Brevet FR2674680A1 — publié le 19921002

PROCEDE DE REALISATION DE CONNEXIONS COAXIALES POUR COMPOSANT ELECTRONIQUE, ET BOITIER DE COMPOSANT COMPORTANT DE TELLES CONNEXIONS La présente invention a pour objet un procédé de réalisation de connexions coaxiales pour un composant électronique encapsulé dans un boîtier. Elle a également pour objet un boîtier comportant de telles connexions. Dans la présente demande, on entend par composant électronique tout composant discret ou tout circuit intégré ou hybride utilisable en électronique. L'accroissement de la rapidité des composants et l'augmentation de la fréquence de travail qu'on observe actuellement font que les liaisons entre composants doivent être étudiées, en outre, en termes de propagation d'énergie. En particulier, pour éviter toute réflexion de signal, l'impédance du milieu de propagation de ce signal doit être constante. Or, si l'on sait réaliser cela pour un boîtier, on constate que ce n'est pas le cas pour les connexions tant du boîtier avec le circuit imprimé sur lequel il est monté, que du boîtier avec le composant: on observe en effet, expérimentalement, des réflexions parasites d'une partie de l'énergie à ces niveaux. La présente invention permet d'éviter ces difficultés par l'utilisation, pour les connexions d'entrée/sortie du composant et/ou du boîtier, de lignes coaxiales formées collectivement, après câblage. Plus précisément, le composant, placé dans un boîtier, est connecté classiquement par fil à son boîtier ; les fils sont ensuite recouverts d'une première couche isolante, puis d'une deuxième couche conductrice de telle sorte que cette deuxième couche soit reliée aux plots de masse du boîtier, les couches formant ainsi avec les fils des connexions électriques de structure coaxiale. Un processus analogue est réalisé pour les connexions d'entrée/sortie du boîtier. D'autres objets, particularités et résultats de l'invention ressortiront de la description suivante, illustrée par les dessins annexés, qui représentent: - la figure 1, une vue en coupe d'un composant classiquement encapsulé dans un boîtier, lui-même reporté sur un circuit imprimé; - les figures 2a, 2b et 2c, différentes étapes d'un premier mode de réalisation du procédé selon l'invention, appliqué aux entrées/sorties du composant; - les figures 3a, 3b, 3c et 3d, différentes étapes d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, toujours appliqué aux entrées/sorties du composant; - la figure 4, un mode de réalisation du procédé selon l'invention, appliqué aux connexions d'entrée/sortie du boîtier. Sur ces différentes figures, les mêmes références se rapportent aux mêmes éléments. En outre, l'échelle réelle n'a pas été respectée pour la clarté des schémas. La figure 1 représente donc une vue en coupe d'un composant électronique encapsulé dans un boîtier, lui-même reporté sur un circuit imprimé. Le composant, repéré CI, est disposé par exemple par brasure ou collage sur une embase E, elle-même recouverte d'un capot C : l'ensemble embase E et capot C forme un boîtier B, encapsulant hermétiquement le composant CI. L'embase E est par exemple en céramique et comporte par exemple trois couches: une première couche 11, portant le composant CI, recouverte d'une couche 12 entourant annulairement le composant CI, puis d'une couche 13 entourant également annulairement le composant mais en retrait par rapport à la couche 12, le capot C étant disposé sur la couche 13. On a encore représenté sur cette figure des fils de connexion F reliant les plots d'entrée/sortie du composant (non représentés) à des plots du boîtier (également non représentés) situés sur une ou plusieurs couches de l'embase E, par exemple sur la couche 12. On a également représenté des broches repérées P, formant les connexions d'entrée/sortie du boîtier et permettant de relier électriquement celui-ci à un ou plusieurs circuits extérieurs, typiquement par l'intermédiaire d'un substrat S tel qu'un circuit imprimé. Les broches P sont reliées classiquement aux plots du boîtier par des pistes et trous métallisés, qui ne sont pas non plus représentés. Les figures 2a, 2b et 