Brevet FR2689340A1 — publié le 19931001

"Circuit de pompage de charge pour un générateur de tension de substrat dans un dispositif de mémoire à semi-conducteur" La présente invention a pour objet un générateur de tension de substrat dans un dispositif de mémoire à semi-conducteur, et plus particulièrement un circuit de pompage de charge pour un générateur de tension de substrat. Généralement, une Mémoire Dynamique à Accès Aléatoire (DRAM) utilise un générateur de tension de substrat pour générer une tension négative dans la microplaquette de mémoire Il existe des avantages à appliquer une tension négative au substrat d'une microplaquette de mémoire en comparaison avec l'application d'une tension de terre au substrat En effet, la variation de la tension de seuil provoquée par l'effet de main d'un transistor est minimisée, et la tension de pénétration est augmentée De plus la vitesse de fonctionnement du transistor est améliorée par la réduction de la capacité de jonction En outre le courant de sous-seuil peut être réduit et le transistor est supprimé pour être ensuite polarisé par la baisse de la tension d'entrée d'une borne d'entrée TTL (Transistor-Transistor Logique), ceci protège la microplaquette de mémoire En conséquence, si une tension négative constante est appliquée au substrat en utilisant un générateur de tension de substrat, la performance de la microplaquette de mémoire est améliorée. Sur la figure 1, un générateur de tension de substrat général est représenté Le générateur de tension de substrat de la figure 1 comporte un oscillateur 1, un amplificateur 2, un circuit de pompage de charge 3 et un détecteur 4 Du fait qu'un signal de sortie b>en du détecteur 4 est appliqué à l'oscillateur 1 à travers la boucle de retour, l'oscillateur 1 n'est opérationnel que lorsque la tension de substrat VBB ne conserve pas une tension négative constante L'amplificateur 2 fournit un signal d'onde rectangulaire 9 à une capacité de pompage de charge 5 d'un circuit de pompage de charge 3 en amplifiant un signal de courant alternatif (AC) 8 généré par l'oscillateur 1 Le circuit de pompage de charge 3 connecté à la tension de substrat VBB comporte une capacité de pompage de charge 5 et deux diodes 6, 7 Le niveau de tension chargé dans la capacité de pompage de charge 5 est déterminé par le niveau du signal d'onde rectangulaire 9 qui lui est appliqué Si le signal d'onde rectangulaire 9 a un niveau logique "haut", la diode DN est conductrice et les charges sont déchargées par la borne de tension de terre Par ailleurs, si le signal d'onde rectangulaire 9 est à un niveau logique "bas", du fait que la diode Dsu B est conductrice, les charges sont transférées à partir de la borne de tension de substrat et la tension de substrat VBB est abaissée jusqu à une tension négative. La figure 2 représente un circuit de pompage de charge conventionnel, ce circuit comporte des transistors MOS (Métal Oxyde Silicium) à canal P La figure 3 montre un diagramme de cadencement du fonctionnement du circuit de charge conventionnel de la figure 2 Le fonctionnement du circuit de pompage de charge sera maintenant décrit en référence aux figures 2 et 3 Pour la facilité de la description, on supposera que les transistors MOS de la figure 2 sont des transistors idéals, et en conséquence, les tensions de seuil des transistors MOS seront ignorées. Le circuit de pompage de charge est activé par les signaux d'horloge CLK 1 à CLK 4 Les signaux CLK 1 et CLK 2 ont la même phase et des largeurs d'impulsion différentes l'une de l'autre, et similairement, des signaux CLK 3 et CLK 4 ont la même phase et des largeurs d'impulsion différentes l'une de l'autre En outre la phase des signaux CLK 1 et CLK 2 est en opposition avec la phase des signaux CLK 3 et CLK 4, il en résulte que le circuit de pompage de charge effectue deux opérations de pompage pendant une période Si les signaux CLK 1 et CLK 2 passent au niveau logique "haut" d'une tension d'alimentation Vcc, alors les signaux CLK 3 et CLK 4 passent au niveau "bas" d'une tension de terre Vss après l'écoulement d'un temps déterminé A ce moment, du fait que les tensions des noeuds c et d sont positionnées à une tension d'alimentation négative -Vcc par les troisième et quatrième capacités de pompage 13 et 14, les troisième et cinquième transistors 23 et 25 sont conducteurs En conséquence, les charges qui se sont écoulées du noeud b jusqu'à la tension de substrat VBB pendant la moitié de la période précédente sont transférées à la borne de tension de terre à travers le troisième transistor 23. Dans le même temps, au noeud c, du fait que les charges s'écoulent à partir de la tension de substrat VBB à travers le cinquième transistor 25 qui est conducteur, la