Brevet FR2708352A1 — publié le 19950203

Guide d'ondes optiques et procédé pour sa fabrication La présente invention concerne un guide d'ondes optiques comportant au moins une couche guide d'ondes sur un substrat, et un procédé pour la fabrication de ce guide d'ondes, ainsi qu'une utilisation d'une couche intermédiaire sur un guide d'ondes et une utilisation d'un substrat organique comme substrat de support au niveau d'un guide d'ondes. Pour de nombreuses applications, par exemple avec des détecteurs, des systèmes optiques intégrés, etc, il est souhaitable de disposer de guides d'ondes plans. Comme le montre la figure la, un guide d'ondes de ce type comprend, dans sa forme la plus simple, une couche guide d'ondes 1 présentant un indice de réfraction n,, sur un substrat présentant un indice de réfraction ns, et un milieu environnant 3, appelé milieu de recouvrement présentant un indice de réfraction nc. Le milieu environnant peut lui-même être formé par une couche ou un système de couches, comme le montre la figure lb. On a nc Pour de nombreuses applications, l'une au moins de ces couches doit être structurée. Pour coupler de la lumière dans le guide d'ondes, la méthode la plus élégante consiste, selon la figure 2a, à pourvoir le guide d'ondes d'une structure (de réseau) 4 et de coupler la lumière 5 d'un rayon laser, par exemple, par diffraction dans la couche guide d'ondes 1. Si l'angle de couplage, la période de grille et l'épaisseur de la couche guide d'ondes sont choisis d'une manière appropriée, la lumière 6 se propage dans ladite couche 1 suivant un mode de propagation défini, et quitte le guide d'ondes par exemple sur sa face frontale 7. Peu importe que le réseau soit prévu sur la surface du substrat ou dans ou sur la couche guide d'ondes. De plus, il est souvent souhaitable de structurer dans l'espace le guide d'ondes dans son ensemble. La figure lb représente un guide d'ondes sans structuration dans l'espace, les figures 3 et 4 des guides d'ondes à rubans structurés et la figure 5 un guide d'ondes à rubans enfoui. Les figures 6 et 7 montrent, à titre d'exemple simplement, des structurations dans l'espace plus complexes pour un guide d'ondes, vues de dessus et en coupe. Des guides d'ondes structurés de ce type sont largement utilisés par exemple dans la technique de la communication ou des détecteurs. Etant donné qu'habituellement, des guides d'ondes de ce type sont construits sur un substrat en verre, on utilise comme techniques de structuration des méthodes photolithographiques suivies de méthodes de gravure, l'usinage ionique, la gravure ionique réactive, la gravure chimique humide, etc. Ces techniques de structuration prennent beaucoup de temps et sont onéreuses. De plus, les guides d'ondes sur substrat en verre ne sont que difficilement déformables et sont sensibles aux sollicitations mécaniques comme les chocs. L'interaction substrat/couche guide d'ondes/ environnement, mais surtout substrat/couche guide d'ondes qui est concernée ici définit essentiellement la caractéristique du guide d'ondes. La présente invention a pour but de proposer un guide d'ondes avec lequel la structuration soit sensiblement plus simple et, de ce fait, moins onéreuse, et qui soit éventuellement déformable dans certaines limites et/ou moins sensible à des sollicitations mécaniques et/ou dont le substrat puisse être mis en oeuvre de façon flexible avec des couches et des matériaux guides d'ondes différents. Ce but est atteint, avec un guide d'ondes du type spécifié en introduction, grâce à une configuration caractérisée en ce que le substrat, tourné vers la ou les couches guides d'ondes, se compose d'un matériau organique, et il est prévu entre substrat et couche guide d'ondes au moins une couche intermédiaire qui, en présence d'un mode de propagation donné et d'au moins une longueur d'onde donnée, réduit l'amortissement de la propagation d'onde due à la surface limite substrat/couche. Quand le substrat de guide d'ondes utilisé est en particulier un polymère tel qu'un polycarbonate, par exemple, comme il est préférable à l'heure actuelle, il revient beaucoup moins cher de structurer le guide d'ondes notamment dans son ensemble, par estampage, emboutissage ou moulage par injection, etc, puis de prévoir le revêtement comportant un matériau guide d'ondes. Il s'avère que l'application d'un matériau guide d'ondes sur un substrat en matériau organique, notamment en polymère, n'est absolument pas banale. On observe en particulier