Brevet FR2691017A1 — publié le 19931112

i Cette invention concerne des éléments absorbants saturables, et en particulier des absorbants saturables à semiconducteurs. Des impulsions optiques de durée extrêmement courte sont importantes pour des applications de traite- ment de signal et de télécommunications rapides Des impulsions optiques dans cette catégorie sont couramment appelées impulsions optiques ultra-courtes, et elles ont des durées dans la plage de la picoseconde et moins On a obtenu des impulsions optiques ultra-courtes par des techniques telles que le blocage de modes passif, dans lequel un élément non linéaire est placé soit à l'inté- rieur de la cavité laser, soit à l'intérieur d'une cavité externe à la cavité laser Un absorbant saturable consti- tue un tel élément non linéaire. Les absorbants saturables sont des matières qui présentent un changement d'opacité lié à l'intensité du rayonnement incident à une longueur d'onde particulière. On peut utiliser des solides, des liquides et des gaz à titre d'absorbants saturables, sur la base de la longueur d'onde de fonctionnement qui est choisie L'absorbant saturable se comporte comme un obturateur Il absorbe tout rayonnement faible qui lui est appliqué Lorsque l'inten- sité du rayonnement incident atteint un niveau suffisam- ment élevé que l'on appelle l'intensité de saturation de l'absorbant saturable, le rayonnement incident peut traverser l'absorbant En général, l'atténuation du rayon- nement incident que produit l'absorbant saturable est relativement faible, du fait que l'absorbant est saturé et passe dans un état transparent à la longueur d'onde du rayonnement incident. Des matières organiques telles que des colorants présentent une réponse d'absorption à large bande, de plusieurs centaines de nanomètres Cependant, des colo- rants exigent l'utilisation d'éléments mécaniques tels que des buses et des éléments semblables, qui sont relative- ment grands, qui sont sujets à des défauts de fonctionne- ment d'ordre mécanique et que l'on ne peut pas intégrer aisément avec des lasers à l'état solide Lorsque des semiconducteurs sont utilisés à titre d'éléments d'absorp- tion saturables, ils forment des éléments fiables et à faible encombrement qui conviennent pour l'intégration avec des lasers à l'état solide Contrairement à des matières organiques, les matières semiconductrices sont par nature des éléments d'absorption saturables à bande étroite, ayant une réponse d'absorption de quelques dizaines de nanomètres De façon générale, les matières semiconductrices ont une plage de fonctionnement notable- ment plus étroite que la largeur de bande d'accord du système de laser dans lequel ces matières semiconductrices remplissent la fonction d'absorbants saturables Pour réaliser un blocage de modes du laser pour le fonctionne- ment en régime d'impulsions à une longueur d'onde parti- culière dans la plage d'accord d'un laser, il serait nécessaire d'avoir un ensemble de différents absorbants saturables à bande étroite remplaçables, pour couvrir la totalité de la plage de longueurs d'onde d'accord pour le laser On ne dispose donc pas d'un seul absorbant satura- ble à l'état solide ayant une réponse d'absorption à bande suffisamment large qui coïncide pratiquement avec la plage d'accord de lasers disponibles. On obtient une possibilité d'accord de longueur d'onde dans une gamme étendue dans un absorbant saturable, pour des applications telles que des lasers à modes bloqués, en réalisant une structure semiconductrice ayant un profil de bande interdite qui présente une variation progressive de l'énergie de bande interdite le long d'au moins une partie de l'axe de propagation de l'absorbant saturable, vers l'autre Dans certaines applications, l'absorbant saturable est intégré de façon monolithique avec au moins un élément réfléchissant. Dans un mode de réalisation, l'absorbant satura- ble comprend une matière semiconductrice massive à varia- tion progressive de composition, ayant un ou plusieurs constituants semiconducteurs dont les rapports molaires sont notablement augmentés ou diminués d'une manière pratiquement continue, sur l'étendue de l'absorbant. Dans un autre mode de réalisation, des couches à puits quantiques à bande interdite étroite sont formées entre des couches de barrière à bande interdite large appropriées, et l'énergie de bande interdite de chaque couche à puits quantique successive est modulée