Brevet FR2713668A1 — publié le 19950616

La présente invention concerne un procédé et un dispositif de revête- ment sous vide de lentilles optiques, en particulier constituées par des matières plastiques, avec des couches protectrices transparentes et avec des couches optiques transparentes simples ou multiples en au moins deux opérations, dans lesquels, dans la première opération, une quantité prédéterminée de lentilles situées dans une zone de revêtement sont munies par un procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma (DCPVD ou PCVD) d'une couche protectrice transparente qui consiste au moins pour la plus grande partie en composés de l'oxygène et/ou de l'azote, qui possède une épaisseur comprise entre 0,5 et 10 um, de préférence entre 1 et 5 um, et un indice de réfraction qui se rapproche le plus possible de celui du matériau constituant les lentilles, et dans lesquels, dans la seconde opération, la couche optique est formée en une épaisseur plus faible que la couche protectrice. Il est connu par le document DE-A-4 128 547 d'appliquer sur des substrats, dans une chambre à vide unique et de manière successive, des couches protectrices constituées par SiO2 puis des couches optiques constituées par des matériaux tour à tour à indice de réfraction élevé et à indice de réfraction faible. Ces couches protectrices sont relativement épaisses et sont destinées à protéger le substrat contre les influences mécaniques et chimiques. Dans le cas de substrats constitués par des matières plastiques, qui sont relativement mous par rapport aux substrats constitués par des substances minérales, les couches protectrices ont également pour but d'éviter une "pénétration" ou un "enfoncement" des couches optiques dans le substrat en matière plastique sous l'effet de forces locales, propriété qui est d'importance décisive notamment dans le cas des verres de lunettes étant donné que ceux-ci sont exposés à des sollicitations particulièrement marquées du fait des fréquentes opérations de nettoyage. Dans le procédé connu, la couche protectrice est appliquée par vaporisation par bombardement électronique de SiO2 et sous l'action simultanée d'une source de plasma alimentée en argon. La fabrication des couches optiques est réalisée elle aussi au moyen d'un dispositif de vaporisation à bombardement électronique, un gaz réactif tel que l'oxygène et/ou l'azote pouvant être introduit en plus dans la chambre à vide. Ce dispositif connu et le procédé qui y est mis en oeuvre ne peuvent cependant pas être intégrés dans un procédé de production continu ou quasi- continu car les substrats revêtus terminés sont toujours obtenus simultanément en quantité relativement importante. Tous les substrats sont portés simultanément par un support de substrat en forme de calotte qui doit être situé à une distance sensible non seulement du dispositif de vaporisation à bombardement électronique mais aussi de la source de plasma du fait que l'épaisseur des couches doit être uniforme non seulement sur chaque substrat mais aussi sur tous les substrats. Le procédé et le dispositif connus ne sont pas adaptés à un fonctionnement synchronisé avec libération d'un ou deux substrats en coïncidence avec des processus de production situés en amont ou en aval. Par le document DE-A-2 900 724 on connaît un procédé dans lequel des substrats, dont aucune précision n'est donnée en ce qui concerne la structure et/ou la géométrie, sont munis tour à tour de couches de polymères luminescents et de couches métalliques. Un revêtement métallique est exclu dans le cas des lentilles optiques, en particulier lorsque les couches métalliques présentent une épaisseur correspondante. Aucune précision n'est apportée en ce qui concerne les rapports entre les épaisseurs des couches ni en ce qui concerne les vitesses de revêtement dans les différents postes de revêtement. Manifestement, des couches relativement épaisses doivent être formées également par plusieurs passages des substrats avant que ceux-ci ne soient retirés du dispositif. Il se forme donc tour à tour des couches de polymères luminescents et des couches métalliques sur des substrats qui manifestement ne sont pas des lentilles, en particulier qui ne sont pas des verres de lunettes. Par le document DE-A-3 623 970 il est connu de guider des supports de substrats bidimensionnels en position verticale au moyen d'un système de galets dans une installation de revêtement dans laquelle un revêtement bilatéral peut se dérouler également. Ce document ne mentionne pas le cas des lentilles optiques et ne contient aucune indication en ce qui concerne les rapports entre les épaisseurs des couches et les vitesses de transport ou les fréquences de synchronisation éventuellement différentes dans les cas o il pourrait être question d'appliquer successivement pendant le même cycle opératoire des épaisseurs de couches fortement différentes les unes des autres. Le document DE-A-4 203 631 divulgue un procédé et un dispositif pour le traitement d'une couche d'oxyde qui peut se trouver déjà au préalable sur une feuille ou qui est appliqué sur la feuille dans une sorte de préchambre en amont d'un poste de