Brevet FR2724051A1 — publié le 19960301

MONTAGE DE DISPOSITIF ELECTRONIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION ARRIERE-PLAN DE L'INVENTION La présente invention se rapporte à un montage de dispositif électronique, et plus particulièrement à un montage de dispositif électronique comprenant un premier substrat sur lequel un dispositif électronique est monté et un second substrat sur lequel le premier substrat est monté. Un exemple d'un dispositif électronique classique est décrit dans U.S.P. 5 203 075. En se référant à la figure 10 du document cidessus, un dispositif à semi-conducteur 43 est monté sur un substrat souple 31. Le substrat souple 31 est relié à un substrat 13 par de la soudure. En se référant aux figures 6 et 9 du document, un élément de soudure 32 et une pâte à souder 27 connectent le substrat souple 31 et le substrat 13. Une partie de l'élément de soudure 32 est placée à travers un trou traversant prévu sur le substrat souple 31. Dans un processus de liaison du substrat souple 31 et du substrat 13, le substrat souple 31 devrait être gardé plat et parallèle au substrat 13. Lorsque le substrat souple 31 se gondole ou se déforme, les hauteurs respectives des bosses (c'est-à-dire l'écartement entre un conducteur 39 et une pastille conductrice 23) varient avec leurs positions réduisant la fiabilité de la liaison entre le substrat souple 31 et le substrat 13. En se référant de nouveau à la figure 10 du document ci-dessus, le substrat souple 31 est étiré en travers de l'élément cadre 47 pour maintenir le substrat souple 31 sensiblement parallèle au substrat 13. L'élément cadre 47 sert à positionner le substrat souple 31 à une distance souhaitée du substrat 13. Cependant, cette structure classique a les problèmes suivants. Premièrement, la structure classique requiert l'élément cadre 47. Deuxièmement, le processus de fabrication de cette structure classique requiert une étape pour fixer l'élément cadre au substrat 13 et une étape pour étirer le substrat souple 31 en travers de l'élément cadre 47. RESUME DE L'INVENTION Pour tenir compte des inconvénients de la structure classique, tels que mentionnés plus haut, un objectif de la présente invention est de proposer un montage de dispositif électronique dans lequel un substrat de support (par exemple, un substrat souple) est maintenu plat sans que soit nécessaire un élément cadre. Un autre objectif de la présente invention est d'accroître la fiabilité (par exemple la planéité) d'un substrat de support. Encore un autre objectif de la présente invention est d'améliorer la fiabilité d'une connexion entre un substrat de support et un substrat de montage (par exemple, un substrat relativement rigide). Encore un autre objectif de la présente invention est de proposer un montage de dispositif électronique dans lequel un défaut de connexion peut être aisément détecté. Selon la présente invention, un montage de dispositif électronique comprend un premier substrat rigide et un second substrat. Le premier substrat a une première face, une seconde face, une première pastille sur la seconde face, et un trou traversant à l'emplacement de la première pastille. Le second substrat a une première face, une seconde face, et une seconde pastille sur sa première face. La première face du second substrat fait face à la seconde face du premier substrat. Les première et seconde pastilles sont reliées par de la soudure. Au moins une partie de la soudure est positionnée dans le trou traversant du premier substrat. Le premier substrat peut comprendre une feuille de céramique. Le premier substrat peut comprendre un substrat souple et une plaque rigide. Le substrat souple a une première face, et une seconde face. Le trou traversant est prévu sur le substrat souple. La première pastille est disposée sur la seconde face du substrat souple. La plaque rigide est fixée au substrat souple. La plaque a un trou à l'emplacement du trou traversant. La plaque rigide peut comprendre une plaque de métal plaquée avec une matière isolante. Le trou traversant peut être conique. La distance entre le premier et le second substrats peut être réglée en disposant une âme dans la soudure et en donnant à l'âme un diamètre prédéterminé. BREVE DESCRIPTION DES DESSINS D'autres objectifs, caractéristiques