Brevet FR2649523A1 — publié le 19910111

La présente invention concerne les dispositifs de visualisation à cristal liquide et, plus particulièrement, un dispositif de visualisation à cristal liquide comportant une multitude de cellules, ou de pixels (éléments d'image), chaque cellule ayant un transistor à effet de champ redondant et une structure de croisement redondante pour les lignes d'adresses des pixels, tous deux étant connectés au dispositif de visualisation par des liaisons fusibles par laser. Un dispositif de visualisation à cristal liquide comporte généralement deux, panneaux plats (en général un substrat en verre et un verre de couverture) contenant de façon étanche une certaine quantité d'un cristal liquide, par exemple un système invité-hôte à colorant dichroïque ou une formulation nématique à torsion. Sur l'un des panneaux plats sera généralement disposé un matériau conducteur, entourant presque complètement une surface intérieure pour former une électrode de "plan de masse". Une multitude d'électrodes constituées d'un matériau conducteur transparent tel que l'oxyde d'indium et d'étain seront disposées sur le panneau opposé en formant généralement des colonnes et des rangées uniformes pour constituer une structure à matrice X-Y.On désigne généralement ces électrodes par électrodes de "pixels11. Ainsi, dans un dispositif de visualisation à cristal liquide, une cellule typique ou pixel- comprend un cristal liquide disposé entre une électrode de pixel et une électrode de masse, d'où la réalisation d'un condensateur disposé entre les deux panneaux plats. Si le dispositif de visualisation à cristal liquide doit etre actionné par une lumière réfléchie, comme dans le cas d'une montre numérique ou d'un dispositif de visualisation de calculateur, seul le panneau opposé (sur lequel sont disposées les électrodes en oxyde d'indium et d'étain) doit être transparent ; l'autre pannes aura une surface réfléchissante.Si le dispositif de visualisation à cristal liquide doit transmettre la lumière, les deux panneaux plats seront alors transparents et l'électrode du plan de masse devra elle aussi être constituée d'un matériau transparent (par exemple, d'oxyde d'indium et d'étain, etc.). Un commutateur à semi-conducteur, tel qu'un transistor à effet de champ à couche mince (FET ou analogue) est formé en une pièce avec chaque pixel pour commander le fonctionnement de ce pixel dans le dispositif de visualisation. On préfère utiliser des transistors à effet de champ dans les dispositifs à cristal liquide à cause de leurs dimensions généralement petites, de leur faible consommation d'énergie, de leurs vitesses de commutation favorables, de leur facilité de fabrication, et de leur compatibilité avec les structures des dispositifs de visualisation classiques à cristal liquide. La communication électrique avec les transistors à effet de champ des pixels individuels s'effectue au moyen d'une multitude de lignes d'adresses X ou lignes de balayage, en général une ligne par rangée (ou colonne) de pixels, et une multitude de lignes d'adresses Y ou lignes de données, une ligne par colonne (ou rangée) de pixels. Les lignes de balayage sont généralement reliées aux électrodes de grille des FET de pixels et les lignes de données sont généralement connectées aux électrodes de source. L'électrode de grain de chaque FET est reliée à l'electrode de pixel. Un pixel individuel peut être adressé en appliquant une tension de valeur suffisante à l'une des lignes de balayage pour faire passer à l'état conducteur les FET de la rangée correspondant à la ligne de balayage.Si une tension de donnée est appliquée à une ligne de données alors qu'un FET de la colonne correspondant à la ligne de donnée est à l'état conducteur5 le condensateur de pixel se chargera et stockera la tension de donnée après que la tension de la ligne de balayage ait diminué jusqu'à une valeur suffisante pour rendre le FET non-conducteur. Chaque pixel du dispositif 'de visualisation peut êter adressé individuellement de cette manière. Selon la valeur de la tension de donnée appliquée à l'électrode de pixel, il y a modification des propriétés optiques du cristal liquide.La valeur de la tension de donnée peut être telle qu'elle ne permet aucune transmission de la lumière à travers le pixel (hors marche) ; permet la transmission maximum de lumière dans le pixel (marche), ou fournit un niveau intermédiaire de l'échelle de gris pour la transmission de la lumière. Des courts-circuits entre les lignes de données et les lignes de balayage (à des endroits où ces lignes d'adresses se croisent les unes avec les autres), des courts-circuits dans les transistors à effet de champ, et des courts-circuits entre les transistors à effet de champ et les lignes de balayage ou de données, sont les sources principales de défauts ayant un effet néfaste sur le fonctionnement des dispositifs de visualisation à cristal liquide en silicium amorphe. Des courts-circuits peuvent également se produire entre l'oxyde d'indium et d'étain des électrodes de pixels et les lignes d'adresses de données et de balayage dans le cas où l'oxyde n'a pas été complétement enlevé par gravure pour fournir un espacement entre les lignes de pixels et les lignes d'adresses contiguës. Les lignes de balayage et les lignes d'adresses de données sont isolées les unes des autres à leur endroit de croisement par une fine couche d'un matériau isolant, tel que le nitrure de silicium (SiN). Les lignes de données et les lignes de balayage peuvent être mises en court-circuit aux endroits de croisement par la présence de trous pouvant se développer par inadvertance dans la couche d'isolement lors de la fabrication du dispositif En général, la métalisation destinée aux lignes de données et de balayage est déposée par projection au cours des différentes étapes du procédé; par conséquent, la métalisation déposée ultérieurement le sera par l'ntermédiaire des trous ou ouvertures de la couche d'isolement formée en contact avec la métalisation déposée en premier. Des défauts, tels que des circuits ouverts et des courts-circuits, peuvent également se produire dans le FET associé à un