Brevet FR2649537A1 — publié le 19910111

1DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE INTEGRE INCLUANT UNE DIODE PHOTO LUMINESCENTE Descrintion L'invention concerne un dispositif optoélectronique intégré incluant une diode photoluminescente de structure P-N, réalisé au moyen de couches de composés III-V sur un substrat en silicium, la structure de la diode incluant au moins une couche active de type n, surmontée d'une couche de type p de composés III-V, et des contacts électriques de type n et p respectivement, incluant au moins unedite région active de type n, surmontée d'une couche de type p. L'invention trouve son application dans la réalisation de réseaux de diodes pour titre d'imprimante, pour l'équipement de disques audio-vidéo, pour les systèmes de traitement de l'information optique, pour des feux de signalisation, et pour les systèmes où un fort contraste est nécessaire. Un tel dispositif optoélectronique intégré incluant une diode photoluminescente réalisée au moyen de couches de composés III-V sur un substrat en silicium est déjà connu de l'état de la technique par la publication intitulée "660 nm Inos Gaos P light-e~itting diodes on Si substrates', dans ZApplied Phys. Letters, Vol.53, Ne4, 25 July 1988, p.279-28~" par Susumu Kondo and alii". Le dispositif décrit dans le document cité coi- prend une diode photoluminescente de structure P-N, composée d'un substrat en silicium de type n, d'une première couche de type n en GaAs, d'une seconde de type n en InGaP, d'une couche de type p en InGaP dopée au moyen d'ions Zn. Les couches de InGaP de type n et p sont gravées pour former un MESA Une électrode de type p en AuZn est réalisée en surface du MESA et une électrode en AuGeNi est réalisée sur la face inférieure du substrat en silicium. Ce dispositif présente l'avantage d'être réalisé sur un substrat en silicium, qui est beaucoup moins coûteux que les substrat de composés III-V habituellement associés aux composants optoélectroniques. L'utilisation d'un substrat en silicium procure encore l'avantage de permettre la réalisation de tels composants optoélectroniques en synergie de fabrication avec des circuits intégrés déjà bien développés depuis de nombreuses années sur le silicium, et donc par là, encore moins onéreux. Cependant, de nos jours, les densités de dislocations aussi élevées que 106 à 108/ cm#2 sont inévitables dans les couches de matériaux III-V réalisées sur les substrats de silicium, du fait du désaccord qui existe entre les paramètres de maille du silicium et les paramètres des composés III-V, ainsi que de la différence qui existe entre leur coefficient de dilatation respectif. C'est pourquoi dans le dispositif connu du document cité, on réalise d'abord, sur un substrat en silicium (Si) parallèle au plan (100) et désorienté de 20 à partir de la direction une couche épitaxiale amorphe en GaAs d'épaisseur environ 10 nm, déposée à 300 C. Puis on réalise une couche épitaxiale de GaAs non dopée d'épaisseur 2 pm, déposée à 600ex et recuite à 8500C pendant 15 mn. On réalise ensuite deux couches épitaxiales de Ga0151n0,5P de type n, puis de type p pour former la diode. L'adaptation des paramètres de maille de GaInP à la couche sous-jacente de GaAs est fait à 0,5 . Les couches obtenues présentent un très bon état de surface (en anglais dans le texte : "mirror lié"). Un matériau tel que InGaP présente le double avantage d'un accord de maille correct avec la couche buffer de GaAs, et d'autre part d'une trånsition directe de bande interdite, ce qui améliore la luminescence de la diode. Cependant le document cité enseigne que le taux de dislocations dans les couches de matériaux III-V reste élevé 2.107lcm#2. Il en résulte une diminution de la durée de vie des diodes. Ce document enseigne aussi que ce taux de dislocations pourrait être abaissé en intercalant entre le substrat en silicium et les couches de matériaux III-V des couches de superréseaux, ou en pratiquant des recuits par cycles, ou en effectuant la combinaison de ces deux moyens. D'autre part, le dispositif connu du document cité présente encore un inconvénient. En effet, dans une telle diode la lumière qui est générée au niveau de la jonction P-N est émise dans toutes les directions, si bien que, notaient la lumière émise en direction du substrat est perdue. Autrement dit, seule la lumière émise vers la face supérieure de la diode est utilisable. Il est d'autre part connu de l'état de la technique, des diodes réalisées en matériaux III-V à structure P-N, qui, pour compenser ce