Brevet FR2676155A1 — publié le 19921106

DISPOSITIF PHOTOSENSIBLE A REGISTRES DE LECTURE JUXTAPOSES L'invention concerne les dispositifs semiconducteurs à transfert de charge, notamment les dispositifs utilisés pour réaliser des capteurs d'image Elle concerne particulièrement le cas o ces dispositifs comportent des pixels disposés en ligne avec un pas faible. La figure 1 montre schématiquement une architecture classique d'un dispositif à transfert de charge (en anglais "Charges Coupled Device" ou en abrégé CCD) organisée pour constituer un détecteur d'image surfacique Ces dispositifs sont en général fabriqués sur un substrat de silicium de type P par exemple sur lequel on fait croître une couche épitaxiale de même type Des électrodes El à E 4 isolées par une couche isolante mince sont déposées sur la surface du substrat L'éclairement du silicium dans une zone photosensible ZP engendre des charges par effet photoélectrique La zone photosensible ZP est partagée en une pluralité de surfaces élémentaires photosensibles ou pixels Pl à P 16. Ces pixels Pl à P 16 sont disposés en lignes et en colonnes et dans l'exemple de la figure 1 et pour simplifier cette dernière, seulement quatre lignes Li à L 4 et quatre colonnes Ci à C 4 de pixels ont été représentées, mais bien entendu le détecteur d'image peut comporter un nombre plus important de lignes et de colonnes o même un nombre plus faible. Dans le sens des colonnes Cl à C 4, les successions de pixels constituent des registres à décalage CCD dont chaque étage est constitué par un pixel Pl à P 16 Dans la suite de la description on appelle ces registres "registres colonnes RC 1 à RC 4 " Chaque registre colonne permet ainsi de transférer suivant un sens de transfert Dl, les charges produites dans la colonne Ci à C 4 correspondante A cet effet, les électrodes El à E 4 de tous les pixels Pl à P 16 sont commandées par une succession de potentiels propres à provoquer sous ces électrodes, une alternance de puits et de barrières de potentiel appropriés à produire le transfert Ceci est obtenu en appliquant aux électrodes El à E 4 des signaux de transfert constitués par des créneaux de tension ST 1 à ST 4 ayant des phases différentes. Le transfert des charges peut s'effectuer en mode biphasé, ou en trois phases, quatre phases ou davantage Dans l'exemple représenté ce transfert est effectué suivant le mode quatre phases A cet effet chaque étage ou pixel Pl à P 16 est partagé en quatre sous étages, c'est-à-dire que chaque étage comporte quatre électrodes El, E 2, E 3, E 4 qui se succèdent dans le sens des colonnes Cl à C 4, et qui reçoivent chacune un signal de transfert ayant une phase différente par rapport à la phase du signal reçu par les autres électrodes du même étage. Ainsi en mode trois phases, chaque étage ou pixel Pl à Pl G comporte trois électrodes recevant chacune un signal de transfert différent; et en mode biphasé chaque étage comprend deux couples d'électrodes, les deux électrodes d'un même couple étant reliées et commandées par un même signal de transfert. Les charges produites dans chaque pixel ou étage Pl à P 16 doivent être acheminées jusque dans un circuit de lecture CL 1, CL 2, dont une sortie 01, 02 délivre un signal de tension proportionnel à la valeur de la charge lue A cette fin, les charges sont transférées une première fois dans le sens de transfert Dl parallèlement aux colonnes Cl à C 4; puis les charges sont transférées une seconde fois suivant un second sens de transfert D 2 perpendiculaire au premier, à l'aide d'un ou plusieurs registres à décalage CCD appelés registre de lecture RL 1, RL 2. Les pixels Pl à P 16 d'une ligne Lt à L 4 sont disposés suivant un pas pl qui peut varier selon les besoins (en fonction notamment de la définition d'image recherchée) Quand le pas pl (qui constitue le pas des colonnes Cl à C 4) devient faible, par exemple inférieur à 12 micromètres, il devient très difficile d'effectuer le transfert suivant le second sens de transfert D 2 à l'aide d'un unique registre de lecture, car l'espace nécessaire à réaliser un étage d'un registre de lecture RL 1, RL 2 est supérieur au pas pl des pixels Pl à P 16. En effet, la structure d'un étage d'un registre de lecture est sensiblement la même que celle d'un pixel Pl à P 16 ou étage d'un registre colonne RC 1 à RC 4: il faut donc en effet disposer dans chaque étage plusieurs électrodes successivement, suivant le sens de transfert envisagé, soit ici le second sens D 2 Il est alors impossible de faire aboutir chaque registre colonne RC 1 à RC 4 dans un étage d'un unique registre de lecture ayant autant d'étages (disposés au pas pl) qu'il y a de registres colonnes. La solution classique à ce problème est montrée à la figure 1 Elle consiste d'une part à utiliser deux registres de lecture RL 1, RL 2 juxtaposés, ayant respectivement des étages de lecture Ai, A 2 et Bi, B 2, et d'autre part à disposer ces étages suivant un second pas p 2 double du premier pas pl. Les deux registres de lecture RLI, RL 2 sont parallèles et s'étendent perpendiculairement aux registres colonnes RC 1 à RC 4 par rapport auxquels ils sont disposés d'un même côté. Une première et une seconde électrode appelées "électrode de passage" EP 1, EP 2 s'étendent parallèlement aux deux registres de lecture RL 1, RL 2; elles ont pour fonction d'autoriser ou non le passage des charges suivant le premier sens de transfert Dl, sous la commande de signaux d'autorisations SA 1, SA 2 La première électrode de passage E Pl est disposée entre la zone image ZP et les registres de lecture RL 1, RL 2; et la seconde électrode de passage EP 2 est disposée entre ces deux registres de lecture. Les charges produites dans deux colonnes Cl à C 4 adjacentes, c'est-àdire consécutives, sont transférées pour être