Brevet FR2728799A1 — publié le 19960705

L'invention concerne la protection des dispositifs implantables ac- tifs, notamment des stimulateurs ou défibrillateurs cardiaques. À cet égard, bien que dans la suite de la description on fasse princi- palement référence au cas d'un stimulateur, l'invention est applicable à tout type de "dispositif médical implantable actif' tel que défini par la directive 90/385/CEE du 20 juin 1990 du Conseil des communautés européennes. Une telle protection est notamment destinée à garantir un fonc- tionnement normal du dispositif implantable quelles que soient les con- ditions environnantes, notamment en présence d'interférences électro- magnétiques provenant de l'extérieur. En effet, du fait des diverses électrodes reliées au dispositif im- plantable, ce dernier peut capter toutes sortes de perturbations électro- magnétiques provenant de sources diverses telles que moteurs électri- ques, téléviseurs, plaques à induction, radiotéléphones, portiques de détection de systèmes d'accès ou de systèmes de protection antivol, etc. Il en est également de même pour un certain nombre d'appareils médi- caux utilisés au cours d'interventions telles que bistouris électriques, instruments de cautérisation à courant alternatif, défibrillateurs, etc. Ces perturbations peuvent être de natures très variées: surten- sions brèves ou prolongées, courants induits, signaux radioélectriques de caractéristiques spectrales très diverses (s'étendant typiquement de 1 kHz à plusieurs mégahertz), etc., ce qui rend difficile la réalisation d'une protection du stimulateur qui soit complète et efficace en toutes circonstances. Ces parasites extérieurs, souvent désignés sous le terme "EMI" (ElectroMagnetic Interference) et que l'on appellera ici "perturbations électromagnétiques", ou simplement "perturbations", ont pour premier effet de se superposer au signal cardiaque, en risquant de perturber le fonctionnement du stimulateur, qui doit donc les détecter et, si elles dépassent un seuil donné en dépit des protections ou circuits de sup- pression du stimulateur, ce dernier doit se placer en un mode "pertur- bation", o il fonctionnera de manière autonome tant que le niveau de la perturbation ne sera pas retombé au dessous d'un certain seuil. Un autre effet des perturbations captées par le stimulateur est le risque de destruction dû à des tensions ou courants excessifs introduits dans les circuits du stimulateur; il est donc absolument indispensable de limiter les tensions et les courants dans les sondes cardiaques en entrée de l'appareil. Des normes très strictes ont d'ailleurs été définies en ce sens, et l'on pourra se référer à la norme CENELEC EN 50061 "Sécurité des sti- mulateurs cardiaques implantables", qui définit les niveaux de protec- tion minimaux requis ainsi qu'un certain de nombre de procédures de test pour vérifier la conformité des stimulateurs à la norme. Jusqu'à présent, la protection à l'encontre des perturbations d'ori- gine externe est réalisée au moyen de diodes Zener, sous forme de composants discrets rapportés sur le microcircuit du stimulateur et montés en entrée, à l'endroit du raccordement des diverses sondes. Ces diodes Zener assurent un écrêtage des surtensions susceptibles d'appa- raître en entrée du stimulateur (écrêtage à la tension de Zener de la diode), le montage des diodes étant également conçu pour assurer une protection symétrique afin d'éviter en particulier tout effet de démodu- lation dans le cas de perturbations alternatives haute fréquence. Une telle protection connue par diodes Zener ajoutées en entrée du stimulateur présente cependant l'inconvénient d'augmenter l'encom- brement des circuits du stimulateur, du fait de la nécessité d'y rappor- ter des composants discrets supplémentaires, en nombre relativement élevé (chacune des bornes d'entrée/sortie du stimulateur nécessitant au moins deux diodes), ce qui va à l'encontre de la miniaturisation recher- chée, tout particulièrement dans les appareils complexes tels que stimulateurs double et