Brevet FR2732838A1 — publié le 19961011

ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention concerne un dispositif d'oscillateur piézoélectrique et un dispositif à ondes acoustiques de surface. La demande quant à des dimensions plus petites et à des prix plus faibles pour des appareils électroniques est devenue récemment plus forte. Des parties électroniques utilisées dans ces appareils électroniques doivent présenter une taille plus petite et être moins coûteuses. Par exemple, afin de former un circuit d'oscillation à l'aide d'un oscillateur piézo-électrique, tel qu'un oscillateur à quartz, qui produit des fréquences d'horloge de référence pour des appareils électroniques, un amplificateur, un condensateur et une résistance de retour doivent être inclus en plus de l'oscillateur piézo-électrique. Ces parties sont formées séparément et sont connectées les unes aux autres pour former le circuit d'oscillation. Récemment, l'amplificateur et la résistance de retour pour le circuit d'oscillation ont été incorporés dans une puce de microcalculateur et l'oscillateur piézo-électrique et le condensateur qui ne peuvent pas être reçus sur la puce sont intégrés l'un avec l'autre et sont connectés à la puce en tant qu'unique partie externe. Un dispositif d'oscillation piézo-électrique incluant un oscillateur piézo-électrique et un condensateur intégrés l'un à l'autre comme représenté sur la figure 12 est connu (publication de brevet du Japon Tokkaisho 59-178011(1984)). Le dispositif d'oscillation piézo-électrique de la figure 12 comprend une électrode inférieure 51 en une pâte d'Ag, d'Ag.Pd ou autre formée sur un substrat en alumine 50, un film diélectrique 52 en SiO2 ou en autre forme sur les électrodes inferieures 51 et une électrode supérieure 53 en une pâte d'Ag, d'Ag.Pd ou autre formée sur le film diélectrique 52. Un oscillateur piézo-électrique 55 est connecté à l'électrode supérieure 53 par l'intermédiaire d'un bossement 54 en une pâte d'Ag, d'Ag.Pd ou autre. Afin de former l'électrode inférieure 51, le film diélectrique 52 et l'électrode supérieure 53, le dispositif d'oscillation piézo-électrique classique de la figure 12 a besoin de l'étape d'application et de recuit de la pâte pour la formation de chaque couche. En outre, le film diélectrique monocouche 52 ne suffit pas pour assurer les caractéristiques requises du fait d'un certain nombre de vides et de trous, et le film diélectrique doit comporter au moins deux couches. Bien que ceci ne soit pas représenté sur la figure 12, afin de monter le dispositif d'oscillation piézo-électrique sur la surface d'un substrat de circuit, il est nécessaire également de former une électrode de connexion sur la face inférieure du substrat en alumine 50. Afin de former le dispositif d'oscillation piézo-électrique, l'étape d'application et de recuit est mise en oeuvre une fois pour la formation de l'électrode inférieure 51 et elle est répétée deux fois pour la formation du film diélectrique 52, une fois pour la formation du film diélectrique 52 et une fois pour la formation de l'électrode de connexion. Par conséquent, cette étape doit être mise en oeuvre cinq fois. Ceci se rajoute aux coûts de fabrication et constitue une barrière à des prix de produits plus faibles. I1 est proposé de prévoir une électrode interdigitée sur la surface d'un substrat diélectrique afin de former un condensateur. Afin d'obtenir la capacité requise, le substrat diélectrique doit être formé en un matériau diélectrique présentant une constante diélectrique élevée. Des matériaux diélectriques présentant des constantes diélectriques élevées ne présentent pas une résistance mécanique suffisante, ce qui implique la nécessité technique par exemple de coller le substrat diélectrique à un substrat présentant une résistance mécanique suffisante. Ceci s'ajoute aux coûts de fabrication et constitue une barrière à des prix de parties plus faibles. RESUME DE L'INVENTION Un objet de la présente invention consiste à proposer un appareil à vibration piézo-électrique qui permette de maintenir des coûts de fabrication faibles et des prix faibles. Un autre objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif à ondes acoustiques de surface qui permette de maintenir des coûts de fabrication faibles et des prix faibles. Les objets décrits ci-avant sont atteints au moyen d'un dispositif d'oscillation