Brevet FR2638265A1 — publié le 19900427

SUPPORT D'INFORMATIONS ET SYSTEME DE GESTION DE TELS SUPPORTS La présente invention concerne des supports d'informations, notamment des cartes & mémoire, et un système de gestion de tels supports d'informations. Les cartes & mémoire électronique sont bien connues maintenant. Elles comportent essentiellement une pastille semi-conductrice dans laquelle est réalisé un circuit intégré, la pastille étant fixée dans un corps de carte en matériau plastique. Pour les utilisations les plus simples de la carte, par exemple pour l'acquittement de taxes téléphoniques, le circuit intégré consiste essentiellement en une mémoire non volatile dont un point mémoire est "grillé" å chaque fois qu'une unité de taxe téléphonique doit être acquittée. De telles cartes sont beaucoup plus sûres que des cartes h piste magnétique puisque le "grillage" d'un point mémoire est irréversible alors qu'il est possible de falsifier les données enregistrées sur une piste magnétique par lecture de celle-ci. Cependant, par rapport aux cartes magnétiques, elles présentent l'inconvénient d'être d'un coût sensiblement plus élevé, ce coût étant très largement lié & celui du circuit intégré qu'elles contiennent. Ce surcoût peut apparaitre comme d'autant plus difficile & accepter que la valeur fiduciaire contenue dans la carte est faible et que la carte ne peut être rechargée. De plus, un système de fourniture de prestations par cartes comprend également des dispositifs de traitement dans lesquels la carte est introduite et qui autorisent ou non la fourniture de la prestation à l'usager détenant une carte. Il s'agit par exemple de postes téléphoniques publics actionnés par l'introduction d'une carte. Ces dispositifs comprennent un dispositif de lecture et d'écriture des cartes qui fait partie intégrante de la machine qui délivre la prestation. Ces dispositifs peuvent être assez onéreux. Lorsqu'une société veut mettre en place un système complet de fourniture de prestations à cartes à mémoire électronique il lui faut donc d'une part supporter les frais d'acquisition et de mise en place des machines de fourniture de prestations mais encore ceux relatifs à l'achat d'un nombre élevé de cartes à mémoire pour les mettre en circulation. Or il n'est pas sûr, lorsqu'un tel système est mis en place dans une nouvelle région ou dans un nouveau pays, qu'il sera accepté par les utilisateurs. Il serait donc intéressant de pouvoir proposer aux sociétés qui veulent mettre en place un système de fourniture de prestations par cartes, un système dans lequel les cartes auraient un coût de fabrication très sensiblement inférieur à celui des cartes à mémoire électronique actuelles mais dans lequel les cartes auraient exactement l'allure externe et les caractéristiques externes des vraies cartes å mémoire électronique pour pouvoir être utilisées dans des dispositifs de traitement de cartes identiques ou sensiblement identiques à ceux qui utilisent des vraies cartes à mémoire électronique. Un objet de l'invention est de fournir des supports d'informations et un système de gestion de cartes qui répondent aux conditions énoncées précédemment. Pour atteindre ce but l'invention concerne un support d'informations comprenant un corps de carte présentant une face principale plane et dans ladite face principale n plages de contact électrique externe caractérise en ce qu'il présente l'aspect extérieur d'une carte å mémoire électronique et en ce qu'il comprend au moins n - 2 éléments magnétiques bistables présentant un premier état binaire ou un deuxième état binaire et n - 1 conducteurs électriques, chaque conducteur électrique étant monté entre deux desdites plages de contact externe, chaque conducteur électrique passant à proximité d'au moins un élement magnétique pour que, lorsqu'un signal électrique convenable est appliqué à au moins un conducteur électrique, l'état binaire de l'élément magnétique å proximité duquel passe le ou les conducteurs électriques, soit modifié. De préférence le support d'information comprend p x q éléments magnétiques bistables avec p + q = n - 1. Selon un premier mode de réalisation le support d'informations se caractérise en ce que les p x q éléments magnétiques sont disposés selon p lignes et q colonnes, en ce que chaque élément conducteur est monté entre une plage de contact externe commune et une autre desdites plages externes, et en ce que chaque élément conducteur passe & proximité des éléments magnétiques disposés selon une même ligne ou à proximité des éléments magnétiques disposés selon une même colonne. Dans ce premier cas le