Brevet FR2643192A1 — publié le 19900817

A. La présente invention concerne un procédé de fa- brication d'un dispositif semiconducteur et, en particu- lier, une technique d'abaissement de la résistance électri- que de porte dans un procédé de fabrication d'un transistor & effet de champ en GaAs à porte auto-alignée en métal réfractaire. Les figures 7a à 7i montrent des vues en coupe IC transversale d'un dispositif semiconducteur aux stades principaux de sa fabrication par un procédé selon la technique antérieure. Tout d'abord, comme représenté sur la figure 7a, une couche active 2 est ?roduite en un endroit voulu sur un -5 substrat semi-isolant 1 en GaAs par inDlantation d'ions, puis, comme représenté sur la figure 7b, une couche de siliciure de métal réfractaire, comme par exemple la couche 3 en WSi, est apiliquée sur toute la surface du substrat semi-isolant 1 en GaAs par pulvérisation sous vide ou dépo- 2C isition et un élément formant porte comirprenant une pellicule ?hotorésistance 6 est oroduit sur une partie de la couche 3 o il s'agit de former une porte. Ensuite, comme représenté sur la figure 7c, la couche 3 de WSi est sélectivement réduite par décapage aux ions réactifs (ap.elé ci-après "DIR") en utilisant un mé- lange gazeux CF4 + 02 ou du SF6 gazeux et en se servant de la pellicule Photorésistante 6 comme masque. Alors, une inDlantation d'ions est effectuée en utilisant la couche 3 de WSiX décapée sélectivement, c'est-àdire une porte en métal réfractaire, en tant que masque et en procédant à un recuit pour former une couche 4 à forte concentration d'im- puretés (figure 7d). Après cela, comme représenté sur la figure 7e, une pellicule isolante 5 (en SiO2) est appliquée sur toute la surface du substrat semi-isolant 1 en GaAs au moyen d'un appareil CVD au plasma et ensuite, comme repré- senté sur la figure 7f, une ?ellicule photorésistante 9 est déiosée sur cette pellicule isolante, de façon à égaliser la surface, par un appareil à déposer de la matière photo- résistante. Ensuite on procède à un décapage jusqu'à ce que la couche 3 de WSi se trouve mise à nu, dans des conditions o la vitesse de décapage de la pellicule ?hotoresistante 9 et celle de la ?ellicule isolante 5 sont rendues égales l'une à l'autre, Dar un aoareil de décapage (figure 7g), 1C. après quoi, commne représenté sur la figure 7h, il est pro- cédé à la mise en place de la ?ellicule Photorésistante 7 sous une forme bien définie, et un revêtement 8 à Plusieurs couches de métaux à faible résistance, tels que Ti/Mo/Au, est déosé sur l'ensemble, puis enlevé en partie. Enfin, D5 comre représenté sur la figure 7i, des électrodes source et drain 10 sont réalisées. Toutefois, dans le procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon la technique antérieure il est nécessaire de découvrir la surface de la pellicule de 2C wSi dans des conditions de planéité uniforme sur toute la surface de la ilaquette au cours de la mise à nu du dessus de l'électrode formant porte 3 en métal réfractaire (pelli- cule de WSix) et, pour ce faire, un haut degré d'uniformi- té en ce qui concerne par exeiple l'épaisseur de la,elli- cule isolante et la planéité de la surface de la pellicule photorésistante, après application de celles-ci, est re- quis, ce qui se traduit par une diminution du rendement. De plus, la croissance de la pellicule isolante, l'application de la Pellicule photorésistante ou la réduc- tion de la pellicule ohotorésistante par décapage doivent être effectuées jar des appareils séparés, ce qui pose des problèmes de rendement du travail. La présente invention a ?our objet de créer un procédé de fabrication d'un disositif semiconducteur, ca- ?able de mettre à nu la surface d'une couche formant porte en métal réfractaire pour un haut degré de d'uniformité de la surface de la plaquette, et permettant ainsi, par un processus de fabrication simplifié, d'obtenir un dispositif semiconducteur présentant une porte à faible