Brevet FR2661028A1 — publié le 19911018

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Les récents progrès des techniques de traitement fin d'un semi-conducteur ont offert la possibilité de permettre aux FEC qui ont été développées de produire une cathode pour utilisation dans un circuit intégré dans un tube à vide, à titre de source électronique plane, de sorte que l'application à différents dispositifs est maintenant envisagée. Une structure typique de la FEC est illustrée à titre d'exemple dans la figure 6, dans laquelle on désigne par la référence 100 un substrat, dopé avec des impuretés en forte concentration, ce qui a pour résultat de donner une conductivité élevée Le substrat 100 est formé en partie supérieure, avec une couche isolante 101, en Si On, formée en son sein, avec des cavités 102 Dans chacune des cavités 102 est disposé un émetteur 103, formé en Mo, de façon à agir comme une section d'émission d'électrons La FEC comprend également un film mince qui est constitué en Mo et déposé sur la couche isolante, de manière à entourer l'émetteur 103, de manière à fonctionner comme électrode de porte 104. La FEC construite comme décrit ci-dessus peut être produite par un revêtement avec un produit résistif, utilisé dans les techniques de traitement fin dans la fabrication des semi-conducteurs, par exposition à un faisceau d'électrons, gravure chimique ou analogue La FEC est ainsi formée avec des dimensions telles que la cavité 102 présente un diamètre allant de 1 à 2 gm, la couche isolante 101 présentant une épaisseur allant de 1 à 2 Mm, et l'électrode de porte 104 étant d'une épaisseur d'à peu près 0,4 im De même, les émetteurs 100 sont respectivement au nombre de 10 000, avec une forme conique, intégrés sur une aire d'à peu près 25 mm 2, conduisant à la FEC. aun a J Lnpoid ap aq;;nos a Beq D Ljje,p j LLsod S Lp al anb aqjos ap 'a Gqua 9 wne P sa a 6 eqo Ljep qq Lsuap el anbs Jo L an ULW Lp qsa a OL^ a S ap alÀo: a L 'LSULV y À 96 el Jed sdmaq eq apow un uolas sa 9 qo Ld quos 33 A s OL qa aq Jod ap apo O Jqa Lap a U 6 Ll aun a (apo qeo ap au 6 Ll) sa@sods Lp a 4 a quo @nb Luoo a W Jo ap 3 J sa L Lanba L ins q E Jqsqns al Jed a LUL 1 ap q Sa A-X ua a DL;Je W aun lanba L suep a 6 Pq O Lld ap apow un quawa Le Jaua 6 as Ll Lqn 331 sal O 4 Ue SLL 4 N a 6 eq D Lte,p j L sod S Lp al 'atgt a( Àa 6 Peqo Ljóep 9 q Lsuap el ap UOL 4 e JOLL 9 we L Ja Lnuue,p e 4 Lnsai jnod e Lnb ao 'ea Beqo DLóe,p auoz el suep a 9 atjoó 4 a-om auoz aun quasneo slk 'luemasnaina 4 Le W l ap aouewiojiad ap ine 4 oej e L ja 4 Doodde a 9 J Le S Jnod 'Jnaqesuapuoo unnb LS Ue L a 6 mew Lp sa Ln Llao xne ue A Jas IAI sap snld ua 'a 6 e WL, p sa Lnlla D sal anb ueld aww Ol suep sesods Lp 'a 6 Pq Ol Ld ap l l sap a J 3 no ua qia Lnbai 11 sal a SLL Ln Lnb Gl 3 a L 'euepuada 3 TS q ZTS sa Bed 'e 98 à A Vgd SIG OE N Vd VC, suep anb LSU Le 9861/E 8 g TZZ'ON s Leuoder qa^ajq ap apuewap PL ap uo Lqd LJ Dsap PL suep asodoid aqe e 3 g I sa L quest L Ln a 6 e 4 qo Ljjep,LL Sod S Lp un auelqod WL a Lep aue Ld apoa 4 oa L 9 aun q Lnpoid qa anb Luoqoa La UO Lss Lwa,p aoinos aun awwoo 4 L 6 P Lnb eamaw apo 4 eo D PL ap la LDLJ 4 e W S- a$eqolLd un qawjad 'euaosa Qon Lj @ 6 e 4:Ljqep &Lk Lsod S Lp un inod enb Lsse Lo uo 6 e J ap as L Lln anb Luo Low Ja 44 apo 44 Eo aun Oa AE UOS Le Jedmoo ua eqploj apo 4 eo aunnb aeoed '33 A e L ap aouess Lnd ap uo Lqewmosuoo e L ap uo Lqonppi aun e puaqe,s uo 4 LSULV Oi EO* Jnaq 4 awa,L ap a Le Ls Lp alug J 14 x O,l ap 96 Je 4 oap a G Jq ass Lnd Vm ap Sa U Leq Ua U sanb Lanb ap suo Jqoa LP,p 4 ueino D un,nb aq Jos ap '00 T q Peisqns np SLA-e-SLA q LOA ap sau Leque D sanb Lanb e q LOA ap sau Lez Lp sanb Lanb ap q Uelle a Be Ld e L suep eanqks uo Lsua 4 aun E aaoe Ld 3 sa a Ja Lu Jap aaa anbs Jo L 'NOT a@ 3 od ap apo DJ-a L 9,L;a EOú Jneaqawa,L ap a Leqs Lp 9 ml WJX 9 a,L aqua 1 Lnpoid 'wo/A LOI q e O sad nad e,p anb LJ 4 Da 19 dw Pe 4un a