Brevet FR2670605A1 — publié le 19920619

Procédé de réalisation d'une barrière de diffusion électriquement conductrice à l'interface métal/silicium d'un transistor MOS et transistor correspondant Dans le domaine technique de la fabrication des circuits intégrés, notamment des transistors MOS, il est de plus en plus nécessaire de stabiliser les propriétés physico-chimiques des différentes zones de ces circuits intégrés, notamment au niveau des interfaces de contact métal/matériau semi-conducteur. Parmi les récents développements de ce domaine technique, on a proposé d'utiliser comme métal de con- tact, destiné à assurer les contacts électriques avec les zones de source, de grille et de drain de ces tran- sistors, un métal tel que le tungstène L'apport du métal correspondant sur les zones de grille, de source ou de drain est effectué, habituellement, par une métal- lisation par dépôt sélectif de tungstène par dépôt chi- mique en phase vapeur. Une telle technique présente de nombreux avan- tages, le dépôt sélectif précité étant facile à réali- ser, moyennant les précautions habituelles de mise en oeuvre, au moyen de machines appropriées, telles que les machines industrielles commercialisées en France par les sociétés SPECTRUM et TEGAL. En outre, le dépôt en phase vapeur précité ne produit aucune consommation incontrôlée de silicium lors de la mise en oeuvre de celui-ci. Le tungstène lui-même présente une excellente valeur de résistivité, de l'ordre de 8 gn cm, ce qui justifie le choix de ce dernier afin de réaliser les connexions électriques des différentes zones du transis- tor ou circuit intégré correspondant. Ce matériau présente également une bonne qualité de conformité du recouvrement des zones précitées, ce qui se traduit par une bonne homogénéité mécanique et électrique des contacts électriques correspondants. Toutefois si l'interface métal/silicium consti- tue une bonne barrière de diffusion, lorsque le métal de dépôt choisi est le tungstène, entre les molécules de tungstène et de silicium, il n'en va cependant pas de même lorsque ce métal choisi est soumis à des températu- res importantes, ce qui réduit sensiblement l'intérêt d'un tel choix. L'inconvénient majeur du choix du tungstène apparaît être la réactivité de ce métal avec le silicium pour former un siliciure de tungstène W Si 2 à une tempé- rature supérieure à 7000 C Ceci a pour conséquence d'augmenter la résistivité et la résistance du contact de connexion et de consommer du silicium des jonctions des zones correspondantes en créant une interface W Si 2/Si rugueuse On notera en particulier que des étu- des récentes, confer Vacuum Technology Industrial Research & Development March 1983 p 141-147, ayant fait état d'une certaine stabilité de la structure AI/W/Si, celle-ci est cependant limitée à une températu- re de l'ordre de 5000 C. Une telle stabilité peut être suffisante pour un circuit intégré simple métal, c'est à dire à un seul niveau d'interconnexion, mais ne peut convenir pour les circuits intégrés modernes à double métal, o l'inter- face W/Si est à 9500 C, notamment lors de l'étape de fluage du diélectrique intermétallique. La présente invention a pour but de remédier aux inconvénients précités par la mise en oeuvre d'un procé- dé de réalisation d'une barrière de diffusion électri- quement conductrice à l'interface métal/silicium d'un transistor MOS. Un autre objet de la présente invention est la mise en oeuvre de ce procédé plus particulièrement dans le cas o le métal utilisé est le tungstène. Un autre objet de la présente invention est enfin la mise en oeuvre d'un transistor de type MOS com- portant au niveau de l'interface métal/silicium des contacts des zones de source de drain et de grille une barrière de diffusion électriquement conductrice. Le procédé de réalisation d'une barrière de diffusion électriquement conductrice à l'interface métal/silicium d'un circuit intégré, objet de l'inven- tion, est remarquable en ce que suite à un dépôt sélec- tif de métal destiné à constituer l'interface, celui-ci consiste à soumettre cette interface à un plasma à base d'azote pendant une durée d'au moins cinq minutes et à porter l'interface à une tempéraure supérieure à 5000 C pendant cette durée de façon à créer, au niveau de l'interface, une couche de nitrure de silicium formant la barrière de diffusion L'ensemble constitué par l'interface et par la barrière de diffusion est soumis à un traitement de recuit, en atmosphère neutre, afin d'éliminer l'azote introduit dans le métal au cours de l'étape précédente. Le transistor MOS de type circuit intégré com- portant sur un substrat de silicium de type N ou P une zone de source, une zone de grille et une zone de drain de type opposé P ou N, chacune des