Brevet FR2654256A1 — publié le 19910510

La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un dispo- sitif en semiconducteur composé, et elle porte plus particulièrement sur un procédé pour effectuer une implantation ionique d'une manière asymétrique par rapport à une électrode appartenant à un dispositif en semiconducteur composé, qui est formée par un métal réfractaire ou un siliciure de métal réfractaire. Les figures 5 (a)-5 (c) sont des coupes montrant un procédé de l'art antérieur pour effectuer une implantation ionique de manière asymétrique par rapport à une électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire Sur les figures 5 (a)-5 (c), une électrode 1 en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire est formée sur un substrat en semicon- ducteur composé 2 La référence 5 désigne une couche de résine photosen- sible qui recouvre un seul côté de l'électrode 1 La référence 4 désigne une région dans laquelle des ions sont implantés en utilisant comme masque la couche de résine photosensible 5 et l'électrode 1. On va maintenant décrire un procédé de fabrication du dispositif. En premier lieu, comme le montre la figure 5 (a), on dépose un mé- tal réfractaire ou un siliciure de métal réfractaire sur la totalité de la surface du substrat semiconducteur composé 2, et on effectue une opération de gravure pour former une configuration désirée pour l'électrode 1. Ensuite, comme le montre la figure 5 (b), on dépose par photolithogra- phie une couche de résine photosensible 5, de façon que le côté précité de l'électrode 1 soit complètement recouvert à partir de la partie supérieu- re de l'électrode 1 On implante ensuite des ions en utilisant comme mas- que la résine photosensible 5 et l'électrode 1. Ensuite, comme le montre la figure 5 (c), après avoir enlevé la rési- ne photosensible 5, on accomplit une opération de recuit pour activer les ions d'impureté qui ont été implantés, pour former ainsi une région active 4. On réalise ainsi un dispositif en semiconducteur comportant une ré- gion active formée de façon asymétrique d'un seul côté de l'électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire. Dans le procédé de l'art antérieur, la couche de résine photosensible qui est formée par photolithographie est utilisée à titre de masque pour l'implantation ionique qui est effectuée de manière asymétrique par rapport à l'électrode 1 en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire. Il est donc nécessaire de définir un motif dans la couche de résine photo- sensible 5 en alignement avec la partie supérieure de l'électrode 1, et ceci fait qu'il est difficile de fabriquer de façon reproductible le motif de ré- sine photosensible 5 lorsque l'électrode est plus fine que la précision d'ali- gnement de masque de la technique de photolithographie Par exemple, lors- que la précision d'alignement de masque de la technique de photolithographie est dans une plage de 0,2 micron, la largeur de l'électrode doit être au moins de 0,4 micron (valeur théorique) pour ajuster l'extrémité du motif de résine photosensible 5 de façon qu'elle se trouve au centre de l'électrode 1. En réalité, on ne peut pas produire une électrode ayant une dimension infé- rieure à 0,6 micron. Un but de l'invention est de procurer un procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé capable de former de façon reproduc- tible un masque pour une opération d'implantation ionique qui est accomplie de manière asymétrique par rapport à une électrode plus fine que la préci- sion d'alignement de masque de la technique de photolithographie. Un autre but de l'invention est de procurer un dispositif en semicon- ducteur composé à rendement élevé, ayant une distribution de concentration d'impureté asymétrique par rapport à l'électrode de grille, qui puisse être fabriqué par le procédé de fabrication décrit ci-dessus. Selon un aspect de l'invention, on recouvre complètement avec une couche isolante les parties autres que la partie supérieure d'une électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire, on forme une cou- che de résine photosensible de façon à recouvrir la partie supérieure de l'électrode et la couche isolante, d'un côté de celle-ci, avec une marge suffisante qui est supérieure à la précision d'alignement de masque de la technique de photolithographie, on enlève la couche isolante d'un côté de l'électrode, par une attaque isotrope, en utilisant comme masque la couche de résine photosensible et l'électrode, et on effectue une implantation io- nique en utilisant comme masque l'électrode