Brevet FR2697367A1 — publié le 19940429

La présente invention se rapporte à un circuit intégré à semiconducteurs, où sont incorporés des photodétecteurs, comme des circuits intégrés préamplificateurs à utiliser dans un dispositif capteur optique dtun tourne-disque optique tel qu'une tourne-disque pour disques compacts et un tourne-disque à laser. Un dispositif capteur optique moderne d'un tourne-disque optique tel qu'un tourne-disque pour disques compacts comporte un circuit intégré à semiconducteurs qui contient des photodétecteurs tels que des photodiodes afin de contrôler la relation de position entre le dispositif capteur optique et un disque optique. Dans un circuit intégré à semi-conducteurs équipé de photodétecteurs, un signal d'erreur de dépistage nécessaire pour l'asservissement de dépistage est produit selon l'équilibre d'entrée de la lumière aux photodétecteurs, c'est-à-dire la quantité de lumière reçue par les photodétecteurs. Un signal d'erreur de focalisation nécessaire pour l'asservissement de focalisation est également produit selon l'équilibre de la lumière d'entrée. La figure 1 montre un circuit intégré à semi-conducteurs conventionnel où sont incorporés des photodétecteurs. Sur la figure 1, les photodétecteurs incorporés dans le circuit intégré à semi-conducteurs comprennent un groupe de photodiodes qui sont au nombre de six et qui servent de photodétecteurs 51 à 56. Les photodétecteurs 52 à 55, chacun de configuration carrée, sont disposés afin de former un commutateur optique qui est également sous la forme d'un carré. Les photodétecteurs 52 à 55 sont placés à mi-chemin entre les photodétecteurs 51 et 56 et ils ont un point central CP où se rencontrent les sommets des photodétecteurs 52 à 55, dont chacun a la forme d'un carré. Les photodétecteurs 52 et 54 sont disposés en étant diagonalement opposés. D'une manière similaire, les photodétecteurs 53 et 55 sont en relation diagonalement opposée.Les photodétecteurs 51 à 56 sur les extrémités du groupe de photodiodes détectent les conditions de réception de la lumière des deux côtés d'une piste prédéterminée d'une surface miroir d'un disque optique tandis que les quatre photodétecteurs 52 à 55 au centre détectent la distance entre un trou de dépistage qui fait partie d'une surface génératrice de signaux du disque optique et un objectif. Les signaux de courant des photodétecteurs 51 à 56 sont convertis en signaux de tension par des amplificateurs 61 à 66 de conversion couranttension, respectivement. Le circuit intégré à semi-conducteurs conventionnel contient également un premier circuit de calcul 71. Le premier circuit de calcul 71 soustrait un signal de tension, disponible de l'amplificateur 66 de conversion couranttension, d'un signal de tension qui est disponible de l'amplificateur de conversion courant-tension 61. Une sortie du premier circuit de calcul 71 sert de signal de dépistage VTR. Le circuit intégré à semi-conducteurs conventionnel comporte de plus un second circuit de calcul 72 qui produit un signal d'erreur de focalisation selon les signaux de tension des amplificateurs de conversion courant-tension 62 à 65. Le second circuit de calcul 72 comporte deux circuits additionneurs 72a et 72b et un circuit de soustraction 72c. Le circuit additionneur 72a additionne les signaux de tension des amplificateurs de conversion courant-tension 62 et 66 tandis que le circuit additionneur 72b additionne les signaux de tension des amplificateurs de conversion courant-tension 63 et 65. Le circuit de soustraction 72c soustrait une sortie du circuit additionneur 72b d'une sortie du circuit additionneur 72a. Une sortie du circuit de soustraction 72c, c'est-à-dire une sortie du second circuit de calcul 72, sert de signal d'erreur de focalisation VFE. Dans le dispositif capteur optique, un signal d'erreur de dépistage VTR égal à "0" indique qu'il n'y a pas d'erreur de dépistage et un signal d'erreur de focalisation VFE égal à "0" indique qu'il n'y a pas d'erreur de focalisation. Si le signal d'erreur de dépistage VTR n'est pas "0", le circuit intégré à semiconducteurs conventionnel attaque un servomécanisme de dépistage selon la polarité et la valeur absolue du signal d'erreur de dépistage VTR de manière que le dispositif capteur optique suive précisément les pistes. De même, si le signal d'erreur de focalisation VFE n'est pas "0", un servomécanisme de focalisation est attaqué selon la polarité et la valeur absolue du signal d'erreur de focalisation VFE de façon que l'objectif et la surface génératrice de signaux du disque optique soient séparés d'une certaine distance souhaitée. Ainsi, un tel circuit intégré à semi-conducteurs doit être testé pour son fonctionnement afin de trouver s'il détecte le signal d'erreur de dépistage VTR et le signal d'erreur de focalisation VFE comme il le faut, c'est-à-dire si un signal d'erreur qui réfléchit correctement un équilibre de lumière d'entrée est produit. Tandis que le circuit intégré à semi-conducteurs est en test, la lumière à l'entrée du dispositif capteur optique doit être équilibrée d'une manière particulière souhaitée. A cette fin, le circuit intégré à semi-conducteurs conventionnel de la figure 1 comporte des bornes de test 81 à 86 qui sont disposées du côté entrée des amplificateurs de conversion courant-tension 61 à 66. Les bornes de test 81 à 86 sont utilisées pour tester si le signal d'erreur de dépistage VTR tel qu'il est précisément nécessaire, est produit dans le circuit à semi-conducteurs (ce que l'on appellera ci-après fonction de dépistage). Un test de la fonction de dépistage consiste à appliquer différents courants ou tensions aux bornes de test 81 à 86. On juge si le signal d'erreur de dépistage VTR disponible au premier circuit de calcul 71 est à une valeur qui correspond à la différence de courant ou à la différence de tension entre les bornes de test 81 et 86. Les bornes de test 82 à 85 sont utilisées pour trouver si le signal d'erreur de focalisation VFE tel qu'il est précisément nécessaire, est produit dans le circuit semi-conducteur (ce que l'on appellera ci-après fonction de focalisation). Pour tester la fonction de focalisation, au moins l'une des bornes de test 82 à 85 reçoit un courant ou une tension qui est différent de ceux appliqués aux autres bornes de test, c'est-à-dire que le courant ou la tension appliqué aux bornes de test est déséquilibré. On juge alors si le signal d'erreur de focalisation VFE du second circuit de calcul 72 est à une valeur qui correspond au déséquilibre du courant ou de la tension. La figure 2 montre une autre tentative de création d'un déséquilibre de l'entrée de lumière, c'est-à-dire un système optique 90. Le système optique 90 est séparé du circuit intégré à semi-conducteurs équipé de photodétecteurs ; en effet, le système optique 90 est utilisé à la place des bornes de test 81 à 86. Le système optique 90 comprend une source de lumière 91 telle qu'un laser semiconducteur, une lentille convergente 92 pour faire converger les faisceaux de lumière de la source de lumière 91 et un miroir de réflexion 93 pour réfléchir les faisceaux de lumière qui sont convergés par la lentille convergente 92 et diriger les faisceaux de lumière convergés vers les photodétecteurs 51 à 56. Les faisceaux de lumière provenant de la source de lumière 91 éclairent les photodétecteurs 51 à 56 sous la forme d'un spot de lumière S qui est plus petit que chacun des photodétecteurs 51 à 56. Les spots de lumière S balayent les photodétecteurs 51 à 56 en changeant un angle O entre le miroir de réflexion 93 et un axe optique du système optique 90. Quand les spots de lumière S sont balayés d'une certaine manière, un seul des photodétecteurs 51 à 56 est éclairé. Quand les spots de lumière balayent d'une manière différente, les photodétecteurs 52 à 55 sont irrégulièrement éclairés. Par conséquent, on peut tester la fonction de dépistage et la fonction de focalisation en détectant si le signal d'erreur de dépistage VTR du premier circuit de calcul 71 et le signal d'erreur de focalisation VFE du second circuit de calcul 72 ont des valeurs qui correspondent à la condition d'éclairement des photodétecteurs 51 à 56. Cependant, les test de la fonction de dépistage et de la fonction de focalisation posent les problèmes suivants. Dans la tentative montrée sur la figure 1 où les bornes de test 81 à 86 sont prévues dans le circuit intégré à semi-conducteurs pour que les tests fonctionnels puissent détecter les signaux d'erreur