2c représentent différentes étapes d'un premier mode de réalisation du procédé selon l'invention, appliqué aux entrées/sorties du composant CI. Sur ces différentes figures, on n'a représenté que la partie de la figure 1 concernée par la connexion d'un fil tel que F. Sur la figure 2a, on peut donc voir une fraction de l'embase E du boîtier portant le composant CI et constituée par ses trois couches 11, 12 et 13. Un fil F connecte un plot PCI du composant CI à un plot de l'embase, repéré PE2 et disposé par exemple sur la couche 12 ; le fil F est en général en or ou en aluminium. L'embase comporte encore des plots destinés à fournir le potentiel de référence, ou masse, du composant CI, dont un exemple est représenté en PE1 et disposé sur la couche 13 . Selon l'invention, on dépose sur l'ensemble composant-embase-fil F une couche d'un matériau isolant 21, sauf sur le plot de masse PE1. Cete épargne du plot PEl est réalisée par exemple comme représenté sur la figure 2a, c'est-à-dire à l'aide d'un cache 22 disposé préalablement sur le plot PEl, ou encore par gravure ultérieure de la couche 21. En outre, l'extérieur de l'embase E à partir du plot PE1, à savoir la partie gauche sur la figure et le dessous de l'embase, est également protégé du dépôt 21 par tout moyen connu (25) tel que mousse, élastomère ou vernis. La couche isolante 21 et sa technique de dépôt doivent être choisies de telle sorte que la couche puisse se déposer comme représenté sur la figure, tout autour du fil F et sur l'ensemble de 1'embase avec une épaisseur assez uniforme, fine et contrôlable.En outre, le matériau formant la couche 21 est de préférence choisi parmi ceux dont la constante diélectrique E varie peu ou pas avec la température et la fréquence. A titre d'exemple, un matériau fabriqué par la Société UNION CARBIDE connu sous le nom de "parylène" (polymère thermoplastique à base de poly-para-xylylène), déposé par condensation sous pression réduite, convient; en effet, sa constante diélectrique E est de 2,65 pour le "parylène" de type N, ce qui permet par exemple d'en déposer une épaisseur de l'ordre de 35 Clm autour d'un fil F de diamètre de 25ym et d'obtenir ainsi une impédance caractéristique de ligne de 50 ohms, ce qui est l'impédance habituellement retenue pour les connexions à l'intérieur du boîtier.Bien entendu, différents autres matériaux, notamment du type plastique, peuvent convenir, tel que "parylène" de type C ou époxy. On rappelle que la relation donnant l'impédance caractéristique Zc d'une ligne de connexion électrique de structure coaxiale est la suivante: où: - cr est la constante diélectrique relative du matériau isolant; - rl est le rayon du conducteur intérieur; - r2 est le rayon du cylindre formé par la surface extérieure du matériau isolant. Sur la figure 2b, on voit 1'embase E et son composant CI après retrait du cache 22 : la couche isolante 21 s'arrête donc au ras du plot PE1. L'étape suivante consiste à déposer une couche conductrice 24 à nouveau sur l'ensemble composant CI embase-ffl F, mais de préférence pas sur le composant 23, afin d'éviter les couplages capacitifs entre les zones conductrices du composant. Comme précédemment, cette épargne est réalisée soit à l'aide d'un cache (23, figure 2b), soit par gravure. Le dépôt 24 est réalisé par exemple par pulvérisation cathodique sous vide, technique qui permet une bonne couverture de toute la surface concernée.Le choix du matériau déposé dépend notamment du type d'application envisagé; à titre d'exemple, on peut utiliser du cuivre, du nickel, un alliage de cuivre-nickel, chrome-or, nickel-chrome-or ou aluminium. Dans le cadre de l'exemple numérique précédent, une couche 24 de 1 à 2 jum peut être suffisante. L'étape d'après, illustrée sur la figure 2c, consiste à retirer le cache 23, la partie de couche 24 qui lui est attachée et la protection 25 ; on voit que le fil F est transformé, par les deux dépôts successifs, en une connexion de type coaxial dont le conducteur central est formé par le fil F et le conducteur extérieur, par la couche conductrice 24, laquelle est ainsi connectée au plot de masse Peul. Dans