O J a D 9 ni 4 suooLsu Le33 A el g 9 Z O T 99 Z luminescence suffisante Une augmentation de luminescence requiert une augmentation de la tension de porte ou de la tension d'anode, ainsi, la structure du dispositif est rendue plus compliquée parce que des S étapes, telles que l'isolation entre les électrodes et analogues, sont nécessaires. La présente invention a pour but de surmonter les inconvénients précités de l'art antérieur. De manière correspondante, un but de la présente invention est de proposer un dispositif d'affichage qui soit susceptible de présenter une luminescence suffisante en utilisant des FEC comme source électronique plane. Selon la présente invention, il est proposé un dispositif d'affichage, comprenant une section de substrat, qui est un substrat de cathode, et une section de substrat d'affichage, qui est un substrat d'anode La section de substrat comprend des sections de transistors à film mince (sections TFT), présentant la manifestation d'une fonction de mémoire, et des sections de cathode d'émission de champ (sections FEC), reliées chacune à une électrode de chacune des sections TFT La section de substrat d'affichage comprend une anode ou une pluralité d'anodes disposées de manière a être divisées ou séparées les unes des autres Une couche phosphoreuse est déposée sur l'anode ou sur chacune des anodes La section de substrat et la section de substrat d'affichage sont disposées les unes en face des autres, avec un vide entre elles. I O Dans le dispositif d'affichage selon la présente invention, construit de la façon indiquée ci- dessus, l'aire TFT formée sur la section de substrat est pilotée de façon matricielle et l'aire FEC reliée à l'aire TFT est sélectionnée par une commande à temps partagé Simultanément, en synchronisme avec le fonctionnement, un signal d'affichage est fourni à chaque ligne de l'agencement de l'aire, pour sélectionner les sections FEC, pour décharger un champ électrique, de manière à émettre des électrons Les TFT comprennent chacun un condensateur, qui maintiennent en leur sein un signal d'entrée, jusqu'à ce que le signal suivant leur soit fourni, les électrons continuant ainsi à être déchargés pendant ce temps. Une tension d'anode est appliquée à la couche de phosphore déposée sur l'anode ou sur chacune des anodes disposées sur le substrat d'affichage Ainsi, les électrons émis par les sections FEC heurtent la couche de phosphore, ce qui a pour résultat la production d'une émission lumineuse ou luminance La luminescence dure jusqu'à ce que le signal suivant soit appliqué à la ligne de signal des sections TFT Ceci produit un facteur de performance de luminance sensiblement égal à 1, de sorte qu'on peut produire une luminescence élevée En variante, ceci permet au dispositif d'affichage d'être piloté sous une tension notablement réduite. En outre, la construction, décrite ci-dessus, de la présente invention élimine la nécessité de prévoir une section de circuit de commande pour sélectionner les cellules d'image, en améliorant de cette façon la densité d'affichage et en assurant la continuité ou permanence de l'affichage. Ces buts et d'autres buts et de nombreux avantages caractéristiques de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description suivante d'un mode de réalisation de l'invention, faite à titre non limitatif et en regard des dessins annexes, dans lesquels: La figure 1 représente une vue schématique, montrant une structure d'électrode pour un mode de réalisation d'un dispositif d'affichage selon la présente invention; la figure 2 est une vue en coupe montrant un substrat de cathode; la figure 3 est une vue schématique, montrant une structure d'anode pour un affichage entièrement en coul eur; la figure 4 est une vue schématique d'un circuit, montrant le principe de fonctionnement du dispositif d'affichage représenté sur la figure 1 et la nature des liaisons entre les