Brevet FR2672705A1 — publié le 19920814

La présente invention concerne d'une façon générale les circuits régulateurs pour alternateurs dans des véhicules automobiles ou analogues. Il est bien connu d'assurer la régulation de la tension de charge d'une batterie de véhicule en commandant le courant d'excitation de l'alternateur en fonction du résultat de la comparaison entre la tension effective de sortie de l'alternateur et une tension de référence donnée. La tension de référence peut être constante, mais il s'est avéré souhaitable dans certains cas de faire varier cette tension en fonction de la température. Dans un circuit de type classique pour obtenir une tension de référence qui varie de façon linéaire et décroissante en fonction de la température, la pente et la hauteur de la droite exprimant la valeur de la tension de référence en fonction de la température nécessite de fixer par calcul ou par expérimentation des valeurs spécifiques pour au moins trois résistances du montage. On comprend donc qu'un tel circuit se prête mal à une intégration dans une puce de silicium, surtout si l'on souhaite que le circuit puisse être paramétré pour différentes courbes caractéristiques de tension de référence en fonction de la température En effet, si N eet le nombre de courbes possibles, il est alors nécessaire de prévoir 3 x N résistances, en association avec des fusibles actionnés depuis l'extérieur. L'encombrement et le coût du circuit intégré sont alors accrus de façon indésirable. La présente invention vise principalement à pallier cet inconvénient de la technique antérieure, et à proposer un circuit générateur de tension de référence variable dans lequel on puisse choisir une courbe caractéristique parmi une pluralité d'une manière extrêmement simple et économique. 2 - Un autre objet de l'invention est de réduire le nombre de résistances et de fusibles pour obtenir un nombre donné de pentes possibles. L'invention concerne à cet effet un circuit générateur d'une tension de référence variable en fonction de la température, notamment pour un dispositif régulateur de la tension de charge d'une batterie par un alternateur, caractérisé en ce qu'il comprend: une source de tension fixe quelle que soit la température, deux transistors bipolaires dont les bases sont reliées entre elles et dont les jonctions base-émetteur ont des comportements en température différents, et dans lesquels circule un courant constant, une première résistance montée entre les émetteurs des deux transistors et dont la tension aux bornes est représentative de la température à laquelle sont exposés les deux transistors, une seconde résistance montée entre la source de tension fixe et une sortie pour la tension de référence, et dans laquelle peut circuler, dans au moins une plage de températures prédéterminée, un courant égal au supplément de courant induit par un accroissement de la tension aux bornes de ladite première résistance par rapport à une tension correspondant à une température critique. La pente de la droite indiquant la valeur de la tension de référence en fonction de la température est ainsi déterminée par la seule valeur de la seconde résistance. D'autres aspects, buts et avantages de la présente invention apparaîtront mieux à la lecture de la description détaillée suivante de formes de réalisation préférées de celle-ci, donnée à titre d'exemple non limitatif et faite en référence aux dessins annexés, sur lesquels: -3- la figure 1 est un schéma d'un circuit selon une première forme de réalisation de l'invention, la figure 2 est un graphique illustrant la courbe caractéristique de la tension de référence engendrée en fonction de la température avec le circuit de la figure 1, la figure 3 est un schéma d'un circuit selon une deuxième forme de réalisation de l'invention, la figure 4 est un graphique illustrant la courbe caractéristique de la tension de référence engendrée en fonction de la température avec le circuit de la figure 3, la figure 5 est un schéma d'un circuit selon une troisième forme de réalisation de l'invention, la figure 6 est un graphique illustrant la courbe caractéristique de la tension de référence