invention, prësentent chaclJn une plus grande lurninance par rapport à la tension d'anode, en comparaison avec le rapport GaN:Cd qui est un luminophore classique. La figure b représente une relation entre une valeur relative de luminance d'un dispositif d'affichage fluorescent ayant sur lui anode ainsi qu'un luminophore selon la présente invention, d'après sa luminance initiale définie comme étant de 100 et une durée d'éclairage continu d dispositit, cette relation étant obtenue lorsque le dispositif d'affichage fluorescent est exposé à une operation d'éclairage continu. Est à noter que le luminophore de la présente invention présente une luminance sensiblement identique à la luminance initiale, même après qu'il ait été exposé à une opération d'éclairage continu pendant à peu près 2000 heures. Ces buts, ainsi que d'autres et un grand nombre des avantages liés à la présente invention vont apparaître facilement c1-après à la lecture de cette dernière en se retirant à la description détaillée qui suit, faite en liaison avec les dessins annexés, dans i e s q o e i s la figure 1 est une représentation graphique illustrant un spectre d'émission d'un luminophore de la présente invention, ayant une matrice constituée de GaN; la figure 2 est une représentation graphique illustrant une relation entre une teneur d'une substance de dopage dans un luminophore de la présente invention et une intensité relative de la luminescence du luminophore, en raison de l'impact sur lui des électrons;; la figure 3 est une représentation graphique illustrant une relation entre un rapport de mélange d'un cristal de GaN et d'un cristal d'InN dans un luminophore de la présente invention et un intervalle d'énergie du luminophore; a figure 4 est une représentation graphique illustrant une relation entre i,; n e t d'anode dans un dispositif d'affichage fluorescent, ayant sur lui une anode ainsi qu'un luminophore de la présente invention, et une luminance du luminophore, cette relation étant obtenue lorsque le dispositif d'affichage fluorescent est attaqué; et la figure 5 est une representation graphique illustrant une relation entre une val eur rel ative de luminance d'un dispositif d'affichage fluorescent ayant sur lui une anode, ainsi qu'un luminophore de la présente 1 nvention, d'après sa luminance lnltlale et une durée d'eclairage continu du dispositif, cette relation étant obtenue lorsque le dispositif d'affichage fluorescent est exposé à une opération d'éclairage continu. La présente invention est decrite en détail ci-après. D'abord, un procéd de de production d'un luminophore selon la presente invention est décrit ci-après Dans un mode de réalisatlon pretéré d procédé de la présente invention, on peut utiliser un appareil de traitement thermite adapté de façon à produire du plasma. L'appareil de traitement thermique comprend un tube sous vide réalise en quartz et évacué afin d'obteni r o n vide é e v é . Le t u b e en quartz est relié par son extrémité supérieure à un tube d'entrée, par l'intermédiaire duquel un gaz porteur et un gaz réactif sont introduits dans le tube en quartz.Le tube en quartz est relie par son extrémite inférieure à un tube d'aspiration, par l'intermédiaire duquel le tube en quartz est évacué, de sorte qu'on vide élevé peut s'y former. Le tube en quartz présente une partie ou zone de chauffage définie dans une partie de ce dernier. De même, le tube en quartz est pourv, sur sur sa périphérie extérieure, d'une bobine à haute fréquence servant de moyen de chauffage à induction à haute fréquence, de manière à entourer la zone de chauffage. Le gaz porteur et le gaz réactif sont introduits dans le tube en quartz tout en maintenant en flottaison à l'intérieur les matériaux de départ destinés a luminophore. Ensuite, les deux gaz sont passes à travers la zone de chauffage, dans lasuel le les gaz sont chauffes par la bobine a haute fréquence (RF), de sorte que du plasma a a une température élevée peut ê t r e p r o d o i t d a n s 1 d zone de chauffage. Le gaz porteur sert également à supporter le plasma ainsi produit, et du A r ou analogue peut être utilisé à titre de gaz porteur. Le gaz réactir peut comprendre du gaz contenant de