Brevet FR2678426A1 — publié le 19921231

TRAITEMENT DE PLAQUETTE SEMICONDUCTRICE AVEC CONTROLE DE DIMENSION CRITIQUE DE SECTION DE PLAQUETTE UTILISANT UNE DETECTION OPTIQUE DE POINT LIMITE Contexte de l'invention: Cette invention se rapporte à des procédés de fabrication de dispositifs à circuits intégrés semiconducteurs et plus particulièrement à un procédé de détermination de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de section de plaquettes durant le traitement de plaquettes, utilisant une détection optique de point limite. Dans la fabrication de dispositifs VLSI, l'uniformité de dimensions critiques est cruciale pour la performance électrique globale des dispositifs en cours de fabrication Si la largeur de ligne nominale pour une porte de transistor ou autre est de 0,5 microns, alors la largeur de ligne réelle dans le dispositif fini devrait valoir exactement cela, et devrait être la même pour tous les dispositifs à l'intérieur d'une plaquette et toutes les plaquettes à l'intérieur d'un lot Les variations de l'uniformité de dimensions critiques sont des disgressions à partir du processus souhaité et causent des réductions de l'efficacité de la fabrication (rendement) de puces et de l'exécution des puces finales Donc, dans l'industrie des semiconducteurs, un facteur très important est le contrôle et la commande de l'uniformité de dimensions critiques. La possibilité de déterminer l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques a été restreinte précédemment aux systèmes de mesures directes (c'est-à- dire les microscopes électroniques à balayage ou SE Ms, les microscopes optiques, les sondes électriques, etc), tous ces systèmes exigeant un temps de traitement additionnel significatif A cause de ce temps de traitement additionnel, de façon typique seul un échantillon de mesures était (et est toujours) effectué pour déterminer l'exécution de dimensions critiques de sections de plaquettes de plaquette à plaquette et de lot à lot En conséquence, la plupart des plaquettes étaient traitées et transférées à l'étape de traitement suivante sans que l'exécution de dimensions critiques soit déterminée Ce manque de détermination de dimensions critiques à 100 % permet à des plaquettes potentiellement hors spécifications d'être transférées, seulement pour être mises au rebut pour mauvaise performance électrique au sondage final des plaquettes. Ceci s'ajoute de façon significative à l'inefficacité et au coût de fabrication des puces. Un détecteur optique de point limite (OEPD) a été développé pour contrôler et commander l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de plaquette à plaquette et de lot à lot La technologie des détecteurs optiques de points limites est décrite dans les publications suivantes: ( 1) S Grindle et E. Pavelcheck, "Photoresist Characterization Using Interferometry During Development", Proceedings of the 4th Annual Test and Measurement World Expo, San Jose, Californie, 14-16 mai 1985; ( 2) M Thomson, "In-situ Develop End Point Control to Eliminate CD Variance", SPIE Proceedings of Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control IV, San Jose, Californie, 5-6 mars 1990; ( 3) K M Sautter, M Ha, et T Batchelder, "Development Process Control and Optimization Utilizing an End Point Monitor", KTI Interface '88 Proceedings; et ( 4) L J Uhler, "Automatic Linewidth Control System", SPIE-Proceedings of Integrated Circuit Metrology, Inspection, and Process Control, San Jose, Californie, 1987 Ces détecteurs optiques de points limites opèrent en dirigeant une source de lumière vers une zone unique d'agent photoré- sistant de développement et en observant les figures d'interférence causées par la lumière réfléchie à partir du sommet de l'agent photorésistant et aussi du substrat. Cet équipement a fourni un contrôle et une commande nettement améliorés de l'uniformité de dimensions critiques. Cependant, même avec l'utilisation de détecteurs optiques de points limites, l'exécution de dimensions critiques dc sections de plaquettes est toujours une inconnue, de telle sorte que des systèmes de mesures directes sont toujours exigés Il est proposé ci-inclus d'étendre la technique de plaquette à plaquette et de lot à lot en fournissant la capabilité de contrôler l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de ser Lmon de plaquette par le contrôle simultané de sites multiples ce section de plaquette pour des détections optiques de points limites. Si