Brevet FR2667444A1 — publié le 19920403

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Comme décrit ci-dessus, dans l'élément à émission de champ classique, l'émetteur 202, la porte 204 et l'électrode à émission d'électrons secondaires 205 sont disposés côte-à-côte sur le substrat 200 Les électrodes sont formées séparément à l'aide de modèles ou motifs de masque préparés séparément Ceci a pour résultat de devoir fixer ou déterminer des distances existant entre les électrodes, en fonction de la résolution d'exposition dans le traitement photolithographique, la précision de l'attaque chimique, des modèles maîtres, de l'enregistrement ou de l'alignement entre les modèles maîtres, etc. On obtient une réduction de la tension de commande de l'élément à émission de champ, en diminuant la distance entre les électrodes Malheureusement, l'élément à émission de champ classique ne permet pas de mettre en oeuvre avec précision le traitement photolithographique, servant à déterminer la distance existant entre les électrodes Une telle restriction dans la production de l'élément à émission de champ entraîne que l'intervalle entre les électrodes, situées dans le dispositif à émission de champ classique, ne réussit pas être réduit de façon uniforme avec une bonne capacité de reproduction, ce qui résulte en un échec pour diminuer la tension de commande de l'élément à émission de champ jusqu'à une valeur souhaitée. La présente invention a été réalisée au regard de l'inconvénient précédent de l'art antérieur. De façon correspondante, un but de la présente invention est de proposer un élément à émission de champ, qui soit susceptible de réduire la tension de commande pour laquelle l'élément démarre l'émission de champ, jusqu'à une valeur souhaite. e L 4 ue 4 ealnos ue 'jna;e 4 eau un queue Jdwo 3 sepo J 3 e La sep ue Jne 4 Dnpuoo ne Lja 3 ew ja L Ia Jd np a 6 euuobej lej 4 sqns un Jns Jne 4 npuoo ne Lia Jew ja Lma Jd unp;gdap SE :ap sade L sa L ueueu Jdwo Do 'dweq 3 p UOLSS Lwa e 4 Ua Wa LW un,p uo LE 3 e Lqe 4 e L jnod apao Jd un asodoud qsa LI uo L 4 ue Au L e 4 uesa Jd e L ap 3 adse a J 4 ne un UO Le S q L Ae D e L suep ea 6 o L qsa Lnb '4 aqod e L enb sai 4 ne 4 a qeasqns e L ans seaoe Ld sapo Ja 4 La oe sap gq Lw LXO Jde ean Ls 'a L Ae Daun JE Ae aw Jt O 3 ue 4 q ja Luaep ao ';e Jlsqns a L ins sesods Lp aeaod aun qa jna 3 14 a LLOO un 'Jna 34 aa 4 un ea qea;sqns un:puaidwoo Lnb dweqo ep UOLSSLW 9 E 4 uaewa L un 9 sodo Jd qse LI 'UOL 4 ue Au L eauesa Jd e L ep joedse un UO La S sz snssep-Lo sea Lk Jap senb L 4 s L Ja I 3 e Je 3 s EL 4 uequasa Jd dweq 3 ep UOLSSL Ua e;uawa L 9 un ueawa LL 3 ek Jenb Li Jqe J ep e Lq L 3 deosns 3 Los Lnb 'dweq 3 ep uo Lsstwa e uaetua L unp Uo L 4 e 3 L Jqej e L Jnod apa 3 o Jd un Àesodo Jd ep qsa UOLU^Au L eauesa Jd e L ep ajo Due 4 nq a E 4 ne un oz suoaao Lap UO Lss L Wap a J Le L e AL 4 EDL 4 LU 6 LS uo Se 2 ap Ja 4 uawm 6 ne,p 4 a ewi Jo Lun dmeqo ep uo Lss Lwa aun JL Ldwoooep a Lq Ldae Dsns 3 LOS Lnb dme Lq 3 ap UOLSSL Wa e 4 uaeaw L un Josodo Jd ap 4 sa UOL 4 Ua AUL aquase Jd e L ap a Jooua qnq a Ejne un si awi JO 4 L Un aq Lkuenb eun 4 ue Jinsse e aeuae W 6 fne 4 uewa LLD 3 e eaig 3 ned a J Le L 4 uop 'uo L 34 Dnpojdaj ep 94 L 3 edeo auuoq eun qe uo Ls L 3 o Jd ea 4 neq 3 Ae q Lnpo Jd aiq ass Lnd Lnb dweq 3 ep UOLSS Lwa e 4 uatu L 9 un jasodo Jd ep ase UOL 4 Ue AUL a 4 uespad e L ep a JO 3 Ue;nq a 34 ne un OT -a 3 uenba J 4 ap senb L 4 s L Ja 3 e Je 3 se L a Je JOLL 9 wep e Lq Lqdaosns 3 Lo S Lnb dweq 3 ap UOLSSL Wa e uaewa L un Jasodoid ap 4 sa UOL;Ua AUL aeuasaid e L ap a J Le 4 uawa Lddns 4 nq un *UOJLW L ne sa Jna L Ja UL SUOL 4 e 3 uam 6 ne sap 3 a Ae sapo J 3 Da Le SEL a J; ua aoue 4 S Lp e L 4 ua Wa LL Det JE Lg