Brevet FR2707799A1 — publié le 19950120

La présente invention concerne l'application de revêtements céramiques sur des substrats. Le procédé consiste à appliquer un revêtement précéramique comprenant une résine d'hydrogénosilsesquioxanne, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur, puis à pyrolyser le revêtement pré- céramique dans une atmosphère inerte. Les nouveaux revêtements céramiques formés par le procédé de la présente invention sont particulièrement utiles sur des dispositifs électroniques. L'art antérieur fait connaître l'utilisation de revêtements céramiques formés sur divers substrats, y compris des dispositifs électroniques. Par exemple, le brevet des E.U.A. N 4 756 977 propose des revêtements céramiques formés en appliquant des solutions de résine d'hydrogénosilsesquioxanne à un substrat, puis en effectuant une transformation en matière céramique par chauffage à des températures de 200 à 1000 C. Il est déclaré dans cette référence que les revêtements céramiques résultants possèdent de nombreuses caractéristiques avantageuses qui les rendent intéressants comme couches protectrices et isolantes sur des dispositifs électroniques. La publication de brevet européen N 0 427 395, publiée le 15 mai 1991, décrit également un procédé pour former des revêtements céramiques sur des substrats, consistant à appliquer un revêtement pré-céramique à base de résine d'hydrogénosilsesquioxanne sur un substrat, puis à le pyrolyser dans une atmosphère inerte à des températures de 500 à 1000 C. Il est déclaré dans cette référence que ce procédé est intéressant pour l'application de revêtements céramiques sur des substrats enclins à l'oxydation. La Demanderesse a maintenant découvert de façon inattendue qu'une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur au platine ou au cuivre peuvent faciliter la transformation de la résine d'hydrogénosilsesquioxanne en revêtements céramiques nouveaux. La présente invention concerne un procédé de formation d'un revêtement céramique sur un substrat et les substrats ainsi revêtus. Le procédé consiste à déposer sur le substrat un revêtement pré-céramique comprenant une résine d'hydrogénosilsesquioxanne, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur au platine ou au cuivre. Le revêtement pré- céramique est ensuite pyrolysé dans une atmosphère inerte à une température comprise dans l'intervalle d'environ 200 C à environ 1000 C. La présente invention concerne également une composition comprenant un solvant, une résine d'hydrogénosilsesquioxanne, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur au platine ou au cuivre. La présente invention repose sur la découverte selon laquelle un mélange de résine d'hydrogénosilsesquioxanne (résine H), une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur au platine ou au cuivre (catalyseur) peut être utilisé pour former les nouveaux revêtements céramiques sur divers substrats. La substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et le catalyseur utilisés ici favorisent de façon inattendue la transformation en matière céramique de la résine H en catalysant le clivage des liaisons SiH. De plus, les revêtements résultants sont particulièrement originaux et avantageux du fait qu'ils contiennent à la fois des liaisons Si-O et Si-Si, ce qui contribue à la souplesse des revêtements. Les présents revêtements sont utiles à de nombreux usages comme la protection et l'isolement. Par exemple, ces revêtements peuvent être utilisés dans les applications classiques des matériaux résistant à la corrosion et à l'abrasion. De plus, ces revêtements possèdent des propriétés qui rendent leur emploi idéal dans des dispositifs électriques. Par exemple, les propriétés diélectriques et nivelantes de ces revêtements les rendent parfaitement adaptés comme diélectriques intercalaires dans des dispositifs multicouches. De même, la haute densité et le faible taux de défauts de ces revêtements les rendent utiles pour la protection de dispositifs contre des facteurs ambiants tels que l'humidité et les impuretés ioniques. Hormis les applications particulières mentionnées ci-dessus, il est envisagé que les présents revêtements puissent être utilisés sur n'importe quel substrat nécessitant un tel revêtement. En outre, le choix de tels substrats et dispositifs n'est limité que par l'exigence de stabilité thermique et chimique du substrat