une variante de réalisation (non représentée), la couche 24 peut être connectée à plusieurs plots de masse du boîtier, tels que PE1 Dans une autre variante (également non représentée), on dispose un anneau conducteur supplémentaire sur 1'embase, par exemple sur la couche 13 à sa périphérie, relié à la masse et auquel la couche 24 est reliée, par exemple en plusieurs points, en lieu et place du plot PE1. Les figures 3a, 3b, 3c et 3d représentent différentes étapes d'un autre mode de réalisation du procédé selon l'invention, toujours appliqué aux entrées/sorties du composant. Ce mode de réalisation diffère essentiellement de celui de la figure 2 par la réalisation de la mise à la masse du conducteur extérieur de la structure coaxiale. Plus précisément, dans une première étape illustrée sur la figure 3a, au lieu de disposer un cache (22, figure 2a) sur le plot de masse PE1 de l'embase E, on y connecte un fil 35 sensiblement normal au plot, fil en or par exemple, que l'on sectionne à une assez faible hauteur, puis, dans une seconde étape, on dépose comme précédemment une couche 21 d'un matériau isolant, de préférence le même matériau selon la même technique que décrit plus haut ; cette couche 21 recouvre alors le composant CI, l'embase E, le fil F sur toute sa surface, les plots PE2 et PE1 de 1'embase ainsi que le fil 35. Dans l'étape suivante, illustrée sur la figure 3b, on sectionne la couche 21 au droit du fil 35 de telle sorte que celui-ci affleure comme montré par une ligne XX. Dans une étape ultérieure (figure 3c), on dépose sur l'ensemble obtenu précédemment une couche d'un matériau conducteur 24 sauf, comme précédemment, sur le composant CI; celui-ci est par exemple protégé par un cache 23. La couche 24 recouvre donc le cache 23, toute la surface extérieure (isolante) du fil F ainsi que la section du plot 25. Enfin, comme illutré sur la figure 3d, on enlève le cache 23 et la couche métallique qui lui est attachée et la protection 25. On obtient ainsi une connexion de type coaxial (conducteur central: fil F; conducteur extérieur: couche 24) entre le composant CI et l'embase E, le conducteur central étant connecté au plot PE2 de l'embase et le conducteur extérieur au plot PE1 par l'intermédiaire du conducteur 25. La figure 4 représente un mode de réalisation du procédé selon l'invention, appliqué aux connexions d'entrée/sortie P du boîtier B. Dans cette figure, on retrouve l'embase E du boîtier B portant le composant CI, celui-ci étant connecté à l'embase par des fils F (représentés par un trait épais) transformés en connexions coaxiales comme décrit précédemment, par les couches 21 et 24. Le composant CI est enfermé par un capot C, par exemple métallique, reposant sur l'embase E. Selon l'invention, on forme de façon analogue à ce qui est décrit précédemment pour les fils F, une structure coaxiale autour de chacune des broches de connexion P du boîtier B. A cet effet, on dépose une première couche de matériau isolant 41 sur les broches P ; dans une variante (non représentée), cette couche 41 peut s'étendre à l'ensemble du boîtier; comme précédemment, le matériau isolant est avantageusement du "parylène", déposé par condensation sous pression réduite. Dans une étape suivante, on dépose sur la partie de la couche 41 qui entoure les broches P une seconde couche de matériau conducteur, repérée 42, de sorte à constituer avec chacune des broches P une structure de connexion coaxiale. Ici encore, la couche conductrice 42 peut s'étendre à l'ensemble du boîtier, dans une variante de réalisation (non représentée). Le matériau constituant la couche 32 peut avantageusement être le même que celui constituant la couche 24 des figures précédentes. Selon un mode de réalisation préféré, ces dépôts 41 et 42 sont effectués après montage du boîtier B sur son circuit imprimé S et connexion des broches P à des plots PS2 du circuit S. Dans ce cas, des moyens sont prévus (cache ou gravure) pour que soient épargnés, lors du dépôt de la couche isolante 41, des plots PS1, situés à proximité des plots P52 et reliés à la masse ; le dépôt de la couche 42 s'étend alors jusqu'aux plots