Brevet FR2697679A1 — publié le 19940506

DEPHASEUR D'ONDES ELECTROMAGNETIQUES ET APPLICATION A UNE ANTENNE A BALAYAGE ELECTRONIQUE L'invention concerne un déphaseur d'ondes électromagnétiques (hyperfréquences) et son application à une antenne à balayage électronique et plus particulièrement une antenne à balayage électronique à commande optique. Les antennes à balayage électronique sont connues dans la technique. Elles sont constituées d'un ensemble d'éléments déphaseurs qui, recevant une onde hyperfréquence, agissent chacun séparément sur la phase de l'onde hyperfréquence. Chaque élément déphaseur retransmet une onde qui peut être déphasée par rapport aux ondes transmises par les autres éléments déphaseurs L'ensemble des éléments déphaseurs peut être considéré comme un ensemble de sources élémentaires hyperfréquences émettant des faisceaux déphasés entre eux L'interférence des différentes ondes émises donne lieu à un front d'onde dont la direction de propagation dépend des déphasages relatifs des différentes sources élémentaires Ce fonctionnement est parfaitement connu dans la technique des antennes à balayage électronique. La commande des éléments déphaseurs peut être analogique, chaque élément déphaseur pouvant alors induire un déphasage continûment variable sur commande et pouvant donc prendre toute valeur entre O et z. La commande des éléments déphaseurs peut également être numérique. Chaque élément déphaseur peut alors induire des valeurs discrètes de déphasage. Selon la conception des éléments déphaseurs, chacune d'eux pourra induire 2 valeurs de déphasage (O et X par exemple) ou 3 valeurs déphasage (O lu et i X par exemple), etc. Selon une technique connue, un élément déphaseur peut être constitué d'un déphaseur à "iris" Le déphaseur comporte alors, entre deux lignes conductrices, une diode pouvant être rendue conductrice ou bloquante, selon la polarisation qui lui est appliquée Selon la polarisation directe ou inverse de la diode, une onde hyperfréquence voit alors dans l'élément déphaseur, un élément inductif ou un élément capacitif Ainsi, selon la polarisation de la diode on est capable d'induire deux déphasages différents sur une onde hyperfréquence. L'inconvénient des systèmes existants est qu'il nécessite un câblage de commande des différentes diodes relativement important résultant du nombre de diodes ( 10 à 20 000 voire plus). L'invention concerne un déphaseur et une antenne à balayage utilisant un tel déphaseur permettant de pallier cet inconvénient. L'invention concerne donc un déphaseur d'onde électromagnétique comprenant deux lignes conductrices de l'électricité et au moins un élément déphaseur orienté selon une direction déterminée situé entre les deux lignes conductrices et connecté à ces lignes conductrices, caractérisé en ce que l'élément déphaseur comprend au moins un élément photoconducteur et que l'onde électromagnétique se propage selon une direction non colinéaire avec ladite direction déterminée. L'invention concerne également un panneau déphaseur caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs déphaseurs disposés côte à côte, les éléments homologues des différents déphaseurs étant parallèles entre eux. De plus, l'invention prévoit des moyens d'adressage optiques des éléments photoconducteurs. Les différents objets et caractéristiques de l'invention apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent: la figure 1, un panneau déphaseur connu dans la technique; les figures 2 a, 2 b, un dispositif déphaseur selon l'invention; la figure 3, un panneau déphaseur selon l'invention; les figures 4 a et 4 b, un exemple de réalisation d'un élément déphaseur comportant un élément mémoire; la figure 5, un exemple de réalisation d'un élément déphaseur comportant un phototransistor; les figures 6 a à 6 b, des exemples de réalisation d'un panneau déphaseur selon l'invention; la figure 7, une variante de réalisation d'un élément déphaseur selon l'invention; les figures 8 et 9, des dispositifs d'adressage d'un panneau déphaseur par déviation d'un