Brevet FR2689680A1 — publié le 19931008

PROCEDE DE REALISATION DE COUCHES MINCES H 1 ETEROEPITAXIALES ET DE DISPOSITIFS ELECTRONIQUES L'invention concerne un procédé de réalisation de couches minces hétéroépitaxiales et plus précisément la réalisation de couches en matériaux semiconducteurs de types différents L'invention concerne également l'application de ce procédé à la réalisation de dispositifs électroniques et optoélectroniques. L'invention permet d'obtenir des couches minces monocristallines à faible densité de défauts, sur un substrat aussi monocristallin, en principe de nature distincte, et à partir de germes d'un troisième matériau. A titre d'exemple, le procédé selon l'invention permet d'obtenir des couches minces d'In P de haute qualité cristalline sur substrat de silicium, à partir de germes de Ga As De plus, le procédé selon l'invention permet d'obtenir des structures et des associations particulières de composants à base de matériau III-V (lasers, photodiodes, diodes gun,) sur substrat de silicium. L'hétéroépitaxie de couches minces de composés III-V de haute qualité cristallographique sur substrat de silicium, permet l'association de semiconducteurs à gaps directs et à forte mobilité avec un matériau technologiquement bien maîtrisé. Il en résulte un champ d'applications extrêmement vaste, dans des domaines tels que l'optoélectronique intégrée (lasers et photodiodes à commande associée), les télécommunications optiques, les composants de puissance III-V, la connectique optique sur pastille de silicium D'un point de vue technique, la croissance de composés III-V sur silicium s'effectue par MBE (Molecular Beam Epitaxy) ou MOVPE (Organo Metallic Vapor Phase Epitaxy), ce qui conduit à des couches minces épitaxiées à densités de dislocations supérieures à 106/cm 2 (voir le document J Appl. Phys, 68, R 31-190 de S F FANG et ai), à partir desquelles il est impossible de fabriquer des composants optiques (lasers, photodiodes) présentant des durées de vie acceptables. D'autre part, si l'épitaxie MBE et MOVPE de Ga As sur Si est relativement maîtrisée, celle d'In P est très délicate à mettre en oeuvre, la nueléation sur Si ne s'effectuant qu'à basse température. De ce fait, il est difficile de décomposer la phosphine (PH 3) lorsque l'on travaille en "gaz source" MBE ou bien la phosphine et les organométalliques (Triméthyl ou Triéthylindium) lorsque l'on utilise la MOVPE ou la MOMBE (Metal Organic Molecular Beam Epitaxy) Enfin l'utilisation de phosphore à basse température en MBE classique pose des problèmes de pompage. Dans tous les cas, les couches d'In P présentent des taux de dislocations supérieurs à 106/cm 2 ainsi qu'indiqué ci-dessus. Les Demandes de Brevets français n 88 04437 et 88 04438 décrivent des procédés de croissance permettant d'améliorer de façon notable la qualité des couches hétéroépitaxiales de matériaux III-V sur substrat de silicium. Des perfectionnements à ces procédés ont été décrits dans les Demandes de Brevets n 90 12443 et 91 12352. Dans les différents documents cités ci-dessus, l'hétéroépitaxie concernait un matériau B (par exemple Ga As) sur un substrat A (par exemple Si). La présente invention concerne un procédé d'obtention d'un matériau C monocristallin et sans défauts (par exemple In P) à partir de germes d'un matériau B (par exemple Ga As) sur un substrat de matériau A (par exemple le silicium). En prenant les exemples de matériaux indiqués ci-dessus, l'invention permet de réaliser une croissance "dirigée" d'In P de haute qualité cristallographique sur silicium, à partir de germes de Ga As dc qualité très médiocre On supprime de plus l'étape de croissance directe (MBE ou MOVPE) d'In P sur Si, fort délicate à mettre en oeuvre. L'invention concerne donc un procédé de croissance de couches minces hétéroépitaxiales, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: réalisation d'un germe en matériau monocristallin d'un premier type (B) dans une cavité dont