d'une manière qui décroît notablement d'une extrémité de l'absorbant saturable vers l'autre La modulation réelle de l'énergie de bande interdite exige que chaque couche à puits quantique ait une composition de matière semicon- ductrice légèrement différente, de façon que l'énergie de bande interdite diminue d'une couche à puits quantique à la suivante On réalise une autre modulation réelle de l'énergie de bande interdite en faisant varier l'épaisseur de chaque couche à puits quantique d'une manière crois- sante ou décroissante pratiquement monotone. D'autres modes de réalisation de la présente invention tiennent compte du fait qu'il est souhaitable d'associer en cascade des sections ayant des profils de bande d'énergie interdite différents, chaque profil correspondant au profil croissant ou décroissant désiré, de façon que l'absorbant saturable complet ait une réponse d'absorption à large bande. Il a été indiqué que la variation progressive de l'énergie de bande interdite était établie d'une extrémité à l'autre de l'absorbant saturable, mais il faut noter que l'on peut combiner les modes de réalisation ci-dessus en un seul absorbant saturable, et que la variation progres- sive doit seulement être établie sur une partie de l'absorbant saturable. On pourra parvenir à une compréhension plus complète de l'invention en lisant la description qui suit de modes de réalisation illustratifs spécifiques de l'invention, et en se référant conjointement au dessin annexés, dans lequel: La figure 1 montre un schéma simplifié d'un système de laser qui comprend un absorbant saturable; La figure 2 représente à la fois une coupe d'une structure de couche de matière semiconductrice pour la réalisation de l'absorbant saturable de la figure 1, et un profil du rapport molaire d'Al en fonction de la distance z; Les figures 3 et 4 sont des profils de rapport molaire simplifiés pour des formes de réalisation de puits quantiques de l'absorbant saturable de la figure 1. Les structures dans les figures n'ont pas été dessinées à l'échelle Ceci a été fait dans le but de favoriser la clarté de l'illustration et la compréhension de l'invention Les dimensions pour les structures semi- conductrices sont données dans la description ci-dessous. Le blocage de modes et la commutation de Q de lasers sont deux applications importantes d'absorbants saturables réalisés conformément aux principes de la présente invention Une autre application importante de l'absorbant saturable présent consiste dans la modulation d'amplitude pour faire démarrer une autre opération de blocage de modes, comme le blocage de modes à auto-focali- sation Un exemple de la structure générale de dispositif pour cette dernière application est décrit dans le document Opt Lett, Vol 16, page 1022 ( 1991). On note que les termes "longueur d'onde" et "fréquence" sont utilisés de façon interchangeable sans que ceci n'affecte la compréhension des principes de la présente invention La longueur d'onde (\) et la fré- quence (f) sont liées par la relation bien connue A =c/f dans laquelle c est la vitesse de la lumière dans le vide. Pour le système de laser qui est représenté sur la figure 1, un milieu amplificateur 12 est combiné avec un absorbant saturable 14, soit dans la même cavité réson- nante définie par des éléments réfléchissants 11 et 15, soit dans des cavités séparées et couplées qui sont formées par des éléments réfléchissants 11, 13 et 15 Dans le cas o l'absorbant saturable 14 fonctionne dans la même cavité résonnante que le milieu amplificateur, on l'appel- le absorbant saturable intra-cavité Dans le cas o l'absorbant saturable 14 fonctionne dans une cavité externe séparée, mais couplée, par rapport au milieu amplificateur, on l'appelle absorbant saturable à cavité externe L'absorbant saturable qui est décrit ci-dessous et qui est réalisé conformément aux principes de la présente invention, convient bien pour le fonctionnement à titre d'absorbant saturable intra- cavité ou d'absorbant saturable à cavité externe. L'élément absorbant saturable 14 consiste en une matière semiconductrice non linéaire que l'on considère comme absorbante La non-linéarité de l'élément absorbant saturable est fonction de l'intensité du rayonnement optique incident à une longueur d'onde particulière, ou au voisinage de celle-ci, de la section efficace d'absorption et de l'épaisseur de la matière On a maintenant trouvé qu'une matière semiconductrice