Brevet FR2714527A1 — publié le 19950630

La présente invention concerne un procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteur et, plus particulièrement, un procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteur possédant des couches de câblage en AI (aluminium ou alliage d'aluminium). Comme matériaux pour les couches de câblage et les électrodes d'un dispositif à circuit intégré semiconducteur, on a utilisé une pellicule mince conductrice en aluminium (AI), en alliage aluminium-cuivre (alliage AlCu), en alliage AlCuSi, etc. Pour former un motif de pellicule mince conductrice en aluminium, en alliage d'aluminium, ou autre, à la surface d'un substrat, on applique un processus par lequel un masque en agent photosensible du type réserve est soumis à une opération de tracé de motif et la pellicule mince conductrice non recouverte par le masque est gravée. Comme gaz réactif destiné à réaliser la gravure à sec de l'aluminium, on a utilisé un gaz ou un mélange de gaz choisi dans le groupe formé du chlore (C12), du trichlorure de bore (BC13), du tétrachlorure de carbone (CC14), du tétrachlorure de silicium (SiC14), etc., en raison de leurs pressions de vapeur spécifiques. Un câblage en aluminium (ou alliage) est excellent en ce qu'il possède une résistance faible. Une résistance faible et une longue durée de vie sont néces- saires pour les couches de câblage d'un dispositif à semiconducteur. La durée de vie du câblage en aluminium (ou alliage) dépend largement des phénomènes d'électromigration et de corrosion. La figure 9A est un schéma simplifié montrant un câblage d'aluminium en place sur un subtrat semiconducteur. La surface du substrat semiconducteur 301 est une surface de silicium ou une couche isolante. Une couche en AI 302 déposée sur la surface de cette couche sous-jacente possède un grand nombre de grains 303. Une frontière de grain 304 est formée entre grains adjacents. L'électromigration d'atomes de AI est susceptible de se produire plus spécialement au niveau des frontières des grains et est une cause de rupture du câblage. On sait qu'une contre-mesure efficace permettant d'empêcher l'apparition de l'électromigration consiste à augmenter la taille des grains de AI. Pour augmenter la taille des grains de AI, on fixe à une valeur d'environ 200 à 350 C la température du substrat au moment o on dépose une couche de AI par pulvérisa- tion ou par un autre moyen. Avec l'augmentation du degré d'intégration des circuits intégrés et celle du nombre de couches de câblage de ces circuits, l'épaisseur d'une couche de câblage inférieure diminue. Lorsque l'épaisseur d'une couche de câblage en Ai diminue, la densité de courant qui circule dans cette couche de câblage en AI augmente. Par conséquent, l'électromigration d'atomes poussés par des électrons devient plus susceptible de se produire. L'électromigration provoque une augmentation de la résistance du câblage et, au pire, une rupture de la couche de câblage. Les procédés classiques de dépôt d'une couche de câblage en AI ne sont pas suffisants pour supprimer l'électromigration dans une couche de câblage mince. Apres l'application d'une opération de gravure et d'une opération de tracé de motif à une pellicule d'aluminium, il se forme sur la paroi latérale du motif d'aluminium une pellicule de protection contenant une grande quantité d'atomes de chlore. La figure 9B est un schéma simplifié montrant, en coupe, une pellicule d'aluminium (ou alliage) ayant subi une gravure et un tracé de motif. Une pellicule de protection de paroi latérale (non représentée) contenant une grande quantité d'atomes de chlore (Cl) est formée sur la paroi latérale d'une pellicule de câblage en aluminium (AI) 302 elle- même formée sur une pellicule isolante 301. Si on expose à l'air une pastille dotée d'une telle couche de protection, l'eau (H20) contenue dans l'air réagit avec le chlore résiduel se trouvant sur la pellicule de câblage en AI 302 en formant de l'acide chlorhydrique, lequel corrode la pellicule de câblage en AI 302. Ce phénomène survient non seulement pendant le processus de fabrication, mais aussi après la fin de la fabri- cation du dispositif à semiconducteur. Plus spécialement, l'eau contenue dans l'air peut passer dans un dispositif semiconducteur pendant son fonctionnement, par exemple depuis l'interface entre les fils de sortie et le boîtier. Si l'eau contenue dans l'air atteint une pellicule de câblage en aluminium et réagit avec le chlore, il se forme de l'acide chlorhydrique. Par conséquent, il est souhaitable de supprimer le plus possible le chlore résiduel afin d'empêcher la corrosion d'une couche de câblage. Les processus classiques visant à empêcher la corrosion du câblage en aluminium comprennent un processus de lavage à l'eau pure, un processus acide/ alcalin, un processus de passivation à l'aide de gaz contenant du fluor, ainsi que d'autres processus. Comme processus de lavage à l'eau pure, il existe un processus qui consiste à monter plusieurs pastilles sur un support et à les immerger dans de l'eau pure, et un procédé consistant à mettre en rotation chaque pastille maintenue par un mandrin et à faire tomber de l'eau pure sur celle-ci. Au titre du processus acide/alcalin, il y a un processus qui consiste à immerger une pastille dans une solution ou à faire tomber une solution sur une pastille mise en rotation. La solution est une solution acide ou une solution alcaline. La solution acide est une solution obtenue par mélange d'alcool isopropy- lique (IPA) et d'acide nitrique, ou d'acide phosphorique, et la solution alcaline peut être faire d'ammonium ou de choline. Il existe un autre processus qui consiste à exposer une pastille dans une solution acide/alcaline pulvérisée. Dans l'un et l'autre cas, un processus de rinçage est nécessaire ensuite, pour qu'il ne reste pas de substances chimiques. Au titre du processus de passivation à l'aide d'un gaz contenant du fluor, il existe un processus qui consiste à exposer une pastille dans un gaz fait de tétrafluorure de carbone (CF4) ou un mélange de gaz fait de tétrafluorure de carbone (CF4) et de fluoroforme (CHF3) et à irradier la pastille à l'aide d'un plasma. On suppose que l'amélioration de la résistance à la corrosion qui est obtenue au moyen de ce processus est due au remplacement du chlore résiduel par le fluor ou l'existence d'une surface hydrophobe de la pastille par suite de la formation d'un polymère fluorocarboné (CF) par le fluor, ce qui a pour effet d'empêcher le contact de l'aluminium avec l'eau atmosphérique. Toutefois, même si on applique un tel processus pour empêcher la corrosion d'une pellicule d'aluminium ayant subi des opérations de gravure et de tracé de motif, l'élimination du chlore résiduel est insuffisante. I est nécessaire