Brevet FR2690008A1 — publié le 19931015

4, MEMOIRE AVEC CELLULE MEMOIRE EEPROM A EFFET CAPACITIF ET PROCEDE DE LECTURE D'UNE TELLE CELLULE MEMOIRE La présente invention a pour objet une mémoire EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) munie d'une cellule mémoire à mémorisation capacitive Elle concerne aussi le procédé de lecture d'une telle cellule mémoire Elle trouve son application dans le domaine des mémoires non volatiles Celui-ci correspond aux cellules mémoires munies chacune d'un transistor à grille flottante comme organe de mémorisation Le but de l'invention est d'augmenter la densité d'intégration de ces cellules sur un même substrat semiconducteur Les cellules de l'invention permettent de stocker d'une façon durable un état logique binaire ( 1 ou 0), ou autre, même si on coupe l'alimentation du circuit électronique auquel elles sont connectées Les avantages des cellules de l'invention sont les suivants: très faible taille géométrique de la cellule, d'o possibilité des réaliser des mémoires très denses; consommation de courant nulle en lecture et en programmation, ce qui est très intéressant pour des cartes à puces sans contact ou dans le domaine spatial; utilisation de technologies de fabrication standard existantes, celles des cellules dites EEPROM ou des cellules dites FLASH-EEPROM; possibilité d'écrire un O ou un 1 dans une seule cellule à la fois au lieu de devoir traiter tout un bloc; plus grande rapidité de lecture grâce à une lecture à courant nul. On connaît les cellules mémoires non volatiles comportant un transistor à grille flottante On stocke des charges électriques sur cette grille flottante Le transistor conduit ou se bloque suivant l'état mémorisé, suivant le type ou le nombre des charges stockées Ces cellules sont de trois types On distingue les cellules EPROM, les cellules EEPROM et les cellules FLASH-EEPROM. Avec une cellule EPROM, la grille flottante peut être chargée d'électrons ou déchargée Le transistor à grille flottante conduit quand la grille flottante est déchargée La densité d'intégration de ces cellules est bonne mais le courant de programmation (pour injecter les électrons dans la grille flottante) est important. La tension de programmation doit donc être fournie depuis l'extérieur du circuit intégré qui comporte la mémoire Ces cellules ne sont pas effaçable électriquement: elles doivent être effacées par un rayonnement ultraviolet, ce qui provoque en outre l'effacement de toute la mémoire et non pas d'une seule cellule à la fois Pour la lecture d'une telle cellule, comme pour la lecture des cellules des deux autres types, on mesure l'intensité d'un courant dit de lecture passant au travers de ce transistor. Avec une mémoire EEPROM, l'accès à une cellule doit être établi au travers d'un transistor d'accès: la densité d'intégration en est réduite par quatre L'oxyde de grille interposé entre la grille flottante et le canal de conduction du transistor est bien plus faible que pour une cellule EPROM, il est de l'ordre de 7 nm Le transistor à grille flottante conduit lorsque la grille flottante est chargée de trous, il se bloque lorsqu'elle est chargée d'électrons Les cellules sont programmables et effaçables par bloc. Les cellules FLASH-EEPROM ont une allure technologique du même type que les EEPROM, mais sans transistor d'accès Leur densité d'intégration est plus grande Cependant, le procédé de fabrication est difficile à mettre au point, au moment de la programmation le temps de programmation est très long (quelques secondes), et les tensions de seuil de programmation doivent être très précisément contrôlées. La cellule consomme du courant en effacement et en lecture. Les grilles de toutes ces cellules sont de préférence l'une au dessus de l'autre, mais il est tout à fait envisageable de réaliser une grille de commande enterrée, surmontée de la grille flottante Cette dernière vient ensuite surplomber le bord d'une région de drain d'un transistor, ou tout simplement une région dopée Il en sera de même pour les cellules de l'invention bien que, pour simplifier, la présente description concerne plus précisément les structures à empilage. Une cellule, dans l'état de la technique ou dans