Brevet FR2741740A1 — publié le 19970530

DISPOSITIF D'AFFICHAGE A CRISTAUX LIQUIDES A TAUX D'OUVERTURE ELEVE La présente invention concerne un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active. dans lequel on améliore le taux d'ouverture en optimisant la structure de ligne de bus et du transistor en couche mince, de sorte à réduire la consommation en énergie, augmenter la luminance, et diminuer la réflexion, afin d'améliorer le rapport de contraste. La présente invention concerne plus précisément un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active, une matrice pour un tel dispositif, et un procédé de fabrication d'un tel dispositif. Un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active classique comprend un grand nombre de pixels et de dispositifs de commutation associés, tels que des transistors en couche mince, disposés selon une matrice. Les pixels sont reliés par une pluralité de lignes et de grille, de lignes de bus de données, et des bornes formées à chaque extrémité des lignes de bus de données et des lignes de grille. Chaque pixel comprend une électrode de pixel, qui est électriquement reliée au dispositif de commutation, de sorte à appliquer des tensions, selon que la lumière doit être transmise ou bloquée par le pixel. Un condensateur ou capacité de stockage est aussi prévu pour améliorer les caractéristiques électriques du pixel. Comme représenté sur la figure 1, dans la matrice d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active. chaque pixel comprend une ligne de grille 1 et une ligne de données 2, qui se croisent; une électrode de grille 11 qui s'étend à partir de la ligne 1; un îlot de silicium amorphe 14 qui recouvre l'électrode de grille 1 1; une électrode de source 16 s'étendant à partir de la ligne de données 2; et un transistor en couche mince 3 comprenant une électrode de drain 17 qui est formée en correspondance à l'électrode de source 16. Comme représenté en outre sur la figure 1, une électrode de pixel 19 est reliée à une électrode de drain 17. Le pixel comprend en outre un condensateur de stockage 4 présentant une couche isolante située entre une première électrode de condensateur, qui une extension de la ligne de grille adjacente 11. et une seconde électrode de condensateur qui est une partie de l'électrode de pixel, chevauchent de la première électrode. Comme représenté sur la figure 2, dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active classique, une partie en saillie de la ligne de grille sert d'électrode de grille 1 pour la transistor en couche mince. L'électrode de grille 11 est formée sur un substrat isolant 10, et une première couche isolante 13 est formée sur une surface découverte du substrat isolant 10 et de l'électrode de grille 11. Comme en outre représenté sur la figure 2, une couche de silicium amorphe non 1 l}'I ()( - 22 m)cmbrc l>)/ - 1/29) dopé 14 et une couche de contact ohmique 15 sont ensuite formées successivement sur la couche isolante 13. La couche de contact ohmique 15 ne forme pas une partie du canal. Une électrode de source 16 est ensuite formée sur la couche de silicium amorphe dopé 15. en recouvrement partiel de l'électrode de grille 11. En outre, une électrode de drain 17 est formée en recouvrement partiel de l'électrode de grille 11. symétriquement à l'électrode de source 16. Une couche de passivation 18 est ensuite formée sur les électrodes de source et de drain 16, 17. afin de protéger le substrat isolant 10, et une électrode de pixel 19 est formée, et connectée à l'électrode de drain 17 par l'intermédiaire d'un trou de contact ménagé dans la couche de passivation 18. L'électrode de grille 11 peut être formée à partir d'un matériau conducteur susceptible d'être oxydé par anodisation, de sorte qu'une couche isolante d'oxyde 12 puisse être formée sur une surface d'électrode de grille 11. Afin d'atteindre un affichage vidéo de haute qualité. le dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active classique que l'on vient de décrire a besoin d'un grand taux d'ouverture. c'est-à-dire d'un rapport élevé entre la surface ouverte à travers laquelle la lumière passe réellement. et la surface totale d'un pixel. En général toutefois, les électrodes de la ligne de grille. de la ligne de données, du transistor en couche mince, et du condensateur de stockage sont formés d'un matériau conducteur opaque. Du fait que la taille (ou largeur) de la ligne de grille, de la ligne de données. et des transistors en couche mince déterminent la capacité d'assurer la présence du courant, et que la taille du condensateur de stockage détermine la capacité à maintenir l'application d'un courant sur le pixel. et donc la capacité à réduire l'effet de papillotement, il y a une limite à la possibilité de réduire la surface opaque de chaque pixel. Il est donc difficile d'améliorer le taux d'ouverture. En conséquence. il a été proposé de former le transistor en couche mince sur une ligne de grille classique, afin d'améliorer le taux d'ouverture. Un tel transistor en couche mince comprend: une électrode de grille, constituée d'une surface partielle d'une ligne de grille linéaire; une première couche isolante formée au-dessus de cette électrode; une couche d'îlot semi-conducteur formée sur la première couche isolante et des électrodes de source et de grain formées sur la couche de semi- conducteur en face l'une de l'autre. Une partie en saillie de la ligne de données qui sert d'électrode de source, et recouvre partiellement l'électrode de grille et l'électrode de drain. est reliée à une électrode de pixel. et recouvre partiellement l'électrode de grille. En conséquence, on peut améliorer le taux d'ouverture en utilisant une zone partielle de la ligne de grille, et en évitant de former une électrode de grille supplémentaire qui est opaque. R \ 14100 14120 D(OC - 22 19ovenlbre I 9)6 - 2/2') Toutefois, dans la structure de transistor en couche mince d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active classique. dans laquelle le transistor en couche mince est formée sur une ligne de grille, il se crée une capacité parasite du fait de la structure métal/isolant/métal constituée de la ligne de grille, de la couche d'isolation et de l'électrode de source et de l'électrode de drain. La capacité parasite Cgs entre les électrodes de drain et de grille reliées à l'électrode de pixel, est donnée par la formule: Cgs = e Ags (1) Dgs Comme expliqué ci-dessous, Cgs est une paramètre qui détermine le niveau de décalage AVp de la tension du pixel généré par la constante diélectrique d'anisotropie des cristaux liquides. Dans l'expression (1), c désigne la constante diélectrique de la couche diélectrique formée entre les électrodes de grille et de drain, c'est- à-dire la constante diélectrique de la première couche isolante et de la couche d'oxyde isolante; Ags désigne la surface de recouvrement des électrodes de grille et de drain, et Dgs désigne la distance entre les électrodes de grille et de drain. La relation entre la capacité parasite Cgs et la décalage de tension AVP est la suivante: AVP = Vsc - Vpc = Vg Cgs (2) Ct Dans l'expression (2), la tension Vcs est la tension centrale d'un signal de tension; la tension Vpc est la tension centrale de l'électrode de pixel; la tension Vg est la tension d'électrode de grille; et la capacité totale Ct = Cgs + Cs (du condensateur de stockage) + Clc (du condensateur à cristaux liquides). Si Cgs est beaucoup plus petit que Cs ou Clc dans l'expression (2), le dénominateur Ct est égal à Cs + Clc, et on peut donc supposer qu'il est constant. En conséquence, l'amplitude de AVP, la valeur du niveau de décalage de pixel est proportionnelle à l'amplitude de Cgs. AVP contribue à la dégradation de l'affichage des images. en provoquant par exemple des images rémanentes, des incohérences d'images entre les pixels, et une fiabilité faible du dispositif d'affichage à cristaux liquides. De la sorte, pour obtenir une qualité vidéo supérieure, il faut réduire l'amplitude de AVP. En fonction de l'expression (2), plus la valeur AVP est faible, plus Cgs doit être faible, ce qui peut être réalisé en baissant la constante diélectrique e de la première couche isolante, ou en augmentant Dgs. Toutefois, changer ces paramètres peut avoir un effet négatif sur d'autres caractéristiques électriques du dispositif. R 141"1 I 1121 D()( 22 v 9br 116 - 3/29 Afin de résoudre les problèmes mentionnés plus haut, un des objets de la présente invention est de fournir une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active présentant des transistors en couche mince, qui sont formés sur une ligne de grille, afin d'assurer un taux d'ouverture élevé, tout en résolvant les problèmes associés à la capacité parasite Cgs. En conséquence, afin d'atteindre ces objets. l'invention