Brevet FR2647967A1 — publié le 19901207

DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE SUR SUBSTRAT SEMI-ISOLANT ET PROCEDES DE REALISATION D'UN TEL DISPOSITIF La présente invention concerne un dispositif optoélectronique sur substrat semi-isolant ainsi que divers procédés de réalisation d'un tel dispositif. Il existe actuellement un intérêt croissant pour les transmissions sur fibres optiques de.sgnaux de très hautes fréquences tels que des signaux "radar". Aussi observe-t-on une forte demande pour la mise au point de dispositifs optoélectroniques permettant d'atteindre la bande X (8 - 12 GHz) ou la bande KU(12-18 GHz). Actuellement, des lasers du type à ruban enterré permettent d'atteindre les 10 GHz. De tels lasers sont constitués, par exemple, par un ruban en matériau actif prévu entre deux couches de confinement inférieure et supérieure, chacune d'un type de conductivité différent, l'ensemble étant réalisé sur un substrat semi-conducteur. En fait, la limitation en fréquence de ces lasers provient essentiellement des éléments parasites situés de part et d'autre du ruban actif, en partleulier des capacités parasites dues à l'homojonction P-N formée par le recouvrement des deux couches de confinement se trouvant de part et d'autre du ruban actif. La présente invention a donc pour but de diminuer notablement cette capacité en proposant une nouvelle structure de dispositif optoélectronique réalisé sur un substrat seml-isolant. Alnsl, la présente invention a pour objet un dispositif optoélectronique sur substrat semi-isolant du type comportant, empilés l'un sur l'autre, au moins - un substrat en matériau semi-isolant, - une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, - au moins une couche active sous forme de ruban, - une couche de confinement supérieure d'un deuxième type de conductivité, caractérisé en ce que la couche de confinement Inférieure recouvre un côté du substrat semi-isolant en passant sous la couche active et en s'arrêtant au droit de cette couche active et en ce que la couche de confinement supérieure recouvre l'autre côté du substrat semi-isolant en passant sur la couche active et en s'arrêtant presque sensiblement au droit de cette couche active en laissant une surface d'homojonction P-N la plus faible possible (en général Dans ce type de dispositif, on sépare physiquement la couche de confinement de type N et celle de type P. de part et d'autre du ruban actif. En conséquence, on diminue notablement la surface de l'homojonction P-N formée par le recouvrement des deux couches et constituant un des éléments parasites prépondérant limitant la fréquence du dispositif optoélectronique. Selon un mode de réalisation permettant de bien contrôler la structure du ruban actif et des couches de confinement, la couche de confinement inférieure est constituée par la superposition d'une première couche d'arrêt d'attaque chimique, d'une couche de confinement proprement dite, d'une seconde couche *d'arrêt d'attaque chimique et d'une couche en un matériau identique à celui de la couche de confinement. Selon un autre mode de réalisation plus simple à mettre en oeuvre, la couche de confinement inférieure est constituée par la superposition d'une couche d'arrêt d'attaque chimique et de la couche de confinement proprement dite. La présente invention concerne aussi divers procédés de réalisation d'un dispositif optoélectronique tel que décrit cl-dessus. Selon un premier procédé de réalisation, le' dispositif optoélectronique est obtenu par la mise en oeuvre suivante - une première étape de réallsation sur un substrat en matériau semi-isolant, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un second type de conductivité, gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière a réaliser au moins un ruban de largeur donnée, - gravure de la couche de confinement inférieure sur un côté du substrat au droit du ruban, - une deuxième étape de réalisation sur toute la surface du substrat d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de contact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de la couche de contact et de la couche en même matériau que la couche de confinement supérieure, sur l'autre côté du substrat et sensiblement au droit du ruban, de manière à mettre à nu la couche de confinement inférleure non recouverte par la couche active, et réalisation d'un contact métallique sur la -couche de confinement inférieure. La présente Invention concerne aussi un deuxième procédé de réalisation du dispositif optoélectronlque ci-dessus qui permet de mieux contrôler les profondeurs de gravure 2C entrainant une meilleure reproductlbilité