d'empêcher la corrosion à un degré beaucoup plus élevé que cela ne se fait classi- quement.Un alliage tel qu'un alliage aluminium-cuivre notamment est susceptible d'être corrodé par un effet de pile voltaïque. Par l'effet de pile voltaïque de métaux tels qu'un alliage d'aluminium, les métaux se corrodent du fait de la différence de potentiel produite par le contact de métaux différents ou par la différence de potentiel produite par une fluctuation de composition (irrégularité) à la surface du métal. Le fait d'empêcher la corrosion est un facteur très important du point de vue de l'amélioration des performances des dispositifs. Cest un but de l'invention de produire un procédé permettant de former une couche de câblage en aluminium, qui est en mesure de supprimer l'électro- migration même dans le cas d'une couche de câblage en aluminium mince. Un autre but de l'invention est de produire un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, qui peut empêcher qu'une couche de câblage en aluminium ne soit rompue (mise en circuit ouvert) par la corrosion. Un autre but de l'invention est de produire un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, qui peut réduire le plus possible la teneur en chlore résiduel au voisinage de la paroi latérale d'un motif de câblage en aluminium. Selon un aspect de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur. Le procédé comprend les opérations suivantes: placer un substrat sur un moyen porte-substrat qui est installé dans une chambre à vide, en vue de préparer la formation d'une couche de câblage en aluminium ou en alliage d'aluminium sur le substrat; et déposer d'abord une première sous-couche de câblage formé d'aluminium ou d'alliage d'aluminium sur le substrat sans chauffer intentionnellement le substrat, puis, au milieu de l'opération de dépôt, déposer une deuxième sous-couche de câblage formée d'aluminium ou d'un alliage d'aluminium au titre de sa composition principale sur la première sous-couche de câblage, tout en chauffant le substrat. Puisque la couche d'aluminium (ou d'alliage d'aluminium) est d'abord déposée sans chauffage du substrat, on peut former une couche d'aluminium possédant une forte tendance à présenter le plan (1 11) (l'orientation [1 1 1D- Une couche d'aluminium (ou d'alliage d'aluminium) possédant une forte tendance à présenter le plan (1 1 1) présente une résistance élevée vis-à-vis de l'électro- migration, bien que la taille des grains de la couche d'aluminium déposée en l'absence de chauffage du substrat soit petite. On sait qu'une petite taille de grain est susceptible de produire l'électromigration. Par chauffage du substrat au milieu de l'opération de dépôt de la couche d'aluminium, il devient possible d'augmenter la taille des grains tout en conservant la forte tendance à l'orientation suivant le plan (1 1 1) de la couche sous-jacente. Si l'on dépose une couche d'aluminium en chauffant le substrat pendant toute la durée du processus de dépôt, il n'apparaît aucune tendance forte à l'orientation suivant le plan (1 1 1). Toutefois, si on dépose une couche d'aluminium sur la surface d'une couche sous-jacente d'aluminium possédant elle- même une forte tendance à présenter le plan (1 1), la couche d'aluminium finale aura une forte tendance à présenter le plan (i 1 1) même si on chauffe le substrat dans la dernière phase du processus de dépôt. De la manière ci-dessus décrite, il est possible de déposer une couche d'aluminium possédant une grande taille de grain et une forte tendance à présenter le plan (1 11). Par cons&équent, on peut supprimer la production de l'électro- migration à un degré suffisant même si l'épaisseur de la pellicule d'aluminium est faible. De plus, on peut effectuer de façon continue, dans la même chambre à vide, le dépôt sans chauffage du substrat et le dépôt avec chauffage du substrat, de sorte qu'on maintient un rendement élevé sans augmenter le nombre des opéra- tions. On peut donc supprimer efficacement la production de l'électro- migration même si l'épaisseur de la pellicule d'aluminium est petite. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur. Le procédé comprend les opérations suivantes: former une pellicule métallique en aluminium ou en alliage d'aluminium à la surface d'une pellicule isolante placée sur un substrat; graver à sec la pellicule métallique et appliquer à celle- ci un tracé de motif à l'aide d'un gaz à base de chlore afin de former un motif de câblage métallique; et chauffer sous vide le substrat doté du câblage métallique afin de dissocier ou de libérer le chlore fixé au motif de câblage métallique. Le procédé peut comporter, après l'opération de chauffage, une opération consistant à former une pellicule d'oxyde sur le motif de câblage métallique en mettant en contact le motif de câblage métallique avec de l'oxygène déshumidifié. On grave à sec une pellicule métallique contenant de l'aluminium et on lui applique un tracé de motif à l'aide d'un gaz à base de chlore afin de former un motif de câblage métallique. Après cela, on chauffe sous vide le substrat portant le motif de câblage métallique sans l'exposer à l'air, afin de libérer le chlore ou de provoquer la désorption du chlore fixé au motif de câblage métallique. On soumet en outre la pastille à une mise en contact avec de l'oxygène déshumidifié afin de former une bonne couche d'oxyde à la surface du motif de câblage métallique. La résistance à la corrosion est ainsi améliorée et on empêche la couche de câblage de se rompre. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur qui comporte les opérations suivantes: graver une pellicule conductrice et lui appliquer un tracé de motif à l'aide d'un gaz à base de chlore, la pellicule conductrice étant faite d'aluminium ou d'alliage d'aluminium et étant déposée à la surface d'une pellicule isolante formée sur un substrat; et exposer le substrat doté de la pellicule conductrice à une solution réactive contenant un métal qui est en mesure de réagir avec le chlore et de former un chlorure de métal ayant un faible produit de solubilité. Le métal est par exemple l'argent ou le plomb. La solution réactive est par exemple une solution aqueuse de nitrate d'argent ou une solution aqueuse de nitrate de plomb. Le procédé peut comporter, après l'opération d'exposition du substrat à la solution réactive, une opération consistant à exposer le substrat à une solution de dissociation qui est en mesure de dissocier ou de provoquer la désorption du chlorure d'argent ou du chlorure de plomb restant sur le substrat en transformant le chlorure d'argent ou le chlorure de plomb en ions complexes d'argent ou en ions complexes de plomb. Un motif de câblage gravé qui est constitué d'aluminium ou d'alliage d'aluminium est soumis à un traitement ultérieur