et avantages de la présente invention deviendront évidents à la lecture de la description qui va suivre, prise en relation avec les dessins annexés, dans lesquels la figure 1 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un premier mode de réalisation de la présente invention. Les figures 2(A) à 2(C) représentent les étapes d'un processus pour monter le montage de dispositif électronique montré à la figure 1 sur un substrat. La figure 3 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un deuxième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 4(A) à 4(C) représentent les étapes d'un processus pour monter le montage de dispositif électronique, montré à la figure 1, sur un substrat. La figure 5 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un troisième mode de réalisation de la présente invention. La figure 6 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention. La figure 7 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. La figure 8 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un cinquième mode de réalisation de la présente invention. Les figures 9(A) à 9(D) représentent les étapes d'un processus pour monter le montage de dispositif électronique, montré à la figure 7, sur un substrat. La figure 10 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un sixième mode de réalisation de la présente invention. La figure 11 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un septième mode de réalisation de la présente invention. La figure 12 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un huitième mode de réalisation de la présente invention. La figure 13 montre la structure d'un montage de dispositif électronique selon un neuvième mode de réalisation de la présente invention. Dans ces dessins, les mêmes références numériques désignent respectivement les mêmes parties. DESCRIPTION DETAILLE DES MODES DE REALISATION PREFERES Il est décrit ci-dessous un premier mode de réalisation de la présente invention. En se référant à la figure 1, un montage de dispositif électronique selon un premier mode de réalisation de la présente invention comprend un substrat de support (par exemple, une feuille de céramique 4) et un dispositif électronique (par exemple, une puce LSI 1 (puce à haut niveau d'intégration)) monté sur la feuille de céramique 4. Dans le mode de réalisation donné pour exemple, la puce LSI 1 est de forme carrée dont les côtés ont une longueur d'approximativement 17,5 mm. La puce LSI 1 a 800 bornes le long de chacun de ses côtés. Les bornes sont alignées avec un pas de 80 ssm environ. La feuille de céramique 4 est formée à partir d'une matière isolante rigide ou d'un composite de telles matières. Spécifiquement, la matière est de préférence une vitrocéramique du type au plomb et au borosilicate. La matière peut être d'autres vitrocéramiques telles que des céramiques du type stéatite, du type forstérite, du type cordiérite, et du type mooréite. Des céramiques telles que des céramiques du type alumine, du type zirconium, et du type silice peuvent également être utilisées. Dans le mode de réalisation donné pour exemple, la feuille de céramique 4 est de forme carrée dont les côtés ont une longueur d'approximativement 43 mm. L'épaisseur de la feuille de céramique 4 est d'environ 200 pm. En considération de la remontée de la soudure décrite plus loin, l'épaisseur de la feuille de céramique 4 est fixée à l'intérieur d'une plage allant de 200 m à 1.000 ssm. Le gondolage ou la déformation de la feuille de céramique 4 est de préférence inférieur à 20 pm. A l'inverse des substrats de céramique antérieurs, la feuille de céramique 4 ne contient pas de couche conductrice. La feuille de céramique 4 présente en son centre un trou de dispositif 7. Le trou formant dispositif est de forme carrée dont les côtés ont une longueur d'approximativement 18,2 mm. Un motif conducteur 2 et une pastille 6 sont respectivement formés sur les faces supérieure et inférieure de la feuille de céramique 4. Le motif conducteur 2 et la pastille 6 sont formés à partir de cuivre ayant une épaisseur d'environ 10 pm à 20 pm. La pastille 6 est annulaire et à un diamètre externe d'environ 400 pm. La pastille 6 est plaquée d'or ayant une épaisseur d'environ 1 pm à 5 pm. La feuille de céramique 4 présente