de la structure. Ce procédé comporte les étapes suivantes: - une première étape de réalisation sur un substrat en matériau semi-isolant d'une première couche d'arrêt d'attaque chimique, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, d'une seconde couche d'arrêt d'attaque chlmlque, d'une couche en un matériau Identlque à la couche de confinement inférleure, d'une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un deuxième type de conductivité, - gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière à réaliser au moins un ruban de largeur déterminée, - gravure sur un côté du substrat au droit du ruban de la couche en un matériau Identique à la couche de confinement Inférieure, de la seconde couche d'arrêt d'attaque chimique, de la couche de confinement Inférieure et de la première couche d'arrêt d'attaque chimique, cette gravure étant réalisée en utilisant une séquence d'attaques sélectives, - une deuxième étape de réalisation sur toute la surface du substrat, d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de côntact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de la couche de contact et de la couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure, sur l'autre côté du substrat et sensiblement au droit du ruban de manière à mettre à nu la couche de confinement Inférieure non recouverte par la couche active, cette gravure étant réalisée par usinage ionique de la métallisation et de la couche de contact et par une séquence d'attaques sélectives des autres couches, - réalisation d'un contact métallique sur la couche de confinement inférieure. La présente invention concerne aussi un troisième procédé de réalisation d'un dispositif optoelectronique qui présente l'avantage d'être d'une mise en oeuvre plus simple. Ce procédé comporte les étapes suivantes - une première étape de réalisation sur un substrat en matériau semi- isolant d'une couche d'arrêt d'attaque chimique, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un second type de conductivité, - gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière à réaliser au moins un ruban de iargeur déterminée et à conserver les deux couches sur un côté du ruban, - gravure sur l'autre côté et au droit du ruban, de la couche de 30. confinement supérieure et de la couche d'arrêt d'attaque chimique, cette gravure étant réalisée en utilisant une séquence d'attaques chimiques sélectives des deux couches, - une deuxième étape de réalisation sur toute la' surface du substrat d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de contact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de l'autre côté du ruban actif de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure, et - réalisation d'un contact métallique sur la couche de confinement inférieure. Par exemple, la gravure pour mettre à nu la couche de confinement inférieure est formée d'une gravure par usinage ionique de la métallisation et de la couche de contact, d'une attaque chimique sélective de la couche de confinement supérieure et d'une attaque chimique sélective de la couche active ne formant pas le ruban. Selon une autre caractéristique de la présente invention, la deuxième étape de réalisation consiste non plus à déposer une couche en un matériau semiconducteur du deuxième type de conductivité mais à déposer une couche en un matériau seml-isolant puis à diffuser dans cette couche, au-dessus du ruban, des impuretés du deuxième type de conductivité. Dans les procédés ci-dessus, les première et deuxième étapes de réalisation des couches utilisent de préférence un procédé d'épitaxle. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront à la lecture de la description de divers modes de réalisation, non limitatifs, faite cl-après avec référence aux dessins cl-annexés, dans lesquels: - les figures 1A à 1G représentent les différentes étapes de réalisation d'un dispositif optoélectronique selon un premier procédé de réalisation conforme à la présente Invention; - la figure 2 est une vue en perspective d'un dispositif optoél.ctronique obtenu selon le procédé ci-dessus - les figures 3A à JE représentent les différentes étapes de réalisation d'un dispositif optoélectronique selon un autre procédé de réalisation conforme à la présente invention; - les figures 4A à 4E représentent les différentes étapes de réalisation d'un dispositif optoélectronlque selon encore un autre procédé conforme à la présente invention - la figure 5 représente une vue en coupe d'un dispositif optoélectronique obtenu par une variante de réalisation conforme à la présente invention, et - la figure 6 est une vue en perspective d'un dispositif optoélectronlque conforme à la présente invention. Pour simplifier la description dans certaines des figures, les mêmes références désignent les mêmes élements. D'autre part, la présente invention sera décrite en se référant plus particulièrement à des lasers à ruban enterré comme type de dispositif optoélectronique conforme à la présente invention. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que la présente invention peut s'appliquer à tout dispositif optoélectronique comprenant une couche active empilée entre deux couches de confinement formant une homojonction N-P. De plus, la présente invention sera décrite en se référant à un substrat semi-lsolant en phosphure d'indium (InP) et à des matériaux semiconducteurs tels que les matériaux InP GaInAsP ou GaInAs. Toutefois, Il est évldent que la présente invention peut s'appliquer à d'autres familles de matériaux semiconducteurs, en particulier les composés III et V de la classification périodique des éléments et leurs solutions solides, tels que GaAlAs, GainAlAs, GaInAlSb, etc... De même, dans la description le ruban actif est constitué d'une seule couche. Toutefois, il est évident pour l'homme de l'art que le ruban actif peut être constitué de plusieurs sous-couches présentant des "gaps" différents de manière à former une structure à puits quantiques ou bien peut être constitué d'une couche active revêtue d'une couche de guidage réalisée sous forme d'un réseau distribué pour obtenir un laser DFB.distributed feedback en langue anglaise). On décrira maintenant avec référence aux figures 1A à 1G, un premier procédé de réalisation d'un laser à ruban enterré sur substrat semi-lsolant conforme à la présente invention. Comme représenté sur la figure 1A, on a réalisé sur un substrat semllsolant 1 en phosphure d'indlum (InP) dopé avec des impuretés telles que le fer, le cobalt ou similaire, une première épitaxle constituée d'une couche de confinement inférieure 2 réalisée en phosphure d'lndium de type N, une couche active 3 en un matériau semiconducteur choisi parmi les composés ternaires ou quaternaires des groupes III et V de classification périodique des éléments et une couche de confinement supérieure 4 réalisée en phosphure d'lndlum de type P. L'épltaxie a été réalisée de manière connue en utilisant soit un procédé d'épltaxle organométalllque en phase vapeur ou MOCVD (pour Métallo Organic Chemical Vapor Deposition) ou par un procédé d'épltaxle par Jet moléculaire (MBE). D'autre part, il est évident pour l'homme de l'art que le dispositif optoelectronlque peut aussi être réalisé avec une couche de confinement Inférieure de type P et une couche de confinement supérieure de type N. Comme représenté sur la figure lB, après avoir déposé un ruban de résine 5 sur la partie à protéger, on réalise la gravure de la couche de confinement supérieure 4 et de la couche active 3 de manière à obtenir un ruban actif de largeur W. Cette gravure est réalisée sur une profondeur qui correspond sensiblement à l'épaisseur de la couche 4 et de la couche 3. La gravure utilisée est une gravure chimique de type connu. Comme représenté sur la figure 1C, après avoir recouvert la moitié du substrat et le ruban formé des couches 3 et 4 d'une couche de résine 6, on réalise une seconde gravure. Cette gravure est réalisée sur le côté gauche du substrat dans le mode de réalisation représenté, au droit du ruban constitué des couches 4 et 3.. Ce.te gravure attaque principalement la couche de confinement in':rieure 2 et elle est réalisée sur une épaisseur el correspordant sensiblement A l'épaisseur de la couche de confinement inférleure 2 de manière A mettre à nu le substrat 1. Ensuite, comme représenté sur la figure 1D, on réalise par épitaxie sur toute la largeur du dispositif, le dépôt d'une couche 7 en phosphure d'indlum de type P. c'est-à-dire en même matériau que la couche de confinement supérieure 4. Sur cette couche 7, on dépose une couche de contact 8 réalisée en un composé ternaire de type P+ tel que du GaInAs. Sur cette couche 8, on dépose une couche métallique 9 constituée par exemple d'une double couche de platine et d'or, comme représenté sur la figure lE. Ensuite, comme représenté sur la figue iF, on dépose sur le premier côté du substrat, à savoir sur le côté gauche dans le mode de réalisation représenté, une couche de résine 10 qui s'étend de manière à recouvrir le ruban actif formé de la couche 3 et à s'arrêter sensiblement au droit de ce ruban actif. Ensuite, en utilisant tout d'abord un usinage ionique, puis une gravure chimique, on grave l'ensemble des couches 9, 8 et 7 de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure 2. Puis, comme représenté sur la figure 1G, on réalise sur cette couche de confinement inférieure 2, le dépôt d'un contact ohmique constitué par une couche d'or 11. Ainsi, on a pu réaliser un laser à ruban enterré sur un substrat seml-isolant tel que représenté en perspective sur la figure 2. Cormme on le voit clairement sur les figures 1G ou 2, dans ce cas on diminue de manière importante la surface de contact entre la couche de confinement inférieure 2 et la couche de confinement supérieure 7. On diminue donc de façon notable l'homojonctlon P-N, à savoir la capacité parasite formée par cette homojonction. Cette homojonction peut présenter une dimension inférieure à lIm. Ainsi, en utilisant ce procédé, on a pu réaliser des lasers fonctionnant à plus de 10 GHz avec une puissance de 3 mW et pour une longueur de plus de 300 prn. On décrira maintenant avec référence aux figures 3A à 3E, un autre procédé de réalisati.n d'un laser sur substrat semi-lsolant qui permet de reméc'er aux problèmes rencontrés avec les gravures chimiques traditionnelles. En effet, de telles gravures ne permettent pas un bon contrôle à la fois de la profondeur des gravures et de leur homogénéité. Comme représenté sur la figure 3A, dans le cas du nouveau procédé, on a réalisé par épitaxie sur un substrat seml-lsolant 20 constitué de phosphure d'indium InP dopé au fer ou au cobalt, une première couche 21 d'arrêt d'attaque chimique dont l'épaisseur peut être très faible, par exemple, de l'ordre de 100A. Sur cette couche 21, on a déposé par épitaxle une couche de confinement inférieure 22 en phosphure d'indlum de type N, une deuxième couche d'arrêt 23 d'attaque chimique o d'épaisseur très faible par exemple de l'ordre 100A et une couche 24 en même matériau que la couche de confinement inférieure à savoir en InP de type N, une couche active 25 et une couche de confinement supérieure 26 en InP de type P. Dans le mode de réalisation représenté, les couches d'arrêt d'attaque chimique ainsi que la couche active sont constituées par des composés quaternaires tels que GaInAsP. Dans le cadre de la présente invention, ces couches peuvent aussi être constituées par des composés ternaires. Ensuite, comme représenté sur la figure 3B, après avoir déposé un ruban de résine 27, on réalise la gravure du ruban actif en gravant les couches 26 et 25 à l'aide d'une solution d'attaques sélectives de la couche en InP puis de la couche en composé quaternaire de manière à obtenir un ruban de largeur W sur une profondeur égale à la profondeur des deux couches 26 et 25. Puis, comme représenté sur la figure 3C, on dépose une couche de résine 28 sur un côté du substrat, à savoir le côté gauche dans le mode de réalisation représenté, de manière à recouvrir le ruban formé des couches 25 et 26. On réalise ensuite une deuxième gravure sur le côté droit du substrat de manière à mettre à nu le substrat 20. Cette gravure est une gravure chimique réalisant des attaques sélectives InP/quaternaire. Ensulte comme représenté sur la figure 3D, on dépose par épitaxle, sur la structure ainsi obtenue, une couche 29 en même matériau que la. couche de confinement 26, à savoir en InP de type P et une couche de contact 30 réalisée à l'aide de composés ternaires tels que GaInAs de type P +.- On métallise la couche de contact 30 par dépôt d'une couche de platine et d'une 2647967 - couche d'or 31. Ensuite, sur l'autre côté du ruban actif 25, 26, à savoir sur le côté gauche dans le mode de réalisation représenté, on réalise une gravure de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure 22. Cette gravure est constituée tout d'abord par un usinage ionique des couches 31 et puis par une gravure chimique avec attaque sélective InP et quaternaire des couches 29, 24 et 23. Ensuite, on dépose sur la couche de confinement inférieure 22, une couche de contact de type N 32. On obtient donc avec ce procédé une limitation de la surface de l'homojonction P-N à une valeur d'environ 1 pm. Ce nouveau procédé permet de mieux contrôler les profondeurs des gravures ainsi que leur homogénéité ce qui entraîne une meilleure reproductibilité de la structure. Toutefois, ce procède demande une première épitaxie comportant de nombreuses couches. D'autre part, 11 est difficile de contrôler exactement la précision du masque de gravure des couches de type P. On propose donc ci-après un nouveau procédé de réalisation de lasers à ruban enterré sur substrat seml-isolant qui permet de résoudre en partie certains des problèmes ci-dessus. Comme représenté sur la figure 4A, on a réalisé par épitaxle sur un substrat seml-isolant 40, une couche 41 d'arrêt