Brevet FR2711275A1 — publié le 19950421

La présente invention concerne de façon générale le domaine de la fabrication des dispositifs semiconducteurs et plus particulièrement le domaine des processus de formation de contacts dans la fabrication d'un dispositif semi-conducteur. Les procédés de contact pour dispositifs semiconducteurs de l'art antérieur, par exemple des mémoires vives effaçables programmables, ou EPROM, ou d'autres dispositifs de mémoires non volatiles à semiconducteurs exigent un espacement de 0,3 à 0,5 pm pour éviter des court-circuits accidentels entre la grille et le remplissage de contact de la liaison à la région de diffusion. La Figure 1 représente, par exemple, une vue de dessus partielle d'un dispositif semiconducteur de mémoire dans lequel il faut un espace significatif entre deux lignes de mots allongées parallèles 130 de silicium polycristallin, ou polysilicium, pour permettre la mise en place du remplissage de contact 120 en utilisant des procédés classiques de contact sans provoquer de court-circuit entre le contact de diffusion 120 et l'une ou l'autre des lignes de mots 130. La Figure 2 est une vue partielle en coupe transversale de la Figure 1 et représente plus clairement l'espacement nécessaire entre le contact et la grille dans des procédés de contact de l'art antérieur. A la Figure 2, chaque pile de grille 135 formée sur un substrat semi-conducteur 110 inclut une couche 131 d'oxyde de grille, une première couche 132 de silicium polycristallin qui sert de grille flottante, une couche isolante ou diélectrique 133, une deuxième couche 132 de silicium polycristallin qui sert de ligne de mots ou grille de commande, et une couche d'isolement extérieure d'oxyde 134. Le substrat semi-conducteur 110 inclut des régions appropriées de diffusion , par exemple des régions de source 111 et 113 et une région de drain 112, d'une manière bien connue dans l'art. Le substrat semi-conducteur 110 et les deux piles 135 sont disposés dans une couche supérieure 121 d'oxyde dans laquelle une ouverture est ménagée entre les deux piles 135 et est remplie d'un métal afin de former un remplissage de contact 120, en réalisant ainsi une liaison disponible pour la région de diffusion ou la région de drain 112. Puisque les piles 135 sont suffisamment espacées l'une de l'autre à la Figure 2, l'ouverture et le remplissage de contact 120 sont formés d'une façon sûre sans provoquer aucun court-circuit entre le contact de diffusion et la grille. Cependant, si l'espacement alloué entre le contact et la grille n'est pas suffisant, des parties de la couche d'oxyde 134 qui encapsulent chaque pile de grille 135 pourraient éventuellement être enlevées par gravure pendant les gravures d'ouverture de contact dans la couche supérieure d'oxyde 121. Ceci pourrait par exemple se produire si la couche de configuration créée pour la gravure d'ouverture de contact n'est pas alignée avec précision pour la gravure entre les piles de grille 135 et/ou si l'ouverture de contact gravée dans la couche supérieure d'oxyde 121 est trop grande pour un espacement donné quelconque de grille à grille. Dans ce cas, la ligne de mots 130 et/ou la grille flottante 132 de l'une ou l'autre des piles 135 de grille pourrait donc devenir exposée au remplissage de contact 120, en empêchant le fonctionnement des piles exposées en raison du court-circuit maintenant créé entre le contact de diffusion et la grille. Une lithographie de contact de l'art antérieur est donc limitée par des exigences d'alignement et de dimensions de contact pour un espacement quelconque de grille à grille. Alors que l'espacement d'une grille à l'autre pourrait toujours être rendu suffisamment grand pour éviter en toute sécurité des courts-circuits entre un contact de diffusion et la grille et faciliter la lithographie par contact, c'est-à-dire avec des exigences moins sévères pour l'alignement et les dimensions d'un contact, cette considération doit être pondérée en tenant compte du caractère hautement souhaitable de fabriquer des dispositifs semiconducteurs dont les dimensions de cellules soient plus petites et dont les densités de cellules soient accrues. On considère que minimiser les dimensions des ouvertures de contact non seulement évite les courtscircuits entre un contact de diffusion et une grille, mais aide aussi à minimiser les dimensions de cellules du dispositif semi-conducteur et donc à augmenter la densité des cellules. Cependant, il faut encore un espacement suffisant entre contact et grille pour tolérer tous les défauts d'alignement de la couche de configuration lors de la gravure de l'ouverture du contact. En outre, minimiser les dimensions des ouvertures de contact rend plus difficile la lithographie de contact et est habituellement limité par la résolution et la capacité de profondeur de focalisation de la technologie de configuration utilisée. Ce qui est donc nécessaire est un processus de fabrication de dispositif semi-conducteurs qui soit moins sensible à tout défaut d'alignement de la couche de configuration créée pour la gravure de l'ouverture de contact afin de réduire ou d'éliminer l'exigence d'espacement entre le contact et la grille. Ce qui est également nécessaire est un procédé de fabrication de dispositifs semi-conducteurs qui soit moins sensible aux dimensions du contact afin de permettre de graver des ouvertures de contact plus grandes dans la couche de résine photosensible, quelles que soient les dimensions de cellules souhaitées pour un dispositif semi-conducteur donné, en facilitant donc le processus de lithographie de formation de contacts. La présente invention réduit de façon avantageuse les dimensions des cellules d'un dispositif semiconducteur en éliminant le besoin de disposer de l'espacement entre contact et grille décrit ci-dessus, sans risque de courts-circuits, entre le contact de diffusion et la grille. Selon la présente invention, de façon générale, chaque pile de grille d'un dispositif semi-conducteur est formé sur un support semi-conducteur, encapsulé dans une couche d'isolement, et encapsulé en outre dans une couche d'isolement d'arrêt de gravure. En utilisant une gravure sélective, des ouvertures de contact sont ensuite ménagés dans une couche d'isolement supérieure du dispositif semi-conducteur afin d'explorer le substrat semi-conducteur sousjacent. En raison de la couche d'arrêt de gravure, chaque pile de grille est protégée pendant la gravure sélective de contact. La couche d'arrêt de gravure sert en outre à isoler chacune des grilles vis-à-vis de la matière de remplissage de contact formée dans les ouvertures de contact, en évitant ainsi le risque d'un contact, créé par le remplissage de contact, entre le contact de diffusion et la grille. De façon plus spécifique, selon un premier aspect, la présente invention fournit un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur sur un substrat semi-conducteur comprenant les étapes consistant à: a) former une pile sur le substrat semiconducteur, la pile comprenant une grille; b) former une première couche d'isolement audessus de parties exposées de la grille; c) former autour de la grille une couche d'arrêt de gravure de pile; d) former une deuxième couche d'isolement audessus du substrat semi-conducteur et autour de la pile; e) former dans la deuxième couche d'isolement une ouverture au-dessus d'une région située sur le substrat semi-conducteur près de la pile; et f) remplir l'ouverture à l'aide d'une matière conductrice. De préférence, les étapes de formation (a), (b), et (c) comprennent les étapes consistant à: former une couche d'isolement de grille au-dessus du substrat semi-conducteur; déposer une couche conductrice au-dessus de la couche d'isolement de grille; former une première couche d'arrêt de gravure audessus de la couche conductrice; former la pile constituée de la couche d'isolement de grille, de la couche conductrice, et de la première couche d'arrêt de gravure, où la grille comprend au moins une partie de la couche conductrice; former la première couche d'isolement sur des côtés de la pile; former une deuxième couche d'arrêt de gravure audessus du substrat semi-conducteur; et enlever au moins d'une région du substrat semiconducteur la deuxième couche d'arrêt de gravure tout en laissant au moins une partie de la deuxième couche d'arrêt de gravure sur les côtés de la pile et au moins une partie de la première couche d'arrêt de gravure au-dessus de la pile afin de former la couche d'arrêt de gravure de la pile. La première couche d'isolement peut comprendre de l'oxyde, l'étape de formation (b) comprenant l'étape consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. Dans le cas de la modalité préférée définie cidessus, la première couche d'isolement peut comprendre de l'oxyde, l'étape de formation de la première couche d'isolement sur des côtés de la pile comprenant l'étape consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. Dans tous les cas, le procédé peut comprendre en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique audessus de la couche conductrice, et former une couche tampon au-dessus de la couche de siliciure métallique, la pile comprenant une partie de la couche de siliciure métallique et une partie de la couche tampon. La grille peut être une grille flottante ou, en variante, elle peut être une grille de commande. La couche d'arrêt de gravure de pile peut comprendre une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. Selon un deuxième aspect, l'invention réalise un dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur; une pile formée sur le substrat semi-conducteur, la pile comprenant une grille, le substrat semiconducteur comprenant une région adjacente à la pile; une première couche d'isolement autour de la grille de la pile; une couche d'arrêt de gravure qui encapsule la pile; et une deuxième couche d'isolement disposée audessus du substrat semi-conducteur, la deuxième couche d'isolement présentant au dessus de la région une ouverture remplie d'une matière conductrice, la matière conductrice étant couplée à la région du substrat semi-conducteur. La pile peut comprendre une couche d'isolement de grille au-dessus du substrat semi-conducteur et une couche conductrice au-dessus de la couche d'isolement de grille, et en ce que la grille comprend au moins une partie de la couche conductrice. La première couche d'isolement peut comprendre un oxyde produit par croissance thermique. La pile peut comprendre en outre une couche de siliciure métallique au-dessus de la couche conductrice et une couche tampon au-dessus de la couche de siliciure métallique. La grille peut être une grille flottante, ou en variante, elle peut être une grille de commande. Dans ce dispositif, la couche d'arrêt de grille peut comprendre une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. Selon un troisième aspect, l'invention fournit un procédé de formation d'un dispositif semi-conducteur sur un substrat semi-conducteur comprenant les étapes consistant à: a) former deus piles sur le substrat semiconducteur, chaque pile comprenant une grille flottante et une grille de commande; b) former une première couche d'isolement audessus au moins de parties exposées de la grille flottante de chaque pile; c) former autour de chaque grille une couche d'arrêt de gravure de pile; d) former une deuxième couche d'isolement audessus du substrat semi-conducteur et autour des piles; e) former dans la deuxième couche d'isolement une ouverture entre le piles; et f) remplir l'ouverture à l'aide d'une matière conductrice. De préférence, les étapes de formation (a), (b), et (c) comprennent les étapes consistant à: former une couche d'isolement de grille au-dessus du substrat semi-conducteur; déposer une première couche conductrice au-dessus de la couche d'isolement de grille; former une couche diélectrique entre grilles audessus de la première couche conductrice; déposer une deuxième couche conductrice au-dessus de la couche d'isolement entre grilles; former une première couche d'arrêt de gravure audessus de la deuxième couche conductrice; former les deux piles constituées par la couche d'isolement de grille, la première couche conductrice, la couche diélectrique entre grilles, la deuxième couche conductrice, et la première couche d'arrêt de gravure, la grille flottante de chaque pile comprenant au moins une partie de la première couche conductrice et la grille de commande de chaque pile comprenant au moins une partie de la deuxième couche conductrice; former la première couche d'isolement sur des côtés de la pile; former une deuxième couche d'arrêt de gravure audessus du substrat semi-conducteur; et enlever au moins d'une région du substrat semiconducteur la deuxième couche d'arrêt de gravure tout en laissant au moins une partie de la deuxième couche d'arrêt de gravure sur les côtés de chaque pile et au moins une partie de la première couche d'arrêt de gravure au-dessus de chaque pile afin de former la couche d'arrêt de gravure de la pile. La première couche d'isolement de chaque pile comprend de l'oxyde, l'étape de formation (b) comprenant l'étape consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. Dans le cas de la modalité préférée définie cidessus, la première couche d'isolement de chaque pile comprend de l'oxyde l'étape de formation de la première couche d'isolement sur des côtés de chaque pile comprenant consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. Dans tous ces cas, le procédé peut comprendre en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique audessus de la deuxième couche conductrice, et former une couche tampon au-dessus de la couche de siliciure métallique, les deux piles comprenant chacune une partie de la couche de siliciure métallique