et la couche isolante qui reste de l'autre côté de l'électrode On peut donc obtenir un alignement de mas- que de photolithographie avec une marge suffisante pour recouvrir de façon reproductible la partie supérieure de l'électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire, et l'alignement peut être obtenu indépen- damment de la taille de l'électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire De plus, la couche isolante qui se trouve d'un côté de l'électrode peut être enlevée par attaque isotrope, en utilisant comme mas- que l'électrode elle-même. Selon un autre aspect de l'invention, on forme une électrode consis- tant en un métal réfractaire ou en un siliciure de métal réfractaire, sur une couche active sur une surface d'un substrat en semiconducteur composé, on effectue une implantation ionique en utilisant l'électrode comme masque, on recouvre par une première couche isolante les parties autres que la par- tie supérieure de l'électrode, on enlève complètement la première couche isolante de l'autre côté de l'électrode, en utilisant comme masque une cou- che de résine photosensible qui recouvre la partie supérieure de l'électrode ainsi que la première couche isolante, d'un côté de l'électrode, on effectue une implantation ionique en utilisant comme masque l'électrode et la premiè- re couche isolante qui reste d'un côté de l'électrode, on forme des parois latérales constituées par une seconde couche isolante, sur les deux côtés de l'électrode, et on effectue une implantation ionique en utilisant comme masque l'électrode et les parois latérales, pour former ainsi un dispositif à semiconducteur composé ayant une distribution de concentration d'impure- té asymétrique par rapport à l'électrode On peut donc établir indépendam- ment l'une de l'autre les concentrations d'impureté du côté du drain et du côté de la source. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisa- tion, donnés à titre d'exemples non limitatifs La suite de la description se réfère aux dessins annexés sur lesquels les figures l(a) à l(f) sont des coupes qui montrent les principales étapes de processus de la séquence de fabrication pour produire un dispositif en semiconducteur composé conforme à un premier mode de réalisation de l'in- vention; les figures 2 (a) à 2 (h) sont des coupes montrant la séquence de fabrication dans un cas dans lequel le procédé de fabrication d'un dispositif en semi- conducteur composé de l'invention est appliqué au processus de fabrication d'un transistor à effet de champ à structure LDD, ayant une distribution de concentration d'impureté asymétrique-; la figure 3 est une représentation graphique qui montre la relation entre la valeur K et la tension de claquage grille-drain BVGD, d'une part, et' la concentration de dopage de la couche n' d'autre part, pour un transistor à effet de champ à structure LDD ayant une distribution de concentration d'impureté asymétrique; la figure 4 est une coupe montrant un transistor à effet de champ à struc- ture LDD ayant une distribution de concentration d'impureté symétrique con- forme à l'art antérieur; et les figures 5 (a) à 5 (c) sont des coupes qui montrent une séquence pour la réalisation d'une implantation ionique asymétrique conformément à l'art an- térieur. Les figures 1 (a) à 1 (f) sont des coupes qui montrent les principales étapes de processus pour la fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé conforme à un mode de réalisation de l'invention Sur les figures 1 (a) à 1 (f), une électrode 1 consistant en un métal réfractaire ou en un siliciure de métal réfractaire est disposée sur un substrat en semiconduc- teur composé 2 Les références 3 a, 3 b et 3 c désignent des couches isolantes. La référence 4 désigne une couche d'implantation ionique qui est formée dans le substrat 1 La référence 5 désigne une couche de résine photosensible. On décrira un procédé de fabrication en se référant aux figures l(a) à 1 (f). En premier lieu, comme le montre la figure l(a), on dépose un métal réfractaire tel que du tungstène (W) ou du molybdène (Mo) ou un siliciure de métal réfractaire tel que du siliciure de tungstène (W Si) ou du siliciure de molybdène (Mo Si), avec une épaisseur d'environ 300 nm, sur un substrat en semiconducteur composé 2 consistant par exemple en Ga As, et on effectue une opération de gravure pour former une électrode de grille 1 ayant la longueur de grille exigée On dépose ensuite sur le substrat 2 une couche isolante 3 a ayant une surface plane, de façon à recouvrir complètement l'électrode 1, par le