Brevet FR2725305A1 — publié le 19960405

La présente invention concerne un ensemble à dispositif électronique dans lequel une puce à circuit intégré à grande échelle (désignée c-après par puce LSI) est montée sur un substrat face tournée vers le haut ou vers le bas, et plus particulièrement un ensemble à dispositif électronique pour améliorer la fiabilité de désaccord thermique de joints entre la puce LSI et le substrat. La rupture d'une connexion par fatigue enture une puce et un substrat peut être provoquée par la différence entre leurs coeficients de dilatation thermique (c'est-à-dire le désaccord thermique). Une technique conventionnelle pour améliorer la durée de vie en fatigue de la connexion est décrite par Rao R. Tummala et Sugene J. Rymaszewski dans "Microelectronics Packaging Handbook", 1989, Van Nostrand Reinhold, New Ïork., p. 385 à 390. Se référant aux figures 6-23 de la référence, une résine époxy avec un coefficient de dilatation thermique similaire à celui de la soudure est prévue entre une puce LSI et un substrat. La résine époxy encapsule un tampon entre la puce LS et le substrat. La durée de vie en cycle thermique du tampon est améliorée par la résine. Cependant, la contrainte provoquée par le désaccord thermique ne peut être suffisamment relaxée par la technique susmentionnée. Résumé de l'invention Étant donné le problème susmentionné, un objet de la présente invention est d'améliorer la durée de vie et la fiabilité d'une connexion entre une puce et un substrat. Un autre objet de la présente invention est d'améliorer la durée de vie en cycle thermique de la connexion. Encore un autre objet de la présente invention est d'empêcher la rupture par fatigue de la connexion due au désaccord thermique. Encore un autre objet de la présente invention est d'améliorer la fiabilité d'un ensemble à dispositif électronique. Encore un autre objet de la présente invention est d'améliorer la productivité d'un ensemble à dispositif électronique. Encore un autre objet de la présente invention est d'améliorer la dissipation thermique dans un ensemble à dispositif électronique. Encore un autre objet de la présente invention est de fournir un ensemble à dispositif électronique qui permette un écartement plus large de liaison des conducteurs sans diminution de la densité de conducteurs. Encore un autre objet de la présente invention est d'améliorer la densité de conditionnement dans un ensemble à dispositif électronique. Encore un autre objet de la présente invention est d'améliorer les caractéristiques électriques d'un ensemble à dispositif électronique. Encore un autre objet de la présente invention est de réduire le bruit dans un ensemble à dispositif électronique. Selon la présente invention, un ensemble à dispositif électronique comprend un dispositif, un premier substrat, un deuxième substrat, un tampon, et des moyens de connexion. Le dispositif a une première surface, une deuxième surface, et une première borne sur la deuxième surface. Un circuit est formé sur la deuxième surface du dispositif. Le premier substrat a une première surface, une deuxième surface, et une première plage sur sa première surface. Le deuxième substrat a une première surface, une deuxième surface, et une deuxième plage sur la deuxième surface. La première surface du deuxième substrat est fixée à la deuxième surface du dispositif. Le coefficient de dilatation thermique du deuxième substrat est compris entre le coefficient de dilatation thermique du dispositif et le coefficient de dilatation thermique du premier substrat.Le tampon relie les première et deuxième plages. Les moyens de connexion connectent électriquement la première borne du dispositif et la deuxième plage du deuxième substrat. Le dispositif peut avoir une partie centrale et une partie périphérique. La première borne est prévue dans la partie périphérique du dispositif. Le deuxième substrat a une partie centrale et une partie périphérique. La deuxième plage est prévue dans la partie centrale du deuxième substrat. Le deuxième substrat peut avoir une deuxième borne connectée électriquement à la deuxième plage dans la partie périphérique sur la deuxième surface de celuici. Le deuxième substrat est fixé à la partie centrale du dispositif. Les moyens de connexion comprennent un conducteur connectant les première et deuxième bornes. L'ensemble à dispositif électronique peut comprendre de plus un troisième