Brevet FR2690535A1 — publié le 19931029

La présente invention concerne un dispositif qui permet de véhiculer toute information à partir d'une seule source de lumière vers plusieurs sources secondaires et vice-versa sur le même support : la fibre optique. En particulier, le dispositif selon l'invention est utilisé pour émettre la lumière et afficher des images, du texte, du graphique, en monochrome ou en couleur à partir d'une source de lumière (lumière visible) raccordée (réseau d'entrée) à une extrémité d'un ensemble de fibres optiques. Cette invention a pour but de permettre d'obtenir sur une longueur de 1 cm à plusieurs mètres, ou sur des surfaces de différentes tailles du cm2 au m2 (par assemblage de petites surfaces par exemple), à partir d'une seule source de lumière, une quantité de points lumineux (sources de lumière secondaires) ayant des caractéristiques propres et différentes (couleur, caractéristiques optiques et physiques ...) contrôlées par une électronique ou une optique de commande. Traditionnellement, l'obtention d'une multitude de points lumineux ayant des caractéristiques propres et différentes sur une longueur de fil, allant de 1 cm à plusieurs mètres, ou sur des surfaces de différentes tailles du cm2 au m2, nécessite d'implanter en chacun de ces points lumineux une source de lumière, ou de mettre en oeuvre toute une électronique et un mécanisme, complexe, encombrant et coûteux. Ainsi l'émission de lumière et l'affichage d'images, de textes, de graphiques ou leur combinaison en monochrome ou en couleur sur des surfaces de différentes tailles est traditionnellement réalisée à partir de tubes cathodiques classiques ou à micropointes, d'écrans plats à plasma, d'écran plats à cristaux liquides, d'écrans plats à couches électroluminescentes, de matrices de LED. Ces différentes techniques présentent les inconvénients suivants - les traditionnels tubes cathodiques classiques sont trop lourds, épais et trop coûteux, devenant impropres à des applications grand écran, - les tubes cathodiques à micropointes présentent un point faible car leur technologie de fabrication trop pointue est encore mal maîtrisée, - les cristaux liquides sont très sensibles à la température, leur fabrication est très délicate et ils doivent être éclairés par l'arrière uniformément. Au niveau de l'affichage, ils présentent un faible contraste, une relative imprécision de la zone commandée. Suivant les variantes (nématique en hélice -TN, matrices actives -TFT, supernématique), ils présentent une faible directivité, une faible résolution, une grande complexité de mise en oeuvre, une lenteur au niveau des temps de commutation, - les écrans plats à plasma présentent des points faibles au niveau de la longévité, de la brillance de la gradation, leurs coûts et leur consommation sont encore élevés et les écrans en couleur ne sont pas encore au point, - la technologie à couches électroluminescentes ne permet pas le contrôle précis des trois couleurs de base qui sont le rouge, le vert, et le bleu (bleu très faible), - la technologie à LED présente deux grands points faibles : une consommation importante et une faible résolution. Le dispositif selon l'invention permet de remédier aux inconvénients cités précédemment. I1 s'appuie sur un ensemble de fibres optiques réalisées sur une tranche de silicium, sur lequel on opère diverses opérations technologiques connues et maîtrisées de la technologie semi-conducteur silicium afin de créer - une première couche appelée noyau qui permet de véhiculer l'information lumineuse à partir d'une seule source lumineuses vers plusieurs sources secondaires sur un même support : une fibre optique usinée selon l'invention. Cette fonction est assurée au niveau de chaque fibre optique qui constitue le noyau. La fonction est obtenue en créant volontairement le long de chaque fibre, une quantité de zones, ces zones pouvant être des ouvertures ou caractérisées par une couche dopée ou un empilement de plusieurs couches minces ou épaisses de compositions chimiques ou de matériaux différents, dans ces deux derniers cas l'indice de réfraction est tel que lorsque la lumière entre par une extrémité de cet ensemble de fibres optiques, elle peut s'échapper au travers de chacune de ces zones, - une