Brevet FR2697926A1 — publié le 19940513

La présente invention se rapporte à un dispositif de délivrance de charges du type par contact utilisé avec un appareil de formation d'images, comme une imprimante, une imprimante vidéo, un télécopieur, un photocopieur, ou un dispositif d'affichage, et plus précisément à un dispositif de charge par contact et à un dispositif de transfert par contact utilisés avec l'appareil de formation d'images. D'une manière plus précise, l'invention se rapporte à un dispositif de charge par contact pour charger ou décharger un élément à charger en amenant un élément de charge, auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger, et à un dispositif de transfert par contact pour transférer, à partir de l'élément à charger, un agent de développement sur un support d'enregistrement d'image transférée, lorsque le support d'enregistrement d'image transférée passe dans un espace entre un élément de transfert auquel est appliqué une tension externe et l'élément à charger L'ensemble formé de l'élément de charge et du support d'enregistrement d'image transférée sera appelé dans la suite un élément de contact. Dans l'appareil de formation d'images basé sur le système d'électrophotographie électrostatique, une image électrostatique latente est formée sur un tambour photorécepteur, de l'encre en poudre est attirée par l'image latente, et l'image d'encre en poudre formée est transférée sur un support d'enregistrement d'image transférée. Le tambour photorécepteur utilisé dans le système d'électrophotographie est structuré de telle manière qu'une sous-couche est formée sur la surface d'un tambour servant de base et qu'une couche photoréceptrice, dont la conductivité électrique varie en fonction de la lumière, est formée sur la sous-couche Dans certains cas, la couche photoréceptrice est déposée directement sur la surface du tambour, sans utiliser de sous-couche. Le tambour est fait d'un métal tel qu'il ait la rigidité nécessaire et pour permettre à un film dur, isolant de l'électricité, d'être facilement formé sur sa surface Un tel métal est typiquement de l'aluminium La sous-couche est habituellement un film d'oxyde ou un film isolant de l'électricité, qui est formé sur la surface du tambour. Une matière organique ou inorganique, utilisée pour la couche photoréceptrice, présente une isolation électrique à un degré propre à retenir des charges lorsqu'elle n'est pas exposée à la lumière et propre à perdre ses charges lorsqu'elle est exposée à la lumière. Lorsque la matière formant la couche photoréceptrice est une matière organique, la couche photoréceptrice est formée par immersion du tambour, sur lequel la sous- couche est formée, dans un liquide de préparation qui est préparé par dissolution de la matière organique dans un solvant Lorsque la matière formant la couche photoréceptrice est une matière inorganique, la couche photoréceptrice est formée par dépôt en phase vapeur de la matière inorganique sur la sous-couche formée sur le tambour. Le tambour photorécepteur ainsi structuré est chargé à un potentiel fixe par un dispositif de charge à effet corona, un dispositif de charge par contact, ou analogue Dans cet état, la couche photoréceptrice sur le tambour est exposée à de la lumière ou à une image optique dessinée en fonction de données d'image, pour y former une image électrostatique latente Les valeurs de résistance électrique dans les seules parties de la couche photoréceptrice qui ont été exposées à la lumière sont réduites de manière sélective, de sorte que les charges présentes sur la surface disparaissent et que le potentiel sur cette surface chute. De l'encre en poudre chargée est amenée en contact avec la couche photoréceptrice qui porte l'image électrostatique latente, de sorte que l'encre en poudre est attirée sur les seules parties exposées à la lumière, ou les seules parties non exposées à la lumière, par une force électrostatique développée entre elles, en formant ainsi un motif d'encre en poudre sur la couche photoréceptrice. Puis, un support d'enregistrement d'image transférée est amené vers la surface du tambour photorécepteur en synchronisme avec la rotation du tambour qui porte sur sa surface l'image d'encre en poudre Puis, le support d'enregistrement d'image transférée est chargé avec une polarité opposée à la polarité de l'encre en poudre chargée Le motif d'encre en poudre sur le tambour est attiré vers le support d'enregistrement d'image transférée, de sorte que le motif d'encre en poudre est enregistré sur le support d'enregistrement d'image transférée. Le dispositif pour charger le tambour photorécepteur, le dispositif de décharge pour éliminer la charge résiduelle sur le tambour, et le dispositif de transfert pour transférer le motif d'encre en poudre sur le support d'enregistrement d'image transférée font partie des dispositifs pour délivrer des charges au tambour et pour les éliminer de celui-ci Classiquement le dispositif de charge dit à effet corona, qui utilise des particules chargées par décharge à effet corona, est utilisé pour ces dispositifs. L'utilisation des dispositifs de charge à effet corona produit inévitablement de l'ozone, qui contamine l'air Pour éviter ceci, des dispositifs de charge par contact et des dispositifs de transfert par contact, qui produisent une quantité d'ozone extrêmement réduite, ont été utilisés récemment Dans le dispositif de charge par contact, une brosse de fibres conductrices ou un rouleau fait d'une matière élastique conductrice, auquel est appliquée une tension externe, est amené en contact avec la surface du tambour photorécepteur, tandis que l'élément de contact, c'est-à-dire, la brosse ou le rouleau est en cours de déplacement par rapport au tambour Une étincelle minuscule est produite dans un espace entre l'élément de contact et la surface du tambour, laquelle est formée lorsqu'ils s'approchent l'un de l'autre ou lorsqu'ils s'écartent l'un de l'autre Le tambour photorécepteur est chargé par ce processus. Dans le dispositif de transfert par contact, une brosse de fibres conductrices ou un rouleau fait d'une matière élastique conductrice, auquel est appliquée une tension externe, est approché du tambour dans un état dans lequel un support d'enregistrement d'image transférée est placé entre eux A ce moment, l'élément de contact est déplacé par rapport au tambour Une étincelle minuscule est produite dans l'espace entre l'élément de contact et le support d'enregistrement d'image transférée, laquelle est formée lorsqu'ils s'approchent l'un de l'autre ou lorsqu'ils s'écartent l'un de l'autre. L'image se trouvant sur le tambour photorécepteur est transférée, par ce processus, sur le support d'enregistrement d'image transférée. Lorsque le support d'enregistrement d'image transférée n'est pas présent entre l'élément de contact et la surface de tambour, une tension pour nettoyer l'élément de contact (qui fait que l'encre en poudre adhérant à l'élément de contact se déplace vers la surface de tambour) lui est appliquée pour nettoyer l'élément de contact. Le phénomène de décharge est utilisé également dans le dispositif de charge par contact et dans le dispositif de transfert par contact Par conséquent, une tension d'environ 0,5 à 1,5 k V, plus faible que celle pour la décharge à effet corona, est appliquée entre l'élément de contact et le tambour photorécepteur Pour être protégé de la tension de claquage de 0,5 à 1,5 k V, la tension doit être répartie correctement dans la couche photoréceptrice et dans la sous-couche de façon à ne pas les endommager. Si la couche photoréceptrice présente une partie, ou des parties, défectueuses et une piqûre ou des trous auxquels de fixent des saletés, c'est-à-dire une matière étrangère, et si ceux-ci créent des trajets de courant, le courant s'écoule de manière concentrique dans ces trajets de courant. Lorsque l'élément de contact vient en contact avec les parties défectueuses ou les piqûres, la tension appliquée à l'élément de contact provoque l'écoulement du courant vers les trajets conducteurs formés par les parties défectueuses et la matière étrangère se trouvant dans les piqûres ou les parties défectueuses, puisque l'impédance des trajets conducteurs est plus faible que celle des parties restantes de la couche photoréceptrice. A ce moment, aucun phénomène de décharge ne se produit entre eux, ni entre l'élément de contact et la couche photoréceptrice. Si le courant s'écoulant dans les piqûres dépasse une valeur de courant prédéterminée pour le circuit concerné, la tension appliquée à l'élément de contact, ou à l'élément de charge, chute, de sorte qu'aucune décharge ne se produit dans l'espace entre l'élément de charge et la couche photoréceptrice Ce dont il résulte que seule la surface de contact d'une partie de la couche photoréceptrice, qui comprend les piqûres et qui s'étend dans la direction axiale, et qui est en contact avec l'élément de charge, est mal déchargée La partie mal déchargée apparaît sous forme d'une bande blanche dans le développement normal et sous forme d'une bande noire dans le développement inversé Ceci réduit considérablement la qualité de l'image. De plus, le courant s'écoulant de façon concentrique dans les surfaces extrêmement petites est très grand Ce courant très grand chauffe l'élément de charge dans ces surfaces et la matière étrangère dans et autour des piqûres La matière de l'élément de charge voit sa qualité détériorée, et les piqûres de la couche photoréceptrice sont agrandies, ce qui crée éventuellement des problèmes sérieux dans la machine. Pour résoudre ces problèmes, des techniques de limitation de la valeur limite inférieure de la résistance de l'élément de charge ont largement été utilisées comme le décrivent, par exemple, les demandes de brevets japonais non examinées publiées sous les numéros Sho 56-132 356, 58-49 960 et 64-73 365 Dans l'une des techniques, la résistivité volumique de l'élément de charge est fixée à l'intérieur d'une plage allant de 105 à 1011 ncm. Des techniques utilisant un élément de charge qui est multicouche de sorte que la résistivité volumique de sa couche extérieure est plus grande que celle de sa couche intérieure, ont été proposées, par exemple, dans les demandes de brevets japonais non examinées publiées sous les Nos Sho 64-73 364 et Hei 4-138 477, et dans USP 4 126 913. D'une manière plus précise, la demande de brevet japonais non examinée publiée sous le No Hei 4-138 477 décrit un élément de charge comportant une structure multicouches telle que la couche de surface présente une anisotropie de conductivité et a une résistance de 105 fi ou plus le long de sa surface USP 5 126 913 utilise une source d'énergie d'une capacité suffisamment grande pour maintenir la sortie de la source d'énergie constante même si le courant se concentre au droit des piqûres. De nombreuses propositions ont été faites en ce qui concerne la technique pour placer une sous-couche entre la couche photoréceptrice et le corps de tambour Ces propositions décrivent principalement des améliorations en ce qui concerne l'adhérence de la couche photoréceptrice à la couche conductrice ou au tambour, le revêtement de la couche photoréceptrice, et les caractéristiques de dégradation à l'obscurité/la lumière de la couche photoréceptrice Parmi ces propositions, la demande de brevet japonais non examinée publiée sous le No Sho 61-179 464 décrit une idée technique dans laquelle la valeur limite inférieure du potentiel de charge répartie, pour la sous-couche (ou la couche intermédiaire), est fixée à 1 V, afin de supprimer la formation, par la décharge, de piqûres dans la couche photoréceptrice. En outre dans le dispositif de transfert par contact, comme dans le dispositif de charge par contact, lorsque le courant s'écoulant dans les piqûres dépasse une valeur de courant prédéterminée pour le circuit concerné, la tension appliquée au support d'enregistrement d'image transférée chute, de sorte qu'aucune décharge ne se produit dans l'espace entre le support d'enregistrement d'image transférée et l'élément de transfert Ce dont il résulte que seule la surface de contact d'une partie de la couche photoréceptrice, qui comprend les piqûres et qui s'étend dans la direction axiale, est mal transférée La qualité de l'élément de transfert est modifiée et les piqûres de la couche photoréceptrice sont agrandies, en créant éventuellement des problèmes sérieux dans la machine. Les inventeurs de la présente demande, après avoir étudié soigneusement les problèmes de ces dispositifs, en liaison avec les techniques classiques, ont vérifié les faits suivants La technique classique ne peut pas supprimer ni éliminer le phénomène qui fait que lorsque l'élément de contact vient en contact avec la partie défectueuse et/ou avec les piqûres de la couche photoréceptrice, un courant, qui est supérieur à une valeur de courant calculée sur la base de la résistivité volumique de l'élément de contact, s'écoule dans la partie défectueuse, et/ou dans les piqûres Par conséquent, une mauvaise charge, ou un mauvais transfert, se produit inévitablement sur toute la surface de contact, sur la couche photoréceptrice, avec l'élément de contact L'image qui en résulte est de mauvaise qualité. En outre, on ne peut pas éviter non plus la situation dans laquelle le courant s'écoulant dans les piqûres chauffe l'élément de contact ou les piqûres de la couche photoréceptrice en détériorant ainsi l'élément de contact et en agrandissent les piqûres. C'est par conséquent un premier objectif de la présente invention que d'empêcher la détérioration de la qualité d'image, et les dommages causés à l'élément de contact et à la couche photoréceptrice par une surintensité s'écoulant dans la partie défectueuse et dans les piqûres. C'est un deuxième objectif de la présente invention que de proposer un nouveau dispositif de charge par contact qui soit exempt de la détérioration de la qualité d'image, du fonctionnement erroné du système électrique, et des dommages causés aux composants du dispositif. C'est un troisième objectif de la présente invention que de proposer un dispositif de charge par contact qui puisse charger un élément à charger de manière stable et uniformément. C'est un quatrième objectif de la présente invention que de proposer un dispositif de transfert par contact qui soit à l'abri de la détérioration de la qualité de l'image, de fonctionnements erronés du système électrique et de dommages aux composants du dispositif. Pour atteindre les objectifs ci-dessus, il est proposé un dispositif de délivrance de charges par contact pour commander les charges qui sont délivrées à un élément à charger en amenant un élément de contact, auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger; caractérisé en ce que l'une quelconque des inégalités suivantes est vérifiée: (A) log (R) 2 log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a-B) x log (S/s) + y x log (i/I) o I Val > I Vtl (B) a + b k Va x 106/j o: log (a) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log (b) = log (Rp) + a x log (S/s) (C) log (R) k log (Va x 106/k) + (y -B) x log (S/s) + y x log (k/I) Dans les inégalités ci-dessus: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de contact en contact avec l'élément à charger; I (p A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de contact vers l'élément à charger; S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger et de l'élément de contact; R (f) est la résistance de l'élément de contact lorsque l'intensité I (p A) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de contact; y est la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger; Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; i (li A) est l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; Rp (la) est la résistance de la sous-couche lorsque l'intensité i (p A) s'écoule dans la surface de la sous- couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; j (MA) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de la partie défectueuse s (c M 2); k (g A) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la partie défectueuse de l'élément à charger; 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. Dans le cas o, dans les conditions mentionnées ci- dessus, l'élément à charger est chargé ou déchargé et o un motif d'encre en poudre est transféré de l'élément à charger à un support d'enregistrement d'image transférée, et o un tambour photorécepteur présente des défauts minuscules qui sont passés inaperçus lors de l'examen avant que les produits ne soient livrés, la sous-couche ne sera pas détruite puisque la tension répartie appliquée à la sous-couche n'est pas supérieure à la tension de claquage de la sous-couche Si le tambour photorécepteur présente des parties défectueuses et/ou des piqûres, il est possible de limiter l'intensité du il courant s'écoulant dans les parties défectueuses et/ou dans les piqûres à une valeur de courant qui ne les agrandit pas Par conséquent, l'invention empêche avec succès que des bandes noires ou blanches apparaissent sur l'image résultante, et évite le mauvais transfert. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront d'ailleurs de la description qui va suivre à titre d'exemple en se référant aux dessins annexés, dans lesquels: la figure 1 est un circuit équivalent d'une partie défectueuse sur une couche photoréceptrice d'un élément à charger, selon la présente invention; la figure 2 est un schéma montrant un procédé de mesure de la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface, selon la présente invention; la figure 3 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface, mesurée par le procédé montré à la figure 2; la figure 4 est un schéma montrant un procédé de mesure de la variation de la résistance l'élément de contact en fonction du courant, selon la présente invention; la figure 5 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant; la figure 6 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface; la figure 7 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant; la figure 8 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface; la figure 9 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface; la figure 10 est un schéma montrant un procédé de mesure de la résistance d'un élément de contact, selon la présente invention; les figures il(a) à 11 (h) sont des vues en coupe représentant schématiquement des éléments de charge formant des dispositifs de charge par contact, selon la présente invention; les figures 12 (a) à 12 (d) sont des vues en coupe représentant schématiquement des éléments de transfert formant des dispositifs de transfert par contact, selon la présente invention; les figures 13 (a) e 13 (b) sont des vues en coupe représentant schématiquement des éléments à charger selon la présente invention; la figure 14 est une vue schématique montrant un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de charge par contact selon la présente invention; la figure 15 est une vue schématique montrant un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de transfert par contact, selon la présente invention; les figures 16 (a) à 16 (d) sont des schémas montrant des modèles typiques de défauts fréquemment rencontrés dans un tambour photorécepteur; les figures 17 (a) et 17 (b) sont des schémas montrant des modèles de trajets conducteurs par lesquels du courant s'écoule de façon concentrique d'un élément de contact dans un défaut ou une piqûre formé dans le tambour photorécepteur; les figures 18 (a) et 18 (b) sont des vues en coupe montrant de manière schématique un dispositif de charge par contact qui est en contact avec une couche photoréceptrice détériorée par des piqûres et une vue en coupe montrant schématiquement un procédé pour contrôler si la couche intermédiaire, (ou sous-couche), du tambour photorécepteur est, ou non, claquée; la figure 19 est un circuit équivalent d'un dispositif de charge par contact selon la présente invention; les figures 20 (a) et 20 (b) représentent un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément à charger en fonction de la surface, et un graphique montrant la variation de la résistance de la couche intermédiaire du tambour photorécepteur en fonction de la surface; les figures 21 (a) et 21 (b) sont des graphiques pour expliquer la variation de la résistance d'un élément de charge en fonction du courant; et, la figure 22 est une vue en coupe montrant schématiquement un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de charge par contact selon la présente invention. On va maintenant décrire les modes de réalisation préférés de la présente invention en se référant aux dessins annexés. On va d'abord décrire les défauts d'une couche photoréceptrice auxquels la présente invention s'applique. Les défauts qui pourraient être provoqués dans le tambour photorécepteur peuvent se classer en de nombreux types Un défaut 75 montré à la figure 16 (a) se rencontre seulement dans la région superficielle d'une couche photoréceptrice 72 du tambour photorécepteur, n'atteignant pas une sous-couche 71 Une soufflure 76 montrée à la figure 16 (b) se trouve dans la couche photoréceptrice 72 Un défaut 77 montré à la figure 16 (c) traverse la couche photoréceptrice 72 pour atteindre la sous-couche 71 Un défaut, ou piqûre 78 montré à la figure 16 (d) traverse la sous-couche 71 et la couche photoréceptrice 72 et atteint le corps de tambour, ou la couche conductrice 70. La plupart des défauts qui atteignent le corps de tambour 70 sont détectés de façon certaine par l'examen avant livraison parce que les diamètres d'ouverture des défauts sont grands Les produits souffrant de tels défauts sont éliminés Habituellement, les produits après livraison sont presque exempts de défauts Les défauts que montrent les figures 16 (a) à 16 (c), trop petits pour être remarqués à l'examen, peuvent, comme on le décrira plus loin, croître au cours de l'utilisation pour devenir suffisamment grands pour traverser la sous-couche. Un défaut allant de la couche photoréceptrice à la sous-couche, à savoir un défaut détruisant à la fois la couche photoréceptrice et la sous-couche, sera appelé une "ipiqûre"l. Lorsqu'un procédé électrophotographique est mis en oeuvre en utilisant un tambour photorécepteur dans lequel il existe un défaut seulement dans la couche photoréceptrice, de l'encre en poudre et de la saleté pénètrent dans le défaut 77 de la couche photoréceptrice, comme le montre la figure 16 (c), pour former un trajet conducteur 80 allant de la surface de la couche photoréceptrice à la sous-couche (figure 17 (a)) Celles- ci pénètrent également dans le défaut 75 de la couche photoréceptrice montrée à la figure 16 (a), en formant ainsi un trajet conducteur 80 (figure 17 (b)) Dans les défauts, même des défauts minuscules (figures 16 (a) et ( 16 (b)), il se forme une partie amincie 75 (a) de la couche photoréceptrice 72 La tension répartie appliquée à la couche photoréceptrice 72 est faible, de sorte que la tension appliquée à la sous-couche 71 est grande A l'extrême, la sous-couche sera détruite. D'une manière plus précise, dès que le trajet conducteur 80 est formé, la tension à répartir dans la couche photoconductrice est presque entièrement appliquée à la sous-couche lors des phases de charge, de transfert, et de décharge Une surtension supérieure à la tension de claquage agit sur la sous-couche Par conséquent, le diélectrique de la sous-couche sera claqué. Puis, le courant s'écoule, par ce trajet conducteur , de l'élément de contact auquel une tension est appliquée vers le corps de tambour 70 A ce moment, un courant plus grand que le courant normal s'écoule de manière concentrique dans une partie étroite, ou dans la partie défectueuse De la chaleur est produite par effet Joule au droit de cette partie Le défaut minuscule augmente pour devenir une piqûre 78 telle que montrée à la figure 16 (d). La chaleur produite par effet Joule endommage non seulement le tambour photorécepteur mais également l'élément de contact, qui produit des charges dans les phases de charge et de transfert dans le processus électrophotographique. L'étude de ce mécanisme a montré les faits suivants Pour rendre utilisable le tambour photorécepteur souffrant des défauts et/ou des piqûres, à savoir, pour que le tambour photorécepteur demeure utilisable dans un état dans lequel la tache résultant, sur l'image, des défauts et des piqûres est négligeable en utilisation pratique, les deux conditions suivantes doivent être satisfaites: 1) Si le défaut existe seulement dans la couche photoréceptrice, le défaut doit être confiné à l'intérieur de la couche photoréceptrice En d'autres termes, il ne doit pas croitre au point d'atteindre la sous-couche. 