Brevet FR2732480A1 — publié le 19961004

La présente invention concerne des structures et dispositifs organiques lumineux en couleurs, destinés notamment à être utilisés dans des afficheurs électroniques plats, et leurs procédés de fabrication. L'affichage électronique est indispensable dans la société moderne pour fournir des informations et il est utilisé dans les téléviseurs, les terminaux d'ordinateurs et dans de nombreuses autres applications. Aucun autre moyen n'offre sa vitesse, son interactivité et sa multiplicité de possibilités. Les technolo- gies d'affichage connues comprennent les afficheurs à plasma, les diodes lumi- neuses (DEL), les afficheurs luminescents à film mince, notamment. La technologie non émissive primaire utilise les propriétés électro- optiques d'une classe de molécules organiques appelées cristaux liquides (LC) dans des afficheurs à cristaux liquides (LCD). Les LCD fonctionnent de manière assez fiable mais ont un contraste et une résolution relativement faibles et exigent un rétro-éclairage relativement intense. Les afficheurs à matrice active emploient un ensemble de transistors capables chacun d'activer un seul pixel à cristaux liquides. L'importance de la technologie des afficheurs plats ne fait aucun doute et elle évolue continuellement. Dans l'article intitulé "Flat Panel Displays", Scientific American, mars 1993, pages 90-97, S.W. Depp et W.E. Howard indiquent qu'il est prévu qu'en 1995 les afficheurs plats représenteront un marché de 4 à 5 milliards de dollars. Les facteurs souhaitables pour la technologie des afficheurs sont la possibilité de fournir un affichage en couleurs à haute résolution à un niveau lumineux satisfaisant et à des coûts compétitifs. Les afficheurs en couleurs fonctionnent avec les trois couleurs primaires rouge (R), verte (V) et bleue (B). Les dispositifs lumineux ou diodes lumineuses (LED) utilisant des matériaux organiques en film mince ont fait des progrès considérables. Ces matériaux en film mince sont déposés sous vide poussé. Ces techniques ont été développées en de nombreux endroits dans le monde entier et cette technologie est étudiée dans de nombreux établissements de recherche. Actuellement, la structure organique lumineuse à haut rendement particulièrement préférée est appelée LED à double hétérostructure et elle est représentée sur la figure 1A. Cette structure de l'état de la technique est très semblable aux LED inorganiques conventionnels qui utilisent des matériaux tels que GaAs ou InP. Dans le dispositif représenté sur la figure 1A, une couche de support 10 en verre est recouverte d'une mince couche d'oxyde d'indium et d'étain (TO) 11, les couches 10 et 11 formant le substrat 8. Puis, une mince couche (100 à 500 x 10-10 m ( ")) organique, transportant principalement des trous (HTL) 12 est déposée sur la couche ITO 11. Une mince couche d'émission (EL) (épaisse typiquement de 50 à 100 x 10-10 m (A)) est déposée sur la surface de la couche HTL 12. Si les couches sont trop minces, le film manque de continuité et si elles sont trop épaisses le film tend à avoir une résistance interne élevée qui nécessite un fonctionnement à plus grande puissance. La couche d'émission (EL) 13 constitue un site de recombinaison pour les électrons injectés depuis une couche de transport d'électrons (ETL) 14 épaisse de 100 à 500 x 10- 10 m (A) et les trous provenant de la couche HTL 12. Le matériau ETL est caractérisé par le fait que les électrons y sont considérablement plus mobiles que les trous. Des exemples de matériaux ETL, EL et HTL de l'état de la technique sont décrits dans le brevet US n5 294870 intitulé "Organic Electroluminescent Multicolor Image Display Device", délivré le 15 mars 1994 à Tang et al. La couche EL 13 est souvent dopée avec un colorant très fluorescent pour ajuster la couleur et augmenter le rendement de luminescence du LED. Le dispositif représenté sur la figure 1A est muni de contacts métalliques 15, 16 et d'une électrode supérieure 17. Typiquement, les contacts 15 et 16 sont en indium ou en Ti/Pt/Au. L'électrode 17 présente souvent une structure à deux couches consistant en un alliage tel que Mg/Ag 17' en contact direct avec la couche ETL organique 14 et en une couche métallique épaisse 17" à travail de sortie élevé constituée par exemple par de l'or (Au) ou de l'argent (Ag) sur l'alliage Mg/Ag. Cette couche 17" est opaque. Lorsqu'une tension de polarisation appropriée est appliquée entre l'électrode supérieure 17 et les contacts 15 et 16, il se produit une émission lumineuse à travers le substrat en verre 10. Un dispositif LED tel que celui représenté sur la figure 1A a typiquement des rendements quantiques de luminescence externe compris entre 0,05% et 4% en fonction de sa couleur d'émission et de sa structure. Une autre structure organique émettrice de lumière appelée hétéro- structure unique connue selon l'état de la technique est représentée sur la figure lB. La différence entre cette structure et celle de la figure 1A est que la couche EL 13 sert aussi de couche ELT de sorte que la couche ETL 14 de la figure 1A disparaît. Cependant, pour fonctionner de manière efficace, le dispositif de la figure lB doit comprendre une couche EL 13 ayant une bonne capacité de transport des électrons. Dans le cas contraire, une couche ETL 14 séparée doit être prévue comme dans le cas du dispositif de la figure 1A. Actuellement, les rendements les plus élevés ont été observes dans les LED verts. De plus, des tensions de commande de 3 à 10 V ont été obtcnues. Ces premiers dispositifs très prometteurs utilisaient des couches organiques amorphes ou hautement polycristallines. Manifestement, ces structures limitent la mobilité des porteurs de charge dans le film, ce qui limite le courant et augmente la tension de commande. La migration et la croissance des cristallites qui proviennent de l'état polycristallin sont une source importante de défaillance de ces dispositifs. La dégradation des contacts d'électrode en est une autre. Un autre dispositif LED connu est représenté sur la figure 1C qui est une vue en coupe typique d'un LED (polymérique) à une seule couche. Ce dispositif comprend une couche de support en verre 1 revêtue d'une mince couche ITO 3 pour former le substrat de base. Une mince couche organique 5 de polymère appliquée par centrifugation, par exemple, est formée sur la couche ITO 3 et assure toutes les fonctions des couches HTL, ETL et EL des dispositifs décrits précé- demment. Une couche métallique d'électrode 6 est formée sur la couche organique 5. Le métal est typiquement Mg, Ca ou un autre métal utilisé conventionnellement. Un exemple de dispositif d'affichage luminescent en couleurs qui emploie des composés organiques pour constituer des pixels lumineux est décrit par Tang et al. dans le brevet US n* 5 294 870. Ce brevet décrit une multiplicité de pixels lumineux qui contiennent un milieu organique pour émettre une lumière bleue dans des régions à l'intérieur des pixels qui émettent dans le bleu. Les milieux fluorescents sont écartés latéralement des régions à l'intérieur des pixels qui émettent dans le bleu. Les milieux fluorescents absorbent la lumière émise par le milieu organique et émettent une lumière rouge et une lumière verte dans différentes régions situées à l'intérieur des pixels. L'utilisation de matériaux dopés avec des colorants fluorescents pour émettre une lumière verte ou rouge lors de l'absorption de la lumière bleue provenant des régions à l'intérieur des pixels qui émettent dans le bleu est moins efficace que la formation directe par des LED verts ou rouges. La raison en est que le rendement est donné par la formule suivante: (rendement quantique pour EL) x (rendement quantique pour la fluorescence) x (1- transmittance). Ainsi, ce dispositif d'affichage présente l'inconvénient que différentes régions écartées latéralement à l'intérieur des pixels sont nécessaires pour chaque couleur émise. La présente invention a pour but de fournir un dispositif organique lumineux en couleurs employant plusieurs types de milieux luminescents organiques destinés à émettre des couleurs différentes. La présente