défaut, présentent un substrat transparent au rayonnement, ce substrat étant notamment en GaAlAs, et muni sur sa face inférieure de moyens réfléchissants pour renvoyer la lumière vers la face avant de la diode. Un tel dispositif qui présente un substrat en un composé du groupe III-V n'a pas le désavantage de montrer des dislocations dues au désaccord entre les paramètres de maille du substrat et des couches. En revanche, le substrat est coûteux et n'est pas en synergie de fabrication avec les circuits intégrés périphériques voulus. De plus, la technique de miroir pour récupérer la lumière est compliquée à mettre en oeuvre. Selon l'invention, ces inconvénients sont évités au moyen d'un dispositif tel que décrit dans le préambule et en outre caractérisé en ce que la partie supérieure du substrat en silicium (Si) portant les couches de composés III-V est munie d'une couche en un siliciure de terre rare ou de métal ayant pour fonctions conjointes de constituer un miroir réfléchissant vers la partie supérieure de la diode, la lumière émise par la jonction p-n en direction du substrat, et de constituer une couche contrainte pour éviter la propagation de dislocations dans les couches formant le dispositif. Ainsi, selon l'invention on obtient à la fois l'avantage d'un substrat en silicium peu coûteux compatible avec des circuits intégrés dont la réalisation est également simple et peu coûteuse, et l'avantage d'un rendement lumineux maximal du fait que les pertes de lumière sont minimales puisque la lumière est réfléchie par la surface supérieure du substrat et non après une double traversée d'un substrat qui même transparent procure néanmoins des pertes comme il était connu dans le second état de la technique cité. Il était déjà connu de l'état de la technique de réaliser des couches en un siliciure de terre rare, sur un substrat en silicium, avant de réaliser une couche de GaAs. Une telle réalisation est décrite dans la publication intitulée ZMolecular-beam epitaxial growth and characterization of GaAs on epitaxial CoSi2 films on si(111)" dans XJ Vac. Sci. Technol. B 6(2), Mar/Apr 1988, p.703-707". Mais dans le document cité la couche de siliciure est utilisée dans le but de constituer une hétérostructure semiconducteur/métal/semiconducteur pour réaliser un FET à grille inversée. Le succès de cette réalisation n'a pas été obtenu. Il est cependant enseigné, qu'en réalisant une couche de Cosy2 sur du Si , les couches de GaAs obtenues sont un peu meilleures que si elles étaient réalisées directement sur le silicium ; mais que tout autre orientation du substrat conduit à des films de CoSi2 non continus et non uniformes dans lesquels la formation de "trous d'épingleZ est importante. D'autre part, la publication intitulée ZEpitaxial Yttrium silicide on silicon by vacuum annealing par M. GURVITCH et alii dans Applied Phys. Letters, 51(5), 3 August 1987 p.311-313" enseigne la possibilité d'obtenir des couches de siliciure de terre rare sur Si qui sont monocristallines dans certaines conditions. Cependant aucune de ces publications n'enseignent que l'on peut utiliser de telles couches de siliciure de terre rare ou de métal à la fois pour réaliser une diode P-N munie d'un miroir destiné à récupérer la lumière dirigée vers le substrat et qui sans ce miroir serait perdue et pour améliorer la qualité des couches de composés du groupe III-V dans le cas où le substrat est en silicium. Dans une réalisation, ce dispositif est caractérisé en ce qu'en surface de la couche de siliciure est disposée une couche dite intermédiaire en un composé III-V binaire ou ternaire, thermiquement contrainte, pour éloigner la couche contrainte de siliciure des couches de matériaux III-V formant le dispositif. Cette réalisation permet notamment d'éloigner la région active de la diode de la couche de siliciure où se forment les dislocations. Dans une réalisation, ce dispositif est caractérisé en ce que la structure de la diode comprend, disposée entre la couche intermédiaire et la couche active, une couche de confinement électrique dite couche inférieure de type n+. Dans une réalisation préférentielle, les matériaux III-V pour former la structure de la diode sont quaternaires, de composition Caxl Inx2 Alx3 P dans laquelle la somme des concentrations xl + x2 + x3 = 100, où la concentration X2 en indium (In) est choisie pour permettre l'accord de maille avec les couches sous-jacentes, où la concentration xj en aluminium dans la couche active est choisie à la fois pour permettre l'accord de maille avec les couches