couche ou plusieurs couches empilées déposées au-dessus de la couche du noyau qui assurent divers types de contrôles, tels que l'émission et l'extinction de la lumière, les contrôles de la couleur, du contraste, de l'angle de vision de l'intensité lumineuse, de la directivité et de la convergence des rayons lumineux, cela au niveau de chaque zone (source secondaire) de la couche noyau et de façon individuelle. Le dépôt de chaque couche peut être effectué par plusieurs méthodes compatibles avec la technologie de fabrication du noyau et la structure physique du noyau. Le procédé de fabrication de la couche noyau est le suivant : A titre d'exemple, la tranche de silicium a un diamètre de trois pouces et une épaisseur de 1/3 de millimètre. Cette tranche de silicium est découpée selon le plan cristallographique repéré par les indices . Cette tranche de silicium subit d'abord un nettoyage : elle est plongée dans un mélange de H2 S04 + H2 2 pendant 15 minutes, suivi d'un rinçage par de l'eau purifiée pendant 15 minutes. La seconde étape consiste à la fabrication d'une couche d'oxyde d'indice de réfraction n1 = 1,46 à 2% près, d'épaisseur 1 pm, cette couche d'oxyde étant l'enveloppe inférieure des guides plans. La fabrication de cette couche d'oxyde (SiO2) est effectuée par oxydation humide (oxygène humide : hydrox). Ainsi, la tranche de silicium est placée dans un four d'oxydation portée à une température de 1000"C. Cette tranche se trouve sur un porte-échantillon en quartz, l'oxydation est réalisée dans ce tube, un agent oxydant (oxygène humide : hydrox) est envoyé sur la tranche et se combine au silicium pour former la couche d'oxyde (SiO2) d'indice n1 = 1,46. Pour obtenir une épaisseur de 1 pm, la durée de fabrication de cette couche d'oxyde est de 4 heures. La troisième étape est le dépôt de nitrure de silicium (Si3 N4) et la gravure de nitrure afin de fabriquer le coeur des différents guides plans d'indice n2 = 2. Le dépôt de nitrure est effectué dans un four nitrure (les gaz utilisés : SiH2Cl2 + NH3) par LPCVD sous une température de 800"C L'épaisseur du dépôt est de 1 um et la durée de dépôt est de 4 heures et 50 minutes. Ce dépôt de nitrure peut être assisté par plasma; la température de dépôt étant ainsi plus faible (400 C). On dépose ensuite une résine photosensible (cette résine étant positive) par centrifugation sur la couche de nitrure. La vitesse de la tournette est de 5600 R.P.M. Cette vitesse caractérise l'épaisseur de résine déposée (plus la vitesse est faible, plus l'épaisseur de résine déposée est importante). La résine est ensuite durcie par cuisson pendant 30 minutes. Pour délimiter les différents guides, on recourt au procédé de photogravure. Pour cela, le schéma fonctionnel ou électrique du circuit est transformé en dessin d'implantation physique des eléments (coeur des guides, enveloppes latérales des guides, ouvertures dans l'enveloppe supérieure des guides), décomposé ensuite en schemas partiels relatifs, chacun à une et une seule opération de fabrication. Ces dessins partiels réalisés en CAO, disponibles sous forme de fichiers informatiques (dessins de masque), sont sur support bandes magnétiques à grande échelle et sont reproduits sur un film transparent, garni d'une couche opaque; cette dernière est découpée et ôtée, et l'on obtient finalement une vaste feuille transparente garnie de zones opaques qui reproduisent le schéma original. Elle est photographiée avec la réduction appropriée pour amener le tout à l'échelle 1/1. Cette photographie ne couvrant pas l'ensemble de la tranche de silicium, on la reproduit autant de fois qu'il est nécessaire côte à côte, pour obtenir un quadrillage parfait qui correspond à la surface utile de la tranche. Une telle reproduction photographique n'est pas assurée sur un film classique, trop fragile, mais sur un support rigide de verre : c'est ce qui constitue le masque. Avant la gravure de nitrure, on effectue une opération de photolithographie , c'est-à-dire qu'au-dessus de la tranche de silicium on place le masque et l'on insole à travers ce masque au dessin approprié. On "développe" ensuite la résine, ce qui laisse apparaître le nitrure de silicium, selon les motifs reproduisant fidèlement ceux du masque. On effectue alors une opération