procédé de dépôt chimique en phase vapeur par réso- nance cyclotron d'électrons sous polarisation (qu'on appellera ci-après "procédé ECR-CVD sous polarisation"). Ensuite, comme le montre la figure 1 (b), on enlève par attaque une partie de la couche isolante 3 a, en procédant par exemple par attaque ioni- que réactive ou par attaque par pulvérisation cathodique, pour mettre ainsi à nu une partie supérieure de l'électrode 1 On obtient donc une structure dans laquelle les parties autres que la partie supérieure de l'électrode 1 sont complètement recouvertes par les couches isolantes 3 b et 3 c. Ensuite, comme le montre la figure 1 (c), on forme une couche de ré- sine photosensible 5 sur le substrat et on définit un motif dans cette cou- che de façon à recouvrir complètement la couche isolante 3 b d'un côté de l'électrode 1 et la partie supérieure de l'électrode 1, et de façon à avoir une ouverture au niveau de la couche isolante 3 c de l'autre côté de l'élec- trode 1. Ensuite, comme le montre la figure 1 (d), on enlève complètement la couche isolante 3 c par une attaque isotrope, telle qu'une attaque par voie humide utilisant de l'acide fluorhydrique, en employant comme masque le motif de résine photosensible 5 et l'électrode 1. Ensuite, comme le montre la figure 1 (e), après avoir enlevé la ré- sine photosensible 5, on effectue une implantation ionique en utilisant com- me masque l'électrode 1 et la couche isolante 3 b qui reste d'un côté de l'électrode. Enfin, comme le montre la figure 1 (f), après avoir enlevé la couche isolante 3 b, on effectue une opération de recuit pour activer les ions d'im- pureté qui ont été implantés. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, le motif de résine pho- tosensible 5 qui est formé par photolithographie n'est pas utilisé comme masque pour l'implantation ionique, mais est simplement utilisé comme mas- que pour une opération d'attaque dans le but d'enlever la couche isolante. Par conséquent, même lorsque le motif de l'électrode 1 en métal réfractai- re ou en siliciure de métal réfractaire devient plus fin que la précision d'alignement de masque de la technique de photolithographie, il n'y a aucun problème concernant la précision de la formation du motif. En outre, du fait que l'attaque latérale qui est effectuée sur la cou- che isolante 3 c est arrêtée lorsqu'elle atteint l'électrode 1 qui remplit la fonction d'un masque d'attaque, il est possible d'enlever la couche isolante 3 c de manière auto-alignée par rapport à l'électrode 1, en fixant de façon appropriée la valeur de surgravure. Comme décrit ci-dessus, dans ce premier mode de réalisation, on peut fabriquer de façon reproductible un masque pour l'accomplissement d'une im- plantation ionique de manière asymétrique par rapport à l'électrode, avec une finesse supérieure à la précision d'alignement de masque de la techni- que de photolithographie. Bien que dans le premier mode de réalisation qui est décrit ci-dessus, le substrat en semiconducteur composé 2 consiste en Ga As, ce substrat peut être constitué par un autre semiconducteur composé. Les figures 2 (a) à 2 (h) montrent des coupes d'une séquence de fabri- cation dans un cas dans lequel l'invention est appliquée à un processus de fabrication destiné à produire un transistor à effet de champ du type métal- semiconducteur (ou MESFET) ayant une structure LDD Sur les figures 2 (a) à 2 (h), les références numériques identiques à celles des figures 1 (a)i(h), désignent les mêmes parties ou des parties correspondantes Une couche ac- tive 6 (qu'on appelle ci-après une "couche n") est disposée sur le substrat semiconducteur 2 Les références 7 a et 7 b désignent des couches d'implan- tation ionique ayant une concentration d'impureté ni (qu'on appelle ciaprès "couche nl"), qui sont formées sur la couche active 6 La référence 8 dé- signe une couche d'implantation ionique ayant une concentration d'impure- té N 2 (qu'on appelle ci-après "couche N 2 ") La référence 9 désigne une couche isolante de paroi latérale Des parois latérales 10 existent sur les deux côtés de l'électrode 1 Une électrode de drain Il et une électrode de source 12 sont respectivement disposées sur une région de drain 13 et une région de source 14. On va maintenant décrire le processus de fabrication. En premier lieu, on implante des ions tels que des ions silicium dans le substrat en semiconducteur composé 2 qui consiste par exemple en Ga As, avec une énergie de 50 ke V et une concentration de 2 x 1012 cm, pour produire une couche active (couche n) 6, après quoi on effectue une