Brevet FR2714200A1 — publié le 19950623

La présente invention concerne des dispositifs à onde acoustique de surface qui utilisent une onde acoustique de surface se propageant au travers d'une surface d'un substrat piézoélectrique ou d'une surface d'un film mince piézoélectrique prévu sur une base prédéterminée. Récemment, la décroissance de la taille des dispositifs de communication mobiles tels que les postes de téléphone portables a été progressivement facilitée et il existe une demande pour une diminution de la taille des parties de ceux-ci ainsi que pour des améliorations de leur performance. Normalement, ces dispositifs de communication sont équipés d'éléments tels qu'un oscillateur, un filtre et un élément de distribution d'ondes utilisé pour générer et brancher un signal. Récemment, il y a eu une activité considérable en recherche et développement quant à des dispositifs qui utilisent une onde acoustique de surface afin de faciliter la diminution de la taille des éléments mentionnés ci-avant. Plus particulièrement, un filtre à onde acoustique de surface dans lequel une inductance est ajoutée à un résonateur à onde acoustique de surface équipé d'un réflecteur présente une perte d'insertion faible et permet un élargissement de la bande ainsi qu'une performance de suppression élevée. Il s'ensuit que des applications d'un tel filtre à onde acoustique de surface aux postes de téléphone d'automobiles de la génération suivante et aux postes de téléphone portables ont été considérées. Les dispositifs à onde acoustique de surface utilisent une onde acoustique de surface qui se propage au travers d'une surface d'un corps diélectrique découpé dans un cristal piézoélectrique ou au travers d'une surface d'un film mince piézoélectrique. Il est possible de commander (régler) les caractéristiques de ces dispositifs à onde acoustique de surface telles que la fréquence centrale et que la plage de bande passante en modifiant la vitesse de propagation des dispositifs à onde acoustique de surface et/ou le facteur de couplage électromécanique. Les premier à troisième modes de réalisation qui suivent sont connus en tant que moyens permettant de commander les caractéristiques des dispositifs à onde acoustique de surface. Le premier procédé consiste à sélectionner un matériau de cristal piézoélectrique approprié, une surface découpée appropriée du cristal et/ou le sens de propagation du dispositif à onde acoustique de surface. Par exemple, un matériau de cristal tel que du LiNbO3 ou du LiTaO3 est utilisé et la surface de coupe X-112" ou 36 Y-X du cristal LiTaO3 est utilisée. Le second procédé est représenté sur la figure 1A. Comme représenté sur la figure 1A, le second procédé consiste à prévoir un film isolant 3 entre la surface d'un substrat piézoélectrique 1 (ou la surface d'un film mince piézoélectrique) et une électrode du type peigne 2 (voir demande de brevet du Japon n 48-26452 ou 52-16146). La figure 1B représente une variante du second procédé. Sur la figure 1B, un film d'isolation 4 est formé sur la surface du substrat piézoélectrique 1 (ou sur la surface du film mince piézoélectrique) sur laquelle l'électrode du type peigne 2 est formée. Le troisième procédé est représenté sur la figure 1C, procédé dans lequel une couche d'implantation ionique 5 contenant des ions d'Ar, d' 2 ou de Si est formée dans la surface du substrat piézoélectrique (ou dans la surface du film mince piézoélectrique). Le troisième procédé est décrit par exemple dans la demande de brevet du Japon n 63-169806. Le premier procédé modifie non seulement la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface ainsi que son facteur de couplage électromécanique mais également le mode de l'onde acoustique de surface ainsi que le coefficient de température du dispositif à onde acoustique de surface. Il s'ensuit qu'il est très difficile d'optimiser ces paramètres et donc de fabriquer des dispositifs présentant les caractéristiques souhaitées. Le second procédé représenté sur la figure 1A présente un inconvénient trouvé au moyen d'une expérimentation menée par les inventeurs. Lors de l'expérimentation, le film isolant 3 réalisé en sio2 (qui est le matériau isolant le plus général) a été formé entre la surface du substrat piézoélectrique 1 et l'électrode du type peigne 2. La figure 2 représente le résultat de l'expérimentation, figure sur laquelle l'axe horizontal indique l'épaisseur du film isolant en sio2 3 et l'axe vertical indique le facteur de couplage électromécanique k2 (%). Le facteur de couplage électromécanique dépend notablement de l'épaisseur du film en SiO2 3, plus particulièrement lorsque l'épaisseur du film en sio2 3 est égale ou inférieure à 1000 A. En d'autres termes, la valeur du facteur de couplage électromécanique varie notablement du fait de même une faible variation de l'épaisseur du film en sio2 3 et varie très peu lorsque l'épaisseur du film en Sio2 est supérieure à 1000 A. il s'ensuit que l'établissement de l'épaisseur du film en SiO2 est très difficile. En outre, l'absorption et l'amortissement du dispositif à onde acoustique de surface sont provoqués par le film en Sio2 et il s'ensuit qu'il y a une perte d'insertion importante pour un dispositif à onde acoustique de surface auquel le second procédé est appliqué. La variante du second procédé représenté sur la figure 1B présente des inconvénients similaires à ceux du second procédé. Le troisième procédé a pour inconvénient que la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface et que le facteur de couplage électromécanique du dispositif à onde acoustique de surface sont modifiés par l'histoire thermique résultant d'un processus mis en oeuvre après le troisième procédé. Il s'ensuit que le troisième procédé ne présente pas une bonne fiabilité et que la perte d'insertion d'un dispositif à onde acoustique de surface auquel le troisième procédé est appliqué n'est pas négligeable. Un objet général de la présente invention consiste à proposer un dispositif à onde acoustique de surface ainsi qu'un procédé de fabrication de celui-ci dans lesquels les inconvénients mentionnés ci-avant sont éliminés. Un objet davantage spécifique de la présente invention consiste à proposer un dispositif à onde acoustique de surface ainsi qu'un procédé dans lesquels divers paramètres du dispositif à onde acoustique de surface tels que la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface et que le facteur de couplage électromécanique puissent être aisément commandés et qui soient tels qu'il y ait une perte d'insertion réduite. Les objets mentionnés ci-avant de la présente invention sont atteints au moyen d'un dispositif à onde acoustique de surface comprenant un élément piézoélectrique ; une couche d'implantation ionique traitée thermiquement formée dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique ; et une électrode du type peigne prévue sur ladite couche d'implantation ionique traitée thermiquement. Les objets mentionnés ci-avant de la présente invention sont également atteints au moyen d'un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface, comprenant les étapes de : a) implantation d'ions dans une partie de surface d'un élément piézoélectrique du dispositif à onde acoustique de surface de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique soit formée en son sein ; b) réalisation d'un traitement thermique de l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique traitée thermiquement soit formée dans la partie de surface de l'élément piézoélectrique ; et c) formation d'une électrode du type peigne sur la couche d'implantation ionique traitée thermiquement. Les objets mentionnés ci-avant de la présente invention sont également atteints au moyen d'un dispositif à onde acoustique de surface comprenant : un premier résonateur formé sur un élément piézoélectrique et prévu selon un bras parallèle ; et un second résonateur formé sur l'élément piézoélectrique et prévu selon un bras série, le premier résonateur présentant une fréquence de résonance approximativement égale à une fréquence d'anti-résonance du second résonateur ; ledit élément piézoélectrique incluant une couche d'implantation ionique formée dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique sur laquelle au moins l'un des premier et second résonateurs est prévu. Les objets mentionnés ci-avant de la présente invention sont également atteints au moyen d'un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface incluant un premier résonateur formé sur un élément piézoélectrique et prévu selon un bras parallèle et un second résonateur formé sur l'élément piézoélectrique et prévu selon un bras série, le premier résonateur