traitement. Il ne s'agit donc pas de former deux ou plusieurs couches successives mais simplement de réaliser le post-traitement d'une couche, par exemple pour l'éclaircir. Ainsi, le problème du contrôle de la répartition des épaisseurs des couches ne se pose pas. Il est connu également de former des couches protectrices du type décrit au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur par plasma (DCPVP ou PCVD) dans lequel les substrats peuvent être revêtus par passes. Il est connu également de disposer les substrats dans un tel procédé sur le côté extérieur d'un tambour rotatif et de faire passer les substrats dans une ou plusieurs zones de revêtement par rotation du tambour. Là encore, tous les substrats sont terminés simultanément, c'est-à-dire qu'un fonctionnement synchronisé et une intégration dans un procédé de production automatique avec des étapes de traitement en amont et en aval ne sont pas possibles. Pour illustrer le problème qui se pose lors de la formation de couches protectrices "relativement épaisses", on peut considérer ce qui suit: dans le procédé dit de vaporisation thermique (chauffage du matériau à vaporiser par bombardement électronique, arc électrique ou effet joule transmis par une nacelle de vaporisation) il se forme des couches relativement peu compactes sur un substrat non chauffé. Une "structure colonnaire" qui devient de plus en plus marquée lorsque l'épaisseur de couche augmente est typique. Cet effet peut être combattu par une élévation de la température des substrats, ce qui exclut cependant les possibilités d'application d'un tel procédé pour de nombreux matériaux de substrat. En outre, dans ce procédé également, la distance notable entre les sources de revêtement et les substrats qui a été évoquée précédemment est nécessaire. Cependant, dans tous les cas, la vitesse de revêtement, qui est comprise entre 0,1 et nm/s selon les matériaux, est relativement faible. Cest pourquoi, pour revêtir des lentilles en matière plastique, en particulier des verres de lunettes en matière plastique, on a développé des procédés d'enduction ou de vernissage dans lesquels, dans un processus chimique humide, des-vemrnis durs sont appliqués sur la surface déjà polie des lentilles. Après séchage et durcissement de ces vernis durs, les couches transparentes antireflets simples ou multiples peuvent être appliquées sous vide. Ce type de procédé ne peut pas être intégré non plus dans un procédé de production synchronisé. En outre, la technique de vernissage chimique humide est relativement coûteuse, d'autant plus que les vernis ne peuvent être préparés que peu de temps avant la mise en oeuvre. Bien que le prévemissage chimique humide des substrats soit superflu dans un procédé selon le document DE-A-4 128 547 déjà cité, qui est également appelé "vaporisation favorisée par des ions", ce procédé ne peut pas être intégré dans un procédé de production continu, quasi-continu ou synchronisé. Dans le procédé PCVD, la couche n'est pas constituée à partir d'un matériau de revêtement solide comme dans le cas de la pulvérisation cathodique ou de la vaporisation, mais à partir d'une phase gazeuse. Un gaz correspondant est "activé" au moyen d'un plasma. Sur la surface du substrat se déroulent alors des réactions chimiques qui conduisent à la formation de la couche. Les besoins en énergie pour la formation du plasma sont sensiblement égaux à 10 % des besoins en énergie nécessaires pour la pulvérisation cathodique ou la vaporisation, pour des vitesses de dépôt identiques. Les couches diélectriques formées par PCVD sont en règle générale plus élastiques et plus denses que les couches vaporisées ou formées par pulvérisation cathodique comparables. L'invention est basée sur un tel procédé PCVD. Dans les procédés PCVD, on utilise comme substances formatrices de couches des fluides gazeux ou très volatils. Cest ainsi par exemple qu'une couche analogue à du quartz peut être déposée à partir des matières premières que sont le TMDS ou le HMDSO ou à partir d'un mélange gazeux de silane d'une part et d'oxygène ou de gaz hilarant d'autre part, auquel cas une proportion notable d'hydrogène entraîne fréquemment une forte réticulation de la couche. L'excitation du plasma basse pression peut être obtenue alors au moyen d'électrodes en courant continu ou au moyen d'un courant alternatif par voie inductive (avec des bobines alimentées avec des fréquences déterminées) et/ou par voie capacitive (au niveau d'électrodes reliées à des sources d'énergie correspondantes) ou par introduction d'une énergie hyperfréquence. On obtient ainsi des appareils extrêmement simples qui fonctionnent de manière très fiable dans un domaine de pression étendu, par exemple entre 102 et 103 Pa (10-3 à 10-2 bar). Le revêtement d'un petit nombre de substrats en forme de calottes, jusques et y compris le revêtement d'un seul substrat, par le procédé PCVD est déjà connu par le document DE-C-4 008 405 dans le cas de la fabrication de miroirs à lumière froide. Cependant, ce document n'indique aucune mesure ni aucun moyen permettant le fonctionnement synchronisé d'une telle installation en vue de son intégration dans un