Brevet FR2679227A1 — publié le 19930122

La présente invention concerne une composition céramique diélectrique non réductrice et, plus particulièrement, une composition utilisée comme matière diélectrique pour des condensateurs monolithiques utilisant un métal de base tel que le nickel comme matière pour les électrodes internes. Les matières céramiques diéletriques classiques ont la propriété d'être réduites pour être semi-conductrices lorsqu'elles sont cuites dans une atmosphère neutre ou à une faible pression partielle d'oxygène réducteur Par conséquent, en tant que matière pour électrode interne, on doit utiliser un métal noble tel que Pd ou Pt qui ne fond pas à la température de frittage de la matière céramique diélectrique et n'est pas oxydé avec les matières céramiques diélectriques, même si le frittage est effectué à cette pression partielle élevée de l'oxygène Cependant, l'utilisation d'un métal noble est un obstacle à la réduction des coûts de fabrication des condensateurs céramiques monolithiques. Ainsi, dans le but de résoudre le problème précédent, on a souhaité utiliser un métal de base tel que Ni comme matière pour les électrodes internes. Cependant, lors de l'utilisation d'un tel métal de base comme matière pour électrodes internes, celui-ci s'oxyde et ne fonctionne pas en électrode Par conséquent, dans le but d'utiliser un tel métal de base comme matière pour électrode interne, on a besoin d'une matière céramique diélectrique qui ne se réduit pas à l'état conducteur, même lorsqu'elle est cuite dans un gaz neutre ou gaz atmosphérique réducteur ayant une faible pression partielle de l'oxygène et présente une résistivité suffisante et des propriétés diélectriques supérieures comme matière diélectrique pour condensateur Comme matière céramique diélectrique qui remplit ces conditions, par exemple, on a proposé une composition à base de Ba Ti O 3-Ca Zr O 3-Mn O-Mg O qui est décrite dans la demande de brevet japonais publiée N O 62-256422 ( 1987), ou une composition à base de Ba Ti O 3- (Mg, Zn, Sr, Ca)O-B 203-Si O 2 qu'on décrit dans la demande de brevet japonais no 61-14611 ( 1986). Cependant, dans la composition décrite dans la demande de brevet japonais N O 62-256422 ( 1987), Ca Zr O 3, ou Ca Ti O 3 produit pendant le processus de cuisson est à même de fournir une phase secondaire avec Mn ou analogue, et ainsi, cela conduira au risque d'affecter la fiabilité de la composition dans une gamme de hautes températures. De plus, la composition décrite dans la publication du brevet japonais N O 61-14611 ( 1986) présente des constantes diélectriques de 2000 2800 et ces valeurs sont inférieures aux valeurs de 3000 3500 des constantes diélectriques des compositions céramiques classiques utilisant un métal noble tel que Pd Par conséquent, il est difficile de fabriquer des condensateurs céramiques avec une capacité élevée sans en augmentant le volume. En outre, le taux de variation de la constante diélectrique de cette composition pour un changement de la température tombe dans une plage de 10 % entre -250 C et + 850 C par rapport à la constante diélectrique à 200 C, mais le taux, pour une haute température supérieure à + 850 C, dépasse 10 % et s'écarte grandement de la caractéristique X 7 R spécifiée par l'Electronic Industries Association (EIA). En conséquence, la présente invention a pour objet de fournir une composition céramique diélectrique non réductrice qui est cuite sans être semi-conductrice, même dans une atmosphère à faible pression partielle de l'oxygène, et présente une constante diélectrique non inférieure à 3000 et une résistance d'isolement élevée, et satisfait en outre le fait qu'un taux du changement de la constante diélectrique en cas de variation de la température tombe dans la plage 15 %, par rapport à la constante diélectrique à 250 C, entre -550 C et + 1250 C. La présente invention est une composition 3 2679227 céramique diélectrique non réductrice qui est constituée de 100 moles % de constituants principaux contenant du Ba Ti O 3 comprenant moins de 0, 04 % en poids d'oxydes des métaux alcalins comme impuretés, au moins une sorte d'oxydes des métaux des terres rares (Re 203) choisi parmi Tb 203, Dy 203, H 0203 et Er 203 et Co 203 dans des rapports tels que Ba Ti O 3 comporte 92,0 99,4 moles 3, Re 203 0,3 4,0 moles %, et Co 203 0,3 4,0 moles %, et constituée en outre de constituants secondaires qui comprennent 0,2 4,0 moles % de Ba O, 0,2 3,0 moles % de Mn O, 0,5 5,0 moles % de Mg O. En outre, dans la composition céramique précédente, on peut incorporer 0,5-2,4 parties en poids d'un oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si O 2 à 100 parties en poids de la composition précédente. De plus, dans la première composition, 0,5 - 4,0 moles % de Ca Ti 03 peuvent incorporés comme constituant secondaire, et en outre, 0,5 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O- Sr O-Li 20-Si O 2 peuvent être incorporées à 100 parties en poids de la composition précédente. Dans la première composition, 0,5 3,5 moles % de Ca Zr O 3 peuvent incorporés comme constituant secondaire, et en outre, 0,5 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si 02 peuvent être incorporées à 100 parties en poids de la composition précédente. En outre, dans la première composition céramique, 0,2 3,0 moles % de Si 02 peuvent incorporés comme constituant secondaire. Dans la première composition céramique, 0,3 3,0 moles % d'au moins Ni O et A 1203 peuvent incorporés comme constituant secondaire. De plus, dans la première composition céramique, 0,3 3,0 moles % d'au moins Ni O et A 1203 peuvent incorporés comme constituant secondaire, 0,5 - 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O- 4 2679227 Li 2 O-Si O 2, peuvent être incorporées à 100 parties en poids de la composition précédente. Dans la seconde composition céramique réductrice, 0,2 4,0 moles % de Ca O peuvent remplacer 0,2 4,0 moles % de Ba O. En outre, dans la seconde composition céramique, 0,2 4,0 moles % de Sr O peuvent remplacer 0,2 4,0 moles % de Ba O. Lorsque la composition céramique de la présente invention est cuite dans une atmosphère neutre ou réductrice, les céramiques diélectriques obtenues ne sont pas réduites pour être semi-conductrices En outre, cette composition céramique diélectrique a une valeur élevée de la résistance d'isolement et une haute constante diélectrique non inférieure à 3000 et son taux de variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R de 1 'EIA. Par conséquent, lors de l'utilisation de cette composition céramique diélectrique non réductrice de la présente invention, comme matière diélectrique pour des condensateurs céramiques monolithiques, on peut utiliser un métal de base comme matière des électrodes internes, tel que Ni Ainsi, il est possible de réduire les coûts de fabrication des condensateurs céramiques monolithiques sans affecter leurs caractéristiques par rapport au cas classique o l'on utilise un métal noble pour les électrodes internes tel que Pd. La figure 1 est une courbe du taux de variation de la capacitance du mode de réalisation 3 lorsqu'il y a variation de l'intensité d'un champ électrique appliqué à courant continu. Mode de réalisation 1 Comme matières de départ, on prépare des sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes de métaux alcalins comme impuretés, Ba CO 3 pour la correction du rapport molaire entre Ba et Ti, des oxydes des métaux des terres rares, Co 203, Mn O et Mg O On pèse ces matières de façon à préparer un mélange pour obtenir 2679227 la composition indiquée dans le tableau 1 En outre, on utilise pour les échantillons No 1 23, du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes de métaux alcalins; pour l'échantillon No 24, du Ba Ti O 3 contenant 0, 05 % en poids d'oxydes de métaux alcalins, et pour l'échantillon No 25, du Ba Ti O 3 ayant 0,07 % en poids d'oxydes de métaux alcalins. On ajoute 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle à la matière mélangée qu'on a pesée, et on le mélange suffisamment à l'état humide dans un moulin à billes en utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour former un disque ayant un diamètre de 10 mm, et une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant pendant 3 heures à une température de 4000 C dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 2 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur ayant un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 afin d'obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque fritté obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure à la température ambiante la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg 5), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) On indique les résultats dans le tableau 2. De plus, on mesure à une température de 250 C, une fréquence de 1 K Hz et une tension alternative de 1 V, la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg 5) On mesure à 250 C, la valeur de la résistance d'isolement, en appliquant une tension à courant continu de 500 V pendant 2 minutes, et on 6 2679227 présente les résultats en valeurs logarithmiques (log RI) En ce qui concerne le taux de variation de la capacitance en fonction de la température (TVC), on détermine les taux de la variation de la capacitance à -550 C et 