Brevet FR2698222A1 — publié le 19940520

PROCEDE ET CIRCUIT DE CLAQUAGE DE FUSIBLE DANS UN CIRCUIT INTEGRE L'invention se rapporte aux circuits intégrés, et plus spécialement ceux dans lesquels sont prévus des fusibles permettant de créer des connexions après la fabrication du circuit intégré. A titre d'exemple, pour faire comprendre ce que sont ces fusibles, on rappelle qu'il est maintenant courant de prévoir, dans des circuits intégrés destinés à des cartes à puces, des zones de mémoire non volatile dont l'accès doit être interdit à l'utilisateur Ces mémoires sont donc remplies avec des informations, après quoi un fusible est claqué pour isoler la zone de mémoire interdite, afin que son contenu ne puisse pas être transmis sur les bornes extérieures de la carte, ou afin que la mémoire ne puisse plus être écrite à partir de ces bornes Une autre application des fusibles est la réalisation de mémoires mortes, ou de réseaux logiques programmables. Les fusibles qui sont concernés ici sont les fusibles claquables électriquement Ils ont l'avantage de permettre la modification du circuit intégré après encapsulation complète du circuit, et même après encartage dans une carte à puce Un circuit de claquage est donc associé au fusible pour pouvoir claquer le fusible à partir d'un ordre transmis depuis l'extérieur du circuit intégré. Sous l'appellation fusible on peut comprendre à la fois des éléments qui sont conducteurs dans l'état intact et qui passent en circuit ouvert dans l'état claqué, ou inversement des fusibles (parfois appelés antifusibles) qui sont isolants dans l'état intact et qui deviennent conducteurs dans l'état claqué Ces derniers sont plus particulièrement, bien que non exclusivement, concernés par la présente invention. Dans la demande de brevet EP-A-0 408 419, on a décrit par exemple un fusible ouvert dans l'état intact, réalisé à partir d'un conducteur en silicium polycristallin placé au dessus d'un conducteur en silicium monocristallin dopé, les deux conducteurs étant séparés par une couche isolante localement très mince (de l'ordre de 100 angstrôms d'épaisseur) La couche isolante très mince est suffisante pour assurer l'isolation entre les conducteurs sous les tensions normalement appliquées au circuit intégré Elle peut toutefois être claquée par application d'une tension d'une vingtaine de volts, cette tension engendrant en effet à travers l'oxyde un champ électrique de plusieurs millions ou dizaines de millions de volts par centimètre, supérieur au seuil de claquage du matériau isolant Une résistance de faible valeur est alors établie entre les conducteurs Le fusible passe dans son état final, claqué Un circuit à transistors permet de détecter les fuites de courant à travers la connexion de faible résistance, et permet d'interdire alors certaines fonctionnalités du circuit intégré (par exemple l'écriture ou la lecture de certaines zones de mémoire). Dans une application à un réseau programmable électriquement, le claquage des fusibles établit les connexions nécessaires pour obtenir les fonctions logiques souhaitées. Un problème important des fusibles est la fiabilité du fusible dans l'état claqué: d'une part il faut créer des conditions de claquage qui aboutissent de manière certaine au claquage, et pas seulement de manière probable D'autre part il faut être sûr qu'un fusible claqué ne peut pas revenir dans certaines conditions à son état intact (résistance de connexion quasi infinie) ou à un état incertain (résistance de connexion trop élevée). La tension de claquage Vpp d'une vingtaine de volts peut être appliquée à partir de l'extérieur du circuit intégré, lorsque le fusible doit être claqué Toutefois, pour des raisons de réduction du nombre de bornes de connexions et pour des raisons de simplification pour l'utilisateur, on préfère prévoir que la tension de claquage Vpp est générée à l'intérieur même du circuit intégré, à partir de la tension Vcc plus faible ( 5 volts en général, mais moins dans le futur) qui sert au fonctionnement normal du circuit Cette tension de claquage Vpp est par ailleurs nécessaire dans les circuits à mémoire non volatile (EEPROM), et il est donc raisonnable de vouloir se servir de la même tension pour claquer électriquement les fusibles. L'expérience a cependant montré que la fiabilité du claquage des fusibles n'était pas toujours très bonne, et ceci tout spécialement lorsque la