Brevet FR2715262A1 — publié le 19950721

I Elément émetteur de lumière à couches minces. La présente invention concerne une couche d'isolation intermédiaire d'un élément émetteur de lumière à couches minces, et elle concemrne en particulier une couche d'isolation intermédiaire destinée à empêcher la réflexion de la lumière émise pour une couche émettrice de lumière. Un dispositif de visualisation à électroluminescence à couches minces, du type à double isolation (que l'on appelle ci-après un élément émetteur de lumière à couches minces), dans lequel une couche émettrice de lumière d'une i0 substance fluorescente comportant Mn à titre de centre émetteur de lumière, est intercalée entre une électrode transparente et une électrode arrière, avec interposition de couches d'isolation, a suscité un intérêt considérable à titre de panneau de visualisation mince, du fait qu'il est possible d'obtenir une émission lumineuse ayant une luminosité plus grande, une résolution meilleure et une plus is grande capacité de visualisation. La figure 8 est une vue en perspective montrant un élément émetteur de lumière à couches minces du type double isolation appartenant à l'art antérieur. Un élément émetteur de lumière à couches minces est formé par un substrat en verre 1, une couche d'isolation intermédiaire 7, plusieurs électrodes transparentes 2, une première couche d'isolation 3 en A1203, en silice SiO2 ou en nitrure de silicium Si3N4, une couche émettrice de lumière 4, une seconde couche d'isolation formée par la même matière que la première couche d'isolation, et plusieurs électrodes arrières en AI, disposée parallèlement aux électrodes transparentes 3 et dans une orientation orthogonale. L'épaisseur de chaque couche est fixée à une valeur de 20 à 1000 nm. Les électrodes transparentes 2, la première couche d'isolation 3 et la seconde couche d'isolation 5 sont formées de façon générale par le procédé de pulvérisation cathodique, et la couche émettrice de lumière est formée par le procédé de pulvérisation cathodique, et la couche émettrice de lumière est formée par le procédé de pulvérisation cathodique ou le procédé de dépôt en phase vapeur par faisceau d'électrons. La couche émettrice de lumière d'un tel élément émetteur de lumière à couches minces consiste en sulfure de zinc ZnS à titre de matière de base, à laquelle est ajoutée une faible quantité de Mn ou de TbOF, à titre de centre émetteur de lumière. La couche émettrice de lumière est déposée en maintenant à une valeur optimale la concentration de son centre émetteur de lumière (manganèse Mn: 0,4 à 0,6 % en masse de sulfure de zinc ZnS). Après cette opération, elle est soumise à un traitement thermique à une température élevée d'environ 550 C pour améliorer les caractéristiques cristallines de la couche émettrice de lumière et pour augmenter la dispersion du centre émetteur de lumière. Dans un élément émetteur de lumière à couches minces de ce genre, une partie de la lumière qui est produite dans la couche émettrice de lumière 4 i5 dirigée vers le substrat en verre 1 est transmise en partie à travers l'électrode transparente 2 et la couche d'isolation intermédiaire 7, en passant par la première couche d'isolation 3, et en partie est réfléchie à des interfaces respectives de l'électrode transparente 2, de la couche d'isolation intermédiaire 7 et du substrat en verre 1. Pour améliorer la visibilité de l'élément émetteur de lumière à couches minces, il est nécessaire de minimiser les facteurs de réflexion et d'augmenter le facteur de transmission pour divers angles d'incidence aux interfaces précitées. La réflectance telle que décrite plus bas est donnée en fonction de l'indice de réfraction. La figure 9 est une représentation graphique montrant l'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire dans l'élément émetteur de lumière à couches minces de l'art antérieur. L'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire est déterminée comme étant une valeur intermédiaire entre ceux du substrat en verre et de l'électrode transparente, de sorte que l'indice de réfraction change en échelon entre