Brevet FR2639784A1 — publié le 19900601

STRUCTURE MONOLITHIQUE DE DETECTION OU D'IMAGERIE INFRA- ROUGE ET SON PROCEDE DE FABRICATION DESCRIPTION L'invention se rapporte à une structure monoLi- thique ou intégrée pour La détection ou l'imagerie infra- rouge ainsi que son procédé de fabrication. Elle permet la réalisation en grande série et de façon industrieLLe de dispositifs de prise de vue infrarouge pyroéLectriques dont La complexité et Le pas des senseurs élémentaires sont directement compatibles avec une visualisation sur écran au standard de télévision actueL. A l'heure actuelle, le développement ces appLi- cations civiles ce l'imagerie infrarouge telles Que les applications médicales, La surveillance de zones à haut risque c'incendies, est techniquement freiné par le manque d'une technologie industrielle des détec- teurs à faible coût pour application grand public. Les dispositifs ce détection infrarouge sont fondés sur la propriété qu'ont un certain nombre ace corps diélectriques d'avoir une polarisation spontanée, c'est-à-dire un champ électrique interne rémanent, qui varie en fonction de La température. Cette propriété est l'effet pyroéLect-iQie. La variation de température est proportionnelle à l'énergie oJ signal photonique incioen:. A énergie donnée, elle est d'autant plus grande que Le détecteur est à faible capacité thermique ce qui conduit à réaliser une couche pyroéiectrique mince pour minimiser le volume de jétection. La variation de polarisation se manifeste aux bornes du détecteur par une variation de charges. Deux électrodes métalliques déposées à la surface du diélectrique permettent de constituer un condensateur aux bornes duquel il est possible de mesurer la tension lorsqu'il est lu par un circuit à haute impédance d'en- trée au type transistor MOS. Cette tension, quelques millivolts, est proportionnelle à la variation de L'éner- gie incidente. Les matériaux pyroélectriques généralement utiLisés sont donnés dans l'article "PyroeLectric devices and materials" de R.W. Watemoore, Rep. Prog. Phys. 49, de 1986, pp. 1335-1386. Parmi ces matériaux, on peut citer les poly- mères ou copolymères du type fluorure de polyvinyliaène. Sur la figure 1, on a représenté schématique- ment, et en perspective, un premier moae ae réalisation d'un détecteur à infrarouge connu, décrit en particulier dans le document "FerroeLectrics for infrared aetection and imaging" de R. Watton IEEE Int. Symp. on AppLications of Ferroelectrics, Juin 1986, BethLehem, USA. Dans ce détecteur, La partie détectrice est connectée au circuit de lecture par u- technique d'hybridation. Comme représenté sur la figure 1, chaque sen- seur 2 du détecteur comporte deux électrodes 4 et 6 disposées sur les faces opposées du matériau pyroêlectri- que 8. Le vecteur de polarisation 9 doit être perpendicu- Laire à la surface ces électrodes 4 et 6. Un matériau isoLant thermique 12 isole craque senseur 2 d'une brasure ou plot métalLique 14 d'hybrication. Pour chaque senseur, une métaLisaticr 16 assure aLors Le contact entre l'électrode 6 et La brasure 14. Les senseurs 2, constituant les points élémen- taires en imagerie, sont isolés thermiquement et mécani- quement les uns des autres par gravure de matériaux pyroéLectrique 8, conducteur 6 et isolant 12. Cette isolation porte la référence 15. La lecture de la tension sur l'électrode 6, résultant de l'interaction d'un rayonnement infrarouge 17 avec Le détecteur, faite est, via des lignes de com- mande 22, dans un circuit intégré 18 réalisé dans du silicium, à L'aide c'un étage amplificateur 20 à une seule entrée, l'électrode 4 commune à tous Les senseurs 2 servant de référence pour tous les senseurs. Pour simplifier la description et les figures, le circuit intégré n'est représenté que sous forme fonctionnelle. Cette disposition du détecteur interdit un gain supérieur à 100. En outre, cette technologie néces- site un nombre important de masques et en particuLier six niveaux de masquage pour La fabrication de la partie détectrice. Une réalisation plus récente d'un dispositif de détection est représentée scnématiquemert, en perspec- tive, sur La figure 2. Cette réalisation est en particu- lier adécrite aans L'articLe "Type II pyroelectric detec- tors" de A. Hadni, Infrared Physics, vol. 27, n 01, pp 17-23, de 1987. Dans cette réalisation, les deux électrodes 4a et 6a de chaque Senseur 2a sont disposées sur la même face au matériau pyroéLectrique 8a et sont connec- tées respectivement au circuit de lecture 18a par deux brasures 