propose de former un transistor en couche mince sur une ligne de grille. au voisinage de l'intersection avec une ligne de données, en ménageant entre une électrode de source formée dans la ligne de données et une électrode de drain un canal non rectiligne ou non linéaire. et de préférence un canal formant un angle ou en forme de L. On peut ainsi augmenter le flux de courant à travers le canal, en diminuant la capacité parasite provoquée par le recouvrement des électrodes de source et de grille. Dans un premier mode de réalisation. correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 3 à 6, l'invention propose une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active, comprenant: - un substrat isolant, - une ligne de grille s'étendant dans une première direction sur ledit substrat et présentant une première région correspondant à une électrode de grille, et une seconde région reliée à et contig e à la première région, ladite ligne de grille exposant une partie dudit substrat; - une première couche isolante formée sur ladite ligne de grille et sur ladite partie exposée dudit substrat; - une couche semi- conductrice en forme d'îlot formée au-dessus et en recouvrement de ladite première région de ladite ligne de grille: une ligne de données disposée sur ledit substrat et croisant la région de ladite ligne de grille sur ladite couche semi-conductrice et présentant une première partie en saillie s'étendant dans ladite première direction au- dessus de ladite première partie de ladite ligne de grille, et une seconde partie adjacente à ladite première partie, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données étant situées au- dessus de ladite ligne de grille: - une électrode de source comprenant ladite partie en saillie de ladite ligne de données; - un transistor en couche mince prévu sur ledit substrat comprenant une électrode de drain formée face à ladite électrode de source; - une électrode de pixel couplée à ladite électrode de drain, et surmontant ladite seconde région de ladite ligne de grille: et - un condensateur de stockage comprenant une partie de ladite seconde région de ladite ligne de grille, comme première électrode de condensateur de stockage. R \14100'14120 DOC - 22 novembre 19% - 4 2') Cette matrice peut comprendre en outre une couche sensiblement opaque recouvrant partiellement ladite électrode de pixel et disposée au-dessus de ladite ligne de grille, de ladite ligne de données, de ladite électrode de source et de ladite électrode de drain, une première partie de ladite couche semi-conductrice étant exposée par ladite couche sensiblement opaque. Elle peut aussi comprendre une couche sensiblement opaque, ladite couche sensiblement opaque recouvrant une partie de ladite première électrode de condensateur de stockage. Le condensateur de stockage comprend avantageusement: - une couche d'isolation d'électrode formée sur ladite partie exposée dudit substrat isolant, et sur ladite première électrode de condensateur de stockage; une autre couche semi-conductrice formée sur ladite couche d'isolation d'électrode; - une seconde électrode de condensateur de stockage formée sur ladite autre couche semi-conductrice; et - une couche de passivation formée sur ladite couche d'isolation d'électrode et sur ladite seconde électrode de condensateur de stockage; ladite couche sensiblement opaque présentant une surface exposée sous ladite couche de passivation. et un trou de contact étant disposé dans ladite couche de passivation afin d'assurer la connexion de ladite électrode de pixel à ladite seconde électrode de condensateur de stockage. La ligne de grille est de préférence linéaire et présente une largeur sensiblement uniforme. Elle peut aussi présenter une partie en saillie recouvrant partiellement ladite électrode de drain et un côté de ladite électrode de source. De préférence. l'électrode de source et l'électrode de drain définissent une région de canal formant un angle dans ledit transistor en couche mince. Ladite région de source et ladite région de drain définissent une région de canal peuvent aussi former un angle autour de ladite électrode de drain au-dessus de ladite ligne de grille. Dans un deuxième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 3 à 5G, l'invention propose un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant: - une ligne de grille s'étendant dans une première direction; - une ligne de données s'étendant dans une seconde direction différente de la première direction. ladite ligne de données présentant une première partie en saillie s'étendant dans ladite première direction, et une seconde partie adjacente à ladite partie, lesdites première et seconde parties étant situées au-dessus de la ligne de grille; et R 11 41 1,)1 -1n c Ibrc199-, - 2) - une électrode de drain distante desdites première et seconde parties de ladite ligne de données; dans lequel, lorsqu'une tension est appliquée à ladite ligne de grille, un courant s'écoule depuis lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données vers ladite électrode de drain. Ladite seconde partie de ladite ligne de données peut être contig e à ladite première partie de ladite ligne de données. Le dispositif peut comprendre en outre un substrat, dans lequel ladite ligne de grille et ladite ligne de données sont disposées sur ledit substrat, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données définissant une région dudit substrat. ladite électrode de source se trouvant au-dessus de la région dudit substrat. Les première et seconde directions sont par exemple sensiblement perpendiculaires. On peut aussi prévoir en outre une couche sensiblement opaque au-dessus desdites première et seconde parties de ladite ligne de données. Dans ce cas, le dispositif peut comprendre en outre une électrode de pixel reliée à ladite électrode de drain, une partie de ladite électrode de pixel étant formée sur ladite couche sensiblement opaque. On peut aussi prévoir: - une couche sensiblement opaque au-dessus d'une première région de ladite ligne de grille comprenant une partie audessous desdites première et seconde parties de ladite ligne de données, ladite couche sensiblement opaque exposant une seconde région de ladite ligne de grille; et - un condensateur de stockage, ladite seconde région de ladite ligne de grille servant d'électrode pour ledit condensateur de stockage. Dans ce cas, le dispositif peut comprendre une électrode de pixel, dont une partie surplombe ladite seconde région de ladite ligne de grille et sert comme autre électrode dudit condensateur de stockage. Dans un troisième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence à la figure 6, l'invention propose un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant: - une ligne de grille présentant une première partie s'étendant sur une première direction et une seconde partie s'étendant dans une seconde direction différente de ladite première direction: - une ligne de données s'étendant dans ladite seconde direction, ladite ligne de données présentant une première partie en saillie s'étendant dans ladite première direction et une seconde partie adjacente à ladite première partie et s'étendant dans ladite seconde direction, ladite première partie de ladite ligne R \14100\1412 D(X' - 22 novembrl 1996 - Or29 de données s'étendant au-dessus de ladite première partie de ladite ligne de grille, ladite seconde partie de ladite ligne de données s'étendant au-dessus de ladite seconde partie de ladite ligne de grille; et - une électrode de drain distante desdites première et seconde parties de ladite ligne de données, de telle sorte que lorsqu'une tension est appliquée à ladite ligne de grille, un courant s'écoule depuis lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données vers ladite électrode de drain. Les première et seconde directions sont par exemple sensiblement perpendiculaires. Il est possible que ladite seconde partie de ladite ligne de données soit contigie à ladite première partie de ladite ligne de données. Le dispositif peut aussi comprendre un substrat, ladite ligne de grille et ladite ligne de données étant disposées sur ledit substrat, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données définissant une région dudit substrat, ladite 1 5 électrode de source se trouvant au-dessus de ladite région dudit substrat. Dans un quatrième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 7 à 9E, l'invention propose une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active, comprenant: - un substrat isolant; - une ligne de grille s'étendant dans une première direction sur ledit substrat et présentant une première région correspondant à une région de grille, une seconde région correspondant à une région qui n'est pas une région de grille, et un trou