Brevet FR2676867A1 — publié le 19921127

La présente invention se rapporte à un élément à onde acoustique de surface, et en particulier, à un perfectionnement d'un élément à onde acoustique de surface monolithique fait d'une couche piézoélectrique et d'un semiconducteur. Un élément à onde acoustique de surface (SAW) joue un rôle important en tant que dispositif de traitement de signaux étant donné sa fonction de stockage de signaux à haute fréquence et sa fonction de traitement discontinu Par ailleurs, lorsqu'un dispositif intégré monolithique est obtenu par incorporation de l'élément à onde acoustique de surface et d'un dispositif semiconducteur sur un seul substrat, il a diverses fonctions additionnelles comme amplification, multiplication et ainsi de suite, qui sont réalisées par rélément semiconducteur, et il devient donc multifonctionnel. Il y a deux propositions courantes pour l'agencement de dispositifs intégrés multifonctionnels monolithiques à SAW L'un d'entre eux est une structure multicouche formant un film mince piézoélectrique de Zn O, AIN etc sur un substrat semiconducteur en Si et l'autre est une structure o est incorporé un dispositif à SAW et un dispositif semiconducteur sur un substrat en Ga As qui est un semiconducteur piézoélectrique. Un semiconducteur composé des groupes 111-V tel que Ga As a les propriétés électriques, acoustiques et optiques suivantes en comparaison avec Si: a) la mobilité des électrons est égale à plusieurs fois celle de Si; b) la conductivité électrique peut être contrôlée sur une large plage du semi- isolant jusqu'au conducteur; c) il présente une piézoélectricité; d) c'est un élément qui peut émettre ou recevoir une large plage de lumière, allant des rayons visibles aux rayons infrarouges. De plus, étant donné le développement remarquable récent de la technologie pour produire un film mince semiconducteur composé des groupes III-V, il est devenu possible de former Ga As/Al Ga As ou autre élément ayant une hétérostructure et un dispositif utilisant les effets du quantum est également apprécié comme ayant d'excellentes fonctions. Comme on l'a décrit ci-dessus, Ga As a de nombreuses fonctions que ne possède pas Si; cependant, la propriété multifonctionnelle d'un élément a atteint une limite dans les dispositifs composites existants de Si et d'un film mince piézoélectrique tel que Zn O, AIN, etc. Les problèmes posés par un dispositif à SAW utilisant Ga As concernent le prix élevé du substrat du fait de la mauvaise productivité parce qu'il est encore difficile de produire une pastille d'un diamètre suffisamment grand. La présente invention a par conséquent pour objectif majeur de procurer une structure fondamentale d'un élément qui permet à un dispositif à SAW intégré monolithique d'avoir une propriété multifonctionnelle d'un haut niveau et sur une large plage. Une structure fondamentale d'un élément à onde acoustique de surface selon l'invention comporte un substrat en Si, un film semiconducteur piézoélectrique en Ga As prévu sur le substrat en Si, et un transducteur prévu sur le film conducteur piézoélectrique en Ga As afin de produire une onde acoustique de surface. Cet agencement permet de produire une pastille de grand diamètre tout en maintenant un faible prix en utilisant un substrat en Si de grand diamètre et d'ajouter d'autres fonctions au semiconducteur en Ga As. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristique, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention, et dans lesquels: la figure 1 est une vue en élévation de côté d'un élément à onde acoustique de surface selon un mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est un graphique montrant la dépendance de la vitesse de phase d'une SAW sur un film mince en Ga As; la figure 3 est un graphique montrant le coefficient de couplage d'un premier mode de Rayleigh sur une structure en Ga As/Si; la figure 4 est un graphique montrant le coefficient de couplage d'un second mode de Rayleigh sur une structure en Ga As/Si; la figure 5 est une vue en élévation de côté d'un élément à onde acoustique de surface selon un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 