14a et 14D. Dans cette structure, le vecteur polarisation 9a doit être paraLLèLe au plan des éLectro- aes 4a et oa. La zone u île à la détection, symDolisée en traits mixtes et référencée 24, est approximativement Le volume ayant pour Dase la surface entre les éLectrodes 4a et 6a et dont La hauteur est égale à La distance d entre ces électrodes. Cette structure est préférable à celle représentée sur la figure 1 car il n'y a pas d'électrode commune, mal soutenue dans les zones d'isolation 15 (zones entre chaque senseur); cette électrode commune est donc fragile et peu fiable. En outre, les deux électrodes 4a et 6a sont situées sur la face d'hybridation et permettent la lecture de chaque senseur 2a par un amplificateur différentiel 20a. On sait que ce type d'ampLificateur élimine Les bruits qui apparaissent en mode commun tel que Le bruit piézoélectrique et autorise ainsi, pour chaque senseur, une amplification avec un gain pouvant atteindre la valeur 1000. Dans ce mode de réalisation, des métallisations 16a et 16b assurent respectivement le contact électrique entre les électrodes 4a, 6a et les brasures 14a et 14b. En outre, un matériau isolant thermique 12a isole chaque senseur 2a de ces deux brasures. Là encore, l'isolation tnermique et mécanique a des senseurs est assurée par une gravure de la couche d'isolant 12a et ce La couche pyroéLectrique 8a. Les deux modes de réalisation ci-dessus présen- tent un certain nombre c'inconvénients. En effet, les connexions métaLLiques 16, 16a, 16b entre le senseur et le circuit intégré constituent des ponts thermiques qui limitent l'élévation de tempéra- tures du détecteur et donc atténuent d'autant la varia- tion de tension, alors que le bruit de lecture n'est pas atténué; la détection du signal infrarouge est fortement dégradée. De plus, les contrairnes tocologiques liées à la réalisation ces brasures ne permettent pas d'envisa- ger une dimensicn de cnaque senseur inférieure à 40 um. Cette dimension est supérieure à la taille de la tache de diffraction de l'optique associée au détecteur: les senseurs limitent donc la résolution angulaire de la prise de vue. En outre, l'opération d'hybridation n'est pas une étape technologique habituelle de la microélectronique. Par ailleurs, les techniques utilisables pour le dépôt et la gravure des électrodes ne permettent pas de rapprocher les électrodes à une distance d (figure 2) inférieure à La dizaine ce micromètres. La capacité du senseur est donc faible devant La capacité d'entrée du circuit de Lecture. Il en résulte une atténuation de La tension pyroéLectrique délivrée par Le détecteur. De plus, la cavité 2O sous chaque senseur 2a de la figure 2, retient des traces des produits utili- sés lors du processus de fabrication. Ces produits res- tent actifs, lorsque le dispositif de détection. est terminé, ce qui induit une dégraoation de la durée de 1U vie de ce dispositif. Ces inconvénients son: va.aoLes quel que soit le matériau pyroéLectrique ut,isé. Toutefois, ces incon- vénients sont beaucoup plus marcJés lorsque l'on utilise comme matériau sensible, un poLymère ou copolymère du type fluorure ae polyvinylicène. En particulier, l'opé- ration d'hybridation élève excessivement la température du polymère et en dégrade ses performances. De plus, le dépôt métallique nécessaire à la réalisation des électrodes sur un film très mince de polymère induit dans ce dernier, des contraintes mécaniques qui déforment le film mince et la couche de métal. La couche métaaic e ainsi aéformée devient impropre à La réalisation o'èLectrodes gravées selon les techniques oe la microéLez:-ronique. En conclusion, la:ecnnique d'hybridation des senseurs avec un circuit intégré ne permet pas la réalisation de détecteurs ou d'imageurs infrarouges, reproductibles et fiables, haute densité d'intégration. L'intégration des circuits de lecture et des senseurs a fait l'objet d'une publication "Fully-integra- ted ZnO on silicon pyroelectric Infrared Detector Array" de D.L. Pola et aI., Proceeding IEDM, 1984, pp. 282-284. La technologie décrite dans cet article ne se prête pas à une intégration haute densité. En effet, Le circuit de Lecture et le senseur qui lui est connecté ne sont pas situés L'un au-dessus ce L'autre comme décrit aux figures 1 et 2 ci-dessus. En outre, L'amincissement du siLicium nécessaire à la détection ne peut pas être fait à un faible pas, inférieur à 10 micromètres. L'invention a justement pour objet une struc- ture monolithique de détection ou d'imagerie infrarouge ainsi