Brevet FR2713400A1 — publié le 19950609

CCMPOSANT DE PROTECTION TRIANGLE La présente invention concerne un composant de protec- tion contre des surtensions destiné à être onnecté à deux lignes à protéger et à la masse et plus particulièrement un tel composant constituant une diode de Shockley bidirectionnelle 5 entre chacune des lignes et entre chaque ligne et la masse selon une configuration triangle. De tels composants sont par exemple destinés à la protection de lignes téléphoniques contre des surtensions dues à des coups de foudre ou à une mise en contact accidentelle avec une ligne à haute tension.10 La demande de brevet français non-publiée 92/14793 déposée le 4 décembre 1992 (Ugge et Pezzani) concerne un campo- sant monolithique de ce type et s'intéresse plus particulière- ment au problème du reblocage du composant à la suite d'une sur- tension en tenant compte du fait que les deux conducteurs d'une15 ligne téléphonique sont généralement polarisés à des potentiels de -48V et - 2V. Les figures 1A, lB et 1C rappellent la structure d'un tel composant. La figure 1A représente une vue de dessus, la figure lB une vue de dessous retournée et la figure lC une vue20 en coupe selon la ligne CC des figures 1A et lB. Ce composant est construit à partir d'un substrat de silicium 1 de type N très faiblement dopé (N-). Dans la surface supérieure du subs- trat sont diffusés deux caissons 2 et 3 de type P. A l'intérieur du caisson 2 est diffusée une région 4 de type N et à l'inté- rieur du caisson 3 est diffusée une région 5 de type N. Les 5 régions 4 et 5 occupent chacune sensiblement la moitié de la surface des caissons correspondants 2 et 3. Dans sensiblement toute la surface de la face arrière du composant est diffusée une région 6 de type P. Dans la région 6 est diffusée une région 7 de type N qui occupe sensiblement une surface complémentaire de celle de la projection des régions 4 et 5 perpendiculairement au plan de la surface principale du composant. Une métallisation M1 recouvre la surface supérieure du caisson 2 et de la région 4 qui y est formée. Une métallisa- tion M2 recouvre le caisson 3 et la région 5 qui y est formée.15 Une métallisation M3 recouvre la face arrière du composant. En outre, comme cela est exposé dans la demande de brevet susmentionnée, les régions 4, 5 et 7 sont munies de courts-circuits d'émetteur (non représentés), c'est-à-dire que ces régions sont interrompues par emplacements et qu'au niveau20 de ces emplacements des portions des caissons sous-jaoents affleurent en surface. La façon dont les densités de ces courts- circuits d'émetteur doivent être optimisées est également décrite dans la demande de brevet susmentionnée. La figure 2 représente un schéma équivalent du compo- sant des figures lA à 1C. Ce composant est équivalent à une association de six structures à quatre couches de types de conductivité alternés, couramment appelées diodes de Shockley ou thyristors sans gâchette. Une première diode de Shockley Sl est formée entre les métallisations M1 et M3, son anode étant du côté de la métalli- sation M3, et comprend successivement la région 4 de type N, le caisson 2 de type P. le substrat 1 de type N et la région 6 de type P. Une deuxième diode de Shockley S2 en anti-parallèle sur la diode Sl est également formée entre les métallisations M1 et M3. Cette diode de Shockley comprend les régions successives suivantes: caisson 2, substrat 1, caisson 6 et région 7. 5 Une troisième diode de Shockley S3 est formée entre les métallisations M2 et M3, son anode étant du côté de la métallisation M3, et est constituée des régions successives suivantes: région 5, caisson 3, substrat 1 et caisson 6. Une quatrième diode de Shockley S4 en anti-parallèle sur la diode S3 comprend les régions sucoessives suivantes caisson 3, substrat 1, caisson 6 et région 7. Une diode de Shockley latérale S5 est formée entre les métallisations M1 et M2 et comprend les régions successives suivantes: région 4, caisson 2, substrat 1, caisson 3.15 Enfin, une diode de Shockley S6 en anti-parallèle sur la diode de