Brevet FR2705165A1 — publié le 19941118

Installation de traitement par plasma et procédé pour son exploitation La présente invention concerne une installation pour le traitement par plasma sous vide de pièces, un procédé pour l'exploitation de cette installation et l'utilisation de celle-ci pour des procédés de revêtement PECVD. L'état de la technique auquel il peut être fait référence est le suivant: DE-U-91 13 860, EP-A-0 381 338 (selon JP-A-2 297 925, US-A- 5 112 641 et US-A-5 217 340), ainsi que DATABASE WPI, Derwent Publications Ltd., London, GB; AN 90-265161 C35 & JP-A-2 186 628. La présente invention s'est fixé pour but de créer une installation de traitement par plasma avec laquelle une multiplicité de pièces puisse être traitée parallèlement et avec laquelle le nombre nécessaire de cycles de manoeuvre soit minimisé, afin d'obtenir un débit maximum en un temps minimum et avec un déploiement minimum en matière de manipulation. La minimalisation du déploiement en matière de manipulation se traduit aussi au niveau du déploiement de construction et de commande sur une installation de ce type. Ce but est atteint, selon l'invention, grâce à une installation du type spécifié en introduction, qui se caractérise en ce qu'elle comprend une multiplicité de chambres à plasma superposées comportant chacune une électrode plane horizontale pourvue d'orifices de sortie répartis qui sont reliés à une réserve de gaz contenant au moins un gaz réactif, un porte-pièce pour au moins une pièce, au-dessous et en face de l'électrode, et un orifice de manoeuvre latéral, étant précisé que les orifices de manoeuvre latéraux sont alignés à la verticale les uns au- dessus des autres et débouchent dans un espace commun formant chambre dans lequel est prévu un dispositif de transport qui s'étend à la verticale le long des orifices de manoeuvre de la colonne de chambres, qui est mobile en rotation autour d'un axe vertical, et qui comporte des supports de pièces s'étendant à l'horizontale, destinés à desservir simultanément les orifices de manoeuvre au niveau de la colonne, les supports de pièces étant mobiles linéairement à l'horizontale H. En conséquence, le principe du traitement parallèle est appliqué non seulement au traitement proprement dit des pièces, mais aussi à la manipulation de celles-ci, en particulier au chargement et au déchargement des chambres à plasma disposées parallèlement, et ce grâce au fait que le dispositif de transport mobile en rotation mentionné dessert simultanément les chambres à plasma prévues. En ce qui concerne les chambres à plasma, il est fait référence à EP-A- 0 221 812 et 0 312 447. De plus, grâce à la manipulation et au traitement des pièces en conséquence horizontaux, le déploiement de construction nécessaire est sensiblement réduit par rapport à la manipulation et au traitement verticaux, et aussi par rapport aux modes mixtes selon lesquels la manipulation des pièces est réalisée alternativement dans le sens horizontal et dans le sens vertical. Bien qu'il soit tout à fait possible, suivant une configuration de base, de concevoir l'espace commun formant chambre dans lequel débouchent les orifices de manoeuvre des chambres superposées comme une chambre formant sas, et de prévoir le dispositif de transport dans cette chambre formant sas, une configuration minimale préférée de l'installation prévoit ledit espace commun formant chambre sous la forme d'un espace de transport, au niveau duquel est disposée, en plus de la colonne de chambres, au moins une chambre formant sas, étant précisé qu'en cas d'extension de l'installation, le dispositif de transport mentionné peut desservir parallèlement plus d'une colonne de chambres. Selon l'invention, il est prévu, de préférence dans la chambre formant sas, un magasin de pièces qui est apte à être introduit par une ouverture de sas communiquant avec l'environnement et qui comprend un certain nombre de compartiments horizontaux pour les pièces. Le nombre de ces compartiments est de préférence égal au nombre total d'orifices de manoeuvre de la colonne ou des colonnes. Ainsi, le magasin peut être chargé de l'extérieur avec le nombre de pièces nécessaire, et ces pièces peuvent être amenées dans les chambres superposées par le dispositif de transport. Si, selon un mode de réalisation préféré, le nombre de compartiments du magasin est égal à un multiple entier, et de préférence au double, du nombre de chambres à plasma, il est possible de charger le magasin en même temps avec des pièces traitées et avec des pièces à traiter. Selon une autre caractéristique de l'invention, l'espace formant chambre est un espace de transport, et les orifices de manoeuvre sont aptes à être fermés à l'aide d'organes de fermeture de façon étanche au vide ou pour former un palier de pression. Dans ce cas, le vide peut être réalisé conjointement dans les chambres de la colonne par l'intermédiaire d'un raccordement de pompe prévu au niveau dudit espace de transport. D'une manière avantageuse, les chambres de la colonne sont alimentées par un réservoir de gaz central et/ou une unité d'alimentation électrique centrale et/ou une station de pompage centrale. Selon un mode de réalisation avantageux de la présente invention, au moins un certain nombre de supports de pièces, qui correspond au nombre d'orifices de manoeuvre prévus sur une colonne de chambres, est conjointement mobile linéairement, à l'horizontale, afin de desservir les orifices de manoeuvre de cette colonne, et ces orifices de manoeuvre sont de préférence reliés mécaniquement en vue de décrire ce mouvement. L'invention prévoit par ailleurs que les supports de pièces comprennent des éléments horizontaux à fourche, que les porte- pièces prévus dans les chambres de la colonne et les éléments à fourche soient conçus pour décrire un mouvement vertical relatif mutuel en vue de déposer ou de prendre les pièces dans les chambres à l'aide des éléments à fourche, et que, si l'espace formant chambre est conçu comme un espace de transport comportant une chambre formant sas et un magasin, il existe une mobilité relative également verticale entre les éléments à fourche et les surfaces formant tablettes prévues dans les compartiments. Selon un mode de réalisation de l'invention, les chambres sont des chambres de traitement de pièces pour un dépôt chimique en phase vapeur avec utilisation d'un plasma (PECVD). La présente invention a également pour but de créer un procédé pour l'exploitation de l'installation décrite précédemment. Ce but est atteint grâce au fait qu'au moins les chambres d'une colonne fonctionnent de