Brevet FR2701797A1 — publié le 19940826

DESCRIPTION Domaine technique La présente invention a pour objet un coup Leur de transfert d'une puissance micro-onde vers une nappe de plasma et une source micro-onde linéaire pour le traitement de surfaces par plasma. Etat de La technique antérieure Dans le but d'atteindre les températures nécessaires à la fusion contrôlée, le chauffage des plasmas par des ondes de haute fréquence à la résonance hybride basse (M1 GHz) fait depuis longtemps L'objet de nombreuses investigations théoriques et expérimentales. Ces dernières ont permis d'étudier la physique de ce chauffage après avoir résolu d'importants problêmes technologiques soulevés par L'injection de plusieurs centaines de kilowatts ( 1MMW) H.F. dans un tokamak (vide, champ magnétique ...), au moyen d'antennes dont les caractérisiques sont imposées par la physique des ondes plasma. Une thèse de docteur d'état intitulée "Couplage d'ondes pour le chauffage des plasmas à la fréquence hybride basse" de Nguyen-Trong-Khoi (Université Scientifique et Médicale de Grenoble et Institut National Polytechnique de Grenoble, 10 février 1986) présente les théories linéaire et quasi-linéaire de la propagation des ondes au voisinage de la fréquence hybride basse et de leur interaction avec le plasma, qui sont utilisées pour déterminer les paramètres des coup Leurs d'ondes lentes. L'étude du couplage de ces ondes aux plasmas est faite en utilisant un tenseur plasma froid de la théorie linéaire et en distinguant différents régimes de couplage.Une théorie multipolaire des réseaux de guides d'ondes ("Grils") est développée et de nouvelles structures H.F. dérivées du principe du "Gril" sont étudiées de façon à faciLiter l'extrapo- lation de ce principe aux grands tokamaks et aux réacteurs. Ces "structures compactes" permettent de réaliser des antennes modulaires dites rrà multijonctions plan-E" et la théorie électromagnétique de telles multijonctions est présentée.Les propriétés physiques des antennes à ondes lentes ainsi obtenues sont étudiées, en ce qui concerne le couplage de la puissance H.F. aux ondes de plasma Dans les sources à résonance cyclotronique électronique, les ions sont obtenus en ionisant, dans une enceinte fermée du genre cavité hyperfréquence présentant un axe de symétrie, un mi lieu gazeux, constitué d'un ou plusieurs gaz ou de vapeurs métalliques. Cette ionisation résulte d'une interaction entre le mi lieu gazeux et un plasma d'électrons fortement accélérés par résonance cyclotronique électronique. Cette résonance est obtenue grâce à L'action conjuguée d'un champ électromagnétique de haute fréquence, injecté à une première extrémité de l'enceinte, et d'un champ magnétique à symétrie axiale régnant dans cette même enceinte. Une demande de brevet français nO 86 10066 du 10 juillet 1986 décrit une telle source d'ions à résonance cyclotronique qui comprend : - une enceinte fermée ayant un axe de symétrie longitudinal, une première et une seconde extrémités orientées selon cet axe, cette enceinte contenant un gaz destiné à former par résonance cyclotronique un plasma confiné dans ladite enceinte ; - un dispositif pour injecter à la première extrémité de l'enceinte un champ électromagnétique de haute fréquence ;; - une structure magnétique, disposée autour de l'enceinte et présentant un axe de symétrie confondu avec celui de l'enceinte, engendrant des champs magnétiques locaux, axiaux et radiaux, définissant au moins une nappe équimagnétique sur laquelle la condition de résonance cyclotronique électronique est satisfaite, cette structure magnétique comprenant une première et une seconde bobines disposées de part et d'autre et à égale distance d'un plan médian, perpendiculaire à L'axe longitudinal de l'enceinte et passant par le centre de la cavité, ces deux bobines étant parcourues par des courants de sens de circulation opposé ; et des moyens de concentration des Lignes de forces magnétiques, entourant L'enceinte dans le plan médian et renforçant localement les champs magné tiques radiaux dans ce plan ; - un système pour extraire de L'enceinte les ions formés, situé à la seconde extrémité de l'en- ceinte. Le domaine de L'invention est, par contre, celui de la production de nappes de plasma de très grande longueur (par exemple supérieure à un mètre) et du couplage d'une puissance micro-onde à cette nappe de plasma dans le but de réaliser le traitement de surfaces de grandes dimensions. Pour ce faire, l'invention a pour objet de résoudre un certain nombre de problèmes existant dans les dispositifs de l'art connu, pour réduire le court, faciliter l'utilisation, obtenir de meilleurs résultats, notamment - réalisation d'un coupleur d'une puissance d'entrée micro-onde vers une nappe de plasma, qui permette de fournir à la nappe de plasma une puissance uniformément distribuée ; - utilisation de générateurs de faible puissance plus faciles d'utilisation et moins chers en coût ; - élimination de tout intercouplage entre ces générateurs, en atténuant la puissance réfléchie vers ceux-ci, sans utiliser un circulateur qui coûte cher ; - modularité désirée de la source de l'in- vention ; - obtention d'une usure homogène de la cible ;; - obtention d'une bonne adaptation des différents éléments utilisés : coupleur, plasma, cible, dépôt désiré ; - obtention d'un bon fonctionnement malgré les grandes dimensions de l'installation ; - obtention d'un dépôt contrôlé de façon indépendante de la création de la nappe de plasma. Exposé de L'invention L'invention propose, à cet effet, un coupleur de transfert d'une puissance d'entrée micro-onde vers une nappe de plasma, qui permet de fournir à cette nappe une puissance uniformément distribuée, et une source micro-onde linéaire qui fonctionne sans électrode, dans une large gamme de pressions et génère une nappe de plasma dont les dimensions sont adaptées au traitement de grandes surfaces. L'invention concerne tout d'abord un coupleur de transfert d'une puissance micro-onde d'entrée vers une nappe de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un module UHF formé d'au moins deux guides secondaires alimentés à égale puissance à partir d'un guide principal par L'intermédiaire d'au moins une multijonction plan E diviseur de puissance, et disposés côte à côte de manière à répartir uniformément la puissance. Avantageusement ces jonctions plan E sont munies de déphaseurs constitués de portions de guide à hauteur réduite. Dans une première variante de réalisation les guides secondaires sont associés par leur grand côté. Dans une seconde variante de