Brevet FR2654257A1 — publié le 19910510

La présente invention concerne un procédé pour fa- briquer un dispositif semiconducteur comportant au moins un transistor de type MIS ayant une région de drain et une région de source comportant chacune une portion faiblement dopée et une portion fortement dopée, légèrement décalée latéralement par rapport à la précédente portion, ainsi qu'une électrode de grille recouvrant la portion faiblement dopée et s'étendant latéralement vers la portion fortement dopée, procédé dans le- quel, sur un corps semiconducteur recouvert d'une couche iso- lante de grille, on réalise successivement: un dépôt d'une première couche polycristalline, rendue con- ductrice par dopage, la formation d'une première couche isolante, mince, en vue de son utilisation ultérieure en tant qu'arrêt de dé capage, un dépôt d'une deuxième couche polycristalline conductrice plus épaisse que la première couche polycristalline, la formation d'une deuxième couche isolante plus épaisse que la première couche isolante, la définition d'îlots de grille par décapage localisé de la deuxième couche isolante et de la deuxième couche po lycris- talline, en dehors desdits îlots, l'implantation ionique des portions faiblement dopées des régions de source et de drain en utilisant les îlots de grille comme masque d'implantation, la formation d'espaceurs isolants sur les bords des îlots de grille par un dépôt d'une troisième couche isolante suivi d'un décapage anisotrope de l'essentiel de cette couche, lesdits espaceurs isolants délimitant à leur pourtour, des îlots de grille élargis, l'enlèvement par décapage sélectif du matériau polycris- tallin exposé en dehors desdits îlots de grille élargis, l'implantation ionique des portions fortement dopées des régions de source et de drain, en utilisant lesdits îlots de grille élargis comme masque d'implantation, puis, les opérations de finition du dispositif nécessaires pour les prises de contact et l'interconnexion avec les régions ac- tives et avec les grilles des transistors. Un transistor MIS à grille débordante (aussi dési- gnée par grille en forme de T inversé) est connu de la publi- cation "Impact of the Gate-Drain Overlapped Device (GOLD) for Deep Submicrometer VLSI" de R IZAWA, T KURE et E TAKEDA, dans la revue IEEE Transactions on Electron Devices V 35, n'12, décembre 1988. Un procédé pour fabriquer un transistor de ce type, destiné à la constitution de circuits intégrés à très grande densité d'intégration, est également indiqué dans la même pu- blication. Les auteurs ont montré que la limitation des per- formances des transistors MIS de dimensions submicroniques vis-à-vis de la tension de claquage de drain, de l'émission de porteurs chauds, et/ou de la transconductance insuffisante, pouvait être repoussée par l'utilisation d'une électrode de grille recouvrant les portions faiblement dopées des régions de source et de drain, et s'étendant en direction des portions fortement dopées de ces régions, sur une distance qui doit être optimisée. La grille des transistors, est réalisée à partir de deux couches distinctes de silicium polycristallin de ma- nière à obtenir la forme caractéristique d'un T inversé Selon le procédé connu, ces deux couches polycristallines sont sépa- rées par une couche d'oxyde excessivemeent mince, de l'ordre de 0,5 à lnm d'épaisseur, de telle sorte que cette couche puisse servir de repère pour l'arrêt de décapage de la deuxiè- me couche polycristalline lors de la formation des îlots de grille, mais assure néanmoins une conduction électrique suffi- sante entre la première et la deuxième couche polycris- talline, au sein de l'îlot de grille élargi du dispositif fi- nal. Un inconvénient inhérent au procédé connu réside dans la difficulté d'obtenir de manière reproductible une cou- che d'oxyde d'épaisseur aussi faible devant réaliser un com- promis très étroit entre l'efficacité de sa fonction d'arrêt de décapage et une conduction électrique de cette couche assez élevée pour ne pas induire d'effets parasites dans le fonc- tionnement des transistors et en particulier dans l'efficacité de la transmission des tensions vers la partie inférieure des grilles, dans un large spectre de fréquences. L'invention propose une modification du procédé connu en vue d'éviter l'inconvénient mentionné Elle repose sur l'idée que la conduction électrique entre la première et la deuxième couche polycristalline, au sein de l'îlot de gril- le élargi du dispositif