Brevet FR2713389A1 — publié le 19950609

La présente invention conceme un procédé de fabrication de composant de type empilé ainsi que le composant issu d'un tel procédé. L'invention sera plus particulièrement décrite pour la fabrication de condensateurs de type empilé. Cependant, comme cela sera précisé ultérieurement, I'invention concerne aussi la fabrication de résistances. La fabrication de condensateurs de type empilé peut s'effectuer de différentes manières. L'une d'entre elles consiste à utiliser des films plastiques souples métallisés. Généralement les films plastiques souples présentent alors une zone métallisée et une marge latérale non métallisée et sont issus de la découpe d'un laize de film plastique souple métallisé de grande largeur. Une des étapes du procédé de fabrication consiste à enrouler au moins une paire de films plastiques souples métallisés sur une roue de grand diamètre. L'enroulement est effectué de façon que les marges non métallisées de deux films qui se superposent se retrouvent sur des côtés opposés. On obtient alors un ruban capacitif d'épaisseur voulue suivant le nombre de tours effectués. On recouvre ensuite avec un métal ou un alliage de métaux chacun des flancs du ruban capacitif. C'est ltopération de shoopage destiné à créer les armatures de sortie des futurs condensateurs. Le ruban capacitif ainsi obtenu est appelé condensateur-mère. On procède alors à la découpe du condensateur-mère en blocs unitaires appelés condensateurs semi-finis. Une autre manière de réaliser des condensateurs de type empilé consiste à assembler des feuilles diélectriques métallisées. L'assemblage des feuilles diélectriques métallisées s'effectue par frittage après avoir empilé à plat les feuilles les unes sur les autres. II est ensuite nécessaire de découper les assemblages ainsi constitués et de réaliser les armatures des condensateurs élémentaires. L'inconvénient de tels procédés consiste, d'une part, en leur grand nombre d'étapes et, d'autre part, en ce que les composants obtenus présentent des capacités volumiques relativement limitées du fait de la nature et de l'épaisseur des diélectriques utilisés. A titre d'exemple, les diélectriques utilisés pour réaliser les films plastiques entrant dans la composition des condensateurs à films plastiques souples métallisés sont le polyester, le polycarbonate, le polysulfure de phénylène ou encore le polypropylène. La capacité volumique obtenue n'excède alors pas 10 nano Farads par millimètre cube. L'invention ne présente pas ces inconvénients. La présente invention conceme un procédé de fabrication de condensateur de type empilé constitué d'une alternance de couches diélectriques et de couches conductrices caractérisé en ce que les couches diélectriques sont déposées par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz organo-silicé ou organogermané et en ce que, simultanément, les couches conductrices sont réalisées par dépôt de polymère conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'hydrogène sulfureux ou de dichlorure de soufre. La présente invention conceme aussi un procédé de fabrication de résistance obtenue par empilement alterné de couches diélectriques et de couches conductrices caractérisé en ce que les couches diélectriques sont déposées par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz organo-silicé ou organo-germané et en ce que, simultanément, les couches conductrices sont réalisées par dépôt de polymère conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'hydrogène sulfureux ou de dichlorure de soufre. Un avantage de l'invention est de simplifier le procédé de fabrication des condensateurs et des résistances de type empilé. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture d'un mode de réalisation préférentiel fait avec référence aux figures ci-annexées dans lesquelles: - la figure 1 est un schéma de principe du dispositif selon l'invention; - la figure 2 est une vue de détail du schéma de principe de la figure 1; - la figure 3 est une vue en coupe d'une structure capacitive obtenue selon l'invention; - la figure 4 est une vue en coupe d'une structure résistive obtenue selon l'invention; - la figure 5 est une vue en coupe d'un dispositif de masquage utilisé selon l'invention. Sur toutes les figures les mêmes repères désignent les mêmes éléments. La figure 1 est un schéma de principe du dispositif selon l'invention. Un substrat diélectrique 1 est déposé sur un tambour 2 qui tourne à la vitesse angulaire Q. Ce substrat, dont la fonction est de servir de support, peut être réalisé en tout matériau dont les caractéristiques électriques ne perturbent pas les caractéristiques électriques des composants issus du procédé. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, une même portion du matériau diélectrique 1 se trouve successivement en regard d'un premier dispositif de masquage DM1, d'une première cavité C1 où s'effectue le premier dépôt de diélectrique, d'un deuxième dispositif de masquage DM2, d'une première cavité C2 où s'effectue le premier dépôt de polymère conducteur, d'un troisième dispositif de masquage DM3, d'une deuxième cavité CI où s'effectue le deuxième dépôt de diélectrique, d'un quatrième dispositif de masquage DM4, et d'une deuxième cavité C2 où s'effectue le deuxième dépôt de polymère conducteur. Le tambour 2, les cavités C1 et C2, de même que les dispositifs de masquages sont situés à l'intérieur d'un même réacteur 6. Les masques déposés par les dispositifs de masquage DM1, DM2, DM3, et DM4 seront décrits ultérieurement de même que les dispositifs de masquage eux-mêmes (cf. figures 3, 4 et 5). Selon l'invention, les couches diélectriques déposées dans les cavités CI sont obtenues par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz précurseur du dépôt tel qu'un gaz organo-silicé ou organo-germané. Le plasma différé utilisé est un plasma froid différé en écoulement. Comme cela est connu de l'homme de l'art, un plasma froid différé en écoulement est obtenu sous une pression de quelques hPa, par extraction et détente dans un réacteur, en dehors du champ électrique, des espèces actives formées dans un plasma en décharge. Dans le cas présent, une source 3 d'alimentation d'azote est envoyée dans une cavité micro-onde 4, par l'intermédiaire d'un tube 19. La pression de l'azote à l'intérieur du tube 19 est comprise entre I et 20 hPa. Sous l'effet de l'onde générée par le générateur micro-onde 5, une décharge est entretenue dans la cavité 4. La fréquence de l'onde issue du générateur micro-onde 5 est, par exemple, égale à 2450 Mhz, à 433 Mhz, ou à 915 MHz. L'azote, excité en sortie de la cavité micro-onde 4, est amené par l'intermédiaire de tubes 9 à l'intérieur des cavités Cl où doivent s'effectuer les dépôts de diélectrique. Le pourcentage d'azote dissocié est alors préférentiellement compris entre 0,5 et 3 pour cent. Le gaz organo-silicé ou organo-germané issu de la source 10 est introduit dans chaque cavité CI par l'intermédiaire d'un dispositif 8 dont le schéma sera détaillé en figure 2. L'extrémité évasée 7 du dispositif 8 permet au gaz de se répartir au-dessus de la surface sur laquelle le dépôt de diélectrique doit s'effectuer. L'azote excité se trouve donc mélangé au gaz précurseur du dépôt dans la zone située entre l'extrémité évasée 7 du dispositif 8 et la surface où la polymérisation s'effectue. Le plasma froid différé en écoulement est alors obtenu par extraction des espèces excitées de la décharge (électrons, ions, atomes excités). L'écoulement est réalisé à l'aide d'une pompe à vide 14. Pour des raisons de commodité la pompe à vide 14 a été représentée symboliquement sur la figure 1. De façon préférentielle elle est disposée selon une génératrice du tambour 2 et se divise de part et d'autre de l'extrémité évasée 7. Comme cela a été mentionné précédemment, le gaz précurseur du dépôt peut être un composé organo-germané. Ce peut aussi être un composé organo-silicé choisi parmi les alkoxysilanes, les siloxanes ou les silazanes. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, il s'agit de tetramethyldisiloxane. L'utilisation d'un plasma différé est un avantage de l'invention. En effet, en opposition avec les plasmas de décharge, les plasmas différés sont des milieux actifs dépourvus d'électrons et exempts des radiations énergétiques provenant de la décharge. L'absence de champ électrique qui en découle favorise le dépôt des éléments lourds sur les couches métalliques et améliore la vitesse de dépôt. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, les dispositifs 8 d'injection du composé gazeux organo-silicé sont reliés à une même source d'oxygène Il. L'introduction d'oxygène dans les cavités CI en même temps que le composé organo-silicé accélère avantageusement la vitesse de formation de la couche de diélectrique sur la couche métallique. La teneur en oxygène est de l'ordre de quelques pour cent du mélange gazeux présent dans les cavités C1. Un autre agent dopant 12 peut être introduit dans le réacteur par les dispositifs 8 d'injection. II peut s'agir, par exemple, d'un gaz de la famille des tétrakysdialkylamidotitanium IV. Ce deuxième agent dopant permet alors d'accroître l'action du premier agent dopant. Un avantage de l'invention est le dépôt d'une couche de diélectrique possédant d'excellentes qualités d'adhérence et d'homogénéité et dont l'épaisseur obtenue peut varier, selon les besoins, de 0,05 micron à quelques microns. Les composés organo-silicés introduits dans le réacteur peuvent être: un alkoxysilane de formule avec n inférieur ou égal à 5 un siloxane de formule avec n inférieur ou égal à 4 un silazane de formule avec n inférieur à 4 La constante diélectrique relative des dépôts obtenus est alors supérieure ou égale à 30. Selon l'invention, la source d'oxygène il ou l'élément dopant du gaz précurseur 12 peuvent contenir de l'oxyde de titane, par exemple de l'isopropylate de titane (IV), afin d'augmenter encore la valeur de la constante diélectrique relative du dépôt. A priori, il est connu de l'homme de l'art que les diélectriques ayant des constantes diélectriques relatives élevées présentent souvent des pertes élevées, ainsi qu'une mauvaise tenue en température. Dans le cas présent, il a été constaté que le dépôt diélectrique selon l'invention ne présentait pas ces inconvénients. La tenue en température se trouve améliorée, la température maximale d'utilisation pouvant atteindre de l'ordre de 300 c. Les tensions de claquage des diélectriques se trouvent, elles aussi, fortement améliorées pouvant atteindre, par exemple, 2 000 Volts par micro. De façon générale, le procédé selon l'invention conceme différents gaz précurseurs du dépôt (composé organo-germané, alkosysilane, siloxane, silazane). Ainsi, le procédé selon l'invention permet-il avantageusement la polymérisation de différents diélectriques sur les couches conductrices. A titre d'exemple, lorsqu'on introduit dans les cavités C1 un silazane, on obtient une couche diélectrique formée des composés suivants: -Si -NH -Si -Si-O -Si -Si-C -Si Lorsqu'on introduit un siloxane, on obtient une couche diélectrique formée des composés suivants: polymère (Si - O - Si) réticulé - Si - (CH3) 1 -Si-OH -Si-NH-Si pour une très faible teneur en oxygène. ou bien: polymère (Si - O - Si) réticulé - Si - (CH3)2 - Si - (CH3)2 -Si-OH -Sl-NH-Si pour une teneur en oxygène plus élevée. Selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention, le gaz dopant est de l'oxygène. Selon d'autres modes de réalisation, il peut s'agir, plus généralement, d'un composé gazeux contenant de l'oxygène. Comme cela a été mentionné précédemment, une même portion de matériau est soumise à un dépôt de polymère conducteur après avoir été soumise à un dépôt de diélectrique. Ce dépôt de polymère conducteur s'effectue dans les cavités C2. Selon l'invention, les couches de polymères conducteurs sont déposées par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz précurseur du dépôt tel que l'hydrogène sulfureux ou le dichlorure de soufre. Par recombinaison radicalaire du radical SN, les polymères conducteurs sont des polynitrures de soufre de formule chimique S4N4 ou (SN)x, x étant un nombre entier supérieur à 4. Le plasma différé est un plasma froid différé en écoulement, à l'image de celui réalisé pour le dépôt du diélectrique. Une source 15 d'alimentation d'azote est envoyée dans une cavité 16 par l'intermédiaire d'un tube 20. La pression de l'azote à l'intérieur du tube 20 est comprise entre I et 20 hPa. Sous l'effet de l'onde générée par le générateur micro-onde 17, une décharge est entretenue dans la cavité 16. La fréquence de l'onde issue du générateur micro-onde 17 est, par exemple, égale à 2450 MHz, à 433 MHz, ou à 915 MHz. L'azote, excité en sortie de la cavité micro-onde 16, est amené par l'intermédiaire de tubes 28 à l'intérieur des cavités C2 où doivent s'effectuer les dépôts de polymères conducteurs. Préférentiellement, la quantité de soufre est légèrement en excès par rapport à la quantité d'azote de façon que le polymère conducteur présente de meilleures performances de conductivité. L'hydrogène sulfureux ou le dichlorure de soufre