d'attaque chimique à base de composé quaternaire présentant une épaisseur qui peut être de l'ordre de 100A, une couche de confinement inférieure 42 en IriP dopée N, une couche active 43 à base de composés quaternaires et une couche de confinement supérieure 44 en InP dopée P. Comme représenté à la figure 4B, on a recouvert la moitié de la surface du dlspositif, à savoir la partie gauche sur les dessins, d'une couche de ràsine 45 ainsi que d'un ruban de résine 45', de manière à la'sser entre les deux un sillon 46 présentant une largeur inferieure à 1Mn. Une fois la résine déposée, on réalise par attaque chimique la gravure des couches 44 et 43 non protégées par la résine de manière à obtenir le ruban actif ainsi qu'une partie des couches 44 et 43 au-delà du sillon 46. Les gravures utilisées dans ce il cas sont des gravures sélectives InP puis composés quaternaires. Ensulte, comme représenté sur la figure 4C, on recouvre les couches 44 restantes d'une couche de résine 47 et on réalise de l'autre côté du ruban actif 43, 44 au droit de ce ruban, une gravure sélective InP et composé quaternaire de manière à mettre à nu le substrat 40. Puis, comme représenté sur la figure 4D, on dépose sur l'ensemble du dispositif par épitaxle une couche 48 en un même matériau que la couche de confinement 44, à savoir en phosphure d'indium de type P et une couche de contact 49 en composé ternaire telle que GaInAs de type P+. Comme représenté à la figure 4E, on dépose sur cette couche 49 des couches métalliques en platine et en or 50. Puis sur l'autre côté, à savoir le côté gauche de la figure 4E, on réalise tout d'abord une gravure ionique des couches 50 et 49 puis une gravure chimique sélective pour graver les couches 48, 44 et 43 de manière à mettre à nu la couche de confinement inférleure 42. Dans ce cas, on réalise une sous gravure de la couche 43 ne formant pas le ruban actif. Ensuite, comme représenté à la figure 4E, on dépose sur la couche de confinement inférieure 42 un contact ohmique, par exemple un contact de type N 51. En fait, cette façon d'utiliser la sous gravure de la couche 43 en un composé quaternaire permet un alignement beaucoup moins critique que précédemment puisque la largeur de l'homojonction P-N est définie par la largeur de la gravure réalisée avant la reprise d'épltaxle. Cette largeur peut être Inférieure à lpnm. On décrira maintenant avec référence à la figure 5 un autre mode de réalisation d'un laser à ruban enterré sur un substrat semi-isolant. Dans ce cas, le procédé utilisé est Identique au procédé décrit avec référence aux figures 3.Lors de la seconde opération d'épitaxie au lieu de déposer une couche di phosphure d'indium de type P, on dépose une couche semilsolante, à savoir dans le mode de réalisation représenté, une couche de phosphure d'indium dopée avec du fer. Puis on réalise au-dessus des couches 63 et 64 formant le ruban actif une diffusion de type P. par exemple une diffusion de zinc à travers un masque de diffusion. Cette diffusion est réalisée jusqu'au niveau de la couche de confinement supérieure 64 située au-dessus de la couche active 63 et réalisée au cours de la première épltaxie. Dans ce cas, l'homojonction P-N est supprimée. Il n'y a plus de courant de fuite et de capacité parasite. De même, les dimensions des gravures situées de part et d'autre du ruban actif deviennent moins critiques ainsi que les précisions d'alignement. De ce fait, l'utilisation de cette couche peut être mise en oeuvre aussi bien avec le procédé des figures 1 que le procédé des figures 3. Le laser ainsi obtenu est donc constitué d'un substrat semi-isolant 60, d'une couche d'arrêt d'attaque chimique 61, d'une couche de confinement inférieure 62 s'étendant sur un côté du substrat 60, d'un ruban actif 63, d'une couche de confinement supérieure 64, d'une couche d'un matériau sernmi-isolant 65 s'étendant sur l'autre côté du substrat et recouvrant le ruban actif d'une couche de contact 67, de la zone de diffusion d'impureté 66 et d'un contact 68 déposé sur la couche de confinement 62. L'utilisation de diffusions permet d'intégrer facilement plusieurs dispositifs optoélectronlques du type à ruban enterré sur un même substrat semi-isolant. Un mode de réalisation de l'intégration de deux lasers à commandes séparées a été représenté à titre d'exemple sur la figure 6. Ce dispositif a été réalisé en utilisant le procédé de la figure 5. De ce fait, les mêmes éléments portent les mêmes références. En utilisant le procédé de la figure 5, on a réalisé deux rubans actifs 63, 63' recouverts chacun d'une zone de confinement supérieure 64, 64' en InP de type P de manière