un trou traversant 5 d'un diamètre d'approximativement 200 pm. Un motif conducteur 20 est formé sur la surface interne du trou traversant 5. Le motif conducteur 20 connecte la pastille 6 et le motif conducteur 2. Un conducteur interne 3 est prévu sur la face supérieure de la feuille de céramique 4. Une extrémité du conducteur interne est reliée au motif conducteur 2. Une autre extrémité du conducteur interne fait saillie au-dessus du trou de dispositif et est reliée aux bornes de la puce LSI 1. Lorsque le conducteur interne 3 et la puce LSI 1 sont reliés, un thermode (non représenté) est inséré dans le trou de dispositif 7. Il est décrit ci-dessous la structure du montage de dispositif électronique comprenant de plus un substrat de montage. En se référant à la figure 2(C), une pastille 12 est formée sur la face supérieure du substrat de montage 9. La pastille 12 est de forme circulaire dont le diamètre est de 600 pm. De la soudure 8 connecte la pastille 12 du substrat de montage 9 et la pastille 6 de la feuille de céramique 4. Une partie de la soudure 8 est placée dans le trou traversant 5 de la feuille de céramique 4. Une partie de la soudure 8 apparaît sur la face supérieure de la feuille de céramique 4. Le substrat de montage 9 peut être un substrat verre-époxy ou un substrat de céramique. Le substrat de montage 9 peut contenir en son sein une couche conductrice. Il est décrit ci-dessous un processus pour relier la feuille de céramique 4 au substrat de montage 9. En se référant à la figure 2(A), au cours d'une première étape, de la soudure 8 est disposée sur la pastille 12 (par exemple, par sérigraphie). Le volume de la soudure 8 est d'environ 3 x 10-11 m3. Des matières préférées pour la soudure 8 contiennent de l'étain et du plomb ; de l'étain, du plomb et de l'antimoine ; de l'étain, du plomb et du cadmium ; de l'étain, du plomb et de l'indium. Dans ce mode de réalisation donné pour exemple, de la soudure au plomb et à l'étain a été utilisée. En se référant à la figure 2(B), au cours d'une deuxième étape, la feuille de céramique 4 est positionnée de façon que la pastille 6 fasse face à la soudure 8. La puce LSI 1 est préalablement (d'avance) montée sur la feuille de céramique 4. En se référant à la figure 2(C), au cours d'une troisième étape, la soudure 8 est chauffée à une température se situant dans une plage allant de 200 C à 250 C par refusion. La soudure 8 fond pour connecter les pastilles 6 et 12. Une partie de la soudure 8 s'écoule dans le trou traversant 5 et une partie de la soudure 8 apparaît sur la surface supérieure de la feuille de céramique 4. Un défaut de connexion de la soudure 8 peut être déterminé en vérifiant qu'une partie de la soudure 8 apparaît sur la face supérieure de la feuille de céramique 4. Spécifiquement, si une partie de la soudure 8 apparaît sur la face supérieure de la feuille de céramique 4, la connexion est normale. Au cours de la troisième étape, la feuille de céramique 4 est rigide et ne se gondole ni ne se déforme. La feuille de céramique 4 conserve sensiblement un profil plat et est sensiblement parallèle au substrat de montage 9. Ainsi, des écartements égaux sont obtenus entre la pastille 6 et la pastille 12 sur toute la feuille de céramique 4. Au cours de la première étape, de la soudure peut être disposée sur la pastille 6 aussi bien que sur la pastille 12. La matière de la soudure sur la pastille 12 peut aussi être différente de celle de la soudure 8. I1 est décrit ci-dessous l'avantage technique du premier mode de réalisation. Premièrement, une attention particulière (par exemple, l'élément cadre) et une manipulation particulière ne sont pas nécessaires pour maintenir plate la feuille de céramique parce que la feuille de céramique 4 est relativement rigide et ne se déforme pas. Deuxièmement, un défaut de connexion peut facilement être détecté en vérifiant que la soudure 8 apparaît sur la face supérieure de la feuille de céramique 4. Il est décrit ci-dessous un deuxième mode de réalisation de la présente invention. En se référant à la figure 3, la caractéristique du second mode de réalisation est la structure de la feuille de céramique 4 et la partie de connexion entre la puce LSI 1 et la feuille de céramique 4. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. La feuille de céramique 4 du deuxième mode de réalisation n'a pas de trou de dispositif 7, ni de conducteur interne 3. A la place, la feuille de céramique 4 comporte des pastilles 11 disposées au centre de sa face supérieure. Les autres structures et les matières de la feuille de céramique 4 sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. La puce LSI 1 a des bornes sur sa face inférieure. La puce LSI 1 est montée sur la feuille de céramique 4 dans une position "face vers le bas" et ses bornes sont connectées aux pastilles 11 par l'intermédiaire de bosses de soudure 10. Il est décrit ci-dessous un processus pour relier la feuille de céramique 4 au substrat de montage 9. En se référant aux figures 4(A) à 4(C), la feuille de céramique 4 du deuxième mode de réalisation est reliée au substrat de montage 9 par sensiblement le même processus qui est montré aux figures 2(A) et 2(C). Il est décrit ci-dessous un troisième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique de la présente invention est la structure du trou traversant 5 et les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du premier mode de réalisation. En se référant à la figure 5, le trou traversant 5 du troisième mode de réalisation est conique. Le diamètre du trou traversant 5 est d'environ 200 pm et d'environ 400 pm respectivement sur les faces supérieure et inférieure de la feuille de céramique 4. Il est décrit ci-dessous un quatrième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique du quatrième mode de réalisation est une âme 21 disposée entre les pastilles 6 et 12. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du troisième mode de réalisation. En se référant à la figure 6, une âme 21 est disposée entre les pastilles 6 et 12. Le point de fusion de l'âme 21 est plus élevé que celui de la soudure 8 de façon que l'âme 21 ne fonde pas au cours de l'étape de chauffe montrée à la figure 2(C). L'âme 21 est de préférence formée à partir de métal ou de céramique. La partie supérieure de l'âme 21 est reçue par le trou traversant 5. La distance entre les pastilles 6 et 12 peut être réglée de façon précise grâce à l'âme 21 et spécifiquement en faisant varier son diamètre. Il est décrit ci-dessous un cinquième mode de réalisation de la présente invention. En se référant aux figures 7 et 8, un dispositif électronique selon le cinquième mode de réalisation comprend une puce LSI 101, une plaque de rayonnement de chaleur 108, un substrat souple 103 sur lequel la puce LSI 101 est montée, et une plaque 106 fixée à la face inférieure du substrat souple 103. La puce LSI 101 a la même structure que la puce LSI 1 du premier mode de réalisation. Les bornes de la puce LSI 101 sont connectées aux conducteurs internes du substrat souple 103. La partie de connexion entre la puce LSI 101 et les conducteurs internes est encapsulée avec une résine 102. Une colle 117 est appliquée sur la face supérieure de la puce LSI 101. La colle 117 fixe la plaque de rayonnement de chaleur 108 à la puce LSI 101. La colle 117 a de préférence une conductivité de chaleur élevée pour transférer efficacement de la chaleur depuis la puce LSI 101 vers la plaque de rayonnement de chaleur 108. Par exemple, une colle du type époxy contenant de la poudre d'argent ou analogue peut être utilisée pour la colle 117. Un motif conducteur 104 est formé sur la face supérieure du substrat souple 103. Le substrat souple 103 a des trous traversants 105 qui ont un diamètre d'approximativement 150 pm. Les trous traversants 105 sont disposés sur une rangée avec un pas d'environ 1,27 pm. Un motif conducteur 120 est disposé sur la surface interne du trou traversant 105. Une pastille annulaire 121 est formée sur la face inférieure du substrat souple 103. La pastille 121 entoure la partie d'ouverture inférieure du trou traversant 105. te diamètre externe de la pastille 121 est d'environ 400 pm. Le motif conducteur 104 comprend une partie annulaire entourant la partie d'ouverture supérieure du trou traversant 105 et une partie linéaire reliant le conducteur interne et la partie annulaire. Le diamètre externe de la partie annulaire du motif conducteur 104 est d'environ 250 ssm. La largeur et l'épaisseur de la partie linéaire sont respectivement d'environ 40 pm et d'environ 25 pm. Le motif conducteur 