Brevet FR2733646A1 — publié le 19961031

La présente invention concerne un circuit de com- pensation de distorsion servant à compenser une distorsion non linéaire produite dans des signaux de sortie d'amplifi- cateurs à haute fréquence. La non-linéarité de semiconducteurs utilisée dans un amplificateur à haute fréquence et de grande puissance fait apparaître des ondes déformées dans les signaux de sortie de l'amplificateur. De nombreux circuits de compen- sation de distorsion (désigné(s) ci-après sous le terme "dispositif(s) de linéarisation) sont utilisés pour compen- ser la distorsion non linéaire. Les dispositifs de linéarisation sont classés en deux catégories. L'une concerne le type à prédistorsion, qui est disposé en amont d'un amplificateur, dont les signaux de sortie déformés doivent être compensés. Les signaux de sortie du dispositif de linéarisation du type à prédistorsion sont envoyés à l'amplificateur. L'autre catégorie est celle du type à transfert direct, qui combine des signaux de sortie défor- més de l'amplificateur et ceux du dispositif de linéarisa- tion du transfert direct pour compenser la distorsion. Le premier type à prédistorsion est souvent utilisé en raison de son bon rendement du point de vue puissance. Un circuit équivalent d'un dispositif de linéari- sation courant du type à prédistorsion, décrit dans 1994 Asia Pacific Microwave Conference (pp. 567-570) est repré- senté sur la figure 12. Dans ce dispositif de linéarisa- tion, un amplificateur 48 produisant une distorsion, un premier atténuateur 50 et un premier distributeur de puis- sance équilibrée 62 sont raccordés successivement à l'une des bornes de sortie 56 d'un premier coupleur 52. Un second atténuateur 51, un amplificateur linéaire 42 et un second distributeur de puissance équilibrée 63 sont raccordés suc- cessivement à l'autre borne de sortie 57 du premier cou- pleur 52. La borne de sortie du premier distributeur de puissance équilibrée 62 et l'une des bornes de sortie du second distributeur de puissance équilibrée 63 sont connec- tés respectivement aux bornes d'entrée 58 et 59 d'un second coupleur 53. La borne de sortie du second coupleur 53 est connectée à une borne d'entrée 60 d'un quatrième coupleur 55 par l'intermédiaire d'un premier atténuateur variable 64. L'autre borne de sortie du second distributeur de puis- sance équilibrée 63 est connectée à l'autre borne d'entrée 61 du quatrième coupleur 55 par l'intermédiaire d'un second atténuateur variable 65 et d'un troisième coupleur 54. Ce dispositif de linéarisation est formé sur un substrat dié- lectrique au moyen d'une technologie de circuits intégrés à micro-ondes. On utilise des transistors à effet de champ (FET) dans l'amplificateur 48, qui produit une distorsion, et dans l'amplificateur linéaire 49, et on utilise des résistances à couche mince formées de nitrure de tantale, dans les atténuateurs. Le fonctionnement de ce dispositif de linéarisa- tion va être décrit ci-après. Un signal d'entrée envoyé par une borne d'entrée 1 du premier coupleur 52 est divisé en deux signaux identiques. Les signaux formés par division sont délivrés par les bornes de sortie 56 et 57 et sont envoyés respectivement à l'amplificateur 48 qui produit une distorsion et à l'amplificateur linéaire 49, pour être amplifiés. La borne de sortie de l'amplificateur 48, qui produit une distorsion, est raccordée au premier atténua- teur 50, tandis que la borne d'entrée de l'amplificateur linéaire 49 est connectée au second atténuateur 51. C'est pourquoi, l'amplificateur 48, qui produit une distorsion, est saturé avant l'amplificateur linéaire 49. Les caracté- ristiques d'amplitude des signaux de sortie de l'amplificateur 48, qui produit une distorsion, et de l'amplificateur linéaire 49, pour des signaux d'entrée à puissance variable sont représentées respectivement par les courbes A et B sur la figure 13. Les deux signaux de sortie sont délivrés aux bornes 58 et 59 respectivement par l'intermédiaire des distributeurs de puissance équilibrée 62 et 63. Les signaux de sortie sont déphasés de n radians l'un par rapport à l'autre avant d'être combinés dans le second coupleur 53. Le niveau d'un signal formé par la com- binaison de signaux est réglé, puis ce signal est envoyé à la borne d'entrée 60 avec une caractéristique d'amplitude représentée par la courbe C sur la figure 13. Un signal de sortie délivré par l'autre borne de sortie du second dis- tributeur de puissance équilibrée 63 possède la même carac- téristique d'amplitude que celle du signal de sortie appli- qué à la borne d'entrée 59. Le niveau du signal de sortie est réglé dans le second atténuateur variable 65, puis ce signal est envoyé à l'autre borne d'entrée 61 du quatrième coupleur 55 par l'intermédiaire du troisième coupleur 54. Les signaux envoyés aux bornes d'entrée 60 et 61 sont mis en phase avant d'être combinés dans le cinquième coupleur 55. Un signal de sortie possédant une caractéristique d'amplitude représentée par la courbe D est obtenu au niveau d'une borne de sortie 2. La caractéristique de phase du dispositif de linéarisation est semblable à la caractéristique d'amplitu- de décrite précédemment. Les caractéristiques de phase des signaux de sortie de l'amplificateur 48, qui produit une distorsion, de l'amplificateur linéaire 49 pour la puis- sance du signal d'entrée sont représentées respectivement par les courbes E et F sur la figure 14. Un signal présen- tant une caractéristique de phase représentée par la courbe G est envoyé à la borne d'entrée 60. Les signaux introduits sur les bornes d'entrée 60 et 61 et présentant les caracté- ristiques de phase G et F sont réglés en phase avant d'être combinés dans le quatrième coupleur 55. Un signal de sortie présentant une caractéristique de phase représentée par la courbe H est obtenu au niveau d'une borne de sortie 2. D'une manière générale, la caractéristique d'amplitude d'un signal de sortie d'un amplificateur haute fréquence montre que le gain diminue lorsque la puissance du signal d'entrée augmente, comme cela est représenté par la courbe I sur la figure 15A. Au contraire, dans un dispo- sitif de linéarisation, le gain augmente graduellement lorsque la puissance du signal d'entrée augmente, comme cela est représenté par la courbe D sur la figure 13. On peut obtenir une caractéristique idéale d'amplitude repré- sentée par la courbe J en connectant le dispositif de linéarisation à la borne d'entrée d'un amplificateur à haute fréquence. Le dispositif de linéarisation peut sup- primer la production d'ondes déformées dans l'amplificateur à haute fréquence, ce qui conduit à une bonne linéarité d'un signal de sortie. En ce qui concerne la caractéristique de phase, un amplificateur à haute fréquence possède une caractéris- tique de phase représentée par la courbe K sur la figure B, tandis que le dispositif de linéarisation possède une caractéristique de phase représentée par la courbe H. On peut obtenir une bonne linéarité d'un signal de sortie de l'amplificateur à haute fréquence en introduisant un signal de sortie du dispositif de linéarisation dans l'amplifica- teur à haute fréquence. Les dispositifs de linéarisation actuels présen- tent la structure décrite précédemment, dans laquelle les coupleurs 52, 53, 54 et 55 et les atténuateurs 50, 51, 64 et 65. De ce fait, le dispositif de linéarisation possède des dimensions importantes et est coûteux. Les caractéristiques des amplificateurs 48 et 49 et des atténuateurs 50, 51, 64 et 65 doivent être ajustées en fonction de la caractéristique d'un amplificateur dont les ondes déformées doivent être compensées. Un temps considérable est nécessaire