l'azote et ne contenant pas d'oxygène, tel que, par exemple, du NH3, du N2 ou analogue. Le procédé de la présente invention qui est conçu de manière à produire du plasma en vue d'un chauffage, permet d'obtenir un non-équilibre dans le tube en quartz, ce qui provoque l'augmentation de la température du plasma produit dans la zone de chauffage à un niveau aussi éléve que 10000 C jusqu'à 15000 C. ainsi qu'une réduction bru ta I e de I a température du niveau d'une partie du tube en quartz se trouvant hors de la zone de chauffage. Ainsi, des particules des matériaux de départ destinés au luminophore sont exposées à un chauffage bru ta ou rapide et à un refroidissement rapide, tout en ëtant maintenues séparées les unes des autres. Le refroidissement est effectué 3 une cadence de retroidissement comprise entre lxlO' C/s et 1x104 C/s. A présent, le procédé de la presente invention mis en oeuvre à l'aide de l'appareil de traitement thermique conçu comme décrit ci-dessus est décrit ci-après, en se référant aux exemples qui suivent, cependant, ces exemples sont destinés à il lustrer l'invention et ne sont pas conçus de façon à limiter le champ de l'invention. Exemple 1 Dans l'Exemple 1, un luminophore constitué de GaN:Mg a te prepare. 23,5 g de Ga2S3 et 0,04 g de MgCl2 (0,2 %.mol de Mg sur la base d'une matrice du luminophore), qui sont des matériaux de départ destinés au luminophore, ont été mélangés ensemble afin de préparer un melange. qui a été ensuite placé dans le tube en quartz, tout en étant placé sur une coupelle de quartz. Le mélange a été maintenu à une temperature de 1100 C pendant 10 heures, tout en faisant écouler dans le tube en quartz de l'ammoniac à un débit de 10 mlimin, permettant d'obtenir un luminophore constitué de GaN:Mg selon la réaction suivante: Ga@S3 + + 2NH3 ,' ?GaN + 3H s Ensuite, le luminophore de GaN:Mg ainsi obtenu a été observé au moyen d'un microscope electronique à balayage (SEM). En comparaison avec une supposition des inventeurs, il s'ensuit qu'il s'est avere que le luminophore serait aciculaire, présentant une forme particulaire planaire. Le luminophore ainsi obtenu a été utilisé afin de fabriquer un dispositif d'affichage fluorescent. Plus sp#ecifiquement, le luminophore a été revêtu sur chacun des conducteurs anodiques agences sur un substrat d'anode distiné à on d t spos i t if O' tif r chage fluorescent, au moyen d'un liant organique. Ensuite, le substrat d'anode d été exposé à une calcination à une température de 500 C dans une atmosphère ambiante, donnant lieu a' l'élimination du liant. Ensuite, différentes électrodes ont été agencées sur le substrat d'anode et un boîtier a été monté de manière étanche sur le substrat d'anode, de façon à former de ce fait une enveloppe qui a été ensuite évacuée afin d'obtenir un vode élevé et fermé hermétiquement, donnant lieu à un dispositif d'affichage fluorescent.Ensuite, une tension de 50 Volts a été appliquée aux anodes du dispositif d'affichage fluorescent ainsi formé et, de manière analogique, une tension d'un niveau approprié a été appliquée sur chacune des cathodes et des électrodes de commande, donnant lieu à un impact des électrones émis par les cathodes sur le luminophore se trouvant sur chacune des anodes, permettant d'obtenir une luminescence du luminophore. La Figure ï représente on spectre lumineux do luminophore de l'exemple, contenant du GaN se présentant sous la forme d'une matrice. Est à noter que le luminophore présente un pic d'intensité proche de 450 O n nm lorsqu'il émet de !a a lumiere en raison de l'impact sur loi d'électrons et émet une lumière d'une couleur bleue. Une pluralité de tel s luminophores a été préparée tout en faisant varier la quantité de MgCl2 dans une plage comprise entre 0,001 %.mol et 10 %.mol. La relation entre la teneur en %.