les parois sont en au moins un matériau sur lequel il ne pourra pas y avoir ni nucléation, ni croissance lors de l'étape d'épitaxie qui va suivre; croissance, par épitaxie, d'un matériau d'un deuxième type (C) dans la cavité, à partir du germe de façon à obtenir dans la cavité un matériau monocristallin du deuxième type (C). L'invention concerne également un procédé de croissance de couches minces hétéroépitax Iales, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: croissance, sur une face d'un substrat cristallin, d'une couche d'un matériau monocristallin du premier type (B) dépôt d'une couche d'isolant; réalisation d'au moins une première ouverture dans la couche d'isolant; attaque, par la première ouverture, d'une partie de la couche de matériau monocristallin du premier type (B) selon une longueur suffisante à partir des bords de l'ouverture pour la réalisation d'un germe; croissance d'un germe, en matériau du deuxième type (C), par l'ouverture à partir du matériau du premier type (B); réalisation d'au moins une deuxième ouverture dans la couche d'isolant, au-dessus du matériau du premier type (B); attaque par la deuxième ouverture, du matériau du premier type (B); croissance, par épitaxie, d'un matériau du deuxième type (C) par la deuxième ouverture, à partir du germe en matériau du deuxième type (C). Les différents objets et caractéristiques de 1 'invontion apparaîtront plus clairement dans la description qui va suivre et dans les figures annexées qui représentent: la figure 1, une vue générale du procédé de réalisation selon l'invention; les figures 2 a et 2 b, des schémas explicatifs du procédé de l'invention; les figures 3 a à 3 d, des étapes de réalisation du procédé selon l'invention; les figures 4 a à 4 f, un exemple de réalisation détaillé du procédé selon l'invention; la figure 5, une variante de réalisation selon l'invention les figures 6 a à 6 f, un autre exemple de réalisation détaillé du procédé de l'invention; les figures 7 a à 7 d, une variante du procédé décrit en relation avec les figures 6 a à 6 f; les figures 8 a à 8 c, un procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique; la figure 9, une variante du procédé représenté par les figures 8 a à 8 b; les figures 10 à 10 c, un procédé de réalisation de plusieurs dispositifs associés. En se reportant à la figure 1, on va tout d'abord décrire de façon générale le procédé de l'invention. Sur un substrat 1 en matériau A monocristallin, on réalise un germe 4 en matériau aussi monocristallin B enserré entre une face 10 du substrat 1 et une face 20 d'un élément (couche) de confinement 2 en matériau D. Par une ouverture 5, on fait croître dans la cavité 3, à partir du germe 4, un matériau monocristallin C dont le front de croissance progresse comme indiqué par une flèche sur la figure 1 Comme on verra ci-après, une méthode de croissance préférée sera une épitaxie en phase vapeur (VPE) de chlorures ou d'hydrures. Selon l'invention, le matériau C à faire croître est de type différent du matériau B du germe 4. En ce qui concerne les matériaux A et D, ils peuvent être de nature chimiques différentes ou similaires, mais ils sont choisis de façon à ce que, lors de la croissance du matériau C, il ne puisse y avoir ni nucléation, ni croissance du matériau C sur les faces 10 et 20 dans les conditions de croissance choisies. Selon les exemples de réalisation qui vont être décrits dans ce qui va suivre, les matériaux A et B sont différents. Cependant on peut également envisager qu'ils soient identiques. A titre d'exemple, le matériau A du substrat 1 est du silicium, le matériau B du germe 4 est du Ga As et le matériau C à faire croître est de l'In P. Le procédé de l'invention consiste à faire croître, par épitaxie dirigée sur silicium, le matériau tel que par exemple In P, à partir du germe en Ga As Le blocage des dislocations d'adaptation générées à l'interface Ga As/In P lors de l'opération d'épitaxie s'effectue soit sur la