Brevet FR2648943A1 — publié le 19901228

CIRCUIT ECHANTILLONNEUR BLOQUEUR". La présente invention se rapporte à un circuit échantillonneur bloqueur comportant un pont de diodes présen- tant une première branche série comportant une première et une deuxième diode en direct, en parallèle avec une deuxième bran- che série comportant un troisième et une quatrième diode en direct au moins une première extrémité commune aux deux dites branches série étant connectée à une première source de cou- rant commutable présentant un état d'échantillonnage o elle est couplée à la première extrémité commune et un état de blo- cage o elle est découplée de la première extrémité commune, la première branche série comportant une borne d'entrée au point commun à la première et à ia deuxième diode et agencée pour recevoir une tension d'entrée, la deuxième branche série comportant une borne de sortie au point commun à la troisième et à la quatrième diode, borne de sortie à laquelle est con- necté un condensateur de mémorisation. Les échantillonneurs bloqueurs connus exigent la commutation simultanée de deux sources de courant, l'une réa- lisée avec des transistors pnp et l'autre avec des transistors npn. Or, dans les procédés usuels de fabrication de circuits intégrés les transistors pnp sont notablement moins rapides. En outre, la synchronisation parfaite de la commutation de transistors de type différents est difficile à obtenir. La présente invention propose un circuit échantil- lonneur bloqueur dans lequel la commutation d'une seule source de courant, de préférence réalisée à partir de transistors npn, suffit à réaliser la fonction principale désirée. Un circuit échantillonneur-bloqueur selon l'inven- tion est, caractérisé en ce que la troisième diode est consti- tuée par le trajet base-émetteur d'un premier transistor dont le collecteur est relié à une source de tension d'alimenta- tion, en ce que la deuxième extrémité commune aux deux dites branches est le point commun auxdites première et troisième diodes, en ce qu'il comporte une première résistance disposée entre ladite deuxième extrémité commune et ladite source de OS tension d'alimentation, et en ce que la première source de courant commutable est agencée pour être couplée à la deuxième extrémité commune dans l'état de blocage. La première source de courant commutable peut com- porter un premier étage différentiel agencé pour commuter une deuxième source de courant d'intensité donnée entre lesdites première et deuxième extrémité commune respectivement dans l'état d'échantillonnage.et l'état de blocage, en réponse à un signal de commande. Le circuit selon l'invention peut selon un premier mode de réalisation comporter un circuit générateur de courant agencé pour injecter à ladite deuxième extrémité commune un courant de compensation variant en fonction de la tension d'entrée de manière à rendre l'équilibre du pont indépendant de ladite tension d'entrée. Le générateur de courant peut être alors un deuxiè- me étage différentiel commutable agencé pour que ledit courant de compensation soit produit à partir d'une troisième source de courant d'intensité donnée. Le deuxième étage différentiel peut présenter un troisième et un quatrième transistor dont les émetteurs sont couplés à travers une deuxième et une troi- sième résistance en série au point commun desquelles est con- nectée la troisième source de courant, la base du troisième transistor étant agencée pour recevoir ladite tension d'entrée et son collecteur étant connecté à la source de tension d'ali- mentation, la base du quatrième transistor étant agencée pour recevoir une tension de référence et son collecteur étant con- necté à ladite deuxième extrémité commune. Ce dernier mode de réalisation permet d'obtenir une bonne linéarité de la compen- sation. v -v H B V 2 I' = avec R = - (Vcc VBE VH) R I VH: valeur maximale du signal d'entrée Ve VB: valeur minimale du signal d'entrée