Brevet FR2727585A1 — publié le 19960531

Amplificateur distribué oour signaux hyperfréquences à large bande-. L'invention concerne les amplificateurs distribués pour signaux hyperfréquences à large bande. Elle trouve une ap- plication dans la fabrication de circuits intégrés monoli- thiques micro-ondes ou hyperfréquences. Généralement, un amplificateur distribué comporte une plura- lité de cellules amplificatrices de base, montées en série avec au moins une ligne de drains commune et une ligne de grilles commune. Chaque cellule amplificatrice de base com- porte au moins un transistor à effet de champ monté en sour- ce commune et relié à la ligne de drains commune par son drain ainsi qu'à la ligne de grilles commune par sa grille. Le fonctionnement correct d'un transistor à effet de champ nécessite l'application d'une première tension de polarisa- tion continue sur son drain, d'une part et l'application d'une seconde tension de polarisation continue sur sa gril- le, d'autre part. Dans un amplificateur distribué, c'est la ligne de drains commune qui reçoit la première tension de polarisation tandis que la ligne de grilles commune re- çoit la seconde tension de polarisation. Parfois, des montages utilisent des cellules amplificatrices de base montées en série avec deux lignes de grilles commu- nes et une ligne de drains commune, comprenant chacune plu- sieurs transistors à effet de champ. Les impératifs de base pour le bon fonctionnement d'un am- plificateur distribué pour signaux hyperfréquences à large bande concernent le filtrage des circuits de polarisation. Il faut en effet que ces circuits de polarisation laissent passer les tensions ou courants continus de polarisation mais isolent la puissance hyperfréquence. Le plus fréquemment, ce filtrage est réalisé à travers les résistances terminales des lignes de drains et de grilles communes que l'on peut coupler en série avec une capacité de découplage. Le filtrage de la polarisation des lignes de grilles commu- nes à travers leur résistance terminale couplée en série avec une capacité de découplage, est satisfaisant dans la mesure o le courant continu de grille est faible et aucune chute de tension n'apparait dans les résistances terminales de grilles. Par contre, le filtrage de la polarisation des lignes de drains communes à travers leur résistance terminale couplée en série avec une capacité de découplage ne convient pas dans la mesure o le courant continu de drain est élevé (par exemple 500 milli-ampères pour un amplificateur distri- bué de puissance de l'ordre de 1 watt), ce qui aboutit à des chutes de tension de polarisation de l'ordre de 25 volts pour des résistances terminales de drains d'une valeur de l'ordre de 50 ohms, et par voie de conséquence à une éléva- tion de la tension de polarisation jusqu'à des valeurs inha- bituellement utilisées dans le domaine des circuits inté- gres. Les autres inconvénients du filtrage des circuits de polari- sation à travers des résistances terminales grille ou drain sont les déperditions d'énergie importantes qui se produi- sent au niveau desdites résistances terminales et l'utilisa- tion de conducteurs larges occupant beaucoup de place sur la rondelle semi-conductrice et qui sont nécessaires pour supporter la totalité du courant continu de polarisation de drain traversant le tronçon de la ligne de drains commune connectée à la résistance terminale de drain. Le filtrage des circuits de polarisation peut également être réalisé à travers des éléments selfiques couplés éven- tuellement en parallèle à travers une capacité reliée à la masse. Ce type de filtrage est satisfaisant dans le cas de circuits intégrés hybrides ou de transistors à effet de champ montés en discret. Par contre, en technologie des circuits intégrés monolithi- ques micro-ondes, les éléments selfiques ne conviennent pas ni lorsqu'ils sont réalisés de façon intégrée dans la puce, ni lorsqu'ils sont réalisés à l'extérieur de ladite puce. En effet, le filtrage des circuits de polarisation à travers des éléments selfiques a l'inconvénient de dégrader les performances de l'amplificateur distribué, notamment son adaptation d'impédance dans la mesure o les éléments selfi- ques de filtrage peuvent présenter un phénomène de résonance propre parasite, plus particulièrement lorsqu'il s'agit d'un amplificateur distribué large bande ayant une bande de l'ordre de 40 gigahertz. De plus, ces éléments devraient, dans le cas d'un amplificateur de puissance, supporter un courant de polarisation souvent incompatible avec la taille des fils conducteurs. Lorsque les éléments selfiques sont