tension de substrat VBB est abaissée jusqu'à une tension négative Dans ce cas, du fait que la tension du noeud b excède la tension de terre Vss, un sixième transistor 26 est coupé et la borne de tension de terre est isolée de la tension de substrat VBB- Si les signaux CLK 3 et CLK 4 ont un niveau logique "haut" d'une tension d'alimentation Vcc, et les signaux CLK 1 et CLK 2 passent à un niveau logique "bas" de la tension de terre Vss, du fait que les noeuds a et b sont abaissés à une tension d'alimenta- tion négative -Vcc par les première et seconde capaci- tés de pompage 11 et 12, les second et sixième transistors 22 et 26 sont conducteurs En conséquence les charges qui se sont écoulées vers le noeud c à partir de la tension de substrat VBB durant la moitié de la période précédente sont transférées au terminal de tension de terre à travers le sixième transistor 26 Dans le même temps, du fait que les charges s 'écoulent vers le noeud b à travers le second transistor 22 qui est conducteur, la tension de substrat VBB est abaissée à une tension négative A ce moment, du fait que la tension du noeud c excède la tension de terre Vss, le troisième transistor 23 est coupé, ce qui isole la borne de tension de terre vis- à-vis de la tension de substrat VBB. Toutefois, dans cet exemple, les second et troisième transistors 22 et 23 ou les cinquième et sixième transistors 25 et 26 ne devraient pas être conducteurs simultanément Si les second et troisième transistors 22 et 23 ou les cinquième et sixième transistors 25 et 26 étaient conducteurs simultané- ment, du fait que la borne de tension de terre et la tension de substrat VBB sont connectées l'un avec l'autre, la tension de substrat VBB pourrait ne pas être abaissée à une tension négative Toutefois, dans le circuit de la figure 2, les second et troisième transistors 22 et 23 ou les cinquième et sixième transistors 25 et 26 peuvent être conducteurs simulta- nément En effet, lorsque la tension d'alimentation Vcc s'abaisse après la mise sous tension de la microplaquette de mémoire pour amener la tension d'alimentation Vcc, les noeuds a à d sont abaissés à une tension d'alimentation négative -Vcc par les qua- tre premières capacités de pompage 11 à 14 Dans ce cas, du fait que la tension de substrat VBB n'a pas été positionnée à une tension négative, les premier et quatrième transistors 21 et 24 ayant leur grille con- nectée à la tension de substrat VBB sont coupés. En outre, les second et sixième transistors 22 et 26 sont conducteurs par les noeuds a et b, et les troisième et cinquième transistors 23 et 25 sont conducteurs par les noeuds c et d En effet, du fait que les second et troisième transistors 22 et 23, et les cinquième et sixième transistors 25 et 26 sont simultanément conducteurs, la tension de substrat VBB est connectée au terminal de tension de terre et la tension de substrat VBB ne peut pas être abaissée à une tension négative En conséquence la tension d'alimentation Vcc d'un niveau considérablement haut doit être appliquée Toutefois si la tension de sub- strat VBB est positionnée à la tension négative d'une tension d'alimentation Vcc d'un haut niveau, du fait que l'oscillateur fonctionne avec la tension d'alimen- tation Vcc de haut niveau, le courant est brutalement augmenté. La figure 6 montre la caractéristique d'évo- lution de la tension de substrat VBB du circuit de pompage de charge de la figure 2 lorsque la tension d'alimentation Vcc est successivement élevée et abais- sée Dans un premier cycle, lorsque la tension Vcc s'élève, la tension de substrat VBB est positionnée à une tension négative de la tension d'alimentation Vcc de sensiblement 2 volts Toutefois, dans un second cycle, lorsque la tension d'alimentation Vcc est élevée à nouveau après que la tension Vcc soit tombée à O volt, la tension de substrat VBB est positionnée à une tension négative de la tension d'alimentation Vcc de 4 volts ou plus Il en résulte, du fait que la tension de substrat VBB est positionnée à une tension négative de la tension d'alimentation Vcc de haut ni- veau, le courant en veilleuse est augmenté. En outre, dans le circuit de pompage de charge de la figure 2, du fait que le potentiel des noeuds b et c connecté aux troisième et sixième transistors 23 et 26 n'est pas constant, l'efficacité du pompage de charge est diminuée En d'autres mots, lors du déchargement des charges transférées à partir de la tension de substrat VBB vers la borne de tension de terre, du fait que le potentiel des noeuds b et c ne conserve pas la tension d'alimentation négative -Vcc et excède la tension d'alimentation négative -Vcc ou plus, une décharge rapide et suffisante n'est pas réalisée et l'efficacité du pompage de charge est