de photogravure qui permet d'ouvrir des fenêtres dans la couche de nitrure sur une épaisseur de 1 pm. Cette opération de photogravure est une gravure nitrure par plasma qui dure 30 minutes. Les zones de nitrure protégées par la résine restante après le développement ne peuvent pas être attaquées, donc lorsque cette gravure est terminée, on élimine la résine protégeant ces zones de la façon suivante - d'abord, la tranche de silicium est plongée dans un plasma d'oxygène pendant deux minutes, - ensuite, dans un mélange d'H2SO4 + H2 2 pendant dix minutes puis rinçage avec de l'eau purifiée. La quatrième étape est un dépôt d'oxyde d'épaisseur 0,5 um d'indice de réfraction n3 = 1,46 à 2% près afin de fabriquer les enveloppes latérales et supérieures des différents guides. Ce dépôt d'oxyde est effectué par LPCVD dans un four PYROX (gaz utilisés : SIH4 + 02) à une température de 400"C pendant 5 minutes et 30 secondes. On dépose ensuite une résine photosensible (résine positive) par centrifugation sur ce dépôt d'oxyde. La vitesse de la tournette est de 7000 R.P.M. ; cette vitesse caractérise l'épaisseur de résine déposée. La résine est ensuite durcie par cuisson pendant 30 minutes. Pour effectuer des "ouvertures" dans l'enveloppe supérieure des différents guides afin que la lumière s'en échappe lorsque celle-ci entre par une extrémité de cet ensemble de guides plans, on procède à une deuxième opération de photogravure : cTest la cinquième étape qui est la gravure des fenêtres dans l'oxyde. Pour cela, il faut un deuxième masque. Avant la gravure dans l'oxyde, on effectue une deuxième opération de photolithographie, on place alors le deuxième masque, et l'on insole à travers ce masque au dessin approprié. On "développe" ensuite la résine, ce qui laisse apparaître l'oxyde, selon les motifs reproduisant fidèlement ceux du masque. On effectue alors l'opération de photogravure qui permet d'ouvrir les fenêtres dans cette couche d'oxyde sur une épaisseur de 0,5 um, cette opération de photogravure est une gravure humide de l'oxyde. Cette gravure dure 7 minutes et 15 secondes. Les zones d'oxyde protégées par la résine restante après le développement ne peuvent pas être attaquées; donc lorsque cette gravure est terminée, on élimine la résine protégeant ces zones selon l'opération suivante - d'abord, la tranche de silicium est plongée dans un plasma d'oxygène pendant 2 minutes, - ensuite, dans un mélange d'H2 S04 + H2 2 pendant dix minutes puis rinçage avec de l'eau purifiée. Suite à cette dernière opération, le procédé de fabrication est terminé. Ce procédé de fabrication de la couche noyau permet de fabriquer sur des surfaces de 1 cm2 une matrice de points lumineux (ouvertures) à partir d'un ensemble de fibres optiques (guides) disposées côte à côte avec les caractéristiques suivantes - largeur des guides : 10 pm, - épaisseur du coeur des guides : 1 pm, - épaisseur de l'enveloppe supérieure des guides : 0,5 pm, - épaisseur de l'enveloppe inférieure des guides : 1 pm, - distance entre deux guides voisins : 10 pm, - dimension des ouvertures : 10 pm * 10 pm, - distances entre ouvertures voisines : 10 pm. Tout cela à partir d'une technologie semiconducteur silicium 3 um qui permet d'obtenir des résolutions d'affichage horizontales et verticales de 1270 points par pouce. L ' utilisation d'une technologie semi-conducteur silicium 2 pm, 1 pm et submicronique permettra d'obtenir des résolutions supérieures à 1270 points au pouce sur des tranches de silicium de différentes tailles de 3 pouces à 8 pouces (20 cm plus grande taille actuelle). Le noyau fabriqué, plusieurs contrôles de base sont possibles par simple dépôt de couches au-dessus du noyau. De plus, toutes les couches déposées au-dessus de chaque zone, auront un indice de réfraction supérieur à celui du coeur de la fibre. Le contrôle de la couleur est possible de deux manières - la première est le dépôt d'une couche mince de filtre colorée (rouge, vert ou bleu) soit au-dessus de chaque zone (source secondaire), ce qui, au niveau du réseau d'entrée (région qui permet à la lumière de la source principale de pénétrer dans les fibres optiques) afin de réaliser une surface d'affichage constituée d'une suite répétitive de trois lignes (fibres optiques) ayant chacune