engendrée en fonction de la température avec le circuit de la figure , et la figure 7 illustre une forme de réalisation pratique possible pour une partie des circuits des figures 1, 3 et 5. On notera préliminairement que, d'une figure à l'autre, des éléments ou parties identiques ou similaires ont été désignés par les mêmes signes de référence. En référence tout d'abord à la figure 1, on a représenté une partie d'un circuit intégré de régulateur d'alternateur constituant le générateur d'une tension de référence variant en fonction de la température selon une loi prédéterminée. Les transistors PNP Tl à T 7 constituent en association avec des résistances Rl à R 7 des sources de courant. Autour de T 3, T 8, T 9, C 4, R 8 et R 9 est articulé un générateur d'une tension fixe, c'est-à- dire dont la valeur est rigoureusement indépendante de la température. Dans le présent exemple, il s'agit d'une tension dite de -4- "Band Gap" prise sur la base de T 8 et T 9 Cette tension est notée UBG et a une valeur par exemple de 1,26 volts. Cette tension, multipliée par un coefficient déterminé au niveau des résistances R 10 et R 11, est reproduite via une paire de transistors T 10 et Tll au niveau de l'émetteur de Tll La tension obtenue sur ledit émetteur est notée Uf. L'émetteur de Tll est relié à une première borne d'une résistance R 12 dont la seconde borne est reliée d'une part au générateur de courant T 7, R 7, d'autre part à l'émetteur d'un transistor PNP T 14 et enfin à une borne de sortie pour la tension de référence Uref. Deux transistors NPN T 12 et T 13 reçoivent respectivement deux valeurs de courant identiques sur leurs collecteurs, fournies par R 5, T 5 et R 6, T 6, respectivement Les bases de T 12, T 13 sont reliées au collecteur de T 12 L'émetteur de T 12 est reliée directement à la masse, tandis que l'émetteur de T 13 est reliée à la masse via une résistance R 13 La base de T 14 est reliée au collecteur de T 13, et le collecteur de T 14 est relié à l'émetteur de T 13. On observe que T 12 est un transistor à émetteur unique, tandis que T 13 comporte plusieurs émetteurs, par exemple au nombre de 10. Le fonctionnement du circuit décrit ci-dessus est le suivant. Il faut préciser tout d'abord que la valeur de R 13 est choisie pour qu'à une température pivot, choisie par exemple égale à 20 C, la tension aux bornes de R 13, égale à la différence entre la tension émetteur-base de T 12 et la tension émetteur-base de T 13, corresponde à un courant dans R 13 qui soit précisément égal à la somme des courants fournis par les générateurs de courant R 6, T 6 et R 7 r T 7. On comprend que la différence précitée est positive étant donné que la densité de courant dans T 13 - est inférieure à celle dans T 12 du fait du plus grand nombre d'émetteurs, et qu'il en résulte une valeur plus faible pour la tension émetteur-base de T 13. Lorsque la température augmente par rapport au pivot précité, la tension émetteur-base diminue plus fortement dans T 13 que dans T 12 Il en résulte que la tension aux bornes de R 13 augmente En conséquence, un supplément de courant dans R 13, par rapport aux courants issus des générateurs R 6, T 6 et R 7, T 7, est nécessaire. Ce courant ne peut être soutiré qu'à travers R 12 et Tll. Il en résulte que la tension Uref à la seconde borne de R 12 est égale à la tension fixe délivrée par Tll diminuée d'une ch te de tension proportionnelle au courant traversant R 12 (de droite à gauche sur la figure). Bien entendu, le raisonnement effectué ci-dessus pour le cas o la température augmente peut être transposé au cas d'un abaissement de la température au- dessous de 200 C Plus précisément, un abaissement de la température provoque un accroissement proportionnel des tensions émetteur-base dans T 12 et T 13, mais avec une variation plus forte dans Ti 3 La tension aux bornes de R 13 diminue donc, et une partie du courant, issu de R 7, T 7, qui traverserait normalement R 13 via T 14, est dérivé à travers R 12 et Ri 4 vers la masse Ainsi Uref est égale à la tension fixe à l'émetteur de Tll augmentée de la tension ainsi engendrée aux bornes de R 12. Il est à noter que la linéarité de variation des tensions émetteur-base en fonction de la température se traduit par une linéarité de l'accroissement du courant dans R 12 (dans un sens ou dans l'autre) avec l'accroissement de l'écart de température (vers le haut ou vers le bas) par rapport à la valeur pivot de 20 C La courbe caractéristique de la valeur de Uref en fonction de la température e est donc une droite Cl que l'on a représentée sur la figure 2. 