Brevet FR2713666A1 — publié le 19950616

PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEPOT A BASSE TEMPERATURE D'UN FILM CONTENANT DU SILICIUM SUR UN SUBSTRAT METALLIQUE La présente invention concerne les dépôts de filmns contenant du silicium (par exemple les oxydes de silicium tels que la silice, ou encore les oxynitrures de silicium SiOxNy) effectués sur des surfaces métalliques (telles que des tôles), dans le but par exemple de leur apporter une coloration pour des raisons esthétiques, ou pour leur apporter des propriétés d'anticorrosion. Il existe aujourd'hui plusieurs techniques de dépôt permettant de réaliser de telles couches minces d'oxyde de silicium ou d'oxynitrure de silicium sur des tôles métalliques. Parmi ces techniques, on cite le plus couramment les réactions de dépôt en phase vapeur plus connues sous le nom générique de méthode CVD (Chemical Vapor Deposition). Ces méthodes consistent à faire réagir un ou des précurseurs gazeux du silicium, par exemple du silane SiH4 et un oxydant tel que l'oxygène sur la surface de la tôle que l'on a préalablement activée, le dépôt étant effectué à pression atmosphérique ou à pression réduite, à une température choisie selon les conditions de pression adoptées: - lorsque le dépôt est effectué à pression atmosphérique, il est nécessaire de fortement activer thermiquement la surface, le dépôt s'effectuera donc à une température élevée, typiquement de l'ordre de 800 à 1000 C. - lorsque le dépôt est effectué à basse pression, la température adoptée sera plus basse, typiquement située entre 250 C et 600 C selon que la CVD est assistée ou pas, par exemple par une décharge électrique dans le gaz. Les procédés CVD permettant de travailler à basse température (comme il est souvent souhaitable de le faire), sont donc associés à des conditions de basse pression. De telles conditions de basse pression constituent incontestablement une contrainte et expliquent un moindre développement de ces techniques CVD dans le cas des tôles d'acier qui se présentent généralement sous la forme de grandes surfaces produites en grande quantité. La mise en oeuvre de tels procédés à pression réduite représente par ailleurs un surcoût non négligeable, du fait du coût des équipements de vide et de la maintenance élevée qui leur est associée. Dans ce contexte, la demanderesse a récemment proposé dans la demande de brevet français n 92.07377 un procédé pour le dépôt d'une couche contenant du silicium sur un substrat métallique. Ce procédé permettait d'effectuer successivement ou de façon concomitante la préactivation de la surface métallique par décharge diélectrique, puis le dépôt d'une couche contenant du silicium par exposition de la 2 2713666 surface ainsi preactivée à une atmosphère contenant un précurseur gazeux du silicium. Ce procédé était mis en oeuvre à pression atmosphérique ou proche de la pression atmosphérique. Si ce procédé constitue indiscutablement une amélioration par rapport aux techniques existantes, la Demanderesse a mis en évidence le fait qu'il peut être amélioré, notamment en ce que: - la distance entre l'échantillon à traiter et l'électrode (la tôle peut d'ailleurs constituer une des électrodes métalliques) est critique pour l'obtention d'un traitement parfaitement homogène, ce qui constitue une contrainte lorsqu'il est nécessaire de traiter en continu des tôles d'épaisseur variable. - d'autre part, la mise en oeuvre du procédé nécessite que les substrats passent au sein de la décharge, d'o une source de pollution pour les électrodes du fait de la présence de poussières ou de particules grasses à la surface des substrats. - lorsque le procédé réalise de façon concomitante la préactivation et le dépôt, le précurseur gazeux du silicium, tel le silane, est introduit directement dans la décharge, d'o le risque de déposer des poussières (poudre) de silice ou d'oxydes de silicium sur les électrodes, ce qui perturbe le fonctionnement de l'appareillage considéré. -enfin, la configuration géométrique permettant la mise en oeuvre de ce procédé limitait la densité de puissance que l'on pouvait mettre en oeuvre, une augmentation de la densité de puissance au-delà de cette limite risquant d'entraîner une délocalisation du nuage ionisé. Dans un contexte plus général, la demanderesse a, dans la demande de brevet français déposée sous le n' 92.07486, dont le contenu est supposé intégré ici pour référence, récemment proposé un dispositif de formation de molécules gazeuses excitées ou instables, fonctionnant sensiblement à la pression atmosphérique. Dans ce