Brevet FR2728680A1 — publié le 19960628

La présente invention concerne un procédé de mesure de la température à l'aide d'un capteur à coefficient de température négatif. Plus particulièrement un tel procédé est destiné à être employé dans le domaine de l'électronique automobile. II est déjà connu d'utiliser des capteurs dont la résistance varie en fonction de la température du milieu dans lequel ils sont plongés. En mesurant cette variation de résistance et après traitement du signal de mesure, on détermine une valeur numérique N représentative de la température régnant autour du capteur. De manière classique en ce qui concerne les capteurs de température à coefficient de température négatif (encore appelé capteurs CTN), on soumet à une source de tension Va un capteur et une résistance montée en série (dite résistance de "pull up") et reliée au pôle positif de la source de tension. Un signal analogique de mesure, pris en un point milieu, situé entre la résistance et le capteur, est envoyé vers un convertisseur analogique / numérique. Ce convertisseur reçoit également une tension de référence, de manière à générer une valeur numérique N représentative de la température mesurée par le capteur. De tels dispositifs présentent cependant un inconvénient majeur, à savoir: il leur est difficile de mesurer avec une grande précision une température variant sur une plage étendue. Pour pallier cet inconvénient, il est connu de commuter la tension de référence du convertisseur entre plusieurs tensions de référence distinctes. A chaque tension de référence correspond une plage de température mesurée. On obtient ainsi plusieurs échelles de mesure, pour suivre avec précision, une température variant sur une large étendue. Par exemple, dans le domaine de l'automobile, la température à mesurer peut varier de - 40 à + 140"C. L'inconvénient de tels dispositifs à tensions de référence multiple est qu'il faut fournir au convertisseur, plusieurs sources de tension étalonnées avec précision. Une telle multiplicité des sources de tension étalonnées est onéreuse. On cherche donc à créer un procédé de mesure de la température ne mettant en oeuvre qu'une seule source de tension, tout en garantissant une bonne précision de la mesure sur toute l'étendue de la plage de température. II est déjà connu1 à cet effet, de faire varier la résistance montée en série avec le capteur ( par commutation d'un transistor monté en parallèle avec cette résistance), pour améliorer le suivi de la température selon différentes échelles de température. Cependant cette technique présente l'inconvénient de faire varier le courant passant à l'intérieur de la branche de mesure, et surtout elle introduit des erreurs provenant des tensions de déchets et des courants de fuite des transistors. Le but de la présente invention est donc d'utiliser une seule tension de référence, mais de déterminer avec précision les erreurs dues à la présence des transistors dans l'étage de traitement du signal, pour en tenir compte et les éliminer. A cet effet la présente invention conceme un procédé de mesure de la température à l'aide d'un capteur à coefficient de température négatif, le dit capteur comportant une résistance inteme variable et étant associé à un étage de traitement du signal comportant au moins un transistor monté en parallèle avec au moins une résistance dite de "pull up", une tension prise en un point milieu entre le capteur et les résistances de "pull up" est lue sur une entrée analogique d'un convertisseur analogique / numérique, le dit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à:: - commander le transistor selon une tension dite carrée de telle sorte que le transistor soit altemativement, et de façon régulière, en position conducteur, puis en position bloquée, - mesurer la valeur de la tension à l'entrée analogique du convertisseur lorsque le transistor est conducteur et lorsque le transistor est bloqué, - déterminer à partir de ces deux valeurs mesurées la tension de saturation du transistor, - en déduire la valeur de la tension corrigée arrivant à l'entrée analogique du convertisseur et déduire de cette tension corrigée la température régnant autour du capteur. Ainsi, en mesurant la tension à l'entrée du convertisseur lorsque le transistor en parallèle avec la résistance de "pull up" est à l'état conducteur et à l'état bloqué, on détermine la tension de saturation du transistor. La tension mesurée à l'entrée du convertisseur est alors corrigée en tenant compte de la tension de saturation du transistor. De ce fait il est possible en utilisant une seule source de tension d'avoir plusieurs gammes de mesures. La commutation d'une gamme à une autre se fait à l'aide de transistors montés en parallèle sur une résistance de "pull up", sans perturber la mesure puisque la tension de saturation de chaque transistor commutée est connue. En tenant compte de cette tension de saturation les mesures effectuées ne sont plus entachées d'erreurs dues à la présence des transistors. En outre la détermination de cette tension de saturation peut être effectuée en continu. Dans ce cas le procédé selon l'invention est un procédé d'apprentissage de la tension de saturation des transistors montés en parallèles avec une résistance de "pull up". Avantageusement, la valeur de la tension de saturation est filtrée avant d'être utilisée dans le calcul de la température régnant autour du capteur. Lorsque la tension de saturation a été déterminée, la valeur de la tension entre les résistances de "pull up" et le capteur est alors obtenue avec une grande précision et de manière indépendante de la tension de saturation du transistor. La présente invention concerne également un dispositif de mesure de la température mettant en oeuvre le procédé ci dessus indiqué. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront d'ailleurs de la description qui suit, à titre d'exemple non limitatif, et en référence aux dessins annexés, dans lesquels: - La figure 1 est une vue schématique représentant un dispositif de mesure de température mettant en oeuvre le procédé selon la présente invention et, - La figure 2 est une vue schématique analogue à la figure 1, montrant un cas ou plus de deux gammes de température sont utilisées. Selon la forme de réalisation représentée à la figure 1, un capteur de mesure de la température 10 est associé à un étage 11 de traitement du signal de sortie du capteur. Ce signal traité est ensuite transmis à l'entrée analogique 12 d'un convertisseur analogique I numérique 13. Le capteur 10 utilisé, dans le cadre du mode de réalisation représenté a une résistance inteme RT qui varie avec la température du milieu dans lequel elle est plongée. Plus la température du milieu augmente et plus la résistance RT du capteur diminue. Un tel capteur est appelé capteur à coefficient de température négatif. De manière classique le convertisseur 13 est alimenté par une tension de référence Vref, filtrée de manière connue, par un filtre R6, C2. De même on notera que la tension VRT recueillie aux bornes de la résistance du capteur est filtrée de manière connue par un filtre Rg, C1. L'étage de traitement Il du signal capteur est constitué, dans l'exemple représenté, par deux résistances dites de "pull up" R1 et R2. Ces deux résistances sont montées en série et sont soumises à la tension d'alimentation VA. La résistance R1 présente un transistor T monté en parallèle avec elle. Ce transistor est d'autre part associé à deux résistances R3 et R4. Ces résistances R3 et R4 améliorent de manière classique, la commutation du transistor T. Le convertisseur 13 présente une sortie 14, adaptée pour commander le transistor T. Dans l'exemple représenté, cette sortie 14 envoie vers le transistor T un signal sensiblement carré. De ce fait, pendant une alternance de ce signal, le transistor T est à l'état conducteur et pendant l'alternance suivante le transistor T est à l'état bloqué. Lorsque le transistor est bloqué les deux résistances R1 et R2 sont en série avec la résistance RT du capteur. Lorsque le transitor T est conducteur seule la résistance R2 est en série avec la résistance du capteur. De ce fait deux gammes de mesure de la température sont possibles. Le déroulement du procédé et le fonctionnement du dispositif selon l'invention sont décrits ci - après. Dans un premier temps on réalise la détermination, de la tension de saturation du transistor T. Pour ce faire, un signal de commande de forme sensiblement carrée est envoyé au transistor T. Lorsque le transistor est bloqué on mesure la tension VRT arrivant à l'entrée 12 du convertisseur 13. La valeur No de cette tension, telle que mesurée par le convertisseur est la suivante: No=1023x Rr Rr+RI+R2 1) Dans cette formule 1023 est une constante correspondant à la dynamique du convertisseur. Lorsque le transistor T est conducteur on mesure la tension VRT à l'entrée 12 du convertisseur. La valeur N1 de cette tension est la suivante: RTRÀR2 - [VA-VCE] Nî= VA x à x1023 2) Dans laquelle VCE est la tension de saturation du transistor T et VA la tension d'alimentation de la branche de mesure contenant les résistances de "pull up" R1 et R2. A partir de ces deux équations (1 et 2) on obtient: R1+R2 Rr = 1023 - N0 3) et, VCEoerr = [Va-VCE]= 1023 x R2 + N0 x R1 x N1 4) VA [R1 + R2] x 1023 - N0 La tension de saturation du transistor T est ainsi directement définie à partir des valeurs No et N1. Toutes les variables de cette dernière équation sont connues. II est donc facile de déterminer la tension de saturation VCEcorr. Dans un second temps la tension de saturation mesurée est filtrée à l'aide d'un filtre numérique de façon à améliorer la résolution de la mesure. A cet effet on considère que VCEcorr à l'instant n est défini par rapport à la valeur de VCEcorr à l'instant n-1 selon la relation ci - après: VCEcorr(n) - VCEcorr (n-1)+ VcE(n) = VcE(n- 1) + 10 5) Dans un troisième temps on calcule la valeur de N1 corrigée en tenant compte de la tension de saturation. Cette valeur N1 corrigée est appelée Nrcorr. On a la relation suivante: s) ~~ Ni 6) VcEcorr(n) De ce fait les valeurs de N1 et Ng corrigées s'expriment de manière totalement indépendante de VCE. En effet en appliquant la relation (6) on obtient: RT RRTR x1023 7) et No= RT RT + R1 + 8) Ces deux valeurs sont directement exploitables pour la détermination de la température régnant autour du capteur de température. On notera que grâce au procédé selon l'invention la détermination de la température du milieu dans lequel est plongé le capteur est indépendante de la tension de saturation du transistor T. De ce fait il est maintenant possible de n'utiliser qu'une seule tension de référence pour le convertisseur, tout en disposant de plusieurs gammes de mesure de la température (deux dans l'exemple représenté à la figure 1). En outre pour réaliser un dispositif mettant en oeuvre le procédé selon l'invention il n'est pas nécessaire d'équiper le convertisseur d'une entrée analogique complémentaire. Comme le montre la figure 2, il est possible de généraliser le procédé ci -dessus indiqué au cas ou plus de deux gammes de température sont utilisées. Dans ce cas il