Brevet FR2636481A1 — publié le 19900316

DIODE ACTIVE INTEGRABLE La présente invention concerne un dispositif de protec- tion contre des tensions inverses d'un circuit logique; plus particulièrement, elle concerne un tel dispositif de protection de circuit logique dans le cas d'une structure mixte comprenant une partie logique et une partie de puissance du type à transistors MOS verticaux. La figure 1 représente un schéma électrique comprenant une source de tension 1, par exemple la batterie d'une automobile, une partie de commutation de puissance 2 et une partie logique 3. La partie de commutation de puissance 2 permet d'alimenter une charge L. La partie logique 3 est pourvue d'entrées externes 4. Une diode zener, non représentée sur la figure, est généralement montre en parallèle de la source de tension. Cette diode zener permet d'écrêter la tension quand la source de tension fournit une alimentation en sens direct. La protection du circuit logique 3 contre les tensions inverses doit être assurée par une diode 5. Cette diode est exté- rieure à la partie logique 3. Il serait très avantageux que la diode 5 face partie du même circuit intégré que la partie logique 3. La figure 2 représente, en coupe, un exemple de struc- ture mixte classique dans laquelle la partie de puissance est représentée de façon schématique par une cellule d'un transistor MOS de puissance vertical de type diffusé (VDMOS) TP et la partie logique par un transistor MOS TL. La structure est réalisée dans un substrat 11 d'un pre- mier type de conductivité, par exemple de type N. Une cellule d'un transistor MOS de puissance TP comprend une région 9-1, 9-2 cons- tituée par des diffusions d'un deuxième type de conductivité, par exemple de type P. Dans chaque région 9-1, 9-2 sont réalisées deux diffusions 14 de type N+ qui constituent la source du transistor de puissance. Les deux diffusions 14 sont connectées entre elles par une couche conductrice 15 qui est par exemple réalisée en alu- minium. Les bords latéraux des régions 9-1, 9-2 constituent une région de canal 20 du transistor de puissance. Chaque cellule d'un transistor MOS de puissance TP com- prend une grille 12 formée par une couche de silicium polycristal- lin. Cette grille 12 est séparée du substrat 11 par une couche d'oxyde 13. La face arrière 17 du substrat 11 comprend une couche surdopée 19 revêtue d'une métallisation de drain 18. Le transistor MOS TL de la partie logique est formé dans un caisson 24 de type P. Ce caisson 24 comporte deux diffusions de type N+, une première diffusion constituant la source 22 et la seconde diffusion constituant le drain 23 du transistor TL. Ce transistor comprend une grille 21 constituée par une couche de silicium polycristallin. La grille 21 est séparée du caisson 24 par une couche d'oxyde 25. Les diffusions constituant la source 22 et le drain 23 sont chacune connectée à une ligne conductrice désignée par 26, 27, respectivement. Ces lignes conductrices 26, 27 sont par exemple réalisées en aluminium. De façon classique, on prévoit dans le caisson 24 une zone 28 de type P+ connectée à une couche conductrice 29. La zone 28 et la couche conductrice 29 permettent la mise à la masse du caisson 24. Pour réaliser une diode de protection intégrée de cir- cuit logique dans une structure du type de celle de la figure 2, on pourrait envisager la solution représentée sur la figure 3. On retrouve sur la figure 3 le transistor logique TL formé dans un caisson 24 qui comprend une diffusion constituant la source 22 et une diffusion constituant le drain 23 du transistor. Le transistor comprend également une grille 21. Dans cette structure, la zone 28 représentée sur la fi- gure 2, dont le dopage élevé était de type P+, est remplacée par une zone 41 qui a un dopage élevé de type N+. Cette structure pré- sente ainsi une diode 42 au niveau de la jonction entre le caisson 24, de type P, et la zone 41. Cette diode 42 assure la protection de la partie logique contre des tensions inverses. Cependant, cette configuration pré- sente plusieurs inconvénients. Tout d'abord, le niveau de masse est décalé d'une ten- sion correspondant à la chute de tension aux bornes d'une diode polarisée en direct. Cette chute de tension VF a une valeur typi- que de 0,7 volt. Par exemple, dans le cas d'une logique à deux états "0" et "1" de type TTL, le niveau logique "0" correspond à une tension inférieure à 0,4 volt et le niveau logique "1' corres- pond à une tension supérieure à 2 volts. Avec un décalage de 0,7 volt, le niveau "0" correspondant à la configuration représentée sur la figure 3 ne sera pas compatible avec le niveau "0" de la logique TTL. Un deuxième inconvénient est dû à ce que la diode 42 est en fait réalisée par la Jonction émetteur-base d'un transistor bi- polaire parasite NPN dont le collecteur est constitué par les cou- ches 11, 19 de type N, l'émetteur est constitué par la zone 41 et la base est constituée par le caisson 24, la base n'étant connec- tée à aucun élément à potentiel défini. Ce transistor bipolaire parasite XPN à base flottante présente une mauvaise tenue en tension (une tenue en tension infé- rieure à celle du transistor MOS de puissance