Brevet FR2713350A1 — publié le 19950609

COMPOSANT OPTIQUE A PLURALITE DE RESEAUX DE BRAGG ET PROCEDE DE FABRICATION DE CE COMPOSANT DESCRIPTION La présente invention concerne un composant optique à pluralité de réseaux de Bragg ("Bragg gratings") ainsi qu'un procédé de fabrication de ce composant. L'invention s'applique notamment à la réalisation de tout composant optique qui nécessite plusieurs réseaux de Bragg, comme par exemple certains lasers et certains filtres. L'invention s'applique en particulier à la réalisation de réseaux de Bragg pour des émetteurs lasers multi-longueurs d'onde ou pour des émetteurs lasers mono-fréquence utilisant de tels réseaux. L'invention s'applique entre autres à l'obtention de réseaux de Bragg destinés à des émetteurs multi-longueurs d'onde composés de lasers mono-fréquence, comme par exemple des barrettes de lasers à miroirs de Bragg distribués, ou lasers DBR (pour "Distributed Bragg Reflector") ou des barrettes de lasers à contre-réaction distribuée, ou lasers DFB (pour "Distributed Feed Back"). Actuellement, pour réaliser des barrettes de lasers mono-fréquence à semiconducteurs, par exemple des barrettes de lasers DFB ou DBR qui émettent à des longueurs d'onde différentes les unes des autres, il est nécessaire de réaliser autant de réseaux de diffraction ("diffraction gratings") que de longueurs d'onde souhaitées. C'est ainsi qu'on réalise par exemple seize réseaux de diffraction de pas différents pour obtenir seize longueurs d'onde. Ces réseaux sont réalisés soit par lithographie au moyen d'un faisceau d'ions comme cela apparaît dans le document suivant: (1) L.A. WANG et al: "Integrated Four-Wavelength DFB Laser Array with 10 Gb/s Speed and 5 n Continuous Tuning Range", IEEE Photonics Techn. Lett., vol. 4, n 4, Avril 1992, soit par insolation holographique, soit en utilisant un masque de phase gravé par un faisceau d'ions, comme cela apparait dans le document suivant: (2) T.L. Koch et al: "Incoherent Contact-Print Grating Technology for WDM Laser Sources", paper PD23, p.95, Proceedings OFC/IOOC'93, San Jose, USA, 21-26 Février 1993. Un avantage de la lithographie par faisceau d'ions réside dans la possibilité de graver, sur une même plaque, des réseaux de diffraction présentant différents pas. Cependant, le temps important qui est nécessaire à la gravure des divers réseaux (ce temps augmentant avec la superficie de la plaque et le nombre de longueurs d'onde souhaitées) limite de façon importante l'utilisation de cette technique, en particulier dans l'industrie. La méthode holographique permet de traiter rapidement de larges superficies mais ne permet de graver qu'un seul réseau de diffraction à la fois. La technique du masque de phase gravé présent l'avantage de permettre l'insolation de larges superficies et l'obtention de réseaux de diffraction de pas différents mais nécessite la réalisation de masques différents à chaque variation sur le nombre de longueurs d'onde et sur la valeur de l'espacement de ces longueurs d'onde. La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précédents en proposant un composant optique à pluralité de réseaux de Bragg, qui est beaucoup plus simple à fabriquer que les composants à plusieurs réseaux mentionnés ci-dessus, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce composant qui est beaucoup plus simple à mettre en oeuvre que les techniques ci- dessus. L'invention permet par exemple de réaliser sur une même plaque de large superficie, de façon rapide, des réseaux de pas différents, et de maltriser facilement le nombre de longueurs d'onde et l'espacement entre ces longueurs d'onde. Comme on l'a vu plus haut, l'invention s'applique également à la fabrication de réseaux pour des lasers mono-fréquence utilisant chacun plusieurs réseaux, comme par exemple les lasers de type Corrugation Pitch Modulated Distributed Feed Back dont il est question dans le document suivant: (3) M. OKAI et al: "Corrugation-Pitch-Modulated MQW- DFB Laser with Narrow Spectral Linewidth (170 kHz)", IEEE Photon. Technol. Lett., vol.2, n 8, pp.529-530, Août 1990, et les lasers de type Distributed Bragg Reflector dont il est question dans le document suivant: (4) Y. Tohmori et al.: "Ultrawide Wavelength Tuning with Single Longitudinal Mode by Super Structure Grating (SSG) DBR Lasers", Proceedings 13th IEEE International Semiconductor Laser Conference, paper 06, pp.268-269, Takamatsu, Japon, 21-25 Septembre 1992. Dans cette application de l'invention, on a besoin d'une structure laser comprenant longitudinalement plusieurs réseaux de Bragg. Les