Brevet FR2744287A1 — publié le 19970801

CMOEOSANTS LATERAIX DANS UN DISPOSITIF SMICClU-uCTEUR DE PUISSANCE La présente invention concerne le domaine des dispo- sitifs semiconducteurs de puissance monolithiques et plus parti- culièrement l'optimisation de composants latéraux dans de tels dispositifs semiconducteurs de puissance. De façon générale, les dispositifs semiconducteurs destinés à laisser passer de forts courants et à supporter des tensions élevées sont réalisés verticalement dans des plaquettes de silicium. Un exemple particulier est illustré en figure 1 qui est une vue en coupe schématique d'un thyristor. Ce composant est réalisé à partir d'une plaquette de silicium d'une épaisseur de 0,2 à 0,4 mm constituée d'un monocristal semiconducteur très faiblement dopé (couramment 1014 à 1016 atomes/cm3). Une électrode principale du thyristor est formée sur la face supérieure et l'autre électrode principale est formée sur la face inférieure. Dans l'exemple représenté, le substrat Nl correspond à une plaquette de silicium de type N. La face inférieure ou face arrière est munie d'une diffusion P2 de type P et, dans la face avant, est formée une région P3 de type P dans laquelle est diffusée une région N4 de type N. La métallisation de cathode K est solidaire de la région N4 et une métallisation de gâchette G est solidaire de la région P3. L'épaisseur restante du substrat Ni entre ses interfaces avec les régions P2 et P3 détermine notamment la tenue en tension du composant. On trouve aussi souvent dans ce type de structure verticale des tmurs d'isolement 3 et 4 respectivement formes à partir des faces supérieure et inférieure et se rejoignant pour délimiter une portion du substrat Ni. De nombreux types de composants de puissance verticaux sont connus, par exemple des thyristors, des triacs, des transis- tors de puissance, des transistors MOS de puissance et diverses variantes de ces composants à commande directe ou indirecte et éventuellement à commande en tension (commande par transistor MOS). De façon générale, tous ces composants se caractérisent par une structure verticale, dans l'épaisseur d'une plaquette, et le fait qu'une au moins des couches les constituant correspond à une portion épaisse du substrat peu dopé. Par ailleurs, ces dernières années, de nombreux progrès ont été réalisés dans les dopages de face arrière des plaquettes et on trouve maintenant diverses dif- fusions localisées du côté de la face arrière. Il est également connu qu'une portion de la face arrière peut être isolée de la métallisation de face arrière. Dans certains cas, on souhaite aussi réaliser dans des dispositifs de puissance des composants latéraux. La figure 2 représente un exemple d'un tel composant latéral à savoir un transistor PNP formé dans la face supérieure ou avant du substrat Ni et comprenant une région d'émetteur P5 de type P, une région de collecteur P6 de type P et une région de prise de contact de base N7 de type N. Comme pour un composant vertical, si l'on veut que la tenue en tension de ce composant soit élevée, il faut que la distance latérale entre les régions P5 et P6 soit importante, sensiblement égale à l'épaisseur verti- cale de la couche N1 considérée dans la figure 1. La figure 3 représente un exemple de thyristor latéral formé dans la face supérieure du substrat Ni et comprenant une région d'anode P10 de type P, une région de gâchette de cathode Pll de type P et une région de cathode N12 de type N formée dans la région Pli. Une région N13 a une fonction d'arrêt de canal. Ici encore, si l'on veut que la tenue en tension soit élevée, il faut que la distance latérale entre les régions P10 et Plil soit importante, sensiblement égale à l'épaisseur verticale de la couche N1 considérée dans la figure 1. On cherche généralement à obtenir des transistors de gain relativement élevé et/ou des thyristors latéraux relati- vement sensibles, c'est-à-dire que les transistors qui les composent doivent présenter un gain relativement élevé. Ceci est a priori difficile étant donné la distance importante entre les régions P nécessaire à l'obtention d'une tenue en tension élevée. Pour augmenter le gain, on joue essentiellement sur le dopage des régions P5, P6, P10 et Pli et sur la profondeur