par la solution réactive contenant un métal qui peut réagir avec le chlore et former un chlorure métallique ayant une constante de produit de solubilité faible. Le métal est par exemple l'argent ou le plomb. La solution réactive est par exemple une solution aqueuse de nitrate d'argent ou une solution aqueuse de nitrate de plomb. Les ions de chlore réagissent avec les ions métalliques contenus dans la solution de réaction en formant des précipitats insolubles. Par conséquent, les ions de chlore sont rendus inactifs de façcon à arrêter la corrosion d'un motif de câblage fait d'aluminium ou d'alliage d'aluminium, ce qui améliore la fiabilité du dispositif à semiconducteur possédant un semblable motif de câblage. Comme décrit ci-dessus, une pastille dotée d'un motif de câblage est soumise à un traitement ultérieur par une solution aqueuse contenant un métal qui forme un chlorure métallique ayant un faible produit de solubilité. Ainsi, il est possible d'enlever le chlore résiduel se trouvant sur la paroi latérale d'un motif de câblage en aluminium (ou alliage) à l'aide d'ions métalliques, de supprimer la corrosion du motif de câblage et d'améliorer les performances du dispositif. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est un schéma simplifié d'un système de pulvérisation utilisé pour former une couche de câblage d'aluminium selon un mode de réalisa- tion de l'invention; - les figures 2A et 2B sont des graphes montrant la variation, avec le temps, des valeurs de résistance des couches de câblage en aluminium formées par un procédé classique et par un procédé constituant un mode de réalisation de l'invention; - la figure 3 est une vue en section droite d'une mémoire vive dynamique (DRAM) fabriquée à l'aide du procédé de formation de la couche de câblage en aluminium selon un mode de réalisation de l'invention; - la figure 4 est un schéma simplifié montrant un système utilisé pour la gravure à sec d'une pellicule d'aluminium et la formation d'une pellicule d'oxyde; - la figure 5 est un schéma simplifié montrant un autre système utilisé pour la gravure à sec d'une pellicule d'aluminium et la formation d'une pellicule d'oxyde; - la figure 6 est un schéma simplifié montrant un autre système utilisé pour la gravure à sec d'une pellicule d'aluminium et la formation d'une pellicule d'oxyde; - les figures 7A à 7D sont des vues en section droite expliquant un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon un mode de réalisa- tion de l'invention; - la figure 8 est un schéma simplifié montrant un système utilisé pour la fabrication d'un dispositif à semiconducteur selon le mode de réalisation présenté sur les figures 7A à 7D; et - les figures 9A et 9B montrent la structure d'une couche d'aluminium d'un dispositif à semiconducteur classique et une vue en section droite montrant l'état de corrosion. On sait qu'il devient difficile à l'électromigration de se produire lorsque la taille des grains augmente. On peut supposer que ceci est dû au fait que l'électromigration se produit principalement au niveau des frontières des grains. On sait également qu'il est difficile à l'électromigration de se produire dans l'aluminium si les cristaux d'aluminium ont une forte tendance à présenter le plan (1 1 1). Un article de Vaidya, S. et Sinha, A.K. (Thin Solid Films, 1D , p. 253-259) signale que le temps moyen avant défaillance (MIF) d'une couche de câblage en aluminium est donné par: (s/a2) log (klA(111)/I(200)3 o s est la taille moyenne des grains, o2 est la variance des tailles des grains, et o I(j1j) et I(200) sont respectivement les intensités de diffraction des rayons X dans les plans (1 1 1) et (2 0 0). Pour prolonger le MTF d'une couche de câblage en aluminium, on augmente donc la taille des grains et on fait en sorte qu'elle ait une forte tendance à présenter le plan (1 1 1). La figure 1 est un schéma simplifié d'un système de pulvérisation utilisé pour former une couche de câblage en aluminium selon un mode de réalisation de l'invention. Un porte-substrat 4 est monté sur une paroi latérale d'une chambre 1 placée sous vide. Pour former une pellicule, on fixe sur une surface de support de substrat du porte-substrat 4 un substrat 3, sur lequel une pellicule doit être formée. Dans le portesubstrat 4, est formée une cavité dotée d'un orifice d'entrée et d'un orifice de sortie, de manière qu'on puisse faire circuler du gaz argon (Ar) dans la cavité. Par exemple, on peut chauffer le substrat 3 maintenu sur le porte-substrat 4 en faisant circuler dans la cavité du gaz argon chauffé. Un porte-cible 5 est monté sur la paroi latérale de la chambre sous vide 1 se trouvant en face du porte-substrat 4. Pour former une pellicule, on fixe une cible de pulvérisation 2 sur un plan de support de cible du porte-cible 5. Pour pulvériser une couche de câblage en aluminium, on utilise un disque en aluminium au titre de la cible 2. Pour former une pellicule, on introduit le gaz de pulvérisation, par exemple du gaz argon, dans la chambre sous vide i via un tube 6 de guidage de gaz de pulvérisation et on le fait sortir par un tube d'évacuation 7 de façon à maintenir à une pression prédéterminée l'intérieur de la chambre sous vide 1. Lorsqu'on applique une tension continue entre le porte-substrat 4 et le porte-cible , une décharge électrique se produit dans la chambre sous vide. Puisqu'un potentiel négatif est appliqué au porte-cible 5, des ions d'argon Ar+ entrent en collision avec la cible 2 et de l'aluminium est pulvérisé. On va maintenant décrire un procédé de formation d'une couche de câblage en aluminium selon un mode de réalisation de l'invention. Comme substrat 3, sur lequel une couche de câblage en aluminium est formée, on a utilisé un substrat de silicium Si comportant une pellicule stratifiée métallique faisant fonction de barrière, faite d'une couche de Ti et d'une couche de TiN formée à la surface de celle-ci. Il est généralement difficile à une couche de AI se trouvant sur une couche de TiN d'avoir une forte tendance à présenter le plan (1 1 1). On peut tout d'abord déposer une couche de Ai d'épaisseur 200 nm par un processus de pulvérisation sur la surface de la couche stratifiée de TiTiN, sans chauffer le substrat 3. Après cela, on chauffe le substrat 3 en faisant circuler dans la cavité du porte-substrat 4 du gaz argon chauffé à 350'C. La température du substrat s'élève à environ 350'C en 5 s environ. On dépose une couche d'aluminium jusqu'à une épaisseur de 300 nm pendant le chauffage du substrat 3. De plus, pendant l'élévation de température, on poursuit la pulvérisation. Il suffit que la température du substrat atteigne 350'C lors de l'achèvement du dépôt. Alors que l'épaisseur totale de la pellicule d'aluminium est de 500 nm, on peut choisir n'importe qu'elle épaisseur