Brevet FR2650688A1 — publié le 19910208

La présente invention concerne un dispositif à électro- luminescence (qui sera appelé ci-après EL), qui peut être utilisé pour afficher des caractères ou des motifs graphiques et, plus spé- cialement, elle concerne un dispositif EL du type hybride pellicule mince-poudre. Un afficheur EL utilisant un dispositif EL peut afficher des caractères ou des motifs graphiques avec une haute qualité d'affichage et est, par conséquent, l'un des afficheurs plats qui se sont répandus rapidement, ces dernières années, comme terminaux pour ordinateurs du type portatif ou terminaux pour postes de travail. Les dispositifs EL se classent en dispositifs EL du type à pellicule mince à courant alternatif, possédant une structure dans laquelle une couche luminescente en pellicule mince et des couches isolantes placées de part et d'autre de la couche lumines- cente sont prises en sandwich par des électrodes, et en dispositifs EL du type à poudre à courant continu, possédant une structure dans laquelle une couche luminescente consistant en une poudre de sul- fure de zinc et une couche de limitation de courant consistant en une poudre de sulfure de zinc revêtue de cuivre (Cu) sont prises en sandwich par des électrodes. Ces deux types sont déjà utilisés en pratique. Toutefois, ces dernières années, en plus des deux types ci-dessus de dispositifs EL, il a été proposé un dispositif EL du type hybride pellicule mince-poudre (qui sera appelé ci-après dis- positif EL du type hybride) possédant la combinaison d'une couche Luminescente en pellicute mince et d'une couche de limitation de courant utilisant une poudre, pour servir de dispositif EL à per- formances de niveau élevé qui peut réaliser un affichage de haute qualité pour un coût réduit.(voir par exemple GB 2 176 340 et GB 2 176 341). La figure 4 est une vue en coupe montrant la disposition de base du dispositif EL de type hybride. Une structure de base, un procédé de fabrication et un mécanisme de fonctionnement du dispo- sitif EL de type hybride seront décrits ci-dessus en relation avec la figure 4. On forme une pellicule d'un matériau pour électrode transparent, par exemple en ITO, au titre d'électrode transparente 2 sur un substrat de verre 1 par un procédé de pulvérisation ou de dépôt de vapeur sous vide et on Lui donne une forme prédéterminée en utilisant par exemple la photolithographie. On forme une couche luminescente 3 sur l'électrode transparente 2 par un procédé de dépôt de vapeur sous vide, un procédé de pulvérisation, un procédé MOCVD, ou autre. On obtient un matériau qui est souvent utilisé comme matériau de la couche luminescente 3 en introduisant des éLé- ments de dopage, au titre de centres luminescents, d'un métal de transition tel que de Mn et Cu, d'un métal de terre rare tel que Tb, Sm, Dy, Eu et Ce ou d'un fluorure ou d'un chlorure de ces substances, dans un composé du groupe II-VI ou du groupe IIa-VIb tel que ZnS, ZnSe, CaS et SrS. Ensuite, on forme une couche de limitation de courant 4 sur la couche luminescente 3. La couche de limitation de courant 4 sert de résistance permettant d'empêcher qu'un courant excessif ne circule dans la couche luminescente 3. La couche de limitation de courant 4 est normalement constituée par une pellicule formée à l'aide d'une fine poudre conductrice possédant une résistivité de 3 x 103 à.cm à 1 x 106 Q.cm et d'une résine faisant fonction d'agent liant, à l'aide d'un procédé de pulvérisation, l'épaisseur de pellicule étant de 1 à 30 pm et, de préférence, de 5 à 30 pm. Des exemples de la fine poudre conduc- trice sont donnés par le titanate de baryum et de carbone, PrO2, Eu203, Tb407, PbO, CuO, PbS, MnO2, ZnS, avec revêtement de Cu. Ces composés sont utilisés seuls ou sous forme de méLanges. Pour aug- menter le contraste, on utilise de préférence une substance noire ou sombre (toutefois, la substance n'a pas besoin d'être noire ou sombre). On forme une pellicule constituée de AL, ou autre, au titre de plaque dorsale 5 ayant une épaisseur de pellicule d'environ 1 pm sur la couche de limitation de courant 4 en utili- sant un procédé de dépôt de vapeur sous vide, ou autre. On incise mécaniquement la plaque dorsale 5 en utilisant une aiguille en diamant, ce qui permet d'achever la réalisation d'un dispositif EL hybride du type à matrice de points ou du type à segments. On réalise normalement l'excitation en appliquant une tension d'impuLsionsde courant continu à partir d'une source élec- trique d'excitation 9 en utilisant l'électrode transparente 2 comme anode et la plaque dorsale 5 comme cathode. Selon une autre possi- bilité, on peut exciter Le dispositif à l'aide d'une tension alter- native. Dans un dispositif du type à matrice de points qui peut afficher des caractères ou des motifs graphiques, on utilise un procédé d'excitation par division temporelle donnant un balayage séquentiel des lignes suivant la direction des rangées. Les élec- trons sont injectés depuis l'interface formée entre la couche de limitation de courant et la couche luminescente dans la couche luminescente. Ces électrons sont accélérés par un champ électrique intense se trouvant dans la couche luminescente et viennent bombarder des centres luminescents se trouvant dans un état de haute énergie. Alors, les centres luminescents excités émettent de la lumière lorsqu'ils se relaxent. Un dispositif EL du type hybride possédant une structure analogue à la structure EL de type hybride de base ci-dessus pré- sentée est bien connu. Par exemple, un dispositif EL de type hybride dans lequel une couche en pellicule mince sombre est insérée entre la couche luminescente 2 et la couche de limitation de courant 4 représentées sur la figure 4 a été décrit (voir par exemple US 4 672 364 et GB 2 176 341A). Puisque la couche en pelli- cule mince sombre a été insérée, la lumière émise par la couche luminescente en direction d'une plaque dorsale est absorbée par cette couche en pellicule mince. En résultat, puisque la lumière est empêchée d'être réfléchie irrégulièrement par la couche de limitation de courant, il est possible d'augmenter le contraste de l'affichage. En particulier, lorsqu'on utilise comme couche de limitation de courant un matériau qui n'est pas sombre, comme par exemple une poudre de sulfure de zinc revêtue de Cu, il peut être obtenu un effet significatif qui consiste en une amélioration du contraste par insertion d'une couche en pellicule mince sombre. Des exemples du matériau de la couche en pellicule mince sombre sont ZnTe (brun foncé), CdTe (noir), CdSe (noir/brun), verre au chalco- génure (noir), Sb2S3 (noir/brun), et d'autres matériaux sombres arbitraires, tels que des oxydes et des sulfures de métaux de tran- sition et de métaux de terre rare, par exemple, PbS, CuO, MnO2, Tb407, Eu203, PrO2 et Ce2S3 L'épaisseur de peLLicule de la couche en pellicule mince est normalement de 2 pm ou moins. Dans le dispositif EL hybride possédant la structure de base classique telle que représentée sur la figure 4, lorsqu'on utilise du sulfure de zinc dopé par Mn pour la couche luminescente, le rapport de l'énergie de luminescence du dispositif à l'énergie appliquée au dispositif (rendement lumineux) est de 0,02 % W/W à 0,05 % W/W. Dans le dispositif EL hybride classique o la couche en pellicule mince sombre est insérée entre la couche luminescente et la couche de limitation de courant comme ci-dessus décrit, le ren- dement lumineux du dispositif diminue de façon à être plus petit que celui d'un dispositif ne possédant pas la couche en pellicule mince sombre. Lorsqu'on utilise les dispositifs EL du type hybride ci- dessus décrits comme afficheurs du type à matrice de points pour afficher des caractères ou des motifs graphiques, même si le rende- ment lumineux du dispositif est de 0,05 % W/W, ce qui constitue le rendement lumineux le plus élevé que donnent les dispositifs clas- siques ci-dessus, ce rendement lumineux restant encore peu satis- faisant. Si l'on utilise les dispositifs EL hybride ci-dessus décrits comme afficheurs ayant une capacité petite ou moyenne d'envirion 640 x 200 points, on peut obtenir une luminescence de cd/m2, ce qui constitue la luminescence pratique d'un afficheur, à l'aide du rendement lumineux ci-dessus indiqué. Toutefois, si l'on utilise les dispositifs ci-dessus décrits comme afficheurs possédant une capacité moyenne ou grande d'environ 640 x 400 points ou 1 024 x 800 points, ce qui constitue la forme d'utilisation principale courante, le temps d'application de tension par dispo- sitif, c'est-à-dire ce que l'on appelle le coefficient utilisation, diminue. En résultat, la luminescence diminue jusqu'à une valeur dm2 2 d'environ 20 cd/m2 à 40 cd/m2, ce qui est peu satisfaisant en pra- tique. La consommation électrique d'un afficheur est en propor- tion inverse du rendement lumineux. Lorsqu'on utiLise les dispo- sitifs EL hybrides ci-dessus décrits comme afficheurs de capacité petite ou moyenne, d'environ 640 x 200 points pour une aire de panneau du format A5, la consommation électrique des dispositifs EL hybrides est d'environ 25 W pendant l'émission de lumière par la surface toute entière, tandis qu'elle est d'environ 10 W pour le même panneau lorsqu'on utilise, par exemple, des dispositifs EL à pellicule mince à courant alternatif. Ainsi, la consommation élec- trique du dispositif EL hybride est très élevée. Puisque la consommation électrique du dispositif est très élevée, la puissance devant être appliquée au dispositif augmente, ce qui abrège la durée de vie du dispositif. Dans le dispositif EL hybride tel que représenté sur la figure 4, la couche de limitation de courant 4 empêche que la résistivité de la couche luminescente 3 ne diminue en faisant cir- culer 'un courant excessif dans le dispositif EL, ce qui empêche la destruction thermique du dispositif. Lorsque la résistance de la couche de limitation de courant 4 augmente, la stabilité du dispositif vis-à-vis de la des- truction s'améliore. Toutefois, si la résistance est trop élevée, la chute de tension dans la couche de limitation de courant 4 aug- mente de façon à faire augmenter la tension d'excitation du dispo- sitif EL. Par conséquent, la valeur de la résistance est limitée. Lorsque l'épaisseur de pellicule de la couche de limitation de courant 4 est de 5 pm à 30 pm, la couche de limitation de courant 4 possède de préférence une résistance de 10 à 2 000 Q par unité de surface (1 cm2) suivant la direction de l'épaisseur de