pour ajuster de façon précise le signal de sortie du dispositif de linéarisation, en rai- son de sa structure compliquée. La combinaison des atténuateurs 50, 51, 64 et 65 et des distributeurs d'énergie équilibrée 62 et 63 conduit à l'apparition d'une perte de puissance très élevée dans l'ensemble du dispositif de linéarisation, ce qui requiert un gain élevé dans l'amplificateur à haute fréquence rac- cordé au dispositif de linéarisation. Par conséquent, le nombre de sections dans l'amplificateur à haute fréquence doit être augmenté, ce qui conduit à une réduction du ren- dement énergétique de l'amplificateur à haute fréquence. La combinaison des atténuateurs 50, 51, 64 et 65 et des distributeurs d'énergie équilibrée 62 et 63 a pour effet que la gamme applicable de fréquences de l'ensemble du dispositif de linéarisation est plus étroite que la gamme de fréquences des éléments individuels. Pour résoudre les problèmes indiqués précédem- ment, la présente invention fournit un circuit de compensa- tion de distorsion (dispositif de linéarisation), qui pos- sède de faibles dimensions, présente une perte de puissance réduite et possède une large gamme de fréquences appli- cables et délivre un signal de sortie qui est facile à régler. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, on utilise un compo- sant à semiconducteurs, auquel n'est appliquée aucune pola- risation externe à courant continu. Les caractéristiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation sont inverses de celles d'un amplificateur à haute fréquence branché en aval. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, au moins l'une des bornes du composant à semiconducteurs est raccordée à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour comprenant une résistance. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie sont réglées par modification du niveau de la composante continue moyennant une modifica- tion de la valeur résistive de la résistance contenue dans le circuit de retour. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, au moins l'une des bornes du composant à semiconducteurs est raccordée à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour contenant un condensateur. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie sont réglées par modification de l'impédance opposée à un signal à haute fréquence par le condensateur contenu dans le circuit de retour. Dans un dispositif de linéarisation on utilise un composant à semiconducteurs à l'une des bornes duquel est appliquée une polarisation externe à courant continu. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie sont ajustées électriquement par modification de la polarisation externe à courant continu. Dans un dispositif de linéarisation fourni par la présente invention, une polarisation externe à courant continu est appliquée au composant à semiconducteurs par l'intermédiaire d'une diode. Les caractéristiques d'ampli- tude et de phase d'un signal de sortie peuvent être réglées par commande de la polarité de la composante continue au moyen de l'application de la polarisation externe à courant continu au moyen de la diode. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, un atténuateur variable est connecté en amont d'un circuit d'entrée. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie sont réglées par modification de l'amplitude d'un signal à haute fréquence introduit dans un composant à semiconducteurs, au moyen du réglage de l'atténuateur. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, un amplificateur est connecté en amont d'un circuit d'entrée. Les caractéris- tiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie sont réglées par modification de l'amplitude du signal à haute fréquence introduit dans un composant à semiconducteurs par l'intermédiaire de l'amplificateur connecté en amont du circuit d'entrée. Cette structure du dispositif de linéari- sation fournit une perte de puissance réduite. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à l'invention, une pluralité de dispositifs de linéarisation sont connectés en série au moyen de cou- pleurs. On obtient de bonnes caractéristiques de réflexion des signaux d'entrée et de sortie en formant un circuit équilibré. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à l'invention, une pluralité de modules ampli- ficateurs peuvent être connectés suivant des sections mul- tiples, et au moins l'un des modules amplificateurs est utilisé sans l'application d'une polarisation externe à courant continu. Cette structure du dispositif de linéari- sation réduit la distorsion d'un amplificateur à haute fré- quence, sans le raccordement d'un dispositif externe de linéarisation. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, une polarisation négative à courant continu est appliquée à une grille du composant à semiconducteurs et une polarisation négative ou positive à courant continu, inférieure à une tension de coude, est appliquée à un drain du composant à semiconduc- teurs. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, la polarisation à courant continu appliquée à la grille ou au drain du compo- sant à semiconducteurs varie en fonction de la température. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, un circuit de réglage du niveau d'entrée, qui comporte un atténuateur variable ou un amplificateur à gain variable, est branché en amont du circuit d'entrée. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, un niveau de sortie du circuit de réglage du niveau d'entrée augmente lorsque la température augmente. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, un circuit de réglage du niveau de sortie, qui comporte un atténuateur variable ou un amplificateur à gain variable, est branché en aval du circuit de sortie, et le circuit de réglage du niveau d'entrée et branché en amont du circuit d'entrée. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, des niveaux de sortie des circuits de réglage du niveau d'entrée et du niveau de sortie augmentent lorsque la température augmente. Dans un dispositif de linéarisation agencé conformément à la présente invention, une pluralité de modules amplificateurs sont connectés selon des sections multiples, et une polarisation à courant continu inférieure et une tension de coude sont appliquées à au moins l'un des modules amplificateurs. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur les- quels: - la figure 1 représente un schéma équivalent d'un circuit de compensation de distorsion (dispositif de linéarisation) conformément à la première forme de réalisa- tion de la présente invention; - la figure 2A représente un circuit d'entrée ou de sortie comportant des lignes de transmission; - la figure 2B représente un circuit d'entrée ou de sortie comprenant des lignes de transmission possédant une fonction d'ajustement d'impédance; - la figure 3A représente un schéma équivalent simplifié d'un composant à semiconducteurs; - la figure 3B représente un autre schéma équiva- lent simplifié d'un composant à semiconducteurs; - la figure 4 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la seconde forme de réalisation de la présente invention; - la figure 5 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la troi- sième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 6 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la qua- trième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 7 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la cin- quième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 8 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la sixième forme de réalisation de la