pixel. Par exemple, une couche de SiN isole la grille du FET d'une couche de silicium amorphe par l'intermédiaire de laquelle un canal conducteur, entre les régions de source et de drain du FET, est renforcé lorsqu'une tension de valeur suffisante et de polarité correcte est appliquée à la. grille du FET par rapport à la source du FET. S'il existe une ouverture dans la couche d'isolement en SiN du transistor à effet de champ, un trajet conducteur peut être établi entre la grille ou ligne de balayage et la ligne de données correspondante dans le transistor, trajet qui aura un effet néfaste sur le fonctionnement du pixel associé à ce transistor. On peut traiter le problème des courts-circuits dans le transistor à effet de champ en prévoyant un transistor à ef-fet de champ redondant ou auxiliaire par pixel. Cependant, ce remède souffre de certains inconvénients. La plupart des pixels peuvent ne pas avoir besoin d'un second transitor à effet de champ ; et, étant donné que le second transistor à effet de champ est resté à tout moment monté entre l'électrode de pixel et les lignes de données et de balayage, il provoque la présence d'une capacité supplémentaire qui peut réduire la vitesse de fonctionnement du dispositif à cause de la plus grande constante de temps RC des lignes de données. Ce probléme sera encore plus critique avec l'augmentation des surfaces d'affichage ; des lignes d'adresses plus longues provoqueront une augmentation de leur résistance et le condensateur du pixel sera plus long à charger. De plus, si deux transistors à effet de champ sont connectés à tout moment et qu'il y a un défaut dans l'un des deux transistors, il peut ne pas s' avérer possible d'identifier celui des transistors qui souffre du défaut car ce défaut peut ne pas être visible au microscope.Par conséquent, il y a le risque que le bon transistor à effet de champ soit coupé des lignes d'adresses, c'est-à-dire que les lignes métalliques reliant le transistor à effet de champ aux lignes de balayage et de données sera sectionné par une technique connue d'évaporation par laser lorsqu'on essaie d'isoler électriquement le transistor défectueux. En conséquence, la présente invention a pour objet principal une nouvelle structure de dispositif de visualisation à cristal liquide qui ne souffre pas des inconvénients précédents. La présente invention a pour autre objet des transistors à effet de champ auxiliaires qui soient isolés électriquement du dispositif de visualisation à cristal liquide de manière à ne pas affecter le fonctionnement normal du dispositif, sauf nécessité. La présente invention a encore pour objet de prévoir des croisements redondants des lignes de balayage et de données qui soient électriquement ouverts, sauf nécessité. La présente invention a aussi pour objet de prévoir des liaisons fusibles par laser, pour connecter les transistors auxiliaires à effet de champ et pour fermer les croisements redondants des lignes de balayage et de données, qui puissent être efficacement formées lors de la fabrication du dispositif de visualisation à cristal liquide sans étapes excessives du procédé et qui puissent etre activées rapidement et facilement. Selon la présente invention, chaque pixel d'un dispositif de visualisation à cristal liquide comporte un transistor à effet de champ primaire (FET) pour commander le fonctionnement du pixel, et un transistor auxiliaire à effet de champ; les deux transistors étant formés en une pièce avec le pixel. Le transistor à effet de champ primaire ainsi que le transistor auxiliaire à effet de champ ont une électrode de source connectée à une ligne de données du dispositif de visualisation et une électrode de drain reliée à une électrode transmettant la lumière du pixel.Le transistor FET primaire comprend une électrode de grille connectée à une ligne de balayage du dispositif de visualisation à cristal liquide ; le FET auxiliaire comporte une électrode de grille qui peut être reliée à une autre ligne de balayage, contiguë à la ligne de balayage à laquelle est connecté le transistor primaire, par une liaison fusible par laser si le transistor primaire est défectueux. L'électrode de grille du transistor auxiliaire est isolée électriquement de l'autre ligne de balayage et n'est connectée qu'à cette autre ligne lorsqu'une impulsion de lumière laser ayant une énergie et une durée suffisantes tombe sur ladite liaison. L'électrode de grille du transistor primaire défectueux peut être isolée électriquement de la première ligne de balayage en coupant la connexion entre l'électrode de grille et cette première ligne par évaporation par laser. Un dispositif de visualisation à cristal liquide, comportant une multitude de pixels disposés en colonnes et rangées uniformes pour former une structure à matrice X-Y, comprend une multitude de lignes de balayage s'étendant sensiblement dans une direction à travers le dispositif de visualisation à cristal liquide et une multitude de lignes de données s'étendant sensiblement dans une direction perpendiculaire à la direction des lignes de balayage, de sorte que chaque ligne de données croise chaque ligne de balayage à un endroit de croisement et est espacée de la ligne de balayage par une couche d'isolant. Selon la présente invention, le dispositif de visualisation à cristal liquide comprend en outre un croisement redondant pour chaque ligne de balayage et chaque ligne de données à un endroit de croisement.Chaque croisement redondant comporte un circuit ouvert qui peut être fermé par une liaison fusible par laser de manière à créer un shunt autour de l'endroit du croisement si les lignes de balayage et de données sont réunies ensembles à l'endroit du croisement. L'endroit du croisement peut être isolé électriquement des lignes de balayage et de données en sectionnant la ligne de balayage et la ligne de données par évaporation par laser à des endroits situés entre les points où les croisements redondants sont connectés à leurs lignes respectives de balayage et de données. La suite de la description se réfère aux figures annexées qui représentent respectivement figure 1, une vue schématique en plan d'une partie d'un dispositif