Brevet FR2650692A1 — publié le 19910208

La présente invention concerne un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, à l'aide d'une force réglée de couplage d'échange entre des couches magnétiques. Récemment, on a consacré beaucoup d'efforts pour la mise au point d'un procédé d'enregistrement-reproduction optique, d'un appareil d'enregistrement optique et d'un support utilisé pendant leur mise en oeuvre, remplissant diverses conditions telles qu'une densité élevée, une grande capacité, une grande vitesse d'accès et une vitesse élevée d ' enregistrement-reproduction. Parmi les divers procédés d'enregistrement-reproduction optique, le procédé magnéto-optique est le plus intéressant étant donné ses avantages uniques puisque des informations peuvent être effacées après utilisation et de nouvelles informations peuvent entre écrites par-dessus. Un support d'enregistrement utilisé dans un procédé d'enregistrement-reproduction magnéto-optique a une ou plusieurs couches magnétiques perpendiculaires comme couche d'enregistrement. La couche magnétique contient par exemple GdFe, GdCo, GdFeCo, TbFe, TbCo, TbFeCo ou analogue, à l'état amorphe. Des pistes concentriques ou spiralées sont formées sur la couche d'enregistrement, et les données sont enregistrées sur les pistes. Il faut noter que, dans le présent mémoire, les directions d'aimantation "vers le haut" et "vers le bas" par rapport à la surface d'un film sont définies comme étant l'une la "direction A" et l'autre la "direction non A".Les données à enregistrer sont mises préalablement à l'état binaire et sont enregistrees par un bit (B1) ayant une aimantation de "direction A 11 et un bit "Bo) ayant une aimantation de "direction non A". Ces -bits B1 et Bo correspondent aux niveaux "1" et "O" d'un signal numérique respectivement. Cependant, en général, la direction d'aimantation des pistes d'enregistrement peut être alignée dans la "direction non A" par application d'un intense champ de polarisation avant enregistrement. Ce traitement est appelé initialisation, Ensuite, le bit (B1) ayant une aimantation de "direction A" est formé sur les pistes. Les données sont enregistrées en fonction de la présence ou de l'absence et/ou de la longueur du bit (B1). Principe de la formation d'un bit Lors de la formation d'un bit, une propriété caractéristique d'un laser, c'est-a-dire son excellente cohérence dans l'espace et le temps, est utilisée pour la focalisation d'un faisceau sur un point aussi petit que la limite de diffraction déterminée par la longueur d'onde de la lumière du laser. La lumière focalisée est dirigée sur la surface de la piste afin qu'elle écrive des données par production de bits de diamètre inférieur à 1 Xum sur la couche d'enregistrement. Dans l'enregistrement optique, une densité d'enregistrement pouvant atteindre 108 bit/cm2 peut être obtenue théoriquement, car un faisceau laser peut être concentré sur un point ayant une dimension aussi faible que sa longueur d'onde. Comme indiqué sur la figure 1, pendant l'enregistrement magnéto-optique, un faisceau laser L est focalise sur une couche d'enregistrement 1 afin qu'il la chauffe, alors qu'un champ de polarisation (Hb) est appliqué depuis l'extérieur à la partie chauffée en sens opposé au sens d'initialisation. Le champ coercitif Hc de la partie localement chauffée diminue au-dessous du champ de polarisation (Hb). En conséquence, la direction d'aimantation de cette partie s'aligne sur la direction du champ de polarisation (Hb). De cette manière, des bits aimantés de manière réversible sont formés. Les matériaux ferromagnétiques et ferrimagnétiques diffèrent par la variation de leur aimantation et de Hc avec la température. Les matériaux ferromagnétiques ont un champ coercitif Hc qui diminue au voisinage de la température de Curie et permettent un enregistrement de données par mise en oeuvre de ce phénomène. Ainsi, l'enregistrement de données dans des matériaux ferromagnétiques est appelé enregistrement Tc (enregistrement à la température de Curie), D'autre part, les matériaux ferrimagnétiques ont une température de compensation, inférieure à -la température de Curie, à laquelle l'aimantation (M) devient nulle. Le champ coercitif Hc augmente brutalement au voisinage de cette température et diminue brutalement en s'écartant de cette température. Le champ réduit Hc est compensé par un champ de polarisation relativement faible (Hb).Ainsi, I'enregistrement est permis. Ce procédé est appelé enregistrement Tramp (enregistrement à la température de compensation). Cependant,- dans ce cas, il n'est pas nécessaire de respecter les températures ou points de Curie, ou la température de compensation. En d'autres termes, lorsqu'un champ de polarisation (Hb) capable de compenser un champ coercitif réduit Hc est appliqué aux matériaux magnétiques dont le champ coercitif Hc est réduit a une température prédéterminée supérieure à la température ambiante, ltenregis- trement est possible. Principe de lecture La figure 2 illustre le principe de la lecture des données par un effet magnéto-optique. La lumière est une onde électromagnétique ayant un vecteur champ électromagnétique rayonnant normalement dans toutes les directions dans un plan perpendiculaire au trajet de la lumière. Lorsque la lumière est polarisée linéairement (Lp) et est projetée sur une couche d'enregistrement (1), elle est réfléchie par la couche d'enregistrement (1) et traverse aussi celle-ci. A ce moment, le plan de polarisation tourne en fonction de la direction d'aimantation (M). Ce phénomène est appelé effet Kerr magnétique ou effet Faraday magnétique. Par exemple, lorsque le plan de polarisation de la lumière réfléchie tourne d'un angle 8k pour une aimantation de "direction A", il tourne d'un angle - e k pour l'aimantation de "direction non A". En conséquence, lorsque l'axe d'un analyseur optique (polariseur) est réglé perpendiculairement au plan incliné d'un angle - e k' la lumière réfléchie par un bit (Bo) aimanté dans la "direction non A", ne peut pas traverser l'analyseur. Au contraire, le produit (spin28,)2 de la lumière réfléchie par un bit (B1) aimanté dans la "direction A" traverse l'analyseur et tombe sur un détecteur (dispositif de conversion photoélectrique).En conséquence, le-bit (B1) aimanté dans la "direction A" parait plus brillant que le bit (Bo) aimanté dans la "direction non A" et le détecteur donne un signal électrique plus intense pour le bit (B1). Le signal électrique provenant du détecteur est modulé d'après les données enregistrées, et il lit ainsi les données. Il est difficile de trouver un matériau magnétique qui possède une faible température de Curie,. qui permette un enregistrement facile et qui possède un champ coercitif élevé, une stabilité élevée au stockage, un angle 8k élevé et un rapport élevé signal-sur-bruit en mode de reproduction (lecture). Pour cette raison, on a déjâ proposé (brevet japonais mis â l'inspection publique (Kokai) n0 5778 652) un support d'enregistrement magnéto-optique multicouche dans lequel les fonctions. nécessaires sont séparées et deux matériaux magnétiques différents sont empilés.Le support d'enregistrement comporte un film à deux couches comprenant une couche de champ coercitif élevé å faible température de Curie permettant une aimantation perpendiculaire, et une couche de faible champ coercitif ayant une température élevée de Curie et permettant une aimantation perpendiculaire. Les couches de champs coercitifs élevé et faible présentent un couplage d'échange mutuel. Pour cette raison, la couche de champ coercitif élevé ayant la faible température de Curie enregistre et conserve les informations, et les informations enregistrées sont transférées à la couche de faible champ coercitif. En conséquence, la couche de faible champ coercitif, ayant la température élevée de Curie et un angle 8k important, donne un accès lors de la lecture des informations. Ensuite, on a inventé et protégé (demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n0 870 350 déposée le 4 juin 1986) un support d'enregistrement. magnéto-optique multi couche permettant une superposition d'écriture et ayant une couche d'enregistrement constituant une première couche et une couche de référence constituant une seconde couche, le support fonctionnant uniquement par modulation de lumière par mise en oeuvre des différences entre les forces de couplage d'échange W, les températures de Curie et les champs coercitifs de ces couches. Cette demande est appelée dans la suite demande antérieure".Dans la demande antérieure, la force de couplage d'échange w est appelée énergie de la paroi d'interface On décrit maintenant l'invention de la demande antérieure. Au cours d'une opération de superposition d'écriture selon l'invention de cette demande antérieure, seule la lumière est modulée, un champ magnétique d'enregistrement n'étant pas modulé. Il est difficile de moduler un champ magnétique à grande vitesse. Plus précisément, un faisceau laser utilisé pour l'enregistrement est modulé par impulsions en fonction des informations à enregistrer. Cette opération est déjà réalisée dans l'enregistrement magnétooptique classique, et un dispositif de modulation par impulsions de l'intensité du faisceau en fonction des informations binaires à enregistrer est déjà connu. Par exemple, un tel dispositif est décrit en détail dans l'article de "The Bell System Technical Journal", volume 62 (1983), pages 1923-1936. La propriété caractéristique de l'opération de superposition d'écriture selon l'invention de la demande antérieure est la mise en oeuvre de niveaux élevé et faible pour l'intensité du faisceau. Plus précisément, lorsque l'intensité du faisceau est à un niveau élevé, une aimantation de "direction A" de la couche de référence .(seconde couche) est inversée en une aimantation de "direction non A" par un champ magnétique d'enregistrement (Hb), et un bit ayant l'aimantation de "direction non A" (ou l'aimantation de "direction A") est formé dans la couche d'enregistrement (première couche) par aimantation de "direction non A" de la seconde couche.Lorsque l'intensité du faisceau est faible, un bit ayant l'aimantation de "direction A" (ou une aimantation de "direction non A") est formé dans la couche d'enregistrement par l'aimantation de "direction A" de la couche de référence. Les faisceaux sont "deux faisceaux de proximité", et le faisceau est commuté à un faible niveau et n'est pas modulé en principe, si bien qu'il forme toujours un bit dans la "direction non A" (ou dans la "direction A"). (Ainsi, les informations antérieures sont effacées). Le second faisceau est modulé par impulsions à un niveau compris entre le niveau élevé et un niveau de base (y compris le niveau zéro) qui est égal ou inférieur au niveau inférieur en fonction des informations, si bien qu'un bit de direction A (ou de direction non A) est formé uniquement au niveau élevé et permet l'enregistrement. Dans tous les cas, lorsque les niveaux élevé et faible nécessaires et, dans certains cas, le niveau de base sont déterminés, il est facile pour les hommes du métier de moduler l'intensité du faisceau comme décrit par modification partielle d'un dispositif de modulation décrit dans l'article précité ou dans un dispositif analogue. Il faut noter que la "direction A" désigne l'une des directions "vers le haut" et "vers le bas" par rapport à une couche magnétique, et la direction restante est appelée "direction non A". Dans les expressions précédentes comprenant une variante entre parenthèses, les membres d'alternative qui se trouvent en dehors. de la parenthèse se correspondent, et les membres de l'alternative qui se trouvent entre parenthèses se correspondent respectivement. De cette manière, le support permettant la superposition d'écriture comporte au moins deux couches magnétiques ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, et la première couche constitue une couche d'enregistrement et la seconde une couche de référence. L'invention de la demande antérieure est divisée en un premier et un second aspect. Dans les deux aspects, le support d'enregistrement a une structure multicouche dans laquelle il est divisé en deux couches, comme représenté sur la figure 3A. La première couche constitue la couche d'enregistrement qui possède un champ coercitif élevé à température ambiante et a une faible température d'inversion. La seconde couche constitue la couche de référence qui a un faible champ coercitif à température ambiante et une température d'inversion supérieure à celle de la première couche. Les deux couches sont des couches magnétiques perpendiculaires. Dans