et une partie de la couche tampon. Les deux piles sont séparées par une distance les dimensions de l'ouverture ménagée dans la deuxième couche d'isolement entre les deux piles étant égales ou supérieures à la distance. La couche d'arrêt de gravure de pile peut comprendre une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. Selon un quatrième aspect, l'invention réalise un dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur; deux piles formées sur le substrat semiconducteur, chaque pile comprenant une grille flottante et une grille de commande, le substrat semiconducteur comprenant une région entre le deux piles; une première couche d'isolement autour d'au moins la grille flottante de chaque pile; une couche d'arrêt de gravure qui encapsule chaque pile; et une deuxième couche d'isolement disposée audessus du substrat semi-conducteur, la deuxième couche d'isolement présentant entre le deux piles une ouverture remplie d'une matière conductrice, la matière conductrice étant couplée à la région du substrat semi-conducteur. De préférence, chaque pile comprend une couche d'isolement de grille au-dessus du substrat semiconducteur, une première couche conductrice au-dessus de la couche d'isolement de grille, une couche diélectrique entre grilles au-dessus de la première couche conductrice, et une deuxième couche conductrice au-dessus de la couche diélectrique entre grilles, et la grille flottante de chaque pile comprend au moins une partie de la première couche conductrice, et la grille de commande de chaque pile comprend au moins une partie de la deuxième couche conductrice. La première couche d'isolement comprend un oxyde produit par croissance thermique. dans le cas de la modalité préférée définie cidessus, la première couche d'isolement comprend un oxyde produit par croissance thermique. Dans tous ces cas chaque pile peut comprendre en outre une couche de siliciure métallique au-dessus de la deuxième couche conductrice et une couche tampon au-dessus de la couche de siliciure métallique. Les deux piles peuvent être séparées par une distance, les dimensions de l'ouverture ménagée dans la deuxième couche d'isolement entre les deux piles sont égales ou supérieures à la distance. La couche d'arrêt de grille comprend une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. Par conséquent, la présente invention permet de rapprocher entre elles les piles de grille d'un dispositif semi-conducteur, ce qui réduit les dimensions de cellules, tout en évitant le risque de création de court-circuit entre un contact de diffusion et une grille. Par conséquent, la densité de cellules du dispositif semi-conducteur peut être accrue de façon avantageuse. De plus, une lithographie de contact qui utilise la présente invention est plus facile à réaliser que dans les processus de formation de contacts de l'art antérieur puisque les dimensions de l'ouverture de contact peuvent être accrues et que les exigences d'alignement peuvent être moins sévères sans qu'il faille envisager une augmentation des dimensions de cellules et ou un risque de courtcircuit entre un contact de diffusion et la grille. Dans l'ensemble, les dimensions de cellules de chaque grille d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention sont simplement limitées par les limites de résolution liées à la lithographie pour l'isolement de grille et par les exigences de longueur minimale de grille de chaque cellule; l'espacement entre le contact et la grille, nécessaire dans les processus de formation de contacts, de l'art antérieur ne restreint plus la réduction des dimensions de cellules. Alors que les avantages ci-dessus de la présente invention ont été décrits, d'autres avantages, buts et utilisations inhérents à la présente invention ressortiront à l'homme de l'art sur la base de la description détaillée qui suit de la présente invention en se référant aux dessins annexés dans lesquels: la Figure 1 illustre l'espacement entre contact et grille nécessaire dans un dispositif semiconducteur en raison des processus de formation de contacts de l'art antérieur. La Figure 2 illustre une vue en coupe transversale partielle de la Figure 1 représentant l'espacement entre contact et grille nécessaire dans un dispositif semi-conducteur en raison des processus de formation de contacts de l'art antérieur. La Figure 3 illustre une vue partielle d'un dispositif semi-conducteur où l'espacement entre le contact et la grille, nécessaire dans l'art antérieur, a été éliminé par suite de la présente invention. La Figure 4 illustre une vue en coupe transversale partielle du dispositif semi-conducteur de la Figure 3 dans lequel l'espacement entre le contact et la grille, nécessaire dans l'art antérieur, a été éliminé par celui de la présente invention. La Figure 5 illustre la formation de couches pendant la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention. La Figure 6 illustre deux piles de grille formées pendant la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention. La Figure 7 illustre des implantations de source et de drain et une croissance par oxydation thermique pendant la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention. La Figure 8 illustre un dépôt de nitrure de silicium pendant la fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la présente invention. La Figure 9 illustre le résultat d'une gravure d'une entretoise en nitrure de silicium pendant la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention. La Figure 10 illustre la formation d'une couche supérieure d'oxyde et d'une couche de configuration de contact pendant la fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la présente invention. La Figure 11 illustre le résultat d'une gravure sélective de contact pendant la fabrication d'un dispositif semi-conducteur selon la présente invention. La Figure 12 illustre un schéma logique représentant la fabrication du dispositif semiconducteur illustré aux Figures 3 à 11. On va maintenant décrire de façon détaillée, à titre d'exemple, le processus de contact selon la présente invention qui sert à réduire, dans une fabrication de semi-conducteur, les dimensions de cellules d'un dispositif semi-conducteur sans risque de court-circuit accidentel entre un contact de diffusion et une grille. Dans la description qui suit, de nombreux détails spécifiques sont exposés, par exemple des épaisseurs, des matières, des séquences de traitement, des procédés de dépôt, des dispositifs semi-conducteurs spécifiques, etc., afin de permettre une compréhension intime de la présente invention. I1 est cependant évident pour l'homme de l'art que la présente invention peut être mise en oeuvre sans ces détails spécifiques. Dans d'autres cas, des étapes bien connues de procédé n'ont pas été décrites de façon détaillée afin que la présente invention ne soit pas obscurcie de façon inutile. Comme représenté