Brevet FR2664295A1 — publié le 19920110

De A La présente invention est relative à un procédé de métallisation, et plus particulièrement à un procédé pour former une couche métallique dans un dispositif à semi-conducteur à topographie importante. Grâce au progrès rapide de technologie de fabrication des semiconducteurs, et à l'extension du domaine d'application des dispositifs à mémoire, on a récemment élaboré des dispositifs à mémoire ayant une importante capacité. Ces dispositifs à mémoire à capacité importante ont été élaborés sur des recherches, de cellules de mémoire basées sur la technique fine de traitement progressant en deux fois à chaque étape. Une opération de métallisation dans le dispositif à semi-conducteur est en particulier une des opérations importantes de la technique fine de traitement du dispositif à mémoire. L'opération de métallisation peut être effectuée pour former le conducteur reliant les électrodes de grille, et pour former la connexion reliant la région de diffusion de source ou de drain, et d'autres éléments du dispositif à mémoire. D'une manière usuelle, la couche métallique disposée entre les dispositifs est principalement formée par dépôt physique en mettant en oeuvre le procédé de pulvérisation ainsi que cela est illustré sur la figure 1. On forme, en se référant à la figure 1, une partie en gradin 1 possédant une forme prédéterminée sur le substrat semi-conducteur 10, puis on forme un trou de contact 2 destiné à être métallisé, dans la partie en gradin 1 Après cela, on forme la couche métallique 3 par pulvérisation Toutefois, cette couche métallique 3 a un emploi limité en raison de la discontinuité de la couche métallique ou de la dégradation des caractéristiques du revêtement du gradin dans la paroi intérieure du trou de contact. De manière plus détaillée, en raison de la tendance à la production de dispositifs à semi- conducteur à densité élevée, il est difficile de réduire la taille géométrique verticale selon la même proportion que celle dans la direction horizontale du trou de contact, ce qui accroît le rapport d'aspect En conséquence, en raison de l'effet de masquage du gradin, il est difficile d'obtenir un revêtement du gradin suffisant pour que le trou de contact ait un rapport d'aspect élevé, ce qui donne ainsi lieu à la séparation de la couche métallique comme illustré- sur la figure 1. Pour résoudre le problème précité, on a tenté de remplir le trou de contact de différentes façons Il y a par exemple une technique de remplissage sélectif avec du tungstène, selon laquelle on remplit et on nivelle le trou de contact avec le tungstène avant de déposer la couche métallique, et une technique de remplissage de trou de contact mettant en oeuvre du silicium polycristallin qui a une excellente caractéristique de revêtement du gradin. Toutefois, dans le cas de la technique de remplissage sélectif avec du tungstène précitée, on rencontre des problèmes dans la mesure o le courant de fuite est accru en raison de la réaction interfaciale du tungstène avec le substrat de silicium, et son adhérence est insuffisante. De plus, dans le cas du remplissage du trou de contact avec du silicium polycristallin, il est difficile de maintenir la résistance de contact à un niveau constant dans le trou de contact, dans la mesure o le silicium polycristallin doit être modifié dans le conducteur par implantation d'ions La quantité d'ions implantés est en outre difficile à contrôler. En conséquence, la présente invention a pour but de procurer un procédé amélioré pour former une couche métallique dans un dispositif à semiconducteur, selon lequel on dépose un métal et on remplit ensuite un trou de contact par traitement thermique. Pour atteindre le but précité, on fournit selon la présente invention, un procédé pour former une couche métallique à travers un trou de contact dans un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une première opération de dépôt d'un métal à une température choisie, après avoir formé un dessin du trou de contact sur le substrat semi-conducteur sur lequel on forme une partie en gradin; et 1 une deuxième opération de traitement thermique du métal déposé dans une chambre réactionnelle de pulvérisation, afin de remplir le trou de contact avec ce métal. La présente invention va être mieux comprise à la lecture de la description détaillée suivante du mode de réalisation préféré, faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: la figure 1 est une vue en coupe d'une couche métallique réalisée selon un procédé classique par pulvérisation; et les figures 2 A à 2 C illustrent un mode de réalisation d'un procédé de formation de la couche métallique selon la présente invention. On se référera à la figure 2 A illustrant un procédé pour former une première couche métallique, selon lequel on forme le dessin d'un trou de contact 2 ayant une taille de 0,8 em sur un substrat semi- conducteur 10 sur lequel une partie en gradin est formée, et on nettoie ensuite le substrat 10 sur lequel le dessin est formé. Après avoir réalisé l'opération décrite ci- dessus, le substrat 10 est introduit dans une chambre réactionnelle de pulvérisation, dans