Brevet FR2709397A1 — publié le 19950303

Réacteur à plasma pour un procédé de dépôt ou de aravure La présente invention concerne un réacteur à plasma pour un procédé de dépôt ou de gravure. On sait que dans de telles machines, celles du type à excitateur inductif de plasma, permettent d'obtenir une densité ionique beaucoup plus élevée, de l'ordre de 100 fois, que celles du type à excitation capacitive. On connait par exemple par le document W0 86/06923 une machine du type à excitateur inductif dans laquelle l'antenne excitatrice couple l'énergie radiofréquence à un volume de forme cylindrique, et sur une longueur de plus de 200mm. Cette disposition, pour la source excitative, assure une densité ionique élevée à basse pression, tandis que le profil radial de cette densité, dans la source ou près de la zone de formation du plasma, n'est pas uniforme. Afin de produire un profil de densité ionique uniforme au niveau du substrat à traiter, ce dernier est placé éloigné de la source dans une région de plasma de diffusion. Ce dernier a une densité ionique réduite, voire fortement diminuée pour les gaz électronégatifs, tels que SF6, C2F6 ou Cl2 pour lesquels la densité chute rapidement en fonction de la pression (au-delà de quelques 10-3 mbar) et de la25 séparation source-substrat. Or, de tels gaz sont typiquement utilisés à des pressions supérieures à 10-2 mbar en gravure profonde et rapide ou en dépôt PECVD (Plasma Enhance Chemical Vapor Deposition). On connait aussi par le document EP 0 413 282 une machine du type à excitateur inductif dans laquelle l'antenne excitatrice est plane et a la forme d'un serpentin enroulé en spirale. Cette disposition, pour la source excitative, assure une bonne uniformité ionique. Par rapport aux autres sources inductives connues, elle assure une meilleure uniformité à haute pression (supérieure à 10-2 mbar). Elle assure également, vis-à-vis des autres sources inductives connues, une meilleure densité ionique lors de l'utilisation de gaz électronégatifs, tels que SF6, C2F6, Cl2 cités ci-dessus. Cependant, avec une telle antenne comme source excitative de plasma, le champ électromagnétique est relativement élevé à une distance éloignée de l'antenne procurant une forte énergie aux particules ionisées, ce qui, dans le cas de gravure, peut endommager le substrat à graver.10 La présente invention a pour but de pallier les inconvénients des machines existantes citées ci-dessus et a pour objet un réacteur à plasma pour un procédé de dépôt ou de gravure comportant une enceinte à vide destinée à recevoir un substrat à traiter et comportant des moyens pour15 l'introduction d'un gaz à ioniser, le plasma produit dans un conteneur étant excité par une antenne alimentée par un générateur de puissance radio-fréquence, caractérisé en ce que ladite antenne est composée d'un conducteur électrique constituant une boucle circulaire dont deux points20 diamétralement opposés sont reliés à des conducteurs d'alimentation. Selon une autre caractéristique, ledit générateur de puissance radiofréquence alimente ladite antenne par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation comportant un25 premier condensateur variable relié en série à un second condensateur variable monté en parallèle aux bornes de ladite antenne. D'autres caractéristiques de la présente invention ressortiront de la description d'un exemple de mise en oeuvre de l'invention faite ci-après en regard du dessin annexé dans lequel: La figure 1. représente schématiquement un réacteur à plasma selon l'invention. La figure 2 montre, en vue agrandie, l'antenne excitatrice selon l'invention. En se référant à la figure 1, le réacteur à plasma comprend essentiellement une enceinte à vide 1 pompée par un groupe de pompage 2. Des trous 3 permettent l'introduction d'un gaz de traitement à ioniser par exemple du SF6, C2F6, 5 Cl2, etc.... L'enceinte est fermée à sa partie inférieure par un compartiment inférieur 4 comportant un orifice 27 pour la liaison avec ledit groupe de pompage 2. Ce compartiment inférieur 4 est équipé d'un porte- substrat 25 qui, selon le10 procédé de traitement envisagé (dépôt ou gravure), peut permettre la polarisation, le chauffage ou le refroidissement du substrat 5 ainsi que son positionnement vertical. A sa partie supérieure, l'enceinte est fermée par un conteneur 6 en forme de "chapeau melon" en quartz ou en un autre matériau diélectrique compatible avec le traitement. La paroi latérale 7 de l'enceinte 1 est en matériau conducteur amagnétique. La source d'excitation, pour générer dans l'enceinte 1 le plasma, est constituée par une antenne 8 entourant la partie hémisphérique 30 du conteneur du plasma 6. Cette antenne 8 est composée d'un conducteur électrique 9 constituant une boucle circulaire dont deux points diamétralement opposés 10 et 11 sont reliés à des conducteurs d'alimentation 12 et 13 qui alimentent ainsi en parallèle les deux demi-parties 9a et 9b de la boucle 