Brevet FR2678427A1 — publié le 19921231

La présente invention concerne d'une manière gé- nérale des pastilles semiconductrices et la fabrication de telles pastilles et plus particulièrement une pastille se- miconductrice dans laquelle le recouvrement des parties étagées le long des traits gravés de la pastille est amé- lioré par rapport à ce qu'il est dans l'art antérieur. Dans un procédé de fabrication de pastilles semi- conductrices, on subdivise une pastille semiconductrice en un ensemble de N surfaces de microplaquettes ou de dés, définis par un réseau en forme de grille de traits qui sont gravés à la surface de la pastille Ensuite, on forme simultanément une structure multicouche conformée de la même manière dans chacune des surfaces de microplaquettes à l'exception de quelques zones de microplaquettes utilisées pour effectuer des tests En général, chacune de ces structures multicouches conformées constitue un seul dispositif à semiconducteurs discret ou un seul circuit intégré (I C) Enfin on découpe la pastille par exemple au moyen d'un outil de coupe à pointe de diamant, le long des traits gravés, pour former un ensemble de N microplaquettes ou dés individuels à circuits intégrés. Lors de la fabrication de circuits intégrés pos- sédant des niveaux élevés d'intégration (par exemple VLSI), le nombre de couches structurées nécessaires pour fabriquer les circuits intégrés est important, ce qui fait apparaître certains problèmes qui rendent complexe le procédé de f a- brication des pastilles et réduisent le rendement de fabri- cation des pastilles Plus particulièrement, la partie de bord périphérique de la structure formée à couches mul- tiples de chaque circuit intégré individuel fabriqué sur la pastille s'étend dans la région des traits gravés entre des circuits intégrés adjacents En tant que partie du procédé de fabrication, on exécute une succession d'étapes photoli- thographiques de manière à créer la configuration désirée dans chacune des couches individuelles de l'éventuelle structure multicouche de chaque circuit intégré Il est critique, du point de vue du rendement de ce procédé, que la pellicule de résine photosensible déposée sur chaque couche devant être conformée soit déposée d'une manière égale et uniforme et avec l'épaisseur correcte Cependant, lorsque le nombre de couches individuelles devant être structurées devient trop élevé, la hauteur des parties étagées verticales formées sur le bord périphérique de la structure conformée à couches multiples de chaque circuit intégré devient trop importante pour permettre un amincissement ou une réduction de la pellicule de résine photosensible déposée sur cette structure, condition qui est désignée d'une manière générale comme étant un recouvrement inadéquat de parties étagées. Un tel revêtement inadéquat des parties étagées conduit à une détérioration des caractéristiques élec- triques, des performances et de la fiabilité des circuits intégrés individuels fabriqués dans la pastille En outre, un tel revêtement inadéquat de parties étagées conduit à un accroissement du nombre de dés défectueux par pastille, ce qui réduit le rendement de fabrication des pastilles Ce problème du recouvrement inadéquat des parties étagées de- vient plus accusé lorsque le niveau de densité d'intégration des circuits intégrés augmente, ce qui conduit à une hauteur accrue des parties étagées verticales formées sur le bord périphérique de la structure multi- couches conformée de chaque circuit intégré, ce qui à son tour aggrave le problème du revêtement inadéquat des par- ties étagées. La présente invention a trait à une pastille se- miconductrice subdivisée en une multiplicité de zones de microplaquettes définies par un réseau formé de traits gravés dans la surface de la pastille, dans laquelle chaque trait gravé est limité longitudinalement par des couches respectives d'oxyde de champ formées dans la surface de la pastille, de manière à définir une région de trait gravé entre des zones adjacentes de microplaquettes Cette pastille comprend une multiplicité de circuits intégrés f ormés respectivement dans une multiplicité correspondante de zones de microplaquettes, chacun desdits circuits intégrés comprenant une structure multicouche conformée possédant une partie de bord périphérique qui s'étend dans l'une respective des régions de traits graves la partie de bord périphérique de chaque structure multicouche possède un profil en coupe transvrsale à échelons multiples, ce qui garantit un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine photosensible, qui est appliquée sur les couches individuelles des structures multicouches lorsqu'elles sont conformées au cours du procédé de fabrication des pastilles. Dans une première forme de réalisation préférée de la présente invention, pour chaque structure multicou- che, la longueur de la partie de bord périphérique de cha- que couche individuelle est supérieure à