réalisation les guides secondaires sont associés par leur petit côté. Un tel coup Leur, qui est donc constitué de plusieurs modules UH F, permet à partir de générateurs indépendants d'obtenir une source de grande dimension linéaire. Il a comme avantage d'empêcher un intercouplage entre sources et d'atténuer la puissance réfléchie dans les sources. L'invention concerne, de plus, une source micro-onde Linéaire pour le traitement de surfaces par plasma, caractérisée en ce qu'elle comprend - une enceinte étanche ; - des moyens pour créer un champ magnétique dans l'enceinte et générer une nappe de plasma ; - des moyens de couplage entre des moyens d'émission micro-onde et la nappe de plasma dans l'en- ceinte ; - au moins une cible, constituée d'au moins un élément à déposer, isolée électriquement de L'enceinte et portée à une tension de polarisation par rapport à la nappe de plasma ; - des moyens de pompage pour faire le vide dans l'enceinte ; - des moyens d'injection de gaz pour le contrôle des espèces ioniques de la nappe de plasma. Avantageusement les moyens de couplage comprennent au moins une association d'au moins deux guides d'ondes identiques disposés côte à côte permettant de répartir dans L'enceinte la puissance générée par les moyens d'émission micro-onde et d'obtenir une excitation uniforme de cette onde dans toute la nappe de plasma. Une telle source micro-onde de L'invention présente le grand avantage de fonctionner sans électrode dans une large gamme de pression et de générer une nappe de plasma dont les dimensions sont adaptables à l'application retenue. Selon le mode de fonctionnement retenu, elle peut délivrer - une nappe de plasma très dense et un flux ionique dont Les caractéristiques sont particulièrement bien adaptées au procédé de revêtement de pièces de grandes dimensions par pulvérisation de cible ; - une nappe de plasma métallique pour le dépôt de couches minces métalliques ou d'alliage sur des substrats ; - une nappe de plasma gazeux ou métallique pour des besoins de l'implantation ionique sur de grandes surfaces. Dans une réalisation préférentielle les moyens de couplage comprennent au moins un module UHF formé d1au moins deux guides secondaires alimentés à égale puissance à partir d'un guide principal par L'intermédiaire d'au moins une multijonction plan E diviseur de puissance. Ces multijonctions plan E sont munies de déphaseurs constitués de portions de guide à hauteur réduite. Les guides secondaires peuvent être associés par leur grand côté ou par Leur petit côté. Dans une tel le source, le double problème de réalisation et d'adaptation est évité par l'utili- sation de modules UHF identiques, regroupant plusieurs guides, alimentés à égale puissance et placés côte à côte. A la fréquence de 2,45 GHz. Cette solution est particulièrment simple et économique car chaque module UHF peut être alimenté par un émetteur micro-onde de moyenne puissance de type magnétron. Cette méthode d'association de guides permet d'adapter la surface de la nappe de plasma, générée dans la source, aux dimensions des pièces à traiter et en particulier au cas des pièces de grandes dimensions. Avantageusement les moyens de couplage sont réalisés, au moins partiellement, en un matériau qui est celui de La cible, ce qui permet L'obtention de dépôts métalliques de haute qualité, La contamination par les impuretés étant alors réduite. L'ensemble de la source est à la masse. L'enceinte a une forme parallélépipédique. La fréquence du champ électromagnétique produit à l'intérieur de L'enceinte est située dans la plage 1 GHz - 10 GHz. Dans une première variante de réalisation, les moyens pour créer un champ magnétique comprennent des bobinages, la longueur des bobinages étant supérieure à la longueur de L'enceinte à vide de manière à éliminer les effets de bord liés au retour du courant. Dans une seconde variante de réalisation, les moyens pour créer un champ magnétique comprennent des blocs aimants permanents disposés de part et d'autre de l'enceinte à vide, les blocs aimants permanents étant prolongés au-delà de L'enceinte à vide pour éviter les effets de bord. Dans un premier mode de réalisation, la source selon L'invention présente une configuration magnétique de type miroir comprenant deux ensembles de bobinage identiques parcourus par des courants égaux et de même sens, ou deux blocs d'aimants identiques évidés dans leur partie centrale disposés de part et d'autre de l'enceinte à vide, le champ magnétique présentant deux maxima BMAX et un minimum 8MIN entre ces maxima, la condition BMAX > BRES > BMIN étant satis- faite, BRES étant la valeur du champ magnétique pour laquelle la pulsation gyromagnétique de l'électron est égale à la pulsation de L'onde électromagnétique utilisée pour créer le plasma. Par rapport à la technique magnétron couramment utilisée pour ce procédé de revêtement, ce type de source offre de nombreux avantages L'ionisation du gaz, la pulvérisation de la cible, la recombinaison des atomes de la cible sur la pièce à traiter sont très fortement découplées, ce qui donne une très grande souplesse dans la mise en oeuvre du procédé. La densité ionique ni dans la source est fixée par le débit de gaz FO et la puissance micro-onde PUHF et la vitesse des ions V2 qui bombardent la cible par la tension de la cible Vc. La vitesse de dépôt sur la pièce qui est proportionnelle au flux d'ions sur la cible peut donc être contrôlée de façon indépendante par les trois paramètres CO, PUHF, Vc. Ceci permet par exemple d'optimiser le coefficient de "sputtering" des ions sur la cible par la tension cible Vc et d'optimiser la densité dans la source avec les paramètres Co et PUHF. D'autre part, dans ces sources les atomes neutres émis par la cible se recombinent sur la pièce à traiter dans une région qui n'est pas en regard du plasma. De ce fait, à flux d'ions constants délivré par la source, la pression dans le bâti de travail peut être abaissée par l'utili- sation d'un pompage différentiel ; le mécanisme d'ionisation par L'onde utilisé permet à flux d'ions donné sur la cible, de travailler avec des pressions plus faibles dans la source, ce qui limite la densité des gaz occlus dans le dépôt ; le bilan en matière est amélioré car toute la surface de la cible est bombardée par la nappe de plasma.D'autre part, la cible peut être chargée sans démontage de la source ou défiler devant le faisceau d'ions pour la mise en oeuvre d'un processus continu. Dans ce mode de réalisation la source peut être utilisée pour délivrer un faisceau d'ions ou d'électrons. Pour ce mode de