de dépistage et de focalisation, la grandeur de la puce et, par conséquent, la grandeur de l'ensemble du circuit intégré à semi-conducteurs augmentent du fait que l'on doit prévoir les bornes de test 81 à 86. Cela est directement contraire à la nécessité d'une réduction de grandeur du dispositif capteur optique et à son tour d'une réduction de grandeur du tourne-disque optique tel qu'un tourne-disque pour disques compacts. L'autre tentative utilisant le système optique 90 pour des tests fonctionnels, d'autre part, permet d'obtenir un plus petit dispositif capteur optique car les bornes de test sont inutiles, comme on l'a précédemment décrit. Cependant, le système optique 90 qui n'est utilisé que pour les tests fonctionnels, nécessite divers préconditionnements pour garantir un spot souhaité de lumière ou un balayage souhaité. Par conséquent, le système optique 90 est coûteux en termes d'installations et des préparations qu'il nécessite pour les tests fonctionnels. Un circuit intégré à semi-conducteurs où sont incorporés des photodétecteurs d'un premier aspect de la présente invention comprend: quatre photodétecteurs ou plus émettant des courants détectés selon leurs zones respectives de réception de la lumière; des bornes d'alimentation en courant détecté, chacune étant associée à l'un des photodétecteurs, chacune des bornes d'alimentation en courant détecté recevant un courant détecté de son photodétecteur correspondant; un certain nombre de circuits de calcul prévus en association avec deux photodétecteurs ou plus choisis sur les quatre photodétecteurs ou plus, les circuits de calcul recevant chacun autant de signaux d'entrée que les photodétecteurs correspondants et exécutant le calcul nécessaire pour les fonctions souhaitées selon les signaux d'entrée ; une borne de test pour la réception d'un signal de test; des bornes de fourniture ou d'alimentation en tension de référence, au moins l'une des bornes d'alimentation en tension de référence étant associée à chacun des circuits de calcul, les bornes d'alimentation en tension de référence étant associées à certaines des bornes d'alimentation en courant détecté qui reçoivent des courants détectés des photodétecteurs correspondants des deux photodétecteurs choisis ou plus qui sont associés aux circuits de calcul ; des moyens d'alimentation en tension de référence pour appliquer, aux bornes d'alimentation en tension de référence, une tension de référence ; des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée qui sont disposés en association avec les bornes d'alimentation en tension de référence et qui sont connectés à la borne de test, chacun des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée étant sensible à l'absence du signal de test à la borne de test pour appliquer, à son circuit correspondant de calcul, une tension détectée qui est produite par la conversion courant à tension d'un courant détecté reçu à une borne respective d'alimentation en courant détecté qui est associée à sa borne correspondante d'alimentation en tension de référence, les tensions détectées étant appliquées aux circuits de calcul en tant que signaux d'entrée;; et étant sensible au signal de test appliqué à la borne de test pour appliquer, à son circuit correspondant de calcul une tension de référence qui est reçue à sa borne correspondante d'alimentation en tension de référence, les tensions de référence étant appliquées aux circuits de calcul comme signaux d'entrée; et des seconds moyens d'alimentation en signaux d'entrée comprenant un convertisseur courantltension, le convertisseur courantltension convertissant, en tensions détectées, les courants détectés qui sont fournis aux bornes d'alimentation en courant détecté qui sont associées au photodétecteur à l'exception du photodétecteur correspondant parmi les deux photodétecteurs choisis ou plus, les seconds moyens d'alimentation en signaux d'entrée fournissant les tensions détectées en tant que signaux d'entrée aux bornes d'entrée des circuits de calcul qui sont associés au photodétecteur, à l'exception du photodétecteur, correspondant des deux photodétecteurs sélectionnés ou plus Dans un second aspect, chacun des premiers moyens d'alimentation en signaux d'entrée comprend : un convertisseur courant/tension pour convertir un courant détecté fourni à sa borne d'alimentation en courant détecté correspondante, qui est associée à un photodétecteur correspondant respectif parmi les deux photodétecteurs sélectionnés ou plus, en une tension détectée une borne d'alimentation en tension détectée pour recevoir la tension détectée du convertisseur courantltension; et un circuit de commutation, le circuit de commutation connectant la borne d'alimentation en tension détectée à son circuit correspondant de calcul quand le signal de test n'est pas appliqué à la borne de test, le circuit de commutation déconnectant la borne d'alimentation en tension détectée du circuit de calcul et connectant sa borne d'alimentation en tension de référence associée au circuit de calcul quand le signal de test est appliqué à la borne de test. De préférence, les fonctions souhaitées comprennent une fonction de dépistage et une fonction de focalisation et, par conséquent, l'application du circuit intégré à semi-conducteurs est une utilisation dans un dispositif capteur optique d'un tourne-disque optique. De préférence, les photodétecteurs pour la fonction de dépistage comprennent des photodétecteurs pour détecter la lumière réfléchie à une surface miroir du côté périphérique externe d'une piste d'un disque optique et des photodétecteurs pour détecter la lumière réfléchie à une surface miroir du côté périphérique interne de la piste. Quatre photodétecteurs sont prévus pour tester la fonction de focalisation, les quatre photodétecteurs étant disposés en échiquier de manière que leurs zones de réception de la lumière soient contiguës. On fait converger la lumière réfléchie de la surface génératrice de signaux du disque optique par une méthode d'astigmatisme de manière que les quatre photodétecteurs reçoivent la lumière convergée en une portion centrale de leurs zones de réception de lumière prises dans l'ensemble. Sous un troisième aspect, le circuit intégré à semi-conducteurs du premier aspect comprend de plus : un moyen de commande, le moyen de commande produisant un premier signal prédéterminé en réponse à l'absence du signal de test à la borne de test, le moyen de commande produisant un second signal prédéterminé en réponse au signal de test reçu à la borne de test ; des bornes d'alimentation en tension détectée correspondant aux bornes d'alimentation en tension de référence; et des circuits d'alimentation ou signaux d'entrée chacun des circuits d'alimentation en signaux d'entrée reliant sa borne d'alimentation en tension détectée correspondante et sa borne d'alimentation en tension de référence correspondante à la même borne d'entrée de son circuit de calcul associé. Chacun des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée comprend un convertisseur courant/tension équipé d'un circuit de commutation, le convertisseur courant/tension, en réponse uniquement au premier signal prédéterminé, convertissant un courant détecté, qui est fourni à sa borne d'alimentation en courant détecté associée qui est connectée à un photodétecteur correspondant respectif des deux photodétecteurs sélectionnés ou plus, en une tension détectée ; chacun des moyens d'alimentation en tension de référence comprend un circuit de commutation, le circuit de commutation appliquant, à sa borne correspondante d'alimentation en tension de référence, la tension de référence uniquement en réponse au second signal prédéterminé. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du troisième aspect, les fonctions souhaitées comprennent une fonction de dépistage et une fonction de focalisation et, par conséquent, l'application des circuits intégrés à semiconducteurs est une utilisation dans un dispositif capteur optique d'un tournedisque optique. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du troisième aspect, les photodétecteurs pour la fonction de dépistage comprennent des photodétecteurs pour détecter la lumière réfléchie sur une surface miroir du côté périphérique externe d'une piste d'un disque optique et des photodétecteurs pour détecter la lumière réfléchie sur une surface miroir sur le côté périphérique interne de la piste. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du troisième aspect, on prévoit de préférence quatre photodétecteurs pour tester la fonction de focalisation, les quatre photodétecteurs étant disposés en échiquier de manière que leurs zones de réception de la lumière soient contiguës, et on fait converger la lumière réfléchie par la surface génératrice de signaux du disque optique par une méthode d'astigmatisme de manière que les quatre photodétecteurs reçoivent la lumière convergée en une portion centrale de leurs zones de réception de la lumière prises dans l'ensemble. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du troisième aspect, les circuits de commutation des premiers moyens d'alimentation en signaux d'entrée et les circuits de commutation des moyens d'alimentation en tension de référence sont des circuits à transistors et les premier et second signaux prédéterminés sont des tensions de polarisation. Ainsi, dans le circuit intégré à semi-conducteurs du premier aspect, chacun des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée convertit un courant détecté qui lui est appliqué par le photodétecteur associé, via la borne d'alimentation en courant détecté associé, en une tension détectée quand le signal de test n'est pas appliquée à la borne de test. Les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée fournissent alors les tensions détectées ainsi produites aux circuits respectifs de calcul en tant que signaux d'entrée. Les circuits de calcul traitent alors les signaux d'entrée qui leurs sont appliqués par les premier et second moyens de fourniture de signaux d'entrée afin de tester les fonctions souhaitées.Dans le cas opposé où le signal de test est appliqué à la borne de test, chacun des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée fournit la tension de référence reçue à sa borne de fourniture de tension de référence, au circuit associé de calcul, en tant que signal d'entrée. En effet, chaque circuit de calcul reçoit la tension de référence via au moins l'une de ses bornes d'entrée et les tensions détectées aux deux autres bornes d'entrée ou plus. La tension de référence et la tension détectée sont en relation de déséquilibre en termes de valeur. Chacun des circuits de calcul donne un résultat de calcul qui correspond au déséquilibre entre la tension de référence et la tension détectée si les fonctions souhaitées des circuits de calcul ne sont pas défectueuses. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du second aspect, les courants détectés à tous les photodétecteurs sont convertis en tensions détectées par le convertisseur courant/tension des premier et second moyens de fourniture de signaux d'entrée. Lorsqu'aucun signal de test n'est reçu à la borne de test, les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée relient les bornes d'alimentation en tension détectée aux bornes d'entrée des circuits de calcul et déconnectent les bornes d'alimentation en tension de référence des bornes d'entrée des circuits de calcul. Cette connexion et cette déconnexion sont accomplies par des actions de commutation du circuit de commutation des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée. Par conséquent, chaque tension détectée qui correspond à chaque photodétecteur est fournie au circuit associé de calcul en vue d'un test souhaité de fonction.D'autre part, quand le signal de test est appliqué à la borne de test, les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée déconnectent les bornes de fourniture de tension détectées des bornes d'entrée des circuits de calcul et relient les bornes de fourniture de tension de référence aux bornes d'entrée des circuits de calcul. Cette connexion et cette déconnexion sont également accomplies par des actions de commutation du circuit de commutation des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée. Par conséquent, chaque circuit de calcul reçoit la tension de référence via au moins l'une de ses bornes d'entrée et les tensions détectées à l'autre borne d'entrée. Dans le circuit intégré à semi-conducteurs du troisième aspect, les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée convertissent les courants détectés en tensions détectées et appliquent les tensions détectées aux circuits respectifs de calcul, uniquement en réponse à l'absence du signal de test à la borne de test. Par conséquent, chaque tension détectée qui correspond à chaque photodétecteur est fournie au circuit associé de calcul en vue d'un test fonctionnel souhaité. Dans le cas opposé où le signal de test est appliqué à la borne de test, les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée appliquent les tensions de référence aux bornes d'entrée des circuits respectifs de calcul. En effet, chaque circuit de calcul reçoit la tension de référence via au moins l'une de ses bornes d'entrée et la tension détectée via ses bornes restantes d'entrée. Comme on l'a décrit ci-dessus, selon les premier à troisième aspects de l'invention, les tests fonctionnels sont accomplis en jugeant si chaque circuit de calcul a produit une sortie qui réfléchit précisément un déséquilibre entre une tension détectée et une tension de référence qui sont reçues par le circuit de calcul. Cela permet de ne prévoir qu'une seule borne de test dans le circuit intégré à semi-conducteurs, ce qui retient au mieux l'extension de l'espace nécessaire dans le circuit intégré à semi-conducteurs pour inclure une borne de test et par conséquent mène à une réduction de grandeur d'un appareil qui emploie le circuit intégré à semi-conducteurs équipé de photodétecteurs. De plus, la réduction très efficace de l'espace pour la borne de test comme on l'a indiqué ci-dessus n'est accompagnée ni d'un appareil coûteux de test ni d'une méthode complexe de test. Ainsi, le circuit intégré à semiconducteurs où sont incorporés les photodétecteurs selon la présente invention est avantageux non seulement en termes de la grandeur du dispositif mais également des frais généraux des tests. En conséquence, la présente invention a pour objet d'obtenir un circuit intégré à semi-conducteurs équipé de photodétecteurs, qui nécessite un moindre prix pour des tests fonctionnels et qui est d'une grandeur réduite. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: : - la figure 1 donne un schéma bloc d'un circuit intégré à semiconducteurs conventionnel équipé de photo détecteurs; - la figure 2 est un schéma expliquant un appareil conventionnel de test pour un test fonctionnel; - la figure 3 donne un schéma bloc d'un circuit intégré à semiconducteurs équipé de photodétecteurs selon un premier mode de réalisation préféré de la présente invention - les figures 4A, B et C sont un schéma expliquant la fonction de dépistage; - les figures 5A, B et C sont un schéma expliquant la fonction de focalisation; - la figure 6 est un schéma de circuit montrant un mode de réalisation préféré d'un circuit de commutation;; - la figure 7 donne un schéma bloc d'un circuit intégré à semiconducteurs équipé de photodétecteurs selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention - la figure 8 est un schéma du moyen de fourniture de signaux d'entrée qui est prévu pour un circuit de calcul; et - la figure 9 montre un exemple d'une structure de circuit de commande de polarisation. La figure 3 montre un circuit intégré à semi-conducteurs où sont incorporés des photodétecteurs selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. Le circuit est utilisé dans un dispositif capteur optique d'un tourne-disque optique tel qu'un tourne-disque pour disques compacts. Le circuit intégré à semi-conducteurs comprend un groupe de photodiodes. Le groupe de photodiodes est divisé en six parties, et les parties respectives du groupe de photodiodes servent de parties recevant la lumière des photodétecteurs 1A à 1F. Le circuit intégré à semi-conducteurs comprend également des convertisseurs courant/tension 2A à 2F, des bornes d'alimentation en tension de référence 3B et 3D à 3F, une borne de test 4, des circuits de commutation 5B et 5D à SF, un circuit de calcul d'erreur de dépistage 6 et un circuit de calcul d'erreur de focalisation 7. Chacun des photodétecteurs 1A à 1F peut fonctionner pour émettre un courant détecté. Un courant détecté de chaque photodétecteur correspond à sa surface respective de réception de la lumière. Les photodétecteurs 1A et 1B détectent la lumière qui est réfléchie à une zone sans trou de la surface miroir de la surface génératrice de signaux d'un disque optique en détection par le capteur. Plus