invention a également pour but de fournir un dispositif de ce type dans un afficheur en couleurs à haute définition dans lequel les milieux organiques sont agencés dans une configuration empilée telle qu'une couleur quelconque peut être émise depuis une région commune de l'afficheur. La présente invention a également pour but de fournir un dispositif organique lumineux en trois couleurs qui est extrêmement fiable et relativement peu coûteux. La présente invention a également pour but de fournir un dispositif obtenu par la croissance de matériaux organiques semblables aux matériaux utilisés dans les diodes lumineuses pour obtenir un LED organique hautement fiable, compact, efficace et qui nécessite de faibles tensions de commande pour être utilisé dans des afficheurs RVB. Dans un mode de réalisation de la présente invention, une structure de dispositif lumineux en couleurs (LED) comprend au moins un premier et un second LED organiques empilés l'un sur l'autre, et de préférence trois LED empilés les uns sur les autres, pour former une structure stratifiée, chaque LED étant séparé des autres par une couche conductrice transparente pour permettre à chaque dispositif de recevoir un potentiel de polarisation séparé pour émettre une lumière à travers l'empilement. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante lorsqu'elle est faite en combinaison avec les dessins annexés dans lesquels: la figure 1A est une vue en coupe d'un dispositif lumineux (LED) organique à double hétérostructure selon l'état de la technique; la figure lB est une vue en coupe d'un dispositif lumineux (LED) organique à hétérostructure unique typique selon l'état de la technique; la figure 1C est une vue en coupe d'une structure LED polymérique à une seule couche connue selon l'état de la technique; les figures 2A, 2B et 2C sont des vues en coupe de dispositifs lumineux (LED) organiques cristallins utilisant des pixels à trois couleurs intégrés selon des modes de réalisation de la présente invention; les figures 3 à 11J montrent différents composés organiques qui peuvent être utilisés pour constituer les couches d'émission actives pour produire différentes couleurs; les figures 12(A-E) représentent un processus de masquage pour la fabrication des LED en couleurs selon l'invention; les figures 13 (A-F) représentent un processus de gravure à sec pour la fabrication des LED en couleurs selon la présente invention; la figure 14A montre un LED en couleurs selon un mode de réalisation de l'invention, qui est configuré pour faciliter son encapsulation; la figure 14B est une coupe transversale d'un boîtier hermétique pour un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 14C est une coupe suivant la ligne 14C-14C de la figure 14B; la figure 15 est un schéma montrant un afficheur RVB utilisant des dispositifs LED selon la présente invention ainsi qu'un circuit de commande d'affichage; la figure 16 représente un dispositif LED selon un autre mode de réalisation de la présente invention dans lequel le nombre de LED empilés est augmenté jusqu'au nombre entier N. La figure 2A représente en coupe schématique une structure de pixel RVB intégrée très compacte qui est obtenue par croissance ou dépôt sous vide de couches organiques, selon un mode de réalisation de l'invention. Grâce à la possibilité de faire croître des matériaux organiques sur une grande multiplicité de matériaux (y compris les métaux et ITO), il est possible de construire un empile- ment de double hétérostructures (DH) de LED désignées par 20, 21 et 22. A titre d'illustration, LED 20 constitue la partie inférieure de l'empilement, LED 21 la partie moyenne de l'empilement et LED 22 la partie supérieure de l'empilement selon la figure 2A. Sur cette figure, l'empilement est orienté verticalement mais les LED peuvent être orientés d'une autre manière. Dans d'autres modes de réalisation, un empilement de LED à hétérostructure unique (SH) (voir figure lB) ou un empilement de dispositifs LED à base de polymères (voir figure 1C) constituent des alternatives fiables aux LED DH, les dispositifs SH étant aussi fiables que les dispositifs DH pour l'émission de lumière. En outre, les dispositifs SH et DH qui comprennent une combinaison de matériaux lumineux déposés sous vide et de matériaux lumineux polymériques sont inclus dans le cadre de la présente invention. Chaque structure telle que la structure 20 consiste en une couche HTL H déposée sous vide ou formée par croissance ou déposée d'une autre manière sur la surface d'une couche ITO 35. Une couche ETL supérieure 20T recouvre une couche EL 20E située entre celle-ci et la couche HTL 20H. La couche ETL 20T et d'autres couches ETL qui seront décrites sont constituées par des matériaux organiques tels que M(8-hydroxyquinoléate) (M=ion métallique; n=2 à 4). On peut trouver des exemples d'autres matériaux ETL organiques appropriés dans le brevet US ne 5 294 870 au nom de Tang et ai. Une mince couche métallique semi- transparente 26M, à faible travail de sortie (de préférence inférieur à 4 eV), d'une épaisseur typiquement inférieure à 50 x 10-10 m (A) est formée sur la couche ETL T. Les métaux qui peuvent être utilisés comprennent par exemple Mg, Mg/Ag et As. Une mince couche ITO conductrice transparente 26I est déposée sur la couche métallique 26M. Pour simplifier, la structure à deux couches constituée par la couche métallique 26M et la couche ITO 261 est appelée couche ITO/métallique 26. Chacun des dispositifs à double hétérostructure 20, 21, 22 a une couche HTL inférieure formée sur une couche conductrice transparente ITO 261 ou 35. Puis, une couche EL est déposée et ensuite une autre couche ETL Chacune des couches HTL, ETL, ITO, métallique et EL organique est transparente du fait de sa composition et de sa faible épaisseur. Chaque couche HTL peut être épaisse de 50 à 1 0O x10-0 m (A), chaque couche EL peut être épaisse de 50 à 200x0l-10 m (A) et chaque couche ETL peut être épaisse de 50 à 1 000xlO-10 m (A), chaque couche métallique 26M peut être épaisse de 50 à 100x10-10 m (A) et chaque couche ITO 261 et 35 peut être épaisse de 1 000 à 4 000xl0-10 m (A). Pour un fonctionnement optimal, l'épaisseur de chacune des couches est de préférence maintenue vers l'extrémité inférieure du domaine ci-dessus. Ainsi, les LED 20, 21, 22 (à l'exclusion des couches ITO/métalliques) ont une épaisseur de préférence proche de 200x10-0 m (A). Si des dispositifs LED SH sont utilisés pour former les LED 20, 21, 22 plutôt que des dispositifs LED DH, les couches ETL et EL sont formées par une seule couche, telle que la couche 13, comme décrit précédemment pour le SH de la figure lB. Cette couche 13 est typiquement constituée par du quinoléate de Al. Ceci est représenté sur la figure 2B sur laquelle les couches EL 20E, 21E et 22E, respectivement, remplissent à la fois les fonctions de couche EL et de couche ETL Cependant, l'avantage de l'empilement de LED DH selon la figure 2A par rapport à l'empilement de LED SH selon la figure 2B est que l'empilement de LED DH permet une construction globale plus mince avec un rendement élevé. Sur les figures 2A et 2B, bien que les centres des LED soient décalés les uns des autres, le faisceau lumineux total provenant de chaque dispositif est sensiblement coïncident entre les LED 20, 21, 22. Tandis que les faisceaux lumineux sont coïncidents en configuration concentrique, le dispositif émetteur ou non émetteur qui est le plus proche du substrat en verre est transparent vis-à-vis du ou des dispositifs émetteurs qui sont plus éloignés du substrat en verre. Cependant, il n'est pas nécessaire que les LED 20, 21, 22 soient décalés les uns par rapport aux autres, et ils peuvent aussi être empilés de manière concentrique les uns sur les autres de sorte que le faisceau lumineux provenant de chaque dispositif coïncide totalement avec les autres. Une configuration concentrique est représentée sur la figure 12E qui sera décrite ci-dessous au sujet des procédés de fabrication. Il est à noter qu'il n'y a pas de différence de fonctionnement entre les configurations décalée et concentrique. Chaque dispositif émet une lumière à travers