2) Même si le défaut augmente jusqu'à devenir une piqûre, la chaleur produite par effet Joule, provoquée par le courant concentrique s'écoulant dans la piqûre, doit être limitée à un niveau tel qu'elle ne détériore pas la couche photoréceptrice ni l'élément de contact. Si ces conditions sont satisfaites, le défaut minuscule ne croîtra pas jusqu'à atteindre un état défavorable o se formeraient des bandes noires ou blanches dans l'image, ce qui conduirait à des remplacements de pièces. La chaleur produite par effet Joule dans la piqûre est une énergie thermique dont la valeur est proportionnelle au produit de la résistance dans la piqûre par le carré de l'intensité du courant, qui peut s'écouler en raison de la présence du trajet conducteur formé lorsque des particules d'encre en poudre et/ou de la saleté pénétrant dans la piqûre sont rendues conductrices, et de la propriété conductrice, quoique légère, de la couche photoréceptrice elle-même Par conséquent, la somme de la résistance de la matière étrangère placée dans la piqûre et de la résistance de la surface partielle, ou région, de la couche photoréceptrice qui est située près de la piqûre, pose un problème. Pour empêcher le défaut minuscule de la couche photoréceptrice de croître pour devenir une piqûre, l'intensité du courant s'écoulant dans la piqûre doit être limitée Dans le traitement dela commande restrictive du courant, la résistivité volumique de l'élément de contact peut représenter de manière imparfaite la résistance de l'élément de contact. D'autres facteurs clés doivent être pris en considération L'un des facteurs clés est la résistance telle qu'elle est vue à partir de la piqûre, à savoir, une résistance qui varie en fonction d'une valeur de courant et de la surface d'une partie contribuant à la production de chaleur par effet Joule dans la piqûre. Cette résistance sera appelée la "résistance de piqûre" Rq. Le courant s'écoulant à partir du défaut de la couche photoréceptrice jusqu'au tambour photorécepteur, transverse, nécessairement, la sous- couche Par conséquent, un autre facteur clé sera la résistance d'une partie de la sous-couche à l'emplacement correspondant au défaut de la couche photoréceptrice, c'est-à-dire, la résistance de la partie de la sous-couche vue à partir du défaut de la couche photoconductrice Cette résistance sera appelée la "résistance de sous-couche la" Ces résistances ne peuvent pas être calculées sur la base de la seule résistivité volumique de la matière. Le calcul basé sur le rapport (tension agissant sur chaque couche)/(intensité du courant s'écoulant) est exact. Considérons la résistance de piqûre Rq nécessaire pour satisfaire les deux conditions mentionnées ci- dessus: 1) Si le défaut existe seulement dans la couche photoréceptrice, le défaut doit être confiné à l'intérieur de la couche photoréceptrice En d'autres termes, il ne doit pas croître au point d'atteindre la sous-couche. 2) Même si le défaut augmente jusqu'à devenir une piqûre, la chaleur produite par effet Joule, provoquée par le courant concentrique s'écoulant dans la piqûre, doit être limitée à un niveau tel qu'elle ne détériore pas la couche photoréceptrice ni l'élément de contact. " Condition 1 " Il est d'abord établi un modèle de tensions partagées par la résistance de sous-couche rq (résistance de la sous-couche lorsqu'elle est vue à partir du défaut ou de la piqûre) et la résistance de piqûre Rq au droit de la partie défectueuse de la couche photoréceptrice On obtient ensuite la condition pour interdire qu'une tension supérieure à la tension de claquage de la sous- couche soit appliquée à la sous-couche. On peut considérer que le courant s'écoule de l'élément de contact à la sous-couche suivant deux voies ou trajets conducteurs Le premier trajet conducteur est formé par le contact électrique de l'élément de contact et du fond du défaut de la couche photoréceptrice à travers les particules d'encre en poudre et/ou la saleté pénétrant dans le défaut, puisque, comme indiqué ci- dessus, celles-ci sont rendues conductrices dans le défaut Le second trajet conducteur est la paroi latérale du défaut. La structure de la région superficielle incluant le défaut peut être exprimée de manière équivalente par un circuit électrique tel que montré à la figure 1. Dans le circuit équivalent de la figure 1, la part de tension prise par la résistance de sous-couche Ad peut être exprimée par: Va x rq/(rq + Rq), o Va indique la tension appliquée à l'élément de contact La part de tension appliquée à la sous-couche est plus petite que la tension de claquage Vt de la sous- couche lorsque la relation suivante est vraie Ivt J 2 Ival x rq/(rq + Rq) si I Vt I |Va|, aucun claquage de la sous- couche ne se produit Par conséquent, l'intensité du courant j (p A) qui peut s'écouler dans le défaut de la couche photoréceptrice est: lil Donc, il est nécessaire que l'inégalité suivante soit satisfaite: Rq + rq 2 Va x 106/j ( 2) " Condition 2 " Si le défaut se développe jusqu'à devenir une piqûre, l'élément de contact vient en contact électrique avec le corps de tambour fait de métal par le trajet conducteur, comme décrit ci-dessus, au moyen des particules d'encre en poudre et/ou de la saleté Dans ce cas la résistance du trajet conducteur est très faible, puisque, comme décrit ci-dessus, la sous-couche de matière isolante n'est pas placée entre la couche photo réceptrice et le corps de tambour. Comme dans le cas de la condition 1 si Ivtl > Ival, Rq 2 Va x 106/k ( 3) si Va indique la tension appliquée à l'élément de contact, et k (p A) est la valeur de l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la piqûre, à savoir, une intensité de courant maximale définissant la limite supérieure de la chaleur produite par effet Joule capable d'empêcher une croissance supplémentaire de la piqûre. Ici, l'intensité du courant qui peut s'écouler dans le défaut, ou la piqûre, signifie l'intensité du courant maximal définissant la limite supérieure de la chaleur produite par effet Joule capable d'empêcher une croissance supplémentaire de la piqûre et d'empêcher la détérioration de l'élément de contact. Il est difficile de mesurer réellement la résistance de la piqûre Rq et la résistance de la sous- couche rq puisque la surface du défaut ou de la piqûre et l'intensité du courant qui la traverse sont également extrêmement réduites Ce qui est plus gênant, il a été trouvé que la résistance de piqûre rq ne coïncide pas avec la valeur calculée par la formule suivante: Rq = p x L/s o p est la résistivité volumique de l'élément de contact, l'épaisseur de l'élément de contact est L, et la surface du défaut, ou piqûre, est s. Pour être plus précis, on a trouvé les faits ( 1) et ( 2) suivants. ( 1) Une électrode est formée au droit d'une surface très petite d'une matière d'une résistivité volumique relativement élevée Un courant est délivré de façon concentrique dans la faible surface Dans ce cas, le trajet de courant se dilate pour devenir plus grand que la surface projetée de l'électrode La valeur de la résistance réellement mesurée est plus petite que la valeur de la résistance apparente, à savoir la valeur de la résistance induite à partir du trajet conducteur coïncidant du point de vue dimensionnel avec la surface de l'électrode, d'une valeur correspondant à la dilatation de la répartition de courant Ce phénomène est appelé un effet de frange En d'autres termes, la valeur de la résistance, obtenue de façon simple par l'intensité du courant s'écoulant à partir de l'élément de contact dans la piqûre et par la tension provoquant ce courant, est plus petite que la valeur de la résistance du trajet conducteur lui-même qui est formé par les matières étrangères placées dans la piqûre. ( 2) La caractéristique de la tension en fonction du courant de la matière de résistivité volumique relativement élevée n'est pas linéaire (c'est-à-dire n'est pas ohmique) mais ressemble à la caractéristique d'un semi-conducteur non linéaire Si, sous une tension appliquée, un courant s'écoule dans la piqûre à travers l'élément de contact fait d'une telle matière, la tension appliquée varie de façon non linéaire en fonction de l'intensité du courant qui s'y écoule Par conséquent, la résistance de l'élément de contact varie également en fonction de l'intensité du courant dans la piqûre. Par conséquent, dans le traitement de la résistance de piqûre rq et de la résistance de sous-couche ra, les deux faits ci-dessus doivent être pris en considération. Autrement, il est impossible d'obtenir les conditions réelles empêchant la détérioration du tambour photorécepteur et de l'élément de contact. Dans la description qui va suivre, le phénomène se rapportant au fait ( 1) est appelé "variation de la résistance en fonction de la surface" Le phénomène se rapportant au fait ( 2) est appelé "variation de la résistance en fonction du courant". La "variation de la résistance en fonction de la surface" de l'élément de contact signifie une variation de la résistance en fonction de la surface lorsque, dans un état o des électrodes de mesure de surfaces différentes sont amenées en contact avec une partie o l'élément de contact vient en contact avec la couche photoréceptrice, des courants sont provoqués entre les électrodes de mesure et l'électrode de l'élément de contact avec les mêmes densités de courant. La "variation de la résistance en fonction de la surface" de la souscouche signifie une variation de la résistance en fonction de la surface lorsque, dans un état o des électrodes de mesure de surfaces différentes sont amenées en contact avec le tambour photorécepteur comportant seulement la sous-couche, des courants sont provoqués, entre les électrodes de mesure et la couche conductrice (ou le corps de tambour), avec les mêmes densités de courant. La figure 2 est un schéma montrant un procédé pour mesurer la variation de la résistance en fonction de la surface de l'élément de contact selon la présente invention Dans cet exemple de mode de réalisation, l'objet à mesurer est un élément de contact comme un rouleau monocouche. Un élément de contact 101 est constitué d'un élément formant base conductrice 102, conformé en une tige, d'une couche élastique conductrice 103 déposée sur l'élément formant base 102 Des électrodes de mesure 104 à 106 avec des superficies différentes sont pressées contre la surface incurvée de l'élément de contact 101 à l'aide d'un moyen de pression, non représenté Des fils conducteurs partant des électrodes de mesure 104 à 106 sont connectés à un interrupteur 108, qui est relié à l'élément formant base conductrice 102, par l'intermédiaire d'une source de courant 109 dont la tension peut être pilotée (SOURCE MEASURE UNIT type 237, fabriquée par KEITHLEY Corporation, et la source de courant sera appelée source d'énergie) La source d'énergie 109 délivre du courant à une densité de courant fixe Les valeurs de résistance de l'élément de contact 101 par rapport aux électrodes de mesure peuvent être mesurées par la manoeuvre de l'interrupteur 108 Il est préférable de placer les électrodes de mesure 104 à 106 sur une partie centrale de l'élément de contact plutôt qu'au droit d'une partie extrémité de celui-ci La raison pour cela est que dans la partie centrale de l'élément de contact, la surface de dilatation du courant est plus grande que dans ses parties extrémités, de sorte que l'effet de frange peut être plus distinctement vérifié. La figure 3 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface, ainsi mesurée dans le procédé mentionné ci- dessus L'abscisse représente les valeurs logarithmiques de la surface de l'électrode de mesure, tandis que l'ordonnée, représente des valeurs logarithmiques de la résistance mesurée Les valeurs mesurées, lorsqu'elles sont portées sur le graphique, peuvent être reliées par une ligne droite inclinée à -B 1-B est défini comme la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface. La résistance de la sous-couche a été mesurée d'une manière similaire Les valeurs de résistance mesurées, lorsqu'elles sont portées sur le graphique, peuvent être reliées par une ligne droite inclinée à -a, différente de -B 1-a est défini comme la variation de la résistance de la sous-couche en fonction de la surface. Il va de soi que si la valeur de la résistance est inversement proportionnelle à la surface, ceci signifie que la résistance n'a pas de variation en fonction de la surface, B= 1 et a=l. La variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant signifie que la variation de la résistance en fonction du courant lorsqu'une électrode de mesure d'une certaine surface, qui est sensiblement égale à une surface S (cm 2) suivant laquelle l'élément de contact vient réellement en contact avec la couche photoréceptrice, est amenée en contact avec une partie de l'élément de contact o elle est en contact avec la couche photoréceptrice, et que des courants différents sont provoqués entre l'électrode de mesure et l'élément formant base conductrice de l'élément de contact. La figure 4 est un schéma montrant un procédé de mesure de la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant selon la présente invention Dans cet exemple de mode de réalisation, un élément de contact est un rouleau monocouche Dans les dessins qui suivent, dans un but de simplification, les mêmes parties sont désignées par les mêmes numéros repères. Un élément de contact 101 est constitué d'un élément formant base conductrice 102, conformé en une tige, et d'une couche élastique conductrice 103 disposée sur l'élément formant base 102 Une électrode de mesure 107 d'une certaine surface, qui est sensiblement égale à une surface S (cm 2) suivant laquelle l'élément de contact 101 vient réellement en contact avec la couche photoréceptrice, est pressée contre la surface de l'élément de contact 101 par un élément de pression, non représenté Une source d'énergie 109 est connectée entre l'électrode de mesure 107 et l'élément formant base conductrice 102 Une tension de charge provoquée entre l'élément de contact 101 et l'électrode de mesure 107 est mesurée en faisant varier l'intensité du courant s'écoulant entre l'électrode de mesure 107 et l'élément formant base conductrice 102, en obtenant ainsi les valeurs de courant et les rapports tension/courant ainsi obtenus En utilisant ces valeurs, on obtient la variation de la résistance de l'élément de contact 101 en fonction du courant L'électrode de mesure 107 est de préférence conformée de sorte que l'élément de contact contacte bien la couche photoréceptrice. La figure 5 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant, mesurée par le procédé montré à la figure 4. L'abscisse représente les valeurs logarithmes du courant, tandis que l'ordonnée représente les valeurs logarithmiques de la résistance Les valeurs mesurées sont portées sur le graphique logarithmique. Lorsque la résistance de l'élément de contact varie en fonction du courant, les valeurs mesurées sont reliées par une ligne droite inclinée à -y Cette valeur y est définie comme la variation de la résistance en fonction du courant Il va de soi que si la résistance ne varie pas en fonction du courant, y = 0. La description qui va suivre se rapporte à la façon d'obtenir la résistance de piqûre Rq et la résistance de sous-couche rt et aux conditions pour satisfaire les formules ( 1) à ( 3). " I Vt I Considérons la résistance de piqûre Rq. Sur le graphique de la figure 6, qui montre la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface, S (cm 2) indique la surface de contact d'une couche photoréceptrice et d'un élément de contact réels, et i (MA) représente l'intensité du courant qui s'écoule lorsqu'une tension, légèrement plus petite que la tension de claquage Vt (V), est appliquée à la surface de contact S (cm 2) de la sous-couche, et la densité de courant i/S (g A/cm 2) est constante La valeur de la résistance de l'élément de contact au droit d'une surface S (cm 2) du défaut de la couche photoréceptrice est la résistance de piqûre Rq La résistance Rq peut être exprimée par: log (Rq) = log (Ry) + B x log (S/s) ( 4) o Ry est la valeur de la résistance de l'élément de contact dans la surface S, et -B est la pente du graphique. La figure 7 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant Comme décrit ci-dessus, sur ce graphique, la surface de contact S (cm 2) de la couche photoréceptrice et de l'élément de contact réels est maintenue constante. Sur le graphique si i ("A) est l'intensité du courant qui s'écoule lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à la surface de contact S (cm 2) de la sous-couche, et i/S est la densité de courant (i/S), le point A de la figure 6 correspondant au point B de la figure 7 Les points A et B indiquent, respectivement, une surface mesurée et une intensité de courant à la même valeur de résistance La formule suivante est vérifiée: log (R) = log (Ry) + y x log (i/I) ( 5) o l'intensité du courant s'écoulant dans la couche photoréceptrice est I (g A) lorsque la tension Va est appliquée à l'élément de contact, et la valeur de la résistance de l'élément de contact o s'écoule le courant est R (f) En réarrangeant les formules ( 4) et ( 5), on obtient: log (Rq) = log (R) + B x log (S/s) y x log (i/I) ( 6) Considérons la résistance de sous-couche rg dans la partie de la sous- couche sur laquelle se projette le défaut de la couche photoréceptrice. Comme dans le cas de la résistance de piqûre Rq, on suppose que l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2), lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface, soit i (g A), et que la résistance de la sous-couche, lorsque le courant i (p A) s'écoule dans la surface, soit Rp (n), et que la variation de la résistance de la sous-couche en fonction de la surface soit 1-a, alors la résistance de la sous-couche rq peut être exprimée par: log (rq) = log (Rp) + a x log (S/s) ( 7) A partir des formules ( 1), ( 6) et ( 7), on obtient: log (R) 2 log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a-B) x log (S/s) + y x log (i/I) ( 8) > Considérons d'abord la résistance piqûre Rq. La figure 8 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface Sur le graphique, j (g A) indique l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la surface de la partie défectueuse S (cm 2) de la sous-couche, et la densité de courant j/s (MA/cm 2) est constante La valeur de la résistance de l'élément de contact dans la surface s est la résistance de piqûre Rq En supposant que la valeur de la résistance de l'élément de contact dans la surface S (cm 2) soit Rz, la formule suivante est vérifiée: log (Rq) = log (Rz) + B x log (S/s) ( 9) La figure 7 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant Comme décrit ci-dessus, sur ce graphique, la surface de contact S (cm 2) de la couche photoréceptrice et de l'élément de contact réels, est maintenue constante Si un courant j x S/s (p A) est délivré à la surface S (cm 2), le point C à la figure 8 correspond au point D de la figure 7 Les points C et D indiquent, respectivement, une surface mesurée et une valeur de courant pour la même valeur de résistance Rz La formule suivante est vérifiée: log (R) = log (Rz) + y x log {j x S/(I x s)} ( 10) o l'intensité du courant s'écoulant dans la couche photoréceptrice est I (p A) lorsque la tension Va est appliquée à l'élément de contact, et la valeur de la résistance de l'élément de