J 4 uo 3 ap a Lq L 4 daesns 4 LOS Lnb dweq D ap UOLSS Lua e 4 ua Wa L 9 un dasodoid ap sa uo L 4 uaau L a 4 uasesaid e L ap 4 nq a J 4 ne un tt 7 t/99 Z g substrat à l'attaque chimique à la fois dans le sens de la profondeur et dans des directions parallèles au plan du substrat, tout en utilisant les électrodes façonnées, formation d'un second matériau conducteur sur le substrat, tout en utilisant les électrodes façonnées comme masque, de façon que le second matériau conducteur présente une épaisseur de film inférieure à la profondeur de l'attaque chimique du substrat et façonnage du second matériau conducteur en une porte située entre les électrodes façonnées. L'émetteur, lorsqu'on l'observe du-dessus, peut présenter une forme rectangulaire, striée avec une porte profilée de façon correspondante, ou dentelée avec des parties en saillie rectangulaires situées sur son extrémité distale Il peut y avoir deux émetteurs (ou plus) avec la gorge disposée entre eux On peut appliquer un couche de substance fluorescente sur le collecteur. Selon un mode de réalisation préféré de la présente invention, un procédé pour la fabrication d'un élément à émission de champ comprend les étapes de: dépôt d'un premier matériau conducteur sur un substrat, façonnage du premier matériau conducteur en des émetteurs, présentant une configuration voisine, ou en une combinaison d'émetteur de configuration approchée et d'un collecteur, en soumettant le substrat à l'attaque chimique à la fois dans le sens de la profondeur et dans la direction du plan du substrat, tout en utilisant les émetteurs ou la combinaison de l'émetteur et du collecteur comme masque, formation d'un second matériau conducteur sur le substrat, tout en utilisant les émetteurs ou la combinaison de l'émetteur et du collecteur comme masque, de façon que le second matériau conducteur présente une épaisseur de film inférieure à la profondeur de l'attaque chimique du substrat, façonnage avec précision des émetteurs constitués du premier matériau conducteur, en une configuration voisine pour donner une configuration souhaitée et façonnage du second matériau conducteur en une porte disposée entre les émetteurs ou entre l'émetteur et le collecteur de la combinaison. Dans la présente invention réalisée comme décrite ci-dessus, la distance entre l'émetteur ou le collecteur réalisé sur le substrat et la porte disposée dans la cavité, réalisée dans le substrat le long de l'émetteur et du collecteur, peut être contrôlée avec précision, en ajustant l'épaisseur de la porte dans le sens de la profondeur de la cavité De même, la configuration de l'émetteur en un forme rectangulaire ou dentelée permet à l'intensité du champ électrique d'être augmentée, par rapport à un émetteur sous forme d'une plaque plane et de présenter une capacité de reproduction, une stabilité et une durée de vie augmentée satisfaisantes, en comparaison avec un émetteur pourvu d'une partie en saillie aiguë. L'invention peut être mise en oeuvre suivant de nombreuses manières et on va maintenant décrire quelques modes de réalisation, à titre d'exemple et en faisant référence aux dessins annexes, dans lesquels: les figures 1 (a) à 1 (f) sont des vues en coupe schématiques, représentant les étapes successives dans la fabrication d'un premier mode de réalisation d'un élément à émission de champ selon la présente invention, la figure 2 est une vue en perspective de l'élément à émission de champ représenté sur les figures 1 (a) à 1 (f), la figure 3 est une vue en plan représentant un autre mode de réalisation d'un élément à émission de champ selon la présente invention, la figure 4 est une vue en plan représentant un troisième mode de réalisation d'un élément