présentant une fréquence de résonance approximativement égale à une fréquence d'anti-résonance du second résonateur, ledit procédé comprenant les étapes de : a) implantation d'ions dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique soit formée en son sein ; et b) formation d'électrodes du type peigne des premier et second résonateurs sur l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'au moins l'un des premier et second résonateurs soit prévu sur ladite couche d'implantation ionique. D'autres objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lumière de la description détaillée qui suit que l'on lira en relation avec les dessins annexés parmi lesquels les figures 1A, 1B et 1C sont des vues en coupe de procédés classiques permettant de commander la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface ainsi que le facteur de couplage électromécanique la figure 2 est un graphique de la relation qui lie le facteur de couplage électromécanique et l'épaisseur d'un film en sio2 représenté sur la figure 1A ; les figures 3A, 3B, 3C et 3D sont des vues en coupe d'un premier mode de réalisation de la présente invention la figure 4 est une vue en plan d'un échantillon de dispositif à onde acoustique de surface utilisé pour mesurer la vitesse acoustique de surface d'une onde acoustique de surface la figure 5 est un graphique des vitesses de propagation des ondes acoustiques de surface de quatre échantillons dont chacun présente la structure représentée sur la figure 4 la figure 6 est un graphique de la caractéristique de fréquence centrale, de la caractéristique de perte d'insertion et de la caractéristique de plage de bande passante d'un filtre à onde acoustique de surface en fonction d'une dose d'ions d'Ar les figures 7A et 7B sont des schémas destinés à expliquer un pas d'une électrode du type peigne comportant une structure de résonateur la figure 8A est un schéma de circuit équivalent d'une structure représentée sur la figure 17 la figure 8B est un schéma d'une électrode utilisée sur chacun des résonateurs représentés sur la figure 17 la figure 8C est un graphique d'une caractéristique de résonateur du résonateur représenté sur la figure 8B la figure 9 est un graphique de la caractéristique de bande passante d'un filtre à onde acoustique de surface du type échelle ; la figure 10 est un graphique de la fréquence centrale et du facteur de forme d'un filtre à onde acoustique de surface du type échelle en fonction de la température de traitement thermique la figure 11 est un graphique permettant d'expliquer le facteur de forme du filtre à onde acoustique de surface la figure 12 est un graphique d'une courbe de blocage permettant de mesurer la profondeur de l'implantation ionique la figure 13 est un graphique de la caractéristique de perte d'insertion et de la caractéristique de facteur de forme du filtre en fonction de la profondeur de l'implantation ionique les figures 14A, 14B, 14C, 14Ds 14 et 14F sont des graphiques des caractéristiques de bande passante d'échantillons dans lesquels différentes doses d'ions ont été implantées les figures 15A et 15B sont des vues en coupe de moyens permettant d'empêcher une pyroélectricité provoquée lors d'une implantation ionique les figures 16A et 16B sont des vues en coupe de moyens permettant d'empêcher une pyroélectricité provoquée lors d'une implantation ionique la figure 17 est une vue en plan d'un filtre à onde acoustique de surface selon un second mode de réalisation de la présente invention les figures 18A, 18B, 18C et 18D sont des schémas d'un procédé de fabrication du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17 la figure 19 est une vue en plan d'un exemple pratique du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17 la figure 20 est un schéma de circuit équivalent du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 19 la figure 21 est une vue en plan d'un filtre à onde acoustique de surface selon un troisième mode de réalisation de la présente invention les figures 22A et 22B sont des vues en plan d'électrodes du type peigne utilisées dans le filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 21 la figure 23 est un graphique de la caractéristique de bande passante du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 21 la figure 24 est une vue en plan d'un exemple pratique du filtre à onde acoustique de surface selon la présente invention la figure 25 est une vue en coupe prise selon une ligne XXV-XXV représentée sur la figure 24 la figure 26 est un schéma de circuit équivalent du filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 24 ; et la figure 27 est une vue en perspective d'un autre exemple pratique du filtre à onde acoustique de surface selon la présente invention. Une description d'un premier mode de réalisation de la présente invention est maintenant produite par report aux figures 3A à 3D. Par report à la figure 3A, une substance permettant de commander la vitesse de propagation d'une onde acoustique de surface et le facteur de couplage électromécanique est implantée ioniquement dans une partie de surface d'un substrat piézoélectrique (ou d'un film mince piézoélectrique formé sur une bande prédéterminée) 1 de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique 11 soit formée dans la partie de surface du substrat piézoélectrique 1. Des exemples d'une telle substance sont le bore (B), l'argon (Ar), le fluor (F), le néon (Ne), l'hydrogène (H) ou le phosphore (P). Puis un traitement thermique (recuit) permettant de commander la vitesse de propagation des ondes acoustiques de surface ainsi que le facteur de couplage électromécanique de telle sorte qu'une couche de traitement thermique 12 pour la couche d'implantation ionique 11 soit formée est prévu comme représenté sur la figure 3B. Par exemple, le traitement thermique chauffe le substrat piézoélectrique 1 à 350"C pendant 30 minutes sous vide. Puis comme représenté sur la figure 3C, une couche métallique 13 est déposée sur la couche de traitement thermique 12. Puis comme représenté sur la figure 3D, des parties non nécessaires de la couche métallique 13 sont ôtées de telle sorte que des électrodes du type peigne (électrodes interchiffres) 14 ayant pour fonction de générer une onde acoustique de surface et d'émettre en sortie un signal électrique correspondant à une onde acoustique de surface soient définies sur la surface de la couche de traitement thermique 12. Le premier mode de réalisation de la présente invention est davantage décrit par report aux figures 4, 5, 6A et 6B. La figure 4 représente un échantillon 20 utilisé pour mesurer la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface (vitesse acoustique de surface). L'échantillon 20 comporte le substrat 1 découpé dans un cristal en LiTaO3. Des électrodes interchiffres 141, 142, 143 et 144 ainsi qu'un motif métallique 15 sont formés sur la surface du substrat 1. Le motif métallique 15 est interposé entre les électrodes opposées 141 et Les électrodes interchiffres 141, 142, 143 et 144 et le motif métallique 15 présentent une épaisseur d'approximativement 3000 A et sont définis par conformation d'un film en Al-Cu au moyen de la technique de photolithographie. Chacune des électrodes interchiffres 141, 142, 143 et 144 inclut une paire d'électrodes d'un résonateur du type peigne, comme représenté sur la figure 7A, et le pas des parties en forme de doigts adjacentes vaut une valeur prédéterminée, comme représenté sur la figure 7B. Des bornes d'entrée 16 sont respectivement connectées aux électrodes interchiffres 141 et 143, lesquelles jouent le rôle d'électrodes d'entrée. Une borne de masse 17 est connectée en commun aux électrodes interchiffres 142 et 144. Des bornes de sortie 18 sont respectivement connectées aux électrodes 142 et 144, lesquelles jouent le rôle d'électrodes de sortie. Une borne de masse 19 est connectée en commun aux électrodes interchiffres 142 et 144. Lors de la mesure de la vitesse de propagation des ondes acoustiques de surface, les quatre échantillons différents qui suivent sont préparés. Le premier échantillon comporte le substrat piézoélectrique 1 dans lequel aucun ion n'est implanté. Le second échantillon comporte le substrat piézoélectrique 1 dans lequel des ions de bore sont implantés à 180 keV et selon une dose de 1 x 1014 ions/cm2. Le troisième échantillon est formé en appliquant un traitement thermique au second échantillon au cours duquel le second échantillon est chauffé à 200"C pendant 10 minutes dans un vide d'approximativement 2 x 10 8 Torr. Le quatrième échantillon est formé en appliquant un traitement thermique au second échantillon au cours duquel le second échantillon est chauffé à 