de visualisation à cristal liquide commandé par transistor à effet de champ de l'art antérieur figure 2, une vue en coupe d'un croisement de lignes de balayge et de lignes de données de la figure 3, prise le long de la ligne 2-2 figure 3, une vue détaillée en plan d'une partie du dispositif de visualisation à cristal liquide de la figure 1 figure 4, une vue en coupe d'une partie d'une cellule à cristal liquide des figures 3, 6A et 7C prise le long des lignes 4-4. figure 5, un diagramme schématique du circuit équivalent d'une cellule à cristal liquide figure 6A, une vue détaillée en plan d'une partie d'un dispositif de visualisation à cristal liquide selon un mode de réalisation de la présente invention figure 6B, une vue détaillée en plan d'une partie d'un dispositif de visualisation à cristal liquide selon un autre mode de réalisation de la présente invention figure 6C, une vue détaillée en plan d'une partie d'un dispositif de visualisation à cristal liquide selon encore un autre mode de réalisation de la présente invention figures 7A-7C des vues détaillées en plan des étapes suivies lors de la fabrication de la présente invention;; figure 8A, une vue en coupe de la liaison fusible par laser de la figure 7C c prise le long des lignes 8-8 en conformité avec le premier mode de réalisation de la présente invention; figure 8B, une vue en coupe de la liaison fusible par laser de la figure 8A après traitement par une impulsion de lumière laser figure- 8C, une vue en coupe de la. liaison fusible par laser de la figure 7C prise le long des lignes 8-8 selon une variante de réalisation de la présente invention; figure 8D, une vue en coupe de la liaison fusible par laser de la figure 8C après traitement par une impulsion de lumière à laser figure 9A, une vue en coupe de la liaison fusible par laser de la figure 7C prise le long des lignes 9-9, figure 9B, une vue en coupe de la liaison fusible par laser de la figure 9A après traitement par une impulsion de lumière laser. La figure 1 est une vue schématique en plan d'une partie d'un dispositif de visualisation 10 à cristal liquide qui et constitué d'une multitude d'éléments d'image ou pixels 12. Les pixels 12 sont généralement disposées en colonnes et rangées uniformes de manière à former une structure du type matrice X-Y. Les dispositifs de visualisation classiques à cristal liquide comportent généralement un commutateur à semi-conducteur tel qu'un transistor à effet de champ (FET) 14 qui est en une pièce avec chaque pixel 12 pour contrôler les caractéristiques de transmission de la lumière du pixel dans le dispositif de visualisation. Des signaux électriques sont communiqués par une multitude de lignes d'adresses-X ou lignes de balayage 16 et une multitude de lignes d'adresses Y ou lignes de données 18 aux tansistors à effet de champ 14 et aux pixels 12 pour l'affichage d'une image.En général, il y a une ligne de balayage 16 pour chaque rangée de pixels et une ligne de données 18 pour chaque colonne de pixels. Les lignes de balayage 16 courent généralement dans une certaine direction à travers le dispositif de visualisation et les lignes de données 18 dans un sens sensiblement perpendiculaire aux lignes de balayage ; cependant, les lignes de balayage et les lignes de données peuvent aller en serpentant (agencement indésirable) si les éléments de pixels sont en quinconce. Les lignes de balayage 16 et les lignes de données 18 se croisent à des endroits 20. Comme on le voit le mieux en figure 2, les lignes de balayage16 et les lignes de données 18 sont isolées électriquement les unes des autres aux croisements 20 par une couche 22 d'isolant, de préférence, par une couche de nitrure de silicium (SiN).Comme les lignes de balayage et les lignes de données subissent de préférence les mêmes étapes de traitement que les transistors à effet de champ, lesquels nécessitent une structure en "sandwich" de SiN, de silicium amorphe (Si-a) et de Si-a dopé, une seconde couche 24 de Si-a et une troisième couche 25 de Si-a dopé peuvent être déposées entre les lignes de balayage et les lignes de données. En liaison maintenant avec la figure 1 ainsi qu'avec la figure 3, laquelle est une vue détaillée en plan d'une cellule 26 à cristal liquide de la figure 1, une électrode de grille 28 et une électrode de source 30 de chaque FET 14 sont respectivement connectées à une ligne de balayage 16 et à une ligne de données 18 pour transférer les signaux électriques provenant des lignes de balayage et de données au pixel 12 pour transformation en signal optique. Une électrode de drain 32 de chaque FET 14 est connectée à une électrode de pixel 34 constituée d'un matériau transmettant la lumière tel que l'oxyde d'indium et d'étain. Une vue en coupe du transistor 14 et d'une partie d'un pixel 12 est donnée en figure 4. Une électrode de grille 36 du FET, la ligne de données 18 et l'électrode de pixel 34 sont formées sur un substrat en verre 38 au moyen de techniques photolithographiques connues.Une couche 40 de nitrure de silicium hydrogéné (SixNy:H) est déposée sur la grille 36 et une couche 42 en silicium amorphe hydrogéné (Si-a:H) est déposée sur la couche 40 de nitrure de silic um. Les couches 40 et 42 sont alors transformées en motifs comme représenté en figure 4. Une couche fortement dopée 44 de silicium amorphe hydrogéné est formée et mise en motif sur la couche 42 pour constituer une région de source 44a et une région de drain 44b. La couche 40 de nitrure de silicium et la couche 42 de silicium amorphe sont de préférence déposées dans un seul pompage par dépôt en phase vapeur par procédé chimique amélioré par plasma (PECVD) en utilisant SiH4 avec l'addition de NH3 pour la fabrication de la couche 40 de nitrure de silicium. Du phosphore (PH3) peut être substitué à NH3 dans le pompage pour constituer une couche N+, 44.Le procédé PECVD est de préférence conduit à une température du substrat d'environ 300"C. L'utilisation d'un plasma au lieu d'une température élevée pour décomposer les gaz permet de déposer des pellicules de haute qualité à des températures du substrat bien inférieures à celles du procédé classique de déposition en phase vapeur