montés de façon externe sur le circuit intégré, leurs dimensions conduisent du moins dans leur réalisation actuelle à un encombrement important qui est très gênant dans la réalisation d'un circuit intégré monolithique micro-ondes. En outre, leur montage sur le circuit intégré nécessite des connexions extérieures supplé- mentaires ainsi que des soudures dont la mise en oeuvre est difficile et parfois gênante sur un circuit intégré monolithique. Dans des circuits connus autres que des amplificateurs de puissance, le filtrage des circuits de polarisation des transistors à effet de champ est assuré par un transistor à effet de champ supplémentaire travaillant en régime satu- ré. Néanmoins, l'application de ce type de filtrage aux circuits de polarisation d'un amplificateur de puissance n'est pas possible. Le but de l'invention consiste à fournir un amplificateur distribué pour des signaux hyperfréquences à bande large qui ne présente pas les inconvénients des amplificateurs connus. L'invention permet notamment un filtrage des circuits de polarisation d'un amplificateur distribué qui résout les problèmes associés aux structures antérieures. Le filtrage de circuits de polarisation avec un transistor à effet de champ supplémentaire, fonctionnant en charge saturable, a l'avantage de permettre un gain en surface sur la rondelle de semi-conducteur par rapport aux éléments selfiques. Cependant, un tel filtrage ne serait pas satisfaisant s'il était appliqué à un amplificateur distribué de forte puis- sance, car le transistor à effet de champ monté en charge saturable dissiperait alors cette puissance sur une région très localisée entraînant des problèmes thermiques ainsi que des parasites électriques incompatibles avec le fonc- tionnement correct de l'amplificateur distribué. Plus préci- sément, le transistor fonctionnant en charge saturable de- vrait laisser passer à lui seul toute la somme des courants continus de polarisation des transistors à effet de champ de l'amplificateur distribué. Ce transistor aurait donc une taille sensiblement égale à la somme des largeurs de grilles des transistors à effet de champ de l'amplificateur distribué. Or, plus le transistor à effet de champ fonction- nant en charge saturable va grossir, plus sa résistance va diminuer puisqu'elle est inversement proportionnelle à la taille du transistor à effet de champ. Ainsi, par voie de conséquence, le transistor à effet de champ monté en charge saturable ne présentera plus une impédance suffisam- ment élevée en hyperfréquence pour filtrer de façon adéquate les circuits de polarisation de l'amplificateur distribué. En d'autres termes, si l'homme du métier veut polariser une pluralité de cellules d'un amplificateur distribué de puissance à travers un transistor à effet de champ fonction- nant en charge saturable, il verra qu'il sera obligé d'uti- liser un gros transistor à effet de champ pour supporter la totalité du courant de polarisation. Or, un tel transis- tor présente une impédance dynamique faible. Il s'ensuit qu'il y a contradiction entre l'utilisation d'un gros tran- sistor à effet de champ fonctionnant en charge saturable et les impératifs de filtrage en hyperfréquence des circuits de polarisation. La Demanderesse a observé de façon surprenante qu'en décou- pant un transistor à effet de champ fonctionnant en charge saturable en une pluralité de transistors à effet de champ fonctionnant également en charge saturable, elle s'affran- chissait, moyennant quelques ajustements, des problèmes mentionnés ci-avant. L'invention porte sur un amplificateur distribué pour si- gnaux hyperfréquences à large bande du type comportant: - une pluralité de cellules amplificatrices de base montées en série, avec au moins une ligne de drains commune et au moins une ligne de grilles commune, chaque cellule compor- tant au moins un transistor à effet de champ monté en source commune et des éléments de filtrage; - des premiers moyens de polarisation pour appliquer une première tension de polarisation sur la ligne de drains commune; et - des seconds moyens de polarisation pour appliquer une seconde tension de polarisation sur la ligne de grilles commune. Selon une définition générale de l'invention, les premiers moyens de polarisation comprennent: - une pluralité de transistors à effet de champ auxiliaires fonctionnant en charge saturable et dont les sources respec- tives sont distributivement connectées sur la ligne de drains commune et dont les drains respectifs reçoivent en série la première tension de polarisation. Selon un aspect de l'invention, l'amplificateur distribué comprend