piézo-électrique comprenant : un substrat isolant ; des couches de conduction formées sur le substrat isolant et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres ; un film diélectrique formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et un oscillateur piézo-électrique connecté aux couches de conduction, de telle sorte que les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituent un condensateur. Les objets décrits ci-avant sont atteints au moyen d'un dispositif à ondes acoustiques de surface comprenant : un substrat isolant ; des couches de conduction formées sur le substrat isolant et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres ; un film diélectrique formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et une puce de dispositif à ondes acoustiques de surface connectée aux couches de conduction, de telle sorte que les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituent un condensateur. Il est préférable que ledit dispositif d'oscillation piézo-électrique comprenne en outre des couches de conduction d'une longueur prédéterminée pour une inductance formée sur le substrat isolant et connectée auxdites couches de conduction. I1 est préférable que ledit dispositif à ondes acoustiques de surface comprenne en outre des couches de conduction d'une longueur prédéterminée pour une inductance formée sur le substrat isolant et connectée auxdites couches de conduction. I1 est préférable qu'une constante diélectrique du film diélectrique soit supérieure à 50. Il est préférable qu'un point de Curie du film diélectrique soit proche de la température ambiante. Il est préférable que les couches de conduction incluent une pluralité de paires d'électrodes se faisant face les unes les autres à une certaine distance et une couche de connexion qui connecte en commun les couches d'électrode de ladite pluralité de paires ; le film diélectrique est formé de telle sorte que des connexions entre ladite pluralité de couches d'électrode et la couche de connexion ne soient pas recouvertes par le film diélectrique; et ledit condensateur peut être réglé en coupant certaines des connexions entre ladite pluralité de paires de couches d'électrode et la couche de connexion. Comme décrit ci-avant, le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la présente invention comprend un substrat isolant ; des couches de conduction formées sur le substrat isolant et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres ; un film diélectrique formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et un oscillateur piézo-électrique connecté aux couches de conduction, les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituant un condensateur de telle sorte que le substrat puisse comprendre une capacité incorporée et puisse présenter un coût de fabrication faible. Le dispositif d'oscillation piézo-électrique décrit ci-avant inclut en outre des couches de conduction pour des inductances d'une longueur établie qui sont formées sur le substrat isolant et qui sont connectées aux couches de conduction et ainsi, le dispositif d'oscillation piézo-électrique peut incorporer une inductance ainsi qu'une capacité. Le dispositif d'oscillation piézo-électrique décrit ci-avant permet de constituer des parties électroniques présentant de faibles variations de caractéristiques du fait des caractéristiques de température lorsqu'un point de Curie du film diélectrique est pratiquement égal à la température ambiante. Le dispositif d'oscillation piézo-électrique décrit ci-avant inclut la couche de conduction comportant une pluralité de paires de couches d'électrode disposées de manière à se faire face les unes les autres à une certaine distance et la couche de connexion qui est connectée en commun à ladite pluralité de couches d'électrode, et les couches diélectriques qui ne recouvrent pas les connexions entre ladite pluralité des couches d'électrode et la couche de connexion, de telle sorte que des connexions mises à nu, non recouvertes du film diélectrique, puissent être coupées et ainsi, la capacité est modifiée afin de régler des caractéristiques de parties électroniques. Comme décrit ci-avant, le dispositif à ondes acoustiques de surface selon la présente invention comprend un substrat isolant ; des couches de conduction formées sur le substrat isolant et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres ; un