6 - On comprend que la pente de cette droite Ci est déterminée simplement en choissisant une valeur souhaitée pour R 12 On décrira plus loin des moyens particulièrement simples et économiques permettant, dans le cadre d'une réalisation sur puce de circuit intégré, de fixer l'une parmi un grand nombre de valeurs possibles pour R 12. On notera subsidiairement que la valeur de la résistance R 14 est choisie approximativement égale à la somme des valeurs de R 10 et de Rll, afin d'équilibrer les jonctions respectives de T 10 et de Tii, condition nécessaire pour une bonne recopie de la valeur de Uf entre T 10 et Tii. La figure 3 illustre un second mode de réalisation de l'invention Pour l'essentiel, ce circuit reprend les éléments du circuit de la figure 1, et l'on décrira ci- dessous les seules différences de construction par rapport à celui-ci. Le circuit de la figure 3 a pour objet d'obtenir une caractéristique dans laquelle Uref soit constante au-dessous d'une température fixée, relativement élevée et par exemple de 300 C, et, au-dessus de 300, diminue de façon linéaire avec l'accroissement de température par rapport à cette valeur. Dans ce cas, le générateur de courant R 7, T 7 est omis Un transistor additionnel T 15, de type PNP est montéL avec sa base reliée à l'émetteur de Tii, son émetteur relié au générateur de courant R 6, T 6 et son collecteur relié à la masse. La valeur de R 13 est cette fois-ci fixée de telle sorte qu'à la température critique de 300 C, le seul courant fourni par le générateur de courant R 6, T 6 soit propre à engendrer aux bornes de R 13 une tension égale à la différence entre la tension émetteur-base de T 12 et la tension émetteur-base de T 13. 7 - Lorsque la température est inférieure à 300 C, les deux tensions émetteur-base augmentent, de façon linéaire mais avec une plus forte amplitude pour T 13 La tension aux bornes de R 13 diminue donc et une partie du courant fourni par R 6, T 6 est dérivé pour ne pas traverser R 13. Cette dérivation s'effectue via T 15. On comprend que, dans ce cas, et quelle que soit l'importance de la baisse de température, le transistor T 14 est bloqué et aucun courant n'est produit dans R 12, si bien que, pour toute la plage de températures inférieure à 301 C, la valeur de la tension Uref reste sensiblement égale à la valeur de la tension fixe Uf. Lorsqu'en revanche, la température monte au-dessus de 300 C, alors la tension aux bornes de R 13 augmente, et un courant doit être soutiré pour s'ajouter au courant fourni par R 6, T 6 Dans ce cas, ce courant ne peut provenir que du circuit Tll, R 12 et T 14, si bien qu'il circule dans R 12, de la droite vers la gauche sur la figure 3, un courant proportionnel à l'écart entre la température réelle et la valeur critique de 301 C. On comprend donc que Uref diminue linéairement avec cet écart. La courbe caractéristique C 2 correspondante est illustrée sur la figure 4. De même que pour le cas de la figure 1, il suffit de faire varier R 12 pour amener la pente de la droite obtenue pour 9 > 301 C à une valeur souhaitée. La figure 5 illustre un troisième mode de réalisation principal de la présente invention. Dans ce cas, il s'agit d'obtenir une courbe caractéristique de la tension de référence en fonction de la température telle que: pour O inférieure à une valeur fixe, par exemple de 300, Uref soit à une première valeur constante prédéterminée, égale à Uf; 8 - pour O comprise entre 30 'C et une valeur supérieure, par exemple comprise entre 700 C et 900 C, et en l'espèce choisie égale à 800 C, Uref diminue linéairement avec la valeur de l'écart de température par rapport à 300 C; et pour e supérieure à 800 C, Uref soit à nouveau constante et égale à une valeur Tif' inférieure à U If. Le circuit de la figure 5 