Brevet FR2655195A1 — publié le 19910531

La présente invention concerne des dispositifs à semiconducteurs, et en particulier des circuits intégrés de haute fréquence, tels que ceux capables de fonctionner dans la gamme hyperfréquence. On utilise ici le terme 18 haute fréquence" pour désigner des fréquences de fonctionnement auxquelles le rayonnement électromagnétique et les perturbations électromagnétiques entre des circuits proches deviennent un problème. A titre d'exemple, de nombreux circuits micro-ondes sont conçus pour fonctionner à environ 30 GHz, et cette fréquence représente un domaine d'application utile de l'invention. Dans un grand nombre de ses aspects, on peut considérer que l'invention est utile de façon générale dans la gamme de haute fréquence allant d'environ 800 MHz à 100 GHz. Dans de nombreux cas, dans de tels dispositifs de haute fréquence, il est nécessaire d'isoler un circuit intégré donné (ou un groupe de circuits) par rapport à d'autres, de façon que les circuits ne se perturbent pas mutuellement. Le rayonnement électromagnétique qui passe d'un circuit à l'autre sous la forme d'une perturbation électromagnétique peut définir un chemin de réaction parasite. L'une des conséquences de ceci peut consister dans la créa tion d'oscillations parasites dans le circuit. Une autre conséquence peut être la modification des caractéristiques d'un dispositif, faisant passer de caractéristiques désirées qui sont prévues par le concepteur, à des caractéristiques entièrement différentes pour le circuit fonctionnant avec le chemin de réaction non prévu. La nature du chemin de réaction est fortement affectée par la fréquence de fonctionnement du dispositif, la nature du couplage, la présence de conducteurs adjacents, des dispositifs de blindage conçus de façon incorrecte, etc. Dans certains cas, comme lorsque la taille des cavités dans lesquelles les circuits intégrés sont montés est supérieure à une demilongueur d'onde, des résonances parasites peuvent apparaître au voisinage de la fréquence de fonctionnement, à cause de la résonance des cavités. La figure 6 montre une représentation en perspective d'un dispositif à semiconducteurs de type classique, qu'on appelle quelquefois une structure modulaire, qui est conçu pour atténuer certains des problèmes précédents. Des circuits intégrés 4 et 6 sont représentés sous la forme de deux éléments de circuit qui doivent être isolés. Les circuits sont interconnectés électriquement par un conducteur 5. Dans le mode de réalisation qui est représenté, chacun des circuits 4, 6 est formé sur son propre substrat. Même si les circuits étaient formés à l'origine sur la même tranche, il est nécessaire de les découper en puces distinctes ou de les séparer de toute autre manière pour le montage individuel, dans le but de les utiliser dans la configuration de la figure 6. Pour établir un blindage entre les circuits intégrés 4, 6, on utilise un substrat de blindage 8 qui comporte une paire de parois verticales 7 qui sont interposées entre les circuits 4 et 6 et qui s'élèvent sur une distance appréciable au-dessus du plan 9 du substrat 8 sur lequel les circuits intégrés sont montés. Le substrat 8 est en un métal conducteur, consistant de façon caractéristique en cuivre ou en tungstène revêtu de cuivre, et il est conçu pour établir un plan de masse sous les circuits 4, 6, et des blindages intermédiaires qui séparent ces circuits, mais qui laissent un passage étroit pour le conducteur 5. Les puces de circuit intégré 4, 6 ainsi que le conducteur 5 sont fixés sur le substrat 8, par exemple par une matière de brasage, une matière adhésive conductrice, ou autre. Les parois 7 ont une hauteur qui est comprise de façon caractéristique entre environ 0,01 et environ 0,1 longueur d'onde correspondant à la fréquence de fonctionnement du circuit. Avec cette dimension pour la hauteur, et en maintenant l'ouverture entre les parois 7 étroite mais suffisante pour le passage du conducteur 5, on obtient un blindage notable entre les circuits 4, 6. Ce blindage est cependant obtenu au prix de procédures d'assemblage et d'une augmentation de la taille du dispositif terminé. En ce qui concerne la taille, il est clair que le substrat de montage doit être suffisamment grand et résistant pour tolérer les techniques d'assemblage faisant appel à des manipulations, et que les parois 7 doivent être suffisamment épaisses pour être auto-porteuses. Plus précisément, dans le but d'utiliser le substrat de blindage 8 qui est représenté sur la figure 6, les circuits intégrés 4, 6 doivent être formés sur des substrats séparés, ils doivent être assemblés sur le substrat de blindage, et le conducteur 5 doit également être disposé sur le substrat et interconnecté aux semiconducteurs respectifs pour former un assemblage terminé. Du fait qu'on utilise un corps conducteur métallique 8, il est difficile de parvenir à la réduction de taille et de poids désirée pour le dispositif à semiconducteurs, et les procédures d'assemblage précitées ont également pour conséquence d'augmenter le coût. La figure 7 illustre une autre technique de l'art antérieur, qui est décrite dans le brevet japonais publié n0 63-143856. La figure 7 montre un ensemble d'amplificateurs répartis connectés en série 14a, 14b, 14c, chacun d'eux comprenant un ensemble d'éléments actifs qui sont disposés en rangées multiples sur une surface plane 15a d'un substrat semi-isolant 15. Une borne d'entrée 16 attaque le premier groupe d'éléments actifs 14c, qui attaquent à leur tour en cascade les groupes restants 14b, 14a, pour attaquer une borne