eux. L'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire est égal à la racine carrée du produit des indices de réfraction du substrat en verre et de l'électrode transparente. L'épaisseur optique de la couche d'isolation intermédiaire, qui est le produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche d'isolation intermédiaire, était fixé au quart de la longueur d'onde centrale de la lumière émise. Avec l'indice de réfraction déterminé ci-dessus, le facteur de réflexion n'est minimisé et ne devient égal à zéro que lorsque la lumière provenant de la s couche émettrice de lumière tombe perpendiculairement sur le substrat en verre (angle d'incidence égal à O). Mais dans ce cas, il n'y a presque pas de problème de visibilité, du fait que l'élément émettant de la lumière à couche mince est observé généralement dans une direction presque perpendiculaire à la couche émettrice de lumière pour laquelle le facteur de réflexion pour la lumière provenant io de l'extérieur devient faible. Au contraire, pour de la lumière incidente qui n'est pas normale au substrat en verre (angle d'incidence > O), les facteurs de réflexion pour la lumière provenant de la couche émettrice de la lumière augmentent aux interfaces. Dans ce cas, le facteur de réflexion pour la lumière provenant de l'extérieur augmente aussi lorsque l'élément d'émission de lumière à couches minces est observé dans la direction de la lumière émise. Cela pose un problème consistant en une forte réduction de la visibilité. Le but de la présente invention est de proposer un élément émetteur de lumière à couches minces ayant une excellente visibilité sur un grand angle d'observation, par l'optimisation de l'indice de réfraction et de l'épaisseur optique de la couche d'isolation intermédiaire, de manière à avoir un facteur de réflexion réduit même pour de la lumière ayant un angle d'incidence non nul. Le but ci-dessus est atteint avec un élément émetteur de lumière à couches minces conforme au premier mode de réalisation, cet élément comprenant: (1) un substrat en verre, (2) une couche d'isolation intermédiaire, (3) une électrode transparente, (4) la première couche d'isolation, (5) une couche émettrice de lumière, (6) la seconde couche d'isolation, et (7) une électrode arrière et, dans cet élément, la couche d'isolation intermédiaire, l'électrode transparente, la première couche d'isolation, la couche émettrice de lumière, la seconde couche d'isolation et l'électrode arrière sont stratifiées une par une sur le substrat en verre, et le substrat en verre consiste en verre à base de soude; la couche d'isolation intermédiaire a un indice de réfraction ayant une valeur spécifique comprise entre les indices de réfraction du substrat en verre et de l'électrode transparente et a une épaisseur optique, produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche d'isolation intermédiaire, équivalent à une valeur intermédiaire représentant de 0,25 à 0,5 fois la longueur d'onde centrale d'un spectre d'émission; une tension est appliquée entre l'électrode transparente et l'électrode arrière; les premières et secondes couches d'isolation consistent en une matière isolante minérale; la couche émettrice de lumière comprend une matière émettrice de lumière minérale, et est excitée pour émettre de la lumière par des électrons qui se propagent à partir d'interfaces entre la première couche d'isolation et entre la seconde couche d'isolation. En outre, le but est également atteint avec un élément émetteur de lumière à couches minces conforme au second mode de réalisation, cet élément o comprenant: (1) un substrat en verre, (2) une couche d'isolation intermédiaire, (3) une électrode transparente, (4) la première couche d'isolation, (5) une couche émettrice de lumière, (6) la seconde couche d'isolation, et (7) une électrode arrière et, dans cet élément, la couche d'isolation intermédiaire, I'électrode transparente, la première couche d'isolation, la couche émettrice de lumière, la seconde couche i d'isolation et l'électrode arrière sont stratifiées une par une sur le substrat en verre, le substrat en verre consiste en verre à base de