Brevet FR2722917A1 — publié le 19960126

Procédé intégré de struc:ra:i on pour des piles solaires à couches minces sel-n une structure à empilage Pour ameéliorer le rendement lumineux de piles solaires à couches minces, on dépose plusieurs piles solaires à couches minces en superposition suivan_ des empilages. Au moyen d'un dopage différent pour Infl 'ue.cer l'intervalle d'énergie entre bandes, on peut fabriquer Dlusieurs piles solaires qui réalisent une absorption dans des plages différentes du10 spectre. De ce ait il est possible de mieux utiliser le spectre solaire naturel pour la production d'un courant photovoltalque. Cependant, les piles solaires à empilage, dans lesquelles on empile en sunerposition des piles solaires à couches minces de même tvpie, présentent des avantages par rapport à des miles solaires simples. Pour des épaisseurs totales de couces comparables et par conséquent pour une absorption de lumière également comparable, on obtient, avec la pile à empilage, un rendement global amélioré et notamment20 le comportement au vieiissemen est amélioré de façon importante (effet Staeb!er-Wrsnski!. Des piles solaires à emniage sont branchées optiquement en série, la transmission correspondante de la lumière étant garantie par l'utilisaticn de matériaux transparents. Du25 point de vue électrique, on peut les isoler les unes par racpport aux autres e eétablir des contacts avec chacune d'elles ou bien les brancher en série. L'adaptation de courant, qui est nécessaire dans l'empilage pour le câblage électrique en série, ne peut cependant être réalisée que difficilement notamment dans le cas de modules solaires de grande surface. C'est pourquci dans la demande de brevet allemand DE-A-42 03 123, il est proposé de disposer les piles solaires individuelles possédant des polarités opposées en superposition et de les brancher électriquement en parallèle. Grâce à une structuration appropriee, on parvient également à fabriquer d'une manière intgre un module solaire complet, les différents empilages éeanr montés entre eux en série. Lors de la structuration d'un tel module solaire à piles Io à empilage, il se pose cependant un problème, car les différentes couches peuven: être structurées de façon spécifique les unes par rapport aux autres, ce qui requiert des procédés spécifiques d'enlèvement de matière. Dans le cas de procédés de structura:ion par laser, la profondeur de15 pénétration ne peut être que difficilement contrôlée. En outre, sous l'action du laser, il peut apparaître, dans les semiconducteurs, des variations de structure, qui conduisent à des voies indésirables de conduction du courant dans la pile solaire et peuvent court-circuiter cette dernière. C'est pourquoi la présente invention a pour but d'indiquer un procédé perfectionné de structuration de telles piles solaires à empilage, qui puisse être mis en oeuvre de façon simple et sûre e: evite les inconvénients mentionnés précédemment.25 Ce problème est résolu conformément à l'invention à aide d'un procédé pour fabriquer un module solaire comportant des empilages câbLés de façon intégrée de piles solaires à couches minces et au total trois plans électrodes TCC sur un substrat transparent, selon lequel un plan comportant des oiles solaires pin ou nip structurées sous la forme de bandes est dispose entre respectivement deux plans d'éliectrodes, et selon lecuei des piles solaires superposées dans l'empilage sont branchées en parallèle et les empilages sont branchés entre eux en série, caractérisé par le fait35 que: - on forme toujours un plan au moyen d'un dépôt d'une couche sur toute La surface e: ensuite on effectue une structuration le long de lignes (Pi à P5) prédéterminées de structuration, qui sont parallèles entre elles, - la structuration des clans des piles solaires et des deux plans supérieurs d'élecrodes s'effectue par laser à partir de la face arr-ière, à travers le substrat, le semiconducteur étant arraché avec la formation de lignes de coupe (si à s5) en forme de sillons, par absorption des rayons laser, dans un -Lan de piles solaires, - on décale les lignes de structuration les unes à côté des autres de manière à oblenir a séquence P1-P2-P3-P4-P5. Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, on réalise la ligne de coupe S2), qui s'étend le long de la seconde ligne de structuration, de manière qu'elle soit plus large que celles qui s'éeendent le long des autres lignes de structuration, de sorte ou'eile chevauche la ligne de coupe 'S5) suivant P5. Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, la seconde ligne de structuration (P2) chevauche les lignes de coupe (S4,S5) qui corresocndent aux quatrième et cinquième lignes de structuration (P4,P5). Selon une autre forme ce mise en oeuvre de l'invention, les lignes de coupe respectivement voisines conformément à P1 et P2 ou P3 et P4 sont disposees de telle sorte qu'elles ne se chevauchent pas réciproquement. Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, on utilise un laser, qui produit un faisceau ayant une distribution d'intensitée radiale.30 Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, on utilise un laser, dont _a icngueur d'onde est située dans une bande d'absorption intense de la pile solaire ou de son matériau semiconducteur. Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, on structure des piles solaires formées de silicium amorphe a-Si:H ou d'alliages contenant du silicium amorphe, avec un laser solide. Selon une autre forme de mise en oeuvre de l'invention, on utilise un laser oulsé Nd:YAG ou Nd:YLF possédant des impulsions d'une longueur comprise entre 50 ps et 20 ns. A l'aide du procédé selon l'invention, il est possible de produire une scructuracion nette ou des lignes de coupe en orme de sillons possédant des bords nets. A cet effet, il n'est pas nécessaire de déposer un matériau par évaporation;10 au contraire, la couche semiconductrice, dans laquelle le laser est absorbé, est arrachee par la couche sous-jacente non absorbante. L'énergie mécanique, qui est libérée lors du déeachement, suffit pour soulever également simultanément plusieurs zones de couches sous- jacentes. Un seul spot laser applique pendant par exemple une durée de 50 ps suffit pour arracher complètement le matériau semiconducteur au foyer du faisceau laser. Comme l'énergie nécessaire à la structuration du module solaire est indépendante de la profondeur de la ligne de coupe devant être oroduite, le procédé peut être mis20 en oeuvre rapidement et d'une manière relativement économique du point de vue énergétique. Les bords de coupe ne possèdent pratiquement pas de variations de phase, qui pourraient représenter des voies de courant indésirables et par conséquent des courts-circuits.25 Le procédé selon 'invention indique en outre de quelle manière on peut réaliser de façon sûre les lignes de structuration du module solalre avec une utilisation minimale de la surface semiconduccrice active. Ceci garantit une puissance maximale et par conséquent un rendement maximum30 cour le module solaire. La production de couches dans les cinq plans du module solaire s'effectue respectivement sur toute la surface, selon des procédés connus. Apres le dépôt de la couche d'un plan intervient une étape de structuration, lors de laquelle on35 forme des lignes de coupe parallèles entre elles dans la couche. Pour le procédé, un substrat transparent est nécessaire. Le premier plan est une couche d'électrodes TCO, que l'on structure au moyen d'une expcsicion laser classique directe, ou mecaniquement ou bien au moyen d'un procédé lift-off, c'est-à-dire de décollement. Le second plan est une couche semiconductrice comportant une structure de diodes Din pour la formation des piles solaires. Pour le dépôt de cete couche, on utilise des10 procédés de dépôt de couches minces assistés par un plasma, connus en sol. 'a s.ruccuraccn du second plan est effectuée par exposition à travers le substrat et à travers la couche d'électrodes -CO du premier nian. Le détachement s'effectue par échauffement local du semiconducteur dans le spot laser15 au niveau de l'interface entre la couche d'électrodes TCO et a couche semiconductrice. Le troisièeme plan esc a nouveau une couche d'électrodes TCO. Sa structuration s'effectue par détachement conjointement avec ia couc-e semiconductrice sous-jacente, à20 partir de la face arrière à 'aide d'un rayonnement laser. Le quatrième plan esc à nouveau un plan de pile solaire, le semiconducteur étant produit sous la forme d'une structure de diode nip. De ce fait, les ciles solaires des deux plans de piles solaires sont ranchées en parallèle. La25 structuration du quasrieème décacher le quasrième oplan au moyen d'un détachement commun conjointement avec e second plan sous-jacent, par introduction du rayonnement oans la couche semiconductrice du35 second plan. Comme cinquième plan, on deépose à nouveau une couche d'électrodes TCO. Sa structuration s'effectue par détachement conjointement avec le qua: _'ëme plan ou d'une manière analogue à la structuration du quatrième plan, par 5 détachement coniointemen: avec le second plan. On obtient ies