Brevet FR2668873A1 — publié le 19920507

2668873- DISPOSITIF IMAGEUR A SEMICONDUCTEURS ET PROCEDE DE COMMANDE DE CE DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif imageur à semiconducteurs tel qu'un dispositif imageur infrarouge, et elle concerne plus particulièrement un tel 5 dispositif utilisant une technique "d'écrémage de charge". La figure 5 montre une vue en perspective d'un dispositif imageur infrarouge de l'art antérieur On voit sur la figure 5 un réseau bidimensionnel de photodiodes 1, comprenant par exemple 128 x 128 pixels, qui détecte la10 lumière infrarouge 4 qui tombe sur lui, et qui convertit cette lumière en électricité Un dispositif de transfert de charge 2 est incorporé pour transférer successivement des charges qui sont émises par le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 Dans ce cas, ce dispositif de transfert de15 charge est constitué par un dispositif CCD (dispositif à couplage de charge), qui est formé sur un substrat en sili- cium Des électrodes 3 se présentant sous la forme de micro-piliers en indium sont formées de façon à connecter électriquement le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 et le dispositif CCD 2. Les figures 6 (a) à 6 (c) illustrent schématique- ment le fonctionnement du circuit d'entrée de charge du CCD 2 du dispositif imageur infrarouge qui est représenté sur la figure 5 Sur les figures 6 (a) à 6 (c), on utilise des références numériques identiques à celles de la figure 5 pour désigner les éléments identiques ou correspondants. Une électrode de grille d'entrée 5 est formée de façon à 2 commander l'entrée de la charge de signal dans le circuit d'entrée de charge du CCD 2 Une électrode de grille de stockage 6 est formée pour stocker des charges une fois qu'elles ont été introduites dans le circuit d'entrée de 5 charge Une électrode de grille de transfert 7 est formée pour transférer les charges vers l'étage initial du CCD 2. Une électrode de commande 8 est formée pour commander le fonctionnement du CCD 2 Une électrode de grille d'écrémage 9 est formée pour appliquer une tension d'écrémage, dans le but d'établir un niveau d'écrémage du pixel, et ce niveau d'écrémage est établi dans le puits de potentiel qui se trouve au-dessous de la grille de stockage 6 La référence lla désigne une charge stockée qui reste dans le puits de potentiel sans dépasser le niveau d'écrémage La référence15 llb désigne une charge stockée dans le puits quantique qui a dépassé le niveau d'écrémage Une électrode de grille d'évacuation de charge 10 est formée pour commander l'éva- cuation vers l'extérieur de la charge stockée llb La réfé- rence 25 désigne une électrode d'évacuation de charge.20 On va maintenant décrire le fonctionnement. Le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 et le CCD 2 sont connectés électriquement par des micro-piliers d'indium 3, et une tension différente de la tension appli- quée à l'électrode de grille de stockage 6, est appliquée à25 l'électrode de grille d'écrémage 9, pour produire ainsi une barrière de potentiel dans la section de stockage de charge. Dans ces conditions, lorsque le rayon infrarouge 4 tombe sur le réseau bidimensionnel de photodiodes 1, la charge 11 qui résulte de la conversion en électricité qu'effectuent les photodiodes 1, circule vers l'électrode de grille d'entrée 5 du CCD 2, par l'intermédiaire du micro-pilier d'indium 3, et elle est stockée pendant une durée prédéterminée sous l'électrode de grille de stockage35 6 (figure 5 (a)) Ensuite, en changeant la tension qui est 3 appliquée à l'électrode de grille de transfert 7, la charge stockée llb est transférée sous l'électrode de commande de CCD 8 (figure 6 (b)) A ce moment, une quantité prédétermi- née lla de la charge stockée 11, qui ne dépasse pas la 5 barrière de potentiel, reste dans sa position, sans être transférée, à cause de la barrière de potentiel que produit l'électrode de grille d'écrémage 9 dans l'électrode de grille de stockage 6 Ensuite, sous l'effet de l'activation de l'électrode de grille d'évacuation 10, la charge stockée10 lia est évacuée vers l'électrode d'évacuation de charge 25 (figure 6 (c)). La figure 7 montre une représentation de principe dans laquelle la structure est représentée dans un plan La référence 15 désigne un circuit d'entrée de charge du CCD 215 qui est représenté sur la figure 6. Ce système est décrit par Chow et al dans IEEE Transactions on Electron Devices, Volume ED-29, numéro 1, janvier 1982, pages 3-4, et il correspond à ce qu'on appel- le une "technique d'écrémage de charge" Cette