celle des autres couches individuelles disposées au-dessus de ladite couche. Dans une seconde forme de réalisation préférée, pour chaque structure multicouche, la longueur de la par- tie de bord périphérique de chaque couche individuelle est inférieure à celle des autres couches individuelles disposées au-dessus d'elles. Dans une troisième forme de réalisation préférée de la présente invention, chaque structure multicouche est constituée par une pluralité de couches individuelles com- prenant des premières couches alternées comprenant des premières couches alternées formées de couches alternées successives faisant partie des couches individuelles, en commençant par la couche individuelle la plus basse, et des secondes couches alternées constituées par des couches al- ternées successives faisant partie des couches indivi- duelles, en commençant par la couche individuelle en second à partir de la couche la plus basse La longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie des premières couches alternées est supérieure à la longueur de la partie de bord périphérique des autres couches individuelles faisant partie des premières couches alternées disposées au-dessus de ladite couche individuelle La longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie des secondes couches alternées est inférieure à la longueur de la partie de bord périphérique des autres couches indi- viduelles faisant partie des secondes couches alternées disposées au-dessus de ladite seconde couche individuelle. Dans une quatrième forme de réalisation préférée de la présente invention, chaque structure multicouche est la même que dans la troisième forme de réalisation, hormis que la longueur de la partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie des premières couches alternées est inférieure à celle des autres couches indivi- duelles faisant partie des premières couches alternées, disposées audessus de ladite couche alternée, et que la longueur de la partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie des secondes couches alternées est supérieure à celle des autres couches individuelles faisant partie des secondes couches alternées, disposées au-dessus de ladite couche individuelle. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels des chiffres de référence identiques désignent des éléments structurés identiques et parmi lesquels: la figure 1 représente une vue en plan schéma- tique d'une pastille semiconductrice, qui illustre l'agencement de base utilisé dans la présente invention; la figure l A est une vue en coupe transversale partielle de la pastille représentée sur la figure 1, qui montre uniquement les parties du bord périphérique de structures conformées multicouches qui s'étendent dans une région d'un trait gravé de la pastille, qui sépare des zones adjacentes de microplaquettes A, B, les structures multicouches étant agencées conformément à l'art antérieur; la figure 2 représente la même vue que celle représentée sur la figure l A, hormis que les structures multicouches sont agencées conformément à une première forme de réalisation préférée de la présente invention; la figure 3 représente la même vue que celle représentée sur la figure l A, hormis que seule la partie de bord périphérique d'une couche de la structure multicouches est représentée et que la structure multicouche est agen- cée conformément à une seconde forme de réalisation préfé- rée de la présente invention; la figure 4 représente la même vue que celle représentée sur la figure 3, hormis que la structure multi- couche est agencée conformément à une troisième forme de réalisation préférée de la présente invention; et la figure 5 représente une structure multi- couches agencée conformément à une quatrième forme de réa- lisation préférée de la présente invention. En se référant maintenant à la figure 1, on -y voit représentée une pastille semiconductrice 100, qui est subdivisée en un ensemble de N zones de microplaquettes ou de dés 20, définies par un réseau en forme de grille de traits gravés 30, qui sont gravés dans la surface de la pastille 100 Les traits gravés 30 servent à séparer les zones de microplaquettes 20 les unes des autres En défini- tive, on exécute une opération de sciage au niveau des traits gravés 30 de manière à subdiviser la pastille 100 en un ensemble de N plaquettes ou dés individuels Ainsi, au- cun circuit n'est formé dans les régions de la pastille 100 occupées par les traits gravés 30 Sur les figures l A et 2, on n'a représenté qu'une vue en coupe transversale par- tielle de la pastille 100, qui montre uniquement des par- ties de bord périphérique PE 1, PE 2 de structures multi- couches conformées adjacentes respectives M 51, M 52, qui s'étendent dans une région SLR de la pastille 100, occupée par le trait gravé 30 qui sépare des zones adjacentes de microplaquettes A, B, dans lesquelles les autres parties des structures multicouches M 51, M 52 sont