que son procédé de fabrication, permettant de remédier aux différents inconvénients donnés ci-dessus. En particulier, elle permet la réalisation en grande série, avec un faibLe coût de fabrication, de dispositifs de prise ce vue infrarouge ce compLexité comparable à celles des dispositifs ce aétection utilisés en image- rie visibLe e: ce pas de points élémentaires ce détection de l'ordre de 10 micromètres. De façon plus précise, L'invention a pour objet une structure monolithique de détection ou d'image- rie infrarouge comprenant: - au moins une couche ae polymère isolant électrique et tnermique, - des senseurs à infrarouge, isolés les uns des autres, comportant un film pyroéLectrique de polymère dont la face au contact ce La coucre d'isoLant est équi- pée de ceux éLectroces en forme ce peigne cont les dents sont imbriquées, le film pyroéLectrioue de polymère étant polarisé dans un plan paraLl.èLe à Lacite face du film selon des directions parallèle et perpendiculaire aux dents des peignes, - un circuit intégré comportant une face au contact de la couche isolant équipée de circuits de lecture, - des zones de contact électrique traversant de part en part la couche d'isolant et connectant les électrodes de chaque senseur à un circuit de lecture. Par senseurs isolés, il faut comprendre des senseurs isolés thermiquement, mécaniquement et électri- quement. La structure monoLithique ce L'invention permet o'exploiter au maximum les propriétés pyroélectriques des polymères pour la réalisation industrielLe de d étec- teurs solides infrarouges fiables dont la complexité est comparable à celle des CCD utilisés en prise de vue dans le visible; la résolution angulaire est aLors limitée par celle imposée par l'optique associée à la structure et non l'inverse comme dans l'art antérieur. Le polymère isolant électrique et thermique doit avoir une conductivité thermique une résistivité >1016..cm. Commc polymère isolant éLect-que et thermique utilisables dans l'invention, on peut citer Les poLyuré- thanes, les polyesters, Les polyimioes. De préférence, on utilise une couche de polyimiae. Ce matériau est utilisé non seulement grâce à ses propriétés connues en microlithographie mais encore grâce à ses propriétés o'isolant thermique qui ne sont jamais utilisées. Comme matériau pyroélectrique, on peut utiliser tout type de polymère pyroéLectrique comme par exemple les polymères polyvinylicues teLs que le fluorure de polyvinylidène connu sous L'acréviat.on PVDF. De préférence, on utiLise des copolymères ce fluorure ce viny,icène et ce:rifLuocoétrn?ène connus sous l'abréviation VDF-TRFE. Ces copolymères outre Leur faible coût présen- tent deux intérêts majeurs: a) ils sont disponibles avant polymérisation en solution visqueuse. Ils peuvent donc être déposés sur un circuit intégré selon la technique habituellement utilisée pour le dépôt des résines de masquage en techno- logie micronique. Les couches peuvent avoir une épaisseur aussi faible que 100 nm. Or, à l'encontre des autres corps pyroélectriques, la réalisation de couches minces n'impliquent aucun processus ce cristallogénèse toujours complexe et onéreux. b) la polarisation spontanée y est formée après ou pendant la polymérisation en imposant dans le volume du détecteur un champ électrique supérieur à un champ critique. Dans les autres composés la polari- sation spontanée dépend de l'orientation cristalline. Cette nécessité d'orientation rend encore plus complexe une cristallogénèse des couches minces. L'invention a aussi pour objet un procédé de fabrication de la structure monolithique décrite précédemment. Ce procédé comprend les étapes suivantes: a) dépôt d'au moins une couche de polymère isolant électrique et thermique à la surface d'un circuit intégré équipée ce circuits ce lecture puis polymérisa- tion, b) réalisation de zones de contact électrique en regard des circuits de lecture, traversant de part en part la couche d'isolant, c) dépôt d'une couche conductrice à la- surface de la couche d'isolant et des zones de contact, a) réalisation de paires d'électrodes dans la coucne conductrice, ayant la forme ce peignes, ces électrodes étant situées en regard ces zones de contact électrique, les aets ces électroces de cnaque paire étant imbriquées, e) dépôt d'un film pyroélectrique de polymère sur la structure obtenue en d) puis polymérisation de ce film, f) réalisation d'un plot pyroélectrique dans le film pyroélectrique en regard de chaque paire d'élec- trodes, et g) polarisation des plots dans un plan