à la température et dans l'atmosphère utilisées dans la présente invention. Comme on l'entend dans la présente invention, le terme "céramique" se rapporte aux matières pyrolysées contenant des liaisons Si-O et Si-Si qui peuvent ou non être totalement exemptes de carbone et/ou hydrogène résiduels mais qui sont par ailleurs de nature céramique; l'expression "revêtement nivelant" désigne un revêtement qui constitue une couche d'arrêt superficielle25 moins irrégulière que la surface existant avant l'application du revêtement; et les expressions "dispositif électronique" ou "circuit électronique" englobent, sans y être limitées, des dispositifs à base de silicium, des dispositifs à base d'arséniure de gallium, des réseaux de plan focal, des dispositifs opto- électroniques, des cellules photovoltaïques et des dispositifs optiques. Des exemples particuliers de ces dispositifs comprennent des dispositifs du genre transistor, des condensateurs et dispositifs analogues,35 des dispositifs multicouches, des dispositifs tridimensionnels, des dispositifs du type silicium sur isolant, des dispositifs à super-réseau, etc. Les présents revêtements céramiques sont formés par un procédé qui consiste à appliquer un revêtement pré- céramique comprenant une résine H, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur, puis à chauffer le revêtement pré-céramique dans une atmosphère inerte à une température comprise entre environ 200 et environ 1000 C. Dans une forme de réalisation préférée de la présente invention, le revêtement pré-céramique est appliqué par un procédé qui consiste à enduire le substrat d'une solution comprenant un solvant, une résine H, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur, puis à évaporer le solvant. Dans la présente invention, l'expression "résine d'hydrogénosilsesquioxanne" désigne diverses résines d'hydridosilane (résines comportant un atome d'hydrogène fixé à l'atome de silicium). Ces résines sont généralement produites par hydrolyse et condensation de silanes répondant à la formule HSiX3 o X est un groupe hydrolysable. Ces résines peuvent être totalement condensés sous la forme (HSiO3/ 2)n, OU bien l'hydrolyse peut être interrompue à un stade intermédiaire de manière à former des produits d'hydrolyse et/ou de condensation partiels. Ces dernières résines contiennent donc souvent des groupements SiOR et/ou SiOH résiduels. Bien que cela ne soit pas représenté par cette structure, ces résines peuvent contenir moins de liaisons Si-H que le nombre stoechiométrique à cause de divers facteurs intervenant dans leur préparation ou leur traitement. Une résine H presque totalement condensée peut être produite par le procédé du brevet des E.U.A. N 3 615 272. Cette matière contient des motifs de formule (HSi03/2)n O n est généralement de 8 à 1000. La résine a un poids moléculaire moyen en nombre d'environ 800 à 2900 et un poids moléculaire moyen en poids d'environ 8000 à 28 000. Ce brevet enseigne la préparation de ces résines par un procédé consistant à hydrolyser du trichlorosilane dans un milieu d'hydrolyse contenant de l'acide benzène-sulfonique hydraté, puis à laver la résine résultante avec de l'eau ou une solution aqueuse d'acide sulfurique.- A noter que cette référence décrit cette matière comme étant totalement condensée. Cependant, une analyse récente a confirmé qu'il pouvait y avoir jusqu'à 100 à 300 ppm de groupes silanol. Des résines H qui ne sont pas totalement condensées (polymères contenant des motifs de la formule HSi(OH)a- 0(3_a)/2 o a = 0 à 2) peuvent être produites par le procédé du brevet des E.U.A. N 5 010 159 ou par le procédé du brevet des E.U.A. N 4 999 397. Le procédé décrit dans le brevet N 5 010 159 consiste à hydrolyser des hydridosilanes dans un milieu d'hydrolyse contenant un acide arylsulfonique hydraté pour former une résine qui est ensuite mise en contact avec un agent de neutralisation. Une expérimentation récente a montré qu'une résine H particulièrement préférée, qui forme des revêtements pratiquement dépourvus de fentes, peut être préparée par ce procédé dans lequel le rapport acide/silane est supérieur à environ 2, 67:1, de préférence d'environ 6/1. Le procédé décrit dans le brevet N 4 999 397 consiste à hydrolyser du trichlorosilane dans un solvant organique polaire non sulfuré par l'addition d'eau ou de HC1 et d'un oxyde de métal. L'oxyde de métal en question