la pelli- cule, c'est-à-dire qu'elle possède une résistivité d'environ 4 6 1 x 104 Q.cm à 2 x 106 Q.cm. Puisque le matéiau consistant la poudre conductrice fine décrite cidessus doit avoir la résistivité ci-dessus indiquée après qu'il a été fixé par un agent liant, il possède, de façon souhaitable, une résistivité d'environ I x 104 Q.cm à 2 x 106 f.cm. A l'étape initiale de la mise au point du dispositif EL de type hybride ci-dessus indiqué, on a souvent utilisé, pour le matériau de La poudre conductrice fine, une poudre de ZnS revêtue par Cu, qui est cLassiquement employée dans un dispositif EL du type à poudre. Toutefois, récemment, on a utiLisé une poudre de MnO2, qui augmente le contraste d'affichage, puisqu'elle est noire et possède une résistance qui ne varie pas avec le temps du fait qu'il n'y a pas de déplacement de Cu. On prépare ces poudres en pulvérisant ou en broyant méca- niquement des poudres grossières ou des matériaux tabulaires possé- dant une taiLLe de particule relativement grande qui sont produits par précipitation ou par un processus éLectrolytique. Toutefois, dans le dispositif EL du type hybride clas- sique ci-dessus présenté, il se produit une variation de la lumi- nescence pendant le fonctionnement ou bien la durée de vie du dis- positif est abrégée. En outre, dans le dispositif EL du type hybride classique ci-dessus présenté, le rendement lumineux est faible et est au plus de 0,1 lm/W. Toutefois, ce dispositif EL de type hybride classique ne peut pas produire une luminescence appropriée à l'utilisation pratique. C'est un but de l'invention de produire un dispositif à éLectroluminescence qui possède un rendement lumineux éLevé et une luminescence éLevée, qui réduit Largement la consommation éLec- trique, et qui possède une longue durée de vie. Pour réaliser le but ci-dessus énoncé, il est proposé un dispositif à électroluminescence dans lequel une première électrode douée de transparence, une couche Luminescente, une couche de Limitation de courant et une deuxième électrode sont séquentielle- ment empiLées sur un substrat doué de transparence et d'une pro- priété d'isolation électrique, o une intercouche contenant un pre- mier semiconducteur qui possède une bande d'énergie interdite de 2,4 eV, ou plus, est formée en contact avec la couche luminescente. Selon un autre aspect de l'invention, il est proposé un dispositif à électroluminescence dans lequel une première électrode douée de transparence, une couche luminescente, une couche de limi- tation de courant constituée par un agent liant et une poudre con- ductrice contenant principalement du noir de carbone, et une deuxième électrode sont séquentiellement empilées sur un substrat doué de transparence et d'une propriété d'isolation électrique. Selon un autre aspect de L'invention, il est proposé un dispositif à électroluminescence dans lequel une première électrode douée de transparence, une couche Luminescente, une couche de limi- tation de courant constituée d'une poudre conductrice et d'un agent liant, et une deuxième électrode séquentieLLement empiLée sur un substrat doué de transparence et d'une propriété d'isolation électrique, o la poudre conductrice contenue dans la couche de limitation de courant est, électriquement, en contact ponctuel avec la surface de la couche Luminescente. La description suivante, conçue à titre d'illustration de l'invention, vise à donner une meilleure compréhension de ses caractéristiques et avantages; elle s'appuie sur les dessins annexés, parmi lesquels: - la figure 1 est une vue en coupe montrant un dispositif à électroluminescence selon le premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 2 est un graphe montrant la relation qui existe entre la densité de courant devant circuler dans le dispo- sitif à électroluminescence représenté sur la figure 1 et des dis- positifs à électroluminescence classiques ne possédant pas d'inter- couches, et la luminescence et le rendement lumineux qui sont obtenus à l'aide des dispositifs; - la figure 3 est une vue en coupe montrant un dispositif à électroluminescence selon le deuxième mode de réalisation de l'invention; - la figure 4 est une vue en coupe montrant des dispo- sitifs à électroluminescence du troisième et du quatrième mode de réalisation et un dispositif à électroluminescence classique; et - la figure 5 est un graphe montrant la relation qui existe entre la résistivité d'une couche de limitation de courant et la température obtenue dans chacun des dispositifs à électro- luminescence d'un exemple et d'un exemple comparatif du troisième mode de réalisation. Comme représenté sur la figure 1, le premier mode de réa- Lisation est constitué par l'empilage séquentiel d'une électrode transparente 2, d'une couche luminescente 3, d'une intercouche 6 contenant un semiconducteur dont la bande interdite d'énergie est de 2,4 eV ou plus, d'une couche de limitation de courant 4 et d'une plaque dorsale 5, sur un substrat de verre transparent 1. Le semiconducteur possédant une bande interdite de 2,4 eV, ou plus, qui est contenu dans l'intercouche 6 insérée entre la couche luminescente 3 et la couche de limitation de cou- rant 4 comprend un semiconducteur composé. Des exemples du semi- conducteur composé, constitué par deux éléments, sont: CuBr (2,9 eV) et yAgI (2,8 eV) du groupe I-VII; CaS (5,4 eV), CaSe (5,0 eV), CaTe (4,3 eV), MgSe (5,6 eV), MgTe (4,7 eV), ZnO (3,2 eV), ZnS (3,7 eV), ZnSe (2,6 eV), SrO (5,8 eV), SrS (4,8 eV), SrSe (4,6 eV), SrTe (4,0 eV), CdS (2,4 eV), BaO (4,2 eV), BaS (4,0 eV), BaSe (3,7 eV) et BaTe (3,4 eV) du groupe IIVI; HgI2 (2,5 eV) du groupe II-VII; AlAs (2,4 eV), GaN (3,4 eV) et AlP (3, 0 eV) du groupe III-V; AL203 (> 5 eV), Al2S3 (4,1 eV), Al2Se3 (3,1 eV), Al2Te3 (2,5 eV), Ga203 (4,4 eV), GaS (2,5 eV) et In203 (3,5 eV) du groupe III-VI; SiC (2,9 eV) du groupe IV-IV; TiO2 (3,0 eV) et SnO2 (4,3 eV) du groupe IV-VI; et As203 (4,0 eV), As2S3 (2,5 eV), Sb203 (4,2 eV) et Bi203 (3,2 eV) du groupe V-VI. Les exemples du semiconducteur composé constitué par trois éléments sont PbCO3 (4,4 eV), H3B03 (5,1 eV) et ZnIn3Se (2,6 eV). On note que les chiffres entre parenthèses représentent la bande interdite d'énergie (indépendante) de chaque substance en vrac. En plus de semiconducteurs composés, on peut utiliser des semiconducteurs organiques ou des semiconducteurs amorphes ayant une bande interdite d'énergie de 2,4 eV ou plus. De plus, on peut utiliser des oxydes et des nitrures tels que BaTiOx, TaOx, SiNX, SiON et SiAlON, qui sont initialement des isolants, mais qui possèdent des propriétés semiconductrices, puis- qu'ils présentent un décalage par rapport à l'état stoechiomé- trique. En plus des substances ci-dessus énumérées, toute substance possédant une bande interdite d'énergie de 2,4 eV et des propriétés semiconductrices peut être utilisée. Ces substances peuvent contenir diverses impuretés, telles que Ag, Cu, Ni, W, P, Sb, Li, Cl et B, dans la mesure o elles ont une bande interdite d'énergie de 2,4 eV ou plus. Les substances ci-dessus peuvent être utilisées isolé- ment, sous la forme de cristaux mélangés, tels que ZnSSe et CaSTe, ou bien sous la forme de mélanges, par exemple une combinaison de ZnS et MgTe. L'intercouche 6 peut être une pellicule mince ou une pellicule constituée par une poudre fine. L'intercouche 6 peut être disposée sous forme d'une pellicule d'une seule couche du semi- conducteur composé ci-dessus décrit, ou bien d'une pellicule à plusieurs couches de ces pellicules. Selon une autre possibilité, l'intercouche 6 peut être disposée sous la forme d'une structure multicouche ou d'une struc- ture mélangée des pellicules avec une autre substance, par exemple un nitrure tel que Si3N4 et AIN, un oxynitrure tel que SiON et SiAlON, un oxyde tel que Ta203 et TiO2, un carbure tel que SiC et un siliciure tel que WSi. Pour permettre l'augmentation du rendement lumineux, le semiconducteur est de préférence formé d'au moins un semiconducteur choisi dans le groupe comprenant ZnS, ZnSe, CaS, CaSe, SrS, SrSe et CdS. Alors que la couche luminescente 3 est généralement dopée à l'aide d'un élément faisant fonction de centre luminescent, l'intercouche 6 de ce mode de réalisation peut être constituée par un semiconducteur dopé à l'aide d'un élément servant de centre luminescent. Lorsque l'intercouche 6 est constituée par un semi- conducteur dopé à l'aide d'un élément servant de centre lumi- nescent, la couche luminescente 3 et l'intercouche se distinguent principalement l'une de l'autre en ce qu'elles sont des substances contenant des types différents de semiconducteurs ou des substances contenant des semiconducteurs du même type, mais ayant des bandes interdites d'énergie différentes. L'épaisseur de l'intercouche 6 devant être insérée est de préférence de 10 nm à 300 nm. Si l'épaisseur est plus petite que nm, il est difficile de former une pellicule continue, et il se produira facilement une variation de luminescence. Si l'épaisseur est supérieure à 300 nm, non seulement le rendement lumineux diminue, mais en outre la tension d'excitation augmente, ce qui augmente le coût du circuit intégré excitateur ou peut provoquer un claquage. L'épaisseur optimale est de 50 nm à 150 nm, bien qu'elle dépende des conditions de formation de la pellicule. Alors que la position d'insertion de l'intercouche 6 se trouve de préférence entre la couche luminescente 3 et la couche de limitation de courant 4, elle peut être entre la couche lumines- cente 3 et l'électrode transparente 2. Selon une autre possibilité, la couche luminescente 3 peut être divisée de façon que l'inter- couche 6 soit insérée entre les couches ainsi divisée. Puisqu'un matériau tel que ZnS, CaS ou SrS servant de couche luminescente 3 possède normalement une bande interdite de 3 à 5 eV et est du type n, la différence d'énergie entre la bande de conduction et le niveau de Fermi est d'environ 1,0 à 1,5 eV. Le nombre d'électrons excités sur la bande de conduction est presque nul à la température ordinaire, et, par conséquent, la couche lumi- nescente 3 est un isolant. Toutefois, lorsqu'on applique à la couche luminescente 3 un champ électrique intense d'environ 1 MV/cm, ou plus, les électrons deviennent des thermions, et la conductivité de la couche luminescente 3 augmente fortement. La luminescence du dispositif EL se produit dans cet état. La couche de limitation de courant 4 est constituée par un semiconducteur ayant une résistivité de 3 x 103 O.cm à 1 x 106 Q.cm, proche