surface 10 du silicium, soit sur la face 20 de l'élément 2 préalablement disposé au-dessus du germe de Ga As Les figures 2 a et 2 b schématisent le principe de ce blocage des dislocations (les dislocations étant représentées sous forme de traits inclinés). Afin d'éviter la nucléation parasite et d'obtenir aisément des conditions d'épitax Ie sélective, l'élément 2 est constitué d'un matériau typiquement diélectrique, à haute barrière de nucléation D'autre part, la nueléation sur la surface du silicium est aussi évitée, à cause ici encore de la valeur intrinsèquement élevée de la barrière de nucléation d'In P sur Si mais aussi parce que cette surface 10 est partiellement passivée par de l'oxyde natif On utilisera préférentiellement pour ce type de croissance une méthode qui permet de travailler au voisinage de l'équilibre thermodynamique pour la réaction globale de dépôt, à savoir la VPE (Vapor Phase Epitaxy) aux chlorures ou bien la VPE aux hydrures (HVPE) Dans le premier cas, les précurseurs sont du trichlore de phosphore (P C 13) et de l'indium, tandis que dans le deuxième cas, il s'agit de phosphine (PH 3) et d'indium. Les figures 3 a à 3 c décrivent succinctement une succession d'étapes technologiques de procédé selon l'invention permettant d'obtenir des couches minces d'In P sur Si à partir de germes de Ga As sur silicium. On part d'une couche 4 de Ga As sur substrat l en silicium obtenue par MBE ou par MOCVD et présentant une densité de dislocations typiquement supérieure à 106/cm 2 (figure 3 a) On dépose sur l'ensemble une couche mince de Si 3 N 4 ou de tout autre matériau adapté, dans laquelle on ouvre des ouvertures 5, 5 ' telles que des bandes parallèles de l à 20 inm de largeur, au pas de 10 à 200 um (figure 3 b) On élimine la majeur partie du Ga As de la couche 4 (soit chimiquement, soit en phase vapeur à 600-800 C , à l'aide de gaz chlorhydrique H Cl) à travers les ouvertures 5, 5 ' précédemment gravées, de manière à ne conserver que des bandes 4 de, par exemple, l à 10 pim de largeur (figure 3 c) qui serviront de germes On épitaxie ensuite l'In P par les ouvertures 5, 5 ' A partir des germes latéraux de Ga As tel que 4, la croissance s'effectue de façon confinée dans les cavités 3, 3 ' entre la surface inférieure 20 du chapeau 2 et la surface supérieure 10 de la plaquette de silicium (figure 3 d). Du fait de ce confinement, les dislocations sont bloquées selon le mécanisme des figures 2 a et 2 b On obtient ainsi de l'In P sans défauts sur silicium. Bien que les dislocations soient bloquées, il peut se trouver que, dans le cas o le désaccord paramétrique de maille est trop important et/ou la différence des coefficients de dilatation thermique est trop importante, des fissures apparaissent dans le matériau obtenu par croissance dirigée (l'In P dans l'exemple ci-dessus) au-delà d'une certaine largeur de croissance. Afin de pallier cet inconvénient, l'invention prévoit de procéder en deux étapes pour la croissance dirigée, ainsi que schématisé sur les figures 4 a à 4 f. De même que précédemment, on dépose une couche 2 de nitrure Si 3 N 4 par exemple, sur une couche 4 de Ga As hétéroépitaxiée (par MBE ou MOCVD) sur un substrat 1 de silicium On ouvre des ouvertures 5, 5 ' sous forme de bandes par exemples dans cette couche de nitrure (figure 4 a) Pour les différentes caractéristiques géométriques, on se reportera aux commentaires de la figure 3 b A travers les ouvertures 5, 5 ' ainsi réalisées, on attaque très légèrement la couche 4 de Ga As, de façon à dégager, à partir des bords des bandes 5, 5 ', une largeur L inférieure à la largeur critique au-delà de laquelle les fissures sont susceptible d'apparaître lors de la réépitaxie du troisième matériau (l'In P dans l'exemple choisi) Typiquement, ce dégagement est de l'ordre de 0,5 à quelques micromètres (voir figure 4 b) On effectue ensuite une première croissance (d'In P selon l'exemple choisi) à partir des flancs latéraux de Ga As laissés