respectivement fabriquées Les figures 3-5 représentent le même type de vues que celles représentées sur les figures l A et 2, hor- mis que seule la partie de bord périphérique PE 1 de l'une des structures multicouches M 51 est représentée sur ces fi- gures, à titre de simplification, bien que l'on notera ai- sément que la partie de bord périphérique PE 2 de la struc- ture multicouche adjacente M 52 est le symétrique de la première partie de bord périphérique. En se référant maintenant à la figure 1 A, on peut y voir les parties de bord périphériques PE 1, PE 2 de structures multicouches adjacentes conformées respectives M 51, M 52, qui pénètrent dans la région SLR de la pastille semiconductrice 100 définie par le trait gravé 30 qui sé- pare les zones de microplaquettes A, B l'une de l'autre, la structure multicouche M 51, M 52 étant agencée conformément à l'art antérieur Plus particulièrement, chacune des structures multicouches M 51, M 52 est représentée comme étant constituée de six couches individuelles 1-6 Les parties de bord périphériques des couches à numérotation paire 2,4,6 de chaque structure multicouches M 51, M 52 possèdent la même longueur et se terminent dans un plan vertical commun Les parties de bord périphériques des couches à numérotation impaire 3 et 5 possèdent la même longueur, et la partie de bord périphérique de la couche la plus basse 1 possède une longueur supérieure à celle des couches à numérotation impaire 3, 5 disposées au-dessus d'elle Étant donné que les longueurs des parties de bord périphériques des couches à numérotation paire possèdent la même valeur supérieure à celle des couches à numérotation impaire 1, 3, 5, les structures multicouches M 51, M 52 possèdent un seul bord vertical VE ayant une longueur H égale à la somme des épaisseurs des couches à numérotation paire 2, 4, 6 Il résulte de la structure multicouche de l'art antérieur décrite précédemment, que la pellicule de résine photosensible (non représentée), qui est déposée sur cette structure, est susceptible d'être amincie ou réduite lors de la conformation des couches individuelles, ce qui conduit à un recouvrement inadéquat des parties étagées et aux conséquences nuisibles que ceci entraîne. En se référant maintenant à la figure 2, on peut y voir une première forme de réalisation de la présente in- vention Plus particulièrement, on y voit représentées les parties de bord périphériques PE 1, PE 2 de structures multi- couches adjacentes conformées respectives M 51, M 52, qui s'étendent dans la région SLR de la pastille semiconduc- trice 100 définie par le trait gravé 30 qui sépare les zo- nes de microplaquettes A, B l'une de l'autre La région SLR du trait gravé est limitée longitudinalement par des couches d'oxyde de champ respectives 10 A, 10 B formées dans la pastille 100 La région SLR du trait gravé possède nor- malement une largeur d'environ 200 pm, bien que ceci n'ait aucun caractère limitatif pour la présente invention. Comme représenté sur la figure 2, chaque struc- ture multicouche M 51, M 52 est constituée de cinq couches individuelles, numérotées successivement 1-5, depuis la couche la plus basse 1 jusqu'à la couche la plus élevée 5. On notera aisément que le nombre et la composition des couches individuelles constituant chaque structure multi- couche M 51, M 52 ne sont pas limitatifs pour la présente invention Par exemple, chacune des couches individuelles 1-5 peut être, de façon appropriée, une couche de câblage ou une couche isolante La nature et la composition de cha- cune de ces couches individuelles 1-5 est fixée par la conception des circuits intégrés devant être fabriqués sur la pastille 100, et par conséquent est une considération de conception indépendante, qui ne fait pas partie de la pré- sente invention Dans l'ensemble de la description, on se référera de façon générique à ces couches 1-5 en tant que telles. Conformément à la première forme de réalisation préférée de la présente invention représentée sur la figure 2, les parties de bord périphériques PE 1, PE 2 des structures multicouches respectives M Sl, M 52 sont superposées de façon étagée de manière à posséder un profil en forme d'escalier De préférence, comme représenté sur la figure 2, la longueur de la partie de bord périphérique PE 1, PE 2 de chaque couche individuelle 1-5 de chaque structure multicouches M 51, M 52 est supérieure à celle des couches disposées au-dessus d'elles Avec cette configura- tion à couches multiples étagées ou en terrasse, pour cha- que structure multicouches M 51, M 52, la longueur de la par- tie de bord périphérique de la couche la plus basse est l + 12 + 13 + 14 + 15 = L 2; la longueur de la partie de bord périphérique de la seconde couche 2 est L 2 15; la longueur de la partie de bord périphérique de la troisième couche 3 est L 2 ( 15 + 14); la longueur de la partie de bord périphérique de la quatrième couche 4 est L 2-( 13 + 14 + 15); et