Brevet FR2687011A1 — publié le 19930806

DESCRIPTION Domaine technique La présente invention a pour objet un amplifi- cateur optique à semiconducteur à faible temps de commutation Elle trouve une application en téLécom- munications optiques. Etat de la technique antérieure Pour obtenir un faisceau optique commuté, on peut utiliser un laser osci Llateur et commuter ce laser mais on peut aussi utiliser un laser émettant en continu, amplifier le faisceau continu dans un amplificateur et commuter cet amplificateur Cette commutation "externe" est plus facile à mettre en oeuvre que la commutation "interne" Mais elle n'est possible que si la durée de vie des porteurs dans les états actifs de l'amplificateur est suffisamment courte Une solution qui a été envisagée pour réduire cette durée de vie consiste à irradier avec des éLec- trons la structure amplificatrice Mais cette solution a l'inconvénient de détruire la qualité des couches semiconductrices et de réduire la durée de vie du système. Pour résoudre ce problème de manière satisfai- sante, la présente invention a recours à une structure qui est du genre à puits quantiques Avant de décrire l'invention en détail, on peut rappeler que, depuis quelques années, on s'intéresse à une nouvelle classe de structures appelées puits quantiques ou, dans une variante plus complexe, multi-puits quantiques ("Multi- p Ie Quantum Well" en terminologie anglosaxonne ou MQW en abrégé). Un puits quantique est obtenu en insérant entre deux couches minces d'un premier matériau semi- conducteur une couche mince d'un second matériau ayant une bande interdite plus faible que celle du premier. Un puits de potentiel est ainsi créé pour les porteurs de charge dans le semiconducteur central qui a la plus faible bande interdite, ce puits étant encadré par deux barrières de potentiel correspondant aux deux couches latérales On obtient un multi-puits quantique en superposant de telles structures, sans qu'il existe de couplage entre les puits (ce qui s'ob- tient en donnant aux barrières une épaisseur suffi- sante). De telles structures peuvent être utilisées pour réaliser des lasers ou des absorbants saturables. Le document FR-A-2 589 630 décrit ainsi un absorbant saturable à très faible temps de commutation La struc- ture utilisée est représentée sur la figure 1 annexée. On voit, sur cette figure, (partie a), un empilement de couches de deux matériaux semiconducteurs SC 1 et SC 2, l'épaisseur des couches de SC 2 étant toujours la même, mais l'épaisseur des couches de SC 1 étant égale soit à une faible valeur Lpl, soit à une forte valeur Lp 2 Sur la partie b) on voit le diagramme d'énergie de la bande de conduction (la bande de va- lence n'est pas représentée mais elle a une allure similaire quoique symétrique) Des barrières de largeur Lb séparent des puits de largeur alternativement L Pl et Lp 2 Dans les puits larges, le plus bas niveau d'énergie E 1 est situé en dessous du niveau E'1, qui est le plus bas niveau dans les puits étroits. Dans un tel dispositif, l'absorption saturable est obtenue dans les puits étroits tandis que les puits larges servent à recueillir les porteurs photo- excités qui ont été créés dans les puits étroits adja- cents. L'introduction d'un puits éLargi a pour effet de créer, dans ce puits, un ou des niveaux d'énergie situés en dessous du niveau d'énergie le plus bas de la bande de conduction (pour les électrons) et au-dessus du niveau d'énergie de la bande de valence (pour les trous) Les porteurs ont donc tendance à s'accumuler dans le ou les puits large(s) sur les niveaux d'énergie faible. Bien que satisfaisants à certains égards, (des temps de l'ordre de la picoseconde ont été obtenus) ces dispositifs soulèvent un problème lié à l'éva- cuation des porteurs du puits large, si l'on utilise un tel dispositif à des fréquences de répétition éle- vées On peut essayer de résoudre ce problème en vidant le puits large par effet laser