Brevet FR2708351A1 — publié le 19950203

La présente invention concerne un dispositif optique accordable du type comportant au moins un premier élément d'entrée passif ou actif et un dispositif à réseau de diffraction intégré sur le trajet d'un faisceau incident à accorder. Dans les systèmes modernes de communication, de télécommunication, de transmission de données, etc., mais également dans d'autres systèmes, le besoin en dispositifs accordables est important. La capacité des lignes à fibres optiques présentes ainsi que futures peut être accrue par introduction d'un multiplexage par répartition en longueur d'onde (MRL). Les systèmes utilisant le MRL permettent d'exploiter l'important domaine de longueurs d'ondes (ou domaine de fréquences) qui est offert par une fibre optique, par affectation de différentes longueurs d'ondes à des canaux différents. Il est important que le système soit aussi souple que possible. Un facteur important est de pouvoir sélection- ner la longueur d'onde d'effet laser (c'est-à-dire la longueur d'onde à laquelle se produit l'effet laser) dans un dispositif intégré et de pouvoir par exemple obtenir une sélection précise des longueurs d'ondes qui sont nécessitées par le système. L'un des types de systèmes de multiplexage par répartition en longueur d'onde comporte les systèmes de multiplexage à répartition en longueur d'onde dits à haute densité. D'une manière générale, ces techniques sont importantes pour un certain nombre d'applications différentes mises en oeuvre dans un seul et même type de système ainsi que dans des systèmes très différents. Un certain nombre de dispositifs qui sont accordables d'une manière ou d'une autre, sont déjà connus. Comme exemples de dispositifs accordables, on citera par exemple des lasers accordables et des filtres accordables. Il est avantageux, par exemple dans les systèmes de communication par multiplexage par répartition en longueur d'onde cohérents, d'utiliser des dispositifs qui sont accordables et permettant de rendre le système plus souple. Il est par exemple utile d'utiliser des lasers qui peuvent être accordés à la longueur d'onde de différents canaux au lieu d'avoir un seul laser de longueur d'onde fixe pour chaque canal. Il est avantageux de disposer d'au moins une certaine plage d'accords continus centrée sur chaque canal pour ajuster avec précision la longueur d'onde. En ce qui concerne les lasers, ceux qui sont accordables peuvent généralement être répartis en trois catégories différentes de lasers à semiconducteurs accordables. La première catégorie est celle dite des lasers à cavités externes. Pour un certain nombre d'applications, ceux-ci ne sont cependant pas très pratiques. Comme lasers à cavités externes, on citera par exemple ceux décrits dans les documents EP-A-525 752 et EP-A-242 445. La deuxième catégorie de lasers à semiconducteurs accordables exploite des réseaux de diffraction de Bragg accordables. Dans l'article de T. L. Koch et U. Koren, "Semiconductor lasers for coherent optical fibre communications", J. Lightwave Technol., vol. 8 (3), mars 1990, pp. 274-293, on décrit des lasers à réflecteur de Bragg distribué (RBD) à deux sections et à trois sections. Cette référence décrit en outre des lasers à rétroaction distribuée (RD) dits à sections multiples. D'autres exemples de lasers accordables de la seconde catégorie sont décrits dans V. Jayaraman et al., "Demonstration of broadband tunability in a semiconductor laser using sampled gratings", Appl. Phys. Lett., vol. 60 (19), 11 mai 1992, pp 2321-2323; V. Jayaraman et al., "Very wide tuning range in a sampled grating DBR laser", 13th IEEE International laser Conference, 21-25 septembre 1992, article 11 fourni après la date limite; Y. Tohmori et al., "Ultrawide wavelength tuning with single longitudinal mode by super structure grating (SSG) DBR laser", 13th International laser conference, 21-25 septembre 1992, article 0-6. Ces lasers présentent l'inconvénient d'avoir des plages d'accords limitées. Une troisième catégorie de lasers à semiconducteurs accordables comporte le laser dit