paral- lèle à La surface de la couche d'isolant et selon des directions parallèle et perpendiculaire aux dents des peignes, chaque pLot polarisé et ta pa re a'électrodes en contact avec lui constituant un senseur à infrarouge. Le procédé de fabrication de la structure de l'invention a l'avantage de ne mettre en oeuvre que des étapes technologiques utilisées habituellement dans la réalisation des circuits intégrés microniques ou submicroniques du type HCMOS. Cette tecnnologie permet d'optimiser les performances thermiques du senseur élémentaire et d'adapter son impédance à celui du circuit de lecture; de ce fait, elle en tire un meilleur parti. En outre, le pas ou aéteteur o ce l'imageur infrarouge ainsi que sa compliexité ne sort pLus imposés par la technique d'hybriaation. La tecnnicue de microli- thogravure mise en oeuvre dans l'invertion autorise la réalisation de viaicons solides infrarouges dont le pas du point élémentaire est ce L'oracre de la dizaine de micromètres dans des matrices ce senseurs comportant en particulier 400 Lignes de 600 points, compatibles avec la visualisation directe de l'image sur un moniteur standard au format télévision. Par ailleurs, la technologie des senseurs étant indépendante de la technologice du circuit de lectu- re, elle n'implique donc aucune eLé.at-or ce température. Aussi, les senseurs peuvent être réalisés sur n'importe quel circuit ce Lecture coqnu, e: en particulier sur des circuits en technologie AsGa ou silicium, les mieux adaptés. L'orientation de la polarisation rémanente résultante étant réalisée en fin de processus technologi- que, elle peut être répétée chaque fois qu'un événement accidentel, par exemple une température de stockage excessive, a dégradé cette polarisation. La structure de l'invention est monolithique ce qui élimine naturellement l'inconvénient lié au résidu de produits utilisés lors du processus technologique et conduit à une fiabilité qui est celle de la microélectronique. La durée de vie des détecteurs et imageurs utilisant la structure de l'invention peut être évaluée à 5 fois ce L Le des dispositifs de l'art antérieur. De façon avantageuse, la polarisation rémanente au film pyroélectrique est obtenue en utilisant les électrodes des senseurs ce qui assure l'orientation optimale du champ rémanent dans chaque senseur et ce, quelLe que soit La géométrie des électrodes. Les zones de contact électrique peuvent être réalisées par gravure oe La couche d'isolant puis dépôt -'une coucne métallique selon Les technologies connues en microélectronique. Elles peuvent aussi être obtenues soit par implantation d'ions, au travers a'un masque, rendant localement conducteur la couche a'isolant, soit préférentiellement par une modification locale des pro- priétés électriques du polymère selon une technique propre à la chimie organique, comme décrit dans l'article "Method for increasing the conductivity of silver-doped polyimides" de A. Auerbach, J. ELectrochem. Soc., a'avril 1984, p. 937-938. Ces techniques permetternt ce réaliser des contacts aussi petits que 2 micrométres de côté et permettent en conséquence d'atteindre une tai l Le de détecteur ou d'imageur infrarouge complet qui n'est pas réalisable par les procédés classiques d'hybridation. De façon avantageuse, les électrodes sont réalisées en déposant une couche conductrice en métal sur l'ensemble de la structure, en masquant les régions de cette couche de métal que l'on.désire garder à l'aide d'une résine photosensible puis en gravant de façon anisotrope la couche de métal. Cette technique microélec- tronique permet de rapprocher les électrodes de chaque senseur le plus près possible, à moins de 1 pjm, et ll donc de maximiser la capacité électrique:ctaLe au détecteur ou de l'imageur tout en conservant un volume de détection suffisant. Le dépôt du film pyroéLectrique intervenant en fin de processus technologique évite que ce dernier subisse une élévation de température risquant de dégrader ses propriétés pyroélectriques. La réalisation des senseurs infrarouges par Le procéaé conforme à l'invention est beaucoup plus simple que celle de l'art antérieur. En effet, elle ne nécessite que 3 niveaux ae masquage au Lieu ae 6 et les étapes ne sont nullement critiques. D'autres caractéristiques et a.antages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures 3 à 6 annexées, Les figures i et 2 ayant déjà été décrites. - la figure 3 représente schématiquement, en vue de dessus, une structure monolitnique de détection selon l'invention, - la