Brevet FR2657202A1 — publié le 19910719

i La présente invention se rapporte à un perfectionnement d'un dispositif à onde acoustique de surface ainsi qu'à un procédé pour sa fabrication, approprié à un système de communication sur spectre dispersé. L'un des problèmes dans un système de communication sur spectre dispersé utilisant une large bande des fréquences réside dans le fait que la communication est rendue impossible ou bien que le taux d'erreur est augmenté par une interférence sur bande étroite à un haut niveau Afin résoudre ce problème, un filtre utilisant une onde acoustique de surface (ayant ci-après pour abréviation SAW) a été inventé. Afin de tenter d'augmenter la performance d'un système approprié à la suppression de l'interférence sur bande étroite, qui est utile pour un système de communication sur spectre dispersé, les inventeurs de la présente invention ont proposé un dispositif à onde acoustique de surface, indiqué aux figures 6 et 7 du brevet japonais JP-A-Hei 1-267503. Sur la figure, le chiffre de référence 1 est un substrat monocristallin en Si de conductivité du type p+; 2 est une couche épitaxiée en Si de conductivité du type p; 3 est une couche d'oxyde thermique; 4 est une couche piézo-électrique en Zn O; 5, 6 et 7 sont des électrodes en métal qui sont des transducteurs d'entrée formés sur la couche piézo-électrique 4 et qui classent un signal d'entrée en fréquence pour produire un certain nombre de trajets de propagation (canaux), des transducteurs de sortie formés sur la couche piézo-électrique 4, chacun des transducteurs de sortie obtenant un signal de sortie de la SAW se propageant à travers chacun des trajets de propagation, et des électrodes de porte qui sont formées sur la couche piézo-électrique 4, chacune d'entre elles correspondant à chacun des trajets de propagation, respectivement; 8 est une région de diffusion à haute concentration en impuretés de conductivité du type p+ formée dans la couche épitaxiée 2 sous le transducteur d'entrée ou le transducteur de sortie; 9 est une région de diffusion de conductivité du type n+ qui est formée dans la couche épitaxiée sous l'électrode de porte; 10 est une région de diffusion de conductivité du type n+ formée dans la couche épitaxiée 2 en dehors du transducteur d'entrée 5; et 7 ' est une électrode de porte formée sur la couche piézo-électrique, correspondant à la région de diffusion de conductivité du type n+ Une première série de diodes pn est formée le long des trajets de propagation de la SAW, par la région de diffusion 9 de conductivité du type n+ et d'autre part, une seconde série de diodes pn est formée le long des trajets de propagation de la SAW, par la région de diffusion 10 de conductivité du type n+ 11 est une résistance connectée à chacune des séries de diodes pn 9 et 10; 12 est une source d'alimentation en courant continu; et 13 est une borne pour surveiller un signal de tension obtenu par la transformation d'un signal d'entrée en une SAW et le détecter au moyen de la seconde série de diodes pn, borne au moyen de laquelle l'intensité (puissance électrique) du signal d'entrée dans le canal en rapport (région de fréquences) est observée sous la forme de variations de tension 14 est une borne de réglage de polarisation pour la première série de diodes pn. Selon l'invention de l'ancienne demande décrite ci-dessus, la fonction de surveillance de l'intensité du spectre du signal d'entrée est ajoutée à la construction d'un élément de l'art antérieur Par l'élément de l'art antérieur, seule l'une des intensités de signal des SAW excitées par les transducteurs d'entrée et se propageant dans deux directions est contrôlée par la série de diodes pn se trouvant sur les trajets de propagation et l'on n'utilise pas la SAW se propageant en direction inverse. Selon l'invention de l'ancienne demande, l'intensité du signal de cette SAW qui se propage en direction inverse est détectée par les diodes pn pour obtenir une information concernant l'intensité du spectre du signal d'entrée de manière à pouvoir effectuer le contrôle de la propagation par une faible puissance d'entrée au moyen d'un circuit de contre-réaction. Dans l'élément à onde acoustique de surface selon l'invention de l'ancienne demande, contrairement au fait que dans la portion de filtre, il est souhaitable que la couche épitaxiée soit épaisse afin d'augmenter la perte de la SAW, dans la portion de détection afin d'augmenter l'intensité du signal détecté, il est souhaitable que la couche épitaxiée soit mince du point de vue diminution de la perte de la SAW Cependant, comme l'invention de l'ancienne demande attache une grande importance aux caractéristiques de la portion de filtre, la couche épitaxiée est épaisse et par suite, le signal détecté est faible. La présente invention a pour objet de procurer un dispositif à onde acoustique de surface et un procédé pour sa fabrication permettant d'augmenter la performance d'un système approprié