de contact adjacent auxdites première et seconde régions, ladite ligne de grille exposant une partie dudit substrat; - une première couche isolante formée sur ladite ligne de grille et sur ladite partie exposée dudit substrat; - une couche semi-conductrice en forme d'îlot formée au-dessus et en recouvrement de ladite première région et d'une partie dudit trou de contact de ladite ligne de grille; - des moyens d'arrêt d'attaque exposant une partie de ladite couche semi- conductrice; - une ligne de données formée sur ledit substrat en croisant la région de ladite ligne de grille et présentant une première partie en saillie s'étendant dans ladite première direction dans ladite première région de ladite ligne de grille et reliant ladite partie exposée de ladite couche semi-conductrice et une seconde partie contig e à ladite première partie, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données s'étendant au-dessus de ladite ligne de grille, et ladite partie en saillie de ! l' 1I)0(- 2ltlklbc1'- 7i2'[ ladite ligne de données définissant une électrode de source comprenant une partie latérale interne de ladite ligne données; et - une électrode de drain formée en correspondance à ladite électrode de source. Lesdits moyens d'arrêt d'attaque peuvent présenter une forme identique à celle de ladite ligne de grille présentant ladite première région et ladite seconde région. Ils peuvent aussi présenter une forme identique à celle de ladite première région de ladite ligne de grille. Ladite ligne de grille peut être linéaire et présente une largeur sensiblement uniforme, ou encore présenter une partie en saillie recouvrant partiellement ladite électrode de drain et un côté de ladite électrode de source. L'électrode de source et l'électrode de drain définissent par exemple une région de canal formant un angle dans ledit transistor en couche mince. Dans un cinquième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 1 à 6, l'invention propose un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice sur une surface d'un substrat: - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice dans ladite surface dudit substrat, ladite première couche conductrice ainsi structurée exposant une partie de ladite surface dudit substrat. et s'étendant dans une première direction sur ladite surface dudit substrat; - formation d'une couche isolante sur ladite première couche conductrice et sur ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat; - formation d'une première couche semi-conductrice sur ladite couche isolante: - formation d'une structure dans ladite première couche semi-conductrice pour recouvrir ladite partie de ladite surface dudit substrat et ladite première couche conductrice; - formation d'une seconde couche conductrice sur ledit substrat; - formation d'une structure dans ladite couche semi-conductrice afin de former: - une ligne de données au-dessus d'une partie de ladite couche semi- conductrice s'étendant au-dessus de ladite première couche conductrice. et s'étendant dans une seconde direction différente de ladite première direction; ladite ligne de données présentant une partie en saillie au- dessus d'une partie de ladite couche semi-conductrice au-dessus de ladite première couche conductrice, et s'étendant dans ladite première direction: et - une électrode de drain s'étendant au- dessus de ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat, ladite électrode de drain étant distante de ladite R \14100\14120 DO( - 22 noenbre IO)96 - S:2' partie en saillie et d'une partie de ladite ligne de données contigue à ladite partie en saillie. de telle sorte que. lors de l'application d'une tension à une première couche conductrice, un courant s'écoule depuis ladite partie de ladite ligne de données contigue à ladite partie en saillie et de ladite partie en saillie elle-même vers ladite électrode de drain. On peut aussi prévoir les étapes de: - formation d'une couche conductrice transparente s'étendant au-dessus d'une partie de ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat; et - formation d'une structure dans ladite couche conductrice transparente afin de former une électrode de pixel en contact avec ladite électrode de drain. On peut encore prévoir l'étape de: - formation d'une couche sensiblement opaque s'étendant au-dessus de ladite couche semi-conductrice. Avantageusement, ladite première direction est sensiblement perpendiculaire à ladite seconde direction. Dans un sixième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 7 à 10B, l'invention propose un Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice sur une surface d'un substrat; - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour former une ligne de grille sur ladite surface dudit substrat, ladite ligne de grille présentant une première région correspondant à une région de grille, une seconde région correspondant à une région qui n'est pas une région de grille, et un trou de contact au voisinage de ladite première région et de ladite seconde région reliée à ladite première région et adjacente audit trou de contact, ladite ligne de grille découvrant une partie dudit substrat; - formation d'une couche isolante sur ladite première couche et sur ladite partie de ladite surface dudit substrat; - formation d'une couche de silicium amorphe sur ladite couche isolante; - formation d'une structure dans ladite couche de silicium amorphe recouvrant ladite première région et une partie de contact de ladite ligne de grille; formation d'une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque sur une partie découverte de ladite première couche isolante et sur ladite couche semi- conductrice amorphe; - formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque pour former des moyens d'arrêt d'attaque présentant la même forme que celle de la ligne de grille, pour découvrir une partie de la structure ladite couche de silicium amorphe; formation d'une seconde couche conductrice sur ledit substrat; et formation d'une structure dans ladite seconde couche conductrice, afin de former: - une ligne de données formée sur ledit substrat et croisant la région de ladite ligne de grille et présentant une première partie en saillie s'étendant à ladite première direction au-dessus de ladite première région de ladite ligne de grille, et reliant lesdites parties découvertes de ladite couche semi-conductrice et une seconde partie contigtie à ladite première partie, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données s'étendant au- dessus de ladite ligne de grille. et ladite partie en saillie de ladite ligne de données définissant une électrode de source comprenant une partie latérale interne de ladite ligne de données. Dans ce procédé, la couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque peut être une couche de nitrure de silicium. L'étape de formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque comprenant de préférence les étapes de: formation d'une couche photosensible positive sur ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque; - mise en oeuvre d'une exposition par l'arrière en irradiant des rayons lumineux depuis l'arrière dudit substrat; - développement de ladite couche de résine photosensible exposée par l'arrière sur ledit substrat, afin de former une structure de réseau photosensible sur ladite couche isolante; et - attaque de ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque en utilisant ladite structure de résine photosensible comme masque. Enfin, l'invention propose dans un septième mode de réalisation, correspondant notamment au dispositif décrit à titre d'exemple en référence aux figures 7 à 1 OB, un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice sur une surface et un substrat; formation d'une structure dans ladite première couche conductrice, afin de former une ligne de grille sur ladite surface dudit substrat, ladite ligne de grille présentant une première région correspondant à une région de grille, une seconde région ne correspondant pas à une région de grille, et un trou de contact au voisinage de ladite première région et de ladite seconde région reliée à et adjacent à ladite première région et audit trou de contact, ladite ligne de grille découvrant une partie dudit substrat; R,14100\14120 DOC - 22 novembre I1)6 - 10/2) Il - formation successivement d'une couche isolante, d'une couche de silicium amorphe et d'une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque au-dessus de ladite ligne de grille; - formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque par un procédé d'exposition par l'arrière en utilisant ladite ligne de grille comme masque. afin de former des moyens d'arrêt d'attaque présentant la même forme que celle de la ligne de grille; - formation d'une structure de moyens d'arrêt d'attaque, afin