Brevet FR2727571A1 — publié le 19960531

THYRISTOR À SENSIBILITÉ EN RETOURNEMENT CONTROLÉE La présente invention concerne un thyristor à sensi- bilité en retournement contrôlée, c'est-à-dire un thyristor dont la tension et le courant de retournement peuvent être déterminés avec précision à la fabrication. La présente invention concerne plus particulièrement un tel thyristor dans lequel le courant de retournement soit faible mais qui reste peu sensible aux déclen- chements parasites liés à des fronts de tension (déclenchement en dV/dt). Un tel composant est par exemple utile dans un circuit d'allume-gaz tel que celui illustré en figure 1. Ce circuit comprend entre des bornes d'alimentation A et B, correspondant par exemple à la tension alternative du secteur à 220 volts 50 Hz, une résistance Rs, une diode de redressement Dr, un inter- rupteur S, un condensateur C et le primaire d'un transformateur haute fréquence T. Le secondaire du transformateur comprend des enroulements Ll et L2 respectivement connectés à des éclateurs 1 et 2, par exemple destinés à deux feux d'une cuisinière à gaz. Entre la borne d'entrée du condensateur C et la borne B est disposé un circuit comprenant un thyristor Th, en antiparallèle avec une diode D. Entre la gâchette et l'anode du thyristor Th, est disposée une diode à avalanche Z. Le fonctionnement de ce circuit va être exposé en relation avec la figure 2. Dans cette figure, la courbe 10 re- présente la tension entre les bornes A et B qui est une tension alternative de valeur de crête Vp. Une fois que le commutateur S est fermé, au début d'une alternance positive, le condensateur C commence à se charger jusqu'à ce que l'on atteigne la tension d'avalanche VZ de la diode à avalanche Z. Alors, un courant tend à circuler dans la jonction gâchette-cathode du thyristor Th. Quand ce courant atteint une valeur IBO, le thyristor Th entre en conduction dans un état de faible impédance et le condensa- teur C se décharge dans le thyristor Th puis à travers la diode D et il se produit un courant oscillant à haute fréquence de décharge du condensateur C dans le thyristor Th puis dans la diode en anti-parallèle D. Cette oscillation est convertie par le transformateur vers les enroulements L1 et L2 ce qui provoque l'apparition d'étincelles dans les éclateurs 1 et 2. Ce circuit impose des conditions sévères d'amorçage du thyristor Th. En effet, une fois que la tension d'avalanche VZ de la diode Z est atteinte, il faut qu'un courant IBO suffi- sant pour amorcer ce thyristor Th puisse circuler. Ce courant IBO est fourni par la tension d'alimentation redressée et la valeur maximale de ce courant est fixée par la relation: RsIBO(MAX)= Vp-VZ, o Vp désigne la valeur de crête de la tension entre les bornes A et B. En pratique, la tension VZ est imposée pour avoir une tension de décharge suffisante et la résistance RS maximum admissible doit être relativement élevée pour permettre de sélectionner une durée longue entre deux étincelles. En supposant que Rs=10 kiloohms, que la tension crête Vp entre les bornes A et B est de 300 volts, et que VZ=250 V, on obtient: IBO(MAX) = (300-250)/10 000 = 5 mA. En pratique, ce courant d'amorçage est très faible pour un thyristor. En effet un thyristor usuel supportant une tension de 400 volts a un courant d'amorçage IBO de quelques dizaines de milliampères. Une autre difficulté est que la tension VZ de la diode à avalanche Z doit être fixée avec précision pour que cette valeur IBo(MAX) ne soit pas trop variable et que la plage de déclenchement ne soit pas encore réduite. La figure 3 représente la courbe tension- courant d'un thyristor. Quand la tension VBO (la tension VZ de la diode à avalanche) est atteinte, le courant dans le thyristor commence à croître puis la tension aux bornes du thyristor chute brutale- ment tandis que le thyristor devient passant dès que le courant dans ce thyristor a atteint une valeur IBO. On cherche donc à former un composant du type thyristar ayant d'une part une valeur de IBO faible, d'autre part une valeur de VBO (VZ) bien déterminée. La figure 4 représente un circuit classique de thyris- tor à amplification de gâchette permettant d'atteindre cette fonction. Le thyristor Th est associé à un thyristor pilote Thl. Les anodes des thyristors Th et Thl sont interconnectées, la cathode du thyristor Thl est reliée à la gâchette du