Ve R: valeur de la première résistance. VBE: tension base-émetteur d'un transistor. Vcc: tension d'alimentation. I: intensité de la première source de courant d'intensité donnée. On utilise de la sorte tout le courant I' pour réa- liser la compensation désirée. Une linéarisation optimale de la correction est alors obtenue lorsque R2 = R3 = - 2kT R Log3 2 q VH-VB Selon un mode de réalisation préféré, l'équilibre du pont est indépendant de la tension d'entrée et de la ten- sion d'alimentation, et dans ce but, la deuxième source de courant est agencée de manière que son courant I varie selon une loi donnée, à savoir: Vcc - Ve I!= R Selon une variante avantageuse de ce mode de réali- sation, la deuxième source de courant est montée en miroir de courant un rapport ko avec une quatrième source de courant dont l'intensité est fonction de la tension d'alimentation, et qui fournit une partie de son courant à une cinquième source de courant dont l'intensité est fonction de la tension d'en- trée, de manière que l'intensité de la deuxième source de cou- rant suive la loi précitée. 264894! La quatrième source de courant peut comporter une quatrième résistance dont une première borne est connectée à la source de tension d'alimentation et dont la deuxième borne est connectée à la cinquième source de courant, la quatrième résistance étant agencée de manière que le courant de la qua- trième source de courant dépende linéairement de la valeur de la quatrième résistance. Le rapport K entre les courants des deuxième et quatrième souxce de courant a préférentiellement pour valeur K =2 R R avec R4 = valeur de la quatrième résistance. La cinquième source de courant peut comporter un cinquième transistor dont la base est agencée pour être alimentée par ladite tension d'entrée, dont le collecteur est connecté à la- dite source de tension d'alimentation et dont l'émetteur com- porte en série une cinquième résistance et une septième diode en direct le point commun à la cinquième résistance et à la septième diode étant connecté à la base d'un sixième transis- tor dont le collecteur est connecté à la deuxième borne de la quatrième résistance pour délivrer le courant désiré. On obtient ainsi un montage en miroir de courant délivrant un courant fonction de la tension d'entrée. Les dimensions du sixième transistor et de la septième diode sont de préférence telles qu'ils sont traversés par des courants dans un rapport N et en ce que: R10 -' N = R4 R10 désignant la valeur de la cinquième résistance. Un deuxième circuit générateur de courant peut être agencé pour injecter un courant transitoire à ladite première extrémité commune lors d'une transition de l'état d'échantil- lonnage à l'état de blocage, de manière à fournir le courant transitoire à travers le premier étage différentiel. Le deuxième circuit générateur de courant peut, se- lon une variante préférée comporter un septième transistor dont le collecteur est connecté à la source de tension d'ali- mentation, dont l'émetteur est connecté à la première extrémi- té commune et dont la base est reliée d'une part à la source de tension d'alimentation à travers une huitième diode en sé- rie avec une sixième résistance et d'autre part à une borne de sortie d'un troisième circuit de commutation agencé pour le connecter à une sixième source de courant dont l'intensité est proportionnelle à celle de la quatrième source de courant, lors du passage de l'état d'échantillonnage à l'état de bloca- ge. Les deuxième et quatrième diodes sont avantageusement de type Schottky. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limi- tatif, en liaison avec les dessins qui représentent: - la figure 1, un échantillonneur-bloqueuf classique selon l'art antérieur. - la figure 2, un échantillonneur-bloqueur selon l'invention. - la figure 3, une variante selon l'invention, corrigeant l'influence de la valeur de la tension d'entrée sur la tension mémorisée et la figure 4 une version à linéarité améliorée de cette variante, - et la figure 5 un mode préféré de réalisation de l'invention présentant'des corrections statiques (tension d'entrée et ten- sion d'alimentation) et dynamiques. La figure 1 représente un schéma classique d'un échantillonneur-bloqueur. Il présente un pont de diodes à deux branches, l'une constituée par des diodes D1 et D3 disposées en direct et l'autre par des diodes D2 et D4 également dispo- sées en direct. Le point A commun aux diodes D1 et D2 est re- lié à une source de courant 12 à travers un dispositif de com- mutation 2. Le point B commun aux diodes D3 et D4 est relié à une source de courant I1 à travers un dispositif de commuta- tion 1. Le point commun aux diodes D1 et D3 constitue l'entrée E de l'échantillonneur qui reçoit un signal d'entrée Ve à échantillonner. Le point commun aux diodes D2 et D4 consti- tue la.sortie S de l'échantillonneur. Elle est connectée à un condensateur C qui mémorise une tension Vs. En mode échantillonnage, les dispositifs de commu- os05 tation 1 et 2 sont fermés.. La tension Vs copie la tension Ve aux bornes du condensateur C. On a Ve = Vs quand le cou- rant dans le condensateur C est nul, les diodes D1 et D2 étant identiques, ainsi que les diodes D3 et D4, et les sources de courant I1 et 12 délivrant un courant de même valeur. En mode blocage, obtenu par ouverture simultanée des dispositifs de commutation 1 et 2, le pont présente un état d'impédance élevée (infinie si les diodes sont supposées parfaites) et la tension Vs précédemment échantillonnée est mémorisée dans le condensateur C. Ce type de montage présente un certain nombre d'in- convénients, à savoir: - la nécessité d'appairer les sources de courant I1 et 12. - la nécessité de commuter simultanément les sources de cou- rant I1 et 12. - l'obligation pratique d'utiliser une source de courant à base de transistors PNP (source 12) ce qui contribue à li- miter la vitesse de commutation dans le cas des procédés de fabrication usuels des circuits intégrés, pour lesquels les transistors PNP sont moins rapides que les transistors NPN. Le circuit de la figure 2 propose une réalisation dans laquelle seule une source de courant commute, laquelle peut être à base de transistors NPN pour une meilleure rapidi- té dans le cas des procédés usuels. Au lieu de la source de courant 12 et du dispositif de commutation 2, est disposée une résistance R. La diode D1 est réalisée sous la forme d'un transistor NPN T1 dont la base et le collecteur sont court-circuités et dont l'émetteur est connecté à l'entrée E. La diode D2 est remplacée par un tran- sistor NPN T2 dont l'émetteur est connecté à la sortie S et dont le trajet collecteur-base est en parallèle avec la résis- tance R. La diode D1 pourrait être réalisée autrement mais ce mode de réalisation assure le mieux l'identité des caractéris- tiques avec la diode D2. Enfin une source de courant I est agencée pour être commutée soit au point commun aux diodes D3 et D4 (point B) soit au point A commun aux bases des transis- tors T1 et T2. Un transistor de type NPN T3 a son collecteur con- necté au point B et reçoit 'sur sa base un signal de commuta- tion V. Un transistor T4 de type NPN également a son collec- teur connecté au point A, son émetteur connecté à celui du transistor T3 et reçoit sur sa base une tension de référence Vref l En mode échantillonnage (V>Vrefl) le transistor T3 conduit et le transistor T4 est bloqué. Le courant qui tra- verse la résistance R a pour valeur: V -V -V cc BET1 e i= R VBET1 désignant la tension base-émetteur du transistor T1. Vcc tension d'alimentation. Pour une recopie parfaite de la tension Ve, le courant traversant les quatre éléments du pont (transistor T1, trajet collecteur-émetteur du transistor T2, diodes D3 et D4) doivent être égaux à I/2. La résistance R doit donc être par- courue par un courant égal à I/2 (on néglige le courant de ba- -se