système de gestion de supports d'informations se caractérise en ce qu'il comprend au moins un dispositif de traitement de supports d'informations comprenant un ensemble de traitement et un ensemble de connexion & n contacts électriques pour établir une liaison électrique entre ledit ensemble de traitement et lesdites plages de contact externe lorsque ledit support est en position de traitement, ledit ensemble de traitement comprenant a) pour lire une information mémorisée dans ledit support, des moyens pour appliquer successivement aux conducteurs associés aux lignes un signal d'amplitude I apte à faire basculer dans le premier état binaire les éléments magnétiques qui étaient dans le deuxième état binaire et des moyens pour détecter simultanément avec l'application dudit signal dans chaque conducteur associé à une colonne l'éventuelle apparition d'un signal électrique résultant du passage de l'élément magnétique correspondant dudit deuxième état binaire audit premier, et b) pour écrire une information dans ledit support des moyens pour appliquer un signal électrique d'amplitude I/2 aux conducteurs associés au(x) ligne(s) et au(x) colonne(s) passant respectivement å proximité des élements magnétiques devant basculer du premier état binaire au deuxième état binaire, le signal électrique d'amplitude I étant apte & provoquer ledit basculement alors que le signal électrique d'amplitude I/2 n'est pas apte & provoquer ledit basculement. Selon un deuxième mode de réalisation le support d'informations se caractérise en ce que p = 1 et q = n - 2, en ce que chacun des n - 1 conducteurs est monté entre une plage de contact externe commune et une des autres plages de contact externe, un des éléments conducteurs dit de lecture passant å proximité des p x q éléments magnétiques, les n - 2 autres conducteurs dits d'écriture passant chacun a proximité d'un des éléments magnétiques. En d'autres termes la matrice se réduit å une ligne d'éléments magnétiques. Dans ce cas le système de gestion des supports d'informations se caractérise en ce qu'il comprend au moins un dispositif de traitement de supports d'informations comprenant un ensemble de traitement et un ensemble de connexion & à n contacts électriques pour établir une liaison électrique entre chaque plage de contact externe d'un support et ledit ensemble de traitement lorsque ledit support est en position de traitement, ledit ensemble de traitement comprenant a) pour lire une information mémorisée dans le support, des moyens pour appliquer aux plages de contact externe associées au conducteur de lecture un signal électrique apte & faire passer les éléments magnétiques dans le deuxième état binaire au premier état binaire, et des moyens pour détecter entre les plages de contact externe associées aux autres conducteurs l'apparition d'un signal électrique résultant du passage de l'élément magnétique correspondant du deuxième état binaire au premier état binaire, et b) pour écrire une information dans ledit support d'informations, des moyens pour appliquer aux plages de contact externe associées aux éléments magnétiques qui doivent prendre le deuxième état binaire un signal électrique apte å faire passer les éléments magnétiques correspondants dudit premier état audit deuxième état. De toutes façons l'invention sera mieux comprise & la lecture de la description qui suit de plusieurs modes de réalisation de l'invention donnés à titre d'exemples non limitatifs. La description se réfère au dessin annexé sur lequel - La figure l est une vue de dessus d'un support d'informations selon l'invention - La figure 2 montre en coupe verticale la structure générale d'un dispositif de traitement de supports d'informations - La figure 3 est une vue partielle de dessus du dispositif de traitement de la figure 2 - La figure 4 montre le circuit électrique d'un premier mode de réalisation du support d'informations - La figure 5 montre les circuits principaux d'un ensemble de traitement utilisable avec un support d'informations selon la figure 4 ;; - La figure 6 montre un mode de réalisation du circuit de traitement de la figure 5 - La figure 7 montre le circuit électrique d'un deuxième mode de réalisation du support d'informations - La figure 8 montre les circuits principaux d'un ensemble de traitement utilisable avec un support d'informations selon la figure 7. - La figure 9 montre un mode de réalisation du circuit électrique de la figure 4 ; - La figure 10 est une vue en coupe verticale selon la ligne X - X de la figure 9 ; et - La figure il est une vue semblable & celle de la figure 10 montrant une variante de