de sortie 13. Ainsi, un signal microonde qui est appliqué sur la borne d'entrée 16 est amplifié et reproduit sur la borne de sortie 13. Pour obtenir un certain blindage entre les groupes d'amplificateurs 14a, 14b, 14c, des motifs dtintercon- nexion 17 reliés à la masse sont formés sur la surface 15a du substrat et ils sont reliés à la masse au moyen de passages 18. Les passages 18 pénètrent dans le substrat 15 et ils sont remplis d'un métal conducteur, pour former une connexion avec un plan de masse, de façon à maintenir au potentiel de la masse les conducteurs 17 qui sont déposés sur la surface. Cependant, l'épaisseur des conducteurs 17 est de façon caractéristique d'environ 2 microns seulement, et par conséquent de tels conducteurs ne sont pas très efficaces pour assurer une fonction de blindage vis-à-vis du rayonnement électromagnétique. Bien que les blindages 17 montés en surface puissent être efficaces contre une perturbation qui se propagerait par ailleurs le long de la surface du substrat, la hauteur des blindages limite tout effet notable sur la perturbation électromagnétique très importante qui est rayonnée dans des chemins passant dans l'air au-dessus des blindages. Un tel rayonnement établit en fait un chemin de réaction parasite entre les groupes d'amplificateurs 14a, 14b, 14c. L'effet de ce chemin de réaction peut être important, comme on va maintenant le montrer. On sait que l'énergie électromagnétique hyperfréquence ou micro-onde qui se propage d'un circuit de source vers un autre circuit, se propage non seulement le long de la surface sur laquelle les circuits sont montés, mais également dans l'espace qui entoure les circuits. On considère qu'environ 80% de l'énergie se propagent dans l'espace ailleurs que sur la surface du substrat. On comprend donc que bien que les conducteurs 17 montés sur la surface conviennent pour arrêter une perturbation qui se propage à la surface, la majeure partie de l'énergie, c'est-à-dire celle qui se propage dans l'espace qui entoure le circuit, n'est pratiquement pas affectée. Les limitations de cette technique de blindage apparaissent donc clairement. Compte tenu de ce qui précède, un but général de la présente invention est de procurer un dispositif à semiconducteurs comprenant des circuits intégrés blindés qui sont formés sur un seul substrat, mais qui assure très efficacement le blindage d'un circuit intégré (ou d'un groupe de circuits intégrés) sur le substrat, vis-à-vis d'un autre. Un but plus spécifique est de procurer un blindage notable entre deux circuits intégrés micro-ondes, ce blindage étant au moins aussi efficace que celui que l'on obtient en utilisant des supports de blindage métalliques conducteurs, mais qui évite le coût et la gêne qui résultent de l'utilisation de blindages métalliques conducteurs séparés, de puces de circuits intégrés séparées, de procédures d'assemblage, etc. L'invention procure ainsi un dispositif à semiconducteurs comprenant un seul substrat, avec au moins deux circuits intégrés de haute fréquence formés sur une surface plane du substrat et conçus pour fonctionner dans la gamme hyperfréquence. Une pellicule isolante est formée sur le substrat de façon à recouvrir les circuits intégrés. Des moyens de blindage sont incorporés dans la pellicule iso lante, dans une orientation pratiquement normale à la surface du substrat. Les moyens de blindage sont disposés entre les deux semiconducteurs (ou groupes de semiconducteurs) que l'on doit blinder mutuellement. Les moyens de blindage ont une densité ou un espacement et une hauteur au-dessus du substrat qui sont adaptés pour bloquer le passage d'un rayonnement électromagnétique entre les circuits. Un potentiel de masse effectif est appliqué aux moyens de blindage pour produire l'isolation désirée. Dans un mode de réalisation de l'invention, les moyens de blindage comprennent un groupe de conducteurs en forme de tiges dressés qui sont noyés dans la pellicule isolante et qui sont séparés par une distance notablement inférieure à une longueur d'onde de la fréquence de la gamme micro-onde à laquelle fonctionne le circuit. Dans un autre mode de réalisation, les moyens de blindage comprennent une structure en forme de lame allongée, avec une configuration dans laquelle la largeur de la lame est perpendiculaire à la surface du substrat. Une caractéristique de l'invention consiste en ce qu'on peut former le dispositif à semiconducteurs sur un seul substrat, et en ce qu'on utiliser des techniques de traitement de semiconducteurs classiques pour former non seulement les dispositifs à circuits intégrés, mais également les moyens de blindage qui isolent un dispositif ou un groupe de dispositifs vis-à-vis d'un autre. Ainsi, une caractéristique de l'invention consiste en ce qu'on peut miniaturiser le dispositif à semiconducteurs et on peut supprimer la nécessité de l'emploi de blindages volumineux sur lesquels des circuits individuels sont montés, ainsi que la nécessité d'employer des techniques d'assemblage qui sont obligatoires lorsqu'on utilise de tels blindages. Une caractéristique supplémentaire de l'invention consiste dans la réalisation d'une structure de blindage efficace qui n'introduit pas le risque de résonance d'une cavité. Un mode de réalisation supplémentaire de l'invention procure un dispositif multicouche dans lequel plusieurs couches de pellicule isolante sont formées pour recouvrir les circuits intégrés, au-dessus de la surface du substrat, avec des structures conductrices en forme de tiges disposées dans les couches respectives de la pellicule et interconnectées par des conducteurs qui sont interposés entre les couches de la pellicule isolante. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux dessins annexés dans lesquels La figure 1 est une vue en perspective montrant un dispositif à semiconducteurs qui est réalisé conformément à un premier mode de réalisation de l'invention; La figure 2 est une vue en perspective d'un dispositif à semiconducteurs qui illustre une variante du mode de réalisation de la figure 1; La figure 3 est une vue en perspective qui illustre un autre mode de réalisation de l'invention; La figure 4 est une vue en perspective qui illustre encore un autre mode de réalisation possible utilisant des couches isolantes multiples et des moyens de blindage multiples;; La figure 5 est une coupe partielle selon la ligne 5-5 de la figure 4, montrant des moyens de blindage à couches multiples avec des interconnexions; La figure 6 est une vue en perspective qui illustre une structure de l'art antérieur avec des dispositifs à semiconducteurs montés sur un support de blindage; et La figure 7 est une vue en plan qui illustre un dispositif à semiconducteurs avec des moyens de blindage montés en surface qui sont interposés entre des groupes de circuits à semiconducteurs. En considérant maintenant les dessins, on voit sur la figure 1 un dispositif à semiconducteurs capable de fonctionner en hyperfréquence, qui exemplifie l'invention. Un substrat en semiconducteur classique 21, par exemple en GaAs, constitue une base pour le circuit. Des circuits intégrés classiques 24, 26 sont formés sur le substrat 21 par des techniques de fabrication ordinaires, comme l'implantation ionique, la diffusion, la photolithographie, la croissance épitaxiale, etc. On ne décrira pas en détail ici la formation des circuits 24, 26, du fait que leur structure est classique. Un conducteur 25 est également déposé, par exemple par revêtement et décollement, dans le but de connecter des dispositifs particuliers dans les circuits intégrés 24, 26. Les circuits 24, 26 représentent des circuits micro-ondes qui peuvent comprendre des amplificateurs, un oscillateur, ou autres, fonctionnant dans la gamme hyperfréquence ou micro-onde. Dans le mode de réalisation de la figure 1, les circuits 24, 26 doivent être isolés mutuellement en ce qui concerne le rayonnement électromagnétique. Ainsi, les circuits sont légèrement séparés pour laisser un espace approprié pour un blindage linéaire, désigné de façon générale par la référence 30, qui est interposé entre les circuits 24, 26. Dans le mode de réalisation de la figure 1, le blindage 30 comprend un ensemble de conducteurs en forme de tiges 23, qui sont dressés et qui s'élèvent au-dessus de la surface supérieure 27 du substrat sur lequel sont formés les circuits à semiconducteurs 24, 26. Dans la mise en oeuvre de l'invention, le blindage linéaire 30 qui est constitué par les structures conductrices en forme de tiges 23, n'est pas conçu pour être auto-porteur par lui-même, mais il est formé par un ensemble de conducteurs métalliques minces qui sont déposés dans une couche isolante et supportés par cette dernière. Cette couche isolante recouvre les circuits intégrés 24, 26. Ainsi, après avoir formé le circuit intégré classique sur le substrat, on recouvre sa surface supérieure 27 par une couche d'une pellicule isolante 22. La matière de la couche isolante consiste de préférence en SiON, qui est un isolant bien connu adhérant bien au GaAs, et on peut aisément appliquer cette matière par des techniques connues telles qu'un procédé de dépôt chimique en phase vapeur (ou CVD) classique. Après avoir ainsi déposé la pellicule 22 sur la surface supérieure 27 du circuit intégré, on forme un motif dans la pellicule et on la grave pour produire un ensemble de passages 23a. On remplit ensuite les passages 23a avec un métal conducteur, tel que l'argent, pour former des conducteurs dressés en forme de tiges, 23, qui sont représentés sur la figure 1. Les structures en forme de tiges 23 ont un écartement suffisamment faible, et la hauteur des conducteurs au-dessus de la surface 27 est suffisamment élevée pour que le rayonnement électromagnétique qui pourrait être transmis de l'un des circuits 24 vers l'autre soit effectivement bloqué. En ce qui concerne l'écartement, les conducteurs en forme de tiges 23 ont une densité ou un pas notablement inférieur à une longueur d'onde de la fréquence de fonctionnement des circuits.En ce qui concerne la hauteur, les conducteurs en forme de tiges 23 peuvent avoir une hauteur semblable à celle des parois 7 de la figure 6, soit 0,01 à 0,1 longueur d'onde de la fréquence de fonctionnement. Dans la forme préférée de mise en oeuvre de l'invention, les conducteurs individuels 23 ont une section d'environ 100 micromètres carrés seulement. On voit donc qu'en l'absence du film de support 22, il ne serait pas possible de maintenir en place le blindage linéaire 30. Cependant, on utilise la pellicule isolante 22, comme représenté sur la figure 1, et on grave soigneusement les passages 23a, par exemple par gravure par voie sèche ou par plasma, avec un mélange de gaz contenant du silane, de l'ammoniac et du N2O. Le plasma est habituellement excité avec de l'énergie micro-onde. Après avoir formé par gravure les passages 23a, on dépose les conducteurs 23 dans les passages, par exemple par des techniques d'électrodéposition. Après avoir ainsi formé le blindage conducteur 30 qui est interposé de façon linéaire entre les circuits 24, 26, il est nécessaire de connecter une masse effective au blindage dans le but d'établir l'isolation