Brevet FR2635915A1 — publié le 19900302

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE D'OXYDE PAR VOIE SECHE SUR UN MATERIAU III-V, COUCHE D'OXYDE OBTENUE PAR CE PROCEDE ET APPLICATION A UNE DIODE SCHOTTKY DESCRIPTION L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde mince sur un substrat en matériau 111-V utiLisable en particulier pour la réalisation de diodes Schottky dont les applications les plus répandues sont L'utilisation comme grille dans un transistor à effet de champ (FET) ou un transistor MIS (Metal-isolant-semiconducteur). Cette couche d'oxyde peut aussi servir de couche de protection de surface de matériau III-V ou pour la réalisation de dispositifs à mémoire à semiconducteurs. Actuellement, il est très difficile de réaliser des transistors à effet de champ sur des matériaux III-V à faible gap ou bande interdite par suite des difficultés à obtenir des hauteurs de barrières Schottky élevées sur ces substrats. Par exemple, pour les composés ternaires du type n-Ga1 1 In As avec O x 1-x paru dans Appl. Phys. Lett., vol. 23, n08, du 15 Octobre 1964, pp.458-459. IL en est de meme pour InP ; la barrière Schottky ne dépasse pas 0,52 eV pour Le composé n-InP. Ces faibles hauteurs de barrière alliées à La mauvaise qualité des diodes conduisent à des courants de fuite élevés pour Les diodes polarisées en inverse, et de ce fait ne sont pas compatibles avec La réalisation de transistors à effet de champ (FET en terminologie anglo-saxonne). On rappelle qu'un matériau 111-V est un matériau contenant au moins un élément de la colonne III et au moins un élément de la colonne V de la classification périodique des éléments et qu'une diode Schottky est constituée d'une couche de métal surmontant le substrat en matériau III-V. Pour augmenter la hauteur d'une barrière Schottky, on utilise quatre techniques différentes. La première technique, dont fait partie l'invention, est le dépôt d'une couche très mince d'cxyde à la surface du substrat III-V. L'oxyde est un matériau isolant du fait de son gap ou bande interdite élevé ( > 3 eV) et entrasse donc une augmentation de La barrière Schottky à la surface de l'échantillon lorsque l'on dépose sur cet oxyde une couche métallique en vue de fabriquer une diode Schottky. Pour réaliser une vraie caractéristique de diode fonctionnant en direct, cet oxyde doit autre très mince (inférieur à 10 nm) pour permettre Le passage du cotant du métal au substrat par effet tunnel. En outre, cet oxyde doit pouvoir résister à des champs électriques élevés et donc présenter une bonne rigidité 6 diélectrique (de L'ordre de 10 V/cm) et iL doit comporter le moins de défauts possibles à L'interface substrat-oxyde afin de ne pas perturber le fonctionnement de la diode Schottky ; les défauts à L'interface substrat-oxyde constituant des pièges à électrons ou à trous imposent l'utilisation de tensions élevées de commande. En outre, cet oxyde doit présenter une tenue mécanique et une tenue dans le temps suffisantes. Jusqu'a présent, les oxydes utilisés en couche mince souffrent de ne pas présenter ces différentes caractéristiques. L'oxyde utilisé est généralement du SiO avec x x allant de 1 à 2. Ce matériau présente une rigidité diélectrique faible sur des composés du type GaInAs et 5 InP (de L'ordre de 3.10 V/cm) et des défauts d'interface élevés induisant une hystérésis dans La courbe capacité-tension pour une utilisation dans un transistor MIS. A ce sujet, on peut se référer à L'article de D.V. Morgan, J. Frey "Increasing the effective barrier height Schottky contacts to n-In Sa x As" paru dans Electronics Letters, 9 novembre 1978, x vol.14, n023, pp.737-738. Par ailleurs, le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium se fait souvent à haute température ( > à 3000CI, en présence d'un plasma de silane et d'oxygène, entratnant généralement une dégradation du matériau III-V (voir par exemple l'article de H. Morkoc et al. "Schottky barriers and ohmic contacts on n-type InP based compound semiconductors for microwave FET's" paru dans IEEE Transactions on Electron Device, vol. ED-28, N01, de