faisceau optique; la figure 10, un dispositif d'adressage d'un panneau déphaseur à l'aide d'un modulateur spatial; la figure 11, une variante de réalisation découlant des dispositifs des figures 8 à 10; la figure 12, un dispositif de commande optique d'un panneau déphaseur à l'aide d'un réseau de lasers à émission par la surface; les figures 13 a à 13 d, des figures explicatives d'un exemple de réalisation numérique; les figures 14, 15 et 16, des variantes d'association d'éléments déphaseurs. Dans la technique, il est connu de réaliser un panneau déphaseur à diodes comme cela est décrit dans la Demande de Brevet français 69 35239 Un tel panneau comporte (voir figure 1) plusieurs éléments déphaseurs constitués chacun d'une diode DI à D 4 Chaque diode est commandée par des fils de commande tels que LI et L'l pour la diode Dl De façon préférentielle, les diodes et les fils de connexion les reliant aux fils de commande sont alignés selon une direction XX' de telle façon que la direction du champ électrique E d'une onde H électromagnétique à traiter par le panneau déphaseur soit parallèle à cette direction XX'. Les fils de commande (Ll, L'1) permettent de rendre conductrice ou bloquée chaque diode individuellement On démontre qu'à l'état bloqué, les diodes présentent, à une onde incidente, un circuit capacitif Par contre à l'état passant, elles présentent une impédance comportant une inductance Différents circuits à diodes permettent donc d'induire sur une onde incidente des déphasages différents. En réglant ces déphasages selon une loi déterminée (une progression par exemple), on peut obtenir une déviation du faisceau traversant l'ensemble de diode C'est ce qui est schématisé sur la figure 1 o le front d'onde résultant à été dévié d'un angle a et donc la direction de propagation de l'onde E' est déviée d'un angle 0. L'invention permet de s'affranchir des problèmes de connectiques liés à la commande des diodes. Selon l'invention, un élément déphaseur comporte un élément photoconducteur qui, lorsqu'il est éclairé par un faisceau optique, est rendu conducteur. Par exemple, la figure 2 représente un tel élément déphaseur comprenant un élément conducteur CO et un élément photoconducteur PH. L'élément photoconducteur est susceptible d'être rendu conducteur par le faisceau O L'élément conducteur CO est orienté selon une direction déterminée et la direction de propagation l'onde électromagnétique H n'est pas colinéaire avec la direction d'orientation de l'élément CO Pour un fonctionnement maximum de l'élément déphaseur, l'élément conducteur CO est orienté parallèlement au champ électrique de l'onde électromagnétique H à traiter. L'ensemble est connecté entre deux fils de connexion LI, L'I 1 contenus dans un même plan que l'élément conducteur CO et perpendiculaires à cet élément conducteur Ces fils de connexion LI, L'I 1 permettent de connecter l'élément déphaseur à une source de tension ou à une impédance de charge non représentées. La réalisation d'un panneau déphaseur se fait comme représenté en figure 3, en associant en parallèle entre des conducteurs Ai, A'li des éléments déphaseurs Plusieurs lignes d'éléments déphaseurs sont ainsi disposés sur le trajet de l'onde électromagnétique H L'invention prévoit de commander sélectivement chaque élément photoconducteur PH par un faisceau optique O. Selon une variante de réalisation, selon les dimensions de l'élément déphaseur, celui peut ne comporter quasiment que l'élément photoconducteur qui est alors de préférence de forme allongée. Selon un mode de réalisation préféré de l'invention l'élément photoconducteur est en matériau semiconducteur Sous éclairement d'un rayonnement optique, il y a création dans le semiconducteur d'un nombre de photoporteurs qui localement est donné par la formule: An = (x Turj Cette formule est locale, dans le sens o elle ne concerne qu'une zone dont les dimensions sont bien inférieures à la longueur de diffusion des porteurs, et à la longueur d'absorption optique. Dans cette formule on a: puissance optique/énergie