Brevet FR2681729A1 — publié le 19930326

CIRCUIT INTEGRE MICRO-ONDE HYBRIDE La présente invention concerne des circuits intégrés micro-onde, et elle concerne plus particulièrement un circuit intégré micro-onde à circuit résonnant LC comprenant une inductance et un condensateur. La figure 12 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride de l'art antérieur, qui fonctionne à une fréquence micro- onde de 500 M Hz à plusieurs gigahertz Sur la figure 12, la réfé-, rence l désigne un substrat diélectrique en alumine qui transmet des si- gnaux dans une bande de haute fréquence Des lignes à constantes répar- ties 6 a et 6 b sont formées sur le substrat 1 Les lignes à constantes ré- parties 6 a et 6 b, une inductance 3 et une électrode de masse (non re- présentée) sur la surface arrière du substrat 1 forment une ligne micro- ruban Un condensateur de type plaquette 8 est placé sur la ligne à constantes réparties 6 a et il est connecté à la ligne 6 b par un fil métal- lique 5, par exemple un fil d'or ayant un diamètre d'environ 25 microns. Un transistor à effet de champ 7 est placé sur un substrat semiconduc- teur consistant en Ga As, Si ou une matière analogue, et il est connecté à la ligne à constantes réparties 6 a par des fils métalliques 5 Le tran- sistor à effet de champ 7 comprend une région 7 a dans laquelle un en- semble de drains, de grilles et sources alternent mutuellement, une inter- connexion 7 b qui connecte les drains, et une interconnexion 7 c qui con- necte les grilles La figure 13 représente schématiquement le circuit in- tégré de la figure 12 Sur la figure 13, des références numériques iden- tiques à celles de la figure 12 désignent les éléments identiques ou cor- respondants. On va maintenant décrire le fonctionnement. Des signaux qui sont amplifiés dans le transistor à effet de champ 7 sont transférés vers un circuit résonnant LC comprenant le con- densateur 8 et l'inductance 3, par l'intermédiaire de l'interconnexion 7 b et de la ligne à constantes réparties 6 a Si l'on désigne par f la f ré- quence de fonctionnement du circuit intégré, le circuit résonnant LC ré- sonne à une fréquence de 2 f, c'est-à-dire une fréquence deux fois plus élevée que la fréquence de fonctionnement Ainsi, lorsqu'on désigne par L la valeur de l'inductance 3 et par C la capacité du condensateur 4, la valeur de LC est choisie de façon à satisfaire la relation ( 1) sui- vante 2 f ( 1) 21 T#L Par conséquent, un signal micro-onde ayant une fréquence double 2 f est totalement réfléchi par le circuit résonnant LC qui comprend le conden-. sateur 8 et l'inductance 3, et ce signal est renvoyé vers le transistor à effet de champ 7, grâce à quoi le rendement du circuit intégré est amé- lioré Une composante de fréquence double est ainsi traitée dans une 13 î condition de fonctionnement au niveau F. D'autre part, dans le circuit intégré micro-onde hybride qui est décrit ci-dessus, comprenant le circuit résonnant LC, la précision sur la; capacité du condensateur 8 est de 10 %, et la précision dimensionnelle; de l'inductance 3 est de 25 à 50 microns lorsque l'inductance est formée sur un substrat en alumine ou en une substance semblable ayant une surface rugueuse La fréquence de résonance fr du circuit résonnant LC comprenant le condensateur 8 et l'inductance 3 varie donc de 5 à 10 %, ce qui entraîne une réduction du rendement de plusieurs pour cent et une réduction de la puissance de sortie de plusieurs d Bm On peut atténuer la variation de la fréquence de résonance en augmentant la largeur de l'inductance 3, de façon à améliorer la précision dimension- nelle de l'inductance 3 Cependant, dans ce cas, la taille de l'ensemble - du circuit augmente défavorablement, ce qui entraîne un coût élevé. Le circuit intégré qui est représenté sur la figure 12 comprend un'. circuit résonnant LC qui traite seulement la composante de fréquence double Dans le but d'améliorer encore davantage le rendement du dis- positif, on forme sur le susbtrat diélectrique en alumine 1 un ensemble de circuits résonnants LC qui résonnent à des fréquences qui sont des multiples entiers de la fréquence de fonctionnement f, c'est-à-dire 2 f, 3 f, 4 f, Cependant, dans ce cas, du fait qu'un ensemble d'inductances, 3 et de condensateurs 8 sont formés sur le substrat 1, la taille du dis- positif augmente défavorablement De plus, du fait que des variations des fréquences de résonance des circuits résonnants respectifs sont en che- vauchement mutuel, des caractéristiques du dispositif, telles que le ren- dement et la puissance de sortie, sont encore dégradées davantage. La figure 14 est une coupe montrant un circuit intégré micro-onde monolithique qui est décrit dans la demande