du transistor T2). On a alors: Vcc VBET1 Ve R = 2 (1) I On notera que la présence du transistor T2 permet une charge accélérée du condensateur C. En mode bloqué (V duit-et le transistor T3 est bloqué. La résistance R est alors traversée par un courant égal à I. Ce courant produit dans la résistance R une chute de potentiel double de celle obtenue en OS mode échantillonnage, ce qui permet de bloquer les transistors T1 et T2. Aucun courant ne traverse non plus les diodes D3 et D4. Le pont est ainsi mis rapidement en état de haute impédan- ce. Le montage décrit ci-dessus présente une approxima- tion en raison du fait (formule (1)) que les conditions de re- copie ne sont pas indépendantes de la tension Ve à recopier. Le circuit de la figure 2 propose un circuit amé- lioré, lequel est pourvu d'un circuit de compensation venant s'ajouter aux autres éléments, par ailleurs non modifiés. Le circuit de compensation comporte deux transis- tors T5 et T6 de type NPN dont les émetteurs sont éventuelle- ment reliés par deux résistances de linéarisation R2 et R3 en série, au point commun desquelles est connectée une source de courant I'. La base du transistor T5 est connectée à l'entrée E et son collecteur est référencé à la source de tension d'a- limentation Vcc. La base de transistor T6 reçoit une tension de référence Vref2 et son collecteur est connecté au point A. La fonction de ce circuit de compensation est de prélever la partie excédentaire du courant qui traverse la résistance R de manière à maintenir dans le transistor T1 un courant cons- tant et égal à I/2 et à assurer ainsi l'égalité des courants dans les deux branches du pont quelle que soit la tension d'entrée Ve. Soit VB la valeur de la tension minimale à échantillonner. Soit VH la valeur de la tension maximale à échantillonner. Soit I6H le courant traversant le transistor T6 lorsque Ve = VH et I6B le courant traversant le transistor T6 lorsque Ve = VB. On a alors: cc BET1 H I = - + I6H (2) R 2 V -V -V cc BET1 B I = - + I6B (3) R 2 D'o: VR - VB I6B - I6H = H B R On peut choisir que tout le courant I' traverse le transistor T5 lorsque Ve = VH, soit I6H = 0. On a alors: 2(V V VH 2(Vcc VBET1 H R= I On peut également choisir que tout le courant I' traverse le transistor T6 lorsque Ve = VB, soit I6B =I'. Avec ces deux hypothèses cumulées, on obtient alors VH - VB R Les résistances R2 et R3, d'égale valeur, ont pour fonction d'améliorer la linéarité. On peut calculer leur va- leur aux points de fonctionnement o le courant I' se répartit dans un rapport 1/4, 3/4 entre les transistors T5 et T6. VH + Vref2 et V B +ref2 C'est-&-dire V = e = e 2 2 Il suffit d'effectuer le calcul pour un des.deux points de fonctionnement, en raison de la symétrie du montage. VH + Vref2 3VH + VL SoitV = = e 2 - 4 Soit IR2 le courant traversant la résistance R2 et IR3, celui' traversant la résistance R3. La linéarité est assurée si, au point de fonctionnement préci- te IR2 = 4 I' R = 1 I' R2 41 R3 Il en résulte, en écrivant l'égalité des tensions au point commun aux résistances R2 et R3. *3V + V V V + V V RI 3VH + VB BET5 3 H B BET6 RI - - R2I' = - 4 4 2 VBET5 et VBET6 désignant la tension base-émetteur des transistors T5 et T6. R2I' VH VB (VBET5 VBET6) D'o - = - 2 4 = i H B 2kTLo) Soit R2 = R3 = 1 (VH 2kT Log3) I' 2 q D'o R2 = R3 = - 2kT log 3 x R 2 q V V H B La dynamique admissible sur l'échantillonneur peut être augmentée en introduisant des diodes de décalage. La figure 4 montre un mode de réalisation dans lequel des transistors T7 et Ta montés en émetteur suiveur et présentant des sources de courant 17 et Is connectées à leurs émetteurs respectifs. Ces transistors sont intercalés entre les bases des transistors Ts et T6 et leur sortie et délivrant leurs signaux d'entrée res- pectifs respectivement Ve et Vref2. Selon la figure 5, la source de courant I est réa- lisée de manière telle que l'équilibre des courants dans les deux branches et donc