réalisation de l'élément magnétique de la figure 10. La figure 1 montre un support d'informations (ultérieurement appelé carte) selon l'invention. La carte comprend un corps 10 en matériau plastique (PVC ou ABS par exemple) de forme générale parallèlepipédique rectangle présentant deux faces principales : la face 12, visible sur la figure 1 ; et la face 14 non visible. On peut également réaliser le corps de carte en polyester ou en papier. Dans la face 12 sont disposées des plages externes de contact électrique 16 & 30 qui sont reliées & un circuit électrique monté à l'intérieur de la carte. Ces plages externes sont destinées, lorsque la carte est introduite dans un lecteur de cartes, à permettre l'établissement d'une liaison électrique entre le circuit de la carte et le circuit de traitement du lecteur de cartes. Selon l'invention, la forme du corps de carte ainsi que les dimensions et positions des plages externes 16 & 30 sont exactement identiques à celles des éléments correspondants d'une carte à mémoire électronique. En d'autres termes, extérieurement, la carte, selon l'invention, est identique à une vraie carte à mémoire électronique. Dans le cas particulier de la France, les cartes à mémoire électronique doivent être conformes soit à la norme ISO soit à la norme AFNOR. Ces normes définissent notamment les dimensions du corps de carte, les dimensions des plages externes 16 & 30 et leur position par rapport aux bords 32 et 34 du corps de carte. Si la carte selon l'invention est destinée & être utilisée en France elle se conforme donc & une de ces deux normes.Cependant l'épaisseur du corps de carte n'est pas un paramètre critique pour l'utilisation d'une carte dans un lecteur conforme aux normes précitées. L'épaisseur du corps d'une carte selon l'invention pourra donc, sur ce point, s'écarter de la norme. La seule contrainte de ce point de vue étant que la carte puisse être traitée dans un lecteur de cartes standard. Avant de décrire plusieurs modes de réalisation du circuit électrique de la carte, on va décrire un dispositif de traitement de cartes (ci-après appelé lecteur de cartes) utilisable avec les cartes selon l'invention. Les figures 2 et 3 montrent l'organisation générale d'un tel lecteur qui est identique à celle d'un lecteur de cartes à mémoire électronique. I1 comprend une fente 40 d'introduction de la carte 10 qui se prolonge par un couloir de guidage 42 de la carte. Le couloir 42 est limité par un plancher 44 et par des parois latérales non représentées. A l'intérieur du couloir 42 est monté un connecteur 46. Le connecteur 46 comprend essentiellement un support isolant 48 sur lequel sont fixées des lames conductrices flexibles 50 & 64. Le nombre de lames est égal au nombre de plages externes de la carte c'est å dire huit dans l'exemple décrit. La carte est amenée en position de traitement soit manuellement, soit par un système d'entraînement représenté sur la figure 2 par un galet 66. Lorsque la carte est en position de traitement, chaque plage externe 16 à 30 de la carte 10 est en contact électrique avec une des lames conductrices. Dans le couloir 42 est également monté un détecteur 68 de présence de carte qui délivre un signal lorsque la carte est arrivée en position de traitement. Les huit lames flexibles 50 à 64 et le détecteur 68 sont reliés à un circuit de traitement 70 par des liaisons électriques. Le circuit de traitement 70 comporte des parties existant déjà dans les lecteurs de cartes à mémoire électronique et des parties spécifiques qui vont être décrites en liaison avec la figure 4. De plus, comme le lecteur doit pouvoir traiter des cartes standard et des cartes selon l'invention, ces dernieres peuvent être munies sur la face 12 de leur corps d'une marque magnétique ou optique. Le lecteur est muni d'un détecteur 71 adapté qui déclenche le processus spécifique lorsqu'une carte selon l'invention est introduite dans le lecteur. Sur la figure 4, par simplification, on a repéré par les chiffres 1 å 8 les conducteurs venant des lames conductrices 50 9 64, ces lames conductrices étant elles-mêmes en contact électrique avec les plages externes 16 & 30 lorsque la carte est en position de lecture. Comme on l'a déjà indiqué, selon l'invention, le circuit de mémorisation installé dans le corps de carte et relié aux plages externes 16 à 30 n'est pas réalisé dans une pastille semi conductrice, mais il s'agit d'éléments magnétiques bistables reliés par des conducteurs électriques. Chaque élément magnétique formant un point mémoire peut prendre deux états stables d'aimantation, le passage de l'un à l'autre étant commandé