diminuée. Un but de la présente invention est de pro- curer un circuit de pompage de charge pour minimiser le courant dans le générateur de tension de substrat. Un autre but de la présente invention est de procurer un circuit de pompage de charge ayant une vitesse rapide de positionnement de la tension de sub- strat lorsque la tension d'alimentation appliquée au circuit de pompage de charge est successivement élevée et abaissée. Un autre but de la présente invention est de procurer un circuit de pompage de charge pour amélio- rer la réapparition et la fiabilité des opérations très régulièrement répétées du cycle de tension de substrat. C'est encore un autre but de la présente invention que de procurer un circuit de pompage de charge pour augmenter l'efficacité du pompage de charge. Selon la présente invention, un circuit de pompage de charge ayant une borne de sortie connectée a une tension de substrat, des première et seconde capacités de pompage pour respectivement recevoir des premier et second signaux d'onde rectangulaire ayant la même phase et une largeur d'impulsion différente l'un de l'autre, des troisième et quatrième capacités de pompage pour respectivement recevoir des troisième et quatrième signaux d'onde rectangulaire ayant une phase différente de celle des premier et second signaux d'onde rectangulaire et des pulsations diffé- rentes l'un par rapport à l'autre, un premier noeud de pompage connecté à la deuxième capacité de pompage, des premiers moyens d'interruption dont les deux bor- nes sont connectées entre le premier noeud de pompage et la borne de sortie et dont la borne de commande est connectée à la première capacité de pompage, des seconds moyens d'interruption connectés entre le premier noeud de pompage et une borne de tension de terre, un second noeud de pompage connecté à la troisième capacité de pompage, des troisièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre le second noeud de pompage et la borne de sortie et dont la borne de commande est connectée à la qua- trième capacité de pompage, et des quatrièmes moyens d'interruption connectés entre le second noeud de pom- page et la borne de tension de terre, le circuit de pompage de charge étant agencé pour pomper la charge de la borne de sortie deux fois durant une période des premier et second signaux d'onde rectangulaire, est caractérisé en ce qu'il comporte en outre: des premiers moyens connectés à la première capacité de pompage et à la quatrième capacité de pompage pour déconnecter le premier noeud de pompage du second noeud de pompage, des seconds moyens connectés aux bornes de commande des second et quatrième moyens d'interruption pour commander le fonctionnement des second et quatrième moyens d'interruption, et des troisièmes moyens connectés aux premier et second noeuds de pompage et aux bornes de commande des second et quatrième moyens d'interruption, pour un fonctionnement complémentaire des second et quatrième moyens d'interruption lors de la réception d'un signal en provenance des seconds moyens. Ainsi, selon un aspect de la présente invention, une borne de tension de substrat d'un cir- cuit de pompage de charge n'est pas connectée à la grille d'un transistor MOS, et le circuit de pompage de charge comporte des capacités de pompage addition- nelles Les buts, avantages et dispositifs de la présente invention, tels que mentionnées ci-dessus ainsi que d'autres, seront plus apparents au vu de la description détaillée qui suit illustrée par les des- sins ci-joints dans lesquels: la figure 1 est un diagramme par bloc d'un généra- teur de tension de substrat général, la figure 2 est un diagramme de circuit représentant un circuit de pompage de charge conventionnel, la figure 3 est un diagramme de cadencement illus- trant le fonctionnement de la figure 2, la figure 4 est un diagramme du circuit d'un circuit de pompage de charge selon la présente invention, la figure 5 est un diagramme de cadencement illus- trant le fonctionnement de la figure 4, la figure 6 est un graphique illustrant la caracté- ristique de positionnement de la tension de substrat de la figure 2, et la figure 7 est un graphique illustrant les caracté- ristiques de positionnement de la tension de sub- strat de la figure 4. Dans le mode de réalisation préféré, les tensions de seuil des transistors de la figure 4 sont ignorées pour la commodité de la description Une pre- mière capacité de pompage 31 a une borne connectée au signal CLK 1 Une seconde capacité de pompage 32 a une borne connectée au signal CLK 2 lequel a une largeur d'impulsion inférieure à celle du signal CLK 1 et la même phase que le signal CLK 1 Une troisième capacité de pompage 33 est connectée en parallèle avec la seconde capacité