Brevet FR2707040A1 — publié le 19941230

La présente invention concerne les dispositifs à semiconducteur et, plus particulièrement, un dispositif à semiconducteur composé, tel qu'un transistor à mobilité électronique élevée (HEMT) ou un transistor à effet de champ à accès Schottky (MESFET), o une couche épitaxiale d'un dispositif à semiconducteur composé est placée sur une couche tampon au titre d'une couche active du dispositif. Dans le cas d'un circuit intégré de dispositifs à semiconducteur composé, il existe une demande pour une couche tampon qui élimine l'effet de canal court ou l'effet de grille latérale, en particulier pour ceux de ces dispositifs qui possèdent une grande densité d'intégration. On sait dans la technique qu'une amélioration de la structure tampon permet de réduire efficacement un tel effet de canal court ou effet de grille latérale, o des dispositifs particuliers du circuit intégré présentent les interférences mutuelles. On a admis que cette couche tampon réalisait une barrière de potentiel grande et efficace contre la circulation de porteurs et révélait une grande résistance électrique. De plus, on sait que des couches tampon réalisées à basse température (LTB) par un processus de croissance épitaxiale par faisceau moléculaire (MBE) mené à basse température sont efficaces pour éliminer l'effet de grille latérale et l'effet de canal court. Dans la production de cristaux de qualité élevée, on sait que les processus de dépôt chimique d'organométalliques en phase vapeur (MOCVD) donnent une productivité élevée lorsqu'on les compare aux procédés MBE. Toute- fois, dans les procédés MOCVD appliqués à des couches de semiconducteur composé, le procédé de fabrication d'une couche tampon efficace, comparable à celle que l'on obtient à l'aide du procédé MBE, n'a pas encore été établi. Pour la croissance de couches tampon de résistance élevée à l'aide du procédé MOCVD, l'utilisation d'une couche de AlGaAs dopée par de l'oxygène a été proposée. Il faut noter que AlGaAs, qui possède une grande bande interdite, joue efficacement le rôle d'une barrière contre les porteurs, tandis que les atomes d'oxygène incorporés dans le cristal de AlGaAs forment un niveau d'impureté profond qui augmente la résistance du cristal. On réalise typiquement ce dopage par l'oxygène en employant une source organométallique contenant de l'oxygène lié à AI, par exemple sous la forme de méthoxyaluminium. En fournissant l'oxygène sous la forme d'un composé source organométallique qui contient de l'oxygène, on évite de manière intéressante le problème de la contamination des réacteurs par l'oxygène, si l'on compare au cas o on utilise H20 ou 02 pour obtenir l'oxygène de dopage. Lorsqu'on forme une couche tampon par croissance à basse tempéra- ture, on commence par élever la température du substrat à plus de 580 C pour retirer la pellicule d'oxygène se trouvant à la surface, puis on l'abaisse ensuite à C environ pour permettre le dépôt de la couche de LTB. Après que la couche tampon a ainsi crû, on élève la température à plus de 500 C pour assurer le dépôt de couches épitaxiales, par exemple une couche active d'un HEMT. Toutefois, un tel procédé demande des opérations d'augmentation ou de diminution de la tempé- rature du substrat, et la productivité du dispositif à semiconducteur en est invévi- tablement diminuée. Il a déjà été établi que la couche tampon formée par croissance à partir de méthoxyaluminium fournissait une résistivité élevée, comme indiqué par Goorsky et ai. (Goorsky, M.S., et ai., "Characterization of epitaxial GaAs et AlxGalxAs layers doped with oxygen," APPL. PHYS. LEIT. volume 58, page 1979, 1991). Dans l'étude qui constitue la base de l'invention, les inventeurs ont examiné la question suivant laquelle une couche de AIGaAs formée par croissance à partir de méthoxyaluminium pouvait ou non réussir à éliminer l'effet de grille latérale lorsqu'on l'utilisait pour la couche tampon de circuits intégrés à semiconducteur composé. Les figures 1A et lB représentent le procédé de fabrication d'un dispositif de contrôle utilisé dans l'étude précédente. Comme on peut le voir sur la figure 1A, une structure en couches est formée sur un substrat de GaAs 1 par le procédé MOCVD, o une couche tampon non dopée 2 de AlGaAs est formée sur le substrat de GaAs 1 à une épaisseur de nm, et une couche de GaAs non dopée 3 est formée par croissance sur la couche tampon 2 à une épaisseur de 200 nm. Ensuite, on fait croître sur la couche 3 une couche 4 de GaAs de type n, à une épaisseur de 50 nm, la couche 4 étant dopée par Si à une concentration de 1,2 x 1018 cm-3. On fait croître la couche tampon 2 à 650 C sous une pression de 10,1 kPa (0,1 atm.), en fournissant du TEG (triéthylgallium; Ga(C2Hs)3), du TMA (triméthylaluminium; AI(CH3)3), du diméthylméthoxyaluminium (DMMOA) et de l'arsine, o le débit de As est fixé à fois le débit total des éléments du groupe III. Lorsqu'on utilise le DMMOA comme source de Al, la couche tampon que l'on fait ainsi croître contient de l'oxygène, o 200 ppm de DMMOA est mélangé au TMA. Pour le reste, les conditions de dépôt de la couche tampon 2 sont identiques à celles utilisées pour faire croître une couche de AIGaAs. La couche tampon 2 ainsi obtenue a la composition: Al0,25Ga0,75As. Après que la structure de la figure i a ainsi été obtenue, on dépose une couche de SiON sur la couche 4 à une épaisseur de 300 nm à l'aide d'un procédé CVD, o on réalise ensuite un tracé de motif sur la couche