1250 C par rapport à la valeur de la capacitance à 250 C comme référence (AC-55/C 25, AC+ 125/C 25), et également la valeur absolue du maximum du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température entre -55 OC et + 1250 C par rapport à la capacitance à 250 C comme référence (l A C/C 251 max) - Comme on le voit dans le tableau 2, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même lorsqu'elle est cuite à une température comprise dans la gamme 1300 13600 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition donne une valeur élevée pour la résistance d'isolement, supérieure à 11,0 sous forme de log RI et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifié-e par 1 'EIA. Les raisons pour lesquelles on définit dans la présente invention les gammes des constituants principaux et des constituants secondaires sont les suivantes. Tout d'abord, on expliquera la raison de la définition des gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon No 4, la valeur de la résistance d'isolement et la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon N O 3, on perd l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de C 0203 et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de température élevée (à 7 2679227 proximité du point de Curie) est grandement décalée vers le côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons No 24 et No 25, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison de la définition des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N' 9, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 12, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 17, celui-ci n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti-réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon No 15, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans l'échantillon N O 18, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance au décalage de la courbe du taux vers le côté (-), plus particulièrement dans la gamme des basses températures, et cela n'a aussi aucun effet sur l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N O 23, la constante diélectrique et la valeur de la résistance d'isolement s'abaissent. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 2 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on peut obtenir approximativement les mêmes résultats en 8 2679227 employant des condensateurs monolithiques constitués de la même composition. Mode de réalisation 2 Comme matières de départ, on prépare des sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes de métaux alcalins comme impuretés, Ba CO 3 pour la correction du rapport molaire entre Ba et Ti, des oxydes des métaux des terres rares, Co 203, Mn O et Mg O et un oxyde de verre On pèse ces matières pour préparer un mélange pour obtenir la composition indiquée dans le tableau 3 En outre, pour les échantillons No 101 127, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0, 03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon N O 128, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 129, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes de métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on le mélange alors suffisamment dans un moulin à billes en utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour former un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant pendant 3 heures à 4000 C dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 4 et pendant 2 heures dans un écoulement d'un gaz atmosphérique réducteur ayant un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 afin d'obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque fritté obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on le cuit pour obtenir un condensateur céramique On mesure la constante diélectrique (>), la perte diélectrique (tg a), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) à la température ambiante et dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1. On indique les résultats dans le tableau 4. Comme on peut le voir dans le tableau 4, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même lors d'une cuisson à une température comprise dans la gamme 1260 13000 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 12,0 sous forme de log RI, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. Les raisons pour lesquelles on a défini les gammes des constituants principaux et des constituants secondaires qu'on indique ci-dessus sont les suivantes. Tout d'abord, on expliquera la raison de l'établissement des gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon No 104, la valeur de la résistance d'isolement et la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon No 103, on perd l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203, et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de température élevée (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers le côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons No 128 et N O 129, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison des gammes des constituants secondaires qu'on a définies ci- dessus. 2679227 Si la teneur en Bao est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 109, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon N'112, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 117, elle n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti-réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon N O 115, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons N O 122 et 123, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance au décalage de la courbe du taux vers un côté (-), en particulier dans une gamme des basses températures, et cela n'a aussi aucun effet sur l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N O 127, la valeur de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids comme dans l'échantillon No 121, les effets sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti-réduction sont perdus Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 119, cela a pour effet de diminuer la constante diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 4 sont des valeurs obtenues en employant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en utilisant des condensateurs céramiques qui sont constitués de la même composition. Mode de réalisation 3 Comme matières de départ, on prépare diverses sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes de métaux alcalins comme impuretés, Ba CO 3 pour la correction du rapport molaire entre Ba et Ti, des oxydes des métaux des terres rares, C 0203, Mn O, Mg O, Ca Ti O 3 et un oxyde de verre On pèse ces matières pour préparer un mélange afin d'obtenir la composition indiquée dans le tableau 5 En outre, pour les échantillons No 201 232, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon N O 233, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon no 234, du Ba Ti O 3 ayant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède à un équilibrage à l'état humide dans un moulin à billes utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour former un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. On enlève alors le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant à 4000 C pendant 3 heures dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 6 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg 8), la valeur de la résistance 12 2679227 d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) à la température ambiante dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1 En outre, on mesure la caractéristique de polarisation à courant continu de ce condensateur On indique les résultats dans le tableau 6. De plus, on exprime la caractéristique de la polarisation à courant continu par le taux de la variation de la capacitance électrostatique lorsqu'on applique une tension à courant continu de manière à former un champ électrique d'une intensité de 2,0 (k V/mm) en fonction de la capacitance électrostatique lorsqu'il n'y a application d'aucune tension. La figure 1 est une courbe du taux de la variation de la capacitance des modes de réalisation et des exemples de comparaison lorsqu'on fait varier l'intensité du champ électrique appliqué. Comme on peut le voir dans le tableau 6 de la figure 1, la composition céramique diélectrique non réductrice de la présente invention a une résistance élevée à la réduction même lorsqu'elle est cuite à une température comprise dans la gamme 1260 13000 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 12,0 sous forme de log RI, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA, et la composition présente aussi une caractéristique supérieure de polarisation à courant continu. On explique ci-après les raisons des gammes des constituants principaux et des constituants secondaires qu'on a définies ci-dessus pour la présente invention. 13 2679227 Tout d'abord, on expliquera la raison des gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon N' 204, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles %, l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la couche du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de température élevée (proche du point de Curie) se décale grandement vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons N' 233 et N O 234, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 209, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon N O 212, l'aptitude au frittage diminue. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 217, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon N O 215, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons No 222 et No 223, la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température a tendance à passer par un pic et à se décaler vers un côté (-) dans une gamme de faibles températures et vers un côté (+) dans une gamme de hautes températures (proche du point de Curie), et l'effet de l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N' 227, les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en Ca Ti O 3 est inférieure à 0,5 mole % comme dans l'échantillon N O 232, l'effet de l'amélioration de la caractéristique de polarisation à courant continu est perdu et la dépendance vis-à- vis de la tension appliquée du condensateur électrostatique devient importante Si la teneur en Ca Ti O 3 dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon N O 230, le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de températures élevées a tendance à se décaler vers un côté (-) et la constante diélectrique s'abaisse. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 221, les effet sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti-réduction sont perdus Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 219, il y a diminution de la constante diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 6 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont constitués de la même composition. Mode de réalisation 4 Comme matières de départ, on prépare quelques sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes des métaux alcalins comme impuretés, des oxydes des métaux des terres rares, Ba CC 3, Mn O, Mg O, Ca Zr O 3, et de l'oxyde de verre On pèse ces matières de manière à préparer un mélange ayant la composition indiquée dans le tableau 7 En outre, pour les échantillons N O 301 à 332, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0,03 %; pour l'échantillon No 333, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 334, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On mélange les matières pesées ainsi obtenues avec un milieu de dispersion dans un moulin à billes utilisant des billes PSZ pour faire une bouillie. Alors on ajoute un liant organique et un plastifiant à la bouillie et on agite suffisamment le tout et les transforme en feuilles par le procédé à lame docteur pour obtenir une feuille verte de céramique. Alors, sur une face de la feuille verte ainsi obtenue, on imprime une pâteconductrice pour former des électrodes internes et on la sèche, et on lamine alors une multitude de feuilles vertes et les comprime dans le sens de l'épaisseur pour obtenir un corps empilé On élimine le liant du corps empilé en le maintenant à 320 'C pendant 5 heures et ensuite on cuit le corps à la température indiquée dans le tableau 8 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur ayant un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un corps en céramique frittée. On applique au corps en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on cuit pour obtenir un condensateur céramique On mesure la constante diélectrique (E), la perte diélectrique (tg 8), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) à la température ambiante et dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1. En outre, on mesure le temps moyen jusqu'à la défaillance du condensateur (TMD) On indique les résultats dans le tableau 8. De plus, on calcule la valeur de TMD en prenant un nombre d'échantillons N = 18, et en appliquant une intensité du champ électrique de 10,0 k V/mm aux échantillons à une température ambiante de 1500 C et en comptant le temps jusqu'au claquage diélectrique. Comme on peut le voir dans le tableau 8, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même lorsqu'on la cuit à une température comprise dans la gamme 1260 13000 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur De plus, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur de 4000 ou plus pour le produit de la valeur de la résistance d'isolement et de la valeur de la capacitance électrostatique (produit RC) et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA, et la valeur TMD est de 500 heures ou plus lorsqu'on applique une intensité du champ électrique de ,0 KV/mm avec une super-accélération à une température ambiante de 150 C. On explique ci-dessous la raison de la valeur des gammes pour les constituants principaux et les constituants secondaires qu'on a définies précédemment. Tout d'abord, on expliquera la raison des gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon N O 304, les valeurs de la résistance d'isolement et la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon No 303, on perd l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de température élevée (proche du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+) - Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons No 333 et N O 334, il y a abaissement de la constante diélectrique. On expliquera maintenant la raison des gammes pour les constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 309, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 312, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 317, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon N O 315, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons N O 322 et 323, la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température a tendance à présenter un seul pic et à se décaler vers un côté (-) dans une gamme de basses températures et vers un côté (+) dans une gamme de hautes températures (à proximité du point de Curie), et l'effet de l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N O 326 les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en Ca Zr O 3 est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons N O 331 et N O 332, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de la valeur TMD Si la teneur en Ca Zr O 3 dépasse 3,5 moles % comme dans l'échantillon N O 329, le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans la gamme des hautes températures (à proximité du point de Curie) a tendance à se décaler vers un côté (-) et la constante diélectrique s'abaisse. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 321, les effets sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti-réduction sont perdus Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 319, cela diminue la constante diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 8 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont fabriqués avec la même composition. Mode de réalisation 5 Comme matières de départ, on prépare quelques sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes de métaux alcalins comme impuretés, Ba CO 3 pour la correction du rapport molaire entre Ba et Ti, des oxydes des métaux des terres rares, Co 203, Mn O, Si O 2, Mg O On pèse ces matières pour préparer un mélange ayant la composition indiquée dans le tableau 9 En outre, pour les échantillons N O 401 429, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon no 430, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon No 431, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède à un mélange suffisant à l'état humide dans un moulin à billes utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour former un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm d'épaisseur sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant pendant 3 heures à 400 c C dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 10 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure à la température ambiante la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg 8), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) On indique les résultats dans le tableau 10. Comme on peut le voir dans le tableau 10, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même en cas de cuisson à une température comprise dans la gamme 1260 13000 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 11,0 sous forme de log RI, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. On explique ci-après la raison des gammes des constituants principaux et des constituants secondaires qu'on a définies précédemment. Tout d'abord, on expliquera la raison des gammes concernant les constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon No 404, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon No 403, l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de hautes températures (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 mole % comme dans les échantillons No 430 et N O 431, la constante diélectrique s'abaisse. Ensuite, on expliquera la raison des gammes relatives aux constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 409, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 412, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 417, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti-réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon No 415, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Si O 2 est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 423, cela n'a aucun effet sur l'abaissement de la température de frittage. Si la teneur en Si O 2 dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon No 420, la constante diélectrique s'abaisse. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans l'échantillon N O 424, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la 21 2679227 variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance au décalage de la courbe du taux vers un côté (-), en particulier dans la gamme des basses températures, et cela n'a aussi aucun effet sur l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N' 429, les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 10 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont constitués de la même composition. Mode de réalisation 6 Comme matières de départ, on prépare certaines sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes des métaux alcalins comme impuretés, des oxydes des métaux des terres rares, Co 203, Mn O, Ni O, A 1203 et Mg O On pèse ces matières pour préparer un mélange ayant la composition indiquée dans le tableau 11 En outre, pour les échantillons No 501 529, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon No 530, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 531, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède à un mélange suffisant à l'état mouillé dans un moulin à billes en utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour former un disque ayant un diamètre de 10 mm et une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant à 4000 C pendant 3 heures dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 12 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure à la température ambiante, dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1, la constante diélectrique (E), la perte diélectrique (tg a), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) On indique les résultats dans le tableau 12. Comme on peut le voir dans le tableau 12, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même en cas de cuisson à une température comprise dans la gamme 1300 136 00 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 11,0 sous forme de log RI, à la température ambiante, et une petite diminution à la température élevée, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. La raison pour laquelle les gammes des constituants principaux et des constituants secondaires sont définies comme on l'a indiqué ci- dessus dans la présente invention est la suivante. Tout d'abord, on expliquera la raison de la définition des gammes des constituants principaux. 23 2679227 Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon No 504, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon N' 503, l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de températures élevées (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons N O 530 et N O 531, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 509, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon N O 512, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 517, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 2,0 moles % comme dans l'échantillon No 515, la valeur de la résistance d'isolement, en particulier, la valeur dans la gamme des hautes températures, diminue. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons N O 524 et No 525, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance du décalage de la courbe vers le côté (-), en particulier dans la gamme 24 2679227 des basses températures et l'effet d'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon N' 529, les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en Ni O ou A 1203 est inférieure à 0,3 mole % comme dans l'échantillon N O 518, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et diminue la valeur de la résistance d'isolement et n'a aucun effet sur l'amélioration de la valeur RI à haute température Si la teneur en Ni O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon 521, cela diminue la valeur de la résistance d'isolement comme le fait Mn O Si la teneur en A 1203 dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon No 522, cela diminue l'aptitude au frittage et la constante diélectrique, et augmente la perte diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 12 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont fabriqués avec la même composition. Mode de réalisation 7 Comme matières de départ, on prépare certaines sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes des métaux alcalins comme impuretés, des oxydes des métaux des terres rares, Co 203, Mn O, Ni O, A 1203, Mg O et de l'oxyde de verre On pèse ces matières pour préparer un mélange ayant la composition indiquée dans le tableau 13 En outre, pour les échantillons No 601 632, on utilise du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon N O 633, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 634, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. 2679227 On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède à un mélange suffisant à l'état humide dans un moulin à billes en utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour obtenir un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant à 4000 C pendant 3 heures dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 14 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure à la température ambiante et dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1, la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg ), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) On indique les résultats dans le tableau 14. Comme on peut le voir dans le tableau 14, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même en cas de cuisson à une température comprise dans la gamme 1230 1280 'C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue à partir de cette composition diélectrique non réductrice présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 12,0 sous forme de log RI, à la température ambiante, et une petite réduction à une température élevée, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son 26 2679227 taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. Les raisons pour lesquelles les gammes des constituants principaux et des constituants secondaires sont définies comme on l'a indiqué ci-dessus dans la présente invention sont les suivantes. * Tout d'abord, on expliquera la raison de la définition des gammes concernant les constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon N' 604, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon No 603, l'effet de l'addition de l'oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de haute température (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons No 633 et N' 634, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Ba O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 609, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ba O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 612, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 617, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement 27 2679227 s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 2,0 moles % comme dans l'échantillon N' 615, la valeur de la résistance d'isolement, en particulier, cette valeur dans la gamme des hautes températures, diminue. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons No 627 et No 628, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance au décalage de la courbe vers un côté (-), plus spécialement dans une gamme de basses températures, et l'effet de l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon No 632, la résistance d'isolement s'abaisse. Si la teneur en Ni O ou A 1203 est inférieure à 0,3 mole % comme dans l'échantillon N O 618, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'antiréduction de la composition et diminue la valeur de la résistance d'isolement et n'a aucun effet sur l'amélioration de la valeur RI à haute température Si la teneur en Ni O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon 621, cela diminue la valeur de la résistance d'isolement comme le fait Mn O Si la teneur en A 1203 dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon No 622, cela diminue l'aptitude au frittage, et la constante diélectrique, et augmente la perte diélectrique. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids comme dans l'échantillon No 626, l'effet sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti- réduction est perdu Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O- Li 2 O-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 624, il y a diminution de la constante diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 14 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on 28 2679227 peut obtenir approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont constitués de la même composition. Mode de réalisation 8 Comme matières de départ, on prépare quelques sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes des métaux alcalins comme impuretés, Ca CO 3 pour la correction des rapports molaires entre Ba et Ti, des oxydes de métaux des terres rares, Co 203, Mn O, Mg O et de l'oxyde de verre On pèse ces matières pour préparer un mélange et obtenir la composition indiquée dans le tableau 15 En outre, on utilise pour les échantillons No 701 727, du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon N O 728, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 727, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède à un mélange suffisant à l'état humide dans un moulin à billes en utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour obtenir un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant à 4000 C pendant 3 heures dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 16 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 afin d'obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur céramique On mesure la constante diélectrique ( 8-), la perte diélectrique (tg 6), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance avec la température (TVC) à la température ambiante et dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1 On indique les résultats dans le tableau 16. Comme on peut le voir dans le tableau 16, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même en cas de cuisson à une température comprise dans la gamme 1260 1300 C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur En outre, la céramique obtenue avec cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 12,0 sous forme de log RI, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et son taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. On indique ci-dessous les raisons des gammes des constituants principaux et des constituants secondaires qu'on a définies ci-dessus. Tout d'abord, on expliquera la raison des gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon No 704, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon No 703, l'effet de l'addition d'un oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de températures élevées (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons No 728 et N O 729, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant les raison des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Ca O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 729, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Ca O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 712, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 717, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon N' 715, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons No 722 et No 723, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance au décalage de la courbe vers un côté (-), en particulier dans la gamme de basses températures, et l'effet sur l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon No 727, les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids con-ne dans l'échantillon No 721, les effets sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti-réduction sont perdus Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids comme dans l'échantillon No 719, il y a diminution de la constante diélectrique. De plus, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 16 sont des valeurs obtenues 31 2679227 en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont constitués de la même composition. Mode de réalisation 9 Comme matières de départ, on prépare certaines sortes de Ba Ti O 3 ayant des teneurs différentes en oxydes des métaux alcalins comme impuretés, Sr CO 3 pour la correction du rapport molaire entre Ba et Ti, des oxydes de métaux des terres rares, Co 203, Mn O, Mg O et de l'oxyde de verre On pèse ces matières pour préparer un mélange et obtenir la composition indiquée dans le tableau 17 En outre, on utilise pour les échantillons N O 801 827, du Ba Ti O 3 contenant 0,03 % en poids d'oxydes des métaux alcalins; pour l'échantillon No 828, du Ba Ti O 3 contenant 0,05 % en poids d'oxydes des métaux alcalins, et pour l'échantillon N O 829, du Ba Ti O 3 contenant 0,07 % en poids d'oxydes des métaux alcalins. On ajoute à la matière pesée, mélangée, 5 % en poids d'un liant en acétate de vinyle, et on procède alors à un mélange suffisant à l'état humide dans un moulin à billes utilisant des billes PSZ Après évaporation du milieu de dispersion et séchage du mélange, on obtient une poudre par un procédé de granulométrie On tasse la poudre ainsi obtenue pour obtenir un disque d'un diamètre de 10 mm et d'une épaisseur de 1 mm sous une pression de 2 tonnes/cm 2. Alors, on enlève le liant du disque ainsi obtenu en le maintenant à 4000 C pendant 3 heures dans l'air, et ensuite on cuit le disque à la température indiquée dans le tableau 18 pendant 2 heures dans un écoulement de gaz atmosphérique réducteur avec un rapport volumique H 2/N 2 de 3/100 pour obtenir un disque en céramique frittée. On applique au disque en céramique frittée obtenu une pâte d'argent sur les côtés opposés et on procède à une cuisson pour obtenir un condensateur 32 2679227 céramique On mesure la constante diélectrique (ú), la perte diélectrique (tg 5), la valeur de la résistance d'isolement (log RI), et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température (TVC) à la température ambiante et dans les mêmes conditions que dans le mode de réalisation 1 On indique les résultats dans le tableau 18. Comme on peut le voir dans le tableau 18, une composition céramique diélectrique non réductrice selon la présente invention présente une résistance élevée à la réduction même en cas de cuisson à une température comprise dans la gamme 1260 1300 'C dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur De plus, la céramique obtenue à partir de cette composition présente une valeur élevée de la résistance d'isolement, supérieure à 12,0 sous forme de log RI, et une constante diélectrique élevée, supérieure à 3000, et le taux de la variation de la capacitance en fonction de la température satisfait la caractéristique X 7 R spécifiée par 1 'EIA. La raison pour laquelle les gammes des constituants principaux et des constituants secondaires sont définies comme on l'a indiqué ci- dessus dans la présente invention est la suivante. Tout d'abord, on expliquera la raison concernant les gammes des constituants principaux. Si la teneur du constituant principal Ba Ti O 3 est inférieure à 92,0 moles % comme dans l'échantillon N O 804, les valeurs de la résistance d'isolement et de la constante diélectrique s'abaissent Si la teneur en Ba Ti O 3 dépasse 99,4 moles % comme dans l'échantillon N O 803, l'effet de l'addition d'un oxyde des métaux des terres rares et de Co 203 est perdu, et la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température dans une gamme de hautes températures (à proximité du point de Curie) est grandement décalée vers un côté (+). Si la teneur en oxydes des métaux alcalins dans Ba Ti O 3 dépasse 0,04 % en poids comme dans les échantillons N' 828 et N' 829, la constante diélectrique s'abaisse. On expliquera maintenant la raison des gammes des constituants secondaires. Si la teneur en Sr O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon No 809, la composition est réduite pendant la cuisson dans un gaz atmosphérique neutre ou réducteur, et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Sr O dépasse 4,0 moles % comme dans l'échantillon No 812, l'aptitude au frittage s'abaisse. Si la teneur en Mn O est inférieure à 0,2 mole % comme dans l'échantillon N O 817, cela n'a aucun effet sur l'amélioration de l'anti- réduction de la composition et la valeur de la résistance d'isolement s'abaisse Si la teneur en Mn O dépasse 3,0 moles % comme dans l'échantillon N O 815, il y a diminution de la valeur de la résistance d'isolement. Si la teneur en Mg O est inférieure à 0,5 mole % comme dans les échantillons N O 822 et No 823, cela n'a aucun effet sur l'aplatissement de la courbe du taux de la variation de la capacitance en fonction de la température, et provoque une tendance vers un décalage vers un côté (-), en particulier dans la gamme des basses températures, et l'effet de l'amélioration de la valeur de la résistance d'isolement est perdu Si la teneur en Mg O dépasse 5,0 moles % comme dans l'échantillon No 827, les valeurs de la constante diélectrique et de la résistance d'isolement s'abaissent. Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 est inférieure à 0,5 % en poids comme dans l'échantillon N O 821, les effets sur l'abaissement de la température de frittage et l'amélioration de l'anti-réduction sont perdus Si la teneur en oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 dépasse 2,5 % en poids 34 2679227 comme dans l'échantillon N O 819, cela abaisse la constante diélectrique. En outre, les valeurs caractéristiques indiquées dans le tableau 16 sont des valeurs obtenues en utilisant des condensateurs du type disque, mais on obtient approximativement les mêmes résultats en employant des condensateurs monolithiques qui sont constitués de la même composition. TABLEAU 1 * hors du domaine de l'invention ECHAN_ Ba TIO, Rea O, Ca 20 S Ba O Mno o O TILL moles (les (moles (m oles (moles No %) (moles %)%)l)Ole 1 970 Dy=C 15 1,5 1,5,10 41,0 2 99, O DYZO 3 0,5 0,5 1,5 1,0 1,0 3 * 9956 D Yz 203 0,20,2 1,5 1,0 1,0 4 * 90, DY 203 5,0 5 s, 0 1,5 1,0 170 9,0 DY 201 3,904,0 1,5 1,o 1,0 6 97 ' 5Hoz 03 1,5 1,0 2,0 140 2 O 7 955 Ho ZO 3 1,52 O Of 5 1,5 20 8 6,5 Ho-ZOS 1,5 O O o 3 1,5 o 20 9 * 1 96,5 IO 2 Q 3 1,52,0 0,1 1,5 t 270 o 10,5 E 00 z 3 1,520 3,0 45 2,0 11 96 5 Ho 20 a 1,5 2,0 4,0 1,5 2,0 12 * IL,5 Ho 203 1,5 2,0 5,0 1,5 2,0 13 97 5 Tb 203 i 1,015 15 5 30 14 95, Tb 2 C 3 O 45 45 30 O 1 *j i 97,5Tb 2 o1, O lt 5 1, 3 5 3,0 16 97,5 Tbz O,3 10 5 45 0,3 3, O 17 * 97 t 5Tb 20 a 1,0 115 5 0,1 3,0 18 * 96,0 Er 203 1,5 25 1,5 1,0 O i 4 19 96 O Er-03 1 5 5 15 1,0 0, 6 96,0 Era O 1,5 5 15 1 Q O 3 t O 21 96,0 Erzûa 1,5 25 15 Ir O 4, O 22 96,0 Er:03 1, 5 S 5 I i O 5,0 23 * 96,0 Erz Os 1,5 5 15 1,0 6, O 24 * 960 Dn Yo S 15 2 5 1 5 1 O 1 O * 96,0 Dy ZG 3 15 % 5 1,0 % O TABLEAU 2 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIELEC TVC RESISTANCE i TILLO 11DI SN DIELECTRI TRIQUE D'ISOLENT DE CUISSON Q + 125 C Cóu og |(t) Q E E tg 6 C log RI 1 i 1340 3110 6 i -a,7 + 5 9,7 148 2 l m 340 3360 c 1,7 -9 % 1 -0,3 9,1 147 3 * 1360 52 o 1, 6 -148 + 1 ie 63577 11,6 4 * 1300 2910 I 17 -8,2 -177 8,2 104 1300 3280 19 -2 + 3, 6 9 2 11,6 6 1340 3330 17 -9 % 2 -078 9,2 1 1,5 7 12 3190 1,8 -10, 9 + 274 109 1146 8 1340 3220 1,8 -9,8 + 2 % 8978 1177 9 * non mesurable car semi-conducteur 1340 30 1 i 9 -1 o 7 -3,2 10, 7 11,6 il 1360 3060 18 -n 4 3, -9 1, i 11 i 5 l 12 * non mesurable car pas suffisamment fritté à 1360 C 13 1340 3180 I 1,8 -5 7 + 7,9 9,8 11 > 7 14 1 M 340 | i O | I 7 -774 + 1 8,1 11 6 * 1320 3030 176 -374 86 86 97 16 1340 3160 117 -773 + 0,3 7,3 1 11; 7 T* 340 2940 o 96 -97 -3 y 6 9 % 7 18 1340 3130 L 7 -15 i 8-3,6 1 i 58 10,4 19 1340 3220 17 -9 1 -4,8 9,1 i 11 J 6 1360 3190 1,9 -4751 -9,7 9,7 1145 21 1340 3080 47 -6781 + 4,8,8 11,4 22 1320 3010 1,6 -776 1 + 18 716 1142 23 * 1300 i 2820 176 -72 3,6 72 10,3 24 * 1340 2620 1,6 718 3473,3 7,8 1 i,5 * 1 1340 2460 115 -82 + 3,710,8 114 l% 2 TABLEAU 3 * hors du domaine de l'invention ECHAN M a YDE DE VER- TILLON Ba TIO 3 Re 203 CG O z Ba O RE No (% en boids) I (moles (moles %) (moles (moles (moles (moles oids) t%) %) %)) %) sans additif 101 97,0 Dj:Q 3 1 5 5 I 70 1, O 170 102 99,0 DY:03 0,5 0,5 1,5 170 1,0 170 * 599,6 DY 03 012 042 1,5 1,0 10 40 104 * 90,0 Dy:03 510 50 1,5 10 10O 1,40 93 0 Dyz O a 3,0 40 115 1,0 1,0 1,0 106 97, H o Os 3 1, 51,0 20 1 y O 210 1,0 107 967,5 4 z 3 175 ' O o 0, 5 1,5 O j 170 108 96,5 Hez 03 1,5 2,0 03 1,5 2, 0 y 10 * 96,5 Ho O Oa 1,5 20 0,1 1,5 2,0 401 1 9675 {Zo 03 1,5 2,0 3,0 1,5 % O 110 1 l I 96,5 Hoz O S 175 2,0 40 1,7 5 2,o O O 112 * 9675 |Ho 03 45 2,0,0 1 15 2,0 1, O 113 97,5 T 203 170 15 145 25 3,0 1,0 114 9715 Tbz O 140 1,5 1,5 30 3 /0 I 10 * 9 7 t 5Tb 2 03 1,0 1,5 1,5 3,5 3,0 10 116 S 97,5 T 40 is 1,5 1,5 0,3 310 1,0 117 * 97, 5 Tb 03 170 1,5 1,5 O 1 3,0 1,0 118 96, 5 Er O a,C 145 1,5 1,5 240 20 119 * 96,5 Eraa 2,0 1,5 1/5 175 2,0 30 96,5 Er;, 3 O 1,5 1,5 15 20 0,5 121 * 96,5 Er:Os 2,0 1,5 1,5 1,5 2,0 0,3 122 * 96,0 ' DY O i 15 2; 5 145 1,0 0,2 1 O 123 * 96,0 D Yz O45 275 1,5 140 07 410 124 96,0 Dyzs 1,5 25 1,5 170 3 | O 1,0 I 960 cyz Os1,5 25 1,5 1,0 40 1,0 126 96 r O D Yz O 3 1, 52,5 15 170 5,0 1 O 127 * 96,0 Dy 2, I,5 27 5 1 5 1,0 6,0 1,0 128 * 96 O DDY O O1,5 2,5 175 I 1 O 110 1,0 129 * 96,0 DY 2034,5 2,5 lt 5 | 1,0 11,0 O 1,0 i 1, 0 o 4 I 1 8 'OiL+ O i LL 9 I I s Z 1 i6 zi S Zli 8 '6 ú 8 ZL 91 l 091 j 8 ZI L'I 1 ZI 'I 9 Y '8 i L'1 098 l O |I *Lui z |%I9 81 9 '8 9 '1 Olg O | 1 99 V 81 | ' 84 7 A L''I ooîs Dol | S'T z 6 E)6 88 '1 " 1 Ol 01 O z L 9 II 8 I'I9 8 'i gel 06 18 08 g 1*u I s 1 8 j 938491 91 O ci 1 08 Z 1 zzi 9 * 11 9 '8|/Lq LS L+ 1 GOLI O C i 1 * 111 S'21 8 '6 Ss 9 S 6 ' el 8 Ozi O u 1 l Z 1I 8 z 18 '8 +} 84 L 8 Z 09 Z 1j * 611 9 'z I IS j t 6 _ 9 '1 060 0981 I si 9;zI 9 '/I Ef 899 a I U Ig OZI * 1 l 921 9 'L| úX O3 S_L 9 'I OLI 8 ol IOIT S Ul Z 6 6 +f I'E L'1 On 09 zl*SII l PIS L 2 v Vsi1 e L L'1 oo Eî j 7 rî 9 j I i 6 si j8 '9 L1 0918 O DEI 8 I Do O 9 ú 1 e a o U Iuam Ims;pgns sed 'e D Balq U Insem UON:* 11 S'Z 1 8 ' 11 9 ú 891 I | Bl | 8 | 01 j O II anaq Dnpuo D-Tma"S 1 'D al Tqensam uo N 601 L 9 t I| 9 'Co I j'9 D 018 'T | L 18 m | 1I 801 jz I 2 | 811 I 8 11 +8 'II L'1 09 T 8 09 |I LOI L'ul 8 '6 c 8 '8 U 9 | 1 06,R 091 Lil y 6 M+l O | 0981 SOI L'1 I 8 '8910 8 % Lm I | 001 *| I 9 1 9 'Sú981I 9 l 9 'I mi 9 0081l* 80 I 9 XZ 9 A 8 IúL Og o 61g Osî zoj O 1 i Z/61 '9 + "Il Z/018| Z 1 i IOI Az N 5 H_ q O (RDO Q 54afnÈNOSS Ifl Daa NOIIT DNTSISM| (%) DAL I( DI INJISNOD t| r Taa Ns It - NVH Zta UO Tq Ue AUTI ap u T 2 miop np saoq * 8 ú il ln VEUS TABLEAU 5 * hors du domaine de l'invention ECEAN OXYDE DE VER Bs Ti 03 Re 203 Co O,3 Ba O O MEl Ca Ti O h TILLONI (moles %) ( npis No (moles (moles (moles(moles (moles (moles (% en poids) %) %) %) %) %) %) sans additif 201 97,0 DY 2 z1,5 15 5 1,5 1, ,o 1,0 1,0 202 j 99 O D Ya Oa 015 015 175 O 1 l O10 1,0 203 * 99,6 DY 20 Q012 0/ 2 175 40 1 1,0 1 t O 204 * 70 Dy 203, 5 o O50 1,5 f O lfo lr O | 70 205 9,0 DYZ Os 370 40 1,5 40 140 150 170 97,5 Ho G 203 15 J O 40 1 O 2 10 o 1, O 207 9,5 Ho 203 175 | 20 075 145 20 1,0 208 I 9,5 Ho 20 o1; 52 o O 053 1,5 120 1,o 1,O 209 * % 5 Hz O o)175 20 ol,5 2, 0 % O, 1,0 210 965 t Hoz O 3 175 2,0 a O 15 20 1 f O 1, O 211 j D Hffo O115 20 % O % 5 2,o 1,o 1, 0 2 L, | 55 o 03 1,5 %o 5,o Ito % O 213 97 5 ' Tbz 0310 1, 5 15 25 30 2,0 140 214 75 b O os 17,01, 5 175 30 3,0 2,0 10 215 * 07, 5 Thb O L O 1,5 115 3 % 5;o 20 o 1,0 216 97; 5 lo Tb 2 a 1,O1,5 175 O > 3 37 o 2 O 4,0 217 * 975 Tb 20 AL,0 1,5 1 5 41 30 20 1,0 218 e 6,5 Tbo O a 20 I/ 5 1,5 i 5 2,0 2,0 2,0 219 * 66 I Tb 203 201 O1, 5 1,5 1,5 2,0 2,0 30 -96 a 5Tb 203 270 175 1 > 5 IJ 5 I 5,O 2,0 O,5 2; 1 *96,5 Tb 203 % 0 1, 5 1,5 1,5 2,0 2,0 O,3 222 * j 90 Er O zs 175 2, 5 1,5 1 O 0,2 3,0 15 223 * /o OEr 20, 1,5 2,5 S 1,0 O,4 3 O 1,5 2214 960 Erz Qs 15 5 1,5 1 % O 30 3 145 2 9670 Er 2 Oa 1,5 2 '5 1,5 1, O O 30 1,5 226 9 C U OEr 2 03 1,5 l5 115 1 O 5,0 350 1,5 227 * 96 &f OEr 2 O: 1152 y | 5 1,0 6,0 30 I 5 228 5 | Dy 203 175115 | 5 | 10 1 5 | 3 1 |DY 2031 175 |1,5 |I 5 | 170 | 1,5 4 O 1 | 5 230 * ' DY, l 5 1,5 1,5 170 15 50 | f 9 70 I> 5 a,0 J 75 231 9701 DY 203 1751 15 Ir 10 | J 5 | O 5 L, 232 * 9, 770DY 203 75 115 15 10 L,5,3 1; 5 233 * 97,0 Dyz 20I 5 l,5 175 170 a 1 1, i 5 234 * g 7, D Yo 03 15 1,5 175 10 175 1 110 o 15 TABLEAU 6 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIELEC RESISTANCECARACTERISTI- TILLON DE CUISSON DILCECTLRITRIúUE TVC (%) D'ISOLTIMENQUES DE POI Na I- No SATION CNC) tg 6 55 + 1 i 25 l CClog R 201 1280 3210 1,7 -96 + 1,5 9,6 t 12,6 -11,0 202 1280 60 1 f 8 -79 -1 J 1 779 l 12,5 -1 y 8 203 * 1 00 3310 14 -126 + 26,5 428 12 i 5 -12,3 204 * 1300 2780 1,8 -8,6 -173 6 1174 -121 205 1 20 2 o 90 1,7 -911 l l,9 9,1 I 27 -1116 206 1260 32 M O 1, -6 -073 9,6 I 126 -1114 207 1260 3230 18 -10,9 + 1,4 10 9 12 5 -122 208 1280 3290 17 -1013 t 2,8 10 13 12, 5 -12 /5 209 * Non mesurable car semi-conducteur 210 1300 320 9 -10 19 -4381 10 j 9 1 2,3 -12,6. 211 13 m 3160 2, 2 1 -1, 12, 1 -11, 9 212 * m -n mqilr;hl= p -r naq suffisamment fritté à 1360 C 213 1260 3100 1 |8 -67,3 + 4 4 971 I 25 -U 6 214 1260 3150 1,8 -671 + 4,71 8,8 1272 1- 215 * 1260 li 9 -2 52 9 2 1076 -% 8 216 1280 3120 17 -91 % 3 9 916 -12 217 * 1280 3010 6,9 -I 4 42 1864 9,8 9 218 1260 3110 1,8 9,4 +l,3 974 124,5 -I 0,4 219 * 1260 2830 J 1 i 9 -7,6 073 7,,6 12 j 2 -10 fi 3 220 1280 3170 17 -9, 7 -6 _,5 10,3 124 -1010 221 * 130 3040 2; O -816 -7,2 86 11,3 -9,8 i 222 * 1280 310 1,6 -173 + 6,9 26 ? 8 1116 -718 2 * 1280 3090 1 7 -1 t 54 4,8 2913 11 /7 -81 224 1300 o 3110 1 ? 6 -4,2 -9,4 9 % 4 12,6 -7,9 225 1 o 280 831307 -78 + 36 7 1, 1 - 1 226 1 i 280) 3030 j 118 -71 +? 2 e 8 f& 83 121,3 -777 22 T* 1300 282 o 119 -_ 87 +g1 878 |I 176 -8,0 22 12 o O 3)80 1 J 8 -772 + 271 7 T 2 112 -7 % 2 229 1280 3010 1 T 7 -r 1 -3,3 8 1 126 -613 230 * k 27-10 178 -101 -103162,2 1 i 4 -6,0 231 1280 3220 1,6 -9 % 2 + 2,4 9 ó 2 12,3 -13 o 232 * I 1280 3-00 11,7 -1011 + 1 2 i 0,1 125 -239 233 | 1280 27130 116 -8 + 2 + 2,3 9,6 12 14 -1 Z,2 234 * 1280 2540 1,7 -&Q | + 217 10,2 12,3 -12,0 TABLEAU 7 * hors du domaine de l'invention ECHAN Ti O e 20 COXYDE DE VER- Ba Ti O 3FP e 03Co 0203 841 Wn yg O CazrtaRE TILLON (% en roids) N (moles (moles %) (moles (moles (moles (moles (moles sans additif %))' %) %) %)% 01 97 O Dy 201115 1 a 1,5 10 1,0 2 O 1,5 302 9 o OD 03 O 0,5 0,5 15o % 50 O 2303 *99 M 6DYO 2 e O t 2O2 15 170 1 | O 1 /0 -4 * r 00Dy 2 O: 5 o 53 L, 305 t 930 DY 20 5 ? O,, O 15 LO 1 O 2,0 175 306 9 q 5 a 203 1 50, i O Lo 2 i O O 175 307 5675 fo 203 15 2,0 2 t 5 15 21 2,Q 15 308 9615 Ho 2 Os 175 2 _,0 0,3 1, 5 o 20 O 1,5 309 * 65 Ho Z O Q 3 1,52 % O03 L,5 2,0 s,015 310 Q 6 5R O o 03 1152,0 31 L, 5 2,0 2,0 I 15 311 565 Ho 203 175 20 O O 1 L,5 2,0 2,0 175 312 * 965 Ho 0,O 3 15 2,0 570 1,5 2,0 ZO 15 313 97 i 5Er 2 Oa 17015 17 5 27 o % O 2i/51 i 5 314 97 r 5Er 2 03 1701 t 5 175 3 o O % O 2 o 5t 15 315 * 97 5 Er 20 a 170 15 175 3 Z 5 3 r O 2,5 1/5 316 97 5 Erz O S 1,0 1,5 175 013 3,0 2/5 175 317 * 7 5 Erz SO, 170 15 1,5 071 | 30 2 |,5 115 318 975 I Er 2 03 2 O 1,3 15;,0,5 2 O 319 * 96 r 5Er 2 Oa 2701 175 15 20 25 30 320} 96 5 I Er 2 zs 27,01,5 1 5 1 5 2 j O 2 |5 045 321 * 9 f 5Er 2 a O270 7 1,5 5 1 z 5 o O z, 3 S* 975 T-203 15 lio O 1,5 10 02 1 o 170,o 323 * 9 5 l TH Oa 17 1, O 175 170 014 t O 110 324 95,b 2 o 35 1,0 1,5 J O o 30 3, 1,0 1 325, I Tbo 03 17510 5 15 O 50/ 3 | O 170 326 97,5 TD 202,0 I 175 1, lz O t 370 I O 327 98,0 Iw lz 031 v 5 170 |/0 % O 1,0 327 983 OTb YO 2 1 5 170 1, l O y 15 1,0 32 98,0 Dy O 10 1 5 1 O 1 " O 330 98/,0Dy 203 17 O 710 lsv 175 O /5 1,0 331 98 G Oy:03:Oi O 170 | 015 I 75O r 4 1,0 332 98 |ODy 20 = i 1010 5 O 175 O /3 I O 333 *980 Dy 2 z,10 | O l O 1 5 1 5 I O 334 * | O D 203 il o LA | 5 |bo |o 1 % 5| I O TABLEAU g * hors du domaine de l'invention ECAN TEMPERATURECONSTANTE PERTE DIELEC- I TVC ( 3 l) IRODUIT CR TND TILLONDE CUISSON DIELECTRI TRU (eurs) N (CO) QUE e tg -55 C + 125 CCX (heures) 301 1280 3390 L,8 -0,7 -11,7 11771 6670 780 302 1280 60 18 -0 9 -1 l 1 1,1 ll 74 H O 810 303 | 3310 7 17 -23 + 9 ? 