agit comme un accepteur de HCl et sert également de source permanente d'eau. Les résines H qui ne sont pas totalement hydrolysées ni condensées (polymères ayant des motifs de la formule HSi(OH)x(OR)YOz/2 o chaque R est indépendamment un groupe organique qui forme un substituant hydrolysable lorsqu'il est lié au silicium par l'atome d'oxygène, x = 0 à 2, y = 0 à 2, z = 1 à 3, x + y + z = 3 et la valeur moyenne de y sur l'ensemble des motifs du polymère est supérieure à 0) peuvent être préparées par le procédé de la publication de brevet européen N 0 443 760 publiée le 28 août 1991. Le procédé décrit dans cette référence consiste à hydrolyser un hydrocarbonoxy-hydridosilane avec de l'eau dans un solvant organique polaire oxygéné acidifié. La substance contenant des liaisons Si-Si peut être n'importe quelle substance qui forme des composés volatils à fonction SiH. En particulier, cette substance doit être d'une espèce qui réagit avec la résine H, enlève les atomes d'hydrogène du silicium et s'échappe du système par volatilisation. Ces substances sont connues dans la technologie et peuvent comprendre, par exemple, le d o d é c a m t h ylcyclohexasilane, le méthyltris ( triméthylsilyl) silane, le déc améthylcyclopentas i lane et le tris(triméthylsilyl)phénylsilane. Dans une forme de réalisation préférée de l'invention, la substance comprend du dodécaméthylcyclohexasilane ((CH3)2Si)6. Ce composé peut être préparé par toute technique classique telle que la réaction du diméthyldichlorosilane avec le lithium comme décrit par West et coll., Synthesis, Communications, pages 684-686 (1985). La quantité utilisée ici de substance contenant des liaisons Si-Si qui forme des composés volatils à fonction SiH n'est pas déterminante et peut varier sur un large intervalle. Cependant, en général, il faut en inclure suffisamment pour faciliter la transformation de la résine H en produit céramique. Si l'on utilise du dodécaméthylcyclohexasilane, la quantité stoechiométrique est d'environ 1 mole de cyclohexasilane pour 12 moles de30 groupes Si-H. Bien qu'un excès stoechiométrique soit souvent préférable, des quantités inférieures à la stoechiométrie (par exemple 1 mole de cyclohexasilane pour 25 moles de groupes Si-H) facilitent une élimination partielle des groupes Si-H. Un catalyseur au platine ou au cuivre est également inclus dans le revêtement pré-céramique afin d'accélérer la vitesse et le degré d'élimination de SiH. En général, on peut utiliser tout composé ou complexe de platine ou de cuivre qui peut être régulièrement réparti dans le mélange pré-céramique. Par exemple, une composition organique de platine telle que l'acétylacétonate de platine ou un composé du cuivre tel que le naphténate cuivrique entrent dans le cadre de la présente invention. De tels catalyseurs sont bien connus dans la technologie et sont disponibles dans le commerce. Ces catalyseurs sont utilisés ici en une quantité généralement comprise entre environ 10 et environ 1000 ppm de platine ou de cuivre par rapport au poids de la résine H. La résine H ci-dessus, une substance contenant des liaisons Si-Si qui forme des composés volatils à fonction SiH et un catalyseur sont ensuite déposés sur la surface du substrat. Cette opération peut être exécutée de n'importe quelle manière, mais un procédé préféré consiste à dissoudre les ingrédients dans un solvant pour former une solution qui est appliquée à la surface du substrat. Pour faciliter la dissolution, on peut recourir à divers moyens tels qu'une agitation et/ou un chauffage. Les solvants qui peuvent être utilisés comprennent tout agent ou mélange d'agents capable de dissoudre les ingrédients pour former une solution homogène sans affecter le revêtement céramique. Ces solvants peuvent comprendre, par exemple, des hydrocarbures aromatiques tels que le benzène ou le toluène, des alcanes tels que le n-heptane ou le dodécane, des cétones, des esters, des éthers de glycol ou des diméthylpolysiloxanes cycliques, en une quantité suffisante pour dissoudre les matières ci- dessus à une faible teneur en matière sèche. En général, le solvant cidessus est utilisé en quantité suffisante pour préparer une solution à 0,1 à 50 pour cent en poids. Si l'on utilise un procédé d'application en solution, on applique sur le substrat la solution comprenant la résine H, le solvant, une substance contenant des liaisons Si-Si qui