Brevet FR2676875A1 — publié le 19921127

- Dispositif amplificateur programmable. L'invention concerne un amplificateur programmable qui peut, notamment, être réalisé sous la forme d'un circuit intégré de type ASIC ("Application Specific Integrated circuit") analogique pour des 5 applications d'amplification dans le domaine des télécommunications spatiales. Le dispositif de l'invention a pour objet de permettre une amplification de gain compris entre 2 N et 2 par pas de 2 P avec p les composants de commutation. En effet dans le domaine des circuits intégrés de type ASIC, on mattrise mal la valeur des résistances On obtient une précision d'environ 25 % sur la valeur absolue des résistances, alors que pour des résistances en composants discrets cette précision peut être de 1 % De plus on ne peut utiliser de capacité supérieure à quelques dizaines de pico Farad (p F). Une autre solution consiste à cascader plusieurs amplificateurs; le premier amplificateur ayant un fort gain pour obtenir le meilleur rapport signal/bruit Mais alors la bande passante se trouve fortement réduite.30 L'invention a pour objet de réaliser un tel dispositif amplificateur programmable qui présente de très bonnes carac- téristiques en ce qui concerne: la bande passante; le facteur de bruit le point de compression le "matching" (adaptation) entre transistors. Elle propose, à cet effet, un dispositif amplificateur 2 - programmable de gain compris entre 2 et 2 par pas de 2 P avec P C N; N étant le nombre de bits de la commande de gain, caractérisé en ce qu'il comprend: plusieurs étages à deux valeurs de gain sélectionnées entre elles grâce à un bit de commande; au moins deux étages identiques comportant un bit de commande différent; Chaque étage ayant un gain maximum inférieur à 2 Dans une réalisation avantageuse, le dispositif de l'invention comprend un étage d'entrée qui possède un gain fixe et des étages d'amplification ayant deux valeurs de gain commutables; un étage adaptateur de sortie; deux circuits de régulation de courant permettant d'utiliser une loi de variation de courant permettant de réaliser une compensation des variations de gain des différents15 étages; le premier circuit n'étant jamais inhibé, et le second étant piloté par la commande Marche/Arrêt. Avantageusement deux étages d'amplification de structures identiques sont placé au milieu de la chalne des différents étages d'amplification L'étage d'entrée comprend deux branches disposées en20 parallèle entre la tension d'alimentation et la masse; chaque branche comprenant en série une résistance, un transistor, deux transistors en parallèle recevant un signal délivré par le premier circuit de régulation de courant, deux résistances au milieu desquelles se trouve un point d'entrée.25 Chaque étage d'amplification à gain commutable comprend deux branches disposées en parallèle, chaque branche comprenant chacune une résistance, un premier transistor et un second transistor à deux émetteurs; ces deux branches étant reliées aux deux entrées d'un circuit de commutation au travers de deux résistances; lui-même étant connecté à la masse au travers d'un troisième transistor qui reçoit un signal du second circuit de régulation de courant fonctionnant comme un générateur de courant continu; des circuits interfaces d'entrée reliés respectivement à la base de chaque second transistor à deux émetteurs permettant de réaliser une translation de niveau pour cascader les étages entre eux; un circuit comparateur de tension qui 3 - reçoit un signal du premier circuit de régulation de courant permettant de sélectionner le gain de l'étage. Un tel dispositif permet de répondre aux objectifs en gain, bande passante, facteur de bruit définis plus haut Le facteur de bruit, notamment, est fortement amélioré pour les faibles gains On obtient un amplificateur dont on peut faire varier le gain par pas de ld B le produit Gain Bande passante obtenu étant très bon ( 60 G Hz) On obtient une bonne isolation ( 60 d B). Avantageusement, il n'est pas nécessaire d'utiliser une contre-réaction continue qui aurait pour effet de modifier le gain. L'utilisation d'un tel dispositif sous la forme d'un ASIC permet de réaliser une excellente compensation en température Car tous les circuits sont réalisés sous une forme symétrique. De plus, étant donné que les étages sont tous réalisés avec des composants identiques, si ce n'est les résistances, bien que ces étages soient cascadés, on obtient une bonne variation de gains, même si ces gains présentent un certain offset. Avantageusement, on peut utiliser des assemblages de résistances en arrangements parallèle-série pour obtenir des résistances de valeurs plus précises. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront d'ailleurs de la description qui va suivre, à titre d'exemple non limitatif, en référence aux figures annexées sur lesquelles la figure 1 représente une réalisation du dispositif selon l'invention; les figures 2 et 3 représentent deux réalisations de circuit du dispositif selon l'invention; la figure 4 représente un jeu de courbes de réponse du dispositif selon l'invention. Le dispositif de l'invention, tel que représenté sur la figure 1, comporte plusieurs étages amplificateurs, ici au nombre de 6, Ao, Al, A 2, A 3, A 4, A 5, A 6 comportant chacun deux entrées et deux sorties permettant un fonctionnement en mode symétrique. Chacun de ces étages Ao à A 6 est alimenté entre une tension Vc et la masse. 4 - Les étages Ai à A 6 ont deux valeurs de gain commutables grâce une commande extérieure Ci: ici des bits C 3, C 2, C 42, C 41, Cl et Co. Par contre le premier étage Ao possède un gain fixe Deux étages par exemple A 3 et A 4 sont identiques en états de gains. 5 Une sortie de l'étage A 6 est reliée à un étage adaptateur de sortie A 7 suivi d'une résistance R 7, par exemple de valeur 50 OHMS. Des transistors To à T 6 reliés chacun à la masse au travers d'une résistance Ro à R 6 permettent de réaliser une compensation en température de la variation de gain de chacun des étages Ao à A 6, en10 leur délivrant une tension appropriée Deux circuits de régulation de courant 10 et 11, de type "Bandgap" par exemple, permettent d'utiliser une loi de variation de courant permettant de réaliser cette compensation des variations en température des gains de ces différents étages Le premier de ces deux circuits peut être appelé "mattre" et le second "esclave" Le circuit maître 10 génère un signal V 2 servant de tension de référence de l'étage d'entrée Ao et de tensions de seuil pour les circuits comparateurs 12 qui existent dans les étages Ai à A 6 comme représenté sur la figure 3 Ce circuit 10 n'est jamais inhibé. Le circuit esclave 11 génère un signal V 3 servant de tension de référence des étages Al à A 6, et pilotant les générateurs de courant de ces étages, qui sont les transistors T 14 représentés sur la figure 3 Ce circuit peut être inhibé par la commande M/A (Marche/Arrêt). Dans ce cas les étages Ai à A 6 ne sont plus alimentés Ils ne fonctionnent donc plus; ce qui permet à la fois à isoler les entrées25 El, E 2 de la sortie S Les impédances d'entrée et de sortie restent, toutefois, maintenues à 50 OHMS, les étages Ao et A 7 étant toujours alimentés. Dans une réalisation avantageuse, ce dispositif est réalisé sous forme d'un ASIC Les différents étages peuvent, alors, avoir les gains suivants: Ao: 18 d B Al: 8 d B ou O d B A 2: 4 d B ou O d B A 3 =A 4: 13 d B ou 3 d B A 5 2 d B ou O d B A 6 1 d B ou O d B. Logiquement ces différents étages Ao à A 6 auraient dû avoir les gains successifs ( 32 d B/O d B); ( 16 d B/O d B); ( 8 d B/O d B); 4 d B/O - d B); ( 2 d B/o d B); ( 1 d B/O d B); le plus fort gain étant placé en tête pour obtenir un bon facteur de bruit Mais une telle structure présente plusieurs inconvénients: le premier est qu'un tel premier étage ( 32 d B) présenterait une bande passante trop faible (par exemple 100 M Hz); le second est que dans la position O d B de cet étage les conditions de fort gain en entrée de la chaîne ne seraient plus respectées De plus apparaîtraient des risques d'oscillation HF (possibilité d'atteindre un gain total de 60 d B). Par contre dans le dispositif de l'invention, tel que représenté sur la figure 1, l'étage Ao a un gain fixe pour améliorer le facteur de bruit de la chaîne complète Cet étage est optimisé en gain et en fréquence La valeur de gain de cet étage compense à la fois l'atténuation apportée par les étages A 3 et A 4 (-6 d B) et par l'étage A 6 qui est due au passage du mode symétrique en entrée de celui-ci à un mode asymétrique en entrée de l'étage de sortie A 7, et par l'adaptation d'impédance entre cet étage A 7 et la charge en sortie, par exemple 50 OHMS. Les étages de structures identiques A 3 et A 4 sont placés, ici, au milieu de la chaîne pour réaliser un compromis en ce qui concerne les problèmes de bruit aux différents gains. Avec les valeurs de gains données plus haut, un tel dispositif permet d'atteindre une valeur de gain maximum de 47 d B en sortie dissymétrique avec 6 bits de commande comme