que les pertes d'un guide d'ondes ainsi fabriqué, c'est-à-dire quand la couche guide d'ondes est directement sur le substrat, définie comme baisse d'intensité pour un mode et une longueur d'onde donnés et sur une distance définie sont nettement plus grandes, d'au moins un facteur 10, que lorsqu'on utilise comme matériau de substrat un matériau inorganique comme le verre, par exemple. A notre connaissance, la problématique abordée est fondamentalement nouvelle. Il est vrai que dans la littérature, par exemple dans "Design of integrated optical couplers and interferometers suitable for low-cost mass production", R.E.Kunz et J.S.Gu, ECIO '93 Konferenz, Neuchâtel, il est indiqué qu'on pourrait diminuer le prix de systèmes optiques intégrés réalisés à partir de matière plastique structurée, mais de telles affirmations parviennent simplement à prouver l'existence d'un besoin. Il est bien évident, néanmoins, que l'état de la technique comprend d'une part tous les procédés de structuration pour des matériaux organiques, notamment les polymères, et d'autre part les procédés de revêtement tels que les procédés CVD (dépôt chimique en phase vapeur), et PECVD (CVD avec utilisation d'un plasma), parmi lesquels la métallisation sous vide, la pulvérisation cathodique, le placage ionique, etc. L'état de la technique comprend aussi le revêtement de pièces en matière plastique comme les verres de lunettes, les réflecteurs, etc, avec les matériaux les plus divers, par exemple par polymérisation par plasma. Il faut noter par ailleurs la théorie des guides d'ondes plans dans "Integrated optics: Theory and Technology", F.G.Hunsperger, Springer Series in Optical Sciences, Springer-Verlag 1984. L'invention va maintenant être expliquée sous ses différents aspects à l'aide d'exemples de réalisation préférés, en référence aux figures déjà en partie décrites. La figure la est une coupe transversale d'un guide d'ondes d'un modèle classique, la figure lb montre un guide d'ondes selon la figure 1, avec une couche de recouvrement, la figure 2 est une vue schématique en perspective d'un guide d'ondes destinée à expliquer une structuration prévue dans la couche guide d'ondes ou le substrat en vue du couplage de lumière, les figures 3 et 4 sont des vues schématiques en perspective de guides d'ondes structurés dans l'espace, la figure 5 montre, à l'aide d'une représentation selon la figure 3 ou 4, une structuration avec un guide d'ondes "enfoui", les figures 6 et 7 montrent des guides d'ondes à structure plus complexe, vus de dessus et en coupe, la figure 8 montre schématiquement les modes d'oscillation et les répartitions d'énergie apparaissant par exemple sur un guide d'ondes asymétrique, selon "Integrated Optics: Theory and Technology", Robert G. Hunsperger, Second Edition, Springer-Verlag 1984, p. 36, la figure 9 est une représentation en coupe transversale d'un guide d'ondes selon l'invention, la figure 10 est une représentation schématique d'une structure de guide d'ondes destinée à définir son absorption ou son amortissement, les figures lla à 11f indiquent plusieurs courbes d'indices de réfraction possibles, sur l'épaisseur, pour des guides d'ondes selon l'invention, et la figure 12 indique, sur l'épaisseur d'une couche intermédiaire de dioxyde de silicium prévue selon l'invention, les pertes relatives en dB sur le guide d'ondes de l'invention obtenu et, pour une épaisseur de couche de 0, ses pertes sans couche intermédiaire prévue selon l'invention. Pour expliquer le fait établi sur lequel est basée la présente invention, la figure 8 montre la répartition de mode pour un guide d'ondes asymétrique formé d'une couche guide d'ondes 1, d'un substrat 2 et d'un recouvrement 3. Elle permet de voir la répartition de champ des deux modes inscrits. On reconnaît que le champ ou l'énergie lumineuse se propage non seulement dans la couche guide d'ondes 1, mais aussi dans les milieux voisins, c'est-à-dire dans le recouvrement et dans le substrat. Le pourcentage de l'énergie arrivant à l'extérieur de la couche guide d'ondes 1 dépend entre autre de l'épaisseur de la couche guide d'ondes 1, ainsi que des indices de réfraction nc, n, ns, du type de mode (TE, TM) et du numéro de mode. Avec les couches guides d'ondes minces, le pourcentage d'énergie arrivant dans le substrat est plus grand que pour les couches plus épaisses. Mais les couches minces présentent un très grand intérêt en particulier pour certaines applications dans le domaine des