Brevet FR2723800A1 — publié le 19960223

CIRCUIT DE PROTECTION CONTRE LES DECHARGES ELECTROSTATIQUES La présente invention concerne un circuit de protection contre les décharges électrostatiques. De tels circuits de protection sont présents, par exemple, dans les circuits intégrés de technologie MOS (Métal Oxyde semiconducteur). Comme cela est connu de l'homme de l'art, I'isolant de grille de faible épaisseur des transistors MOS peut devenir brutalement conducteur lorsque le champ électrique qui lui est appliqué dépasse une certaine valeur dite valeur de claquage. Il s'en suit une détérioration pouvant aller jusqu'à la destruction des transistors. Des circuits de protection sont alors conçus pour éviter ce phénomène. Selon l'art antérieur, les circuits de protection sont de différents types. Certains ne protègent que les circuits fonctionnant soit avec une tension de polarisation positive, soit avec une tension de polarisation négative. Il n'est alors pas possible de protéger les circuits polarisés à l'aide tensions positives et négatives. D'autres dispositifs permettent une protection des circuits fonctionnant avec des tensions de polarisation positives et négatives. Parmi oes circuits, certains présentent une grande complexité. Il peut être alors nécessaire de former des caissons N dans un substrat P ou, réciproquement, des caissons P dans un substrat N. Un inconvénient est alors la nécessité d'avoir à polariser ces caissons. D'autres circuits ont une structure moins complexe et permettent d'éviter la polarisation des caissons. Ces circuits ont pour schéma équivalent deux diodes montées tête-bêche. Une première diode est réalisée, par exemple, par une zone P+ dans un caisson N et une deuxième diode par la jonction que constituent alors le caisson N et le substrat P. C'est le claquage des diodes par effet d'avalanche qui permet de limiter l'amplitude des tensions de décharge susceptibles de détériorer les circuits. La tension de claquage de la diode réalisée par la jonction du caisson N avec le substrat P est relativement élevée, par exemple de l'ordre de 100 volts. Il est très souvent nécessaire que la limitation de la tension de décharge s'effectue autour de valeurs plus faibles, par exemple de l'ordre de à 20 volts. Comme cela est connu de l'homme de l'art, la tension de claquage est alors ajustée par des anneaux de garde, par exemple de type N+, réalisés par des surdopages situés en surface du composant. Il s'en suit que le claquage s'effectue aussi en surface. Ce type de protection est généralement peu efficace pour évacuer les courants dus aux décharges électrostatiques. Il est, d'autre part, sensible au vieillissement. Au fur et à mesure des claquages successifs, la diode se détériore et la tension de claquage évolue. La présente invention ne présente pas ces inconvénients. La présente invention a pour objet un circuit de protection contre les décharges électrostatiques pouvant apparaître aux bornes d'un circuit, caractérisé en ce qu'il comprend un premier transistor réalisé dans un caisson dont le potentiel est flottant, ledit premier transistor permettant de limiter la valeur de la tension de décharge à une valeur égale à moins la valeur de sa tension de seuil et un deuxième transistor réalisé dans un caisson dont le potentiel est flottant, ledit deuxième transistor permettant de limiter la valeur de la tension de décharge à une valeur égale à la valeur de sa tension de seuil. Un avantage de l'invention est d'éviter l'utilisation de circuits de protection tels que ceux mentionnés ci-dessus. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation fait avec référence aux figures ci- annexées parmi lesquelles: - la figure 1 représente une vue en coupe crd'un circuit de protection selon un premier mode de réalisation de l'invention. - la figure 2 représente une vue en coupe d'un circuit de protection selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Sur toutes les figures, les mêmes repères désignent les mêmes éléments. La figure 1 représente une vue en coupe d'un circuit de protection selon un premier mode de réalisation de l'invention. Dans un substrat I de type P est formé un caisson 2 de type N. Selon l'invention, le caisson 2 n'est relié à aucune polarisation extérieure et se trouve donc à un potentiel flottant. Trois zones dopées P+, P1, P2, P3, sont créées en surface du caisson 2. Comme représenté en figure 1, les trois zones P1, P2, P3 sont préférentiellement alignées et la zone P2 est située entre les zones P1 et P3. Une couche diélectrique isolante Cl recouvre la surface du caisson située entre les zones P1 et P2. De même une couche diélectrique isolante C2 recouvre la surface du caisson située entre les zones P2 et P3. La couche diélectrique Cl est recouverte d'une couche conductrice M1 et la couche diélectrique C2 d'une couche conductrice M2. Il s'en suit que, d'une part, les zones P1 et P2 constituent les électrodes principales d'un premier transistor MOS de type P, référencé T1, dont l'électrode de commande est constituée par la couche conductrice