totale. Les figures 2A et 2B sont des graphes montrant la variation des valeurs de résistance des couches de câblage en aluminium en fonction du temps. Le graphe de la figure 2A montre la variation de la valeur de résistance de motifs de câblage en aluminium qui présentent une épaisseur de 350 nm et qui ont été formés par un procédé de pulvérisation classique, pendant que la température du substrat était fixée à 350'C; tandis que le graphe de la figure 2B montre la variation des valeurs de résistance de motifs de câblage en aluminium formés par pulvérisation d'aluminium jusqu'à une épaisseur d'environ 150 nm sans chauffage du substrat, puis par pulvérisation d'aluminium jusqu'à une épaisseur d'environ 200 nm après le début du chauffage du substrat devant le mener à la température de 350'C. L'abscisse représente l'écoulement du temps, l'unité étant l'heure, à partir du début de la mesure, et l'ordonnée représente la résistance, l'unité étant l'ohm (Q). La largeur de chaque motif de câblage en aluminium est de 2 uman, sa longueur est de 800 um, tandis que la densité de courant est de 2 x 106 A/cm2. Comme on peut le voir sur le graphe de la figure 2A, la valeur de résistance de chaque échantillon de motif de câblage en aluminium formé par un procédé de pulvérisation classique augmente fortement avec le temps, même s'il y a une variation de la résistance d'un échantillon à l'autre. Si l'on suppose qu'un échantillon qui présente une augmentation de résistance de 10 % ou plus par rapport à la valeur initiale est défectueux, on voit qu'environ 40 % des échantillons deviennent défectueux en 580 h. Comme on peut le voir sur le graphe de la figure 2B, la valeur de résistance de chaque échantillon de motif de câblage en aluminium formé par un procédé selon un mode de réalisation augmente à peine avec le temps. Il n'y a aucun échantillon défectueux, même après que 1 200 h se soient écoulées depuis le début de la mesure. La taille des grains présents sur les surfaces de motifs de câblage en aluminium formés respectivement par un procédé classique et par un procédé suivant un mode de réalisation de l'invention sont de 2,76 jum et 2,72 /anm. Chaque motif de câblage en aluminium formé par un procédé classique possède une taille de grain relativement importante, puisque le substrat a été chauffé de façon continue pendant toute la durée du processus. Les motifs de câblage en aluminium formés par un procédé selon un mode de réalisation peuvent chacun avoir éventuellement une petite taille de grain, puisque le substrat n'était pas chauffé lors du stade initial du processus. Toutefois, puisque le substrat était chauffé à partir du milieu du traitement, la taille de grain devient sensiblement aussi grande que celle du motif de câblage formé par le procédé classique. On a mesuré par diffraction de rayons X les plans cristallins (1 1 1) de motifs de câblage en aluminium formé par le procédé classique et par le procédé selon le mode de réalisation. Des crêtes indiquant les plans cristallins (1 1 1) sont apparues à 1 510 cps dans le cas du procédé classique, et à 7 120 cps dans le cas du procédé du mode de réalisation. On peut donc comprendre que la couche de câblage en aluminium formée par le procédé du mode de réalisation possède une tendance à présenter le plan (1 1 1) beaucoup plus grande que le procédé classique. On peut supposer que l'explication de ce phénomène est la suivante. Si l'on dépose une couche d'aluminium pendant le chauffage du substrat, la tendance à l'orientation du plan (1 1 1) suivant la surface s'affaiblit bien que la taille des grains augmente. D'autre part, si l'on dépose une couche d'aluminium sans chauffer le substrat, il se forme une couche d'aluminium qui possède une forte tendance à l'orientation suivant le plan (1 1 1), même si la taille des grains diminue. Si l'on chauffe le substrat après le milieu de l'opération de dépôt, on peut obtenir une grande taille de grain tout en conservant la forte tendance à l'orientation suivant le plan (1 1 1). De cette manière, on peut obtenir une couche de câblage en aluminium qui possède une forte tendance à l'orientation suivant le plan (1 1 1) en même temps qu'une taille de grain relativement grande. Dans ce mode de réalisation, on peut effectuer continûment le dépôt sans chauffage du substrat et le dépôt avec chauffage du substrat dans la même chambre sous vide, ce qui permet de maintenir le même rendement que pour un procédé classique, sans augmentation du nombre des opérations. Dans le mode de réalisation ci-dessus présenté, la température du gaz argon servant à chauffer le subtrat est fixéce à 350C. Cette température peut être de 300'C ou plus, et elle est de préférence de 400C ou moins, puisque l'aluminium fond à une température supérieure à 400C. Il est préférable de fixer l'épaisseur de la couche de câblage en aluminium qui est déposée avant le chauffage du substrat à une valeur de 20 à 50 %, ou, de façon préférée, de 30 à 50 %, de l'épaisseur totale de la couche de câblage en aluminium finale. Dans le mode de réalisation présenté ci-dessus, alors qu'on utilise une pulvérisation en courant continu pour le procédé de pulvérisation, il est possible d'utiliser aussi d'autres procédés de pulvérisation ayant des effets attendus analogues, comme la pulvérisation par magnétron en courant continu, la pulvéri- sation haute fréquence et la pulvérisation par magnétron haute fréquence. Dans le mode de réalisation ci-dessus présenté, on a indiqué que la couche de câblage en aluminium était déposée sur une couche stratifiée de TIfiN. On peut déposer la couche de câblage en aluminium sur d'autres couche, par exemple une couche métallique faisant fonction de barrière et une couche isolante, tout en obtenant des effets attendus analogues. L'invention se révèle particulière- ment efficace pour le dépôt d'une couche de câblage en aluminium sur une couche qui peut difficilement donner à la couche de câblage en aluminium une forte tendance à présenter le plan (1 11) lorsqu'on chauffe le substrat pendant toute la durée du traitement. La figure 3 est une vue en section droite partielle d'une DRAM fabriquée par un procédé de formation de couche d'aluminium selon un mode de réalisation de l'invention. Une pellicule 13 d'oxyde de champ dite aussi pellicule d'oxyde épais, quiest sélectivement formée à la surface d'un substrat 10 de silicium de type p entoure et définit une région active. Sur la surface de la région active, une électrode de grille 14 est formée, avec interposition entre elles d'une pellicule d'oxyde de grille. Des deux côtés de l'électrode de grille 14, sont formées des régions de source et de drain de type n+, 11 et 12. Une ligne de bit 16 est disposée sur la région de source 11. On forme la ligne de bit 16 par