par l'application d'un courant électrique dans des conducteurs disposés & proximité des éléments magnétiques dont l'intensité est suffisante et dont le signe est convenable. La figure 4 montre une première disposition des éléments magnétiques. Chaque élément est constitué par un tore en matériau magnétique. I1 y en a six qui sont référencés T1 à T6. Pour simplifier la description on a référencé O & 7 les huits plages externes de contact électrique de la carte. Les plages O et 1 sont reliées à un conducteur électrique 70 qui passe à l'intérieur des six tores T1à T6. Le conducteur 70 est dit "conducteur de lecture". Chaque plage 2 à 7 est reliée par un conducteur 72 & 82 à la borne 0. Chaque conducteur 72 à 82 passe a l'intérieur d'un des tores T1 9 T6. Les conducteurs 72 & 82, sont dits "conducteurs d'écriture". Si l'on admet que tous les tores T1 à T6 ont l'état d'aimantation correspondantà la valeur binaire O, pour écrire une information, on applique un courant + I & celui ou ceux des conducteurs 72 à 82 qui est ou qui sont associés aux tores devant passer à l'état binaire 1. L'état d'aimantation des tores correspondants passe à l'état d'aimantation correspondantà la valeur 1, les autres tores restant dans leur état initial. Pour lire une information déjà inscrite, on fait circuler dans le conducteur 70 un courant d'intensité - I. Ce courant fait basculer les tores qui sont á l'état 1, de l'état 1 å l'état 0, alors que les tores qui sont å l'état O ne sont pas modifiés. Simultanément, sur les conducteurs d'écriture 72 å 82, on détecte l'apparition éventuelle d'un pic de tension résultant du basculement du tore magnétique de l'état 1 å l'état 0.On en déduit ainsi que les tores associés à des conducteurs sur lesquels une impulsion de courant a été détectée étaient å l'état binaire 1 alors que les autres étaient & l'état binaire 0. On peut ainsi lire l'information qui était inscrite précédemment, chaque tore étant associé å un poids binaire d'information. Bien entendu la lecture détruit l'information puisque, après cette lecture, tous les tores se retrouvent dans l'état d'aimantation associé å la valeur binaire 0. Avec une telle mémoire on peut écrire toutes les informations de O à 63. Les figures 5 et 6 montrent les circuits d'un lecteur pour traiter des cartes comportant le circuit de mémoire de la figure 3. Sur ces figures on a représenté seulement les éléments spécifiques correspondant au type particulier de mémoire. Sur la figure 5 on a référencé de O à 7 les contacts électriques venant en contact avec les plages externes de la carte portant les mêmes références. Le lecteur comprend un circuit de commande 90 dont les sorties 92 et 94 sont reliées respectivement aux entrées de commande 96 et 98 de générateurs de courant 100 et 102. Le générateur 100 est relié aux contacts 0 et 1 et délivre le courant de lecture - I. Le générateur 102 délivre le courant d'écriture + I entre ses bornes 1020 et 102i. Chaque contact 2 å 7 du lecteur est relié à un circuit de transfert. Les circuits de transfert sont respectivement référencés 104 å 114. Ils sont tous identiques. On ne décrira donc en détail que le circuit 104. Celui-ci comprend un commutateur 116 dont une entrée-sortie 118 est reliée au contact 2. Le circuit 104 comprend également un amplificateur de lecture 120 dont l'entrée est reliée & la borne 122 du commutateur 116. Une troisième borne 124 du commutateur est reliée & la sortie 1021 du générateur de courant 102.Le commutateur 116 comprend également une entrée de commande 126 qui permet, selon la valeur du signal de commande qui lui est appliqué, d'isoler la borne 118 des autres bornes, de relier la borne 118 & la borne 124 pour l'écriture, ou de relier la borne 118 a la borne 122 pour la lecture. Chaque entrée de commande 126 des circuits de transfert 104 à 114 est reliée à une sortie correspondante 1302 à 1307 du circuit de commande 90. La sortie de chaque amplificateur de lecture 120 des circuits de transfert 104 & 114 est reliée à une entrée correspondante 1322 & 1327 d'un circuit de traitement 134. La sortie 136 du circuit de traitement 134 est reliée à une entrée 138 du circuit de commande 90. Enfin le circuit de commande 90 comporte une entrée 140 sur laquelle il peut recevoir une information venant de l'extérieur. La figure 6 montre plus en détails le circuit de commande 90. Il comprend un microprocesseur 142 qui est relié aux entrées/sorties 92, 94, 138 et 140 du circuit de commande 90. Il comprend également une mémoire de programme 144, par exemple du type ROM, et une mémoire de travail 146, par exemple du type RAM. Il