reprend l'ensemble des éléments du circuit de la figure 3, qui ne seront pas décrits à nouveau. Les éléments additionnels sont décrits ci-dessous. La résistance R 14 est remplacée par R 15 et R 16 en série, dont la somme des valeurs est approximativement égale à la somme de R 10 et de R 11. La base du transistor NPN T 16 est reliée au point commun entre R 15 et R 16 Son émetteur est relié à la masse via une résistance R 17 Le point commun entre R 12 et T 14 est relié d'une part à la base d'un transistor NPN T 17 sont l'émetteur est relié à l'émetteur de T 16, et d'autre part à la borne de sortie pour Uref T 16 et T 17 sont montés en amplificateur différentiel, en recevant sur leurs bases respectives d'une part la tension Uf' point commun entre R 12 et T 14. Le fonctionnement du circuit pour des valeurs de température inférieures à 80 C est le même que pour le circuit de la figure 3, et ne sera pas décrit à nouveau. On retrouve donc sur la courbe de la figure 6 une courbe C 3 constituée par une droite de pente nulle au-dessous de -9 - 300 et une droite de pente négative donnée (fixée là encore par la valeur de R 12) au-dessus de 300 C. En revanche, dès que la température atteint la seconde valeur critique, par exemple de 800 C, le fonctionnement est affecté par le complément de circuit décrit ci-dessus Plus précisément, tant que Uref reste supérieure à t If', alors T 16 est bloqué et aucun courant ne peut circuler par la base de T 20 T 20 est donc bloqué. Dès que Uref, par suite d'un accroissement de E, devient inférieur à Uf', alors T 16 est passant et entraine également à l'état passant le transistor T 20 Ce dernier laisse passer un courant qui, via T 14, vient circuler dans R 13 en correspondance avec l'accroissement de la tension à ses bornes. Ainsi, au delà d'une valeur de Uref égale à Uf', tout supplément de courant nécessaire dans R 13 est fourni par le circuit R 20, T 20, T 14 Le courant dans R 12 se stabilise donc, et la valeur de la tension Uref reste essentiellement constante. La figure 6 illustre le profil obtenu pour Uref en fonction de la température, appelé classiquement courbe en "Z". On a ainsi décrit des circuits qui permettent d'engendrer des profils variés de tension de référence en fonction de la température Ces profils trouveront application en fonction des exigences liées notamment au placement de la batterie dans le véhicule, et au risque qu'elle peut avoir d'être exposée à des températures variables et dont de voir sa résistance interne varier, et également aux risques d'échauffement des alternateurs eux-mêmes, notamment dans le cas d'alternateurs de petites dimensions dont les capacités d'évacuation de chaleur sont limitées. On va maintenant décrire en référence à la figure 7 une mise en oeuvre pratique de la résistance R 12 dans une puce de circuit intégré. - Comme on l'a indiqué plus haut, il peut s'avérer souhaitable de faire varier la pente de décroissance de Uref en fonction de la température, dans l'une quelconque des formes de réalisation décrites ci-dessus. R 12 est dans ce cas constituée par un montage série d'un certain nombre de résistances, en l'espèce quatre résistances R à 8 R, dont les valeurs forment une suite géométrique dont le pas est égal à deux. Quatre fusibles, en l'espèce quatre métallisations Fl à F 4 superposées à quatre diodes zéner Zl à Z 4, sont montées en parallèle avec chacune des résistances Cinq bornes d'accès B permettent sélectivement d'injecter dans les diodes zéner les courants requis pour échauffer les diodes à une température suffisante pour faire fondre et couper les métallisations Fl à F 4. On comprend qu'une telle solution, par action appropriée sur les diodes zéner et leurs métallisations, permet de fixer pour R 12 l'une parmi quinze valeurs, respectivement égales à R, 2 R, 3 R, 14 R, 15 R, pour ainsi obtenir quinze pentes différentes. Une telle solution est particulièrement simple et économique, car elle permet généralement d'obtenir, avec N résistances, 2 N 1 valeurs possibles pour la résistance. Bien entendu, la présente invention n'est nullement limitée à la forme de réalisation décrite ci- dessus et représentée sur les dessins, mais