présente invention; la figure 9 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la septième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 10A représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la huitième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 0lB représente un autre schéma équi- valent d'un dispositif de linéarisation conformément à la huitième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 11 représente un schéma-bloc d'un amplificateur à haute fréquence comportant un dispositif de linéarisation conforme à la neuvième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 12, dont il a déjà été fait mention, représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéa- risation classique; - la figure 13, dont il a déjà été fait mention, illustre le fonctionnement d'un dispositif de linéarisation classique, utilisant une caractéristique d'amplitude en tant que puissance d'entrée; - la figure 14, dont il a déjà été fait mention, illustre le fonctionnement d'un dispositif de linéarisation classique utilisant une caractéristique de phase pour l'énergie d'entrée; - la figure 15A, dont il a déjà été fait mention, représente une compensation de distorsion pour un amplifi- cateur à haute fréquence, réalisée au moyen d'un dispositif de linéarisation de courant utilisant une caractéristique d'amplitude pour la tension d'entrée; - la figure 15B, dont il a déjà été fait mention, représente une compensation de distorsion pour un amplifi- cateur à haute fréquence, réalisée au moyen d'un dispositif de linéarisation actuel utilisant une caractéristique de phase pour la tension d'entrée; - la figure 16 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la dixième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 17A représente un circuit montrant la connexion d'un transistor FET; - la figure 17B représente la caractéristique statique et une tension de coude du transistor FET repré- senté sur la figure 17A; - la figure 18A représente un circuit d'entrée ou de sortie comprenant des lignes de transmission; - la figure 18B représente un circuit d'entrée ou de sortie comprenant des lignes de transmission présentant une fonction d'ajustement d'impédance; - la figure 19A représente la variation du gain tracée en fonction de la tension de polarisation à courant continu dans un dispositif de linéarisation conformément à la onzième forme de réalisation de la présente invention; la figure 19B représente la variation de la phase tracée en fonction de la tension de polarisation à courant continu dans un dispositif de linéarisation confor- mée à la onzième forme de réalisation de la présente inven- tion; - la figure 20A représente la dépendance, vis-à- vis de la température, du gain d'un dispositif de linéari- sation conformément à la onzième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 20B représente la dépendance vis-à- vis de la température, de la phase d'un dispositif de linéarisation conforme à la onzième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 21A représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conformément à la douzième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 21B représente un autre schéma équi- valent d'un dispositif de linéarisation conforme à la dou- zième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 22A représente la dépendance, vis-à- vis de la température, du gain d'un dispositif de linéari- sation conforme à la treizième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 22B représente la dépendance, vis-à- vis de la température, de la phase d'un dispositif de linéarisation conforme à la treizième forme de réalisation de la présente invention; la figure 23 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la quatorzième forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 24 représente un schéma-bloc d'un amplificateur à haute fréquence conforme à la seizième forme de réalisation de la présente invention. On va décrire ci-après les formes de réalisation préférées de l'invention. [Première forme de réalisation] La figure 1 représente un schéma équivalent d'un circuit de compensation de distorsion (dispositif de linéa- risation) conforme à la première forme de réalisation de la présente invention. Ce dispositif de linéarisation possède une borne d'entrée 1 et une borne de sortie 2. Dans ce dis- positif de linéarisation, un circuit d'entrée 7 et un cir- cuit de sortie 8 sont connectés à respectivement une grille 4 et un drain 5 du composant à semiconducteurs 3. Une source 6 du composant à semiconducteurs 3 est raccordée à la masse. Une polarisation extérieure à courant continu n'est appliquée à aucun des éléments formés par la grille 4, le drain 5 ou la source 6. Le circuit d'entrée 7 et le circuit de sortie 8 dans ce circuit de compensation de dis- torsion sont utilisés pour obtenir les caractéristiques requises d'amplitude et de phase. Les figures 2A et 2B mon- trent des exemples du circuit d'entrée 7 et du circuit de sortie 8. Le circuit représenté sur la figure 2A comprend une ligne de transmission 9 présentant une impédance carac- téristique égale à l'impédance d'une source d'énergie ou une impédance de charge. Le circuit représenté sur la figure 2B comprend les lignes de transmission 9 et le tron- çon d'ajustement d'impédance 10, ce qui permet de réaliser une fonction d'ajustement d'impédance. On va décrire le fonctionnement du dispositif de linéarisation. D'une manière générale, des composants à semiconducteurs comportant trois bornes, tels que des tran- sistors FET, sont reproduits de façon simple par un schéma équivalent représenté sur la figure 3A. Ce schéma équiva- lent possède une résistance 11 disposée entre la grille 4 et la source 6, une capacité 12 disposée entre la grille 4 et la source 6, et une source de courant virtuel 13 en fonction d'une tension Vg aux bornes de la capacité 12 entre la grille 4 et la source 6. Il possède également une capacité 14 et une résistance 15 entre le drain 5 et la source 6. Lorsque la polarisation externe à courant continu n'est pas appliquée au composant à semiconducteurs 3 dans ce dispositif de linéarisation, la source de courant vir- tuel 13 délivre un courant constant. De ce fait, la source de courant virtuel 13 peut être remplacée par une source de tension virtuelle 16. Le dispositif de linéarisation peut être reproduit sous la forme d'un schéma équivalent repré- senté sur la figure 3B. On exprime la fonction de transfert de ce schéma équivalent en utilisant une impédance de charge Z0, au moyen de la relation suivante: 2Zo T = ------------------------------ 2Zo + ------------------- ----- + jwCdsRds Rds On sait que dans les composants à semiconducteurs comportant trois bornes, tels que des transistors FET, l'accroissement de la tension d'un signal d'entrée s'accom- pagne du passage d'un fonctionnement linéaire à un fonc- tionnement à signaux intenses, une résistance Rds 15 entre le drain 5 et la source 6 diminue graduellement lors de ce changement de fonctionnement comme cela a été indiqué au meeting d'automne du The Institute of Electronics, Informa- tion and Communication (1993, C-24). DAns la relation (1) ci-dessus, l'amplitude tVoutl d'un signal de sortie aug- mente et la phase de passage LVout diminue, lorsque la résistance RdS 15 diminue. Lorsque la tension du signal d'entrée augmente, l'amplitude Ivoutl du signal de sortie augmente, et la phase de passage LVout diminue. Par consé- quent, les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie pour le signal d'entrée du composant à semiconducteurs 3 sont représentées respectivement par les courbes D et H sur la