en outre des troisièmes moyens de polarisation pour délivrer une troisième tension de polarisation tandis que les grilles des transistors auxiliaires reçoivent en série cette troisième tension de polarisation à travers respectivement une résistance. Avantageusement, la troisième tension de polarisation est reliée à la masse en parallèle à travers une capacité de découplage. Selon un premier mode de réalisation préféré de l'invention, chaque cellule amplificatrice de base comporte un transistor à effet de champ monté en source commune, sa grille étant reliée à la ligne de grilles commune et son drain étant relié à la ligne de drains commune. Selon un second mode de réalisation préféré de l'invention, l'amplificateur distribué comprend une pluralité de cellules amplificatrices de base montées en série, avec une ligne de drains commune et des première et seconde lignes de gril- les communes tandis que chaque cellule comporte trois tran- sistors à effet de champ interconnectés entre eux en combi- naison avec des éléments de filtrage, les premier et se- cond transistors, montés en source commune, étant reliés respectivement à la première ligne de grilles commune et à la seconde ligne de grilles commune par leurs grilles respectives tandis que leurs drains respectifs sont inter- connectés, le troisième transistor, monté en grille commune, ayant sa source reliée aux drains des premier et second transistors et ayant son drain relié à la ligne de drains commune. Selon un troisième mode de réalisation préféré de l'inven- tion, l'amplificateur distribué comprend une pluralité de cellules amplificatrices de base montées en série, avec une ligne de drains commune et une ligne de grilles commune tandis que chaque cellule comporte deux transistors à effet de champ, interconnectés entre eux en combinaison avec des éléments de filtrage, le premier transistor, monté en source commune, étant relié à la ligne de grilles commune par sa grille, le second transistor, monté en grille commune, ayant son drain relié à la ligne de drains commune, le drain du premier transistor étant connecté à la source du second transistor. En pratique, la somme des largeurs de grilles des transis- tors à effet de champ auxiliaires est sensiblement égale ou inférieure à la somme de celle des transistors à effet de champ des cellules amplificatrices de base connectées distributivement sur la ligne de drains commune. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention appa- raitront à l'examen de la description détaillée ci-après, et des dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est le schéma de principe d'un amplificateur hyperfréquence distribué à une ligne de drains commune de type connu; - la figure 2A est une vue schématique d'un transistor à effet de champ fonctionnant en charge saturable tandis que la figure 2B est son schéma équivalent; - la figure 3 est le schéma de principe d'un amplificateur hyperfréquence distribué à une ligne de drains commune pola- risée selon l'invention; - la figure 4 illustre une pluralité de cellules pour un amplificateur hyperfréquence distribué à une ligne de gril- les commune et une ligne de drains commune polarisée selon l'invention; et - la figure 5 illustre une cellule pour un amplificateur distribué à deux lignes de grilles communes et une ligne de drains communes polarisée selon l'invention. Les dessins annexés comportent pour l'essentiel des éléments de caractère certain. Ils pourront donc non seulement servir à mieux faire comprendre la description détaillée, mais aussi contribuer à la définition de l'invention, le cas échéant. La figure 1 illustre un amplificateur distribué connu. Il est constitué d'une pluralité de cellules amplificatrices de base C1 à Cn, montées en série avec une ligne de drains commune Ld et une ligne de grilles Lg. Chaque cellule, telle que la cellule C1, comporte une structure amplificatrice A1 à base d'au moins un transistor à effet de champ monté en source commune, interconnecté entre un point D1 de la ligne de drains commune Ld et un point G1 de la ligne de grilles commune Lg. La tête de la ligne de grilles commune Lg forme l'entrée E de l'amplificateur. A l'autre extrémité, elle est chargée sur une impédance Rg qui est sensiblement égale à l'impédance caractéristique de la ligne de grilles commune. Inversement, en tête, la ligne de drains commune Ld est chargée sur une impédance Rd sensiblement égale à l'impédance caractéristique de la ligne de drains commune, tandis qu'à l'autre extrémité, elle définit la sortie X de l'amplificateur distribué. Un circuit de polarisation (non