le substrat en verre 37 de manière sensiblement omnidirectionnelle. Les tensions dans les trois LED de l'empilement 29 sont commandées pour fournir à chaque instant une couleur d'émission résultante et une brillance voulues pour un pixel particulier. Ainsi, chaque LED 22, 21 et 20 peut être excité simultanément avec des faisceaux R, V et B, respectivement, qui traversent les couches transparentes, comme le montrent schématiquement les figures 2A et 2B. Chaque structure DH 20, 21, 22 est capable d'émettre une lumière d'une couleur différente lors de l'application d'une tension de polarisation appropriée. Le LED 20 à double hétérostructure émet une lumière bleue. Le LED 21 à double hétérostructure émet une lumière verte tandis que le LED (DH) 22 à double hétérostructure émet une lumière rouge. Différentes combinaisons des LED 20, 21, 22 peuvent être activées pour obtenir sélectivement une couleur voulue pour le pixel respectif, en fonction en partie de l'intensité du courant qui circule dans chaque LED 20, 21 et 22. Dans l'exemple des figures 2A et 2B, les LED 20, 21 et 22 sont polarisés dans le sens direct par des piles ou batteries 32, 31 et 30, respectivement. Le courant circule de la borne positive de chaque batterie 32, 31 et 30 dans la borne d'anode 40, 41 et 42 respectivement, du LED 20, 21 et 22 associé, dans les couches de chaque dispositif respectif et des bornes 41, 42 et 43 qui servent de borne de cathode vers les bornes négatives de chaque batterie 32, 31 et 30 respectivement. Il en résulte l'émission d'une lumière par chaque LED 20, 21 et 22. Les dispositifs 20, 21 et 22 peuvent être excités sélectivement grâce à des moyens (non représentés) pour brancher et débrancher sélectivement les batteries 32, 31 et avec leur LED respectifs. Sur les figures 2A et 2B, la couche de contact ITO supérieure 26I pour le LED 22 est transparente de sorte que ce dispositif en couleurs peut être utilisé comme afficheur frontal. Cependant, dans un autre mode de réalisation de l'invention, le contact supérieur 261 est constitué par un métal épais tel que Mg/Ag, In, Ag ou Au pour renvoyer par réflexion vers le substrat 13 la lumière émise vers le haut afin d'augmenter sensiblement le rendement du dispositif. Ainsi, il est possible d'augmenter le rendement global du dispositif en formant un revêtement en film mince diélectrique multicouche entre le substrat en verre 37 et la couche ITO 35 pour former une surface antiréfléchissante. Trois séries de couches anti- réfléchissantes sont nécessaires pour former chacune un revêtement antiréfléchis- sant à chaque longueur d'onde émise par les différentes couches. Dans un autre mode de réalisation, le dispositif de la figure 2A est construit de manière inversée pour fournir une émission lumineuse par le sommet de l'empilement plutôt que par le fond. Un exemple de structure inversée est représenté sur la figure 2C. Dans cette structure, la couche ITO 35 est remplacée par une couche métallique réfléchissante épaisse 38. Le LED bleu 20 est ensuite formé en interchangeant la couche HTL 20H et la couche ETL 20T, la couche EL E restant enserrée entre les deux couches précédentes. De plus, la couche de contact métallique 26M est maintenant déposée sur le sommet de la couche 0TO 261. Le LED vert 21 et le LED rouge 22 de l'empilement sont formés chacun avec des couches inversées (les couches HTL et EL de chacun sont interchangées puis les couches métalliques et ETO sont inversées) de la manière décrite pour le LED bleu inversé 20. Il est à noter que dans la structure inversée, le dispositif bleu 20 doit être au sommet et le dispositif rouge 22 doit être au fond. En outre, les polarités des batteries 30, 31 et 32 sont inversées. Il en résulte que le courant circule dans les dispositifs 20, 21 et 22 respectivement dans le sens opposé au mode de réalisation de la figure 2A, dans le cas d'une polarisation directe pour l'émission de lumière. Dans cet exemple, le dispositif a un profil en escalier. La couche de contact transparente 26I (rITO) permet de polariser séparément chaque élément de pixel dans l'empilement et, en outre, ce matériau peut être utilisé comme arrêt de gravure pendant les étapes de traitement. La polarisation séparée de chaque structure LED DH 20, 21 et 22 permet le réglage des longueurs d'onde de l'émission du pixel pour obtenir une couleur voulue quelconque parmi différentes couleurs du spectre visible selon les définitions des normes de chromaticité de la CIE (Commission Internationale de l'Eclairage). Le LED 20 qui émet dans le bleu est placé au fond de l'empilement car il est transparent à la lumière rouge et à la lumière verte. Cest le plus grand des trois dispositifs. Enfin, la séparation des matériaux à l'aide des couches ITO/métalliques 26 facilite la fabrication de ces dispositifs comme cela sera décrit. Ce sont les caractéristiques très particulières des processus de croissance et de fabrication sous vide associées aux composés organiques qui rendent possibles les dispositifs LED selon les figures 2A, 2B et 2C. La stratification verticale permet la fabrication de pixels à trois couleurs présentant la plus petite superficie possible ce qui les rend particulièrement appropriés pour les afficheurs à haute définition. Comme le montrent les figures 2A, 2B et 2C, chaque structure DH 20, 21, 22 peut émettre une lumière représentée par les flèches B, V et R, respective- ment, séparément ou simultanément. Il est à noter que la lumière émise provient sensiblement de toute la partie transversale de chaque LED 20, 21 et 22 de sorte que les flèches R, V et B ne sont pas représentatives de la largeur de la lumière émise réelle. De cette manière, l'addition ou soustraction de couleurs est intégrée par l'oeil de sorte que l'on perçoit différentes couleurs ou teintes. Ceci est bien connu dans le domaine de la vision des couleurs et de la colorimétrie des afficheurs. Dans la configuration décalée qui est représentée, les faisceaux rouge, vert et bleu sont sensiblement coïncidents. Si les dispositifs sont de taille suffisam- ment petite, c'est-à-dire d'environ 50/am ou moins, l'empilement peut produire une couleur quelconque parmi une grande variété de couleurs. Cependant, cette couleur semblera provenir d'un seul pixel. Les matériaux organiques utilisés dans les structures DH sont amenés à croître les uns au-dessus des autres ou sont empilés verticalement, le dispositif de plus grande longueur d'onde 22 produisant une lumière rouge étant au sommet et le dispositif de plus courte longueur d'onde 20 produisant une lumière bleu étant au fond. De cette manière, on minimise l'aborption de lumière dans le pixel ou dans les dispositifs. Les dispositifs LED DH sont séparés par des couches ITO/métal- liques 26 (spécifiquement, des couches métalliques semitransparentes 26M et des couches d'oxyde d'indium et d'étain 261). Les couches ITO 26I peuvent être traitées par dépôt métallique pour former des zones de contact distinctes sur les surfaces ITO exposées, telles que les contacts 40, 41, 42 et 43. Ces contacts 40, 41, 42 et 43 sont en indium, en platine, en or, en argent, en alliages tels que Ti/Pt/Au, Cr/Au ou Mg/Ag, par exemple. Les techniques de dépôt de contacts par dépôt métallique conventionnel ou dépôt en phase vapeur conventionnel sont bien connues. Les contacts tels que 40, 41, 42 et 43 permettent de polariser séparément chaque LED dans l'empilement. Les différences chimiques sensibles entre les matériaux des LED organiques et les électrodes transparentes 26I permettent aux électrodes d'agir comme couches d'arrêt de gravure. Ceci permet la gravure et l'exposition sélectives de chaque élément de pixel pendant la fabrication du dispositif. Chaque LED 20, 21, 22 comporte sa propre source de potentiel de polarisation, représentée dans cet exemple schématiquement par les batteries 32, 31 et 30 respectivement, qui permettent au LED d'émettre une lumière. Bien entendu, des signaux appropriés peuvent être employés à la place des batteries 30, 31 et 32. On sait que les LED exigent une tension de seuil minimum pour émettre de la lumière. Cette tension d'activation est représentée