comprend enfin un démultiplexeur 148 pour envoyer sur la ou les sorties convenables 1302 à 1307 les signaux de commande des circuits de transfert 104 à 114. On va maintenant décrire le fonctionnement du lecteur de la figure 5 ou du moins dé sa partie qui est propre au type de cartes selon l'invention. Lorsqu'une carte est introduite dans le lecteur, le microprocesseur 142 du circuit de commande 90 initialise une phase de lecture. Pour cela il commande le générateur de courant 100 et il commande, par ses sorties 1302 et 1307, les circuits de transfert 104 à 114 pour que chaque contact 2 à 7 soit relié à l'amplificateur de lecture 120 qui lui est associé. Le circuit de traitement 134 reçoit sur ses entrées 1322 à 1327 un signal électrique si le tore de la carte associé au contact correspondant a basculé eous l'effet du courant de lecture (état binaire 1) ou aucun signal dans le cas contraire (état binaire 0). Le circuit de traitement 134 reçoit ainsi sous forme binaire l'information mémorisée dans la carte.Tous les tores T1 à T6 de la carte se retrouvent alors à l'état binaire 0. Il s'agit par exemple du solde encore disponible pour obtenir la fourniture d'une prestation. Cette information est transmise au circuit de commande 90 et temporairement stockée dans la mémoire de travail 146. Si le détenteur de la carte veut obtenir une prestation, il entre directement ou indirectement le montant de cette prestation. Le circuit de commande reçoit ce montant sur son entrée 140. Le microprocesseur 142 calcule alors le nouveau solde à partir de l'ancien solde stocké dans la mémoire 146. Pour écrire ce nouveau solde, le circuit de commande émet successivement sur ses sorties 1302 å 1307 associées å des tores qui doivent passer å l'état 1 un signal de commande pur relier les bornes 118 i 124 des commutateurs 116 correspondants. Puis le circuit 90 émet sur sa sortie 94 un signal pour actionner le générateur de courant 102. Ainsi le courant d'écriture + I est appliqué successivement, via les contacts 2 9 7, 7; & ceux des conducteurs 72 & 82 de la carte qui sont associés à des tores qui doivent passer à l'état binaire 1. Les autres conducteurs 2 å 7 de la carte ne reçoivent aucun courant. Le nouveau solde est ainsi mémorisé dans la carte. Celle-ci peut être retirée du lecteur et la prestation peut être fournie au titulaire de la carte. Pour eviter des fraudes, il va de soi que l'ordre de poids binaires des points de mémoire servant à mémoriser l'information ne correspond pas à l'ordre des contacts externes de la carte. Cependant si l'on veut encore diminuer les risques de fraudes on prévoit sur chacun des conducteurs d'écrire 72 à 82 un élément fusible F2 & F7. Ils sont représentés en pointillés sur la figure 4. Si l'on admet que la mémoire de la carte sert & stocker des soldes disponibles, le montant des soldes disponibles décroît après chaque utilisation de la carte. Donc, lorsque, pour écrire un nouveau solde, le tore correspondant au poids binaire le plus élevé doit rester & zéro, il le restera pour tous les soldes suivants jusqu'à ce que la carte soit épuisée. Lorsque le circuit de commande du lecteur détecte que le nouveau solde à écrire a son plus fort poids binaire égal à zéro, après 1 'étape d'écriture décrite précédemment, le circuit de commande 90 commande le générateur de courant 102 pour qu'il délivre le courant d'écriture + I mais pendant un temps plus long, par exemple 1 seconde, capable de faire "fondre" les fusibles Fi.Bien entendu, pour l'écriture, le courant I est appliqué pendant une durée insuffisante pour faire fondre les fusibles. Simultanément le circuit de commande 90 commande les circuits de transfert 104 à 114 de telle manière que seul le contact 2 à 7 associé au tore de poids binaire le plus élevé reçoive le courant I. Le fusible correspondant est grillé et le tore associé restera à l'état binaire 0 puisque le conducteur d'écriture correspondant est "ouvert". Au fur et & mesure que les nouveaux soldes mémorisés décroissent on fera de même pour les autres fusibles selon l'ordre décroissant des poids binaires des points de mémoire auxquels ils sont associés. En se référant maintenant aux figures 9 et 10 on va décrire un mode de fabrication du circuit électrique de la figure 4. La référence 200 repère le corps de la carte ou, si le module électronique est réalisé séparément, le support isolant du module électronique. Dans un premier temps on dépose sur le support 200, 6 éléments E1 à E6 de matériau magnétique de forme rectangulaire. Le matériau magnétique est dur et choisi de préfèrence du type à très forte rectangularité. Les