représenté) applique une tension de polarisation continue sur la ligne de drains commune Ld tandis qu'un autre circuit de polarisation (non représenté) applique une autre tension de polarisation con- tinue sur la ligne de grilles commune Lg. Ces circuits de polarisation sont filtrés pour laisser passer les tensions ou courants continus de polarisation tout en isolant la puissance hyperfréquence. Le plus souvent, ces circuits de polarisation sont filtrés par des éléments selfiques couplés en parallèle avec une capacité reliée à la masse avec les inconvénients que l'on sait. On relèvera que les cellules ne sont pas nécessairement identiques, de même que le montage ne présente pas nécessai- rement toutes les symétries apparaissant sur la figure 1. Le principe de fonctionnement d'un amplificateur distribué est le suivant: Le signal d'entrée se propage sur la ligne de grilles commu- ne Lg. Chaque structure amplificatrice, telle que celle référencée A1, le reçoit entre son point grille G1 et son point drain D1, et fournit à la ligne de drains commune une version amplifiée du signal d'entrée, version qui se propage sur cette ligne de drains commune Ld. La figure 2A illustre un transistor à effet de champ T tra- vaillant en charge saturable tandis que la figure 2B repré- sente son schéma équivalent. La polarisation de la grille G est assurée par une tension Vg2. Le drain D est polarisé par une tension Vd découplée à la masse par une capacité Cd. Le transistor T assure le passage d'un courant continu Id important jusqu'à sa source S tout en présentant en hyperfréquence une impédance dynami- que élevée due à la saturation du courant Id. C'est pour cette raison que le transistor T est appelé charge saturable car il est bien connu que lorsque l'on dresse les courbes de courant de drains en fonction de la tension de drain d'un transistor à effet de champ, ces courbes représentent rapidement une saturation. Le schéma équivalent en alternatif d'un transistor à effet de champ fonctionnant en charge saturable comprend une ré- sistance Rcs avec une capacité Ccs en parallèle. L'impé- dance dynamique élevée se traduit par une résistance Rcs de valeur importante et par une capacité Ccs de faible va- leur. La figure 3 illustre l'amplificateur distribué décrit en référence à la figure 1, sur lequel sont incorporés les moyens de filtrage du circuit de polarisation de la ligne de drains commune selon l'invention. Selon l'invention, à chaque point D1 à Dn de la ligne de drains commune sur lequel est relié respectivement par son drain un transistor à effet de champ T d'une cellule ampli- ficatrice, il est connecté respectivement et distributive- ment par sa source S', un transistor à effet de champ auxi- liaire T' fonctionnant en charge saturable. Les drains D' respectifs des transistors à effet de champ auxiliaire reçoivent en série la tension de polarisation Vd. Cette tension de polarisation Vd est reliée à la masse à travers une capacité de découplage Cd montée en parallèle. Les transistors à effet de champ auxiliaires T' ont leur source S' reliée à leur grille G' à travers respectivement une capacité auxiliaire CP, individualisée en CP1 à CPn. Les grilles G', individualisées en G'1 à G'n des transistors à effet de champ auxiliaires reçoivent en série une tension de polarisation continue auxiliaire Vg2 respectivement à travers une résistance RP de forte valeur individualisée en RP1 à RPn. Le filtrage du circuit de polarisation de la ligne de drains commune ainsi réalisé permet d'une part de ne pas concentrer la source de chaleur engendrée par le courant de saturation traversant le transistor à effet de champ en une seule ré- gion et, d'autre part, de répartir les parasites électri- ques. Plus précisément, au lieu d'une seule impédance (Rcs/ Ccs) connectée en un point de la ligne de drains commune, on dispose maintenant de n impédances dynamiques (Rcs/n/ /n.Ccs) si les n cellules ont des transistors à effet de champ auxiliaires identiques) qui sont n fois plus élevées que l'impédance unique (Rcs//Ccs). De plus, ces n impédances dynamiques sont plus faciles à prendre en compte lors de la conception d'un amplificateur distribué en technologie circuit intégré monolithique micro- ondes car ces impédances parasites sont facilement intégra- bles dans chaque cellule amplificatrice de base. Enfin, la quote-part de la capacité parasite Ccs de chaque cellule peut facilement être prise en compte pour le calcul de la capacité de la ligne de drains commune. Enfin, un tel filtrage permet d'éviter une surcharge locale, en courant, de la ligne de drains commune. En