procédé de production complexe. Pour remédier aux inconvénients cités précédemment, la présente invention a pour but de proposer un procédé du type décrit ci-dessus qui puisse fonctionner de manière synchronisée et qui puisse être intégré dans un procédé de production complexe précédé et suivi par des étapes de traitement. En particulier, ce procédé doit permettre une alimentation synchronisée des procédés de produc- tion ou des étapes de production en aval. Ce but est atteint selon la présente invention par un procédé qui est caractérisé en ce que: a) une quantité limitée de nouvelles lentilles est amenée en continu à la zone de revêtement de la première étape du procédé au moyen d'un procédé continu et une quantité limitée de lentilles est prélevée dans cette zone après le revêtement, b) dans la seconde étape du procédé, la quantité limitée prélevée dans la première étape du procédé est munie au moyen d'un autre procédé continu d'une couche optique transparente, antireflets, simple ou multiple, et en ce que c) les vitesses de transport ou fréquences de synchronisation des lentilles dans les deux étapes du procédé sont réglées de telle manière qu'en moyenne, par unité de temps, les mêmes quantités de lentilles revêtues sont formées par chaque étape du procédé. De préférence, les lentilles sont soumises pendant le revêtement à une rotation autour d'un axe perpendiculaire au centre des surfaces à revêtir. Grâce au procédé selon l'invention, il est possible de munir les lentilles en peu de temps d'une couche protectrice transparente incolore résistant aux rayures et aux produits chimiques très épaisse et de former ensuite des couches antireflets simples ou multiples dans le même cycle, de sorte que la fabrication d'un nombre correspondant de lentilles, y compris d'une seule lentille, est possible de manière synchronisée. La combinaison du principe d'une installation synchronisée et de la technique de revêtement PCVD permet d'obtenir une amélioration de la rentabilité du revêtement industriel de lentilles et en même temps une augmentation de la qualité des couches et de la fonctionnalité. Bien que la mise en oeuvre du procédé soit particulièrement avantageuse dans le cas des lentilles en matière plastique, elle n'est absolument pas limitée à ce cas mais s'étend également au cas des lentilles transparentes en matériaux minéraux, car du fait de la sollicitation thermique relativement faible des lentilles, l'influence des coefficients de dilatation thermique différents sur la qualité des couches est réduite. Les matières plastiques qui peuvent être utilisées sont par exemple: CR 39 = poly(bisallyl-carbonate de diéthylèneglycol) PMMA = polyméthylméthacrylate PS = polystyrène PC = polycarbonate Cependant, le procédé selon l'invention n'est pas limité à l'utilisation de ces matériaux. CR 39 a par exemple un indice de réfraction de 1,5, mais entre- temps on a développé des matières plastiques dont l'indice de réfraction est supérieur à 1,6. Des lentilles optiques, en particulier des verres de lunettes, à nombre de dioptries prédéterminé peuvent être obtenues d'autant plus facilement que l'indice de réfraction est plus élevé. Pour la seconde étape du procédé, il est possible d'utiliser d'autres procédés que le procédé PCVD, par exemple un revêtement par vaporisation thermique, pulvérisation cathodique et/ou par vaporisation favorisée par les ions, par exemple selon le document DE-A-4 128 547. Toutefois, dans le cas de couches simples ou multiples à épaisseur de couche beaucoup plus faible, il est particulièrement avantageux de mettre en oeuvre également la seconde étape du procédé selon le procédé PCVD. Dans ce cas, il est possible de maintenir un volume de chambre particulièrement petit car une dispersion de vapeur n'est pas nécessaire contrairement au cas de la vaporisation thermique. Des volumes de chambre réduits ou une limitation de l'espace rempli par le plasma permettent de réaliser très rapidement un échange gazeux de manière à pouvoir appliquer tour à tour des matériaux de couche différents. De tels systèmes de couches consistent par exemple en matériaux de couche tour à tour d'indice de réfraction élevé et d'indice de réfraction faible. L'invention repose sur l'adaptation mutuelle d'étapes du procédé dans lesquelles des couches d'épaisseur extrêmement différente sont appliquées, de manière à permettre la fourniture synchronisée de lentilles totalement revêtues, par exemple isolées ou par paires, sans préjudice pour le rendement de l'ensemble du procédé. En particulier, il n'est plus nécessaire de prévoir un stockage intermédiaire des lentilles partiellement revêtues. Dans un tel stockage intermédiaire, l'absorption inévitable de vapeur d'eau de la part des lentilles exerce une influence particulièrement gênante. Le procédé selon l'invention permet d'amener à la deuxième étape du procédé les lentilles provenant de la première étape du procédé sans contact avec l'atmosphère. Grâce au procédé selon l'invention, il est possible d'appliquer dans une zone de revêtement un système multicouche complet sur une lentille en une durée de cycle comprise entre 30 et 60 s par exemple. Le