triple chambre, stimulateurs reliés à un capteur d'asservissement, défibrillateurs, etc. En ce qui concerne leur efficacité, ces circuits de protection à diodes Zener assurent une protection satisfaisante à l'encontre des hautes tensions liées par exemple à des chocs de défibrillation. En revanche, des tensions perturbatrices de plus faible amplitude peuvent être captées ou démodulées en cas d'interférences électroma- gnétiques et peuvent causer des problèmes avec les circuits basse ten- sion du stimulateur. Les circuits classiques à diodes Zener sont ineffi- caces contre de telles perturbations. Ce risque est tout particulièrement aggravé dans le cas o les cir- cuits du stimulateur comportent des composants actifs intégrés fonc- tionnant avec des tensions nominales de commande (tension de grille de MOS, notamment) relativement basses. Ce risque est d'ailleurs tel que jusqu'à présent ces composants à faible tension de commande n'ont pas été utilisés dans des dispositifs implantables, ce qui conduit à se priver des avantages des technologies de semiconducteurs les plus récentes, notamment leur très haute densité d'intégration et leur faible consommation - caractéristiques pourtant particulièrement recher- chées pour des dispositifs implantables autonomes. L'un des buts de la présente invention est de proposer un dispositif implantable actif, notamment un stimulateur ou défibrillateur cardia- que, comportant des circuits de protection procurant une immunité à l'encontre de perturbations électromagnétiques présentant une très grande variété de caractéristiques électriques et spectrales, assurant ainsi en toutes circonstances un respect des normes de protection les plus sévères. Un autre but de l'invention est de permettre la réalisation d'un tel dispositif selon une technologie mettant en oeuvre des tensions nomina- les de commande faibles, tout en procurant une protection conforme aux normes en vigueur. Un autre but de l'invention est de contribuer à la miniaturisation du dispositif, en réduisant à un minimum le nombre de composants discrets rapportés des circuits de protection. Un autre but de l'invention est de proposer des circuits de protec- tion qui puissent être utilisables et adaptables à des technologies d'intégration diverses (par exemple technologie partiellement bipolaire et partiellement CMOS, ou technologie BiCMOS monolithique). À cet effet, selon l'invention, au moins tous les composants actifs des moyens de protection à l'encontre des perturbations électromagné- tiques d'origine externe sont des composants intégrés de façon monoli- thique avec le microcircuit comportant les étages d'entrée des signaux et de commutation des électrodes. Pour ce faire, selon un premier aspect particulier de l'invention, les étages de commutation comportent des commutateurs statiques à ten- sion de commande notablement supérieure à la tension de la pile d'ali- mentation du dispositif, le dispositif délivre des signaux logiques de commande à tension inférieure à la tension de commande, et les moyens de protection comprennent des moyens translateurs de tension pour élever, en valeur absolue, le niveau des signaux logiques de com- mande à une valeur compatible avec les tensions de commande des commutateurs statiques et supérieure ou égale au niveau nominal des tensions parasites résultant des perturbations électromagnétiques sus- ceptibles d'apparaître sur les bornes des commutateurs statiques. Lorsque les signaux logiques de commande sont des signaux de niveau inférieur au niveau nominal des tensions parasites, les moyens trans- lateurs de tension délivrent des tensions de commande sensiblement supérieures ou égales au niveau nominal des tensions parasites et symétriques, propres à essentiellement éviter les phénomènes de démodulation de signal dans le cas de perturbations alternatives haute fréquence. Très avantageusement, les niveaux des tensions de commande délivrées par les moyens translateurs sont produits par un circuit d'ali- mentation élévateur de tension intégré monolithique, ce