respectivement n zones rouges, n zones vertes, n zones bleues. Cette dernière solution a l'avantage pour obtenir un écran couleur de minimiser le nombre de dépôts de couche au niveau de chaque zone (source secondaire); ainsi que de baisser considérablement le taux de rebuts lors d'une fabrication série surtout au niveau des surfaces de grandes tailles (tranches de silicium de 8 pouces). - la deuxième est de réaliser un filtre interférentiel monochromatique d'épaisseur e = p (p : entier, t étant la longueur d'onde) en déposant un empilement de couches semi-réfléchissantes et une couche mince diélectrique d'épaisseur e. Le choix de la couleur (rouge, vert, bleu) étant lié au choix de l'épaisseur e, pour cette solution les étapes de dépôt sont effectuées au-dessus de chaque zone (sources secondaires). Le contrôle de l'extinction de la lumière au niveau de chacune des zones (sources secondaires) est fait individuellement, soit - par application d'une différence de potentiel (tension d'alimentation continue inférieure ou égale à 5 volts) via des couches de métallisation, qui crée, dans une couche électro-optique déposée en dessous et audessus de chaque zone, un champ électrique qui modifie l'indice de réfraction de la couche électro-optique (par exemple polymère électro-optique) par effet électrooptique, de sorte que celui-ci devienne inférieur à l'indice du coeur de la fibre ou que les rayons lumineux subissent une déviation suffisante pour qu'ils ne puissent pas sortir de la zone (absorption par les couches avoisinantes), - par application d'une onde acoustique de surface de longueur . Cette onde acoustique est produite par un peigne interdigité qui crée dans une couche cristalline piézoélectrique (dernière couche au-dessus de chaque zone; par exemple oxyde de zinc), par variation de l'indice de réfraction, un réseau de diffraction de période t/2, de sorte qu'ils ne puissent plus sortir par ladite zone (absorption par les couches avoisinantes), - par application d'une différence de potentiel (tension d'alimentation continue inférieure ou égale à 5 volts) via des couches de métallisation sur une couche résistive (dernière couche déposée au-dessus de chaque zone) transparente à la lumière créant dans cette couche résistive un dégagement de chaleur par effet Joule (P = R12 Cet effet thermique (gradients thermiques de chaleur) entraîne une variation de l'indice de réfraction de la couche résistive, de sorte que les rayons lumineux soient déviés et ainsi ne peuvent plus sortir de ladite zone. - par dépôt de couches minces afin de réaliser un pivot (en alliage d'aluminium par exemple), mobile audes sus de ladite zone lorsque son électrode de commande (couche de métallisation) est soumise à une différence de potentiel, le pivot est attiré par une électrode (couche de métallisation) disposée en dessous. En l'absence de différence de potentiel, le pivot assure un barrage aux rayons lumineux. - par dépôt au-dessus de chaque zone d'un empilement de couches minces (jouant le rôle de miroir) et une couche mince de matériau non linéaire (indice de réfraction non linéaire) tel que lorsque la source principale est du laser (source de lumière cohérente : rayons lumineux sont en phase), l'intensité du faisceau transmis au niveau de chaque zone est fonction de la distance 1 séparant les deux systèmes de miroir et de l'indice de réfraction n du matériau (équivalent à une cavité). Ainsi deux faisceaux interferent dans la cavité réalisée : celui qui est transmis par le miroir et celui qui est réfléchi par le second. Si n1 = & /2 : d la longueur d'onde du faisceau incident au niveau de la zone), alors ces deux faisceaux sont en phase, dans ce cas l'intensité du faisceau transmis au niveau de la zone est maximum (émission de lumière). Si en revanche n1 = A /4, les interférences sont destructives, le faisceau transmis à une intensité faible (extinction de lumiere). Comme le matériau utilisé est non linéaire, l'intensité du faisceau incident variant avec l'indice de réfraction tout devient équivalent à un transistor optique. Le dispositif selon l'invention répond donc aux inconvénients cités au début. I1 constitue une nouvelle technologie d'écrans plats avec les points forts suivants - technologie la plus économique, la