C3, qui est également décrit dans la première référence mentionnée ci- dessus, à savoir celle de T.L. Koch et U. Koren, "Semiconductor lasers for coherent optical fibre communications", J. Lightwave Technol., vol. 8 (3), mars 1990, pages 274-293, et le laser dit à jonction Y qui est décrit dans M. Schilling et al., "Integrated interferometric injection laser: Novel fast and broadband tunable monolithic light source", IEEE J. Quantum Electron., vol. 27 (6), juin 1991, pp 1616-1624. Cependant, aucun de ces dispositifs connus ne fonctionne d'une manière entièrement satisfaisante. A titre d'exemple, le laser dit C3 est difficile à reproduire et à commander. De plus, les lasers à jonction Y sont difficiles à commander. Un dispositif laser accordable est le laser dit laser MAGIC décrit dans J.B.D. Soole, K. Poguntke,20 A. Scherer, H.P. LeBlanc, C. Chang-Hasnain, J.R. Hayes, C. Caneau, R. Bhat et M.A. Koza, "Multistripe array grating integrated cavity (MAGIC) laser: a new semiconductor laser for WDM applications", Electronics Lett., vol. 28 (19), 10 septembre 1992, pp 1805-1807. Dans ce document, la longueur d'onde d'effet laser dans un dispositif intégré, est sélectionnée par utilisation d'un réseau de diffraction ayant la configuration d'un cercle de Rowland jouant le rôle de l'un des miroirs. Ce dispositif constitue d'une certaine manière une version intégrée d'un laser à cavité externe tel que mentionné ci-dessus, mais dans lequel la cavité externe est remplacée par un guide d'ondes en lame qui confine la lumière dans une direction alors qu'il laisse la lumière se diffracter dans la direction transversale. Le laser à semiconducteur est formé par intégration monolithique d'une matrice de rubans actifs pour le guide d'ondes plan passif portant un réseau de diffraction gravé. Une émission laser se produit à partir de différents rubans à des longueurs d'ondes différentes et déterminées avec précision. La longueur d'onde d'effet laser peut ainsi être fixée avec précision dans5 l'état souhaité. Par comparaison aux lasers dits à cavités externes mentionnés précédemment, les rubans de gain actifs situés en différentes positions sous la forme d'une matrice sont utilisés en association avec un réseau intégré fixe, au lieu d'un élément actif unique et d'un réseau de diffraction10 tournant. Le réseau de diffraction est réalisé par gravure à travers un guide d'ondes en lame et est adapté à la position de la paroi latérale exposée. Cependant, l'effet laser ne peut se produire qu'à un nombre discret de longueurs d'ondes, ce nombre étant égal au nombre de rubans formant guides15 d'ondes, et pour chaque longueur d'onde, le signal de sortie apparaît en outre sur un ruban différent, ce qui est peu pratique. L'objet de la présente invention est de fournir un dispositif accordable pouvant être facilement accordé, qui est facile à commander et à reproduire, et qui est facile à appliquer à diverses fonctions et à différents systèmes. L'invention a également pour objet de fournir un dispositif dont la plage d'accords peut être importante et dont la production et la manipulation sont peu coûteuses et aisées. Un objet supplémentaire de l'invention est de fournir un dispositif accordable dans lequel, lorsqu'il s'agit d'un laser, l'effet laser peut être provoqué en continu non seulement à un nombre discret de longueurs d'ondes mais également de fournir un dispositif et un système dans lesquels un seul ruban de gain est nécessaire, de sorte que le signal de sortie correspondant à un certain nombre de longueurs d'ondes apparaît sur un seul et même ruban. Cet objet, ainsi que d'autres, sont atteints par l'intermédiaire d'un dispositif du type mentionné ci-dessus et comportant en outre un moyen d'accord pour commander et modifier l'angle d'incidence du faisceau incident sur le dispositif à réseau de diffraction, le moyen d'accord comportant un prisme à indice de réfraction variable disposé entre ledit premier élément actif ou passif et le dispositif5 à réseau de diffraction. D'autres objets et avantages de la présente invention ressortiront à la lecture