Brevet FR2657461A1 — publié le 19910726

PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF EMETTEUR D'ELECTRONS MICRO-MINIATURE La présente invention concerne des dispositifs à vide émetteurs d'électrons de type micro-miniature, et elle porte plus particulièrement sur un procédé pour la fabrica- tion de ces dispositifs qui assure l'uniformité des émet- teurs d'électrons en forme de pointe. Les tubes à vide micro-miniatures font l'objet de recherches du fait de leur potentiel de fonctionnement à vitesse plus élevée, par rapport à des dispositifs à l'état solide, cette propriété étant due au fait que des porteurs dans les dispositifs de type tube se déplacent dans le vide au lieu de se déplacer dans un matériau semiconducteur à l'état solide Si les dispositifs peuvent être fabriqués avec une taille suffisamment faible pour "miniaturiser" les distances de parcours entre l'émetteur d'électrons (qu'on appelle quelquefois la cathode) et le collecteur (qu'on appelle quelquefois l'anode), on dispose potentiellement d'une vitesse de fonctionnement très élevée Ceci rend de tels dispositifs très intéressants pour une application telle que des dispositifs de commutation très rapides à des fréquences extrêmement élevées. Du fait que de tels dispositifs n'utilisent pas d'éléments chauffants de cathode, on doit employer des po- tentiels qui conviennent pour provoquer l'émission d'élec- trons à froid à partir de la cathode, pour la collecte des électrons par l'anode On peut réduire la valeur des ten- à 4 sions de champ si l'anode et la cathode sont relativement proches, et si la cathode (ou l'émetteur) a une forme qui définit une pointe ou une arête vive qui provoque une con- centration de l'intensité du champ sur la pointeaou sur l'arête, ce qui renforce l'aptitude à émettre des électrons avec un plus faible potentiel Cependant, l'un des problè- mes que l'on a rencontré avec de tels dispositifs réside dans la formation fiable de structures d'émetteur avec la caractéristique nécessaire consistant dans l'existence d'une pointe vive Lorsqu'on forme de tels dispositifs en un réseau avec des dispositifs multiples (tubes à vides multiples) sur le même substrat, pour l'interconnexion et donc l'intégration, des problèmes de fiabilité du disposi- tif global peuvent devenir encore plus difficiles lorsque les procédés ne garantissent pas que tous les émetteurs soient formés correctement, et aient donc les mêmes carac- téristiques. A titre d'exemple, la figure 2 montre une forme de tube à vide micro-miniature qui est décrit dans le compte-rendu de la conférence International Electron Device Meeting, 1986 (IEDM '86), page 776, sous le titre "A Vacuum Fiel Effect Transistor Using Silicon Field Emitter Arrays". La figure 2 montre un tube à vide micro-minature,f -f qui est formé sur un substrat semiconducteur 1, par exemple en silicium de type n La surface supérieure du substrat 1 est traitée, par exemple par gravure, pour former un émetteur conique 7 Une couche 2 d'une pellicule isolante telle que le dioxyde de silicium entoure l'émetteur 7 Une structure de grille 3 et des électrodes de collecteur 4 sont placées sur la pellicu- le Des électrons qui sont émis par la pointe de l'émetteur conique 7, sous l'effet du champ électrique qui existe à cause d'une différence de potentiel appliquée de l'émetteur vers le collecteur, parcourent la trajectoire courbe qui est suggérée par le symbole e, pour être collectés sur le collecteur Une tension appliquée à la grille 3 affecte le champ qui existe entre la pointe de l'émetteur et le collec- teur, et commande donc le flux d'électrons On peut utili- ser le dispositif dans un mode linéaire ou à la manière d'un interrupteur; dans les deux cas, des tensions appli- quées à la grille commandent le flux d'électrons entre l'émetteur et le collecteur. Il est important de noter que la pointe de l'émetteur conique 7 a une forme choisie de façon à renfor- cer le champ électrostatique à la pointe et à faciliter ainsi l'émission d'électrons Si la pointe était plus pla- te, des potentiels notablement plus élevés seraient néces- saires pour obtenir un flux d'électrons du même ordre de grandeur Si l'émetteur conique 7 était notablement plus court, des potentiels plus élevés seraient également néces- saires, à cause de la distance accrue entre l'émetteur et le collecteur On voit donc que la forme et la disposition de l'émetteur constituent un facteur important dans l'ob- tention d'un fonctionnement fiable et reproductible de dis- positifs à tube à vide tels que celui qui est représenté sur la figure 2. Les figures 3 a-3 c illustrent le processus de for- mation du dispositif de la figure 2 Comme le montre la figure 3 a, on forme un motif dans le substrat en silicium de type n, 1, pour obtenir un masque de résine photosensi- ble 5 définissant la zone centrale du substrat dans laquel- le on doit former l'émetteur conique On accomplit ensuite un processus de gravure par voie humide utilisant une solu- tion d'attaque, telle qu'une solution aqueuse de KOH Le substrat 1 qui se trouve au-dessous de la résine photosen- sible 5 fait l'objet d'une surgravure latérale à cause de la nature isotrope du processus de gravure par voie humide. Il en résulte que lorsque la gravure est terminée, on ob- tient une configuration pointue de forme conique, comme le montre la figure 3 b. Lorsque le processus est arrivé à la phase qui est illustrée sur la figure 3 b, on enlève la résine photo- sensible 5 et on recouvre la partie de cathode 77 avec une couche de Si N, après quoi on effectue une opération de re- cuit On forme ensuite une couche de Si O 2 2 sur la partie restante de la surface supérieure du substrat 1, comme le montre la figure 3 c On enlève ensuite le Si N qui proté- geait l'émetteur pendant le dépôt de Si O 2, et on dépose une structure de grille 3 et une structure de collecteur 4 sur la surface supérieure de la couche d'isolation, comme indi- qué sur la figure 3 c On dépose ces structures d'électrodes en utilisant des techniques classiques de dépôt et de dé- collement. Lorsque le dispositif ainsi formé, qui apparait plus clairement sur la figure 2, est placé dans le vide, et lorsqu'un potentiel continu est appliqué de façon que la cathode 77 soit polarisée négativement par rapport à l'anode 4, un champ électrique est produit, comme le suggèrent les symboles e Lorsque ce champ devient supérieur à 107 V/cm, des électrons sont émis par la cathode et collectés par l'anode Lorsque les électrons atteignent l'anode 4, un courant électrique circule, et lorsque le dispositif est utilisé à titre d'élément de commutation, on peut considé- rer qu'il est à l'état conducteur Il est possible de com- mander le champ électrique entre la cathode et l'anode en appliquant une tension à la grille 3, pour commander ainsi l'opération de commutation Du fait que les électrons se propagent dans le vide dans un tel dispositif, leur vitesse est plus élevée que dans le cas o les électrons se propa- gent dans un matériau semiconducteur Un tel dispositif est donc capable de fonctionner encore plus rapidement que des dispositifs à l'état solide, et il peut procurer un tran- sistor qui fonctionne en élément de commutation rapide à des fréquences extrêmement élevées. Le tube à vide micro-minature 10 représenté sur la figure 2, qui est obtenu par le procédé de fabrication décrit en relation avec les figures 3 a-3 c, fait appel à la surgravure latérale de la partie du substrat de silicium se trouvant immédiatement au-dessous de la résine photosensi- ble, pour obtenir la forme conique désirée pour l'émetteur. Dans la gravure par voie humide, qui est le procédé préféré pour réaliser une telle surgravure latérale, lorsque le degré d'adhérence entre le masque de gravure et le substrat est insuffisant, il devient difficile de maîtriser l'acuité de la pointe conique avec une reproductibilité appropriée. En outre, du fait que la vitesse de gravure est très varia- ble, et dépend de la composition du bain d'attaque, de la température du'liquide, des conditions de surface du maté- riau à graver, et d'autres conditions d'environnement tel- les que le degré d'illumination du dispositif qui est gra- vé, la gravure par voie humide n'est pas totalement appro- priée pour maîtriser l'acuité de la pointe de l'émetteur conique avec une reproductibilité appropriée Lorsque l'acuité de la pointe varie, la répartition du champ élec- trique entourant la pointe varie, et ceci provoque un dé- faut d'uniformité, d'un émetteur à un autre, de la tension de fonctionnement nécessaire pour provoquer l'émission par cathode froide Ceci ne doit pas être un problème insurmon- table dans le cas o des tubes à vide de type micro-minatu- re sont fabriqués en laboratoire pour effectuer des essais, ou dans une petite installation de production pilote, mais lorsqu'on désire produire en grandes quantités industriel- les un tel tube à vide ayant des performances élevées et des caractéristiques reproductibles et fiables, les problè- mes seront considérablement accrus. La figure 5 montre une autre structure de l'art antérieur qui donne un produit fini dont la structure n'est pas notablement différente de celle du mode de réalisation de la figure 2, mais qui est produit par un processus de fabrication notablement différent La technique de fabrica- tion est illustrée sur les figures 6 a-6 d On voit un subs- trat semiconducteur 1, de préférence en silicium monocris- tallin, qui est recouvert par un masque de gravure dans lequel on définit ensuite un motif, comme indiqué en 7, pour mettre à nu une ouverture conique centrale On note qu'il n'est pas nécessaire que l'ouverture soit complète- ment conique, et qu'une structure allongée en forme de V convient également pour former un émetteur ayant une dis- continuité à angle vif, dans le but de renforcer l'émission d'électrons On envisagera cependant essentiellement ici la forme conique Après avoir masqué le dispositif, comme re- présenté sur la figure 6 a, on forme l'ouverture conique 8 par gravure par voie humide, après quoi on enlève le masque 7 On forme ensuite un dépôt sur le dispositif pour recou- vrir la surface supérieure du substrat et les parois de l'ouverture conique 8 avec une couche métallique 6 qui est destinée à constituer la cathode ou l'émetteur du disposi- tif La couche de métal est de façon caractéristique plus épaisse qu'une électrode conductrice classique, et elle est souvent formée de matériaux tels que le tungstène Après avoir recouvert la surface du substrat 1 et des parois de l'ouverture conique 8 avec une couche métallique 6 (par exemple par pulvérisation cathodique ou évaporation sous vide), on passe à la surface arrière du substrat 1, pour enlever la matière du substrat et mettre à nu la pointe conique qui est créée par la couche métallique dans l'ou- verture conique Ainsi, en partant du dispositif partielle- ment fabriqué qui est représenté sur la figure 6 b, on amin- cit le substrat par gravure à partir de la surface arrière, jusqu'à mettre à nu la pointe 6 a de la couche de métal, comme représenté sur la figure 6 c Après avoir ainsi mis à nu la pointe conique, on applique une couche de dioxyde de silicium 2 sur la surface arrière du substrat, et on dépose l'électrode de grille 3 et l'électrode de collecteur 4 sur la couche de dioxyde de silicium, comme décrit en relation avec le mode de réalisation précédent. Comme le montre la figure 5, le fonctionnement du dispositif est semblable à celui de la figure 2, dans la mesure o lorsqu'un potentiel de polarisation est appliqué entre l'émetteur 6 et le collecteur 4, un champ électrique qui se concentre à la pointe 6 a de l'émetteur est créé, comme l'indiquent les lignes en pointillés e, pour provo- quer une émission d'électrons à partir de la cathode et la circulation d'un courant de la cathode vers l'anode Bien que l'émetteur conique 6 a soit métallique, au lieu d'être constitué par le semiconducteur revêtu d'une couche mince sur la figure 2, le fonctionnement sous l'influence d'un champ électrique est similaire. Le procédé de fabrication qui est illustré sur les figures 6 a-6 d présente également des limitations impor- tantes en ce qui concerne l'uniformité, la fiabilité et la reproductibilité, bien que ces problèmes soient relative- ment différents de ceux qui sont associés au dispositif et au procédé de la figure 2 Dans le procédé des figures 6 a- 6 d pour la fabrication du dispositif de la figure 5, du fait que la structure en métal qui doit former la cathode (ou l'émetteur) est définie à l'intérieur d'une ouverture conique ou en forme de V qui a été formée précédemment par gravure par voie humide, l'acuité de la pointe de l'élec- trode peut être maîtrisée avec une bonne reproductibilité. Bien que la profondeur de la cavité 8 puisse varier avec les conditions de gravure, l'acuité de la pointe ne varie pratiquement pas Il est donc possible d'obtenir une dis- tribution de champ électrique relativement uniforme autour de la pointe de la cathode, si la cathode est correctement mise à nu par l'enlèvement de la matière du substrat. L'enlèvement de la matière du substrat n'est cependant pas exempt de difficultés Comme il est indiqué sur la figure 7 a, on doit enlever un volume relativement important de la matière du substrat pour mettre à nu la pointe conique 6 a La distance d 2 désigne l'épaisseur du substrat que l'on doit enlever pour mettre à nu