du photon. Par exemple: puissance optique: 1 W/cm 2 énergie du photon: hu = 1,6 1019 (x:coefficient d'absorption 104 cm-1 Ge à 1 ev: Ga As àl; 5 ev; Si à 2 ev; il: efficacité quantique: typiquement de 10 % pour Ga As 50 Si tc: durée de vie des porteurs photocrées qui est ajustable de 10-9 à i 0-3 et dépend de la pureté (chiffre typique pour le Si = 10-3) Par exemple, le nombre de porteurs photocréés peut être de 5.1 i 016/cm 3. La profondeur de peau est donnée par la formule (fn)2 à 10 GH pour un nombre de porteurs de 1021 la profondeur de peau est de 0 3 Ium, pour 100 G Hz, elle est de 0 03 jum pour le même nombre d'électrons Pour 5 1016 porteurs; la profondeur de peau sera de 5,um. Les paramètres ajustables afin d'augmenter N le nombre de photoporteurs sont: la puissance optique la longueur d'onde, versus le matériau pour augmenter l'efficacité quantique le taux de recombinaison (qui joue aussi sur la longueur de diffusion )-1/2) D étant la constante de diffusion. Avec un taux de recombinaison de l'ordre de 103 pour le silicium intrinsèque par exemple, la longueur de diffusion devient de l'ordre de 1 5 mm (D = 2 5 10-3 donc (Dt) 1/2 = 1 5 10-3) ce qui veut par ailleurs dire qu'en une milliseconde, on remplit avec 1016 porteurs un carré de 1 5 mm de côté. Il est possible de limiter artificiellement la taille du plot photoactivé par lithographie (quelques dizaines de microns) Il est aussi possible de jouer sur les recombinaisons aux bords pour changer les temps de réponse et de déclin de la photoconductivité. La figure 2 b représente une variante de réalisation selon laquelle la surface du photoconducteur recevant le faisceau optique O est gravée sous forme d'un réseau pour former un polariseur On obtient, ainsi en gravant des réseaux différents, certains points photoconducteurs qui sont commandés par de la lumière polarisée selon une direction et d'autres points qui sont commandés par de la lumière polarisée selon une direction orthogonale On double ainsi le nombre de points de commande indépendants. On peut aussi prévoir des éléments photoconducteurs de largeurs de bandes interdites différentes donc sensibles à des photons d'énergies différentes ce qui permet de multiplier les degrés de liberté du système. Un panneau déphaseur tel que représenté en figure 3 se présente sous la forme d'une grille dont chaque élément déphaseur à pour dimension une demie longueur d'onde. La configuration d'une telle grille (pas, largeur des traits, coupures) défini le mode de couplage (capacitif ou inductif) avec l'onde hyper. A partir de cette configuration générale, l'invention prévoit différents modes de réalisation. Selon un autre mode de réalisation qui correspond à la figure 3, chaque élément déphaseur comporte un élément photoconducteur et un élément conducteur. On utilise ici essentiellement les propriétés de commutation du photoconducteur. Avec un silicium très pur, on peut avoir un saut d'au moins quatre ordres de grandeurs On pré-configure à l'aide de segments métalliques la lentille (ou le plan des phases), les zones photoconductrices sont situées aux interconnexions, elles sont éventuellement délimitées pour tenir compte de la diffusion des porteurs. On peut aussi utiliser des phototransistors aux noeuds des réseaux pour avoir des résistivités locales plus faibles, il est vraisemblable qu'une "stratégie" de ce genre ne pourra pas être compatible avec des changements de polarisation du champ électrique hyperfréquence (lignes d'alimentations des transistors) sauf à considérer une double galette. L'utilisation d'un point de commutation électronique permet d'intégrer des fonctions mémoires (bascule, point Si c mémoire) cette possibilité permet d'envisager le fonctionnement impulsionnel de la source lumineuse et un balayage avec deux miroirs orthogonaux pour balayer un laser L'invention prévoit également d'associer un point mémoire électroluminescent à un photoconducteur et d'utiliser la bistabilité de ce système (remise à zéro par suppression de la tension). Un tel élément