l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques ce sections de plaquettes pouvait être fournie, un certain nombre de bénéfices pourrait être réalisé: ( 1) la capabilité de déterminer in situ l'exécution de l'uniformité de sections de plaquettes pour toutes les plaquettes traitées plutôt que seulement pour des échantillons de plaquettes; ( 2) la réduction ou l'élimination du transfert de plaquettes hors spécifications non détectées à des étapes de traitement ultérieures, ( 3) la réduction ou l'élimination de mesures directes de dimensions critiques après le traitement utilisant des SE Ms ou autres; ( 4) un accroissement de l'efficacité de la fabrication des puces; et ( 5) une diminution du coût de fabrication des puces. Il est proposé, par conséquent, de prévoir un moyen pour permettre la détermination de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de section de plaquette durant le traitement réel de la plaquette, plutôt qu'après que le traitement soit achevé De plus, cette information devrait être déterminée pour chaque plaquette traitée, pas seulement pour des échantillons, sans exiger de mesure directe de dimensions critiques. Ceci augmenterait l'efficacité globale du traitement de plaquette en réduisant le temps d'inspection total par l'inspection sélective de plaquettes signalées, ainsi que la réduction ou l'élimination des mesures de dimensions critiques après le traitement De plus, ceci permettrait la réduction des dépenses d'investissement pour les systèmes de mesure de dimensions critiques. Actuellement, la possibilité de détermination de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de sectorn de plaquettes est limitée à des mesures directes effectuées après que le traitement soit achevé. Aucun équipement utilisé actuellement ne permet la détermination de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de sectiors c plaquettes pendant que la plaquette est en cours de traitement De plus, alors que les détecteurs optiques de points limites tels qu'exposés dans les publications référencées ci-dessus ont la possibilité de prédire et de commander les dimensions critiques de plaquette à plaquette et de lot à lot, ils ne possèdent pas la capacité de prédire l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de section de plaquettes Par conséquent, avec la technologie actuelle, antérieurement à cette invention, il n'y a aucune capabilité de détermination de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de -sectîoensde plaquettes utilisant des détecteurs optiques de points limites. Résumé de l'invention Cette invention, dans ses lignes générales, consiste en un appareil et un procédé de détermination de l'uniformité de dimensions critiques lors du traitement de plaquettes semiconductrices, comprenant les étapes de: a) détection de l'avancement de l'enlèvement d'un revêtement sur une face d'une plaquette par une pluralité de détecteurs optiques de points limites, à des emplacemeits espacés transversalement sur ladite face, un desdits détecteurs étant un d ecteur de commande et au moins un desdits détecteurs étant un détecteur de contrôle; b) détermination d'un temps d'achèvement de la commande du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de commande, et terminaison de l'enlèvement dudit revêtement audit temps d'achèvement; c) détermination d'un temps d'achèvement du contrôle du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de contrôle; et d) comparaison dudit temps d'achèvement du contrôle de traitement et dudit temps d'achèvement de la commande du traitement. En accord avec un mode de réalisation de l'invention, un procédé pour le contrôle de l'exécution de l'uniformité de dimensions critiques de sectiorsde pleuettes lors de la fabrication de dispositifs semiconducteurs emploie un certain nombre de détecteurs optiques de points limites à différents emplacemenzs à travers la surface la plaquette Un de ces détecteurs optiques de points limites est utilisé pour commander le traitement, et lorsque le point limite a été atteint pour cet emp 3 acemert, le temps d'achèvement du traitement est calculé et ce temps d'achèvement est utilisé pour commander l'équipement du traitement Par exemple, si l'étape du traitement qui est contrôlée est le dévelop- pemen-t de l'agent pnotorésistant,, alors l'opération de développement est terminée en se basant sur ce temps d'achèvement calculé, déduit du point limite détecté po Lr 1 'emplacement de commande Les autres emplacements