fonctionnement la cible est remplacée par des électrodes d'extraction. La première électrode en regard de la nappe de plasma est placée au potentiel de L'enceinte à vide, la seconde électrode polarisée positivement pour extraire les électrons ou négativement pour extraire les ions. Dans un second mode de réalisation, la source selon L'invention présente une configuration magnétique à "CUSP" dans laquelle les courants qui parcourent les bobinages ou le vecteur aimantation dans les blocs d'aimants sont de signes opposés, les bobinages et les aimants étant dimensionnés pour satisfaire la condition BxMAX, ByMAX > BRES En plus de la possibilité de réaliser des dépôts sur des substrats de grandes dimensions, ce type de source, de par son principe de fonctionnement, présente par rapport aux autres sources généralement utilisées plusieurs avantages importants le mécanisme d'ionisation par L'onde élimine la pollution du dépôt liée à l'utilisation de cathode émissive et permet un fonctionnement de la source à basse pression, ce qui limite la densité des gaz occlus la configuration magnétique à "CUSP" ajoute une nouvelle possibilité de contrôle de la nature et de la qualité du dépôt. Ce dernier point est un élément important de la souplesse d'utilisation de ces sources. Dans un troisième mode de réalisation, la source selon l'invention présente une configuration magnétique hybride générée par la superposition d'un champ magnétique à miroir créé par deux bobinages qui entourent l'enceinte à vide ; d'un champ magnétique transversal produit par deux blocs d'aimants permanents disposés de part et d'autre de L'enceinte à vide. Le domaine d'application de ce type de source recouvre tous les domaines d'application des sources d'ions classiques : implantation ionique, dépôt sous assistance ionique... L'avantage unique de ce type de source est de permettre la mise en oeuvre de ces procédés au niveau industriel grâce aux dimensions et aux performances du faisceau d'ions généré. Dans chacun de ces modes de réalisation, l'absence de cathode émissivive permet de faire fonctionner ces sources avec des gaz réactifs en régime permanent avec une fiabilité et une durée de vie remar tuables. Brève description des dessins - Les figures la à îc illustrent une source à miroirs magnétiques selon l'invention dans une configuration utilisant des bobines ; - les figures 2a à 2c illustrent une source à miroirs magnétiques selon L'invention dans une configuration utilisant des aimants permanents ; - la figure 2d illustre une variante de la source illustrée aux figures 2a à 2c ; - les figures 3a et 3b illustrent une variante de la source illustrée aux figures la à îc ; - les figures 4 à 12 illustrent différentes caractéristiques de la source selon l'invention ; - les figures 13a à 13c illustrent une source à "CUSP" selon L'invention dans une configuration utilisant des bobines - les figures 14a à 14c illustrent une source à "CUSP" selon L'invention dans une configuration utilisant des aimants permanents ;; - la figure 15 illustre une source microonde à configuration hybride. Exposé détaillé de modes de réalisation Selon l'invention les propriétés spécifiques d'une nappe de plasma créée dans une source d'ions à résonance cyclotronique et génération de plasma, telles que densité, taux d'ionisation, dimensions, reposent sur la mise en oeuvre simultanée - d'une configuration magnétique linéaire ; - de L'ionisation du gaz par une onde de fréquence fO ; - de l'utilisation des propriétés résonnantes de cette onde à la résonance cyclotronique électronique fO=fCe=eB/m (e : charge de l'électron ; B : module de champ magnétique ; m : masse de l'électron) et de ses possibilités de se propager à forte densité sous la forme du mode hybride inférieur ; - de l'excitation uniforme de cette onde dans toute la nappe de plasma au moyen d'un coup Leur constitué de guides d'onde, identiques et associés côte à côte. La configuration magnétique d'une telle source est produite par des bobinages ou des aimants permanents. Selon Le sens et l'intensité du courant dans les bobinages ou de l'aimantation dans les aimants permanents, il est possible d'obtenir trois classes de configuration magnétique - une configuration magnétique de type . . mirorr - une configuration magnétique de type "CUSP" - une configuration magnétique hybride. Ces sources, selon la configuration magnétique utilisée, génèrent un plasma dont les caractéristiques sont spécialement adaptées aux besoins - du revêtement par pulvérisation (première configuration) ; - du dépôt de couches minces métalliques (seconde configuration) ; - de l'implantation et de l'assistance ionique (troisième configuration). Dans la description qui suit, la fréquence f0 de L'onde n'est pas précisée car la source de l'invention fonctionne dans une large gamme de fréquences, de quelques centaines de mégahertz (MHz) à plusieurs dizaines de gigahertz (GHz). A l'intérieur de cette gamme, la plage 1-10 GHz présente plusieurs avantages il existe des émetteurs de puissance, les performances des aimants permanents sont compatibles avec la condition de résonance de l'onde fO = eB/2 xm, les caractéristiques du plasma adaptées aux applications visées. En particulier la fréquence industrielle de 2,45 GHz, pour laquelle il existe des émetteurs de petite et moyenne puissances de type magnétron et des émetteurs de forte puissance de type klystron, offre une grande souplesse dans la répartition de cette puissance sur les guides du coup Leur et un bon compromis entre le prix de ces sources et les performances du plasma. Le schéma de principe d'une source de type à miroir magnétique utilisée pour le revêtement d'une pièce par pulvérisation d'une cible 2 par bombardement ionique est schématisé sur les figures la à îc et 2a à 2c. Sur les figures lb et lc Le miroir magnétique est produit par des bobinages B1 et B2, sur les figures 2b et 2c par des aimants permanents AI et A2. Les figures la et 2a montrent la variation du champ magnétique Bx dans le plan de symétrie de la source (Y = O).Les figures lb et 2b correspondent à une coupe de la source selon une section droite (plan XOY) et les figures lc et 2c à une coupe selon une section longitudinale (plan Yod). Cette source est constituée d'une enceinte à vide 1, d'un ensemble de bobinage Bl, B2 ou d'aimants permanents Al. A2 créant la configuration magnétique et d'un coupleur répartissant dans L'enceinte la puissance UHF générée par le ou les émetteurs micro-ondes. L'enceinte à vide 1 a une forme parallélépipédique. La hauteur de sa section droite (plan XOY ; figures lb et 2b) est choisie pour permettre le passage des guides d'onde du coup leur. La largeur est déterminée par les dimensions des bobinages et des aimants. La longueur de sa section longitudinale (plan YOz) n'est fixée que par la dimension des pièces à traiter. L'enceinte 1 se raccorde au bâti de travail 4 par l'intermédiaire d'une bride de raccordement 8. Selon le type d'utilisation, le vide dans l'enceinte est assuré par un groupe de pompage autonome ou par le groupe de pompage 3 du bâti de travail. Sur les figures lb et lc, et 2b et 2c le coupLeur, qui permet le transfert d'une puissance PUHF d'entrée vers une nappe de plasma P avec une bonne adaptation, comprend successivement un guide principal 13 recevant une puissance PUHF d'un émetteur micro-onde via un éventuel adaptateur, une transition 12 guide standard/guide surdimensionné, un ensemble 11 division plan E et déphaseur, une fenêtre micro-onde étanche 10 et plusieurs guides secondaires 15 disposés côte à côte. Le coup leur, qui est donc constitué de plusieurs modules UHF permet, à partir de générateurs indépendants, d'obtenir une source de grande dimension Linéaire. Il a comme avantage d'empêcher un intercouplage entre générateurs et d'atténuer la puissance réfléchie dans les générateurs. Le coup Leur émet une nappe de plasma P en direction de la cible 2 polarisée à la tension Vc. Un flux 6 de neutres issus de la cible est alors émis en direction de la pièce à traiter 5, sur Laquelle a lieu un dépôt 7. L'enceinte 1 est équipée d'au moins un système d'injection de gaz 9 pour le contrôle des espèces ioniques du plasma. Dans la configuration représentée aux figures lb et lc, le champ magnétique est produit par deux ensembles de bobinage B1 et B2 parcourus par des courants I1 et I2 de même sens. Ces bobinages entourent L'enceinte à vide 1. Leur longueur est supérieure à celle de L'enceinte pour éliminer les effets de bord liés au retour du courant.Dans ces conditions Le 4 potentiel vecteur A généré par ces bobinages a une seule composante dans le volume de l'enceinte Az(x,y) et les deux composantes du champ magnétique Bx et BY sont fixées par les relations Pour deux ensembles de bobinage B1 et B2 identiques parcourus par des courants I1 et I2 égaux et de même sens, le champ magnétique B dans le plan de symétrie (y=O) a la forme classique des champs dits à miroirs magnétiques utilisés dans les machines de fusion à géométrie de révolution. Ce champ présente deux maxima BMAX au centre des bobinages et un minimum BMIN entre les bobinages.La forme des bobinages, la distance qui Les sépare et Les courants qui les parcourent sont choisis de façon à satisfaire la condition BMAX > BRES > 8MIN. BRES est la valeur du champ magnétique pour laquelle la pulsation gyromagnétique de l'électron ce = e BRES/m est égale à la pulsation de L'onde électromagnétique utilisée pour créer Le plasma dco O = 2 XfO = e BRES/m. L'utilisation de bobinages pour générer la configuration magnétique a L'avantage d'une grande souplesse de fonctionnement de la source. A l'intérieur de la condition BMAX > BRES > BMIN les caractéristiques du miroir magnétique peuvent facilement être modifiées en jouant sur les courants I1 et I2, la distance entre les bobinages, le nombre d'enroulements alimentés dans chaque bobinage..... Ceci permet en particulier - d'ajuster la position de la résonance cyclotronique (BRES) dans le miroir et par rapport au coup Leur pour optimiser les caractéristiques du plasma (densité, température électronique, pression de travail); - de modifier le rapport miroir pour agir sur le flux de fuite du plasma côté extraction, ou contrôler la surface d'impact du plasma sur la cible. Les figures 3a et 3b illustrent une variante de la source illustrée aux figures la à lc avec un miroir magnétique assymétrique. Dans ce cas la cible est rapprochée du coupleur et placée entre les bobines B1 et B2. Selon le processus de dépôt par pulvérisation retenu, cette variante de fonctionnement de la source est intéressante car elle permet de faire varier très facilement, en jouant sur le courant I2, la densité du flux d'ions qui bombarde la cible ; - d'ajuster le gradient de champ magnétique aB/ ax à la fréquence de l'onde utilisée. Une configuration linéaire à miroir magnétique analogue à la configuration représentée sur les figures lb et lc peut être obtenue à partir d'aimants permanents parallélépipédiques en samarium-cobalt ou fer-néodyme-bore. Ces aimants sont assemblés pour former deux blocs identiques A1 et A2 disposés de part et d'autre de L'enceinte à vide, comme représenté à la figure 2b. Dans la direction longitudinale (OZ > ces blocs sont prolongés au-delà de L'enceinte à vide pour éviter Les effets de bord, comme représenté sur la figure 2C. Ces deux blocs d'aimants A1 et A2 sont évidés dans la partie centrale.Les caractéristiques du miroir magnétique (BMAXt 8MIN' rapport et longueur miroir) sont fixés par les largeurs et hauteurs des deux blocs externes du miroir Il et h1 et du bloc central 12 et h2, tel que représenté sur la figure 4. A l'intérieur de la condition BMAX > BRES > BMIN, les caractéristiques du miroir peuvent être ajustées en jouant sur la distance aimant-enceinte, e, sur les entrefers entre les blocs d'aimants, ou par l'apport de pièces métalliques, ces pièces étant disposées, de manière connue de L'homme de l'art, pour modifier les Lignes de champ magnétique. Le grand avantage de L'utilisation des aimants est de créer une configuration magnétique sans source de puissance électrique. Comme par ailleurs la puissance micro-onde est transmise au plasma par des guides d'onde, L'ensemble de la source est à la masse, ce qui facilite l'intégration de ce type de source dans un processus industriel. La puissance ainsi délivrée par le (ou les) émetteur(s) micro-onde PUHF est introduite dans l'enceinte 1 au moyen de guides d'onde situés à l'extré mité du miroir magnétique. A faible puissance, les champs électriques E(tJo) et magnétiques H(w o) excités dans les guides sont essentiellement perpendiculaires à la direction du champ magnétique, ce qui permet la propagation de L'onde sous la forme du mode Whistler. Dans le miroir L'onde rencontre la condition de résonance = 2 7tf0 = e BRES/m. Au voisinage de cette zone l'interaction onde-électrons devient résonnante et une partie importante de l'énergie de l'onde est trans férée aux électrons sous la forme d'énergie cinétique perpendiculaire aux lignes de force du champ magnétique. Du fait de ce gain en énergie, les électrons accélérés se trouvent piégés dans la configuration