soude; l'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire a une valeur qui varie de façon continue entre celle du substrat en verre à une limite du substrat en verre et celle de l'électrode en verre à la limite de l'électrode transparente et a une épaisseur optique moyenne, produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche d'isolation intermédiaire restant égal à 0,25 fois une longueur d'onde centrale d'un spectre d'émission ou plus; une tension est appliquée entre l'électrode transparente et l'électrode arrière; les premières et secondes couches d'isolation comprennent une matière isolante minérale; la couche émettrice de lumière comprend une matière émettrice de lumière minérale et est excitée pour émettre de la lumière par des électrons qui se propagent à partir d'interfaces entre la première couche d'isolation et la seconde couche d'isolation. L'optimisation d'un indice de réfraction et d'une épaisseur optique se traduit par un facteur de réflexion réduit de la lumière dans un grand intervalle d'angles d'incidence qui est du à une différence de phase dans un phénomène d'interférences de la lumière incidente et de la lumière réfléchie. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est une vue en perspective d'un mode de réalisation d'un élément émetteur de lumière à couches minces conforme à la présente invention; la figure 2 est une représentation graphique montrant la dépendance du coefficient de réflexion vis-à-vis de l'angle d'incidence, avec l'épaisseur optique nd comme paramètre; la figure 3 est un schéma de configuration d'un appareil de pulvérisation cathodique radiofréquence qui est utilisé pour la fabrication du mode de réalisation de l'élément émetteur de lumière à couches minces conforme à la présente invention; o la figure 4 est une représentation graphique montrant un indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire d'un mode de réalisation de l'élément émetteur de lumière à couches minces suivant l'invention; la figure 5 est une représentation graphique montrant la dépendance du facteur de réflexion vis-à-vis de l'épaisseur optique moyenne (produit de l'indice de réfraction moyen par l'épaisseur de couche de la couche d'isolation intermédiaire), d'un autre mode de réalisation de l'élément émetteur de lumière à couches minces conforme à la présente invention; la figure 6 est une représentation graphique montrant la variation de l'indice de réfraction en fonction de la teneur en oxygène gazeux du gaz de pulvérisation cathodique pour former la couche d'isolation de ce mode de réalisation; la figure 7 est une représentation graphique montrant la variation du facteur de transmission spectral de la couche intermédiaire en fonction de la longueur d'onde, dans un autre mode de réalisation de la présente invention; la figure 8 est une vue en perspective montrant un élément émetteur de lumière à couches minces du type à double isolation classique; et la figure 9 est une représentation graphique montrant l'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire de l'élément émetteur de lumière à couches minces classique. Premier mode de réalisation La figure 1 est une vue en perspective d'un élément émetteur de lumière à couches minces comme mode de réalisation de la présente invention. Les composants et éléments qui sont les mêmes que dans l'art antérieur représenté sur la figure 8, sont désignés par les mêmes références numériques. Seule une couche d'isolation intermédiaire 7A présente une différence vis-à-vis de l'élément émetteur de lumière à couches minces de l'art antérieur. Le facteur de réflexion en direction perpendiculaire, R0, d'une surface de verre en contact avec l'air, est donné par la formule suivante: R0 = (n1 - 1)2/(n1 +1)2 dans laquelle n1 est l'indice de réfraction du verre. Avec un substrat en verre consistant en NA40 (fabriqué par HOYA Co.), son indice de réfraction de 1,573 donne un facteur de réflexion R0 égal à 4,97 %. Le facteur de réflexion R60 pour un angle d'incidence de 60 est de 20,1 %. En revanche, avec du verre à base de soude (n1 = 1,51), R0 est égal à 0, 41 %. Le facteur de réflexion R60 pour un angle d'incidence de 60 