façon synchrone. D'une manière avantageuse, au moins les chambres de la colonne sont nettoyées au plasma, de préférence par attaque réactive au plasma, pendant le déchargement et le chargement de l'installation. Après l'opération de nettoyage au plasma, les chambres de la colonne sont chargées avec des pièces, et un gaz tel que He ou H2 est introduit comme gaz thermoconducteur dans les chambres en vue de chauffer les pièces par conduction de chaleur gazeuse. D'une manière avantageuse, le chauffage des pièces se fait par plasma et le plasma est utilisé aussi, de préférence, comme plasma d'attaque de nettoyage, de préférence un plasma H2. Selon une autre caractéristique de l'invention, un gradient de pression est installé dans les chambres de la colonne, au moins pendant le nettoyage, à partir de l'espace commun formant chambre. L'invention prévoit aussi que des signaux de mesure, des signaux de commande ou des signaux de réglage soient reçus et/ou générés par des unités centrales en mode multiplex, dans le cadre de la technique de régulation à partir et/ou en direction des chambres d'au moins une colonne. La présente invention prévoit enfin l'utilisation de l'installation décrite précédemment pour le revêtement PECVD, ainsi que pour la fabrication d'écrans actifs plats. L'invention va maintenant être décrite plus en détail, à titre d'exemple, à l'aide de figures parmi lesquelles: la figure 1 est une coupe longitudinale schématique d'un premier mode de réalisation d'une chambre à plasma telle qu'elle est utilisée de préférence dans l'installation de l'invention, la figure 2a est une coupe longitudinale schématique d'une configuration minimale préférée de l'installation de l'invention, les figures 2b à 2d montrent, à partir de la représentation de la figure 2a, le cycle de chargement et de déchargement des chambres à plasma dans l'installation de l'invention de cette même figure, la figure 3 est une coupe longitudinale schématique montrant les moyens prévus de préférence dans une installation de l'invention selon la figure 2 pour réaliser au moins un palier de pression entre les espaces de traitement des chambres à plasma et l'espace prévu en amont de celles-ci, les figures 4a à 4e montrent le cycle de passage préféré pour les pièces, à l'aide de représentations schématiques de dessus de l'installation de l'invention formée de deux colonnes de chambres à plasma et d'une chambre formant sas, les figures 5a à 5d montrent schématiquement, au niveau des chambres à plasma superposées de l'installation de l'invention selon la figure 2, leur commande commune centrale à l'aide de gaz (a), de pompes (b), d'énergie électrique (c) et de signaux de mesure, de commande et/ou de réglage en vue d'une régulation, en référence à l'exemple d'une surveillance centrale à l'aide d'un appareil de contrôle d'émission de plasma, la figure 6 est une coupe longitudinale schématique d'un mode de réalisation préféré d'un magasin de chambre formant sas dans l'installation selon la figure 2, la figure 7 est une coupe longitudinale schématique d'un perfectionnement préféré de la chambre représentée sur la figure 1, disposée selon l'invention dans une colonne de l'installation, pour décrire une exploitation de poussière appropriée, pour le traitement par plasma, réalisée de préférence dans l'installation de l'invention, les figures 8a à 8e montrent des modes de réalisation préférés de l'aspiration au niveau des chambres à plasma superposées prévues dans l'installation de la figure 2, pour l'exécution du procédé mis en oeuvre de préférence et décrit en référence à la figure 7, et la figure 9 montre, à l'aide d'une des chambres superposées dans l'installation, selon l'invention, une séquence de manoeuvre utilisant le procédé tel qu'il a été décrit en référence à la figure 7, d'une part pour maitriser la formation de poussière dans la décharge de plasma, et d'autre part pour l'exploiter de façon appropriée en vue d'augmenter la vitesse de traitement, et notamment la vitesse de revêtement. Dans la présente description, l'expression "chambre à plasma" désigne une zone formant chambre dans laquelle le vide a été fait et dans laquelle une décharge de plasma indépendante est entretenue, que ce soit une décharge de plasma à courant continu, à courant alternatif ou les deux, en particulier une décharge à haute fréquence qui est entretenue de façon continue ou pulsée au moins temporairement. Il est fait référence à EP-A-0 221 812 et EP- A-0 312 447, qui font partie intégrante de la présente invention. D'une manière préférée, la chambre à plasma peut être délimitée au moins partiellement par des parois étanches. D'une manière caractéristique, une pression de 10-2 mbar à 10 mbar (1 Pa à 10.102 Pa) est maintenue dans les chambres à plasma, et de préférence de 10-' mbar à 1 mbar (10 Pa à 102 Pa). La figure 1 représente schématiquement, à titre d'exemple et comme mode de réalisation préféré, une chambre à plasma 1 vue en coupe longitudinale. Cette chambre à plasma 1 comprend, dans sa zone supérieure, une électrode plane 3 qui est alimentée en courant continu, en courant alternatif ou en un mélange de courant alternatif et de courant continu, courant alternatif désignant aussi et en particulier une haute fréquence, et mélange de courant alternatif et de courant continu désignant une alimentation mixte, notamment une alimentation en courant continu ou à haute fréquence pulsée. Par haute fréquence, on entend une plage de fréquences de 1 à 100 MHz. Dans le mode de réalisation représenté, l'électrode plane 3 comporte des orifices de sortie 5 répartis de façon plane, par lesquels un gaz G contenant au moins une certaine proportion de gaz réactif est amené vers l'espace de décharge de plasma PL. Dans le fond 7 de la chambre à plasma 1 est prévu, dans un mode de réalisation préféré, un mécanisme de levage 9 pourvu d'un entraînement 11 pour déposer le substrat. Ce mécanisme comprend par exemple trois poussoirs 13 qui sont aptes à décrire un mouvement de va-et-vient grâce à l'entraînement 11, qui sont actionnés de façon synchrone à l'aide de cet entraînement 11, comme il est représenté schématiquement, et qui sont rendus étanches par rapport à l'environnement à l'aide de soufflets 15, par exemple. Il est également possible de concevoir les poussoirs 13 de telle sorte qu'ils aient une action d'auto-étanchéité, abaissés. Une chambre à plasma, par exemple et de préférence du type représenté, constitue l'élément fondamental de l'installation qui va être décrite dans ce qui suit, qui est non pas forcément mais de préférence une installation pour le