de pompage 32, une de ses bornes étant connectées au signal CLK 2 Une quatrième capaci- té de pompage 34 a une borne connectée au signal CLK 3 lequel a une largeur d'impulsion inférieure à celle du signal CLK 1 et une phase différente du signal CLK 1. Une cinquième capacité de pompage 35 est connectée en parallèle sur le signal CLK 3, et une de ses bornes est connectée à la troisième capacité de pompage 33 Une sixième capacité de pompage 36 a une borne connectée au signal CLK 4 lequel a une largeur d'impulsion plus grande que le signal CLK 3 et la même phase que CLK 3. Les six premières capacités de pompage 31 à 36 sont constituées de transistors dont les autres bornes sont respectivement connectées aux noeuds A à F Il est aussi prévu un premier transistor 41 avec son canal connecté entre les noeuds A et B et sa grille connec- tée au noeud F Un deuxième transistor 42 a son canal connecté entre le noeud B et la tension de substrat VBB, et sa grille connectée au noeud A Un troisième transistor 43 a son canal connecté entre le noeud B et une borne de tension de terre et sa grille connectée au noeud E Un quatrième transistor 44 a son canal connecté entre les noeuds C et B et sa grille connec- tée au noeud E Un cinquième transistor 45 a son canal connecté entre les noeuds F et D et sa grille connecté au noeud A Un sixième transistor 46 a son canal con- necté entre le noeud D et la tension de substrat VBB et sa grille connectée au noeud F Un septième trans- istor 47 a son canal connecté entre le noeud D et une borne de tension de terre et sa grille connectée au noeud C Un huitième transistor 48 a son canal connec- té entre les noeuds E et D et sa grille connectée au noeud C Les second et sixième transistors 42 et 46 servent comme transfert de charge à partir de la ten- sion de substrat VBB, et les troisième et septième transistors 43 et 47 transfèrent les charges à partir de la tension de substrat VBB jusqu'à la borne de ten- sion de terre. En outre, les premier et cinquième transis- tors 41 et 45 provoquent la coupure des second et sixième transistors 42 et 46 en transférant les char- ges des noeuds B et D respectivement aux noeuds A et F En conséquence les noeuds B et D sont coupés vis-à- vis de la tension de substrat VBB. Similairement les quatrième et huitième transistors 44 et 48 provoquent la coupure des troi- sième et septième transistors 43 et 47 en transférant les charges des noeuds B et D vers les noeuds C et E, ainsi déconnectant les noeuds B et D vis-à-vis de la borne de tension de terre. Sur la figure 5 est représenté le cadence- ment du fonctionnement de la figure 4 Le fonctionne- il ment du circuit de pompage de charge selon la présente invention sera maintenant décrit avec référence aux figures 4 et 5. Le circuit de pompage de charge est actionné par les signaux CLK 1 à CLK 4 Les signaux CLK 1 et CLK 2 ont la même phase l'un et l'autre et une différente largeur d'impulsion, similairement, les signaux CLK 3 et CLK 4 ont la même phase l'un et l'autre et une lar- geur d'impulsion différente l'un par rapport à l'autre La phase des signaux CLK 1 et CLK 2 est en opposition par rapport à la phase des signaux CLK 3 et CLK 4 Il en résulte que le circuit de pompage de charge effectue les opérations de pompage deux fois pendant une période Si les signaux CLK 1 et CLK 2 ont 1 S un niveau logique "haut" de la tension d'alimentation Vcc, les signaux CLK 3 et CLK 4 passent au niveau logique "bas" du niveau de tension de terre Vss après l'écoulement d'une durée déterminée A ce moment, les tensions des noeuds D, E et F passent à un niveau de tension négatif -Vcc à cause des quatrième, cinquième et sixième capacités de pompage 34, 35 et 36, de sorte que les premier, troisième, quatrième et sixième transistors 41, 43, 44 et 46 sont conducteurs En conséquence, les charges qui se sont écoulées jusqu'au noeud B à partir de la tension de substrat VBB pendant la moitié de la période précédente sont déchargées vers la borne de tension de terre à travers le troisième transistor 43 Du fait que ces charges à partir de la tension de substrat VBB sont aussi trans- férées au noeud A à travers le transistor 41, la ten- sion du noeud A est maintenue supérieure à la tension de terre Vss Il en résulte que le second transistor 42 est coupé et le noeud B est déconnecté de la ten- sion de substrat VBB- En outre, du fait que les charges à partir de la tension de substrat VBB sont aussi transférées au noeud C à travers le transistor 44, la tension du noeud C est maintenue au-dessus de la tension de terre Vss En conséquence, le septième transistor 47 est coupé et le noeud D est déconnecté de la tension de substrat VBB, de sorte que le huitième transistor 48 est coupé et la