de SiON au moyen d'un procédé photolithographique comportant une gravure par voie humide effectuée à l'aide d'un agent de gravure à base de HF, afin de former un masque de SiON dans lequel est formée une fenêtre en vue de l'injection d'ions d'impureté. On réalise ensuite, à travers le masque de SiON, une implantation d'ions d'oxygène dans la structure en couches de la figure i afin de former une région dopée 6, comme indiqué sur la figure lB, puis on retire le masque de SiON après la formation de la région 6. De plus, on fait déposer sur la couche 4 une autre couche 5 de SiON par un procédé CVD, jusqu'à une épaisseur de 300 nm, et on forme des fenêtres dans la couche 5 de SiON encorrespondance avec les électrodes devant être formées par un procédé photolithographique, de la même manière que précédemment. De plus, on forme des électrodes 7, 8 et 9, ayant chacune la structure AuGe/Au, en correspondance avec les fenêtres formées dans la couche 5 de SiON, comme indiqué sur la figure lB. Dans la structure de la figure lB, on notera que l'électrode 7 joue le rôle d'électrode de grille latérale, tandis que les électrodes 8 et 9 correspondent respectivement aux électrodes de source et de drain d'un HEMT ou d'un MESFET. La grille latérale 7 comporte une séparation de 2,.an vis-à-vis de l'électrode de source 8. Après avoir ainsi formé les électrodes 7 à 9, on applique un procédé d'alliage, comme cela est habituel. La figure 2 montre le résultat de la mesure du courant drain-source IDS du dispositif de contrôle de la figure lB pour diverses tensions de la grille latérale appliquées à l'électrode 7 o l'axe vertical représente le courant drain- source IDS circulant entre l'électrode de source 8 et l'électrode de drain 9, tandis que l'axe horizontal représente la tension de grille latérale appliquée à l'électrode 7. Comme on le voit clairement sur la figure 2, le courant IDS varie sensiblement en fonction de la tension de grille latérale appliquée à l'électrode 7, ce qui indique que la structure de la figure lB est insuffisante pour éliminer l'effet de grille latérale. Par ailleurs, il a été confirmé que la couche tampon 2 de la structure de la figure lB présentait une résistivité élevée, de l'ordre de 109 Q2cm, laquelle peut être attribuée sans aucun doute à l'oxygène de dopage présent dans la couche tampon 2. Le résultat de la figure 2 indique clairement que, alors que l'oxygène de dopage est efficace pour augmenter la résistivité de la couche tampon dans les dispositifs à semiconducteur composé, cet oxygène de dopage ne suffit pas pour éliminer l'effet de grille latérale. C'est donc un but général de l'invention de produire un dispositif à semiconducteur nouveau et utile et son procédé de fabrication, o les problèmes ci-dessus énoncés sont éliminés. Un autre but, plus particulier, de l'invention, est de produire un procédé de formation d'une couche tampon dans un dispositif à semiconducteur composé, o l'effet de canal court et l'effet de grille latérale sont efficacement éliminés, sans modification du procédé de dépôt et du système classiques. Un autre but de l'invention est de produire un circuit intégré à semi- conducteur, comprenant: un substrat fait d'un matériau semiconducteur composé; une couche tampon placée sur une surface principale supérieure dudit substrat, ladite couche tampon comprenant un matériau semiconducteur composé des groupes III-V et étant dopée à l'aide de bore (B) à une concentration comprise dans l'intervalle de 0,001 à 0,1, en fraction molaire par rapport aux éléments du groupe III de ladite couche tampon; et une couche active placée sur ladite couche tampon, ladite couche active comportant plusieurs dispositifs à semiconducteur actifs. Selon l'invention, le bore incorporé dans le cristal de la couche tampon compense efficacement les porteurs qui s'y trouvent et la couche tampon présente une résistivité très élevée. Ainsi, le circuit intégré qui utilise cette couche tampon supprime efficacement l'effet de grille latérale, en particulier lorsqu'il est combiné avec une autre couche tampon qui possède une bande interdite d'énergie élevée. Une évaluation expérimentale de l'effet de grille latérale concernant le circuit intégré de l'invention a indiqué que ce circuit intégré ne présentait sensiblement aucun effet de grille latérale même lorsqu'on appliquait une tension de grille latérale allant jusqu'à 20 V. Pour obtenir la haute résistivité voulue, il est préférable de fixer la concentration du bore dans la couche tampon à une valeur supérieure à 0,001, de manière plus spécialement préférée à une valeur supérieure à 0, 005, en fraction molaire par rapport aux éléments du groupe III de la couche tampon, tandis que, du point de vue de l'adaptation de réseau visà-vis du substrat ainsi que de la couche active, on préfère fixer la fraction molaire du bore à une valeur plus petite que 0,1. La couche tampon peut être un cristal mixte de BAs et GaAs représenté sous la forme BxGalxAs, un cristal mixte de AlAs, BAs et GaAs représenté par AlxByGalxyAs, un cristal mixte de BAs, GaAs et InAs représenté par BxGayInlxyAs, ou un cristal mixte de AlAs, BAs, GaAs et InAs représenté par AlxByGazInlxyzAs. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: les figures 1A et lB sont des schémas montrant le procédé de fabrica- tion d'un dispositif de contrôle employé dans l'invention pour étudier l'effet de grille latérale; la figure 2 montre l'effet de grille latérale obtenu lorsqu'on utilise une couche tampon classique dans le dispositif de contrôle de la figure lB; la figure 3 est un schéma montrant l'appareil de dépôt MOCVD utilisé dans l'invention pour faire croître des couches épitaxiales; la figure 4 est un schéma montrant la structure d'un dispositif de contrôle employé dans l'invention pour étudier l'effet de grille latérale lorsqu'on utilise une couche tampon contenant du bore; la figure 5 est un schéma montrant l'effet de compensation des porteurs dans le dispositif de la figure 4, du fait du dopage par le bore de la couche tampon; la figure 6 est un schéma montrant la gamme préférée pour la teneur en bore ainsi que les propriétés de rayonnement X correspondantes de la couche tampon contenant du bore; la figure 7 est un schéma montrant l'élimination de l'effet de grille latérale dans le dispositif de la figure 4; la figure 8 est un diagramme de diffraction de rayons X, montrant l'effet de déplacement de la réflexion (400) dans une couche tampon de GaAs, suite au dopage par le bore; les figure 9A à 9H sont des schémas montrant le procédé de fabrication d'un circuit intégré de HEMT qui emploie la couche tampon contenant du bore; et la figure 10 est un schéma montrant un circuit intégré de MESFET construit sur un substrat de silicium. Tout d'abord, on va décrire, en relation avec la figure 3, l'appareil de dépôt MOCVD horizontal qui est employé dans l'invention. Sur la figure 3, on peut voir que l'appareil de dépôt MOCVD comporte un réacteur 21 maintenu sur un suscepteur 22 de façon à être chauffé par une lampe infrarouge 23. Une extrémité du réacteur 21 est soumise à l'action d'une pompe à vide 30 via une soupape 27 de régulation de pression, et un dispositif de lavage 31 est raccordé à la sortie de la pompe à vide 30. Le réacteur 21 contient un dispositif de contrôle 11, qui sera décrit ultérieurement, et assure une pression interne régulée par la soupape 27 en liaison avec la pression indiquée par une jauge de pression 29. Le réacteur 21 est alimenté en divers gaz par une unité source de gaz 24 qui comporte des cylindres de pression, ainsi que des barboteurs, o les cylindres de pression fournissent de l'arsine (AsH3) comme source de As, du disilane (Si2H6) comme agent de dopage et de la phosphine (B2H6) comme source de B via des régulateurs de débit massique MFC respectifs, tandis que les barboteurs sont alimentés en un gaz de transport constitué d'hydrogène via des régulateurs de débit massique MFC respectifs et fournissent au réacteur 21 du TEG, du TMA, du TEB (triéthylbore) et du TMI (triméthylindium) respectivement au titre de source de Ga, de source de Ai, de source de B et de source d'indium. Typiquement, l'hydrogène constituant le gaz de transport est fourni à un débit de 1/min, la pression intérieure au réacteur 21 étant fixée à 10, 1 kPa (0,1 atm.). La température du barboteur associée au TEG est typiquement fixée à 15C, tandis que la température du barboteur associée au TMA est fixée à 18C. Dans l'expé- rience, le TEG est fourni à un débit de 175 cm3/min, tandis que le TMA est fourni à un débit de 12,9 cm3/min. De plus, l'arsine est diluée par l'hydrogène à 18 % et est fournie à un débit de 365 cm3/min. Il faut noter que le TEB est liquide à la température ambiante et présente à OC une tension de vapeur de 1,80 kPa (13,5 mmHg). Ainsi, on peut manipuler le TEB de la même manière que le TEG ou le TMA. La figure 4 montre un dispositif de contrôle utilisé dans l'étude faite par les inventeurs qui a finalement mené à l'invention. On se reporte à la figure 4. Le dispositif de contrôle possède une structure analogue à celle représentée sur la figure lB et comporte un substrat de GaAs semi-isolant 11, une première couche tampon 12 de GaAs contenant B et une deuxième couche tampon 13 de AlGaAs, o la couche tampon 13 correspond à la couche tampon 2 de la figure lB. La couche tampon 12 possède une épaisseur de 50 nm et une composition qui sera décrite ci-après, tandis que la couche tampon 13 possède une épaisseur de 200 nm et la composition Al0,25Ga0, 75As. De plus, une couche de GaAs non dopée 14 est disposée sur la couche tampon 13 à une épaisseur de 200 nm, et une couche de GaAs de type n 15 est placée sur la couche de GaAs 13 à une épaisseur de 50 nm, o la couche 15 est dopée par Si avec une concentration en impureté de 1,2 x 1018 cm-3. Le dispositif de contrôle de la figure 4 comporte en outre une région d'isolation 16 formée par implantation ionique d'oxygène, qui est telle que la région d'isolation 16 traverse les couches 13 à 15 et atteint la couche tampon 12. De plus, une couche isolante 17 de SiON est placée sur la couche de GaAs 15, tandis que des électrodes 18, 19 et 20 sont placées sur la couche isolante 17 en correspondance avec les électrodes 7, 8 et 9 de la figure lB, o les électrodes 19 et 20 sont placées du côté droit de la région d'isolation 16 au titre des électrodes de source et de drain, tandis que l'électrode 18 est placée à gauche, au titre d'une électrode de grille latérale. Dans I'invention, on a étudié l'effet du dopage par B sur la densité de porteurs de la couche tampon 12 de GaAs. Plus spécialement, dans la structure de la figure 4, on a effectué dans la couche tampon 12 un dopage volontaire de Si pendant le procédé de dépôt MOCVD en mélangeant du disilane aux gaz source de facon que la couche tampon 12 présente une densité de porteurs Nd d'environ 1018 cm-3 pour l'état o la couche tampon 12 est exempte de B. De plus, on a produit divers dispositifs