technique20 est efficace lorsque le contraste du signal est faible, comme dans le cas de la formation d'une image de rayons infrarouges. La figure 8 montre le contenu de la charge stockée 11 dans le cas de la formation d'image dans la bande infrarouge de 10 microns Du fait que la quantité de charge 13 qui est générée par un rayonnement de fond est très supérieure à la quantité de charge 12 qui est générée par de la lumière de signal, le contraste de signal est faible Dans la technique d'écrémage de charge décrite ci-30 dessus, en appliquant une tension appropriée à l'électrode de grille d'écrémage 9, on détermine le niveau d'écrémage 14 comme le montrent les figures 9 (a) et 9 (b), pour élimi- ner ainsi la charge qui est générée par le rayonnement de fond, et la charge 12 qui est générée par la lumière de35 signal est effectivement transférée. On obtient donc une image ayant un contraste de signal élevé et une qualité élevée. Dans l'élément imageur infrarouge utilisant la technique d'écrêmage de charge de l'art antérieur, décrite ci-dessus, la tension de grille d'écrémage doit être com- mune pour des pixels respectifs En outre, dans le cas o la tension de grille d'écrémage est appliquée indépendam- ment à des pixels respectifs, des connexions relatives à l'ensemble des 128 x 128 pixels doivent être sorties à10 l'extérieur, mais ceci est physiquement impossible. Le dispositif imageur à semiconducteurs de l'art antérieur utilisant la technique de transfert avec écrémage de charge est réalisé de la manière décrite ci-dessus, et du fait qu'une tension de grille d'écrémage est commune à15 tous les pixels, lorsque la sensibilité des photodiodes n'est pas uniforme entre des pixels respectifs, comme le montre la relation entre le pixel et la quantité de charge sur la figure 10 (a), la tension de grille d'écrémage 14 doit être fixée conformément au pixel ayant la plus faible20 sensibilité Il en résulte que la relation entre les pixels et la quantité de charge devient celle qui est représentée sur la figure 10 (b) après l'opération d'écrémage, et il est impossible d'éliminer efficacement la composante continue qui est due au rayonnement de fond sur l'ensemble des25 pixels, et par conséquent il est impossible d'effectuer un transfert avec écrémage de charge efficace. On a envisagé à titre de solution à ce problème un procédé consistant à établir une tension de grille d'écrémage de façon indépendante sur des pixels respectifs.30 Cependant, pour établir indépendamment le niveau d'écrémage sur les pixels, il est nécessaire de sortir à l'extérieur les interconnexions de l'ensemble des 128 x 128 pixels En outre, il est nécessaire d'introduire par des connexions les valeurs établies de niveau d'écrémage indépendant pour35 l'ensemble des pixels, et ceci est physiquement impossible en ce qui concerne la conception des connexions. Une solution à ce problème est proposée dans la publication de brevet Japonais 2-151183 Dans ce disposi- tif, un CCD d'écrémage destiné à transférer la tension 5 d'écrémage sous la forme d'un signal séquentiel est associé en parallèle avec les CCD verticaux destinés à effectuer le transfert de charge avec écrémage, un niveau de tension proportionnel à la charge qui est due au rayonnement de fond pour le pixel respectif est mesuré, ce niveau est tout10 d'abord enregistré dans une mémoire externe, et le signal enregistré est appliqué séquentiellement aux électrodes d'écrémage des pixels respectifs, par le transfert succes- sif qui est effectué par le CCD pour le transfert de la tension d'écrémage Cependant, ce dispositif exige une15 mémoire externe pour établir un niveau d'écrémage, un con- vertisseur N/A et un convertisseur A/N, et en outre un CCD pour le transfert de la tension d'écrémage doit être placé en parallèle avec le CCD vertical, ce qui complique la structure De plus, du fait que le niveau d'écrémage est20 tout d'abord enregistré dans une mémoire externe, il peut ne pas correspondre au changement de sensibilité du pixel, dont la sensibilité change instantanément, et il est impos- sible de répercuter en temps réel le changement de sensibi- lité du pixel sur le niveau d'écrémage.25 Un but de l'invention est de procurer un disposi- tif imageur à semiconducteurs capable de déterminer le niveau d'écrémage le plus approprié pour les pixels res- pectifs, sans utiliser une mémoire externe, et d'effectuer un transfert avec écrémage de charge efficace bien que la30 sensibilité ne soit pas uniforme entre les différents pixels. Conformément à l'invention, un dispositif imageur à semiconducteurs