de laisser une partie desdits moyens d'arrêt d'attaque correspondant à ladite première région de ladite ligne de grille; et - formation d'une structure dans ladite couche de silicium amorphe sur ladite couche isolante, afin de découvrir une partie de ladite couche de silicium amorphe. D'autres objets et avantages de la présente invention apparaîtront plus clairement à la description détaillée d'un mode de réalisation préféré qui suit, en référence aux dessins annexés. dans lesquels: - la figure 1 est une vue de dessus d'une matrice classique d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active: - la figure 2 est une vue en coupe le long de la ligne I-I de la figure 1; - la figure 3 est une vue de dessus d'un premier mode de réalisation d'une matrice d'un dispositif d'affichage à matrice active, selon la présente invention; - la figure 4A à 4G et 5A à 5G sont des vues en coupe transversale le long des lignes II-II et 111-111, respectivement, de la figure 3. illustrant un procédé de fabrication selon la présente invention: - la figure 6 est une vue de dessus d'un deuxième mode de réalisation d'une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active. selon la présente invention; - la figure 7 est une vue de dessus d'un troisième mode de réalisation d'une matrice active d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la présente invention: - la figure 8 est une vue en coupe transversale le long de la ligne IV-IV de la figure 7; la figure 9A-9E sont des vues en coupe transversale le long de la ligne IV-IV de la figure 7, illustrant un procédé de fabrication selon la présente invention; et - les figures 1OA- 1 OB sont des vues en coupe le long de la ligne IV-IV de la figure 7, illustrant un procédé de la figure 7, illustrant un autre procédé de fabrication selon la présente invention. La figure 3 montre un pixel d'une matrice d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon un premier mode de réalisation de la présente R 14 14 2)')(- 1 h)c, - I 1/2' invention. Une ligne de grille linéaire 50 est disposée sur un substrat isolant, et une ligne de données 60 est disposée, et croise la ligne de grille 50. La ligne de données présente une partie en saillie 60-1, qui s'étend dans la même direction que la ligne de grille 50. Une électrode de drain 39 est formée en correspondance à une électrode de source 38, qui comprend la partie en saillie 60-1. sur un côté de la ligne de données. Une électrode de drain 39 est reliée à une partie supérieure de l'électrode de pixel. par l'intermédiaire d'un trou de contact 43. L'électrode de drain 39 recouvre partiellement la ligne de grille 50 et est formée à équidistance de la partie en saillie 60-1 et de la ligne de données 60. Au voisinage de la ligne de données 60, de la partie en saillie 60-1, et de la partie inférieure de l'électrode de drain 39, une couche de silicium amorphe en forme d'îlots 36 est formée. de telle sorte que la région de canal 46 du transistor en couche mince soit formée avec un angle autour de l'électrode de drain, et soit non-linéaire, ou en forme de L. En particulier, le courant s'écoule non seulement depuis une partie de la ligne de données 60 au voisinage de la partie en saillie 60-1, mais aussi de la partie en saillie 60-1 elle-même. Ainsi, du fait que la longueur du canal peut être augmentée. il est possible de réduire la taille physique de l'électrode de source, tout en maintenant le même niveau de flux de courant que dans les transistor en couche mince classique. En conséquence, du fait que l'électrode de source peut être rendue physiquement plus petite selon la présente invention, on peut aussi réduire le recouvrement des électrodes de source et de grille, et donc la capacité parasite résultante Cgs. Comme représenté en outre sur la figure 3. une capacité 75 est formée ensuite sur la ligne de grille 50. Dans la partie inférieure du pixel, la ligne de grille 50. qui fournit une première électrode de condensateur de stockage, et une seconde électrode de condensateur de stockage 40 sont formées, entre une première couche isolante. une couche de silicium amorphe 36 et une couche de silicium amorphe dopé. La seconde électrode de condensateur de stockage 40 est recouverte d'une couche de passivation, et est reliée à l'électrode de pixel 45, par l'intermédiaire d'un trou de contact 44 formé dans la couche de passivation. En outre, le mode de réalisation représenté sur la figure 3 comprend une couche sensiblement opaque, par exemple une couche de matrice noire 41, disposée sur le substrat inférieur. Comme représenté en outre sur la figure 3, la ligne de données 60, une partie de la ligne de grille 50, un partie de l'électrode de pixel 45 se recouvrent. Les figures 4A à 4G et 5A à 5G montrent des étapes d'un procédé de fabrication d'une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active R 1411) [ 120 DO(' -22 noembre 1'96 - 212/2') selon un mode de réalisation de la présente invention. La figure 4A et 4G sont des vues en coupe le long de la ligne II-II de la figure 3, et les figures 5A à 5G sont des vues en coupe séquentielles le long de la ligne III-III de la figure 3. Tout d'abord, comme représenté sur les figures 4A et 5A, une première de matériau conducteur est formée sur un substrat transparent 30 en utilisant un appareil de pulvérisation. On forme ensuite une structure ou motif dans le matériau conducteur, afin de former l'électrode de grille 31 qui constitue une partie de la ligne de grille, et une première électrode de condensateur de stockage 32. Le premier matériau conducteur métallique peut être sélectionné dans un groupe comprenant I0 l'aluminium (Al), des alliages d'aluminium, le molybdène (Mo), les alliages de molybdène, ou tout autre métal susceptible d'être oxydé par anodisation. Ensuite, comme représenté sur la figure 4B et 5B, en oxydant par anodisation l'électrode de grille 31 et la première électrode de condensateur de stockage 32, on forme de couches d'oxyde isolantes 33 et 34. Ensuite, on forme une couche isolante simple ou double 35, en fournissant une couche d'oxyde de silicium, ou une couche de nitrure de silicium sur les surfaces exposées des couches d'oxyde isolant 33 et 34, et sur le substrat isolant 30. Ensuite, comme représenté sur les figures 4C et 5C, on dépose successivement sur la première couche isolante du silicium amorphe et du silicium amorphe dopé. On forme ensuite une structure dans ces couches de silicium amorphe à l'aide d'un traitement d'attaque pour former une couche de silicium amorphe 36 et une couche de silicium amorphe dopé 37 recouvrant les parties supérieures de l'électrode de grille 31 du transistor en couche mince, et de l'électrode de condensateur de stockage 32. Ensuite, comme représenté sur les figures 4D et 5D, on dépose un second matériau conducteur sur la couche de silicium amorphe 36, sur la couche de silicium amorphe dopé 37, et sur la première couche isolante 35, et on forme ensuite une structure dans ce second matériau conducteur, afin de former une ligne de données présentant une partie en saillie, une électrode de drain 39, une seconde électrode de condensateur de stockage 40, et une électrode de source 38. Des parties sélectionnées des électrodes de source et de drain 38 et 39 et de la couche de silicium dopé 37 sont ensuite enlevées en utilisant un masque. Après cette étape, on fournit l'électrode de source 38 dans une partie définie par la partie en saillie 60-1 (figure 3) de la ligne de données 60, de préférence en formant un angle, et de préférence en forme de L. de telle sorte que l'électrode de drain 39 forme de façon correspondante un angle dans une forme non-linéaire, de préférence perpendiculaire, au- dessus de la couche de silicium 36 et de la couche de silicium amorphe dopé 37. En conséquence, on obtient une zone de canal formant un angle 46. Ensuite, comme représenté sur les figures 4E et 5E. une résine noire. qui est de préférence un matériau isolant sensiblement opaque, est déposée sur l'ensemble de la surface exposée, et on forme ensuite une structure, de telle sorte qu'une matrice noire 41 soit formée au-dessus des surfaces, à savoir au-dessus de l'électrode de source 38. S une partie de l'électrode de drain, et de la partie supérieure de l'électrode de grille 31. destinées à être protégées de la lumière. En outre, une matrice noire 41 est formée de sorte à couvrir une partie de la seconde électrode de condensateur de stockage 40 du condensateur de stockage. En conséquence, lorsque l'on considère l'ensemble de la matrice, la matrice noire 41 recouvre la ligne de grille et la ligne de données. à l'exception d'une partie du condensateur de stockage. Ensuite, comme représenté sur la figure 4F et SF, on forme une couche de passivation 42, de préférence comprenant des