lasers mentionnés dans les documents (3) et (4) ne sont pas faciles à fabriquer. La présente invention remédie également à cet inconvénient en proposant un composant optique dont la structure est beaucoup plus simple et qui est plus facile à fabriquer. Dans cet aspect de l'invention, il est possible de traiter de grandes surfaces et de maltriser facilement les différentes longueurs d'onde de Bragg nécessaires. Dans tous les cas, le composant optique objet de la présente invention ne nécessite qu'un seul réseau de diffraction, ce qui est très avantageux par rapport à tous les composants optiques dont il est question plus haut et qui nécessitent, quant à eux, plusieurs réseaux de diffraction. Ainsi, dans la présente invention, on forme un seul réseau de diffraction, quel que soit le nombre de réseaux de Bragg de la structure que l'on veut réaliser. De façon précise, la présente invention a pour objet un composant optique comprenant un guide de lumière et une pluralité de réseaux de Bragg qui sont formés dans le guide de lumière et qui ont respectivement des longueurs d'onde de Bragg déterminées, ce composant étant caractérisé en ce que le guide de lumière comprend un unique réseau de diffraction et une pluralité de zones qui sont respectivement associées aux réseaux de Bragg et dont les indices optiques respectifs sont choisis pour obtenir, en coopération avec ledit réseau de diffraction, lesdites longueurs d'onde de Bragg, chaque zone induisant une modification locale de l'indice optique effectif du guide. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention, l'une au moins desdites zones est un empilement d'au moins deux couches de matériaux dont les indices optiques sont différents l'un de l'autre. Selon une première réalisation particulière de l'invention, lesdites zones forment des rangées parallèles, orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide, et permettent ainsi d'obtenir des réseaux de Bragg parallèles. Selon un mode de réalisation particulier correspondant à ce dernier cas, le guide de lumière comprend une zone principale de guidage dans laquelle se propage essentiellement la lumière et au contact de laquelle sont placées lesdites zones, ces zones sont des empilements alternés d'une première couche et d'une deuxième couche qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, et le nombre d'alternances des couches va en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité. Selon une deuxième réalisation particulière de l'invention, lesdites zones forment des rangées parallèles, orientées perpendiculairement à la direction de propagation de la lumière dans le guide, et permettent ainsi d'obtenir des réseaux de Bragg en série (suivant l'axe de propagation de la lumière). Selon un mode de réalisation particulier correspondant à ce dernier cas, le guide de lumière comprend une zone principale de guidage dans laquelle se propage essentiellement la lumière et, de part et d'autre de cette zone principale de guidage, des zones de confinement, dans l'une de ces zones de confinement est prévue au moins une couche faite d'un matériau d'indice optique différent de celui du matériau constitutif de cette zone de confinement, et cette couche est parallèle à la zone principale de guidage et limitée, suivant la direction de propagation de la lumière,à une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage. La présente invention concerne également un procédé de fabrication d'un composant optique comprenant un guide de lumière et une pluralité de réseaux de Bragg qui sont formés dans le guide de lumière et qui ont respectivement des longueurs d'onde de Bragg déterminées, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on forme un guide de lumière comprenant un unique réseau de diffraction et une pluralité de zones qui sont respectivement associées aux réseaux de Bragg et dont les indices optiques respectifs sont choisis pour obtenir, en coopération avec ledit réseau de diffraction, lesdites longueurs d'onde de Bragg, chaque zone induisant une modification locale de l'indice optique effectif du guide. Selon un premier mode de mise en oeuvre particulier du procédé objet de l'invention, ce procédé comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat une couche de confinement de lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette couche de confinement, - on forme sur ce réseau de diffraction une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme sur cette zone principale de guidage un empilement alterné d'une première couche et d'une deuxième couche qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, - on élimine localement ces couches de manière à obtenir des rangées parallèles d'empilements alternés des première et deuxième couches, ces rangées étant orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide et constituant lesdites zones, le nombre d'alternance de couches allant en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité, et - on achève le confinement du guide. Selon un deuxième mode de mise en oeuvre particulier, ce procédé comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat un empilement alterné d'une première couche et d'une deuxième couche qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, - on élimine localement ces couches de manière à obtenir des rangées parallèles d'empilements alternés des première et deuxième couches, ces rangées étant orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide et constituant lesdites zones, le nombre d'alternance des couches allant en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité, - on forme sur ces zones une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette zone principale de guidage, et - on achève le confinement du guide. Selon un troisième mode de mise en oeuvre particulier, ce procédé comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat une couche de confinement de lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette couche de confinement, - on forme sur ce réseau de diffraction une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme une autre couche de confinement de lumière sur la zone principale de guidage, - on forme sur cette autre couche de confinement une couche supplémentaire dont l'indice optique est différent de celui de cette couche de confinement, - on élimine cette couche supplémentaire, suivant la direction de propagation de la lumière, sauf dans une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage, - on achève le confinement du guide. Selon un quatrième mode de mise en oeuvre particulier, ce procédé comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat une couche de confinement de lumière, - on forme sur cette couche de confinement une couche supplémentaire, dont l'indice optique est différent de celui de cette couche de confinement, - on élimine cette couche supplémentaire, suivant la direction de propagation de la lumière, sauf dans une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage, - on forme sur la structure ainsi obtenue une autre couche de confinement faite du même matériau que ladite couche de confinement, - on forme sur cette autre couche de confinement une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette zone principale de guidage, et - on achève le confinement du guide. De préférence, le réseau de diffraction est formé par une méthode d'insolation holographique. La présente invention sera mieux comprise à la lecture de la description d'exemples de réalisation donnés ci-après, à titre purement indicatif et nullement limitatif, en faisant référence aux dessins annexés sur lesquels: * la figure 1 est une vue schématique d'un guide optique passif connu, * la figure 2 est une vue schématique et partielle d'un guide optique passif conforme à l'invention, * la figure 3 est une vue schématique d'une structure semiconductrice permettant la fabrication du guide optique de la figure 2, * la figure 4 est une vue schématique d'un laser connu de type Corrugation Pitch Modulated Distributed Feed Back, et * la figure 5 est une vue schématique d'un laser de ce type, réalisé conformément à la présente invention. Comme on l'a vu plus haut, l'invention s'applique à la réalisation de réseaux de Bragg pour des barrettes de lasers semiconducteurs mono-fréquence. On considère dans ce qui suit la fabrication de ces réseaux sur un guide optique passif. Cependant, l'invention s'applique également à la fabrication de tels réseaux sur un guide optique actif. Ces réseaux formés sur un guide optique passif sont directement utilisables pour l'obtention de structures lasers de type DBR. Mais on pourrait également les utiliser en temps que filtres optiques. On voit sur la figure 1, en coupe longitudinale (suivant la direction de propagation D de la lumière), un guide optique passif connu, muni d'un réseau de diffraction. Plus précisément, le guide optique passif schématiquement représenté sur la figure 1 comprend successivement, sur un substrat 2, une première couche de confinement de la lumière 4, une zone principale de guidage de cette lumière 6, dans laquelle se propage essentiellement la lumière, et