revêtement bilatéral est important pour de nombreuses lentilles, en particulier pour les lentilles en matière plastique, en particulier pour les verres de lunettes en matière plastique. Le revêtement bilatéral peut être réalisé successivement ou simultanément. Dans le premier cas, on procède de manière particulièrement avanta- geuse en revêtant tout d'abord d'un côté les lentilles maintenues par un support de substrat déplacé entre un sas d'entrée et un sas de sortie, en retournant ensuite de les lentilles revêtues d'un côté et en les renvoyant vers le sas d'entrée, en les transmettant au support de substrat, en revêtant le deuxième côté à l'état retourné puis en évacuant les lentilles par le sas de sortie. Dans le deuxième cas, on utilise des supports de substrat munis de découpures correspondantes, en liaison avec des sources d'excitation qui sont disposées des deux côtés de la voie de transport des lentilles. Il est particulièrement avantageux de fournir l'énergie d'excitation pour le plasma au moyen d'au moins une électrode rectangulaire disposée sous vide dont le plan principal et le grand axe s'étendent parallèlement à la voie ou aux voies de transport des lentilles. L'expression "électrodes rectangulaires" englobe également les élec- trodes allongées comportant des extrémités arrondies ainsi que les électrodes à surface non plane, par exemple à surface structurée, dont la structuration peut être obtenue par exemple par des protubérances telles que des nervures ou par des évidements. Le rendement du procédé de revêtement PCVD peut être augmenté de manière avantageuse en concentrant le plasma sur le côté de l'électrode tourné vers les lentilles au moyen d'un tunnel magnétique fermé à grands côtés et petits côtés, dont la géométrie est analogue au contour de l'électrode. De cette manière, l'électrode joue le rôle d'une cathode de magnétron sans qu'une cible vaporisable soit utilisée dans le procédé PCVD. Au contraire, on veille de manière judicieuse, grâce au choix des matériaux et/ou des paramètres du procédé, à ce que le matériau de l'électrode ne soit pas vaporisé lui-même au cours du déroulement du procédé PCVD. L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre de la première étape du procédé qui comporte une chambre à vide, un sas d'entrée, un sas de sortie et un dispositif de transport reliant les deux sas avec au moins une voie de transport pour les lentilles et au moins une électrode disposée dans la chambre à vide pour la transmission au plasma de l'énergie d'excitation. De préférence, la ou les électrodes ont une longueur telle qu'elles s'étendent au moins sur la voie de transport des lentilles ou sur les voies de transport des lentilles lorsqu'il existe plusieurs voies de transport. Il n'est pas nécessaire que la voie de transport soit rectiligne. Pour le procédé PCVD de la première étape et de la seconde étape du procédé, il est possible aussi d'utiliser des dispositifs tournants à supports de substrats rotatifs auxquels les lentilles sont apportées et desquels elles sont prélevées de manière continue ou quasi-continue par l'intermédiaire d'au moins un sas. Cependant, il est particulièrement judicieux que la ou les voies de transport soient rectilignes et que l'électrode soit rectangulaire et ait son grand axe parallèle à la voie ou aux voies de transport des lentilles. L'expression "procédé continu" désigne les procédés de transport continus pour les lentilles d'un sas à l'autre et aussi les procédés de transport quasi- continus dans lesquels les lentilles sont déplacées par étapes d'un sas à l'autre et sont aussi immobilisées provisoirement sur leur voie de transport. Un mouvement de transport par étapes peut également être obtenu par le fait que le fonctionnement des sas par ouverture et fermeture des vannes de sas entraîne un transport discontinu des lentilles. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront mieux dans la description détaillée qui suit et se réfère aux dessins annexés, donnés uniquement à titre d'exemple, et dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe partielle d'une lentille ou d'un verre de lunettes à l'état terminé, la figure 2 est une coupe verticale d'un dispositif de revêtement unila- téral de plusieurs lentilles dans une première étape du procédé et de revêtement bilatéral d'une seule lentille au cours de la seconde étape du procédé, la figure 3 est une vue de dessus d'un dispositif de transport en forme de bande destiné au dispositif selon la figure 2, pour la première étape du procédé, qui montre en particulier une voie de transport à deux pistes, la figure 4 est une coupe verticale d'un dispositif analogue à celui de la figure 2 mais comportant cependant un dispositif de transport pour les lentilles muni de découpures pour le revêtement bilatéral simultané des lentilles dans la première étape du procédé et pour le revêtement bilatéral de deux lentilles dans la seconde étape du procédé, et la figure 5 est une vue de dessus du dispositif de transport selon la figure 4 comportant deux voies de transport parallèles. La figure 1 représente une lentille S constituée par un verre de lunettes en CR 39 présentant