final, pourrait être obtenu par des moyens indépendants de l'épaisseur de la couche dite première couche isolante et qu'ainsi on soit libre de choisir pour cet- te couche une épaisseur plus substantielle, donc plus aisée à obtenir de manière reproductible et également moins critique à utiliser en tant qu'arrêt de décapage. En effet, selon la presente invention, un procédé pour fabriquer un dispositif semiconducteur, tel que défini dans le paragraphe introductif, est caractérisé en ce qu'on utilise une première couche isolante ayant une épaisseur plus élevée que celle qui permet une conduction électrique entre les première et deuxième couches polycristallines, en ce qu'a- près avoir réalisé l'implantation ionique des portions faible- ment dopées des régions de source et de drain, on retire par décapage les parties de la première couche isolante situées en dehors des îlots de grille, et en ce qu'on dépose ensuite sur l'ensemble une troisième couche polycristalline rendue conduc- trice par dopage, avant de former les espaceurs isolants. Selon le procédé de l'invention, la continuité électrique dans les îlots de grille élargis est assurée par des petites portions de la troisième couche polycristalline, qui subsistent à la périphérie desdits îlots et qui sont en contact, d'une part avec la tranche de la partie restante de deuxième couche polycristalline des îlots, et d'autre part avec la partie de première couche polycristalline, située sous les espaceurs isolants Il n'est donc plus nécessaire de choi- sir une première couche isolante d'épaisseur si faible que cette couche soit conductrice et on aboutit à un procédé bien reproductible. Un autre avantage du procédé selon l'invention est que la couche isolante de grille se trouve protégée par au moins une couche polycristalline durant la plus grande partie du procédé d'élaboration du dispositif. Avantageusement, on utilise une première couche isolante dont l'épaisseur est supérieure à 5 nm et de préféren- ce inférieure à 20 nm, par exemple de 10 nm, et une deuxième couche isolante dont l'épaisseur est supérieure à 40 nm Ainsi, on peut retirer la première couche isolante en dehors des îlots de grille, sans avoir recours à un masque de décapage, et tout en conservant une portion de l'épaisseur de la deuxième couche isolante au-dessus des îlots de grille puisqu'elle est nettement plus épaisse, et peut être préservée en limitant la durée du décapage. La portion de deuxième couche isolante qui subsiste alors est utilisée ultérieurement en tant qu'arrêt de décapage lorsqu'on retire l'essentiel de la troisième couche polycris- talline. Le procédé selon l'invention a donc l'avantage de rester simple à mettre en oeuvre même si toutes les couches isolantes sont réalisées en un même matériau, par exemple de l'oxyde de silicium. Selon une variante du procédé de l'invention, la couche isolante de grille ainsi que les première et troisième couches isolantes sont réalisées en oxyde de silicium, tandis que la deuxième couche isolante est composée d'une couche d'o- xyde de silicium recouverte d'une couche de nitrure de sili- cium On peut alors retirer la première couche isolante en de- hors des îlots de grille, de manière sélective et préserver de manière sûre l'intégralité de la deuxième couche isolante au- dessus des îlots de grille. Le procédé selon l'invention permet de pratiquer les prises de contact sur le dispositif par ouvertures de fe- nêtres de contact localisées au moyen d'un masque photosensi- OS ble, selon les techniques habituelles bien connues. Toutefois, il est également souhaitable de pouvoir établir des aires de contact métalliques sur le dispositif par une technique d'auto-alignement utilisant entre-autres un si- liciure métallique, qui ne nécessiterait pas de masque pour la réalisation des fenêtre de contact. Dans ce cas, il est possible d'obtenir une réduc- tion sensible des dimensions des transistors et d'augmenter la densité d'intégration des dispositifs à nombre très élevé d'é- léments. Cette possibilité est obtenue selon un mode parti- culier de mise en oeuvre de l'invention caractérisé en ce qu'après la formation des espaceurs isolants, l'enlèvement par décapage sélectif du matériau polycristallin non protégé est prolongé d'une durée déterminée dans des conditions de décapa- ge isotrope, de manière à former des gorges dans les parties non protégées des première et troisième couches polycristalli- nes, et en ce que ces gorges sont ensuite comblées