Brevet FR2724052A1 — publié le 19960301

ASSEMBLAGE DE DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention concerne un assemblage de dispositif électronique et plus particulièrement, un assemblage de dispositif électronique incluant un premier substrat et un second substrat monté sur le premier substrat. Un exemple d'un dispositif électronique classique est décrit dans le document U.S.P. S 203 075. Par report à la figure 10 de la référence mentionnée ci-avant, un dispositif à semiconducteur 43 est monté sur un substrat flexible 31. Le substrat flexible 31 est connecté à un substrat 13 via une soudure. Par report aux figures 6 et 9 de la référence, un élément de soudure 32 et une pâte de soudure 27 connectent le substrat flexible 31 et le substrat 13. Une partie de l'élément de soudure 32 est positionnée dans un trou de passage ménagé dans le substrat flexible 31. La structure mentionnée ci-avant présente les problèmes qui suivent. Tout d' abord, la connexion par soudure est susceptible d'une défaillance du fait qu'elle n'est pas protégée vis-à-vis de contraintes mécaniques. Plus spécifiquement, la connexion par soudure est susceptible de se désolidariser, de se rompre ou de se mettre en court-circuit avec la connexion par soudure adjacente. Ce problème; devient sérieux lorsqu'un dispositif relativement lourd tel qu'un dissipateur thermique est monté sur le substrat flexible. La défaillance de la connexion par soudure est également provoquée par un cyclage thermique (c'est-à-dire un chauffage et un refroidissement répétés). En second lieu, la soudure est en outre susceptible d'une défaillance du fait qu'elle n'est pas protégée de la vapeur d'eau ambiante (par exemple l'humidité de l'air). En troisième lieu, il est difficile de contrôler l'espace de façon précise entre le substrat flexible 31 et le substrat 13 du fait qu'il est difficile de maintenir le substrat flexible 31 dans un état plat. Si l'espace entre le substrat flexible 31 et le substrat 13 est irrégulier, la fiabilité de la connexion par soudure décroît. RESUME DE L'INVENTION Au vu des problèmes mentionnés ci-avant, un objet de la présente invention consiste à améliorer la fiabilité de la connexion entre des substrats. Plus spécifiquement, la connexion est protégée vis-à-vis d'une contrainte mécanique, d'une contrainte due à un cyclage thermique et de l'humidité de l'air. Un autre objet de la présente invention consiste à contrôler aisément l'espace entre les substrats. Selon la présente invention, un assemblage de dispositif électronique inclut un premier substrat, un second substrat, un élément de connexion et une résine. Le premier substrat comporte une première surface, une seconde surface et une structure de connexion sur la seconde surface. Le second substrat comporte une première surface, une seconde surface et un premier plot formé sur la seconde surface. Le premier plot fait face à la structure de connexion du premier substrat. L'élément de connexion est interposé entre les premier et second substrats et il connecte la structure de connexion et le premier plot. La résine est appliquée entre les pramier et second substrats. Le prem@er substrat est fixé au second substrat par la résine. L'élément de connexion peut inclure une soudure. La structure de connexion peut inclure un trcc de passage ménagé dans le premier substrat. Le trou de passage peut être un trou à flancs évasés. Au moins une parte de la soudure peut être positionnée dans le trou de passage. L'élément de connexion peut inclure un film et un corps conducteur prévu dans le film. Le corps conducteur est interposé entre le premier plot et la structure de connexion et il les connecte. La résine remplit une zone entre le premier substrat et le film ainsi qu'une zone entre le film et le second substrat. La structure de connexion peut inclure un second plot prévu sur a seconde surface du premier substrat L'élément de connexion peut inclure une feuille conductrice anis@trope connectant les premier et second plots. La résine remplit une zone entre le premier substrat et la feuille conductrice anisotrope ainsi qu'une zone entre la feuille conductrice anisotrope et le second substrat. Selon la présente invention, l'assemblage de dispositif électronique peut étre fabriqué au moyen du processus qui suit. Lors d'une première étape, le premier substrat est préparé. Lors d'une seconde étape, le second substrat est préparé. Lors d'une troisième étape, une soudure est appliquée sur le premier piot. Lors d'une quatrième étape, le premier substrat est positionné de telle sorte que la structure de connexion soit positionnée sur la soudure. Lors d'une cinquième étape, une résine est préparée entre les premier et second substrats. Lors d'une