Janvier 1981, pp.1-5). L'une des limitations essentielles quant au dépôt de couches d'oxyde de silicium sous haute température est la différence de tension de vapeur saturante entre I1 élément V et l'élément 111. En particulier; l'éLément III se décompose à des températures supérieures à celles de l'élément V entratnant, Lors du dépôt la couche d'oxyde de silicium, une déficience en élément V à la surface du substrat et donc la création de défauts d'interface. Plus récemment on a envisage une oxydation de la surface d'un substrat en InP en le plongeant dans une solution d'HNO et simultanément en L'irradiant 3 avec une lampe au tungstène, comme décrite dans Electronics Letters, vol.14, n05, 1 mars 1978, p.125 126, de 0. Wada, "Low leakage nearly ideal Schottky barriers to n-InP". On a aussi prévu l'oxydation de Casas dans un plasma de CF +0 comme enseignée dans 42 Journal of Vacuum Science and Technology B, vol.3, nob; novembre/décembre 1985, p.1609-1613, de H.Sugahara et al., "Oxide formation on Sapas exposed to CF +O2 42 plasma Ces deux méthodes d'oxydation conduisent aussi à une couche d'oxyde ayant des qualités mécaniques et électriques médiocres ne satisfaisant pas aux exigenes mentionnées précédemment. La seconde technique utilisée pour augmenter la hauteur d'une barrière Schottky est le dépôt par épitaxie d'une couche semi-conductrice sur le substrat dont on veut augmenter la hauteur de barrière Schottky, cette couche semi-conductrice présentant un gap plus élevé que celui du substrat. A cet effet, on peut citer l'article de K. S. SeO et al, "DC and microwave characteristics of an In Sa As/In AI As modulation-doped quasi 0,53 0,47 0,52 0,48 MISFET" paru dans Electronics letters du 12 mars 1987, vol.23, n 6, pp.259-260 et celui de C.M. Hanson et al. "In Al1-x As/InP heterojunction insulated gate filed x 1-x effects transistors (HIGFET's)" paru dans IEEE Electron Device Letters, vol.EDL-8, n 2, de février 1987, pp. 53-54. Le dépôt par épitaxie d'une couche semiconductrice nécessite un accord de maille cristalline parfaite entre cette couche et le substrat. Ceci entraîne donc une limitation quant au choix des couches semi-conductrices épitaxiées et au choix des substrats utilisables. En outre, cette technique requiert l'utilisation d'un båti d'épitaxie complexe avec mise sous vide et alimentation en de nombreux gaz. Enfin, ces dépôts se font à haute température (5000C environ). Toutes ces raisons rendent donc peu pratique, complexe et conteuse cette seconde technique. La troisième technique connue pour augmenter la hauteur d'une barrière Schottky consiste à déposer sur le substrat une couche mince semi-conductrice de même composition que le substrat mais de conductivité différente (par exemple de type p sur un substrat de type n). Cette couche mince semi-conductrice est fabriquée notamment par épitaxie comme illustré dans L'article C. Y. Chen et al. "Quasi-Schottky barrier diode on n-Sa In As using a fully depleted p 0,47 0,53 Ga In As layer grown by molecular beam epitaxy" 0,47 grown 0,53 paru dans Appl. Phys. Lett. 40(5) du 1er mars 1982, pp.401-403. Enfin, comme dernière technique connue pour augmenter la hauteur de barrière Schottky d'un matériau de type n, on peut citer le dépôt d'un métal donnant un contact ohmique de type p et se comportant comme un accepteur d'électrons pour le substrat, suivi par un traitement thermique haute température (de l'ordre de 6000C) afin de faire diffuser le métal dans Le substrat, entratnant la fabrication d'une jonction p.n située à 80 nm de la surface du substrat. Ceci est décrit dans l'article de T.P. Pearsaîl et M.A. Digiuseppe "InP-metal barrier junctions with improved I-V characteristics" paru dans IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-7, n 5, de mai 1986, pp.317-319. Ces dernières techniques, quoique relativement satisfaisantes, s'apparentent plus à la fabrication d'une jonction p.n qu'à la réaLisation d'une diode Schottky. Or les avantages d'une diode Schottky par rapport à une diode p.n sont, pour la diode Schottky, une fabrication plus simple et la présence d'un seul type de porteurs au Lieu des deux. La présente invention a justement pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde sur un matériau III-V permettant notamment d'augmenter la hauteur de barrière Schottky du matériau sans entrafner de dégradations de ce dernier. En outre, cette couche présente d'excellentes qualités électriques, mécaniques, d'interface et une tenue dans le temps tout à fait satisfaisante et améliorée par rapport à celle de l'art antérieur. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde sur un substrat en matériau III-V consistant esentiellement (a) à préparer la surface du substrat devant etre mise en contact avec la couche d'oxyde en vue d'en éliminer toute trace d'oxyde natif et d'impuretés éventuellement présente, (b) à oxyder la surface préparée par irradiation ultraviolette de ladite surface en atmosphère d'oxygène. L'étape (a) permet l'élimination de tout oxyde et impuretés éventuellement présent sur Le substrat dont les qualités électrique et mécanique ainsi que l'épaisseur ne sont nullement contrôlées. L'étape (b) permet la formation d'une couche d'oxyde au plus égale à 5 nm et en particulier voisine de 4 nm d'excellente qualité électrique. En particulier, la rigidité diélectrique de La couche obtenue par le procédé selon l'invention, calculée comme décrit dans L'article de D.V. Morgan et J. Frey ci-dessus, est de 6 l'ordre de 2,5.10 V/cm soit 10 fois plus élevée que celle obtenue par le dépôt de 5 nm de SiO sur GaInAs. x L'étape d'oxydation selon l'invention a L'avantage de se faire sans apport d'atomes extérieurs, excepté pour l'oxygène et donc sous pression atmosphérique. En outre, le fait d'utiliser les atomes du réseau cristallin initial et en particulier ceux de la surface minimise le nombre de liaisons pendantes et d'états d'interfaces. Par ailleurs, l'oxydation se fait à basse température, inférieure à 3000C (entre 50 et 2500C), ce qui en fait une méthode douce, n'entrafnant aucune dégradation de la surface du substrat et donc de formation de défauts d'interface nuisibles à la réalisation d'une diode Schottky devant constituer la grille d'un transistor à effet de champ ou d'un transistor MIS. Les irradiations ultraviolettes ont, semble t-il, deux rôles fondamentaux : le premier est de fabriquer des molécules d'oxygène excitées et de L'ozone à partir de l'oxygène naturel, le second est de rendre les liaisons à la surface du matériau semiconducteur réceptives aux molécules d'oxygène excitées. Le procédé de l'invention permet l'obtention d'une couche d'épaisseur homogène et contrôlée, ayant une grande stabilité. Il est facile à mettre en oeuvre et parfaitement reproductible. Selon une mise en oeuvre préféré du procédé selon L'invention, L'étape (b) est réalisée en chauffant La surface du substrat à une température allant de la température ambiante à 2000C. La température de croissance de l'oxyde permet de contrôler son épaisseur. En particulier, une température de 1500C conduit à une couche d'oxyde de 5 nm alors qu'une température de 800C conduit à une couche d'oxyde de 2,5 nm. Une température de 1000C conduit à une couche d'oxyde de 3 nm. Selon une autre mise en oeuvre préférée du procédé selon l'invention, l'étape (a) comporte successivement une étape de nettoyage dans un solvant organique, une étape de séchage sous gaz neutre, une étape de désoxydation et une étape de rinçage. Comme solvant organique, on peut utiliser tout type de solvants comme par exemple le trichloréthylène, l'acétone, L'méthanol etc... De même, le séchage peut se faire en présence de gaz rares (argon, néon, xénon) ou d'azote. Avantageusement, l'étape de désoxydation se fait en solution, en présence d'un acide fort comme par exemple l'acide fluorhydrique, l'acide chlorhydrique, L'acide bromydrique, L'acide nitrique ou un mélange de ces acides. Cette attaque en solution est réalisée à température ambiante et sous pression atmosphérique et est donc simple à mettre en oeuvre. Afin d'éviter l'introduction de toute impureté, sur la surface préparée pour le dépôt de la couche d'oxyde, on utilise