ossibiltés de variations en ce qui concerne la "profondeur de ligne de coupe" à l'aide d'une disposition appropriée des lignes de structuration ou à l'aide de lignes de coupe posictionnees de façon adéquate. Une10 structuration du cinquième lan (troisième plan d'électrodes) peut être ensuite effectuée par exemple par détachement conjointement avec e quatriAme plan (second plan de pile solaire), lorsque sa ligne de couce est située dans la zone de la seconde ligne de cu-e pour le second plan (premier15 plan de pile solaire). Come la cinquième ligne de structuration est décalée latéralement par rapport à la deuxième ligne de structuracion, il faut par conséquent donner à la deuxième ligne de coupe une largeur plus grande que celle de la cnqui, e -_gne de coupe. De ce fait, la20 couche semiconductrice du second plan (premier plan de piles solaires) est déjà élimine dans la zone de la cinquième úgne de coupe, lors de cette étape préalable de structuration. Une autre cossibili_:é consiste à réaliser la ligne de coupe pour ia scructu-ra-on ou second plan de manière qu'elle solt suffisarment arge pour que les lignes de coupe correspondant aux quatrieme et cinquième lignes de structuration soient en c- evauchement avec cette ligne de coupe. Dans ce cas, la structuration aussi bien du quatrième30 plan que du cinquième lan s'effectue exclusivement par deétachement de la couche semiconductrice du quatrième plan ou par détachement de la couche semiconductrice du quatrième plan ainsi que de la couche d'électrode surjacente du cinquième plan, dans la zone de l'exploitation au rayonnement35 laser. Dans tous les cas, faut veiller à ce que les lignes de coupe pour la structuration des premier et deuxième plans ou des troisième et quatrième plans soient disposées de telle sorte qu'elles ne présentent aucune zone de chevauchement. 5 C'est seulement ainsi aue L'on peut garantir qu'il n'existe, entre différents plans d'é-!ecrodes, aucun pont conducteur indésirable pouvant conduire au court-circuit électrique de piles solaires individuelles. Les autres lignes de ccupe peuvent être disposées de manière qu'il apparaisse de faibles chevauchements. Cependant, iL est également possible de disposer toutes les lignes de coupe de manière qu'il n'existe aucun chevauchement mutuel. Le choix du laser pour le procédé selon l'invention s'effectue de manière que sa longueur d'onde soit située dans une gamme de forte absorption de la pile solaire ou du matériau semiconducteur de la pile solaire. A cet effet, pour du silicium amorphe, il faut utiliser un laser bleu ou vert, par exemple un laser Nd:YAG ou un laser Nd:YLF à fréquence20 doublée. Pour ce laser, on peut utiliser un système optique en verre, constitué oar un mircir ou une lentille. Afin de maintenir à une valeur aussi faible que possible la contrainte thermique de La couche semiconductrice ou de ses bords de coupe, on utise un profil sélectionné de25 rayonnement et une énergie puLsée est sélectionnée de façon optimale. On obtient une -is:ribution d'intensité radiale du -aisceau laser avec un prof:_ gaussien lorsque pour le procédé on utiLise un mode EM00. Un profil rectangulaire de rayonnement fournit d'autres avantages. D'une manière30 générale, un profil dont 'intensité diminue de manière abrupte au bord, est appropriée. Pour les lasers soilces utilisés, les fréquences pulsatoires convenant pour le procédé selon l'invention se situent dans la gamme de à 100 kHz. Vers le haut, la35 fréquence est limitee par La densité d'énergie qui diminue et par l'évacuation de chaleur nécessaire à partir des zones non arrachées de la couche. La longueur des impulsions du laser est avantageusement inférieure à 200 ns, afin d'éviter un echauffement intense du maéer4au. Des longueurs bien appropriées des imoulsicns laser se situent entre 20 ns et os. D'autres caractérisn-iues e: avantages de la présente invention ressortiront de a description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexes, sur lesquels: - les figures! à 9 représentent un module solaire selon une coupe Transversale scnema:icue, au cours de différentes étapes du procédé lors de la fabrication; et - les figures 10 e: l! son: des coupes schématiques de modules solaires finis de s:ruc:uration, conformément à deux aucres exemples de réaiisaion. Premier exemple de réalisaaion Figure 1: Pour le orem ier exemple de réalisation, on dispose les ignes de coue our les différentes étapes de structuration de -elle scre qu'il n'apparaisse aucun20 chevauchement réciproque. bocme premier plan El, on dépose une couche