Brevet FR2668310A1 — publié le 19920424

DISPOSITIF D'INTERCONNEXION AYANT DES BOSSES DE CONTACT COPLANAIRES ET PROCEDE POUR LE FABRIOUER L'invention concerne un dispositif d'interconnexion électrique ayant des bosses de contact pour l'établissement d'un contact électrique avec une composante ou un circuit électronique ainsi que le procédé pour fabriquer ledit dispositif. Il est bien connu d'utiliser des éléments de contact surélevés (parfois désignés comme bosses) pour réaliser un contact dans des interconnexions électriques Des contacts à bosses de ce genre sont fréquemment utilisés dans des dispositifs d'interconnexion ou dans des techniques de câblage qui sont utilisés pour connecter un circuit à une composante électrique ou à un autre circuit Il est par exemple connu d'utiliser des contacts à bosses pour connecter une composante d'un circuit à une autre composante, souvent en utilisant des systèmes de connexion à pression, comme ils sont montrés par exemple dans les brevets US 4,468,074; 4,610,495 et 4,768,971 Il est aussi connu d'utiliser des contacts à bosses sur des systèmes de câblage flexibles pour les connecter à des plaques de circuits intégrées par l'intermédiaire de connecteurs à pression Dans beaucoup d'applications l'uniformité de la hauteur des bosses n'est pas cruciale En effet la flexibilité du circuit et la distance entre les emplacements des bosses donnent au dispositif un certain degré de liberté pour réaliser les contacts Ceci n'est cependant pas vrai si la densité des bosses de contact est élevée et si les bosses de contact sont alors de plus en plus rapprochées Dans ces cas, la flexibilité du matériel d'interconnexion peut ne plus assurer la compensation nécessaire pour compenser la différence en hauteur des bosses Il en résultera des dysfonctionnements parce que les contacts ne pourront plus être réalisés à l'endroit prévu. Si des contacts à bosses sont utilisés dans des applications à haute densité de contacts, comme par exemple des connexions d'un multi-chip module (MCM) à une carte de circuit imprimée (distance des centres de deux contacts5 adjacents par exemple en-dessous de 1,27 mm), il est extrêmement important que le caractère coplanaire des surfaces de contact des bosses soit assuré Ceci signifie que la hauteur des bosses doit être soigneusement contrôlée, afin que les surfaces de contact de toutes les10 bosses se trouvent dans le même plan pour réaliser le contact avec les points de contact du MCM ou de tout autre dispositif qui y sera raccordé Si la hauteur des bosses variait d'une bosse à l'autre, le contact ne pourrait pas être réalisé pour toutes les surfaces de contact Si par exemple une bosse plus petite est localisée entre deux bosses plus hautes, la bosse plus petite pourrait ne pas faire contact avec sa surface de contact prévue sur le MCM ou tout autre dispositif, et il en résulterait un disfonctionnement La nécessité d'avoir des bosses coplanaires, spécialement dans des applications d'interconnexion à haute densité, est connue de tous les hommes de métier, mais jusqu'à maintenant il a été difficile de réaliser cet objectif La présente invention présente une solution efficace et fiable pour réaliser des contacts à bosses coplanaires. La présente invention résout les problèmes soulevés par un nouveau dispositif d'interconnexion obtenu par le procédé selon la revendication 1 ou 2 de la présente invention. Même si la présente invention est particulièrement adaptée pour des dispositifs d'interconnexion avec une haute densité de raccordements (comme par exemple pour les MCM), l'invention sera d'ailleurs décrite dans ce contexte, il est cependant évident que les caractéristiques et avantages du procédé et du produit final de la présente invention peuvent aussi être utilisés dans des dispositifs d'interconnexion similaires qui ne se distinguent pas par des exigences en rapport avec une haute densité de raccordement, et en général dans tous les dispositifs d'interconnexion. Dans la présente invention les bosses de contact sont formées par un procédé additif contre une surface de référence plane Les bosses sont d'abord formées en tant que corpq isolés, logés dans une couche de moulage provisoire, qui est dimensionnellement stable et constituée par un matériau déposé sur la surface de référence Les bosses sont en conséquence formées séparément des lignes de circuit, pour être ensuite seulement incorporées dans les lignes de circuit, qui sont préférablement formées par un procédé additif Après la formation des éléments du15 circuit, la surface plane de référence et la couche de moulage provisoire sont enlevées pour donner un dispositif d' interconnexion avec des bosses d'une hauteur égale et disposant de surfaces de contact constituées de plateaux ou mesas planes et coplanaires.20 Les bosses de la présente invention ne se distinguent pas seulement par une hauteur uniforme et par des surfaces de contact constituées de mesas coplanaires planes, mais la dureté des bosses peut être sélectionnée et contrôlée en choisissant les matériaux utilisés dans le procédé additif de fabrication Les avantages et caractéristiques décrits ci-dessus et d'autres propres à la présente invention apparaîtront à l'examen de la description détaillée ci- après et des figures correspondantes en annexe. Dans les figures des éléments identiques seront désignés par des signes de référence identiques. La figure 1 est une vue en plan d'un dispositif d'interconnexion flexible selon la présente invention (montré d'en bas dans le procédé de fabrication). Les figures 2 à 11 sont des coupes partielles selon la ligne de coupe A- A de la figure 1, qui montrent l'état d'avancement de l'invention lors des différentes étapes de fabrication. La figure 12 montre une vue en perspective d'un dispositif d'interconnexion à une seule couche avec les