schématiquement par des symboles de batterie. Les couches EL 20E, 21E, 22E peuvent être formées à partir de composés organiques choisis selon leur aptitude à produire toutes les couleurs primaires et leurs intermédiaires. Les composés organiques sont généralement choisis parmi les complexes de quinoléates et de métaux trivalents, les complexes de quinoléates pontés par des métaux trivalents, les complexes de métaux divalents et de bases de Schiff, les complexes métalliques d'étain (iv), les complexes d'acétylacétonates et de métaux, les complexes de ligands bidentés et de métaux, les bisphosphonates, les complexes de maléonitriledithionates et de métaux divalents, les complexes de transfert de charges moléculaires, les polymères aromatiques et hétérocycliques ct les chélates mixtes de terres rares, comme cela sera décrit dans la suite. Les complexes de quinoléates et de métaux trivalents sont représentés par la formule structurale de la figure 3 o M est un ion métallique trivalent choisi dans les groupes 3 à 13 du tableau périodique et parmi les lanthanides. A13+, Ga3+ et In3+ sont les ions métalliques trivalents que l'on préfere. Sur la figure 3, R représente l'hydrogène et des groupes alkyle, aryle et hérérocycliques substitués et non substitués. Les groupes alkyles peuvent être linéaires ou ramifiés et ont de préférence 1 à 8 atomes de carbone. Les groupes méthyle et éthyle sont des exemples de groupes alkyles appropriés. Le groupe aryle que l'on préfère est phényle et les exemples de groupes hétérocycliques pour R comprennent les groupes pyridyle, imidazole, furane et thiophène. Les groupes alkyles, aryles et hétérocycliques de R peuvent être substitués par au moins un substituant choisi parmi aryle, halogène, cyano et alcoxy, de préférence ayant de 1 à 8 atomes de carbone. L'halogène que l'on préfère est le chlore. Le groupe L de la figure 3 représente un ligand tel que la picolyl- méthylcétone, le salicylaldéhyde substitué et non substitué (par exemple salicyl- aldéhyde substitué par l'acide barbiturique), un groupe de formule R(O)COo R est tel que défini ci-dessus, un halogène, un groupe de formule ROo R est tel que défini ci-dessus, et les quinoléates (par exemple 8-hydroxyquinoléine) et leurs dérivés (par exemple quinoléates substitués par l'acide barbiturique). Les complexes préférés, qui sont couverts par la formule représentée sur la figure 3, sont ceux dans lesquels M est Ga3+ et L est le chlore. De tels composés produisent une émission bleue. Lorsque M est Ga3+ et L est carboxylate de méthyle, on obtient des complexes qui émettent dans la région allant du bleu au bleu/vert. Lorsqu'on utilise un salicylaldéhyde substitué par l'acide barbiturique ou une 8- hydroxyquinoléine substituée par l'acide barbiturique pour le groupe L, on peut prévoir une émission jaune ou rouge. On peut produire des émissions vertes lorsque l'on utilise un quinoléate pour le groupe L. Les complexes de quinoléates pontés par des métaux trivalents qui peuvent être employés dans la présente invention sont représentés sur les figures 4A et 4B. Ces complexes produisent des émissions vertes et présentent une stabilité vis-à-vis de l'environnement supérieure aux trisquinoléates (complexes de la figure 3 o L est un quinoléate) utilisés dans les dispositifs de l'état de la technique. L'ion métallique trivalent M utilisé dans ces complexes est tel que défini ci- dessus, A13+, Ga3+ et In3+ étant préférés. Le groupe Z représenté sur la figure 4A répond à la formule SiR o R est tel que défini ci-dessus. Z peut aussi être un groupe de formule P=O qui forme un phosphate. Les complexes de métaux divalents et de bases de Schiff comprennent ceux qui sont représentés sur les figures 5A et 5B o M1 est un métal divalent choisi dans les groupes 2 à 12 du tableau périodique, de préférence Zn (voir Y. Hanada, et al., 'Blue Electroluminescence in Thin Films of Axomethin - Zinc Complexes", Japanese Journal of Applied Physics vol. 32, pages L511-L513 (1993). Le groupe R1 est choisi parmi les formules structurales représentées sur les figures SA et 5B. De préférence, le groupe R1 est coordiné au métal du complexe par l'intermédiaire de l'amine ou de l'azote du groupe pyridyle. X est choisi parmi l'hydrogène, les groupes alkyles et alcoxy ayant de 1 à 8 atomes de carbone, les groupes aryles, les groupes hétérocycliques, phosphino, halogénures et amines. Le groupe aryle que l'on préfèere est phényle et le groupe hétérocyclique que l'on préfère est choisi parmi pyridyle, imidazole, furane et thiophène. Le groupe X exerce une influence sur la solubilité des complexes de métaux divalents et de bases de Schiff dans les solvants organiques. Le complexe de métal divalent et de base de Schiff particulier qui est représenté sur la figure 5B émet à une longueur d'onde de 520 nm. Les complexes métalliques d'étain (iv) employés dans la présente invention dans les couches EL produisent des émissions vertes. Font partie de ces complexes ceux répondant à la formule SnL12L22 o L1 est choisi parmi les salicylaldéhydes, l'acide salicylique ou les quinoléates (par exemple 8hydroxy- quinoléine). L2 comprend tous les groupes tels que définis précédemment pour R sauf l'hydrogène. Par exemple, les complexes métalliques d'étain (iv) dans lesquels L1 est un quinoléate et L2 est phényle ont une longueur d'onde d'émission (>em) de 504 nm, d'après des mesures de photoluminescence à l'état solide. Les complexes métalliques d'étain (iv) comprennent aussi ceux de formule structurale selon la figure 6 dans laquelle Y est le soufre ou NR2 o R2 est choisi parmi l'hydrogène et les groupes alkyle et aryle substitués ou non substitués. Le groupe alkyle peut être linéaire ou ramifié et a de préférence 1 à 8 atomes de carbone. Le groupe aryle que l'on préfèere est phényle. Les substituants des groupes alkyle et aryle comprennent des groupes alkyle et alcoxy ayant 1 à 8 atomes de carbone, cyano et halogène. L3 peut être choisi parmi les groupes alkyle, aryle, halogénures, les quinoléates (par exemple 8-hydroxyquinoléine), les salicylaldé- hydes, l'acide salicylique et le maléonitriledithiolate ("mnt"). Lorsquc A=S, Y=CN et L3="mnt", on peut obtenir une émission entre le rouge et l'orange. Les complexes M(acétylacétonate)3 représentés sur la figure 7 pro- duisent une émulsion bleue. L'ion métallique M est choisi parmi les métaux triva- lents des groupes 3 à 13 du tableau périodique et parmi les lanthanides. Les ions métalliques que l'on préfere sont A13+, Ga3+ et In3+. Le groupe R de la figure 7 est le même que le groupe R de la figure 3. Par exemple, lorsque R est méthyle et M est choisi parmi A13+, Ga3+ et In3+, les longueurs d'onde résultant des mesures de photoluminescence à l'état solide sont de 415 nm, 445 nm et 457 nm, respec- tivement (voir J. Kido et al., "Organic Electroluminescent Devices using Lantha- nide Complexes", Journal of Allovs and Compounds. vol. 92, pages 30-33 (1993)). Les complexes métalliques bidentés employés dans la présente invention produisent généralement des émulsions bleues. De tels complexes répondent à la formule MDL42 o M est choisi parmi les métaux trivalents des groupes 3 à 13 du tableau périodique et les lantha- nides. Les ions métalliques que l'on préfère sont A13+, Ga3+, In3+ et Sc3+. D est un ligand bidenté dont des exemples sont représentés sur la figure 8A. Plus spéci- fiquement, le ligand bidenté D comprend les 2-picolylcétones, les 2quinaldyl- cétones et les 2-(o-phénoxy)pyridinecétones dans lesquelles les groupes R sur la figure 8A sont tels que définis ci-dessus. Les groupes que l'on préfère pour R4 comprennent les acétyl- acé6tonates, les composés de formule OR3R o R3 est choisi parmi Si, C et R est choisi parmi les groupes décrits ci-dessus, le 3,5-di(t-bu)phénol, le 2, 6-di(t- bu)phénol, le 2,6-di(t-bu)crésol et H2Bpz2, ces derniers composés étant représentés sur les figures 8B à 8E. A titre d'exemple, la longueur d'onde résultant d'une mesure de photo- luminescence à l'état solide du (picolylméthylcétone)bis[2,6-di(tbu)phénoxyde] aluminium est de 420 nm de même que celle du dérivé crésol du composé ci- dessus. Les longueurs