6 est une vue en élévation de côté d'un élément à onde acoustique de surface selon un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 7 est une vue en élévation de côté d'un élément à onde acoustique de surface selon un autre mode de réalisation de l'invention; la figure 8 est une vue en élévation de côté d'un élément à onde acoustique de surface selon un autre mode de réalisation de l'invention; et la figure 9 est une vue en plan de lélément à onde acoustique de surface. On décrira d'abord le premier mode de réalisation pour un dispositif à onde acoustique de surface en Ga As/Si. Ga As est un matériau semiconducteur piézoélectrique et on peut utiliser son effet piézoélectrique pratiquement sur un substrat semiconducteur ou bien dans une région d'appauvrissement La vitesse et le coefficient de couplage électromécanique d'une onde acoustique de surface se propageant dans la direction du substrat monocristallin en Ga As ( 100) sont respectivement de 2868 mis et 0,72 %. La figure 1 montre un agencement fondamental de l'élément à SAW en Ga As/Si Le chiffre de référence 1 désigne un substrat en Si ( 100) sur lequel est produit un film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 par une méthode de dépôt chimique en phase vapeur d'oxyde de métal Le film en Ga As est un film épitaxié dont la surface ( 100) croît Sur le film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 sont prévus des transducteurs 3 et 4 pour exciter et recevoir une onde acoustique de surface La direction de propagation de l'onde acoustique de surface est sensiblement parallèle aux directions de Si et de Ga As Comme un substrat en Si ayant un angle légèrement décalé est utilisé pour la croissance épitaxiée du film mince en Ga As dans la plupart des cas, cela signifie que l'orientation de surface et la direction, que l'on indique ici, en sont les plus proches et on peut le considérer comme ayant une certaine largeur Le film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 est formé de Ga As non dopé et sa résistance spécifique est élevée Comme le film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As non dopé 2 a une résistance spécifique suffisamment élevée, il présente une piézoélectricité suffisante Afin d'augmenter encore la résistance spécifique du film, on dispose des deux méthodes suivantes: 1) après avoir formé le film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As, on le change en un semi-isolant par impulsion de protons; 2) les transducteurs à onde acoustique de surface sont formés sous la forme d'électrodes de Schottky et une polarisation en courant continu est appliquée pour étendre une couche d'appauvrissement sous les électrodes. Chacune des méthodes permet l'usage maximum de la piézoélectricité de Ga As. Le graphique de la figure 2 montre la relation entre la vitesse de phase Vp d'une onde acoustique de surface qui se déplace dans la structure en Ga As/Si et l'épaisseur H du film de Ga As La lettre k désigne le nombre d'ondes de l'onde acoustique de surface (k= 21 A /D, o t est la longueur d'onde de londe acoustique de surface) La structure multicouche en Ga As/Si produit des effets tels que la vitesse est bien plus rapide que la vitesse du son du monocristal de Ga As, la longueur périodique des transducteurs peut être grande lorsqu'on réalise un élément à onde acoustique de surface haute fréquence et un traitement photo-lithographique est facile Par ailleurs, dans la plage de k Hl I 0, 7, il existe le second mode de Rayleigh, et sa vitesse de phase est encore plus importante. Les graphiques des figures 3 et 4 montrent la dépendance sur l'épaisseur du film de Ga As du coefficient de coupure électromécanique des transducteurs à SAW qui sont formés sur la structure en Ga As/Si. La figure 3 montre le premier mode de Rayleigh, et la figure 4 montre le second mode Deux sortes d'agencements des transducteurs à SAW sont montrés sur chacun des dessins L'un d'entre eux est tel que la résistance spécifique du substrat en Si 1 soit relativement élevée et que des électrodes 3 et 4 soient prévues sur la surface. Dans cet agencement, si lépaisseur du film en Ga As est