exemple à l'aide d'une structure stratifiée comprenant une couche de siliciure de tungstène sur une couche de silicium polycristallin. Une électrode 17 d'un condensateur de mémorisation est connectée à la région de drain 12. Une contre-électrode 18 est formée en regard de l'électrode 17, avec interposition entre elles d'une pellicule isolante mince. Ces électrodes 17 et 18 sont faites par exemple en silicium polycristallin. Au lieu d'une structure du type dit à ailette en une seule couche, on peut également utiliser une structure à ailette en deux ou plus de deux couches, ou bien d'autres structures de condensa- teurs. Sur la surface du substrat de silicium, il est formé une pellicule isolante intercouche 15 en SiO2 qui enterre la ligne de bit 16, l'électrode de grille 15 et le condensateur de mémorisation. Un trou de contact (trou passant) est formé dans la pellicule isolante intercouche 15 à l'emplacement qui correspond à la ligne de bit 16. Un motif de câblage en aluminium formant une première couche est électriquement connecté à la ligne de bit 16. Le motif de câblage en aluminium de la première couche est fait d'une pellicule stratifiée métallique de barrière 19 comprenant une couche de TiN placée sur une couche de Ti et d'une couche d'aluminium 20. La couche de Ti possède une épaisseur de 20 nm par exemple, et la couche de TiN possède une épaisseur de nm par exemple. La couche d'aluminium 20 est formée à l'aide du procédé du mode de réalisation ci-dessus décrit et possède une épaisseur de 500 nm par exemple. Des pellicules isolantes intercouches 21 et 22 sont formées, qui enterrent le motif de câblage en aluminium 20 de la première couche. Le motif de câblage en aluminium 20 de la première couche est connecté, via un trou de contact formé dans les pellicules isolantes intercouches 21 et 22, à un motif de câblage en aluminium 23 formant une deuxième couche, d'épaisseur 1 man par exemple. Le motif de câblage en aluminium 20 de la première couche est plus mince que le motif de câblage en aluminium 23 de la deuxième couche et, par conséquent, possède une plus grande densité de courant. Toutefois, le motif de câblage en aluminium de la première couche qui est formé par le procédé du mode de réalisation ci-dessus décrit peut supprimer l'apparition de l'électromigration. La couche sous-jacente du motif de câblage en aluminium 23 formant la deuxième couche est la pellicule isolante intercouche ou le motif de câblage en aluminium formant la première couche, de sorte qu'il ne faut pas nécessairement former une couche de TiN destinée à faire fonction de couche métallique de barrière. Il est préférable de former, sous le motif de câblage en aluminium formant la deuxième couche une couche de Ti qui possède une épaisseur d'environ 30 nm par exemple. Sur la couche de Ti, on peut former une couche d'aluminium qui possède une forte tendance à présenter le plan (1 1 1) même si on chauffe le substrat pendant toute la durée de l'opération de dépôt. Si l'on forme une couche stratifiée métallique de barrière comprenant une couche de T'i et une couche de TiN sous le motif de câblage en aluminium formant la deuxième couche, on améliore la résistance à l'électromigration. Sans cela, on forme de préférence le motif de câblage en aluminium de la deuxième couche comme le motif de câblage en aluminium de la première couche, en faisant déposer de 30 à 50 % de l'épaisseur totale sans chauffage, puis en faisant déposer le reste tout en chauffant le substrat. Dans ce mode de réalisation, on utilise de l'aluminium pour les couches de câblage. Un matériau constitué essentiellement d'aluminium, c'est-à- dire contenant de l'aluminium au titre de sa composition principale et une petite quantité d'un autre ou de plusieurs autres métaux et, ou bien, d'une matière semi- conductrice, peut être utilisé. Par exemple, on peut former une couche de câblage en AI avec 1 % de Si, en AI avec 1% de Si et 0,5 % de Cu, en AI avec 1 % de Ti, ou en AI avec 1 % de Si et 0,5 % de Ti. La durée de vie d'une couche de câblage en aluminium dépend de la corrosion aussi bien que de l'électromigration. On suppose que la corrosion provient principalement de l'eau qui passe dans la couche de câblage en aluminium depuis l'extérieur du dispositif pendant le fonctionnement. La corrosion s'accélère si du chlore ou une substance analogue se trouve en permanence à la surface d'une couche de câblage en aluminium, puisque le chlore, ou autres, réagit avec l'eau en formant HCI ou d'autres composés. On va maintenant présenter un procédé permettant d'empêcher la corrosion d'une couche de câblage en aluminium, selon un mode de réalisation de l'invention. La figure 4 montre la structure d'un système dans lequel une opération de gravure d'une pellicule d'aluminium et un processus d'oxydation sont mis en oeuvre dans la même chambre sous vide. Sur la figure 4, le numéro 101 représente une chambre sous vide, le numéro de référence 102 représente un orifice d'alimentation en gaz de gravure, le numéro de référence 103 représente un orifice d'évacuation connecté à une pompe aspirante (non représentée), le numéro de référence 104 représente un orifice d'alimentation en oxygène, le numéro de référence 105 représente un déshumidificateur qui contient du gel de silice, de l'alumine activée, ou autres, le numéro de référence 106 représente une électrode servant à appliquer une puissance électrique haute fréquence produite par une source électrique haute fréquence 107, et le numéro de référence 108 représente un plateau de fixation destiné à porter une pastille. Le plateau de fixation 108 est doté d'un passage pour un gaz, de manière à pouvoir être chauffé ou refroidi. Une pastille est montée sur le plateau de fixation 108 dans la chambre sous vide 101. On prépare la pastille en formant une pellicule isolante sur un substrat, en formant une pellicule d'aluminium sur la pellicule isolante, et en formant, par un procédé lithographique, un motif pelliculaire d'agent sensible du type réserve correspondant à un motif de câblage. Après qu'on a fait le vide dans la chambre 101 via l'orifice d'évacuation 103, on introduit un gaz à base de chlore dans la chambre sous vide 101 via l'orifice d'alimentation en gaz 102. Le gaz à base de chlore est par exemple un mélange gazeux de chlore et de chlorure de bore (BC13), un mélange gazeux de chlore et de chlorure de silicium (SiCl4), un mélange gazeux de chlore et de bromure d'hydrogène (HBr), ou un mélange de chlore et de bromure de bore (BBr). Après cela, on applique la puissance électrique haute fréquence produite par la source électrique haute fréquence 107 à l'électrode 106 afin de former un plasma du gaz à base de chlore introduit. La pellicule d'aluminium est gravée par le plasma du gaz à base de