une deuxième zone de confinement 8 de la lumière. Les zones de confinement 4 et 8 ont des indices de réfraction inférieurs à celui de la zone de guidage 6. Le guide optique de la figure 1 comprend également un réseau de diffraction 10 qui est formé sur la zone de confinement 4 et sur lequel repose la zone de guidage 6. On dispose ainsi d'un réseau de Bragg constitué par l'association du réseau de diffraction 10 et de la zone principale de guidage 6. Ce réseau de Bragg est caractérisé par une longueur d'onde de Bragg XB qui est reliée à l'indice optique effectif Neff du guide (empilement complet) ainsi qu'au pas A du réseau de diffraction et à l'ordre p de ce réseau de diffraction par la formule suivante: IB = A.2Neff/p. Toutes les techniques connues proposent, pour obtenir différentes longueurs d'onde de Bragg (et donc différentes longueurs d'émission de lasers, dans le cas d'une application à l'obtention de lasers de type DBR ou DFB), de former autant de réseaux de diffraction parallèles les uns aux autres que l'on veut de longueurs d'onde, en association avec un guide de lumière ayant un indice optique effectif déterminé. Ainsi, avec ces techniques connues, un réseau de diffraction de pas A1 correspond à une longueur d'émission X1, un réseau de diffraction de pas A2 correspond à une longueur d'onde d'émission 2.... Conformément à la présente invention, on ne réalise qu'un seul réseau de diffraction ayant donc un pas déterminé (de préférence par insolation holographique, d'o une seule insolation holographique) et on modifie localement l'indice effectif du guide de façon à obtenir les diverses longueurs d'onde souhaitées. On forme ainsi autant de zones d'indices optiques effectifs différents les uns des autres que l'on veut de longueur d'onde d'émission laser (ou, plus généralement, que l'on a besoin de longueur d'onde de Bragg différentes). Ainsi, conformément à l'invention, on fait correspondre une zone d'indice effectif Neffl à une longueur d'onde de Bragg kB1 (et à la longueur d'onde d'émission correspondante X1), on fait correspondre une zone d'indice effectif Neff2 à une longueur d'onde de Bragg X2 (et à la longueur d'onde d'émission correspondante 12).... La figure 2 est une vue schématique et partielle d'un guide optique passif conforme à l'invention, vu en coupe transversale, la lumière se propageant suivant la direction indiquée par la flèche F sur la figure 2, ce guide de la figure 2 mettant en oeuvre le principe mentionné ci-dessus. Dans ce guide conforme à l'invention, pour réaliser les variations d'indice effectif du guide, on ajoute à la partie principale de guidage, dont l'épaisseur est notée e et l'indice optique n, des couches alternées d'un premier matériau et d'un deuxième matériau qui ont des indices optiques différents l'un de l'autre. Le nombre de couples de couches différentes ainsi formés détermine le nombre de longueurs d'onde différentes réalisables sur une même plaque semiconductrice. Comme on le verra mieux dans ce qui suit, si l'on a par exemple besoin de seize longueurs d'onde, on forme quinze couples de couches des premier et deuxième matériaux. Il suffit d'éliminer localement, par exemple par une attaque chimique locale, un couple de couches faites des premier et deuxième matériaux pour modifier l'indice effectif et dont la longueur d'onde de Bragg. Plus précisément, la figure 2 illustre schématiquement un guide optique passif conforme à l'invention, permettant d'obtenir quatre longueurs d'onde différentes les unes des autres X1, X2, X3, M4. Le guide optique conforme à l'invention schématiquement représenté sur la figure 2 comprend, sur un substrat 12, une première couche de confinement 14, sur laquelle est gravée un unique réseau de diffraction 16. Sur celui-ci est formée une couche principale de guidage 18 et sur cette couche 18 se trouve un empilement de couches 20 d'un premier matériau d'indice optique nl qui alternent avec des couches 22 d'un deuxième matériau d'indice optique n2 différent de nl. Ces couches 20 et 22 n'ont pas nécessairement la même épaisseur. Comme on le voit sur la figure 2, l'empilement des couches 20 et 22 alternées a été gravé pour présenter des marches d'escalier. A une extrémité de l'empilement, toutes les couches 20 et 22 subsistent tandis qu'à l'autre extrémité aucune des couches 20 et 22 ne subsiste. On passe d'une marche à la suivante en supprimant un couple de couches 20 et 22. Dans l'exemple représenté sur la figure 2, il y a trois couples de couches 20 et 22, d'o trois marches et donc quatre zones parallèles portant