sixième étape, la soudure er la résine sont chauffèes simultanément. La soudure fond de manière à connecter le premier plot et la structure de connexion. La résine est durcie pour coupler le premier substrat au second substrat. La première étape pet comprendre, outre le formation d'un trou de passage, une étape consistant à évaser ledit trou de passage. Le processus peut inclure une étape de confirmation de si oui ou non au moins une parsie de la soudure fait saillie depuis le trou de passage du premier substrat. L'assemblage de dispositif électronique peut également être fabriqué au moyen du processus qui suit. Lors d'une première étape le premier substrat est préparé. Lors d'une seconde étape, le second substrat est préparé. Lors d'une troisième étape, de la soudure est préparée sur le premier piot. Lors d'une quatrième étape, la résine est positionnée sur la première surface du second substrat. Lors d'une cinquième étape, le premier substrat est positionné de telle sorte que la structure de connexion soit positionnée sur la soudure. Lors d'une sixième étape, la soudure et la résine s@nt chauffées simultanément. La soudure est fondue pour connecter le premier plot et la structure de connexion. La résine est durcie afin de coupler le premier substrat au second substrat. L'assemblage de dispositif électronique peut également entre fabriqué au moyen du processus qui suit. Lors d'une première étape, le premier substrat est préparé. Lors d'une seconde étape, le second substrat est préparé. Lors d'une trois sème étape, un élément de connexion est préparé. L'élément de connexion inclut un film comportant des première et seconde surfaces et un corps conducteur prévu dans le film. Les première et seconde parties du corps conducteur font saillie par rapport respectivement aux première et seconde surfaces du film. Lors d'une quatrième étape, l'élément de connexion est positionné de telle sorte que la seconde partie du corps conducteur soit positionnée sur le premier plot du second substrat. Lors d'une cinquième étape, le premier substrat est positionné de telle sorte que la structure de connexion soit positionnée sur la première partie du corps conducteur.Lors d'une sixième étape, le premier plot est connecté à la seconde partie du corps conducteur. La première partie du corps conducteur est connectée à la structure de connexion. Lors d'une septième étape, une résine est préparée entre le premier substrat et le film ainsi qu'entre le film et le second substrat. Lors d'une huitième étape, la résine est durcie L'assemblage de dispositif électronique peut être fabriqué au moyen du processus qui suit. Lors d'une première étape, le premier substrat est préparé. Lors d'une seconde étape, le second substrat est préparé. Lors d'une troisième étape, une feuille conductrice anisotrope est positionnée sur le second plot du second substrat. Lors d'une quatrième étape, le premier substrat est positionné sur la feuille conductrice anisotrope de telle sorte que le premier plot fasse face au second plot via la feuille conductrice anisotrope. Lors d'une cinquième étape, une résine est appliquée entre le premier substrat et la feuille conductrice anisotrope ainsi qu'entre la feuille conductrice anisotrope et le second substrat. Lors d'une sixième étape, la résine est durcie. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lumière de la description qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels la figure 1 représente la structure d'un premier mode de réalisation de la présente invention la figure 2(a) représente la structure détaillée d'une structure de connexion 4 la figure 2(b) représente la structure détaillée d'une structure de connexion 45 les figures 3(a) à 3(d) représentent un processus de fabrication du premier mode de réalisation la figure 4 représente la structure d'un second mode de réalisation de la présente invention les figures 5(a) à 5(d) représentent un processus de fabrication du second mode de réalisation la figure 6 représente la structure d'un troisième mode de réalisation de la présente invention les figures 7(a) à 7(d) représentent un processus de fabrication du troisième mode de réalisation la figure 8 représente la structure d'un quatrième mode de réalisation de la présente invention les figures 9(a) à 9(e) représentent un processus de fabrication du quatrième mode de réalisation ; et les figures 10(a) à 10(d) représentent un processus de fabrication du quatrième mode de réalisation. Sur ces dessins, les mêmes index de référence représentent respectivement les mêmes parties. DESCRIPTION DETAILLEE DES MODES DE REALISATION PARTICULIERS Un premier mode de réalisation de la présente invention est ort à la figure 1, un assemblage de dispositif électronique