laquelle une première couche métallique 4 est formée par dépôt d'un métal, par exemple l'aluminium (Al), selon une épaisseur de 500 À à 3000 À à une température de 200 OC ou moins et sous un degré de vide prédéterminé A ce stade, à la place d'aluminium pur, on peut employer un alliage d'aluminium formé en mélangeant du silicium à raison de 1 %, et 0,5 % de cuivre. La figure 2 B illustre un procédé de remplissage du trou de contact Eu égard à la figure 2 B, après avoir transféré le substrat obtenu dans l'opération précédente dans une autre chambre réactionnelle de pulvérisation sans rupture du vide, on chauffe pendant 2 minutes ou plus à une température de 550 O C, en fondant ainsi le métal déposé et en remplissant le trou de contact comme illustré sur la figure 2 B A ce stade, la pression dans la chambre réactionnelle doit être aussi faible que possible afin d'accroître la distance de déplacement en surface de l'aluminium Sur la figure 2 B, la référence numérique 4 a désigne le métal remplissant le trou de contact. La température de traitement thermique de l'opération illustrée sur la figure 2 B correspond nécessairement à 80 % ou plus du point de fusion de l'aluminium en fonction du type d'aluminium. La figure 2 C illustre un procédé pour former une deuxième couche métallique 5, selon lequel la deuxième couche métallique 5 est formée par dépôt du reste de l'épaisseur totale nécessaire de la couche métallique à une température déterminée, en prenant en considération sa fiabilité, de façon à compléter ainsi la formation de la couche métallique. Si l'épaisseur totale nécessaire de la couche métallique est par exemple de 6000 A, et que l'épaisseur de la première couche métallique déposée sur la partie en gradin est de x A, la deuxième couche métallique est formée en déposant l'aluminium selon une épaisseur de ( 6000 x)A. A ce stade, il est souhaitable que x soit minimisé en prenant en considération la fiabilité de la métallisation En outre, la température déterminée en prenant en considération la fiabilité correspond à une température appropriée d'après le type de la deuxième couche métallique, afin d'assurer la liaison entre les première et deuxième couches métalliques. Comme mentionné ci-dessus, selon la présente invention, le trou de contact peut être facilement et entièrement rempli en déposant d'abord un métal à l'aide du dispositif de pulvérisation employé pour le procédé de dépôt physique classique, et en traitant ensuite à chaud le métal déposé, de sorte qu'il est possible de remplir complètement le trou de contact même s'il a un rapport d'aspect élevé. De plus, si l'épaisseur de la couche métallique nécessaire est importante, il est possible d'ajuster l'épaisseur en déposant successivement la couche métallique après remplissage du trou de contact. On remarquera que le procédé de formation de la couche métallique selon la présente invention est applicable à tous les dispositifs à semiconducteur afin d'assurer la continuité de la couche métallique à travers le trou de contact. REVENDICATIONS 1 Procédé de formation d'une couche métallique ( 4) à travers un trou de contact ( 2) dans un dispositif à semi-conducteur, caractérisé en ce qu'il comprend: une première opération de dépôt d'un métal à une température choisie, après avoir formé un dessin du trou de contact sur un substrat semi-conducteur ( 10) sur lequel une partie en gradin ( 1) est formée; et une deuxième opération de traitement thermique du métal déposé dans une chambre réactionnelle de pulvérisation, afin de remplir le trou de contact avec ce métal. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une opération de dépôt d'un métal après avoir effectué ladite deuxième opération. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le dépôt de métal dans la première opération est effectué par pulvérisation cathodique. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la température choisie dans la première opération est de 200 OC ou moins. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que la deuxième opération est effectuée en transférant le substrat obtenu dans la première opération, dans une autre chambre réactionnelle de pulvérisation sans rupture du vide, et en chauffant ensuite pendant un temps prédéterminé à une température correspondant à 80 % ou plus du point de fusion du métal, en fonction du type du métal mis en oeuvre dans la première opération. 6 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal mis en oeuvre dans la première opération est l'aluminium ou un alliage à base d'aluminium. 7 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal mis en oeuvre dans la première opération est un alliage à base d'aluminium formé en mélangeant 1 % de silicium et 0,5 % de cuivre avec l'aluminium. 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que l'épaisseur de l'aluminium est de 500 A à 3000 A. 9 Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la deuxième opération est effectuée en transférant le substrat obtenu dans la première opération, dans une autre chambre réactionnelle de pulvérisation sans rupture du vide, et en chauffant ensuite le substrat pendant 2 minutes ou plus à 550 OC.