Brevet FR2679070A1 — publié le 19930115

La présente invention se rapporte à un dispositif semi-conducteur du type attaqué par la tension ainsi qu'à un procédé pour sa fabrication, concernant particulièrement les structures internes d'un dispositif tel qu'un module MOSFET (transistor à effet de champ métal oxyde semiconducteur) ainsi qu'au procédé de fabrication pour obtenir de telles structures. La figure 1 est une vue en coupe transversale d'un module MOSFET cité comme exemple d'un dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension conventionnel Sur la figure 1, le module MOSFET 200 est montré comme ayant déjà été câblé La figure 2 est une vue en plan du module 200 et la figure 3 est un schéma d'un circuit équivalent du module MOSFET 200. Comme le montrent les figures 1 à 3, le module 200 emploie une pastille de semiconducteur MOSFET 4 et une pastille de diode à reflux 5 Pour la simplicité, la pastille de semiconducteur MOSFET 4 sera appelée ci-après "pastille MOST 4 ". Une plaque isolante 2 est montée sur un radiateur de chaleur 1 Sur la plaque isolante 2 sont attachées une électrode de drain 3 D, une électrode de source 3 S et une électrode de grille 3 G. La pastille MOST 4 est déplacée sur l'électrode de drain 3 D de manière que la région de drain de la pastille 4 et l'électrode de drain 3 D soient en contact électrique Par ailleurs, une région de source et une région de grille de la pastille 4 sont connectées à l'électrode de source 3 S et à l'électrode de grille 3 G par un fil de source 7 S et un fil de grille 7 G respectivement. L'électrode de drain 3 D est pourvue à sa surface supérieure dune borne 6 D d'électrode de drain De même, les électrodes de grille et de source 3 G et 35 sont pourvues à leur surface supérieure dune borne d'électrode de grille 6 G et dune borne d'électrode de source 6 S, respectivement Ainsi, la connexion électrique entre le module 200 et les dispositifs externes est garantie par les bornes délectrode 6 D, 6 S et 6 G. La pastille 5 de la diode est fixée sur l'électrode de drain 3 D Une région d'anode de la pastille 5 de la diode est connectée à l'électrode de source 35 par un fil 8 Une région de cathode de la pastille 5 est en contact avec l'électrode de drain 3 D et est électriquement connectée à l'électrode de drain 3 D. La structure telle que décrite ci-dessus créée un canal de champ entre l'électrode de source 3 S et l'électrode de grille 3 G parce que la plaque isolante 2 est insérée entre elles Par conséquent, il y a une capacité flottante Cl entre les électrodes de source et de grille 3 S et 3 G (figure 3) La plaque isolante 2 sert également de canal de champ entre l'électrode de grille 3 G et l'électrode de drain 3 D, créant une capacité flottante C 2 entre les électrodes 3 D et 3 G. Dans une application o l'électrode de source 3 S est fixée au niveau de la masse, la borne d'électrode de drain 6 D est connectée à un circuit de charge et la borne 6 S de l'électrode de source est mise à la masse Dans ce cas, le courant principal entre les électrodes de source et de drain 3 S et 3 D est contrôlé par un signal de tension de commande appliqué à la borne d'électrode de grille 6 G par un circuit de commande. Le module 200 de la figure 1 présente un problème Le potentiel à l'électrode de drain 3 D est directement sensible à des changements du courant principal qui s'écoule dans le circuit de charge Comme on l'a décrit ci-dessus, il y a une capacité flottante C 2 entre les électrodes de grille et de drain 3 G et 3 D et, par conséquent, ces électrodes sont en couplage capacitif Par conséquent, si le potentiel à l'électrode de drain 3 D varie, le potentiel à l'électrode de grille 3 G varie, faisant osciller la pastille MOST 4 Par suite, la pastille 4 fonctionne mal. La présente invention est dirigée vers un dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande Le dispositif semiconducteur de la présente invention comprend: (a) une première plaque isolante; (b) une première électrode principale, faite en un matériau conducteur, disposée sur la première plaque isolante, la première électrode principale étant connectée à un point externe à potentiel constant et maintenue à un potentiel constant; (c) une seconde électrode principale, faite en un matériau conducteur, disposée sur la première plaque isolante en relation espacée avec la première électrode principale, la seconde électrode principale étant connectée au circuit de charge; (d) une seconde plaque isolante disposée sur la première électrode principale; (e) une électrode de commande faite en un matériau