par procédé chimique (CVD). L'hydrogène procède à la passivation des combinaisons libres des couches 42 et 44 en Si-a pour fournir un matériau semi-conducteur de haute qualité. Ce procédé à basse température permet en outre d'utiliser un substrat en verre 38. Une électrode de source 30 est déposée et mise en motif en contact avec la ligne de données 18 et la région de source 44a ; l'électrode de drain 32 est déposée et mise en motif en contact avec la région de drain 44b et l'électrode de pixel 34. Une couche 46 en matériau bloquant la lumière est formée sur le transistor à effet de champ de manière à éviter que la lumière ne soit absorbée dans un canal conducteur 48 (représenté en figure 4 comme étant délimité par une ligne en tirets) du transistor à effet de champ qui peut provoquer une fuite photoconductrice, empêchant un fonctionnement correct du pixel. Une couche de verre 50 recouvre le dispositif de visualisation 10 à cristal liquide. Ainsi, le transistor à effet de champ et le pixel sont placés entre Le substrat en verre 38 et la couverture en verre 50. Une électrode 52 de plan de masse, qui est commune à tous les pixels dans le dispositif de visualisation 10, est formée sur la couverture en verre 50 à une certaine distance de l'électrode de pixel 34. Le volume 54 entre les électrodes 34 et 52 est rempli d'un cristal liquide et la couverture en verre 52 est liée au substrat en verre 38 par un- joint (non représenté) au périmètre du dispositif de visualisation 10. Comme représenté dans le circuit équivalent de la figure 5, les électrodes 34 et 52 forment effectivement un condensateur 56 de pixel monté entre le transistor à effet de champ 14 et le potentiel de la masse. En fonctionnement, un pixel individuel 12 peut être adressé par application d'une tension de polarité et de valeur appropriées à la ligne de balayage 16 de façon à renforcer le canal conducteur 48 dans la couche 42 en Sia:H, entre la région de source 44a et la région de drain 44b. Si une tension de donnée est appliquée à la ligne de données 18 alors que la tension de la ligne de balayage est présente, le condensateur 56 de pixel se chargera alors que la tension de donnée est également présente et le condensateur 56 emmagasinera la charge après que la tension de la ligne de balayage ait diminuée jusqu'à une valeur suffisante pour épuiser le canal conducteur 48 et faire passer le transistor FET 14 à un état non-conducteur.Cette procédure peut être répétées périodiquement de manière à régénérer la charge du condensa teur 56, maintenir l'image sur le dispositif de visualisation et éviter le clignotement de ce dernier. De préférence, l'image du dispositif de visualisation est régénérée environ toutes les 10 ms ou moins. La quantité de la lumière transmise à travers le pixel 12 est fonction de la valeur de la tension de la ligne de données qui est appliquée à l'électrode 34 de pixel et de la charge du condensateur 56. Un problème qu'on rencontre souvent est que la couche 40 en nitrure de silicium est encline à la formation de trous qui peuvent créer des courts-circuits entre la grille 36 et la couche 42 de silicium amorphe; par conséquent, un trajet conducteur peut être formé entre la ligne de balayage 16 et l'électrode 34 de pixel, trajet qui aurait un effet néfaste sur le fonctionnement du pixel 12. Selon la présente invention, un transistor primaire à effet de champ et un transistor auxiliaire à effet de champ sont prévus pour commander alternativement le fonctionnement de chaque pixel. En liaison avec la figure 6A, un transistor primaire à effet de champ 14' comporte une électrode de grille 28' reliée normalement à la ligne de balayage 16'a. Le transistor 14' comporte une électrode de source 30', et une électrode de drain 32', qui sont respectivement connectés à la ligne de données 18'a et à l'électrode 34' de pixel. Un transistor auxiliaire à effet de champ 58 comporte une électrode de source 60 qui est de préférence reliée à la même ligne de données 18'a que l'électrode 30' de source du transistor primaire et comporte une électrode de drain 62 qui est connectée à l'électrode 34' de pixel. Le technicien remarquera que les dispositifs à transistors à effet de champ présentent souvent des symétries dans lesquelles la source et le drain peuvent être interchangés et que les désignations source et drain n'existent que pour faciliter l'explication tel est le cas de la présente invention. Une électrode de grille 64 du transistor auxiliaire 58 est isolée électriquement de la ligne de balayage 16'b par une liaison 66 fusible par laser. L'électrode de grille 64 n'est pas connectée à la ligne de balayage 16'b sauf nécessité (par exemple, si le transistor FET primaire 14' est défectueux). Cela évite les effets néfastes, tels que la réduction de la vitesse de fonctionnement, qui pourraient être provoqués en ayant un second FET toujours opérationnel et connecté à l'électrode 34' de pixel.En outre, si deux FET sont connectés à tout instant et que l'un est défectueux et a un effet néfaste sur 'le fonctionnement du pixel 12', il peut ne pas s'avérer toujours possible d'identifier celui des FET qui est défectueux car le défaut peut ne pas être visible au microscope ou être impossible à détecter par un autre moyen de détection des défauts. Par conséquent, il existe un risque que le bon FET soit coupé en déconnectant sa grille de la ligne de balayage par évaporation laser pour isoler électriquement le FET supposé défectueux. Si le FET primaire 14' est défectueux, et que la liaison fusible par laser 66 est activée, le FET auxiliaire 58 sera connecté à la ligne de balayage 16'b, qui est la ligne de balayage immédiatement contiguë à la ligne de balayage 16'a. On n'attend pas de cet aspect de la présente invention qu'il ait quelque importance car, selon la résolution désirée pour le dispositif de visualisation, il y aura un nombre aussi élevé que 100 à 200 pixels par 25mm de surface d'affichage et peu importe que le FET auxiliaire 58 soit commandé par une ligne de balayage différente de celle du FET primaire 14'.L'électrode de grille 64 du FET auxiliaire 58 pourrait aussi avoir été connectée à la ligne de