désirée. La figure 1 représente des conducteurs 32 montés en surface qui sont déposés sur la surface supérieure de la couche isolante 22, et qui sont en contact électrique avec chacune des tiges conductrices 23. L'alimentation est ensuite connectée aux électrodes 32 pour appliquer un potentiel de masse effectif au blindage. Il est cependant préférable d'utiliser un plan de masse dans le but de procurer un blindage approprié. Pour établir un plan de masse, on peut étendre les électrodes 23 de façon qu'elles recouvrent la totalité de la surface de l'isolant 22.Cependant, dans une variante préférée, on étend les passages 23a à travers le substrat 21, comme indiqué en 23b, de façon qu'ils pénètrent jusqu'à la surface inférieure 28 du substrat. Une électrode de plan de masse 29 qui est déposée sur la surface inférieure 28 forme ainsi non seulement un plan de masse pour le circuit d'ensemble, mais également une interconnexion conductrice entre les conducteurs en forme de tiges 23 individuels. Les ouvertures 23b dans le substrat sont de préférence formées à un stade précoce de la fabrication du dispositif, de préférence avant la formation des circuits intégrés 24, 26. Dans tous les cas, ces ouvertures sont formées de préférence avant le dépôt de la pellicule isolante 22. Les passages 23a sont ensuite gravés dans la pellicule 22 de manière à assurer l'alignement entre les passages 23a, 23b. Selon une variante, on peut former sur la surface 27 du substrat une électrode conductrice qui est destinée à interconnecter des tiges conductrices 23 et des tiges conductrices décalées dans le substrat, comme on le montrera dans le mode de réalisation de la figure 4. On dispose de ces diverses techniques pour assurer la continuité électrique entre les conducteurs en forme de tiges 23 et un blindage de masse, de façon à procurer un degré de blindage approprié entre les circuits 24, 26. Parmi les caractéristiques à noter figure le fait que les conducteurs en forme de tiges 23 sont disposés avec une densité ou un pas notablement inférieur à une longueur d'onde de la fréquence de fonctionnement des circuits, et qu'ils ont une hauteur notablement supérieure à l'épaisseur de métallisation qu'on rencontre normalement dans les circuits intégrés. Cette hauteur est obtenue sans la nécessité d'utiliser des conducteurs auto-porteurs épais, grâce au film isolant assurant les fonctions de support et de positionnement.Le film isolant offre encore un autre avantage, dans la mesure où il procure une constante diélectrique supérieure à celle de l'air qui entoure normalement un tel circuit. La constante diélectrique plus élevée procure un milieu retardateur pour la propagation d'une perturbation électromagnétique entre les circuits 24 et 26, ce qui permet de placer ces circuits plus près l'un de l'autre. On peut donc miniaturiser le circuit global, par le fait que les deux circuits intégrés 24, 26 sont formés sur le même substrat (ce qui fait qu'il n'est pas nécessaire d'utiliser des substrats découpés en puces séparées), et ceci s'accompagne de l'avantage supplémentaire qui réside dans l'existence du milieu diélectrique entourant les circuits, qui produit un retard de phase supplémentaire pour la propagation de la perturbation. Lorsqu'on utilise le dispositif de la figure 1 dans la gamme hyperfréquence à une fréquence de travail d'environ 30 GHz, la longueur d'onde effective à cette fréquence dans le film de SiON est d'environ 0,3 cm. Comme indiqué ci-dessus, les conducteurs en forme de tiges 23 ont une section droite d'environ 100 micromètres carrés, et lorsqu'ils sont disposés avec un entraxe d'environ 100 micromètres, on voit qu'ils ont un pas qui est notablement inférieur à la longueur d'onde de la fréquence de fonctionnement dans l'isolant. Dans la forme de réalisation qui est envisagée, l'épaisseur du film 22 peut être d'environ 500 micromètres, et on voit alors que les conducteurs en forme de tiges 23 s'élèvent au-dessus de la surface 27 d'une valeur égale à cette dimension, c' est-à-dire d'environ 500 micromètres.Dans une telle structure, les circuits 24, 26 seront presque complètement blindés mutuellement à la fréquence de fonctionnement de 30 GHz, ce qui empêchera une perturbation mutuelle entre ces circuits. L'efficacité des conducteurs en forme de tiges 23 pour l'établissement d'un tel blindage est basée sur l'effet de configurations d'électrodes de masse du type treillis, dans lesquelles un treillis ayant des ouvertures de mailles inférieures à une longueur d'onde constitue un blindage électromagnétique effectif. En utilisant cette analogie, on notera que les conducteurs rectilignes en forme de tiges 23 qui sont interconnectés électriquement, comme décrit ci-dessus, remplissent la fonction d'une paroi conductrice de masse dans la gamme micro-onde, qui sépare les circuits 24, 26. Pour résumer les avantages du circuit de la figure 1, on peut dire en premier lieu que les procédures d'assemblage qui sont associées au dispositif de la figure 6 sont éliminées. Les circuits 24, 26 peuvent être disposés de façon plus rapprochée, à cause de leur formation sur un seul substrat, et à cause du fait qu'ils sont recouverts par un diélectrique. L'élimination des structures conductrices externes supprime la possibilité de résonance d'une cavité, et ces caractéristiques entraînent une réduction de la taille, de la masse et du coût du dispositif. En comparant les caractéristiques avec celles du dispositif de l'art antérieur de la figure 7, on rappelle que le dispositif de la figure 7 est incapable d'arrêter les perturbations qui