conducteur, disposée sur la seconde plaque isolante, l'électrode de commande recevant le signal de tension de commande; (f) une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension montée sur la seconde électrode principale; (g) un premier fil pour relier électriquement la pastille de semiconducteur et la première électrode principale; et (h) un second fil pour relier électriquement la pastille de semiconducteur et l'électrode de commande. De préférence, l'électrode de commande est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale. De préférence, la seconde plaque isolante est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale et qui se trouve sur une première zone de la surface supérieure de la première électrode principale. De préférence, le dispositif semiconducteur comporte de plus: (i) une borne délectrode de commande qui est montée sur l'électrode de commande à la surface supérieure; 0) une première borne d'électrode principale disposée sur une seconde zone de la surface supérieure de la première électrode principale, la seconde zone étant placée en relation espacée avec la première zone; et (k) une seconde borne d'électrode principale montée sur la seconde électrode principale à la surface supérieure. De préférence, le dispositif semiconducteur comprend de plus ( 1) un radiateur de chaleur sur lequel est attachée la première plaque isolante. De préférence, la seconde plaque isolante a environ 1 mm d'épaisseur. De préférence, la première électrode principale est une électrode de source et la seconde électrode principale est une électrode de drain. De préférence, le dispositif semiconducteur comprend de plus: (m) un élément de diode monté sur la seconde électrode principale; et (n) un troisième fil pour relier électriquement l'élément de diode et la première électrode principale. La présente invention est également dirigée vers un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande Le procédé comprend les étapes de: (a) attacher une première électrode principale faite en un matériau conducteur et une seconde électrode principale faite en un matériau conducteur sur une première plaque isolante en relation espacée, la première électrode principale étant connectée à un point externe à un potentiel constant et maintenue à un potentiel constant, la seconde électrode principale étant connectée au circuit de charge; (b) attacher une seconde plaque isolante à la première électrode principale; (c) attacher une électrode de commande faite en un matériau conducteur sur la seconde plaque isolante, l'électrode de commande étant pourvue du signal de tension de commande; (d) attacher une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension sur la seconde électrode principale; (e) relier électriquement la pastille du semiconducteur et la première électrode principale au moyen d'un premier fil; et (f) relier électriquement la pastille du semiconducteur et l'électrode de commande au moyen d'un second fil. Dans un mode de réalisation préféré du procédé, les étapes (a) à (d) sont effectuées sensiblement en une fois. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, l'électrode de commande est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la seconde plaque isolante est une plaque dont la taille du plan est plus petite que celle de la première électrode principale et l'étape (b) comprend de plus l'étape de (b-1) attacher la seconde plaque isolante sur une première zone de la surface supérieure de la première électrode principale. Dans un autre mode de réalisation préféré, le procédé comprend de plus les étapes de (g) attacher une borne d'électrode de commande à l'électrode de commande à la surface supérieure; (h) attacher une borne de première électrode principale à une seconde zone de la surface supérieure de la première électrode principale, la seconde zone étant placée en relation espacée avec la première zone et (i) attacher une borne de seconde électrode principale à la seconde électrode principale à la surface supérieure. Dans un autre mode de réalisation préféré, le procédé comprend de plus l'étape de Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la seconde plaque isolante a environ 1 mm d'épaisseur. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la première électrode principale est une électrode de source et la seconde électrode principale est une électrode de drain. Dans un autre mode de réalisation préféré, le procédé comprend de plus les étapes de (k) attacher un élément de diode sur la seconde électrode principale; et ( 1) relier électriquement l'élément de diode et la première électrode principale au moyen d'un troisième fil. Selon un autre aspect de la présente invention, un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande comprend les étapes de (a) préparer une première plaque isolante; (b) préparer une plaque composite comprenant une première électrode principale faite en un matériau conducteur, une seconde plaque isolante et une électrode de commande faite en un matériau conducteur, la première électrode principale étant attachée à une première surface principale de la seconde plaque isolante, l'électrode de commande étant attachée à une seconde surface principale de la seconde plaque isolante, l'électrode principale étant connectée à un point externe à potentiel constant et maintenue à un potentiel constant, l'électrode de commande étant pourvue du signal de tension de commande; (c) attacher la plaque composite et une seconde électrode principale, faite en un matériau conducteur, sur la première plaque isolante de manière que la première électrode principale soit adjacente à la première plaque isolante et que la plaque composite et la seconde électrode principale soient espacées l'une de l'autre, la seconde électrode principale étant connectée au circuit de charge; (d) attacher une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension sur la seconde électrode principale; (e) relier électriquement la pastille de semiconducteur et la première électrode principale au moyen d'un premier fil; et (f) relier électriquement la pastille de semiconducteur et l'électrode de commande par un second fil. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, les étapes (c) et (d) sont effectuées sensiblement en même temps. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, l'étape (b) comprend de plus les étapes de: (b-l) préparer une plaque composite d'isolement comprenant une couche isolante, une première couche de métal et une seconde couche de métal, les première et seconde couches de métal étant disposées sur une première surface principale et une seconde surface principale de la couche isolante, respectivement; et (b-2) obtenir la plaque composite de la plaque composite d'isolement en formant un schéma sur les première et seconde couches et la couche isolante, la première électrode principale correspondant à la première couche de métal, l'électrode de commande correspondant à la seconde couche de métal et la plaque isolante correspondant à la couche isolante. Dans un autre mode de réalisation préféré de l'invention, l'électrode de commande est une plaque ayant une taille en plan plus petite que celle de la première électrode principale. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la seconde plaque isolante est une plaque ayant une taille en plan plus petite que celle de la première électrode principale. Dans un autre mode de réalisation préféré, le procédé comprend de plus les étapes de: (g) attacher une borne d'électrode de commande à l'électrode de commande à la surface supérieure; (h) attacher une première borne d'électrode principale à la première électrode principale sur la surface supérieure de manière que l'électrode de commande et la borne de la première électrode principale soient espacées l'une de l'autre; et (i) attacher une seconde borne d'électrode principale à la seconde électrode principale à la surface supérieure. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, l'étape de ( attacher la première plaque isolante à un radiateur de chaleur est de plus prévue. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la seconde plaque isolante a environ 1 mm d'épaisseur. Dans un autre mode de réalisation préféré du procédé, la première électrode principale est une électrode de source et la seconde électrode principale est une électrode de drain. Dans un autre mode de réalisation préféré, le procédé comprend de plus les étapes de: (k) attacher un élément de diode sur la seconde électrode principale; et ( 1) relier électriquement l'élément de diode et la première électrode principale au moyen d'un troisième fil. Dans le dispositif semiconducteur selon la présente invention, l'électrode de commande est disposée sur la première électrode principale en intercalant la seconde plaque isolante et, par conséquent, le dispositif semiconducteur ne comprend qu'un canal de champ électrique qui relie l'électrode de commande et la seconde électrode principale par le matériau isolant, c'est-à-dire que le canal s'étend de la seconde plaque isolante, par la première électrode principale et la première plaque isolante Ainsi, le