thyris- tor Th par l'intermédiaire d'une résistance R. La diode de déclenchement Z est disposée entre anode et gâchette du thyris- tor Thl. La résistance gâchette-cathode du thyristor Th est désignée par R'. Des techniques sont connues pour réaliser un thyristor Thl très sensible mais cela impose d'utiliser entre cathode et gâchette une résistance R de valeur non négligeable (de l'ordre de 1 à 10 kohms) pour éviter que le thyristor Thl ne se déclen- che lors d'apparition de parasites sur 1'alimentation, c'est-à- dire par un déclenchement en dV/dt. Une réalisation classique sous forme de coiosant monolithique du circuit de la figure 4 est illustrée en figure 5. Ce composant est réalisé à partir d'un substrat de type N faiblement dopé 21. Dans la face supérieure du substrat, des régions 22, 23 et 24 de type P correspondent respectivement à l'anode de la diode D, à la gâchette du thyristor Th et à la gâchette du thyristor pilote Thl. Des régions 26 et 27 de type N correspondent respectivement aux cathodes des thyristors Th et Thl. La cathode du thyristor Th est munie de courts-circuits d'émetteur pour insensibiliser ce thyristor alors que la cathode du thyristor pilote Thl est dépourvue de courts-circuits d'émet- teur pour rendre ce thyristor très sensible. La face arrière du substrat comporte, en regard des cathodes des thyristors Th et Thl, une région 28 de type P correspondant à l'anode commaune des thyristors Th et Thl et, en regard de la région d'anode 22 de la diode D, une région 29 de type N+ correspondant au contact de cathode de cette diode. La face inférieure est uniformément revêtue d'une métallisation 30. Les zones de cathode du thyris- tor Th et d'anode de la diode D sont revêtues d'une métallisa- tion 31. La région de cathode 27 du thyristor Thl est reliée à la région de gâchette 23 du thyristor Th par une métallisation 32. La résistance R est réalisée sous forme d'une région 34 de type P à faible niveau de conductivité 34 disposée entre les régions P 23 et 24. La jonction correspondant à la diode zener Z est réalisée en prévoyant une couche 35 de type N fortement dopée à l'interface entre la région 24 et le substrat 21. La réalisation illustrée en figure 5 présente plu- sieurs inconvénients. D'une part, elle nécessite, en plus des couches classiquement utilisées pour la réalisation d'un thyris- tor, la présence de la couche "enterrée" de type N fortement dopée 35 et surtout la presence de la région de type P faible- ment dopée 34 ce qui impose d'avoir recours à des étapes supplé- mentaires de fabrication. D'autre part, commne on 1 'a indiqué précédemment, pour que la résistance entre cathode et gâchette du thyristor Thl soit suffisante, de l'ordre de 1 à 10 kohms, il faut que la région 34 soit très faiblement dopée oe qui impose des contraintes de fabrication qui rendent le dispositif diffi- cile à reproduire d'un lot de fabrication à un autre. Ainsi, un objet de la présente invention est de pré- voir un thyristor à déclenchement contrôlé en tension et en courant, la valeur du courant de déclenchement étant fixée à une valeur faible. 5 Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel composant réalisable d'une façon technologiquement simple et reproductible. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un tel composant dans lequel les valeurs de tension et du courant de retournement puissent être choisies indépendamment. Pour atteindre ces objets, la présente invention pré- voit un thyristor à sensibilité en retournement contrôlée, comprenant un thyristor principal dont la gâchette est connectée à l'anode par l'intermédiaire d'un thyristor pilote. Un transis- tor d'amorçage est disposé en parallèle sur le thyristor pilote, la base du transistor d'amorçage étant reliée à la gâchette du thyristor pilote. Selon un mode de réalisation de la présente invention, l'émetteur du transistor d'amorçage correspond à la région de cathode du thyristor pilote et la base du transistor d'amorçage correspond à la région de gâchette du thyristor pilote. En d'autres termes, la présente invention prévoit un thyristor vertical à amplification de gâchette comprenant en outre une région du type de conductivité du substrat, remplaçant une portion de la couche d'anode du thyristor pilote. Ainsi, la présente invention prévoit un thyristor à sensibilité en retournement contrôlée comprenant à partir d'un