contact lorsque ce courant s'écoule est R (i) En réarrangeant les formules ( 9) et ( 10) on obtient: log (Rq) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) ( 11) Considérons la résistance de la sous-couche rg dans la partie de la sous-couche Comme décrit ci-dessus la résistance de la sous-couche rg est donnée par: log (rq) = log (Rp) + a x log (S/s) ( 12) o Rp (i) est la résistance lorsque le courant j x S/s (MA) est appliqué à la surface S (cm 2) et la variation de la résistance de la sous-couche en fonction de la surface est 1-a A partir des formules ( 2), ( 11) et ( 12), on obtient: A + B k Va x 106/j ( 13) o log A = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log B = log (Rp) + a x log (S/s) > La figure 9 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface Sur ce graphique, k (p A) indique l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la surface de la partie piqûre S (cm 2), et la densité de courant k/s (p A/cm 2) est constante La valeur de la résistance de l'élément de contact dans la surface S est la résistance de piqûre Rq En supposant que la valeur de la résistance de l'élément de contact dans la surface S (cm 2) soit Rx, la formule suivante est vérifiée: log (Rq) = log (Rx) + B x log (S/s) ( 14) La figure 7 est un graphique montrant la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant Comme décrit ci-dessus, sur ce graphique, la surface de contact S (cm 2) de la couche photoréceptrice et de l'élément de contact réels est maintenue constante. Si un courant k x S/s (MA) est appliqué à la surface S (cm 2), le point F (figure 7) correspond au point E à la figure 9 Les points E et F indiquent, respectivement, une surface mesurée et une valeur de courant, pour la même valeur de résistance Rx La formule suivante est vérifiée: log (R) = log (Rx) + y x log {k x S/(I x s)} ( 15) o l'intensité du courant s'écoulant dans la couche photoréceptrice est I (MA) lorsque la tension Va est appliquée à l'élément de contact, et la valeur de la résistance de l'élément de contact lorsque ce courant s'écoule est R (n) En réarrangeant les formules ( 14) et ( 15) on obtient: log (Rq) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (k/I) ( 16) A partir des formules ( 3) et ( 16), on obtient: log (R) 2 log (Va x 106/k) + (y B) x log (S/s) + Y x log (k/I) ( 17) Les graphiques des figures 6 à 9 montrant la variation en fonction de la surface ou la variation en fonction du courant sont valables lorsque l'élément de contact et la sous-couche sont faits d'une matière spécifique Les mêmes graphiques sont également valables lorsqu'une autre matière est utilisée pour ces éléments, excepté que la pente et les segments sur le graphique sont différents de ceux des graphiques des figures 6 à 9. On va maintenant décrire un procédé de mesure de la résistance R (a) de l'élément de contact. L'élément de contact est pressé contre la couche photoréceptrice dans des conditions réelles (dans ce cas, la surface de contact est S (cm 2)> Le tambour photorécepteur est entraîné en rotation et déplacé dans des conditions réelles, et l'élément de contact est entraîné en rotation, fixé et déplacé dans des conditions réelles La tension Va est appliquée à l'élément de contact Dans le cas o l'élément de contact est un élément de transfert par contact, la mesure est faite dans l'état o il n'y a pas de support d'enregistrement d'image transférée, comme un papier d'impression, placé entre la couche photoréceptrice et l'élément de contact. Le courant I (AA) s'écoulant dans la couche photoréceptrice est mesuré dans cet état. La figure 10 est un schéma montrant un procédé de mesure de la résistance d'un élément de contact selon la présente invention Dans ce cas du mode de réalisation, l'objet à mesurer est un élément de contact 101, comme un rouleau monocouche. Une électrode métallique 110 est utilisée à la place du tambour photorécepteur L'élément de contact 101 est pressé contre l'électrode métallique 110 dans des conditions réelles L'électrode métallique 110 est entraînée en rotation dans le sens de la flèche W dans des conditions réelles L'élément de contact 101 est entraîné en rotation, fixé et déplacé dans des conditions réelles (dans le cas de la figure 10, il tourne en suivant la rotation de l'électrode métallique 110) Dans cet état, une source d'énergie 109, qui est connectée entre l'élément formant base conductrice 102 de l'élément de contact 101 et l'électrode métallique 110, est mise en oeuvre pour délivrer un courant I (j A) dans le circuit élément/électrode Une valeur de la résistance est calculée en utilisant la tension appliquée à ce moment. La résistance ainsi mesurée est définie comme étant la résistance R (a) de l'élément de contact. On va maintenant décrire le procédé de mesure de la tension de claquage Vt de la sous-couche et de sa résistance Rp. Une pièce d'essai utilisée est un corps de tambour ayant seulement une sous-couche déposée sur lui, sans couche photoréceptrice Le tambour, servant de couche de base, était fait d'une matière conductrice, comme un métal Un élément ayant une résistivité volumique au moins dix fois plus petite que la sous-couche, est pressé comme la pièce d'essai de manière à avoir une surface de S (cm 2) Une tension est appliquée entre l'élément à faible résistance et la couche conductrice du tambour photorécepteur Après que l'application de la tension a été maintenue pendant une période de temps prédéterminée, la tension est augmentée La tension est mesurée lorsque le diélectrique de la sous-couche subit un claquage. Il va sans dire, que si I Vt I diélectrique ne se produira jamais dans la sous-couche. La résistance de la sous-couche lorsque le courant j x S/s ("A) est délivré à la surface S (cm 2) est Rp (fa), o j (MA) est le courant qui peut s'écouler dans la surface s (cm 2) de la sous-couche. Si les valeurs R, Rp, Va, Vt, I, i, j, k, S, s, a, B, et y ainsi obtenues satisfont la formule ( 8), ( 13), ou ( 17), même si le tambour photorécepteur est détérioré par des piqûres, une détérioration notable de la qualité d'image et les dommages aux éléments seront évités. La même chose est vraie dans le cas o l'élément à charger et l'élément de contact sont supportés tout en étant écartés d'un espace minuscule entre eux La raison de cela est la suivante Puisque la résistance R est la résistance mesurée par le procédé montré à la figure 10, la résistance R reflète l'état du contact de la couche photoréceptrice et de l'élément de contact Dans ce cas, la surface de contact S n'existe pas puisque l'élément à charger n'est pas en contact avec l'élément de contact. Par conséquent, la résistance de l'élément de contact, mesurée lorsque le courant I (g A) est délivré à l'élément de contact dans des conditions d'utilisation réelles dans l'état o l'élément à charger est remplacé par l'électrode métallique, est définie comme la résistance R Dans ce cas, le terme indiquant la variation en fonction de la surface est 0 (zéro) Par conséquent, log (S/s) dans les formules ( 8), ( 13) et ( 17) est 0. Dans le cas o l'élément à charger n'a pas de sous- couche et o la couche photoréceptrice est directement appliquée sur la couche conductrice, un défaut de la couche photoréceptrice, si celle-ci est traversée, est une piqûre Par conséquent seul le cas ( 2) pour le tambour défectueux est valable pour le tambour photorécepteur n'ayant pas de sous-couche En d'autres termes, la satisfaction de l'inégalité ( 17) suffit pour ce tambour. On va maintenant décrire l'application de l'invention à un appareil réel de formation d'images basé sur un système électrophotographique. La figure 11 montre des vues en coupe représentant schématiquement des éléments de charge formant des dispositifs de charge par contact selon la présente invention A la figure 11, un élément de charge 10 est en contact avec un élément à charger 50, et les mêmes parties sont désignées par les mêmes numéros repères. A la figure 11 (a) l'élément de charge 10 prend la forme d'un rouleau Une couche élastique conductrice 12 est déposée sur un élément formant base conductrice 11. L'élément formant base conductrice il est fait de l'un quelconque d'unmétal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 12 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières d'un groupe de matières a) qui sera défini plus loin et d'une matière choisie à partir de celles de groupes de matières b)-1 à b)-4. A la figure 11 (b) l'élément de charge 10 prend également la forme d'un rouleau Une couche élastique conductrice 12 est déposée sur un élément formant base conductrice 11 L'élément formant base conductrice 11 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 12 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe a) et d'une matière choisie à partir des matières des groupes b)-1 à b)-4 La couche de surface 13 est faite principalement d'une matière prise parmi les matières de groupes de matières c)-l à c)-3. A la figure 11 (c), l'élément de charge 10 prend également la forme d'un rouleau Une couche élastique conductrice 12 est déposée sur un élément formant base conductrice 11 Une couche résistante 14 est déposée sur la couche élastique conductrice 12 L'élément formant base conductrice 11 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue. Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 12 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe a) et d'une matière choisie parmi celles des groupes b)-1 à b)-4 La couche résistante 14 est faite principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a), et des matières prises parmi celles des groupes c)-1 à c)-3. La couche élastique conductrice est du type compact ou du type à base de mousse Lorsqu'elle est du type à base de mousse, les diamètres de cellule des cellules dans la région de base de la couche peuvent être plus grands que les diamètres de cellule dans la région de surface Une couche superficielle compacte peut être placée sur la surface de la couche du type mousse La couche de surface protège la couche élastique conductrice, et empêche les composants à faible poids moléculaire, les composants n'ayant pas réagi, les additifs, ou analogues, de ressuer à partir de la couche élastique conductrice Dans le cas o l'élément de charge du type rouleau est utilisé, la vitesse périphérique du tambour photorécepteur peut être égale, ou différente de celle du rouleau. L'élément de charge 10 montré à la figure 11 (d) prend la forme d'une brosse rouleau Une brosse 15 est fixée ou collée sur un élément formant base conductrice 11 L'élément formant base conductrice 11 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La brosse 15 est faite principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et des matières choisies à partir de celles des groupes b)-1 à b)-4 et c)-1 à c)-3 En utilisation, ces matières sont employées sous forme de fibres. L'élément de charge 10 montré à la figure il(e) prend la forme d'une brosse plate Une brosse 15 est fixée ou collée sur un élément formant base conductrice 11 L'élément formant base conductrice il est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La brosse 15 est faite principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et des matières choisies à partir de celles des groupes b)- 1 à b)-4 et c)-1 à c)-3 En utilisation, ces matières sont employées sous forme de fibres. L'élément de charge 10 montré à la figure 11 (f) prend la forme d'une lame Une couche élastique conductrice 16 est fixée ou collée sur un élément formant base conductrice 11 L'élément formant base conductrice il est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 16 est faite principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et des matières choisies * à partir de celles des groupes b)-1 à b)-4 et c)-1 à c)- 3 En utilisation, ces matières sont relativement rigides et sont employées sous forme d'une plaque. L'élément de charge 10 montré à la figure il(g) prend la forme d'un film Un film conducteur 17 est fixé ou collé sur un élément formant base conductrice 11. L'élément formant base conductrice 11 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue Le film conducteur 17 est fait principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et des matières choisies à partir de celles des groupes b)-1 à b)-4 et c)-1 à c)-3 En utilisation, ces matières sont souples et sont employées sous forme d'une plaque. L'élément de charge 10 montré à la figure 11 (h) prend également la forme d'un film Un moyen du type feuille, constituée d'une couche résistante 14 déposée sur un film conducteur 18, est replié sans former de fronces La partie voulue du moyen du type feuille est fixée ou collée à un élément formant base conductrice 11. L'élément formant base conductrice 11 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue Le film conducteur 18 est fait principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et des matières choisies à partir de celles des groupes b)-l à b)-4 et c)-1 à c)-3 En utilisation, ces matières sont employées sous forme d'une étoffe effilochée La couche résistante 14 est faite principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a), et d'une matière choisie à partir de celles des groupes c)-l à c)-3. Pour l'élément de charge, il est nécessaire que la valeur de la résistance R, mesurée par le procédé montré à la figure 10, satisfasse l'une des formules ( 8), ( 13) et ( 17) La structure de l'élément de charge n'est pas limitée à celles représentées aux figures 11 (a) à il (h), et sa matière n'est pas limitée aux matières indiquées en relation avec ces figures La tension appliquée à l'élément de charge peut être une tension continue (courant continu) ou une tension formée par superposition d'une tension alternative sur une tension continue. L'étude menée par les inventeurs a montré que si une tension continue est appliquée à l'élément de charge, il existe une corrélation entre la valeur de la résistance R de l'élément de charge, qui est mesurée par le procédé montré à la figure 10, la tension appliquée Va, et le potentiel chargé Vs de l'élément à charger. Plus précisément, si la résistance R de l'élément de charge est d'environ 5 x 107 fl ou plus, la tension Va pour atteindre Vs = -600 V est Va sont désignées par les mêmes numéros repères. Dans l'élément de transfert 20 montré à la figure 12 (a), qui prend la forme d'un rouleau, une couche élastique conductrice 22 est déposée sur un élément formant base conductrice 21 L'élément formant base conductrice 21 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 22 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe de matières a) et d'une matière choisie à partir de celles des groupes de matières b)-l à b)-4. Dans l'élément de transfert 20 montré à la figure 12 (b), qui prend également la forme d'un rouleau, une couche élastique conductrice 22 est déposée sur un élément formant base conductrice 21 Une couche superficielle 23 est en outre déposée sur la couche élastique conductrice 22 L'élément formant base conductrice 21 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 22 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe de matières a) et d'une matière choisie à partir de celles des groupes de matières b)-l à b)-4 La couche superficielle 23 est faite d'une matière choisie à partir des matières des groupes c)-1 à c)-3. Dans l'élément de transfert 20 montré à la figure 12 (c), qui prend également la forme d'un rouleau, une couche élastique conductrice 22 est déposée sur un élément formant base conductrice 21 Une couche résistante 24 est en outre déposée sur la couche élastique conductrice 22 L'élément formant base conductrice 21 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La couche élastique conductrice 22 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe de matières a) et d'une matière choisie à partir de celles des groupes de matières b)-1 à b)-4 La couche résistante 24 est faite d'une matière choisie à partir des matières du groupe a) et d'une matière choisie à partir des matières des groupes c)-1 à c)-3. Dans l'élément de transfert 20 montré à la figure 12 (d), qui prend la forme d'une brosse rouleau, une brosse 25 est fixée ou collée sur un élément formant base conductrice 21 L'élément formant base conductrice 21 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue La brosse 25 est faite principalement d'une matière choisie parmi les matières du groupe de matières a), d'une matière choisie à partir de celles des groupes de matières b)-1 à b)-4, et d'une matière choisie à partir des matières des groupes c)-1 à c)-3. Pour l'élément de transfert, il est nécessaire que la valeur de la résistance R, mesurée par le procédé montré à la figure 10, satisfasse l'une des formules ( 8), ( 13) et ( 17) La structure de l'élément de charge n'est pas limitée à celles représentées aux figures 12 (a) à 12 (d), et sa matière n'est pas limitée aux matières indiquées en relation avec ces figures. a) Noir de carbone (par exemple, noir fourneau et noir d'acétylène), poudre d'oxyde métallique (par exemple, poudre d'ITO (oxyde d'indium et d'étain) et poudre de Sn O 2, métal, poudre d'alliage (par exemple, poudre d'Ag et poudre d'Al), sel (par exemple, sel d'ammonium quaternaire et perchlorate), résine conductrice (par exemple, polyacétylène et polypyrole). b)-1 Caoutchouc naturel b)-2 L'un quelconque ou un mélange des caoutchoucs synthétiques suivants: caoutchouc de silicone, caoutchouc au fluor, caoutchouc au phlorosilicone, caoutchouc uréthane, caoutchouc acrylique, caoutchouc à l'hydrone, caoutchouc butadiène, caoutchouc butadiène- styrène, caoutchouc butadiène-nitrile, caoutchouc isoprène, caoutchouc chloropyrène, caoutchouc isobutylène-isoprène, caoutchouc étylène-propylène, caoutchouc polyéthylène chlorosulfoné, Thiokol, et analogues. b)-3 Matière élastomère contenant de la résine styrolique, du chlorure de vinyle, de la résine polyuréthane, du polyéthylène, de la résine méthacrylique, ou analogue. b)-4 Caoutchouc mou, comme une mousse de polyuréthane, une mousse de polystyrène, une mousse de polyéthylène, une mousse d'élastomère, une mousse de caoutchouc, et analogues. c)-1 Un quelconque copolymère, ou mélange, des résines thermoplastiques suivantes: résine acrylique, comme le polyacrylate et le polyméthacrylate, résine styrénique, comme le polystyrène et le poly-1- méthylstyrène, résine butyral, chlorure de polyvinyle, fluorure de polyvinyle, fluorure de polyvinylidène, résine polyester, résine polycarbonate, résine de cellulose, résine polyarylique, résine polyéthylène, résine nylon. c)-2 Un quelconque copolymère, ou mélange des résines solubles dans l'eau suivantes: alcool polyvinylique, alcool polyallylique, polyvinylpyrrolidène, polyvinyle amine, amine polyacrylique, polyacrylate de vinyle, polyméthacrylate de vinyle, polyvinyle-acide sulfurique, polyacide lactique, caséine, hydroxypropylcellulose, amidon, gomme arabique, acide polyglutaminique, acide polyaspartique, résine nylon ou analogues. c)-3 Résine thermodurcissable, comme une résine époxy, une résine de silicone, une résine uréthane, une résine mélamine, une résine alkyde, une résine polyimide, une résine polyamide, des fluroplastiques, ou analogues. La figure 13 montre schématiquement des vues en coupe d'éléments à charger selon la présente invention. Un élément à charger 50 montré à la figure 13 (a) présente une structure à trois couches constituée d'un élément formant base conductrice 51, d'une sous-couche 52, et d'une couche diélectrique 53 en tant que couche photoréceptrice Un élément à charger 50 montré à la figure 13 (b) présente une structure à deux couches dans laquelle la couche diélectrique 53 est directement déposée sur la surface d'un élément formant base conductrice 51 sans utiliser de sous-couche 52 interposée entre eux La présente invention est applicable à toute une variété d'éléments à charger L'élément formant base conductrice 51 est fait de l'un quelconque d'un métal, d'un alliage, d'une résine chargée de carbone, d'une résine chargée de poudre métallique, ou analogue Le métal peut être l'un quelconque du fer, de l'aluminium, de l'acier inoxydable, du laiton, ou analogue. La sous-couche 52 peut être un film d'oxyde métallique fait de l'un quelconque de l'aluminium anodisé (A 1203), de l'oxyde de silicium, de la boehmite Al O(OH), du nitrure de silicium, du carbure de silicium, ou analogue, ou principalement d'une matière choisie à partir des matières du groupe a), et d'une matière choisie parmi celles des groupes c)-l à c)-3. La couche diélectrique 53 est une couche photoréceptrice contenant une matière photoconductrice organique ou inorganique ou faite d'une matière présentant une propriété d'isolation électrique, qui est choisie à partir des matières des groupes c)-l à c)-3. Une couche photoréceptrice est constituée de deux couches, une couche génératrice de charges (CGL) et une couche de transfert de charges (CTL) Elle est du type dit à séparation de fonctions Une autre couche photoréceptrice est constituée d'une couche unique dans laquelle une matière génératrice de charges (CGM) et une matière de transfert de charges (CTM) sont dispersées et rendues compatibles Une couche de protection, si nécessaire, est déposée par-dessus. Il est évident que la structure de l'élément à charger n'est pas limitée aux structures représentées à la figure 13, et que les matières constituant l'élément à charger ne sont pas limitées à celles dont il a été fait mention ci-dessus. On va maintenant décrire un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de charge par contact selon la présente invention. Un appareil de formation d'images schématiquement montré à la figure 14 utilise un élément de charge tel que montré à la figure 11 (a) et un élément à charger tel que montré à la figure 13 (a) Dans ce mode de réalisation, l'élément de charge est structuré de façon telle que sa résistance R, mesurée par le procédé montré à la figure 10, satisfasse l'une quelconque des formules ( 8), ( 13) et ( 17). Un élément à charger 50 constitué d'un élément formant base conductrice