Brevet FR2666685A1 — publié le 19920313

La présente invention concerne un transistor bi- polaire et un procédé pour former un tel transistor et se- lon lequel on forme une électrode de base se présentant sous la forme d'une couche en polysilicium à l'intérieur d'une couche épitaxiale-et on forme une couche d'oxyde épaisse au-dessous de l'électrode de base en polysilicium de manière que la région de collecteur et la région de base soient séparées l'une de l'autre et que la région de base extrinsèque diffuse latéralement à partir de l'électrode de -base en polysilicium. La figure 1, annexée à la présente demande, re- présente une vue en coupe d'un transistor bipolaire clas- sique fonctionnant à grande vitesse, qui est constitué de la manière suivante: une couche ensevelie 52 et une couche épitaxiale 53 sont formées sur un substrat en silicium 51; une région de base extrinsèque 55 et une région de collec- teur 56 sont séparées l'une de l'autre par l'insertion d'une couche d'oxyde de champ 57; et une région 58 d'arrêt de canal est formée audessous de la couche d'oxyde de champ 57 Le chiffre de référence 57 désigne une région d'émetteur. En outre, des électrodes respectives en polysili- cium 59-61 sont formées sur le substrat, et une couche iso- lante 65 est formée sur ces électrodes, tandis que des électrodes métalliques 62-64 sont raccordées électriquement aux électrodes en polysilicium 59-61. D'une manière générale, la fréquence de coupure (f T) d'un transistor bipolaire NPN auto-aligné est définie par la formule suivante 1 k T f T = lTF + Rc CJBC + (CJEB + CJBC) l 2 N q Ic avec TF =TE + TEBD + TB + T Cp D En outre, Rc représente la k résistance de collecteur, une constante, IC le courant q de collecteur, CJEB la capacité de la jonction entre l'émetteur et la base, CJBC la capacité de la jonction entre la base et le collecteur, TE le temps de transit dans l'émetteur, 'EBD le retard de propagation dans la couche d'appauvrissement émetteur- base, TB le temps de transit dans la base, et TCBD le retard de propagation dans la couche d'appauvrissement base-collecteur. D'une manière générale, dans la formule précé- dente, les facteurs critiques qui influent sur les caracté- ristiques des performances à haute fréquence d'un transis- tor NPN auto-aligné, sont la capacité CJBC de la jonction entre la région de base et la région de collecteur, et le retard TCBD intervenant dans la couche d'appauvrissement collecteur-base. D'une manière générale, pour réduire la résis- tance interne de base rbb' dans un transistor bipolaire, il faut doper la région de base extrinsèque avec une concen- tration élevée Si on dope la région de base extrinsèque avec une concentration élevée, la capacité de la jonction entre la région de base et la région de collecteur est ac- crue de façon relative, ce qui influe sur les performances à hautes fréquences du transistor. En outre, pour améliorer les caractéristiques à hautes fréquences, il faut réduire la résistance série du collecteur en réduisant l'épaisseur de la couche épi- taxiale Si l'épaisseur de la couche épitaxiale est beau- coup trop réduite, il apparaît un phénomène de perçage tel qu'une couche d'appauvrissement s'étend depuis la région de base extrinsèque à haute concentration jusqu'à la couche -ensevelie, compte tenu de la tension de polarisation in- verse Ceci a pour effet de réduire la tension de claquage (B Vc EO) du transistor. La présente invention a pour but d'éliminer les inconvénients décrits des techniques classiques. C'est pourquoi, le but de la présente invention est de fournir un transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse et un procédé pour fabriquer un tel transis- tor, dans lequel le phénomène de perçage est supprimé et la capacité de la jonction et le retard dans la couche d'appauvrissement base- collecteur est réduit, ce qui amé- liore les caractéristiques en hautes fréquences du transis- tor. Conformément à la solution permettant d'atteindre l'objectif indiqué précédemment, le phénomène de perçage dû à la région de base extrinsèque à concentration