à émission de champ selon la présente invention, les figures 5, 6 (a) et 6 (b), 7, 8, 9, 10 (a) et (b), 11 (a) et 11 (b), 12 (a) et 12 (b) et 13 (a) et 13 (b), sont des vues en coupe schématiques représentant les étapes successives dans la fabrication de l'élément à émission de champ représenté sur la figure 4 et la figure 14 est une en perspective schématique représentant un exemple d'un élément à émission de champ classique. Les figures 1 et 2 représentent un premier mode de réalisation d'un élément à émission de champ selon la présente invention L'élément à émission de champ comprend un substrat isolant 1, réalisé en un matériau isolant tel que du verre, du quartz ou analogue et un émetteur 2 et un collecteur 3, qui sont disposés sur des intervalles prédéterminés sur le substrat 1 Entre l'émetteur 2 et le collecteur 3, le substrat 1 est formé avec une gorge 4 qui sert de cavité La gorge 4 est pourvue sur son fond d'une porte 5, qui présente une épaisseur quelque peu inférieure à la profondeur de la gorge 4 Cette construction de l'6 élé 1 ment à émission de champ, dans laquelle l'émetteur 2 et le collecteur 3 sont disposés sur le substrat 1 et la porte 5 est réalisée sur le fond de la gorge 4, permet à l'épaisseur de la porte 5 d'être ajustée suivant une valeur inférieure au micron, de sorte que l'intervalle entre l'émetteur 2 et la porte 5, ou celle entre le collecteur 3 et la porte 5, peut être avec précision fixée ou déterminée Ainsi, il est à noter que l'élément à émission de champ du mode de réalisation représenté permet à l'intervalle d'être réduite de façon significative, en comparaison avec celui défini par les techniques photolithographiques classiquement utilisées. On va décrire un procédé pour la fabrication d'un élément triode, qui est exemple de l'élément à émission de champ du mode de réalisation représenté, en faisant référence aux figures l(a) à l(f). e L no; dap a 1 w-l 6 '0 ap inapuojoid aun Jaeuaspid nad a L La 'a Ldwaxa Jed ' e 6 Io 6 e L ap Jnapuo Jo Jd el q no I Ted;sqns np anb Lw Lqi anbe Z;e,L ap Jnapuojo Jd Sú e L e a Jna LJ 9 u L Jnass Ledd aun aquasajd sa S aejod el *b a 6 do 6 e L ap puo 4 a L Jns 'laieqnos a Lpow np S e 4 ajod aun Jamwoj ap uie 'T 4 ei 4 sqns np t a 6 Jo 6 e L ans a 84 od ua apo J 34 Da La aun e eu Lsap 'S L Eqw np asodap uo '(ae) a Jn 6 L 4 e L fns a 9 uasajdai a Mwo 's Lnd ÀT qedsqns ne qjoddej jed ean 334 a;a 4 sa 4 ed 3 sqns np ue Ld a L suep a Le Ja We L anb Lw Lq 3 anbe;e L 'ade 4 q aqao V *E Jnaeae LLOO a L Wa Z Jnalawa L a Jiua a 8 nf Ls auoz e L suep 'T 4 ed 3 sqns a L suep aawd JO 4 sa Jnapuojo Jd ua t U T sa Jd nad e,p SZ a 6 Jo 6 eaunnb ados ap 'ean 6 o Leue no j Hg '4 H np 4 ues LLL 1 n ua anb Lw Lq D anbe 4 qe, L e s Lwnos sa T 4 edisqns e L (P)T ain 6 LJ e L Jns e;uesajda eawwo D '6 e Lnsu 3 *xne aua Lu Ljpp au Lta W 9 apa Jd a L Le AJ 4 u L un Doae 'ú Jnazoa LL Oo oz a L a z J Znaq 4 awa,Lua ea Jedas no aeuuoôej 4 sa TT apo J Da LP e aq Dnoz e L anb a 4 Lnsa L ua LI -( 3)T ain 6 L 4 e L Jns aquaseada 8 anb La 4 'T;ed 3 sqns np aina Lpadns aoeilns EL s Ja^ 4 uepua 84,s 'Jnapuojoid no aoueqs Lp aun ans afnqoae 8 a 4 sa anb Lw Lqo anbeq;e L anb au Lej 4 ua Lnb 51 a D ' J 3 no 9 JS ze 6 np 4 ues LLL 4 rn ua 3 IN aes e anb Lm Lqo anbe 44 e, p sanb Lu Lqae; sa L anb Lejd uo 's Lnd apoj 38 a Lgp uo L 4 e Jin 6 Luo 3 aunp alqpom a L Jawjo 4 4 nad uo&L anb a-jos ap 'uo L 4 Lsodxa jed au Lw Jaqppaid a Lpow un O ua anb Lw Lqo anbe; e aun e as Lwnos;sa Wa TT apoi 4 oa L e aqonoo e L fns an Aa Jd 4 sa Z 1 a&jases ap aqonoo aun (q)T a Jn 6 L 4 e L Jns a 4 uasa Jdaj atwwoo 'a Lnsug 01 w LL 4 a L Ins aesodgp Se anr 6 o Leue no M ua 11 apo J 43 La e aq Lno 3 aun 'a 3 Lnsua S 4 a qejqsqns a L dns