couches d'oxyde de silicium et des nitrures de silicium, sur les surfaces exposées de la matrice noire 41 et de la première couche isolante 35, par pulvérisation ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD). Ensuite, des trous de contact 43 et 44 sont formés par attaque sèche de la couche de passivation 42, afin d'exposer l'électrode de drain 39 du transistor en couche mince , et une partie de la seconde électrode du condensateur de stockage 40 du condensateur de stockage. Ensuite, comme représenté sur les figures 4G et 5G, on forme une couche de passivation 42 sur le substrat, y compris sur la partie supérieure de la matrice noire 41 et sur le condensateur de stockage. Des parties de la couche de passivation 42 sont ensuite enlevées, pour exposer une partie de la deuxième électrode du condensateur de stockage 40, et de la couche d'isolation 35. Un matériau conducteur transparent, par exemple de l'oxyde d'étain et d'indium est ensuite déposé, et on forme ensuite une structure comme représenté sur les figures 4G et SG, afin de former une électrode de pixel 45, qui est en contact avec l'électrode de source 39 par l'intermédiaire du trou de contact 43. Comme c'est représenté en outre sur la figure 5, l'électrode de pixel 45 entre également en contact avec la seconde électrode du condensateur de stockage 40. par l'intermédiaire du trou de contact 44. La figure 6 montre un deuxième mode de réalisation de l'invention, dans laquelle une partie en saillie 50-1 s'étend à partir de la ligne de grille 50, et recouvre partiellement la ligne de données, au voisinage de la partie en saillie 60-1. Du fait de la structure de base du mode de réalisation représenté sur la figure 6, est similaire à celle du mode de réalisation de la figure 3, on omet dans la suite la description de la structure qui est commune aux premier et second modes de réalisation. Lorsque l'on fabrique le dispositif représenté sur la figure 6, on peut former la structure de la partie en saillie 50-1 en même temps que la structure de l'électrode de grille 31, et de la première électrode du condensateur de stockage 32, c'est-à-dire de R \14100\14120 DOC - 22 novmbr 1"')9. - 14, 2) la ligne de grille 50. Le procédé de fabrication du dispositif de la figure 6 continue ensuite selon les étapes représentées sur les figures 4B à 4G et 5B 0 5G. Comme décrit ci-dessus, dans la matrice d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active, selon la présente invention, le taux d'ouverture augmente du fait que l'on forme le transistor en couche mince au-dessus de la ligne de grille, et que l'on fournit une zone de canal non-linéaire. De la sorte, la capacité parasite entre la ligne de grille et l'électrode de source peut être réduite, du fait que le transistor en couche mince présente une longueur de canal plus importante. En conséquence, AVp, la valeur du niveau de décalage de la tension de pixel peut être réduite, de sorte à réduire aussi le papillotement, et à améliorer la qualité de la vidéo. La figure 7 est une vue de dessus montrant un troisième mode de réalisation de la présente invention, dans lequel on forme en outre des moyens d'arrêt d'attaque. La structure de base de ce mode de réalisation est la même que celle des premier et second modes de réalisation. Toutefois, ce mode de réalisation présente les différences suivantes: un trou de contact T d'une taille appropriée est formée dans une ligne de grille 82. En utilisant cette ligne de grille 82 en tant que masque, on fournit des moyens d'arrêt d'attaque. On forme donc une ligne de grille 82 qui présente un trou de contact T, et une partie en saillie sur un substrat isolant. La partie de la ligne de grille 82 présentant le trou de contact est séparé en une région de grille et une région de non-grille par le trou de contact. Une ligne de données 80 est formée et croise la ligne de grille 82. La ligne de données 81 présente une partie en saillie, c'est-à-dire une électrode de source 83 qui recouvre une partie du trou de contact T de la ligne de grille 82. et qui est positionnée dans la même direction que la ligne 82, au niveau d'une partie en saillie de la ligne de grille 82. Dans ce mode de réalisation, l'électrode de source 83 recouvre la source de silicium amorphe exposée 86, par l'intermédiaire du trou de contact des moyens d'arrêt d'attaque. En outre, une électrode de drain 84 qui est constituée d'un matériau identique à celui de l'électrode de source 83 est disposé symétriquement à l'électrode de source 83. En outre, une électrode de pixel 89 est reliée à l'électrode de drain 84. Dans le troisième mode de réalisation de la présente invention, la partie en saillie s'étend à partir de la ligne de grille 82, et recouvre partiellement la ligne de données 81 au voisinage de sa partie en saillie. Dans ce cas, la ligne de grille pourrait avoir une forme de ligne droite, qui est la même que la ligne de grille représentée sur la figure 3, au lieu d'avoir une section en saillie. La figure 8 est une vue en coupe transversale le long de la ligne IV-IV de la figure 7. R 14 141)()( - 22 I l v elbre '))6 - IS/2') L'électrode de source 83 et l'électrode de drain 84 sur un substrat sur une couche en silicium amorphe non dopé 90 sont reliées à une couche de silicium amorphe 86 et recouvrent une partie des moyens d'arrêt d'attaque 87. La couche de silicium amorphe 86 recouvre une région de grille 82-1 de la ligne de grille 82. En conséquence, la région de grille 82-1, qui est une partie de la ligne de grille en- dessous de l'électrode de source 83, de l'électrode de drain 84, et de la couche de silicium amorphe 86, forme un transistor en couche mince permettant d'assurer la fonction de commutation. En outre, une région de canal qui n'est pas droite est formée dans la couche de silicium amorphe 86. l'électrode de drain 84 est reliée par l'intermédiaire d'un trou de contact dans une couche de protection 85-2 à l'électrode de pixel 89. La référence 82-2 indique une partie de la ligne de grille sur laquelle la couche de silicium amorphe 86 n'est pas formée, parmi les parties de la ligne de grille se trouvant à travers le trou de contact, la référence 85-1 indique une couche d'isolation de grille, la référence 88 indique une couche d'oxydation anodique formée sur la surface de la ligne de grille, et la référence 40 indique un contact ohmique. Les figures 9A à 9E montrent les étapes d'un procédé de fabrication d'une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon un troisième mode de réalisation de la présente invention; les figures 9A à 9B sont des vues en coupe séquentielle le long de la ligne IV-IV de la figure 7. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 9A, une première couche de matériau conducteur est formée sur un substrat transparent 30 en utilisant un appareil de pulvérisation. On forme ensuite une structure dans le matériau conducteur. afin de former une ligne de grille 82 dans laquelle un trou de contact T est formée. La partie de la ligne de grille est ensuite séparée en deux régions 82-1 et 82-2, par un trou de contact, T. Parmi ces deux régions, une région 82-1 devient une région de grille. tandis que l'autre région 82-2 devient une région qui n'est pas une région de grille. Le premier matériau conducteur peut être choisi parmi le groupe comprenant l'aluminium, des alliages d'aluminium, de molybdène, des alliages de molybdène. ou tout autre matériau. On procède ensuite à un traitement d'oxydation anodique sur la surface de la ligne de grille 82, de sorte à former une couche d'oxydation anodique 88. Ensuite, comme représenté sur la figure 9B, on forme une première couche isolante 85-1. La première couche isolante 85-1 est formée en disposant une couche d'oxyde de silicium, ou une couche de nitrure de silicium sur les surfaces exposées de la couche isolante oxydée. On dépose ensuite successivement du silicium amorphe sur la première couche isolante. On forme ensuite une structure dans la couche de silicium amorphe. par un R \14100\14120 DOC -22 no.vebre I ')6 - 1[,/2' traitement d'attaque, de sorte à former une couche de silicium amorphe 86 recouvrant les parties supérieures de la région de grille 82-1 de la ligne de grille. Ensuite, comme représenté sur la figure 9C, on forme une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque, comme par exemple une couche de nitrure de silicium, au- dessus de la couche amorphe 86 et sur la partie exposée de la première couche isolante 85-1. En conséquence. les moyens d'arrêt d'attaque 87 présentent un trou de contact, dans la même position que la ligne de grille 82. La formation des moyens d'arrêt d'attaque par exposition par l'arrière est réalisée selon le procédé classique; une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque I0 et une couche de résine