élevée est éliminé moyennant la formation d'une électrode de base se présentant sous la forme d'une couche en polysilicium à l'intérieur de la couche épitaxiale, et moyennant la forma- tion d'une couche d'oxyde épaisse au-dessous de l'électrode de base en polysilicium Par conséquent, il devient pos- sible de réduire l'épaisseur de la couche épitaxiale dans un état tel que la tension de claquage du transistor est maintenue au même niveau, et que par conséquent la résis- tance série de collecteur est réduite, ce qui a pour effet que la capacité de la jonction et le temps de propagation entre la région de base extrinsèque et la région de collec- teur sont réduites. En outre, pour atteindre l'objectif indiqué pré- cédemment, le transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la présente invention est constitué de telle façon qu'on forme une couche ensevelie et une couche épi- taxiale sur un substrat en silicium, qu'on forme une région d'arrêt de canal au-dessous d'une couche d'oxyde de champ servant à séparer différents composants, et qu'on raccorde électriquement des électrodes respectives en polysilicium à des électrodes métalliques au moyen de dispositifs de contact, de manière à former un transistor bipolaire fonc- tionnant à grande vitesse, et le transistor conforme à la présente invention est en butre agencé de-telle façon qu'on forme une électrode de base en polysilicium dans une couche- épitaxiale; qu'on forme une couche d'oxyde épaisse au-des- sous de l'électrode de base en polysilicium de manière à séparer l'une de l'autre la région de base et la région de collecteur; qu'on forme une autre couche d'oxyde sur l'électrode de base, sous la forme d'une couche en polysi- licium; qu'une électrode de collecteur et une électrode d'émetteur réalisées en polysilicium sont en contact avec une région de collecteur et une région d'émetteur, dans la direction longitudinale; et que l'électrode de base en po- lysilicium est en contact avec la région de base extrin- sèque, dans la direction latérale. En outre, pour atteindre l'objectif indiqué pré- cédemment, le procédé de formation du transistor bipolaire conforme à la présente invention inclut l'étape consistant à former une couche ensevelie de type N+ et une couche ensevelie de type N_ dans un sub- strat en silicium, moyennant l'utilisation d'un procédé usuel de formation d'une couche ensevelie; l'étape consistant à mettre à nu la partie utili- sée pour la formation d'une couche d'oxyde de champ, moyen- nant l'application d'un procédé de corrosion photochimique après la formation d'une couche d'oxyde et d'une couche de nitrure, et à former une couche d'oxyde de champ et une ré- gion d'arrêt de canal moyennant la mise en oeuvre d'une opération d'oxydation thermique après la mise en oeuvre d'une implantation ionique; l'étape consistant à étaler une couche d'oxyde, à ménager une ouverture au moyen d'une corrosion photochi- mique après l'étalement d'un matériau photosensible, à intro- duire des impuretés par implantation ionique dans l'ouverture en utilisant le matériau photosensible en tanit que masque, et àformer une région de collecteur moyennant la mise en oeuvre d'un traitement thermique; l'étape consistant à former une couche d'oxyde épaisse à l'intérieur de la couche épitaxiale; l'étape consistant à former une électrode de base possédant une face uniforme et plane au moyen d'un polis- sage après l'étalement d'une couche de polysilicium; l'étape consistant à former une région de base; l'étape consistant à former une région d'émetteur au moyen de l'introduction d'une impureté de type N par im- plantation ionique et de la diffusion de l'impureté intro- duite par implantation ionique, sur la base d'un procédé de diffusion thermique; l'étape consistant à former une électrode d'émetteur et une électrode de collecteur moyennant la cor- rosion de la couche de polysilicium sur la base d'un pro- cédé de corrosion photochimique; l'étape consistant à déposer une couche d'oxyde sur l'ensemble de la surface du substrat moyennant la mise en oeuvre