Brevet FR2642240A1 — publié le 19900727

CIRCUIT A TRANSISTOR MOS DE PUISSA,.CE COMMANDE PAR UN DISPOSITIF A DEUX POqIPES DE CHARGE SYMETRIQUES La présente invention concerne le domaine des transis- tors MOS de puissance, et plus particulièrement les transistors MOS de puissance réalisés selon la technologie dite DMOS (IOS diffuse) à canal N qui nécessitent, quand leur drain est relié à une source d'alimentation et leur source à une charge, une tension de grille supérieure à la tension d'alimentation. La figure lA représente un circuit comprenant un tran- sistor MOS de puissance MP à canal N dont le drain DP est relié à une première borne 1 d'une source d'alimentation qui délivre une tension VCC positive et dont la source SP est reliée à une borne de sortie 2 du circuit. Une charge L est connectée entre cette borne de sortie 2 et la deuxième borne 3 de la source d'alimen- tation. Habituellement, la borne 3 est connectée à la masse. De façon classique, la tension de grille supérieure à la tension d'alimentation est fournie par un circuit dit "pompe de charge" dont un exemple est représenté dans le bloc Pl. Un com- mutateur 4 est connecté par des bornes 5 et 6 aux bornes 1 et 3 de la source d'alimentation, respectivement. Il est relié à une horloge CK par une borne 7. Une source de tension auxiliaire 8, qui est interne au circuit et qui délivre une tension auxiliaire positive VS inférieure ou égale à VCC, est reliée à la borne de sortie 9 du commutateur par l'intermédiaire d'une diode 10 polari- sée en direct et d'une capacité 11. Celle des bornes de la capa- cité qui n'est pas connectée au commutateur est reliée à l'anode d'une diode 12 dont la cathode constitue la borne de sortie H de la pompe de charge. Le signal d'horloge (courbe CK de la figure lB) est formé d'une suite alternée régulière de niveaux hauts et de ni- veaux bas. Quand ce signal d'horloge est à son niveau haut, la sortie 9 du commutateur est reliée à la borne 3 de la source d'alimentation. Quand le signal d'horloge est à son niveau bas, la sortie 9 est reliée à la borne 1 de la source d'alimentation. La sortie H de la pompe de charge est généralement ap- pliquée à la grille GP du transistor MOS MP par l'intermédiaire d'un miroir de courant M comprenant par exemple deux transistors MOS à canal P Ml et M2 dont les grilles et les sources sont inter- connectées l'une à l'autre. Le drain D1 du transistor 11 est relié à sa grille et à une source de courant 13 imposant le passage d'un courant IR dans ce transistor et d'un courant proportionnel IG dans le transistor M2. Le drain D2 du transistor M2 est relié à la grille GP du transistor bMOS de puissance MiP. Les sources S1 et S2 sont reliées à la borne H. Le fonctionnement de ce circuit va être expliqué en re- lation avec la figure lB qui représente le signal d'horloge CK, la tension V(H) au point H et la tension VE sur la borne de sortie 2 du circuit. Quand le signal d'horloge CK est à son niveau haut, re- liant ainsi la sortie 9 du commutateur à la masse, la capacité 11 se charge à une tension VS-Vd (Vd étant la chute de tension en direct d'une diode). La tension V(H) au point H est égale à VS-2Vd. Quand le signal d'horloge passe au niveau bas, la borne 9 étant alors reliée à la borne 1 sur laquelle est appliquée la ten- sion VCC, la tension V(H) devient égale à VCC+VS-2Vd. La tension VCC+VS2Vd est appliquée sur la capacité équivalente Cequ présente entre la grille du transistor MOS MP et la masse, la capacité Cequ stockant cette tension pendant les passages. de l'horloge à niveau haut et se rechargeant lors de chaque passage de l'horloge à ni- veau bas. - Ainsi, la pompe de charge Pl permet de générer, de ua- nière impulsionnelle, une tension V(H) supérieure à la tension de la source d'alimentation VCC sanris avoir recours à une source de tension externe au circuit. Le montage à pompe de charge à fonctionnement par impul- sions donne des résultats satisfaisants pour 'l'alimentation de la grille d'un transistor MOS tel que décrit ci-dessus. Toutefois, des problèmes se posent quand on veut associer au circuit de commande des fonctions particulières, par exemple une régulation de la ten- sion de sortie. Dans la figure lA, une telle régulation est assurée par un amplificateur opérationnel A muni d'une première entrée El connectée à la borne de sortie 2 et d'une deuxinème entrée E2 re- liée à la borne 3 de la source d'alimentation par l'intermédiaire d'une source de tension de référence 14 de valeur VR. La sortie SG de l'amplificateur opérationnel A est connectée à la grille GP du transistor MOS de puissance MI. L'amplificateur opérationnel ajuste la tension de grille du transistor MP pour maintenir la tension de sortie VE sur la borne de sortie 2 du circuit à la tension de réfé- rence VR. Cependant, lors