film diélectrique formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et une puce de dispositif à ondes acoustiques de surface connectée aux couches de conduction, de telle sorte que les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituent un condensateur. Le dispositif à ondes acoustiques de surface décrit ci-avant inclut en outre des couches de conduction pour des inductances d'une longueur prédéterminée qui sont formées sur le substrat isolant et connectées aux couches de conduction, de telle sorte que le dispositif à ondes acoustiques de surface puisse incorporer une inductance ainsi qu'une capacité. Le dispositif à ondes acoustiques de surface décrit ci-avant permet de constituer des parties électroniques présentant de faibles variations de caractéristiques du fait des caractéristiques de température lorsqu'un point de Curie du film diélectrique est proche de la température ambiante. Le dispositif à ondes acoustiques de surface décrit ci-avant inclut la couche de conduction comportant une pluralité de paires de couches d'électrode se faisant face les unes les autres à une certaine distance et une couche de connexion qui se connecte en commun à ladite pluralité des couches d'électrode ; et les couches diélectriques qui ne recouvrent pas les connexions entre ladite pluralité de couches d'électrode et la couche de connexion, de telle sorte que des connexions à nu non recouvertes par le film diélectrique puissent être coupées, de telle sorte que la capacité soit modifiée afin d'ajuster les caractéristiques des parties électroniques. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS La figure 1 est une vue en perspective éclatée du dispositif d'oscillation piézo-électrique selon un mode de réalisation de la présente invention la figure 2 est une vue en coupe du dispositif d'oscillation piézoélectrique selon le mode de réalisation de la figure 1; la figure 3 est une vue en plan du substrat pour des dispositifs utilisés dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le mode de réalisation de la figure 1; la figure 4A est une vue d'un circuit équivalent d'un oscillateur piézo-électrique la figure 4B est une vue d'un circuit électronique d'un circuit d'oscillation typique; la figure 5 est un graphique de la caractéristique de fréquence d'oscillation en fonction de la température du dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le mode de réalisation de la figure 1;; la figure 6 est un graphique de la caractéristique de capacité en fonction de la température quand la capacité incorporée dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le mode de réalisation de la figure 1; la figure 7 est une vue en plan d'un motif différent du substrat pour des dispositifs utilisés dans le dispositif d'oscillation piézoélectrique selon la présente invention la figure 8 est une vue en plan d'un motif différent du substrat pour des dispositifs utilisés dans le dispositif d'oscillation piézoélectrique selon la présente invention les figures 9A et 9B sont des vues en coupe d'un motif différent d'un substrat pour des dispositifs utilisés dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la présente invention les figures 10A et 10B sont des vues du dispositif à ondes acoustiques de surface selon un autre mode de réalisation de la présente invention la figure 1 1 est une vue d'un circuit de filtre qui utilise le dispositif à ondes acoustiques de surface selon le mode de réalisation des figures 10A et 10B ; et la figure 12 est une vue en coupe du dispositif d'oscillation piézo-électrique classique. DESCRIPTION DETAILLEE DE L'INVENTION Le dispositif d'oscillateur piézo-électrique selon un mode de réalisation de la présente invention est indiqué par report aux figures 1 à 9. La figure 1 est une vue en perspective éclatée du dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le présent mode de réalisation. La figure 2 est une vue en coupe du dispositif d'oscillation piézoélectrique selon le présent mode de réalisation. La figure 3 est une vue en plan du substrat pour des dispositifs, qui est utilisé dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le présent mode de réalisation. Le substrat pour des dispositifs 10 qui est utilisé dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le présent mode de réalisation comprend un substrat isolant 12 en un matériau isolant, une couche de conduction 