respectivement les références 24, 26, 28 et 30, la zone d'extrémité 24 portant toutes les couches 20 et 22 tandis que que la zone d'extrémité 30 n'en porte aucune. Ce sont ces zones 24, 26, 28 et 30 qui permettent, en association avec l'unique réseau de diffraction 16, de former quatre réseaux de Bragg et donc d'obtenir quatre longueurs d'onde de Bragg notées XB1,.B2, XB3 et XB4. Au-dessus de l'empilement en escalier est formé une deuxième couche de confinement 32 qui épouse aussi la forme de cet escalier. Il est facile de régler l'espacement entre les longueurs d'onde de Bragg et donc entre les longueurs d'émission des lasers en choisissant convenablement les épaisseurs des couches 20 et 22 et/ou les matériaux constitutifs de ces couches. Il est à noter que l'épitaxie permet de réaliser des couches de matériau de 2 nm d'épaisseur et l'on voit ainsi l'intérêt de la présente invention pour l'obtention de lasers de longueurs d'onde voulues. La figure 3 illustre schématiquement et partiellement un procédé de fabrication d'un guide optique du genre de celui de la figure 2. Sur un substrat 12 en InP on dépose par épitaxie une première couche de confinement 14 en InP d'indice optique 3,17 et, sur cette couche 14, on grave un réseau de diffraction 16 de pas A déterminé, par exemple égal à 236,47 nm. Pour ce faire, on procède de préférence par insolation holographique. Sur le réseau de diffraction 16 ainsi formé, on dépose, par épitaxie, une couche principale de guidage 18 en InGaAsP d'indice optique 3,4 et d'épaisseur 350 nm. Ensuite on dépose, par épitaxie, sur la couche 18, des couches 20 en InP d'indice optique 3,17 et de 5 nm d'épaisseur qui alternent avec des couches 22 en InGaAsP d'indice optique 3,4 et de 5 nm d'épaisseur. A titre purement indicatif et nullement limitatif, pour obtenir seize longueurs d'onde d'émission laser I1 à 116 autour de 1,54 pm, on dépose un empilement de quinze couples de couches 20 et 22. On forme ensuite les marches d'escalier dont il a été question plus haut, en vue d'obtenir les différentes zones parallèles. Pour ce faire, on réalise des attaques chimiques locales successives. Pour la première attaque chimique locale, on recouvre la totalité de la structure comportant les couches 20 et 22 d'une couche de résine photosensible, on élimine (en utilisant un masque approprié) la résine sur la partie à attaquer de la structure, et on enlève un couple de couches 20 et 22 dans cette partie par attaque chimique locale. On enlève la résine restante, on remet une couche de résine sur toute la structure, on l'élimine au-dessus de la deuxième partie de la structure que l'on veut attaquer, au moyen du masque que l'on a décalé, on enlève deux couples de couches 20 et 22 dans cette deuxième partie et ainsi de suite. Une fois l'empilement en escalier formé, on réalise un confinement vertical et latéral du guide optique. Pour ce faire, on dépose un matériau de confinement, InP par exemple, d'épaisseur suffisante pour ce confinement puis on grave des structures de type "ridge" pour définir des guides de lumière individuels correspondant respectivement aux diverses longueurs d'onde de Bragg. En variante, on peut d'abord graver les structures "ridge" puis déposer le matériau de confinement. Avec les valeurs numériques données ci-dessus à propos de la figure 3 (avec, en particulier, un réseau de diffraction de pas 236,47 nm), les longueurs d'onde de Bragg obtenues sont les suivantes: XB1 = 1,54000 pm XB9 = 1, 53694 Pm XB2 = 1,53967 pim XB10 = 1,53649 pm XB3 = 1,53935 pm XBll = 1,53601 Pm XB4 = 1,53899 pm kB12 = 1,53551 pm XB5 = 1,53862 pm XB13 = 1,53499 pm XB6 = 1,53823 pm XB14 = 1,53445 pm XB7 = 1,53780 pim B15 = 1,53389 pm XB8 = 1,53738 pm XB16 = 1,53330 pim L'espacement entre ces longueurs d'onde n'est pas constant mais pour obtenir un tel espacement constant, il suffit d'augmenter progressivement l'épaisseur des couches 22. Pour obtenir un guide optique conforme à l'invention, on peut procéder différemment de ce qui a été expliqué en faisant référence à la figure 3. On peut commencer par déposer sur le substrat 12 l'empilement de couches alternées 20 et 22 puis former les différentes zones par gravure de cet empilement. Ensuite on dépose la couche principale de guidage sur l'empilement ainsi gravé et l'on forme sur cette couche principale de guidage le réseau de diffraction puis on réalise un confinement latéral et vertical du guide optique. Bien entendu, le procédé de fabrication qui a été décrit en faisant référence à la figure 3 ainsi que la variante que l'on vient de décrire