six éléments magnétiques sont déposés sur le support par transfert comme cela est bien connu dans le domaine de la réalisation des cartes à piste magnétique. Le matériau magnétique est recouvert d'un isolant. Dans l'étape suivante on réalise par sérigraphie un premier ensemble de conducteurs électriques. Ces conducteurs comprennent les huit plages externes de contact électrique référencée 0 à 7.Les plages 0 à 7 ont les dimensions définies par la norme ISO ainsi que les positions relatives prévues par celle-ci. L'ensemble comprend également un conducteur central 202 et sept conducteurs de liaison 204 à 216 qui relient le conducteur central 202 aux plages de contact 0 et 2 à 7. Comme le montre la figure 9, chacun des conducteurs de liaison passe au dessus d'un élément magnétique E1 à E6. Chaque plage 2 à 7 est ainsi reliée à la plage 0. Puis on dépose par sérigraphie une couche de matériau isolant 218 sur cet ensemble de conducteurs à l'exception des plages externes de contact électrique. Dans l'étape suivante on réalise un deuxième conducteur portant la référence générale 220 dont une première extrémité 222 est reliée & la plage 1 et dont la deuxième extrémité 224 est reliée d la plage 0.Le deuxième conducteur 220 comprend six portions utiles 226 à 234. Chaque portion utile 226 å 234 s'étend au dessus d'un des conducteurs de liaison 206 à 216 au moins dans sa partie qui est disposée au dessus d'un élément magnétique E1 à E6. Les portions utiles 226 a 236 sont reliées entre elles et aux extrémités 222 et 224 de telle maniere qu'un courant circulant de la plage 1 & la plage 0 circule dans chaque portion utile 226 å 236 dans un sens qui, spécialement va du conducteur central 202 vers la plage de contact externe correspondante. On satisfait donc ainsi au condition de sens de circulation du courant en lecture et en écriture.Le conducteur 220 correspond au conducteur de lecture 70 de la figure 4, le conducteur central 202 et les conducteurs de laision 204 à 216 correspondant aux conducteurs d'écriture 72 à 82 de la figure 4. Enfin on recouvre d'un matériau isolant 238, par sérigraphie, l'ensemble des conducteurs électriques à l'exception des plages externes 0 à 7. Selon le mode de réalisation qui vient d'être décrit les élements magnétiques sont analogues à des aimants. La figure 11 illustre un mode de réalisation dans lequel les éléments magnétiques sont analogues à des tores. Dans ce cas le mode de réalisation est identique i celui des figures 9 et 10 jusqu'à l'étape de dépôts du conducteur 220 isolé. Ensuite au dessus de chaque élément magnétique E'1 à E'6 identique au premier. L'ensemble des deux éléments magnétiques E et E' constitue l'équivalent d'un tore magnétique avec deux entrefers très réduits constitués par le matériau isolant très mince qui recouvre chaque élément magnétique. La figure 7 montre un deuxième mode de réalisation de la mémoire de la carte dans lequel les tores, ou plus généralement les éléments magnétiques bistables, sont disposés matriciellement selon des lignes et des colonnes. Si le nombre de plages externes de contact de la carte est égal à n, si le nombre de lignes est égal à q, on doit avoir la relation p + q = n-l. Le nombre de tores, ctest-å-dire le nombre de points de mémoire, est bien sûr égal à p x q. On constate que le mode de réalisation de la figure 4 correspond au cas particulier où p = 1. Sulr la figure 7, on a p = 3 et q = 4, ce qui correspond au nombre maximal de points de mémoire si n = 8. Comme le montre la figure 7, la plage externe O de la carte est la borne commune, les plages 1 à 3 sont associées aux lignes de la mémoire et les plages 4 à 7 aux colonnes. Un tore est référencé Tilt, i représentant la ligne et j la colonne. Chaque plage de ligne 1 à 3 est reliée à la borne commune 0 par un des conducteurs 150 & 154, et chaque plage de colonne 4 à 7 est reliée à la borne commune 0 par un des conducteurs 156 à 164. Pour écrire un point de mémoire, ctest-à-dire pour faire passer de l'état d'aimantation initial (état binaire 0) à un deuxième état d'aimantation (état binaire 1) le tore Tri j on fait circuler dans le conducteur associé à la ligne i et dans le conducteur associé & la colonne j un courant + I/2.A proximité de chaque tore les conducteurs sont disposés de telle manière que les champs magnétiques créés par la circulation des deux courants + I/2 s'ajoutent afin de faire passer le tore dans on deuxième état d'aimantation. On effectue la lecture d'une information ligne par ligne. Pour lire l'information contenue dans une ligne on procède exactement comme dans le cas du mode de réalisation