chlore, de sorte qu'il est formé un motif de câblage en aluminium. Apres la gravure, on maintient le vide, on soulève la pastille à l'aide de tiges montées sur le plateau de fixation 108, et on élève la température du plateau de fixation jusqu'à environ 500C. Ensuite, on ramène la pastille sur le plateau de fixation 108 chauffé à 500 C environ et on l'y laisse pendant une brève durée, d'environ 1 s, afin qu'il s'échauffe. Le chlore fixé à la surface de la pastille fait donc l'objet d'une désorption et en est retiré. On chauffe de préférence la pastille à une température d'environ 180 à 650 C et pendant une durée d'environ 5 à 60 s. Ensuite, on abaisse la température du plasteau de fixation 108 en le refroidissant à l'aide d'un gaz. On arrête la pompe aspirante, et on introduit dans la chambre sous vide 101, via l'orifice 104 d'alimentation en oxygène, du gaz d'oxygène déshumidifié par le déshumidificateur 105 afin de former une pellicule d'oxyde à la surface du motif de câblage en aluminium. Dans le mode de réalisation ci-dessus présenté, les opérations de gravure, de chauffage et d'oxydation sont effectuées dans la même chambre. Au lieu de cela, on pourrait aussi utiliser deux chambres, ou plus. La figure 5 représente un système dans lequel une chambre de gravure placée sous vide et une chambre d'oxydation placée sous vide sont prévues séparément. Sur la figure 5, les éléments identiques à des éléments représentés sur la figure 4 sont représentés à l'aide de numéros de référence identiques. Sur la figure 5, le numéro de référence 111 représente une chambre de gravure sous vide, le numéro de référence 112 représente une chambre d'oxydation sous vide, et le numéro de référence 113 représente une vanne faisant fonction de porte. Après la gravure effectuée dans la chambre de gravure sous vide 111, on ouvre la vanne 113 et on transporte la pastille dans la chambre d'oxydation sous vide 112 afin d'oxyder la surface du motif de câblage en aluminium. L'opération de chauffant visant à éliminer le chlore qui s'est fixé à la surface de la couche de câblage en aluminium peut être effectuée dans la chambre de gravure sous vide 111 ou bien dans la chambre d'oxydation sous vide 112. La figure 6 montre la structure d'un autre système, dans lequel l'opération de chauffage est effectuée dans une chambre indépendante. Sur la figure 6, les éléments qui sont identiques à des éléments présentés sur les figures 4 et 5 sont désignés à l'aide de numéros de référence identiques. Une autre chambre sous vide 116 est installée entre une chambre de gravure sous vide 111 et une chambre d'oxydation sous vide 112, qui sont analogues à celles de la figure 5. La chambre sous vide 116 possède une plaque chaude 114 équipée d'un moyen de chauffage et une plaque froide 115 équipée d'un moyen de refroidissement. Après la gravure effectuée dans la chambre de gravure sous vide 111, on transporte la pastille jusque sur la plaque chaude 114, afin de la chauffer et d'en éliminer le chlore. Ensuite, on transporte la plastille jusque sur la plaque froide 115 pour la refroidir, après quoi on transporte la pastille à la chambre d'oxydation 112 afin de former une pellicule d'oxyde à la surface du motif de câblage en aluminium. Les modes de réalisation ci-dessus utilisent une couche de câblage qui contient 100% d'aluminium. D'autres couches de câblage en aluminium, constituées essentiellement en AI et comportant une petite quantité d'autre métal et, ou bien, de matériau semiconducteur sont largement utilisés pour améliorer la résistance à la migration des contraintes et à l'électromigration. Par exemple, il peut s'agir de AI avec 1% de silicium, de AI avec 1% de silicium et 0,5 % de cuivre, et de AI avec 1% de titane (Ti). Les modes de réalisation ci-dessus présentés sont efficaces pour ces couches de câblage en alliage d'aluminium. Si un métal, spécialement le cuivre, a été placé dans l'alliage d'aluminium pour améliorer la résistance à la migration, puisqu'il existe une grande différence de tendance à l'ionisation entre le cuivre et l'aluminium, il apparaît un effet de pile voltaïque et une corrosion est susceptible de se produire. Comme matériau placé sous une couche de câblage en aluminium, on utilise largement un métal réfractaire, un nitrure de métal réfractaire, un oxynitrure de métal réfractaire, comme le nitrure de silicium, principalement pour améliorer la résistance à la migration. Dans ce cas également, un effet de pile voltaïque apparaît et la corrosion est susceptible de se produire. On s'attend à ce que les effets des modes de réalisation soient plus distincts dans le cas o la couche de câblage en aluminium forme un effet voltaïque en liaison avec la couche adjacente située au-dessous ou au-dessus. Les modes de réalisation ci-dessus présentés peuvent être appliqués non seulement à un processus de gravure utilisant un gaz à base de chlore, mais aussi à un processus de gravure utilisant un gaz à base d'halogène. On va décrire ci-après un autre mode de réalisation, dans lequel les résidus subsistant sur une couche de câblage ou autres, qui ont été laissés pendant l'opération de gravure, peuvent être enlevés de manière fiable. Les figures 7A à 7D sont des vues en section droite qui expliquent un processus d'application de tracé de motif à une pellicule d'aluminium ou une pellicule d'alliage d'aluminium selon un mode de réalisation de l'invention. Un motif fait en aluminium ou en alliage d'aluminium est utilisé comme motif de câblage ou comme électrode d'un dispositif à semiconducteur. Dans la description suivante, bien qu'on n'utilise qu'une pellicule en alliage d'aluminium, la marche et les effets du mode de réalisation s'applique aussi de façon générale à une pellicule d'aluminium. Tout d'abord, on forme une pellicule en alliage d'aluminium d'une épaisseur de 0,5 à 1,2 nm à la surface d'une pellicule isolante formée sur une pastille semiconductrice. La pellicule en alliage d'aluminium peut être faite en Al-Cu, Al-Cu-Si, ou en un autre alliage. On forme un motif en agent sensible du type réserve sur la pellicule d'alliage d'aluminium pour graver à sec la pellicule d'alliage d'aluminium et en retirer la partie non recouverte par le motif d'agent sensible. Pour effectuer cette gravure à sec, on utilise comme gaz de gravure un mélange gazeux formé par exemple de BCl3, Cl2 et SiCI4, et on fait appel à une gravure anisotrope ayant une moindre gravure latérale, par exemple une gravure ionique réactive (RIE). La section droite obtenue après cette opération de gravure est présentée sur la figure 7A. Sur la figure 7A, on peut voir une pellicule isolante 211, une pellicule 212 en alliage d'aluminium, et un motif d'agent sensible 213, après la gravure. Pendant l'opération de gravure de la pellicule d'alliage