la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus élevée 5 est L 2 ( 12 + 13 + 14 + 15) = 11 Par conséquent, la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus élevée 5 est celle de la quatrième couche 4 est 12; la différence entre la longueur de la partie de bord périphé- rique de la quatrième couche 4 et celle de la troisième couche 3 est 13; la différence entre la longueur de la par- tie de bord périphérique de la troisième couche 3 et celle de la seconde couche 2 est 14; et la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la seconde couche 2 et celle de la couche la plus basse 1 est 15 De préférence, la différence de longueur des parties de bord périphériques entre des couches successives est constante (c'est-à- dire 12 = 13 = 14 = 15) ou peut être différente (c'est-à-dire variable), bien que ceci n'ait aucun caractère limitatif pour la présente invention Dans une forme de réalisation prise à titre d'exemple de la présente inven- tion, la largeur L de la région SLR du trait gravé est égale à 200 pm; la longueur L 2 de la partie de bord péri- phérique de la couche la plus basse 1 de chaque structure multicouches M 51, M 52 est égale à 30 pm; la longueur Li de la partie centrale de base non recouverte de la région SLR du trait gravé située entre les structures adjacentes mul- ticouches M 51, M 52, est égale à 140 pm; la longueur l de la partie de bord périphérique de la couche la plus élevée de chaque structure multicouches M 51, M 52 est égale à pm; et l'on a 12 = 13 = 14 = 15 = 15 = 5 pm. Comme cela est évident à partir de ce qui pré- cède, au lieu que la partie de bord périphérique PEI, PE 2 de chaque structure multicouche respective M 51, M 52 pos- sède un seul bord vertical situé dans un plan vertical com- mun, comme c'est le cas dans l'art antérieur, conformément à la présente invention, la partie de bord périphérique P El, PE 2 de chaque structure multicouche respective M 51, M 52 est étagée, ce qui garantit un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine photosensible, qui est appliquée sur les couches individuelles 1-5 lorsqu'elles sont conformées pendant le procédé de fabrica- tion des pastilles. En se référant maintenant à la figure 3, on y voit représentée une seconde forme de réalisation de la présente invention Dans cette forme de réalisation, on peut voir que la longueur de la partie de bord périphérique de chaque couche individuelle 1-5 est inférieure à celle des couches disposées au-dessus d'elle De préférence, comme cela est représenté sur la figure 3, la partie de bord périphérique de chaque couche individuelle 1-5 re- couvre complètement la partie de bord périphérique de la couche située au-dessous d'elle, chaque couche individuelle 1-5 possédant une partie de base distale respective la-5 a, qui s'étend au-delà de la partie de base distale de l'ensemble des couches disposées au-dessous d'elle et qui est disposée sur la surface de la pastille 100 Avec la configuration structurelle décrite précédemment, les par- ties de base distales la-5 a des couches respectives 1-5 sont disposées successivement sur la surface de la pastille , la partie de base distale 5 a étant la partie la plus extérieure parmi les parties de base distales la-5 a, tandis que la partie distale de base la est la partie la plus in- térieure des parties de base distales la-5 a. Comme cela ressort à l'évidence de la figure 3 et de la description précédente de cette figure, conformément à cette forme de réalisation de la présente invention, les parties de bord périphériques des structures multicouches sont également étagées, ce qui garantit un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine photosensible, qui est appliquée sur les couches individuelles 1-5 lorsqu'elles sont conformées lors du procédé de fabrication des pastilles En outre, bien que les parties de bord périphériques des structures multi- couches possèdent un seul bord vertical qui est situé dans un plan commun, la hauteur de ce bord vertical unique est égale à l'épaisseur uniquement de la couche la plus élevée , et non à la somme des épaisseurs de plusieurs des couches, comme c'était le cas dans l'art antérieur, ce qui garantit en outre un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine photosensible, qui est appliquée sur les couches individuelles 1-5 lorsqu'elles sont conformées pendant le procédé de fabrication de la pastille. il En continuant à se référer à la figure 3, on peut voir en outre que la longueur de la partie de bord périphé- rique de la couche la plus basse 1 est 11; la longueur de la partie de bord périphérique de la seconde couche 2 est il + 12; la longueur de la partie de bord périphérique de la troisième couche 3 est 11 + 12 = 13; la longueur de la partie de bord périphérique de la quatrième couche 4 est il + 12 + 13 + 14; et la longueur de la partie de bord pé- riphérique de la couche la plus élevée 5 est il + 12 + 13 + 14 + 15 Par