zones comportant à sa surface libre une couche de métal, formant ledit tran- sistor MOS et ses contacts, est remarquable en ce que ce transistor comporte au niveau des zones de source, de grille respectivement de drain une barrière de diffusion électriquement conductrice en nitrure de silicium, ladite barrière de diffusion formant une interface de liaison et de protection entre chaque zone de source, de drain ou de grille et la couche de métal correspondante recouvrant celle-ci. Le procédé objet de l'invention et le transistor correspondant trouvent application dans le domaine de l'industrie des circuits intégrés. Une description plus détaillée du procédé et du transistor de type MOS objets de l'invention sera donnée à la lecture de la description et à l'observation des dessins dans lesquels: la figure 1, en ses points a), b), c) et d), représente les étapes essentielles de la mise en oeuvre du pocédé objet de l'invention, la figure 2 représente une vue, en coupe, d'un transistor MOS double métal conforme à l'objet de la présente invention. Une description plus détaillée d'un mode de mise en oeuvre du procédé de réalisation d'une barrière de diffusion électriquement conductrice à l'interface métal/ silicium d'un transistor MOS objet de la présente invention sera maintenant donnée en liaison avec la figure 1. Sur la figure 1 précitée, en particulier au point a) de celle-ci, on a représenté, en coupe, une vue d'un transistor MOS et des régions constituant celui-ci. On reconnaît en paticulier, pour le circuit intégré constituant le transistor MOS précité dans un substrat de silicium de type N ou P, l'existence d'une zone de source S, d'une zone de grille G, cette grille étant de type grille isolée par l t intermédiaire d'une isolation de type Si O 2 et une zone de drain D On notera que les zones de source et de drain sont de type de semi- conducteurs opposé au type de substrat, ces zones étant de type P ou N dopées respectivement Sur le point a) de la figure 1 on a, en fait, représenté la vue en coupe précitée préalablement au dépôt sélectif du métal des- tiné à réaliser sur les zones du transistor MOS précité les contacts correspondantes. De manière générale non limitative, on considè- rera que le métal choisi pour effectuer le dépôt est du tungstène, W. Au point b) de la même figure 1, on a représenté le même transistor MOS suite au dépôt sélectif de métal, c'est à dire de tungstène, ce dépôt sélectif intervenant bien entendu sur les zones correspondantes précédemment mentionnées, c'est à dire sur les zones de silicium, et non pas sur les zones d'isolation Si O 2 Les dépôts métalliques précités constituent alors les contacts des zones de source S, de grille G et de drain D. Ainsi, chaque dépôt métallique sur la zone cor- respondante source, grille ou drain constitue une interface de type métal/silicium. Conformément au procédé objet de l'invention, ainsi que représenté notamment en figure 1, au point c), celui-ci consiste alors à soumettre l'interface précitée à un plasma à base d'azote pendant une durée d'au moins cinq minutes et à porter l'interface précédemment men- tionnée à une température supérieure à 500 'C pendant cette durée Un tel mode opératoire permet de créer au niveau de l'interface pécitée une couche de nitrure de silicium formant la barrière de diffusion conductrice recherchée. A titre d'exemple non limitatif, on a représen- té, sur la figure 1 au point c) de celle-ci, le circuit intégré précédemment représenté au point b) placé dans un four à plasma l'ensemble du substrat et des interfa- ces métal/silicium à traiter étant maintenu par des moyens de chauffage non représentés à une température supérieure à 500 'C. Bien entendu, le plasma est créé de manière classique, ce plasma étant constitué essentiellement à base d'azote. On notera bien entendu que le plasma précité peut être constitué par un plasma d'azote pur, N 2, mais que ce plasma peut également être constitué par un plasma d'ammoniac, NH 3. Les plasmas précédemment mentionnés peuvent être réalisés dans les fours à plasma normalement disponibles dans le commerce et les conditions opératoires de tels fours à plasma ne seront pas décrites pour cette raison. On notera simplement que dans le cas de la mise en oeuvre d'un plasma d'azote pur, N 2, l'interface métal/silicium du transistor MOS considéré à traiter est soumis à un plasma d'azote tel que précédemment mention- né pendant une durée de dix minutes par exemple. L'interface est alors en outre portée pendant cette durée à une température de 700 'C par exemple, pour en- gendrer une couche de nitrure de silicium formant la barrière de diffusion d'une épaisseur de préférence égale à 2 nm. Suite à l'étape représentée au point c) de la figure 1, le