effet, chaque cellule est alimentée maintenant séparément. En outre, la division du courant total de polarisation en n courants de polarisation cellulaires permet d'utiliser des simples fils conducteurs occupant une faible surface sur la rondelle semi-conductrice. Sur la figure 4, on a représenté un amplificateur distribué comportant une pluralité de cellules C1 à Cn montées en série avec une ligne de grilles commune et une ligne de drains commune polarisée selon l'invention. Chaque cellule amplificatrice de base comporte un transistor à effet de champ T1 monté en source commune, sa grille G étant reliée à la ligne de grilles commune à travers des éléments de filtrage grille et son drain D étant relié à la ligne de drains commune à travers des éléments de filtra- ge drain. Plus particulièrement, sa grille G est reliée au point com- mun de deux inductances dont l'une Lgll va vers l'entrée de la ligne de grille commune et l'autre, Lg12, vers sa sortie (pour cette cellule). De même, le drain D du transis- tor à effet de champ T1 est relié au point commun de deux inductances allant l'une, Ldll, vers l'entrée, l'autre, Ldl2, vers la sortie de l'amplificateur distribué. Selon l'invention, la source S'1 d'un transistor à effet de champ auxiliaire T'1 est par exemple connectée sur le point commun des deux inductances Ldll et Ld12. Avantageusement, le transistor à effet de champ auxiliaire fonctionnant en charge saturable est adapté au transistor qu'il va polariser. On peut donc faire travailler le tran- sistor à effet de champ de la structure amplificatrice au même point de fonctionnement que le transistor à effet de champ auxiliaire qui le polarise. Ainsi, si la largeur de grille du transistor à effet de champ de la structure ampli- ficatrice est Wg, la largeur de grille du transistor à effet de champ auxiliaire qui le polarise est également Wg. Toutefois, il peut être avantageux de faire travailler le transistor à effet de champ de la structure amplificatrice seulement sous un courant de drain Id plus petit que celui traversant le transistor à effet de champ auxiliaire qui le polarise. Il en résulte que le transistor à effet de champ auxiliaire est x fois plus petit que le transistor à effet de champ de la structure amplificatrice. On obtient aussi un transistor à effet de champ auxiliaire présentant une impédance dynamique x fois plus grande. Par exemple, la largeur de grille du transistor à effet de champ auxi- liaire est 0,6 Wg o Wg est la largeur de grille du transis- tor à effet de champ de la structure amplificatrice. L'invention peut également s'appliquer aux amplificateurs distribués montés en "cascode", comme ceux décrits dans la Demande de Brevet français 87 16 277 déposée par la De- manderesse le 24 novembre 1987. Sur la figure 5 on a représenté une cellule CE d'un tel amplificateur distribué. La cellule CE comprend deux lignes de grilles SG1-SG'1 et SG2-SG'2 respectivement, ainsi qu'une ligne de drains SD- SD'. Les deux lignes de grilles sont munies de cellules de filtrage, de préférence de type passe-tout, Fg1 et Fg2 respectivement. On se reportera à la Demande de Brevet ci- dessus pour une description détaillée de la cellule CE. La fonction passe-tout est complétée par la capacité grille- source du transistor en source commune (TS1 ou TS2), asso- cite à la ligne de grilles concernée. Les drains des deux transistors TS1 et TS2 sont directement reliés. Cette liai- son entre les deux drains est appliquée à travers une induc- tance LI à la source d'un transistor Tg monté en grille commune. Le drain de ce transistor est relié à une autre cellule Fd, de préférence passe-tout. Selon l'invention, la source S' d'un transistor à effet de champ auxiliaire T' monté en charge saturable est connec- tée au drain du transistor Tg. Le transistor T' fonctionne de la même facon que les tran- sistors à effet de champ auxiliaires décrits en référence à la figure 3. Comme précédemment la tension de polarisation Vd est appliquée au drain D' du transistor T' à travers une capacité de découplage Cd montée en parallèle. La capa- cité additionnelle Cdd allant vers la masse a été supprimée dans la cellule CE décrite dans la Demande de Brevet men- tionnée ci-avant. En effet, cette capacité additionnelle Cdd peut être intégrée aux capacités parasites des éléments selfiques. Comme précédemment, la tension de polarisation Vg2 est appliquée à la grille G' du transistor à effet de champ auxiliaire T' à travers une résistance RP. De même, sa source S' est reliée à sa grille 6' à travers une capaci- té auxiliaire CP. Dans cette cellule CE, les transistors TS1 et TS2 ont une largeur de grille égale à Wg tandis que le transistor Tg a une largeur de grille égale à 2 x Wg. Ainsi, le transistor à effet de champ auxiliaire T' destiné à polariser le tran- sistor Tg, peut avoir par exemple une largeur de grille variant de 1,2 à 2 Wg pour les raisons évoquées en référence à la figure 4. D'une façon générale, l'invention peut être appliquée au filtrage des circuits de polarisation pour des circuits intégrés monolithiques micro-ondes. Elle peut aussi être appliquée au filtrage des circuits de polarisation des cel- lules d'un étage amont précédant un amplificateur distribué. Revendications. 