à la suppression de l'interférence sur bande étroite, qui est utile pour un système de communication sur spectre dispersé et en même temps d'augmenter l'intensité du signal dans la portion de détection sans changer les caractéristiques de la portion de filtre. Afin d'atteindre l'objectif ci-dessus, un dispositif à onde acoustique de surface selon un premier mode de réalisation de la présente invention comprend: une structure multi-couche ayant un substrat en silicium à haute concentration en impuretés d'un premier type de conductivité, une couche épitaxiée en silicium d'un premier type de conductivité, une couche isolante et une couche piézo-électrique; des transducteurs d'entrée formés sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus et classant un signal d'entrée en fréquence pour produire un certain nombre de trajets de propagation; des transducteurs de sortie formés sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus, chacun des transducteurs de sortie permettant d'obtenir un signal à la sortie, de l'onde acoustique de surface se propageant à travers chacun des trajets de propagation. Un groupe d'électrodes de porte formé sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus, correspondant à chacun des trajets de propagation. Un groupe de premières séries de diodes pn formé sur la surface latérale de la couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité indiquée ci-dessus dans une région comprise entre les transducteurs d'entrée et de sortie; et un groupe de secondes séries de diodes pn formé sur la surface latérale de la couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité indiquée ci-dessus dans une région opposée au groupe des premières séries de diodes pn par rapport aux transducteurs d'entrée indiqués ci-dessus; o la couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité indiquée ci-dessus est plus mince du c 8 té du groupe des secondes séries de diodes pn que du côté du groupe des premières séries de diodes pn. Un dispositif à onde acoustique de surface selon un second mode de réalisation de la présente invention comprend: un substrat en silicium à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité; une couche épitaxiée en silicium d'un premier type type de conductivité; une couche noyée à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité, formée partiellement dans la couche épitaxiée indiquée cidessus; une première série de diodes pn formée sur la surface latérale de la couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité indiquée ci-dessus, dans une région o la couche noyée indiquée ci-dessus n'est pas formée; une seconde série de diodes pn formée sur la surface latérale de la couche épitaxiée au-dessus de la couche noyée indiquée ci-dessus; une couche isolante formée sur la couche épitaxiée indiquée ci-dessus; une couche piézo-électrique formée encore sur la couche isolante indiquée ci-dessus; un premier moyen formant éélectrode de porte formé sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus, au-dessus du groupe des premières séries de diodes pn indiqué ci-dessus; des secondes électrodes de porte formées sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus, audessus de la seconde série de diodes pn indiquée ci-dessus; un moyen transducteur d'entrée formé sur la couche piézo-électrique indiquée cidessus dans une région comprise entre les premier et second moyens formant électrodes de porte indiqués ci-dessus; et un moyen transducteur de sortie formé sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus dans une région opposée aux transducteurs d'entrée par rapport au second moyen formant électrode de porte indiqué ci-dessus. Un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon un troisième mode de réalisation de l'invention comprend: une première étape de formation d'une première couche épitaxiée d'un premier type de conductivité sur un substrat en silicium à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité; une deuxième étape de formation d'une couche noyée à forte concentration en impuretés, d'un premier type de conductivité, à la surface de la couche épitaxiée du premier type de conductivité indiqué cidessus, dans une région prédéterminée; une troisième étape de formation d'une seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité sur la couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus, comprenant la couche noyée indiquée ci-dessus, laquelle seconde couche épitaxiée est similaire à la couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus; une quatrième étape de formation d'une série de diodes consistant en couches à forte concentration en impuretés du second type de conductivité sur la portion de surface de la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité formée à la troisième étape décrite ci-dessus, au-dessus de la couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité indiquée cidessus et une autre portion, respectivement; une cinquième