de contrôle ayant des teneurs diverses en B dans la couche tampon 12 en faisant croître la couche de GaAs en même temps qu'on faisait circuler le TEB à divers débits, en plus du TEG et de l'arsine. - La figure 5 montre la relation existant entre la densité de porteurs Nd et le débit de barbotage du TEB, o le débit de barbotage du TEB correspond à la teneur en B de la couche tampon 12. Sur la figure 5, on voit que la densité de porteurs Nd augmente de facon sensiblement linéaire en même temps que le débit de barbotage du TEB, suivant une échelle logarithmique. On note également que la densité de porteurs Nd diminue d'un facteur 1/10 par comparaison au cristal de GaAs dépourvu de B lorsque le débit du TEB est fixé à environ 10 cm3N (10 cm3 dans les conditions normales de température et de pression). La relation montrée sur la figure 5 indique clairement qu'une compensation des porteurs a lieu dans le cristal de BGaAs du fait de l'incorporation du B de dopage. En liaison avec cette compensation des porteurs, les porteurs subissent un appauvrissement dans le cristal de BGaAs et ce dernier montre une résistivité très élevée convenant pour l'utilisation comme couche tampon de circuits intégrés à semiconducteur composé. La couche tampon 12 ainsi dopée à l'aide de B possède une composition représentée par BxGal-xAs. La figure 6 montre la relation qui existe entre la composition x et le débit de barbotage du TEG. On a obtenu la relation de la figure 6 en faisant croître une couche de BGaAs sur un substrat de GaAs en un certain nombre de couches ayant chacune une épaisseur de 200 nm tout en maintenant la température à 650C. Pendant le dépôt, on a fait varier par degrés le débit de barbotage du TEB après le dépôt de chaque couche. Sur la figure 6, l'axe vertical situé à droite représente la composition x ci-dessus indiquée, tandis que l'axe vertical situé à gauche indique la différence AO de l'angle de diffraction de la réflexion (400) du rayonnement Ka du cuivre par rapport à la réflexion (400) correspondante produite par le substrat de GaAs 11, o l'on notera que le déplacement AO de l'angle de diffraction augmente lorsque le débit de barbotage du TEB augmente et que le déplacement AO est lié à la composition x par une relation sensiblement linéaire. Ainsi, on peut obtenir la composition x en fonction de la valeur du AO obtenue par analyse de diffraction des rayons X. En outre, le deuxième axe vertical situé à droite de la figure 6 indique l'écart apparaissant dans la constante de réseau a entre la couche tampon 12 et la composition nominale de GaAs, ce qui est représenté par Aa/a, o on suppose la loi de Vegard entre la constante de réseau et la composition x, de sorte que la constante de réseau varie linéairement avec la composition x. On peut voir sur la figure 6 que la constante de réseau a de la couche tampon 12 diminue lorsque la teneur en B augmente, ce qui indique que les atomes de B pénètrent principale- ment dans le site de Ga de la structure cristalline de GaAs. Lorsque les atomes de B pénètrent dans le site de Ga, la constante de réseau du cristal diminue en raison du plus petit rayon atomique de B. Dans le cristal de GaAs, la possibilité existe également que les atomes de B pénètrent dans le site intersticiel de Ga et As. Dans ce dernier cas, on peut s'attendre à une augmentation de la constante de réseau avec le dopage par B. Puisque ces deux processus sont en compétition l'un avec l'autre dans la structure de BGaAs, il est difficile d'être sûr de la teneur en B absolue du cristal de BGaAs. Sur la figure 6, il faut également noter qu'un excellent appariement des réseaux est maintenu entre la couche tampon 12 et le substrat de GaAs sous- jacent 11 dans la mesure o la valeur absolue de l'écart de réseau (Aa/a) se trouve dans l'intervalle situé en dessous de 0,005. Aussi longtemps que l'écart de réseau se trouve dans l'intervalle ci-dessus indiqué, la couche tampon 12 présente une excellente surface spéculaire et on observe une crête de réflexion aiguë pour la surface (400), ce qui indique une excellente qualité cristalline pour la couche épitaxiale 12. Lorsque l'amplitude de l'écart de réseau dépasse le seuil 0,005 ci- dessus indiqué, alors, inversement, la couche tampon 12 ne forme plus un monocristal du fait du défaut excessif d'appariement des réseaux, et une surface cristalline rugueuse se crée. En liaison avec cela, la réflexion (400) devient diffuse, ce qui indique une texture polycristalline dans la couche tampon 12. Les observations précédentes conduisent à la conclusion que, tandis qu'il peut être souhaitable d'augmenter la teneur en B de la couche tampon de GaAs 12 du point de vue de l'appauvrissement voulu en porteurs, il existe une limitation qui est imposée par la contrainte relative à l'appariement des réseaux, selon laquelle l'écart des réseaux Aa/a ne peut pas dépasser une valeur limite de -0,005. En ce qui concerne la valeur minimale de la teneur en B de la couche tampon de GaAs 12, il est d'autre part souhaitable de fixer l'écart de réseau Aa/a à une valeur supérieure à -0,0002, de manière plus préférée supérieure à 0,001. Lorsque l'écart de réseau Aa/a est fixé en dessous de -0,0002, on fn'obtient pas l'appauvrissement en porteurs voulu. Lorsque l'écart de réseau Aa/a dépasse la valeur ci-dessus indiquée de -0,005, il est alors difficile d'obtenir un monocristal de qualité satisfaisante. La figure 7 représente le courant drain-source IDS qui a été observé dans le