contexte, la présente invention a pour objet de proposer un procédé amélioré pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique, permettant: - d'opérer sensiblement à pression atmosphérique, - une grande flexibilité de distance entre l'objet à traiter et le dispositif utilisé pour effectuer ce traitement, - d'offrir une densité énergétique améliorée, permettant d'atteindre une vitesse de traitement accrue, - d'éviter que le précurseur gazeux du silicium utilisé ne soit mis en situation de donner lieu à des réactions à l'intérieur du dispositif en question (dépôt de poudres), - d'éviter que le substrat sur lequel doit être effectué le dépôt n'ait à passer au sein de ce dispositif, - de travailler si besoin est à basse température. 3 2713666 Pour ce faire, le procédé pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique, selon l'invention, se caractérise par le fait que l'on met en contact ledit substrat avec une atmosphère gazeuse de traitement, à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de traitement comprenant un mélange gazeux primaire et un mélange gazeux adjacent qui comprend au moins un précurseur gazeux du silicium, le mélange gazeux primaire étant obtenu à la sortie de gaz d'au moins un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial, le mélange gazeux primaire étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées et le mélange adjacent n'ayant pas transité par ledit appareil. On entend par surface métallique selon l'invention, tout type de surface sur laquelle il peut apparaître avantageux d'effectuer un dépôt d'une couche contenant du silicium, comme par exemple des tôles métalliques, qu'elles soient par exemple en acier, en acier inoxydable, en cuivre, ou encore en aluminium, ou les alliages de tels éléments, quelque soit la dimension ou l'épaisseur de la pièce (ou produit) comportant la surface métallique à traiter, que ces produits soient plats (comme les tôles), ou creux tels que par exemple des bouteilles. Leur application industrielle finale peut être très variée, que ces surfaces métalliques soient par exemple utilisées dans le domaine de l'électroménager, de l'automobile, des gaz industriels ou encore dans l'industrie du bâtiment. L' appareil selon l'invention est constitué par tout dispositif permettant "d'exciter" un mélange gazeux initial, pour obtenir, en sortie de gaz du dit appareil, un autre mélange gazeux comportant des espèces gazeuses instables ou excitées, ce dernier mélange gazeux étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées, donc d'ions et d'électrons. On entend par "pression voisine de la pression atmosphérique" selon l'invention, une pression se situant dans l'intervalle [0,1 x 105 Pa, 3 x 105 Pa]. On entend par "précurseur gazeux du silicium", l'un des multiples gaz dont la molécule comporte du silicium, tel que par exemple le silane, le disilane etc.. Comme il apparaîtra clairement à l'homme du métier, l'atmosphère de traitement selon l'invention est obtenue par la combinaison du mélange gazeux primaire obtenu en sortie d'un tel appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, qui comprend donc de telles espèces gazeuses excitées ou instables, et du mélange gazeux adjacent, le mélange gazeux primaire transférant toute ou partie de son énergie au précurseur gazeux du silicium compris dans le mélange gazeux adjacent et à la surface du substrat à traiter, permettant ainsi le dépôt. Le précurseur gazeux du silicium n'ayant pas transité par l'appareil, le risque de formation de poudre de silice (ou plus généralement de composés du silicium) à l'intérieur de la décharge est de ce fait 4 2713666 éliminé. Le substrat n'est par ailleurs en contact qu'avec la sortie de gaz de l'appareil considéré, il n'a pas "séjourné" dans l'appareil. Comme il apparaitra aussi clairement à l'homme du métier, le procédé selon l'invention permet d'effectuer un dépot sur une seule des faces du substrat ou sur les deux faces du substrat. La nature du composé du silicium déposé (SiOxNy, SiOx, voire SiOxNyHz) sera étroitement liée aux conditions expérimentales utilisées, notamment aux pressions partielles d'oxygène et d'azote dans l'atmosphère de traitement. Il sera par exemple possible de contrôler la nature du film déposé en jouant notamment sur la nature du gaz inerte utilisé tant dans le mélange initial que dans le mélange adjacent, mais aussi sur la niveau de la pression partielle d'oxygène maintenue au sein de l'atmosphère de traitement. Comme il apparaîtra aussi clairement à l'homme du métier, le substrat métallique à traiter pourra être mis en contact avec la sortie de gaz d'un seul appareil ou de plusieurs appareils placés en parallèle sur la largeur du substrat ou encore successivement avec les sorties de gaz de plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables placés en série. Le cas échéant, le substrat métallique à traiter aura au préalable subit une préparation (ou traitement) de surface selon une des multiples méthodes disponibles, que ce soit en phase liquide ou en phase gazeuse. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le mélange gazeux initial comprend un gaz inerte et/ou un gaz réducteur et/ou un gaz oxydant. Le gaz inerte peut par exemple consister en de l'azote, de l'argon, de l'hélium ou un mélange de tels gaz inertes. Le gaz réducteur peut par exemple consister en de l'hydrogène, du CH4 ou encore de l'ammoniac ou un mélange de tels gaz réducteurs. Le gaz oxydant peut quant à lui par exemple consister en de l'oxygène, ou du CO2, ou encore du N20 ou un mélange de tels gaz oxydants. La liste de gaz donnés dans chaque catégorie n'étant bien entendu qu'indicative, nullement limitative. Le mélange gazeux adjacent comprendra avantageusement, en dehors du ou des précurseurs gazeux du silicium, un gaz inerte et/ou un gaz réducteur, et comprendra le cas échéant un gaz oxydant. Selon une autre mise en oeuvre de l'invention, le précurseur gazeux du silicium du mélange gazeux adjacent est du monosilane SiH4. Selon un des aspects de l'invention, le substrat métallique à traiter est porté à une température comprise entre la température ambiante et 400 C. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, le substrat métallique à traiter est amené en regard de la sortie de gaz d'un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, le cas échéant, en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils -5 2713666 placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils placés en série, par un système de convoyage traversant un espace intérieur délimité par un tunnel ou un ensemble de capotage, isolé de l'atmosphère environnante; ledit tunnel ou ensemble étant raccordé de façon étanche audit appareil ou incluant le dit appareil. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, l'appareil dans lequel est transformé le mélange gazeux initial est le siège d'une décharge électrique créée entre une première électrode et une seconde électrode, une couche d'un matériau diélectrique étant disposée sur la surface d'au moins une des électrodes, en regard de l'autre électrode, le mélange gazeux initial traversant la décharge transversalement aux électrodes. L'énergie mise en oeuvre dans l'appareil, ramenée à l'unité de surface de diélectrique sera alors avantageusement supérieure à lW/cm2, préférentiellement supérieure à 10 W/cm2. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, on réalise un zonage de l'atmosphère de traitement rencontrée successivement par la pièce à traiter le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, transforme un mélange gazeux initial différent de celui transformé par l'appareil le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent mis en oeuvre au niveau d'au moins un des appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. Selon une des mises en oeuvre de l'invention, les étapes a) et b) cidessus pourront concerner un même appareil. On pourra ainsi par exemple utiliser des mélanges de pouvoir réducteur croissant, d'un appareil à l'autre ou encore jouer sur ce paramètre "composition successive de l'atmosphère de traitement" pour réaliser des dépôts multicouches, chaque couche étant d'épaisseur et de structure différentes et contrôlées. L'invention concerne aussi un dispositif de dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique, convenant notamment pour la mise en oeuvre du procédé selon l'invention, comprenant un tunnel ou ensemble de capotage défminissant un espace intérieur traversé par des moyens de convoyage des substrats métalliques à traiter, isolé de l'atmosphère environnante, se raccordant de façon étanche ou incluant un ou plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, montés en série et/ou parallèle, comprenant au moins un passage de gaz tubulaire ayant un axe, formé entre une électrode extérieure et une électrode intérieure, l'une au moins des électrodes comportant, en regard de l'autre, un revêtement diélectrique, les électrodes 6 2713666 étant reliées à une source haute tension et haute fréquence, l'électrode extérieure entourant le diélectrique et comportant une entrée de gaz dit initial et une sortie de gaz dit primaire allongées, parallèles à l'axe et sensiblement diamétralement opposées, le dit tunnel ou ensemble étant muni d'au moins un moyen d'injection d'un gaz dit adjacent n'ayant pas transité par le ou les dits appareils, le dispositif comprenant de plus, le cas échéant, un moyen de chauffage des substrats métalliques à traiter. On pourra par exemple envisager, pour ce moyen de chauffage, des lampes infra rouge présentes dans le tunnel, ou un chauffage par convection (parois chaudes du tunnel) ou encore le fait que la pièce soit posée sur un porte-substrat chauffant. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention, ressortiront de la description suivante de modes de réalisation, donnés à titre illustratif mais nullement limitatif, faits en relation avec les dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif simplifié convenant pour la mise en oeuvre de l'invention. - la figure 2 est une représentation schématique d'un mode de réalisation de l'invention comprenant un tunnel. - la figure 3 est une représentation schématique en section d'un appareil de formation d'espèces gazeuses instables ou excitées convenant pour la mise en oeuvre de l'invention. Est schématisé, sur la figure 1 en 4, un appareil de formation d'espèces gazeuses instables ou excitées, alimenté en son entrée de gaz 5 par un mélange gazeux initial 7. Est obtenu en sortie de gaz 6, un mélange gazeux primaire 8. Un substrat métallique 1 placé en regard de cette sortie de gaz 6 voit par ailleurs un mélange adjacent qui arrive, sur le mode de réalisation représenté, par deux entrées de gaz 9, 10, ce mélange adjacent ne transitant pas par l'appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables 4. On a symbolisé sur cette figure 1, par le rectangle en tirets 30, la zone o interagissent les mélanges de gaz primaire et adjacent de façon à réaliser le dépôt contenant du silicium sur le substrat métallique 1. On reconnaît sur la figure 2, qui est un mode de réalisation particulier de l'invention, un tunnel 3 délimitant un espace intérieur 31, dans lequel est convoyé le substrat métallique 1, grâce à un moyen de convoyage 2. Le substrat métallique 1 est amené en regard de la sortie de gaz 6 d'un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables 4 o il entre en contact avec le mélange gazeux primaire 8 obtenu à partir du mélange initial 7 et avec le mélange adjacent qui entre par des entrées de gaz 9 et 10, ce mélange adjacent n'ayant lui pas transité par l'appareil 4. 7 2713666 Ici encore, on a schématisé par le rectangle en tirets 30, la zone d'interaction entre le mélange gazeux primaire 8 et le mélange adjacent arrivant par les entrées de gaz 9 et 10. Le mode de réalisation représenté sur la figure 2 permet de traiter le substrat métallique 1 par plusieurs appareils de formation d'espèces gazeuses instables ou excitées placés en série, les appareils placés en 11 et 12 n'ayant pas été représentés, le numéro 13 illustre un exemple d'entrée supplémentaire de mélange adjacent. L'installation est par ailleurs pourvue, le cas échéant, d'un moyen de chauffage de la pièce 1, non représenté sur la figure 2. Comme signalé plus haut, on pourra par exemple envisager, pour ce moyen de chauffage, des lampes infra rouge présentes dans le tunnel, ou un chauffage par convection (parois chaudes du tunnel) ou encore le fait que la pièce soit posée sur un porte-substrat chauffant. On reconnaît sur la figure 3, qui représente schématiquement une section d'un appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables convenant pour la mise en oeuvre de l'invention, une première électrode tubulaire 14 formée par exemple par une face interne d'un bloc métallique 15, et dans laquelle est disposé, concentriquement, un ensemble d'un tube en matériau diélectrique 16, par exemple en céramique, sur la face interne duquel est déposée, par métallisation, une deuxième électrode 17 (exagérément épaissie sur la figure 3 pour une meilleure compréhension). L'ensemble du diélectrique 16 et de la deuxième électrode 17 définis ainsi avec la première électrode 14, un passage tubulaire de gaz 18, et intérieurement, un volume interne 19 dans lequel on fait circuler un réfrigérant, avantageusement un Fréon pour son caractère électronégatif ou encore de l'eau permutée. Le passage de gaz interne 18 a une extension axiale inférieure à 1 m, typiquement inférieure à 50 cm, et son épaisseur radiale e n'excède pas 3 mm et est typiquement inférieure à 2,5 mm. Le bloc 15 comporte diamétralement opposées, deux fentes longitudinales 20 et 21, formant respectivement