est de 18 %. Par conséquent, le verre à base de soude est un peu meilleur pour un élément émetteur de lumière à couches minces ayant un grand angle de visibilité. On utilise du verre à base de soude pour un substrat en verre. Le facteur de réflexion R s'exprime par la formule suivante, en désignant par no l'indice de réfraction d'une électrode transparente, par n l'indice de réfraction d'une couche d'isolation intermédiaire, par n1 l'indice de réfraction d'un substrat en verre, par d l'épaisseur de la couche d'isolation intermédiaire, par 0 I'angle d'incidence de la lumière, et par X la longueur d'onde centrale de la lumière émise: R = [r1 + r2 exp(-2i 5)]2 (1) dans laquelle r1, r2 et sont respectivement donnés par les formules suivantes: r1 = (no 0-n) / (no 0+n) (2) r2=(n-nl)/(n+nl) (3) ô =2.nd.cos 0/X (4) Le Tableau 1 donne les relations entre les coefficients de réflexion en fonction des angles d'incidence avec l'épaisseur optique comme paramètre. On calcule les coefficients de réflexion à partir de la différence de phase de la lumière en utilisant la formule (1) dans laquelle les formules (2), (3) et (4) sont remplacées par no = 2, ou, n1 = 2,51 et n = 1,74. Epaisseur optique 72,5 100 145 205 290 nd(nm) Angle d'incidence 0 0,707 0,468 0 0,5 1 0,779 0,592 0,209 0,345 0,913 ( ) 45 0,850 0,592 0,444 0 0,605 0 60 0,924 0,857 0,707 0,444 0 ;1 Z1;1;1 t%1 Ces calculs des coefficients de réflexion sont normalisés de façcon que le facteur de réflexion soit égal à 1 pour de la lumière ayant une longueur d'onde centrale égale à 580 nm émise sans couche d'isolation intermédiaire. Le Tableau I montre que le coefficient de réflexion de la couche d'isolation intermédiaire est réduit sur une grande plage d'angle d'incidence pour les épaisseurs optiques comprises entre 145 nm et 290 nm. Ces épaisseurs sont équivalentes à des valeurs comprises entre 0,25 fois et 0,5 fois la longueur d'onde centrale. On peut appliquer les résultats mentionnés ci-dessus aux lumières de longueurs d'ondes centrales de 540 nm, 650 nm et 470 nm émises par ZnS: Tb, ZnS: Sm et ZnS: Tm. La figure 2 est une représentation graphique montrant la dépendance du coefficient de réflexion vis-à-vis de l'angle d'incidence, avec l'épaisseur optique nd comme paramètre. Les épaisseurs optiques sont choisies à (1) 72,5 nm, (2) 100 nm, (3) nm, (4) 205 nm et (5) 290 nm. On trouve que le facteur de réflexion devient faible dans une plage d'angle d'incidence étendue, à une épaisseur optique de 205 nm. Le mode de réalisation de l'élément émetteur de lumière à couches minces conforme à la présente invention est préparé par le procédé suivant. La figure 3 est un schéma de configuration d'un appareil de pulvérisation cathodique radiofréquence qui est utilisé pour fabriquer le mode de réalisation de l'élément émetteur de lumière à couches minces conforme à la présente invention. Une alimentation radiofréquence (RF) 13, une cible 12, un substrat en verre à base de soude 11 et un tube d'entrée de gaz 14 ont été installés dans une chambre 15. On a fait passer par le tube d'entrée de gaz 14 un gaz de pulvérisation cathodique, qui contenait de l'argon, de l'oxygène et de l'azote dans des rapports prédéterminés. On a utilisé une cible en SiAION. SiAION est toute matière isolante comprenant les éléments atomiques Si, AI, N et O. En faisant circuler un mélange de gaz consistant en argon, en oxygène et en azote dans des proportions de 10: 0,1: 0,05, on a appliqué une tension RF pour pulvériser cathodiquement la cible en SiAION. La couche d'isolation intermédiaire 7A en SiAION ayant un indice de réfraction de 1,73 s'est formée ainsi sur le substrat en verre à base de soude 11. On a préparé six épaisseurs optiques de (1) 72,5 nm, (2) 100 nm, (3) 145 nm, (4) 205 nm, (5) 290 nm et (6) 400 nm. On a formé en outre l'électrode transparente 2 en une épaisseur de nm sur la couche d'isolation intermédiaire 7A, en utilisant une cible en ITO (oxyde d'indium contenant 10 % en masse d'oxyde d'étain). L'indice de réfraction de l'électrode transparente était d'environ 2. Sur l'électrode transparente 2, on a formé en outre des couches d'oxyde d'aluminium