la qualité de la recopie ne dépende pas des variations éventuelles, notamment en fonction de la tempé- rature, de la tension d'entrée ni de la valeur de la tension d'alimentation Vcc. Cette fonction est réalisée en mettant en oeuvre des transistors QI à Q4, Tg et To10 pour obtenir la loi de va- riation désirée pour le courant I. La tension d'entrée Ve est décalée d'une tension base-émetteur Vbe à l'aide d'un transistor T15 présentant dans sa base une source de courant I15. Dans ces conditions, la formule (1) devient: V - V cc e I = 2 (4) R Le courant I est fourni. par un transistor QI dont le collecteur est connecté aux émetteurs couplés des transis- tors T3 et T4 et dont l'émetteur est relié au pôle de mode commun. Le transistor Q1 forme un miroir de courant dans un rapport k avec un transistor T2. Le transistor Q2 a sa base connectée à celle du transistor Q1, son collecteur relié à la tension d'alimentation Vcc à travers une résistance R4 et son émetteur connecté au pôle de mode commun. Un transistor Tg a son collecteur connecté à la tension d'alimentation Vcc, sa base au collecteur du transistor Q2 et son émetteur aux ba- ses interconnectées des transistors Q1 et Q2. Le courant tra- versant le collecteur du transistor Q2 dépend alors linéaire- * ment de la valeur de la résistance R4 (et de la tension d'ali- mentation Vcc). Pour calculer le courant traversant la ré- sistance R4, on considère celle-ci en série avec deux diodes. Un transistor Q3 a son collecteur connecté à celui du transis- tor Q2, son émetteur au pôle de mode commun et a sa base con- nectée à celle du transistor Q, monté en' diode par court-cir- cuit base-collecteur avec lequel il forme un deuxième miroir de courant dans un rapport N. Un transistor T10.reçoit sur sa base les signaux d'entrée Ve, a son collecteuur connecté à la source de tension d'alimentation Vcc et son émetteur est relié à la base du transistor Q4 à travers une résistance R1o. Soit K le rapport entre les dimensions d'émetteur des transistors Q1 et Q2, et N le rapport entre les dimensions d'émetteur des transistors Q3 et Q4. Soient. IQ1, IQ2, IQ3,IQ4, et IR4 les courants res- pectivement dans les collecteurs des transistors Qi1, Q2, Q3 et Q4, et a travers la résistance R4. On a IQ1 = I D'autre part IQ1 = kIQ2 = K (IR4 - IQ3) = K (IR4 - NIQ4) V - 2VB cc BE OnaI = R4 R4 Ve - 2VBE I - Q4 RiO D'o V -2VBú Ve -2V cc BE B I:K( -N) Q1 R 4 Ri Vcc KN N 1 Qi Ri - R1 e + 2KVBE ( o Q 1 4R R1 V e (o0 cette expression doit être identifiée à la formule (4). D'o 2 K KN R i Rio KR KNR Soit RÂ0 = NR4 et R4 = 2 donc R10 = 2 Dans ces conditions, l'équilibre du pont est indépendant de la tension Ve, et de la tension d'alimentation Vcc, ce qui sup- prime donc également les dérivés thermiques de ces paramètres. Le circuit représenté à la figure 5 comporte égale- ment des moyens destinés à améliorer le fonctionnement dynami- que, en assurant la simultanéité du blocage du passage du cou- rant dans les transistors T1 et T2 d'une part et les diodes D3, D% d'autre part. Le blocage des transistors T1 et T? in- tervient lorsque le transistor T, est traversé par le courant 1/2. A ce moment là en effet, le potentiel au point A vaut Vcc - Ve et tout le courant qui traverse la résistance R passe à travers le transistor T4. Par contre, le courant collecteur du transistor T3 continue transitoirement à traverser les diodes D3 et D4 jusqu'à ce que le transistor T3 soit bloqué. Le courant qui traverse la diode D4 pendant cette situation transitoire est fourni par le condensateur C qui se décharge légèrement, ce qui introduit une légère erreur systé- matique sur la valeur de la tension mémorisée. Un transistor T13 dont le collecteur est connecté à la source de tension d'alimentation Vcc et son émetteur au point B (point commun à la cathode des diodes D3 et D4 et au collecteur du transistor T3) a pour fonction de fournir au collecteur du transistor T3 ledit courant transitoire de ma- nière.