de celle d'un conducteur à la température ambiante. Ainsi, la différence d'énergie entre la bande de conduc- tion et le niveau de Fermi est beaucoup plus petite que celle de La couche luminescente 3. La différence d'énergie calculée réellement à partir du coefficient de température de la résistance est de 0,2 eV ou moins. Ainsi, les électrons sont presents sur la bande de conduction, même à la température ambiante. La couche luminescente 3 et La couche de Limitation de courant 4 possédant les propriétés électriques ci-dessus indiquées sont formées en contact l'une avec l'autre, et on applique La ten- sion à l'aide de la source électrique d'excitation 9 représentée sur la figure I en utilisant la couche de limitation de courant 4 comme cathode et La couche luminescente 3 comme anode, si bien qu'on obtient la luminescence du dispositif EL. Dans ce but, on applique un champ électrique ayant une certaine valeur, ou davan- tage. La valeur du champ électrique est naturellement plus grande que la valeur (A) du champ électrique nécessaire pour mettre la couche luminescente dans un état de conduction thermo-ionique. De plus, La valeur doit être supérieure à la valeur (B) du champ électrique qui permet aux électrons de passer au-dessus de la bar- rière d'énergie (comme la barrière de Schottky) qui est présente entre la couche de limitation de courant 4 et la couche lumines- cente 3. La valeur (B) citée en dernier est sensiblement égale, tout en étant légèrement inférieure, à la première valeur (A). Par conséquent, la valeur de champ électrique (A) nécessaire pour placer la couche luminescente 3 dans un état de conduction thermo- ionique est normalement la valeur de champ électrique existant dans la couche luminescente 3 pendant l'émission de lumière. Toutefois, lorsqu'on insère l'intercouche 6 entre la couche de limitation de courant 4 et la couche luminescente 3, il se forme une hétérojonction entre l'intercouche 6 et la couche luminescente 3. Si l'intercouche 6 est constituée par un semi- conducteur de type n, une barrière d'énergie telle qu'un creux ou une pointe se forme à la surface de l'hétérojonction, queL que soit le type, n ou p, de la couche luminescente 3. Ainsi, L'intensité de la barrière énergique obtenue Lorsque les électrons sont injectés de la couche de limitation de courant 4 dans la couche luminescente 3 devient beaucoup plus élevée que celle obtenue Lorsque aucune couche intermédiaire 6 n'est formée. Pour cette raison, la valeur de champ électrique (B) nécessaire pour permettre aux électrons de passer au-dessus de la barrière énergétique présente entre la couche de Limitation de courant 4 et la couche Luminescente 3 26-50688 devient plus grande que La valeur de champ électrique (A) néces- saire pour placer La couche luminescente 3 dans un état de conduc- tion thermo-ionique. En résultat, l'intensité du champ électrique présent dans la couche luminescente 3 pendant l'émission de lumière devient plus grande que celle obtenue lorsque aucune intercouche 6 n'est formée. Si l'intercouche 6 est constituée par un semiconducteur de type p et que la couche luminescente 3 est de type p, une barrière d'énergie appelée creux se forme à la surface de l'hétérojonction, comme décrit ci-dessus. L'intensité du champ électrique dans la couche luminescente 3 pendant l'émission de lumière devient plus grande que celle obtenue lorsque aucune intercouche 6 n'est formée. Si l'intercouche 6 est formée par un semiconducteur de type p et que la couche luminescente 3 est du type n, aucune barrière d'énergie ne se forme à la surface de l'hétérojonction. Toutefois, la différence d'énergie entre la bande de conduction et le niveau de Fermi du semiconducteur de type p possédant une bande interdite de 2,4 eV ou plus est de 2 eV ou moins, ce qui constitue une valeur dépassant la différence d'énergie de 1,0 à 1,5 eV existant entre la bande de conduction et le niveau de Fermi de la couche luminescente 3 de type n. Ainsi, l'intercouche 6 elle-même sert de barrière d'énergie (C) vis-à-vis des électrons. De plus, dans ce cas, par conséquent, la valeur de champ électrique (D) nécessaire pour permettre aux électrons de passer au-dessus de la barrière éner- gétique (C) devient supérieure à la valeur de champ électrique (A) nécessaire pour placer la couche luminescente 3 dans un état de conduction thermo-ionique. En résultat, l'intensité du champ élec- trique dans la couche luminescente 3 pendant l'émission de lumière devient supérieure à celle obtenue lorsque aucune intercouche 6 n'est formée. Dans ce cas, en insérant un semiconducteur à bande inter- dite de 2,4 eV ou plus au titre de l'intercouche 6 entre la couche de limitation de courant 4 et la couche luminescente 3, on peut augmenter la densité du champ électrique présent dans la couche luminescente 3 pendant l'émission de lumière de façon à augmenter le rendement lumineux. 26 5 0 68 8 Dans la structure o la couche luminescente 3 est divisée en deux couches, ou plus, et o L'intercouche 6 est formée entre les couches divisées, l'intensité du champ électrique dans au.moins une couche luminescente augmente pour tes mêmes raisons que celles ci-dessus énoncées, et le rendement lumineux augmente dans son ensemble. Lorsque l'intercouche 6 est insérée entre la couche lumi- nescente 3 et l'électrode transparente 2, puisque les électrons circulent dans des sens opposés, on ne peut pas appliquer directe- ment la description ci-dessus donnée. Toutefois, pour des raisons- fondamentalement identiques à celles ci-dessus présentées, il se forme une barrière d'énergie indépendamment du type, n ou p, du semiconducteur, et l'intensité de champ électrique de la couche luminescente 3 augmente de façon à augmenter le rendement lumineux. Si l'on utilise comme intercouche 6 un semiconducteur possédant une bande interdite plus petite que 2,4 eV, la différence d'énergie entre la bande de conduction et le niveau de Fermi de l'intercouche 6 devient plus petite que celle de la couche lumi- nescente 3. Par conséquent, même si une nouvelle barrière d'énergie, tel qu'un creux ou une pointe, se forme à la surface de l'hétérojonction, l'intensité de la barrière d'énergie diminue dans son ensemble, et l'intensité de champ électrique existant dans la couche luminescente 3 n'augmente pas. Pour cette raison, on ne peut pas augmenter le rendement lumineux. Dans le dispositif EL de type hybride classique tel que représenté sur la figure 4, si t'on utilise du sulfure de zinc dopé par Mn pour la couche luminescente, son rendement lumineux est de 0,02 % W/W à 0,05 % W/W (voir par exemple GB 2 176 340A ou bien Digest (1984, p. 30) of Society of Information Display (que l'on appelera SID ci-après)). Comme représenté dans le Tableau 2 se trouvant dans le coin supérieur droit de la page 31 du document cité ci-dessus, SID Digest (1984), dans un dispositif EL du type hybride classique o une couche en pellicule mince sombre est insérée entre la couche luminescente et la couche de limitation de courant, le rendement lumineux est de 0,01 % W/W à 0,02 % W/W même si le dispositif uti- lise du verre au chalcogénure assurant la luminescence la pLus éLevée dans la caractéristique de luminance des dispositifs o ZnTe, CdTe, CdSe, du chalcogénure (noir) ou Sb253 a été inséré entre une couche Luminescente (ZnS:Mn) et une couche de limitation de courant (MnO2). Ce rendement lumineux vaut la moitié, ou moins, de celui obtenu lorsque aucune couche en pellicule mince sombre n'a été formée. Le fait que Le rendement lumineux diminue lorsqu'on insère une couche en pellicule mince sombre est également indiqué dans GB 2 176 341A. Dans ce mode de réalisation, l'intercouche 6, constituée par un semiconducteur à bande interdite de 2,4 eV, ou plus, est insérée entre la couche luminescente 3 et la couche de limitation de courant 4. Le rendement lumineux augmente de façon significative du fait de l'insertion de l'intercouche 6, pour la raison suivante. Ainsi, la hauteur de la barrière énergétique formée lorsque des électrons sont injectés de la couche de limitation de courant 4 dans la couche luminescente 3 est augmentée par l'intercouche 6 insérée, et l'intensité de champ électrique présente dans la couche luminescente 3 en est augmentée de façon correspondante. En résultat, l'énergie fournie à partir du champ électrique aux éLec- trons augmente. La raison pour laquelle le rendement lumineux n'est pas augmenté par une couche en pellicule mince formée entre la couche luminescente et la couche de limitation de courant dans la struc- ture classique n'apparat pas clairement. Toutefois, toutes les couches en pellicule mince qui sont classiquement utilisées sont constituées par des substances possédant des couleurs sombres, et une semblable substance noire possède une bande interdit d'énergie plus petite que 2,4 eV, puisqu'une bande interdite d'énergie de 2,4 eV correspond à une extrémité d'absorption de 517 nm. En réa- lité, les bandes interdites d'énergie des substances classiquement utilisées sont respectivement 2,1 eV, 1,5 eV et 1,7 eV pour ZnTe, CdTe et CdSe. Pour illustrer mieux encore cette invention, sans aucun caractère de limitation, on va présenter l'exemple suivant, qui v2650688 possède la structure telle que décrite dans Ledit premier mode de réalisation. Exemple 1 Un dispositif à électroluminescence possédant la struc- ture représentée sur la figure 1 a été fabriqué de la manière sui- *vante. Ainsi, une pellicule d'ITO servant d'électrode transpa- rente 2 a été formée de manière à avoir une épaisseur d'environ 500 nm sur un substrat de verre transparent I (Corning 7059) par un procédé de pulvérisation réactive, et cette électrode transparente 2 a été configurée en bandes d'un pas de cinq bandes par millimètre par photolithographie. Ce tracé de configuration a été effectué par exemple dans la direction X sur un plan X-Y. Ensuite, la formation d'une pellicule a été exécutée à une température de substrat de C et avec une vitesse de dépôt de 80 nm/min par utilisation d'un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique à deux sources, o ZnS et Mn ont été ajustés indépendamment, de manière à former une pellicule de ZnS contenant un pourcentage pondéraI de 0,5 % de Mn et ayant une épaisseur de 1 pm, au titre de la couche luminescente 3. Apres cela, la structrure résultante a été recuite sous vide à une température de 550 C pendant environ 2 h. Des pastilles de ZnSe (bande interdite d'énergie valant 2,6 eV) d'une pureté de 