électrodes; la figure 5 est un diagramme temporel de pilotage montrant le fonctionnement du dispositif d'affichage représenté sur la figure 1; et la figure 6 est une vue en coupe représentant la structure d'une cathode à émission de champ. Un dispositif selon la présente invention est décrit ci-dessous, en référence aux dessins annexes. La figure 1 représente schématiquement une structure d'électrode pour un mode de réalisation d'un dispositif d'affichage selon la présente invention et la figure 2 représente un substrat de cathode servant de section de substrat Le numéro de référence 1 désigne des sections de transistors à film mince (désignes ci-dessous par "sections TFT"), qui comprennent deux transistors Trl et Tr 2 et un condensateur C pour chaque cellule d'image Le numéro de référence 2 désigne des sections de cathode à émission de champ (désignes ci-dessous par "sections FEC") Dans chacune des sections FEC, ces dernières sont au nombre de 100 à 1 000 et présentent chacune une micro-structure telle que représentée sur la figure 6, sont intégrées sur une cathode commune, avec pour résultat de former une cellule d'image Les émetteurs des FEC pour une cellule d'image sont reliés à l'une des électrodes du transistor de pilotage Trl (électrode de drain ou électrode de source) de la section TFT 2. De même, une électrode de porte comportant un trou correspondant à chacun des émetteurs est disposée à proximité de ces derniers L'électrode de porte est commune à toutes les cellules d'image. Le dispositif d'affichage du mode de réalisation représenté comprend également un substrat d'anode 3 qui sert de section de substrat d'affichage. Le mode de réalisation est construit de telle façon qu'un affichage est observé dans l'étendue du substrat d'anode 3, par conséquent, il est formé d'un matériau transparent, tel que le verre, les céramiques ou analogue Sur la surface du substrat d'anode 3 qui est opposée aux sections FEC 2 est disposée au moins une anode 4, sur laquelle est déposée une couche phosphoreuse 5. Lorsqu'on souhaite un affichage monochromatique, une anode peut être utilisée communément pour la totalité des cellules d'image et l'on peut déposer une couche phosphoreuse 5 sur la totalité de l'anode 4 Cependant, dans le but d'empêcher que l'affichage ne souffre de parasitage, on peut déposer une pluralité de couches phosphoreuses 5, en bandes, sur l'anode 4 En variante, on peut les déposer selon des motifs à points Si l'on souhaite un affichage totalement en couleur, trois de ces anodes 4 sont disposées de façon divisées, avec dépôt respectif, comme représenté sur la figure 3, de couches phosphoreuses donnant des couleurs lumineuses rouge (R), verte (G) et bleue (B). Le dispositif d'affichage du mode de réalisation représenté comprend en outre un substrat de cathode 6 qui est construit comme représenté sur la figure 2 La figure 2 représente le transistor de pilotage Trl de la section TFT 1 et la section TFT 2. Le mode de réalisation représenté utilise une structure de transistor à film mince à silicium polycristallin. Plus particulièrement, sur le substrat de cathode 6 constitué d'un matériau isolant tel que le verre ou 3 S analogue, sont disposés une électrode de source 7 et une électrode de drain 8, sur lesquelles est déposée une couche semi-conductrice 9 en silicium polycristallin, de manière à ponter les deux électrodes La structure comprend également une porte 11 formée par laminage d'un film isolant de porte 10, constitué en Si Oz de la couche semi-conductrice 9, en formant ainsi le transistor Trl Le film d'isolation de porte 10 et l'électrode de drain 8 comprennent chacun un conducteur (non représenté), déposé sur le substrat de cathode 6, de façon à s'étendre sur la section FEC 2 L'électrode de source 7 comprend un conducteur (non représenté) qui lui est relié électriquement, puis est raccordé à la masse Les conducteurs de l'électrode