avec un ma- tériau isolant particulier ayant des propriétés sélectives de décapage vis-à-vis des autres couches isolantes déjà existan- tes sur le dispositif, par les opérations successives de dépôt d'une couche d'un tel matériau et de décapage anisotrope de l'essentiel de cette couche qui est situé en dehors desdites gorges Par exemple, cette opération de remplissage des gorges peut être réalisée avec du nitrure de silicium. Des fenêtres de contact peuvent alors être ouvertes sélectivement sur les portions du dispositif qui présentent de l'oxyde de silicium en surface, tandis qu'en bordure de ces régions subsistent des cordons dudit matériau isolant particu- lier qui réalisent un isolement latéral nécessaire entre les plages de contact formées sur les régions actives. La description qui va suivre en regard des dessins annexés décrivant des exemples non limitatifs, fera bien com- prendre comment l'invention peut être réalisée. Les figures 1 à 5 montrent des vues schématiques, en coupe, d'une portion de dispositif MIS, illustrant diffé- rentes étapes du procédé selon l'invention dans un premier exemple de mise en oeuvre, la figure 6 est une vue analogue à la figure 2, il- lustrant une variante de réalisation de l'invention, et les figures 7 à 9 présentent des vues schématiques, en coupe, relatives à un autre exemple de mise en oeuvre de l'invention. Pour plus de clarté des figures, les proportions des dimensions ne sont pas respectées et en particulier cer- taines dimensions dans le sens de l'épaisseur ont été notable- ment augmentées En général, les éléments constitutifs qui sont homologues sur les différentes figures sont affectés de signes de référence identiques. La figure 1 représente une portion superficielle d'un corps semiconducteur 10, par exemple en silicium de type p, qui est surmontée d'une couche isolante de grille 11, de préférence en oxyde de silicium, d'une épaisseur voisine de nm Une première couche polycristalline 12 de 50 nm d'épais- seur a été déposée ensuite sur la couche isolante de grille 11, couche polycristalline 12 qui a été rendue conductrice par dopage à concentration élevée selon une technique habituelle notamment par dopage pendant le dépôt. A la surface de la première couche polycristalline 12 a été formée ensuite une première couche isolante 13, min- ce, en oxyde de silicium, d'une épaisseur de l Onm qui est des- tinée à servir ultérieurement d'arrêt de décapage Une deuxiè- me couche polycristalline 14 a été ensuite déposée sur l'en- semble de la surface, couche qui est également rendue conduc- trice par dopage La deuxième couche polycristalline 14 est plus épaisse que la première couche polycristalline, par exem- ple d'une épaisseur de 200 nm On forme ensuite sur l'ensemble une deuxième couche isolante 15 qui est plus épaisse que la première couche isolante 13, soit supérieure à 40 nm et par exemple de 60 nm La deuxième couche isolante 15 peut être ob- tenue par oxydation thermique de la deuxième couche polycris- talline ou encore par dépôt chimique en phase vapeur d'une couche d'oxyde de silicium. Comme indiqué à la figure 2, on réalise ensuite un décapage localisé de la deuxième couche isolante 15 et de la deuxième couche polycristalline 14 de manière à former des îlots de grille 20, en utilisant les techniques habituelles de masquage et de gravure Il est à noter à ce propos que l'in- vention vise plus particulièrement la fabrication de transis- tors MIS dont la dimension latérale des îlots de grille 20 est voisine ou inférieure à 1 pm. On réalise ensuite par implantation ionique un do- page à faible concentration de type N pour réaliser des por- tions faiblement dopées 21 et 22 des régions de source et de drain, implantation qui est réalisée à travers la première couche isolante 13, la première couche polycristalline 12 et la couche isolante de grille 11, et en utilisant l'îlot de grille 20 en tant que masque de protection contre l'implanta- tion Cette implantation est réalisée par exemple avec des ions de phosphore à une dose de 4 10 13 at/cm 2 et sous une énergie de 70 ke V. On retire ensuite par décapage des parties de la première couche isolante 13 qui sont situées en dehors des îlots de grille 20, ainsi que cela est représenté à la figure 3, et on dépose alors sur l'ensemble ainsi formé une troisième couche polycristalline 23 qui est rendue conductrice par dopa- ge Avantageusement la troisième couche polycristalline 23 a une épaisseur comprise entre 30 