magnétique, ce qui augmente leur libre parcours moyen et assure une ionisation efficace du gaz dans un domaine de pression qui n'est pas accessible aux décharges clas siques, où L'ionisation du gaz se fait par L'application d'un champ électrique statique. Un autre avantage de L'utilisation du mode Whistler est d'éviter la limitation de la densité électronique du plasma ne, due à la charge d'espace par la condition Par exemple à la fréquence de 2,45 GHz, une densité de puissance de 10 à 20 watts/cm2 permet d'obtenir avec un gaz d'argon à la pression de 2 à 5.10-4 mbar une densité voisine de 1012 p/cm3, soit environ 10 fois la densité fixée par la condition de coupure wo =. A plus forte puissance, L'augmentation de la densité entraîne une forte diminution de la vitesse de phase de L'onde dans la direction du champ magnétique et l'onde se progage perpendiculairement aux lignes magnétiques sous la forme du mode hybride inférieur. Pour ce régime de fonctionnement la densité du plasma est fixée par la relation de dispersion du mode hybride inférieur défini comme suit où spe,i sont les pulsations plasma électronique et ionique, Wce la pulsation cyclotronique électronique, m, la masse de l'électron et de l'ion, K le nombre d'onde et K// sa composante le long du champ magnétique. Pour l'exemple considéré précédemment à la fréquence de 2,45 GHz, une densité de puissance de 100 à 200 W/cm2 permet d'obtenir des densités de L'ordre de 1013p/cm3, qui ne sont pas accessibles dans les décharges pour les mêmes pressions de travail. L'énergie électromagnétique étant localisée à l'intérieur des guides d'onde et, aux pressions de travail de la source, le mouvement des particules étant liés aux Lignes magnétiques, les dimensions du plasma généré par chaque guide sont essentiellement déterminées par les dimensions de ce guide. L'association jointive de guides permet d'obtenir une nappe de plasma dont les dimensions sont fixées par le nombre de guides associés ou le nombre de guides alimentés, comme expliqué ci-dessous Ces guides peuvent être associés par leur grand côté a sous forme de rangées et colonnes, comme représenté sur la figure 5. C'est ce principe qui est utilisé pour le couplage de la puissance dans les sources schématisées sur les figures lb et lc, et 2b et 2c. Ces guides peuvent être associés par leur petit côté b, comme représenté sur la figure 6. Les coupleurs des sources schématisées sur les figures 13a à 13c et 14a à 14c utilisent ce principe. Cette méthode d'association de guides permet d'adapter la surface de la nappe de plasma générée dans la source aux dimensions des pièces à traiter et en particulier au cas des pièces de grandes dimensions. Par exemple à la fréquence de 2,45 GHz, une association par le grand côté de N=24 guides standards (a = 8,6 cm, b = 4,3 cm) génère une nappe de plasma de 8,6 cm de hauteur et 100 cm de longueur et l'association de N=12 de ces mêmes guides selon le petit côté génère une nappe de même longueur et de hauteur 4,3 cm. L'alimentation à égale puissance des guides du coupleur à partir d'un émetteur de forte puissance de type klystron ou d'émetteur de moyenne puissance de type magnétron, peut se faire par les techniques classiques de division de la puissance par coupleur 3db ou par coupleurs à branches ("Branch Guide Couplers" en anglais) et d'adaptation automatique. Cependant, dans le cas de nappe de très grande longueur (par exemple supérieure à un mètre) l'alimentation à égale puissance de chaque guide pose le double problème : d'une réalisation mécanique du coupleur complexe du fait du grand nombre de guides ; d'une adaptation sur chaque guide de la charge (plasma) à L'émetteur délicate. Dans les sources proposées, ce double problème est évité par l'utilisation de modules UHF identiques, regroupant n guides du coupleur, alimentés à égale puissance et placés côte à côte. A la fréquence de 2,45 GHz, cette solution est particulièrement simple et économique car chaque module UHF peut être alimenté par un émetteur micro-onde de moyenne puissance de type magnétron. Chaque module UHF est un ensemble de n guides du coupleur (nu2), juxtaposés par le grand ou le petit côté. Ces n voies sont alimentées à égale puissance à partir d'un guide principal par 1' intermé- diaire d'une ou plusieurs jonctions plan E. Ces jonctions, diviseurs de puissance sont munies de déphaseurs 14 constitués de portions de guide à hauteur réduite. L'angle de déphasage est fixé par la longueur de ces portions. Les figures 7 et 8 montrent une jonction plan E à deux voies ou bijonction, alimentant à égale puissance deux guides du coupleur associés selon le grand côté (figure 7) ou deux guides associés selon le petit côté (figure 8). La figure 9 montre une jonction plan E à trois voies ou trijonction alimentant trois guides du coupleur. Par la mise en série de ces jonctions plan E, un guide principal peut alimenter un nombre pair de guides du coupleur. Les figures 10 et 11 représentent respectivement un module UHF à quatre guides, et un module UHF à six guides, avec des coudes 20 plan H 900, des fenêtres étanches 21 (lames à faces parallèles), des déphaseurs 22, des tapers plan E 23 en guide surdimensionné, des guides standard 24 (de type WR 340 pour une fréquence f = 2,45 GHz). Dans un exemple de réalisation pour un fonctionnement à 2,45 GHz on peut avoir une hauteur commune : 86 mm, une largeur b = 30 mm, une épaisseur de parois e = 4 à 5 mm, une puissance modulaire 6 KW continu, ce qui donne 1 KW par guide pour la réalisation de la figure 11, et 1,5 KW par guide pour la réalisation de la figure 10. Ces dimensions du guide sont choisies pour obtenir une forte évanescence du mode LSE11. La figure 12 illustre la suppression de l'intercouplage 25 entre modules, et la suppression de fuites HF dans l'enceinte par des bijonctions plan E disposées têtesbêches et des déphaseurs 22 1800. Sur cette figure sont représentées des générateurs UHF 23 et des adaptateurs d'impédance 24. Un module UHF à quatre guides, composé de deux paires de bijonctions têtes-bêches avec déphaseurs 1800 et d'une bijonction intermédiaire avec déphaseur 900, est représenté sur la figure 10 et un module à six guides composé de trois parties de bijonctions têtes-bêches associées à des déphaseurs 1800 et d'une trijonction intermédiaire avec des déphaseurs 0,600 et 1200 est représenté sur la figure 11. Dans le cas où les bijonctions de tête du module UHF à quatre guides sont juxtaposées par leur petit côté b, on doit soit employer des coudes plan E et H comme L'indique la figure 8, soit plus