circuit com- portant de préférence au moins un circuit du type pompe à charge et/ou un circuit du type doubleur de tension et/ou un circuit du type échantil- lonné à rétablissement de niveau. Les substrats des commutateurs statiques peuvent être polarisés à un potentiel correspondant au niveau de la tension de commande de même signe délivrée par ce circuit d'alimentation élévateur de tension. En variante, ces substrats peuvent aussi être court-circuités à leur source. Selon un autre aspect de l'invention, les moyens de protection com- portent en outre des moyens de suralimentation comportant un compo- sant relié, d'une part, à une borne d'entrée de signal et, d'autre part à une ligne d'alimentation délivrant un potentiel correspondant au ni- veau des tensions de commande produites par les moyens translateurs, ce composant étant susceptible d'entrer en conduction lorsque la ten- sion sur la borne d'entrée correspondante dépasse, en valeur absolue, la tension sur ladite ligne d'alimentation, de manière à maintenir sur cette dernière une tension qui soit toujours, en valeur absolue, la plus élevée du circuit même en cas de perturbations de fort niveau. Selon un autre aspect de l'invention, les moyens de protection comportent un circuit écrêteur intégré monolithique relié, d'une part, à une borne d'entrée de signal et, d'autre part, à un potentiel de masse du dispositif Ce circuit écrêteur peut notamment comporter un circuit tête-bêche amplificateur de courant à conduction déclenchée par la tension. Dans une forme avantageuse de réalisation de l'invention, les moyens de protection comportent des circuits écrêteurs comprenant chacun, sous forme intégrée et monolithique, un dipôle à structure sy- métrique tête-bêche dont chacune des moitiés comporte un premier et un second transistor bipolaire montés en série, l'émetteur du premier transistor étant relié à l'un des pôles du circuit écrêteur, le collecteur de ce premier transistor étant relié à l'émetteur du second transistor et le collecteur du second transistor étant relié à l'autre pôle du circuit écrêteur, une résistance étant montée entre la base et l'émetteur du premier transistor et deux diodes Zener étant montées en opposition entre la base du premier transistor et le collecteur du second transis- tor. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée ci-dessous d'un exemple de réali- sation, faite en référence aux dessins annexées. La figure 1 est un schéma synoptique de l'un des microcircuits d'un stimulateur cardiaque, microcircuit qui comprend les circuits de com- mutation des électrodes, de protection et d'alimentation. La figure 2 est un diagramme montrant les différentes tensions produites dans le circuit de la figure 1, et notamment les niveaux entre lesquels varient ces tensions. La figure 3 est un schéma détaillé montrant la structure du circuit d'alimentation de la figure 1. La figure 4 est un schéma agrandi d'une partie du circuit de la fi- gure 1, montrant les organes de polarisation dynamique et de protec- tion contre les surtensions. La figure 5 est un schéma détaillé de la structure interne des orga- nes de protection contre les surtensions des circuits des figures 1 et 4. 0 La configuration que l'on va décrire correspond à celle d'un stimu- lateur double chambre, mais cet exemple n'est bien entendu aucune- ment limitatif, l'invention pouvant s'appliquer aussi bien à des stimu- lateurs simple ou triple chambre, à des stimulateurs asservis ou non (donc comprenant une ou plusieurs électrodes supplémentaires de mesure d'un paramètre physiologique), à la partie de détection/stimu- lation d'un défibrillateur, ou même à des dispositifs implantables actifs autres que cardiaques. Sur la figure 1, la référence 10 désigne un coeur sur lequel ont été branchées diverses électrodes dont la configuration correspond à celle d'un stimulateur double chambre, à savoir des électrodes auriculaires distale 12 et proximale 14 et des électrodes ventriculaires distale 12' et proximale 14' (à cet égard, on notera que, dans