étape de superposition d'une couche piézo-électrique sur la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus; et une sixième étape de formation de transducteurs et d'électrodes de porte ssur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus. Un procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon un quatrième mode de réalisation de la présente invention comprend: une première étape de formation d'une première couche épitaxiée d'un premier type de conductivité sur un substrat en silicium à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité; une deuxième étape de formation d'une couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité à la surface de la couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus, dans une région prédéterminée; une troisième étape de formation d'une seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité sur la première couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus comprenant la couche noyée indiquée ci-dessus, laquelle seconde couche épitaxiée est similaire à la couche épitaxiée du premier type de conductivité indiquée ci-dessus; une quatrième étape de formation d'une couche d'oxyde thermique sur la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité; une cinquième étape de formation d'une série de diodes consistant en couches à forte concentration en impuretés du second type de conductivité sur la portion de surface de la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité, formée dans la troisième étape décrite ci-dessus, au- dessus de la couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité indiquée ci-dessus et d'une autre portion, respectivement; une sixième étape de surperposition d'une couche piézo- électrique sur la couche d'oxyde thermique indiquée ci-dessus; et une septième étape de formation de transducteurs et d'électrodes de porte sur la couche piézo-électrique indiquée ci-dessus. Dans les dispositifs à onde acoustique de surface ainsi construits, comme la couche épitaxiée servant de portion de détection est plus mince que l'autre portion à cause de la couche noyée ainsi formée, il y a diminution de la SAW En conséquence, comme la puissance électrique dans la portion de détection augmente, l'intensité du signal détecté augmente par suite de cela. L'invention sera mieux comprise et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: la figure l A est un schéma montrant la construction d'un dispositif à onde acoustique de surface, selon un premier mode de réalisation de la présente invention; la figure 1 B est un schéma montrant la construction d'un dispositif à onde acoustique de surface, selon un autre mode de réalisation de la présente invention; la figure 1 C est un schéma montrant la construction d'un dispositif à onde acoustique de surface, selon un autre mode de réalisation de la présente invention; les figures 2 A à 2 D sont des schémas montrant les étapes de fabrication de la présente invention la figure 3 est un schéma montrant la construction d'une partie indiquée par X-X' sur les figures l A à 1 C; la figure 4 est un schéma montrant la construction d'une partie indiquée par Y-Y' aux figures 1 A à 1 C; la figure 5 est un graphique représentant la relation entre la résistance spécifique et la perte de la SAW pour différentes épaisseurs de la couche épitaxiée la figure 6 est un schéma montrant la construction d'un élément à onde acoustique de surface selon l'invention décrite dans l'ancienne demande ci-dessus mentionnée; et la figure 7 est une vue en plan de l'élément indiqué à la figure 6. Les figures l A à 1 C illustrent des éléments à onde acoustique de surface selon différents modes de réalisation de la présente invention, o des parties identiques ou analogues à celles indiquées sur les figures 6 et 7 sont désignées par les mêmes chiffres de référence. En effet, le chiffre de référence 1 est un substrat monocristallin en Si de conductivité du type p+; 2 est une couche épitaxiée en Si de conductivité du type p; 3 est une couche d'oxyde thermique; 4 est une couche piézo-électrique en Zn O; 5, 6 et 7 sont des électrodes en métal, qui sont des transducteurs d'entrée formés sur la couche piézo-électrique 4 et qui classent un signal d'entrée en fréquence pour produire un certain nombre de trajets de propagation (canaux), des transducteurs de sortie formés sur la couche piézo-électrique 4, chacun des transducteurs de sortie permettant d'obtenir un signal de sortie d'une SAW se propageant à travers chacun des trajets de propagation, et des électrodes de porte formées sur la couche piézo-électrique 4, chacune d'entre elles correspondant à chacun des trajets de propagation, respectivement; 8 est une région de diffusion à forte concentration en impuretés de conductivité du type p+ qui est formée dans la couche épitaxiée 2 sous le transducteur d'entrée ou le transducteur de sortie; 9 est une région de diffusion de conductivité du type n+ qui est formée dans la