suffit d'ajouter autant de résistances de "pull up" supplémentaires, que l'on désire de gammes de température supplémentaires. Dans l'exemple représenté à la figure 2 on a rajouté une résistance de "pull up" supplémentaire RIA. Cette résistance supplémentaire R1A est alors associée à un transistor TA, comme précédemment indiqué. Le même procédé que celui évoqué dans le cadre de la figure 1 est alors appliqué à ce second transistor TA pour en déterminer la tension de saturation. Sur la figure 2 le schéma du circuit associé à ce second transistor TA n'a été qu'ébauché pour ne pas surcharger les dessins. On conçoit facilement que chaque fois qu'il est nécessaire d'augmenter le nombre de gammes de température, il suffit de rajouter une résistance de "pull up" R1 N associée à un transistor TN. Chaque unité constituée par cette résistance R1 N et ce transistor TN fonctionne de la même manière que la résistance R1 associée au transistor T. II est à noter que bien qu'il soit préférable et avantageux de réaliser l'étape de filtrage numérique précédemment décrite, cette étape n'est cependant pas obligatoire. En effet le but de cette étape est d'augmenter la résolution de mesure de VCE. Dans le cas où l'on effectue pas un tel filtrage, on dégrade dirctement la résolution de mesure du VCE mesuré et donc la résolution de N1 cor Le procédé et le dispositif précédemment décrits peuvent être mis en oeuvre de manière continue. Dans ce cas, il est possible de réaliser un suivi de l'évolution de la tension de saturation du transistor pendant toute la durée de son fonctionnement. Un tel procédé est ainsi un procédé d'apprentissage automatique de la tension de saturation d'un transistor. Ce procédé d'apprentissage permet de prendre en compte des variations de la tension de saturation dues à la vétusté du transistor et / ou à la température de ce transistor et / ou à ces conditions d'utilisation . . etc. Bien entendu, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation ci dessus décrits. Ainsi il est possible d'utiliser tout moyen de commutation approprié à la place des transistors T, TA, .. TN. REVENDICATIONS 1] Procédé de mesure de la température à l'aide d'un capteur (10) à coefficient de température négatif, le dit capteur comportant une résistance inteme variable (RT) et étant associé à un étage de traitement (11 ) du signal comportant au moins un transistor (T), monté en parallèle avec au moins une résistance (R1, RIA, ...RIN) dite de "pull up", une valeur de tension (Ng, N1) prise en un point milieu entre la résistance (RT) et les résistances de "pull up" est lue sur une entrée analogique (12) d'un convertisseur analogique / numérique (13), le dit procédé étant caractérisé en ce qu'il consiste à:: - commander le transistor (T) selon une tension dite carrée de telle sorte que le transistor soit alternativement et de façon régulière en position conducteur, puis en position bloquée, - mesurer la valeur de la tension (Ng, N1) à l'entrée analogique (12) du convertisseur (13) lorsque le transistor (T) est conducteur et lorsque le transistor est bloqué, - déterminer à partir de ces deux mesures la tension de saturation (VCE) du transistor - en déduire la valeur de la tension corrigée (N0corn N1corr) et en déduire la température régnant autour du capteur (10). 2] Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste en outre à: - filtrer la valeur de la tension de saturation (VCE) du transistor avant de l'utiliser pour le calcul de la température. 3] Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il consiste à: - déterminer en continu la tension de saturation (VCE) du transistor. 4] Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il consiste à suivre l'évolution de la tension de saturation du transistor, pendant toute la durée de fonctionnement de ce transistor. 5] Dispositif de mesure de la température mettant en oeuvre le procédé selon l'une des revendications 1 à 4 et ayant un capteur de température (10) à coefficient de température négatif, le dit dispositif comportant: - au moins deux résistances en série (R1, RIA, ...R1N) avec la résistance (RT) du capteur, - un transistor (T) placé en parallèle avec l'une des deux résistances, de telle sorte que lorsque le transistor est bloqué les deux résistances soient en série avec la résistance du capteur, et lorsque le transistor est conducteur, seule, une des deux résistances est en série avec la résistance du capteur et, - le convertisseur (13), recevant sur son entrée analogique (12) la valeur de la tension (Ng, N1) prise entre les résistances (R1, RIA, ...R1N) et la résistance (RT) du capteur, le dit convertisseur étant adapté pour mesurer cette tension lorsque le transistor est bloqué et lorsque le transistor est conducteur, pour en déduire la tension de saturation (VCE) du transistor et pour tenir compte de cette tension de saturation pour déterminer la température régnant autour dudit capteur. 6] Dispositif de mesure de la température selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'il présente au moins deux gammes de mesure de la température et utilise une seule tension de référence (Vref). 7] Dispositif selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce qu'il comporte une pluralité de transistors (T, TA, . .TN) chacun placé en parallèle avec une des résistances (R1, RIA, ...RIN) de la pluralité de résistance de "pull up", de telle sorte qu'il comporte une pluralité de gammes de mesure de la température et qu'il soit adapté pour déterminer les tensions de saturation (VCE) de chacun des dits transistors (T, TA, . . .TN).