issu de la source 13 est introduit dans chaque cavité C2 par l'intermédiaire d'un dispositif 8 dont le schéma sera détaillé en figure 2. L'extrémité évasée 7 du dispositif 8 permet au gaz de se répartir au-dessus de la surface où le dépôt de polymère conducteur doit s'effectuer. L'azote excité se trouve donc mélangé au gaz précurseur du dépot dans la zone située entre l'extrémité évasée 7 du dispositif 8 et la surface où doit s'effectuer la polymérisation. Le plasma froid différé en écoulement est alors obtenu par extraction des espèces excitées de la décharge (électrons, ions, atomes excités). L'écoulement est réalisé à l'aide d'une pompe à vide 14. Comme cela a été mentionné précédemment les polymères conducteurs sont des polynitrures de soufre de formule chimique S4N4 ou (SN)x, x étant un nombre entier supérieur à 4. Avantageusement, le procédé selon l'invention permet de réaliser des couches de polymère conducteur ayant des épaisseurs faibles. Celles-ci peuvent, en effet, être de l'ordre de 0,05 pm. Selon le mode de réalisation préférentiel décrit en figure 1, à chaque révolution du tambour 2, sont déposées deux couches de diélectriques et deux couches de polymères conducteurs. De façon plus générale, I'invention conceme aussi les modes de réalisation où sont déposées plus de deux couches de diélectriques et plus de deux couches de polymères conducteurs. Les couches de diélectriques, de même que les couches de polymères conducteurs, peuvent alors être de nature différente. II suffit pour cela de multiplier les cavités de dépôt du type de CI et C2, selon les dépôts souhaités. La figure 2 est une vue de détail du schéma de principe de la figure 1. Cette vue représente le dispositif d'injection 8. Un ensemble de tubes d'injection 22 est contenu dans une gaine 21, laquelle comprend une partie évasée 7 à son extrémité. Chaque tube d'injection 22 débouche sur un orifice 23 de la partie évasée de la gaine. Comme cela a été mentionné précédemment, les dispositifs d'injection 8 sont utilisés aussi bien pour le dépôt de diélectriques que pour le dépôt de polymères conducteurs. Ainsi, les tubes d'injection 22 qui sont reliés aux sources 10,11, 12 véhiculent-ils les gaz nécessaires au dépôt des couches diélectriques. De même, les tubes d'injection 22 qui sont reliés à la source 13 véhiculentils le gaz nécessaire au dépôt des couches de polymères conducteurs. La figure 2 représente le dispositif d'injection 8 selon le mode de réalisation préférentiel. De façon générale, le dispositif d'injection 8 peut être tout système connu de l'homme de l'art et permettant de répartir les gaz précurseur du dépôt uniformément au-dessus de la surface où s'effectue le dépôt. La figure 3 est une vue en coupe d'une structure capacitive obtenue selon le mode de réalisation préférentiel du procédé décrit en figure 1. Sur la figure 3 sont aussi représentés de façon symbolique les masques MAI, MA2, MA3, MA4 associés aux dispositifs de masquage respectifs DM1, DM2, DM3, DM4. Préférentiellement, les différents masques MAi (i = 1, 2, 3, 4) sont réalisés par dépôt d'huile sur les zones où les dépôts de diélectrique et de polymère conducteur ne sont pas autorisés. Les dispositifs permettant de réaliser ces masques seront décrits en figure 5. Le masque MA1 est réalisé par des dépôts d'huile H1 sur les zones à protéger du dépôt diélectrique. L'huile issue du dispositif de masquage DM1 se dépose le long de la surface 1 par suite de la rotation du tambour 2. Chaque dépôt d'huile H1 présente une largeur Il dont la valeur est préférentiellement de l'ordre de 50 à 100 pm. Les dépôts d'huile H1 sont disposés parallèlement les uns aux autres et préférentiellement équidistants. Leur distance peut être, par exemple de l'ordre de 1 à 2 mm. Le masque MA2 est réalisé par des dépôts d'huile H2 sur les zones à protéger du dépôt de polymère conducteur. L'huile issue du dispositif DM2 se dépose selon le même principe que celui décrit ci-dessus. La largeur 12 des dépôts d'huile H2 est plus grande que la largeur Il précédente. Préférentiellement, la largeur 12 est supérieure de 20 à 30 % à la largeur 12. Les dépôts d'huile H1 et H2 sont effectués selon des axes parallèles. Ainsi les dépôts H2 sont-ils disposés de façon que chacun des axes défini par un dépôt H2 se juxtapose à un axe défini par un dépot HI, la distance séparant les axes définis par deux dépôts H2 