de la figure 4. On fait circuler dans le conducteur associé a la ligne 1 courant - I et sur chaque conducteur associé aux colonnes on détecte l'éventuelle apparition d'une impulsion de courant résultant du basculement d'un tore de son deuxième état magnétique à son état magnétique initial. Lorsque toutes les lignes ont ét lues on dispose de la totalité de l'information mémorisée. Dans l'exemple décrit, l'information peut aller de 0 à 212 soit 4096. La figure 8 montre un mode de réalisation d'un lecteur de cartes apte à fonctionner avec des cartes munies du circuit de mémoire représenté sur la figure 7. Sur la figure 8 on a repris les références de la figure 6 pour désigner les éléments communs en particulier le circuit de commande 140, le circuit de traitement 134, le générateur de courant de lecture 100, et les circuits de transfert 110 à 114 reliés respectivement aux bornes 5 à 7. Un dispositif de transfert 109, identique aux dispositifs de transfert 110 & 114 est relié & la borne 4.Les circuits de transfert 104 d 108 de la figure 6 sont remplacés par des circuits de commutation 104' à 108', et le générateur de courant d'écriture 102 de la figure 6 est remplacé par le générateur de courant 102' qui délivre sur ses sorties 102'1 et 102'2 le courant d'écriture I/2. Chaque circuit de commutation 104' & 108' comprend un commutateur 116' ayant une première borne 118' reliée au contact de ligne 1 à 3 correspondant, une deuxième borne 122' reliée & une des sorties du générateur de courant 100 et une troisième borne 124' reliée & la borne 102'2 du générateur de courant 102'. Enfin chaque commutateur 116' comprend une entrée de commande 126' reliée å la sortie de commande correspondante 1301 s 1307 du circuit de commande 90. On va maintenant décrire le fonctionnement du lecteur de la figure 8. Lorqu'une carte munie du circuit de mémoire de la figure 7 est introduite dans le lecteur, le circuit de commande 90 déclenche une phase de lecture de l'information mémorisée dans la carte. Pour cela le circuit commande le générateur de courant 100 et les cOmmutateurs 116 et 116' de telle manière que le premier contact de ligne 1 soit relié au générateur de courant 100, que les autres contacts de ligne soient ouverts, et que les contacts de colonnes 4 à 7 soient reliés aux amplificateurs de lecture 120. La lecture de la première ligne de tore se fait comme cela a été décrit en liaison avec la figure 6.Puis le circuit de commande 90 provoque la liaison entre le générateur 100 et la borne de ligne 2 pur lire la deuxième ligne de tores et enfin la liaison entre le générateur 100 et la borne de ligne 3 pour lire la troisième ligne de tores. Le circuit de commande 90 a alors dans sa mémoire de travail la totalité de l'information qui était mémorisée dans la carte, et tous les tores de la carte sont à l'état binaire 0. Le circuit de commande 90 calcule la nouvelle information à inscrire dans la mémoire de la carte et initialise la phase d'écriture correspondante. L'écriture est également réalisée ligne par ligne. Si des 1 doivent être écrits sur la première ligne, la borne de ligne 1 est reliée par le commutateur 104' à la sortie 102'1 du générateur 102' et les bornes de colonne 4 à 7 correspondant aux colonnes où un 1 doit être inscrit sont également successivement reliées å la sortie 102'2 du générateur 102'par les commutateurs 116.Ainsi les tores qui se trouvent aux intersections de la ligne 1 et des colonnes successivement reliées au générateur 102' sont soumis à un champ magnétique créé par la somme des deux courants + I/2 ; ils basculent dont å l'état 1. Au contraire les autres tores de la ligne 1 ne sont soumis qu'à un champ magnétique créé par le courant I/2. Ce champ magnétique est insuffisant pour faire basculer le tore qui reste à l'état O. Puis le circuit 90 commande l'écriture éventuelle de 1 sur les lignes 2 et 3 par le même processus. Si le nombre de tores est redondant compte tenu des informations a mémoriser dans la carte, il est possible de prévoir que un ou deux tores, ne serviront pas à écrire l'information et qu'ils devront toujours rester à l'étant binaire 0, par exemple les tores T2 2 et T3,3. Si, lors d'une phase de lecture, on détecte que ces tores ne sont pas & l'état 0, c'est que la carte a fait l'objet d'une tentative de fraude, et elle est refusée par le lecteur. REVENDICATIONS 1. Support d'informations comprenant un corps de carte présentant une face principale plane et dans ladite face principale n plages de contact électrique externe carctérise en ce qu'il présente l'aspect extérieur d'une carte à mémoire électronique et en ce qu'il comprend au moins n - 2 éléments magnétiques bistables présentant un premier état binaire ou un deuxième état binaire et n - 1 conducteurs électriques, chaque conducteur électrique étant monté entre deux desdites plages de contact externe, chaque conducteur électrique passant à proximité d'au moins un élément magnétique pur que, lorsqu'un signal électrique convenable est appliqué à au moins un conducteur électrique, l'état binaire de l'élément magnétique à proximité duqel passe le ou les conducteurs électriques, soit modifié. 