Brevet FR2700414A1 — publié le 19940713

Perfectionnements apportés aux procédés de fabrication des électrets en Si O 2 et aux électrets obtenus. Les électrets, qui sont des diélectriques présen- tant de manière permanente une polarisation électrique, sont utilisés dans de nombreux dispositifs, tels que les microphones ou les relais électrostatiques. L'invention concerne, parmi ces électrets, ceux qui sont constitués par une feuille ou couche mince de dioxyde de silicium 5102 chargée électriquement. De tels électrets en Si O 2 présentent sur ceux constitués par des feuilles de polymère un certain nombre d'avantages et en particulier les suivants: ils résistent à des températures plus élevées, ils peuvent être réalisés en des épaisseurs plus petites, savoir inférieures à 10 microns, ils se prêtent plus facilement à une fixation solide sur un substrat, puisqu'ils peuvent être formés directement par voie chimique sur ce substrat, soit par par oxydation superficielle directe d'un substrat de silicium, soit par dépôt direct en phase vapeur, à partir d'un plasma approprié porteur de silicium et d'oxygène, sur un substrat solide qui peut être constitué en silicium ou en un matériau autre que le silicium. Mais avec les modes de réalisation connus de ces électrets en Si O 2, la durée de vie est plus courte que celle des électrets en polymère, cette durée de vie n'excédant pas en général quelques mois. Pour augmenter ladite durée de vie, il a été proposé de traiter chimiquement le Si O 2 avec de l'hexamé- thyldisilazane (HMDS) avant de le charger électriquement, mais ce procédé est difficile à mettre en oeuvre et les résultats restent insuffisants. L'invention permet de remédier à l'inconvénient ci-dessus en augmentant considérablement la durée de vie des électrets en Si O 2. A cet effet, les procédés pour fabriquer un électret en Si 02 selon l'invention comprennent encore une première étape consistant à former par voie chimique une couche de Si O 2 sur un substrat solide et ils sont essen- tiellement caractérisés en ce que l'on traite thermique- ment la couche ainsi formée en la chauffant à une tempéra- ture supérieure à 1000 C pendant un temps supérieur à 1 heure, avant de la charger électriquement. Dans des modes de réalisation avantageux, on a recours en outre à l'une et/ou à l'autre des dispositions suivantes: la couche de Si O 2 est obtenue par oxydation superficielle d'un substrat de silicium, le traitement thermique de la couche de Si O 2 formée selon l'alinéa précédent est un chauffage à une température de l'ordre de 1500 C pendant une durée supé- rieure à une semaine, notamment de l'ordre de 10 jours, le traitement thermique de la couche de Si O 2 formée selon l'alinéa qui précède le précédent est effectué en présence d'hydrogène, la couche de Si O 2 est formée à partir d'un plasma constitué par un mélange de deux composants en phase vapeur qui sont respectivement le silane (Si H 4) et le protoxyde d'azote (N 20) et la réaction chimique de ces deux composants est effectuée dans une enceinte o règne un champ électrique à haute fréquence et une pression comprise entre 0,1 et 1,5 millibars en présence d'un substrat chauffé, de préférence à une température de l'ordre de 300 'C, le traitement thermique de la couche de Si O 2 formée selon l'alinéa précédent est un chauffage à une température de l'ordre de 150 'C pendant une durée supé- rieure à 24 heures, notamment de l'ordre de 48 heures, la charge électrique de la couche de Si O 2, après son traitement thermique, est effectuée en exploi- tant l'effet couronne produit par un fil conducteur porté à tension élevée, notamment à travers une grille elle-même portée au potentiel équivalent envisagé pour l'électret -en -cours de fabrication, la charge électrique de la couche de Si O 2, après son traitement thermique, est effectuée à l'aide d'un canon à électrons, la couche de Si O 2 formant électret est déposée sur un substrat métallique constituant une électrode d'un dispositif comprenant une autre électrode séparée de ladite couche par une couche d'air, l'épaisseur dudit électret étant comprise entre 0,5 et 3 microns. L'invention comprend, mises à part ces disposi- tions principales, certaines autres dispositions qui s'utilisent de préférence en même temps et dont il sera plus explicitement question ci-après. Dans ce qui suit, l'on va décrire quelques modes de réalisation préférés de l'invention en se référant au dessin ci-annexé d'une manière bien entendu non limita- tive. La figure 1, de ce dessin, montre schématiquement la première étape d'un procédé de fabrication d'électrets conformes à l'invention. La figure 2 montre schématiquement la seconde étape de ce procédé. Les figures 3 et 4 montrent schématiquement deux variantes de la troisième étape dudit procédé. La figure 5 montre schématiquement un dispositif acoustique équipé d'un électret en Si O 2 selon l'invention. La première étape du procédé de fabrication d'électrets fait intervenir une enceinte 1 à l'intérieur