Brevet FR2715478A1 — publié le 19950728

TRANSITION DE GUIDE OPTIQUE ET PROCEDE DE SA REALISATION Le domaine de l'invention est celui des composants optiques et plus particulièrement celui des composants optiques qui peuvent être intégrés dans des circuits 5 optiques ou optoélectroniques intégrés ou monolithiques. Plus précisément, l'invention concerne une transition entre différentes structures guidantes qui assurent les interconnexions optiques entre différents composants d'un circuit optique ou électro-optique. Les structures10 guidantes concernées par l'invention sont connues de l'homme de l'art sous les noms de ruban gravé et ruban enterré respectivement. Les différents composants électro-optique qui peuvent avoir besoin d'être connectés par des structures guidantes d'interconnexions comprennent par exemple: des lasers, des diodes émettrices de lumière, des photodiodes, des modulateurs électro-optique, des fibres optiques, des commutateurs, des coupleurs, des amplificateurs optiques, des miroirs, des filtres, des réseaux de diffraction, et20 cetera. Il se trouve que chaque composant aura en général une structure guidante préférée, pour des raisons technologiques ou pour des raisons de performances, et que la structure préférée n'est pas toujours la même pour tous les composants que l'on voudrait interconnecter. D'o le25 besoin de transitions de guides optiques entre différents types de structures guidantes. Pour pouvoir envisager l'intégration industrielle de circuits optiques ou optoélectroniques, que cette intégration soit de type hybride ou monolithique, la30 transition entre les différentes structures guidantes doit être réalisable utilisant les mêmes technologies que celles utilisées pour réaliser les structures guidantes elles-mêmes. Différentes techniques d'intégration monolithique ou hybride connues de l'art antérieur sont décrites par exemple dans les documents suivants: D1: "Micro hybrid integrated devices and componnents : Micro Photonic Devices" de K. Imanaka, SPIE v. 1751, Miniature and micro-optics, 1992. D2: "Monolithic vs. Hybrid approach for photonic circuits", de M. Erman, Proceedings ECIO, 1993. D3: "L'optique integree dans les materiaux semiconducteurs III-V", par A. Carenco et al., L'Echo des Recherches, n 137, 1989. Pour integrer une structure guidante a ruban enterre (connu de l'homme de l'art par le terme anglophone "buried optical waveguide") a une structure a ruban grave (ridged optical waveguide en anglais), l'homme de l'art connait deux techniques de l'art anterieur. La premiere est d'utiliser une configuration bout a bout (butt-joint en anglais), mais cette solution requiert une tolerance mecanique dlassemblage de tres haute precision, qui est donc difficile et couteux a realiser, et sans laquelle les pertes de transmission au niveau de la transition atteignent un niveau inacceptable.20 Une autre technique: consiste a utiliser un convertisseur de mode en un extremite du composant, mais cette possibilite est tres difficile, voire impossible d'integrer dans un dipositif monolithique. La presente invention cherche a pallier les inconvenients de l'art anterieur, et permettre la realisation plus aisee d'une transition de guide optique, moins cher, avec des pertes de transmission plus faibles, et integrable. A ces fins, l'invention propose, telle que montree sur la figure 4, une transition de guides optiques entre un guide ruban enterre 2 et un guide ruban grave 3, ladite transition permettant un couplage d'onde entre un mode de propagation dudit guide ruban enterre 2 et un mode de propagation dudit guide ruban grave 3; caracterise en ce35 que ladite transition comprend une zone de transition (2t = lt,wt), cette zone de transition 2t presentant un elargissement lateral dudit guide ruban enterre 2 selon sa longueur (lt), et en ce qu'un chevauchement partiel des deux guides dans ladite zone de transition permet un couplage des deux modes de propagation selon une direction (+/-z) préférentielle de propagation dans les deux guides. 