Brevet FR2716575A1 — publié le 19950825

DISPOSITIF OPTO-SEMICONDUCTEUR La présente invention concerne un dispositif opto-semiconducteur et plus particulièrement, des dispositifs opto-semiconducteurs tels qu'un laser à semiconducteur, un modulateur de lumière, un commutateur de lumière et un filtre de lumière qui possèdent une structure de puits quantique. Les dispositifs opto-semiconducteurs sont utilisés dans des systèmes de transmission optique et dans des systèmes d'information optique. Récemment, plus particulièrement pour améliorer diverses propriétés de ces systèmes, des structures qui utilisent une couche active de puits quantique ont été étudiées et développées. Le laser à semiconducteur de la structure de puits quantique, par exemple, comporte une couche active d'une structure de couche de puits quantique présentant une largeur de bande interdite faible et un indice de réfraction important, laquelle est interposée entre des première et seconde couches de gainage présentant une largeur de bande interdite importante et un indice de réfraction faible. Dans ce cas, la couche de puits quantique présente une épaisseur sensiblement égale à la longueur d'onde de de Broglie. Moyennant cette épaisseur cependant, elle présente inévitablement un coefficient de confinement de lumière indûment faible et une concentration de courant de seuil indûment importante. Dans le but de corriger le défaut, la structure de puits quantique à hétérostructure à confinements séparés (SCH) qui est interposée entre une couche de gainage et une couche de puits quantique et qui comporte une couche SCH qui présente une largeur de bande interdite et un indice de réfraction qui sont tous deux intermédiaires par rapport à ceux présentés par les deux autres couches est adoptée. La couche active n'est pas limitée à une unique couche de puits quantique. Dans certains cas, une structure de puits quantique multicouche qui comporte une pluralité de couches de puits quantique superposées en étant divisées par des couches barrières séparées est adoptée en lieu et place. Le matériau dont les couches SCH superposées sur les côtés opposés de chaque couche de puits quantique sont formées ou le matériau dont la couche barrière séparée interposée entre deux couches de puits quantique adjacentes est formée peuvent être similaires du point de vue de la composition générale à une composition, en pourcentage atomique, du matériau de la couche de puits dans certains cas ou peuvent être différents du point de vue de cette même composition ou peuvent être totalement différents du matériau de la couche de puits dans d'autres cas. Puisque les couches SCH et les couches barrières séparées ont toutes pour rôle de confiner des porteurs dans les couches de puits, elles peuvent être éventuellement appelées par le vocable général couche barrière. Les figures 1A à 1 C représentent des structures de bande d'énergie de lasers à semiconducteur de l'art antérieur. Au niveau de l'étape représentée sur la figure 1A, des couches SCH 104 et 105 sont interposées entre deux couches de gainage 101 et 102 en étant séparées par une couche active d'intervention 103 d'une structure de puits quantique multicouche. En tant qu'exemples concrets des matériaux utilisés pour ces couches constitutives, de l'lnP pour les couches de gainage 101 et 102, de l'lnxGal-xAsyP1.y pour les couches SCH 104 et 105, de l'lnGaAs pour chaque couche de puits 103a et de l'lnxGal-xAsyP1.- y pour chaque couche barrière 103b peuvent être cités. Optionnellement, la structure de puits quantique multicouche peut être soumise à un dopage avec modulation. Le dopage avec modulation est mis en oeuvre au moyen d'une procédure qui comprend un dopage des couches barrières avec une impureté de type N ou de type P tout en empêchant que les couches de puits ne soient dopées avec la même impureté. En conséquence du dopage avec modulation, au moins une partie des porteurs excités par l'impureté contenue dans une couche barrière 103c tombe dans une couche de puits 103d, comme représenté sur la figure 2, et des porteurs pénètrent inévitablement dans le puits en abondance même en l'absence de l'injection d'un courant électrique dans le laser à semiconducteur. Ainsi, le souhait d'augmenter le courant de seuil d'oscillation d'émission et de rendre la vitesse de modulation plus élevée peut être satisfait. Incidemment, la structure de puits quantique, lorsqu'elle utilise un matériau qui présente un décalage de bande faible sur le côté de bande de conduction, souffre du problème consistant en ce que les électrons injectés depuis une source externe dans le but de l'oscillation laser tendent à déborder depuis les couches de puits 103a, tel que représenté sur la figure 1 B, jusqu'au point de dégrader le rendement de l'injection. Lorsqu'un matériau présentant un décalage de bande faible sur le côté de bande de valence est utilisé en lieu et place, les trous positifs injectés depuis une source externe tendent à déborder des couches de puits 103a jusqu'au point de dégrader le rendement de l'injection. Dans la structure de puits quantique multicouche dans l'état d'oscillation laser, les porteurs appliqués depuis une source externe tendent à être injectés selon une quantité diminuée dans les couches de puits 103a ou 103b situées à l'avant suivant le sens de déplacement des porteurs, comme représenté sur la figure 1 C. Ce phénomène devient plus gênant en proportion de l'augmentation du nombre de puits. Dans la structure de puits quantique de la figure 2 qui a subi un dopage avec modulation, les porteurs excités à partir de l'impureté existant dans les zones des couches barrières 103c à proximité des couches de puits 103d tombent dans les couches de puits 103d et sont confinés dedans pour donner naissance à une charge d'espace. Dans ce cas, les extrémités de bande d'énergie des couches de puits 103d sont amenées à prendre un certain rayon de courbure sous l'influence de la charge d'espace et par conséquent, les extrémités de bande d'énergie de la couche barrière 103c sont contraintes de telle sorte que leurs zones centrales deviennent concaves en correspondance. Par conséquent, lorsque les couches barrières 103c présentent une épaisseur indûment importante, les porteurs excités provenant de l'impureté existant au niveau de leurs centres ne sont pas aisément amenés à tomber dans les puits et l'effet du dopage avec modulation n'est pas utilisé de façon importante. La présente invention a été élaborée dans le but de résoudre les problèmes auxquels sont confrontés les dispositifs classiques, tel que mentionné ci-avant. Par conséquent, un objet de la présente invention consiste à proposer un dispositif opto-semiconducteur possédant une structure de puits quantique, lequel dispositif opto-semiconducteur permet à l'un des porteurs excités provenant d'une impureté existant au niveau des centres des couches barrières d'être efficacement injecté dans des puits et dans le même temps, empêche que les porteurs admis dans les puits ne débordent aisément des puits. Le dispositif opto-semiconducteur qui constitue le premier aspect de la présente invention possède une structure de puits quantique qui comprend des couches barrières munies dans au moins une partie d'une couche de contrainte permettant de générer un champ électrique interne en vertu d'un effet piézoélectrique et des couches de puits. La couche de contrainte est formée par un cristal d'une structure blende de zinc et elle est obtenue par croissance sur une couche sous-jacente présentant un plan {111} par exemple. Dans le dispositif opto-semiconducteur qui constitue le second aspect de la présente invention, les couches de puits sont interposées à raison d'une entre des première et seconde couches de contrainte. Le champ électrique interne dans