tubulaire 51, mis à la masse, d'une sous-couche 52 déposée sur celui-ci, et d'une couche diélectrique 53, comme couche photoréceptrice, déposée sur la sous-couche 52 En réponse à un signal de début de formation d'image, l'élément à charger 50 commence à tourner à une vitesse prédéterminée dans le sens d'une flèche W sous l'action d'entraînement d'un moyen d'entraînement, non représenté A ce moment, un rouleau 12 d'un dispositif de charge par contact 30 tourne en suivant la rotation de l'élément à charger 50. Pendant la rotation de ces composants, une étincelle se produit dans un espace, qui est formé de manière continue entre eux, en chargeant ainsi la surface de l'élément à charger 50 à un potentiel prédéterminé (par exemple, -600 (V". Dans le dispositif de charge par contact 30, une source d'énergie 60 applique une tension à l'élément formant base conductrice il de l'élément de charge 10, et un moyen de pression 61 presse le rouleau 12 contre l'élément à charger 50. La tension appliquée à l'élément formant base conductrice il pour charger l'élément à charger 50 à un potentiel prédéterminé, peut être une tension continue (courant continu) ou une tension formée par la superposition d'une tension alternative sur une tension continue La polarité de charge est déterminée en fonction des caractéristiques de la couche photoréceptrice utilisée. De la lumière 31, émise à partir d'un moyen de formation d'image latente, non représenté, forme, sur l'élément à charger 50, une image latente qui correspond à une image se trouvant sur un document original De l'encre en poudre, délivrée à partir d'un moyen de développement 32, est attirée électriquement sur l'image latente se trouvant sur l'élément à charger 50, de sorte que l'image latente est transformée en une image d'encre en poudre L'image d'encre en poudre sur l'élément à charger 50 est transférée, à l'aide d'un moyen de transfert 34, sur un support d'enregistrement d'image transférée 33 qui se déplace dans le sens de la flèche. L'image transférée est fondue et fixée sur le support d'enregistrement d'image transférée 33 par un moyen de fixage, non représenté. L'encre en poudre, laissée sur l'élément à charger après l'étape de transfert, est éliminée par un moyen de nettoyage 35, et si nécessaire, est exposée à une lumière de décharge 36 émise à partir d'une source de lumière, non représentée, pour assurer une élimination de la charge résiduelle Après quoi, l'élément à charger 50 est chargé de nouveau, à un potentiel prédéterminé, par le dispositif de charge par contact 30, en préparation pour le processus électrophotographique suivant. Le moyen de formation d'image latente peut être réalisé par un moyen connu, comme un système optique laser, une LED (diode émettrice de lumière) ou une LCS. Le moyen de développement 32 peut être l'un quelconque d'un moyen de développement à brosse magnétique à deux composants, d'un moyen de développement à brosse magnétique à un composant, d'un moyen de développement à saut à un composant, d'un moyen de développement par contact à pression à un composant, ou analogue L'encre en poudre, en tant qu'agent de développement, a la forme de particules de 5 à 20 (pm) faite d'une résine liant, comme une résine polyester et une résine acrylique styrénique, dans laquelle une matière colorante est dispersée Si nécessaire, on peut ajouter de manière externe ou de manière interne à la résine liant contenant l'agent colorant dispersé à l'intérieur, un agent tensio-actif (agent dispersant), un agent de contrôle de la charge, un agent de décalage de résistance, une charge, un agent d'amélioration de la fluidité L'agent tensio-actif est un savon métallique, du polyéthylène glycol, ou analogue L'agent de contrôle de la charge est un complexe organique capable d'accepter des électrons, un polyester chloré, l'acide nitrohumique, un sel d'ammonium quaternaire, un sel de pyridinium, ou analogue L'agent de décalage de résistance est, par exemple, le polypropylène La charge est, par exemple, du talc L'agent d'amélioration de la mobilité est Si O 2, Ti O 2, ou analogue L'encre en poudre est mélangée uniformément et dispersée dans l'unité de développement, et elle est chargée à un potentiel prédéterminé Dans l'unité de développement, elle peut être mélangée avec des porteurs Dans le développement inverse, la polarité de charge de l'encre en poudre est négative dans le cas o la polarité de charge de l'élément à charger est négative. Le moyen de transfert 34 peut être un moyen pour transférer de façon électrostatique l'image d'encre en poudre, comme par exemple un moyen de charge à effet corona, ou un dispositif de transfert par contact Le moyen de nettoyage 32 peut être un moyen de nettoyage à lame ou un moyen de nettoyage par brosse en feutre Une lampe à LED peut être utilisée comme lampe de décharge 36 La lampe de décharge 36 n'est pas essentielle pour la formation d'image. De cette façon, une image est formée sur le support d'enregistrement d'image transférée 33. La valeur de la résistance R de l'élément de charge utilisé dans ce mode de réalisation, qui est mesurée par le procédé de la figure 10, satisfait la formule ( 8), ( 13), ou ( 17) Par conséquent, l'image formée est exempte de bandes noires et il n'y a pas de détérioration de l'élément de charge Des images de grande qualité peuvent être produites de manière fiable. On va maintenant décrire un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de transfert par contact selon la présente invention. Un appareil de formation d'images schématiquement montré à la figure 15 utilise un élément de transfert tel que montré à la figure 12 (a) et un élément à charger tel que montré à la figure 13 (a) Dans ce mode de réalisation, l'élément de transfert est structuré de façon telle que sa résistance R, mesurée par le procédé montré à la figure 10, satisfasse l'une quelconque des formules ( 8), ( 13) et ( 17). Un élément à charger 50 constitué d'un élément formant base conductrice tubulaire 51, mis à la masse, d'une sous-couche 52 déposée sur celui-ci, et d'une couche diélectrique 53, comme couche photoréceptrice, déposée sur la sous-couche 52 En réponse à un signal de début de formation d'image, l'élément à charger 50 commence à tourner à une vitesse prédéterminée dans le sens d'une flèche W sous l'action d'entraînement d'un moyen d'entraînement, non représenté La surface de l'élément à charger 50 est chargée jusqu'à un potentiel prédéterminé, au moyen d'un moyen de charge 37 De la lumière 31, émise à partir d'un moyen de formation d'image latente, non représenté, forme, sur l'élément à charger 50, une image latente qui correspond à une image se trouvant sur un document original De l'encre en poudre, délivrée à partir d'un moyen de développement 32, développe l'image latente se trouvant sur l'élément à charger 50, en une image d'encre en poudre L'image d'encre en poudre sur l'élément à charger 50 est transférée, à l'aide d'un dispositif de transfert par contact 40, sur un support d'enregistrement d'image transférée 33 qui se déplace dans le sens de la flèche. L'image transférée est fondue et fixée sur le support d'enregistrement d'image transférée 33 par un moyen de fixage, non représenté. Dans le dispositif de transfert par contact 40, une tension de polarité opposée à la polarité de charge de l'image d'encre en poudre est appliquée à partir d'une source d'énergie 62 à l'élément formant base conductrice 21 Un moyen de pression 63 presse une couche élastique conductrice 22 contre l'élément à charger 50 L'élément de transfert 20 tourne avec la rotation de l'élément à charger 50. L'encre en poudre, laissée sur l'élément à charger après l'étape de transfert, est éliminée par un moyen de nettoyage 35, et si nécessaire, est exposée à une lumière de décharge 36 émise à partir d'une source de lumière, non représentée, pour assurer l'élimination de la charge résiduelle Après quoi, l'élément à charger 50 est chargé de nouveau, à un potentiel prédéterminé, par le moyen de charge 37, en préparation pour le processus électrophotographique suivant. Le moyen de charge peut être un moyen de charge à effet corona ou un dispositif de charge par contact. Pendant une période de temps allant jusqu'à ce que l'image d'encre en poudre sur l'élément à charger atteigne une position de transfert, l'élément de transfert peut être nettoyé par permutation de la source d'énergie avec une autre au moyen d'un interrupteur, non représenté Dans ce cas, la polarité de la tension de nettoyage est la même que la polarité de charge de l'encre en poudre. L'élément de transfert 20 peut être entrainé en rotation de manière forcée au moyen d'un mécanisme d'engrenages, ce qui ne peut pas être le cas de l'élément à charger 50. De cette façon, une image est formée sur le support d'enregistrement d'image transférée 33. La valeur de la résistance R de l'élément de transfert utilisé dans ce mode de réalisation, qui est mesurée par le procédé de la figure 10, satisfait la formule ( 8), ( 13), ou ( 17) Par conséquent, l'image formée est exempte de bandes noires et il n'y a pas de détérioration de l'élément de transfert Des images de grande qualité peuvent être produites de manière fiable. On va décrire en détail des exemples spécifiques de la présente invention. Un élément de charge d'un dispositif de charge par contact a été constitué d'éléments A à G de 22,5 cm de longueur réelle, qui sont énumérés ci-dessous Les éléments à charger étaient chacun un élément à charger tubulaire de 3 cm de diamètre constitué d'un élément formant baseconductrice tubulaire en aluminium, d'une sous-couche en aluminium anodisé de 8 Mom d'épaisseur et d'une couche diélectrique, comme couche photoréceptrice, de 20 gm d'épaisseur du type à charge par séparation de fonction/négative. A) Elément A L'élément A est un rouleau avec une couche élastique conductrice faite d'une mousse d'uréthane avec du noir de carbone qui y est ajouté de manière interne. Le rouleau est particularisé par une résistivité volumique de 107 fncm, une dureté "Asker" C de 300, un diamètre de cellule de 200 pm et une épaisseur de 5 mm. B) Elément B L'élément B est un rouleau avec une couche élastique conductrice faite d'une mousse d'uréthane à cellules ouvertes avec du noir de carbone qui y est ajouté de manière interne Le rouleau est particularisé par une résistivité volumique de 108 ncm, une dureté Asker C de 260, un diamètre de cellule de 10 Mim et une épaisseur de 5 mm. C) Elément C L'élément C est un rouleau avec une couche élastique conductrice faite d'un caoutchouc uréthane avec du perchlorate qui y est ajouté de manière interne Le rouleau est particularisé par une résistivité volumique de 9 x 1067 ncm, une dureté Asker C de 600, et une épaisseur de 5 mm. D) Elément D L'élément D est un rouleau avec une couche élastique conductrice faite d'une mousse au silicium avec du noir du carbone qui y est ajouté de manière interne (résistivité volumique: 105 ncm) Un tube de nylon, avec du perchlorate qui y est ajouté de façon interne (résistivité volumique: 5 x 109 ncm et épaisseur: 50 gm), est monté par emmanchement à chaud sur le rouleau avec la couche élastique conductrice déposée sur celui-ci (dureté Asker C de 600, et épaisseur de 5 mm). E) Elément E L'élément E est un rouleau avec une couche élastique conductrice faite d'une mousse au silicium avec du noir du carbone qui y est ajouté de manière interne (résistivité volumique: 105 ncm) Un tube de nylon, avec du noir de carbone qui y est ajouté de façon interne (résistivité volumique: 5 x 1010 ncm), est monté par emmanchement à chaud sur le rouleau avec la couche élastique conductrice déposée sur celui-ci (dureté Asker C.de 600, et épaisseur de 5 mm). F) Elément F L'élément F est une brosse utilisant des fibres de cellulose régénérée, avec du noir de carbone qui y est ajouté de façon interne, ( 600 (D)/100 (F), 100 000 (F/pouce 2), résistivité volumique 108 11 cm, longueur de brosse: 5 mm, et largeur de brosse 8 mm). G) Elément G L'élément G est un film de polyéthylène (résistivité volumique: 109 ncm et épaisseur: 40 gm, plié en deux (comme le montre la figure 11 (h)) et renforcé avec une couche d'aluminium, qui contient du noir de carbone qui y est ajouté de façon interne. Pour mesurer la résistivité volumique, l'objet à mesurer a été découpé en un bloc, ou une feuille, comme pièce d'essai, et a été mesuré par un appareil de mesure pour fortes résistivités (par exemple, HIGHREST IP, fabriqué par Mitsubishi Yuka Co, Ltd) dans un état tel. que 100 V sont appliqués à la pièce d'essai pendant une minute La mesure a été effectuée dans une ambiance désignée dans la suite par NN ( 200 C et 20 % de RH (humidité relative)) A moins qu'il en soit dit autrement, les mesures ultérieures seront effectuées dans l'ambiance NN. Des défauts ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger Chacun des éléments à charger détérioré par des défauts et chacun des éléments A à G a été placé dans un appareil de formation d'images montré à la figure 14 Des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Chaque fois que l'élément a été remplacé par un autre, l'élément à charger a été remplacé par un nouveau. Des défauts d'environ 0,3 mm de diamètre ou plus peuvent être détectés visuellement Par conséquent, les éléments à charger comportant des défauts aussi grand peuvent être éliminés avant d'être utilisés En gardant ceci à l'esprit, la taille du défaut à former dans l'élément à charger a été fixé à 0,3 mm de diamètre (sa surface a été fixée à 7 x 10-4 cm 2) comme taille critique par inspection visuelle Deux types de défauts ont été formés, l'un est appelé une piqûre (défaut du type traversant la sous-couche de même que la couche photoréceptrice) et l'autre est un défaut du type détruisant seulement la couche photoréceptrice (n'atteignant pas la sous-couche). Avant qu'une expérimentation soit menée, chaque élément à charger a été fixé à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14 La tension Va et l'intensité I, nécessaires pour charger un élément à charger à -600 V, ont été mesurées La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 3 cm/sec. Les résultats des mesures ont été Va = -1,16 k V et I = -6 MA. La résistance R de l'élément a été mesurée par le procédé de mesure de résistance montré à la figure 10. L'intensité délivrée était de -6 p A, et l'électrode métallique 110 était une électrode tubulaire de 3 cm de diamètre et elle était entraînée en rotation à la vitesse périphérique de 3 cm/sec Pour les éléments A à E, la charge de 1 kg était appliquée à l'élément pour le presser contre l'électrode métallique 110 Pour les éléments F et G, un espace de 3 mm a été conservé entre l'élément formant base conductrice et l'électrode métallique Les résultats sont présentés au tableau 1. Va était de -1,16 k V et la valeur de limitation du courant de la source d'énergie était de -20 g A Les résultats d'expérimentation sont également présentés dans le tableau 1. TABLEAU 1 Elément R (à Défaut Piqûre A 2 x 106 Bande noire Bande noire B 3 x 107 Bande noire Bande noire C 5 x 1 o 6Point noir Point noir D 2 x 107 Point noir Point noir E 1 x 107 Bande noire Bande noire F 6 x 106 Point noir Point noir G 6 x 106 Point noir Point noir Comme le montre le tableau 1, l'état (bandes noires ou points noirs) des images formées en utilisant les couches photoréceptrices détériorées par des défauts et des piqûres n'avaient aucune relation avec les valeurs de résistance R des éléments Dans le cas des images contenant seulement des points noirs, on peut considérer que l'on a pris ainsi une mesure capable de résoudre les problèmes de piqûres. A partir de ceci, on voit que la mesure classique d'augmentation de la résistance de l'élément ou de la résistivité volumique de l'élément, et la mesure consistant à construire l'élément en une structure multicouche ne parvient pas à résoudre le problème des piqûres. Pour vérifier les effets de l'invention, les mesures suivantes ont été effectuées Une pièce d'essai a été construite dans laquelle seulement une sous-couche faite d'une couche d'aluminium anodisé de 8 &m d'épaisseur a été formée sur un élément formant base conductrice tubulaire en aluminium La tension de claquage Vt de la sous-couche et la valeur de la résistance Rp de la sous-couche ont été mesurées La superficie S d'une électrode amenée en contact avec la surface de la sous-couche était de 6,57 cm 2 (correspondant à une largeur de ligne de pincement de 3 mm) Les résultats de la mesure ont été: Vt (tension de claquage) = -300 V et Rp (résistance) = 2 x 106 n Par conséquent, i = -300/( 2 x 106) = -150 x 10 6 = -150 MA. La variation de la résistance de la sous-couche en fonction de la surface a été mesurée La superficie d'électrode a été fixée à quatre niveaux: 6,75 cm 2, 1 cm 2, 0,5 cm 2, et 0,1 cm 2 La densité de courant était de {-300/( 2 x 10 6)}/6,75 = -22,2 x 10 = -22,2 g A/cm 2 Les valeurs mesurées, comme le montre la figure 3, ont été portées sur un graphique dont l'abscisse représente une valeur logarithme de la surface et l'ordonnée une valeur logarithmique de la résistance La ligne reliant les valeurs mesurées formait une ligne droite inclinée à -1. Par conséquent, a = 1. Puis, une piqûre de 0,3 mm de diamètre a été formée dans l'élément de charge Une valeur de courant admissible, au-dessous de laquelle aucun agrandissement supplémentaire de la piqûre ni aucune détérioration supplémentaire de l'élément ne se produisent, a été mesuree. Le courant a été augmenté graduellement tout en observant l'état de la piqûre et de l'élément Le courant auquel la piqûre commence à croître ou le courant auquel la détérioration de l'élément commence, a été mesuré. L'élément utilisé était l'élément A Un courant constant a été appliqué pendant 30 minutes Comme résultat, il n'a été observé aucun agrandissement de la piqûre ni aucune détérioration de l'élément jusqu'à ce que le courant ait été augmenté jusqu'à -3 MA Par conséquent, k = -3 AA. Puisque la tension de claquage Vt de la sous-couche est de -300 V, I Vt I couche photoréceptrice. La variation 1-B en fonction de la surface et la variation y en fonction du courant, de la résistance des éléments A à G ont été mesurées. Pour la mesure de la variation de la résistance de l'élément en fonction de la surface, la superficie d'électrode a été fixée à quatre niveaux: 6, 75 cm 2, 1 cm 2, 0,5 cm 2, et 0,1 cm 2 La densité de courant a été fixée à deux niveaux: {-300/( 2 x 10-6)}/6,75 = -22,2 x 106 l -22,2 p A/cm 2 l et {-3 x 10-6/7 x 10-4) = -4,3 x 10 3 l-4,3 m A/cm 2)l Pour les densités de courant respectives, les valeurs mesurées, comme le montre la figure 3, ont été portées sur un graphique dont l'abscisse représente une valeur logarithme de la superficie et l'ordonnée représente une valeur logarithmique de la résistance On a obtenu la pente d'une ligne droite formée en reliant les valeurs mesurées, et par conséquent B. Pour la mesure de la variation de la résistance de l'élément en fonction du courant, la surface d'électrode a été fixée à 6,75 cm 2 et la densité de courant a été fixée à quatre niveaux: -0,1 j A, -1 p A, -6 AA et -100 p A Les valeurs mesurées ont été portées sur un graphique dont l'abscisse représente une valeur logarithmique du courant et dont l'ordonnée représente une valeur logarithmique de la résistance, comme le montre la figure 4 On a obtenu la pente d'une ligne droite formée en reliant les valeurs mesurées, et donc y. Les valeurs de B et y des éléments A à G sont présentées dans le tableau 2 La densité de courant 1 est de -22,2 g A/cm 2, et la densité de courant 2 est de -4,3 m A/cm 2 Les valeurs de résistance de ces éléments sont également présentées dans le tableau 2. TABLEAU 2 Elément R (à Densité de Densité de 7 courant 1 courant 2 A 2 x 106 0,65 0,63 0,55 B 3 x 107 0,78 0,74 0,66 C 5 x 106 0,96 0,96 0,02 D 2 x 107 1,00 1,00 0,24 E 1 x 107 0,80 0,77 0,70 F 6 x 106 0,90 0,90 0,42 G 6 x 106 0,95 0,95 0,20 Un contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 8) ou ( 17) était ou non, satisfaite, en utilisant les valeurs montrées dans le tableau 2, Va = - 1.160 V, S/s = 9 600, i/I = 25, k/I = 0,5, a = 1, Vt = - 300 V, et Rp = 2 x 106 n. Les résultats du contrôle sont présentés dans le tableau 3. TABLEAU 3 Formule ( 8) Formule ( 17) Elément log (R) Côté Côté Satisfaite droit Satisfaite droit A 6,3 x 8,9 x 8,0 B 7,5 x 8,6 x 7,9 C 6,7 x 7,0 o 4, 9 D 7,3 O 7,1 o 5,5 E 7,0 x 8,6 x 8,0 F 6,8 x 7,8 o 6,6 G 6,8 x 7,3 o 5,6 Dans le tableau 3, les valeurs de la résistance R sont exprimées en valeurs logarithmiques Dans les colonnes des formules ( 8) et ( 17), o indique que la formule est satisfaite, et x indique que la formule n'est pas satisfaite Les valeurs calculées du côté droit de la formule sont également présentées. Si on compare les tableaux 1 et 3, on voit que, dans le cas des éléments dont les défauts n'ont pas augmenté jusqu'à devenir des piqûres et dont la détérioration d'image provoquée par les défauts reste des points noirs, soit la formule ( 8) soit la formule ( 17) est vérifiée. Dans un autre essai, les éléments C, D, F et G, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixés à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 Il a été vérifié qu'aucune image comportant des bandes noires n'a été observée. Les éléments à charger étaient chacun un élément à charger tubulaire de 3 cm de diamètre constitué d'un élément formant base conductrice tubulaire en aluminium, d'une sous-couche 10 gm d'épaisseur faite de nylon de résistance moyenne et d'une couche diélectrique, comme couche photoréceptrice, de 20 gm d'épaisseur du type à charge par séparation de fonction/négative. Comme dans l'exemple 1, des défauts ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger Chacun des éléments à charger détérioré par des défauts et chacun des éléments A à G a été placé dans un appareil de formation d'images montré à la figure 14 Des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Chaque fois que l'élément a été remplacé par un autre, l'élément à charger a été remplacé par un nouveau. Avant