chargées dans des étages de lecture appartenant à des registres de lecture différents Ainsi dans l'E'X mple représenté les charges contenues dans la seconde et la quatrième colonne C 2, C 4 (colonnes non voisines) sont chargées respectivement dans le premier et le second étage de lecture Bi, B 2 du second registre de lecture RL 2 (le plus éloigné des deux registres de lecture); les charges de la première et de la troisième colonnes Cl, C 3 sont chargées respectivement dans le premier et le second étages Al, A 2 du premier registre de lecture RL 1 (le plus proche). Dans l'exemple représenté à la figure 1, les registres de lecture RL 1, RL 2 fonctionnent en biphasé Par conséquent chacun de leurs étages est formé par un premier et un second sous-étages Sel, Se 2 disposés successivement suivant le second sens de transfert D 2, et comportant chacun un couple Pel, Pe 2 d'électrodes électriquement reliées l'une à l'autre Les deux sous-étages Sel, Se 2 d'un même étage de lecture sont commandés respectivement par des signaux de transfert S Ll, SL 2 ayant des phases différentes, (c'est-à-dire complémentaires durant la période de lecture dans le cas d'un fonctionnement biphasé), et qui sont appliqués à tous les sous-étages Sel, Se 2 pour réaliser le transfert vers les circuits de lecture CL 1, CL 2, après chargement dans les étages de lecture. Pour être chargées dans les étages Bi, B 2 du second registre de lecture RL 2, les charges provenant des seconde et quatrième colonnes C 2, C 4 passent au travers du premier registre de lecture RLL Plus précisément dans l'exemple représenté, elles sont d'abord transférées dans les premiers sous-étages Sel du premier registre de lecture RL 1, d'o elles sont ensuite transférées dans les premiers sous-étages Sel du second registre de lecture RL 2. En même temps qu'est opéré le transfert des charges des colonnes C 2, C 4, les charges provenant des première et troisième colonnes CI, C 3 sont chargées dans les seconds sous-étages Se 2 du premier registre de lecture R Ll Pour empêcher le passage de ces dernières charges vers le second registre de lecture RT 2, il est courant de réaliser une barrière d'isolation Bi entre les deux seconds sous-étages SE 2 en vis-à-vis, appartenant à des registres de lecture RL 1, RL 2 différents Cette isolation peut être réalisée sous la seconde électrode de passage EP 2 par exemple, soit sous la forme d'un oxyde épais, soit sous la forme d'une zone dopée de manière appropriée. Cette solution à registres de lecture juxtaposés est largement utilisée à ce jour Elle présente cependant des inconvénients tels que complexité technologique et/ou de mise en oeuvre, complexités qui se traduisent notamment par certaines difficultés à réaliser un transfert efficace entre les registres de lecture, ce qui conduit entre autres à une perte de résolution en ligne. Ainsi par exemple, avec le montage montré à la figure 1, il est nécessaire de réaliser deux implantations dites "de canal enterré", à dopages différents, avec une très grande précision dans la différence de dopage, pour réaliser le transfert entre les deux registres de lectures: un premier canal enterré dopé N (non représenté) assure le passage des charges (suivant le premier sens de transfert Dl) en amont de la seconde électrode de passage, un second canal enterré dopé N+ (non représenté) assure le passage des charges en aval de la seconde électrode de passage EP 2 jusqu'au second registre de lecture RL 2, la jonction de ces deux canaux s'effectuant sensiblement au milieu de la seconde électrode porte EP 2; le champ électrique engendré par ces deux dopages différents assure le transfert Dans une telle configuration, le champ électrique établi peut être insuffisant pour réaliser un transfert complet, vers le second registre de lecture, des charges qui sont passées par un premier sous-étage du premier registre de lecture; il peut en résulter que lors du transfert accompli suivant le second sens de transfert D 2, des charges résiduelles s'ajoutent à celles qui sont transférées vers le premier circuit de lecture CL 1, ce qui entraîne une dégradation de la résolution du capteur d'images Un autre inconvénient de cette configuration est qu'elle oblige à augmenter la valeur des tensions appliquées aux circuits de lecture. On peut citer aussi une autre forme de réalisation, dans laquelle le passage des charges d'un registre de lecture à l'autre, s'effectue à l'aide d'un stockage momentané sous l'électrode de passage EP 2 L'inconvénient de cette autre réalisation est qu'elle exige de prévoir un puits de potentiel capable de stocker toutes les charges, dans une zone connue pour être délicate, ce qui conduit à des réalisations d'une extrême précision. Tous ces inconvénients sont particulièrement prononcés quand les registres de lecture sont du type fonctionnant en mode bi-phasé, mais il est des cas o l'utilisation de tels registres de lecture s'impose: par exemple quand les charges doivent être transférées vers un ou des circuits de lecture à très grande vitesse, il est nécessaire de fonctionner en biphasé plutôt qu'en trois, quatre ou N phases. La présente invention concerne un dispositif photosensible à registres de lecture juxtaposés, qui ne présente pas les inconvénients ci-dessus cités. Par l'expression "registre de lectures juxtaposé" nous entendons un montage du type décrit ci-dessus, dans lequel d'une part, au moins deux registres de lecture sont d'un même côté par rapport aux colonnes avec l'un des registres plus près des colonnes que l'autre, les étages qui constituent ces registres étant disposés suivant un pas p 2 correspondant au pas pl des colonnes de pixel multiplié par le nombre de registres; et dans lequel d'autre part les charges de deux colonnes consécutives sont chargées