Brevet FR2695117A1 — publié le 19940304

I 2695117 PROCEDE DE TRAITEMENT DE COUCHES MINCES A PROPRIETES DE CONDUCTION ELECTRIQUE ET/OU DE REFLEXION DANS L'INFRA-ROUGE L'invention a trait à un procédé de traitement de couches minces présentant des propriétés de conduction électrique et/ou des propriétés de réflexion dans l'infra-rouge, notamment de basse émissivité, en vue de modifier localement lesdites propriétés de manière sélec-25 tive. Le procédé de traitement concerne plus particuliè- rement les couches minces semi-conductrices à base d'oxyde(s) métallique(s) sous-stoechiométrique(s) disposées sur des substrats transparents, notamment en verre, soit30 directement, soit par l'intermédiaire d'autres couches minces. L'invention concerne également l'application de ce procédé à la fabrication de vitrages, notamment de vitrages chauffants pour véhicules tels que les avions. Le principe bien connu d'un vitrage chauffant, per- mettant le dégivrage ou le désembuage, réside dans l'échauffement contrôlé par effet Joule d'une couche mince conductrice déposée sur un substrat du vitrage, et ceci lorsqu'elle est mise sous tension à l'aide d'amenées de -2- courant généralement connectées à la couche sur deux de ses côtés opposes. Le problème constant de ce type de vitrage est que dès que le vitrage adopte une géométrie relativement complexe, par exemple lorsqu'il présente un contour non rectangulaire et/ou un bombage plus ou moins prononcé, il n'est plus possible d'obtenir un chauffage uniforme de toute la surface du vitrage quand la couche conductrice présente en tout point des caractéristiques électriques sensiblement10 constantes Or cette géométrie se retrouve dans la plupart des vitrages équipant voitures ou avions, comme dans les pare-brise par exemple, alors même qu'il est très important de garantir un champ de vision maximal à travers les vitrages pour des raisons évidentes de sécurité, quelles15 que soient les conditions climatiques. Il est alors nécessaire, pour obtenir ce chauffage uniforme, de prévoir les zones dans la couche qui devront présenter une conductivité électrique modifiée ou, ce qui est équivalent et très usuellement utilisé dans le domaine20 des vitrages chauffants, une résistance carrée modifiée. Les solutions techniques apportées à ce jour pour fabriquer une couche conductrice à zones différenciées de conductivité ou de résistance carrée n'apportent pas entièrement satisfaction.25 Ainsi, il est connu de la demande de brevet FR-A-2 208 005 un procédé de traitement d'une couche conductrice déposée par pulvérisation cathodique qui permet de modifier localement l'épaisseur de la couche et ceci pendant l'opération de pulvérisation même, notamment à30 l'aide d'un certain nombre de masques La diminution locale de l'épaisseur dans les zones o sont utilisés les masques induit une augmentation contrôlée de la résistance carrée. (On rappelle en effet que la résistance carrée R O a est égale au quotient de la résistivité ? par l'épaisseur e: Ra = l /e) Cependant, l'inconvénient majeur de cette technique est qu'il peut s'avérer nécessaire de créer des zones présentant des résistances carrées très supérieures à la résistance initiale de la couche Cela impose alors des variations considérables d'épaisseur dans la couche, -3- variations induisant un aspect optique global du vitrage, notamment en réflexion, particulièrement inhomogène et gênant. Il est par ailleurs connu du brevet FR-2 584 392 un traitement consistant à soumettre la couche d'oxyde con- ductrice, une fois déposée, à un chauffage très intense et rapide, en atmosphère oxydante ou réductrice Ceci a pour conséquence de respectivement diminuer ou augmenter cette fois la résistivité de la couche, a priori sans en modifier10 l'épaisseur Cette technique, qui utilise notamment des brûleurs, peut être un chauffage différencié d'une zone à l'autre de la couche afin d'obtenir des conductivités différentes Cependant, elle semble plus adaptée en tant que post-traitement à la suite d'un dépôt par pyrolyse sur15 un ruban de verre continu qu'à la suite d'un dépôt par un procédé utilisant le vide, type pulvérisation cathodique. L'invention a alors pour but un procédé de traitement qui permette de créer dans une couche mince semi-conduc- trice à base d'oxyde(s) métallique(s) des zones différen-20 ciées de conductivité électrique, et ceci en palliant aux inconvénients précités, c'est-à-dire en étant