un indice de réfraction n = 1,5. D'autres matériaux transparents présentant des indices de réfraction identiques ou plus élevés sont indiqués ici. Une couche protectrice P épaisse de 3 /m en SiO2 présentant un indice de réfraction n = 1,5 a été appliquée sur cette lentille dans une première étape du procédé. L'indice de réfraction de la couche protectrice P doit se rapprocher le plus possible de l'indice de réfraction de la lentille S. Lorsque l'on utilise un matériau de substrat ayant un indice de réfraction supérieur à n = 1,5, il est recommandé de former la couche protectrice P en un matériau de couche de formule SiOXNy. Les valeurs de x et y peuvent être modifiées pour faire coïncider les indices de réfraction. Les valeurs de x et de y peuvent également être nulles. Lorsque l'indice de réfraction doit se rapprocher de la valeur n = 1,7, il est judicieux de former du nitrure de silicium de formule Si3N4. Dans le cas présent, le système optique consiste en quatre couches individuelles qui présentent tour à tour des indices de réfraction élevés (H-) et des indices de réfraction faibles (L). Pour les couches à indice de réfraction élevé, il est possible d'utiliser par exemple TiO2 ou Ta2O5 présentant un indice de réfraction supérieur à 2,2, et pour les couches à faible indice de réfraction, il est possible d'utiliser par exemple SiO2. Les épaisseurs des couches individuelles du système optique O sont situées dans le domaine d'un quart de longueur d'onde de la lumière de mesure utilisée. Ainsi, la somme des différentes épaisseurs de couches à l'intérieur de la couche optique O est nettement plus faible que l'épaisseur de la couche protectrice P. La figure 2 représente une chambre à vide allongée 1 qui possède dans ses parois extrêmes 2 et 3 un sas d'entrée 4 et un sas de sortie 5 respectivement. Les deux sas sont de type connu et possèdent chacun deux vannes de sas entre lesquelles se trouve un dispositif de transmission mécanique pour les lentilles. Il n'est donc pas nécessaire de représenter les détails de ces sas ni les tubulures d'aspiration pour l'obtention du vide ou les conduites d'apport de gaz pour les gaz réactifs nécessaires. Entre les sas se trouve un dispositif de transport 6 qui consiste en une bande transporteuse sans fin sur laquelle sont déposées les lentilles S provenant du sas d'entrée 4. A l'extrémité du dispositif de transport 6, les lentilles S sont prélevées par le sas de sortie 5. Au-dessus du dispositif de transport 6 se trouve une électrode rectan- gulaire 7 qui est suspendue au plafond de la chambre à vide 1 au moyen d'un organe isolant 8. L'électrode 7 sert à fournir l'énergie d'excitation pour le plasma et a une forme rectangulaire dont le grand axe est parallèle à la voie de transport (flèche 9) des lentilles S. L'électrode 7 consiste en une gaine en matériau amagnétique non vaporisable et elle est munie du côté opposé aux lentilles d'un système magnétique 10 qui est représenté en coupe. Ce système magnétique forme sur le côté de l'électrode qui est tourné vers les lentilles un tunnel magnétique 10a qui est représenté par des lignes de champ en pointillé et qui sert à concentrer le plasma sur le côté de l'électrode qui est tourné vers les lentilles. Le système magnétique 10 et le tunnel magnétique 10a s'étendent sur toute la périphérie de l'électrode 7 en formant une structure spatialement fermée sur elle-même. Du fait de la forme rectangulaire de l'électrode 7, qui s'étend perpendiculairement au plan de la figure, le tunnel magnétique 10a a également une allure rectangulaire et possède deux petits côtés et deux grands côtés. La figure 2 montre une coupe passant par les deux petits côtés. Les deux grands côtés s'étendent parallèlement à la direction de transport des lentilles (flèche 9). Dans la chambre à vide 1 selon la figure 2, il ne se produit tout d'abord qu'un revêtement unilatéral des lentilles S. Le revêtement bilatéral va être exposé de manière plus précise à l'aide de la figure 3. Comme le montre la figure 3, le dispositif de transport 6 forme deux voies de transport parallèles 11 et 12 pour les lentilles S. Tout d'abord, les lentilles S sont placées à l'extrémité gauche de la voie de transport 11 dans une position qui est représentée en haut à gauche sur la figure 2. Dans la zone d'influence de l'électrode 7 se trouve simultanément une multiplicité de lentilles S qui sont revêtues sur la voie de transport 11 sur un côté, c'est-à-dire sur leur côté supérieur. Après avoir quitté la voie de transport 11, les lentilles sont prélevées sur le dispositif de transport 6 et sont renvoyées le long de la voie en tireté 13 à l'entrée du dispositif de transport 6 après avoir subi un retournement de 180 provoqué par un dispositif de retournement 14 représenté de manière symbolique, pour être appliquées de nouveau au début du dispositif de transport 6, et ce dans une position représentée en haut à droite sur la figure 2. L'application a lieu au début d'une seconde voie de transport 12 qui s'étend parallèlement à la première voie de transport 11, de sorte que deux rangées parallèles de lentilles S se trouvent sur le dispositif de transport 6. A