104, le motif conducteur 120, et la pastille 121 sont formés à partir de cuivre plaqué d'or. Le substrat souple 103 est formé à partir d'une matière pouvant de préférence être aisément fixée au motif conducteur 104 et ayant une résistance à la chaleur appropriée et un coefficient de dilatation thermique relativement faible. Dans ce mode de réalisation donné pour exemple, un film de polyimide ayant une épaisseur d'approximativement 50 pm est utilisé pour le substrat 103. D'autres matières telles qu'un film du type au fluor et un film du type époxy peuvent également être utilisées. La plaque 106 sert en tant que raidisseur pour maintenir plat le substrat souple 103. Par conséquent, la plaque est de préférence faite à partir d'une matière isolante rigide. Dans ce mode de réalisation donné pour exemple, la plaque 106 est une plaque de céramique à base d'alumine ayant une épaisseur d'environ 200 clam. Si la plaque 106 a presque le même coefficient de dilatation thermique que le substrat souple 103, le gondolage du substrat souple 103 au cours du processus de chauffe peut être réduit puisque la dilatation thermique de ces matières sera sensiblement la même. Le polyimide et le polyimide éthyle sont des matières données en exemple ayant pratiquement le même coefficient de dilatation thermique que celui du substrat souple 103. La plaque 106 comporte des trous 116 à l'emplacement correspondant au trou traversant 105 du substrat souple 103. Le diamètre du trou 116 est d'environ 500 pm. La surface interne du trou 116 peut être plaquée avec une matière appropriée selon les exigences du concepteur. La plaque 106 est fixée à la face inférieure du substrat souple 103 par de la colle 107. La face inférieure du substrat souple 103 est recouverte par la plaque 106 sauf à l'endroit de la pastille 121 qu'il est possible d'atteindre par le trou 116. La colle 107 a de préférence une résistance à la chaleur appropriée, des propriétés d'isolation et d'anti-migration et peut être la même colle que la colle 117. Dans ce mode de réalisation donné pour exemple, une colle du type époxy est utilisée pour la colle 107. Il est décrit ci-dessous un processus pour relier le montage de dispositif électronique mentionné cidessus et un substrat de montage. En se référant à la figure 9(a), dans ce mode de réalisation donné pour exemple, le substrat de montage 109 est un substrat en verre-époxy. Des pastilles 110 sont disposées sur la face supérieure du substrat de montage 109. Chacune des pastilles 110 correspond à l'un des trous traversants 105. Les pastilles 110 sont formées à partir de cuivre. La pastille 110 est de forme circulaire dont le diamètre est de 200 pm. La face supérieure du substrat de montage 109 est revêtue avec un résist de soudure sauf à l'endroit de la pastille 110. En se référant de nouveau à la figure 9(a), au cours d'une première étape, une pâte à souder 112 est disposée sur la pastille 110. La pâte à souder 112 peut également être disposée sur la zone entourant la pastille 110. En se référant à la figure 9(b), au cours d'une deuxième étape, une soudure sphérique 118 est placée sur la pâte à souder 112. La pâte à souder 112 et la soudure 118 sont chauffées pour être connectées ensemble. Spécifiquement, la pâte à souder 112 et la soudure 118 sont chauffées à une température dans une plage allant de 200 C à 250 e C pendant environ 30 secondes à 1 minute. Après la connexion, la hauteur de la soudure 118 est plus élevée que l'épaisseur de la plaque 106. En se référant à la figure 9(c), au cours d'une troisième étape, le substrat souple 103 est positionné de façon que la pastille 112 soit en face de la soudure correspondante 118. En se référant à la figure 9(d), au cours d'une quatrième étape, la pâte à souder 112 et la soudure 118 sont chauffées à environ 200 C à 250 C pendant environ 30 secondes à 1 minute. Au cours de cette chauffe, le substrat souple 103 peut être pressé contre le substrat de montage 109. La pâte à souder 112 et la soudure 118 fondent pour connecter les pastilles 110 et 112. Une partie de la soudure 118 s'écoule dans le trou traversant 105. Une partie de la soudure 118 apparaît sur la face supérieure du substrat souple 103. Un défaut de liaison de la soudure 118 peut être déterminé en vérifiant si une partie de la