Brevet FR2717946A1 — publié le 19950929

ap qUass16e aua6Bc)pXq aupSCJdJaP p s[- - si-,. au neasaa un inod aniDn.4ls p UdUaq._,a. -op iu5w',p aos 20 aluigJ np Uo TPulaoJ eL -:ue.4n[.....e'j.ll-15 fE p. 1;c un suep aloa un a.isno ua anoC sle't 'tallj 1np 4 o4,P [ iu'4r[p aq TI UOSTPuTqlUoD; un p uoi 4puTul [, p l4 w1p ucr Ll., aun afnssP quawal nas uou ouó5o. iL; q aq(.i'JP Ul'll J T S a TiJ aI |up'p.3ru4uo t)d6opXq aU4u.,t, dLJaodu-) e[ 'îJ.tJ da * u zfo3 [; aqd owp wunlTDT ITs ap uITJ lip S ?4 ' Ci.ci s* 4HJj aA TeoT 4 -.[ U6-S,ai 2uPf:nl, u afnua UO3 oUBo.ipAq d-uFS'Ocd1ucJ 1 *(u1e % 0E L 01) edR E e s1 d ad 8 lp.eI {j nPaATU un - aua 6o.-plq a0uescso cîîo aun r uai 4uo._) j i j tlp ia2TAT4ISTSQa ePl al[Oa4uoD anod aaandaut., u euo4uO 'ptU.,j TsuTE qupBoiaopq aqdiowut Unl. DIT I s p Utl-J q 00E said nad ep uell[P ain:ej.dihua- aurn F nua:uiU i. Syrns un Jans)sodwoDpp zu6 np 4odpp un,p t.Inc ' U014 [s -co[, p aun L nail 7ueuuop '(3m) auanbJ jj arin pLa6 Au,.p aun inod ouît dsoqd ap qa Pa; ? snid.Aeop dp oUeI 1 S un,p a6ue[taU un no ("HTS) eUPTTSOu,> J un ua UP4ISiU,:J qapdzp ap xnazp6 nEPI'p2pu un luPesodx ud ó4.,aJj 735&s eLser[d ne U. D tppooad un apd u dX aF dup5o.pXq vqc, 3Jnp wn!aTl.s dtS p uiI J un,p) uoP.:l o r 'oldxaPd *.S_rt[)tI F'lI' rio; o_'s J,,_;P,. anbrpoqIpe3 uo les r a.xnd aun 'r(i,,, s _. dP-lu I'- U auO-t 1 f iawulouop) JnadPA asP4d ua OlT-lu i I L{JF. t 4[.C un Led 9nbTaqetj uaanb!sseIo ó4 U e UTJJ np p4TxTsIs:. t' aIu- anod 9202a ndtu mi r-ii Tr) Uqt E4 JaJoSI4u0.s) Inc)d ?a4andul oun -uî suoo mnb puBf)oia pÀ{ aqdiowue Uwnii.lTs ap wI.j un 'arPaup UOJPJ oG ÀJTlSTSa1 uaplp un i" n)Taqe' _n,:j, [Ta7PddIF U7 - gpgDooid un la anb-uwaq:4:uauoa:lTejq un P.loddea..ed o uq4s anua2ueUw:sa,-[TATlsTsa eFI luop 4a u[lJ np d TAT4ISTS-. eL jaloiauoa inod al2andu! aun 4upuaz:uo:)(H: S-P) augBoapÀq aqdowue unolTDITS ap ulij un,F)p onfisuoo.sa nlt:; JT!lsjs.a luawolp un 'uuawaTIn._)TjJed snld 'j1 aan j al inod liaaedde un 2a ?pDoood un,nb) ISUIP '3SSi luaw.,ao un aulaDuoD uOmIuaTu1 a s, uaSc p- n aanb-aqe$ aI jnod ITa.pdde 2a op ooioT - j31sTsspi uatiT manière svnergique l'une sur l'autre et coopèrent avec un effet therrnique triputable à une température du substrat, si bien cjue la - om)binaiscon i bre décrite ci-dessus peut atre réduite de fanon sgniflcative. Plus particulierement, le film de silicium amn-rphe hydrogéné présente une liaison Si-H, qui sert à réduire une comblnaiso(-)n libre instable pour fournir une définition structurelle durant la formation du film de S11 Le ium amnrphe hydrogené et permet à du P (phosphore 1,q faisant partie du groupe V de la classification périodique) et à du B (bore faisant partie du groupe III de la classification périodique) pour réaliser une jonction p-n en raison d'un dopage substitutionnel comme dans du Si crlstallin. De telles propriétés de la composante hydrogène c dans le film de sli -:lurc amorphe hydrogéné sont très importantes, du fait qu'elles permettent au film de sili cium amorhe hvdrogéné d'être appliqué sur une diode, uin transistor et ianalogues. Le chauff age du film de silicium amorphe 2f: h drgAténe produit cormme décrit cl-dessus, qui contient r:,lirete pnulr n nt r eser I,î rés istivité du filri, provoque le début de libération de l'hydrogène depuis le film à une temFpérature romprise dans une plage située entre 250 C et . -,,u'C. tue telle (diffusion de 1 'hydrogène indique une lilr-atiorl dle H depuis la combinaison Si-H, donnant lieu à la combinaison libre décrite ci-dessus et à une autre d1sposition d'éle-tl ros anormale, telle qu'une combinaison flottante ou analogue et, par