l'exemple décrit, les cir- cuits et éléments relatifs à la détection ou à la stimulation ventricu- laire sont désignés par la même référence numérique, avec addition d'un "prime", que les circuits et éléments homologues semblables pour la stimulation ou la détection auriculaire). Les différentes électrodes cardiaques sont reliées à un premier microcircuit 16 du stimulateur. Le boîtier du stimulateur est périodi- quement relié à la masse du circuit, correspondant à la borne 18, no- tamment dans le cas d'une détection ou d'une stimulation unipolaires. Les électrodes cardiaques et le boîtier ayant plusieurs états électri- ques (détection ou bien stimulation, mode monopolaire ou bien bipo- laire), ceci implique la réalisation de commutations périodiques, com- mandées selon un séquencement particulier. Plus précisément, l'électrode auriculaire 12 est reliée à une borne via un condensateur de stimulation 22, la borne 20 pouvant être commutée par un commutateur 24 à un condensateur extérieur 26 dont l'autre borne est reliée au potentiel zéro (désigné VDD sur le schéma, et correspondant à la borne positive de la pile), ou bien directement à VDD par un autre commutateur 28. Les électrodes auriculaires 12 et 14 sont également reliées à des bornes 30 et 32 destinées à permettre une détection bipolaire (par mesure de la tension différentielle) de l'activité cardiaque, ces bornes étant découplées par des condensateurs extérieurs respectifs 34 et 36 assurant le filtrage des perturbations haute fréquence (supérieures à 1 MHz). Des commutateurs 38 et 40 mettent hors circuit (pendant la sti- mulation) ou en circuit (hors stimulation) une résistance d'entrée 42 pour l'évacuation de charges résiduelles subsistant après stimulation à l'interface coeur-électrode. Le commutateur 44 est passant en cas de détection bipolaire, et bloquant en cas de détection monopolaire, et le commutateur 46 a un fonctionnement inverse. Le signal détecté est ensuite dirigé via des lignes 48 vers des amplificateurs différentiels de détection (non représentés). Le microcircuit 16 comporte également un commutateur 50 pour la mise en circuit de la masse auriculaire (cas d'une stimulation); en l'ab- sence de commutation, l'électrode correspondante (borne 32) est reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance 52 d'une dizaine de még- ohms permettant de maintenir sur cette borne 32 un potentiel statique nul. Le circuit de stimulation ventriculaire est le même que celui que l'on vient de décrire, les éléments 20' à 52' étant identiques aux élé- ments 20 à 52 que l'on vient de détailler. Le circuit comporte enfin un commutateur 54 destiné à la mise en circuit sélective de la masse du boîtier (borne 18). Ces divers commutateurs permettent d'assurer toutes les configu- rations de stimulation et de détection, aussi bien en mode bipolaire que monopolaire. Ce sont des commutateurs statiques à transistors tels que des MOS ou structures équivalentes. Dans le cas d'un stimulateur asservi, ils peuvent être éventuelle- ment complétés par un ou plusieurs commutateurs supplémentaires, par exemple, dans le cas d'un stimulateur asservi à l'activité respira- toire, pour assurer la décharge du condensateur d'injection. D'autres commutations peuvent être également prévues, par exem- ple dans le cas d'un défibrillateur implantable. Le rôle et le mode opératoire de ces différentes commutations sont en eux-mêmes bien connus, et ne seront pour cette raison pas décrits plus en détail. Le microcircuit 16 de la figure 1, qui est un microcircuit dont tous les composants sont intégrés de manière monolithique, est associé à un second microcircuit (non représenté), également intégré de manière monolithique et comportant un circuit de commande logique, par exem- ple un circuit à microprocesseur ou une logique équivalente appropriée, en eux-mêmes bien connus. Ce circuit de commande logique délivre notamment des signaux logiques 56 de commande des commutateurs et des signaux d'horloge 68 utilisés par le microcircuit 16. De facon caractéristique