substrat intercalé entre le dispositif et le deuxième substrat. Le coefficient de dilatation thermique du troisième substrat est compris entre le coefficient de dilatation thermique du dispositif et le coefficient de dilatation thermique du deuxième substrat. Le dispositif peut avoir une partie centrale et une partie périphérique, la première borne peut être prévue dans la partie périphérique du dispositif, et le deuxième substrat peut être fixé à la partie centrale du dispositif. Les moyens de connexion comprennent un conducteur ayant des première et deuxième extrémités. La première extrémité du conducteur est connectée à la première borne du dispositif. La deuxième extrémité du conducteur est fixée au deuxième substrat et est connectée électriquement à un trou traversant ménagé dans le troisième substrat. La deuxième extrémité du conducteur peut être fixée à la première surface du deuxième substrat. Le deuxième substrat a un trou traversant entre les première et deuxième surfaces pour connecter électriquement le conducteur et la deuxième plage. Le deuxième substrat peut avoir une partie centrale et une partie périphérique. La première borne comprend une troisième borne et une quatrième borne à proximité de la troisième borne. Les moyens de connexion comprennent des premier et deuxième conducteurs ayant chacun des première et deuxième extrémités. Les premières extrémités des premier et deuxième conducteurs sont couplées aux troisième et quatrième bornes, respectivement. Les deuxièmes extrémités des premier et deuxième conducteurs sont fixées aux parties centrale et périphérique du deuxième substrat, respectivement. Les moyens de connexion peuvent comprendre un conducteur ayant des première et deuxième extrémités et une partie intermédiaire entre les première et deuxième extrémités. La première extrémité du conducteur est couplée à la première borne. La partie intermédiaire du conducteur est fixée au deuxième substrat. La deuxième extrémité du conducteur dépasse vers l'extérieur depuis le deuxième substrat et est couplée à la première surface du premier substrat. La première borne du dispositif peut être recouverte avec le deuxième substrat. Le deuxième substrat a un trou traversant entre ses première et deuxième surfaces, connecté à la deuxième plage. Une résine peut être intercalée entre le dispositif et le deuxième substrat. La résine a une partie centrale et une partie périphérique. La première borne est située dans la partie périphérique du dispositif. Le deuxième substrat est fixé à la partie centrale du dispositif. Les moyens de connexion comprennent un conducteur ayant des première et deuxième extrémités. La première extrémité du conducteur est connectée à la première borne du dispositif. La deuxième extrémité du conducteur est fixée au deuxième substrat et est connectée électriquement, à travers un trou traversant ménagé dans le deuxième substrat. Le dispositif peut comprendre du silicium. Le premier substrat peut comprendre du verre époxy. Le deuxième substrat peut comprendre du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, ou de l'oxyde de béryllium. Le dispositif peut comprendre du silicium. Le premier substrat peut comprendre du verre époxy. Le deuxième substrat peut comprendre un polyimide. Le troisième substrat peut comprendre du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, ou de l'oxyde de béryllium. Brève description des dessins D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description suivante prise conjointement aux dessins annexés, sur lesquels Les figures l(a) et l(b) montrent la structure d'un premier mode de réalisation de la présente invention Les figures 2(a) et 2(b) montrent la structure d'un deuxième mode de réalisation de la présente invention Les figures 3(a) et 3(b) montrent la structure d'un troisième mode de réalisation de la présente invention Les figures 4(a) et 4(b) montrent la structure d'un quatrième mode de réalisation de la présente invention Les figures 5(a) et 5(b) montrent la structure d'un cinquième mode de réalisation de la présente invention Les figures 6(a) et 6(b) montrent la structure d'un sixième mode de réalisation de la présente invention La figure 7 montre le coefficient de dilatation thermique et la conductibilité thermique de matériaux qui peuvent être utilisés en tant que substrat porteur. Sur ces dessins, les mêmes numéros de référence désignent à chaque fois les