photosensible positive sont successivement déposées sur la couche de silicium amorphe 86, et sur la première couche isolante exposée. On procède par suite à une exposition par l'arrière, depuis le dessous du substrat, et on procède au traitement de développement. En conséquence, on forme une structure de résine photosensible présentant la forme de la ligne de grille 82. Ensuite, en utilisant cette structure en résine photosensible, la couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque est attaquée, de sorte à forme des moyens d'arrêt d'attaque présentant la forme de la ligne de grille 82. En conséquence, il n'est pas nécessaire dans ce mode de réalisation de la présente invention de disposer d'un masque pour former les moyens d'arrêt d'attaque. Ensuite, comme représenté sur la figure 9D, on forme successivement une couche de silicium amorphe dopé et une couche de second matériau conducteur sur les moyens d'arrêt d'attaque 87, la couche de silicium amorphe exposée, et la première couche isolante exposée. Ensuite, on forme une structure dans la couche de silicium amorphe dopé et dans la seconde couche de matériau conducteur, de sorte à former une ligne de données 83 présentant une partie en saillie, et une électrode de drain 39. A ce moment, la couche de silicium amorphe dopée ainsi structurée devient la couche de contact ohmique 87, qui présente une résistance de contact réduite avec la couche de silicium amorphe 86. Après cette étape, on fournit l'électrode de source 83 dans une partie définie par la partie en saillie (figure 7) et la ligne de données 81, de préférence en formant un angle, de préférence en formant un L, de sorte que l'électrode de drain 84 présente de façon analogue une forme non- linéaire avec un angle, de préférence un angle droit, au-dessus de la couche de silicium amorphe 86 et de la couche de silicium amorphe dopé 87. On peut ainsi obtenir une zone de canal formant un angle. Ensuite, comme représenté sur la figure 9E, des couches de passivation 85-2, de préférence comprenant des couches d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium, sont formées sur l'ensemble des surfaces exposées, par pulvérisation ou par dépôt chimique en phase vapeur (CV). On forme ensuite des trous de contact par attaque sèche de la couche de passivation 85-2, de sorte à exposer une partie de l'électrode de drain 39. Ensuite, le matériau conducteur transparent, de préférence de l'oxyde d'étain et d'indium, est déposé, et on forme ensuite une structure afin de former des électrodes de pixel 89 qui soient en contact avec les électrodes de drain 39 par l'intermédiaire des trous de contact. En comparaison avec les premier et second mode de réalisation, le troisième mode de réalisation ne réduit pas le taux d'ouverture, mais forme les moyens d'arrêt d'attaque facilement, grâce au procédé d'exposition par l'arrière. Les figures I OA et I OB montrent des étapes alternatives du procédé de fabrication de matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon le troisième mode de réalisation de la présente invention. Les figures IOA à OB sont des vues en coupe séquentielle le long de la ligne IV-IV de la figure 7. Les moyens d'arrêt d'attaque, comme représenté sur les figures 9A à 9E, sont conformés comme la ligne de grille. Toutefois, les moyens d'arrêt d'attaque peuvent être formé uniquement sur la couche de silicium amorphe, du fait que les moyens d'arrêt d'attaque ont pour fonction d'empêcher que l'agent d'attaque destiné à attaquer la couche de silicium amorphe dopé n'attaque la couche de silicium amorphe. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 9A, et on forme sur le substrat isolant la ligne de grille présentant la région de grille 82- 1 et la région qui n'est pas une région de grille 82-2, et on forme la couche d'oxyde d'anode 88, comme décrit. Ensuite, comme représenté sur la figure IOA. on forme successivement une première couche isolante 85-1. une couche de silicium amorphe 86-A, et une couche isolante, pour moyens d'arrêt d'attaque, telle qu'une couche de nitrure de silicium. Ensuite, par une méthode d'exposition par l'arrière classique, la couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque est attaquée, de sorte à former des moyens d'arrêt d'attaque 87. Plus précisément, on dépose une couche de résine photosensible positive sur la couche isolante, pour les moyens d'arrêt d'attaque. On procède ensuite à une exposition par l'arrière depuis l'arrière du substrat, et on procède au développement. En conséquence, on forme une structure de résine photosensible présentant la forme de la ligne de grille 82. Ensuite, en utilisant cette structure de résine photosensible ainsi obtenue, on procède à l'attaque de la couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque, de sorte à former les moyens d'arrêt d'attaque 87 présentant la conformation de ligne de grille 82. Ensuite, comme représenté sur la figure 1 OB, on attaque les moyens d'arrêt d'attaque présentant la forme de la ligne de grille 82, de sorte à former des moyens d'arrêt d'attaque ne présentant que la forme de la région de grille 82-1 de la ligne de grille 82. Ces moyens d'arrêt d'attaque sont obtenus à l'aide d'un masque présentant R 14100\14120 DO( 22 nebr 11)96 - 18/29) une structure analogue à celle de la région de grille de la ligne de grille. Ensuite, on forme une structure dans la couche de silicium amorphe 86 en attaquant une partie sélectionnée de cette couche. Ensuite, comme décrit dans la figure 9D à 9E, à l'aide de traitements généraux, on forme la couche de contact ohmique, la ligne de données présentant une électrode de source, une électrode de drain, la couche de passivation, et l'électrode de pixel. Comme décrit ci-dessus, dans la matrice d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la présente invention, le taux d'ouverture augmente du fait que l'on forme le transistor en couche mince au-dessus de la ligne de grille, et que l'on prévoit une zone de canal non linéaire. De la sorte, la capacité parasite entre la ligne de grille et l'électrode de source peut être réduite, du fait que le transistor en couche mince présente une longueur de canal plus importante. Ou, à l'inverse de la technique classique, la région de canal n'est pas formée en ligne droite, comme cela se confirme par un schéma simple, et ainsi. la longueur de canal est plus importante. En conséquence, par rapport à un transistor en couche mince présentant la même longueur de canal, une diminution maximale de la capacité parasite générée entre la ligne de grille et l'électrode de drain peut être obtenue. En conséquence, AV0, qui est le niveau de décalage de la tension de pixel peut être réduite et donc, le phénomène de couplage et la qualité d'image peuvent être améliorés. En conséquence, AVp, la valeur de décalage de la tension de pixel peut être réduite, de sorte que le papillotement soit aussi réduit, et que la qualité vidéo soit améliorée. En outre, dans le cas o un trou de contact est formé dans une ligne de grille, on peut former des moyens d'arrêt d'attaque en utilisant la ligne de grille déjà formée, et sans utilisation d'un masque, et le procédé est donc avantageux. R 14 ICI I ' i(){ - 122 ', enDbr 19)o - 19)2o REVENDICATIONS 1.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active, comprenant: - un substrat isolant (30), - une ligne de grille (50) s'étendant dans une première direction sur ledit substrat et présentant une première région correspondant à une électrode de grille (31). et une seconde région (32) reliée à et contig e à la première région, ladite ligne de grille exposant une partie dudit substrat; - une première couche isolante (35) formée sur ladite ligne de grille (50) et sur ladite partie exposée dudit substrat; - une couche semi- conductrice en forme d'îlot (36) formée au-dessus et en recouvrement de ladite première région de ladite ligne de grille; - une ligne de données (60) disposée sur ledit substrat et croisant la région de ladite ligne de grille (50) sur ladite couche semi-conductrice et présentant une première partie en saillie (60-1) s'étendant dans ladite première direction au- dessus de ladite première partie de ladite ligne de grille, et une seconde partie adjacente à ladite première partie, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données étant situées au-dessus de ladite ligne de grille; - une électrode de source (38) comprenant ladite partie en saillie (60-1) de ladite ligne de données; - un transistor en couche mince prévu sur ledit substrat comprenant une électrode de drain (39) formée face à ladite électrode de source (38): - une électrode de pixel (45) couplée à ladite électrode de drain (39), et surmontant ladite seconde région de ladite ligne de grille; et - un condensateur de stockage (75) comprenant une partie de ladite seconde région (32) de ladite ligne de grille (50), comme première électrode de condensateur de stockage. 