comprend des circuits d'échantillonnage qui sont établis indépendamment pour des pixels respectifs, de façon à détecter la quantité des charges qui sont obte- 6 nues par conversion photoélectrique dans des pixels respec- tifs, et à fournir un niveau de tension correspondant, et une section d'entrée de charge qui est destinée à effectuer un transfert avec écrêmage de la charge de signal qui est 5 obtenue par conversion photoélectrique dans des pixels respectifs, en prenant à titre de tension d'écrémage la tension de sortie du circuit d'échantillonnage Ainsi, le circuit d'échantillonnage détecte automatiquement la quan- tité de charge qui est appliquée aux pixels respectifs, et10 la tension correspondant à cette quantité est appliquée à l'électrode de grille d'écrémage des pixels respectifs. D'autres caractéristiques et avantages de l'in- vention seront mieux compris à la lecture de la description détaillée qui va suivre d'un mode de réalisation, donné à15 titre d'exemple non limitatif La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels: Les figures 1 (a) à 1 (c) sont des schémas montrant le fonctionnement d'une section de circuit d'entrée d'un CCD d'un dispositif imageur à semiconducteurs conforme à un20 mode de réalisation de l'invention; La figure 2 est une vue en plan de principe d'un dispositif imageur à semiconducteurs conforme à un mode de réalisation de l'invention; La figure 3 est un schéma montrant un circuit équivalent pour l'établissement d'une tension d'écrémage d'un circuit d'échantillonnage d'un dispositif imageur à semiconducteurs conforme à un mode de réalisation de l'in- vention; Les figures 4 (a) et 4 (b) sont des graphiques des- tinés à expliquer un transfert avec écrémage de charge d'un dispositif imageur à semiconducteurs conforme à un mode de réalisation de l'invention; La figure 5 est une vue en perspective, partiel- lement arrachée, d'un élément imageur infrarouge conforme à 7 l'art antérieur; Les figures 6 (a) à 6 (c) sont des schémas qui montrent le fonctionnement d'une section de circuit d'en- trée d'un CCD appartenant à un élément imageur infrarouge 5 de l'art antérieur; La figure 7 est une vue en plan de principe d'un élément imageur infrarouge conforme à l'art antérieur; La figure 8 est un graphique montrant une charge stockée au cours de la formation d'une image infrarouge dans la bande des 10 microns correspondant à la fois à l'invention et à l'art antérieur; et Les figures 9 (a), 9 (b) et 10 (a), 10 (b) sont des graphiques destinés à l'explication du transfert avec écrémage de charge d'un élément imageur infrarouge de l'art antérieur. Les figures l(a)-l(c) reprs Entent schémaiquement un dispo- sitif imageur à semiconducteurs conforme à un mode de réalisation de l'invention,et elles motrent plus particuliè- rement le fonctionnement du circuit d'entrée du CCD dans20 l'élément imageur infrarouge Sur es figres l(a)-l(c),onutlise les mêmes références numériques que sur les figures 6 (a)-6 (c) pour désigner les éléments identiques ou correspondants La référence 1 désigne un réseau bidimensionnel de photodiodes comprenant par exemple 128 x 128 pixels Un dispositif à25 couplage de charge ou CCD 2, qui est formé sur un substrat en silicium, est prévu pour le transfert de signal Des micro-piliers en indium 3 sont incorporés pour connecter électriquement le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 et le CCD de transfert de signal 2 La référence 4 désigne un flux de lumière de signal, tel qu'un rayonnement infrarou- ge, qui tombe sur le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 Une électrode de grille d'entrée 5 est formée dans la section d'entrée de charge du CCD 2 Une électrode de grille de stockage 6 est formée pour stocker des charges35 une fois qu'elles ont été introduites dans la section d'en- 8 trée de charge du CCD Une électrode de grille de transfert 7 est formée pour transférer des charges vers la section de transfert de charge du CCD Une électrode de commande 8 est formée pour le CCD 2, et cette électrode reçoit une horloge 5 de commande pour transférer successivement dans la direc- tion perpendiculaire au plan de la feuille de papier la charge qui est transférée à partir de l'électrode de trans- fert Une électrode de grille d'écrémage 9 est formée pour appliquer une tension d'écrémage de façon à établir le10 niveau d'écrémage du pixel Une électrode de grille d'éva- cuation de charge 10 est formée pour évacuer vers l'élec- trode d'évacuation de charge 25 la charge stockée qui reste présente après l'opération d'écrémage La référence 