de brevet japonaise publiée N O 3-21101 Sur la figure 14, un second substrat semiconducteur 32, ayant une constante diélectrique élevée, est disposé sur un premier substrat semiconducteur 31, et une ligne à ruban coplanaire 33 est dispd- sée sur le second substrat 32, grâce à quoi la longueur du circuit micro- onde est réduite, de façon à miniaturiser le dispositif La figure 15 est une vue en perspective montrant un dispositif à semiconducteurs qui est. décrit dans la demande de brevet japonaise publiée no 63-111659 Sur làl figure 15, une puce de circuit intégré 34 est placée sur un substrat en ' Si, et des puces en Ga As 35, prévues pour le fonctionnement à fréquencd élevée, sont placées sur la puce de circuit intégré 34, grâce à quoi on- obtient une réduction de coût Ces dispositifs de l'art antérieur ne peu'> vent cependant pas empêcher la dégradation de caractéristiques des cir- cuits intégrés, telles que le rendement et la puissance de sortie. D'autre part, des procédés visant à miniaturiser des circuits in- tégrés qui comprennent une inductance et un condensateur ont été propo- ses dans l'art antérieur La figure 16 est une vue en perspective mon- trant un condensateur MIM (Métal-Isolant-Métal) qui est décrit dans la demande de brevet japonaise publiée N O 63-48855 Sur la figure 16, un condensateur 45 comprend une électrode inférieure 47, une pellicule iso- lante 48 et une couche conductrice supérieure 46, et la couche conduc- trice supérieure 46 remplit également la fonction d'une inductance Cepen- dant, dans cette structure, du fait qu'un circuit résonnant LC est formé f par le condensateur MIM 45 dans lequel la couche conductrice supérieure 46 remplit également la fonction d'une inductance, un couplage mutuel existe entre linductance et le condensateur, ce qui fait apparaître une capacité parasite indésirable Une telle capacité parasite dégrade les caractéristiques du circuit intégré micro-onde représenté sur la figure 12, qui fonctionne à une fréquence micro-onde de 500 M Hz à plusieurs gigahertz La figure 17 est une coupe montrant un circuit d'application de polarisation monolithique qui est décrit dans la demande de brevet japonaise publiée no 63-140560 Sur la figure 17, le circuit d'application de polarisation comprend une inductance à ligne à ruban en spirale 36 qui est disposée sur un substrat, une couche isolante diélectrique 37, et une couche métallique supérieure 38 qui est connectée à un plot de mise à la masse Cependant, dans ce circuit d'application de polarisation, du fait que le condensateur MIM est disposé sur une surface non uniforme, à cause de l'inductance se trouvant sur le substrat, la capacité MIM présente de mauvaises propriétés d'indépendance vis-à-vis de la pression; ce qui entraîne une dégradation des caractéristiques du dispositif. La figure 18 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde comprenant un condensateur MIM, qui est décrit dans la de-; mande de brevet japonaise publiée no 61-259560, dans lequel la valeur _ de capacité du condensateur est optimisée après la formation du conden-s sateur sur le substrat Sur la figure 18, un ensemble d'éléments métal- liques supérieurs 39 du condensateur partent de la région du condensa- teur et sont réunis en un seul élément par l'intermédiaire d'électrodes de liaison 40 On commande la valeur de la capacité du condensateur en coupant sélectivement les électrodes de liaison 40 La figure 19 est une vue en perspective montrant un dispositif à semiconducteurs qui est dé- crit dans la demande de brevet japonaise publiée N O 1-308060 Sur la fi- gure 19, un ensemble de couches métalliques supérieures 41 d'un conden- sateur MIM sont connectées sélectivement par des fils métalliques ou au- tres, pour faire varier la valeur de la capacité De plus, la figure 20 est une vue en plan qui montre un condensateur MIM à structure plane et parallèle qui est décrit dans la demande de brevet japonaise publiée N O 2-119260 Sur la figure 20, des lignes conductrices de mise à la masse 42, qui peuvent être coupées au cours de la phase finale du processus de fabrication, sont connectées à un élément métallique supérieur 43 et un élément métallique inférieur 44 Cependant, dans les circuits intégrés micro-onde classiques comportant des circuits résonnants LC ayant les in- ductances et les condensateurs qui sont représentés sur les figures 18 à , il est difficile d'obtenir une fréquence de résonance désirée pour le circuit résonnant série, en commandant seulement la valeur de capacité du condensateur, ce qui fait que l'on ne peut pas réaliser une commande précise de la fréquence de résonance. Un but de la présente invention est de procurer un circuit intégré