l'invention, est dite programmée si elle a reçue des trous sur sa grille flottante Elle est dite effacée si elle a reçu des électrons Quand elle est programmée son seuil de conduction est négatif: par exemple la valeur de ce seuil est 2 V Ainsi cette cellule se mettrait à conduire si la tension appliquée sur sa grille de commande de son transistor était supérieure à 2 V, alors qu'elle est polarisée par 5 V sur son drain et O V sur sa source Quand elle est effacée son seuil de conduction est positif: par exemple 4 V, dans les mêmes conditions que ci-dessus Le seuil de conduction est donc plus grand dans l'état effacé que dans l'état programmé. L'invention a pour objet de remédier aux inconvénients cités en mettant en oeuvre un principe physique différent de celui de la conduction des transistors à grille flottante Dans l'invention on surveille la variation de la capacité d'un transistor ou plutôt d'un dispositif de type MOS à grille flottante en fonction de la tension appliquée sur sa grille de commande On constate en effet qu'il existe une capacité entre la grille flottante et le drain du transistor, de même qu'il existe une capacité entre cette grille flottante et le substrat semiconducteur, à l'endroit du canal de conduction Cette dernière capacité varie d'une part fortement selon que le transistor est passant ou non Soit cette capacité existe entre la grille flottante et le substrat si la tension de la grille de commande est inférieure au seuil de conduction du transistor (et alors elle est faible); soit elle existe entre la grille flottante et le canal de conduction créé par le transistor si la tension de la grille flottante dépasse la tension de seuil de conduction du transistor (et alors elle est forte) D'autre part, quand le transistor conduit cette capacité grille flottante-canal de conduction s'additionne à la capacité grille flottante-drain puisqu'elle lui est connectée en parallèle par le canal de conduction. Dans l'invention, la cellule proposée a son drain et sa source courtcircuités, ou bien même l'un d'entre eux n'existe même pas Il n'y a donc plus a proprement parlé de transistor L'existence ou non d'un canal de conduction s'explique cependant de la manière suivante. Il existe quand la tension sur la grille de commande est supérieure à la tension de seuil Quand ce canal existe la capacité grille flottante-canal existe Par contre entre les grilles flottantes (en polysilicium de premier niveau) et les grilles de commande (en polysilicium de deuxième niveau dans les structures à empilage) ou entre elles et la zone de conduction du transistor, ou le substrat semiconducteur, il n'y a aucun courant. Si le canal n'existe pas, la capacité entre la grille flottante et le substrat subsiste Celle-ci est cependant faible pour une tension de la grille de commande avoisinante ou inférieure à la tension de seuil La capacité qui est utilisée dans le dispositif de l'invention est la capacité entre la grille flottante et une ligne de bit constituée schématiquement par un drain Quand la tension de la grille de commande dépasse la tension du seuil, le canal est créé Il existe alors une connexion électrique entre le canal et une diffusion de drain, ou de source, servant de ligne de bit Si cette tension est inférieure à cette valeur, même si le canal existe, il n'y a en fait pas de connexion électrique entre le canal et la diffusion drain ou source Ceci est dû à la présence de la zone désertée créée autour de la diffusion (n+) de ce drain ou de cette source Ce comportement est utilisé pendant la lecture. L'invention a donc pour objet une cellule mémoire d'un circuit intégré dans un substrat semiconducteur, comportant une grille de commande commandant et étant isolée d'une grille flottante, cette grille flottante étant isolée du substrat semiconducteur, cet isolement comportant au moins une fenêtre en un oxyde tunnel, caractérisée en ce que cette grille surmonte en partie à l'endroit de cette fenêtre en oxyde tunnel une région unique de ce substrat dopée avec des impuretés d'un type opposé aux impuretés qui dope le substrat alentour de cette région unique La fenêtre tunnel peut par ailleurs occuper toute la surface de l'isolement entre la grille