tension du noeud E est maintenue au- dessus de la tension d'alimentation négative -Vcc A ce moment, les charges à partir de la tension de sub- strat VBB sont transférées au noeud D à travers le sixième transistor 46 qui est conducteur, et il en résulte que la tension de substrat VBB est abaissée jusqu'à une tension négative. Si les signaux CLK 3 et CLK 4 passent au niveau "haut" de la tension d'alimentation Vcc et les signaux CLK 1 et CLK 2 passent au niveau "bas" de la tension de terre Vss, les noeuds A, B et C passent au niveau de tension négatif -Vcc à cause des première, seconde et troisième capacités de pompage 31, 32 et 33 de sorte que les second, cinquième, septième et huitième transistors 42, 45, 47 et 48 sont conduc- teurs En conséquence, les charges qui se sont écoulées vers le noeud D à partir de la tension de substrat VBB pendant la demi-période précédente sont transférées à la borne de tension de terre à travers le septième transistor 47 Du fait que ces charges à partir de la tension de substrat VBB sont transférées au noeud F à travers le transistor 45, la tension du noeud F est maintenue au-dessus de la tension de terre Vss ou plus à travers le cinquième transistor 45 Il en résulte que le sixième transistor 46 est coupé et le noeud D est déconnecté vis-à-vis de la tension de substrat VBB. En outre, du fait que la charge à partir de la tension de substrat VBB est aussi transférée au noeud E à travers le huitième transistor 48, la tension du noeud E est maintenue au-dessus de la tension de terre Vss En conséquence, le quatrième transistor 44 est coupé de sorte que la tension du noeud C est maintenue au-dessus de la tension négative - Vcc A ce moment, les charges à partir de la tension de substrat VBB sont transférées au noeud B à travers le second transistor 42 lequel est conducteur, il en résulte que la tension de substrat VBB est abaissée à une tension négative. Sur la figure 4, du fait qu'il n'y a aucun endroit o la tension de substrat VBB soit connectée à la grille d'un transistor, la borne de tension de terre est déconnectée de la tension de substrat VBB. En pratique, si la tension Vcc est successivement élevée et abaissée et en conséquence les noeuds A à F sont abaissés à une tension négative par les capacités de pompage 31 à 36, du fait que les noeuds A et F sont chargés au niveau de tension de terre par la réception des charges à partir de la borne de tension de terre à travers les cinquième et premier transistors 45 et 41, les second et sixième transistors 42 et 46 sont coupés Alors, les noeuds B et D sont instantanément déconnectés de la tension de substrat VBB En cons- équence, du fait que la borne de tension de terre est déconnectée de la tension de substrat VBB, la tension de substrat VBB est rapidement positionnée à une ten- sion négative même lorsque la tension d'alimentation Vcc a un niveau bas. De plus, du fait que les noeuds B et D sont dans un état verrouillé à travers les quatrième et huitième transistors 44 et 48, les charges dans les noeuds B et D sont transférées aux noeuds C et E res- pectivement et les septième et troisième transistors 47 et 43 sont complémentairement coupés Donc les noeuds B et D sont déconnectés vis-à-vis de la borne de tension de terre. En outre, à cause des troisième et cinquième capacités de pompage 33 et 35, les tensions de grille des troisième et septième transistors 43 et 47 sont maintenues à la tension négative -Vcc de sorte que les charges des noeuds B et D peuvent être rapidement et suffisamment transférées à la borne de tension de terre à travers des troisième et septième transistors 43 et 47 Ainsi, l'efficacité des pompages de charge est accrue et du fait que le nombre de fonctionnements du circuit de pompage de charge nécessaire pour le positionnement de la tension de substrat VBB est diminué, le courant en veilleuse est réduit. Sur la figure 7, lorsque la tension Vcc est successivement élevée et abaissée, dans un premier cycle, la tension de substrat VBB est positionnée à une tension négative à la tension d'alimentation Vcc du même niveau avec un deuxième cycle. Dans le mode de réalisation préféré ci- dessus décrit, dans le but d'empêcher que les couches d'oxyde de grille ne soient détériorées lorsque le fort champ électrique est appliqué aux couches d'oxyde de grille des transistors de la figure 4, au moins une diode peut être connectée en série avec les grilles des transistors. Bien que l'invention ait été plus particu- lièrement représentée et décrite en se référant à un mode de réalisation préféré, il apparaîtra aux spécia- listes de la question qu'on peut lui apporter des modifications de forme et de détail sans sortir de l'esprit et du cadre de la présente invention. R E V E