mêmes parties ou pièces. Description détaillée des modes de réalisation préférés Un premier mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Se référant aux figures l(a) et l(b), un ensemble à dispositif électronique selon le premier mode de réalisation de la présente invention comprend une puce LSI 1, un substrat porteur 3, et un substrat 11. La puce LSI a un circuit prévu dans sa surface inférieure, qui génère de la chaleur. Le circuit est recouvert d'une couche protectrice (non représentée sur les dessins) formée par exemple de dioxyde de silicium (SiO2), de dioxyde de silicium (Si02) et d'oxynitrure de silicium (SiON), ou de nitrure de silicium (Si3N4). La puce LSI 1 a une pluralité de bornes 6a le long de la périphérie de sa surface inférieure. Les bornes 6a sont alignées le long du côté de la puce LSI 1. L'épaisseur de la puce LSI 1 est d'environ 0,1 mm. Le substrat porteur 3 est fixé à la surface inférieure de la puce LSI 1 par l'intermédiaire d'un adhésif 2. Le substrat porteur 3 est formé plus petit que la puce LSI 1, de sorte que le substrat porteur 3 ne recouvre pas les bornes 6a de la puce LSI 1. L'épaisseur du substrat porteur 3 est d'environ 0,1 mm. Le substrat porteur 3 a une pluralité de bornes 6c le long de la périphérie de sa surface inférieure. Les bornes 6c sont alignées le long du côté du substrat porteur 3 pour correspondre aux bornes 6a. Le substrat porteur 3 a une pluralité de plages 6b sur sa surface inférieure. Les plages 6b sont placées en rangée. Chaque plage 6b est connectée à la borne 6c correspondante par l'intermédiaire d'une liaison 12 prévue sur la surface inférieure du substrat porteur 3. Une goutte de soudure 9 est prévue sur chaque plage 6b. Le substrat 11 peut être formé dans divers matériaux. Le substrat 11 peut être formé dans un matériau composite comprenant du verre époxy en tant que composant principal. Le substrat 11 peut également être formé à partir d'une céramique comprenant l'alumine (A1203). Le substrat 11 a une pluralité de plages 111 correspondant à des plages 6b du substrat porteur 3. Lorsque le substrat porteur 3 est monté sur le substrat 11, une plage 6b est connectée à une plage correspondante 111 par l'intermédiaire de la goutte de soudure 9. La borne 6a de la puce LSI 1 est connectée à la borne 6c du substrat porteur 3 v par l'intermédiaire d'un fil 5. Les matériaux préférés pour le fil 5 comprennent l'or (Au), l'aluminium (Al) et le cuivre (Cu). Le fil 5, la borne 6a et 6c sont encapsulés dans la résine 10. Les matériaux pour le substrat porteur 3 vont maintenant être décrits. Le coefficient de dilatation thermique du substrat porteur 3 est compris entre ceux de la puce LSI 1 et du substrat 11. De plus, le matériau du substrat porteur 3 a de préférence une conductibilité thermique relativement élevée. Par exemple, si la puce LSI 1 et le substrat 11 sont formés en silicium et en verre époxy, le substrat porteur 3 peut être formé en nitrure d'aluminium (AlN), carbure de silicium (SiC) ou oxyde de béryllium (BeO). Les coefficients de dilatation thermique du silicium et du verre époxy valent respectivement 3,6 x 10 6 /"C et 16 x 10 6 / C. Le coefficient de dilatation thermique du nitrure d'aluminium (AlN), du carbure de silicium (SiC) et de l'oxyde de béryllium (BeO) valent approximativement 4,2 x 10 6 /"C, 4,2 x 10-6 6 /C et 7,5 x 10 6 /"C, respectivement. Les conductibilités thermiques du nitrure d'aluminium (AlN), du carbure de silicium (SiC) et de l'oxyde de béryllium (BeO) valent approximativement 150 à 250 W/mK, 270 W/mK et 250 W/mK. Les matériaux pour l'adhésif 2 vont maintenant être décrits. L'adhésif 2 comprend de préférence un matériau isolant ayant une conductibilité thermique relativement élevée. Des matériaux préférés pour l'adhésif 2 comprennent un adhésif de type époxy comprenant des particules d'argent, de nitrure de bore (BN), d'alumine (A1203) ou de nitrure d'aluminium (AiN). Les conductibilités thermiques d'adhésifs de type époxy contenant des particules d'argent, de nitrure de bore (BN), d'alumine (A1203) et de nitrure d'aluminium (AlN) valent approximativement 1,56 W/mK, 5 W/mK et 5 W/mK, respectivement. Les avantages techniques du premier mode de réalisation vont maintenant être décrits. Dans le premier mode de réalisation, la rupture par fatigue de la connexion due au désaccord thermique est empêchée, car la déformation est relaxée par le substrat porteur 3 intercalé