5 Selon une caractéristique préférée, le guide ruban gravé 3 à une largeur constante sur toute sa longueur, et le guide ruban enterré 2 a une largeur qui varie de façon adiabatique dans la zone de transition 2t. Selon une caractéristique particulière, ledit guide ruban enterré a une largeur qui varie de façon linéaire dans ladite zone de transition. Selon une autre caractéristique, ledit guide ruban enterré a une largeur qui varie de façon exponentielle dans ladite zone de transition. 15 Selon une réalisation avantageuse, lesdits guides ruban enterré et ruban gravé sont réalisés sur un môme substrat. Selon une autre caractéristique, ladite transition comprend une "couche guidante" ou coeur qui est le même pour les deux guides optiques. Selon une réalisation particulière, ladite zone de transition a une terminaison en inclinaison pour éviter des réflexions parasites éventuelles. Selon une configuration particulièrement avantageuse, un circuit optoélectronique est réalisé comprenant au moins une transition de guides optiques selon l'une quelconque des réalisations précédentes. Selon une variante, ledit circuit optoélectronique est un circuit optoélectronique intégré. Selon une autre variante, ledit circuit optoélectronique30 intégré est un circuit optoélectronique intégré monolithique. L'invention propose également un procédé de réalisation d'une transition de guides optiques entre un guide ruban enterré et un guide ruban gravé, caractérisé en35 ce qu'il comprend en outre les étapes suivantes: a) réalisation d'au moins une couche épitaxiale sur un substrat; b) gravure d'une couche guidante pour définir un guide ruban enterré et une structure de transition dont la largeur varie de façon adiabatique selon l'une des variantes de l'invention; 5 c) réalisation d'au moins une couche épitaxiale dite supérieure, déposée par dessus ledit ruban enterré et ladite zone de transition; d) gravure d'une couche supérieure pour définir une structure de guide ruban gravée, ce guide ruban gravé étant disposé en superposition par rapport audit guide ruban enterré. De toute façon, l'invention sera mieux comprise & l'aide de la description détaillée qui suit, avec ses dessins annexés, dont:15 - les figures 1, 2, et 3 montrent schématiquement et en perspective, quelques étapes de réalisation d'une transition de guides optiques selon l'invention: - la figure 1 montre une étape de la réalisation du guide ruban enterré sur le substrat du circuit optoélectronique; - la figure 2 montre le dépôt de couches épitaxiales par dessus le guide ruban enterré; - la figure 3 montre la gravure du guide ruban gravé sur la surface supérieure du dispositif selon l'invention; la figure 4 montre schématiquement en perspective et en transparence partielle, une transition selon l'invention; - la figure 5 montre en coupe partielle selon V-V le dispositif de la figure 4; - la figure 6 montre schématiquement en transparence partielle, en vue de dessus, un exemple d'une transition selon l'invention; - la figure 7 montre schématiquement et en transparence partielle, un autre exemple d'une réalisation d'une transition de guides optiques selon l'invention, avec une terminaison en inclinaison pour éviter des réflexions parasites éventuelles; - la figure 8 montre les résultats d'une simulation (calcul de propagation de faisceau, BPM en anglais) des pertes qui résultent d'un désalignement des guides de la transition selon l'invention, en fonction de la longueur lt de la transition; - la figure 9 montre les résultats d'une simulation par calcul BPM des pertes en fonction de l'importance d'un désalignement ou décalage entre les deux guides de la transition d'une longueur de 200 Sm; - la figure 10 montre schématiquement et en bloc-diagramme les étapes du procédé de réalisation d'un dispositif de transition de guides optiques selon15 l'invention. Les dessins représentent des exemples non-limitatifs des réalisations selon l'invention. Sur toutes les figures, les mêmes repères se référent aux mêmes éléments; l'échelle n'est pas toujours respectée pour des raisons de clarté.20 Sur la figure 1, nous voyons une première étape de réalisation d'une transition selon l'invention. Sur un substrat 1 d'épaisseur a, une couche guidante 2 a été déposée par les techniques classiques d'épitaxie de couches fines, telles que habituellement appliquées & l'élaboration25 de composants électroniques ou optoélectroniques. Le substrat 1 sera un substrat semi-conducteur