déphaseur est alors tel que représenté figures 5 a et 5 b. Un élément photoconducteur PH comporte un élément photoconducteur PH 1 et un élément électroluminescent ELI. Une tension permanente de commande V est appliquée aux conducteurs Ai et A'1 Lorsqu'on éclaire l'élément photoconducteur PH 1, sa résistance diminue La tension aux bornes de l'élément électroluminescent EL 1 augmente. L'élément électroluminescent ELI émet de la lumière qui éclaire l'élément photoconducteur PHI et qui garde alors sa valeur de résistance faible L'élément déphaseur, tel que celui de la figure 5 a, reste dans la situation commandée Pour le faire revenir en position initiale, il suffit de supprimer la tension de commande V. On voit donc qu'un tel dispositif peut être commandé par une impulsion lumineuse dont il suffit que la durée soit suffisante pour commander l'élément électroluminescent. La figure 5 c représente un élément déphaseur comportant un transistor Tr dont le circuit de commande comporte un élément photoconducteur PH Une ligne hyperfréquence est en série avec le transistor Tr. Les éléments déphaseurs d'un panneau déphaseur peuvent être réalisés sur une face 10 d'une plaque de diélectrique DI (figure 6 a) Cette plaque est transparente aux ondes hyperfréquences et le panneau déphaseur fonctionne en transmission. Selon la figure 6 b, on peut métalliser la face 1 1 de la plaque DI opposée à la face 10 Les ondes hyperfréquences se réfléchissent sur cette métallisation et le panneau déphaseur fonctionne en réflexion. La face 11 peut également supporte tout autre moyen de réflexion, autre qu'une métallisation ME, tel qu'un réseau de réflexion (réseau de fils métalliques). La figure 6 c, représente une autre variante de réalisation selon laquelle la face 11 supporte un deuxième panneau déphaseur Cela permet soit d'augmenter les combinaisons de déphasages, l'onde hyperfréquence voyant successivement deux couches d'éléments déphaseurs; soit de prévoir le panneau déphaseur de la face 10 pour déphaser un champ électrique orienté selon une direction et le panneau déphaseur de la face 11 pour déphaser le champ électrique orthogonal. Un élément déphaseur peut également être constitué d'un empilement de plusieurs éléments photoconducteurs. Notamment, la figure 7 représente un élément déphaseur comportant de part et d'autre d'un support DI (diélectrique par exemple) des couches PHI et PHII photoconductrices On prévoit l'épaisseur du support DI égale à une demi-longueur hyperfréquence à traiter. Un tel élément peut être commandé optiquement par des faisceaux FI, FII provenant de sources situées de part et d'autre de l'élément déphaseur Il peut également être commandé par des faisceaux provenant de sources situées d'un même côté par rapport à l'élément déphaseur, le support DI étant alors transparent aux ondes optiques de commande. Le dispositif selon l'invention étant commandé optiquement, lorsqu'on dépose plusieurs éléments déphaseurs pour constituer un panneau déphaseur, il convient de prévoir un système permettant de commander sélectivement chaque élément déphaseur. On va maintenant décrire différents systèmes d'adressages optiques d'un panneau déphaseur. L'adressage des différents points, avec par exemple un laser, peut se faire sur les différents points de commutation photoconducteurs en utilisant un double système de balayage vertical et horizontal (miroirs, déflecteurs XY photoacoustiques ou électrooptiques) On peut alors prévoir une fonction de mémorisation commandable près du point de commutation. Comme cela est représenté par la figure 8, le laser SO éclaire un premier miroir Ml mobile autour d'un axe de rotation parallèle à un axe OX La lumière est réfléchie sur un deuxième miroir M 2 mobile autour d'un axe de rotation parallèle à un axe OY perpendiculaire à l'axe OX Le panneau déphaseur DPH est situé parallèlement à l'axe OXY de façon que le faisceau provenant du laser SO balaie toute la surface du panneau déphaseur. Les miroirs Ml et M 2 peuvent être également réalisés sous forme de déflecteurs