bosses coplanaires de la figure 1. La figure 13 est un détail selon la ligne 13-13 de la figure 12. La figure 14 est une vue similaire à la figure 1 montrant un deuxième mode de réalisation de la présente invention avec des bosses coplanaires dans un dispositif d'interconnexion multicouches (c'est-à- dire des couches conductrices multiples). Les figures 15 à 24 sont des coupes partielles suivant la ligne de coupe B-B de la figure 14, qui montrent l'état d'avancement du dispositif multicouches lors de différentes étapes de la fabrication. La figure 25 est un diagramme fonctionnel du procédé de fabrication de la présente invention. Le dispositif de la présente invention et sa méthode de fabrication sont illustrés dans les figures Pour faciliter la compréhension de l'invention, on va décrire parallèlement le dispositif et sa méthode de fabrication, en considérant à la fois les figures 1 à 13 et le diagramme fonctionnel de la figure 25. En se référant d'abord aux figures 2 et 3 on voit une plaque porteur ou de base 10 qui constitue la structure de support sur laquelle on forme une pluralité de dispositifs d'interconnexion à bosses coplanaires lors du procédé de fabrication La plaque de base 10 peut être constituée en d'autres matériaux Les seules exigences en rapport avec le matériau de ces plaques sont que ces plaques soient plates, dimensionnellement stables, et qu'elles aient une surface conductrice hautement polie Même si une pluralité de circuits ou dispositifs d'interconnexion à bosses coplanaires sont formés sur la plaque de support 10, on montre et on décrit ici seulement un exemplaire d'un tel dispositif (comme indiqué par la ligne irrégulière entourant le dispositif dans la figure 1) On comprendra cependant qu'une pluralité de tels circuits ou dispositifs d'interconnexion sont tous formés au même moment sur la5 surface de la plaque 10 Même si uniquement deux emplacements de bosses sont montrés sur les figures 2 à 11, on comprendra qu'on pourra former simultanément, par le procédé qui sera décrit, autant de emplacements de bosses qu'on désire (p ex quelques centaines ou même quelques10 milliers, pour un dispositif d'interconnexion à raccords très nombreux). Une couche de démoulage/moulage 12 est formée par galvanisation sur la couche de base 10 La couche de démoulage/moulage 12 consiste en une couche mince 12 (A) de nickel qui est galvanisée sur la plaque 10 et d'une couche épaisse 12 (B) de cuivre qui est galvanisée au-dessus de la couche de nickel Comme ni le nickel, ni le cuivre n'adhèrent fortement à la plaque d'acier inoxydable (et constituent ainsi une couche de démoulage par rapport à la plaque d'acier inoxydable), lesdites couches sont formées de façon à s'étendre sur toute la surface de la plaque 10 (uniquement une partie de la plaque est montrée sur les figures), à envelopper les côtés de la plaque 10 et à s'étendre sur une courte distance le long du dos de la plaque (c'est-à-dire le long de la surface inférieure). Cette façon de procéder sert à fixer les couches 12 (A) et 12 (B) à la plaque en acier inoxydable pour donner une stabilité dimensionnelle à la structure formée par la plaque d'acier inoxydable et la couche de démoule/moulage pendant le procédé de fabrication, et de permettre en même temps un enlèvement facile de la plaque d'acier inoxydable de la couche de démoulage/moulage 12 lorsque tel est désiré vers la fin du procédé de fabrication La couche de démoulage en nickel 12 (A) a de préférence une épaisseur de 0,0127 mm L'épaisseur de la couche de moulage en cuivre 12 (B) sera égale à l'épaisseur désirée pour les bosses coplanaires à former Des épaisseurs typiques pour la couche de moulage en cuivre 12 (B) s'étendront de 0,025 mm à 0,25 mm L'étape concernant la formation des couches 12 (A) et 12 (B) sur la plaque en acier inoxydable 10 est indiquée dans l'étape A de la figure 25 Le concept d'une couche de démoulage nickel/cuivre est révélé dans les brevets US 4,159,222 et 4,306,925 Avant la déposition du nickel sur la plaque en acier inoxydable cette plaque est hautement polie, sa planéité est contrôlée et sa surface10 est nettoyée chimiquement et activée par un traitement alcalin d'électro-nettoyage pour enlever toutes les formations d'oxydes Ce traitement de la plaque 10, combiné à la caractéristique enveloppante des couches 12 garantissent que la couche de démoulage sera adhérente pendant tout le procédé et pourra être démoulée à la fin du procédé. Dans l'étape suivante du procédé de fabrication on utilise un procédé photo-résiste standard pour définir les emplacements sur la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B), o les bosses de contact seront formées Cela signifie qu'un matériel résiste 13 est déposé sur la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B) La couche de résiste est alors exposée à travers un dessin-modèle adéquat afin de définir un modèle de emplacements à bosses 112 A ces emplacements 112 le résiste non exposé sera enlevé par lavage; le reste de la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B) restant couvert avec du matériel photo-résiste Comme étape finale dans ce modelage photo- résiste, on peut réaliser une étape de nettoyage, consistant en une attaque chimique au plasma, pour nettoyer les surfaces o le photo-résiste a été enlevé par lavage, et ceci pour obtenir une définition nette, propre, et fine des emplacements de bosses. La figure 2 montre le matériel photo-résiste, o des portions ont été élevées pour définir les emplacements de bosses 102 L'étape concernant le modelage photo-résiste des emplacements de bosses est indiquée à l'étape B de la figure 25. Le cuivre aux emplacements 102 est alors enlevé par une attaque chimique pour former une pluralité de trous 104 dans la couche de cuivre 12 (B) (voir figure 3) Un réactif alcalin d'attaque, qui attaque le