flottante et le substrat Dans la cellule de l'invention il n'y a que deux accès: un sur la grille de commande et un sur la région Il n'y a pas alors de région pouvant constituer une source, et qui serait reliée par ailleurs à la masse ou à un autre potentiel. Elle a également pour objet une cellule mémoire d'un circuit intégré dans un substrat semiconducteur, comportant une grille de commande commandant et étant isolée d'une grille flottante, cette grille flottante étant isolée du substrat semiconducteur, cet isolement comportant au moins une fenêtre en un oxyde tunnel au dessus d'un canal de conduction d'un transistor réalisé dans le substrat semiconducteur, caractérisée en ce que les régions drain et source de ce transistor sont reliées électriquement Dans ce sens on comprendra comme formant un transistor au sens de l'invention tout couple de régions diffusées dans le substrat, court-circuitées ensemble, et surmonté d'une grille flottante. Elle a enfin pour objet un procédé de lecture d'une cellule mémoire dans une mémoire munie de cellules avec dispositif à grille flottante, ces dispositifs comportant une grille de commande reliée à une ligne de mot et une région source, ou une région drain, reliée à une ligne de bit, cette cellule étant dans un état programmée ou effacée, le seuil de conduction d'un canal de conduction du dispositif à grille flottante étant plus faible dans l'état programmé que dans l'état effacé, caractérisé en ce que on précharge les lignes de bit à une tension dont la valeur est au moins égale à la valeur absolue du seuil de conduction de la cellule pour un état programmé pour minimiser les capacités des lignes de bit, on sélectionne la ligne de bit et la ligne de mot concernées par la cellule à lire, et on compare à une tension de référence la tension restant sur la ligne de bit sélectionnée et on en déduit l'état lu. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit et à l'examen des figures qui l'accompagnent Celles-ci ne sont données qu'à titre indicatif et nullement limitatif d l'invention Les figures montrent: figures la à lc: une représentation schématique de l'architecture des capacités dans un transistor ou plus généralement dans un dispositif à grille flottante; figures 2 a et 2 b: des diagrammes montrant l'évolution de la capacité grille flottante-drain du dispositif à grille flottante, en fonction de la tension appliquée sur la grille de commande, dans le cas d'une cellule effacée ou programmée respectivement; figure 3: une mémoire selon l'invention et les particularités de son système de lecture; figures 4 a à 4 g: des diagrammes temporels montrant pour trois utilisations de la mémoire les tension appliquées dans son circuit de commande; figures 5 a et 5 b: une représentation simplifiée des tensions applicables sur des lignes de bit et ligne de mot de la mémoire pour programmer ou effacer respectivement une cellule mémoire; figure 6: un schéma d'implantation de cellules mémoires de la mémoire dans un substrat semiconducteur. Les figures la à lc montrent des cellules selon l'invention de divers types: respectivement théorique, dérivée d'une cellule EEPROM, ou dérivée d'une cellule FLASH-EEPROM Sur ces figures un substrat semiconducteur T contient une cellule selon l'invention Celle-ci est munie d'une grille de commande GC, réalisée en une couche de polysilicium de deuxième niveau La grille GC est séparée par une couche d'oxyde d'une grille flottante GF, réalisée en une couche de polysilicium de premier niveau La grille GF est séparée du substrat T, au moins en un endroit, par une couche d'oxyde tunnel OT de faible épaisseur Dans le cas de la cellule dérivée d'une cellule EEPROM, sous l'oxyde OT on trouve dans le substrat une implantation tunnel IT favorisant l'injection des charges électroniques dans la grille GF. Dans le cas de la cellule dérivée de la cellule FLASH-EEPROM, tout l'oxyde sous la grille GF est un oxyde tunnel de faible épaisseur e. Dans le cas de la figure la, la grille GF est superposée sur le canal de conduction d'un transistor comportant une source S et un drain D reliés entre eux par une connexion CO Dans le cas des figures lb et lc les sources ne sont pas réalisées Si elles