sous-jacentes et le fonctionnement à une longueur d'onde donnée, et où la concentration x3 en aluminium dans la couche inférieure de type n+ et dans la couche supérieure de type p est choisie pour permettre le confinement électrique. Du fait que le matériau choisi pour faire les couches est quaternaire, on obtient à la fois une amélioration de la luminescence de la diode et une meilleure adaptation des matériaux formant la diode au substrat en silicium. De plus, la longueur d'onde de fonctionnement de la diode peut être choisie à volonté dans un domaine allant du jaune au rouge. Du fait des indices de réfraction différents de la couche inférieure de type n+ et de la couche supérieure de type p, et de la couche active, les paires électrons-trous générées lors du fonctionnement de la diode sont confinées dans une zone de recombinaison étroite. Dans cette dernière réalisation, la couche de type p surmontant la couche de la région active est en un matériau où les concentrations sont les mêmes que dans la couche inférieure de confinement. Dans ces conditions, le bon confinement voulu des paires électrons-trous est obtenu. La diode présente moins de pertes et son fonctionnement est plus efficace. Dans une réalisation préférentielle, la couche in termédiaire est en GaAs ou en GaAsP, et la couche en siliciure est couverte d'une couche mince de silicium disposée entre la couche de siliciure et la couche intermédiaire. Dans ces conditions, l'homme du métier sait facilement réaliser la croissance épitaxiale de cette couche intermédiaire de matériau III-V sur le silicium, cette fine couche de silicium n'ayant pas d'autre fonction que de faciliter l'épitaxie des couches supérieures. Les éléments essentiels de l'invention résident donc dans les faits que - une couche miroir est réalisée sur le substrat en silicium pour renvoyer le rayonnement vers la surface supérieure de la diode ; à la différence de l'état de la technique où il était seulement connu de réaliser un tel miroir sur la face arrière d'un substrat d'un composé III-V transparent - cette couche miroir est choisie parmi-les matériaux aptes à former une couche contrainte pour éviter la propagation de dislocations dans les couches de la diode, due au désaccord de maille entre le silicium et les matériaux III-V ; cette couche contrainte est notamment en siliciure de terre rare ou de métal et non pas seulement en GaAs comme il était déjà connu de l'état de la technique - parmi les couches constituant la diode, on trouve une couche active proprement dite disposée entre deux couches d'indice différent pour le confinement électrique, ces trois couches étant en un matériau dont la composition est à la fois appropriée au fonctionnement à une longueur d'onde donnée et à l'adaptation de maille avec le siliciure. - un seul type de métallisation est nécessaire pour réaliser aussi bien le contact électrique de type n, que le contact électrique de type p. L'invention sera mieux comprise au moyen de la description suivante illustrée par la figure i annexée, qui représente schématiquement un exemple de la structure de diode P-N selon l'invention. Tel que représenté sur cette figure 1, le dispositif comprend d'abord un substrat 10 en silicium. Selon l'invention, avant la réalisation de la diode P-N, on réalise d'abord une couche 6 de siliciure qui est dotée de deux fonctions. La première de ces fonctions est celle de miroir pour le rayonnement émis par la diode én direction du substrat. Ce rayonnement est renvoyé par la couche 6 vers la partie supérieure de la diode et n'est donc pas perdu. La seconde de ces fonctions est celle de couche contrainte pour l'adaptation du paramètre de maille des matériaux du groupe III-V formant la diode au paramètre de maille du silicium. Il est en effet connu de l'état de la technique que pour réaliser des couches de natériaux 111-V sur un substrat en silicium, il était souhaitable de réaliser une première couche en matériau III-V dans laquelle des dislocations s'accumulent, suivie d'une couche thermiquement contrainte en matériau III-V qui empêche les dislocations de se propager vers les couches supérieures constituant le dispositif semiconducteur III-V proprement dit. Un tel procédé est connu de ~MBE growth of GaAs on Si using Thermally Strained layers' par J..W LEE -Intern.Symp. GaAs and related compounds LAS VEGAS, NEVADA 1986 publié dans Inst. Phy. Conf. ser. Ne83, chapter 3, p.111. Ce procédé comprend la réalisation d'une couche de GaAs (couche chapeau) sur un substrat en Si, incluant le dépôt d'une couche