l'extrémité de la seconde voie de transport 12, les lentilles sont prélevées d'une manière non représentée ici par le sas de sortie 5 et sont évacuées. Les deux voies de transport 11 et 12 se trouvent sous les deux grands côtés du système magnétique 10 ou du tunnel magnétique 10a, car c'est à cet endroit que la vitesse de revêtement atteint sa valeur maximale. Comme le montre également la figure 2, les lentilles extraites par le sas de sortie 5 sont transportées sur une voie de transport externe 15 vers une autre chambre à vide 16 dont les deux parois extrêmes 17 et 18 sont équipées elles aussi d'un sas d'entrée 19 et d'un sas de sortie 20, respectivement. La chambre à vide 16 possède également un dispositif de transport 21 qui relie entre eux les deux sas. Dans le cas présent, ce dispositif de transport 21 consiste cependant en palettes individuelles 22, possédant chacune une découpure 22a sur le bord de laquelle est appliqué le bord d'une lentille S. Dans ce cas, deux électrodes 23 et 24, qui peuvent comporter là encore un système magnétique non représenté, se trouvent au-dessus et au-dessous du dispositif de transport 21. Cet agencement, combiné aux découpures 22a, permet un revêtement bilatéral deslentilles. Les palettes 22 sont introduites par le sas d'entrée 19 et sont évacuées par le sas de sortie 20 pour être transportées par une voie de transport externe 25 vers un poste de traitement supplémentaire non représenté. On voit sur la figure 2 que les lentilles sont introduites dans la chambre à vide 1 une par une et que la chambre à vide 16 fournit une lentille à la fois à la voie de transport 25 en vue d'un traitement ultérieur. Dans ce cas, la quantité limitée est donc égale à une lentille. Il ressort également de la figure 2 qu'il existe une synchronisation entre les chambres à vide 1 et 16, c'est-à-dire que les chambres à vide sont desservies de manière mutuellement synchronisée. fi va de soi qu'il n'est pas nécessaire que les deux chambres à vide 1 et 16 soient séparées spatialement l'une de l'autre. Au contraire, il est possible de relier directement entre eux le sas de sortie 5 et le sas d'entrée 19 ou de les remplacer par un sas commun unique. Il est possible en outre de prévoir à la place d'un sas de liaison une zone à paliers de pression dépourvue d'organes d'arrêt dans laquelle des aspirations intermédiaires permettent d'éviter l'apparition d'une contamination extérieure entre les chambres à vide 1 et 16. Le nombre et la durée de revêtement des surfaces à revêtir dans la chambre à vide 16 sont déterminants en ce qui concerne le déroulement des différents procédés de revêtement. On admettra que le revêtement total avec un système optique à quatre couches selon la figure 1 exige une durée de 30s. Pendant cette durée, une lentille S revêtue des deux côtés est produite. La chambre à vide 1 doit donc fournir toutes les 30 s une lentille revêtue des deux côtés. Comme le processus de revêtement dans la chambre à vide 1 dure environ 600 s, c'est-à-dire 10 min, du fait que la couche qui y est formée est beaucoup plus épaisse, vingt lentilles devraient se trouver dans la chambre à vide 1, dans la zone de revêtement définie par l'électrode 7, dans le cas d'un revêtement bilatéral. Cependant, du fait que dans le cas selon les figures 2 et 3, seul le côté des lentilles qui est dirigé vers le haut est revêtu, la zone de revêtement doit contenir au total lentilles, ce qui est réalisé selon la figure 3 en deux rangées parallèles de 20 lentilles chacune. La figure 3 ne représente qu'un détail de cet agencement. Plus généralement, le nombre des surfaces à revêtir des lentilles qui sont exposées simultanément dans la première étape du procédé correspond sensiblement au quotient des durées de revêtement dans les première et seconde étapes du procédé multiplié par le nombre de surfaces qui sont revêtues dans la seconde étape du procédé. La figure 4 représente dans sa partie supérieure une chambre à vide 1 analogue qui est cependant équipée de deux électrodes rectangulaires 7 et 7a dirigées parallèlement entre elles, qui coincident avec l'électrode 7 de la figure 2. Dans le cas présent, le dispositif de transport 26, qui relie le sas d'entrée 4 et le sas de sortie 5, possède des palettes 27 disposées côte à côte comportant deux découpures 27a contiguës, ce qui autorise un revêtement bilatéral simultané. Il en résulte de même deux voies de transport parallèles 28 et 29 (figure 5). Le sas d'entrée 4 délivre donc simultanément deux lentilles et le sas de sortie 5 évacue simultanément deux lentilles revêtues des deux côtés. La quantité limitée est dans ce cas égale à deux lentilles. Cet agencement rend superflu un recyclage et un retournement des lentilles. Dans ce cas également, la chambre à vide 1 est suivie par une seconde chambre à vide 16 qui coïnmcide avec celle de la figure 2, à une exception près: les palettes 27 comportant deux découpures contiguës 27a sont utilisées également pour la chambre à vide 16 de sorte que, par cycle de fonction- nement, deux lentilles S revêtues sur les deux côtés sont fournies par la voie de transport 25. Pour le même rapport entre les durées de