d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec activation par un plasma,et à mettre en oeuvre un pro- cédé de corrosion photochimique pour mettre à nu les par- ties o une électrode de collecteur, une électrode de base et une électrode d'émetteur doivent être formées; et l'étape de formation d'une métallisation pour former une électrode d'émetteur, un électrode de base et une électrode de collecteur. Lors du procédé de fabrication du transistor bi- polaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la pré- sente invention, l'étape consistant à former la couche d'oxyde épaisse inclut: - l'étape partielle consistant à former une couche de nitrure sur la couche d'oxyde au moyen d'un procédé de dépôt à basse pression et former, sur cette couche, une couche d'oxyde au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec activation par un plasma, l'étape par- tielle consistant à former une structure au moyen d'une corrosion successive de la couche d'oxyde, de la couche de nitrure et de la couche d'oxyde, l'étape partielle consis- tant à appliquer une corrosion anisotrope à la partie de la couche épitaxiale de type N, lorsque l'on doit former une électrode de base, l'étape partielle consistant à déposer une couche de nitrure sur l'ensemble de la surface du sub- strat en utilisant un procédé de dépôt chimique à phase va- peur à basse pression, l'étape partielle consistant à for- mer une couche de nitrure formant une paroi latérale, au moyen d'une corrosion anisotrope de la couche de niture, et l'étape partielle consistant à former une couche d'oxyde épaisse dans la région de base en utilisant l'oxydation thermique usuelle. Lors du procédé de fabrication du transistor bi- polaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la pré- sente invention, l'étape consistant à former la région de base inclut: l'étape partielle consistant à introduire par implantation ionique une impureté dans l'ensemble de la surface du substrat après formation d'une électrode de base en polysilicium, l'étape partielle consistant à éliminer la couche d'oxyde au moyen d'un procédé de corrosion par voie humide, l'étape partielle consistant à faire croître une couche d'oxyde sur l'électrode de base en polysilicium, l'étape partielle consistant à éliminer la couche de ni- trure et la couche d'oxyde intercalaire, l'étape partielle consistant à introduire par implantation ionique une impu- reté de type P après avoir fait croître à nouveau une couche d'oxyde mince, l'étape partielle consistant à for- mer une entretoise sur la paroi latérale en exécutant une corrosion anisotrope après avoir déposé une couche d'oxyde, l'étape partielle consistant à déposer une couche de poly- silicium sur l'ensemble de la surface du substrat, et l'étape partielle consistant à former une région de base intrinsèque et une région de base extrinsèque en exécutant des diffusions après une implantation ionique d'une impu- reté de type P dans la couche de polysilicium. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci- après, prise en référence aux dessins annexés, sur les- quels: la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente une vue en coupe du transistor bipolaire clas- sique fonctionnant à grande vitesse; la figure 2 représente une vue en coupe du transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la présente invention; et l e S f i g u r e S 3 A à 3 S, r e p r é - s e N t e nt e N c o u p e l e p r c édé d e fabrication du transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la présente invention. La figure 2 est une vue en coupe du transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la pré- sente invention Comme cela est représenté sur ce dessin, une couche ensevelie 2 et une couche épitaxiale 3 sont for- mées sur un substrat en silicium 1 et une électrode de base en polysilicium est formée dans la couche épitaxiale 3, contrairement au cas du dispositif classique En outre, une couche d'oxyde épaisse 17 est formée au-dessous de l'électrode de base 19 de manière à séparer l'une de l'autre la région de base 24,25 