la pointe, et la dimension d 2 est de façon caractéristique dans une plage comprise entre 100 et 500 microns On sait que lors- qu'on doit effectuer par une opération de gravure l'amin- cissement d'un substrat relativement massif, et que lorsque la gravure doit se poursuivre sur plus d'environ 10 mi- crons, ce qui pouvait être initialement une surface plane, avant l'opération de gravure, devient relativement non uni- forme au moment o la gravure est terminée Il en résulte que lorsqu'on doit enlever une quantité de matière très im- portante, de l'ordre de 100 microns ou plus, comme le sug- gère la figure 7 a, et lorsqu'on considère que seules les pointes 6 a des émetteurs doivent être mises à nu et que la précision caractéristique qui est exigée doit être d'un micron ou moins, on se rend compte que toutes les pointes ne seront pas mises à nu de la même façon La figure 7 b illustre cette condition dans laquelle une première pointe 6 A est pratiquement mise à nu comme la pointe de la figure 7 a, tandis que des pointes supplémentaires telles que la pointe 6 B restent enterrées dans le substrat, à cause de l'inégalité de la surface la qui résulte de l'opération de gravure Par conséquent, lorsqu'un ensemble d'éléments sont fabriqués simultanément, comme cela serait nécessaire dans un réseau de dispositifs à tubes à vide, les parties dans lesquelles les pointes métalliques respectives sont à nu et celles dans lesquelles elles sont enterrées peuvent coexis- ter, comme le montre la figure 7 b Le composant à semicon- ducteur global qui résulte d'un processus tel que celui qui est illustré sur la figure 7 b ne conviendra pas pour le but prévu, et on peut s'attendre à ce que le rendement de fa- brication de dispositifs acceptables soit relativement bas. Compte tenu de ce qui précède, un but général de la présente invention est de procurer un procédé pour la fabrication d'un dispositif émetteur d'électrons à vide de type micro-miniature, comportant un émetteur en forme de pointe, ce procédé produisant de façon précise et avec une bonne reproductibilité des pointes d'émetteurs coniques (ou en forme de V) très pointues, qui sont dégagées de la ma- tière de substrat environnante. A cet égard, un but est de procurer un procédé pour la fabrication d'un dispositif émetteur d'électrons utilisant une cathode pointue, dans lequel la cathode est formée initialement par le dépôt d'une matière métallique sous forme de couche mince dans le substrat, et dans lequel la surface arrière du substrat est ensuite enlevée, par l'optimisation des techniques pour l'enlèvement de la sur- face, dans le but d'obtenir une mise à nu fiable de toutes les pointes en occasionnant un minimum de dommages à celles-ci. A cet égard, un but de la présente invention est de procurer un dispositif émetteur d'électrons dans lequel les étapes initiales de l'enlèvement de la matière du subs- trat sont destinées à enlever la majeure partie de la ma- tière d'une manière qui maintient la planéité de la surface arrière du substrat, et des étapes suivantes sont employées pour enlever les parties finales du substrat, ces étapes étant conçues pour minimiser l'endommagement des émetteurs coniques, tout en maximisant la probabilité de mise à nu de tous ces émetteurs. L'invention procure un procédé pour la fabrica- tion d'un dispositif d'émission d'électrons de type micro- miniature, ayant un émetteur d'électrons pointu supporté sur un substrat Le procédé utilise un substrat ayant des surfaces avant et arrière pratiquement planes et opposées. On dépose une couche métallique relativement épaisse d'une matière émettrice d'électrons, sur la première surface du substrat et dans une ouverture pointue qui est formée sur cette première surface, d'une manière telle que la couche métallique revête la paroi de l'ouverture, pour former une structure métallique pointue à l'intérieur du substrat La couche métallique a une épaisseur suffisante pour rendre la pointe auto-porteuse lorsqu'elle est débarrassée de la ma- tière de substrat environnante On meule ensuite la surface plane arrière du substrat pour enlever la moitié ou plus de la matière du substrat, et pour créer une position de la surface arrière du substrat après meulage qui est séparée de la surface avant par une distance appropriée pour que les pointes de la structure métallique restent à l'inté- rieur du substrat, et pour les protéger contre l'opération de meulage On applique ensuite un traitement de finition à la surface arrière pour définir une position après finition pour le plan de la surface arrière qui est séparée de la surface avant par une distance appropriée pour que les pointes soient mises à nu. Dans un mode de réalisation préféré de l'inven- tion, l'étape de finition comprend une gravure mécano-chi- mique pour enlever la majeure partie de la matière de subs- trat restante, suivie par une gravure par voie humide qui met à nu les pointes Dans d'autres modes de réalisation, on peut utiliser séparément les étapes de gravure mécano- chimique ou de gravure chimique. Une caractéristique de l'invention consiste en ce que le procédé utilisé pour enlever la majeure partie de la matière du substrat après la formation des pointes est conçu pour maintenir la planéité de la surface arrière, de façon que l'étape de finition procure une surface arrière finie pratiquement plane pour le substrat Le point impor- tant n'est cependant pas le fait que la surface arrière du substrat soit plane, mais le fait que la planéité de la surface arrière met à nu de façon fiable toutes les pointes coniques, sans laisser certaines d'entre elles enterrées et d'autres trop dégagées, comme dans l'art antérieur. Une caractéristique supplémentaire de l'invention consiste en ce que les étapes qui mettent à nu les pointes il en métal sont conçues de façon à remplir cette fonction sans endommager notablement les pointes, de façon que ces dernières conservent leur acuité pour concentrer le champ électrique et émettre des électrons avec des énergies cor- respondant à des potentiels relativement faibles. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre de modes de réalisation, don- nés à titre d'exemples non limitatifs La suite de la des- cription se réfère aux dessins annexés dans lesquels: Les figures la-le sont une séquence de représen- tations en élévation qui illustrent la fabrication d'un dispositif émetteur d'électrons de type micro-miniature conforme à la présente invention, la figure le de cette séquence illustrant le dispositif fini; La figure 2 est une représentation qui illustre un dispositif émetteur d'électrons de l'art antérieur; Les figures 3 a-3 c illustrent le procédé de fabri- cation du dispositif de la figure 2; La figure 4 est une coupe montrant un dispositif émetteur d'électrons qui exemplifie un second mode de réa- lisation de la présente invention; La figure 5 illustre les éléments d'un dispositif émetteur d'électrons de l'art antérieur; Les figures 6 a-6 d illustrent les étapes du procé- dé de fabrication du dispositif de la figure 5; et Les figures 7 a et 7 b illustrent certains problè- mes associés au procédé de fabrication des figures 6 a-6 d. En considérant maintenant les dessins, on voit sur les figures la-le une illustration des étapes d'un pro- cédé de fabrication d'un dispositif émetteur d'électrons de type microminiature conforme à la présente invention, la figure le illustrant le dispositif fini. En considérant tout d'abord la figure le, on voit qu'une couche métallique 26 est déposée sur un substrat 21, cette couche métallique 26 comportant une partie pointue 27, avec une pointe vive 28 qui pénètre dans le substrat 21 Une couche d'isolation 32 est placée sur la surface inférieure du substrat 21 et procure une surface de support pour des électrodes de grille 33 et des électrodes de col- lecteur 34 Lorsque l'émetteur et le collecteur sont placés dans une enceinte à vide (non représentée), la circulation des porteurs s'effectue à travers le vide, et on obtient une vitesse de fonctionnement très élevée. Comme pour les dispositifs que l'on a envisagés en relation avec les figures 2 et 5, lorsqu'un potentiel est appliqué du collecteur 34 vers l'émetteur 27, un champ électrique est établi entre l'émetteur et le collecteur, et la concentration du champ est renforcée par la pointe vive 28 de l'émetteur 27 Lorsque la polarisation qui est appli- quée à la grille 33 est appropriée, des électrons sont émis et circulent de l'émetteur vers le collecteur sous la com- mande de la grille Lorsque les dispositifs sont fabriqués sous la forme d'un réseau étendu, des émetteurs et des col- lecteurs de dispositifs respectifs peuvent être connectés en série ou en parallèle, de la manière désirée, pour obte- nir des caractéristiques de courant ou de tension désirées, et les grilles peuvent être connectées de la manière exigée par le circuit, pour produire un réseau de dispositifs à vide fonctionnant soit d'une manière analogique, soit en dispositif de commutation très rapide. Le procédé de fabrication du dispositif de la figure le commence comme le montre la figure la, par la formation d'un masque 25 sur la surface supérieure 22 du substrat 21 Le substrat 21 peut être en silicium, en Ga As ou en un autre matériau semiconducteur de ce type Dans l'exemple initial, on suppose que le substrat 21 est en Ga As. Le substat en Ga As 21 a de préférence une conduc- tivité de type n, et il est orienté de façon que la gravure de cavités ou d'ouvertures pointues donne des formes de pointes vives et uniformes Ainsi, le substrat en Ga As de type n, 21, est orienté avec le plan cristallographique ( 100) pour la surface supérieure 22 Le masque 25 est formé par des procédés photolithographiques classiques, de façon à former une ouverture centrale 40 qui sera utilisée pour produire les ouvertures pointues 41 On note ici que les ouvertures 41 sont décrites comme étant pointues, ce terme étant utilisé dans un sens générique Plus précisément, le but de la formation d'ouvertures comportant des pointes est de produire une discontinuité vive dans la structure métal- lique qui sera formée dans l'ouverture, de façon que cette structure métallique constitue un émetteur d'électrons ef- fectif, lorsqu'elle est débarrassée de la matière du subs- trat Par conséquent, une forme préférée d'ouverture poin- tue est conique, et cette ouverture est destinée à former une structure métallique conique qui, lorsqu'elle est dé- barrassée du substrat au niveau de sa pointe, définit une pointe vive dégagée du substrat et capable d'émettre des électrons Dans sa configuration la plus préférable, on utilise la structure pointue conique dans un réseau de dis- positifs émetteurs d'électrons interconnectés, avec un en- semble de telles cavités coniques pointues formées dans le substrat 21, pour le dépôt dans ces cavités d'un ensemble de structures métalliques pointues, et ensuite pour le dé- gagement de telles structures, chacune d'elles étant desti- née à émettre des électrons. La dénomination "forme pointue" s'applique cepen- dant également à d'autres structures à pointe vive, comme une cavité allongée à section transversale en V, qui est conçue pour être revêtue de façon à former une électrode allongée à section en forme de V, présentant une disconti- nuité rectiligne vive conçue pour émettre des électrons sur sa longueur D'autres formes utiles de ce type apparaîtront maintenant également à l'homme de l'art, et on considère qu'elles sont englobées dans l'appellation " formes poin- tues" qui est utilisée ici. Après avoir formé l'ouverture 40 dans le masque qui est disposé sur la surface ( 100) du substrat en Ga As de type n, 21, comme représenté sur la figure la, on grave le substrat pour former la cavité pointue 41 Une solution de gravure préférée consiste en une solution d'acide tar- trique comprenant environ 40 parties d'acide tartrique, en- viron une partie d'eau oxygénée et environ 90 parties d'eau En utilisant cette solution avec le substrat et l'orientation précités, on forme par la gravure une cavité de forme conique qui se développe indépendamment de la sur- face du cristal Une autre solution de gravure consiste en une solution d'acide sulfurique comprenant environ 4 par- ties d'acide sulfurique, environ une partie d'eau oxygénée et environ une partie d'eau D'autres solutions de gravure utiles avec ce type de substrat sont connues dans la tech- nique et elles comprennent des solutions de gravure à base de brome et des solutions de gravures fluorées. * Après avoir formé la cavité pointue ou conique 41, comme représenté sur la figure la, on enlève le masque de gravure 25 et on dépose une couche métallique 26 sur la surface supérieure 22 du substrat, de manière que la matiè- re de cette couche recouvre la surface de la cavité pointue 41 La surface métallique est représentée en place sur la figure lb, et on voit qu'elle forme une structure métalli- que 27 dans la cavité pointue 41, cette structure métalli- que 27 comprenant une pointe vive 28 Comme on l'a indiqué ci-dessus, lorsque la cavité 41 est conique, la pointe 28 consiste en un seul point au sommet du cône Lorsque la cavité 40 est une cavité linéaire à section transversale en forme de V, la pointe 28 consiste en une ligne définissant l'arête du V allongé. La couche métallique 26 consiste en un métal qui remplira la fonction d'un émetteur d'électrons Il est pré- férable d'utiliser un métal