précisément, les photodétecteurs 1A et 1B reçoivent et détectent les faisceaux A et B et éclairant la surface génératrice de signaux du disque optique, respectivement, comme le montrent les figures 4A à 4C. Pour la facilité de l'illustration, une piste T est représentée comme s'étendant tout droit sur les figures 4A à 4C. Quand le centre d'un faisceau principal C, qui détecte un trou P sur la piste T, coincide avec le centre de la piste T comme le montre la figure 4A, les faisceaux A et B éclairent également une surface miroir M sur les deux côtés de la piste T (portion ombrée). Tandis que le centre du faisceau principal C s'écarte du centre de la piste T, l'un des faisceaux A et B éclaire une portion plus grande en conséquence, de la surface miroir M à proximité de la piste T par rapport à l'autre des faisceaux A et B. La figure 4B montre le cas où le centre du faisceau principal C est décalé du centre de la piste T vers le côté supérieur du dessin. Dans ce cas, la surface miroir M est éclairée sur une plus grande zone par le faisceau A et une plus petite zone par le faisceau B. La figure 4C montre un cas opposé, où le centre du faisceau principal C s'écarte vers le côté inférieur du dessin, forçant le faisceau B à éclairer une plus grande zone et le faisceau A à éclairer une plus petite zone de la surface miroir M. Le photodétecteur 1A reçoit un faisceau de lumière réfléchie qui est produit par l'éclairement de la surface miroir M par le faisceau A et émet un courant détecté qui correspond à la zone éclairée du faisceau A. De même, le photodétecteur 1B reçoit une lumière réfléchie qui est produite par l'éclairement de la surface miroir M au moyen du faisceau B et émet un courant détecté qui correspond à l'aire éclairée du faisceau B. Les photodétecteurs 1C à 1F détectent la distance entre l'objectif et la surface génératrice de signaux du disque optique de façon que le faisceau principal C éclaire d'une distance appropriée. Le circuit intégré à semiconducteurs du premier mode de réalisation préféré est approprié à l'utilisation de l'astigmatisme pour détecter la distance entre l'objectif et la surface génératrice de signaux. Par conséquent, les parties des photodétecteurs 1C à 1F qui reçoivent la lumière sont égales à un quart d'un groupe de photodiodes de forme carrée divisé en quatre petits carrés. La détection de la distance entre l'objectif et la surface génératrice de signaux en utilisant l'astigmatisme est bien connue et par conséquent ne sera pas décrite en détail. Si la distance entre l'objectif et la surface génératrice de signaux est la distance souhaitée, un faisceau lumineux réfléchi sur la surface génétrice de signaux est imagé sur les photodétecteurs 1C à 1F sous la forme d'un spot en cercle complètement rond SP, dont le centre coïncide avec une intersection des séparations entre les photodétecteurs 1C à 1F (figure 5B). Si l'objectif est plus près de la surface génératrice de signaux qu'il ne devrait l'être, le spot SP sur les photodétecteurs 1C à 1F devient oblong longitudinalement (figure SA). D'autre part, si l'objectif est plus loin de la surface génératrice de signaux qu'il ne le devrait, le spot SP sur les photodétecteurs 1C à 1F devient oblong latéralement (figure 5C). Le spot SP devient de plus en plus long d'un côté à l'autre avec l'augmentation de la distance entre l'objectif et le disque optique. En d'autres termes, quand l'objectif et la surface génératrice de signaux du disque optique sont à une distance appropriée, les photodétecteurs 1C à 1F reçoivent les mêmes quantités de lumière d'une intensité uniforme que ce qui est montré à la figure 5B et émettent des courants détectés de la même valeur. Comme on peut le comprendre sur la figure SA, si l'objectif est plus près de la surface génératrice de signaux qu'il ne devrait l'être, les photodétecteurs 1C et 1D reçoivent plus de lumière que les photodétecteurs 1E et 1F, les courants détectés des photodétecteurs 1C et 1D devenant ainsi plus grands que ceux des photodétecteurs 1E et 1F. Si l'objectif est plus loin de la surface génératrice de signaux que cela ne devrait être, comme le montre la figure 5C, les photodétecteurs 1E et 1F reçoivent plus de lumière que les photodétecteurs 1C et 1D, forçant les courants détectés des photodétecteurs 1E et 1F à augmenter plus que ceux provenant des photodétecteurs 1C et 1D. Les circuits de conversion courant/tension 2A à 2F convertissent les courants détectés des photodétecteurs 1A à 1F en tension. Les tensions converties sont alors émises vers les bornes d'alimentation en tension détectée 2Aa à 2Fa en tant que tensions détectées par les photodétecteurs 1A à 1F, respectivement. Les bornes de fourniture de tension référence 3B et 3D à 3F fonctionnent en association avec les bornes d'alimentation en tension détectée 2Ba et 2Da à 2Fa, respectivement. Les bornes d'alimentation en tension de référence 3B et 3D à 3F sont à la masse. La borne de test 4 est maintenue à un niveau logique bas dans le fonctionnement régulier du circuit et elle reçoit un signal logique haut dans les tests de la fonction de dépistage et de la fonction de focalisation. Le circuit de commutation 5B sélectionne l'une de la borne de fourniture de tension détectée 2Ba et de la borne de fourniture de tension de référence 3B, qui sont des bornes associées du photodétecteur 1B pour connexion à une borne d'entrée du circuit 6 de calcul de l'erreur de dépistage. Dans son fonctionnement régulier, le commutateur 5B relie la borne de fourniture de tension détectée 2Ba à la borne d'entrée du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage. Lorsqu'il est attaqué par un signal de test appliqué à la borne de test 4, le commutateur 5B déconnecte la borne 2Ba de fourniture de tension détectée de la borne d'entrée du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage et choisit, pour la connexion, la borne 3B de fourniture de tension de référence. Par exemple, le commutateur 5B est formé de deux portes de transmission TG1 et TG2 qui sont combinées l'une avec l'autre (figure 6). Sur la figure 6, une borne d'entrée de la porte de transmission TG1 est connectée à la borne de fourniture de tension détectée 2Ba et une borne d'entrée de la porte de transmission TG2 est connectée à la borne de fourniture de tension de référence 3B. Les bornes de sortie des portes de transmission TG1 et TG2 sont connectées à une borne de connexion SO pour une connexion au circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation. La ligne d'entrée gl par laquelle un signal de commande est appliqué à la première porte de transmission TG1 est connectée via un inverseur IV à une ligne d'entrée g2 par laquelle le signal de commande est fourni à la seconde porte de transmission TG2. La ligne d'entrée g2 est également connectée à la borne de test 4. La porte de transmission TG2 se met hors circuit et la porte de transmission TG1 se met en circuit en réponse au signal logique bas reçu à la borne de test 4 et ainsi une tension détectée appliquée à la borne de fourniture de tension détectée 2Ba est disponible à la borne de sortie SO. D'autre part, le signal logique haut appliqué à la borne de test 4 met la porte de transmission TG2 en circuit et la porte de transmission TG1 hors circuit. Dans ce cas, le potentiel de la masse qui est imprimé sur la borne 3B de fourniture de tension de référence est disponible à la borne de sortie SO. Les commutateurs 5D à 5F sélectionnent les bornes de fourniture de tension détectée 2Da à 2Fa ou les bornes de fourniture de tension de référence 3D à 3F, qui sont associées aux photodétecteurs 1D à 1F, pour une connexion à une borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation, respectivement. Chaque commutateur relie sa borne de fourniture de tension détectée correspondante à la borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation dans son fonctionnement régulier. Quand la borne de test 4 est au niveau logique haut, les commutateurs 5D à 5F coupent la fourniture de tension des bornes respectives de fourniture de tension détectée vers le circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation et connectent les bornes de fourniture de tension de référence 3D à 3F à la borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation, respectivement. Chacun des commutateurs 5D à 5F peut avoir exactement la même structure que le commutateur 5B de la figure 6, auquel cas il fonctionne de la même manière que le commutateur 5B comme on l'a décrit relativement à la figure 6. Donc, on ne répétera pas ici une description similaire. Le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage comprend deux bornes d'entrée, l'une pour recevoir un signal d'entrée SA et l'autre pour recevoir un signal d'entrée Sg. Le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage produit un signal STR d'erreur de dépistage. Le signal d'erreur de dépistage STR est proportionnel à la différence entre les signaux d'entrée SA et Sg comme ci-dessous: STR G1 (SA - SB) ...