l'entrée du gaz initial à exciter dans le passage 18 et la sortie du flux de gaz primaire comportant des espèces excitées ou instables. Les fentes 20 et 21 s'étendent sur toute la longueur axiale de la cavité 18 et ont, pour le mode de réalisation représenté, une hauteur qui n'excède pas l'épaisseur e et est typiquement sensiblement identique à cette dernière. Le corps 15 est formé avantageusement, à la périphérie de la première électrode 14, avec une pluralité de conduits 22 pour le passage d'un réfrigérant, par exemple de l'eau. L'entrée de gaz 20 communique avec une chambre ou plénum d'homogénéisation 23 formée dans un boîtier 24 accolé au bloc 15 et comportant une tubulure 25 8 2713666 d'amenée de mélange gazeux initial, à une pression comprise dans l'intervalle [0,1 x Pa, 3 x 105 Pa] en provenance d'une source de mélange gazeux initial 26. Les électrodes sont reliées à un générateur électrique haute tension et haute fréquence 27 fonctionnant à une fréquence supérieure à 15 kHz et délivrant une puissance par exemple de l'ordre de 10 kW. Comme signalé précédemment, on pourra d'ailleurs avantageusement exprimer cette puissance délivrée par le générateur en la ramenant à la surface de diélectrique (c'est à dire à l'unité de surface de l'électrode diélectrique). Le flux gazeux contenant les espèces excitées disponible à la sortie 21 est adressé à un poste utilisateur 28, par exemple pour le dépôt d'une couche contenant du silicium sur un substrat métallique. Une installation telle que celle décrite en relation avec la figure 2, comprenant un unique appareil 4 de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables tel que celui décrit en relation avec la figure 3, a été utilisée pour réaliser des exemples de mises en oeuvre de l'invention. Pour ce faire, des échantillons de tôle d'acier bas carbone de dimensions 10 cm x cm x 0,2 mm, ont été au préalable prétraités, de façon à réaliser leur nettoyage et leur désoxydation avant de subir le procédé de dépôt selon l'invention. Selon un premier exemple de mise en oeuvre, le dépôt a été effectué dans les conditions suivantes: - l'échantillon de tôle n'était pas chauffé, une température d'environ 50 C étant assurée par le simple contact avec le mélange gazeux primaire, - la densité d'énergie mise en oeuvre sur le diélectrique était de l'ordre de 15 W/cm2, - le mélange gazeux initial était un mélange azote/hydrogène à 23 % d'hydrogène obtenu par des débits respectifs de 10 m3/h d'azote et 3 m3/h d'hydrogène, - le mélange gazeux adjacent, ne transitant pas par l'appareil de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, était constitué par un débit de 0,5 I/mn d'une source initiale à 2% de silane dans l'argon. - la pression maintenue dans le tunnel était voisine de la pression atmosphérique. Chaque échantillon ainsi traité, au défilé (2 mmn/s) en un passage, a ainsi reçu un dépôt d'environ 1.000 d'un alliage amorphe du silicium (comme contrôlé par spectroscopie infra-rouge). L'observation du dépôt ainsi réalisé par microscopie électronique à balayage a permis de s'assurer que le dépôt était parfaitement continu et dense. Dans un second exemple de mise en oeuvre, adoptant la même densité d'énergie, les mêmes conditions d'alimentation de la décharge en mélange gazeux initial, mais utilisant cette fois 5 litres/minute du mélange silane/argon à 2% de silane pour réaliser 9 2713666 le mélange gazeux adjacent, et en procédant cette fois à une température de 200 C, il a été obtenu un dépôt de 5.000 A d'un alliage amorphe du silicium sur l'échantillon d'acier bas carbone, ceci avec une vitesse de défilé de lmm/s. Ici encore l'observation du dépôt à l'aide de la microscopie électronique à balayage a permis de s'assurer que le dépôt obtenu était parfaitement continu et dense. Les deux exemples précédents montrent qu'il est possible d'obtenir, à basse température (voire à température ambiante), selon l'invention, des dépôts de bonne qualité contenant du silicium, sur substrat métallique. Quoique la présente invention ait été décrite en relation avec des modes de réalisation particuliers, elle ne s'en trouve pas limitée pour autant mais est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art, dans le cadre des revendications ci-après. 