connue. Sur cette zone, et après avoir déposé et gravé une couche semi-isolante 65, on a réalisé deux diffusions 66', 66 sur toute la longueur du dispositif. Ces diffusions sont recouvertes de couches de contact 67, 67'. Pour éviter le contact de la métallisation 67 avec la métallisation 67', une couche de diélectrique 69 est déposée sur une partie du contact 67. Il est évident pour l'homme de l'art que le même procédé peut être utilisé pour Intégrer d'autres dispositifs optoélectroniques. REVENDICATIONS 1. Dispositif optoélectronique sur substrat seml-lsolant du type comportant empilés l'un sur l'autre, au $ moins - un substrat en matériau seml-isolant (1, 20, 40, 60), - une couche de confinement inférieure (2, 22, 42, 62) d'un premier type de conductivité, - au moins une couche active (3, 25, 43, 63) sous forme de ruban, - une couche de confinement supérieure (4, 26, 44, 64) d'un deuxième type de conductivité, caractérisé en ce que la couche de confinement inférieure recouvre un côté du substrat seml-lsolant en passant sous la couche active et en s'arrêtant sensiblement au droit de cette couche active et en ce que la couche de confinement supérieure recouvre l'autre côté du substrat seml- lsolant en passant sur la couche active et en s'arrêtant sensiblement au droit de cette couche active. 2. Dispositlf selon la revendication 1, caractérlsé en ce que la couche de confinement Inférieure est constituée par la superposition d'une première couche d'arrêt d'attaque chimique (21), d'une couche de confinement proprement dite (22), d'une seconde couche d'arrêt d'attaque chimique (23) et d'une couche (24) en un matériau Identlque à celui de la couche de confinement. 25.3. Disposltlf selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de confinement inférieure est constituée par la superposition d'une couche d'arrêt d'attaque chimique (41) et de la couche de confinement proprement dite (42). 4. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 2 et 3, caractérisé en ce que les couches d'arrêt d'attaque chimique sont constituées en un matériau semiconducteur dope n. 5. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 A 3, caractérisé en ce que la couche de confinement inférleure est réalisée en un matériau semi-conducteur dopé n et la couche de confinement supérieure est réalisée en un matériau semiconducteur dopé p. 6. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de confinement inférieure est réalisée en un matériau semiconducteur dopé p et la couche de confinement supérieure est réalisée en un matériau semiconducteur dopé n. 7. Dispositlf selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche de confinement supérieure est réalisée en un matériau seml-Isolant dans lequel a été créée par diffusion une zone dopée p ou n suivant le dopage de la couche de confinement inférieure au-dessus de la couche active.. 8. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche active est en matériau semi-conducteur. 9. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 4 à 8, caractérisé en ce que les matériaux semiconducteurs sont des composés des groupes III et V de la classification périodique des éléments. 10. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que les couches de confinement optique inférieure et supérieure sont réalisées avec des composés binaires. 11. Dispositlf selon la revendication 9, caractérisé en ce que les couches d'arrêt d'attaque chimique sont réalisées avec des composés quaternaires ou ternaires. 12. Dispositif selon la revendication 9, caractérisé en ce que la couche active est réalisée avec des composés quaternaires ou ternaires. 13. Dispositif selon l'une quelconque des revendications.1 et 7, caractérisé en ce que le matériau semi-isolant est réalisé avec des composés binaires III et V de la classification périodique des éléments qui ont. été dopés avec des impuretés telles que le fer et le cobalt. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la couche active est formée d'une couche active recouverte d'une couche de guidage réalisée sous forme d'un réseau distribué. 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 1 à 13, caractérisé en ce que la couche active est constituée d'un empilement de couches de matériaux à gaps différents. 16. Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronlque selon l'une quelconque des revendications 1, 5, 6, caractérisé par les étapes suivantes: - une première étape de réalisation sur un substrat en matériau semi-isolant, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un second type de conductivité, - gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière à réaliser au moins un ruban de largeur donnée, gravure de la couche de confinement Inférieure sur un côté du substrat au droit du ruban, - une deuxième étape de réalisation sur toute la surface du substrat d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de contact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de la couche de contact et de la couche de confinement supérieure sur l'autre côté du substrat et sensiblement au droit du ruban de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure non recouverte par la couche active, et - réalisation d'un contact métallique sur la couche de confinement inférliure. 17. Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronique selon l'une quelconque des revendications 2, 4 à 6 et 8 à 15, caractérisé par les étapes suivantes - une première étape de réalisation sur un substrat en matériau semi-isolant d'une première couche d'arrêt. d'attaque chimique, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductlvité, d'une seconde couche d'arrêt d'attaque chlmlque, d'une couche en un matériau identique à la couche de confinement inférieure, d'une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un deuxième type de conductivité, - gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière à réaliser au moins' un ruban de largeur déterminée, - gravure, sur un côté du substrat au droit du ruban, de la couche en un matériau Identique à la couche de confinement inférieure, de la seconde couche d'arrêt d'attaque chimique, de la couche de confinement inférieure et de la première couche d'arrêt d'attaque chimique, cette gravure étant réalisée en utilisant une séquence d'attaques sélectives, - une deuxième étape de réalisation sur toute la surface du substrat, d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de contact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de la couche de contact et de la couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure, sur l'autre côté du substrat et sensiblement au droit du ruban de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure non recouverte par la couche active, cette gravure étant réalisée par usinage Ionique de la métallisation et de la couche de contact et par une séquence d'attaques sélectives des autres couches, - réallsation d'un contact métallique sur la couche de confinem.ent inférieure. 18. Procédé de réalisation d'un dispositif optoélectronlque selon l'une quelconque des revendications 3 à 6, et 8 à 15, caractérisé par les étapes suivantes - une première étape de réalisation sur un substrat en matériau semi-lsolant, d'une couche d'arrêt d'attaque chimique, d'une couche de confinement inférieure d'un premier type de conductivité, d'au moins une couche active et d'une couche de confinement supérieure d'un second type de eonductlvité, - gravure de la couche de confinement supérieure et de la couche active de manière à réaliser au moins un ruban de largeur déterminée et à conserver les deux couches sur un côté du ruban, - gravure sur l'autre côté et au droit du ruban, de la couche de confinement supérieure et de la couche. d'arrêt d'attaque chimique, cette gravure étant réalisée en utilisant une séquence d'attaques sélectives des deux couches, - une deuxième étape de réalisation sur toute la surface du substrat d'une couche en un même matériau que la couche de confinement supérieure et d'une couche de contact, - métallisation de la couche de contact, - gravure de l'autre côté de manière à mettre à nu la couche de confinement inférieure, et. - réalisation d'un contact métallique sur la couche de confinement inférieure. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en 2G ce que la gravure pour mettre à nu la couche de confinement inférieure est formée d'une gravure par usinage ionique de la métallisation et de la couche de contact, d'une attaque chimique sélective de la couche de confinement supérieure et d'une attaque chimique sélective de la couche active ne formant pas le ruban. 20. Procédé selon l'une quelconque des revendications 16 à 19, caractérisé en ce que la deuxième étape de réalisation consiste à déposer une couche sur une matériau sem.l-isolant, puis à diffuser tans cette couche, au-dessus du ruban, des 30. impuretés du d.uxième type de conductivité et à déposer sur la couche ainsi obtenue une couche de contact. 21. Procédé selon l'une quelconque des revendications 16 à 20, caractérisé en ce que les première et deuxième étapes de réalisation des couches se font par un procédé d'épltaxie. 22. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que le procédé d'épltaxie est une épitaxie en phase vapeur ou par jet moléculaire.