9. Les conducteurs d'alimentation 12 et 13 se rapprochent et comportent des portions parallèles 31, 32 perpendiculaires au plan du substrat 5 et sont reliés à un30 générateur de puissance radio- fréquence 14 à 13,56 MHz par l'intermédiaire d'un circuit d'adaptation comportant un premier condensateur variable 15 relié directement au générateur 14 et relié en série à une borne d'un second condensateur variable 16, monté en parallèle aux bornes de35 l'antenne 8, et dont la deuxième borne est reliée au retour 26 du générateur radio-fréquence 14 qui est électriquement relié au châssis 17 formant masse. Les condensateurs variables 15 et 16 sont réglés par des moteurs 18 et 19 commandés par un circuit d'adaptation automatique ou manuelle. L'antenne 8 est avantageusement refroidie à l'eau.5 Autour de l'antenne 8 est placée une première bobine électrique 20 de façon à produire un champ magnétique perpendiculaire au plan de l'antenne 8. Tout autour de l'enceinte 1 sont en outre disposés des aimants permanents 21 polarisés radialement et successivement en sens inverse les uns des autres de façon à former un champ de confinement "multi-polaire" pour le plasma. Enfin, une deuxième bobine électrique 22 est en outre disposée autour de l'enceinte 1 de façon à produire un champ magnétique perpendiculaire à un plan situé entre l'antenne 8 et le substrat 5 et parallèle à ce dernier. Le positionnement de cette bobine 22 est réglable comme le figure la flèche à double sens 23. Les bobines 20 et 22, alimentées en courant continu, servent à optimiser20 l'intensité et l'uniformité du plasma et du procédé au niveau du substrat 5. Pour la source de l'invention (l'antenne 8), le volume du conteneur 6 dans lequel le plasma est produit étant faible par rapport à la source de forme cylindrique décrite25 dans le premier document antérieur cité en introduction, le couplage de la puissance radiofréquence au plasma est plus efficace et, en conséquence, le rendement en flux total ionique par Watt est plus élevé relativement à ces sources. Grâce aux deux demi-parties 9a et 9b en demi-cercle de l'antenne 8 alimentées en parallèle, l'inductance de l'antenne est réduite de façon significative par rapport aux antennes des documents antérieurs cités en introduction. Il en résulte, d'une part, un champ électrique induit dans le plasma plus faible, minimisant ainsi l'énergie des35 particules chargés au niveau du substrat 5, et d'autre part, une meilleure efficacité dans le transfert de la puissance du générateur radiofréquence au plasma. La présence du champ magnétique statique produit par les bobines 20, 22 permet de générer des ondes résonnantes stationnaires dans le plasma qui augmentent le rendement et l'efficacité de couplage de l'énergie radio-fréquence aux électrons du plasma. L'énergie des électrons, qui seront thermalisés, est transférée au plasma par des collisions d'o la forte densité ionique.10 Le plasma produit par le réacteur à plasma de l'invention peut être utilisé pour les procédés de gravure ioniques réactive et sélective, de nettoyage par pulvérisation ou de dépôt PECVD (Plasma enhance chemical vapour deposition) de couches minces sur le substrat. REVENDICATIONS 1/ Réacteur à plasma pour un procédé de dépôt ou de gravure comportant une enceinte à vide (1) destinée à recevoir un substrat (5) à traiter, et comportant des moyens (3) pour l'introduction d'un gaz à ioniser, le plasma produit dans un conteneur (6) étant excité par une antenne (8) alimentée par un générateur de puissance radio-fréquence (14), caractérisé en ce que ladite antenne est composée d'un conducteur (9) électrique constituant une boucle circulaire dont deux points diamétralement opposés (10, 11) sont reliés à des conducteurs d'alimentation (12, 13). 2/ Réacteur à plasma selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit générateur de puissance radio-fréquence (14) alimente ladite antenne (8) par l'intermédiaire d'un circuit5 d'adaptation comportant un premier condensateur variable (15) relié en série à un second condensateur variable (16) monté en parallèle aux bornes de ladite antenne (8). 3/ Réacteur à plasma selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'une pluralité d'aimants permanents (21) est disposée autour de ladite enceinte (1) à vide, lesdits aimants (21) étant polarisés radialement et successivement en sens inverse les uns des autres. 4/ Réacteur à plasma selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une bobine électrique (22), alimentée en courant continu, est disposée autour de ladite enceinte (1), l'axe de ladite bobine étant perpendiculaire au plan de ladite antenne (8), ladite bobine étant réglable en position le long dudit axe. / Réacteur à plasma selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'une bobine électrique (20), alimentée en courant continu, est disposée autour de ladite antenne (8), l'axe de ladite bobine (20) étant perpendiculaire au plan de l'antenne (8).