de source 7 et de la porte 11 sont superposés l'un sur l'autre grâce à une couche isolante sur laquelle est formé le condensateur C Le conducteur de la porte 11 est relié par un fil conducteur à l'électrode de source 7 a du transistor de commutation Tr 2 (figure 1). La section TET 1 et le condensateur C peuvent être produit par déposition en phase vapeur, métallisation sous vide et attaque chimique, que l'on utilise de façon classique pour la fabrication d'un semi-conducteur Sur la section TFT 1 ainsi formée, on forme une couche isolante 12 en un matériau approprié tel que Si 3 N 4, Si O_ ou analogue, de façon à agir comme couche de passivation La couche isolante 12 est déposée de manière à s'étendre sur la section FEC 2. La formation de la section FEC 2 est effectuée en procédant à un premier dépôt, sur la couche isolante 12 qui sert également de couche de passivation de la section TFT 1, d'un film métallique tel que, par exemple, un film de molybdène (Mo), qui forme une électrode de porte 13 de la FEC, le dépôt étant effectué suivant les techniques de déposition par faisceau d'électrons Ensuite, l'électrode de porte 13 est formée avec une pluralité de trous 13 a, par photolithographie Ensuite, la couche isolante 12 est soumise à une attaque chimique, pour exposer le conducteur de l'électrode de drain 8 tout en conservant masquée l'électrode de porte 13, pour former de cette manière des cavités 14 Les parties exposées du conducteur de l'électrode de drain 8 constituent chacune une cathode 15 de la FEC Finalement, on dépose du Mo sur la cathode 15, dans la cavité 14, par les techniques de déposition par faisceau d'électrons, de sorte qu'une pluralité d'émetteurs coniques 16 soient formés pour servir de groupe d'émetteurs, situés dans la section FEC 2 ainsi construite. Dans le mode de réalisation illustré, la section FEC 2 d'une cellule d'image reliée à chaque transistor de pilotage Trl comprend les émetteurs 16, au nombre situé entre 100 à 1000. Le substrat d'anode 3 d'une part et le substrat de cathode 6 d'autre part, disposés et décrits ci- dessus servant de couvercle avant et de plaque arrière d'une enveloppe de type bottier, qui est ensuite placée sous un vide poussé, aboutissant au dispositif d'affichage du mode de réalisation illustré. Le mode de réalisation illustré peut être construit de façon que des faisceaux soient disposés entre les cathodes 15 formés sur le substrat de cathode 6, de manière à s'étendre perpendiculairement à la couche phosphoreuse 5 Cette construction empêche effectivement le parasitage d'un affichage dans la direction longitudinale de la couche phosphoreuse Les faisceaux peuvent être disposés sur l'électrode de porte 13 au le substrat d'anode 3. A présent, le fonctionnement, le dispositif d'affichage du mode de réalisation illustré, construit comme décrit ci-dessus, va être décrit cidessous en référence à la figure 4 qui représente le principe de fonctionnement du dispositif d'affichage Dans le mode de réalisation représenté, trois anodes 4 sont disposées de manière à être séparées ou divisées les unes par rapport aux autres, portant sur chacune d'entre elles des couches phosphoreuses de couleur lumineuse rouge (R), verte (G) et bleue (B), déposées successivement pour produire un affichage totalement en couleur. Une cellule d'image composées des couches R, G et B comprend la section TFT 1, y compris les transistors Trl et Tr 2 et le condensateur C, la section FEC 2 (les émetteurs 16 et l'électrode de porte 13) reliés à l'électrode de drain 8 du transistor Trl, et les trois anodes 4, séparées électriquement les unes des autres et portant chacune les couches phosphoreuses R, G et B, déposées sur celles-ci Une pluralité de cellules d'image, chacune construite comme décrit ci- dessus, sont disposées suivant un agencement matriciel, pour produire de cette manière un plan d'image d'affichage. Les anodes 4 des