massive et des puits quantiques multiples convenaient pour la réalisation d'absorbants saturables conformément aux principes de l'invention Dans le cas de non-linéarités résonnantes, la plage de longueur d'onde sur laquelle l'absorbant satura- ble fonctionne effectivement est limitée Lorsque de telles non- linéarités résonnantes sont couplées avec des sources lasers accordables, la possibilité d'accord de la source à modes bloqués est limitée par la plage de fonc- tionnement de la non-linéarité Ainsi, des non-linéarités réalisées conformément aux principes de la présente inven- tion et fonctionnant effectivement sur une plage étendue de longueurs d'onde, sont souhaitables pour la combinaison avec des sources accordables Il en résulte qu'il est maintenant possible de réaliser un système de laser à modes bloqués ou à commutation de Q comprenant un absorbant saturable à l'état solide capable de fonctionner sur la plage d'accord du laser. Le système de laser qui est représenté sur la figure 1 comprend un laser à l'état solide accordable, tel qu'un laser du type Ti:saphir, ou d'un type semblable, pour la génération d'impulsions ultra-courtes, et l'absor- bant saturable Bien que le système laser soit représenté sous la forme d'une combinaison alignée d'éléments dans la cavité unique ou dans les cavités couplées, il faut noter que l'on envisage d'autres dispositionset configurations géométriques de cavités La figure 1 du brevet des E U A. n' 5 007 059 montre un exemple de configuration géométri- que non alignée pour une structure à cavités couplées. Bien que les exemples de réalisation de l'inven- tion soient décrits ici en relation avec un milieu ampli- ficateur 12 particulier qui est accordable sur sa plage de longueurs d'onde particulière, la description qui est faite ici permet de comprendre que les principes de la présente invention s'appliquent également à d'autres milieux amplificateurs ayant leurs propres plages parti- culières d'accord de longueur d'onde. Dans un exemple résultant d'une expérimentation pratique, on a fabriqué un absorbant saturable 14 avec un élément réfléchissant d'extrémité intégré 15, dans le système de semiconducteurs Al Ga As/Ga As (Groupe III-V), comme représenté sur la figure 2 L'absorbant saturable 14 consistait en une matière semiconductrice massive à varia- tion progressive de composition, du type Alx Ga x As, en désignant par x une valeur comprise entre 0,0 et 1,0 qui représente la fraction molaire ou le rapport molaire pour Al Pour cet exemple, on a fait varier x d'une manière monotone et continue de 0,0 à 0,15, pour former une couche absorbante 143 de 1,0 pm d'épaisseur La courbe 144 représente la variation de la fraction molaire x en fonc- tion de l'épaisseur de couche z, mesurée perpendiculaire- ment au plan de croissance de la couche La direction z est également pratiquement perpendiculaire à l'axe de propagation de la lumière à travers l'absorbant saturable. On a mesuré la réponse d'absorption pour l'exemple d'absorbant saturable 14 sur la plage de longueurs d'onde allant de 770 nm à 870 nm. L'élément réfléchissant intégré 15 considéré à titre d'exemple, comprenait un miroir diélectrique formé par seize périodes de la paire de couches 141 et 142, dans laquelle la couche 142 consistait en Al As (x= 1,0) et la couche 142 consistait en Al Ga As (x= 0,25) L'épaisseur optique de chaque couche dans le miroir diélectrique est pratiquement égale à une épaisseur quart d'onde (A /4 n, en désignant par N l'indice de réfraction effectif pour la couche particulière) à la longueur d'onde (A) de la lumière incidente Dans cet exemple, l'épaisseur des paires de couches était suffisante pour obtenir une réflexion sur la plage de longueurs d'onde allant d'envi- ron 780 nm à 860 nm, avec une longueur d'onde centrale de 820 nm Du fait de la plage de réflectivité plus étroite du miroir, en comparaison avec la plage d'absorption de l'absorbant, on a obtenu une plage d'accord de l'ordre de 77 nm Cette valeur est supérieure à la plage d'accord pour n'importe quel absorbant saturable à l'état solide signalé antérieurement. On a employé la croissance épitaxiale par jets moléculaires à basse température, à environ 380 'C, pour fabriquer l'absorbant saturable 14, tandis qu'on a employé la croissance épitaxiale par jets moléculaires classique à 640 'C pour réaliser l'élément réfléchissant 15 sur le substrat en Ga As 140 On utilise la croissance à basse température pour réduire la durée de vie des porteurs et obtenir ainsi un élément absorbant saturable 14 relative- ment rapide Dans l'exemple particulier qui est décrit ci- dessus, on a déterminé que la durée de vie des porteurs était d'environ quelques dizaines de picosecondes Du fait que la croissance à basse température augmente le niveau des pertes non saturables non l'élément absorbant, on comprend que l'absorbant saturable qui est décrit ici présente une moindre sensibilité à ces pertes non satura- bles Bien que l'on ait mentionné ci-dessus l'épitaxie par jets moléculaires à basse température pour réaliser un exemple d'élément absorbant saturable, il est possible d'employer d'autres techniques de croissance épitaxiale, comme l'épitaxie en phase vapeur, l'épitaxie en phase liquide et l'épitaxie par jets moléculaires classique, pour réaliser l'absorbant saturable et ses éléments cons- titutifs Aucun dopage intentionnel n'est introduit dans cette structure, mais on envisage un dopage des couches semiconductrices dans d'autres modes de réalisation. La réflectivité de l'élément 15 est déterminée par l'application particulière Pour le mode de réalisa- tion qui est représenté, une réflectivité élevée est préférable pour l'élément 15, afin d'éviter que des effets thermiques n'endommagent la structure intégréeabsorbant saturable/miroir De façon générale, indépendamment du fait que l'élément réfléchissant 15 soit intégré ou non à l'absorbant saturable, il est souhaitable de faire en sorte que la bande de réponse de réflectivité de l'élément réfléchissant coïncide pratiquement avec la réponse d'absorption de l'absorbant saturable à réponse élargie qui est réalisé conformément aux principes de la présente invention. On peut réaliser un autre élément réfléchissant 15 sur l'absorbant saturable 14, en utilisant pratiquement la structure qui est représentée sur la figure 2, en omettant l'empilement diélectrique de paires de couches (couches 141 et 142) et en faisant croître l'absorbant saturable soit directement sur le substrat 140, soit sur une couche tampon semiconductrice intermédiaire en Al Ga As (non représentée) sur le substrat Le fait d'appliquer une opération d'attaque à une partie du substrat met à nu la face inférieure de l'absorbant saturable, ou la couche tampon si celle-ci n'est pas absorbant aux longueurs d'onde intéressantes On peut former un empilement de couches métalliques (par exemple en or) ou diélectriques, telles que des oxydes (par exemple Si O 2 et Ti O 2), sur la partie à nu de l'absorbant saturable 14 ou de la couche tampon, de façon que cet empilement présente la réflecti- vité et la largeur de bande de réponse appropriée. On envisage la possibilité de former un élément réfléchissant facultatif 13 sous la forme d'un empilement de couches diélectriques déposées à la surface supérieure de la couche d'absorbant saturable 143 On envisage des oxydes diélectriques tels que Ti O 2 et Si O 2 et des matières semiconductrices pour la fabrication de telles couches. Des techniques pour déposer des couches diélectriques de l'élément réfléchissant et pour déterminer des épaisseurs de couches appropriées pour obtenir la réflectivité désirée, sont bien connues de l'homme de l'art et ne sont pas décrites ici. On prévoit l'utilisation de réflecteurs diélec- triques ou semiconducteurs ou métalliques pour les élé- ments réfléchissants 13 et 15 On prévoit que les réflec- tivités des éléments 13 et 15 varieront sur une plage de valeurs étendue Dans la plupart des applications, l'élé- ment réfléchissant 13 est "l'entrée" pour l'absorbant saturable 14, ce qui signifie que la lumière (rayonnement optique) provenant d'un milieu amplificateur ou d'un laser tombe initialement sur l'élément réfléchissant 13 Lorsque la lumière provient d'un milieu amplificateur tel qu'un cristal de Nd:YLF pompé, ou un milieu similaire, l'élément réfléchissant 13 forme la cavité laser en association avec un autre élément réfléchissant d'extrémité, comme repré- senté sur la figure 1 Un tel élément réfléchissant 13 doit avoir une réflectivité supérieure ou égale à 30 %. L'écartement des éléments réfléchissants 13 et 15 et la réflectivité de l'élément réfléchissant 13 sont importants dans le cas d'une structure d'absorbant saturable du type Fabry-Pérot qui est décrite dans la demande de brevet en instance des E U A na 07/778641. Dans la description ci-dessus, on a changé la composition