seraient précédés et suivis par diverses étapes pour fabriquer des lasers proprement dits. On décrit ci-après d'autres modes de réalisation de l'invention qui sont relatifs à la fabrication de multiples réseaux de Bragg pour des émetteurs lasers monofréquence utilisant de tels réseaux. Comme précédemment, il s'agit de faire varier localement l'indice effectif d'un guide optique dans lequel est gravé un unique réseau de diffraction. Une variation de la longueur d'onde de Bragg du guide résulte directement de cette variation d'indice effectif. Pour obtenir la variation locale souhaitée d'indice effectif, on ajuste dans chaque zone correspondant à un réseau de Bragg, le nombre ainsi que les caractéristiques des couches de matériaux que comporte le guide optique. L'intérêt de cet aspect de l'invention va être illustré en prenant l'exemple d'un laser de type Corrugation Pitch Modulated Distributed Feed Back dont il est question dans le document (3). La figure 4 illustre schématiquement, en coupe longitudinale (suivant la direction de propagation P de la lumière), un laser connu de ce type. Le laser schématiquement représenté sur la figure 4 comprend un substrat 32 en InP dopé n+, sur lequel est déposée une couche de confinement 34 en InP dopé n+, et sur cette couche de confinement sont formés trois réseaux de diffraction placés en série, à savoir un premier réseau de diffraction 36 dont la longueur vaut 260 pmn et le pas 239,58 nm et, de part et d'autre de ce réseau 36, deux réseaux de diffraction 38 et 40 de même longueur 420 pm et de même pas 239,5 nm. Ces réseaux de diffraction sont surmontés par une zone de guidage de lumière qui comprend une couche 42 en InGaAsP dont la composition correspond à une longueur d'onde d'émission spontanée égale à 1,3 pm (on parle plus simplement de InGaAsP 1,3 pim), cette couche 42 reposant sur les réseaux. La zone de guidage comprend également une couche active 44 qui repose sur la sous-couche 42 et qui est en InGaAsP 1,55 pm. La couche active 44 est surmontée d'une couche de confinement 46 en InP dopé p+. Un contact 48 (contact n) et un contact 50 (contact p) sont respectivement formés sur le substrat 32 et sur la couche 46 comme on le voit sur la figure 4. La figure 5 est une vue schématique, en coupe longitudinale (suivant la direction de propagation P de la lumière), d'un laser conforme à l'invention du même type que celui de la figure 4 mais plus simple à fabriquer. Ce laser de la figure 5 comprend un substrat 52 en InP dopé n+ sur lequel est formée une première couche de confinement 54 en InP dopé n+. Sur celle-ci est formé un unique réseau de diffraction 56 de pas A. Sur ce réseau de diffraction 56 repose une zone de guidage de lumière formée d'une couche 58 en InGaAsP 1,3 pm qui est surmontée par une couche active en InGaAsP 1,55 pim. La couche active 60 est surmontée par une autre couche de confinement 62 en InP dopé p+ d'indice optique 3,17 et, dans cette couche 62, est insérée une couche mince 64 qui s'étend parallèlement au réseau 56 et à la zone de guidage, en regard d'une portion centrale du réseau de diffraction 56, comme on le voit sur la figure 5. La couche mince 64 a une épaisseur de 10 nm et se trouve à une distance de 100 nm de la couche 60. En outre, cette couche mince 64 est en InGaAsP 1,18 pim (c'est-à-dire, comme on l'a vu, a une composition correspondant à une longueur d'onde d'émission spontanée de 1,18 pm). Cette couche mince 64 est en fait à comparer au réseau de diffraction 36 de la figure 4 et a une longueur de 360 pm (comptée parallèlement à P), lacouche 62 s'étendant sur une longueur de 420 pm (comptée parallèlement à P) d'un côté comme de l'autre de cette couche mince 64. Le laser de la figure 5 comprend également un contact 66 (contact n) et un contact 68 (contact p) qui sont respectivement formés sur le substrat 52 et sur la couche de confinement 62 comme on le voit sur la figure 5. Pour une émission à 1,55 pm, la différence entre les pas des réseaux 36 et 38 (ou 40) correspond à une variation d'indice effectif du guide qui est égale à 1,06712x10-3. C'est précisément la couche mince 64 d'indice optique 3,3, en association avec l'épaisseur 65 de InP dopé p+ de 100 nm qui se trouve en dessous de cette couche mince 64, qui permet d'obtenir une telle variation d'indice effectif. Ainsi, comme le laser de la figure 4, le laser de la figure 5 émet à 1, 55 pm mais avec un seul réseau de diffraction et des couches supplémentaires (couche mince 64 et épaisseur 65 de InP située sous cette couche) qui permettent d'obtenir dans la partie