balayage 16'a par extension d'une ligne métallique ehtre le métal de la grille du FET 58 et la ligne de balayage 16'a et par connexion de cette ligné métallique à la ligne de balayage avec une liaison fusible par laser. Cependant, cet agencement nécessiterait la formation d'un dessin plus complexe du masque en photoréserve, le dépôt de davantage de métal que cela n'est nécessaire avec le schéma représenté en figure 6A et, des plus importants, les dimensions de la surface d'affichage seraient réduites à cause de la métallisation supplémentaire par rapport à ce qui est représenté en figure 6A.En outre, comme la ligne de métallisation qui serait nécessaire pour connecter le FET 58 à la ligne de balayage 16'a est plus grande que la ligne requise pour connecter le FET 58 à la ligne de balayge 16'b, la probabilité d'un défaut tel qu'un circuit ouvert ou un courtcircuit augmentera avec une ligne plus longue. Le FET auxiliaire 58 pourrait également être placé à d'autres endroits à l'intérieur de la cellule 26' à cristal liquide, mais on doit tenir compte en ce qui concerne le placement du FET de facteurs tels que la réduction de la surface d'affichage, la compatibilité et la simplicité de la fabrication et la probabilité plus grande de défauts. La liaison fusible par laser 66 pourrait aussi être placée entre l'électrode de source 60 et la ligne de données 18'a (figure 6B) ou entre l'électrode de drain 62 et l'électrode 34' de pixel (figure 6C) tout en satisfaisant les objectifs de la présente invention On considère actuellement que le meilleur emplacement pour la liaison 66 est entre l'électrode de grille 64 et la ligne de balayage 16'b (figure 6A) afin de minimiser la capacité de la ligne de balayge, de faciliter la fabrication et de maximaliser la surface d'affichage. On discute en détail ci-dessous la structure de la liaison fusible par laser et le procédé permettant son activation. Selon un autre aspect de la présente invention, des croisements redondants 68 sont prévus pour les lignes de balayage 16' et des croisements redondants 70 pour les lignes de données 18' afin de contourner un croisement défectueux 20 (figures 6A-6C), un court-circuit peuvent être présent entre la ligne de balayage 16' et les lignes de données 18', par la formation de trous dans la couche 22 en nitrure de silicium (voir la figure 3). Les croisements redondants 68 et 70 comprennent chacun une liaison fusible par laser 72 et 73, respectivement, .connectés dans une Dande conductrice qui shunte le croisement 20.Par conséquent, les croisements 68 et 70 sont normalement des circuits ouverts, de manière à ne pas avoir un effet néfaste sur le fonctionnement du dispositif de visualisation à cristal liquide, sauf nécessité par suite de la présence d'un croisement 20 défectueux. Si le croisement 20 devient défectueux, les liaisons 72 et 73 peuvent être respectivement activées pour fermer les croisements 68 et 70 redondants. Le croisement 20 peut alors être déconnecté électriquement du dispositif de visualisation à cristal liquide en sectionnant la ligne de balayage 16'a et la ligne de données 18'a par évaporation par laser aux endroits situés dans les points de connexion, sur l'un ou l'autre côté du croisement 20, où les croisements redondants sont reliés aux lignes de données et de balayage.La largeur de la métallisation du croisement redondant doit être inférieure à environ 5 micromètres, et être de préférence d'environ 3 micromètres. Alors que le motif de la métallisation des croisements redondants 68 et 70 est représentée en figure 6A comme ayant une forme pratiquement rectangulaire, on pourrait utiliser d'autres géométries et dimensions des lignes tout en respectant les contraintes de maximalisation de la surface d'affichage, de minimisation de la métallisation, de maintien de la résistance des lignes à une faible valeur, de maintien de la compatibilité et de la simplicité de la fabrication et de réduction de la probabilité de défauts tels que circuits ouverts et courts-circuits. Les figures 7A-7C représentent les étapes de fabrication pour former la partie visualisation à cristal liquide de la figure 6A. La figure 7A représente un motif d'une première métallisation qui forme la grille 36' du FET et la métalisation 16"a et 16"b au niveau inférieur de la ligne de balayage associée, lorsqu'on utilise une structure de conducteur de ligne de balayage redondante ; on décrit et revendique une telle structure dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n" 4 804 953, qu'on incorpore ici dans sa totalité à titre de référence. Le motif de la métallisation comporte aussi les croisements redondants 68 des lignes de balayage, les parties métalliques 73a pour les liaisons fusibles par laser 73, et la métallisation 18"a et 18"b des lignes de données du niveau inférieur (si l'on emploie une structure, redondante de conducteur de ligne de données).Ce motif de la métallisation est formé par projection d'un métal, de préférence un métal réfractaire tel que le titane (Ti), sur un substrat opaque ou sur . substrat en verre 38'. Des plots métalliques 74 peuvent être aussi déposés ppur être en contact avec l'électrode 34' de pixel de manière à faciliter ultérieurement la connexion électrique entre les électrodes dé drain FET et l'électrode 34' de pixel.On remarquera que les croisements redondants 68 sont segmentés de manière à former un circuit ouvert entre des pattes 76 et 78 qui formeront ultérieurement les liaisons fusibles par laser 72 (figure 6A) comme cela est décrit ci-après avec davantage de détails.- De même, l'électrode 64 de grille du FET auxiliaire est également segmentée entre les pattes 76 et 78 qui formeront ultérieurement la liaison fusible par laser 66 (figure 6A) comme on le décrit ci-dessous. Les pattes 76 s'étendent à partir de la métallisation 16"a et 16"b de la ligne de balayage et sont formées en une pièce avec elle. Les pattes 78 s'étendent à partir des croisements redondants 68 et de la grille 36' du FET auxiliaire et sont en une pièce avec elle. Le motif de la métallisation en figure 7A a de préférence une épaisseur d'environ. 