figure 4 est une vue en perspective de la structure de la figure 3, - la figure 5 ilLustre les ai'fé-entes étapes de fabrication de la structure monolithique de l'inven- tion, dans un plan passant par la ligne A-A aCe La figure 3 pour les parties A-C, E et F et en perspective pour la partie D, et - la figure 6 illustre schématiquement, en coupe un dispositif utilisant la structure de l'inven- tion, capable d'effectuer, en analogie dans le plan focal de l'optique associée au détecteur, certains trai- tements d'image. La description ci-après se rapporte à un détec- teur à infrarouge en vue d'une simplification. Pour un imageur, il suffit de compléter la structure décrite par une optique appropriée, pLacée entre la partie détec- trice et le rayonnement et de compléter les circuits ce lecture par des circuits de traitement. Ces modifica- tions sont évidentes pour l'homme de l'art spécialiste en imagerie infrarouge. En référence aux figures 3 et 4, la structure monolithique de l'invention comprend une matrice 100 de senseurs à infrarouge 102 à un pas p, isolés électri- quement, thermiquement et mécaniquement les uns des autres par des tranchées 103. Ces senseurs 102 font micromètres de côté et le pas p vaut environ 12 micro- m;t res. Ces senseurs combortent chacun un fiLm 104 ce fluorure de polyvinylidéne ce motif t -CH2-CF2- ae 1 micromètre a'épaisseur, aont la face supérieure 105 est destinée à recevoir le rayon- nement infrarouge 107 à détecter ou utiliser pour l'imagerie. La face inférieure 109 du film 104, pour chaque senseur 102, est équipée de deux électrodes 106 et 108 ayant chacune la forme de peignes dont les dents sont impfriGuées; les dents 110 de l'électroce 106 pénètrent entre les dents 112 de l'électroce 108. Les électrodes 108 et 106 sont en particulier réalisées en un polymère - conoucteur tel que Les polyanilines ou en un métal habi- tuellement utilisé en microélectronique tel que le chrome. Elles présentent une épaisseur de 100 nm. Les distances e séparant les dents 110 et 112 sont de 2 micromètres et la largeur l des électrodes est de 1 micromètre. Selon l'invention, le vecteur de polarisation 111 est parallèle aux faces 105 et 109 du film et orienté selon la direction x parallèle aux dents 110 et 112 et selon la direction y perpendiculaire à ces dents. Les senseurs 102 reposent chacun sur un bloc 114 de polymère isolant thermique et électrique et en particulier de polyimiae PIQ de chez Dupont de Nemours, de 5 micromètres d'épaisseur. Les blocs 114 d'isolant reposent sur un circuit intégré 116 réalisé en technologie silicium, comportant des circuits de lecture 117. Chaque circuit ce lecture 117 est associé à un seul senseur 102. Il comporte deux transistors MOS 118 et 120 fonctionnant en interrupteur, reliés à un amplificateur différentiel 122. Les transistors 118 et 120 sont commandés par une ligne de commande 124 permettant ace connecter les Lignes conductrices 126 et 128 respectivement à toutes les électroaes 16 et 1C8 ces Dcorts é émentaires de la matrice de senseurs, via des zones de contact électrique respectivement 130 et 132; Les zones de contact électrique associées à chaque senseur traversent de part en part le bloc de polyimide 114 correspondant. Les liaisons électriques entre les transistors 118 et 120 et respectivement Les zones ce contact 130 et 132 sont assurées par des connexions 119 et 121 du circuit integré. Les surfaces ce contact 130 et 132 sont ce 2 micromètres x 2 micrométres. Le circuit de lecture a été représenté sous forme symbolique et non sos forme ce couches tecnnoLogi- ques en vue d'une simplification. La réalisation technologique de ce circuit est bien connue de l'homme de l'art. Les tranchées 103 d'isolation mécanique, élec- trique et thermique des senseurs 102 s'étendent jusqu'à la surface 134 supérieure du circuit intégré 116, bien qu'une isolation sur uniquement l'épaisseur du matériau pyroélectrique 104 soit suffisante (voir figure 6). Relativement à la technologie habituelle, la densité de points élémentaires dans une structure de l'invertion est multipliée par 16. La prise de vue est alors limitée par La tâche de diffraction de l'opti- que. Le fonctionnement de la structure conforme à l'invention est identique à celui décrit dans l'art antérieur. En référence à la figure 5, on décrit ci-après un premier mode de mise en oeuvre au procédé de fabrica- tion de la structure conforme à l'invention. Apres avoir intégré les circuits de lecture 117 sur un substrat en silicium par les procédés