relativement importante, on obtient un grand coefficient de couplage Dans l'autre cas, des électrodes 3 et 4 sont placées sur la surface de Ga As et une région diffusée d'impuretés très concentrée 5 est prévue sur la surface du substrat en Si 1 sous les électrodes Ce dernier cas offre un grand coefficient de couplage dans une région o l'épaisseur du film en Ga As est relativement petite, en comparaison avec le premier cas La propriété que l'on peut particulièrement remarquer est que la structure multicouche dans le dernier agencement transducteur donne un coefficient de couplage qui est plus important que celui du substrat en Ga As monocristallin. Ce dernier agencement transducteur comporte une région diffusée d'impuretés très concentrée qui s'étend sous les électrodes seulement; cependant, le même coefficient de couplage est obtenu même si l'on utilise un substrat monocristallin en Si de faible résistance Cependant, comme la structure en Ga As/Si a une caractéristique qui lui permet lincorporation dun élément semiconducteur dans la région de Si ou de Ga As, il est de règle générale que la résistance spécifique du substrat en Si soit établie à une valeur optimisant les caractéristiques de l'élément semiconducteur à y incorporer, et une région d'impuretés très concentrée est prévue sous les électrodes du transducteur. Les graphiques des figures 2, 3 et 4 donnent les informations suivantes: a) il est préférable d'utiliser le second mode de Rayleigh dans l'élément fonctionnel à SAW ayant la structure en Ga As/Si; b) l'épaisseur H du film en Ga As est de préférence établie à k HII 0,8 dans le second mode de Rayleigh; c) la vitesse de phase est considérablement plus importante que dans le cas du substrat en Ga As monocristallin et il est plus facile de fabriquer un dispositif pouvant s'adapter à de hautes fréquences; d) le coefficient de couplage peut être rendu plus important que dans le cas d'un substrat en Ga As monocristallin. Comme on l'a décrit ci-dessus, la caractéristique du son de la structure en Ga As peut être encore améliorée par rapport à la caractéristique du substrat en Ga As monocristallin. Le second mode de réalisation de la présente invention concerne un dispositif à onde acoustique de surface en Zn O/Ga As/Si. La structure en Ga As/Si du premier mode de réalisation présente une caractéristique du son qui dépasse la caractéristique du substrat en Ga As monocristallin Cependant, le coefficient de couplage n'atteint qu'environ 0,08 % et donc son utilisation peut être limitée à des dispositifs fonctionnels Le second mode de réalisation représente un perfectionnement par rapport au premier en ce qui concerne le coefficient de couplage. La figure 5 montre son agencement Dans ce mode de réalisation, un film piézoélectrique 6 en Zn O est de plus prévu sur la structure en Ga As/Si du premier mode de réalisation, et des transducteurs à SAW 3 et 4, pour exciter et recevoir une onde acoustique de surface, sont prévus sur la surface du film piézoélectrique 6 en Zn O. Il existe également des premier et second modes de Rayleigh dans cet agencement, de même que dans le premier mode de réalisation, et on obtient un plus grand coefficient de couplage que celui de la structure en Zn O/Si Il faut noter ici que le film mince piézoélectrique en Zn O 6 n'est formé que dans les portions qui correspondent aux transducteurs à SAW. Divers agencements de transducteurs sont acceptables Les figures 6 et 7 montrent des exemples qui sont particulièrement efficaces pour une excitation et une réception efficaces L'agencement de la figure 6 comporte une électrode en métal 7 qui est prévue à la limite entre le film 6 en Zn O et le film 2 en Ga As L'agencement de la figure 7 comporte une région 5 o sont diffusées des impuretés très concentrées qui est prévue à la surface du substrat 1 en Si Dans chacun des agencements, des électrodes 3 et 4 en forme de peigne et formant transducteurs d'entrée et de sortie sont prévues à la surface du film piézoélectrique en Zn O L'électrode en métal 7 et la région diffusée d'impuretés très concentrée 5 ne sont normalement formées que sous les transducteurs L'agencement des