qu'une expérimentation soit menée, chaque élément à charger a été fixé à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14 La tension Va et l'intensité I, nécessaires pour charger un élément à charger à -600 V, ont été mesurées La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 3 cm/sec. Les résultats des mesures ont été Va = -1,16 k V et I = -6 g A. Va était de -1,16 k V et la valeur de limitation du courant de la source d'énergie était de -20 MA Les résultats d'expérimentation sont également présentés dans le tableau 4. Une pièce d'essai a été construite dans laquelle seulement une souscouche faite d'une couche de nylon de résistance moyenne de 10 gm d'épaisseur a été formée sur un élément formant base conductrice tubulaire en aluminium La tension de claquage Vt de la sous-couche et la valeur de la résistance Rp de la sous-couche ont été mesurées La superficie S d'une électrode amenée en contact avec la surface de la sous-couche était de 6,57 cm 2 (correspondant à une largeur de ligne de pincement de 3 mm) Les résultats de la mesure ont été: Vt (tension de claquage) = -1 000 V et Rp (résistance) = 1 x 107 n i = -1.000/( 1 x 107) = -100 x 10 6 = _ 100 g A. La variation de la résistance de la sous-couche en fonction de la surface a été mesurée La superficie d'électrode a été fixée à quatre niveaux: 6,75 cm 2, 1 cm 2, 0,5 cm 2, et 0,1 cm 2 La densité de courant était de {-1 000/( 1 x 10-7)}/6,75 = -14,8 x 10-6 = -14,8 MA/cm 2. Les valeurs mesurées, comme le montre la figure 3, ont été portées sur un graphique dont l'abscisse représente une valeur logarithme de la surface et l'ordonnée une valeur logarithmique de la résistance La ligne reliant les valeurs mesurées formait une ligne droite inclinée à -0,95 Par conséquent, a = 0,95. Puis, une piqûre de 0,3 mm de diamètre a été formée dans l'élément de charge Une valeur de courant admissible, au-dessous de laquelle aucun agrandissement supplémentaire de la piqûre ni aucune détérioration supplémentaire de l'élément ne se produisent, a été mesurée. Le courant a été augmenté graduellement tout en observant l'état de la piqûre et de l'élément Le courant auquel la piqûre commence à croitre ou le courant auquel la détérioration de l'élément commence, a été mesuré. L'élément utilisé était l'élément A Un courant constant a été appliqué pendant 30 minutes Comme résultat, il n'a été observé aucun agrandissement de la piqûre ni aucune détérioration de l'élément jusqu'à ce que le courant ait été augmenté jusqu'à -0,5 MA Par conséquent, k = - 0,5 g A. Puisque la tension de claquage Vt de la sous-couche est de - 1 000 V, I Vt I la couche photoréceptrice. La variation des éléments A à G en fonction de la surface dépend peu de la densité de courant, comme le montre le tableau 2 Par conséquent, la densité de courant 1 dans le tableau 2 a été utilisée pour la variation en fonction de la surface. Un contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 8) ou ( 17) était ou non, satisfaite, en utilisant les valeurs B et y montrées dans le tableau 2, Va = -1 160 V, S/s = 9 600, i/I = 16,7, k/I = 0,083, a = 0,95, Vt = -1 000 V, et Rp = 1 x 107 a. Les résultats du contrôle sont présentés dans le tableau 4. TABLEAU 4 Formule ( 8) Formule ( 17) Elément Image log (R) Côté Côté Satisfaite droit Satisfaite droit A BS 6,3 x 8,2 x 8,3 B BS 7,5 x 7,8 x 8,1 C BD 6,7 o 6,3 o 5,5 D BD 7,3 o 6,4 o 6,0 E BS 7,0 x 7,8 x 8,1 F BS 6,8 x 7,0 x 6,9 G BD 6,8 o 6,5 o 6,1 Au tableau 4, dans la colonne "Image", BS et BD indiquent, respectivement, une bande noire et un point noir Les valeurs de la résistance R sont exprimées en valeurs logarithmiques Dans les colonnes des formules ( 8) et ( 17), o indique que la formule est satisfaite, et x indique que la formule n'est pas satisfaite Les valeurs calculées du côté droit de la formule sont également présentées. Comme le montre le tableau 4, dans le cas des éléments dans lesquels la détérioration de l'image formée par l'élément reste des points noirs, l'une ou l'autre des formules ( 8) et ( 17) est satisfaite En comparant les tableaux 3 et 4, on voit que lorsque l'on remplace un élément à charger par un autre, la détérioration de l'image (bandes noires et points noirs) est changé en un autre type de détérioration d'image si le même élément est utilisé. Dans un autre essai, les éléments C, D, et G, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixés à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 Aucune image comportant des bandes noires n'a été observée. Les éléments C, D, F et G, qui avaient surmonté les problèmes de piqûres dans l'exemple 1, ont été utilisés comme éléments de charge On a utilisé le même élément à charger que celui qui était utilisé dans l'exemple 1 Un contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que l'appareil utilisant ces éléments est, ou non, capable de surmonter les problèmes de piqûres Pour le contrôle on a effectué des mesures dans des ambiances différentes de celle de l'exemple 1; à savoir, l'ambiance LL ( 100 C et % de RH) et l'ambiance HH ( 350 C et 65 % de RH). Avant qu'une expérimentation soit menée, chaque élément à charger a été fixé à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14 La tension Va et l'intensité I, nécessaires pour charger un élément à charger à -600 V, ont été mesurées dans les différentes ambiances La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 3 cm/sec Les résultats des mesures ont été Va = -1,16 k V et I = -6 g A, même dans les ambiances différentes. Comme dans l'exemple 1, des défauts ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger Dans des conditions o Va était de -1,16 k V et o la valeur de limitation du courant de la source d'énergie était de -20 p A, des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Chaque fois que l'élément a été remplacé par un autre, l'élément à charger a été remplacé par un nouveau Les résultats de l'examen sont présentés dans le tableau 7. Puis la tension de claquage Vt de la sous-couche, la valeur de la résistance Rp de la sous-couche et la variation 1-a de la résistance en fonction de la surface ont été mesurées En outre, une piqûre de 0,3 mm de diamètre a été formée dans l'élément de charge Une valeur de courant admissible k, au-dessous de laquelle aucun agrandissement supplémentaire de la piqûre ni aucune détérioration supplémentaire de l'élément ne se produisent, a été mesurée Les résultats des mesures dans les ambiances LL et HH, et en plus dans l'ambiance NN sont présentés dans le tableau 5. TABLEAU 5 LL NN HH Vt (V) -400 -300 -250 Rp(S 6 x 106 2 x 106 9 x 105 Vt I Rp (p A) -67 -150 - 278 cc 1 1 1 k(p A) -3 -3 -3 Les résultats du tableau 5 montrent que la tension de claquage Vt de la sous-couche, et la résistance Rp de la sous-couche varient en fonction de l'ambiance. Puisque I Vt I ou ( 17) doit être satisfaite. Les résultats des mesures de la valeur de la résistance R, de la variation 1-B de la résistance en fonction de la surface et de la variation y de la résistance en fonction du courant, pour des éléments C, D, F et G sont présentés dans le tableau 6 Dans ce tableau, les valeurs de B ont été obtenues à des densités de courant de -9,9, -22,2, -41,2 p A/cm 2 dans les ambiances LL, NN et HH Les valeurs mesurées dans l'ambiance NN sont également présentées dans le tableau 6. TABLEAU 6 LL NN HH EIém R 'y Y R 'Y R 'Y C 2 x 1070, 98 0,02 5 x 1060,96 0,02 1 x 1060,90 0,02 D 6 x 1071,00 0,24 2 x 1071,00 0,24 2 x 1061,00 0,24 F 1 x 1070,95 0,42 6 x 1060,90 0,42 3 x 1060,85 0,42 G 8 x 1061,00 0,20 6 x 1060,95 0,20 3 x 1060,92 0, 20 Le tableau 6 montre que la résistance R de l'élément, de même que la résistance Rp de la sous- couche, dépendent de l'ambiance, mais que la variation 1- B de la résistance en fonction de la surface et que la variation y de la résistance en fonction du courant de l'élément dépendent peu de l'ambiance. Le contrô 161 e a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 8) ou ( 17) est, ou non, satisfaite, en utilisant les valeurs montrées dans les tableaux 5 et 6, Va = -1 160 V et S/s = 9 600 Le tableau 7 montre également les résultats de ce contrôle. TABLEAU 7 LL NN HH EIém Image ( 8) ( 17)Image ( 8) ( 17)Image ( 8) ( 17) C BD o o BD x o BD x o 7,2 4,8 7,0 4,9 7,0 5,1 D BD o o BD o o BD o o 7,3 5,5 7,1 5,5 6,9 5,5 F BD x o BD x o BS x x 7,7 6,4 7,8 6,6 7,8 6,8 G BD x o BD x o BD x o 7,3 5,4 7,3 5,6 7,2 5,7 Au tableau 7, dans la colonne "Image", BS et BD indiquent, respectivement, une bande noire et un point noir Dans les colonnes des formules ( 8) et ( 17), o indique que la formule est satisfaite, et x indique que la formule n'est pas satisfaite Les valeurs calculées du côté droit de la formule sont également présentées. * Comme le montre le tableau 7, lorsque l'ambiance de mesure est remplacée par une autre ambiance, l'un des éléments forme, par la piqûre, une bande noire dans l'image On voit également en outre que dans ce cas, le point noir n'est pas changé en une bande noire si l'une ou l'autre des formules ( 8) et ( 17) est satisfaite On confirme ainsi en conséquence le fait que la présente invention est valable quelle que soit l'ambiance. Dans un autre essai, les éléments C, D, et G, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixes à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4, dans une pièce dont la température et l'humidité n'étaient pas réglées Aucune image comportant des bandes noires n'a été observée. . La valeur limitée du courant de la source d'énergie qui applique une tension à l'élément est la somme du courant I (g A) nécessaire pour charger l'élément à charger jusqu'à un potentiel prédéterminé et de l'intensité du courant k (g A) qui peut s'écouler dans la piqûre Comme dans l'exemple 1, des défauts chacun de 0,3 mm de diamètre ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger Des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Les éléments C et D ont été utilisés comme éléments de charge On a utilisé le même élément à charger que celui qui avait été utilisé dans l'exemple 1. Des images ont été formées sur 1 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 dans les ambiances LL à HH Les images formées étaient d'une qualité excellente, et ne présentaient pas de bandes noires provoquées par les piqûres. En faisant la synthèse des résultats ci-dessus et des résultats de l'exemple 3, on voit que si la capacité de la source d'énergie P satisfait la condition suivante: P 2 Va x (I + k) x 10-6 (W), des images de qualité peuvent être formées. Dans un autre essai, les éléments C, D, et G, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixés à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4, dans une pièce dont la température et l'humidité n'étaient pas réglées Aucune bande noire n'a été observée dans les images. . Les éléments C, D et G ont été utilisé comme éléments de charge Une couche photoréceptrice ne comportant pas de sous-couche a été utilisé comme élément à charger L'élément à charger utilisé était chacun un élément à charger tubulaire de 3 cm de diamètre constitué d'un élément formant base conductrice tubulaire en aluminium et d'une couche diélectrique, comme couche photoréceptrice, de 20 Mm d'épaisseur du type à charge par séparation de fonction/négative La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 1,5 cm/sec, ce qui est différent de celles des exemples déjà décrits. La tension Va et l'intensité I, nécessaires pour charger un élément à charger à -600 V, ont été mesurées. Les résultats des mesures ont été Va = -1,16 k V et I = -3 MA. Une piqûre de 0,3 mm de diamètre a été formée intentionnellement dans l'élément de charge Une valeur de courant admissible au-dessous de laquelle aucun agrandissement supplémentaire de la piqûre ni aucune détérioration supplémentaire de l'élément ne se produisent, a été mesurée comme dans l'exemple 1 La valeur de l'intensité du courant était de -3 MA. Des défauts chacun de 0,3 de diamètre ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger. Dans le cas o Va était de -1,16 k V et o le courant limité de la source d'énergie était de -6 SA en utilisant un élément de charge dans lequel était formée une piqûre de 0,3 mm de diamètre, des images ont été formées réellement et l'état des images a été examiné Les résultats ont été que les éléments C et D produisaient de bonnes images, mais que l'élément E produisait une image détériorée par une bande noire. Dans cet exemple, la sous-couche n'est pas utilisée Par conséquent, la satisfaction de seulement l'inégalité ( 17) suffit comme mesure pour résoudre le problème de piqûres Il a été contrôlé si l'inégalité ( 17) était, ou non, satisfaite Les résultats ont été que : les éléments C et D satisfaisaient l'inégalité ( 17), mais que l'élément E ne satisfait pas l'inégalité On voit également à partir de ce fait que la formation de bandes noires peut être éliminée si l'inégalité ( 17) est satisfaite même dans le cas o l'on utilise une couche photoréceptrice n'ayant pas de sous-couche. . Les éléments C et D ont été utilisés comme éléments de charge On a utilisé le même élément à charger que dans l'exemple 1 La tension appliquée à l'élément de charge était formée par superposition d'une tension alternative sur une tension continue La tension continue était de -600 V, la tension de crête à crête de la tension alternative était de 1,4 k V, la fréquence de la tension alternative était de 0,8 k Hz, et la forme d'onde de la tension alternative était sinusoïdale Pour le reste les spécifications étaient les mêmes que celles de l'exemple 1. Avant qu'une expérimentation soit menée, chaque élément de charge a été fixé à l'appareil de formation d'images montré à la figure 14 Un essai de charge de l'élément à charger a été effectué Les résultats de la mesure ont été que l'élément à charger était chargé à - 600 V, et que l'intensité du courant s'écoulant à ce moment était de -6 g A. Comme dans l'exemple 1, des défauts ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger Chacun des éléments à charger détérioré par des défauts et chacun des éléments C et D a été placé dans un appareil de formation d'images montré à la figure 14 Des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Chaque fois que l'élément a été remplacé par un autre, l'élément à charger a été remplacé par un nouveau Les résultats ont été que les éléments C et D produisaient des images contenant des points noirs mais pas de bandes noires. Les valeurs de résistance R des éléments C et D sont définies par -6 g A du courant qui leur est fourni, et par Va = (tension continue) + (valeur efficace de la tension alternative) = -600 495 = -1 095 V Le calcul a été fait pour contrôler si la formule ( 8) ou la formule ( 17) était, ou non, satisfaite, comme dans l'exemple 1. Les deux éléments C et D satisfaisaient la formule ( 17). En outre, lorsque Va = (tension continue) + (valeur efficace de la tension alternative) = -600 1 400 = - 2.000 V, les deux éléments C et D satisfaisaient la formule ( 17) Dans un autre essai, les éléments C et D et un élément à charger ne présentant pas de défauts ont été placés dans l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée du format A 4 en appliquant la tension, formée en superposant la tension alternative à la tension continue, à l'élément de charge, pour le charger par ce moyen Aucune image ayant une bande noire n'a pu être observée. On a ainsi vérifié le fait que, même lorsque la tension formée par superposition de la tension alternative à la tension continue est appliquée à l'élément de charge, si la somme de la tension et de la valeur efficace, ou de la valeur de pointe, de cette tension est Va, les effets obtenus sont comparables à ceux obtenus dans le cas de l'utilisation de la tension continue. . Les éléments de charge pour un dispositif de charge par contact étaient les éléments AA à AE structurés de telle façon que les couches superficielles, (les couches résistantes) (décrites ci-dessous) soient formées sur les surfaces des éléments A montrés dans l'exemple 1 La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 3 cm/sec Va = -1, 16 k V et I = -6 MA ont été nécessaires pour charger la surface à - 600 V. Elément AA: La couche superficielle de cet élément était une couche de résine uréthane, de 20 pm d'épaisseur, contenant du noir de carbone qui lui a été ajouté de façon interne. Elément AB: La couche superficielle de cet élément était une couche de résine nylon soluble dans l'alcool, de 20 pm d'épaisseur, contenant du noir de carbone qui lui a été ajouté de façon interne. Elément AC: La couche superficielle de cet élément était une couche de résine nylon soluble dans l'alcool, de 20 m d'épaisseur, contenant du perchlorate qui lui a été ajouté de façon interne. Elément AD: La couche superficielle de cet élément était une couche de résine nylon soluble dans l'eau, de 20 Mm d'épaisseur, contenant du noir de carbone qui lui a été ajouté de façon interne. Elément AE: La couche superficielle de cet élément était une couche de résine de polybutyral de vinyle, soluble dans l'eau, de 20 Mom d'épaisseur, contenant du noir de carbone qui lui a été ajouté de façon interne. Une certaine quantité d'un agent conducteur ajouté a été ajusté de telle façon que les valeurs de résistance de ces éléments AA à AE soient de 1 x 107 fi dans l'ambiance NN Le procédé de mesure montré à la figure 10 a été utilisé pour ce réglage. Les résultats des mesures de la valeur de la résistance R, de la variation 1-B de la résistance en fonction de la surface et de la variation y de la résistance en fonction du courant, dans les ambiances respectives, comme dans l'exemple 3, sont présentés dans le tableau 8. TABLEAU 8 LL NN HH Elém R Y R R AA 3 x 1070,98 0, 35 1 x 1070,95 0,26 5 x 1060,95 0,22 AB 2 x 1070,95 0,44 1 x 1070, 93 0,35 6 x 1060,93 0,32 AC 5 x 1071,00 0,36 1 x 1071,00 0,15 3 x 1060,95 0,10 AD 9 x 1071,00 0,88 1 x 1070,90 0,66 1 x 1060,85 0,35 AE 1 x 1081,00 0,80 1 x 1070,95 0,52 2 x 1060,92 0,40 Comme le montre le tableau 8, la résistance R, la variation 1-B de la résistance en fonction de la surface, et la variation y en fonction de la résistance en fonction du courant de ces éléments variaient en fonction des ambiances Ceci est légèrement différent du contenu présenté au tableau 6 La variation 1-B de la résistance en fonction de la surface dépend de l'élément utilisé, mais elle diminue globalement avec l'augmentation de la valeur de la résistance de l'élément La variation y en fonction du courant à tendance à être grande lorsque la résistance de l'élément augmente. Puis, des défauts chacun de 0,3 de diamètre ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger. Chacun des éléments à charger détériorés par des défauts, et chacun des éléments AA à AE a été placé dans l'appareil de formation d'images montré à la figure 14. Des images ont été formées réellement dans les ambiances LL, NN et HH et les états des images ont été examinés La valeur limitée du courant de la source d'énergie était de -9 p A Les résultats de l'examen sont présentés dans le tableau 9. Le contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 17) est, ou non, satisfaite, en utilisant R, y, À, et Va = -1,16 k V, I = -6 g A, k = -3 g A, et S/s = 9 600 Le tableau 9 montre également les résultats de ce contrôle. Au tableau 9, dans la colonne "image", BD (point noir) indique qu'un point noir apparaît sur l'image, et BS (bande noire) indique qu'une bande noire s'étendant dans la direction axiale du rouleau apparaît sur l'image. Dans la colonne "Formule 17 ", o indique que la formule est satisfaite, et x indique que la formule n'est pas satisfaite Les valeurs calculées du côté droit de la formule ( 17) sont également présentées. TABLEAU 9 LL NN HH Elém Image ( 17) Image ( 17) Image ( 17) AA BD o 6,0 BD o 5,8 BD o 5,6 AB BD o 6,4 BD o 6,2 BD o 6,1 AC BD o 5,9 BD o 5,2 BD o 5,2 AD BD o 7,8 BS x 7,4 BS x 6,5 AE BD o 7,6 BD o 6,7 BS x 6,4 Comme on le voit à partir des résultats présentés au tableau 9, dans le cas des éléments satisfaisant l'inégalité ( 17), si l'élément à charger détérioré par la piqûre est utilisé pour la formation d'image, les défauts des images formées ne sont pas importants Ce fait a été confirmé de nouveau. Dans un autre essai, les éléments AA, AB et AC ne provoquant pas de défauts dans les images formées dans toutes les ambiances ont été placés dans l'appareil de formation d'images montré à la figure 14, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 dans une pièce dont la température et l'humidité n'étaient pas réglées Aucune détérioration des images n'a été observée. Lorsqu'on examine les formules ( 8), ( 13) et ( 17), on voit que les éléments dont la variation en fonction de la surface et la variation en fonction du courant sont faibles, satisfont facilement les formules Les résultats des exemples 1 et 7 montrent que la couche faite d'une matière choisie parmi le caoutchouc uréthane, la résine uréthane, et la résine nylon, particulièrement la résine soluble dans l'alcool, et la résine polyéthylène est, de préférence formée sur la surface de l'élément de charge (c'est-à-dire, la surface pour venir en contact avec l'élément à charger) En outre, avec film de résine nylon de 40 gm d'épaisseur utilisé comme élément de charge, plié en deux, comme le montre la figure 11 (h), aucun défaut n'a été trouvé dans l'image dans toutes les ambiances Le film utilisé a été appelé un film monocouche de résine nylon. . Les éléments suivants H à J chacun de 22 cm de longueur efficace ont été utilisés comme élément de transfert d'un dispositif de transfert par contact. L'élément à charger utilisé était celui de l'exemple 1. Elément H: Rouleau avec une couche conductrice faite de mousse d'uréthane contenant du noir de carbone qui est ajouté de façon interne (résistivité volumique: 107 ncm, dureté Asker C: 350, diamètre de cellule: 300 gm et épaisseur: 5 mm). Elément I: Rouleau avec une couche conductrice faite de mousse d'uréthane contenant du noir de carbone qui est ajouté de façon interne (résistivité volumique: 108 úIcm, dureté Asker C: 350, diamètre