et une région de collecteur 13, tandis qu'une région 9 d'arrêt de canal est formée au- dessous d'une couche d'oxyde de champ 8, qui sert à séparer les différentes parties. Par ailleurs, une couche d'oxyde 22 est formée sur une couche en polysilicium 19 utilisée comme électrode de base, et sur cette couche d'oxyde sont formées une élec- -trode de collecteur 28 et une-électrode d'émetteur 27 en polysilicium, qui sont en contact avec une région d'émetteur 26 et la région de collecteur 13 Sur cet en- semble est formée une couche d'oxyde 29 utilisée comme couche isolante et, sur cette couche, sont formées l'élec- trode de base en polysilicium 19, l'électrode d'émetteur en polysilicium 27 et l'électrode de collecteur en polysili- cium 28 qui sont raccordées électriquement à des électrodes métalliques 30-32 par l'intermédiaire de dispositifs de contact. L e S f i g u r e S 3 A à 35 représentent en coupe le procédé de fabrication du transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, conforme à la présente in- vention, et on va décrire ci-après ce procédé de fabrica- tion en référence à ces figures. La figure 3 A illustre l'étape de formation d'une couche ensevelie et d'une couche épitaxiale sur le substrat en silicium 1, moyennant l'utilisation du procédé usuel. Sur un substrat 1 en silicium de type P, possé- dant une résistivité spécifique égale à 10-30 û m et une face cristalline , on forme une couche ensevelie 2 de type N+ en utilisant le procédé usuel de formation d'une couche ensevelie, puis on forme une couche épitaxiale 3 de type N-, possédant une résistivité spécifique égale à 0,3- 0,5 Q m, sur une épaisseur de 0,2-1,2 pm. Ensuite, on forme une couche d'oxyde 4 sur une épaisseur comprise entre 40 et 80 nm sur la couche épi- taxiale 3 moyennant l'utilisation d'un procédé usuel d'oxydation thermique, et sur cette couche on dépose une couche de nitrure 5 sur une épaisseur comprise entre 100 et 150 nm en utilisant un procédé chimique de dépôt en phase vapeur à basse pression (LPCVD). La figure 3 B illustre l'étape consistant à mettre à nu la région autre que la région active, c'est-à-dire la région de champ en utilisant un procédé usuel de corrosion photochimique Après avoir étalé un matériau photosensible sur la couche de nitrure 5, on met à nu la couche épi- taxiale 3 de type N_ en réalisant une corrosion photochi- mique successive de la couche de nitrure 5 et de la couche d'oxyde 4, qui sont formées sur la région de champ, et on corrode la couche épitaxiale 3 à nu, sur environ 0,4 à 0,6- pm, en en retirant le matériau photosensible. La figure 3 C illustre l'étape consistant à former une région d'arrêt de canal Après avoir étalé un matériau photosensible 6 sur l'ensemble de la surface du substrat, on met à nu la partie de la couche épitaxiale 3 de type N-, dans laquelle une région d'arrêt de canal doit être formée, en utilisant un procédé de corrosion photochimique, et on forme une région 7 d'implantation ionique en réalisant l'implantation d'ions de bore (B) avec une intensité de 2 à 20 x 1012 ions/cm 2 et une énergie de 15 à 30 ke V. On va décrire la figure 3 D Après l'enlèvement-du matériau photosensible 6, on fait croître une couche d'oxy- de de champ 8, sur une épaisseur de 900 à 1100 nm en utili- sant un procédé usuel d'oxydation thermique, puis on éli- mine successivement la couche de nitrure 5 et la couche d'oxyde 4 Dans ces conditions, les ions de bore, qui sont implantés pendant l'opération d'oxydation thermique de ma- nière à former la couche d'oxyde 8, diffusent de manière à former une région 9 d'arrêt de canal. La figure 3 E illustre l'étape de formation d'une région de collecteur Tout d'abord, on fait croître une couche d'oxyde 10, sur une épaisseur d'environ 50 à 80 nm, sur l'ensemble de la surface du substrat, et sur cette couche, on répand un matériau photosensible 11 Ensuite, on met à nu la partie, dans laquelle la région de collecteur doit être formée, en corrodant le matériau photosensible étalé 11, puis on implante des ions de phosphore (P) à tra- vers L'ouverture 12, avec