dispositif de contrôle de la figure 4 lorsqu'on faisait varier diversement la tension de grille latérale appliquée à l'électrode 18. Comme cela peut être clairement vu sur la figure 7, il n'y a pas -du tout de variation du courant drain- source IDS même lorsqu'on fait varier la tension de grille latérale dans l'intervalle compris entre -20 V et +3 V. Le résultat de la figure 7 signifie clairement l'excellente isolation du dispositif que procure la couche tampon 12 dans la structure de la figure 4. On a obtenu des résultats analogues pour des dispositifs contenant la couche tampon de BGaAs 12 o la valeur de l'écart angulaire A0 était respective- ment de -100 secondes d'arc et -200 secondes d'arc. Dans chacun de ces exemples supplémentaires, la couche tampon de AlGaAs 13 possède une épaisseur de 50 nm, la couche de GaAs 14 possède une épaisseur de 200 nm, et la couche de GaAs 15 possède une épaisseur de 50 nm, la couche 15 ayant une concentration en impureté de 1,2 x 1018 cm-3. Les résultats rapportés ci-dessus selon l'invention ne sont pas cohérents avec l'article de Ku concernant les propriétés de la couche cristalline de BxGalxAs (Ku, S.M., "Preparation and Properties of Boron Arsenides and Boron Arsenide-Gallium Arsenide Mixed Crystals", J. Electrochem. Soc., 113, pages 813 - 816, 1966). Ku rapporte que des couches de BxGalxAs formées par un processus de transport en phase vapeur et contenant B à des teneurs respectives de 0,78 % et 2,8 % (pourcentage pondéral) montrent un type de conductivité n avec des concentrations en porteurs respectives de 1,6 x 1018 cm-3 et 7,3 x 1017 cm-3. De plus, Ku rapporte que la bande interdite d'énergie du cristal de BxGalxAs diminue lorsque la teneur en B augmente. Les résultats de Ku indiquent apparamment que le cristal de BxGalxAs obtenu forme une couche de faible résistance eu égard à la teneur en porteurs libres. Au contraire, le cristal obtenu selon l'invention montre clairement qu'une résistivité très élevée résulte du dopage par B. On notera que la figure 5 montre clairement un appauvrissement en porteurs, même dans la couche que l'on a dopé volontairement au type n, avec l'augmentation de la teneur en B, ce qui indique que B joue le rôle d'une impureté profonde dans la structure de GaAs. Alors que la raison d'un tel écart n'est pas claire, on estime que la différence des processus de dépôt conduit B à entrer dans des sites différents. De plus, on a effectué selon l'invention une série d'expériences afin de former la structure de la figure 4 comportant la couche tampon 12 par croissance à partir d'un matériau autre que BxGalxAs, par exemple AlxByGalxyAs, BxGayInlxyAs et AlxByGazInlxyzAs, et on a confirmé l'existence d'une semblable résistivité élevée dans la couche tampon 12 ainsi formée et l'élimination de l'effet de grille latérale. En particulier, lorsqu'on utilise AIBGaAs, on peut éliminer la couche tampon 13 en raison de la grande bande interdite associée à AIBGaAs. La figure 8 montre la figure de diffraction des rayons X par la surface (400) de la couche AlxByGalxyAs 12 ainsi obtenue par croissance sur le substrat de GaAs 11, o on voit que la crête de réflexion (400) se déplace dans le sens positif par rapport à la crête de réflexion (400) de GaAs (AO = 60 secondes d'arc), au contraire de la réflexion (400) de BGaAs. En d'autres termes, la contraction de la constante de réseau que provoque le dopage par B est compensée par l'incorporation de AI dans GaAs en plus de B. Ainsi, AI induit une dilatation du réseau, et divers problèmes associés au non-appariement de réseau entre les couches épitaxiales réalisées par croissance sur la couche tampon 12 et le substrat de GaAs 11 sont éliminés de façon satisfaisante par l'incorporation simultanée de B et Al dans le substrat de GaAs 12. De plus, lorsqu'on utilise le BGaInAs de composition BxGaylnlxyAs comme matériau pour la couche tampon 12, on peut ajuster les paramètres de composition x et y de façon que la valeur du déplacement de crête AO devienne sensiblement nulle (AO = O seconde d'arc). Dans ce cas, on peut éliminer complètement le défaut d'appariement de réseau entre la couche de tampon 12 et le substrat de GaAs sous-jacent 11. Inversement, la couche tampon 12 de BGaInAs ne produit pas de barrière appropriée contre la circulation des porteurs en raison de la petite bande interdite associée au BGaInAs. Il est donc essentiel de prévoir la couche tampon 13 de AlGaAs sur la couche tampon 12 dans la mesure o on utilise BGaInAs comme couche tampon 12. Typiquement, la couche tampon 13 possède la composition Al0 25Ga0 75As. De plus, lorsqu'on utilise le BaAlGaInAs de composition AlxByGazInlxyzAs comme matériau pour la couche tampon 12, on peut ajuster les paramètres de composition x et y de façon que la valeur du paramètre AO devienne minimale (AO = 200 secondes d'arc) tout en maintenant une bande interdite suffisante pour la couche tampon 12. Dans ce cas, on peut donc éliminer la couche tampon 13 de AlGaAs sur la couche tampon 12. Dans les processus ci-dessus cités de croissance de la couche tampon 12 à partir de BGaAs, AIBGaAs, BGaInAs et AlBGaInAs, on peut employer B2H6 (diborane) comme source de B à la place du TEB. Dans ce cas aussi, on peut obtenir d'excellents résultats, analogues à ceux du cas o on forme la couche tampon 12 à l'aide du TEB comme source de B. Lorsque l'on utilise B2H6, il est souhaitable de diluer ce dernier à 10 % par l'hydrogène. De plus, on peut former les couches épitaxiales de la