à la Figure 3, l'espacement entre le contact et la grille selon la présente invention est réduit de façon significative en permettant ainsi une réduction de l'espacement d'une grille à l'autre dans un dispositif semi-conducteur. A la Figure 3, deux lignes de mots 230 d'une mémoire morte effaçable programmable sont configurées beaucoup plus proches l'une de l'autre que dans le cas de la Figure 1, en dépit de la formation du remplissage de contact 220 qui recouvre légèrement chaque ligne de mots 230. La Figure 4, qui est une vue en coupe transversale de la Figure 3, représente plus clairement une vue partielle de la mémoire morte effaçable programmable Flash selon la présente invention dans laquelle les deux piles de grille 235 sont placées beaucoup plus près l'une de l'autre que dans l'art antérieur, c'est-à-dire par comparaison avec la Figure 2. A la Figure 4, les régions appropriées de diffusion, par exemple les régions de source 211 et 213 et une région de drain 212, ont été formées sur un substrat semi-conducteur 210. Chaque pile de grille 235 formée sur un substrat semiconducteur 210 inclut une couche 231 d'oxyde de grille; une première couche conductrice 232, de préférence en silicium polycristallin qui sort de grille flottante; une couche diélectrique ou d'isolement 234; et une deuxième couche conductrice 230, de préférence un silicium polycristallin, qui sert de ligne de mots ou grille de commande. Chaque pile de grille 235 de la Figure 4 inclut en outre une couche facultative 236 en siliciure de tungstène, ou WsI2, qui sert à abaisser de façon avantageuse la résistance des lignes de mots 230. Chaque pile 235 selon la présente invention est encapsulée dans une couche d'isolement 237, de préférence en dioxyde de silicium, ou Sio2, qui confère à la grille flottante 232 de meilleures capacités de rétention de charge, et dans une couche 238 d'arrêt de gravure, de préférence en nitrure de silicium, ou Si3N4, qui sert à protéger chaque pile 235 pendant la gravure de contact et à isoler chaque pile 235 du remplissage de contact 220. Par conséquent, puisque chaque pile 235 est encapsulée dans des couches 237 et 238, il n'existe plus de risque de former, lors de la formation du remplissage de contact 220, un court-circuit entre chaque pile de grille 235, c'est-à-dire chaque grille flottante 232 et/ou chaque grille de commande 230, et le contact 220 de la région de diffusion 212, comme c'était le cas dans le processus de formation de contacts de l'art antérieur. Comme représenté à la Figure 4, le remplissage de contact 220 peut occuper complètement l'espacement compris entre chacune des piles 235 et il peut de plus recouvrir les sommets de chaque pile 235. Les dimensions du remplissage de contact 220 peuvent donc être augmentées sans qu'il faille se préoccuper de la création de court-circuit entre un contact de diffusion et une grille ou de l'augmentation des dimensions de cellules du dispositif. I1 est clair qu'une lithographie de contact selon la présente invention est plus facile que dans les procédés de contact de l'art antérieur qui exigeaient, pour éviter des courts-circuits indésirables, un alignement plus précis du remplissage de contact, ainsi que des dimensions plus précises pour les remplissages de contact. Le processus de formation de contacts selon la présente invention, qui permet de réduire l'espacement entre contact et grille comme représenté aux Figures 3 et 4, est illustré aux Figures 5 à 11 en référence au schéma logique de la Figure 12. Alors que la description de la présente invention qui se réfère aux dessins annexés décrit la présente invention dans le contexte de deux piles formées sur un substrat conducteur, il faut comprendre que cette description n'est donnée qu'à titre d'illustration en vue d'une compréhension plus claire de la présente invention. Les vues des Figures 3 à 11 sont évidemment des vues partielles d'un plus grand dispositif semi-conducteur qui inclut d'autres grilles. En outre, il faut comprendre que la présente invention n'est pas limitée à la formation d'ouvertures de contact entre deux piles de grille mais qu'elle s'applique bien plutôt à la formation d'une ouverture de contact à un emplacement quelconque près d'une pile unique de grille d'un type quelconque, là où une région à relier par le remplissage de contact est proche de la pile de grille et où le risque inhérent de court-circuit entre la grille et la région à relier par le remplissage de contact doit être évité. A la Figure 5, un substrat semi-conducteur 210, qui est de préférence un substrat en silicium, est agencé de manière à former le dispositif de mémoire semi-conducteur selon la présente invention. Bien que ceci ne soit pas représenté, le substrat en silicium 210 a été soumis à un processus d'isolement par oxydation locale de silicium, ou LOCOS, qui définit, sur le substrat en silicium 210, de longues bandes étroites de régions actives séparées par des bandes de régions isolantes en oxyde de champs. A l'étape 1200 de la Figure 12, on fait croître une couche 231 d'oxyde de grille sur un substrat 210 dans les régions actives définies en utilisant une étape d'oxydation à sec. Alors que le mode de réalisation préféré prévoit une croissance d'une couche de dioxyde de silicium, ou Silo2, de 100 Â au-dessus du substrat 210 dans les régions actives définies comme couche 231a d'oxyde de grille, d'autres épaisseurs de dioxyde de silicium, de préférence inférieures à 120 Â peuvent être utilisées. Puis, une couche conductrice 232a est déposée en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur, ou CVD, au-dessus du substrat semi-conducteur 210. Dans le mode de réalisation préféré, la couche conductrice 232a est une couche de silicium polycristallin, également appelé polysilicium, ou poly-Si, dopé au phosphore d'une épaisseur approximative de 1500 Â bien que d'autres épaisseurs, de préférence dans la plage d'environ 700 à 1500 , pourraient être utilisées pour cette couche de silicium polycristallin. La couche conductrice 232a est ensuite configurée dans une des dimensions afin de former des bandes de silicium polycristallin qui chevauchent la couche 231 d'oxyde de grille dans les régions actives. Après la configuration de la couche conductrice 232a, une couche d'isolement entre grilles 233a est formée au-dessus du substrat 210. Cette couche 233a est de préférence une couche triple oxyde-nitrureoxyde ou ONO, ctest-à-dire Sio2 - Si3N4 - Sio2 obtenue en faisant croître en premier lieu une couche d'oxyde d'une épaisseur approximative de 60 À au-dessus de la couche 232a, puis en déposant une couche de nitrure d'approximativement 80 À au-dessus de la première couche d'oxyde et une deuxième couche d'oxyde d'une épaisseur approximative de 80 À est ensuite déposée au-dessus de la couche de nitrure. Evidemment, d'autres épaisseurs pourraient être utilisées pour ces