200 nm. On pourrait utiliser un motif plus fin pour la métallisation mais non sans quelque augmentation de la résistance des lignes de balayage et de données ; une telle résistance supplémentaire est particulièrement fâcheuse dans les grands dispositifs de visualisation. De plus, on pourrait rendre plus épais le motif de la métallisation, mais il y a alors le risque des problèmes de couverture des gradins lorsque des couches successives de matériaux sont déposés sur le premier motif de la métallisation.De plus, si on utilise une structure de conducteur redondante pour les lignes de balayage et de données, le métal des lignes déposé en premier ou les portions conductrices les plus basses des lignes peuvent avoir une largeur atteignant 5-6 micromètres ou une largeur au moins suffisante pour que les portions les plus conductrices, déposées ultérieurement, de ces lignes soient électriquement en contact avec les portions de ligne conductrice les plus basses de chaque côté d'une bande isolante étroite qui sera reposée entre les portions inférieure et supérieure des lignes comme on le décrit ci-dessous. La métallisation de la grille 36' a de préférence une largeur d'environ 9 micromètres à l'emplacement le plus large indiqué par la cote "La" en figure 7A. La distance entre lignes de données adjacentes 18"a et 18"b, indiquée par la cote X (figure 7A), a environ 0,10 mm et la distance entre les lignes adjacentes de balayage 16"a et 16"b représentée par la cote Y (figure 7A) a également environ 0,10 mm. Après le dépôt et la mise en motif de la première métallisation-, une couche d'isolement 40', de préférence en nitrure de silicium (SiN), est déposée par le procédé PECVD et mise en motif de manière à former la zone -limitée par la ligne en gros trait 75 en figure 7B.La couche d'isolement 40' peut avoir une épaisseur d'environ 50-150 nm, et de préférence d'environ 150 nm ; une couche d'une épaisseur supérieure à 150 nm augmentera la tension nécessaire pour rendre conducteurs les FET et une couche d'une épaisseur inférieure à environ 150 nm augmente la probabilité de défauts (tels que des courts-circuits et analogues) dans les FET ou entre les lignes de balayage et de données aux croisements 20.Les parties dù motif de la métallisation de la figure 7A qui se trouvent au-dessous de la couche dtisolement 40' sont représentées par une ligne en tirets en figure 7B. La couche d'isolement 40' comporte des parties isolantes 80 qui s'étendent vers l'extérieur à partir d'une zone centrale 84 pour recouvrir partiellement la métallisation 18" et 18"b du niveau inférieur des lignes de données et aussi présente des parties isolantes 82 qui s'étendent vers l'extérieur à partir de la zone centrale 84 pour recouvrir partiellement la métallisation 16"a et 16"b du niveau inférieur des lignes de balayage. La zone 84 fournit l'isolement de la grille FET et l'isolement du croisement des lignes de balayage et de données.La partie 80 fournit une couche intermédiaire entre le métal 18"a et 18"b -des lignes de données du niveau inférieur et le métal 18'a et 18'b des lignes de données du niveau supérieur qui seront ensuite déposés. Les parties 82 fournissent une couche intermédiaire d'isolement entre le métal 16"a et 16"b des lignes de balayage du niveau inférieur et le métal 16'a et 16'b des lignes de balayage du niveau supérieur qui seront déposés ultérieurement. Ces couches intermédiaires d'isolement permettent de former la métallisation du niveau supérieur sans sauts de gradins (qui peuvent créer des circuits ouverts dans les lignes de balayage et de données).On remarquera que les parties d'isolement 80 et 82 doivent être plus étroites que la métallisation des lignes de balayage et de données du niveau inférieur de façon que la métallisation des lignes de balayage et de données du niveau supérieur puisse être en contact avec le métal du niveau inférieur de chaque côté des parties 80 et 82. Une première couche 42' de matériau semi-conducteur, de préférence de silicium amorphe (Si-a), est déposée suivant une épaisseur d'environ 200 nm sur la couche isolante 40' et peut être formée suivant le même motif que cette couche 40' (figure 7B). La première couche 42' peut être également déposée seulement sur la zone centrale 84 et non sur les parties isolantes 80 et 82. Une seconde couche 44' de matériau semi-conducteur, de préférence de Si-a, est formée sur la première couche 42' et est dopée de manière à avoir une conductivité particulière (soit N soit P). La seconde couche 44' a de préférence une épaisseur d'environ 50 nm. La couche dopée 44' peut aussi être formée suivant le même motif que la première couche 42' et la couche d'isolement 40'. Une seconde couche de métallisation, de préférence en molybdène, est-déposée sur la couche 44' et mise en motif comme représenté en figure 7C. Le motif de la première métallisation sous-jaçent la couche isolante 40' est représenté par des lignes en tirets. Le motif de la seconde métallisation comprend le métal du niveau supérieur des lignec de données 18'a et 18'b, le métal du niveau supérieur des lignes de balayage 16'au et 16'b, la métallisation du croisement redondant 70, la métallisation de l'électrode de source 30' du FET primaire et la métallisation de l'électrode de source 60 du FET auxiliaire, qui sont toutes deux formées en une pièce avec la métallisation 18'a de la ligne de données.Le motif de la seconde métallisation comprend en outre la métallisation de l'électrode 32' de drain du FET primaire, la métallisation de l'électrode de drain 62 du FET auxiliaire, la partie 72a de la liaison fusible par laser 72 pour connecter les pattes 76 et 78 (figure 7A) du croisement redondant 68 (représenté par une ligne en tirets en figure 7C) et la partie 66a de la liaison fusible par laser 66 pour connecter les pattes 76 et 78 (figure 7A), qui relieront l'électrode de grille 64 du FET 58 à la métallisation 16"b du niveau inférieur de la ligne de balayage 16'b. On remarquera que le croisement redondant 70 est segmenté pour former un circuit ouvert entre les pattes 86 et 88 qui forment la liaison fusible par laser 73 avec la partie métallique 73a (représentée par une ligne en tirets en figure 7C).La patte 86 