procédé de l'invention consiste alors à soumettre l'ensemble constitué par l'interface et par la barrière de diffusion au niveau de chacune des zones du transistor MOS considéré à un traitement de recuit en atmosphère neutre, afin d'éliminer l'azote introduit dans le métal au cours de l'étape c) précédente. On comprendra bien sûr qu'en raison du fait que le traitement de recuit est essentiellement destiné à effectuer une dénitruration du métal déposé sur chacune des zones du transistor MOS considéré, en particulier du tungstène lorsque ce métal a été choisi, l'atmosphère neutre peut être constituée par toute atmosphère gazeuze non oxydante à l'exclusion de l'azote On pourra alors placer le circuit intégré considéré, ainsi que représen- té au point d) de la figure 1 dans une enceinte étanche, une étuve étanche par exemple dans laquelle une atmos- phère d'argon, par exemple, aura été introduite sous faible pression En outre, et de manière non limitative, l'atmosphère neutre pourra être simplement réalisée par le vide On notera en particulier que cette dernière solution apparaît avantageuse dans la mesure o la dénitruration peut ainsi être réalisée dans des condi- tions tout à fait satisfaisantes, les gaz de dénitru- ration étant ainsi absorbés par le système de mise sous vide de l'enceinte étanche, lequel n'est pas représenté sur la figure 1. Dans le cas du point d) de la figure 1, la tem- pérature de recuit peut être choisie égale par exemple à 850 C. On notera que le procédé objet de l'invention tel que décrit précédemment en relation avec la figure 1 permet ainsi d'assurer la création d'une couche de ni- trure de silicium SI 3 N 4 de l'ordre de deux nanomètres, cette couche empêchant la diffusion du silicium dans le métal et en particulier dans le tungstène, W, ce qui a pour effet d'empêcher la formation de siliciure de tungstène ou de siliciure de métal En outre, la couche formant barière de diffusion, couche de nitrure de silicium 513 N 4, est suffisamment mince pour être électriquement conductrice sans augmenter de manière rédhibitoire la résistivité et la résistance totale de l'interface métal/silicium On notera, en effet, que le traitement de recuit sous vide par exemple à 850 OC, ainsi qu'il était précédemment décrit, permet ensuite d'éliminer l'azote introduit dans le métal, le tungstène, ce qui permet alors à ce dernier de retrouver sa résistivité initiale. On notera que le procédé objet de la présente invention est particulièrement avantageux dans la mesure o celui-ci n'utilise pas de masque supplémentaire. On notera que le procédé objet de la présente invention peut être mis en oeuvre au moyen de la machine industrielle désignée par la dénomination URANOS, une telle machine permettant de réaliser et de mettre en oeuvre le procédé objet de l'invention de façon particu- lièrement adaptée Pour une description plus complète d'une telle machine, on pourra se reporter à la demande de brevet européen no EP 84 402 319. On notera enfin que le mode de réalisation tel que précédemment décrit en liaison avec la figure 1 du procédé objet de l'invention correspond à des conditions expérimentales établies pour le traitement d'une inter- face métal/silicium pour laquelle l'épaisseur de métal déposé, tel que le tungstène correspond à une épaisseur de l'ordre de 100 nm. Une description plus détaillée d'un transistor MOS de type circuit intégré conforme à l'objet de la présente invention sera donnée en liaison avec la figure 2. Selon la figure précitée, celle-ci représentant un tel transistor MOS selon une vue en coupe dans le plan d'alignement des zones de source, de grille et de drain, comporte sur un substrat de silicium de type N ou P, une zone de source S, une zone de grille G, isolée par l'intermédiaire d'un support en oxyde de silicium Si O 2, et une zone de drain D, les zones de source S et de drain D étant de type de semi-conducteur opposé, de type P ou N, à celui du substrat Chaque zone comporte à sa surface libre une couche de métal notée 1 S, IG, 1 D, correspondant chacune respectivement à la zone de sour- ce, de grille, de drain, l'ensemble constituant le transistor MOS et ses connexions Le terme LOCOS désigne une zone en oxyde de silicium Si O 2. Ainsi qu'on l'a représenté en outre en figure 2, le transistor objet de l'invention comporte au niveau des zones de source S, de grille G et de drain D, une barrière de diffusion électriquement conductrice notée respectivement pour chacune des zones 2 S, 2 G et 2 D. Chaque barrière de diffusion électriquement conductrice est en nitrure de silicium et forme ainsi une interface de liaison et de protection entre chaque zone de source S, de drain D ou de grille G et la couche de métal correspondante 1 S, 1 D, 1 G, recouvrant