couches du type ONO. Après la formation de la couche d'isolement 233a, une deuxième couche conductrice 230a est déposée. Dans le mode de réalisation préféré, une épaisseur de 1500 À de silicium polycristallin est déposée et dopée au phosphore, bien que d'autres épaisseurs, de préférence situées dans la plage de 700 à 1500 , pourraient être utilisées pour cette couche de silicium polycristallin. Cette deuxième couche conductrice 230a est ensuite couverte d'une couche 236a de siliciure de tungstène, ou WSi2, qui sert à abaisser la résistance de la couche conductrice 230a. Dans un mode de réalisation préféré, on dépose approximativement 2000 À de siliciure de tungstène en utilisant un dépôt chimique en phase vapeur, bien que d'autres épaisseurs de siliciure de tungstène, de préférence situées dans la plage d'environ 1000 à 2000 , pourraient être utilisées. I1 faut évidemment prendre en compte le fait que la couche de siliciure de tungstène 236a est facultative dans Une couche 238a d'arrêt de gravure est ensuite déposée au-dessus de la couche d'isolement 237a. Alors que l'épaisseur de nitrure de silicium déposée ici est d'environ 1000 À dans le mode de réalisation préféré, d'autres épaisseurs de nitrure de silicium, de préférence supérieures à environ 500 , peuvent être utilisées. I1 faut noter que la couche 237a de dioxyde de silicium sert ici non seulement d'isolant, mais aussi de couche tampon pour une couche 238a de nitrure de silicium, puisque le siliciure de tungstène et le nitrure de silicium sont l'un et l'autre sous contrainte. De plus, la couche 237a de dioxyde de silicium sert aussi à empêcher toute réaction gênante qui se produirait entre la chimie préférée de dépôt de nitrure, qui implique du dichlorosilane et de l'ammoniac gazeux, et le tungstène de silicium. I1 faut comprendre que la couche 237a de dioxyde de silicium est facultative et peut être mise dans le cas où, par exemple, un dépôt d'une couche 238a d'arrêt de gravure sur la couche sous-jacente n'est pas un problème. Après le dépôt de la couche 238a de nitrure de silicium, les couches de la Figure 5 sont configurées à l'étape 1220 pour former les piles 235 de grille, comme représenté à la Figure 6. Cette configuration est exécutée en déposant une couche de résine photosensible au-dessus du substrat, en alignant et en exposant la couche de résine photosensible afin de créer les bandes 258 de résine photosensible durcie, représentées à la Figure 5. Les couches sous-jacentes 230a à 238a de la Figure 5 sont ensuite gravees en utilisant des procédés bien connus afin de créer des piles de grille 235 comme représenté à la Figure 6. Cette étape de configuration 1220 définit la deuxième dimension de grilles flottantes 232 et définit des lignes de mots 230 du dispositif semi-conducteur. Dès lors que les deux piles 235 ont été formées, des régions appropriées de diffusion, par exemple des régions de source 211 et 213 et une région de drain 212 sont implantées dans le substrat 210 à l'étape 1230, comme représenté à la Figure 7, en utilisant des procédés bien connus. A l'étape 1240, on fait ensuite croître thermiquement une couche d'oxyde 270, appelée re-ox, sur les piles de grille 235, afin d'isoler chaque grille de commande 230 et chaque grille flottante 232, et sur les régions de diffusion 211, 212 et 213. Cet oxyde est un oxyde de haute qualité qui permet une rétention améliorée de charge par les grilles flottantes 232. Alors qu'un oxyde déposé pourrait être utilisé dans une variante de mode de réalisation, l'utilisation d'un oxyde obtenu par croissance, non seulement, produit un oxyde de haute qualité, mais, en outre, consomme toutes les régions endommagées de chaque grille flottante 232 qui résultent de la configuration des piles 235 à l'étape 1220, tout en assurant que toute la grille flottante 232 est enfermée dans un oxyde, y compris des irrégularités comme des intervalles, etc., dans des grilles endommagées. L'épaisseur de l'oxyde dépend évidemment ici de la quantité de dopant dans la matière semi-conductrice où la croissance d'oxyde doit être réalisée. Dans le mode de réalisation préféré, on fait croître environ 500 À d'oxyde sur les côtés de chaque grille flottante 232, bien que l'on pourrait choisir d'autres épaisseurs, de préférence supérieures à 200 À environ, pour la croissance de l'oxyde. Pour les régions de diffusion 211, 212 et 213, et pour les côtés des couches 230 et 236 voisins du sommet de chaque pile 235, la croissance d'oxyde serait typiquement dans la plage de 800 à 1000 , bien que d'autres épaisseurs puissent être utilisées. Après la croissance de la couche d'oxyde re-ox, une couche 280 de nitrure de silicium est déposée audessus du substrat à l'étape 1250, en couvrant les sommets et les côtés des piles 235 comme représenté à la Figure 8. Alors qu'une épaisseur d'environ 800 À est déposée ici dans le mode de réalisation préféré, d'autres épaisseurs de nitrure de silicium, de préférence supérieures à environ 80 À pourraient être utilisées. Cette couche 280 de nitrure de silicium est ensuite soumise à une gravure anisotrope à l'étape 1260 afin de former les entretoises de parois latérales. Dans la gravure anisotrope, le nitrure de silicium de la couche 280 de nitrure de silicium est enlevée du sommet de chaque pile 235 et du substrat 210 en silicium; la quantité de nitrure de silicium enlevée des côtés de chaque pile 235 pendant cette gravure est nulle ou insignifiante. En raison de la croissance d'oxyde re-ox au-dessus des régions de diffusion 211, 212 et 213, les entretoises résultantes de parois latérales de nitrure sur chaque pile 235 ne descendent typiquement pas totalement jusqu'au substrat 210. I1 faut noter qu'une certaine quantité de nitrure de silicium, provenant de la première couche déposée 238a de nitrure de silicium, est encore présente sur les sommets de chaque pile 235, même après un léger excès de gravure. Par conséquent, les deux piles 235 sont maintenant protégées par une couche d'oxyde d'isolement 237 et par une couche 238 d'arrêt de gravure en nitrure de silicium, comme représenté à la Figure 9. Après ltencapsulation des piles 235 dans la couche 238 d'arrêt de gravure en nitrure de silicium, une couche supérieure isolante ou diélectrique 221 est formée sur le dispositif semi-conducteur à l'étape 1270 comme représenté à la Figure 10. De préférence, une série d'oxydes non dopés et dopés est déposée et est soumise à une fusion locale afin de rendre plan le dispositif semi-conducteur d'une manière bien connue dans l'art pour créer une couche supérieure 221. Alors que la couche supérieure 221 est de préférence en un verre de borophosphosilicate, ou BPSG, d'une épaisseur approximative de 8000 À dans le mode de réalisation préféré, d'autres épaisseurs de BPSG ou d'autres épaisseurs d'autres matières diélectriques pourraient être utilisées pour la couche supérieure 