de ces régions, ainsi que sur la topologie des diverses régions (structures en anneau ou digitées). Néanmoins, il est difficile d'arriver à des solutions satisfaisantes et, même si on y arrive, cela nécessite de réaliser certaines couches avec des niveaux ou des profils de dopage particuliers, ce qui fait que ces couches ne peuvent être réalisées en même temps que d'autres couches réalisées dans le même dispositif semiconducteur pour d'autres composants de ce dispositif. Un autre composant latéral est illustré en figure 4A et correspond au montage en série de deux diodes telles que repré- sentées en figure 4B formées du côté de la face avant d'un substrat Ni. La première diode est formée par la jonction entre une région P20 de type P et une région N21 de type N formée dans cette région P20. Cette première diode comprend une métallisation A1 solidaire de la région N21 et une métallisation B1 solidaire de la région P20, avec généralement interposition d'une région de type P fortement dopée P22. De même, la deuxième diode comprend une région P24, une région N25 et une région P26 disposées de la façon représentée. La région N25 est solidaire de la même métal- lisation B1 que la région P22 et la région P26 est solidaire d'une métallisation Ci. Les figures 5A et 5B sont similaires aux figures 4A et 4B à la différence que, en figure 5A, le dispositif est construit sur un substrat de type P plutôt que sur un substrat de type N. Un inconvénient des structures des figures 4A et 5A est qu'il existe un risque de déclenchement de thyristors parasites tels que le thyristor constitué par les régions N21-P20-N1-P24 ou d'autres thyristors parasites susceptibles d'exister entre diverses séries de diodes formées dans le même substrat, par exemple pour constituer un pont redresseur monolithique. Dans ce cas, contrairement à celui de la figure 3, on cherche à réduire autant que possible la sensibilité des thyristors parasites, c'est-à-dire le gain des transistors bipolaires qui les consti- tuent. A nouveau, pour atteindre ce résultat, on joue essentiel- lement sur le niveau de dopage et le profil des régions P20 et P24. On utilise aussi des diffusions métalliques (or, platine) ou des irradiations électroniques ou protoniques, mais cela aussi complique le processus de fabrication; de plus de tels traitements sont difficiles à localiser avec précision. Tous les procédés connus d'ajustement de sensibilité ou de gain présentent, comme on l'a indiqué précédemtent, d'une part, l'inconvénient de ne pas conduire de façon optimale au résultat souhaité, d'autre part, l'inconvénient de nécessiter des étapes de fabrication supplémentaires par rapport aux étapes standard de fabrication d'un dispositif semiconducteur de puissance. Un objet de la présente invention est d'optimiser le gain ou la sensibilité de composants latéraux souhaités ou para- sites pour pouvoir choisir un gain élevé dans le cas de composants souhaités et un gain faible dans le cas de composants parasites sans qu'il soit nécessaire de prévoir des étapes de fabrication autres que celles couramment utilisées pour la fabri- cation d'un dispositif semiconducteur de puissance. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un procédé de réglage du gain ou de la sensibilité d'un composant latéral formé dans la surface supérieure d'une plaquette semi- conductrice d'un premier type de conductivité, consistant à ne pas doper ou surdoper selon le premier type de conductivité la face arrière quand on veut réduire le gain ou la sensibilité du composant latéral, et à doper selon le deuxième type de conduc- tivité la face arrière quand on veut augmenter le gain ou la sensibilité du composant latéral. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la diffusion de face arrière du premier type de conductivité est d'autant plus augmentée que l'on veut réduire le gain. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la diffusion de face arrière du deuxième type de conductivité est d'autant plus augmentée que l'on veut augmenter le gain. La présente invention vise aussi un transistor ou un thyristor latéral formé dans la face avant d'une plaquette semi- conductrice d'un premier type de conductivité à faible niveau de dopage comprenant du côté de la face arrière de la plaquette une couche du deuxième type de conductivité. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la couche du deuxième type de conductivité occupe sensiblement la moitié de l'épaisseur du substrat et est formée en même temps que des murs de diffusion latéraux formés à partir de la face arrière. La présente invention vise aussi un ensemble de diodes à jonction PN formé dans la face avant d'une plaquette semi- conductrice d'un premier type de conductivité à faible niveau de dopage, dans lequel la face arrière du substrat comprend une région du premier type de conductivité à fort niveau de dopage. Ces objets, caractéristiques et avantages, ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre non-limitatif en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 à 5 décrites précédemment sont destinées à illustrer le problème posé et 1' état de la technique; et la figure 6 illustre le procédé selon la présente invention d'ajustement du gain ou de la sensibilité d'un compo- sant latéral. Conformément à l'usage dans le domaine de la représen- tation des composants semiconducteurs, les diverses vues en coupe ne sont pas tracées à l'échelle mais leurs dimensions horizon- tales et verticales sont arbitrairement dilatées ou rétrécies pour simplifier la représentation et améliorer la lisibilité. La présente invention se base sur des expériences et des constatations effectuées par la demanderesse. Alors que, quand on considère un composant latéral formé dans un dispositif de puissance, on s'intéresse comme on l'a montré en relation avec les figures 2 à 5, aux diffusions réalisées dans la face supérieure du composant en négligeant ce qui passe du côté de la face arrière puisque celle-ci est éloi- gnée des diffusions de face avant par une épaisseur importante de substrat, la demanderesse a effectué une série d'expériences sur l'influence de diffusions de face arrière réalisées en regard du composant considéré. La figure 6 résume le résultat de ces observations dans le cas o le composant latéral considéré est un thyristor latéral. En figure 6, on a représenté un même thyristor latéral comprenant une région d'anode P10 de type P et une région de gâchette de cathode Pll de type P formées dans un substrat Ni de type N faiblement dopé, une région de cathode N12 de type N étant formée dans la région Pll. La demanderesse a étudié la sensibi- lité de ce thyristor quand la face arrière du substrat comprenait une région 41 de type N fortement dopée (cas I), quand la face arrière ne comprenait aucune diffusion (cas II), quand la face arrière comprenait une région 43 de type P d'une profondeur correspondant sensiblement à celle des diffusions P formées à partir de la face supérieure (cas III), et quand la face arrière comprenait une région 44 de type P correspondant à la diffusion d'un mur d'isolement formé à partir de la face arrière (cas IV). On s'aperçoit que la sensibilité des thyristors croît quand on passe du cas I au cas IV. On notera que, dans ce qui précède, on a considéré que la face arrière n'était pas polarisée à un niveau particulier. Elle est ou bien revêtue d'une couche isolante ou bien d'une métallisation mise à la masse. De même le gain de transistors latéraux tels que celui de la figure 2 croît quand on passe du cas I au cas IV. Bien que la demanderesse ne prétende pas donner une explication théorique du phénomène observé, on peut penser que ce phénomène est lié au comportement de la partie des charges émises par la région P10 (ou P5) vers le bas dans le substrat. Dans les cas I et II, ces charges se recombineraient dans la région de type N fortement dopée 41 ou au niveau de la face arrière, respectivement. Ces charges ne pourraient donc pas être collec- tées par la région Pll (ou P6). Par contre, dans les cas III et IV, la couche de type de conductivité opposé à celui du substrat aurait sur ces charges un effet miroir. Ces charges émises vers le bas seront donc finalement collectées par la région Pll (ou P6). Cette meilleure collection des charges entraîne une amélio- ration de gain (transistor) ou de sensibilité (thyristor). L'effet de recombinaison des charges serait amplifié quand une région 41 de même type que le substrat serait plus proche des