se propagent par rayonnement, du fait de la limitation d'épaisseur concernant les bandes de masse déposées en surface. Le dispositif de la figure 1 ne présente pas une telle limitation car, bien que les structures conductrices qui forment le blindage soient fabriquées par des techniques classiques de microélectronique, elles sont disposées d'une manière qui permet à ces conducteurs de s'élever notablement au-dessus de la surface supérieure du substrat des circuits intégrés, ce qui procure le degré d'isolation désiré. La structure de la figure 2 est similaire à celle de la figure 1, sauf en ce qui concerne le motif des éléments de blindage qui séparent les circuits. En plus d'un blindage linéaire 30 disposé entre les circuits 24, 26, le mode de réalisation de la figure 2 comprend des conducteurs en forme de tiges 23c supplémentaires, qui sont disposés de façon à entourer pratiquement les circuits respectifs, ce qui procure un blindage supplémentaire non seulement entre un circuit et l'autre, mais également vis-à-vis de dispositifs extérieurs.Le mode de réalisation de la figure 2 illustre le fait que le motif d'éléments de blindage conducteurs peut être adapté à n'importe quelle configuration utile pour le circuit, depuis la simple structure linéaire disposée entre des circuits susceptibles de se perturber, comme représenté sur la figure 1, jusqu a une condition dans laquelle les éléments de blindage entourent complètement les circuits, comme représenté sur la figure 2, et avec également la possibilité d'établir n'importe quel niveau de blindage intermédiaire qui pourrait être nécessaire. Le degré de complexité pour les circuits respectifs n'est pas élevé, du fait que tous les passages 23a peuvent être formés simultanément, et que tous les conducteurs 23 peuvent être déposés simultanément dans les passages. Il faut noter que les techniques de mise à la masse qui sont illustrées en relation avec la figure 1 sont également applicables au mode de réalisation de la figure 2, mais ne sont pas représentées en détail sur ce dessin, dans le but d'éviter de compliquer excessivement la figure. On a cependant représenté que certains des passages pénétraient dans le substrat jusqu'au plan de masse 29, dans le but d'illustrer le fait que les techniques de mise à la masse qui ont été décrites en relation avec la figure 1 s'appliquent également à la figure 2. En considérant maintenant la figure 3, on voit un autre mode de réalisation de moyens de blindage qui sont construits conformément à l'invention. Le mode de réalisation de la figure 3 procure un grand nombre des avantages du mode de réalisation préféré de la figure 1, comme l'écran très efficace interposé entre les circuits 24, 26. Cependant, le mode de réalisation de la figure 3 augmente le risque de fissuration du cristal pendant la formation du blindage, comme décrit ci-dessous. Le mode de réalisation de la figure 3 est similaire à celui de la figure 1, à l'exception du fait que le blindage linéaire 30a est formé non par des conducteurs individuels en forme de tiges, mais par des conducteurs en forme de ruban 40 qui sont interposés le long de la ligne 30a, et qui présentent un espace 41 à l'endroit nécessaire pour permettre le passage d'un conducteur 25 entre les circuits. Comme dans le mode de réalisation de la figure 1, les conducteurs 40 sont formés dans une pellicule isolante 22 que l'on soumet tout d'abord à des opérations de formation de motif et de gravure, pour former dans la pellicule des ouvertures 40a qui descendent pratiquement jusqu'à la surface du substrat. Après la formation des ouvertures 40a, on dépose des électrodes métalliques conductrices dans les ouvertures.On voit sur la structure métallique de la figure 3 comprend une bande conductrice trimensionnelle ayant une longueur qui définit la ligne 30a entre les circuits 24, 26, et une largeur qui est pratiquement normale à la surface 27 du substrat. L'épaisseur des conducteurs en forme de bande (dans la direction pratiquement parallèle à la surface de la pellicule isolante 22) est relativement faible, en comparaison avec les autres dimensions de la bande, ce qui donne une structure de blindage métallique qui ne serait pas auto-porteuse, s'il n'y avait pas la présence de la pellicule isolante de support 22.Cependant, du fait de la présence de la pellicule isolante 22 et de la manière selon laquelle les conducteurs 40 sont formés dans cette dernière, la structure de blindage dispose de la stabilité mécanique nécessaire, tout en procurant les avantages mécaniques et électriques qu'on a envisagés ci-dessus. Le principal inconvénient du mode de réalisation de la figure 3, en comparaison avec celui de la figure 1, réside dans la possibilité de formation de fissures dans le substrat ou dans la pellicule isolante 22, pendant le processus de gravure des ouvertures 40a.Ce problème est lié à la difficulté de former une paroi correspondant à un grand trou de passage dans un substrat relativement mince, mais dans des cas dans lesquels on désire employer le conducteur en forme de bande, les techniques de traitement peuvent tenir compte de cette difficulté, dans le but d'obtenir la forme de conducteur désirée. La figure 4 représente encore un autre mode de réalisation de l'invention pour lequel, comme dans les modes de réalisation précédents, la fabrication part d'un substrat semiconducteur 21, par exemple en GaAs, sur lequel sont formés deux circuits intégrés 24, 26 connectés par un conducteur 25. Contrairement aux autres modes de réalisation, le mode de réalisation de la figure 4 (et de la