photoacoustiques DA 1, DA 2 qui permettent d'explorer le panneau déphaseur à une cadence de 10 ns par point par exemple Ces déflecteurs sont représentés en figure 9. La figure 10 représente un système d'adressage à l'aide d'un modulateur spatial de lumière MSL, ce modulateur comporte un ensemble de modulateurs élémentaires commandables individuellement De préférence, chaque modulateur élémentaire permet, selon la commande qu'il reçoit, de retransmettre tout ou partie de la lumière provenant de la source SO, vers une zone déterminée du panneau déphaseur DPH et notamment vers un élément déphaseur particulier du panneau déphaseur De cette façon, à chaque élément du modulateur spatial MSL est associé un élément du panneau déphaseur. Selon un mode de réalisation, le modulateur spatial MSL est un écran à cristal liquide qui permet ainsi d'afficher l'état de commande du panneau déphaseur. De plus, il est possible de prévoir entre le modulateur spatial MSL un réseau de lentilles LE permettent de focaliser chaque faisceau issu d'un élément du modulateur vers un élément du panneau déphaseur La réalisation d'un tel réseau de lentilles est connu dans la technique. A titre d'exemple, les dimensions du modulateur spatial de lumière pourront être de 50 x 50 mm de même que le panneau déphaseur Chacun de ces dispositifs pourra être constitué de 100 x 100 éléments de dimensions 0,5 x 0,5 mm environ. Le réseau de lentilles peut être réalisé en holographie. Selon l'invention on prévoit également de combiner un éclairement par balayage et par l'intermédiaire d'un modulateur spatial de lumière. La puissance optique nécessaire pour commuter un photoconducteur est plus directement accessible par impact direct laser L'adressage direct d'un élément 1 o à rendre conducteur, par exemple à l'aide de déflecteurs photoacoustiques peut être limité en nombre de points et en précision La solution représentée en figure 11 résout ces problèmes, car elle utilise un modulateur spatial MSL comme masque reconfigurable projeté sur le réseau de lentilles L 2 La déflexion photoacoustique servant seulement à défléchir le faisceau laser Cette solution nécessite l'intégration d'une fonction mémoire au niveau du pixel photoconducteur. Le système de la figure 11 comporte une lentille cylindrique Ll permettant d'éclairer à l'aide de la source SO, le déflecteur électroacoustique DA qui effectue une déflexion selon une direction X ou Y Une lentille L 3 permet d'augmenter la divergence du balayage acousto- optique Le modulateur spatial MSL est ainsi balayé par une nappe lumineuse dont la déflexion peut être rapide Une lentille de concentration L 2 ou un réseau de lentille focalise les faisceaux issus du modulateur MLS sur le panneau déphaseur DPH. Selon une variante de réalisation représentée en figure 12, le système d'éclairement du panneau déphaseur peut comporter un réseau de lasers émettant par la surface Avec des éléments de dimension 10 x 10 hum, les puissances peuvent être de 105 W/cm 2 avec un angle de divergence faible ( 1 degré par exemple). Un tel système ne nécessite pas de lentilles Cette situation est favorable pour éclairer par la face avant le photoconducteur. Un autre facteur important est le faible courant de seuil de ce type de laser, il est de l'ordre de lm A Pour une matrice de 105 lasers, il faut donc 100 A, la tension d'attaque est de l'ordre du volt, soit la centaine de Watts dans le pire des cas. Avec un laser à émission surfacique, il est possible d'avoir deux longueurs d'ondes d'émission différentes Il sera donc possible d'adresser séquentiellement deux couches de photoconducteurs de gaps différents, situés l'un sur l'autre, le grand gap étant devant. L'invention peut être appliquée avantageusement aux antennes à balayage électronique dans le domaine millimétrique et submillimétrique. Les principales simplifications étant: l'absence de composants hyperfréquences tels que les diodes PIN l'absence de circuits de commande des déphaseurs avec leurs connectiques associées qui sont les éléments