stoechiométrique de l'absorbant saturable pendant la croissance On prévoit l'obtention de plus grandes largeurs de bande même avec un seul système de matières, du fait que Alx Gaî x As, avec x variant de 0,0 à 0,45, donne une largeur de bande de 250 nm, s'étendant de 870 nm à 620 nm Au-dessus de x= 0,45, Al Ga As retourne à une matière à bande interdite indirecte qui ne convient pas pour la mise en oeuvre de l'invention. D'autres structures d'absorbant saturable que l'on peut obtenir par des techniques basées sur la bande interdite, comprennent des structures à puits quantiques qui sont représentées sur les figures 3 et 4 Des struc- tures à puits quantiques sont définies comme des couches il minces alternées d'une matière semiconductrice à bande interdite large (barrière) et d'une matière semiconduc- trice à bande interdite étroite (puits quantique) On obtient une absorption saturable à large bande en faisant varier la profondeur des puits quantiques (figure 3) ou en faisant varier l'épaisseur des puits quantiques (figure 4). La figure 3 représente le profil de fraction molaire 145 lié au profil de bande de conduction pour les bandes d'énergie interdites de l'absorbant saturable à puits quantiques 14, en fonction de l'épaisseur de l'absorbant Les puits quantiques 1 sont mutuellement séparés par des barrières 2 Les puits et les barrières consistent dans cet exemple en Al x Ga x As, le coefficient x dans les puits quantiques diminuant d'un puit au suivant On pense que la relation entre la fraction molaire d'éléments semiconducteurs constitutifs d'un composé particulier, et la bande d'énergie interdite de ce composé, est la relation bien connue et décrite dans le brevet des E U A N O 4 597 638, figure 15, et dans l'ouvrage de S M Sze, Physics of Semiconductors Devices, 2 ième Edition, page 706 ( 1981). La figure 4 représente le profil de fraction molaire 146 qui est lié au profil de bande de conduction pour les bandes d'énergie interdite de l'absorbant satura- ble à puits quantiques 14, en fonction de l'épaisseur z de l'absorbant Des puits quantiques 3 sont mutuellement séparés par des barrières 4 L'épaisseur de chaque puits quantique successif diminue au fur et à mesure que z augmente Dans un exemple de structure d'absorbant satu- rable, des barrières en A 10 4 Ga O 6 As de 50 A d'épaisseur, sont disposées en alternance avec des puits quantiques en Ga As (x= 0) dont l'épaisseur varie de 200 A à environ 35 A, ce qui donne une largeur de bande d'absorbant de 75 nm ( 783 nm à 858 nm). On peut appliquer un revêtement antireflet sur les surfaces de l'absorbant saturable 14 Si l'absorbant saturable 14 est séparé des éléments réfléchissants 13 et 14, les deux surfaces d'extrémités sont revêtues avec un revêtement antireflet, en utilisant des revêtements et des techniques de revêtement classiques Dans le mode de transmission, il est souhaitable d'utiliser une matière de substrat qui est transparente dans la plage de longueurs d'onde intéressante Par exemple, un substrat en Ga As est transparent pour des longueurs d'onde dans la largeur de bande de 2,5 pm ( 870 nm à 3,4 pm) pour une couche d'absor- bant saturable consistant en Inx Ga x As, dans laquelle la fraction molaire pour In, x, varie de 0,0 à 1,0 Lorsque la matière de substrat n'est pas transparente aux lon- gueurs d'onde intéressantes, il est préférable d'enlever par attaque une partie de cette matière, pour permettre le passage des faisceaux de lumière Selon une variante, un miroir diélectrique est interposé entre la matière absor- bante et le substrat, comme représenté sur la figure 2. Bien que les figures représentent un profil de fraction molaire, et donc un profil de bande interdite, qui varie de façon monotone en fonction de l'épaisseur d'absorbant saturable, on envisage que les variations puissent être autres que d'une nature monotone et/ou continue Ainsi, il peut être souhaitable de faire varier la bande d'énergie interdite d'une manière croissante sur une certaine épaisseur, cette dernière étant suivie par une autre épaisseur dans laquelle la bande d'énergie interdite diminue De façon similaire, on peut obtenir de façon approchée une variation continue de la bande d'éner- gie interdite, au moyen d'approximations continues pas à pas En outre, il n'est pas obligatoire que des variations de bande interdite soient linéaires, comme représenté sur la figure 2 On envisage des variations non linéaires, comme