intermédiaire GaAs dans laquelle on fait varier la température de dépôt épitaxiale. Cette étape entraîne une variation dynamique des contraintes dans la couche épitaxiale intermédiaire ainsi réalisée, avec la même période que le cycle thermique appliqué au substrat. Les températures du cycle thermique varient entre 4250C et 625il Le taux de croissance est constant durant toute la croissance de la couche contrainte. L'épaisseur de couche déposée lors d'un cycle est de 60 nm. La couche chapeau épaisse en GaAs est ensuite réalisée, puis l'ensemble du dispositif est soumis à un recuit à 8000C pour diminuer le taux des dislocations qui se sont propagées à partir de la couche contrainte. Pour résoudre le problème de l'adaptation de maille, une couche de nucléation du même matériau GaAs d'épaisseur 5 nm est d'abord réalisée à 58O"C entre le substrat préalablement désoxydé à 10000C et la couche dite intermédiaire. Cette couche de nucléation contient des dislocations dues au désaccord des paramètres de maille entre Si et GaAs. La couche épitaxiale contrainte par cycle thermique réalisée ensuite sur la couche de nucléation est destinée à empêcher la propagation de ces dislocations dans la couche chapeau ultérieure. Le recuit final à 850*C est destiné à éliminer au mieux les dislocations qui se propagent dans la couche chapeau. Cependant l'étude d'échantillons réalisés selon ce procédé montre que la qualité cristalline de la couche chapeau est très éloignée de celle d'une couche de GaAs réalisée directement sur un substrat du même matériau GaAs (hono- structure). Notamment, la double diffraction des rayons X revèle l'existence d'un grand nombre de défauts cristallins et l'observation en microscopie électronique en transmission montre que beaucoup de dislocations se propagent, aurdela de la couche thermiquement contrainte, dans ladite couche chapeau qui est en réalité la première couche du dispositif semicon- ducteur. C'est pourquoi selon l'invention, on a choisi de remplacer la couche de nucléation en GaAs connue du document cité, par une couche en siliciure de terre rare ou de métal. En effet, le désaccord entre les paramètres de maille du silicium (Si) et de l'arséniure de gallium (GaAs) est de l'ordre de 4 . Le choix du siliciure pour présenter les fonctions de couche miroir et de couche contrainte peut donc se porter sur deux sortes de matériaux, d'une part les siliciures de terres rares, d'autre part les siliciures de métaux. L'une et l'autre sorte permet la fonction de miroir et de couche contrainte. Selon le métal ou la terre rare choisie, le -siliciure présente une structure atomique différente - par exemple cubique tels Coti2, NiSi2, RhSi, - par exemple tetragonal tels MnSi#, FeSi2, Ru2Si3, 092Si - par exemple hexagonal tels PdSi, IrSi3, TaSi2, Nase2 VSi2, Cri2, Moi2. - par exemple orthorhombrique tels PtSi, TiSi2, ZrSi#, HfSi2. Il présente alors des possibilités d'arrangement atomique différentes (avec le substrat en Si) selon que ce dernier est choisi pour présenter un plan supérieur parallèle au plan cristallographique (100), (111) ou (110). Ces possibilités d'arrangement atomique dépendent des dimensions des arrangements atomiques dans les plans atomiques en présence des deux composants respectifs, d'une part le siliciure et d'autre part le silicium. La publication intitulée : zTheoretical Considerations on Ion channeling Effect through silicide-Silicon Interface publiée dans Japanese Journal of Applied Physics, vol.20, N05, May 81, pp.843-848" par H.ISHIWARA et alii, enseigne des siliciures à choisir de préférence pour l'adaptation à un substrat en silicium en fonction de l'orientation de la face supérieure de ce substrat, dans le but d'obtenir la croissance de couches épitaxiales de qualité de ces siliciures sur un tel substrat. La publication citée enseigne qu'il est recherché d'une façon générale l'accord de maille entre le siliciure et le silicium ou tout au moins le plus petit désaccord de maille possible. Selon l'invention cette condition n'est pas à respecter. En effet, on ne cherche pas à réaliser une couche épitaxiale en siliciure sur silicium aussi parfaite que possible, mais au contraire une couche contrainte. Dans ce but, on choisira de préférence un siliciure dont l'arrangement atomique et le paramètre de maille sont non pas les plus proches possible du substrat, mais les plus proches possible des couches de matériaux III-V destinées à réaliser le composant semiconducteur voulu en l'occurence une diode P-N. Ceci étant, on pourra réaliser la- couche