99,999 % ont été utilisées comme source de dépôt de façon à former une pellicule de ZnSe d'épaisseur 90 nm au titre de l'intercouche 6, à une température de substrat de 250 0C, à L'aide d'un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. Ensuite, une peinture préparée par dispersion d'une poudre de MnO2 dans une solution mélangée d'une résine et d'un épaississant a été déposée par un procédé de pulvérisation et a été séchée de façon à former une couche de limitation de courant 4 ayant une résistivité de 1 x 105 Q.cm et une épaisseur de pellicule de 12 pm. AL a été utilisé pour former une pellicule de 1 pm d'épaisseur au titre de la plaque dorsale 5, à l'aide d'un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. La couche de limitation de courant 4 et la plaque dorsale 5 ont été configurées en bandes, par exemple suivant la direction X du pLan X-Y, à l'aide d'une aiguille de diamant. Tout le dispositif a été recouvert d'un cou- vercle de verre faisant fonction de moyen de lutte contre l'humi- dité, si bien qu'a ainsi été achevée La fabrication d'un dispositif EL possédant une structure à matrice de points. La figure 2 représente La caractéristique donnant la relation de la densité de courant avec La luminance et le rendement lumineux du dispositif EL fabriqué comme ci-dessus décrit. Comme représenté sur la figure 2, le rendement lumineux du dispositif EL possédant l'intercouche 6 augmente de façon à valoir deux fois, ou plus, celui d'un dispositif EL ne comportant pas d'intercouche. Lorsque le dispositif EL de type hybride classique a été excité dans les conditions définies par 60 Hz, 30 ps et 100 mA/cm2 (ce qui correspond aux conditions d'excitation valables pour 640 x 400 points), il n'a pu être obtenu qu'une luminance d'environ à 30 cd/cm. Dans le dispositif EL de L'exemple 1, o l'inter- couche 6 a été insérée, on a pu obtenir, dans les mêmes conditions d'excitation, une luminance pratiquement satisfaisante de 70 cd/cm, ou plus. Un afficheur à matrice de 640 x 400 points a été fabriqué à l'aide du dispositif EL de cet exemple. En résultat, le rendement lumineux relatif à la valeur de courant nécessaire pour obtenir une luminance de 50 cd/cm2 a augmenté de 0,05 % W/W, c'est-à-dire la valeur associée à un dispositif classique, jusqu'à 0,16 % W/W, c'est-à-dire qu'elle a augmenté d'un facteur 3, ou plus, du fait de l'insertion de l'intercouche 6. Pour cette raison, la consommation électrique a subi une importante réduction, des W du dispositif classique à 8 W, c'est-à-dire que la réduction est d'un facteur 3 environ. De plus, la consommation électrique ayant été ainsi réduite, la durée de vie de La luminance du dispo- sitif EL a été prolongée jusqu'à 10 fois, ou plus, par rapport à celle du dispositif classique. Dans le mode de réalisation et l'exemple ci-dessus pré- sentés, l'intercouche 6 a été insérée entre la couche luminescente 3 et la couche de limitation de courant 4. Toutefois, le rendement 265 0638 Lumineux augmente efficacement Lorsqu'on insère L'intercouche 6 entre La couche Luminescente 3 et L'électrode transparente 2, entre des couches luminescentes divisées, ou bien entre toutes ces parties. Dans l'exemple ci-dessus, du suLfure de zinc contenant Mn a été utilisé dans La couche luminescente. Toutefois, en plus de Mn, on peut utiliser dans la couche luminescente des métaux de terres rares tels que Tb, Sm et Tm, ou bien leurs fluorures ou chlorures, tout en obtenant le même effet. Comme représenté sur La figure 3, le deuxième mode de réalisation de l'invention est constitué par empiLage séquentiel d'une électrode transparente 2, d'une couche luminescente 3, d'une première intercouche 6, d'une deuxième intercouche 7, d'une couche de limitation de courant 4 et d'une plaque dorsale 5 sur un substrat de verre transparent 1. Comme dans le premier mode de réalisation, la première intercouche 6 contient un semiconducteur possédant une bande interdit d'énergie de 2,4 eV ou plus, et, de préférence, CaS, SrS ou BaS. La deuxième intercouche 7 empêche l'oxydation de la pre- mière intercouche 6. L'exemple suivant, qui possède la structure telle que décrite dans le deuxième mode de réalisation, va maintenant être donné. Exemple 2 Un dispositif à électroluminescent possédant la struc- ture représentée sur la figure 3 a été fabriqué de La manière sui- vante. Une pellicule d'ITO possédant une épaisseur d'environ 400 nm a été formée, au titre de L'électrode transparente 2, sur un substrat de verre 1 par-un procédé de pulvérisation réactive, et cette électrode transparente 2 a été configurée, par photo- lithographie, en bandes présentant un pas de trois bandes par millimètre suivant' la direction X d'un plan X-Y. Ensuite, ZnS con- tenant un pourcentage pondéral de 0,6 % de Mn a été utilisé pour former une pellicule d'une épaisseur d'environ 0,8 pm, au titre de la couche Luminescente 3, à une température de substrat de 200 0C, par un procédé de dépôt de vapeur à chauffage par résistance. Une pellicule de CaS de 50 nm d'épaisseur (bande inter- dite d'énergie valant 5,4 eV) a été formée comme première inter- couche 6 par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique, et une pellicule de ZnS de 100 nm d'épaisseur a été formée comme deuxième intercouche 7 par un procédé de dépôt de vapeur par chauf- fage de résistance. La température du substrat pendant la formation des pellicules était de 200 C pour les deux pellicules. Ensuite, la structure résultante a été recuite sous vide à 550 0C pendant 2 h. Une peinture préparée par dispersion d'un mélange de poudre de carbone et de titanate de baryum dans une solution mélangée d'une résine et d'un épaississant a été déposée par un procédé de pulvérisation et a été séchée, ce qui a permis de former une couche de limitation de courant 4 d'une résistivité de 8 x 104 2.cm et d'une épaisseur de pellicule de 15 pm. Une pellicule de AL d'une épaisseur d'environ 1 pm a été formée au titre de la plaque dorsale 5 par un procédé de dépôt de vapeur sous vide. En dernier lieu, la couche de limitation de cou- rant 4 et la plaque dorsale 5 ont été configurées en bandes suivant la direction Y, à l'aide d'une aiguille de diamant. Dans le dispositif EL à matrice de-points fabriqué comme décrit ci-dessus, le rendement lumineux a augmenté comme dans le premier mode de réalisation. Pour cette raison, par comparaison avec le dispositif classique, la luminance a été largement aug- mentée, la consommation électrique a été diminuée et la durée de vie du dispositif a été prolongée. De plus, la luminance de ce dispositif possédant plu- sieurs intercouches s'est révéLée plus stable, dans le temps, que celle d'un dispositif n'ayant qu'une seuLe intercouche de CaS. Ainsi, la durée de vie de ce dispositif s'est révélée plus longue que celle du dispositif classique. La raison de ce résultat est supposée être la suivante. Ainsi, bien que CaS soit-une substance possédant d'excel- lentes caractéristiques électriques puiqu'elle augmente le rende- ment lumineux, elle s'oxyde très facilement. Ainsi, si la première intercouche 6 contenant CaS se trouve en contact avec la couche de limitation de courant 4 supérieure constituée par un oxyde, l'intercouche 6 s'oxyde graduellement pendant-L'émission de lumière ayant lieu sur une longue durée, et les caractéristiques éLec- triques demandées à la substance CaS se perdent. ZnS est une substance stable, puisqu'elle ne s'oxyde pas facilement par compa- raison avec CaS. Ainsi, lorsqu'on forme une structure à plusieurs couches o l'intercouche 6 contient CaS et l'intercouche 7 contient ZnS de façon que l'intercouche 6 soit placée du côté de la couche luminescente 3 et que l'intercouche 7 contenant ZnS soit placée du côté de la couche de limitation de courant 4, l'intercouche 6 con- tenant CaS augmente le rendement lumineux du dispositif, et l'intercouche 7 contenant ZnS empêche l'oxydation de CaS. En résultat, on obtient un rendement lumineux élevé et une longue durée de vie pour le dispositif EL. Cette structure à plusieurs couches est efficace lors- qu'on utilise à la place de CaS une substance qui s'oxyde facile- ment comme SrS ou BaS.'On peut utiliser n'importe quelle substance dans la deuxième intercouche 7 pour empêcher l'oxydation, dans la mesure o cette substance ne contient sensiblement pas d'oxygène, ou bien ne contient qu'une petite quantité d'oxygène, et possède une résistivité de 103 Q.cm, ou moins, à la tension de seuil de la couche luminescente. Des exemples de ces substances sont, en plus de ZnS, les substances du groupe II-VI telles que ZnSe et CdS, des nitrures de silicium ne contenant pas d'oxygène, des nitrures tels que le nitrure d'aluminium, et des oxynitrures de celui-ci ne con- tenant qu'une petite quantité d'oxygène. Ces substances présentent un bon fonctionnement. En plus, on peut utiliser des siliciures, des carbures et des borures de métaux de transition. Pour la même raison que dans le premier mode de réalisa- tion, l'épaisseur de la pellicule est de préférence de 10 nm à 300 nm. Avec les dispositifs EL des premier et deuxième modes de réalisation ci-dessus présentés, on obtient les avantages suivants. Ainsi, Le rendement lumineux augmente de façon à être très supé- rieur à celui de dispositifs classiques. Par conséquent, par comparaison avec les dispositifs classiques, la luminance peut être augmentée, la consommation électrique peut être réduite, et la durée de vie du dispositif peut être prolongée. De plus, un affi- cheur utilisant les dispositifs EL de l'invention peut être nota- blement amélioré, et l'étendue des applications de l'afficheur peut être élargie. Le troisième mode de réalisation de l'invention possède une structure d'empilement analogue à celle du dispositif repré- senté sur la figure 4 et elle est constituée par empilage séquen- tiel d'une électrode transparente 2, d'une couche luminescente 3, d'une couche de limitation de courant 4 obtenue par fixation d'une poudre conductrice à l'aide d'une résine liante, et d'une plaque dorsale 5 sur un substrat isolant transparent 1. On a utilisé une poudre conductrice principalement constituée de noir de carbone pour la poudre conductrice de la couche de limitation de courant 4. Le noir de carbone comporte diverses substances telles que le noir tunnel, le noir de fourneau et Le noir d'acétylène, ainsi appelées en fonction de leurs procédés de fabrication et qui possèdent des propriétés physiques différentes. N'importe laquelle de ces substances peut