clas- siques ae photolithogravure, on dépose, sur l'ensemble au circuit intégré 116, une couche ce polyimide 200, poLymère couramment utilisé en photolitographie. Cette coucne 200 est déposée selon la technique de couchage des résines habituellement utilisées comme photomasque. L'épaisseur de Lette couche est contrôlée selon la technique habitueLLe de façon à optimiser sa conductance thermique de fuite. Elle présente une épaisseur pouvant aller de 0,1 à 10 micromètres et valant en particulier 1 micromètre. La structure obtenue est celle représentée sur la partie A de La figure 5. On effectue ensuite un traitement thermique à la température prescrite par le fournisseur pour polymériser le polyimide. Sur L'ensemole de la structure on dépose alors une couche 202 de résine photosensible telle que celles classiquement utilisées en microélectronique par la technique de couchage. Cette résine est en particulier une résine S 1400-27 de chez SHIPLEY. Elle présente une épaisseur de 1 pm. On effectue alors une insolation de la couche de résine 202, à travers un masque mécanique 204, pour définir l'emplacement des zones de contact électrique et 132 à réaliser. Le masque mécanique utilisé doit être tel que ses ouvertures 206 soient situées en regard des connexions 119 et 121 des transistors 118 et 120 du circuit de lecture. Après déaveloppemen- dans un développeur de chez SHIPLEY, on obtient la structure représentée sur la partie B. Les zones insolées de la couche de résine 202 ont été éliminées. A l'aide de ce premier masque ae résine 202a ainsi formé, on réalise ensuite les zones de contact électrique 130 et 132. A travers ce masque ce résine 202a, on effectue alors une implantation d'ions 205 dans La couche de polyimide 200 rendant localemert Le poLy mice conducteur (zones 130 et 132). Cette impantation est réalisée par exemple avec des ions d'arsenic à une énergie de 200 KeV et une dose de 1020ions/cm3 Cette étape technoLogique qui a formé 1;jm d'isolant thermique ainri que les zones 130 et 132 est répétée 5 fois de façon a obtenir une épaisseur d'isolant thermique de 5 im. La structure obtenue, après implantation, est celle représentée sur la partie C de la figure 5. Après élimination a. dernier masque de résine à l'aide d'un plasma d'oxygène, or effectue aLors, comme représenté sur La partie D de la figure 5, le dépôt d'une couche conductrice 208, cette couche 208 est er * particulier une couche de chrome aéposée par pulvérisa- tion magnétron de 100 nm d'épaisseur. On forme alors comme décrit précédemment, en référence à la partie A, un second masque de résine 210 définissant l'emplacement des électrodes 106 et 108 à réaLiser dans la couche 208. A cet effet, Le masque 210 assure le masquage des régions de la couche conductrice que l'on désire garder et expose celles que L'on désire éLiminer. Le masque 210 se présente sous la forme d'une multitude de peignes 210a, 21OD associés deux à deux, dont les dents sont imbriquées, pour obtenir les électro- des 106 et 108 telles que représentées sur La figure 3. On effectue alors une gravure anisotrope de la couche 208 à l'aioe ou masque 210. Pour une couche de chrome, on utilise un plasma chloré comme agent d'at- taque. La structure obtenue est représentée sur la partie E de la figure 5. Après élimination du masque 210, à l'aide o'un plasma d'oxygène, on effectue le dépôt d'une couche 212 ae fluorure oe polyvinylidène selon latechnique ce couchage ces résines habituellement utilisées en microéLectronique. Son épaisseur est aisément contrôlée afin d'optimiser la capacité thermique des senseurs et de l'adapter à la conductance de fuite thermique ou polyimide. En particulier, la couche 212 a une épais- seur allant de 0,1 à 10 micromètres et valant en particu- lier 1 micromètre. Un recuit de h à 80 C permet une polymérisation du film 212 de polyvinyle; cette polymérisation au film pyroélectrique 212 permet de le faire aanérer au polyimide 200 qui en évite ainsi les oéformations. On effectue alors par les procédés classiques ce photolithographie (voir partie A ce la figure 5) un troisième masque 214 définissant les dimensions et l'emplacement des senseurs 102 ainsi que leur isolation 103. Ce masque doit en particulier recouvrir les électro- des 106 et 108 de chaque senseur 102. A l'aide de ce masque 214, on effectue alors une gravure anisotrope du film pyroélectrique 212 en utilisant un plasma d'oxygène. Ce plasma d'oxygène, en plus de la gravure du film de polyvinyle 212, assure l'élimination du masque oe