conséquent, la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus basse 1 et celle de la seconde couche 2 est 12 La différence entre la longueur de la partie de bord périphé- rique de la seconde couche 2 et celle de la troisième couche 3 est 13; la différence entre la longueur de la par- tie de bord périphérique de la troisième couche 3 et celle de la quatrième couche 4 est 14; et la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la quatrième couche 4 et celle de la couche la plus élevée 5 est 15 De préférence, la différence de longueur de la partie de bord périphérique entre des couches successives est constante (c'est-à-dire 12 = 13 = 14 = 15) ou peut être différente (c'est-à-dire variable), bien que ceci n'ait en aucune ma- nière un caractère limitatif pour la présente invention. Dans une forme de réalisation prise à titre d'exemple de la présente invention, on a 12 = 13 = 14 = 15 = 5 pm. En se référant maintenant à la figure 4, on y voit représentée une troisième forme de réalisation de la présente invention Dans cette forme de réalisation, la longueur de la partie de bord périphérique de chacune des couches à numérotation impaire 1, 3, 5 est supérieure à celle des autres couches à numérotation impaire, disposées au-dessus, mais inférieure à celle des couches à numérota- tion paire 2, 4, 6 La longueur de la partie de bord péri- phérique de chacune des couches à numérotation paire 2, 4, 6 est inférieure à celle des autres couches à numérotation paire disposées au-dessus d'elle De préférence, comme re- présenté sur la figure 4, la partie de bord périphérique de chacune des couches à numérotation paire 2, 4, 6 recouvre complètement la partie de bord périphérique de la couche à numérotation paire disposée au- dessous d'elle, chaque couche à numérotation paire 2, 4, 6 possédant une partie de base distale respective 2 a, 4 a, 6 a, qui s'étend au-delà de la partie de base distale de toutes les couches à numérota- tion paire disposées au-dessous d'elle et qui est disposée sur la surface de la pastille 100. En se référant à nouveau à la figure 4, on peut en outre voir que la longueur de la partie de bord périphé- rique de la couche la plus élevée à numérotation impaire 5 est 11; la longueur de la partie de bord périphérique de la couche intermédiaire à numérotation impaire 3 est l + 12; la longueur de la partie de bord périphérique de la couche à numérotation impaire la plus basse 1 est 11 + 12 + 13; la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus basse à numérotation paire 2 est 11 + 12 + 13 + 14; la longueur de la partie de bord périphérique de la couche in- termédiaire à numérotation paire 4 est 11 + 12 + 13 + 14 + ; et la longueur de la couche la plus élevée à numérota- tion paire 6 est li + 12 + 13 + 14 + 15 + 16 Par consé- quent, la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus élevée à numérotation paire 6 et la longueur de la partie de bord périphérique de la couche intermédiaire à numérotation paire 4 est 16; la différence entre la longueur de la partie périphérique de la couche intermédiaire à numérotation paire 4 et celle de la couche la plus basse à numérotation paire 2 est 15; la différence entre la longueur de la partie de bord périphé- rique de la couche la plus basse à numérotation impaire 1 et celle de la couche intermédiaire à numérotation impaire 3 est 13; la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la couche intermédiaire à numérotation impaire 3 et celle de la couche la plus élevée à numérota- tion impaire 5 est 12; et la différence entre la longueur de la partie de bord périphérique de la couche la plus bas- se à numérotation paire 2 et celle de la couche la plus basse à numérotation impaire 1 est 14 De préférence, la différence des longueurs des parties de bord' périphériques entre des couches successives à numérotation impaire est constante (c'est-à-dire 12 = 13) ou peut être différente (c'est-à-dire variable), et la différence entre les lon- gueurs des parties de bords périphériques de couches suc- cessives à numérotation paire est constante (c'est-à-dire 14 = 15 = 16) ou peut être différente (c'est-à-dire varia- ble) Dans une forme de réalisation prise à titre d'exemple de la présente invention, on l = 20 pm et 12 = 13 = 14 = = 16 = 5 pm, bien que ces valeurs n'aient aucun caractère limitatif pour la présente invention. Comme cela ressort à l'évidence de la figure 4 et de la description précédente de cette figure, conformément à cette forme de réalisation de la présente invention, les parties de bord périphériques des structures multicouches sont également étagées, ce qui garantit un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine pho- tosensible qui est appliquée sur les couches individuelles 1-6 lorsqu'elles sont conformées pendant le procédé de fa- brication de la pastille En outre, bien que les parties de bord périphériques des structures multicouches possèdent un seul bord vertical qui est