représenté dans le tableau I en fin de description On peut alors parler de commande " 5 bits %I", 25 car, pour obtenir les performances données, le dispositif de l'invention est tel que son gain maximum est supérieur au gain maximum obtenu avec 5 bits de commande extérieure, mais inférieur au gain maximum obtenu avec 6 bits. Ainsi le dispositif de l'invention a un gain compris entre 2 N et 2, N étant le nombre de bits de la commande de gain Chaque étage, y compris l'étage d'entrée, présente un gain maximum inférieur à 2 N l Dans l'exemple considéré plus haut, sauf l'étage Ao qui a un r 8 le particulier, la valeur maximale du gain des étages Al à A 6 est de 13 d B ce qui permet d'obtenir une bande passante de 440 M Hz pour l'étage35 de 13 d B. Un exemple de réalisation de l'étage d'entrée Ao est représenté sur la figure 2 Cet étage comprend alors deux branches disposées en parallèle entre la tension d'alimentation Vo et la masse; chaque 6 branche comprenant chacune en série une résistance R 8 (R 9) un transistor T 8 (T 9) qui reçoit sur sa base une tension de polarisation continue VP, deux transistors en parallèle T 1 O, T 1 O' (Tii, T 11 '), deux résistances R 1 O et Rll (R 12 et R 13). 5 Cette structure est optimisée pour obtenir la meilleure réponse en fréquence (bande passante), le meilleur facteur de bruit et pour minimiser les effets, dus à l'adaptation nécessaire entre transistors ("Matching"), sur l'offset continu de l'étage. Les transistors T 1 O et Tii sont choisis pour leur faible résistance rbb' et leur faible résistance d'accès émetteur RE; ces valeurs étant d'ailleurs diminuées par le fait de doubler les transistors (Transistors T 1 O et T 1 O' en parallèle; transistors Tii et Tii' en parallèle) ce qui a, de plus, pour effet d'améliorer l'adaptation ("Matching") entre les transistors T 1 O et Tii par15 probabilité. En continu ces transistors T 1 O (Tl O') et Tii (T 11 ') servent de générateurs de courant pour les transistors T 8 et T 9 de manière à obtenir des courants qui varient en température d'une façon adéquate pour maintenir constant le gain de l'étage Ceci est obtenu en20 appliquant une tension de "bandgap" de 1,2 volts sur les bases des transistors T 1 O et Tii. Les transistors T 1 O (T 1 O') et Tii (Tii') sont montés en base commune commandée en tension; ce qui est optimal pour la réponse en fréquence La limitation en fréquence vient, en effet, essentiellement: de la résistance rbb' (résistance d'accès base); des capacités collecteur-substrat Cjs et collecteur-base Cjc. La charge de ces transistors étant la résistance dynamique re des transistors T 8 et T 9 qui est faible ( par exemple 24 OHMS) Cet effet est donc limité. Le bruit d'un montage base commune commandé en tension est important parce que les bruits générés par les résistances rbb' et RE et le courant de collecteur IC trouvent un chemin par la source elle-même Mais les transistors T 1 O (Tl O') et Tii (Tii') sont suivis35 des transistors T 8 et T 9 montés eux aussi en base commune Les résistances de charges R 8 et R 9 de ces transistors, de valeurs plus fortes (par exemple 567 OHMS), sont nécessaires pour réaliser le gain de l'étage Les effets fréquentiels des capacités Cjs et Cjc sont plus 7 - importants et nécessitent l'utilisation de transistors plus rapides par exemple de type QN 1 dont les caractéristiques sont données sur le tableau II en fin de description La commande de ces transistors étant cette fois une commande en courant donc une source de forte résistance 5 interne Les bruits générés par les résistances rbb', RE et le courant collecteur ne trouvent plus de chemin et restent inactifs Seul le courant de base génére le bruit en sortie. Enfin les résistances R 10 et R 12, associées aux résistances d'accès émetteurs RE et dynamiques re des transistors T 10 (Tl O') et Tll (Tll'), permettent d'obtenir une impédance d'entrée de 50 OHMS et d'améliorer la linéarité de l'étage d'entrée Le gain de cet étage, en première approximation, est le rapport entre la résistance de charge R 8 (ou R 9) et la somme de la résistance Ri O, (R 12) et de (RE+re+(rbb'/BETA)> des transistors T 10 et Tll On obtient ainsi une bande passante de 820 M Hz environ et un facteur de bruit de 7,9 d B contre respectivement 560 M Hz et 11 d B pour un transistor de type QN 1 monté en base commune. Ce circuit, représenté à la figure 2, permet de supprimer les bruits des transistors T 8 et T 9, en diminuant les capacité parasites collecteur/substrat On obtient un amplificateur à faible bruit pour un circuit