présentant les qualités requises pour, l'élaboration du circuit optoélectronique envisagé. A l'état actuel de la technique, et tel que décrit dans le document D3 cité ci- dessus, le30 substrat sera par exemple un composé III-V, tel l'AlxGalxAs sur GaAs (avec x l'invention, tel qu'il peut être réalisé selon les étapes de fabrication montrées sur les figures précédentes. La description de cette figure, ainsi que les repères qui s'y10 rapportent, sont identiques a celles des figures 1 & 3, et donc ne seront pas répétées. Cette vue de la figure 4 est instructive, dans la mesure ou elle nous montre la relation spatiale entre les structures de confinement latéral (+/- x) de l'onde guidée15 selon une direction préférentielle de propagation (+/- z). En effet, le "coeur" ou la couche guidante 2 reste la même avant, pendant, et après la transition de guides de l'invention. Seule la structure de confinement latéral change lors de la transition de modes de propagation. Dans20 la région -z, le confinement, latéral est assuré par la largeur wg de la couche guidante. Dans la région +z, le confinement latéral est assuré par la largeur wr du guide optique formé par le ruban gravé 3 et la couche guidante, qui s'élargit selon la direction +z dans la zone de25 transition de longueur lt. On peut donner un exemple non-limitatif d'un mode de réalisation du dispositif de la figure 4, en apportant des précisions sur les dimensions des couches et des structures guidantes, ainsi que des matériaux employés. Par exemple,30 pour une transition de guides optiques qui doit fonctionner à une longueur d'onde X de 1,55 microns (gm), le dispositif de la figure 4 peut être réalisé sur un substrat InP, avec la couche guidante et le ruban enterré 2 réalisés d'un composé quaternaire Inl_xGaxAsyPly.35 Le paramètre y, qui détermine la bande interdite du matériau quaternaire, sera choisi en fonction de la longueur d'onde X de la lumière à véhiculer dans le guide. En effet, le parametre y determine la frequence de coupure du guide, donc la longueur minimale Xg de l'onde qui pourra se propager dans le guide. Pour À Xg, le materiau est 5 transparent. Dans l'exemple choisi, pour travailler à X = 1,55 pm, on peut choisir Xg = 1,3 pm, qui sera realise avec y = 0,62 environ; ou bien pour obtenir a = 1,5 pm, il faut utiliser y = 0.89 environ. Ensuite, le parametre x est choisi pour assurer l'accord de maille avec le substrat,10 selon les regles connues de l'homme de l'art. La regle empirique est que x = y/2,197. Si, dans la figure 4, on choisi une realisation avec = 1,55 pm, l'indice de refraction du guide enterre sera de l'ordre de n=3,57. Dans ces conditions, le confinement lateral peut etre assure par un guide ayant une largeur wg = 2 pm, avec un epaisseur dei- la couche guidante en In1_ xGaxAsyPly de 0,1 am environ. Ensuite, une couche de InP est deposee sur le ruban enterre, et le confinement lateral est assure par le saut d'indice optique entre le In1_20 xGaxAsyPly et le InP qui l'entoure. Quelques microns au dessus de la couche guidante, dans la zone de transition, le ruban grave est realise dans une couche epitaxiale superieure de InP. Cette structure assurera le confinement lateral de l'onde guidee, pendant et25 apres l'elargissement de la couche guidante dans la zone de transition. Pour realiser cette structure, une gravure est effectuee pour enlever une profondeur tr de 1, 5 jm, de chaque cote de la structure 3 de ruban grave, qui aura une largeur de 4 gm environ par exemple.30 La figure 5 montre une coupe selon V-V du dispositif de la figure 4. Cette figure -reprend les memes reperes que les figures precedentes, qui se referent aux memes structures. Le substrat 1 peut etre realise en InP, avec la couche guidante 2 en InlxGaxAsyPly. La couche eptiaxiale35 3 qui vient noyer le ruban enterre sera egalement en InP, dans cet exemple. Nous faisons remarquer que la propagation de l'onde sera continue, dans le coeur ou la couche guidante 2, et que seulement la structure de confinement latéral change dans la région de la transition, étant en profondeur (ruban enterré) à la gauche de la figure (direction -z), et en surface (ruban gravé) à la droite de la figure (direction +z). La figure 6 montre schématiquement en