plus connue, la plus performante, - technologie la plus maîtrisée, - un meilleur rendement en fabrication, - un temps de fabrication rapide et record, - une meilleure résolution d'affichage (supérieure à 1250 points par pouce), - une technologie qui présente la consommation la plus faible (consommation liée seulement à la source de lumière principale et à la méthode de contrôle utilisée), - technologie qui présente des temps de commutation rapides (dépendant du type de contrôle utilisé), - un bon contraste, une bonne luminosité, - système d'affichage simple, léger, plat et peu encombrant, - système insensible aux rayonnements électromagnétiques. Les dessins annexés illustrent l'invention. La figure I représente le dispositif selon l'invention. La figure 2 représente en coupe les différentes étapes de fabrication de la couche noyau du dispositif. La figure 3 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec le contrôle de la couleur. La figure 4 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec contrôle de l'extinction de lumière par effet électro-optique. La figure 5 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec contrôle de l'extinction de lumière par application d'une onde acoustique de surface. La figure 6 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec contrôle de l'extinction de lumière par effet thermique. La figure 7 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec contrôle de l'extinction de lumière sous l'action d'une micromécanique mobile. La figure 8 représente en coupe une petite fraction de la tranche de silicium avec contrôle de l'extinction de lumière sous l'action d'un transistor optique. En référence au dessin de la figure 1, le dispositif est constitué d'une source de lumière visible 1 (Laser, LED, lampe à incandescence, tubes fluorescents, lumière naturelle, couche électroluminescente excitée par un courant continu ou alternatif, couche de silicium poreux excité), celle-ci pouvant être intégrée sur la tranche de silicium raccordée à un ensemble de fibres optiques 4, 5, 6 usiné selon l'invention via un réseau d'entrée 2. Ce réseau d'entrée caractérise l'introduction de la lumière visible dans les fibres optiques de la tranche de silicium, il peut se faire de différentes façons - si les rayons de la source de lumière visible arrivent au-dessus de la surface de la tranche de silicium, les réseaux d'entrée seront soit des prismes, soit des réseaux de phase de résistance R. * Dans le cas du prisme, les rayons pénètrent dans le prisme rectangle isocèle par la surface hypoténuse, ils subissent la réflexion totale sur l'une des faces de l'angle droit, mais cette face est placée contre l'ensemble des fibres optiques (guides plans). Ainsi une partie des rayons lumineux pénètre dans les fibres. Cet effet est dû aux ondes évanescentes. * Dans le cas des réseaux de phases, les rayons lumineux pénètrent dans les fibres optiques par diffraction, celle-ci étant produite par les réseaux de résistance R réalisés dans une couche mince déposée sur le substrat de silicium (fabrication par litographie ou méthode holographique). - Si par contre les rayons lumineux de la source de lumière visible arrivent dans le prolongement (parallèle) de l'alignement des fibres optiques de la tranche silicium. Ces réseaux d'entrée peuvent être * soit une interface de connexion (dans ce cas un autre ensemble de fibres optiques conduisent la lumière visible), * soit un objectif de courte focale où l'on fait converger les rayons lumineux vers l'entrée des fibres optiques de la tranche. Sur la figure 2 apparaît les étapes dans l'ordre chronologique du procédé de fabrication du noyau. D'abord, la tranche de silicium 1, sur laquelle on effectue l'opération de croissance d'une couche d'oxyde 2, d'indice de réfraction n = 1,46 et d'épaisseur 1 micron (enveloppe inférieure des guides), puis la troisième étape de dépôt et gravure de nitrure 3, pour la fabrication du coeur des guides d'indice de réfraction n = 2 et d'épaisseur 1 micron. Ensuite, l'opération de dépôt d'oxyde 4, d'épaisseur 0,5 micron, qui caractérise l'enveloppe supérieure des guides, et enfin, la dernière étape de gravure des fenêtres dans l'oxyde 5 qui assure les ouvertures (zones) par lesquelles la lumière peut