Shockley S5 est également une diode de Shockley latérale et comprend les régions successives suivantes: caisson 2, substrat 1, caisson 3, région 5. La figure 3 représente le mnme schéma équivalent que celui de la figure 2 mais dans lequel les paires de diodes Shockley en anti-parallèle S1-S2, S3-S4 et S5-S6 sont illustrées sous forme de diodes de Shockley bidirectionnelles respectives DS1, DS2 et DS3. La figure 4 représente la caractéristique courant- tension d'une diode de Shockley bidirectionnelle classique. Tant que la tension aux bornes de cette diode de Shockley bidirec- tionnelle reste inférieure à une tension d'avalanche ou de cla- quage VBR, la diode est bloquée, c'est-à-dire que le courant qui la traverse est sensiblement nul. Dès que la tension aux bornes dépasse cette valeur VBR, le courant croit rapidement, tandis que la tension augmente lentement. Quand la tension aux bornes a atteint une valeur VBO dite tension de retournement, la tension aux bornes du composant chute rapidement et le courant s'établit en fonction des caractéristiques des circuits. Le dispositif se rebloque quand le courant à ses bornes devient inférieur à un courant de maintien IH. Cette caractéristique est sensiblement symétrique par rapport à l'origine, sous réserve d'une symétrie effective de réalisation des composants qui peuvent être dissy- métrisés par des variations de dopage de certaines couches ou par une variation de densité de trous de court-circuit. Dans une application à la protection de lignes téléphoniques, le courant de maintien doit être relativement élevé (200 à 400 mA) pour permettre le reblocage du composant à la fin de la surtension. Ceci implique une densité relativement élevée de trous de court- circuit et corrélativement une différence relativement élevée entre les valeurs de la tension d'avalanche VBR et de la tension de retournement VBO. Le composant décrit dans la demande de brevet susmen- tionnée et dont la structure et le fonctionnement ont été rappelés cidessus satisfait bien aux fonctions essentielles visées. Néanmoins, pour les réseaux téléphoniques auxquels sont notamment destinés oes composants, on définit des normes de pro- tection de plus en plus sévères. Selon l'une de ces normes, il faut qu'en cas de surtension simultanée par rapport à la masse sur les deux conducteurs de la ligne téléphonique, les diodes de Shockley bidirectionnelles)DS1 et DS2 présentent une même ten- sion de retournement. Notamment, selon la norme, les dispositifs doivent satisfaire avec succès à un test défini par le circuit de la figure 5. Dans cette figure, le composant de protection est désigné par la référence 10. Ses bornes M1 et M2 sont connectées à une même borne 11 d'une source d'alimentation alternative 12 par l'intermédiaire de résistances respectives égales R1 et R2. La borne de masse 13 de la source de tension alternative 12, par exemple une source de + 500 volts, est con- nectée à la borne M3 du composant 10. En outre, une résistance R3 est connectée entre les bornes M1 et M2. La norme définit des limites de montée de tension aux bornes de la résistance R3, limite qui impose en fait qu'en cas de surtension simultanée sur les diodes de Shockley bidirectionnelles DS1 et DS2, oes deux diodes se déclenchent pratiquement simultanément. En cas de surtension positive sur les métallisations M1 et M2, ce sont les diodes de Shockley S2 et S4 qui sont actives. La jonction bloquante de ces diodes de Shockley cor- respond à la jonction entre le caisson inférieur 6 et le subs- trat 1. Puisqu'il s'agit d'une jonction continue, dès que l'ava- lanche se déclenche en un point de la jonction, toute la jonc- tion devient passante et la mise en conduction des diodes de10 Shockley S2 et S4 est donc pratiquement simultanée. Par contre, si une surtension négative apparait simul- tanément sur les métallisations M1 et M2, oe sont les diodes de Shockley Sl et S3 qui seront actives. Les jonctions bloquantes de ces diodes de Shockley sont respectivement la jonction entre15 le caisson 2 et le substrat 1 et la jonction entre le caisson 