canal de champ électrique crée dans le dispositif semiconducteur est long De plus, la première électrode principale sert de protection entre l'électrode de commande et la seconde électrode principale. Par conséquent, il n'y a sensiblement pas de capacité flottante crée entre l'électrode de commande et la seconde électrode principale et, par conséquent, une variation du potentiel à la seconde électrode principale ne peut être transmise à l'électrode de commande Par suite, un mauvais fonctionnement dû à une oscillation anormale est efficacement empêché Donc la fiabilité du dispositif semiconducteur est améliorée. Dans les modes de réalisation préférés, l'effet de prévention de la capacité flottante est extrêmement remarquable car l'électrode de commande a une petite surface en plan. Dans les modes de réalisation préférés du procédé de l'autre aspect ci- dessous, le dispositif semiconducteur est fabriqué d'une manière facile parce que la plaque composite est utilisée dans les procédés de fabrication. En conséquence, la présente invention a pour objet d'obtenir un dispositif semiconducteur ne pouvant anormalement osciller et par conséquent ne présentant aucun mauvais fonctionnement. La présente invention a pour autre objet d'obtenir un procédé de fabrication facile d'un tel dispositif semiconducteur. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: la figure 1 est une vue en coupe transversale d'un dispositif semiconducteur conventionnel; la figure 2 est une vue en plan du dispositif semiconducteur conventionnel: la figure 3 est un schéma d'un circuit équivalent du dispositif semiconducteur conventionnel; la figure 4 est une vue en coupe transversale d'un dispositif semiconducteur selon un mode de réalisation de la présente invention; la figure 5 est une vue en plan du dispositif semiconducteur de la figure 4; la figure 6 est un schéma montrant un circuit équivalent du dispositif semiconducteur de la figure 4; la figure 7 est une vue latérale en coupe essentiellement schématique illustrant un procédé de fabrication du dispositif semiconducteur de la figure 4;et la figure 8 est une vue latérale et en coupe essentiellement schématique illustrant un autre procédé de fabrication du dispositif semiconducteur de la figure 4. On décrira d'abord la structure du dispositif semiconducteur 100 du type attaqué par la tension, en se référant à la vue en coupe transversale de la figure 4 La figure 5 est une vue en plan du dispositif semiconducteur 100 et la figure 6 est un schéma d'un circuit équivalent Le dispositif semiconducteur 100 est un module MOSFET o sont montées une pastille MOST 14 et une pastille de diode à reflux 15 Les figures 5 et 6 montrent le dispositif semiconducteur 100 alors qu'il a déjà été câblé En comparant le module 100 avec le module conventionnel 200 de la figure 1, on peut facilement voir la caractéristique majeure de structure du module 100 par le fait que l'électrode de grille 13 G est disposée sur l'électrode de source 13 S par l'intermédiaire d'une plaque isolante ; en effet, une électrode de commande est disposée sur une électrode principale pour mise à la masse On décrira maintenant les structures détaillées du module 100. Le module 100 comporte un radiateur de chaleur 11 sur lequel est soudée une plaque isolante 12 On peut utiliser, pour le radiateur de chaleur 11, du métal comme du cuivre (Cu), du fer (Fe) ou de l'aluminium (AI) La plaque isolante 12 peut être faite en un matériau tel que de l'alumine (A 1203) et du nitrure d'aluminium (AIN) L'électrode de source 13 S et une électrode de drain 13 D sont soudées avec un certain espace entre elles sur la plaque isolante 12. Les deux électrodes de source et de drain 13 S et 13 D sont en cuivre. Le module 100 comporte une autre plaque isolante 20 qui est soudée sur l'électrode de source 13 S et dont la surface en plan est plus petite que celle de l'électrode de source 13 S La plaque isolante 20 a une épaisseur d'environ 1 mm et elle est faite en un matériau tel que de l'alumine (A 1203) ou du nitrure d'aluminium (Al N) L'électrode de grille 13 G est soudée sur la plaque isolante L'électrode de grille 13 G est également faite en cuivre et sa surface en plan est plus petite que celle de l'électrode de source 13 S Les surfaces en plan de la plaque isolante 20 et de l'électrode de grille 13 G sont égales à ou plus petites que la moitié de l'électrode de source 13 S Dans le mode de réalisation de la figure 4, les surfaces en plan représentent un quart de celle de l'électrode de source 13 S ou moins. Bien que cela ne soit pas illustré, la