avantageusement comme solution de rinçage de liteau désionisée à au moins 18 mégaohms. Le procédé selon l'invention s'applique aussi bien à un substrat massif qu'à une couche épitaxie sur un substrat massif. Compte tenu de l'oxydation instantanée de l'aluminium à l'air et des difficultés d'élimination de la couche d'alumine constamment présente, l'invention s'applique plus particulièrement à tout matériau III-V ne contenant pas d'aluminium. De préférence, le substrat est formé par au moins un élément III de la classification périodique des éléments, choisi parmi le gallium et l'indium et par au moins un élément V de ladite classification, choisi parmi le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. Comme substrat, on peut citer l'InP, le GaSb, l'InAs, le GaAs, Le Sa In As, le Sa In As P avec x 1-x x 1-x y 1-y O L'invention a aussi pour objet une couche d'oxyde obtenue par le procédé ci-dessus, caractérisée en ce qu'elle présente une épaisseur allant de 2 à 5 nm et notamment voisine de 4 nm. Les moyens de caractérisation actuellement connus permettent difficilement de mesurer avec précision l'épaisseur de la couche d'oxyde formée conformément à l'invention. Aussi, l'épaisseur de la couche d'oxyde selon l'invention a été déduite des caractéristiques tensioncourant de différentes diodes Schottky, pourvues de cet oxyde, étudiées entre 80 et 300 K et réalisées sur un substrat en GaInAs. L'invention a encore pour objet une diode Schottky comportant un substrat en matériau 111-V dopé n ou p, revêtu localement d'une couche d'oxyde et d'une couche métallique, cette diode étant caractérisée en ce que La couche d'oxyde présente une épaisseur au plus égale à 5 nm et est obtenue par te procédé conforme à l'invention. La diode selon l'invention présente notamment une hauteur de barrière et une tension de claquage en inverse supérieures à celles de l'art antérieur ainsi qu'un courant de fuite beaucoup plus faible. La diode Schottky selon l'invention ainsi que son procédé de fabrication ne diffèrent de ceux de l'art antérieur que par la présence de La couche d'oxyde et son procédé de fabrication. En particulier, le contact Schottky métallique peut etre réalisé en or, argent, aluminium, le platine, etc... de façon connue sur le matériau III-V. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées, dans lesquelles : - la figure 1 représente schématiquement une diode Schottky conforme à L'invention réalisée sur une couche de n-InP épitaxiée sur de l'InP semi-isolant, - la figure 2, représente la caractéristique courant-tension I(V) de la diode de la figure 1, tracée à température ambiante, - la figure 3 représente la caractéristique courant-tension I(V) inverse de la diode Schottky de La figure 1, - la figure 4 représente la caractéristique courant-tension I(V) d'une diode Schottky réalisée sur une couche de GaInAs épitaxiée sur de l'InP semiisolant, - la figure 5 représente schématiquement un transistor à effet de champ comportant une diode schottky selon l'invention comme grille, réalisé sur une couche de n-InP épitaxiée sur de L'InP semi-# isolant, - la figure 6 représente la caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds du transistor de la figure 5, pour différentes tensions de grille, - la figure 7 représente schématiquement un transistor FET réalisé sur du n-InP massif comportant une diode Schottky selon l'invention, - la figure 8 représente la caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds du transistor de La figure 7 fonctionnant en déplétion, et - La figure 9 donne la caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds du transistor FET de la figure 7 fonctionnant en enrichissement. Le procédé de fabrication d'une couche d'oxyde selon l'invention, sur un substrat en matériau 111-V consiste tout à nettoyer le substrat III-V avec successivement du trichloréthylène, de L'acétone et de l'éthanol puis à te sécher avec un jet d'azote sec à température ambiante. On effectue ensuite une désoxydation du substrat dans une solution d'acide fluorhydrique à 10X afin d'enlever toute trace d'oxyde natif non contrôlé. Cette