être utilisée dans la mesure o le diamètre des particules est de préférence de 3 pm ou moins. Des exemples de la fine poudre conductrice principalement constituée de noir de carbone sont donnés par une poudre conduc- trice fine ne comprenant que du noir de carbone et une poudre pré- parée par mélange d'une poudre conductrice finene comportant pas le noir de carbonedans le noir de carbone. En particulier, un mélange de noir de carbone et d'un semiconducteur à base de tita- nate de baryum est préférable, puisque le coefficient de tempéra- ture de la résistance électrique du mélange devient facilement nul ou supérieur à zéro. On forme ce semiconducteur à base de titanate de baryum en ajoutant une petite quantité d'yttrium ou de cérium dans un ferro-électrique tel que le titanate de baryum, le titanate de strontium ou Le titanate de plomb, afin d'obtenir la conductivité voulue. Le diamètre de particules de ce semiconducteur vaut égale- ment, de préférence, 3 pm ou moins. Lorsqu'on a mis en sandwich Les deux types de substances entre les électrodes de laiton et qu'une charge de 6 kg a été appliquée, Les résistivités des substances se présehtant sous La forme d'une poudre fine sont respectivement de 10-2 à 101 Q.cm et de 106 à 108 Q.cm pour le noir de carbone et le semiconducteur à base de titanate de baryum. Puisque La résistivité préférable de La fine poudre conductrice de la couche de Limitation de courant 4 est 4 6 de 10 à 106 Q.cm, on peut obtenir une résistivité tombant dans cet intervalle en mélangeant Les deux substances. On utilise un méLange de ces poudres sous La forme d'une poudre ou d'un soL dispersibLe dans un solvant et fixé à l'aide d'une résine liante. Avant de disperser le méLange de poudres dans une solution de résine liante, on peut utiliser un agent de cou- plage pour améliorer les propriétés de dispersion du méLange. Dans ce cas, un agent de couplage à base d'aluminium peut donner l'effet le plus préférable. Des exemples de la résine liante sont donnés par une résine à base de vinyle, une résine à base de polyester, une résine à base de polyamide, une résine à base de ceLLuLose, une résine à base de polyuréthanne, une résine à base d'urée, une résine à base d'époxy, une résine de méLamine et une résine à base de siLicone. En particulier, un matériau polymère possédant un groupe polaire tel qu'un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle, un groupe suLfo- nyLe ou un groupe nitro, ou bien un groupe réactif tel qu'un groupe époxy, un groupe isocyanurique ou un groupe silanol, peut être uti- lisé de préférence. Le rapport volumique de méLange de la résine liante, de la fine poudre de noir de carbone et de La fine poudre de semi- conducteur à base de titanate de baryum satisfait de préférence toutes les conditions (1) à (3) suivantes: C A A 1,5...(1) B > 50 %...(2) C > 5 %...(3) o A est le rapport du volume solide du titanate de baryum au volume de la couche de limitation de courant, B est le rapport du volume solide de la résine liante au volume de la couche de limita- tion de courant, et C est le rapport du volume solide du noir de carbone au volume de la couche de limitation de courant. Le "volume solide" ne signifie pas le volume apparent, mais le volume vrai dans le cas d'un matériau en poudre, et il signifie le volume d'un matériau solidifié ne contenant pas de solvant, ou autre, dans le cas d'un matériau du type résine. Si les relations (1) et (2) ne sont pas satisfaites, la résistance de la couche de limitation de courant 4 tend à aug- menter. Si la relation (2) n'est pas satisfaite, les propriétés de formation de pellicule se dégradent facilement, c'est-à-dire que, par exemple, La couche de limitation de courant 4 se craquelle. Dans la structure interne de la couche de limitation de courant 4, l'uniformité locale de la résistance électrique est le facteur le plus important. Selon l'invention, il se produit facile- ment des amas de noir de carbone. Par conséquent, il est préférable d'utiliser un procédé de dispersion ne produisant pas d'amas ou d'éliminer les amas. Apres que le noir de carbone a été dispersé dans la solution de résine liante, on peut retirer les grandes par- ticules de noir de carbone par filtrage en utilisant un filtre qui possède un diamètre de trous de 5 pm ou moins. Le troisième mode de réalisation ci-dessus présenté a été réalisé en considération du fait qu'une variation de luminescence ou un raccourcissement de la durée de vie du dispositif EL de type hybride classique sont provoqués par un cycle vicieux au cours duquel "la résistance électrique de la couche de limitation de courant diminue sous l'effet d'une élévation de température pro- voquée par la luminescence de façon à faire circuler un plus grand courant, ce qui augmente encore la température". Dans ce mode de réalisation, un mélange de noir de carbone et de semiconducteur à base de titanate de baryum ou le noir de carbone, o La variation de la résistance électrique avec l'éLévation de la température est positive ou très faible, sont employés pour former la -couche de limitation de courant. Par conséquent, on peut empêcher le claquage provoqué par la production de chaleur dans les dispositifs clas- siques utilisant MnO2. On donne ci-dessous des exemples dans lesquels les couches de limitation de courant contiennent du noir de carbone, comme décrit dans le troisième mode de réalisation. Les dispositifs à électroluminescence possédant la struc- ture présentée sur la figure 4 sont fabriqués de la manière sui- vante. Exemple 3 Une pellicule d'ITO possédant une épaisseur d'environ 500 nm a été formée, au titre de l'électrode transparente 2, sur un substrat de verre I par un procédé de pulvérisation réactive, et cette électrode transparente 2 a été configurée suivant une forme prédéterminée par photolithographie. Ensuite, une pellicule de ZnS dopée à l'aide d'un pourcentage pondéraI de 0,3 % de Mn a été formée, au titre de la couche luminescente 3, de façon qu'eLle pré- sente une épaisseur d'environ I pm, par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. Du noir de carbone (SEAST 9H (marque déposée): TOKAI CARBON CO., LTD.) a été dispersé dans une solution mélangée de sol- vants d'un agent de couplage à base d'aluminium (AL-M (marque déposée): Ajinomoto Co., Inc.), et un mélange en solution d'une résine liante (MR110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté au mélange résultant de façon que le rapport volumique du noir de carbone à la résine liante soit, après solidification, 2:8. Le mélange en solution résultant a été filtré à l'aide d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur pm, puis à l'aide d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur um. Une peinture préparée comme ci-dessus décrit a été déposée par un procédé de pulvérisation et a été séchée pour former une couche de Limitation de courant 4 possédant une résistivité de 4 x 104 Q. cm et une épaisseur de peLLicuLe de 15 Pm. La couche de Limitation de courant 4 ainsi formée est une couche noire ne com- portant pas de vide, solidifiée par la résine et ayant une épais- seur sensiblement uniforme. Une pellicule de AL d'une épaisseur d'environ 1 pm a été formée au titre de la plaque dorsale 5 par un procédé de dépÈt de vapeur sous vide, et la couche de limitation de courant 4 et la pellicule de Al 5 ont été simultanément incisées à l'aide d'une aiguille de diamant afin de former un motif de plaque dorsale pré- déterminé. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de la lumière a été émise uniformément par toute la surface, et il n'a été observé aucune variation de la luminescence. Exemple 4 Un mélange de 6:1 (rapport volumique) de noir de carbone (SEAST 9H (marque déposée): TOKAI CARBON CO., LTD.) et d'un semi- conducteur à base de titanate de baryum (PTC-SN (marque déposée): KYORITSU CERAMIC MATERIALS CO., LTD.) a été dispersé dans une solu- tion mélangée de solvants d'un agent de couplage à base d'aluminium (AL-M (marque déposée): Ajinomoto Co., Inc.), et un méLange en solution d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté au mélange résultant de façon que le rapport volumique du volume total des poudres à la résine liante soit de 1,75:8,25. En suivant les mêmes processus que dans l'exemple 3, on a filtré le mélange en solution ainsi préparé à l'aide d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur pm, puis d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur 5 pm, de manière à préparer une peinture. La peinture préparée a été déposée par un procédé de pul- vérisation, puis séchée, sur un support de verre 1 (une couche Luminescente 3) possédant une couche luminescente 3 et une élec- trode transparente 2 fabriquées suivant les mêmes processus que dans l'exemple 3, si bien qu'on a formé une couche de limitation de courant 4 possédant une résistivité de 1 x 106 Q.cm et une épais- seur de pellicule de 15 pm. On a formé une plaque dorsale 5 en suivant les mêmes pro- cessus que dans l'exemple 3 et on L'a incisée à l'aide d'une aiguille de diamant afin de former un motif prédéterminé de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de la lumière a été émise uniformément par toute la surface, et aucune variation de luminescence n'a été observée. Exemple 5 Un mélange de 11:5 (rapport volumique) de noir de carbone (SEAST 9H (marque déposée): TOKAI CARBON CO., LTD.) et d'un semi- conducteur à base de titanate de baryum (PTC-SN (marque déposée): KYORITSU CERAMIC MATERIALS CO., LTD.) a été dispersé dans une solu- tion mélangée de solvants d'un agent de couplage à base d'aluminium (AL-M (marque déposée): Ajinimoto Co., Ltd.), et un mélange en solution d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté au mélange résultant de façon que te rapport volumique du volume total des poudres et de la résine liante soit 4:6. Suivant les mêmes processus que dans l'exemple 3, on a filtré le mélange en solution préparé comme décrit ci-dessus à l'aide d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur 10 pm, puis d'un filtre à membrane de- Téflon d'épaisseur 5 pm, de manière à préparer une peinture. La peinture ainsi préparée a été déposée par un procédé de pulvérisation, puis séchée, sur un substrat de verre 1 (une couche luminescente 3) possédant une couche luminescente 3 et une électrode transparente 2 fabriquées suivant les mêmes processus que dans l'exemple 3, si bien qu'on a formé une couche de limitation de courant 4 possédant une résistivité de 3 x 10 