ayant une énergie d'extraction inférieure à 10,0 Le tungstène est un exemple préféré d'une telle matière qu'on peut utiliser à titre de cathode d'un émetteur d'électrons Le tungstène, ayant une énergie d'extraction inférieure à 10,0, permet de stabiliser l'émission d'électrons, et de rendre plus uniformes les caractéristiques d'émission d'électrons du dispositif Le platine est un autre métal utile ayant une énergie d'ex- traction appropriée Dans un cas comme dans l'autre, la couche métallique 26 est formée par des techniques connues, telles que le dépôt sous vide ou la pulvérisation cathodi- que, d'une manière qui garantit que la couche de métal re- couvre les parois de la cavité 41, pour former une structu- re métallique dans cette dernière. Après avoir formé la structure métallique poin- tue, le traitement qui est appliqué au dispositif partiel- lement terminé de la figure lb passe à la surface arrière 23 La surface arrière 23 qui, comme indiqué ci-dessus, peut être à une distance de l'ordre de 100 à 500 microns de la surface avant 22, est ensuite enlevée systématiquement pour mettre à nu les pointes 28 de la structure en forme de V 27. Conformément à l'invention, la majeure partie de la matière du substrat est enlevée par un procédé, de pré- férence par meulage, qui est conçu pour maintenir la pla- néité et le parallélisme de la surface 23 par rapport à la surface 22 Ainsi, comme représenté sur la figure lc, la première phase de l'enlèvement de matière crée une surface plane après meulage 23 a du substrat, qui n'est que faible- ment distante des pointes 28 de la structure métallique, mais qui reste pratiquement plane et parallèle à la surface avant 22 La distance dl indique la couche de matière de substrat relativement mince qui reste après le meulage, et qui doit être enlevée dans une étape de finition dans le but de mettre les pointes à nu La dimension dl préférée varie avec les étapes de procédé qui sont utilisées pour l'enlèvement final, mais elle sera dans tous les cas d'en- viron 50 microns ou moins En fait, lorsque la phase finale de l'enlèvement de matière doit utiliser simplement la gra- vure chimique, la dimension dl doit être inférieure ou éga- le à 10 microns dans le but de maintenir la planéité de la surface arrière On a indiqué ci-dessus que lorsqu'on uti- lise la gravure chimique pour l'enlèvement de la majeure partie de la matière du substrat, la planéité de surface peut devenir un problème après l'enlèvement d'environ 10 microns de matière. Dans la mise en oeuvre de l'invention, le procédé qui est utilisé pour passer de la configuration de la figu- re lb à la configuration de la figure lc, est le meulage, qui a l'inconvénient de faire perdre la finition de surface du substrat, mais l'avantage de maintenir au moins grossiè- rement la planéité et le parallélisme de la surface, en évitant le défaut d'uniformité qui est associé à l'art an- térieur, comme représenté sur la figure 7 b On appelle meu- lage un procédé d'abrasion utilisant des particules abrasi- ves, souvent noyées dans une surface de meulage, formant des rayures dans la surface arrière du substrat et enlevant mécaniquement la matière Les rayures qui sont formées dans la surface résultent du frottement des particules abrasives sur la surface L'avantage du meulage réside dans le fait qu'on peut enlever assez rapidement des quantités notables de matière du substrat Un avantage important en ce qui concerne l'invention consiste en ce que le plan 23 a de la surface après meulage peut être maintenu pratiquement pa- rallèle au plan de la surface avant 22, ce qui fait que la dimension dl, définissant la distance entre les pointes non encore mises à nu, et la surface après meulage 23 a, est pratiquement uniforme de pointe en pointe dans un réseau des dispositifs. Dans la suite de la mise en oeuvre de l'inven- tion, on utilise un processus d'enlèvement de matière de seconde phase pour passer de la configuration de la figure lc, dans laquelle la majeure partie de l'enlèvement du substrat a été accomplie, à la condition de la figure ld dans laquelle les pointes 28 de la structure métallique 27 sont mises à nu On appellera "finition" le second proces- sus d'enlèvement de matière, pour le distinguer du premier processus d'enlèvement de matière qu'on a appelé "meulage". Le processus de finition peut être mis en oeuvre d'un cer- tain nombre de manières, et la forme préférée comprend une gravure mécano-chimique suivie par une gravure par voie hu- mide Comme on l'envisagera ci-dessous de façon plus dé- taillée, dans certaines applications, on peut utiliser ex- clusivement l'un ou l'autre de ces procédés Le but du pro- cessus de finition est d'enlever une quantité supplémentai- re de matière du substrat, comprenant la petite couche dl qui est laissée par le processus de meulage, et une petite quantité supplémentaire de matière pour mettre à nu les pointes 28 de la structure métallique, en laissant ces der- nières dégagées vis-à-vis du substrat 21, de façon qu'elles puissent constituer des émetteurs d'électrons efficaces En outre, les étapes de processus accomplissent cet enlèvement de façon que si on forme sur un substrat 21 un réseau de structures métalliques 27 très rapprochées, toutes les pointes 28 soient mises à nu L'illustration des figures la-le est destinée à englober le cas d'un réseau d'émet- teurs multiples, en considérant de façon spécifique simple- ment l'un des émetteurs dans le réseau de plus grande tail- le. Comme indiqué ci-dessus, l'étape de finition pré- férée comprend une gravure mécano-chimique suivie par une gravure chimique Comme il est bien connu, la gravure méca- no-chimique consiste en un procédé de gravure par voie hu- mide classique dans lequel un frottement mécanique s'ajoute à la gravure chimique Le frottement mécanique qui s'ajoute à la gravure chimique est destiné à augmenter la vitesse de gravure, et en outre à améliorer la planéité de la gravure, de façon que cette dernière soit favorisée dans des points hauts dans la structure, pour maintenir la planéité de la surface arrière 23 au fur et à mesure qu'elle progresse depuis la position après meulage 23 a qui est représentée sur la figure lc, jusqu'à la position finie 23 b qui est représentée sur la figure Id. Comme il est bien connu, la gravure mécano-chimi- que est similaire à de nombreuses opérations de polissage qui sont utilisées dans la finition de tranches Cependant, dans la présente invention, ce procédé est appliqué au dispo- sitif à semiconducteum partiellement terminé, au lieu d'être appliqué à la tranche avant le commencement de la fabrication du dispositif à semiconducteurs En utilisant le procédé de gravure mécano-chimique dans la