Brevet FR2719388A1 — publié le 19951103

La présente invention concerne le domaine des dispositifs semi- conducteurs optoélectroniques. Les dispositifs optoélectroniques réunissent des composants à fonctions optiques et/ou à fonctions électroniques, tels que des lasers, guides optiques, modulateurs, photodiodes, transistors, etc... De nombreux dispositifs optoélectroniques sont conçus pour être couplés à des fibres optiques, en particulier dans le domaine des télécommunications optiques. Cependant les dispositifs optoélectroniques et les fibres optiques possèdent des modes optiques différents: les modes optiques des circuits optiques intégrés aux dispositifs optoélectroniques sont généralement petits et elliptiques, typiquement 5 x 1 m, tandis que les modes des fibres optiques sont généralement circulaires et plus larges, typiquement d'un diamètre de 8 à 1 lpm. Pour permettre un couplage correct entre fibre et dispositif optoélectronique il est donc nécessaire de prévoir entre ceux-ci un adaptateur modal servant à transformer - élargir ou rétrécir - le mode optique, afin d'adapter celui-ci. Le couplage d'un mode à l'autre est donné par le carré de 2) l'intégrale de recouvrement des deux champs. Le couplage est idéalement égal à 1 si d'une part les deux modes sont identiques en tout point et d'autre part ils sont concentriques. Il faut donc pour que le couplage soit optimal que l'un au moins des deux modes soit transformé et acquiert la géométrie de l'autre. On peut pour cela travailler soit côté fibre, soit côté circuit optique. Côté fibre, l'adaptateur de mode est formé généralement d'un lentillage de la fibre. Le couplage obtenu peut théroriquement être très bon, mais cependant les tolérances de positionnement sont alors très faibles vu que les deux modes à coupler sont petits. Typiquement 1 à 2 &m d'erreur dans le positionnement entre la fibre et le circuit optoélectronique crée une perte de 9096 en couplage. Prévoir l'adaptateur sur la fibre optique revient par conséquent à reporter le problème sur le montage. Par ailleurs, il est difficile de rendre le mode de fibre elliptique, ce qui fait que le rendement de couplage n'est jamais égal à 1. Pour ces raisons, on a intérêt à travailler du côté du guide intégré sur le circuit optique et à réaliser la transformation sur le circuit optique lui-même. Ceci permet de faire un traitement collectif du problème puisque des milliers de composants du même type peuvent être fabriqués simultanément. Il est possible de transformer le mode en un mode circulaire. Les tolérances de positionnement sont accrues par rapport a la méthode précédente vu que l'on couple deux modes plus larges que dans le cas fibre lentillée/guide. L'adaptation de modes sur le circuit est connue en soit différentes méthodes ont été proposées sur des composants optiques. Sur ce point on peut se référer par exemple aux six documents suivants: [1] G. Muller, L. Stoll, G. Wenger and M. Schienle, "Fisrt low loss InP/InGaAsP optical switch with integrated mode transformers", ECOC, Montreux, 1993, pp 37-40 [2] RJ. Deri, N. Yasuoka, M. Makiuchi, A. Kuramata and O. Wada, 'Efficient fibre coupling to diluted multiple quantum well waveguides", Appl. Phys. Lett, 1989, 55, pp 1495-1497 [3] T.L Koch, U. Koren, G. Eisenstein, M.G. Young, M. Oron, C.R Giles and B.I. Miller, "Tapered waveguide InGaAs/InGaAsP multiple quantum well lasers", IEEE Photonics Tech. Lett., 1990, 2, pp 88-90 [4] T. Brenner, W. Hunziker, M. Smit, M. Bachmann, G. Guekos and H. Melchior, "Vertical InP/InGaAsP tapers for low-loss optical fibre- waveguide coupling", Electron. Lett. Vol. 28, N .22, October 1992, pp. 2040- [5] R. Zengerle, H. Bruckner, H. Olzhausen and A. Kohl, "Low-loss fibre- chip coupling by buried laterally tapered InP/InGaAsP waveguide structure', Electron. Lett. Vol. 28, n 7, March 1992, pp631-632. [6] J.G. Bauer et al., uHigh Responsivity Integrated Tapered Waveguide PIN Photodiode', CCOC 93. Plus précisément, pour réaliser l'adaptation de mode sur le circuit optique, il faut résoudre deux problèmes: a) avoir un guide de couplage dont le mode est adapté à la fibre, b) réaliser la transformation adiabatique du mode de couplage en un mode plus petit, celui du circuit optique. Pour résoudre le problème a) il a été suggéré d'obtenir un indice moyen de la zone guidante proche de l'indice de la zone de S confinement. Pour cela on a proposé essentiellement deux moyens: - obtenir directement un matériau proche, par exemple par dopage InP/InP n+ (voir document [1]); il est en revanche (bien que théoriquement possible) difficile d'obtenir deux matériaux de compositions différentes ayant un indice proche; - diluer un matériau d'indice différent dans le matériau de confinement (voir document [2]), créant ainsi un matériau d'indice moyen proche de l'indice du matériau de confinement. Pour résoudre le problème b), il a été suggéré de réduire et faire disparaître la couche guidante du circuit