essentiels contribuant fortement au prix des antennes à balayage électronique. L'invention a comme application la réalisation d'antennes à balayage électronique en réflexion Ces antennes se présentent sous forme d'une mince couche diélectrique métallisée sur une face, et gravée de motifs périodiques sur l'autre face Le motif élémentaire est formé d'un déphaseur à iris dans un guide mince court-circuité; le guide étant formé par des lignes de trous métallisés (cette dernière condition n'étant pas toujours nécessaire). En se reportant aux figures 13 a à 13 d, on va décrire un exemple numérique du système. Le schéma simplifié en ligne d'un déphaseur est représenté en figure 13 a Z= 377 b/a kgavec Xg= - X L'admittance normalisée dans le plan de sortie étant: Yi = Gi + j Bl j cotg 2 N k/kg et le coefficient de réflexion R= 1 j i 1 + j Y en choisissant la longueur 1, et les valeurs de B selon l'état du déphaseur, on obtient l'état de phase du déphaseur: qi = 2 artg Yi Le schéma équivalent du réseau peut être représenté par la figure 13 b. On montre par exemple, que dans les conditions: L qo 2 = 1 lorsque la photodiode n'est pas conductrice et L CI o 2 = 1 lorsque la photodiode est conductrice. D'autre part, les pertes du déphaseur étant fonction de la résistance hyperfréquence lorsque les photodiodes sont conductrices et de la tangente de fuite du silicium lorsque les photodiodes ne sont pas conductrices: Pertes directes (d B) = 20 q cn ltgÈ + Rq wl Pertes inverses (d B) = 20 tga 23 Cco Ces deux paramètres avec la capacité de la diode équivalente vont dimensionner les éléments caractéristiques du semiconducteur choisi. Considérons une coupure sur un semiconducteur de type silicium comme cela est représenté sur la figure 13 c. Pour déterminer la capacité hyperfréquence équivalente, il nous faut considérer l'effet de peau Xo qui dépend du dopage du semiconducteur. C-ú 2 R P t E W -ú w WP ^ 1 A ne 1 úa: mobilité ambipolaire ni: charge par unité de volume/cm 3 e: charge de l'électron 8 R: constante diélectrique du silicium fc: fréquence de l'onde hyperfréquence incidente Pour déterminer la résistance hyperfréquence équivalente, il nous faut également considérer l'effet de peau, différent du fait des charges photoélectriques injectées. i W _W A/t R= R=,Brbe*f 6 D X PU e e gaz: mobilité ambipolaire nd: charge injectées par unité de volume Les deux autres paramètres nécessaires aux réglages du déphaseur étant la capacité d'iris et la self. La capacité d'iris étant donnée par les formules classiques: Ci 4 b 101 sin n k Xlge (sn 2 b)) et la self L = 0 0033 li Z L: self en nano henry li: longueur en nm (dans ces conditions li = d) * avec un W/1 = 1 (W = 1 semble nécessaire pour l'homogénéité du pixel) * avec un substrat de dopage N = 1015/cm 3 la = 1000 cm 2/VS, on trouve une capacité C= 0 03 10-12 picofarad avec un nombre de charges injectées N = 1018/cm 3, u B = 250 cm 2/VS, la résistance hyperfréquence est de R = 6,7 Q * Avec lw/cm 2, on crée 5 1016 porteurs, avec un laser pointé, on peut atteindre des puissances optiques de 103 w/cm 2 (laser de 100 mw) On peut donc obtenir un chiffre de 1018 porteurs. * On peut aussi garder la mobilité d'origine, soit 1000 cm 2/VS. Avec ces valeurs R = 3 5 ohms. La mise en réseau permet donc de constituer une antenne à balayage électronique en réflexion. Pour permettre la commande optique des déphaseurs selon l'invention on remplace le plan de court-circuit, par un réseau de fils continus "serrés" au pas de Xg/10, ce qui correspond sensiblement à une distance de 100 /m Cette distance doit être choisie de telle manière qu'elle corresponde à un sous multiple de la distance entre diodes Cette condition fixe W = 1 = 50 um (dimension de chaque élément déphaseur). Une source hyperfréquence, correspond a un cornet monopulsé et placé à une distance F/D 1 (F distance de la source, D dimension de la lentille). La lentille pilotée "optiquement" permet la focalisation de l'onde et la déflexion de l'onde sur une ouverture angulaire correspondant à un cône de 120 , l'espacement entre sources étant très proche de (X dans l'air). Nous résumons à titre d'exemple des performances d'une antenne selon l'invention: Dimension 10 cm x 10 cm Bande de fréquence 94 G Hz 4 G Hz Gain 39 d B Couverture angulaire cône 1200 Gain dans la couverture G = Go Cos -50 Lobes secondaires: 1 er lobe 25 d B Diffus 10 d B Temps de commutation (dépendant de l'optique) L'antenne peut être à bipolarisation, en remplaçant le motif à iris, par un motif généralisé tel que représenté en figure 14. Chaque élément déphaseur possède quatre éléments photoconducteurs Dil, Di'1, Di 2, Di'2 Ces éléments sont réalisés sur une face d'un substrat Chaque élément telle que Dil est connectée à des plots conducteurs Cl, C'i qui permettent i S de réaliser des connexions à travers le substrat vers des conducteurs situés sur l'autre face du substrat et équivalents aux conducteurs LI, L' l de la figure 1. Les éléments Dil, Di'1 permettent de traiter une composante de la direction de polarisation de l'onde hyperfréquence. Les éléments Di 2, Di'2 permettent de traiter la composante orthogonale de la direction de polarisation. L'élément central EC est un élément d'adaptation capacitif. Les figures 15 et 16 représentent une variante de réalisation du déphaseur de la figure 14 Dans cette variante, un plot conducteur est commun à deux éléments photoconducteurs, le plot Cil est commun aux éléments Di'1 et Di'2 par exemple, le plot Ci 2 pour les éléments Di' l et Di 2, etc Les plots diamétralement opposés sont interconnectés par des interconnexions J Xl, IX 2 Chaque interconnexion est connectée à une extrémité d'une impédance de charge, ou à des conducteurs tels que les conducteurs LI et L'1 de la figure 2 a. REVENDICATIONS 1 Déphaseur d'onde électromagnétique comprenant deux lignes conductrices de l'électricité et au moins un élément déphaseur orienté selon une direction déterminée, situé entre les deux lignes conductrices et connecté à ces lignes conductrices, caractérisé en ce que l'élément déphaseur comprend au moins un élément photoconducteur et que l'onde électromagnétique se propage selon une direction non colinéaire avec ladite direction déterminée. 2 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un élément conducteur situé en série avec l'élément de commutation. 3 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes conductrices sont parallèles et que l'élément de commutation est situé selon une direction perpendiculaire aux lignes conductrices. 4 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux lignes conductrices sont placées entre deux plans parallèles comportant des éléments conducteurs et isolés des lignes conductrices. 5 Déphaseur selon la revendication 4, caractérisé en ce que les plans parallèles comportent des surfaces conductrices. 6 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte également un élément électroluminescent connecté en série avec l'élément photoconducteur et associé à l'élément photoconducteur de façon à ce que la lumière qu'il émet éclaire l'élément photoconducteur et en ce qu'une source de tension de commande est connectée aux lignes conductrices. 7 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif mémoire électronique associé à chaque élément photoconducteur. 8 Déphaseur selon la revendication 1, caractérisé en ce que les lignes conductrices et l'élément photoconducteur sont situés sur une première face principale d'une plaque en matériau diélectrique. 9 Déphaseur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une deuxième face principale de la plaque diélectrique opposée à la première face supporte des moyens de réflexion hyperfréquence. 10 Déphaseur selon la revendication 9, caractérisé en ce que les moyens de réflexion comportent une surface métallisée. 11 Déphaseur selon l'une des revendications 3 ou 9, caractérisé en ce que les moyens de réflexion comportent un réseau de fils conducteurs parallèles à la direction de l'élément photoconducteur. 