sont uti- leés pour contr&er l'exécution de sectionsde plaquettes La sortie de chacun de ces autres détecteurs optiques est utilisée pour déterminer le point limite pour chaque em- placemeit de contrôle, et ces points limites sont comparés avec le point limite de commande pour déterminer l'exécution des dimensions critiques de sectîons de plaquettes et la conformation aux spécifications Les plaquettes sont ensuite signalées si elles sont hors limite, et n'ont pas besoin d'être traitées dans des étapes ultérieures. Brève description des dessins: Les particularités nouvelles jugées caractéristiques de cette invention sont exposées dans les revendications annexées L'invention elle-même, cependant, ainsi que d'autres particularités et avantages de celle-ci, sera mieux comprise par référence à la description détaillée d'exemples de modes de réalisation spécifiques qui suit, lue conjointement avec les dessins complémentaires, dans lesquels: La figure 1 est un mécanisme de détection optique de point limite, qui peut être utilisé dans le procédé de l'invention; Les figures 2 a à 2 c sont des vues en projection sur un plan vertical d'une petite partie d'une plaquette semiconductrice comme celle de la figure 1, à des étapes successives dans un traitement de développement d'agent photorésistant. La figure 3 est un diagramme dans le temps montrant la sortie du détecteur apparaissant dans le mécanisme de la figure 1, tracé en fonction du temps, pour un exemple d'un type de sortie du détecteur; La figure 4 est une vue dans un plan d'une plaquette semiconductrice ayant de multiples détecteurs optiques de points limites, selon un exemple de mode de réalisation de l'invention, pour le contrôle à travers la plaquette; et La figure 5 est un organigramme d'un procédé de traitement de plaquettes semiconductrices selon un mode de réalisation de l'invention. Description détaillée de modes de réalisation spécifiques: En se référant à la figure 1, un mécanisme de détection optique de point limite qui peut être utilisé dans le procédé de la présente invention est illustré. Il est montré une petite partie d'une plaquette semiconductrice, 10, ayant un revêtement d'agent photo- résistat llsur celle-ci, étant bien compris que cette structure générale de la plaquette est répétée plusieurs centaines de milliers de fois dans une plaquette de plusieurs centimètres de diamètre, la partie indiquée ayant seulement quelques microns de large Ce revêtement il a été exposé à la lumière à travers un masque pour définir quelques impressions désirées, laissant des portions 12 non exposées et une portion 13 exposée. Après l'exposition, la réserve est développée en soumettant la plaquette à une solution de développement qui sert à dissoudre la portion 13 exposée de l'agentpho- torésistaxt la Lssaxt en place les portions 12 non exposées de l'agent photorésistant, pour être utilisées ultérieurement comme un masque pour une opération telle que la gravure d'une couche sous-jacente 14 d'oxyde, de nitrure, de polysilicium ou de métal, par exemple, ou utilisées comme un masque d'implantation Les caractéristiques optiques de l'exposition à la lumière sont telles que la portion centrale 14 de la portion 13 est plus fortement exposée et donc sera développée plus vite que des portions 15 plus proches des bords de la portion 13 La largeur de ligne nominale L peut être, par exemple, 0,5 micron, mais la largeur de ligne réelle du masque résultant d'agent photorésistant peut être moins de ouplusde 0,5 micron, en fonction des caractéristiques optiques de l'exposition, de la vitesse de développement, de la durée du séjour de la plaquette dans le révélateur, et de divers paramètres du traitement Comme illustré dans les figures 2 a à 2 c, le développement (c'est-à-dire l'enlèvement) de la zone 13 de l'agent photorésisiant a lieu d'abord au centre qui est le plus exposé, atteignant le substrat sous-jacent dans la figure 2 b, continuant ensuite pour enlever les parois latérales en continuant vers la périphérie Si la plaquette reste dans le révélateur assez longtemps, 1 ' agent photorés Lsrarn sera enlevé jusqu' au E même après le bord entre les portions exposées et non exposées. L'objectif, bien sûr, est de réaliser une largeur de ligne consistante et prévisible, et c'est pour cette raison que le mécanisme de détection optique de point limite est nécessaire Sans détection de point limite, il serait nécessaire de prédire le temps de développement en se basant sur