conséquent, à des défauts structurels se manifestant durant le dépôt du film de silicium amorphe hydrogéné. Ainsi, est à noter que le film classique de silicium amorphe hv(ydrogéné, contenant l'impureté pour crnt riler la résistivîté, présente l'inconvénient de pr(ovoquer une variat ion substantielle des propriétés, telle ! clu'tir' e augmentati(r l de la résistlvité du film ou analogue en raison des défauts structurels, en raison de l'applicatron de c-haleur sur le film. De mnmen le filr de silicium amorphe hydrogéné _ntnint l' împuretJ pr. ur t)rintrôler la résistivit é du film uwnliDTITs ap wtlJ un,p apnllsuo) j!sIsai uaaplap un úsodolnd qsa II 'uol:uaAul aquasq.id el ap 4Deds- un uo!ds snssoD)_!., sal4Taop saqaT.Idoad sa:uaiîaoxo si usral.us3 op a;qzd:!i:) JllsTsq1 uauiala un aiTnpo.d inod IT AedP(3e un aasodo>.c C _ ap]sa uoi!uaAuT a4uasaid el ap p nq On]he u2 s nss d1 r - T * sao:!aop spqI.!doiad saluaîTaûlx soI aou:sarci ap olq[,3e) JlTsTsap luawTa u un oaTnpoJd ano(d 9pnaojd un. s odc,3d ap 1sa uO14ua'AuT 9quas9ad El ap lnnq eaaane u- * or,, Ttaat oq]. U oa WT P- 1 IUn l oJddea _I ePd aa4u'szPjsii s n(JL.] - l a p34TTq,1 s oun.oluosp.d C-p.i I4S-. T S. s vp T 2:l.t,3 Wp olqci o - os Ib 'n i UlT P ? p -A -4s 1 S. A T - i o _3 I u ", anod 4a- ianduTj aun:4lupuIoUJ iuoD u,o:p uo p d. o PLci -,i rL.) T, ap uTITj un, p qn21iJSuoD JTqs.isII uauwI. un.issodc, d ép s45 UOT4UaAUT a7iuaspad el ap 4nq un 'douaribo-suo) uuA inaTJalue u1e,I Dp ap]lOd 2UOTUOAuc),UT, ap ana ne aaST.et - a;. e UOI 4UaAUT aPUaSD.Td e À4uawala,I ap uorIj.npo.ijd supp saausiejsTes!. uoT4onpoIdaJ ap G 1Toedeo aun a p1Tl-Tqpeas oun Iue.tnsse uc qnol 'alqels ajTiueu ap qluauauuoTlpuoJ ua STU el pC dclu, ' ap uo.ssitua e adZ] ap -uaJsa.cITnlj BFu"Tjep jTi1sods!p un P queqqawuad Jt.sisa. quawal un ltunlo.j e seid Ual.\3d au 'sa)nbisselD sanbTuqDaq sao uolas n[,)o d i so Tnb Ti WtuIJ np PTATqlstsa el ala i UCo)o.nd pnul, TuIuojej.:,.: aup6Boap q a qd. a u e w n TD IT S p tJ IJ a ' SU ï ji-[sodsTp np UOTIean-zqpj el 4u-.lnp pi1-,DJjo anbiwiaql luauwa 4 e.L q un jniod suc Li) 4 puoD S a1U: j j TI: suep suoT-4!TJq:Sao sap F WJ np UOTsC)o,-- o, anoro.d iaeuq.- i ap uoCIssu 1 adAX] ap luoDsa.aon[j ofeui!jje,p JTTscdsCcP al anod JTisspai luaWa 1 ateiuoo tUITJ np UOI j4ST IlaI anb uaiq Ts 'anbjTwJaoq4 1aiqesuT auTe4-aO) oun aouesaid snssap-TD 4TaIIDp ofTnb 1[- 'ouao t p Xq a qd.A tP Wn T T T S ap JITJ al 'luauasnaJnaqliePIur304: ]Eesuoa4r1Ip, [; azDnos aun awwoo.psiTq'n qsa dcueqD d[) UOISSuo F: apo pu-..: aun janheal suep 'dIwPqo ap UOISS7Up F ec oF u,,:,-tl aBeqeTjjep JTqIsodsTp unp alDpoqu,. p.n la-4npuo,. p9oD un,p JT!sTss. 4uautipl un ieuWoo sTT-[T lUOn1)S]SO 96. T Z/Z :l ouop60opÀq aqdJCowe tnToTIIS oip WlIJ o-.eJOj.nod -4q do!p ap xnaze6 nPtil1aw un a6_ieqDop ap sopo.Tqooi xnF vU.nTIJ nod ua ow un o a6FjzuDp ap suponaao,p dTctnco.; un SUIoU ne puaidwoD [Tjajpdde,q ' 4e'i:sqris un Ins u[TJ np e4p:'i4ST d eIl ailuoD anod pqanduwi aun 4ueuuc,uofoaS oud,.ie WnlDliTs op UJJ[j un -asodop anud _lpdp un osco.cd -s rI UOTl 3tIAUl lUOSO., ap [)E I7P.P Ut-n FlO S u," 8 cOT x L i, uJD'8 901 x ú aaua esz[-SdWWo), aE-.1.nod ueEa,, Cp0At aqdiaotue tinT-lTTis ep talTJ np T4j;pSx ss. ap cia4iuo,: u, e noj[l queuuop 'augboipÀq aqd.ou_ tunr.i.rs ap uti[J np.d: p oI 4uelnp D0O't 4a aoOgg aEJuo esIudJco, aa 4r anott) d OOt4UO, :sa - euqsqns np an:eapdtwao aun 'uoui-4u!euT ao uasoad ap gpgDold np aiajaid uoTps, lsTipo ap apou un suCI xnaEj4 U oBp.