micro-onde hybride qui réduise des variations de la fréquence de réso- nance, qui atténue des dégradations des caractéristiques du circuit, telles que le rendement et la tension de sortie, et qui réduiselataille et le coût du circuit. Un autre but de la présente invention est de procurer un circuit intégré micro-onde hybride qui fonctionne dans des conditions proches d'un fonctionnement au niveau F, et qui réduise la taille et le coût du', circuit. Un but supplémentaire de la présente invention est de procurer un circuit intégré micro-onde qui comprenne un circuit résonnant LC compor- tant un condensateur MIM et une inductance, dans lequel aucune résis tance parasite indésirable n'apparaisse, qui réduise des dégradations des Â caractéristiques du circuit, et qui réduise la taille du circuit. Un autre but supplémentaire de la présente invention est de pro-54 curer un circuit intégré à semiconducteurs capable de commander de fa; çon précise la fréquence de résonance d'un circuit résonnant LC compre- nant une inductance et un condensateur, après la formation de l'induc- tance et du condensateur sur un substrat. Selon un premier aspect de la présente invention, dans un circuit intégré micro-onde hybride, un circuit résonnant LC comprenant une in- ductance et un condensateur est disposé sur un substrat ayant une surfa- ce lisse, qui garantit que la précision dimensionnelle de l'inductance soit -dans une plage de plus ou moins quelques microns, lorsque l'inductance est formée sur le substrat Le substrat sur lequel est formé le circuit résonnant LC est disposé sur un substrat transmettant des signaux de fré- quence élevée, ou bien il est enterré dans ce substrat Par conséquent, la variation de la fréquence du circuit résonnant est réduite, ce qui a pour effet de réduire des dégradations des caractéristiques, telles que le rendement, la puissance de sortie, etc De plus, du fait que le circuit résonnant a une taille réduite, la taille et le coût du circuit complet sont réduits. Selon un second aspect de la présente invention, dans un circuit intégré micro-onde hybride, un ensemble de circuits résonnants LC, com- prenant chacun une inductance et un condensateur et résonnant à des fréquences qui sont égales à des multiples entiers d'une fréquence de fonctionnement du circuit intégré micro-onde hybride, sont disposés sur un ensemble de substrats ayant des surfaces lisses, qui garantissent l'ob- tention d'une précision dimensionnelle dans une plage de plus ou moins quelques microns pour chaque inductance, lorsque les inductances sont formées sur les substrats Les substrats sur lesquels les circuits réson- nants LC sont formés, sont disposés sur un substrat transmettant des si- gnaux de fréquence élevée, ou bien ils sont enterrés dans ce substrat Il en résulte que la variation de fréquence de chaque circuit résonnant est réduite, et une composante de fréquence élevée est réfléchie à chaque phase désirée avec une précision élevée, ce qui conduit à un fonction- nement avec un bon rendement, proche du fonctionnement au niveau F j Selon un troisième aspect de la présente invention, un circuit in-d tégré à semiconducteurs micro-onde comprend un circuit résonnant LC dans lequel une inductance est disposée sur un condensateur De ce fait: aucune capacité parasite n'apparaît entre le condensateur et l'inductan- c ce sous l'effet du couplage mutuel De plus, l'aire du substrat sur la t quelle est formé le circuit résonnant LC est diminuée. Selon un quatrième aspect de la présente invention, un circuit in- tégré à semiconducteurs micro-onde comprend un circuit résonnant LC comportant un ensemble d'inductances connectées les unes aux autres, et un ensemble de condensateurs connectés les uns aux autres Par consé- quent, la fréquence de résonance du circuit résonnant LC est commandée avec précision par la coupure sélective des connexions. Selon un cinquième aspect de la présente invention, dans un cir- cuit intégré à semiconducteurs micro-onde, des électrodes, qui sont con- nectées à la masse d'une manière telle que seules des composantes de fréquence élevée soient mises à la masse, sont disposées au voisinage d'électrodes de signal d'un circuit résonnant LC Lorsqu'on connecte les électrodes de signal aux électrodes qui sont mises à la masse, au moyen d'une sonde micro-onde, on mesure la fréquence de résonance du circuit. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs La suite de la description se réfère aux dessins annexés, dans lesquels la figure 1 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 est un schéma électrique du circuit de la figure 1 la figure 3 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride conforme à un second mode de réalisation de la présente invention la figure 4 est un schéma électrique du circuit de la figure 3 la figure 5 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention la figure 6 est un schéma électrique du circuit de la figure 5; ' les figures 7 (a) et 7 (b) sont respectivement une vue en plan et Or une vue en coupe montrant un circuit résonnant LC d'un circuit intégré micro-onde hybride conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention la figure 8 est une vue en plan montrant un circuit résonnant LC d'un circuit intégré micro- onde hybride conforme à un cinquième mode de réalisation de la présente invention; la figure 9 est un schéma électrique du circuit de la figure 8; la figure 10 est une vue en plan montrant un circuit résonnant LC d'un circuit intégré micro-onde hybride conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention; la figure 11 est une coupe selon une ligne X-X de la figure 10 la figure 12 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride conforme à l'art antérieur; la figure 13 est un schéma électrique du circuit de la figure 12 la figure 14 est une coupe montrant un circuit intégré micro-onde- monolithique conforme à l'art antérieur; la figure 15 est une vue en perspective montrant un dispositif à semiconducteurs conforme à l'art antérieur; la figure 16 est une coupe montrant un circuit intégré à semicon- ducteurs comprenant une inductance et un condensateur, correspondant à l'art antérieur la figure 17 est une coupe montrant un circuit d'application de polarisation monolithique à semiconducteurs conforme à l'art antérieur la figure 18 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde qui comprend un condensateur MIM conforme à l'art antérieur; la figure 19 est une vue en perspective montrant un dispositif à semiconducteurs conforme à l'art antérieur; et la figure 20 est une vue en plan montrant un condensateur MIM conforme à l'art antérieur. La figure 1 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride qui fonctionne à une fréquence micro-onde de 500 M Hz à plusieurs gigahertz Sur la figure 1, des références numériques identi- ques à celles de la figure 12 désignent les éléments identiques ou cor- respondants Une inductance 3 consistant en un matériau conducteur tel que Au, W Si, ou AI et un condensateur MIM 4 sont disposés sur un secôlld substrat 2 Le second substrat 2 consiste en saphir, Ga As, Si, ou autre, \ et lorsque l'inductance 3 est formée sur le substrat 2, la précision di- mensionnelle de l'inductance 3 est dans une plage de plus ou moins quel- ques microns L'inductance 3 est connectée électriquement par des fils aux lignes à constantes réparties 6 sur le substrat diélectrique en alu- mine 1 Le condensateur MIM 4 et l'inductance 3 forment un circuit résonnant LC Les largeurs, les épaisseurs, etc, de l'inductance 3 et du condensateur 4 sont sélectionnées de façon que la fréquence de réso- nance du circuit résonnant LC comprenant l'inductance 3 et le condensa- teur 4, puisse être égale au double de la fréquence de fonctionnement du circuit intégré micro-onde, conformément à la relation ( 1) indiquée ci-dessus La figure 2 est un schéma électrique du circuit de la figure 1. Comme représenté sur la figure 2, l'inductance 3 et le condensateur 4 sont connectés mutuellement en parallèle. Le circuit intégré micro-onde hybride est fabriqué de la manière suivante Premièrement, on forme l'inductance 3 et le condensateur MIM 4 sur le second substrat 2, et on fixe le second substrat 2 sur le subs- trat diélectrique en alumine 1 Ensuite, on connecte l'inductance 3 par des fils 5 aux lignes à constantes réparties 6 Dans le condensateur MIM 4, une couche isolante entre des couches métalliques supérieure et infé- rieure est mince, ce qui fait que la capacité du condensateur MIM 4 est définie de façon plus précise, en comparaison avec le condensateur de type plaquette classique, ce qui entraîne une réduction de la variation de la fréquence de résonance du circuit résonnant LC. Conformément au premier mode de réalisation de la présente inven- tion, le circuit résonnant LC qui comprend l'inductance 3 et le conden- sateur MIM est placé sur le second substrat 2, qui assure une précision' dimensionnelle élevée de l'inductance 3, dans une plage de plus ou moins quelques microns, et ensuite le second substrat est placé sur le premier substrat 1, de façon que le circuit résonnant LC soit placé sur le pre- mier substrat 1 avec une précision dimensionnelle élevée Par conséquent, la fréquence de résonance du circuit résonnant LC présente une plus fait ble variation que celle du circuit classique De plus, l'aire du premier - substrat 1 sur laquelle se trouve le circuit