528 3 M 80 on mesuré 304 *o 13 o o 2 o ils -% 6 -11,3 11 Z 3 242 o s 305 1 280 3190 117 -0 1179 11 9 4100 790 306 12600 i r 1/ 1073 10 i 3 5800 910 307 | 1260 3 Mo 18 -il 4 1 1,4 | 48 870 308 1260 3290 17 -0 o,3-28 1278 44 " O 8 M 309 Non mesurable car semi-conducteur 310 1400 o O 18 q |,-10181078 4890 740 311 1800 3260 17 I -L,2 -101 I 1071 I 5210 850 312 * Non meusrable car pas suffisamment fritté à 160 C 313 1260 320 1,8 -03 -1172 11,2 480 840 314 1290} 3150 18 -1 -108 1078 250 870 315 1260 316 o 19 -O 2 -10 S 7107 2810 820 316 1280 3320 177 -0 i 1 1073 1073 6720 a 317 * 1300 3010 6,9 -4 v 2-11 112 80 27 318 1260 3410 1 8 -0,4 -103 1073 6810 860 319 * 120 i 2730, -Or 6-1 & 71409 4040 800 320 f 1280 3270 1,8 -Or 7 -10 l 610,6 6090 > 1000 O 321 * 1350 3140 278 -076 -1 78 978 130 160 322 * 1280 3110 176 -18 3 + 2471 2871 3480 930 323 * 1280 3190 17 -1774 + 2676 31,6 3710 960 324 1200 3340 1 8 -072 -9 4 974 6920 > 1000 325 I 280 3290 177 -0, 1 -818|,8, 7020 > 1000 326 * 1300 S 2820 119 -078 -9,1 9 1 3080 > 1000 o 3271 1280 3280 12 -11, 114 6890 980 328 1280 3410 17 -1 1 -12 121 6510 > 1000 329 $ 1260 2810 1 t 8 074 -1,73 173 4210 > 1000 330 I 1280 3220 1 _ 6 + 072 -10 I 101 5980 620 331 * 1280 3 i O 77 070 -9 78J 98 5380 340 332 * 1280 3200 i 7 O6 -112 11 i 5870 270 333 * 1280 2620 I 16 -i C,8210, 4930 710 334 * 1280 2620 7 07 1 -101 4 108 4520 61 O TABLEAU 9 *hors du domaine de l'invention I 1 ECHANBa Tiûs Re 2 Q 3 Co 203 Ba O | O I Mg O Sicz N nois % 1 %) %) %) %) 401 97;Q Dyz O 3 145 I 75 | 1 " 5 1,0 110 20 O 402 99,0 DY,203,5 075 45 1,0 1 o O 2,0 403 * 996 DY 203 0,2 O 2 1,5 10 170 20 404 * 90,0 DY,20 a/0 5,0 15 10 -1,0 2,0 405 930 Dy O 30O 4,a 15 10 1 o,o 40 406 97,5 HE 103 LI 5 L,0 2,0 10 270 270 407 |SSI 5 Hz 03 175 2 ro 075 1,75 O z, o 196 S Hf Ofo115 2 /O 03 175 2 I 2 o 409 * 96,5 Ho GO 3 175 2,0 0,1 145 O 270 2,0 410 96 | 5ff O 3 S L,52,0 340 L 5 2 I O 2,0 411 9675 S Fo O S 17,52,0 o O 45 O 2 o 412 * 9675 Fo q Os 1-5 2,P 5 O 1 5 20 2,O 413 97, 5 Ir T O o 1401,5 1 L 5 250 310 30 414 97,5 Tb Z Oa 3 40LI 5 L 5 3, 0 3,0 O 415 * 97,5 i Tb 2 03 170L/5 L,51 3 370 3 O 416 997 5 Tbz O 10 L 5 175 0, 3 370 3,0 417 * | 97,5 T Oa 1,0 'I 5 175 0,1 3,0 3/O 418 96,5 Er 03 20 175 4, 5 2,0 3,0 419 96,5 r 2 20 15 45 5 | 2 /0 5 V O 420 * 96 /5 Er Z 03 2 O 1/55 | 5 L/5 2,0 6 /O 421 96,5 Er S 2,0 1,5 5 5 2,0 0,5 422 9675 Er,03 2 O 1,5 1,5 15 2 O O r 3 23 * 1 96 t 5r 203 2,0 l, | 1 45 1, 5 2,0 071 424 6 if ODy O 20 S 452/5 | î 5 1,0 O | 74 f10 d 25 96 j I Dy-t O175 z 5 45 | 140 0,6 1 |,0 426 960 Dr,03 LO 5 95 1,15 40 3,0 10 o 427 96 O DI,203 1 5 | 2 1, 5 l 10 41,0 I O 428 9670 D,% 203 1,52,5 |s J 4 o O | O 10 o 429 * 960 Dyz:Oia 1 152 I 5 5 1 O I | I 4 | 670 DY 203 I,5 I,s 1 17 D I O 1,o I,0 4 S 6 o DY 203 15 1 O O 1 '0 42 al -15 5 1 1 > O 0 1,0 TABLEAU 10 * hors du domaine de l'invention |ECHAN TEMPERATURECONST ANTE|PERTE DIELEC TVC (,QS) RESISTANCE TILLON DE CUISSON DIELECTRI TRIQUE D' ISOLEMENT No CC) tg 5 3) 55 t + 1250 C x& log RI 401 1280 3180 178 -1018 a 1,9 1078 i il 78 402 1280 3390 177 -& 9 -178 89 i 1177 403 * 1300 340 178 -14 6 + 2077324 1 A 6 404 * 12960 2940 176 -78 -13 778 10 5 405 12 e 32 1,7 %% 9 + 3 5,9 l 118 4 Cs S 260 3260 75 -9 % 6-T 8 916 116 407 1260 3130 1,6 -1077 + 72 107 11 t 6 408 1280 3150 7 -991 + 4 979 117 :* Non mesurable car semi-conducteur 410 150 no O 1 -109 -57 1079 J 116 411 1 W 3 1 i 8 -10, 9 -% 27 1079 113 412 * Non mesurable car pas suffisamment fritté A 1360 C 413 1280 3190 178 1 -72 % 1 I 9761176 414 1260 3210,7 -%B 9 + 756 84 1175 415 * 1260 3010 1, 8 -3,4 8,8 9 / 2 915 416 1280 3110 1,7 -9,7 403 97 11 /S 417 * lm O j 2940 & 9 -1172 -378 11 2 71 418 126 3120 1,6 - 9 +z,8 % 9 i 1177 419 1260 3050 17 -8,6 + 291 8,6 | 73 420 * 1280 2680 1 6 -9, 6 -6,8 LO 2 1111 421 1280 230 J 7 -, 4 + 4, 1& 4 1174 422 13 3290 16 -1172 + 118 112 i 12 423 * 1360 O lo 19 + 3,6 12,9 i 111 424 * 1280 3160 177 -17 t 3-42 173 106 17 081 425 1280 3170 176 -1078 -46 108 115 426 1300 3240 1 8 -4,11-972 9 2 11 5 427 1280 3160 17 -7,B + 4 J 8716 1174 428 1280 3040 1:6 -93 + 9 _ 8 ig 3i 172 j 430 * 123,0 2 64 1 7 4299 * 1280 2820 1 6 -7,8 + 279 718 1012 14308012 $ 40 7 617 2603 13 978 1113 431 * 1280 80 O | 176 -7 i 3 + 3 71 10 8 1172 TABLEAU 11 hors du domaine de l'invention ECHAN Ba Ti 3 Re 203 Co 03 | a O Mk O Nit Alz 01 ? O s TILLON (noies J (moles %) (moles (moles (moles (moles %) (muls Po %) (o' %))5 (moles %) il T 501 970 DY:03 1,I 5 175 175 013 Ni O 170 10 l 502 59 O DY 203 O,5 075 1,5 73 Ni 170 It O 503 * 996 Dy 203 012 Q,2 175 | 531 96 ?,0 D|-:0 O115 _ I 155 03 | O 100 1,0 TABLEAU 12 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURECONSTANTE PERTE DIE TVC (%) log RI TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE N CC) QUE CFC + 125 CCi 5 125, C 501 130 3090 1 6 -11,2 + 43 11,2; 117 10 ó 5 502 1320 3160 1 5 -98 - 9 8 118 104 503 * 1320 30 177 -1 ia/1+ 17 T 143 1176 10,5 504 * 1360 2 M 176 -3 -1 9 813 1079 9 r 3 q 1310 3180 1 7 -10 i 9 + 2 1079 1178 1072 56 1320 3260 1 4 -103 -O8 10 3 1 L/6 1076 SQ 07 1320 3200 117 -112 + 2 1 11 i 2 11 i 5 1072 e i 1320 18 -10 p 9+ 41 1079 11,7 10 y 3509 * Non mesurable car semi-conducteur 510 1360 3160 174 -12 3 i -3 33 193 | 11 6 | 10 511 1360 3140 I 5 I -104 i S 1041177 10 4 512 * Non conducteur car pas suffisamment fritte a 1360 C 513 1320 3180 16 -8 + 84 8 11 10,3 514 1320 3260 177 -776 1 +&l S 1 lt 7 1102 515 * 1320 3080 177 * 68441 8 s 1076 8 o 2 516 1 o 3403200 8 1 + 1 % 2 9 1 118 104 517 * O 13403050 68 -2 L 9 -3: 8 21 t 9 879 %i 518 * 1320 l 31308 -14 + 28 141 8 675 519 1320 3940 o l O -i,1 Io i i 76 1102 520 130 | 3170 6 | 78 +ir 2 78 1117 1013 o 30 i J 3170 i 11 j +% 9 li, i; 3 521 * 1300 N 3120 l-6 + 2,5 672 9,5 677 522 * 1360 2780 73 -779 + 39 79 109 9 8 523 1360 3180 1 716 -9 r 1,5 9 11 119 10,4 524 * 1320 3190 i 5 -1 i 513 -36 15 3 9 978 i 525 * 1320 Mo 1 15 -151 I 1 1 % 1172 1 i 526 1 3 G 8 l 2 y i 13603120 -4 -6 | 2 i 198 1178 1 | 3 52 zi 1380 3070 L 6 -46 8 771 117 102 3 28| 1360 3040 i 8 % i 5ii 616 -01 529 * 1360 2910 119 -3,1 -7 6 716 ll 1 94 530 * 1320 2 b O 1 6 4 97 1177 10 i 2 1320 25110 L 7 -&/35 1 7 |I O,2 11; 6 531 * 1 1 Il f O % TABLEAU 13 * hors du domaine de l'invention |EHANBal O IRE 20 aCO 2 Ni 0,AL 203 OXYDE DE VER- * JEC Ho NR O a 1 RE ILLON (moles m %) moles (moles (moles (moles %) (moles (% en Do;ds) N %) %) %) m%) sans additif GOI 97,0 DYZO 3 L/15 1,5 I 1,5 o, 3 Nio l 1 O L, 602 99 O DY 20 oO O f5 O 5 o 03 Nio O 1; O O 603 * 99,6 Oo 02 O Q/2 1 5 03 Q Ni OO 1 o O 10 604 * 9070 DY 203 510 5 O J 15 03 1 NQ Q 10 O 1/0 7 h 1; y O 605 9370 f D Yo 3/0 o O 073 io 1 101 10 06 97 5 Ioo,0 1 ' / 073 Ito l:o 1,o 70 607 96,5 I E Oa Qa 150 N 1 /0 606 97 5 IE 0203 1 5 10 05Ni O1 O 607 96,15f É 2 t 11510 45 r 7 5 AI Az E 5O 9- O l'Io & 089 S IB 03 5 t Z O 13 015 A 103 y O, 110 69 * 967 | 5 Roa Ua 2 A 011 O 5 A 20 i 1,0 2 L,0 10 * 610 9675 Iz O 15, O 370 5 A:30:0 1 O 611 96 t 5Hoz O z 1 f 5 70 | 015 A Iz 03 170 O 10 612 9615 Ifo 03 1 15 5; O I 05 Ali O C170 2 MO O 6153 97 T 5T 2 Q 3 1-j1 j 5 1,5 i 5 Ni O05 O 170 614 T 9 bz O1 O1,5 175 1 O Ni QO; 5 3 10 7 1 7 1 f O 615 * 97 F,5Th 203 1 O 1 5 175 1 5 I O05; 7 07 618 97 l 70To 2:o 170175,5 o, i 01 3,0 1 5 618 * 97 o OH O i 1 O, 1515 '15 05 Nio 2 2 o 5 1,5 6 97 O H Oz O 3 17517 5 ', Ni O 30 i 175 620 9770 Hf 203 175 175 I 175 O 5 Ni Q3 $ O 25 175 621 * 9770 g H 2 OS 1 515 0/5 N| 2 35 295 1 5 622 * 9750 z O 01, 55 | 105 O | A O I 5 2 1 5/ 623 75 Erz O, 2O 1 5 | 1,5 140 Ai O 3 I S 1 O 624 * 5 Erz 6 z 20 I1,5 1, 5 1,0 Az 123 15 2 I,t 3 625 9 Irz O 1 2 3 1 5 1 '5 1 O A 1203 1 5 1 | 6261 Er-Oz É 5 1 Al 1 5 2,0 03 627 * 9670 IDY 203 15 5 1 5 O 3 A 12 01 17502 I 10 628 * 96 f ODyz O 375 25 1 ',5 O 3 A 120 I 175014 1 O 9 5 i 2 O 629 96 /OD 7 z O1,5 2, 5 15 0,3 m N 7) 3 o 630 96/0 DY 2 T 31:52/5 1 5 O 3 Ni O175 O 1 O O 63 z* 1% 6 JO IDY 231 175 I215 f 175 1 073 t Ni O175 50 10 63 | 70 Dy 2035 21 5 15 0,3 Ni O105 1 O | 634I; 01 *o, 1 5 | 7, S 0,3 Nio 170, 170 | 2 y 2 D 3 17 5 8)15 I 75 TABLEAU 14 * hors du domaine de l'invention ECHAN TEMPERATURE I CONSTANTEPERTE DIE TVC ( 4) Iog RI TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE 55- IC CX | 2 C 125 C No ( C) QUE e tg 6 IMI 601 1250 L 3180 I -10,6 + 3,5 106 128 11,0 609 1250 3390 177 l-O 618 196 109 603 * 1250 3280 lis t-16 + 1576 41 2 12,7 1078 68 { 1280 2790 117 j 9 t 9-1 2 79 148 978 605 1230 3240 47 -1 ' 19 1075 1 G 108 M t 1230 16 1 O 3 107 1 IZ,7 11 S O 607 1230 3180 18 -10 8 + 1 8 10,8 | 126 107 608 1250 3120 1-10 '2 + 3,6 10 j 2 I 126 10/8 * I Non mesurable car semi-conducteur 610 I 1280 3110 6 -4, 10 114 109 611 1280 3110 O -17 -4,5 117 125 1 K 19 612 * Non mesurable car pas suffisamment fritté a 1360 C 613 1250 3140 I 17 -7 O + 8 & 5 94 127 10 7 614 1230 3290 1 7 -is, + 84 814 t 1276 i,5 615 * 1230 3060 i 6 7 + 5 9,2 112 616 1250 3190 7 -86 + 4 86 127 1078 617 * W 1250 3030 $ -2 6 -3 6 6 93 63 618 1280 t 3150 -14 1417+ 2,81467 87 ( 7 5 619 1250 3210 1 9 -108 + 472 10 8 12 4 1 6 621 * 1230 3150 17 i 7 + 2:1891 75 1018 Q t 1230 3190 1 -97,8 I 97 12,5 | 9 :1 | 12303159 1 1, 7 + 25 788 9,89 622 * 1300 t 2890 2,6 t -92 + 3 y 9% 2 11,8 10 1 623 1250 3180 1 7 1 -g 8 43-2 ag 12,7 10 7 624 * 1230 81 -80 + 3 8 I 1,0 1 1021 625 1280 3150 L 3 -10:,8 -6,8 10 1 12,6 1076 626 * 1360 3130 1768 -11 -777 I 1 11,7 10 O 627 * 1250 1 3160 t 6 -1711 -3 6 11 8 Il 6 1 161 628 * 1250 3170 17 -15 176 1 15; 8 1118 i O c 2 6291 128 I 3220 7 6 -6 2 124 1 O 18 630 1250 3120 7 -O -,8 4 12 631 1250 3140 116 18 I 1 I 23 10 6 7 10 ó 692 * 1280 2 BS I 15 1-37-1 1 -96 196 1211176 917 6 n: 1950 ï, 2630 1 1 N ' -97 1,+Sj 5 to 1 1 2 1016 634 * 1250 1 2450 1, 7 -8 O + 377 1 20,6g1 1 0, 3 TABLEAU 15 * hors du domaine de l'invention ECHAN Ba TOXYDE DE VER- lh Ti O,úe:08 l Co:Os Ca O l/n OO Mg R_ TILLON TILO (moles (mdles'%) ( moles tmoles (moles (moles (% en poids) %) d%) %) %) %) sans additif M O I 940 Y 203175 175 1,5 10 1,0 110 702 %,0 DY 203051 oy 5 15 170 1 o I 10 o 703 * 9976 Dy 203O 2 O;2 1 5 1,0 10 1,0 704 * 9070 Uy 20 S510 570 175 l O O 170 I 10 705 93 o OBy 2053;,04 o O 175 1 /O 10 o 1 76 97 y 5Noz Oz 1 5 170 20 1,0,o O 170 7 o 7 9 o 65K oo,, 1 To 707 915 | 023 o115 2 |O 015 115 2- 170 708 96;,5Ho 00175 O O ? 