dans des registres de lectures différents, les charges transférées dans le registre le plus éloigné passant par un sous-étage du registre le plus proche. Suivant l'invention, un dispositif photosensible à transfert de charges, comportant un arrangement matriciel de zones élémentaires photosensibles ou pixels, au moins deux registres de lectures distincts, les charges photosensibles issues de certaines colonnes étant chargées dans le premier registre tandis que les charges issues d'autres colonnes transitent à travers le premier registre pour être chargées dans le second, caractérisé en ce que durant la phase de chargement des registres de lectures ces derniers sont commandés au moins partiellement par des potentiels indépendants. Ceci permet notamment d'établir, pendant la phase de chargement des registres de lecture, une différence de potentiel relativement importante entre les sous-étages du premier et du second registre de lecture, et engendrer ainsi des champs électriques beaucoup plus favorables au transfert des charges. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux à la description qui suit, donnée à titre d'exemple non limitatif en référence aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 déjà décrite montre l'organisation générale d'un dispositif photosensible CCD d'un type connu; la figure 2 montre schématiquement un dispositif photosensible CCD suivant l'invention; la figure 3 représente la forme d'une électrode finale d'une zone photosensible montrée à la figure 2; la figure 4 est une vue en coupe représentant des électrodes montrées à la figure 3; la figure 4 b représente des potentiels engendrés sous les électrodes de la figure 4 les figures 5 a à 5 g constituent un chronogramme de signaux appliqués aux électrodes montrées à la figure 4; les figures 6 à 6 f illustrent des potentiels engendrés pendant le fonctionnement dans une colonne de rang pair; les figures 7 à 7 g montrent des potentiels engendrés pendant le fonctionnement dans une colonne de rang impair. La figure 2 montre de façon schématique un dispositif photosensible 2 à transfert de charge (CCD) conforme à l'invention Le disrositif photosensible 2 comporte une zone photosensible ZP formée par une pluralité de zones élémentaires photosensibles ou pixels Pl à P 16. Le dispositif photosensible 2 est d'un type semblable à celui montré à la figure 1, en ce qu'il comporte des registres de lecture R Li, RL 2 juxtaposés pour transférer jusque dans des circuits de lecture CL 1, CL 2, des charges produites par les pixels Pl à P 16. Les pixels Pl à P 16 sont disposés suivant N lignes et M colonnes avec d'une part un nombre M de colonnes égal ou supérieur à 2, et d'autre part un nombre N de lignes égal ou supérieur à i (le dispositif photosensible i peut éventuellement constituer un barrette ayant une unique ligne) Dans l'exemple non limitatif décrit, pour simplifier la figure 2 seulement quatre lignes Ll à M et quatre colonnes Cl à C 4 sont représentées, formées à l'aide de seize pixels Pl à P 16. Dans le sens des lignes Ll à L 4, les pixels Pl à Pl G sont disposés suivant un pas pl qui constitue le pas suivant lequel se succèdent les colonnes Cl à C 4. Dans le sens des colonnes Cl à C 4, les successions de pixels Pl à P 16 dans chacune de ces colonnes Cl à C 4 constituent un registre à décalage (appelé registre colonne R Ci à RC 4) dont chaque étage est formé par un pixel. Les charges produites dans les colonnes Cl à C 4 sont transférées à l'aide de ces registres colonnes, suivant un premier sens de transfert Dl jusque dans les registres de lecture R Li, RL 2. Les registres de lecture RL 1, RL 2 sont disposés du côté d'une même extrémité des colonnes Cl à C 4 et perpendiculairement à ces dernières Ils comportent des étages de lecture respectivement Al, A 2 et Bl, B 2 et dans chacuin de ces registres, ces étages sont disposés suivant un second pas p 2 égal au pas pl multiplié par le nombre de registres de lecture dans l'exemple p 2 = pl x 2. Le premier registre de lecture RIA disposé le plus près de la zone photosensible ZP est séparé de cette derlfnière par une première électrode de passage EP 1, commandée par un signal d'autorisation S Al; une seconde électrode de passage EP 2 commandée par un second signal d'autorisation SA 2 est disposée entre les deux registres de lecture RL 1, RL 2. Le transfert dans les registres colonnes RC 1 à RC 4 peut s'exécuter suivant un mode biphasé; trois phases, quatre phases ou davantage Dans l'exemple non limitatif représenté, il est accompli suivant le mode quatre phases A cet effet, chaque pixel Pl à P 16 comporte 4 électrodes ou sous-étages El, E 2, E 3, E 4 qui se succèdent suivant le premier sens de transfert Dl. Ces électrodes El à E 4 sont commandées par des signaux de transfert ST 1 à ST 4 ayant des phases différentes. Comme dans l'exemple de la figure 1, les charges produits dans des colonnes Cl à C 4 consécutives sont transférées dans des registres de lecture différents. Dans l'exemple représenté, les charges produites dans les première et troisième colonnes Cl et C 3 sont destinées à être chargées respectivement dans les étages Ai et A 2 du premier registre de lecture RL 1, et les charges produites dans les seconde et quatrième colonne C 2 et C 4 sont destinées à être chargées dans les étages Bl et B 2 du second registre de lecture RL 2, le plus éloigné. Les registres de lecture RL 1, RL 2 sont du type fonctionnant en biphasé: en conséquence chacun de leurs étages comporte des paires d'électrodes PE 1, PE 2 avec lesquelles sont formées deux sous- étages par étage soit un premier et un second sous-étages Sla, 52 a dans chacun des étages du premier registre RL 1, et un premier et un second sous-étage Slb, 52 b pour les étages du second registre de lecture RL 