Brevet FR2681188A1 — publié le 19930312

TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP COMPORTANT UNE,DIODE A EFFET TUNNEL RESONNANT La présente invention concerne un transistor à effet de champ (ou FET), et elle concerne plus particulièrement un FET comportant une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) formée entre l'électrode de source et la région de canal au-dessous de l'électrode de grille. La figure 1 est une coupe d'un transistor à effet de champ à grille Schottky (que l'on appellera ciaprès MESFET), qui est représenté à titre de premier exemple de transistors à effet de champ classiques. Sur la figure 1, une couche tampon à résistivité élevée 2 est disposée sur un substrat semiconducteur semi-isolant 1, consistant par exemple en GaAs, et une couche de canal de type n, 3, dopée par exemple avec Si, est disposée sur la couche tampon à résistivité élevée 4. Une électrode de grille 4 est disposée sur la couche de canal de type n 3, avec des couches de contact de type +, 51 et 52, disposées sur les côtés opposés de l'électrode de grille 4. Une électrode de source 6 est disposée sur la couche de contact de type n 51, et une électrode de drain 7 est + disposée sur la couche de contact de type n 52. La figure 2 représente un autre exemple de transistors à effet de champ classiques, et cette figure est une coupe d'un transistor à effet de champ à hétérojonction (ou HFET). Comme dans le cas du MESFET représenté sur la figure 1, le transistor HFET de la figure 2 comprend un substrat semiconducteur semi-isolant 1, par exemple en GaAs, et une couche tampon à résistivité élevée 2, disposée sur le substrat 1. Cependant, à la différence du MESFET de la figure 1, une couche de canal non dopée 32 est disposée sur la couche tampon à résistivité élevée 2. A titre d'exemple, une couche fournissant des électrons, 8, qui est une couche de type n dopée avec Si, est disposée sur la couche de canal non dopée 3, et une couche de contact de type n 5 est disposée sur la couche fournissant des électrons, 8. Une ligne en pointillés 33 qui traverse la couche de canal non dopée 32 sur la figure 2 désigne un gaz d'électrons bidimensionnel qui est formé par des électrons qui sont fournis par la couche fournissant des électrons, 8, qui est une couche de type n à a grande bande interdite et à faible affinité pour les électrons, et qui sont dirigés vers la couche de canal 32 ayant une bande interdite faible en comparaison avec celle de la couche 8, et ayant une grande affinité pour les électrons, et ces électrons sont confinés dans un puits de potentiel dans la couche de canal 32, à cause d'effets de mécanique quantique. Une cavité 9 est formée dans une partie centrale de la couche de contact de type n 5, et une électrode de grille 4 est disposée dans la cavité 9. Une électrode de source 6 et une électrode de drain 7 sont disposées sur la couche de contact de type n 5, de part et d'autre de l'électrode de grille 4. Dans une condition de polarisation normale, le MESFET de la figure 1 et le HFET de la figure 2 ont leur électrode de source 6 reliée à la masse et leur électrode de drain portée à une tension de polarisation positive Vd. Dans une telle condition, la vitesse d'électrons qui sont fournis par la source à la région de canal située immédiatement au-dessous de la grille, dépend d'un potentiel V1 dans la région de canal du côté de la source, 31. Le potentiel V1 dépend d'un courant de drain Id, qui résulte de la dérive d'électrons occasionnée par le potentiel Vd sur l'électrode de drain 7, et de la résistance parasite R entre l'électrode de source 6 et la région de canal du s côté de la source, 31, c'est-à-dire V1 = 1d x R5. Dans un FET ordinaire dans lequel la largeur d'une électrode de grille est de l'ordre de 200 pm, le courant de drain 1d et la résistance parasite R peuvent être respectivement s d'environ 10 mA et d'environ 2 GL , et par conséquent le potentiel V1 peut être d'environ 0,02 V. Cette tension est trop faible pour accélérer des électrons qui entrent dans la partie située sous la grille. Par conséquent, dans des dispositifs classiques, la vitesse initiale d'électrons qui sont fournis à la région de canal se trouvant immédiatement au-dessous de la grille est faible, ce qui rend difficile l'obtention d'un fonctionnement rapide pour des MESFET. Dans le HFET de la