entre la puce LSI 1 et le substrat 11. C'est-à-dire que, le substrat porteur 3 ayant un coefficient de dilatation thermique intermédiaire, il sert à amortir ou compenser la différence de coefficient de dilatation thermique entre la puce LSI 1 et le substrat 11. Dans le premier mode de réalisation, la densité de conditionnement est améliorée, car les gouttes 9 sont prévues sous la puce LSI 1, bien que la puce LSI 1 ait les bornes 6a le long de sa périphérie. Un deuxième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Une caractéristique essentielle du deuxième mode de réalisation est un substrat flexible 4 fixé au substrat porteur 3. Se référant aux figures 2(a) et 2(b), la structure de la puce LSI 1 est la même que dans le premier mode de réalisation. Le substrat porteur 3' est fixé à la surface inférieure de la puce LSI 1 par l'intermédiaire de l'adhésif 2. Un substrat flexible 4 est fixé à la surface inférieure du substrat porteur 3'. Le substrat flexible 3' est muni de conducteurs 5'. Une extrémité du conducteur 5' est fixée à la surface supérieure du substrat flexible 3'. Une goutte d'or 7 est prévue à une autre extrémité du conducteur 5'. Le conducteur 5' est couplé à la borne 6a de la puce LSI 1 par l'intermédiaire de la goutte d'or 7. La borne 6a est formée d'aluminium. Un alliage eutectique d'or et d'aluminium est formé entre la goutte d'or 7 et la borne 6a. La borne 6a et le conducteur 5' sont encapsulés dans la résine 10. Le conducteur 5' intérieur peut être lié à la borne 6a par des techniques de liaison automatique par bande (TAB), telles qu'un procédé de transfert de goutte, un procédé de liaison automatique goutte-bande (B-TAB), ou un procédé de micropressage de goutte. Dans le procédé de transfert de goutte, la pluralité de conducteurs 5' est placée sur les bornes 6a et liée aux bornes 6a simultanément. Dans le procédé B-TAB, la goutte d'or 7 est préparée par gravure partielle d'un côté du conducteur 5' et placage au nickel et à l'or sur la saillie formée par la gravure. Dans le procédé de micropressage de goutte, l'extrémité du conducteur intérieur 5' est mécaniquement coupée par un système à micro-matrice pour former une saillie. Le substrat flexible 4 a des trous traversants 8 formés en lui. Le trou traversant 8 est rempli d'un matériau conducteur. Le trou traversant 8 rempli de matériau conducteur est connecté électriquement au conducteur 5' par l'intermédiaire d'un motif conducteur (non représenté sur les figures) prévu sur la face supérieure du substrat flexible 4. Le substrat flexible 4 a des plages 6b' sur sa surface inférieure. Les plages 6b' sont disposées en rangée. Chaque plage 6b' est couplée au trou traversant 8 correspondant. Des gouttes de soudure 9' sont prévues sur la plage 6b'. Ainsi, la goutte de soudure 9' est connectée électriquement à la borne 6a de la puce LSI 1. Les matériaux pour le substrat porteur 3' et le substrat flexible 4 vont maintenant être décrits. Les coefficients de dilatation thermique du substrat porteur 3' et du substrat flexible 4 sont compris entre ceux de la puce LSI 1 et du substrat 11. Le coefficient de dilatation thermique du substrat flexible 4 est de préférence compris entre ceux du substrat porteur 3 et du substrat 11. Des matériaux préférés pour le substrat porteur 3' sont les mêmes que ceux pour le substrat porteur 3 dans le premier mode de réalisation. Dans ce mode de réalisation exemplaire, le substrat flexible 3' est formé en polyamide. Le polyimide a un coefficient de dilatation thermique d'approximativement -6 l1 x 10 /C. Lorsqu'un substrat en verre époxy est utilisé comme substrat 11, les coefficients de dilatation thermique du substrat porteur 3' (4,2 à 7,25 x 10 6 /"C), du substrat flexible 4 (11 x 10 6 /"C) et du substrat 11 (16 x 10 6 / C) satisfont à la relation susmentionnée. Les avantages techniques du deuxième mode de réalisation vont maintenant être décrits. En plus des avantages du premier mode de réalisation, le deuxième mode de réalisation peut améliorer encore la fiabilité de la connexion, car la contrainte due au désaccord thermique est relaxée (c'est-à-dire compensée) par le substrat flexible 4, ainsi que par le substrat porteur 3'. De plus, des techniques TAB bien connues peuvent être utilisées dans la fabrication et la liaison du substrat flexible 4. Un troisième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Une caractéristique essentielle