cuivre, mais n'attaque pas le nickel, est utilisé Le cuivre dans la couche 12 (B) à l'endroit des bosses est enlevé par une attaque chimique jusqu'à ce qu'une portion de surface plate 106 de la surface de la couche de nickel 12 (A) soit découverte Les trous 104, avec les portions de surface plate 106 à leur fond, forment des moules dans lesquels les bosses de contact coplanaires de cette invention sont formées Ces trous 104 sont formés avec des parois coniques 108 qui, en s'étendant vers les portions de surface 106 de la couche de nickel 12 (A), définissent ces dernières Un agrandissement d'une vue d'un trou 104 est montré sur la figure 4 Le trou 104 et la portion de surface plate découverte 106 de la couche de nickel (et la bosse de contact en résultante) peuvent être circulaires ou avoir d'autres formes, par exemple ils peuvent aussi être ovales etc Leur forme sera définie par le modelage du résiste 13 Des dimensions typiques pour un trou circulaire (et pour les parties correspondantes de la bosse de contact qui est formée dans le trou) peuvent être les suivantes, en fonction de la largeur des lignes de circuit et de leur espacement: A = 0,050 mm 0,250 mm; B = 0,025 mm 0,200 mm; C = 0,0625 mm 0,500 mm; D = 0,025 mm 0,250 mm. Il est évident que ces dimensions ne sont citées qu'à titre d'exemple, et elles peuvent être variées librement en accord avec la hauteur désirée des bosses à former (cette hauteur correspondant à la dimension D du trou) et en accord avec la dimension désirée de la surface supérieure plane des bosses (qui correspond à la dimension B du trou). L'attaque chimique des trous 104 formant les moules des bosses est indiquée dans l'étape C de la figure 25. Dans l'étape suivante, la formation de bosses de contact 116 est commencée en électroplaquant une mince couche métallique de contact 110, de préférence de l'or, sur les parois 108 les trous 104 et sur les portions de surfaces découvertes 106 de la couche de nickel 12 (A). Ensuite on électroplaque une mince couche de séparation 112, de préférence du nickel, au-dessus de la couche de contact en or 110 Le volume résiduel 114 de chaque trou 104 est alors rempli avec du cuivre par électroplacage La couche en or 110 a de préférence une épaisseur de 3,2 à 4,4 micromètres, et la couche de nickel 112 a de préférence une épaisseur de 0,6 à 1,8 micromètres L'exécution des couches et 112 n'est pas limitée à l'or et au nickel, et leur épaisseur n'est pas non plus limitée aux gammes d'épaisseurs énoncées Elles peuvent être constituées de tous matériaux adéquats, autres que le cuivre, et distincts entre eux L'épaisseur des couches 110 et 112 peut bien entendu être changée selon les besoins Ceci est d'ailleurs une caractéristique importante à relever, parce que la dureté des bosses peut être adaptée à des applications particulières en choisissant tous les matériaux entrant dans la formation des bosses et en déterminant l'épaisseur relative de chaque matériau Si on utilise par exemple de l'or pour former la majorité du volume des bosses, les bosses seront relativement tendres; si par contre la majorité est du nickel, les bosses seront plus dures; si la majorité est du cuivre, la dureté sera comprise entre celle de l'or et du nickel Les étapes en rapport avec la déposition des couches 110 et 112 et le remplissage du volume résiduel des trous avec du cuivre sont représentées dans les étapes D, E et F de la figure 25 et sur les figures 5 et SA. Pour assurer une bonne formation des bosses et leur coplanarité dans le produit final, il est important que le cuivre 114 soit déposé de façon à déborder du volume résiduel 114 de chaque trou 104 Cela signifie que le cuivre devra saillir au-dessus de la couche de moulage en cuivre 12 B, comme le montrent la figure 5 ainsi que la vue agrandie de la figure SA On pourra ainsi assurer que la déclivité centrale ou la dépression résultant du procédé de déposition ne se trouve pas en-dessous de la surface de la couche 12 (B). Le photo-résiste 13 est alors enlevé, et l'excès de cuivre saillant audessus de la surface de la couche 12 (B) est enlevé, par exemple par une abrasion mécanique, pour aplanir la structure des bosses dépassant la surface exposée de la couche de moulage 12 (B) L'enlèvement du photorésiste et l'opération pour rendre la surface 12 (B) plane sont montrés dans les étapes G et H de la figure 25 et sur la figure 6. La structure qui constituera les bosses 116, a maintenant été formée dans chacun des trous 104, et le procédé prévoit maintenant la formation des lignes de circuit (voir figures 7 à 11) A cette fin une couche de photo-résiste 17 est déposée sur la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B) (elle recouvre également les bosses formés maintenant dans cette couche), et le photo- résiste est alors exposé à travers un modèle-dessin adéquat, pour définir un modèle de lignes de circuit 14 sur la couche de cuivre 12 (B) Le résiste non exposé est ensuite enlevé par lavage; le reste de la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B) restant couvert avec du photo-résiste Les lignes 14 s'étendent au-dessus des éléments à bosses déjà formés dans la couche 12 (B), de façon que chaque bosse soit inclue dans une ligne de circuit ou une pastille qui seront formées Dans une exécution typique, une ligne 14 comprendra une surface ayant la forme d'une pastille autour de la bosse Cette surface sera légèrement plus grande que la surface de base de la bosse Comme étape finale dans ce modelage photo- résiste on pourra exécuter une étape de nettoyage consistant en une étape d'attaque chimique au plasma, pour nettoyer les surfaces o le photo-résiste 17 a été enlevé par lavage; ceci dans le but d'obtenir des raccords nets et propres au-dessus des emplacements des bosses Le photorésiste, dans lequel des portions ont été enlevées pour définir