350"C pendant 30 minutes dans un vide de 2 x 10 8 Torr. Puis les électrodes interchiffres 141, 142, 133 et 144 ainsi que le motif métallique 15 sont formés sur les premier à quatrième échantillons moyennant la même condition. La figure 5 est un graphique des vitesses de propagation de l'onde acoustique de surface des quatre échantillons, l'axe horizontal représentant h/S où h est l'épaisseur de la couche métallique 15, > est le pas d'électrode des électrodes interchiffres 141, 142, 143 et 144 et l'axe vertical représente Vo/Vm où Vm est la vitesse acoustique de surface entre les électrodes interchiffres 141 et 142 et Vo est la vitesse acoustique de surface entre les électrodes interchiffres 143 et 144 sur la surface libre. Sur la figure 5, un symbole "." indique des valeurs de mesure tracées de la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface du premier échantillon et un symbole "x" indique des valeurs de mesure tracées de la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface du second échantillon. Un symbole "b" " indique des valeurs de mesure tracées de la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface du troisième échantillon et un symbole "o" indique des valeurs de mesure tracées de la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface du quatrième échantillon. On peut voir au vu de la figure 5 que le rapport Vo/Vm décroît du fait de l'implantation ionique et par conséquent, que le facteur de couplage électromécanique décroît. Le rapport Vo/Vm du troisième échantillon obtenu en chauffant le second échantillon à 200"C pendant 10 minutes sous un vide d'approximativement 2 x 10-8 Torr est augmenté de telle sorte qu'il se situe entre le rapport Vo/Vm du premier échantillon et le rapport Vo/Vm du second échantillon. On peut voir sur la figure 5 que le rapport Vo/Vm du quatrième échantillon obtenu en chauffant le second échantillon à 350"C pendant 30 minutes dans un vide d'approximativement 2 x 10 8 Torr est augmenté de telle sorte qu'il est approximativement égal au rapport Vo/Vm du premier échantillon. I1 est noté par les inventeurs que par l'intermédiaire des expérimentations telles que représentées sur la figure 5, pratiquement la même relation qui lie Vo/Vm et H/, que celle de l'échantillon dans lequel aucun ion n'est implanté peut être obtenue en réalisant le traitement thermique (à une température égale ou supérieure à 350"C) sur les échantillons dans lesquels les ions sont implantés, et la présente invention a été réalisée sur la base des nouveaux faits trouvés par les inventeurs. Comme représenté sur la figure 8B, chacun des résonateurs R1, R2, R3 et R4 est constitué par une électrode interchiffre d'excitation 30 comportant deux électrodes du type peigne et par une paire de réflecteurs 31. Les résonateurs R1, R2, R3 et R4 sont formés sur la couche d'implantation ionique obtenue en implantant des ions dans la partie de surface du substrat piézoélectrique et en mettant en oeuvre le traitement thermique pour le substrat piézoélectrique selon le procédé mentionné ci-avant. La figure 6 est un graphique de caractéristiques de filtre du filtre à onde acoustique de surface. Sur chacun des graphiques de la figure 6, les axes verticaux indiquent la fréquence centrale (MHz), la perte d'insertion (dB) et la plage de bande (MHz) du filtre à onde acoustique de surface et l'axe horizontal indique la dose d'ions d'Ar (ions/cm2) implantés dans le substrat du dispositif à onde acoustique de surface. Lors de la mesure, cinq types différents d'échantillons du filtre à onde acoustique de surface sont préparés, échantillons dont le substrat est un monocristal de LîTaO3. Le premier échantillon comporte le substrat en LiTaO3 dans lequel aucun ion n'est implanté (la dose vaut zéro ; les valeurs de mesure sont tracées au moyen du symbole "."). Le second échantillon comporte le substrat en LiTaO3 dans lequel des ions d'Ar sont implantés à 180 keV moyennant une dose de 1 x 1014 ions/cm2. Le troisième échantillon comporte le substrat en LiTaO3 dans lequel des ions d'Ar sont implantés à 180 keV moyennant une dose de 1 x 1016 ions/cm2. Les valeurs de mesure des second et troisième échantillons sont tracées au moyen du symbole "o" sur la figure 6. Le quatrième échantillon est formé en chauffant le second échantillon à 300"C pendant 30 minutes. Le cinquième échantillon est formé en chauffant le troisième échantillon à 300"C pendant 30 minutes. Les valeurs mesurées des quatrième et cinquième échantillons sont tracées au moyen du symbole "x" sur la figure 6. La fréquence centrale du second échantillon (des ions d'Ar sont implantés moyennant une dose de 1 x 1O14 ions/cm2) prend une valeur qui vaut 55 MHz (5,9 %) de moins que la fréquence centrale du premier échantillon (aucun ion d'Ar n'est implanté) du fait de l'implantation ionique. La fréquence centrale du quatrième échantillon est légèrement restaurée par le traitement thermique et elle est de 42 MHZ (4,5 %) inférieure à la fréquence centrale du premier échantillon. La largeur de bande du second échantillon devient plus étroite de 26 MHz (41 %) que la largeur de bande du premier échantillon du fait de l'implantation ionique. La largeur de bande du quatrième échantillon est légèrement restaurée par le traitement thermique et elle est de 20 MHz (32 %) plus étroite que la largeur de bande du premier échantillon. La perte d'insertion du second échantillon est dégradée de 2,3 dB (2,3 %) par l'implantation ionique. La perte d'insertion du quatrième échantillon est légèrement restaurée par le traitement thermique et elle est de 0,6 dB (0,6 %) supérieure à celle du quatrième échantillon. On peut voir sur la figure 6 qu'avec le traitement thermique, les caractéristiques du filtre à onde acoustique de surface dans lequel des ions sont implantés deviennent proches de celles du filtre dans lequel aucun ion n'est implanté. On peut voir aussi sur la figure 6 qu'à mesure que la dose d'ions implantés augmente, la fréquence centrale du filtre à onde acoustique de surface dévie plus fortement de celle du filtre à onde acoustique de surface dans lequel aucun ion n'est implanté. Moyennant cela à l'esprit, un filtre à onde acoustique de surface 21 du type échelle représenté sur les figures 8A et 8B est considéré. Le filtre à onde acoustique de surface 21 inclut quatre résonateurs à onde acoustique de surface à une paire de bornes (1 port) R1, R2, R3 et R4 et des éléments d'inductance L1 et L2. Les résonateurs R1 et R2 sont connectés en série entre une paire de bornes 22 et 23 au moyen de conducteurs 26, 27 et 28 jouant le rôle de bras série. Deux bornes appairées 24 et 25 sont connectées ensemble par un conducteur 29. Le résonateur R3 et l'élément d'inductance L1 connectés en série sont respectivement connectés aux conducteurs 26 et 29. Le résonateur R4 et l'élément d'inductance L2 connectés en série sont respectivement connectés aux conducteurs 27 et 29. En d'autres termes, le résonateur R3 et l'élément d'inductance L1 sont prévus selon un bras parallèle et le résonateur R4 et l'élément d'inductance L2 sont prévus selon un autre bras parallèle. Comme représenté sur la figure 8B, chacun des résonateurs R1, R2, R3 et R4 est constitué par une électrode interchiffre d'excitation 30 comportant deux électrodes du type peigne, et par une paire de réflecteurs 31. Les résonateurs R1, R2, R3 et R4 sont formés sur la couche d'implantation ionique obtenue en implantant des ions dans la partie de surface du substrat piézoélectrique et en mettant en oeuvre le traitement thermique pour le substrat piézoélectrique conformément au procédé mentionné ci-avant. La figure 8C est un graphique de la caractéristique de résonance des résonateurs contenus dans le filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 8B. Sur le graphique de la figure 8C, l'axe vertical indique l'atténuation (dB) et l'axe horizontal indique la fréquence (GHz). La ligne en traits pleins indique la caractéristique des résonateurs à onde acoustique de surface pour lesquels le traitement thermique de la couche d'implantation ionique a été réalisé. La ligne en pointillés indique la caractéristique des résonateurs à onde acoustique de surface pour lesquels aucun ion n'a été implanté. La valeur de Q est définie comme suit Q = fo / t3dB où fo est la fréquence du point d'atténuation le plus faible et 3dB est la largeur de demi-valeur pour le niveau de 3 dB supérieur au niveau du point le plus inférieur. Le tableau présenté ci-après donne les valeurs de Q des deux caractéristiques de résonateur TABLEAU Valeur de Q Pas d'implantation d'ion 440 Implantation d'ion et traitement thermique 550 On peut voir au vu du tableau présenté ci-avant que