optique. Pour cela on a proposé plusieurs méthodes: - tailler en biseau la couche guidante, par marche ou directement (voir documents [1, 3, 4]); - tailler la couche guidante en pointe, grâce à une ou plusieurs lithographie et attaques, (voir document [5]). - obtenir un indice moyen en segmentant le guide. Le mode passe d'un état à l'autre par transformation adiabatique. L'homme de l'art sait par ailleurs qu'il est souhaitable d'intégrer les composants à fonction électronique sur le circuit optique afin de pouvoir faire directement les conversions électriques/optiques, à l'émission ou à la réception. En particulier, pour des applications à haut débit cela permet de limiter les effets parasites dus au montage. Cependant, malgré les nombreuses recherches conduites dans le domaine, en raison notamment des retombées potentielles pour les télécommunications à fibre optique, à la connaissance des inventeurs, aucune structure semi-conductrice complète intégrant des composants à fonction électronique et des adaptateurs modaux n'a encore été proposée. Cela semble du au fait que jusqu'ici les contraintes liées à la fabrication des composants à fonction électronique et celles liées à la conception des adaptateurs modaux apparaissaient à priori incompatibles. Notamment les composants à fonction électronique doivent être fabriqués sur substrat semi-isolant pour éviter toute capacité parasite, si l'on veut qu'ils soient performants. L'utilisation de structures du type InPn-/InPn+ n'est donc pas envisageable. Par ailleurs, les couches de matériaux semi-conducteurs généralement utilisées pour la réalisation de composants actifs, tels que des transistors, sont absorbantes aux longueurs d'ondes optiques utilisées dans le domaine des télécommunications optiques. De ce fait, avant la contribution de l'invention, l'homme de l'art ne pouvait envisager d'intégrer des adaptateurs modaux sur des structures comprenant des composants à fonction électronique, sans retirer les couches des composants à fonction électronique et refaire une épitaxie pour l'adaptateur modal et le guide. Malgré les préjugés existants sur la base de l'état de la technique ainsi rappelé, les inventeurs se sont donnés pour but d'intégrer des composants à fonction purement électronique (par exemple des circuits à base de transistors) avec des circuits à fonction optique et des adaptateurs de modes. Plus précisément, le but principal de l'invention est de permettre la réalisation sur un circuit optique, d'un adaptateur de mode d'une fibre optique à celui de ce circuit optique, afin de relaxer ainsi les tolérances de positionnement et augmenter l'efficacité de couplage. Un but auxiliaire de l'invention est de proposer un procédé d'intégration de composants à fonction électronique, de composants à fonction optique et d'adaptateurs de mode, qui n'exige qu'un nombre limité d'épitaxies et de niveaux de masquages et qui facilite les problèmes d'alignement de niveaux. Ce but est atteint dans le cadre de la présente invention grâce à un dispositif optoélectronique à semi-conducteur comportant au moins un composant à fonction électronique, au moins un composant à fonction optique et un adaptateur de mode associé à ce composant à fonction optique, dans lequel d'une part certaines au moins des couches de matériau semi-conducteur constituant le composant à fonction électronique, sont utilisées simultanément pour former des couches optiques dans la zone adaptateur modal, et d'autre part au moins au niveau $ de la zone adaptateur modal, ces couches de matériau semi- conducteur sont adaptées pour être non absorbantes à la longueur d'onde de travail. Selon une première variante de mise en oeuvre conforme à la présente invention, lesdites couches de matériau semi-conducteur utilisées simutanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal, sont réalisées en un matériau homogène qui présente un intervalle de bande interdite apparent tel que la longueur d'onde de travail ne soit pas absorbée par ces couches. Selon une seconde variante de mise en oeuvre conforme à la présente invention, lesdites couches de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau initialement homogène, ce matériau étant rendu localement non absorbant à la longueur d'onde de travail, dans la partie optique. Selon une troisième variante de mise en oeuvre conforme à la présente invention, lesdites couches de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau initialement homogène, ce matériau étant traité localement dans la partie composant à fonction électronique pour posséder un intervalle de bande interdite compatible avec cette fonction. Ainsi un point fondamental de l'invention consiste à utiliser pour les composants à effet électronique, un matériau semi-conducteur compatible avec la structure optique. Pour cela les couches à petit intervalle de bande interdite des composants électroniques classiques sont remplacées par des couches dont l'intervalle