revêtement de pièces par dépôt chimique en phase vapeur avec utilisation d'un plasma, ou PECVD, et notamment à plasma haute fréquence. La figure 2 représente schématiquement une configuration minimale de l'installation. Celle-ci comprend, comme l'indique le terme de configuration minimale, une colonne 20 de chambres à plasma superposées 1. Celles-ci sont représentées schématiquement sur les figures 2a à 2d et sont construites de préférence comme il a été décrit en référence à la figure 1. Les chambres à plasma 1 comportent, sur le côté, des orifices de manoeuvre respectifs 17 qui définissent une colonne d'orifices de manoeuvre et débouchent tous dans une chambre à vide commune 23. Cette chambre à vide 23 située à l'extérieur des chambres à plasma 1 forme une chambre de transport 23T. Elle contient un dispositif de transport 25 qui comprend un certain nombre de supports horizontaux 27 conçus de préférence comme des supports à fourche. Le nombre de supports horizontaux 27 prévus est égal au nombre de chambres à plasma 1 prévues dans la colonne 20. Les supports 27 sont mobiles horizontalement, de préférence de façon synchrone, comme l'indique la flèche H, par exemple grâce au fait qu'ils sont montés conjointement sur un arbre de supports 29 mobile suivant un mouvement de va-et-vient dans le sens horizontal H. Grâce à ce mouvement horizontal d'avance et de recul, des pièces à usiner 31 de préférence planes sont introduites dans les chambres à plasma 1 par les orifices de manoeuvre 17 de celles-ci, ou sorties desdites chambres, comme il ressort des figures 2(b) à 2(d). Pour le chargement de toutes les chambres à plasma 1 de la colonne 20, le dispositif de transport 25 est avancé vers la droite, sur la figure 2a, jusqu'à ce qu'il atteigne la position représentée sur la figure 2(b). Puis le mécanisme de levage 9 représenté sur la figure 1 et comportant les poussoirs 13 est soulevé et soulève à son tour les pièces 31 des supports 27 dans toutes les chambres à plasma 1 en même temps. Cela est indiqué sur la figure 2(b) par la flèche V. Après que les pièces 31 ont été soulevées par le mécanisme de levage 9 de la figure 1 comportant les poussoirs 13, et qu'elles ont atteint les positions relatives selon la figure 2(c), le dispositif de transport 25 formé des supports 27 est ramené à l'horizontale dans le sens représenté sur la figure 2(c), et les pièces 31 sont abaissées vers leur position de traitement, selon la figure 2(d), grâce à l'abaissement du dispositif de levage 9 de la figure 1. Il va de soi que le mouvement relatif vertical des pièces 31 qui a été décrit par rapport aux supports 27 peut aussi être réalisé grâce au fait que tous les supports 27 sont abaissés de façon synchrone dans les chambres 1, ou soulevés pour ramener les pièces, et que ces dernières peuvent être déposées pour le traitement sur des supports fixes prévus dans les chambres à plasma. La configuration minimale de l'installation de traitement qui, comme il a déjà été décrit, comprend une zone à vide couvrant la colonne de chambres à plasma 20, et une section formant chambre de transport 23T dans laquelle le dispositif de transport 25 est prévu et se déplace, comporte également, selon la figure 2a, une chambre formant sas 30 qui est pourvue d'une première soupape de sas 32 par rapport à la zone formant chambre de transport 23T et d'une seconde soupape de sas 34 par rapport à l'environnement de l'installation, comme il est représenté schématiquement. Dans la chambre formant sas est prévu un magasin 36 pour le stockage provisoire de pièces qui sont encore à traiter et/ou qui sont déjà traitées. Pour desservir, en plus de la colonne 20 de chambres à plasma 1, le magasin 36 prévu dans la chambre formant sas , le dispositif de transport 25 est non seulement mobile dans le sens des flèches H, mais il est aussi mobile en rotation autour d'un axe vertical, comme il est représenté en a, afin que les supports 27 puissent aussi être tournés vers la position de manoeuvre prévue pour la chambre formant sas. Comme il a été indiqué, les chambres à plasma 1 de la colonne 20 consistent de préférence en chambres de traitement PECVD. Suivant le procédé de traitement à exécuter, les orifices de manoeuvre 17 des chambres à plasma 1 ne sont pas refermés par rapport à la chambre de transport 23 pendant le traitement des pièces, ou on réalise simplement un palier de pression entre l'intérieur des chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23T, ou encore les chambres à plasma 1 sont fermées de façon étanche au vide pendant le traitement des pièces. Cette dernière possibilité est valable en particulier pour le traitement PECVD. La figure 3 représente schématiquement un mode de réalisation destiné à fermer de façon étanche au vide les orifices de manoeuvre 17 mentionnés, pendant le traitement des pièces, ou à les fermer simplement en réalisant un palier de pression par rapport à la chambre de transport 23T. A cet effet est prévu un coulisseau vertical formant jalousie 38 qui est mobile dans le sens V et qui, enclenché suivant les orifices de manoeuvre 17 prévus sur la colonne 20, présente des orifices de passage 39 qui sont dans l'alignement des orifices 17 des chambres à plasma 1 lorsque le coulisseau formant jalousie est ouvert, selon la figure 3(b). Dans cette position, les supports 27 peuvent desservir les chambres 1 de la colonne 20. Sur le coulisseau formant jalousie 38 sont également prévues des plaques d'obturation 41 mobiles horizontalement et pourvues de poussoirs et d'tentraînements 43 rendus étanches par des soufflets. Pour la fermeture des espaces de traitement dans les chambres 1, le coulisseau formant jalousie 38 est amené verticalement dans la position représentée sur la figure 3(a), après quoi les plaques d'obturation 41 sont avancées vers la droite afin d'obturer de façon étanche au vide les orifices de manoeuvre 17 des chambres à plasma 1 ou de former un palier de pression entre la chambre de transport 23T et les espaces de traitement prévus dans lesdites chambres 1. A partir de la configuration minimale représentée sur la figure 2, la figure 4 montre schématiquement une installation étendue, vue de dessus, formée de deux colonnes de chambres à plasma 20a et 20b, d'une zone formant chambre de transport 23T et d'une chambre formant sas 30. A l'aide de la séquence des figures 4(a) à 4(e), un fonctionnement préféré d'une installation de ce type va maintenant être décrit, notamment pour un procédé de traitement PECVD. Pendant la phase de fonctionnement selon la figure 4(a), les pièces sont soumises au traitement PECVD