Brevet FR2641083A1 — publié le 19900629

CIRCUIT DE DETECTION DE CHUTE DE TENSION D'ALIMENTATION ET DE REARMEMENT D'UN CIRCUIT D'INITIALISATION La présente invention concerne un circuit de détection de chute de tension d'alimentation et de réarmement d'un circuit d'initialisation, réalisable dans un circuit intégré de type MOS sans composants externes. Dans un circuit intégré logique de type MOS, il faut pré- voir lors de la mise sous tension une réinitialisation du circuit. De nombreux circuits ont été prévus dans ce but. Un inconvénient de ces circuits d'initialisation est que, en raison de capacités qu'ils incorporent ou de capacités parasites qui leur sont asso- ciées, ils ne peuvent être remis en oeuvre après des chutes d'alimentation brèves. En conséquence, la présente invention prévoit un circuit de détection particulièrement simple de la chute d'une tension d'alimentation appliquée à un circuit intégré de type MOS et l'utilisation de ce circuit au réarmement d'un circuit d'initia- lisation. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit un circuit de détection d'une chute de tension d'alimentation fournie entre une borne d'alimentation haute et une borne d'ali- mentation basse d'un circuit intégré, comprenant: - un circuit à seuil comprenant une borne d'entrée re- liée à la borne d'alimentation haute, une borne de sortie fournis- sant le signal recherché et des bornes d'entrée d'alimentation, - un condensateur MOS connecté entre lesdites bornes d'entrée d'alimentation et dont la première borne est reliée à la borne d'alimentation basse, et - un transistor MOS à canal N dont la source est reliée à la deuxième borne dudit condensateur et dont le drain et la grille sont reliés ensemble à la borne d'alimentation haute. Un avantage de ce circuit est qu'il est particulièrement simple et occupe une faible surface de circuit intégré. Ces objets, caractéristiques et avantages de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description sui- vante d'un mode de réalisation particulier faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 représente un mode de réalisation d'un cir- cuit selon la présente invention; la figure 2 représente l'allure de signaux en divers points du circuit de la figure 1; et la figure 3 représente une application du circuit selon la présente invention au réarmement d'un circuit d'initialisation.- Le circuit de la figure 1 est alimenté entre une borne d'alimentation haute Ai destinée à recevoir une tension VDD et une borne d'alimentation basse A2 à un potentiel VSS. Pour la simpli- cité de l'exposé, on supposera ci-après que VSS est égal à zéro. Sinon, il suffira de remplacer partout VDD par VDD-Vss. Entre les bornes Ai et A2 sont connectés en série un transistor MOS à canal N, T, et un condensateur MOS C. Le drain du transistor T est relié à sa grille et à la borne Ai. Un inverseur I est alimenté aux Dornes du condensateur C et recoit à son entrée le signal VDD. La sortie de cet inverseur est désignée par OUT. Le fonctionnement de ce circuit va être exposé en rela- tion avec les formes d'ondes de la figure 2. Dans cette figure, la 264 1083 tension sur la borne d'alimentation haute est désignée par la référence Ai, la tension aux bornes du condensateur par la référence C et la tension de sortie par la référence OUT. Si l'on part d'un état o la tension sur la borne Ai est égale à VDD, la tension aux bornes du condensateur T sera VDD-VTN, VTN étant la tension de seuil du transistor à canal N. En ce cas, la tension OUT est égale à 0 (Vss). Si la tension sur la borne Ai chute, le transistor T se bloque et la tension VDD-VTN est mémori- sée aux bornes du condensateur C qui se décharge ensuite lentement selon les fuites de jonction et qui maintient l'alimentation aux bornes de l'inverseur I. Ensuite, si la tension sur la borne A1 chute en dessous de la valeur de seuil VS de l'inverseur I, la sortie de cet inverseur change d'état et passe à sa valeur haute, sensiblement égale à VDD-VTN. On obtient donc bien à la sortie OUT une indication d'une chute de tension au-dessous de la tension de seuil de l'inverseur I. L'homme de l'art saura choisir un inver- seur fournissant une tension de seuil recherchée en dessous de la- quelle on doit considérer que la tension d'alimentation est devenue trop faible. On notera d'ailleurs que l'on a mentionné