apparent de bande interdite est supérieur et tel que la longueur d'onde de la lumière de travail ne soit pas absorbée, o ces couches sont traitées localement de sorte que le matériau soit rendu non absorbant dans la partie optique et/ou de sorte que le matériau présente un petit intervalle de bande interdite dans la partie composant électronique. Selon une autre caractéristique avantageuse les différentes couches de matériau semi-conducteur constituant le dispositif conforme à la présente invention sont déposées par épitaxie sur un substrat présentant une marche gravée dont la hauteur est égale à la somme des épaisseurs des couches déposées par épitaxie, moins l'épaisseur des couches constituant le composant à fonction électronique. Selon une autre caractéristique avantageuse de l'invention après épitaxie, les couches superposées à celles constituant le composant à fonction électronique sont retirées sur la partie haute de la marche gravée du substrat. Selon une autre caractéristique avantageuse de la présente invention, l'adaptateur de mode est réalisé non point en taillant en pointe une couche guidante mais en utilisant une gravure totale par zones à pas variable d'un ruban de cette couche guidante. Cette méthode connue pour les guides diffusés est appliquée dans le cadre de l'invention, pour des sections gravées. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un adaptateur de mode qui consiste à former un adaptateur de mode en sablier comprenant une partie d'entrée large mode, une zone de décroissance en largeur pour pousser le mode en profondeur et une zone de croissance en largeur qui permet le transfert de mode du mode large vers un guide. D'autres caractéristiques, buts et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui va suivre, et en regard des dessins annexés donnés à titre d'exemples non limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 représente une vue en coupe verticale d'une structure optoélectronique à adaptateur de mode intégré, conforme à la présente invention, - la figure 2 représente une vue en plan d'un élément adaptateur de mode taillé en pointe, - la figure 3 représente une vue en plan d'un élément adaptateur de mode formé par gravure totale par zones à pas variable d'un ruban de la couche guidante, conforme à la présente invention, - la figure 4 représente une vue partielle en perspective d'une structure optoélectronique conforme à la présente invention du type guide - PIN - HFET, et - la figure 5 représente une vue partielle en perspective d'une structure optoélectronique conforme à la présente invention du type émetteur optique ou transducteur électrique/optique possédant une électronique de commande intégrée. On va tout d'abord décrire la structure générale du dispositif conforme à la présente invention représentée sur la figure 1 annexée, ainsi que le procédé d'obtention de celle-ci. La première étape du procédé consiste à réaliser un substrat semi-isolant 50 comportant une marche verticale droite 52. Ensuite, on dépose par épitaxie, sur ce substrat 50, différentes couches superposées de matériaux semi-conducteurs. Ces couches superposées ont la référence générale 60 sur la figure 1. Plus précisément, un groupe 62 de couches inférieures ainsi déposé a pour but d'assurer la fonction électronique, tandis que l'ensemble 60 des couches déposées par épitaxie, c'est-à-dire y compris le groupe 62 de couches inférieures précité, a pour but d'assurer la fonction optique. La hauteur H de la marche 52 est égale à la somme des épaisseurs des couches 60 déposées par épitaxie moins l'épaisseur du groupe 62 de couches inférieures assurant la fonction électronique. Après avoir déposé l'ensemble 60 des couches, par épitaxie, sur le substrat 50, les couches situées au-dessus du groupe 62 de couches inférieures, sont retirées, sur la partie haute 54 du substrat 50. Ainsi on obtient une structure planaire dans laquelle la surface supérieure du groupe 62 de couches restant sur la partie haute 54 du substrat affleure la surface supérieure de l'ensemble 60 des couches déposées sur la partie basse 56 du substrat. Le composant à fonction électronique est réalisé sur la partie haute 54 du substrat à l'aide du groupe de couches 62. Le composant à fonction optique est réalisé sur la partie basse 56 du substrat à l'aide de l'ensemble 60 des couches déposées, et le cas échéant la coopération du substrat 50 lui-même. La communication entre le composant à fonction électronique réalisé sur la partie haute 54 du substrat et le composant à fonction optique réalisé sur la partie basse 56 du substrat est obtenue au niveau des couches supérieures du composant à fonction optique placées en regard des couches 62 du composant à fonction électronique. Comme on l'a indiqué précédemment, dans le cadre de l'invention, les couches 62 de matériaux semi-conducteurs constituant le composant à fonction électronique sont utilisées simultanément pour former les