Brevet FR2694988A1 — publié le 19940225

La présente invention concerne un dispositif optique d'émission et de réception qui est prévu pour être utilisé dans des communications bidirectionnnelles et dans la transmission de données par des liaisons optiques parallèles dans des ordinateurs, et elle concerne également un procédé de fabrication de ce dispositif. On a utilisé de façon classique des lasers à semiconducteurs à titre de dispositifs optiques d 'émission et de réception pour des communications bidirectionnelles dans des systèmes optiques d'abonnés, et à titre de dispositifs optiques d'émission et de réception pour des transmissions de données par des liaisons optiques parallèles dans des ordinateurs. On expliquera en se référant à la figure 1 un laser à semiconducteurs qui est utilisé de façon classique à titre de dispositif optique d'émission et de réception. On donne une forme de mésa à la partie supérieure d'un substrat 200 en InP de type n, et on forme une couche active 212 en InGaAsP sur la surface supérieure de la mésa. On enterre la mésa avec une couche 202 en InP de type p. On forme une couche 204 en InP de type n sur la surface supérieure de la couche 202 en InP de type p, sauf au-dessus de la couche active 212. On forme une couche 206 en InP de type p sur la couche 204 en InP de type n et sur la couche active 212. La couche 202 en InP de type p, la couche 204 en InP de type n et la couche 206 en InP de type p constituent une couche de blocage de courant. On forme une couche de contact 209 en InGaAsP de type p sur la couche 206 en InP de type p. On forme une pellicule d'oxyde de silicium 210 sur la couche de contact 208, et on forme une électrode positive 216 sur la surface supérieure de la pellicule d'oxyde de silicium 210, et on forme une électrode négative 214 sur la face inférieure du substrat en InP de type n. Lorsqu'on utilise ce laser à semiconducteurs classique ayant une telle structure à titre de dispositif optique d'émission et de réception, pendant une opération d'émission optique on fait en sorte que le laser à semiconducteurs émette de la lumière, et pendant une opération de réception optique on applique une tension de polarisation inverse au laser à semiconducteurs pour qu'il fonctionne en récepteur optique. Le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus présente cependant les inconvénients suivants. Le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus est de façon intrinsèque un laser à semiconducteurs ayant une structure optimale pour un émetteur (émetteur de lumière), mais il n'a pas une structure optimale pour un détecteur de lumière. Ainsi, le laser à semiconducteurs a un faible rendement de conversion photoélectrique pour convertir la lumière reçue en une grandeur électrique, et il a des courants d'obscurité élevés. La couche d'absorption de lumière qui absorbe de la lumière a un volume faible, au point que le laser à semiconducteurs a un faible rendement de conversion photoélectrique pour convertir la lumière reçue en une grandeur électrique. Dans ces conditions, on a besoin d'un dispositif optique d'émission et de réception ayant une structure optimale pour l'émission et pour la réception. Un but de la présente invention est de procurer un dispositif optique d'émission et de réception ayant une structure optimale pour l'émission et pour la réception, ainsi qu'un procédé de fabrication de ce dispositif. On atteint le but indiqué ci-dessus au moyen d'un dispositif optique d'émission et de réception comprenant une région d'émission optique qui contient une couche active qui oscille et émet un faisceau laser d'une longueur d'onde > 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde ss 2 différente de la longueur d'onde A1, dans un état de réception, et une région de réception optique qui comprend un dispositif de détection de lumière destiné à détecter la lumière reçue qui est guidée par la couche active, et à convertir la lumière reçue en signaux électriques. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, la région d'émission optique comprend en outre des moyens detrswedssSbn de lumière qui sont destinés à émettre vers l'extérieur la lumière reçue qui est guidée par la couche active, et la région de réception optique détecte la lumière reçue qui est émise par les moyens de transmission de lumière reçue. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, les moyens de transmission de lumière reçue consistent en un réseau de diffraction qui est formé le long de la couche active, et qui a une constante de réseau telle qu'il ne diffracte pas la lumière émise, mais diffracte la lumière reçue. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, le réseau de diffraction est formé de façon que la constante de réseau diminue progressivement dans la direction de guidage de la lumière reçue par la couche active. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, la région de réception optique est formée d'un côté de la couche active, et elle détecte la lumière reçue qui est guidée dans la couche active. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, la région d'émission optique comprend des réflecteurs de Bragg répartis, des deux côtés de la couche active, ces réflecteurs de Bragg répartis réfléchissant la lumière émise de longueur d'onde al 1 et transmettant la lumière reçue de longueur d'onde 3\ 2. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, la région de réception optique est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur, et la région d'émission optique est formée sur la région de réception optique. Dans le dispositif optique d'émission et de réception décrit ci-dessus, la région de réception optique est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur, et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur. On atteint le but décrit ci-dessus au moyen d'un procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception qui comprend les étapes suivantes : on forme une région de réception optique, comprenant un dispositif de détection de lumière destiné à détecter la lumière et à la convertir en signaux électriques, et on forme sur la région de réception optique une région d'émission optique comprenant une couche active qui oscille et qui émet un faisceau laser d'une longueur d'onde 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde A 2 différente de la longueur d'onde 1, dans un état de réception. On atteint le but décrit ci-dessus au moyen d'un procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception comprenant les étapes suivantes : on forme sur une surface d'un substrat semiconducteur une région de réception optique comprenant un dispositif de détection de lumière qui est destiné à détecter de la lumière et à la convertir en signaux électriques, et on forme sur l'autre surface du substrat semiconducteur une région d'émission optique comprenant une couche active qui oscille et qui émet un faisceau laser d'une longueur d'onde > 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 différente de la longueur d'onde 1 dans un état de réception. On atteint le but décrit ci-dessus au moyen d'un procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception, comprenant les étapes suivantes : on forme sur une surface d'un premier substrat semiconducteur une région de réception optique comprenant un dispositif de détection de lumière qui est destiné à détecter de la lumière et à la convertir en signaux électriques, on forme sur une surface d'un second substrat conducteur une région d'émission optique comprenant une couche active qui oscille et qui émet un faisceau laser d'une longueur d'onde 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 différente de la longueur d'onde > 1 dans un état de réception, et on fait adhérer l'autre surface du premier substrat semiconducteur sur l'autre surface du second substrat semiconducteur, pour intégrer la région de réception optique et la région d'émission optique. L'invention permet de réaliser un dispositif optique d'émission et de réception ayant une structure optimale pour l'émission et pour la réception. On obtient ainsi un dispositif optique d'émission et de réception ayant de bonnes caractéristiques, que l'on peut avantageusement utiliser dans des communications bidirectionnelles par des systèmes optiques d'abonnés, et dans des transmissions de données par liaisons optiques parallèles dans des ordinateurs. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels La figure 1 est une représentation d'un dispositif optique d'émission et de réception classique. La figure 2 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un premier mode de réalisation de l'invention. La figure 3 est une représentation explicative de l'opération d'émission optique du dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation de l'invention. La figure 4 est une représentation explicative de l'opération de réception optique du dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation de l'invention. La figure 5 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un second mode de réalisation de l'invention. La figure 6 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention. Les figures 7A-7D sont des représentations d'étapes d'un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au troisième mode de réalisation de l'invention. La figure 8 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un quatrième mode de réalisation de l'invention. La figure 9 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un cinquième mode de réalisation de l'invention. Les figures 10A-10B sont des représentations d'étapes d'un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation de l'invention. La figure 11 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un sixième mode de réalisation de l'invention. La figure 12 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un septième mode de réalisation de l'invention. Les figures 13A-13E sont des représentations d'étapes d'un premier exemple d'un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation de l'invention. Les figures 14A-14E sont des représentations d'étapes d'un second exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation de l'invention. La figure 15 montre des représentations d'un troisième exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation de l'invention. La figure 16 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un huitième mode de réalisation de l'invention. La figure 17 est une représentation explicative de l'opération d'émission optique du dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation de l'invention. La figure 18 est une représentation de l'opération de réception optique du dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation de l'invention. Les figures 19A-19C sont des représentations d'étapes d'un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation de l'invention. La figure 20 est une représentation du dispositif optique d'émission et de réception conforme à un neuvième mode de réalisation de l'invention. Les figures 21A-21D sont des représentations d'étapes d'un premier exemple d'un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation de l'invention. La figure 22 montre des représentations d'un second exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation de l'invention. On expliquera le dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation de l'invention en se référant aux figures 2 à 4. On expliquera en premier lieu, en se référant à la figure 2, la structure du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent de l'invention. Une région allant d'un substrat 2 en InP de type n jusqu'à une couche de contact 12, correspondant à une région désignée par A sur la figure 2, constitue une région de réception optique (que l'on appelle ciaprès "région de réception optique A") qui est destinée à détecter la lumière reçue et à convertir la lumière reçue en signaux électriques. La région allant de la couche de contact 12 jusqu'à une couche de contact 24, correspondant à une région désignée par B sur la figure 2, est une région d'émission optique (que l'on appelle ci-après "région d'émission optique B") qui, dans un état d'émission, oscille de façon à produire des faisceaux laser et à les émettre sous la forme de lumière émise, et qui, dans un état de réception, guide la lumière reçue.La région d'émission optique B est un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot comprenant une paire de miroirs plans opposés, et un guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est une photodiode PIN. Une couche d'absorption de lumière 24 en InGaAs ou InGaAsP est formée sur un substrat 2 en InP de type n. Cette couche d'absorption de lumière 4 est du type massif. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type SI (semiisolant) est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 14 en InP de type p est formée sur la couche de contact 12. Une couche de guide 18 en InGaAsP de type p est formée sur la couche de gaine 14 en InP de type p. Un réseau de diffraction 16 est formé sur l'interface entre la couche de guide 18 et la couche de gaine 14. Une couche active 20 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 18. Le réseau de diffraction 16 ne fait pas osciller la région d'émission à la manière d'un laser à réaction répartie ou DFB, mais remplit la fonction de moyens de tramission de lumière reçue, de façon à faire propager vers la couche d'absorption de lumière 4, au cours d'une opération de réception, la lumière d'entrée qui a été reçue sur la couche active 20. Par conséquent, le réseau de diffraction 16 ne diffracte pas la lumière qui est émise par la couche active 20, mais il diffracte la lumière qui est reçue dans la couche active 20. Dans le mode de réalisation présent, la couche active 20 est le siège d'une oscillation produisant des faisceaux de lumière laser d'une longueur d'onde X1 = 1,31 pm, constituant la lumière émise, et elle guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 = 1,55 pm qui constitue la lumière reçue. Il est nécessaire que la couche active 20 soit constituée par un matériau qui est capable de produire de la lumière d'une longueur d'onde > 1 et qui n'absorbe pas la lumière d'une longueur d'onde 22, c'est-à-dire un matériau ayant une bande d'énergie interdite d'une largeur supérieure à l'énergie de la lumière de longueur d'onde 2. Par conséquent, la longueur d'onde hl de la lumière de sortie est inférieure à la longueur d'onde ss 2 de la lumière d'entrée. Dans le mode de réalisation présent, la couche active 20 consiste en InGaAsP de type i. Une couche de gaine 22 en InP de type n est formée sur la couche active 20, et une couche de contact 24 qui consiste en InGaAsP de type n est formée sur la couche de gaine 22. Une pellicule diélectrique 30 est formée sur le côté gauche, sur la représentation de la figure 2, et une pellicule diélectrique 28 est formée sur le côté droit, de la couche de gaine 14 à la couche de contact 24. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n. Des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On expliquera le fonctionnement du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, en se référant aux figures 3 et 4. La figure 3 explique le fonctionnement du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent au cours de son opération de réception. La partie de réception A seule est excitée par une tension de polarisation qui est appliquée entre les électrodes 32, 34, et sans qu'une tension de polarisation ne soit appliquée entre les électrodes 36, 38, et un signal lumineux qui consiste en un signal optique d'une longueur d'onde A2 qui est appliqué à la couche active 20, est diffracté par le réseau de diffraction 16 de façon à être guidé vers la couche d'absorption de lumière 4. Par conséquent, le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent fonctionne en dispositif de réception. On expliquera ensuite l'opération de guidage de la lumière d'entrée d'une longueur d'onde \ 2 qui est appliquée à la couche active 20, dans le dispositif d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent. On considère ici par exemple un cas dans lequel les faisceaux laser qui sont émis dans une opération d'émission optique ont une longueur d'onde 1 qui est égale à 1,31 pm, et les signaux optiques qui sont appliqués en entrée au cours d'une opération de réception optique ont une longueur d'onde 2 qui est égale à 1,55 um. Dans le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, la couche de guide 18 qui constitue une couche de guide d'ondesoptique est formée au voisinage de la couche active 20 qui constitue la région d'émission, et le réseau de diffraction 16 est formé sur l'interface entre la couche de guide 18 et la couche de gaine 14. Ce réseau de diffraction 16 ne fonctionne pas à la manière d'un réseau de diffraction pour un laser à semiconducteurs à réaction répartie (ou laser DFB), qui génère des ondes réfléchies, et il a une période de réseau de diffraction qui ne diffracte pas des faisceaux laser d'une longueur d'onde 1 qui sont émis dans un état d'émission, mais il diffracte la lumière d'entrée d'une longueur d'onde A2 qui est appliquée à la couche d'absorption de lumière 4. Le réseau de diffraction 16 a une période de réseau de diffraction A qui satisfait la relation m X = 2n A (m = 1, 2, 3, ...) (1) eq dans laquelle 4 désigne une période de réseau de diffraction (une constante de réseau), et n désigne eq un indice de réfraction équivalent du guide d'ondes du laser, et 2 = 2n A (2) eq Dans le mode de réalisation présent, la période de réseau de diffraction A du réseau de diffraction 16 est égale à 0,48 pm. Pour m = 1 (lumière diffractée primaire), lorsque l'indice de réfraction équivalent n est égal à 3,25, on a eq X = 1,56 pm.Par conséquent, ce réseau de diffraction 16 diffracte la lumière d'entrée d'une longueur d'onde A 2 mais il ne diffracte pas la lumière de sortie d'une longueur d'onde 1. Ainsi, le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est caractérisé en ce que la couche active qui est destiné à produire de la lumière d'une longueur d'onde X1, et la couche d'absorption de lumière qui est destinée à absorber de la lumière d'une longueur d'onde 2, sont incluses dans un seul et même dispositif, sur un seul et même substrat semiconducteur. Dans le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, la région d'émission optique B est constituée par un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot, mais elle peut être constituée à la place par un laser à semiconducteurs à réaction répartie (ou laser DFB), comprenant séparément un réseau de diffraction pour diffracter la lumière d'une longueur d'onde > 1. Dans ce cas, le réseau de diffraction peut être constitué par un laser à semiconducteurs à réaction répartie avec adaptation d'indice et avec des déphasages, ou par un laser à semiconducteurs à réaction répartie avec adaptation d'indice de réfraction, sans déphasages. La région d'émission optique B peut être constituée par un laser à semiconducteurs à réaction répartie avec adaptation de