intégré, à fort point de compression (donc à bonne linéarité) et à large bande passante. Un exemple de réalisation des étages à gain variable Ai à A 6 est représenté sur la figure 3 Un tel étage comprend deux branches disposées en parallèle, chaque branche comprenant chacune une résistance R 14 A (R 14 B), un transistor T 12 A (T 12 B) et un transistor à deux émetteurs T 13 A (T 13 B); ces deux branches étant reliées aux deux entrées d'un circuit de commutation 13 au travers de deux résistances R 15 A et R 16 A (R 15 B et R 16 B); lui-même étant connecté à la masse au30 travers d'un transistor T 14 fonctionnant comme un générateur de courant continu. Des circuits interfaces d'entrée 14, 15 permettent de réaliser une translation de niveau pour cascader les étages entre eux Le circuit 12 est un comparateur de tension qui permet de sélectionner le35 gain de l'étage Le transistor T 14 permet de réaliser la stabilisation 8- en température du gain de l'étage. Les transistors T 13 A et T 13 B, les résistances R 15 A, R 15 B et R 16 A et R 16 B permettent d'obtenir deux valeurs de gain différentes sélectionnées par commutation grâce au circuit 13 de l'alimentation en 5 courant: avec les composants T 13 A, T 13 B, R 15 A, R 15 B on obtient une valeur minimun du gain, par exemple; avec les composants T 13 A, T 13 B, R 16 A, R 16 B on obtient une valeur maximum du gain. Les transistors T 12 A et T 12 B permettent de limiter les effets capacitifs des transistors T 13 A et T 13 B (Cjs et Cjc) Ces transistors T 12 A et T 12 B ne contribuent pas à augmenter le facteur de bruit de l'étage. Le gain de l'étage et le rapport entre les résistances de charges R 14 A et R 14 B et la somme des résistances R 15 A, R 15 B (ou R 16 A, R 16 B) et de la somme (RE+re+(rbb'/BETA)) des transistors T 13 A ou T 13 B, les fortes valeurs des résistances R 15 A, R 15 B et R 16 A, R 16 B par rapport aux résistances d'accès émetteurs RE permettent de mieux résoudre les problèmes d'offset continu.20 Dans un exemple de réalisation, tel que représenté sur ces trois figures 1, 2 et 3, le dispositif de l'invention a été implanté sous la forme d'un ASIC analogique en utilisant une technologie bipolaire Les résistances ont été choisies pour obtenir la meilleur précision de gain de chaques étages en fonction du choix limite des techniques25 d'implantation ("Layout") de type "prédiffusé" Le schéma global comporte 181 transistors, 316 résistances et 1 capacité Sur l'implantation on a séparé: Les masses des étages d'entrée et de sortie pour éviter tout rebouclage à cause de la résistance et de la self des fils de liaison; Les tensions d'alimentation VC et VCS: on a connecté tous les "caissons" des résistances à la tension VC et non à la tension VCS pour éviter un rebouclage des signaux présents sur la ligne VCS vers la masse à cause de la capacité caisson-substrat et des fils de35 liaison Ceci entratnerait sinon une oscillation HF pour les fortes 9 - valeurs de gain ainsi qu'une mauvaise isolation entrée-sortie en phase de repos. Malgré les fortes valeurs de gain on n'utilise pas de système de contre réaction continu D'une part pour conserver de bonnes caractéristiques HF, d'autre part parce que on a introduit des résistances de fortes valeurs dans les émetteurs des transistors ce qui améliore le "Matching" On peut, en effet, remarquer que, aux valeurs de courant utilisé (par exemple 1,2 m A), c'est la résistance d'accès émetteur RE qui détermine le "Matching" des transistors Cette10 résistance joue également un rôle dans la valeur du gain; un circuit bon en gain étant bon en offset continu. Les résistances sont toutes inférieures à l KILOHM Elles sont choisies pour optimiser les problèmes de "Matching". Avantageusement un tel dispositif permet de réaliser une fonction d'amplification dans le domaine VHF avec une programmation du gain de O d B à 47 d B par pas de 1 d B Le facteur de bruit et le point de compression, qui représente un écart de 1 d B vers le bas de la fonction de transfert signal de sortie/signal d'entrée par rapport à une droite de linéarité idéale, sont très bons Les impédances20 d'entrée et de sortie sont de 50 OHMS, les entrées de commande sont compatibles TTL et CMOS Enfin le circuit peut être mis dans une phase de repos avec une isolation entrée-sortie suffisante; les impédances des accès entrée-sortie gardant leurs valeurs initiales. La technique de conception retenue est du type "Fullcustom" pour la partie électrique et du type "prédiffusé" pour l'implantation ("Layout"). Les