d'électrodes sCO sur un substrat transparent 1, réalisé par exemple ern verre. L'oxyde mince conducteur du plan El est cons. itué uar exemple par une couche d'une éeaisseur de! mm en oxyde de zinc, et qui est dopé par de 'alumninium ou du bore afin d'-aélicrer la conductivité. Mais i est également possible de constituer la couche El en TCO avec de l'oxyde d'é_ain ou de l'oxyde d'indium et d'étain dopé au fluor. Pour struccure ia ccucne d'électrodes El, on divise cease dernière en cusieurs zones en forme de bandes, par exemole par acccn direce d'un laser à partir du haut. On déoplace le laser le long de lignes de structuration P1 parallèles les unes aux autres, le substrat 1 étant mis à nu dans la zone de renfoncemencs en forme de sillons Sl. La35 largeur des bandes d'é!eccrodes, que l'on obtient au moyen de cette structuration, du premier plan d'électrodes El peut être optimisée sur un rendement maximal ou un comportement optimum entre une ligne de structuration et une surface semiconductrice active, dans le module solaire obtenu ultérieurement. Mais habituellement, on détermine la largeur des bandes d'électrodes El en fonction de la largeur du substrat et de la tension que doit produire le module solaire imbriqué d'une manière intgrée. Habituellement, on choisit une largeur de quelques centimètres pour les bandes10 d'électrodes ou pour les oies solaires individuelles en forme de bandes, obtenues ultérieurement. Figure 2: Au-dessus du premier plan d'électrodes El on -orme, sur toute la surface, une pile solaire à couche mince par exemple au moyen d'un déepô en phase gazeuse assisté par un plasma. A cet effet, on dépose du silicium amorphe à partir de silane auquel cas cn obtient, grâce à un mélange correspondant des gaz de dopage borane et phosphine une structure pin dans le second plan E2 (premier plan de pile solaire) Pour éviter l'effet Staebler-Wronski, on donne à la20 pile solaire une épaisseur de par exemple 200 nm ou moins. Figure 3: On structure la pile solaire, déposée sur toute la surface, du plan E2 uniquement le long de deux Lignes de structuration P2. A cet effet, on expose, à partir de la face arrière, à un laser Nd:YAG à fréquence doublée et25 on le focalise sur i'interface entre le premier plan El et le second plan E2. Pour une reéquence de 1 à 100 kHz et une durée d'impulsions de par exemple 50 ps, on obtient un spot laser permettant d'arracher -e matériau semiconducteur du cplan E2 de la pile solaire dans la zone du foyer de ce spot.30 Par un déplacement relatif entre le substrat et le laser, on dispose différents spots 'es rns à côté des autres de manière à obtenir une -igne de coupe en forme de sillons S2, qui s'étend sur toute la longueur du module solaire. La ligne de structuration P2 est disposée a proximité directe de la ligne35 de structuration P' et ne presente aucun chevauchement avec cete dernière. Avec la configuration indiquée, la ligne de coupe S2 possède, pour une disposition linéaire des spots individuels les uns cerriere les autres, une largeur d'environ 30 à 50 mm, qui peut varier en général avec 5 l'énergie des différents spots. Figure 4: Au-dessus des piles solaires structurées du second plan E2, on dépose sur toute la surface, comme troisième plan E3, une autre couche d'électrodes de la même manière que la couche d'!ec-rodes du premier plan El. Le10 dépôt du plan d'électrodes _3 s'effectue de la manière suivante: on remplit zon-oincemenc la ligne de coupe S2 par le matériau TCE et on aia i ansi un contact ohmique avec ia couche d'électrodes, sui es. disposée à côté dans la ligne de coupe S3, du premier plan.15 Figure 5: Pour la s5ructuraion du plan d'électrodes F3, on produit des lignes de coupe S3. A cet effet, à l'aide du laser Nd:YAG, on introduit à nouveau un rayonnement, le Long de lignes de structuration P3, dans le plan de piles solaires E2, à travers.e substrat. Le matériau20 semiconducteur du plan E2 est arraché de la couche sous- jacente d'électrodes El, dans a zone du faisceau laser, la zone surjacente du plan d'électrodes E3 étant simultanément arrachénee. La ligne de s.t-u-curati.on P3 est décalée au moins du triple de la largeur de a igne de coupe S3 par rapport à25 la ligne de structuration P2 ou par rapport à la ligne de structuration S2, de sorte cue!'espace intermédiaire suffit pour!a mise en place de deux autres lignes de coupe sans chevauchement. Figure: Au-dessus du plan d'électrodes E3, on forme alors, dans le quatrieme plan E4, une pile solaire qui s'étend sur toute a surface et possède la structure nip. A l'exception de l'orientation