1. Amplificateur distribué pour signaux hyperfréquences à large bande du type comportant: - une pluralité de cellules amplificatrices de base (C1 à Cn) montées en série, avec au moins une ligne de drains commune (Ld) et au moins une ligne de grilles commune (Lg), chaque cellule comportant au moins un transistor à effet de champ (T1) monté en source commune et des éléments de filtrage (Lgll, Lg12); - des premiers moyens de polarisation pour appliquer une première tension de polarisation (Vd) sur la ligne de drains commune; - des seconds moyens de polarisation pour appliquer une seconde tension de polarisation sur la ligne de grilles commune, caractérisé en ce que les premiers moyens de polarisation comprennent: une pluralité de transistors à effet de champ auxiliaires (T'1 à T'n) fonctionnant en charge saturable et dont les sources (S'là S'n) respectives sont distributivement connec- tées sur la ligne de drains commune (Ld) et dont les drains (D'1 à D'n) respectifs reçoivent en série la première ten- sion de polarisation (Vd). 2. Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des troisièmes moyens de polari- sation pour délivrer une troisième tension de polarisation (Vg2) et en ce que les grilles (G'1 à G'n) des transistors auxiliaires reçoivent en série la troisième tension de pola- risation (Vg2) à travers respectivement une résistance (Rpl à Rpn). 3. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les transistors à effet de champ auxiliaires (T'1 à T'n) ont leur source (S'1 à Sn) reliée à leur grille (G'1 à G'n), à travers respecti- vement une capacité auxiliaire (CP1 à CPn). 4. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la première tension de polarisation (Vd) est reliée à la masse en parallèle à tra- vers une capacité de découplage (Cd). 5. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que la somme des largeurs de grilles des transistors à effet de champ auxiliaires (T'1 à T'n) est sensiblement égale ou inférieure à la somme de celle des transistors (T1 à Tn) des cellules amplifica- trices de base (C1 à Cn) connectées distributivement sur la ligne de drains commune (Ld). 6. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que chaque cellule amplifica- trice de base comporte un transistor à effet de champ monté en source commune, sa grille étant reliée à la ligne de grilles commune à travers des éléments de filtrage et son drain étant relié à la ligne de drains commune à travers des éléments de filtrage. 7. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la pluralité de cellules ampli- ficatrices de base sont montées en série, avec une ligne de drains commune (SD-SD') et des première (SG1-SGl') et seconde (SG2-SG2') lignes de grilles communes, et en ce que chaque cellule (CE) comporte trois transistors à effet de champ interconnectés entre eux en combinaison avec des éléments de filtrage, les premier (TS1) et second (TS2) transistors, montés en source commune, étant reliés respec- tivement à la première ligne de grilles commune (SG1-SGl') et à la seconde ligne de grilles commune (SG2-SG2') par leurs grilles respectives tandis que leurs drains respectifs sont interconnectés au troisième transistor (Tg), monté en grille commune, ayant sa source reliée aux drains des premier et second transistors et ayant son drain relié à la ligne de drains commune (SD-SD'). 8. Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comprend une pluralité de cellules amplificatrices de base montées en série, avec une ligne de drains commune et une ligne de grilles commune, et en ce que chaque cellule comporte deux transistors à effet de champ interconnectés entre eux en combinaison avec des éléments de filtrage, le premier transistor, monté en source commune, étant relié à la ligne de grilles commune par sa grille, le second transistor, monté en grille commu- ne, ayant son drain relié à la ligne de drains commune, tandis que le drain du premier transistor est relié à la source du second transistor.