l'implantation ionique et que le traitement thermique qui suit rendent la chute de la caractéristique de résonance davantage brutale que celle de la caractéristique de résonance des résonateurs à onde acoustique de surface dans lesquels aucun ion n'est implanté. En combinant les résonateurs présentant différentes valeurs de Q, il devient possible d'obtenir les caractéristiques de filtre présentant un bon facteur de forme (ce qui sera décrit en détail ultérieurement). La figure 9 est un graphique des caractéristiques de bande passante de deux échantillons. L'un des échantillons (premier échantillon) est un filtre du type résonateur à onde acoustique de surface comportant des couches d'implantation ionique. L'autre échantillon (second échantillon) est un type de résonateur à onde acoustique de surface qui ne comporte pas de couche d'implantation ionique. La courbe en traits pleins représentée sur la figure 9 indique la caractéristique de bande passante du premier échantillon et la courbe en pointillés présentée ici indique la caractéristique de bande passante du second échantillon. L'implantation ionique des premiers échantillons est mise en oeuvre de telle sorte que des ions d'Ar à double charge (Ar++) soient implantés dans un substrat en LiTaO3 (coupe 36 - Y) à 180 keV selon une dose de 5 x 1013 ions/cm2 et que l'épaisseur de la couche d'implantation ionique du premier échantillon soit établie à 2200 Â (hion/ kw = 0,22/2,7 = 0,081). Le traitement thermique qui fait suite au processus d'implantation ionique mentionné ciavant a été mis en oeuvre conformément aux étapes suivantes (profil de température) pour la raison qui est décrite ultérieurement (1) vitesse de croissance de la température depuis la température ambiante jusqu'à une température de traitement thermique prédéterminée : 2"C par minute; (e) période temporelle pendant laquelle la température de traitement thermique prédéterminée est maintenue : 1 heure ; et (3) vitesse de décroissance de la température depuis la température de traitement thermique prédéterminée jusqu'à la température ambiante : 1"C par minute. On peut voir au vu de la figure 9 que le filtre présente une valeur de Q élevée et un facteur de forme amélioré de 20 % sans dégradation de la perte d'insertion et de la performance de suppression. La figure 10 est un graphique des conditions du traitement thermique au cours duquel des ions d'Ar sont implantés dans le substrat piézoélectrique. L'axe vertical du graphique de la figure 10 indique la fréquence centrale (GHz) et le facteur de forme d'un filtre à onde acoustique de surface et l'axe horizontal indique la température de traitement thermique ("C). Le facteur de forme indique la raideur de la croissance et de la décroissance de la forme d'onde d'un signal dans la bande passante. Plus particulièrement, par report à la figure 11, le facteur de forme est défini par le rapport 2/flf1 où dfl est la largeur de bande (f2-f3) pour une perte d'insertion de -3 dB et flf2 est la largeur de bande (f4-f5) pour une perte d'insertion de -20 dB. La valeur idéale du facteur de forme est de 1. La valeur du facteur de forme croît, la raideur de la croissance et de la décroissance de la forme d'onde se détériore. Le facteur de forme du filtre à onde acoustique de surface dans lequel aucun ion n'est implanté est égal à 2,3 tandis que le facteur de forme est amélioré jusqu'à 1,7 en implantant des ions dans le filtre à onde acoustique de surface mentionné ci-avant, comme représenté sur la figure 9. L'échantillon du filtre à onde acoustique de surface utilisé lors de la mesure concernant le graphique de la figure 10 comporte le substrat piézoélectrique 1 découpé dans un monocristal de coupe 36"-Y de LiTaO3. Des ions d'Ar (Ar++) dans l'état de charge double sont implantés dans le substrat piézoélectrique 1 moyennant une énergie d'accélération de 180 keV et une dose de 6 x 1013 ions/cm2. Le traitement thermique est mis en oeuvre dans la plage de 120"C à 600"C. On peut voir au vu du graphique de la figure 11 que le facteur de forme est stable entre la température de traitement thermique située entre 120"C et 600"C et que la fréquence centrale est stable à des températures de traitement thermique égales ou supérieures à 350"C, de préférence à 400"C. I1 est également nécessaire que la température de traitement thermique soit inférieure à la température de Curie du matériau de substrat piézoélectrique. La température de Curie du LiTaO3 est d'environ 610 C. Lors du traitement thermique de la couche d'implantation ionique 11, c'est-à-dire le traitement thermique effectué à des températures égales ou supérieures à 350"C, il est préférable d'établir la température de traitement thermique aussi faible que possible en terme de productivité et de facilité de fonctionnement. Dans le mode de réalisation qui est considéré, il est recommandé que la température de traitement thermique pratique tombe dans la plage d'approximativement environ 400"C à 600"C. Cependant, la limite supérieure de la température lors du traitement thermique pour commander la vitesse de propagation au travers de la surface du substrat piézoélectrique 1 ainsi que le facteur de couplage électromécanique peut être égale ou supérieure à 600"C dans la plage dans laquelle la performance du substrat piézoélectrique 1 (ou la performance du film mince piézoélectrique prévu sur la base prédéterminée ou la performance de la base prédéterminée mentionnée ciavant) n'est pas dégradée. Par exemple, lorsque le substrat piézoélectrique 1 est découpé à partir d'un monocristal de coupe 36"-Y de LiTaO3, il est possible d'établir la température de traitement thermique dans la plage située entre 400"C et 600"C. I1 est possible que le substrat piézoélectrique 1 puisse être endommagé du fait d'un choc thermique lors du traitement thermique (chauffage et refroidissement) de la couche d'implantation ionique 11 formée dans le substrat piézoélectrique 1 lors d'un chauffage ou d'un refroidissement rapide du substrat piézoélectrique 1. Les inventeurs ont mis en oeuvre de façon répétée des expérimentations afin d'empêcher le choc thermique et ont trouvé les conditions de traitement thermique suivantes. Le traitement thermique lors de la mesure représentée sur la figure 10 est mis en oeuvre moyennant les conditions suivantes (profil de température). 1) Vitesse de croissance de la température depuis la température ambiante jusqu'à une température de traitement thermique prédéterminée : 3"C par minute ou moins 2) Période temporelle de maintien de la température de traitement thermique prédéterminée : 30 minutes à 1 heure; et 3) Vitesse de décroissance de la température depuis la température de traitement thermique prédéterminée jusqu'à la température ambiante : 2"C par minute ou moins. I1 est également possible de commander la vitesse de propagation de l'onde acoustique de surface ainsi que le facteur de couplage électromécanique en commandant la profondeur de l'implantation ionique (l'épaisseur de la couche d'implantation ionique) afin de commander l'état du réseau cristallin dans la partie de surface du substrat piézoélectrique. Afin d'inspecter la relation qui lie la profondeur de l'implantation ionique et la performance d'onde acoustique de surface, une description du procédé de mesure de la profondeur de l'implantation ionique est maintenant produite. La profondeur de l'implantation ionique peut être mesurée en utilisant une courbe de blocage de diffraction par rayons X pour la couche d'implantation ionique. La figure 12 représente une courbe de blocage d'un échantillon dans lequel des ions d'Ar à double charge (Ar++) sont implantés dans un substrat en LiTaO3 à 180 keV selon une dose de 5 x 1013 ions/cm2, la courbe de blocage étant obtenue en utilisant des rayons CuKalX. Sur la figure 12, un spectre de diffraction A situé au niveau de l'angle de diffraction le plus important (extrémité gauche du dessin) est obtenu pour le substrat en LiTaO3. D'autres spectres de diffraction sont obtenus pour la couche d'implantation ionique. Le spectre de diffraction situé au niveau de l'angle de diffraction le plus faible est le maximum primaire (BO) et les premier (B1), second (B2) ... spectres et les spectres de diffraction maximum secondaires sont observés selon cet ordre. Au vu de la caractéristique de la fonction de Laue qui indique l'intensité de dispersion des rayons X, l'épaisseur de la couche d'implantation ionique est calculée en utilisant la largeur de demi-valeur du maximum primaire (BO) représenté sur la figure 12. L'épaisseur calculée de la couche d'implantation ionique vaut approximativement 2200 A. De la manière mentionnée ci-avant, la profondeur de la couche