de l'invention, on commande les différents commutateurs à partir de signaux logiques non symétriques et de faible niveau (c'est-à-dire de niveau non supérieur à au niveau de tension de la pile), mais en produisant une tension de grille présentant un écart entre les tensions correspondant à l'état passant ou "ON" et l'état bloquant ou "OFF", écart ci-après désigné "excursion de tension", qui (1 ) est très supérieur, en valeur absolue, aux valeurs des signaux logiques et qui (2 ) est essentiellement symétrique par rapport au po- tentiel zéro, c'est-à-dire le potentiel de repos de toutes les entrées et sorties du stimulateur (potentiel VDD = 0 V). Les interférences éventuelles se superposant à ce potentiel de repos, une large excursion de tension permet de s'affranchir des risques de commutations intempestives, et la plage de tension symétrique par rapport au potentiel de repos évite tout risque lié à une démodulation de signal dans le cas d'une perturbation alternative haute fréquence. Dans l'exemple illustré, les commutateurs sont des transistors MOS de type N dont la grille est commandée par une tension présen- tant l'excursion de tension particulière indiquée ci-dessus et dont le substrat est relié à une tension d'alimentation fortement négative. Pour pouvoir commander les grilles dans cette dynamique, les com- mutateurs sont associés à des trsnslateurs de tension respectifs 58 in- terposés entre les signaux de commande non symétriques et de faible niveau appliqués en 56 et les grilles des commutateurs correspondants. Ces translateurs de tension, dont on expliquera plus bas le rôle, re- çoivent diverses tensions d'alimentation VDD, VSS, VCC, VSUB et VEE produites par un bloc 60, dont la structure est représentée en détail figure 3. Ce bloc 60, constitué d'éléments entièrement intégrés sous forme monolithique (comme tous les autres éléments du microcircuit 16), est relié à la borne négative d'une pile 62 dont l'autre borne constitue le potentiel zéro de référence (VDD), les composants externes de l'alimen- tation étant un condensateur 64 et des condensateurs de découplage 65 et 67, dont les rôles seront expliqués plus loin. Les divers potentiels utilisés par le stimulateur de l'invention, et notamment les circuits que l'on vient de décrire, sont les suivants (on pourra notamment se reporter à la figure 2, o l'on a représenté sur un diagramme ces différents potentiels de manière à montrer leur impor- tance relative et leur caractère symétrique ou non): VDD: borne positive de la pile 62, correspond au potentiel zéro de référence. VPILE: borne négative de la pile, typiquement - 2,8 V (en début de vie de la pile) à - 2,1 V (en fin de vie de la pile). VsS Àtension régulée négative -1,5 V + 50 mV, utilisée spécifique- ment pour les signaux logiques. VEE: tension négative, typiquement comprise entre - 5,5 V (début de vie) et - 4,1 V (fin de vie), produite par le bloc 60 à partir de VDD et VPILE (avec un condensateur de découplage 65). VCC: tension positive, typiquement + 5,3 V (début de vie) à + 3,9 V (fin de vie), produite par le bloc 60 à partir de VDD et VEE; on notera que cette tension VCC présente une valeur approximati- vement symétrique de la tension négative VEE également pro- duite par le bloc 60. VSUB: alimentation négative destinée à la polarisation des substrats; cette tension est une tension dérivée de VEE (avec un conden- sateur de découplage 67) avec interposition d'une résistance série de limitation (composant 66 sur la figure 1), typiquement une résistance intégrée de 300 kQ; VSUB est donc comprise entre - 5,5 V et - 4,1 V. Plus précisément, la résistance 66 a pour objet, d'une part, de limiter le courant dans les sondes en cas de premier défaut et, d'autre part, de protéger VEE en pré- sence d'un courant de substrat induit par une perturbation ex- térieure (par exemple le faible courant qui peut apparaître lors d'un écrêtage). Les tensions sensiblement symétriques Vcc et VEE/VSUB sont produites de la manière suivante par le bloc 60 illustré figure 3. Le bloc 