pastille MOST 14 comporte une région de drain, une région de source et une région de grille La région de drain est en contact électrique, du côté surface principale inférieure de la pastille 14, avec l'électrode de drain 13 D Du côté surface principale supérieure de la pastille 14, la région de source est électriquement connectée à une extrémité d'un fil de grille 17 G tandis que la région de grille est électriquement connectée à une extrémité à un fil de source 175. Une autre extrémité du fil de source 17 S est connectée à la surface supérieure de l'électrode de source 13 S tandis qu'une autre extrémité du fil de grille 17 G est connectée à la surface supérieure de l'électrode de grille 13 G Sur l'électrode de source 13 S, la plaque isolante 20 ainsi que l'électrode de grille 13 G sont de préférence disposées à proximité de l'électrode de drain 13 D pour que le fil de grille 13 G soit aussi court que possible. La pastille 15 de la diode à reflux est soudée sur l'électrode de drain 13 D La pastille 15 comporte, du côté de sa surface principale supérieure, une région d'anode qui est connectée à l'électrode de source 13 S par un fil 18 Du côté de sa surface principale inférieure, la pastille 15 comporte une région de cathode La région de cathode est en contact électrique avec l'électrode de drain 13 D. Les électrodes de grille, de drain et de source 13 G, 13 D et 135 sont pourvues respectivement d'une borne d'électrode de grille 13 G, d'une borne d'électrode de drain 16 D et d'une borne d'électrode de source 16 S Toutes les bornes d'électrode 16 G, 16 D et 16 F sont soudées aux électrodes 13 G, 13 D et 13 F Sur l'électrode de source 13 S, est placée la borne d'électrode de source 165 en relation espacée avec la plaque isolante 20 et l'électrode de grille 13 G Le module 100 est enfermé dans un boîtier 50 et est scellé dans la résine et est complété en tant que produit fini pour un usage réel. Dans le module 100, une capacité flottante Cl i se crée entre les électrodes de source et de drain 13 S et 13 D (figure 6) car la plaque isolante 12 sert de canal de champ électrique entre ces électrodes 13 S et 13 D Cependant, la capacité flottante C Il est plus faible que la capacité flottante CI de la figure 3 parce que la surface en plan de l'électrode de grille 13 G est petite et que la plaque isolante 20 est relativement épaisse Le module 100 comprend une autre capacité flottante C 13 entre les électrodes de grille et de source 13 G et 13 F car la plaque isolante 20 sert de canal de champ électrique qui relie les électrodes de grille et de source 13 G et 13 F également. Contrairement au module conventionnel 200, le module 100 ne comprend qu'un seul canal de champ électrique qui peut coupler capacitivement les électrodes de grille et de drain 13 G et 13 D, c'est-à-dire le canal de champ s'étendant à travers la plaque isolante 20, l'électrode de source 13 S et la plaque isolante 12 (figure 4, ligne en pointillé L) Non seulement parce que le canal L est long mais également parce que l'électrode de source 13 S sert de blindage entre les électrodes de grille et de drain 13 G et 13 D, il n'y a sensiblement pas de capacité flottante entre les électrodes de grille et de drain 13 G et 13 D. Dans une application, l'électrode de source est mise à la masse, la borne d'électrode de drain 16 D est connectée à un circuit de charge 40 (figure 6) et la borne d'électrode de source 13 S est mise à la masse, ce qui est similaire à ce qui a été décrit pour le module 200 de la figure 1 Un signal de tension de commande CONT est appliqué d'un circuit de commande 41 à la borne d'électrode de grille 13 G de manière que le courant principal entre l'électrode de source 13 S et l'électrode de drain 13 D soit contrôlé. Comme une capacité flottante n'est pas créée entre les électrodes de grille et de drain 13 G et 13 D, les variations du potentiel à l'électrode de drain 13 D ne peuvent être transmises à l'électrode de grille 13 G En ce qui concerne les électrodes de grille et de source 13 G et 13 S, la capacité flottante C 13 entre elles ne provoque aucun effet néfaste Comme l'électrode de source 13 S est mise à la masse, il n'y a virtuellement aucune variation de potentiel à l'endroit de celle- ci Par conséquent, les variations de potentiel ne sont pas transmises à l'électrode de grille 13 G par la capacité C 13. Ainsi, un mauvais fonctionnement dû à une oscillation anormale est efficacement empêché dans le module 100 o les dispositifs semiconducteurs le contenant. Dans la commutation à haute fréquence, en particulier, l'effet sans mauvais