les lignes ou traces au-dessus des bosses est10 montré sur la figure 7 et sa mise en oeuvre fait l'objet de l'étape I de la figure 25 Il faut noter que pas nécessairement toutes les bosses doivent être incluses dans des circuits Quelques unes des bosses pourront aussi être utilisées pour des fins d'équilibrage et d'espacement mécanique. Les conduites 16 sont alors formées par électro- déposition sur les surfaces 14 Un procédé d'électro- déposition à trois étapes (voir figure 8) est utilisé. Chaque conduite 16 est formée en électroplaquant d'abord une fine couche 16 (A) d'or sur les surfaces 14 (aussi au- dessus des bosses 116), en électroplaquant ensuite une couche principale de cuivre 16 (B) et en électroplaquant en dernier lieu une autre couche mince 16 (C) d'or sur les surfaces 14 D'autres métaux électro- déposables comme par exemple l'étain ou le nickel, pourraient être utilisées à la place ou additionnellement aux couches en or 16 (A) et 16 (C) L'or de la couche 16 (A) se lie aux bosses 116 de façon que les bosses fassent partie des conduites 14 qui sont formées Si l'espacement le permet, on peut former une surface de pastille 160 agrandie dans le modèle-dessin, le modèle photo-résiste et dans les conduites à l'endroit même des bosses (voir les pastilles 160 sur les figures 1 et 12) Si une grande finesse est désirée, l'épaisseur totale "T" de chaque conduite 16 peut être environ égale à 0,025 mm; et la largeur "W" de chaque conduite (surface des pastilles exclues) et l'espacement entre les conduites peut 1 1 être aussi fin que 0,025 mm à 0,050 mm Il est évident que la figure 8 est une vue partielle et qu'uniquement deux des conduites 16 et des bosses 116 sont montrées sur la figure 8 en guise d'illustration L'étape de modelage et de déposition des conduites 16 est indiquée dans l'étape J de la figure 25 Le matériel résiste résiduel sur la surface de cuivre 12 (B) est alors enlevé pour mettre à découvert les conduites 16 sur la surface supérieure de la couche de cuivre 12 (B) L'étape concernant l'enlèvement du résiste 1710 fait partie de l'étape J de la figure 25 La figure 8 montre les conduites 16 formées par électro-déposition alors que le résiste 17 est encore en place, et la figure 9 montre l'étape de fabrication o le résiste a été enlevé. Les conduites 16 et les pastilles 160 sont liées aux bosses15 116 Les conduites 16 sont typiquement des conduites de communication qui transportent des signaux de ou vers des composantes électriques, comme par exemple des circuits intégrés sur un MCM La couche dans laquelle les conduites 16 sont localisées est parfois désignée comme plan des signaux. Pendant les étapes du modelage photo-résiste de l'étape B et du placage des étapes D, E ou F, on forme sur la couche de démoulage 12 une pluralité de repères 15 (voir figure 1), ceci afin de servir comme repères pour une localisation précise des lignes 16 par rapport aux bosses 116 (et, si un dispositif multicouches est à réaliser aussi pour une localisation précise des trous de passage dans une étape ultérieure du procédé de fabrication) Un certain nombre de ces repères 15 sont formés sur la couche de démoulage 12 sur toute l'étendue de la plaque 10, pour servir de repères pour tous les dispositifs d'inter- connexion formés en même temps dans le procédé de fabrication Mais la figure 1 montre seulement un seul de ces repères 15. Après que le résiste 17 est enlevé, un film adhésif libre 18 est alors placé sur la surface des conduites 16. Le film adhésif est activé par la chaleur et la pression; on pourrait par exemple utiliser un époxyde phénolique de butaryl Initialement ce film libre 18 est supporté par la surface supérieure des conduites 16, c'est-à-dire qu'il5 n'entoure pas les conduites 16 L'étape de positionnement du film adhésif est montrée sur la figure 10 et est indiquée à l'étape K de la figure 25. A ce moment les étapes suivantes dans le procédé dépendront du fait si un dispositif d'interconnexion ou de câblage à simple couche ou à couches multiples est produit. Si un dispositif à simple couche est produit, on place une feuille mince, d'un diélectrique 118, par exemple du polyimid, polyamide, polyéthylène, etc sur le film adhésif 18 Par une application de chaleur et de pression on fait s'écouler la couche adhésive 18 le long des conduites 16 afin de lier ainsi le diélectrique 118 aux conduites 16 et à la couche en cuivre 12 (B), comme le montre la figure 11 et comme l'indique l'étape L de la figure 25 Au lieu de couches séparées constituées d'un film adhésif libre 18 et d'un diélectrique 118, on peut utiliser un film de recouvrement préformé, constitué d'un adhésif et d'un diélectrique. Après l'étape L, la plaque de support 10 est enlevée: (a) en cassant les parties de la couche de démoulage/moulage 12 enveloppant les côtés de la plaques de support 10 et (b) en séparant la plaque de support 10 de la couche de démoulage/moulage 12 Ceci peut être réalisé manuellement, comme la couche de démoulage/moulage moulage 12 n'est pas fortement adhérente à la plaque 10 Après avoir enlevé la plaque 10, la couche de démoulage/moulage moulage 12 reste liée aux conduites 16 et au film adhésif 18, de façon qu'il soit nécessaire d'enlever la couche de démoulage/moulage 12 Ceci est réalisé: (a) en enlevant chimiquement toute la couche de nickel 12 (A) et puis (b) en enlevant chimiquement toute la couche de cuivre 12 (B) On peut aussi utiliser un seul réactif d'attaque, comme par exemple un chlorure ferrique, qui pourra attaquer chimiquement le nickel et le cuivre, mais qui n'attaquera pas l'or Cette attaque mettra à découvert la surface plaquée or 110 des bosses 116, la surface plaquée or 16 (A)5 des conduites du circuit et des surfaces pastilles L'étape qui concerne l'enlèvement du support 10, et l'étape qui concerne l'attaque chimique pour mettre à découvert