de siliciure soit par implantation d'ions de terres rares ou de métaux dans la partie supérieure du substrat en silicium, soit par croissance épitaxiale. Dans un cas comme dans l'autre, pour obtenir une couche de siliciure adaptée aux couches ultérieures de matériau III-V, on ne peut pas pour autant s'affranchir du substrat. On pourra choisir le siliciure approprié à la mise en oeuvre de l'invention en s'aidant de l'enseignement de la publication précédente, et des connaissances générales de l'homme du métier de la cristallographie. Dans le cas où la couche de siliciure est réalisée par croissance épitaxiale, d'une façon générale, si l'on désire réaliser des couches III-V orientées parallèlement au plan cristallographique (100) on choisira de préférence un substrat en silicium orienté selon le plan (100) et une couche d'un siliciure cubique ou tetragonal ; si l'on désire réaliser des couches III-V orientées parallèlement au plan cristallographique (i 11) on choisira de préférence un substrat orienté selon le plan (111) et une couche d'un siliciure cubique ou hexagonal ; et si l'on désire réaliser des couches III-V orientées parallèlement au plan cristallographique (110), on choisira de préférence un substrat orienté selon le plan (110) et une couche d'un siliciure cubique. Le siliciure sera choisi pour présenter une maille élargie par rapport à celle du silicium, en tenant compte du fait que le paramètre de maille du silicium est 0,542 nm, que celui du matériau III-V que l'on sait le mieux réaliser par épitaxie sur silicium dans l'état actuel de la technique, à savoir l'arséniure de gallium (GaAs), est ou565 nm, et que dans les plans atomiques (100) les atomes s'arrangent selon le paramètre de maille ou selon un multiple du paramètre de maille, alors que dans les plans atomiques (111) les atomes s'arrangent selon 12 fois le paramètre de maille ou un multiple de cette valeur. De nombreux siliciures parmi ceux qui ont été cités précédemment peuvent donc être utilisés pour réaliser la couche contrainte. On cherchera de préférence à réaliser la couche de siliciure par croissance épitaxiale1 par exemple par la méthode dite MBE (de l'anglais "Molecular Beam Epitaxy") sous ultra-vide, car ceci est le procédé de réalisation le plus prometteur dans l'avenir, du fait qu'il est le moins onéreux d'un point de vue industriel. Cependant, il est techniquement tout à fait possible, et même dans l'état actuel de la technique, plus facile à mettre en oeuvre, de réaliser la couche de siliciure par implantation ionique. Une telle implantation peut être mise en oeuvre avec une forte dose, par exemple 2.1017 cl~2, à haute température comprise entre 500 et 9000C, dans une atmosphère de N2H2. La couche implantée aura de préférence une épaisseur de plusieurs dizaines de nonomètres. L'homme du métier sait que, dans la mise en oeuvre d'une implantation ionique, les 10 premiers nanomètres directement situés sous la surface supérieure du substrat restent pratiquement dépourvus des ions implantés. Ce phénomène est tout à fait favorable à la reprise d'épitaxie des couches de matériaux III-V réalisées ultérieurement pour former la diode. Préalablement à la réalisation de la couche 6 contrainte formant miroir de siliciure, le substrat est désoxydé par un traitement thermique à haute température par exemple 10004C à 11000C sous atmosphère N2H2, quel que soit le procédé choisi pour réaliser ensuite la couche de siliciure. Si la couche 6 de siliciure est réalisée par croissance épitaxiale, elle pourra favorablement être surmontée d'une couche épitaxiale 55 de silicium monoatomique, ou de très faible épaisseur n' excédant pas 10 nm pour favoriser la reprise d'épitaxie des couches de matériaux III-V ultérieures. Cette couche 55 peut aussi être favorable dans le cas où la couche de siliciure 6 est réalisée par implantation. Dans un exemple de réalisation la couche contrainte 6 est un-siliciure de cobalt, réalisée par implantation ionique de cobalt en surface d'un substrat de silicium orientée parallèlement au plan (100) et désorientée de 2 ou 30 par rapport à l'axe . La couche mince de silice, lorsqu'elle existe n'a aucun autre rôle que celui de favoriser la reprise d'épitaxie de la couche suivante en matériau III-V, et que l'homme du métier sait mieux réaliser à ce jour par cette méthode. La couche 6 de siliciure, outre son rôle de couche contrainte, a un rôle tout à fait fondamental pour le fonctionnement de la diode, qui consiste à renvoyer vers la partie supérieure de la diode, la lumière émise par la