PS11 comme représenté sur la figure 4. On a ainsi décrit un procédé permettant de transformer in situ des connexions simples (fils F, broches P) en liaisons coaxiales et, ce, de façon collective donc économique, ce qui permet d'obtenir les impédances caractéristiques souhaitées par choix des matériaux et des épaisseurs. La description faite ci-dessus l'a été bien entendu à titre d'exemple non limitatif. C'est ainsi par exemple que l'embase E du boîtier B a été mentionnée comme étant en céramique, mais qu'elle peut être également en métal ou en plastique, tout comme le capot C. C'est ainsi également que les fils F et les broches P peuvent être de section circulaire ou être constitués par des fils, ou rubans, de section rectangulaire. REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation de connexions pour un composant électronique (CI) placé sur l'embase (E) d'un boîtier (B), chaque plot (PCI) du composant étant électriquement relié à l'aide d'un fil (F) à un plot (PE2) de l'embase, 1'embase (E) comportant en outre des broches (P) de connexion d'entrée-sortie, le procédé étant caractérisé par le fait qu'il comporte les étapes suivantes: - dépôt d'une couche (21; 41) d'un matériau électriquement isolant sur les fils (F) et au moins ceux des plots (PE2) de l'embase auxquels sont reliés les fils, et/ou sur les broches (P) du boîtier; - dépôt d'une couche (24 ; 42) de matériau électriquement conducteur sur la partie de la couche isolante qui recouvre les fils (F) et/ou les broches (P),la couche conductrice étant reliée à un potentiel de référence, lesdites couches isolante et conductrice formant ainsi avec les fils et/ou les broches des connexions électriques à structure coaxiale. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le dépôt d'une couche d'un matériau électriquement isolant est réalisé par condensation sous pression réduite. 3. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le matériau isolant est du "parylène". 4. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le dépôt d'une couche de matériau électriquement conducteur est réalisé par pulvérisation cathodique sous vide. 5. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le matériau conducteur comporte du cuivre, du nickel, du chrome, de l'or, du nickel ou de l'aluminium ou un composé de ces métaux. 6. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que la couche conductrice (24) qui recouvre les fils (F) recouvre au moins un plot (PEl) de l'embase qui est relié au potentiel de référence. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé par le fait qu'il comporte, avant la première étape, la connexion sur le plot affecté au potentiel de référence (PEl) d'un fil (35) sensiblement normal au plot. 8. Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé par le fait que les étapes de dépôt d'une couche isolante sur les broches et de dépôt d'une couche conductrice sur la précédente sont réalisées après connexion des broches à un circuit extérieur. 9. Boîtier obtenu par le procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant une embase (E) portant un composant électronique (CI) et un capot (C) disposé sur l'embase, les plots (PCI) du composant étant connectés aux plots (PE2) de l'embase à l'aide de fils (F) conducteurs; le boîtier étant caractérisé par le fait que les fils sont recouverts de la couche (21) d'un matériau isolant et cette dernière, de la couche (24) d'un matériau conducteur,la couche conductrice étant reliée au potentiel de référence, les connexions électriques du composant à l'embase ayant ainsi une structure coaxiale. 10. Boîtier obtenu par le procédé selon l'une des revendications précédentes, comportant une embase (E) portant un composant électronique (CI), un capot (C) disposé sur 1'embase et des broches (P) de connexion d'entrée-sortie ; le boîtier étant caractérisé par le fait que les broches sont recouvertes de la couche (41) d'un matérieu isolant et cette dernière, de la couche (42) d'un matériau conducteur, la couche conductrice étant reliée au potentiel de référence, les broches de connexion du boîtier ayant ainsi une structure coaxiale.