de laquelle on place deux électrodes 2 et 3 sous forme de plaques conductrices horizontales disposées l'une au- dessus de l'autre. Ces deux plaques 2 et 3, qui constituent les bornes d'un condensateur, sont reliées à une source 4 d'énergie électrique à haute fréquence. On place sur la plaque inférieure 2 un substrat 5 qui peut être constitué en tout matériau désirable, isolant, semi-conducteur ou conducteur, et qui est avantageusement constitué par une feuille métallique, par exemple en cuivre ou en acier. L'enceinte 1 est reliée, par l'intermédiaire de respectivement deux vannes 6 et 7, à deux réserves 8 et 9 de composants gazeux A et B contenant respectivement du silicium et de l'oxygène. La réaction chimique entre ces deux composants est effectuée dans l'enceinte 1 en y introduisant des volumes bien déterminés de chacun de ceux-ci à travers les vannes 6 et 7 et en excitant la source 4. Cette réaction, qui est du type couramment désigné sous l'appellation "CVD" (en anglais: "Chemical Vapor Deposition") se traduit par un dépôt 10 de 51 02 sur le substrat 5. Dans un mode de réalisation ayant donné toute satisfaction, les composants A et B étaient respectivement du silane (Si H 4) et du protoxyde d'azote (N 20), la fréquence F était égale à 13,56 M Hz, la pression régnant dans l'enceinte 1 était comprise entre 0,1 et 1,5 millibars, et le substrat 5 était chauffé à une tempéra- ture de l'ordre de 300 'C, notamment par un chauffage électrique de la plaque 2. Le composant chimique autre que le Si O 2 résultant de la réaction chimique effectuée était dans l'exemple donné un gaz N 2 H 2 qui était évacué. L'épaisseur du dépôt 10 est contrôlable en fonction du temps: cette épaisseur était de l'ordre de 5000 à 10000 A/mn dans l'exemple donné ci-dessus. On arrête le processus, en coupant l'excitation de la source 4, lorsque ladite épaisseur a atteint une valeur comprise entre 0,5 et 3 microns. Si l'on charge électriquement la couche déposée 10 à ce stade, l'expérience montre que la durée de vie de l'électret résultant est faible. Pour accroître cette durée de vie, conformément à l'invention, on fait subir à l'ensemble du dépôt 10 et de son substrat 5 un traitement thermique qui consiste en un chauffage prolongé. Ce chauffage est effectué à une température supérieure à 100 'C pendant une durée supérieure à 1 heure. Dans un mode de réalisation préféré, ledit chauffage est effectué dans un four 11 à une température de l'ordre de 1500 pendant une durée de l'ordre de 48 heures. C'est seulement après ce traitement thermique et refroidissement éventuel de l'ensemble du substrat 5 et de son revêtement 10 que ce dernier est chargé électrique- ment. On peut utiliser à cet effet toute technique désirable connue de charge. Par exemple, on peut faire appel à un canon à électrons 12 (figure 3) sous vide. Selon une variante, la charge de l'électret est effectuée en faisant appel à la décharge avec effet "couronne" ou "Corona" réalisée à partir d'un fil conduc- teur 13 (figure 4) porté à un potentiel élevé V et disposé dans l'axe d'un tunnel 14 lui-même mis à la masse: l'ensemble du substrat 5 et de son revêtement 10 est disposé en regard dudit fil, sur un support conducteur 15 lui-même mis à la masse. En outre, une fine grille 16 portée au potentiel V O équivalent désiré pour l'électret en cours de fabrica- tion est interposée entre le fil 13 et le revêtement 10. A titre indicatif, les potentiels V et VO sont égaux respectivement à -7000 Volts et à -200 Volts. L'expérience montre que les électrets en Si O 2 résultant du chargement électrique d'un revêtement 10 lui- même fabriqué et traité thermiquement de la manière ci- dessus exposée présentent une durée de vie remarquablement longue, à savoir apparemment de l'ordre de plusieurs dizaines d'années, ce qui constitue un résultat tout à fait surprenant. Une interprétation donnée à ce résultat surprenant est la suivante: en raison de sa formation par combinai- son chimique de deux composants distincts, le dépôt de Si O 2 obtenu contient à titre de traces des atomes de substances autres que le silicium et l'oxygène, substances telles que l'hydrogène et l'azote, et ces atomes, empri- sonnés au sein du dépôt effectué, y sont bloqués par le chauffage subséquent au point de constituer alors des "pièges" propres à retenir les charges électriques qui viennent les rejoindre ultérieurement. Une autre façon de fabriquer la couche de Si O 2 destinée à être chargée électriquement en vue de consti- tuer un électret est l'oxydation superficielle directe d'un substrat en silicium. Dans ce cas encore, le recuit de l'électret avant sa charge permet d'en allonger la durée de vie. Ce chauffage ou recuit, exécuté encore à une température de l'ordre de 1500 C, est ici prolongé plus longtemps que précédemment, à savoir pendant une durée supérieure à la semaine et par exemple de l'ordre de 10 jours. Pour bénéficier de l'avantage ("piégeage" des atomes d'hydrogène) qui vient d'être signalé, ledit chauffage ou recuit