figure 15, comme étant celle d'un dispositif de linéarisation de courant. Une caractéristique d'amplitude idéale du signal de sortie représentée par la courbe J peut être obtenue au moyen du raccordement du dispositif de linéarisation à la borne d'entrée d'un amplificateur à haute fréquence. Des ondes déformées produites dans l'amplificateur peuvent être supprimées moyennant l'utilisation de ce dispositif de linéarisation pour l'obtention d'un signal de sortie pré- sentant une bonne linéarité. Ce dispositif de linéarisation est très simple comparé à un dispositif classique. Les dimensions du dispo- sitif de linéarisation peuvent être réduites. La gamme de fréquences applicables de ce dispo- sitif de linéarisation peut être étendue étant donné qu'on n'utilise aucun coupleur ni aucun atténuateur. [deuxime frme de réalisation] La figure 4 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la seconde forme de réalisation de la présente invention. La grille 4 présente dans un dispositif de linéarisation représenté dans la pre- mière forme de réalisation est raccordée à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour contenant une résis- tance 17. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réalisation. Le processus de compensation de la non-linéa- rité d'un amplificateur à haute fréquence branché en aval de ce dispositif de linéarisation utilisant un signal de sortie de ce dernier, est également identique à celui représenté dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, on peut modifier le niveau de la composante continue en modifiant la résistance 17 contenue dans le circuit de retour. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie peuvent être ajustées de façon précise. Les caracté- ristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie sont représentées par les courbes D et H sur les figures 15A et B. Elles peuvent être ajustées de façon appropriée en réponse à la caractéristique d'un amplificateur à haute fréquence qui est branché en aval du dispositif de linéari- sation et dont la distorsion doit être compensée. [Troisième forme de réalisation] La figure 5 représente un circuit équivalent d'un dispositifde linéarisation conforme à la troisième forme de réalisation de la présente invention. Le drain 5 contenu dans un dispositif de linéarisation représenté dans la pre- mière forme de réalisation est raccordé à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour contenant une capa- cité 18. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réali- sation. Le processus de compensation de la non-linéarité d'un amplificateur à haute fréquence branché en amont de ce dispositif de linéarisation utilisant un signal de sortie de ce dernier est également identique à celui indiqué dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, une borne du composant à semiconducteurs 3 est raccordé à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour contenant une capa- * cité 18. On peut régler de façon précise les caractéris- tiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie en modifiant l'impédance pour un signal à haute fréquence. Les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sor- tie sont représentées par les courbes D et H sur les figures 15A et 15B. Elles peuvent être ajustées de façon appropriée en réponse aux caractéristiques d'un amplifica- teur à haute fréquence, qui est branché en aval du disposi- tif de linéarisation et dont la distorsion doit être compensée. [Quatrième forme de réalisation] La figure 6 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la troisième forme de réalisation de la présente invention. Une ligne de pola- risation 19 est raccordée uniquement à la grille 4 du com- posant à semiconducteurs. Une polarisation extérieure à courant continu Vg est appliquée par une borne 20. Un condensateur 21 est connecté de telle sorte qu'un signal à haute fréquence, qui fuit en pénétrant dans la ligne de polarisation 19, est court-circuité en direction de la masse. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réalisation. Le procédé de compensation de la non-linéarité d'un amplificateur à haute fréquence raccordé en aval de ce dispositif de linéarisation utilisant un signal de sortie de ce dernier est également identique à celui indiqué dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, les caracté- ristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie peuvent être ajustées électriquement d'une manière précise par modification de la polarisation externe à courant continu appliquée à la grille 4 du composant à semiconduc- teurs 3. Les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie sont représentées par les courbes D et A sur les figures 15A et 15B. On peut les ajuster électrique- ment de façon appropriée en réponse à la caractéristique d'un amplificateur à haute fréquence, qui est connecté en aval du dispositif de linéarisation et dont la distorsion doit être compensée. [Cinquième forme de réalisation] La figure 7 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la cinquième forme de réalisation de la présente invention. Une diode 22 est en outre contenue dans un dispositif de linéarisation représenté dans la quatrième forme de réalisation, et la polarisation externe à courant continu Vg envoyée à la borne 20 est appliquée au moyen de la diode 22. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits pour la quatrième forme de réalisation. Le procédé de compensation de la non-linéarité d'un amplificateur à haute fréquence branché en aval de ce dispositif de linéarisation utilisant un signal de sortie de ce dernier est également le même que celui indiqué dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, la polarisa- tion externe à courant continu est appliquée par l'intermé- diaire de la diode 22. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie peuvent être ajustées de façon précise au moyen de la commande de la polarité du courant continu. Les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie sont représentées par les courbes D et A sur les figures 15A et 15B. On peut les ajuster de façon appropriée en réponse à la caractéristique d'un amplificateur à haute fréquence qui est branché en aval du dispositif de linéarisation, dont la distorsion doit être compensée. [Sixième forme de réalisation] La figure 8 représente un circuit équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la sixième forme de réalisation de la présente invention. Un atténuateur variable 23 branché en amont du circuit d'entrée 7 est en outre contenu dans un dispositif de linéarisation repré- senté dans la première forme de réalisation. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réalisation. Le processus de compensation de la non-linéa- rité d'un amplificateur à haute fréquence branché en aval de ce dispositif de linéarisation en utilisant un signal de sortie de ce dernier est également identique à celui indi- qué dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, les caracté- ristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie peuvent être ajustées de façon précise par modification de l'amplitude du signal à haute fréquence introduit dans le composant à semiconducteurs 3, par modification de l'atténuation au niveau de l'atténuateur 23. Les caracté- ristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie sont représentées par les courbes D et H sur les figures 15A et B. On peut les ajuster de façon appropriée en réponse à la caractéristique d'un amplificateur à haute fréquence, qui est branché en aval du dispositif de linéarisation et dont la distorsion doit être compensée. [Septième forme de réalisation] La figure 9 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la sixième forme de réalisation de la présente invention. Un transistor FET 24 à deux grilles branché en amont du circuit d'entrée 7 est en outre contenu dans un dispositif de linéarisation repré- senté dans la première forme de réalisation. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réalisation. Le procédé pour compenser la non-linéarité de l'amplificateur à haute fréquence branché en aval de ce dispositif de linéarisation moyennant l'utilisation d'un signal de sortie de ce dernier est également le même que celui indiqué dans la première forme de réalisation. Dans ce dispositif de linéarisation, le transis- tor FET 24 à deux grilles est branché en amont du circuit d'entrée 7. Les caractéristiques d'amplitude et de phase d'un signal de sortie peuvent être ajustées électriquement de façon précise par modification de l'amplitude d'un signal à haute fréquence introduit dans le composant à semiconducteurs 3, par ajustement d'une tension Vg2 appli- quée à une seconde grille 25. Les caractéristiques d'ampli- tude et de phase du signal de sortie sont représentées par les courbes D et H sur les figures 15A et 15B. On peut les ajuster électriquement de façon appropriée en réponse à la caractéristique d'un amplificateur à haute fréquence, qui est branché en aval du dispositif de linéarisation et dont la distorsion doit être compensée. La caractéristique de réflexion de ce dispositif de linéarisation peut être améliorée moyennant l'adaptation d'une impédance de ligne d'entrée à l'impédance d'entrée du transistor FET 24 à deux grilles. On peut obtenir une perte de puissance réduite au moyen du transistor FET 24 à deux grilles branché en amont du circuit d'entrée 7 dans le dispositif de linéarisation. [Huitième forme de réalisation] La figure 10A représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la huitième forme de réalisation de la présente invention. Ce disposi- tif de linéarisation possède la borne d'entrée 1 et un dis- tributeur hybride 26. Un premier circuit d'entrée 36, un premier composant à semiconducteurs 32 et un premier cir- cuit de sortie sont raccordés successivement à une borne de sortie 27 du distributeur hybride 26. Un second circuit d'entrée 36, un second composant à semiconducteurs 32 et un second circuit de sortie sont raccordés successivement à l'autre borne de sortie 28 du distributeur hybride 26. Les premier et second circuits de sortie 37 et 43 sont connec- tés respectivement aux bornes d'entrée 30 et 31 d'un combi- nateur hybride 29. La figure 10B représente un schéma équivalent d'un autre dispositif de linéarisation conforme à la hui- tième forme de réalisation de la présente invention. Un isolateur 44 est en outre prévu dans un dispositif de linéarisation représenté dans la première forme de réalisa- tion. Le fonctionnement et les caractéristiques d'amplitude et de phase de ce dispositif de linéarisation sont les mêmes que ceux décrits dans la première forme de réalisation. Le processus de compensation de la non-linéa- rité d'un amplificateur à haute tension branché en aval du dispositif de linéarisation moyennant l'utilisation d'un signal de sortie de ce dernier est également le même que celui indiqué dans la première forme de réalisation. La caractéristique de réflexion sur les bornes d'entrée et de sortie 1 et 2 peut être améliorée moyennant l'utilisation du distributeur hybride 26 et du combinateur 29. C'est pourquoi, on peut obtenir un dispositif de linéa- risation qui possède une caractéristique de réflexion amé- liorée. [Neuvième forme de réalisation] La figure 11 représente un schéma-bloc d'un amplificateur à haute fréquence comprenant un dispositif de linéarisation conforme à la neuvième forme de réalisation de la présente invention. Cet amplificateur contient les bornes d'entrde et de sortie 1 et 2, et un module amplifi- cateur 45, auquel une tension de polarisation à courant continu n'est pas appliquée, d'autres modules amplifica- teurs 46 et un amplificateur de sortie de grande puissance 47 sont branchés en série. Un signal de sortie du module amplificateur 45, auquel aucune polarisation extérieure à courant continu n'est appliquée, possède des caractéristiques d'amplitude et de phase représentées par les courbes D et H sur les figures 15A et 15B, comme celles d'un dispositif de linéa- risation représenté dans la première forme de réalisation. Un signal de sortie de l'amplificateur de sortie à grande puissance 47 branché en aval du module amplificateur 45 possède des caractéristiques d'amplitude et de phase repré- sentées par les courbes I et K. Le signal de sortie de l'amplificateur de sortie à grande puissance 47 est com- pensé par le signal de sortie du module amplificateur 45, les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie compensé sont fortement améliorées de manière à pré- senter une bonne linéarité, comme cela est représenté par les courbes J et L. Dans ce dispositif de polarisation, la polarisa- tion externe à courant continu n'est pas appliquée aux modules amplificateurs respectifs 46 contenus dans un module amplificateur à haute fréquence. Les modules ampli- ficateurs sont utilisés en tant que dispositifs de linéari- sation. Cette structure permet de supprimer des ondes déformées produites par l'amplificateur à haute fréquence connecté, en tant que dispositif de linéarisation de cou- rant connecté extérieurement. Cette structure permet d'obtenir un dispositif de linéarisation ayant des dimen- sions plus petites et est moins coûteux. [Dixième forme de réalisation] La figure 16 représente un schéma équivalent d'un dispositif de linéarisation conforme à la dixième forme de réalisation de la présente invention. Ce dispositif de linéarisation comporte la borne d'entrée 1, la borne de sortie 2, le composant à semiconducteurs 3 pourvu de la grille 4, du drain 5 et de la source 6, un circuit d'entrée 7 et un circuit de sortie 8. Il comporte en outre un cir- cuit de polarisation de grille 70, un circuit de polarisa- tion de drain 71 et des sources d'alimentation en courant continu 72 et 73. Dans ce dispositif de linéarisation, la source 6 est raccordée à la masse, le circuit d'entrée 7 est connecté à la grille 4 et le circuit de sortie 8 est connecté au drain 5. Le circuit de polarisation de grille et le circuit de polarisation de drain 71 sont connectés à une grille 4 et un drain 5 de manière à appliquer des polarisations désirées à courant continu respectivement à la grille 4 et au drain 5. Une polarisation négative à courant continu est appliquée à la grille 4 du composant à semiconducteurs 3 par l'intermédiaire du circuit de polarisation de grille 70 au moyen de la source d'alimentation à courant continu 72. Une polarisation négative ou positive à courant continu est appliquée au drain 5 par l'intermédiaire du circuit de polarisation de drain 71, par la source d'alimentation à courant continu 73. La tension de la polarisation à courant continu appliquée au drain se situe habituellement dans la gamme supérieure de 3 à 10 V, tandis que la tension de la polarisation à courant continu dans ce dispositif de linéa- risation se situe dans la gamme inférieure au-dessous d'une tension de coude (par exemple -1,5 à +1,5 V). Cela permet d'obtenir la non- linéarité de l'élément à semiconducteurs 3. La figure 17 représente une tension de coude d'un tran- sistor FET. La figure 17A représente un circuit montrant la connexion du transistor FET, et la figure 17B représente la caractéristique statique du transistor FET. Le circuit d'entrée 7 et le circuit de sortie 8 utilisés dans ce dispositif