{XJ i n tunruowwte,p apXxo,l 'a4ozp,l 4uPuaaduod adno.t6 a[ sUFp quuoT4Dalas qsa jTqsisaiS 4utdaiw,i j uoanbcjaaoqI s.sTTqr4s rnod,alozp asodwoD ap zPB oi ' UOT lUl UT i U.Sl I O.d E ap appaDod np a.ajpad uoTlesrlepa dp apou un sueo À JT 4S s:iJ quao | d|uotaJdrlE)tUoi u o SI(JF-S anod a-no[e isa éaoze asoduwoD dp osPq e zef, np aoIiLbl,[ que- np 'Iealsqns un ins wITJ rip oa.l-sws F[ al: au,, anod.ao.nduwT aun 4ueualuoa upf5oa-pqu dIpj. ota unLU ll>Ts ap wuTJ un,p 4odyp ap adep, uo a[p),T,C.]d 07 'jZ.iST s 4uwpapIun ajTnpo.d inod c)paoodun,sodo.l 4so I Uo!2uoAUI ë4U dUasId 1 ap [DOdd SP doatFP Un UO[ds : d- e"lO ap xnaze6 neLT-aletw un suep sn[d rci p c op o- uprJf, unri ua nuaIuoD aooze,l qsa aloze asoduoD at 'UOI ua.uT duosol( Pl ap majaad UOTIlesTleaap potC)LaunSU F'C xno.lzlu apÀxo,l:a wntuowwu,p ap xo,j 'aoz, I upuadm1on erncmF, al suep quuo:4DaJlas:sa jruslsa nauaui 4uouonlbuIu-id4 jasTITqeqs.inod. a4ozepsodwo t 4uoajuAUTd u-1l. cSi el ap alaja.d uoT estlea.ap apou un suEr ÀJT SIS.a:lutupIa,8I i auoI,-,ltua. 4 i1a s1 XqF-Ps nod alozp asodwoD un quaiquoi puabompXq oqd.owp anTj[1s ap Wl-Ij 'JT4sTsPu 4uaw.aIal sueP u[lJ np Tl.tTsTs. el -alo.jquoD inod aqoanduwT aun 3ueuajuo) 'aue6coapXq oqd.aoep dlu gaz rie compo st azoté pour stabiliser thermiquement l'lérment r4sLstif, respectivement. Dans un mnuoe fie réalisation préféré de l'appareil lde la présente invention, l'appareil comprend égalemrent un moven pour effectuer un contrôle de température durant le dep,,ct du film de si1 lcium armorphe hydrogéné, pour contrôler la résistivlté du filmr de silicium amorphe hydrogéné durant le d'p)t. Dans chacun parmi l'élément résistif et le N procédé selon la présente invention construit comme décrit r l-dessus, du nitrure pour stabiliser thermiquement l'élément résistif est contenu dans le matériau gazeux de dép'art, si bien que la résistivité de l'élément résistif peut étre maintenue stable par rapport à un traitement rherriquement de l'élément résistif. De même, l'appareil de la présente invent nri construit comme décrit ci-dessus ermret aJ film de siliciun amorphe hydrogéné contenant un mr'Jrpo sê azoté de stabiliser thermiquement de manière suffLsante l'élément résistlf à produire. Ces buts, alnsl que d'autres, et un grand nombre t1-,a_vantages associ[es À a présente invention vonrt: tre facilemenrt com[prls a la Jlecture de description détaillée q]li su Lt.de,ette ci.rnlère, tout en se référant aux dessins annexés; dans lesquels: 2x la figure 1 est un schéma à blocs représentant gl),balemrent un exemple d'un appareil CVD au plasma qui peut étrcn appl ijué A un rm)de de réalisation d'un procédé pour fabriquer un élémenrt résistlf selon la présente invention; la figure 2 est une représentation graphique ?fl représentant la relation entre un rapport entre le gaz d ',azot e et de la quantité totale de monosilane et de phusphine et la résistivité d'un film de silicium amorphe d t-irogen fo rmé; la figure 3 est une représentation graphique repr-entrnt une ariLation de résistivité d'un film de li(-lum,armorphe hvdrogéné, ainsi qu'une variation de la tempé,rature d'un substrat durant le dépôt du film de -L i utrm i(o rphe hli] r(oJne.ex:empt d'azorte; et la figure 4 est une vue en coupe fragmentaire représentant schématiquement une partie essentielle d'un dispositif d'affihage fluorescent de type à émission de cha.m, dans lequel un film de silicium amorphe hydrogéné selon un procédé (3de la présente invention est incorporé sous la forme d'une (ouche résistive. A)résent, la présente invention va être décrite :_-après en se réf-rant aux dessins annexés. D'abord, uin appareil CVD au plasma qui petit être ] 0 a[p[,]ué;s la présente]nvention va être décrit en se référant 1 la figure I. L'appare], CVD ai plasma, tel que