simplement remplacer la b ijonction intermédiaire avec déphaseur 900 de la figure 10 par un coupleur directif 3db à couplage par le petit côté ("Small Wall 3db Directional Coupler" en anglais). Les déphaseurs sont des déphaseurs symétriques permettant de diminuer la hauteur du guide, qui sont décrits notamment dans l'ouvrage de R.E. Collin intitulé "Field Theory of Guided Waves" (MC Graw Hill Book Company, 1980). Ces déphaseurs sont de deux types - des déphaseurs de 1800 intercalés entre deux bijonctions associées en tête-bêche dans la partie supérieure (côté plasma) des modules (figures 10 et 11). Ils ont pour rôles de supprimer toute fuite HF dans l'en- ceinte à vide, d'empêcher l'intercouplage entre les modules, comme indiqué sur la figure 12. De ce fait chaque module peut être alimenté par un générateur micro-onde indépendant. L'association bijonctions têtes-bêches/ déphaseur 1800 ne remplit bien les rôles cités que dans le cas où la hauteur commune des guides a, la largeur du guide principal des bijonctions b et la longueur L entre la bouche des modules et le premier plan de jonction de guides (figures 10 et 11) ont été choisies de façon à assurer une évanescence d'au moins -20db du mode LSE11 soit - des déphaseurs 0-90 dans les bijonctions ou 0-600-1200 dans Les trijonctions intermédiaires figures 10 et 11) dont le rôle est de diminuer la puissance réfléchie vers l'émetteur.Ainsi si le coefficient de réflexion en puissance dans les guides du coup Leur dû à la présence du plasma est 62, le coefficient de réflexion en puissance vu par L'émetteur alimentant le module à quatre voies (figure 10) est e4 et celui vu par l'émetteur alimentant le module à six voies (figure 11) 26. Cet effet d'autoadaptation des jonctions plan E avec déphaseurs permet d'éviter la mise en oeuvre de système d'adaptation d'impédance complexe. Les figures la à îc et 2a à 2c montrent un exemple classique d'utilisation de ce type de sources pour le revêtement de pièces par pulvérisation de cible. Le gaz neutre (Ag, Xe, ...) introduit dans l'enceinte à vide est ionisé par l'onde et forme une nappe de plasma dont les dimensions sont fixées par celles du coupleur. Dans ce plasma les particules ions et électrons suivent les lignes magnétiques et interceptent la cible sur une largeur fixée par l'épanouissement des lignes de force et sur toute la longueur de la nappe de plasma. La cible (Ti, Cr, . ..) est isolée électriquement de L'enceinte. L'application d'une tension négative par rapport au plasma entraîne un bombardement de la cible par les ions du plasma et l'émission d'un flux d'atomes qui se déposent sur la pièce à traiter. Par rapport à La technique magnétron couramment utilisée pour ce procédé de revêtement, ce type de source offre de nombreux avantages : - l'ionisation du gaz, la pulvérisation de la cible, la recombinaison des atomes de la cible sur la pièce à traiter sont très fortement découplées, ce qui donne une très grande souplesse dans la mise en oeuvre du procédé. La densité ionique ni dans la source est fixée par le débit de gaz rO et la puissance micro-onde PUHF et la vitesse des ions Vi qui bombardent la cible par la tension de la cible Vc. La vitesse de dépôt sur La pièce qui est proportionnelle au flux d'ions sur la cible peut donc être contrôlée de façon indépendante par les trois paramètres rto, PUHF, Vc. Ceci permet par exemple d'optimiser le coefficient de "sputtering" des ions sur la cible par la tension cible Vc et d'optimiser la densité dans la source avec les paramètres ro et PUHF. D'autre part, dans ces sources les atomes neutres émis par la cible se recombinent sur la pièce à traiter dans une région qui n'est pas en regard du plasma. De ce fait, à flux d'ions constant délivré par la source, la pression dans le bâti de travail peut être abaissée par l'utilisation d'un pompage différentiel ; - le mécanisme d'ionisation par l'onde utilisé permet, à flux d'ions donné sur la cible, de travailler avec des pressions plus faibles dans la source, ce qui limite la densité des gaz occlus dans le dépôt ; - le bilan en matière est amélioré car toute la surface de la cible est bombardée par la nappe de plasma.D'autre part, la cible peut être changée sans démontage de la source ou défiler devant le faisceau d'ions pour la mise en oeuvre d'un processus continu. Le transfert d'énergie onde/particules qui fixe les propriétés du plasma se fait à travers les électrons. Ces sources fonctionnent donc avec tous Les gaz, mélanges de gaz et gaz réactifs. Pour l'obtention de dépôts métalliques de haute qualité, la contamination par les impuretés peut être réduite par l'utilisation d'un coupleur réalisé, au moins en partie, avec le matériau de la cible utilisée. D'autre part, dans ces sources, la densité de plasma varie linéairement avec la densité de puissance UHF et peut approcher 1014 p/cm3 pour une densité de puissance de l'ordre de 1 KW/cm2 à la fréquence de 2,45 GHz, ce qui correspond à un flux d'ions voisin de 1020/cm2 sec. Pour ces régimes de fort flux, la cible, l'enceinte et le coupleur doivent être refroidis. Dans la solution proposée chacun de ces éléments peut être refroidi par une technique simple, bien connue de L'homme de l'art, de double paroi avec circulation de fluide refroidisseur à l'inté- rieur, contrôlé de façon indépendante et les fenêtres UHF placées à l'abri du bombardement du plasma. Dans ce mode de fonctionnement de la source, les performances en densité de la nappe de plasma peuvent être utilisées pour la génération de faisceaux d'ions ou d'électrons. La figure 2d illustre une utilisation de cette source pour la production de faisceaux d'ions ou d'électrons. Dans ce cas la cible est supprimée et remplacée par deux électrodes d'extraction qui permettent selon la polarisation d'extraire les ions ou les électrons sous la forme d'un faisceau linéaire 17 dont la longueur est fixée par celle du coupleur. Un autre mode de réalisation est représenté par les sources micro-ondes linéaires à "CUSP" (ou à "point de rebroussement"). Le schéma de principe de ce type de source utilisée pour le dépôt de couches métalliques sur des substrats est schématisé sur les figures 13a à 13c et 14a à 14c. Les figures 13a à 13c correspondent cas où la configuration magnétique est créée par des bobinages. les figures 14a à 14c au cas où celle-ci est créée par des aimants permanents. Sur ces figures, les éléments analogues à ceux des figures la à lc et 2a à 2c sont représentés avec les mêmes références. Une telle source utilise, comme la source à miroir magnétique décrite précédemment, le