A1203 et d'oxyde de tantale Ta2O5, avec une épaisseur totale de 350 nm, par le procédé de pulvérisation cathodique, comme pour la première couche d'isolation. Aussitôt après ceci, on a formé la couche émettrice de lumière en ZnS: Mn, avec une épaisseur de 700nm, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (MOCVD). En outre, on a formé la seconde couche d'isolation par pulvérisation cathodique, en la même matière que pour la première couche d'isolation. La luminance dans une direction perpendiculaire à un pixel d'un élément émetteur de lumière à couches minces ainsi préparé, attaqué à 60 Hz, était de 350 cd/m2. La luminance a été si grande que l'on a reconnu la moindre différence de visibilité des éléments émetteurs de lumière à couches minces (1) à (6), lorsqu'on a observé ces éléments exactement de face (angle d'incidence de 0). Contrairement à cela, on a observé une réflexion de la lumière ambiante sur le substrat en verre pour un angle d'incidence supérieur à 0. La réflexion de la lumière ambiante est devenue considérable, en particulier pour un angle d'incidence supérieur à 30 . Lorsque l'épaisseur optique précitée était comprise entre 145 et 290 nm, I'élément avait une boone visibilité même pour de la lumière ayant un large intervalle des angles d'incidence. En particulier, dans le cas de l'épaisseur optique de 205 nm, on a obtenu un bon résultat en concordance avec le calcul théorique. Pour l'épaisseur optique de 205 nm, mentionnée ci-dessus, de la couche d'isolation intermédiaire, le facteur de réflexion de la lumière émise devient minimal pour un angle d'incidence proche de 45 . Le facteur de réflexion pour la lumière ambiante peut être également rendu minimal pour un angle d'incidence voisin de 45 . Cela permet d'incorporer une couche d'isolation extérieure sur la surface du substrat en verre opposée à la couche d'isolation intermédiaire. On choisit l'indice de réfraction de la couche d'isolation extérieure entre ceux du substrat en verre et de la couche d'isolation intermédiaire, et l'épaisseur de la couche d'isolation extérieure pour que son épaisseur optique soit égale à 205 nm. L'épaisseur optique de la couche d'isolation intermédiaire est déterminée à partir de l'angle de vue dans l'application de l'élément émetteur de lumière à couches minces. A titre d'exemple, on peut adopter une épaisseur i5 optique relativement faible pour satisfaire à l'exigence d'un angle de vue étroit requis pour des ordinateurs personnels. Contrairement à cela, lorsqu'un grand angle de vue est exigé, comme dans certains appareils d'affichage, on peut adopter une épaisseur optique relativement grande. On utilise SiAION pour la couche d'isolation intermédiaire précitée, mais on peut également utiliser des isolants comme de l'oxyde d'aluminium A1203 dont les indices de réfraction sont voisins de 1,74 avec possibilité de faibles différences d'indices de réfraction. Second mode de réalisation la figure 6 est une représentation graphique montrant la variation de l'indice de réfraction en fonction de la teneur en oxygène gazeux du gaz de pulvérisation cathodique pour former la couche d'isolation de ce mode de réalisation. Dans un autre mode de réalisation de l'invention, on forme la couche d'isolation intermédiaire en faisant passer de 0 à 0,3 la concentration, pendant le dépôt, de l'oxygène gazeux, en maintenant respectivement à 10 et 0,05 les concentrations d'argon gazeux et d'azote gazeux [Ar: 02: N2 = (10: 0: 0,05) à (10: 0,3: 0,05)]. On trouve que l'indice de réfraction varie de façcon continue de la valeur proche de 1,51 du substrat en verre à la valeur de 2,00 de l'ITO. La figure 4 est une représentation graphique montrant un exemple de l'indice de réfraction de la couche de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire de ce mode de réalisation. L'indice de réfraction de la couche d'isolation intermédiaire varie de façon continue à partir de celui de l'ITO jusqu'à celui du substrat en verre. La figure 5 est une représentation graphique montrant la variation du facteur de réflexion en fonction de l'épaisseur optique moyenne (produit de l'indice de réfraction moyen