couches optiques inférieures dans la zone adaptateur modal. Cependant, du fait que les couches de matériaux semi-conducteurs 62 qui forment le composant à fonction électronique, présentent un intervalle de bande interdite apparent tel que la longueur d'onde de travail ne soit pas absorbée par ces couches, au moins dans la partie optique, l'utilisation simultanée des couches 62 dans le composant à fonction électronique et dans le composant à fonction optique, ne perturbe pas le fonctionnement de ce dernier. Le dispositif conforme à la présente invention permet une conversion électrique/optique directe à l'émission ou à la réception. De plus, la présente invention permet d'épitaxier le composant à fonction électronique directement sur le substrat semi-isolant, ce qui évite toute capacité parasite. Grâce à la présente invention, les couches du composant à fonction électronique sont accessibles directement sur la partie haute 54 de la structure. Ceci permet de réaliser la grille de dimension submicronique de ce composant grâce à tout procédé classique. Les composants à fonction électronique formés des couches 62 déposées sur la partie haute 54 du substrat peuvent constituer par exemple des transistors de différents types, tels que des transistors à effet de champ ou transistors bipolaires. Par rapport aux solutions envisageables antérieurement sur la base de l'état de la technique, la présente invention permet l'intégration de l'adaptateur modal sur un substrat comprenant un composant à fonction électronique, sans décaper les couches de ce dernier et refaire une épitaxie pour réaliser l'adaptateur modal et le guide associé. Une caractéristique essentielle de l'invention réside donc dans le remplacement des couches à petit intervalle de bande interdite utilisées classiquement pour la réalisation de transistors, par des couches d'intervalle de bande interdite apparent supérieur, ou par un traitement local des couches de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et l'adaptateur de mode, afin de rendre ce matériau compatible respectivement avec ladite fonction électronique et ladite fonction d'adaptation de mode. Cet intervalle de bande interdite apparent peut correspondre directement à l'intervalle de bande interdite d'un matériau utilisé, ou encore peut correspondre à l'intervalle de bande interdite résultant d'effets quantiques. Cet intervalle de bande interdite apparent doit être adapté de telle sorte que la longueur d'onde o l'on travaille la lumière ne soit pas absorbée au niveau du composant à fonction optique. A titre d'exemple non limitatif, l'intervalle de bande interdite apparent des couches 62 formant le composant à fonction électronique peut être de l'ordre de 1,4tm pour un travail dans la fenêtre 1,52-1, 57Ft. Les couches du composant à fonction électronique sont alors suffisamment fines pour constituer un matériau de type dilué. On peut, en ajoutant quelques couches supplémentaires dans la structure guide, modifier à souhait la structure du mode. Le guidage du mode large se fait en partie dans le substrat 50, ce qui réduit l'épaisseur de couches épitaxiées nécessaires et donc permet d'avoir une planarisation suffisante pour réaliser les composants à fonction électronique. Les performances de ces composants peuvent être globalement les mêmes qu'avec des structures à petit intervalle de bande interdite, si l'on optimise la structure. Par exemple pour des transistors à effet de champ à canal quaternaire, les performances peuvent être légèrement inférieures en terme de fréquence de coupure mais seront en revanche meilleure en terme de bruit. Le couplage mode large à mode étroit peut être réalisé par l'une quelconque des méthodes décrites antérieurement dans l'état de la technique, voir plusieurs de ces méthodes combinées. Ainsi, le couplage mode large à mode étroit peut être obtenu en taillant en biseau la couche guidante, par marches ou directement, ou encore en taillant la couche guidante en pointe, grâce à une ou plusieurs lithographies et attaques par exemple. Sur la figure 2 on a schématisé ainsi la taille classique en pointe de la couche guidante 64 pour un couplage mode large a mode étroit. Cependant, dans le cadre de la présente invention, il est proposé également un procédé différent des méthodes antérieurement envisagées pour assurer ce couplage. En effet, la taille des pointes qui doivent être atteintes pour déconfiner les modes, de l'ordre de 2Onm, nécessite l'emploi d'insolation sur tranche, très contraignante, lors de la réduction en pointe de la couche guidante 64. Pour éliminer ce problème, il est proposé, dans le cadre de l'invention, comme schématisé sur la figure 3, non pas de tailler la couche guidante en pointe, mais d'utiliser une gravure totale par zones à pas variables du ruban 64 composant cette couche guidante. Par "pas variables', on entend que les zones 66 gravées, c'est-à- dire éliminées totalement, ont des épaisseurs