représenté sur la figure 11, comprend une chambre de réaction 1 construite de nanière étanche à l'air, qui est évacuée extérieurement via une pf-ori-pe mecanlque de suralimentation 2 et une pompe travaillant à sec 3, entraînant que sa partie intérieure est maintenue à une pression aussi faible que de 80 à 130 Pa (0,6 à 1,0 Torr) durant le traitement. Durant l'vacuation, une partie de l'air contenu dans la chambre de réaction 1 est évacuée vers l'extérieur de cette derni:re via une unité de commande de pression 4 et la press ion régnant dans la chambre de réaction 1 est :,ommarndée au moyen,]'Ln organe de commande de pression APC. La chambre de réaction 1 est pourvue en son sein d'une élec-trode supérieure ou de ce que l'on appelle une é,e1r' trode de (uohche 5 el d'une électrode inférieure 6. Fntr,- l'Iélectrode.upérieure 5 et l'électrode inférieure 6 est connectée éle-triquement une source d'alirmtentation à t-ad i o- fréquence RF. L' éle.tro(_de inférieure 6 est pourvue sur sa sur-face inférieure d'uLn organe de chauffage 7 et, sur sa surface supérieure, d'un substrat 10 sur lequel est formé un film d(e sili-cium amorphe hydrogéné décrit ci-après. Le fonctionnement et la comrmande de l'organe de chauffage 7 permettent au substrat 10 d'être chauffé et maintenu à une température prédéterminée. Le substrat 10 peut être constitué d'une plaque en verre exempte de tout matériau ai,ca in. L' électrode supérieure 5 est connectée à une ex trerLte d'une canalisatLon 8 tout en assurant une étanhéité à l'air d(le la chambre de réaction 1. La canalisation 8 est connectée de manière ramifiée, par son autre extrémité, via une pluralité de soupapes de commande d' écoulement 9a, à une pluralité de récipients 9 dans lesquels est stockée une pluralité de composants gazeux pour un matériau gazeux de départ ou un matériau gazeux de réagt ion, si bien que la commande d'écoulement sélective par les soupapes de commande d'écoulement 9a peut permettre aux corlpcsants d nlatPriau gazeux de départ d'être amenés sélectiveriment, en des quantités prédéterminées, à la ch.rbre d.é réact[orn 1. Un exerp I] d'un procédé pour la production d'un flr in de silicium, rnorphe hydrogéné contenant une impureté rieur c)ntr[Sler la résistivlté du fLlm, selon la pré_sente invention, qui a eté mils en oeuvre à l'aide de l'appareil auI'!se pa[la,smna.rtr]iLt cornome décrit ci-dessus, est !,ni rntenant décrit c'i-anres. Un matériau gazeux de départ consistant en trois rosatnts ou du riconosilane (SiH4), de la phosphine (PH3) et du gaz à base de composé azoté pour stabiliser thermriquement un c]eément résistif à produire a été utilisé dans l'exemple. La phosphine a été utilisée sous la forme d'un gaz dilué à 1 dans la concentration par l'azote. Dans l'exemple, avant tout, le substrat 10 a été plaoé sur l'électrLde inférieure 6 disposée dans la chambre de réaction 1. Ensuite, la chambre de réaction 1 a été eVd-àlee a une pression allant d'à peu près 80 à 130 Pa (0,6 1,0 Torr) et, ensuite, l'organe de chauffage 7 a été mis An fonct)tonnement pour chauffer le substrat 10 à une teriLpraturte allant de '0)00 à 300 C. Ensuite, le matériau gazex de d é[,art a été i rit:roduit dans la chambrt-e de rait ion 1, tout en rd i ntenant le substrat 1() à la tenSrature décrite ci-dessus. Une tension à haute f ruuende prédéterriin-e a été appliquée entre l'électrode sulrieure % et l'lectrode inférieure 6, pour provoquer une décharge RF, donnant lieu à une décomposition du ratéeriau gazeux de depart, puis à un dépôt du matériau gazeLux de départ d(écorposé sur le substrat 10. Plus part]cuil'relIent, un film de