Brevet FR2711276A1 — publié le 19950421

CELLULE PHOTOVOLTAIQUE ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TILLE CBtLULE. La présente invention concerne une cellule photovoltaïque comportant un substrat semiconducteur, un emetteur formé d'une couche ayant une première conductivité (p ou n), une couche de passivation frontale placee entre le substrat et l'émetteur, une couche conductrice transparente avant, une couche de passivation arrière déposée sur la surface arrière du substrat et un élément rEflechissant comportant une couche conductrice transparente arrière, une couche d'accrochage et une couche rfléchissante, Elle concerne également un procédé de fabrication d'une telle cellule photovoltaque. La recherche de sources d'énergies renouvelables produisant peu ou pas de déchets, respectueuses de l'environnernent et permettant de fournir de r énergie à un faible coût, represente une des préoccupations majeures de notre époque. Une des voies qui a éte choisie pour tenter de résoudre ces problbmes d'approvisionnement en énergie "propre" est l utilisation de l'énergie solaire. De nombreux types de capteurs d'énergie solaire ont été développés pour permettre la transformation de cette énergie salaire en une énergie plus facile à stocker et à transporter, telle que l'énergie électrique par exemple. La présente invention touche au domaine des cellules photovoltaiques, couramment appelées cellules solaires, qui fonctionnent essentiellement selon le principe suivant: lorsqu'un photon arrive sur un semiconducteur, il modifie le nombre de porteurs de charges par passage d'un électron de la bande de valence à la bande de conduction et produit une paire électron/trou. Une force électromotrice apparait alors aux bornes de la jonction qui se comporte comme une pile. Deux voies sont explorées pour réaliser des cellules photovoltaCques. L'une d'elles consiste a utiliser un matériau à haut rendement photovoltaique (supérieur à lO de nature cristalline que l'on découpe en plaquettes. L'autre consiste à déposer une couche mince d'un matériau de rendement plus faible (5X à 1OX) sur un support bon marché (verre, inox, plastique, etc.) de grandes dimensions. La présente invention concerne la première voie citée. Dans cette voie, différents modes de realisation de cellules photovoltaïques ont été développés afin d'obtenir des cellules bon marché et ayant un rendement suffisamment élevé. Un premier procédé pour produire de telles cellules consiste à doper un substrat formé de silicium, par diffusion athermique d'un élement tel que le bore ou le phosphore, à une température supérieure à lOOOeC. Ce procédé présente un certain nombre d'inconvénients. Il nécessite un traitement à haute température qui consomme beaucoup d'énergie et entraîne un coût de fabrication élevé et de plus, si l'on utilise un substrat mince et une température élevée le risque de pliage ou de cassure dudit substrat devient élevé et le déchet est important. Les cellules solaires obtenues selon ce procédé sont donc relativement coûteuses, Afin de pallier certains de ces inconvénients, d'autres procédés ont té imaginés. L'un d'eux consiste à remplacer le dopage du substrat en silicium par le dépôt à basse température d'une couche dopée. En pratique, on dépose une mince couche de silicium amorphe de conductivité positive p sur un substrat de silicium cristallin de conductivité négative n à une température inférieure à 200"C. On obtient ainsi une hétérojonction de type p/n. Comme ce procédé est réalisé à basse température, il consomme relativement peu d' énergie . De plus, la contamination croisée des porteurs de charges due à la diffusion d'impuretés provenant de la chambre de traitement, et liée à un procédé à haute tenpérature, est inférieure à celle qui se produit lorsque l'on utilise le procédé précédent, ce qui améliore le rendement de la cellule. Ce rendement n'est toutefois pas optimal du fait que la contamination croisée n'est pas entiErement supprimée Pour tenter de supprimer totalement ce phénomène, on a marginé un procédé qui consiste à déposer entre le substrat en silicium cristallin de conductivité n et la couche de silicium amorphe de conductivité p. une couche intrinsèque de silicium amorphe. La cellule ainsi obtenue et connue sous le nom de ACJ-H1T (Artificially Constructed Junction - Heterojunction with lntrinsic Thin layer) utilise un procédé à basse température et offre un bon rendement du fait qu' elle ne présente pas de contamination croise et que la jonction est abrupte. Toujours afin d'augmenter encore le rendement des cellules photovoltatques, on a imaginé de réaliser une pnction semiconductrice sur les deux faces du substrat. A cet effet, la cellule comporte un substrat en