diffusions de face supérieure et l'effet miroir se renforcerait quand une région 43 ou 44 de type opposé à celui du substrat serait plus proche des diffusions de face supérieure (ou serait plus fortement dopée). On dispose ainsi d'un mode de réglage du gain d'un transistor latéral ou de la sensibilité d'un thyristor latéral par action sur les diffusions de face arrière d'un dispositif de puissance. Plus particulièrement, pour avoir un thyristor latéral sensible ou très sensible, on choisira l'une des configurations selon le cas III ou IV. Pour éviter l'influence de thyristors latéraux parasites (cas des figures 4 et 5), on se placera dans le cas I ou II. Par exemple, dans le cas de la figure 4A, on réalisera en face arrière une diffusion de type N+ pour tuer le gain des thyristors latéraux et en figure 5A une diffusion de type P+. Ceci pourra amener à modifier des structures existan- tes. Notamment, dans des structures incluant des thyristors verticaux tels que celui de la figure 1, o normalement toute la face arrière comporte une diffusion de type P, on interrompra cette diffusion de type P en regard de régions comportant des conmposants dans lesquels on veut éviter l'apparition de thyris- tors parasites tels que ceux des figures 4 et 5 et, de préfé- rence, on réalisera une région de type P plus profonde en regard de composants du type de ceux des figures 2 et 3 dans lesquels on veut augmenter le gain ou la sensibilité. En pratique, la mise en oeuvre de l'invention ne complique pas sensiblement les procédés usuels de fabrication de conmposants de puissance. Il conviendra seulement selon le résul- tat désiré de veiller à masquer ou à ne pas masquer des portions de la face arrière situées en regard de comaposants latéraux avant d'effectuer des opérations de diffusion dans la face avant de la plaquette. La présente invention s'applique de façon générale au réglage du gain ou de la sensibilité de composants latéraux réa- lisés sur une face d'une plaquette semiconductrice. Ces compo- sants latéraux peuvent être de tout type connu et comprendre les diverses variantes de réalisation connues. En ce qui concerne la réduction du gain ou de la sensibilité de composants parasites, on notera que ces composants parasites peuvent être non seulement des thyristors, mais aussi des transistors, des triacs... La présente invention est susceptible de diverses variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. Nota-mmnt, dans chacun des exemples considérés, tous les types de conductivité pourront être intervertis. REVIMDICATICtS 1. Procédé de réglage du gain ou de la sensibilité d'un composant latéral formé dans la surface supérieure d'une plaquette semiconductrice (N1) d'un premier type de conductivité, caractérisé en ce qu'il consiste à: ne pas doper ou surdoper selon le premier type de conductivité la face arrière quand on veut réduire le gain ou la sensibilité du composant latéral, et doper selon le deuxième type de conductivité la face arrière quand on veut augmenter le gain ou la sensibilité du composant latéral. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diffusion de face arrière du premier type de conductivité est d'autant plus augmentée que l'on veut réduire le gain. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la diffusion de face arrière du deuxième type de conductivité est d'autant plus augmentée que l'on veut augmenter le gain. 4. Transistor ou thyristor latéral formé dans la face avant d'une plaquette semiconductrice d'un premier type de conductivité à faible niveau de dopage, caractérisé en ce qu'il comprend du côté de la face arrière de la plaquette une couche du deuxième type de conductivité (43, 44). 5. Transistor ou thyristor latéral selon la revendi- cation 4, caractérisé en ce que la couche du deuxième type de conductivité occupe sensiblement la moitié de l'épaisseur du substrat et est formée en même temps que des murs de diffusion latéraux formés à partir de la face arrière. 6. Ensemble de diodes à jonction PN formé dans la face avant d'une plaquette semiconductrice d'un premier type de conductivité à faible niveau de dopage, caractérisé en ce que la face arrière du substrat comprend une région du premier type de conductivité à fort niveau de dopage.