de linéarisation servent à pro- duire les caractéristiques désirées d'amplitude et de phase, comme représenté sur la figure 18. Sur la figure 18A, on utilise des lignes de transmission 74 possédant une impédance caractéristique égale à une impédance de source ou une impédance de charge (par exemple 50 n). Sur la figure 18B, on utilise un tronçon d'ajustement d'impédance et des lignes de transmission 74 pour ajuster l'impé- dance des circuits. On va décrire le fonctionnement du dispositif de linéarisation. D'une manière générale, un élément à semi- conducteurs comportant trois bornes, tel qu'un élément FET ou HEMT, peut être exprimé de façon simple par un schéma équivalent représenté sur les figures 3A et 3B. La fonction de transfert du schéma équivalent est également exprimée par la relation (1) moyennant l'utilisation d'une impédance de charge Z0. On sait que, dans les composants à semiconduc- teurs possédant trois bornes, tel qu'un transistor FET ou HEMT, l'augmentation de la tension d'un signal d'entrée s'accompagne du passage d'un fonctionnement linéaire à un fonctionnement avec signaux intenses, et la résistance Rds entre le drain 5 et la source 6 diminue graduellement lors de cette modification de fonctionnement, comme cela est indiqué dans le meeting d'automne du Institute of Electro- nics, Information and Communication (1993, C-24). Dans la relation (1) ci-dessus, l'amplitude IVoutl d'un signal de sortie augmente et la phase de passage LVout diminue, lorsque la résistance Rds 15 diminue. Lorsque la tension du signal d'entrée augmente, l'amplitude 1Vouti du signal de sortie augmente, et la phase de passage LVout diminue. Par conséquent, les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie pour le signal d'entrée du composant à semiconducteurs 3 sont représentées respectivement par les courbes D et H sur la figure 15A et 15B respectivement, comme étant celle d'un dispositif de linéarisation de cou- rant. Dans ce dispositif de linéarisation, une polari- sation à courant continu inférieure à une tension de coude est appliquée au drain 5 du composant à semiconducteurs 3. Ceci permet aux caractéristiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation d'être inverses de celles d'un amplificateur de grande puissance, dont le signal de sortie doit être compensé. Un signal de sortie de l'amplificateur de grande puissance possède une bonne linéarité telle que représentée par les courbes J et L sur les figures 15A et B lorsque le dispositif de linéarisation est connecté à la borne d'entrée de l'amplificateur de grande puissance. Le dispositif de linéarisation conforme à cette forme de réalisation préférée de la présente invention ne requiert pas autant de coupleurs et d'atténuateurs que ceux utilisés dans un dispositif de linéarisation classique, ce qui conduit à un circuit très simple. Cela permet de donner des dimensions plus faibles au dispositif de linéarisation, et d'accroître sa gamme de fréquences applicables. La consommation de puissance du dispositif de linéarisation peut être réduite, étant donné que seule une faible polari- sation à courant continu et appliquée au composant à semi- conducteurs 3. [Onzième forme de réalisation] La figure 19 représente la dépendance d'un signal de sortie d'un dispositif de linéarisation conforme à la onzième forme de réalisation de la présente invention vis- à-vis de la polarisation à courant continu. Sur la figure 19, les caractéristiques d'amplitude et de phase du signal de sortie d'un dispositif de linéarisation sont représen- tées dans le cas o la polarisation à courant continu Vds appliquée au drain 5 est modifiée dans la gamme de 0 à 0,5 V. Dans un composant à semiconducteurs comportant trois bornes, tel qu'un transistor FET ou HEMT, la relation entre un courant de drain et une tension de drain est d'une manière générale non linéaire dans la gamme de la tension de drain inférieure à une tension de coude. Une résistance Rds 15 entre le drain 5 et la source 6 dans une gamme de hautes fréquences est presque déterminée par la pente du courant de drain tracé en fonction de la tension de drain. La résistance Rds 15 entre le drain 5 et la source 6 dans une gamme de hautes fréquences peut être modifiée moyennant une modification du réglage de la tension de drain. Les caractéristiques de phase et d'amplitude représentées par les courbes en trait plein sur les figures 19A et 19B sont converties en celles représentées par les courbes formées de tirets, par modification de la tension de drain, la polarisation en courant continu appliquée au drain 5, de 0 à -0,5 V. Les figures 20A et 20B représentent à titre d'exemple la dépendance des caractéristiques d'amplitude et de phase d'un amplificateur de grande puissance vis-à-vis de la température. La résistance Rds du composant à semi- conducteurs 3 utilisé dans l'amplificateur de grande puis- sance prend en général une valeur élevée et une température élevée, avec une large modification en fonction de la puis- sance d'entrée. Par conséquent la variation des caractéris- tiques d'amplitude et de phase augmente pour une tempéra- ture accrue, par rapport à celle apparaissant à une tempé- rature inférieure. La compensation de distorsion pour un amplifica- teur de grande puissance requiert un dispositif de linéari- sation, qui permette d'ajuster ses propres caractéristiques d'amplitude et de phase. Dans un dispositif de linéarisa- tion fourni par la présente invention, on peut modifier les caractéristiques d'amplitude et de phase en modifiant la tension de drain, comme représenté sur les figures 19A et 19B. Lorsque la polarisation à courant continu appliquée à l'élément à semiconducteurs 3 est réglée de manière à être élevée à une température élevée, on peut obtenir des carac- téristiques idéales d'amplitude et de température telles que représentées sur les figures 15A et 15B dans une gamme étendue de températures. Comme cela a été décrit précédemment, la compen- sation de distorsion pour l'amplificateur de grande puis- sance dans une gamme étendue de température peut être obte- nue par modification de la polarisation à courant continu appliquée au composant à semiconducteurs 3. [Douzième forme de réalisation] Les figures 21A et 21B représente la structure d'un dispositif de linéarisation conforme à cette forme de réalisation de la présente invention. Sur la figure 21A, un atténuateur variable utilisé en tant que circuit 80 d'ajus- tement du niveau d'entrée, est branché en amont du circuit d'entrée dans le dispositif de linéarisation représenté sur la figure 16. Sur la figure 21B, un amplificateur à gain variable est branché en amont du circuit d'entrée. D'une manière générale, les composants à semicon- ducteurs 3 utilisés dans le dispositif de linéarisation présentent une certaine hétérogénéité en ce qui concerne leurs caractéristiques. La puissance d'entrée, à laquelle les caractéristiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation passent d'une ligne droite à une courbe, comme représenté par les courbes I et H sur la figure 15, diffère des composants à semiconducteurs respectifs 3. Par exemple, la puissance d'entrée, à laquelle les caractéris- tiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisa- tion passent d'une droite à une courbe, est inférieure dans le cas de l'utilisation d'un composant à semiconducteurs 3 ayant un gain élevé. Bien que la puissance d'entrée appli- quée au composant à semiconducteurs 3 soit constante, les caractéristiques d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation peuvent varier en fonction de l'hétérogénéité des caractéristiques du composant à semiconducteurs 3. Pour