silicium de conductivité positive p sur lequel on ajoute une couche frontale de conductivité négative n et une couche de passivation de silice (SiO2 > . Dans l'ordre suivant, on dépose tout d'abord la couche de passivation de silice sur la face arrière du substrat. Une partie de cette couche de passivation est ensuite retiré, et l'on dépose enfin la couche de conductivité positive dopée avec du bore pour former le contact arrière en créant localement le champ de surface. L' utilisation d' une couche de passivation en silice implique obligatoirement a création de zones non passivées pour réaliser le contact arrière. Bien que le rendement d' une telle cellule atteigne le maximum obtenu actuellement, sa réalisation présente certains inconvénients. Il est relativement malaisé de diffuser du bore tout en maintenant la durée de vie des porteurs de charges à une valeur suffisamment grande pour obtenir un bon rendement de la cellule. De plus, pour réaliser une jonction efficace, la diffusion bu bore doit être importante, donc doit se faire pendant un laps de temps assez long et à haute température. Ainsi, les inconvénients mentionnés ci-deasus et découlant de l'utilisation d'un traitement à haute température liinitent rutilisation de ce procédé. On a également imaginé un mode de réalisation permettant d'augmenter le chemin optique des rayons lumineux dans une cellule solaire, tout en maintenant 1' épaisseur de cette cellule la plus faible possible. Cette forme de réalisation consiste à inunir la surface supérieure de la cellule d'une couche transparente, texturée de telle manière que les rayons lumineux qui arrivent sur cette couche perpendiculairement au plan de la cellule soient déviés par réfraction et traversent la cellule dans une direction dans laquelle son épaisseur n'est pas minimale. Un autre procédé aboutissant au nienie résultat consiste a utiliser un substrat texturé et à déposer sur ce substrat des couches d'épaisseur sensiblement uniformes. Tous ces procédés connus ont permis d'arriver à la conclusion que la cellule photovoltaïque idéale est celle qui est réalisée à partir d'un substrat particulièrement mince et bon marché et or les dépôts de couches sont faits au moyen d'un procédé à basse tempErature, en limitant les interventions lors des dépôts et aboutissant quand meme à un rendement élevé. Ce but est atteint par une cellule telle que définie en préambule, caractérisée en ce que la couche de passivation arrière recouvre la totalité de la surface arrière du substrat, et en ce que l'on recouvre ladite couche de passivation d'une couche arriere, produisant un champ de surface, ayant une deuxieme conductivité (n ou p > opposée a la première conductivité de l'Emetteur. Selon diverses variantes de réalisation, le substrat semi-conducteur peut avoir ladite deuxième conductivité (n ou p), être intrinsèque ou etre compensé. Selon différents modes de réalisation, le substrat semi-conducteur peut autre en silicium cristallin ou polycristallin et son épaisseur peut être comprise entre 50 m et 150 pm et de préférence sensiblement égale à 80 pm. L' émetteur est avantageusement formé de silicium microcristallin hydrogéné ou de carbure de silicium hydrogénai. Son épaisseur est comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 100 A. La couche de passivatiort frontale est de préférence en silicium amorphe hydrogéné intrinsbque et son épaisseur est avantageusement comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 80 A. Selon une forme de réalisation avantageuse, ladite couche conductrice transparente comporte de l'oxyde de zinc (ZnO) et son épaisseur est de préférence comprise entre Son A et 5000 A et sensiblement dgale à 1000 A. La couche de passivation arrière peut être en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque et son épaisseur est avantageusement comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 80 A. La couche arrière produisant un champ de surface est avantageusement en silicium microcristallin hydrogéné et son épaisseur est de préférence comprise entre 100 A et 1000 A et sensiblement égale à 300 A. Selon une forme de réalisation avantageuse, la couche conductrice transparente arrière est en oxyde de zinc (ZnO) fortement dopé et son épaisseur est comprise entre soo A et 5000 A et sensiblement égale a Zooo A. La couche d'accrochage de l'élément réfléchissant est de préférence une couche de titane (Ti) d'épaisseur comprise entre 10 A et 100 A et sensiblement égale à 15 A et la couche réfléchissante de cet élément est composée d'argent et a une épaisseur sensiblement égale à 2000 A. Les couches conductrices transparentes avant et arrière de la cellule selon I' invention peuvent être texturées et le substrat peut