s'échapper. Sur la figure 3, apparaît deux dessins caractérisant les deux méthodes pour assurer le contrôle de la couleur au niveau de chaque zone. On distingue la tranche de silicium 1, la couche d'oxyde 2, le dépôt d'oxyde 3, le nitrure de silicium 4, et le dépôt d'une couche de filtre coloré 5, sur le premier dessin, avec la sortie d'une lumière monochromatique 6, ayant la couleur du filtre coloré. Sur le deuxième dessin, on aperçoit un empilement de couches minces diélectriques 7, et, entre deux empilements une couche mince diélectrique 8, d'épaisseur e, d'indice n > 2, constituant un filtre interférentiel monochromatique, de sorte que la lumière qui sort 9 soit de couleur unique. Sur les figures 4, 5, 6, 7, 8, on distingue toujours le noyau de base, constitué de la tranche de silicium 1, de la couche d'oxyde 2, du dépôt d'oxyde 3, du nitrure de silicium 4. Sur la figure 4, apparaît un contrôle de l'extinction de lumière par effet électro-optique. On remarque le dépôt d'une couche électro-optique 5 d'indice n ( n > 2). Les couches de métallisation 6, sur lesquelles on applique une différence de potentiel 8, qui crée dans la couche électro-optique un champ électrique 7, qui modifie l'indice de réfraction n dans cette couche, assurant ainsi le contrôle du passage de la lumière 9. Sur la figure 5 apparaît un contrôle de l'extinction de lumière par application d'une onde acoustique de surface 7, de longueur , guidée créant dans la couche de matériau cristallin piézoélectrique 5, une variation de l'indice de réfraction n ( n > 2), de sorte que la lumière 8 qui s'échappe, soit déviée et absorbée par des couches avoisinantes 6. Sur la figure 6, apparaît un contrôle de l'extinction de lumière par effet thermique, sous l'action d'une différence de potentiel 8, via des couches de métallisation 6; par effet Joule, il y a dégagement de chaleur, ce qui modifie l'indice de réfraction n (n > 2) de la couche de matériau 5, résistive 7, de sorte qu'il y ait contrôle du passage de la lumière 9. Sur la figure 7, apparaît un contrôle de l'extinction de lumière sous l'action d'une différence de potentiel 10, qui agit sur des couches de métallisation, respectivement l'électrode de polarisation 7, et l'électrode d'adressage 5, avec, entre ces deux couches, une couche isolante 6, afin de déplacer un pivot mobile 8, en alliage d'aluminium, autour d'un angle maximal 9, de sorte qu'il y ait contrôle du passage de la lumière 11. Sur la figure 8, apparaît un contrôle de l'extinction de lumière par effet optique (transistor optique). Le faisceau incident laser 7, provenant du coeur 4, traverse une couche ou un empilement de couches 5 qui jouent le rôle de miroir, et une couche de matériau non linéaire 6, dont l'indice de réfraction n varie en fonction de l'intensité du faisceau incident. L'intensité du faisceau de lumière transmis 9 est maximum lorsque les faisceaux "réfracté" et "de retour" sont en phase dans la couche de matériau non linéaire. Lorsque ces deux faisceaux "réfractés" et "de retour" sont en opposition de phase, l'intensité du faisceau transmis 9 est si faible qu'il y a extinction de lumière. Ce dispositif selon 1 invention (noyau et couches supérieures assurant les contrôles) peut être également fabriqué à partir des technologies semi-conducteur Arséniure de Gallium, Niobate de Lithium, composés III V; Technologies hybrides couches minces ou épaisses, technologies polymères, technologies fibre de verre. Il est donc particulièrement destiné à tout ce qui constitue le traitement de l'information par l'optique, c'est-à-dire : les machines à calculer, les écrans d'ordinateur, les écrans de poche, les écrans de télévision, les écrans publicitaires et muraux, tout ce qui concerne la bureautique portable, les jeux électroniques, les affichages graphiques, la signalisation routière, les tableaux de bord, la micro-informatique, l'instrumentation, les imprimantes, les télécopieurs, les appareils médicaux, les accessoires lumineux, les ordinateurs optiques. Ce dispositif s'étend aussi aux capteurs (caméras linéaires et matricielles utilisant des dispositifs à couplages de charge, scanneurs, capteurs solaires), au domaine des télécommunications, et à tout système de stockage d'information (disques optiques