forme des composés volatils à fonction SiH et un catalyseur. La technique d'application peut comprendre, sans y être limitée, l'enduction à la tournette, l'enduction au trempé, l'enduction par pulvérisation ou l'enduction par ruissellement. Cependant, d'autres moyens équivalents sont également considérés comme entrant dans le cadre de la présente invention. Le solvant utilisé dans le procédé d'application en solution est ensuite mis à évaporer, ce qui réalise le dépôt d'un revêtement pré-céramique. On peut employer tout moyen d'évaporation approprié. Des méthodes telles qu'un simple séchage à l'air dans les conditions ambiantes ou par application d'un vide ou d'un léger chauffage sont utilisables ici. A noter que dans le cas de l'enduction à la tournette, une période supplémentaire de séchage peut ne pas être nécessaire car la rotation chasse souvent le solvant. Une fois que le revêtement pré-céramique est déposé, on le transforme en produit céramique en le soumettant à une température suffisante en présence d'un milieu inerte. En général, les températures convenant ici s'inscrivent dans l'intervalle d'environ 300 C à environ 1000 C. Cependant, on envisage également des températures plus hautes ou plus basses. Par exemple, des températures aussi basses qu'environ 200 C peuvent durcir le revêtement pré-céramique. La densité de ces produits céramiques est cependant souvent trop faible pour qu'ils exercent les effets protecteurs ou diélectriques nécessaires. De même, on peut employer également des températures plus élevées dans cette opération, mais les températures supérieures à 1000 C environ apportent peu d'avantages au revêtement pré-céramique. Dans une forme de réalisation préférée de la présente invention, de la lumière ultraviolette est introduite dans le milieu de pyrolyse pour abaisser les températures de pyrolyse nécessaires à la transformation en matière céramique. Dans ces conditions, on peut employer des températures supérieures à seulement 150 C environ. En général, les substrats revêtus sont exposés à l'atmosphère inerte à la température souhaitée pendant une durée suffisante pour la transformation en matière céramique. Des durées qui conviennent ici sont généralement comprises entre quelques minutes pour les couches très minces (par exemple moins d'environ 0,1 micromètre) à plusieurs heures pour des couches plus épaisses, selon la température. Il est particulièrement avantageux de chauffer les substrats revêtus à une température d'environ 400 C pendant environ 3 heures. Dans l'étape de transformation en matière céramique ci-dessus, on peut utiliser n'importe quelle atmosphère de gaz inerte, par exemple l'argon ou l'hélium. L'exclusion de l'oxygène est cependant généralement nécessaire pour produire le nouveau revêtement de la présente invention, étant donné que le chauffage du revêtement en présence d'oxygène entraîne sa conversion en silice (SiO2). Toute technique de chauffage est généralement applicable ici, par exemple l'utilisation d'un four à convection ou par énergie rayonnante ou micro-ondes. De même, la vitesse de chauffage n'est généralement pas un facteur déterminant, mais il est très pratique et préférable de chauffer le substrat aussi rapidement que possible. Dans une opération typique de transformation en matière céramique, le substrat revêtu peut être placé dans un four à convection dans lequel est introduit un courant continu de gaz inerte. La température régnant dans le four est ensuite élevée à la valeur souhaitée (par exemple environ 400 C) et maintenue pendant le temps voulu (par exemple environ 3 heures). Bien que la Demanderesse ne veuille pas être tenue à la théorie, il est suggéré que la substance contenant les liaisons Si-Si qui forme des composés volatils à fonction SiH et le catalyseur créent un environnement réactif qui facilite le clivage des liaisons SiH et la transformation du revêtement en un revêtement céramique. Lorsqu'on utilise le dodécaméthylcyclohexasilane, il est suggéré que du diméthylsilane ((CH3)2SiH2) est libéré par ce clivage, le revêtement résultant comprenant un sous-oxyde de silicium amorphe. Grâce aux procédés ci-dessus, un mince revêtement céramique nivelant (moins de 2 micromètres) est formé sur le substrat. Le revêtement aplanit les surfaces irrégulières de divers substrats et possède d'excellentes propriétés adhésives. En outre, le revêtement