jonction p-n en direction du substrat. En effet la jonction p-n émet dans toutes les directions et sans cette couche miroir la lumière émise en direction du substrat serait perdue. Enfin la couche 6 qui est conductrice, permet de réaliser de très bons contacts électriques. C'est pourquoi le contact 22 de type n est réalisé sur cette couche 6. En surface de la couche 6 de siliciure contrainte formant miroir, on réalise ensuite une couche 5 épaisse de matériaux III-V destinée à empêcher la propagation des dislocations contenues dans la couche contrainte 6 vers les couches formant le dispositif proprement dit. Dans l'état actuel de la technique, cette couche 5 sera favorablement en arséniure de gallium (GaAs). On pourra par exemple la réaliser de la manière qui est enseignée par la publication citée MBE growth of GaAs on Si using thermally strained layeras" en tenant compte du fait que cette couche de GaAs correspond à la couche de GaAs de ladite publication qui est disposée entre la couche de nucléation en GaAs et la couche chapeau en GaAs.On pourra aussi réaliser-cette couche 5 dite intermédiaire par croissance épitaxiale d'une première couche mince 51 d'arséniure de gallium (GaAs) à une température de l'ordre de 4000C par exemple 10 à 50 nm, suivie de la croissance épitaxiale d'une couche 52 plus épaisse par exemple 200 nm à 1 pm d'arséniure de gallium (GaAs) à une température de l'ordre de 650ex avec des recuits en cours de croissance à des températures de l'ordre de 700 à 800vu. Sur cette couche intermédiaire 5, formée éventuellement des couches 51 et 52, on réalise les couches nécessaires à former la structure de diode P-N proprement dite. D'une façon préférentielle, la structure de diode sera réalisée au moyen de matériaux quaternaires, favorablement GaxIInx2Alx3P, de manière à pouvoir agir sur les trois paramètres xlx2x3 de la composition de ce matériau et pouvoir ainsi contrôler à la fois son indice de réfraction et la longueur d'onde de fonctionnement de la diode. Dans cette composition quaternaire, les concentrations Xi, X2, X3 doivent vérifier la relation x1 + x2 + X3 = 100. Pour réaliser la structure de diode, une couche 4 de confinement électrique, de type n+ est d'abord réalisée sur la couche intermédiaire 5, par croissance épitaxiale MOVPE, mettant en oeuvre des flux de triméthylgallium (TMG), de trimethylaluminium (TMA), d'arsine (AsH3) et de phosphine (PH3), portés par un flux d'hydrogène (H2). Les propriétés des couches quaternaires obtenus seront très satisfaisantes dans les cas où les pressions partielles des éléments du groupe V(P) sont supérieures dans le rapport 30 jusqu'à 200 aux pressions partielles des éléments du groupe III(Al, Ga, In). La couche active 3 de la diode, de type n+ en GaxIInx2Alx3P est réalisée en surface de la couche de confinement 4. Puis une couche 2, de type p++ en Gax1Inx2Ax3P est réalisée en surface de la couche active 3 pour former la jonction P-N. Ces couches sont faites de préférence par la méthode MOVPE décrite plus haut. Pour la réaliation de la couche active, on choisira les concentrations, d'une part pour obtenir une longueur d'onde de fonctionnement A dans le domaine compris dans le jaune ou dans le rouge correspondant à une concentration en aluminium (Al) O 45 E pour les mêmes raisons. La concentration en gallium (Ga) est alors prévue pour amener le total des concentrations à 100 %. Pour la réalisation des couches 4 et 2, on choisira pour l'accord de maille, la concentration en indium (In) identique à celle du composé de la couche active 45 t. xz x2~55 t et la concentration en aluminium (Al) 15 t ( X3 En surface de la couche 2 supérieure de type pt, on réalisera encore par la même méthode MOVPE de préférence, une couche 1 par exemple ternaire de GaInP de type p++ sur laquelle on réalisera un contact électrique de type p qui pourra favorablement être en forme d'anneau. Pour isoler la structure de diode, on pourra réaliser un MESA par exemple par une gravure jusqu'à la surface supérieure de la couche de siliciure 6, et un contact 22 de type n sera réalisé à proximité de la structure de diode sur la surface de la couche de siliciure 6. Les couches auront de préférence les épaisseurs suivantes pour la couche de siliciure 6 : e6 z 500 nm pour la couche intermédiaire 5 : es ~ 300 nm jusqu'à 1 pm pour la couche de confinement 4 n+ : es z 500 nm pour la couche active 3 : e3 a 100 nm pour la couche 2 de type p+ : e2 t 500 nm pour la couche de contact I p++ : el ~ 100 nm. Les alliages pour réaliser les contacts électriques