celle-ci. De préférence, et de manière non limitative, la barrière de diffusion électriquement conductrice 25, 2 D, 2 G, présente une épaisseur de l'ordre de deux namomè- tres. On notera que de manière avantageuse non limita- tive, le métal assurant les contacts et constituant interface métal/silicium peut alors être choisi avanta- geusement comme constitué par du tungstène, ce qui, bien entendu, permet d'utiliser les propriétés remarquables de ce métal précédemment mentionnées dans la description pour réaliser les zones de contact. On notera bien sûr que dans le cas de la figure 2, le transistor MOS représenté est un transistor double métal, c'est à dire un transistor comportant deux ni- veaux de métallisation pour réaliser les contacts, ces deux niveaux de métallisation étant désignés respective- ment métal 1, métal 2, sur la figure 2 et se superposant ainsi aux interfaces de connexion notées respectivement 1 S, 2 S, 1 G, 2 G, 1 D, 2 D Bien entendu, et de manière classique, l'oxyde de silicium destiné à isoler les par- ties ou niveaux métalliques métal 1, métal 2 des deux niveaux de métallisation est apporté de manière classi- que par fluage Le procédé objet de l'invention permet ainsi de réaliser des circuits intégrés double métal avec connexion en tungstène dans lesquels l'interface tungstène/silicium est soumise à des températures de l'ordre de 7500 C à 950 C en particulier lors de l'étape de fluage du diélectrique intermétallique ou de l'oxyde de silicium correspondant sans pour cela provoquer la migration W/Si pour former le siliciure de tungstène au-delà d'une température de 700 'C. On notera enfin que le procédé objet de la pré- sente invention est particulièrement intéressant dans la mesure o, en outre, celui-ci se distingue d'autres procédés de l'art antérieur dans lesquels afin de palier à l'inconvénient précité, il a été proposé de déposer une couche intermédiaire de nitrure de titane, un tel procédé, notamment, apparaissant d'une mise en oeuvre peu adaptée dans la mesure o ce procédé nécessite l'u- tilisation d'un masque supplémentaire. REVENDICATIONS 1 Procédé de réalisation d'une barrière de diffusion électriquement conductrice à l'interface métal/silicium d'un circuit intégré dans lequel, suite à un dépôt sélectif (b) de métal destiné à constituer ladite interface, ledit procédé consiste: à soumettre (c) ladite interface à un plasma à base d'azote pendant une durée d'au moins cinq minutes et à porter ladite interface à une température supérieure à 5000 C pendant cette durée, de façon à créer, au niveau de ladite interface, une couche de nitrure de silicium formant ladite barrière de diffu- sion, à soumettre (d) l'ensemble constitué par ladite interface et par la barrière de dif- fusion à un traitement de recuit, en atmos- phère neutre, afin d'éliminer l'azote introduit dans le métal au cours de l'étape précédente. 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le plasma à base d'azote est un plasma d'azote pur. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le plasma à base d'azote est un plasma d'ammo- niac, NH 3. 4 Procédé selon la revendication 1 ou 2, carac- térisé en ce que ladite interface est soumise à un plasma d'azote pendant une durée de dix minutes, ladite interface étant en outre portée, pendant cette durée, à une température de 700 QC pour engendrer une couche de nitrure de silicium formant ladite barrière de diffusion d'épaisseur 2 nm. 5 Procédé selon l'une des revendications précé- dentes, caractérisé en ce que ledit traitement (d) de il recuit est effectué sous vide, ledit ensemble étant por- té à une température de l'ordre de 850 'C. 6 Transistor MOS de type circuit intégré com- portant sur un substrat de silicium de type N ou P une zone de source (S), une zone de grille (G), isolée et une zone de drain (D) de type opposé P ou N, chacune desdites zones comportant à sa surface libre une couche de métal ( 1 S, 1 G, 1 D), formant ledit transistor MOS et ses contacts, caractérisé, en ce que le dit transistor comporte au niveau desdites zones de source (S), de grille (G) respectivement de drain (D) une barrière de diffusion électriquement conductrice ( 2 S, 2 G, 2 D) en nitrure de silicium, ladite barrière de diffusion élec- triquement conductrice formant une interface de liaison et de protection entre chaque zone de source (S), de drain (D) ou de grille (G) et la couche de métal corres- pondante ( 1 S, 1 G, 1 D) recouvrant celle-ci. 7 Transistor MOS selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite barrière de diffusion élec- triquement conductrice ( 2 S, 2 D, 2 G) présente une épaisseur de 2 nm. 8 Transistor MOS selon l'une des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que le métal est du tungstène.