les bosses et les conduites du circuit sont montrées dans les étapes M et N de la figure 25 A cet effet il est important de noter que pour un produit à une seule couche (c'est-à- dire une couche conductrice simple), les conduites 16 ne devront pas être en or/cuivre/or comme décrit ci-avant Les conduites 16 peuvent être constituées de tout autre métal qui: (a) peut être électro-plaqué et (b) ne sera pas attaqué chimiquement par un réactif d'attaque spécifique au cuivre (utilisé pour l'enlèvement de la couche de cuivre 12 (B)). Après l'enlèvement du support 10 et de la couche de démoulage/moulage 12, la structure résultante consiste dans une multiplicité de dispositifs d'interconnexion individuels reliés ensemble dans une structure en forme de feuille par le diélectrique 118 et l'adhésif 18 entre les dispositifs individuels Les dispositifs individuels sont alors singularisés, c'est-à-dire découpés de la structure en forme de feuille, par des moyens adéquats comme par exemple découpages à l'emporte-pièce, découpages au laser, etc L'étape de singularisation est indiquée à l'étape O de la figure 25. Le produit résultant est un circuit ou une interconnexion flexible, comme montré sur les figures 1, 12 et 13, qui a des conduites 16 et des bosses co-planaires 116 Il est compréhensible que le dispositif d'interconnexion montré sur les figures 1, 12 et 13 est montré à titre d'exemple uniquement Le nombre exact et l'arrangement des conduites 16 dépendra de l'utilisation projetée pour le circuit Il faut rappeler que, chacune des bosses 116 a une surface discrète supérieure (ou mesa) 120, que ces mesas 120 sont exactement coplanaires, et ceci dans la limite de la planéité de la surface du support 10 et de la surface de nickel 12 (A), contre lesquelles les bosses5 sont formées Comme les mesas 120 sont formés directement contre la couche de nickel 12 (A) qui constitue uniquement une couche très mince sur le support 10, il est possible de former avec la présente invention des bosses de contact qui se caractérisent par une coplanarité très précise, en contrôlant et en assurant la planéité de la surface du support 10 Si cette planéité est garantie, la coplanarité des bosses dans le produit final est assurée. Un autre point important à relever est que la dureté des bosses 116 peut être contrôlée en déterminant les volumes respectifs des matériaux utilisés dans la formation des bosses 116 ainsi que par le choix de ces matériaux comme décrit ci-dessus. Même si on a décrit plus haut un dispositif avec une simple couche de métal, l'exécution préférée sera au moins un dispositif à deux couches, o la seconde couche est une couche de tension (généralement de mise à terre) Un tel dispositif à deux couches est montré sur la figure 14 (la figure 14 correspond à la figure 1), et la production de ce dispositif est illustrée sur les figures 15 à 24 Le dispositif à deux couches a des bosses 116 et des lignes de circuit 16 dans le plan des signaux comme décrit ci-dessus. Il a cependant aussi quelques bosses 116 ' qui sont situées à des bouts opposés du dispositif; ces bosses 116 ' étant raccordées au plan de mise à la terre par l'intermédiaire de passages (décrit ci-après) En se référant à la figure on voit que les bosses 116 ' sont formées lors du procédé décrit ci-avant, avec des surfaces de base agrandies 16 ' (qui sont formées au même moment et par le même procédé que les lignes de circuit 16) Les surfaces de base 16 ' peuvent être considérées comme des bouts de lignes de circuit 16. Pour former un produit d'interconnexion à couches multiples, le procédé de fabrication procède après l'étape J, directement vers l'étape P, o une feuille plaquée 20 (formée de cuivre qui est lié à un support isolant comportant un film adhésif 18) est lié par la chaleur et la pression aux surfaces de base 16 ', aux conduites 16 et à la couche de démoulage 12 comme le montre la figure 15 La feuille 20 peut par exemple être unecouche d'une demi onze de cuivre 20 (A), (ca 2,2 g/cm 2 ou une demie onze), liée par10 une couche d'adhésif 20 (B) à une couche de polyimid 20 (C) (qui elle dispose d'une couche adhésive 18 de l'autre côté) D'autres diélectriques qui peuvent être gravés au laser, comme par exemple des composés polymères fluorés, des fluoroimides, des polyamides-imides, etc et d'autres adhésifs pourraient être utilisés à la place du système d'isolation décrit Il est important de positionner la feuille 20 de manière que la couche de cuivre 20 (A) soit du côté opposé des bosses 116 ' et des surfaces de base 16 '. L'application de chaleur et de pression fait couler la couche adhésive 18 autour des surfaces de base 16 ', comme le montre la figure 15, et aussi le long des conduites 16, comme le montre la figure 11, et lie la feuille 20 aux conduites 16, aux surfaces de base 16 ' et à la couche de moulage 12 (B) L'étape concernant le positionnement de la feuille 20 et son intégration dans l'assemblage sont indiqués à l'étape P dans la figure 20 La feuille 20 (y compris l'adhésif 18) est prépoinçonné avec des trous pour permettre son alignement avec les repères 15, et pour laisser apparents les repères à la surface de l'assemblage afin de permettre une localisation précise des passages dans une prochaine étape du procédé de fabrication. Après que la feuille 20 a été liée à l'assemblage, on forme une série de trous de passage 22 (voir figure 18) dans l'assemblage pour permettre de réaliser le contact électrique avec les surfaces de base 16 ' Les figures 16 à 19 montrent la formation d'un seul trou de passage, mais il est évident qu'un trou de passage est formé à l'endroit de chaque surface de base 16 ' Pour former ces passages, on applique une couche de photo-résiste 118 sur la couche de cuivre 20 (A), et le photo- résiste est alors exposé, puis5 développé, pour finalement enlever le