Brevet FR2694457A1 — publié le 19940204

LASER A SEMI-CONDUCTEUR POUR LA DETECTION D'UN RAYONNEMENT LUMINEUX, PROCEDE POUR L'OBTENTION D'UN DETECTEUR PHOTOSENSIBLE, ET APPLICATION D'UN TEL LASER A LA DETECTION D'UN RAYONNEMENT LUMINEUX La présente invention a pour objet un laser à semi- conducteur pour la détection d'un rayonnement lumineux de longueur d'onde comprise dans la bande d'émission du laser. Elle concerne aussi un procédé d'obtention d'un détec- teur photosensible Enfin, elle se rapporte à l'application d'un laser à semi-conducteur à la détection d'un rayonnement lumineux de longueur d'onde comprise dans le spectre d'émis- sion du laser. Elle est susceptible d'applications en particulier, dans les domaines des dispositifs de protection à rayonnement du type barrières optoélectroniques, dans les systèmes de mesure optique sans contact ou dans les systèmes de lecture optique. Un laser à semi-conducteur est un dispositif à semi- conducteur qui, lorsqu'il est excité par un signal électri- que, émet un rayonnement lumineux cohérent Les caractéris- tiques de ce rayonnement lumineux dépendent des constituants du laser ainsi que du signal électrique qui l'excite. Un laser à semi-conducteur est généralement constitué d'une couche agissant comme guide d'onde disposée entre la couche P et la couche N d'une jonction P-N Cette couche agissant comme guide d'onde présente une forme rectangulaire. L'émission par le laser à semi-conducteur du rayonnement lumineux se fait sur des faces opposées du guide d'onde, qui sont appelées faces miroir Les faces miroir sont obtenues par clivage et forment pour le rayonnement des miroirs semi- réfléchissants La combinaison de ces deux faces miroir cons- titue un laser de type Fabry-Pérot Dans certains lasers, une des faces miroir subit un traitement la rendant réfléchis- sante, et l'émission du rayonnement ne se fait que sur l'au- tre face. Les lasers à semi-conducteurs sont utilisés comme sour- ce de rayonnement dans de nombreuses applications, et par exemple dans la transmission par fibre optique, dans les barrières photoélectriques ou dans les systèmes de lecture par laser. Les systèmes optiques qui utilisent un laser à semi- conducteur comme source lumineuse comprennent en outre un détecteur, susceptible de détecter le rayonnement émis par le laser Ce détecteur peut être constitué d'une photodiode, ou de tout autre type de composant sensible au rayonnement émis par le laser, tel que détecteurs photovoltaïques, photomul- tiplicateurs, etc Ces systèmes optiques présentent donc au moins deux types de composants, présentant des caractéristi- ques différentes, ce qui complique leur conception et leur fabrication. De plus, les détecteurs employés dans ces systèmes optiques présentent parfois un spectre de détection différent du spec- tre d'émission du laser à semi-conducteur employé comme sour- ce de rayonnement Ceci pose un problème de compatibilité de la source et du détecteur, et pose en outre un problème de sensibilité du détecteur aux rayonnements parasites émis par d'autres sources. Dans le domaine des barrières opto-électroniques, pour la protection des machines-outils et, en particulier, des presses, les systèmes de l'art antérieur sont ainsi consti- tués d'une ou plusieurs sources lumineuses et d'un ou plu- sieurs détecteur associés La source lumineuse est avanta- geusement un laser à semi-conducteur dont le faisceau tra- verse la zone à protéger et est ensuite reçu par le détecteur associé L'interruption du faisceau par un organe quelconque est perçue par le détecteur et permet de déclencher un dispo- sitif de sécurité Ainsi, sur les presses, le faisceau du laser se trouve sous la partie mobile de la presse et le dispositif de sécurité empêche la descente de la presse dès que le faisceau est interrompu Pour permettre le travail, l'interruption du faisceau par la presse elle- même n'est pas prise en compte Ce type de dispositif présente l'inconvé- nient de ne pouvoir s'adapter facilement Un changement par exemple de l'épaisseur du matériau travaillé, ou encore un travail sur une pièce particulièrement volumineuse dont l'in- troduction dans la machine coupe le faisceau du laser, empê- che la presse de fonctionner L'opérateur doit dans un tel cas modifier la position du faisceau lumineux, ce qui impli- que un réglage supplémentaire ou désactiver le mécanisme de protection