2713666 REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique (1), caractérisé en ce que l'on met en contact ledit substrat avec une atmosphère gazeuse de traitement (30), à une pression voisine de la pression atmosphérique, la dite atmosphère gazeuse de traitement comprenant un mélange gazeux primaire (8) et un mélange gazeux adjacent (9, 10) qui comprend au moins un précurseur gazeux du silicium, le mélange gazeux primaire étant obtenu à la sortie (6) de gaz d'au moins un appareil (11, 4, 12) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables dans lequel a été transformé un mélange gazeux initial (7), le mélange gazeux primaire étant substantiellement dépourvu d'espèces électriquement chargées et le mélange gazeux adjacent n'ayant pas transité par ledit appareil. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dit mélange gazeux initial comprend un gaz inerte et/ou un gaz réducteur et/ou un gaz oxydant. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que le dit mélange gazeux adjacent comprend, en plus du ou des précurseurs gazeux du silicium, un gaz inerte et/ou un gaz réducteur, et le cas échéant un gaz oxydant. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le précurseur du silicium est le monosilane SiH4. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que le substrat métallique est porté à une température comprise entre la température ambiante et 400 C. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5 caractérisé en ce que le substrat métallique à traiter est amené en regard de la sortie (6) de gaz du dit appareil (4), le cas échéant en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils placés en parallèle sur la largeur du substrat et/ou successivement en regard des sorties de gaz de plusieurs appareils (11, 4, 12) placés en série, par un système de convoyage (2) traversant un espace intérieur (31) délimité par un tunnel (3) ou un ensemble de capotage, isolé de l'atmosphère environnante, ledit tunnel ou ensemble étant raccordé de façon étanche audit appareil ou incluant le dit appareil. 7. Procédé selon la revendication 6 caractérisé en ce que le dit appareil, dans lequel est transformé ledit mélange gazeux initial, est le siège d'une décharge électrique créée entre une première électrode (14) et une seconde électrode (17), une couche (16) d'un matériau diélectrique étant disposée sur la surface d'au moins une des électrodes (17), en regard de l'autre électrode, et en ce que le dit mélange gazeux initial traverse la décharge transversalement aux des électrodes. il 2713666 8. Procédé selon la revendication 7 caractérisé en ce que l'énergie mise en oeuvre dans le dit appareil, ramenée à l'unité de surface de diélectrique est supérieure à 1 W/cm2, préférentiellement supérieure à 10 W/cm2. 9. Procédé selon l'une des revendications 6 à 8, caractérisé en ce que l'on réalise un zonage de l'atmosphère de traitement rencontrée successivement par le substrat à traiter le long du convoyeur, de la façon suivante: a) au moins un des dits appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables transforme un mélange gazeux initial différent de celui transformé par l'appareil le précédant dans le dit tunnel ou ensemble, et/ou b) le mélange gazeux adjacent mis en oeuvre au niveau d'au moins un des dits appareils de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables est différent de celui mis en oeuvre au niveau de l'appareil le précédant dans le dit tunnel ou ensemble. 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les étapes a) et b) ont lieu au niveau d'un même appareil. 11. Dispositif pour former un dépôt d'un film contenant du silicium sur un substrat métallique, convenant notamment pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 10, comprenant un tunnel (3) ou ensemble de capotage défminissant un espace intérieur (31) traversé par des moyens de convoyage (2) des substrats métalliques (1) à traiter, isolé de l'atmosphère environnante, se raccordant à ou incluant un ou plusieurs appareils (11, 4, 12) de formation d'espèces gazeuses excitées ou instables, montés en série et/ou parallèle, comprenant au moins un passage (18) de gaz tubulaire ayant un axe, formé entre une électrode extérieure (14) et une électrode intérieure (17), l'une au moins des électrodes comportant, en regard de l'autre, un revêtement diélectrique (16), les électrodes étant reliées à une source haute tension et haute fréquence, l'électrode extérieure (14) entourant le diélectrique (16) et comportant une entrée (20) de gaz initial et une sortie (21) de gaz primaire allongées, parallèles à l'axe et sensiblement diamétralement opposées, le dit tunnel ou ensemble étant muni d'au moins un moyen d'injection (9, 10, 13) d'un gaz adjacent n'ayant pas transité par le ou les dits appareils, le dispositif comprenant par ailleurs, le cas échéant, un moyen de chauffage des substrats métalliques.