même mécanisme d'ionisation du gaz par l'onde, le même système de modules UHF pour coupler la puissance micro-onde au plasma. La particularité de ce type de source est que les courants qui parcourent les bobinages B1 et B2 (figure 13b) ou le vecteur aimantation dans les blocs dirimants A1 et A2 (figure 14b) sont de signes opposés, ce qui permet de générer une configuration magnétique linéaire de type "CUSP".Cette configuration est caractérisée par une ligne de champ nul sur l'axe de symétrie de la configuration, un module du champ 8x2 + By2 = 82 qui croît en tous points autour de cet axe, quatre maxima du champ au droit des bobinages ou des aimants, deux sur L'axe 0x BxMAXt deux dans le plan médian de la source ByMAx. Les bobinages et les aimants sont dimensionnés pour satisfaire la condition BxMAXt ByMAX > BRES = 2 wfO m/e. A l'intérieur de cette condition les caractéristiques du "CUSP" peuvent varier en jouant sur les courants dans les bobinages, la distance entre les bobinages ou les aimants, par l'addition de pièces métalliques, disposées de manière connue de l'homme de l'art, pour modifier les lignes de champ magnétique. Dans cette configuration les lignes de champ magnétique issues des guides d'onde du coupleur interceptent les deux cibles 2 placées dans L'enceinte et sont soumises au bombardement du plasma (figures 13b et l4b). Ces cibles sont isolées électriquement. L'application d'un potentiel positif entraîne un bombardement ionique de ces cibles et l'émission d'un flux de neutres. En pénétrant dans le plasma, ces neutres sont ionisés par Les électrons énergétiques créés par l'onde et forment un plasma d'ions métalliques de la composition de la cible. Ces ions en suivant les lignes de champ viennent se recombiner sur le substrat placé à L'extrémité du "CUSP" pour former un dépôt métallique dont la largeur est fixée par ltépanouissement des lignes magnétiques et la longueur par celle du coup Leur. En plus de la possibilité de réaliser des dépôts sur des substrats de grandes dimensions, ce type de source, de par son principe de fonctionnement, présente par rapport aux autres sources généralement utilisées plusieurs avantages importants : - le mécanisme d'ionisation par l'onde élimine la pollution du dépôt liée à L'utilisation de cathode émissive et permet un fonctionnement de la source à basse pression, ce qui limite la densité des gaz occlus - la configuration magnétique à "CUSP" ajoute une nouvelle possibilité de contrôle de la nature et de la qualité du dépôt. Ce dernier point est un élément important de la souplesse d'utilisation de ces sources. Le plasma qui assure le bombardement des cibles 2 et L'émission du flux d'atomes est généré par l'ionisation par L'onde d'un gaz porteur ou de vapeur métallique introduite dans l'enceinte.Les propriétés du dépôt sur le substrat sont fixées par les concentrations relatives des différentes espèces ioniques dans le plasma et les densités relatives des atomes neutres ou excités et des radicaux libres Ces concentrations peuvent être contrôlées par des réglages indépendants : - du flux ionique qui bombarde les cibles qui dépend de la position, de la tension de polarisation et de la température de la cible, ou par la densité des lignes magnétiques interceptées par les cibles ; - de la composition, du débit du ou des gaz porteurs et de leur point d'injection dans la source. Par exemple pour les dépôts carbones la concentration en carbone peut être contrôlée par le flux d'ions sur des cibles en graphite, par le choix du gaz porteur hydrocarbures (méthane, propane,....) oxydes de carbone (CO, CO2, ...) et l'injection indépendante localisée d'hydrogène, d'oxygène. Ces sources fonctionnent également avec des cibles en matériaux réfractaires : oxydes d'uranium, oxydes d'aluminium, bore et ses composés, ... Dans ce cas, le contrôle de la configuration magnétique permet de faire varier la densité des lignes magnétiques interceptées par les cibles et de ce fait la densité d'énergie déposée par le plasma et le flux de neutres réémis par la cible. Le contrôle de ce flux, du débit et de la nature du gaz porteur (azote, oxygène, ...) permet de modifier les propriétés du dépôt comme dans le cas des cibles métalliques. L'absence de cathode émissive permet de faire fonctionner ces sources avec des gaz réactifs en régime permanent avec une fiabilité et une durée de vie remarquables. Un autre mode de réalisation est représenté par les sources micro-ondes linéaires à configuration hybride. Une telle source, comme celles à miroir magnétique ou à "CUSP" décrites précédemment, utilise le même mécanisme d'ionisation du gaz par l'onde et le même système de couplage de la puissance micro-onde au plasma. la particularité de ce type de source réside dans la configuration magnétique. Cette configuration dite "HYBRIDE", schématisée sur la figure 15, est générée par la superposition - d'un champ magnétique à miroir By(x) créé par les deux bobinages B1 et B2 qui entourent l'enceinte à vide ; - d'un champ magnétique transversal Bx(y) produit par les deux blocs d'aimants permanents A1 et A2 disposés de part et d'autre de L'enceinte à vide. La propriété de cette configuration est que le Lieu des points dans le plan xoy, où le module du champ magnétique |B|2=EBX2+BY11/2 est égal au champ magnétique résonnant I Bi=B=2fom/e, est une courbe fermée C contenue à l'intérieur de L'enceinte à vide. Comme les champs Bx et By dans le volume de l'enceinte sont indépendants de la direction longitudinale Oz, la condition de résonance B =BRES est satisfaite sur la même courbe fermée C dans tous les plans xoy de l'enceinte à vide et donc sur toute la surface obtenue par translation de cette courbe dans la direction OZ. L'existence de cette surface de résonance fermée permet d'obtenir dans une telle source un plasma avec une population électronique très énergétique qui, par ionisations successives, épluche les atomes neutres du gaz ou de la vapeur métallique introduits dans l'enceinte. Les ions, une ou plusieurs fois chargés selon la valeur de la pression du gaz dans la source, qui sont générés dans cette configuration magnétique, sont extraits de L'enceinte à vide par les électrodes d'extraction situées à l'extrémité du miroir sous la forme d'un faisceau linéaire dont la longueur est fixée par celle du coup leur. Les propriétés des surfaces de résonance fermées ont été utilisées avec succès pour la production de faisceaux d'ions multichargés circulaires dans les configurations magnétiques à symétrie de révolution. La présente invention, grâce à l'utilisation