2; ces sous-étages se succèdent suivant le second sens de transfert D 2. Suivant une caractéristique de l'invention, un circuit de multiplexage CM est interposé entre la zone photosensible ZP et les registres de lecture RL 1, RL 2 afin, dans un premier temps, d'autoriser le passage vers ces derniers uniquement des charges destinées à être transférées dans le second registre RL 2 (le plus éloigné); ceci en bloquant les charges destinées à être chargées dans le premier registre de lecture RL 1; puis dans un second temps, de charger le premier registre RL 1. Dans l'exemple non limitatif représenté, le circuit multiplexeur CM comporte une électrode de multiplexage EM commandée par un signal de multiplexage SM L'électrode de multiplexage s'étend parallèlement aux registres de lecture RL 1, RL 2 entre la première électrode de passage E Pl et la quatrième ligne L 4 de pixels qui est la ligne la plus proche de cette électrode de passage Plus précisément, l'électrode de multiplexage EM chevauche partiellement les dernières électrodes (E 4) considérées suivant le sens Dl, et qui dans l'exemple constituent les quatrième sous-étage des pixels P 13, P 14, P 15 et P 16. Lors du transfert des charges dans les registres colonnes RC 1 à RC 4 accompli sous la commande des signaux de transfert STI à ST 4, en vue de réaliser le chargement des registres de lecture RL 1, RL 2, le circuit de multiplexage CM envoie d'abord par exemple les charges produites dans toutes les colonnes de rang pair, les colonnes C 2 et C 4 dans l'exemple, vers un premier sous-étage Sla du premier registre de lecture RL 1; d'o ces charges passent ensuite vers un premier sous-étage Slb (en vis-à-vis) du second registre de lecture RL 2; alors que les charges des colonnes Cl et C 3 de rang impair sont maintenues dans le circuit de multiplexage CM. Les électrodes qui réalisent les premiers sous-étages S lb du second registre de lecture sont électriquement isolées, c'est-à-dire indépendantes des électrodes qui réalisent les premiers sous-étages Sla du 1 er registre RL 1, contrairement à l'art antérieur o ces électrodes sont reliées et reçoivent toujours des signaux identiques. Il est à noter que dans cette phase de chargement des registres de lecture, le premier signal de commande S Li étant mis au niveau bas alors que le troisième signal de commande SL 3 est au niveau haut, il existe entre les deux registres de il lecture RL 1, RL 2, c'est-à- dire entre les deux premiers sous-étages en vis-à-vis Sla, Slb de ces deux registres, un champ électrique important qui facilite un transfert efficace des charges. Il est à noter en outre que, le second signal de commande SL 2 étant au niveau bas, le passage des charges entre les étages d'un même registre de lecture n'est pas possible dans cette phase de transfert accomplie suivant le premier sens Dl. Ensuite, le second registre de lecture RL 2 ayant reçu les charges des colonnes C 2, C 4 de rangs pairs, les charges contenues dans le circuit de multiplexage CM et provenant des colonnes Cl et C 3 de rangs impairs, sont transférées et chargées dans les seconds sous-étages 52 a du premier registre de lecture RL 1. Les deux registres de lecture R Ll, RL 2 étant chargés, le transfert des charges suivant le second sens D 2 (pour transporter les charges jusqu'aux circuits de lecture CL 1, CL 2) peut alors débuter Pendant ce transfert vers les circuits de lecture, tous les premiers sous-étages Sla, Slb sont commandés de manière classique, c'est-à-dire que les signaux S Ll et SL 3 ont une même phase, et sont complémentaires du second signal de commande SL 2 appliqués à tous les seconds sous-étages 52 a, 52 b. Ainsi le fonctionnement des registres de lecture RL 1, RL 2 s'effectue de façon classique dans la phase de lecture proprement dite accomplie suivant le second sens de transfert D 2, c'est seulement dans la phase de chargement des registres de lecture RL 1, RL 2, que le troisième signal de commande SL 3 remplace le premier signal SL 1 pour commander les premiers sous-étages Slb du 2 ème registre de lecture RL 2. Il faut noter encore que avant de faire débuter la phase de lecture proprement dite, c'est-à-dire le transfert des charges vers les circuits de lecture, il faut achever la phase de chargement pour que dans les deux registres de lecture RL 1, RL 2, les charges soient à un même rang, c'est-à-dire dans de mêmes sous-étages de façon à supprimer un décalage de position entre les charges contenues dans un registre de lecture par rapport à celles contenues dans l'autre registre A cet effet, on commande le second registre de lecture RL 2 pour que les charges contenues dans les premiers sous-étages Slb du second registre RL 2, soient transférées dans un second sous-étage 52 b de ce second registre de lecture RL 2. L'indépendance électrique entre les électrodes des premiers sous-étages Sla appartenant au premier registre de lecture RL 1 et les électrodes des premiers sous-étages Slb appartenant au second registre de lecture RL 12, permet d'accroître l'efficacité du transfert des charges entre ces deux registres, indépendamment des effets qui résultent de l'utilisation de l'électrode de multiplexage EM Il est possible aussi de ne pas utiliser d'électrode de multiplexage, c'est-à-dire de ne pas bloquer les charges provenant de certaines colonnes, si on rend électriquement indépendantes les unes des autres toutes les électrodes d'un étage Ai, A 2, Bi, B 2 des deux registres de lecture RL 1, RL 2, de façon à commander ces électrodes par des potentiels indépendants pendant la phase de chargement de ces registres de lecture. La figure 3 est une vue de dessus semblable à la figure 2 et montre à titre d'exemple non limitatif une forme de réalisation possible du circuit de multiplexage CM. Il est à noter