d'onde du (picolylméthylcétone)bis(OsiPh3) aluminium et du (4-méthoxy-picolylméthylcétone)bis(acétylacétonate) scandium sont de 433 nm et celle du [2-(O-phénoxy)pyridine]bis[2,6- di(t-bu)phénoxyde] aluminium est de 450 nm. Les composés bisphosphonates constituent une autre classe de composés qui peuvent être utilisés selon la présente invention pour les couches EL. Les bisphosphonates sont représentés par la formule générale: M2X(O3Porganique-PO3)y dans laquelle M2 est un ion métallique. Il s'agit d'un ion métallique tétravalent, par exemple Zr4+, Ti4+ ou Hf4+ lorsque x et y sont l'un et l'autre égaux à 1. Lorsque x est égal à 3 et y est égal à 2, l'ion métallique M2 est à l'état divalent et comprend par exemple Zn2+ , Cu2+ ou Cd2+. Le terme "organique' tel qu'il est utilisé dans la formule ci-dessus désigne tout composé fluorescent aromatique ou hétérocyclique qui peut être rendu bifonctionnel par des groupes phosphonates. Les composés bisphosphonates que l'on préfere comprennent les phénylènevinylènebisphosphonates tels que ceux qui sont représentés sur les figures 9A et 9B. Spécifiquement, la figure 9A représente des 1styrénylstilbène- bisphophonates et la figure 9B représente des 4,4'biphényldi(vinylphosphonates) o R est tel que défini précédemment et R4 est choisi parmi les groupes alkyles substitués et non substitués, de préférence ayant 1 à 8 atomes de carbone, et les groupes aryles. Les groupes alkyles que l'on préfère sont méthyle et éthyle. Le groupe aryle que l'on préfère est phényle. Les substituants que l'on préfère pour les groupes alkyles et aryles comprennent au moins un substituant choisi parmi aryle, halogène, cyano, alcoxy, de préférence ayant de 1 à 8 atomes de carbone. Les complexes de maléonitriledithiolates ("mnt') et de métaux divalents présentent la formule structurale représentée sur la figure 10. L'ion métallique divalent M3 comprend tous les ions métalliques ayant une charge +2, de préférence les ions des métaux de transition tels que Pt2+, Zn2+ et Pd2+. y1 est choisi parmi cyano et phényle substitué ou non substitué. Les substituants préférés pour phényle sont choisis parmi alkyle, cyano, chloro et 1,2,2tricyanovinyle. L5 représente un groupe non chargé. Les groupes que l'on préfere pour L5 comprennent P(OR)3 et P(R)3 o R est tel que défini ci-dessus, ou bien L5 peut être un ligand chélatant tel que 2,2'-dipyridyle, phénanthroline, 1, 5-cyclo- octadiène ou bis(diphénylphosphino)méthane. Des exemples des longueurs d'onde d'émission de différentes combi- naisons de ces composés sont présentés dans le tableau 1 ci-dessous selon C.E. Johnson et al., "Luminescent Iridium(f), Rhodium(I), and Platinum(H) Dithiolate Complexes", Journal of the American Chemical Societvy. vol. 105, page 1795 (1983). Tableau 1 Complexe Longur d'onde' [(1,5-cyclooctadiène) (mnt) platine] 560 nm [(P(OEt)3)2 (mnt) platine] 566 nm [(P(OPh)3)2 (mnt) platine] 605 nm [(bis(diphénylphosphino)méthane) (mnt) platine] 610 mn [(PPh3)2 (mnt) platine] 652 nm * longueur d'onde résultant d'une mesure de photoluminescence à l'état solide Les complexes de transfert de charges moléculaires employés dans la présente invention pour les couche EL sont ceux qui comprennent une structure acceptrice d'électrons complexée avec une structure donneuse d'électrons. Les figures 11A à 11E montrent différents accepteurs d'électrons appropriés qui peuvent former un complexe de transfert de charges avec l'une des structures donneuses d'électrons représentées sur les figures 11F à 11J. Le groupe R représenté sur les figures 11A et 11H est le même que celui décrit cidessus. Des films de ces matériaux de transfert de charge sont préparés en évaporant des molécules donneuses et acceptrices à partir de cellules séparées sur le substrat ou en évaporant directement le complexe de transfert de charge préparé au préalable. Les longueurs d'onde d'émission peuvent varier du rouge au bleu en fonction du type d'accepteur qui est couplé au donneur. Des polymères de composés aromatiques et hétérocycliques qui sont fluorescents à l'état solide peuvent être employés dans la présente invention pour les couches EL De tels polymères peuvent être utilisés pour produire un grand nombre d'émissions colorées différentes. Le tableau II ci-dessous indique des exemples de polymères appropriés et la couleur des émissions associées. Tableau II Polvmère Couleur d'émission poly(para- phénylènevinylène) bleu à vert poly(dialcoxyphénylènevinylène) rouge/orange polythiophène rouge polyphénylène bleu polyphénylacétylène jaune à rouge poly(N-vinylcarbazole) bleu Les chélates mixtes de terres rares destinés à être utilisés dans la présente invention comprennent des lanthanites quelconques (par exemple La, Pr, Nd, Sm, Eu et Tb) liés à un ligand aromatique ou hétérocyclique bidenté. Le ligand bidenté sert à transporter les porteurs (par exemple les électrons) mais n'absorbe pas l'énergie d'émission. Ainsi, les ligands bidentés servent à transférer l'énergie au métal. Les salicylaldéhydes et leurs dérivés, l'acide salicylique, les quinoléates, les ligands à base de Schiff, les acétylacétonates, la phénanthroline, la bipyridine, la quinoléine et la pyridine sont des exemples de ligands pour les chélates de ce type. Les couches de transport de trous 20H, 21H et 22H peuvent être constituées par un composé porphorinique. De plus, les couches de transport de trous 20H, 21H et 22H peuvent comporter au moins une amine tertiaire aromatique transporteuse de trous qui est un composé contenant au moins un atome d'azote trivalent qui est lié uniquement à deux atomes de carbone dont l'un au moins fait partie d'un cycle aromatique. Par exemple, l'amine tertiaire aromatique peut être une arylamine telle qu'une monoarylamine, une diarylamine, une triarylamine ou une arylamine polymérique. D'autres amines tertiaires aromatiques appropriées et d'autres composés porphoriniques sont décrits par Tang et al. dans le brevet US n' 5 294 870. La fabrication d'un pixel tricolore à LED organiques empilés selon l'invention peut être accomplie par deux procédés: procédé de masquage ou un procédé de gravure à sec. Les deux procédés vont être décrits dans le cas d'une construction de LED à double hétérostructure, c'est-à-dire utilisant seulement une couche de composé organique pour chaque couche d'émission active, la lumière sortant par la surface du substrat en verre inférieur. Il est à noter que des LED organiques à hétérojonctions multiples ayant des couches multiples de composés organiques pour chaque couche d'émission active ct/ou des structures inversées (dans lesquelles la lumière sort par la surface supérieure de l'empilement) peuvent également être fabriqués par l'homme du métier moyennant de légères modifica- tions aux procédés décrits. Les étapes du procédé de masquage selon la présente invention sont représentées sur les figures 12A à 12E. Un substrat en verre 50 destiné à être recouvert d'une couche ITO 52 est tout d'abord nettoyé par immersion pendant environ 5 min dans du trichloréthylène bouillant ou dans un hydrocarbure chloré semblable. Ce nettoyage est suivi par un rinçage dans l'acétone pendant environ min puis dans l'alcool méthylique pendant environ 5 min. Le substrat 50 est ensuite séché par soufflage d'azote à ultra haute pureté. Tous les solvants de nettoyage utilisés sont de préférence de qualité électronique. Après le processus de nettoyage, la couche ITO 52 est formée sur le substrat 50 sous vide par pulvéri- sation cathodique conventionnelle ou par des procédés à faisceau électronique. Un LED émettant dans le bleu 55 (voir figure 12B) est ensuite formé sur la couche ITO 52 de la manière suivante. Un masque 73 est placé sur des parties externes prédéterminées de la couche ITO 52. Le masque 73 et d'autres masques utilisés pendant le procédé de masquage doivent être introduits et retirés entre les étapes du procédé sans exposition du dispositif à l'humidité, à l'oxygène et à d'autres contaminants qui réduiraient la durée de vie du dispositif. Ceci peut être accompli en changeant les masques dans un environnement balayé par de l'azote ou par un gaz inerte ou en plaçant