de la description détaillée de l'invention. Conformément à des modes de réalisation préférés, le dispositif à réseau de diffraction peut comporter un, deux ou plusieurs réseaux de diffraction fixes. Le dispositif peut également comporter un système à miroir qui, conformément à l'un des modes de réalisation, est disposé avant le prisme variable pour diriger un faisceau incident vers celui-ci. Il peut également être disposé après un réseau de diffraction final pour diriger le faisceau sortant vers un deuxième élément ou entre différents réseaux de diffraction. Il est avantageux d'appliquer ce dispositif ou ce montage à un système de multiplexage par répartition en longueur d'onde. Conformément à certains modes de réalisation préférés, le dispositif ou le montage peut être utilisé pour effectuer un accord à la longueur d'onde de différents canaux en continu dans une plage centrée sur chaque canal afin d'obtenir un ajustement précis de la longueur d'onde ou en continu sur toute la plage des longueurs d'ondes. Conformément à un mode de réalisation préféré, le prisme à indice variable qui présente un indice de réfraction variable, est réalisé par modification de l'indice de réfraction d'une région d'un guide d'ondes en lame. Il est préférable que les limites de cette région par o le faisceau pénètre et sort de la région, soient rectilignes. Dans le cas d'un mode de réalisation transparent, le prisme à indice de réfraction variable présente par exemple la forme d'un triangle. Pour différents modes de réalisation, l'indice d'une région peut être modifié, par exemple par injection de porteurs, par déplétion de porteurs ou par utilisation d'une structure de type BRAQWET ou par accord par modification de la température ou par application d'un effet Stark de5 confinement quantique. Dans le cas d'un mode de réalisation particulier, le dispositif comporte un laser. Il est préférable que ledit premier élément soit constitué d'un ruban de gain actif. Plus particulièrement, le système à réseau de diffraction peut comporter un réseau de diffraction10 fixe dans lequel, en modifiant l'angle d'incidence sur le réseau de diffraction, on modifie la longueur d'onde de la lumière rétroréfléchie, la variation de longueur d'onde A> étant approximativement égale à: =-> 2nd Cos8 Pg m 1 pour de petits angles de déviation E. Dans ce mode de réalisation, le prisme doit être placé au voisinage du réseau de diffraction afin d'obtenir la plage d'accords la plus importante. Cependant, si l'on souhaite disposer d'une meilleure sélectivité en longueur d'onde du faisceau réfléchi, on doit couvrir un grand nombre de périodes du réseau de diffraction. Dans le mode de réalisation mentionné25 précédemment, cela pourrait donner lieu à une importante taille du prisme ce qui peut être peu commode dans certains cas. Conformément à d'autres modes de réalisation, le système à réseau de diffraction comporte des réseaux de diffraction multiples, la longueur d'onde modifiant de la lumière rétro- réfléchie étant donnée par: coS82 m2 ml Mi cos(3 2nd2 nd coS En utilisant des réseaux de diffraction multiples, on peut réduire la largeur du faisceau et par conséquent, réduire également la taille du prisme tout en conservant une bonne résolution en longueur d'onde.5 Conformément à un autre mode de réalisation de l'invention, le dispositif comporte un filtre, notamment un filtre de réflexion. Selon l'un de ses modes de réalisation, le premier élément peut être un guide d'ondes passif mais le premier élément peut également être, conformément à un autre mode de réalisation, un ruban de gain séparé du deuxième ruban de gain, qui forment ainsi respectivement une entrée et une sortie, les extrémités d'entrée et de sortie des rubans de gain comportant un revêtement antiréfléchissant. Il est préférable que l'entrée et la sortie soient séparées l'une de l'autre et plus particulièrement, que le premier élément et le deuxième élément forment des guides d'ondes ou des rubans de gain différents. Les exemples non limitatifs suivants sont donnés à titre d'illustration de l'invention