3 et le substrat 1. Ces jonctions sont théoriquement identiques et devraient normalement claquer simultanément. Mais, en pratique, on s'aperçoit que, si ces jonctions ont sensiblement la même va- leur de tension d'avalanche VBR, elles n'ont généralement pas la20 même valeur de tension de retournement VBO, surtout si, commne on l 'a indiqué précdemment, VBO est nettement supérieur à VEBR. Ainsi, le test défini précédemment en relation avec la figure 5 amène à écarter une proportion importante des composants fabri- qués et constitue en fait une opération de tri qui amène à un taux de déchets important. La présente invention a pour objet de remédier à cet inconvénient et de prévoir un composant de protection dans lequel des diodes de Shockley bidirectionnelles connectées entre chacune des lignes à protéger et la masse présentent un déclen- chement simultané ou quasi-simultané, et ce quelle que soit la polarité de la surtension aux bornes de ces diodes de Shockley bidirectionnelles. Pour atteindre ces objets, la présente invention prévoit un composant semiconducteur de protection comprenant au moins deux paires de diodes de Shockley principales, chaque paire comprenant deux diodes en anti-parallèle connectées entre une métallisation de face avant et une métallisation de face arrière, la métallisation de faoe arrière étant commune aux deux 5 paires de diodes. Chacune des diodes dont la jonction bloquante correspond à un caisson distinct du côté de la face avant est associée à au moins une diode auxiliaire de même polarité et à seuil d'amorçage plus faible dont le déclenchement provoque celui de l'autre diode de Shockley auxiliaire et des diodes de10 Shockley principales associées. En d'autres termes, la présente invention vise un composant semiconducteur de protection contre des surtensions comprenant un substrat semiconducteur ou première région d'un premier type de conductivité ayant une faoe supérieure et une15 face inférieure; une deuxième et une troisième région du deu- xième type de conductivité, du côté supérieur, occupant chacune sensiblement la moitié de la surface du composant; une qua- trième et une cinquième région du premier type de conductivité, munies de trous de court-circuit, dans chacune des deuxième et20 troisième régions, occupant chacune sensiblement la moitié de la surfaoe de la deuxième ou de la troisième région; une sixième région du côté inférieur occupant sensiblement toute la surface du composant; une septième région du premier type de conducti- vité, munie de trous de court-circuit, formée dans la sixième région et sensiblement complémentaire en projection des troi- sième et quatrième régions; un premier contact connecté aux deuxième et quatrième régions; un deuxième contact connecté aux troisième et cinquième régions; un troisième contact connecté aux sixième et septième régions; d'o il résulte que des première et deuxième diodes de Shockley en anti-parallèle sont formées entre les premier et troisième contacts et des troisième et quatrième diode de Shockley en anti- parallèle sont formées entre les deuxième et troisième contacts, la première diode de Shockley correspondant aux quatrième, deuxième, première et sixième régions, la troisième diode de Shockley correspondant aux cinquième, troisième, première et sixième régions. Selon la présente invention, il est prévu une structure d'amorçage préfé- rentiel des première et troisième diodes de Shockley. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la structure d'amorçage préférentiel comprend une huitième ré- gion du deuxième type de conductivité voisine des première et troisième régions, et des neuvième et dixième régions du premier type de conductivité sans trous de court-circuit disposées dans la huitième région, les neuvième et dixième régions étant respectivement connectées aux deuxième et troisième régions. Selon un mode de réalisation de la présente invention, des onzièmes régions du deuxième type de conductivité sont formées dans la face supérieure du substrat et des douzièmes ré- gions du premier type de conductivité