S]licium amorphe hydrogéné a été déposé sur chacun des substrats 10, tout en établissant un rapport entre le gaz d'azote et la quantité totale de nonosilane et de phosphine à chacune des valeurs qui sont 0 - (correspondant à l'art antérieur), :- 50 75 et 100 . Le gaz d'azote a été utilisé corne jgaz de composé azoté. Le dépôt a été effectué à une cadence d'à peu près 0,1 pm'min, donnant lieu à une formation du film en une épaisseur d'à peu près 0,5 im. Ensuite, la résistivité de chacun des films de silicium amorphe hydrogéné respectivement déposés dans les conditions décrites ci-dessus a été mesurée. De même, deux l- rchantll lns de chacun des films de silicium amorphe hydrogéné ainsi déposés ont été soumis à un recuit dans des c,_ndltions différentes les uns des autres, respectivement, et ensuite soumis à une mesure de la résistivité, o le traiteraent de recuit ou premier traitement de recuit a été 2h} effe,rtué à une tempêérature de 450 C pendant 1 heure et I 'L at r-9 t raiterrnt cide reu r t oru deux lème tra i t.rennt dc- recuit a été effectue à une température de 550 C pendant I heure. La figure 2 représente la relation entre un r,) r p: r t entre le gaz d'azote et la quantité totale de run,,silane et de ?hosphine et la résistivité de chacun des films de silicium amorphe hydrogéné ainsi formés. Les deux réchantillons de chacun des films de silicium amorphe hyd r)ggénés ont été respectivement soumis au traitement de rf recuit dans les conditions décrites ci-dessus. Il est à noter à partir de la figure 2 que le film de silicium anorphe hydrogéné contenant une impureté pour contr-oler la résistîvité du film a une plus grande résîstivité, ains! qu'une plus grande teneur en azote dans -le materiau gazeux de ldépart. De mêmne, la figure 2 indique que le recuit du filn de silicium amorphe hydrogéné, effectué à une temrpérature de 41 0 C pendant 1 heure, provoque une réduction d-e la résistiv]té du film de silicium amorphe hyfrojénég. En particulier, lorsqu'un rapport entre le gaz d'azore et la quantite totale de monosilane et de phosphine est ide 25 ^- ou plus, un degré auquel la résistivité est ré!"]ite est ma lntenu sensiblement constant. Une telle dlriinution de la resisti- vité du film de silicium amorphe hycirogJéné, pro-vouée par le traitement de recult, va être cr ons Ldferé come tFltri du dU fait qu'un réseau cristallin du film q-ui d été rendu incomplet durant le dép)ôt du filrm est r--,,cnoe-.n raison dr- la hlaleur lui étant appl iquée, donne i1 ' q un re, ncherent des défauts de strucr ture (]du rseau. En olt re, la fijure 2 indique que le recuit du fh]l'i de si]l ciun aDorp-)he hydrogéné, effectué à une t era[_,rture de 5DO0 C pendant 1 heure, provoque une aiLgmentation de la résistlvité du film, lorsque le rapport Fr n-e le gaz d'azote et Ia quantité totale de monosilane et cie phosphine est aussi faible que 0 O ou 25 % ou moins. Au -intraire, le recuit effectué dans des conditions o le rat:port est de 50 c- ou plus a permis au film de présenter pratiquer-ment la mroe résistivité que dans le traitement de re:luit [réFcté effectué à une température de 450 C pendant ] 'hl itre. A nsi, est à noter que le rapport d'azote de 50 % ou p]lus provoque]a reduction, d'une valeur constante, de ], rFsistivitêt,ap[rS le reculit, indépendamment du rapport d'azo7te et des conditions de traitement thermique. De rere, ia ré-L stivté (du fi]m de slllCilum arc zr'he 'rk crogéné, 'onterî,rdl I ' impureté pour,ont rci ler la r,-,s,ti i',,e dL..u f lr i ri ali le tra tement therr rqlue est v-ar]c en fonctlon egaiement de la température durant le d u h O La