fiable et précis, applicable quel que soit le mode d'obtention de la couche et préservant l'homogénéité de l'aspect optique d'un vitrage comportant une telle couche.25 L'invention a pour objet un procédé de traitement en vue de modifier localement les propriétés de conductivité électrique et/ou de réflexion dans l'infra-rouge type basse émissivité d'une couche mince à base d'oxyde(s) métalli- que(s) notamment sous-stoechiométrique(s) et disposée sur un substrat transparent, notamment en verre, directement ou par l'intermédiaire d'autres couches minces Ledit procédé consiste à soumettre de manière sélective la couche con- ductrice, que l'on a portée à haute température, à un faisceau d'ions à "faible énergie".35 On comprend dans le cadre de l'invention l'expression "faisceau d'ions à faible énergie" comme un faisceau d'ions dont les paramètres sont choisis de manière à éviter la pulvérisation de la couche dans les zones soumises audit faisceau sous l'impact des ions. -4- Deux variantes sont alors envisageables Au moins une partie des ions du faisceau peuvent tout d'abord être de nature oxydante, comme des ions à base d'oxygène ionisé, ce qui a comme conséquence de diminuer localement la conduc- 5 tivité électrique de la couche dans les zones soumises au faisceau. Au moins une partie des ions du faisceau peuvent être au contraire de nature réductrice, comme des ions à base d'hydrogène ionisé, ce qui a comme conséquence d'augmenter10 localement la conductivité électrique des zones soumises au faisceau. Les avantages de cette technique de traitement sont nombreux Tout d'abord on découple totalement l'opération de traitement de celle du dépôt, ce qui permet d'envisager15 toutes les techniques usuelles de dépôt de couche telles que les technique utilisant le vide ou les techniques dites de pyrolyse Par ailleurs, on peut parfaitement contrôler la localisation des zones à traiter, de par une foca- lisation du faisceau de direction modulable et maîtrisable.20 Cette technique ne modifie en outre pas l'épaisseur des zones de la couche qui sont soumises au faisceau On garantit ainsi au vitrage incorporant la couche traitée une même homogénéité d'aspect optique que celle du vitrage qui présenterait une couche non traitée, quelle que soit25 l'importance du traitement. Cette technique peut en outre s'adapter aisément à tout type de couche d'oxyde métallique semi-conductrice, quelle que soit sa conductivité électrique après dépôt, puisqu'elle donne le choix d'augmenter ou au contraire de30 diminuer localement cette conductivité (On rappelle que la conductivité est l'inverse de la résistivité). Les auteurs ont ainsi découvert l'effet sur la rési- stivité, particulièrement surprenant, de la conjugaison entre un faisceau d'ions et un chauffage, bien que jusque-35 là les faisceaux d'ions aient été utilisés pour des objec- tifs très différents. On connaît en effet l'utilisation des faisceaux d'ions dans les techniques dites "de dépôt assisté par des ions", ou "Ion-Assisted Deposition IAD" en anglais, o le faisceau -5- notamment d'ions oxygène visant la couche au cours de son dépôt par évaporation ou pulvérisation ionique engendre une densification de la couche d'oxyde métallique ainsi formée. Cette densification, mesurable en général par une aug- 5 mentation de son indice de réfraction permet d'augmenter la durabilité chimique et/ou physique de la couche. C'est donc vraisemblablement un phénomène tout autre qui se produit dans le procédé de traitement selon l'in- vention, puisque s'opère probablement une restructuration10 du réseau d'oxyde(s) sous l'effet des ions du faisceau à la surface de la couche, restructuration apte à se propager dans une épaisseur non négligeable de la couche Elle conduirait alors à modifier la concentration en lacunes d'oxygène dans le réseau, modification influant alors15 directement sur la conductivité électrique puisque ce sont ces lacunes qui confèrent pour l'essentiel les propriétés électriques à l'oxyde Ainsi, des ions oxydants, diminuant cette concentration diminueraient de même la conductivité, des ions réducteurs ayant l'effet inverse.20 Ce phénomène mis en évidence par les auteurs de l'in- vention est d'autant plus étonnant que l'on prend garde à choisir un faisceau d'ions à faible énergie afin d'éviter que les zones de la couche traitées par le faisceau ne se pulvérisent à la manière d'une cible, provoquant des25 diminutions