transducteurs montré aux figures 6 et 7 donne un coefficient important de couplage électromécanique, en particulier dans le second mode de Rayleigh. Récemment, la tension a été attirée vers un élément acoustique à transfert de charge (ACT) qui est un dispositif de traitement de signaux à vitesse rapide similaire au dispositif à couplage de charge en Ga As Une onde acoustique de surface excitée par des ondes continues devient un signal d'horloge et confine les charges électriques dans un puits de potentiel de ronde acoustique de surface pour transférer les charges en synchronisme avec la vitesse de l'onde acoustique de surface Cet agencement ne nécessite aucune électrode de porte d'horloge comme un dispositif à couplage de charge en Ga As et offre un élément de transfert de charge d'une vitesse très rapide Les charges, transférées, sont détectées en succession par une prise non destructive de détection qui est prévue sur un canal, et sont pondérées par un transistor à effet de champ à porte double de contrôle du gain ou analogue Sa somme est la sortie Le retard et lopération de produit- somme sont tentés d'une manière rapide et l'élément ACT permet de réaliser une fonction de filtre transversal idéal La bande dans laquelle l'élément peut traiter un signal est restreinte par la fréquence de Fonde acoustique de surface/2 (fréquence de Nyquist), quelle que soit la caractéristique de fréquence du transducteur à onde acoustique de surface et la bande est considérablement large Le retard est déterminé par la vitesse de l'onde acoustique de surface et la longueur du dispositif et on réalise un retard relativement important Par conséquent, une zone de temps est produite qui indique la possibilité de traitement par l'élément de traitement de signaux Les documents qui suivent se rapportent au fonctionnement du ACT: a) M J Hoskins et autres "Charge transport by surface acoustic waves in Ga As", Appl Phys Lett, 41 ( 4), pages 332-223, 1982. b) W J Tanski, et autres "Heterojunction acoustic charge transport devices on Ga As", Appln Phys Lett, 52 ( 1), pages 18-20, 1988. La figure 8 montre un mode de réalisation de l'élément ACT en se basant sur Ga As/Si selon un troisième mode de réalisation L'agencement et le principe de fonctionnement seront expliqués ci-dessous en se référant à la figure 8. Un film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 est formé sur un substrat 1 en Si ( 100) Le film mince semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 est en Ga As non dopé, mais il est changé en un film isolant par impulsion de protons à la couche 2 en Ga As afin d'utiliser au maximum sa piézoélectricité Ensuite, une couche 8 en Alx Gal-x As non dopé est formée Par ailleurs, une couche de canal de transfert en Ga As non dopé 9 est formée Ensuite, une couche de fourniture de charge 10 en Alx Gal-x As du type N est formée En établissant le rapport molaire de AI du cristal liquide de Alx Gal-x à 0,3, l'espace d'énergie de la bande de conduction est de 0,25 e V dans la limite entre Ga As et Alx Gal-x As, et l'espace d'énergie est produit sous la forme d'une bande En effet, la structure multicouche de Alx Gal-x As/Ga As/Alx Gal- x As forme des doubles jonctions Les charges à transférer sont des électrons et les électrons sont confinés dans la couche 9 de canaux de transfert en Ga As non dopé. Dans la structure de la figure 8, une couche non dopée 11 de recouvrement est de plus prévue L'épaisseur du film des couches doubles à hétérojonction 8 à 11 qui sont formées sur le film semiconducteur piézoélectrique en Ga As 2 peut être considérable petite, de 200 à 300 nm au total En particulier, la couche des canaux de transfert 9 en Ga As non dopé est formée en un emplacement qui est éloigné de la surface de l'élément d'une distance aussi faible que 100 nm, c'est-à-dire qu'elle assez près de la surface Une partie des couches doubles d'hétérojonction 8 à 1 î 1 à l'emplacement du transducteur de la SAW, à l'exception de la région de canaux de transfert, est enlevée par attaque mesa. Le chiffre de référence 12 désigne le transducteur unidirectionnel pour une excitation d'ondes continues, qui est