M1 et que, d'autre part, les zones P2 et P3 constituent les électrodes principales d'un deuxième transistor MOS de type P, référencé T2, dont l'électrode de commande est constituée par la couche conductrice M2. Les deux électrodes principales du transistor T1 sont notées E1 et E2 et correspondent aux zones dopées P+ respectives P1 et P2. Les deux électrodes principales du transistor T2 sont notées E3 et E4 et correspondent aux zones dopées P+ respectives P2 et P3. Les électrodes principales E2 et E3 sont donc confondues et correspondent à la zone P+ notée P2. L'électrode de commande du transistor T1 est notée K1 et l'électrode de commande du transistor T2 est notée K2. Comme cela a été mentionné précédemment, chaque électrode de commande (K1, K2) est constituée d'une couche diélectrique isolante (C1, C2) recouverte d'une couche conductrice (M1, M2). La couche diélectrique isolante peut être soit une couche mince réalisée avec un diélectrique de nature identique à celle utilisée pour réaliser les grilles des circuits à protéger, soit une couche d'oxyde épaisse. Dans le premier cas, c'est-à-dire lorsque la couche diélectrique est une couche mince réalisée avec un diélectrique de nature identique à celle utilisée pour les grilles des transistors à protéger, des zones N+ sont implantées dans les zones semiconductrices N situées sous les électrodes de commande de façon à élever la valeur absolue des tensions de seuil des transistors T1 et T2. Comme cela sera précisé ultérieurement le dopage N+ est effectué de façon à obtenir, par exemple, des tensions de seuil de valeurs absolues identiques de l'ordre de 17 volts. De façon plus générale, l'invention conceme cependant d'autres modes de réalisation pour lesquels les valeurs des tensions de seuil obtenues sont différentes. Afin d'éviter tout claquage parasite entre les zones P+ et les zones N+, les dopages N+ ne sont pas réalisés dans la totalité- des zones N mais préférentiellement dans s la partie centrale des zones N. Dans le second cas, c'est-à-dire lorsque le diélectrique d'isolement est une couche d'oxyde épaisse, il peut être inutile d'implanter une zone N+ dans les zones situées sous les électrodes de commande. Seule la modification de l'épaisseur de la couche d'oxyde peut alors permettre d'ajuster la tension de seuil à la valeur désirée. Selon l'invention l'électrode principale E1 et l'électrode de commande K1 sont reliées ensemble au potentiel de référence Su du substrat 1, l'électrode principale E4 est reliée au potentiel de référence Su du substrat 1, et les électrodes principales E2 et E3 et l'électrode de commande K2 sont reliés ensemble au même plot Q. Le circuit de protection est monté en parallèle des circuits à protéger, lesquels sont donc situés entre le plot Q et le potentiel de référence Su du substrat 1. Les transistors T1 et T2 ont des tensions de seuil respectives VT1 et VT2 d'amplitudes négatives. Comme cela a été mentionné précédemment, les valeurs des tensions VTII et VT2 sont ajustées soit à l'aide du dopage N+ des zones N situées sous les couches diélectriques isolantes C1 et C2, soit par la variation d'épaisseur des couches diélectriques C1 et C2. A titre d'exemple, dans le cas du dopage N+. celui-ci est effectué de façon à obtenir des tensions de seuil de valeurs préférentiellement identiques, par exemple de l'ordre de 17 volts en valeur absolue. Lorsqu'une décharge d'amplitude V positive par rapport au potentiel de référence du substrat 1 est appliquée au plot Q, Les électrodes E1 et E2 se comportent respectivement comme le drain et la source du transistor T1 et les électrodes E3 et E4 respectivement comme la source et le drain du transistor T2. Il s'en suit que le transistor T2 est bloqué et que le transistor T1 se met à conduire lorsque la tension de la décharge électrostatique atteint une valeur égale à moins la valeur de VT1. De même lorsqu'une décharge d'amplitude V négative par rapport à la tension de référence du substrat 1 est appliquée au plot Q, les électrodes E1 et E2 se comportent respectivement comme la source et le drain du transistor T1 et les électrodes E3 et E4 respectivement comme le drain et la source du transistor T2. Il s'en suit que le transistor T1 est bloqué et que le transistor T2 se met à conduire lorsque la tension de la décharge électrostatique atteint la valeur de la tension de seuil VT2. La figure 2 représente une vue en coupe d'un circuit de protection selon un deuxième mode de réalisation de l'invention. Selon ce mode de réalisation, la zone P+ qui définit l'électrode principale E2 du transistor T1 est alors distincte de la zone P+ qui définit r'électrode principale E3 du transistor T2. Les transistors T1 et T2 sont alors réalisés dans deux caissons différents, respectivement notés 4 et 5 sur la figure 2. Selon l'invention ces caissons ne sont reliés à aucune polarisation extérieure et se trouvent donc à des potentiels flottants. Les électrodes E2 et E3 sont cependant toujours reliées entre elles et au même plot Q. La séparation des deux zones P+ est alors réalisée