en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 illustre un laser accordable comportant un réseau de diffraction, la figure 2 illustre un laser accordable à réseaux de diffraction multiples, la figure 3 illustre un filtre accordable simple (de réflexion), et la figure 4 illustre un filtre accordable à plusieurs réseaux de diffraction (de transmission). La figure 1 illustre un laser accordable 10 comportant un premier élément actif la sous la forme d'un ruban de gain. Lorsque le ruban de gain la est par exemple soumis à un pompage d'injection, un effet laser se produit, la fréquence d'effet laser étant déterminée par la modification par le réseau de diffraction de l'angle d'incidence du faisceau, c'est-à-dire par la modification de la longueur d'onde de la lumière rétroréfléchie. Entre le ruban de gain la et un réseau de diffraction fixe 5a, qui forme dans ce cas le montage à réseau de diffraction 2a, est disposé un prisme 3a dit variable. Ce prisme variable 3a constitue l'élément d'accord en longueur d'onde à indice de réfraction variable. Du fait de son indice de réfraction variable, l'angle de déviation du faisceau incident sur le réseau de diffraction 5 peut varier. La figure 1 illustre un mode de réalisation simple du principe de l'invention. Conformément à ce mode de réalisation, avec un système 2 à réseau de diffraction qui comporte simplement un réseau de diffraction 5 unique, la variation de longueur d'onde est donnée par: 2nd P AX=- cosO1-l m D pour les faibles angles de déviation E. Dans cette équation, n est l'indice de réfraction du milieu de propagation, m est un ordre de diffraction du réseau et d est la période du réseau. Les distances P, D sont illustrées sur la figure, P étant la distance entre le guide d'ondes d'entrée et le milieu du prisme à indice variable et D étant la distance entre le guide d'ondes d'entrée et le réseau de diffraction G, G2 étant tel que défini sur la figure 1. Cependant, dans ce mode de réalisation particulier, le prisme 3a doit être placé à proximité du réseau de diffraction 5 pour faire en sorte que la plage d'accords soit aussi étendue que possible.30 Les figures 1 et 2 définissent les angles de prisme et Y, comme mentionné ci-dessus, constitue l'angle de déviation alors que 01 et 02 désignent les angles déviés, c'est-à-dire l'angle obtenu par application au prisme d'une variation d'indice, et l'angle du faisceau non dévié, c'est-à-dire en l'absence de variation d'indice induite dans le prisme, comme défini sur la figure 1, que forme le faisceau avec la normale au réseau de diffraction 5. Cependant, si l'on souhaite obtenir une meilleure résolution en longueur d'onde du faisceau réfléchi, il est nécessaire que le faisceau couvre5 un grand nombre de périodes du réseau. A cet effet, il serait nécessaire d'utiliser un prisme de grande dimension ce qui pourrait dans certains cas être peu commode, par exemple en raison des exigences spatiales, des procédés de fabrication, etc.10 Un mode de réalisation qui remédie à cette complication est représenté sur la figure 2. Le dispositif laser 20 de la figure 2 comporte un système 2b à réseau de diffraction comportant plusieurs réseaux de diffraction, dans ce cas deux réseaux de diffraction 5b, 5b'. En utilisant plusieurs réseaux de diffraction (ou deux réseaux de diffraction 5b, 5b'), il est possible de réduire la largeur du faisceau et par voie de conséquence, la taille du prisme tout en conservant une bonne résolution en longueur d'onde. Un miroir 6b est disposé entre les rubans de gain lb. Le faisceau incident est dirigé vers le prisme variable 3b par le miroir 6b o le faisceau est dévié après avoir été incident tour à tour sur le réseau 5b et le réseau 5b'. Les angles 01, 62 et 63 constituent les angles formés entre le faisceau incident et les normales aux réseaux de diffraction 5b et 5b', respectivement. Dans ce cas, la variation de longueur d'onde AX est donnée par: COS62 2 1 cos2 mm - cos83 2nd, nd1 o les coefficients mû sont les ordres de diffraction des réseaux et les coefficients d; sont les périodes. Les angles ont déjà