agmoj 4 sa:a 1 T 4 ejsqns ne uo Lsaqpe auuoq aun a 4 uasajd Lnb 'an 6 o Leue no q N 'LV anb La 4 ne Lia 4 em un ua enf 4 Lsuoo O T aou Lw w LLJ un n Aadd 4 sa LL (e)T ain 6 L 6 e L dns afuasa Jdaj amwoa 'pjoqe,j tt 7 t/99 Z /. formation de la porte 5 est effectué de manière que l'extrémité supérieure de la porte 5 soit empêchée de s'étendre vers ou de toucher l'émetteur 2 et le collecteur 3 L'intervalle entre la porte 5 et l'émetteur 2 et celui entre la porte 5 et le collecteur 3 sont fixés en fonction de l'épaisseur de la porte 5. L'épaisseur de la porte 5 peut être contrôlée en faisant varier la durée de la dépôt de la porte 5, de sorte que l'on peut accomplir le contrôle de façon très précise, en permettant à la porte d'être minutieusement formée pour présenter une épaisseur inférieure au micron Ainsi, la présente invention permet à l'intervalle entre les électrodes d'être fixé ou déterminé de façon minutieuse ou microscopique, avec une haute précision, en comparaison avec un élément à émission de champ classique, dans lequel les électrodes sont disposées côte-à-côte sur le même plan. Enfin, comme représenté sur la figure 1 (f), la couche de réserve 12 et le métal 13 situé sur la couche de réserve 12 sont enlevés, ce qui permet d'obtenir un élément à émission de champ présentant la structure de tube triode. La figure 3 représente un modèle d'électrode suivant un second mode de réalisation du dispositif à émission de champ selon la présente invention Un émetteur 2 a et un collecteur 3 a sont chacun disposés sur un substrat la et une porte 5 a est prévue dans une gorge 4 a, réalisée sur le substrat la, entre l'émetteur 2 a et le collecteur 3 a, comme dans le premier mode de réalisation décrit ci-dessus L'émetteur 2 a comprend une section à émission d'électrons, présentant une forme striée La gorge 4 a et la porte 5 a présentent une forme striée analogue, de façon à correspondre à l'émetteur 2 a, de façon emboîtée La partie restante du second mode de réalisation est construite pratiquement de la même manière que le premier mode de réalisation décrit ci-dessus. Les premier et second modes de réalisation sont tous deux orientés vers un élément à émission de champ présentant la structure de tube triode Dans chaque mode de réalisation, la disposition ou le dépôt de substance fluorescente sur le collecteur 3 ou 3 a permet à l'élément à émission de champ de servir de dispositif d'affichage fluorescent, les électrons amortis, se heurtant sur le collecteur 3 ou 3 a, excitant la substance fluorescente de façon qu'elle émette de la lumière Dans ce cas, une fixation sélective adéquate de la configuration du collecteur, le modèle, ou le dépôt de substance fluorescente, vont permettre l'affichage lumineux de tous les caractères, figures ou analogue souhaités. De même, ces deux modes de réalisation peuvent être construits de façon que deux de ces émetteurs soient disposés sur le substrat, la gorge étant réalisée dans cette partie du substrat située entre les émetteurs et, une anode, servant de collecteur et une substance fluorescente sont prévues sur le substrat. Cette construction permet de façon analogue à l'élément à émission de champ de servir de dispositif d'affichage. On va décrire un troisième mode de réalisation d'un élément à émission de champ en accord avec la présente invention, en faisant référence aux figures 4 à 13 (b) Comme représenté sur la figure 4, un émetteur et un collecteur 21 sont disposés sur un substrat et une porte 22 est prévue dans une cavité réalisée dans le substrat, située entre l'émetteur 20 et le collecteur 21, comme dans les premier et second modes de réalisation L'émetteur 20 présente une forme dentelée lorsqu'on le regarde