14 formée sur le substrat isolant 12 et un film diélectrique 16 formé sur la couche de conduction 14. Les matériaux du substrat isolant 12 peuvent être n'importe quels matériaux isolants qui présentent une résistance mécanique suffisante. Ces matériaux peuvent être à titre d'exemple l'alumine (A1203 constante diélectrique = 10), la forstérite (2MgO.SiO2: constante diélectrique = 7), le nitrure d'aluminium (AlN : constante diélectrique = 9), la stéatite (MgO.SiO2 : constante diélectrique = 8), la mulite (3Al203.2SiO2: constante diélectrique = 7), etc... La couche de conduction 14 est formée sur le substrat isolant 12 selon un motif requis. Comme représenté sur la figure 3, selon le présent mode de réalisation, une couche de conduction en forme de H 14a est formée au niveau du centre et des couches de conduction en forme de T 14b, 14c sont formées de manière à se faire face l'une l'autre sur les deux côtés de la couche de conduction en forme de H 14a. La couche de conduction 14 est formée en un quelconque matériau conducteur et le matériau conducteur peut être par exemple de l'Ag, de l'Ag.Pd, de l'Ag.Pt ou autre. Une couche de conduction (non représentée) est également formée sur la face arrière du substrat isolant 12. Le film diélectrique 16 est formé selon un motif qui recouvre les parties du substrat isolant 12 entre la couche de conduction 14a au niveau du centre et les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c. Selon le présent mode de réalisation, comme représenté sur la figure 3, le film diélectrique 16 est formé selon un motif en forme de H qui recouvre les parties du substrat isolant 12 entre la couche de conduction centrale 14a et les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c mais qui ne recouvre pas les parties du substrat isolant 12 au niveau des centres des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c. Les parties centrales des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c ne sont pas recouvertes de telle sorte que des oscillateurs piézo-électriques de différentes tailles qui seront décrits ultérieurement puissent être reçus. Le substrat isolant 12 est mis à nu au niveau des parties centrales des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c de telle sorte que des oscillateurs piézo-électriques de petites tailles puissent être reçus. Le film diélectrique 16 joue le rôle de film de protection pour la couche de conduction 14 formée sur le substrat isolant 12. Il est préférable que le film diélectrique 16 soit formé en un matériau à constante diélectrique élevée. Un tel matériau peut être par exemple du titanate de baryum (BaTiO3 : constante diélectrique = 751500), du titanate de plomb (PbTiO3: constante diélectrique = 20-200), du titane de strontium (SrTiO3 : constante diélectrique = 20 - 100), etc ... Le substrat ainsi formé pour des dispositifs 10 inclut un film PZT d'une épaisseur de 20 llm en tant que film diélectrique 16 et peut incorporer une capacité 4 d'environ 20 pF présentant le motif tel que représenté. Un oscillateur piézo-électrique 20 est connecté aux couches de conduction gauche et droite 14b et 14c du substrat 10 par l'intermédiaire de bossements 18 en une pâte d'Ag, d'Ag.Pd ou autre. L'oscillateur piézo-électrique 20 est constitué par un oscillateur à quartz, un oscillateur en céramique ou un oscillateur en un monocristal piézo-électrique tel que le LiNbO3, le LiTaO3 ou autre. Un capuchon 22 est connecté à une partie de frontière de la surface supérieure du substrat 10 par l'intermédiaire d'une résine époxy 24. Le capuchon 22 est formé par exemple en une céramique d'alumine (Al2O3) ou en une matière plastique hautement résistante à la chaleur. Ainsi, selon le présent mode de réalisation, le substrat isolant présente une résistance mécanique suffisante pour être utilisé seul sans être lié à un autre substrat présentant une certaine résistance mécanique. En outre, seulement le film diélectrique est formé entre les couches de conduction se faisant face sur le substrat isolant et lors de la formation du dispositif d'oscillateur piézo-électrique, seulement trois étapes d'application et de recuit sont requises pour former la couche de conduction sur le substrat isolant, le film diélectrique sur la couche de conduction et la couche de conduction sur la face inférieure du substrat isolant. Ceci conduit à des coûts de fabrication