selon le premier mode de réalisation comprend un substrat 7 et un support de puce 13 monté sur le substrat 7. Selon ce mode de réalisation typique, le substrat 7 est un substrat en verre-époxy. Cependant, d'autres substrats tels que des substrats en céramique peuvent être utilisés en tant que substrat 7. Le substrat 7 comporte des plots 8 et 81 sur sa surface supérieure. Les plots 8 et 81 sont de préférence formés à partir de cuivre et sont plaqués à l'or. Le support de puce 13 inclut un substrat flexible 2, une puce de circuit intégré à grande échelle d'intégration (LSI) montée sur le substrat flexible 2 et une résine 6 qui recouvre la surface inférieure de la puce LSI. Selon le mode de réalisation typique, la puce LSI 1 présente la forme d'un carré dont le côté mesure approximativement 17,5 mm. La puce LSI 1 comporte 800 bornes le long de chacun de ses côtés. Les bornes sont alignées moyennant un pas d'approximativement 80 um. Le substrat flexible 2 est constitué par un film isolant organique. Le substrat flexible 2 est de préférence réalisé à partir de matériaux présentant une résistance thermique appropriée et un coefficient de dilatation thermique relativement faible. Le substrat flexible 2 peut être de préférence lié aisément à des motifs conducteurs. Les matériaux pour le substrat flexible 2 incluent un polyimide, des matériaux du type fluor et des matériaux du type époxy. Selon ce mode de réalisation typique, le substrat flexible 2 présente une épaisseur d'environ 50 um. Le substrat flexible 2 comporte un trou de dispositif dans sa partie centrale. Des connexions internes 5 sont formées sur la surface supérieure du substrat flexible et elles font saillie au-dessus du trou de dispositif. Une extrémité de la connexion interne 5 est connectée à une borne correspondante du LSI. La connexion interne 5 est encapsulée dans la résine 6. Par report aux figures 1 et 2(a), le substrat flexible 2 comporte une structure de connexion 4. La structure de connexion 4 inclut un trou de passage 44 et des motifs conducteurs 41, 42 et 43. Les motifs conducteurs 41, 42 et 43 sont respectivement formés sur la surface inférieure du substrat flexible 2, sur la surface interne du trou de passage 44 et sur la surface supérieure du substrat flexible 2. Les motifs conducteurs 41, 42 et 43 sont de préférence formés à partir de cuivre et plaqués à l'or. La structure de connexion 4 est connectée à la connexion interne correspondante 5 via un motif de câblage 3 formé sur la surface supérieure du substrat flexible 2. Le motif de câblage est de préférence formé à partir de cuivre et est plaqué à l'or. L'épaisseur du motif de câblage est d'environ 10 à 25 um. Par report aux figures 1 et 2(b), le substrat flexible 2 comporte une structure de connexion 45 le long du côté du trou de dispositif. La structure de connexion 45 inclut un motif conducteur (de plan de masse) 46 et 48 formé respectivement sur les surfaces supérieure et inférieure du substrat flexible 2. Les motifs conducteurs 46 et 48 sont connectés par un passage (via) 47. La structure de connexion 45 est connectée à la connexion interne correspondante 5 par l'intermédiaire du motif de câblage 3. La structure de connexion 45 a pour avantages de réduire le bruit, d'éviter une diaphonie et de permettre une adaptation d'impédance. Par report à nouveau à la figure 1, une pâte de soudure 12 connecte la structure de connexion 45 et le plot 81. La soudure 9 connecte la structure de connexion 4 et le plot 8. Une partie de la soudure 9 est placée dans le trou de passage et elle apparaît sur la surface supérieure du substrat flexible 2 pour révéler une connexion fiable. Une résine thermodurcissable 10 remplit une zone entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. Le substrat flexible 2 est fixé au substrat 7 et est intégré d'un seul tenant à celui-ci par la résine thermodurcissable 10. Le coefficient de dilatation thermique de la résine 10 est de préférence entre celui du substrat flexible 2 et celui du substrat 7. La température à laquelle la résine thermodurcissable 10 commence à durcir est comprise entre environ 1300C et environ 230"C. La température de fusion de la soudure 9 et de la pâte de soudure 12 est comprise entre environ 1800C et environ 2300C. Des résines du type époxy et des résines du type fluor peuvent être utilisées en tant que résine thermodurcissable 10. Le procédé de fabrication du premier mode de réalisation est décrit ci-après. Par report à la figure 3(a), lors d'une première étape, la soudure 9 et la pâte de soudure 12 sont respectivement appliquées sur les plots 8 et 81. Avant de placer la soudure 9 sur le plot 8, une pâte de soudure peut être appliquée sur le plot 8 afin de fixer la soudure 9 au plot 