chaque couche de contrainte est généré suivant la direction qui va depuis l'intérieur jusqu'à l'extérieur ou suivant la direction qui va depuis l'extérieur jusqu'à l'intérieur de chaque couche de puits. Selon la présente invention, les barrières qui sont contiguës aux couches de puits dans la structure de puits quantique présentent une contrainte qui génère un champ électrique interne en vertu d'un effet piézoélectrique. Dans ce cas, lorsque le champ électrique est généré suivant la direction qui va depuis l'intérieur vers l'extérieur des couches de puits sur les côtés de bande de conduction, les couches de puits sont inévitablement amenées à exister sur le côté inférieur de l'inclinaison du potentiel qui est généré par la contrainte. Les couches de contrainte qui génèrent un champ électrique du fait d'un effet piézoélectrique comportent un cristal de la structure blende de zinc essentiellement parallèle au plan {111}. Dans cette structure, les couches barrières de contrainte de traction formées sur le substrat de plan A {111} (le plan basé sur un élément du groupe III ou sur un élément du groupe 11) d'un semiconducteur composite des groupes III-V ou Il-VI génèrent en leur sein un champ électrique qui va de l'intérieur de la couche jusqu'au substrat et le potentiel des couches barrières de contrainte de traction est si incliné qu'une perte de hauteur est observée en proportion de l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Puis les couches barrières de contrainte de compression qui sont formées sur le substrat de plan A {111} génèrent en leur sein un champ électrique suivant la direction opposée au champ électrique interne généré dans les couches barrières de contrainte de traction. Le potentiel des couches barrières de contrainte de compression est incliné au point de gagner en hauteur en proportion à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. A l'opposé, les couches barrières de contrainte de compression qui sont formées sur le substrat de plan B {111} basé sur un élément du groupe V ou du groupe VI génèrent en leur sein un champ électrique suivant la direction qui va de l'intérieur de la couche jusqu'au substrat. Le potentiel de ces couches barrières de contrainte de compression est incliné au point de perdre en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Puis les couches barrières de contrainte de traction formées sur le substrat de plan B {111} génèrent en leur sein un champ électrique suivant la direction opposée au champ électrique interne des couches barrières de contrainte de compression. Le potentiel de ces couches barrières de contrainte de traction est incliné au point de gagner en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. En sélectionnant l'orientation du plan d'une couche semiconductrice de substrat destinée à former une structure de puits quantique et en distordant en outre les couches barrières soit en traction soit en compression, on obtient en conséquence un potentiel qui est tel qu'un puits peut être observé sur le fond d'une discontinuité formée par deux barrières adjacentes. Selon le potentiel de cette qualité, les puits sur le côté de bande de conduction présentent une profondeur importante par comparaison avec ceux de la structure de puits quantique ne présentant pas de distortion au niveau des couches barrières, le résultat étant que des porteurs ne débordent pas aisément des puits et que l'augmentation sinon possible d'un courant de seuil est réprimée. Puis les potentiels des puits situés en avant suivant le sens de déplacement des porteurs peuvent être séquentiellement diminués en provoquant l'intervention de couches barrières de contrainte de compression ou de couches barrières de contrainte de traction entre une pluralité de couches de puits de la structure de puits quantique multicouche. En tant que résultat, la concentration en porteurs dans chaque puits est uniformisée, le rendement de recombinaison dans les puits est amélioré et l'augmentation d'un courant de seuil est infléchie. En outre, dans la structure de puits quantique qui a subi un dopage avec modulation selon le type N, lorsque les couches barrières sont distordues au point d'induire la génération d'un champ électrique suivant la direction qui va des côtés opposés d'une couche barrière jusqu'à son intérieur, le potentiel au niveau de la zone centrale de chaque couche barrière est augmenté et les électrons excités provenant de l'impureté présente au niveau de la zone centrale sont amenés à tomber aisément dans le puits. En tant que résultat, le nombre d'électrons dans le puits quantique est augmenté, I'amplitude d'un courant de seuil est diminuée et les caractéristiques du dopage avec modulation sont amplement utilisées. Dans le même temps, dans la structure de puits quantique qui a subi un dopage avec modulation selon le type P, lorsque les couches barrières sont distordues au point d'induire la génération d'un champ électrique suivant la direction qui va de l'intérieur d'une couche barrière jusqu'à son extérieur, le potentiel dans chaque couche barrière est diminué et les trous positifs émis à partir de l'impureté présente au niveau de la zone centrale sont amenés à tomber aisément dans le puits. Dans le cas o l'on souhaite que soit les électrons soit les trous positifs soient empêchés de déborder dans la structure de puits quantique, cette mesure d'empêchement particulière est obtenue en provoquant la distortion des seules couches barrières de la pluralité de couches barrières qui existent sur le côté en direction duquel les électrons ou les trous positifs sont déplacés et en permettant à ces couches barrières de générer en leur sein un champ électrique suivant la direction de déplacement des électrons ou des trous positifs. Dans le cas o l'on souhaite améliorer le confinement de trous positifs dans un système présentant un décalage de bande faible sur le côté de bande de valence, les puits sur le côté de bande de valence sont autorisés à se former dans les discontinuités de potentiel des couches barrières de contrainte en inversant les barrières de contrainte de traction disposées dans le but d'améliorer le confinement des électrons dans des barrières de contrainte de compression ou en inversant le plan A d'orientation du substrat {111} en orientation de plan B. Les objets et avantages mentionnés ci-avant ainsi que d'autres de la présente invention seront mieux compris à la lumière de la description d'exemples de réalisation qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels: la figure 1A est un diagramme de bande d'énergie d'une structure de puits quantique multicouche classique munie de couches SCH; la figure 1 B est un diagramme de bande d'énergie qui représente un état dans lequel des porteurs débordent des puits quantiques représentés sur la figure 1A; la figure 1 C est un diagramme de bande d'énergie qui représente un état dans lequel des porteurs sont en train d'être injectés dans les puits quantiques représentés sur la figure 1A; la figure 2 est un schéma qui représente une bande de conduction dans la bande d'énergie d'une structure de puits quantique multicouche qui a subi un dopage avec modulation; la figure 3A est un diagramme de bande d'énergie qui représente un premier exemple d'une structure de puits quantique munie d'une couche barrière de contrainte associée à un dispositif opto- semiconducteur de la présente invention; la figure 3B est un schéma qui représente la direction d'un champ électrique généré par un effet piézoélectrique dans une couche de contrainte de compression formée sur le substrat A {111} d'une couche semiconductrice; la figure 3C est un schéma qui représente la direction d'un champ électrique généré par un effet piézoélectrique dans une couche de contrainte de traction formée sur le