détecteurs. La figure 10 représente, à titre d'exemple, des couches ou phases A à D superposées. Les pertes A (dV) dans un élément de volume dV représenté sous la forme d'une plaque sur la figure 10 sont définies comme l'intégrale de volume de l'intensité lumineuse locale I(r) et d'un coefficient de perte général a(r) qui tient compte entre autre de l'absorption et de la dispersion locales. On obtient donc pour les pertes: A(dV) = [I(f)a(r)dr JdV r désignant le rayon vecteur. On peut voir, en reprenant la figure 8, que les pertes totales d'un guide d'ondes selon la figure 8 augmentent en même temps que la grandeur de perte a dans le substrat mais en particulier au niveau de la surface limite substrat/guide d'ondes et que le pourcentage d'énergie en particulier au niveau de ladite surface limite substrat/guide d'ondes. Alors que les couches guides d'ondes sur du verre, par exemple sur Corning 7059, présentent dans l'ensemble des pertes très faibles et une faible absorption, les pertes de ces mêmes couches guides d'ondes sur un matériau organique servant de matériau de substrat, en particulier sur des substrats en polymère, par exemple en polycarbonate, sont supérieures d'au moins un facteur 10, en fonction de l'épaisseur de la couche guide d'ondes 1 et donc du pourcentage d'énergie qui passe dans le matériau du substrat, mais surtout au niveau de la surface limite substrat/guide d'ondes. L'augmentation des pertes, examinée précédemment, n'est pas seulement une conséquence des procédés de revêtement appliqués spécifiquement, mais aussi de l'interaction, décrite selon la figure 8, entre matériau de substrat et couche guide d'ondes. La figure 9 représente la construction d'un guide d'ondes de l'invention. Il comprend un substrat 2 en matériau organique, notamment en un polymère comme par exemple un polycarbonate. La couche guide d'ondes 1 est séparée du substrat 2 par au moins une couche intermédiaire 8. Selon l'invention, on obtient grâce à la couche intermédiaire 8 et éventuellement grâce à un système de couches intermédiaires 8, que l'intensité lumineuse I dans le guide d'ondes soit faible là o le coefficient de perte a est élevé, ce qui minimalise les pertes. Cela est obtenu grâce à une étude appropriée du profil d'indices de réfraction au niveau du guide d'ondes dans la direction normale par rapport à la surface de celui-ci. Matériaux 1. Matériaux pour la couche guide d'ondes 1: pour la plage de longueurs d'ondes allant de 400 nm à 1000 nm, on utilise de préférence: TiO2, Ta2Os, ZrO2, A1203, SiO2-TiO02, HfO2, Y203, Nb205, nitrure de silicium, oxyde-nitrure (SiO0Ny, HfO Ny AlOxNy, TiOXNy, TaONy) et MgF2, CaF2. Pour les longueurs d'ondes > 1000 nm, on envisage de préférence, également, le silicium, SiO,, Ge, GaAs, GaAlAs. 2. Substrat: matériaux organiques, notamment polymères comme le polycarbonate, le PVC, le poly(méthacrylate de méthyle) (PMMA), le PET. 3. Matériau de la ou des couches intermédiaires 8: matériaux diélectriques inorganiques, notamment oxydes, nitrures, carbures et leurs formes mixtes comme, notamment, SiO2, Si3N4, les composés de formule générale SiOxNy, et les mélanges contenant notamment une fraction de SiO2, une fraction de Si3N4 ou, plus généralement, une fraction de SiOXNy. 4. Recouvrement: toutes les techniques connues prévoyant une couche guide d'ondes découverte ou une couche de recouvrement d'une couche guide d'ondes revêtue. Techniques de traitement 1. Application de la couche guide d'ondes A cet effet, on met en oeuvre de préférence des procédés de revêtement sous vide, en particulier des procédés CVD avec utilisation d'un plasma (PECVD), des procédés CVD, des procédés PVD réactifs, notamment la métallisation sous vide réactive, le revêtement par pulvérisation cathodique, le placage ionique. Les plasmas utilisés sont alimentés par courant continu ou par courant alternatif, et comprennent les plasmas à basse fréquence, hf et à micro-ondes et les formes mixtes cc+ca. On peut aussi utiliser des procédés de revêtement qui ne sont pas sous vide, comme l'étirage par immersion et le revêtement par filage, par exemple. Compte tenu du fait que la ou les couches guides d'ondes doivent être appliquées sur le matériau de substrat utilisé, on met en oeuvre de préférence des procédés de revêtement avec lesquels la température du substrat est inférieure à la température d'amollissement du matériau de substrat utilisé, en particulier 2. Application de la ou des couches intermédiaires On utilise les mêmes procédés que pour l'application de la couche guide d'ondes, avec les mêmes restrictions concernant la commande de température du substrat. On peut utiliser en plus une polymérisation par plasma lorsqu'on emploie par exemple un monomère contenant du silicium pour la séparation de couche. 