dans les deux colonnes de chambres à plasma 20a et 20b et pour cela, comme il a été expliqué en référence à la figure 3, au moins un palier de pression est réalisé entre les espaces de traitement des chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23T. La soupape de sas 32 de la figure 2a est ouverte tandis que la soupape de sas 34 est fermée par rapport à l'environnement. Quand l'opération de traitement est terminée, les colonnes 20a, 20b sont déchargées de préférence l'une après l'autre comme il est représenté sur la figure 4(b), à l'aide du dispositif de transport 25 de la figure 2a, et les pièces traitées sont déposées dans le magasin 36 prévu dans la chambre formant sas 30. Comme il sera décrit plus loin, le magasin 36 comporte de préférence un nombre de compartiments égal au nombre de pièces qui peuvent être traitées dans l'ensemble de l'installation, c'est-à- dire que si on prévoit deux colonnes de chambres à plasma selon la figure 4, il y aura autant de compartiments de magasin que de chambres à plasma 1 en tout dans les deux colonnes. Selon la figure 4(c), la soupape de sas 32 est maintenant fermée par rapport à la chambre de transport 23T tandis que la soupape de sas 34 est ouverte, et les pièces traitées sont remplacées dans le magasin par les pièces à traiter. Pendant ce temps de transbordement du magasin 36, les chambres à plasma 1 des colonnes sont soumises à une opération d'attaque de nettoyage, de préférence à une opération d'attaque au plasma à haute fréquence. Pour empêcher que le gaz de nettoyage et les produits de réaction de ce gaz et de la couche attaquée n'entrent dans la chambre de transport 23T à partir des chambres à plasma soumises à cette opération d'attaque de nettoyage, un palier de pression est de préférence réalisé, à l'aide du dispositif décrit en référence à la figure 3, entre les chambres à plasma 1 et la chambre de transport 23T, et un gaz neutre comme de l'azote, par exemple, est introduit de telle sorte qu'il se produit une baisse de pression de la chambre de transport 23T vers les chambres à plasma 1. On empêche ainsi que de la poussière de nettoyage n'entre dans la chambre de transport 23T. Les chambres 1 sont quant à elles vidées par pompage pendant l'opération d'attaque de nettoyage. Dans l'intervalle, le magasin 36 a été chargé en pièces à traiter. Pendant la phase suivante, celles-ci sont réparties selon la figure 4(d) au niveau des chambres à plasma nettoyées de la colonne. En raison de la phase d'attaque de nettoyage, les parois et les surfaces d'électrodes des chambres à plasma 1 ont été relativement fortement chauffées. Cette chaleur est utilisée de préférence, selon la figure 4(e), pour préchauffer les pièces qui viennent d'être chargées dans les chambres à plasma 1. Comme la répartition des pièces selon la phase 4(d) se fait sous vide, le dégagement de chaleur desdits éléments des chambres à plasma 1 chauffés lors de l'opération d'attaque de nettoyage est relativement faible. Après que les nouvelles pièces à traiter ont été chargées dans les chambres à plasma 1 et ont été séparées de la chambre de transport 23T au moins par l'intermédiaire d'un palier de pression, selon les modes de réalisation de la figure 3, un gaz thermoconducteur tel que de l'hydrogène ou de l'hélium, par exemple, est introduit dans les chambres à plasma 1 à une pression telle qu'il se produit une conduction thermique notable entre lesdits éléments des chambres chauffés et les pièces chargées dans les chambres. Après ce préchauffage des pièces, grâce auquel elles sont dégazées même si elles étaient soumises à l'atmosphère normale avant le début du traitement, lesdites pièces sont soumises à une opération de revêtement selon la phase 4(a), notamment par PECVD. Dans un mode de réalisation préféré de l'installation représentée, toutes les chambres à plasma 1 font l'objet d'un pompage séparé, en particulier pour l'opération d'attaque de nettoyage et pour le dégazage par chauffage des pièces. Comme il est représenté schématiquement sur la figure , pour les procédés de traitement réactifs, et notamment le procédé PECVD préféré, toutes les chambres à plasma 1 d'au moins une colonne sont alimentées par une alimentation de gaz réactif centrale, selon la figure 5(a), et le dispositif garantit que toutes les chambres 1 de la colonne soient sollicitées de la même manière par le gaz réactif, par exemple grâce au fait que des voies d'écoulement de gaz 51 identiques sont installées entre des chambres de distribution de pression 50 à volume relativement grand et toutes les chambres 1. Selon la figure 5(b), en raison du fonctionnement synchrone, toutes les chambres 1 d'au moins une colonne sont soumises à un pompage effectué par un dispositif de pompage central. Pour des raisons de rentabilité, l'alimentation électrique des décharges de plasma entretenues au niveau de toutes les chambres à plasma d'au moins une colonne est assurée de préférence, elle aussi, à partir d'une unité génératrice centrale et, selon la figure 5(c), dans le cas préféré de l'entretien d'un plasma à haute fréquence, à partir d'un générateur à haute fréquence central comportant un réseau d'adaptation central et éventuellement des réseaux compensateurs propres aux chambres, représentés par les inductances propres aux chambres, afin d'équilibrer des conditions de conduction de haute fréquence différentes vers les chambres. Si les procédés exécutés dans les chambres à plasma 1 sont surveillés, commandés et régulés, sur l'installation décrite, cela se fait de préférence par l'intermédiaire d'une unité centrale, là encore, qui est éventuellement connectée aux chambres individuelles à la manière d'un système multiplex ou suivant une succession rigide ou variable, suivant les exigences concernant les chambres des colonnes. Cela est représenté sur la figure 5(d) en référence à un exemple de surveillance à l'aide d'un appareil de contrôle d'émission de plasma. La figure 6 représente schématiquement un mode de réalisation préféré d'un magasin 36 prévu dans la chambre formant magasin 30 de la figure 2a. Le magasin 36 comprend un nombre de tablettes 37 correspondant au moins au nombre de pièces traitées de façon synchrone dans l'installation, et de préférence au double, afin de simplifier le passage des pièces dans le sas. Si, comme on l'a montré à l'aide de la figure 2a, un mouvement relatif est décrit entre les surfaces formant tablettes prévues pour les pièces et les supports 27 grâce au fait que des dispositifs de levage 9 sont prévus au niveau des chambres à plasma, comme ceux qui ont été décrits sur la