plan A {111} d'une couche semiconductrice; la figure 4A est un diagramme de bande d'énergie qui représente un second exemple d'une structure de puits quantique munie d'une couche barrière de contrainte associée à une couche optosemiconductrice de la présente invention; la figure 4B est un schéma qui représente la direction d'un champ électrique généré par un effet piézoélectrique dans une couche de contrainte de compression formée sur le plan B {111} d'une couche semiconductrice; la figure 4C est un schéma qui représente la direction d'un champ électrique généré par un effet piézoélectrique dans une couche de contrainte de traction formée sur le plan B {1 11} d'une couche semiconductrice; la figure 5A est un diagramme de bande d'énergie qui représente un troisième exemple d'une structure de puits quantique munie d'une couche barrière de contrainte associée à un dispositif opto- semiconducteur de la présente invention; la figure 5B est un diagramme de bande d'énergie qui représente un quatrième exemple d'une structure de puits quantique munie d'une couche barrière de contrainte associée à un dispositif opto-semiconducteur de la présente invention; la figure 6A est une vue en coupe d'un dispositif opto- semiconducteur en tant que premier mode de réalisation de la présente invention, lequel est muni de couches barrières de contrainte de traction et de couches barrières de contrainte de compression; la figure 6B est un diagramme de bande d'énergie de l'élément représenté sur la figure 6A; la figure 7A est une coupe transversale d'un dispositif opto- semiconducteur en tant que second mode de réalisation de la présente invention, lequel est muni de couches barrières de contrainte de traction et de couches barrières de contrainte de compression qui ont subi un dopage avec modulation; la figure 7B est un diagramme de bande d'énergie de l'élément représenté sur la figure 7A; la figure 8A est une vue en coupe transversale d'un dispositif opto- semiconducteur en tant que troisième mode de réalisation de la présente invention, lequel est muni de couches barrières de contrainte de compression; la figure 8B est un diagramme de bande d'énergie de l'élément représenté sur la figure 8A; la figure 9A est une vue en coupe transversale d'un dispositif opto- semiconducteur en tant que quatrième mode de réalisation de la présente invention, lequel est muni de couches barrières de contrainte de traction; et la figure 9B est un diagramme de bande d'énergie de l'élément représenté sur la figure 9A. Des modes de réalisation de la présente invention sont maintenant décrits ci-après par report aux dessins annexés. De façon préparatoire à la description des modes de réalisation, le principe de la présente invention est expliqué. Le laser à semiconducteur selon la présente invention comporte une structure de puits quantique d'une bande d'énergie, tel que représenté sur la figure 3A, formée sur le plan A {111} d'un substrat semiconducteur composite par exemple. Dans cette structure de puits quantique, parmi des couches barrières 2 qui pincent chaque couche de puits 1, celles qui tombent sur le côté de substrat comportent une couche barrière de contrainte de traction 3 formée en leur sein et celles qui tombent sur l'autre côté comportent une couche barrière de contrainte de compression 4 formée en leur sein. Les couches de puits 1 entrent en contact efficace avec les couches barrières de contrainte de traction 3 sur le côté du substrat et avec les couches barrières de contrainte de compression 4 sur l'autre côté. En tant que résultat, chaque couche barrière 2 pincée entre deux couches de puits 1 comporte une couche barrière de contrainte de traction 3 et une couche barrière de contrainte de compression 4. Ces couches barrières de contrainte de traction 3 et ces couches barrières de contrainte de compression 4 sont en un cristal à structure de blende de zinc et sont orientées parallèlement à leur substrat {111}. Les couches barrières de contrainte de traction 3 formées sur le substrat de plan A {111} présentent un champ électrique E1 généré en leur sein suivant la direction du substrat. Les extrémités de bande Ec et Ev de ces couches barrières de contrainte de traction 3 sont par conséquent inclinées au point de perdre en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Les couches barrières de contrainte de compression 4 formées sur le plan B {111} des couches de puits correspondantes 1 opposées au côté de substrat présentent un champ électrique E2 généré en leur sein à une certaine distance des couches de puits 1 qui sont contiguës aux couches barrières de contrainte de compression 4. Les extrémités de bande Ec et Ev des couches barrières de contrainte de compression 4 sont par conséquent inclinées au point de gagner en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Ceci est dû au fait que, dans un système comportant une couche de contrainte de compression 4a et une couche semiconductrice 5b formées sur le plan A {111} d'un substrat 5a présentant une structure cristalline blende de zinc telle qu'un groupe III-V ou qu'un groupe Il-VI, lorsque l'on force le cristal à croître suivant une direction positive perpendiculairement au plan A {111}, comme représenté sur la figure 3B, la couche de contrainte de compression 4a génère en son sein le champ électrique E2 suivant la direction positive depuis le substrat 5a jusqu'à la couche semiconductrice 5b. En lieu et place, lorsqu'une couche de contrainte de traction 3a et la couche semiconductrice 5b sont formées sur le plan A {111} du substrat 5a, comme représenté sur la figure 3C, la couche de contrainte de traction 3a génère en son sein le champ électrique E1 suivant la direction négative depuis la couche semiconductrice 5b jusqu'au substrat 5a. Ces champs électriques E1 et E2 sont générés par l'effet piézoélectrique. Dans le cas d'un semiconducteur composite des groupes Ill-V, le plan A {1 1 1} est formé par un élément du groupe III et le plan B {1 11} est formé par un élément du groupe V. Lorsqu'une structure de puits quantique est formée en superposant séquentiellement une couche barrière de contrainte de compression 7, une couche de puits 8 et une couche barrière de contrainte de traction 9 de façon répétée selon l'ordre mentionné sur le plan B {111} d'un substrat semiconducteur composite, on obtient une bande d'énergie telle que représentée sur la figure 4A. La forme de cette bande est la même que celle représentée sur la figure 3A. Dans cette structure, parmi les couches barrières qui pincent chaque couche de puits 8, celles qui tombent sur le côté de substrat sont des couches barrières de contrainte de compression et celles qui tombent sur le côté opposé sont des couches barrières de contrainte de traction 9. Ceci est dû au fait que, dans un système comportant une couche de contrainte de compression 7a et une couche semiconductrice 10b formées sur le plan B {111} d'un substrat 10a possédant une structure cristalline blende de zinc telle qu'en un groupe III-V ou Il-VI, lorsque l'on force le cristal à croître suivant une direction positive perpendiculaire au plan B {111} comme représenté sur la figure 4B, la couche de contrainte de compression 7a génère en son sein le champ électrique E3 suivant la direction négative depuis la couche semiconductrice 10b jusqu'au substrat 1 Oa par rapport à la couche semiconductrice 5b. En lieu et place, lorsqu'une couche de contrainte de traction 9a et la couche semiconductrice 10b sont formées sur le plan B {111} du substrat semiconducteur 10a, comme représenté sur la figure 4, la couche de contrainte de traction 9a génère en son sein un champ électrique E4 suivant la direction positive depuis le substrat de plan B {111} 1 Oa jusqu'à la couche semiconductrice 1 Ob. Puisque la présente invention fait