3. Substrat Le substrat en matériau organique, réalisé de préférence en un polymère, est déformé à l'aide d'un procédé connu pour le traitement des matières plastiques. Cela comprend en particulier l'estampage, l'emboutissage, le moulage par injection, l'étirage par soufflage (pour les matières plastiques PET). Outre la fonction optique, qui consiste à réaliser dans le matériau de substrat ou dans la surface limite substrat/couche à haute absorption une intensité lumineuse aussi faible que possible, la couche intermédiaire mise en oeuvre selon l'invention, ou une couche du système de couches intermédiaires mis en oeuvre selon l'invention agit comme couche d'adhérence entre le substrat, d'une part, et les couches placées sur lui, d'autre part. Il est tout à fait possible de prévoir une première couche intermédiaire, tournée vers la couche guide d'ondes, qui réalise principalement l'effet d'isolation optique recherché, et de résoudre le problème de l'adhérence à l'aide d'une seconde couche intermédiaire appliquée sur le substrat. Les pertes sur un guide d'ondes de l'invention sont du même ordre de grandeur que les pertes sur des guides d'ondes classiques formés d'un substrat en verre, et elles sont en particulier inférieures à 100 dB/cm, de préférence inférieures à 50 dB/cm, voire inférieures à 10 dB/cm. Il est par ailleurs extrêmement important de découpler, en prévoyant selon l'invention la couche intermédiaire 8 de la figure 9, les caractéristiques de la couche guide d'ondes 1 et celles du substrat 2. Cela permet d'utiliser, sur un substrat d'un matériau donné, différents matériaux guides d'ondes en fonction de l'usage (longueur d'onde, mode), sans qu'on ait à tenir compte dans une large mesure des interactions variant en conséquence entre le matériau de couche guide d'ondes et le matériau de substrat. Cela permet aussi de choisir comme matériau de substrat des matériaux formés en particulier de polymères, qui doivent satisfaire à des critères autres que des critères optiques. Comme on a pu le voir, les structurations représentées à titre d'exemple sur les figures 2, 3, 4 à 7 peuvent être réalisées de manière simple à l'aide du matériau de substrat prévu selon l'invention, et le maintien des bonnes caractéristiques optiques connues à partir de l'utilisation d'un substrat en verre est garanti par la couche intermédiaire prévue selon l'invention. Les figures lla à 11f représentent les courbes d'indices de réfraction préférées, sur l'épaisseur z du guide d'ondes de l'invention. L'indice "ZS" désigne la couche intermédiaire, l'indice "S" le substrat et l'indice "F" la couche guide d'ondes. En ce qui concerne la détermination de l'indice de réfraction ou de la courbe d'indice de réfraction sur la couche intermédiaire prévue selon l'invention, en fonction de son épaisseur de, différentes variantes sont possibles, comme le montrent ces figures. Dans la plupart des cas, l'indice de réfraction choisi pour la couche intermédiaire est inférieur à l'indice de réfraction n. de la couche guide d'ondes. Comme il apparaît sur les figures 11b, 11d, lie et 11f, il est tout à fait possible de former la courbe de l'indice de réfraction, notamment dans la couche intermédiaire ou dans le système de couches intermédiaires, avec un gradient. Cette variante est à choisir lorsque la couche intermédiaire est appliquée par polymérisation par plasma. La figure 11f représente deux possibilités selon lesquelles l'indice de réfraction de la couche intermédiaire monte ou descend à partir de l'indice de réfraction du matériau de substrat ns. Elle montre également qu'un gradient d'indice de réfraction peut aussi être réalisé dans la zone d'interface entre la couche intermédiaire et la couche guide d'ondes, par exemple grâce à une zone de diffusion. L'épaisseur de la couche intermédiaire est étudiée de préférence pour qu'il n'y ait plus qu'une part négligeable de l'énergie lumineuse I qui parvienne dans la zone de la couche limite substrat/guide d'ondes, dans laquelle les pertes sont importantes. Dans le cas d'une application directe d'une couche en matériau inorganique, à savoir le matériau de couche guide d'ondes, sur un matériau de substrat organique, en