par au-dessus, c'est-à- dire qu'il présente des parties en saillie rectangulaires 31 Cette configuration permet au champ électrique d'être concentré sur chacune des parties en saillie rectangulaires 31, ce qui entraîne que l'émetteur 20 présente une intensité de champ électrique augmentée, par rapport à un émetteur présentant une forme de plaque plate De même, l'extrémité distale de chacune des parties en saillie rectangulaires 31 est linéaire, de sorte que l'émetteur 31 peut présenter une durée de vie rallongée, par rapport à l'émetteur de la figure 3 qui est de forme triangulaire L'émetteur peut être réalisé en métal tel que du MO, W ou analogue En variante, il peut comprendre un composé comprenant une base réalisée en métal tel que du Ti, AI ou analogue et un film, réalisé en un matériau semi-conducteur composé, tel que du La B 6 ou analogue, le film étant déposé sur la base. On va décrire la manière dont l'émetteur rectangulaire 20 de forme dentelée est fabriqué, en faisant référence aux figures 5 à 13 (b). Comme représenté sur la figure 5, une couche de métal 24, qui est un premier matériau conducteur, est formée sur un substrat isolant 23 Puis, comme représenté sur la figure 6 (a), une réserve 25 est formée en un modèle prédéterminé sur la couche de métal 24, qui est ensuite soumise à l'attaque chimique, de manière à former l'émetteur 20 et le collecteur 21 tels que représentés sur la figure 6 (b). Ensuite, le substrat 23 est soumis à l'attaque chimique à la fois dans le sens de la profondeur et dans la direction du plan, tout en utilisant l'émetteur et le collecteur 21 comme masque, de manière à former une cavité 26 sur le substrat 23, tel que représenté sur la figure 7. Puis, comme représenté sur la figure 8, une couche de métal à porte 27, servant de second matériau conducteur, est formée sur la surface attaquée chimiquement du substrat 23, par exposition à vide, de façon à présenter une épaisseur inférieure à la profondeur de l'attaque chimique du substrat 23 Comme représenté sur la figure 9, la réserve 25 et la partie indésirée de la couche en métal à porte 27 située sur la réserve 25 sont enlevées. Ensuite, comme représenté sur les figures 10 (a) et 10 (b), une réserve 28 est revêtue autour de la totalité du substrat 23 et cette partie de la réserve 28, située sur la partie de bord latéral de l'émetteur , qui fait face au collecteur 21, est formée avec une pluralité d'ouvertures rectangulaires 29 en forme de fenêtre grâce à l'attaque chimique par exposition Dans chacun des premier et second modes de réalisation décrits ci-dessus, en faisant référence aux figures 1 à 3, l'émetteur est initialement formé suivant un modèle prédéterminé Cependant, la présente invention permet à l'émetteur d'être formé suivant un modèle prédéterminé à une étape quelconque ultérieure au dépôt sur le substrat, par exemple dans le mode de réalisation représenté sur les figures 5 à 13 (b). Puis, comme représenté sur les figures 11 (a) et 11 (b), seulement la partie de bord latérale de l'émetteur, faisant face au collecteur 21, est soumise à l'attaque chimique, à travers les ouvertures rectangulaires 29 formées sur la réserve 28, de sorte que l'émetteur 20 présente une forme dentelée, ce qui entraîne que sa prévision de parties en saille rectangulaires 31. Comme on le voit ensuite sur les figures 12 (a) et 12 (b), une réserve 30 est revêtue de manière qu'elle recouvre quelque peu une partie de la partie de bord latérale de l'émetteur 20, qui est opposé au collecteur 21, de manière à former un modèle de porte Il en résulte le recouvrement du modèle de porte avec l'émetteur 20, grâce à l'exposition à l'attaque chimique. Puis, comme représenté sur les figures 13 (a) et 13 (b), l'attaque chimique est effectuée tout en maintenant la réserve 30 au modèle de porte réalisé à l'étape précédente, de manière à former la porte 22 il suivant le modèle souhaité La réserve 30 est ensuite enlevée. Dans le procédé de fabrication décrit ci- dessus, la couche de métal, servant de premier matériau conducteur qui forme l'émetteur 20 et le collecteur 21, est déposée ou formée comme structure à une seule couche Cependant, elle peut être constituée d'une pluralité de matériau telle qu'une structure à couches multiples si on le souhaite La couche de métal à porte 27, servant de second matériau conducteur qui forme la porte 22, peut être constitué de façon analogue d'une pluralité de matériaux, pour former une structure à couches multiples De même, cependant, bien que tous les modes de réalisation soient décrits par rapport à une structure de tube triode, la présente invention peut être appliquée à un tube à électrodes multiples, présentant à l'intérieur une ou plusieurs électrodes supplémentaires incorporées, afin d'améliorer ses caractéristiques. Comme on peut le voir à partir de ce qui précède, la présente invention est construite de façon que la porte soit disposée dans une cavité formée dans le substrat, à proximité des électrodes disposées sur le substrat Cette construction permet à la présente invention de présenter les avantages ci-dessous. D'abord, la distance entre l'émetteur et la porte peut être contrôlée avec précision en fonction de l'épaisseur du film mince, formant chacune des électrodes, plutôt qu'en fonction de la précision du façonnage sous l'action de l'attaque chimique par exposition, et peut par conséquent facilement contrôlée avec des augmentations inférieures au micron Ainsi, l'intervalle peut être avec précision fixé ou déterminé à un degré suffisant pour abaisser de façon significative la tension de commande pour laquelle on démarre l'émission de champ. De même, lorsque la présente invention est construite en une structure de tube triode, dans laquelle l'émetteur et le collecteur sont disposés pratiquement de façon opposée entre eux, la construction décrite ci-dessus permet de réduire la distance entre l'émetteur et le collecteur, de sorte que l'on peut augmenter la conductance mutuelle, afin d'améliorer les caractéristiques à haute fréquence. En outre, il est possible de fournir une structure d'auto- alignement, dans laquelle le positionnement de l'émetteur et du collecteur permet à la porte d'être positionnée avec précision et de sorte que l'élément à émission de champ de la présente invention peut être fabriqué à un haut degré de précision, élément dont on peut facilement augmenter les aires et produire de grandes quantité avec une uniformité assurée. De plus, un élément à émission de champ classique de structure Spindt, dans lequel l'émetteur est conique et la porte est un trou rond, souffre de l'inconvénient qui est que l'émission de champ n'est pas uniforme en raison d'une mince variation de la configuration, sur l'extrémité distale de l'émetteur. Cependant, la construction de la présente invention élimine efficacement cet inconvénient. En outre, la réalisation de l'émetteur en une forme de bande permet à l'élément à émission de champ de bénéficier d'une augmentation de l'aire d'émission d'électrons, avec pour résultat une amélioration de la densité de courant. De plus, la réalisation de l'émetteur en une forme rectangulaire ou dentelée, qui permet à l'émetteur d'être pourvu de parties en saillie rectangulaires, permet l'augmentation de l'intensité du champ électrique, par rapport à un émetteur sous forme de plaque plane De même, ceci permet à l'émetteur de bénéficier d'une durée de vie plus