résonnant LC est notablement réduite, grâce à quoi des caractéristiques du dispositif, telles que le y rendement, la puissance de sortie, etc, sont améliorées et le dispositif \ complet est miniaturisé. La figure 3 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro 7 onde hybride conforme à un second mode de réalisation de la présente invention Sur la figure 3, les références numériques identiques à celles de la figure 1 désignent les éléments identiques ou correspondants La référence 3 c désigne un pont sur un espace d'air qui connecte l'induc- tance 3 et le condensateur 4 La figure 4 représente le schéma électri- que du circuit de la figure 3. Conformément au second mode de réalisation de la présente inven- tion, l'inductance 3 et le condensateur 4 sont connectés en série par le pont 3 c sur le second substrat 2, qui permet d'obtenir pour l'inductance 3 une précision dimensionnelle élevée, dans la plage de plus ou moins quelques microns Dans ce cas également, on obtient des effets identi- ques à ceux décrits ci-dessus. La figure 5 est une vue en plan montrant un circuit intégré micro- onde hybride conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention La figure 6 représente le schéma électrique du circuit de la figure 5 Sur ces figures, les références indentiques à celles de la fi- gure 1 désignent les éléments identiques ou correspondants Une induc- tance 3 a et un condensateur 4 a forment un premier circuit résonnant LC sur un second substrat 2 a, tandis qu'une inductance 3 b et un condensa- teur 4 b forment un second circuit résonnant LC sur un second substrat 2 b, de façon que les fréquences de résonance des premier et second circuits résonnants puissent être des multiples entiers de la fréquence de fonctionnement du circuit intégré Les seconds substrats 2 a et 2 b sont connectés par des fils 5 à des lignes à constantes réparties 6 Par exern- ple, lorsque la fréquence de fonctionnement est égale à f, le premier circuit résonnant LC sur le substrat 2 a résonne à une fréquence de 2 f, et le second circuit résonnant LC sur le substrat 2 b résonne à une fré- quence de 3 f On sait de façon générale que le rendement d'un amplifi. cateur de puissance élevée est amélioré si l'amplificateur de puissance, élevée est équipé d'un circuit de sortie dans lequel les adaptations d'im- pédance du côté de la sortie sont optimisées pour la fréquence de fonc tionnement f et pour les harmoniques supérieurs ayant des fréquences Wf, 3 f,, comme décrit dans le document "Design Consideration for High Efficiency Ga As FET Power Amplifier", Shingaku Giho, Vol 82, N O 85, pages 21 à 26, 1982 Dans ce mode de réalisation, dans le but d'amener. une impédance de sortie à une valeur proche de O pour un signal ayant-,. une fréquence de fonctionnement f, et pour augmenter les impédances de sortie, vis-à-vis des harmoniques supérieurs ayant des fréquences 2 f, 3 f, une onde ayant une fréquence 2 f est totalement réfléchie par le substrat 2 a, et une onde ayant une fréquence 3 f est totalement réfléchie par le substrat 2 b, et la phase de chaque onde réfléchie est optimisée par la ligne à constantes réparties 6. Conformément au troisième mode de réalisation de la présente in- vention, le premier circuit résonnant LC, comprenant l'inductance 3 a et le condensateur 4 a, dont la fréquence de résonance est égale au double de la fréquence de fonctionnement, est placé sur le second substrat 2 a, qui procure une précision dimensionnelle élevée pour l'inductance 3 a, dans une plage de plus ou moins quelques microns, et le second circuit résonnant comprenant l'inductance 3 b et le condensateur 4 b, dont la fré- quence de résonance est égale au triple de la fréquence de fonction- nement, est placé sur le second substrat 2 b, qui procure une précision il dimensionnelle élevée pour l'inductance 3 b, dans une plage de plus ou moins quelques microns Les seconds substrats 2 a et 2 b, comportant les circuits résonnants LC, sont disposés sur le substrat diélectrique en alumine 1 qui est utilisé à la fréquence de fonctionnement f De ce fait, des variations des fréquences de résonance des circuits résonnants LC sont réduites, et des composantes de fréquence élevée sont réfléchies de manière précise avec chaque phase désirée Il en résulte que le fonction- nement du circuit intégré est proche du fonctionnement au niveau F. Bien que le troisième mode de réalisation décrit ci-dessus compor- te deux circuits résonnants LC qui résonnent à des fréquences respecti- ves 2 f et 3 f, il est possible d'incorporer des circuits résonnants LC sup- plémentaires qui résonnent à des fréquences 4 f, 5 f, 6 f Dans ce cas, le fonctionnement du circuit intégré est plus proche