de la régulation, il se pose, avec le circuit de la figure lA, le problème de la génération d'un bruit parasite qui perturbe le signal de sortie et empêche l'utilisation de ce circuit lorsqu'une grande stabilité du signal est requise. Ce bruit provient de l'association de l'amplificateur opérationnel à une pompe de charge fournissant un courant IG de façon impulsionnelle. Pour en déterminer la cause précise et essayer d'y remédier, il est nécessaire d'examiner en détail la structure de l'amplificateur opérationnel. La fijure 2 représente un mode de réalisation de l'anplificatelr opérationnel A de la figure 1A. Cet amplificateur opérationnel comprend un étage différentiel D et un étage de sor- tie S. L'étage différentiel D comprend de façon classique une pai- re de transistors bipolaires Ql, Q2 reliés de la façon représentée à des transistors MOS de charge M3 et:14, respectivement, du type transistor IMOS logique, et à une source de courant 21. L'étage de sortie S comprend un transistor MIOS logique dont le drain D5 constitue la sortie SG de l'amplificateur opérationnel A et une capacité de compensation Ccorp destinée à assurer la stabilité de l'asservissement. Pendant les périodes actives de la pompe de charge, un courant IG est imposé par le miroir de courant, le transistor 15 est passant et sa capacité grille-source C5 se charge. Tors de l'interruption du courant IG, le transistor hi5 se bloque. Cepen- dant, la capacité C5 ne se décharge pas instantanément et la ten- sion encore présente sur sa grille G5 maintient le transistor ?5 passant pendant un petit laps de temps avant cette mise à l'état bloqué. Il en résulte une diminution de la charge de la capacité Cequ et un abaissement de la tension de grille du transistor ?lOS de puissance 1lP. La tension VE sur la borne de sortie 2 diminue. Quand le courant IG est à nouveau généré, la capacité Cequ est rechargée, la tension de grille du transistor MP augnente, la ten- sion VE remonte à la valeur VR et l'amplificateur opérationnel redevient en mode d'asservissement. C'est ainsi la présence de la capacité grillesource C5 du transistor M5 qui est à l'origine du bruit. Sur la figure lB, le niveau de la tension de référence VR est indiqué en pointillés en face de la courbe VE. Pour essayer de résoudre le problème susmentionné du bruit, des efforts ont été concentrés dans l'art antérieur sur l'amplificateur opérationnel. Une première manière de diminuer le bruit conslsterait notamment à réduire les dimensions du transistor 115 pour en dimi- nuer la capacité grille-source. Cependant, pour assurer la stabilité de l'asservissement dans un circuit du type représenté, le critère de stabilité sui- vant doit être respecté: gml/Ccomp du transistor MOS 15. La pente gm5 étant proportionnelle aux di- mensions du transistor!5, il n'est pas possible de diminuer de façon importante les dimensions de ce transistor et donc la valeur de la capacité C5 si l'on veut que la relation I reste vraie. Une deuxième manière de diminuer le bruit consisterait à supprimier la cause qui en a été indiquée précédemment, à savoir la capacité C5. Pour cela, il conviendrait d'utiliser au lieu d'un transistor IOS un transistor bipolaire; Toutefo[s, cette solution serait incompatible avec les technologies actuellement utilisées pour réaliser simultanément des transistors MOS de puissance (tel que le transistor P), des transistors MOS logiques (tels que les transistors M> et a14), et des transistors bipolaires (tels que les transistors Ql et Q2). En effet, dans ces technologies, un transistor bipolaire présente une diode dont l'anode est constituée par le substrat et la cathode par le collecteur. Si le substrat venait à être coupé de la masse, un signal perturbateur parviendrait à la grille du transistor MOS de puissance MP par l'intermédiaire de cette diode. C'est ce qui fait que l'on est inévitablement amené à utiliser un transistor MOS M5 de type logique pour l'étage de sor- tie comme cela a été indiqué précédemment. La présente invention propose une nouvelle solution au problème posé. Selon l'invention, plutôt que d'essayer de perfectionner l'amplificateur d'asservissement, on propose de supprimer le fonc- tionnement impulsionnel de la pompe de charge. Plus précisément, la présente invention prévoit de com- biner à la pompe de charge décrite précédemment une deuxième pompe de charge fonctionnant en alternance avec la première. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la- description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1A et IB, déjà décrites, représentent d'une part un circuit selon l'art antérieur (figure 1A) et d'autre part un ensemble de courbes correspondant à l'évolution dans le temps de signaux de tension par rapport à un signal d'horloge (figure lB); la figure 2 représente une vue détaillée de la structure d'un amplificateur opérationnel du circuit de la figure 1A selon l'art antérieur; et les figures 3A et 3B représentent d'une part un circuit selon la présente invention (figure 3A) et d'autre part un ensem- ble de courbes correspondant à l'évolution dans le temps de signaux de tension et de courant par rapport à des signaux d'horloge (figure 3B). La figure 3A représente un circuit selon la présente in- vention. On retrouve, comme sur la figure 1A, le transistor MOS de puissance MP, la charge L, la boucle d'asservissement comprenant l'amplificateur opérationnel A, le miroir de courant I et la pompe de charge Pl. Par rapport au circuit de la figure 1A, il a été rajouté une deuxième pompe de charge P2 symétrique de la première pompe de charge Pl. Un commutateur 4-1 comprend une borne 5-1 et une borne 6-1 connectées aux bornes 1 et 3 de la source d'alimentation, res- pectivement. Ce commutateur comprend également une borne 7-1 rece- vant des signaux d'horloge inversés CK* et une sortie 9-1 reliée à la source de tension auxiliaire 8 par l'intermédiaire d'une diode 10-1, polarisée en direct, et d'une capacité 11-1 située entre la diode 10-1 et le commutateur 4-1. Celle des bornes de la capacité 11-1 qui n'est pas connectée au commutateur 4-1 est reliée à l'anode d'une diode 12-1 dont la cathode est reliée à la borne de sortie H de la pompe de charge Pi, cette cathode constituant la sortie de la pompe de charge P2. Les pompes de charge Pl et P2 fonctionnant en alternance l'une avec l'autre, la tension V(H) est maintenue, sans disconti- nuits, à un niveau proche de VCC+VS-2Vd. Cette tension reste donc supérieure ou égale à la tension de la grille GP et un courant IG circule en permanence, d'o il résulte que le problème de la charge et de la décharge de la capacité grille-source du transistor de l'étage de sortie de l'amplificateur ne se pose plus. Le fonctionnement du circuit est visualisé avec les cour- bes de la figure 3B qui représentent le signal d'horloge CK, le signal d'horloge inversé CK*, la tension V(R) au point H et le courant IG qui traverse le transistor M2. En plus de la suppression du bruit, l'utilisation du pro- cédé selon l'invention permet de choisir librement les dimensions du transistor M5 puisque la valeur de sa capacité grille-source peut être augnente sans inconvénient. En particulier, on pourra augmenter de façon notable ces dimensions pour améliorer la stabi- lité de l'asservissement. REVEUiDICATIOUS 1. Circuit comprenant un transistor MOS de puissance (MP) du type nécessitant pour sa mise en conduction une tension de grille supérieure à la tension d'alimentation (VCC) quand son drain (DP) est relié à la source d'alimentation et sa source (SP) à une charge (L), et comprenant pour réguler sa tension de sortie une boucle d'asservissement agissant sur la grille du transistor MOS dont la tension de mise en conduction est fournie par un cir- cuit élévateur formé d'un premier circuit du type à diode-capacité dit première pompe de charge, ce circuit étant réalisé dans une technologie susceptible d'incorporer dans une même puce de circuit intégré des transistors O40S de puissance, des transistors '^OS logiques et des transistors bipolaires, caractérisé en ce que le circuit élévateur comprend un deuxième circuit du type à diode- capacité dit deuxième pompe de charge fonctionnant en alternance avec le premier. 2. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque pompe de charge comprend: - un commutateur (4, 4-1) fournissant un signal en cré- neaux, et - un montage en série d'une capacité (11, 11-1) et d'une première diode (10, 10-1), ce montage étant connecté entre une source de tension auxiliaire (8) et la sortie (9, 9-1) du commuta- teur, de sorte que la capacité se charge quand la sortie du commu- tateur est à bas niveau, une deuxième diode (12, 12-1) étant connectée entre le point de connexion de la capacité et de la pre- mière diode et une borne d'utilisation (X); et en ce que les commutateurs des deux pompes de charge fonctionnent en opposition de phase. 3. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la boucle d'asservissement est conposée d'un amplificateur opérationnel (A) et d'une source de tension de référence (14), l'amplificateur opérationnel comprenant une première entrée (El) connectée a la source (SP) du transistor MOS de puissance (MP),- une deuxième entrée (E2) reliée à la source de tension de référen- ce et une sortie (SG) reliée à la grille (GP) du transistor MOS. 4. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première branche d'un miroir de courant, dont la deuxième branche est reliée à une source de courant prédéterminé (13), est intercalée entre le circuit élEvateur et la grille (GP) du tran- sistor MOS de puissance (MP).