à l'aide d'un contact d'inhibition, ce qui sup- prime toute protection Ceci est particulièrement gênant dans le cas des presses, lors du traitement de tôles pliées, par exemple pour constiuer des boîtes. Pour pallier cet inconvénient, il a été proposé d'uti- liser un système constitué d'une pluralité de sources asso- ciées chacune à un détecteur, constituant une pluralité de faisceaux couvrant une zone étendue Dans ce cas, pour des travaux particuliers, il suffit de désactiver certains fais- ceaux Cette solution est satisfaisante du point de vue de la protection, mais présente l'inconvénient d'être onéreuse et de nécessiter un appareillage plus complexe. Dans le domaine de la mesure sans contact ou de la lecture, les systèmes existants sont constitués d'une source lumineuse telle qu'un laser à semi-conducteur, d'un détecteur qui lui est associé et d'une optique de focalisation On rencontre ici aussi les problèmes d'alignement du détecteur et de sensibilité aux rayonnements parasites. La présente invention permet de résoudre ces problèmes. Elle permet de simplifier les systèmes existants en suppri- mant la nécessité d'un détecteur Elle évite les perturba- tions dues aux rayonnements parasites Pour la protection par barrières opto-électroniques, elle simplifie les systèmes et améliore la sécurité des opérateurs. La présente invention a pour objet un laser à semi- conducteur dans lequel au moins l'une des faces miroir dudit laser a subi un traitement anti-reflet pour permettre la dé- tection d'un rayonnement lumineux de longueur d'onde comprise dans le spectre d'émission dudit laser. Selon un mode de réalisation de la présente invention, ladite ou lesdites faces miroir ayant subi le traitement anti-reflet présente un coefficient de réflexion inférieur ou -3 égal à 10 L'invention a également pour objet un procédé d'obten- tion d'un détecteur photosensible, consistant à traiter une ou plusieurs faces miroir d'un laser à semi-conducteur par un traitement anti-reflet. Selon un mode de mise en oeuvre du procédé de la pré- sente invention, ledit traitement antireflet consiste à dépo- ser sur ladite ou lesdites faces miroir une couche mince de matériau diélectrique. Avantageusement, ledit matériau diélectrique est formé d'au moins un des composés appartenant à la liste comprenant Si Oxi, A 1203, Si 3 N 4. Ladite couche mince présente de préférence une épais- seur d'environ 1/2 n, X étant la longueur d'onde du rayonne- ment du laser, et N l'indice de réfraction du matériau dié- lectrique. L'invention concerne également l'application d'un laser à semi-conducteur ayant subi un traitement anti-reflet sur au moins l'une de ses faces miroir à la détection d'un rayonne- ment lumineux de longueur d'onde comprise dans le spectre d'émission dudit laser. La présente invention s'applique aussi à la réalisation de barrières opto-électroniques, comprenant un ou plusieurs lasers, et des moyens d'évaluation de la tension aux bornes dudit ou desdits lasers. Selon un autre mode de réalisation, la présente inven- tion s'applique à la réalisation de systèmes de mesure opti- que sans contact, qui comprennent comme source et comme dé- tecteur de rayonnement un ou plusieurs lasers. Selon encore un autre mode de réalisation, la présente invention s'applique à la réalisation de systèmes de lecture, comprenant comme source et comme détecteur de rayonnement un ou plusieurs lasers. Les caractéristiques et avantages de la présente inven- tion ressortiront mieux de la description suivante, donnée à titre d'exemple uniquement, et o: la figure 1 est une représentation schématique d'un laser à semi-conducteur; la figure 2 est une représentation schématique d'un laser à semi-conducteur agissant selon l'invention comme détecteur de rayonne- ment; la figure 3 est un schéma de principe d'une applica- tion d'un laser selon l'invention; la figure 4 est un schéma de principe d'une appli- cation d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'une barrière opto- électronique; la figure 5 est un schéma de principe d'une autre application d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'une barrière opto- électronique; la figure 6 est un schéma de principe d'une autre application d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'un système de mesure optique sans contact; la figure 7 est un schéma de principe d'une autre application