gain, ou par un laser à semiconducteurs à réflexion répartie. Dans ce cas, une couche de guide d'ondes est formée séparément de la couche de guide 18 avec le réseau de diffraction 16 formé sur elle, et un réseau de diffraction pour diffracter la lumière de sortie d'une longueur d'onde 1 est formé sur la couche de guide d'ondes. Dans le dispositif d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation, les électrodes sont disposées au-dessus et au-dessous de la couche d'absorption de lumière 4, pour appliquer un champ électrique perpendiculairement à la couche d'absorption de lumière 4. Une électrode est disposée sur un côté de la couche d'absorption de lumière 4 pour appliquer un champ électrique parallèlement à la couche d'absorption de lumière 4. Dans le cas où la région d'émission optique B est formée par un laser DFB, le coefficient d'adaptation peut être non uniforme dans l'oscillateur (il peut varier à certaines positions).D'autre part, les électrodes de ce laser à semiconducteurs peuvent être séparées dans la direction du résonateur, de façon que des courants non uniformes puissent être injectés dans le but d'accorder les longueurs d'onde d'oscillation, ou dans le but de moduler en fréquence les longueurs d'onde d'oscillation. Dans le cas où la région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteurs à réflexion répartie (ou laser DBR), les électrodes peuvent être séparées dans la direction du résonateur, dans le but d'accorder les longueurs d'onde d'oscillation ou dans le but de moduler en fréquence les longueurs d'onde d'oscillation. Dans le cas où on utilise un laser DBR, des réflecteurs répartis peuvent être disposés de part et d'autre de la région active, ou bien un réflecteur réparti peut être disposé seulement du côté de la région active qui est opposé à sa surface d'extrémité de sortie. En outre, un ensemble de régions de phase peuvent être formées entre la région active et la région de réflexion répartie. Une ou plusieurs électrodes peuvent être disposées dans chaque région. Les surfaces d'extrémités de la région d'émission optique B du dispositif d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, sont traitées par la formation des pellicules diélectriques 28, 30. On peut par ailleurs former sur les surfaces d'extrémités de la région d'émission optique B des pellicules diélectriques qui transmettent la lumière d'une longueur d'onde > 1 et qui ne sont pas réfléchissantes pour la lumière d'une longueur d'onde 2. Dans le cas où le laser à semiconducteurs de la région d'émission optique B est constitué par un laser à semiconducteurs à réaction répartie avec adaptation d'indice de réfraction, et dans lequel le réseau de diffraction ne présente pas de déphasages, on peut former une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 1 à 10% pour la lumière de longueur d'onde 1. Dans le cas où le réseau de diffraction présente des déphasages, on peut former une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 0-2% pour la lumière de longueur d'onde 1. Dans le cas où le laser à semiconducteurs de la région de transmission optique B est formé par un laser à semiconducteurs à réaction répartie du type à adaptation d'indice de réfraction, et où son réseau de diffraction présente des déphasages, la même pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 0-2% pour la lumière de longueur d'onde A 1 doit également être formée sur la surface d'extrémité opposée. Il est possible de former sur la surface d'extrémité opposée une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion défini pour la lumière ayant une longueur d'onde de l'ordre de A 1 et pour la lumière ayant une longueur d'onde de > 2, de façon à diminuer une valeur de seuil d'oscillation laser, à produire la photoréaction nécessaire pour l'oscillation laser, et à réfléchir la fraction de la lumière d'entrée qui n'a pas été diffractée, pour qu'elle soit diffractée à nouveau, afin d'augmenter la quantité de lumière qui est absorbée.Dans le cas où le laser à semiconducteurs de la région d'émission optique B est constitué par un laser à semiconducteurs à réaction répartie du type à adaptation de gain, on peut former une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 0-90% pour une lumière de longueur d'onde hl. Dans le cas où la région de transmission optique B est constituée par un réflecteur réparti unilatéral produisant une réflexion répartie, on peut former une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 10% à 50% pour la lumière de longueur d'onde A 1. Dans le cas où le laser à semiconducteurs de la région d'émission optique B est constitué par un réflecteur réparti bilatéral produisant une réflexion répartie, on peut former une pellicule diélectrique ayant un facteur de réflexion de 0% à 2% pour la lumière de longueur d'onde A 1. La couche active 20 du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est du type massif, mais elle peut avoir une structure monocouche, une structure à puits quantiques multicouche, une structure de fil quantique à une seule dimension, ou une structure de point quantique à zéro dimension. La couche active 20 peut avoir une structure à gain périodique, comportant des milieux amplificateurs seulement à des ventres d'ondes stationnaires de lumière dans le résonateur. On peut intégrer sur un seul et même substrat d'autres circuits électroniques à semiconducteurs qui sont respectivement destinés à attaquer la région de réception optique A et la région d'émission optique B, et des dispositifs électroniques. L'intégration peut être du type monolithique, par puce à protubérances ou "flip chip", ou par fixation. Les matériaux pour les semiconducteurs qui sont utilisés dans le dispositif d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, sont des semiconducteurs composés à base d'InP/ GaInAsP pour une longueur d'onde d'oscillation et une longueur d'onde de réception de 1-1,7 pm. Le matériau de la région de réception optique A peut consister en semiconducteurs composés basés sur InGaAsP/InGaSb. Pour une longueur d'onde d'oscillation et une longueur d'onde de réception de 0,6-1,0 pm, on peut utiliser des semiconducteurs composés basés sur GaAs/AlGaAs/ InGaAs ou GaAs/InGaAlP/InGaP. Pour une longueur d'onde d'oscillation et une longueur d'onde de réception de 0,6-1,0 pm, la région d'émission optique B peut être constituée par des semiconducteurs composés basés sur GaAs/InGaAlP/InGaP sur un substrat en Si, et la région de réception optique A peut être formée par un dispositif de détection de lumière basé sur Si. La couche d'absorption de lumière du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est du type massif, mais elle peut consister en une structure monocouche, une structure à puits quantiques multicouche, une structure à fils quantiques ou une structure à points quantiques. Du fait que le dispositif d'émission et de réception optique conforme au mode de réalisation présent a ainsi non seulement une structure optimale pour un émetteur, mais également une structure optimale pour un récepteur, on peut obtenir un rendement élevé pour la conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On peut diminuer les courants d'obscurité. Du fait du volume accru de la couche d'absorption de lumière, on peut augmenter le rendement de la conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On expliquera le dispositif optique d'émission et de réception conforme à un second mode de réalisation de l'invention, en se référant à la figure 5. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au second mode de réalisation est caractérisé par la configuration du réseau de diffraction 16. Ainsi, le réseau de diffraction 16 du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est un réseau à variation progressive de période, dont la période diminue continuellement depuis l'extrémité d'entrée de lumière vers l'autre extrémité. Les éléments du second mode de réalisation autres que le réseau de diffraction sont les mêmes que ceux du premier mode de réalisation, et ils sont désignés par les mêmes références numériques pour ne pas avoir à répéter leur explication. Sur la figure 5, les éléments constitutifs d'une région de réception optique A, allant d'un substrat 2 en InP de type n jusqu'à une couche de contact 12, et les éléments constitutifs d'une région d'émission optique B allant de la couche de contact 12 à une couche de contact 24, portent les mêmes références numériques que dans le premier mode de réalisation, et leur explication n'est pas répétée. Egalement dans le dispositif d'émission et de réception conforme au second mode de réalisation, lorsqu'une tension de polarisation est appliquée entre les électrodes 36, 38 tandis qu'aucune tension de polarisation n'est appliquée entre les électrodes 32, 34, seule la région d'émission optique B est excitée, ce qui fait que le dispositif fonctionne en laser à semiconducteurs. D'autre part, lorsqu'une tension de polarisation est appliquée entre les électrodes 32, 34, tandis qu'aucune tension de polarisation n'est appliquée entre les électrodes 36, 38, seule la région de réception optique A est excitée, ce qui fait que la lumière d'une longueur d'onde 2 qui est appliquée à la couche active est diffractée par le réseau de diffraction 16, pour être guidée vers la couche d'absorption de lumière 4, et la région de réception optique A fonctionne en récepteur. La période de réseau de diffraction ss du réseau de diffraction 16 du dispositif optique d'émission et de réception conforme au second mode de réalisation, est fixée de façon