à nu après l'opération d'attaque La largeur de cette croissance est maintenue en-deçà de la largeur critique correspondant à l'apparition des fissures (figure 4 c) On obtient de nouveaux germes 14, 14 ', en In P. On redépose sur l'ensemble une deuxième couche de si 3 N 4, de façon à obturer les ouvertures précédemment gravées (figure 4 d). En utilisant un deuxième masque (ou bien le même que celui ayant servir à pratiquer les premières ouvertures, mais translaté d'un demi pas) on ouvre une deuxième série de bandes , 15 ', dans les couches de nitrure (voir figure 4 e); cette deuxième série de bandes sera préférentiellement disposée à mi-chemin entre les bandes précédentes 5, 5 ', A travers ces deuxièmes ouvertures on élimine la couche 4 de Ga As restant, par attaque chimique, de manière à ne conserver que les nouveaux germes 14, 14 ' d'In P (toujours selon l'exemple choisi). Pour cette attaque, on utilise de préférence un mélange chimique sélectif, de façon à ne pas avoir à contrôler l'attaque de l'In P. Cette dernière opération pourrait en effet s'avérer extrêmement délicate dans le cas o les bandes d'In P seraient de faible largeur La structure ainsi obtenue est représentée à la figure 4 e On utilise enfin les germes 14, 14 ', d'In P pour refaire croître en épitaxie dirigée des couches 7, 7 ', d'In P sans défauts sur substrat silicium (voir figure 4 f). Pour différentes raisons, et selon la nature des composants que l'on veut fabriquer dans les couches de matériaux III-V sur silicium, on peut vouloir isoler la couche mince du substrat. L'invention prévoit dans ce cas une oxydation chimique de la surface du substrat i en silicium, après attaque de la couche 4 de matériau B (Ga As en l'occurence) et avant croissance par épitaxie dirigée du matériau C (In P) Pour fabriquer cet oxyde chimique sur la surface 10 du substrat silicium on pourra utiliser une solution de H 202/H 2 SO 4, ou bien encore une solution de HNO 3 Selon le temps d'exposition et la concentration des solutions en question, on obtiendra des épaisseurs de couche 8 de Si O 2 "chimique" de quelques dizaines à quelques centaines d'angstroëms. La figure 5 représente un tel procédé de croissance après l'oxydation chimique de la face 10 du substrat 1. Si l'on veut obtenir une couche 8 d'oxyde de meilleure qualité à la surface du substrat de silicium, voire un oxyde thermique, on utilisera comme substrat de départ une plaquette de silicium de type SOI (Silicon On Insulator) Différentes techniques sont couramment utilisées pour réaliser les plaquettes SOI, et on pourra consulter par exemple le document IEEE CIRCUITS AND DEVICES MAGAZINE, Vol 3, Nos 4 et 6 de Juillet et Novembre 1987 pour obtenir de nombreux détails sur ces techniques. Dans l'exemple qui suit, on utilise une plaquette SOI de type SIMOX (Separation by I Mplantation of O Xygen) mais on pourrait tout aussi bien utiliser des plaquettes SOI de type SDB (Silicon Direct Bonding) ou ZMR (Zone Melting Recrystallization) etc Les figures Ga à 6 f décrivent une succession d'étapes technologiques permettant d'obtenir des couches minces isolées du substrat par un oxyde de qualité. On part donc d'une plaquette de type SIMOX comprenant une couche 8 de Si O 2 et une couche 9 de Si ( 100) (figure Ga) sur laquelle on épitaxie par MBE ou MOVPE une couche mince 4 de Ga As (figure 6 b) qui présentera donc plus de 106 dislocations/cm 2 On dépose une couche 2 de Si 3 N 4 dans laquelle, de même que précédemment, on pratique une série d'ouvertures 5, 5 ', sous forme de bandes parallèles par exemple (figure 6 c) On attaque successivement la couche 4 de Ga As pour former des germes 4 (voir figure 6 d) puis la couche 9 de silicium (voir figure 6 e) Ensuite on effectue la croissance dirigée de l'In P par les ouvertures 5, 5 ' à partir des germes 5 de Ga As De même que dans le cas de la figure 1, il n'y a pas de nucléation de l'In P sur les flancs du Si (couche 9) sous-jacent en germe de Ga As si la