résine 214 ainsi que la gravu- re du polyimide 200. La structure obtenue est celle représentée sur la partie F de La figure 5. La dernière étape du procédé consiste à polari- ser les plots pyroéLectriques 104 obtenus en imposant une tension entre les électrodes 18 et 106 de chaque senseur 102. Le circuit destiné à cette polarisation constitue en particulier une partie du circuit intégré 116. Ceci permet la repolarisation des plots pyroéLectri- ques 104 en cas de besoin. Conformément à l'invention, la tension néces- saire pour former la polarisation spontanée 111 (voir figure 3) est appliquée colLectivement aux senseurs 102 en connectant les électrooes luô ce tos les senseurs à la ligne de commande 126, via Les interrupteurs MOS 118 et les connexions 119 et les électrodes 108 à la ligne de commande 128 via les interrupteurs MOS 120 et les connexions 121, pendant un temps qui est déterminé par le signaL appliqué à la ligne 124 et donc sur les grilLes des transistors. Ce signal est en particulier une tension continue de 50 volts et est appliqué pendant 60 min. L'orientation de la polarisation rémanente résultante, imposée par La forme des électrodes 106 et 108, est spontanément optimale pour la lecture de la tension pyroélectrique du fait oe l'utilisation de ces électrodes pour la poiarisa:icn ces blocs pyroéLec- triques. Selon un second mode de mise en oeuvre du procédé de L'invention, on forme les zones ae contact électrique 130 comme décrit dans l'article de A. Auerbach cité précédemment. A cet effet, La couche de polymère à déposer (partie A) sur le circuit intégré 116 est constituée d'un mélange d'acide poLyamique et d'un sel métallique tel que le nitrate d'argent dissous dans un solvant organique; la composition du mélange est celui de L'art antérieur. Cette couche est déposée par la technique classique ae couchage aes résines de la microéLectronique. Un séchage de la couche déposée permet l'élimination du solvant organique et sa polymérisation. La réalisation des zones ce contact électrique 130 et 132 consiste alors à soumettre le polyimide déposé à des particules de carbone accéléré, en utilisant le masque de résine 205 (partie B), pour réduire localement les ions argent en métal et imidiser l'acide polyamique. Cette étape de réduction des ions argent est effectuée à 360%C. La structure matricielle de prise de vue décri- te en référence aux figures 3 et 4 est la plus simple envisageable. En effet, chaque senseur 102 est connecté à un circuit de lecture 117 et un seul. Toutefois, le procédé ce l'invention se prête à des structures ae senseurs beaucoup plus complexes dont le fonctionnement s'apparente à celui de la rétine de l'oeil. La figure 6 schématise en coupe la structure d'un détecteur capable d'effectuer, en analogique, dans le plan focal d'une optique appropriée, certains traite- ments c'images. Ce détecteur comporte plusieurs senseurs 102a, 102b, 102c et 102a connectés chacun à trois cir- cuits de lecture. Le senseur 102b est connecté au circuit ce lecture 117a, 117c et 117c, le senseur 102c est con- necté au circuit de lecture 117b, 117c, 117d, etc.. au moyen de zones de contact similaires aux zones 130 et 132 de la figure 4. Dans la structure de la figure 6, les senseurs 102a, 102b, 102c et 102d reposent sur un empilement de trois couches de polyimide 216, 218 et 220. Ces cou- ches sont déposées successivement sur le circuit intégré 116 puis polymérisées. Après la polymérisation de la couche de poly- imide 220, on effectue les zones de contact 222 traver- sant de part en part La couche ae po i amoe220. De même, après La poLymérisation de La couche oe poLyimiae 218 on réalise les zones de contact 224, traversant de part en part la couche 218 et la couche 220 et enfin, après la polymérisation de la couche 216, on effectue les zones de contact 226 traversant de part en part les trois couches de polyimide. Par ce procédé d'assemblage, qui découle de celui décrit précédemment, on conserve l'isolement thermique lié à l'utilisation au poLyimice tout en réalisant des connexions multiples t ees au traitemernt d'images. Cette invention trouve ces apliza:ions enr particulier dans le domaine de l'automoDiLe. PLus préci- sèment, elle est adaptée à La aétection a'obstacLes sur la route pour éviter par exempLe ces coLlisions multiples dans des conditions de faible visibilité. REVENDICATIONS 1. Structure monolithique de détection ou d'imagerie infrarouge comprenant: - au moins une couche de polymère (114, 216, 218, 220) isolant électrique et