tension de claquage était produite à partir de l'intérieur d'un circuit intégré alimenté par une tension Vcc plus faible que la tension de claquage nécessaire. Une des raisons qu'on a trouvé à ce défaut semble être le fait que la tension Vpp produite en interne, en général avec ce qu'on appelle un multiplicateur de tension ou "pompe de charge", n'est pas accompagnée d'une puissance suffisante Autrement dit, la pompe de charge produit une tension suffisante mais en général pas un courant suffisant, ou en tout cas pas de manière assez durable. Il semble en effet que l'insuffisance de courant pendant le claquage (claquage dû d'abord à la tension Vpp) aboutit à une liaison trop résistive à travers l'oxyde mince entre les deux conducteurs. On pense qu'il est nécessaire d'assurer un courant suffisant (quelques milliampères) pendant quelques dizaines de millisecondes après le claquage en tension, pour stabiliser à une valeur suffisamment faible la résistance de la connexion établie. L'invention propose un procédé et un schéma de circuit permettant d'améliorer la fiabilité du claquage des fusibles. Selon l'invention, on propose un circuit intégré alimenté par une tension d'alimentation Vcc, comprenant entre autres un fusible et un circuit de claquage de ce fusible, le circuit de claquage utilisant une tension de claquage Vpp largement supérieure à la tension d'alimentation, le circuit de claquage étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour appliquer la tension d'alimentation Vcc aux bornes du fusible immédiatement à la suite de l'application de la tension de claquage Vpp. Ainsi, notamment dans les fusibles à claquage d'isolant mince, alors que l'isolant mince vient de claquer sous l'effet du champ électrique engendré par la tension de claquage, on applique immédiatement une autre source de tension au fusible, cette source de tension ayant un potentiel beaucoup plus faible mais étant capable de fournir un courant durable (ordre de grandeur quelques dizaines de millisecondes) avec une intensité suffisante pendant ce temps (supérieure à celle que peut fournir durablement la source de tension de claquage). Le claquage du fusible ne s'interrompt donc pas prématurément, même si la source de tension de claquage est incapable de fournir un courant suffisant à travers le fusible La tension d'alimentation normale prend le relais pour fournir du courant, alors que le fusible est encore "chaud" C'est à ce moment que sa résistance est la plus faible et qu'elle permet effectivement de passer un courant important (ordre de grandeur quelques milliampères). Dans une réalisation, le fusible est relié à la source de tension de claquage Vpp par un premier transistor et à la source d'alimentation par un deuxième transistor Ces deux transistors sont commandés, directement ou indirectement, par un signal de commande de claquage unique Le fusible est relié de l'autre côté à la masse Etant donné que le signal de commande de claquage est en principe un signal logique entre O et Vcc, on prévoit de préférence que le signal de commande est appliqué à la grille du premier transistor par l'intermédiaire d'un transistor d'isolation qui a sa grille à la tension d'alimentation normale à Vcc Un transistor de polarisation monté en résistance est de préférence prévu alors entre Vpp et la grille du premier transistor. Dans une autre réalisation, il y a encore un premier transistor relié entre la source de tension de claquage Vpp et le fusible, un deuxième transistor relié entre l'alimentation Vcc et la source de tension de claquage, et un troisième transistor également relié entre l'alimentation et la source de tension de claquage. Le deuxième transistor est alors de préférence commandé par le signal de commande de claquage, par l'intermédiaire d'un transistor d'isolation dont la grille est commandée par la tension de claquage; le troisième transistor est commandé directement par le signal de commande de claquage. L'invention s'applique notamment, mais non exclusivement, aux fusibles à claquage d'isolant mince. D'autres particularités et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description qui est faite à titre illustratif et non limitatif à partir des dessins sur lesquels: la figure 1 représente un exemple de fusible à claquage d'oxyde pour lequel l'invention peut tout particulièrement s'appliquer; la figure 2 représente un circuit de claquage