une intensité de 1 à 3 x 1015 ions/cm 2 et une énergie de 80 à 100 ke V Ensuite, on met en oeuvre une opération usuelle de traitement ther- mique, ce qui achève la formation de la région de collec- teur 13. Les figures 3 F à 3 J illustrent les étapes consis- -tant à former une électrode de base en polysilicium au moyen de la corrosion de la couche épitaxiale 3, et à f or- mer une couche d'oxyde épaisse au-dessous de l'électrode de base en polysilicium Tout d'abord, en référence à la fi- gure 3 F, on forme une couche de nitrure 14 sur la couche d'oxyde 10 en utilisant un procédé chimique de dépôt en phase vapeur à basse pression après avoir éliminé le maté- riau photosensible 11, et sur cette couche, on forme une couche d'oxyde sur une épaisseur comprise entre 500 et 700 nm en utilisant un procédé chimique classique de dépôt en phase vapeur (CVD). Puis, on forme une structure en utilisant un pro- cédé usuel de corrosion photochimique de manière à séparer l'une de l'autre les régions d'émetteur et de base, et on forme de façon spécifique la structure de telle manière, qu'après avoir étalé un matériau photosensible sur la couche d'oxyde 15, on corrode successivement cette couche d'oxyde 15, la couche de nitrure 14 et la couche d'oxyde 10 de manière à former la structure, le matériau photosensible étant ensuite éliminé. En référence à la figure 3 G, on applique une cor- rosion-anisotrope à la partie de la couche épitaxiale 3 de type N, dans laquelle une électrode de base en polysili- cium doit être formée, et ce sur une profondeur d'environ 0,6 à 0,8 pm en utilisant la couche d'oxyde 15, la couche de nitrure 14 et la couche d'oxyde 10 en tant que masques. Comme cela est représenté sur la figure 3 H, on dépose une couche de nitrure 16 sur une épaisseur d'environ 100 à nm sur l'ensemble de la surface du substrat, en utili- sant un procédé chimique de dépôt en phase vapeur à basse pression, puis on réalise la corrosion anisotrope de la couche de nitrure 16 de manière qu'une couche de nitrure 16 ' subsiste uniquement sur la paroi latérale, comme re- présenté sur la figure 3 I. La figure 3 J illustre l'étape consistant à former une couche d'oxyde dans la couche épitaxiale, et comme cela est représenté sur cette figure, on fait croître une couche d'oxyde épaisse 17, possédant une épaisseur de 700 à 900 nm au-dessous de la région de base extrinsèque en employant un procédé d'oxydation thermique utilisant la couche de ni- trure 16 ' de la paroi latérale en tant que masque Ici, la croissance de la couche d'oxyde 17 est inhibée par la pré- sence de la couche de nitrure 16 ' de sorte que la couche d'oxyde 17 est formée uniquement sur la couche épitaxiale 3 Les figures 3 K et 3 L illustrent l'étape de formation d'une électrode de base en polysilicium Tout d'abord, -comme représenté sur la figure 3 K, on élimine la couche de nitrure 16 ' présente sur la paroi latérale en utilisant de l'acide phosphorique, puis on dépose une couche de polysi- licium 18 possédant une épaisseur de 1000 à 1500 nm en uti- lisant un procédé chimique de dépôt en phase vapeur à basse pression Ensuite, comme représenté sur la figure 3 L, on polit la couche de polysilicium 18 formée au moyen d'un procédé décrit précédemment, de manière à polir la couche de polysilicium 18, qui est formée sur l'ensemble de la surface du substrat, moyennant l'utilisation d'un procédé usuel de polissage, ce qui permet d'obtenir une électrode de base en polysilicium unie 19. Ensuite, on exécute un procédé d'implantation io- nique pour former une région de base, en implantant des ions de bore dans l'ensemble de la surface du substrat, avec une intensité de 3 à 6 x 1015 ions/cm 2 et une énergie de 30 à 40 ke V. En référence à la figure 3 M, on élimine la couche d'oxyde 15 située sur la couche de nitrure 14 en mettant en oeuvre un procédé de corrosion par voie humide, puis on forme une couche d'oxyde 20 possédant une épaisseur com- prise entre 300 et 500 nm en mettant en oeuvre un procédé usuel d'oxydation thermique à l'électrode de base en poly- silicium 19 possédant