d'aluminium 212, une pellicule 214 de protection de paroi latérale se fixe à la paroi latérale, formée par le tracé de motif, de la pellicule d'alliage d'aluminum 212, cette pellicule 214 de protection de paroi latérale contenant une grande quantité de AICI3, Cl2, etc., qui ont été produits pendant l'opération de gravure. La pellicule 214 de protection de paroi latérale a pour fonction d'empêcher la gravure latérale pendant l'opération de gravure. L'épaisseur de la pellicule 214 de protection de paroi latérale est d'environ 20 nm. Cette épaisseur varie également avec la température du processus, et elle augmente lorsque la température diminue. Apres avoir effectué l'opération de tracé de motif sur la pellicule d'alliage d'aluminium 212, on abrase le motif d'agent sensible 213, par exemple à l'aide d'un plasma de 02, comme représenté sur la figure 16B. Ainsi que cela est montré sur la figure 8, une chambre de gravure 220 et une chambre d'abrasion 222 sont couplées à l'aide d'un sas de chargement 224 qui peut maintenir le vide à l'intérieur des chambres 220 et 222. Le processus de gravure visant à appliquer le tracé de motif à la pellicule d'alliage d'aluminium 212 est effectué dans la chambre de gravure 220, par exemple par RIE. Après la gravure, on fait sortir le gaz de gravure contenue dans la chambre de gravure 220 et on transporte la pastille, via le sas de chargement 224, jusque dans la chambre d'abrasion 220. On introduit du gaz 02 dans la chambre de gravure 220 afin d'abraser le motif d'agent sensible 213. Après l'abrasion de l'agent sensible, on fait sortir de la chambre d'abrasion 220 la pastille dotée de la pellicule isolante 211 et de la pellicule d'alliage d'aluminium 212. Ensuite, comme représenté sur la figure 7C, on immerge dans une solution aqueuse 215 de nitrate d'argent (AgNO3) la pastille portant la pellicule isolante 211 et la pellicule d'alliage d'aluminium 212. On peut aussi pulvériser la solution aqueuse de nitrate d'argent 215 sur la pellicule d'alliage d'aluminium 212. Lorsque la pellicule d'alliage d'aluminium 212 a été immergée dans la solution aqueuse de nitrate d'argent 215, une réaction telle qu'indiquée par l'équation (1) suivante se produit, au cours de laquelle les ions de chlore (CI-) se trouvant dans la paroi latérale de la pellicule d'alliage d'aluminium 212 sont capturés par des ions d'argent (Ag+). Le sous-produit de la réaction précipite. Ag+ + Cl- - AgCl...(1) Comme représenté sur la figure 7D, lorsque la pellicule d'alliage d'aluminium 12 contenant du chlore résiduel est immergée dans la solution aqueuse de nitrate d'argent 215, les ions d'argent (Ag+) réagissent avec les ions de chlore (ions CI-) et un précipité blanchâtre de chlorure d'argent (AgCI) se forme. Le chlorure d'argent (AgCl) obtenu à partir des ions de chlore et d'argent n'est pas actif. De cette manière, en utilisant la solution aqueuse de nitrate d'argent (AgNO3) 215 au titre d'une solution contenant de l'argent (Ag), on peut rendre complètement inactif le chlore résiduel. L'utilisation de la solution aqueuse de nitrate d'argent (AgNO3) 215 comme solution contenant de l'argent (Ag) se révèle également avantageuse sur les points suivants. Plus particulièrement, après l'opération de gravure de la pellicule d'alliage d'aluminium 212, on effectue souvent un traitement à l'aide d'acide nitrique (HNO3). Dans ce cas, si on utilise la solution aqueuse de nitrate d'argent à la place de l'acide nitrique, les effets de l'acide nitrique et les effets anticorrosifs sont tous deux obtenus, de sorte que les opérations peuvent être simplifiées. Un traitement à l'aide d'acide nitrique (HNO3) effectué après une opération de gravure est destiné à mettre en état flottant le "polybrat" sur la couche d'alliage d'aluminium 212 et à l'éliminer, ainsi qu'à empêcher la corrosion de la pellicule d'alliage d'aluminium 212 par formation d'une pellicule d'oxyde. Le "polybrat" est une composition associée à la pellicule de protection de paroi latérale qui est formée par la gravure anisotrope, et il contient des éléments de l'agent sensible du type réserve. Après le traitement par la solution aqueuse de nitrate d'argent, on effectue un lavage à l'eau pure. Une petite quantité seulement du chlorure d'argent (AgCI) se dissout dans l'eau pure à la température ambiante, par exemple 1,5 x 10-3 g/l, et ce produit est chimiquement stable. Même s'il reste une très petite quantité de chlorure d'argent sur la paroi latérale après le lavage à l'eau pure ou l'opération de rinçage, le chlorure d"argent est très peu actif sous forme de précipité blanchâtre, par comparaison au chlore résiduel. Ce précipitat blanchâtre de chlorure d'argent produit rarement la corrosion de la pellicule d'alliage d'aluminium 212 et ne crée aucun effet de pile voltaïque. Comme décrit ci-dessus, dans le procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur selon ce mode de réalisation, on immerge la pellicule d'alliage d'aluminium 212, après abrasion de l'agent sensible, dans la solution aqueuse de nitrate d'argent 215. Il est donc possible de faire réagir le chlore résiduel (CI) se trouvant sur la paroi latérale de la pellicule d'alliage d'aluminium 212 avec des ions d'argent (Ag+). On peut donc supprimer la corrosion de la pellicule d'alliage d'aluminium 212 et améliorer les performances du dispositif Dans la description précédente, alors qu'on a utilisé la solution aqueuse de nitrate d'argent 215 comme solution contenant des ions d'argent, il est évident qu'une solution contenant des ions d'argent ne se limite pas à la solution aqueuse de nitrate d'argent 215. Par exemple, si on ajoute un alcalin à la solution aqueuse de nitrate d'argent, un oxyde d'argent brun sombre précipite du fait de la réaction indiquée dans l'équation (2) suivante. Cet oxyde d'argent se dissout dans l'eau et l'eau devient fortement alcaline. Au lieu de la solution aqueuse de nitrate d'argent, on peut utiliser une solution aqueuse contenant de l'hydroxyde d'argent (AgOH) obtenue à partir de l'oxyde d'argent. 2 Ag+ + 2 OH- - 2 AgOH - Ag20 + H20...(2) En outre, au lieu d'utiliser une solution contenant des ions d'argent (Ag+) pour lesquels le produit de solubilité [Ag+][CI-] avec les ions CI- est d'environ 1,1 x 10-10 (à 18'C), on peut aussi utiliser une solution aqueuse contenant un métal qui forme un chlorure métallique ayant un faible produit de solubilité. fi vaut mieux que le produit de solubilité soit inférieur à 1 x 10-1, et, de préférence à 1 x 10-3, ou moins. Par exemple, une solution aqueuse de nitrate de plomb contenant des ions de plomb (Pb+), pour lesquels le produit de solubilité [Pb2+][CI-]2 avec les ions CI- est d'environ 2, 4 x 10-4 (à la température ambiante) peut être utilisé à la place d'ions d'argent (Ag+) pour faire cristalliser le chlore résiduel (Cl) en un précipitat blanchâtre de chlorure de plomb (PbC12) et pour empêcher la corrosion de la pellicule d'alliage d'aluminium 212. Il est possible de laisser le chlore d'argent ou le chlorure de plomb sur le substrat (pastille). Si, pour certaines raisons, il ne convient pas de laisser ces matériaux, on peut les enlever au moyen de l'une des deux méthodes (i) et (ii) suivantes. (i) AgCl réagit avec une solution d'hydroxyde d'ammonium (NH40H) selon l'équation (3) suivante et se dissout en formant des ions complexes. On peut donc éliminer AgCI du substrat (pastille). AgCI + 2NH40H - (Ag(NH3)2)CI + 2 H20...