étire lisse. Ce substrat peut également être texturé et les couches conductrices transparentes avant et arrière peuvent avoir une épaisseur sensiblement uniforme. Le procédé de fabrication d' une cellule photovolt4ïque selon l'invention, est caractérisé en ce que l'on effectue les étapes suivantes: - on place un substrat semizonducteur dans une chambre de dépôt; - on dépose successivement par un plasma à une fréquence de dépôt comprise entre 35 et 200 Mllz et de préférence sensiblement égale à 70 MHz, une couche de passivation frontale, un emetteur, une couche de passivation arrière et une couche arrière produisant un champ de surface; - on dépose par une méthode de pulvérisation cathodique a' magnetron à une fréquence radio comprise entre 1 et 100 MH et de préférence sensiblement égale a 13,56 Mils, une couche conductrice transparente avant et une couche conductrice transparente arrière; et - on dépose sur la couche conductrice transparente arrière, une couche d'accrochage et une couche réfléchissante. Dans une première forme de réalisation du procédé, le substrat, qui est placé dans la chambre de dépôt, a subi une attaque chimique. Dans une deuxième forme de réalisation de ce procédé, le substrat, qui est placé dans la chambre de dépbt, est un substrat brut obtenu après sciage, dont on attaque la surface frontale et la surface arrière au moyen d'un plasma à une fréquence comprise entre 1 et 200 H2 et de préférence égale à 70 MHz. Selon une première variante du procédé, on dépose sur un substrat sensiblement lisse, une couche conductrice transparente texturée. Selon une deuxième variante du procédé, on attaque le substrat par un plasma à une fréquence comprise entre et 1 et 200 MHz et on dépose sur le substrat texturé ainsi obtenu, des couches d'épaisseur sensiblement uniforme. On effectue de préférence l'ensemble des opérations à une température comprise entre 2û C et 600 C et de préférence comprise entre 150"C et 360 C, La présente invention et ses avantages apparaltront mieux dans la description suivante d'un exemple de réalisation, en référence aux dessins annexEs, dans lesquels: - la figure 1 est une vue schématique en coupe d'une première forme de réalisation d'une cellule photovoltnique selon l'invention, obtenue à partir d'un substrat lisse; - Ma figure 2 est une vue schématique en coupe d'une deuxième forme de réalisation d'une cellule photovoltaïque selon l'invention, obtenue à partir d'un substrat texturé; et - la figure 3 illustre les étapes du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque selon I'invention. En référence à la figure 1, la cellule photovoltdque 10 se compose essentiellement d'un substrat 11 > pourvu sur une de ses faces, d'une couche de passivation frontale 12, d'un émetteur 14 et d'une couche conductrice transparente 15 et sur son autre face, d' une couche de passivation arrière 17, d'une couche arrière 18 produisant un champ de surface et d'un élément réfléchissant 19. Des rayons lumineux 16 arrivent sur la cellule photovoltalque du côté de la couche conductrice transparente avant 15. Le substrat il est réalisé en silicium cristallin et dans le node de réalisation décrit, a une épaisseur d'environ 80 gm. La couche de passivation frontale 12 est obtenue par dépôt sur la face avant de ce substrat, dune couche intrinseque de sUJcium amorphe hydrogéné d'épaisseur 80 A environ. On dépose ensuite sur cette couche de passivation frontale 12, une couche microcristalline de silicium hydrogené d'épaisseur 100 A environ ayant une conductivité, dite première conductivité qui, dans l'exemple représenté ici, est une conductivité négative n. La couche ainsi obtenue constitue ì'inetteur 14. Une couche conductrice transparente 15 (par exemple en oxyde de zinc ZnO) et présentant une surface texturée obtenue par une attaque chimique, au plasma, ou par totlt autre procédé similaire, est ensuite déposée sur cet émetteur 14. Cette couche conductrice transparente 15, d'épaisseur moyenne de 1000 A, compte tenu de sa texture, constitue un "piège à lumière'1. Les rayons lumineux incidents 16 arrivant perpendiculairement sur le plan de la cellule 10 > sont déviés par réfraction de sorte que la longueur réelle parcourue par chaque rayon dans la cellule est allongé. Ceci a pour effet d'augmenter le nombre d'électrons changeant de bande, et par conséquent te nombre de paves électron/trou, et d'accroître ainsi le rendement de la cellule. U est à noter que cette couche conductrice transparente 15 peut etre réalisée en un conducteur transparent quelconque. Son épaisseur est choisie de manière à constituer une couche anti-réfléchissante pour la gamme de longueur d'ondes utilisée. Dans l'application décrite, l'épaisseur est optimisée pour le