à satisfaire les relations (1) et (2) à la position centrale de la couche active 20. La période de réseau de diffraction A est plus grande vers l'extrémité d'entrée de lumière et elle est plus courte vers l'extrémité opposée. Une telle configuration du réseau de diffraction change l'angle de diffraction de la lumière d'entrée de longueur d'onde 2, de façon à guider la lumière d'entrée vers la partie centrale de la couche d'absorption de lumière 4, pour qu'un signal lumineux puisse ainsi être converti efficacement en un signal électrique. Du fait que le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, comme celui du premier mode de réalisation, comporte non seulement une structure optimale pour un émetteur, mais également une structure optimale pour un récepteur, comme décrit ci-dessus, on peut obtenir un rendement élevé pour la conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On peut diminuer des courants d'obscurité. Le volume de la couche d'absorption de lumière est augmenté et la constante du réseau de diffraction varie de façon continue, ce qui permet d'augmenter le rendement de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On expliquera le dispositif d'émission et de réception conforme à un troisième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 6. Le dispositif d'émission et de réception conforme au troisième mode de réalisation comporte une région de réception optique A ayant la même structure que celle du dispositif d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation, et il est caractérisé par le fait qu'une région d'émission optique B est formée par un laser à guide d'ondes à structure plane. La région d'émission optique B est un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot, et il comprend une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est formée par une photodiode PIN. Des pellicules diélectriques qui sont formées sur les surfaces d'extrémités ne sont pas décrites. Une couche en InGaAs ou une couche d'absorption de lumière 4 en InGaAsP est formée sur un substrat 2 en InP de type n, avec interposition d'une couche tampon 3 en InP de type n. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type SI est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 14 en InP de type p est formée sur la couche de contact 12. Une couche de guide 18 en InGaAsP de type p est formée sur la couche de gaine 14 en InP de type p. Un réseau de diffraction 16 qui est destiné à diffracter la lumière reçue est formé sur l'interface entre la couche de gaine 14 et la couche de guide 18. Une couche active 20 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 18. Une couche de gaine 22 en InP de type n est formée sur la couche active, et une couche de contact 24 en InGaAsP de type n est formée sur la couche de gaine 22. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, et des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. Le fonctionnement du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est le même que celui du dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation, et son explication est omise. On expliquera un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au troisième mode de réalisation en se référant aux figures 7A à 7D. En premier lieu, on fait croître par épitaxie sur le substrat 2 en InP de type n, en utilisant par exemple le procédé de dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques, ou MOCVD (figure 7A), la couche tampon 3 en InP de type n, la couche d'absorption de lumière 4 en InGaAs ou InGaAsP d'environ 3,0 pm d'épaisseur, la couche 6 en InP de type p, d'environ 3,0 pm d'épaisseur, la couche de contact 8 en InGaAsP de type p, d'environ 0,3 pm d'épaisseur, la couche 10 en InP de type SI, d'environ 0,5 pm d'épaisseur, la couche de contact 12 en InGaAsP de type p d'environ 0,3 pm d'épaisseur, et la couche de gaine 14 en InP de type p, d'environ 2,0 pm d'épaisseur. Ensuite, on applique une couche de matière de réserve (non représentée) sur la surface de la couche de gaine 14, et on forme dans cette couche un motif de réseau de diffraction, par exposition par faisceau d'électrons ou par exposition par interférences à deux faisceaux. En utilisant à titre de masque la couche de réserve dans laquelle on a défini un motif, on grave la surface de la couche de gaine 14 pour former le réseau de diffraction 16 avec un pas d'environ 480 nm (figure 7B). Ensuite, pour former l'électrode, on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact 8 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n. On forme respectivement les électrodes 34, 36 sur les couches de contact à nu 8, 12, et on forme l'électrode 38 sur la couche de contact 24 (figure 7D). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est ainsi terminé. On décrira le dispositif optique d'émission et de réception conforme à un quatrième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 8. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au quatrième mode de réalisation comprend une région de réception optique A ayant la même structure que celle du dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation. Le mode de réalisation présent est caractérisé par le fait qu'une région d'émission optique B consiste en un laser à guide d'ondes du type à moulure. La région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot et elle comporte une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est formée par une photodiode PIN. Des pellicules diélectriques qui sont formées sur les surfaces latérales ne sont pas décrites. Une couche en InGaAs ou une couche d'absorption de lumière 4 en InGaAsP est formée sur un substrat 2 en InP de type n, avec une couche tampon 3 en InP de type n intercalée entre eux. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type SI est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 14 en InP de type p est formée sur la couche de contact 12. Une couche de guide 18 en InGaAsP de type p est formée sur la couche de gaine 14 en InP de type p. Un réseau de diffraction 16 qui est destiné à diffracter la lumière reçue est formé sur l'interface entre la couche de gaine 14 et la couche de guide 18. Une couche active 20 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 18. Une couche de gaine 22 en InP de type n est formée sur la couche active 20, et une couche de contact 24 en InGaAsP de type n est formée sur la couche de gaine 22. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en inP de type n, et des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On expliquera ci-dessous un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au quatrième mode de réalisation de l'invention. Ce procédé est le même que le procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au troisième mode de réalisation, jusqu'à l'étape de la figure 7C. L'étape de la figure 7C est suivie par la gravure de la couche de gaine 22 jusqu'à sa partie médiane, pour former des moulures dans la partie centrale. Ensuite, on met à nu le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact 8 soit à nu, pour former l'électrode, et on grave le côté droit jusqu'a ce que la couche de contact 12 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sous la face inférieure du substrat 2 en InP de type n. On forme les électrodes 34, 36 respectivement sur les couches de contact à nu 8, 12. On forme l'électrode 38 sur la couche de contact 24 qui est la couche supérieure du laser à guide d'ondes du type à moulure (figure 8). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au quatrième mode de réalisation est ainsi terminé. On expliquera le dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 9. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation comprend une région de réception optique A ayant la même structure que celle du dispositif optique d'émission et de réception conforme au premier mode de réalisation, et il est caractérisé en ce qu'une région d'émission optique B a une hétérostructure enterrée et elle est formée par un laser à guide d'ondes comprenant une couche de confinement de lumière et de restriction de courant à thyristor pnpn ou npnp. La région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot, et elle comporte une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est une photodiode PIN. Des pellicules diélectriques qui sont formées sur les surfaces latérales ne sont pas décrites. Une couche en InGaAs ou une couche d'absorption de lumière 4 en InGaAsP est formée sur un substrat 2 en InP de type n, avec une couche tampon 3 en InP de type n intercalée entre eux. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type SI est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 14 en InP de type p est formée sur la couche de contact 12. Une structure mésa est formée sur la partie supérieure de la couche de gaine 14 et sur la couche qui se trouve au-dessus de cette dernière, et une couche de guide 18 en InGaAsP de type p est formée sur la mésa de la couche de gaine 14. Un réseau de diffraction 16 est formé sur l'interface entre la couche de gaine 14 et la couche de guide 18. Une couche active 20 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 18. La mésa est enterrée dans une couche 80 en InP de type n. Une couche 82 en InP de type p est formée sur la couche 80 en InP de type n, sauf sur la couche active 20. Une couche 84 en InP de type n, qui remplit la fonction d'une couche de gaine, est formée sur la couche 82 en InP de type n et sur la couche active 20. La couche 80 en InP de type n, la couche 82 en InP de type p et la couche 84 en InP de type n constituent une couche de blocage de courant. Une couche de contact 24 en InGaAsP de type n est formée sur la couche 84 en InP de type n. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, et des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On expliquera ensuite un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation de l'invention, en se référant aux figures 10A à 10B. Le procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation est le même jusqu'à l'étape de la figure 7C du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception précédent. L'étape de la figure 7C est suivie par la gravure de la couche de gaine 14 jusqu'à la partie médiane de cette dernière, de façon à former une mésa dans la partie centrale (figure 10A). On enterre ensuite la mésa centrale avec la couche 80 en InP de type n, et on fait croître par épitaxie la couche 82 en InP de type p sur la couche 80 en InP de type n, sauf sur la couche active 20. Ensuite, on fait croître par épitaxie sur la couche 82 en InP de type p et sur la couche active 20, la couche 84 en InP de type n, qui remplit également la fonction d'une couche de gaine. Ensuite, pour former les électrodes, on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact soit à nu, et on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 12 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, et on forme respectivement les électrodes 34, 36 sur les couches de contact 8, 12 à nu. On forme l'électrode 38 sur la couche de contact supérieure centrale 24 (figure 10B). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation est ainsi terminé. On expliquera le dispositif optique d'émission et de réception conforme à un sixième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 11. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au sixième mode de réalisation comprend une région de réception optique A ayant la même structure que celle du dispositif optique d'émis sion et de réception conforme au premier mode de réalisation, et il est caractérisé en ce que la région d'émission optique B est du type enterré, et est constituée par un laser à guide d'ondes ayant une structure qui comprend une couche de confinement de lumière et de restriction de courant à semiconducteur à résistance élevée. La région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot, et elle comprend une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est formée par une photodiode PIN. On ne décrira pas des pellicules diélectriques qui sont formées sur les surfaces latérales. Une couche d'absorption de lumière 4 en InGaAs ou en InGaAsP est formée sur un substrat 2 en InP de type n. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type Si est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 14 en InP de type p est formée sur la couche de contact 12. Une structure mésa est formée sur la partie supérieure de la couche de gaine 14 et sur une couche qui se trouve sur cette partie supérieure. Une couche de guide 18 en InGaAsP de type p est formée sur la mésa. Un réseau de diffraction 16 qui est destiné à diffracter la lumière d'entrée est formé sur l'interface entre la couche de guide 14 et la couche de gaine. Une couche active 20 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 18. Une couche de gaine 22 en InP de type n est formée sur la couche active 20. La mésa est enterrée avec une couche de blocage de courant 86 en InP de type SI. Une couche de contact 24 en InGaAsP de type n est formée sur la couche de blocage de courant 86 et sur la couche de gaine 22. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n. Des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On va maintenant expliquer un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au sixième mode de réalisation. Le procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est identique au procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation, jusqu'à l'étape de la figure 10A. L'étape de la figure 10A est suivie par l'opération qui consiste à enterrer la mésa centrale avec la couche de blocage de courant 86, après quoi on forme la couche de contact 24 en InGaAsP de type n sur la couche de blocage de courant 86 et sur la couche de gaine 22. Ensuite, pour former des électrodes, on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact 8 soit à nu, et on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 12 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n. On forme les électrodes respectives 34, 36 sur les couches de contact 8, 12 à nu. On forme l'électrode 38 sur la couche de contact supérieure centrale 24 (figure 11). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au sixième mode de réalisation est ainsi terminé. On expliquera un dispositif optique d'émission et de réception conforme à un septième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 12. En comparaison avec le premier mode de réalisation, le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est caractérisé en ce qu'une région de réception optique A n'est pas une photodiode PIN mais une photodiode à avalanche, et dans le premier mode de réalisation, la couche d'absorption de lumière de la région de réception optique A se trouve du même côté que la région d'émission optique B, par rapport au substrat 2 en InP de type n, et elle est disposée entre la région d'émission optique B et le substrat 2 en InP de type n, tandis que dans le mode de réalisation présent, une couche d'absorption de lumière de la région de réception optique A se trouve du côté opposé à la région d'émission, par rapport au substrat. On expliquera la structure du dispositif optique d'émission et de réception du mode de réalisation présent en se référant à la figure 12. Une région allant d'un substrat 42 en InP de type n jusqu'à une couche de contact 48, qui est désignée par la référence A sur la figure 12, est la région de réception optique. Une région allant d'une couche de contact 52 jusqu'à une couche de contact 64, qui est désignée par la référence B sur la figure 12, est la région d'émission optique. La région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteur du type Fabry-Pérot, et elle comporte une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est formée par une photodiode à avalanche. Une couche 50 en InP de type SI est formée sur le substrat 42 en InP de type n. Une couche de contact 52 en InGaAsP de type n est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Une couche de gaine 54 en InP de type n est formée sur la couche de contact 52. Une couche de guide 58 en InGaAsP de type n est formée sur la couche de gaine 54. Un réseau de diffraction 56 est formé sur l'interface entre la couche de gaine 54 et la couche de guide 58 en InP de type n. Une couche active 60 en InGaAsP de type i est formée sur la couche de guide 58. Comme décrit en relation avec le premier mode de réalisation, le réseau de diffraction 56 ne fonctionné pas de manière à faire osciller la région d'émission en laser DFE, mais fonctionne à la manière de moyensdetiansmissicn de lumière reçue, de manière à propager vers la couche d'absorption de lumière 4 la lumière reçue, à titre de lumière d'entrée, qui a été reçue sur la couche active 60, pendant une opération de réception. Ainsi, le réseau de diffraction 56 ne diffracte pas la lumière qui est émise par la couche active 50, mais il diffracte la lumière reçue dans la couche active 60. Cette couche active 60 génère également des faisceaux laser d'une longueur d'onde 1 = 1,31 pm, à titre de lumière émise, et elle guide la lumière reçue d'une longueur X2 = 1,55 pm, à titre de lumière d'entrée. La couche de gaine 62 en InP de type p est formée sur la couche active 60, et une couche de contact 64 en InGaAsP de type p est formée sur la couche de gaine 62. Une couche d'absorption de lumière 46 en InGaAs ou en InGaAsP est formée sur la face inférieure du substrat 42 en InP de type n, qui est opposée à la région d'émission optique B, et une couche de contact 48 en InP de type n est formée sur la couche d'absorption de lumière 46. Une région de diffusion de Zn, 44, dans laquelle on a diffusé du Zn (zinc) à titre de dopant, est formée dans les parties centrales des faces inférieures de la couche de contact 48. Un sillon 45 qui atteint le substrat 42 en InP de type n est formé autour de la région de diffusion de Zn, 44. Une pellicule diélectrique 70 est formée sur la surface latérale gauche, sur la représentation de la figure 12, et une pellicule diélectrique 68 est formée sur la surface latérale droite, à partir de la couche de gaine 14 jusqu'à la couche de contact 64. Une électrode 72 du côté p est formée sur la couche de contact 48 en étant entourée par le sillon 45. Une électrode 74 du côté n est formée sur la couche de contact 48 à l'extérieur du sillon 45. Une électrode 76 est formée sur la couche 50 en InP de type SI 50 et sur la couche de contact 52, et une électrode 78 est formée sur la couche de contact 64. Du fait que le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent a ainsi non seulement une structure optimale pour un émetteur, mais également une structure optimale pour un récepteur, on peut obtenir un rendement élevé de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On peut diminuer des courants d'obscurité. Du fait du volume accru de la couche d'absorption de lumière, on peut obtenir une augmentation du rendement de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. La région d'émission optique B du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent a la