le sont elles sont également connectées aux drains D Les drains ou sources sont réalisés sous forme de diffusion n+ dans le substrat T de type p En pratique la meilleure cellule, celle qui prend le moins de place est celle dans laquelle les régions sources ne sont pas réalisées parce qu'en fait elles sont inutiles. Les capacités existant entre ces différents éléments du dispositif à grille flottante sont les suivantes: Cplp 2 capacité entre la grille GC et la grille GF. Cgd capacité entre la grille GF et le drain D (ou plutôt la diffusion assimilée à ce drain). Cgs capacité entre la grille GF et la source S du transistor Dans la mesure o S est reliée à D par une connexion CO, ou dans la mesure o S n'existe même pas, on assimilera Cgs à Cgd. Ccan capacité existant entre la grille GF et le substrat T quand la tension sur la grille GC est supérieure à la tension de seuil de conduction du transistor. Cgt capacité entre grille GF et substrat T quand le transistor ne conduit pas Elle est négligeable. La capacité Cgd elle-même se décompose en capacité de recouvrement Crec entre la partie du drain qui va sous la grille GF et la grille GF ellemême, et en capacité d'implantation tunnel Cit Cette dernière n'est ici visible que dans la variante dérivée de la technologie EEPROM o une implantation tunnel est effectuée sous la partie d'oxyde tunnel. Ces capacités sont mises en circuit de la manière suivante La capacité Cplp 2 est en série avec les capacités Cgd et Ccan Lorsque le canal est connecté ces deux dernières capacités s'additionnent et jouent ensemble le rôle de la capacité Cgd Quand il nest pas connecté, seule la capacité intrinsèque Cgd intervient dans le schéma équivalent de connexion Cette dernière, quand elle intervient seule, est équivalente à Crec. L'évolution de la capacité grille flottante-drain en fonction de la tension de appliquée sur la grille de commande GC est représentée sur les figures 2 a et 2 b. Respectivement, dans l'état effacé (un 1 est écrit dans la cellule) la tension de seuil de création de la connexion du canal est VT 1 Dans un exemple VT 1 vaut 4 Volts Dans l'état programmé (un O est écrit dans la cellule) le seuil de création de la connexion du canal est VTO Dans un exemple VTO vaut 2 Volts Dès que la tension sur la grille GC devient supérieure à la tension de seuil la capacité Cgd passe de la valeur Crec à la valeur Crec + Ccan + Cit (éventuellement pour cette dernière). Le fonctionnement de la cellule est le suivant. Grâce à l'existence d'une fenêtre tunnel (de l Onm environ d'épaisseur) des charges peuvent être conduites sur la grille GF si on applique un champ électrique suffisamment grand (de l'ordre de 10 MV/cm) à travers l'oxyde tunnel Ce champ est obtenu en portant la grille GC à environ 20 V quand le drain est à O V, ou vice versa Suivant la direction du champ appliqué, on stocke soit des électrons soit des trous L'apport de ces charges sur la grille flottante permet de modifier la tension de seuil du transistor MOS, vue de la grille GC. Cette programmation est similaire dans son principe à celle des cellules EEPROM ou FLASH-EEPROM de l'état de la technique. Pour une cellule effacée la capacité de la cellule vue de la grille GC est: Ca O = Cplp 2 Crec / (Cplp 2 + Crec) Pour une cellule programmée la capacité de la cellule vue de la grille GC est: Cal = Cplp 2 (Ccan + Crec) / (Cplp 2 + Ccan + Crec) L'inconvénient d'une cellule capacitive dérivée d'une cellule EEPROM vient de ce que la capacité Crec est relativement grande (il y a alors moins de différence entre Ca O et Cal), ce qui détériore la sensibilité en lecture Pour diminuer cette capacité Crec, la fenêtre tunnel FT est repoussée vers le bord de la grille GF, dans le sens de la flèche 1 par exemple. Dans la technologie dérivée de la technologie FLASH-EEPROM, o tout l'oxyde de grille GF est un oxyde tunnel, on peut pour améliorer la programmation ou l'effacement ajouter une implantation de type LDD sur le drain pour l'étendre légèrement sous la grille GF Ceci comporte l'avantage de minimiser la capacité Crec et ainsi d'avoir une cellule la plus petite possible. la figure 3 montre une mémoire selon l'invention avec une cellule mémoire Cl comportant