Brevet FR2645284A1 — publié le 19901005

La présente invention concerne un dispositif photoélectro-optique de modulation de rayonnements et d'images. En particulier, le présent dispositif s'applique à la coxpression de la dynamique lumineuse et des contrastes des images qu'il transmet ou transfert et s'applique donc aux dispositifs de prise. de transfert. de traiterent, d'émission et de projection d'itages. Il utilise deux effets, l'un photo-électronique qui fait varier une grandeur électro-magnétique en fonction d'une lumière incidente, l'autre electro-optique qui fait varier un paramètre optique en fonction de la mëme grandeur électro-magnétique, directexent ou indirectement. L'invention propose, de plus, des moyens de contrôle de ces effets photo-éloctronique et électro-optique et un compiément optiques de contrôle des rayonnements Les dispositifs connus à ce jour, tel que celui présenté dans le brevet FR 860C710 ou dans le certificat d'addition FR 8601552 ou encore dans le brevet FR 8613433, ou dans les brevets nationaux issus de la demande de brevet PCT/FR87/00020, utilisent un capteur d'images électronique qui emet un signal représentatif de l'image qu'il reçoit et un écran plat comportant un réseau d'électrodes croisées. Ces particularités font que ces dispositifs ne s'appliquent pas à tous les dispositifs de prise de vues. et, en particulier ne s'appliquent pas aux appareils photographiques et cinématographiques.De plus. par la présence des électrodes croisées, ces dispositifs introduisent des défauts optiques dans la transmission d'inages. Ces dispositifs nécessitent aussi une parfaite correspondance xécanique et optique de l'écran plat et du capteur d'image qui l'asservit. De par la lecture de l'image puis son transfert sur l'écran plat, le controle de la fonction de transfert s'effectue en retard d'une image sur la prise d'images D'autres dispositifs. tel que celui présenté dans le brevet US-A 3.724.349 comportent des matrices d'éléments photosensibles qui influencent chacun la transmittivité d'un point d'une matrice composant un écran plat. la présence de ces matrices génère des défauts optiques dans la transmission d'images. Tous les dispositifs présentés ci-dessus découpent, du fait de leur matrice prédéterminée à la construction, l'image de manière finie indépendante de l'image et la modifie donc de manière grossière, par zone et non rayon par rayon et point par point. Tous ces dispositifs ne font que diviser la lumière, y compris les plus basses intensités lumineuses et ne peuvent pas les augmenter. Enfin, la réalisation de matrices d'électrodes ou de composants semi-conducteurs sur un écran plat est compliquée et onéreuse. 1 dispositif objet de la présente invention permet de remédier à ces inconvénients par l'utilisation d'une couche de matériau photo-sensible ou d'un arrangement photo-sensible de matériaux semi-conducteurs, c'est à dire dont une grandeur physique, ici électro-magnétique, dépend de la lumière qu'il recoit et ceci point par point. Cette couche de matériau photo-sensible est associée ou zélée à une couche de matériau dont l'activité optique, le pouvoir rotatoire ou la biréfringence dépend de la grandeur physique considérée.L'activité optique du matériau placé entre deux polariseurs permet d'atténuer la transmission ou la réflection des rayonnements et ceci point par point en fonction du rayonnement lui-même qui influence le matériau photo-sensible. D'autres modes de réalisation permettent d'atteindre le môme but, c'est à dire la variation de la fonction de transfert d'un rayonnement selon ledit rayonnement. L'utilisation de ces couches uniformes permet d'éviter les défauts optiques dus aux irrégularités latérales des milieux optiques et de leur indice de refraction. ùe plus, ces couches réagissant point par point. de manière microscopique, la modulation optique est très fine et indépendante de foré préézistantes. Un autre avantage de l'invention est de permettre de réaliser le dispositif en deux couches seulement et sans masquage d'ancune partie de ses couches puisqu'elles sont uniformes. La facilité de réalisation de couches uniformes est un autre avantage du dispositif. Enfin, l'indépendance du dispositif de tout capteur d'images selon plusieurs de ces modes de réalisation le rend compatible avec tout dispositif de prise, de transfert, de traitement, d'-'missicn ou de projection d'images ou transfert. de traitement, d'émission ou de projection d'images ou de rayonnements. y compris ceux qui ne comportent pas de capteurs d'images electroniques. Enfin, un complexent du dispositif. proposé par l'invention, permet d'augmenter les intensités les plus faibles de l'image ou du rayonnement transmis. Le contrôle du fonctionnement du dispositif par différents circuits électroniques proposés offre d'autres avantages, buts et caractéristiques d'adaptabilité du dispositif aux conditions de transfert d'images ou de rayonnement. L'utilisation du dispositif permet, au choix ou selon les modes de réalisation de comprimer ou d'étendre la dynamique des images ou des tayonnements, c'est à dire le rapport des intensités éncrg6tiques les plus fortes sur les intensitÉs énergétiques les plus faibles. de réaliser des négatifs automatiques et instantanés, de modifier ou de traiter les histogrammes de luminances et de chrominance des images et des rayonnements. d'augmenter les intensités énergétiques des images ou des rayonnements, de créer des fausses couleurs, de réaliser des solarisations.Plus généralement. le dispositif permet de réaliser toute fonction de transfert -ontinue, discontinue, linéaire ou non linéaire des luminances et chrominances incidentes en luminances et chrominances tranmises. et ceci rayon par rayon et point par point. Il réalise aussi, nais de manière optique, toutes les fonctions électroniques appelées Blook-up table* en couleurs. 11 est à noter que ces fonctions de transfert peuvent dépendre ou non de l'image ou des rayonnements inciaents selon les modes de réalisation utilisés. De plus, les paramètres optiques, luminances et chrominances, peuvent etre modulés par le dispositif de manière locale, point par point, de manière régionale, zone par zone. ou de manière générale, sur l'ensemble de l'image ou du rayonnenent Ainsi. chaque rayon peut influencer la fonction de transfert qui lui est appliquée mais aussi la fonction de transfert des rayons voisins et méme de l'ensemble des rayons On appelle rayon toute propagation électro-magnétique ou nucléaire s'effectuant selon un sens et une direction. On appelle rayonnement ou image tout ensemble de rayons. Mathématiquement, tout rayon peut etre représenté sous la forme d'un vecteur et tout rayonnement ou image sous la forme d'un champs de vecteurs. On appelle fonction de transfert, toute fonction d'un champs de valeurs ou de scalaires dans un autre champs ds vecteur ou de scalaires. Pour la clarté, cette fonction de transfert sera aussi appelée modulation optique d'une image. On appelle effet photo-électronique ou photo-sensibilité toute modification d'une grandeur ou d'une variation de grandeur électromagnétique due à un rayon. un rayonnement ou une image. Par exemple, sont des effets photo-électroniques ou photo-sensibles, les effets de photo-électricité, de photo distance, de photo-conductance, de photo-condensateurs, de photoinductance, de photo-dides, photo-réfraction, de phototransistors, et d'agitation thermique des électrons. On appelle effet électro-optique toute modification d'un paramètre optique. et notamment de la transmittance, de la transparence, de la réf lectance, de la réfraction, et de la transflectance due å une grandeur électro-magnétique. Far exemple, les fonctionnements des écrans plat; passifs, des verres dits "photo-grey" sont des effets électro- optiques ainsi que les biréfringences, pouvoir