N D I C A T I O N S 1) Circuit de pompage de charge ayant une borne de sortie connectée à une tension de substrat, des première et seconde capacités de pompage pour respectivement recevoir des premier et second signaux (CLK 1, CLK 2) d'onde rectangulaire ayant la mime phase et une largeur d'impulsion différente l'un de l'autre, des troisième et quatrième capacités de pompage pour respectivement recevoir des troisième et quatrième signaux (CLK 3, CLK 4) d'onde rectangulaire ayant une phase différente de celle des premier et second signaux d'onde rectangulaire et des pulsations diffé- rentes l'un par rapport à l'autre, un premier noeud de pompage connecté à la deuxième capacité de pompage, des premiers moyens d'interruption dont les deux bor- nes sont connectées entre le premier noeud de pompage et la borne de sortie et dont la borne de commande est connectée à la première capacité de pompage, des seconds moyens d'interruption connectés entre le premier noeud de pompage et une borne de tension de terre, un second noeud de pompage connecté à la troi- sième capacité de pompage, des troisièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre le second noeud de pompage et la borne de sortie et dont la borne de commande est connectée à la quatrième capacité de pompage, et des quatrièmes moyens d'interruption connectés entre le second noeud de pompage et la borne de tension de terre, le circuit de pompage de charge étant agencé pour pomper la charge de la borne de sortie deux fois durant une période des premier et second signaux d'onde rectangu- laire, caractérisé en ce qu'il comporte en outre: des premiers moyens connectés à la première capacité de pompage ( 31) et à la quatrième capacité de pompa- ge ( 34) pour déconnecter le premier noeud de pompage du second noeud de pompage, des seconds moyens connectés aux bornes de commande des second et quatrième moyens d'interruption pour commander le fonctionnement des second et quatrième moyens d'interruption, et des troisièmes moyens connectés aux premier et second noeuds de pompage et aux bornes de commande des second et quatrième moyens d'interruption, pour un fonctionnement complémentaire des second et quatrième moyens d'interruption lors de la réception d'un signal en provenance des seconds moyens. 2) Circuit de pompage de charge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les premiers moyens comportent: des cinquièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre la première capacité de pompage ( 31) et le premier noeud de pompage et dont la borne de commande est connectée à la quatrième capacité de pompage ( 34), et des sixièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre la quatrième capacité de pompage ( 34) et le second noeud de pompage et dont la borne de commande est connectée à la première capacité de pompage ( 31). 3) Circuit de pompage de charge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les seconds moyens comportent: une cinquième capacité de pompage ( 35) connectée à la borne de commande des seconds moyens d'interrup- tion pour recevoir le troisième signal d'onde rectangulaire, et une sixième capacité de pompage ( 36) connectée à la borne de commande des quatrièmes moyens d'interrup- tion pour recevoir le second signal d'onde rectangulaire. 4) Circuit de pompage de charge selon la revendication 1, caractérisé en ce que les troisièmes moyens comportent: des septièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre la cinquième capacité de pompage ( 35) et le second noeud de pompage et dont la borne de commande est connectée à la sixième capacité de pompage ( 36), et des huitièmes moyens d'interruption dont les deux bornes sont connectées entre la sixième capacité de pompage ( 36) et le premier noeud de pompage et dont la borne de commande est connectée à la cinquième capacité de pompage ( 35). ) Circuit de pompage de charge selon la revendication 1 ou 3, caractérisé en ce que les six premières capacités de pompage sont des transistors MOS à canal P (Métal Oxyde Silicium). 6) Circuit de pompage de charge selon l'une des revendications 1, 2 ou 4, caractérisé en ce que les huit premiers moyens d'interruption sont des transistors MOS (Métal Oxyde Silicium) à canal P. 7) Circuit de pompage de charge selon la revendication 6, caractérisé en ce que les grilles des transistors MOS à canal P qui constituent les moyens d'interruption deux et quatre à huit sont connectées respectivement à au moins un moyen de protection. 8) Circuit de pompage de charge selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de protection comportent une diode. 9) Circuit de pompage de charge selon la re- vendication 8, caractérisé en ce que la diode comporte un transistor MOS à canal P.