3 115 21, 1 O 709 * 9615 F O o 201 t 527 O 01 1,5 2 1)0 710 96,s 5 o 0203 L 52 % O 45 2 o 1 O 711 96 m 5 0203 S 175 ,o 15 20 170 o 712 * 96 i 510203175 O 5 Z O 15 270 10 l 713 9775 Tb 2 03170 1 o 5 I 5 5 3,0 175 71 s'715'rbzo 1, 1 zoit 714 9775 1 b 203 O 1,75 2 /O 310 30 175 715 * 97,5 |Tb; 03170 1; 5 j O 85 1755 756 g 2, 5Tbz O 3 ll 1,5 716 97,5 |b 2031 O 15 i 70 0,3 3,0 175 717 * 97 5 Thz Os10 I 5 | 270 1 30 175 718 9615 Era Os 210 175 2 I | 5 270 2 719 * 96 '5 Er Z 03 2 O; 75270 1 o 5 20 310 720 9675 Er 20320 1,5 2-0 175 20 015 721 * -965 Er 2 O2 O If 5 2,0 1 o 52,0 073 722 * 980 I Dy 203175 0,5 1 5 10 012 15 723 91,0 DY, 3 115 O;A 5115 110 074 375 724 98 O DY 2021,5 0,5 115 1,0 3 y O 115 725 9 % Oj Dy 2031 t 5O Q 51 J 5 110 4/0 15 729 98,0 DY 203175 075 1,5 1 1 v Q 510 1 Z 5 727 * 8,M O 1 Dy 203115 SO,5115 1,0 60 1 15 728 * 198,0 D 2 yz O 31 A 3O ?W 5115 1 O 1 1 I O 175 7 9 8 * Of IY 2031151075 1 Z 51 170 1,0 1 175 1 TABLEAU 16 * hors du domaine de l'invention ECHAN TENPERATURE CONSTANTE PERTE DIE TVC (") RESISTANCE TILLON No DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE D'ISOLEMENT QUE " 1 C Ccx CC) Q e tg M) f CC 1 log RI 701 1280 3120 1 b -& 78 - 3 % 2 9:7 125 702 1280 3 M O 17 -776 -33 86 146 7 G 3 * 1300 3360 -10 > 6 244 244 1746 704 * 1300 2810 8 I -687 918 1178 7 6 705 1280 3280 17 -94 -474 914 1276 706 1280 3240 -9186 -93 9 8 12 i 6 707 1280 3210 1;8 -1178 -3 r 8 l 8 12/5 08 m 1280 3170 1 16 -10,6 -418 6 126 709 * Non mesurable car semi-conducteur 710 1300 3 O -10 16 -4,7 -1 018 1 122 711 j 1300 3 F O 1 -97 2 9 7 I 11 i 712 * Non mesurable car pas sufúisamment-fritté à 1360 C 713 '1260 3180 1 7 T -7 8 -46 878 124 714 1260 3220 1 |6 1-51 -7 4 & 4 1 2 >I 715 * 1280 3070 18 -34 -9 t 2 9 2 114 716 1280 3190 17 ? -9,6 -13 3 976 | 122 717 * 1280 2950 8 7 1-2076 -3 6 216 94 718 1260 M 09 L 6 -9 1 -43 971 12/6 719 * 1260 2890 L 4 1, g 8 S 4 720 1300 3160 IJ 7 -9 8 6 Ia 9 j 8| 15 721 * 1360 3130 1 8 -8 3 -371 9,6 1174 722 * 1280 3130 16 -1776 -4 1 l 6 117 723 * 1280 220 176 148 -771 14,8 11 > 9 724 1300 30 S 1 7 1 -7 /8 -72 9 t 2 125 725 1280 3170 1 7 -7 > 4 -6,8 974 12 l 3 726 1280 3030 1,7 -876 -5,8 8 6 12 12 72-f 1280 2860 176 -8/ 2 j 376 9 2 1176 728 * 1280 30 7 -79 -3,3 8 192, 729 1280 2460 I 6 -770 i -37 7 8 9 1 O TABLEAU 17 * hors du domaine de l'invention ECHAN OXYDE DE VER- TIHL No NBa Ti O 3Rez O 3 COZ 03 Sr O Mn O R e o TILLON (% en poids) No (m-oles (moles %) (moles (moles (moles (moles %) %) %) %) %) sans additif 801 97,0 DY 203 1 5 L 5 15 17 110 1; O 802 99 O DY 203 0,5 o O S 15 1 o O 1,0 10 e* 76 Dy 103 2 002 | 15 1 % O 170 1 % O 804 Dy O, DY 03 5 7,O i 45 170 170 170 805 O Dy 203 31 4 O L/5 170 170 110 7 20 15 8 W 9 t Z 5 |H O o:s 1751 O; 0 170 20 1,5 807 9675 Ho 02 S I 75 210 015 1,5 2,0 175 808 967 Hol Os 175 013 Ls 2,0 175 809 * | 965 Ho:0 1 i 5 2,0 01 515 2,0 15 810 9675 f OZ Oa 15 2 ? 70 370 175 2 % O 1,5 811 9 % 5 fo 202 175 270 4 t O 5 20 1,5 812 * 9675 H O Iaa175 20 O J 5 270 1,5 813 981 5 Tb:0 170 O l 55 ' 5 370 170 814 985 |Tb 2 03 lt O| 05 5 i O 3 r O 170 815 * 98 j 5Tb 203 > O I f 5 15 375 O 170 816 98 5 Tb,ûz 3iol 05 L,5 O TABLEAU 18 hors du domaine de l'invention ECHAN|TEMPERATURE CONSTANTE PERTE DIE TVC (%) RESISTANCE TILLON DE CUISSON DIELECTRI LECTRIQUE 3 'ISOLEMENT No 55 'C+ 125 C CM Ax N O CC) QUE e tg 6 5 X log RI 801 1280 3260 l 17 + 2 > 8-677 8, 3 12,5 802 1280 M 18 +&,I 1 -25 7,6 126 83 * 13 O o 175 -1: 6 4267 l 4315 126 804 * 1280 2780 178 +z 8 -3 % 6 8 8 1177 805 1280 j 3190 1 8 +,2 -38, 14 % 74 806 1280 3270 I 7 + 176 -375 84 126 8 M 7 1260 3290 1,8 + 272 -1 J 7 12,7 125 808 1260 3180 7 r S -576 98 126 809 * Non mesurable car semi-conducteur 810 1300 3 l 1,9 O + 17 -36 7 8 12 % 4 811 lo l 179 + 2 3 -7,7 111-6 1122 812 * Non mesurable car pas suffisamment fritté à 1360 C 813 1280 3310 | 1,7 | +a I 2-8 /6 1178 174 814 1260 3260 L 8 +I 6 -8:3 1 % 1 123 815 * 1260 3030 1,8 + 49 -&,5 12 j 4 10,3 816 1280 32 io 176 + 61 1 87 1,5 817 * 1280 O 1/ 7 -6 8 3 j 91 86 818 1260 3040 '1 7 /1 -4 + 86 1 z,3 819 * 1260 20 1 O I,8 + O -47 T 88 1 % 1 820 1300 3410 177 + 2,2 -7; 2 13 I 05 821 * 1360 3310 1 19 + 179 -8 8 17 11,4 822 * 1280 3210 I -14 1 -43 611673 11,6 823 * 1 1280 3170 14 -14 Q 9-7 r 7 1 14,91178 824 1280 3200 I? 17 1 -78; 810,16114 825 11280 3130 1,7 + 312 -12 177 1243 826 1300 3110 I} 6 + -876 1274 12,1 8278 * 1280 7 M 18 + 3 % 8-9 10 177 7 11 6 828 * 1280 2780 17,+j 7 -60 l 8,61 15 l 829 * 1280 2660 1 i -8 q 2 8,9 l 1 3 53 2679227 La présente invention n'est pas limitée aux exemples de réalisation qui viennent d'être décrits, elle est au contraire susceptible de modifications et de variantes qui apparaîtront à l'homme de l'art. 54 2679227 REVENDICATIONS 1 Composition céramique diélectrique non réductrice, caractérisée en ce qu'elle comprend: moles % de constituants principaux comprenant du Ba Ti O 3 contenant moins de 0,04 % en poids d'oxydes de métaux alcalins comme impuretés, au moins une sorte d'oxydes des métaux des terres rares (Re 203) choisie parmi Tb 203, Dy 203, Ho 203, Er 203 et Co 203 dans les rapports suivants: Ba Ti O 3 92,099, 4 moles % Re 203 0,3 4,0 moles % et Co 203 0,3 4,0 moles % et des constituants secondaires comprenant Ba O, Mn O et Mg O dans les rapports suivants: Ba O 0,2 4,0 moles % Mn O 0,2 3,0 moles % Mg O 0,5 5,0 moles %. 2 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,5 2,5 moles % en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si O 2 incorporés à 100 parties en poids pour la composition céramique. 3 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,5 4,0 moles % de Ca Ti O 3 comme constituant secondaire et 0,5 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si O 2 incorporées à 100 parties en poids pour la composition céramique. 4 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,5 3,5 moles % de Ca Zr O 3 comme constituant secondaire et 0,5 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 20-Si O 2 incorporées à 100 parties en poids pour la composition céramique. 5 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,2 3,0 moles % de Si O 2 comme constituant secondaire. 2679227 6 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,3 3,0 moles % d'une sorte de Ni O et A 1203 comme constituants secondaires. 7 Composition céramique selon la revendication 1, caractérisée en ce qu'elle comprend en outre 0,3 3,0 moles % d'une sorte de Ni O et A 1203 comme constituants secondaires et 0,5 2,5 parties en poids d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O-Li 2 O-Si O 2 incorporées à 100 parties en poids pour la composition céramique. 8 Composition céramique diélectrique non réductrice, caractérisée en ce qu'elle comprend: moles % de constituants principaux comprenant du Ba Ti O 3 contenant moins de 0,04 % en poids d'oxydes de métaux alcalins comme impuretés, au moins une sorte d'oxyde des métaux des terres rares (Re 203) choisie parmi Tb 203, Dy 203, Ho 203, Er 203 et Co 203 dans les rapports suivants: Ba Ti O 3 92,0 99,4 moles % Re 203 0,3 4,0 moles % et Co 203 0,3 4,0 moles % et des constituants secondaires comprenant Ca O, Mn O et Mg O dans les rapports suivants: Ca O 0,2 4,0 moles % Mn O 0,2 3,0 moles % Mg O 0,5 5,0 moles % et 0,5 2,5 moles % d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O- Li 2 O-Si O 2 incorporés à 100 parties en poids pour les constituants principaux et constituants secondaires. 9 Composition céramique diélectrique non réductrice, caractérisée en ce qu'elle comprend: moles % de constituants principaux comprenant du Ba Ti O 3 contenant moins de 0,04 % d'oxydes de métaux alcalins comme impuretés, au moins une sorte d'oxydes des métaux des terres rares (Re 203) choisie parmi Tb 203, Dy 203, Ho 203, Er 203 et Co 203 dans les rapports suivants: 56 2679227 Ba Ti O 3 92,0 99,4 moles % Re 203 0,3 4,0 moles % et Co 203 0,3 4,0 moles % et des constituants secondaires comprenant Sr O, Mn O et Mg O dans les rapports suivants: Sr O 0,2 4,0 moles % Mn O 0,2 3,0 moles % Mg O 0,5 5,0 moles %. et 0,5 2,5 moles % d'oxyde de verre contenant Ba O-Sr O- Li 20-Si O 2 incorporés à 100 parties en poids pour les constituants principaux et constituants secondaires.