figure 5 associée) présente une structure multicouche pour réa liser le blindage désiré. Comme dans le mode de réalisation de la figure 1, des passages 50a sont formés dans le substrat 21 et sont remplis par un dépôt métallique pour former un réseau de structures conductrices en forme de tiges, 50, interposées dans le substrat 21.Un plan de masse 52 est formé sur la surface inférieure 28 du substrat 21 et est en contact électrique avec tous les conducteurs en forme de tiges 50 qui pénètrent dans le substrat. Des motifs conducteurs 53 sont formés sur la surface supérieure du substrat pour interconnecter les tiges 50. Sur la surface supérieure 27 du substrat se trouvent deux couches de pellicules isolantes 54, 55, dans le mode de réalisation représenté, chacune d'elles portant des conducteurs de blindage et illustrant des caractéristiques supplémentaires de l'invention. La première couche 54 est disposée directement sur la surface supérieure 27 du substrat et recouvre les circuits intégrés 24, 25, ainsi que les motifs conducteurs 53. Comme dans le mode de réalisation de la figure 1, après le dépôt de la couche isolante 54, on forme un motif dans cette couche pour définir une série de passages, soit dans le mode de réalisation de la figure 4, un réseau linéaire de passages 55a qui sont disposés entre les circuits intégrés 24, 26. Après avoir ainsi défini le motif des passages 55a et gravé ces derniers, on utilise des techniques de dépôt pour former des conducteurs en forme de tiges 55'dans les passages 55a, comme décrit en relation avec les modes de réalisation précédents. L'écartement et la hauteur des conducteurs en forme de tiges sont conformes aux exigences envisagées ci-dessus. Le mode de réalisation de la figure 4 et de la figure 5 montrent un motif conducteur supplémentaire 56 qui est formé entre les couches isolantes 54, 55 et qui est conçu pour établir une interconnexion électrique supplémentaire entre les conducteurs en forme de tiges 551. On forme les motifs conducteurs 56 en déposant une pellicule conductrice et en définissant un motif dans cette derniè re, en employant par exemple des techniques de pulvérisation cathodique ou de dépôt de pellicules minces, suivies par une opération de décollement pour définir un motif. Après avoir ainsi formé les conducteurs intermédiaires 56, on dépose une couche supplémentaire de pellicules isolantes 55, pour que les conducteurs 56 soient intercalés entre les couches 54, 55. On utilise ensuite des techniques similaires pour graver une série supplémentaire de passages 58a dans la couche 55, et pour déposer ensuite des conducteurs métalliques 58 dans les passages qui ont été gravés. On achève le dispositif en formant des motifs d'électrodes supplémentaires 59 sur la surface supérieure de l'isolant 55, pour interconnecter électriquement les conducteurs en forme de tiges sa. Il ressort de la figure 4, et encore plus clairement de la figure 5, que les couches respectives de conducteurs en forme de tiges sont mutuellement décalées et sont électriquement interconnectées par les motifs d'électrodes définis en surface qui sont formés entre les couches de la pellicule. Le mode de réalisation des figures 4 et 5 permet de disposer de moyens de blindage d'une hauteur appropriée, sans la nécessité d'imposer des restrictions sévères au processus de gravure. Plus précisément, on peut trouver difficile de graver des passages très minces à travers les couches isolantes, tout en maintenant la forme désirée pour les passages et en évitant un élargissement des passages à leur base.L'utilisation de multiples couches 54, 55 très minces (on peut considérer que leur épaisseur est exagérée sur les figures 4 et 5), permet de réduire les exigences qui sont imposées à l'opération de gravure. En fait, on peut définir un motif dans des couches isolantes minces et graver ces dernières, après quoi on peut former les conducteurs dans les passages et sur la surface. Après l'achèvement d'une couche, on peut définir un motif dans une couche suivante et on peut graver cette couche et la rendre con ductrice dans le but d'augmenter l'épaisseur jusqu'à la valeur nécessaire pour obtenir un blindage approprié dans l'espace qui est situé au-dessus de la surface du substrat. On peut réaliser ceci sans qu'il ne soit nécessaire de graver une seule couche épaisse de pellicule isolante, conformément au mode de réalisation des figures 4 et 5. Le résultat électrique global des deux structures est similaire, mais le compromis réside dans le processus de fabrication. Bien que le processus de fabrication pour le mode de réalisation de la figure 1 soit simple dans le sens où il n'exige qu'une seule opération de gravure et de métallisation, les exigences qui sont imposées à l'opération de gravure peuvent être relativement sévères, du fait de l'épaisseur de la couche unique qui doit être gravée. Au contraire, bien que le mode de réalisation des figures 4 et 5 exige de multiples opérations de gravure et de métallisation, les exigences des étapes de gravure individuelles sont réduites dans la mesure où l'épaisseur des couches isolantes peut être réduite de façon correspondante. La définition des motifs des conducteurs en forme de tiges d'une manière décalée, comme la figure 5 le montre le mieux, permet de faire en sorte que la formation des conducteurs en forme de tiges dans une couche donnée se déroule sans être influencée notablement par des conducteurs en forme de tiges qui se trouvent dans les niveaux situés au-dessous.De plus, on notera que l'opération de définition de motif avant la gravure des couches