Brevet FR2684239A1 — publié le 19930528

L'invention concerne un procédé pour fabriquer des guides d'onde optique à base de matériaux polymériques. Les fibres optiques sont utilisées non seulement pour la transmission de l'information, mais aussi pour traiter l'information au sens très large du terme C'est ainsi qu'en associant un guide d'ondes optiques à des circuits optiques intégrés, on peut réaliser des fonctions de modulation, de commutation, de multiplexage, de repolarisation, etc. Classiquement, les guides optiques à confinement latéral sont réalisés à la surface d'un monocristal de niobate de lithium, par dopage du cristal, généralement avec du titane introduit par diffusion thermique La région dopée voit son indice de réfraction augmenter et devient donc guidante pour la lumière dans une certaine gamme de longueurs d'onde. Les structures guidantes déjà utilisées sont notamment des structures du type: "photobleaching", o le principe est basé sur l'abaissement de l'indice de réfraction du polymère actif après insolation aux ultraviolets; "SPP", dans lesquelles un ruban métallique est déposé sur la couche active Les molécules actives situées dans le matériau sont orientées par l'application d'un champ électrique entre ce ruban et le substrat Sous la bande métallique l'indice extraordinaire est augmenté alors que l'indice ordinaire est diminué par effet Pockels La partie de la couche active située sous le ruban métallique devient ainsi un guide optique pour une onde TM (polarisé dans le plan de la couche); "Channel waveguides", dans lesquelles la lumière est confinée dans le polymère actif, au-dessus de la partie creusée de la couche tampon, par variation de l'indice effectif dans cette zone. Les structures décrites ci-dessus présentent toutes le même inconvénient: le confinement latéral est mauvais, car il est dû à de relativement faibles différences d'indice (de l'ordre de 5 x 103) La présente invention concerne une nouvelle technique de fabrication de guides d'onde optique, permettant des différences d'indice de réfraction très grandes de part et d'autre du guide ruban actif et améliorant le confinement latéral par réduction des pertes de lumière; la différence d'indice de réfraction ( 0,0 k 4 N diaphonie entre les voies. La présente invention concerne donc un procédé pour fabriquer un guide d'onde optique planaire, entièrement à base de matériaux polymé- riques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: le dépôt sur un substrat semi-conducteur d'une couche inférieure de polymère tampon de bas indice de réfraction, cette couche étant ensuite stabilisée et séchée, puis recuite à une température proche de la température de transition vitreuse dudit polymère; le dépôt d'un polymère actif, constituant les futurs rubans, sur la couche inférieure, suivi d'un recuit destiné à stabiliser ledit polymère actif sans en altérer ses propriétés; le dépôt d'une couche de nitrure de silicium (Si 3 N 4) le dépôt de résine photosensible, puis le transfert de la géométrie des rubans sur ladite résine par photolithographie; l'attaque sélective de la couche de nitrure de silicium par plasma CF 4, les rubans restant protégés par la résine photosensible; l'attaque sélective de la résine photosensible et du polymère actif, aux endroits o celui-ci n'est pas protégé par la couche de nitrure de silicium; l'attaque du polymère jusqu'à ce que la couche inférieure de polymère tampon soit mise à nue; l'attaque de la couche de nitrure de silicium protégeant les rubans de polymère actif; le dépôt d'une couche supérieure de polymère tampon de bas indice de réfraction sur la structure ainsi obtenue, cette couche étant ensuite recuite dans des conditions de température voisines de celles utilisées pour stabiliser le polymère actif. Le dépôt de la couche de nitrure de silicium est réalisé de préférence par la technique dite de plasma-sputtering Les autres dépôts sont de préférence effectués par la technique de spin-coating. La température de cuisson du polymère actif est de préférence supérieure à 505 C et d'une façon encore plus préférentielle voisine de 100 C. Dans un mode préféré selon l'invention, le substrat semi-conducteur est de l'arséniure de gallium (Ga As). En fonction de l'application souhaitée, les matériaux polymériques constituant le guide peuvent être des matériaux passifs ou bien des matériaux à propriétés électrooptiques Par exemple, le guide ruban peut être un matériau passif, sans propriétés électrostatiques tel que le polystyrène, lorsque l'on souhaite intégrer des composants optoélec- troniques, notamment pour la réalisation d'un guide optique, d'un polariseur ou d'un diviseur En revanche, lorsque l'on souhaite intégrer un matériau possédant des propriétés électrooptiques, le procédé selon l'invention comportera une étape supplémentaire consistant en l'orientation des molécules situées dans le guide ruban pour rendre le matériau électro- optique Dans ce cas, le guide ruban peut être un matériau possédant une non linéarité quadratique, tel que le polyméthylméthacrylate dopé avec des molécules à forte susceptibilité non linéaire, lorsqu'il s'agira d'un doubleur de fréquences, d'un modulateur, d'un commutateur, d'un complexe électro- optique, ou d'un amplificateur paramétrique; ou bien un matériau possédant une non linéarité cubique, lorsqu'il s'agira de modulateurs de Kerr, ou de porte optique; ou