figure 1, et si les supports n'effectuent donc pas de mouvement de chargement ni de déchargement, verticalement, l'ensemble du magasin 36 est de préférence déplacé verticalement, comme l'indique la double flèche V, afin de prendre les pièces sur les supports 27 ou de les transférer sur ceux-ci. Jusqu'ici, on a décrit une configuration d'installation nouvelle ainsi que son fonctionnement, en particulier pour des opérations de revêtement PECVD à haute fréquence. La suite décrit un procédé applicable en particulier en association avec l'installation décrite, avec des mesures correspondantes propres à cette installation, grâce auquel la vitesse et la qualité derevêtement de procédés de revêtement par plasma sont sensiblement améliorées. Le mode opératoire et les caractéristiques de l'installation associées qui vont être décrits conviennent fondamentalement pour des procédés de revêtement par plasma, à courant continu, courant alternatif ou les deux, du type défini en introduction. Mais les modes d'exécution qui suivent sont valables en particulier pour des procédés de revêtement réactifs à plasma haute fréquence tels que les procédés PECVD à haute fréquence. Ils sont également valables, néanmoins, pour des procédés de revêtement ionique à haute fréquence, par exemple. Comme il a été indiqué, haute fréquence désigne de préférence une plage de fréquences de 1 à 100 MHz. Même si ce qui suit s'attarde sur des procédés réactifs à plasma haute fréquence, le procédé ne doit pas être conçu pour être limité à cela. La figure 7 représente schématiquement une chambre à plasma, par exemple du type décrit précédemment en référence aux figures 1 et 2. Une électrode plane à haute fréquence 60 définit en même temps un dispositif éjecteur de gaz réparti de façon plane et prévu pour au moins un gaz réactif G qui est amené par éjection vers l'espace de décharge de plasma PL. En face de l'électrode à haute fréquence 60 est disposée d'une manière connue une électrode porte-pièce 62. En ce qui concerne les conditions de potentiel de courant continu, il est bien évident que le carter de chambre 63 et/ou l'électrode porte-pièce 62 peuvent être mis d'une manière habituelle au potentiel de référence, par exemple au potentiel de masse. L'homme de l'art connaît toutes les variantes connues à ce sujet. Dans le cas du revêtement réactif par plasma réactif de pièces au niveau de l'électrode porte-pièce 62, il se forme dans la décharge de plasma de la poussière dont la densité est désignée par Ps. La poussière produite dans la décharge de plasma peut provenir de sources très nombreuses, principalement du procédé de revêtement lui-même, mais aussi de 1 'usure mécanique pendant le chargement et le déchargement de la chambre, etc. Mais fondamentalement, la densité ps de la poussière augmente pendant le procédé de revêtement réactif, comme le montre qualitativement, à titre d'exemple, le bas de la figure 7, avec une densité de poussière (a) augmentant de façon sensiblement continue. Sans contre-mesures appropriées, cette poussière forme un précipité à partir du plasma, avec le temps, et se dépose dans l'espace de réacteur. Les couches sont ainsi contaminées par des particules de poussière (défaut de couche). En outre, le comportement du réacteur est modifié, ce qui provoque une déviation du procédé. En conséquence, les installations de production actuelles utilisant des procédés souffrant de cette poussière n'atteignent ni l'absence de défauts exigée pour les couches, ni le faible rapport nettoyage-production (disponibilité de production). Jusqu'à présent, les efforts visaient à produire le moins de poussière possible et, étant donné que celle-ci ne peut pas être complètement évitée, à l'éliminer le plus complètement possible de l'espace de revêtement. Mais on se résigne à une perte de qualité de revêtement. Or on a constaté que la poussière présente dans une décharge de plasma et en particulier dans une décharge à haute fréquence augmentait sensiblement l'alimentation en énergie électrique et notamment en énergie à haute fréquence, et que fondamentalement, la vitesse de revêtement, spécialement dans un procédé réactif, était notablement accrue dans un plasma, notamment un plasma à haute fréquence, "poussiéreux". Avec le procédé cité plus haut, on se résignait donc aussi à une perte en matière de vitesse. Cela n'est vrai, cependant, que dans la mesure o la densité de poussière dans la décharge de plasma ne dépasse pas une valeur limite. Si la densité de poussière dépasse cette valeur limite, il faut s'attendre à ce que les particules de poussière s'agglomèrent en particules de poussière plus grosses et se déposent sur la couche qui est en cours de formation. Il faut empêcher cela au maximum, notamment dans le cas de la fabrication de semi-conducteurs de d'écrans actifs plats. En vertu de cette nouvelle conclusion, la poussière formée dans un espace de décharge de plasma, notamment à haute fréquence, comme c'est le cas en particulier pour un procédé de revêtement réactif avec utilisation d'un plasma, n'est pas évacuée, mais sa densité est maintenue à un niveau Pma prédéfini, ou au-dessous de ce niveau. On règle ainsi de façon contrôlée le nombre de particules de poussière par unité de volume et/ou leur grosseur et, de ce fait, la densité et la répartition de la poussière, et ce suivant des proportions qui ont été déterminées comme optimales pour le procédé de traitement en question, à la suite d'essais préalables. Cela est représenté schématiquement sur la figure 7 par la courbe (b). Selon la figure 7, cela est réalisé fondamentalement grâce au fait qu'un courant transversal de particules Wp est formé à travers la décharge de plasma de façon commandée, grâce à l'établissement d'un champ de forces transversal, moyennant quoi les particules de poussière excédentaires sortent de la zone de la décharge de plasma active pour le revêtement et sont finalement éliminées, au besoin. Selon la figure 7, un mode d'exécution préféré consiste à générer un champ de forces et à produire dans celui-ci un courant de particules transversal grâce à un courant de gaz transversal. Cela est obtenu grâce à la réalisation d'un gradient de pression transversal. Comme il est représenté schématiquement, on fait entrer à cet effet un gaz, latéralement, lequel gaz est aspiré en face de l'orifice d'admission. En plus ou à la place de l'établissement d'un gradient de pression transversal, on peut utiliser des gradients électrostatiques et/ou des gradients thermiques afin de ne pas faire monter l'intensité de la poussière dans l'espace de décharge de