résistance. D'autres objets et avantages de la présente inven- tion apparaitront & la lecture de la description détaillée qui va suivre; il est toutefois à noter que la description détaillée et les modes de réalisation particuliers ne sont donnés qu'à titre d'illustratif car divers changements et C modifications pourront y être apportés, sans sortir du ca- dre de l'invention, par ceux spécialisés dans ce domaine. Dans un procédé selon l'invention pour la fabrica- tion d'un dispositif semiconducteur une électrode formant porte en métal réfractaire est produite sélectivement sur un substrat, puis des régions de la surface du substrat, autres que la région de l'électrode porte, sont recouvertes de pellicules isolantes produites par le procédé CVD au ilasma à absorption d'énergie par des électrons à partir d'un chami électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance d'un cyclotron, ou procédé "electron cyclotron resonance (ECR) plasma CVD", avec application d'une polari- sation à haute fréquence au substrat et, en outre, l'élec- trode porte en métal réfractaire présente une structure d'électrode comirenant une couche de siliciure de métal réfractaire et une couche de métal réfractaire déposée sur cette dernière. En conséquence, la déposition d'une pelli- cule isolante, l'égalisation de la pellicule isolante et la mise à nu du dessus de l'électrode porte en métal réfrac- taire peuvent s'effectuer simultanément et la mise à nu du 3C dessus de l'électrode porte en métal réfractaire peut se réaliser uniformément dans la surface de la plaquette. En outre, la couche de métal réfractaire est rendue suffisam- ment mince pour Permettre de façonner la double couche ver- ticalement lors du décapage aux ions réactifs (DIR) pour la 3, fabrication de l'électrode, et la couche de métal réfrac- taire est rendue suffisamment épaisse pour obtenir une sé- lectivité suffisante durant le décapage par pulvérisation sous vide. En conséquence, la mise à nu de l'électrode ?orte en métal réfractaire peut être conduite de façon sure sans donner lieu à une suppression de matière constitutive de l'électrode. L'invention est expliquée plus en détail ci-des- sous à l'aide des dessins annexés sur lesquels: les figures la à ld représentent, en coupe trans- C versale, les ?rincipaux stades d'un orocédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un premier mode de réalisation de la présente invention; les figures 2a à 2d sont des vues, en coupe trans- versale, de la structure du dispositif, destinées à éluci- der des iroblèmes -osés -ar le procédé de fabrication de la figure 1; les figures 3a à 3d sont des vues, en coupe trans- versale, servant à expliquer le principe de la manière de résoudre les iroblièmes iosés par le mode de réalisation ?récité du procédé de fabrication selon l'invention; les figures 4a à 4i sont des vues, en coupe trans- versale, des ?rincipaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur selon un deuxième mode de réalisation de l'invention; les figures 5a à 5e sont des vues, en coupe trans- versale, des principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif sem.iconducteur selon un troisième mode de réalisation de l'invention; les figures 6a à 6d sont des vues, en coupe trans- 3C versale, servant à expliquer des problèmes pour le cas o le métal réfractaire est trop épais.dans le procédé repré- senté sur la figure 3; et les figures 7a à 7i sont des vues, en coupe trans- versale, des Principaux stades d'un procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur complet selon la technique _5 antérieure. Plusieurs exemples de réalisation de la présente invention sont décrits ci-après en détail en se référant aux dessins annexés. Sur les figures la à ld, représentant en coupe transversale les principaux stades d'un procédé de fabrica- tion d'un dispositif semiconducteur selon un premier mode de réalisation de l'invention, sont utilisés les mêmes chiffres de référence que