des données empiriques, d'ajuster ensuite le temps pour des lots subséquents après l'achèvement du processus de fabrication de plaquettes et après avoir fait des mesures mécaniques des largeurs de ligne pour des temps de développement connus. Le mécanisme de détection optique de point limite de la figure 1 utilise une source de lumière monochromatique 17 générant un faisceau 18 qui est réfléchi par la face supérieure de l'agent photorésis- tant 13 et aussi -par le subst rar sous-jacent,pour produire deux faisceaix interférents qui atteignent uil photodéteceur 19 Un interférogramme est donc produit par une unité centrale de traitement ou UC à partir de la sortie d'un détecteur 20, et cet interférogramme peut être de la forme illustrée dans la figure 3 (qui est simplement un exemple du type de sortie produite), o l' intensité détectée est tracée en fonction du temps de développement dans un graphe 21 On y voit que la figure d'interférence de cet exemple change au fur et à mesure que le développement continue à travers les différentes formes de la portion 13 des figures 1, 2 a, 2 b et 2 c, jusqu'à ce que la portion 13 soit enlevée jusqu'au substrat, o une intensité constante est produite, comme indiqué par la ligne 22 En contrôlant la sortie du photodétecteur 19 pendant que la plaquette est soumise au révélateur, une mesure en temps réel de l'enlèvement réel de l'agent phdzorés Lstant est fourm Le, donc un point limite plus précis peut être détecté et utilisé pour décider quand enlever la plaquette du révélateur, par exemple, par un équipement de commande du traitement sous le contrôle de l'UC. Le temps du traitement de développement peut être considéré comme étant divisé en deux composantes, une verticale (t) par rapport à la surface de la plaquette et une latérale (c Lt) par rapport à la surface de la plaquette La composarte verticale a lieu pendant que la portion centrale 14 est enlevée comme dans la figure 2 a, jusqu'à ce que l'agent photorésistant ait Eté dégagé de la zone centrale, la composante latérale a lieu pendant que les parois latérales sont éliminées, comme dans la figure 2 c Le temps de développement total td peut être exprimé par: td = tc + atc Le facteur a est fonction du changement de l'exposition, des propriétés de diffraction de la lentille et du mécanisme réactionnel du traitement de développement La composante t est mesurable en temps réel comme décrit en utilisant le détecteur de la figure 1, alors que la composante latérale est prévisible en se basant sur tc et des données empiriques Par conséquent, une commande par réaction en temps réel est fournie Un algorithme est choisi en se basant sur ces relations pour arrêter le cycle de développement pendant que la plaquette est traitée, produisant un contrôle de largeur de ligne beaucoup plus grand que possible précédemment. La détection optique de point limite comme illustrée dans les figures 1 à 3 a été utilisée pour contrôler un emplacement u aique de la plaquette pour déter- miner un point limite de traitement, pour prédire et commaid E l'exécution de dimension critique de plaquette à plaquette et de lot à lot par ce moyen Ces applications sont limitées à la prédiction de l'exécution du traitement de cet emplacement unique de la plaquette et ne peuvent pas prédire l'exécution de section de plaquette. Puisque les vitesses de réaction du traitement peuvent varierde section de plaquette, ainsi que de plaquette à plaquette et de lot à lot, il est par conséquent avantageux de déterminer (et peut-être de commander) l'exécution du traitement de section de plaquette, afin d'améliorer l'efficacité de la fabrication Selon cette invention, l'exécution de l'uniformité des dimensions critiques de sections de plaquettes est déterminée par le contrôle d'emplacements multiples des plaquettes. En se référant à la figure 4, une plaquette 24, traitée comme dans la figure 1, est contrôlée aux emplace- ments 25, 26 et 27,chaque emplacementcontr 1 lé ayar undétee teur optique de point llmite comme dans la figure 1, incluant une source lumineuse 17 et un photodétecteur 19, ainsi qu'un détecteur 20, alimentant des entrées de l'UC Un de ces emplacements, par exemple, l'emplacement central 25, est utilisé pour contrôler et commander le traitement de la plaauetteenutilisant l'unitédecommandede traitement, juc comme examidl ci-dessus Les emplacements 26 et 27 restants sont utilisés pour déterminer l'exécution de l'uniformité des dimensions critiques de section