présente in- vention, on frotte mécaniquement la surface arrière 23 a du substrat en présence d'une solution de gravure ou d'attaque qui enlève lentement la surface arrière du substrat, tout en maintenant sa planéité et son parallélisme avec la sur- face avant La solution de gravure utilise de préférence l'agent de gravure qui a été utilisé pour former la cavité dans la surface avant Le frottement est appliqué par une surface texturée et supportée, telle qu'une étoffe, mais en l'absence de particules abrasives Un avantage de la gravure mécano-chimique, lorsqu'elle est utilisée à la suite d'une opération de meulage initiale, consiste en ce que des rayures qui sont formées par les particules abrasi- ves pendant le meulage sont éliminées pendant la phase ini- tiale de l'opération de finition, pour donner une surface arrière 23 a plus lisse, bien adaptée pour l'opération de finition finale. Comme indiqué ci-dessus, l'opération de meulage est conçue de façon à laisser une faible quantité de matiè- re dl protégeant la structure métallique, qui a une épais- seur de l'ordre de 50 microns ou moins Lorsqu'on utilise une opération de finition en deux phases comprenant une gravure mécano-chimique, la gravure mécano-chimique doit laisser seulement une faible quantité de matière recouvrant les pointes 28, de façon que 10 microns de matière, ou moins, doivent être enlevés dans la phase finale de l'opé- ration de finition Dans le mode préféré de mise en oeuvre de l'invention, la seconde phase de l'opération de finition comprend une gravure chimique, qui peut être une continua- tion du traitement de gravure mécano-chimique, utilisant le même agent de gravure, mais en supprimant l'opération de frottement mécanique Dans la phase finale, la partie res- tante du substrat à enlever est effectivement enlevée, laissant la surface finie 23 b, pratiquement plane et paral- lèle à la surface avant 22, et espacée de la surface avant 22 de façon que la pointe 28 de la structure métallique 27 qui est illustrée soit à nu, comme le sont toutes les poin- tes restantes de structures similaires dans le substrat La phase finale de gravure chimique sans frottement est préfé- rable du fait que cette phase met à nu les pointes 28, l'élimination du frottement pendant cette phase finale pro- tège l'étoffe et, ce qui est plus important, elle protège les pointes 28, de façon que la configuration à pointe vive reste présente dans le dispositif électrique fini. Après avoir ainsi terminé l'opération d'enlève- ment de matière en deux phases qui est indiquée sur les figures lb à ld, on achève le processus par la formation d'une couche d'isolation sur la surface arrière finie 23 b du substrat, et par la formation d'une structure d'électro- de sur la couche d'isolation A titre d'exemple, on forme une couche de dioxyde de silicium ou d'une matière similai- re sur la surface finie 23 d, par dépôt chimique en phase vapeur par plasma On dépose ensuite une résine photosensi- ble sur la couche de dioxyde de silicium pour aplanir la surface, et on forme une ouverture dans la partie corres- pondant à la pointe 27 de la résine photosensible, en uti- lisant une opération de gravure de réduction d'épaisseur, par gravure par plasma, et on enlève sélectivement la par- tie centrale de la couche de dioxyde de silicium par gravu- re ionique réactive (ou RIE) Ensuite, on dépose un métal conducteur tel que l'aluminium, l'or, le nickel, le molyb- dène, le tungstène ou le platine sur la totalité de la sur- face de l'isolant 32, par exemple par dépôt sous vide ou par pulvérisation cathodique, et on forme une couche de résine photosensible sur la couche métallique, avec le mo- tif désiré, pour former la structure d'électrodes de grille et de collecteur 33, 34 Le métal inutile est enlevé par gravure ionique réactive ou gravure réactive par faisceau d'ions (ou RIBE), en utilisant comme masque la couche dé résine photosensible dans laquelle on a défini un motif, après quoi cette dernière est enlevée Selon une variante, on peut former la structure d'électrodes 33, 34 par des techniques de photolithographie, de dépôt et de décolle- ment Dans un cas comme dans l'autre, le motif métallique résultant comprend une structure d'électrode de grille 33 et une structure d'électrode de collecteur 34, avec les plots de connexion nécessaires La structure d'électrode est formée sur une couche d'isolation 32 qui laisse libre la pointe 28, pour émettre des électrons qui seront collec- tés par le collecteur 34, sous la commande de la grille 33. Bien que le meulage suivi par une finition en deux phases (gravure mécanochimique et gravure chimique par voie humide) représente le mode préféré pour la mise en oeuvre de l'invention, le procédé peut être quelque peu simplifié dans certains cas, en particulier en ce qui con- cerne l'opération de finition Ainsi, dans certains cas, en particulier lorsque le substrat 21 consiste en Ga As, on peut éliminer l'étape de gravure chimique, et le processus peut passer de la configuration de la figure lc à celle de la figure ld en utilisant seulement la gravure mécano-chi- mique Lorsque le substrat consiste en Ga As ou en matériaux composés de type voisin, on peut employer l'étape de gra- vure mécano-chimique pour la finition, sans risque notable d'endommager les pointes 28 de la structure lorsque ces dernières sont mises à nu Un troisième procédé conforme à l'invention est également possible, et il comprend un meu- lage suivi par une gravure chimique, sans la nécessité d'une gravure mécano-chimique Le troisième procédé est moins avantageux dans la mesure o les rayures qui sont introduites par l'opération de meulage ne peuvent pas être complètement éliminées pendant l'opération de finition. Cependant, dans certains cas, le procédé comprenant le meu- lage suivi par la gravure chimique peut être préférable, du fait de sa simplicité et de sa rentabilité Il est cepen- dant souhaitable dans ce cas de meuler le substrat au cours de la première phase du processus de façon à enlever une quantité suffisante de matière, pour ne nécessiter qu'un très faible enlèvement de matière pendant l'opération de finition Par conséquent, si l'opération de meulage peut être poursuivie jusqu'au point auquel il suffit d'enlever environ 10 microns de matière pour mettre à nu les pointes, ces dernières peuvent être mises à nu de façon fiable par gravure chimique Selon une variante, si on fabrique des dispositifs à un seul émetteur, ou des dispositifs ne com- portant qu'un petit nombre d'émetteurs largement espacés sur un substrat, on pourrait utiliser la gravure chimique pour enlever plus d'environ 10 microns de matière sans que des irrégularités de surface n'introduisent des