221. A l'étape 1280, les zones de contact sont ensuite définies sur le sommet de la couche supérieure 221 audessus de régions appropriées de diffusion, par exemple la région de drain 212 en utilisant une photolithographie dans laquelle une couche de résine photosensible est déposée au-dessus de la couche supérieure 221, alignée et exposée afin de créer une couche configurée de résine photosensible 290 où sont ménagées des ouvertures 291. Puis, l'oxyde de chaque zone de contact, par exemple dans les ouvertures 291, est gravé en utilisant une technique de gravure sélective anisotrope oxyde:nitrure, qui sert à graver l'oxyde de chaque zone de contact à une vitesse beaucoup plus grande que le nitrure de silicium ou que le silicium dans chaque zone de contact. La sélectivité entre les gravures de l'oxyde et du nitrure est de préférence de 15 ou davantage. Par conséquent, chaque pile 235 reste protégée par sa couche 238 d'arrêt de gravure en nitrure de silicium dans les zones de contact pendant la gravure de contact. L'oxyde de ces zones de contact est en revanche enlevé par gravure jusqu'à ce que les régions de diffusion, par exemple la région de drain 212, soient exposées au fond entre les piles 235, en créant une ouverture de contact 300 comme représenté à la Figure 11. Bien que les côtés inférieurs de chaque pile 235 ne soient pas protégés par la couche 238 d'arrêt de gravure en nitrure de silicium dans la zone de contact, la couche d'oxyde d'isolement 237 obtenue par croissance y subsiste cependant puisque la gravure oxyde:nitrure est anisotrope; les côtés inférieurs de chaque pile 235 ne sont pas affectés de façon significative par cette gravure et restent donc protégés par la couche d'oxyde d'isolement 237. Après la gravure d'ouvertures de contact, la couche de résine photosensible 290 est enlevée de façon appropriée. I1 est clair qu'une lithographie par contact est moins limitée, dans le cadre de la présente invention, par les exigences de dimensions d'ouvertures de contact et/ou d'alignement d'ouverture de contact que dans l'art antérieur. Selon la présente invention, l'ouverture de contact doit simplement être alignée grossièrement au-dessus de la couche sous-jacente de diffusion qui doit être reliée pour que le remplissage de contact soit automatiquement aligné avec la grille. En effet, puisque la grille est maintenant protégée, un défaut mineur d'alignement dans un sens ou l'autre ne provoque aucune gêne puisque l'ouverture 300 de remplissage de matière conductrice peut être en haut d'une pile 235 sans provoquer de court-circuit. De plus, les dimension des ouvertures de contact peuvent être accrues sans se préoccuper ni de la création de courts-circuits entre le contact de diffusion et la grille, ni de l'augmentation des dimensions de cellules. En fait, comme représenté à la Figure 11, l'ouverture de contact 300 peut être créée dans la couche supérieure 221 pour couvrir toute la région entre chaque pile 235 et de plus pour couvrir des régions directement au-dessus de la pile 235 de sorte qu'une couverture de cent pour-cent est réalisée au fond de l'ouverture de contact, même lorsque l'alignement de l'ouverture de contact 300 est défectueux. Evidemment, bien qu'un contact aligné avec les bords de deux grilles adjacentes ait été représenté, la présente invention peut être utilisée pour aligner le contact sur le bord d'une grille unique. Après la gravure sélective de contact, l'ouverture de contact 300 qui résulte peut être remplie, à l'étape 1290, d'une matière conductrice appropriée quelconque, par exemple un métal, en utilisant des procédés bien connus sans se préoccuper de créer accidentellement des courts-circuits entre un contact de diffusion et la grille. Dans le mode de réalisation préféré, ce sont des broches en tungstène, formées par dépôt d'une couverture de tungstène et par gravure en retrait, qui sont utilisées puisqu'elles sont idéales pour remplir de petites ouvertures de contact comme les étroits espacements 300 créés ici entre les piles 235 de grille. Par conséquent, le remplissage de contact 220 représenté à la Figure 4 est formé de façon à constituer une liaison disponible vers la région de drain 212. Des lignes conductrices peuvent ensuite être configurées au-dessus du remplissage de contact 220 ainsi que d'autres remplissages de contact afin de former à volonté des interconnexions appropriées. Comme on peut le voir à la Figure 4, par rapport à l'art antérieur représenté à la Figure 2, la présente invention permet de rapprocher les configurations de chaque pile de grille 235, en réalisant des dimensions plus petites de cellules et une densité plus élevée de cellules dans le dispositif semi-conducteur fabriqué, sans les risques inhérents de création de courts-circuits entre la région de contact de diffusion et la grille qui existaient dans l'art antérieur. En fait, les piles de grille 235 peuvent être placées aussi près l'une de l'autre que le permet la résolution lithographique d'isolement de grille. Par exemple, dans un procédé à 0,4 pm, la distance entre piles de grille 235 peut être de 0,4 pm. Par suite de la présente invention, la lithographie de contact n'est plus limitée par les exigences sévères d'alignement et de dimensions d'ouverture de contact exigées dans l'art antérieur pour tout espacement donné d'une grille à l'autre. Bien plutôt, des dimensions d'ouverture de contact peuvent être accrues et la tolérance d'alignement peut être moins sévère sans se préoccuper d'augmenter les dimensions de cellules ni de créer des courts-circuits entre le contact de diffusion et la grille. On a donc décrit dans la présente invention un processus de formation de contacts à utiliser dans la fabrication de semi-conducteurs pour réduire les dimensions de cellules dans le dispositif semi-conducteur sans risque de court-circuit accidentel entre le contact de diffusion et la grille a été décrit. Alors que la couche 238 d'arrêt de gravure est de préférence en nitrure de silicium comme décrit cidessus, il faut comprendre que d'autres types de matières, par exemple de l'oxyde d'aluminium ou A1203, un oxyde riche en silicium, par exemple Sio, un oxynitrure de silicium ou SiOxNy, peuvent être formés en utilisant des procédés bien connus pour encapsuler chaque pile de grille 235 du dispositif semiconducteur en offrant les avantages de la présente invention. Evidemment, la gravure sélective de contact utilisée est basée sur le type souhaité de matière choisie pour la couche 238 d'arrêt de gravure et la couche diélectrique supérieure 231. Par exemple, pour une couche 238 d'arrêt de gravure en oxyde d'aluminium et une couche supérieure 221 d'oxyde, il faut une gravure sélective de contact oxyde:oxyde d'aluminium pour créer les ouvertures 300 dans la couche supérieure 221. De plus, alors que la couche d'arrêt de gravure est de préférence formée en déposant une