cl-dessus par souci de simplicité l'utilisation d'un inverseur mais que tout circuit présentant un changement d'état par suite de la chute de sa tension d'entrée en dessous d'un niveau de seuil pourra con- venir. La figure 3 représente une utilisation du circuit selon la présente invention au réarmement d'un circuit d'initialisation. Le circuit selon la présente invention est désigné par la référen- ce C1 et le circuit d'initialisation par la référence C2. La sor- tie OUT du circuit Cl, correspondant à la sortie OUT de la figure 1, est reliée à l'entrée de réarmement du circuit C2. On a représenté à l'intérieur du bloc C2 un exemple de circuit de réinitialisation. Ce circuit C2 comprend un transistor MOS de type N TMN dont le drain est relié à la borne VDD par une impédance 1, dont la grille G est reliée à la grille et au drain d'un transistor MOS à canal P T4P. La source du transistor TMP est reliée à VDD et la source du transistor TMN est reliée à V SS En outre, il est prévu des moyens pour mettre en forme et détecter la sortie du circuit d'initialisation connectée au drain du transis- tor TMI et comprenant un circuit inverseur de mise en forme de si- gnal 2 dont la sortie est envoyée, d'une part, à une entrée non- inverseuse d'une porte ET 3, d'autre part, à une entrée inverseuse de cette porte ET par l'intermédiaire d'un circuit de retard 4. La sortie R de la porte ET 3 constitue le signal de réinitialisation. Le circuit C2 permet la détection du passage de la ten- sion VDD au dessus d'un seuil donné égal au seuil du transistor TMP plus le seuil du transistor T4N. Néanmoins, si la tension chu- te, ce circuit ne se décharge que très lentement et il n'est pas émis de signal de réinitialisation lors de la remontée de la ten- sion d'alimentation. Selon l'invention, il est adjoint à ce circuit un tran- sistor de réarmement TA qui est un transistor MOS à canal N dont le drain est relia à la borne G et la source à VS. La grille du transistor TA reçoit le signal OUT. Ainsi, quand le signal OUT est à bas niveau, ce transistor est bloqué et le circuit C2 fonction- ne normalement. Par contre, dès que la tension chte et qu'un si- gnal OUT est fourni, le transistor TA devient conducteur et ramène à bas niveau la tension de grille des transistors TMP et TMN, per- mettant de redétecter ensuite une croissance de la tension VDD, cette nouvelle montée de VDD ramenant le signal OUT à bas niveau. Bien entendu, la présente invention est susceptible de nombreuses variantes et modifications qui apparaltront à l'homme de l'art. Notamment, si les polarités relatives des tensions VDD et VSS sont inversées, il conviendra de modifier tous les types de transistors MOS pour que le circuit fonctionne de façon correspon- dante. REVENDICATIONS 1. Circuit de détection d'une chute de tension d'alimen- tation fournie entre une borne d'alimentation haute (A1) et une borne d'alimentation basse (A2) d'un circuit intégré, caractérisé en ce qu'il comprend: - un circuit à seuil (I) comprenant une borne d'entrée reliée à la borne d'alimentation haute, une borne de sortie four- nissant le signal recherché (OUT) et.des bornes d'entrée d'ali- mentatlon, - un condensateur MOS (C) connecté entre lesdites bornes d'entrée d'alimentation et dont la première borne est reliée à la borne d'alimentation basse, et - un transistor MOS à canal N (T) dont la source est re- liée à la deuxième borne dudit condensateur et dont le drain et-la grille sont reliés ensemble à la borne d'alimentation haute. 2. Circuit de détection selon la revendication 1, carac- térisé en ce que ledit circuit à seuil est un inverseur. 3. Circuit de détection selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il est utilisé pour le réarmement d'un circuit d'initialisation à la mise sous tension (C2) pour un circuit in- tEgré CMOS. 4. Circuit de détection selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le circuit d'initialisation à la mise sous ten- sion comprend un transistor MOS à canal N (TMN) dont la source est connectée à la borne d'alimentation basse (Vss), dont le drain est connecté à la borne d'alimentation haute (VDD) par l'intermédiaire d'une impédance (1) et à une borne de sortie (S), et dont la gril- le est reliée à la connexion grille/drain d'un transistor MOS à canal P (TMP) dont la source est reliée à la borne d'alimentation haute.