fgLjur-e 3 représente la résLstivité du film de L]'lum aForphe h'-drogéné exempt d'azote, obtenu lorsque a teruérature lu subst r t est établie à chacune des - vati-ls cuL sont 250 C, 280 C, 350 C et 430 C durant le :vl,éôt du filr. La figure 3 indique que la résistivité est rt {duite au fur et à mresure que le température du substrat :iuriente diirant le dépô(t. Ains, est a noter que les résultats x-p r -rmen iaux dL r i t ls c i-dessus indiquent que toute 1 O ormbinaiscn séle(:t lve entre la température du substrat ]Far'n le dPiéprt dui filmr et le rapport d'azote permet au filr dle siliciuri arlorphe hydrogéné de présenter une stabilité therrmiqlue satisfaisante ou, dans le mode de rea isation illustré, que le film de silicium amorphe hydrogéné * cntienne 1' impureté pour contrôler la reslstivité du film à déposer sur le substrat. -ne cath(iie à émission de champ d'un dispositif 1' ffi-,hage fluores- ent de type à émriission de champ, dans ejulel le filri de si1 I Lr ium amorphe hydrogéné contenant I ' prmuret pour i-rtrloer]a résistivité du film obtenu ans i 'exerple di-'rit (si-dessus est utilisé -ommrne couche r'sist ive, est de-rîte maintenant conjointement avec le i lssitLf;l'a.ff i har f]itJrescent de type à emîss un de F siim - en rc éf é-ir à la f j jure 4. rT.- rcar- l,,- à,rmi:s (- on ie c(hap-: r.eprésertée sur la f gure r4 ci-i r- riend une nuchL ('l( conductrice cathodiq.ue 10)1 et Lne couc}ie resistr ve 102 C,onstituée du film de silicium amorF-pe h\ ?!}, rogéné,ontenant! ' impureté plour cont rGler la zr'sltivLt, cle la couche résistive 102, qui sont formées, dar s c et ordtre, sur un substrat 100 du dispositif d'affichage fluoresc'-nt dle type à émission de champ. La c:-ouche résistîve 102 est pourvue d'une couche isolante 103 t d(-'une grille 104. La couche isolante 103 et la grille 104) sont pourvues de trous traversants 106 de manière à etre cornmuns à Ces deux dernières. Les trous traversants ! O cc)nt c:}haun porv us en leur sein d'un émetteur de forme ri:,totu, t lut HO nttnt dispse sur la ouche résistive 102. te disp)oit if d'affichage fluorescent de type à -éMss U)n (le ( hiramE_. (.[rprendl é'ga lement, outre la cathode oAmission,de charmr c(nristruite commre décrie ci-dessus, un -:, x c le avatn r r-,r! L: (- non repréienté), di 'sposé d I 'p,ci,,:S. c,' utnr 5 i r Face o suhstrat I 00 su r l eiiue I est oj.J ,=?]L.]t-i)-,it hi- H SSI n de chamnp, de mlani lPre cronnnue dans l'art-. Le co[(rF'le avaint est pcurvu, sur sa surface i riLt r,ure, d' ne striucture d'anode servant de section d'affichage lum rineLix, qLl coFmprend un conducteur d'anode tar, slutcide et (des c( ouc-hes dle luminophores déposés sur le li rans le diposltlf d'affichage fluorescent de tv-P a cri ssio:n d, vharp dee-rit ci-dessus, des electrons cr'iq pvar lIa:ath:.l', - A & s[Lsion de (hamp sont f(J rvés a hel r'ter les Co-,uc hes de 1 uminophores de la structure an-Ce(i,:e qui entraine que]es couches de luminophires eF,ótt r,,tli- la lumo,:re qu- i est observe-e extérieurement à i'.i-v]l.'ionc L îtÀcr d',and.)e perméable à la lumière et le v',eivrî-'le avant Le dLsú_,,Ltîf d'affichage fluorescent de type à V 'ils:m,_n ldI- champ ainsl c,înstruit, comrmre décrit ci-dessus, c, :prend la coruche résistive 102 disposée entre la couche n:-,ndu-trcl(-e cathodique 101 et l'émetteur 105. Une telle cornstruction, nem-e lorsqu'un court-circuit a lieu pour une raîisr que 1 (onqe, _ mp-pêche l'écoulement d'une quantité (-Sx i v i de c (, urnrt vers l'émetteur 105. De mê me, rméeme Io rsque le court-cLt-rcuuit provoque une rupture de l'émetteur lO- \,,erC1 mFinri