de la jonction pn, on a pour cette pile solaire -es mêmes conditions de fabrication que pour la pile solaire du second cian E2.35 Figure 7 Pour la struc-uration du plan de piles solaires E4, on applique une exposition au moyen d'un laser à parrir de la face arrière e: a cravers le substrat, le long de la ligne de structuration P4. A nouveau le matériau semiconducteur du second ocan est arraché de la couche sous- jacente d'éleccrodes du premier clan El, avec entraînement de zones surjacences de couches des plans E3 et E4. La ligne de structuration ?4 est disposée entre les lignes de structuration ?2 et P3 direccement à côté de ces dernières, maas ne présence aucun cnevauchemenc avec ces dernières. Figure 8: Au-dessus du plan structuré de pile solaire E4, on dépose alors sur tou-e La surface, dans le cinquième plan, une autre couche d'éleczrodes TCO. On dépose la couche d'électrodes E5 de manière sue Les lignes de coupe S4 soient remplies par le matériau des électrodes, ce qui établit un15 concact ohmique avec la surface, qui est mise à nu dans la ligne de coupe S4, du plan d'électrodes El. Figure 9: Lors d'une dernière étape de structuration, à l'aide d'une nouvelle expocsicion à un rayonnement laser à travers le substrat et le Long des lignes de structuration P520 on forme les lignes de coupe correspondantes S5. Ici également un rayonnement esc introduit dans le matériau semiconducteur du plan de pile solaire E2 et ce matériau est arraché de la couche sous-4acence d'électrodes du plan El, conjointement avec es zones sur=acentes de la couche, dans25 la zone du laser. La ligne de structuration PS est située entre -a ligne de structuration P2 et la ligne de structuration P4. Sur la figure 9, on a represeneté le module solaire formé de piles à emp lage, à t'êaccerminé.En raison de la polarité opposée des poni ansondes couches de piles solaires E2 et E4, les iLes solaires sont branchées en paralléle à 'intérieur di'un empilage, tandis que les différents empisages sont raccardés entre eux en série. Alors qu'à l'intérieur d'un empilage, les courants produits de35 façon photovoltaique s'addisionnent, en raison du branchement en série, la tension du module solaire est augmentée, la tension totale du module solaire correspondant approximativement au produit du nombre des empilages de piles solaires, en forme de bandes, par la tension d'une pile individuelle. Deuxième exemple de réalisation La figure 10 représente un module solaire fini de structuration conforme à l'invention, dans lequel la disposition des lignes de structuration P2 et P5 est modi fee. Dans cet exemple de réalisation, la seconde ligne de structuraion P2 est reaisée, au moyen d'un balayage de trame correspondan: du 'faisceau laser utilisé à cet effet, de manière à être plus large que les autres lignes de structuration. La ligne de scructuration P3 est décalée par15 rapport à la ligne de scructuration P4 au point qu'une place subsiste encore entre ces lignes pour la ligne de struccuration ?4. Alors zue e procédé indiqué jusqu'alors esc dans une large mesure idencique à celui du premier exemple de réalisation, à l'exception de la disposition des20 lignes de scruccuracion, _a différence essentielle réside dans la struccuration du plan d'électrodes E5. La ligne de struccuration P5 est cencree sur la ligne de structuration 32, mais possède une largeur inrferieure à celle de P2. C'est pourquoi, lors de cette structuration, le faisceau laser peut pénétrer libremenc jusqu'au plan de pile solaire E4, en craversant les zones sous-jacentes de couches du substrat 1, du plan d'électrodes El e: du plan d'électrodes E3. Le détachement s'effectue par conséquent au-dessus du plan d'électrodes E3. Ceci présence d'une part l'avantage que la30 ligne de coupe S5 produite de ce fait ne s'étend qu'à travers deux couches, et que par conséquent seules deux couches doivent être arrachées lors de la structuration, cela permet une structuration nette. D'autre part, on peut choisir les ignes de structuration plus proches les unes des autres,35 auquel cas la perte de surface semiconductrice active lors des étapes de struc:uration esc minimisee. ?roisième exemple de réalisation La figure i: représente un module solaire de piles à empilage fini de struc:ura-ion conformément au troisième exemple de réalisation. Dans ce: exemple de réalisation, la structuration du plan de miies solaires E2 est réalisée conformement à la ligne de structuration P2 à l'aide d'un -aisceau laser suffisammen etalé pour que les lignes de structuration P4 e PS5 soien: englobées dans