Brevet FR2679380A1 — publié le 19930122

PROCEDE DE FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES AVEC ELECTRODES JUXTAPOSEES ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT L'invention concerne les circuits intégrés. Dans certaines applications, et on citera à titre d'exemple les dispositifs à transferts de charge, on a besoin de réaliser côte à côte des électrodes qui sont très proches l'une de l'autre mais qui ne se recouvrent pas trop pour ne pas créer une capacité parasite trop élevée entre les deux électrodes et, dans le cas de dispositifs photosensibles, pour que la photosensibilité ne soit pas réduite par ce recouvrement. Par exemple, dans un registre à transfert de charges, des électrodes sont juxtaposées de manière qu'un paquet de charges stockées dans un substrat semiconducteur sous une électrode puisse être transféré sous une électrode adjacente par simple application de potentiels appropriés sur les électrodes. Si les électrodes ne sont pas suffisamment proches l'une de l'autre le transfert risque d'être incomplet. Mais pour réaliser des électrodes très rapprochées, les techniques existantes nécessitent en pratique de prévoir un recouvrement partiel (avec isolant intermédiaire) d'une électrode par l'autre. L'invention propose un nouveau procédé de fabrication destiné à améliorer la réalisation de circuits intégrés devant avoir des électrodes juxtaposées très rapprochées. Selon l'invention, on propose essentiellement de déposer sur un substrat une première couche de silicium, de déposer au dessus d'elle une couche de masquage contre ltoxydation (de préférence du nitrure de silicium ou une combinaison cIassique d'oxyde de silicium et de nitrure de silicium), de photo graver la couche de masquage pour ouvrir celle-ci sur une faible largeur, d'oxyder sur toute son épaisseur la première couche de silicium là où elle n'est pas masquée, d'enlever l'oxyde de silicium formé durant cette oxydation, ce qui forme un espace évidé ouvert vers le haut et délimité par la première couche de silicium là où elle n'a pas été oxydée et par la couche de masquage contre l'oxydation, de former une couche isolante mince sur les flancs de la première couche le long des bords de l'espace évidé, de déposer une deuxième couche de silicium remplissant totalement cet espace, le rapport entre la largeur de l'espace évidé et l'épaisseur de la deuxième couche de silicium étant choisi suffisamment faible pour que l'épaisseur de silicium de la deuxième couche à l'intérieur de l'espace évidé soit plus élevée qu'à l'extérieur; enfin, d'enlever la totalité de l'épaisseur de la deuxième couche en dehors de l'espace évidé en laissant subsister du silicium dans cet espace. La valeur maximale approximative du rapport entre la largeur de l'espace évidé et l'épaisseur de la deuxième couche de silicium est environ 2 à 4. Il est à noter que cette valeur est donnée surtout à titre indicatif, I'important étant le résultat final, c'est-à-dire la possibilité de former une surépaisseur dans l'espace évidé, telle que même après gravure de la totalité de l'épaisseur de la deuxième couche de silicium il reste dans ltouverture une couche complète de silicium venant en contact avec les flancs isolés de la première couche. A titre d'exemple, avec les procédés actuels de dépôt de silicium polycristallin en phase vapeur à basse pression, on peut avoir une largeur de l'espace évidé jusqu'à environ 1,5 micromètres de large pour une épaisseur d'environ 1 micromètres de la deuxième couche de silicium. La plupart- du temps, l'invention sera utilisée pour des électrodes déposées au dessus d'une couche isolante mince; par conséquent dans ce cas il faut considérer que le substrat est un substrat de semiconducteur recouvert d'une couche isolante mince (oxyde de silicium et/ou nitrure de silicium de quelques centaines d'angströms d'épaisseur); la première couche de silicium est déposée sur cette couche isolante mince; et si la deuxième électrode doit aussi être déposée sur une couche isolante, on prévoit qu'après l'étape d'enlèvement de l'oxyde formé par oxydation de la première couche de silicium on reforme une couche isolante mince sur le substrat dans l'ouverture laissée libre. Après formation des électrodes de la manière indiquée ci-dessus, on peut enlever la couche de masquage, totalement ou partiellement, ou alors on peut la laisser. L'invention concerne aussi une structure nouvelle de circuit intégré à électrodes rapprochées qui est caractérisée par la constitution de ces électrodes rapprochées. La structure selon l'invention, particulièrement compacte et présentant une faible capacité parasite entre les électrodes, comporte une première électrode et une seconde électrode de part et d'autre d'une troisième électrode, la troisième électrode étant séparée des première et deuxième par une couche mince isolante s'étendant le long d'un flanc oblique des première et deuxième électrodes, le recouvrement entre les électrodes ainsi juxtaposées effectuant essentiellement uniquement le long de ce flanc oblique. Cette structure est particulièrement intéressante en ce que le recouvrement est très faible mais existe quand même : il en résulte qu'il n'y a pas de zone de substrat non contrôlée entre deux électrodes. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels - les figures 1 à 6 représentent les étapes successives du procédé selon l'invention. L'invention sera décrite principalement à propos d'électrodes juxtaposées recouvrant un semiconducteur avec interposition d'une couche mince isolante entre le semiconducteur et les électrodes. Ce cas est en effet le plus intéressant et trouve une application notamment dans le cas de dispositifs à transfert de charges, par exemple pour la réalisation des électrodes d'un registre à décalage. On part d'un substrat 10 qui peut être constitué par un substrat de silicium 10 recouvert d'une couche isolante 12. La couche isolante sera le plus souvent un oxyde de silicium d'une centaine ou de quelques centaines d'angstrbms d'épaisseur , ou encore une superposition d'une couche mince d'oxyde de silicium de quelques dizaines d'angstràms et d'une couche mince de nitrure de silicium de quelques dizaines à quelques centaines d'angstroms. On dépose uniformément sur le substrat ainsi constitué, c est-à-dire sur la couche isolante 12, une première couche de silicium 14. Le dépôt est de préférence un dépôt par décomposition chimique (en général à partir de silane) en phase gazeuse, aboutissant à une couche de silicium polycristallin de quleques milliers d'angströms d'épaisseur. Sur la première couche de silicium 14 on dépose uniformément une couche 16 de masquage contre l'oxydation du silicium, c'est-à-dire une couche apte à empêcher l'oxydation du silicium là où cette couche recouvre le silicium. La couche de masquage 16 est de préférence constituée essentiellement par du nitrure de silicium, avec éventuellement une fine couche d'oxyde de silicium (non représentée) entre la couche 14 et la couche 16, essentiellement pour améliorer la tenue de la couche 16 et pour faciliter ensuite la photogravure de cette couche 16. La figure 1 représente la structure à ce stade de fabrication. La première couche de silicium servira à former une première et une seconde électrodes; une troisième électrode sera formée entre les deux premières, aboutissant ainsi à la formation de trois électrodes juxtaposées comme on le désire. On photograve (figure 2) la couche de nitrure 16 pour définir des ouvertures; chaque ouverture va diviser la première couche de silicium polycristallin 14 en deux électrodes distinctes 15 et 17 séparées par ltouverture, la largeur de l'ouverture étant suffisante pour y loger ultérieurement une troisième électrode. Pour cela, on recouvre la couche de nitrure 16 d'une résine photosensible 18 dans laquelle on définit par photolithographie une ouverture 20. Par attaque plasma, on ouvre la couche de nitrure 16 là où elle n'est pas protégée par la résine, de sorte qu'on obtient dans l'ouverture 20 une surface de silicium polycristallin apparente (ou éventuellement recouverte d'une fine couche d'oxyde de silicium). Il est à noter qu'on pourrait envisager d'autres procédés de gravure d'une ouverture dans le nitrure de silicium, pourvu qu'elle aboutisse à une ouverture de largeur relativement faible dans le nitrure. Les figures représentent des coupes dans le sens de la largeur de l'ouverture. La longueur n'a pas d'importance. La largeur de l'ouverture dans le nitrure est de préférence au plus égale à environ deux fois ltépaisseur d'une couche de silicium polycristallin qu'on déposera ultérieurement et qui servira à la constitution de la troisième électrode; en pratique la deuxième couche de silicium aura une épaisseur de l'ordre de 5000 angströms et la largeur de ltouverture dans le silicium ne devrait alors pas dépasser environ 1 à 1,5 micromètre, de préférence 1 micromètre. La résine est éliminée à ce stade, et on procède alors à une étape d'oxydation thermique, en présence d'oxygène ou plus souvent de vapeur d'eau, et à température élevée (de l'ordre de 10000 C). L'oxydation thermique est poursuivie jusqu a oxydation de toute l'épaisseur de la couche de silicium 14 là où celle-ci n'est pas protégée par le nitrure. On reconnaît sur la figure 3 la forme classique avec bec d oiseau de oxyde de silicium 22 ainsi produit dans l'ouverture du nitrure. L'oxyde thermique produit est plus épais (environ 50% de plus) que la couche de silicium 14. Et la frontière entre l'oxyde et la partie de couche 14 non oxydée définit un flanc oblique 25, 27 des électrodes 15 et 17. Le flanc oblique des électrodes est tourné vers le haut. Enfin, les bords 24 de la couche 16 de nitrure sont soulevés par la croissance de l'oxyde 22. On procède alors à une étape de désoxydation, c 'est-à-dire qu'on attaque chimiquement le substrat jusqu'à disparition de la couche 22 (figure 4). Cette attaque évide un espace 30 ouvert vers le haut, défini par: - en bas le substrat de silicium 10; - à droite et à gauche respectivement les flancs des électrodes 15 et 17, - en haut partiellement par les bords de nitrure 24 qui reposaient sur l'oxyde 22 et qui restent en surplomb; - pour le reste, espace évidé 30 reste ouvert vers le haut entre les bords de nitrure 24 qui se font face l'un du côté de l'électrode 15, l'autre du côté de l'électrode 17. On forme alors, de préférence par