même structure que celle du dispositif optique d'émission et de réception de la figure 2, conforme au premier mode de réalisation. La région d'émission du mode de réalisation présent a la même structure que celle du second mode de réalisation de la figure 5. La région d'émission optique B peut avoir la même structure que la région d'émission optique B du troisième mode de réalisation de la figure 6, que la région d'émission optique B du quatrième mode de réalisation de la figure 8, que la région B du cinquième mode de réalisation de la figure 9, ou que la région d'émission optique B du sixième mode de réalisation de la figure 11. On va maintenant expliquer un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation de l'invention. On expliquera trois exemples du procédé en se référant aux figures 13 à 15. On expliquera ces exemples au moyen d'un exemple dans lequel la région d'émission optique B du mode de réalisation présent est constituée par un laser à guide d'ondes ayant une structure identique à celle de la région d'émission optique B du cinquième mode de réalisation. On expliquera un premier exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation, en se référant aux figures 13A à 13E. On forme par épitaxie sur le substrat 42 en InP de type n, par exemple par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques (ou MOCVD), la couche 50 en InP de type SI, la couche de contact 52 en InGaAsP de type n, et la couche de gaine 54 en InP de type n. Ensuite, on grave la couche de gaine 54 pour former le réseau de diffraction 56 (figure 13A). Ensuite, on forme par épitaxie sur la couche de gaine 54, par exemple par MOCVD, la couche de guide 58 en InGaAsP de type n, la couche active 60 en InGaAsP de type i, la couche de gaine 62 en InP de type p et la couche de contact 64 en InGaAsP de type p (figure 13B). Ensuite, de la même manière que dans le procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au cinquième mode de réalisation (figures 10A et 10B), on grave la couche de gaine 54 jusqu'au milieu de celle-ci, pour former une mésa dans la partie centrale. Ensuite, on enterre la mésa centrale avec la couche 100 en InP de type n. On fait croître la couche 102 en InP de type p par épitaxie sur la couche 100 en InP de type n, sauf sur la couche active 60. Ensuite, on fait croître par épitaxie la couche 104 en InP de type n, qui remplit la fonction d'une couche de gaine, sur la couche en InP de type p et sur la couche active 60. Ensuite, on fait croître par épitaxie la couche de contact 64 en InGaAsP de type n sur la couche 104 en InP de type n. Ensuite, pour former des électrodes, on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact 62 soit à nu, et on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 12 soit à nu. On forme l'électrode 76 sur la couche de contact 52 à nu, et on forme l'électrode 78 sur la couche de contact supérieure centrale 64 (figure 13C). Ensuite, on forme par épitaxie la couche tampon 106 en InP de type n, la couche d'absorption de lumière 46 en InGaAs ou en InGaAsP et la couche de contact 48 en InP de type n, dans l'ordre indiqué, sur le substrat 42 en InP de type n, en procédant par exemple par dépôt chimique en phase vapeur aux organométalliques, ou MOCVD (figure 13D). On diffuse ensuite Zn, qui est un dopant, pour former la région de diffusion de Zn 44 au centre de la face inférieure de la couche de contact 48. On forme autour de la région de diffusion de Zn 44 un sillon 45 qui atteint le substrat 42 en InP de type n (figure 13E). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent est ainsi terminé. On expliquera un second exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation, en se référant aux figures 14A à 14E. Dans le premier exemple, on forme la région d'émission optique B sur une surface du substrat 42 en InP de type n, et on forme ensuite la région de réception optique A sur l'autre surface du substrat 42 en InP de type n. Inversement, dans cet exemple, on forme la région de réception optique A sur une surface du substrat 42 en InP de type n, et ensuite on forme la région d'émission optique B sur l'autre surface du substrat 42 en InP de type n. En premier lieu, on forme par épitaxie la couche tampon 106 en InP de type n, la couche d'absorption de lumière 46 en InGaAs ou en InGaAsP et la couche de contact 48 en InP de type n, sur une surface du substrat 42 en InP de type n, dans l'ordre indiqué, par exemple par MOCVD (figure 14A). Ensuite, on diffuse Zn, qui est un dopant, pour former la région de diffusion de Zn 44 dans la partie centrale de la face inférieure de la couche de contact 48, et on forme autour de la région de diffusion de Zn 44 un sillon 45 qui atteint le substrat 42 en InP de type n. Ensuite, on forme l'électrode 72 du côté p sur la couche de contact 48, de façon qu'elle soit entourée par le sillon 45. On forme l'électrode 74 du côté n sur la couche de contact 48 à l'extérieur du sillon 45 (figure 14B). Ensuite, on forme par épitaxie la couche 50 en InP de type SI, la couche de contact 52 en InGaAsP de type n et la couche de gaine 54 en InP de type n, sur la surface du substrat 42 en InP de type n qui est opposée à la région d'émission optique B, en procédant par exemple par MOCVD. Ensuite, on grave la surface de la couche de gaine 54 pour former le réseau de diffraction 56 (figure 14C). Ensuite, on forme par épitaxie sur la couche de gaine 54, par exemple par MOCVD, la couche de guide 58 en InGaAsP de type n, la couche active 60 en InGaAsP de type i, la couche de gaine 62 en InP de type p et la couche de contact 64 en InGaAsP de type p (figure 14D). Ensuite, on grave la couche de gaine 54 jusqu'en son milieu, pour former une mésa dans sa partie centrale. Ensuite, on enterre la mésa avec la couche 100 en InP de type n. On fait croître par épitaxie la couche 102 en InP de type p sur la couche 100 en InP de type n, sauf sur la couche active 60. Ensuite, on forme par épitaxie la couche 104 en InP de type n, qui remplit la fonction d'une couche de gaine, sur la couche 102 en tnP de type p et sur la couche active 60. Ensuite, pour former les électrodes, on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche de contact 52 soit à nu, et on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 12 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 76 sur la couche de contact 52 à nu, et on forme l'électrode 78 sur la couche de contact supérieure centrale 64 (figure 14E). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation est ainsi terminé. On décrira ensuite un troisième exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation, en se référant à la figure 15. Dans les premier et second exemples, on forme la région de réception optique A sur une surface du substrat 42 en InP de type n, et on forme la région d'émission optique B sur l'autre surface du substrat 42 en InP de type n. D'autre part, dans cet exemple, on fabrique le dispositif optique d'émission et de réception par accolement. Comme dans le premier exemple, on forme une structure comportant un laser à guide d'ondes sur un substrat 42 en InP de type n (figures 13A-13C), et comme dans le second exemple, on forme la région de réception optique A, comprenant une photodiode PIN, sur un substrat 42 en InP de type n (figures 14A-14B). Ensuite, on polit les faces inférieures des substrats 42 en InP de type n des structures respectives, de façon à obtenir un poli spéculaire, et on met en contact et on recuit les faces inférieures. On réalise une liaison entre les deux structures par une force intermoléculaire entre les faces inférieures des substrats en InP de type n des deux structures. Un dispositif optique d'émission et de réception comprenant la région de réception optique A formée sur une surface du substrat 42 en InP de type n, et la région d'émission optique B formée sur l'autre surface, est ainsi terminé (figure 15). On expliquera le dispositif optique d'émission et de réception conforme à un huitième mode de réalisation de l'invention en se référant aux figures 16 à 18. En premier lieu, on expliquera la structure du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent en se référant à la figure 16. Une région allant d'un substrat 2 en InP de type n jusqu'à une couche de contact 12, qui correspond à une région désignée par A sur la figure 16, est une région de réception optique qui est destinée à détecter la lumière reçue et à convertir la lumière reçue en signaux électriques. La région allant de la couche de contact 12 à une couche de contact 24, qui correspond à une région désignée par B sur la figure 16, est une région d'émission optique qui, pendant une opération d'émission, a pour fonction de générer des faisceaux laser et d'émettre ces derniers sous la forme de lumière émise, et qui, pendant une opération de réception, guide la lumière reçue.La région d'émission optique B est un laser DBR du type à émission de lumière de surface, qui comprend des réflecteurs de réflexion répartie (miroirs DBR), ayant la caractéristique de réfléchir la majeure partie de la lumière de longueur d'onde > 1, mais de transmettre la majeure partie de la lumière de longueur d'onde 2. La région de réception optique A est une photodiode PIN. Une couche d'absorption de lumière 4 en InGaAs ou en InGaAsP est formée sur le substrat 2 en InP de type n. Une couche 6 en InP de type p est formée sur la couche d'absorption de lumière 4. Une couche de contact 8 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 6 en InP de type p. Une couche 10 en InP de type SI est formée sur la