que des puits observés sur les fonds des discontinuités sont formées par deux barrières adjacentes, les puits sur le côté de bande de conduction présentent une profondeur importante par comparaison avec ceux qui sont produits lorsqu'aucune couche barrière de contrainte n'est formée. Soit dit en passant, les couches barrières de contrainte de compression et les couches barrières de contrainte de traction sont de façon sérieuse réalisées en matériaux qui ne permettent aucune adaptation de réseau cristallin avec le substrat semiconducteur composite et elles sont formées selon une épaisseur n'excédant pas l'épaisseur de film critique. Lorsqu'une couche présentant une constante de réseau cristallin différente de celles des première et seconde couches semiconductrices est formée entre les première et seconde couches semiconductrices comme décrit ciavant, la couche interposée constitue automatiquement une couche de contrainte. La sélection de la constante de réseau est obtenue en sélectionnant le matériau qui doit être utilisé pour la couche de contrainte et la composition en terme de pourcentage de ce matériau. La discrimination entre la contrainte de compression et la contrainte de traction est effectuée soit en augmentant soit en diminuant la constante de réseau de la couche de contrainte par rapport à la constante de réseau du substrat. Si la couche de contrainte présente une épaisseur indûment importante, aucune adaptation de réseau n'est obtenue entre la couche de contrainte et le substrat et la couche obtenue par croissance subit une altération de sa cristallinité. Ainsi, la couche de contrainte doit posséder une épaisseur n'excédant pas l'épaisseur de film critique. Dans la structure de puits quantique décrite ci-avant, les parties des couches barrières qui sont à proximité des couches de puits sont sous l'influence d'un champ électrique généré par leur propre contrainte cristalline suivant la direction qui va des couches de puits jusqu'aux couches barrières. Du fait de ce champ électrique, les électrons sont empêchés de déborder des couches SCH situées sur le côté de couche de gainage de type P et les trous positifs sont empêchés de déborder des couches SCH sur le côté de couche de gainage de type N. En tant que résultat, I'augmentation du courant de seuil est infléchie du fait que les électrons sont empêchés de déborder les couches SCH du côté de couche de gainage de type P puis de se recombiner avec les trous positifs dans les zones barrières ou du fait que les trous positifs sont empêchés de déborder des couches SCH sur les côtés de couche de gainage de type N puis de se recombiner avec les électrons dans les zones barrières. Dans le cas o l'on souhaite que soit les électrons soit les trous positifs soient empêchés de déborder, le souhait est satisfait simplement en conférant une contrainte à certaines de la pluralité de couches barrières qui tombent sur le côté de couche de gainage de type P ou sur le côté de couche de gainage de type N et en induisant la génération d'un champ électrique dans celles-ci Puis dans le cas o l'on souhaite améliorer le confinement de trous positifs dans un système présentant un décalage de bande faible sur le côté de bande de valence, les puits sur le côté de bande de valence sont autorisés à se produire dans des discontinuités de deux barrières de contrainte adjacentes, comme représenté sur les figures 5A et 5B, en interchangeant les barrières de contrainte de traction et les barrières de contrainte de compression mentionnées ci-avant ou en inversant une orientation du plan du substrat, c'est-à-dire le plan A {111} ou le plan B {111}. Il est possible d'adopter une structure de puits quantique dopée avec modulation dans le but d'abaisser le seuil d'oscillation ou d'accélérer la modulation. Pour que l'effet piézoélectrique soit généré avantageusement dans les couches de contrainte, il n'est pas nécessaire de former une structure depuits quantique sur un plan incliné, suivant la direction qui va du plan {111} au plan {110}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de 35,5 degrés, sur un plan incliné suivant la direction qui va du plan {111} au plan {100}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de +54,7 degrés, de préférence 19,5 degrés, ou sur un plan incliné suivant la direction qui va du plan {111} au plan {110}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de 35,3 degrés et également incliné suivant la direction qui va du plan {111} au plan {100}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage +54,7 degrés, de préférence +19,5 degrés. Le plan {111} mentionné dans l'exemple précédant représente soit le plan A {111} soit le plan B {111}. De façon générale, lorsqu'un champ électrique interne est généré et que la concentration des porteurs est élevée, il y a le risque que le champ électrique subisse l'effet d'écran des porteurs. Dans le cas des couches barrières de contrainte mentionnées ci-avant cependant, celles-ci sont affectées défavorablement seulement faiblement par l'effet d'écran du fait qu'elles présentent une concentration en porteurs faible par comparaison avec les couches actives. Soit dit en passant, la contrainte génère une modification des positions de la bande de conduction et de la bande de valence et donne naissance à une discontinuité dans les interplans entre les couches barrières de contrainte et les couches de puits sans contrainte. Puisque ce fait n'a pas d'influence spéciale sur l'effet de la présente invention, ce point particulier est omis de la description ultérieure. Il a été découvert incidemment que lorsqu'un cristal d'un certain type est amené à se distordre selon une direction spécifique, un champ électrique est généré dans le cristal du fait de l'effet piézoélectrique. Lorsqu'une couche de contrainte est formée dans le plan {111} d'un cristal semiconducteur composite d'une structure blende de zinc, un champ électrique est généré dans le cristal par l'effet piézoélectrique. La technique correspondant à ce phénomène est rapportée dans la littérature identifiée ci-après. L'application des couches de contrainte de ce type aux couches barrières de la structure de puits quantique n'est cependant mentionnée nulle part dans cette littérature. [1] D. L. Smith: Solid Statement Communications, Vol. 57, n 12, pp 919-921, 1986. De façon générale, les plans cristallins sont connus selon une pluralité de formes cristallographiquement équivalentes. Dans un but de représentation pour la description de la présente invention, une pluralité de plans cristallins cristallographiquement équivalents sont exprimés collectivement par le symbole "{ }". Par exemple, le plan (111), le plan (11.1), le plan (I1.1) et le plan (1.1.1) sont équivalents cristallographiquement et sont collectivement appelés plan {111}. Le plan A {1 11} et le plan B {1 1 1} sont de façon similaire des termes généraux. La structure du laser à semiconducteur qui est basée sur le principe expliqué ci-avant est plus spécifiquement décrite. Premier mode de réalisation: Les figures 6A et 6B sont respectivement une vue en coupe transversale d'un laser à semiconducteur en tant que premier mode de réalisation de la présente invention et son diagramme de bande d'énergie de potentiel. Par report à la figure 6A, une couche de gainage de type N 12, une première couche SCH 13, une couche active 14 d'une structure de puits quantique multicouche, une seconde couche SCH 15, une couche de gainage de type P 16 et une couche de contact de type P+ 17 sont formées séquentiellement selon un ordre mentionné sur le plan A {111} d'un substrat semiconducteur 11 contenant une impureté de type N. Dans la structure de puits quantique multicouche, parmi les couches barrières 20 qui pincent en alternance une pluralité de couches de puits 19, des