(1) où G1 est toute constante souhaitée. Le signal d'erreur de dépistage STR est alors émis à une borne de sortie QTR du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage. Dans le premier mode de réalisation, un courant détecté produit au photodétecteur 1A est converti par le circuit de conversion courant/tension 2A afin d'obtenir une tension détectée VA et la tension détectée VA est utilisée comme signal d'entrée SA. Un courant détecté produit au photodétecteur 1B est converti par le circuit 2B de conversion courant/tension afin d'obtenir une tension détectée VB et cette tension détectée VB est utilisée comme signal d'entrée Sg.Une tension de référence Vo qui est le potentiel de la masse fourni à la borne 3B de fourniture de tension de référence est alternativement utilisée en tant que signal d'entrée SB. Comme on peut clairement le comprendre de ce qui précède, le signal d'entrée SB est commuté de la tension détectée VB à la tension de référence VO ou inversement, par l'action de commutation du commutateur 5B. Le circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation comprend quatre bornes d'entrée, des circuits additionneurs 71 et 72 et un circuit de soustraction 73. Le circuit additionneur 71 additionne un signal d'entrée Sc appliqué à une première borne d'entrée et un signal d'entrée SD appliqué à une seconde borne d'entrée. Le circuit additionneur 72 additionne un signal d'entrée SE appliqué à une troisième borne d'entrée et un signal d'entrée SF appliqué à une quatrième borne d'entrée. Le circuit de soustraction 73 soustrait une sortie du circuit additionneur 72 d'une sortie du circuit additionneur 71 et il calcule une valeur de signal qui est proportionnelle à la différence entre les deux sorties des deux circuits additionneurs.Une sortie du circuit de soustraction 73 est émise à une borne de sortie QFE en tant que sortie du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation, c'est-à-dire en tant que signal SFE d'erreur de focalisation. Ainsi, on peut obtenir le signal d'erreur de focalisation SFE comme suit: SFE = G2 {(SC + SD) - (SE + SF)} ...(2) où G2 est toute constante souhaitée. Dans le premier mode de réalisation préféré, un courant détecté produit au photodétecteur 1C est converti, dans le circuit 2C de conversion courant/tension, afin d'obtenir une tension détectée Vc et la tension détectée Vc est utilisée en tant que signal d'entrée Sc. Les courants détectés produits aux photodétecteurs 1D, 1E et 1F sont convertis dans les circuits de conversion courant/tension 2D, 2E et 2F afin d'obtenir des tensions détectées VD, VE et VF que l'on utilise en tant que signaux d'entrée SD, SE et SF, respectivement. La tension de référence Vo qui est le potentiel de la masse fourni aux bornes de fourniture de tension de référence 3D, 3E et 3F est autrement utilisée en tant que signaux d'entrée SD, SE et SF. Les signaux d'entrée SD, SE et SF sont commutés des tensions détectées VD, VE et VF à la tension de référence VO inversement par les actions de commutation des commutateurs 5D, 5E et 5F. Quand le circuit intégré à semi-conducteurs où sont incorporés les photodétecteurs est en fonctionnement régulier, c'est-à-dire quand la borne de test 4 est maintenue au niveau logique bas, la borne de fourniture de tension détectée 2Ba est connectée à la borne d'entrée du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage par le commutateur 5B et les bornes de fourniture de tension détectée 2Da, 2Ea et 2Fa sont connectées à la borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation par les commutateurs 5D, SE et 5F, respectivement. Par conséquent, le signal STR d'erreur de dépistage est dérivé des courants détectés disponibles aux photocommutateurs 1A et 1B selon l'équation 1 et émis par le circuit intégré à semi-conducteurs.En même temps, le circuit intégré à semiconducteurs produit le signal SFE d'erreur de focalisation à partir des courants détectés disponibles aux photocommutateurs 1C à 1F selon l'équation 2 et l'émet. Comme le montre clairement l'équation 1, le signal STR d'erreur de dépistage est "0" quand le signal d'entrée SA, qui est obtenu par la conversion courant à tension du courant détecté par le photo commutateur 1A, est égal au signal d'entrée Sg que l'on obtient par conversion courant à tension du courant détecté par le photocommutateur 1B. En d'autres termes, quand la surface miroir M est éclairée du côté du diamètre interne de la piste T par le faisceau A autant qu'elle est éclairée du côté de son diamètre externe par le faisceau B comme le montre la figure 4A, le signal STR d'erreur de dépistage devient "0" quelles que soient les intensités des faisceaux lumineux réfléchis reçus par les photodétecteurs 1A et 1B. Si les zones de la surface miroir M, éclairées par les faisceaux A et B, ne sont pas égales l'une à l'autre comme le montrent les figures 4B et 4C, c'est-à-dire quand le centre du faisceau principal C est décentré par rapport au centre de la piste T, le signal d'erreur de dépistage STR est produit qui réfléchit la direction et la quantité d'écart du centre du faisceau principal C par rapport à celui de la piste T. D'autre part, comme on peut clairement le comprendre par l'équation 2, le signal SFE d'erreur de focalisation est "0" quand la somme des signaux d'entrée Sc et SD qui sont les courants détectés par les photodétecteurs 1C et 1D tels que convertis de courant à tension, est égale à la somme des signaux d'entrée SE et SF, qui sont les courants détectés par les photocommutateurs 1E et 1F tels que convertis de courant à tension. En effet, le signal d'erreur de focalisation SFE de "0" est atteint quand le faisceau lumineux réfléchi par la surface génératrice de signaux du disque optique est imagé sur les photodétecteurs 1C à 1F sous la forme d'un spot SP en cercle totalement rond dont le centre coïncide avec l'intersection des séparations entre les photodétecteurs 1C à 1F (figure 5B).Quand le spot SP est longitudinalement oblong (figure SA), le signal SFE d'erreur de focalisation est plus important que zéro et sa valeur absolue représente l'écart de position de l'objectif vis-à-vis du disque optique. Quand le spot SP est oblong latéralement (figure 5C), le signal d'erreur de focalisation SFE est plus petit que zéro et sa valeur absolue représente l'écart de position de l'objectif au loin du disque optique. Ainsi, le circuit intégré à semi-conducteurs équipé de photodétecteurs de la figure 3 émet un signal STR qui correspond à une erreur de dépistage et un signal SFE qui correspond à une erreur de focalisation quand la borne de test 4 est au niveau logique bas. Un signal de test au niveau logique haut, fourni à la borne de test 4, demande l'action de commutation du commutateur 5B. En effet, le commutateur 5B déconnecte la borne de fourniture de tension détectée 2Ba de la borne d'entrée du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage et choisit la borne de fourniture de tension de référence 3B pour connexion au circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage. Cela permet de satisfaire Sg=0 dans l'équation 1 et par conséquent, un signal de fonction de dépistage STRT G1~SA est émis à la borne de sortie QTR du circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage. Le signal STRT ne dépend que du signal d'entrée SA ou bien de la tension détectée par le photodétecteur 1A si le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage n'est pas hors de son fonctionnement normal. Par conséquent, il est possible de tester la fonction de dépistage en trouvant si le signal STRT de fonction de dépistage change selon l'intensité d'un faisceau laser éclairé. Le signal de test logique haut fourni à la borne de test 4 demande également les actions de commutation des commutateurs 5D à 5F. Ainsi, les commutateurs SD à SF déconnectent les bornes de fourniture de tension détectée 5Da à 5Fa de la borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation et connectent