à assurer ledit blocage simultané et d'éviter ladite dé- charge transitoire du condensateur C. Pour ce faire, sa base est connectée à une borne d'une branche série comportant une résistance R5 et une diode Ds, l'autre borne de la branche étant connectée à la source de tension d'alimentation Vcc. Un transistor T15 dont l'émetteur est connecté à l'entrée E du pont décale d'une VBE le niveau de signal d'entrée Ve. Une source de courant Ilsforce un courant constant dans son émet- teur. Les diodes D3 et D4 sont des diodes Schottky. La base du transistor T13 est connectée au collecteur d'un transistor T1l dont l'émetteur est couplé à celui d'un transistor T12 dont le collecteur est porté au potentiel d'alimentation Vcc. Les bases des transistors Til et T12 reçoivent les tensions res- pectivement Vrefl et V c'est-à-dire que son fonctionnement est simultané avec celui de la paire T3, T4. Une source de courant (transistor Qs) est connectée aux émetteurs des transistors T11 et T12. La base du transistor Qs est connec- tée à celle du transistor Q2, ce qui fait que ces deux transistors ont leur collecteur traversé par des courants identiques s'ils ont la méme dimension. Lorsque le pont est conducteur, Ve est au niveau bas, le transistor Tli conduit et le transistor T13 est bloqué. Lors du blocage du pont, le transistor T13 est mis en conduction de manière à fournir le courant transitoire dont a besoin le collecteur du transistor T3. Les conditions de fonctionnement sont alors les suivantes: - lorsque le pont est conducteur, la base du transistor T13 (point C) doit être à Ve - VBE. Sa tension basse- émetteur vaut alors en effet VDS, tension d'une diode Schottky en direct (0,5V) et le transistor T13 est blo- qué. Si Q2 et Q5 ont les mêmes dimensions, on a IQ2 = IQ5, IQ5 désignant le courant collecteur de Q5. D'o: 1 2(Vcc - Ve) R Vcc - Ve V - V cce cc e =cc e -Q5 K R R4 R R- Le potentiel à la base du transistor T13 vaut alors: V R5 (V - V -V cc R4 cc e BE e BE d'o R5 ? R4 Lors du blocage du pont, la tension V augmente, mettant en conduction le transistor T12 et bloquant le tran- sistor Tl,. Le potentiel de la base du transistor T13 augmente, et celui-ci peut alors fournir le courant transistoire au transistor T3. Les diodes D3 et D% étant des diodes Schottky (ten- sion VDS en direct - 0,5V), l'excursion de tension sur le collecteur du transistor T11 est égale à (VBE - VDS), 0,3V pour mettre en conduction le transistor T13. Cette faible excursion permet une réponse très ra- pide. Il est possible d'améliorer la sécurité du blocage du transistor T13 lorsque le pont est alimenté en choisissant Rs5>R4 et en ajoutant un transistor T14 dont la base reçoit la tension d'entrée Ve, dont le collecteur est connecté à la source de tension d'alimentation Vcc et dont l'émetteur est connecté au point C. L'invention ne se limite pas aux modes de réalisa- tion décrits et représentés. En particulier, les diodes D3 et D4 ne sont pas nécessairement des diodes Schottky au cas o le montage de correction dynamique met en oeuvre le transistor T13. Il suffit en effet que par exemple le rapport des dimen- sions entre le transistor T13 et les diodes D3 et D4 réalisées dans cette hypothèse à partir de transistors bipolaires soit tel qu'un courant négligeable parcoure le transistor T13 lors- que le pont est conducteur. On remarquera en outre que toutes les fonctions, et en particulier l'amélioration du fonctionnement dynamique sont réalisables à partir de transistors du même type, de préféren- ce NPN, ce qui permet d'éviter les disparités dues aux diffé- rences de propriétés notamment en régime transitoire, de tran- sistors de type différents. En particulier, l'amélioration du fonctionnement dynamique est réalisable avec des transistors du même type que ceux mis en oeuvre pour la commutation de la première source de courant commutable (en particulier la deuxième source de courant