locales d'épaisseur que l'on cherche justement à supprimer. En effet, on aurait alors pu craindre que les modifi- cations engendrées dans la couche sous l'impact des ions à sa surface ne s'opèrent, si tant est que l'on pouvait les30 prévoir, que sur une infime épaisseur Or, il s'est révélé que les ions du faisceau, lorsque la couche est portée à une haute température, provoquent des modifications dans le réseau d'oxyde assez importantes pour induire des varia- tions de conductivité considérables, comme déjà mentionné,35 et ceci sans provoquer de pulvérisation. Il est par ailleurs à noter que le procédé selon l'invention est d'une grande souplesse d'utilisation et peut aisément s'adapter à différentes installations et différents types de canons à ions générant le faisceau En -6- effet, on peut obtenir la variation de conductivité sou- haitée en modulant conjointement ou séparément différents paramètres tels que la température à laquelle on porte la couche à traiter, la durée du traitement par faisceau 5 d'ions ainsi que l'énergie des ions dudit faisceau lors de leur impact sur la couche. Il est cependant préférable que la température de la couche soit d'au moins environ 1501 C, comme par exemple 250 C. Dans la mesure o certaines techniques de dépôt impliquent que le substrat sur lequel on dépose la couche soit chauffé à des températures excédant 1500 C, il suffit alors avantageusement de procéder au traitement par fais- ceau d'ions juste après le dépôt de la couche, qui se15 trouve ainsi déjà à la température appropriée La durée du traitement est à sélectionner de manière à rester compati- ble avec les exigences industrielles d'une fabrication en série. Quant à l'énergie des ions, plusieurs solutions sont envisageables pour la maîtriser afin d'obtenir l'effet voulu sans pulvérisation. Ce qui est en effet important de sélectionner et maîtriser n'est non pas tant l'énergie du faisceau au niveau de la source d'émission, soit le canon à ions, mais25 l'énergie qu'il faut choisir de "faible valeur", notamment inférieure à 100 électrons-volt et de préférence comprise entre 50 et 90 électrons-volt, avec laquelle les ions frappent la couche Deux solutions de réglage sont envisa- geables On peut tout d'abord régler cette énergie au30 niveau de la couche en modulant l'énergie du faisceau au niveau de la source d'émission et la distance entre source d'émission et couche, la couche n'étant pas mise sous tension On peut également polariser cette couche lors du traitement, ce qui permet alors d'utiliser des faisceaux35 d'ions à la source nettement plus énergétiques que dans le cas précédent En effet, la polarisation de la couche a pour conséquence de "freiner" les ions à l'approche de la couche, et peut être ajustée de manière à ce qu'ils -7- frappent la couche avec la même énergie que lorsque la couche n'est pas polarisée. Par ailleurs, est également à choisir de manière appropriée la densité ionique du faisceau, notamment par exemple de l'ordre du milliampère par centimètre carré. Le procédé selon l'invention s'applique à tout type d'oxyde(s) métallique(s) sousstoechiométrique(s), et/ou ceux qui sont dopés, c'est-à-dire avec insertion dans le réseau de l'oxyde du métal donné d'un certain pourcentage10 d'un autre métal On peut citer notamment l'oxyde d'indium dopé à l'étain I T O, l'oxyde d'étain dopé au fluor Sn O 2:F, l'oxyde de zinc dopé à l'indium Zn O:In, à l'alumi- nium Zn O:Al, à l'étain Zn O:Sn ou au fluor Zn O:F. Quant à leur mode d'obtention, les techniques de dépôt sous vide, notamment utilisant la pulvérisation cathodique, sont bien connues et permettent de bien maîtriser les per- formances optiques et électriques des couches obtenues On connaît en particulier les techniques qui s'effectuent en présence d'un champ magnétique qui augmente la mobilité des20 électrons, donc la probabilité d'ionisation et en consé- quence la vitesse de pulvérisation de la cible On peut citer par exemple le brevet DE-24 63 431 C 2, qui présente un tel procédé utilisant un magnétron planar, et le brevet US-4 116 806, qui utilise une cible en forme de courroie,25 dite "belt track". De même, on connaît les techniques de pulvérisation cathodique réactive qui permettent d'obtenir une couche mince en faisant réagir le matériau de la cible avec un gaz du plasma, le brevet Us-3 907 660 présente ainsi une telle30 méthode pour le dépôt d'oxyde métallique sur du verre. On peut aussi utiliser les techniques dites de pyrolyse, consistant à projeter en phase liquide, solide ou gazeuse, des précurseurs organo-métalliques sur un substrat porté à haute température de manière à ce qu'ils se décom-35 posent en les oxydes voulus. Ainsi pour obtenir une couche conductrice d'ITO par pyrolyse, on choisit de préférence un mélange pulvérulent de formiate d'indium et d'oxyde de dibutylétain, notamment comme décrit dans le brevet EP-B-397 292. 