Ce principe a été démontré pour les absorbants saturables (cf l'article de J L OUDAR et J A LEVENSON, IQEC'88, Technical Digest, 626, 1988) Mais il nécessite l'uti- lisation de puissances d'excitation très élevées, et ne fonctionne que dans une plage de température restreinte. Exposé de l'invention La présente invention reprend l'idée d'un puits principal couplé (à travers une barrière de potentiel) à un puits auxiliaire, ce dernier étant chargé de recueillir les porteurs du puits principal. Pour cette raison, on peut qualifier le second puits de puits "poubelle" par opposition au premier puits qui est un puits "actif" L'invention utilise des matériaux tels que le puits actif permette l'ampli- fication souhaitée à la longueur d'onde, alors que le puits poubelle va contribuer à vider rapidement le puits actif lorsque l'excitation électrique aura cessé et va se dépeupler lui-même par effet laser, sans toutefois qu'une amplification puisse s'établir également à travers le puits poubelle, ce qui ruinerait naturellement la possibilité de moduler rapidement l'amplification à la longueur d'onde recherchée. Pour cela, la structure de l'invention est pourvue de couches transparentes déposées sur les faces latérales de la structure (en pratique sur Les faces perpendiculaires au plan des couches), ces cou- ches étant choisies dans leur nature et leur épaisseur pour constituer des couches semiréfléchissantes à la longueur d'onde correspondant au puits poubelle o doit avoir lieu l'effet laser chargé de dépeupler ce puits, et pour constituer simultanément des couches antireflet à la longueur d'onde correspondant au puits actif o a lieu l'amplification. De façon précise, la présente invention a pour objet amplificateur optique à faible temps de commutation, caractérisé en ce qu'il comprend un empi- lement de couches semiconductrices comprenant: une première couche, en un premier semi- conducteur ayant une première bande inter- dite et une première épaisseur, une deuxième couche en un deuxième semi- conducteur ayant une deuxième bande inter- dite plus large que la première bande inter- dite du premier semiconducteur, cette deu- xième couche ayant une deuxième épaisseur, une troisième couche, en un troisième semi- conducteur ayant une troisième bande inter- dite inférieure à la première bande inter- dite du premier semiconducteur, cette troi- sième couche ayant une troisième épaisseur, cet empilement comprenant ainsi un puits quantique peu profond dans La première couche, couplé à un puits quantique profond dans la troisième couche à travers une barrière de potentiel dans la deuxième couche, cet empilement étant par ailleurs encadré par deux couches constituant des couches antireflet pour une longueur d'onde correspondant à L'énergie de la première bande interdite du premier semiconducteur constituant le puits quantique peu profond et des couches à réflexion partielle pour une longueur d'onde correspondant à l'énergie de la troisième bande interdite du troisième semiconducteur constituant le puits quantique profond, l'amplification optique s'effectuant à la longueur d'onde correspondant au puits peu profond, un effet laser se produisant à la longueur d'onde correspondant au puits profond. Généralement, la troisième épaisseur de la troisième couche est plus grande que l'épaisseur de la première couche. Brève description des dessins La figure 1, déjà décrite, montre la struc- ture de bandes d'un absorbant saturable selon L'art antérieur; la figure 2 montre la structure de bandes d'un amplificateur selon L'invention; la figure 3 montre une variante à deux puits actifs encadrant un puits poubelle; la figure 4 illustre une variante à couches de confinement graduelles; la figure 5 montre la structure générale d'un amplificateur selon l'invention. Exposé détaillé d'un mode de réalisation On voit, sur La figure 2, une structure amp Li- ficatrice selon l'invention avec ses différentes