encore un matériau fluorescent, lorsqu'il s'agira de laser accordable. Dans le cas o le guide ruban est constitué d'un matériau possédant une non linéarité quadratique, tel que le polyméthylméthacrylate dopé, ce dernier peut être dopé par l'intermédiaire de molécules actives, telles que celles décrites ci-dessous o I o 1 S'/ "T'- 'r CH 2-_CH 2 _ O _C- CH 3 Il on N N III III C C i il S CH 2-CH 2-CH 2- CH 3 "CH 2-CH 2-CH 2-CH 3 H-N I 1 C O: g C=O CH 3 Les polymères tampons doivent être compatibles avec les différentes couches, et posséder un indice de réfraction plus faible que celui du polymère actif utilisé Selon l'une des caractéristiques de la présente invention, la différence d'indice de réfraction entre les deux couches de polymère tampon, inférieure et supérieure, est comprise entre 0,005 et 0,5 et de préférence comprise entre 0,01 et 0,4 Par exemple, le polymère tampon constituant la couche inférieure du guide peut être le Spin On Glass (SOG), qui possède un indice de réfraction de 1,4, et le polymère tampon constituant la couche supérieure du guide, le polyméthyl- méthacrylate pur, qui possède un indice de réfraction de 1,49. Le polymère actif, constituant des rubans du guide est choisi parmi les polymères constitués de molécules possédant un moment dipolaire élevé et une susceptibilité non linéaire de deuxième ordre Ces polymères peuvent être des polymères libres ou bien greffés. Dans un mode préféré de l'invention le polymère actif est le polyméthylméthacrylate dopé. Selon l'une des variantes de la présente invention, une électrode est ajoutée, soit sur toute la surface du polymère constituant la couche supérieure du guide, soit de manière sélective pour gagner en fréquence. Selon une autre variante, le guide ne possède pas d'électrode de commande sur sa couche supérieure et peut être utilisé comme guide passif pour guider la lumière. La présente invention prévoit également l'utilisation d'une structure guidante produite par le procédé décrit ci-dessus, dans laquelle le guide ruban est un matériau passif, ou bien un matériau possédant une non linéarité quadratique, ou bien un matériau possédant une non linéarité cubique ou encore un matériau fluorescent. Les exemples et figures ci-après sont destinés à mettre en lumière d'autres avantages et caractéristiques de la présente invention, sans pour autant en limiter la portée. Les figures 1 à 6 illustrent un exemple de mise en oeuvre particulier du procédé selon l'invention. Exemple 1: Exemple de mise en oeuvre particulier du procédé selon l'invention. Le procédé décrit ici, permettant d'obtenir des guides d'onde optique selon l'invention, met en oeuvre les techniques de spin coating, de photo- lithographie, et d'attaque ionique réactive, selon le processus suivant décomposé dans les figures numérotées de 1 à 6: Figure 1: on dépose sur un substrat semi-conducteur ( 1), tel que l'arséniure de Gallium, une couche de polymère ( 2) de bas indice, tel que du SOG, par spin coating Cette couche est ensuite stabilisée et séchée, puis recuite à haute température ( 4500 C pour le SOG) Du PPMA dopé, constituant le polymère actif ( 3) est déposé par spin coating sur la première couche, puis recuit à une température assez élevée pour stabiliser la couche en prenant soin de ne pas altérer les molécules actives. Dans cet exemple, la température est de 1000 C. Figure 2: une couche de nitrure de silicium (Si N 4) de 0,15 prm ( 4) est déposée par évaporation par la technique de plasma sputtering. Figure 3: une couche de résine photosensible ( 5) est déposée par spin coating La géométrie des rubans est ensuite transférée sur la résine par photolithographie. Figure 4: la couche de nitrure de silicium ( 4) est sélectivement attaquée par attaque plasma CF 4 * L'attaque s'arrête donc au niveau de la couche de polymère actif ( 3), et les rubans sont protégés par la résine photosensible. Figure 5: la couche du polymère actif est ensuite attaquée sélectivement par plasma 02 * Le polymère actif est donc attaqué aux emplacements ou celui-ci n'est pas protégé par la couche de nitrure de silicium La vitesse d'attaque du polymère étant connue ( 0,1 pm/mm), on arrête l'attaque dès que la couche inférieure est mise à nue. Figure 6: une dernière attaque plasma élimine la couche de nitrure de silicium protégeant les rubans de polymère actif Une couche de polymère de bas indice ( 6) est ensuite déposée par spin-coating sur la structure Cette couche est recuite à la même température que celle de la couche active. Exemple 2: Orientation des molécules Les molécules du polymère actif peuvent être orientées pour rendre le matériau électrooptique Cette orientation peut être effectuée par décharge corona, sous application d'un champ électrostatique élevé, de l'ordre de 100 V/pm, pendant trente minutes à une température proche de la température de transition vitreuse, puis le champ est maintenu alors que la couche est refroidie jusqu'à température ambiante. Exemple 3: Utilisation de la structure guidante dans un modulateur de phase. Une onde polarisée à 450 C est couplée dans le guide optique par l'intermédiaire d'un champ électrique appliqué aux bornes du matériau actif, puis le déphasage est modulé entre les polarisations TE et TM détectées à la sortie du guide après un polariseur croisé. Les pertes de propagation dans cette structure ont été évaluées de l'ordre de 1 à 2 d B/cm Le coefficient