que le fonctionnement opéré dans les colonnes Cl à C 4 pour réaliser le transfert dans le sens Dl, est modifié à partir du dernier sous-étage de la zone photosensible ZP, c'est-à-dire le quatrième sous-étage (dans l'exemple représenté) qui est formé par la dernière électrode E 4 la plus proche de l'électrode de multiplexage EM, et qui est appelée électrode finale E 4 S dans la suite de la description. Il est courant que les électrodes qui définissent les différents sousétages El à E 4 d'un pixel Pl à P 16 soient constituées à l'aide d'une même électrode conductrice pour tous les sous-étages d'une même ligne Li à L 4 Une telle disposition est montrée sur la figure 3 pour la quatrième et dernière électrode ou électrode finale E 45. L'électrode finale E 4 S coopère avec l'électrode de multiplexage EM, à laquelle est appliqué un signal de multiplexage SM pouvant avoir un niveau haut (positif dans l'exemple) et un niveau bas (par exemple à OV, c'est-à-dire le potentiel du substrat semiconducteur qui porte les différentes électrodes). Quand le signal de multiplexage SM est au niveau bas, il impose sous l'électrode de multiplexage EM (dans les colonnes impaires Cl, C 3) un potentiel tel que les charges stockées sous l'électrode finale E 4 S sont bloquées sous cette électrode et ne sont pas transférées suivant le premier sens de transfert Dl. Suivant le fonctionnement qui a été décrit plus haut, ce blocage des charges doit intervenir uniquement pour les charges contenues dans les colonnes Cl, C 3 de rangs impairs. A cet effet, l'électrode de multiplexage est réalisée au dessus de l'électrode finale E 4 S (dont elle est séparée par une couche isolante de façon en elle-même classique), et l'électrode finale E 4 S est découpée par des créneaux, de manière à être interposée entre le substrat et l'électrode de multiplexage EM au dessus d'une colonne C 2, C 4 de rang pair, et ne pas être ainsi interposée dans le cas d'une colonne Cl, C 3 de rang impair. Une telle disposition est illustrée également par la figure 4 qui est une vue en coupe suivant une colonne Cl à C 4. La figure 4 montre schématiquement, suivant le premier sens de transfert Dl, la succession d'électrodes El, E 2, *E 3, E 4 réalisées sur un substrat 4 et qui forment les sous-étages des pixels appartenant aux lignes L 3, L 4 Ces sous-étages sont suivis par l'électrode de multiplexage EM, la première électrode de passage EP 1, le premier registre de lecture RL 1, la seconde électrode de passage EP 2, et le second registre de lecture RL 2. Les sous-étages ou électrodes El, E 2, E 3, E 4 reçoivent des signaux de transfert respectivement ST 1, ST 2, ST 3, ST 4 identiques pour toutes les lignes, à l'exception de la quatrième électrode E 4 S qui forme l'électrode finale. L'électrode finale E 4 S reçoit en effet un signal de transfert ST 4 S particulier en ce que, par rapport aux autres signaux de transfert, son niveau bas doit avoir une valeur supérieure à celle des niveaux bas des autres signaux de transfert Par exemple si pour les autres signaux de transfert la valeur de leur niveau bas est O volt (potentiel du substrat par exemple) et que la valeur du niveau haut est + 10 volts: la valeur du niveau haut du signal de transfert ST 4 S peut être identique, mais la valeur de son niveau bas doit être par exemple de 3 volts, afin de laisser subsister un puits de potentiel permettant de stocker des charges quand le signal de multiplexage SM appliqué à l'électrode multiplexage EM est au niveau bas. On peut observer que sur la figure 4, l'électrode finale E 4 S est prolongée en traits pointillés sous l'électrode de multiplexage EM Il faut considérer que quand la figure 4 s'applique à représenter une colonne de rang impair Cl ou C 3, l'électrode finale E 4 S ne s'étend pas sous l'électrode de multiplexage EM, ce qui rend celle-ci active Au contraire pour la colonne C 2, C 4 de rang pair, l'électrode finale E 4 S s'étend sous l'électrode de multiplexage EM qui; dans ce cas, n'exerce aucuneaction quelle que soit le niveau du signal SM qui lui est appliqué. Dans cette configuration, quand le signal de multiplexage SM est appliqué avec un niveau bas (O volt ou voisin de O volt), il détermine sous l'électrode de multiplexage EM un potentiel qui constitue une barrière de potentiel, mais ceci uniquement dans les colonnes Cl, C 3 de rang impair, comme représenté à la figure 4 b. La figure 4 b illustre les potentiels engendrés dans le substrat 4, sous les différentes électrodes montrées à la figure 4, sauf sous la seconde électrode de passage EP 2 et le second registre de lecture RL 2 Suivant une représentation classique, en matière de circuits à transfert de charges, les potentiels positifs vont en croissant vers le bas. Dans l'exemple montré à la figure 4 b les signaux de transfert ST 1 et ST 2 sont au niveau haut; les signaux de transfert ST 3, ST 4, ST 4 S sont au niveau bas; le signal de multiplexage SM est au niveau bas: le premier signal d'autorisation de passage S Al est au niveau haut Dans ces conditions, en supposant qu'à un instant qui a précédé celui illustré à la figure 4 b, des charges aient été stockées sous l'électrode finale E 4 S, ces charges restent bloquées sous cette électrode de sortie quand il s'agit d'une colonne Cl à C 3 impaire, du fait que l'électrode de multiplexage EM étant active elle impose un potentiel bas qui forme une barrière de potentiel BP, laquelle s'oppose à l'écoulement des charges stockées sous l'électrode finale E 4 S Comme expliqué plus haut, il faut pour cela que le niveau bas du signal ST 4 S soit positif par rapport aux signaux ST 3 et SM pour que, même au niveau bas du signal ST 4 S, soit formé un puits de potentiel PU capable de contenir toutes les charges qui étaient déjà stockées sous l'électrode