opéra- tion de recuit On dépose ensuite un métal réfractaire tel que du tungstène ou du molybdène, ou un siliciure de métal réfractaire tel que du siliciure de tungstène ou du siliciure de molybdène, avec une épaisseur de 300 nm, sur la totalité de la surface du substrat 2, et on effectue une opération de gravure pour former une électrode de grille 1 ayant une configuration dé- sirée (figure 2 (a)). Ensuite, comme le montre la figure 2 (b), on implante des ions sili- cium dans la totalité du substrat avec une énergie de 50 ke V et une con- centration de 1 x 1012 cm 2, en utilisant comme masque l'électrode de grille 1, pour produire des couches N 17 a et 7 b des deux côtés de l'élec- trode 1. Ensuite, comme le montre la figure 2 (c), on dépose une couche iso- lante ayant une surface plane sur la totalité de la surface du substrat, pour recouvrir complètement l'électrode 1 par un procédé ECR-CVD sous polarisation, et on enlève par attaque une partie de la couche isolante, par exemple par attaque ionique réactive ou par attaque par pulvérisation ca- thodique, pour mettre ainsi à nu une partie supérieure de l'électrode 1 par l'enlèvement de la couche isolante On obtient ainsi une structure dans la- quelle les parties autres que la partie supérieure de l'électrode 1 sont entièrement recouvertes par les couches isolantes 3 b et 3 c. Ensuite, comme le montre la figure 2 (d), on forme un motif de rési- ne photosensible 5 de 1 micron d'épaisseur, de façon à recouvrir complète- ment la couche isolante 3 b d'un côté de l'électrode 1, ainsi que la partie supérieure de l'électrode 1, et de façon à avoir une ouverture au niveau de la couche isolante 3 c de l'autre côté de l'électrode 1 On enlève ensui- te la couche isolante 3 c par une attaque isotrope, comme par exemple une attaque par voie humide utilisant de l'acide fluorhydrique. Ensuite, comme le montre la figure 2 (e), on enlève la résine photo- sensible 5 et on effectue une implantation ionique en utilisant comme mas- que l'électrode 1 et la couche isolante 3 b qui reste d'un côté de l'électro- de, pour produire ainsi la couche N 28 On effectue cette implantation io- nique de façon que la concentration d'impureté de la couche N 2 8 devienne supérieure à celle de la couche N 1 7 a Par exemple, lorsqu'on implante des ions silicium avec une énergie de 50 ke V et une concentration de 1 x 1012 cm 2 la concentration d'impureté de la couche N 2 8 devient 2 x 12 -22 cm, tandis que la concentration d'impureté de la couche N 77 a est de 1 x 102 cm 2 Ensuite, comme le montre la figure 2 (f), on enlève la couche isolan- te 3 b qui reste d'un côté de l'électrode 1, et on dépose ensuite sur toute l'étendue du substrat une couche isolante 9 consistant en dioxide de sili- cium, avec une épaisseur supérieure à 300 nm. Ensuite, comme le montre la figure 2 (g), on attaque la couche iso- lante 9 par attaque ionique réactive, pour former des parois latérales 10 des deux côtés de l'électrode 1, et on effectue une implantation ionique pour former les couches N 13 et 14, en utilisant comme masque l'électro- de 1 et la paroi latérale 10 On effectue ici l'implantation ionique dans une condition dans laquelle les concentrations d'impureté des couches n 13 et 14 sont notablement supérieures à celle de la couche N 2 8 Autrement dit, les relations entre les concentrations des couches d'implantation io- nique respectives sont sélectionnées de façon à avoir concentration d'impureté de la couche n+ " concentration d'impureté de la couche N 2 > concentration d'impureté de la couche N 2 > concentration d'impureté de la couche n. On considère à titre d'exemple pour une telle condition d'implantation un cas dans lequel on implante des ions silicium avec une énergie de 60 ke V et une concentration d'environ 1013 cm 2. Ensuite, comme le montre la figure 2 (h), après avoir enlevé la paroi latérale 10, on effectue une opération de recuit, et on forme sur la cou- che N 13, du côté de la couche N 1 7 a, une électrode de drain 11 consis- tant par exemple en Au Ge/Ni/Au, tandis qu'on forme sur la couche n+ 14, du côté de la couche N 2 8, une électrode de source 12 consistant Au Ge/ Ni/Au Un transistor MESFET est ainsi entièrement fabriqué. Comme décrit ci-dessus, on fabrique un transistor à effet de champ à structure LDD ayant une distribution de concentration d'impureté asymétrique. Dans ce second mode de réalisation, de façon similaire au premier mo- de de réalisation décrit ci-dessus, du fait que le motif de résine photo- sensible 5 qui est produit par photolithographie est utilisé