une face plane -Dans ces conditions, la couche d'oxyde 20 est formée uniquement sur la surface supérieure et sur la paroi latérale de l'électrode de base plane en polysilicium 19. Les figures 3 N et 30 illustrent l'étape consis- tant à former une couche d'oxyde sur la paroi latérale de l'électrode de base plane en polysilicium 19 Tout d'abord, comme représenté sur la figure 3 N, on élimine la couche de nitrure 14 en employant une solution d'acide phosphorique et en utilisant la couche d'oxyde 20 en tant que masque de corrosion, puis on élimine également la couche d'oxyde in- tercalaire, qui est formée au-dessous de la couche de ni- trure 14, en utilisant une solution d'acide fluorhydrique ordinaire Ensuite, comme cela est illustré sur la figure , on fait croître une couche d'oxyde thermique 21 possé- dant une épaisseur de 30 à 50 nm, à une température d'environ 9000 C, puis on implante des ions de bore dans l'ensemble de la surface du substrat avec une intensité de 1 à 10 x 1022 ions/cm 2 et avec une énergie comprise entre et 30 ke V En se référant à la figure 3 P, après avoir exécuté l'implantation ionique, on dépose une couche d'oxyde sur l'ensemble de la surface du substrat en em- ployant un procédé classique de dépôt chimique en phase va- peur (CVD), et on corrode de façon anisotrope cette couche d'oxyde, de manière à former une couche d'oxyde sur la pa- roi latérale 22 de l'électrode de base plane en polysili- cium 19. Les figures 3 Q et 3 R illustrent l'étape d'implantation ionique servant à former une région de base et une région d'émetteur Tout d'abord, comme représenté sur la figure 3 Q, on dépose une couche de polysilicium 23 sur l'ensemble de la surface du substrat, sur une épaisseur -comprise entre 200 et 400 nm en utilisant un procédé usuel de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), puis on implante des ions de bore avec une intensité com- prise entre 1 et 5 x 10 14 ioyns/cm 2 et avec une énergie com- prise entre 30 et 40 ke V Après avoir effectué l'implan- tation ionique, on met en oeuvre une diffusion à une tempé- rature de 9500 C, de manière à former une région de base in- trinsèque 24 et une région de base extrinsèque 25 sur le substrat en silicium. En référence à la figure 3 R, on implante des ions d'arsenic (As) dans la couche en polysilicium 23, avec une intensité comprise entre 5 et 10 x 1 lo 5 ions/cm 2 et avec une énergie comprise entre 80 et 120 ke V, puis on exécute une diffusion en mettant en oeuvre un procédé usuel de dif- fusion thermique à une température d'environ 1000 'C De cette manière, on forme la région d'émetteur 26, la région de base intrinsèque 24 et la région de base extrinsèque 25 du transistor bipolaire. En référence à la figure 3 S, on corrode la couche de polysilicium 23 en mettant en oeuvre un procédé de cor- rosion et on forme de cette manière une électrode d'émetteur en polysilicium 27 et une électrode de collec- teur en polysilicium 28 Ensuite, on dépose une couche d'oxyde 29 sur l'ensemble de la surface du substrat, sur une épaisseur comprise entre 300 et 500 nm, en mettant en oeuvre un procédé de dépôt chimique en phase vapeur avec activation par un plasma (PACVD), puis on met en oeuvre un procédé de corrosion de manière à mettre à nu les parties des couches d'oxyde, sur lesquelles une électrode de col- lecteur, une électrode de base et une électrode d'émetteur doivent être formées Ensuite, on met en oeuvre un procédé usuel de métallisation pour former une électrode d'émetteur , une électrode de base 31 et une électrode de collecteur 32 Enfin, on met en oeuvre un procédé d'alliage à une tem- pérature comprise entre 4000 C et 4500 C pendant 30 à 60 mi- nutes, de manière à terminer l'ensemble du procédé de fa- brication du transistor bipolaire fonctionnant à grande vi- tesse, conforme à la présente invention. Conformément à la présente invention telle que décrite précédemment, on forme une électrode de base se présentant sous la forme d'une couche de polysilicium, on- forme une région de base extrinsèque en faisant diffuser l'impureté à