finale E 4 S quand le signal de transfert ST 4 S était à l'état haut Ceci peut être obtenu en jouant en outre sur la surface de l'électrode de sortie E 45. Dans le cas d'une colonne C 2, C 4 de rang pair, l'électrode de multiplexage EM est inopérante C'est l'électrode finale E 4 S qui impose son potentiel, de telle sorte qu'il n'est pas constitué de barrière de potentiel telle que BP, et que les charge sont déversées vers le registre de lecture RL 1, comme symbolisé sur la figure 4 b par une flèche 12. Bien entendu le circuit de multiplexage peut être réalisé de manière différente, et d'autres fonctionnements sont possibles, l'important étant de retenir les charges provenant d'une colonne tout en laissant passer les charges provenant d'une colonne voisine. On rappelle que suivant l'un des fonctionnements classiques d'un capteur d'images à transfert de charges, un cycle de fonctionnement comprend une phase d'accumulation des charges, suivie de N fois une phase de chargement des registres de lecture plus une phase de lecture, puis à nouveau une phase d'accumulation, etc; N étant égal au nombre de lignes telles que les lignes Li à L 4 La phase de chargement est accomplie suivant le premier sens de transfert Dl: elle comprend à chaque fois un transfert d'un étage dans les colonnes Cl à C 4 ainsi que le chargement, dans les étages des registres de lecture, des charges déjà stockées sous les électrodes finales E 4 S La phase de lecture est accomplie ensuite et consiste en un transfert effectué suivant le second sens D 2, transfert durant lequel toutes les charges contenues dans un registre de lecture RL 1, RL 2 sont transportées vers un circuit de lecture et lues par ce dernier. Les figures 5 a à 5 g constituent un chronogramme des différents signaux appliqués, durant une phase de chargement des deux registres de lectrue RL 1, RL 2, aux différentes électrodes qui dans les colonnes Cl à C 4 se succèdent suivant le premier sens de transfert Dl, depuis l'électrode finale E 45 jusqu'au second registre de lecture RL 2. Les différents signaux représentés peuvent varier entre un niveau bas proche ou correspondant au potentiel du substrat (soit le niveau O volt par exemple), et un niveau haut positif ou négatif suivant le dopage du substrat En supposant par exemple que le substrat soit dopé du type P, le niveau haut est positif. La figure 5 a représente le signal de transfert ST 45 appliqué aux électrodes finales E 4 S Ce signal peut varier entre un niveau haut ayant une même valeur que les autres signaux, et un niveau bas qui lui est plus positif que celui des autres signaux comme il a déjà été indiqué précédemment. La figure 5 b représente le signal de multiplexage SM appliqué à l'électrode de multiplexage EM. La figure 5 c représente le premier signal d'autorisation S Al appliqué à la première électrode de passage E Pi. La figure 5 d représente le second signal de commande SL 2 appliqué aux seconds sous- étages Sa 2, Sb 2 des registres de lecture RL 1, RL 2 Pour une meilleure efficacité du fonctionnement dans la phase de chargement, la valeur du niveau bas de ce signal de commande SL 2 est plus positive que zéro volt, avec par exemple une valeur égale à celle du niveau bas du signal de transfert ST 45. La figure 5 e montre le premier signal de commande SL 1 appliqué aux premiers sous-étages Sal du premier registre de lecture RL 1 De préférence, (mais non obligatoirement) la valeur du niveau bas de ce premier signal de commande SL 1 est la même que celle du second signal de commande SL 2. La figure 5 f représente le second signal d'autorisation SA 2 appliqué à la seconde électrode de passage EP 2. La figure 5 g représente le troisième signal de commande SL 3 appliqué aux premiers sous-étages Slb du second registre de lecture RL 2 Ce troisième signal SL 3 a lui aussi un niveau bas dont la valeur est de préférence plus positive que O volt, comme le premier et le second signal de commande SL 1, SL 2. A un instant t O qui précède la période de chargement: le signal de transfert ST 4 S (figure 5 a) est au niveau haut; le signal de multiplexage SM (figure 5 b) est au niveau bas; le premier signal d'autorisation S Al (figure 5 c) est au niveau bas; le second signal de commande SL 2 (figure 5 d) est au niveau bas; le premier signal de commande SL 1 (figure 5 d) est au niveau haut; le second signal d'autorisation SA 2 (figure 5 f) est au niveau bas; le troisième signal de commande SL 3 (figure 5 g) est au niveau haut. A un instant tl qui suit t O et qui marque le début de la période de chargement PC: le premier signal d'autorisation S Al passe au niveau haut; le second signal d'autorisation SA 2 passe au niveau haut; A un instant t 2 qui suit tl: le signal de transfert ST 4 S appliqué à l'électrode finale E 4 S passe au niveau bas Ceci marque le début du transfert vers le registre de lecture RL 2 des charges d'une colonne paire. A un instant t 3 qui suit t 2: le premier signal d'autorisation S Al passe au niveau bas. A un instant t 4 qui suit t 3: le premier signal de commande SL 1 passe au niveau bas. A un instant t 5 qui suit t 4, le second signal d'autorisation SA 2 passe au niveau bas. A un instant t 6 qui suit t 5: le signal de multiplexage SM passe au niveau haut le second signal de commande SL 2 passe au niveau haut. A un instant t 7 qui suit t G le premier signal d'autorisation S Al passe au niveau haut; d'o résulte le transfert des charges des colonnes impaires vers le premier registre de lecture RL 1; le troisième signal de commande SL 3 passe au niveau bas; d'o résulte un transfert dans le second registre de lecture RL 2 des charges qui passe d'un premier sous-étage Slb à un second sous-étage 52 b. A un instant t 8 qui suit t 7, le signal de multiplexage SM passe au niveau bas. A un