progressivement croissantes en éloignement du ruban 64 composant la couche guidante et que par ailleurs les éléments discrets 68 de cette couche guidante 64 préservés entre deux zones gravées 68 ont inversement des épaisseurs progressivement décroissantes en éloignement du ruban 64 composant la couche guidante. La structure finale obtenue schématisée sur la figure 3 présente le même indice moyen qu'une couche guidante physiquement taillée en pointe comme illustré sur la figure 2, sans présenter néanmoins les contraintes de cette dernière. Il faut noter que la présente invention s'applique non seulement au couplage d'une structure optoélectronique avec une fibre clivée, mais également au couplage d'une structure optoélectronique avec une fibre lentillée de taille de mode raisonnable, par exemple 5-8Fm. Une telle fibre lentillée peut être obtenue aisément à l'aide de techniques connues de l'homme de l'art, et l'invention permet dans ce contexte de relacher notablement les tolérances de positonnement. Pour cela, bien entendu, le guide de couplage doit permettre d'obtenir un mode circulaire. La présente invention peut trouver application dans la réalisation de nombreuses structures optoélectroniques. Par la suite, on va décrire l'application de l'invention, d'une part à la réalisation d'un circuit de détection type guide-PIN-HFET, et d'autre part à la réalisation d'un circuit d'émission type émetteur optique ou transducteur électrique/optique possédant une électronique de commande intégrée. On va tout d'abord décrire la réalisation de la structure de détection guide-PIN-HFET, en regard de la figure 4. La première étape du procédé consiste à réaliser un substrat 50 gravé présentant une marche verticale droite 52. Puis, l'on réalise par épitaxie le dépôt des seize couches définies dans le tableau I. TABLEAU I couche matériau Gap épais- dopage type indice coninen- seur taire 16 GaInAs 250A 14 GainAs 0.4% iO.083 bant 13 GalnAsP 1.37F 0.3t 5.1018 n+ >3. 381 con t act n+ 12 InP 250A tableau I, 4,2&m. Les couches 1 à 5 déposées sur la partie haute 54 du substrat sont destinées à réaliser un transistor à effet de champ (FET). Les couches 1 à 10 (soient notamment les couches 1 à 5 précitées) déposées sur la partie basse 56 du substrat sont destinées à constituer l'adaptateur de mode; les couches 11 à 12 superposées sont destinées à constituer un guide optique; et les couches 13 à 15 sont destinées à constituer un élément PIN. Ainsi, l'ensemble des couches déposées sur la partie basse 56 du substrat constitue un composant à fonction optique. Aprés dépôt des couches 1 à 16 par épitaxie, les couches 6 à 1 5 sont retirées de la partie haute 54. On obtient alors une structure planaire, la surface supérieure de la couche 5 déposée sur la partie haute 54 affleurant la surface supérieure de la couche 16 déposée sur la partie basse 56. Les fenêtres p+ des PIN sont diffusées. Les contacts p, n et le contact de grille des transistors FET sont réalisés par trois métallisations successives sur la partie haute. Le mesa ou ruban FET est gravé dans la partie haute. Les couches 13 à 15 servant à la PIN sont retirées de la partie guide. On retire ensuite la couche 11 en la taillant en pointe dans la zone transformation de mode, et on grave latéralement une partie de la couche 11, par exemple une couche de 0,2&m d'épaisseur, pour former le guide dans la zone large mode. Plus précisément, selon le mode de réalisation préférentiel représenté sur la figure 4 annexée, l'adaptateur de mode est gravé en forme de sablier. L'adaptateur de mode comprend ainsi 3 parties principales: une entrée, une zone de décroissance et une zone de croissance. La partie d'entrée est adaptée pour guider un mode large. A ce niveau les couches électroniques 62, soit 1 à 6, participent à la définition de l'adaptateur de mode. Le mode large est centré sur la couche 6. Dans la zone de décroissance qui suit, le ruban décroît en largeur dans le sens de la propagation vers le composant électronique, pour pousser le mode en profondeur. Au niveau de cette zone de décroissance en largeur, la couche 11 est également réduite en épaisseur, par exemple à 0,2gm. La région de transition entre la zone de décroissance et la zone de croissance n'est pas formée d'une pointe (démarrant à 0Om par définition) mais d'une pointe tronquée, par exemple démarrant avec une largeur de l'ordre de 21m. Une telle extrémité tronquée est plus facile à réaliser qu'une pointe pure, ou encore qu'une pointe de faible largeur ( lim par exemple comme décrit dans le document [6] au nom de Bauer). La réalisation de l'adaptateur de mode en forme de sablier est donc particulièrement importante parce qu'elle facilite la technologie. Elle permet par exemple l'utilisation d'une technique de lithographie optique peu coûteuse. Le mode se retrouve dans sa position la plus profonde lorsqu'il atteint la gorge la plus étroite du sablier. On obtient à ce niveau la transition mode