cellules d'image respectives constituant le plan d'image d'affichage matriciel sont usuellement reliées à chaque couche phosphoreuse R, G et B puis sorties vers des bornes externes, comme représenté sur la figure 4 De même, les portes 17 des transistors Tr 2 des cellules d'image constituant la matrice sont reliées usuellement à chaque colonne de la matrice et ensuite sorties vers des bornes externes En outre, les électrodes de drain 18 des transistors Tr 2 sont reliées usuellement à chaque ligne de la matrice et ensuite sorties vers des bornes externes. On va décrire à présent le mode de mise en oeuvre du dispositif d'affichage du mode de réalisation représenté, en référence aux figures 4 et 5 Le mode de réalisation représenté est construit de façon à effectuer un affichage totalement en couleur, comme décrit ci-dessus Plus particulièrement, comme représenté sur la figure 5, il utilise un système dans lequel les données concernant les couleurs lumineuses rouge, verte et bleue sont respectivement indiquées dans les premier, deuxième et troisième champs, pour une cellule d'image (une trame). Dans le premier champ, une tension d'anode est appliquée sur le phosphore ou section R de couleur lumineuse rouge de l'anode 4, pour appliquer un signal de balayage à la première colonne Le résultat est un signal EN SERVICE fournie aux portes de tous les transistors Tri reliés à la première colonne. Simultanément, un signal d'effacement (potentiel de terre ou potentiel négatif) est fourni à toutes les conducteurs de données de ligne (données de ligne 1,2,- ,m sur la figure 5), pour provoquer de cette manière la décharge des condensateurs C des sections TFT 1 reliées à la première colonne Ainsi, le balayage de la première colonne de la figure 5 provoque son effacement Ensuite, on envoie un signal de données de ligne à chacune des lignes requises, en fonction des données d'affichage de ligne Plus spécifiquement, lorsque l'émission lumineuse ou luminance est souhaitée, un signal '1 W est envoyé aux lignes requises pendant une période de temps pour laquelle les données de la première colonne sont écrites; tandis que, si aucune émission lumineuse n'est souhaitée, un signal O' indiqué en pointillé lui est envoyé. Le signal de données est chargé dans le condensateur C, par le transistor Tr 2 ayant été rendu passant, de façon que le transistor de pilotage Tri puisse être commandé Lorsque le signal de données de ligne est " 1 ", la charge du condensateur C provoque la commutation passante du transistor de pilotage Tri, ce qui a pour résultat que l'émetteur 16 présente le potentiel de terre, de façon qu'un champ électrique élevé puisse être formé entre l'électrode de porte 13 et l'émetteur 16, pour provoquer la décharge des électrons par l'émetteur 16 Les électrons heurtent ensuite l'anode 4 sur laquelle est appliquée une tension d'anode, de façon qu'elle produise une luminance de couleur rouge Lorsque le signal de données de ligne est '0 O, la décharge des électrons ne il se produit pas parce qu'aucune charge n'est présente dans le condensateur C; ainsi, l'anode 4 ne produit pas d'émission lumineuse. La condensateur C est maintenu chargé même si le signal de ligne de données est annulé et que le condensateur Tr 2 est bloqué Ceci a pour résultat que le transistor de pilotage Trl est rendu passant jusqu'à ce que le signal d'effacement suivant lui soit appliqué, de sorte que l'émetteur 16 relié au transistor Trl continu à émettre des électrons, pour provoquer de cette manière la persistance de la luminance de l'anode 4. De façon analogue, l'application d'un signal de balayage de colonne à la deuxième colonne provoque sa sélection, et des données de colonnes lui sont envoyées en synchronisme avec le signal de balayage de colonne, ce qui a pour résultat la commande de son émission lumineuse ou luminance Si l'on a affichage d'une couleur lumineuse rouge dans le