rotatoire, indices de réfraction ou activité optique contrôlés électroniquement. On appelle activité optique d'un matériau sa capacité à faire tourner les polarisations ordinaires et/ou extra-ordinaires de manière différentes. Cette activité optique peut être contrôlée de manier électrique, comme, par exemple dans les écrans plats passifs à cristaux liquides et à céramique PLZT. On appelle modulateur optique toute surface ou tout volume qui modifie les caractéristiques des rayons, des rayonnements ou des images qu'il transmet ou transfert. Les écrans plats, les transmittances, les transparences, les réf lectances. les transflectances sont, par exemples. des modulateurs. Le dispositif objet de la presente invention fonctionne selon l'ensemble des effets photo-electroniques combinés a l'ensemble des effets électro-optiques et réalise une modulation de rayon, de rayonnement ou d'image automatique ou contrôlée. En particulier. l'effet photo-électronique pourra influencer directement ou indirectement l'effet électro-optique, par un ensemble d'effets complexes physique, chimique, mécanique, calorifique ou autre dont la résultante sera la variation des caractéristiques optiques en fonction des grandeurs éleotro- magnétiques. I1 est à noter que les effets décrits ou effectivement utilisés pour la réalisation du dispositif pourront s'effectuer par contact. a travers un signal ou par influence à distance. En effet, les effets électroniques. électromagnétiques ou nucléaires génèrent des champs aussi bien que des transmission effectives de particules ou d'ondes et ces champs, transmission ou ondes pourront. indifféremment etoou indirectement agir sur les caractéristiques optiques d'un matériau adapté. Les écrans plats actifs ou passifs utilisent de nombreux effets électro-optiques, directs ou indirects, et le lecteur pourra se reporter a la description de leurs fonctionnement pour mieux comprendre le fonctionnement du dispositif. te dispositif est donc un dispositif de transfert de rayons, rayonnements ou images incidentes en rayons, rayonnement ou images transmis dont la fonction d- transfert dépend. point par point ntr zone par zone, des rayons, rayonnements Otl images incidents caractérisé en ce qu'il comporte au moins une couche de matériau sensible aux rayons, rayonnements ou images incidents dont au moins une grandeur électro-magnétique dépend desdits rayons, rayonnexent ou image incidente. et au moins une couche, éventuellement confondue avec la couche sensible, dont au moins un paramètre optique dépend directement ou indirectement de ladite grandeur électro-magnétique. La ri?alistion des couches uniformes ou moroellées qui seront utilisées est de type connu. En particulier, les techniques dltes de "spray", de dépots sous vide. de pulvérisation, de crolssance par epitaxie, de réalisation de couches de languir, ce décomposition thermique. d'implantation ionique. de jets moléculaire, de lythographie,d'enduit, de photolythographie, de dépot en général, l'inclusion de billes de même diamètres dans les liquides, la rétention de liquides entre deux lames solides parallèles sont des moyens connus de réalisation de couches uniformes de matériaux à l'état liquide, solide ou intermédiaire. 1'utilisatior de - caches, de masques, optiques, mécaniques, physiques ou @ @himiques de types connus permetta le morcellage d'une couche uniforme en zones. la photo-épitaxie présente, à cet égard des qualités connues. La description qui va suivre, faite en regard des desslns annexés dans un but explicatif et nullement limitatif, permet de mieux comprendre les avantages, buts et caractéristiques de i'invention. Plusieurs types d'effets électro-optiques y seront présentés. Aussi, on rappelle qu'il existe de nombreux types de cristaux liquides, smétiques, cholustériques, à hélice, tvistés et supertwistés, ferro-électriques, smétiques "A" ou "C" chiraux, et que tous ces cristaux liquides ainsi que ceux à venir et leur moyen d'adressage et de commande, direct, multiplexés, a matrices active, TFT ou MIM, et autres qu'il serait trop long de décrire ici sont conformes à l'esprit de I'invention tel qu'il a été exposé cidessus et de ces modes de réalisation exposés ci-après. Ces différente types de cristaux liquide ont cependant en commun que leur pouvoir rotatoire, leur activité optique ou leur biréfringence sur certains rayonnements dépend du champs électro-magnétique qui leur est appliqué. Dans les desslns annexés. les rayons, rayonnements ou images, representés par des flèches, se propageront toujours de gauche à droite et de bas en haut. La figure représente une vue partiellement schématique d'un premier mode de réalisation du dispositif, La figure 2 représente des courbes dé fonctionnement du premier mode de réa.iisation du dispositif. La figure 3 représente une variante du premier mode de réalisation du dispositif. La figure 4 represente des circuits électroniques adaptés au premier mode de réalisation du dispositif. La figure 5 représente un mode de réalisation d'une partie du dispositif. La figure 6 représente une vue partiellement sch6matique d'une variante du premier mode de réalisation du dispositif. La figure 7 représente des circuits électroniques adaptés à la variante présent6e en regard de la figurc C. La figure 8 représente une vue partiellement schématique d'une deuxième variante du premier mode de réalisation du dispositif. La figure 9 9 représente des circuits électroniques adaptées a la deuxiéme variante du premier mode de réalisation du dispositif La figure 10 représente une vue partiellement schmatique d'un deuxième mode de réalisation du dispositif. La figure 11 représente un complément électro-optique adaptable à tous les modes de réalisation du dispositif La figure 12 représente un circuit électronique adapté au complément électro-optique. La figure lJ represente ur. troisième mode de réalisation du dispositif. La figure 14 représente des implantations du dispositif dans des appareils de prise, de transfert ou de Projection d ' iMages La figure 1 présente lin premier mode de réalîsation du dispositif dans lequel les effets photo-électroniques et électrooptique s'effectuent dans deux couches séparées et qui comporte un circuit de controle et une alimentation électrique. Dans la figure 1A sont représentés sur un axe optique À et selon cet ordre, un polariseur 3. une électrode 8, une couche à effet photo-électronique 6, une couche e activité optique variable 7, une électrode 9 et un polariseur 4.Hors de l'axe optique À sont representés un circuit électronique 10 connecte aux électrodes 8 e.t 9 et une source d'énergie électrique 11 connectée au circuit électronique 10. 