les masques à distance de la surface du dispositif sous vide par des techniques de manipulation à distance. Par l'ouverture du masque 73, une couche de transport de trous (HTL) 54 épaisse de 50 à 1OxlO-10 m ( ) et une couche d'émission dans le bleu (EL) 56 épaisse de 50 à 200x10-10 m (A) (représentées sur la figure 12B) sont déposées successivement sans exposition à l'air, c'est-à-dire sous vide. Une couche de transport d'électrons (ETL) 58 ayant une épaisseur de préférence de 50 à 1 000xlO-10 m (A) est ensuite déposée sur la couche EL 56. La couche ETL 58 est ensuite recouverte d'une couche métallique semitransparente 60M qui consiste de préférence en une couche à 10% de Ag et % de Mg, ou en une autre couche constituée par un métal ou un alliage métallique à faible travail de sortie. La couche 60M est très mince, de préférence son épaisseur est inférieure à 100x0l-10 m (A). Les couches 54, 56, 58 et 60M peuvent être déposées par une technique quelconque parmi un certain nombre de techniques de dépôt directionnelles conventionnelles telles que le dépôt en phase vapeur, le dépôt à faisceau ionique, le dépôt à faisceau électronique, la pulvérisa- tion cathodique et l'ablation laser. Une couche de contact ITO 60I épaisse d'environ 1 000 à 4 00OxlO-10 m (A) est ensuite formée sur la couche métallique 60M par pulvé- risation cathodique conventionnelle ou par des méthodes à faisceau électronique conventionnelles. Pour simplifier, les couches sandwich 60M et 601 seront désignées par une seule couche 60 qui est sensiblement la même que la couche 26 de la figure 2. La partie métallique 60M à faible travail de sortie de chaque couche est directement en contact avec la couche ETL disposée en dessous, tandis que la couche ITO 601 est en contact avec la couche HTL disposée immédiatement au- dessus. Il est à noter que le procédé de fabrication est mis en oeuvre dans les meilleures conditions en maintenant un vide pendant toute sa durée y compris entre les différentes étapes. La figure 12C représente un LED 65 émettant dans le vert qui est formé sur la couche 60 grâce à des techniques de masquage et de dépôt sensible- ment identiques à celles qui ont été utilisées pour former le LED 55 émettant dans le bleu. Le LED 65 comprend une couche HTL 62, une couche d'émission dans le vert 64 et une couche ETL 66. Une seconde couche métallique 60M mince (épaisseur inférieure à 100x1-10 m, suffisamment mince pour être semi- transparente mais pas suffisamment mince pour perdre la continuité électrique) est déposée sur la couche ETL 66 après quoi une autre couche ITO 601 épaisse de 1 000 à 4 000xlO-10 m (A) est déposée pour former une seconde couche sandwich 60. La figure 12D représente un LED 75 émettant dans le rouge formé sur la couche 60 (plus précisément sur la couche 601) à l'aide de méthodes de masquage et de dépôt métallique semblables. Le LED 75 émettant dans le rouge consiste en une couche HTL 70, une couche EL émettant dans le rouge 72 et une couche ETL 74. Une couche sandwich supérieure 60 constituée par des couches I et 60M est ensuite formée sur le LED 75. Ainsi que cela a été décrit ci-dessus pour le mode de réalisation de la figure 2, la couche ITO transparente supérieure I peut être remplacée dans un autre mode de réalisation par une électrode métallique appropriée jouant aussi le rôle de miroir pour renvoyer dans le substrat la lumière dirigée vers le haut de manière à réduire les pertes de lumière par le sommet du dispositif. Chaque couche ETL 74, 66 et 58 a une épaisseur de 50 à x10-10 m ( c), chaque couche HTL 54, 62 et 70 a une épaisseur de 100 à 500x10-10 m (A) et chaque couche EL 56, 64 et 72 a une épaisseur de 50 à 1 000x10-10 m ( ). Pour une brillance et un rendement optimum, l'épaisseur des couches, y compris les couches ITO/métalliques, doit être aussi proche que possible de l'extrémité inférieure des domaines ci-dessus. La formation des contacts électriques 51 et 59 sur la couche 11TO 52 et des contacts électriques 88, 89, 92, 94 et 96 sur la partie ITO 601 des couches ITO/métalliques 60 est ensuite accomplie de préférence en une étape. Ces contacts électriques peuvent être constitués par de l'indium, du platine, de l'or, de l'argent ou des combinaisons telles que Ti/Pt/Au, Cr/Au ou Mg/Ag. Ils peuvent être déposés par dépôt en phase vapeur ou par d'autres techniques de dépôt métallique appropriées après masquage du reste du dispositif. L'étape finale du processus de masquage consiste à recouvrir la totalité du dispositif d'une couche isolante 97 comme le montre la figure 12E, à l'exception des contacts métalliques 51, 59, 88, 89, 92, 94 et 96 qui sont masqués. La couche isolante 97 est imperméable à l'humidité, à l'oxygène et aux autres contaminants pour empêcher une contamination des LED. La couche isolante 97 peut être constituée par SiO2, un nitrure de silicium tel que Si2N3 ou un autre isolant déposé par faisceau électronique, pulvérisation cathodique, ou par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par pyrolyse ou par plasma. La technique de dépôt utilisée ne doit pas augmenter la température du dispositif à plus de 120'C dans la mesure o les hautes températures peuvent dégrader les caractéristiques des LED. Le processus de gravure à sec pour fabriquer l'empilement de LED selon l'invention est représenté sur les figures 13A à F. Selon la figure 13A, un substrat en verre 102 est tout d'abord nettoyé de la même manière que dans le processus de masquage décrit ci-dessus. Une couche ITO 101 est ensuite déposée sur le substrat en verre 102 sous vide par pulvérisation cathodique ou par faisceau électronique. Une couche HTL 104, EL bleue 105, ETL 106 et une couche sand- wich comprenant une couche métallique 107M et une couche ITO 107I, ayant toutes les mêmes épaisseurs que dans le processus de masquage, sont ensuite déposées sur toute la surface de la couche ITO 101 par dépôt sous vide conven- tionnel ou, dans le cas de polymères, par des techniques de revêtement par centri- fugation ou pulvérisation. La couche sandwich ITO/métallique 107 consiste en une couche métallique 107M à faible travail de sortie, d'épaisseur inférieure à 1OOx10-10 m ( ), dépose directement sur la couche ETL 106, et cn unec couche ITO 107I épaisse de 1 000 à 4 000xl0-10 m ( ) sur la couche métallique 107M. Une couche de matériau de masquage 108 constituée par du nitrure de silicium ou du dioxyde de silicium, épaisse de 1 000 à 2 OOOx10O-10 m ( ), est déposée par dépôt chimique en phase vapeur à plasma à basse température sur toute la surface supérieure de la couche ITO 1071. Une couche de photorésist positif 109, par exemple de HPR 1 400J, est ensuite déposée par centrifugation sur la couche de nitrurc de silicium 108. Comme le montre la figure 13B, les parties externes 110 (voir figure 13A) de la couche de photorésist 109 sont exposées et retirées par des processus photolithographiques standards. Les parties externes exposées 110 correspondent aux zones o la couche ITO inférieure 101 doit être exposée et connectée électriquement. Selon la figure 13C, les régions externes 111 (définies sur la figure 13B) de la couche de nitrure de silicium 108 correspondant aux zones de photorésist retirées sont retirées à l'aide d'un plasma CF4:02. Puis, à l'aide de la technique d'usinage ionique ou d'une autre technique de gravure à plasma, les parties externes exposées des couches ITO/métalliques 107I et 107M sont retirées. Un plasma 02 est ensuite employé pour retirer successivement la partie externe exposée correspondante de la couche ETL 106, de la couche EL 105 et de la couche HTL 104, respectivement, et aussi pour retirer la couche de photorésist 109 restante représentée sur la figure 13D. Enfin, le plasma CF4:O2 est appliqué de nouveau pour retirer le masque de nitrure de silicium 108 pour former la configu- ration de LED bleue résultante représentée sur la figure 13D. La même succession d'étapes de gravure à sec est utilisée pour former un LED vert 115 sur le LED bleu, à ceci près qu'une couche de SiNx 150 est appliquée au-dessus, puis un masque de photorésist 113 comme le montre la figure 13E pour masquer la partie