formées dans les onzièmes régions, la liaison entre chacune des neuvième et dixième régions et les deuxième et troisième régions se faisant par l'intermédiaire de contacts intermédiaires reliant chacune des neuvième, dixième et douzième régions à la onzième région suivante. Selon un mode de réalisation de la présente invention, une treizième région du premier type de conductivité, plus dopée que le substrat, est disposée à l'interfaoe entre la huitième région et le substrat.25 Selon un mode de réalisation de la présente invention, la huitième région est divisée en deux sous-régions, moins dopées que les deuxième et troisième régions, séparées par une région du deuxième type de conductivité plus dopée que les deuxième et troisième régions. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la huitième région est divisée en deux sous-régions, moins dopées que les deuxième et troisième régions, séparées par une région du premier type de conductivité plus dopée que le substrat. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la huitième région est divisée en deux sous- régions, moins dopées que les deuxième et troisième régions, dont les zornes en regard comprennent une région du deuxième type de conductivité dopée comme les deuxième et troisième régions. Selon un mode de réalisation de la présente invention, la sixième région comanprend, en regard de la zone d'amorçage pré- férentiel une zone plus dopée et plus profonde. Selon un mode de réalisation de la présente invention, des neuvième et dixième régions sont disposées dans des zones en regard des deuxième et troisième régions et en ce qu'un amorçage préférentiel est assuré par la prévision de quatorzièmes régions du premier type de conductivité plus dopées que le substrat, prévues à 1 'interfaoe entre les première et deuxième régions et le substrat, sous les neuvième et dixième régions. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite à titre illustratif en relation avec les figures jointes20 parmi lesquelles: les figures 1A, lB et 1C sont respectivement une vue de dessus, une vue de dessous retournée et une vue en coupe d'un composant tel que décrit dans la demande de brevet français non publiée N 92/14793 du 4 décembre 1992;25 les figures 2 et 3 sont des schémas équivalents du composant de la figure 1; la figure 4 représente la caractéristique courant- tension d'une diode de Shockley bidirectionnelle; la figure 5 illustre un mode de test d'un composant de protection; les figures 6A et 6B représentent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe selon la ligne B-B d'un compo- sant selon la présente invention; et les figures 7 à 11 sont des vues en coupe de diverses variantes d'un composant selon la présente invention. On notera que, dans les vues de dessus et en coupe de composants semiconducteurs, les diverses dimensions ne sont pas tracées à l'échelle ni à l'intérieur d'une figure donnée ni d'une figure à 1' autre. Conformément à 1' usage dans le domaine 5 de la représentation des semiconducteurs, les diverses dimen- sions sont arbitrairement contractées ou dilatées pour la simplicité de la représentation et la lisibilité des figures. Les figures 6A et 6B représentent une vue de dessus et une vue en coupe selon la ligne B-B d'un composant modifié selon la présente invention par rapport au composant de la figure 1. Dans ces figures, de mêmes référenoes désignent des parties similaires à celles de la figure 1. Ainsi, on retrouve dans oes figures le substrat 1, les caissons 2, 3 et 6 et les régions 4 et 5 ainsi que les métallisations M1, M2 et M3. La région 715 n'est pas visible dans ces figures mais on notera que la vue de dessous du composant de la figure 6A est identique à la vue de dessous représentée en figure lB. La présente invention modifie le composant décrit précdemment en rajoutant une zone d'amorçage préférentiel pour les diodes de Shockley Dl et D3, c'est-à-dire pour les diodes de Shockley correspondant respectivement aux couches et régions 4, 2, 1, 6 et 5, 3, 1, 6. Un mode de réalisation de cette zone d'amorçage préférentiel