particulier un matériau polymère, il y une grande probabilité de réactions entre les composants du polymère et ceux de la couche guide d'ondes appliquée. Cette réaction entraîne très probablement une phase de transition d'absorption élevée. Cela est valable si le guide d'ondes est appliqué directement sur le substrat polymère. Mais selon l'invention, en raison de la similitude entre le matériau de couche intermédiaire inorganique et le matériau de couche guide d'ondes, cette réaction de surface limite est beaucoup moins importante, et une éventuelle réaction de surface limite entre le matériau de couche intermédiaire et le matériau de substrat n'entraîne que de faibles pertes car la couche intermédiaire garantit que seules de faibles valeurs d'énergie lumineuse entraînent des pertes au niveau de cette surface. Ainsi, grâce à la couche intermédiaire prévue selon l'invention, la réaction de surface limite mentionnée n'est pas empêchée, au niveau de la surface du substrat, mais un substrat intermédiaire en verre est pratiquement simulé entre le substrat et la couche guide d'ondes. Les rugosités indésirables de la surface du substrat mis en oeuvre selon l'invention sont lissées jusqu'à un certain degré grâce à la couche intermédiaire de l'invention, en fonction des paramètres de revêtement. Dans les conditions suivantes, on a réalisé un guide d'ondes présentant la courbe d'indice de réfraction selon la figure 11c. Le matériau de substrat qui a été utilisé est du polycarbonate présentant un indice de réfraction ns = 1.538. Comme matériau de couche intermédiaire, on a utilisé du SiO2 et comme matériau de couche guide d'ondes, du TiO2. Le guide d'ondes n'a pas été recouvert, mais c'est l'air qui agit comme milieu de recouvrement. Paramètres pour un guide d'ondes en TiO2 sur un substrat en PC7 avec une couche intermédiaire en SiO2 Procédés de revêtement pour la couche intermédiaire: revêtement par pulvérisation cathodique avec production d'un plasma à partir d'une source de courant continu dont la sortie est séparée temporairement, de façon cyclique, de la voie de décharge de plasma et celle-ci est temporairement court-circuitée. Cible cible: Ak525;SiS23379 magnétron: MC-525 distance entre cible et substrat: 70 mm source de courant continu: 10 kW chambre sous vide: BAK-760S pression d'argon: pAr= 4E-3mbar (3x102 Pa) puissance de décharge réglée: P = 6 kW tension cc en mode métallique: Usb = - 695 V tension cc en mode transitoire: Usb = -595 V flux d'argon: qAr = 58.8 cm3/s flux 02: qO2 = 47 cm3/s épaisseur de couche de SiO2: variable selon fig. 12 vitesse de pulvérisation cathodique: R = 0.28 nm/s Réalisation de la couche guide d'ondes: à l'aide de la pulvérisation cathodique, comme pour la réalisation de la couche intermédiaire. cible: Ak525;TI92-421/1 magnétron: MC-525 distance cible/substrat recouvert de la couche intermédiaire: 70 mm source de courant continu: 10 kW chambre sous vide: BAK-760S pression d'argon: pAr = 4E-3mbar (3x102 Pa) puissance de décharge de plasma: P = 6 kW tension cc en mode métallique: Usb = -531 V tension cc en mode transitoire: Usb = -534 V flux d'argon: qAr = 57.4 cm3/s flux d'oxygène: qO2 = 17 cm3/s épaisseur de la couche guide d'ondes en TiO2: 95 nm vitesse de pulvérisation cathodique: R = 0.069 nm/s Sur le guide d'ondes ainsi réalisé, on a déterminé des pertes d'environ 8 dB/cm en mode TM et pour une longueur d'onde de 633 nm et une épaisseur d de SiO2 de 20 nm. La figure 12 indique, sur l'épaisseur d de la couche intermédiaire de SiO2, les pertes relatives en dB. Avec une épaisseur de couche intermédiaire de 5 nm, on obtient déjà une amélioration d'un facteur 2, environ. Il ressort clairement qu'avec une couche intermédiaire qui diminue, les pertes augmentent d'un facteur 4, environ, par rapport aux pertes enregistrées lorsqu'on prévoit une couche intermédiaire de 10 nm. C'est pourquoi on propose également de prévoir de préférence, selon l'invention, une couche intermédiaire d'une épaisseur k 10 nm, comme on peut le voir, la plus mince possible, afin de minimiser les coûts de fabrication, c'est-à-dire d'environ 10 nm. REVENDICATIONS 1. Guide d'ondes optiques comportant au moins une couche guide d'ondes (1) sur un substrat (2), caractérisé en ce que le substrat (2), tourné vers la ou les couches guides d'ondes (1), se compose d'un matériau organique, et il est prévu entre substrat (2) et couche guide d'ondes (1) au moins une couche intermédiaire (8) qui, au moins en présence d'un mode de propagation donné et d'une longueur d'onde donnée, réduit l'amortissement de la propagation d'onde due à la surface limite substrat/couche. 