figure 2, des électrons sont confinés à l'intérieur d'un puits de potentiel dans la couche de canal 32, et le degré de liberté d'électrons dans la direction y est perdu, à cause de l'hétérobarrière qui est formée entre la couche de canal 32 et la couche fournissant des électrons, 8, de type n+, ce qui fait que la dispersion d'électrons dans la direction y diminuera et la vitesse de fonctionnement pourra être plus ou moins améliorée en comparaison avec le MESFET qui est représenté sur la figure 1. Cependant, la vitesse de fonctionnement qui est atteinte est encore insuffisante. On pourrait améliorer la vitesse de fonctionnement en augmentant le potentiel V1 dans la région de canal du côté de la source, 31, immédiatement au-dessous de la grille, à la fois pour le MESFET de la figure 1 et le HFET de la figure 2, de façon à augmenter la vitesse initiale d'électrons qui sont fournis au canal. Cependant, lors qu'on augmente Id et R dans le but d'augmenter V1, on s augmente également la vibration du réseau cristallin, ce qui conduit à une augmentation du bruit thermique. Par conséquent, le facteur de bruit NF du FET est dégradé. En outre, du fait que des électrons qui sont fournis au canal ont divers niveaux d'énergie, ils sont soumis à diverses conditions de diffusion. Il en résulte qu'il est difficile de réaliser des FET ayant une vitesse de déplacement initiale élevée des électrons dans la région de canal, immédiatement au-dessous de la grille, et ayant un faible bruit. Des FET que l'on peut faire fonctionner à vitesse élevée comprennent des FET qui sont décrits dans la Publication de Brevet du Japon Non Examinée n" SHO 63318782, et la Publication de Brevet du Japon Non Examinée n" SHO 62-211963. Ces FET tirent parti de ce que l'on appelle l'effet tunnel résonnant. Le FET qui est décrit dans la Publication de Brevet du Japon Non Examinée n" SHO 63-318782 est un MESFET dont la caractéristique de courant de drain (ID) ) en fonction de la tension source- drain (VDS) présente une résistance négative. Le FET qui est représenté dans la Publication de Brevet du Japon Non Examinée nO SHO 62-211963 est un HFET qui présente un courant de drain maximal ID lorsqu'une tension de grille particulière est appliquée. Du fait de l'effet tunnel résonnant, les FET qui sont décrits dans les publications de brevet du Japon non examinées mentionnées ci-dessus peuvent fonctionner à une vitesse relativement supérieure. Cependant, une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) du côté de l'électrode de source, qui produit l'effet tunnel résonnant, est disposée sur la couche de canal en parallèle avec le canal, ce qui fait que des électrons chauds qui sont fournis au canal par l'intermédiaire de la diode à effet tunnel résonnant ont non seulement une composante de mouvement dans la direction x, qui est parallèle au canal, mais également une composante dans la direction y qui est perpendiculaire au canal. Par conséquent, des électrons chauds qui sont fournis au canal subissent une diffusion pendant leur déplacement vers la partie située immédiatement au-dessous de la grille, et il en résulte qu'on ne peut pas atteinre une vitesse suffisamment élevée. Comme indiqué ci-dessus, du fait que des électrons qui sont injectés dans le canal de FET classiques sont soumis à diverses conditions de diffusion, la vitesse initiale d'électrons qui entrent dans le canal immédiatement au-dessous de la grille est insuffisante, ce qui empêche d'augmenter la vitesse de fonctionnement et de réduire le bruit. Le but de la présente invention est de procurer un FET qui puisse fonctionner avec une vitesse élevée et un faible bruit, par l'élimination des inconvénients envisagés ci-dessus de FET classiques. Un premier aspect de la présente invention procure un MESFET qui comprend un substrat semiconducteur semi-isolant, une couche tampon à résistivité élevée disposée sur le substrat, une couche de canal de type n disposée sur la couche tampon, une électrode de grille disposée sur la couche de canal de type n, une électrode de source et une électrode de drain. Une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) est formée au moins entre l'électrode de source et une région de canal au-dessous de l'électrode de grille, de façon à fournir des électrons sous la forme d'électrons chauds à la région de canal située immédiatement