couche épitaxiée sous l'électrode de porte; 10 est une région de diffusion de conductivité du type n+ qui est formée dans la couche épitaxiée 2 en dehors du transducteur d'entrée 5; et 7 ' est une électrode de porte formée sur la couche piézo-électrique, correspondant à la région de diffusion de conductivité du type n+ Des premières séries de diodes pn sont formées le long des trajets de propagation de la SAW par la région de diffusion 9 de conductivité du type n+ et d'autre part des secondes séries de diodes pn sont formées le long des trajets de propagation de la SAW par la région de diffusion 10 de conductivité du type n+. La résistance 11, l'alimentation en courant continu 12, la borne pour la surveillance du signal de tension 13, et la borne de réglage de polarité 14 sont omises de ces figures. La couche épitaxiée 2 en silicium du premier type de conductivité cidessus décrite est formée de façon à être plus mince à l'endroit de la portion de la seconde série de diodes pn décrite ci-dessus qu'en toute autre partie, au moyen de la couche noyée 15 de conductivité du type p' qui est formée par implantation d'ions de bore par la méthode d'implantation d'ions puis leur diffusion comme indiqué par Z sur la figure. L'épaisseur Z de la couche épitaxiée est de 1 à 5 um, de préférence d'environ 2 um tandis que l'autre partie a environ 10 um d'épaisseur Les figures l A à 1 C illustrent des exemples o l'épaisseur ou la position en direction de l'épaisseur, de la couche noyée de conductivité du type p+, diffèrent. Bien que le fonctionnement de base de l'élément ainsi construit soit identique à celui décrit pour l'invention de l'ancienne demande, comme la couche épitaxiée 2 est formée de façon à être plus mince à la portion de détection au moyen de la couche noyée de conductivité du type p+, même dans le cas o l'intensité du signal d'entrée aux transducteurs reste identique, la il perte est plus faible Par conséquent, la puissance électrique de la SAW à la portion de détection est plus importante que celle obtenue par l'invention de l'ancienne demande et par suite, il est possible d'augmenter l'intensité du signal détecté. Le procédé de fabrication de l'élément ayant une telle construction sera maintenant expliqué, en se référant aux figures 2 A à 2 D. Sur la figure 2 A, la première couche épitaxiée 2 a est formée sur le substrat 1 en Si de conductivité du type p+ La première couche épitaxiée 2 a a environ 5 um d'épaisseur, dans le cas o la couche épitaxiée finale a um d'épaisseur Ensuite, une couche 16 en Si O 2, d'environ 150 nm d'épaisseur, est formée en tant que couche tampon pour une implantation d'ions décrite ultérieurement. Sur la figure 2 B, après application d'une couche de résine photo-sensible 17 sur la totalité de la surface, on l'élimine par une méthode photo-litho- graphique, uniquement en une région o la portion de détection du signal est formée Alors, des ions de bore sont implantés à une dose relativement élevée, en utilisant la couche de résine photo-sensible résiduelle 17 comme masque. Sur la figure 2 C, après avoir complètement enlevé la couche de résine photo-sensible 17, les ions implantés de bore sont activés par un traitement de recuit à haute température et en même temps, ils sont profondément diffusés pour former la couche noyée 15 de conductivité du type p+ Par ailleurs, bien que dans le présent mode de réalisation, la couche noyée de conductivité du type p+ soit formée par la méthode d'implantation d'ions, on peut la former par méthode de diffusion thermique ou méthode de centrifugation. Sur la figure 2 D, après élimination de la couche tampon 16 en Si O 2, la seconde couche épitaxiée 2 b ayant la même concentration en impuretés que la première couche épitaxiée 2 a ci-dessus est formée A ce moment, l'épaisseur de la couche est d'environ 5 um. Ensuite, une couche de résine photo-sensible pour former une région de conductivité du type p+, dans laquelle une fenêtre est formée à la région correspondant à la région de diffusion 8 à forte concentration en impuretés de conductivité du type p+, est formée sur la couche d'oxyde thermique 3 qui est formée sur la couche épitaxiée 2, comme dans le procédé pour l'élément indiqué à la figure 6 Après implantion de bore, la région de diffusion 8 à forte concentration en impuretés de conductivité du type p+ est formée par traitement thermique Après élimination de la couche de résine photo- sensible pour former la région de conductivité du type p+, une couche de résine photo-sensible pour former les régions de conductivité du type n+ o sont formées des fenêtres aux régions correspondant aux régions de diffusion d'impuretés de conductivité du type n+ 9 et 10, est formée Après implantation de phosphore, les régions de diffusion d'impuretés 9 et 10 du type de conductivité n+ sont formées par traitement thermique Après élimination de la couche de résine photo-sensible pour former les régions de conductivité du type n+, la