du fonctionnement au niveau F, et on obtient un rendement plus élevé pour le circuit. Les figures 7 (a) et 7 (b) illustrent un circuit résonnant d'un cir- cuit intégré micro-onde hybride, conforme à un quatrième mode de réali'- sation de la présente invention, et parmi ces figures, la figure 7 (a) est e une vue en plan tandis que la figure 7 (b) est une coupe selon une lignet VI Ib-VI Ib de la figure 7 (a) Dans les figures, les références numériques- identiques à celles de la figure 1 désignent les éléments identiques ou correspondants Des pellicules conductrices 30 a et 30 b sont formées sur le second substrat 2 Des électrodes de signal 9 a sont formées sur la pellicule conductrice 30 a, et des électrodes de masse 9 b sont formées sur les pellicules conductrices 30 b Les électrodes de masse 9 b sont con- nectées à une électrode de masse arrière 20 par l'intermédiaire de trous et elles sont mises à la masse de façon que seule une composante de fréquence élevée soit mise à la masse. Conformément au quatrième mode de réalisation de la présente in- vention, les électrodes 9 b sont connectées à l'électrode de masse arrière 20 par l'intermédiaire des trous 10 et elles sont mises à la masse, ce qui donne une ligne à ruban coplanaire Dans cette structure, lorsque les électrodes de masse 9 b sont connectées aux électrodes de signal 9 a sur la surface supérieure du substrat 2, par une sonde du type à ligne à ru- ban coplanaire prévue pour le fonctionnement en micro-onde, on mesure directement la fréquence du circuit résonnant LC, et on sélectionne une fréquence de résonance optimale Par conséquent, un circuit résonnant LC ayant une fréquence de résonance optimale est monté sur le substrat, ce qui fait que le rendement du dispositif est encore amélioré davantage. La figure 8 est une vue en plan montrant un circuit résonnant LC d'un circuit intégré micro-onde conforme à un cinquième mode de réali- sation de la présente invention La figure 1 représente un schéma élec- trique du circuit de la figure 8 Sur les figures, les références numéri- ques identiques à celles de la figure 1 désignent les éléments identi- ques ou correspondants Un ensemble d'inductances 3 sont connectées les unes aux autres par des fils lia, et un ensemble de condensateurs 4 sont connectés les uns aux autres par des fils llb Les fils lla et llb peu- vent être coupés par un faisceau d'ions focalisé ou par un faisceau laser. Les inductances 3 sont connectées par des fils ou des éléments sembla-l bles aux lignes à constantes réparties 6 Le circuit résonnant de ce mode de réalisation est monté sur un substrat diélectrique consistant en alu- mine ou en un matériau semblable, et il est incorporé dans un circuit " intégré, comme les circuits résonnants LC des premier à troisième modes& de réalisation. Conformément au cinquième mode de réalisation, du fait que le; circuit résonnant LC comprend un ensemble d'inductances 3 qui sont con- nectées les unes aux autres par des fils lla, et un ensemble de conden- sateurs 4 qui sont connectés les uns aux autres par des fils 1 lb, on fait varier les valeurs des inductances 3 et des condensateurs 4 en coupant sélectivement les fils lla et l 1 b, grâce à quoi on peut sélectionner de la manière désirée la fréquence de résonance du circuit résonnant LC. Il en résulte que le rendement du dispositif est encore amélioré. La figure 10 est une vue en plan montrant un circuit résonnant LC d'un circuit intégré micro-onde hybride conforme à un sixième mode de réalisation de la présente invention La figure 11 est une coupe selon une ligne XI-XI de la figure 10 Sur les figures, les références identiques à celles de la figure 1 désignent les éléments identiques ou correspon- dants La référence 12 désigne une couche conductrice arrière qui est une couche inférieure du second substrat 2, et la référence 13 désigne une couche diélectrique consistant en saphir Si, Ga As ou une substance similaire, qui est une couche supérieure du second substrat 2 Une pre- mière pellicule conductrice 14 est placée sur la couche diélectrique 13. Une première pellicule isolante 15 est placée sur la première pellicule conductrice 14 Une seconde pellicule conductrice 16 est placée sur la première pellicule isolante 15 Une seconde pellicule isolante 18 est pla- cée sur la seconde pellicule conductrice Une troisième pellicule conduc- trice 17 est placée sur la seconde pellicule isolante 18 Il est préfé- rable que les pellicules conductrices 14, 16 et 17 consistent en Au, W Si, ou AI, et que les pellicules isolantes 15 et 18 consistent en Si O 2 ou SION. Le circuit résonnant LC de ce mode de réalisation est fabriqué de la manière suivante Premièrement, on forme successivement