soudure 118 apparaît ou non sur la face supérieure du substrat souple 103. Spécifiquement, si la soudure apparaît, la connexion est normale. Au cours de la quatrième étape, le substrat souple 103 est maintenu plat et parallèle au substrat de montage 109 parce que le substrat souple 103 est supporté par la plaque 106. Ainsi, les écartements entre les pastilles 121 et 110 deviennent égaux sur tout le substrat souple 103. Il est décrit ci-dessous l'avantage technique du cinquième mode de réalisation de la présente invention. Premièrement, une attention particulière (par exemple, l'élément cadre) et une manutention particulière ne sont pas nécessaires pour maintenir plat le substrat souple 103 parce que le substrat souple 103 est supporté par la plaque 106. Deuxièmement, un défaut de liaison peut être facilement détecté en vérifiant si la soudure 118 apparaît sur la face supérieure du substrat souple 103. Il est décrit ci-dessous un sixième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique du sixième mode de réalisation est la position de la plaque 106. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du cinquième mode de réalisation. En se référant à la figure 10, dans le sixième mode de réalisation, la plaque 106 est fixée à la face supérieure du substrat souple 103. Dans le sixième mode de réalisation, la hauteur de la soudure 118 n'est pas limitée par l'épaisseur de la plaque 106. Il est décrit ci-dessous un septième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique du septième mode de réalisation est la structure de la plaque 106. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du cinquième mode de réalisation. En se référant à la figure 11, la plaque 106 du septième mode de réalisation comprend une plaque de métal 114. La plaque de métal 114 est revêtue d'une matière isolante 115 telle que des matières isolantes organiques et/ou des céramiques. Il est décrit ci-dessous un huitième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique du huitième mode de réalisation est la structure du trou traversant 105. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du cinquième mode de réalisation. En se référant à la figure 12, le trou traversant 105 est conique. Spécifiquement, le diamètre du trou traversant 105 est d'environ 200 pm et d'environ 400 pm respectivement sur les faces supérieure et inférieure du substrat souple 103. Il est décrit ci-dessous un neuvième mode de réalisation de la présente invention. La caractéristique du neuvième mode de réalisation est une âme 122 disposée entre les pastilles 110 et 121. Les autres structures et fonctions sont les mêmes que celles du troisième mode de réalisation. En se référant à la figure 13, une âme 122 est disposée entre les pastilles 110 et 121. Le point de fusion de l'âme 122 est plus élevé que ceux de la soudure 118 et de la pâte à souder 112 de façon que l'âme 122 ne fonde pas au cours de l'étape de chauffe montrée à la figure 9(d). L'âme 122 est de préférence formée à partir de métal ou de céramique. La partie supérieure de l'âme 122 est reçue par le trou traversant 105. La distance entre les pastilles 110 et 121 peut être réglée précisément du fait de l'âme 122 et de la possibilité de faire varier son diamètre de façon appropriée. Les présents modes de réalisation doivent par conséquent être considérés à tous égards comme donnés à titre d'exemples et non limitatifs, la portée de l'invention étant définie par les revendications annexées plutôt que par la description qui précède, et toutes les modifications qui sont comprises dans la signification et le domaine d'équivalence des revendications doivent donc être considérées comme en faisant partie. REVENDICATIONS 1. Montage de dispositif électronique caractérisé en ce qu'il comprend un premier substrat rigide ayant une première face, une seconde face, une première pastille sur ladite seconde face, et un trou traversant à l'emplacement de ladite première pastille un second substrat ayant une première face, une seconde face, et une seconde pastille sur sa dite première face, ladite première face dudit second substrat faisant face à ladite seconde face dudit premier substrat ; et de la soudure connectant lesdites première et seconde pastilles, au moins une partie de ladite soudure étant placée dans ledit trou traversant dudit premier substrat. 