désoxydation est suivie d'un rinçage à l'eau désionisée à 18 mégaohms. Ensuite, le substrat est transféré le plus rapidement dans une chambre d'oxydation du type UVOCS n0lO606E équipée d'un porte échantillon chauffant. Il est placé sur le porte échantillon qui se trouve déjà à la température de travail, par exemple de 100 ou 1500C. L'oxydation se fait par exposition de la surface du substrat traitée aux radiations ultraviolettes d'une lampe prévue à cet effet, en présence d'air filtré pendant 30 min. Le substrat ainsi traité est soit un substrat massif, soit un matériau comportant un empilement de couches semi-conductrices III-V épitaxiées sur un substrat 111-V massif. Pour illustrer le procédé selon l'invention, on a utilisé un échantillon tel que représenté sur la figure 1. Cet échantillon comporte un substrat semi 17 3 isolant 2 en InP contenant 10 ions de fer/cm sur lequel a été épitaxiée par jet moléculaire (MBE) une 16 couche de n-InP. Cette couche contient 10 ions 3 donneurs résiduels/cm . L'épaisseur de la couche épitaxiée 4 représente 1000 nm d'épaisseur. Après fabrication d'un contact ohmique 6 en or-germanium, par dépôt d'un alliage d'Au-Ge de 150 nm d'épaisseur à la surface de la couche semiconductrice 4, selon La technique connue du "lift-off", suivi d'un recuit à 3400 C, on a effectué une oxydation de la couche semiconductrice 4, comme décrit précédemment. Seul le contact ohmique 6 ne s'oxyde pas. On dépose -4 ensuite, par évaporation sous vide de 1,35.10 Pa, à travers un masque à trou, une couche d'or de 150 nm d'épaisseur pour former le contact Schottky 10 sur l'isolant 8. Le contact Schottky 10 a un diamètre de 0,2 mm. La caractéristique tension-courant I(V), effectuée à température ambiante, de la diode Schottky de la figure 1, est donnée sur la figure 2. La courbe D correspond au fonctionnement en direct et la courbe 2 I au fonctionnement en inverse. Elles permettent 2 d'extraire une hauteur de barrière Vs de 0,7 eV et un coefficient d'idéalité de 1,54. La formule utilisée est celle de Shockley pour décrire la caractéristique I(V) soit : I = Is(exp qV/nkT -1) dans laquelle I représente le courant mesuré passant à travers la diode ; V représente la tension appliquée aux bornes de la diode, kT/q est voisin de 25,6 meV à 3000K ; Is représente le courant de saturation, et n le coefficient d'idéalité. Le courant de saturation Is est donné par l'équation : 2 Is = SAT exp -qVs/kT où S représente la surface de la diode, T la température en OK, Vs la barrière de Schottky et A le coefficient de Richardson. Le courant inverse ou de fuite vaut 0,25 nA pour une tension de -1V et une diode de 0,2 mm de diamètre (ce qui correspond à un contact Schottky 10 de 0,2 mm de diamètre). La tension de claquage est de l'ordre de 10V pour des diodes dont L'oxyde est réalisé à 1000C et de 60V pour des diodes dont l'oxyde est réalisé à 1500C. Ce courant de fuite reste en-dessous de 1 A pour une polarisation de 30V comme cela ressort clairement de la figure 3. Cette courbe a été établie à température ambiante sur une diode Schottky de 0,2 oem dont l'oxyde à été fabriqué à 1500C. Les meilleures diodes Schottky réalisées selon l'invention sur n-InP ont des courants de fuite de 100 pA sous une polarisation de -1V. Sur le même principe que celui décrit en référence à la figure 1, on a réalisé une diode Schottky de 0,2 mm de diamètre sur une couche de SA In As épitaxiée sur un substrat massif en InP 0,53 0,47 16 non dop avec un nombre d'ions résiduels de 10 ions/cm environ et on a tracé la caractéristique I(V). Cette dernière est représentée sur la figure 4. Une tension de claquage en inverse, supérieure à 300V, a été obtenue pour un oxyde formé à 1500C. Les diodes Schottky ainsi fabriquées conservent toutes Leurs caractéristiques même chauffées jusqu'à 2000C. En outre, aucune variation de leurs caractéristiques I(V) n'a été observée après stockage pendant plusieurs mois. Par ailleurs, une polarisation sous -1,5V pendant 40 heures ne modifie pas la caractéristique I(V) des diodes fabriquées à 1000C. De même, une polarisation à -3V