ae plaquette En se référant à la figure 5, un organigramme décrivant la séquence est illustré Les deux chemins de la figure 5 sont des chemins parallèles traités en même temps, plutôt qu'indépendants. Le traitement de la plaquette commence lorsque le développementde l'agent photorés 2stant a débutàf rinqué par le bloc 28 de la figure 5, déclenchant les détecteurs optiques de point limite de la figure 1 pour commencer le contrôle, produisant les sorties de la figure 3 Dans le chemin de commande, le point limite est détecté au bloc 29, c'est-à-dire que l'agentphoto- résistant est enl Eé entièrement jusqu'au substrat, indiqué quand la ligne horizontale 22 de la figure 3 est atteinte Pendant ce temps, les points limites sont dé- tectés pour les autres emplacements de contrôle, 26 et 27, comme indiqué par le bloc 30; ceux ci peuvent se produire en même temps, ou plus tôt ou plus tard que le chemin de commande Le temps de traitement total est calculé pour le chemin de commande, indiqué par le bloc 31, en se basant sur des formules qui sont calculées préalablement en utilisant des données empiriques, comme le facteur a Ensuite le traitement de la plaquette est commandé en utilisant le résultat du bloc 31 pour définir le temps de traitement total, c'est-à-dire quand le révélateur est arrêté, indiqué par le bloc 32 Dans le chemindecontrôle, comme indiqué par lebloc 33, les points limites pour chacun des emplacements de contrôle 26 et 27 (à partir du bloc 30) sont comparés au point limite détecté à partir de l'emplacement contrôle 25 (à partir du bloc 29) pour déterminer les variations du traitement de section de plaquette Chacune de ces variations de section de plaquette est ensuite comparée pour préétablir des limites de traitement comme indiqué par le bloc 34, la variation du traitement est rapportée pour chaque plaquette et si les limites sont dépassées, les plaquettes hors limites sont signalées comme indiqué par le bloc 35 Le traitement pour cette plaquette est achevé comme indiqué par le bloc 36. Puisque la détection optique de point limite donne une prévision précise de la dimension critique de la plaquette finale, les emplacementsmultiples de contrôle peuvent être facilement comparés à l'emplacement de commande "uce dimension crit-que connue"pour déterminer la variation du traitement ou l'exécution de l'uniformité des dimensions critiques de sectiondeplaquette Cette information est ensuite utilisée pour ( 1) la discrimination de plaquette durant le traitement par lot, dans laquelle les plaquettes peuvent être triées selon les dimensions critiques, ( 2) le contrôle de la stabilité du traitement, dans lequel l'exécution du traitement avec le temps est contrôlée, ( 3) le remplacement de quelques ou de toutes les mesures directes de dimension critique exigées précédemment, et ( 4) le développement de la technologie du traitement pour stabiliser les variations de sectiorsde plaquette. En employant le procédé de cette invention, au lieu de technologies actuelles, pour déterminer l'exécution de l'uniformité des dimensions critiques de sectiors de plaquettes, plusieurs avantages sont réalisés. Premièrement, l'exécution de l'uniformité des dimensions critiques est déterminée dans 100 % des plaquettes, plutôt que seulement dans des plaquettes d'essai choisies, de telle sorte que la mise au rebut des plaquettes au sondage final de plaquette est réduite par ce moyen, parce que les plaquettes hors limites ne seront pas traitées jusqu'à la fin du traitement. Deuxièmement, il y a une réduction (et peut-être l'élimination) des exigences de mesure directe de dimension critique (comme par les SE Ms, etc) de telle sorte que la production du traitement des plaquettes est accrue, tout en réduisant aussi les dépenses d'investissement exigées pour l'équipement de mesure directe de dimension critique (qui peut valoir de 600 000 $ à plus de 1 million $) Troisièmement, des diagnostics in situ de variation du traitement des sections de plaquettes sont prévus, qui réduisent le temps exigé pour le développement de la technologie du traitement qui améliore l'exécution desectionsde plaquettes. Quatrièmement, un accroissement global de l'efficacité du développement du traitement et de la fabrication des plaquettes est fourni. Bien que décrites ci-dessus en référence à l'utilisation du procédé de l'invention dans le contexte du développement d'un revêtement 11 d'agent photorésis- rant, il est compr Ls que les particulartés de