croissance dirigée de l'In P est effectuée en VPE par exemple. Les figures 7 a à 7 d représentent une variante de réalisation pour faire un germe en matériau B à une extrémité d'une cavité 3 entourée de matériau Isolant dont un oxyde thermique. Selon la figure 7 a on réalise sur un substrat 1 en silicium par exemple, une couche 8 d'oxyde thermique (Si O 2 thermique) puis une couche 10 de semiconducteur amorphe (Si amorphe) et enfin une couche 11 d'un matériau différent des deux précédents ( 8 et 10), par exemple d'un métal tel que de l'aluminium. On grave, dans l'ensemble de ces couches, des ouvertures; on réalise une épitaxie d'un matériau (Ga As) en vue de la réalisation des germes 4 Le matériau Ga As déposé dans les ouvertures sur le substrat Si est monocristallin 4 et il est polyeristallin sur la couche 11 d'aluminium. L'épitaxie est telle que l'épaisseur des germes 4 permet d'atteindre la face supérieure de la couche 10 (figure 7 b). Ensuite on attaque la couche 11 d'aluminium de manière à réaliser le "lif t off" (le retrait) de la couche 13 de Ga As polycristallin (figure 7 c). On recouvre l'ensemble par une couche 2 d'isolant (Si 3 N 4) et on pratique des ouvertures 5, 5 ' dans la couche 2. Par les ouvertures 5, 5 ' on attaque le silicium amorphe 10 et on obtient des cavités 3, 3 ' (figure 7 d). On peut maintenant réaliser une épitaxie dirigée d'In P par les ouvertures 5, 5 ' à partir des germes tels que 4 et on obtient alors une couche d'In P sur silice thermique 8. Les différentes méthodes d'isolation décrites ci-dessus sont nécessaires lorsque des composants sont réalisés par épitaxie dirigée sur silicium Ainsi, Ies figures 8 a à 8 c décrivent à titre d'exemple la réalisation d'un laser In P/Ga In As P/In P obtenu par épitaxie dirigée, mais en modulant le dopage et la composition des matériaux épitaxiés dans la cavité 3 de la figure 8 a. On part, par exemple, d'une structure du type de celle représentée sur la figure 6 e et reportée sur la figure 8 a. On peut commencer par faire croître par VPE une couche de Ga As, à partir du germe 4, de façon à améliorer la qualité cristalline du germe; dans la majorité des cas, ceci n'est pas nécessaire Les bandes 5 et 5 ' dans le nitrure 2 auront de préférence été préalablement orientées selon une direction l 1101 l du plan du substrat (d'orientation ( 100) Les bandes de germe 4 conservent cette orientation l 110 l Ceci permet d'obtenir lors de la croissance dirigée une facette latérale unique On réalise ainsi une incorporation homogène des dopants, lors de la croissance dirigée Sur la figure 8 b, on a représenté le cas o l'on obtient une facette de croissance latérale de type ( 110) Après la croissance de Ga As, on effectue une croissance d'In P dopé n+, puis d'In P dopé n On épitaxie ensuite le matériau quaternaire Gax In 1 _x Asy Ply dont le paramètre de maille est adapté à l'In P. Selon la longueur d'onde laser que l'on désire obtenir, on choisira par exemple x = 0,27 et y = 0,60 ou bien x = 0,40 et y = 0,85, ou bien encore x = 0,47 et y = 1. La largeur 1 du quaternaire sera typiquement de l'ordre de 0,1 à 0,8 Him. il On effectue enfin une croissance d'In P (p) suivie d'une croissance de In Ga As (p+) sur laquelle il sera aisé de prendre un contact ohmique La succession des couches ainsi réalisées est représentée sur la figure 8 b Enfin, on redépose sur l'ensemble une couche 20 de Si 3 N 4 ou de Si O 2 pour passiver On ouvre des fenêtres pour les prises de contacts 21, 22 On dépose les contacts 21, 22 et on les grave La figure 8 c représente la structure de laser à électrodes coplanaires ainsi obtenue. Afin d'améliorer l'interface supérieure de la couche active de Ga In As P, on peut comme représenté en figure 9, graver la couche 20 de Si 3 N 4 localement et effectuer par reprise d'épitaxie sélective une croissance d'une couche 23 d'In P soit semi- isolant soit dopé On évite ainsi une recombinaison excessive à l'interface supérieure de Ga In As