photo-résiste qui n'a pas été exposé aux emplacements 120, o les passages devront être formés (voir figure 16) La localisation des surfaces o le photo-résiste doit être enlevé est déterminé avec précision en se référant aux repères 15 qui ont été10 antérieurement formés Après que le photo-résiste a été enlevé aux endroits de passage 120, le cuivre dans la couche 20 (A) est enlevé à l'endroit des passages par une attaque chimique pour découvrir la couche adhésive 20 (B) (voir figure 17) Le photo-résiste résiduel est alors enlevé pour mettre à découvert toute la surface résiduelle du cuivre 20 (A) La couche adhésive 20 (B), la couche diélectrique 20 (C) et la couche adhésive 18 dans les endroits de passage sont alors enlevées par un faisceau laser adapté (comme par exemple un laser au C 02 ou un laser ultraviolet), ce laser agissant en tant que foreuse La surface de cuivre 20 (A) constitue un masque pour la foreuse au laser Le laser balaie la surface 20 (A) sans effet, excepté aux endroits o le cuivre dans la couche 20 (A) a été chimiquement attaqué pour exposer la couche adhésive 20 (B) A ces localisations, le faisceau laser perce (il s'agit plutôt d'un fusion) à travers le matériel diélectrique des couches 20 (B), 20 (C), et 18 pour exposer la surface plaquée 16 (C) de la surface de base 16 ' et pour former ainsi les trous de passage 22 Les trous de passage 22 sont alors nettoyés par une quelconque technique standard (par exemple nettoyage au plasma, ou hanage à la vapeur, etc) pour définir des parois nettes et propres dans les trous de passage et une surface exposée propre sur la couche 16 (C) de la surface de base 16 ' L'étape pour former les trous de passage est indiquée dans l'étape Q de la figure 25 et les trous de passage sont montrés dans la figure 18. En se référant à la figure 19, on voit que du cuivre 24 est alors déposé sur les surfaces mises à découvert des surfaces de base 16 ', le long des parois des trous de passage 22 et sur les surfaces mises à découvert de la couche de cuivre 20 (A), pour compléter les passages et pour former une connexion électrique de la surface de base 16 ' à la couche de cuivre 20 (A) Les couches de cuivre 24/20 (A)10 servent comme plan de tension (alimentation ou mise à la terre) dans le produit final La couche de cuivre 24 est formée à l'aide d'un procédé à deux étapes On forme d'abord une couche mince de cuivre par un dépôt auto- catalytique, et le reste de la couche 24 est alors formé par galvanisation L'épaisseur totale de la couche 24 est environ 0,0125 mm La formation de la couche 24 pour constituer les passages et pour connecter les surfaces de base 16 ' au plan d'alimentation ou de mise à la terre sont indiqués à l'étape R dans la figure 25. En se référant aux figures 20 et 21, on constate qu'une autre couche de photo-résiste 120 est alors appliquée sur la couche de cuivre 24 Le photo-résiste 120 est alors exposé et développé pour définir les dimensions extérieures et les formes du plan de mise à la terre qui sera formé dans le dispositif Le photo-résiste est enlevé pour exposer la surface de cuivre 24 aux endroits qui seront à l'extérieur des limites B de chaque dispositif d'inter- connexion à former Le cuivre exposé dans la couche 24 et la couche 20 (A) est alors attaqué chimiquement pour enlever le cuivre en dehors de la limite B Les figures 20 et 21 montrent le résiste exposé avant l'attaque chimique de la couche de cuivre 24 et de la couche de cuivre 20 (A) Après que le cuivre a été attaqué chimiquement, le photo-résiste est enlevé (voir figures 22 et 23 qui correspondent respectivement aux figures 20 et 21) La formation de la limite B, y compris l'attaque chimique des couches 24/20 (A), est montrée dans l'étape S de la figure 25 En option, on peut plaquer sur la couche de cuivre 24 (voir figure 24) une couche protectrice 122 constituée d'or, de nickel, d'étain ou de tout autre matériau La couche 122 protège le plan de mise à la terre contre l'oxydation et contre une attaque chimique pendant l'attaque ultérieure réalisée pour enlever le dispositif de la couche de démoulage/moulage L'application optionnelle de la couche protectrice 122 est montré dans l'étape T de la figure 25. Alternativement le photo-résiste 120 peut être laissé en place pour fournir une protection identique, et il peut alors être enlevé après que le dispositif est enlevé de la couche de démoulage/moulage Après l'étape T, la plaque de support 10 est enlevée en ayant recours aux étapes M et N décrites ci-avant Ceci signifie que la plaque de support est enlevée: (a) en cassant les parties de la couche de démoulage/moulage 12 enveloppant les côtés de la plaque de support 10 et (b) en séparant le support 10 de la couche de démoulage/moulage 12 Ceci peut être réalisé manuellement, car la couche de démoulage/moulage 12 n'adhère pas fortement à la plaque 10 Après l'enlèvement de la plaque , la couche de démoulage/moulage 12 reste liée aux bosses 116, aux bosses 116 ', aux conduites 16 et au film adhésif 18, de façon qu'il soit nécessaire d'enlever la couche de démoulage/moulage moulage 12 Ceci est réalisé: (a) en enlevant par attaque chimique toute la couche de nickel 12 (A) et (b) en enlevant par attaque chimique toute la couche de cuivre 12 (B) On peut aussi utiliser un seul réactif d'attaque, comme par exemple un chlorure ferrique, qui attaquera aussi bien le nickel que le cuivre, mais qui n'attaquera pas l'or Cette étape mettra à découvert les surfaces inférieures (la surface plaqué d'or 16 A), des conduites 16 et des bosses coplanaire 116 et 116 ' Si on utilise une attaque chimique à deux étapes, elle est accomplie en utilisant deux réactifs d'attaque standards, le premier étant un réactif d'attaque spécifique au nickel et le second un réactif d'attaque spécifique au cuivre. L'enlèvement de la plaque support 10 et l'attaque