apparait dans la partie haute de la figure 6A et dans la partie centrale de la figure 6B. Cette zone d'amorçage préférentiel comprend un caisson 20 de type P de petite dimension disposé entre les caissons 2 et 3, du côté des régions 4 et 5 de ces caissons. A l'intérieur du caisson 20, sont formées deux régions 22 et 23 de type N, respectivement ccnnectées aux caissons 2 et 3 par des métallisations M4 et MS. Le caisson 20 est prévu pour que, quand une surtension négative survient sur les métallisations M1 et M2, la jonction bloquante entre le caisson 20 et le substrat 1 entre en avalanche avant les jonctions bloquantes entre chacun des caissons 2 et 3 et le substrat 1. Les diodes de Shockley S1 et S3 se comportent alors conmme des thyristors dont les régions P respectives 2 et 3 cons- tituent des zones de gâchette alimentées par la mise en oonduc- tion de diodes de Shockley auxiliaires respectives S7 et S8 correspondant aux régions 6-1-20-22 et 6-1-20-23. En d'autres 5 termes, les diodes de Shockley Sl et S3 se comportent camme des thyristors à amplification de gâchette dont le retournement est très rapide dès qu'ils reçoivent un courant de gâchette. L'homme de métier connait de nombreux moyens pour ren- dre les diodes de Shockley auxiliaires S7 et S8 plus sensibles que les diodes de Shockley principales S1 et S3. Dans le cas du dispositif illustré en figures 6A et 6B, cette augmentation de sensibilité résulte du fait que les régions 22 et 23 sont exemptes de courts-circuits d'émetteur tandis que les régions 4 et 5 sont munies de courts-circuits d'émetteur (non représentés). Du fait que les régions 22 et 23 ne comprennent pas de courts-circuits d'émetteur, les diodes de Shockley auxiliaires auront un courant de maintien plus faible que les diodes de Shockley principales S1 et S3. Toutefois, ceci ne constitue pas un inconvénient puisque, dès que les diodes20 principales Sl et S3 entrent en conduction, les diodes auxi- liaires S7 et S8 se coupent automatiquement. De plus, la mise en conduction des deux diodes de Shockley auxiliaires sera prati- quement simultanée puisque leurs jonctions bloquantes correspon- dent à une même jonction entre le caisson 20 et le substrat 1. Cette mise en conduction quasi-simultanée entrainera par effet d'amplification une mise en conduction quasi-simultanée des diodes de Shockley principales Sl et S3. On a également représenté en figure 6B une région N+ à la périphérie du caisson 20. Cette région N+ a la fonction classique de région d'arrêt de canal et est destinée à favoriser la tenue en tension du système. Les figures 7A et 7B représentent des variantes de réalisation de la zone d'amorçage préférentiel. Dans le mode de réalisation de la figure 7A, on notera tout d'abord que l'on a représenté schématiquement des zones de court-circuit d'émetteur dans les régions de type N 4 et 5. Commne on l'a indiqué précé- danemment, on doit comprendre que de tels courts-circuits d'émet- teur existent dans les régions N 4 et 5 illustrées dans toutes 5 les figures de la présente demande de brevet. De plus, dans la figure 7A, le caisson 20 est divisé en deux sous- caissons 31 et 32 dans lesquels sont respectivement formées les régions 22 et 23. Ces deux sous-caissons sont séparés par une région 33 de type P, fortement dopée (P+), d'un niveau de dopage plus élevé que celui des caissons 2 et 3. De plus, les deux sous-caissons 31 et 32 sont de préférence plus faiblement dopés que les caissons 2 et 3. Ainsi, l'amorçage se produira de façon préfé- rentielle à la jonction NP+ entre le substrat 1 et la région 33. Le plus faible niveau de dopage des régions 31 et 32 aug- mente le gain des transistors NPN 22-31-1 et 23-32-1 qui inter- viennent dans le déclenchement de la diode de Shockley. Dans le cas de la figure 7B, le caisson 20 est éga- lement divisé en deux sous-caissons 35 et 36. Les deux caissons et 36 sont séparés par une région 37 de type N, au moins aussi dopée que les diverses régions de type N 4, 5, 22, 23. Dans ce cas, le déclenchement se produira au niveau des jonc- tions PN 35-37 ou 