numériques, mémoires dynamiques et statiques à accès aléatoire). REVENDICATION 1. Procédé d'obtention d'un dispositif d'émission de lumière comportant un ensemble de fibres optiques comportant des zones dont l'indice de réfraction est tel que la lumière entrée dans cet ensemble de fibres peut s'en échapper à volonté sous l'influence de moyens de commande, caractérisé en ce qu'il comprend - la formation, sur un support opaque (1, 2, voir figures 4 à 7), d'une couche transparente (4), - le dépôt d'une couche opaque (3), sur cette couche transparente, - une opération d'ouverture de fenêtres dans la couche opaque, - un ou plusieurs dépôts de couches transparentes (5) sur chaque fenêtre, - la mise en place de moyens de commande (7) capables d'agir sur le passage de la lumière à travers les couches transparentes déposées sur les fenêtres. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on utilise comme support une tranche de silicium sur laquelle on a formé un couverture opaque d'oxyde de silicium. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, selon lequel on forme sur le support une couche transparente de nitrure de silicium. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'on crée dans la couche transparente un quadrillage pour attaque chimique à travers un masque avant le dépôt de la couche opaque. 5. Procédé selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche opaque est formée d'oxyde de silicium. 6. Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que l'opération d'ouverture des fenêtres est faite par photogravure. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'on dépose une couche de filtre coloré monochromatique sur au moins une des fenêtres, si bien que la lumière émise par cette fenêtre est monochromatique. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce qu'on réalise un filtre interférentiel monochromatique sur au moins une fenêtre en déposant sur celle-ci un empilement de couches semi-réfléchissantes et une couche mince diélectrique d'épaisseur choisie en fonction de la longueur d'onde de la lumière monochromatique qui doit être émise par cette fenêtre. 9. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on dépose, au-dessus et/ou au-dessous d'au moins une fenêtre, une couche électrooptique pourvue de couches de métallisation, cette couche électrooptique présentant un indice de réfraction qui peut être modifié sous l'influence d'un champ électrique transmis par les couches de métallisation jusqu a permettre ou empêcher la sortie des rayons lumineux par ladite fenêtre. 10. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on dépose une couche cristalline piézoélectrique sur au moins une fenêtre, et on lui associe un peigne interdigité apte à transmettre à cette couche piézoélectrique une onde acoustique capable de créer, par variation de l'indice de ladite couche, un réseau de diffraction qui s'oppose à la sortie de la lumière par cette fenêtre. 11. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on dépose, sur au moins une fenêtre, une couche résistive transparente, et des couches de métallisation aptes à créer, dans ladite couche résistive, un dégagement de chaleur entraînant une variation de son indice susceptible d'empêcher la lumière de sortir par ladite fenêtre. 12. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on forme, au-dessus d'au moins une fenêtre, un volet pivotant, qui peut être déplacé sous l'influence d'une différence de potentiel appliqué à une couche de métallisation adjacent, pour commander le passage de la lumière à travers ladite fenêtre. 13. Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'on dépose au-dessus de chaque fenêtre un empilement de couches minces formant deux miroirs et une couche mince de matériau d'indice non linéaire, dont l'indice de réfraction varie en fonction de l'intensité de la lumière qui le traverse, les épaisseurs étant calculées pour mettre en phase ou en opposition de phase la lumière émise par un laser et réfraction à travers un miroir et réfléchie par l'autre miroir. 14. Dispositif obtenu selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que des moyens de gestion de l'affichage, notamment des électroniques ou optiques de commande de colonne ou de ligne, sont intégrés dans le support.