du troisième mode de réalisation est une partie périphérique du substrat flexible 4 prévue pour augmenter le nombre de gouttes 9'. Se référant aux figures 3(a) et 3(b), la structure de la puce LSI 1 et du substrat porteur 3' sont les mêmes que dans le deuxième mode de réalisation. Le substrat flexible a une partie centrale 4a, une partie périphérique 4b, des ouvertures entre la partie centrale 4a et la partie périphérique 4b, et des parties en pont 4d reliant la partie centrale 4a à la partie périphérique 4b. La partie centrale 4a est fixée au substrat porteur 3'. Le trou traversant 8, la plage 6b et la goutte 9 sont prévus à la fois dans la partie centrale 4a et dans la partie périphérique 4b. Les conducteurs 5' sont fixés alternativement à la partie centrale 4a ou à la partie périphérique 4b du substrat flexible 4. L'écartement de conducteur dans la partie centrale 4a et la partie périphérique 4b est deux fois plus large que celui des bornes 6a. Les conducteurs 5' sont connectés électriquement aux trous traversants 8 dans la partie centrale 4a de la partie périphérique 4b par l'intermédiaire des motifs conducteurs prévus sur la surface supérieure du substrat flexible 4. Lorsque les conducteurs 5' sont liés aux bornes 6a, un thermode est inséré dans les ouvertures 4c. Les conducteurs 5' peuvent être atteints à travers les ouvertures 6c. Les avantages techniques du troisième mode de réalisation vont maintenant être décrits. En plus des avantages du deuxième mode de réalisation, dans le troisième mode de réalisation, l'écartement des conducteurs sur le substrat flexible 4 est deux fois plus large que celui du deuxième mode de réalisation. Ainsi, le procédé de liaison est effectué plus facilement que dans le deuxième mode de réalisation. De plus, le troisième mode de réalisation peut recevoir plus de gouttes 9 que le deuxième mode de réalisation. Le quatrième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Une caractéristique essentielle du quatrième mode de réalisation est un conducteur dépassant vers l'extérieur depuis la partie périphérique 4b. Se référant aux figures 4(a) et 4(b), un conducteur 5' ' sur deux sur la partie périphérique 4b dépasse vers l'extérieur depuis la partie périphérique 4b. Le conducteur 5' ' a des première et deuxième extrémités et une partie intermédiaire entre les première et deuxième extrémités. La première extrémité est couplée à la borne 6a de la puce LSI 1. La partie intermédiaire est fixée à la partie périphérique 4b. La deuxième extrémité dépasse de la partie périphérique 4b et est connectée à la plage 111 sur le substrat 11. Le cinquième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Une caractéristique essentielle du cinquième mode de réalisation est la structure de connexion entre la borne 6a de la puce LSI 1 et la goutte 9. D'autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. Se référant aux figures 5(a) et 5(b), dans le cinquième mode de réalisation, les bornes 6a de la puce LSI 1 sont disposées en rangée sur la surface inférieure de celle-ci. Le substrat porteur 3'' a des plages 6d sur la surface supérieure en des positions correspondant aux plages 6b sur la surface inférieure. Les plages 6b et 6d sont disposées en rangée. Le substrat flexible 3'' a un trou traversant 8 rempli avec un matériau conducteur tel que l'aluminium, le cuivre, l'or ou analogue, et/ou des alliages ou composés de ceux-ci. Le trou traversant 8 connecte électriquement les plages 6a et 6d. La borne 6a de la puce LSI 1 est connectée à la plage 6d du substrat porteur 3'' par l'intermédiaire d'un joint (par exemple goutte) 1'. Le joint 1' est encapsulé dans l'adhésif 2. Ainsi, la borne 6a de la puce LSI 1 est connectée électriquement à la goutte 9. Un avantage du cinquième mode de réalisation est qu'une connexion plus fiable est établie entre la borne 6a de la puce LSI 1 et la goutte 9. Le sixième mode de réalisation de la présente invention va maintenant être décrit. Une caractéristique essentielle du sixième mode de réalisation est une résine la remplaçant le substrat porteur 3'. D'autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du troisième mode de réalisation. Se référant aux figures 6(a) et 6(b), le substrat flexible 4 est fixé à la puce LSI 1 par l'intermédiaire d'une résine 10'. La résine 10' remplace l'adhésif 2 et le substrat porteur 3' du troisième mode de réalisation. L'épaisseur de la résine 10' est