11 est à noter que les épaisseurs des polariseurs 3 et 4. des électrodes 8 et 9, des couches 6 et 7 ne sont pas représentées de façon proportionnelle, certaines de ces épaisseurs étant de l'ordre du Licron. Tous ces élements ont les mêmes fortes latérales quelconques, circulaire, carré, polygonale ou autre selon l'application du dispositif. Les polariseurs 3 et 4 sont de type connus, adaptes aux longueurs d'ondes des rayonnements incidents. la polarisation du polariseur 3 est représentée par une flèche verticale. la polarisation deu polariseur 4 est représentée par une flêche perpendiculaire au plan de représentation. Le polariseur 4 est aussi coarmunément. appelé analyseur car il se trouve optiquement dérrière le polariseur 3. les électrodes 8 et 9 sont transparentes et réalisées selon des techniques connues, notamment utilises pour la réalisation d'électrodes d'écrans à cristaux liquides. Elles peuvent être. par exemple en ITO, c'est à dire en oxydes mixtes d'Indium ot d'étain. Elles sont ici en une couche uniforme sur toute la hauteur et la largeur de la surface des polariseurs 3 et 4 Le circuit électronique 10 contrôle la différence de potentiel ou le courant électrique entre les électrodes 8 et 9. Certaines exemples de circuits adaptes à cette fonction sont présentés en regard de la figure 4. la source d'énergie électrique il e!t de type connu, à pile, batterie, cellule solaire, générateur, par exemple. la couche photo-électronique 6 est ici constituée d'une couche de matériau photoconducteur Certaines exemples de matériaux pouvant constituer la couche 6 sont donnés en regard de la figure 2. Ainsi. point par point ou zone par zone, la résistance électrique de la couche 6 dépend du rayonnement incident.Cette résistance, agissant sur l'intensité électrique traversant ledit point ou ladite zone de la couche diminue ou augmente localement de manière variable en fonction de l'intensité du rayonnement, la différence de potentiel entre les faces externes du point ou de la @one dé la couche électro-optique 7 au contact ou proche Ladite couche électro-optique 7 possède une activité optique, un pouvoir rotatoire ou une biréfringence variable en fonction de la différence de potentiel ou du champs électrique qui lui est appliquée. comme par exemple, une couche de cristal liquide ou de céramiqu P=t. Dais la figure 1A est représenté une couche de cristaux liquides Tvisted nématique aussi appelé TN qui en l'absence de champs électromagnétique font tourner la polarisation d'un angle de 90 / desrés et en présence d un champs électrique suffisant n'ont aucune activité optique. La différence de potentiel aux bornes du cristal liquide dépend de la résistance e série de la couche 6 et contrôle l'activité optique de la couche 7. Sous l'influence des faibles intensités lumineuses représentées sur la partie supérieure de la figure lA par deux fleches parallèles i l'axe A, la résistance de la zone considérée de la couche 6 reste élevée et la différence de potentiel aux bornes de ladite zone reste faible. Le cristal liquide a alors une activité optique telle que la polarisation des rayons qui ont traversé le polariseur 3 tourne d'un quart de tour et traverse la polariseur 4.Les rayonnements de feible intensité locale sont done transmis ou transférés dans leur intégralité, i la polarisation et aux relexion internes prise Sous l'influence de plus fortes intensités de rayonnements. représentées sur la partie inférieure de la figure lA par cinq fléches parallèles a l'axe A, la résistance de la zone considérée de la couche photoconductrice 6 devient conductrice et la différence de potentiel aux bornes de la zone de la couche 7 au contact de ladite zone de la couche 6 augmente La zone de la couche 7 perd alors. au moins partiellement son activité optique. Ainsi la polarisation des rayonnements qui traversent le polariseur 3 ne traverse pas le polariseur 4 qui est croisé avec le polariseur 3. Les rayonnements de fortes intensités sont donc atténués ou non transmis. Il est à noter que le même fonctionnement apparaitra avec une couche 6 photorésistante. c'est à dira dont la résistance est une fonction croissante du rayonnement incident, et deux polariseurs 3 et 4 a polarisation parallèles. ou avec une couche photorésistante 6 associée à une couche à activité optique variable 7 dont l'activité optique. nulle au repos augmente avec l'intensité du champs électromagnétique qui lui est appliqué, ou encore avec une couche photoconductrice 6, deux polariseurs 3 et 4 à axes de polarisations parallèles et une couches 7 à activité optique variable dont l'activité optique, nulle au repos augmente avec l'intensité du champs électromagnétique qui lui est appliqué. Cin obtient ainsi un dispositif de compression de dynamique de rayonnement, ou à fonction de transfert décroissante. , utilisant avec les mêmes composants que ceux représontés dans la figure 1A deux polariseurs 3 et 4 a axes de polarisation parallèles, ou une couche 6 photorésistante, ou encore une couche 7 à activité optique variable dont l'activité optique, nulle en l'absence de champs électromagnétique augmente avec l'intensité du champs électromagnétique qui l'entoure, on obtient un dispositif d'expansion de dynamique des rayonnements transmis ou transférés, ou à fonction de transfert croissante. Certains composants pourront être adaptés à fonctionner avec des rayonnements X, ultraviolets, infrarouges, nucléaires par exemple en étant réalisés en silicone pour les rayonnements nucléaires, en ZnSe c'est a dire a base de Zinc et de Sélénium, pour les rayons X. en silicium amorphe, en PbO, c'est à dire å base de Plomb et d'oxygène, polycrittallin, ou encore en Bi12GeO20, ciest a dire å base de Bismuth, de Germanium et d'oxygène pour la couche 6 photoconductrice en rayonnement X. Il est à noter que les positions respectives, l'une dcnct l'autre des couches 6 et 7 sont toutes deux conformes à l'esprit de l'invention. la représentation pour chacune des carinates suivantes et pour le premier mode de réalisation du dispositif des deux positions serait en effet lourde et n'est donc pas donnée ici. Le simple retournement d'ayant en arrière des composants placés dans le rayonnement a moduler fournissant déjà et sans xodification du dispositif le deuxième positionnement possible. Dan la figure lB sont représentés sur un axe optique A ct selon cet ordre, un polariseur 3, une électrode 8, une couche à activité optique variable 7, une couche de semi-conducteurS'6, une couche de semi-conducteur 5, une électrode 9 et un polariseur Q. Hors de cet axe optique A est représenté un circuit électronique 10 relié aux électrodes 8 et 9 et une source d'énergie électrique Il reliée au circuit électronique 10. les polariseurs 3 et 4, les électrodes 8 et 9, la couche à activité optique variable 7, le circuit électronique 10 et la source d'énergie électrique 11 sont les mémes que ceux présentés en regard de la figure 1A. La jonction des couches de semiconducteurs 5 et5'% est ici configurée de même manière que dar.s les jonctions des semi- conducteurs constituant les photo-diodes ou les phototransistors ou certains photodétecteurs électroniques. Elles peuvent être constituées de silicium. de germanium, de galium, d'arsenic, d'indium et/ou de phosphore, selon des techniques connues, et dopées ou non en charges électriques positives ou négatives ou en hydrogène. On sait, par exemple, qu'une jonction des couches et 5 dont l'une est à base de silicium amorphe hydrogéné est photoconductrice.D'autres assemblages, à plusieurs utilisent des effets d'avalanches sont. bien entendu. conformes e l'esprit de l'invention. et sont préférentiellement utilisés quand le rayonnement est faible. Selon cette configuration, certains rayonnements incidents sur la jonction des couches 5 et transmettent leur énergie ss une ou plusieurs charges électriques de ladite jonction et ces charges électriques se déplacent ou influencent cértains électrons de la couche 7. Selon les différences de potentiel appliquées entre les couches 5 et5'%, les électrons et charges en .ouvexent peuvent influencer la couche 7. Une partie du rayonnement incident crée ainsi un courant électrique local à proximité de leur point d'impact sur la couche 6. Ainsi, point par point ou zone par zone, la différence de potentiel entre les couches 5 et5'% dépend du rayonnement incident. La différence de potantiel entre la couche 5 et l'électrode 8 étant fixée, la différence de potentiel entre les deux surfaces frontales de la couche 7 dépend du rayonnement incident. Cette différence de potentiel, agissant sur l'intensité électrique traversant ledit point ou ladite zone de la couche augmente de manière variable en fonction du rayonnement. l'intensité électrique traversant la zone de la couche électro- optique 7 ë son contact ou proche dudit point ou de ladite zone de la couche iS' Il est å noter que selon la différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9 et selon le potentiel appliqué à la couche5'@ relie alors au circuit 10, il et possible de constituer une photo-cathote qui sous l'influence des photons incidents éjecte dans la couche 7 des électrons et y crée donc un champs électrique capable de 1 influencer. Sur l'exemple du dispositif selon le mode de réalisation présenté en regard de la figure 1A, à couche photoconductrice 6 et à cristal liquide 7, on peut décrire plus précisement les procédés de réalisation, la constitution et le fonctionnement du dispositif. La figure 2 présente des fonctions et des courbes de fonctionnement de parties et de l'ensemble du dispositif selon le premier mode de réalisation tel que présenté en regard de la figure 1A. la couche photoconductrice 6 peut entre constituée de CdS, Sn203, 7nO, SnO, CdZnS, par exemple. La couche de cristal liquide 7 peut être constituée de cristal nématique, smectique. ferroélectrique ou cholestérique, par exemple. La différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9 est de l'ordre de quelques volts, et contrôlée par des circuits électroniques tels que ceux décrits en regard de la figure 4 ci-apres. Pour le cristal liquide considéré la courbe de rotation d'un axe dc polarisation d'un rayonnement qui le traverse en fonction de la différence de potentiel qui est appliquée au cristal est donnée en retard ds la figure 2A Cette courbe est décroissante selon les caractéristiques du cristal liquide, ici twisted nématique. Pour d'autres cristaux liquides, cette fonction peut étre croissante. D'autres courbes peuvent aussi représenter le fonctionnement optique des cristaux liquides. En particulier, les cristaux liquides smétiques "C" chiraux, basé sur le retournement électrique dc dipôle dans un champs continu, et possédant, du fait d'au moins un carbone asymétrique dans leur molécule un comportement ferroéleotrique et une polarisation permanente non nulle, interdisent actuellement le fonctionnement en niveau de gris, le retournenent des dipoles impliquant une modification complète de leur biréfringence. La courbe de fonctionnement optique d'un tel cristal liquide smétique "C" chiral est donc discontinue et passs d'uu état extrèlae à uu autre. La courbe de résistance de la couche photoconductrice 6 en fonction de l'éclairement est donnée en regard de la figure 2B. Cette courbe est ici decroissante, comme, par exemple dans le cas ou la couche 6 est constituée de CdZnS, composé à base de Cadmnium, de Zinc et de Soufre. Par l'utilisation d'autres matériaux photo- sensibles, la courbe 2B peut être croissante. La courbe de différence de potentiel appliquée au cristal liquide en fonction d'éclairement est donné en regard de la figure 2C Cette courbe se déduit de la courbe précédante par la loi suivante : la différence de potentiel appliquée å la couche 7 est égale à la différence de la différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9 et du produit de la résistance de la couche 6 par l'intensité électrique. La courbe 2C est donc, ici, croissante. La combinaison des fonctions représentées en regard des figures 2r et en figure 2A donne la rotation d'un axe de polerisation en fonction de l'éclairement Cette fonction décroissante est représentée sur la figure 2D. On y voit que la rotation d-un rayonnement dépend de son intensité. La transmission du polariseur 4 est égale au sinus de langle de rotation, pour des polariseurs 3 et 4 croisés et égal au cosinus du même angle pour des polariseurs 3 et 4 parallèles. Ainsi, à travers le polariseurs 4, la tranemission du rayonnement est fonction dc son intensité. Il est a noter que seule la croissance ou la décroissance des fonctions sur un certain domaine de fonctionnement ont été représentées et que la forme de ces fonctions n'est pas caractéristique du dispositif ni les valeurs de rotation de polarisation représentes. En particulier, certains cristaux liquides font effectuer trois quarts de tour à l'axe de polarisation des rayonnements les traversant, comme par exemple les cristaux liquides dits STN pour Super Twisted Nematic et que d'autres cristaux liquides réalisent des torsions encore plus ixporttntes Toutes les fonctions d'activité optique dépendant du champs électromagnétique sont conformes à l'esprit de l'invention. De nombreux paramètres régissent le fenctionnement du dispositif; le gap ou bande d'energle interdite du matériau photorésistant. la différence de potentiel entre les électrodes e et 9. la plage d'éclairei,ents utilise. les épaisseurs des couches 6 et 7, la température, la stabilité ou la bistabilité du cristal liquide. Le dispositif selon le premier mode de réalisation contrôle la différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9. Les épaisseurs des matériaux sont réalisées selon les types d'applicatic et la sensibilité de capteurs d'images éventuellement associés au dispositif. De même, le matériau photosensible est sélectionné de tel le manière que son gap corresponde a la plage d'éclairement de fonctionnement du dispositif, selon les applications. Les matériaux utilisés pour réaliser les polariseurs S et 4 dépendent aussi des applications. Par exemple, ils sont réalisé en silicone pour les applications d'imagerie nucléaire. Enfin. l'c'paissour et la composition du cristal liquide, de la céramique PT7T ou du matériau a activité optique variable 7 dépendent eux aussi des applications, des longueurs d'ondes, des rayonnements à moduler. Il est a noter que le modulateur photo-sensible ainsi réalise dans le premier mode de réalisation du dispositif peut fonctionner avec des niveaux de gris, c'est à dire en atténuant plus ou moins les rayonnements incidents, ou en tout ou rien, c'est a dirc c étant transparent pour certaines caractéristiques énergétiques de- rayonnement et opaque pour d'autres caractéristiques énergétiques de rayonnement. Il est aussi à noter que le dispositif pourra fonctlonner de maniera positive, c'est a dire en étant transparent pour les faibles valeurs énergétiques et opaque pour les hautes valeurs énergétiques, ou de manière négative, c'est à dire en étant opaque pour les faibles valeuyrs énergétiques et transparents pour les hautes valeurs énergétiques. De manière à ne pas alourdir l'exposé, les figures suivantes presentent la couche photo-électronique 6 optiquement devant la couche électro-optique 7, quand ces deux couches sont séparées l'inversion de Ces deux couches 6 et 7 réalise des variantes qui ne seront pas rappelées pour chacun des modes de réalisation du dispositif. De plus, le retournement simple et mécanique de l'ensemble constitué des polariseurs 3 et 4 et de ces couches 6 et 7 permet de réaliser ces variantes sans modifier le dispositif. De méme, pour certaines couches électro-optiques 7. particulièrement quand elles sont liquides. des traitements de surface chimiques ou physiques des polariseurs 3 e' 4 etwou de la couche 7 seront nécessaires mais ne sont pas représentés ici. Ces trait-ents de surfaces ont pour fonction d'orienter les molécules composant lesdites couches 6 selon des axes en correspondance avec les axes de polarisation des polariseurs 3 et 4. D'autres traitements de type connus pourront s'y ajouter, mais ne sont pas rappelés ici. La figure 5 représente cependent un ensemble de couches possibies pour réaliser la partie optique du dispositif. Il est à noter que ces effets s'effectueront point par point cr fonction de la différence dc potentiel entre les électrodes 8 et 9 en fonction du rayonnement incident et en fnnr.titin de l'épaisseur de la couche 6 et que donc l'activité optique de chaque point ou de chaque zone de la couche dépend du rayonnement incident sur ce point ou sur cette zone. La figure 9 présente une variante du premier mode de réalisation caractérisée en ce que les effets photo-électroniques et électro-optiques s'effectuent dans une seule couche uniforme numérotée 2. Dans la figure 3 sont