externe de la couche ITO 101. Ensuite a lieu le dépôt de la couche HTL 114, et de la couche EL verte 116 (voir figure 13F). Les mêmes techniques de photolithographie et de gravure que celles utilisées pour la formation d'un LED bleu sont ensuite employées pour la formation du LED vert 115. Le LED rouge 117 est ensuite formé sur le LED vert au moyen du même processus de gravure à sec. Une couche de passivation 119 semblable à la couche 97 de la figure 12E est ensuite déposée sur l'empilement de LED selon un motif approprié pour exposer les contacts électriques, comme cela a été décrit pour le processus de masquage. Un masque de photorésist est utilisé pour permettre la gravure à sec de trous dans la couche de passivation 119. Puis, un métal 152 est déposé dans les trous. La couche de photorésist finale et le métal en excès sont retirés par un processus de "décollement". Après la formation de l'empilement de LED, que ce soit par masquage, gravure à sec ou par un autre procédé, l'empilement doit être encapsulé de manière appropriée pour obtenir un dispositif présentant un fonctionnement et une fiabilité acceptables. Les figures 14A à C représentent des modes de réalisation de l'invention destinés à faciliter l'encapsulation et à former un boîtier hermétique pour jusqu'à quatre dispositifs LED en couleur selon la présente invention. Les mêmes signes de référence désignent les mêmes éléments sur les figures 14A et B et sur la figure 12E. Le boîtier peut aussi être appliqué dans le cas de la structure sensiblement identique de la figure 13F. Selon la figure 14A, le dispositif dans sa totalité ayant été recouvert d'une couche isolante 97, constituée par SiNx par exemple, des trous d'accès 120, 122 et 124 sont formés à l'aide de techniques de gravure/photomasquage connues pour exposer les couches métalliques supérieures M', 60M" et 60M"' pour les dispositifs LED bleu, vert et rouge (diodes lumineuses organiques), respectivement, dans cet exemple. Ensuite, des trajets de circuits métalliques appropriés 126, 128 et 130 (typiquement en or) sont déposés selon un trajet qui s'étend depuis les couches métalliques exposées 60M', 60M", M"', respectivement, jusqu'à des bosses de soudure en indium 132, 133 et 134 situées en bordure, à l'aide d'étapes de traitement conventionnelles. De même, une borne d'anode est formée par l'intermédiaire du trajet de circuit métallique (Au par exemple) formé de manière à avoir une extrémité interne en contact avec la couche ITO 52 et une extrémité externe en contact avec une bosse de soudure d'indium 136 située en bordure, par un traitement conventionnel. Le dispositif est ensuite recouvert d'un matériau isolant supplémentaire tel que SiNx pour former un revêtement isolant tandis que les bosses de soudure 132, 133, 134 et 136 sont exposées sur un côté. De cette manière, le dispositif à LED organiques peut être encapsulé aisément à l'aide de techniques conventionnelles, ou à l'aide du mode de réalisation d'encapsulation selon la présente invention qui vient d'être décrit. On va maintenant décrire un procédé de fabrication de quatre dispositifs LED en couleurs sur un substrat commun 50 dans une configuration encapsulée, en se référant aux figures 14A, 14B et 14C, qui représentent un autre mode de réalisation de l'invention. Le produit de départ comprend un substrat en verre 50 recouvert d'une couche d'oxyde d'indium et d'étain (ITO) 52. Les étapes suivantes sont utilisées pour obtenir l'ensemble de LED organiques en couleurs encapsulé. 1. Masquer la couche ITO 52 pour déposer une couche de SiO2 138 suivant un motif en anneau ou bande concentrique (tout autre motif peut être employé) sur la couche ITO 52 à l'aide de techniques conventionnelles. 2. Former 4 empilements de LED en trois couleurs partageant des couches communes dans la région 140 de la couche de SiO2 138 à l'aide de procédés tels que ceux décrits ci-dessus pour obtenir par exemple l'une quelconque des structures des figures 12E ou 13F et 14A. 3. Déposer par masquage des contacts métalliques 170 à 181 aboutis- sant chacun aux extrémités externes de la couche de SiO2 138 pour former des plages de connexion ou de liaison électrique externes 170' à 181', respectivement. est à noter que les contacts 126, 128 et 130 de la figure 14A correspondent aux contacts 170 à 181 pris par groupes de trois successifs. Chaque groupe de trois contacts, à savoir 170 à 172, 173 à 175, 176 à 178 et 179 à 181 se termine aux extrémités de manière à former une connexion électrique avec les couches métalliques 60M', 60M", 60M", respectivement, de chacun des quatre dispositifs LED organiques, respectivement. Un autre contact métallique 182 est déposé par masquage sur un bord de la couche ITO 52 qui est commun aux quatre dispositifs LED pour former une connexion d'anode commune. Il est à noter que si les quatre dispositifs LED sont formés dans des couches totalement indépendantes par des procdeés de masquage et de gravure appropriés, il est nécessaire de prévoir quatre contacts d'anode pour que ce dispositif puisse fonctionner de manièremultiplexée. * L'ensemble de LED en couleurs qui est décrit dans cet exemple est un ensemble non multiplexé. 4. Déposer par masquage, par exemple, d'une seconde couche de SiO2 184 selon une bande continue ou un anneau continu en laissant exposées les plages de liaison 170' à 181', par pulvérisation cathodique ou par dépôt chimique en phase vapeur amélioré par plasma, ou par dépôt par faisceau électronique. 5. Déposer Pb-Sn ou d'une autre soudure fondant à basse température selon une bande continue ou anneau continu 186 sur la seconde couche ou bande de SiO2 184. 6. Déposer sur la partie inférieure d'un verre de recouvrement 188 d'un anneau métallique 190 qui coïncide avec l'anneau de soudure d'étanchéité 186. 7. Installer le verre de recouvrement 188 sur l'ensemble, comme le montre la figure 14B, de manière que l'anneau métallique 190 coïncide et vienne en contact avec l'anneau de soudure 186. 8. Placer l'ensemble dans une atmosphère de gaz inerte tel que l'azote sec et appliquer de la chaleur pour faire fondre l'anneau de soudure 186 pour obtenir une fermeture étanche à l'air, le gaz inerte étant piégé dans la région intérieure 192. La figure 15 montre un afficheur 194 qui est un afficheur à LED organiques RVB. Les points 195 sont des ellipses. Un afficheur complet tel que 194 comprend une multiplicité de pixels tels que 196. Les pixels sont disposés selon une matrice XY de manière à recouvrir toute la surface d'une couche de verre recouverte de ITO. Chaque pixel comprend une structure de LED empilés comme celle représentée sur la figure 2. Au lieu de prévoir des moyens de polarisation fixes tels que les batteries 30, 31 et 32 (figure 2), chacun des conducteurs désignés par bleu, vert et rouge sur la figure 2 sont couplés à des processeurs de balayage horizontal et vertical 197 et 198 appropriés, respectivement, sous le contrôle d'un générateur d'affichage 199 qui peut être une unité TV. Ainsi, chaque matrice de LED a au moins deux axes (X, Y) et chaque LED est à l'intersection d'au moins deux des axes. En outre, l'axe X peut représenter un axe horizontal et l'axe Y un axc vertical. Il est bien connu maintenant de convertir des signaux dc télévision tels que les signaux NTSC en les composantes colorées R, V et B pour des affi- cheurs en couleurs. Les moniteurs pour ordinateurs qui utilisent comme couleurs primaires le rouge, le vert et le bleu sont également bien connus. La commande et le contrôle de tels dispositifs par des techniques de balayage vertical et horizontal sont également bien connus. L'ensemble des structures de pixels déposées sur la surface de l'afficheur est balayé à l'aide de techniques de balayage X Y typiques telles que celles qui utilisent un adressage X Y. Ces techniques sont utilisées dans les afficheurs à matrice active. On peut utiliser des impulsions modulées de manière à activer sélecti- vement les entrées rouge, verte et bleue de chacun des pixels à LED DH selon le signal que l'on souhaite. De cette manière, chacun des LED dans chaque ligne de l'afficheur est adressé sélectivement et