fonctionnement rend le module 100 extrêmement avantageux par rapport aux modules conventionnels Quand le module conventionnel 200 de la figure 1 est mis en circuit et hors circuit par une onde à haute fréquence, la capacité flottante C 2 réduit l'impédance drain-grille, ce qui a fréquemment pour résultat une oscillation anormale Cependant, dans le module 100, la commutation à haute fréquence ne peut mener à une diminution de l'impédance drain- grille Par conséquent, une oscillation anormale ne peut se produire dans le module 100. Un dispositif semiconducteur employant le module 100 est fabriqué à la manière suivante. D'abord, on prépare le radiateur de chaleur 11, les plaques isolantes 12 et 20, les électrodes 13 S, 13 D et 13 G et les pastilles de semiconducteur 14 et 15. Ces organes de structure sont placés aux positions montrées à la figure 7 pour être soudés en une fois Les croix que l'on peut voir à la figure 7 montrent l'endroit o les organes de structure doivent être soudés On peut noter que la pastille 15 de la diode est soudée en position comme le montre la figure 5 bien que cela ne soit pas représenté à la figure 7. Ensuite, on câble la région de grille de la pastille MOST 14 et de l'électrode de grille 13 G avec le fil de grille 17 G (figure 4) Par ailleurs, la région de source de la pastille MOST 14 et l'électrode de source 135 sont câblées avec le fil 17 S De même, la région d'anode de la pastille de la diode 15 à la portion supérieure et l'électrode de source 13 S sont câblées au moyen du fil 18. A la suite de cela, les bornes d'électrode 16 G, 16 D et 16 S sont attachées aux électrodes 13 G, 13 D et 13 S, respectivement aux positions montrées aux il figures 4 et 5 Alternativement, les bornes d'électrodes 16 G, 16 D et 16 S peuvent être fixées à l'avance au plafond du boîtier 50 pour enfermer le module 100 (figure 4) Si cela est le cas, le soudage 16 G, 16 D et 16 S aux électrodes 13 G, 13 D et 13 S se fait en une fois au moment o le module est enfermé dans le boîtier 50. Comme étape finale, le module 100 enfermé dans le boitier 50 est scellé dans la résine. Le module MOST 100 peut être obtenu par un autre procédé de fabrication Cet autre procédé de fabrication sera décrit ci-dessous en se référant à la figure 8. Dans ce procédé, une plaque composite comprenant l'électrode de source 13 S, la plaque isolante 20 et l'électrode de grille 13 G est utilisée Pour obtenir la plaque composite 30, on intègre deux couches en métal avec une couche isolante prise en sandwich entre elles en une plaque composite d'isolement en trois couches et ensuite les trois couches reçoivent des motifs. La plaque composite 30 est alors soudée sur la plaque isolante 12 En même temps, les autres éléments de structure sont soudés Le procédé de fabrication est autrement similaire à celui de la figure 7. Ainsi, le module 100 est fabriqué d'une manière facile selon le procédé illustré à la figure 8 car l'électrode de grille 13 G, la grille isolante20 et l'électrode de source 13 S sont formées sur la plaque isolante 12, simplement en attachant la plaque composite 30. La présente invention s'applique à une grande variété de dispositif semiconducteurs du type attaqué par la tension Parmi les dispositifs applicables, il y a par exemple les dispositifs IGBT (transistor bipolaire à grille isolée), Bi-Mos (métal-oxyde (semiconducteur bipolaire) et MCT (Thyristor commandé par MOS). En général, l'effet de la présente invention est atteint dans un dispositif semiconducteur dans lequel une électrode de commande est attachée par une plaque isolante sur une électrode principale qui est maintenue à un potentiel constant. REVENDICATIONS 1 Dispositif semiconducteur du type attaqué par la tension qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande, caractérisé en ce qu'il comprend: (a) une première plaque isolante ( 12); (b) une première électrode principale ( 13 S), faite en un matériau conducteur, qui est disposée sur ladite première plaque isolante, ladite première électrode principale étant connectée à un point externe à un potentiel constant et étant maintenue à un potentiel constant; (c) une seconde électrode principale ( 13 D), faite en un matériau conducteur, disposée sur ladite première plaque isolante en relation espacée avec la première électrode principale, ladite seconde électrode principale étant connectée au circuit de charge; (d) une seconde plaque isolante ( 20) disposée sur la première électrode principale (e) une électrode de commande ( 13 G), faite en un matériau conducteur, disposée sur ladite seconde plaque isolante, ladite électrode de commande recevant ledit signal de tension de commande; (f) une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension ( 14) montée sur ladite seconde électrode principale; (g) un premier fil ( 17 S) pour relier électriquement ladite pastille et ladite première électrode principale; (h) un second fil ( 17 G) pour relier électriquement la seconde pastille et l'électrode de commande. 