résultats obtenus sont regroupés dans le tableau III situé en fin de description et les courbes de réponse gain-fréquence sont représentées à la figure 4.30 On remarque que la bande passante reste pratiquement constante quel que soit la valeur du gain On obtient sur les échantillons du premier essai de configuration ("run") des résultats très satisfaisants à savoir: une bande passante de 270 M Hz pour un gain maximum de 47 d B soit un produit gain-bande passante de l'ordre de 60 G Hz; - un facteur de bruit au gain maximum de 10 d B environ un point de compression de l'ordre de O d BM. Il est bien entendu que la présente invention n'a été décrite et représentée qu'à titre d'exemple préférentiel et que l'on pourra remplacer ses éléments constitutifs par des éléments équivalents sans, pour autant, sortir du cadre de l'invention. Ainsi, le dispositif de l'invention a été réalisé sous la forme d'un ASIC analogique en utilisant une technologie bipolaire de manière à fonctionner en fréquences VHF Mais il pourrait être monté en fréquence jusqu'à quelques dizaines de G Hz en technologie monolithique de type As Ga. 11 - TABLEAU I Commandes extérieures Réglage du CG Cli gain Co c i C 2 C 3 C 41 C 42 R érn o O O a 0 O O Référence O 0 O O O O | O |e N 1 d B O 1 O O O O 2 d B o I o 01010 Io o 1 ol I o I o I I o I O oI 4 d B oio I o I l Q i o I o I 4 d o I O i o i O i 8 d B O O O O l O 16 d B o I o I o I o I o I 16 d B Autres combinaisons J Tous les bits sont sélectionnés TABLEAU II QN 1 QN 2 Ft (fréquence de tran 2,5 G Hz 2,5 G Hz sition) re 24 ohms 21 ohms rbb' 260 ohms I 150 ohms Cjc 128 f F (lf F = 10-15 F) 205 f' Cjs 150 f F I 230 f F 12 - TABLEAU III Tension d'alimentation 5 V Bande de fréquences O à 270 M Hz Courant continu 29 m A Précision du gain référence +/ 2 d B Précision du pas de gain +/ 0,3 d B Valeur de bruit à gain maximum 11 d B Isolation entrée/sortie REVENDICATIONS 1/ Dispositif amplificateur programmable de gain compris entre 2 et 2 n- 1 par pas de 2 P avec P 2/ Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il est réalisé sous la forme d'un circuit intégré de type ASIC. 3/ Dispositif selon l'une quelconque de revendications 1 ou 2, caractérisé en ce qu'il comprend un étage d'entrée (Ao) qui possède un gain fixe et des étages d'amplification (Ai à A 6) ayant deux valeurs de gain commutables. 4/ Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend un étage adaptateur de sortie (A 7). / Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend deux circuits de régulation de courant ( 10, 11) permettant d'utiliser une loi de variation de courant permettant de réaliser une compensation des variations de gain des différents étages; le premier circuit n'étant jamais inhibé, et le second étant piloté par la commande Marche/Arrêt. 6/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que deux étages d'amplification de structures identiques (A 3, A 4) sont placé au milieu de la chatne des différents étages d'amplification. 7/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'étage d'entrée (Ao) comprend deux branches disposées en parallèle entre la tension d'alimentation (Vc) et la masse; chaque branche comprenant en série une résistance (R 8; R 9) un premier transistor (T 8; T 9), deux transistors en parallèle (Tl O, T 1 O'; Tîl') recevant un signal délivré par le premier circuit de régulation de courant ( 10), deux résistances (R 1 O et Rll; R 12 et R 13)35 au milieu desquelles se trouve un point d'entrée (El; E 2). 14 - 8/ Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que chaque étage d'amplification à gain commutable (Ai à A 6) comprend deux branches disposées en parallèle, chaque branche comprenant une résistance (R 14 A; R 14 B), un premier transistor (T 12 A; T 12 B) et un second transistor à deux émetteurs (T 13 A; T 13 B) ces deux branches étant reliées aux deux entrées d'un circuit de commutation ( 13) au travers de deux résistances (R 15 A et R 16 A; R 15 B et R 16 B); lui-même étant connecté à la masse au travers d'un troisième transistor (T 14) qui reçoit un signal du second circuit de10 régulation de courant ( 11) fonctionnant comme un générateur de courant continu; des circuits interfaces d'entrée ( 14, 15) reliés respectivement à la base de chaque second transistor à deux émetteurs permettant de réaliser une translation de niveau pour cascader les étages entre eux; un circuit comparateur de tension ( 12) qui reçoit un signal du premier circuit de régulation de courant ( 10) permettant de sélectionner le gain de l'étage. f