et 1 O Onm et de préférence voi- sine de 50 nm. Conformément au procédé selon l'invention, et ainsi qu'on le verra dans la suite de cet exposé, la continuité électrique au sein de l'îlot de grille entre la première cou- che polycristalline 12 et la deuxième couche polycristalline 14 n'est pas réalisée par la conduction à travers la première couche isolante 13, mais au contraire, au moyen de la troisiè- me couche polycristalline 23 L'épaisseur de la première cou- che isolante 13 peut donc être choisie plus élevée que celle qui permet la conduction électrique et avantageusement de l'ordre de 10 nm par exemple Par rapport au procédé connu, cette première couche isolante 13 assure donc plus efficace- ment son rôle d'arrêt de décapage lors de la formation des îlots de grille 20 à la fin du décapage de la deuxième couche polycristalline 14, et elle est obtenue de manière moins cri- tique. Le retrait de la première couche isolante 13 en de- hors des îlots de grille 20 peut être effectué sans avoir re- cours à un masque du fait que la deuxième couche isolante 15 est notablement plus épaisse que la première couche isolante 13 et qu'un décapage à durée contrôlée permet de retirer com- plètement la première couche isolante 13 en dehors des îlots de grille 20 tout en laissant subsister une portion 15 ' de la deuxième couche isolante 15, à la surface des îlots de grille 20. De manière à ce que la troisième couche polycris- talline 23 recouvre convenablement les bords des îlots de grille 20 on utilise à cet effet une méthode de dépôt assurant un bon recouvrement de surface y compris les reliefs topogra- phiques, par exemple un dépôt chimique en phase vapeur à pres- sion réduite (LPCVD). Compte tenu de l'élargissement des îlots de grille dû à l'épaisseur de la troisième couche polycristalline 23, le procédé selon l'invention offre une possibilité très utile d'effectuer à ce stade et par implantation ionique, un dopage complémentaire des zones de source et de drain du transistor MIS tel que représenté à la figure 3 par les lignes en poin- tillé 21 ' et 22 ', dopage qui est plus élevé que le dopage des portions 21 et 22 mais inférieur aux portions fortement dopées n+ qui seront réalisées ultérieurement Cette opération peut être effectuée avec des ions de phosphore, à une dose de 2 10 14 at/cm 2 et une énergie de 70 ke V. La figure 4 représente le résultat des étapes sui- vantes du procédé qui consistent en la formation d'espaceurs isolants 25 sur les bords des îlots de grille 20 selon une technique connue en soi utilisant le dépôt d'une troisième couche isolante relativement épaisse (par exemple 200 nm), en oxyde de silicium, suivie d'un décapage anisotrope de l'essen- tiel de cette couche, technique connue en soi qu'il n'est pas nécessaire de décrire ici en détail Les espaceurs isolants 25 délimitent à leur pourtour des îlots de grille élargis 26. L'opération suivante, schématisée à la figure 5, consiste à enlever par décapage sélectif et anisotrope le ma- tériau polycristallin exposé en surface c'est-à-dire les pre- mière et troisième couche polycristallines à l'extérieur des îlots de grille élargis 26 ainsi que la portion de troisième couche polycristalline située au-dessus des îlots de grille 20 Ce décapage peut être réalisé en utilisant un plasma riche en chlore Au cours de cette opération de décapage qui peut être effectuée sans masque, la couche isolante de grille 11 les espaceurs isolants 25 et la portion d'épaisseur restante de deuxième couche isolante 15 ' éléments qui sont en oxyde de silicium, fournissent un arrêt de décapage à leurs emplace- ments respectifs De la troisième couche polycristalline 23, il ne subsiste alors que de petites portions 23 ' en forme de L, situées à la périphérie des îlots de grille et qui sont en contact électrique d'une part avec la tranche de la partie restante de deuxième couche polycristalline 14 des îlots, et d'autre part en contact avec la partie de première couche po- lycristalline 12 qui est située sous les espaceurs isolants On procède ensuite, par implantation ionique, au dopage des régions fortement dopées 28 et 29 des régions de source et de drain du transistor MIS, de type n+, en utilisant les îlots de grille élargis 26 comme masque d'implantation Cette im- plantation peut être réalisée avec de l'arsenic, à une dose de 2.10 15 at/cm 2 et une énergie de 100 ke V La figure 5 représente ainsi le dispositif tel qu'il apparaît à ce stade des opéra- tions qui précède