se i rupt1 urre. Dans la, ftabricat ion du dispositif d'affichage flurc, -esc(ent (de type,à émission de champ decrit ci-dessus, ratenr de a i lf flae est effectué en ( f férentes > pes,q tel es qu ' unr étape de scel l age d ' ulne (rnvel 1 oippe, n1 l t aov le I 1,-i nat 1;, i dlJ subst rat dlu ( sp(s tif 1 'affhbage flu, resnt et analogues. Dans chacune des et.ioe, le trailtement thermirque doit être effec tué à une t-r',4prattir- d'a pe:l prs 3000C ou plus. Cependant, l'utilisation du film de silicium amItrphe nydr]:îgéré mointenant l'impureté pour contrôler la rFesstlvlté du film cornre élément résistif dans la présente ir:vnt Lonri prmet au dispositif d'affichage fluorescent de t'fpme a emission de champ d'assurer une performance E affichaje stable, du fait que le film présente une rtsistivité stable thernLquement comme décrit ci-dessus. Dans l'exemple décrit ci-dessus, un procédé CVD -i v. I",ma est ut[tiisé cicr la formation du film de silicium mn:rphe bcdr tgné co-ntenant 1 ' impureté pour contriler la z's t SL (%l _ fi, lri. En variante, une pulvérlsation v'.t h,îd ilque résist ive peut remplacer le procédé CVD au Lii c- as odwoû., fp ZPe6 eI eslaua qicodP3 np e -i U[ 4U\U aouasald eP suPp 'quPpuadej À 9 soC(dp q s T [ n 1 ins qea]sqns al sindap a6elad uos n lI 4ueAncs iUPUUC)U) apue.J6 snld quaraUaiLqelaJ auaflzU a4uTP_:uc> aun e ailP il ap aqdIowP wnlTDTITs ap wTiJ utl 'eqolFn uc, ej a _Pd o3,f:.o qua efI n)Pp 3 Fo, -r. -,, e- ?3T1 I l1 Fr3 a- nuPq aun an6o[PleuP ail uePu p a e3u ' na enpuc;. 9ua P enbTi4ae1j qtnoTaT3 un sup '.rw p 'a 'tde.',I-).14;-L an1:ari T un suep a)odaoauc 4Se t T * iti 5 0 ' uo, '. 4Jp rUt.It)tdP UJIf]TJIII T S r t.I TJ,t[) i-,fI I i4bI-,'.J. .4t 1 %J. j, U;,t5. [, olt-'tI:-;Suer àd *p 4UCW3f'l,,-..'d o-r [lqP 1[3..P,,, J, ,.: U('I l u _U d 4uasail. P T ap0) IaulfJC.[L_- v,:{.t)lP t t'Tl i. T L[ WTllJ ai 'atawao aC1 -uliji np anTt,.ai- I Udta-4'. tuiLt i-. F If,,7:[. aed 'aqITA^IsTspa Pl Iaqloa-luooD anoc p aJinx, I aupuau up60oip ij qtdcl-otau, t-nT-jTllS ap It.J i ri, p-4iT -t 1 s t y. :uaJanbTutJaeq4 a fuouTe' ap 4CLLJCCi UOT 1UCAUI C 4uesC.J a 1 apeapa.]d TnFb aJ ap IiJPed P îIoCA oI lrltod u,:3 Llt.eiicj_,. E 1 GUlC BTOT ap luPIPe panTsuap aun P aribiTUiO oF.lTuPU r dTUP[' C[ _nad IT 'seD aD suPU 'psodap Pue Uup,puo,,.tpA eqd.our WUnlToTITS ap WITJ aI suPp 'anbolpup no eb3XTuoT uOIgP4uIE3T-u aun îIad 'oaod.oûur a n nd Ix 'olupe.P_'x u_ ',TAT F, eI a olt4 uc) Cnct pa. aîndur z u, [ 'ua uoC).D 9up, F,_-l ru aoqdloup _ j np WdJ np,odfp np sno 4 rl 3Pdp[ e p xnrnzpú nlpt.io t ne,anoCP ajE a. rload oqOzP O]3t. l:; ' p,.l p- t--T anbt poqqe. uOTquSlaTpAnd P_ suep: cj.u at] upselpd nP GAD opotc.d aie-d iuJ.ito3 n!:; on[_ of, erljuP:;P -4d a1oI a Ca al UCiWToPbTP.d]uase.td Tnub uLITJ np il.T-Lsasqso. PI.J31 oni _4_uo:). 3nud,0 oja.î ridu eur, -L n uq ouu,:, eufi: -31 p_:ti a citap t:iiflP.-T ls ap tui J un Tue.11uiq.,,, 3-ltJ. Ci Tn-,:, 'J.FPCp ap xnozP6 netPI2epPu a[f suep I q_-y - -;ut'LtT-Uti LI q T 1- 4l S%-; quoawlilI aîpuaî inod a4ozPp zeP6 np OlCdUexL t,='l 'eîiL aOl 'eOZ P esodugo.) ap zfb a E'q F', I.T)o i.