les bornes 3D à 3F de fourniture de tension de référence à la borne d'entrée du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation. Ces actions de commutation font que SD=SE=SF=0 est satisfaite à l'équation 2, ce qui à son tour a pour résultat un signal de fonction de focalisation SFET = G2 5C qui est émis à la borne de sortie OFE du circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation. Le signal SFET de fonction de focalisation ne dépend que du signal d'entrée SC ou de la tension détectée par le photodétecteur 1C si le circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation n'est pas hors de son fonctionnement normal. Par conséquent, il est possible de tester la fonction de focalisation en trouvant si le signal SFET de fonction de focalisation change selon l'intensité d'un faisceau laser éclairé. Ainsi, le circuit intégré à semi-conducteurs de la figure 3 permet d'effectuer des tests fonctionnels faciles des fonctions de dépistage et de focalisation. Il est simplement nécessaire, pour les tests fonctionnels, de fournir un signal de test au niveau logique haut à la borne de test 4. La figure 7 montre un circuit intégré à semi-conducteurs où sont incorporés des photodétecteurs selon un second mode de réalisation préféré de la présente invention. Les éléments constituant le circuit intégré à semiconducteurs de la figure 7 comprennent : des photodétecteurs 1A à IF ; des circuits de conversion courant/tension 2A et 2C ; des circuits de conversion courant/tension 12BA et 12DA à 12FA pour les signaux détectés; des circuits de conversion courantltension 12BB et 12DB à 12FB pour les signaux convertis; des circuits de sortie de signaux convertis 12BC et 12DC à l2FC des bornes de fourniture de tension de référence 3B et 3D à 3F ; une borne de test 4; des circuits de commande de polarisation 15B et lSD à 15F ; un circuit de calcul d'erreur de dépistage 6 et un circuit de calcul d'erreur de focalisation 7. Dans le second mode de réalisation préféré, la borne de test 4 reste à son niveau logique haut pendant le fonctionnement régulier et elle est commutée à son niveau logique bas par un signal de test au niveau logique bas en vue d'un test fonctionnel. Parmi les éléments ci-dessus, ceux qui suivent sont les mêmes que les éléments correspondants du circuit intégré à semi-conducteurs de la figure 3 et par conséquent, ils ne seront pas expliqués en détail ici : les photodétecteurs 1A à 1F; les circuits de conversion courant/tension 2A et 2C ; les bornes de fourniture de tension de référence 3B et 3D à 3F ; le circuit de calcul d'erreur de dépistage 6 et le circuit de calcul d'erreur de focalisation 7. Les circuits 12BA, 12BB et 12BC de la figure 8, qui sont prévus en association avec le photodétecteur 1B montrent des exemples de structures de circuits correspondants ; le circuit 12BA est un exemple des circuits de conversion courant/tension des signaux détectés (12BA et 12DA à 12FA); le circuit 12BB est un exemple des circuits de conversion courant/tension des signaux convertis (12BB et 12DB à l2FB);; et le circuit 12BC est un exemple des circuits de sortie de signaux convertis (12BC et 12DC à 12FC). Les circuits 12BA, 12BB et 12BC forment un circuit de fourniture de signaux d'entrée pour le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage. Le circuit de conversion courant/tension 12BA reçoit un courant détecté du photodétecteur 1B à une borne d'entrée qui est connectée à une borne 12Bb d'entrée du courant détecté. Le circuit de conversion courant/tension 12BA convertit le courant détecté reçu à la borne d'entrée de courant détecté 12Bb uniquement quand une borne de fourniture de polarisation 12Bc reçoit une tension de polarisation. La tension convertie résultante est émise à une borne 12Ba de fourniture de tension détectée. Une borne d'entrée du circuit de conversion courant/tension 12BB est connectée à une borne de fourniture de courant de référence 12Be qui est connectée à une résistance R10 à la masse. Seule une tension de polarisation imprimée sur la borne 12Bf de fourniture de courant de référence peut attaquer le circuit de conversion courant/tension 12BB pour convertir un courant de référence reçu à la borne 12Be de fourniture de courant de référence en une tension de référence qui est émise à la borne de fourniture de courant de référence 12Be. Le circuit de conversion courant/tension 12BA comprend des transistors Q1 et Q2 du type NPN qui forment un étage d'entrée différentielle tandis que le circuit de conversion courant/tension 12BB comporte des transistors Q3 et Q4 du type NPN qui forment également un étage d'entrée différentielle. Le collecteur du transistor Q1 du type NPN du circuit 12BA est connecté au collecteur du transistor Q3 du type NPN du circuit 12BB. De même, le collecteur du transistor Q2 du type NPN du circuit 12BA est connecté au collecteur Q4 du type NPN du circuit 12BB. La base du transistor Q1 du type NPN a une borne connectée à la borne 12Bb d'entrée de courant détecté et une autre borne connectée à une résistance R1 qui est connectée à la borne 12Ba de fourniture de tension détectée du circuit 12BA. La base du transistor Q2 du type NPN est connectée à une résistance R2 dont une borne est à la masse.La base du transistor Q3 du type NPN est connectée à une résistance R3 dont une borne est connectée à la borne 3B de fourniture de tension de référence. La base du transistor Q4 du type NPN est connectée à la borne 12Be de fourniture de courant de référence. Les émetteurs des transistors Q1 et Q2 sont connectés au collecteur d'un transistor Q5 du type NPN. Les émetteurs des transistors Q3 et Q4 sont connectés au collecteur d'un transistor Q6 du type NPN. Les bases des transistors Q5 et Q6 du type NPN sont connectées aux bornes de fourniture de polarisation 12Bc et 12Bf, respectivement. Les émetteurs des transistors Q3 et Q6 du type NPN sont connectés à une source de courant moins Vee par des résistances R5 et R6, respectivement. Les collecteurs des transistors Q1 et Q3 du type NPN sont connectés au collecteur d'un transistor Q7 du type PNP dont l'émetteur est connecté à une source de courant plus Vcc. D'une manière similaire, les collecteurs des transistors Q2 et Q3 du type NPN sont connectés au collecteur d'un transistor Q8 du type PNP dont l'émetteur est connecté à la source de courant plus Vcc. Les bases des transistors QS et Q6 du type NPN sont connectées l'une à l'autre. La base et le collecteur du transistor Q7 du type PNP sont mis en court-circuit tandis que la base et le collecteur du transistor Q8 du type PNP sont connectés l'un à l'autre via un condensateur Cl. Le circuit de commutation 15B applique la tension de polarisation à l'une des bornes de fourniture de polarisation 12Bc et 12Bf. Par suite, l'un des circuits 12BA et 12BB est actionné en réponse à la polarisation de sa borne correspondante. Par conséquent, une tension détectée est disponible à la borne 12Ba de fourniture de tension détectée quand la tension de polarisation est appliquée à la borne de fourniture de polarisation 12Bc, tandis que la tension de référence, c'est-à-dire le potentiel de la masse, est disponible à la borne de fourniture de tension de référence 3B quand la tension de polarisation est appliquée à la borne 12Bf. Le circuit 12BC de sortie de signaux convertis comprend un transistor 9 du type NPN et une source de courant constant CI. Le transistor 9 a son émetteur connecté à la source de courant plus Vcc et sa base est connectée aux transistors Q1 et Q3 du type NPN. La source de courant constant CI est connectée entre l'émetteur du transistor Q9 du type NPN et la source de courant moins Vee.L'émetteur du transistor Q9 est également connecté à la borne de fourniture de tension détectée 12Ba, à la borne de fourniture de tension de référence 3B et à une borne de sortie 12Bg. Quand la tension détectée est disponible à la borne de fourniture de tension détectée 12Ba, la tension détectée est émise à la borne de sortie 12Bg. D'autre part, la tension de référence est disponible à la borne de sortie 12Bg quand la tension de référence est appliquée à la borne 3B de fourniture de tension de référence. Les structures des circuits 12BA, 12BB et 12BC ci-dessus peuvent être adoptées pour les circuits de conversion courant/tension des courants détectés 12DA à 12FA, les circuits de conversion courant/tension des courants de référence 12DB à 12FB et les circuits de sortie de signaux convertis 12DC à 12FC. Sur la figure 7, ce