8. Par report à la figure 3(b), lors d'une seconde étape, le support de puce 13 est positionné de telle sorte que les structures de connexion 4 et 45 soient respectivement placées sur la soudure 9 et la pâte de soudure 12. La puce LSI 1 est préalablement montée sur le substrat flexible 2 au moyen d'un procédé de soudage sur bande. Par report à la figure 3(c), lors d'une troisième étape, la résine thermodurcissable 10 est appliquée sur la surface supérieure du substrat 7 à l'exception du dessus de la soudure 9 et de la pâte de soudure 12. La résine thermodurcissable 10 peut être injectée au travers de l'espace entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. La résine thermodurcissable 10 peut également être injectée au travers d'un trou d'injection ménagé dans le substrat flexible 2. Par report à la figure 3(d), lors d'une quatrième étape, un soudage par refusion est réalisé. La soudure 9 fond de manière à s'écouler dans le trou de passage 44 et elle apparaît sur la surface supérieure du substrat flexible 2. La défaillance de connexion de la soudure 9 peut être aisément détectée en confirmant si oui ou non la soudure 9 fait saillie depuis le trou de passage 44. Lorsque la soudure 9 s'écoule à l'intérieur du trou de passage 44, le substrat flexible 2 se déplace vers le bas de manière à entrer en contact avec la résine thermodurcissable 10 au niveau de sa surface inférieure. La pâte de soudure 12 fond également de manière à connecter le plot 81 et la structure de connexion 45. Lors de ce soudage par refusion, la résine thermodurcissable 10 est durcie. Le substrat flexible 2 est fixé au substrat 7 et il est intégré à celui-ci d'un seul tenant par le durcissement de la résine thermodurcissable 10. Les avantages techniques du premier mode de réalisation sont décrits ci-après. Selon le premier mode de réalisation, la connexion par soudure est protégée de toute contrainte mécanique et de toute contrainte due à un cyclage thermique du fait que le substrat flexible 2 est fixé au substrat 7 par la résine thermodurcissable 10. En outre, la connexion par soudure est protégée de toute humidité relative du fait que la connexion par soudure est encapsulée dans la résine thermodurcissable 10. Par conséquent, la fiabilité de la connexion par soudure est augmentée. Le processus de fabrication du premier mode de réalisation est relativement simple du fait que la fusion de la soudure et que le durcissement de la résine thermodurcissable sont réalisés au moyen d'un chauffage simultané. Le second mode de réalisation de la présente invention est décrit ci-après. Une caractéristique clé du second mode de réalisation est l'utilisation d'une feuille de résine thermodurcissable au lieu de la résine thermodurcissable 10. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. Par report à la figure 4, selon le second mode de réalisation, une feuille de résine thermodurcissable 11 est prévue entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. La feuille de résine thermodurcissable 11 comporte des ouvertures au niveau de positions correspondant aux plots 8 et 81. Les plots 8 et 81 peuvent être atteints au travers des ouvertures. L'épaisseur de la feuille de résine thermodurcissable 11 est choisie de façon optimum de telle sorte qu'un espace souhaité soit formé entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. Le procédé de fabrication du second mode de réalisation est décrit ci-après. Par report à la figure 5(a), lors d'une première étape, la soudure 9 et la pâte de soudure 12 sont respectivement appliquées sur les plots 8 et 81. Par report à la figure 5(b), lors d'une seconde étape, la feuille de résine thermodurcissable 11 est placée sur la surface supérieure du substrat 7. La soudure 9 et la pâte de soudure 12 ne sont pas recouvertes de la feuille de résine thermodurcissable du fait des ouvertures ménagées dedans. Par report à la figure 5(c), lors d'une troisième étape, le support de puce 13 est positionné de telle sorte que les structures de connexion 4 et 45 soient respectivement placées sur la soudure 9 et sur la pâte de soudure 12. Par report à la figure 5(d), lors d'une quatrième étape, la soudure 9, la pâte de soudure 12 et la feuille de résine thermodurcissable 11 sont chauffées. La soudure 9 fond de manière à connecter le plot 8 et la structure de connexion 4. Une partie de la soudure 9 s'écoule à l'intérieur du trou de passage 44. La pâte de soudure 12 fond de manière à connecter le plot 81 et la structure de connexion 45. Le substrat flexible 2 se déplace vers le bas de manière à entrer en contact avec la feuille de résine thermodurcissable 11. Lors de ce chauffage, la feuille de résine thermodurcissable 11 est durcie simultanément. Le substrat flexible 2 