résoudre le problème indiqué précédemment, le circuit 80 de réglage du niveau d'entrée, qui comprend l'atténuateur variable, est connecté à la borne d'entrée du circuit d'entrée 7 dans le dispositif de linéarisation représenté sur la figure 21A. L'amplitude d'un signal à haute fréquence envoyée au composant à semiconducteurs 3 peut être réglée au moyen d'une modification appropriée de l'atténuation dans le circuit 80 de réglage du niveau d'entrée, conformément à la caractéristique du composant à semiconducteurs 3. On peut obtenir des caractéristiques préférables d'amplitude et de phase du dispositif de linéarisation si les caractéristiques des composants à semiconducteurs 3 utilisés dans ce dispositif ne sont pas uniformes. Le pro- cessus de compensation de la non-linéarité d'un amplifica- teur de grande puissance utilisant le dispositif de linéa- risation, qui est branché en aval de l'amplificateur de grande puissance, est le même que celui utilisant le dispo- sitif de linéarisation décrit dans la dixième forme de réa- lisation préférée. Sur la figure 21B, on utilise un amplificateur à gain variable comprenant un transistor FET à deux grilles, en tant que circuit 80 de réglage du niveau d'entrée. Dans le dispositif de linéarisation, dans lequel l'atténuateur à gain variable est utilisé en tant que cir- cuit 80 de réglage du niveau d'entrée, la valeur absolue de la puissance envoyée au composant à semiconducteurs 3 est prédéterminée. C'est pourquoi, il existe un avantage à ce que la puissance envoyée à la borne d'entrée 1 du disposi- tif de linéarisation soit élevée. Au contraire, lorsque la puissance envoyée à la borne d'entrée 1 du dispositif de linéarisation est faible, le dispositif de linéarisation utilisant l'atténuateur variable, représenté dans cette forme de réalisation préférée, présente un avantage impor- tant. En outre, même lorsque les caractéristiques du compo- sant à semiconducteurs 3 varient, ce composant peut fonc- tionner à une puissance d'entrée préférable, moyennant une modification du gain de l'amplificateur à gain variable. Comme cela a déjà été décrit précédemment, le circuit 80 de réglage du niveau d'entrée comprenant l'atté- nuateur à gain variable ou l'amplificateur à gain variable est branché en amont du circuit d'entrée 7. Cela permet de lui appliquer une puissance d'entrée préférable appropriée pour les caractéristiques du composant à semiconducteurs, en réalisant un dispositif de linéarisation possédant une compensation uniforme de distorsion. [Treizième forme de réalisation] Dans cette forme de réalisation, le niveau d'entrée du circuit 80 de réglage du niveau d'entrée repré- senté dans la douzième forme de réalisation est réglé de manière à augmenter lorsque la température augmente. D'une manière générale, les caractéristiques du composant à semiconducteurs utilisé dans le dispositif de linéarisation sont modifiées lorsque la température varie. Par exemple, dans le dispositif de linéarisation auquel n'est pas raccordé le circuit 80 de réglage du niveau (représenté sur la figure 16), ses caractéristiques d'amplitude et de phase sont modifiées sous l'effet d'une variation de la température, comme cela est représenté sur les figures 22A et 22B. Les caractéristiques d'amplitude et de phase du composant à semiconducteurs 3 passent d'une caractéristique linéaire à une caractéristique non linéaire pour un niveau d'entrée inférieur à une température infé- rieure. Pour résoudre le problème indiqué précédemment, à une température supérieure, l'atténuation produite dans l'atténuateur variable est réduite ou bien le gain dans l'amplificateur à gain variable est accru. Cela permet d'augmenter la puissance introduite dans le composant à semiconducteurs 3 à une température supérieure, même lorsque la puissance introduite dans le dispositif de linéarisation est constante. Des caractéristiques préfé- rables d'amplitude et de phase sont obtenues en permanence, indépendamment de différentes températures, ce qui conduit à la réalisation d'un dispositif de linéarisation moins affecté par la température. Le processus de compensation de la non-linéarité d'un amplificateur de grande puissance utilisant le dispo- sitif de linéarisation, qui est branché en amont de l'amplificateur de grande puissance, est le même que celui utilisant le dispositif de linéarisation décrit dans la dixième forme de réalisation préférée. [Quatorzième forme de réalisation] La figure 23 représente la structure d'un dispo- sitif de linéarisation conforme à cette forme de réalisa- tion de la présente invention. Dans ce dispositif de linéa- risation, un circuit 81 de réglage du niveau de sortie com- prenant un atténuateur variable ou un amplificateur à gain variable est branché en aval du circuit de sortie 8 dans le dispositif de linéarisation représenté sur la figure 21. D'une manière générale, un amplificateur de grande puis- sance, dont la distorsion est compensée, a un gain qui est modifié en raison de la non-uniformité des caractéristiques des composants à semiconducteurs utilisés dans l'amplifica- teur de grande puissance. Lorsque la distorsion de l'ampli- ficateur de grande puissance est compensée au moyen du branchement d'un dispositif de linéarisation en amont de cet amplificateur, le niveau d'un signal envoyé à l'ampli- ficateur de grande puissance doit être ajusté de façon appropriée en fonction du gain de cet amplificateur de grande puissance. Le circuit 81 de réglage du niveau de sortie est connecté en aval du circuit de sortie 8, et l'atténuation ou le gain est commandé de manière à être variable. Cela permet de régler le niveau du signal envoyé à l'amplifica- teur de grande puissance, à une valeur préférable. On obtient une bonne compensation de distorsion même lorsque le gain de l'amplificateur de grande puissance n'est pas constant. Le circuit 80 de réglage du niveau d'entrée, qui est branché en amont du circuit d'entrée 16, est utilisé pour compenser les caractéristiques du composant à semicon- ducteurs 3 utilisé dans le dispositif de linéarisation. [Quinzième forme de réalisation] Dans cette forme de réalisation, les niveaux des signaux de sortie délivrés par le circuit 80 de réglage du niveau d'entrée et par le circuit 81 de réglage du niveau de sortie représentés dans la quatorzième forme de réalisa- tion sont réglés de manière à augmenter lorsque la tempéra- ture augmente. Comme cela a été décrit dans la quatorzième forme de réalisation, le gain de l'amplificateur de grande puis- sance branché en amont du dispositif de linéarisation, est modifié sous l'effet de la variation des caractéristiques des composants à semiconducteurs 3, ainsi qu'en raison d'une variation, qui dépend de la température, de leurs caractéristiques. Le gain diminue lorsque la température augmente. La puissance envoyée à l'amplificateur de grande puissance doit augmenter lorsque la température augmente, * pour l'obtention d'une bonne compensation de distorsion. Le circuit 81 de réglage du niveau de sortie, qui comprend l'atténuateur variable ou l'amplificateur à gain variable, est connecté comme cela est représenté dans ce dispositif de linéarisation. La puissance envoyée à l'amplificateur de grande puissance peut être accrue, à une température supérieure, par réduction de l'atténuation dans l'atténuateur variable ou bien par augmentation du gain dans l'amplificateur à gain variable. Ceci réalise une bonne compensation de distorsion à différentes tempéra- tures, même lorsque le gain de l'amplificateur de grande puissance varie sous l'effet de la variation de la tempéra- ture. [Seizième forme de réalisation] La figure 24 représente un