un transistor à grille flottante 1 La grille flottante 2 de ce il transistor est interposée entre une grille de commande 3 et un drain 4 et une source 5 reliés entre eux La grille 3 est reliée à une ligne de mot WLO, et les drain 4 et source 5 sont reliés ensemble à une ligne de bit BLO Les autres cellules C 2 à Cn et Cm sont représentées schématiquement par leur capacité équivalente Ca connectée entre une des lignes de bit BLO à B Lm et une des lignes de mot WLO à Wln La cellule C 3 adapte un symbolisme montrant clairement qu'il n'y a qu'une diffusion utile dans le dispositif de l'invention Les lignes de bit et de mot sont arrangées matriciellement Elles sont également en relation avec des décodeurs respectivement 6 et 7 de décodage de ligne de bit et de décodage de ligne de mot Ces décodeur reçoivent des signaux d'adresse permettant de sélectionner chaque cellule à son tour, ou éventuellement plusieurs en même temps Cette solution est symbolisée ici par la commande de transistors, montés en série avec les lignes de bit et devenant passant quand il reçoivent un signal décodé par le décodeur La ligne de bit sélectionnée est alors mise en circuit avec le système de lecture La mémoire comporte aussi un circuit de précharge alimenté par une tension de précharge supérieure à JVTOJ et commandé par un signal de précharge PRECH Le signal PRECH est appliqué sur la grille de commande d'un transistor 8 interposé entre une connexion Vbl reliée à une entrée ligne de bit du décodeur et à l'alimentation de précharge La tension doit être supérieure à IVTOI parce que, d'une cellule à l'autre, la tension de seuil peut varier et qu'il vaut mieux prendre des précautions. La mémoire comporte encore, dans un exemple, deux lignes de bits supplémentaires BLTO et BLT 1 Ces deux lignes de bits sont reliées entre elles et à une connexion Vdum Une des lignes de bit, BLTO ne dessert que des cellules programmées, l'autre BLT 1 que des cellules effacées. Un circuit 9 de lecture comporte un amplificateur différentiel recevant les signaux dispensé sur les connexions Vbl et Vdum Cet amplificateur différentiel de type connu comporte deux branches 10 et 11 entre l'alimentation générale Vcc du circuit et la masse électrique Chaque branche comporte un transistor de type P, respectivement 12 et 13, en série avec un transistor de type N, respectivement de 14 et 15 Les grilles de commande des transistors 12 et 13 sont reliées entre elles et entre le transistor 12 et le transistor 14 Le transistor 14 a sa grille de commande reliée à la connexion Vbl Le transistor 15 a sa grille de commande reliée à la connexion Vdum La sortie 5 de lecture de la mémoire est le point milieu entre les transistors 13 et 15 Les deux branches 10 et 11 sont reliées ensemble à la masse par un transistor de liaison établissant cet liaison aux moments opportuns pour éviter de faire débiter le circuit 9 de lecture inutilement en dehors de ces moments. Les figures 4 a à 4 g montrent des diagrammes temporels respectivement des signaux de précharge, de sélection ou d'adressage de ligne de bit, de sélection ou d'adressage de ligne de mot, et de de signaux disponibles sur la ligne de bit de la cellule sélectionnée, sur les lignes de bit des cellules non sélectionnées, sur la ligne de mot de la cellule sélectionnée, et sur celles des cellules non sélectionnées. Pour la lecture, pendant la durée d'un ordre de précharge, par exemple toutes les lignes de bit sont préchargées Elles sont préchargées au minimum à LVTOI qui représente la tension de seuil d'une cellule programmée Dans l'exemple o VTO vaut 2 Volts, on précharge donc les lignes de bit à plus que 2 Volts, par exemple à 2,5 Volts Ceci permet de minimiser la capacité de chaque ligne de bit En effet, la capacité Ccan d'une cellule programmée ne s'ajoute plus à la capacité Crec de cette cellule si la tension de drain de cette cellule est supérieure à JVTO Avec cette condition la capacité en précharge d'une ligne de bit est égale à Cbl (capacité parasite de la connexion de ligne de bit elle-même) plus N fois Crec s'il y a n cellules sur la même ligne de bit. Pendant la lecture, après la précharge, seule la ligne de bit reliée à la cellule à sélectionner est