large-mode guidé. Puis vient la zone de croissance, au niveau de laquelle le ruban croit en largeur dans le sens de la propagation vers le composant électronique. Par ailleurs, au niveau de la zone de croissance, la couche 11 est préservée sur toute son épaisseur, soit 0,65gm. Ainsi à partir de la gorge du sablier, on trouve, dans le sens de la propagation, sur la zone de croissance, une première partie dans laquelle la couche 11 dépourvue de la couche 12 présente toute son épaisseur soit 0,65!m et une seconde partie dans laquelle la couche 1 1 et la couche 12 superposée forment en combinaison un guide de 0,91m d'épaisseur. Le passage du mode large d'entrée (centré dans la couche 6) à un mode plus étroit (centré dans la couche 11) se fait dans la zone de croissance, en remontant. Le signal acheminé dans ce guide est traité optiquement et ensuite électroniquement. Ainsi la couche 11 servant de guide évolue en épaisseur en passant de 0,21m en entrée d'adaptateur à 0,65km dans la zone de transition de mode qui correspond à la gorge la plus étroite du sablier, et enfin à 0,91m d'épaisseur au niveau du ruban guide qui aboutit au composant à fonction optique. Il faut noter que l'utilisation de couches minces 7 et 9 dans l'adaptateur de mode permet de diluer encore plus celui-ci. Comme on le voit sur la figure 4, on grave latéralement une partie des couches 10, 9, 8 de manière auto-alignée en se servant de la couche 11 comme masque pour former l'adaptateur de mode en forme de sablier. Les plots d'interconnection sont ensuite tirés en utilisant des ponts à air, connus de l'homme de l'art. Le procédé précité permet d'obtenir un récepteur haut débit très sensible, avec pertes de couplage éliminées et des tolérances de couplage accrues, d'au moins un facteur trois. i5 Le procédé qui vient d'être décrit est extensible notamment à la fabrication de barrettes de détecteurs. On va maintenant décrire la structure formant émetteur optique ou transducteur électrique/optique possédant une électronique de commande intégrée et son procédé d'obtention en regard de la figure 5 annexée. De façon comparable à l'exemple antérieur, on commence par réaliser un substrat 50 semi-conducteur à marche verticale droite gravée. Puis l'on procède au dépôt par épitaxie des couches 1 à 12 indicquées dans le tableau II. L'épaisseur de la marche 52 gravée dans le substrat 50 correspond à l'épaisseur des couches 6 à 14, soit 2,3 lim dans le cadre de cet exemple. Les couches 1 à 5 déposées sur la partie haute 54 du substrat ont pour but de réaliser des transistors à effet de champ. L'ensemble des couches déposées sur la partie basse 56 du substrat a pour but de réaliser une structure optique type laser. Pour cela on procède à la configuration d'un réseau dans les couches 10, 12, par holographie. TABLEAU Il couche matériau Gap épais- dopage type indice commen- seur taire 12 InP 250A Le ruban laser est gravé dans la couche 9, sur la partie basse. Simultanément on retire les couches 8 à 12 de la région des transistors à effet de champ, sur la partie haute. De plus, la couche active 9 est taillée en pointe dans la zone d'adaptation de mode, comme on le voit sur la figure 5 ou en variante, pour faciliter la réalisation, il est possible d'utiliser un adaptateur de mode conformé en sablier, comme schématisé sur la figure 4 et décrit précédemment. Le ruban large mode formé par les couches 7, 8 est gravé en ruban, en protégeant la partie dévolue aux plots n+. Puis on procède à une reprise d'épitaxie (sélective ou non), du p+ laser constitué des deux couches 13 et 14 mentionnées dans le tableau III. TABLEAU III couche matériau Gap épai s - dopage type indice co mnen- seur taire 14 GalnAs 250A 14, en partie basse du substrat. On réalise l'isolation de la structure laser avec une implantation proton, de façon connue de l'homme de l'art, en laissant un chemin pour le contact n face avant. Dans la zone laser, à côté du ruban gravé dans la couche 9, on ouvre un trou pour pouvoir récupérer le contact n réalisé dans la couche 7. Les contacts p, n et la grille du transistor sont formés par trois métallisations successives sur la partie haute du substrat. Le ruban du transistor à effet de champ est ensuite gravé. Puis on grave dans la partie large mode une partie de la couche 11, la couche 12 ayant été retirée, pour réaliser le confinement latéral. Enfmin, les plots d'interconnection sont tirés en utilisant des ponts à air. Sur la figure 5 annexée, on a référencé en 70 et sous forme hachurée, les zones implantées proton d'isolation, en 72 l'ouverture réalisée à côté du ruban dans la zone laser pour récupérer le contact n, en 74 la face de couplage avec le guide large mode, dans la couche 6 et en 76 le contact p. On peut éventuellement rajouter des couches fines en quaternaire InGaAsP dans la couche 6 et la couche 11 pour élargir et arrondir le mode. La couche 7 peut être remplacée par des puits quantiques ou autres structures