2 Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'électrode de commande ( 13 G) est une plaque d'une taille en plan plus petite que celle de la première électrode principale. 3 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante ( 20) est une plaque d'une taille en plan plus petite que celle de la première électrode principale et elle est disposée sur une première zone de la surface supérieure de ladite première électrode principale. 4 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: (i) une borne d'électrode de commande ( 16 G) montée sur ladite électrode de commande à sa surface supérieure; @) une borne de première électrode principale ( 16 S) disposée sur une seconde zone de la surface supérieure de la première électrode principale, ladite seconde zone étant espacée de la première; et (k) une borne de seconde électrode principale ( 16 D) montée sur la seconde électrode principale, à sa surface supérieure. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: ( 1) un radiateur de chaleur ( 1 l) sur lequel est attachée la première plaque isolante. 6 Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante ( 20) a environ 1 mm d'épaisseur. 7 Dispositif selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première électrode principale ( 13 S) est une électrode de source et la seconde électrode principale ( 13 D) est une électrode de drain. 8 Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comprend de plus: (m) un élément de diode ( 15) monté sur la seconde électrode principale; et (n) un troisième fil ( 18) pour relier électriquement l'élément de diode et la première électrode principale. 9 Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, du type attaqué par la tension, qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: (a) attacher une première électrode principale faite en un matériau conducteur et une seconde électrode principale faite en un matériau conducteur sur une première plaque isolante en relation espacée, ladite première électrode principale étant connectée à un point externe à un potentiel constant et étant maintenue à un potentiel constant, ladite seconde électrode principale étant connectée au circuit de charge; (b) attacher une seconde plaque isolante sur la première électrode principale; (c) attacher une électrode de commande faite en un matériau conducteur sur la seconde plaque isolante, ladite électrode de commande recevant le signal de tension de commande; (d) attacher une pastille de semiconducteur du type attaqué par la tension sur ladite seconde électrode principale; (e) relier électriquement la pastille du semiconducteur et la première électrode principale par un premier fil; et (t) relier électriquement la pastille de semiconducteur et l'électrode de commande par un second fil. 10 Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que les étapes (a) à (d) sont effectuées sensiblement en même temps. 11 Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que l'électrode de commande précitée est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale. 12 Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale; et l'étape (b) comprend de plus l'étape de (b-1) attacher la seconde plaque isolante sur une première zone de la surface supérieure de la première électrode principale. 13 Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes de: (g) attacher une borne d'électrode de commande à l'électrode de commande, sur sa surface supérieure; (h) attacher une borne de première électrode principale à une seconde zone de la surface supérieure de la première électrode principale, ladite seconde zone étant espacée de la première; et (i) attacher une seconde borne d'électrode principale à la seconde électrode principale, à sa surface supérieure. 14 Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape de 0) attacher la première plaque isolante sur un radiateur de chaleur. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante a environ 1 mm d'épaisseur. 16 Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la première électrode principale est une électrode de source et la seconde électrode principale est une électrode de drain. 