partir de l'électrode de base, et on forme une couche d'oxyde épaisse audessous de l'électrode de base de manière à séparer l'une de l'autre la région de base et la région de collecteur Ceci a pour effet que la capacité de la jonction et le temps de propagation entre la région de base extrinsèque et la région de collecteur sont réduites, ce qui améliore les caractéristiques du transistor en hy- perfréquences En outre, le phénomène de perçage provoqué par la région de base à haute concentration peut être sup- primé, de sorte qu'on peut obtenir un niveau élevé pour la tension de claquage Par conséquent, avec la même caracté- ristique de tension de claquage du transistor, on peut ré- duire de façon supplémentaire l'épaisseur de la couche épi- taxiale et par conséquent améliorer les caractéristiques de vitesse élevée de fonctionnement du transistor. REVENDICATIONS 1 Transistor bipolaire fonctionnant à grande vi- tesse, comportant une couche ensevelie ( 2) et une couche épitaxiale ( 3) formée sur un substrat en silicium, une ré- gion ( 9) d'arrêt de canal, formée au-dessous d'une couche d'oxyde de champ ( 8) et servant à réaliser l'isolation du dispositif, et des électrodes en polysilicium ( 27,19,28) raccordées électriquement à des électrodes métalliques ( 30- 33), caractérisé en ce que ladite électrode de base en po- lysilicium ( 19) est formée à l'intérieur de ladite couche épitaxiale ( 3), qu'une couche épaisse d'oxyde ( 17) est for- mée au-dessous d'une électrode de base ( 19) de manière à séparer l'une de l'autre ladite région de base ( 25) et une région de collecteur, qu'une couche d'oxyde ( 21) est formée au-dessous de ladite couche de polysilicium ( 19) utilisée comme électrode de base, qu'une électrode de collecteur ( 28) et une électrode d'émetteur ( 27) sont formées sur la couche d'oxyde précédente et sont en contact avec une ré- gion d'émetteur ( 26) et une région de collecteur ( 13), dans la direction verticale, et que ladite électrode de base en polysilicium ( 19) est en contact avec ladite région de base extrinsèque ( 25), dans la direction latérale. 2 Procédé pour fabriquer un transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse, caractérisé en ce qu'il in- lut l'étape consistant à former une couche ensevelie ( 2) de type Ni sur un substrat ( 1) en silicium moyennant l'utilisation d'un procédé classique de formation d'une couche ensevelie, et à faire croître une couche épitaxiale ( 3) de type N-, l'étape consistant à former une couche d'oxyde ( 4) et une couche de nitrure ( 5), à exécuter unecor- rosion photochimique pour mettre à nu la partie o une couche d'oxyde champ doit être formée, à exécuter une implan- tation ionique et à réaliser une oxydation thermique pour former une couche d'oxyde de champ ( 8) et une région ( 9) d'arrêt de canal, l'étape consistant à faire croître une couche d'oxyde ( 10), à étaler une résine photosensible ( 11), ménager une ouverture ( 12) par corrosion photochimique,à in- troduire par implantation ionique une impureté dans ladite ouverture ( 12) en utilisant ladite résine photosensible en tant que masque et à faire diffuser cette impureté pour for- mer une région de collecteur ( 13), l'étape consistant à faire croître une couche d'oxyde épaisse ( 17) dans ladite couche épitaxiale ( 3), l'étape consistant à exécuter une opération de polissage après le dépôt d'une couche de poly- silicium ( 18) pour former une électrode de base planar en polysilicium ( 19), l'étape consistant à former une région de base, l'étape consistant à former une couche d'émetteur ( 26) au moyen du procédé classique de diffusion après l'introduction par implantation ionique d'une impureté de type N dans une couche de polysilicium ( 23), l'étape consistant à former une électrode d'émetteur en polysili- cium ( 27) et une électrode de collecteur en polysilicium ( 28) par corrosion photochimique de ladite couche de poly- silicium ( 23), l'étape consistant à déposer une couche d'oxyde ( 29) sur l'ensemble de la surface dudit substrat ( 1) au moyen d'un procédé classique PECVD (dépôt chimique en phase vapeur amélioré avec l'utilisation d'un plasma), età mettre en oeuvre une opération de corrosion photochi- mique de manière à dégager la zone o une électrode de col- lecteur, une électrode de base et une électrode d'émetteur doivent être formées, et l'étape consistant à exécuter une opération de métallisation pour former une électrode d'émetteur ( 30), une électrode de base ( 31) et une élec- trode de collecteur ( 32). 