premier champ, le fonctionnement du second champ est commencé, par le fait que le condensateur de chacune des colonnes est déchargé ou 'effacé' dans la partie précédente des données de ligne et qu'ensuite un affichage de couleur verte est effectué dans le deuxième champ Une opération analogue est effectuée dans le troisième champ, aboutissant à un affichage de couleur lumineuse bleue. Les luminances des trois couleurs lumineuses dans les trois champs sont identifiées sous forme mélangée par un observateur, ce qui a pour résultat la production d'un affichage d'image totalement en couleur. Comme il ressort de ce qui précède, le dispositif d'affichage de la présente invention est construit de telle façon que les FEC sont pilotées par le circuit TFT qui présente une fonction de mémoire. Cette construction permet d'augmenter le facteur de performance à un niveau aussi élevé que " 1 " Si l'on procède à un affichage totalement en couleur, il permet au facteur de performance d'être augmenté à un niveau aussi élevé que " 1/3 " Ainsi, la présente invention permet d'obtenir la même luminescence que celle obtenue par le dispositif d'affichage classique utilisant des FEC comme source électronique, tout en diminuant la tension d'anode. Dans la présente invention, également, la section de décharge d'électrons et la section de mémoire sont disposées sur la côté du substrat, permettant ainsi de disposer tout près l'anode formant le plan d'affichage. Àapoue a Lpe L Jns S 4 u Lod e Lk Ow un q Ue A Lns seasods Lp 4 uos (S) sesnaio 4 dsoqd sa 4 qnoo saz 4 psap -a L Le n Ld aun Lenb 9 L suep 'T u OL 4 e O Lpua Aa = e L UO Las a@ 6 e 4 o L JepJ Lk Lsods Lq 'ú apoue a 4 kpe L ins sapueq e jlqow un que A Lns saasod S Lp UOS (S) sasna Joqdsoqd saqono D sa 4 Lps 9 p 9-4 L Lein Ld aun Lanba L suep '1 UO Lqe O Lp UaAl e L Uo Les e 6 eqo)Lje Pp j Lq LS Od SLG 'Z O asnaao 4 dso 4 d a Jnapadns G 4 onoo aun queques$id qa a J Le Lpa W Jqu L ap LA un Da Ae 'apoqje 3 ap 3 ea 3 sqns 34 pnp a:el ua aesods Lp À apoue aun SU Low ne queu@Jdao 3 'apouep 4 ealsqns 3 Lpa L Jns aea Joj 'a 6 e 4 OLJ Je,p qea 3 sqns ap uo Lqoas aun SE qe l GII Lwxoid e s$sods Lp la sinelqawa sqlpsap uno E 43 e quepuodsejjoo noel un 4 ueuaidmoo '(úl) aqiod ap apojqoa Lp aun esuojq:a Lpa sep u 05 ej aqa 3 ap giqqawwa e 9 JG Lue M ap 4 anb LJD 9 L 9 dme 4 D un ja 6 i E 4 Dap inod oz s Joqs Lsue Jq slpsap un L e Sa L La '6 ew Lp 9 Ln LL 9 anbe 4 D Jnod s Jn 9 q;awoap Pa 3 L Le Jn Ld aun queueidmo 3 4 a Du Lw w L Lk e s Jo 3 s Lsue J ap suo Lq Das sa@Lpsa L ins s@ew Joj edte P 4 ap UOLSS Lta e s Gpoqqe D ap SUOL 3 a S sep a ODULM w Lk L e s Jo 4 s Lsu EJ 4 AT ap su OL-O 9 S S 94 kps$L Jns eamioj 3 @ 4 ue LOSL ne L Àaqem unp eanqk L 4 suoo e(ZI) uo L:e A+Lss Pd ap a 4 ono D aun a Ln La La anbe 40 Jnod inaqesuepuo D un 4 G SJOISLS Ue J 4 xnap queua Jdmoo eapoqqe D ap 3 e Jqsqns qkpal ins saaw Jol 01 a ODU La W Lk L e SJO 4 SLS Ue PJ ap SUOLOa S sap t@p LA snos oa De Ld OJGLJe anbe Ld ap que AJ@s ( 9) apo 44 eo ap 4 ei 4 sqns un 3 @ que Ae a LO Ja Anoo ap que A Jas (E) apouepp qe Jqsqns un 3 ueua Jdwoo 'Ja 3 Lqoq ap aw Jo ua addo LGAU 9 aun : puaidwoo Ll,nb ao ua Oas Liea De Je O ee 6 e P 4 L;;ep j Lk LS Od SLQ L S N OII OI ON 3 A^ 3 9 Z O T 99 Z T- 4 Dispositif d'affichage selon la revendication 1, dans lequel lesdites sections de substrat d'affichage ( 3) sont divisées en trois, sur lesquelles sont respectivement disposées des couches de couleur lumineuse rouge, verte et bleue. Dispositif d'affichage selon la revendication 1, dans lequel ledit substrat de cathode ( 6) comprend en partie supérieure une électrode source ( 7) et une électrode de drain ( 8); une couche semi- conductrice constituée de silicium polycristallin déposée par dessus, de manière à ponter les deux électrodes et une porte ( 11) formée en laminant un film d'isolation de porte, constitué de Si Oz, sur ladite couche semi-conductrice. 1 S