couches barrières de contrainte de traction 21 sont formées dans celles tombant sur le côté de substrat et des couches barrières de contrainte de compression 22 sont fermées dans celles tombant sur le côté opposé. Ainsi, les couches de puits 19 entrent en contact avec les couches barrières de contrainte de traction 21 sur le côté de substrat et avec les couches barrières de contrainte de compression 22 sur le côté opposé. En tant que résultat, chaque couche barrière 20 qui est formée entre des couches de puits adjacentes 19 possède une couche barrière de contrainte de traction 21 et une couche barrière de contrainte de compression 22. Les couches de puits 19, les couches barrières de contrainte de traction 21 et les couches barrières de contrainte de compression 22 sont de façon stricte formées par jeux de trois et les couches barrières de contrainte de traction 21 ainsi que les couches barrières de contrainte de compression 22 pincées par les couches de puits 19 sont mutuellement jointes. Les parties supérieures de la couche de gainage de type P 16 et de la couche de contact de type P+ 17 sont chacune formées selon la forme d'une bande étirée suivant la direction des ondes de guidage et ces couches sont recouvertes d'un film en SiO2 23. Une électrode de type P 18 est connectée au côté supérieur de la couche de contact 17 par I'intermédiaire d'une ouverture formée dans le film en SiO2 23 et une électrode de type N 24 est formée sur le côté inférieur du substrat semiconducteur 1 1. Des exemples concrets du matériau dont le laser à semiconducteur décrit ci-avant est formé et des épaisseurs de ses couches constitutives sont maintenant présentés ci-après. Le substrat semiconducteur 11 est constitué en InP qui contient du silicium en tant qu'impureté de type N selon une concentration dans la plage qui va de 1 x 1018 à 2 x 1018/cm3. La couche de gainage en InP de type N 12 qui contient du silicium selon la même concentration en impuretés que celle du substrat semiconducteur composite 11 est formée selon une épaisseur de plusieurs pm. La couche de gainage en InP de type P 16 qui contient du zinc selon une concentration en impuretés dans la plage qui va de 1 x 1018 à 2 x 1018/cm3 est formée selon une épaisseur de 3 pm. Les deux couches SCH 13 et 15 sont formées par du Ino,71Gao,29Aso,62Po,38 non dopé et elles présentent une épaisseur de 30 nm. La couche de puits 19 d'une structure de puits quantique multicouche est formée par de l'1no,53Gao,47As non dopé non soumis à contrainte selon une épaisseur de 10 nm. La couche barrière de contrainte de traction 21 qui est contiguë à la couche de puits 19 sur le côté de substrat est formée par de l'lno,63Gao,37Aso,64Po,36 non dopé selon une épaisseur de 5 nm. La couche barrière de contrainte de compression 22 qui est contiguë à la couche de puits 19 sur le côté de la couche de gainage de type P 16 est formée par de l'lno,79Gao,21Aso,59Po,41 non dopé selon une épaisseur de 5 nm. Puis la couche de contact 17 est formée par de l'lno, 71Gao,29Aso,62Po,38 qui contient du zinc selon une concentration dans la plage qui va de 6 x 1018 à 1,5 x1019/cm3 selon une épaisseur de 1 pm. L'électrode de type P est formée par du Ti/Pt/Au et l'électrode de type N est formée en (AuGe/Au). Les couches constitutives de la couche semiconductrice mentionnée ciavant jusqu'à la couche de gainage de type P sur le substrat semiconducteur 11 sont obtenues par croissance continue au moyen du procédé d'épitaxie en phase vapeur d'organo-métallique (MOVPE). La couche de contact 17 est obtenue par croissance tel qu'au moyen du procédé MOVPE ou du procédé d'épitaxie basse pression (LPE). Elle est de préférence obtenue par croissance continue à partir de la couche de gainage sousjacente 16. Au moyen du procédé de gravure ordinaire qui utilise un masque, la couche de contact 17 et la couche de gainage 16 sont ôtées à l'exception d'une épaisseur de 0,5 pm de la couche de gainage 16. Un diagramme de bande d'énergie du laser à semiconducteur du présent mode de réalisation, entre la couche de gainage de type N 12 et la couche de gainage de type P 16, est représenté sur la figure 6B. Dans cette construction, la couche barrière de contrainte de traction 21 formée sur le plan A {1 1 1} génère en son sein un champ électrique suivant la direction du substrat. Les extrémités de bande Ec et Ev de la couche barrière de contrainte de traction 21 sont inclinées de manière à perdre en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. A l'opposé, la couche barrière de contrainte de compression 22 génère un champ électrique en son sein suivant la direction d'éloignement par rapport à la couche de puits 19 qui est contiguë à la couche de contrainte de compression. Les extrémités de bande Ec et Ev de cette couche barrière de contrainte de compression 22 sont inclinées au point de gagner en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Puisque des puits sont amenés à se constituer sur les discontinuités formées entre deux barrières adjacentes, les puits sur le côté d'extrémité de bande de conduction présentent par conséquent une profondeur importante par comparaison avec les couches barrières soumises à aucune contrainte et les électrons sont empêchés de déborder de la couche SCH 15 sur les côtés de couche de gainage de type P 16 puis ils se recombinent eux- mêmes avec des trous positifs dans la zone barrière. En tant que résultat, le confinement des électrons est amélioré et le courant de seuil est diminué. Le souhait d'empêcher que les trous positifs ne débordent de la couche SCH sur le côté de couche de gainage de type N est satisfait en inversant la disposition relative des couches barrières de contrainte de compression et des couches barrières de contrainte de traction. En tant que résultat, sur l'extrémité de bande de valence, des puits sont amenés à se constituer sur les discontinuités entre deux barrières adjacentes, les trous positifs sont empêchés de déborder de la couche SCH sur le côté de couche de gainage de type N et le courant de seuil est empêché d'augmenter. Second mode de réalisation Les figures 7A et 7B sont respectivement une vue en coupe transversale d'un laser à semiconducteur en tant que second mode de réalisation de la présente invention et son diagramme de bande d'énergie de potentiel. Par report à la figure 7A, une couche de gainage de type N 12, une première couche SCH 13, une couche active 23 d'une structure de puits quantique multicouche, une seconde couche SCH 15, une couche de gainage de type P 16 et une couche de contact de type P+ 17 sont séquentiellement formées selon l'ordre mentionné sur le plan {111} d'un substrat semiconducteur 11 qui contient une impureté de type N. La structure de puits quantique multicouche selon ce mode de réalisation est identique à celle du premier mode de réalisation à l'exception du fait qu'elle a subi un dopage avec modulation. Les parties supérieures de la couche de gainage de type P 16 et de la couche de contact de type P+ 17 sont chacune formées selon la conformation d'une bande étirée suivant la direction des ondes de guidage et ces couches sont recouvertes d'un film en SiO2 13. Une électrode de type P 18 est connectée au côté supérieur de la couche de contact 17 par l'intermédiaire d'une ouverture formée dans le film en SiO2 13 et une électrode de type N 24 est formée sur le côté inférieur du substrat semiconducteur 1 1. Des exemples concrets du matériau dont le laser à semiconducteur décrit ci-avant est formé et des épaisseurs de ses couches constitutives sont maintenant décrits ci-après. Les matériaux utilisés, les épaisseurs et les procédés de croissance utilisés pour le substrat semiconducteur 11, pour les couches de gainage 12 et 16 et pour la couche de contact 17 sont identiques à ceux du premier mode