au-dessous de l'électrode de grille. L'électrode de source est disposée sur la diode à effet tunnel résonnant, avec une couche de contact intercalée entre elles. Un second aspect de la présente invention procure un HFET, qui comprend un substrat semiconducteur semi-isolant, une couche tampon à résistivité élevée disposée sur le substrat, une couche de canal non dopée, à plus faible bande interdite, disposée sur la couche tampon, une couche fournissant des électrons, ayant une plus grande bande interdite, dopée de façon à avoir la conductivité de type n, et disposée sur la couche de canal non dopée, des électrodes de grille et de drain disposées sur la couche fournissant des électrons, avec une couche de contact disposée entre elles, et une électrode de source. Une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) est formée au moins entre l'électrode de source et une région de canal au-dessous de l'électrode de grille, de façon à fournir des électrons sous la forme d'électrons chauds à la région de canal située immédiatement au-dessous de l'électrode de grille. L'électrode de source est disposée sur la diode à effet tunnel résonnant, avec une couche de contact intercalée entre elles. Un avantage du FET conforme au premier aspect de l'invention consiste en ce que la diode RTD qui est formée entre les électrodes de source et de grille fait en sorte que des électrons soient fournis sous la forme d'électrons chauds à la région de canal située immédiatement audessous de l'électrode de grille, de façon que la vitesse initiale des électrons dans la direction x qui est parallèle à la direction d'extension du canal soit élevée. Par conséquent, la vitesse d'électrons qui traversent le canal est élevée, et le FET peut fonctionner à une vitesse élevée. Dans le FET conforme au second aspect de la présente invention, la vitesse initiale d'électrons qui sont fournis à la région de canal située immédiatement audessous de l'électrode de grille est élevée dans la direction x, ou direction d'extension du canal, comme dans le premier FET. De plus, des électrons qui se trouvent à l'intérieur de la couche de canal non dopée sont confinés de manière bidimensionnelle dans un puits de potentiel dans la couche de canal, à cause d'un effet de mécanique quantique, et par conséquent ils ne peuvent pas être diffusés. Il en résulte que des électrons sont accélérés davantage vers l'électrode de drain, pour obtenir ainsi une vitesse de fonctionnement plus élevée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels La figure 1 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un premier exemple de transistors à effet de champ classiques; La figure 2 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un second exemple de transistors à effet de champ classiques; La figure 3 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un transistor à effet de champ conforme à un premier mode de réalisation de la présente invention; La figure 4 est un diagramme de bandes d'énergie d'une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) dans son état d'équilibre thermique, qui est utilisée dans les transistors à effet de champ de la présente invention; La figure 5 est un diagramme de bandes d'énergie de la diode à effet tunnel résonnant qui est utilisée dans les transistors à effet de champ de la présente invention, lorsque l'effet tunnel résonnant a lieu; La figure 6 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un transistor à effet de champ conforme à un second mode de réalisation de la présente invention; La figure 7 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un transistor à effet de champ conforme à un troisième mode de réalisation de la présente invention; et La figure 8 est une coupe simplifiée d'une partie principale d'un transistor à effet de champ conforme à un quatrième mode de réalisation de la présente invention. La figure 3 montre un premier mode de réalisation de la présente invention. Le transistor à effet de champ (FET) qui est représenté sur la figure 3 est un transistor MESFET (transistor à effet de champ à grille Schottky). Une couche tampon à résistivité élevée 12 est disposée sur un substrat semiconducteur semi-isolant 13, consistant par exemple en GaAs. Une couche de canal de type n, 14, consistant par exemple en un semiconducteur GaAs de type n, est disposée