2. Guide d'ondes optiques selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau organique est un polymère, de préférence un polycarbonate, et/ou l'indice de réfraction de la couche intermédiaire (8) ou d'une couche intermédiaire appliquée directement contre la couche guide d'ondes (1) est inférieur à celui de ladite couche guide d'ondes. 3. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la ou les couches intermédiaires (8) ou une autre couche intermédiaire agissent comme couche d'adhérence par rapport au substrat (2). 4. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la ou les couches intermédiaires (8) ou une autre couche intermédiaire appliquée contre la couche guide d'ondes (1) côté substrat présente un amortissement de propagation sensiblement plus faible que d'autre couches intermédiaires posées côté substrat ou que le substrat lui-même. 5. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'il est structuré dans l'espace, le substrat étant de préférence estampé, embouti ou moulé par injection. 6. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que son amortissement est plus faible d'au moins un facteur 3 que lorsqu'il n'y a pas la ou les couches intermédiaires. 7. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le matériau de couche guide d'ondes comprend, en particulier pour les longueurs d'ondes de 400 nm à 1000 nm, au moins l'un des matériaux suivants: Ti02, Ta2Os, ZrO2, A1203, SiO02-TiO2, HfO2, Y203, Nb205, nitrure de silicium, oxyde-nitrure (SiOxNy, HfOXNy AlOxNy, TiOXNy, TaOxNy) et MgF2, CaF2, et de préférence pour les longueurs d'ondes > 1000 nm, au moins l'un des matériaux suivants: silicium, SiOx, Ge, GaAs, GaAlAs. 8. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que son amortissement est du même ordre de grandeur qu'avec un guide d'ondes en un matériau de couche guide d'ondes identique sur un substrat en verre, et de préférence inférieur à 100 dB/cm, de préférence inférieur à 50 dB/cm, voire inférieur à 10 dB/cm. 9. Guide d'ondes optiques selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la ou les couches intermédiaires se composent d'un matériau inorganique, de préférence d'un matériau contenant de l'oxyde de silicium comme du SiO2 ou un mélange SiO2-TiO2, d'un matériau contenant du Si3N4, de Si3N4 ou d'un mélange contenant du Si3N4, cette couche présentant une épaisseur d'au moins 5 nm et de préférence d'au moins 10 nm. 10. Procédé pour la fabrication d'un guide d'ondes optiques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: a) formage d'un substrat en matériau organique; b) application d'une ou plusieurs couches intermédiaires grâce à un procédé de revêtement sous vide; et c) application d'une couche guide d'ondes. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que le formage comprend l'estampage, l'emboutissage ou le moulage par injection d'un substrat en polymère, de préférence en polycarbonate, et/ou est réalisé sur un substrat comportant une ou plusieurs couches intermédiaires ou une autre couche intermédiaire déjà appliquées comme couches d'adhérence par rapport audit substrat. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 ou 11, caractérisé en ce que la couche intermédiaire est fabriquée grâce à un procédé PECVD, un procédé PVD réactif ou une polymérisation par plasma, étant précisé qu'on dépose de préférence au moins une couche intermédiaire de matériau inorganique contenant de préférence du SiO2 ou/et du Si3N4. 13. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 12, caractérisé en ce que la couche guide d'ondes est réalisée grâce à un procédé PVD réactif, en particulier par placage ionique. 14. Procédé selon l'une quelconque des revendications 10 à 13, caractérisé en ce que l'application de la couche intermédiaire et celle de la couche guide d'ondes se font à des températures de substrat de 100 C maximum, de préférence de 60 C maximum. 15. Utilisation d'une couche intermédiaire entre une couche guide d'ondes d'un guide d'ondes et un substrat de support pour séparer les propriétés de la couche guide d'ondes et celles du substrat. 16. Utilisation d'un substrat en matériau organique, en particulier en polymère, comme substrat de support pour des couches guides d'ondes appliquées sélectivement, à l'aide d'au moins une couche intermédiaire entre substrat et couche guide d'ondes.