le premier aspect de cette invention, le champ coercitif d'une première couche est représenté par HCl, celui d'une seconde couche par HC2, la température de Curie de la première couche par TCl, celle de la seconde couche par TC2, la température ambiante par TR, la température du support d'enregistrement lors de la projection d'un faisceau laser de faible niveau par TLe et, lors de la projection d'un faisceau laser de niveau élevé, par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HD1, et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2 Dans ce cas, le support-d'enregistrement remplit les conditions de la formule suivante (i), ainsi -que celles des formules (2) à (5) à température ambiante. TR HCl > Hc2+lHDl~HD2l (2) HCl > HDl (3) HC2 > HD2 (4) Dans les formules qui précèdent, le symbole "=" indique "égal" ou "sensiblement égal". En outre, dans le cas d'un milieu de type A (antiparallele), le signe est négatif dans la formule 2 et positif dans la figure 5, et le signe est inverse dans le cas d'un milieu de type P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite). Il faut noter que le milieu de type P contient un matériau ferromagnétique et un milieu de couplage magnétostatique. La relation entre le champ coercitif et la température est telle que représenté par le graphique de la figure 4. Sur celle-ci, la courbe en trait fin représente les caractéristiques de la première couche et la courbe en trait gras celles de la seconde couche. En conséquence, lorsqu'un champ initial (Hini.) est appliqué au support d'enregistrement à température ambiante, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée sans inversion de celle de la première couche, conformément a l'équation (5). Lorsque le champ initial (Hini) est appliqué à la couche d'enregistrement avant l'enregistrement, la seconde couche peut être aimantée dans la "direction A'r (sur les dessins, la "direction A" est indiquée par une flèche blanche ascendante Xrt et la "direction non A" est indiquée par une flèche blanche descendante ";"). Lorsque le champ initial (Hini) diminue jusqu'à une valeur nulle, la direction d'aimantation de la seconde couche peut rester inchangée sans subir une nouvelle inversion, comme indiqué par l'équation (4). La figure 3B représente schématiquement un état dans lequel seule la seconde couche est aimantée dans la "direction A" t juste après l'enregistrement. On se réfère à la figure 3B ; la direction d'aimantation dans la première couche représente les données déjà enregistrées. Comme la direction d'aimantation dans la première couche ne modifie pas le mécanisme fondamental de fonctionnement, elle est indiquée par X dans la description qui suit. Le tableau de la figure 3B est modifié comme représenté par la condition 1 sur la figure 5, par raison de simplicité. Dans la condition 1, le faisceau laser de niveau élevé est projeté sur le support d'enregistrement afin qu'il augmente la température de celui-ci à une valeur TH. Comme TH dépasse la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche 1 disparaît, En outre, comme TH est proche de la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche 2 disparaît aussi totalement ou presque totalement. Le champ de polarisation (Hb) dans la "direction A" ou dans la "direction non A" est appliqué au support en fonction de sa nature. Le champ de polarisation (Hb) peut être un champ parasite provenant du support luimême. Par raison de simplicité, on suppose que le champ de polarisation (Hb) dans la "direction non A" est appliqué au support. Comme le support est mobile, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air.Lorsque la température du support diminue en présence du champ Hb, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée et devient la "direction non A", en fonction du champ Hb (condition 2H de la figure 5). Lorsque le support subit un refroidissement supplémentaire et lorsque la température du support diminue audessous de TCl, aimantation de la première couche apparait à nouveau. Dans ce cas, la direction d'aimantation de la première couche est influencée par celle de la seconde couche étant donné la force de couplage magnétique (couplage magnétostatique-ou d'échange). En conséquence, une aimantation 8 (milieu de type P) ou R (milieu. de type A) se forme d'après la nature du milieu comme représenté par la condition 3H sur la figure 5. Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de niveau élevé est appelé "cycle à température élevée" dans le présent mémoire. Ensuite, dans la condition 1 de la figure 6, le faisceau laser de faible niveau est projeté sur le support afin qu'il élève la température du milieu à TL. Comme la température TL est proche de la température de Curie TCl, l'aimantation de la première couche disparaît totalement ou presque totalement. Cependant, comme T L est inférieure à la température de Curie TC2, l'aimantation de la seconde couche ne disparaît pas (condition 2L de la figure 6). Dans la condition 2Lr bienque le champ de polarisation (Hb) soit superflu, il ne peut pas être commuté à grande vitesse. En conséquence, le champ de polarisation (Hb) reste obligatoirement appliqué. Cependant, comme le champ coercitif HC2 reste élevé, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée sous l'action du champ Hb. Comme le support se déplace, une partie irradiée déterminée est immédiatement séparée du faisceau laser et se refroidit sous l'action de l'air. Lorsque le refroidissement progresse, l'aimantation de la première couche apparaît. La direction d'aimantation est influencée par celle de la seconde couche étant donné la présence de la force de couplage magnétique. En conséquence, l'aimantation t (milieu de type P) ou ss (milieu de type A) apparaît suivant la nature du milieu. Cette aimantation n'est pas modifiée même à température ambiante (condition 3L sur la figure 6). Un changement des conditions dû à l'irradiation par le faisceau laser de faible niveau est appelé "cycle à faible température" dans le présent mémoire. La figure 7 résume la description qui précède. Comme indiqué sur la figure 7, des bits ayant des aimantations t et y, qui sont opposées, sont formés dans les cycles à température élevée et à faible température indépendamment de la direction d'aimantation dans la première couche. Plus précisément, une opération de superposition d'écriture est rendue possible par modulation par impulsions du faisceau laser entre le niveau élevé (cycle à température élevée) et le faible niveau (cycle à faible température), en fonction des données à enregistrer. Il faut noter que le support d'enregistrement -a normalement la forme d'un disque et est entraîné en rotation pendant l'enregistrement. Pour cette raison, une partie enregistrée (bit) est à nouveau sous l'influence du champ initial (Hini) qui est appliqué par le dispositif d'application de champ initial, pendant un seul tour. En consequence, la direction d'aimantation de la seconde couche est alignée sur la "direction A" d'origine t comme indiqué sur la figure 10.Cependant, à la température ambiante, l'aimantation de la seconde couche ne peut plus influencer celle de la première couche, et les données enregistrées peuvent être conservées Lorsque de la lumière polarisée linéairement est projetée sur la première couche, comme la lumière qui -est réfléchie par celle-ci contient des données, les données peuvent être reproduites comme dans le support classique d'enregistrement magnéto-optique Un film magnétique vertical constituant la première couche et la seconde couche est choisi dans le groupe qui comprend (1) les matériaux ferromagnétiques ou ferrimagnétiques cristallins ou amorphes ayant la température de Curie et n'ayant pas de température de compensation, et (2) des matériaux ferrimagnétiqués cristallins ou amorphes ayant à la fois la température de compensation et la température de Curie. On a décrit le premier aspect qui met en oeuvre la température de Curie. Au contraire, le second- aspect de la présente invention met en oeuvre le champ coercitif HC de valeur réduite à une température prédéterminée supérieure à la température ambiante. Le second aspect met en oeuvre une température Tsî à laquelle la première couche est couplée magnetiquement à la seconde couche, à la place de la température Tci dans le premier aspect. En outre, à la place de la température TC2, une température T52 à laquelle la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb est utilisée. De cette manière, le second aspect peut donner le même effet que le premier aspect. Dans le second aspect, le champ coercitif de la première couche est représenté par HCI, celui de la seconde couche par HC2, la température à laquelle la première couche est couplée magnêtiquement à la seconde couche par TSl, la température à laquelle la direction d'aimantation de la seconde couche s'inverse sous l'action du champ Hb par TS2, la température ambiante par TR, la température du support lorsqu'un faisceau laser de faible niveau lui est appliqué par TL, la température du support lorsqu'un faisceau laser de niveau élevé lui est appliqué par TH, un champ de couplage appliqué à la première couche par HD1 et un champ de couplage appliqué à la seconde couche par HD2. Dans ce cas, le support d'enregistrement remplit la condition de l'équation (6) ainsi que celles des équations (7) à (10) à température ambiante TR HCî > HC2+ I HDl+HD2 I (7) Hç1 > HDî (8) C2 D2 (9) HC2+HD2 Dans les formules qui précèdent, le milieu de type A (antiparallèle) correspond aux signes négatif dans la formule 7 et positif dans la formule 10, les signes étant inversés dans le cas du milieu P (parallèle) (ces milieux sont décrits dans la suite). Dans le premier et le second aspect, le milieu d'enregistrement est constitué par la première et la seconde couche, chacune comprenant de préférence un matériau ferrimagnétique amorphe choisi parmi les compositions d'alliages d'un métal de transition (par exemple Fe, Co) et d'un métal lourd des terres rares (par exemple Gd, Tb, Dy et analogue). Lorsque la première et la seconde couche sont toutes deux choisies dans des compositions d'alliages métal de transition-métal lourd des terres rares, la direction et le niveau d'aimantation apparaissant à l'extérieur de l'al- liage sont déterminés par la relation entre la direction et le niveau de spin des atomes du métal de transition (appelé MT dans la suite) et ceux des atomes du métal lourd des terres rares (appelées TR dans la suite), à l'intérieur de l'alliage. Par exemple, la direction et le niveau de spin MT sont représentés par le premier vecteur t d'une paire, ceux du spin TR sont représentés par le second vecteur t de la paire, et la direction et le niveau d'aimantation de l'alliage dans son ensemble sont représentés par un vecteur double t. Dans ce cas, le vecteur t est représenté par la somme des vecteurs t et t.Cependant, dans l'alliage, les vecteurs t et t ont des sens opposes étant donné l'effet mutuel du spin MT et du spin TR. En conséquence, lorsque ces vecteurs sont égaux, la somme des vecteurs t et ; ou la somme des vecteurs t et t est nulle (c'est-à-dire que le niveau d'aimantation apparaissant à l'extérieur de l'al- liage est nul). ta composition d'alliage constituant la somme des vecteurs zéro et appelée "composition de compensation". Lorsque l'alliage a une autre composition, il a une intensité égale à la différence entre les intensités des deux spins et a un vecteur ( R ou ;, ayant la même direction que le vecteur le plus élevé. L'aimantation de ce vecteur apparaît en dehors de l'alliage.Le cas échéant, le vecteur le plus intense des deux est barré. Par exemple, les vecteurs kf correspondent à un vecteur R et les vecteurs tt correspondent à un vecteur+. Lorsque 1 t une des intensités des vecteurs des spins TR et MT dépasse l'autre, la composition d'alliage est dite "riche en xx", d'après le nom du spin le plus important (par exemple riche en TR). La première et la seconde couche peuvent être consi dérées comme des compositions riches en MT ou riches en TR. En conséquence, si la composition de la première couche est portée en ordonnées et celle de la seconde couche en abscisses, les types des supports d'enregistrement selon l'invention peuvent être classés en quatre quadrants, comme représenté sur- la figure 8. Le milieu de type P décrit précédemment appartient aux quadrants I et III, et le milieu de type A appartient aux quadrants Il et IV. Comme l'indique la figure 8, l'intersection (origine) des abscisses et des ordonnées représente la composition de compensation des deux couches. Etant donné le changement