3 Procédé de fabrication d'un transistor bipo- laire fonctionnant à grande vitesse selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape de formation de ladite couche d'oxyde épaisse ( 17) inclut l'étape partielle consistant à former une couche de nitrure ( 14) sur ladite couche d'oxyde ( 10) au moyen d'un procédé classique de dé- pôt chimique en phase vapeur à basse pression (LPCVD), l'étape partielle consistant à corroder successivement une couche d'oxyde ( 15), une couche de nitrure ( 14) et une couche d'oxyde ( 10) pour former un réseau, l'étape par- tielle consistant à corroder de façon anisotrope la surface de ladite couche épitaxiale ( 3) de type N-, dans laquelle une électrode de base en polysilicium doit être formée, et l'étape partielle consistant à déposer une couche de ni- trure ( 16) sur l'ensemble de la surface dudit substrat au moyen d'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur à basse pression, l'étape partielle consistant à corroder de façon anisotrope ladite couche de nitrure ( 16) pour former une couche de nitrure ( 16 ') formant une paroi latérale, et une étape partielle consistant à former une couche d'oxyde épaisse ( 17) dans ladite couche épitaxiale au moyen d'un procédé classique d'oxydation thermique locale. 4 Procédé pour fabriquer un transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse selon la revendication 3, ca- ractérisé en ce que ladite couche de nitrure ( 16 ') formant une paroi latérale est utilisée comme masque permettant de former ladite couche d'oxyde ( 17) uniquement sur ladite couche épitaxiale ( 3). 'Procédé de fabrication d'un transistor bipo- laire fonctionnant à grande vitesse selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape consistant à former ladite région de base inclut l'étape partielle consistant à intro- duire par implantation ionique une impureté dans l'ensemble dé la surface dudit substrat après formation de ladite électrode de base en polysilicium ( 19), l'étape partielle -consistant à éliminer ladite couche d'oxyde ( 15) au moyen d'un procédé de corrosion par voie humide, l'étape par- tielle consistant à faire croître une couche d'oxyde ( 20) sur ladite électrode de base en polysilicium ( 19), l'étape partielle consistant à éliminer ladite couche de nitrure ( 14) et ladite couche d'oxyde ( 10), puis à introduire par implantation ionique une impureté de type P après avoir fait croître une couche d'oxyde mince ( 21), l'étape par- tielle consistant à déposer une couche d'oxyde, puis à appli- quer une corrosion anisotrope pour former une entretoise ( 22) formant paroi latérale, l'étape partielle consistant à déposer une couche de polysilicium ( 23) sur l'ensemble de la surface dudit substrat, et l'étape partielle consistant à introduire une impureté par implantation ionique dans la- dite couche de polysilicium ( 23),puis à réaliser une dif- fusion pour former une région de base intrinsèque ( 24) et une région de base extrinsèque ( 25). 6 Procédé pour fabriquer un transistor bipolaire fonctionnant -à grande vitesse selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce qu'on utilise ladite couche de nitrure ( 14) en tant que masque de manière à former ladite couche d'oxyde ( 20) uniquement sur la paroi supérieure et les pa- rois latérales de ladite électrode de base en polysilicium ( 19). 7 Procédé pour fabriquer un transistor bipolaire fonctionnant à grande vitesse selon la revendication 5, ca- ractérisé en ce qu'on utilise ladite couche d'oxyde ( 20) en tant que masque de corrosion lors de la corrosion de ladite couche de niture ( 14) et de ladite couche d'oxyde interca- laire ( 10).