de réalisation et par conséquent, ces informations sont omises de la description qui suit. Dans la structure de puits quantique multicouche, la couche de puits 24 est formée en Ino,53Gao,47As non dopé non soumis à contrainte selon une épaisseur de 10 nm. Une couche barrière de contrainte de traction 26 qui est contiguë à la couche de puits 24 sur le côté de substrat est formée en Ino,63Gao,37Aso,64Po,36 de type N selon une épaisseur de 5 nm et une couche barrière de contrainte de compression 27 qui est contiguë à la couche de puits 24 sur la couche de gainage de type P 16 est formée en In0,79Ga0,21As0,59P0,41 de type N selon une épaisseur de 5 nm. Dans la couche barrière de contrainte de traction 26 et dans la couche barrière de contrainte de compression 27, les concentrations en impuretés sont dans la plage de 1 x 1018/cm3 à 2 x 1018/cm3. Pour le mode de réalisation courant, un diagramme de bande d'énergie depuis la couche de gainage de type N 12 jusqu'à la couche de gainage de type P 16 est représenté sur la figure 7B. Dans cette structure, la couche barrière de contrainte de traction 26 formée sur le plan A {111} génère un champ électrique suivant la direction du substrat. Les extrémités de bande Ec et Ev de la couche barrière de contrainte de traction 26 sont inclinées au point de perdre en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. La couche barrière de contrainte de compression 27 génère un champ électrique en son sein suivant la direction d'éloignement par rapport à la couche de puits 24 qui est contiguë à la couche barrière de contrainte de compression 27. Les extrémités de bande Ec et Ev de la couche barrière de contrainte de compression 27 sont inclinées au point de gagner en hauteur proportionnellement à l'augmentation de la distance par rapport au substrat. Puisque des puits sont amenés à se constituer sur les discontinuités formées entre deux barrières adjacentes, les puits sur le côté d'extrémité de bande de conduction présentent par conséquent une profondeur importante par comparaison avec les couches barrières soumises à aucune contrainte et les électrons sont empêchés de déborder dans la couche SCH 15 sur le côté de couche de gainage de type P 16 et ils se recombinent eux-mêmes avec des trous positifs dans la zone barrière. En tant que résultat, le confinement des électrons est amélioré et le courant de seuil est diminué. Les porteurs excités à partir de l'impureté existant dans les zones de la couche barrière de contrainte de traction 26 et de la couche barrière de contrainte de compression 27 proches de la couche de puits 24 tombent dans la couche de puits 24 et se confinent en son sein pour donner naissance à une charge d'espace. Dans ce cas, bien que les zones centrales des couches barrières soient abaissées sous l'influence de la charge d'espace par comparaison avec celles du premier mode de réalisation, la centrale d'une couche barrière 25 est agrandie comme mis en exergue au niveau de l'extrémité de bande de conduction Ec, du fait que la couche barrière 25 est soumise à une contrainte, comme décrit ci- avant. Selon le présent mode de réalisation par conséquent, le nombre de porteurs qui tombent dans les puits est supérieur à ce qui est habituel du fait que les porteurs excités provenant de l'impureté existant dans la partie de la couche barrière 25 séparée de la couche de puits 24 sont déplacés jusqu'à la couche de puits 24 par le champ électrique généré par la contrainte. En outre, puisque les puits sont formés sur les discontinuités entre les barrières de contrainte de traction et les barrières de contrainte de compression, les puits sur les extrémités de bande de conduction présentent une profondeur importante de façon similaire à ceux selon le premier mode de réalisation. En tant que résultat, les électrons sont empêchés de déborder de la couche SCH 15 sur le côté de couche de gainage de type P 16 et ils sont empêchés de se recombiner eux-mêmes avec les trous positifs dans la zone barrière. Le fait que le nombre de porteurs qui tombent dans les couches barrières est augmenté conduit à une diminution du courant de seuil par rapport à la bande habituelle et en outre au fait que le débordement des porteurs depuis les puits est infléchi et par conséquent, le fait que le courant de seuil est diminué par rapport à la bande habituelle améliore encore l'effet du dopage avec modulation. Dans les cas o le dopage avec modulation de type P a été mis en oeuvre, il est seulement nécessaire d'inverser la disposition relative des couches barrières de contrainte de compression et des couches barrières de contrainte de traction. Puisque les puits sont amenés à se constituer sur les discontinuités des barrières au niveau de l'extrémité de la bande de valence, le nombre de trous positifs qui tombent dans les puits est augmenté de façon similaire au cas du second mode de réalisation. Troisième mode de réalisation Les figures 8A et 8B sont respectivement une vue en coupe transversale d'un laser à semiconducteur en tant que troisième mode de réalisation de la présente invention et son diagramme de bande d'énergie de potentiel. Par report à la figure 8A, une couche de gainage du type N 12, une première couche SCH 13, une couche active 28 d'une structure de puits quantique multicouche, une seconde couche SCH 15, une couche de gainage de type P 16 et une couche de contact de type P+ 17 sont séquentiellement formées selon l'ordre mentionné sur le plan A {1 1} d'un substrat semiconducteur 11 qui contient une impureté de type N. La structure de puits quantique multicouche comporte trois couches de puits 29 et des couches barrières de contrainte de compression 30 sont formées sur chacune entre la première couche de puits 29 à proximité du substrat semiconducteur 11 et la première couche SCH 13 ainsi qu'entre la troisième couche de puits 29 et la seconde couche SCH 15. Les couches barrières de séparation 31 dont chacune est pincée entre deux couches de puits adjacentes 29 sont formées en un matériau qui ne présente pas de contrainte de réseau cristallin par rapport au substrat semiconducteur 11. Les parties supérieures de la couche de gainage de type P 16 et de la couche de contact de type P+ 17 sont chacune formées selon la forme d'une bande étirée suivant la direction des ondes de guidage et ces couches sont recouvertes d'un film en SiO2 13. Une électrode de type P 18 est connectée au côté supérieur de la couche de contact 17 par l'intermédiaire d'une ouverture formée dans le film en SiO2 13 et une électrode de type N 24 est formée sur le côté inférieur du substrat semiconducteur 1 1. Des exemples concrets des matériaux et des épaisseurs de film destinés à être utilisés pour les couches constitutives de la couche semiconductrice sont ci-après décrits. Dans le laser à semiconducteur du présent mode de réalisation, le substrat semiconducteur 11, les couches de gainage 12 et 16, les couches SCH 13 et 15 etc. autres que la structure de puits quantique multicouche sont réalisés en les mêmes matériaux que ceux utilisés lors du premier mode de réalisation et selon les mêmes épaisseurs que décrites lors du premier mode de réalisation. Les couches semiconductrices y compris la couche active 28 sont obtenues par croissance au moyen du même procédé que celui utilisé lors du premier mode de réalisation. Dans la structure de puits quantique multicouche, les couches de puits 29 sont formées en Ino,53Gao,47As non dopé non soumis à contrainte selon une épaisseur de 10 nm. Les couches barrières de séparation non soumises à contrainte 31 qui sont pincées entre les couches de puits adjacentes 29 sont formées en Ino,71Gao,29Aso,62Po,38 non dopé et la couche barrière de contrainte de compression 30 qui est contiguë aux couches SCH 13 et 15 est formée en Ino,79Gao,21Aso,59P0,41 