qui correspond à la borne de fourniture de tension détectée 12Ba est formé des bornes 12Da, 12Ea et 12Fa, ce qui correspond à la borne de fourniture de courant détecté 12Bb est formé des bornes 12Db, 12Eb et 12Fb, ce qui correspond à la borne de fourniture de courant détecté 12Be est formée des bornes 12De, 12Ee et 12Fe, et ce qui correspond à la borne de fourniture de tension de référence 3B est formée des bornes 3D, 3E et 3F. Les circuits de commande de polarisation 15B et 15D à 15F jouent les rôles des circuits de commutation 5B et 5D à SF du circuit intégré à semiconducteurs de la figure 3, respectivement. En effet, les circuits de commande de polarisation 15B et lSD à 15F choisissent un signal à appliquer au circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage et au circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation en réponse à un signal de test fourni à la borne de test 4. Un exemple d'une structure de chaque circuit de commande de polarisation est montré à la figure 9 par le circuit 15B. Le circuit 15B fournit la tension de polarisation à la borne 12Bc de fourniture de polarisation qui est prévue pour le circuit de conversion courant/tension 12BA, ou autrement à la borne de fourniture de polarisation 12Bf qui est prévue pour le circuit de conversion courant/tension 12BB, en réponse à un signal de test fourni à la borne de test 4. Le circuit de commande de polarisation 1 SB se compose d'un inverseur ISBa qui est connecté à la borne de test 4 et d'un autre inverseur 15Bb qui est connecté à l'inverseur lSBa. Une borne de sortie de l'inverseur l5Ba est connectée à la base d'un transistor Qîl du type NPN tandis qu'une borne de sortie de l'inverseur Bb est connectée à la base d'un transistor Q12 du type NPN. Le collecteur du transistor Qll du type NPN est connecté à la base d'un transistor Q13 du type NPN et au collecteur d'un transistor Q14 du type NPN. Le collecteur du transistor Q12 est connecté à la base d'un transistor Q15 du type NPN et au collecteur d'un transistor Q16 du type NPN. Les collecteurs des transistors Q13 et Q15 du type NPN sont connectés à la source de courant plus Vcc. Les bases des transistors Q13 et Q15 sont également connectées à la source de courant plus Vcc mais par des résistances Rl l et R12, respectivement. Les émetteurs des transistors Q13 et Q15 sont connectés aux bases des transistors Q14 et Q16 du type NPN, respectivement. Des condensateurs Cl 1 ET C12 sont connectés entre la base du transistor Q13 et l'émetteur du transistor Q1S, c'est-àdire entre la base du transistor Q14 et le collecteur du transistor Q16.L'émetteur du transistor Q13 et la base du transistor Q14 sont connectés à la borne de fourniture de polarisation 12Bf. L'émetteur du transistor Q15 et la base du transistor Q16 sont connectés à la borne de fourniture de polarisation 12Bc. Les émetteurs des transistors Q14 et Q16 sont connectés à la source de courant moins Vee par des résistances R13 et R14, respectivement. Dans le circuit de commande de polarisation 15B décrit ci-dessus, le transistor Qll du type NPN devient non passant et le transistor Q12 du type NPN devient passant en réponse à un signal logique haut reçu à la borne de test 4. La mise en circuit du transistor Q11 du type NPN est suivie de la mise en circuit du transistor Q13 du type NPN, ce qui à son tour a pour effet la conduction du transistor Q14 du type NPN.Par suite, une tension de polarisation qui correspond à un courant I13 s'écoulant dans la résistance R13 est développée à la borne de polarisation 12Bf. Cela amorce un courant I6 dans la résistance R13 du circuit de conversion courant/tension 12BB car le transistor Q14 et la résistance R6 du circuit de conversion courant/tension 12BB forment un circuit miroir de courant. Le courant I6 peut s'exprimer par 16=(R13/R16)~I13. D'autre part, si le transistor Q12 du type NPN est effectif, le transistor Q15 et, par conséquent, le transistor Q16 deviennent non passants ou bien se trouvent inhibés.Dans ce cas, la borne de polarisation 12Bc devient aussi basse que le potentiel à la fourniture de courant moins Vee, avec pour conséquence que la tension de polarisation n'est pas développée à la borne de polarisation 12bic. Quand le circuit de commande de polarisation 15B peut fonctionner pour les tests fonctionnels en réponse au signal logique bas reçu à la borne de test 4, le transistor Qll du type NPN devient passant et le transistor Q12 du type NPN devient non passant. La conduction du transistor Qll inhibe les transistors Q13 et Q14 ne développant ainsi pas de tension de polarisation de la borne de polarisation 12Bf. Avec le transistor Q12 mis hors circuit, les transistors Q15 et Q16 du type NPN deviennent passants.Par suite, une tension de polarisation qui correspond à un courant I14 s'écoulant dans la résistance R14 est développée à la borne de polarisation 12Bc amorçant un courant 15 à la résistance RS du circuit de conversion courant/tension 12BA. Le courant 15 peut s'exprimer par: IS=(R14/RS) 114. La structure du circuit de commande de polarisation 15B peut être directement utilisée pour les autres circuits de commande de polarisation 15D à 15F. Sur la figure 7, les éléments correspondants des circuits 15D à 15F ne sont pas dessinés à l'exception des bornes de polarisation 12Dc et 12Df, 12Ec et 12Ef, 12 Fc et 12Ef qui sont équivalentes aux bornes de polarisation 12Bc et 12Bf. Comme on l'a décrit ci-dessus, quand le circuit intégré à semiconducteurs de la figure 7 est en fonctionnement régulier, c'est-à-dire quand le signal au niveau logique haut est reçu à la borne de test 4, une tension de polarisation est développée aux bornes 12Bc, 12Dc, 12Ec et 12Fc mais aucune tension de polarisation n'est développée aux bornes 12Bf, 12Df, 12Ef et 12Ff. Cela met les circuits de conversion courant/tension 12BA et 12DA à 12FA en conduction et rend les circuits de conversion courant/tension 12BB et 12DB à 12FB non conducteurs, appliquant ainsi à toutes les bornes de fourniture de tension détectée 12Aa à 12Fa des tensions détectées qui sont obtenues par conversion des courants détectés par les photodétecteurs 1A à 1F. Ainsi, le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage émet, à sa borne de sortie QTR, le signal STR dont la valeur correspond à une erreur de dépistage qui est trouvée à partir des courants détectés par les photodétecteurs 1A et 1B.De même, le circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation émet, à sa borne de sortie QFE, le signal SFE dont la valeur correspond à une erreur de focalisation que l'on trouve à partir des courants détectés par les photodétecteurs 1C à 1F. Le signal logique bas reçu à la borne de test 4 met le circuit intégré à semi-conducteurs de la figure 7 en mode de test fonctionnel. En réponse à cela, une tension de polarisation est développée aux bornes de polarisation 12Bf, I2Df, 12Ef et 12Ff. Cependant, la tension de polarisation n'est pas développée aux bornes 12Bc, 12Dc, 12Ec et 12Fc. Cela rend les circuits de conversion courant/tension 12BB et 12DB à 12FB non conducteurs mais cela met les circuits de conversion courant/tension 12BA et 12DA à 12FA en conduction. Par suite, les bornes de fourniture de tension détectée 12Aa et 12Ca reçoivent des tensions détectées qui sont obtenues par conversion des courants détectés par les photodétecteurs 1A et 1C. Par ailleurs, les bornes 12Ba et 12Da à 12Fa de fourniture de tension détectée restent dépourvues de tension détectée et les bornes 3B et 3D à 3F de fourniture de tension de référence reçoivent le potentiel de la masse ou bien la tension de référence. Par conséquent, le circuit 6 de calcul d'erreur de dépistage émet, à sa borne de sortie QTR, la tension détectée obtenue à partir du courant détecté par le photodétecteur 1A en tant que signal STRT de fonction de dépistage.D'autre part, le circuit 7 de calcul d'erreur de focalisation émet à sa borne de sortie QFE la tension détectée obtenue à partir du courant détecté par le photodétecteur 1C en tant que signal de fonction de focalisation SFET. Comme dans le cas du premier mode de réalisation, le signal STRT de fonction de dépistage et le signal SFET de fonction de focalisation montrent si la fonction de dépistage et la fonction de focalisation du circuit intégré à semiconducteurs ne sont pas défectueuses. Les modes de réalisation préférés des figures 3 à 7 nécessitent que les circuits de calcul reçoivent la tension détectée par la borne d'entrée respective quand un signal de test est reçu à la borne de test. Cependant, les circuits de calcul peuvent comprendre deux bornes d'entrée ou plus pour recevoir la tension détectée ou la tension de référence selon le contenu des tests fonctionnels. Par exemple, un tel moyen est possible dans lequel les circuits de calcul reçoivent la tension de référence à au moins une borne d'entrée et reçoivent la tension détectée à l'autre borne d'entrée. De plus, bien que dans ce qui précède, on ait indiqué que les circuits de calcul ne sont sensibles qu'au calcul des fonctions de dépistage et de focalisation, des rôles additionnels peuvent être assignés aux circuits de calcul. Par conséquent, comme deux photodétecteurs ou plus sont associés à chaque circuit de calcul, le nombre de photodétecteurs n'est pas limité à ce qui est décrit ici. lCl. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré à semi-conducteurs où sont incorporés des photodétecteurs, caractérisé en ce qu'il comprend: quatre photodétecteurs ou plus (lC-îF) pour émettre des courants détectés selon leurs zones respectives de réception de lumière, des bornes de fourniture de courant détecté, chacune étant associée à chacun desdits photodétecteurs, chacune desdites bornes recevant un courant détecté du photodétecteur correspondant, un certain nombre de circuits de calcul (6, 7) prévus en association avec deux photodétecteurs ou plus choisis parmi les quatre photodétecteurs ou plus, lesdits circuits de calcul recevant autant de signaux d'entrée que les photodétecteurs correspondants et exécutant le calcul nécessaire pour les fonctions souhaitées selon lesdits signaux d'entrée, une borne de test (4) pour la réception d'un signal de test, des bornes de fourniture de tension de référence (3D, 3E, 3F), au moins l'une desdites bornes étant associée à chacun desdits circuits de calcul, lesdites bornes étant associées à certaines des bornes de fourniture de courant détecté qui reçoivent les courants détectés des photodétecteurs correspondants desdits deux photodétecteurs ou plus qui sont associés auxdits circuits de calcul, des moyens de fourniture de tension de référence (2A, 2F) pour appliquer une tension de référence auxdites bornes de fourniture de tension de référence, des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée qui sont disposés en association avec lesdites bornes de fourniture de tension de référence et qui sont connectés à ladite borne de test (4), lesdits premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée étant:: sensibles à l'absence du signal de test, à ladite borne de test, pour appliquer au circuit correspondant de calcul une tension détectée qui est produite par conversion courant/tension d'un courant détecté reçu à l'une des bornes respectives de fourniture de courant détecté qui est associée à sa borne correspondante de fourniture de tension de référence, les tensions détectées étant appliquées audit circuit de calcul en tant que signaux d'entrée, et sensibles au signal de test appliqué à la borne de test pour appliquer au circuit correspondant de calcul une tension de référence qui est reçue à sa borne correspondante de fourniture de tension de référence, les tensions de référence étant appliquées auxdits circuits de calcul en tant que signaux d'entrée; et des seconds moyens de fourniture de signaux d'entrée comprenant un convertisseur courant/tension, qui convertit, en tensions détectées, les courants détectés qui sont fournis aux bornes de fourniture de courant détecté qui sont associées au photodétecteur à l'exception dudit photodétecteur correspondant desdits deux photodétecteurs choisis ou plus, lesdits seconds moyens de fourniture de signaux d'entrée fournissant les tensions détectées en tant que signaux d'entrée aux bornes d'entrée des circuits de calcul qui sont associées au photodétecteur à l'exception dudit photodétecteur correspondant desdits deux photodétecteurs ou plus. 2. Circuit intégré à semi-conducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacun des premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée comprend: un convertisseur courant/tension (2D, 2E, 2F) pour convertir un courant détecté fourni à sa borne correspondante de fourniture de courant détecté qui est associée à un photodétecteur correspondant desdits deux photodétecteurs ou plus sélectionnés, en une tension détectée, une borne de fourniture de tension détectée pour recevoir la tension détectée dudit convertisseur courant/tension, et un circuit de commutation (SD, SE, SF), ledit circuit de commutation reliant ladite borne de fourniture de tension détectée à son circuit correspondant de calcul quand le signal de test n'est pas appliqué à ladite borne de test, ledit circuit de commutation déconnectant ladite borne de fourniture de tension détectée du circuit de calcul et connectant sa borne de fourniture de tension de référence associée au circuit de calcul quand le signal de test est appliqué à ladite borne de test. 3. Circuit intégré selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit de commutation est une porte de transmission (TG1, TG2). 4. Circuit intégré selon la revendication 2, caractérisé en ce que la tension de référence est le potentiel de la masse. 5. Circuit intégré selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: un moyen de commande (15), ledit moyen de commande produisant un premier signal prédéterminé en réponse à l'absence du signal de test à ladite borne de test, ledit moyen de commande produisant un second signal prédéterminé en réponse au signal de test reçu à ladite borne de test, des bornes de fourniture de tension détectée (2Aa, 2Fa) correspondant auxdites bornes de fourniture de tension de référence, et des circuits de fourniture de signaux d'entrée, chacun desdits circuits reliant sa borne de fourniture de tension détectée correspondante et sa borne de fourniture de tension de référence correspondante à la même borne d'entrée de son circuit de calcul associé et en ce que:: les premiers moyens de fourniture de signaux d'entrée comprennent chacun un convertisseur courant/tension équipé d'un circuit de commutation, ledit convertisseur, en réponse uniquement au premier signal prédéterminé, convertissant un courant détecté qui est fourni à sa borne de fourniture de courant détecté associée qui est connectée à un photodétecteur respectif correspondant desdits deux photodétecteurs ou plus en une tension détectée, et chacun desdits moyens de fourniture de tension de référence comprend un circuit de commutation, ledit circuit de commutation appliquant, à sa borne de fourniture de tension de référence correspondante, la tension de référence uniquement en réponse au second signal prédéterminé. 6. Circuit intégré à semi-conducteurs selon la revendication 2 ou 5, caractérisé en ce que les fonctions souhaitées comprennent une fonction de dépistage et une fonction de focalisation et, par conséquent, l'application du circuit intégré à semi-conducteurs est en utilisation dans un dispositif capteur optique pour un tourne-disque optique. 7. Circuit intégré à semi-conducteurs selon la revendication 6, caractérisé en ce que les photodétecteurs de la fonction de dépistage comprennent des photodétecteurs de la lumière réfléchie sur une surface miroir du côté du pourtour externe d'une piste d'un disque optique et des photodétecteurs pour détecter la lumière réfléchie sur une surface miroir du côté du pourtour interne de ladite piste. 8. Circuit intégré à semi-conducteurs selon la revendication 6, caractérisé en ce que quatre photodétecteurs (lC-lF) sont prévus pour tester la fonction de focalisation, lesdits photodétecteurs étant disposés en échiquier de manière que leurs surfaces de réception de la lumière soient contiguës les unes aux autres, la lumière réfléchie par ladite surface génératrice de signaux dudit disque optique étant convergée par une méthode d'astigmastisme de manière que lesdits quatre photodétecteurs reçoivent la lumière convergée en une portion centrale de leurs surfaces de réception de la lumière prises dans leur ensemble. 9. Circuit intégré à semi-conducteurs selon la revendication 5, caractérisé en ce que les convertisseurs courant/tension (2), dont chacun est équipé d'un circuit de commutation, du premier moyen de fourniture de signaux d'entrée et les circuits de commutation du moyen de fourniture de signaux de référence sont des circuits à transistors et les premier et second signaux prédéterminés sont des tensions de polarisation.