12 Déphaseur selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'une deuxième face principale de la plaque diélectrique opposée à la première face supporte deux autres lignes conductrices et autre élément photoconducteur connecté à ces deux lignes électriques. 13 Déphaseur selon la revendication 12, caractérisé les lignes électriques de la première face sont orthogonales à celles de la deuxième face et en ce que l'élément photoconducteur de la première face est perpendiculaire à celui de la deuxième face. 14 Panneau déphaseur caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs déphaseurs selon l'une quelconque des revendications précédentes, disposés côte à côte des éléments homologues des différents déphaseurs étant parallèles entre eux. 15 Panneau déphaseur selon la revendication 14, caractérisé en ce que les différents déphaseurs sont réalisés sur une même plaque en matériau diélectrique. 16 Panneau déphaseur selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte une source optique commune à tout ou partie du panneau et permettant de commander les déphaseurs. 17 Panneau déphaseur selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comporte entre la source optique et le panneau déphaseur au moins un dispositif de déflexion optique permettant de faire balayage la surface des éléments photoconducteurs du panneau déphaseur à l'aide du faisceau optique. 18 Panneau déphaseur, selon la revendication 17, caractérisé en ce que le dispositif de déflexion optique comporte au moins un miroir. 19 Panneau déphaseur selon la revendication 17, caractérisé en ce que le dispositif de déflexion optique comporte au moins un dispositif de déflexion acousto-optique. 20 Panneau déphaseur selon la revendication 18, caractérisé en ce que le dispositif de déflexion optique comporte deux miroirs en série sur le chemin du faisceau optique, les deux miroirs étant mobiles autour d'axes orthogonaux l'un de l'autre de façon à réaliser avec le faisceau, un balayage de la surface du panneau déphaseur selon deux axes de coordonnées. 21 Panneau déphaseur selon la revendication 19, caractérisé en ce que le dispositif de déflexion comporte, en série sur le chemin du faisceau optique, deux dispositifs acousto-optiques permettant de réaliser des déflexions selon des directions orthogonales. 22 Panneau déphaseur selon l'une des revendications 18 ou 19, caractérisé en ce que le faisceau optique a une section de forme allongée et que le dispositif de déflexion permet une déflexion selon une direction perpendiculaire à la plus grande dimension de la section du faisceau. 23 Panneau déphaseur selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il 1 o comporte un modulateur spatial de lumière placé entre la source optique et le panneau déphaseur. 24 Panneau déphaseur selon la revendication 23, caractérisé en ce que le modulateur spatial comporte autant d'éléments images que le panneau déphaseur comporte de déphaseurs. 25 Panneau déphaseur selon la revendication 23, caractérisé en ce que le faisceau optique a une section de forme allongée et en ce qu'il comporte un dispositif de déflexion optique permettant de défléchir le faisceau perpendiculairement à la plus grande dimension de la section du faisceau, de façon à explorer la surface du modulateur spatial de lumière. 26 Panneau déphaseur selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte un réseau de sources optiques commandables indépendamment et associées chacune à un déphaseur du panneau déphaseur. 27 Panneau déphaseur selon la revendication 26, caractérisé en ce que le réseau de sources optiques est un réseau de lasers à émission par la surface ou de diodes électroluminescentes. 28 Panneau déphaseur selon la revendication 26, caractérisé en ce qu'il comporte un réseau de lentilles à raison d'une lentille par source optique et permettant de focaliser chacune la lumière sur un déphaseur. 29 Panneau déphaseur selon la revendication 14, caractérisé en ce qu'il comporte au moins deux éléments photoconducteurs orientés selon une première direction et deux éléments photoconducteurs orientés selon une deuxième direction.