2. Support d'informations selon la revendication 1, caractérise en ce qu'il comprend p x q éléments magnétiques bistable avec p + q = n - 1. 3. Support d'informations selon la revendication 2, caractérise en ce que p = 1 et q = n - 2, en ce que chacun des n - 1 conducteurs est monté entre une plage de contact externe commune et une des autres plages de contact externe, un des éléments conducteurs dit de lecture passant à proximité dès p x q éléments magnétiques ; les n - 2 autres conducteurs dits d'écriture passant chacun à proximité d'un des éléments magnétiques. 4. Support d'informations selon la revendication 1, caractérise en ce que les p x g éléments magnétiques sont disposés selon p lignes et q colonnes, en ce que chaque élément conducteur est monté entre une plage de contact externe commune et une autre desdites plages externes, et en ce que chaque élément conducteur passe à proximité des éléments magnétiques disposés selon une même ligne ou à proximité des éléments magnétiques disposés selon une même colonne. 5. Support d'informations selon l'une quelconque des revendications 1 å 4, caractérise en ce que lesdites plages de contact externe, lesdits éléments magnétiques bistables et lesdits éléments conducteurs sont réalisés dans un module électrique qui est ensuite fixé dans le corps du support d'informations. 6. Système de gestion de supports d'informations selon la revendication 3, caractérisé en ce qu'il comprend au moins un dispositif de traitement de supports d'informations comprenant un ensemble de traitement et un ensemble de connexion à n contacts électriques pour établir une liaison électrique entre chaque plage de contact externe d'un support et ledit ensemble de traitement lorsque ledit support est en position de traitement, ledit ensemble de traitement comprenant a) pour lire une information mémorisée dans le support ; des moyens pour appliquer aux plages de contact externe associées au conducteur de lecture un signal électrique apte à faire passer les éléments magnétiques dans le deuxième état binaire au premier état binaire, et des moyens pour détecter entre les plages de contact externe associées aux autres conducteurs l'apparition d'un signal électrique résultant du passage de l'élément magnétique correspondant du deuxième état binaire au premier état binaire, et b) pour écrire une information dans ledit support d'informations, des moyens pour appliquer aux plages de contact externe associées maux éléments magnétiques qui doivent prendre le deuxième état binaire un signal électrique apte à faire passer les éléments magnétiques correspondants dudit premier état audit deuxième état. 7. Système de gestion de supports d'informations selon la revendication 4, caractérisé en ce qui'1 comprend au moins un dispositif de traitement de supports d'informations comprenant un ensemble de traitement et un ensemble de connexion à n contacts électriques pour établir une liaison électrique entre ledit ensemble de traitement et lesdites plages de contact externe lorsque ledit support est en position de traitement, ledit ensemble de traitement comprenant a) pour lire une information mémorisée dans ledit support, des moyens pour appliquer successivement aux conducteurs associés aux lignes un signal d'amplitude I apte à faire basculer dans le premier état binaire les éléments magnétiques détecter simultanément avec l'application dudit signal dans chaque conducteur associé à une colonne l'éventuelle apparition d'un signal électrique résultant du passage de 1'élement magnétique correspondant dudit deuxième état binaire audit premier, et b) pour écrire une information dans ledit support des moyens pour appliquer un signal électrique d'amplitude I/2 aux conducteurs associés au(x) ligne(s) et au(x) colonne(s) passant respectivement à proximité des éléments magnétiques devant basculer du premier état binaire au deuxième état binaire, le signal électrique d'amplitude I étant apte & provoquer ledit basculement alors que le signal de électrique d'amplitude I/2 n'est pas apte à provoquer ledit basculement.