la finition du dispositif notamment par la prise des contacts avec les régions actives du dispositif (source, drain et grille) On notera sur cette figure que les portions des régions de drain et de source de différents dopa- ges, 21, 21 ', 28 22, 22 ', 29 se présentent d'une manière étagée latéralement dans l'ordre qui convient pour favoriser une tension de claquage élevée de la diode drain/substrat, pour réduire l'émission de porteurs de charge à haute énergie au passage de la jonction et permettant ainsi d'améliorer la stabilité à long terme des caractéristiques électriques du dispositif. A partir de l'étape du procédé représentée à la fi- gure 5 le dispositif peut être terminé par ouverture de fené- tres de contact localisées au moyen d'un masque photosensible selon des techniques habituelles bien connues qu'il n'est pas utile de décrire plus en détail ici. La figure 6 représente une variante du procédé qui vient d'être décrit dans laquelle la deuxième couche isolante est composée d'une couche d'oxyde de silicium 15 a recouverte d'une couche de nitrure de silicium 15 b Par rapport au procé- dé décrit précédemment en relation avec la figure 1, la va- riante maintenant décrite consiste donc à ajouter la couche de nitrure de silicium 15 b dont l'épaisseur peut être choisie par exemple voisine de 50 nm La figure 6 qui représente le dispo- sitif à un stade équivalent de celui de la figure 2 dans le procédé précédemment décrit, montre que les portions de pre- mière couche isolante 13 en oxyde de silicium, peuvent être décapées sélectivement par rapport à la couche de nitrure de silicium 15 b qui subsiste au-dessus de l'îlot de grille 20 Ce décapage peut être obtenu par voie humide dans une solution tamponée d'acide fluorhydrique-fluorure d'ammonium Grâce à cette sélectivité de décapage, la deuxième couche isolante a, 15 b située au-dessus des îlots de grille 20 peut être préservée intégralement et la partie 15 a de la deuxième couche isolante réalisée en oxyde de silicium peut être alors utili- sée de manière sûre en tant qu'arrêt de décapage pour le re- trait sélectif des couches polycristallines après formation des espaceurs isolants. Les figures 7 à 10 représentent un autre mode de mise en oeuvre de l'invention permettant de procurer des aires métalliques de contact sur le dispositif par une technique d'auto-alignement notamment par utilisation de siliciure mé- tallique. Les premières étapes du procédé telles que décri- tes à propos des figures 1 à 5 demeurent identiques. Ainsi que cela est représenté à la figure 7, l'en- lèvement par décapage sélectif du matériau polycristallin non protégé est prolongé durant une durée déterminée et dans des conditions de décapage isotrope de manière à former des gorges dans la troisième couche polycristalline entre les espa- ceurs 25 et la partie restante de deuxième couche isolante 45 ainsi que des gorges 31 dans les première et troisième couches polycristallines à la phériphérie des îlots de grille élargis 26, en dessous des espaceurs isolants 25 De préférence le dé- capage des matériaux polycristallins est opéré en deux étapes la première par décapage RIE dans un plasma à base de chlore pour l'enlèvement du polycristal sans formation de gorge et une seconde étape par décapage isotrope, soit par voie sèche dans un plasma de fluor soit par voie humide par exemple dans une solution d'acide fluorhydrique-acide nitrique Il est à noter que la formation des gorges 31 joue un rôle sur l'exten- sion de l'électrode de grille du transistor MIS en combinaison avec l'extension latérale du dopage n+ des régions de source et de drain 28-29 et peut permettre d'obtenir une distribution optimale du champ électrique à la jonction de drain favorisant une tension de claquage élevée de cette jonction. Après la formation par implantation ionique des por- tions fortement dopées 28 et 29 des régions de source et de drain en utilisant les îlots de grille élargis 26 en tant que masque d'implantation qui peuvent être obtenues de même maniè- re qu'indiqué précédemment, on recouvre l'ensemble de la structure par une couche de nitrure de silicium 46 d'une épaisseur suffisante pour remplir au moins les gorges 30 et 31 Le procédé utilisé pour déposer la couche de nitrure de silicium 46 doit être choisi pour procurer un bon recouvrement du relief topographique, par exemple le procédé LPCVD, de manière à combler les gorges 30 et 31 A titre d'exemple la couche de nitrure de silicium 46 est