cette anvextion sont utiles également dans le contrôle des dimensions critiques des sect Lors de plaquettes pour d'autres matériaux utilisés dans la fabrication des semiconducteurs Par exemple, le procédé de l'invention peut être utilisé dans le contrôle de l'exécution de f dimension critique pour des couches d'oxyde, des couches de polysilicium ou de silicium, des couches de nitrure de silicium, ou des couches de métallisation Dans ces situations, c'est la gravure du matériau qui est contrôlée pour le point limite, plutôt que le développement Si le matériau n'est pas transparent au faisceau 18, le point limite peut être détecté par un pic dans la sortie du détecteur, par exemple La sortie caractéristique du détecteur, au fur et à mesure que la gravure de la couche avance, peut être une ligne montante ou descendante, suivie d'un pic ou d'une région horizontale lorsque le matériau sous-jacent est atteint. Bien que cette invention ait été décrite avec référence à des modes de réalisation spécifiques, cette description n'est pas destinée à être comprise dans un sens limité Diverses modifications des modes de réalisation exposés, ainsi que d'autres modes de réalisation de cette invention, seront évidents pour les personnes qualifiées en la matière en se référant à cette description Il est par conséquent envisagé que les revendications annexées couvrent de quelconques modifications ou modes de réalisation qui entrent dans le cadre réel de cette invention. REVENDICATIONS 1 Procédé de détermination de l'uniformité de dimensions critiques lors du traitement de plaquettes semiconductrices, comprenant les étapes de: a) détection de l'avancement de l'enlèvement d'un revêtement ( 11) sur une face d'une plaquette ( 10, 24) par une pluralité de détecteurs optiques de points limites, à des emplacements ( 25, 26, 27) espacés transversalement sur ladite face, un desdits détecteurs étant un détecteur de commande et au moins un desdits détecteurs étant un détecteur de contrôle; b) détermination d'un temps d'achèvement de la commande du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de commande, et terminaison de l'enlèvement dudit revêtement audit temps d'achèvement; c) détermination d'un temps d'achèvement du contrôle du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de contrôle; et d) comparaison dudit temps d'achèvement du contrôle du traitement et dudit temps d'achèvement de la commande du traitement. 2 Procédé selon la revendication 1, incluant l'étape de rapport de différences dans lesdits temps d'achèvement du traitement déterminées par ladite comparaison. 3 Procédé selon la revendication 1, dans lequel il y a au moins deux desdits détecteurs de contrôle, incluant l'étape de détermination d'un temps d'achèvement du contrôle du traitement pour chacun desdits détecteurs de contrôle, et dans lequel ledit revêtement ( 11) est un agent photorésistant et ledit enlèvement est le développement dudit agent photorési axt. 4 Procédé selon la revendication 3, dans lequel ladite étape de détection inclut l'orientation d'une source de lumière monochromatique ( 17) vers une zone ( 13) de l'agentphotorésistant qui estdéveloppé, et l'observation des figures d'interférence de la lumière réfléchie par la surface de l'agent photorésiszat et par la surface de la plaquette au-dessous de l'agent photo- résistant. 5 appareil pour déterminer l'uniformité de dimensions critiques lors du traitement de plaquettes semiconductrices, comprenant: a) une pluralité de détecteurs optiques de point limite àdes emplacements ( 25 26, 27) espacés tansv Esale- ment suruneface d'uneplaquette semiconductricepour détecter l'avancement de l'enlèvement d'un revêtement ( 11) sur une face, un desdits détecteurs étant un détecteur de commande et au moins un desdits détecteurs étant un détecteur de contrôle; b) des moyens pour déterminer un temps d'achèvement de la commande du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de commande, et pour terminer l'enlèvement dudit revêtement audit temps d'achèvement; c) des moyens pour déterminer un temps d'achèvement du contrôle du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de contrôle; et d) des moyens pour comparer ledit temps d'achèvement du contrôle du traitement et ledit temps d'achèvement de la commande du traitement. 