première couche d'arrêt de gravure à l'étape 1210 et en déposant une deuxième couche d'arrêt de gravure à l'étape 1250 en utilisant la même matière à chacune de ces deux étapes, il faut comprendre que la matière utilisée pour former la première couche d'arrêt de gravure peut différer de celle qui est utiliser pour former la deuxième couche d'arrêt de gravure. Evidemment, chacune des matières différentes utilisées ici peut être formée en utilisant des procédés bien connus, et il faut que la gravure sélective de contact choisie pour être utilisée ici grave la matière de la couche supérieure 221 à une vitesse bien plus grande que l'une ou l'autre des matières utilisées pour former des différentes couches d'arrêt de gravure. En outre, alors que la présente invention a été décrite en termes de la formation d'une connexion disponible pour une région de drain 212, il faut comprendre que la présente invention peut aussi être utilisée pour former des connexions disponibles vers d'autres régions, par exemple des régions de source 211 ou 213, situées dans le proche voisinage des piles de grille 235 ou adjacentes à celles-ci. Enfin, alors que la présente invention a été décrite ci-dessus dans le cadre du mode de réalisation ou des modes de réalisation préférés envisagés par les inventeurs, il faut cependant comprendre que la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation spécifiques décrits ci-dessus et que diverses modifications peuvent être apportées aux modes de réalisation ci-dessus décrits sans s'écarter de l'esprit ou du cadre plus larges de la présente invention définis aux revendications. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un dispositif semiconducteur sur un substrat semi-conducteur (210) comprenant les étapes consistant à: a) former une pile (235) sur le substrat semiconducteur (210), la pile (235) comprenant une grille; b) former une première couche d'isolement (231) au-dessus de parties exposées de la grille; c) former autour de la grille une couche d'arrêt de gravure (238) de pile (235); d) former une deuxième couche d'isolement (270) au-dessus du substrat semi-conducteur (210) et autour de la pile (235); e) former dans la deuxième couche d'isolement (270) une ouverture au-dessus d'une région située sur le substrat semi-conducteur (210) près de la pile (235); et f) remplir l'ouverture à l'aide d'une matière conductrice (220). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les étapes de formation f(a), (b), et (c) comprennent les étapes consistant à: former une couche d'isolement de grille (231) audessus du substrat semi-conducteur (210); déposer une couche conductrice (232) au-dessus de la couche d'isolement de grille (231); former une première couche d'arrêt de gravure (238) au-dessus de la couche conductrice (232); former la pile (235) constituée de la couche d'isolement de grille (231), de la couche conductrice (232), et de la première couche d'arrêt de gravure (238), où la grille comprend au moins une partie de la couche conductrice (232); former la première couche d'isolement (231) sur des côtés de la pile (235); former une deuxième couche d'arrêt de gravure (280) au-dessus du substrat semi-conducteur (210); et enlever au moins d'une région du substrat semiconducteur (210) la deuxième couche d'arrêt de gravure (280) tout en laissant au moins une partie de la deuxième couche d'arrêt de gravure (280) sur les côtés de la pile (235) et au moins une partie de la première couche d'arrêt de gravure (238) au-dessus de la pile (235) afin de former la couche d'arrêt de gravure de la pile (235). 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend de l'oxyde et en ce que l'étape de formation (b) comprend l'étape consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend de l'oxyde et en ce que l'étape de formation de la première couche d'isolement (231) sur des côtés de la pile (235) comprend l'étape consistant à faire croître thermiquement 1 'oxyde. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), la pile (235) comprenant une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 6. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), la pile (235) comprenant une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 7. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), la pile (235) comprenant une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille est une grille flottante (232). 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la grille est une grille de commande (230). 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de gravure (238) de pile (235) comprend une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. 11. Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur (210); une pile (235) formée sur le substrat semiconducteur (210), la pile (235) comprenant une grille, le substrat semi-conducteur (210) comprenant une région adjacente à la pile (235); une première couche d'isolement (231) autour de la grille de la pile (235); une couche d'arrêt de gravure (238) qui encapsule la pile (235); et une deuxième couche d'isolement (270) disposée au-dessus du substrat semi-conducteur (210), la deuxième couche d'isolement (270) présentant au dessus de la région une oufverture remplie d'une matière conductrice (220), la matière conductrice (220) étant couplée à la région du substrat semi-conducteur (210). 12. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la pile (235) comprend une couche d'isolement de grille (231) au-dessus du substrat semi-conducteur (210) et une couche conductrice (232) au-dessus de la couche d'isolement de grille (231), et en ce que la grille comprend au moins une partie de la couche conductrice (232). 13. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend un oxyde produit par croissance thermique. 14. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend un oxyde produit par croissance thermique. 15. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que la pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 16. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 13, caractérisé en ce que la pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 17. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 14, caractérisé en ce que la pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la couche conductrice (232) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 18. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la grille est une grille flottante (232). 19. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la grille est une grille de commande (230). 20. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de grille comprend une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. 