sur une partie de la surface de la couche tampon à résistivité élevée 12. Une électrode de grille 16 est disposée sur la couche de canal de type n + 14. Une couche de contact de type n , 18, est également disposée sur la couche de canal de type n, 14. Une électrode de drain 19 est disposée sur la couche de contact de + + type n , 18. La couche de contact de type n 18 est dispo- sée de façon à minimiser la résistance ohmique entre l'électrode de drain 19 et la couche de canal de type n 14. Une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) 20 est disposée sur le reste de la couche tampon à résistivité élevée 12. La partie d'extrémité de la diode RTD 20 qui est adjacente à la couche de canal 14 s'étend en oblique à partir de la couche tampon à résistivité élevée 12, en venant en contact avec la surface d'extrémité de la couche de canal de type n 14, comme représenté sur la figure 3. Il est souhaitable que la diode RTD 20 soit formée de façon à s'étendre perpendiculairement aux surfaces supérieure et inférieure de la couche de canal de type n 14, mais pour des raisons de fabrication, la diode RTD 20 est fabriquée de manière à venir en contact en oblique avec la surface d'extrémité de la couche de canal + 14. Une couche de contact de type n 22 est disposée sur la diode RTD 20, et une électrode de source 24 est disposée sur la couche de contact de type n+ 22. De façon similaire à la couche de contact 18, la couche de contact 22 est disposée de façon à minimiser la résistance ohmique entre l'électrode de source 24 et la couche de canal de type n 14. Comme on le comprend d'apres le diagramme de bandes d'énergie qui est représenté sur la figure 4, la diode RTD 20 comprend une structure à trois couches qui comporte des couches de barrière 26 et 30, consistant par exemple en AlGaAs de type n , et une couche de puits de potentiel 28, consistant par exemple en GaAs non dopé. Selon une variante, la diode RTD 20 peut avoir une structure MIM qui comprend des couches de métal correspondant aux couches de barrière 26 et 30, et une couche diélectrique disposée entre les couches de métal. Les couches de barrière 26 et 30 de la diode RTD 20 ont une épaisseur qui est presque égale à la longueur d'onde associée aux électrons en mécanique quantique (environ 100 ), et l'épaisseur de la couche de puits de potentiel 28 qui est intercalée entre les couches de barrière est également approximativement égale à la longueur d'onde associée aux électrons en mécanique quantique. On va maintenant décrire le fonctionnement du FET de la figure 3. Comme dans le FET classique qui est représenté sur la figure 1, l'électrode de source 24 est maintenue au potentiel de la masse, tandis que la tension de polarisation Vd est appliquée à l'électrode de drain 19. Ensuite, une tension d'un certain niveau est appliquée aux bornes de la diode RTD 20. Pour une certaine valeur de Vd, le diagramme de bandes de la diode RTD 20 est celui qui est représenté sur la figure 5. Du fait de l'effet tunnel résonnant, seuls les électrons chauds qui ont une longueur d'onde (énergie) particulière peuvent traverser les deux barrières de potentiel qui sont créées par les couches de barrière 26 et 30, et entrer dans la région de canal 34 immédiatement au-dessous de la grille, avec une vitesse élevée. Les électrons qui sont fournis à la région de canal 34 ont un niveau d'énergie particulier, comme indiqué ci-dessus, et ce sont des électrons chauds qui sont accélérés jusqu'à une vitesse élevée. Par conséquent, ces électrons peuvent traverser avec une vitesse élevée la région de canal 34 immédiatement au-dessous de la grille. Du fait que les électrons qui entrent dans la région de canal au-dessous de la grille sont seulement des électrons ayant un niveau d'énergie particulier qui peuvent donner lieu à l'effet tunnel résonnant, une diffusion indésirable du côté de l'entrée est supprimée. Il en résulte que le FET qui est représenté sur la figure 3 peut fonctionner avec une vitesse élevée et avec un faible bruit. Bien entendu, comme dans le cas de transistors FET classiques, on peut moduler la quantité d'électrons qui circulent dans le canal en commandant la tension qui est appliquée à l'électrode de grille 16, pour faire ainsi varier l'épaisseur effective du canal. Le FET conforme au premier mode de réalisation de la présente invention, représenté