reliée à l'amplificateur 9 De même pendant la lecture seule la ligne de mot correspondant à la cellule à sélectionner est portée à V Volts, par exemple 5 Volts, ou même plus si on utilise une technique de multiplication de tension Les autres lignes de mot restent à O Volts Par exemple WLO est portée à 5 Volts. La sélection de la ligne de mot est ultérieure à la fin de la précharge. Considérons que la cellule Cl est dans un état programmé et qu'elle est lue Au moment de la lecture elle fait passer sur la ligne de bit B Ll une variation de tension égale à SV = V Ca / (Ca + Cbltot) o V vaut dans l'exemple 5 Volts, o Ca est la capacité équivalente de la cellule et Cbltot la capacité de la totalité de la ligne de bit On peut écrire encore que -SV = (Vbl IVTOI) Cgd / (Cgd + Cbltot) + (V- Vbl+|VTO) (Cgd+Ccan)/(Cgd+Ccan+Cbltot) Le premier terme est dû à la capacité Cgd avant que la ligne de mot ne dépasse la tension de création du canal. Le deuxième terme représente la tension passée sur la ligne de bit après que la connexion de canal soit créée. Si la cellule Ci est dans un état effacé au moment de la lecture, la tension qui passe sur la ligne de bit est seulement 6 V = V Cgd / (Cgd + Cbltot) puisque comme V (égal à 5 Volts) est inférieur à IVT 11 + Vbl (égal à 4 Volts + 2,5 Volts) la capacité Ccan n'est pas utilisée dans le couplage: il n'y a pas de canal connecté à la diffusion n+. Pour effectuer la détection de l'état de la cellule lue on compare la tension finale sur la ligne de bit avec une tension de référence La tension de référence est une tension moyenne, délivrée par les lignes de bit BLTO et BL Tl reliées entre elles, entre la tension délivrée par une cellule effacée et une cellule programmée lues ensemble. Pour la détection d'un état programmé (un 0), on obtient, dans le cas idéal o Crec est très inférieur à Ccan et o Ccan est de l'ordre du vingtième de Cbltot: SVO = 0,023 ( V Vbl + IVTOI) Pour la détection d'un état effacé (un 1), on obtient, dans le cas idéal o Crec est très inférieur à Ccan et o Ccan est de l'ordre du vingtième de Cbltot: SV 1 = 0,024 ( V Vbl + IVTQI) On s'aperçoit que les valeurs de SV sont environ symétriques par rapport à la tension moyenne de comparaison Par exemple avec les valeurs données jusqu'ici elles valent SVO = 104 m V et 6 V 1 = 109 m V. L'amplificateur différentiel 9 est capable de détecter ces différences. Les figures 5 a et 5 b montrent les tensions à appliquer sur les lignes de bit et de mot concourant à une cellule sélectionnée à programmer ou à effacer (pointées par des flèches), ainsi que celles qu'il faut appliquer pendant ces ces opérations sur les autres lignes concourant aux cellules non sélectionnées. Pendant la programmation, on applique la tension de programmation VPROG par la ligne de bit sur le drain, et 0 Volts par la ligne de mot sur la grille de la cellule sélectionnée Pour ne pas affecter l'état des autres cellules, on applique la moitié de la tension de programmation sur toutes les lignes de mot non sélectionnées et O Volts sur les lignes de bits o la cellule ne doit pas changer d'état Pour l'effacement on inverse le sens du champ électrique Pour cela on applique VPROG sur la grille par l'intermédiaire de la ligne de mot, et O Volts sur le drain par l'intermédiaire de la ligne de bit de la cellule sélectionnée Pour ne pas affecter le contenu des autres cellules, on porte les lignes de bit dont les cellules ne doivent pas changer d'état à 1/2 VPROG et toutes les autres lignes de mots à O Volts. Un grand avantage de cette structure est qu'on puisse effacer ou programmer une seule cellule à la fois Mais on peut aussi programmer ou effacer des lignes entières Par exemple pour effacer toutes les cellules d'une ligne on la porte à VPROG en maintenant toutes les lignes de bit à 0 Pour les lignes ou colonnes non sélectionnées la tension 1/2 VPROG est utilisée Elle permet d'avoir sur les cellules non sélectionnées un champ électrique deux fois moins fort, insuffisant pour déclencher un effet tunnel nécessaire à la programmation ou l'effacement. La figure 6 montre les lignes de mot W Ln, W Ln-1 réalisées sous forme de bande de polysilicium de deuxième niveau et susceptible de jouer en elle