P, ce qui aurait pour effet de diminuer la durée de vie du laser. Sur un même substrat, il est possible de fabriquer des composants de types différents En effet sur le substrat 1 de la figure 10 a, on a représenté, par exemple, deux cavités 3 et 3 ' avec des germes 4, 4 ', 4 " La cavité 3 peut servir à réaliser un ou deux composants d'un premier type en effectuant une croissance épitaxiale à partir des germes 4, 4 ' La cavité 3 ' peut servir à réaliser un ou deux composants d'un deuxième type. Pour cela, il suffit de faire croître des matériaux de compositions et/ou de dopage différents dans les deux cavités. Par exemple, si dans la cavité 3 on a fait croître une structure telle que celle décrite précédemment en relation avec les figures 8 a à 8 c, il est clair que sur le même substrat de silicium, dans la cavité 3 ', on peut fabriquer aussi par un procédé identique des lasers de type Ga As/Ga Al As Les figures l O b et et 10 c décrivent une telle structure à puits quantique. Comme représenté sur la figure 10 b, on fait croître à partir d'un germe de Ga As, successivement les matériaux suivants: Ga As (n+) Ga As (n) Ga Al As (n) 1/2 cavité optique Ga Al As avec AI varient continûment de 20 à 40 % 1 puits quantique Ga Al As avec AI choisi entre O et 5 % 1/2 cavité optique Ga Al As avec Al variant continûment de 20 à 40 % Ga Al As (p) Ga As (p+) Après réalisation d'une couche d'isolant sur la structure et réalisation de contacts, on obtient la structure représentée en figure 10 c sur laquelle on a indiqué à titre d'exemple des dimensions des différentes zones de matériaux précédents. Si un laser Ga As/Ga Al As tel que représenté en figure e et un laser In P/Ga In As P/In P tel que celui de la figure 8 c doivent être réalisés sur le même substrat, on commencera par réaliser la structure Ga As/Ga Al As de la figure 10 b, celle-ci s'effectuant à plus haute température On réalisera ensuite la structure de la figure 8 b, correspondant au deuxième type de laser Enfin les métallisations et les gravures correspondant aux figures 8 c et 10 e seront effectuées en dernier lieu. Il est clair que les structures et dispositifs ci-dessus ne représentent que des exemples particuliers On peut aussi réaliser selon la technique des transistors, diodes gun In P, des photodiodes de type Ga In As ou de tout autre type. REVEND I CATI O NS 1 Procédé de croissance de couches minces hétéroépitaxiales, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: réalisation d'un germe ( 4, 14, 14 ') en matériau monocristallin d'un premier type (B) dans une cavité ( 3) dont les parois ( 10, 20) sont en au moins un matériau (A, D) sur lequel il ne pourra pas y avoir ni nucléation, ni croissance lors de l'étape d'épitaxie qui va suivre; croissance, par épitaxie, d'un matériau d'un deuxième type (C) dans la cavité ( 3), à partir du germe ( 4) de façon à obtenir dans la cavité ( 3) un matériau monocristallin de du deuxième type (C). 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réalisation du germe ( 4) et de la cavité ( 3) se font de la manière suivante: croissance, sur une face ( 10) d'un substrat ( 1) monocristallin, d'une couche ( 4) d'un matériau monocristallin du premier type (B); dépôt d'une couche d'isolant ( 2) réalisation d'au moins une ouverture ( 5, 5 ') dans la couche d'isolant ( 2); attaque de la couche de matériau monocristallin ( 4), par l'ouverture ( 5, 5 ') de façon à ne laisser subsister qu'une partie (germe) de la couche de matériau monocristallin ( 4) du premier type. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le matériau (A) d'une des parois ( 10) est du silicium, le matériau (D) de l'autre paroi ( 20) est un isolant tel qu'un nitrure de silicium ou de la silice, le matériau du premier type (B) du germe ( 4) est du Ga As, le matériau du deuxième type (C) à faire croître est de l'In P. 4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé on ce que la croissance du matériau du deuxième type (C) se fait par épitaxie en phase vapeur à partir du germe ( 4). Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la croissance se fait par épitaxie en phase vapeur de chlorures ou d'hydrures. 6 Procédé de croissance de couches minces hétéroépitaxiales, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: croissance, sur une face ( 10) d'un substrat ( 1) cristallin, d'une couche ( 4) d'un matériau monocristallin du premier type (B); dépôt d'une couche d'isolant ( 2); réalisation d'au moins une première ouverture ( 5, 5 ') dans la couche d'isolant ( 2); attaque, par la première ouverture ( 5, 5 '), d'une partie de la couche ( 4) de matériau monocristallin du premier type (B) selon une longueur suffisante (L) à partir des bords de l'ouverture ( 5, 5 ') pour la réalisation d'un germe; croissance d'un germe ( 14, 14 '), en matériau du deuxième type (C), par l'ouverture ( 5, 5 ') à partir du matériau du premier type (B); réalisation d'au moins une deuxième ouverture ( 15, ') dans la couche d'isolant, au-dessus du matériau du premier type (B); attaque par la deuxième ouverture ( 15, 15 '), du matériau du premier type (B); croissance, par épitaxie, d'un matériau du deuxième type (C) par la deuxième ouverture ( 15, 15 '), à partir du germe ( 14, 14 ') en matériau du deuxième type (C). 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte avant la réalisation de la deuxième ouverture ( 15, ') une étape de dépôt d'une autre couche d'isolant ( 12). 8 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 6, caractérisé en ce qu'il comporte avant la croissance par épitaxie du matériau du deuxième type (C), une étape d'oxydation de la face ( 10) du substrat ( 1). 9 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les deux parois ( 10, 20) sont en matériau isolant. Procédé selon I'une des revendications 2 ou 6, caractérisé en ce que le substrat ( 1) est en silicium monocristallin et comporte une couche d'oxyde ( 8) et une couche ( 9) de silicium monocristallin empilées, et que l'attaque de la couche de matériau monocristallin ( 4) est suivie d'une attaque de la couche ( 9) de silicium monocristallin. 11 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la réalisation du germe ( 4) et de la cavité ( 3) se fait de la manière suivante: obtention sur un substrat semiconducteur monocristallin d'une couche d'isolant ( 8) et dépôt d'une couche de semiconducteur ( 10) amorphe, puis d'une couche ( 11) d'un troisième matériau différent des deux précédents ( 8, 10); gravure d'au moins une ouverture dans les couches réalisées ( 8, 10, 11) et croissance d'un matériau semiconducteur ( 4) au moins dans l'ouverture à partir du substrat ( 1); retrait de la couche du troisième matériau ( 11); dépôt d'une couche d'isolant ( 2); réalisation d'au moins une ouverture ( 5) dans la couche d'isolant ( 2) au-dessus de la couche de semiconducteur amorphe ( 10); attaque de la couche de semiconducteur amorphe ( 10) par l'ouverture ( 5). 12 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 6, caractérisé en ce que la croissance par épitaxie se fait successivement avec des matériaux de compositions et/ou de dopages différents. 13 Procédé selon la revendication 12 appliqué à la réalisation d'un laser, caractérisé en ce que le germe ( 4, 14) étant en Ga As, les matériaux épitaxiés dans la cavité ( 3) sont successivement les suivants Ga As In P (n+) In P (n) In Ga As P In P (p) In Ga As (p+) et que l'ensemble est recouvert d'isolant, des contacts ohmiques ( 20, 21) traversant cet isolant étant réalisés pour être connectés à l'In P (n+) d'une part et l'In Ga As (p+) d'autre part. 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'au-dessus du matériau In Ga As P, l'isolant est enlevé et une couche d'In P est déposée à sa place. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que plusieurs cavités sont réalisées et que des épitaxies avec des matériaux de types et/ou de dopages différents sont réalisées dans différentes cavités.