17 Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes de: (k) attacher un élément de diode sur la seconde électrode principale; et ( 1) relier électriquement l'élément de diode et la première électrode principale au moyen d'un troisième fil. 18 Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur, du type attaqué par la tension, qui est utilisé avec un circuit de charge qui lui est connecté et qui est attaqué en réponse à un signal de tension de commande appliqué par un circuit de commande, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: (a) préparer une première plaque isolante; (b) préparer une plaque composite comprenant une première électrode principale faite en un matériau conducteur, une seconde plaque isolante et une électrode de commande fait en un matériau conducteur, ladite première électrode principale étant attachée à une première surface principale de ladite seconde plaque isolante, ladite électrode de commande étant attachée à une seconde surface principale de ladite seconde plaque isolante, ladite électrode principale étant connectée à un point externe à un potentiel constant et maintenue à un potentiel constant, ladite électrode de commande recevant le signal de tension de commande; (c) attacher ladite plaque composite et une seconde électrode principale faite en un matériau conducteur sur ladite première plaque isolante de manière que ladite première électrode principale soit adjacente à ladite première plaque isolante et que ladite plaque composite et ladite seconde électrode principale soient espacées l'une de l'autre, ladite seconde électrode principale étant connectée audit circuit de charge; (d) attacher une pastille de semiconducteur, du type attaqué par la tension, sur ladite seconde électrode principale; (e) relier électriquement ladite pastille de semiconducteur et ladite première électrode principale au moyen d'un premier fil; et (f) relier électriquement ladite pastille de semiconducteur et ladite électrode de commande au moyen d'un second fil. 19 Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que les étapes (c) et (d) sont effectuées sensiblement en une fois. 20 Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que l'étape (b) comprend de plus les étapes de: (b-l) préparer une plaque composite d'isolement comprenant une couche isolante, une première couche de métal et une seconde couche de métal, lesdites première et seconde couches de métal étant disposées sur une première surface principale et une seconde surface principale de la couche isolante respectivement; et (b- 2) obtenir ladite plaque composite de ladite plaque composite d'isolement en formant un schéma sur lesdites première et seconde couches de métal et ladite couche isolante, ladite première électrode principale correspondant à ladite première couche de métal, ladite électrode de commande correspondant à ladite seconde couche de métal et ladite plaque isolante correspondant à ladite couche isolante. 21 Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que l'électrode de commande est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale. 22 Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante est une plaque dont la taille en plan est plus petite que celle de la première électrode principale. 23 Procédé selon la revendication 22, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes de: (g) attacher une borne d'électrode de commande à l'électrode de commande sur sa surface supérieure; (h) attacher une borne de première électrode principale à ladite première électrode principale, à sa surface supérieure, de manière que ladite électrode de commande et ladite première électrode principale soient espacées l'une de l'autre; et (i) attacher une borne de seconde électrode principale à ladite seconde électrode principale sur sa surface supérieure. 24 Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce qu'il comprend de plus l'étape de 0) attacher la première plaque isolante sur un radiateur de chaleur. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce que la seconde plaque isolante a environ 1 mm d'épaisseur. 26 Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce que la première électrode principale est une électrode de source et la seconde électrode principale est une électrode de drain. 27 Procédé selon la revendication 26, caractérisé en ce qu'il comprend de plus les étapes de: (k) attacher un élément de diode sur la seconde électrode principale; et ( 1) relier électriquement ledit élément de diode et la première électrode principale au moyen d'un troisième fil.