cou- ches (partie a) et ses bandes d'énergie (partie b). Te L Le que représentée la structure comprend une première couche 12, en un premier semi- conducteur SC 1 ayant une bande interdite Eg 1, cette première couche ayant une épais- seur ei; une deuxième couche 14 en un deuxième semi- conducteur SC 2 ayant une bande interdite E 92 supérieure à La bande Eg 1 de SC 1 et ayant une deuxième épaisseur e 2; une troisième couche 16, en un troisième semiconducteur SC 3 ayant une bande interdite Eg 3 inférieure à La bande Eg 1 du premier semiconducteur, cette troisième couche 16 ayant une épaisseur e 3 qui, dans L'exemple il Lustré, est plus grande que l'épaisseur el de La première couche 12. Il est ainsi constitué un puits quantique peu profond et étroit Pl dans La couche 12, ce puits étant couplé à un puits quantique profond et large P 2 dans La couche 16 à travers une barrière de poten- tiel BP correspondant à la couche 14. Cet empilement de trois couches 12, 14, 16 est encadré par deux couches de confinement optique, respectivement 10 et 18 Ces couches peuvent être par exemple en un semiconducteur identique au deuxième semiconducteur SC 2 servant à créer La barrière de potentiel Mais on verra un autre mode de réalisation à propos de la figure 4. Comme on le comprendra mieux par la suite en Liaison avec La figure 5, La structure comprend encore deux couches en matériau transparent, non visi- b Les sur La figure 2 et perpendiculaires au p Lan des couches 12, 14 et 16 (donc para LlèLes au p Lan de La figure) Ces couches constituent des couches anti- reflet pour la Longueur d'onde À 1 correspondant à L'énergie de La bande interdite Egl du premier semi- conducteur SC 1 constituant Le puits peu profond et étroit Pl et constituant des couches à réflexion par- tie L Le pour La Longueur d'onde A 2 correspondant à l'énergie de la bande interdite Eg 3 du troisième semi- conducteur SC 3 constituant Le puits profond et Large P 2 L'amp Lification optique s'effectue a Lors à La Longueur d'onde A 1 correspondant au puits peu profond et étroit P 1, L'effet laser se produisant à La Longueur d'onde A 2 correspondant au puits profond et Large P 2 en raison des miroirs semif Léchissants encadrant ce puits. Le premier semiconducteur SC 1 dans Lequel est formé Le puits Pl étroit et peu profond peut être en Inx Gal-x As avec une concentration x en indium de 52 % et Le troisième semiconducteur SC 3 dans Lequel est formé Le puits P 2 profond et Large en In Ga As mais avec une concentration en indium plus élevée, de 65 % environ. Ces compositions correspondent à des longueurs d'onde Ài et A 2 respectivement de 1,5 microns et 1,9 microns. Quant au deuxième semiconducteur SC 2 formant La barrière de potentiel, il peut être en Inj-x Gax Asy Pl-y avec x de l'ordre de 47 % pour obtenir des couches adaptées à un substrat en In P On pourra prendre pour y 20 % ce qui correspond à une bande interdite de largeur 1,2 e V à 300 K ou 35 %, ce qui donne une bande interdite de 1,1 e V ou 50 % pour obtenir une bande de 1 e V. Avec une telle structure, on peut utiliser des couches antireflet en Si O d'épaisseur 210 nm. Une telle couche présente un coefficient de réflexion inférieur à 10-3 à la longueur d'onde d'amplification 1 Xl ( 1,55 microns) et de 4,5 % à la longueur d'onde > 2 ( 1,9 microns) de l'effet laser dans le puits poubel- le On peut améliorer l'écart de réflectivité en uti- lisant une couche d'épaisseur 630 nm Le coefficient de réflexion passe alors à 24 % En portant l'épaisseur à 1,05 microns, on obtient un coefficient de réflexion de 30 %, toujours à 1,9 microns de longueur d'onde. Des compositions multicouches, par exemple en Ti O 2/Si O 2 permettent de conserver un coefficient de réflexion inférieur à 10-3 à la longueur d'onde A 1 d'amplification ( 1,55 microns) tout en faisant passer la réflectivité au-dessus de 70 % à la longueur d'onde t 2 de l'effet laser ( 1,9 microns). La figure 3 illustre une variante dans la- quelle un puits large et profond P 2 est intercalé entre deux puits étroits et peu profonds Pl et P'I avec deux barrières de potentiel BP et BP'. Dans cette variante, la densité d'états est deux fois plus grande que dans le cas simple schématisé de la figure 2 Pour aller plus loin dans cette direc- tion, on peut, en outre, réaliser des largeurs de puits et des compositions telles que le niveau n= 2 du puits poubelle (E'2 sur la figure 3) se trouve en résonance avec les niveaux n=l des deux puits actifs El, E'1 On aboutit ainsi à une densité d'états triple de celle du dispositif de départ On peut obtenir les résonances indiquées pour tout un ensemble de paramètres, par exemple: les deux puits actifs ont une composition de 53 % en indium et une largeur de 5,8 nm, le puits poubelle est réalisé avec une composition en indium de 65 % et sa largeur est de 10 nm. Si l'on prend pour référence d'énergie le bas de la bande de conduction de l'In Ga As à 65 %, on obtient la succession suivante de niveaux: un niveau à 35 me V pour les électrons n=l du puits poubelle, et trois niveaux en résonance à 132 me V pour les élec- trons n= 1 des deux puits actifs et pour les électrons n= 2 du puits poubelle. Sur les figures 2 et 3, les couches de confi- nement 10, 18 qui encadrent la structure sont supposées être d'une composition constante sur toute leur épais- seur Mais il entre dans le cadre de l'invention d'utiliser des couches de confinement à composition graduelle comme illustré sur la figure 4 Sur cette figure, on retrouve un puits peu profond et étroit Pl et un puits poubelle P 2 profond et large séparé par une barrière de potentiel BP, mais cette structure étant encadrée par deux couches de confinement 10 ' et 18 ' à composition graduelle telle que la bande de conduction présente deux flancs en forme de vallée. Ce type de confinement, connu en soi, est désigné parfois par le terme GRINSCH signifiant "Graded Index Separate Confinement Heterostructure" Ce type de confinement améliore à la fois la qualité du mode optique et la qualité de la collection des électrons et des trous dans le puits quantique, donc la rapidité du dispositif. Enfin, la figure 5 (a, b) montre la structure générale de l'amplificateur selon l'invention Telle que représentée, la structure comprend une électrode inférieure 6 déposée sous un substrat 8, lequel substrat porte, sur sa face supérieure, une hétérostructure en forme de mésa M, avec, successivement, et comme illustré sur la partie b, des couches déjà rencontrées à savoir une couche inférieure de confinement 10, un premier puits étroit 12, une barrière 14, un second puits large 16, et enfin une couche supérieure de confinement 20. L'ensemble est recouvert d'une couche de contact 20 fortement dopée et d'une électrode supérieure 22. Par ailleurs, sur chacune des faces latérales de l'ensemble, on trouve une couche semiréfléchissante, à savoir 30 sur la face avant (visible sur la figure ) (partie a) et 32 sur la face arrière (cachée sur la figure) Comme expliqué plus haut, ces couches remplissent simultanément une double fonction: un antireflet pour la longueur d'onde d'amplification et une semiréflexion pour la longueur d'onde de l'effet laser chargé de vider le puids poubelle. A titre d'exemple non limitatif, le substrat 8 peut être en In P dopé n+, l'hétérostructure M en In Ga As P avec les compositions données plus haut. L'électrode inférieure 6 peut être en or-germanium et le contact ohmique 22 en or-zinc La structure mésa M peut être recouverte d'une couche d'In P. 1 1 REVENDICATIONS 1 Amplificateur optique à faib Le temps de commutation, caractérisé par le fait qu'i L comprend un empi Lement de couches semiconductrices comprenant: une première couche ( 12), en un premier semiconducteur (SC 1) ayant une première bande interdite (Eg 1) et ayant une première épaisseur (el), une deuxième couche ( 14) en un deuxième semiconducteur (SC 