des fonctions quadratiques, cubiques et d'autres fonctions non linéaires semblables, pour décrire la varia- tion de la bande interdite en fonction de l'épaisseur de l'élément absorbant saturable, sur une partie quelconque de celui-ci. On note que bien que l'on ait décrit ci-dessus le système de matières Ga As/Al Ga As, pour la fabrication de l'élément absorbant saturable, il est possible de sélec- tionner d'autres combinaisons de matières à partir d'autres systèmes de semiconducteurs du Groupe III-V, tels que Ga As/In Ga As, In Ga As/In Ga Al As, In Ga As/In Al As, Ga As/Al As, Ga As Sb/Ga Al As Sb et In Ga As P/In P, pour obtenir une absorption saturable à différentes longueurs d'onde désirées Dans ces systèmes de semiconducteurs, les couches peuvent présenter une concordance des réseaux cristallins avec des substrats appropriés en Ga As ou In P. On envisage également une discordance des réseaux cristal- lins lorsque l'on fait croîte sur la matière de substrat des couches dans lesquelles il existe des contraintes. Enfin, on envisage également l'extension des structures de dispositifs à des composés semiconducteurs du Groupe II-VI et du Groupe IV. REVENDICATIONS 1 Système de laser comprenant des premier et second réflecteurs d'extrémités ( 11, 15), un milieu ampli- ficateur ( 12) pouvant être accordé sur une première plage de longueurs d'onde, et un absorbant saturable ( 14) qui réagit sur une seconde plage de longueurs d'onde qui est pratiquement incluse dans la première plage de longueurs d'onde, le milieu amplificateur et l'absorbant saturable étant disposés dans une cavité optique qui est définie par les premier et second réflecteurs d'extrémités ( 11, 15), caractérisé en ce que l'absorbant saturable ( 14) comprend une matière semiconductrice massive dont la composition varie progressivement, cette variation progressive de composition étant définie dans une direction pratiquement parallèle à un axe de propagation de la lumière à travers l'absorbant saturable ( 14). 2 Système de laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière semiconductrice consiste en Alx Ga 1 X As, avec x variant entre 0,0 et 0,45. 3 Système de laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que la matière semiconductrice consiste en Inx Ga 1 x As, avec x variant entre 0,1 et 1,0. 4 Système de laser selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second réflecteur ( 15) est intégré de façon monolithique avec l'absorbant saturable ( 14). Système de laser comprenant des premier et second réflecteurs d'extrémités ( 11, 15), un milieu ampli- ficateur ( 12) pouvant être accordé sur une première plage de longueurs d'onde, et un absorbant saturable ( 14) qui réagit sur une seconde plage de longueurs d'onde qui est pratiquement incluse dans la première plage de longueurs d'onde, le milieu amplificateur et l'absorbant saturable étant disposés dans une cavité optique qui est définie par les premier et second réflecteurs d'extrémités ( 11, 15), caractérisé en ce que l'absorbant saturable ( 14) comprend une région de puits quantiques ayant un ensemble de couches à puits quantiques ( 1, 3) qui alternent avec un ensemble correspondant de couches de barrière ( 2, 4), les couches à puits quantiques consistant en une matière semiconductrice à bande interdite étroite et les couches de barrière consistant en une matière semiconductrice à bande interdite large, et en ce qu'une caractéristique prédéterminée de couches à puits quantiques successives varie dans une direction qui est pratiquement parallèle à un axe de propagation de la lumière pour l'absorbant saturable ( 14). 6 Système de laser selon la revendication 5, caractérisé en ce que la caractéristique prédéterminée est l'épaisseur de la couche à puits quantique ( 3). 7 Système de laser selon la revendication 6, caractérisé en ce que le second réflecteur ( 15) est intégré de façon monolithique avec l'absorbant saturable ( 14). 8 Système de laser selon la revendication 5, caractérisé en ce que la caractéristique prédéterminée est l'énergie de bande interdite de la couche à puits quanti- que. 9 Système de laser selon la revendication 8, caractérisé en ce que chaque couche à puits quantique consiste en Alx Ga 1 _x As, avec x variant sur la plage de 0,0 à 0,45. Système de laser selon la revendication 9, caractérisé en ce que le second réflecteur ( 15) est intégré de façon monolithique avec l'absorbant saturable ( 14).