-mol de Mg dans chacun des luminophores et l'intensit#e relative de la luminance de lors de la luminescence du luminophore en raison de l'impact des électrons a été celle représentee sur la figure 2 et une plage préférée de %.mol de Mg, qui est un matériau de dopage, a été celle decrite ci-desus La relation entre la tension d'anode Va et la valeur relative de luminace du luminophore dans le dispositif d'affichage fluorescent décrit ci-dessus a été celle du laminophore de GaN:Mg décrit ci-dessus, représentée sur la figure 4. Une relation entre une valeur de luminance du luminophore par rapport à une luminance initiale de ce dernier définie comme etant egale à 100 et une durée d'éclairage continue, cet relation étant obtenue lorsque le dispositif d'africhage fluorescent est exposé à une opération d'éclairage continue, a été celle représentée sur la figure 5. Exemple 2 Dans l'exemple 2, un luminophore constitué de GalnN:Zn a été préparé. A cette fin, 16,4 g de Ga2S3, 9,8 g de In2S3 et 0,02 q de ZnS (0,2 t.mol de Zn) qui sont des matériaux de départ destinés au luminophore ont été mélangés ensemble afin de preparer un mélange, qui a été ensuite placé dans le tube en quartz tout en étant placé sur une coupelle de quartz. Le mélange a été maintenu à une température de 1150 C pendant b heures, tout en faisant écouler de l'ammoniaque dans le tube en quartz à un débit de 10 ml/min, donnant lieu à la préparation du luminophore GaIn:Zn. Le luminophore ainsi préparé a été utilisé dans la rabricat ion d'un dispositif d'affichage tiuorescent. A cette fin, des conducteurs d' anûde constitués d'une électrode ITO perméable à la lumière ont été agencés sur un substrat d'anode constituant une face avant du dispositif d'affichage fluorescent. Ensuite, le luminophore a été revêtu sous la forme d'une pâte sur chacun des conducteurs d'anode au moyen d'alcool de polyvinyle (PVA) suivi d'une calcination du substrat d'anode a une temperature de 480 C dans une atmosphère ambiante. Ensuite, un substrat de cathode disposé à l'oppose du substrat d'anode a été pourvu, sur sa surface intérieure, de cathodes à émission de champ servant de source d'électrons. A cette fin, avant tout, le substrat de cathode a été pourvu de conducteurs de cathode, suivi d'un agencement d'une couche isolante sur les conducteurs de cathode et le substrat de cathode. Ensuite, une grille a été formée sur la couche isolante. La grille et la couche isolante ont été exposées à une gravure chimique, atin d'être pourvues de ce fait de trous s'étendant vers les conducteurs de cathode.Ensuite, les trous s ont été pourvus à l'intérieur d'émetteurs coniques, tout en les plaçant sur les conducteurs de cathode, donnant lieu à l'application d'une tension d'un niveau approprie sur les conducteurs de cathode et à une grille permettant aux electrons d'être émis par une pointe de chacun des émeteurs. Le substrat d'anode et le substrat de cathode ont éte placés à l'oppose l'un de l'autre en laissant entre eux un micro-jeu prédéterminé et en les reliant l'un à l'autre de manière étanche au niveau de leur périphérie extérieure, au moyen d'un organe d'espacement étanche à 'air tel que, par exemple, du verre de frittage ou analogue, afin de former une enveloppe qui a été ensuite évacuée pour obtenir un vide élevé et fermée de manière étanche, donnant lieu à un dispositif d'affichage fluorescent. Ensuite, une tension d'à peu près 100 V a été appliquée sur les anodes du dispositif d'affichage fluorescent et une tension d'un niveau approprié a été appliquée de manières analogue sur chacun des conducteurs de cathode et la qril le, entrainant l'impact des electrons émirs par les cathodes sur le luminophore se trouvant sur chacune des anodes, donnant lieu à la luminescence du luminophore. La luminescence du luminophore a été observée extérieurement a travers les conducteurs d'anode permeables à la lumière et le substrat d'anode. La commande du dispositit d'affichage fluorescent dans les conditions décrites ci-dessus a permis au luminophore d'émettre une lumière d'une couleur verte. Une couleur lumineuse du luminophore a été imputable à une différence d'intervalle d'énergie déterminé d'après on rapport de mélange entre le GaN et l'InN, comme représenté sur la figure 3. Une relation entre une tension d'anode V a et une valeur relative de luminance du luminophore dans le dispositif d'affichage fluorescent décrit ci-dessus a été celle du luminophore GalnN:Zn décrit ci-dessus, représenté sur la figure 4. Dans l'exemple, on a utilisé de l'ammoniaque à titre de gaz réactif. En