2.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la revendication 1, comprenant en outre une couche sensiblement opaque (41) recouvrant partiellement ladite électrode de pixel (45) et disposée au-dessus de ladite ligne de grille (50), de ladite ligne de données (60), de ladite électrode de source (38) et de ladite électrode de drain (39), une première partie de ladite couche semi- conductrice étant exposée par ladite couche sensiblement opaque. 3.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la revendication 1 ou 2, comprenant en outre une couche sensiblement opaque. R \14100\14120 DOC - 22 novembre 1)')9 - 20/29 ladite couche sensiblement opaque recouvrant une partie de ladite première électrode de condensateur de stockage (32). 4.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la revendication 3. dans lequel le condensateur de stockage comprend: - une couche d'isolation d'électrode (35) formée sur ladite partie exposée dudit substrat isolant (30). et sur ladite première électrode de condensateur de stockage (32); - une autre couche semi-conductrice (36, 37) formée sur ladite couche d'isolation d'électrode; - une seconde électrode de condensateur de stockage (40) formée sur ladite autre couche semi-conductrice; et - une couche de passivation (42) formée sur ladite couche d'isolation d'électrode (35) et sur ladite seconde électrode de condensateur de stockage (30); ladite couche sensiblement opaque (41) présentant une surface exposée sous ladite couche de passivation (42). et un trou de contact (44) étant disposé dans ladite couche de passivation (42) afin d'assurer la connexion de ladite électrode de pixel (45) à ladite seconde électrode de condensateur de stockage (40). 5.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle ladite ligne de grille (50) est linéaire et présente une largeur sensiblement uniforme. 6.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications 1 à 4, dans laquelle ladite ligne de grille (50) présente une partie en saillie (50-1) recouvrant partiellement ladite électrode de drain (39) et un côté de ladite électrode de source (38). 7.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications I à 6, dans laquelle ladite électrode de source (38) et ladite électrode de drain (39) définissent une région de canal (46) formant un angle dans ledit transistor en couche mince (70). 8.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications I à 6. dans lequel ladite région de source et ladite région de drain définissent une région de canal (46) formant un angle autour de ladite électrode de drain (49) au-dessus de ladite ligne de grille (60). Ik 2r > 1)t){ ' ', cmilbre 1-)( - 21/2) 9.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant: - une ligne de grille (50) s'étendant dans une première direction; - une ligne de données (60) s'étendant dans une seconde direction différente de la première direction, ladite ligne de données présentant une première partie en saillie (60-1) s'étendant dans ladite première direction. et une seconde partie adjacente à ladite partie, lesdites première et seconde parties étant situées au- dessus de la ligne de grille (50); et - une électrode de drain (39) distante desdites première et seconde parties de ladite ligne de données; dans lequel, lorsqu'une tension est appliquée à ladite ligne de grille, un courant s'écoule depuis lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données vers ladite électrode de drain. 10.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 9. dans lequel ladite seconde partie de ladite ligne de données est contigtie à ladite première partie de ladite ligne de données. 11.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 9 ou 10. comprenant en outre un substrat (30), dans lequel ladite ligne de grille (50) et ladite ligne de données (60) sont disposées sur ledit substrat, et dans lequel lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données définissent une région dudit substrat, ladite électrode de source (38) se trouvant au-dessus de la région dudit substrat. 12.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 9 à 11, dans lequel lesdites première et seconde directions sont sensiblement perpendiculaires. 13.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 9 à 12, comprenant en outre une couche sensiblement opaque (41) au- dessus desdites première et seconde parties de ladite ligne de données. 14.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 9 à 12, comprenant en outre: - une couche sensiblement opaque (41) audessus d'une première région de ladite ligne de grille (50) comprenant une partie au-dessous desdites première et seconde parties de ladite ligne de données (60), ladite couche sensiblement opaque (41) exposant une seconde région de ladite ligne de grille; et R '14100 14120 DO(' - 22 noselnbrel 90 -22 2' - un condensateur de stockage, ladite seconde région de ladite ligne de grille servant d'électrode pour ledit condensateur de stockage. 15.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 13, comprenant en outre une électrode de pixel (45) reliée à ladite électrode de drain (39), une partie de ladite électrode de pixel étant formée sur ladite couche sensiblement opaque (41). 16.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 14, comprenant en outre une électrode de pixel (45), dont une partie surplombe ladite seconde région (32) de ladite ligne de grille (50) et sert comme autre électrode dudit condensateur de stockage. 17.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant: - une ligne de grille (50) présentant une première partie s'étendant sur une première direction et une seconde partie (50-1) s'étendant dans une seconde direction différente de ladite première direction; - une ligne de données (60) s'étendant dans ladite seconde direction, ladite ligne de données présentant une première partie en saillie (60-1) s'étendant dans ladite première direction et une seconde partie adjacente à ladite première partie et s'étendant dans ladite seconde direction, ladite première partie (60-1) de ladite ligne de données s'étendant au- dessus de ladite première partie de ladite ligne de grille, ladite seconde partie de ladite ligne de données s'étendant au-dessus de ladite seconde partie (50-1) de ladite ligne de grille; et - une électrode de drain (39) distante desdites première et seconde parties de ladite ligne de données, de telle sorte que lorsqu'une tension est appliquée à ladite ligne de grille, un courant s'écoule depuis lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données vers ladite électrode de drain (39). 18.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 17, dans lequel lesdites première et seconde directions sont sensiblement perpendiculaires. 19.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 17 ou 18, dans lequel ladite seconde partie de ladite ligne de données est contigie à ladite première partie de ladite ligne de données. 1 ' I21)12I'crTI[)')( - 21)2') 20.- Un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 17. 18 ou 19, comprenant en outre un substrat (30). ladite ligne de grille (50) et ladite ligne de données (60) étant disposées sur ledit substrat, et lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données définissant une région dudit substrat. ladite électrode de source se trouvant au-dessus de ladite région dudit substrat. 21.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active. comprenant: - un substrat isolant (80); - une ligne de grille (82) s'étendant dans une première direction sur ledit substrat et présentant une première région (82-1) correspondant à une région de grille, une seconde région (82-2) correspondant à une région qui n'est pas une région de grille, et un trou de contact (T) adjacent auxdites première et seconde régions. ladite ligne de grille exposant une partie dudit substrat; - une première couche isolante (85-1) formée sur ladite ligne de grille (82) et sur ladite partie exposée dudit substrat; - une couche semi- conductrice en forme d'îlot (86) formée au-dessus et en recouvrement de ladite première région et d'une partie dudit trou de contact (T) de ladite ligne de grille (82); - des moyens d'arrêt d'attaque exposant une partie de ladite couche semi- conductrice (86); - une ligne de dolnnées (81) formée sur ledit substrat en croisant la région de ladite ligne de grille (82) et présentant une première partie en saillie (83) s'étendant dans ladite première direction dans ladite première région de ladite ligne de grille et reliant ladite partie exposée de ladite couche semi-conductrice (86) et une seconde partie contigue à ladite première partie. lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données s'étendant au-dessus de ladite ligne de grille. et ladite partie en saillie de ladite ligne de données définissant une électrode de source comprenant une partie latérale interne de ladite ligne données; et - une électrode de drain (84) formée en correspondance à ladite électrode de source. 