et le premier étage différentiel. REVENDICATIONS: 1. Circuit échantillonneur bloqueur comportant un pont de diodes présentant une première branche série comportant une première et une deuxième diode en direct, en parallèle avec une deuxième branche série comportant un troisième et une qua- trième diode en direct au moins une première extrémité commune aux deux dites branches série étant connectée à une première source de courant commutable présentant un état d'échantillon- nage o elle est couplée à la première extrémité commune et un état de blocage o elle est découplée de la première extrémité commune, la première branche série comportant une borne d'en- trée au point commun à la première et à la deuxième diode et agencée pour recevoir une tension d'entrée, la deuxième bran- che série comportant une borne de sortie au point commun à la troisième et à la quatrième diode, borne de sortie à laquelle est connecté un condensateur de mémorisation, caractérisé en ce que la troisième diode est constituée par le trajet base- émetteur d'un premier transistor (T2) dont le collecteur est relié à une source de tension d'alimentation, en ce que la deuxième extrémité commune aux deux dites branches (A) est le point commun auxdites première (T1) et troisième (T2) diodes, en ce qu'il comporte une première résistance (R) disposée en- tre ladite deuxième extrémité commune (A) et ladite source de tension d'alimentation (Vcc), et en ce que la première sour- ce de courant commutable est agencée pour être couplée à la deuxième extrémité commune (A) dans l'état de blocage. 2. Circuit selon la revendication 1 caractérisé-en ce que la première source de courant commutable comporte un pre- mier étage différentiel agencé pour commuter une deuxième source de courant d'intensité donnée entre lesdites première et deuxième extrémité commune respectivement dans l'état d'é- chantillonnage et l'état de blocage, en.réponse à un signal de commande (V). 3. Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce qu'il comporte un circuit générateur de courant agencé pour injecter à ladite deuxième extrémité commune un courant de compensation variant en fonction de la tension d'entrée de ma- nière à rendre l'équilibre du pont indépendant de ladite ten- sion d'entrée. 4. Circuit selon la revendication 3 caractérisé en ce que le générateur de courant est un deuxième étage différentiel com- mutable agencé pour que ledit courant de compensation soit produit à partir d'une troisième source de courant d'intensité donnée (I'). 5. Circuit selon la revendication 4 caractérisé en ce que le deuxième étage différentiel présente un troisième (Ts) et un quatrième (T6) transistor dont les émetteurs sont cou- plés à travers une deuxième et une troisième résistance en sé- rie au point commun desquelles est connectée la troisième source de courant, la base du troisième transistor (Ts) étant agencée pour recevoir ladite tension d'entrée et son collec- teur étant connecté à la source de tension d'alimentation, la base du quatrième transistor (TG) étant agencée pour recevoir une tension de référence et son collecteur étant connecté à ladite deuxième extrémité commune (A). 6. Circuit selon la revendication 5, caractérisé en ce que les trajet base-émetteur des troisième (Ts) et quatrième (T6) transistors sont en série avec respectivement une cin- quième (T7) et une sixième (Ts) diode de décalage de niveau. 7. Circuit selon une des revendications 4 à 6 caracté- risé en ce que la deuxième source de courant a pour intensi- té: H B 2 V' = avec R =- (Vcc - VBE - VH) R I VH: valeur maximale du signal d'entrée Ve VB: valeur minimale du signal d'entrée Ve R: valeur de la première résistance. VBE: tension base-émetteur d'un transistor. Vcc: tension d'alimentation. I:-intensité de la première source de courant d'intensité donnée. 