ceux des figures 7a à 7d dési- AC gnant les mêmes éléments constitutifs. La référence Sa dé- signe une pellicule d'oxyde de silicium de 1000 angstrôms d'épaisseur ?roduite par le procédé CVD au plasma à absorp- tion d'énergie ?ar des électrons à partir d'un chanp élec- trique alternatif de fréquence égale à celle de résonance A5 d'un cyclotron, ou procédé "electron cyclotron resonance (ECR) olasma CVD", sans soumettre le substrat à une polari- sation, les débits de silane et d'oxygène étant dans le rapport 5: 3 et la pression gazeuse étant de 1,0 x 10-3 torrs. Une pellicuLe d'oxyde de silicium 5b présentant une 2C surface plane est produite par un procédé CVD au plasma BCR en soumettant le substrat 1 à une polarisation à haute fré- quence de 80 W, les débits d'argon, de silane et d'oxygène étant dans le razort 6: 1: 5 et la pression gazeuse étant de 7 x 10-4 torrs. Une pellicule d'oxyde de silicium 5c est obtenue en mettant en oeuvre un procédé au plasma ECR utilisant un mélange gazeux de N2 et Ar, le substrat 1 étant soum:is à une polarisation à haute fréquence de 80 W, et en faisant subir à la pellicule d'oxyde de silicium 5b une pulvérisation cathodique sous vide jusqu'à ce que la pellicule de WSiX 3 se trouve mise à nu. Le procédé de fabrication est décrit ci-dessous. Les processus de fabrication jusqu'à la figure la inclusivement sont les mêmes que ceux des figures 7a à 7d du procédé de la technique antérieure. Cependant l'épais- seur de la pellicule de WSix 3 est de 3000 angstrôms. Lorsqu'une électrode porte 3 en métal réfractaire (pellicule de WSiX) a été réalisée, comme représenté sur la figure 7d, une pellicule d'oxyde de silicium 5a est dé2o- sée, comme représenté sur la figure la, jusqu'à obtention d'une épaisseur de 1000 angstr&ms, les débits de silane et d'oxygène étant dans le rapport 5: 3 et la pression gazeu- se étant de 1,0 x 10-3 torrs, par un procédé CVD au plasma ECR sans soumettre le substrat à une polarisation. Dans ce cas, à la différence du orocédé CVD au plasma généralement C utilisé, la pellicule d'oxyde de silicium 5a n'est pas appliquée sur la paroi latérale de la pellicule 3 de WSi7. Puis une pellicule d'oxyde de silicium 5b est dé- posée en soumettant le substrat 1 à une polarisation à hau- te fréquence de 80 W. Dans ce cas le rapport de la vitesse v de décapage de la pellicule à la vitesse de croissance de la pellicule est olus élevé dans une partie au voisinage de la pellicule 3 de WSi. que dans la région située au-dessus d'une partie du substrat autre que celle au voisinage de la iellicule 3. De ce fait la pellicule d'oxyde de silicium 2C est déposée plus rapidement dans toute région au-dessus du substrat 1, autre que celle voisine de la pellicule 3, que dans cette portion avoisinante, et finalement une Pellicule d'oxyde de silicium 5b, comme celle représentée sur la fi- gure lb, est obtenue. Puis, une polarisation à haute fré- quence de 80 W est appliquée au plasma ECR comprenant un mélange gazeux d'azote et d'argon par le même appareil, et une pellicule isolante 5c est obtenue en soumettant la pel- licule d'oxyde de silicium 5b à une pulvérisation cathodi- que sous vide jusqu'à ce que la pellicule 3 de WSix soit 3C mise à nu (figure lc). Ensuite, comme représenté sur la figure ld, il est irocédé à une mise en forme d'une pellicule photorésistante 7 et un revêtement métallique 8 à plusieurs couches de métaux à faible résistance électrique, comme par exemple Ti(200 angstrCms)/Mo(500 angstrôms)/Au(5000 angstrôms), est appliqué sur la pellicule 3 de WSix par la méthode de dépo- sition et d'enlèvement partiel. Enfin, une électrode source et une électrode drain sont produites de façon à ?arachever un transistor à effet de champ à porte auto-alignée en mé- tal réfractaire et presentant une porte à faible résistance électrique (figure 7i). Dans ce mode de réalisation une électrode porte 3 en métal réfractaire comprenant une pellicule de WSix d'une épaisseur de 3000 angstrôms est produite sur un substrat 1, et une pellicule d'oxyde de silicium 5a est déposée sur cette dernière jusqu'à une épaisseur de 1000 angstrrms par un procédé CVD au plasma ECR sans soumettre le substrat à une polarisation, après quoi une polarisation à haute fré- quence de 80 W est appliquée au substrat 1 de façon à dépo- ser une pellicule plane 5b d'oxyde de silicium, et une po- larisation à haute fréquence de 80 W est appliquée au ?las- ma ECR comprenant un mélange gazeux d'azote et d'argon et la ?ellicule 5b d'oxyde de silicium est soumise à une ?ul- vérisation cathodique sous vide jusqu'à ce que la pellicule 3 de WSix se trouve mise à nu. Par conséquent, la mise à nu du dessus de la pellicule 3 de WSix est réalisée avec une bonne uniformité sur la surface de la plaquette et, en ou- tre, la réalisation et le décapage de la pellicule isolante ?euvent être effectuées par un seul appareil de pulvérisa- tion cathodique sous vide. Ainsi la réalisation de la pel- licule isolante se trouve simplifiée, permettant ainsi de fabriquer, par un processus de production simple et avec un haut rendement, un dispositif semiconducteur présentant une porte à faible résistance électrique. Toutefois, dans le premier mode de réalisation dé- crit ci-dessus, durant le décapage par pulvérisation catho- dique sous vide utilisant un plasma d'un mélange gazeux de N2 et d'argon pour mettre à nu le dessus de l'électrode 3 en métai réfractaire comprenant le siliciure de métal ré- fractaire (figures lb et lc), la sélectivité de la pellicu- le isolante et du siliciure de métal réfractaire n'est pas suffisante pour éviter qu'une partie supérieure du siliciu- re de métal réfractaire ne se trouve désavantageusement supo r imée. C'est-à-dire que, comme représenté sur la figure 2, si la mise à nu du dessus de l'électrode en siliciure de métal réfractaire est effectuée en décapant la pellicule isolante égalisante 5b par la technique de pulvérisation cathodique sous vide en utilisant du plasma d'un mélange ac gazeux de N9 et d'argon après avoir successivement déposé la pellicule 3 en siliciure de métal réfractaire sur le substrat 1 par la méthode de pulvérisation cathodique sous vide (figure 2a), mis en forme le siliciure de métal ré- fractaire 3 par décapage aux ions réactifs (DIR), comme re- présenté sur la figure 2b, et réalisé la pellicule isolante et égalisante 5b recouvrant l'électrode 3 en siliciure de étal réfractaire, en utilisant un procédé CVD ECR à vola- risaticn ou le procédé de pulvérisation cathodique sous vide à polarisation (figure 2c), la partie supérieure du 2C siliciure de "étal réfractaire se trouve supp rimée puisque la sélectivité de la pellicule isolante et du siliciure de métal réfractaire est insuffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par conséquent, afin d'obtenir une mise à nu co!plète la quantité à décaper doit être choisie largement, ce qui réduit défavorablement la marge et rend le procédé incertain. En outre, du fait que le siliciure de métal réfractaire supDrimé rentre dans la pellicule isolante, il risque d'être porté préjudice aux prcpriétés du dispositif. 3C Afin de remédier à ce problème dans le processus de mise à nu du dessus il est proposé selon l'invention de déposer un métal réfractaire, présentant une vitesse de décapage par pulvérisation cathodique inférieure à celle du siliciure de metal réfractaire, sur la couche 3 de siliciu- re de métal réfractaire et de ?rocéder au décapage dans ces c conditions. Le princiDe de ce mode de mise & nu du dessus de l'électrode est décrit ci-après en se référant à la figure 3. D'abord, une pellicule 3 de siliciure de métal ré- fractaire est produite sur le substrat 1 par pulvérisation cathodique sous vide de siliciure de métal réfractaire, puis une mince pellicule 3a en métal réfractaire est dépo- sée sur la pellicule 3 par pulvérisation de métal réfrac- taire sous vide (figure 3a). Ensuite une opération de mise en forme de ces pellicules est effectuée par décapage aux ions réactifs, produisant ainsi une électrode (figure 3b). Puis une pellicule isolante et égalisante 5b est oroduite sur toute la surface (figure 3c), après quoi la pellicule isolante 5b est décapée par pulvérisation catho- dique sous vide au moyen d'un plasma de mélange gazeux de N2 et d'argon, et la partie supérieure de l'électrode de type à double couche co.prenant la pellicule de siiiciure de métal réfractaire et la pellicule de métal réfractaire est amenée à faire saillie hors de la pellicule isolante 5c (figure 3d). Dans ce procédé, du fait que le métal réfractaire présente une vitesse de décapage par pulvérisation cathodi- que sous vide inférieure à celle du siliciure de métal ré- fractaire, la sélectivité entre la partie formant électrode et la pellicule isolante durant le décapage peut être ac- crue par le métal réfractaire déoosé sur le siliciure de métal réfractaire, de sorte que -la mise à nu du dessus de l'électrode peut être réalisée sans qu'il y ait perte de 3C matière formant électrode. Toutefois, étant donné que dans le procédé de dé- capage aux ions réactifs (DIR) la vitesse de décapage du métal réfractaire est généralement inférieure à celle du siliciure de métal réfractaire, le métal réfractaire ne 3, peut pas être façonné verticalement par rapport au siliciu- lu re de métal réfractaire lorsque la pellicule de métal ré- fractaire est tro épaisse. C'est-à-dire que, comme repré- senté sur la figure 6a, si la pellicule 3a de métal réfrac- taire sur la pellicule 3 de siliciure de métal réfractaire est épaisse et que ces pellicules soient soumises à une ooération de mise en forme, la pellicule 3 de siliciure de métal réfractaire est décapée latéralement plus profondé- ment que la pellicule 3a de métal réfractaire, et la pelli- cule 3a de métal réfractaire se trouve mise en forme de chapeau, cormme représenté sur la figure 6b. Si la pellicule isolante et égalisante 5b est formée par un procédé CVD ECR à ?olarisation ou par un procédé de pulvérisation cathodi- que sous vide à polarisation dans ces conditions, il se produit un espace A, comme indiqué sur la figure 6c. Lors- que cet espace est ensuite soumis à un décapage par pulvé- risation cathodique sous vide la pellicule isolante se trouve, des deux c8tés de l'électrode, décapée d'une maniè- re anormalement profonde, comme représenté sur la figure 6d, Produisant ainsi une portion concave B. c En conséquence, la pellicule de métal réfractaire doit être rendue, d'une part, suffisamment épaisse pour que la sélectivité de l'élément formant électrode et de la pel- licule isolante durant le décapage par pulvérisation catho- dique sous vide puisse être suffisante et, d'autre part, assez mince pour qu'elle puisse être façonnée verticalement lors de l'cgération de décapage aux ions réactifs (DIR), et l'épaisseur de la pellicule de métal réfractaire doit être 09 timisée. La figure 4 montre une coupe transversale servant 3C à expliquer les stades d'un procédé de fabrication d'un dis.ositif semiconducteur selon un deuxième -mode de réali- sation de la présente invention. Dans ce mode de réalisa- tion la méthode décrite ci-dessus de mise à nu du dessus est appliquée à l'électrode porte d'un transistor à effet 3 de charo (appelé ci-après "T. E.C."), et une électrode en or 1 1 est produite à la partie supérieure de l'électrode porte qui fait saillie hors de la pellicule isolante. Tout d'abord des ions silicium sont implantés dans le substrat 1 en GaAs dans des conditions d'énergie d'implantation d'ions de 50 keV et de quantité dosée de 4 x 2/cm2 de manière à ?roduire une couche active 2 de plu- sieurs milliers d'angstrôms, et il est procédé successive- vement à une pulvérisation cathodique de WSi pour produire une couche 3 de siliciure de métal réfractaire (pellicule iC de WSi) d'une épaisseur de 3000 à 5000 angstrôms et à une pulvérisation cathodique de W pour produire une couche 3a en métal réfractaire (couche de W) de 180 angstrôms d'é- paisseur (figure 4a). Puis il s'effectue un décapage aux ions réactifs (DIR) durant environ 10 minutes en utilisant un mélange gazeux de CFA + 02 en tant que gaz décapant de façon à produire une électrode porte, après quoi il est procédé à l'iiplantation de silicium à forte concentration d'ions pour produire une. source et un drain en utilisant cette électrode porte en tant que masque (figure 4b). Dans cette opération l'énergie d'implantation et la quantité dosée sont resectivement de 150 keV et 3 x 10 13/cm2. Après un recuit effectué à environ 800 C il est produit une couche résistante et égalisante (pellicule de 2 SiO) 5b d'une épaisseur d'environ 5000 à 5500 angstrôms, en utilisant un mélange SiH4 + 0 2 + Ar en tant que gaz réac- tif, par un procédé CVD-BCR à polarisation ou par une tech- nique de pulvérisation cathodique à polarisation (figure 4c).- 3C Ensuite la pellicule isolante et égalisante 5b est décapée par pulvérisation cathodique sous vide durant 10 à minutes au moyen d'un plasma de mélange. gazeux N2 et Ar, permettant ainsi de mettre à nu le dessus de l'électrode porte (figure 4d). Puis la pellicule isolante 5c est mise en forme par décapage en utilisant la pellicule photorésis- tante 7a comme masque (figure 4e), et une couche de métal est déposée (figure 4f) et des électrodes source et drain 10 sont produites des deux côtés de la porte (figure 4g) par déposition et enlèvement partiel. Subséquemment, un masque photorésistant ayant été produit par Photolithographie, il est produit, par une technique d'enlèvement (figure 4h), une électrode 8 en or qui chevauche le dessus de porte faisant saillie hors de la ?ellicule isolante, et enfin une pellicule de passivation C (pellicule de SiN) 101 est produite sur toute la surface de façon à parachever un élément (figure 4i). Grâce au procédé décrit ci-dessus il peut être ob- tenu un T.E.C. fonctionnant à vitesse élevée du fait de la diminution de la résistance de porte. De plus, le facteur de bruit F- du T.E.C. est défini exoérimentalement par la formule suivante: r Rg + R F-= + 2 dû kt f Ces / g m C ou kf est un paramètre d'ajustage f est la fréquence de fonctionnement C_ est la capacitance porte-source Rg est la résistance de la porte Rs est la résistance de la source et 2_= gc est la conductance mutuelle. Dans ce procédé une diminution de bruit peut être obtenue par la réduction de la résistance de porte Rg. Dans le deuxième mode de réalisation de l'inven- tion l'électrode porte présente une structure d'électrode C comprenant du siliciure de métal réfractaire et une couche de métal réfractaire aoliquée sur ce dernier, et l'épais- seur du métal réfractaire est optimisée de telle manière qu'elle soit, d'une part, inférieure à une épaisseur limite apte à être façonnée verticalement par la technique de dé- capage aux ions réactifs (DIR) pour la production d'élec- trodes et, d'autre part, supérieure à une épaisseur limite minimale permettant d'obtenir une sélectivité suffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par conséquent, outre les effets du premier mode de réali- sation, la sélectivité de la Pellicule isolante et de l'é- lément formant électrode dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide, utilisant le plasma d'un mélange GC gazeux de N et Ar, est accrue et l'opération consistant à permettre à une électrode de faire saillie hors de la pel- licule isolante peut s'effectuer de manière sûre. La figure 5 montre un troisième mode de réalisa- tion de la présente invention. Cette figure montre un ?ro- - cédé de fabrication d'une partie- formant contact d'un câ- blage multicouche, utilisant la technique décrite ci-dessus de Aiise à nu de dessus d'électrode. Sur la figure 5 les mêmes chiffres de référence que ceux de la figure 4 repré- sentent les mêmes éléments constitutifs. La référence 11 2C désigne une couche de câblage inférieure d'une épaisseur de 2000 