figure 4 par un procédé MBE au lieu du procédé MOCVD, même si cette première approche, utilisant le procédé MBE, peut se révéler désavantageuse du point de vue du rendement de production du dispositif. Lorsqu'on fait croître les couches épitaxiales de la structure de la figure 4 par le procédé MBE, on préfère utiliser le TBE ou B2H6 comme source de B, de la même façon que dans le cas de la croissance des couches épitaxiales par le procédé MOCVD. On va maintenant décrire, en relation avec les figures 9A à 9H, un mode de réalisation selon l'invention permettant de fabriquer un circuit intégré HEMT dans lequel un HEMT à mode enrichissement et un HEMT à mode appau- vrissement sont construits de façon monolithique sur un substrat commun. On se reporte à la figure 9A. Une structure de couches, sur laquelle le HEMT en mode enrichissement et le HEMT en mode appauvrissement doivent être construits, est formée par dépôt d'une couche tampon 52 de BGaAs non dopé sur un substrat de GaAs semi-isolant 51, suivi du dépôt d'une couche de barrière 53 de AlGaAs non dopé et d'une couche de canal 54 de GaAs non dopé. Typiquement, on forme la couche tampon 52 de manière qu'elle ait une épaisseur de 50 rnm, tandis que la couche de barrière 53 a une épaisseur de 200 rnm. De plus, la couche de canal 54 a une épaisseur de 200 nm. On dépose aussi, sur la couche de canal 54, une couche 55, fournissant des électrons, de AlGaAs de type n possédant une concentration en électrons de 2 x 1018 cm-3 avec une épaisseur de 30 nm, et on place sur la couche 55 une couche 56 de commande de seuil faite de GaAs de type n, ayant une concentration de porteurs de 2 x 1018 cm-3, avec une épaisseur de 10 nm. On recouvre la couche 56 d'une couche 57 d'arrêt de gravure faite d'une couche de AlGaAs de type n, la couche 57 ayant une épaisseur de 5 nm et étant dopée jusqu'à une concentration de 2 x 1018 cm-3, et on place une première couche de contact 58 faite de GaAs de type n et ayant une épaisseur de 40 nm et une concentration de porteurs de 2 x 1018 cm-3. On couvre en outre la couche 58 par une autre couche 59 d'arrêt de gravure faite de AlGaAs de type n et ayant une épaisseur de nm et une concentration de porteurs de 2 x 1018 cm-3, puis on place sur la couche d'arrêt de gravure 59 une deuxième couche de contact 60 faite de GaAs de type n et ayant une épaisseur de 10 nm et une concentration de porteurs de 2 x 1018 cm-3. On fait déposer les couches 52 à 59 par un procédé MOCVD en uti- lisant, comme cela est habituel, du TEG, du TMA et de l'arsine, en même temps que Si2H6 comme agent de dopage de type n pour les couches 55 à 60, la couche tampon 52 étant formée par fourniture de B en même temps que le TEG et l'arsine sous la forme de TEB ou de B2H6, comme déjà indiqué. Après que la structure de couches représentée sur la figure 9A a été ainsi formée, on dépose une pellicule d'agent sensible du type réserve (non repré- sentée) sur toute la surface de la couche 60, après quoi on applique un processus de tracé de motif qui expose la pellicule d'agent sensible en correspondance avec la région o le HEMT de mode enrichissement et le HEMT de mode appauvrisse- ment doivent être formés. Après développement, on retire la pellicule d'agent sensible des régions autres que la partie o les HEMT doivent être formés, et on forme une tranchée d'isolation en correspondance avec la région exposée de la couche 60 par application d'un processus de gravure par voie humide qui utilise HF comme agent de gravure et le motif d'agent sensible comme masque, de façon que la tranchée d'isolation atteigne le substrat 51, comme cela est représenté sur la figure 9B. De ce fait, on forme des régions "mesa" E et D respectivement destinées au HEMT de mode enrichissement et au HEMT de mode appauvrissement, de façon que les régions mesa E et D soient isolées l'une de l'autre par la tranchée d'isolation. Selon une autre possibilité, on peut réaliser cette isolation en employant un processus d'implantation ionique d'impuretés profondes, par exemple de l'oxygène ou des protons. Après avoir retiré le motif d'agent sensible, on place une autre pellicule d'agent sensible sur ces régions mesa E et D, et on applique un tracé de motif photolithographique à la pellicule d'agent sensible ainsi formée pour produire une fenêtre en correspondance avec la région de grille du HEMT de mode enrichisse- ment. De plus, en appliquant un processus de gravure par voie humide, on forme une dépression de grille 60A dans la région mesa E du HEMT de mode enrichisse- ment, de façon que la dépression 60A atteigne la couche de contact 58, comme indiqué sur la figure 9C. Selon une variante, on peut retirer complètement les couches 59 et 58 de la région mesa destinées au HEMT de mode enrichissement. Ensuite, à l'étape de la figure 9D, on retirer le masque d'agent sensible et on dépose une pellicule d'isolation 61 faite d'oxyde de silicium sur toute la surface de la structure en employant un procédé CVD, jusqu'à une épaisseur de 300 nm, après quoi on dépose une pellicule d'agent sensible qui couvre uniformé- ment la pellicule d'isolation 61. Après cela, on expose la pellicule d'agent sensible ainsi déposée pour former des fenêtres en correspondance avec les électrodes de source et de drain qui doivent être formées pour les deux régions mesa E et D. Par conséquent, on expose sélectivement la pellicule d'isolation 61 en correspondance avec la partie o les fenêtres sont formées dans la pellicule d'agent sensible. En