représentés sur un axe optique A mt selon net nrdre un polariseur 3 une électrode 8, une couche photo-sensible e modulation optique variable en fonction du champs électromagnétique qui la traverse -2, une électrode 9. et un polariseur 4. Hors de cet axe optique A est représenté un circuit électronique 10 et une source d'énergie électrique 11. Te polariseurs 3 et 4, les électrodes 9 et 9, la source d'énergie électrique 11, sont de mêmes types que ceux prôcentés en regard de la figure 1A. La couche photo-sensible a modulation optique variable 2 peut être constituée d'un mélange d'un composé chimique à activité optique variable et d'un composé photo-électronique ou d'un composé possedant ces deux proprietes. Dans la couche 2 s'effectuent simuitanément et localement les effets photo-électroniques et électro-optiques décrits plus haut concernant les couches 6 et 7 du premier mode de réalisation tel que présenté en regard de la figure 1A. Le circuit électronique 10 contrôle la différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9. Certains exemples de circuits adatés & cette fonction sont présentés en regard de la figure 4. Dans la figure 3, la différence de potentiel entre les électrodes 8 et 9 favorise les effets photo-électroniques et électro-optique. En particulier, l'effet photo électrique pourra être utilisé dans ce deuxième mode de réalisation. Ainsi, sous l'influence du rayonnement photonique incident à moduler, certains éiectrons des composés photo-électronique pourront être arrachés de ces composés et pourront circuler dans la couche 2 en y provoquant un champs électromagnétique faisant varier l'activité optique de molécules placées dans ce champs. Une autre manière de réaliser la couche 2 r.onsiste en un mélange ou une combinaison chimique de composé photo-résistant et de composés dont l'activité optique dépend du champs électrique qui leur est appliqué ou de l'intensité eiectrlQue les traversant. II est à noter que ces effets s'effectuent point par point en fonction de la différence de potentiel entre les électrodes o ct 9. en fonction du rayonnement incident et en fonction de l'épaisseur de la couche 2 et que donc l'activité flpt.iTie de chaque point ou de chaque zone de -la couche 2 dépend du rayonnement incident sur ce point ou sur cette zone. La figure 4 représente des circuits électroniques 10 adaptes au premier mode de réalisation du dispositifs présentés en regard des figures 1, 2 et 3. la figure 4A représente un circuit électronique 10 comportant un interrupteur 100 et un régulateur de tension composé d'un potentiomètre 101, de deux résistances égales 102, d'un amplificateur opérationnel 103 et deux connecteurs de sortie 104. Ce circuit. d'une compréhension tres aisée a pour simple fonction de mettre en marche le dispositif par l'interrupteur 100 et d'en contrôler la sensibilité qui est fonction de la difference de potentiel entre ses connecteurs 104 de sorties qui sont reliées aux électrode o" et 3. I1 est a noter que le potentiomètre 101 peut être relié å un sélecteur de sensibilité. par exemple celui des appareils photographiques. D'autres circuits ayant la zone fonction mais plus complexes pourront faire varier de manière discrète la tension aux bornes des connecteurs de sortie 104 selon la sensibilité d'une pellicule chimique. ladite pellicule chimique ayant un codage de sa sensibilité sur son boîtier, ou de manière continue en fonction de l'amplification réalisée dans des circuits électroniques reliés a un capteur d'image électronique placé dans le champs du même rayonnement optiquement derrière les composants optiques d dispositif. La figure 4B représente un circuit électronique iO générant des fonctions périodiques adaptées à la commande de fonctionncment de cortains matériaux pouvant constituer la couche 7 à activité optique variable, comme notament les cristaux liquides sméytiques "C" chiraux ferrcélectriques. La circuit de la figure 4B est d'une compréhension älsée. Le rapport cyclique de ce signal dépend de la position du potentiométre 101.Les fonctions de sortie sont un signal carre sur le connecteur 104A. un signal d'impulsion sur ie conneceteur iu4B et un signal triangulaire sur le connecteur sur le connecteur 104C L'un de ses connecteurs est connecté électriquement à l'une des électrodes 8 ou 9, l'autre électrode étant relié i la borne négative de la source d'énergie 11. Les amplificateurs operationnels peuvent être, par exemple de référence LM101. La figure 4C représente un circuit électronique 10 adapte a fournir des rampes en fonction d'une synchronisation. I1 comporte un connecteur électrique d'entrée 110. deux connecteurs électriques de sortie 104. trois transistors 107. des résistances 102, deux potontiomètres 101. des condensateurs 108, et des diodes 109. le signal d'entrée. sur le connecteur 110 est tel qu'il ne déclenche la génération d'une rampe ascendante aussi appelée dent de scle que selon une impulsion sur un signal provenant de l'extérieur du dispositif correspondant. par exemple au début d'une prise de vue.Pour cela, il est do tension nulle en dehors du déclenchement et d'une tension de un demi à cinq volts pour le déclenchement. la tension réalisée sur le connecteur 104 relié aux électrodes 8 et 9 est une rampe ascendante. Cette rampe et les signaux de tension croissante ou décroissante. en général, sont particulièrement adaptés à la commande de latériaux à activité optique variable fonctionnant en tout ou rien -t éventuellement bistables, comme, par exemple. les cristaux liquides ferroélectriques. L'augmentation progressive de la photo-sensibilité, proportionnelle à la tension appliquée entre les électrodes 8 et 9 permet de séparé pour deux rayonnements parallèles de fortes intensités, l'énergie totale transmis au cours du temps pour chacun d'entre eux.En effet, le rayonnement le plus fort étant, par exemple deux fois plus intense que le second, provoquera un obscucissement en un temps supérieur à la moitié du tomps d'obcourcissement dû à l'autre rayonnement grâce à l'augmentation de sensibilité entre le premier obscurcissement et le second I1 est à noter que le signal de déclenchement réalisé sur le connecteur d'entrée 110 peut être cyclique.Ainsi, ce signal de declenchement de l'augmentation de photo-sensibilité peut etre adapté aux appareils monocoups, c'est à dire à déclenchement unique, caméras monocoups, appareils photographiques, projecteurs do diapcoitivs, apparcils de radiographie, par exemple, aussi bien qu'aux appareils & fonctionnement continu. camera cinématographique on vidén, projecteur de films ou de vidéo par exemple. pour lesquels les déclenchements sont cycliques. Dans le premier cas, un circuit non représenté réalisera une impulsion au déclenchement de la prise, du transfert, du traitement, de llemlsslcn ou de la projection de l'image ou du rayonnement. Dans le second cas. les impulsions réalisées sur le connecteur d'entrée 110 sont extraites du signal do commande et de synchronisation de l'appareil auquel le dispositif est associe. ta figure 4D représente un circuit électronique 10 de régulation de courant électrique. Ce circuit a deux avantages dlstlncts. Le premier pour une utilisation avec des cristaux liquides classiques fonctionnant à différence de potentiel constante, le courant étant fixe. la transparence moyenne du cristal liquide, sur sa surface, sera fixe et l'on évite ainsi un obscurcissement complet ou une transparence complète du cristal liquide. le second est que pour certains cristaux liquides. il est plus aise de contrôler leur fonctionnement en réglant le courant qui les traverse qu'en contrôlant leur tension d'alimentation.Dans la figure 4D, le transistor 111 peut être, par exemple de type LM195 et le transistor 112 de type 2N2222, types connus de l'homme de l'art. Pour l'utilisation de ce circuit, la