est polarisé par de nombreux moyens, par exemple par des signaux à modulation de la largeur d'impulsion ou par des tensions en escalier, pour permettre à ces dispositifs d'émettre des couleurs uniques ou des couleurs multiples, de sorte que la lumière émise par lesdites structures crée une image ayant une forme et une couleur prédéterminées. De même, on peut balayer en série chacun des axes X, Y et exciter en série des LED choisis dans la matrice pour émettre une lumière afin de produire une image dont les couleurs sont crées en série verticalement. Des LED choisis parmi l'ensemble peuvent être excités simultanément. Ainsi que cela a été indiqué ci-dessus, la technique de dépôt vertical représentée sur la figure 2 permet une fabrication de pixels à LED DH à trois couleurs dans des zones de très petite taille. Ceci permet d'obtenir des afficheurs à haute définition tels que les afficheurs qui ont une résolution supérieure ou égale à 300 à 600 lignes pour 2,54 cm. Une telle résolution ne peut pas être obtenue à l'aide des techniques antérieures dans lesquelles les couches organiques d'émission ou les milieux fluorescents qui produisent les différentes couleurs sont écartés latéralement les uns des autres. Sur la base des normes modernes, on peut produire un dispositif LED tel que celui qui est représenté sur la figure 2 qui présente une surface efficace suffisamment petite pour permettre d'empiler verticalement et horizontalement des centaines de diodes formant pixels sur une surface ayant une aire de l'ordre de 6,5 cm2. De ce fait, les techniques de fabrication permettent d'obtenir une résolution extrêmement élevée avec une intensité lumineuse importante. La figure 16 représente un autre mode de réalisation selon la présente invention d'un dispositif LED en couleurs comprenant l'empilement de jusqu'à N LED individuels, N représentant un nombre entier. N aura une limite pratique qui sera fonction de l'état de la technologie à une époque future quelconque. Les N niveaux empilés de LED peuvent être formés par exemple à l'aide des étapes de masquage précédemment décrites pour les figures 12A à E ou à l'aide du processus de gravure à sec représenté sur les figures 13A à 13F. La partie de base ou partie inférieure de l'ensemble empilé selon la figure 16 est un substrat en verre 102 tel que celui qui est représenté sur la figure 13F, par exemple, une couche ITO 101 étant formée sur le substrat 102. Le premier dispositif LED et les dispositifs LED successifs comprennent chacun au- dessus de la couche ITO 101 une couche HTL 154, une couche EL 156, une couche ETL 158, une couche métallique 160 et une couche ITO 162. Le dispositif LED 164 qui occupe le Nième niveau comprend en outre une couche métallique supérieure (voir la couche 152 de la figure 13F) formée sur sa couche ITO 162 supérieure. Une couche de passivation 119 est déposée sur l'empilement, comme dans le cas de l'empilement en couleurs de la figure 13F. Le matériau pour chaque couche EL 156 de chaque dispositif LED est choisi pour donner une couleur particulière au LED associé. Comme dans le cas du dispositif à trois couleurs, les dispositifs de plus courte longueur d'onde (bleue) doivent occuper dans l'empilement une position plus basse que les dispositifs à plus grande longueur d'onde (rouge) pour éviter une absorption optique par les couches qui émettent dans le rouge. La couleur choisie pour chaque LED respectif et le nombre réel de LED empilés dépendent de l'application particulière et des couleurs souhaitées. Ces dispositifs en couleurs peuvent également être utilisés dans des réseaux de communications optiques dans lesquels chaque canal optique différent est transmis à l'aide d'une longueur d'onde différente émise par un dispositif donné dans l'empilement. La nature concentrique de la lumière émise permet le couplage de plusieurs longueurs d'onde dans une seule fibre optique de transmission. Dans les ensembles empilés de ce genre, des trous d'accès sont formés jusqu'au niveau de la couche ITO 162 de chaque dispositif après quoi une métallisation appropriée est déposée pour faciliter l'encapsulation et la connexion électrique avec chacun des dispositifs LED dans l'empilement, d'une manière semblable à celle décrite pour le dispositif LED en couleurs empilé des figures 14A, 14B et 14C. Ce dispositif peut être utilisé pour former un afficheur plat en couleurs d'une taille quelconque, peu coûteux, à haute résolution et à haute brillance. Ceci élargit le cadre de l'invention aux afficheurs dont la taille varie de quelques milli- mètres à celle d'un immeuble. Les images créées sur l'afficheur peuvent être du texte ou des illustrations en couleurs, avec une résolution quelconque en fonction de la taille des LED individuels. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, un dispositif à LED empilés en couleurs, tel que le dispositif à trois couleurs selon la figure 2 qui a été décrit ci-dessus, peut être obtenu en formant le LED 20 à partir d'un dispositif polymérique tel que représenté sur la figure 1C ou d'un film de phosphonate métallique déposé, au lieu que les trois couches soient déposées sous vide. Dans ce cas, les deux LED empilés restants sont formés par dépôt sous vide. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif lumineux (LED) en couleurs encapsulé hermétiquement, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à former une première couche conductrice transparente sur un substrat transparent, à masquer ladite première couche conductrice pour déposer sur elle une première couche de SiO2 dans une configuration concentrique, à former sur une partie de ladite première couche de SiO2 un ou plusieurs LED en couleurs comprenant chacun au moins un premier et un second dispositifs lumineux (LED) organiques empilés les uns sur les autres pour former une structure stratifiée sur ladite première couche de SiO2, à déposer par masquage une multiplicité de contacts métalliques ou trajets de circuit ayant chacun une extrémité située à proximité d'un bord externe de ladite première couche de SiO2 et ayant chacun une autre extrémité située sur une électrode de polarisation individuelle dudit ou desdits LED en couleurs, à déposer par masquage une seconde couche de SiO2 sous forme d'anneau concentrique à ladite première couche de SiO2 et sur des parties externes de ladite multiplicité de contacts métalliques en laissant exposées leurs premières extrémités, à déposer un anneau de soudure fondant à basse température sur ladite seconde couche de SiO2 de manière concentrique, à déposer sur la surface inférieure d'un verre de revêtement un anneau métallique placé de manière à coïncider avec ledit anneau de soudure, à installer ledit verre de revêtement sur ledit substrat et ledit ou lesdits LED en couleurs, ledit anneau de soudure venant en contact avec ledit anneau métallique sur ledit verre de revêtement, à placer ledit ensemble dans une atmosphère de gaz inerte et à chauffer ledit anneau de soudure pour faire fondre la soudure pour former une fermeture étanche à l'air et piéger ledit gaz inerte dans une région interne entre la surface inférieure dudit verre de revêtement et le substrat sous-jacent. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite étape de formation de LED en couleurs comprend en outre la formation d'une multi- plicité de dispositifs LED en couleurs sur ladite première couche de SiO2. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ledit gaz inerte comprend de l'azote sec. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que ladite première couche transparente comprend de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à déposer un contact métallique sur ladite couche de ITO à proximité d'un bord de celle-ci pour former une cathode. 6. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape consistant à déposer un contact métallique sur ladite première couche conductrice transparente à proximité d'un bord de celleci pour former une cathode. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite première couche conductrice transparente comprend de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO).