Brevet FR2697675A1 — publié le 19940506

PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSDUCTEURS CAPACITIFS INTEGRES L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de transducteurs capacitif S intégrés et plus particulièrement un procédé de fabrication de tels transducteurs à partir notamment de deux substrats en matériau semiconducteur par une technique de micro-usinage et d'assemblage de ces matériaux De tels transducteurs sont notamment destinés à être utilisés comme microphones. Parmi les transducteurs ou microphones utilisés généralement, on trouve principalement des transducteurs de type capacitif, piézo-électrique ou électro-dynamique. Parmi ceux-ci, les transducteurs de type capacitif se distinguent par leur bonne sensibilité, leur large bande passante, leur grande stabilité et leur faible consommation, et sont pour ces qualités généralement utilisés dans les appareils auditifs. Ces transducteurs capacitifs comprennent classique- ment un diaphragme, ou membrane, qui est sensible à une pression acoustique, et une plaque de support rigide Le diaphragme s'étend en regard de la plaque de support et est séparé de celle-ci par un espace ouvert de faible épaisseur Ces deux éléments forment ainsi chacun une des deux électrodes d'un condensateur Quand le diaphragme se déplace en réponse à une pression acoustique, la capacité du condensateur change et ce changement est détecté par un préamplificateur dont les entrées sont respectivement reliées à ce diaphragme et à la plaque de support rigide. Il existe une grande variété de constructions de ces transducteurs classiques et ils peuvent être fabriqués en de nombreux matériaux, avec une préférence pour un film métallisé ou métallique comme matériau formant le diaphragme et pour du silicium comme matériau formant la plaque de support. Un tel transducteur et son procédé de fabrication sont décrits dans la publication intitulée "Development of an electret microphone in siliconu de A J Sprenkels et al., dans la revue Sensors and Actuators, 17 ( 1989) aux pages 509-512. Selon ce procédé connu, on se munit d'un substrat en silicium que l'on oxyde pour former une couche de Si O 2 sur ses faces supérieure et inférieure La couche supérieure de Sio 2 est alors gravée pour former des cavités dans la surface du substrat Le substrat est alors à nouveau oxydé, à la suite de quoi la couche inférieure de Si O 2 est gravée pour former d'une part des conduits d'air débouchant chacun dans une des cavités ménagées sur la surface supérieure et d'autre part des passages destinés à la fixation du diaphragme et débouchant à la périphérie des cavités ménagées dans la surface supérieure Le substrat est à nouveau oxydé et le diaphragme, formé d'une feuille de Mylar (PETP), est disposé sur la surface supérieure du substrat de manière à recouvrir les cavités et les passages, et fixé au substrat à l'aide d'un polymère qui est pulvérisé dans les passages de fixation. L'électrode supérieure est alors déposée par évaporation sur la feuille formant le diaphragme tandis que l'électrode inférieure est formée par le silicium du substrat. La fabrication de ces transducteurs selon ce procédé présente toutefois certains inconvénients. En effet, les différences importantes dans la nature des divers matériaux utilisés (Mylar , silicium, polymère) conduit à des problèmes d'incompatibilité avec les technologies de micro-usinage des matériaux semiconducteurs utilisées pour la fabrication de ces transducteurs De plus, selon ce procédé, il est impossible d'obtenir une reproductibilité des caractéristiques entre des séries de transducteurs provenant de différentes plaquettes de silicium Ce procédé ne permet pas non plus de maîtriser les tensions internes mécaniques présentes dans le diaphragme et, par conséquent, ne permet pas un contrôle fiable de la sensibilité du transducteur. L'invention a donc pour but principal de remédier aux inconvénients de l'art antérieur susmentionné en proposant un procédé de fabrication d'une pluralité de transducteurs capacitifs intégrés permettant de fournir ces transducteurs avec des caractéristiques fiables et reproductibles et en ne faisant intervenir que des matériaux compatibles avec les technologies de micro- usinage des matériaux semiconducteurs. A cet effet, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une pluralité de transducteurs capacitifs intégrés comprenant, chacun, une électrode mobile et une électrode fixe, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: fourniture d'un premier substrat en un matériau semiconducteur, fourniture d'un deuxième substrat en un matériau semiconducteur, formation d'une couche de liaison en un matériau isolant sur au moins une première face de l'un desdits premier et deuxième substrats, assemblage par soudure desdits premier et deuxième substrats à l'aide de ladite couche de liaison de manière qu'une première face dudit deuxième substrat soit située en regard de ladite couche de liaison, amincissement du deuxième substrat et, pour chacun des transducteurs, structuration du deuxième substrat par attaque sélective pour former un réseau d'orifices traversant toute l'épaisseur du deuxième substrat et définir le contour de ladite électrode fixe, attaque anisotrope sélective du premier substrat pour former un diaphragme s'étendant sensiblement en regard du réseau des orifices, élimination de la partie de ladite couche de liaison se trouvant entre le diaphragme et la partie du deuxième substrat comprenant le réseau d'orifices pour former un espace ouvert entre ledit diaphragme et ledit deuxième substrat, et réalisation d'un contact électrique avec chacun desdits premier et deuxième substrats, ledit deuxième substrat et le diaphragme formant respectivement ladite électrode fixe et ladite électrode mobile. L'utilisation exclusive de techniques de micro- usinage classiques de matériaux semiconducteurs dans le procédé de l'invention permet une miniaturisation maximale des transducteurs et limite le procédé à une suite d'étapes très simples, tout en assurant un bon contrôle des paramètres géométriques et électriques des transducteurs. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description suivante d'un procédé de fabrication selon l'invention donné à titre purement illustratif et non limitatif, cette description étant faite en liaison avec le dessin dans lequel: les figures 1 à 5, sont des vues en coupe, selon la ligne VI-VI de la figure 6, d'un transducteur capacitif intégré représenté à différentes étapes du procédé de fabrication de l'invention; et la figures 6 est une vue de dessus partiellement arrachée d'un transducteur obtenu selon le procédé de l'invention. Bien que le procédé de l'invention permette la réalisation simultanée d'une pluralité de transducteurs sur un même substrat, la description et le dessin ne porteront, par simplification, que sur un trandusteur seulement. On notera tout d'abord que, compte tenu des faibles dimensions des transducteurs et pour des raisons pratiques que l'on comprend aisément, le procédé de fabrication selon l'invention s'applique à la fabrication simultanée d'un grand nombre de transducteurs comportant chacun une électrode fixe et un électrode mobile séparées par un espace ouvert de faible épaisseur, à partir de deux plaquettes complémentaires définissant un premier substrat et un deuxième substrat 12 comme cela est représenté à la figure 1. Par ailleurs, il est important de noter que les valeurs des différents paramètres tels que les températures, les temps, les réactifs utilisés etc qui seront mentionnées ci-dessous ne sont nullement limitatives, et dépendent essentiellement des matériaux et des appareillages utilisés Ces valeurs peuvent facilement être déterminées par l'homme du métier. Les plaquettes (non représentées) définissant les premier et deuxième substrats 10, 12 à partir desquels est fabriqué le transducteur capacitif intégré sont réalisées en un matériau semiconducteur tel que le silicium monocristallin ayant une résistivité la plus faible possible et, de préférence, une orientation . A la figure 1, on a représenté le premier substrat 10 après la formation sur une première 14 de ses faces d'une couche de liaison 16 en un matériau isolant. En l'occurrence, la couche de liaison 16 est réalisée en oxyde de silicium (Si O 2). Dans l'exemple décrit, la couche 16 a été formée par oxydation thermique du premier substrat 10 dans un four à environ 11000 C et sous une atmosphère oxydante pendant quelques heures A titre d'exemple, pour obtenir une couche 16 ayant 3 gm d'épaisseur, on fait séjourner ce premier substrat 10 dans le four pendant environ 15 heures. On remarque que la deuxième face 18 du premier substrat 10 n'a volontairement pas été protégée au cours de cette étape de formation de la couche 16 si bien qu'une couche 20 de même épaisseur et de même nature que la couche 16 a également été formée sur cette deuxième face 18 Cette couche 20 servira de couche de protection pour des étapes ultérieures du procédé comme cela ressortira de la suite de la description. Il est bien entendu que, selon une variante, la formation de ces couches 16 et 20 de Si O 2 peut être réalisée par dépôt chimique ou physique en phase vapeur (CVD ou PVD). Les couches 16 et 20 étant formées respectivement sur la première face 14 et sur la deuxième face 18 du premier substrat 10, l'étape suivante consiste, après préparation appropriée des premier et deuxième substrats 10, 12 en vue de leur assemblage ultérieur, à mettre en place le deuxième substrat 12 de manière qu'une première de ses faces 22 soit située en regard de la couche 16. La préparation de la surface de la couche 16 et de la face 22 consiste par exemple en un nettoyage de ces surfaces tel que celui qui est décrit dans la publication intitulée "RCA Review" No 31 page 187, 1970. Les deux substrats 10, 12 étant préparés, on procède à l'assemblage de ces derniers par soudure autogène Pour ce faire, on introduit ces deux substrats 10 et 12 dans un four préchauffé une température d'environ 1 '000 C et contenant une atmosphère d'azote, d'oxygène ou d'oxygène humide. On notera que selon une variante de réalisation, on peut aussi former sur la première face 22 du deuxième substrat 12 une deuxième couche de liaison de même nature35 et de la même façon que la couche de liaison 20, ou encore ne former qu'une seule couche de liaison sur la première face 22 du deuxième substrat 12 en vue de réaliser l'assemblage par soudure décrit ci-dessus. A l'étape suivante illustrée à la figure 2, on procède à l'amincissement du deuxième substrat 12, c'est- à-dire que la deuxième face 23 de ce deuxième substrat 12, qui est exposée, est attaquée jusqu'à ce que ce deuxième substrat 12 atteigne une épaisseur déterminée. Pour ce faire, on dispose, dans l'exemple décrit, les deux substrats 10 et 12 assemblés par la couche de liaison 16 dans une solution d'un agent de gravure à une concentration, à une température et pendant un temps déterminés pour obtenir l'épaisseur voulue. De préférence, afin d'éviter une attaque du premier substrat 10 pendant cette étape d'amincissement du deuxième substrat 12, on utilise un agent de gravure sélectif n'attaquant pas la couche 20, par exemple, dans le présent cas, une solution de KOH (hydroxyde de Potassium). A la figure 3, on a illustré l'étape de structuration du deuxième substrat 12 aminci pour définir le contour de l'électrode fixe du transducteur et pour former un réseau d'orifices 24 traversant toute l'épaisseur de cette électrode fixe Comme cela est visible à la figure 6, l'électrode fixe définie lors de cette étape de structuration du deuxième substrat 12 a la forme d'une plaque suspendue rigidement au premier substrat 10 au moyen de quatre bras 26. Pour ce faire, on dépose une première couche de résine photosensible (non représentée), par exemple à la tournette, sur la face exposée du deuxième substrat 12, on insole cette couche de résine photosensible à travers un masque (également non représenté), on élimine classiquement, par exemple par voie humide, les parties insolées de la couche de résine photosensible, et on grave anisotropiquement à l'aide d'un premier agent de gravure les parties du deuxième substrat 12 découvertes pour former les orifices 24 A l'aide d'un deuxième agent de gravure on grave ensuite les parties de la couche de liaison 16 situées au fond de ces orifices 24, puis on élimine les parties restantes de la couche photosensible. L'opération de gravure du deuxième substrat 12 est réalisée, par exemple, au moyen d'un plasma au chlore, tandis que l'opération de gravure de la couche de liaison 16 est réalisée, par exemple, à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique (HF) L'élimination des parties restantes de la couche de résine photosensible est réalisée de façon classique, par exemple par voie humide dans un solvant adéquat ou encore au moyen d'un plasma sous atmosphère d'oxygène 02. A la figure 4 on a illustré l'étape d'attaque du premier substrat 10 en vue de former un diaphragme 28 s'étendant sensiblement en regard du réseau des orifices 24 Cette étape est identique à celle décrite en liaison avec la figure 3 à la différence du masque utilisé et du fait que l'ordre des premier et deuxième agents de gravure utilisés pour l'attaque du deuxième substrat 12 est inversé en raison de la nécessité d'éliminer d'abord la couche de protection 20 puis de graver anisotropiquement la partie du premier substrat 10 ainsi découverte, la couche de protection 20 et le premier substrat 10 étant respectivement réalisés en Si O 2 et en silicium. On précisera tout de même que, pendant cette attaque, le deuxième substrat 12 ainsi que la couche de liaison 16 sont protégés, par exemple mécaniquement, de tout contact avec le deuxième agent de gravure. Les étapes suivantes illustrées à la figure 5 consistent à libérer le diaphragme 28 par élimination de la partie de la couche de liaison 16 se trouvant entre ce diaphragme 28 et la partie du deuxième substrat 12 comprenant le réseau des orifices 24, et à réaliser des plots de contact électrique 30, 32 avec le premier substrat 10 et, respectivement, le deuxième substrat 12. Par l'élimination de cette partie de la couche de liaison 16, on forme un espace ouvert entre le diaphragme 28 et le deuxième substrat 12 L'élimination de cette partie de la couche de liaison 16 est par exemple réalisée par attaque chimique à l'aide d'une solution d'acide fluorhydrique (HF). On notera à ce propos que l'espacement moyen entre les orifices 24 est très faible, de sorte que l'attaque de la couche de liaison 16 dans la zone de ces orifices 24 est suffisamment rapide pour ne pas affaiblir les attaches des bras de suspension 26 qui s'étendent à la périphérie du transducteur entre le premier substrat 10 et le deuxième substrat 12 et qui sont formées par les parties restantes de la couche de liaison 16. Les plots de contacts 30, 32 sont réalisés par évaporation sous vide d'un métal, par exemple de l'aluminium, à travers un masque (non représenté) Bien entendu, ces plots de contact 30, 32 peuvent également être réalisés par pulvérisation cathodique. Le transducteur capacitif ainsi formé, dont l'électrode mobile et l'électrode fixe sont respectivement constituées par le diaphragme 28 et le substrat 12, est alors séparé des autres transducteurs fabriqués en même temps et encapsulé dans un boîtier non représenté prévu à cet effet. Il est à noter que les dessins ne représentent pas les dimension relatives exactes des différents éléments les uns par rapport aux autres, ces dimensions étant en outre fortement exagérées pour plus de clarté Pour fixer les idées, un transducteur obtenu selon le procédé de l'invention a des dimensions générales de 2,3 x 2,3 x 1,0 mm 3, la surface du diaphragme est d'environ 2,0 x 2,0 mm 2, l'épaisseur du diaphragme est d'environ 3,5 x 10-6 m, l'épaisseur de l'électrode fixe est d'environ 10 x 10-6 m et l'épaisseur de l'espace ouvert entre le diaphragme et l'électrode fixe, qui est occupé par de l'air, est 2697675 d'environ 3 x 10-6 m Quant aux orifices percés dans l'électrode fixe, ils ont un diamètre d'environ 15 x -6 m et sont aux nombre d'environ 400 par mm 2- REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'une pluralité de transducteurs capacitifs intégrés comprenant chacun une électrode mobile et une électrode fixe, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: fourniture d'un premier substrat ( 10) en un matériau semiconducteur, fourniture d'un deuxième substrat ( 12) en un matériau semiconducteur, formation d'une couche de liaison ( 16) en un matériau isolant sur au moins une première face ( 14) de l'un desdits premier ( 10) et deuxième substrats ( 12), assemblage par soudure desdits premier ( 10) et deuxième substrats ( 12) à l'aide de ladite couche de liaison ( 16) de manière qu'une première face ( 22) dudit deuxième substrat ( 12) soit située en regard dudit premier substrat ( 10), amincissement du deuxième substrat ( 12) et, pour chacun des transducteurs, structuration du deuxième substrat ( 12) par attaque sélective pour former un réseau d'orifices ( 24) traversant toute l'épaisseur du deuxième substrat ( 12) et définir le contour de ladite électrode fixe, attaque anisotrope sélective du premier substrat ( 10) pour former un diaphragme ( 28) s'étendant sensiblement en regard du réseau des orifices ( 24), élimination de la partie de ladite couche de liaison ( 16) se trouvant entre le diaphragme ( 28) et la partie du deuxième substrat ( 12) comprenant le réseau des orifices ( 24) pour former un espace ouvert entre ledit diaphragme ( 28) et ledit deuxième substrat ( 12), et réalisation d'un contact électrique ( 30,32) avec chacun desdits premier ( 10) et deuxième substrats ( 12), il ledit deuxième substrat ( 12) et le diaphragme ( 28) formant respectivement ladite électrode fixe et ladite électrode mobile. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche de liaison ( 16) est formée sur la première face ( 14) du premier substrat ( 10), et en ce que, préalablement à l'assemblage par soudure des deux substrats ( 10,12), on forme une deuxième couche de liaison en un matériau isolant sur ladite première face ( 22) dudit deuxième substrat ( 12). 3 Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape d'amincissement comporte une attaque uniforme de la surface exposée ( 23) dudit deuxième substrat ( 12) jusqu'à une épaisseur prédéterminée. 4 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre une étape de formation d'une couche de protection ( 20) de la deuxième face ( 18) dudit premier substrat ( 10). Procédé selon l'une des revendication 1 à 3, caractérisé en ce que l'étape de structuration du deuxième substrat ( 12) comprend les étapes successives suivantes: dépôt d'une première couche de résine photosensible à la surface de la face exposée du deuxième substrat ( 12), insolation de la première couche de résine photosensible à travers un premier masque, développement de la partie insolée de ladite première couche photosensible pour découvrir des zones localisées de ladite face exposée du deuxième substrat ( 12), gravure desdites zones localisées découvertes dudit deuxième substrat ( 12) pour former ledit réseau d'orifices ( 24), et élimination des parties restantes de ladite première couche de résine photosensible. 6 Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'étape d'attaque anisotrope sélective du premier substrat ( 10) comprend les étapes successives suivantes: dépôt d'une deuxième couche de résine photosensible sur ladite couche de protection ( 20), insolation de ladite deuxième couche de résine photosensible à travers un deuxième masque, développement de la partie insolée de ladite première couche photosensible pour découvrir une partie de ladite couche de protection ( 20) se trouvant sensiblement en regard dudit réseau d'orifices ( 24), élimination par gravure de ladite partie découverte de ladite couche de protection ( 20) pour découvrir une partie de ladite deuxième face ( 18) dudit premier substrat ( 10), gravure de ladite partie découverte dudit premier substrat ( 10) pour former ledit diaphragme ( 28), et élimination des parties restantes de ladite première couche de résine photosensible. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que lors des étapes d'élimination de la partie découverte de la couche de protection ( 20) et de gravure dudit premier substrat ( 10), le deuxième substrat ( 12) est protégé de tout contact avec les agents de gravure. 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que le deuxième substrat ( 12) est protégé mécaniquement. 9 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape d'élimination de ladite couche de liaison ( 16) est réalisée par voie humide. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les étapes de formation desdites couches de liaison ( 16) et de formation de ladite35 couche de protection ( 20) consistent à faire croître thermiquement un oxyde du matériau semiconducteur du 14 2697675 premier ( 10) et, respectivement, du deuxième substrat ( 12). 11 Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étape de formation des contacts ( 30,32) comprend une métallisation par évaporation sous vide.