instant t 9 qui suit t 8 le signal de transfert ST 4 S passe au niveau haut le premier signal d'autorisation SA 1 passe au niveau bas, ce qui marque la fin de la période de chargement des registres de lecture. A un instant tl O qui suit t 9 le premier et le troisième signal de commande SL 1, SL 3 passent au niveau haut, alors que le second signal de commande SL 2 passe au niveau bas Ceci marque le début de la période de lecture PL, durant laquelle les deux registres de lecture RL 1, RL 2 transfèrent les charges qu'ils contiennent vers les circuits de lecture. Ces trois signaux de commande SL 1, SL 2, SL 3 sont constitués chacun par une succession de créneaux ayant une même fréquence On remarque que le premier et le troisième signal de commande ont une même phase, phase qui est complémentaire de celle du second signal de commande SL 2 On constate qu'ainsi les sous-étages en visà-vis Sla, Slb et 52 a, 52 b appartenant à des registres RL 1 et RL 2 différents sont commandés avec une même phase; ceci se remarque particulièrement pour les premiers sous-étages Sla et Slb qui, dans la période de chargement, sont au contraire commandés par des signaux de phases différentes. Les figures Ga à 6 f illustrent les potentiels engendrés dans le substrat sous les électrodes d'une colonne C 2, C 4 de rang pair telle que représentée en coupe à la figure 6. Ces potentiels sont ceux engendrés aux instants cités en référence aux figures 5 a à 5 g. La figure 6 montre une succession d'électrodes d'une colonne C 2, C 4 de rang pair, à partir de l'électrode finale et suivant le premier sens de transfert D 2: on trouve successivement l'électrode finale E 4 S, la première électrode de passage E Pi, les électrodes formant un premier sous-étage Sla du premier registre de lecture, la seconde électrode de passage EP 2, les électrodes qui forment le premier sous- étage Slb du second registre de lecture RL 2 Ces électrodes sont réalisées sur le substrat 4, au dessus d'une couche dopée N qui constitue un canal enterré L'électrode de multiplexage EM n'étant pas active dans une colonne C 2 ou C 4 de rang pair, elle est montrée en pointillés. La figure Ga se rapporte à l'instant t O Elle montre que sous l'électrode finale E 4 S -est créé un puits de potentiel susceptible de contenir une quantité de charge Q Pa. La figure Gb se rapporte à l'instant tl, elle montre que les charges Q Pa sont réparties sous les électrodes E 45, EP 1, Sla, EP 2, Slb. La figure 6 c montre qu'à l'instant t 2 les charges qui étaient sous E 4 S sont déversées sous EP 1, S Aa, EP 2 et Slb. La figure Gd montre qu'à l'instant t 3 les charges qui étaient contenues sous E Pl sont déversées sous Sla, EP 2 et Slb. La figure 6 e montre qu'à l'instant t 4 les charges Q Pa sont contenues uniquement dans le premier sous-étage Slb du second registre RL 2, suite d'une part au passage au niveau bas du second signal de commande SL 2, et d'autre part du fait que dans l'exemple représenté, le potentiel sous EP 2 est moins positif que sous Slb (le niveau haut du second signal d'autorisation SA 2 est par exemple moins positif de 2 volts par exemple que les autres signaux) Ceci n'est pas indispensable, mais peut éviter un retour en arrière des charges. La figure 6 f montre qu'à l'instant t 5 le potentiel sous EP 2 est devenu négatif, ce qui confirme le stockage des charges Qpa sous Slb. La quantité de charges Q Pa créée dans une colonne C 2, C 4 paire ayant été ainsi transférée dans un premier sous-étage Slb du second registre de lecture RL 2, après avoir traversé le premier registre de lecture RL 1, elle est ensuite transférée perpendiculairement au plan de la figure (suivant le second sens de transfert D 2) jusque dans un second sous-étage 52 b du second registre de lecture RL 2. Les figures 7 a à 7 j illustrent les potentiels engendrés sous les électrodes d'une colonne Cl, C 3 de rang impair, telle que représentée partiellement par une vue en coupe à la figure 7 Ces potentiels sont ceux engendrés aux instant cités en référence aux figures 5 a à 5 g. La figure 7 montre des électrodes d'une colonne de rang impair Cl, C 3 qui se succèdent suivant le premier sens de transfert Dl, à partir d'une électrode finale E 4 S Après l'électrode finale E 4 S on trouve successivement, l'électrode de multiplexage EM, la première électrode de passage EP 1, des électrodes qui forment un second sous- étage 52 a du premier registre de lecture RL 1, puis une barrière d'isolement Bi qui empêche tout transfert de charges au delà de ce second sous-étage 52 a Ces électrodes sont réalisées sur le substrat 4 au dessus d'une couche dopée N formant un canal enterré. La figure 7 a se rapporte à l'instant t O Elle montre que sous l'électrode finale E 4 S est créé un puits de potentiel contenant une quantité de charges Q Pl collectées dans une colonne impaire Cl, C 3 Les potentiels sous les autres électrodes sont positifs par rapport à celui qui créé sous E 45. Il est à noter que pour un meilleur fonctionnement, il est avantageux (mais non obligatoire) de réaliser une zone dopée N- dans le canal enterré N, sous l'électrode de multiplexage EM. Ceci confère au potentiel sous l'électrode EM une valeur encore plus négative. La figure 7 b montre qu'à l'instant tl toutes les charges Q Pl restent stockées sous l'électrode finale E 45, bien que le potentiel soit devenu positif sous l'électrode de passage EP 1. La figure 7 c montre qu'à l'instant t 2 les charges Q Pl restent retenues sous l'électrode finale E 4 S, alors que dans une colonne C 2, C 4 de rang pair, à cet instant les charges Q Pa quittent cette électrode. La figure 7 d montre qu'à l'instant t 3 le potentiel sous l'électrode de passage E Pl devient négatif, sans aucune influence sur les charges Q Pl qui restent stockées sous E 45 ceci est