appliquant un processus de gravure par voie humide à la pellicule d'isolation 61 tout en utilisant comme masque cette pellicule d'agent sensible dotée des fenêtres, on expose la surface de la couche 60 à la fois dans la région mesa E et la région mesa D en correspondance avec les emplacements o les électrodes de source et de drain doivent être formées. De plus, on dépose une couche d'électrode (non représentée) ayant la structure Au-Ge/Au sur la pellicule d'isolation 61 dans l'état o la pellicule d'agent sensible est encore présente sur la pellicule d'isolation 61, de sorte que la couche d'électrode établit un contact intime avec la surface exposée de la couche 60, en correspondance avec les fenêtres formées dans la pellicule d'agent sensible. Après cela, en retirant la pellicule d'agent sensible, on décolle la couche d'électrode sauf dans les parties qui ont établi un contact intime avec la surface exposée de la couche de contact 60. De ce fait, on obtient une structure telle que représentée sur la figure 9D, o on notera que les électrodes de source et de drain 60 et 63 sont formées en contact avec la couche 60 de la région mesa E associée au HEMT de mode enrichissement, et que les électrodes de source et de drain 64 et 65 sont formées en contact avec la couche 60 dans la région mesa D associée au HEMT de mode appauvrissement. On soumet ensuite la structure de la figure 9D à un processus de recuit thermique afin de provoquer une opération d'alliage dans les électrodes 62 à 65, comme cela est habituel. Ensuite, à l'étape de la figure 9E, on dépose une pellicule d'agent sensible 66 sur toute la surface de la structure de la figure 9D et on applique ensuite un tracé de motif pour former des fenêtres en correspondance avec les régions o la grille du HEMT de mode enrichissement et la grille du HEMT de mode appauvrissement doivent être formées. De plus, en appliquant un processus de gravure par voie humide qui utilise HF comme agent de gravure, on forme des ouvertures 61E et 61D dans la pellicule d'isolation 61. On applique alors un processus de gravure à sec, utilisant CCI2F2, à la couche 58 de GaAs qui est exposée par l'ouverture 61E et à la couche 60 de GaAs qui est exposée par l'ouverture 61D afin de former des structures d'évidement de grille 67E et 67D, si bien que la couche d'arrêt de gravure 57 est exposée par la structure d'évidement de grille 67E et que la couche d'arrêt de gravure 59 est exposée par la structure d'évidement de grille 67D. On retire ensuite la couche d'arrêt de gravure 57 et la couche d'arrêt de gravure 59 en effectuant un processus de gravure par voie humide utilisant HF comme agent de gravure, de sorte que la surface principale supérieure de la couche de GaAs 56 est exposée dans la structure d'évidement de grille 67E, et que la surface principale supérieure de la couche de GaAs 58 est exposée dans la structure d'évidement de grille 67D. On applique en outre un processus de gravure à sec aux structures d'évidement de grille 67E et 67D en utilisant comme gaz de gravure CCI2F2, de sorte que les structures d'évidement de grille 67E et 67D pénètrent plus loin, comme indiqué sur la figure 9F, jusqu'à ce que la couche 57 fournissant des électrons soit exposée dans la structure d'évidement de grille 67E et que la couche d'arrêt de gravure 57 soit exposée dans la structure d'évidement de grille 67D, comme indiqué sur la figure 9G. On dépose en outre une pellicule de AI sur la structure de la figure 9G, dans l'état o la pellicule d'agent sensible 66 se trouve, c'est-à-dire sans avoir été retirée, à une épaisseur d'environ 300 nm. Ensuite, on décolle la pellicule de AI déposée sur la pellicule d'agent sensible 66 en même temps qu'on enlève la pellicule d'agent sensible 66, et on obtient le circuit intégré représenté sur la figure 9H, o un HEMT de mode enrichissement et un HEMT de mode appauvrissement sont réalisés de façon monolithique sur un substrat commun. Dans le circuit intégré ainsi obtenu, le HEMT de mode enrichissement et le HEMT de mode appauvrissement sont isolés l'un de l'autre latéralement par la tranchée d'isolation et verticalement par la couche tampon 52 ainsi que par la couche de barrière 53, la couche tampon 52 contenant B à raison d'une fraction molaire appartenant à l'intervalle compris entre 0,0001 et 0,1, de préférence entre 0,005 et 0,1. De ce fait, le circuit intégré est sensiblement exempt d'effet de grille latérale même lorsque la séparation entre les dispositifs est réduite. Pour la fabrication de la structure de couches de la figure 9A, on notera qu'il est possible d'utiliser une source organique contenant du bore, comme BR3, BR2H, BRH2, etc., à la place du TEB ou de BiH6, o R représente un groupe alkyle. nl a également été découvert que la couche tampon contenant B du matériau semiconducteur composé III-V selon l'invention est aussi applicable au substrat de silicium. Plus spécialement, comme représenté sur la figure 10, on a fait croître jusqu'à une épaisseur de 2 um une première couche tampon 72 de GaAs sur un substrat de Si non dopé 71, et on a fait croître jusqu'à une épaisseur de 50 nm une deuxième couche tampon 73 de BGaAs, caractérisée par un paramètre AO de +350 secondes d'arc, sur la première couche tampon 72. De plus, on a fait croître, à une épaisseur de 200 nm, une couche barrière 74 de AlGaAs, de composition Alo,2sGao,7sAs, sur la couche tampon 73, et on a fait croître, à une épaisseur de nm, une couche de canal 75 de GaAs de type n sur