est avantageusement effectué en présence d'hydrogène ou d'un gaz comprenant de l'hydro- gène. Les applications des électrets en Si O 2 à vie longue ainsi obtenus sont à la fois nombreuses et impor- tantes, en particulier du fait de leur très petite épaisseur. Une telle application a été illustrée sur la figure 5, qui fait apparaître un dispositif acoustique du type des microphones ou haut-parleurs. Ce dispositif comprend: un boîtier métallique 17 en forme de cuvette à profil en C qui contient une auge 18 en matériau isolant à profil en U, laquelle est elle- même refermée par une feuille métallique perforée 19 constituant une première électrode, cette feuille 19 supportant elle- même un anneau 20 en matériau isolant, puis l'ensemble d'un électret 10 et d'une feuille métalli- que tendue 5 constituant le substrat de cet électret et obturant l'ouverture du boîtier 17, auquel elle est connectée électriquement Des broches 21 et 22 connectées électriquement au boîtier 17 et à la feuille 19 permettent de relier le dispositif à un circuit d'exploitation extérieur. La très faible épaisseur de l'électret 10 est particulièrement intéressante dans une telle application. En effet, si l'on appelle e ladite épaisseur de l'électret 10 et e' l'épaisseur de la couche d'air comprise entre cet électret 10 et l'électrode 19, la sensibilité du dispositif acoustique considéré est proportionnelle au champ électrostatique qui règne en absence de vibration entre les deux électrodes 10 et 19, champ qui est inversement proportionnel à l'épaisseur du condensateur formé par ces électrodes, c'est-à-dire à la fois à e et à el. En suite de quoi et quel que soit le mode de réalisation adopté, on dispose d'électrets en Si O 2 dont la constitution et le mode de fabrication résultent suffisam- ment de ce qui précède. Ces électrets présentent un certain nombre d'avantages par rapport à ceux antérieurement connus et en particulier ceux d'une très longue durée de vie, d'une très faible épaisseur, d'une adhérence très intime au substrat qu'ils recouvrent et d'une bonne résistance à la chaleur. Comme il va de soi, et comme il résulte d'ailleurs déjà de ce qui précède, l'invention ne se limite nullement à ceux de ses modes d'application et de réalisation qui- ont été plus spécialement envisagés; elle en embrasse, au contraire, toutes les variantes. REVENDICATIONS 1 Procédé pour fabriquer un électret en Si O 2 comprenant une première étape consistant à former par voie chimique une couche de Si O 2 sur un substrat solide ( 5), caractérisé en ce que l'on traite thermiquement la couche ainsi formée ( 10) en la chauffant à une température supérieure à 100 'C pendant un temps supérieur à 1 heure', avant de la charger électriquement. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de Si O 2 est obtenue par oxydation superficielle d'un substrat de silicium. 3 Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le traitement thermique de la couche de Si O 2 est un chauffage à une température de l'ordre de 1500 C pendant une durée supérieure à une semaine, notamment de l'ordre de 10 jours. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 et 2, caractérisé en ce que le traitement thermi- que de la couche de Si 02 est effectué en présence d'hydro- gène. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de Si O 2 est formée à partir d'un plasma constitué par un mélange de deux composants en phase vapeur qui sont respectivement le silane (Si H 4) et le protoxyde d'azote (N 20) et en ce que la réaction chimique de ces deux composants est effectuée dans une enceinte o règne un champ électrique à haute fréquence et une pression comprise entre 0,1 et 1,5 millibars en présence d'un substrat chauffé, de préférence à une température de l'ordre de 300 'C. 6 Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que le traitement thermique de la couche de Si 02 est un chauffage à une température de l'ordre de 1500 C pendant une durée supérieure à 24 heures, notamment de l'ordre de 48 heures. 7 Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que la charge électrique de la couche de Si O 2 ( 10), après son traitement thermique, est effectuée en exploitant l'effet couronne produit par un fil conducteur ( 13) porté à tension élevée, notamment à travers une grille ( 16) elle-même portée au potentiel équivalent envisagé pour l'électret en cours de fabrication. 8 Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 1 à 6, caractérisé en ce que la charge électrique de la couche de Si O 2 ( 10), après son traitement thermique, est effectuée à l'aide d'un canon à électrons ( 12). 9 Electret en Si'2 fabriqué par le procédé selon l'une quelconque des précédentes revendications. 10 Electret selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il est formé sur un substrat métallique ( 5) constituant une électrode d'un dispositif comprenant une autre électrode ( 19) séparée dudit électret par une couche d'air, l'épaisseur dudit électret étant comprise entre 0, 5 et 3 microns.