60, qui reçoit des signaux d'horloge de commande 68 provenant du circuit logique du stimulateur, comporte essentiellement deux sous-ensembles, à savoir un sous-ensemble 70 produisant la ten- sion négative VEE (et donc VSUB qui en est directement dérivée) à partir de VPILE, et un sous-ensemble 72 produisant la tension positive Vcc à partir de la tension VEE produite par le sous-ensemble 70. Le sous-ensemble 70 est essentiellement constitué par un circuit doubleur de tension 74, de structure en elle-même connue et représen- tée sur la figure 3 (et que l'on n'explicitera pas plus pour cette raison). Ce circuit doubleur est formé d'une pluralité de translateurs séquences de manière appropriée par les signaux logiques 68, de commutateurs associés et du condensateur externe 64. Il permet de transformer la tension de pile VPILE comprise entre - 2,8 V et - 2,1 V en une tension VEE (et donc une tension VSUB) comprise entre - 5,5 V et - 4,1 V. La tension obtenue est délivrée via une diode 78 à faible tension de seuil, polarisée par un courant qui lui est appliquée depuis une source exté- rieure (non représentée) afin de limiter au maximum toute chute de tension au niveau de ce composant. Le sous-ensemble 72, quant à lui, produit à partir de VEE une ten- sion positive Vcc comprise entre + 5,3 V et + 3,9 V, par exemple au moyen d'un circuit du type "pompe à charge" comprenant une pluralité de commutateurs séquences par les signaux d'horloge 68 et des conden- sateurs intégrés associés 80, selon un schéma en lui-même connu et qui ne sera pas explicité plus en détail pour cette raison. Un tel circuit du type pompe à charge est avantageux parce que, en là technologie BiCMOS ou bipolaire à caissons isolés du substrat, il peut être réalisé entièrement intégré; d'autres variantes de réalisation sont cependant possibles, par exemple, dans le cas d'une technologie CMOS simple, des circuits échantillonnés du type à rétablissement de niveau (clamping); dans cette dernière hypothèse, il sera nécessaire de pré- voir autant de circuits que de commutateurs et de prévoir également un signal de rafraîchissement pour les commutateurs dont l'état passant doit être maintenu pendant la durée d'un cycle. Grâce à la production de ces diverses tensions, il est possible, en appliquant des signaux logiques 56 (figure 1) compris entre VDD et VSS (0 V et -1,5 V), de produire sur les grilles des commutateurs des tensions de commande dont l'excursion est comprise entre VEE et Vcc, c'est-à-dire, typiquement, entre - 5,5 V et + 5,3 V (en début de vie de la pile; entre - 4,1 V à 3,9 V en fin de vie de la pile), donc avec des ten- sions à la fois très supérieures - environ triplées en valeur absolue - et symétriques, assurant donc, et à double titre, une bien meilleure im- munité aux perturbations extérieures susceptibles d'affecter la com- mande des commutateurs. Les translateurs de tension 58, qui sont reliés aux divers potentiels VCC, VDD, VSS, VEE et VSUB sont des circuits en eux-mêmes connus, interposés sur chaque ligne de transmission du signal logique de com- mande et assurant l'amplification et la symétrisation de la tension de commande VDD/VSS à VCC/VSUB, donc l'amplification et la symétrisa- tion de la dynamique de commande des commutateurs. Ces transla- teurs de tension peuvent être réalisés sous forme monolithique entière- ment intégrée au microcircuit 16, donc avec possibilité d'une grande densité d'intégration et donc d'une miniaturisation extrême. Grâce à cette configuration de circuit, on est assuré que la com- mande des divers commutateurs du circuit 16 sera à l'abri des pertur- bations électromagnétiques qui, autrement, auraient pu conduire dans certaines conditions à des commutations erronées et imprévisibles. De plus, pour maintenir à tout instant, et en dépit de toutes les perturbations qui pourraient survenir, une tension VSUB qui soit tou- jours la tension la plus négative du circuit, on prévoit de doter le circuit d'une "alimentation dynamique" évitant que des perturbations forte- ment négatives ne