8 - Si la couche conductrice est en Sn O 2:F, elle peut être obtenue par pyrolyse de poudre à partir d'oxyde de dibutylétain (DBTO) en poudre et d'acide fluorhydrique anhydre gazeux, comme il est décrit dans le brevet 5 FR-2 380 997, à partir de difluorure de dibutylétain (DBTF) éventuellement, en mélange avec du DBTO comme décrit dans les documents EP-A-178 956 et EP-A-039 256. On peut aussi l'obtenir par pyrolyse en phase gazeuse, notamment à partir d'un mélange de composés d'étain comme (CH 3)2 Sn C 12, (C 4 H 9)2 Sn C 12, Sn (C 2 H 3)4 et de composés organofluorés tels que C C 12 F 2, CHC 1 F 2 et CH 3 CHF 2 comme décrit dans le brevet EP-A-027 403 ou bien encore à partir de monobutyltrichloroétain et un composé de formule CX 2 F 2, X pouvant être un halogène et/ou un hydrogène, tel que le15 chlorodifluorométhane mentionné dans le brevet EP-A- 121 459. On peut aussi l'obtenir par pyrolyse en phase liquide à partir d'acétylacétonate d'étain ou de diméthylétain-2- propionate dans des solvants organiques appropriés comme décrits notamment dans le brevet FR-2 211 411. Des couches de Zn O:In ou de Zn O:Al peuvent être obtenues par pyrolyse en phase vapeur, à partir de diét- hylzinc ou d'acétate de zinc et de triéthylindium, chlorure d'indium ou triéthylaluminium, chlorure d'aluminium, comme25 décrit dans la demande de brevet EP-A-385 769. D'autres détails et caractéristiques avantageuses de l'invention ressortent de la description suivante d'exem- ples de réalisation non limitatifs. Tous concernent le traitement d'une couche mince conductrice à base d'ITO sur un substrat en verre clair silico-sodo-calcique de 3 millimètres d'épaisseur, déposée par une technique de pulvérisation cathodique assistée par champ magnétique, selon les paramètres suivants: la cible est constituée d'un mélange d'oxyde d'indium et d'oxyde35 d'étain, dont environ 9 % molaire d'oxyde d'étain La cathode verticale a une longueur de 380 mm et une largeur de 120 mm, le substrat en verre a les dimensions 30 x 30 cm 2, il est vertical et mobile Le verre se déplace devant la cathode à une vitesse de 2 cm/mn, la puissance _ 9- appliquée est de 0, 55 watt/cm 2 Le gaz vecteur est de l'argon, la pression de l'enceinte est de 8 10-3 torrs (soit environ 1,1 Pa) Le verre passe devant la cathode le nombre de fois suffisant pour qu'une couche d'épaisseur d'environ 135 manomètres soit déposée. Le tableau ci- dessous résume les caractéristiques de la couche obtenue, sachant que R O est la résistance carrée en Ohm par carré de la couche mesurée par la méthode des 4 pointes, que est sa résistivité exprimée en Ohm cm, que n10 est son indice de réfraction Sont spécifiées également les caractéristiques optiques en réflexion côté couche du sub- strat ainsi recouvert: R_ est la réflexion lumineuse en pourcentage, 4 dom est la longueur d'onde dominante en nanomètres et Pe la pureté d'excitation en pourcentage La15 conjugaison de d dom et Pe, permet de déterminer dans le spectrum locus la couleur résiduelle et son intensité en réflexion. TABLEAU I COUCHE ITO : N 2 : RCl 19,4 : ? 2,6 10-4 : R: 9,9 :dom 562 : P*: 23 = = = = = = = = = = = = = = = = = _ _ = = = = = = = = == = En partant d'une couche d'ITO que l'on peut considérer comme présentant une conductivité électrique élevée, on souhaite créer des zones localisées o la conductivité est plus faible. EXEMPLE 1 On traite la couche d'ITO, dont les caractéristiques ont été précisées plus haut, en la maintenant à une tempé- rature de 250 C sous vide sous une pression partielle d'oxygène moléculaire non ionisé O 2 de 2 10-4 torrs, soit 2,7 10-2 Pascals, pendant 30 minutes La couche ainsi - traitée présente exactement les mêmes caractéristiques électriques et optiques que la couche de départ. Les exemples 2 et 3 utilisent un faisceau d'ions oxygène généré par un canon à ions commercialisé sous le nom de Commenwealth Mark II par la Société Commenwealth Scientific Ce canon à ions émet un faisceau dont