faibles et à des prix faibles.En outre, des parties centrales des couches de conduction gauche et droite sont mises à nu et ainsi, le substrat pour des dispositifs peut être utilisé en commun dans des oscillateurs piézo-électriques de différentes tailles. Ce caractère commun d'utilisation de la partie permet d'obtenir des prix faibles pour l'oscillateur piézo-électrique. Puis un procédé d'amélioration de la caractéristique de fréquence d'oscillation en fonction de la température du dispositif d'oscillation piézo-électrique selon le présent mode de réalisation est expliqué par report aux figures 4A à 6. La figure 4A représente un circuit équivalent à l'oscillateur piézo-électrique et la figure 4B représente un circuit d'oscillation typique. La figure 5 représente une caractéristique de fréquence d'oscillation en fonction de la température. La figure 6 représente la caractéristique de capacité en fonction de la température pour la capacité incorporée dans le dispositif d'oscillation piézo-électrique. Le circuit équivalent de l'oscillateur piézo-électrique et le circuit d'oscillation typique sont expliqués. La figure 4A représente le circuit équivalent de l'oscillateur piézo-électrique 20. Le circuit équivalent du circuit piézo-électrique 20 est représenté par un circuit série comportant une inductance Ls, un condensateur Cs et une résistance Rs, et un condensateur Co qui est parallèle au circuit série. La figure 4B est un circuit d'oscillation typique. Les deux extrémités de l'oscillateur piézo-électrique 20 sont reliées à la masse par l'intermédiaire de condensateurs C1, C2. Les condensateurs C1, C2 correspondent respectivement à des capacités qui sont formées respectivement par la couche de conduction centrale 14a et par chacune des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c. Un amplificateur A et une résistance R sont connectés en parallèle à l'oscillateur piezo-électrique 20. La partie délimitée par une ligne en pointillés sur la figure 4B est le circuit du dispositif d'oscillation piézoélectrique selon le présent mode de réalisation. Une déviation Afosc d'une fréquence d'oscillation dans l'oscillateur piézo-électrique 20 représenté par le circuit équivalent de la figure 4A qui est utilisée dans le circuit d'oscillation de la figure 4B est exprimée au moyen de la formule qui suit: Afosc = k x [1/2y + 1/t1 + (CL/Co))] où: k = constante de proportionnalité y = Co/Cs CL = ClxC2/(Cl+C2). Ici, l'oscillateur piézo-électrique 20 est constitué par du LiNbO3 de coupe Y à 165". Une fréquence selon les conditions constituées par: température ambiante (200 C) ; y = 5 ; et CL/Co = 10 est sélectionnée en tant que valeur initiale de la fréquence d'oscillation fosc. Un rapport fosc/fr de la fréquence d'oscillation fosc sur la fréquence d'oscillation fr dans cet état initial vaut 1,00908 (0,908 %). Lorsqu'il est supposé dans ces conditions qu'une capacité C1, c'est-à-dire une capacité des condensateurs incorporés C1, C2, est constante par rapport à des variations de température, comme représenté sur la figure 5, des déviations Afosc d'une fréquence d'oscillation sont modifiées par les caractéristiques de température des matériaux de l'oscillateur piézo-électrique 20. La courbe A de la figure 5 indique ces variations. Lorsque la température croît, la déviation de fréquence d'oscillation df diminue linéairement. Les inventeurs de la présente demande ont conçu l'idée de corriger les déviations de fréquence d'oscillation Afosc, qui présentent la caractéristique consistant en ce qu'elles décroissent linéairement lorsque la température croît, au moyen de l'utilisation des caractéristiques de température des matériaux diélectriques. Il est connu que des matériaux hautement diélectriques présentent des points de Curie et que leurs constantes diélectriques décroissent lorsque la température varie. La capacité décrite ci-avant CL est une capacité composite constituée par les capacités C1 et C2 du dispositif d'oscillation piézo-électrique. Par conséquent, une capacité CL qui est une capacité composite des capacités C1 et C2 en un matériau hautement diélectrique croît et décroît également proportionnellement aux croissances et aux décroissances de la constante diélectrique. Ici, sur la base de la formule décrite ci-avant, on peut voir que des augmentations de la capacité CL opèrent pour diminuer la déviation de fréquence