revêtement dans les chambres à vide 1 et 16, 40 lentilles doivent donc être revêtues simultanément dans la chambre à vide 1. Comme ceci se déroule en rangées doubles, chaque rangée de lentilles à l'intérieur de la zone de revêtement ne consiste qu'en 20 lentilles. Dans le cas du dispositif selon la figure 4, la quantité produite par l'ensemble de l'installation est doublée. Si maintenant on suppose qu'une seule lentille S est revêtue des deux côtés dans la chambre à vide 16 selon la figure 4, comme cela a déjà été mentionné au sujet de la figure 2, le nombre de lentilles exposées simultanément au revêtement bilatéral dans la chambre à vide 1 peut être ramené à 20 lentilles. Etant donné que, là encore, la durée de revêtement dans la chambre à vide 16 détermine la cadence, les électrodes 7 et 7a dans la chambre à vide 1 et donc la zone de revêtement peuvent être raccourcies à la moitié de leur longueur, et la vitesse de transport du dispositif de transport 26 peut être divisée par deux de sorte que le temps de séjour des lentilles dans la zone de revêtement est maintenu. Du fait que, dans ce cas, deux lentilles sont disponibles en même temps par cycle de fonctionnement à la sortie du sas de sortie 5, il suffit pour le cas décrit en dernier lieu d'introduire une à une ces lentilles dans la chambre à vide 16, la seconde lentille étant alors soumise à un léger retard temporel de 30 s. Dans tous les cas, les processus qui se déroulent dans les chambres à vide 1 et 16 peuvent être commandés ou régulés de manière très diverse ce qui permet d'obtenir de manière synchronisée une grande variété de systèmes de couches. Le revêtement de lentilles par paire qui a été décrit à l'aide des figures 4 et 5 convient dans une mesure particulière pour le revêtement des verres de lunettes étant donné qu'en règle générale, les verres de lunettes sont commandés par paire. Dans ce cas, quatre surfaces à revêtir sont revêtues simultanément dans la chambre à vide 16 et, du fait du rapport entre les durées de revêtement dans les deux étapes du procédé, 80 surfaces à revêtir doivent être exposées simultanément au procédé de revêtement dans la première chambre à vide 1, c'est-à-dire, dans le cas d'un revêtement bilatéral simultané, 40 lentilles comportant chacune deux surfaces à revêtir. Ceci est obtenu au moyen de l'agencement de 20 lentilles les unes derrière les autres sur chacune des deux voies de transport 28 et 29. A la place des électrodes continues 7 et 7a des figures 2 et 4, il est possible également de prévoir un agencement successif d'électrodes individuelles qui forment en coopération des zones de revêtement de même longueur. Dans ce cas-il est possible d'obtenir une optimisation de la croissance des couches par une régulation séparée des différentes électrodes. Il est possible en outre de prolonger temporellement le procédé dans la seconde chambre à vide 16 en faisant fonctionner par impulsions les électrodes dans la deuxième chambre à vide. Ceci permet de raccourcir de manière corres- pondante la longueur de la zone de revêtement dans la première chambre à vide. Toutefois, ceci s'accompagne d'une réduction proportionnelle de la vitesse de transport. Dans tous les cas cependant, la durée de revêtement dans la seconde chambre à vide détermine les paramètres du procédé dans la première chambre à vide. Il est possible également de prévoir à l'entrée de la première chambre à vide, ou dans une chambre à vide supplémentaire située en amont, des procédés de traitement supplémentaires pour les surfaces des lentilles, par exemple dans le but de modifier les surfaces par un traitement par plasma, y compris le dépôt de couches favorisant l'adhérence pour améliorer l'adhérence entre le matériau constituant la lentille et la couche protectrice. REVENDICATIONS 1. Procédé de revêtement de lentilles optiques (S), constituées en particulier par des matières plastiques, avec des couches protectrices transparentes (P) et avec des couches optiques transparentes simples ou multiples (O) en au moins deux étapes de procédé sous vide, dans lequel, dans la première étape du procédé, une quantité prédéterminée de lentilles est munie simultanément dans une zone de revêtement, au moyen d'un procédé PCVD, d'une couche protectrice transparente (P) qui consiste au moins principalement en composés oxygénés et/ou azotés du silicium, qui possède une épaisseur comprise entre 0,5 et 10/im, de préférence entre 1 et 5 jm, et qui a un indice de réfraction qui se rapproche le plus possible de celui du matériau des lentilles, et dans lequel, dans la seconde étape du procédé, la couche optique (O) est formée en une épaisseur plus faible que la couche protectrice (P), caractérisé en ce que a) une quantité limitée de nouvelles lentilles est amenée en continu à la zone de revêtement de la première étape du procédé au moyen d'un procédé continu et une quantité limitée de lentilles est prélevée dans cette zone après le revêtement, b) dans la seconde étape du procédé, la quantité limitée prélevée dans la première étape du procédé est munie au moyen d'un autre procédé continu d'une couche optique transparente, antireflets, simple ou multiple, et en ce que c) les vitesses de transport ou fréquences de synchronisation des lentilles dans les deux étapes du procédé sont réglées de telle manière qu'en moyenne, par unité de temps, les mêmes quantités de - lentilles revêtues sont formées par chaque étape du procédé. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le nombre des surfaces à revêtir des lentilles (S) qui sont exposées simultanément dans la première étape du procédé correspond au moins sensiblement au quotient des durées de revêtement dans la première et la seconde étape du procédé multiplié par le nombre des surfaces à revêtir revêtues dans la seconde étape du procédé. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en cc que la quantité limitée prélevée dans la première étape du procédé et introduite dans la seconde étape du procédé est de 1 à 2 lentilles. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans la première étape du procédé, les lentilles (S) maintenues par un dispositif de transport (6) déplacé entre un sas d'entrée (4) et un sas de sortie (5) sont tout d'abord revêtues d'un côté, les lentilles revêtues d'un côté sont retournées de 180 et renvoyées vers le sas d'entrée (4), transmises au dispositif de transport (6) et, à l'état retourné, le second côté est revêtu puis les lentilles (S) sont évacuées par le sas de sortie (5). 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que, pendant le revêtement du premier côté, les lentilles (S) sont conduites par le dispositif de transport (6) sur une première voie de transport (11) puis les lentilles retournées (S) sont déplacées au moyen du même dispositif de transport (6) sur une seconde voie de transport (12) parallèle à la première voie de transport (11). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux côtés des lentilles (S) sont revêtus simultanément. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que les lentilles (S) sont conduites sur plusieurs voies de transport (11, 12) parallèles entre elles. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'énergie d'excitation pour le plasma est transmise au plasma au moyen d'au moins une élec- trode rectangulaire (7, 7a) disposée sous vide, les lentilles (S) étant conduites sur au moins une voie de transport (11, 12) qui s'étend parallèlement au plan principal et au grand axe des électrodes (7, 7a). 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le plasma est concentré sur le côté de l'électrode ou des électrodes (7, 7a) tourné vers les lentilles (S) au moyen d'un tunnel magnétique (10a) fermé, géométriquement analogue au contour de l'électrode ou des électrodes (7, 7a) et comportant des petits côtés et des grands côtés. - 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les deux voies de transport parallèles (11, 12) sont associées aux grands côtés du tunnel magnétique. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, pendant le revêtement, les lentilles (S) sont soumises à une rotation autour d'un axe perpen- diculaire au centre des surfaces à revêtir. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que, dans la seconde étape du procédé, deux surfaces à revêtir sont revêtues simultanément au maximum. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 12, carac- térisé en ce qu'une installation de revêtement sous vide pour la première étape du procédé et une installation de revêtement sous vide pour la seconde étape du procédé sont disposées en série et sont amenées à fonctionner de manière synchronisée. 14. Dispositif pour la mise en oeuvre de la première étape du procédé selon la revendication 1, comportant une chambre à vide (1), un sas d'entrée (4), un sas de sortie (5) et un dispositif de transport (6) reliant les deux sas entre eux, avec au moins une voie de transport (11, 12) pour les lentilles (S) et avec au moins une électrode (7, 7a) agencée dans la chambre à vide (1) pour l'introduction de l'énergie d'excitation dans le plasma, caractérisé en ce que la ou les électrodes (7, 7a) s'étendent au moins sur la ou les voies de transport (11, 12) des lentilles (S). 15. Dispositif selon la revendication 14, caractérisé en ce que la ou les voies de transport (11, 12) s'étendent de manière rectiligne et l'électrode est rectangulaire et a son grand axe parallèle à la ou les voies de transport (11, 12). 16. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que l'élec- trode consiste en un matériau amagnétique non vaporisable et est équipée du côté opposé aux lentilles (S), d'un système magnétique (10) grâce auquel un tunnel magnétique (10a) continu, fermé sur soi, comportant deux petits côtés et deux grands côtés est formé du côté de l'électrode tourné vers les lentilles (S), et en ce que, en présence de deux voies de transport (11, 12), les deux voies de transport (11, 12) sont associées aux grands côtés du tunnel magnétique. 17. Dispositif selon la revendication 15, caractérisé en ce que, au dispositif de transport (6) est associé un dispositif de renvoi et de retourne- ment (14) par lequel les lentilles (S) sont prélevées à l'extrémité de la première voie de transport (11), retournémes et envoyées au début de la seconde voie de transport (12).