du champ coercitif lors du changement de température, une composition d'alliage particulière a des caractéristiques telles que le champ coercitif augmente temporairement vers une valeur infinie puis diminue brutalement avant que la température n'atteigne la température de Curie (a laquelle le champ coercitif est nul). La température qui correspond à un champ coercitif infini est appelée température de compensation Aucune température de compensation n'existe entre la température ambiante et la température de Curie dans la composition d'alliage riche en MT.Une température de compensation inférieure à la température ambiante est dépourvue de tout intérêt pour l'enregistrement magnéto-optique et en conséquence, on suppose, dans le présent mémoire, que la température de compensation est comprise entre la température ambiante et la température de Curie. Si l'on classe la première et la seconde couche en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, le support d'enregistrement peut être classé en quatre types. Le support d'enregistrement du quadrant I contient les quatre types de milieux Les graphiques des figures 9A à 9D respectivement représentent la relation entre le champ coercitif et la température des quatre types de milieux. il faut noter que les courbes fines représentent les caractéristiques de la première couche et les courbes grasses celles de la seconde couche. Lorsque la première couche (enregistrement) et la seconde couche (référence) sont classées en fonction de leurs caractéristiques de richesse en TR ou MT et en fonction de la présence ou de l'absence de température de compensation, elles appartiennent à neuf classes. Tableau 1 Quadrant I Classe Type première couche : - Seconde couche riche en TR riche en TR 1 T T 1 comp comp. 2 pas T T 2 comp. comp. 3 T pas T 3 comp. pas comp. 4 pas comp. pas comp. Quadrant II Classe Type Première couche : Seconde couche riche en TR riche en MT 5 T pas T 3 comp. comp. 6 pas TComp0p pas comp. Quadrant III Classe Type Première couche : Seconde couche riche en MT riche en MT 7 pas TComp pas comp.4 Quadrant IV Classe Type Première couche : Seconde couche riche en MT riche en TR 8 pas T T 2 comp. comp. 9 pas T pas TComp, 4 comp pas Le principe de l'opération de superposition d'écri- ture est maintenant décrit en détail dans la suite en référence à un support particulier appartenant à la classe 1 (type P, quadrant I, type 1) indiquée-dans le tableau 1. Le support n0 1 satisfait à l'équation (11) (11) Le graphique de la figure 10 représente cette relation. Il faut noter que les courbes fines correspondent à la première couche et les courbes grasses à la seconde couche. Ces identifications sont les mêmes sur les graphiques qui suivent. Une condition d'inversion de la direction d'aimantation de la seconde couche sans inversion de celle de la première couche sous l'action du champ initial (Hini) à température ambiante T R est représentée par l'équation (12). Le support n0 1 satisfait l'équation (12) à la température TR :: Hc1 > Hc2+(aw/2M5îtî )+(a/2M52t2) (12) dans laquelle HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M51 = aimantation à saturation de la première couche M31 = aimantation à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche aw = énergie de paroi d'interface (force de couplage d'échange) A ce moment, une condition appliquée à Hini est représentée par l'équation (15). Lorsque Hini disparaît, l'aimantation inversée de la seconde couche est influencée par l'aimantation de la première couche étant donné la présence de la force de couplage d'échange.La condition qui peut assurer le maintien de la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (13) et (14). Le support n0 1 remplit les conditions.des équations (13) et (14) HCl > (aw/2Msltl) (13) HC2 > (ow/2Ms2t2) (14) HC2+( 0,/2MS2t2) L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement qui satisfait aux équations (12) à (14) à la température TR est alignée dans la direction "A" t ) par le champ Hini qui correspond à l'équation (16) A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 11 et 12). La condition 1 est conservée jusqu a un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, -le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t. On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence -a la figure 11. Dans la condition 1, lorsque la température du support est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la première couche, l'aimantation de la première couche 1 disparaît (condition 2H) Lorsque l'irradiation par le faisceau laser continue, la température du milieu augmente en conséquence. Lorsque la température du milieu dépasse légèrement la température TComp.2 de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (## à ## ) bien que les directions des spinsTR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée afin qu'elle soit la "direction non A" (condition 3H) Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb Lorsque la température augmente encore et atteint la valeur TH, la température de la seconde couche correspond pratiquement à la température de Curie TC2, et l'aimantation de la seconde couche disparaît aussi (condition 4H > Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la seconde couche. Dans ce cas, l'aimantation t ( est créée par t Hb (condition 5H) Cependant, comme la température est encore supérieure å la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la première couche. Lorsque la température du milieu continue à diminuer au-dessous de la température Tcomp.2, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (tt à ## ) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de t à la "direction non A" # (condition 6H > Dans la condition 6Hr comme la température du milieu est supérieure a la température TCl, l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu.En outre, comme le champ coercitif HC2 å cette température est élevée, la direction d'aimantation ss de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ t Hb. Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la seconde couche provoque ltalignement de chacun des spins TR et MT ( et t) de la première et de la seconde couche. Comme la température de la première couche est supérieure à la température Tcomp.1, T le spin MT est supérieur au spin TR et en conséquence l'aimantation est tt, c'est-à-dire que t apparaît dans la première couche. Cet état est celui de la condition 7H. Lorsque la température du milieu diminue de la tem pérature obtenue dans la condition 7H et est inférieure à la température T Comp.1, les relations entre les intensités comp.l des spins TR et MT de la première couche sont inversées à tt ) . En conséquence, l'aimantation 8 apparaît (condition 8H). Ensuite, la température du milieu diminue de la valeur de la condition 8H à la température ambiante. Comme le champ coercitif Hcî à la température ambiante est suff i- samment élevé, la condition 8H est conservée sans inversion de la direction d'aimantation de la première couche par le champ t Hb. De cette manière,-la formation du bit dans la "direction non A" est terminée. On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 12. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tcî de la première couche, l'aimantation de la ~première couche disparaît (condition 2L > Dans la condition 2Lt lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la première couche est influencée par les spins TR et MT (t) de la seconde couche, étant donné la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ;) de la première et de la seconde couche. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire a, indépendamment du champ de polarisation t Hb, apparaît dans la première couche (condition 3L) Comme la température, dans la condition 3L, dépasse la température TComp.1, le spin MT est supérieur au spin TR. Lorsque la température du milieu est réduite au dessous de la température TComp.1, T la relation entre. les comp. 1, spins TR et MT de la première couche est inversée (t à de la même manière que dans le cycle à température élevée. En conséquence, l'aimantation de la première couche est R (condition 4L > La condition 4L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue jusqu'à la température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" est terminée. Ensuite, on décrit en détail le principe du procédé de l'invention de la technique antérieure, par utilisation d'un support particulier n0 2 appartenant a la classe 2 (type P, quadrant I, type 2) indiquée dans le tableau 1, et le principe de l'invention, par utilisation du support particulier n0 2. Le support n0 2 remplit les conditions de l'équation (16) TR Le graphique de la figure 13 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la seconde couche sans inverser celle de la première couche par le champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (17). Le support n0 2 remplit-les conditions de l'équation (17) à la température T HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (17;) dans laquelle HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche MS1 = aimantation à saturation de la première couche Ms2 = aimantation à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche aw = énergie de la paroi de l'interface. A ce moment, une condition que doit remplir le champ Hini est représentée par l'équation (20). Lorsque le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la seconde couche est influencée par l'aimantation de la première couche du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui peut maintenir la direction d'aimantation de la seconde couche est représentée par les équations (18) et (l9), qui sont satisfaites par le milieu n0 2 HCl > (::w/2Msltl) (18) HC2 > ( aW/2MS2t2 ) (19) HC2+(#w/2MS2t2) L'aimantation de la seconde couche du support d'enregistrement, correspondant aux équations (17) à (19) à la température TR, est alignée dans la "direction A" # (##) par le champ Hini,- en fonction de l'équation (20). A ce moment, la première couche est maintenue å l'état enregis tré (condition 1 des figures 14 et 15). La condition 1 correspond å un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t. On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence a la figure 14. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tcî de la première couche, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 2H) Lorsque le rayonnement du faisceau laser se poursuit, la température du milieu s'élève en conséquence. Lorsque la température du milieu dépasse légèrement la température Tcomp.2 de la seconde couche, la relation entre les intensités des vecteurs est inversée (tz à ##) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. Pour cette raison, la direction d'aimantation de la seconde couche est inversée à la "direction non A" # (condition 3H > Cependant, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé à cette température, la direction d'aimantation de la seconde couche n'est pas inversée par le champ Hb (t). Lorsque la température augmente encore et atteint la température TH, la température de la seconde couche correspond pratiquement à la température de Curie TC2, et lraimanta- tion de la seconde couche disparaît aussi (condition 4H > Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la seconde couche. Dans ce cas, l'aimantation t ) est créée par t Hb (condition 5H > Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la première couche. Lorsque la température du milieu diminue encore audessous de la température T 2' la relation entre les intensités des vecteurs est inversée ( à ##) ) bien que les directions des spins TR et MT restent les mêmes. En conséquence, la direction d'aimantation de l'alliage dans son ensemble est inversée de t à la "direction non A" g (condition 6H > Dans la condition 6H, comme la température du milieu est supérieure à la température rr l'aimantation de la première couche n'a pas encore apparu. En outre, comme le champ coercitif HC2 est élevé à cette température, la direction de l'aimantation ss de la seconde couche ne peut pas être inversée par le champ t Hb. Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure a la température TCl, l'aimantation apparaît dans la première couche. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la seconde couche agit par alignement de chacun des spins TR et MT ( et t) de la première et de la seconde couche. Ainsi, l'aimantation tt, c' est-à-dire , apparaît dans la première couche. Cet état correspond a la condition 7H Ensuite, la température du milieu diminue de la température de la condition 7H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, la condition 7H est maintenue sans inversion - de la direction d'aimantation de la première couche par le champ t Hb. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée. On décrit maintenant le cycle à faible température en référence å la figure 15. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à la valeur TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau.- Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la première couche, l'aimantation de la première couche disparaît (condition 2L > Dans la condition 2L' lorsque la partie irradiée est séparée de la tacne formee,par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la première couche est influencée par les spins TR et MT (tt) de la seconde couche sous l'action de la force de coupl-age d'échange.En d'autres termes, la force de couplage d'échange provoque l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ) de la première et de la seconde couche. En conséquence, l'aimantation tz, c'est-à-dire t, apparaît dans la première couche (condition 3L > La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. En conséquence, un bit dans la "direction A" est formé dans la première couche. On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon la présente invention par utilisation d'un support particulier n0 3 appartenant à la classe 3 (type P, quadrant I, type 3) représentée dans le tableau 1. Le support n0 3 satisfait à l'équation (21) T R comp.1 Cl L C2 H Le graphique de la figure 16 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation (22). Le support d'enregistrement n0 3 satisfait à l'équation (22) à la température T :: HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (22) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 MS1 = aimantation à saturation de la couche 1 MS2 = aimantation à saturation de la couche 2 tl = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 a = énergie de la paroi de l'interface w A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (25). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche de référence 2 est influencée par l'aimantation de la couche d'enregistrement 1 du fait de la force de couplage d'échange.La condition qui maintient la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (23) et (24) qui sont satisfaites par le support n0 3 HCl > (aw/2MSltl) (23) HC2 > (#w/2MS2t2) (24) HC2+(#w/2MS2t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement, qui peut satisfaire aux équations (22) à (24) à la température TR, est alignée dans la "direction A" t () par le champ Hini qui correspond à l'équation (25). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 17 et 18). La condition 1 est remplie jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 17. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie Tç1 de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H > Lorsque l'irradiation-par le faisceau laser se poursuit, comme la température T H du milieu est pratiquement égale à la température TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la tempéra ture du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation apparaît dans la couche 2.Dans ce cas, l'aimantation # (tt) est créée par s Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 4H Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température T l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange à partir de la couche 2 provoque un alignement de chacun des spins TR et MT ( et t > des couches 1 et 2.Comme la température du milieu dépasse la température Tcomp.1, le spin MT est supérieur au spin TR (##). En conséquence, l'aimantation t apparaît dans la couche 1 (condition 5H > Lorsque la température du milieu diminue encore à partir de la température de la condition 5H et est inférieure à la température TComp.1, la relation entre les intensités des spins MT et TR de la couche 1 est inversée (;t à ## ). Pour cette raison, la direction d'aimantation de la couche 1 est inversée à la "direction non A" # (condi- tion 6H > Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 6H jusqu'à la température ambiante.Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation des bits dans la "direction non A" est déterminée. On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 18. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est élevée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevée, l'aimantation de la couche 2 ne s'inverse pas sous l'action du champ de polarisation i Hb (condition 2L > Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (t) de la couche 2 de référence sous l'action de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange agit pour provoquer l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation c'est-à-dire +, apparaît dans la couche 1. Dans ce cas, comme la température du milieu est supérieure à la tempéra ture TComp. 1 le spin MT est supérieur au spin TR (condi comp. 1'- tion 3L > Lorsque la température du milieu continue à diminuer au-dessous de la température Tc0mp. T la relation entre les intensités des spins TR et MT de la couche 1 est inversée de la même manière que dans le cycle à température élevée (t+ à t)- En conséquence, l'aimantation t, par rapport au champ de polarisation ; Hb apparaît dans la couche 1 (condition 4L > ' La condition 4L est maintenue même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. De cette manière, la formation de bits dans la "direction A" # est terminée. On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon. l'invention mettant en oeuvre un support particulier d'enregistrement n0 4 appartenant à la classe 4 (type P, quadrant I, type 4) représentée sur la figure I. Le support n0 4 satisfait à l'équation (26) TR Le graphique de la figure 19 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celle de la couche d'enregistrement 1 sous l'action du champ initial (Hini) à la température ambiante TR est représentée par l'équation 27 Le support n0 4 satisfait à l'équation (27) à la température TR :: HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (27') dans laquelle HC1 = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 M; = aimantation à saturation de la couche Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2 t1 = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 ow = énergie de la paroi d'interface. A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (30). Lorsque le champ Hini disparait, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement par la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (28) et (29) qui sont satisfaites par le support n0 4 Hcl > (aw/2Msltl) (28) HC2 > (#w/2MS2t2) (29) Hç2+(aw/2M52t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (27) à (29) à la température TR est alignée dans la "direction A" R (##) par le champ Hini qui correspond à l'équation (30). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 20 et 21). La condition 1 est maintenue jusqu'à un moment qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction C1 On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 20. Lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H) Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, comme cette température TH de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi. Cet état correspond à la condition 3H Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation + (t) est créée par ; Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H Lorsque la température du milieu diminue et est légèrement inférieure à la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 a pour action d'aligner chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2.En conséquence, l'aimantation ft, ctest-à-dire + apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition .5H jusqu'à température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation d'un bit dans la "direction non A" est terminée. On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 21. Dans la condition 1, juste avant 11 enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température T L dépasse la température de Curie TC1 de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation ; ho. Cet état correspond å la condition 2L Dans la condition 2Lt lorsqu'une partie irradiée se sépare de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (tC) de la couche 2 étant donné la force de couplage d'échange.En d'autres termes, la force de couplage d'échange agit sur 'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tf, c'est-à-dire t, indépendamment du champ de polarisation 1 Hb, apparaît dans la couche 1; Cet état est la condition La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction A"' t est terminée. On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention mettant en oeuvre un support particulier n0 5 appartenant à la classe 5 (type A, quadrant Il, type 3) représentée dans le tableau 1. Le support n0 5 satisfait à l'équation (31) TR Le graphique de la figure 22 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à température ambiante TR est représentée par l'équation (32). Le support n0 5 satisfait à l'équation (32) à la température T R: HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (32) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 MSl = aimantation à saturation de la couche 1 M31 = aimantation à saturation de la couche 2 tl = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 = = énergie de paroi d'interface. A ce moment, une conditio du champ Hini est représentée par l'équation (35). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (33) et (34). Le support n0 5 satisfait aux équations (33) et (34). HC1 > (#w/2MS1t1) (33) HC2 > (aw/2M52t2) (34) HC2+(#w/2MS2t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire aux équations (32) à (34) à la température T R est alignée dans la "direction A" R ( ;t, par le champ Hini qui satisfait à l'équation (35). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 23 et 24). La condition 1 est conservée jusqu'à un point qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction ;' . On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 23. Lorsque la température du milieu est augmentée jusqu'à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température TL est- pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H > Lorsque le rayonnement du faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, comme la température TH de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition 3H > Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation 11 (tt)- est créée par z Hb.- Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la-condition 4H Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 agit par alignement des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2.Dans ce cas, comme la température du milieu est très supérieure à la température Tcomp. 1, le spin MT est supérieur au spin TR (tt) En conséquence, l'aimantation +. apparaît dans la couche 2 (condition 5H) Lorsque la température du milieu diminue au-dessous de la température TComp 1 depuis la température de la condition 5H' la relation entre les intensités des spins MT et TR de la couche 1 est inversée (t à t). Pour cette raison, l'aimantation de-la couche 1 est inversée dans la "direction A" t (condition 6H > La température du milieu diminue alors depuis la température de la condition 6h vers la température ambiante.Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" est terminée. On décrit maintenant le cycle à faible température en référence à la figure 24. Dans la condition 1 précédant immédiatement I'enregistrement, la température du milieu est portée TL -par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation i Hb (condition 2L > Lorsque l'irradiation par le faisceau est déterminée dans la condition 2R' la température du milieu commence a diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche d'enregistrement 1 sont influencés par les spins TR et MT (##) de la couche de référence 2 sous l'action-de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la- force de couplage d'échange a pour action d'aligner chacun des spins TR et MT ( et t) de la couche 1 et 2; En conséquence, l'aimantation it, c'est-à-dire t indépendamment du champ de polarisation # Hb; apparaît dans la couche 1.Dans ce cas, comme la température du milieu est supérieure à la température Tcomp. 