d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'un système de lecture. La figure 1 est une représentation schématique d'un laser à semiconducteur 1 Le laser à semi-conducteur est constitué d'une couche guide d'onde 2 disposée dans une jonc- tion P-N, entre la couche P 3 et la couche N 4 La couche guide d'onde 2 présente deux faces miroir, l'une de ces faces miroir apparaissant sur le schéma de la figure 1 sous la référence numérique 5, l'autre face miroir lui étant opposée. Le laser à semi-conducteur 1 émet un rayonnement sur ses deux faces miroir ou, comme sur le schéma de la figure 1, sur une seule d'entre elle, l'autre face miroir ayant subi un traite- ment la rendant réfléchissante Le laser à semi-conducteur 1 est excité par un signal électrique appliqué entre la couche P et la couche N, qui est caractérisé par un courant de pola- risation I et par une tension V Le laser à semi-conducteur 1 émet un rayonnement P par sa face miroir 5 dès lors que le courant de polarisation I dépasse une valeur seuil. Selon l'invention, on effectue sur la face miroir 5 un traitement anti-reflet et on utilise le laser à semi- l 1 conducteur 1 ainsi traité non seulement comme source de rayonnement, mais aussi comme détecteur de rayonnement. Les faces miroir du laser à semi-conducteur 1 sont obtenues par clivage et constituent chacune pour le rayonne- ment une surface semi-réfléchissante La réflectivité d'une face miroir, autrement dit le coefficient de réflexion en puissance d'une face miroir, présente après clivage une va- leur qui est typiquement de l'ordre de 0,3 Ce coefficient de réflexion en puissance représente la proportion de la puis- sance du rayonnement incident qui est réfléchie sur la sur- face semi-réfléchissante Le traitement antireflet d'une face miroir a pour effet d'abaisser cette réflectivité à une va- leur beaucoup plus faible, qui selon l'invention est de l'or- dre de 10 Ce traitement antireflet selon l'invention peut être réalisé de façon connue et on décrit plus loin un mode de réalisation possible. Selon l'invention, on utilise le laser à semi-conducteur ayant subi sur sa face miroir ce traitement antireflet, non seulement comme émetteur de rayonnement, mais comme détecteur de rayonnement La figure 2 est une vue schématique d'un laser à semi-conducteur agissant selon l'invention comme détecteur de rayonnement Le laser à semi-conducteur 1 a subi un traitement rendant l'une de ses faces miroir réfléchis- sante, et a subi sur l'autre face miroir un traitement anti- reflet selon l'invention Par la face miroir ayant subi un traitement antireflet, le laser à semi-conducteur 1 émet un rayonnement de puissance P Ce rayonnement est réfléchi par un obstacle 6, et un rayonnement de puissance Pl est rétro- diffusé vers la face miroir du laser semi-conducteur 1 Le rayonnement de puissance Pl rétrodiffusé par l'obstacle 6 dans le guide d'onde 2 du laser 1 induit une variation de la tension V aux bornes du laser à semi-conducteur 1, l'inten- sité I traversant celui-ci étant maintenue à une valeur cons- tante. Ainsi, la mesure de la valeur de la tension aux bornes du laser à semi-conducteur 1 permet d'évaluer la puissance P du rayonnement rétrodiffusé par un obstacle 6 vers la face miroir du laser 1 Le tableau suivant montre la variation de la tension aux bornes du laser 1, en fonction du rapport P 1/P, c'est-à-dire en fonction de la proportion de la puis- sance P rétrodiffusée vers la face miroir Le tableau montre les valeurs approximatives en millivolts des variations de la tension pour différents traitements antireflet de la face miroir du laser et, en particulier, en l'absence de traite- ment antireflet, avec R = 0,3 Les valeurs numériques ont été obtenues pour un laser de type FP-BH (structure enterrée à guidage par l'indice de type Fabry-Pérot), émettant à une longueur d'onde de 1,3 pm, alimenté par une source de courant constant d'une intensité deux à trois fois supérieure à son courant de seuil. P 1/P 0 1 % 1 10 % 100 % 0,3 O 2 10-2 2 5 R îo-2 3 10 18 _ 4 O 12 25 35 Grâce à l'invention, il est donc possible de mesurer avec efficacité et précision la proportion de la puissance lumineuse rétrodiffusé vers la face miroir du laser à semi- conducteur 1. Selon l'invention, au moins une face miroir du laser à semi-conducteur subit un traitement antireflet, de manière à abaisser sa réflectivité Ce traitement antireflet