été définis ci-dessus et sur la figure. Le miroir et les réseaux de diffraction peuvent être réalisés par des procédés connus, par exemple conformément au procédé décrit dans J.B.D. Soole, K. Poguntke, A. Scherer, H.P. LeBlanc, C. Chang-Hasnan, J.R. Hayes, C. Caneau, R. Bhat et M.A. Koza, "Multistripe array5 grating integrated cavity (MAGIC) laser: a new semiconductor laser for WDM applications", Electronics Lett., vol. 28 (19), sept. 1992, pp 1805- 1807. Dans ce cas, le miroir et les réseaux de diffraction sont définis par utilisation d'une lithographie classique ou d'une lithographie par faisceau d'électrons, et une attaque ionique réactive est utilisée pour effectuer une gravure à travers le guide d'ondes en lame. Une couche métallique, par exemple d'Al, est déposée sur la paroi latérale pour conférer une réflectivité élevée. Le ruban de gain peut être réalisé par des techniques15 classiques de fabrication de diodes laser. En ce qui concerne les dimensions du dispositif (S), certaines valeurs seront fournies ici à seul titre d'illustration, étant entendu qu'un certain nombre d'autres possibilités et que des tailles différentes sont envisageables. Cependant, conformément à l'un des modes de réalisation, les rubans de gain la, lb ont une longueur comprise entre 200 Mm et 1 mm et une largeur d'environ 1-5 Mm. Un simple laser 10 pourrait avoir une distance entre le ruban de gain la et le réseau de diffraction 2a d'environ 1 mm ou plus, et la largeur du faisceau à l'emplacement du réseau de diffraction 5 peut avoir une valeur type de plusieurs centaines de micromètres. Cela signifie que l'ensemble du dispositif 10 peut avoir une longueur de quelques millimètres et une largeur d'environ 500 Am. En ce qui concerne le deuxième mode de réalisation du laser 20, la distance entre les réseaux de diffraction et entre le premier réseau de diffraction 5b et le deuxième réseau de diffraction 5b', et le miroir, est de l'ordre de 300-600 Mm. Dans ce cas, l'ensemble du dispositif peut avoir une longueur inférieure à 1 mm et une largeur d'environ 400 gm. La figure 3 représente une autre variante de l'invention dans laquelle le dispositif constitue un filtre de réflexion 30 accordable. Ce système est semblable à celui de la figure 1, le premier élément étant sous la forme d'un ruban de gain lc qui comprend un revêtement anti- réfléchissant 11 sur son extrémité extérieure. Dans le mode de réalisation représenté figure 3, la sortie est séparée de l'entrée et le faisceau est réfléchi dans un autre guide d'ondes, qui constitue le deuxième élément lc'. Au lieu d'un premier et d'un deuxième éléments lc; lc', il est possible de remplacer ces derniers par des guides d'ondes passifs. Conformément à un autre mode de réalisation (non représenté), les dispositifs illustrés sur les figures 1 et 2 pourraient être modifiés pour former des filtres de réflexion accordables par application d'un revêtement anti- réfléchissant sur l'extrémité de sortie du ruban de gain respectif. Le ruban de gain peut dans ce cas être utilisé pour compenser les pertes (tout en restant en deçà du seuil) ou peut être remplacé par un guide d'ondes passif. On peut montrer que la bande passante du filtre est approximativement gaussienne. La figure 4 illustre un filtre à réseaux multiples comportant un système 2d à réseaux de diffraction, avec un premier réseau de diffraction et un deuxième réseau de diffraction, 5d, 5d'. Il comporte également deux systèmes à miroirs, un premier miroir dirigeant le faisceau incident sur le prisme variable 3d et un second miroir dirigeant le faisceau du deuxième réseau de diffraction 5d' vers le deuxième élément ld'. Les modes de réalisation représentés sur les figures 3 et 4 sont donc deux exemples dans lesquels le faisceau est réfléchi dans un autre guide d'ondes. Le principe est le même que pour le laser accordable, à la différence près qu'au lieu de provoquer une rétroréflexion comme dans le cas du laser, le faisceau est réfléchi, par exemple dans un autre guide d'ondes. Le prisme 3a; 3b; 3c; 3d à indice variable peut être réalisé d'un certain