d'environ 0,1 mm. Le matériau de la résine 10' peut être le même que celui de l'adhésif 2. Le coefficient de dilatation thermique de la résine 10' est de préférence compris entre ceux de la puce LSI 1 et du substrat 11. De préférence, le coefficient de dilatation thermique est compris entre ceux de la puce LSI 1 et du substrat flexible 11. un avantage du sixième mode de réalisation est que des étapes de fabrication moins nombreuses (et plus faciles) résultent de l'emploi de la résine 10' à la place du substrat porteur 3' et de l'adhésif 2. Les matériaux pour les substrats porteurs 3 et 3' vont ensuite être décrits. Se référant à la figure 7, comme montré, divers matériaux peuvent être utilisés pour les substrats porteurs 3 et 3' selon les exigences du concepteur. Les présents modes de réalisation doivent donc être considérés à tous points de vue comme illustratifs et non restrictifs, l'étendue de la protection de l'invention étant donnée par les revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Ensemble à dispositif électronique comprenant un dispositif (1) ayant une première surface, une deuxième surface, et une première borne sur ladite deuxième surface, et un circuit formé sur ladite deuxième surface dudit dispositif (1) un premier substrat ayant une première surface, une deuxième surface, et une première plage sur sa dite première surface un deuxième substrat ayant une première surface, une deuxième surface, et une deuxième plage sur ladite deuxième surface, ladite première surface dudit deuxième substrat étant fixée à ladite deuxième surface dudit dispositif (1), un coefficient de dilatation thermique dudit deuxième substrat étant compris entre un coefficient de dilatation thermique dudit dispositif (1) et un coefficient de dilatation thermique dudit premier substrat une goutte reliant lesdites première et deuxième plages ; et des moyens de connexion pour connecter électriquement ladite première borne dudit dispositif (1) et ladite deuxième plage dudit deuxième substrat. 2. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel ledit dispositif (1) a une partie centrale (4a) et une partie périphérique (4b), ladite première borne étant située dans ladite partie périphérique (4b) dudit dispositif (1) et ledit deuxième substrat ayant une partie centrale (4a) et une partie périphérique (4b), et ladite deuxième plage étant située dans ladite partie centrale (4a) dudit deuxième substrat. 3. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 2, dans lequel ledit deuxième substrat a une deuxième borne connectée électriquement à ladite deuxième plage dans ladite partie périphérique (4b) sur ladite deuxième surface de celui-ci, ledit deuxième substrat est fixé à ladite partie centrale (4a) dudit dispositif (1), et lesdits moyens de connexion comprennent un conducteur (5') connectant lesdites première et deuxième bornes. 4. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, comprenant de plus un troisième substrat intercalé entre ledit dispositif (1) et ledit deuxième substrat, un coefficient de dilatation thermique dudit troisième substrat étant compris entre un coefficient de dilatation thermique dudit dispositif (1) et un coefficient de dilatation thermique dudit deuxième substrat. 5. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 4, dans lequel ledit dispositif (1) a une partie centrale (4a) et une partie périphérique (4b), ladite première borne est située dans ladite partie périphérique (4b) dudit dispositif, et ledit deuxième substrat est fixé à ladite partie centrale (4a) du dispositif (1). 6. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 5, dans lequel lesdits moyens de connexion comprennent un conducteur (5') ayant des première et deuxième extrémités, ladite première extrémité du conducteur (5') étant connectée à ladite première borne dudit dispositif (1), et ladite deuxième extrémité dudit conducteur (5') étant fixée audit deuxième substrat et étant connectée électriquement à un trou traversant (8) ménagé dans ledit troisième substrat. 7. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel ledit deuxième substrat comprend un substrat flexible (4). 8. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 4, dans lequel ledit deuxième substrat comprend un substrat flexible (4). 9. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 6, dans lequel ladite deuxième extrémité dudit conducteur (5') est fixée à ladite première surface dudit deuxième substrat, et ledit deuxième substrat a un trou traversant (8) entre lesdites première et deuxième surfaces pour connecter électriquement ledit conducteur (5') et ladite deuxième plage. 10. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 6, dans lequel ledit deuxième substrat a une partie centrale (4a) et une partie périphérique (4b), et ladite première borne comprend une troisième borne et une quatrième borne proche de ladite troisième borne. 11. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 10, dans lequel lesdits moyens de connexion comprennent des premier et deuxième conducteurs (5') ayant chacun des première et deuxième extrémités, lesdites premières extrémités desdits premier et deuxième conducteurs (5') étant couplées auxdites troisième et quatrième bornes, respectivement, et lesdites deuxièmes extrémités desdits premier et deuxième conducteurs (5') étant fixées auxdites parties centrale (4a) et périphérique (4b) dudit deuxième substrat, respectivement. 12. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 11, dans lequel ledit deuxième substrat a un trou traversant (8) entre lesdites première et deuxième surfaces, lesdits premier et deuxième conducteurs (5') étant connectés auxdites troisième et quatrième bornes au niveau de ladite ouverture, respectivement. 13. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 6, dans lequel ledit deuxième substrat a des parties centrale (4a) et périphérique (4b), lesdits moyens de connexion comprennent un conducteur (5') ayant des première et deuxième extrémités et une partie intermédiaire entre lesdites première et deuxième extrémités, et ladite première extrémité dudit conducteur (5') est couplée à ladite première borne. 14. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 13, dans lequel ladite partie intermédiaire dudit conducteur (5') est fixée audit deuxième substrat, et ladite deuxième extrémité dudit conducteur (S') dépasse vers l'extérieur depuis ledit deuxième substrat et est couplée à ladite première surface dudit premier substrat. 15. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel ladite première borne dudit dispositif (1) est recouverte par ledit deuxième substrat, et ledit deuxième substrat a un trou traversant (8) entre ses dites première et deuxième surfaces connecté à ladite deuxième plage. 16. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 15, dans lequel lesdits moyens de connexion comprennent une deuxième goutte connectant ledit trou traversant (8) dudit deuxième substrat et ladite deuxième borne dudit dispositif (1). 17. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel une résine (10) est intercalée entre ledit dispositif (1) et ledit deuxième substrat. 18. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 17, dans lequel ledit dispositif (1) a une partie centrale (4a) et une partie périphérique (4b), ladite première borne est située dans ladite partie périphérique (4b) dudit dispositif (1), ledit deuxième substrat est fixé à ladite partie centrale (4a) dudit dispositif (1), lesdits moyens de connexion comprennent un conducteur (5') ayant des première et deuxième extrémités, ladite première extrémité dudit conducteur (5') est connectée à ladite première borne dudit dispositif (1), ladite deuxième extrémité du conducteur (5') est fixée audit deuxième substrat et est connectée électriquement, à travers un trou traversant (8) ménagé dans ledit deuxième substrat. 19. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 17, dans lequel un coefficient de dilatation thermique de ladite résine (10) est compris entre un coefficient de dilatation thermique dudit dispositif (1) et un coefficient de dilatation thermique dudit deuxième substrat. 20. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 1, dans lequel ledit dispositif (1) comprend du silicium, ledit premier substrat comprend du verre époxy, ledit deuxième substrat comprend un matériau choisi dans un groupe constitué du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, et de l'oxyde de béryllium. 21. Ensemble à dispositif électronique selon la revendication 4, dans lequel ledit dispositif (1) comprend du silicium, ledit premier substrat comprend du verre époxy, ledit deuxième substrat comprend du polyamide, et ledit troisième substrat un matériau choisi dans un groupe constitué du nitrure d'aluminium, du carbure de silicium, et de l'oxyde de béryllium.