laser plus performantes. Cette méthode est bien entendu adaptable à d'autres types de structures laser. On obtient avec le procédé précédemment décrit un émetteur optique ou transducteur électrique/optique possédant une électronique de commande intégrée avec des tolérances et une efficacité de couplage accrue. Cette méthode est extensible à la fabrication de barrettes d'émetteurs optiques ou transducteurs électriques/optiques possédant une électronique de commande intégrée. Bien entendu la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation particuliers qui viennent d'être décrits mais s'étend à toute variante conforme à son esprit. Selon les modes de réalisation décrits précédemment, lesdites couches 62 de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal, sont réalisées en un matériau homogène qui présente un intervalle de bande interdite apparent tel que la longueur d'onde de travail ne soit pas absorbée par ces couches. Cependant en variante, on peut traiter localement ces couches de sorte que le matériau soit rendu non absorbant dans la partie optique et/ou de sorte que le matériau présente un petit intervalle de bande interdite dans la partie composant électronique. Ainsi, selon une première mise en oeuvre, lesdites couches 62 de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau initialement homogène, ce matériau étant rendu localement non absorbant à la longueur d'onde de travail dans la partie optique. Selon une seconde mise en oeuvre, lesdites couches 62 de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau initialement homogène, ce matériau étant traité localement dans la partie composant à fonction électronique pour posséder un intervalle de bande interdite compatible avec cette fonction. De tels traitements du matériau semi-conducteur peuvent être formés de toutes techniques connues de l'homme de l'art, par exemple une épitaxie localement sélective, un mélange partiel ou total des matériaux constituants la couche concernée etc... Ces traitements sont décrits par exemple dans les documents: [7] Moo-Sung Kim, Catherine Caneau, Etienne Colas and Rajaram Bhat, "Selective area growth of InGaAsP by OMVPE", Journal of Crystal Growth 123 (1992) 69-74, et [8] Robert L Thornton, William J. Mosby and Thomas L Paoli, "Monolithic Waveguide Coupled Cavity Lasers and Modulators Fabricated by Impurity Induced Disordering", Journal of Lightwave Techonology, vol. 6, n 6, June 1988. REVENDICATIONS 1. Dispositif optoélectronique à semi-conducteur comportant au moins un composant à fonction électronique (62), au moins un composant à fonction optique (60) et un adaptateur de mode associé à ce composant à fonction optique, dans lequel d'une part certaines au moins des couches (62) du matériau semi-conducteur constituant le composant à fonction électronique, sont utilisées simultanément pour former des couches optiques dans la zone adaptateur modal, et d'autre part au moins au niveau de la zone adaptateur modal, ces couches de matériau semi- conducteur (62) sont adaptées pour être non absorbantes à la longueur d'onde de travail. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdites couches (62) de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal, sont réalisées en un matériau homogène qui présente un intervalle de bande interdite apparent tel que la longueur d'onde de travail ne soit pas absorbée par ces couches. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdites couches (62) de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau initialement homogène, ce matériau étant rendu localement non absorbant à la longueur d'onde de travail dans la partie optique. 4. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que lesdites couches (62) de matériau semi-conducteur utilisées simultanément pour former le composant à fonction électronique et des couches dans la zone adaptateur modal sont réalisées en un matériau intialement homogène, ce matériau étant traité localement dans la partie composant à fonction électronique pour posséder un intervalle de bande interdite compatible avec cette fonction. 5. Dispositif selon l'une des revendications 3 ou 4, caractérisé par le fait que les traitements des couches de matériau semi-conducteur (62) afin de rendre celui-ci localement non-absorbant à la longueur d'onde de travail, dans la partie optique, et/ou de donner à ce matériau un intervalle de bande interdite compatible avec la fonction électronique, sont choisis dans le groupe comprenant une épitaxie localement sélective et un mélange partiel ou total des matériaux constituants la ou les couches concernées. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé par le fait que les différentes couches (60) de matériau semi-conducteur constituant le dispositif sont déposées par épitaxie sur un substrat (50) présentant une marche gravée (52). 