36-37 qui claquent avant les jonctions 2-1 et 3-1, la région 37 étant plus fortement dopée que le substrat 1. Ainsi, le composant représenté en figures 6A et 6B, ou ses variantes illustrées en figures 7A et 7B, satisfont à la fonction recherchée de mise en conduction simultanée de deux diodes de Shockley bidirectionnelles connectées entre deux lignes et la masse quelle que soit la polarité d'une surtension apparaissant simultanément sur les deux lignes. Toutefois, de telles structures risquent d'avoir pour effet de dégrader le fonctionnement du dispositif quand une surtension survient sur une seule ligne par rapport à la masse. En oe cas, on souhaite que la diode de Shockley bidirectionnelle DS1 ou DS2 (voir figure 3) entre oette ligne et la masse entre en action avant (ou en tout cas pas après) la diode de Shockley bidirectionnelle DS3 entre les deux lignes. Ceci signifie, en se reportant au schéma de la figure 2, que les tensions d'avalanche des diodes de Shockley S5 et S6 doivent être au moins égales aux tensions d'avalanche des diodes de Shockley Sl à S4. Ceci était obtenu avec la structure de la figure 1 o les jonctions bloquantes des diodes de Shockley S5 et S6 correspondaient à la jonction entre l'un ou l'autre des caissons 2 et 3 et le substrat 1. Par contre, selon l'invention, du fait de l'existence des métal-10 lisations M4 et M5, cette jonction bloquante devient la jonction entre la région 22 ou 23 et le caisson 20 ou les sous-caissons correspondants. Pour éviter cet inconvénient, on peut modifier la structure de la façon illustrée en figure 8 qui est une vue partielle de la zone d'amorçage préférentiel selon la présente invention. On retrouve à droite et à gauche de la figure 8 les caissons 2 et 3 et les régions 4 et 5 qui y sont diffusées revê- tues des métallisations M1 et M2. On voit également les régions de type N 22 et 23 diffusées dans une région en pointillés désignée par la référence 40 qui correspond à 1 'un des modes de réalisation décrits ci- dessus en relation avec les figures 6 et 7. Toutefois, les régions 22 et 23 ne sont pas directement connectées aux caissons 2 et 3 mais sont connectées à ceux-ci par 1 'intermédiaire de caissons intermédiaires 41 de type P dans lesquels sont diffusées des régions 42 de type N. La région de type N 22 est respectivement reliée au caisson 2 par 1 'intermé- diaire d'une première métallisation M4 connectée à un premier caisson 41 puis d'une deuxième métallisation M6 entre une première région 42 et le caisson 41 suivant, et ainsi de suite (métallisation M8). De même, la région 23 est reliée au caisson 3 par l'intermédiaire de métallisations successives M5, M7 et M9. De préférence, les caissons 41 sont plus faiblement dopés que les caissons 2 et 3. Ceci équivaut à relier chacun des caissons 2 et 3 aux régions 22 et 23 par l'intermédiaire de diodes zener 43 qui améliorent la tenue en tension du dispo- sitif. La figure 9 représente une autre variante de la présente invention. Au lieu d'un caisson unique 20, la zone d'amorçage préférentiel comprend deux caissons 50 et 51 de type P dans lesquels sont disposées des régions respectives 52 et 53 de type N qui sont reliées par des métallisations M4 et M5 aux caissons P 2 et 3. Les caissons 50 et 51 étant extrêmement voisins l'un de l'autre, l'amorçage de la Jonction entre l'un de10 ces caissons et le substrat entraine la génération de charges qui provoquent immédiatement l'amorçage de la Jonction cor- respondante du caisson adjacent. Cette structure résoud le problème évoqué précéodemment de la tenue en tension des diodes de Shockley S5 et S6.15 La figure 9 illustre d'autres variantes de la présente invention qui pourraient être utilisées également dans le mode de réalisation de la figure 6A. En particulier, dans cette fi- gure, on a prévu sous les caissons 50 et 51 des régions de type N plus fortement dopées que le substrat, respectivement 54 et 55. Une autre façcon d'améliorer l'amorçage préférentiel consiste à utiliser concurremment ou séparément, du côté de la face infé- rieure du substrat, une zone 56 