déposée avec une épaisseur moyenne de 300 nm. Au lieu de nitrure de silicium, d'autres matériaux isolants peuvent aussi être utilisés pour constituer la couche 46 Le seul point important est que le matériau isolant choisi pour ce faire, possède des propriétés de sélectivité au déca- page telles que la couche 46 reste présente lorsque l'oxyde de silicium sera décapé à l'étape suivante du procédé. On retire ensuite, comme indiqué sur la figure 8, l'essentiel de la couche de nitrure de silicium 46 en ne lais- sant subsister que les portions 46 ', 46 " comblant les gorges 30 et 31, respectivement Cette opération de retrait du nitru- re de silicium est apparentée à celle qui est utilisée pour la formation d'espaceurs 25 en oxyde de silicium Elle peut être- réalisée par décapage par ions réactifs dans un plasma à base de chlore, qui est très sélectif par rapport à l'oxyde de si- licium. Dans cette opération la couche isolante de grille 11, les espaceurs isolants 25 et les portions de deuxième cou- che isolante 45 sur des îlots de grille 20, tous trois en oxy- de de silicium, constituent respectivement un arrêt de décapa- ge dans les zones protégées respectivement par ces couches. Il est maintenant possible de retirer par décapage sélectif les portions exposées de la couche isolante de grille 11 en oxyde de silicium et de deuxième couche isolante 45 re- couvrant les îlots de grille 20, sans utiliser de masque L'i- solement électrique nécessaire entre les différentes régions actives du transistor: source, drain, grille est réalisé par les portions 46 ', 46 " conservées de la couche de nitrure de silicium 46 qui substitent après ce décapage sélectif des ré- gions couvertes par de l'oxyde Tel que cela est représenté à la figure 9, il est possible en limitant le temps de décapage de l'oxyde de silicium de maintenir une portion suffisante des espaceurs isolants 25 assurant ainsi un isolement des portions de troisième couche polycristalline 23 ' entre les portions 46 ' et 46 " de la couche de nitrure de silicium 46 Les zones de contact de source 50, de drain 51 et de grille 52 sont mainte- * nant découvertes et disponibles pour réaliser selon une technique connue en soi des aires de contact métalliques sur le dispositif, de manière auto-alignée, par exemple en utili- sant un siliciure tel que le siliciure de titane. De manière à accroître la densité d'intégration, il peut être nécessaire de prévoir des plots de contact sur les couches de siliciure de source et de drain, qui débordent aussi partiel- lement sur l'îlot de grille 20 mais sans y faire contact. Dans ce cas, le contact avec l'îlot de grille 20 est réalisé à un autre emplacement, éloigné du plan de coupe des figures. Cette disposition (non représentée sur les dessins) peut également être obtenue avec le procédé conforme à l'in- vention y compris dans sa mise en oeuvre utilisant des aires de contact auto-alignées recouvertes d'un siliciure métalli- que. Il suffit pour cela de rendre la deuxième couche isolante 15 nettement plus épaisse à certains emplacements lo- calisés devant être protégés d'un contact métallique. Cela est aisément obtenu lorsqu'on dépose la deuxiè- me couche isolante 15 en deux étapes: une première étape de dépôt d'une couche de forte épaisseur, par exemple 250 nm d'o- xyde de silicium, que l'on conserve uniquement aux emplace- ments à protéger, par décapage localisé, puis une seconde éta- pe de dépôt d'une couche d'oxyde de silicium de 60 nm d'épais- seur, recouvrant l'ensemble du dispositif. En limitant à une valeur convenable la durée de dé- capage de la deuxième couche isolante 15, à l'étape du procédé précédemment décrite en relation avec la figure 9, il est fa- cile d'obtenir que certaines portions d'îlot de grille 20 res- tent protégées par de l'oxyde (o la première couche isolante a été prévue plus épaisse) tandis que d'autres portions, non protégées, sont dénudées et donc disponibles pour la prise de contact par siliciure métallique. REVENDICATIONS 1 Procédé pour fabriquer un dispositif semiconducteur comportant au moins un transistor de type MIS ayant une région de drain et une région de source comportant chacune une por- tion faiblement dopée ( 21, 22) et une portion fortement dopée ( 28, 29), légèrement décalée latéralement par rapport à la précédente portion, ainsi qu'une électrode de grille ( 12, 14) recouvrant la portion faiblement dopée et s'étendant latérale- ment vers la portion fortement dopée, procédé dans