situé dans un plan vertical com- mun, la hauteur de ce bord vertical unique est égale à l'épaisseur uniquement de la couche la plus élevée à numé- rotation paire 6, et non à la somme des épaisseurs des dif- férentes couches comme dans le cas de l'art antérieur, ce qui garantit en outre un recouvrement adéquat des parties étagées par la pellicule de résine photosensible qui est appliquée aux couches individuelles 1-6 lorsqu'elles sont conformées pendant le procédé de fabrication de la pas- tille. En se référant maintenant à la figure 5, on y voit représentée une quatrième forme de réalisation de la présente invention, qui est sensiblement identique à la quatrième forme de réalisation de la présente invention re- présentée sur la figure 4, hormis que les positions des couches à numérotation paire et des couches à numérotation impaire sont commutées Par conséquent, les couches à numé- rotation paire 2, 4, 6 de la troisième forme de réalisation correspondent aux couches à numérotation impaire 1, 3, 5 de la quatrième forme de réalisation, et les couches à numéro- tation impaire 1, 3, 5 de la troisième forme de réalisation correspondentaux couches à numérotation impaire 2, 4, 6 de la quatrième forme de réalisation. Bien que l'on ait décrit précédemment de façon détaillée des formes de réalisation préférées de la pré- sente invention, on comprendra aisément que de nombreux changements et/ou modifications des concepts de base de l'invention, qui sont indiqués ici et que peuvent imaginer les spécialistes de cette technique, entrent dans le cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1 Pastille semiconductrice subdivisée en une multiplicité de zones de microplaquettes ( 20) définies par un réseau, en forme de grille, de traits gravés ( 30) dans la surface de la pastille, dans laquelle chaque trait gravé ( 30) est limité longitudinalement par des couches respectives d'oxyde de champ ( 10 A,1 OB) formées dans la surface de la pastille, de manière à définir une région de trait gravé entre des zones adjacentes de microplaquettes ( 20), caractérisée en ce qu'elle comporte une multiplicité de circuits intégrés formés res- pectivement dans une multiplicité correspondante de zones de microplaquettes, chacun desdits circuits intégrés com- prenant une structure multicouches (M 51,M 52) conformée possédant une partie de bord périphérique (PE 1,PE 2) qui s'étend dans l'une respective des régions (SLR) de traits gravés; et ladite partie de bord périphérique de chacune desdites structures multicouches possède un profil en coupe transversale à échelons multiples. 2 Pastille selon la revendication 1, caractéri- sée en ce que chacune desdites structures multicouches (M 51, M 52) est constituée par une pluralité de couches individuelles ( 1-6) possédant chacune une partie de bord périphérique (PE 1,PE 2) qui pénètre dans ladite région respective faisant partie desdites régions de traits gravés, les longueurs desdites parties de bord périphériques des différentes couches individuelles étant différentes. 3 Pastille selon la revendication 2, caractéri- sée en ce que pour chaque structure multicouche (M 51,M 52), la longueur de ladite partie de bord périphérique de chacune desdites couches individuelles ( 1-6) est supérieure à celle des autres desdites couches individuelles disposées au-dessus de ladite couche. 4 Pastille selon la revendication 3, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52), la différence de longueur de ladite partie de bord périphérique de couches successives parmi lesdites couches individuelles est constante ou variables. Pastille selon la revendication 2, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52), la longueur de ladite partie de bord périphéri- que de chacune desdites couches individuelles est infé- rieure à celle des autres couches individuelles disposées au-dessus de ladite couche individuelle. 6 Pastille selon la revendication 5, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52), ladite partie de bord périphérique de chacune desdites couches individuelles recouvre complètement ladite partie de bord périphérique desdites autres couches indivi- duelles situées au-dessous de ladite couche individuelle. 7 Pastille selon la revendication 6, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52), chacune desdites couches individuelles ( 1-6) possède une partie de base distale (la-6 a) située sur la surface de la pastille, cette partie de base distale de chacune desdites couches individuelles s'étendant au- delà de ladite partie de base distale desdites autres couches individuelles situées au-dessous de ladite couche individuelle. 8 Pastille selon la revendication 7, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M Sl M 52), la différence de longueur ( 1 î 1-6) de ladite partie de bord périphérique de couches successives faisant partie desdites couches individuelles est constante ou variable. 