s'étend à partir du croisement redondant 70 et est formée en une pièce avec lui. La patte 88 s'étend à partir de la métallisation du niveau supérieur de la ligne de données 18'a et est formée en une pièce avec elle. On décrira ci-après l'activation des liaisons fusibles par laser 66, 72 et 73. La seconde couche de métallisation a une épaisseur d'environ 100-1000 nm, de préférence d'environ 400 nm pour un dispositif de visualisation à matrice comprenant d'environ 600 x 600 pixels à environ 1200 x 1200 pixels. Cette épaisseur doit assurer une couverture suffisante des gradins et la conductivité pour des dispositifs de visualisation de cette taille. La couche 44' de silicium amorphe dopé et la couche 42' de silicium amorphe sont gravées par anisotropie par l'intermédiaire d'un masque formé par la seconde couche de métallisation de la figure 7C.Ainsi, les couches 42' et 44' présentent un motif semblable à la seconde couche de métal: isation ; des régibns de source 44'a (non représentées) semblables à la région de source 44a de la figure 4 sont ainsi formées au-dessous des motifs 30' et 60 de la métallisation de l'électrode de source, et des régions de drain 44'b (non représentées) similaires à la région de drain 44b de la figure 4 sont formées au-dessous des motifs 32' et 62 de la métallisation de ltélectrode de drain. La distance entre l'électrode de source 30' et l'électrode de drain 32' du FET 14' et entre l'électrode de source 60 et l'électrode de drain 62 du FET 58, indiquée par le code "Z" (figure iC), est inférieur à environ 5 micromètres, de préférence est d'environ 3 micromètres. On utilise une structure similaire pour la liaison fusible par laser 72, pour le croisement redondant 68, et dans la liaison fusible par laser 66, pour connecter l'électrode de grille 64 du FET auxiliaire 58 au métal 16"b du niveau inférieur de la ligne de balayage 16'b, comme représenté par la vue en coupe de la figure 8A. Les pattes 76 et 78 sont formées avec le motif de la première métallisation (figure 7A) et créent un circuit ouvert à cause d'une discontinuité 90 entre les pattes. Les pattes 76 et 78 sont de préférence en titane. Comme on l'a discuté précédemment, une couche 40' d'isolement (de préférence SiN) est déposée qui recouvre la discontinuité 90. Une couche 42' de silicium amorphe est alors déposée sur la couche 40' ; ensuite, une fine couche 44' de silicium amorphe dopé est formée sur la couche 42'.Des parties 66a et 72a de la liaison fusible par laser sont formées avec le motif de la seconde métallisation (figure 7C) et recouvrent partiellement les pattes 76 et 78. Les parties 66a et 72a de la liaison sont de préférence en molybdène. En liaison avec la figure 8B, les liaisons fusibles par laser 66 ou 72 sont activées lorsque des impulsions de lumière laser (représentées par les flèches 92 en figure 8A) frappent la partie 66a/72a de la liaison aux endroits se trouvant directement au-dessus des pattes 76 et 7-8. Un événement catastrophique se produit, semblable à une mini explosion, et les molécules des pattes 76 et 78 s'intercalent au hasard dans les molécules de la partie 66a/72a à l'intérieur des couches 40', 42' et 44' dans une zone se trouvant au-dessous de l'endroit d'impact des impulsions de la lumière laser 92. De cette manière, un trajet électrique est créé entre les pattes 76 et 78. La figure 8D représente une liaison fusible par laser 66'/72' selon une variante de réalisation de la présente invention. Dans ce mode de réalisation, la couche isolante 40" et les couches 42" et 44" de silicium amorphe font l'objet de la formation d'un motif de façon qu'au moins une partie de l'une ou l'autre patte 76' (ou 78') se trouve exposée. La partie métallique 66'a/72'a sera alors directement en contact avec la partie exposée de la patte 76' ou 78' lors du dépôt de la partie 66'a/72'a. Pour activer cette liaison, seule une impulsion laser 92' tombera à un emplacement où la partie 66'a/72'a recouvre partiellement les couches 40", 42" et 44" et la patte non exposée 78' ou 76'. Comme on l'a discuté précédemment, un événement catastrophique se produit lorsque l'impulsion laser frappe la partie 66'a/72'a et les molécules de la patte métallique 78' se disperse avec les molécules de la partie 66'a/72'a de la liaison pour créer un trajet électrique entre les pattes 76' et 78' comme représenté en figure 8D. Une vue en coupe de'la liaison fusible par laser 73 pour le croisement redondant 70 est donnée en figure 9A. La partie 73a de la liaison fait partie de la première couche de métallisation (figure 7A) et est de préférence en titane. Des pattes 86 et 88 sont formées comme constituant une partie de la seconde couche de métallisation et créent un circuit ouvert à cause d'une discontinuité 94 entre elles. Les pattes 86 et 88 sont en molybdène et sont déposées de manière à recouvrir partiellement la partie 73a en titane. En liaison avec la figure 9B, la liaison fusible par laser 73 est activée lorsque les impulsions de la lumière laser (représentées par les flèches 92- en figure 9A) tombent sur les pattes 86 et 88 à des emplacements où lesdites pattes recouvrent la partie 73a de la liaison~.Un événement catastrophique a lieu pour intercaler les molécules métalliques de la partie 73a dans les molécules métalliques des pattes 86 et 88, respectivement, à l'intérieur des couches 40', 42' et 44' dans une zone située au-dessous de l'endroit d'impact des impulsions 92 de la lumière laser. De cette manière, un trajet électrique est créé entre les pattes 86 et 88. La liaison fusible par laser 73 pourrait être structurée de façon analogue à la variante de réalisation de la figure 8C, avec l'une des pattes 86 ou 88 déposée en contact avec la partie 73a et l'autre sur les couches 40', 42' et 44'. Alors, seule une impulsion de lumière laser sera nécessaire pour activer la liaison fusible par laser. Le niveau d'énergie et la durée de l'impulsion de la lumière laser seront fonction de l'épaisseur des couches constituant la liaison fusible par laser.Cependant, pour l'épaisseur préférée qu'on indique, une impulsion d'l microseconde provenant d'un laser pulsé au xénon avec une énergie par