longue, par rapport 14 2667444 à un émetteur qui comprend une section à émission d'électrons réalisée sous forme aiguë. sapo 4 Z 3 a La sa L S 4 ues L Ll S N Lua qfno 4 'ieqjsqns a L Jns jna 43 npuoi ne L Jaqem puo 3 as unp uo L 4 emwjo '5 saauuo O ej sapo J 35 a L 9 sa L 4 ue S L Llqn ua fnoq '1 e Jlsqcns np UE Ld ne Se sa La L Le Jed suo L 4 oa J Lp sap suep ea Jnapuojo Jd e L ap suas a L suep s Lo 4 e L e anb t L Lq D anbeqqe aun e 4 ed 3 sqns a L 4 ue;:uawnos ua 'inaqsawa un 4 ueuaidwoo sapo Oela Lp sap ua Jna 3 14 npuo 3 ne L Ja 34 EW ja Lmaid np a 6 euuoôej '34 ed 3 sqns un Jns jna 43 npuoo ne L Jaaew Ja Lua Jd unp gdap: ap sade 3, On sa L puaidwoo LL,nb ao ua as Liaq 3 eie 'dweq D ap uo Lsstma e ua Wa La unp uo e DL Jqe: ap 9 p Po O Jd ' Àjna 3 Oa L Lo O a L dns san 4 S asua 3 sa Jon L a 3 ue-sqns ap aq 3 no 3 aun as Jno ua 4 ueuaidumo 'sa 3 uapaoajd suo L 4;eo Lpua Aa J sap anbuoo Lanb sz aun L uo Las dueq 3 o ap uo Lss LU 9 e 4 ua 9 wa L 9 *xna asua ean 4 ls queqa a 6 jo 6 EL 's Jna 34 ewaa xnap uueuaidwoo 'sa 4 uap ao Jd suo L 4 eo Lpua Aa J sap anbuoo Lanb aun L UO La S dwe Lq ap UOLSSL Ia e E 4 uaa WL 59 a Les LE p a S L Wa J 4 xa uos Jns sa J Le Ln 6 ueq Da J a LLL Les oz ua sa L;Jed sap; ueuaidwo D 'aa Lasuap aw Jo 4 aun a 3 u$sa Jd Jna 4 Wama L anb ao ua as L a Doee D 'Tl uo Lqeo Lpus Aei e L uo Las dweqo ap uo Lss Lwa e; uawa L 3 *snssap-np apie 6 ai sa L uonbs Jo L aatd 3 s awjoj aun 'a; uepuodsajjo 3 uoet ap '3 ua 3 uasaid a Jod si e L a inaq;awa L anb aa ua as Lda 4 oe Je 'Tl uo L-e D Lpuaa J e L uo Las dweqz ap uo Lss Lt Ua e;uaw 9 L 3 ú a J Le Ln 6 ueq 3 ai amwio aun aquasa Jd 4 naamwa L anb so ua as L Ja;De Je 3 'T uo L;e Z Lp Ua Aa J EL uo Las dwequ ap uo Lss Lwa e quatua L Z 01 a 4 A^e 3 e L suep aa 56 o L sa Lnb 'as;od e L anb sas 1 ne;a 4 ed 3 sqns a L ins saa 3 e Ld sapo 3 loa La sap 3 qw L Lxo Jd e aon 3 Ls a 3 LAED aun 3 a Ae ai J Oj;ueqq Ja Lu Jsp a 3 'wed 3 sqns a L dns spsods Lp as; 4 od aun 1,a Jnaf 3 la LLOD un 'Jnasnawa un 8 a;e Jqsqns un: pua Jduo D L,nb a 3 ua G gs L Ja 4 Deaej 3 'dwequ ap uo Lss L Wa 4 uawa L 3 SNOIIV 3 IGN 3 A 3 I t 7 tt 99 Z façonnées comme masque, de façon que le second matériau conducteur présente une épaisseur de film inférieure à la profondeur de l'attaque chimique du substrat et façonnage du second matériau conducteur en une porte située entre les électrodes façonnées. 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que les électrodes façonnées comprennent un émetteur et un collecteur. 9 Procédé selon la revendication 7 ou 8, caractérisé en ce que les électrodes façonnées comprennent une pluralité d'émetteurs. Procédé selon l'une quelconque des revendications 7 à 9, caractérisé en ce que les électrodes façonnées présentent une configuration approchée avant l'étaped'attaque chimique et la formation du second matériau conducteur sur le substrat, en façonnant ensuite avec précision les électrodes façonnées en leur donnant la configuration souhaitée, avant la formation de la porte. 11 Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'au moins un émetteur présente une forme rectangulaire lorsqu'on l'observe du-dessus. 12 Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'au moins un émetteur présente une forme striée et que sa porte présente une forme correspondante, lorsqu'on l'observe du-dessus. 13 Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, dans lequel au moins un émetteur présente une forme dentelée lorsqu'on l'observe du- dessus, de façon qu'il soit pourvu de parties en saillie rectangulaires sur son extrémité distale. 14 Procédé selon l'une quelconque des revendications 8 à 10, caractérisé en ce qu'une couche de substance fluorescente est formée sur le collecteur.