substrat semiconducteur une première structure NPNP verticale correspondant à un thyristor principal, une deuxième structure NPNP verticale correspondant à un thyristor pilote, les anodes des thyristors principal et pilote correspondant à une même cou- che du côté de la face arrière du substrat. Une portion de la couche d'anode du thyristor pilote est remplacée par une région supplémentaire du type de conductivité du substrat, une métal- lisation de face arrière contactant les régions d'anode des thyristors et la région supplémentaire, une métallisation de cathode étant formée sur la cathode du thyristor principal et une métallisation de connexion reliant la cathode du thyristor auxiliaire à la région de gâchette du thyristor principal. Selon un mode de réalisation de la présente invention, le thyristor comprend en outre un prolongement de la région de gâchette du thyristor principal en vis-à-vis d'une région du même type de conductivité que le substrat pour former une diode anti-parallèle avec le thyristor principal. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite, à titre non-limitatif, en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1 à 5 décrites précédemment représentent respectivement: - un circuit d'allume--gaz, - une courbe de tension V en fonction du temps t utile à l'explication du fonctionnement du circuit de la figure 1, - une caractéristique d'amorçage d'un thyristor, - un circuit classique d'un thyristor associé à un thyristor pilote, - une vue en coupe schématique d'un composant mettant en oeuvre le circuit de la figure 4; la figure 6 représente une vue en coupe schématique d'un composant selon la présente invention; la figure 7 représente un schéma équivalent du circuit de la figure 6; et la figure 8 représente une courbe courant-tension utile à l'explication du fonctionnement du composant de la figure 6. La figure 6 illustre une vue en coupe d'un oomposant selon la présente invention. Ce composant est pour l'essentiel identique à un composant classique de thyristor à amplication de gâchette (et à diode en anti-parallèle). Ce composant est cons- titué à partir d'un substrat 41 de type N faiblement dopé. Dans la face supérieure, des régions 42, 43 et 44 de type P corres- pondent respectivement à la région d'anode d'une diode D, à la région de gâchette d'un thyristor principal Th et à la régicn de gâchette d'un thyristor auxiliaire 44. Dans les régions 43 et 44 sont respectivement formées des régions 46 et 47 de type N correspondant respectivement à la cathode du thyristor principal et à la cathode du thyristor auxiliaire. La face arrière du substrat ccmporte une région 48 de type P en regard des régions de thyristor et une région 49 de type N en regard de la région d'anode de la diode D. La face arrière est revêtue d'une métal- lisation 50. Les régions de cathode 46 du thyristor Th et d'anode 42 de la diode D sont revêtues d'une métallisation 51. La région de cathode 47 du thyristor pilote Thl est reliée à la région de base 43 du thyristor principal Th par une métallisa- tion 52. Le composant décrit jusqu'à présent est un thyristor à amplification de gâchette classique comprenant un thyristor principal associé à un thyristor pilote. La seule modification qu'apporte la présente invention à cette structure classique consiste en une région de type N fortement dopée 54 disposée en regard d'une portion au moins de la région de cathode 47 du thyristor pilote. On notera que la formation de cette région n'implique pas d'étapes supplémentai- res de fabrication par rapport à la réalisation classique d'un thyristor à amplificaticon de gâchette à diode anti-parallèle puisque cette région 54 peut être formée en même tempe que la région de cathode 49 de la diode. Toutefois, cette légère modification de structure modifie fondamentalement le fonctionnement du système. En effet, canmme le représente la figure 7, la présence de la région 54 équivaut à disposer un transistor Tr en parallèle sur le thyris- tor Thl. L'émetteur de ce transistor correspond à la région de cathode 47 du thyristor. La base du transistor est constituée par la région 44 et est confondue avec la région de gâchette du thyristor Thl. Le collecteur du transistor correspond au subs- trat N et le contact sur ce collecteur est repris par la région N+ 54. A faible courant, comme le représente la figure 8, la caractéristique