d'implantation ionique peut être confirmée. La figure 13 est un graphique de l'augmentation de la perte d'insertion (dB) et du facteur de forme de filtre des échantillons en fonction de l'épaisseur de la couche d'implantation ionique. Les échantillons sont formés en implantant des ions d'Ar à double charge (Ar++) dans du LiTaO3 (coupe 36"-Y) à 180 keV selon une dose de 5 x 1013 ions/cm2 et ils présentent différentes épaisseurs de couches d'implantation ionique (ce qui est confirmé au moyen du procédé de mesure mentionné ci-avant). Sur la figure 13, les axes verticaux indiquent une augmentation de la perte d'insertion (dB) et du facteur de forme de filtre et l'axe horizontal indique la profondeur normalisée (hion/W) de l'implantation ionique obtenue en normalisant la profondeur hion par une longueur d'onde Aw de l'onde acoustique de surface. Normalement, l'onde acoustique de surface se propage au travers d'une partie de surface du substrat piézoélectrique sur une profondeur égale à une longueur d'onde de l'onde acoustique de surface. Si des ions sont implantés selon une profondeur supérieure à une longueur d'onde, la partie de cristal de surface est complètement détruite et la propagation de l'onde acoustique de surface est affectée. I1 a été vu au niveau du graphique de la figure 13 qu'une bonne caractéristique de filtre peut être obtenue lorsque le facteur de forme de filtre (le rapport de la largeur de bande à -1,5 dB inférieur au niveau pour la perte d'insertion moindre sur la largeur de bande à -21,5 dB inférieur au niveau pour la perte d'insertion moindre) est égal ou supérieur à 45% moyennant pour condition que l'augmentation de la perte d'insertion est égale ou inférieure à 2 dB. Afin d'obtenir un facteur de forme de filtre de 45 % ou plus, le graphique de la figure 13 montre que l'épaisseur (hion) de la couche d'implantation ionique doit nécessairement satisfaire la condition 0,07 Une description de la relation qui lie la dose d'ions et les caractéristiques de filtre est maintenant produite. Les figures 14A à 14F sont des graphiques qui représentent les caractéristiques de bande-passante du filtre à onde acoustique de surface représenté sur les figures 8A et 8B en fonction de la dose d'ions d'Ar. Sur les figures 14A à 14F, l'énergie d'accélération des ions d'Ar (Ar++) est de 180 keV et les doses d'ions d'Ar sont les suivantes Fig. 14A : 2 x 1013 ions/cm2 Fig. 14B : 4 x 1013 ions/cm2 Fig. 14C : 5 x 1013 ions/cm2 Fig. 14D : 6 x 1013 ions/cm ; Fig. 14E : 7 x 1013 ions/cm ; et Fig. 14F : 8 x 1013 ions/cm. Les valeurs du facteur de forme (#f2/#f1) des échantillons respectivement concernés par les figures 14A à 14F sont amenées à varier en fonction de la dose d'ions d'Ar comme suit Fig. 14A : #f2/ = fl approximativement 1,95 Fig. 14B : #f2/ tfl = approximativement 1,92 Fig. 14C : af2/ afl = approximativement 1,67 Fig. l4D : Af2/ #f1 = approximativement 1,69 Fig. 14E : #f2/ #f1 = approximativement 1,74 Fig. 14F : #f2/ #fl = approximativement 1,67. On peut voir au vu de ce qui précède que les caractéristiques de bande passante représentées sur les figures 14C, 14D et 14E sont approximativement planes tandis que les caractéristiques de bande-passante d'entrée représentées sur les figures 14A, 14B et 14F ne sont pas planes et ne présentent pas une bonne linéarité. Comme il ressort de ce qui précède, la dose d'ions d'Ar peut être égale ou supérieure à 4 x 1013 ions/cm2 en prenant en considération seulement le facteur de forme. Cependant, une dose de 8 x 1013 ions/cm2 doit être exclue en considération de la caractéristique de bande-passante. I1 s'ensuit que l'on conclut qu'en prenant en compte la perte d'insertion pratique, la dose d'ions d'Ar se situe entre 4 x 1013 ions/cm2 et 7 x 1013 ions/cm2 et de façon davantage préférable, entre 5 x 1013 ions/cm2 et 7 x 1013 ions/cm2. La caractéristique passe-bande obtenue pour la dose d'ions d'Ar dans la plage mentionnée ci-avant ne varie pas en fonction de la plage de l'énergie d'accélération des ions entre 150 et 250 keV. I1 s'ensuit que l'on peut recommander que l'énergie d'accélération des ions d'Ar se situe entre 150 et 250 keV. Lors de l'implantation ionique mentionnée ciavant, il est possible que des charges puissent être stockées dans le substrat piézoélectrique 1 ou dans le film mince piézoélectrique prévu sur la base prédéterminée, lesquelles peuvent être ensuite déchargées du fait d'une pyroélectricité provoquée par la piézoélectricité de l'élément piézoélectrique et il est possible également que le substrat piézoélectrique ou le film mince puisse être détruit. Moyennant cela à l'esprit, un moyen permettant d'éliminer la possibilité mentionnée ci-avant tel que représenté sur les figures 15A, 15B, 16A et 16B peut être utilisé. Sur la figure 15A, un film métallique 31 est déposé sur la surface arrière du substrat piézoélectrique 1. Puis comme représenté sur la figure 15B, la couche d'implantation ionique 11 est formée dans la partie de surface avant du substrat piézoélectrique 1 comportant la surface arrière sur laquelle le film métallique 31 est déposé. Selon une variante, comme représenté sur la figure llA, une plaque métallique 32 est prévue sur la surface arrière du substrat piézoélectrique 1. Puis comme représenté sur la figure llB, la couche d'implantation ionique 11 est formée dans la partie de surface avant du substrat piézoélectrique 1 comportant la surface arrière sur laquelle la plaque métallique 32 est prévue. Une description supplémentaire d'applications de dispositifs à onde acoustique de surface à des filtres du type résonateur à onde acoustique de surface est maintenant produite. La période (pas d'électrode) Xde l'électrode du type peigne est définie comme suit X= V/fo où V est la vitesse acoustique de surface de l'onde acoustique de surface et fo indique la fréquence de résonance. La vitesse acoustique de surface V dépend du poids de l'électrode et par conséquent de son épaisseur. Plus particulièrement, lorsque le poids de l'électrode devient plus important, la vitesse acoustique de surface V devient plus lente. Ceci est appelé effet de masse inertielle. Normalement, le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface inclut des résonateurs à onde acoustique de surface de différentes fréquences de résonance qui sont connectés en série et en parallèle, c'est-à-dire selon une formation en échelle. I1 est possible d'obtenir des caractéristiques de filtre souhaitées du filtre en réglant l'intervalle de fréquence de résonance Af qui est la différence entre la fréquence de résonance (fus) du résonateur en connexion série (bras série) et celle (fp) du résonateur en connexion parallèle (bras parallèle) ( af - f5 - fp). I1 est à noter que la fréquence de résonance du résonateur en connexion série est approximativement égale à la fréquence d'antirésonance du résonateur en connexion parallèle. Cependant, il y a une limite en ce qui concerne le réglage de l'intervalle de fréquence de résonance df. Si l'intervalle de fréquence de résonance excède une valeur limite, la caractéristique de filtre se détériore notablement. L'intervalle de fréquence de résonance Af qui détermine la caractéristique du filtre dépend de la différence as entre la période du résonateur du type peigne connecté en série et la période du résonateur du type peigne connecté en parallèle. La différence de période dA est limitée par le facteur de couplage électromécanique k2. Si la différence de période ôN est trop faible ou trop importante, le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface produit une perte d'insertion importante. Comme il a été décrit précédemment, le facteur de couplage électromécanique k2 peut être commandé par l'implantation ionique. Cette implantation ionique fonctionne pour lever la limitation mentionnée ci-avant en considération de la différence de période et pour augmenter le degré de liberté lors de l'établissement de la bande passante du filtre. Normalement, les lignes (parties de doigts d'électrode) de l'électrode du type peigne et les espaces entre deux lignes adjacentes sont agencés selon un rapport d'approximativement 1:1 bien qu'il y ait des erreurs dues à la précision du procédé d'exposition et à la précision d'un masque utilisé lors de l'exposition. Par exemple, un filtre large bande dans la plage 1,5 GHz est obtenu au moyen des paramètres suivants - Substrat : LiTaO3 à propagation X et à coupe 36"-Y (vitesse acoustique de surface: approximativement 4000 m/s ; k2 = 5 %) - Période de l'électrode du type peigne dans un résonateur en connexion série #s : 2,60 m - Période de l'électrode du type peigne dans un résonateur en connexion parallèle xp : 2,70 Um. La différence