plasma actif pour le revêtement au- dessus d'une certaine valeur. Dans le bas de la figure 7, la courbe caractéristique (c) représente qualitativement la manière dont la quantité de gaz introduite mG est commandée. Bien qu'il soit tout à fait possible de déterminer, grâce à des essais préalables, le moment à partir duquel le champ de forces doit être produit et sa taille, afin de maîtriser la densité de poussière dans l'espace de décharge dans le but indiqué, il est tout à fait possible, selon un mode d'exécution préféré, de calculer la densité de poussière du moment dans le plasma, par exemple grâce à une mesure de la réflexion ou de l'absorption de la lumière à l'aide d'un détecteur 65 représenté schématiquement sur la figure 7, par exemple, de comparer la valeur trouvée à une valeur de consigne Fp et de régler le champ de forces selon les gradients de pression de telle sorte que la densité de poussière se situe à un niveau souhaité. Etant donné que la densité de poussière influence fortement l'impédance de plasma, une telle régulation peut aussi se faire par l'intermédiaire d'une mesure de cette impédance. Quand on utilise un courant de gaz transversal, la mise au point se fait de préférence grâce au réglage de la quantité de gaz injectée par unité de temps, comme il est représenté schématiquement par l'unité de réglage 67 sur la figure 7. Il est bien évident que le champ de forces qui sert à sortir les particules de poussière excédentaires de la zone de revêtement peut aussi être appliqué de façon intermittente, ce qui veut dire, dans le cas de la figure 7, que le gaz Gs, appelé dans ce qui suit gaz de circulation, qui provoque le courant transversal W, peut être introduit de façon pulsée. Comme il a déjà été indiqué, ce procédé a parfaitement fait ses preuves en particulier avec des procédés de revêtement réactifs par plasma à haute fréquence, grâce au fait qu'avec des procédés de ce type, notamment avec des procédés réactifs, une formation de poudre ou de poussière a lieu dans la décharge de plasma de façon inhérente au procédé. Si l'écoulement transversal W est produit à l'aide d'un gaz de circulation Gs, selon la figure 7, le gaz de circulation utilisé est de préférence un gaz neutre de travail par plasma comme l'argon ou l'hélium, par exemple, ou un gaz qui n'est pas nécessaire pour la constitution de la couche, comme H2. L'utilisation, comme gaz de circulation, d'un gaz participant de façon déterminante à la constitution de la couche peut avoir une influence négative sur la répartition de la couche. Il est essentiel de savoir que pendant la durée de la décharge de plasma, la poussière ou la poudre reste emprisonnée dans ladite décharge. En conséquence, si on doit empêcher, au moment o le traitement par plasma ou plus généralement la décharge lumineuse sont arrêtés, que la poussière restée dans la décharge ne se dépose dans la chambre de traitement, on procède de préférence de la manière suivante. - A la place du gaz réactif, on introduit un gaz neutre, de sorte que si le procédé de formation de couche doit être interrompu en temps voulu, cela empêche la poursuite de la constitution de la couche. Grâce au maintien du plasma neutre, la poussière reste prisonnière de la décharge de plasma et est éliminée. Dans le plasma neutre, la formation de poussière est ainsi considérablement réduite. - Dans la décharge de plasma de gaz réactif qui est maintenue, ou dans la décharge neutre qui vient d'être mentionnée, le champ de forces transversal est augmenté et dans le cas préféré d'un "courant de gaz de circulation", celui-ci est amplifié grâce à l'augmentation de la quantité de gaz introduite et/ou à l'augmentation de la puissance d'aspiration. L'intensité de plasma peut être réduite de façon continue sans que la décharge cesse. Ainsi, l'action de la décharge de plasma agissant comme un piège pour la poussière est sans cesse réduite, ce qui facilite la sortie des particules de poussière grâce au champ de forces mentionné. En réduisant l'intensité de la décharge et en augmentant simultanément le débit de la pompe, latéralement, et/ou la quantité de gaz de circulation introduite, on obtient une déviation maximale des particules de poussière hors de la zone de revêtement située au-dessus de l'électrode 62, selon la figure 7. Fondamentalement, le champ de forces utilisé selon l'invention peut être soutenu grâce au fait que la décharge de plasma fonctionne de façon pulsée. Cela réduit l'action de piège à poussière du plasma et facilite l'évacuation ciblée de la poussière excédentaire. Cela est valable non seulement pour l'arrêt du procédé de revêtement, mais aussi pendant le procédé lui-même. Ce qui est essentiel, c'est que la décharge de plasma soit maintenue jusqu'à ce que la poussière accumulée dans cette décharge soit éliminée, pour l'arrêt du procédé. Ce fait établi conduit à un mode de fonctionnement préféré selon lequel une décharge de plasma est entretenue dans la chambre à plasma même lorsque les pièces sont chargées et que les pièces traitées sont déchargées, par exemple. Une décharge de plasma qui est inactive pour le procédé de revêtement réactif, et donc dans un gaz neutre à cet égard, peut tout à fait servir aussi, sur la pièce pas encore soumise ou déjà soumise à l'opération de revêtement, ou au niveau de la chambre à plasma, à opérer un nettoyage par attaque, par exemple grâce au fait qu'un plasma d'hydrogène est maintenu. Il est important, alors, que les particules déposées sur le substrat puissent être captées par la décharge de plasma et évacuées. Pendant la phase terminale d'un procédé de traitement, par exemple, un plasma de nettoyage H2 peut ainsi être entretenu par exemple pendant le déchargement et le rechargement de la chambre à plasma. Etant donné que lors de l'attaque, la poussière contenue dans la décharge de plasma ne peut que gêner, le champ de forces transversal établi est réglé de façon maximale. Grâce à la mise en oeuvre du mode opératoire décrit dans une décharge de plasma à haute fréquence d'un procédé de revêtement réactif destiné à déposer des couches de a-Si sans défauts, sans dépôt de poussière dans le réacteur, la vitesse de revêtement a pu être multipliée par 2,5 et les tensions de couches divisées en même temps par 2,5, étant précisé qu'en raison de l'augmentation de la vitesse de revêtement, la finesse de couche a approximativement doublé, et ce par rapport au revêtement dans la même chambre à plasma, dans laquelle on a essayé, à l'aide de techniques connues comme elles ont été décrites en introduction, de minimiser la densité de poussière, en