9 Pastille selon la revendication 2, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52) ladite pluralité de couches individuelles ( 1-6) comprend des premières couches ( 1, 3, 5) alternées formées de couches alternées successives faisant partie desdites couches individuelles, en commençant par la couche individuelle la plus basse ( 1), et des secondes couches ( 2, 4, 6) alternées constituées par des couches alternées successives faisant partie desdites couches individuelles, en commençant par la couche individuelle en second ( 2) à partir de la couche la plus basse ( 1); la longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie desdites premières couches ( 1, 3,5) alternées est supérieure à la longueur de ladite partie de bord périphérique des autres couches individuelles faisant partie desdites premières couches alternées disposées au-dessus de ladite première couche individuelle ( 1); et la longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie desdites secondes couches alternées ( 2, 4, 6) est inférieure à la longueur de ladite partie de bord périphérique desdites autres couches individuelles faisant partie desdites secondes couches alternées disposées au-dessus de ladite seconde couche individuelle ( 2). 10 Pastille selon la revendication 9, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (M 51,M 52), chaque couche individuelle faisant partie desdites secondes couches alternées possède une partie de base âistale (la-6 a) située sur la surface dela pastille ( 100), ladite partie de base distale ( 2 a, 4 a, 6 a) de chaque couche individuelle faisant partie desdites secondes couches ( 2, 4, 6) alternées s'étendant au-delà de ladite partie de base distale des autres couches individuelles faisant partie desdites se- condes couches alternées disposées au-dessous de ladite seconde couche individuelle ( 2). 11 Pastille selon la revendication 10, caracté- risée en ce que pour chacune desdites structures multi- couches (M 51,M 52), la différence de longueur' de ladite partie de bord périphérique de couches successives individuelles faisant partie desdites couches alternées est constante ou variable. 12 Pastille selon la revendication 11, caracté- risée en ce que pour chacune desdites structures multi- couches (M 1,M 2), la différence de longueur de ladite partie de bord périphérique de couches successives individuelles faisant partie desdites premières couches alternées est constante. 13 Pastille selon la revendication 2, caractéri- sée en ce que pour chacune desdites structures multicouches (Ml,M 2): ladite pluralité de couches individuelles ( 1-6) comprend des premières couches alternées (i, 3, 5) formées de couches alternées successives faisant partie desdites couches individuelles, en commençant par la couche individuelle la plus basse ( 1), et des secondes couches ( 2, 4, 6) alternées constituées par des couches alternées successives faisant partie desdites couches individuelles, en commençant par la couche individuelle en second ( 2) à partir de la couche la plus basse ( 1); la longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle faisant partie desdites pre- mières couches alternées ( 1, 3,5) est inférieure à la longueur de ladite partie de bord périphérique des autres couches individuelles faisant partie desdites premières couches alternées disposées au- dessus de ladite première couche individuelle; et la longueur de ladite partie de bord périphérique de chaque couche individuelle desdites secondes couches alternées ( 2, 4, 6) est supérieure à la longueur de ladite partie de bord périphérique d'autres desdites couches individuelles faisant partie desdites secondes couches alternées disposées au-dessus de ladite seconde couche individuelle. 14 Pastille selon la revendication 13, caracté- risée en ce que pour chacune desdites structures multi- couches (M 1,M 2), chaque couche individuelle faisant partie desdites premières couches alternées ( 1, 3, 5) possède une partie de base distale (la, 3 a, 5 a) située sula si O Efe de la pastille ( 100), ladite partie de base distale de chaque couche individuelle faisant partie desdites premières couches alternées s'étendant au-delà de ladite partie de base distale des autres couches individuelles faisant partie desdites premières couches alternées disposées au- dessous de ladite autre couche individuelle. Pastille selon la revendication 10, caracté- risée en ce que pour chacune desdites structures multi- couches (M 1,M 2), la différence de longueur de ladite partie de bord périphérique de couches successives individuelles faisant partie desdites premières couches alternées ( 1, 3, 5) est constante ou variable. 16 Pastille selon la revendication 15, caracté- risée en ce que pour chacune desdites structures multi- couches (M 1,M 2), la différence de longueur de ladite partie de bord périphérique de couches successives individuelles faisant partie desdites secondes couches alternées ( 2, 4, 6) est constante.