viennent perturber les écarts relatifs entre les divers niveaux de tension produits par les translateurs de tension et appliqués aux divers commutateurs, avec des retentissements sur le fonctionnement d'ensemble du circuit. * A cet effet, chacune des bornes 20, 20', 32, 32' et 18 est reliée, d'une part, à la cathode d'une diode 94 dont l'anode est reliée à VSUB (les diodes 94 sont également visibles sur la vue partielle agrandie de la figure 4). En ce qui concerne la polarisation des masses auriculaire et ventriculaire, les résistances 52 et 52', qui relient les bornes 32 et 32' au boîtier (borne 18), permettent de s'affranchir de tout courant de fuite éventuel. Ainsi, lorsque l'une quelconque des bornes 20, 20', 32, 32' et 18 est portée, du fait d'un parasite, à un potentiel plus négatif que VSUB, les diodes entrent en conduction et permettent la suralimentation de l'en- semble des points reliés à VSUB en évitant ainsi tout risque de comnmu- tation intempestive du fait de cette perturbation. En ce qui concerne la protection contre les surtensions de forte valeur, la protection est habituellement réalisée, dans les stimulateurs connus, au moyen de diodes Zener montées en opposition entre chaque borne d'entrée et la masse. Ces diodes assurent un écrêtrage symétri- que des tensions supérieures à la tension de Zener, typiquement des tensions supérieures en valeur absolue à + 7 V (zones hachurées de la figure 2). L'invention propose de remplacer ces composants, qui étaient jus- qu'à présent des composants discrets rapportés sur le circuit, par des circuits de protection entièrement intégrés et monolithiques. Ces cir- cuits selon l'invention sont des dipôles montés de la même façon que les diodes Zener en opposition de l'art antérieur, et susceptibles de con- duire des niveaux de courant comparables à ces dernières (plusieurs centaines de milliampères), malgré leur structure entièrement intégrée et leur encombrement bien moindre. Ces circuits d'écrêtage 98 sont en nombre égal à celui des bornes , 20', 30, 30', 32, 32' et sont montés chacun entre la borne respective et la masse du boîtier, correspondant à la borne 18. Pour permettre leur intégration, ces circuits 98 ont chacun la structure illustrée figure 5, qui est une structure symétrique tête-bêche dont chacune des moitiés comporte deux transistors bipolaires 100, 102 montés en série, l'émetteur du transistor 100 étant relié à l'un des pôles 104 du circuit 98, le collecteur de ce transistor 100 étant relié à l'émetteur du transistor 102 et le collecteur du transistor 102 étant relié à l'autre pôle 104 du circuit 98. Entre la base et l'émetteur du transistor 100 est montée une résistance 106 et entre la base du tran- sistor 100 et le collecteur du transistor 102 sont montées en opposition deux (ou plus) diodes Zener intégrées 108, 110 permettant de définir la tension d'écrêtage. Le dipôle ainsi constitué entre en conduction lors- que la différence de potentiel à ses bornes dépasse, en valeur absolue, 7 V. Il fonctionne alors en amplificateur de courant à conduction déclenchée par la tension, peut conduire entre ses bornes des courants jusqu'à 300 mA et peut absorber des pics de 3 A pendant 10 ms. Il est donc apte à supporter sans risque de destruction des perturbations même de très forte énergie. REVENDICATIONS 1. Un dispositif implantable actif, notamment un stimulateur ou défibrillateur cardiaque, comportant des moyens de protection à l'en- contre des perturbations électromagnétiques d'origine externe, caractérisé en ce qu'au moins tous les composants actifs desdits moyens de protection sont des composants intégrés de façon monolithi- que avec le microcircuit (16) comportant les étages d'entrée des signaux et de commutation des électrodes. 