couche piézo-électrique 4 en Zn O est déposée par pulvérisation et les transducteurs d'entrée et de sortie 5 et 6 et les électrodes de porte 7 et 7 ' sont formées sur cette couche piézo-électrique en Zn O pour obtenir les structures indiquées aux figures l A à 1 C. La figure 3 est un schéma montant la construction d'une partie indiquée par X X' (portion de détection) sur les figures l A à 1 C; la figure 4 est un schéma montrant la construction d'une partie indiquée par Y Y' (portion de filtre); et la figure 5 est un graphique représentant la relation entre la résistance spécifique et la perte de SAW pour différentes épaisseurs de la couche épitaxiée. Comme l'épaisseur Z de la couche épitaxiée à la portion de détection peut être réduite à environ 2 um par le fait que cette couche épitaxiée est formée, divisée en deux, et que la couche noyée de conductivité du type p+ n'est formée que sur la portion de détection après la première croissance, par exemple par la méthode de fabrication ci-dessus décrite, comme cela est indiqué par le résultat expérimental de la figure 5, il est possible de réduire la perte de la SAW d'environ 40 d B/cm pour une résistance spécifique de 100 ohms cm de la couche épitaxiée par rapport à l'épaisseur ( 10 um), par la technique de l'art antérieur En conséquence, comme on l'a précédemment décrit, même dans le cas o l'intensité du signal d'entrée au transducteur reste identique, comme il y a réduction de la perte de la SAW, la puissance électrique de la SAW à la portion de détection augmente par rapport à celle obtenue par l'invention de l'ancienne demande et par suite de l'augmentation de l'intensité du signal détecté. Comme on l'a décrit ci-dessus, par la construction des dispositifs à onde acoustique de surface selon la présente invention, il est possible d'augmenter l'intensité du signal détecté à la portion de détection sans changer les caractéristiques de la portion de filtre Par conséquent, le traitement du signal lors de la rétro-action du signal détecté à la portion de filtre devient plus facile et cela permet d'améliorer le rapport signal/bruit. Par ailleurs, par le procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface selon la présente invention, il est possible d'obtenir facilement un élément à onde acoustique de surface ayant une couche épitaxiée qui est plus mince à la portion de détection du signal qu'à la portion de filtre, simplement par addition de plusieurs modifications aux étapes de fabrication de l'art antérieur. R E V E N D I C A T I O N S 1 Dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend: une structure multi-couche comportant un substrat en silicium ( 1) à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité, une couche épitaxiée en silicium ( 2) du premier type de conductivité, une couche isolante ( 3) et une couche piézo-électrique ( 4); des transducteurs d'entrée ( 5) formés sur ladite couche piézo-électrique et classant un signal d'entrée en fréquence pour produire un certain nombre de trajets de propagation; des transducteurs de sortie ( 6) formés sur ladite couche piézo-électrique, chacun desdits transducteurs de sortie obtenant un signal de sortie de l'onde acoustique de surface se propageant à travers chacun des trajets de propagation; un groupe d'électrodes de porte ( 7) formé sur ladite couche piézo-électrique, chacune d'entre elles correspondant à chacun desdits trajets de propagation un groupe de premières séries de diodes pn ( 9) formé sur la surface latérale de ladite couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité, dans une région comprise entre les transducteurs d'entrée et de sortie; et un groupe de secondes séries de diodes pn ( 10) formé sur la surface latérale de ladite couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité, dans une région opposée audit premier groupe des séries de diodes pn par rapport auxdits transducteurs d'entrée; ladite couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité étant plus mince du côté du groupe des secondes séries de diodes pn que du côté du groupe des premières séries de diodes pn. 2 Dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat en silicium ( 1) à forte concentration en impuretés d'un premier type de conductivité; une couche épitaxiée ( 2) en silicium du premier type de conductivité; une couche noyée ( 15) à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité, formée partiellement dans ladite couche épitaxiée; des premières séries de diodes pn ( 9) formées ssur la surface latérale de ladite couche épitaxiée en silicium du premier type de conductivité, dans une région o n'est pas formée ladite couche noyée; une seconde série de diodes pn ( 10) formée sur la surface latérale de ladite couche épitaxiée au-dessus de ladite couche noyée; une couche isolante ( 3) formée sur ladite couche épitaxiée; une couche piézo-électrique ( 4) formée de plus sur ladite couche isolante; une première électrode de porte ( 7) formée sur ladite couche piézo-électrique au-dessus de ladite première série de diodes pn; une seconde électrode de porte ( 7 ') formée sur ladite couche piézoélectrique au-dessus de ladite seconde série de diodes pn; des transducteurs d'entrée ( 5) formés sur ladite couche piézo-électrique dans une région comprise entre lesdites première et seconde électrodes de porte et des transducteurs de sortie ( 6) formés sur ladite couche piézoélectrique dans une région opposée aux transducteurs d'entrée, par rapport à la seconde électrode de porte. 