peut être réalisé de façon quelconque et par une méthode connue Un mode de réalisation préféré consiste à déposer sur ladite ou lesdites faces miroir une couche mince de matériau diélec- trique Ce matériau diélectrique est formé d'au moins un des composés appartenant à la liste comprenant Si Oxi, A 1203, Si 3 N 4 La couche mince présente une épaisseur d'environ X/2 n, X étant la longueur d'onde du rayonnement du laser, et n l'indice de réfraction du matériau diélectrique. Ce traitement antireflet selon l'invention permet d'a- baisser la réflectivité de la face miroir de sorte qu'elle soit inférieure ou égale à 10 Ainsi, la tension peut être facilement mesurée aux bornes du laser à semi-conducteur, même avec un équipement conventionnel. Dans l'exemple de réalisation de l'invention décrit en référence à la figure 2, le laser à semi-conducteur 1 détecte le rayonnement rétrodiffusé par l'obstacle 6 et la variation de tension aux bornes du laser permet de mesurer la propor- tion de rayonnement revenant vers la face miroir du laser. Bien entendu, il est possible selon l'invention d'utiliser le laser à semi-conducteur 1 pour détecter un rayonnement lumi- neux provenant d'une source de nature quelconque et dont la longueur d'onde est comprise dans le spectre d'émission du laser Par exemple, il est possible d'utiliser comme source lumineuse un laser de même type, dont le faisceau est foca- lisé sur la face miroir du laser ayant subi un traitement antireflet Il est aussi possible d'utiliser toute source émettant un rayonnement dans la bande d'émission du laser. La figure 3 est un schéma de principe d'une application d'un laser selon l'invention Dans le mode de réalisation de la figure 3, on utilise deux lasers à semi-conducteur 11, 12 qui émettent l'un vers l'autre De la sorte, chacun des deux lasers à semi-conducteur 11, 12 constitue pour l'autre une source de rayonnement Bien entendu, un laser à semi- conducteur ne peut selon l'invention que détecter le rayon- nement lumineux dans son propre spectre d'émission On uti- lise donc de préférence des lasers à semi-conducteur iden- tiques, et présentant un spectre d'émission assez étendu Par exemple, on peut utiliser des lasers à semi-conducteur à cavité optique longue et ayant subi, sur leurs deux faces miroir, un traitement antireflet Des lasers de ce type émet- tent dans des modes longitudinaux rapprochés et présentent un spectre étendu. Dans l'exemple de la figure 3, chacun des deux lasers 11, 12 est respectivement alimenté par un signal électrique d'intensité Il, I 2 f présente une tension entre ses bornes Vl, V 2 et émet l'un vers l'autre laser un rayonnement de puis- sance Pl P 2 L'intensité I 1 étant maintenue constante, les variations de la tension V 1 aux bornes du laser 11 permettent d'évaluer la puissance P 2 émise par le laser 12 Réciproque- ment, les variations de la tension V 2 aux bornes du laser 12 permettent d'évaluer la puissance P 1 Les variations des tensions V 1 et V 2 prennent des valeurs qui sont données à titre d'exemple dans la dernière colonne du tableau ci- dessus, dans le cas o les deux lasers présentent des spec- tres d'émission identiques et des puissances égales. La figure 4 montre un schéma d'une application d'un laser à semiconducteur ayant subi un traitement sur au moins l'une de ses faces miroir à la réalisation d'une barrière opto-électronique La barrière opto-électronique de la figure 4 comprend un laser à semi-conducteur 21, agissant comme émetteur d'un faisceau 22, et comme détecteur optique Le laser 21 est alimenté par un circuit non détaillé qui fournit un signal électrique d'intensité I et de tension V La bar- rière opto-électronique comprend en outre un miroir 23 qui réfléchit le faisceau 22 vers le laser 21. Le dispositif de la figure 4 constitue entre le laser 21 et le miroir 23 une barrière opto-électronique Lorsque le faisceau 22 atteint le miroir 23 et est réfléchi vers le laser 21, on mesure une certaine valeur de la tension V aux bornes du laser 21 Si un objet s'interpose entre le laser 21 et le miroir 23 sur le trajet du faisceau 22, la proportion de rayonnement réfléchi vers le laser 21 change, et la ten- sion aux bornes du laser 21 varie La variation de la tension dépend des propriétés de surface de l'objet qui coupe la barrière opto- électronique, ce qui permet le cas échéant d'identifier cet objet Par exemple, dans