oxydation thermique du silicium, une couche mince isolante qui vient recouvrir d'une part le silicium du substrat au fond de l'espace évidé 30, et d'autre part les flancs des électrodes 15 et 17. Cette couche est désignée par 32 au fond de l'espace et par 34 sur les flancs des électrodes. La zone 32 n'est prévue que si l'électrode qui sera déposée ultérieurement doit être isolée du substrat. On dépose alors une deuxième couche de silicium polycristallin 36, avec une épaisseur E suffisante pour que le silicium vienne non seulement combler tout l'espace évidé 30, mais encore qu'il forme une surépaisseur (épaisseur totale E') dans tout cet espace. Pratiquement, dans le cas d'un dépôt par décomposition chimique en phase gazeuse, cette surépaisseur se forme au dessus de tout l'espace 30 à partir du moment où l'épaisseur de la couche déposée est suffisante, c'est-à-dire supérieure à la moitié environ de la largeur de l'espace évidé, ehtre les flancs des électrodes 15 et 17. La figure 5 représente la structure à ce stade de la fabrication. Comme on le voit, grâce au nitrure de silicium 16 et grâce aux couches isolantes 32 et 34, la deuxième couche de silicium 36 est complètement isolée électriquement de la première à l'intérieur de l'espace évidé 30 qu'elle remplit. L'étape suivante est une gravure uniforme du silicium de la deuxième couche (figure 6), sur une profondeur au moins égale à l'épaisseur E de cette couche mais inférieure à l'épaisseur E'. L'idéal serait d'enlever exactement la profondeur E, mais il est plus sûr d'attaquer sur une profondeur légèrement supérieure à E pour être sûr qu'il ne reste pas de silicium en dehors des espaces évidés 30. Dans l'espace 30, il subsiste donc du silicium polycristallin, sur une épaisseur d'environ E'-E (qui est de l'ordre de l'épaisseur E ou un peu moins). Ce silicium constitue une électrode 38 placée entre les électrodes 15 et 17; elle est très proche de ces deux électrodes puisqu'elle en est séparée seulement par une couche mince isolante 34 qui peut être très fine (quelques dizaines d'angströms si on le désire) avec un recouvrement entre les électrodes qui est cependant très faible puisqu'il existe seulement le long des flancs obliques 25 et 27 des électrodes 15 et 17. Le recouvrement, faible, existe cependant grâce au flancs obliques, de sorte qu'il n'y a pas de zone de substrat non contrôlée comme ce serait le cas si des électrodes non recouvrantes étaient juxtaposées avec un interstice vertical entre elles. Ceci est particulièrement important pour les électrodes d'un dispositif à transfert de charges. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication de circuits intégrés ayant des électrodes juxtaposées très rapprochées, caractérisé en ce qu'on dépose sur un substrat (10, 12) une première couche de silicium (14), on dépose au dessus de cette couche une couche (16) de masquage contre l'oxydation, on photograve la couche de masquage pour ouvrir celle-ci sur une faible largeur (20), on oxyde sur toute son épaisseur la première couche de silicium (14) là où elle ntest pas masquée, on enlève l'oxyde de silicium formé durant cette oxydation, ce qui forme un espace évidé (30) ouvert vers le haut et délimité par Ia première couche de silicium là où elle n'a pas été oxydée et par la couche de masquage, on forme une couche isolante mince (34) sur les flancs de la première couche le long des bords de l'espace évidé, on dépose une deuxième couche de silicium (36) remplissant totalement cet espace, le rapport entre la largeur de l'espace évidé et l'épaisseur (E) de la deuxième couche de silicium étant choisi suffisamment faible pour que l'épaisseur de silicium (E') à l'intérieur de l'espace évidé soit supérieure à l'épaisseur à l'extérieur, enfin, on enlève la totalité de l'épaisseur (E) de la deuxième couche en dehors de l'espace évidé en laissant subsister du silicium (38) dans cet espace. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la valeur maximale approximative du rapport entre la largeur de l'espace évidé et l'épaisseur de la deuxième couche de silicium est environ 2 à 4. 3. Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le substrat comprend un semiconducteur recouvert d'une couche isolante mince sur laquelle est déposée la première couche de silicium. 4. Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, après l'étape d'enlèvement de l'oxyde formé par oxydation de la première couche de silicium, on reforme une couche isolante mince sur le substrat dans l'ouverture laissée libre par cet enlèvement. 5. Structure de circuit intégré à électrodes rapprochées, comprenant une première électrode (15) et une deuxième électrode (17) de part et d'autre d'une troisième électrode, caractérisée en ce que la troisième électrode est séparée des première et deuxième électrodes par une couche mince isolante (34) s'étendant le long d'un flanc oblique (25, 27) des première et deuxième électrodes, le recouvrement entre les électrodes ainsi juxtaposées s'effectuant essentiellement uniquement le long de ce flanc oblique. 6. Structure de circuit intégré selon la revendication 5, caractérisée en ce que les électrodes sont les électrodes d'un dispositif à transfert de charges.