2. Le dispositif implantable actif de la revendication 1, dans lequel les étages de commutation comportent des commutateurs statiques (24, 24', 28, 28', 38, 38', 40, 40', 44, 44', 46, 46', 50, 50', 52) à tension de com- mande (VSUB, VCC) notablement supérieure à la tension (VpILE) de la pile d'alimentation du dispositif, le dispositif délivre des signaux logi- ques de commande à tension (VDD, VSS) inférieure à la tension de com- mande, et les moyens de protection comprennent des moyens transla- teurs de tension (58) pour élever, en valeur absolue, le niveau des si- gnaux logiques de commande à une valeur compatible avec les tensions de commande des commutateurs statiques et supérieure ou égale au niveau nominal des tensions parasites résultant des perturbations électromagnétiques susceptibles d'apparaître sur les bornes des com- mutateurs statiques. 3. Le dispositif implantable actif de la revendication 2, dans lequel les signaux logiques de commande étant des signaux de niveau inféri- eur au niveau nominal des tensions parasites, les moyens translateurs de tension délivrent des tensions de commande sensiblement supérieu- res ou égales au niveau nominal des tensions parasites et symétriques, propres à essentiellement éviter les phénomènes de démodulation de signal dans le cas de perturbations alternatives haute fréquence. 4. Le dispositif implantable actif de la revendication 2, dans lequel les niveaux des tensions de commande délivrées par les moyens trans- lateurs sont produits par un circuit d'alimentation (60) élévateur de tension intégré monolithique. 5. Le dispositif implantable actif de la revendication 4, dans lequel le circuit d'alimentation élévateur de tension comporte au moins un cir- cuit du type pompe à charge (72) et/ou un circuit du type doubleur de tension (70) et/ou un circuit du type échantillonné à rétablissement de niveau. 6. Le dispositif implantable actif de la revendication 4, dans lequel les substrats des commutateurs statiques sont polarisés à un potentiel correspondant au niveau de la tension de commande de même signe délivrée par le circuit d'alimentation (60) élévateur de tension. 7. Le dispositif implantable actif de la revendication 4, dans lequel les substrats des commutateurs statiques sont court-circuités à leur source. 8. Le dispositif implantable actif de la revendication 1, dans lequel les moyens de protection comportent en outre des moyens de surali- mentation (94) comportant un composant relié, d'une part, à une borne d'entrée de signal et, d'autre part à une ligne d'alimentation délivrant un potentiel correspondant au niveau des tensions de commande pro- duites par les moyens translateurs, ce composant étant susceptible d'entrer en conduction lorsque la tension sur la borne d'entrée corres- pondante dépasse, en valeur absolue, la tension sur ladite ligne d'ali- mentation, de manière à maintenir sur cette dernière une tension qui soit toujours, en valeur absolue, la plus élevée du circuit même en cas de perturbations de fort niveau. 9. Le dispositif implantable actif de la revendication 1, dans lequel les moyens de protection comportent un circuit écrêteur (98) intégré monolithique relié, d'une part, à une borne d'entrée de signal et, d'au- tre part, à un potentiel de masse du dispositif. 10. Le dispositif implantable actif de la revendication 9, dans lequel le circuit écrêteur comporte un circuit (100, 102, 106, 108, 110) tête- bêche amplificateur de courant à conduction déclenchée par la tension. 11. Le dispositif implantable actif de la revendication 1, dans lequel les moyens de protection comportent des circuits écrêteurs (98) comprenant chacun, sous forme intégrée et monolithique, un dipôle à structure symétrique tête-bêche dont chacune des moitiés comporte un premier (100) et un second (102) transistor bipolaire montés en série, l'émetteur du premier transistor étant relié à l'un des pôles (104) du circuit écrêteur, le collecteur de ce premier transistor étant relié à l'émetteur du second transistor et le collecteur du second transistor étant relié à l'autre pôle (104) du circuit écrêteur, une résistance (106) étant montée entre la base et l'émetteur du premier transistor, et au moins deux diodes Zener (108, 110) étant montées en opposition entre la base du premier transistor et le collecteur du second transistor.