sur la cou- che diélectrique 13 la première pellicule conductrice 14, la première pel- licule isolante 15 et la seconde pellicule conductrice 16, ce qui a pour' effet de produire un condensateur MIM Ensuite, on forme la seconde - * pellicule isolante 18 sur la seconde pellicule conductrice 16, et on for1 me la troisième pellicule conductrice 17 sur la seconde pellicule isolanti. te 18, et on définit un motif pour former une inductance 3 du type à ligne en méandres Ensuite, on connecte une extrémité de la troisième pellicule conductrice 17 à une partie de la première pellicule conductri 1- ce 14 On monte le circuit résonnant LC qui est ainsi fabriqué, sur un premier substrat diélectrique consistant en alumine ou en une substance semblable, sur lequel on monte un transistor à effet de champ et on for- me des lignes à constantes réparties Ensuite, on connecte l'inductance 3 aux lignes à constantes réparties, par des fils, ce qui donne un cir- cuit intégré. Conformément au sixième mode de réalisation de la présente in- vention, le condensateur MIM qui comprend la première pellicule conduc- trice 14, la première pellicule isolante 15 et la seconde pellicule con- ductrice 16 est placé sur le second substrat 2 consistant en saphir, Si, Ga As ou une substance semblable, et l'inductance 3 du type à ligne en méandres est placée sur la pellicule conductrice supérieure 16 du con densateur MIM, ce qui forme un circuit résonnant LC Aucune capacité parasite n'est donc formée entre l'inductance 3 et le condensateur 4, ce qui a pour effet de réduire la variation de la fréquence de résonance du circuit résonnant LC Il en résulte que des caractéristiques du circuit intégré, comme le rendement, la puissance de sortie, etc, sont amélio- rées De plus, du fait que l'inductance est placée sur le condensateur, l'aire du second substrat 2 est réduite, grâce à quoi le circuit intégré complet est miniaturisé. Bien que dans les premier à sixième modes de réalisation de la présente invention, qui sont décrits ci-dessus, le second substrat 2, sur lequel est placé le circuit résonnant LC, se trouve sur le premier substrat 1, il est possible d'enterrer le second substrat 2 dans le premier substrat 1, en obtenant des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. Comme il ressort de façon évidente de la description précédente, et conformément à la présente invention, un circuit résonnant LC com- prenant une inductance et un condensateur est placé sur un substrat ayant une surface lisse, qui garantit que la précision dimensionnelle de l'inductance sera dans une plage de plus ou moins quelques microns, lors- que l'inductance est formée sur le substrat Le substrat sur lequel le circuit résonnant LC est formé, est placé sur un substrat transmettant Ci des signaux de fréquence élevée, ou bien il est enterré dans ce substrat. Par conséquent, la variation de la fréquence du circuit résonnant est réa duite et le circuit résonnant est miniaturisé, ce qui conduit à un circuit intégré micro-onde hybride de petite taille et économique, dans lequel des dégradations des caractéristiques sont réduites. De plus, conformément à la présente invention, un ensemble de circuits résonnants LC, comprenant chacun une inductance et un conden- sateur et résonnant à des fréquences qui sont des multiples entiers de la fréquence de fonctionnement du circuit intégré micro-onde hybride, sont placés sur un ensemble de substrats ayant des surfaces lisses qui garantissent que la précision dimensionnelle de chaque inductance sera dans une plage de plus ou moins quelques microns, lorsque les inductan- ces sont formées sur les substrats Les substrats sur lesquels les cir- cuits résonnants LC sont formés, sont placés sur un substrat transmet- tant des signaux de fréquence élevée, ou bien ils sont enterrés dans ce substrat De ce fait, la variation de fréquence de chaque circuit réson- nant est réduite, et une composante de fréquence élevée est réfléchie à chaque phase désirée, avec une précision élevée, ce qui conduit à un fonctionnement avec un bon rendement, proche du fonctionnement au ni- veau F. De plus, conformément à la présente invention, un circuit réson- nant LC comprend un condensateur MIM (Métal-Isolant-Métal) et une in- ductance qui est placée sur une pellicule conductrice supérieure du con- densateur MIM Aucune capacité parasite n'apparaît donc entre le con- densateur et l'inductance De plus, l'aire du substrat qui est occupée par le circuit résonnant LC est diminuée Il en résulte que des dégradations des caractéristiques du circuit sont réduites, et on obtient un circuit intégré micro-onde de petite taille ayant un rendement élevé De plus, conformément à la présente