non dopé selon une épaisseur de 5 nm. Selon le présent mode de réalisation, un diagramme de bande d'énergie entre la couche de gainage de type N 12 et la couche de gainage de type P 16 est tel que représenté sur la figure 8B. Selon cette structure, les couches barrières de contrainte de compression 30 qui sont en contiguës aux deux couches SCH 13 et 15 génèrent un champ électrique en leur sein suivant la direction qui va de la couche de gainage de type N 12 jusqu'à la couche de gainage de type P 16. Selon le présent mode de réalisation par conséquent, la seconde couche SCH 15 présente une hauteur importante par comparaison avec celle du laser à semiconducteur classique (figure 2) qui ne présente pas de contrainte dans les couches barrières formées sur les côtés opposés de la structure de puits quantique et la première couche SCH 13 présente une hauteur faible par comparaison avec le laser à semiconducteur classique qui ne présente pas de contrainte dans les couches barrières. En tant que résultat, la probabilité que les électrons se recombinent euxmêmes avec les trous positifs dans la seconde couche SCH 15 est amoindrie du fait que les électrons injectés depuis la couche de gainage de type N 12 dans la couche de puits 29 ne débordent pas aisément de cette couche SCH 15. Pareillement, les trous positifs qui sont injectés depuis la couche de gainage de type P 16 dans la couche de puits 29 ne débordent pas aisément de la première couche SCH 13. Du fait de ces facteurs, la croissance possible du courant de seuil est empêchée. Le souhait d'empêcher de façon exclusive le débordement des électrons dans la structure de puits quantique multicouche est satisfait en conférant une contrainte de compression de façon exclusive à la couche barrière qui est contigue à la seconde couche SCH 15. A l'opposé, le souhait d'empêcher de façon exclusive le débordement de trous positifs dedans est complètement satisfait en conférant une contrainte de compression de façon exclusive à la couche barrière qui est contigue à la première couche SCH 13. Quatrième mode de réalisation Les figures 9A et 9B sont respectivement une vue en coupe transversale d'un laser à semiconducteur en tant que quatrième mode de réalisation de la présente invention et son diagramme de bande d'énergie de potentiel. Par report à la figure 9A, une couche de gainage de type N 12, une première couche SCH 13, une couche active 32 d'une structure de puits quantique multicouche, une seconde couche SCH 15, une couche de gainage de type P 16 et une couche de contact de type P+ 17 sont formées séquentiellement selon l'ordre mentionné sur le plan A {111} d'un substrat semiconducteur 11 qui contient une impureté de type N. La structure de puits quantique multicouche comporte trois couches de puits 34 jointes par l'intermédiaire du milieu de deux couches barrières de contrainte de traction d'intervention 35. Les deux couches de puits les plus externes 34 entrent directement en contact avec les couches SCH 13 et 15. Les parties supérieures de la couche de gainage de type P 16 et de la couche de contact de type P+ 17 sont chacune formées selon la forme d'une bande étirée suivant la direction des ondes de guidage et ces couches sont recouvertes d'un film en SiO2 13. Une électrode de type P 18 est connectée au côté supérieur de la couche de contact 17 par l'intermédiaire d'une ouverture formée dans le film en SiO2 13 et une électrode de type N 24 est formée sur le côté inférieur du substrat semiconducteur 11. Des exemples concrets des matériaux et des épaisseurs de film à utiliser pour des couches constitutives du laser à semiconducteur sont décrits ciaprès. Dans le laser à semiconducteur du présent mode de réalisation, le substrat semiconducteur 11, les couches de gainage 12 et 16, les couches SCH 13 et 15 etc... autres que la structure de puits quantique multicouche sont réalisés en les mêmes matériaux que ceux utilisés dans le premier mode de réalisation selon les mêmes épaisseurs que celles représentées lors du premier mode de réalisation. Les couches semiconductrices y compris la couche active 28 sont obtenues par croissance au moyen du même procédé que celui utilisé lors du premier mode de réalisation. Dans la structure de puits quantique multicouche, les couches de puits 34 sont formées en Ino,53Gao,47As non dopé non soumis à contrainte selon une épaisseur de 10 nm. Les couches barrières de contrainte de traction 33 qui sont pincées entre des couches de puits adjacentes 34 sont formées en Ino,63Gao,37Aso0,64PO,36 non dopé selon une épaisseur de 5 nm. Selon le présent mode de réalisation, un diagramme de bande d'énergie entre la couche de gainage de type N 12 et la couche de gainage de type P 16 est tel que représenté sur la figure 9B. Selon cette structure, les couches barrières de contrainte de traction 33 qui sont pincées par les couches de puits 34 génèrent un champ électrique en leur sein suivant la direction qui va de la couche de gainage de type P 16 jusqu'à la couche de gainage de type N 15 et la seconde couche SCH 15 présente une énergie inférieure à celle de la première couche SCH 13. En tant que résultat, les électrons qui sont injectés depuis la couche de gainage de type N 12 sont également injectés de façcon abondante dans la couche de puits 34C qui est éloignée de la couche de gainage de type N 12 et qui est proche de la seconde couche SCH 15 et les nombres d'électrons dans les couches de puits individuelles 34a à 34c sont rendus égaux. Des trous positifs qui sont générés par l'excitation thermique dans les couches de puits 34 sont acheminés par un champ électrique généré par une contrainte cristalline qui peut être déplacée aisément suivant la direction de la couche de puits 34a proche de la couche de gainage de type N 12, le résultat étant que les densités de trous positifs dans les couches de puits individuelles 34 sont rendues égales. Selon le présent mode de réalisation par conséquent, le rendement de recombinaison dans les couches de puits 34 est augmenté et la croissance du courant de seuil est réprimée par comparaison avec le laser à semiconducteur classique qui ne présente pas de contrainte dans les couches barrières pincées par les couches de puits. Autres modes de réalisation Selon les modes de réalisation cités ci-avant, les couches de gainage, les couches SCH, la structure de puits quantique multicouche et les autres couches sont représentées comme étant formées sur la plan A {111} du substrat semiconducteur. Optionnellement, ces couches et structures peuvent être formées sur le plan B {111} en lieu et place. Dans le cas o ces couches semiconductrices sont formées sur le plan B {111} cependant, le souhait d'obtenir une structure de bande d'énergie telle que représentée sur les figures 6B, 7B et 8B est pleinement satisfait en modifiant l'expression "couches barrières de contrainte de compression" utilisée dans la description qui précède de manière à lire "couches barrières de contrainte de traction" et l'expression "couches barrières de contrainte de traction" de manière à lire "couches barrières de contrainte de compression". Puisque la raison de cette modification a été déjà écrite ci- avant en relation avec le principe de la présente invention, elle est omise ici. Le silicium a été cité ci-avant en tant qu'exemple concret de I'impureté de type N pour le semiconducteur des groupes III-V. Du souffre, de l'étain et du tellure sont d'autres exemples concrets. Le zinc a été cité ciavant en tant qu'exemple concret de l'impureté de type P pour le semiconducteur des groupes III-V. Le béryllium, le germanium, le cadmium, le manganèse et le magnésium sont d'autres exemples concrets. En outre, selon les premier et second modes de réalisation mentionnés ciavant, les couches barrières pincées par