horne "moins" du circuit est connectée à la borne "moins" de l'alimentation électrique 11. la borne 'plus" du circuit est connectée à l'une des électrodes 8 ou 9, l'autre électrode étant connectée à la borne "plus" de l'alimentation electrique 11. La figure 4E représente un circuit qui contrôle ia tension entre les électrodes 8 et 9 en fonction de l'intensité totale des rayonnements traversant les composants optiques du dispositif. On comprend aisément Qu'il s'agit d'un montage amplificateur à reartion ou à contre-réaction. suiveur ou inverseur selon la position du potentiomètre 101. dont l'impédance de retour est formée des composants optiques placées en série entre les electrodes B et 9 et d'une résistance 102 montée en parallèle. Selon que les composants optiques du dispositif fonctionnent électriquement de manière capacitive ou de manière résistive, ce circuit cst adaptô par variation des valeurs de ses composants électriques. En entrée, a gauche est connectée l'alimentation électrique 11 Il est à noter que les circuits présentés en regard des figures 4A, 4B, 4C, 4D et 4E ont des avantages distincts et que leur combinaison, qui est aise permet de cumuler ces avantages pour une réalisation particulière, conforme à l'esprit de 1 'invention. La figure S représente une coupe possible de la partie optique du premier Mode de réalisation du dispositif tel que présente en regard de la figure lA dans laquelle s'effectuent les effets photo-électronique et électro-optique. En effet, certains écrans à cristaux liquides comportent des intégrations de polariseurs et de traitements sur des lames de verres mais d'autres sont réalisés avec une séparation de toutes les couches utiles en des composants séparés. On trouve successivement sur la figure 5 un polariseur 3, une lame de verre 30 servant de substrat, une électrode 8, un couche photoconductrice 6, un traitement de surface 31, une couche à activité optique variable 7, un deuxième traitement de surface 32, une électrode 9, un substrat en verre 33 et un polariseur -de sortie ou ffi seur 4. Le traitements de surfaces 31 et 32 servent à orienter les Molécules de la couche 7 à proximité de la surface de verre de telle manière que ces molécules ont une polarisation parallèle ou perpendiculaire à la polarisation du polariseur 3 ou à passiver la jonction entre la couche à activité optique variable 7 et la couche photoconductrice 6 Préférentiellement les indices de réfraction de ces différentes couches seront adaptes à ne pas provoquer de double réflexion. Préférentiellement, certaines de ces couches seront confondues pour limiter le nombre de changement de milieu au cours de la traversée de l'ensemble par un rayon lumineux. En particulier, le polariseur pourra être réaliser à la surface du substrat ainsi que l'électrode le touchant et le traitement de surface. Il est à noter que selon les matériaux à activité optique variable, le nombre de couche pourra btre différent. En particulier, l'utilisation des céramiques solides ne nécessite pas toutes les couches présentées Dans les autres figures, précédantes et suivantes, seuls les éléments caractéristiques de l'invention sont représentés, etant entendu que selon les matériaux utilises, des composants supplémentaires pourront être utilisées tout en restant conforme- à l'esprit de 1 invention. la figure 6 représente une variante du premier mode de réalisation dans laquelle se trouvent tous les éléments de ce premier mode de réalisation tel que présente. en regard de la figure 1A. ainsi -qu'un capteur de rayonnement 12 connecté électriquement au circuit électronique 12. Ledit capteur 12 peut être une cellule photo-eiectrique de type connu et utilisé par exemple dans les appareils photographiques, conme, par exemple CdS, c'est à dire à base de cadmnium et de soufre, figure 6'i, ou bien un capteur d'image électronique. par exemple de caméra vidéo, figure 6B.Dans un but de simplification. les circuits électroniques associes au capteur 12 ne sont pas représentes ici et 1 'on admet que ces circuits non représentés fournissent un signal de tension variable en fonction croissante de l'intensité du rayonnement capté par le capteur 12 comportant éventuellement des signaux de synchronication comme par exemple un signal vidéo standart. @es circuits non représentés sont de typos connus dans les. cellules d'appareils photographiques et de caméras vidéos. Cette variante a pour avantage de permettre l'adaptation de la tension de commande des octets photo-eleotroniques en fonction de la moyenne des intensité des rayonnements incidents. La figure 7 représente un circuit électronique 10 adapté à la promière varianto du premier mode de réalisation du dispositif présente. en regard de la figure 6. Dans ce circuit 10. la différence de potentiel entre les électrodes e et 9 dépend du signal transmis par le capteur photo-électrique 12. le circuit 10 représenté dans la figure 7 comporte un etage de détection de valeur crete à gauche et un étage de multiplication à droite multipliant la valeur crete du signal issu du capteur 12 par un signal issu d'un circuit électronique de commande comme, par exemple, l'un de ceux décrits en regard de la figure 4 Il est å noter que le bouton poussoir qui représente la remise à zéro de la valeur crête peut être remplacé par un interrupteur par exemple à transistor commande par des impulsions de synchronisation ou par un signal cyclique. La figure 8 represente une autre variante du premier mode de réalisation du dispositif dans laquelle certaines couches sont fragmentées et chaque fragment est contrôlé séparément en fonction dc la lumière qui le traverse. Dans la figure 8. les électrodes 8 et 9 sont Multiples et forment des réseaux d'électrodes croisés de même type que les réseaux d'électrodes d'écran à cristaux liquides. par exemple. flans la figure A sont représentés, outre les éléments de la figure lA, un capteur d'image électronique 41 connecté au circuit électronique de contrôle et de commande 10 et placé optiquement derrière les autres composants optiques sur l'axe optique A. Dans la figure 8B sont représentés, outre les éléments de ia figure is, un miroir partiellement réfléchissant 40 incliné placé sur l'esse optique Â devant les autres composants optique et un capteur é@ectronique 41 connecté au circuit de contrdls et de commande 10 et placé sur l'axe optique A' réflexion de l'axe optique A par le miroir partiellement réfléchissant 40. Dans la figure 8C sont représentés, outre les éléments de la figure 3. un capteur d'image électronique 41 connecté au circuit électronique de contrôle et de commande 10 et placé optiquement derrière les autres composants optiques sur l'axe optique A. Dans la figure 8D sont représentés, outre les éléments de la figure 3. un miroir partiellement réfléchissant 40 incliné placé sur l'axe optique A devant les autres composants optiques et un capteur électronique 41 connecté au circuit de contrôle et de commande 10 et placé sur l'axe optique A' réflexion de l'axe optique A par le miroir partiellement réfléchissant. La commande des effets photo-électroniques dépendant des images captées.par le capteur d'image, on voit que les variantes présentécs en regard des figures A et 8C réalisent des asservissement en boucle ouverte et les variantes présentées en regard des figure RB et 8D réalisent des asservissements en boucle fermée. les asservissements en boucle fermée pourront être en contre-réaction ou en réaction selon que l'on souhaite réduire ou augmenter, respectivement, la dynamique de l'image transmise par le dispositif.La présente variante a donc pour avantage de combiner une fonction de transfert optique et une fonction de transfert électronique. La fonction de transfert optique étant controlée par le courant ou la tension aux bornes d'une zone du matériau à activité optique