3 Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche épitaxiée ( 2) se compose d'une première couche épitaxiée et d'une seconde couche épitaxiée formée sur ladite première couche épitaxiée. 4 Dispositif à onde acoustique de surface selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche épitaxiée ( 2), mesurée à partir de la surface supérieure de la couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité et la surface supérieure de la couche épitaxiée, est de lum à 5 um. Procédé de fabrication d'un dispositif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend: une première étape de formation d'une première couche épitaxiée d'un premier type de conductivité sur un substrat en silicium à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité; une deuxième étape de formation d'une couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité, à la surface de la couche épitaxiée du premier type de conductivité, dans une région prédéterminée; une troisième étape de formation d'une seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité sur la première couche épitaxiée du premier type de conductivité comprenant la couche noyée, ladite seconde couche épitaxiée étant similaire à la couche épitaxiée du premier type de conductivité; une quatrième étape de formation de séries de diodes consistant en couches à forte concentration en impuretés du second type de conductivité sur la portion de surface de la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité formée à la troisième étape ci-dessus décrite, au-dessus de ladite couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité et d'une autre portion, respectivement une cinquième étape de superposition d'une couche piézo-électrique sur ladite seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité; et une sixième étape de formation de transducteurs et d'électrodes de porte sur ladite couche piézo-électrique. 6 Procédé de fabrication d'un dispossitif à onde acoustique de surface caractérisé en ce qu'il comprend: une première étape de formation d'une première couche épitaxiée d'un premier type de conductivité sur un substrat en silicium à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité; une deuxième étape de formation d'une couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité à la surface de la couche épitaxiée du premier type de conductivité dans une région prédéterminée; une troisième étape de formation d'une seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité sur la première couche épitaxiée du premier type de conductivité comprenant la couche noyée, laquelle seconde couche épitaxiée est similaire à la couche épitaxiée du premier type de conductivité; une quatième étape de formation d'une couche d'oxyde thermique sur la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité; une cinquième étape de formation de séries de diodes consistant en couches à forte concentration en impuretés du second type de conductivité sur la portion de surface de la seconde couche épitaxiée du premier type de conductivité formée dans la troisième étape, au-dessus, de ladite couche noyée à forte concentration en impuretés du premier type de conductivité et d'une autre portion, respectivement; une sixième étape de superposition d'une couche piézo-électrique sur la couche d'oxyde thermique; et une septième étape de formation de transducteurs et de portes sur la couche piézo-électrique. 7 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la deuxième étape précitée de formation d'une couche noyée comprend: une étape de formation d'une couche tampon sur la première couche épitaxiée; une étape de formation d'une couche de résine photo-sensible dans laquelle une fenêtre est formée en une portion prédéterminée, sur ladite couche tampon; et une étape d'implantation d'ions d'impuretés en utilisant la couche de résine photo-sensible comme masque et de formation de ladite couche noyée par un traitement de recuit. 8 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la première couche épitaxiée formée à la première étape et la seconde couche épitaxiée formée à la troisième étape ont environ 5 um d'épaisseur. 9 Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche noyée formée à la deuxième étape est formée par une méthode de diffusion thermique. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que la couche noyée formée à la deuxième étape est formée par centrifugation.