spectre solaire. La couche de passivation arrière 17 déposée sur la face arrière du substrat I 1 est idenflque en composition et en épaisseur à la couche 12. La couche arrière 18 produisant un champ de surface est obtenue par dépit, sur la couche 17, de silicium hydrogéné dont la conductivité, dite deuxième conductivité, est opposée à la conductivité de émetteur 14, et dans le cas présent. positive. Le dépôt est fait sur une épaisseur d'environ 300 A. On procède ensuite au dépôt successif sur la couche monocristalline ainsi obtenue, des trois couches constituant 1 élément réfléchissant 19. La première couche 20 de cet élément réfléchissant est une couche conductrice transparente qui empeche la lumière provenant de l'intérieur de la cellule d'en ressortir, en la renvoyant dans la cellule à travers les deux jonctions, Cette couche conductrice transparente 20 est composée d'oxyde de zinc (ZnO) et a une épaisseur de 2000 A. Pour empêcher la lumière de sortir de la celle, une couche réfléchissante 22, formée par exemple d'argent, est déposée sur une couche d'accrochage 21 obtenue par un dépot préalable de 15 A environ de titane sur la couche transparente 20. Cette couche réfléchissante 22 joue également le rôle d' élément de contact arriere. L' utilisation de silicium pour réaliser la couche de passivation arrière permet d'obtenir un contact arrière sans qu'il ne soit nécessaire d'intervenir lors des dépôts, pour supprimer partiellement cette couche de passivation avant le dépôt des couches constituant l'élément réfléchissant. Dans la forme de réalisation décrite, le substrat 11 a une conductivité. Cette conductisité, qui doit être opposée à celle de l'émetteur 14, est une conductivité positive p. Il est toutefois à noter que l'on peut réaliser une cellule photovoltaïque similaire en inversant toutes les conductivités. Le substrat a alors une conductivité négative, ainsi que la couche microcristalline 18 et 1' émetteur 14 a une conductivité positive. Toutefois, dans d'autres formes de réalisation, le substrat peut être compensé ou intrinsèque. La figure 2 représente une forme de réalisation dans laquelle le substrat 11' est réalisé dans une matière identique à celle du substrat 11 de la figure 1, mais composte des surfaces avant et arrière texturées. Les couches de passivation frontale 12 et arrière 17, l'émetteur 14 et la couche arrière 18 produisant un champ de surface, sont similaircr à ceux décrits en référence à la figure 1. Dans cette réalisation, les couches conductrices transparentes avant 15 et arrière 20 ont également une épaisseur uniforme. Ainsi, la surface finale de la cellule terminée est texturée de la même manière que dans la cellule représentée a' la figure 1. La figure 3 représente les étapes du procédé de fabrication d'une cellule photovoltaique telle que décrite ci-dessus. Dans une première étape, on place le substrat 11 dans une chambre de dépôt 30, sur un support 31 permettant d'exposer simultanément les deux faces de ce substrat à des dispositifs d'attaque et de dépôt 32. Le substrat introduit peut avoir subi avant son introduction dans la chambre de dépôt, une attaque chimique selon un procédé connu en soi permettant de retirer les couches de matière qui ont Eté détriorées lors de son sciage. Il peut également être introduit tel quel. Cependant, dans ce cas là, la première opération à réaliser consiste à retirer la couche détériorée en procédant å une attaque par plasma & une fréquence d'environ 13,56 MHz sur les deux faces du substrat. La deuxiOrne étape du procédé est facultative. Elle consiste à attaquer le substrat au moyen d' un plasma à une fréquence comprise entre 1 et 20Q MHz. Cette attaque permet d'obtenir la texture des surfaces du substrat. Cette étape n'est bien sar réalisée que Si l'on désire une texturation du substrat et non des couches conductrices transparentes. Dans la troisième étape, on dépose sur le substrat la couche de passivation frontale en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque. Ce dépot ainsi que les suivants, est réalisé selon le procédé de dépot par plasma à très haute fréquence tel que décrit dans le brevet européen EP-A-0 263 788, cette fréquence étant de préférence de tordre de 70 MHz. On dépose ensuite successivement la couche microcristalline de silicium hydrogéné servant d'émetteur 14, la couche de passivation arrière de silicium amorphe hydrogéné et la couche arrière 18 produisant un champ de surface. Une quatrieme étape consiste à déposer par un procédé de vaporisation connu en soi, tel qu'un procédé de pulvérisation cathodique à magnétron à une fréquence égale à 13,56 MHz, la couche conductrice transparente avant 1S et les couches formant I' élément réfléchissant 19. Si le substrat