variable, et le courant ou la tension en chaque zone dépendant du rayonnement incident, tel qu'il est capté par le capteur d'image électronique 41 et de la fonction de transfert du signal d'image en signal de contrôle du dispositif, le dispositif selon cette variante peut réaliser des fonctions de transfert différentes pour chaque rayon du rayonnement incident La figure 9 représente des exemples de circuits 10 adaptés à la variante du premier mode de réalisation présentée en regard de 13 figure 8. Le circuit électronique 10 traite les signaux de type vidéo issus de circuits électroniques associés au capteur d'image électronique 41. il transfert les signaux, une fois traités, au circuit de synchronisation et de commande des électrodes 8 et 9 qui sont ici commandées par un signal vidéo.Les circuits associés au capteur d'image électronique 41 et aJx électrodes 8 et 9 sont de types connus, par exemple utilisés dans les caméras vidéos et dans les écrans de tééviseufs de poche à cristaux liquides. La circuit 10 présenté dans la figure 9 comporte trois étages 10A, 105 et 1DC. Le premier, 10A, reçoit le signal issu du capteur d'image électronique et réalise une séparation des signaux de synchronisation, qui sont transmis au troisième étage, lOC, et des signaux représentatifs de l'image captée par le capteur 41, qui sont transmis au deuxième étage, lOB. Le second, 1DB, réalise, selon la position du potentiomètre 101. une amplification avec ou sans inversion.Le troisième. 10C, réalise une combinaison en un signal de type vidéo composite des signaux de synchronisation issu de l'étage 10A et des signaux représentatifs d'une image, issus de 10B. Le signal vidéo transmis en sortie de l'étage 10C du circuit 10 est donc un signal vidéo représentant une amplification avec ou sans inversion. c est à dire en positif ou en négatif de l'image captée par le capteur 41. La compréhension des fonctionnements des étages du circuit 10 et de l'ensemble du circuit ne présente aucune difficulté. L'avantage de l'utilisation d'un tel circuit en combinaison avec la variante du premier mode de réalisation présentée en regard de la figure 8 est que l'on pourra, selon la position du potentismètre 101, affectée chaque zone de l'image se trouvant entre deux électrodes 8 et 9 d'une tension, et donc d'une photo-sensibilité, fonction croissante ou décroissante de l'intensité lumineuse traversant ladite zone et qui est captée par le Point correspondant du capteur 41. Ainsi, on réalisera une fonction de transfert amplifiant, réduisant ou inversant les contrastes d'intensité lumineuse par simple manipulation du potentiomètre 101. La fonction de transfert totale du dispositif est ici le produit de la fonction de transfert électronique, réalisée par le circuit électronique 10 et de la fonction transfert optique réalisée dans l'assemblage des composants optiques du dispositif. La figure 10 représente un deuxième mode de réalisation du dispo- sitif dont le principal avantage est d'être indépendant de tout capteur d'image et de toute source d'énergie non rayonnée. Dans la figure IOA sont représentés, sur un axe optique A, un plariseur 3, une couche de matériau photo-sensible à activité optique varia bre 2, un polariseur 4, dans cet ordre. Les polariseurs 3 et 4 sont de mêmes types et asc;.=ent les mêmes fonctions que ceux présentés en regard de la figure 1A. La cruche de matériau 2 assure simultanément la réalisation de l'effet photo-rtectronique et de l'effet électro-optique. Pour ce faire, la couche de matériau Z peut être réalisée par mélange de matériaux à activité optique variable et de particules de matériau photo-sensible telles que ces particules présentent, en fonction de l'intensité du rayonnement incident une différence de potentiel ou un courant variable entre deux de leurs points. De telles particules constituentf par exemple, les cellules solaires. La différence de potentiel ou le courant ainsi créé influence l'activité optique du matériau à activité optique variable. On peut utiliser, par exemple, des cristaux liquides mélangés à des particules de silicium pour réaliser un tel mélange. D'autres moyens de réalisation de types connus, à mélange ou à combinaison chimique de composés photo-sensibles te de composés à activité optique variable en fonction du champ électro-magnétique nécessite une description longue qui n'est pas répétée ici et qui réalise les mêmes fonctionc que celles décritent précédament. La figure 10B représente une variante du deuxième mode de réalisation du dispositif dans laquelle les effets photo-électronique et électrooptiques s'effectuent dans deux couches de matériaux séparées. Dans la figure 10B sont représentés sur une axe optique A et selon cet ordre; un polariseur 3, une électrode 8, une couche de matériau photo-sensible 6, une couche à activité optique variable 7, une électrode 9 et un polariseur 4. Les électrodes 8 et 9 sont reliées électriquement. Les polariseurs 3 et 4, les électrodes 8 et 9 sont de mêmes types que ceux représentés en regard de la figure 1A. La couche à effet photoélectronique 6 est constituée d'un matériau dont la différence de potentiel ou le courant électrique entre les faces dépend localement du rayonnement la traversant. La couche 7 de matériau à acticité optique variable est de même type que présenté précédament. La couche 6 peut être, par exemple constitué d'une cellule solaire éventuellement fragmentée, dont une face est reliée électriquement à la couche 7 et dont l'autre face est reliée électriquement à l'électrode 8, elle-même reliée électriquement à l'électrode 9. Dans ce cas, la couche 6 sera traitée ou réalisée de manière fine de façon à être partiellement transparente au rayonnement initial. La figure 1 1 représente un complément optique pouvant être utilisé avec tout les modes de réalisation et toutes leurs variantes. Son objet est d'augmenter les intensités de rayonnement de manière égale pour tout les rayons. Ainsi, la dynamique du rayonnement est réduite puisque, proportionnellement, les rayons d'intensités les plus ribles s'ajoute à un rayonnement additionnel d'intensité plus importante que les rayons de forte intensité énergétique. De plus, ce complément optique permet de réduire la perte d'intensité dûe à l'utilisation de polariseurs. La figure 1 1 représente un miroir ou une lame partiellement réfléchissant 43, placé de manière inclinée par rapport à un liaxe optique A et réfléchissant sur l'axe optique A un axe optique A', et une source de rayonnement 42 placée sur l'axe optique A'. Hors de ces deux axes optiques se trouve un circuit électronique 44 de contrôle de la source 42. Selon les cas, le complément optique représenté sur la figure 11 peut être placé optiquement devant ou derrière les composants optiques du dispositif tels que représentés précédament. Le rayonnement initial suivant l'axe A se trouve additionné. par l'intermédiaire du miroir 43 à un rayonnement additionnel provenant de la source 42. La figure 12 représente un exemple de circuit électronique 44 permettant de commander l'intensité du rayonnement émis par la source 42 en fonction d'un signal de type vidéo composite. Il est donc adapté à la variante du premier mode de réalisation représentée en regard de la figure 8 avec un complément optique tel que présenté en regard de la figure 11. Ce circuit électronique 44 comporte deux comparateurs à amplificateurs opérationnels comparant le signal d'entrée, de type vidéo composite issu de l'électronique associée à un capteur d'image électronique 41. avec deux valeurs règlées par des potentiomètres 101. Il comporte de plus trois diodes électroluminescentes 42 dont l'intensité du rayonnement est inégal et croissant avec la tension du signal uidéo.Il est à roter que le ciruit 44 présenté en regard de la figure 12 est avantageusement connecté à un