Q.cm et une épais-seur de pellicuLe de 15 pm. On a formé une plaque dorsale 5 en suivant les mêmes pro- cessus que dans l'exemple 3 et on l'a incisée à l'aide d'une aiguille de diamant afin de former un motif prédéterminé de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de la lumière a été émise uniformément par toute la surface, et aucune variation de luminance n'a été observée. On a mesuré la variation de la résistivité en fonction des changements de température de la couche de limitation de cou- rant 4 fabriquée selon l'exemple 5. Le résultat de la mesure est présenté sur la figure 5. Comme on peut le voir sur la figure 5, la résistivité de la couche de limitation de courant de l'exemple 5 ne dépend pas de la température, mais présente une valeur sensiblement constante. Exemple comparatif 1 Une poudre de MnO2 préparée par un procédé électrolytique a été broyée à l'aide d'un broyeur à boulets de façon à produire une taille moyenne de particules de 0,3 pm,et un mélange en solu- tion d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté à la poudre résul- tante de façon que le rapport volumique du volume de la poudre de MnO2 au volume de la résine liante soit 3:7. Suivant les mêmes pro- cessus que dans l'exemple 3, on a filtré le mélange en solution préparé comme décrit ci-dessus à l'aide d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur 10 pm, puis d'un filtre à membrane de Téflon d'épaisseur 5 pm, de manière à préparer une peinture. La peinture ainsi préparée a été déposée par un procédé de pulvérisation, puis séchée, sur un substrat de verre I (une couche luminescente 3) possédant la couche luminescente 3 et une électrode transparente 2 fabriquées suivant les mêmes processus que dans l'exemple 3, si bien qu'on a formé une couche de limitation de courant 4 possédant une résistivité de 5 x 104 Q.cm et une épais- se - de pellicule de 20 pm. Une plaque dorsale 5-a été formée suivant Les mêmes pro- cessus que dans l'exemple 3 et a été incisée à l'aide d'une G5 aiguille de diamant afin de former un motif prédéterminé de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, la température du panneau a augmenté lorsque la lumi- nescence a augmenté, et un claquage s'est produit successivement à partir des dispositifs se trouvant à la partie la plus brillante du panneau. La variation de la résistivité en fonction d'un change- ment de température de la couche de limitation de courant pour l'exemple comparatif 1 a été mesurée à l'aide des mêmes processus que dans l'exemple 5. Le résultat des mesures est présenté sur la figure 5. Comme on peut le voir sur la figure 5, par comparaison avec la résistivité de la couche de limitation de courant de l'exemple comparatif 1, la résistivité de la couche de limitation de courant de l'exemple 5 est sensiblement constante quelle que soit la température. Avec le dispositif EL du troisième mode de réalisation ci-dessus décrit, on obtient les avantages suivants. Ainsi, on peut améliorer la variation de luminescence dans le dispositif EL qui Z5 utilise la couche de limitation de courant et on peut empêcher le claquage, ce qui améliore la fiabilité du dispositif EL. De plus, dans le dispositif EL de ce mode de réalisation, la résistivité de la couche de limitation de courant est constante quelle que soit la température. Ainsi, les variations temporelles sont petites à la fois pour la puissance voulue et pour la lumi- nescence. Le quatrième mode de réalisation possède une structure d'empilement identique à celle du dispositif représenté sur la figure 4, o une poudre conductrice contenue dans la couche de limitation de courant 4 est électriquement en contact ponctuel avec la surface de la couche luminescente 3. Pour amener la poudre conductrice a être électriquement en contact ponctuel avec la couche luminescente 3, La poudre con- ductrice présente de préférence un bec qui peut être en contact ponctuel avec la couche luminescente 3. Dans ce but, la poudre conductrice est constituée, de manière souhaitable, par des particules possédant des becs ou par un agrégat des particules. On suppose qu'une forme pratique de la particule présentant un bec est une forme autre qu'une forme sphé- rique, une forme sphéroidale ou une forme entourée par une autre surface courbe continue irrégulière. D'un point de vue macros- copique, la forme de la particule comporte un point qui ne peut pas être différentiable au moins en une partie de la surface courbe. Physiquement, cette forme peut s'exprimer comme correspondant à un objet possédant une partie ayant un rayon de courbure de 5 nm ou moins. On suppose que la partie de contact est un point lorsque la surface de la partie de contact présentant un rayon de courbure de nm ou moins est mise en contact matériel avec un plan. Pour fixer la valeur minimale du rayon de courbure de la partie de contact de la poudre conductrice par rapport à la couche luminescente 3 à une valeur de 5 nm ou moins, il faut que la taille des particules de la poudre conductrice soit de préférence de 10 nm ou moins, ou bien que la poudre conductrice possède, de préférence, une partie correspondante en au moins une partie d'elle-même. Des exemples de la forme voulue sont le tétrahèdre, l'hexahèdre, l'octahèdre, le dodécahèdre, l'icositétrahèdre, la colonne, la tige et l'aiguille. Des exemples de particules ayant les formes ci-dessus sont les suivants. Ainsi, des exemples d'une particule hexahédrique sont donnés par une particule de carbonate de manganèse (II) produite par réaction entre le sulfate de manganèse et le bicarbonate d'ammonium dans une solution aqueuse, une particule d'hématite cubique produite par hydrolyse d'un complexe hydroxo de fer (III) dans une solution alcoolique, et d'une particule ultrafine d'ITO (oxyde d'indium: étain) produite par un procédé en phase vapeur. Un exemple d'une particule en colonne est donné par une fibre de carbone. Un exemple d'une particule en forme de tige est donné par une particule d'hématite en forme de tige produite par réaction entre du chlorure de fer (III) et du phosphate dihydrogène de sodium en solution aqueuse. Lorsqu'un type des particules ayant les formes ci-dessus ou des agrégats de celles-ci doivent être dispersés dans une couche de limitation de courant 4 de façon à être en contact avec la sur- * face de La couche luminescente 3, une partie de la partie de contact peut ne pas être en contact ponctuel (c'est-à-dire un contact d'une partie possédant un rayon de courbure de 5 nm ou moins) avec la surface. Par exemple, une particule peut se trouver en contact par l'intermédiaire de sa surface plate si les parti- cules ou des agrégats de ces particules sont hexahédriques ou par sa surface cylindrique si les particules ou des agrégats de celles-ci sont en forme de colonne. Ainsi, la partie de contact n'est pas nécessairement en contact ponctuel avec la surface. Toutefois, si les particules possédant les formes ci-dessus ou des agrégats de celles-ci sont en contact par leurs coins ou côtés avec une certaine probabilité, on peut utiliser les particules ayant ces formes. Un agrégat de cristaux en aiguilles peut être en contact ponctuel indépendamment de la direction des particules. En parti- culier, la forme d'un agrégat radial dans Lequel des cristaux en aiguilles se dispersent radialement à partir d'un seul point est une forme préférée. Même si les cristaux ne rayonnent pas depuis un seul point, une forme analogue peut produire sensiblement le même effet. Il est important que les becs de cristaux en aiguilles soient dirigés sensiblement dans toutes les directions. Le rapport d'allongement (le rapport de la longueur de l'axe majeur à la longueur de l'axe mineur) de ce cristal en forme d'aiguille est de préférence 5:1 et, mieux encore, 10:1. Si les axes mineurs sont perpendiculaires aux axes majeurs, le rapport des longueurs des deux axes mineurs perpendiculaires entre eux n'est pas spécialement limité, mais les longueurs sont de préférence sen- siblement les mêmes. Alors que La dimension du cristal en forme d'aiguiLLe représentée par La longueur de L'axe mineur se trouve de préférence dans l'intervalle de 1 nm à 10 nm, La dimension la plus petite est encore préférable dans La mesure o la dimension se trouve à l'intérieur de cet intervalle. Si la dimension dépasse nm, la densité de contact vis-à-vis de la couche luminescente diminue d'une façon qui réduit le rendement lumineux. Si la dimen- sion est plus petite que 1 nm, le cristal ne présente plus ses pro- priétés en tant que substance, et l'on ne peut obtenir ses caracté- ristiques spécifiques. La longueur de l'axe majeur de ce cristal en forme d'aiguille se trouve de préférence dans l'intervalle de 50 nm à 200 nm. La structure de la partie bec du cristal en forme d'aiguille suivant la direction de l'axe majeur est de préférence une structure à tête en pointe, c'est-à-dire une structure pointue. Une structure dans laquelle la taille diminue graduellement depuis une partie centrale en direction de la partie bec suivant la direc- tion de l'axe majeur (c'est-à-dire que le nombre d'atomes constitu- tifs diminue) pour se terminer finalement en la partie bec (c'est- à-dire que le rayon de courbure est de 5 nm ou moins), c'est-à-dire ce que l'on peut appeler une aiguille allongée, est préférable. Bien que les cristaux en forme d'aiguilles possédant la structure et la dimension ci-dessus indiquées puissent être uti- lisés seuls, les cristaux sont de préférence agglomérés radialement dans le but d'augmenter la probabilité d'un contact ponctuel. Lorsque les cristaux en forme d'aiguilles sont agglomérés radiale- ment, il est possible d'obtenir un contact ponctuel indépendamment de la direction du contact. Puisqu'il est très difficile d'agglomérer radialement des cristaux en forme d'aiguilles après que les cristaux ont été pro- duits, il est commode de produire simultanément les cristaux en forme d'aiguilles et les agglomérats radiaux. Dans ce cas, des cristaux en forme d'aiguilles s'allongeant radialement sont chimi- quement liés entre eux aux points de contact. Des exemples d'agglomérats radiaux de cristaux en forme d'aiguilles sont donnés par a-MnO2 et y-MnO2 produits par réaction dans une solution aqueuse de permanganate de potassium et de sul- fate de manganèse, 6-MnO2 produit par une réaction dans une solu- tion aqueuse de permanganate de potassium et d'acide chlorhydrique, et ZnO en tétrapode produit par une réaction en phase vapeur. Ces agglomérats radiaux