choisissant un point de travail de procédé à des tensions basses et une puissance faible. Ainsi, dans le cas de l'application de la technique connue mentionnée (minimisation de la formation de poussière), les vitesses de revêtement pour des couches de a-Si sont 5.10 dyn/cm2, tandis que selon l'invention, les vitesses de revêtement sont de 10 A/s et les tensions de couche Comme il a été indiqué, un mode de réalisation préféré du champ de forces transversal consiste à former un courant de gaz transversal à travers la décharge de plasma, comme le montre la figure 7. La figure 8 montre plusieurs variantes (a) à (e) destinées à former, côté aspiration, le champ de forces et le gradient de pression mentionnés. Selon la figure 8(a), l'aspiration du gaz hors de l'espace de traitement ou de décharge se fait par une fente étroite 69 ménagée dans la paroi de la chambre à plasma 1, qui est mise à un potentiel électrique défini, par exemple au potentiel de masse. La largeur de la fente 69 est calculée pour que le plasma ne puisse pas la traverser, et elle est de préférence de 2 à 4 mm. D'une manière préférée, le courant transversal dont il a été question sur la figure 7 est en outre soutenu de façon déterminante par l'admission de gaz transversale représentée sur la figure 7, et cela se fait aussi, d'une manière préférée, avec les variantes de réalisation 8(b) à 8(e). Selon la figure 8(b), on prévoit une fente d'aspiration 71 dans la zone du bord de l'électrode 60, suivant un autre principe préféré. On a constaté que la densité de poussière était maximale à l'endroit o le champ électrique alimentant la décharge de plasma était maximal. On sait que dans le cas des surfaces sollicitées par un potentiel, cet endroit est situé au niveau des bords et des pointes, etc. C'est pourquoi l'invention propose, selon la figure 8(b), de procéder à l'aspiration à l'aide de la fente 71 prévue au niveau de la zone du bord de l'électrode 60, et donc dans une zone dans laquelle il y a une densité de poussière accrue en raison de l'intensité de champ accrue. En conséquence, ce procédé est perfectionné selon la figure 8(c), grâce au fait que des fentes d'aspiration 71a et 71b sont prévues des deux côtés, dans la zone du bord de l'électrode et de la contre-électrode 62. Avec une variante de réalisation selon la figure 8(d), la vitesse du gaz transversal augmente vers une zone de décharge de plasma plus étendue, grâce à une fente 73 qui va en rétrécissant de façon continue en forme de cône, ce qui accroît l'efficacité du courant transversal; Selon la figure 8(e), la zone de paroi 75 de la chambre à plasma 1 dans laquelle est ménagée la fente d'aspiration 77 fonctionne à un potentiel flottant. On obtient ainsi que la barrière de potentiel qui doit être franchie par les particules de poussière lors de leur extraction de la décharge soit réduite, car le potentiel de la section de paroi fonctionnant de façon flottante se règle à un potentiel intermédiaire entre les potentiels des électrodes 60 et 62. Une autre possibilité, évidente, consiste à prévoir au niveau de la fente d'aspiration un filtre grâce auquel l'ouverture de la fente, et donc la section transversale de pompage, peuvent être agrandies sans que le plasma passe par la fente. il est bien évident, également, que les caractéristiques des aspirations de gaz représentées peuvent être combinées. La figure 9 montre, pour revenir par exemple à la configuration d'installation nouvelle à colonne de réacteurs à plasma décrite plus haut, comment se font là aussi le chargement et le déchargement des chambres à plasma 1, d'une manière préférée et compte tenu de ce qui vient d'être décrit. Selon la figure 9(a), la pièce 31 (figure 2a) est déposée sur le mécanisme de levage 9 comportant les coulisseaux 13. Puis, dès qu'un palier de pression s'est formé, un plasma neutre est amorcé dans la chambre à plasma, selon la figure 9(b), une fois qu'au moins un palier de pression a de préférence été réalisé par rapport à la chambre de transport 23T à l'aide des plaques d'obturation 41. Un gaz non réactif comme l'argon ou l'hydrogène est introduit, comme il est représenté. La pièce 31 est également chauffée, entre autre en vue d'être dégazée, comme il a été décrit précédemment. L'aspiration A a commencé. La poussière se formant par exemple lors de l'abaissement mécanique de la pièce 31 selon la figure 9(c) est captée dans le plasma neutre maintenu, et aspirée par le courant transversal de gaz neutre en A. Si la pièce est abaissée, selon la figure 9(d), l'admission de gaz réactif est déclenchée, de préférence non seulement à travers l'électrode 62 à haute fréquence formant une douche à gaz, mais aussi à travers l'orifice latéral d'admission de gaz de circulation, comme il est représenté. Pendant l'opération de revêtement qui suit, comme il a été décrit en référence à la figure 7, on ne fait pas disparaître la densité de poussière dans la décharge de plasma, mais on la contrôle de telle sorte qu'elle ne dépasse pas une valeur prédéfinie. Quand l'opération de revêtement est terminée, selon la figure 9(e), le courant transversal de gaz réactif ou d'un gaz neutre est augmenté ou bien on passe à une décharge de plasma neutre (non représentée), comme il a été décrit. Ce qui est important, c'est que même pendant le soulèvement de la pièce qui a été soumise à l'opération de revêtement, selon la figure 9(f), une décharge de plasma captant la poussière soit maintenue, que ce soit sous la forme d'une décharge de plasma neutre ou d'une décharge de plasma réactif, si l'opération de revêtement ne doit pas être terminée à un moment défini. Selon la figure 9(g), la pièce 31 est ensuite enlevée des chambres à plasma 1, étant précisé que dans cette phase de fonctionnement, comme éventuellement dans celle de la figure 9(a) et notamment de la figure 9(b), une décharge de plasma est de préférence maintenue, comme il est représenté en trait discontinu, non pas une décharge de plasma réactif, mais une décharge de plasma neutre, en particulier une décharge de plasma d'hydrogène, d'une part pour continuer à capter les particules de poussière, et d'autre part en vue de l'opération d'attaque de nettoyage de la chambre. Comme il est indiqué sur les figures 9(a) et 9(g), l'hydrogène est alors introduit d'un côté et aspiré de l'autre côté, de sorte que la poussière captée dans le plasma est évacuée le plus complètement possible pendant ces phases. En plus de l'aspiration de gaz décrite destinée à produire le courant transversal, d'autres aspirations peuvent être prévues, réparties au niveau de l'électrode 60, par