nombre de façons. D'une manière générale, il est réalisé par modification de l'indice de réfraction d'une région d'un guide d'ondes en lame. Les frontières par lesquelles le faisceau pénètre et sort de ladite région doivent être droites, mais par ailleurs, la forme et l'aspect de cette région ne sont pas importants. Une des formes avantageuses est un triangle mais il est clair que d'autres formes et aspects peuvent également être envisagés dans la mesure o les frontières sont droites. Dans le cas d'un triangle, c'est-à-dire du mode de réalisation décrit sur la figure 1, et avec des angles de prisme f1 et 42, l'angle de déviation Â est approximativement donné par: t__ An (tan41 + tant2) n étant l'indice de réfraction à l'extérieur du prisme et (n + An) étant l'indice de réfraction dans le prisme. Cette approximation est suffisante pour les faibles An. L'indice de réfraction dans une région peut être modifié de différentes manières par utilisation de procédés qui sont connus en soi. Selon l'un de ces procédés, il est possible d'utiliser une injection de porteurs consistant à injecter des électrons et des trous par polarisation en sens direct d'une modification de l'hétérostructure p-i-n modifiant l'indice de réfraction. Dans de l'InGaAsP/InP, il est possible d'obtenir des variations d'indice de l'ordre de -0,02 ou plus pour des densités de porteurs injectés de l'ordre de 2x1018 cm-3. Ce procédé est décrit de façon plus détaillée dans J.P. Weber, "Optimization of the carrier- induced effective index change in InGaAsP/InP waveguides - Application to tunable Bragg filters", soumis pour publication dans IEEE J. Quantum Electronics. Avec un indice effectif de l'ordre de 3,25, An/n est approximativement égal à -6,1x10-3, ceci représentant la variation d'indice relative. Pour de petites variations d'indice, les angles de déviation Y sont proportionnels à celles-ci et par conséquent représentent une mesure de la fonction de ce procédé. Conformément à un autre procédé, on peut utiliser la méthode dite de déplétion de porteurs. Celle-ci consiste à utiliser la même structure p-i-n que pour l'injection de porteurs (dans de l'InGaAsP/InP), mais avec un matériau dopé de plus faible bande interdite, il est possible d'en faire sortir les porteurs en polarisant en sens inverse la structure de la diode. Les niveaux de dopage sont15 raisonnablement d'au plus de l'ordre de 1018cm-3. Il est ainsi possible d'obtenir des variations d'indice du matériau d'environ +0,01 qui peuvent donner lieu à des variations d'indice effectif d'environ +0,005. Si l'indice effectif est de l'ordre de 3,25, An/n est d'environ 1,5x10-3.20 Conformément à un autre procédé, il est possible d'utiliser des structures dites BRAQWETS (Blockaded Reservoir And Quantum-Well Electron- Transfer Structures, structures de transfert d'électrons à réservoir bloqué et à puits quantique), qui sont des dispositifs à porteurs majoritaires (ici des électrons). Ce procédé est décrit plus en détail dans M.K. Chin, T.Y. Chang et W.S.C. Chang, "Generalized Blockaded Reservoir And Quantum-Well Electron-Transfer Structures (BRAQWETS): Modeling and design considerations for high performance waveguide phase modulators", IEEE J. Quantum Electron., vol. 28 (11), novembre 1992, pp 2596-2611. Avec le même indice effectif que ci-dessus, An/n serait d'environ +9,2x10-4. Selon un autre procédé, il est possible d'utiliser un accord par modification de température dans de l'InP et par conséquent, d'obtenir une modification d'indice. Dans J.