la densité ionique, mesurée à 15 cm de la source d'émission est d'environ 3,3 m A/cm 2. L'installation est la suivante: on place le substrat recouvert par la couche d'ITO dans une enceinte sous un vide de 2 10 e torrs, soit 2,7 10 o Pascals, qui est avantageusement l'enceinte dans laquelle s'est effectué le dépôt de la couche Le substrat est placé verticalement sur un carrousel à environ 10 cm de distance du point de départ15 du faisceau. EXEMPLE 2 Les conditions du traitement par faisceau d'ions sont les suivantes: * énergie du faisceau: 60 e V * densité de courant ionique: 3,3 m A/cm 2 * durée du traitement: 3 minutes * température du substrat: environ 300 C A 300 C et sous la forte densité du courant, la zone traitée de la couche ne subit aucune variation de rési- stivité, puis commence à se pulvériser sous l'impact des ions à une vitesse moyenne de 10 nm/minute Ces résultats ne conviennent donc pas, puisqu'ils n'engendrent pas l'effet souhaité de modification de résistivité, et que la couche se trouve progressivement détruite lorsqu'on pour-30 suit le traitement. Les exemples 3 et 4 sont les exemples selon l'inven- tion. EXEMPLE 3 Les conditions du traitement par faisceau sont les suivantes: * énergie du faisceau: 52 e V * densité du courant ionique: 0, 4 m A/cm 2 * durée du traitement: 30 minutes * température du substrat: 250 il Aucune variation d'épaisseur n'est constatée, ce qui implique qu'il n'y a pas eu pulvérisation de la couche. Les paramètres, déjà explicités pour le tableau I précédent (qui concernait la couche d'ITO non traitée) sont rassemblées dans le tableau II ci-dessous et concernant cette fois la zone traitée qui se trouvait au centre du champ de focalisation du faisceau. TABLEAU II ===== ===== ==== ===== ==== = = 2 R O: 74 le 10,2 10-4 R:. 10,5: Jdom 453 Pc,, 29 : = = = = = = = = = = _ _ _ _ = = = = = = = = = = = = _ _ = = = _ _ = = EXEMPLE 4 Les conditions de traitement sont identiques à celles de l'exemple 3, sauf en ce qui concerne la durée du trai- tement par le faisceau d'ions qui est ici que de 6 minutes. La résistance carré de la zone qui se trouvait au centre du champ de focalisation du faisceau est augmentée jusqu'à une valeur d'environ 32 ohm. En comparant les résultats des exemples 1 et 3 d'une part, et les exemples 2 et 3 d'autre part, on constate que pour obtenir une variation de conductivité localisée sans entraîner de variation d'épaisseur, il est nécessaire de combiner l'utilisation d'un faisceau ionique et un maintien à haute température de la couche lors du traitement. Ainsi, dans l'exemple 1, tenter d'oxyder à haute température par des molécules d'o 2 ne donne aucun résultat tandis qu'essayer (exemple 2) de "compenser" un traitement qui se fait à température ambiante par une densité de courant ionique élevée n'aboutit qu'à détruire localement35 la couche. L'invention implique donc une synergie entre chaleur et ions réactifs, qui doit vraisemblablement faciliter la restructuration de la couche dans une épaisseur suffisante pour provoquer la variation de conductivité attendue. 12 - Il est en outre à noter qu'avantageusement dans le cas d'un dépôt d'ITO par pulvérisation à haute température, on peut effectuer consécutivement le dépôt puis le traitement de la couche, puisque celle-ci présente déjà une tempéra- 5 ture élevée; et ceci dans la chambre de dépôt même. Si l'on compare les tableaux I et II, on voit que la résistivité des zones traitées (exemple 3) par rapport à celle de la couche initiale non traitée a été multipliée par un facteur 4, ce qui est considérable Il en est de10 même pour la résistance carrée, puisque le traitement ne modifie pas l'épaisseur de la couche Par ailleurs, de par la comparaison des exemples 3 et 4 selon l'invention, on voit que l'on peut également obtenir une variation de résistance carrée moindre mais non négligeable avec une15 durée de traitement de l'ordre de la minute On peut ainsi obtenir toute une gamme de variations de résistivités entre zones traitées et non traitées, notamment en modulant le temps de traitement. Le procédé selon l'invention est donc très performant et adaptable et peut être appliqué avec succès à des couches destinées à équiper tout particulièrement des vitrages pour avions, comprenant en général trois substrats en ce qui concerne les pare-brise. Ainsi, dans ce cas, les couches destinées au dégivrage et traitées selon l'invention sont avantageusement