comforme à l'invention; la figure 3 représente les diagrammes temporels des potentiels appliqués au circuit de la figure 2; la figure 4 représente un autre mode de réalisation de circuit de claquage selon l'invention; la figure 5 représente les diagrammes temporels de potentiels dans le cas du reclaquage d'un fusible déjà claqué. La figure 1 illustre à titre d'exemple un fusible à claquage d'oxyde tel qu'il est décrit plus en détail dans le brevet EP-A-0 408 419 cité précédemment. Ce fusible est destiné à être réalisé selon la même technologie qu'une mémoire EEPROM à transistors à grille flottante; c'est pourquoi il comporte deux grilles de silicium polycristallin Gl, G 2; ces grilles sont réunies l'une à l'autre pour former un premier conducteur B; un deuxième conducteur A est formé par une diffusion N+ dans un substrat de silicium monocristallin La grille Gl, G 2 s'étend au dessus du substrat, partiellement au dessus de la diffusion N+, et en est isolée par une couche mince d'oxyde de silicium (Si O 2) L'oxyde de silicium est fortement aminci localement dans une zone séparant la grille inférieure G 2 de la diffusion N+. C'est cette zone amincie qui constitue le fusible F. Dans l'état intact, l'oxyde isole les deux conducteurs pour des tensions inférieures ou égales à la tension d'alimentation normale Vcc du circuit intégré Dans l'état claqué, l'oxyde de silicium est détérioré et devient résistif, reliant ainsi les deux conducteurs A et B Ce fusible est en principe associé à un circuit de lecture de l'état du fusible, non représenté, qui permet de déterminer s'il y a ou non passage de courant entre les conducteurs A et B. Le claquage se fait par application d'une tension Vpp d'une vingtaine de volts sur la diffusion N+, la grille étant à la masse, ou l'inverse. La figure 2 représente le principe général de l'invention, en relation avec une première réalisation pratique. Le circuit de commande de claquage comporte deux parties; la première ( 10) consiste en un moyen pour appliquer la tension de claquage Vpp au fusible; la deuxième ( 20) consiste en un moyen pour appliquer au fusible, aussitôt après le claquage, la tension d'alimentation Vcc, à travers un transistor dont la dimension est choisie en fonction du courant qu'on veut faire passer dans le fusible (un courant supérieur à celui que peut fournir durablement la source de tension de claquage). Le fusible F est relié entre un noeud Al et la masse Le noeud Al est relié à la source d'un premier transistor Tl dont le drain est relié à la source de tension de claquage Vpp; cette source est de préférence une source interne au circuit intégré, par exemple une pompe de charge ou multiplicateur de tension, non représenté. Le noeud Al est par ailleurs relié à la source d'un deuxième transistor T 2 dont le drain est relié à la tension d'alimentation normale Vcc du circuit intégré. La grille de ce deuxième transistor est commandée par un signal de commande de claquage FB, provenant en principe d'une borne extérieure du circuit intégré. Pour rendre le premier transistor Tl suffisamment conducteur lorsque le signal FB est actif, on prévoit un troisième transistor T 3 monté en résistance (drain relié à sa grille) et connecté entre Vpp et la grille de Tl; on prévoit également un quatrième transistor T 4, interposé entre l'entrée de réception du signal FB et la grille du premier transistor Tl; la grille de T 4 est portée à Vcc Ce transistor isole la grille de Tl et la maintient à un potentiel élevé pendant toute l'opération de claquage. Le transistor Tl et les transistors T 3 et T 4 font partie du premier moyen 10 qui applique la tension Vpp au fusible; le transistor T 2 est le deuxième moyen 20, qui relie ensuite la source d'alimentation Vcc au fusible. Le circuit fonctionne de la manière suivante (à examiner en relation avec la figure 3 qui représente les diagrammes temporels de signaux dans le circuit) Le signal de commande de claquage FB est normalement à zéro et passe à Vcc (on supposera que Vcc = 5 volts) pendant- un créneau temporel de quelques dizaines de millisecondes, ce créneau représentant l'ordre de claquage du fusible F. L'application de la tension Vpp est synchronisée avec le signal FB, c'est-à-dire que Vpp apparaît sur le drain des transistors Tl et T 3 seulement sensiblement au moment du front de montée de l'ordre de claquage FB. Initialement le transistor T 4 