thermique, - des senseurs (102, 102a, 102b, 102c, 102d) à infrarouge, isolés Les uns des autres (103), comportant un film pyroéLectrique (104) de polymère dont La face (109) au contact de la couche d'isolant (114) est équipée de deux électrodes (106, 108) en forme de peigne dont les dents (110, 112) sont imbriquées, le film pyroélec- trique (104) ce polemere étant polarisé (111) dans un plan paraLLèle à Laaite face au film selon cdes directions parallèLe (x) et perpendiculaire (y) aux dents des pei- gnes, - un circuit intégré (116) comportant une face (134) au contact de la couche isolant (114) équipée de circuits de lecture (117, 117a, 117b, 117c, 117d), - ces zones ce contact électrique (130, 132, 222, 224, 226) traversant de part en part la couche d'isolant et connectant les électrodes (106, 108) de cnaque senseur à au moins un circuit ce lecture (117, 117a, 117c, 117c, 117c). 2. Structure monolithique selon la revendica- tion 1, caractérisé en ce cque la coucre a'isolant (114, 216, 218, 220) est une couche de polyimide. 3. Structure monolithique selon la revendica- tion I ou 2, caractérisé en ce que le film de polymère (104) est un polymère ou un copolymère de fluorure de polyvinylidène. 4. Structure monolithique selon l'une quelcon- que des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que chaque circuit de lecture comprend deux transistors MOS (118, 120) fonctionnant en interrupteur, connectés à un amplificateur différentiel (122). 5. Structure monoLithique seLon L'une queLcon- que des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'eLle comprend trois couches empi Lées d'isoLant éLectrique et thermique (216, 218, 220), n senseurs (102a-102d), un circuit intégré (116) comportant n+ 2 circuits de Lecture (117a-117d), et des zones de contact électrique (222, 224, 226), traversant de part en part au moins une couche d'isolant et agencées de sorte que le senseur i, avec 1li re i, i+1 et i+2. 6. Procéaé ce fabrication a'une structure monolithique de détection ou d'imagerie infrarouge comprenant Les étapes suivantes: a) dépôt d'au moins une couche oe polymère (210, 216, 218, 220) isolant électrique et thermique à la surface d'un circuit intégré (116) équipée de cir- cuits de Lecture (117, 117a-117d) puis polarisation de cette couche, b) réalisation de zones de contact électrique (130, 132, 222, 224, 226) en regard des circuits de lecture, traversant de part en part la couche d'isolant, c) dépôt d'une couche conauctr ce (208) à la surface de la couche d'isolant et aes zones de con- tact, a) réalisation de paires d'éLectrodes (106, 108) dans la couche conductrice (208), ayant la forme de peignes, ces électrodes étant situées en regard des zones de contact électrique, les dents (110, 112) des électrodes de chaque paire étant imbriquées, e) dépôt d'un film pyroélectrique (212) de polymère sur la structure obtenue en d) puis polymérisa- tion de ce film, f) réalisation d'un plot pyroélectrique (104) dans le film pyroéLectrique en regard de chaque paire d'électrodes, et g) polarisation (111) des plots pyroélectriques dans un plan parallèle à la surface de la couche d'iso- lant et selon des directions parallèle (x) et perpendicu- laire (y) aux dents (110, 112) des peignes, chaque plot polarisé et la paire d'électrodes en contact avec lui constituant un senseur (102, 102a-102d) à infrarouge. 7. Procédé selon la revendication 6, caractéri- sé en ce que la couche d'isolant est une couche de poly- imide. lu 8. Procédé selon la revendication 7, caractéri- sé en ce que l'on forme les zones de contact dans la couche d'isoLant (200, 22G, 222, 224) par modification chimioue locale de Lacite coucne. 9. Procédé seLon l'une quelconque des revenoications 6 à 8, caractérisé en ce que le film pyroélectrique (214) est en fluorure de polyvinylidène. 10. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 6 à 9, caractérisé en ce que l'on polarise les plots pyroélectriques simultanément, en utilisant les électroaes (106, 108) ce chaque senseur pour véhiculer le signal ae polarisation. 11. Procêcé selon L'une quelconque des revendi- cations 6 à 10, caractérisé en ce que les électrodes (106, 108) sont formées par gravure anisotrope de la couche conductrice (208) en utilisant un masaue (210) de gravure de forme appropriée. 12. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 6 à 11, caractérisé en ce que les plots de poly- mère sont formés par gravure anisotrope du film de poly- mère (200) en utilisant un masque (202a) de gravure de forme appropriée.