centrale du laser une augmentation de l'indice optique effectif. On notera qu'on a ainsi défini trois zones au-dessus des couches 58 et 60, à savoir une zone I comprenant l'épaisseur 65 surmontée par la couche 64 et, de part et d'autre de la zone I, deux zones II et III en InP dopé p+. On indique ci-après un procédé de fabrication du laser de la figure 5. On commence par former, sur le substrat 52, la couche de confinement 54 par épitaxie, cette couche 54 ayant la même épaisseur que son homologue 34 de la figure 4. On grave ensuite le réseau de diffraction 56. On dépose ensuite successivement, par épitaxie, la couche 58 de même épaisseur que son homologue 42 de la figure 4, la couche active 60 de même épaisseur que son homologue 44 de la figure 4, une couche en InP dopé p+ de 100 nm d'épaisseur et une couche de InGaAsP 1,18 pm de 10 nm d'épaisseur. On élimine ensuite cette dernière couche sauf dans une partie centrale de 360 pm de longueur (comptée parallèlement à P), par attaque chimique. Ainsi, on forme les trois zones I, II, III dont il a été question plus haut et qui permettent les modifications locales d'indice optique effectif du guide. Ensuite, on réalise le confinement latéral du laser et on achève le confinement vertical de celui- ci. Pour ce faire, on grave un ruban longitudinal dans la structure précédemment obtenue et on enterre ce ruban dans une couche de InP dopé p+, ce qui achève le confinement vertical et réalise le confinement latéral. On réalise ensuite les contacts 66 et 68. Dans une variante non représentée de la figure 5, une couche mince, homologue de la courbe 64 de la figure 5, est insérée dans une couche de confinement surmontant le substrat, en regard de la couche active, le réseau de diffraction étant alors au- dessus d'une couche de guidage de lumière surmontant cette couche active. Pour obtenir une telle structure, on forme, sur un substrat en InP dopé n+, une couche de confinement en InP dopé n+ et sur celle-ci une couche du même matériau que la couche 64, que l'on élimine ensuite, sauf dans une partie centrale comme on l'a vu plus haut, on recouvre la structure obtenue d'une épaisseur de 100 nm de InP dopé n+ , on forme sur cette dernière la couche active puis, sur cette couche active, une couche de guidage homologue de la couche 58 et l'on grave le réseau de diffraction sur cette dernière. Ensuite, on achève le confinement vertical et latéral du laser et l'on forme les contacts n et p de celui-ci. REVENDICATIONS 1. Composant optique comprenant un guide de lumière et une pluralité de réseaux de Bragg qui sont formés dans le guide de lumière et qui ont respectivement des longueurs d'onde de Bragg déterminées, ce composant étant caractérisé en ce que le guide de lumière comprend un unique réseau de diffraction (16, 56) et une pluralité de zones (24, 26, 28, 30) qui sont respectivement associées aux réseaux de Bragg et dont les indices optiques respectifs sont choisis pour obtenir, en coopération avec ledit réseau de diffraction, lesdites longueurs d'onde de Bragg, chaque zone induisant une modification locale de l'indice optique effectif du guide. 2. Composant optique selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'une au moins desdites zones est un empilement d'au moins deux couches (20, 22) de matériaux dont les indices optiques sont différents l'un de l'autre. 3. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdites zones (24, 26, 28, 30) forment des rangées parallèles, orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide, et permettent ainsi d'obtenir des réseaux de Bragg parallèles. 4. Composant optique selon la revendication 3, caractérisé en ce que le guide de lumière comprend une zone principale de guidage (18) dans laquelle se propage essentiellement la lumière et au contact de laquelle sont placées lesdites zones, en ce que ces zones sont des empilements alternés d'une première couche (20) et d'une deuxième couche (22) qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, et en ce que le nombre d'alternances des couches va en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité. 5. Composant optique selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que lesdites zones forment des rangées parallèles, orientées perpendiculairement à la direction de propagation de la lumière dans le guide, et permettent ainsi d'obtenir des réseaux de Bragg en série suivant l'axe de propagation de la lumière. 