respectives n'est pas rendue particulièrement difficile en ce qui concerne l'alignement, dans la mesure où la matière isolante qui forme les couches 54, 55 est transparente à la lumière d'une certaine longueur d'onde définie, même s'il ne s'agit pas de la lumière visible, ce qui fait que les conducteurs peuvent être "vus" à travers l'isolant, ce qui permet de réaliser un alignement précis de masques qui sont déposés ultérieurement pour graver des passages qui sont gravés ultérieurement. Les caractéristiques qui sont illustrées dans les modes de réalisation précédents ne sont pas mutuellement exclusives. Par exemple, la définition du motif pour le blindage qui est illustré sur la figure 2 peut être appliquée à un mode de réalisation quelconque, y compris ceux qui sont représentés sur les figures 4 et 5. Si on le désire, on peut utiliser dans les autres modes de réalisation les électrodes en forme de bande qui sont représentées sur la figure 3. Bien que le nombre de pellicules isolantes qui sont représentées dans les modes de réalisation soit de 1 ou 2, on peut utiliser des couches supplémentaires lorsqu'on le désire. Bien qu'il soit préférable d'utiliser pour le substrat 1 un substrat semiconducteur, par exemple en GaAs, on peut également employer dans certains modes de réalisation un substrat diélectrique, par exemple en alumine ou en saphir. On voit ainsi que l'invention procure une structure de blindage pour un circuit intégré micro-onde qui est davantage compatible avec les processus de fabrication de semiconducteurs que les techniques d'assemblage qui sont utilisées en relation avec la figure 6, et qui est plus efficace que les conducteurs placés en surface de la figure 7. On forme une pellicule isolante sur le substrat et cette pellicule recouvre les circuits intégrés à isoler. On forme ensuite des moyens de blindage conducteurs qui sont noyés dans la pellicule isolante et sont donc portés par cette dernière. Les moyens de blindage conducteurs définissent une ligne qui sépare les circuits intégrés à blinder. Les moyens de blindage ont une densité ou un pas et une hauteur au-dessus du substrat qui permettent d'arrêter le rayonnement électromagnétique.Le rayonnement est arrêté en partie du fait du pas et de la configuration des moyens de blindage, et également grâce à l'application d'une masse effecti ve aux moyens de blindage, par exemple à l'aide de conducteurs déposés sur les pellicules isolantes, ou d'un plan de masse qui est appliqué à la surface inférieure du substrat semiconducteur. Les modes de réalisation qui sont décrits comprennent des structures conductrices en forme de tiges qui sont incorporées dans la pellicule isolante et portées par celle-ci, une structure en forme de lame qui peut également être incorporée dans la pellicule isolante et portée par celle-ci, ou des dispositifs à niveaux multiples qui peuvent être formés de façon à produire des résultats électriques similaires. Dans tous les cas, les pellicules isolantes permettent l'utilisation de conducteurs très fragiles tout en assurant l'intégrité mécanique nécessaire pour la fabrication d'un circuit micro-onde, ce qui permet de miniaturiser considérablement les dispositifs, mais sans le risque de dégradation des caractéristiques qui résulterait de perturbations en haute fréquence. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat (21); au moins deux circuits intégrés de haute fréquence (24, 26) formés sur une surface plane (27) du substrat et conçus pour fonctionner à des fréquences élevées; une pellicule isolante (22) sur le substrat, recouvrant les circuits intégrés (24, 26); des moyens de blindage conducteurs (30, 30a) noyés dans la pellicule isolante (22), dans une direction pratiquement normale à la surface du substrat (21), ces moyens de blindage (30, 30a) définissant une ligne qui sépare les deux circuits intégrés (24, 26) pour les blinder mutuellement, les moyens de blindage ayant une densité ou un pas et une hauteur au-dessus du substrat qui sont choisis de façon à ar rêter le rayonnement électromagnétique se propageant entre les premier et second circuits intégrés (24, 26); et des moyens (29, 32) pour appliquer une masse effective aux moyens de blindage pour isoler pratiquement un circuit intégré par rapport à l'autre. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de blindage (30) comprennent un ensemble de conducteurs dressés en forme de tiges (23) qui sont noyés dans la pellicule isolante (22), dans une orientation pratiquement normale à la surface du substrat (21) et définissant la ligne précitée, les tiges (23) ayant un pas notablement inférieur à une longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement des circuits intégrés (24, 26), et une hauteur appropriée pour arrêter le rayonnement électromagnétique perturbateur. 3. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de blindage comprennent une bande conductrice (40) ayant une longueur qui définit la ligne entre les deux circuits intégrés (24, 26), une largeur qui est orientée de façon pratiquement normale à la surface du substrat (21), et une épaisseur relativement faible, cette bande (40) étant noyée dans la pellicule isolante (22) pour assurer son support mécanique. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que la bande (40) présente une ouverture intermédiaire (41) pour laisser passer une interconnexion électrique (25) entre les circuits intégrés (24, 26). 5. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la pellicule isolante est une pellicule à couches multiples (54, 55) qui est formée sur la surface du substrat (21) et recouvre les circuits intégrés (24, 26), des motifs d'interconnexion métalliques (53, 56, 59) sont formés sur les couches respectives (54, 55) de la pellicule isolante et interconnectent les moyens de blindage (55', 58), et ces moyens de blindage sont discontinus, ils sont formés dans les couches respectives (54, 55) de la pellicule isolante et ils sont connectés électriquement par les motifs d'interconnexion métalliques (53, 56, 59). 6. Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que les moyens de blindage comprennent un ensemble de conducteurs en forme de tiges (55', 58) qui sont noyés dans la pellicule isolante et sont supportés par les couches respectives (54, 55) de celle-ci. 7. Dispositif selon la revendication 1, caracérisé en ce qu'il comprend en outre un plan de masse conducteur (29) sur une surface du substrat (21) qui est opposée à la surface plane précitée (27), et des moyens qui interconnectent électriquement les moyens de blindage et le plan de masse (29). 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens d'interconnexion comprennent un ensemble de conducteurs en forme de tiges (23) qui pénètrent dans le substrat (21) et qui sont connectés électriquement entre les moyens de blindage et le plan de masse (29). 9. Dispositif selon la revendication 1, caracté risé en ce que la pellicule isolante comprend un ensemble de couches isolantes (54, 55), les moyens de blindage comprennent des conducteurs dressés en forme de tiges (55', 58) qui traversent les couches isolantes respectives (54, 55), et les moyens de blindage comprennent des moyens d'interconnexion conducteurs (59) qui sont formés sur l'une au moins des couches isolantes et qui interconnectent électriquement les conducteurs en forme de tiges (55', 58) dans les couches isolantes associées (54, 55). 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les conducteurs dressés en forme de tiges (55', 58) dans les couches isolantes respectives (54, 55) sont mutuellement décalés, de façon qu'aux interfaces entre les couches isolantes, les conducteurs dressés en forme de tiges (55', 58) ne soient pas superposés, et les moyens de blindage comprennent des moyens d'interconnexion conducteurs (56) disposés entre les couches isolantes (54, 55), pour interconnecter électriquement les tiges décalées (55', 58) à l'interface des couches (54, 55). 11. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les moyens de blindage conducteurs (23) définissent en outre une configuration qui entoure l'un au moins des circuits intégrés (24, 26), pour procurer un blindage supplémentaire pour ce circuit intégré. 12. Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que les moyens de blindage comprennent un ensemble de conducteurs dressés en forme de tiges (23) qui sont noyés dans la pellicule isolante (22), dans une orientation pratiquement normale à la surface du substrat (21), et ces tiges (23) ont un pas notablement inférieur à une longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement des circuits intégrés (24, 26), et une hauteur appropriée pour arrêter le rayonnement électromagnétique perturbateur. 13. Dispositif à semiconducteurs, caractérisé en ce qu'il comprend : un substrat (21); au moins deux cir cuits intégrés de haute fréquence (24, 26) formés sur une surface plane (27) du substrat et conçus pour fonctionner à des fréquences élevées; une pellicule isolante (22) sur le substrat, recouvrant les circuits intégrés (24, 26); un réseau de conducteurs en forme de tiges (23) définissant une ligne de blindage entre les circuits intégrés (24, 26), les conducteurs en forme de tiges (23) étant noyés dans la pellicule isolante (22) et supportés par cette dernière, dans une orientation pratiquement normale à la surface du substrat (21), de façon à être placés dans un chemin de propagation de rayonnement électromagnétique entre les deux circuits intégrés (24, 26), les conducteurs en forme de tiges (23) ayant un pas entre tiges qui est notablement inférieur à la longueur d'onde à la fréquence de fonctionnement des circuits intégrés (24, 26), et ayant une hauteur appropriée pour arrêter la propagation du rayonnement électromagnétique entre les circuits intégrés; et des moyens (29) pour appliquer une masse effective aux conducteurs en forme de tiges (23), pour établir ainsi un blindage électromagnétique entre les circuits intégrés (24, 26). 14. Procédé de formation d'un dispositif à semiconducteurs blindé, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme un ensemble de circuits intégrés (24, 26) sur une première surface (27) d'un substrat (21); on interconnecte les circuits intégrés (24, 26) qui doivent être mutuellement blindés, d'une manière telle que l'interconnexion (25) laisse une région entre les circuits intégrés pour l'interposition de moyens de blindage (30); on forme sur le substrat semiconducteur (21) une couche isolante qui recouvre les circuits intégrés (24, 26); on forme des ouvertures (23a) dans la couche isolante (22) au moins dans la région située entre les circuits intégrés (24, 26), ces ouvertures (23a) étant suffisamment rapprochées pour que leur écartement mutuel soit notablement inférieur à une longueur d'onde à la fréquence de fonctionne ment du dispositif à semiconducteurs; et on dépose des conducteurs métalliques (23) dans les ouvertures (23a), ces conducteurs métalliques s'élevant jusqu a une hauteur suffisante au-dessus de la surface (27) du substrat pour arrêter la propagation d'un rayonnement électromagnétique perturbateur entre les premier et second circuits intégrés (24, 26).