dis- posées en face 2 sur le substrat monté côté extérieur, les couches destinées plutôt au désembuage étant placées en face 4 (substrat intermédiaire) ou 5 (substrat le plus interne).30 Pour obtenir les gradients de résistance nécessaires, souvent relativement complexes vue la géométrie de ces vitrages, on peut alors aisément monter le canon à ions sur un bras mobile automatisé, se déplaçant pendant le traite- ment en vis-à-vis de la couche à traiter.35 En conclusion, le procédé selon l'invention permet d'obtenir les variations locales des propriétés électriques voulues tout en préservant l'homogénéité des propriétés optiques Ainsi, d'après les tableaux I et II, les aspects optiques en réflexion des zones traitées et non traitées 13 - présentent des différences à peine discernables, car les valeurs de RL et pe sont très proches De même, si les longueurs d'onde dominantes paraissent éloignées, elles sont en fait très voisines une fois représentées dans le 5 spectrum locus, et correspondent toutes deux à une nuance très similaire. 14 - REVENDICATIONS 1 Procédé de traitement en vue de modifier localement les propriétés de conduction électrique et/ou de réflexion dans l'infra-rouge d'une couche mince à base d'oxyde(s) 5 métallique(s) notamment sousstoechiométrique(s) et dis- posée sur un substrat transparent, notamment en verre, caractérisé en ce qu'il consiste à soumettre de manière sélective ladite couche que l'on a portée à haute tempéra- ture à un faisceau d'ions "à faible énergie".10 2 Procédé de traitement selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie des ions du faisceau sont de nature oxydante, comme de l'oxygène ionisé, de manière à diminuer localement la conductivité électrique dans les zones de la couche soumises audit faisceau. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'au moins une partie des ions du faisceau sont de nature réductrice, comme de l'hydrogène ionisé, de manière à accroître localement la conductivité électrique dans les20 zones de la couche soumises audit faisceau. 4 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'on module la variation de la conduc- tivité électrique de la couche dans les zones soumises au faisceau notamment par le choix de la température à la-25 quelle est portée la couche, de la durée du traitement desdites zones par le faisceau, de l'énergie des ions du faisceau lors de leur impact sur la couche. 5 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'énergie des ions du faisceau lors de leur impact sur la couche est inférieure à 100 électrons-volt. 6 Procédé selon l'une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'on polarise la couche lors du traite- ment par faisceau d'ions.35 7 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que la densité de courant ionique du faisceau d'ions est de l'ordre du milliampère par cm 2. 8 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on porte la couche lors du - traitement à une température supérieure ou égale à 1500 C, de préférence d'environ 2500 C. 9 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il fait suite au dépôt de la couche d'oxyde(s) métallique(s) par une technique sous vide telle que la pulvérisation cathodique assistée par champ magné- tique. 10 Procédé selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce qu'il traite des couches d'oxydes métalliques sous-stoechiométriques et/ou dopées telles que des couches d'oxyde d'indium dopé à l'étain ITO, d'oxyde de zinc dopé à l'indium Zn O:In, au fluor Zn O:F, à l'aluminium Zn O:Al ou à l'étain Zn O:Sn, ou d'oxyde d'étain dopé au fluor Sn O 2:F.15 11 Application du procédé selon l'une des revendica- tions précédentes à la fabrication de vitrages chauffants à couche(s) présentant des zones ayant des caractéristiques électriques et/ou de réflexion dans l'infra-rouge diffé- rentes les unes des autres, notamment pour assurer un chauffage uniforme des vitrages, quelle que soit leur géométrie. 12 Couche mince notamment à base d'oxyde d'indium dopé à l'étain ITO traitée selon le procédé d'une des revendications 1 à 10, caractérisée en ce que les zones de25 ladite couche traitées par un faisceau d'ions oxydants présentent une résistance électrique pouvant être jusqu'à 4 fois supérieure à celle des zones non traitées. 13 Vitrage chauffant pour véhicule, notamment pour avion, incorporant une couche traitée selon le procédé de l'une des revendications 1 à 10.