2) ayant une deuxième bande interdite (Eg 2) plus large que la première bande interdite (Eg 1) du premier semiconducteur, cette deuxième couche ayant une deuxième épaisseur (e 2), une troisième couche ( 16), en un troisième semiconducteur (SC 3) ayant une troisième bande interdite (Eg 3) inférieure à la pre- mière bande interdite (Eg I) du premier semiconducteur (SC 1), cette troisième couche ( 16) ayant une troisième épaisseur (e 3), cet empilement comprenant ainsi un puits quantique peu profond (P 1) dans la première couche ( 12) couplé à un puits quantique profond (P 2) dans la troisième couche ( 16) à travers une barrière de potentiel (BP) dans la deuxième couche ( 14), cet empilement étant par ailleurs encadré par deux couches ( 30, 32), constituant des couches antireflet pour une longueur d'onde (A 1) correspondant à l'énergie de la première bande interdite (Eg 1) du premier semiconducteur (SC 1) constituant le puits quantique peu profond (P 1) et des couches à réflexion partielle pour une longueur d'onde (A 2) correspondant à l'énergie de la troisième bande interdite (Eg 3) du troisième semiconducteur (SC 3) constituant le puits quantique profond (P 2), l'amplification optique s'effectuant à la longueur d'onde (A 1) correspondant au puits peu profond (P 1), un effet laser se produisant à la longueur d'onde (A 2) correspondant au puits profond (P 2). 2 Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que la troisième couche ( 16) possède une troisième épaisseur (e 3) plus grande que la première épaisseur (e 1) de la première couche ( 12). 3 Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que chaque empilement comprend en outre une quatrième couche identique à la deuxième et une cinquième couche identique à la première, cet empilement comprenant ainsi un puits quantique profond et large (P 2) encadré par deux puits quantiques peu profonds et étroits (P 1, P'1). 4 Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé par le fait que l'épaisseur (e 1) de la première couche et l'épaisseur (e 3) de la troisième couche sont telles que le premier niveau d'énergie (E 1) du puits peu profond et étroit (P 1) est à la même hauteur que l'un des niveaux supérieurs d'énergie (E'2) du puits profond et étroit (P 2). Amplificateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'empilement ( 12, 14, 16) est encadré par deux couches de confinement ( 10, 18). 6 Amplificateur selon la revendication 5, caractérisé par le fait que les deux couches de confi- nement ( 10 ', 18 ') ont des compositions graduelles. 7 Amplificateur selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par le fait que l'énergie de la première bande interdite (Eg 1) cor- respondant au puits peu profond et étroit (P 1) cor- respond à une longueur d'onde (A 1) d'environ 1,5 m. 8 Amplificateur selon la revendication 7, caractérisé par le fait que le premier semiconducteur (SC 1) est en In Ga As avec une proportion de In de L'or- dre de 52 %. 9 Amplificateur selon la revendication 7, caractérisé par le fait que l'énergie de la troisième bande interdite (Eg 2) correspondant au puits profond et large (P 2) correspond à une longueur d'onde (A 2) d'environ 1,9 pm. Amplificateur selon la revendication 9, caractérisé par le fait que le troisième semiconducteur (SC 3) est en In Ga As avec une proportion de In de l'ordre de 65 %. RÉP Ua LIQUE FRAN AISE INSTITUT NATIONAL DE LA PROPRIÉTÉ INDUSTRIELLE Erratum Brevet N O A 1 Demande de brevet n 92 01083 N de Publication: 2 687 011 Classification internationale: CLASST 5 HOIL 33/00. E R R A T U M A la rubrique 71 de la page de garde du fascicule de la demande de brevet, un seul nom doit figurer. I 1 faut lire: DEVEAUD-PLEDRAN Benoit. 6 3 ii IRS 199 &l IN Pl 26 bis, rue de Saint-Pétersbourg 75800 Paris Cédex 08 Tél: ( 1) 42 94 52 52 Télex: IN Pl PARIS Télécopie: ( 1) 42 93 59 30 Etablissement pubic ?nabonal cree parla loin 5 I-444 du 19 avril 1951 M cm oe lm