schéma-bloc d'un amplificateur de grande puissance conforme à la troisième forme de réalisation. L'amplificateur de grande puissance possède un module amplificateur 82, auquel est appliquée une polarisation à courant continu inférieure à une tension de coude, un module amplificateur 83, auquel une polarisa- tion normale en courant continu est appliquée, et des modules amplificateurs de grande puissance 84 branchés en série. Les sources 6 des composants à semiconducteurs 3 dans les modules amplificateurs 82, 83 et 84 sont raccor- dées à la masse. Un signal de sortie du module amplifica- teur 82 auquel est appliquée une polarisation à courant continu inférieure à une tension de coude, possède des caractéristiques d'amplitude et de phase représentées par les courbes D et H sur la figure 15. Un signal de sortie du module amplificateur de grande puissance 84 produisant des ondes déformées possède des caractéristiques d'amplitude et de phase représentées respectivement par les courbes I et K sur la figure 15. Le signal de sortie du module amplifica- teur de grande puissance 84 peut décaler le signal de sor- tie du module amplificateur 82 à la fois dans les caracté- ristiques d'amplitude et de phase. Par conséquent, les caractéristiques du signal de sortie compensé délivré par l'amplificateur de puissance présentent une bonne linéa- rité, représentée par les courbes G et L sur la figure 15. Une polarisation à courant continu inférieure à une tension de coude est appliquée à l'un des modules amplificateurs contenus dans l'amplificateur de grande puissance de sorte que le module amplificateur peut être utilisé en tant que dispositif de linéarisation. Ceci conduit à l'amplificateur de grande puissance présentant une faible distorsion, sans aucun dispositif de linéarisa- tion particulier, ce qui permet de réduire les dimensions et le coût de l'amplificateur de grande puissance. Bien que l'on ait décrit ce que l'on considère être actuellement comme des formes de réalisation préférées de la présente invention, on comprendra que l'on peut y apporter différentes modifications, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit de compensation de distorsion, carac- térisé en ce qu'il comporte: un composant à semiconducteurs (3) comportant une grille (4), une source (6) et un drain (5); et un circuit d'entrée (7) et un circuit de sortie (8), qui sont connectés au composant à semiconducteurs (3); et en ce que le circuit d'entrée (7) est connecté à la grille, le circuit de sortie (8) est connecté à l'un des éléments formés par le drain et la source, que l'autre de ces éléments non connecté au circuit de sortie est raccordé à la masse, et qu'aucune polarisation extérieure à courant continu n'est appliquée aux éléments formés par la grille, la source ou le drain du composant à semiconducteurs. 2. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille (4) et/ou la source (6) et/ou le drain (5) du composant à semicon- ducteurs (3) est raccordé à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour comprenant une résistance (17). 3. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille (4) et/ou la source (6) et/ou le drain (5) du composant à semiconduc- teurs (3) est raccordé à la masse par l'intermédiaire d'un circuit de retour contenant un condensateur (18). 4. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un atténuateur variable (23) est branché en amont du circuit d'entrée ou en aval du circuit de sortie (8). 5. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un amplificateur est branché en amont du circuit d'entrée (7) ou en aval du circuit de sortie (8). 6. Système de compensation de distorsion, carac- térisé en ce qu'il comporte une pluralité des circuits de compensation de distorsion selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 disposés en série et qu'une borne de de sortie de l'un des circuits de compensation de distor- sion et une borne d'entrée d'un autre des circuits de compensation de distorsion sont connectées par l'intermé- diaire d'un coupleur. 7. Circuit de compensation de distorsion, carac- térisé en ce qu'il comporte: un composant à semiconducteurs (3) comportant une grille (4), une source (6) et un drain (5); et un circuit d'entrée (7) et un circuit de sortie (8), qui sont connectés au composant à semiconducteurs; et en ce que le circuit d'entrée (7) est connecté à la grille, le circuit de sortie (8) est connecté à l'un des éléments formés par le drain et la source, que l'autre de ces éléments non connecté au circuit de sortie est raccordé à la masse, et qu'une polarisation extérieure à courant continu est appliquée à l'un des éléments formés par la grille, la source ou le drain du composant à semiconduc- teurs (3). 8. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 7, caractérisé en ce que la polarisation extérieure à courant continu est appliquée au composant à semiconducteurs par l'intermédiaire d'une diode (22). 9. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'un atténuateur variable (23) est branché en amont du circuit d'entrée (7) ou en aval du circuit de sortie (8). 10. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'un amplificateur est branché en amont du circuit d'entrée (7) ou en aval du circuit de sortie (8). 11. Système de compensation de distorsion carac- térisé en ce qu'il comporte une pluralité de circuits de compensation de distorsion selon l'une quelconque des revendications 7 à 10 branchés en série, et qu'une borne de l'un des circuits de compensation de distor- de sortie de l'un des circuits de compensation de distor- sion et une borne d'entrée d'un autre des circuits de compensation de distorsion sont connectés par l'intermé- diaire d'un coupleur. 12. Circuit de compensation de distorsion, carac- térisé en ce qu'il comporte: un composant à semiconducteurs (3) comportant une grille (4), une source (6) et un drain (5); et un circuit d'entrée (7) et un circuit de sortie (8), qui sont connectés au composant à semiconducteurs (3); et dans lequel le circuit d'entrée (7) est connecté à la grille du composant à semiconducteurs, le circuit de sortie (8) est connecté au drain du composant à semiconducteurs, la source du composant à semiconducteurs est raccordée à la masse, une polarisation négative à courant continu est appliquée à la grille et une polarisation à courant continu négative ou positive inférieure à une tension de coude, est appliquée au drain. 13. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 12, caractérisé en ce que la polarisation à courant continu appliquée à la grille ou au drain du com- posant à semiconducteurs est modifiée de façon appropriée en fonction de la température. 14. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'un circuit de réglage du niveau d'entrée (80) est raccordé en amont du circuit d'entrée (7). 15. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 14, caractérisé en ce que le niveau d'un signal de sortie du circuit de réglage du niveau de sortie (81) est commandé de manière à augmenter lorsque la tempé- rature augmente. 16. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 12, caractérisé en ce que le circuit de réglage du niveau d'entrée (80) est branché en amont du circuit d'entrée (7), et qu'un circuit de réglage du niveau de sortie (81) est branché en aval du circuit de sortie (8). 17. Circuit de compensation de distorsion selon la revendication 16, caractérisé en ce que le niveau du signal de sortie du circuit de réglage du niveau d'entrée (80) et le niveau du signal de sortie du circuit de réglage du niveau de sortie sont commandés de manière à augmenter lorsque la température augmente.