voisins étant le double de celle séparant les axes définis par deux dépôts HI voisins. Le masque MA3 est réalisé par des dépôts d'huile H3. Ce troisième masque MA3 est identique au premier masque MAI. Les dépôts d'huile H3 sont identiques en largeur et en position aux dépôts d'huile HI. Le masque MA4 est réalisé par des dépôts d'huile H4. Chaque dépôt H4 est de largeur identique à la largeur des dépôts H2. Deux dépôts H4 voisins sont séparés de la même distance que deux dépôts H2 voisins. Cependant, I'axe que définit un dépôt H4 ne se superpose pas avec l'axe que définit un dépôt H2, mais se situe à équidistance entre les axes définis par deux dépôts H2 voisins. Comme cela a été mentionné précédemment la constitution de la structure capacitive selon le mode de réalisation préférentiel de l'invention résulte du dépôt, à chaque révolution du tambour 2, de deux couches de diélectrique et de deux couches de polymère conducteur. La structure capacitive de la figure 3 comprend, pour des raisons de commodité de représentation, six couches diélectriques et six couches conductrices. Ainsi cette structure correspond-elle à trois révolutions du tambour 2. De façon plus générale, le nombre de révolutions du tambour 2 peut-etre beaucoup plus grand et le nombre de couches peut atteindre plusieurs milliers. La structure capacitive selon l'invention se présente sous forme d'un ensemble de N structures capacitives élémentaires Si (i = 1, 2,..., N) en parallèle. Avantageusement, ces structures sont séparées les unes des autres par des puits Pi (i = 1,2, .. N-l). Ces puits sont autant de zones permettant de faciliter la découpe de la structure capacitive en structures capacitives élémentaires. La découpe peut alors être effectuée par tout moyen connu de l'homme de l'art. Avantageusement, selon l'invention, elle peut aussi être effectuée par un système de découpe compatible des dispositifs de masquages, comme cela sera précisé ultérieurement (cf. fig. 5) Selon l'invention, les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire sont conductrices. II suffit alors soit de passer chaque structure capacitive élémentaire dans une vague d'alliage en fusion, soit de déposer un alliage de brasage ou crème à braser sur les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire afin de réaliser les armatures des futurs condensateurs. L'opération de shoopage qui était nécessaire, selon l'art antérieur, pour la fabrication des condensateurs à feuilles de films plastiques métallisés n'est plus nécessaire selon le procédé de l'invention. Plus généralement, le procédé de l'invention réduit avantageusement le nombre d'étapes successives permettant de réaliser des condensateurs de type empilé. Une fois les armatures réalisées, le procédé selon l'invention comprend une étape de découpe des structures capacitives élémentaires afin de réaliser des condensateurs élémentaires. Avantageusement les condensateurs ainsi réalisés sont des composants de volumes très faibles dont la capacité volumique peut atteindre, par exemple, 20 000 nF par mm3 La figure 4 représente la vue en coupe d'une structure résistive obtenue selon l'invention. Comme cela a été mentionné précédemment, I'invention concerne généralement un procédé permettant de déposer sur un substrat en rotation une succession de couches diélectriques et de couches de polymères conducteurs. Ainsi l'invention concerne-t-elle un procédé de fabrication permettant la réalisation d'une structure résistive telle que celle représentée en figure 4. De même que la structure capacitive décrite ci-dessus, la structure résistive selon l'invention se présente sous la forme d'un ensemble de N structures résistives élémentaires Ri (i = 1, 2, .. N) en parallèle, séparées les unes des autres par des puits Pi (i = 1, 2, ... , N-1). Chaque structure résistive élémentaire Ri a ses parois latérales métallisées. La succession des masques utilisés pour définir une telle structure est alors ajustée de façon que les parois latérales d'une même structure résistive élémentaire soient reliées entre elles et que les parois latérales de deux structures élémentaires voisines soient reliées entre elles par au moins un dépôt de polymère conducteur. De même que pour les condensateurs décrits précédemment, les puits Pi sont autant de zones permettant de faciliter la découpe de la structure résistive en structures résistives