de période ##(= #p - #s) vaut 0,1 m et une caractéristique de filtre est obtenue, caractéristique pour laquelle les fréquences de résonance et d'anti-résonance sont de 60 MHz et la plage de la bande 3 dB est d'approximativement 40 MHz. Un filtre à bande étroite à perte d'insertion faible peut être obtenu en utilisant un substrat piézoélectrique présentant un faible facteur de couplage électromécanique k2, par exemple un substrat de quartz de coupe ST (la vitesse acoustique de surface vaut approximativement 3000 m/s ; k2 : 0,16 %). I1 a été confirmé à partir de notre expérimentation que l'intervalle entre la fréquence de résonance et la fréquence d'anti-résonance du substrat de coupe ST en quartz mentionné ci-avant se situe entre 2 MHz et 6 MHz et va jusqu'à 1/10 à 1/30 de la valeur de celui du substrat à propagation X et à coupe 36-Y en LiTaO3. Au vu de la description qui précède, il est possible d'obtenir un filtre à bande étroite présentant une largeur de bande passante se situant entre 3 MHz et 4 MHz au moyen de la combinaison de résonateurs présentant respectivement un pas d'électrode As de 1,995 ssm et tAp de 2000 ssm ( 4A= 0,005 ssm). De cette façon, un procédé d'exposition à projection réduite est utilisé pour former de fins motifs. Par exemple, afin de former le filtre à bande étroite mentionné ci-avant au moyen d'un réticule présentant un agrandissement de cinq, les largeurs de chaque ligne de l'électrode sur le réticule utilisé pour réaliser les résonateurs en connexion série et en connexion parallèle formés sur le substrat en quartz valent respectivement 2,49375 ssm et 2,500 ssm. De nos jours, le motif de réticule est formé au moyen d'une exposition par faisceau électronique. Le niveau de résolution minimum présentement disponible dans un appareil d'exposition par faisceau électronique est d'approximativement 0,1 Zm. I1 s'ensuit qu'il est impossible d'obtenir la largeur de ligne d'électrode correcte de 2,49375 pm. I1 s'ensuit qu'il y a une erreur (erreur d'arrondi) au niveau de la largeur de ligne d'électrode et l'erreur fait diminuer la valeur de Q du filtre. Ceci signifie qu'il est très difficile de réaliser des filtres à bande étroite dans la plage haute fréquence. Un second mode de réalisation de la présente invention est décrit ci-après, lequel utilise le concept du premier mode de réalisation mentionné ciavant, et il est destiné à permettre l'obtention de filtres du type résonateur à onde acoustique de surface à valeur de Q élevée qui présentent une valeur de Q élevée et qui peuvent être produits au moyen du procédé d'exposition par électrons existant. Comme décrit ultérieurement, l'intervalle entre le résonateur en connexion série et le résonateur en connexion parallèle du filtre peut être réglé finement. La figure 17 est une vue en plan d'un filtre du type résonateur à onde acoustique de surface selon le second mode de réalisation de la présente invention. Sur la figure 17, les parties qui sont les mêmes que celles représentées sur les figures 3A à 3D se voient conférer les mêmes index de référence. Le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17 est constitué par le substrat en quartz 1, par une ligne de câblage conductrice 2, par une borne d'entrée, par une borne d'entrée 3, par un résonateur en connexion série 5 comportant une électrode interchiffre 5A et une couche d'implantation ionique 5B (zone hachurée), par un résonateur en connexion série 6 comportant une électrode interchiffre 6A et une couche d'implantation ionique 6B (zone hachurée), par des résonateurs en connexion parallèle 7 et 8 comportant respectivement des électrodes interchiffres 7A et 8B et par des bornes de masse 9 et 10. Le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17 est caractérisé en ce que les couches d'implantation d'ions (par exemple d'ions d'Ar) 5B et 6B y compris les électrodes 5A et 6A et leurs zones voisines sont formées dans les résonateurs en connexion série 5 et 6 seulement afin de réduire la vitesse acoustique de surface de propagation au travers des couches d'implantation ionique 5B et 6B de telle sorte que l'intervalle de fréquence de résonance Af puisse être réglé. Conformément à notre expérimentation, une variation de la vitesse acoustique de surface V égale à 99,2 % est obtenue moyennant les conditions suivantes - Ion implanté : ion d'Ar - Energie d'accélération : 180 keV - Dose : 1 x 1014 ions/cm2. I1 s'ensuit qu'en implantant des ions dans des parties incluant les résonateurs en connexion série 5 et 6 et en déterminant les paramètres suivants - Période de l'électrode du type peigne dans les résonateurs en connexion série 5 et 6 > 5 : 1,98 Mm - Période de l'électrode du type peigne dans les résonateurs en connexion parallèle 7 et 8 Ap : 2,00 Clam, il est possible d'obtenir des caractéristiques de filtre équivalentes à celles d'un filtre du type résonateur à onde acoustique de surface ne comportant pas de couche à implantation ionique et les paramètres suivants - Période de l'électrode du type peigne dans les résonateurs en connexions série 5 et 6 N5 : 1,996 ssm - Période de l'électrode du type peigne dans les résonateurs en connexion parallèle 7 et 8 Ap : 2,000 ssm. I1 est à noter que la période de 1,98 pm des électrodes du type peigne dans les résonateurs en connexion série 5 et 6 est inférieure à la limite si l'on considère la formation de motifs fins moyennant la technique de lithographie du fait que des motifs présentant une taille qui vaut cinq fois la période mentionnée ci-avant sont formés sur le réticule sur lequel des motifs sont formés au moyen de la technique d'exposition par faisceau électronique. I1 est possible de régler la fréquence du filtre global en implantant des ions dans les résonateurs en connexion série et/ou dans les résonateurs en connexion parallèle après que les couches d'implantation ionique 5B et 6B sont formées. Au moyen du réglage de fréquence mentionné ci-avant, il est possible de corriger une déviation de fréquence provoquée par un facteur du procédé de fabrication. Les figures 18A à 18D sont des vues en coupe du procédé de fabrication du filtre du type résonateur à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17. Les sections en coupe représentées sur les figures 15A et 15B sont prises selon une ligne II-II représentée sur la figure 17. Les étapes représentées sur les figures 18A à 18D sont respectivement pratiquement les mêmes que celles représentées sur les figures 3A à 3D. Le traitement thermique représenté sur la figure 3C n'est pas nécessaire pour fabriquer le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface selon le second mode de réalisation de la présente invention. Cependant, le traitement thermique assure divers avantages, comme il a été décrit précédemment. I1 s'ensuit qu'il est préférable de former la couche de traitement thermique 12 en chauffant la couche d'implantation ionique 11. Les descriptions précédentes produites par report aux figures restent vraies pour le filtre du type résonateur à onde acoustique de surface représenté sur la figure 17. Brièvement, lorsque des ions d'Ar sont utilisés, il est préférable d'utiliser les conditions suivantes. C'est-à-dire que la dose d'ions d'Ar peut être égale ou supérieure à 4 x 1013 ions/cm2 si l'on prend seulement en considération le facteur de forme. Cependant, une dose de 8 x 1013 ions/cm2 doit être exclue si l'on prend en considération la caractéristique de bande passante. I1 s'ensuit que l'on conclut, en prenant en compte la perte d'insertion pratique, que le dose d'ions d'Ar se situe entre 4 x 1013 ions/cm2 et 7 x 1013 ions/cm2, de préférence entre 5 x 1013 ions/cm2 et 7 x 1013 ions/cm2. La caractéristique de bande passante obtenue pour la dose d'ions d'Ar dans la plage mentionnée ci-avant ne varie pas lorsque la plage de l'énergie d'accélération des ions se situe entre 150 et 250 keV. I1 s'ensuit que l'on peut recommander que l'énergie d'accélération des ions d'Ar se situe entre 150 et 250 keV. I1 est également préférable de commander la profondeur d'implantation ionique. Comme il a été décrit précédemment, il est préférable de commander l'épaisseur (hion) de la couche d'implantation ionique de telle sorte qu'elle satisfasse la condition 0,07 La figure 19 est une vue en plan d'un exemple pratique du second mode de réalisation de la présente invention et la figure 20 est un schéma de circuit équivalent du filtre représenté sur la figure 19. Comme représenté sur les figures 19 et 20, le filtre est constitué par trois résonateurs en connexion série (bras série) S et par deux résonateurs en connexion parallèle (bras parallèles) P1 et P2. L1 à L4 indiquent respectivement des fils représentés