d'oscillation Afosc et que des diminutions de la capacité CL opèrent pour augmenter une déviation de fréquence d'oscillation Afosc. Par conséquent, une diminution de la capacité CL corrige une diminution de la déviation de fréquence d'oscillation. Sur la base de cette pré-supposition technique, les déviations de fréquence d'oscillation Afosc sont mesurées en utilisant différents matériaux hautement diélectriques. Tout d'abord, un matériau 1 "PZT" (rapport de composition de 48 % en mole de PbZrO3 et de 52 % en mole de PbTiO3) est utilisé en tant que matériau hautement diélectrique. Le point de Curie du matériau 1 est à environ 50"C. Comme indiqué par les courbes de la figure 6, le matériau 1 présente la caractéristique de température qui est telle que la déviation de capacité de pic AC est à un point de Curie d'environ 10 C. Dans ce cas, comme indiqué par une courbe C sur la figure 5, une correction de la diminution de la déviation de fréquence d'oscillation Afosc est effective au-dessus d'environ 10 C. Depuis environ 0 C jusqu'à environ 900 90 C, la déviation de fréquence d'oscillation Afosc est sensiblement à zéro. Une amélioration notable a été trouvée. Par conséquent, selon le présent mode de réalisation, en sélectionnant un matériau hautement diélectrique, des déviations de fréquence d'oscillation dans la plage de températures habituellement utilisée peuvent être améliorées. Selon le présent mode de réalisation, la couche de conduction 14 et le film diélectrique 16 présentent les motifs représentés sur la figure 3 mais présentent des motifs différents. Les motifs différents sont représentés à titre d'exemple sur les figures 7 à 9. Au niveau du motif de la figure 7, les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c s'imbriquent au niveau du centre de la couche de conduction centrale 14a de telle sorte que les couches de conduction présentent une quantité plus importante de régions se faisant face. Ceci peut conduire à des valeurs plus importantes de la capacité incorporée. Selon le motif de la figure 7, le film diélectrique 16 ne recouvre pas des parties centrales des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c de telle sorte que des oscillateurs diélectriques de différentes tailles puissent être reçus. Selon le motif de la figure 8 ainsi que selon celui de la figure 7, les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c sont imbriquées au niveau du centre de la couche de conduction centrale 14a de telle sorte que les couches de conduction présentent une quantité plus importante de régions se faisant face, et une couche de conduction de connexion pour une connexion avec des substrats de circuit peut être formée sur les quatre côtés du substrat isolant 12. Selon le motif de la figure 8 également, des parties centrales des couches de conduction gauche et droite 14b, 14c ne sont pas recouvertes par le film diélectrique 16 de telle sorte que des oscillateurs piézo-électriques de différentes tailles puissent être reçus. Selon le motif de la figure 9A, la couche de conduction centrale 14a et les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c sont formées selon des électrodes interdigitées de telle sorte que des valeurs maximum de la capacité incorporée puissent être obtenues. La couche de conduction centrale 14a inclut des couches d'électrode interdigitées 14aa, 14ab qui s'étendent vers la gauche et vers la droite et une couche de connexion 14ac qui est connectée en commun aux couches d'électrode interdigitées 14aa, 14ab. La couche de conduction gauche 14b inclut des couches d'électrode interdigitées 14ba qui s'étendent vers la droite et une couche de connexion 14bb qui est connectée en commun aux couches d'électrode interdigitées 14ba. La couche de conduction droite 14c inclut des couches d'électrode interdigitées 14ca qui s'étendent vers la gauche et une couche de connexion 14cb connectée en commun aux couches d'électrode interdigitées 14ca. Selon le motif de la figure 9A, le film diélectrique 16 ne recouvre pas la totalité de la surface de la couche de conduction centrale 14a et les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c, c'est-à-dire les connexions (encerclées sur la figure 9A) entre les couches de conduction gauche et droite 14b, 14c et les couches d'électrode interdigitées 14ba, 14ca. Ce motif permet de modifier une valeur de la capacité incorporée du