détecteur de crête tel que celui représenté en figure 7 comme premier étage d'un circuit électronique 10. La figure 13 représente un troisième mode de réalisation du disposi Jf dans lequel l'effet photo-électronique s'effectue grâce à l'arrangement de deux surfaces de semi-conducteurs photo-sensible séparés par une couche très fine de matériau à activité optique variable. Dans la figure 13, on retrouve tous les composants du premier mode de réalisation tel que représenté en regard de Ia figure 1B, mais le matériau semi-conducteur s s est placé optiquement devant le matériau 7. La couche de matériau 7 est ici très fine, et pour cela, elle peut être solide, par exemple constituée de céramique PLZT, c'est à dire à base de Plomb, Lanthane, Zirconate et Titanate, ou liquide, à retournement de polarisation, corsle les cristaux liquides smétiques "C" chiraux.La réalisation et le fonctionnement des couches 5 etSX est le même que celui des composants semi-conducteurs constituant les photo-diodes, les photo-cathodes ou les photo-transistors. n est à noter~ que selon le mode de réalisation de ces couches, différents effets électroniques sont utilisés. La figure 14 représente l'insertion du dispositif dans différents appareils de prise de vues, pour lesquel le contraste est un des problèmes actuellement. Le dispositif peut cependant s'utiliser aussi avec des appareils de restitution, d'émission, de projection, de transfert d'images ou dans les appareils optiques de vision. Dans la figure 14, le dispositif est symbolisé par une droite représentant en coupe les composants optiques du dispositif, par un rectangle, représentant les circuits électroniques du dispositif, par éventuellement un capteur photo-sensible, par éventuellement une ource lumineuse et un miroir partiellement réfléchissant, et par les connexions électriques entre ces parties et avec les circuits des appareils de prise de vues. Dans la figure 14A, le dispositif est associé à un appareil photographique est sa partie optique est placée entre l'obturateur et la pellicule chimique. Le capteur photo-sensible est celui de la cellule de l'appareil photographique et le circuit électronique du dispositif est connecté au sélecteur de sensibilité de la pellicule. Dans la figure 14B, le dispositif est associé à une caméra vidéo et sa partie optique- est placée devant le capteur d'image. Ledit capteur d'image est relié électriquement au dispositif. Celui-ci comporte un complément optique tel que représenté en regard de la figure 11. Dans la figure 14C, le dispositif est associé à un appàreil de radiographie. La partie optique se trouve entre la source de rayonnement X et la cible, de manière à réduire le rayonnement sur celle-ci. Pour ne pas alourdir l'exposé, la description des appareils de prise de vues n'est pas détaillée ici mais facilement reconnaissable par l'homme de l'art. il est à noter que la partie optique du dispositif peut se trouver dans tout plan optique particulier ou non. tel que plan nodaux et antinodaux, plans principaux et anti-principaux, plans de diaphragme, plan de transformée de Fourrier, plan de focalisation, par exemple. Il est à noter que dans le cas d'un appareil de prise de vue utilisé avec un flash. le dispositif peut avoir pour fonction de réduire les différences de réflexions dûes à la distance des obJets dans le champ de prise de vue. Pour cela. deux éclairs de flash sont réaliser à un intervalle de temps égal au temps de réaction du dispositif et la prise de vue est effectuée au cours du deuxième éclair de flash, avec une modulation de lumière par le dispositif réalisée en fonction de l'image parvenant au cours du premier éclair de flash. Il est à noter que le remplacement du polariseur arrière 4 par un polariseur ayant deux polarisations perpendiculaires filtrant des couleurs différentes est un moyen de réalisation de fausses couleurs. En effet, chaque intensité lumineuse correspond à une activité optique différente, donc à une rotation de l'axe de polarisation qui traverse le polariseur 3 différente. Le polariseur arrière 4 ayant deux couleurs sur ses polarisations perpendiculaires fait correspondre cette rotation, et donc les intensités lumineuses à des couleurs différentes. Il est à noter que le transfert et la transmission ont été volontairement confondus dans l'exposé mais que l'utilisation de réflexion, éventuellement modulante est aussi conforme à l'esprit de l'invention. En particulier. l'utilisation d'un miroir placé optiquement derrière les composants optiques du dispositif de manière à réaliser un modulateur réflectif ou l'utilisation de l'effet magnéto-optique de Faraday sont conformes à l'esprit de l'invention bien que la représentation des variantes reflectives ou transflective pour chacune des variantes des modes de réalisation exposés rende trop lourd la présente description. Il est à noter que le dispositif peut fonctionner avec des niveaux de gris ou sans et de manière positive ou négative. Enfin, les combinaisons des variantes des modes de réalisation présentées réalisent d'autres variantes ou modes de réalisations conformes à l'esprit de l'invention tel qu'il ressort des revendications annexées. REVERIDICATIONS 1j Dispositif de modulation de rayonnement du type comportant deux polariseurs (3,4) placés de part et d'autre d'une couche uniforme (7) de matériau optique dont un paramètre de transfert optique dépend localement du champ électromagnétique qui le traverse, caractérisé en ce qu'il comporte un arrangement de matériau (6) générant ou contrôlant un champs électromagnétique dépendant localement du rayonnement qui l'atteint, cet arrangement de matériaux (6) et la couche uniforme (7) étant placés dans le champ du même rayonnement. 2) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre deux électrodes (8,9) transparentes au rayonnement mis en oeuvre et placés de part et d'autre de la couche de matériau optique (7), un circuit électronique (10) contrôlant la différence de potentiel et/ou le courant électrique entre les électrodes (8,9). 33 Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'arrangement de matériau (6) constitue une couche uniforme photo-résistante ou photoconductrice placée entre l'une des électrodes (8,9) et la couche de matériau optique cri). 4) Dispositif selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'arrangement de matériau (6) consiste en deux couches (85 juxtaposées de semi-conducteurs. 5) Dispositif selon la revendication I, caractérisé en ce que l'arrangement de matériau (6) est mélangé ou combiné avec la couche optique (7) en une couche unique (2). 6) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre un capteur de rayonnement et des électrodes (8,9) adaptées au nombre de points de ce capteur (12,41) et un circuit électronique adapté à commander le courant ou la différence de potentiel sur ces électrodes (8,9) en fonction du rayonnement reçu par le capteur (12,41). 7) Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 5 caractérisé en ce que l'arrangement de matériau (6) génère lténergie nécessaire au fonctionnement du dispositif. 8) Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'arrangement de matériau (6) constitue autour de la couche optique (7) deux jonctions de semi-conducteurs(5,5'). 9) Dispositif selon l'une quelconque des rev-endications précédantes caractérisé en ce que le circuit - électronique (10) contrôle le champ électromagnétique entre les électrodes (8,9) en fonction de la différence de potentiel ou le courant entre lesdites électrodes (8,9Y. 10) Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédantes caractérisé en ce qu'il comporte une source de rayonnement (42), un moyen d'addition / (43) du rayonnement initial et du rayonnement issu de la source (42) et un circuit électronique (44) contrôlant le rayonnement émis par la source (42).