6. Composant optique selon la revendication , caractérisé en ce que le guide de lumière comprend une zone principale de guidage (58, 60) dans laquelle se propage essentiellement la lumière et, de part et d'autre de cette zone principale de guidage, des zones de confinement, en ce que dans l'une de ces zones de confinement est prévue au moins une couche (64) faite d'un matériau d'indice optique différent de celui du matériau constitutif de cette zone de confinement, et en ce que cette couche est parallèle à la zone principale de guidage et limitéetsuivant la direction de propagation de la lumière, à une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage. 7. Procédé de fabrication d'un composant optique comprenant un guide de lumière et une pluralité de réseaux de Bragg qui sont formés dans le guide de lumière et qui ont respectivement des longueurs d'onde de Bragg déterminées, ce procédé étant caractérisé en ce qu'on forme un guide de lumière comprenant un unique réseau de diffraction (16, 56) et une pluralité de zones (24, 26, 28, 30) qui sont respectivement associées aux réseaux de Bragg et dont les indices optiques respectifs sont choisis pour obtenir, en coopération avec ledit réseau de diffraction, lesdites longueurs d'onde de Bragg, chaque zone induisant une modification locale de l'indice optique effectif du guide. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat (12) une couche de confinement de lumière (14), - on forme le réseau de diffraction (16) sur cette couche de confinement, - on forme sur ce réseau de diffraction une zone principale de guidage (18) destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme sur cette zone principale de guidage un empilement alterné d'une première couche (20) et d'une deuxième couche (22) qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, - on élimine localement ces couches de manière à obtenir des rangées parallèles d'empilements alternés des première et deuxième couches, ces rangées étant orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide et constituant lesdites zones, le nombre d'alternance de couches allant en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité, et - on achève le confinement du guide. 9. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat un empilement alterné d'une première couche et d'une deuxième couche qui sont respectivement faites de matériaux d'indices optiques différents l'un de l'autre, - on élimine localement ces couches de manière à obtenir des rangées parallèles d'empilements alternés des première et deuxième couches, ces rangées étant orientées parallèlement à la direction de propagation de la lumière dans le guide et constituant lesdites zones, le nombre d'alternance des couches allant en diminuant d'une rangée d'extrémité à l'autre rangée d'extrémité, - on forme sur ces zones une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette zone principale de guidage, et - on achève le confinement du guide. 10. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat (52) une couche de confinement de lumière (54), - on forme le réseau de diffraction (56) sur cette couche de confinement, - on forme sur ce réseau de diffraction une zone principale de guidage (58, 60) destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme une autre couche de confinement de lumière sur la zone principale de guidage, - on forme sur cette autre couche de confinement une couche supplémentaire dont l'indice optique est différent de celui de cette autre couche de confinement, - on élimine cette couche supplémentaire, suivant la direction de propagation de la lumière, sauf dans une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage, - on achève le confinement du guide. 11. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - on forme sur un substrat une couche de confinement de lumière, - on forme sur cette couche de confinement une couche supplémentaire, dont l'indice optique est différent de celui de cette couche de confinement, - on élimine cette couche supplémentaire, suivant la direction de propagation de la lumière, sauf dans une portion située en regard du centre de la zone principale de guidage, - on forme sur la structure ainsi obtenue une autre couche de confinement faite du même matériau que ladite couche de confinement, - on forme sur cette autre couche de confinement une zone principale de guidage destinée à guider essentiellement la lumière, - on forme le réseau de diffraction sur cette zone principale de guidage, et - on achève le confinement du guide. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 11, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (16, 56) est formé par une méthode d'insolation holographique.