21. Procédé de formation d'un dispositif semiconducteur sur un substrat semi-conducteur (210) comprenant les étapes consistant à: a) former deux piles (235) sur le substrat semiconducteur (210), chaque pile (235) comprenant une grille flottante (232) et une grille de commande (230); b) former une première couche d'isolement (231) au-dessus au moins de parties exposées de la grille flottante (232) de chaque pile (235); c) former autour de chaque grille une couche d'arrêt de gravure (238) de pile (235); d) former une deuxième couche d'isolement (270) au-dessus du substrat semi-conducteur (210) et autour des piles (235); e) former dans la deuxième couche d'isolement (270) une ouverture entre le piles (235); et f) remplir l'ouverture à l'aide d'une matière conductrice (220). 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que les étapes de formation (a), (b), et (c) comprennent les étapes consistant à: former une couche d'isolement de grille (231) audessus du substrat semi-conducteur (210); déposer une première couche conductrice (232) audessus de la couche d'isolement de grille (231); former une couche diélectrique (233) entre grilles au-dessus de la première couche conductrice (232); déposer une deuxième couche conductrice (230) audessus de la couche d'isolement (233) entre grilles; former une première couche d'arrêt de gravure (238) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230); former les deux piles (235) constituées par la couche d'isolement de grille (231), la première couche conductrice (232), la couche diélectrique (233) entre grilles, la deuxième couche conductrice (230), et la première couche d'arrêt de gravure (238), la grille flottante (232) de chaque pile (235) comprenant au moins une partie de la première couche conductrice (232) et la grille de commande (230) de chaque pile (235) comprenant au moins une partie de la deuxième couche conductrice (230); former la première couche d'isolement (231) sur des côtés de la pile (235); former une deuxième couche d'arrêt de gravure (280) au-dessus du substrat semi-conducteur (210); et enlever au moins d'une région du substrat semiconducteur (210) la deuxième couche d'arrêt de gravure (280) tout en laissant au moins une partie de la deuxième couche d'arrêt de gravure (280) sur les côtés de chaque pile (235) et au moins une partie de la première couche d'arrêt de gravure (238) au-dessus de chaque pile (235) afin de former la couche d'arrêt de gravure (238, 280) de la pile (235). 23. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) de chaque pile (235) comprend de l'oxyde et en ce que l'étape de formation (b) comprend l'étape consistant à faire croître thermiquement l'oxyde. 24. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) de chaque pile (235) comprend de l'oxyde et en ce que l'étape de formation de la première couche d'isolement (231) sur des côtés de chaque pile (235) comprend l'étape consistant à faire croître thermiquement 1 'oxyde. 25. Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), les deux piles (235) comprenant chacune une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 26. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), les deux piles (235) comprenant chacune une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 27. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes consistant à: déposer une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230), et former une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236), les deux piles (235) comprenant chacune une partie de la couche de siliciure métallique (236) et une partie de la couche tampon (237). 28. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que les deux piles (235) sont séparées par une distance et en ce que les dimensions de l'ouverture ménagée dans la deuxième couche d'isolement (270) entre les deux piles (235) sont égales ou supérieures à la distance. 29. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de gravure (238) de pile (235) comprend une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium. 30. Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat semi-conducteur (210); deux piles (235) formées sur le substrat semiconducteur (210), chaque pile (235) comprenant une grille flottante (232) et une grille de commande (230), le substrat semi-conducteur (210) comprenant une région entre le deux piles (235); une première couche d'isolement (231) autour d'au moins la grille flottante (232) de chaque pile (235); une couche d'arrêt de gravure (238) qui encapsule chaque pile (235); et une deuxième couche d'isolement (270) disposée au-dessus du substrat semi-conducteur (210), la deuxième couche d'isolement (270) présentant entre le deux piles (235) une ouverture remplie d'une matière conductrice (220), la matière conductrice (220) étant couplée à la région du substrat semi-conducteur (210). 31. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 30, caractérisé en ce que chaque pile (235) comprend une couche d'isolement de grille (231) au-dessus du substrat semi-conducteur (210), une première couche conductrice (232) au-dessus de la couche d'isolement de grille (231), une couche diélectrique (233) entre grilles au-dessus de la première couche conductrice (232), et une deuxième couche conductrice (230) au-dessus de la couche diélectrique (233) entre grilles, et en ce que la grille flottante (232) de chaque pile (235) comprend au moins une partie de la première couche conductrice (232), et, la grille de commande (230) de chaque pile (235) comprend au moins une partie de la deuxième couche conductrice (230). 32. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 30, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend un oxyde produit par croissance thermique. 33. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 31, caractérisé en ce que la première couche d'isolement (231) comprend un oxyde produit par croissance thermique. 34. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 31, caractérisé en ce que chaque pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 35. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 32, caractérisé en ce que chaque pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 36. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 33, caractérisé en ce que chaque pile (235) comprend en outre une couche de siliciure métallique (236) au-dessus de la deuxième couche conductrice (230) et une couche tampon (237) au-dessus de la couche de siliciure métallique (236). 37. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 30, caractérisé en ce que les deux piles (235) sont séparées par une distance et en ce que les dimensions de l'ouverture ménagée dans la deuxième couche d'isolement (270) entre les deux piles (235) sont égales ou supérieures à la distance. 38. Dispositif semi-conducteur selon la revendication 30, caractérisé en ce que la couche d'arrêt de grille comprend une matière choisie dans le groupe constitué par un nitrure de silicium, un oxyde d'aluminium, un oxynitrure de silicium, et un oxyde riche en silicium.