impulsion de 0,1 millijoule pour chaque emplacement d'incidence s'est avéréeconvenable. Le technicien comprendra facilement que la présente invention n'est pas limitée aux modes de réalisation spécifiques qu'on vient de décrire et illustrer. Des modes de réalisation et adaptations différents ainsi que des varian tes, modifications et agencements équivalent apparaitront maintenant sans qu'on s'écarte du domaine de l'invention. Alors qu'on a représenté dans les figures les cellules des pixels comme étant sensiblement carrées, on pourrait aussi utiliser d'autres dimensions et formes géométriques. De même, alors que les lignes de données et les lignes de balayage ont été représentées comme s'étendant dans les directions sensiblement verticale et horizontale, il est également possib'le d'employer de telles 'lignes de manière à ce qu'elles ressemDlent plus étroitement à un système de coordonnées obliques. REVENDICATIONS 1. Dispositif de visualisation a cristal liquide, caractérisé en ce qu'il compend: une multitude de cellules (12') disposées suivant un réseau de rangées et de colonnes ; une multitude de lignes de balayage (16') conductrices de l'electricité, au moins une ligne de balayage transmettant des signaux électriques à -chaque rangée de cellules t une multitude de lignes de données (18'), conductrices de l'electricité, au moins une ligne de données transmettant des signaux électriques à chaque colonne des cellules, chaque ligne de balayage croisant chaque ligne de données à un endroit de croisement (20) différent auquel cette ligne de balayage est espacée par isolant (22) de la ligne de données devant être croisée par au moins une première section de matériau isolant, au moins un moyen de croisement redondant (68) de lignes de balayage (16), chacun situé à un emplacement dif férent des endroits de croisement, pour contourner électriquement cet endroit de croisement lorsqu'une ligne associée de la multitude de lignes de balayage est en court-circuit électrique avec une ligne associée de la multitude de lignes de données (18') à cet endroit de croisement ; et au moins un moyen de croisement redondant (70) de lignes de données (18'), chacun situé à un endroit différent des endroits de croisement, pour contourner électriquement cet endroit de croisement, lorsqu'une ligne associée de la multitude de lignes de balayage est en court-circuit électrique avec une ligne associée de la multitude de lignes de données à cet endroit de croisement. 2. Dispositif de visualisation a cristal liquide, selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacun des moyens de croisement redondants (68) des lignes de balayage (16') et chacun des moyens de croisement redondants (70) des lignes de données (18') comprennent une bande conductrice connectée respectivement à ladite ligne de balayage à un premier endroit et à ladite ligne de données à un premier endroit, les deux premiers endroits se trouvant à un coté de l'endroit associé du croisement, chaque moyen de croisement pouvant être connecté respectivement à ladite ligne de ba l'rayage et à ladite ligne de données par une liaison fusible par laser (72 ; 73) à un second endroit de chacune de ladite ligne c:-e balayage et de ladite ligne de données, les deux seconds endroits se trouvant à l'autre côté de cet endroit de croisement de façon que le moyen redondant de croisement des lignes de données ainsi que le moyen redondant de croisement des lignes de balayage soient déconnectés de leurs seconds endroits respectifs sauf si la liaison fusible par laser est complète. 3. Dispositif de visualisation a cristal liquide, selon la revendication 1, caractérisé en ce que la multitude de cellules comprend une électrode (34') de pixel ; un moyen de commutation primaire (14') pour trans férer des signaux électriques à l'électrode de pixel à partir d'une combinaison sélectionnée de la multitude de lignes de balayage (16') et de la multitude de lignes de données (18'), pour transformation en signal visuel, au moins un moyen de commutation auxiliaire (58) pour transférer des signaux- électriques à l'électrode de pixel à partir d'une autre combinaison sélectionnée de la multitude de lignes de balayage et de la multitude de lignes de données lorsque le moyen de commutation primaire est incapable de transférer des signaux, le moyen de commutation auxiliaire ayant, lorsque le moyen. de commutation primaire est agencé pour transférer des signaux, un circuit ouvert entre lui et au moins l'électrode de pixel ou la ligne de données et la ligne de balayage de l'autre combinaison sélec- tionnée ; et un moyen pour fermer, lorsque le moyen de commutation primaire est incapable de transférer des signaux, le circuit ouvert entre le moyen de commutation auxiliaire et au moins l'électrode de pixel ou la ligne de données et la ligne de balayage de l'autre combinaison sélectionnée. 4. Dispositif de visualisation selon la revendication 3, caractérisé en ce que le moyen de commutation primaire i14') et le moyen de commutation auxiliaire (58) sont chacun an transistor à effet de champ à couche mince (FET), le FET primaire ayant une électrode de grille (28') connectée à une ligne de balayage (16'a) de ladite combinaison sélectionnée, une électrode de source (30') connectée à une ligne de données (18'a) de cette combinaison sélectionnée et une électrode de drain (32') reliée à l'électrode (34') de pixel. 5. Dispositif de visualisation selon la revendication 4, caractérisé en ce que le FET auxiliaire (58) comporte une électrode de source (60) connectée à une ligne de données de l'autre combinaison sélectionnée, une électrode de drain (62) reliée à l'électrode de pixel et une électrode de grille (64) isolée électriquement d'une ligne de balayage de l'autre combinaison sélectionnée lorsque le FET primaire est agencé pour transférer des signaux électriques et peut être connécté à la ligne de balayage de l'autre combinaison sélectionnée par ledit moyen de connexion lorsque le FET primaire est incapable de transférer des signaux. 6. Dispositif de visualisation selon la revendication 5, caractérisé en ce que le moyen de connexion est une liaison fusible par laser (66).