sur la figure 17 et des inductances représentées sur la figure 18. Le procédé d'implantation ionique est mis en oeuvre pour les résonateurs en connexion série S seulement. La période des deux électrodes du type peigne de chacun des résonateurs en connexion série S vaut 2,64 Mm, la longueur d'ouverture vaut 60 Mm et le nombre de paires de lignes (doigts) vaut 115. La période des deux électrodes du type peigne du résonateur en connexion parallèle P1 vaut 2,71 Mm, la longueur d'ouverture vaut 100 Mm et le nombre de paires de lignes (doigts) est de 80. La période des deux électrodes du type peigne du résonateur en connexion parallèle P2 vaut 2,71 Mm, la longueur d'ouverture vaut 100 Mm et le nombre de paires de lignes (doigts) est de 40. Une description d'un filtre du type résonateur à onde acoustique de surface selon un troisième mode de réalisation de la présente invention est maintenant produite par report à la figure 21. Le filtre à onde acoustique de surface représenté sur la figure 21 inclut un substrat en quartz, une ligne de câblage 42, une borne d'entrée 43, un résonateur en connexion série 44 incluant une électrode interchiffre 45 constitué par deux électrodes du type peigne et un résonateur en connexion parallèle 46 incluant une électrode interc Le substrat cristallin comportant le résonateur en connexion série mentionné ci-avant 44 et le résonateur en connexion parallèle mentionné ci-avant 46 présentant respectivement les rapports qui suivent présente une caractéristique de filtre équivalente à celle d'un filtre qui est tel que #p = 2,000 m et #S = 1,994 m : - L : S d'un résonateur en connexion parallèle = 0,40 Mm : 0,40 Mm - L : S d'un résonateur en connexion série = 0,36 Mm : 0,44 bm. La figure 23 est un graphique d'une caractéristique de filtre du filtre représenté sur la figure 21 présentant les valeurs de paramètre mentionnées ci-avant. Sur la figure 23, l'axe vertical indique la perte d'insertion (dB) et l'axe horizontal indique la fréquence (MHz). On peut voir au vu du graphique de la figure 23 que l'intervalle tf entre la fréquence de résonance du résonateur en connexion série et la fréquence de résonance du résonateur en connexion parallèle peut être commandé en faisant varier la vitesse acoustique de surface et qu'une caractéristique de bande suffisamment étroite peut être réalisée. Les figures 24 et 25 représentent un exemple pratique du filtre à onde acoustique de surface selon la présente invention. La figure 26 est un schéma de circuit équivalent du filtre à onde acoustique de surface représenté sur les figures 24 et 25. Le filtre à d'onde acoustique de surface représenté sur les figures 24 et 25 inclut un module en céramique 51, une puce de filtre 52 et un capuchon 53 ayant une fonction de mise à la masse. Le module en céramique 51 est réalisé en céramique d'alumine et il présente des dimensions de 3,8 mm x 3,8 mm x 1,5 mm (hauteur). Des bornes d'électrode 54,1 à 54-6 réalisées en Au sont formées sur le module en céramique 51. La puce de filtre 52 est réalisée en LiTaO3 et elle présente des dimensions de 2 mm x 1,5 mm x 0,5 mm (épaisseur). L'épaisseur des couches d'implantation ionique formées dans la partie de surface de la puce de filtre 52 vaut 2200 . Sur la surface de la puce de filtre 52 sont prévus des résonateurs R1 à R5 présentant une structure d'électrode du type peigne réalisée en A1-2% de Cu, comportant 100 paires de lignes, présentant une longueur d'ouverture de 80 Mm pour 4 = 2,7 Mm et une épaisseur de 1900 A. Les résonateurs R1 à R5 sont agencés de manière à ne pas partager leurs voies de propagation d'onde acoustique de surface. En outre, des bornes de signaux 55,1 et 55-2 2 ainsi que des bornes de masse 55-3, 55-4 et 55-5 sont prévues sur la surface de la puce de filtre 521. Des fils de liaison 56-1 à 56-5, qui sont réalisés en Al ou en Au et qui présentent un diamètre de 25 Clam, sont liés aux bornes 54,1 à 54,5 ainsi qu'aux bornes 55-1 à 55-5. Le fil de liaison 56-3 connecte les bornes d'électrode 54-3 et 55-3 ensemble. Le fil de liaison 56-4 connecte les bornes de masse 54- 4 et 55-4 ensemble. Le fil de liaison 56,5 connecte les bornes de masse 54,5 et 55. Les fils de liaison 56~3 à 56,5 sont aussi longs que 2,0 mm et ils jouent le rôle d'éléments d'inductance L1, L2 et L3 représentés sur la figure 26. Les couches d'implantation ionique présentant une épaisseur de 2200 Â sont formées par rapport aux résonateurs à bras série R2 et R4 selon le procédé mentionné ci-avant. Selon une variante, il est possible d'implanter des ions dans des parties de surface de la puce de filtre 52 sur lesquelles les résonateurs en connexion parallèle Rl, R3 et R5 sont formés. Bien entendu, il est possible d'exécuter le traitement thermique des couches d'implantation ionique. La figure 27 représente un autre exemple pratique du filtre à onde acoustique de surface selon la présente invention. Un filtre à onde acoustique de surface 60 représenté sur la figure 27 comporte un substrat piézoélectrique en LiTaO3 (coupe 36"-Y) présentant des dimensions représentées ici. Sont agencés, depuis le côté d'entrée, un résonateur en connexion parallèle (bras parallèle) Rpl, un résonateur en connexion série (bras série) Rsl, un résonateur en connexion parallèle Rp2, un résonateur en connexion série Rs2 et un résonateur en connexion parallèle Rp3. Chacun des résonateurs comporte des réflecteurs (du type court-circuit) 62 agencés au niveau de ses côtés opposés. Chacune des électrodes des résonateurs comporte 50 paires de lignes et présente une longueur d'ouverture de 180 Mm. Les réflecteurs comportent 50 paires de lignes. La période des électrodes du type peigne des résonateurs en connexion parallèle est différente de celle des électrodes du type peigne des résonateurs en connexion série. Par exemple, la période p p des résonateurs à bras parallèles vaut 4,39 Mm (la largeur de motif vaut approximativement 1,1 Mm (= , & p/4) du fait que le rapport de la largeur de motif et de l'espace vaut 1:1). La période AS des résonateurs en connexion série vaut 4,16 ssm (la largeur de motif vaut approximativement 1,04 ssm (= AS/4) Le procédé d'implantation ionique et le traitement thermique ont été réalisés en relation avec des parties de surface du substrat piézoélectrique 60 sur lesquelles les résonateurs en connexion série Rsl et Rs2 se trouvent. Selon une variante, il est possible de réaliser le procédé d'implantation ionique et le traitement thermique en relation avec des parties de surface sur lesquelles les résonateurs en connexion parallèle Rpl, Rp2 et Rp3 se trouvent. Dans les filtres à onde acoustique de surface mentionnés ci-avant, il est possible de réaliser le procédé d'implantation ionique et le traitement thermique en relation avec à la fois les résonateurs en connexion série et les résonateurs en connexion parallèle selon différentes doses d'ions qui doivent être implantées. Dans ce cas, il est possible de régler très finement la caractéristique du filtre. Par exemple, sur la figure 17, des ions sont implantés dans les parties de surface sur lesquelles les résonateurs en connexion série 5 et 6 sont formés moyennant une dose différente de celle selon laquelle des ions sont implantés dans les parties de surface sur lesquelles les résonateurs en connexion parallèle 7 et 8 sont formés. Selon une variante, il est possible que les parties de surface sur lesquelles les résonateurs en connexion série 5 et 6 sont formés soient implantées au moyen d'un type d'ions différent de celui des ions qui sont implantés dans la partie de surface sur laquelle des résonateurs en connexion parallèle 7 et 8 sont formés. I1 est également possible de commander à la fois le type des ions et leurs doses. I1 est également possible de combiner le concept du procédé d'implantation ionique de manière à faire varier la vitesse acoustique de surface en relation avec le concept de réglage du rapport ligne/espace. Par exemple, il est possible de former un filtre à onde acoustique de surface présentant la structure représentée sur la figure 17 et la structure représentée sur la figure 21. Selon la présente invention, il est possible d'obtenir les avantages suivants. I1 est possible de contrôler la vitesse de propagation des ondes acoustiques de surface et le facteur de couplage électromécanique au moyen du procédé d'implantation ionique et du traitement thermique qui suit indépendamment du matériau du substrat piézoélectrique et de l'orientation cristalline et par conséquent, le mode des ondes acoustiques de surface ainsi que le coefficient de température. Dans une application à des filtres à onde acoustique de surface, il est possible de prévoir des filtres à