et de l'épaisseur de couche) dans la couche d'isolation intermédiaire de ce mode de réalisation. On trouve que la variation continue du facteur de réflexion est réduite significativement pour des épaisseurs optiques moyennes équivalentes au quart ou plus de la longueur d'onde centrale. Plus l'épaisseur optique moyenne est élevée, plus l'effet est grand. Il est des plus préférables que l'indice de réfraction varie de façon linéaire. La figure 7 est une représentation graphique montrant la variation du facteur de transmission spectral de la couche d'isolation intermédiaire, en fonction de la longueur d'onde, dans ce mode de réalisation. On change de diverses manières les rapports de mélange dans le gaz de pulvérisation cathodique de l'argon, de l'oxygène et de l'azote, conformément aux conditions suivantes: (a) 10: 0,005: 0, (b) 10: 0: 0,02, (c) 10: 0: 0,1, (d) 10: 0,2: 0,05, et (e) 10: 0: 0,05. On trouve que les caractéristiques spectrales de transmission sont plates lorsque le rapport de mélange de gaz de pulvérisation correspond à (d) ou (e). Ces rapports sont compris dans une plage qui permet de changer le facteur de réflexion de façcon continue de la valeur de 2,00 de l'ITO, jusqu'à la valeur de 1,51 du substrat en verre. La transparence pour la lumière devient mauvaise dans les cas (a), (b) et (c), du fait de la médiocre transmission spectrale dans le domaine des courtes longueurs d'onde. L'analyse par spectrométrie de masse d'ions secondaires fait apparaître que la couche d'isolation intermédiaire précitée, dont l'indice de réfraction est changé d'une manière continue en utilisant le SiAION, empêche aussi la diffusion de métaux alcalins du verre à base de soude servant de substrat en verre, et qu'elle a en outre un effet supérieur à celui d'une couche d'oxyde d'aluminium A1203 ou d'oxyde de silicium SiO2. il Comme mentionné ci-dessus, la couche intermédiaire a un changement continu de l'indice de réfraction et est apte à réduire le facteur de réflexion si l'épaisseur optique est équivalente au quart ou plus de la longueur d'onde centrale du spectre d'émission. C'est pourquoi une couche intermédiaire de ce genre à plus grande épaisseur de couche a également pour effet de réduire le facteur de réflexion indépendamment de la longueur d'onde centrale, ce qui permet d'appliquer efficacement la couche à un élément émetteur de lumière coloré à couches minces. Suivant le premier mode de mise en oeuvre de l'invention, il est prévu une couche d'isolation intermédiaire ayant une valeur spécifique d'indice de réfraction qui est comprise entre celles du substrat en verre et d'une électrode transparente ayant une épaisseur optique, produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche, équivalant à 0,25 à 0,5 fois la longueur d'onde centrale d'une lumière émise. Dans le deuxième mode de réalisation de l'invention, il est prévu que la couche d'isolation intermédiaire a une valeur d'indice de réfraction qui varie de façon continue de celle du substrat en verre à celle de l'électrode transparente, avec une épaisseur optique moyenne équivalant à 0,25 fois, ou plus, la longueur d'onde centrale de la lumière émise. Ces couches intermédiaires donnent des facteurs de réflexion significativement réduits pour des lumières incidentes suivant des angles très répartis, ce qui permet à des éléments émetteurs de lumière à couches minces de donner une visibilité excellente pour de grands angles de vue. En outre, la pulvérisation cathodique dans le deuxième mode de réalisation est l'élément émetteur de lumière à couches minces ayant par pulvérisation cathodique RF de SiAION, par l'utilisation d'argon gazeux, d'oxygène gazeux et d'azote gazeux, avec un changement continu de la concentration en oxygène. Par cette pulvérisation cathodique, il se forme une couche d'isolation intermédiaire à variation continue de l'indice de réfraction, ce qui donne aisément un élément émetteur de lumière à couches minces d'une excellente visibilité. En outre, une pulvérisation cathodique avec un rapport donné à l'avance d'argon gazeux, d'oxygène gazeux et d'azote gazeux donne une couche intermédiaire pour