de cristaux en forme d'aiguilles forment parfois des particules secondaires qui croissent de façon à donner des particules plus grandes en fonction des conditions de réaction. Dans ce cas, le rendement lumineux diminue et amène des résultats non souhaitables. Ces poudres conductrices sont utilisées seules ou sous la forme de mélanges et sont fixées à l'aide d'un agent liant. Puisque les poudres conductrices sont dispersées dans une solution d'agent liant, il est possible de les traiter à l'aide d'un agent de cou- plage de façon à améliorer leurs propriétés de dispersion. Dans ce cas, un agent de couplage à base d'aluminium ou un agent de cou- plage à base de titanate peuvent fournir l'effet le plus souhai- table. Des exemples pour l'agent liant sont donnés par une résine à base de vinyle, une résine à base de polyester, une-'résine à base de polyamide, une résine à base de cellulose, une résine à base de polyuréthanne, une résine à base d'urée, une résine à base d'époxy, une résine à base de mélamine, et une résine à base de silicone. En particulier, un matériau polymère possédant un groupe polaire tel qu'un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle ou un groupe nitro, ou bien un groupe réactif tel qu'un groupe époxy, un groupe isocyanurique ou un groupe silanol, peut être utilisé de préférence. Le rapport de mélange volumique de la poudre conductrice et de la résine utilisée comme agent liant se trouve de préférence dans l'intervalle de 2:3 à 6:4 (poudre: agent liant). Dans ce cas, le volume ne signifie pas le volume apparent, mais le volume vrai dans le cas d'un matériau en poudre, et signifie le volume d'un matériau solidifié ne contenant pas de solvant, ou autre, dans le cas d'un matériau du type résine. Si la quantité de résine liante est supérieure à celle indiquée dans l'intervalle ci-dessus, la résistance de la couche de L'émission de courant 4 augmente facilement. Si la quantité de la poudre conductrice est plus grande que celle indiquée dans L'inter- valle ci-dessus, la couche de limitation de courant 4 peut facile- ment se craqueler en dégradant les propriétés de formation de la peLlicule. Le quatrième mode de réalisation ci-dessus présenté a été fait en considération du fait que le rendement lumineux d'un dispo- sitif EL du type hybride classique est'faible puisque l'état de contact de la poudre conductrice se trouvant dans la couche de limitation de courant vis-à-vis de la couche luminescente est proche d'un contact superficieL. Selon ce mode de réalisation, la poudre conductrice se trouvant dans la couche de limitation de courant 4 est électriquement en contact ponctuel avec ta surface de la pellicule mince de la couche luminescente 3. Ainsi, l'intensité du champ électrique augmente localement au niveau de la partie de contact de façon à accélérer les électrons, ce qui donne un rende- ment lumineux éLevé. Sont donnés ci-dessous des exemples dans lesquels les poudres conductrices contenues dans les couches de limitation de courant sont électriquement en contact ponctuel avec les surfaces des couches luminescentes, comme dans ledit quatrième mode de réa- lisation. Un dispositif à électroluminescence possédant la struc- ture présentée sur la figure 4 a été fabriqué de la manière sui- vante Exemple 6 Du sulfate de manganèse a été ajouté à une solution aqueuse de permanganate de potassium de façon à provoquer une réac- tion, et le précipité résultant a été lavé à l'eau et séché pour donner Les agglomérats de cristaux en forme d'aiguilles de y-MnO2. Cet agglomérat de y-MnO2 est une particule constituée par des cristaux en forme d'aiguilles de 5 nm x 5 nm x 150 nm et possédant une dimension moyenne de particule d'environ 500 nm. Le rayon de courbure du bec de chaque cristal en forme d'aiguille est d'environ 4 nm. Une pellicule d'ITO possédant une épaisseur d'environ 500 nm a été formée au titre de l'électrode transparente 2 sur le substrat de verre 1 par un procédé de pulvérisation réactive, et cette électrode transparente 2 a été configurée en une forme pré- déterminée par-Lithographie. Ensuite, une pellicule de ZnS conte- nant un pourcentage pondérai de 0,3 % de Mn et présentant une épaisseur d'environ 1 pm a été formée par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. De plus, une pellicule mince de znSe a été formée de manière à présenter une épaisseur d'environ 60 nm par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. Un mélange en solution d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté à la poudre de y-MnO2 préparée comme décrit ci-dessus de façon que le rapport volumique de la poudre à la résine liante après solidification du matériau soit 3:7, puis le matériau résul- tant a été dispersé pendant 1 h à l'aide d'un broyeur à sable. La peinture préparée comme ci-dessus décrit a été déposée par un procédé de pulvérisation, et séchée, de manière à former une couche de limitation de courant 4 possédant une résistivité de 8 x 104 f.cm et une épaisseur de pellicule de 15 pm. La couche de limitation de courant 4 ainsi formée est une couche noire dépourvue de vides qui est solidifiée par la résine liante et qui présente une épaisseur sensiblement uniforme. Une pellicule de Al possédant une épaisseur d'environ 1 pm a été formée au titre de la plaque dorsale 5 par un procédé de dépôt de vapeur sous vide, et la couche de limitation de courant 4 et la plaque dorsale 5 ont été simultanément incisées à l'aide d'une aiguille de diamant, de manière à former un motif prédéter- miné de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de la lumière a été uniformément émise deppis toute la surface, il n'a été observé aucune variation de luminance, et le rendement lumineux était 0,8 lm/W. Exempte 7 De l'acide chlorhydrique a été ajouté à une solution aqueuse de permanganate de potassium chauffée à 90 C de façon à provoquer une réaction, et le précité a été lavé à L'eau et séché de façon à produire des agglomérats radiaux de cristaux en forme d'aiguilles de 6-MnO2. Dans cet agglomérat de 6-MnO2, des cristaux en forme d'aiguilles de 5 nm x 5 nm x 150 nm ont effectué une croissance radiale, et la taille moyenne de particule de l'aggrégat était de 0,2 à 0,4 pm. Le rayon de courbure du bec de chaque cristal en forme d'aiguille était de 3 nm. Une pellicule d'ITO ayant une épaisseur de 500 nm a été formée au titre de l'électrode transparente 2 sur un substrat de verre 1 par un procédé de pulvérisation réactive, et cette élec- trode transparente 2 a été configurée suivant une forme prédéter- minée par photolithographie. Ensuite, une pellicule de ZnS conte- nant un pourcentage pondéraI de 0,3 % de Mn et présentant une épaisseur d'environ 1 pm a été formée au titre de la couche lumi- nescente 3 par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électro- nique. De plus, une pellicule mince de ZnSe a été formée de manière à présenter une épaisseur d'environ 60 nm par un procédé de dépôt de vapeur à faisceau électronique. Un mélange en solution d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japon Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté à la poudre de 6-MnO2 préparée comme décrit ci-dessus de façon que le rapport volumique de la poudre et de la résine liante après solidification du matériau soit 3:7, et le matériau résultant a été dispersé pendant 3 h à l'aide d'un broyeur à sable. La peinture préparée comme décrit ci-dessus a été déposée par un procédé de pulvérisation, et séchée, de façon à former une couche de limitation de courant 4 possédant une résistivité de 2 x 105.cm et une épaisseur de pellicule de 10 pm. La couche de limitation de courant 4 est une couche noire dépourvue de vides qui est solidifiée par la résine liante et qui présente une épaisseur sensiblement uniforme. Une pellicule de Al possédant une épaisseur de 1 pm a été formée au titre de la plaque dorsale 5 par un procédé de dépôt de vapeur sous vide. Apres cela, la couche de Limitation de courant 4 et la plaque dorsale 5 ont été simultanément incisées à l'aide d'une aiguille de diamant, de manière à former un motif prédéter- miné de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de La lumière a été uniformément émise depuis toute la surface, aucune variation de luminescence n'a été observée, et le rendement lumineux était 1,1 lm/W. Exemple comparatif 2 Une poudre de r-MnO2 préparée par un procédé électro- lytique a été broyée à l'aide d'un broyeur à boulets pour former une poudre sensiblement sphérique possédant une taille moyenne de particule de 0,3 pm, et un mélange en solution d'une résine liante (MR-110 (marque déposée): Japan Zeon Co., Ltd.) et d'un agent épaississant a été ajouté à la poudre de MnO2 de façon que le rap- port volumique de la poudre et de la résine liante soit 3:7, si bien qu'on a préparé une peinture suivant le même procédé que celui-ci de l'exemple 6. La peinture ainsi préparée a été déposée par un procédé de pulvérisation, et séchée, sur un substrat de verre (une couche luminescente 3) possédant la couche luminescente 3 et une électrode transparente 2 fabriquées suivant les mêmes processus que dans l'exemple 6, si bien qu'on a formé une couche de limitation de cou- rant 4 possédant une résistivité de 8 x 104 Q.cm et une épaisseur de pellicule de 20 pm. Une plaque dorsale 5 a été formée suivant les mêmes pro- cessus que dans l'exemple 6 et a été incisée à l'aide d'une aiguille de diamant, de manière à former un motif prédéterminé de plaque dorsale. Lorsqu'on a raccordé les dispositifs EL fabriqués comme décrit ci-dessus à un dispositif d'excitation en vue de l'émission de lumière, de la lumière a été émise uniformément depuis toute la surface et aucune variation de luminance n'a été observée, tandis que te rendement lumineux était de 0,1 lm/W. Avec le dispositif EL du quatrième mode de réalisation ci-dessus présenté, on peut obtenir les avantages suivants. Ainsi, le rendement lumineux du dispositif EL hybride peut être augmenté de façon à produire une activation de puissance de faible consomma- tion électrique. De plus, puisque la luminescence nécessaire peut être obtenue avec une faible puissance, les caractéristiques de durée de vie du dispositif EL peuvent être améliorées. Bien entendu, l'homme de l'art sera en mesure d'imaginer, à partir du dispositif dont la description vient d'être donnée à titre simplement illustratif et nullement limitatif, diverses autres variantes et modifications ne sortant pas du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Dispositif à électroluminescence dans lequel une pre- mière électrode (2) dotée de transparence, une couche luminescente (3), une couche de Limitation de courant (4) et une deuxième élec- trode (5) sont séquentiellement empilées sur un substrat (1) doté de transparence et possédant une propriété d'isolation électrique, caractérisé en ce qu'une intercouche (6) qui contient un premier semiconducteur possédant une bande interdite d'énergie qui n'est pas inférieure à 2,4 eV est formé en contact avec ladite couche luminescente. 