de cellule: 300 gm et épaisseur: 5 mm). Elément J: Rouleau avec une couche conductrice superficielle faite de mousse au silicium contenant du noir de carbone qui est ajouté de façon interne (résistivité volumique: 108 ncm, dureté Asker C: 3 Q 0, diamètre de cellule: 300 pm et épaisseur: 5 mm). Avant qu'une expérimentation soit menée, chaque élément de transfert a été placé dans l'appareil de formation d'images montré à la figure 15 Une tension de transfert a été établie à + 800 V Le courant I, qui s'écoule dans l'élément à charger sous cette tension, a été mesuré La vitesse périphérique de l'élément à charger était de 3 cm/sec Le courant mesuré était de 2 p A. Des défauts chacun de 0,3 de diamètre ont été formés intentionnellement dans les éléments à charger. Chacun des éléments à charger détériorés par des défauts, et chacun des éléments H à J a été placé dans l'appareil de formation d'images montré à la figure 15 Des images ont été formées réellement et les états des images ont été examinés Chaque fois que l'élément a été remplacé par un autre, l'élément à charger a été remplacé par un nouveau La valeur limitée du courant de la source d'énergie était de 15 p A Les résultats sont présentés dans le tableau 10. La résistance R des éléments a été mesurée par le procédé de mesure montré à la figure 10 Le courant mesuré était de 2 p A La variation 1-B de la résistance en fonction de la surface et sa variation y en fonction du courant, ont été mesurées Le contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 8) ou ( 17) est, ou non, satisfaite Les résultats des mesures et du contrôle sont également présentés dans le tableau 10. Dans ce tableau, dans les colonnes des formules, o indique que la formule est satisfaite, et x indique que la formule n'est pas satisfaite Les valeurs calculées du côté droit de la formule sont également présentées.5 TABLEAU 10 Elément Image log (R) y ( 8) ( 17) H Bande 6,1 0,61 0,51 x 8,8 x 8,3 blanche I Bon 7,2 0,72 0,35 x 8,1 o 7,2 J Bon 7,0 0,85 0,21 x 7,4 o 6,1 Comme le montre le tableau 10, si ni l'une ni l'autre des formules ( 8) ou ( 17) n'est satisfaite, un mauvais transfert (une bande blanche) apparaît dans l'image. Dans un autre essai, les éléments AA, AB, et AC, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixés à l'appareil de formation d'images montré à la figure 15, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 Aucune bande blanche n'a été observée dans les images. . Les éléments I et J utilisés dans l'exemple 8 ont été utilisés comme élément de transfert d'un dispositif de transfert par contact On a utilisé un procédé similaire à celui de l'exemple 8 Pendant la période de formation d'une image sur la couche photoréceptrice, à savoir, avant le processus de transfert, une tension de nettoyage de -250 V pour nettoyer l'élément de transfert a été appliquée à l'élément de transfert Après qu'une image d'encre en poudre a été formée sur la couche photoréceptrice, l'image a été transférée sur l'élément de transfert. Dans un autre essai, les éléments I et J, et un élément à charger ne souffrant pas de défauts ont été fixés à l'appareil de formation d'images montré à la figure 15, et des images ont été formées sur 10 000 feuilles d'enregistrement d'image transférée de format A 4 Aucune bande blanche n'a été observée dans les images. Dans cet exemple, lorsque la tension de transfert est appliquée, les deux éléments I et J satisfont l'inégalité ( 17). Par conséquent, les conditions mentionnées ci- dessus sont également vérifiées lorsque la tension de nettoyage est appliquée. Puisque la tension de nettoyage est habituellement plus petite que la tension de claquage de la sous-couche, un contrôle a été fait en ce qui concerne le fait que la formule ( 13) ou la formule ( 17) étaient satisfaites Les deux formules étaient satisfaites. Ainsi, si l'une quelconque des formules ( 8), ( 13) et ( 17) est satisfaite, aucun mauvais transfert ne se produit, aucun agrandissement des défauts et des piqûres dans la couche photoréceptrice ne se produit, et aucune détérioration des éléments ne se produit, qu'il y ait, ou non, application de la tension de nettoyage Ce fait a été vérifié. . Le rouleau structuré comme le montre la figure 11 (a) a été utilisé comme élément de charge d'un dispositif de transfert par contact Un uréthane conducteur compact a été formé, comme couche conductrice sur le rouleau La résistance de l'uréthane conducteur a été modifiée Des éléments de charge a à j tels que montrés dans le tableau il ont été préparés Les valeurs de la résistance R des éléments ont été mesurées par le procédé de la figure 10 Dans le tableau 11, la valeur de la résistance R a été désignée simplement par R. L'élément à charger a été structuré de telle façon qu'une sous-couche d'aluminium anodisé soit formée sur un élément formant base conductrice fait d'aluminium, et une couche photoréceptrice a été déposée sur la sous-couche. La tension de claquage Vt de la couche d'aluminium anodisé, comme souscouche, a été mesurée Lors de la mesure, l'élément formant base conductrice était mis à la masse, et une tension de la même polarité que la tension de charge a été appliquée à la surface de la couche d'aluminium anodisé pendant une minute On a mesuré la tension la plus élevée pour laquelle la sous-couche n'est pas claquée La surface S de l'électrode amenée en contact avec la couche d'aluminium anodisé était de 6,15 mm 2, et la force par unité de surface était de 163 g/cm 2 (force brute: 1 000 g). Dans les résultats de la mesure, la tension de claquage Vt de la couche d'aluminium anodisé était de - 300 V, le courant i était de -100 g A, et la densité de courant dans la surface de contact avec l'électrode était de 16 MA/cm 2 Les mesures ont été effectuées 30 fois La l(valeur moyenne) + ( 3 x écart type)l de la résistance Rp de la couche d'aluminium anodisé était de 4,3 x 106 n. On a mesuré la résistance de la couche d'aluminium anodisé en changeant la surface de l'électrode, pour obtenir la variation 1-a de la résistance en fonction de la surface a = 1, c'est-à-dire que la résistance de la couche d'aluminium anodisé était proportionnelle à la surface Par conséquent, la résistance de la couche d'aluminium anodisé telle qu'elle est vue à partir du défaut était de 4,3 x 101 fn, pour laquelle la surface de piqûre S = 6,15 x 10-4 cm (ce qui correspond à 0,8 mm de diamètre) La densité de courant a été fixée à la même valeur que ci-dessus ( 16 MA/cm 2) La variation 1-B de la résistance en fonction de la surface des éléments a à J a été obtenue En modifiant la surface de l'électrode, les valeurs de la résistance ont été mesurées Le résultat a été que les valeurs de la résistance des éléments a à i étaient inversement proportionnelles à la surface, et que B = 1 La variation y de la résistance en fonction du courant, des éléments a à j a été obtenue y = 1 pour chacun des éléments La résistance de la piqûre Rq est 104 fois plus grande que la résistance de l'élément R, comme le montre le tableau 11. L'élément de charge a été amené en contact avec la sous-couche, sans couche photoréceptrice interposée entre eux Une tension a été appliquée à l'élément de charge. Un contrôle a été fait pour déterminer si la sous-couche a subi, ou non, un claquage du diélectrique A partir de cette étude, on sait que la tension pour charger la surface de l'élément à charger à un certain potentiel dépend de la résistance de l'élément de charge Donc, les tensions Va pour charger la surface de la couche photoréceptrice à -600 V ont été fixées comme le montre le tableau 11 L'application des tensions s'est poursuivie pendant une minute. Les résultats sont montrés dans le tableau 11 x indique que la souscouche est claquée, et o indique qu'elle n'est pas claquée. La tension appliquée à la sous-couche, dont il a déjà été fait mention: Va x rq/(rq + Rq), et les valeurs calculées sont décrites dans la ligne "Tension répartie". TABLEAU 11 Elément a b c d e f g h i j R( 1,7 E 6 3,5 E 6 6,9 E 6 1,2 E 7 1,7 E 7 3,5 E 7 6,9 E 7 1,2 E 8 1,7 E 8 3,5 E 8 Rq(Q 1,7 E 10 3,5 E 10 6,9 E 10 1,2 E 1 1,7 E 11 3,5 E 111 6,9 E 1 1,2 E 12 1,7 E 12 3,5 E 12 Va(-V) 1 145 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 270 1 300 1 357 Claquage de la x x x x o o o o o o sous- couche Tension répartie 817 648 448 307 233 129 68 44 32 17 (-v) (D (D b J Comme le montre le tableau 11, dans le cas des éléments a à d, une tension plus élevée que la tension de claquage Vt est appliquée à la sous-couche, de sorte que la sous-couche est claquée Dans le cas des éléments e à j, une tension répartie, plus faible que la tension de claquage, lui est appliquée Alors, la sous-couche ne sera pas claquée. Chacun des éléments a à ji a été pressé contre un élément à charger, dans un lequel un défaut de 0,28 mm de diamètre était formé dans la couche photoréceptrice, avec une force de 1 000 g (la force par unité de surface est égale à celle utilisée lors de la mesure de résistance). L'élément est agencé de manière à tourner en suivant la rotation de l'élément à charger Des images ont été formées Le développement était le développement inversé. Dans le cas des éléments a à c, des courants ont fui au droit des défauts Une mauvaise charge s'est produite sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre chaque élément et l'élément à charger Des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues sur les images imprimées. Après l'essai, il a été vérifié que la résistance de la sous-couche de la partie directement sous le défaut était considérablement réduite, et que la partie défectueuse était dégradée au point de croître jusqu'à devenir une piqtre Dans le cas de l'élément d, le courant a fui au droit de la bande défectueuse, mais il ne s'est pas produit de charge défectueuse sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre l'élément et l'élément à charger L'image résultante était presque satisfaisante, excepté qu'un point noir apparaissait dans l'image En répétant l'impression, le point noir a augmenté graduellement Après 200 feuilles d'impression, des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues dans les images Un contrôle visuel a montré que le défaut de l'élément à charger s'était agrandi jusqu'à devenir une piqûre d'environ 1 mm de diamètre. Dans le cas des éléments e à J, aucune fuite de courant n'a été observée, et aucune bande noire n'est apparue dans les images 20 000 feuilles d'impression ont été obtenues avec une qualité d'impression satisfaisante pour une utilisation pratique Après les 20 000 feuilles d'impression, on n'a observé, par contrôle visuel, ni dilatation du défaut ni claquage de la sous-couche. Dans l'exemple 10, l'élément de charge et l'élément à charger sont tous les deux égaux à O en ce qui concerne la variation de leur résistance en fonction de la surface Par conséquent, même si des défauts de 0,1 à 1 mm de diamètre, en plus du défaut de 0,28 mm de diamètre, sont présents dans l'élément à charger, les éléments e à j ne claqueront pas les sous-couches (les couches d'aluminium anodisé), et les défauts ne croîtront pas jusqu'à devenir des piqûres Ce fait a été vérifié. La sous-couche de l'élément à charger était une couche organique à haut poids moléculaire, dont la résistance était commandée par un agent de commande de la résistance La couche élastique conductrice de l'élément à charger était faite d'une mousse d'uréthane du type à cellules ouvertes dont le diamètre de cellule est de 30 gm, mesuré par la méthode du point de bulle Le reste de la structure était le même que celui de l'exemple 10, et les essais menés ont été sensiblement les mêmes que ceux de l'exemple 10. Les particularités de la sous-couche étaient la tension de claquage Vt: -400 V, la résistance Rp: 1 x 1 o 6 N (le courant i était de -400 g A et la surface S était de 6,2 cm 2); et a = 1 La résistance de la sous- couche rg ( 6,15 x 10-4 cm 2), c'est-à-dire, correspondant à 0,28 mm de diamètre telle qu'elle est vue à partir du défaut, était de 1 x 1010 n. Des éléments k à t d'une résistance R différente ont été utilisés comme éléments de charge Ces éléments étaient différents de ceux de l'exemple 10 en ce que la variation 1-B de la résistance en fonction de la surface était de 0,75 et non pas de 0 Et la variation y en fonction du courant n'était pas non plus 0 Les valeurs de résistance présentées dans le tableau 12 sont les valeurs de la résistance Rq des éléments lorsqu'un courant de -400 MA a été appliqué à la surface de 6,2 cm 2 Les valeurs de la résistance de la sous-couche Rq telles qu'elles sont vues à partir des défauts sont également présentées dans le tableau. L'élément de charge a été amené en contact avec la sous-couche, la couche photoréceptrice n'étant pas interposée entre eux Une tension a été appliquée à l'élément de charge Un contrôle a été fait en ce qui concerne le claquage du diélectrique de la sous-couche. Les résultats sont montrés dans le tableau 12 x indique que la souscouche est claquée, et o indique qu'elle n'est pas claquée Les valeurs de la tension Va appliquée aux éléments y sont également montrées. La part de la tension appliquée à la sous-couche, dont il a déjà été fait mention: Va x rq/(rq + Rq), et les valeurs calculées de la tension sont également montrées dans le tableau 12 Au tableau 12, celles-ci sont indiquées dans la colonne "Tension répartie" Les résultats de calcul de la relation suivante sont en outre présentés dans le tableau 12, dans la ligne "Référence". Va x rq/(Rp + Ru), qui est basé sur la supposition que la tension appliquée à la sous-couche dépend des valeurs des résistances Rp et Ru, mais pas des valeurs des résistances rq et Rq, telles qu'elles sont vues à partir des défauts. TABLEAU 12 Elément k I m N o p q r S t Ru( 5,0 E 5 1,O O E 6 2,0 E 6 4,0 E 6 7,0 E 6 1,0 E 7 2,0 E 7 4,0 E 7 7,0 E 7 1,0 E 8 Rq(Q 5,0 E 8 1,0 E 9 2,0 E 9 4,0 E 9 7,0 E 9 1,0 E 10 2,0 E 10 4,0 E 10 7,0 E 10 1,0 E 11 Va(-V) 1 042 1 100 1 154 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 225 1 255 Claquage de la x x x x x x o o o o sous-couche Tension répartie 993 1 000 964 836 688 585 390 234 153 114 (-V) Référence (-v) 695 550 386 234 146 106 56 29 17 12 0 O O) ( O D D b J "Il Comme on le voit à partir du tableau 12, dans le cas des éléments k à p, une part de la tension plus élevée que la tension de claquage Vt est appliquée à la sous-couche, de sorte que la sous-couche est claquée. Dans le cas des éléments g à t, une tension répartie, plus faible que la tension de claquage, lui est appliquée Alors, la sous-couche ne sera pas claquée. Dans ce cas, on voit de nouveau que les valeurs de la résistance de l'élément, telle qu'elle est vue à partir du défaut ou de la piqûre, et de la résistance de la sous-couche doivent être utilisées pour le calcul C'est- à-dire que, comme dans le cas classique, les valeurs de la ligne "Référence" ne sont pas les valeurs de la tension répartie pour la sous-couche (autrement, les éléments m à t ne pourraient pas claquer les sous- couches), mais les valeurs de la résistance de l'élément, telle qu'elle est vue à partir du défaut ou de la piqûre, et de la résistance de la sous-couche doivent être utilisées. Chacun des éléments k à t a été pressé contre un élément à charger, dans un lequel un défaut de 0,28 mm de diamètre était formé dans la couche photoréceptrice, et des images ont été formées Dans le cas des éléments k à o, des courants ont fui de manière concentrique au droit des défauts Le courant était un peu réparti sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre chacun des éléments et l'élément à charger Ceci a eu pour résultat une mauvaise charge, et des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues dans les images imprimées Après l'essai, il a été vérifié que la résistance de la partie de la couche d'aluminium anodisé qui se trouve directement sous le défaut était considérablement réduite, et que la partie défectueuse avait été dégradée pour croître jusqu'à devenir une piqûre. Dans le cas de l'élément R, le courant à fui au droit de la partie défectueuse, mais sa valeur a été limitée au-dessous d'une valeur prédéterminée Un courant d'une valeur propre à effectuer la charge peut être réparti sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre chaque élément et l'élément à charger L'image résultante était presque satisfaisante, excepté qu'un point noir apparaissait au droit d'une surface limitée mal chargée ou de la partie défectueuse, dans l'image Enrépétant l'impression, le point noir a augmenté graduellement Après 200 feuilles d'impression, des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues dans les images Un contrôle visuel a montré que le défaut de l'élément à charger s'était agrandi jusqu'à devenir une piqûre d'environ 1 mm de diamètre, après 200 feuilles d'impression. Dans le cas des éléments q à t, aucune fuite de courant n'a été observée, et aucune bande noire n'est apparue dans les images 20 000 feuilles d'impression ont été obtenues avec une qualité d'impression satisfaisante pour une utilisation pratique Après les 20 000 feuilles d'impression, on n'a observé, par contrôle visuel, ni dilatation du défaut ni claquage de la sous-couche. . On va examiner de nouveau la condition pour éviter le claquage de la couche intermédiaire (ou sous-couche). Les figures 18 (a) et 18 (b) sont des vues en coupe montrant schématiquement un dispositif de charge par contact, dans lequel un élément photorécepteur 150 est utilisé comme élément à charger, et un élément de charge est utilisé pour le charger Dans cet exemple, l'élément photorécepteur 150 est structuré d'une façon telle qu'une couche intermédiaire 152 est formée sur un élément formant support conducteur 151, et qu'une couche photoréceptrice 153 faite d'une matière photosensible organique ou inorganique est en outre déposée sur la couche intermédiaire Si une piqûre 157 est formée dans la couche photoréceptrice 153 par une matière étrangère qui est mélangée avec celle-ci ou par un impact, la couche intermédiaire 152 ne sera pas modifiée physiquement ni chimiquement La figure 11 (a) décrit un élément de charge 10, et un élément formant base conductrice 11 est relié à une source d'énergie 60. La figure 19 est un schéma de circuit équivalent du dispositif de charge par contact montré à la figure 18 (a) La résistance de l'élément formant base conductrice 11 de l'élément de charge 10 est considérablement plus petite que celle de la couche élastique conductrice 12, et elle est négligeable La résistance de la couche élastique conductrice 12 est représentée par la résistance 160 de la couche élastique conductrice 12 Lorsque la couche photoréceptrice n'est pas détériorée par une piqûre, le courant délivré par la source d'énergie 60 s'écoule dans le condensateur 163 de la couche photoréceptrice, par l'intermédiaire de la résistance 160 La tension issue de la source d'énergie a la même polarité que pour la charge La piqûre agit comme un interrupteur 161 qui se trouve à l'état ouvert, le condensateur 163 constitué par la couche photoréceptrice retient les charges. Lorsqu'une piqûre est formée dans la couche photoréceptrice 153, par de la matière étrangère qui y est mélangée ou par un impact, l'interrupteur 161 est fermé La tension Va provenant de la source d'énergie 60 est appliquée aux bornes de la résistance globale du modèle de circuit de charge, à savoir, la somme (Ra + Rb) de la résistance (désignée par Ra) de la couche élastique conductrice 12 et de la résistance (désignée par Rb) de la couche intermédiaire La part de la tension supportée par la résistance 162 de la couche intermédiaire est désignée par Vc Alors, on a Vc/Va= Rb/(Ra + Rb), En réarrangeant cette formule on obtient: Vc = Va x Rb/(Ra + Rb). Si la piqûre est formée dans la couche photoréceptrice, la couche intermédiaire ne sera pas claquée aussi longtemps que la tension Vc sera inférieure à la tension de claquage (désignée par Vb) de la couche intermédiaire Sous cette condition, le courant (désigné par Il), limité par la résistance somme (Ra + Rb) peut s'écouler Lorsque Vc > Vb, la couche intermédiaire est claquée, et le courant (désigné par I 2) limité par la résistance Ra fuit Puisque Il la matière étrangère qui y est mélangée ou par un impact. Par conséquent, la couche intermédiaire n'est pas claquée, et aucune fuite de courant ne se produit Aucune chute de tension ne se produit, et il n'apparaît ni bande noire ni bande blanche dans l'image imprimée Puisque aucun courant de fuite ne s'écoule après qu'une piqûre a été formée dans la couche photoréceptrice, la piqûre ne croîtra pas, de sorte que la couche photoréceptrice détériorée par la piqûre peut être utilisée pendant une longue période. On va maintenant décrire l'application de l'invention à un appareil de formation d'image réel basé sur le système électrophotographique L'élément de charge utilisé dans le dispositif de charge par contact de l'invention est déjà décrit en relation avec les figures 11 (a) à 11 (f) Bien entendu, la structure et la matière de l'élément de charge ne sont pas limitées à celles décrites en relation avec les figures 11 (a) à 11 (f) Par exemple, un élément de décharge massif peut être utilisé, toutefois il serait utilisé sans contact, c'est-à-dire, qu'un espace de quelques pm à plusieurs dizaines de pm doit être ménagé entre la surface de l'élément de décharge massif et la surface de la couche photoréceptrice La résistance Ra est une résistance dans la partie allant de l'élément formant support conducteur de l'élément de décharge massif à la surface de celui-ci. Il y a deux faits qui concernent la résistance de l'élément de charge. i) La résistance n'est pas inversement proportionnelle à la surface de contact de l'élément de charge avec l'électrode. Des électrodes de tailles différentes ont été amenées en contact avec la surface de l'élément de charge Et la résistance entre l'élément formant base conductrice et les électrodes a été mesurée Les valeurs mesurées de la résistance ont été mises sous forme de courbe en fonction des tailles des électrodes