sur la figure 3, est suffisamment satisfaisant pour l'utilisation pratique en ce qui concerne la vitesse de fonctionnement et le bruit. Cependant, du fait que la couche de canal 14 est formée sur un semiconducteur de type n tel que du GaAs de type n, des électrons se trouvant dans le canal ont un degré de liberté non seulement dans la direction x désirée, mais également dans la direction y perpendiculaire à la direction x, ce qui fait qu'ils pourraient être soumis à une diffusion dans la direction y, et des électrons chauds accélérés dans la direction x pourraient être freinés. Par conséquent, la vitesse de fonctionnement pourrait être diminuée, et du bruit pourrait être produit à cause de la diffusion des électrons. On peut résoudre ce problème dans le FET conforme à un second mode de réalisation de la présente invention, représenté sur la figure 6. Dans ce FET représenté sur la figure 6, le degré de liberté des électrons dans la direction y dans le canal est supprimé, et les électrons sont confinés de façon bidimensionnelle. Le FET de la figure 6.est un HFET (transistor à effet de champ à hétérojonction) qui comprend, comme le FET de la figure 3, un substrat semiconducteur semi-isolant 10 consistant par exemple en GaAs, et une couche tampon à résistivité élevée 12 qui est disposée sur le substrat 10. Une couche de canal non dopée 42, consistant par exemple en GaAs, InGaAs ou une substance analogue, est déposée sur une partie de la couche tampon à résistivité élevée 12. Une couche fournissant des électrons, 44, qui consiste par exemple en AlGaAs de type n dopé avec Si, et une couche de contact de type n 46 sont superposées dans l'ordre indiqué sur la couche de canal non dopée 42. Une cavité 48 est formée dans la couche de contact de type n 46, et une électrode de grille 16 est disposée dans la cavité 48. Une électrode de drain 19 est disposée à une première extrémité de la couche de contact de type n 46. Une diode à effet tunnel résonnant (ou RTD) 20 est formée sur la partie restante de la couche tampon à résistivité élevée 12. L'extrémité de la diode RTD 20 du côté de la couche de canal non dopée 42 s'étend en oblique, en venant en contact avec les surfaces d'extrémité de la couche de canal non dopée 42, de la couche fournissant des électrons, 44, et de la couche de contact 46. Comme dans le cas du transistor FET qui est représenté sur la figure 3, il est souhaitable que la diode RTD 20 du transistor FET de la figure 6 s'étende perpendiculairement aux surfaces d'extrémité supérieure et inférieure de la couche de canal non dopée 42, et vienne en contact avec ces dernières. Cependant, pour des raisons de fabrication, la diode RTD 20 est formée de façon à s'étendre en oblique, comme représenté. Comme dans le cas du transistor FET classique qui est représenté sur la figure 2, une ligne en pointillés 43 qui s'étend à travers la couche de canal non dopée 43, représente un gaz d'électrons bidimensionnel qui est formé par des électrons qui sont fournis par la couche fournissant des électrons, 44, qui est une couche de type n à bande interdite supérieure et à plus faible affinité pour les électrons, ces électrons étant dirigés vers la couche de canal non dopée 42, ayant une bande interdite inférieure et une plus grande affinité pour les électrons, et étant confinés dans un puits de potentiel dans la couche de canal 42, à cause de l'effet de mécanique quantique. On fait fonctionner le HFET ayant cette structure dans une condition de polarisation qui est pratiquement la même que celle du FET qui est représenté sur la figure 3. Lorsqu'une tension d'un certain niveau est appliquée aux bornes de la diode RTD 20, sous l'effet de la tension de polarisation Vd qui est appliquée à l'électrode de drain 19, on obtient un diagramme de bandes pour la diode RTD 20 qui est similaire à celui représenté sur la figure 5. Dans ces conditions, à cause de l'effet tunnel résonnant, seuls les électrons chauds qui ont une longueur d'onde particulière peuvent traverser les deux barrières de potentiel qui sont formées par des couches de barrière correspondant aux couches de barrière 26 et 30, et peuvent entrer avec une vitesse élevée dans la région de canal immédiatement au-dessous de la grille. De plus, dans le FET de la figure 6, les électrons qui sont confinés dans le puits de potentiel sont privés