la couche de barrière 74. On a ensuite soumis le corps en couches ainsi obtenu à un processus d'implantation ionique d'oxygène afin de former une région 76 d'isolation de dispositif, de façon que la région 76 d'isolation du dispositif atteigne le substrat 71. La région 76 d'isolation de dispositif divise ainsi le corps en couches en des première et deuxième régions, appelées REGION1 et REGION2, destinées à des dispositifs MESFET, o chacune des régions désignée par REGION1 et REGION2 est dotée d'une électrode de Schottky 76a ou 76b faisant fonction d'électrode de grille, tandis que des électrodes de source et de drain 76a et 78a sont disposées de part et d'autre de l'électrode de Schottky 76a dans REGION1, comme indiqué sur la figure 10. De la même façon, on a disposé des électrodes de source et de drain 77b et 78b de part et d'autre de l'électrode de Schottky 76b dans REGION2. Le circuit intégré ainsi formé présente un effet réduit de grille latérale. Dans la structure de la figure 10, il faut noter que le procédé de dépôt de GaAs sur Si est maintenant bien établi, même en présence d'un important défaut d'appariement de réseau entre GaAs et Si (Ohori, T., Kikkawa, T., Suzuki, M., Takasaki, T., Komeno, J., "Fabrication of HEMT on Si by MOVPE for LSI Application," Materials Research Societv Symposium Proceedings, volume 240, page 505, 1992). En employant une telle structure de substrat composite construite sur un substrat de Si, on peut réduire sensiblement le coût du dispositif. Il faut noter que, dans chacun des modes de réalisation précédents, on peut employer, si cela est nécessaire, BAIGaAs, BGaInAs et BAIGaInAs pour la couche tampon 52 ou 72. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du procédé et du circuit intégré dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré à semiconducteur, comprenant: un substrat (51, 71); une couche tampon (52, 73) disposée sur une surface principale supérieure dudit substrat; et une couche active (54, 75) placée sur ladite couche tampon, ladite couche active comportant plusieurs dispositifs à semiconducteur actifs; caractérisé en ce que ladite couche tampon (52, 73) comprend un matériau semiconducteur composé des groupes III-V et est dopé par du bore (B) à un niveau de concentration appartenant à l'intervalle compris entre 0,001 et 0,1, en fraction molaire par rapport aux éléments du groupe III de ladite couche tampon. 2. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit niveau de concentration de B dans la couche tampon (52, 73) est fixé à une valeur supérieure à 0,005, en fraction molaire par rapport aux éléments du groupe III de la couche tampon. 3. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche tampon (52, 73) est formée d'un cristal mixte de BAs et de GaAs représenté par BxGalxAs. 4. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 3, caractérisé en ce que ledit circuit intégré à semiconducteur comporte en outre une couche de barrière (53, 74) faite d'un matériau qui possède une bande interdite plus grande que la bande interdite de ladite couche tampon, entre ladite couche tampon (52, 73) et ladite couche active (54, 75). 5. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche tampon (52, 73) est formée d'un cristal mixte de AlAs, BAs et GaAs représenté par AlxByGalxyAs. 6. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche tampon (52, 73) est formée d'un cristal mixte de Bas, GaAs et InAs représenté par BxGayInlxyAs. 7. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 6, o ledit circuit intégré à semiconducteur comporte en outre une couche de barrière (53, 74) faite d'un matériau qui possède une bande interdite plus grande que la bande interdite de ladite couche tampon, entre ladite couche tampon (52, 73) et ladite couche active (54, 75). 8. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, o ladite couche tampon (52, 73) est formée d'un cristal mixte de AlAs, BAs, GaAs et InAs représenté par AlxByGazInlxyzAs. 9. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, o ledit substrat (51) comprend un matériau semiconducteur composé des groupes IIV. 10. Circuit intégré à semiconducteur selon la revendication 1, o ledit substrat (71) comprend du silicium. 11. Procédé de fabrication d'un circuit intégré composé, caractérisé par les opérations suivantes: déposer un matériau semiconducteur composé des groupes III-V sur un substrat (51, 71) au titre de couche tampon (52, 73) de résistivité élevée en fournissant un matériau source qui contient du bore; déposer une couche active (54, 75) faite d'un matériau semiconducteur composé des groupes III-V sur ladite couche tampon; et produire plusieurs dispositifs actifs sur ladite couche active. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on effectue ladite opération de dépôt de la couche tampon (52, 73) en fournissant du triéthyl- bore au titre dudit matériau de source. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on effectue ladite opération de dépôt de la couche tampon (52, 73) en fournissant un matériau choisi dans le groupe comprenant B2H6, BR3, BR2-H et BRH2, o R est un groupe alkyle. 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on effectue ladite opération de dépôt de la couche tampon (52, 73) à l'aide d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur. 15. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on effectue ladite opération de dépôt de la couche tampon (52, 73) à l'aide d'un procédé d'épitaxie par faisceau moléculaire.