l'homme de l'art saura y apporter toute variante ou modification conforme à son esprit. il - REVENDICATIONS 1 Circuit générateur d'une tension de référence variable en fonction de la température, notamment pour un dispositif régulateur de la tension de charge d'une batterie par un alternateur, caractérisé en ce qu'il comprend: une source (Sf) de tension fixe (UBG) quelle que soit la température, deux transistors bipolaires (T 12, T 13) dont les bases sont reliées entre elles et dont les jonctions base-émetteur ont des comportements en température différents, et dans lesquels circule un courant constant, une première résistance (R 13) montée entre les émetteurs des deux transistors et dont la tension aux bornes est représentative de la température à laquelle sont exposés les deux transistors, une seconde résistance (R 12) montée entre la source de tension fixe et une sortie pour la tension de référence, et dans laquelle peut circuler, dans au moins une plage de températures prédéterminée, un courant égal au supplément de courant induit par un accroissement de la tension aux bornes de ladite première résistance par rapport à une tension correspondant à une température critique. 2 Circuit selon la revendication 1, caractérisé en: ce que les deux transistors sont prévus dans un circuit intégré et en ce que l'un des transistors (T 13) est un transistor multi-émetteurs. 3 Circuit selon l'une des revendications l et 2, caractérisé en ce que dans la seconde résistance (R 12) peut circuler également, dans le sens opposé, un courant de dérivation induit par une diminution de la tension aux bornes de ladite première résistance par rapport à ladite tension correspondant à la température critique (fig 1). 4 Circuit selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un transistor 12 - (T 15) dans lequel peut circuler, sans traverser ladite seconde résistance (R 12), un courant de dérivation induit par une diminution de la tension aux bornes de ladite première résistance par rapport à ladite tension correspondant à la température critique (fig 3). Circuit selon la revendication 4, caractérisé en ce qu'il comprend en outre des moyens (T 16-T 20) pour limiter la valeur du courant traversant la seconde résistance à une valeur donnée. 6 Circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce que lesdits moyens comprennent deux transistors bipolaires (T 16, T 17) montés en amplificateur différentiel, la base de l'un étant reliée à la sortie pour la tension de référence et la base de l'autre étant reliée via un pont diviseur (R 15, R 16) à la source de tension fixe, la sortie dudit amplificateur différentiel étant reliée à un transistor (T 20) dans lequel peut circuler, lorsque la tension de référence atteint une valeur de tension (Uf') déterminée par le pont diviseur et sans traverser la seconde résistance, un courant égal au supplément de courant induit par un accroissement de la tension aux bornes de ladite première résistance par rapport à une valeur pour laquelle ladite tension de référence est égale à ladite valeur de tension déterminée par le pont diviseur (fig 5). 7 Circuit selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisà en ce qu'il comprend des moyens (R-8 R, Zl- Z 4,F 1-F 4) pour fixer la valeur de la seconde résistance à l'une parmi une pluralité de valeurs, et ainsi déterminer une pente de décroissance linéaire de ladite-tension de référence dans au moins une plage de températures prédéterminée. 8 Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que lesdits moyens pour fixer la valeur de la seconde résistance à l'une parmi une pluralité de valeurs comprennent un ensemble de composants (F 1-F 4) pouvant 13 - être sélectivement coupés, montés chacun en parallèle avec l'une parmi une pluralité de résistances en série (R-8 R). 9 Circuit selon la revendication 8, caractérisé en ce que les valeurs desdites résistances (R-8 R) forment une suite géométrique dont le pas est égal à 2. Dispositif régulateur de la tension de charge d'une batterie par un alternateur, caractérisé en ce qu'il comprend un circuit générateur de tension de référence selon l'une des revendications précédentes.