substrat de dispositif tel que fabriqué de manière à régler les fréquences d'oscillation du dispositif piézo-électrique. Après que le dispositif piézo-électrique a été fabriqué, des faisceaux lasers sont irradiés tels que sur les parties encerclées sur la figure 9A afin de couper les connexions et de séparer les parties des couches d'électrode interdigitées, comme représenté sur la figure 9B, de telle sorte que la valeur de la capacité incorporée soit modifiée afin de régler les fréquences d'oscillation. Par exemple, un dispositif piézo-électrique est conçu de manière à présenter une fréquence d'oscillation légèrement plus faible et après fabrication, les connexions requises sont coupées de telle sorte que le dispositif piézo-électrique présente de façon précise une fréquence d'oscillation requise. Le dispositif à ondes acoustiques de surface selon un autre mode de réalisation de la présente invention est expliqué par report aux figures 10A, 10B et 11. Dans le dispositif à ondes acoustiques de surface selon le présent mode de réalisation, le substrat pour des dispositifs utilisé dans le mode de réalisation décrit ci-avant est appliqué au dispositif à ondes acoustiques de surface. La figure 10A est une vue en coupe du dispositif à ondes acoustiques de surface selon le présent mode de réalisation et la figure 10B est une vue en plan du substrat pour des dispositifs. La figure 1 1 est une vue d'un circuit de filtre qui utilise le dispositif à ondes acoustiques de surface selon la présente invention. Le substrat pour des dispositifs 30 selon le présent mode de réalisation qui est appliqué à un dispositif à ondes acoustiques comprend, comme représenté sur la figure 10A, un substrat isolant 32 en un matériau isolant, une couche de conduction 34 formée sur le substrat isolant 32 et un film diélectrique 36 formé sur la couche de conduction 34. Le substrat pour des dispositifs 30 inclut lui-même la couche de conduction 34 conformée comme représenté sur la figure 10B et le film diélectrique 36, lesquels sont formés sur le substrat isolant 32. C'est-à-dire que la couche de conduction 34 inclut une couche de mise à la masse 34a formée au niveau du centre et des couches d'inductance 34b, 34c qui sont respectivement formées de manière à être cintrées sur les deux côtés et qui sont respectivement connectées à des couches de connexion 34d, 34e pour une connexion à des substrats de circuit. Des couches de conduction 34f, 34g sont formées de manière à faire face aux couches de connexion 34d, 34e. Le film diélectrique 36 est formé de manière à recouvrir des parties de la couche de connexion 34d et de la couche de conduction 34f qui se font face les unes les autres et des parties de la couche de connexion 34e et de la couche de conduction 34g qui se font face les unes les autres. Le substrat pour des dispositifs 30 selon le présent mode de réalisation incorpore une inductance constituée par les couches d'inductance 34b, 34c et une capacité constituée par les couches de connexion 34d, 34e, par les couches de conduction 34f, 34g et par le film diélectrique 36. Un dispositif à ondes acoustiques de surface 38 est monté sur le centre du substrat pour des dispositifs 30 et des couches de céramique 40, 42 sont formées, la première sur la seconde, de manière à entourer le dispositif à ondes acoustiques de surface 38. Une couche de conduction 40a est formée sur la surface supérieure de la couche en céramique 40 qui est connectée au dispositif à ondes acoustiques de surface au moyen d'un fil 44. Un capuchon 48 est fixé sur la surface supérieure de la couche en céramique 40 par l'intermédiaire d'une résine époxy. Un circuit de filtre qui utilise le dispositif à ondes acoustiques de surface selon le présent mode de réalisation est représenté sur la figure 11. Le circuit de filtre nécessite des condensateurs C10, C12 et des inductances L10, L12 en tant que circuit d'adaptation pour le dispositif à ondes acoustiques de surface 38. Le dispositif à ondes acoustiques de surface selon le présent mode de réalisation incorporé dans le circuit de filtre est dans la région A délimitée par la ligne en pointillés sur la figure 11. Il est possible que le dispositif à ondes acoustiques de surface des figures 10A et 10B, les couches d'inductance 34b, 34c étant omises, soit incorporé dans le circuit de filtre dans la région B délimitée par une ligne en traits mixtes sur la figure 11. Selon le présent mode de réalisation, le circuit d'adaptation requis pour le circuit de filtre peut être incorporé dans le dispositif à ondes acoustiques de surface, ce qui permet de diminuer la taille et les prix du dispositif. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-avant et elle inclut d'autres variantes et modifications. Par exemple, le substrat pour des dispositifs selon la présente invention, qui est appliqué à un dispositif piézo-électrique et à un dispositif à ondes acoustiques de surface selon les modes de réalisation décrits ci-avant, peut être appliqué à d'autres parties électroniques. REVENDICATIONS 1. Dispositif d'oscillation piézo-électrique caractérisé en ce qu'il comprend un substrat isolant (12); des couches de conduction (14) formées sur le substrat isolant (12) et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres un film diélectrique (16) formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et un oscillateur piézo-électrique (20) connecté aux couches de conduction, de telle sorte que les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituent un condensateur. 2. Dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des couches de conduction (14a, 14b, 14c) d'une longueur prédéterminée pour une inductance formée sur le substrat isolant et connectée auxdites couches de conduction (14). 3. Dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que une constante diélectrique du film diélectrique est supérieure à 50. 4. Dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que un point de Curie du film diélectrique est proche de la température ambiante. 5. Dispositif d'oscillation piézo-électrique selon la revendication 1, caractérisé en ce que les couches de conduction incluent une pluralité de paires de couches d'électrode (14aa, 14ab ; 14ba ; 14ca) se faisant face les unes les autres à une certaine distance et une couche de connexion (14ac 14bb ; 14cb) qui connecte en commun les couches d'électrode de ladite pluralité de paires le film diélectrique est formé de telle sorte que des connexions entre ladite pluralité de couches d'électrode (14ba ; 14ca) et la couche de connexion (14bb ; 14cb) ne soient pas recouvertes par le film diélectrique ; et ledit condensateur peut être réglé en coupant certaines des connexions entre ladite pluralité de paires de couches d'électrode et la couche de connexion. 6. Dispositif à ondes acoustiques de surface caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat isolant (32); des couches de conduction (34f, 34g) formées sur le substrat isolant et se faisant face les unes les autres à une distance qui est telle que les couches de conduction sont isolées les unes des autres un film diélectrique (36) formé sur la partie du substrat isolant qui permet à ce film de recouvrir au moins une partie des couches de conduction et présentant une constante diélectrique supérieure à celle du substrat isolant ; et une puce de dispositif (38) à ondes acoustiques de surface connectée aux couches de conduction, de telle sorte que les couches de conduction se faisant face et le film diélectrique constituent un condensateur. 7. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des couches de conduction (34b, 34c) d'une longueur prédéterminée pour une inductance formée sur le substrat isolant et connectée auxdites couches de conduction. 8. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 6, caractérisé en ce que une constante diélectrique du film diélectrique est supérieure à 50. 9. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 6, caractérisé en ce que un point de Curie du film diélectrique est proche de la température ambiante. 10. Dispositif à ondes acoustiques de surface selon la revendication 6, caractérisé en ce que les couches de conduction incluent une pluralité de paires de couches d'électrode se faisant face les unes les autres à une certaine distance et une couche de connexion qui connecte en commun les couches d'électrode de ladite pluralité de paires le film diélectrique est formé de telle sorte que des connexions entre ladite pluralité de couches d'électrode et la couche de connexion ne soient pas recouvertes par le film diélectrique ; et ledit condensateur peut être réglé en coupant certaines des connexions entre ladite pluralité de paires de couches d'électrode et la couche de connexion.