6 Appareil selon la revendication 5, incluant des moyens pour rapporter des différences dans lesdits temps d'achèvement du traitement déterminées par ladite comparaison, dans lequel il y a au moins deux desdits détecteurs de contrôle, un temps d'achèvement du contrôle du traitement étant déterminé pour chacun desdits détecteurs de contrôle, et dans lequel ledit revêtement ( 11) est un agentphotorés Lstantet ledit enlèvement estle développementdudit agent photorés Lstant. 7 Appareil selon la revendication 6, dans lequel lesdits détecteurs incluent des moyens pour orienter une source de lumière monochromatique ( 17) vers une zone ( 13)de l'agentphotorésistantqui et développé, et des moyens pour observer des figures d'interférence de la lumière réf léchie par la surface del'agentphotorésistant et par la surface de la plaquette au-dessous de l'agent photorésistant. 8 procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, comprenant les étapes de: a) application d'un revêtement ( 11) d'agent photo- rés Lstalt surune face d'un substrat semiconducteur, et exposition de ladite face à un rayonnement à travers un. masque pour définir une impression; b) application d'un révélateur sur ladite face pour développer ledit agentphozorésistant; c) détection de l'avancement du développement dudit agent photorésistait par une pluralité de détecteurs optiques de points limites, à desemplacements( 25,26,27) espacés transversalement sur ladite face, un desdits détecteurs étant un détecteur de commande et au moins un desdits détecteurs étant un détecteur de contrôle; d) détermination d'un temps d'achèvement de la commande du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de commande, et terminaison de ladite étape d'application du révélateur basée sur ledit temps d'achèvement; e) détermination d'un temps d'achèvement du contrôle du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de contrôle; et f) comparaison dudit temps d'achèvement du contrôle du traitement et dudit temps d'achèvement de la commande du traitement. 9 Procédé selon la revendication 8, incluant l'étape de rapport de différences dans lesdits temps d'achèvement du traitement déterminées par ladite comparaison, dans lequel il y a au moins deux desdits détecteurs de contrôle, un temps d'achèvement du contrôle du traitement étant déterminé pour chacun desdits détecteurs de contrôle, dans lequel ladite étape de détection inclut l'orientation d'un faisceau de lumière monochromatique ( 18) vers une zone ( 13) del agert photorésistant qui est développé, et l'observation des figures d'interférence de la lumière réfléchie par la surface del'agentphotorésistar etpr la surface de la plaquette au-dessous de l'agent photorésistant. Appareil pour fabriquer des dispositifs semiconducteurs, comprenant: a) des moyens pour appliquer un revêtement (ll-)- d'agent photorésistant sur une face d'un substrat semiconducteur, et pour exposer ladite face à un rayonnement à travers un masque pour définir une impression; b) des moyens pour appliquer un révélateur sur ladite face pour développer ledit agent photorésistant c) une pluralité de détecteurs optiques de points limites, à des emplacements ( 25, 26, 27) espacés transversalement sur ladite face, pour détecter l'avan- cement du développement dudit agent photorésistant, un desdits détecteurs étant un détecteur de commande et au moins un desdits détecteurs étant un détecteur de contrôle; d) des moyens pour déterminer un temps d'achèvement de la commande du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de commande, et pour terminer ladite étape d'application du révélateur en se basant sur ledit temps d'achèvement; e) des moyens pour déterminer un temps d'achèvement du contrôle du traitement, à partir d'une sortie dudit détecteur de contrôle; et f) des moyens pour comparer ledit temps d'achèvement du contrôle du traitement et ledit temps d'achèvement de la commande du traitement. 11 Appareil selon la revendication 10, incluant des moyens pour rapporter des différences dans lesdits temps d'achèvement du traitement déterminées par ladite comparaison, dans lequel il y a au moins deux desdits détecteurs de contrôle, un temps d'achèvement du contrôle du traitement étant déterminé pour chacun desdits détecteurs de contrôle, dans lequel lesdits détecteurs incluent des moyens pour orienter un faisceau de lumière monochromatique ( 18) vers une zone ( 13) de l'agent photorésistant qui est développé, et des moyens pair observer des figures d'interférence de la lumière réflé- chie par la surface de l'agentphotorésistant et par la surface de la plaquette au-dessous de l'agent de photo- résistant.