seront par exemple pour le contact p 21 = TiAu comme pour le contact n 22, ce qui est un avantage encore dû à la couche de siliciure. Pour obtenir le fonctionnement de la diode à des longueurs d'onde différentes, tout en restant principalement dans le jaune et le rouge, on peut agir simultanément sur la composition de la couche intermédiaire et sur la composition des couches formant la structure de la diode. Notamment on peut choisir une couche intermédiaire en un matériau ternaire tel que GaAsP et choisir alors les couches formant la structure de la diode pour obtenir l'accord de maille et la longueur d'onde voulue. Pour établir ce choix l'homme du métier pourra se référer au.volume intitulé "Heterostructures laser" Academic Press New-York 1978, par H.C. CASEY et N.B. PANISH. L'avantage dû au choix des matériaux des couches de la diode selon l'invention est que, ces matériaux présentant un gap direct, la diode présente une très bonne luminescence. Revendications 1. Dispositif optoélectronique intégré incluant une diode photoluminescente de structure P-N, réalisé au moyen de couches de composés III-V sur un substrat en silicium (Si), la# structure de la diode incluant au moins une couche active de type n, surmontée d'une couche de type p de composés 111-V, et des contacts électriques de type n et p respectivement, caractérisé en ce que la partie supérieure du substrat en silicium (Si) portant les couches de composés III-V est munie d'une couche en un siliciure de terre rare ou de métal ayant pour fonctions conjointes de constituer un miroir réfléchissant vers la partie supérieure de la diode, la lumière émise par la jonction p-n en direction du substrat, et de constituer une couche contrainte pour éviter la propagation de dislocations dans les couches formant le dispositif. 2. Dispositif selon la revendication 11 caractérisé en ce qu'en surface de la couche de siliciure est disposée une couche dite intermédiaire en un composé III-V binaire ou ternaire, thermiquement contrainte, pour éloigner la couche contrainte de siliciure des couches de matériaux III-V formant le dispositif. 3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que la structure de la diode comprend, disposée entre la couche intermédiaire et la couche active, une couche de confinement électrique dite couche inférieure de type n+. 4. Dispositif selon la revendication 3, caractérisé en ce que les matériaux III-V pour former la structure de la diode sont quaternaires, de composition Gax~ Inx2 Alx3 P dans laquelle la somme des concentrations Xi + X2 +eux3 = 100, où la concentration en indium (In) est choisie pour permettre l'accord de maille avec les couches sous-jacentes, où la concentration en aluminium (Al) dans la couche active est choisie à la fois pour permettre l'accord de maille avec les couches sous-jacentes et le fonctionnement à une longueur d'onde donnée, et où la concentration en aluminium dans la couche inférieure de type n+ est choisie pour permettre le confinement électrique. 5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que les concentrations des composés III-V sont : pour la couche active 45 a c x2 0 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que la couche en siliciure est une couche implantée. 8. Dispositif selon l'une des revendications I à 6, caractérisé en ce que la couche en siliciure est une couche épitaxiale. 9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que le siliciure est un siliciure de cobalt. 10. Dispositif selon l'une des revendications 7 à 9, caractérisé en ce qu'une couche mince de silice est disposée entre la couche de siliciure et la couche intermédiaire. 11. Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'un MESA est formé autour des couches de matériau III-V et en ce que des contacts pour réaliser la polarisation électrique de la diode sont formés en surface du MESA et en surface du substrat à l'extérieur du MESA au moyen du même matériau. 12 Dispositif selon la revendication 11, caractérisé en ce que la couche de siliciure présente une épaisseur de l'ordre de 500 nm, la couche de silicium qui la surmonte lorsqu'elle existe présente une épaisseur de l'ordre de O à 50 nm ; la couche de Ga1nAlP#présente une épaisseur de l'ordre de 500 nm ; la couche de GaInP de type N++ une épaisseur de l'ordre de 100 nm, la couche de GaInAlP de type P++ une épaisseur de l'ordre de 500 nm, et la couche de GaInP de type P++ une épaisseur de l'ordre de 100 nm à 1#m, et en ce que la métallisation pour former les contacts électriques est par exemple TiAu.