TP). Ainsi, dans la situation o le transistor MOS de puissance TP est à l'état blo- qué, l'apparition d'une tension élevée aux bornes de la source de tension entrainera le claquage du transistor bipolaire parasite NPN avant celui du transistor MOS de puissance TP. La présente invention propose une nouvelle structure qui permet de réaliser un dispositif de protection, ou diode active de protection, intégré à la partie logique. Selon l'invention, la diode active de protection contre des tensions inverses d'une par- tie logique comprise dans une structure monolithique qui comporte une partie logique et une partie de puissance de type à transistor MOS vertical et qui est connectée à une source de tension d'alimentation, la partie logique étant constituée de transistors MOS classiques situés dans un caisson d'un premier type de conduc- tivit& formé dans un substrat du deuxième type de conductivité, la face arrière du substrat correspondant au drain du transistor MOS vertical, ce caisson comprenant une surface supérieure, la diode active de protection étant réalisée dans ledit caisson, comprend un transistor MOS dont la grille est commandée par une tension dont le signe est représentatif de la polarité de la tension d'alimentation, dont la région de drain est connectée à la masse, et, une zone profonde à dopage élevé du premier type de conducti- vite s'étendant à partir de la surface supérieure du caisson, cet- te zone étant reliée à la source du transistor MOS. Ces objets, caractéristiques, et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposes plus en détail dans la description suivante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1, déjà décrite, représente un schéma électrique comprenant une partie de commutation de puissance et une partie logique à protéger; la figure 2, déjà décrite, représente en coupe un exemple de structure mixte classique dans laquelle la partie de puissance est représentée de façon schématique sous forme d'une cellule d'un transistor MOS de puissance vertical de type diffusé (VDMOS) et la partie logique par un transistor MOS; la figure 3, déjà décrite, représente en coupe une structure dans laquelle une première façon de réaliser un disposi- tif de protection intégré & la partie logique est présentée; la figure 4 représente une vue en coupe de l'implanta- tion d'une structure selon la présente invention dans laquelle un dispositif de protection est intégré à la partie logique; les figures 5A, 5B et 5C représentent des schémas 6lec- triques équivalents au dispositif de protection pr&senté sur la figure 4; et la figure 6 représente un schéma électrique d'un système de commande du dispositif de protection de la partie logique. De façon générale, comme cela est classique dans le domaine de la représentation des circuits intégrés, on notera que les diverses vues en coupe ne sont pas représentées à l'échelle ni d'une figure à l'autre, ni à l'intérieur d'une mime figure, et notamment que les épaisseurs des couches sont dessinées arbitrai- rement dans le but de faciliter la lecture des figures. La figure 4 représente une vue en coupe de l'implanta- tion dans un substrat 60, comprenant per ailleurs un transistor MOS vertical, d'une structure selon la présente invention. La face arrisre du substrat 60 comprend une couche surdopée 73 revêtue d'une "mtallisation 74. Un transistor MOS classique TL-1 comprend une grille 61 formée par une couche de silicium polycristallin et des rigions de source 62 et de drain 63 qui sont formées par une diffusion de type N+. Le transistor TL- 1 est situé avec d'autres transistors d'un circuit de commande dans un caisson 64 de type P. Un transistor MOS TS comprend une grille 65 formée par une couche de silicium polycristallin et des régions de source 66 et de drain 67 formées par une diffusion de type N+, ce transistor TS étant situé dans le mame caisson 64 que le transistor TL-1. Une couche conductrice 68, réalisée par exemple en aluminium, est connectée à la région de drain 67 et permet la mise à la masse de cette rigion de drain. Le caisson 64 présente une surface de caisson supérieure 69 et une surface de caisson inférieure 70 qui est située entre le caisson et le substrat 60. Une zone 71 à dopage élevé de type P+ est formée à partir de la surface de caisson supérieure et est connectée à la région de source 66 par une couche conductrice 72, réaliste par exemple en aluminium. Cette zone 71 peut s'étendre jusqu'à la surface de caisson inférieure 70 comme cela -est repré- senté. Dans cette structure apparalt un transistor bipolaire de type NPN dont l'émetteur est constitué par la région de drain 67 du transistor TS, la base par le caisson 64 et le collecteur par les couches 60, 73 de drain du transistor MOS vertical de puissan- ce (voir figure 2). Le transistor TS et le transistor bipolaire NPN consti- tuent le dispositif de protection selon l'invention. Les figures 5A, 5B et 5C représentent des schémas élec- triques équivalents au dispositif de protection présenté sur la figure 4. On désigne sur ces figures le transistor bipolaire NPN de la structure représentée sur la figure 4 par 81. La grille du transistor TS est désignée par 82, la source par 