du degré de liberté dans la direction y, à cause de l'hétéro-barrière qui est formée entre la couche de canal non dopée 42 et la couche fournissant des électrons, 44. Dans ces conditions, les électrons qui entrent dans la région de canal à partir de la diode RTD 20 et qui sont convertis en électrons chauds sont plus efficacement accélérés dans la direction x et conduits vers l'électrode de drain 19. Le FET de la figure 6 peut donc fonctionner avec une vitesse plus élevée et avec moins de bruit. La figure 7 montre une modification du FET du premier mode de réalisation, représenté sur la figure 3. Le FET de la figure 7 comprend une diode RTD supplémentaire, 23, formée entre l'électrode de drain 19 et la couche de contact de type n 18. Selon une variante, la diode RTD 23 peut être disposée entre la couche de contact de type n 18 et la couche de canal de type n 14. La figure 8 montre une modification apportée au HFET qui est représenté sur la figure 6. Comme dans le cas du FET qui est représenté sur la figure 7, le HFET de la figure 8 comprend une diode RTD supplémentaire 23 qui est disposée entre l'électrode de drain 19 et la couche de + contact de type n 46. Grâce à la diode RTD qui est disposée de façon supplémentaire du côté du drain dans les FET des figures 7 et 8, un fonctionnement à vitesse plus élevée et à plus faible bruit est en outre obtenu du côté de la sortie. Il faut noter que dans les FET qui sont représentés sur les figures 7 et 8, il est possible de former la diode RTD du côté du drain de façon qu'elle soit orientée en oblique par rapport au bord du canal, comme la diode RTD du côté de la source. En résumé, conformément à la présente invention, une diode RTD qui fournit au canal des électrons sous la forme d'électrons chauds, est disposée entre l'électrode de source et la région de canal au-dessous de l'électrode de grille d'un FET, ou bien de telles diodes RTD sont respectivement disposées entre l'électrode de source et la région de canal au-dessous de l'électrode de grille, et entre l'électrode de drain et la région de canal audessous de l'électrode de grille. Par conséquent, les électrons qui sont fournis au canal sont accélérés de façon à avoir une vitesse initiale notablement élevée, ce qui permet au FET de fonctionner avec une vitesse élevée et un bruit réduit. En outre, dans le HFET qui met en oeuvre la présente invention, des électrons sont confinés de façon bidimensionnelle à l'intérieur d'un puits de potentiel, de façon à pouvoir empêcher leur dispersion dans la direction y qui est perpendiculaire à la direction du canal, et par conséquent une augmentation supplémentaire de la vitesse de fonctionnement et une réduction supplémentaire du bruit sont possibles. REVENDICATIONS 1. Transistor à effet de champ à grille Schottky comprenant : une couche de canal (14); une électrode de grille (16) disposée sur la couche de canal (14); une électrode de drain (19) disposée sur la couche de canal (14), avec une couche de contact (18) intercalée entre elles; et une électrode de source (24); caractérisé en ce qu'une diode à effet tunnel résonnant (20) est disposée entre l'électrode de source (24) et une région de canal (34) située au-dessous de l'électrode de grille (16), de façon que des électrons soient fournis, sous la forme d'électrons chauds, à la région de canal (34), à partir du bord de la couche de canal (14); et l'électrode de source (24) est disposée sur la diode à effet tunnel résonnant (20), avec une couche de contact (22) intercalée entre elles. 2. Transistor à effet de champ à grille Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une autre diode à effet tunnel résonnant (23) est disposée entre l'électrode de drain (19) et la région de canal (34) audessous de l'électrode de grille (16). 3. Transistor à effet de champ à grille Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de canal (14) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal (34) se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (14); et la diode à effet tunnel résonnant (20) consiste en une structure à trois couches comprenant des couches de barrière (26, 30) en AlGaAs, et une couche de puits de potentiel (28) en GaAs non dopé qui est disposée entre les couches de barrière en AlGaAs (26, 30). 