couche de contact 8. Une couche de contact 12 en InGaAsP de type p est formée sur la couche 10 en InP de type SI. Un miroir DBR 90 est formé sur la couche de contact 12. Deux couches 92 en InP sont formées sur le miroir DBR 90. Une couche active 20 est formée entre les deux couches 92 en InP. Un autre miroir DBR 94 est formé sur la couche active 20 et sur les couches 92 en InP. La couche active 20 génère des faisceaux laser d'une longueur d'onde 3 1 = 1,31 pm, pour émettre ces dernier sous la forme de lumière émise, et elle guide la lumière reçue d'une longueur d'onde A2 = 1,55 pm. Deux couches 96 en InP sont formées sur le miroir DBR 94. Une ouverture qui est la région d'émission de lumière de surface, et également la région de détection de lumière, est formée dans la partie centrale des couches 96 en InP. Une couche de contact 24 en InGaAsP de type n est formée sur la couche 96 en InP. Une électrode 32 est formée sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, et des électrodes respectives 34, 36 sont formées sur les couches de contact 8, 12. Une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On expliquera le fonctionnement du dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation en se référant aux figures 17 et 18. La figure 17 explique le fonctionnement en dispositif d'émission du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent fonctionne seulement en dispositif d'émission lorsqu'une tension de polarisation est appliquée entre les électrodes 36, 38 et aucune tension de polarisation n'est appliquée entre les électrodes 32, 34. La figure 18 explique le fonctionnement en dispositif récepteur uniquement du dispositif optique d 'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent. Seule la région de réception optique A est excitée par une tension de polarisation qui est appliquée entre les électrodes 32, 34, et aucune tension de polarisation n'est appliquée entre les électrodes 36, 38, ce qui fait que la lumière d'entrée d'une longueur d'onde A 2 traverse le miroir DBR transparent 94, la couche active 20 et le miroir DBR 90, pour atteindre la couche d'absorption de lumière 4 et pour être convertie dans cette dernière en un courant ou en une tension correspondant à l'intensité de la lumière. Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation fonctionne donc en récepteur. La région d'émission optique B du dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent, est constituée par un laser à semiconducteurs comprenant une couche de confinement de lumière et de restriction de courant en semiconducteur à résistance élevée, qui fait partie d'une hétérostructure enterrée, mais cette région peut être constituée par un laser à semiconducteurs comprenant une couche de confinement de lumière et de restriction de courant à thyristor pnpn ou npnp. Du fait que le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent a ainsi non seulement une structure optimale pour un émetteur, mais également une structure optimale pour un récepteur, on peut obtenir un rendement élevé de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On peut diminuer des courants d'obscurité. Du fait du volume accru de la couche d'absorption de lumière, le rendement de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique peut être augmenté. On expliquera ensuite, en se référant aux figures 191 à 19C, un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation de l'invention. On fait croître par épitaxie sur le substrat 2 en InP de type n, la couche tampon 3 en InP de type n, la couche d'absorption de lumière 4 en InGaAs ou en InGaAsP, la couche 6 en InP de type p, la couche de contact 8 en InGaAsP de type p et la couche 10 en InP de type SI, dans l'ordre indiqué. On fait croître par épitaxie le miroir DBR 90 comprenant, dans l'ordre indiqué, la couche GaAs de type n et la couche AlAs de type n, déposées l'une sur l'autre en alternance sur la couche 10 en InP de type SI, la couche de gaine 110 en AlGaAs de type n ou en GaAs de type n, la couche active 112 de la couche à puits quantiques déformés en InGaAs de type i, la couche de gaine 114 en AlGaAs de type p ou en GaAs de type p, et un miroir DBR 94, comprenant la couche en GaAs de type p et la couche en AlAs de type p, déposées en alternance l'une sur l'autre (figure 19A). Ensuite, pour former les électrodes, on grave le miroir DBR 94 jusqu a ce que la couche de gaine 114 soit à nu autour du miroir DBR 94. Ensuite, on grave le côté droit jusqu'à ce que le miroir DBR 90 soit à nu, et ensuite on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 8 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, on forme l'électrode 38 sur la couche de gaine 114 à nu, et on forme l'électrode 34 sur la couche de contact 8 (figure 19B). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au huitième mode de réalisation est ainsi terminé. Comme le montre la figure 19C, on peut former les électrodes 36, 38 sur d'autres couches. Pour former les électrodes, on grave la périphérie du miroir DBR 94, en laissant la partie centrale jusqu'à ce que ses couches intermédiaires soient à nu, et on grave le côté gauche jusqu'à ce que la couche 10 en InP de type SI 10 soit à nu, et ensuite on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 32 sur la face inférieure du substrat 2 en InP de type n, et on forme l'électrode 38 sur des couches intermédiaires du miroir DBR 94 à nu, avec une couche de contact (non représentée) entre elles, on forme l'électrode 36 sur la couche 10 en InP de type SI avec une couche de contact (non représentée) entre elles, et on forme l'électrode 34 sur la couche de contact 8 (figure l9C). On expliquera le dispositif d'émission et de réception conforme à un neuvième mode de réalisation de l'invention en se référant à la figure 20. Une région allant d'un substrat 42 en InP de type n jusqu a une couche de contact 48, qui correspond à une région désignée par A sur la figure 20, est une région de réception optique qui est destinée à détecter la lumière reçue et à convertir la lumière reçue en signaux électriques. Une région allant d'un miroir DBR 90 jusqu'à une couche de contact 24, qui correspond à une région désignée par B sur la figure 20, est une région d'émission optique qui, dans une opération d'émission, génère des faisceaux laser et émet ceux-ci sous la forme de lumière émise, et qui, dans une opération de réception, guide la lumière reçue. La région d'émission optique B est formée par un laser à semiconducteurs du type Fabry-Pérot, et elle comprend une région d'émission de lumière à guide d'ondes du type ruban. La région de réception optique A est formée par une photodiode à avalanche. Une couche de contact 52 en InGaAs de type n est formée sur le substrat 42 en InP de type n. Un miroir DBR 90 est formé sur la couche de contact 52. Deux couches 92 en InP sont formées sur le miroir DBR 90, et une couche active 20 est formée entre les deux couches 92 en InP. Un autre miroir DBR 94 est formé sur la couche active 20 et sur la couche en InP. Cette couche active 20 génère des faisceaux laser d'une longueur d'onde > 1 = 1,31 pm, pour émettre ces faisceaux sous la forme de lumière émise, et elle guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 = 1,55 pm. Deux couches 96 en InP sont formées dans le miroir DBR 94, et une ouverture qui est une région d'émission de lumière de surface et également la région de détection de lumière, est formée entre les couches 96 en InP. Des couches de contact 24 en InGaAsP de type n sont formées sur les couches 96 en InP. Une région d'absorption de lumière 46 en InGaAs ou en InGaAsP est formée sur la face inférieure du substrat 42 en InP de type n, du côté opposé à la région d'émission optique B, et une couche de contact 48 en InP de type n est formée sur la couche d'absorption de lumière 46. Une région de diffusion de Zn, 44, dans laquelle du Zn est diffusé à titre de dopant, est formée dans la partie centrale de la face inférieure de la couche de contact 48, et un sillon 45 qui atteint le substrat 42 en InP de type n, est formé autour de la région de diffusion de Zn 44. Une électrode 72 du côté p est formée sur la couche de contact 48 qui est entourée par le sillon 45, et une électrode 74 du côté n est formée sur la couche de contact 48 à l'extérieur du sillon 45. Une électrode 76 est formée sur la couche 52, et une électrode 38 est formée sur la couche de contact 24. On ne décrira pas le fonctionnement du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation, du fait qu'il est identique à celui du huitième mode de réalisation. Du fait que le dispositif optique d'émission et de réception conforme au mode de réalisation présent a donc non seulement une structure optimale pour un émetteur, mais également une structure optimale pour un récepteur, on peut obtenir un rendement élevé de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique. On peut diminuer des courants d'obscurité. Du fait du volume accru de la couche d'absorption de lumière, le rendement de conversion de la lumière reçue en une grandeur électrique peut être augmenté. On expliquera ensuite un procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation de l'invention. On expliquera deux formes du procédé en se référant aux figures 21A-21D et 22. On expliquera un premier exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation, en se référant aux figures 21A à 21D. En premier lieu, on dépose par épitaxie l'une sur l'autre la première couche tampon 43 en InP de type n, la couche de contact 52, le miroir DBR 90 comprenant des couches