variante, un matériau de type amine, tel que du méthyle amine, de l'amyle amine ou analogue, peut être utilisé à cette fin. L'utilisation de l'amine permet de réduire la température réactive par rapport à l'utilisation d'ammoniaque. Exemple 3 Dans l'exemple 3, un luminophore GaN:Zn a été preparë. A cette fin, 16,4 g de GaS, et 0,02 g de ZnS (U,1 t.mol de Zn) qul sont des matériaux de départ destinés au luminophore ont été mélangés ensemble afin de préparer iun mélange, qui a été ensuite placé dans le tube en quartz tout en étant disposé sur une coupelle de quartz. Le mélange a été maintenu à une température de 1150 C pendant 6 heures, tout en faisant écouler de l'ammoniaque dans le tube en quartz à un debit de 10 nil ml/min, donnant lieu à la préparation du luminophore GaN:Zn. Exemple 4 Dans l'exemple 4, un laminophore GaIn:Mg a été prepare. A cette fin, lb,4 g de Ga2S3, 9,8 de In2S3 et 0,04 g de MgCl2 0,2 %.mol de Mg, qui sont des matériaux de départ pour le luminophore ont été complèment mélanges entre eux afin de préparer un mélange, qui a été ensuite placé dans le tube en quartz tout en étant dispose sur une coupelle de quartz. Le mélange a été maintenu à une temperature de 1150 C pendant 6 heures, tout en faisant écouler de l'ammoniaque dans le tube en quartz à un débit de 10 ml/min, donnant lieu à la prépara t ion du l luminophore GaInN:Mg. Les luminophores obtenus dans les exemples 3 et 4 ont offert chacun pratiquement les mèmes avantages que ceux décrits ci-dessus en se référant aux figures 1 à 3. Comme on peut le voir à partir de ce qui précède, la pressente invention propose un luminophore qui est empêché d'être affecté par l'oxygène durant sa production, assure une luminescence en raison d'une excitation par des électrons, permet d'obtenir sélectivement différentes couleurs lumineuses d'après la selection des matériaux de départ et présente des caractéristiques de luminance e r de drue de de vie satisfaisantes. Bien que l'invention ai t été décrite avec un certain degre de particularité en se référant aux dessins, des modifications et variantes évidentes sont possibles au vu des enseignements précites. REVENDICATIONS 1. - Luminophore represente par une formule chimique Ga1-xInxN:A (0#x 2. - Procédé de fabrication d'un luminophore représenté par une formule chimique Ga1-xInxN:A (0Ax mélanqe de materiaux de depart contenant au moins un composé de gallium sans oxygène et une substance de dopage sans oxygene, afin de préparer un mélange; ledit composé de gallium sans oxygène et la substance de dopage sans oxygène étant sélectionnés dans un groupe de matériaux de départ consistant en ledit composé de gallium sans oxygène, un composé d'indium sans oxygène et ladite substance de dopage sans oxygène; et chauffage dudit mélange dans une atmosphère contenant de l'azote, atin de preparer ledit luminophore. 3. - Procédé de fabrication d'un luminophore représente par une formule chimique Ga1-xInxN:A (0#x melange de matériaux de départ contenant au moins un compose de gallium sans oxygène et une substance de dopage sans oxygène, arin de preparer un Riélange; ledit composé de gallium sans oxygène et la substance de dopage sans oxygène etant sélectionnes dans un groupe d e matériaux d de départ consistant en ledit composé de gallium sans oxygène, un composé d'indium sans oxygène et ladite substance de dopage sans oxygène; et exposition audit melange 3 un chauffage rapide et à un refroidissement rapide dans une atmosphère contenant de 1 t azote, afin de préparer ledit luminophore. 4. - Procédé selon la revendication 1 ou 2, dans lequel ledit composé de gallium est du sulfure de gallium, ledit composé d'indium est du sulfure d'indium et ladite substance de dopage sas oxygène est do sulfure ou du chlorure d'une substance de dopage. 5. - Procédé selon la revendication 3, dans lequel ledit chauffage rapide et le refroidissement rapide sont ettectues à une vitesse de 1x10' à 1x10' C/s. 6. - Procédé selon la revendication 3 ou 5, dans lequel lendit mélange est passe par du plasma, tandis qu'il est mis en flottaison dans du gaz réactif contenant de l'azote, donnant lieu à son exposition audit chauffage rapide et refroidissement rapide.