pendant 24 heures ne modifie pas la caractéristique des diodes fabriquées à 1 5O0C. Des mesures, effectuées par spectroscopie DLTS (Deep Level Transient Sectroscopy en terminologie anglo-saxonne), des pièges à électrons ou trous contenus dans le matériau semi-conducteur au contact de l'oxyde réalisé selon L'invention, montrent que le procédé de L'invention n'introduit pas de défauts à l'interface isolant-semi-conducteur. Sur la figure 5, on a représenté schématiquement un transistor FET utilisant une diode Schottky, conformément à l'invention. Ce transistor comporte un substrat semi 16 3 isolant 12 en InP contenant environ 10 ions fer/cm sur lequel on a épitaxié, par jet moléculaire, une couche 14 d'InP non intentionnellement dopé constituant une couche tampon de 500 ni d'épaisseur puis une couche active 16 en n-InP de 250 nm d'épaisseur et enfin une couche de n-Ga In 1-x As 13, avec x valant 0,47 de 10 nm x d'épaisseur, pour améliorer les contacts ohmiques de la source et du drain du transistor. La couche 13 est 18 3 dopée à 2.10 ions silicium/cm et la couche active 16 à 1017 ions silicium/cm . On effectue alors une attaque chimique des couches 13, 14 et 16 avec une solution de à base de HF et H O afin de définir les dimensions de la zone 22 active ou mésa 18. Cette zone active présente en particulier une longueur de 320 P et une largeur de 27 tm. La forme et les dimensions de la zone active 18 sont réalisées de façon classique en utilisant un masque de gravure en résine, réalisé par les procédés classiques de photolithographie. On effectue alors par la technique du "liftoff" deux contacts ohmiques 22 et 24, de part et d'autre du mesa, définissant la source et le drain du transistor et réalisés en un alliage d'or et de germanium. Ces contacts prennent appui sur les régions du substrat 12 mises à nu et sur les flancs gravés des couches 13, 14 et 16. La distance d séparant la source et le drain est de 5 Le dépôt des couches conductrices dans lesquelles sont réalisées les contacts est suivi d'un recuit à 3400C pendant 15 secondes pour former l'alliage Au-Ge. On effectue alors une nouvelle attaque chimique de la couche 13, entre la source 22 et le drain 24, c'est-à-dire sur toute La distance d pour mettre à nu localement la couche 16. On réalise ensuite une oxydation de l'échantillon obtenu, conformément à l'invention, afin de réaliser l'oxyde de grille 26 du transistor. On dépose alors sur L'oxyde de grille 26 une couche d'or de 150 nm d'épaisseur environ, par -4 évaporation sous vide (1,35.10 Pa) constituant le contact Schottky 28 du transistor et donc la grille et la ligne d'interconnexion de la grille de ce transistor. Ce contact 28 présente une largeur l de 3Pm (définissant la longueur du canal du transistor) et une longueur de 300 m. La caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds pour des tensions de grille variables du transistor ainsi obtenu est donnée sur La figure 6. La courbe A correspond à une tension de grille de 0 volt et la courbe 8 à une tension de grille de -5 V. La tension de grille varie de 1 V d'une courbe à l'autre. Le gain du transistor ainsi obtenu est de 56 mS/mm. Sur la figure 7, on a représenté schématiquement un transistor selon un autre mode de réalisation. Dans un substrat 32 en InP semi-isolant contenant 1017 ions fer/cm ,ions on a réalisé deux implantations d'ions silicium afin d'obtenir un dopage 17 3 n de 10 ions Si/cm environ, sur une profondeur de 500 nm ; La première implantation a été faite à une 12 2 dose de 10 ions/cm et une énergie de 40 keV et la 12 seconde Implantation a été faite à une dose de 2.10 2 ions/cm et une énergie de 100 keV. Après ces deux implantations, on a effectué une attaque chimique de la couche implantée afin de définir Les dimensions de la zone active 34. La fabrication du transistor se poursuit en 13 2 Implantant du silicium à une dose de 10 ionslcn et une énergie de 20 keV pour obtenir des contacts ohmiques de la source 36 et du drain 38. Ensuite, on effectue un recuit d'implantation à 7500C pendant 30 secondes. Le procédé se poursuit comme décrit en