complica- tions notables Certaines matières de substrat peuvent éga- lement être davantage tolérantes à un plus grand enlèvement de matière de substrat effectué en employant exclusivement la gravure chimique. En ce qui concerne le fonctionnement du disposi- tif terminé, il n'est pas notablement différent de celui des dispositifs de la figure 2 ou de la figure 5 Cepen- dant, on prévoit que le rendement de fabrication du proces- sus qui forme le dispositif, en particulier un réseau à émetteurs multiples, comme suggéré en relation avec la fi- gure 7 a, sera particulièrement élevé, du fait que la pla- néité de la surface arrière est mieux maintenue Les avan- tages du procédé de fabrication du dispositif de l'inven- tion, en comparaison avec des dispositifs du type à vide de l'art antérieur, apparaissent donc clairement Les avanta- ges par rapport à un dispositif à semiconducteurs apparais- sent également lorsqu'on note que la vitesse de déplacement d'électrons dans un matériau semiconducteur est limitée-à environ 10 cm/s, à cause de la diffusion due à des phéno- mènes optiques et des phénomènes acoustiques, tandis que dans le cas d'électrons se déplaçant dans le vide, la vi- tesse de déplacement peut être de l'ordre de 108 à 1010 cm/s Un avantage de vitesse correspondant à un facteur de ou plus est donc possible par rapport au dispositif à semiconducteurs L'augmentation de vitesse de commutation apparaît donc clairement. La figure 4 illustre un autre mode de réalisation de l'invention qui est similaire au dispositif de la figure le, à l'exception du fait que la structure métallique qui forme la pointe 28 est modifiée Dans le dispositif de la figure 4, une structure de cathode 46, de préférence en tungstène ou en platine, est tout d'abord formée et mise à nu, et au cours d'une étape suivante, une électrode de sor- tie de cathode 48 est déposée sur la surface avant 22 du substrat Le procédé pour la formation du dispositif de la figure 4 est donc modifié par le fait que la couche métal- lique initiale qui forme la structure pointue est formée seulement dans les pointes des cavités 41, pour produire la structure 46 La structure 46 est de préférence en tungstè- ne, et elle est relativement épaisse, de l'ordre de quel- ques milliers d'angstrôms à quelques dizaines de microns. Une couche 48 est formée par dépôt électrolytique sur la structure de pointe 46, et cette couche 48 est relativement mince, d'une épaisseur de l'ordre de 1 micron, et elle con- siste en un matériau conducteur tel que l'or Les opéra- tions de meulage et de finition sont effectuées sur la structure pointue avant ou après que la couche conductrice 48 soit déposée en place sur la surface supérieure du subs- trat Les électrodes de grille 33 et les électrodes de col- lecteur 34 sont formées comme dans le mode de réalisation précédent La structure supérieure 48 est une structure déposée qui est destinée à établir un contact ohmique avec la structure de cathode 46 et à former un conducteur de sortie de cathode sur la surface 22 du semiconducteur. Dans le mode de réalisation de la figure 4, la couche métallique 46 qui forme la structure pointue est de préférence en tungstène ou en platine La structure de con- ducteur de sortie de cathode 48 qui est formée sur place par dépôt électrolytique ou pulvérisation cathodique, peut également être en tungstène ou en platine, mais on peut également utiliser en plus des métaux conducteurs tels que l'aluminium, le nickel, l'or ou le molybdène La structure composite de la figure 4 offre la possibilité d'avoir une plus faible résistance de contact pour des fils de conne- xion quelconques qui sont branchés entre le contact élec- trique 48 et un circuit auxiliaire. Dans les modes de réalisation décrits ci-dessus, on a utilisé un substrat en Ga As pour le substrat 21 On peut cependant utiliser également un substrat en silicium. Lorsque le substrat est en silicium, la solution de gravure préférée, à la fois pour la formation de la cavité 41 et pour les phases de gravure chimique de l'enlèvement de l'arrière du substrat, est une solution de gravure de la famille de l'acide fluorhydrique ou une solution de gravure à base de KOH. A titre de variantes, il est également possible d'utiliser d'autres couches d'isolation, telles que Si N ou Ta O 3, pour la couche d'isolation en dioxyde de silicium 32. De plus, on a indiqué que les électrodes de grille et de collecteur 33, 34 étaient en or, en nickel, en aluminium, en molybdène, en tungstène ou en platine Il est également possible d'utiliser du titane, de l'argent ou du cuivre dans certains cas En particulier, dans le cas de l'élec- trode de cathode 26 (ou 48 de la figure 4), on envisage également la possibilité d'utiliser une pellicule multicou- che. On voit ainsi que l'invention procure un procédé perfectionné pour former de façon fiable un dispositif émetteur d'électrons, capable de procurer un rendement de fabrication plus élevé que des procédés utilisés jusqu'à présent La structure d'émetteur en forme de pointe est formée dans une cavité en forme de pointe dans un substrat semiconducteur, et la structure en forme de pointe est en- suite mise à nu par l'enlèvement de la majeure partie de la surface arrière du substrat On utilise un processus en deux phases pour l'enlèvement du substrat La première con- siste en une opération de meulage, qui comprend l'applica- tion de particules abrasives, habituellement fixées dans un outil, pour enlever largement plus de la moitié de la ma- tière du substrat, afin d'obtenir à la suite du meulage une surface meulée qui est plane et pratiquement parallèle à la surface avant du substrat La phase de meulage de l'enlève- ment du substrat est destinée à enlever suffisamment de matière pour laisser 50 microns, ou moins, protégeant la pointe de la structure métallique qui est formée dans le substrat Une opération de finition est ensuite appliquée à la surface arrière du substrat pour enlever une quantité supplémentaire de matière du substrat, et pour mettre à nu les pointes de la structure métallique, tout en maintenant la planéité de la surface arrière La surface après meulage est ainsi avancée jusqu'à une position finie, qui met à nu de façon fiable toutes les pointes de la structure émettri- ce d'électrons à pointes Le processus de finition comprend de préférence une phase initiale de gravure mécano-chimique qui est destinée à enlever la majeure partie de la matière restante, et qui est suivie par une phase finale de gravure chimique qui met à nu les pointes métalliques On évite une simple gravure chimique pour enlever de grandes quantités de matière du substrat, et le procédé permet ainsi d'obte- nir une bien meilleure planéité de la surface arrière et une mise à nu plus fiable de toutes les pointes des émet- teurs d'électrons Le dispositif à vide résultant a des caractéristiques électriques plus uniformes que celles qu'on a pu obtenir en utilisant des techniques antérieures, en particulier lorsque le procédé est appliqué à la produc- tion en grande quantité. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1 Procédé de fabrication d'un dispositif à vide émetteur d'électrons de type micro-miniature, comportant un émetteur d'électrons pointu supporté sur un substrat ( 21) et placé dans le vide, pour émettre des électrons à partir de la pointe ( 28), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on forme sur une première surface plane ( 22) du substrat une couche métallique ( 26) d'une matière émettrice d'électrons, la couche étant formée d'une manière telle que cette matière recouvre la surface de cavités pointues ( 41) qui sont formées dans le substrat ( 21); on meule une seconde surface plane du substrat ( 21), opposée à la première surface plane ( 22-), pour enlever une quantité suffisante de matière du substrat, mais en laissant les pointes métalliques ( 28) couvertes par une épaisseur de substrat qui ne dépasse pas environ 50 microns, et on finit la seconde surface du substrat ( 21) en utilisant une solu- tion de gravure par voie humide pour enlever une quantité supplémentaire de la matière du substrat afin de mettre à nu les pointes métalliques ( 28). 2 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de finition est accomplie au moyen de la solution de gravure, sans utiliser de particules abrasives de meulage, de manière que des rayures de surface qui ré- sultent de l'étape de meulage soient éliminées par polissa- ge et que les pointes métalliques ( 28) soient dégagées de la matière du substrat sans être notablement endommagées. 3 Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape de finition comprend une première phase de gravure mécano-chimique, suivie par une seconde phase de gravure chimique. 4 Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que la phase de gravure mécano-chimique enlève une quantité supplémentaire de matière du substrat sans mettre à nu les pointes ( 28), et les pointes sont mises à nu pen- dant la phase de gravure chimique. Procédé pour la fabrication d'un dispositif à vide émetteur d'électrons de type micro-miniature, compor- tant des moyens émetteurs d'électrons pointus qui sont sup- portés sur un substrat ( 21) et sont placés dans le vide, pour émettre des électrons à partir de la structure de pointes ( 28), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: on fournit un substrat ( 21) ayant des surfaces avant et arrière opposées, pratiquement planes; on forme une couche métallique relativement épaisse ( 26), consistant en une matière émettrice d'électrons, dans une structure de cavités pointues ( 41) qui est formée sur la surface avant ( 22) du substrat, d'une manière telle que la couche métal- lique revête les parois de la structure de cavités, pour former une structure métallique comportant des structures de pointes ( 28) à l'intérieur du substrat ( 21), la couche métallique ayant une épaisseur suffisante pour que la structure de pointes de la structure métallique soit auto- porteuse lorsqu'elle est dégagée de la matière environnante du substrat; on meule la surface plane arrière du substrat ( 21) pour enlever au moins la moitié de la matière du subs- trat, et pour créer une position après meulage pour la sur- face arrière du substrat, qui est séparée de la surface avant ( 22) par une distance appropriée, pour maintenir la structure de pointes de la structure métallique à l'inté- rieur du substrat, protégée contre l'étape de meulage; et on finit la surface arrière du substrat ( 21) pour établir une position finie pour le plan de la surface arrière, qui est séparée de la surface avant ( 22) par une distance ap- propriée pour dégager la structure de pointes ( 28) de la structure métallique, et pour mettre ainsi à nu la structu- re de pointes de façon fiable, pour l'émission d'électrons. 6 Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de formation d'une couche métallique comprend la gravure d'un ensemble de cavités coniques ( 41) dans la surface avant ( 22) du substrat ( 21), et le dépôt de la couche métallique ( 26) sur la surface avant ( 22) et sur les parois des cavités coniques, pour former un réseau de structures métalliques coniques ayant des pointes ( 28) en- terrées dans le substrat ( 21), pratiquement au même niveau, l'étape de meulage ayant pour fonction d'établir une posi- tion après meulage pour le plan de la surface arrière, qui protège toutes les pointes ( 28), et l'étape de finition ayant pour fonction d'établir une position finie pour le plan de la surface arrière, quu met à nu les pointes ( 28). 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de finition comprend une première phase de gravure mécano-chimique dans laquelle la solution de gravure par voie humide enlève la matière du substrat ( 21) pendant que la surface arrière est soumise à une action de frottement mécanique, et une seconde phase de gravure chi- mique par voie humide, sans frottement mécanique. 8 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de gravure mécano-chimique enlève la matière du substrat ( 21) sans mettre à nu les pointes ( 28) des structures métalliques coniques, et l'étape de gravure chimique par voie humide fait avancer le plan de la surface arrière jusqu'à la position finie, pour mettre à nu les pointes métalliques ( 28). 9 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'étape de finition comprend une opération de gravure mécano-chimique utilisant une solution de gravure chimique par voie humide et des moyens de polissage ne con- tenant pas de particules abrasives, la solution de gravure chimique par voie humide étant appliquée à la surface ar- rière conjointement à un frottement mécanique des moyens de polissage, pour renforcer l'action de gravure et pour polir la surface finie, les moyens de polissage étant mis en oeu- vre de manière à minimiser l'endommagement des pointes mé- talliques ( 28) pendant la finition. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que l'étape de finition comprend une opération de gravure chimique par voie humide utilisant une solution de gravure qui est conçue pour enlever une quantité supplémen- taire de matière du substrat ( 21) de façon à dégager les pointes métalliques ( 28), et l'étape de meulage étant ef- fectuée de façon à enlever une quantité de matière suffi- sante pour que l'opération de gravure chimique par voie humide ne dégrade pas notablement la planéité de la surface arrière finie.