chimique de la couche de démoulage/moulage 12 sont indiqués dans les étapes M et N de la figure 20 Il est évident que les bosses 116 ' sont coplanaires entre elles et avec les bosses 116. Après avoir enlevé la plaque 10 et la couche de démoulage/moulage 12, la structure résultante consiste dans une mul tiplicité de dispositifs d'interconnexion individuels, reliés entre-eux (dans une structure ayant la10 forme d'une feuille unique), par l'adhésif 20 (B), le diélectrique 20 (C) et l'adhésif 18 entre les éléments individuels Les éléments individuels sont alors singularisés, ceci signifie découpés de la structure en forme de feuille, par un quelconque moyen adéquat, comme15 par exemple découpage à l'emporte-pièce, découpage au laser, etc Cette opération fait partie intégrante de l'étape O de la figure 25 Les pièces finales auront un aspect comme montré sur les figures 14 et 23, mais sans le support 10 et sans la couche de démoulage 12. Se souvenant que la couche de cuivre 12 (B) est formée par galvanisation, et que la couche de cuivre 12 (B) doit avoir comme épaisseur la hauteur désirée pour les bosses de contact dans le produit final, il est évident que le dépôt de la couche 12 (B) par galvanisation nécessite beaucoup de25 temps si des bosses à hauteur élevée sont désirées (par exemple une hauteur de 0,125 mm à 0,25 mm) Ces bosses à hauteur élevée peuvent être réalisées par ce procédé, mais c'est un travail consommant beaucoup de temps en utilisant un procédé de galvanisation En alternative on peut remplacer la plaque de support en acier inoxydable 10 et le dépôt par galvanisation de la couche de cuivre 12 (B) par l'emploi d'une feuille de cuivre relativement épaisse (par exemple 0,125 mm à 0,25 mm) sur une surface de laquelle on a déposé une couche mince de nickel (par exemple par galvanisation) Cette feuille de cuivre recouverte de nickel correspond respectivement aux couches 12 (B) et 12 (A) Le procédé procède alors à partir de l'étape C pour former un dispositif de circuit à couche simple ou à multicouches Avec cette feuille épaisse de cuivre recouverte de nickel sur une surface, la coplanarité précise des mesas 120 des bosses est garantie par le parallélisme des surfaces opposées de la feuille épaisse de cuivre. Dans une autre réalisation, la couche de cuivre 12 (B) est remplacée par un matériau polymère, dur et rigide, comme par exemple du polyimid, qui peut être dissout dans un solvant ou attaqué par un laser dans l'étape N Si un polyimid est utilisé, il sera recouvert avec un résiste qui sera exposé et développé pour définir les emplacements des bosses, et les emplacements des bosses seront dissouts par15 un solvant adéquat La surface du polyimid et les trous des bosses seront alors (après enlèvement du résiste) recouverts avec une couche mince de métal (par exemple par dépôt auto- catalytique, pulvérisation cathodique, etc) de façon que la surface puisse servir comme base pour des étapes de galvanisation ultérieures Le procédé de fabrication continuera alors à partir de l'étape D. On formera de préférence une ou plusieurs pattes 130 avec un trou de passage 132 pour chaque dispositif d'interconnexion (voir figures 1 et 14) Ces pattes serviront comme repère pour l'alignement des bosses 116 et 116 ' lors du raccordement avec un dispositif (par exemple un MCM) ou un circuit, ces derniers étant eux aussi munis de repères pour faciliter un alignement convenable. En tant qu'exemple, on peut encore citer que des dispositifs d'interconnexion, formés avec les bosses de la présente invention, sont particulièrement adaptés pour intervenir dans des connexions à pression pour des interconnexions MCM, des interconnexions entre des circuits imprimés, des interconnexions de capteurs à circuits intégrés ou de circuits intégrés à circuits intégrés et de circuits test TAB Cette invention pourrait aussi s'avérer utile pour être utilisée dans d'autres connecteurs à pression, par exemple pour les TAB, o les bosses seraient sur les portions internes des conduites du TAB pour une liaison directe avec le circuit intégré (IC). REVENDICATIONS 1 Procédé pour la formation d'un dispositif d'interconnexion électrique ayant des bosses de contact, caractérisé en ce qu'une forme est constituée dans laquelle 5 sera formée une pluralité de bosses de contact ( 116) à sommet plat, ladite forme étant composée d'une couche relativement mince et plane d'un premier matériau ( 12 A) et d'une couche relativement épaisse d'un second matériau ( 12 B), ladite seconde couche ( 12 B) pouvant être enlevée sélectivement; que dans ledit second matériau ( 12 B) sont définies alors des endroits ( 102) o les bosses de contact ( 116) seront formées; que le second matériau ( 12 B) est ensuite sélectivement enlevé à chacun desdits endroits ( 102) pour mettre à découvert une surface plane ( 106) dudit premier matériau ( 12 A) à chaque endroit ( 102), pour former un trou ( 104) ayant des dimensions et une forme déterminées dans ledit second matériau ( 12 B), de façon que le trou forme ladite surface plane ( 106) par intersection avec ledit premier matériau ( 12 A); qu'un élément de contact20 ( 116) conducteur d'électricité est alors formé dans chacun desdits trous ( 104) en conformité avec la forme dudit trou ( 104), chacun desdits éléments de contact conducteurs d'électricité ( 116) ayant une surface plane qui est coplanaire avec la surface plane de chaque autre desdits éléments conducteurs ( 116); qu'une pluralité de lignes de circuits électriques sont ensuite formées sur ledit second matériau ( 12 B), chacune desdites lignes de circuits ( 16) comprenant au moins un desdits éléments de contact ( 116); que lesdites lignes de circuit ( 16) sont alors liées ensemble avec un matériau ( 108) constituant un isolant électrique; et que les éléments de contact ( 116) seront enfin enlevés de ladite forme pour définir un dispositif d'interconnexion ayant une pluralité de lignes de circuits ( 16) avec au moins une bosse de contact ( 116) dans chaque ligne de circuits ( 16), les bosses de contact ( 16) étant toutes coplanaires. 