prévu à l'emplacement d'o les couches doubles d'hétérojonction 8 à 11 ont été enlevées Le transducteur 12 comporte normalement une électrode en forme de peigne sous la forme d'une électrode de Schottky et un réflecteur à grille de l'onde acoustique de surface qui est prévu dans un emplacement opposé à la direction de propagation de londe acoustique de surface Le chiffre de référence 13 désigne une diode d'entrée d'un signal qui comprend une électrode ohmique 13 a et une électrode de Schottky 13 b Un électron est injecté par la diode d'entrée Le chiffre de référence 14 désigne une électrode de Schottky de prise de détection non destructive qui est formée sur le canal de transfert pour détecter les paquets d'électrons à transférer dans le canal sus une forme non détruite Le chiffre de référence 15 désigne une électroque ohmique pour extraire les électrons transférés. Le fonctionnement d'un élément réel sera expliqué ci-dessous en se référant à la figure 9 qui est une vue en plan de cet élément Afin d'exciter une onde acoustique de surface à onde continue de façon qu'elle se comporte comme un signal d'horloge, un signal à onde continue ayant une fréquence d'horloge fo est introduit dans le transducteur unidirectionnel 12 qui est formé de l'électrode en forme de peigne et du réflecteur, et il excite l'onde acoustique de surface à onde continue qui se déplace vers la droite sur la figure 9 Un signal à traiter est introduit à l'entrée 13 La diode d'entrée est formée de l'électrode ohmique et de lélectrode de Schottky et l'électrode ohmique est normalement mise à la masse de manière qu'un signal soit introduit à l'électrode de Schottky Une polarisation inverse en courant continu appropriée est appliquée à lélectrode de Schottky afin d'établir une quantité constante d'électrons dans un paquet pendant qu'il n'y a pas de signal d'entrée, et un signal à haute fréquence est ajouté à ce potentiel La diode d'entrée a l'agencement d'une diode de Schottky latérale Le potentiel de lélectrode de Schottky détermine le niveau de la couche d'appauvrissement sous la diode Lorsqu'un potentiel d'une onde acoustique de surface passe sous la diode d'entrée, la quantité des électrons qui sont tirés vers le puits de potentiel dépend du signal d'entrée De cette manière, un signal électrique est converti en une quantité de charges (quantité d'électrons) Comme l'onde acoustique de surface se propage continuellement, la conversion en charges est répétée pendant chaque période de l'onde acoustique de surface et le signal dentrée est automatiquement échantillonné pour former un paquet de charges confiné dans la vallée du potentiel de l'onde acoustique de surface L'onde acoustique de surface est une onde continue et la forme du potentiel est sensiblement une onde sinusoïdale Par conséquent, des paquets respectifs de charges sont séparés pour chaque période du potentiel de l'onde acoustique de surface et le confinement des électrons est effectué dans la direction de déplacement de l'onde acoustique de surface. Le paquet de charges échantillonné par la diode d'entrée est transféré dans le canal en synchronisme avec la vitesse de l'onde acoustique de surface Comme la direction longitudinale du canal représente une hétérostructure double comme le montre la figure 8, les électrons sont transférés tandis qu'ils sont confinés dans le puits de potentiel (couche du canal de transfert en Ga As) formé par hétérojonction Le confinement de la charge en direction transversale est atteint en changeant la portion autre que la région de canal montrée par la ligne en tracé interrompu sur la figure 9 en un semi-isolant par impulsion de protons, ou bien par élimination des couches doubles hétéro, autres que la région de canal, par attaque mesa Comme les changements sont confinés dans trois directions de cette manière, l'élément de transfert de charge de cette structure donne une efficacité remarquablement élevée de transfert de charge. Le paquet de charges transféré dans le canal est détecté d'une manière non destructive par l'électrode de Schottky Il y a deux méthodes de détection: la détection de tension et la détection de courant qui