peut être recouvert par d'autres revêtements, par exemple d'autres couches de SiO2, des revêtements contenant du silicium, des revêtements contenant du silicium et du carbone, des revêtements contenant du silicium et de l'azote, des revêtements contenant du silicium, de l'oxygène et de l'azote et/ou des revêtements contenant du silicium, de l'azote et du carbone. De tels revêtements à multicouches sont connus dans la technologie et le brevet des E.U.A. N 4 756 977 en décrit un grand nombre. Les exemples non limitatifs suivants sont donnés pour que l'homme de l'art puisse mieux comprendre l'invention. Les analyses infrarouges sont effectuées sur les tranches de silicium (transparentes au rayonnement IR) revêtues dans l'exemple suivant. La transformation en matière céramique est dénotée par l'élimination du groupe SiH, comme en témoigne la disparition du pic IR à environ 2245 cm-'. Le pourcentage de SiH restant après l'hydrolyse est calculé en comparant l'aire du pic de SiH avant et après hydrolyse. L'indice de réfraction est mesuré aux longueurs d'ondes spécifiées dans le tableau. L'épaisseur est déterminée par l'ellipsomètre de Rudolph. Exemple 1 Une résine d'hydrogénosilsesquioxanne préparée selon le procédé du brevet des E.U.A. N 5 010 159, du dodécaméthylcyclohexasilane et un catalyseur (en les quantités spécifiées au Tableau 1) sont dissous dans du ll toluène par agitation dans un ballon à la température ambiante pour former une solution limpide non gélifiée. Des tranches de silicium de 6,45 cm2 sont enduites avec ces solutions, puis centrifugées à 3000 tr/min pendant 35 secondes. Les dispositifs sont chauffés dans un four Lindberg de 5 cm avec une atmosphère d'azote à la température et pendant le temps indiqués dans le Tableau. Dans les cas o la lumière ultraviolette est utilisée, celle-ci est engendrée par une lampe photochimique à moyenne pression Canrad-Hanovia de 450 watts dans un réacteur UV. Les spectres infrarouge à transformée de Fourier (FTIR) sont relevés avant et après la pyrolyse et les résultats sont comparés pour déterminer la quantité de SiH ayant réagi. Les Exemples 1 à 6 montrent l'effet de la variation de la quantité de catalyseur dans la solution. A noter que l'augmentation de la quantité de catalyseur augmente le taux de conversion de SiH. Les Exemples 7 et 8 montrent que l'augmentation de la quantité de cyclohexasilane et de catalyseur augmente le taux de conversion de SiH. Les Exemples 9 à 11 sont des exemples comparatifs et montrent que la suppression du cyclohexasilane (9) et du cyclohexasilane et du catalyseur (11) diminue le taux de conversion de SiH. Les Exemples 12 et 13 montrent que la suppression du catalyseur diminue le taux de conversion de SiH. Les Exemples 14 à 17 montrent que l'abaissement de la température diminue le taux de conversion de SiH. Les Exemples 18 à 21 montrent que l'introduction de lumière UV dans le milieu de pyrolyse augmente le taux de conversion de SiH. TABLEAU 1 Ex. Mélange pré-céramique Pyrolyse Résultats 1 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 2 heures - 49,7 % de SiH ayant r6agi ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur 1871 angstràms dans le toluène IR - 1,431 (8300 lambda) 2 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 2 heures - 63 % de SiH ayant réagi ppm de naphténate cuivrique Épaisseur - 2522 angstràms dans le toluène IR - 1,376 (8300 lambda) 3 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 70,7 % de SiH ayant réagi 240 ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 2489 angstrôms dans le toluène IR 1,374 (6328 lambda) 4 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 75,5 % de SiH ayant réagi 240 ppm de naphténate cuivrique Épaisseur - 1985 angstrôms dans le toluène IR - 1,366 (8300 lambda) 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 72,5 % de SiH ayant réagi 360 ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 2481 angstràms dans le toluène IR - 1,389 (8300 lambda) 6 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - pas de silanol 11 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 81,1 % de SiH ayant réagi 360 ppm de naphténate cuivrique Épaisseur - 2098 angstr8ms dans le toluène IR - 1,394 (8300 lambda) TABLEAU 1 (suite) Ex. Mélange pré-céramique Pyrolyse Résultats 7 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 16,6 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 