de type P plus fortement dopée et plus profonde que la région 6 de type P qui s'étend sur toute la face inférieure du substrat. Ceci entraine une réduction de la largeur de base et une augmentation du gain des transistors PNP 56-1-50 et 56-1-51 qui contribuent à l'amorçage des diodes de Shockley auxiliaires. La zone 56 peut être séparée de la région 6 par un anneau 57 de type N. La figure 10 représente une autre variante de la présente invention que l'on pourra rapprocher de celle de la figure 7A ou de celle de la figure 9. A nouveau, les régions 22 et 23 sont diffusées dans des caissons distincts 60 et 61 plus faiblement dopés que les caissons 2 et 3. Dans des zones en regard des caissons 60 et 61 sont formées des régions diffusées respectives 62 et 63 résultant de la même diffusion que oelle des caissons 2 et 3. Dans oe cas, l'amorçage préférentiel résulte, conmme oela a été indiqué précédemment, de l'absence de trous de court- circuit d'émetteur dans les régions 22 et 23 et 5 dans le fait que les régions 60 et 61 sont plus faiblement dopées, ce qui entraine une augmentation du gain des transistors NPN 22-60-1 et 23-61-1. Le fait que les régions 62 et 63 sont voisines et en regard l'une de l'autre entraine que l'amorçage de l'une provoque immédiatement 1 'amorçage de 1 'autre par injec-10 tion de charges. La figure 11 représente encore une autre variante de la présente invention dans laquelle les régions de type N 22 et 23 ne sont pas formées dans des caissons séparés mais dans des zones en regard de chacun des caissons 2 et 3. L'amorçage préfé-15 rentiel se produira en raison de la présence de couches 54 et 55 de type N plus fortement dopées que le substrat disposées à l'interface entre les caissons 2 et 3 et le substrat sous les régions 22 et 23. L'amorçage préférentiel résulte aussi du fait que les régions 22 et 23 ne comprennent pas de courts-circuits20 d'émetteur alors que les régions 4 et 5 en comprennent. A nouveau, le déclenchement de l'une des diodes de Shockley auxi- liaires 6-1-54-2-22 ou 6-1-55-2-23 provoque le déclenchement de l'autre en raison de leur proximité et des diffusions de charges qui en résultent.25 Bien que la présente invention ait été décrite dans le cadre de modes de réalisation particuliers, elle est susceptible de naombreuses variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art habitué dudomaine des composants de protection et des thyris- tors, notamment en ce qui concerne les moyens d'isolement et les30 périphéries des composants qui n'ont pas été décrits avec préci- sion ici. Les composants pourront par exemple être de type mésa plutôt que planar, à caisson... En outre, les diverses variantes de réalisation du composant de protection selon la présente invention pourront être comanbinées entre elles et avec celles décrites dans la demande de brevet 92/14793 susmentionnée. REVENDICATIONS 1. Composant semiconducteur de protection comprenant au moins deux paires de diodes de Shockley principales (S1, S2, S3, S4), chaque paire comprenant deux diodes en anti-parallèle connectées entre une métallisation de face avant (M1, M2) et une 5 métallisation de face arrière (M3), la métallisation de face arrière étant commune aux deux paires de diodes, caractérisé en ce que chacune des diodes (Sl, S3) dont la jonction bloquante correspond à un caisson distinct du côté de la face avant est associée à au moins une diode auxiliaire (S7, S8) de mime pola-10 rité et à seuil d'amorcage plus faible dont le déclenchement provoque celui de l'autre diode de Shockley auxiliaire et des diodes de Shockley principales associées. 