sont différenciées par une charge couplée à l'électrode de Schottky La charge est une charge capacitive dans la détection de tension et une charge résistive dans la détection du courant Dans chaque cas, on obtient un signal correspondant à la quantité des charges dans le paquet de charges. Les électrodes de Schottky sont prévues à certains intervalles Si l'on désigne le temps de retard de ronde acoustique de surface entre prises par Zet le signal d'entrée par f(t), la sortie de la n-ième prise est (t- n t) qui est une valeur d'échantillon du signal d'entrée ayant un retard correspondant à l'emplacement de la prise. La sortie de chaque prise est pondérée, puis synthétisée en une sortie La pondération est effectuée par multiplication d'un facteur stocké de pondération et de la sortie à la prise et est réalisée par un transistor à effet de champ en Ga As à porte double. Une diode de sortie est prévue à l'extrémité droite de l'élément, donc les électrons transférés sont extraits vers l'extérieur par la diode de sortie. La structure fondamentale de lélément est obtenue en formant l'hétéro- jonction en Ga As/Al Ga As sur la structure en Ga As/Si et en prévoyant le transducteur à SAW, la diode d'entrée, la diode de sortie et la prise de détection non destructive. Afin d'améliorer l'efficacité d'excitation du transducteur, un film piézoélectrique en Zn O peut n'être prévu que dans la portion du transducteur, comme dans le second mode de réalisation Alors, la puissance à l'entrée du transducteur peut être réduite, ce qui a pour résultat une plus faible consommation de puissance de l'élément. Le premier mode de réalisation qui précède présente les effets suivants: a) en choisissant une conception optimale de la structure en Ga As/Si, on peut obtenir une caractéristique du son dépassant la caractéristique d'un substrat en Ga As monocristallin En particulier, en utilisant le second mode de Rayleigh qui existe dans la structure multicouche en Ga As/Si, on peut utiliser un coefficient de couplage électromécanique plus important que celui de Ga As monocristallin pour utiliser une vitesse du son encore plus grande de l'onde acoustique de surface; b) un élément semiconducteur peut être fait en Si ou en Ga As et on peut réaliser un dispositif à onde acoustique de surface multifonctionnel monolithique. En formant l'élément semiconducteur en Ga As, on peut incorporer un élément actif à vitesse rapide utilisant une plus grande mobilité des électrons que Si De même, éléments photo-émetteurs et détecteurs peuvent être incorporés pour réaliser un élément fonctionnel opto- électronique De plus, l'incorporation d'un circuit intégré numérique métal-oxyde semiconducteur complémentaire dans un substrat en Si pour une faible consommation de puissance est facile Ainsi, la caractéristique multifonctionnelle de l'élément est considérablement améliorée. c) En prévoyant le film en Ga As sur un substrat en Si de grand diamètre, une augmentation du diamètre de Ga As est possible avec une augmentation minimale du prix. Le second mode de réalisation qui précède présente les effets suivants: En plus des mêmes effets que ceux du premier mode de réalisation, on peut s'attendre aux effets additionnels suivants: a) En prévoyant le film mince piézoélectrique en Zn O dans les régions de tranducteur de l'onde acoustique de surface, cela augmente considérablement le coefficient électromécanique En particulier, cet effet est remarquable en second mode de Rayleigh. En utilisant la base de la structure de Ga As/Si et en y prévoyant l'hétéro- structure, on peut réaliser un élément de transfert de charge du son qui est un dispositif de traitement de signaux à vitesse rapide, les effets obtenus en utilisant Ga As/Si en tant que structure de base selon ce troisième mode de réalisation étant résumés ci- dessous: a) l'utilisation du substrat en Si diminue le prix; b) une augmentation du diamètre de la pastille est possible; c) en particulier, l'utilisation du second mode de Rayleigh permet d'utiliser un coefficient de couplage plus important que dans le cas de Ga As monocristallin De plus, en prévoyant le film piézoélectrique en Zn O