4. Transistor à effet de champ à grille Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de canal (14) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal (34) se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (14); et chacune des diodes à effet tunnel résonnant (20, 23) présente une structure à trois couches comprenant des couches de barrière (26, 30) en AlGaAs et une couche de puits de potentiel (28) en GaAs non dopé qui est disposée entre les couches de barrière en AlGaAs (26, 30). 5. Transistor à effet de champ à grille Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de canal (14) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal (34) est comprise à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (14); et la diode à effet tunnel résonnant (20) comprend deux couches de métal et une couche diélectrique disposée entre les couches de métal. 6. Transistor à effet de champ à grille Schottky selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche de canal (14) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal (34) se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (14); et chacune des diodes à effet tunnel résonnant (20, 23) comprend deux couches de métal et une couche diélectrique disposée entre les couches de métal. 7. Transistor à effet de champ à hétérojonction comprenant : une couche de canal non dopée (42) ayant une bande interdite inférieure; une couche fournissant des électrons (44), disposée sur la couche de canal non dopée (42), cette couche fournissant des électrons (44) ayant une bande interdite supérieure à celle de la couche de canal non dopée (42); une électrode de grille (16) disposée sur la couche fournissant des électrons (42); une électrode de drain (19) disposée sur la couche fournissant des électrons (42), avec une couche de contact (46) intercalée entre elles; et une électrode de source (24); caractérisé en ce qu'une diode à effet tunnel résonnant (20) est disposée entre l'électrode de source (24) et une région de canal se trouvant au-dessous de l'électrode de grille (16), de façon que des électrons soient fournis, sous la forme d'électrons chauds, à la région de canal, à partir du bord de la couche de canal non dopée (42); et l'électrode de source (24) est disposée sur la diode à effet tunnel résonnant (20), avec une couche de contact (22) intercalée entre elles. 8. Un transistor à effet de champ à hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une autre diode à effet tunnel résonnant (23) est disposée entre l'électrode de drain (19) et la région de canal qui se trouve au-dessous de l'électrode de grille (16). 9. Un transistor à effet de champ à hetérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche de canal (42) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal précitée se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (42); et la diode à effet tunnel résonnant (20) consiste en une structure à trois couches comprenant des couches de barrière (26, 30) en AlGaAs, et une couche de puits de potentiel (28) en GaAs non dopé, qui est disposée entre les couches de barrière en AlGaAs (26, 30). 10. Transistor à effet de champ à hétérojonction selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de canal (42) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal précitée se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (42); et chacune des diodes à effet tunnel résonnant (20, 23) consiste en une structure à trois couches comprenant des couches de barrière (26, 30) en AlGaAs et une couche de puits de potentiel (28) en GaAs non dopé qui est disposée entre les couches de barrière en AlGaAs (26, 30). 11. Transistor à effet de champ à hétérojonction selon la revendication 7, caractérisé en ce que la couche de canal (42) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal précitée se trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (42); et la diode à effet tunnel résonnant (20) comprend deux couches de métal et une couche diélectrique disposée entre les couches de métal. 12. Transistor à effet de champ à hétérojonction selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche de canal (42) consiste en un semiconducteur qui est du GaAs; la région de canal précitée se-trouve à l'intérieur de la couche de canal en GaAs (42); et chacune des diodes à effet tunnel résonnant (20, 23) comprend deux couches de métal et une couche diélectrique disposée entre les couches de métal.