1, le spin ME est supérieur au spin TR (condition Lorsque la température du milieu est réduite en-deçà de la température Tcomp 1 la relation entre les intensités comp. 1' des spins TR et MT de la couche est inversée, comme dans le cycle à température élevée (st à 4t }. En conséquence, l'aimantation de la couche 1 est # (condition 4L > La condition 4L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à température ambiante. De cette manière; la formation d'un bit dans la "direction non A" ss est terminée. On décrit maintenant en détail le principe du pro cédé- selon la présente invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 6 appartenant 'a la classe 7 (type A, quadrant Il, type 4) représentée dans le tableau 1. Le support n0 6 satisfait à l'équation (36) TR Le graphique de la figure 25 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à température ambiante T R est représentée par l'équation (37). Le support n0 6 satisfait à l'équation (37) à la température TR HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2) (37) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 MSY; = aimantation à saturation de la couche 1 Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2 tl = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de paroi d'interface. A ce moment, une condition du champ Hini est donnée par l'équation (40). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement sous l'action de la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (38) et (39) qui sont satisfaites par le support n0 6 HC1 > (#w/2MS1t1) (38-). HC2 > (#w/2MS2t2) (39) HC2+(#w/2MS2t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui peut satisfaire les équations (37) à (39) à la température T R est alignée sur la "direction A" t ) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (40). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 26 et 27). La condition 1 est conservée jusqu' un point précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 26. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de- niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H) Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température CH, comme cette température T H de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi.Cet état correspond à la condition 3H Dans la condition 3 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation + (t) est créée par le champ z Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 4H; Lorsque la température du milieu a légèrement diminué au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1.A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation t, c'est-à-dire t, indépendamment du champ de polarisation X Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 5H La température du milieu diminue alors depuis la température de la condition 5H jusqu a température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. De cette maniéré, la formation du bit dans la "direction A" R est terminée. On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 27. Dans la condition 1 juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à T L par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche '1 disparaît. Cependant, dans cet état, comme le champ coercitif H de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation T de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation i Hb. Cet état est celui de la condition 2L Dans la condition 2 lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche d'enregistrement 1 sont influencés par les spins TR et MT (/t) de la couche 2 de référence étant donné la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange aligne chacun des spins TR et MT (; et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire +, apparaît dans la couche 1. Cet état est celui de la condition 3L La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" ss est terminée. On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n0 7 appartenant à la classe 7 (type P, quadrant III, type 4) représentée dans le tableau 1. Le support d'enregistrement n0 7 satisfait à I'équation (41) TR Le graphique de la figure 28 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initiale (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (42). Le support n0 7 satisfait à l'équation (42) à la température TR : HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) (42) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 MSl = aimantation à saturation de la couche 1 Ms2 = aimantation à saturation de la couche 2 t = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 aw = énergie de paroi d'interface. A ce moment, une condition du champ Hini est représentée par l'équation (45). Lorsque le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par l'aimantation de la couche 1 d'enregistrement du fait de la force de couplage d'échange. La condition qui permet la conservation de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (43) et (44) qui sont satisfaites par le support n0 7 :: HCl > (#w/2MS1t1) (43) HC2 > (aw/2M52t2) ) Hc2+(aw/2M52t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui permet la satisfaction des équations (42) à (44) à la température TR est alignée dans la "direction A" t ) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (45). A ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 29 et 30). La condition 1 est conservée jusqu a un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de base (Hb) est appliqué dans la direction . On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 29. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H). Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu- est égale à la température TH, comme la température T H de la couche 2 est pratiquement égale à la température de Curie TC2, l'aimantation de la-couche 2 disparaît aussi. Cet état est la condition 3H Dans la condition 3H, lorsqu'une partie irradiée s'éloigne de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer. Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la -couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation i (##) est créée. par X Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à-la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1.Cet état est la condition 4H. Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl, l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 (foc) agit en assurant l'alignement des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2 Pour cette raison, l'aimantation ##, c'est-à-dire s apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H Ensuite, la température du milieu diminue de la température dans la condition 5H à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est maintenue de manière stable. De cette façpn, la formation d'un bit dans la "direction non A" + est terminée. On décrit maintenant un cycle à basse température en référence à la figure 30. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL, par irradiation du faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Dans cet état cependant, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation t de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. Cet état est la-condition 2L Dans la condition 2L, lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu est légèrement inférieure à la température Tel, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (; t ) de la couche de référence 2 sous l'action de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange aligne chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation , c'est-à- dire t, indépendamment du champ de polarisation i Hb, apparait dans la couche 1. Cet état est la condition 3L La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu est abaissée à la température ambiante.De cette manière, la formation du bit dans la "direction A" t est terminée. On décrit maintenant en détail le principe du procédé selon l'invention par utilisation d'un support particulier d'enregistrement n 8 appartenant à la classe 8 (type A, quadrant IV) type 2) représentée dans le tableau 1. Le support d'enregistrement n0 8 satisfait à ltequa- tion (46) TR Le graphique de la figure 31 représente cette relation. Une condition qui inverse. la direction d'aimantation de la couche de référence 2 sans inverser celui de la couche d'enregistrement 1 par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par l'équation (47). Le support n0 8 satisfait à l'équation (47) à la température T R : HCl > HC2+ |(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2) (47) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche dtenregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 MS1 = aimantation à saturation de la couche 1 MS2 = aimantation à saturation de la couche 2 tl = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de paroi d'interface. A ce moment, une condition pour le champ Hini est représentée par l'équation (50). Lorsque le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche 2 de référence est influencée par I'aimantation de la couche 1 d'enregistrement due à la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (48) et (49) qui sont satisfaites par le support n0 8 HCl > (aW/2MSltl) (48) HC2 > (#w/2MS2t2) (49) Hç2+(aw/2M52t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement, qui peut satisfaire les équations (47 à (49) à la température TR, est alignée sur la "direction A" # (##) par le champ Hini qui correspond à l'équation (50). A ce moment, la couche 1 d'enregistrement est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 32 et 33). La condition 1 est conservée jusqu'à un moment précédant immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction t. On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 32. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement 1, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H > Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est légèrement supérieure à la température T 2' la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée (## à ##) bien que leurs directions (t et ;) restent les mêmes.En conséquence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée à la "direction non A" . Cet état est la condition 3H Cependant, à cette température, comme le champ coercitif HC2 est encore élevé, l'aimantation ; de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. On suppose que l'irradiation par le faisceau laser continue et que la température du milieu est portée à TH. Comme la température TH est pratiquement égale à la température T2 l'aimantation de la couche 2 disparaît aussi (condition 4H) Dans la condition 4H, lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence a diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température TC2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation t (##) est créée par le champ t Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température Tcomp,p' la relation entre les intensités des spins TR et MT est inversée (mt à it ) sans inversion des directions ( et t).En consé- quence, la direction d'aimantation de la couche 2 est inversée dans la "direction non A" ;. Dans cet état, comme le champ coercitif HC2 est déjà suffisamment élevé; l'aimantation + de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb. Dans ce cas, comme la température du milieu est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 6H Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température TCl t l'aimantation apparaît aussi dans la couche 1.A ce moment, l'aimantation (Ct) de la couche 1 agit sur la couche 1 à cause de la force d'accouplement d'échange et provoque l'alignement des spins TR et MT ( et t) des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation t, c'est-à-dire t apparaît dans la couche 1 (condition 7H) Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 7H jusqu'à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à la température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. Ainsi, la formation du bit dans la "direction A" t est terminée. On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 33. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement-égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Dans cet état cependant, comme le champ coercitif HC2 de la couche- 2 est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation t Hb (condition 2L) Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température est légèrement inférieure à la température TCl, les spins respectifs de la couche 1 d'enregistrement sont influencés par les spins TR et MT (t) de la couche de référence 2, du fait de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et t) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation t , c est-à-dire , indépendamment du champ de polarisation t Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état correspond à la condition 3L La condition 3L est conservée même lorsque la température du milieu est réduite à la température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" # est terminée. On ,décrit maintenant en détail le principe du procédé de l'invention lors de la mise en oeuvre d'un support particulier d'enregistrement n0 9 appartenant à la classe 9 (type A, quadrant IV, type 4) représentée dans le tableau 1. Le support n0 9 satisfait à l'équation (51) TR Le graphique de la figure 34 représente cette relation. Une condition qui inverse la direction d'aimantation de la couche 2 de référence sans inverser celle de la couche 1 d'enregistrement par le champ initial (Hini) à la température ambiante T R est représentée par %'équation (52). Le support n0 9 satisfait à l'équation (52) à la température TR HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (52) dans laquelle HCl = champ coercitif de la couche d'enregistrement 1 HC2 = champ coercitif de la couche de référence 2 M51 = aimantation à saturation de la couche 1 = = aimantation à saturation de la couche 2 tl = épaisseur du film de la couche 1 t2 = épaisseur du film de la couche 2 #w = énergie de la paroi dtinterface. A ce moment, une condition que doit remplir le champ Hini est représentée par l'équation (55). Si le champ Hini disparaît, l'aimantation inversée de la couche de référence 2 est influencée par l'aimåntation de la couche 1 d'enregistrement sous l'action de la force de couplage d'échange. La condition qui permet le maintien de la direction d'aimantation de la couche 2 est représentée par les équations (53) et (54) qui sont satisfaites par le support d'enregistrement n0 9 HC1 > (#w/2MS1t1) (53) HC2 > (a/2M52t2) (54) HC2+(#w/2MS2t2) L'aimantation de la couche 2 du support d'enregistrement qui permet la satisfaction-des équations (52) à (54) à la température T R est alignée dans la "direction A" (tl) par le champ Hini qui satisfait à l'équation (55). k ce moment, la couche d'enregistrement 1 est maintenue à l'état enregistré (condition 1 des figures 35 et 36). La condition 1 est conservée jusqu a un point qui précède immédiatement l'enregistrement. Dans ce cas, le champ de polarisation (Hb) est appliqué dans la direction On décrit maintenant le cycle à température élevée en référence à la figure 35. Dans la condition 1, lorsque la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de niveau élevé, comme la température T L est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche 1 d'enregistrement, l'aimantation de la couche 1 disparaît (condition 2H > Lorsque l'irradiation par le faisceau laser se poursuit et lorsque la température du milieu est égale à la température TH, celle-ci est pratiquement égale à la température TC2 et l'aimantation de- la couche 2 disparaît aussi. Cet état constitue la condition 3H Dans la condition 3Ht lorsqu'une partie irradiée est séparée de la tache formée par le faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la température du milieu diminue légèrement au-dessous de la température Toc2, l'aimantation de la couche 2 apparaît. Dans ce cas, l'aimantation 11 (t t ) est créée par le champ ; Hb. Cependant, comme la température est encore supérieure à la température TCl, aucune aimantation n'apparaît dans la couche 1. Cet état constitue la condition 4H Lorsque la température du milieu diminue encore légèrement au-dessous de la température Tcîr l'aimantation apparaît dans la couche 1. A ce moment, la force de couplage d'échange de la couche 2 (l t ) provoque l'alignement de chacun des spins TR et MT (; et t ) des couches 1 et 2. Pour cette raison, l'aimantation ;t, c'est-à-dire R indépendamment du champ de polarisation l Hb, apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 5H Ensuite, la température du milieu diminue depuis la température de la condition 5H jusqu'à la température ambiante. Comme le champ coercitif HCl à température ambiante est suffisamment élevé, l'aimantation de la couche 1 est conservée de manière stable. De cette façon, la formation du bit dans la "direction A" R est terminée. On décrit maintenant le cycle à basse température en référence à la figure 36. Dans la condition 1, juste avant l'enregistrement, la température du milieu est portée à TL par irradiation par le faisceau laser de faible niveau. Comme la température TL est pratiquement égale à la température de Curie TCl de la couche d'enregistrement I, l'aimantation de la couche 1 disparaît. Cependant, dans cet état, comme le champ coercitif HC2 de la couche 2 est suffisamment élevé, l'aimantation R de la couche 2 n'est pas inversée par le champ de polarisation 1 Hb. Cet état est la condition 2L Dans la condition 2L' lorsqu'une partie irradiée s'écarte de la tache du faisceau laser, la température du milieu commence à diminuer.Lorsque la tempéràture du milieu est légèrement inférieure à la température TCl, la couche d'enregistrement 1 est influencée par les spins TR et MT ( t z ) de la couche de référence 2 sous l'action de la force de couplage d'échange. En d'autres termes, la force de couplage d'échange assure l'alignement de chacun des spins TR et MT (t et ) des couches 1 et 2. En conséquence, l'aimantation tt, c'est-à-dire ;, apparaît dans la couche 1. Cet état est la condition 3L La condition 3L est maintenue même lorsque la température du milieu diminue à température ambiante. De cette manière, la formation du bit dans la "direction non A" est terminée. Pour que la durée d'utilisation de la couche magnétique soit prolongée, la formation du film doit être réalisée sous vide pousse. Cependant, suivant les expériences réalisées par les inventeurs, lorsque la première et la seconde couche sont formées de façon continue sous vide poussé indépendamment de l'ordre de formation, la force de couplage d'échange aw entre les couches magnétiques peut souvent devenir trop importante, suivant les matériaux utilisés. Dans un support capable d'assurer une superposition d'écriture, pour que l'information de la première couche ne soit pas effacée par 1 t aimantation de la seconde couche initialisée, l'équation suivante doit être satisfaite HC1 > (#w/2MS1t1) (56) Pour que l'aimantation de la seconde couche initialisée ne puisse pas être inversée par l'aimantation la première couche, l'équation suivante doit être satisfaite HC2 > ( a/2M52t2) (57) En conséquence, lorsque la force de couplage d'échange ow est trop grande, le champ coercitif Hc-et le moment magnétique à saturation Ms sont déterminés par - les matériaux des couches magnétiques. En conséquence, l'épais-, seur t du film doit être accrue. Cependant, lorsque l'épaisseur totale des films t12 de la première et de la seconde couche devient trop grande, la capacité calorifique des couches magnétiques est accrue. En conséquence, lorsqu'un faisceau laser irradie en mode d'enregistrement afin qu'il élève la température du milieu à TH ou Tel, la puissance du faisceau laser doit être accrue si bien que le rendement d'irradiation est mauvais. Ainsi, des études poussées ont été réalisées pour la mise au moins d'un moyen permettant la correction (réduction) de la force de couplage d'échange a elle-même w indépendamment des matériaux des couches magnétiques. En conséquence, on a constaté que, lors qu'un élément non magnétique tel que Si, Ge ou analogue, pouvait être dopé préalablement dans l'une au moins des première et seconde couches, la force de couplage d'échange #w pouvait être réglée d'après la quantité dopée. Cependant, lorsque l'élément non magnétique est simplement dopé afin qu'il règle la force de couplage d'échange aw, un support d'enregistrement, permettant une superposition d'écriture, peut rarement être obtenu. La présente invention a pour objet la réalisation d'un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, ayant une grande force de couplage d'échange, obtenu par dopage d'un élément non magnétique, sans augmentation de l'épaisseur totale des films de la première et de la seconde couche. Des études poussées ont déterminé que, dans un support dans lequel un élément non magnétique est simplement dopé afin qu'il règle la force de couplage d'échange aw et qui ne peut pas réaliser l'opération de superposition d'écriture prévue (1) les informations de la première couche sont effacées par la seconde couche initialisée, ou (2) l'aimantation de la seconde couche initialisée est perturbée par l'aimantation de la première couche et se trouve à un état non initialise. A la suite d'études supplémentaires, on a constaté que, lorsqu'un élément non magnétique était dopé, la force de couplage d'échange aw diminuait, et, simultanément, le produit du champ coercitif HC et du moment magnétique à saturation Ms diminuait aussi. Pour cette raison, les équation (56) et (57) sont modifiées de la manière suivante 1 > #w/2HC1MS1t1 (56A) l > aw/2HC2M52t2 4 (57A) Cependant, si le produit HC.Ms dépasse la valeur de décroissance de aw r aw/HçM5 augmente souvent considera blement. Dans ce cas, les équations (56) et (57) ne peuvent pas être satisfaites sans augmentation de l'épaisseur totale des films t12. Ainsi, l'opération de superposition d'écriture est rendue impossible ou incomplète. Cependant, lorsqu'un élément non magnétique est dopée dans celle des première et seconde couches qui a le plus petit produit H C M5 avant le dopage de l'élément non magnétique, aw/HcMs ne présente pratiquement aucune. augmentation (figure 40). En conséquence, bien que l'épaisseur t du film de la couche dopée ne puisse pas être réduite, l'épaisseur t du film de.la couche non dopée peut être réduite afin que les équations (56) et (57) soient satisfaites puisque le produit HC.Ms reste le même lorsque a w diminue. En consequence, l'épaisseur totale du film t12 peut être réduite à une valeur inférieure à la valeur avant dopage, selon une caractéristique de l'invention. Au contraire, si un élément non magnétique est dopé dans la couche ayant le produit HC Ms relativement élevé, oW/HcMs augmente notablement (figure 42). En conséquence, l'épaisseur t du film de la couche dopée doit être conside- rablement accrue afin que les équations (56) et (57) soient satisfaites En conséquence, l'épaisseur totale du film ne peut pas être inférieure à l'épaisseur avant dopage. Lorsqu'un élément non magnétique est dopé à la fois dans la première et la seconde couche, l'épaisseur totale du film ne peut pas être aussi inférieure à l'épaisseur avant dopage. En conséquence, l'invention concerne un support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture dans lequel un élément non magnétique est dopé dans celle des première et seconde couches ayant le plus petit produit HC M8 afin que la force de couplage d'échange a w soit réglée à une valeur prédéterminée, avec réduction de l'épaisseur totale des films tel2. Le moment magnétique d'un corps magnétique est créé par le moment orbital angulaire et le moment de spin angulaire des électrons de la couche externe d'un atome, et son interaction d'échange repose sur le principe de Pauli et sur l'interaction électrostatique entre l'électron et un électron voisin. Pour cette raison, si la distance comprise entre les atomes magnétiques augmente ou si le nombre des atomes magnétiques les plus proches diminue, le recouvrement des fonctions d'onde des électrons des atomes diminue et l'interaction d'échange est réduite. Selon la présente invention, un élément non magnétique est dopé dans la couche magnétique afin qu'il allonge pratiquement la distance comprise entre les atomes magne- tiques dans les deux couches et réduise le nombre d'atomes magnétiques les plus proches et réduise ainsi l'interaction d'échange, si bien que la force de couplage d'échange aw est réglée (réduite). Des exemples d'éléments non magnétiques sont Si, Ge, Ti, Cr, Cu et In. 0,5 atome % d'élément non magnétique au moins est dopé de préférence afin que les effets du dopage soient accentués. Cependant, la quantité réelle de dopage doit être vérifiée expérimentalement d'après la force de couplage d'échange prédéterminée nécessaire aw et le produit correspondant HC.Ms. Grâce à la l'invention telle que décrite précédemment, une opération de superposition d'écriture est possible sans que le champ de polarisation Hb soit commuté ou sans que la direction du champ de polarisation Hb soit modifiée. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels la figure 1 est un schéma utile pour- la description du principe d'enregistrement d'un procédé d'enregistrement magnéto-optique ; la figure 2 est un schéma illustrant le principe de lecture dans le procédé d'enregistrement magnéto-optique ; la figure 3A est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'enregistrement la figure 3B est un schéma représentant la direction d'aimantation d'une couche d'enregistrement et d'une couche de référence la figure 4 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température ; la figure 5 est un schéma représentant les changements de la direction d'aimantation a un niveau élevé ;; la figure 6 est un schéma représentant les changements de la direction d'aimantation à un faible niveau ; la figure 7 représente les variations des changements de direction d'aimantation des figures 5 et 6 pour des supports des types P et A respectivement ; la figure 8 est une carte indiquant comment les différents types de supports selon l'invention sont classés dans quatre quadrants ; les figures 9A à 9D sont des graphiques représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas des supports des type I à IV ; la figure 10 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support n e 1 ; les figures 11 et 12 sont des schémas représentant les variations de la direction d'aimantation dans les cycles à températures élevée et faible d'un support n0 1 ; ; la figure 13 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température du support n0 2 ; les figures 14 et 15 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible d'un support n0 2 la figure 16 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température d'un support n0 3 ; les figures 17 et 18 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 3 la figure 19 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le ca d'un support n0 4 ;; les figures 20 et 21 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 4 la figure 22 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 5 les figures 23 et 24 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans les cycles de températures élevée et faible du support n0 5 la figure 25 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 6 les figures 26 et 27 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 6 ;; la figure 28 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support ha 7 ; les figures 29 et 30 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 7 ;; la figure 31 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 8 les figures 32 et 33 sont des schémas représentant les changements de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 8 la figure 34 est un graphique représentant la relation entre le champ coercitif et la température dans le cas d'un support n0 9 les figures 35 et 36 sont des schémas représentant les changem;ents de la direction d'aimantation dans des cycles de températures élevée et faible du support n0 9 ; la figure 37 est un schéma d'une structure multicouche d'un support d'en;;registrement dans un mode de réalination de l'invention la figure 38 est un schéma représentant la disposition générale d'un appareil d'enregistrement magnétooptique la figure 39 est un graphique représentant la rela -tion entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et la force de couplage d'échange aw agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus petit produit H M ; la figure 40 est un graphique representant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et le rapport aw/Hc.Ms lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus petit produit HC M8 ;; la figure 41 est un graphique représentant la relation entre- la quantité d'un élément non magnétique de dopage et une force de couplage d'échange a w agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couché ayant le plus grand produit H C M5 ; la figure 42- est un graphique représentant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et W/HcMs lorsque l'élément non magnétique est dopé dans une couche ayant le plus grand produit HCMS ; et la figure 43 est un graphique représentant la relation entre la quantité d'un élément non magnétique de dopage et la force de couplage d'échange a w agissant entre les couches magnétiques lorsque l'élément non magnétique est dopé à la fois dans la première et la seconde couche. On décrit maintenant l'invention dans des exemples de l'invention et dans des exemples de référence. Cependant, l'invention n'est pas limitée à ces exemples. Exemple de référence 1 Un appareil de pulvérisation à magnétron à haute fréquence HF a trois éléments à été utilisé, et un substrat de verre sous forme d'un disque ayant une épaisseur de 1,2 mm et un diamètre de 200 mm a été placé dans une chambre sous vide de l'appareil. Lorsque l'intérieur de la chambre a été temporairement évacué à 5.10 5 Pa, de l'argon gazeux a été introduit, et la pulvérisation a été réalisée avec une vitesse de formation du film d'environ 0,3 nm/s, avec maintien de la pression de l'argon gazeux à 2.10 1 Pa. Un alliage 20 80 (les valeurs numériques désignent les pourcentages atomiques) a été utilisé comme première cible pour la formation d'une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de TbFe ayant une épaisseur tl de 50 nm, sur le substrat. Ensuite, une pulvérisation simultanée a été réalisée avec utilisation, comme cible, d'un alliage Dx28Fe50,4Co21,6 et d'un élément non magnétique de dopage Fi, avec maintien du vide afin qu'une seconde couche (de référence) formée d'un film magnétique perpendiculaire de DyFeCoSi soit formée avec une épaisseur t2 = 50 nm sur la première couche. Divers supports d'enregistrement magnéto-optique à deux couches (figure 37) ayant différentes quantités de dopage de Fi dans la seconde couche ont été fabriqués par changement de la puissance électrique appliquée à la cible de Si. Le produit HC M8 et la force de couplage. d'échange a de la première couche, et le produit HC. M8 de la seconde w couche de chaque support fabriqué. ont été mesurés, et la relation entre a et le produit HC.Ms d'une part et la w C 8 quantité de Si de dopage de la seconde a été examinée. Les résultats sont indiqués par les figures 38 et 39. Celles-ci indiquent aussi les résultats obtenus, avec Ge lorsque celui-ci remplace Si. En conséquence, lorsqutaucun élément n'a été dopé, le produit HC.Ms de la première couche était de 1,6.109 et celui de la seconde couche de 1,2.104. Dans cet exemple, l'élément a été dopé dans la couche ayant le plus petit produit HC.Ms Comme l'indique la. figure 40, si l'élément non magnétique est dopé, aw/HcMs n'augmente presque pas. En conséquence, bien que l'épaisseur t2 de la seconde couche ne puisse pas diminuer, suivant l'équation (57A) l'épaisseur tl de la première couche peut être réduite suivant l'équation (56A) puisque a w diminue lorsque l'élément non magnétique est dopé, comme indiqué sur la figure 39.En conséquence, l'épaisseur totale t12 peut être réduite Exemple de référence 2 Si ou Ge a été dopé dans la première couche, et aucun élément non magnétique n'a été dopé dans la seconde couche afin que les supports d'enregistrement magnétooptique à deux couches ayant diverses quantités de matière de dopage soient préparés dans les mêmes conditions que dans l'exemple de référence 1. Le produit HC. M8 et la force de couplage d'échange #w de la seconde couche, et le produit HC. M8 de la première w couche de chaque support fabriqué ont été mesurés, et la relation entre ow et le produit HC. M8 d'une part et la quantité de matière de dopage de la première couche d'autre part a été examinée. Les résultats sont indiqués par les figures 41 et 42. En conséquence, lorsqu'aucun élément n'a été dopé, le produit HC.Ms de la première couche était de 1,6.109 et celui de la seconde couche de 1,2.109. Dans cet exemple, l'élément a été dopé dans la couche ayant le plus grand produit HC. M8. Comme représenté sur la figure 42, lorsque l'élément non magnétique est dopé, aw/HCMS augmente notablement. Pour cette raison, l'épaisseur tl de la première couche doit être augmentée considérablement, suivant l'équation (56A). En conséquence, comme l'indique la figure 41, puisque a w diminue lorsque l'élément non magnétique est dopé, l'épaisseur t2 de la seconde couche peut être réduite suivant l'équation (57A). Cependant, la réduction d'épaisseur de la seconde couche ne peut pas dépasser l'augmentation d'épaisseur de la première couche, et l'épaisseur totale t12 ne peut pas être réduite à une valeur inférieure à l'épaisseur avant dopage. Exemple de référence 3 La même quantité de Si ou Ge a été dopée dans la première et la seconde couche afin que des supports d'enregistrement magnéto-optique à deux couches soient fabriqués avec diverses quantités de dopage, dans les mêmes conditions que dans l'exemple de référence 1. La force de couplage d'échange a w et les produits HO. MU de la première et de la seconde couche, pour chaque support fabriqué, ont été mesurés, et la relation entre a w et le produit HC.Ms d'une part et la quantité de dopage de la première couche d'autre part a été examinée. Les résultats sont indiqués par la figure 43. Dans ce cas, comme a /H M augmente comme représenté w C8 sur la figure 42, pour la première couche, l'épaisseur tl du film doit être considérablement-accrue. Dans le cas de la seconde couche, comme /HCMs ne présente presque aucune augmentation comme indiqué par la figure 40, l'épaisseur t2 ne peut pas être réduite. En conséquence, l'épaisseur totale t12 du film doit être augmentée à une valeur supérieure à celle de l'exemple de référence 2. Exemple A l'aide des mêmes opérations que dans l'exemple de référence 1, une première couche (d'enregistrement) d'un film magnétique perpendiculaire de Tb80Fe20 ayant une épaisseur tl = 50 nm a été formée sur un substrat à l'aide de l'appareil de pulvérisation à magnétron à haute fréquence. Le produit HC M8 de la première couche était égal à 1,6.109 (200 000). Ensuite, une seconde couche (couche de référence) comprenant un film magnétique perpendiculaire de (Dy28Fe46,8Co25,2)96,5Si3,5, ayant une épaisseur t2 de 100 nm, a été formée sur la première couche, avec conservation de l'état de vide. Le produit HC M8 de la couche magnétique ayant la seconde composition à l'exclusion de Si était de 1,2.109 (150 000). Les caractéristiques magnétiques du support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches appartenant à la classe 8 (type A, quadrant IV, type 2) ainsi fabriqué sont résumées dans le tableau 2 qui suit. Tableau 2 * 1 Tb80Fe20 * 2 (Dy28Fe46,8Co25,2)96,5Si3,5 Première couche Seconde couche Composition * 1 * 2 Cible alliage TbFe alliage DyFeCo (2 éléments) Si épaisseur de film (nm) 40 110 3 3 40 110 Ms (10 J/T.m {Hc (A.tr/m) 4.105 5,76.104 (Oe) 5 000 720 Tc ( C) 135 210 T ( C) néant 150 comp. #w agissant entre 1,5.10-3 J/m couches (1,5 erg/cm2) (température ambiante) Comme ce support appartient à la classe 8, les conditions qui doivent être remplies par ce support, à température ambiante, sont les suivantes HC1 > HC2+| (#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| (58) HCl > ( aw/2M5îtî) (59) HC2 > ( aw/2M52t2) (60) HC2+(#w/2MS2t2) Lorsqu'on calcule les équations (58) à (60), on obtient, en multiples de 103 A.tr/m équation (58):terme gauche=400 (5000) > terme droit=383 (4788) équation (59):terme gauche=400 (5000) > terme droit=375 (4688) équation (60):terme gauche= 58 (720) > terme droit= 50 (620) Ainsi, les équations respectives peuvent être satisfaites. Dans l'équation (61), comme on a la relation terme gauche=3.10 = 40 = 9688 l'équation (61) peut être satisfaite par exemple lorsque Hini = 160.10 A.tr/m (160). En conséquence, ce support peut réaliser une opera- tion de superposition d'écriture selon l'invention de la demande antérieure. Exemple comparatif A titre de comparaison, un support d'enregistrement magnéto-optique à deux couches a été fabriqué avec les memes opérations que dans l'exemple précédent, mais sans dopage d'un élément non magnétique. Les caractéristiques magnétiques de ce support sont résumées dans le tableau 3 qui suit. Tableau 3 1 1 Tb80Fe20 * 2 Dy28Fe46,8Co25,2 Première couche Seconde couche Composition * 1 * 2 Cible alliage TbFe alliage DyFeCo épaisseur de film (nm) 40 110 Ms (10 J/T.m ) 40 150 Hc (A.tr/m) 4.105 8.104 (Oe) 5 000 1 000 Tc ( C) 135 240 Tcomp. ( C) néant 150 a agissant entre 2,7.1O -3 J/m2 w les couches (2,7 erg/cm2) (température ambiante) Lorsqu'on calcule de la même manière les équations (58) à (60) on obtient, toujours en multiples de 103 A.tr/m : (a)équation( 58Y:;terme gauche=400( 5000) > terme droit=690(8619) (b)équation(59):terme gauche=400(5000) > terme droit=675(8437) (c)équation(60): :terme gauche 80(1000) > terme droit 65(818) Ainsi, les équations (58) et (59) ne peuvent pas être satisfaites. En conséquence, dans ce support, il est impossible dtinitialiser la seule seconde couche sans influencer (a) la première couche, et l'opération de superposition d'ecriture ne peut pas être réalisée. Pour qu'une opération de superposition d'écriture soit possible avec ce- matériaux magnetíque, l'épaisseur t1 doit être portée à plus de 67,5 nm afin que Inéquation (59) soit satisfaite, et l'épaisseur tl doit être augmentée à plus de 68,7 nm pour que l'équation (58) soit satisfaite. En conséquence, l'épaisseur totale t12 est augmentée d'au moins 1,2 fois dans cet exemple i(687+l1OO)/(400+I100)3. On considère maintenant un appareil d'enregistrement magnéto-optique permettant une. superposition d'écriture. L'appareil est utilisé exclusivement pour l'enregistrement, et la figure 38 représente la disposition générale. Cet appareil comporte de façon générale un organe 21 d'entraînement destiné à faire tourner un support d'enregistrement 20, une source 23 d'un faisceau laser, un modulation 24 destiné à moduler par impulsions l'intensité du faisceau d'après des informations binaires qui doivent être enregistrées, entre (1) un niveau élevé destine å donner une température TL qui convient à la formation de l'un des bits ayant une aimantation vers le haut ou vers le bas, et (2) un niveau faible destiné à donner une température TH convenant à la formation du bit restant, et un dispositif 22 d'application d'un champ magnétique initial Hini et d'un champ magnétique d'enregistrement Hb. On peut utiliser, comme dispositif 22, un aimant permanent tel que Hb = Hini = 160.103A.tr/m (2 000 Oe), avec un champ magnétique de "direction A" t. L'aimant permanent 22 a une forme de barreau, de longueur correspondant au rayon du support d'enregistrement 20 en forme de disque. L'aimant permanent 22 est fixé à l'appareil et il n'est pas déplacé avec un capteur comprenant la source lumineuse 23. On considère maintenant l'enregistrement magnétooptique avec superposition d'écriture. L'opération d'enregistrement magnéto-optique a été réalisée avec l'appareil d'enregistrement (figure 38) qu'on vient de décrire. Le support 20 d'enregistrement (classe 8) de cet exemple a été entraîné en rotation à une vitesse linéaire constante de 8,5 m/s par l'organe 21 d'entraînement. Un faisceau laser a éclairé le support 20. Le faisceau a été réglé par le modulation 24 afin qu'il possède une puissance de sortie de 8,0 mW (sur le disque) à un niveau élevé et de 4,4 mW (sur le disque) à un faible niveau. Le faisceau était modulé par impulsions par le modulateur 24, selon les informations. Dans ce cas, les informations à enregistrer étaient un signal à 1 MHz.En conséquence, le faisceau a éclairé le support 20, en étant modulé à une fréquence de 1 MHz. Le signal à 1 MHz a ainsi été enregistré. Lorsque les informations enregistrées ont été reproduites par un appareil séparé de reproduction magnéto-optique, le rapport signal-sur-bruit était de 55 dB, et l'enregistrement des informations a été confirmé. Ensuite, un signal å 2 MHz a été enregistré sous forme de nouvelles informations, dans une région déjà enre gistrée du support 20. Lorsque ces informations ont été reproduites de manière analogue, elles ont été reproduites avec un rapport signal-sur-bruit de 53 dB. Dans ce cas, le taux d'erreur était compris entre 10 5 et 10 6 Aucun signal à 1 MHz (informations antérieures) n'a apparu dans ce cas. Le fait que l'opération de superposition d'écriture pouvait être réalisée a ainsi été confirmé. Dans les conditions précitées, la température du support a atteint TH = 200 C au niveau élevé et TL = 120 C au faible niveau. Au contraire, lorsque des informations ont été enre gistrées de maniere analogue sur le support de l'exemple comparatif, l'opération de superposition d'écriture n'a pas pu être réalisée. REVENDICATIONS 1. Support d'enregistrement magnéto-optique permettant une superposition d'écriture, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat, et un film magnétique contenant une première et une seconde couche empilées sur le substrat et ayant une anisotropie magnétique perpendiculaire, un element non magnétique étant dopé dans celle des première et seconde couches qui a le plus petit produit de son moment magnétique à saturation M8 et de son champ coercitif Hc, si bien que la force de couplage d'échange ow agissant entre la première et la seconde couche est réglée à une valeur prédéterminée. 2. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que la quantité de l'élément non magnétique de- dopage est au moins égale à 0,5 atome pour cent. 3. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'élément non magnétique est choisi dans le groupe qui comprend Si, Ge, Ti, Cr, Cu et In. 4. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que, si l'une des directions ascendante et descendante, par rapport au support, est appelée "direction A" et l'autre "direction non A", seule une aimantation de la seconde couche est alignée dans la "direction A" par un champ initial Hini juste avant enregistrement, et dans une partie du support qui est irradiée par un faisceau laser de niveau élevé, l'aimantation de "direction A" de la seconde couche est inversée en aimantation de la "direction non A" par un champ magnétique d'enregistrement, et un bit ayant une aimantation de "direction non A" ou de "direction A" est formé dans la première couche par l'aimantation de "direction non A" de la seconde couche, et, dans une partie du support irradiée par un faisceau laser de faible niveau, un bit d'aimantation de "direction A" ou de "direction non A" est formé dans la première couche par l'aimantation de "direction A" de la seconde couche. 5 Support selon la revendication 4, dans lequel la première couche est un film magnétique mince ayant un champ coercitif élevé et une faible température de Curie å tempe- rature ambiante, et la seconde couche est un film magnétique mince ayant un champ coercitif relativement faible à température ambiante et une température élevée de Curie. 6. Support selon la revendication 4, caractérisé en ce que si lton appelle T81 la température à laquelle la première couche est couplée magnetiquement à la seconde couche et TS2 la température à laquelle la seconde couche subit une inversion par le champ magnétique d'enregistrement, et si la première couche possède un champ coercitif élevé à température ambiante et la seconde couche possède un champ coercitif relativement faible à température ambiante, une condition est telle que T81 TS2. 7. Support selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des première et seconde couches a une composition d'alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares. 8. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares qui est riche en métal lourd de terres rares et qui a une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche-contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares, ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR HCl > HC2+(aw/2M81t1 )+(aw/2M82t2) HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) TR = température ambiante Tcomp.1 = température de compensation de la première couche Tcomp.2 = température de compensation de la seconde couche TCl = température de Curie de la première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau TH = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial 9.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et qui n'a pas une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares, ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R Hcî > Hç2+(#w/2MS1t1)+ (#w/2MS2t2) HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) TR = température ambiante Tcomp.2 = température de compensation de la seconde couche TCl = température de Curie de 1a première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche Ms1 = moment magnétique à saturation de la première couche M82 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial 10.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R comp.1 Cl L C2 H et satisfait à température ambiante aux équations suivantes HC1 > HC2+(#w/2MS1t1)+(#w/2MS2t 2) HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) TR = température ambiante Tcomp.1 = température de compensation de la première couche TCl = température de Curie de la première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche T L = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau TH = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial 11.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la-premiere couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la temperature ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR HCl > HC2+( #w/2MS1t1)+(#w/2MS2t2) HCl > (#w/2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) T R = température ambiante TCl = température de Curie de- la première couche TC2 =température de Curie de la seconde couche TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique å saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial 12. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation TR HCî > HC2+ j (#w/2MS1 t1)-(#w/2MS2t2)| HCî > (aw/2M8îtî) HC2 > (#w/2MS2t2) HC2+(#w/2MS2t2) Tir = température ambiante Tcomp.1 = température de compensation de la première couche TCl = température de Curie de la première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la premier couche MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a = force de couplage d'échange w Hini = champ initial 13.Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient-un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (#w/2MS2t2) H+(a /2MS2t) T R = température ambiante TCl = température de Curie de la première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche T = température du support d'enregistrement lors L d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche Msî = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique 'a saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a = force de couplage d'échange w Hini = champ initial 14. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd de terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et n'ayant pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante TR HCî > HC2+ ( #w/2MS1t1 ) + ( aw/2Ms2t2 HCl > ( aw/2M5îtî) HC2 > ; ;( aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) TR = température ambiante TCl = température de Curie de la première couche TC2 = température de Curie de la seconde couche TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau TH = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a = force de couplage d'échange w Hini = champ initial 15. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal de transition et qui n'a pas de température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et ayant une température de compensation comprise entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)- (aw/2M HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > (aw/2M52t2) HC2+ ( #w/2MS2t2) T R température ambiante TCl = température de Curie de la-première couche TC2 =température de Curie de la seconde couche TL = température -du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCl = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique å saturation de la seconde couche tl épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial 16. Support selon la revendication 7, caractérisé en ce que la première couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd de terres rares, riche en métal de transition et qui n'a pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, la seconde couche contient un alliage d'un métal de transition et d'un métal lourd des terres rares, riche en métal lourd des terres rares et qui n'a pas de température de compensation entre la température ambiante et la température de Curie, et le support satisfait à l'équation suivante T R HC1 > HC2+|(#w/2MS1t1)-(#w/2MS2t2)| HC1 > (#w/2MS1t1) HC2 > ( aw/2M52t2) HC2+(#w/2MS2t2) T R = température ambiante T 2 = température de compensation de la seconde comp. couche TCl = température de Curie de la première couche T = température de Curie de la seconde couche C2 TL = température du support d'enregistrement lors d'une irradiation par un faisceau laser de faible niveau T H = température du support d'enregistrement lors de l'irradiation par un faisceau laser de niveau élevé HCi = champ coercitif de la première couche HC2 = champ coercitif de la seconde couche M81 = moment magnétique à saturation de la première couche MS2 = moment magnétique à saturation de la seconde couche tl = épaisseur du film de la première couche t2 = épaisseur du film de la seconde couche a w = force de couplage d'échange Hini = champ initial