électrooptique du polymère utilisé est 7 pm/V ce qui conduit à une tension de 20 V pour une électrode active sur 1 cm La géométrie des électrodes de commande est le paramètre qui détermine la limitation en bande passante En améliorant les performances du matériau actif et en optimisant les différentes épaisseurs de couches, on peut tendre vers une tension de commande de l'ordre du volt. Pour le même type de matériaux, en changeant simplement le masque utilisé pour la photogravure, on peut réaliser des composants tels que des modulateurs intégrés, des jonctions X électrooptiques, des coupleurs directifs, etc. REVENDICATIONS I/ Procédé pour fabriquer un guide d'onde optique planaire, entièrement à base de matériaux polymériques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: le dépôt sur un substrat semi-conducteur d'une couche inférieure de polymère tampon de bas indice de réfraction, cette couche étant ensuite stabilisée et séchée, puis recuite à une température proche de la température de transition vitreuse dudit polymère; le dépôt d'un polymère actif, constituant les futurs rubans, sur la couche inférieure, suivi d'un recuit destiné à stabiliser ledit polymère actif sans en altérer ses propriétés; le dépôt d'une couche de nitrure de silicium (Si 3 N 4) le dépôt de résine photosensible, puis le transfert de la géométrie des rubans sur ladite résine par photolithographie; l'attaque sélective de la couche de nitrure de silicium par plasma CF 4, les rubans restant protégés par la résine photosensible; l'attaque sélective de la résine photosensible et du polymère actif, aux endroits o celui-ci n'est pas protégé par la couche de nitrure de silicium; l'attaque du polymère jusqu'à ce que la couche inférieure de polymère tampon soit mise à nue; l'attaque de la couche de nitrure de silicium protégeant les rubans de polymère actif; le dépôt d'une couche supérieure de polymère tampon de bas indice de réfraction sur la structure ainsi obtenue, cette couche étant ensuite recuite dans des conditions de température voisines de celles utilisées pour stabiliser le polymère actif; 2/ Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat semi-conducteur est l'arséniure de gallium (Ga As). 3/ Procédé selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que les matériaux polymériques ont des propriétés électrooptiques. 4/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que, pour rendre les matériaux électrooptiques, on oriente les molécules actives situées dans le guide ruban, notamment par décharge corona. / Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la décharge corona est appliquée pendant 30 minutes à une température proche de la température de transition vitreuse, puis maintenue alors que la couche est refroidie jusqu'à la température ambiante. 6/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la couche inférieure de polymère tampon est déposée par la technique dite de "spin-coating". 7/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les couches inférieure et supérieure de polymère tampon sont constituées d'un polymère d'indice de réfraction plus faible que celui du polymère actif. 8/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que la couche inférieure de polymère tampon est constituée de SOG (Spin On Glass). 9/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que le polymère actif est choisi parmi les polymères constitués de molécules possédant un moment dipolaire élevé et une susceptibilité non linéaire de deuxième ordre. / Procédé selon l'une des revendications 1 à 9, caractérisé en ce que le polymère actif est le polyméthylméthacrylate dopé. 11/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 10, caractérisé en ce que le polymère actif est déposé sur la première couche de polymère tampon par spin-coating. 12/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 11, caractérisé en ce que la couche de nitrure de silicium est ajoutée par la technique dite de plasma-sputtering, et possède une épaisseur de l'ordre de 0,15 Pm. 13/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 12, caractérisé en ce que la résine photosensible est ajoutée par spin-coating. 14/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la couche supérieure de polymère tampon est déposée par spin-coating. / Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que la couche supérieure de polymère tampon est constituée de polyméthyl- méthacrylate pur. 16/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 15, caractérisé en ce que les deux couches de polymère tampon, inférieure et supérieure, présentent une différence d'indice de réfraction comprise entre 0,005 et 0,5 et de préférence entre 0,01 et 0,4, et de manière encore préférentielle supérieure à 0,1. 17/ Procédé selon l'une des revendications 1 à 16, caractérisé en ce que une électrode métallique de commande est déposée sur la structure. 18/ Utilisation d'une structure guidante obtenue par le procédé selon l'une des revendications 1 à 17, dans laquelle le guide ruban est un matériau passif. 19/ Utilisation d'une structure guidante obtenue par le procédé selon l'une des revendications 1 à 17, dans laquelle le guide ruban est un matériau possédant une non linéarité quadratique. / Utilisation d'une structure guidante obtenue par le procédé selon l'une des revendications 1 à 17, dans laquelle le guide ruban est un matériau flurorescent.