2 Le procédé selon la revendication 1 caractérisé en ce qu'après la formation d'une pluralité de lignes de circuit ( 16, 16 ') sur ledit second matériau ( 129), ces lignes de circuit ( 16, 16 ') sont alors liées à une feuille5 multicouche ( 20) composée d'une couche d'un matériau diélectrique ( 20 C) et d'une couche d'un matériau conducteur ( 20 A), ledit matériau diélectrique ( 20 C) étant lié auxdites lignes de circuits ( 16) et ladite couche de matériau diélectrique séparant lesdites lignes de circuit ( 16) de10 ladite couche de matériau conducteur ( 20 A); qu'au moins un trou de passage ( 22) est ensuite formé à travers ladite feuille multicouche ( 20) vers au moins une desdites lignes de circuit ( 16 '); qu'une connexion de passage ( 24) est alors formée de ladite couche de matériau conducteur ( 20 A) vers au moins une desdites lignes de circuit ( 16 ') à travers ledit trou de passage ( 22); et que lesdits éléments de contact ( 116, 116 ') sont finalement enlevés dudit moule pour définir un dispositif d'interconnexion ayant une pluralité de lignes de circuits ( 16, 16 ') avec au moins une bosse de contact ( 116, 116 ') dans chaque ligne de circuit ( 16, 16 '), les bosses de contact ( 116, 116 ') étant toutes coplanaires, et une couche conductrice ( 24, 20 A) qui est connectée par au moins un trou de passage ( 22) à au moins une ligne de circuit ( 16 '), ladite couche conductrice ( 24, 20 A) constituant un plan de tension. 3 Le procédé selon la revendication 1 ou 2 caractérisé en ce que ladite forme ( 12) est constituée sur une plaque porteuse plane ( 10). 4 Le procédé selon la revendication 1,2 ou 3 caractérisé en ce que ledit second matériau ( 12 B) de ladite forme est du cuivre, ledit premier matériau ( 12 A) de ladite forme est un métal autre que le cuivre; et chacune desdites bosses de contact ( 116, 116 ') étant composée d'au moins un troisième matériau ( 110) autre que le cuivre ou ledit premier matériau ( 12 A), ledit troisième matériau ( 110) étant placé en contact avec ledit premier et ledit second matériaux dans ladite forme, et du cuivre étant placé en contact avec ledit troisième matériau. 5 Procédé selon la revendication 1, 2, 3 ou 4, caractérisé en ce que l'étape correspondant à la formation desdites lignes de circuit ( 16) comprend la formation additive de chacune des lignes de circuit ( 16, 16 ') sur ledit second matériau ( 12 B) de ladite forme en déposant une première couche ( 16 A) d'un métal autre que du cuivre et une seconde couche ( 16 B) de cuivre pour définir chaque ligne de10 circuit. 6 Procédé selon la revendication 4 ou 5 caractérisé en ce que la dureté desdites bosses de contact ( 116, 116 ') est déterminée par la nature et la quantité dudit troisième matériau ( 110) et du cuivre ( 12 B) utilisés dans la formation des bosses de contact. 7 Un dispositif d'interconnexion électrique pour l'établissement d'un contact électrique avec une composante ou un circuit électronique obtenu par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé par un substrat d'un matériel isolant ( 118); une pluralité de lignes de circuits ( 16) qui sont portées par ledit substrat ( 118), chacune desdites lignes de circuit ( 16) ayant une première surface ( 160) qui porte une bosse de contact; au moins une bosse de contact ( 116) portée par ladite première surface ( 160) qui fait partie desdites lignes de circuit ( 16), chacune desdites bosses de contact ( 16) ayant un mesa plat espacé de ces lignes de circuit ( 16), et chacun desdits mesas étant coplanaire avec tous les autres mesas dans un ensemble de bosses de contact. 8 Dispositif d'interconnexion selon la revendication 7, caractérisé par au moins une couche de tension ( 24), ladite couche de tension étant une couche métallique ( 24, A) espacée desdites lignes de circuit ( 16, 16 ') et par une pluralité de passages ( 22) connectant ladite couche de tension ( 24) à des lignes sélectionnées ( 16 ') desdites lignes de circuit ( 16, 16 '). 9 Dispositif d'interconnexion selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que lesdites bosses de contact sont formées dans une forme constituée d'un matériau prédéterminé, chacune desdites bosses de contact ( 116)5 ayant une couche extérieure d'un premier matériau métallique ( 110) autre que le matériau de la forme et une couche intérieure d'un second matériau métallique ( 114). 10 Dispositif d'interconnexion selon la revendication 9, caractérisé en ce que la dureté de chacune desdites bosses ( 116) est déterminée par la nature et la quantité desdits premiers matériaux métalliques ( 110) et second matériau métallique ( 114) dans chacune desdites bosses ( 116). 11 Dispositif d'interconnexion selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'une couche intermédiaire ( 112) d'un troisième matériau métallique se trouve entre ledit premier matériau métallique ( 110) et ledit second matériau métallique ( 114) de chacune desdites bosses ( 116). 12 Dispositif d'interconnexion selon la revendication 11, caractérisé en ce que la dureté de chacune des bosses est déterminée par la nature et la quantité desdits premier matériau métallique ( 110), second matériau métallique ( 114) et troisième matériau métallique ( 112) dans chacune desdites bosses. 13 Dispositif d'interconnexion selon l'une quelconque des revendications 7 à 12, caractérisé en ce que lesdites bosses de contact ( 116) sont formées dans ledit moule par un procédé additif; et que lesdites lignes de circuit ( 116) sont formées par un procédé additif au-dessus d'une surface de chacune desdites bosses ( 116) de façon à être espacées desdits mesas ( 120).