7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé par le fait que la hauteur (H) de la marche gravée (52) est égale à la somme des épaisseurs des couches (60) déposées par épitaxie, moins l'épaisseur des couches (62) constituant le composant à fonction électronique. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé par le fait que, après épitaxie, les couches superposées à celles (62) constituant le composant à fonction électronique sont retirées sur la partie haute (54) de la marche gravée du substrat (50). 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode est réalisé en utilisant une gravure totale par zones (66), à pas variables, d'un ruban (64) de la couche guidante. 10. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé par le fait que les couches (62) constituant le composant à fonction électronique sont assez fines pour que le confinement du mode soit faible et sa taille grande. 11. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé par le fait que le substrat (50) est de type intrinsèquement non absorbant pour intervenir dans le guidage du mode large. 12. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait qu'il constitue un ensemble guide-PIN-HFET. 13. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé par le fait qu'il constitue un émetteur optique ou transducteur électrique/optique possédant une électronique de commande intégrée. 14. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode est gravé en forme de sablier. 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode en sablier comprend une partie d'entrée large mode, une zone de décroissance en largeur pour pousser le mode en profondeur et une zone de croissance en largeur qui permet le transfert du mode large vers un guide. 16. Dispositif selon l'une des revendications 14 ou 15, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode en forme de sablier comprend une gorge de largeur non nulle. 17. Dispositif selon la revendication 16, caractérisé par le fait que la largeur de la gorge de l'adaptateur en forme de sablier est de l'ordre de 2pm. 18. Dispositif selon l'une des revendications 14 à 17, caractérisé par le fait que la couche superficielle de l'adaptateur de mode est gravée en épaisseur dans sa zone de décroissance en largeur. 19. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique, caractérisé par le fait qu'il comprend l'étape consistant à former un adaptateur de mode en sablier comprenant une partie d'entrée large mode, une zone de décroissance en largeur pour pousser le mode en profondeur et une zone de croissance en largeur qui permet le transfert du mode large vers un guide. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode en forme de sablier comprend une gorge de largeur non nulle. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé par le fait que la largeur de la gorge de l'adaptateur en forme de sablier est de l'ordre de 2pn. 22. Procédé selon l'une des revendications 19 à 21, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode comprend des couches minces pour diluer le mode. 23. Procédé selon l'une des revendications 19 à 22, caractérisé par le fait que la couche superficielle de l'adaptateur de mode est gravée en épaisseur dans sa zone de décroissance en largeur. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche superficielle de l'adaptateur de mode est de l'ordre de 0,21m dans la zone de décroissance en largeur. 25. Procédé selon l'une des revendications 23 ou 24, caractérisé par le fait que l'épaisseur de la couche superficielle de l'adaptateur de mode est de l'ordre de 21im dans sa zone de croissance en largeur. 26. Procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique conforme à l'une des revendications 1 à 30, caractérisé par le fait qu'il comprend les étapes consistant à: - déposer par épitaxie sur un substrat gravé (50) un ensemble de couches en matériau semi-conducteur, - retirer de la partie haute du substrat les couches de matériau semi- conducteur déposées, superposées à un groupe (62) inférieur destiné à constituer un composant à fonction électronique, et - conformer certaines au moins des couches (60) déposées sur la partie basse du substrat en adaptateur modal, de sorte que certaines au moins des couches (62) de matériau semi-conducteur constituant le composant à fonction électronique soient utilisées simultanément pour former des couches optiques dans la zone adaptateur modal, au moins au niveau de la zone adaptateur modal, ces couches de matériau semi-conducteur étant adaptées pour être non absorbantes à la longueur d'onde de travail. 27. Procédé selon la revendication 26, caractérisé par le fait que la hauteur (H) de marche gravée sur le substrat (50) est égale ou proche de la somme des épaisseurs des couches déposées par épitaxie, moins l'épaisseur des couches (62) constituant le composant à fonction électronique. 28. Procédé selon l'une des revendications 26 ou 27, caractérisé par le fait que l'adaptateur de mode est conformé par gravure totale par zones à pas variables (66) d'un ruban de la couche guidante.