2. Composant semiconducteur de protection contre des surtensions comprenant: un substrat semiconducteur ou première région (1) d'un premier type de conductivité ayant une face supérieure et une face inférieure; une deuxième (2) et une troisième (3) région du deuxième type de conductivité, du côté supérieur, occupant chacune sensiblement la moitié de la surface du composant; une quatrième (4) et une cinquième (5) région du premier type de conductivité, munies de trous de court-circuit, dans chacune des deuxième et troisième régions, occupant chacune sensiblement la moitié de la surface de la deuxième ou de la25 troisième région; une sixième région (6) du côté inférieur occupant sensiblement toute la surface du composant; une septième région (7) du premier type de conducti- vité, munie de trous de court-circuit, formée dans la sixième région et sensiblement complémentaire en projection des troi- sième et quatrième régions; un premier contact (M1) connecté aux deuxième et quatrième régions; un deuxième contact (M2) connecté aux troisième et cinquième régions; un troisième contact (M3) connecté aux sixième et septième régions; d'o il résulte que des première et deuxième diodes de Shockley (Sl, S2) en anti-parallèle sont formées entre les pre- mier et troisième contacts et des troisième et quatrième diode de Shockley (S3, S4) en anti-parallèle sont formées entre les deuxième et troisième contacts, la première diode de Shockley10 correspondant aux quatrième, deuxième, première et sixième régions, la troisième diode de Shockley correspondant aux cin- quième, troisième, première et sixième régions; caractérisé en ce qu'il comprend une structure d'amor- çage préférentiel des première et troisième diodes de Shockley. 3. Composant selon la revendication 1, caractérisé en ce que la structure d'amorçage préférentiel comprend une hui- tième région (20) du deuxième type de conductivité voisine des première et troisième régions, et des neuvième (22) et dixième (23) régions du premier type de conductivité sans trous de court-circuit disposées dans la huitième région, les neuvième et dixième régions étant respectivement connectées aux deuxième et troisième régions (2 et 3). 4. Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il omprend en outre des onzièmes régions (41) du deuxième type de conductivité formées dans la face supérieure du substrat et des douzièmes régions (42) du premier type de conductivité formées dans les onzièmes régions, la liaison entre chacune des neuvième et dixième régions (22, 23) et les deuxième et troi- sième régions (2 et 3) se faisant par l'intermédiaire de30 contacts intermédiaires (M4-M9) reliant chacune des neuvième, dixième et douzième régions à la onzième région suivante (figure 8). 5. Composant selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'une treizième région (54, 55) du premier type de conducti- vité, plus dopée que le substrat, est disposée à l'interface entre la huitième région (20) et le substrat (1) (figure 9). 6. Composant semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la huitième région est divisée en deux sous-régions (31, 32) moins dopées que les deuxième et troisième régions, séparées par une région (33) du deuxième type de conductivité plus dopée que les deuxième et troisième régions (figure 7A). 7. Composant semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la huitième région est divisée en deux sous-régions (35, 36), séparées par une région (37) du premier type de conductivité plus dopée que le substrat (figure 7B). 8. Composant semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la huitième région est divisée en deux sous-régions (60, 61) moins dopées que les deuxième et troisième régions, dont les zones en regard comprennent une région (62, 63) du deuxième type de conductivité dopée comme les deuxième et troisième régions (figure 10). 9. Composant semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que la sixième région (6) comprend, en regard de la zone d'amorçage préférentiel une zone (56) plus dopée et plus profonde (figure 9). 10. Composant selon la revendication 2, caractérisé en ce que des neuvième et dixième régions (22, 23) sont disposées dans des zones en regard des deuxième et troisième régions (2, 3) et en ce qu'un amorçage préférentiel est assuré par la prévi- sion de quatorzièmes régions (54, 55) du premier type de conduc- tivité plus dopées que le substrat, prévues à 1l'interfaoe entre les première et deuxième régions et le substrat, sous les neu-30 vième et dixième régions (figure 11).