conservé également pour les instants t 4 et t 5. La figure 7 e montre qu'à l'instant t 6 le potentiel devient positif sous l'électrode multiplexage EM et sous les électrode qui constituent le second sous-étage 52 a du premier registre de lecture RL 1, de telle sorte qu'une partie des charges Q Pl est déversée dans le second sous-étage 52 a. La figure 7 f montre qu'à l'instant t 7 le potentiel sous la première électrode de passage E Pl devient plus positif: toutes les charges restant sous l'électrode finale E 45 sont alors déversées vers le second sous-étage 52 a. La figure 7 g montre qu'à l'instant t 9 toutes les charges Q Pl sont contenues dans le puits de potentiel formé par le second sous-étage 52 a du premier registre de lecture RL 1. REVENNDICATIONS 1 Dispositif photosensible à transfert de charges, comportant un arrangement matriciel de zones élémentaires photosensibles ou pixels (Pl à P 16), au moins deux registres de lectures (RL 1, RL 2) distincts, les charges photosensibles issues de certaines colonnes (Ci, C 3) étant chargées dans le premier registre (RLI) tandis que les charges issues d'autres colonnes (C 2, C 4) transitent à travers le premier registre pour être chargées dans le second (RL 2), caractérisé en ce que les registres de lectures sont commandés au moins partiellement par des potentiels indépendants. 2 Dispositif photosensible suivant la revendication 1, caractérisé en ce que des moyens de transfert sont prévus pour: dans un premier temps inhiber le chargement dans le premier registre (R Li) tout en autorisant le chargement du second registre (RL 12) à travers le premier et dans un deuxième temps pour charger le premier registre (R Li). 3 Dispositif photosensible suivant l'une des revendications précédentes caractérisé en ce que les registres de lecture sont du type fonctionnant en mode biphasé. 4 Dispositif photosensible suivant l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les registres de lecture (RL 1, RL 2) comportent des étages (Ai, A 2, B 1, B 2) disposés suivant un pas (p 2) égal à N fois le pas (pi) des colonnes (Ci à C 4), n'étant le nombre des registres de lecture. Dispositif photosensible suivant l'une des revendications précédentes, chaque pixel (Pl à P 16) comportant au moins deux électrodes (El, E 2, E 3, E 4) se succèdant dans le sens des colonnes (Ci à C 4) et suivant un premier sens de transfert (Di), dans chaque colonnes (Ci à C 4), la dernière électrode (E 4 S) du dernier pixel constituant une électrode dite électrode finale, au moins une électrode de passage (EP 1) ôtant disposée entre la zone photosensible (ZP) et les registres de lecture (RL 1, RL 2) afin d'interdire ou autoriser des transferts de charges vers ces derniers, caractérisé en ce qu'au moins une électrode dite de multiplexage (EM) est disposée entre les pixels (Pl à P 16) et l'électrode de passage (EPI), l'électrode de multiplexage (EM) coopérant avec l'électrode de passage (EP 1) et les électrodes de sortie (E 4 S) pour retenir les charges produites dans au moins une colonne (Cl, C 3) sur plusieurs colonnes consécutives. 6 Dispositif photosensible suivant la revendication , caractérisé en ce que les registres de lecture (RL 1, RL 2) sont au nombre de deux et en ce que l'électrode de multiplexage (EM) retient les charges d'une colonne sur deux. 7 Dispositif photosensible suivant l'une quelconque des revendications 5 ou 6, les différentes électrodes (El à E 4, E 4 S, EM) étant portées par un substrat ( 4) semiconducteur, caractérisé en ce que les électrodes finales (E 4 S) sont interposées entre l'électrode de multiplexage (EM) et le substrat ( 4) uniquement dans les colonnes (C 2, C 4) dont les charges ne sont pas retenues à l'aide de l'électrode de multiplexage (EM). 8 Dispositif photosensible suivant l'une quelconque des revendications 5 ou 6 ou 7, caractérisé en ce que les électrodes finales (E 4 S) étant commandées par des signaux de tension (ST 4 S) pouvant varier entre un niveau haut et un niveau bas, la valeur du niveau bas est telle qu'elle permet, en coopération avec l'électrode de multiplexage, de constituer un puits de potentiel sous les électrodes finales des colonnes (Cl, C 3) dont les charges sont retenues. 9 Dispositif photosensible suivant l'une des revendications précédentes, chaque étage (Al, A 2, BI, b 2) des registres de lecture (RLL, RL 2) comportant au moins deux sous-étages (Sla, 52 a, Slb, 52 b) se succédant suivant un sens de transfert (D 2) perpendiculaire aux colonnes (Cl à C 4), les premiers et les seconds sous-étages (SIA, 52 a) du premier registre de la lecture (RLM) étant en vis-à-vis respectivement des premiers et seconds sous-étages (Slb, 52 b) du second registre de lecture, les charges transférées dans le second registre de lecture transitant par des premiers sous-étages (Sla) du premier registre de lecture, caractérisé en ce que des électrodes qui définissent les premiers sous-étages (Sla) du premier registre de lecture sont électriquement indépendantes d'électrodes qui définissent les premiers sous-étages (Slb) du second registre. 10 Dispositif photosensible suivant la revendication 9, caractérisé en ce que durant une période de chargement des registres de lecture, les premiers sous-étages (Sla) du premier registre (RL 1) sont commandés par des signaux ayant une phase différente de celle de signaux qui commandent les premiers sous-étages (Slb) du second registre (RL 2). 11 Dispositif photosensible suivant l'une quelconque des revendications i ou 3 ou 4 ou 9 ou 10, caractérisé en ce que toutes les électrodes d'un étage (Ai, A 2, Bi, B 2) des registres de lecture (RL 1, RL 2) sont électriquement indépendantes afin de permettre leur commande par des potentiels indépendants, durant la phase de chargement des registres de lecture.