les couches de puits sontreprésentées comme étant formées par des couches barrières de contrainte de traction et par des couches barrières de contrainte de compression. Optionnellement, des couches barrières sans contrainte peuvent être interposées entre les couches barrières de contrainte de traction et les couches barrières de contrainte de compression. L'interposition de ces couches barrières sans contrainte empêche la détérioration sinon possible des réseaux cristallins des couches semiconductrices individuelles superposées sur le substrat semiconducteur même lorsque les constantes de réseau cristallin des couches barrières de contrainte de traction et celles des couches barrières de contrainte de compression sont largement différentes. Le laser à semiconducteur décrit ci-avant est destiné à faire osciller un faisceau laser au moyen d'une polarisation directe. Optionnellement, il peut être adapté pour un dispositif de modulation de lumière au moyen d'une polarisation inverse. Dans ce cas, la couche active joue le rôle de couche absorbeuse de lumière. Il est également possible de former un dispositif d'amplification de lumière à semiconducteur selon la même structure que celle du laser à semiconducteur mentionné ci-avant. Dans le dispositif d'amplification de lumière, I'amplification de lumière est de façon générale obtenue en liant un film adapté pour diminuer la réflectance à chacun des plans d'extrémité opposés d'un laser, en appliquant un courant électrique inférieur au courant de seuil au dispositif d'amplification de lumière et en injectant un rayon lumineux dans une extrémité de la couche active tandis que le dispositif est maintenu dans l'état excité. Les couches barrières de contrainte de traction et les couches barrières de contrainte de compression envisagées par la présente invention peuvent être adoptées dans des commutateurs de lumière, des filtres de lumière et d'autres dispositifs opto-semiconducteurs qui possèdent une structure de puits quantique. Dans la structure de puits quantique de ces dispositifs optosemiconducteurs, des couches de puits sous contrainte peuvent être formées en conjonction avec des couches barrières sous contrainte. REVENDICATIONS 1. Dispositif opto-semiconducteur comportant une structure de puits quantique, ladite structure de puits quantique étant caractérisée en ce qu'elle comprend: des couches barrières (2) munies au moins en partie d'une couche de contrainte (3 ou 4) agencée pour générer un champ électrique interne au moyen d'un effet piézoélectrique; et une couche de puits (1). 2. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) est formée en un cristal semiconducteur composite des groupes III-V présentant une structure blende de zinc obtenue par croissance perpendiculairement à un plan {11 1} d'un substrat semiconducteur composite. 3. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite structure de puits quantique est formée sur un substrat en InP. 4. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) est formée en InGaAsP ne permettant pas d'obtenir une adaptation de réseau cristallin avec ledit substrat en InP et ladite couche de puits (1) est formée en InGaAs permettant d'obtenir une adaptation de réseau cristallin avec ledit substrat en InP. 5. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) présente une épaisseur non supeérieure à une épaisseur de film critique. 6. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) est formée sur un plan incliné, suivant la direction qui va d'un plan {111} à un plan {110}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de 35,5 degrés. 7. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) est formée sur un plan incliné, suivant la direction qui va d'un plan {111} à un plan {100}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de +19,5 degrés. 8. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de contrainte (3 ou 4) est formée sur un plan incliné, suivant la direction qui va d'un plan {111} à un plan {110}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de 35,3 degrés et suivant la direction qui va d'un plan {111} à un plan {100}, d'un angle supérieur à 0 degré et tombant dans la plage de +54,7 degrés. 9. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de puits (1) est pincée par lesdites couches de contrainte (3 et 4) desdites couches barrières (2) et lesdits champs électriques internes dans lesdites deux couches de contrainte (3 et 4) sont générés suivant la direction qui va depuis l'intérieur jusqu'à l'extérieur de chaque dite couche de puits (1). 10. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdites couches de puits (1) sont pincées par lesdites couches de contrainte (3 et 4) desdites couches barrières (2) et lesdits champs électriques internes dans lesdites deux couches de contrainte (3 et 4) sont respectivement générés suivant la direction qui va depuis l'extérieur jusqu'à l'intérieur de chacune desdites couches de puits (1). 11. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite structure de puits quantique est formée entre une couche semiconductrice de type N (12) et une couche semiconductrice de type P (16) et ledit champ électrique interne est généré suivant la direction qui va de ladite couche semiconductrice de type N (12) jusqu'à ladite couche semiconductrice de type P (16). 12. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite structure de puits quantique est formée entre une couche semiconductrice de type N (12) et une couche semiconductrice de type P (16) et ledit champ électrique interne est généré suivant la direction qui va de ladite couche semiconductrice de type P (16) jusqu'à ladite couche semiconductrice de type N (12). 13. Dispositif opto-semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite structure de puits quantique a subi un dopage avec modulation. 14. Dispositif opto-semiconducteur comportant une structure de puits quantique, ladite structure de puits quantique étant caractérisée en ce qu'elle comprend: une couche barrière de contrainte de traction (3) formée sur un plan A {111} (un plan incluant des éléments du groupe III) d'un semiconducteur composite des groupes III-V; une couche de puits (1) formée sur ladite couche barrière de contrainte de traction (3); et une couche barrière de contrainte de compression (4) formée sur ladite couche de puits (1). 15. Dispositif opto-semiconducteur comportant une structure de puits quantique, ladite structure de puits quantique étant caractérisée en ce qu'elle comprend: une couche barrière de contrainte de compression (7) formée sur un plan B {11 1} (un plan incluant des éléments du groupe V) d'un semiconducteur composite des groupes 111-V, une couche de puits (8) formée sur ladite couche barrière de contrainte de compression (7); et une couche barrière de contrainte de traction (9) formée sur ladite couche de puits (8). 16. Dispositif opto-semiconducteur comportant une structure de puits quantique, ladite structure de puits quantique étant caractérisée en qu'elle comprend: une couche barrière de contrainte de compression (4) formée sur un plan A {111} d'un semiconducteur composite des groupes IIIV; une couche de puits (1) formée sur ladite couche barrière de contrainte de compression (4); et une couche barrière de contrainte de traction (3) formée sur ladite couche de puits (1). 17. Dispositif opto-semiconducteur comportant une structure de puits quantique, ladite structure de puits quantique étant caractérisée en ce qu'elle comprend: une couche barrière de contrainte de traction (9) formée sur un plan B {111} d'un semiconducteur composite des groupes III- V; une couche de puits (8) formée sur ladite couche barrière de contrainte de traction (9); et une couche barrière de contrainte de compression (7) formée sur ladite couche de puits (8).