- - P aiuUF-' aun luuPao]-IODuT UC flnoJoj 45 4ode. Ull IPd u_'TAI 4Sf Só. eI a lOa p, uoD.nc, d 'nrian]t CI, I a11tut'uo2uo-' ouofa6:0 o.N aqdaouie uwnTDT[ils ap uITJ np uo'r iPUt'.:, P - P - p 4i S t- S anbTpole4D uoTIesTlAAlnd aunp uoT n ep_)O I ddPi, 1, dL:té collr stablilser thermiquemrent le film de siiicium arx1,-úhe h,:ro93n4 dc]urant le dépôt du film, et un mélange de rn,-,sl]ane or de rr hshhlne permet de contrôler facilement et de fa,ç,on satisfaisante la contrainte interne du film de s1i 1 udm amrorphe hvdrogéné. En outre, dans la présente invention, le gaz de rîpo,)sé azoté pour rendre thermiquement stable l'élément r.slstlf est: incorcré dans le matériau gazeux de départ, à li dlfférenc-e de l'art antérileur. Ceci permet d'obtenir une L' L:s grandJe quan:lté de matériau gazeux de départ, de rr.nlrîre a assurer une décharge stable durant le dépôt du fi lr. C'eci errnet d'obtenlr le film de silicium amorphe hv]-o3sg na dépose qui [Lrésente des caractéristiques stables. Rif1n -Lo'îjn mode de réal isati o)n préfér rI de la r-ésente LnrentMr,ri air t ét.-'e d:t-lr t avec Liun certain deur- de La 6rL-',l, rlté en se retférant aux dessins, des m.odifîcatiions -tr variat ions évidentes peuvent être réalisées au vu des eoseîlgneerrL s (d nns ci-.des, us. Par c)rnséq(-Iuent, il est vidlnLt qtle, trcut en restanrt dans le champ d'application -, re-vendi Lcations innexees, l' lnvention peut être rmise en U t-r aut -ement ciue ce qui a été décrit spécifiquement. - U 0 LL 4 8 L-I LJ- i -i d. -3l(xr c,-4S)] ilp a o. F) Àq iltp]. -1)'.I- ' Ht T r [r: ï n T np,T. SaJ Pl ST3) M I 19 djOJ UOûrHU ip LI4U ULI ' -i pLI aud.t oUI P wun T DTI S p (tLJ t [!t)r: 4u C] L 3UP. i ( to 3,, joc-) -.luO asT -3lwo _ a 1c 4o] ri[DU t.lUZ -S, Ue.1 4s. 4Trpnpanpodt3ao- e 'in su F' t U)1 sop onLuoDajnE aun,1 uCoIs opo: A cd ' ú ÀqPdiop ap xnaze6 neFautw un suFp sn:r rc -, tl 4u aun ua nua uoo j sa o oze u so(toi3 ap z7PF) -Tp l[ oQ,?, I anbha suep 'ú uoTlFoDTpuaAoa el uoos 9p.s c -cd ') * xnonz.j u ap xo, | a i wn uouwe, p dpÀxo I pA 'XOozn,, | U | d. -:Pu cs, a(dnoi 6 T SUP'p pUUOT I1QS I 45as -s 1 s1Só S u3, luomonuoq:l.aq iaSiTTqeLs inod JInOze - h ap ZE', H1 poi Ton bo[ suPp t UO T -')TPU A P[ UU!M-.S p.:iO-) d C JI 459,1 9 - 3 À.2T iq:;n rS - lu tiPl , I 4uotaoD nbTuaoq Jos [ I TqP'49.-, O IqC.;t-[ P n'0 4 dl, 7p CP-S)twc)D Dp zp6 np j[rIlHF:T:up.rnp) FP 4 sqns un. ns J np I [i 1 4. [Se?:i eT -j 3 Joo-j L,).- ui rt -4)( _ t-i,. &,unS u- u 4u Li.. pu pF,ó,-'_p.{q aLlda omp_ *an! ^1tll.-cT 4S! tU [ tTJ ", o' 4 ci[[ " [; -":] P -4 jJ I T U U-J "'L I U " ' : c I4 4da1 4UEF '.i 2s]j:-,, JT1sisIFi uuodaUJI un,p UOTiP3DTiCPFJ p,',[,'.CJd t À:- ledap ap xnazprF nF.T-p4pJ un supp snIld rc %w ns ap oa4T[uPnb aun ua nuod1uc;') ue 71:.:,zF: 4po alOzPI, ap;so,aooze psCoduo. 4Tp) I [ nb s; Je[, I UOT4,DTPpuoAao P uO[os JTZ4STSpn C.Uo [3 ' E : r X[4.q Tt I U apÀxoI qa wnTuowuwep ap.xol ':l4ozPl n4upuortDco dno.iE al suPp auuoTqDalgs 7sS jTqsTspa luaUélI 4unuonbfwU-oq îJasTITqePs:nod 94ozP, asocuoo ipoI 1onL-,;1SUFp I UO1 4PDTopuAna PI uO[Is j I ST.S a uu]ole 3 ' JTl S T S. 1:U uT |,I 1uautanETuzoq4 JasT Iqe4s.inoti d ozE, d9suduoo un 2uE'u)uoU auvaBoJpXq q8.3oTOup unTWDlT [TIS dp tWiItJ T,p T :u[TJ np 94I. 3n STST Pe I 3C Cu ioa 3,- iJno(d 30. anh-dlT l ljf E4UEPlUOE4UOû OUO6,':,_î nI w4l p (JrTJ unp.p-lT EISUOD JYtsp II -.Ja| 3 '. SNOI.-D IGNI3.AH3 L5 2. Appareil pour déposer un film de silicium omnorphe hvdrogJéné (-contenant une impureté pour contrôler la re'ljtL Lité du filum sur un substrat, comprenant: au rooins urL coLuple d'électrodes de décharge; et un -er, l rpaur[ furn Lr aiuxd'ites électrodes de l,' hirge un mlté rn, La gd2etx de départ pour former] e film d -s i t ll1, _'mn an rori hvdroéntéJr et le gaz de compos azotée i kr stablliser therimltuernent l'élément resîstlf, resrH ixi -lr-I t. qi. upa r -,Li selonn la revendicatlion 8, (:ui3prer.ant ri n ult r ri un u m,! U n,' pu effectuer tune comrma nde de tCrp,irfure durint le dp:a diu film de silicium amorphe v-I r:gjné Iafin d r: (ontrô ler la résistivité du film de 1ti0-un,O m orpihe hydroue_éné durant le dépôt.