le cas d'une machine-outil ou d'une presse, la variation de la tension prend une valeur différente si l'objet est absorbant, comme par exemple la main de l'opérateur, ou si l'objet rétro- diffuse une forte proportion de la puissance lumineuse qu'il reçoit, comme c'est le cas pour une tôle. La figure 5 montre un schéma de principe d'une autre application d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'une barrière opto-électronique La barrière opto- électronique de la figure 5 est constituée de deux lasers à semiconducteur 31, 32 selon l'invention, qui émettent chacun l'un vers l'autre un faisceau formant la barrière opto- électronique Sur la figure 5, on a représenté le cas o la barrière est coupée par l'introduction d'un objet présentant, d'une part, une surface fortement rétrodiffusante et, d'autre part, une surface faiblement rétrodiffusante Cet objet peut par exemple être, dans le cas d'une machine-outil, constitué d'une pièce métallique 33 et de la main 34 d'un opérateur Le faisceau émis par le laser 31 est rétrodiffusé par la pièce métallique 33, tandis que le faisceau émis par le laser 32 est rétrodiffusé par la main 34 de l'opérateur La mesure des tensions V 1, V 2 aux bornes des lasers 31, 32 et la comparai- son en l'absence d'objet dans la barrière opto-électronique permet de constater qu'un objet a coupé la barrière et per- met, en outre, de constater que cet objet présente, du côté du laser 31, une surface fortement rétrodiffusante et, du côté du laser 32, une surface faiblement rétrodiffusante. Une barrière opto-électronique telle que celle de la figure 4 ou celle de la figure 5 constitue un système de protection simple et efficace pour une machine-outil, qui pallie les inconvénients de l'art antérieur La barrière - opto-électronique selon l'invention permet de différencier la main de l'opérateur d'une pièce destinée à être usinée De ce fait, il n'est plus nécessaire d'effectuer pour chaque série de travaux un réglage de la hauteur du faisceau, ou un ré- glage d'un contact d'inhibition. Le tableau ci-dessous montre les valeurs approximatives en millivolts des variations de tension mesurées aux bornes des lasers à semi- conducteur d'une barrière telle que celle de la figure 5, pour différents objets coupant le faisceau. AV 1 AV 2 faisceau non interrompu 30 30 tôle 10 10 main de l'opérateur 1 O 2 1 O-2 Les valeurs du tableau ci-dessus sont obtenues pour des lasers de type FP-BI, présentant une réflectivité de miroir -4 de l'ordre de 10, et alimentés par un courant constant d'intensité deux à trois fois supérieure à leur courant de seuil, et formant une barrière opto-électronique d'une lon- gueur d'environ 1 m Bien entendu, il est possible de réali- ser des barrières opto-électroniques selon l'invention d'une longueur bien supérieure à cette valeur de 1 m, utilisée à titre expérimental La mesure de AV 1 et AV 2 permet, avec un circuit logique simple, de commander avec sûreté une machine- outil. Bien entendu, une barrière opto-électronique comme celle de la figure 4 ou de la figure 5 est susceptible d'être utilisée avec profit pour toute autre application que pour la protection d'une machine-outil, et par exemple pour des sys- tèmes d'alarme et autre Il est possible de prévoir plusieurs lasers à semi-conducteur, constituant des réseaux de fais- ceaux, pour localiser avec précision des objets, comme cela apparaît bien à l'homme du métier L'invention permet de simplifier tous les systèmes existant en supprimant la néces- sité de récepteurs distincts des émetteurs de rayonnement. La figure 6 est un schéma de principe d'une application d'un laser à semi-conducteur selon l'invention à la réalisa- tion d'un système de mesure optique sans contact Le système de la figure 6 comprend un laser à semi-conducteur 41 selon l'invention, un circuit d'alimentation 42 et d'évaluation 43, ainsi qu'une optique de focalisation asservie 44, dont l'axe optique coïncide avec le faisceau émis par le laser La me- sure de la distance séparant le laser d'un objet 45 sur le- quel le faisceau 46 du laser est pointé s'effectue en modi- fiant la position de l'optique de focalisation 44, et en mesurant pour différentes positions de l'optique de focalisa- tion la tension aux bornes du laser Lorsque la focalisation se fait exactement à la surface de l'objet 45, la proportion de rayonnement réfléchie vers le laser 44 est