est lisse, on déposera des couches conductrices ayant une texturation de surface. Par contre, si le substrat est texturé, les couches conductrices seront réalisées de façon a' avoir une épaisseur sensiblement uniforme. Ce procédé a l'avantage de permettre d'effectuer l'ensemble des étapes en continu sans manipulation intermédiaire entre le moment où le substrat est introduit dans la chambre de dépôt, meme lorsqu'il y est introduit directement après sciage, et celui où la cellule est terminée. Ceci représente non seulement un gain de temps de fabrication par rapport aux procédés de fabrication conventionnels dans lesquels les substrats doivent être manipulés en cours de fabrication, mais permet également d'utiliser des substrats particulièrement fins tout en diminuent le risque de rupture qui peut se produire lors de ces manipulations. La cellule photovoltdque décrite ci-dessus, présente un certain nombre d'avantages par rapport aux cellules de l'art antérieur: - du fait que le substrat utilisé est particulièrement fin, il ne nécessite que peu de matière pour sa réalisation; - gracie au fait que tout le procédé de fabrication se déroule à basse températureF il n'y a pratiquement pas de diffusion d'impuretés provenant de la chambre de dépôt où se déroulent toutes les étapes de fabrication. Ceci permet d' utiliser un procédé de nettoyage du substrat simple et bon marché, sans modifier le rendement par rapport aux systèmes connus où le nettoyage est plus complexe et plus coûteux. De plus, ce procédé permet de supprimer le risque de pliage du substrat lorsque celui-ci est particulièrement fin et de réduire ainsi le taux de déchets; - le substrat peut aussi bien être monocristallin que polycristallin, ou présenter une conductivité négative ou positive donnée, être intrinsèque ou compensé, sans que le procédé de fabrication ne soit modifié. Ceci permet d' utiliser un matériau de base de très mauvaise qualité, donc particulièrement bon marché, sans affecter le rendement final de la cellule; - l'utilisation du procédé de dépôt par plasma à très haute fréquence connu (procédé VHF à une frequence sensiblement égale à 70 Milz) permet de diminuer les dommages en surface et proches de la surface dus au bombardement de particules à haute énergie générées par le procédé de dépôt par plasma à une fréquence de 13,56 MHz habituellement utilisé. Le dépôt de l'émetteur et de la couche arrière produisant un champ de surface, donne des couches ayant une énergie d'activation plus faible que celle obtenue en utilisant d'autres procédés. Le comportement de ces couches est alors plus favorable. Le dépôt des couches microcristallines dopées permet d'obtenir une meilleure conductivité qu'en utilisant les procédés de l'art antérieur. Ceci réduit la résistance sérielle de la cellule, ce qui augmente son rendement; - le fait de réaliser une passivation avant et arrière, permet de diminuer la vitesse de recombinaison en surface des porteurs de charges minoritaires, ce qui aboutit à une tension en circuit ouvert plus éleare, donc à un meilleur rendement; - le dépôt d'un émetteur en silicium microcristallin réduit l'absorption des longueurs d'onde appartenant au spectre visible par rapport à un émetteur en silicium amorphe dopé; La présente invention n'est pas limitée à exemple d & rit ci-dessus, mais s'étend à toute modification ou variante évidente pour homme de l'art. REVENDICATIONS 1. Cellule photovoltaque comportant un substrat semi-conducteur, un émetteur formé d'une couche ayant une première conductivité (p ou n), une couche de passivation frontale placée entre le substrat et l'émetteur, une couche conductrice transparente avant, une couche de passivation arrière déposée sur la surface arrière du substrat et un élément réfléchissant comportant une couche conductrice transparente arrière, une couche d'accrochage et une couche réfléchissante, caractérisée en ce que la couche de passivation arrière (17) recouvre la totalité de la surface arrière du substrat (11, 11'), et en ce que Pon recouvre ladite couche de passivation d'une couche arrière (18) produisant un champ de surface, ayant une deuxième conductivité (n ou p) opposée à ladite première conductivité de 1' émetteur. 2. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat (11, 11') a ladite deuxième conductivité (n ou p > . 3. Cellule photovoltaque selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat ( 1') est intrinsèque. 4. Cellule photovoltalque selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat (11, 11') est compensé. 5. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat (11, 11') est en silicium cristallin ou polycristallin et en ce que son épaisseur est comprise entre 50 pm et 150 m et de préférence sensiblement égale à 80 m. 6. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'émetteur (14) est en silicium microcristallin hydrogéné ou en carbure de silicium hydrogéné. 7. Cellule photovoltaïque selon les revendications 1 et 6, caractérisée en ce que l'émetteur (14) a une épaisseur comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 100 A. 8. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche de passivation frontale (12) est en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque et en ce que son épaisseur est comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 80 A. 9. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche conductrice transparente avant (15) comporte de l'oxyde de zinc (ZnO) et en ce que son épaisseur est comprise entre 500 A et 5000 A et de préférence sensiblement égale à 1000 A. 10. Cellule photovoltaique selon la revendication 1 > caractérisée en ce que la couche de passivation arrière (17) est en silicium amorphe hydrogéné intrinsèque, 11. Cellule photovoltaique selon les revendications 1 et 10, caractérisée en ce que la couche de passivation arrière (17) a une épaisseur comprise entre 20 A et 500 A et de préférence sensiblement égale à 80 A. 12. Cellule photovoltalque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche arrière (18) produisant un champ de surface est en silicium microcristallin hydrogéné. 13. Cellule photovoltaïque selon les revendications 1 et 12, caractérisée en ce que la couche arrière ( 18) a une épaisseur comprise entre 100 A et 1000 A et de préférence sensiblement égale à 300 A. 14. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche conductrice transparente arrière (20) est en oxyde de zinc (ZnO > fortement dopé et en ce que son épaisseur est comprise entre oo A et 5000 A et de préférence sensiblement égale à 2000 A. 15. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche d'accrochage (21) de l'élément réfléchisznt (19 > est en titane (Ti) et en ce que son épaisseur comprise entre 10 A et 100 A et de préférence sensiblement égale a' 15 A. 16. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que la couche réfléchissante (22) de l'élément réfléchissant est en argent et en ce que son épaisseur est sensiblement égale à 2000 A. 17. Cellule photovoltaïque selon la revendication }, caractérisée en ce que les couches conductrices transparentes avant (15) et arrière (20) sont texturées et en ce que le substrat (11) est sensiblement lisse. 18. Cellule photovoltaïque selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat (11') est texturé et en ce que les couches conductrices transparentes avant (15) et arrière (20) ont une épaisseur sensiblement uniforme. 19. Procédé de fabrication d'une cellule photovoltaique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on effectue les étapes suivantes: - on place un substrat (11, 11') semi-conducteur dans une chambre de dépôt (30); on dépose successivement par un plasma à une fréquence de dépôt comprise entre 35 et 200 M1i et de préférence sensiblement égale à 70 MHz , une couche de passivation frontale 112), un émetteur (14). une couche de passivation arrière (17) et une couche arrière (18) produisant un champ de surface; - on dépose par une méthode de pulvérisation cathodique a' magnetron à une fréquence radio comprise entre 1 et 100 XHz et de préférence sensiblement égale s 13,S6 ISHz, une couche conductrice transparente avant (15) et une couche conductrice transparente arrière (20 > ; et - on dépose sur la couche conductrice transparente arrière (20), une couche d'accrochage (21) et une couche réfléchissante (22). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit substrat (11, 11'), qui est placé dans la chambre de dépôt (30), a subi une attaque chimique. 21. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit substrat (11, 11'), qui est placé dans la chambre de dEpOt (30) > est un substrat brut tel qu'obtenu après sciage, et en ce que l'on attaque la surface frontale et la surface arrière dudit substrat au moyen d'un plasma à un fréquence comprise entre 1 et 200 MHz et de préférence sensiblement egale à 70 MHz. 22. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'on dépose sur un substrat (11) sensiblement lisse, une couche conductrice transparente (15, 20) texturée. 23. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'on attaque le substrat (11, 11') par un plasma à une fréquence comprise entre 1 et 200 MHz et en ce que l'on dépose sur le substrat (il') texturé obtenu, des couches d'épaisseur sensiblement uniforme. 24. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'on effectue l'ensemble des opérations à une température comprise entre 200C et 6000C et de préférence comprise entre 150 C et 3000C.