-P. Weber, "Optimization of the carrier-induced effective index change in InGaAsP/InP waveguides - Application to tunable Bragg filters", soumis pour publication dans IEEE J. Quantum Electronics, on obtient ôn/6T = 1,81x104 [K-1] pour de l'InP aux environs de 300 K et bn/T = 3,53x104 [K-1] pour une bande interdite de 1,42 gm dans de l'InGaAsP. Dans la pratique, ceci peut être réalisé par mise en place d'une résistance chauffante sur le guide d'ondes en lame (avec une couche diélectrique pour l'isolation électrique). Si l'on considère par exemple un guide d'ondes de 0,3 Dm constitué de 1,3 Dm d'InGaAsP avec des couches de plaquage d'InP, la variation d'indice effectif pour une augmentation de température de 300 K à 350 K serait d'environ +0,01. Cela donne encore une fois pour un indice effectif de l'ordre de 3,25, An/n = 3,1x10-3. Selon encore un autre procédé, un accord par modification de température dans du Sio2 peut être utilisé. Au lieu d'utiliser un matériau semiconducteur pour tous les éléments, il est possible d'utiliser une technique de fabrication hybride dans laquelle seul le ruban de gain est constitué d'un matériau semiconducteur, et le reste est constitué de SiO2. Un accord peut ensuite être obtenu par modification de la température au moyen d'une résistance chauffante située sur le guide d'ondes en lame. Pour le Si02, on obtient 8n/ST = lx10-5 [K-1]. Par conséquent, pour une augmentation de température de 50 K, l'indice de réfraction augmente d'environ 5x10-4. L'indice de réfraction est d'environ 1,47 (N. Takato, T. Kominato, A. Sugita, K. Jinguji, H. Toba et M. Kawachi, "Silica based integrated optic Mach-Zender multi/demultiplexer family with channel spacing of 0, 01-250 nm", IEEE J. Selected Areas in Communications, vol. 8(6), août 1990, pp 1120-1127), ce qui donne An/n = 3,4x10-4. Un autre procédé fait appel à l'effet Stark de confinement quantique. Les décalages des niveaux d'énergie dus à l'effet Stark dans des puits quantiques provoquent des variations d'indice de réfraction. Ces variations sont fonction du désaccord par rapport au niveau, mais sont de l'ordre de 0,01 pour un champ électrique d'environ 100 kV/cm pour des puits d'InGaAsP avec un substrat d'InP (voir J.E. Zucker, I. Bar- Joseph, B.I. Miller, U. Koren et D.S. Chemnla, "Quaternary quantum wells for electro-optic intensity and phase modulation at 1,3 and 1,55 mm", Appl. Phys. Lett., vol, 54 (1), 2 janvier 1989, pp 10-12). Ce procédé s'applique à une lumière incidente perpendiculairement aux couches. Dans un guide d'ondes, la variation d'indice est réduite par le facteur de confinement de sorte qu'au mieux, on ne peut s'attendre qu'à la moitié de ce degré de variation d'indice.15 On obtient donc An/n = 1,5x10-3 (toujours pour un indice de réfraction effectif de 3,25). Cependant, cet effet est fortement dépendant de la longueur d'onde, ce qui peut poser des problèmes. Il se produit également un effet d'électro- absorption qui accompagne la variation d'indice, mais qui décroit beaucoup plus rapidement avec le désaccord que la variation d'indice. REVENDICATIONS 1. Dispositif optique accordable (10; 20; 30; 40) comportant au moins un premier élément d'entrée passif ou actif (la; lb; lc, lc'; ld, ld'), un dispositif à réseau de5 diffraction intégré (2a; 2b; 2c; 2d) sur le trajet d'un faisceau incident à accorder, caractérisé en ce que le dispositif (10; 20; 30; 40) comporte en outre un moyen d'accord (3a; 3b; 3c; 3d) pour commander et modifier l'angle d'incidence du faisceau incident sur le dispositif à réseau de diffraction (2a; 2b; 2c; 2d), le moyen d'accord (3a; 3b; 3c; 3d) comportant un prisme à indice de réfraction variable disposé entre ledit premier élément actif ou passif (la; lb; lc; ld) et le dispositif à réseau de diffraction (2a; 2b; 2c; 2d). 2. Dispositif accordable selon la revendication 1, caractérisé en ce que les longueurs d'ondes du faisceau lumineux incident qui est rétroréfléchi ou réfléchi par le dispositif à réseau de diffraction (2a; 2b; 2c; 2d) sont modifiées par modification de l'angle d'incidence du faisceau sur le dispositif à réseau de diffraction (2a; 2b; 2c; 2d). 3. Dispositif accordable selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le dispositif à réseau de diffraction (2a; 2b; 2c; 2d) comprend au moins un réseau de diffraction fixe. 4. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte au moins un dispositif à miroir (6b; 6d, 6d'). 5. Dispositif accordable selon la revendication 4, caractérisé en ce que le dispositif à miroir (6b; 6d) est disposé avant le prisme à indice variable (3b; 3d) déviant le faisceau incident vers le prisme à indice variable (3b;3d). 6. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il est appliqué à un système de multiplexage par répartition en longueur d'onde utilisé par exemple dans la télécommunica- tion ou la transmission de données. 7. Dispositif accordable selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il est utilisé pour effectuer un accord sur les longueurs d'ondes de différents canaux, soit en continu dans une plage centrée sur chaque canal pour un ajustement précis de la longueur d'onde, soit en continu sur toute la gamme des longueurs d'ondes. 8. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que le prisme à indice variable (3a; 3b; 3c; 3d) ayant un indice de réfraction variable, est réalisé par modification de l'indice de réfraction dans une région d'un guide d'ondes en lame. 9. Dispositif accordable selon la revendication 8, caractérisé en ce que les frontières de ladite région par lesquelles le faisceau pénètre et sort de la région, sont droites. 10. Dispositif accordable selon la revendication 9, caractérisé en ce que le prisme à indice variable (3a; 3b; 3c; 3d) a la forme d'un triangle. 11. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications 8-10, caractérisé en ce que l'indice d'une région est modifié par injection de porteurs, par déplétion de porteurs ou par utilisation d'une structure dite de BRAQWET. 12. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications 8-10, caractérisé en ce que la variation d'indice est provoquée par accord par modification de température ou par effet Stark de confinement quantique ou par tout autre procédé approprié. 13. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte un laser (10; 20). 14. Dispositif selon la revendication 13, caractérisé en ce que ledit premier élément (la; lb) comporte un ruban de gain actif. 15. Dispositif accordable (10) selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le dispositif à réseau de diffraction (2a) comporte un réseau de diffraction fixe (5a), la modification de l'angle d'incidence sur le réseau de diffraction (5a) conduisant à une modification de la longueur d'onde de la lumière rétro- réfléchie, la variation de longueur d'onde AI étant approximativement égale à: 2nd P AX=- 2ncosSe lr m D pour de faibles angles de déviation E. 16. Dispositif accordable (20) selon la revendication 13 ou 14, caractérisé en ce que le dispositif à réseau de diffraction (2b) comporte des réseaux de diffraction multiples (5b, 5b'), la variation de longueur d'onde de la lumière rétroréfléchie étant donnée par: cose2 m2 + ml -coS cos-3 2nd2 nd1 csl 17. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications 1-12, caractérisé en ce qu'il comporte un filtre (30; 40). 18. Dispositif accordable selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comporte un filtre de réflexion (30). 19. Dispositif selon la revendication 17, caractérisé en ce qu'il comporte un filtre de transmission (40). 20. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 17-19, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un second élément de sortie (lc'; ld'). 21. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 17-20, caractérisé en ce qu'au moins le premier élément d'entrée (lc; ld) est un guide d'ondes5 passif. 22. Dispositif accordable (30) selon l'une quelconque des revendications 17-21, caractérisé en ce que le premier élément (lc) est un ruban de gain séparé d'un deuxième ruban de gain (la') formant une sortie, l'extrémité d'entrée et l'extrémité de sortie des rubans de gain (lc, lc') comportant un revêtement antiréfléchissant (11). 23. Dispositif accordable selon l'une quelconque des revendications 1722, caractérisé en ce que l'entrée et la sortie sont séparées l'une de l'autre.15 24. Dispositif accordable (40) selon l'une quelconque des revendications 17, 19-23, caractérisé en ce que le faisceau incident à travers le premier élément (ld) par l'intermédiaire d'un premier dispositif à miroir, est réfléchi dans un second élément (ld') formant un guide d'ondes séparé, par l'intermédiaire d'au moins le dispositif à réseau de diffraction (2d).