dans la portion de transducteur, on peut utiliser un coefficient de couplage encore accru Cela mène à une diminution de la puissance d'entrée d'une onde continue de l'onde acoustique de surface se comportant comme un signal d'horloge et cela permet d'atteindre une quantité importante de consommation de puissance Par ailleurs, comme la même puissance d'entrée mène à une augmentation de la force du potentiel de l'onde acoustique de surface, cela augmente la capacité de charge et on peut s'attendre à ce que cela représente une extension de la plage dynamique; d) dans le cas d'un élément à transfert de charge du son, lintégrité de lélément est accrue par incorporation de diverses fonctions de détection de signaux, opération de produit-somme, mémoire d'un facteur de pondération et ainsi de suite, sur une seule puce En formant l'opérateur à vitesse rapide pour l'opération produit-somme, entre autre, en utilisant l'élément semiconducteur en Ga As et en formant la mémoire et les circuits logiques sous la forme d'un circuit logique Si-CMOS, on peut obtenir un élément intégré de faible consommation et de grande vitesse. L'onde acoustique de surface peut être une onde de Sezawa. REVENDICATIONS 1 Elément à onde acoustique de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en Si ( 1); un film semiconducteur piézoélectrique en Ga As ( 2) prévu sur ledit substrat en Si; et des transducteurs ( 3 et 4) prévus sur ledit film semiconducteur piézoélectrique en Ga As pour produire une onde acoustique de surface. 2 Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une région ( 5) o sont diffusées des impuretés très concentrées, dans une surface du substrat en Si, sous le transducteur. 3 Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat en Si ( 1) est un substrat monocristallin de faible résistance. 4 Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat en Si ( 1) a une surface coupée qui est équivalente à ( 100) et le film en Ga As est un film épitaxié développé sur ladite surface équivalente à ( 100). Elément selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'onde acoustique de surface se propage dans une direction parallèle à la direction de Si et de Ga As. 6 Elément selon la revendication 1, caractérisé en ce que le film de Ga As ( 2) a une épaisseur H de l'ordre de k H>,0,8 et l'onde acoustique de surface est une onde de Sezawa. 7 Elément à onde acoustique de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en Si ( 1); un film semiconducteur piézoélectrique en Ga As ( 2) prévu sur ledit substrat en Si; un film en Zn O ( 6) prévu sur ledit film semiconducteur piézoélectrique en Ga As; et des transducteurs ( 3, 4) prévus sur ledit film en Zn O pour produire une onde acoustique de surface. 8 Elément selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte de plus un film en métal ( 7) prévu dans la limite entre le film en Zn O et le film en Ga As dans un emplacement opposé aux transducteurs. 9 Elément selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend de plus une région diffusée d'impuretés très concentrées ( 5) prévue dans une surface du substrat en Si en un emplacement opposé aux transducteurs. Elément à onde acoustique de surface comprenant: un substrat en Si ( 1); une couche d'un semiconducteur piézoélectrique en Ga As ( 2) prévue sur ledit substrat en Si; un transducteur unidirectionnel ( 12) prévu sur ledit film semiconducteur piézoélectrique en Ga As pour produire une onde acoustique de surface; une couche ( 8) en Alx Gal-x As prévue sur ledit film semiconducteur piézoélectrique en Ga As, une il 12 2676867 couche de canaux de transfert en Ga As ( 9) prévue sur ladite couche dans Alx Gal-x As, une couche de fourniture de charges en Alx Gal-x As ( 10) prévue sur la couche du canaux de transfert en Ga As; une couche de recouvrement en Ga As ( 11) prévue sur ladite couche de fourniture de charges ( 10) en Alx Gal-x As; une diode d'entrée ( 13) ayant une électrode ohmique et une électrode de Schottky, toutes deux prévues sur ladite couche de recouvrement en Ga As; une électrode de Schottky à prise de détection non destructive ( 14) et une électrode ohmique ( 15).