est conducteur (source à la masse puisque FB est à zéro; grille à Vcc); La grille de Ti est donc également à la masse TI est bloqué. L'ordre de claquage FB fait monter à Vcc le potentiel de source du quatrième transistor T 4, bloquant ce transistor puisque sa grille est également à Vcc La grille de Tl (noeud Bi) passe à Vpp grâce au transistor T 3; Vpp monte pendant ce temps à sa valeur nominale d'une vingtaine de volts Le transistor Tl, rendu conducteur, applique une surtension importante sur le noeud Ai Cette surtension est suffisante pour claquer rapidement l'isolant du fusible Un courant circule dans le fusible, dont l'intensité dépend d'une part de la taille du transistor T 3 et d'autre part de la réserve de puissance disponible dans la source de tension de claquage Vpp; si cette réserve n'est pas suffisante pour maintenir un courant de quelques milliampères pendant quelques dizaines de millisecondes, la résistance finale de la connexion établie par le fusible risque d'être trop grande (connexion insuffisamment conductrice). C'est ce qui passe en pratique lorsque la tension Vpp est fournie par une pompe de charge interne au circuit intégré, si on ne veut pas que cette pompe de charge soit exagérément encombrante. Dans ce cas, aussitôt le fusible claqué, le potentiel Vpp s'écroule à une valeur beaucoup plus faible. C'est alors qu'intervient le transistor T 2 La grille de T 2 est portée au potentiel de FB et sa source à celui du noeud Ai, son drain étant à Vcc Tant que le potentiel du noeud Ai reste proche de la valeur nominale de Vpp (entre le début du créneau Vpp et l'instant du claquage), T 2 reste bloqué; mais, dès que le fusible claque, le potentiel du noeud Ai descend à une valeur beaucoup plus faible (par exemple 2 volts), de sorte que le transistor T 2 devient conducteur et fournit un courant supplémentaire dans le fusible, ceci jusqu'à interruption du créneau FB, et indépendamment de la réserve de puissance disponible dans la source Vpp. On notera que pendant que le transistor T 2 conduit du courant, le transistor Tl reste conducteur car sa grille (noeud Bi) reste à une tension élevée, par effet capacitif, le transistor T 3 se bloquant lorsque Vpp chute vers Vcc ou au dessous et le transistor T 4 étant bloqué depuis le début du créneau. Les dimensions du transistor T 2 sont choisies en fonction du courant désiré pour le claquage du fusible. On a constaté en particulier qu'il est préférable de fournir un courant supérieur à celui qui circulera en utilisation normale dans le fusible En effet, il semble que si on grille un fusible avec un courant I, aboutissant à une certaine résistance finale R de la connexion claquée (la résistance R diminue avec le courant I), le passage ultérieur d'un courant supérieur à I risque de faire varier la valeur de la résistance de connexion, ce qui est néfaste; dans certains cas, le passage d'un courant trop supérieur au courant de claquage I peut entraîner même la destruction de la connexion, le fusible devenant à nouveau isolant, ce qui est tout-à-fait inacceptable. Ceci pose en particulier le problème du reclaquage d'un fusible déjà claqué Il est parfois nécessaire de redonner un ordre de claquage même si le fusible est déjà claqué. Le schéma de la figure 4 semble présenter des avantages pour permettre à la fois le claquage du fusible intact et le reclaquage d'un fusible déjà claqué, avec un courant qui est plus faible dans le deuxième cas que dans le premier cas Ce schéma devrait il donc éviter une détérioration de la connexion lors du deuxième claquage. A la figure 4, les éléments qui correspondent à ceux de la figure 2 sont désignés par les mêmes références numériques: les transistors Tl, T 3, T 4; le fusible F; le signal de claquage FB; les alimentations à Vcc et Vpp Tous ces éléments sont connectés comme à la figure 2 et remplissent les mêmes fonctions. Pour l'application de la tension d'alimentation Vcc pendant plusieurs dizaines de millisecondes, immédiatement à la suite du claquage du fusible par Vpp, on prévoit: un transistor T 5 de petite dimension ayant sa grille commandée par le signal FB, son drain à Vcc, et sa source reliée au drain de Tl donc à la source de tension de claquage Vpp; un transistor T 6 de grande dimension (qui fournira le courant principal après claquage du fusible par Vpp); son drain est relié à la source d'alimentation à Vcc, sa source à Vpp; sa