de l'ensemble est fixée par le transistor. Ce transistor est bloqué tant que la tension à ses bornes est infé- rieure à une valeur BVCE0 qui, d'après la formule de Miller, est égale à BVCB0/Bl/n, BVCB0 étant la tension de claquage de la jonction collecteur/base et B étant le gain du tran- sistor. Pour B=10 et n=4, si BVCBo est égal à 390 volts, on aura BVCE0=220 volts. Ensuite seulement, une fois que le courant dans le transistor atteint une valeur IBO, on a un retournement du thyristor. On notera que le réglage de ce cou- rant de retournement du thyristor dépend essentiellement de la structure géométrique (dimension et forme) de la région N+ 54. La tension de retournement du dispositif est donc essentiellement fixée par la jonction entre les régions 41 et 44 qui correspond à la jonction collecteur-base du transistor Tr. La résistivité du matériau de substrat 41 sera choisie, par exemple, de l'ordre de 15 à 25 ohms (2 à 3.1014 atomes/cm3) de façon que l'on ait une tension d'avalanche de cette jonction réglée à une valeur BVCBO, par exemple de 1 'ordre de 350 à 450 volts. La présence du transistor Tr permet de plus de désen- sibiliser le thyristor pilote Thl par rapport à des claquages en dV/dt. Parmi les avantages de la présente invention on notera que: - on obtient un réglage simple de la valeur du courant de retournement IBO par le choix de la surface et de la dimen- sion de la région 54; - on obtient un réglage indépendant de la tension de claquage par le choix des caractéristiques du transistor (dopage collecteur, dopage base, épaisseur de base); et - le procédé de fabrication est beaucoup plus simple que celui de l'art antérieur puisque l'on évite les étapes de formation de couches supplémentaires telles que les couches 34 et 35 de la figure 5. Bien entendu, alors que la présente invention n'a été décrite que dans le cadre de son application à un circuit d'allume-gaz, le composant selon 1' invention pourra être utilisé dans toute structure o l'on désire utiliser un thyristor dont la tension et le courant de retournement sont déterminés avec précision, le courant de retournement ayant une valeur faible. Par ailleurs, bien que, dans le mode de réalisation décrit, le15 thyristor soit associé à une diode anti-parallèle, il n'est pas toujours nécessaire de prévoir une telle diode. REVENDICATIONS 1. Thyristor à sensibilité en retournement contrôlée, comprenant un thyristor principal (Th) dont la gâchette est connectée à l'anode par l'intermédiaire d'un thyristor pilote (Thl), caractérisé en ce qu'un transistor d'amorçage (Tr) est disposé en parallèle sur le thyristor pilote, la base du tran- sistor étant reliée à la gâchette du thyristor pilote. 2. Thyristor selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'émetteur du transistor d'amorçage correspond à la région de cathode (47) du thyristor pilote et en ce que la base du transistor d'amorçage correspond à la régicn de gâchette (44) du thyristor pilote. 3. Thyristor vertical à amplification de gâchette, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une région (54) du type de conductivité du substrat, remplaçant une portion de la couche d'anode du thyristor pilote. 4. Thyristor à sensibilité en retournement contrôlée comprenant à partir d'un substrat semiconducteur une première structure NPNP verticale (46, 42, 41, 48) correspondant à un thyristor principal, une deuxième structure NPNP verticale (47, 44, 41, 48) correspondant à un thyristor pilote, les anodes des thyristors principal et pilote correspondant à une même couche (48) du côté de la face arrière du substrat, caractérisé en ce qu'une portion de la couche d'anode du thyristor pilote est remplacée par une région supplémentaire (54) du type de conduc- tivité du substrat, une métallisation de face arrière (50) contactant les régions d'anode des thyristors et ladite région supplémentaire (54), une métallisation de cathode (51) étant formée sur la cathode du thyristor principal et une métallisa- tion de connexion (52) reliant la cathode du thyristor auxi- liaire à la région de gâchette du thyristor principal. 5. Thyristor selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un prolongement (42) de la région de gâchette du thyristor principal en face d'une région (49) du même type de conductivité que le substrat pour former une diode anti-parallèle avec le thyristor principal.