lequel, sur un corps semiconducteur ( 10) recouvert d'une couche isolante de grille ( 11), on réalise successivement: un dépôt d'une première couche polycristalline ( 12), ren- due conductrice par dopage, la formation d'une première couche isolante ( 13), mince, en vue de son utilisation ultérieure en tant qu'arrêt de déca- page, un dépôt d'une deuxième couche polycristalline ( 14) con- ductrice plus épaisse que la première couche polycristalline, la formation d'une deuxième couche isolante ( 15) plus épaisse que la première couche isolante, la définition d'îlots de grille ( 20) par décapage locali- sé de la deuxième couche isolante et de la deuxième couche po- lycristalline, en dehors desdits îlots, à l'implantation ionique des portions faiblement dopées ( 21, 22) des régions de source et de drain en utilisant les îlots de grille comme masque d'implantation, la formation d'espaceurs isolants ( 25) sur les bords des îlots de grille par un dépôt d'une troisième couche isolante suivi d'un décapage anisotrope de l'essentiel de cette couche, lesdits espaceurs isolants délimitant à leur pourtour, des îlots de grille élargis ( 26), l'enlèvement par décapage sélectif du matériau polycris- tallin exposé en dehors desdits îlots de grille élargis ( 26), l'implantation ionique des portions fortement dopées ( 28, 29) des régions de source et de drain, en utilisant lesdits îlots de grille élargis ( 26) comme masque d'implantation, puis, les opérations de finition du dispositif nécessaires pour les prises de contact et l'interconnexion avec les régions ac- tives et avec les grilles des transistors, caractérisé en ce qu'on utilise une première couche isolante ( 13) ayant une épaisseur plus élevée que celle qui permet une conduction électrique entre les première et deuxième couches polycristallines ( 12, 14), en ce qu'après avoir réalisé l'im- plantation ionique des portions faiblement dopées ( 21, 22) des régions de source et de drain, on retire par décapage les par- ties de la première couche isolante ( 13) situées en dehors des îlots de grille ( 20), et en ce qu'on dépose ensuite sur l'en- semble une troisième couche polycristalline ( 23), rendue con- ductrice par dopage, avant de former les espaceurs isolants. 2 Procédé selon la revendications 1, caractérisé en ce que des portions additionnelles ( 21 ', 22 ') des régions de drain et de source à dopage intermédiaire, sont réalisées par implantation ionique après le dépôt de la troisième couche po- lycristalline ( 23) et avant la réalisation des espaceurs isolants ( 25). 3 Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce qu'on utilise une première couche isolante ( 13) dont l'épaisseur est supérieure à 5 nm, et de préférence inférieure à 20 nm, et une deuxième couche isolante ( 15) dont l'épaisseur est supérieure à 40 nm. 4 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'épaisseur de la troisième couche polycristalline ( 23) est comprise entre 30 et 100 nm et de pré- férence voisine de 50 nm. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche isolante de grille ( 11) ainsi que les première, deuxième et troisième couches isolan- tes ( 13, 15, 25) sont réalisées en oxyde de silicium. 6 Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la couche isolante de grille ( 11) ainsi que les première et troisième couches isolantes ( 13, 25) sont réalisées en oxyde de silicium tandis que la deuxième couche isolante est composée d'une couche d'oxyde de silicium ( 15 a) recouverte d'une couche de nitrure de silicium ( 15 b). 7 Procédé selon l'une des revendications 5 ou 6, ca- ractérisé en ce qu'après la formation des espaceurs isolants ( 25), l'enlèvement par décapage sélectif du matériau polycris- tallin non protégé est prolongé d'une durée déterminée dans des conditions de décapage isotrope, de manière à former des gorges ( 30, 31) dans les parties non protégées des première et troisième couches polycristallines ( 12, 23), et en ce que ces gorges sont ensuite comblées avec un matériau isolant particu- lier ayant des propriétés sélectives de décapage, par les opé- rations successives de dépôt d'une couche ( 46) d'un tel maté- riau et de décapage anisotrope de l'essentiel de cette couche qui est situé en dehors desdites gorges ( 30, 31). 8 Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce que ledit matériau isolant particulier est du nitrure de sili- cium, et en ce que la couche ( 46) déposée de ce matériau iso- lant a une épaisseur d'environ 1 O Onm.