transparence partielle, en vue de dessus, un exemple d'une transition selon l'invention, conforme aux figures 4 et 5. Les mômes repères se réfèrent aux mêmes éléments que précédemment. Sur10 cette figure l'on voit avec une plus grande clarté certaines dimensions du dispositif de l'invention. En particulier, on voit que le coeur ou couche guidante 2 peut être divisée en deux parties fonctionnelles, la partie 2g qui constitue un guide optique grâce à un confinement latéral par saut15 d'indice dans le plan de la couche guidante, et la partie 2t qui constitue la région de transition de guides. On voit que dans la région de transition 2t, la largeur du coeur s'accroit pour relâcher le confinement latéral dé au saut d'indice dans le plan de la couche20 guidante. La région de transition peut être caractérisée par les dimensions portées surcette figure: la largeur wt du guide ruban enterré avant la transition; la longueur lt de la région de transition dans laquelle la largeur du coeur s'accroit; la largeur wt du coeur a la fin de la région de25 transition; et la largeur wr du ruban gravé 3 sur la couche épitaxiale supérieure, qui assure le confinement latéral après la transition. Une dimension E décrit l'écart entre le début du ruban gravé et le début de la région d'élargissement du coeur dans la zone de transition 2t.30 Cette dimension sera choisie petite dans une réalisation préférée, mais on ne cherche pas a la réduire à zéro, car une telle décision implique une tolérance de fabrication très contraignante, sans amélioration sensible des performances attendues. La dimension E est donc choisie35 assez grande pour s'affranchir des problèmes de tolérances de fabrication, ce qui rend cette dimension non-critique. Dans l'exemple de la figure 6, nous avons la géométrie la plus simple des gravures des couches guidantes 2 et supérieure 3, avec les frontières des gravures perpendiculiaires & la direction de propagation de la 5 lumière dans les guides optiques. Par exemple, quand la région de transition 2t s'élargit jusqu'à une largeur wt sur une longueur 2t, ensuite il peut s'élargir a l'infini sans autre effet sur la lumière qui se propage sur le guide optique. Dans l'exemple présent, on voit cette frontière, &10 la fin de la région de transition lt qui est parallèle & celle de la gravure de la couche supérieure, et perpendiculaire aux deux structures de confinement latérales(2g, 3). De la même manière, le guide optique gravé commence a la frontière de la région gravée de la couche épitaxiale supérieure, cette frontière étant également perpendiculaire aux deux structures de confinement latérale (2g, 3). La figure 7 montre schématiquement et en transparence partielle, un autre exemple d'une réalisation d'une transition de guides optiques, selon l'invention, avec une terminaison en inclinaison pour éviter des réflexions parasites éventuelles. Le dispositif de la figure 7 est identique au dispositif de la figure 6, à l'exception de l'inclinaison des frontières.. précédemment décrites par25 rapport à une direction perpendiculaire aux structures guidantes. Les interfaces de changement de modes de propagation, de fait qu'elles sont inclinées, ne donnent pas lieu aux réflexions parasites auxquelles on pourrait s'attendre, même & faible niveau, dans le cas précédent (de30 la figure 6). La figure 8 montre les résultats d'une simulation (calcul de propagation de faisceau, Beam Propagation Modeling ou BPM en anglais) des pertes qui résultent d'un désalignement des guides de la transition selon l'invention,35 en fonction de la longueur lt de la transition, et pour trois différentes valeurs de décalage ou désalignement. La courbe 0 représente le calcul pour un décalage de 0 jam, la courbe 5 pour un décalage de 0.5 /m, et la courbe 10 pour un décalage de 1 Mm. On observe que les pertes de la transition de guides optiques de l'invention deviennent faibles et relativement insensibles au désalignement des5 deux guides, au delà d'une longueur de transition lt de pm. Ceci permet une fabrication industrielle avec des tolérances de fabrication moins contraignantes, donc des possibilités de réduire les coûts de production ainsi que d'améliorer le rendement de fabrication.10 La figure 9 montre les résultats