est fixé au substrat 7 par la feuille de résine thermodurcissable 11 et il est intégré d'un seul tenant à celui-ci. Les avantages techniques du second mode de réalisation sont décrits ci-après. En plus des avantages techniques du premier mode de réalisation, selon le second mode de réalisation, l'espace entre le substrat flexible 2 et le substrat 7 peut être contrôlé sélectivement en modifiant l'épaisseur de la feuille de résine thermodurcissable 11. Le troisième mode de réalisation de la présente invention est décrit ci-après. Une caractéristique clé du troisième mode de réalisation est un élément de connexion 93 interposé entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. Les autres structures et fonctions sont sensiblement les mêmes que celles du premier mode de réalisation. Par report à la figure 6, un élément de connexion 93 est interposé entre le substrat flexible 2 et le substrat 7. L'élément de connexion 93 inclut un film 90 et un corps conducteur 91. Selon ce mode de réalisation typique, le film 90 est formé à partir de matériaux du type époxy ou de matériaux du type polyimide. Une feuille de céramique peut être utilisée en lieu et place du film 90. Selon ce mode de réalisation typique, l'épaisseur du film 90 est comprise entre environ 0,1 et 0,5 mm. Le corps conducteur 91 est de préférence réalisé à partir de métaux tels que l'or et le cuivre. Les parties supérieure et inférieure du corps conducteur 91 font respectivement saillie par rapport aux surfaces supérieure et inférieure du film 90. Les parties supérieure et inférieure du corps conducteur 91 sont revêtues de soudure. Le corps conducteur 91 connecte le plot 8 et la structure de connexion 4. Le corps conducteur 91 connecte le plot 81 et la structure de connexion 45. La partie supérieure du corps conducteur 91 est insérée dans le trou de passage 44 afin de positionner le substrat flexible 2 de façon précise. La hauteur du corps conducteur 91 est établie de telle sorte qu'un espace souhaitable (par exemple un espace prédéterminé par le concepteur) soit formé entre le substrat flexible 2 et le substrat 7.Selon ce mode de réalisation typique, la hauteur du corps conducteur 91 est comprise entre environ 0,2 mm et environ 0,5 mm. Une résine 101 remplit une zone entre le substrat 7 et le film 90. Le coefficient de dilatation thermique de la résine 101 est de préférence entre celui du substrat 7 et celui du film 90. Une résine 102 remplit une zone entre le film 90 et le substrat flexible 2. Le coefficient de dilatation thermique de la résine 102 est de préférence entre celui de la puce LSI 1 et celui du film 90. Selon ce mode de réalisation typique, les résines 101 et 102 sont des résines thermodurcissables. Cependant, d'autres résines peuvent de façon appropriée être utilisées en tant que résines 101 et 102 pour autant qu'elles soient durcies à l'aide d'un quelconque moyen. Le procédé de fabrication du troisième mode de réalisation est décrit ci-après. Par report à la figure 7(a), lors d'une première étape, le substrat 7 est préparé. Par report à la figure 7(b), lors d'une seconde étape, l'élément de connexion 93 est positionné de telle sorte que la partie inférieure du corps conducteur 91 soit placée sur le plot 8. Par report à la figure 7(c), lors d'une troisième étape, le support de puce 13 est positionné de telle sorte que la structure de connexion 4 soit placée sur la partie supérieure du corps conducteur 91. La partie supérieure du corps conducteur 91 est insérée à l'intérieur du trou de passage 44. Puis le corps conducteur 91 est chauffé. La soudure déposée sur le corps conducteur 91 fond pour connecter le corps conducteur 91 au plot 8 et à la structure de connexion 4. Par report à la figure 7(d), lors d'une quatrième étape, la résine 101 remplit une zone entre le substrat 7 et le film 90. La résine 102 remplit une zone entre le film 90 et le substrat flexible 2. Ensuite, les résines 101 et 102 sont chauffées et durcies. Le substrat flexible 2, l'élément de connexion 93 et le substrat 7 sont intégrés au moyen des résines 101 et 102. Les avantages techniques du troisième mode de réalisation sont décrits ci-après. Selon le troisième mode de réalisation, la fiabilité de parties de connexion est améliorée comme dans le premier mode de réalisation. En outre, l'espace entre le substrat flexible 2 et le substrat 7 peut être contrôlé sélectivement en faisant varier la hauteur du corps conducteur 91. Le quatrième mode de réalisation de la présente invention est décrit ci-après. Une caractéristique clé du quatrième mode de réalisation est une feuille conductrice anisotrope 112 qui connecte électriquement le substrat flexible 20 et le substrat 7. Par report à la figure 8, les structures et fonctions