8. Circuit selon la revendication 7 caractérisé en ce que les deuxième (R2) et-troisième (R3) résistances ont la mê- me valeur, égale à: R 2kT R R2 = R3 =- - Log3 2 q VH-VB 9. Circuit selon la revendication 2 caractérisé en ce que la deuxième source de courant est agencée de manière que son courant I varie selon une loi donnée, à savoir: V - V cc e R 10. Circuit selon.la revendication 9 caractérisé en ce que la deuxième source de courant est montée en miroir de cou- rant dans un rapport K avec une quatrième source de courant dont l'intensité est fonction de la tension d'alimentation, et qui fournit une partie de son courant à une.çinquième source de courant dont l'intensité est fonction de la tension d'en- trée, de manière que l'intensité de la deuxième source de cou- rant suive la loi précitée. 11. Circuit selon la revendication 10 caractérisé en ce que la quatrième source de courant.comporte une quatrième ré- sistance (R4) dont une première borne est connectée à la sour- ce de tension d'alimentation et dont la deuxième borne est connectée à la cinquième source de courant (Q3), la quatrième résistance (RO) étant agencée de manière telle que le courant de la quatrième source de courant dépende linéairement de la valeur de la quatrième résistance (R4). 12. Circuit selon la revendication 11 caractérisé en ce que le rapport K entre les courants des deuxième et quatrième source de courant a pour valeur R4 K = 2- R avec R4 = valeur de la quatrième résistance. 13. Circuit selon une des revendications 10 à 12 carac- térisé en ce que la cinquième source de courant comporte d'une part un cinquième transistor (T10) dont la base est agencée os05 pour être alimentée par ladite tension d'entrée (Ve), dont le collecteur est connecté à ladite source de tension d'ali- mentation et dont l'émetteur comporte en série une cinquième résistance (Rîo) et une septième diode en direct (Qi) et d'au- tre part un sixième transistor (Q3), dont le collecteur est connecté à la deuxième borne de la quatrième résistance (RO) pour délivrer le courant désiré, le point commun à la cinquiè- me résistance (Rîo) et à la septième diode (Q4) étant connecté à la base du sixième transistor (Q3). 14. Circuit selon la revendication 13 caractérisé en ce que les dimensions du sixième transistor (Q3) et de la septiè- me diode (Q4) sont telles qu'ils sont traversés par des cou- rants dans un rapport N et en ce que R10o N = R4 Rio désignant la valeur de la cinquième résistance. 15. Circuit selon une des revendications 1 à 14 carac- térisé en ce qu'il comporte un deuxième circuit générateur de courant agencé pour injecter un courant transitoire à ladite première extrémité commune (B) lors d'une transition de l'état d'échantillonnage à l'état de blocage., 16. Circuit selon la revendication 15 caractérisé en ce que le deuxième circuit générateur de courant comporte un sep- tième transistor (Ti3) dont le collecteur est connecté à la source de tension d'alimentation, dont l'émetteur est connecté à la première extrémité commune (B) et dont la base est reliée d'une part à la source de tension d'alimentation à travers une huitième diode (Ds) en série avec une sixième résistance (Rs) et d'autre part à une borne de sortie d'un troisième circuit de commutation agencé pour le connecter à une sixième source de courant (Qs) dont l'intensité est proportionnelle à celle de la quatrième source de courant (Q2), lors du passage de l'état d'échantillonnage à l'état de blocage. 17. Circuit selon la revendication 16 caractérosé en ce que les deuxième (D3) et quatrième (D4) diodes sont des diodes os05 Schottky. 18. Circuit selon une des revendications 16 ou 17 ca- ractérisé en ce que la quatrième et la sixième source de cou- rant ont la même intensité et en ce que: Rs) R4 R5 désignant la valeur de la sixième résistance. 19. Circuit selon une des revendications 15 à 18 carac- térisé en ce que la première source de courant commutable et le deuxième circuit générateur de courant comportent des élé- ments semiconducteurs du même type (NPN).