grille est commandée par le signal FB, mais à travers un transistor d'isolation T 7 dont la grille est commandée par la tension Vpp; une capacité C entre la grille de T 6 (noeud Cl) et la masse. Lors du claquage du fusible, les potentiels varient selon sensiblement le même diagramme qu'à la figure 3; lors du reclaquage, les potentiels varient plutôt comme indiqué à la figure 5 La différence des diagrammes résulte du fait que lorsque le fusible est déjà claqué, la tension Vpp ne peut en pratique pas monter au delà de 5 volts Il n'y a donc pas de phase o les noeuds Al ou Bl peuvent monter à environ 20 volts Il en résulte un courant plus faible dans le fusible Par exemple, à aucun moment le transistor Tl n'a sa grille portée à un potentiel supérieur à 5 volts, alors qu'au moment du premier claquage le potentiel de grille de Tl est beaucoup plus élevé et laisse donc passer un courant important. REVENDICATIONS 1 Circuit intégré alimenté par une tension d'alimentation Vcc, comprenant entre autres un fusible (F) et un circuit de claquage de ce fusible, le circuit de claquage utilisant une tension de claquage Vpp largement supérieure à la tension d'alimentation Vcc, le circuit de claquage étant caractérisé en ce qu'il comporte des moyens pour appliquer la tension d'alimentation Vcc aux bornes du fusible immédiatement à la suite de l'application de la tension de claquage Vpp. 2 Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce que la source de tension Vpp est une source interne au circuit intégré produisant une tension Vpp à partir de la tension d'alimentation Vcc. 3 Circuit intégré selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte un premier transistor (Tl) relié entre la source de tension de claquage (Vpp) et le fusible, et un deuxième transistor (T 2) relié entre la source de tension d'alimentation (Vcc) et le fusible. 4 Circuit intégré selon la revendication 3, caractérisé en ce que la grille du premier transistor est commandée, à travers un transistor d'isolation (T 4), par un signal de commande de claquage (FB), la grille du deuxième transistor étant commandée par le signal de commande de claquage. Circuit intégré selon la revendication 4, caraactérisé en ce que le transistor d'isolation (T 4) a une grille commandée par la tension d'alimentation (Vcc). 6 Circuit intégré selon la revendication 4, caractérisé en ce que le drain du premier transistor (Tl) est relié à sa grille par un transistor de polarisation monté en résistance. 7 Circuit intégré selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comporte un premier transistor (Tl) relié entre la source de tension de claquage (Vpp) et le fusible, un deuxième transistor (T 6) relié entre la source de tension d'alimentation (Vcc) et la source de tension de claquage (Vpp), et un troisième transistor (T 5) également relié entre la source de tension d'alimentation et la source de tension de claquage, le deuxième transistor étant commandé par le signal de commande de claquage à travers un transistor d'isolation (T 7) dont la grille est commandée par la tension de claquage, et le troisième transistor étant commandé directement par le signal de commande de claquage. 8 Circuit intégré selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le fusible est un fusible comprenant deux conducteurs séparés par un isolant très mince susceptible de claquer sous l'effet du champ électrique engendré dans l'isolant par l'application de la tension de claquage (Vpp) entre les conducteurs. 9 Procédé de claquage de fusible (F) dans un circuit intégré, caractérisé en ce que, immédiatement après avoir relié le fusible à une source de tension de claquage (Vpp) plus élevée que la tension d'alimentation normale (Vcc) du circuit intégré, on relie le fusible à une source d'alimentation en tension ayant un potentiel beaucoup plus faible mais étant capable de fournir un courant durable avec une intensité supérieure à celle que peut fournir durablement la source de tension de claquage. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la source de tension d'alimentation fournit un courant de quelques milliampères pendant quelques dizaines de millisecondes. 11 Procédé selon l'une des revendications 9 et , caractérisé en ce qu'il consiste à claquer un fusible constitué par une couche d'isolant très mince. entre deux conducteurs, pour transformer cette couche isolante en couche résistive. ,, a