par une zone I d'isolation par oxyde épais. Une zone P+, référencée 3 sur la figure 2, est implantée dans le substrat P. sous la région I d'oxyde épais. Cette zone contribue à I'isolation des caissons 4 et 5 dans lesquels sont formés les transistors respectifs T1 et T12 en évitant en particulier la formation d'un canal parasite entre les caissons 4 et 5. Comme représenté en figure 2, des zones Pl sont implantées de façon générale sous toutes les zones d'isolation par oxyde épais que comporte le circuit Ces zones n'ont pas été représentées en figure I pour des raisons de commodité. Un avantage de l'invention est de permettre la protection des circuits par mise en conduction de transistors MOS et non pas par phénomène d'avalanche de diodes. L'efficacité de la protection s'en trouve ainsi grandement améliorée de même que la fiabilité du composant Un autre avantage de l'invention est de permettre la protection de circuits non seulement en présence de tensions de polarisation positives etlou négatives des circuits à protéger mais aussi en l'absence de toute polarisation extérieure. Selon les deux modes de réalisation de l'invention décrits ci- dessus les deux transistors MOS de protection T1 et T2 sont des transistors à canal P induit réalisés dans un caisson de type N au sein d'un substrat de type P. L'invention conceme cependant aussi des transistors MOS de protection à canal N induit réalisés dans un caisson de type P au sein d'un substrat de type N. REVENDICATIONS 1. Circuit de protection contre les décharges électrostatiques pouvant apparaître aux bornes d'un circuit, caractérisé en ce qu'il comprend un premier transistor (T1) réalisé dans un caisson dont le potentiel est flottant, ledit premier transistor (T1) permettant de limiter la valeur de la tension de décharge à une valeur égale à moins la valeur de sa tension de seuil (VT1) et un deuxième transistor (T2) réalisé dans un caisson dont le potentiel est flottant, ledit deuxième transistor (T2) permettant de limiter la valeur de la tension de décharge à une valeur égale à la valeur de sa tension de seuil (VT2). 2. Circuit de protection selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits premier (T1) et deuxième (T2) transistors sont des transistors MOS comportant chacun deux électrodes principales et une électrode de commande, ledit premier transistor (T1) ayant une première électrode principale (El) reliée à son électrode de commande (K1I) et à une première borne du circuit à protéger et une deuxième électrode principale (E2) reliée à une deuxième borne du circuit à protéger, et ledit deuxième transistor (T2) ayant une première électrode principale (E3) reliée à son électrode de commande (K2) et à ladite deuxième borne du circuit à protéger et une deuxième électrode principale (E4) reliée à ladite première borne du circuit à protéger. 3. Circuit de protection selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième transistor (T1, T2) sont réalisés dans un même caisson (2) formé dans un substrat (1). 4. Circuit de protection selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite première borne est électriquement reliée audit substrat (1). 5. Circuit de protection selon la revendication 3 ou 4, caractérisé en ce que ladite deuxième électrode principale (E2) dudit premier transistor (T1) est confondue avec ladite première électrode principale (E3) dudit deuxième transistor (T2). 6. Circuit de protection selon la revendication I ou 2, caractérisé en ce que ledit premier transistor (T1) est réalisé dans un premier caisson (4) et ledit deuxième transistor (T2) dans un deuxième caisson (5), lesdits premier et deuxième caisson étant formés dans un même substrat (1) et étant séparés par une zone (I) d'isolation par oxyde épais. 7. Circuit de protection selon la revendication 6 caractérisé en ce que ladite première borne est électriquement reliée audit même substrat(1). 8. Circuit de protection selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les couches diélectriques (C1, C2) des électrodes de commande (K1, K2) desdits premier et deuxième transistors sont réalisées avec un diélectrique de nature identique à celle utilisée pour réaliser les grilles des circuits à protéger. 9. Circuit de protection selon la revendication 8, caractérisé en ce que les zones centrales semiconductrices situées sous lesdites couches diélectriques (C1, C2) sont surdopées de façon à élever la valeur absolue de la tension de seuil desdits premier et deuxième transistors. 10. Circuit de protection selon l'une quelconque des revendications 2 à 7, caractérisé en ce que les couches diélectriques (C1, C2) des électrodes de commande (K1, K2) desdits premier et deuxième transistors sont réalisés par une couche d'oxyde épaisse. 11. Circuit de protection selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième transistors sont des transistors MOS de type P. 12. Circuit de protection selon l'une quelconque des revendications 2 à 10, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième transistors sont des transistors MOS de type N.