référence à La figure 5 par réalisation des deux contacts ohmiques (sources et drains) 36 et 38, de l'oxyde de grille 40 et du contact Schottky 42. Ce dernier a une largeur de 3 pm et une longueur de 300# m. Le transistor de la figure 7 a une transductance de 140 mS/mm pour une grille de 3 em de large. Ramené à 1 rm de grille, ce dispositif aurait une valeur théorique de 420 mS/mm, ce qui surpasse les meilleures performances publiées sur InP à ce jour. Le transistor de la figure 7 fonctionne aussi bien en déplétion qu'en enrichissement. Cette propriété montre à quel point l'interface semi-conducteur/oxyde est propre et possède peu d'états d'interfaces. Les figures 8 et 9 donnent la caractéristique Ids-Vds à tension de grille variable pour le transistor de la figure 7 fonctionnant respectivement en dépletion et en enrichissement. La tension de grille augmente de -0,5V d'une courbe à l'autre, sur la figure 8 la courbe C de plus fort courant correspondant à une tension de grille nulle. La tension de grille diminue de 0,2 V d'une courbe à l'autre sur la figure 9, la courbe D de plus fort courant correspondant à une tension de grille de +1,6 V. De ces courbes, on déduit que les transistors de l'invention peuvent tenir des tensions source-drain (et grille-drain) supérieures à 11 volts sans phénomène d'avalanche et avec une impédance de sortie dVds/ AIds constante et stable. La fabrication selon l'invention d'une couche d'oxyde sur un matériau III-V a permis la réalisation de diodes Schottky ayant des caractéristiques couranttension qui se comparent favorablement à celles fabriquées par les autres techniques. En outre, ce procédé n'introduit aucun défaut d'interface genant pour La fabrication de transistors à effet de champ et de transistors MIS. Il permet en particulier la fabrication de transistors à effet de champ et MIS sur InP, ce qui était très difficile à réaliser jusqu'à présent. Pour les applications à un transistor du type MIS, il est possible d'utiliser la couche d'oxyde mince selon l'invention comme matériau servant à éviter la création de défauts à L'interface substrat-isolant et de prévoir alors un deuxième isolant, rapporté sur cette couche mince, notamment en SiOx,rapporté Al2O3, Si3N4, ALN,etc...Si3N4, ALN, etc... REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche d'oxyde (8, 26, 40) sur un substrat en matériau III-V (4, 16, 34) consistant essentiellement (a) à préparer la surface du substrat devant etre mise en contact avec la couche d'oxyde en vue d'en éliminer toute trace d'oxyde natif et d'impuretés éventuellement présente, (b) à oxyder la surface préparée par irradiations ultraviolettes de ladite surface en atmosphère d'oxygène. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape (b) consiste à chauffer la surface préparée entre 100 et 2000C. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape (a) comporte successivement une étape de nettoyage dans un solvant organique, une étape de séchage sous gaz neutre, une étape de désoxydation et une étape de rinçage. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape de désoxydation consiste à soumettre ladite surface à une solution d'acide fluorhydrique. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que le substrat (4, 16, 34) est formé par au moins un élément III de la classification périodique des éléments, choisi parmi Le gallium et l'indium et par au moins un élément V de ladite classification, choisi parmi le phosphore, t'arsenic et l'antimoine. 6. Couche d'oxyde (8, 16, 40) obtenue par Le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisée en ce qu'elle présente une épaisseur au plus égale à 5 nm. 7. Diode Schottky comportant un substrat (4, 16, 34) en matériau III-V dopé n ou p, revêtu localement d'une couche d'oxyde (8, 26, 40) et d'une couche métallique (10, 28, 42), caractérisée en ce que la couche d'oxyde présente une épaisseur ou plus égale à 5 nm et est obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5. 8. Diode Schottky selon la revendication 7, caractérisée en ce que le substrat est choisi parmi InP et GaInAs dopés n.