simplement com- me masque pour enlever la couche isolante 3 c, la marge d'alignement de masque pour la photolithographie n'est pas restreinte par la taille de mo- tif de l'électrode 1, et il est possible d'avoir une marge suffisante permet- tant de recouvrir de façon reproductible la partie supérieure de l'électro- de 1 Par conséquent, même lorsque le motif de l'électrode 1 est plus fin que la précision d'alignement de la technique de photolithographie, il n'ap- paraît aucun problème concernant la précision de la formation du motif. En outre, du fait que la couche isolante 3 c qui se trouve d'un côté de l'électrode 1 est enlevée par attaque en utilisant comme masque le motif de résine photosensible 5 et l'électrode 1, et que le motif de résine photosen- sible 5 est également enlevé, on peut former de façon stable un masque pour accomplir une implantation ionique asymétrique. En outre, dans le MESFET ayant la structure décrite ci-dessus, on peut établir indépendamment la concentration d'impureté du côté du drain et la concentration d'impureté du côté de la source, et on peut simultanément ( 1) augmenter la tension de claquage grille-drain (BVGD), ( 2) réduire la résistance de source (pour améliorer la conductance mutuelle gm ou la valeur K du transistor à effet de champ). On va maintenant décrire ceci en détail. La figure 4 représente à titre de référence un transistor à effet de champ à structure LDD de type général Il s'agit d'un transistor à effet de champ à structure LDD symétrique comportant une couche n'16 et une cou- che N 17 qui ont des concentrations d'impuretés égales et qui sont dispo- sées symétriquement par rapport à la couche active 15 Autrement dit, dans le dispositif à semiconducteur qui est représenté sur la figure 2 (h), la couche N 7 a et la couche N 2 8 sont formées de façon à avoir des concentra- tions d'impureté mutuellement égales, et leurs concentrations sont égales à n'. La figure 3 est une représentation graphique qui montre les variations de la tension de claquage grille-drain BVGD et de la valeur K du transis- tor à effet de champ, lorsqu'on fait varier la concentration d'impureté de la couche n' dans le transistor à effet de champ à structure LDD qui a une configuration symétrique par rapport à l'électrode 1 Comme le montre la figure 3, lorsqu'on augmente la concentration d'impureté n', la valeur K augmente et la tension de claquage BVGD diminue Dans la structure symé- trique de l'art antérieur qui est représentée sur la figure 4, la concentra- tion de la couche n' est seulement établie à une même valeur du côté de la source et du côté du drain, et les concentrations à établir doivent être ajustées par un compromis entre la valeur K et la tension de claquage grille-drain BVGD. Au contraire, dans le mode de réalisation présent, on peut établir indépendamment les concentrations d'impureté de la couche n', de façon qu'elles soient respectivement égales à N 2 et N 1 du côté de la source et du côté du drain La concentration d'impureté N 2 du côté de la source est donc aug- mentée de façon à augmenter suffisamment la valeur K, et la concentration d'impureté N du côté du drain est diminuée, de façon à augmenter suffisam- ment la tension de claquage grille-drain. Dans la condition de fabrication du second mode de réalisation décrit cidessus, la concentration d'impureté de la couche N 1 7 a est égale à 1 x 1012 cm 2 et la concentration d'impureté de la couche N 28 est égale à 12 -22 2 x 10 cm Par conséquent, la tension de claquage grille-drain BVGD peut être établie à 10 V, et la valeur K peut être établie à environ 5 m A/V 2 d'après la figure 3, d'o il résulte qu'il est possible d'augmenter la ten- sion de claquage grille-drain et de réduire la résistance de source (pour augmenter la valeur K). Comme il ressort de façon évidente de la description précédente, et conformément à l'invention, dans la fabrication d'un masque pour effectuer une implantation ionique de manière asymétrique par rapport à l'électrode en métal réfractaire ou en siliciure de métal réfractaire, on forme le mas- que avec une couche isolante et on définit un motif dans la couche isolan- te pour obtenir la configuration du masque, en utilisant une opération de définition de motif au moyen d'une résine photosensible qui présente une marge suffisante pour la technique de photolithographie. On peut donc produire un masque de façon reproductible, même si les dimensions de l'électrode sont réduites. En outre, lorsqu'on fabrique un dispositif à semiconducteur composé ayant une distribution de concentration d'impureté asymétrique par rapport à l'électrode de grille, en utilisant un tel procédé, on peut établir indé- pendamment les concentrations d'impureté du côté de la source et du côté du drain, et on peut réduire la résistance de source et augmenter la résis- tance grille-drain, ce qui permet d'obtenir avec une précision élevée un il dispositif en semiconducteur composé ayant un rendement élevé. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et au dispositif décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on recouvre complè- tement par une couche isolante ( 3 a, 3 b) les parties autres que la partie supérieure d'une électrode ( 1) consistant en un métal réfractaire ou en un siliciure de métal réfractaire qui est formée sur un substrat en semicon- ducteur composé ( 2); on forme un motif de résine photosensible ( 5) qui recouvre complètement la couche isolante ( 3 b) d'un côté de l'électrode ( 1) et la partie supérieure de l'électrode ( 1), et qui présente une ouverture au niveau de la couche isolante ( 3 c) qui se trouve de l'autre côté de l'élec- trode; on effectue une opération d'attaque en utilisant comme masque le motif de résine photosensible ( 5), et on enlève complètement la couche iso- lante ( 3 c) qui se trouve de l'autre côté de l'électrode; et on enlève le mo- tif de résine photosensible ( 5) et on effectue une implantation ionique en utilisant comme masque la couche isolante ( 3 b) qui reste d'un côté de l'électrode, et l'électrode ( 1). 2 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat en semiconduc- teur composé ( 2) consiste en Ga As. 3 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'attaque qui est effectuée à la troisième étape est une attaque latérale utilisant une opération d'attaque isotrope, et cette attaque latérale estarrêtée lorsqu'elle atteint l'électro- de ( 1), par le fait que cette électrode est un masque. 4 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'attaque isotrope est une attaque par voie humide utilisant de l'acide fluorhydrique. Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on forme une élec- trode ( 1) consistant en un métal réfractaire ou en un siliciure de métal ré- fractaire, sur une couche active ( 6) qui a été formée sur un substrat en semiconducteur composé ( 2); on effectue une implantation ionique en uti- lisant l'électrode ( 1) comme masque; on recouvre entièrement par une pre- mière couche isolante ( 3 b, 3 c) les parties autres que la partie supérieure de l'électrode ( 1); on forme un motif de résine photosensible ( 5) qui re- couvre complètement la partie supérieure de l'électrode ( 1) et la première couche isolante ( 3 b) qui se trouve d'un côté de l'électrode et qui présente une ouverture sur la première couche isolante ( 3 c) de l'autre côté de l'élec- trode ( 1); on effectue une opération d'attaque en utilisant le motif de résine photosensible ( 5) comme masque, pour enlever ainsi la première cou- che isolante ( 3 c) de l'autre côté de l'électrode ( 1); on enlève le motif de résine photosensible ( 5) et on effectue une implantation ionique en uti- lisant comme masque l'électrode ( 1) et la première couche isolante ( 3 b) qui reste d'un côté de l'électrode ( 1); on enlève la première couche iso- lante ( 3 b) qui reste d'un côté de l'électrode ( 1), et on forme une paroi la- térale ( 10), consistant en une seconde couche isolante, des deux côtés de l'électrode ( 1); et on effectue une implantation ionique en utilisant comme masque l'électrode ( 1) et la paroi latérale ( 10). 6 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 5, caractérisé en ce que les couches d'implantation ionique ( 7 a, 7 b, 8, 13, 14) qui sont formées à la seconde étape, à la sixiè- me étape et à la huitième étape, ont une distribution de concentration d'impureté asymétrique, telle que les concentrations d'impureté nl, '2 et n qui sont établies dans les étapes respectives présentent les relations n > N 2 > nl. 7 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat en semiconduc- teur composé ( 2) consiste en Ga As. 8 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'opération d'attaque qui est effectuée à la cinquième étape est une attaque latérale qui consiste en une attaque isotrope, et cette attaque latérale est arrêtée lorsqu'elle at- teint l'électrode ( 1), par le fait que cette électrode est un masque. 9 Procédé de fabrication d'un dispositif en semiconducteur composé selon la revendication 8, caractérisé en ce que l'attaque isotrope est une attaque par voie humide, utilisant de l'acide fluorhydrique.