un élément émetteur de lumière à couches minces ayant une transparence excellente et apte à empêcher toute diffusion de sodium hors d'un substrat en verre. La couche d'isolation intermédiaire peut aussi être formée par exemple en 12 2715262 changeant les rapports de mélange des gaz consistant en argon, en oxygène et en azote de 10: 0: 0,5 à 10: 0,2: 0,05. REVENDICATIONS 1. Elément émetteur de lumière à couches minces comprenant (1) un substrat en verre, (2) une couche d'isolation intermédiaire, (3) une électrode transparente, (4) une première couche d'isolation, (5) une couche émettrice de lumière, (6) une seconde couche d'isolation, et (7) une électrode arrière, la couche d'isolation intermédiaire, l'électrode transparente, la première couche d'isolation, la couche émettrice de lumière, la seconde couche d'isolation et l'électrode arrière étant stratifiées dans cet ordre et une par une, sur le substrat en verre, caractérisé I0 en ce que: le substrat comprend du verre à base de soude; la couche d'isolation intermédiaire a un indice de réfraction spécifique compris entre les indices de réfraction du substrat en verre et de l'électrode transparente, et une épaisseur optique, qui est le produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche d'isolation intermédiaire, équivalente à une valeur intermédiaire comprise entre 0, 25 et 0,5 fois la longueur d'onde centrale d'un spectre d'émission; une tension est appliquée entre l'électrode transparente et l'électrode arrière; les premières et secondes couches d'isolation consistent en une matière isolante minérale, la couche émettrice de lumière comprend une matière émettrice de lumière minérale et est excitée pour émettre de la lumière par des électrons qui se propagent à partir d'interfaces comprises entre la première couche d'isolation et entre la seconde couche d'isolation. 2. Elément émetteur de lumière à couches minces comprenant (1) un substrat en verre, (2) une couche d'isolation intermédiaire, (3) une électrode transparente, (4) une première couche d'isolation, (5) une couche émettrice de lumière, (6) une seconde couche d'isolation, et (7) une électrode arrière, la couche d'isolation intermédiaire, I'électrode transparente, la première couche d'isolation, la couche émettrice de lumière, la seconde couche d'isolation et l'électrode arrière étant stratifiées, dans cet ordre et une par une, sur le substrat en verre, caractérisé 14 2715262 en ce que le substrat en verre comprend du verre à base de soude; la couche d'isolation intermédiaire a un indice de réfraction spécifique compris entre les indices de réfraction du substrat en verre et de l'électrode transparente, et une épaisseur optique, qui est le produit de l'indice de réfraction par l'épaisseur de la couche, équivalente à 0, 25 fois, ou plus, la longueur d'onde centrale d'un spectre d'émission; une tension est appliquée entre l'électrode transparente et l'électrode arrière; les premières et secondes couches d'isolation consistent en une matière isolante minérale; la couche émettrice de lumière comprend une matière émettrice de lumière minérale et est excitée pour émettre de la lumière par des électrons qui se propagent à partir d'interfaces entre la première couche d'isolation et entre la seconde couche d'isolation. 3. Elément émetteur de lumière à couches minces selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche d'isolation intermédiaire comprend du SiAION. 4. Elément émetteur de lumière à couches minces selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche d'isolation intermédiaire est formée par un procédé de pulvérisation cathodique à haute fréquence. 5. Elément émetteur de lumière à couches minces selon la revendication 4, caractérisé en ce que la couche d'isolation intermédiaire est formée en utilisant des gaz consistant en argon, en oxygène et en azote. 6. Elément émetteur de lumière à couches minces selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche d'isolation intermédiaire est formée en changeant, pendant sa formation, les rapports de mélange des gaz consistant en argon, en oxygène et en azote, de 10: 0: 0,05 à 10: 0,2: 0, 05.