Le fait que la résistance n'est pas inversement proportionnelle à la surface de contact de l'élément de charge avec l'électrode, a été confirmé à partir du graphique. La figure 20 montre un graphique représentant la variation de la résistance en fonction de la surface de l'élément de charge et un graphique représentant la variation de la résistance en fonction de la surface de la couche intermédiaire du tambour photorécepteur Dans chacun de ces graphiques, l'abscisse représente le logarithme décimal de la surface d'électrode S (mm 2), tandis que l'ordonnée représente le logarithme décimal de la résistance R (a) Dans le graphique, une ligne droite caractéristique (A) indique une résistance de l'élément de charge Une ligne droite caractéristique (B) représente la résistance de la couche intermédiaire Les lignes droites (B) à la figure 20 (a), (A) à la figure 20 (b) et (B) à la figure 20 (b) sont inclinées à une pente de -1 La résistance est inversement proportionnelle à la surface Par conséquent, si la surface d'électrode est 1/10 000, les valeurs de la résistance sont augmentées 10.000 fois La ligne droite (B) de la figure 20 (a), qui a une pente de -0,75, montre que la résistance n'est pas inversement proportionnelle à la surface Par conséquent, si la surface d'électrode est 1/10 000, les valeurs de la résistance sont augmentées seulement 1 000 fois La caractéristique de la résistance de l'élément de charge en fonction de la surface de contact dépend des éléments à charger de tailles et de matières différentes A cause de cela, il est difficile de prédire la résistance de la surface correspondant à une piqûre sur la base de la résistance d'une surface de contact Par conséquent, la résistance de l'élément à charger est mesurée en utilisant l'électrode de la surface correpondant à la piqûre Particulièrement pour la mesure de l'élément à charger ayant une résistance élevée, il est difficile de mesurer la résistance en utilisant l'électrode qui est d'une surface minuscule Pour cette raison, la résistance de la surface correpondant à la piqûre peut être prédite d'une manière, montrée par la ligne (A) à la figure (a), consistant à mesurer la résistance en utilisant des électrodes de tailles différentes, une ligne droite est tracée sur le graphique logarithmique. Ici encore, il est nécessaire d'examiner directement ou indirectement la résistance de l'élément de charge et de la couche intermédiaire lorsque la surface de l'électrode de contact correspond à la piqûre, et d'utiliser les résultats pour la résistance Ra ou Rb. ii) La résistance dépend du courant (ou de la tension). La résistance entre l'élément formant base conductrice et l'électrode a été mesurée d'une manière constitant à amener l'électrode en contact avec l'élément de charge, et à modifier le courant ou la tension appliqué Une relation entre le courant, ou la tension, et la résistance a été portée sur un graphique Le graphique a montré que la valeur de la résistance de la plupart des éléments de charge dépendait du courant, ou de la tension. La figure 21 montre un graphique servant à expliquer la variation de la résistance de l'élément de charge en fonction du courant L'abscisse représente les valeurs de courant lorsque du courant s'écoule vers l'élément de charge, tandis que l'ordonnée représente la valeur du logarithme décimal de la résistance de l'élément de charge à ce moment La figure 21 (a) représente un graphique montrant un exemple dans lequel la résistance dépend du courant Comme on le voit, si le courant est faible, la résistance est grande et vice versa Par conséquent, en mesurant la résistance de l'élément de charge, la densité de courant dans la surface de contact entre 1 ' élément de charge et l'électrode lorsque ceux-ci viennent en contact l'un avec l'autre doit être sensiblement égale à la densité de courant (désignée par pi) lorsque la tension de claquage est appliquée à la couche intermédiaire. La figure 21 (b) présente un graphique montrant un exemple dans lequel la résistance ne dépend pas du courant Certains types d'éléments de charge ne présentent pas de variation de leur résistance en fonction du courant Par conséquent, ces éléments présentent une résistance constante lorsque le courant qui leur est appliqué varie La valeur du courant peut être choisie de façon appropriée pour mesurer la résistance de ces types d'éléments de charge. Pour les raisons i) et ii) ci-dessus, la résistance de l'élément de charge sera mesurée de la manière suivante. Un élément de charge est amené en contact avec l'électrode d'une faible surface correspondant à la piqûre La force de contact par unité de surface est sensiblement égale à celle appliquée lorsque l'élément de charge est amené en contact avec la couche photoréceptrice pour charger cette dernière La densité de courant dans la surface de contact entre l'élément de charge et l'électrode lorsque ceux-ci viennent en contact l'un avec l'autre, est sensiblement égale à la densité de courant pi lorsque la tension de claquage est appliquée à la couche intermédiaire La résistance est calculée en utilisant la tension et le courant appliqués à l'élément de charge L'étude effectuée montre que la taille de la piqûre va de 0,05 mm de diamètre à 1 mm de diamètre, la surface minuscule correpondant à la piqûre est de 2 x 10 3 mm 2 (correspondant au diamètre de 0,05 mm) à 3 mm 2 (correspondant au diamètre de 1 mm). La couche intermédiaire du tambour photorécepteur est faite d'une matière organique ou inorganique La matière inorganique peut être de l'aluminium anodisé (A 1203), de la boehmite Al O(OH), de l'oxyde de silicium amorphe, du nitrure de silicium amorphe, du carbure de silicium amorphe, et analogue La matière organique peut être l'un quelconque de l'alcool polyvinylique, le polyvinyléther de méthyle, le polybutyral de vinyle, la cellulose éthylique, un copolymère d'éthylène acide acrylique, de la gélatine, un copolymère de l'acide maléique, une résine de polyuréthane, une résine époxy, une résine alkyde, une résine polyester, une résine de silicone, une résine phénolique, et analogue Si nécessaire, un agent de commande de la résistance est dipersé ou rendu compatible dans la résine ci-dessus. L'agent de commande de la résistance peut être n'importe laquelle des matières suivantes: l'aluminium, le cuivre, le nickel, l'argent, l'oxyde de fer, l'oxyde d'étain, l'oxyde d'antimoine, l'oxyde d'indium, l'oxyde de zinc, l'oxyde de titane, l'oxyde d'aluminium, le carbonate de baryium, le carbonate de calcium, l'iodure de cuivre, le noir de carbone, un copolymère conducteur, et analogue. Il a été trouvé que la résistance de la couche intermédiaire dépendait également du courant (ou de la tension) Par conséquent, la résistance de la couche intermédiaire est prise à sa valeur de résistance lorsqu'elle est sous la tension qui lui est appliquée. Comme on l'a déjà décrit, la résistance de la couche intermédiaire est sensiblement inversement proportionnelle à la surface d'électrode. Comme on le voit à partir de la description précédente, la résistance Rb et la résistance Ra dans l'inégalité, I Vb I 2 I Val x Rb/(Ra + Rb), doivent être, respectivement, la résistance (désignée par Rbb) de la couche intermédiaire et la résistance (désignée par Raa) de l'élément de charge dans une surface supposée minuscule de celui-ci correspondant à une piqûre. Par conséquent, la condition pour que la couche intermédaire ne soit pas claquée est: J Vb J 2 I Va| x Rbb/(Raa + Rbb) ( 20) La figure 20 est une vue en coupe montrant schématiquement un appareil de formation d'images incorporant un dispositif de charge par contact selon un mode de réalisation spécifique de la présente invention. Dans un élément photorécepteur 150, comme élément à charger, une couche intermédaire 152 est formée sur un élément formant support conducteur 151, et une couche photoréceptrice 153, faite d'une matière photosensible organique ou inorganique, est formée sur la couche intermédiaire L'élément photorécepteur 150 est chargé par un élément de charge 10, comme un rouleau de charge ou une lame de charge, structuré comme le montre la figure 11 Puis, l'élément photorécepteur chargé est, de manière sélective, exposé à de la lumière 171 correspondant à l'information d'image, émise à partir d'une source de lumière, comme un dispositif à laser ou une LED Le résultat est la formation d'un motif d'image électrostatique latente, avec un contraste potentiel accru Une unité de développement 172 achemine de l'encre en poudre 173, comme matière de formation d'image, pour développer le motif d'image électrostatique Une unité de transfert 174, comme un rouleau de transfert, transfère un motif d'image d'encre en poudre sur un papier d'impression 175 L'image d'encre en poudre transférée est alors fondue et fixée sur le papier d'impression 175 par la chaleur et la pression, ce qui n'est pas représenté De cette façon, une image souhaitée est imprimée sur le papier d'impression 175. Les résultats de la réétude de la condition pour que la couche intermédiaire (ou sous-couche) ne soit pas claquée, vont maintenant être décrits en détail. Un élément photorécepteur a été utilisé comme élément à charger L'élément photorécepteur était structuré de telle façon qu'une couche d'aluminium anodisé, comme couche intermédiaire, a été formée sur un élément formant support conducteur fait d'aluminium, et qu'une couche photoréceptrice a été formée sur celui-ci. Les mêmes éléments photorécepteurs ont été utilisés dans des conditions d'expérimentation 1 à 10 dans l'exemple 13 Pour appliquer la tension de claquage à la couche d'aluminium anodisé, l'élément formant support en aluminium a été mis à la masse, et une tension de la même polarité que la tension de charge a été appliquée à la surface de la couche d'aluminium anodisé pendant une minute La tension la plus élevée à laquelle la sous- couche n'est pas claquée a été utilisée comme tension de claquage de la couche d'aluminium anodisé La surface S de l'électrode amenée en contact avec la couche d'aluminium anodisé était de 6,15 mm 2, et la force par unité de surface était de 163 g/cm 2 (force brute: 1 000 g) La tension de claquage Vt de la couche d'aluminium anodisé était de - 300 V, le courant était d'environ -100 AA sous cette tension La densité de courant pi dans la surface de contact de celle-ci avec l'électrode était de 0,16 g A/mm 2 Les mesures ont été effectuées 30 fois La l(valeur moyenne) + ( 3 x écart type)l de la résistance soit Rb, de la couche d'aluminium anodisé était de 4,3 x 106 N On a mesuré la résistance de la couche d'aluminium anodisé en changeant la surface de l'électrode Le résultat a été que la résistance de la couche d'aluminium anodisé était inversement proportionnelle à la surface. La résistance Rbb de la couche d'aluminium anodisé était de 4,3 x 1010 G pour laquelle la surface de piqûre était de 0,061 mm 2 (correpondant à 0, 28 mm de diamètre) La densité de courant pi a été fixée à la même valeur que ci-dessus ( 0,16 MA/mm 2). L'élément de charge 10 était tel que décrit en liaison avec la figure h (a) Un rouleau utilisé était structuré de telle façon qu'une couche élastique conductrice 12, faite de polyuréthane conducteur compact, a été déposée sur l'élément formant base conductrice 11. La mesure a été effectuée de manière suivante. L'électrode a été amenée en contact avec la surface du rouleau La surface S de l'électrode amenée en contact avec la surface du rouleau était de 6,15 mm 2, et la force par unité de surface était de 1,63 g/cm 2 (force totale: 1.000 g) le courant délivré était d'environ 100 g A La densité de courant pi dans la surface de contact de celle-ci avec l'électrode était de 0,16 g A/mm 2, ce qui est égal à celle établie lorsque la tension de claquage était appliquée à la couche d'aluminium anodisé La résistance Ra était de 1,7 x 106 n La résistance a été mesurée en modifiant la surface de l'électrode Le résultat a été que la résistance du rouleau est inversemement proportionnelle à la surface ((A) à la figure 20 (b)) La résistance Raa était de 1,7 x 1010 n pour laquelle la surface de piqûre était de 0,061 mm 2 (correpondant à 0, 28 mm de diamètre) La densité de courant pi a été prise à la même valeur que ci-dessus ( 0,16 g A/mm 2). * Un nombre de dix rouleaux a été préparé pour l'exemple 13, et ils ont été utilisés, un par un, dans les conditions d'expérimentation 1 à 10 de l'exemple La valeur de la résistance des rouleaux augmente par pas à mesure que le numéro de colonne augmente Ces valeurs de résistance sont présentées dans le tableau 13 Ce tableau indique, en correspondance, les conditions d'expérimentation 1 à 10 de l'exemple 13 et les résultats de celles-ci. A partir de l'étude, on sait que la tension pour charger la surface de la couche photoréceptrice à un certain potentiel dépend de la résistance de l'élément de charge Donc, les tensions pour charger la surface de l'élément photorécepteur à -600 V ont été fixées comme le montre le tableau 14. On va décrire les résultats d'une expérimentation dans laquelle le rouleau était amené en contact avec la couche intermédiaire sans interposition de la couche photoréceptrice entre eux. La figure 18 (b) est une vue en coupe montrant un schéma d'une expérimentation pour contrôler si la couche intermédiaire est, ou non, claquée par l'application de la tension. Un tube rembourré 155 est structuré de telle façon qu'une couche d'aluminium anodisé, comme couche intermédiaire 152, est déposée sur l'élément formant support conducteur 151 La structure de celui-ci est la même que celle de l'élément photorécepteur 150 excepté que la couche photoréceptrice n'est pas utilisée Une tension a été appliquée au rouleau qui était pressé contre le tube rembourré pendant une minute dans les conditions des combinaisons de la résistance du rouleau et de la tension appliquée montrées dans le tableau 13. Vcc représente une part de tension supportée par la couche intermédiaire, o la surface de contact entre l'élément de charge et la couche intermédiaire est très petite Comme on le voit à partir de la comparaison des tensions Vb et Vcc montrée dans le tableau 13, les conditions 1 à 4 de l'exemple 13 ne satisfont pas l'inégalité ( 20) Dans les combinaisons des conditions 1 à 4 de cet exemple, la couche intermédiaire était claquée (dans le tableau 13, cet état est indiqué par "x" dans la ligne "Claquage de la couche d'aluminium anodisé") Les combinaisons des conditions 5 à 10 satisfaisaient l'inégalité ( 20) La couche intermédiaire n'était pas claquée (cet état est indiqué par "o" dans la ligne "Claquage de la couche d'alumuminium anodisé"). On va décrire une opération de mesure dans laquelle l'élément photorécepteur 150 est utilisé comme dans un cas réel avec une couche photoréceptrice, l'élément de charge 10 est pressé contre l'élément photorécepteur 150, et une tension prédéterminée est appliquée à partir de la source d'énergie 60 La vitesse périphérique du rouleau était égale à celle de l'élément photorécepteur. Les conditions 1 à 3 de l'exemple 13 ne satisfont pas l'inégalité ( 20) Chacun des rouleaux était pressé contre l'élément photorécepteur, dans lequel un défaut de 0,28 mm de diamètre était formé dans la couche photoréceptrice, avec une force de 1 000 g (la force par unité de surface est égale à celle lors de la mesure de la résistance) Le courant a fui au droit des piqûres. Une mauvaise charge s'est produite sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre le rouleau et la couche photoréceptrice Des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues sur les images imprimées La qualité de l'image était détériorée de façon notable Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 13 a été marquée d'un "x" Avant impression, les parties de la couche d'aluminium anodisé directement au- dessous des piqûres n'étaient pas claquées Après impression, ces parties étaient claquées, leur résistance étant réduite de façon notable. La condition 4 de l'exemple 13 ne satisfait pas l'inégalité ( 20) Comme dans le cas des conditions 1 à 3 de l'exemple 13, on a utilisé des couches photoréceptrices ayant des piqûres Les courants ont fui au droit des piqûres Lorqu'elles ont été imprimées, les images imprimées souffraient de points noirs dans un stade initial, mais la qualité de l'image était satisfaisante En continuant l'impression, les points noirs ont augmenté en taille Après 200 feuilles d'impression, des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues dans les images La détérioration de la qualité de l'image était notable Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 13 a été marquée d'un "x" Avant impression, les parties de la couche d'aluminium anodisé directement au-dessous des piqûres n'étaient pas claquées Après 200 feuilles d'impression, la piqûre de la couche photoréceptrice était agrandie jusqu'à avoir un diamètre de 1 mm, et la couche d'aluminium anodisé était claquée. Les conditions 5 à 10 de l'exemple 13 satisfont l'inégalité ( 20) Comme dans le cas des conditions 1 à 4 de l'exemple 13, on a utilisé des couches photoréceptrices ayant des piqûres Aucun courant n'a fui au droit des piqûres Lorqu'elles ont été imprimées, les images imprimées souffraient de points noirs, mais la qualité de l'image de 20 000 feuilles d'impression était satisfaisante Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 13 a été marquée d'un "o" Après 20 000 feuilles d'impression, la couche d'aluminium anodisé n'était pas claquée. La résistance des rouleaux utilisés dans l'exemple 13 ne dépendait pas du courant, et elle était sensiblement inversement proportionnelle à la surface de contact entre ceux-ci et l'électrode d'aluminium La force de pression par unité de surface de l'électrode contre le rouleau de charge était presque égale à celle utilisée lors de la mesure des résistances Ra et Raa. La résistance de la couche d'aluminium anodisé était également inversement proportionnelle à la surface de contact de celle-ci avec l'électrode Puisque cette résistance dépend de la tension, la tension appliquée a été prise égale à la tension de claquage de la couche d'aluminium anodisé lors de la mesure La densité de courant pi a été prise à la même valeur que lors de la mesure de la résistance de rouleau. Par conséquent, les conditions 5 à 10 de l'exemple 13 satisfont l'inégalité ( 20) non seulement en ce qui concerne la surface de contact correpondant à 0,28 mm de diamètre mais également en ce qui concerne la surface de contact de 0,1 mm de diamètre à 1 mm de diamètre, tandis que les conditions 1 à 4 de l'exemple 13 ne satisfont pas l'inégalité ( 20), et ceci coïncide avec le résultat de l'impression (bande noire). TABLEAU 13 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Va (-V) 1 145 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 270 1 300 1 357 Vb (-V) 300 300 300 300 300 300 300 300 300 300 Rb (O 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 4,3 E 6 Rbb (Q 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 4,3 E 10 Ra (O 1,7 E 6 3,5 E 6 6,9 E 6 1,2 E 7 1,7 E 7 3,5 E 7 6,9 E 7 1,2 E 8 1,7 E 8 3,5 E 8 Raa (Q 1,7 E 10 3,5 E 10 6,9 E 10 1,2 E 11 1,7 E 11 3,5 E 11 6,9 E 11 1,2 E 12 1,7 E 12 3,5 E 12 Vcc(-V) 817 648 448 307 233 129 68 44 32 17 Claquage couche x x x x o o o o o o alu anodisé Bande noire x x x x o o o o o o (D (D to "Il Dans le tableau 13, Va est la tension appliquée à l'élément de charge lors de l'impression; Vb est la tension de claquage de la couche intermédiaire; Ra est la résistance de l'élément de charge (la densité de courant dans la surface de contact de celui-ci avec l'électrode est égale à celle établie lorsque la tension est appliquée à la couche intermédiaire La surface est la surface totale de la ligne de pincement: 615 mm 2); Rb est la résistance de la couche intermédiaire (tension appliquée: Vb, surface: 615 mm 2); Raa est la résistance de l'élément de charge (la densité de courant dans la surface de contact de celui-ci avec l'électrode est égale à celle établie lorsque la tension est appliquée à la couche intermédiaire La surface d'électrode est celle correspondant à 0,28 mm de diamètre); Rbb est la résistance de la couche intermédiaire (tension appliquée: Vb, surface d'électrode: correspondant à 0,28 mm de diamètre); Vcc est la tension appliquée à la couche intermédiaire, Vcc = Va x Rbb/(Raa + Rbb). Les expérimentations ont été effectuées comme dans l'exemple 13, excepté qu'un certain nombre de composants différents ont été utilisés Les composants différents sont la couche intermédiaire de l'élément photorécepteur et la matière de l'élément de charge. La résistance de la couche intermédiaire a été ajustée par une substance polymère organique La tension de claquage de la couche intermédiaire étaitélevée, -400 V, le courant s'écoulant dans la couche intermédiaire sous cette tension était de -400 g A (sa surface de contact avec l'électrode était de 620 mm 2, une tension négative était appliquée à l'électrode, et l'élément formant support conducteur était mis à la masse) La densité de courant pi était de 0,65 MA/mm 2 La résistance Rb était de 1 MS, plus petite que celle de la couche intermédiaire dans l'exemple 13 La résistance a été mesurée en faisant varier la surface de l'électrode Le résultat a été que la résistance de la couche intermédiaire était inversement proportionnelle à la surface La résistance Rbb était de 1,0 x 1010 n La densité de courant pi a été prise à la même valeur que ci-dessus ( 0,65 g A/mm 2). La structure de l'élément à charger était sensiblement la même que celle de l'exemple 13. La couche élastique conductrice, contrairement à celle de l'exemple 13, était faite d'une mousse d'uréthane, du type à cellules ouvertes Le diamètre de cellule, mesurée par la méthode du point de bulle, était de 30 Lm Un nombre de dix rouleaux a été préparé comme dans l'exemple 13 Les valeurs de la résistance Ra lorsque sa surface de contact avec l'électrode était de 620 mm 2, sont présentées dans le tableau 14 Ce tableau présente, en correspondance, les conditions d'expérimentation 1 