onde acoustique de surface présentant une valeur de Q élevée et un facteur de forme élevé au moyen du procédé d'implantation ionique et de préférence au moyen du traitement thermique au lieu d'utiliser une sélection du matériau de substrat piézoélectrique ainsi que de l'orientation cristalline. Dans ce cas, il est possible de régler finement la caractéristique de filtre en implantant sélectivement des ions dans des parties de surface sur lesquelles des résonateurs sont formés. Le réglage fin de la caractéristique de filtre peut être réalisé de telle sorte que différents types d'ions puissent être implantés en relation avec différents types de résonateurs. I1 est également possible d'implanter des ions en relation avec différents types de résonateurs pour différentes doses d'ions. En optimisant l'épaisseur des couches d'implantation ionique, il est possible d'optimiser une caractéristique de filtre souhaitée sans augmentation de la perte d'insertion. En établissant le rapport ligne/espace des électrodes du type peigne du résonateur en connexion parallèle de telle sorte qu'il soit différent de celui du résonateur en connexion série, il est possible de proposer des filtres à onde acoustique de surface présentant une caractéristique de filtre souhaitée au lieu de choisir le matériau du substrat piézoélectrique ainsi que l'orientation cristalline. La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits spécifiquement et des variantes et modifications peuvent être apportées sans que l'on s'écarte du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce que qu'il comprend un élément piézoélectrique (1) une couche d'implantation ionique traitée thermiquement (11) formée dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique (1) ; et une électrode d'un résonateur du type peigne (2) prévu sur ladite couche d'implantation ionique traitée thermiquement (11). 2. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un premier résonateur (R1) formé sur l'élément piézoélectrique (1) et un second résonateur (R2) formé sur l'élément piézoélectrique (1), le premier résonateur (R1) présentant une fréquence de résonance approximativement égale à une fréquence d'antirésonance du second résonateur (R2), et en ce qu'à la fois le premier résonateur et le second résonateur incluent ladite électrode du résonateur de type peigne formée sur ladite couche d'implantation ionique traitée thermiquement. 3. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique traitée thermiquement (11) présente une épaisseur hion qui satisfait la condition suivante 0,07 4. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 3, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique traitée thermiquement (11) contient des ions d'Ar implantés selon une dose se situant entre 4 x 1013 et 7 x 1013 ions/cm2. 5. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de a) implantation d'ions dans une partie de surface d'un élément piézoélectrique du dispositif à onde acoustique de surface de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique soit formée en son sein b) réalisation d'un traitement thermique de l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique traitée thermiquement soit formée dans la partie de surface de l'élément piézoélectrique ; et c) formation d'une électrode d'un résonateur du type peigne sur la couche d'implantation ionique traitée thermiquement. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend l'étape d'implantation d'ions de telle sorte que la couche d'implantation ionique traitée thermiquement présente une épaisseur hion qui satisfait la condition suivante 0,07 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend l'étape d'implantation d'ions d'Ar selon une dose se situant sur entre 4 x 1013 et 7 x 1013 ions/cm2. 8. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend l'étape d'implantation ionique dans un état dans lequel un élément métallique est prévu sur une surface de l'élément piézoélectrique opposée à sa dite partie de surface. 9. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite étape b) comprend l'étape de chauffage de l'élément piézoélectrique à une température égale ou supérieure à 350"C et inférieure à la température de Curie du matériau de substrat piézoélectrique. 10. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ladite étape b) comprend les étapes de chauffage de l'élément piézoélectrique à une vitesse de 3"C par minute ou moins ; maintien de l'élément piézoélectrique à une température constante pendant une durée comprise entre 30 minutes et 1 heure ; et refroidissement de l'élément piézoélectrique à une vitesse de 2"C par minute ou moins. 11. Dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend un premier résonateur (R1) formé sur un élément piézoélectrique (1) ; et un second résonateur (R2) formé sur l'élément piézoélectrique (1), le premier résonateur (R1) présentant une fréquence de résonance approximativement égale à une fréquence d'anti-résonance du second résonateur (R2) ledit élément piézoélectrique (1) incluant une couche d'implantation ionique (11) formée dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique sur laquelle au moins l'un des premier et second résonateurs (R1, R2) est prévu. 12. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique (11) inclut une première partie et une seconde partie le premier résonateur (R1) est formé sur la première partie de ladite couche d'implantation ionique (11) le second résonateur (R2) est formé sur la seconde partie de ladite couche d'implantation ionique (11) ; et au moins un élément pris parmi une dose d'ions contenus dans la première partie et un type des ions contenus en son sein est différent d'une dose d'ions contenus dans la seconde partie ou d'un type d'ions contenus dans la seconde partie. 13. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique (11) présente une épaisseur hion qui satisfait la condition suivante 0,07 14. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 13, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique (11) contient des ions d'Ar implantés selon une dose se situant entre 4 x 1013 et 7 x 1013 ions/cm2. 15. Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 11, caractérisé en ce que ladite couche d'implantation ionique (11) est une couche d'implantation ionique traitée thermiquement obtenue au moyen d'un traitement thermique à une température supérieure à 350"C et inférieure à la température de Curie du matériau de substrat piézoélectrique. 16. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface incluant un premier résonateur formé sur un élément piézoélectrique et un second résonateur formé sur l'élément piézoélectrique, le premier résonateur présentant une fréquence de résonance approximativement égale à une fréquence d'anti-résonance du second résonateur, ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de a) implantation d'ions dans une partie de surface de l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique soit formée en son sein ; et b) formation d'électrodes du type peigne des premier et second résonateurs sur l'élément piézoélectrique de telle sorte qu'au moins l'un des premier et second résonateurs soit prévu sur ladite couche d'implantation ionique. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend les étapes de formation d'une première partie et d'une seconde partie de la couche d'implantation ionique de telle sorte qu'au moins un élément pris parmi une dose d'ions contenus dans la première partie et un type d'ions contenus en son sein soit différent d'une dose d'ions contenus dans la seconde partie ou d'un type d'ions contenus dans la seconde partie ; et ladite étape b) comprend les étapes de formation des électrodes de telle sorte que le premier résonateur soit formé sur la première partie de ladite couche d'implantation ionique et que le second résonateur soit formé sur la seconde partie de ladite couche d'implantation ionique. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend l'étape d'implantation ionique de telle sorte que la couche d'implantation présente une épaisseur h. qui satisfait la condition suivante 0,07 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que ladite étape a) comprend l'étape d'implantation d'ions d'Ar selon une dose se situant entre 4 x 1013 et 7 x 1013 ions/cm. 20. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape c) de réalisation, avant ladite étape b), d'un traitement thermique de l'élément piézoélectrique à une température supérieure à 350"C et inférieure à la température de Curie du matériau de substrat piézoélectrique de telle sorte qu'une couche d'implantation ionique traitée thermiquement puisse être formée.