2. Dispositif à étlectroluminescence selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que ladite couche de limitation de cou- rant (4) est constituée par une poudre conductrice et un agent liant. 3. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que ladite couche luminescente (3) con- siste essentiellement en un deuxième seconducteur et est dopée à l'aide d'un élément servant de centre luminescent. 4. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que ledit premier semiconducteur est au moins un type d'un semiconducteur sélectionné dans le groupe formé de ZnS, ZnSe, CaS, CaSe, SrS, SrSe et CdS. 5. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 3, caractérisé en ce que ledit élément servant de centre lumi- nescent est introduit sous forme de dopage dans ledit premier semi- conducteur. - 6. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 5, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième semi- conducteurs sont de types différents. 7. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 5, caractérisé en ce que lesdits premier et deuxième semi- conducteur sont du même type et ont des bandes interdites d'énergie différentes. 8. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que ladite intercouche (6) est formée entre Ladite couche Luminescente (3) et Ladite couche de Limitation de courant (4). 9. Dispositif à électroLuminescence seLon La revendica- tion 1, caractérisé en ce que Ladite intercouche (6) est formée entre ladite première électrode (2) et ladite couche luminescente (3). 10. Dispositif à électroLuminescence seLon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que Ladite couche Luminescente (3) est divisée en au moins deux couches, ladite intercouche (6) étant formée entre lesdites couches divisées. 11. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce que ladite intercouche (6) possède une épaisseur de pellicule de 10 nm à 300 nm. 12. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 11, caractérisé en ce que ladite intercouche (6) possède une épaisseur de pellicule de 50 nm à 150 nm. 13. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 8, caractérisé en ce que ladite intercouche est constituée par une première intercouche (6) se trouvant en contact avec ladite couche luminescente (3) et une deuxième intercouche (7) se trouvant en contact avec ladite couche de limitation de courant (4), ladite première intercouche (6) étant constituée essentiellement par CaS, SrS ou BaS, et ladite deuxième intercouche (7) ne contenant sensi- blement pas d'oxygène ou ne contenant qu'une petite quantité d'oxy- gène et possédant une résistivité qui n'est pas supérieure à 103 2.cm, à une tension qui n'est pas moindre que la tension de seuil de ladite couche luminescente (3). 14. Dispositif à éLectroluminescence selon la revendica- tion 13, caractérisé en ce que ladite deuxième intercouche (7) con- siste essentiellement en ZnS, ZnSe, CdS, nitrure de silicium, nitrure d'aluminium, oxynitrure de silicium ne contenant qu'une petite quantité d'oxygène ou oxynitrure d'aluminium ne contenant qu'une petite quantité d'oxygène. 15. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 13, caractérisé en ce que ladite deuxième intercouche (7) con- siste essentiellement en un siliciure, un carbure ou un borure d'un métal de transition. 16. Dispositif à électroluminescence, caractérisé en ce qu'une première électrode (2) dotée de transparence, une couche luminescente (3), une couche de limitation de courant (4) cons- tituée par un agent liant et une poudre conductrice contenant prin- cipalement du noir de carbone, et une deuxième électrode (5) sont séquentiellement empilées sur un substrat (1) doté de transparence et ayant une propriété d'isolation électrique. 17. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 16, caractérisé en ce que ledit noir de carbone est une poudre possédant un diamètre de particule qui n'est pas supérieur à 3 pm. 18. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 16, caractérisé en ce que ladite poudre conductrice contient une poudre d'un semiconducteur à base de titanate de baryum. 19. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 18, caractérisé en ce que ledit semiconducteur à base de titanate de baryum s'obtient par addition d'une petite quantité d'yttrium ou de cérium à du titanate de baryum, du titanate de strontium ou du titanate de plomb. 20. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 18, caractérisé en ce que ledit semiconducteur à base de titanate de baryum est une poudre ayant une taille de particule qui n'est pas supérieure à 3 pm. 21. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 18, caractérisé en ce que Ledit agent liant est une résine liante constituée par un matériau polymère possédant un groupe polaire tel qu'un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle, un groupe sulfonyle ou un groupe nitro, ou bien un groupe réactif tel qu'un groupe époxy, un groupe isocyanurique ou un groupe silanol. 22. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 21, caractérisé en ce que ladite couche de limitation de courant (4) est constituée par un mélange de ladite poudre de noir de carbone, de ladite poudre de titanate de baryum et de ladite résine liante et satisfait les relations (1) à 3) suivantes: C/A > 1,5... (1) B > 50 %.. (2) C > 5 %...(3) o A est le rapport du volume solide dudit titanate de baryum au volume de ladite couche de limitation de courant (4), B est le rap- port du volume solide de ladite résine liante au volume de ladite couche de limitation de courant (4), et C est le rapport du volume solide dudit noir de carbone au volume de ladite couche de limita- tion de courant (4). 23. Dispositif à électroluminescence dans lequel une pre- mière électrode (2) dotée de transparence, une couche luminescente (3), une couche de limitation de courant (4) constituée par une poudre conductrice et un agent liant, et une deuxième électrode (5) sont séquentiellement empilées sur un substrat (1) doté de transpa- rence et possédant une propriété d'isolation électrique, caractérisé en ce que ladite poudre conductrice contenue dans ladite couche de limitation de courant (4) est, électrique- ment, en contact ponctuel avec la surface de ladite couche lumi- nescente (3). 24. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que ladite poudre conductrice est cons- tituée par des particules ayant chacune au moins un bec ou par des agglomérats de celles-ci, ledit bec étant électriquement en contact ponctuel avec la surface de ladite couche luminescente (3). 25. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 24, caractérisé en ce que le rayon de courbure dudit bec de ladite poudre conductrice devant être électriquement en contact ponctuel avec la surface de ladite couche luminescente (3) n'est pas supérieur à 5 nm. 26. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 25, caractérisé en ce que la taille de particule de ladite poudre conductrice n'est pas supérieure à 10 nm. 27. Dispositif à électrotuminescence selon la revendica- tion 24, caractérisé en ce que la forme desdites particules ou des aggrégats de celles-ci est celle d'un tétrahèdre, d'un hexahèdre, d'un octahèdre, d'un icositétrahèdre, d'une colonne, d'une tige ou d'une aiguille. 28. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 24, caractérisé en ce que lesdites particules possédant chacune un bec ou les agglomérats de celles-ci sont des agglomérats radiaux dans lesquels des cristaux en forme d'aiguilles sont agglo- mérés radialement. 29. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 28, caractérisé en ce que le rapport dimensionnel de l'axe majeur à l'axe mineur dudit cristal en forme d'aiguille n'est pas inférieur à 5:1. 30. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 29, caractérisé en ce que Ledit rapport dimensionnel n'est pas inférieur à 10:1. 31. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 28, caractérisé en ce que la longueur de deux axes mineurs mutuellement perpendiculaires dudit cristal en forme d'aiguille est de 1 nm à 10 nm, et la longueur d'un axe majeur de celui-ci est de nm à 200 nm. 32. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 29, caractérisé en ce que ledit cristal en forme d'aiguille est une tige allongée suivant la direction de son axe majeur. 33. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 28, caractérisé en ce que ledit agglomérat radial de cristaux en forme d'aiguilles est constitué par a-MnO2 ou y-MnO2 produits par une réaction en solution aqueuse de permanganate de potassium et de sulfate de manganèse, par 6-MnO2 produit par la réaction en solution aqueuse de permanganate de potassium et d'acide chlor- hydrique, ou par ZnO du type tétrapode produit par une réaction en phase vapeur. 34. Dispositif à électroluminescence selon la revendica- tion 23, caractérisé en ce que ledit agent liant est une résine liante constituée par un matériau polymère qui possède un groupe poLaire tel qu'un groupe hydroxyle, un groupe carboxyle, un groupe sulfonyLe ou un groupe nitro, ou bien un groupe réactif tel qu'un groupe époxy, un groupe isocyanurique ou un groupe siLanol. 35. Dispositif à éLectroluminescence seLon la revendica- tion 34, caractérisé en ce que Le rapport de méLange volumique de ladite poudre conductrice à ladite résine liante se trouve dans l'intervalle de 2:8 à 6:4. 36. Dispositif à électroluminescence selon l'une quel- conque des revendications 1, 16 et 23, caractérisé en ce que ladite première électrode (2) est divisée en bandes suivant la direction X d'un plan X-Y, et ladite couche de limitation de courant (4) et ladite deuxième électrode (5) sont divisées en bandes suivant la direction Y. 37. Dispositif à électroluminescence selon l'une quel- conque des revendications 1, 16 et 23, caractérisé en ce qu'au moins ladite première électrode (2) est divisée en un motif prédé- terminé sur un plan de celle-ci.