de la puce LSI 1, de la résine 6 et du substrat 7 sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. Le support de puce inclut un substrat flexible 20 et une puce LSI montée sur le substrat flexible 20. Le substrat flexible 20 comporte un trou de dispositif au niveau de son centre. Des connexions internes 5 sont formées sur la surface inférieure du substrat flexible 20. Une extrémité de la connexion interne 5 fait saillie au-dessous du trou de dispositif et est connectée aux bornes de la puce LSI 1. Des plots 21 sont formés sur la surface inférieure du substrat flexible 20. Les plots 21 sont de préférence formés à partir de cuivre et sont plaqués à l'or. Les connexions internes 5 et les plots 21 sont connectés via des motifs de câblage (non représentés) formés sur la surface inférieure du substrat flexible 20. Une feuille conductrice anisotrope 112 est interposée entre le substrat flexible 20 et le substrat 7. Le plot 21 du substrat flexible 20 et le plot 8 du substrat 7 sont connectés électriquement via la feuille conductrice anisotrope 112. La feuille conductrice anisotrope 112 comprend une résine thermodurcissable et des particules métalliques dispersées dans la résine thermodurcissable. L'épaisseur de la feuille conductrice anisotrope 112 est établie sélectivement de telle sorte qu'un espace souhaité soit formé entre le substrat flexible 20 et le substrat 7. Une résine 103 remplit une zone entre le substrat 7 et la feuille conductrice anisotrope 112. Le coefficient de dilatation thermique de la résine 103 est de préférence entre celui du substrat 7 et celui de la feuille conductrice anisotrope 112. Une résine 104 remplit une zone entre la feuille conductrice anisotrope 112 et le substrat flexible 20. Selon ce mode de réalisation typique, les résines 103 et 104 sont des résines thermodurcissables. Le quatrième mode de réalisation de la présente invention est décrit ci-après. Par report à la figure 9(a), lors d'une première étape, le substrat 7 est préparé. Par report aux figures 9(b) et 10(a), lors d'une seconde étape, la feuille conductrice anisotrope 112 est placée sur le plot 8. Une feuille séparatrice 14 est fixée à la surface supérieure de la feuille conductrice anisotrope 112 pour faciliter la manipulation. Cependant, la feuille séparatrice 14 peut être détachée aisément de la feuille 112. Par report aux figures 9(c) et 10(b), lors d'une troisième étape, la feuille séparatrice 14 est ôtée de la feuille conductrice anisotrope 112. Par report aux figures 9(d) et 10(c), lors d'une quatrième étape, le support de puce 131 est placé sur la feuille conductrice anisotrope 112 de telle sorte que le plot 21 fasse face au plot correspondant 8 via la feuille conductrice anisotrope 112. Ensuite, la feuille conductrice anisotrope 112 est liée par thermocompression aux plots 8 et 21. Au moyen de cette liaison par thermocompression, la résine thermodurcissable contenue dans la feuille conductrice anisotrope 112 est durcie. Les particules métalliques dans la résine thermodurcissable se concentrent (par exemple sont positionnées) entre les plots 8 et 21. Par conséquent, les plots 21 et 8 sont connectés électriquement. Par report aux figures 9(e) et 10(d), lors d'une cinquième étape, la résine 103 remplit une zone entre le substrat 7 et la feuille conductrice anisotrope 112. La résine 104 remplit une zone entre la feuille conductrice anisotrope 112 et le substrat flexible 20. Puis les résines 103 et 104 sont chauffées et durcies. Par conséquent, le support de puce 131, la feuille conductrice anisotrope 112 et le substrat 7 sont intégrés. L'avantage technique du quatrième mode de réalisation est décrit ci-après. Selon le quatrième mode de réalisation, la fiabilité de la partie de connexion est améliorée comme dans le premier mode de réalisation. En outre, l'espace entre le substrat flexible 2 et le substrat 7 peut être contrôlé de façon avantageuse en faisant varier l'épaisseur de la feuille conductrice anisotrope 112. En outre, le processus de fabrication du quatrième mode de réalisation est relativement simple du fait qu'une étape de soudure est non nécessaire. Les présents modes de réalisation sont par conséquent à considérer sous tous leurs aspects à titre d'illustration et non pas de limitation. REVENDICATIONS 1. Assemblage de dispositif électronique caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat (2, 20) comportant une première surface, une seconde surface et une structure de connexion (4, 45) sur ladite seconde surface ; un second substrat (7) comportant une première surface, une seconde surface et un premier plot (8, 81) formé sur ladite seconde surface, ledit premier plot faisant face à ladite structure de connexion dudit premier substrat ; un élément de connexion (9, 12, 93) interposé entre lesdits premier et second substrats et connectant ladite structure de connexion (4, 45) et ledit premier plot (8, 81) ; et une résine (10 ; 101, 102) appliquée entre lesdits premier et second substrats, ledit premier substrat étant fixé audit second substrat par ladite résine. 2. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément de connexion inclut une soudure (9) et ladite résine (10) remplit une zone entre lesdits premier et second substrats. 3. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 2, caractérisé en ce que ladite structure de connexion (4, 45) inclut un trou de passage (44) ménagé dans ledit premier substrat et au moins une partie de ladite soudure est positionnée dans ledit trou de passage. 4. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit élément de connexion (93) inclut un film (90) et un corps conducteur (91) prévu dans ledit film, ledit corps conducteur est interposé entre ledit premier plot (8) et ladite structure de connexion (4) et les connecte, et ladite résine (101, 102) remplit une zone entre ledit premier substrat (2) et ledit film (90) et une zone entre ledit film (90) et ledit second substrat (7). 5. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 4, caractérisé en ce que ladite structure de connexion (4) inclut un trou de passage (44) ménagé dans ledit premier substrat et au moins une partie dudit corps conducteur (91) est insérée dans ledit trou de passage. 6. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit trou de passage est à flancs évasés. 7. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite structure de connexion inclut un second plot (81) prévu sur ladite seconde surface dudit premier substrat (20), ledit élément de connexion inclut une feuille conductrice anisotrope (112) connectant lesdits premier et second plots (8, 81) et ladite résine (101, 102) remplit une zone entre ledit premier substrat (20) et ladite feuille conductrice anisotrope et une zone entre ladite feuille conductrice anisotrope et ledit second substrat (7). 8. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat inclut un substrat flexible. 9. Assemblage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un dispositif électronique (1) monté sur ladite première surface dudit premier substrat. 10. Procédé de fabrication d'un assemblage de dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de (a) préparation d'un premier substrat (2, 20) comportant une première surface, une seconde surface et une structure de connexion (4, 45) sur ladite seconde surface ; (b) préparation d'un second substrat (7) comportant une première surface, une seconde surface et un premier plot (8) sur sa dite première surface ; (c) application d'une soudure (9, 12, 93) sur ledit premier plot (8) ; (d) positionnement dudit premier substrat de telle sorte que ladite structure de connexion soit positionnée sur ladite soudure ; (e) application d'une résine (10) entre lesdits premier et second substrats ; et (f) chauffage de ladite soudure et de ladite résine simultanément, ladite soudure fondant de manière à connecter ledit premier plot et ladite structure de connexion et ladite résine étant durcie de manière à coupler ledit premier substrat audit second substrat. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que ladite étape (a) comprend une étape de formation d'un trou de passage (44) dans ladite structure de connexion (4, 45), ladite étape (f) inclut une étape d'écoulement d'au moins une partie de ladite soudure (9, 12, 93) dans ledit trou de passage lors de ladite étape (f) et ladite étape (e) inclut une étape d'application d'une résine thermodurcissable (10). 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de (g) confirmation de si oui ou non au moins une partie de ladite soudure (9, 12, 93) fait saillie depuis ledit trou de passage (44) dudit premier substrat (2, 20) 13. Procédé de fabrication d'un assemblage de dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de (a) préparation d'un premier substrat (2, 20) comportant une première surface, une seconde surface et une structure de connexion (4, 45) sur ladite seconde surface ; (b) préparation d'un second substrat (7) comportant une première surface, une seconde surface et un premier plot (8) sur sa dite première surface ; (c) application d'une soudure (9, 12, 93) sur ledit premier plot (d) application d'une résine (10 ; 101, 102) sur ladite première surface dudit second substrat ; (e) positionnement dudit premier substrat de telle sorte que ladite structure de connexion soit positionnée sur ladite soudure ; et (f) chauffage de ladite soudure et de ladite résine simultanément, ladite soudure fondant de manière à connecter ledit premier plot et ladite structure de connexion et ladite résine étant durcie de manière à coupler ledit premier substrat audit second substrat. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite étape (d) inclut l'application d'une résine thermodurcissable 10 ; 101, 102) et en ce que ladite étape (d) comprend une étape de placement d'une feuille de résine thermodurcissable (112) sur ladite première surface dudit second substrat (2, 20), ladite feuille de résine thermodurcissable comporte un trou et ledit premier plot peut être atteint au travers dudit trou. 15. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite étape (a) comprend une étape de formation d'un trou de passage (44) dans ladite structure de connexion (4, 45) ; et en ce que ladite étape (f) inclut l'écoulement d'au moins une partie de ladite soudure dans ledit trou de passage et ladite étape (d) inclut l'application d'une résine thermodurcissable. 16. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape de (g) confirmation de si oui ou non au moins une partie de ladite soudure (9, 12, 93) fait saillie depuis ledit trou de passage (44) dudit premier substrat (2, 20), et en ce que ladite étape (d) inclut l'application d'une résine thermodurcissable (10 ; 101, 102). 17. Procédé de fabrication d'un assemblage de dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de (a) préparation d'un premier substrat (2, 20) comportant une première surface, une seconde surface et une structure de connexion (4, 45) sur ladite seconde surface (b) préparation d'un second substrat (7) comportant une première surface, une seconde surface et un premier plot (8) sur sa dite première surface ; ; (c) préparation d'un élément de connexion (93) incluant un film (90) comportant des première et seconde surfaces et un corps conducteur (91) prévu dans ledit film, des première et seconde parties dudit corps conducteur faisant respectivement saillie par rapport auxdites première et seconde surfaces du film (d) positionnement dudit élément de connexion de telle sorte que ladite seconde partie dudit corps conducteur soit positionnée sur ledit premier plot dudit second substrat ; (e) positionnement dudit premier substrat de telle sorte que ladite structure de connexion soit positionnée sur ladite première partie dudit corps conducteur (f) connexion dudit premier plot et de ladite seconde partie dudit corps conducteur et connexion de ladite première partie dudit corps conducteur et de ladite structure de connexion (g) application d'une résine (10 ; 101, 102) entre ledit premier substrat et ledit film ainsi qu'entre ledit film et ledit second substrat ; et (h) durcissement de ladite résine. 18. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que ladite étape (c) comprend une étape de revêtement desdites première et seconde parties dudit corps conducteur (91) avec une soudure (93) et ladite étape (f) comprend une étape de chauffage de ladite soudure. 19. Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que ladite étape (a) comprend une étape de formation d'un trou de passage (44) dans ladite structure de connexion (4, 45) et ladite première partie dudit corps conducteur (91) est insérée à l'intérieur dudit trou de passage lors de ladite étape (e). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ladite étape (a) comprend en outre une étape consistant à évaser ledit trou de passage. 21. Procédé de fabrication d'un assemblage de dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de (a) préparation d'un premier substrat (2, 20) comportant une première surface, une seconde surface et un premier plot (8) sur ladite seconde surface (b) préparation d'un second substrat (7) comportant une première surface, une seconde surface et un second plot (81) sur sa dite première surface (c) positionnement d'une feuille conductrice anisotrope (112) sur ledit second plot dudit second substrat ; (d) positionnement dudit premier substrat sur ladite feuille conductrice anisotrope de telle sorte que ledit premier plot fasse face audit second plot via ladite feuille conductrice anisotrope ; (e) application d'une résine (10 ; 101, 102) entre ledit premier substrat et ladite feuille conductrice anisotrope ainsi qu'entre ladite feuille conductrice anisotrope et ledit second substrat ; et (h) durcissement de ladite résine. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que ladite étape (c) inclut la fourniture d'une feuille anisotrope (112) incluant une résine thermodurcissable et des particules métalliques appliquées dans ladite résine thermodurcissable et en ce que ladite étape (e) comprend en outre une étape de chauffage de ladite feuille anisotrope pour concentrer lesdites particules métalliques entre lesdits premier et second plots.