2. Montage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat comprend une feuille de céramique. 3. Montage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit premier substrat comprend un substrat souple ayant une première face, une seconde face, ledit trou traversant étant prévu dans ledit substrat souple, ladite première pastille étant prévue sur ladite seconde face dudit substrat souple ; et une plaque rigide fixée audit substrat souple, ladite plaque comportant un trou à l'emplacement dudit trou traversant. 4. Montage de dispositif électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite plaque est fixée à ladite seconde face dudit substrat souple. 5. Montage de dispositif électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite plaque est fixée à ladite première face dudit substrat souple. 6. Montage de dispositif électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite plaque comprend une matière isolante. 7. Montage de dispositif électronique selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite plaque comprend une plaque de métal recouverte par une matière isolante. 8. Montage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu ' il comprend de plus un dispositif électronique monté sur ladite première face dudit premier substrat. 9. Montage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit trou traversant est conique. 10. Montage de dispositif électronique selon la revendication 1, caractérisé en ce qu ' il comprend de plus une âme placée entre lesdites première et seconde pastilles. 11. Procédé pour fabriquer un montage de dispositif électronique, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes consistant à (a) préparer un premier substrat rigide ayant une première face, une seconde face, une première pastille sur ladite seconde face, et un trou traversant à l'emplacement de ladite première pastille (b) préparer un second substrat ayant une première face, une seconde face, et une seconde pastille sur sa dite première face (c) prévoir de la soudure sur au moins une desdites première et seconde pastilles (d) placer ledit premier substrat de façon que ladite première pastille fasse face à ladite seconde pastille ; et (e) chauffer ladite soudure, ladite soudure fondant afin de connecter lesdites première et seconde pastilles, au moins une partie de ladite soudure s'écoulant dans ledit trou traversant. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une étape consistant à (f) vérifier qu'au moins une partie de ladite soudure fait saillie depuis ledit trou traversant dudit premier substrat. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend de plus la mise en place d'une âme dans ladite soudure, dans lequel ladite âme s supporte ledit premier substrat sur ledit second substrat à ladite étape (e). 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend de plus le rétrécissement du trou traversant à l'étape (a). 15. Substrat, caractérisé en ce qu'il comprend une feuille de céramique ayant une première face, une seconde face, une pastille sur ladite seconde face, un trou traversant à l'emplacement de ladite pastille, et un trou de dispositif un conducteur faisant saillie au-dessus du trou de dispositif ; et un motif conducteur connectant ladite pastille et ledit conducteur en saillie 16. Substrat caractérisé en ce qu'il comprend une feuille de céramique ayant une épaisseur de 200 à 1.000 pm, ladite feuille de céramique ayant une première face, une seconde face, et un trou traversant à l'emplacement de ladite pastille. 17. Substrat, caractérisé en ce qu'il comprend une feuille souple ayant une première face, une seconde face, une première pastille sur ladite seconde face, et un trou traversant à l'emplacement de ladite pastille ; et une plaque rigide fixée à ladite feuille souple, ladite plaque ayant un trou à l'emplacement dudit trou traversant de ladite feuille souple. 18. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite âme a un point de fusion plus élevé que celui de ladite soudure. 19. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une étape de réglage de la distance entre lesdits premier et second substrats en disposant une âme dans ladite soudure et en donnant à ladite âme un diamètre prédéterminé.