83,3 % de SiH ayant réagi 740 ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 4879 angstrôms dans le toluène IR - 1,401 (6328 lambda) 8 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 16,6 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 84,4 % de SiH ayant réagi 740 ppm de naphténate cuivrique Épaisseur - 4016 angstràms dans le toluène IR - 1,539 (6328 lambda) 9 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 3 heures - 43,7 % de SiH ayant réagi ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 4835 angstrôms dans le toluène IR - 1,382 (6328 lambda) 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 16,6 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 55,9 % de SiH ayant réagi ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 5675 angstràms dans le toluène IR - 1,364 (6328 lambda) 11 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 3 heures - 35,4 % de SiH ayant réagi Épaisseur - 4908 angstràms dans le toluène IR - 1,384 (6328 lambda) 12 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 16,7 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 41 % de SiH ayant réagi Épaisseur - 6096 angstràms dans le toluène IR - 1,373 (8300 lambda) TABLEAU 1 (suite) Ex. Mélange pré-céramique Pyrolyse Résultats 13 10 % en poids de résine H 400 C pendant FTIR - 11 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 20 % de SiH ayant réagi Épaisseur - 7093 angstrâms dans le toluène IR - 1,260 (8300 lambda) 14 10 % en poids de résine H 200 C pendant FTIR - 16,5 % en poids de cyclohexasilane 3 heures peu de réaction s'est produite 740 ppm d'acétylacétonate de Pt dans le toluène 10 % en poids de résine H 200 C pendant FTIR - 16,5 % en poids de cyclohexasilane 3 heures peu de réaction s'est produite 740 ppm de naphténate cuivrique dans le toluene 16 10 % en poids de résine H 300 C pendant FTIR - 16,5 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 23 % de SiH ayant réagi 740 ppm d'acétylacétonate de Pt Épaisseur - 6134 angstrôms dans le toluène IR - 1,411 (8300 lambda) 17 10 % en poids de résine H 300 C pendant FTIR - 16,5 % en poids de cyclohexasilane 3 heures - 30 % de SiH ayant réagi 740 ppm de naphténate cuivrique Épaisseur - 7079 angstrôms dans le toluène IR - 1,350 (8300 lambda) 18 10 % en poids de résine H 200 C pendant FTIR - 13,9 % en poids de cyclohexasilane 2 heures avec - 78 % de SiH ayant réagi 740 ppm d'acétylacétonate de Pt lumière UV Épaisseur - 6529 angstràms dans le toluène IR - 1,421 (6328 lambda) TABLEAU 1 (suite) Ex. Mélange précéramique Pyrolyse Résultats 19 10 % en poids de résine H 200 C pendant FTIR - 13,9 % en poids de cyclohexasilane 2 heures avec - 79 % de SiH ayant réagi 740 ppm de naphténate cuivrique lumière UV Épaisseur - 5135 angstrôms dans le toluène IR - 1,457 (6328 lambda) 10 % en poids de résine H 235 C pendant FTIR - 13,9 % en poids de cyclohexasilane 3 heures avec - 81 % de SiH ayant réagi 740 ppm d'acétylacétonate de Pt lumière UV Épaisseur - 5004 angstrôms dans le toluène 21 10 % en poids de résine H 235 C pendant FTIR - 13,9 % en poids de cyclohexasilane 3 heures avec - 90 % de SiH ayant réagi 740 ppm de naphténate cuivrique lumière UV Épaisseur - 6240 angstr8ms dans le toluène IR - 1479 (6328 lambda) REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'un revêtement céramique sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste à: déposer un revêtement pré- céramique comprenant une résine d'hydrogénosilsesquioxanne, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur choisi parmi les catalyseurs au platine et les catalyseurs au cuivre; et pyrolyser le revêtement pré- céramique dans une atmosphère inerte à une température suffisante pour réaliser sa transformation en matière céramique. 2. Procédé de la revendication 1, caractérisé en ce que le revêtement est transformé en produit céramique par chauffage à une température comprise dans l'intervalle d'environ 200 C à environ 1000 C en présence de lumière ultraviolette. 3. Substrat caractérisé en ce qu'il est revêtu par le procédé de la revendication 1. 4. Composition liquide homogène, caractérisée en ce qu'elle comprend un solvant, une résine d'hydrogénosilsesquioxanne, une substance contenant des liaisons Si-Si, qui forme des composés volatils à fonction SiH, et un catalyseur choisi parmi les catalyseurs au25 platine et les catalyseurs au cuivre.