83 et le drain par 84. On désigne sur les figures 5A, 5B et 5C l'émetteur du transistor bipolaire NPN par 85, la base par 86 et le collecteur par 87. Le transistor TS peut se trouver dans deux états suivant le signe de la tension appliquée sur sa grille. Dans le cas o la tension appliquée sur sa grille est positive, le transistor TS est dans un état passant. Ce cas est représenté sur la figure 5B. La base 86 et l'émetteur 85 du tran- sistor bipolaire 81 sont alors reliés. Le transistor bipolaire 81 est équivalent à une diode 88 qui est constituée, comme cela peut être observé sur la figure 4, par le caisson 64 et le substrat 60. Le caisson est alors au potentiel de la masse. Dans le cas o la tension appliquée sur sa grille est négative, le transistor MOS TS est dans un état bloqué. Ce cas est repr&senté sur la figure 5C. La base 86 du transistor bipolaire n'est pas reliée à un potentiel défini. Le transistor bipolaire 81 est équivalent à deux diodes 88 et 89, la diode 88 étant consti- tuée comme dans le cas de la figure 5B par le caisson 64 et le substrat 60, et la diode 89 étant constituée par le caisson 64 et la rEgion de drain 67. La diode 89 permet la protection de la par- tie logique du circuit. En appliquant une tension négative sur la grille du transistor TS seulement en cas d'inversion de polarité sur la bor- ne de drain 74, on peut donc obtenir, ou bien une liaison du cais- son à la masse quand la polarité est correcte, ou bien l'insertion d'une diode de protection pendant une inversion de polarité. La figure 6 représente un schéma électrique d'un exemple de circuit de commande du dispositif de protection de la figure 4. Ce circuit de commande comprend une diode de type zener 101, re- liée entre grille et source du transistor TS, une résistance 102 de valeur &levée (une valeur typique de la résistance 102 est 1 m6gohas) et une diode 103 en parallèles, connectées entre la gril- le du transistor et une borne 104. La borne 104 est reliée au drain du transistor MOS de puissance, c'est-à-dire normalement à la borne positive de l'alimentation. Si la tension appliquée sur la grille du transistor MOS TS est positive, le transistor TS est à l'état passant. La diode sener 101 permet de limiter la tension grille-source du transistor NOS TS. La partie logique consomme un courant I qui s'écoule à travers le transistor TS. Si l'on inverse la polarisation de la source de tension, la tension appliquée sur la grille du transis- tor TS est négative, le transistor est à l'état bloqué. On se retrouve dans le cas de la figure 5C oh la diode 89 assure la pro- tection de la partie logique. Lorsqu'une inversion brutale de polarisation se produit alors que le circuit fonctionnait en régime continu avec une ten- sion appliquée sur-la grille du transistor MOS TS positive, il est nécessaire que le transistor TS soit mis à l'état bloqué très ra- pidement, afin que la protection de la partie logique soit assu- rée. Cette mise à l'état bloqué est rendue possible par la présence de la diode 103 qui permet une décharge très rapide de la grille du transistor TS. Il est également nécessaire que le transistor TS ne soit remis à l'état passant qu'avec un certain retard après que la ten- sion appliquée sur la grille du transistor TS ne soit redevenue positive. Cela permet de filtrer des oscillations de haute fra- quence lorsque la tension d'alimentation est proche de O volt. Cela est réalisé avec la résistance 102 qui introduit une constan- te de temps de charge t de la grille du transistor TS. Avec une valeur de résistance de l'ordre de 1 mégohms, la constante de temps de charge t aura une valeur de l'ordre de 5 microsecondes. REVENDICATIONS 1. Diode active de protection contre des tensions inver- ses d'une partie logique comprise dans une structure monolithique qui comporte une partie logique et une partie de puissance de type a transistor MOS vertical et qui est connectée a une source de tension d'alimentation, la partie logique étant constituée de transistors MOS classiques situés dans un caisson d'un premier type de conductivité form& dans un substrat du deuxième type de conductivité, la face arrière du substrat correspondant au drain du transistor MOS vertical, ce caisson comprenant une surface su- périeure (69), la diode active de protection étant r&alisée dans ledit caisson, caractérisée en ce qu'elle comprend: - un transistor MOS dont la grille est commandée par une tension dont le signe est représentatif de la polarité de la ten- sion d'alimentation, dont la région de drain est connectée à la masse, et - une zone (71) profonde à dopage élevé du premier type de conductivité s'étendant à partir de la surface supérieure (69) du caisson, cette zone étant reliée à la source du transistor IIOS. 2. Diode active de protection selon la revendication 1, caractérisée en ce que le transistor MOS a sa grille connectée à une résistance (102) et une diode (103) montées en prallèle entre ladite grille et une borne (104) reliée au drain du transistor HOS vertical. 3. Diode active de protection salon l'une des revendica- tions 1 ou 2, caractérisée en ce qu'une diode zener (101) est re- li6e entre grille et source du transistor MOS.