d'une simulation par calcul BPM des pertes en fonction de l'importance d'un désalignement ou décalage entre les deux guides de la transition, pour une longueur de transition lt = 200 "m. On constate que les pertes sont très faibles et relativement15 insensibles au décalages pour de faibles décalages varie selon sa longueur, selon la description ci-dessus; c) réalisation d'au moins une couche épitaxiale dite supérieure, déposée par dessus ledit ruban enterré et ladite zone de transition; d) gravure d'une couche supérieure pour définir une structure de guide ruban gravée, ce guide ruban gravé étant disposé partiellement en superposition par rapport audit guide ruban enterré (dans la région de transition).35 Bien entendu, l'invention a été décrite en faisant référence à quelques exemples non-limitatifs de réalisations préférées; et un procédé de fabrication selon l'invention a été décrit dans son expression la plus simple; cependant, l'homme de l'art saura appliquer l'enseignement de cette demande de brevet dans des multiples variantes de l'invention, sans sortir pour autant du champ de protection convoitée, telle que définie dans les revendications qui suivent. REVENDICATIONS 1. Transition de guides optiques entre un guide ruban enterre 2 et un guide ruban grave 3, ladite transition permettant un couplage d'onde entre un mode de propagation dudit guide ruban enterre 2 et un mode de propagation dudit guide ruban grave 3; caracterise en ce que ladite transition comprend une zone de transition 2t, cette zone de transition 2t presentant un elargissement lateral dudit10 guide ruban enterre 2 selon sa longueur (lt), et en ce qu'un chevauchement partiel par superposition verticale des deux guides dans ladite zone de transistion permet un couplage des deux modes de propagation selon une direction preferentielle (+/-z) de propagation dans les deux guides.15 2. Transition de guides optiques selon la revendication 1, caracterisee en ce que ledit guide ruban grave a une largeur constante sur toute sa longueur, et en ce que ledit guide ruban enterre a une largeur qui varie de facon adiabatique dans ladite zone de transition.20 3. Transition de guides optiques selon la revendication 2, caracterisee en ce que ledit guide ruban enterre a une largeur qui varie de facon lineaire dans ladite zone de transition. 4. Transition de guides optiques selon la revendication 2, caracterisee en ce que ledit guide ruban enterre a une largeur qui varie de facon exponentielle dans ladite zone de transition. 5. Transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications 1 a 4, caracterisee en ce que lesdits guides ruban enterre et ruban grave sont realises sur un meme substrat. 6. Transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications 1 a 5, caracterisee en ce que la "couche guidante" ou "le coeur" est le meme pour les deux35 guides. 7. Transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications 1 a 6, caracterisee en ce que ladite zone de transition a une terminaison en inclinaison pour éviter des réflexions parasites. 8. Circuit optoélectronique comprenant au moins une transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications précédentes. 9. Circuit optoélectronique intégré comprenant au moins une transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications 1 a 7. 10. circuit optoélectronique intégré monolithique comprenant au moins une transition de guides optiques selon l'une quelconque des revendications 1 a 7. 11. Procédé de réalisation d'une transition de guides optiques entre un guide ruban enterré et un guide ruban gravé, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les étapes15 suivantes: a) réalisation d'au moins, une couche épitaxiale sur un substrat; b) gravure d'une couche guidante pour définir un guide ruban enterré et une structure de transition dont la largeur varie selon sa longueur selon l'une quelconque des revendications I a 7; c) réalisation d'au moins une couche épitaxiale dite supérieure, déposée par dessus ledit ruban enterré et ladite zone de transition;25 d) gravure d'une couche supérieure pour définir une structure de guide ruban gravé, ce guide ruban gravé étant disposé en superposition par rapport audit guide ruban enterré.