22.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la revendication 21, dans laquelle lesdits moyens d'arrêt d'attaque (87) présentent une forme identique à celle de ladite ligne de grille (82) présentant ladite première région (82-1) et ladite seconde région (82-2). R ' 141 0\ 14120 DO( - 22 novemhrc I '"}, - 24/2') 23.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon la revendication 21, dans laquelle lesdits moyens d'arrêt d'attaque (87) présentent une forme identique à celle de ladite première région (82-1) de ladite ligne de grille. 24.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications 21 à 23. dans laquelle ladite ligne de grille (82) est linéaire et présente une largeur sensiblement uniforme. 25.- Une matrice de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications 21 à 23, dans laquelle ladite ligne de grille (82) présente une partie en saillie recouvrant partiellement ladite électrode de drain (84) et un côté de ladite électrode de source. I 5 26.- Une matrice active de dispositif d'affichage à cristaux liquides à matrice active selon l'une des revendications 21 à 25. dans laquelle ladite électrode de source et ladite électrode de drain (84) définissent une région de canal formant un angle dans ledit transistor en couche mince. 27.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice (31. 32) sur une surface d'un substrat (30); - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice dans ladite surface dudit substrat, ladite première couche conductrice ainsi structurée exposant une partie de ladite surface dudit substrat. et s'étendant dans une première direction sur ladite surface dudit substrat; - formation d'une couche isolante (35) sur ladite première couche conductrice et sur ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat; - formation d'une première couche semi-conductrice sur ladite couche isolante; - formation d'une structure dans ladite première couche semi-conductrice (36, 37) pour recouvrir ladite partie de ladite surface dudit substrat et ladite première couche conductrice: - formation d'une seconde couche conductrice sur ledit substrat, - formation d'une structure dans ladite couche semi-conductrice afin de former: - une ligne de données (60) au-dessus d'une partie de ladite couche semi- conductrice s'étendant au-dessus de ladite première couche conductrice, et s'étendant dans une seconde direction différente de ladite première direction; ladite ligne de données présentant une partie en saillie (601) au-dessus d'une partie de ladite couche semi-conductrice au-dessus de ladite première couche conductrice. et s'étendant dans ladite première direction; et - une électrode de drain (39) s'étendant au- dessus de ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat. ladite électrode de drain (39) étant distante de ladite partie en saillie (60- 1) et d'une partie de ladite ligne de données (60) contig e à ladite partie en saillie, de telle sorte que. lors de l'application d'une tension à une première couche conductrice (31). un courant s'écoule depuis ladite partie de ladite ligne de données (60) contigue à ladite partie en saillie (60-1) et de ladite partie en saillie elle- même (60-1) vers ladite électrode de drain (39). 28.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 27, comprenant en outre les étapes de: formation d'une couche conductrice transparente s'étendant au- dessus d'une partie de ladite partie exposée de ladite surface dudit substrat; et - formation d'une structure dans ladite couche conductrice transparente afin de former une électrode de pixel (45) en contact avec ladite électrode de drain (39). 29.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 27, comprenant en outre l'étape de: formation d'une couche sensiblement opaque (41) s'étendant au-dessus de ladite couche semi-conductrice. 30.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon l'une des revendications 27 à 29, dans lequel ladite première direction est sensiblement perpendiculaire à ladite seconde direction. 31.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides comprenant les étapes de: - formation d'une première couche conductrice (82) sur une surface d'un substrat; - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice pour former une ligne de grille (82) sur ladite surface dudit substrat, ladite ligne de grille présentant une première région (82-1) correspondant à une région de grille. une seconde région correspondant à une région qui n'est pas une région de grille, et un trou de contact (T) au voisinage de ladite première région et de R \14100\14120 DOC - 22 novembre 10)6 - 26/2I ladite seconde région reliée à ladite première région et adjacente audit trou de contact, ladite ligne de grille découvrant une partie dudit substrat; - formation d'une couche isolante (85-1) sur ladite première couche et sur ladite partie de ladite surface dudit substrat; - formation d'une couche de silicium amorphe (86) sur ladite couche isolante (85-1); - formation d'une structure dans ladite couche de silicium amorphe recouvrant ladite première région et une partie de contact de ladite ligne de grille; formation d'une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque (87) sur une partie découverte de ladite première couche isolante et sur ladite couche semi- conductrice amorphe; - formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque pour former des moyens d'arrêt d'attaque (87) présentant la même forme que celle de la ligne de grille, pour découvrir une partie de la structure ladite couche de silicium amorphe (86); - formation d'une seconde couche conductrice (83, 84) sur ledit substrat; et - formation d'une structure dans ladite seconde couche conductrice, afin de former: - une ligne de données (80) formée sur ledit substrat et croisant la région de ladite ligne de grille (82) et présentant une première partie en saillie (83) s'étendant à ladite première direction au-dessus de ladite première région (82-1) de ladite ligne de grille, et reliant lesdites parties découvertes de ladite couche semi-conductrice (86) et une seconde partie contig e à ladite première partie, lesdites première et seconde parties de ladite ligne de données s'étendant au-dessus de ladite ligne de grille, et ladite partie en saillie de ladite ligne de données définissant une électrode de source comprenant une partie latérale interne de ladite ligne de données. 32.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 31, dans lequel ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque est une couche de nitrure de silicium. 33.- Un procédé de fabrication d'un dispositif d'affichage à cristaux liquides selon la revendication 31 ou 32, ladite étape de formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque comprenant les étapes de: - formation d'une couche photosensible positive sur ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque; - mise en oeuvre d'une exposition par l'arrière en irradiant des rayons lumineux depuis l'arrière dudit substrat: R 1-1,H 1412 1)4 (80); - formation d'une structure dans ladite première couche conductrice, afin de former une ligne de grille (82) sur ladite surface dudit substrat, ladite ligne de grille présentant une première région (82-1) correspondant à une région de grille. une seconde région (82-2) ne correspondant pas à une région de grille, et un trou de contact (T) au voisinage de ladite première région et de ladite seconde région reliée à et adjacent à ladite première région et audit trou de contact. ladite ligne de grille découvrant une partie dudit substrat: - formation successivement d'une couche isolante (85-1), d'une couche de silicium amorphe (86a) et d'une couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque audessus de ladite ligne de grille; - formation d'une structure dans ladite couche isolante pour moyens d'arrêt d'attaque par un procédé d'exposition par l'arrière en utilisant ladite ligne de grille comme masque, afin de former des moyens d'arrêt d'attaque présentant la même forme que celle de la ligne de grille; - formation d'une structure de moyens d'arrêt d'attaque, afin de laisser une partie desdits moyens d'arrêt d'attaque correspondant à ladite première région de ladite ligne de grille; et formation d'une structure dans ladite couche de silicium amorphe sur ladite couche isolante, afin de découvrir une partie de ladite couche de silicium amorphe (86). R \14100\14120 DOC - 22 no,emb,,re 1996 - 28/29