en AlGaAs de type n et en AlAs de type n déposées en alternance l'une sur l'autre, la couche de gaine 110 en AlGaAs de type n ou en GaAs de type n, la couche active 112 d'une couche à puits quantiques déformés en InGaAs de type i, la couche de gaine 94 en AlGaAs de type p ou en GaAs de type p, et le miroir DBR 94 comprenant les couches en GaAs de type p et les couches en AlAs de type p, déposées en alternance l'une sur l'autre (figure 21A). Ensuite, pour former des électrodes, on grave la périphérie du miroir DBR 94 en laissant sa partie centrale, jusqu'à ce que les couches intermédiaires du miroir DBR 94 soient à nu, et ensuite on grave le côté droit jusqu'à ce que la couche de contact 52 soit à nu. Ensuite, on forme l'électrode 38 sur les couches intermédiaires à nu du miroir DBR 94, avec une couche de contact (non représentée) entre elles, et on forme l'électrode 76 sur la couche de contact 52 (figure 21B). Ensuite, on fait croître par épitaxie, dans l'ordre indiqué, la couche tampon 106 en InP de type n, la couche d'absorption de lumière 46 en InGaAs ou en InGaAsP, et la couche de contact 48 en InP de type n, sur la face inférieure du substrat 42 en InP de type n qui est opposée à la région d'émission optique B (figure 21C). On forme une région de diffusion de Zn 44 dans la partie centrale de la face inférieure de la couche de contact 48, par diffusion d'un dopant qui consiste en Zn. On forme autour de la région de diffusion de Zn 44 un sillon 45 qui atteint le substrat 42 en InP de type n. On forme l'électrode 72 du côté p sur la couche de contact 48, de façon qu'elle soit entourée par le sillon 45, et on forme l'électrode 74 du côté n sur la couche de contact 48, à l'extérieur du sillon 45 (figure 21D). Le dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation est ainsi terminé. On expliquera un second exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation, en se référant à la figure 22. Dans le premier exemple, la région de réception optique A est formée sur une surface du substrat 42 en InP de type n, et la région d'émission optique B est formée sur l'autre surface du substrat 42, mais dans cet exemple la région d'émission optique B et la région de réception optique A sont intégrées par accolement, pour former le dispositif optique d'émission et de réception conforme au neuvième mode de réalisation. En premier lieu, comme dans le premier exemple, on forme un laser DBR à émission de lumière de surface sur le substrat 42 en InP de type n (figures 21A-21B), et comme dans le second exemple du procédé de fabrication du dispositif optique d'émission et de réception conforme au septième mode de réalisation, la région de réception qui est constituée par une photodiode PIN est formée sur le substrat 42 en InP de type n (figures 14A-14B). Ensuite, on polit les faces inférieures des substrats 42 en InP de type n des deux structures, de façon qu'elles aient un poli spéculaire, et on met en contact et on recuit les faces inférieures. Les deux faces inférieures des substrats en InP de type n sont liées par une force intermoléculaire s'exerçant entre elles, et le dispositif optique d'émission et de réception comprend la région de réception optique A et la région d'émission optique B qui sont respectivement intégrées sur une surface du substrat 42 en InP de type n et sur l'autre surface de ce substrat (figure 22). La présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits ci-dessus. Par exemple, les couches de semiconducteurs dans les modes de réalisation décrits ci-dessus peuvent avoir les types de conduction opposés (type n ou type p) à ceux qui sont indiqués. Il va de soi que de nombreuses autres modifications peuvent être apportées au procédé et au dispositif décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif optique d'émission et de réception caractérisé en ce qu'il comprend : une région d'émission optique (B) comprenant une couche active (20) qui est le siège d'une oscillation et qui émet un faisceau laser d'une longueur d'onde > 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde A 2 différente de la longueur d'onde ?,î dans un état de réception; et une région de réception optique (A) comprenant un dispositif de détection de lumière qui est destiné à détecter la lumière reçue guidée par la couche active (20) et à convertir la lumière reçue en signaux électriques. 2. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région d'émission optique (B) comprend en outre des moyens de transmission de lumière reçue (16) qui sont destinés à transmettre à l'extérieur la lumière reçue qui est guidée par la couche active (20); et la région de réception optique (A) détecte la lumière reçue qui est transmise à partir des moyens de transmission de lumière reçue (16). 3. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 2, caractérisé en ce que les moyens de transmission de lumière reçue consistent en un réseau de diffraction (16) qui est formé le long de la couche active (20) et qui a une constante de réseau telle qu'il ne diffracte pas la lumière émise, mais diffracte la lumière reçue. 4. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 3, caractérisé en ce que le réseau de diffraction (16) est formé de façon que la constante de réseau diminue progressivement dans la direction de guidage de la lumière reçue par la couche active (20). 5. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de réception (A) est formée d'un côté de la couche active (20) et détecte la lumière reçue qui est guidée dans la couche active (20). 6. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 5, caractérisé en ce que la région d'émission optique (B) comprend des réflecteurs de Bragg répartis (90, 94) disposés de part et d'autre de la couche active (20), les réflecteurs de Bragg répartis réfléchissant la lumière émise de longueur d'onde > 1 1 et transmettant la lumière reçue de longueur d'onde 2. 7. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 8. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 2, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 9. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 3, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 10. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 4, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 11. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 5, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 12. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 6, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (2); et la région d'émission optique (B) est formée sur la région de réception optique (A). 13. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 14. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 2, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 15. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 3, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 16. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 4, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 17. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 5, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 18. Dispositif optique d'émission et de réception selon la revendication 6, caractérisé en ce que la région de réception optique (A) est formée sur une surface d'un substrat semiconducteur (42); et la région d'émission optique est formée sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42). 19. Procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme une région de réception optique (A) comprenant un dispositif de détection de lumière, pour détecter la lumière et convertir celle-ci en signaux électriques; et on forme sur la région de réception optique (A) une région d'émission optique (B) comprenant une couche active (20) qui est le siège d'une oscillation et émet un faisceau laser d'une longueur d'onde Â1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 différente de la longueur d'onde 1, dans un état de réception. 20. Procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme sur une surface d'un substrat semiconducteur (42) une région de réception optique (A) comprenant un dispositif de détection de lumière qui est destiné à détecter la lumière et à convertir celle-ci en signaux électriques; et on forme sur l'autre surface du substrat semiconducteur (42) une région d'émission optique (B) comprenant une couche active (60) qui est le siège d'une oscillation et émet un faisceau laser d'une longueur d'onde 1 dans un état d'émission, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 52 différente de la longueur d'onde 1, dans un état de réception. 21. Procédé de fabrication d'un dispositif optique d'émission et de réception, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme sur une surface d'un premier substrat semiconducteur (42) une région optique de réception (A) comprenant un dispositif de détection de lumière qui est destiné à détecter la lumière et à convertir celle-ci en signaux électriques; on forme sur une surface d'un second substrat semiconducteur (42) une région d'émission optique (B) comprenant une couche active (60) qui est le siège d'une oscillation et qui émet un faisceau laser d'une longueur d'onde A 1 dans un état d'émis- sion, et qui guide la lumière reçue d'une longueur d'onde 2 différente de la longueur d'onde > 1, dans un état de réception; et on fait adhérer ensemble l'autre surface du premier substrat semiconducteur (42) et l'autre surface du second substrat semiconducteur (42), pour intégrer la région de réception optique (A) et la région d'émission optique (B).