d'une configuration magnétique linéaire et à la génération d'un plasma en forme de nappe par l'asso- ciation de guides selon leur petit ou grand côté, généralise le concept des surfaces de résonance fermées à symétrie de révolution à des surfaces linéaires et permet d'obtenir des faisceaux d'ions linéaires de très grandes dimensions avec de fortes densités de courant. Le domaine d'application de ces sources recouvre tous les domaines d'application des sources d'ions classiques : implantation ionique, dépôt sous assistance ionique.... L'avantage de ce type de source est de permettre la mise en oeuvre de ces procédés au niveau industriel grâce aux dimensions et aux performances du faisceau d'ions générés. REVENDICATIONS 1. Coupleur de transfert d'une puissance micro-onde d'entrée vers une nappe de plasma, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un module UHF formé d'au moins deux guides secondaires (15) alimentés à égale puissance à partir d'un guide principal (13) par l'intermédiaire d'au moins une multijonction plan E diviseur de puissance (11, 12), et disposés côte à côte de manière à répartir uniformément la puissance. 2. Coupleur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ces multijonctions plan E (11, 12) sont munies de déphaseurs (14) constitués de portions de guide à hauteur réduite. 3. Coupleur selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que les guides secondaires sont associés par leur grand côté. 4. Coupleur selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que les guides secondaires sont associés par leur petit côté. 5. Source micro-onde linéaire pour le traitement de surface par plasma comprenant un coupleur tel que défini dans 1' une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'elle comprend - une enceinte étanche (1) - des moyens (B1, B2 ; A1, A2) pour créer un champ magnétique dans l'enceinte et générer une nappe de plasma (P) - au moins une cible (2), constituée d'au moins un élément à déposer, isolée électriquement de l'enceinte et portée à une tension de polarisation (Vc) par rapport à la nappe de plasma (p) ; - des moyens de pompage (3) pour faire le vide dans l'enceinte (1) ; - des moyens d'injection de gaz (9) pour le contrôle des espèces ioniques de la nappe de plasma (P) . 6. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce que le coupleur comprend au moins une association d'au moins deux guides d'ondes (15) identiques disposés côte à côte permettant de répartir dans l'enceinte la puissance générée par les moyens d'émission micro-onde et d'obtenir une excitation uniforme de cette onde dans toute la nappe de plasma (P). 7. Source selon la revendication 6, caractérisée en ce que le coup leur comprend au moins un module UKF formé d'au moins deux guides secondaires (15) alimentés à égale puissance à partir d'un guide principal (13) par l'intermédiaire d'au moins une multijonction plan E diviseur de puissance (11, 12). 8. Source selon la revendication 7, caractérisée en ce que ces multijonctions plan E (11, 12) sont munies de déphaseurs (14) constitués de portions de guide à hauteur réduite. 9. Source selon l'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisée en ce que les guides secondaires (15) sont associés par leur grand côté. 10. Source selon L'une quelconque des revendications 6 à 8, caractérisée en ce que les guides secondaires (15) sont associés par leur petit côté. 11. Source selon l'une quelconque des revendications 5 à 10, caractérisée en ce que le coupleur est réalisé, au moins partiellement, en un matériau qui est celui de la cible (2). 12. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce que l'ensemble de la source est relié à la masse. 13. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce que l'enceinte (1) a une forme parallélé p i péd ique. 14. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce que la fréquence du champ électromagnétique produit à l'intérieur de L'enceinte (1) est située dans la plage 1 GHz-10 GHz. 15. Source selon la revendication 5, caracté risée en ce que- les moyens pour créer un champ magnétique comprennent des bobinages (B1, B2) entourant l'enceinte (1). 16. Source selon la revendication 15, caractérisée en ce que la longueur des bobinages (B1, B2) est supérieure à la longueur de l'enceinte (1) de manière à éliminer les effets de bord liés au retour du courant. 17. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce que les moyens pour créer un champ magnétique comprennent des blocs aimants permanents (A1, A2) disposés de part et d'autre de L'enceinte (1). 18. Source selon la revendication 17, caractérisée en ce que les blocs aimants permanents (A1, A2) sont prolongés au-delà de L'enceinte (1) pour éviter les effets de bord. 19. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce qu'elle présente une configuration magnétique de type miroir comprenant deux ensembles de bobinages (B1, B2) identiques parcourus par des courants égaux (I1, I2) et de même sens, ou de deux blocs d'aimants (A1, A2) identiques évidés dans leur partie centrale, disposés de part et d'autre de l'enceinte (1), le champ magnétique présentant deux maxima BMAX et un minimum 8MIN situé entre ces maxima, la condition BMAX > BRES > BMIN etant satisfaite, BRES étant la valeur du champ magnétique pour laquelle la pulsation gyroma gnétique de L'électron est égale à la pulsation de l'onde électromagnétique utilisée pour créer le plasma. 20. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce qu'elle présente une configuration magnétique à "CUSP" dans laquelle les courants (Il, 12) qui parcourent Les bobinages (B1, B2) ou le vecteur aimantation dans les blocs d'aimants (A1, A2) sont de signes opposés, les bobinages et les aimants étant dimensionnés pour satisfaire la condition BxMAX, ByMAX > BRES 21. Source selon la revendication 5, caractérisée en ce qu'elle présente une configuration magnétique hybride générée par la superposition - d'un champ magnétique à miroir créé par deux bobinages (B1, B2) qui entourent L'enceinte (1) ; - d'un champ magnétique transversal produit par deux blocs d'aimants permanents (A1, A2) disposés de part et d'autre de l'enceinte (1). 22. Source selon La revendication 19, caractérisée en ce qu'elle est utilisée pour réaliser un revêtement de surface par pulvérisation. 23. Source selon la revendication 20, caractérisée en ce qu'elle est utilisée pour réaliser un dépôt de couches minces métalliques. 24. Source selon la revendication 21, caractérisée en ce qu'elle est utilisée pour réaliser de l'implantation et de l'assistance ionique.