maximale et la tension aux bornes du laser 41 est minimale Le système per- met ainsi une mesure optique sans contact de la distance entre le laser et l'objet, sans nécessiter de photodétecteur. Bien entendu, le système de la figure 6 peut être utilisé pour d'autres mesures que la mesure de la distance à l'objet 45 et, par exemple, pour la mesure d'états de surface, de vibration, et autres En fait, le système de la figure 6 est susceptible d'effectuer toute mesure qui, dans les systèmes connus, est réalisée avec un laser colimaté et focalisé, associé à un récepteur de rayonnement. * La figure 7 montre un schéma de principe d'une applica- tion d'un laser à semi-conducteur à la réalisation d'un sys- tème de lecture Le système de lecture de la figure 7 comprend un laser à semi-conducteur 51 selon l'invention, un circuit d'alimentation 52 et d'évaluation 53, ainsi qu'une optique de focalisation 54 Le faisceau 56 du laser est colimaté et focalisé sur une surface à lire 55, qui est dans l'exemple de la figure 7 constituée d'un code barre La flèche 57 symbo- lise le déplacement relatif de la surface à lire 55 par rap- port au faisceau 56 du laser Les différences des états de surface de la surface 55 à lire induisent des variations du taux de rétrodiffusion du rayonnement vers le laser 51, et ces variations sont détectées par le circuit d'évaluation 53. Un système tel que celui de la figure 7 est avantageusement utilisé pour tout type de lecture laser et, par exemple, pour la lecture de codes barres, de disques numériques, pour la lecture de documents par balayage, etc. Bien entendu, la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation décrits et représentés mais elle est susceptible de nombreuses variantes accessibles à l'homme de l'art sans que l'on ne s'écarte de l'esprit de l'invention. REVENDICATIONS 1. Laser à semi-conducteur ( 1) caractérisé en ce qu'au moins l'une des faces miroir ( 5) dudit laser a subi un trai- tement anti-reflet pour permettre la détection d'un rayonne- ment lumineux de longueur d'onde comprise dans le spectre d'émission dudit laser. 2. Laser à semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite ou lesdites faces miroir ayant subi le traitement anti-reflet présente un coefficient de -3 réflexion inférieur ou égal à 10 3. Laser à semi-conducteur selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite ou lesdites faces miroir ayant subi le traitement anti-reflet sont revêtues d'une couche mince de matériau diélectrique, formé d'au moins un des composés appartenant à la liste comprenant Si Ox, Al 203 si 3 N 4. 4. Procédé pour l'obtention d'un détecteur photosensi- ble, consistant à traiter une ou plusieurs faces miroir d'un laser à semi-conducteur par un traitement anti-reflet. 5 Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que ledit traitement antireflet consiste à déposer sur ladite ou lesdites faces miroir une couche mince de matériau diélec- trique. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que ledit matériau diélectrique est formé d'au moins un des composés appartenant à la liste comprenant Si Oxi, A 1203, 3 4 * 7. Procédé selon la revendication 5 ou 6, caractérisé en ce que ladite couche mince présente une épaisseur d'envi- ron X/2 n, X étant la longueur d'onde du rayonnement du laser, et N l'indice de réfraction du matériau diélectrique. 8. Application d'un laser à semi-conducteur ayant subi un traitement anti-reflet sur au moins l'une de ses faces miroir à la détection d'un rayonnement lumineux de longueur d'onde comprise dans le spectre d'émission dudit laser. 9. Application de lasers à semi-conducteurs selon l'une des revendications 1 à 3, à la réalisation de barrières opto-électroniques, lesdites barrières opto-électroniques comprenant un ou plusieurs desdits lasers, et des moyens d'évaluation de la tension aux bornes dudit ou desdits la- sers. 10. Application de lasers à semi-conducteurs selon l'une des revendications 1 à 3, à la réalisation de systèmes de mesure optique sans contact, lesdits systèmes de mesure optique comprenant comme source et comme détecteur de rayon- nement un ou plusieurs desdits lasers. 11. Application de lasers à semi-conducteurs selon l'une des revendications 1 à 3, à la réalisation de systèmes de lecture, lesdits systèmes de lecture comprenant comme source et comme détecteur de rayonnement un ou plusieurs desdits lasers.