15 désigne un circuit d'entrée de charge du CCD La référence15 16 désigne un circuit d'échantillonnage qui est destiné à détecter la quantité de charge que détecte le réseau bidi- mensionnel de photodiodes 1, et ce circuit est formé sur le même substrat en silicium que le circuit d'entrée de charge 15 Un élément de commutation de sélection de circuit 17 est incorporé dans le but de commuter la charge détectée par le réseau bidimensionnel de photodiodes 1 vers le cir- cuit d'entrée de charge 15 ou vers le circuit d'échantil- lonnage 16 Cet élément de commutation de sélection de cir- cuit 17 est constitué par exemple par un transistor La25 référence 18 désigne une électrode de grille d'entrée dans le circuit d'échantillonnage 16 La référence 19 désigne une électrode de grille à laquelle est appliquée une horlo- ge de restauration pour l'échantillonnage Une région de diffusion flottante 20 ayant une concentration élevée d'im-30 puretés de type N est formée dans le substrat Un transis- tor à effet de champ MOS (ou MOSFET) de sortie d'échantil- lonnage 21 comporte une grille qui est connectée électri- quement à la région de diffusion flottante, tandis que sa source est connectée de façon à recevoir la tension de35 masse, et son drain constitue une borne de sortie La réfé- 9 rence 23 désigne une alimentation, du type à charge de source, pour l'amplificateur à diffusion flottante Une extrémité d'une résistance 22 est connectée à l'alimenta- tion du type à charge de source 23, et son autre extrémité 5 est connectée à la borne de sortie du MOSFET de sortie d'échantillonnage 21 Le noeud de connexion entre la borne de sortie du MOSFET 21 et la résistance 22 est connecté par une interconnexion à l'électrode d'écrémage 9 du circuit d'entrée de charge 15 La référence 24 désigne une électro-10 de de restauration de l'amplificateur à diffusion flottan- te. On décrira ci-après, en se référant aux figures 1 (a) à 1 (c), un processus de transfert avec écrémage de charge, utilisant ce dispositif imageur infrarouge. En premier lieu, l'élément de commutation 17 est connecté au côté du circuit d'échantillonnage 16 par un signal d'horloge de commande provenant de l'extérieur, pour faire fonctionner ainsi le circuit d'échantillonnage 16. Des charges qui sont obtenues par conversion photoélectrique du rayonnement infrarouge incident 4, par les photodiodes 1, sont injectées dans la région de diffu- sion flottante 20, par l'intermédiaire de l'électrode à micro-pilier d'indium 3 et de l'électrode de grille d'en- trée d'échantillonnage 18. 25 Le niveau de tension qui est déterminé par la quantité de charge injectée dans la région de diffusion flottante 20, et par la capacité du MOSFET de sortie d'échantillonnage 21, est émis vers la borne de sortie du MOSFET de sortie d'échantillonnage 21.30 La borne de sortie du MOSFET 21 est connectée à la résistance 22, qui est connectée à l'alimentation du type à charge de source 23 de l'amplificateur à diffusion flottante, et en outre le noeud de connexion entre les deux est connecté à l'électrode de grille d'écrémage 9 dans le35 circuit d'entrée de charge 15 du pixel respectif Lorsqu'on désigne par R 21 la résistance interne du MOSFET 21, par R 22 la valeur de la résistance 22 et par V 0 la valeur de la tension d'alimentation, le circuit équivalent de cette structure devient celui qui est représenté sur la figure 3, 5 et la tension VSK qui est appliquée à l'électrode de grille d'écrémage 9 devient la suivante: R 2 VSK = O 21 R + 21 22 Par conséquent, du fait que la résistance interne R 21 du MOSFET 21 est plus faible, soit en d'autres termes du fait que la quantité de charge qui est stockée dans la région de diffusion flottante 20 est plus grande, la ten- sion VSK qui est appliquée à l'électrode d'écrémage 9 est faible. Sur la base de ce principe, une barrière de po- tentiel correspondant à la quantité de charge, qui dépend du pixel respectif associé à l'électrode de grille d'écrê- mage 9, est produite dans la section de stockage de charge dans le circuit d'entrée de charge du CCD (figure 1 (a)). Ensuite, l'élément de commutation 17 est connecté au côté du circuit d'entrée de charge 15 par le signal d'horloge de commande provenant de l'extérieur Ensuite, la charge qui est obtenue par conversion photoélectrique par la photodiode 1 correspondant au pixel respectif, est stockée dans la section de stockage de charge au-dessous de25 l'électrode de grille de stockage 6, par l'intermédiaire de l'électrode à micro-pilier d'indium 3 et de l'électrode de grille d'entrée 5 (figure 1 (b)). Ensuite, en changeant la tension qui est appli- quée à l'électrode de grille de transfert 7, seule la char- ge lia qui est écrémée par la barrière de potentiel dans la section de stockage de charge qui a été produite précédem- ment, est transférée vers le pixel respectif D'autre part, la charge llb qui reste dans la section de stockage de il charge et n'est pas écrémée, est évacuée vers l'électrode d'évacuation de charge 25 par l'action de l'électrode de grille d'évacuation 10. La charge lla qui est écrémée et transférée, est transférée successivement par le même procédé de commande que dans le dispositif de l'art antérieur, et elle est émise sous la forme d'un signal séquentiel. La figure 2 montre une vue de principe qui montre une représentation en plan d'un exemple d'une telle struc- ture Le circuit d'échantillonnage 16 est formé sur le même substrat que le circuit d'entrée de charge 15 du CCD 2, à proximité de celui-ci. Le circuit 16 qui est utilisé pour l'échantillon- nage est appelé ici amplificateur à diffusion flottante, et il est couramment utilisé pour convertir une faible charge en une tension. Comme décrit ci-dessus, dans le mode de réalisa- tion présent, le circuit d'échantillonnage 16 est formé pour chaque circuit d'entrée de charge 15 du CCD de chaque20 pixel, et la quantité de charge du pixel respectif est échantillonnée préalablement par le circuit d'échantillon- nage 16, et une barrière de potentiel conforme à la quan- tité de charge est formée dans la section de stockage de charge du circuit d'entrée de charge 15 Par conséquent,25 comme le montre la figure 4, le niveau d'écrémage optimal 14 peut être établi automatiquement pour le pixel respec- tif, et même s'il y a un défaut d'uniformité dans la sen- sibilité correspondant aux pixels respectifs, la charge 13 qui est excitée par le rayonnement de fond peut effective-30 ment être éliminée, et la charge 12 qui est excitée par la lumière de signal peut être effectivement transférée avec écrêmage Il en résulte que même dans un cas dans lequel la sensibilité des photodiodes n'est pas la même pour les dif- férents pixels, on peut obtenir une image de qualité élevée35 ayant un contraste élevé. En outre, du fait que le circuit d'échantillonna- ge 16 est formé sur le même substrat que le CCD, et égale- ment à proximité du circuit d'entrée de charge 15, le cir- cuit d'échantillonnage peut être formé aisément, uniquement 5 par le processus destiné à former le CCD, sans utiliser une autre technique spéciale quelconque. Dans le mode de réalisation qui est représenté, un circuit d'échantillonnage 16 est formé à proximité du circuit d'entrée de charge 15 du CCD, de façon indépendante10 pour chaque pixel En premier lieu, le circuit d'échantil- lonnage est mis en oeuvre pour établir automatiquement le niveau de tension conformément à la quantité de charge, par l'amplificateur à diffusion flottante, et le niveau obtenu est appliqué directement à la borne de tension d'écrêmage 915 du circuit d'entrée de charge 15, à titre de niveau d'écré- mage, sans être mémorisé préalablement dans une mémoire externe, pour établir ainsi le niveau d'écrêmage, après quoi un transfert avec écrémage conformément au niveau d'écrêmage est accompli par le fonctionnement du circuit20 d'entrée de charge 15 Il est donc possible d'établir le niveau d'écrêmage le plus approprié pour chaque pixel, sans augmenter le nombre d'interconnexions, et il est possible de faire en sorte que le niveau d'écrémage qui est établi soit un niveau qui reflète en temps réel la sensibilité de25 chaque pixel, et un transfert avec écrémage peut être accompli avec une précision plus élevée De plus, la struc- ture de ce mode de réalisation n'exige pas des éléments tels que des mémoires externes, et ce mode de réalisation est entièrement réalisé sur la même puce que le CCD, ce qui30 permet de donner une faible taille à la structure du dispo- sitif. On a décrit dans ce mode de réalisation un dispo- sitif imageur infrarouge, mais il est possible d'appliquer la présente invention à un autre dispositif imageur, en35 obtenant des effets identiques à ceux décrits ci-dessus. Bien que dans le mode de réalisation qui est envisagé ci-dessus, on utilise l'amplificateur à diffusion flottante pour le circuit d'échantillonnage 16, on peut utiliser n'importe quel autre dispositif capable de conver- 5 tir la faible charge en une tension, et capable de fonc- tionner de la manière exigée décrite ci-dessus, et on n'est pas limité à l'amplificateur à diffusion flottante. Il n'est pas obligatoire que le circuit d'échan- tillonnage 16 soit formé sur le même substrat que le cir- cuit d'entrée de charge 15, et il peut être formé sur un substrat autre que celui du CCD 2. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, on utilise un CCD pour les moyens de transfert de charge, mais on peut également utiliser un autre système.15 Comme il ressort de façon évidente de la descrip- tion précédente, et conformément à l'invention, la quantité de charge est détectée indépendamment pour les pixels res- pectifs, et on obtient une tension d'écrêmage conformément à cette quantité de charge, grâce à quoi on dispose d'un circuit d'échantillonnage qui établit automatiquement la quantité de charge à transférer avec écrémage Il est donc possible de déterminer en temps réel le niveau d'écrêmage le plus approprié pour chaque pixel, sans augmenter le nombre d'interconnexions, et même lorsque la sensibilité25 entre les pixels n'est pas uniforme, les charges qui sont dues à la lumière de fond peuvent être efficacement élimi- nées, ce qui fait qu'on obtient une image ayant un con- traste de signal très élevé et une qualité élevée. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS - 1 Dispositif imageur à semiconducteurs utilisant une technique de transfert avec écrémage de charge, carac- térisé en ce qu'il comprend: un circuit d'échantillonnage 5 ( 16), formé indépendamment pour chaque pixel respectif, qui détecte la quantité de charge résultant de la conversion photoélectrique qui est effectuée par le pixel respectif, et qui fournit-un niveau de sortie correspondant; et une section d'entrée de charge ( 15) pour effectuer un transfert10 avec écrémage de la charge de signal résultant de la con- version photoélectrique effectuée par le pixel respectif, en utilisant à titre de tension d'écrémage la tension de sortie du circuit d'échantillonnage ( 16). 2 Dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit d'échan- tillonnage ( 16) comprend un amplificateur à diffusion flottante ( 19-24). 3 Dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 2, caractérisé en ce que le circuit d'échan- tillonnage ( 16) et le circuit d'entrée de charge ( 15) sont formés sur le même substrat. 4 Dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce que le circuit d'entrée de charge ( 15) reçoit en entrée la quantité de charge qui25 résulte de la conversion photoélectrique, et il effectue un transfert avec écrémage de la charge qui est située au- dessus du niveau d'écrémage, vers une section d'étage ini- tial de l'élément de transfert de charge ( 2). 5 Dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une section de conversion photoélectrique ( 1) qui est des- tinée à effectuer une conversion photoélectrique de la lumière incidente, et des moyens de commutation ( 17) qui sont destinés à commuter vers l'entrée du circuit d'entrée35 de charge ( 15) ou du circuit d'échantillonnage ( 16) la charge qui résulte de la conversion photoélectrique. 6 Dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une borne de sortie du circuit d'échantillonnage ( 16) est connectée par une 5 interconnexion à une borne d'électrode d'écrémage ( 9) du circuit d'entrée de charge ( 15). 7 Procédé de commande du fonctionnement d'un dispositif imageur à semiconducteurs selon la revendication 1, comprenant une section de conversion photoélectrique ( 1) destinée à effectuer une conversion photoélectrique de la lumière incidente, des moyens de commutation ( 17) qui sont destinés à commuter la charge résultant de la conversion photoélectrique vers l'entrée du circuit d'entrée de charge ( 15) ou du circuit d'échantillonnage ( 16), et des intercon- nexions pour connecter la borne de sortie du circuit d'échantillonnage ( 16) et la borne d'électrode d'écrémage ( 9) du circuit d'entrée de charge ( 15), caractérisé en ce que: on établit à une valeur prédéterminée un niveau d'écrémage du circuit d'entrée de charge ( 15), en détectant20 le niveau de tension correspondant à la quantité de charge d'entrée au moyen du circuit d'échantillonnage ( 16), dans la condition dans laquelle la section de conversion photo- électrique ( 1) et le circuit d'échantillonnage ( 16) sont connectés par les moyens de commutation ( 17); et on effec- tue un transfert avec écrémage de la charge de signal cui est située au-dessus du niveau d'écrémage établi précédem- ment, en utilisant la section d'entrée de charge ( 15), dans la condition dans laquelle la section de conversion photo- électrique ( 1) et la section d'entrée de charge ( 15) sont connectées par les moyens de commutation ( 17).