(3) o (Ag(NH3)2)Cl est achromatique. On traite une pastille par AgNO3 et par une solution d'hydroxyde d'ammonium pour faire progresser la réaction indiquée par l'équation (3). De cette manière, AgCI peut se dissoudre dans la solution d'hydroxyde d'ammonium. De la même manière, le chlorure de plomb se dissout dans une solution d'hydroxyde d'ammonium en formant des ions complexes, ce qui permet de retirer le chlorure de plomb du substrat (pastille). Pour dissoudre le chlorure d'argent et le chlorure de plomb sous forme d'ions complexes, on peut utiliser, à la place de la solution d'hydroxyde d'ammonium, une solution de Na2S203. La solution d'hydroxyde d'ammonium est plus efficace, car elle ne contient pas de sodium et lcs performances du dispositif à semiconducteur ne se dégradent pas de manière non nécessaire. (ii) On traite la pastille à l'aide d'une solution de gélatine à 1% juste avant de la traiter avec AgN03, après quoi on traite la pastille à l'aide d'une solution de AgNO3 additionnée de 1% de gélatine. De cette manière, on peut retirer le chlorure d'argent résiduel se trouvant sur la pastille. Le tracé de motif et les opérations ultérieures effectuées sur la pellicule d'alliage d'aluminium ont été décrits précédemment. On peut attendre également une marche et des effets semblables pour une pellicule d'aluminium. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir des procédés dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATlONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: placer un substrat (3) sur un moyen porte-substrat installé dans une chambre sous vide (1), en vue de préparer la formation d'une couche de câblage en aluminium ou en alliage d'aluminium sur ledit substrat; et déposer d'abord une première sous-couche de câblage contenant de l'aluminium comme constituant principal sur ledit substrat sans chauffer intention- nellement ledit substrat, puis, au milieu de l'opération de dépôt, déposer une deuxième sous-couche de câblage contenant de l'aluminium comme constituant principal sur ladite première sous-couche de câblage en chauffant ledit substrat. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit moyen porte-substrat possède une cavité conçue pour qu'on y fasse circuler un gaz, et ladite opération de dépôt comporte l'opération consistant à faire circuler dans ladite cavité dudit moyen porte-substrat un gaz chauffé après le dépôt de ladite première sous-couche de câblage jusqu'à une première épaisseur. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que ledit gaz chauffé a une température de 300 à 400 C. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que ledit gaz chauffé est du gaz argon. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que ledit substrat comporte une couche de TIN formée à la surface dudit substrat. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce qu'une couche de Ti est formée entre ladite couche de TiN et la surface dudit substrat. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que ladite opération de dépôt dépose par pulvérisation lesdites première et deuxième sous-couches de câblage. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que ladite opération de dépôt fait commencer commence le chauffage dudit substrat après que ladite première sous-couche de câblage a été déposée à une épaisseur de 20 à 50 % de l'épaisseur totale desdites première et deuxième sous- couches de câblage. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que ladite opération de dépôt fait commencer le chauffage dudit substrat après que ladite première sous-couche de câblage a été déposée à une épaisseur de 30 à 50 % de l'épaisseur totale desdites première et deuxième sous-couches de câblage. 10. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: former une pellicule métallique d'aluminium ou d'alliage d'aluminium à la surface d'une pellicule isolante se trouvant sur un substrat; graver à sec ladite pellicule métallique et lui appliquer un tracé de motif à l'aide d'un gaz à base de chlore afin de former un motif de câblage métal- lique; et chauffer sous vide ledit substrat doté dudit motif de câblage métallique afin de libérer le chlore qui est fixé audit motif de câblage métallique. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à former une pellicule d'oxyde sur ledit motif de câblage métallique en mettant en contact avec de l'oxygène déshumidifié ledit motif de câblage métallique, après ladite opération de chauffage. 12. Procédé selon la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce que ladite opération de chauffage est effectuée à une température comprise dans l'intervalle approximatif de 180 à 650 C pendant une durée approximative de 5 à s. 13. Procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: graver une pellicule conductrice et lui appliquer un tracé de motif à l'aide d'un gaz à base de chlore, ladite pellicule conductrice étant faite en aluminium ou en alliage d'aluminium et étant déposée à la surface d'une pellicule isolante formée sur un substrat; et exposer ledit substrat doté de ladite pellicule conductrice à une solution réactive contenant un métal qui est en mesure de réagir avec le chlore et de former un chlorure de métal possédant un petit produit de solubilité. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit métal est l'argent ou le plomb. 15. Procédé selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que ladite solution réactive est une solution aqueuse de nitrate d'argent ou une solution aqueuse de nitrate de plomb. 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 à 15, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à exposer ledit substrat à une solution de libération qui est en mesure de libérer le chlorure d'argent ou le chlorure de plomb restant sur ledit substrat en changeant ledit chlorure d'argent ou ledit chlorure de plomb en ions complexes d'argent ou en ions complexes de plomb, après ladite opération d'exposition dudit substrat à ladite solution réactive. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que ladite solution de libération contient de l'hydroxyde d'ammonium ou Na2S203.