même le rôle de grille de commande lorsqu'elles sont placées au-dessus (avec un isolement) de plaques gravées, marquées avec des hachures, réalisées en polysilicium de premier niveau et jouant le rôle de grilles flottantes. Entre la ligne W Ln et la ligne W Ln-1, on a diffusé dans le substrat une région de "drain", parallèlement à ces lignes de mot, et légèrement en dessous dans le cas o il y a recouvrement Entre ces deux lignes de mots, au droit de l'alignement des plaques on réalise des connexions électriques entre ses diffusions de drain et les lignes de bit métallisées B Lm, B Lm-1 surmontant les lignes de mot et étant perpendiculaires à ces dernières. Les diffusions de drain et les connexions avec les lignes de bit peuvent prendre place entre chaque ligne de mot, cellule Cl, ou une fois sur deux, cellule C 3. REVENDICATIONS 1 Cellule mémoire d'une mémoire en circuit intégré réalisé dans un substrat semiconducteur, comportant une grille de commande commandant et étant isolée d'une grille flottante, cette grille flottante étant isolée du substrat semiconducteur, cet isolement comportant au moins une fenêtre en un oxyde tunnel, caractérisée en ce que cette cellule ne comporte qu'une région diffusée unique dans le substrat, cette grille surmontant en partie, à l'endroit de cette fenêtre en oxyde tunnel, cette région unique de ce substrat, cette région unique étant dopée avec des impuretés d'un type opposé aux impuretés qui dope le substrat alentour de cette région unique. 2 Cellule mémoire d'une mémoire en circuit intégré réalisée dans un substrat semiconducteur, comportant une grille de commande commandant et étant isolée d'une grille flottante, cette grille flottante étant isolée du substrat semiconducteur, cet isolement comportant une fenêtre en un oxyde tunnel au dessus d'un canal de conduction d'un transistor réalisé dans le substrat semiconducteur, caractérisée en ce que les régions drain et source de ce transistor sont reliées électriquement. 3 Cellule mémoire d'une mémoire en circuit intégré réalisée dans un substrat semiconducteur, comportant une grille de commande commandant et étant isolée d'une grille flottante, cette grille flottante étant isolée du substrat semiconducteur par un oxyde tunnel, caractérisée en ce que cette cellule ne comporte qu'une région diffusée unique dans le substrat, cette région unique étant dopée avec des impuretés d'un type opposé aux impuretés qui dope le substrat alentour de cette région unique. 4 Cellule selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisée en ce qu'on repousse la fenêtre tunnel vers le bord de la grille flottante. Cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 caractérisé en ce que la région unique est dopée avec une implantation de type LDD. 6 Procédé de lecture d'une cellule mémoire selon l'une quelconque des revendications 1 à 5 dans une mémoire munie de cellules avec dispositif à grille flottante, ces dispositifs comportant une grille de commande reliée à une ligne de mot et une région source, ou une région drain, reliée à une ligne de bit, cette cellule étant dans un état programmée ou effacée, le seuil de conduction d'un canal de conduction du dispositif à grille flottante étant plus faible dans l'état programmé que dans l'état effacé, caractérisé en ce que on précharge les lignes de bit à une tension dont la valeur est au moins égale à la valeur absolue du seuil de conduction de la cellule pour un état programmé, on sélectionne la ligne de bit et la ligne de mot concernées par la cellule à lire, et on compare à une tension de référence la tension restant sur la ligne de bit sélectionnée et on en déduit l'état lu. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'on relie la région drain du dispositif à grille flottante à une région source de ce dispositif. 8 Procédé selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que on programme toutes les cellules d'une première ligne de bit de référence, on efface toutes les cellules d'une deuxième ligne de bit de référence, on relie entre elles ces deux lignes de bit de référence, et on se sert de leur tension commune résultant de la précharge comme tension de référence pour la comparer à la tension à lire.