cette ligne de structuration P2. L'éeargissement de la ligne de structuration 32 s'effec:ue soit en utilisant un faisceau aser large, soi: en reai-san: un balayage de trame d'un faisceau laser ( eéroi). Le balayage de trame est obtenu par ie fait que plusieurs découpes laser sont exécutées15 directement cote-à-côte. De ce fait, pour structurer le plan de pile solaire E4 et le plan d'électrodes E5, on peut in:roduire le ravonnement direccement dans le plan de pile solaire E4, étant donné que le matériau semiconducteur, situé dans cette zone, du plan de pile solaire E2 a déjà été20 éliminé lors de la seconde éeape de structuration. Par conséquent, la structuration du plan de pile solaire E4 ne requiert que la destrucuion de cette couche, tandis que la structuration du plan d'électrodes E5 s'effectue par destruction de la zone correspondance du plan de pile solaire25 E4 ainsi que du plan d'éleccrcdes surjacent E5. De même cet exemple de réalisation se caracteérse, par rapport au premier exemple de réalisation, par une consommation minimale de surface semiconductrice ac:ve. Ceuendant, cet avantage est comPensé par ia dépense accrue, qui est nécessaire en raison30 de la ligne de coupe S2, qui doi ére plus large. Par conséquent, grâce a 'invention, il est proposé un procédé au moyen duquel cn peu: former des modules solaires de piles à empi age imbriqués d'une manière intégrée. Le procédé n'est pas limieé à des piles solaires en silicium35 amorche. Au conrmaire, on peuc utiliser le procédé selon 7'invention également pour d'aè-res types de piles solaires, que l'on peut fabriquer selon une réalisation à couches minces. REVEND I CAT T ONS 1. Procédé pour fabriquer un module solaire comportant des empilages câblés de façon intégrée (E2,E4) de piles solaires à couches minces et au total trois plans d'électrodes TCO (El,E3,E5_ sur un substrat transparent (1), selon lequel un plan compor-anr des piles solaires pin ou nip structurées sous la forme de bandes est disposé entre respectivement deux plans d'électrodes, et selon lequel des piles solaires superposées dans l'empilage sont branchées en parallèle et les empilages sont branchées entre eux en série, caractérisé par le fait que: - on forme toujours un plan (El à E5) au moyen d'un dépôt d'une couche sur toute la surface et ensuite on exécute une structuration le long de lignes prédéterminées de structuration (Pl à P5), qui sont parallèles entre elles, - la structuration des -lans (E2,E4) des piles solaires et des deux plans supérieurs d'électrodes (E3,E5) s'effectue par laser à partir de la face arrière, à travers le substrat, le semiconducteur étant arraché avec formation de lignes de coupe en forme de sillons (Sl à S5), par absorption des rayons laser, dans un plan (E2,E4) de piles solaires, - on décale les lignes de structuration (Pl à P5) les unes à côté des autres de manèere a obtenir une disposition suivant la séquence Pl-P2-P5-P4-P3. 2. Procédé suivant la revendication 1, caractérisé par le fait qu'on réalise la igne de coupe (S2), qui s'étend le long de la seconde ligne de structuration (P2), de manière qu'elle soit plus large que a ligne de coupe qui s'étend le _ong des autres lignes de structuration, de sorte que la iigne de coupe (S5) conformément à P5 chevauche cette ligne de coupe. 3. Procédé suivant la reverdication 2, caractérisé par e fait que la seconde ione de structuration (P2) chevauche Ses lignes de coupe (S4, S5 oui correspondent aux quatrième et cinquième lignes de s ctuaon (P4,P5). 4. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à3, caractérisé par e fai: que les lignes de coupe respectivement volsines (Si/S2; S3/S4) conformément à P1 et P2 ou P3 et P4 sont disposées de telle sorte qu'elles ne se c-evauchent pas mutuellemen,. 5. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé par le fai-'- qu'on utilise un laser, qui produit un faisceau ayanv une distribution d'intensité radiale. O. Procédé suivant l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait zu'on utilise un laser, dont la longueur d'onde est située dans une bande d'absorption intense de la oile solaire ou de son matériau semiconducteur. 7. Procédé suivant i'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait qu'on structure des piles solaires formées de silicium amorphe a-Si:H ou d'alliages contenant du silicium amorphe, avec un laser solide. 8. Procédé suivant l'une Quelconque des revendications 7, caractérisé par le fait qu'on utilise un laser pulsé Nd:YAG ou Nd:YLF possédant des impulsions d'une longueur comprise entre 50 ps et 20 ns.