élémentaires. Le procédé selon l'invention comprend alors une étape de découpe des structures résistives élémentaires en résistances élémentaires. Selon l'invention, les parois latérales de chaque structure résistive élémentaire sont conductrices. II suffit alors soit de passer chaque structure résistive élémentaire dans une vague d'alliage en fusion, soit de déposer un alliage de brasage ou crème à braser sur les parois latérales de chaque structure résistive élémentaire afin de réaliser les connexions des futures résistances. La figure 5 est une vue en coupe d'un dispositif de masquage utilisé selon l'invention. Une enceinte 25 contient de l'huile en phase liquide 24. Des éléments chauffants (non représentés sur la figure) permettent à l'huile de s'évaporer partiellement. L'huile en phase vapeur remplit les encoches 27 du rouleau d'impression 26 solidaire de l'enceinte 25. La largeur des encoches 27 définit la largeur des zones de masquage telles que Il et 12 définies précédemment. La distance entre deux encoches voisines définit la distance entre les axes de deux zones de masquage voisines. Le rouleau d'impression est fixe. Le dépôt d'huile s'effectue sur le substrat qui toume à la vitesse angulaire fl du tambour 2. Ce dépôt est du à la condensation de l'huile sur le substrat dont la température est plus basse que la température de l'huile. Afin d'assurer des conditions optimales au dépôt d'huile sur le substrat, la distance séparant le rouleau d'impression 26 du substrat est maintenue quasiment constante, par exemple de l'ordre de quelques microns, lors de l'ensemble du procédé. La quantité d'huile transférée est contrôlée en ajustant la puissance de chauffe des éléments chauffants. De façon générale, tous les types de motifs sont envisageables pour réaliser les encoches qui définissent un même masque. Préférentiellement, les encoches 27 qui définissent un même masque sont alignées sur une même génératrice du rouleau d'impression 26. Il est alors possible de définir les motifs de masquage de différents masques sur le même rouleau d'impression. Les motifs de masquage à mettre en regard du substrat sont alors choisis par simple rotation du rouleau d'impression. De même, les encoches 27 qui définissent un même masque peuvent être ajustées de façon qu'une structure réalisée selon le procédé de l'invention soit constituée d'une succession de structures élémentaires alternativement capacitives et résistives. Avantageusement, la découpe ultérieure d'une telle structure peut alors conduire à fabriquer des composants constitués d'une résistance et d'une capacité en série. Les connexions de tels composants sont réalisées de la même manière que celle décrite ci-dessus pour les capacités ou les résistances. Avantageusement, le rouleau d'impression 26 peut aussi servir de support à différents éléments coupants de façon à permettre la découpe de la structure capacitive etlou de la structure résistive en structures élémentaires. Selon le procédé de l'invention, le rouleau 26 peut aussi permettre le marquage de différents logos sur les composants. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de condensateur etlou de résistance de type empilé(e) constitué(e) d'une altemance de couches diélectriques et de couches conductrices caractérisé en ce que les couches diélectriques sont déposées par polymérisation d'éléments issus de la dissociation par plasma différé d'azote d'un gaz organo-silicé ou organo-germané et en ce que, simultanément, les couches conductrices sont réalisées par dépôt de polymère conducteur issu de la dissociation par plasma différé d'azote d'hydrogène sulfureux ou de dichlorure de soufre. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le composé organo-silicé est choisi parmi les alkoxysilanes de formule: avec n inférieur ou égal à 5 les siloxanes de formule avec n inférieur ou égal à 4 ou les silazanes de formule avec n inférieur à 4 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le composé organo-silicé est du tétraméthyldisiloxane. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend la présence d'oxygène lors du dépôt des couches diélectriques de façon à accélérer la vitesse du dépôt desdites couches. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le dépôt des couches diélectriques et des couches conductrices s'effectue sur un substrat diélectrique (1) placé à la surface d'un tambour (2) en rotation, ladite rotation s'effectuant de façon qu'une même portion du substrat diélectrique (1) se trouve successivement en regard d'au moins un dispositif (cri, 8, 7) de dépôt de diélectrique et d'au moins un dispositif (C2, 8, 7) de dépôt de polymère conducteur, chaque dépôt de diélectrique ou de conducteur étant précédé d'un masquage des zones où ledit dépôt n'est pas autorisé. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit masquage est réalisé par dépôt d'huile. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que ledit dépôt d'huile est réalisé par un dispositif de masquage constitué d'un rouleau d'impression sur lequel sont formées des encoches, lesdites encoches s'emplissant d'huile en phase vapeur, ladite huile en phase vapeur se déposant par condensation. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de polymère conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure capacitive constituée de N structures capacitives élémentaires (Si, i = 1, 2, ...., N) en parallèle séparées les unes des autres par des puits (Pi, i = 1, 2, ..., N-l), chaque structure capacitive élémentaire ayant ses parois latérales conductrices. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure capacitive en lesdites N structures capacitives élémentaires, ladite découpe étant réalisée par des éléments coupants solidaires du rouleau d'impression. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que chaque structure capacitive élémentaire issue de ladite découpe est passée dans une vague d'alliage en fusions afin de constituer les armatures des futurs condensateurs. 11. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales de chaque structure capacitive élémentaire issue de ladite découpe afin de constituer les armatures des futurs condensateurs. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe des structures capacitives élémentaires en condensateurs élémentaires. 13. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de polymère conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure résistive constituée de N structures résistives élémentaires (Ri, i = 1, 2, . N) séparées les unes des autres par des puits (Pi, i = 1, 2, .., N - 1), chaque structure résistive élémentaire ayant ses parois latérales conductrices et reliées entre elles. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure résistive en lesdites N structures résistives élémentaires, ladite découpe étant réalisée par des éléments coupants solidaires du rouleau d'impression. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que chaque structure résistive élémentaire (Ri, i = 1, 2, .. , N) issue de ladite découpe est passée dans une vague d'alliage en fusion afin de constituer les connexions des futures résistances. 16. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales de chaque structure élémentaire issue de ladite découpe afin de constituer les connexions des futures résistances. 17. Procédé selon la revendication 15 ou 16, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe de chaque structure résistive élémentaire en résistances élémentaires. 18. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le masquage des zones où les dépôts de diélectrique et de polymère conducteur ne sont pas autorisés conduit à la fabrication d'une structure constituée d'une succession de structures élémentaires alternativement capacitives et résistives, chaque structure élémentaire capacitive et résistive ayant ses parois latérales conductrices, chaque structure élémentaire résistive ayant ses parois latérales reliées entre elles. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce qu'il comprend une étape de découpe de ladite structure en structures élémentaires constituées chacune d'une structure élémentaire capacitive et d'une structure élémentaire résistive. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisée en ce que chaque structure élémentaire est passée dans une vague d'alliage en fusion afin de constituer les connexions des futurs composants. 21. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce qu'il comprend le dépôt d'un alliage à braser sur les parois latérales desdites structures élémentaires. 22. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce qu'il comprend la découpe des structures élémentaires de façon à constituer des composants formés d'une capacité et d'une résistance en série.