invention, un circuit intégré à semiconduc- teurs micro-onde comprend un circuit résonnant LC comportant un ensem- ble d'inductances connectées les unes aux autres, et un ensemble de con- densateurs connectés les uns aux autres Par conséquent, la fréquence de. résonance du circuit résonnant LC est commandée de façon précise par la coupure sélective des connexions Il en résulte que l'on obtient un circuit intégré micro-onde ayant un meilleur rendement. De plus, conformément à la présente invention, des électrodes, quis sont reliées à la masse d'une manière telle que seules des composantes de fréquence élevée soient mises à la masse, sont placées au voisinage d'électrodes d'un circuit résonnant LC On mesure directement au moyen - 4 d'une sonde la fréquence du circuit résonnant LC, et on sélectionne une fréquence de résonance optimale Par conséquent, un circuit résonnant LC ayant une fréquence de résonance optimale est placé sur le substrat, ce qui conduit à un circuit intégré micro-onde ayant un meilleur rendement. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être ap- portées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Circuit intégré micro-onde hybride, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat transmettant des signaux de fréquence élevée ( 1), qui constitue un premier substrat; un transistor à effet de champ ( 7) placé sur le substrat ( 1) transmettant des signaux de fréquence élevée un circuit résonnant LC ( 3, 4) comprenant une inductance ( 3) et un con- densateur ( 4), placé sur un second substrat ( 2) ayant une surface lisse qui assure que la précision dimensionnelle de l'inductance ( 3) sera dans une plage de plus ou moins quelques microns lorsque l'inductance est formée sur le second substrat; et en ce que le second substrat ( 2) est placé sur le substrat ( 1) transmettant des signaux de fréquence élevée. 2 Circuit intégré micro-onde hybride, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat ( 1) transmettant des signaux de fréquence élevées constituant un premier substrat; un transistor à effet de champ ( 7) placé sur le substrat transmettant des signaux de fréquence élevée; un ensemble de circuits résonnants LC ( 3 a, 4 a; 3 b, 4 b), comprenant chacun une inductance ( 3 a, 3 b) et un condensateur ( 4 a, 4 b), résonnant à des fréquences qui sont des multiples entiers de la fréquence de fonction- nement du circuit intégré micro-onde hybride, placés sur un ensemble de - seconds substrats ( 2 a, 2 b) ayant des surfaces lisses qui garantissent que la précision dimensionnelle de chaque inductance sera dans une plage de plus ou moins quelques microns lorsque l'inductance est formée sur le second substrat; et en ce que les seconds substrats ( 2 a, 2 b) sont placés sur le substrat ( 1) transmettant des signaux de fréquence élevée. 3 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le condensateur ( 4, 4 a, 4 b) a une structure MIM (Métal-Isolant-Métal). 4 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'inductance ( 3) est placée sur le condensateur MIM ( 14, 15, 16). 5 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 3, caractérisé en ce que la fréquence de résonance du circuit résonnant LC est égale à un multiple entier de la fréquence de fonctionnement du substrat ( 1) transmettant des signaux de fréquence élevée. 6 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'un ensemble d'inductances ( 3) sont connectées en parallèle les unes avec les autres, et un ensemble de condensateurs ( 4) sont connectés en parallèle les uns avec les autres, et les connexions (lia, ilb) peuvent être coupées sélectivement. 7 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 1, caractérisé en ce que des électrodes ( 9 b), qui sont reliées à la masse de façon que seules des composantes de fréquence élevée soient mises à la masse, sont placées au voisinage d'électrodes ( 9 a) du circuit réson- nant LC. 8 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 2, caractérisé en ce que chaque circuit résonnant LC comprend un ensemble d'inductances ( 3) connectées en parallèle les unes avec les autres, et un ensemble de condensateurs ( 4) connectés en parallèle les uns avec lés autres, et les connexions (lia, llb) peuvent être coupées sélectivement. 9 Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 2, caractérisé en ce que des électrodes ( 9 b), qui sont connectées à la mas-. se de façon que seules des composantes de fréquence soient -mises à la masse, sont placées au voisinage d'électrodes ( 9 a) des circuits réson- nants LC. Circuit intégré micro-onde hybride selon la revendication 5, caractérisé en ce que la fréquence de fonctionnement est comprise entre 500 M Hz et plusieurs gigahertz.