exemple, comme les orifices d'injection de gaz réactif. En étudiant de façon appropriée la répartition de l'aspiration du gaz vers la chambre à plasma et/ou hors de celle-ci, on peut éventuellement optimiser l'homogénéité de traitement. L'installation et le procédé décrits conviennent en particulier pour la fabrication d'écrans actifs plats. REVENDICATIONS 1. Installation pour le traitement par plasma sous vide, caractérisée en ce qu'elle comprend une multiplicité de chambres à plasma (1) superposées comportant chacune une électrode plane horizontale (3, 60) pourvue d'orifices de sortie (5) répartis qui sont reliés à une réserve de gaz contenant au moins du gaz réactif, un porte-pièce pour au moins une pièce (31), au-dessous et en face de l'électrode (3, 60), et un orifice de manoeuvre latéral (17), étant précisé que les orifices de manoeuvre latéraux (17) sont alignés à la verticale les uns au-dessus des autres et débouchent dans un espace commun formant chambre (23) dans lequel est prévu un dispositif de transport (25) qui s'étend à la verticale le long des orifices de manoeuvre (17) de la colonne de chambres (20), qui est mobile en rotation autour d'un axe vertical, et qui comporte des supports de pièces (27) s'étendant à l'horizontale, destinés à desservir simultanément les orifices de manoeuvre (17) au niveau de la colonne (20), les supports de pièces (27) étant mobiles linéairement à l'horizontale H. 2. Installation de traitement selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'espace commun formant chambre est une chambre formant sas. 3. Installation selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'espace commun formant chambre est un espace de transport (23T) au niveau duquel est disposée au moins une chambre formant sas (30) et dans lequel, de préférence, plus d'une colonne de chambres (20) est disposée pour pouvoir être desservie à l'aide du dispositif de transport (25). 4. Installation selon la revendication 3, caractérisée en ce qu'il est prévu, associé à la chambre formant sas (30), un magasin de pièces (36) qui est apte à être introduit par une ouverture de sas communiquant avec l'environnement et qui comprend un certain nombre de compartiments horizontaux respectifs(37) pour les pièces (31), et en ce que le nombre de compartiments (37) du magasin (36) est de préférence égal au nombre d'orifices de manoeuvre (17) des colonnes (20), ou égal à un multiple entier de ce nombre, de préférence au double. 5. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisée en ce que l'espace formant chambre est un espace de transport (23T) et les orifices de manoeuvre (17) sont aptes à être fermés à l'aide d'organes de fermeture (38, 41, 43) de façon étanche au vide ou pour former un palier de pression. 6. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce que l'espace formant chambre est un espace de transport (23T), et en ce que le vide est réalisé conjointement dans les chambres (1) de la colonne (20) par l'intermédiaire d'un raccordement de pompe prévu au niveau de l'espace de transport (23T). 7. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisée en ce que les chambres (1) de la colonne (20) sont alimentées par un réservoir de gaz central et/ou une unité d'alimentation électrique centrale et/ou une station de pompage centrale. 8. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisée en ce qu'au moins un certain nombre de supports de pièces (27), qui correspond au nombre d'orifices de manoeuvre (17) prévus sur une colonne de chambres (20), est conjointement mobile linéairement, à l'horizontale, afin de desservir les orifices de manoeuvre (17) de cette colonne (20), et en ce que les supports (27) sont de préférence reliés mécaniquement (29) en vue de décrire ce mouvement. 9. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 8, caractérisée en ce que les supports de pièces (27) comprennent des éléments horizontaux à fourche, en ce que les porte-pièces prévus dans les chambres (1) de la colonne (20) et les éléments à fourche sont conçus pour décrire un mouvement vertical relatif mutuel en vue de déposer ou de prendre les pièces (31) dans les chambres (1) à l'aide des éléments à fourche, et en ce que, si l'espace formant chambre (23) est conçu comme un espace de transport (23T) comportant une chambre formant sas (30) et un magasin (36), il existe une mobilité relative également verticale entre les éléments à fourche et des surfaces formant tablettes prévues dans les compartiments (37) du magasin (36). 10. Installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 9, caractérisée en ce que les chambres (1) sont des chambres de traitement de pièces pour un dépôt chimique en phase vapeur avec utilisation d'un plasma (PECVD). 11. Procédé pour l'exploitation d'une installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 10, caractérisé en ce qu'au moins les chambres (1) d'une colonne (20) fonctionnent de façon synchrone. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'au moins les chambres (1) de la colonne (20) sont nettoyées au plasma, de préférence par attaque réactive au plasma, pendant le déchargement et le chargement de l'installation. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que, après l'opération de nettoyage au plasma, les chambres (1) de la colonne (20) sont chargées avec des pièces (31), et un gaz tel que He ou H2 est introduit comme gaz thermoconducteur dans les chambres (1) en vue de chauffer les pièces (31) par conduction de chaleur gazeuse. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le chauffage des pièces (31) se fait par utilisation d'un plasma et le plasma est utilisé aussi, de préférence, comme plasma d'attaque de nettoyage, de préférence un plasma H2. 15. Procédé selon l'une quelconque des revendications 13 ou 14, caractérisé en ce que, au moins pendant le nettoyage, un gradient de pression est installé dans les chambres (1) de la colonne (20) à partir de l'espace commun formant chambre (23). 16. Procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 15, caractérisé en ce que des signaux de mesure, des signaux de commande ou des signaux de réglage sont reçus et/ou générés par des unités centrales en mode multiplex, dans le cadre de la technique de régulation à partir et/ou en direction des chambres (1) d'au moins une colonne (20). 17. Utilisation de l'installation selon les revendications 1 à 10 pour le revêtement par PECVD. 18. Utilisation de l'installation selon l'une quelconque des revendications 1 à 10 ou du procédé selon l'une quelconque des revendications 11 à 16 pour la fabrication d'écrans actifs plats.