à 10 de l'exemple 14 et leurs résultats La densité de courant pi a été prise à la même valeur que celle établie lorsque la tension de claquage était appliquée à la couche intermédiaire ( 0,65 LA/mm 2). La caractéristique de résistance du rouleau, contrairement à l'exemple 13, dépend du courant au moment de la mesure La résistance du rouleau n'était pas inversement proportionnelle à sa surface de contact avec l'électrode Lorsque la surface de contact est réduite de quatre facteurs 10, la résistance n'était pas augmentée de trois facteurs 10 Par conséquent, les rapports de tension lorsque l'élément de charge vient en contact avec l'élément photorécepteur au droit de surfaces plus petites doivent être comparées A cette f in, le diamètre de la piqûre a été pris à environ 0,28 mm (sa surface à 0,061 mm 2) La résistance du rouleau a été prédite sur la base d'une variation de la résistance en fonction de la surface, par le procédé dont il a été fait mention ci- dessus La résistance, désignée par Raa d'une surface de 0,061 mm 2, est présentée dans le tableau 14 La densité de courant pi a été ajustée de manière à avoir la même valeur que ci-dessus ( 0,65 MA/mm 2) Le reste des conditions de mesure était sensiblement le même que dans l'exemple 13 Dans le tableau 14, la tension Vc a été calculée en utilisant les résistances Ra et Rb, et la tension Vcc a été calculée en utilisant les résistances Raa et Rbb. On va maintenant décrire les résultats d'une expérimentation dans laquelle le rouleau était amené en contact avec la couche intermédiaire sans interposition entre eux de la couche photoréceptrice. Une tension a été appliquée au rouleau qui était pressé contre le tube rembourré pendant une minute dans les conditions des combinaisons de la résistance du rouleau et de la tension appliquée montrées dans le tableau 14 Comme on le voit à partir de la comparaison des tensions Vb et Vcc montrée dans le tableau 14, les conditions 1 à 6 de l'exemple 14 ne satisfont pas l'inégalité ( 20) Dans les combinaisons des conditions 1 à 6 de cet exemple, la couche intermédiaire était claquée (dans le tableau 14, cet état est indiqué par "x" dans la ligne "Claquage de la couche intermédiaire"). Les combinaisons des conditions 7 à 10 de l'exemple 14 satisfaisaient l'inégalité ( 20) La couche intermédiaire n'était pas claquée (cet état est indiqué par "o" dans la ligne "Claquage de la couche intermédiaire"). On va décrire les résultats d'une expérimentation dans laquelle les rouleaux étaient amenés en contact avec l'élément photorécepteur comportant une couche photoréceptrice comme dans un cas réel. Dans les conditions 1 à 5 de l'exemple 14, I Vb I I Vcc I, ces conditions ne satisfont pas l'inégalité ( 20). Les conditions 3 à 5 dans l'exemple 14 font que I Vb I > I Vc I est vérifié, et donc satisfont l'inégalité, I Vb I 2 |Val x Rb/(Ra + Rb) Chacun des rouleaux a été pressé contre un élément photorécepteur dans lequel un défaut de 0,28 mm de diamètre a été formé dans la couche photoréceptrice avec une force de 1 000 g Dans les conditions 1 à 5, le courant a fui au droit des piqûres. Une mauvaise charge s'est produite sur toute l'étendue de la ligne de pincement entre le rouleau et la couche photoréceptrice Des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues sur les images imprimées La qualité de l'image était déterriorée de façon notable. Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 14 a été marquée d'un "x" La vitesse périphérique du rouleau était égale à celle de l'élément photorécepteur. Avant impression, les parties de la couche intermédiaire directement au-dessous des piqûres n'étaient pas claquées Après impression, ces parties étaient claquées. A partir de ceci, il a été vérifié que pour les conditions qui ne provoquent pas le claquage de la couche intermédiaire (ou sous-couche), l'inégalité ( 20), ou l'inégalité: I Vb I 2 I Val x Rbb/(Raa + Rbb), doit être utilisée, et non pas l Vb I 2 I Val x Rb/(Ra + Rb). Dans la condition 6 de l'exemple 14, I Vb I utilisé des éléments photorécepteurs ayant des piqûres. Les courants ont fui au droit des piqûres Lorqu'elles ont été imprimées, les images imprimées souffraient de points noirs dans un stade initial, mais la qualité de l'image était satisfaisante En continuant l'impression, les points noirs ont augmenté en taille Après 200 feuilles d'impression, des bandes noires, ayant la période de la rotation, sont apparues dans les images La détérioration de la qualité de l'image était notable Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 14 a été marquée d'un "x" Avant impression, les parties de la couche intermédiaire directement au-dessous des piqûres n'étaient pas claquées Après 200 feuilles-d'impression, la piqûre de la couche photoréceptrice était agrandie jusqu'à avoir un diamètre de _ 1 mm, et la couche intermédiaire était claquée. Dans les conditions 7 à 10 de l'exemple 14, I Vb I > |Vcc et les conditions satisfont l'inégalité ( 20) Comme dans le cas des conditions 1 à 6 de l'exemple 14, on a utilisé des couches photoréceptrices ayant des piqûres. Aucun courant n'a fui au droit des piqûres Lorqu'elles ont été imprimées, les images imprimées souffraient de points noirs, mais la qualité de l'image de 20 000 feuilles d'impression était satisfaisante Par conséquent, la ligne "Bande noire" dans le tableau 14 a été marquée d'un "o" Après 20 000 feuilles d'impression, la couche intermédiaire n'était pas claquée. TABLEAU 14 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 Va (-V) 1 042 1 100 1 157 1 170 1 170 1 170 1 170 1 170 1 225 1 255 Vb(-V) 400 400 400 400 400 400 400 400 400 400 Rb ( ) 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 1,0 E 6 Rbb (,OE 1, 0 E 10 1,OE 10 1,0 E 10 1,0 E 10 1,0 E 10 1,0 E 1 0 1,0 E 1 O 1,0 E 1 O 1,OE 10 Ra (O 5,0 E 5 1,0 E 6 2,0 E 6 4,0 E 6 7,0 E 6 1,0 E 7 2,0 E 7 4,0 E 7 7,0 E 7 1,0 E 8 Raa ( Q 5,0 E 8 1,0 E 9 2,0 E 9 4,0 E 9 7,0 E 9 1,0 E 10 2,0 E 10 4,0 E 10 7,0 E 10 1,OE 11 Vc(-V) 695 550 386 234 146 106 56 29 17 12 Vcc(-V) 993 1 000 964 836 688 585 390 234 153 114 Claquagecouche x x x x x x o o o o intermédiaire Bande noire x x x x x x o o o o Q CD (O (O l w O b J Dans les exemples mentionnés ci-dessus, il est nécessaire que l'une quelconque des formules ( 8), ( 13) et ( 17) soit satisfaite Il est évident que dans la présente invention, la satisfaction d'une combinaison quelconque de ces formules, comme les formules ( 8) et ( 13) ou toutes les formules ( 8), ( 13) et ( 17), est possible. Comme décrit ci-dessus, dans un dispositif de délivrance de charges par contact pour commander les charges qui sont délivrées à un élément à charger en amenant un élément de contact, auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger, l'une quelconque des inégalités suivantes est vérifiée: (A) log (R) k log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a-B) x log (S/s) + y x log (i/I) o Ival > Ivtl (B) a + b k Va x 106/j o: log (a) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log (b) = log (Rp) + a x log (S/s) (C) log (R) k log (Va x 106/k) + (y -B) x log (S/s) + y x log (k/I) Dans les inégalités ci-dessus: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de contact en contact avec l'élément à charger; I (p A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de contact vers l'élément à charger; S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger et de l'élément de contact; R (a) est la résistance de l'élément de contact lorsque l'intensité I (p A) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de contact; y est la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de contact en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger; Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; i (p A) est l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; Rp (n) est la résistance de la sous-couche lorsque l'intensité i (i A) s'écoule dans la surface de la sous- couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; j (g A) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de la partie défectueuse s (c M 2); k (g A) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la partie défectueuse de l'élément à charger; 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. La présente invention ainsi agencée peut de façon certaine empêcher qu'une surintensité soit appliquée à partir de l'élément de contact de façon concentrique dans une partie défectueuse de la couche photoréceptrice si la couche photoréceptrice souffre d'un défaut Par conséquent, un phénomène de mauvaise charge, prenant la forme d'une bande, ne se produira jamais L'image imprimée est d'une grande qualité Le dispositif de délivranve de charges par contact de l'invention est à l'abri de la destruction de l'élément de contact et du circuit électrique par la surintensité Ainsi, le dispositif de délivrance de charges par contact de l'invention est particulièrement fiable. REVENDICATIONS 1 Dispositif de délivrance de charges par contact pour commander de manière externe les charges qui sont délivrées à un élément à charger ( 50) en mettant un élément de contact ( 10, 33), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50), qui comprend au moins une sous-couche, caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: log (R) 2 log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a- B) x log (S/s) + y x log (i/I) o Ival > I Vtl Va (V) est la tension appliquée à l'élément de contact ( 10, 33) en contact avec l'élément à charger ( 50) i I (MA) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de contact ( 10, 33) vers l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de contact ( 10, 33); R (a) est la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) lorsque l'intensité I (u A) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de contact ( 10, 33); y est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction de la surface; S (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; i (g A) est l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; Rp (n) est la résistance de la sous- couche lorsque l'intensité i (LA) s'écoule dans la surface de la sous- couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. 2 Dispositif de délivrance de charges par contact pour commander les charges qui sont délivrées à un élément à charger ( 50) en amenant un élément de contact ( 10, 33), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50) qui comprend au moins une sous-couche; caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: a + b > Va x 106/j o: log (a) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log (b) = log (Rp) + a x log (S/s) o: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de contact ( 10, 33) en contact avec l'élément à charger ( 50) ; I (p A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de contact ( 10, 33) vers l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de contact ( 10, 33); R (f) est la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) lorsque l'intensité I (p A) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de contact ( 10, 33); y est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); j (MA) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de la partie défectueuse s (cm 2); Rp (a) est la résistance de la sous-couche lorsque l'intensité j x S/s (MA) s'écoule dans la surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2); 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. 3 Dispositif de délivrance de charges par contact pour commander de manière externe les charges qui sont délivrées à un élément à charger ( 50) en amenant un élément de contact ( 10, 33), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50), caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: log (R) 2 log (Va x 106/k) + (y -B) x log (S/s) + y x log (k/I) o: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de contact ( 10, 33) en contact avec l'élément à charger ( 50) I (&A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de contact ( 10, 33) vers l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de contact ( 10, 33); R (f) est la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) lorsque l'intensité I (MA) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de contact ( 10, 33); y est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de contact ( 10, 33) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); k (MA) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); 4 Dispositif de charge par contact pour charger ou décharger de manière externe un élément à charger ( 50) en mettant un élément de contact ( 10, 33), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50), qui comprend au moins une sous-couche, caractérisé en ce que la formule suivante est vérifiée: log (R) 2 log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a-B) x log (S/s) + y x log (i/I) o lVal > lVtl Va (V) est la tension nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; I (MA) est l'intensité du courant nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de charge ( 10); R (f) est la résistance de l'élément de charge ( 10) lorsque l'intensité I (p A) est délivrée à une surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de l'élément de charge ( 10); y est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; i (MA) est l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2) lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; Rp (ra) est la résistance de la sous-couche lorsque l'intensité i (p A) s'écoule dans la surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de la sous- couche lorsqu'une tension, légèrement inférieure à la tension de claquage Vt (V), est appliquée à cette surface; 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. Dispositif de charge par contact pour charger ou décharger un élément à charger ( 50) en amenant un élément de charge ( 10), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50) qui comprend au moins une sous-couche; caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: a + b 2 Va x 106/j o: log (a) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log (b) = log (Rp) + a x log (S/s) o: Va (V) est la tension nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; I (p A) est l'intensité du courant nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de charge ( 10); R (a) est la résistance de l'élément de charge ( 10) lorsque l'intensité I ("A) est délivrée à une surface de l'élément de charge ( 10) correspondant à la surface de contact S (cm 2); y est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction de la surface; S (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); j ( A) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans une surface correspondant à la surface s (cm 2) de la partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); Rp (a) est la résistance de la sous-couche lorsque l'intensité j x S/s (MA) s'écoule dans la surface correspondant à la surface de contact S (cm 2) de la sous- couche; 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. 6 Dispositif de charge par contact pour charger ou décharger un élément à charger ( 50) en amenant un élément de charge ( 10), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50), caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: log (R) 2 log (Va x 106/k) + (y -B) x log (S/s) + y x log (k/I) o: Va (V) est la tension nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; I (g A) est l'intensité du courant nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de charge ( 10); R (n) est la résistance de l'élément de charge ( 10) lorsque l'intensité I ("A) est délivrée à une surface de l'élément de charge ( 10) correspondant à la surface de contact S (cm 2); y est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de charge ( 10) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); k (b&A) est l'intensité du courant qui peut s'écouler dans la partie défectueuse de l'élément à charger ( 50). 7 Dispositif de charge par contact selon la revendication 6, dans lequel la capacité P (W) d'une source d'énergie ( 60) pour appliquer une tension à l'élément de charge ( 10), est donnée par: P k Va x (I + k) x 106. 8 Dispositif de charge par contact selon l'une quelconque des revendications 4, 5, 6 et 7, dans lequel la résistance R de l'élément de charge ( 10) est donnée par: 3 x 108 2 R. 9 Dispositif de charge par contact selon l'une quelconque des revendications 4, 5, 6, et 7, dans lequel la tension appliquée est formée en superposant une tension alternative et une tension continue. 10 Dispositif de charge par contact selon l'une quelconque des revendications 4, 5, 6, et 7, dans lequel une couche est formée à l'emplacement de l'élément de charge ( 10) o l'élément de charge ( 10) vient en contact avec l'élément à charger ( 50), le composant principal de la couche étant l'un quelconque d'un caoutchouc uréthane, d'une résine uréthane, d'une résine nylon et d'une résine polyéthylène. 11 Dispositif de charge par contact pour charger ou décharger un élément à charger ( 50) en amenant un élément de charge ( 10), auquel une tension externe est appliquée, en contact avec l'élément à charger ( 50), qui comprend au moins une couche intermédiaire; caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: I Vb I 2 I Val Rbb/(Raa + Rbb): Va (V) est la tension nécessaire pour charger ou décharger l'élément à charger ( 50) à un potentiel en surface Vs (V) prédéterminé; Vb est la tension de claquage de la couche intermédiaire de l'élément à charger ( 50), Raa (f) est la résistance d'une surface minuscule de l'élément à charger ( 50); Rbb (n) est la résistance d'une surface minuscule de la couche intermédiaire. 12 Dispositif de transfert par contact pour transférer un agent de développement sur un support d'enregistrement d'image transférée à partir d'un élément à charger ( 50) lorsque le support d'enregistrement d'image transférée passe dans un espace entre un élément de transfert ( 20), auquel une tension externe est appliquée, et l'élément à charger ( 50), qui comprend au moins une sous-couche, caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: log (R) k log {Rp x (Va-Vt)/Vt} + (a-B) x log (S/s) + y x log (i/I) o I Val > Ivtl Va (V) est la tension appliquée à l'élément de transfert ( 20); I (p A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de transfert ( 20) vers l'élément à charger ( 50) lorsque la tension Va (V) est appliquée à l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); R (f) est la résistance de l'élément de transfert ( 20) lorsque l'intensité I (MA) est délivrée à une surface de l'élément de transfert ( 20) correspondant à la surface de contact S (cm 2); y est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; i (p A) est l'intensité du courant s'écoulant dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S (cm 2); Rp (a) est la résistance de la surface de la sous- couche correspondant à la surface de contact S (cm 2); 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. 13 Dispositif de transfert par contact pour transférer un agent de développement sur un support d'enregistrement d'image transférée à partir d'un élément à charger ( 50) lorsque le support d'enregistrement d'image transférée passe dans un espace entre un élément de transfert ( 20), auquel une tension externe est appliquée, et l'élément à charger ( 50), qui comprend au moins une sous-couche; caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: a + b 2 Va x 106/j o: log (a) = log (R) + (B y) x log (S/s) y x log (j/I) log (b) = log (Rp) + a x log (S/s) o: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de transfert ( 20); I (p A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de transfert ( 20) vers l'élément à charger ( 50) lorsque la tension Va (V) est appliquée à l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); R (a) est la résistance de l'élément de transfert ( 20) lorsque l'intensité I (g A) est délivrée à une surface de l'élément de transfert ( 20) correspondant à la surface de contact S (cm 2); y est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); Vt (V) est la tension de claquage de la sous- couche; j (p A) est l'intensité du courant pouvant s'écouler dans une surface de la sous-couche correspondant à la surface de la partie défectueuse S (cm 2); Rp (a) est la résistance de la sous-couche lorsque le courant j x S/s (p A) s'écoule dans la surface de la sous-couche correspondant à la surface de contact S cm 2. 1-a est la variation de la résistance de la sous- couche en fonction de la surface. 14 Dispositif de transfert par contact pour transférer un agent de développement sur un support d'enregistrement d'image transférée à partir d'un élément à charger ( 50) lorsque le support d'enregistrement d'image transférée passe dans un espace entre un élément de transfert ( 20), auquel une tension externe est appliquée, et l'élément à charger ( 50), caractérisé en ce que l'inégalité suivante est vérifiée: log (R) 2 log (Va x 106/k) + (y -B) x log (S/s) + y x log (k/I) o: Va (V) est la tension appliquée à l'élément de transfert ( 20); I (&A) est l'intensité du courant s'écoulant de l'élément de transfert ( 20) vers l'élément à charger ( 50) lorsque la tension Va (V) est appliquée à l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); S (cm 2) est la surface de contact de l'élément à charger ( 50) et de l'élément de transfert ( 20) dans l'état o le support d'enregistrement d'image transférée est absent entre l'élément de transfert ( 20) et l'élément à charger ( 50); R ( ) est la résistance de l'élément de transfert ( 20) lorsque l'intensité I (p A) est délivrée à une surface de l'élément de transfert ( 20) correspondant à la surface de contact S (cm 2); y est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction du courant; 1-B est la variation de la résistance de l'élément de transfert ( 20) en fonction de la surface; s (cm 2) est la surface d'une partie défectueuse de l'élément à charger ( 50); k (p A) est l'intensité du courant pouvant s'écouler dans la partie défectueuse de l'élément à charger ( 50).