à 3000 angstr6ms produite sur le substrat 1. La réfé- rence 12 désigne une couche de câblage supérieure d'une éaisseur d'environ 5000 angstr6ms connectée à la couche de câblage inférieure 11. Les contacts des deux couches de En câblage sont réalisés de la façon suivante. Tout d'abord une couche de câblage inférieure 11 est produite sur un substrat semiconducteur 1 (figure 5a), après quoi il est procédé à une déposition de WSi et de W par pulvérisation cathodique sous vide de façon à produire une couche 3 de siliciure de métal réfractaire (couche de WSi) et une couche 3a de métal réfractaire (couche W), com- me représenté sur la figure 5b. Puis, de manière analogue au premier mode de réalisation, il est procédé à une mise en forme de l'électrode en WSi/W par décapage aux ions réactifs (DIR), une pellicule isolante et égalisante 5b est produite par un procédé CVD-ECR à polarisation (figure 5c), une mise à nu du dessus de l'électrode est effectuée par décapage par pulvérisation cathodique sous vide (figure 5d) et ensuite la couche de câblage supérieure 12 est produite (figure 5e). Dans ce mode de réalisation un plan sur lequel il s'agit de produire la couche de câblage supérieure 12 peut être rendu approximativement plat, permettant ainsi d'évi- ter effectivement des défauts tels que la rupture de fils 1C de la couche de câblage supérieure. Ainsi qu'il ressort de la description donnée ci- dessus, selon la présente invention une électrode porte en métal réfractaire est produite sélectivement sur un sub- strat, puis une oellicule isolante est produite sur une région du substrat, autre que celle de l'élément formant * électrode porte, en recouvrant cette région par une techni- que de déposition chimique à l'état de vapeur au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ élec- trique alternatif de fréquence égale à celle de résonance 2C d'un cyclotron (ECR), une polarisation à haute fréquence étant apliquée au substrat. Par conséquent, la surface de la couche formant porte en métal réfractaire 9eut 9tre mise à nu avec une bonne uniformité de la surface de la plaquet- te et, en outre, la pellicule isolante peut être réalisée de manière simple, Permettant ainsi de fabriquer un tran- sistor à effet de chapr aux prcpriétés très satisfaisantes qui présente une porte à faible résistance électrique et offre un rendement élevé. De plus, l'électrode porte en métal réfractaire présente une structure d'électrode comprenant une couche de siliciure de métal réfractaire et une couche de métal ré- fractaire appliquée sur cette dernière, l'épaisseur de la couche de métal réfractaire étant, d'une part, inférieure à une épaisseur limite encore apte à être façonnée verticale- ment par la technique DIR pour la production d'électrodes et, d'autre part, supérieure à une éaisseur limite minima- le permettant d'obtenir une sélectivité suffisante dans le décapage par pulvérisation cathodique sous vide. Par consé- quent, la sélectivité de la pellicule isolante et de l'élé- ment formant électrode peut être accrue durant le décapage Dar pulvérisation cathodique sous vide effectué en utili- sant le plasma d-'un mélange gazeux de N2et Ar, et un procé- dé de mise à nu de la partie supérieure de l'électrode peut être mis en oeuvre de façon sure. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un dispositif semi- conducteur, consistant à produire une électrode porte (3) en métal réfractaire dans une région préétablie de la surface d'un substrat semiisolant (1) et & produire ensuite des pellicules isolantes (5a, b, c) sur des régions de surface, autres que la région à électrode porte, du substrat (1) de manière à recouvrir ces ré- gions de surface, caractérisé en ce que lesdites pelli- cules isolantes sont produites par la technique CVD au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ électrique alternatif de fréquence égale à la fréquence de résonance de cyclotron, ou "electron cyclo- tron resonance" (ECR), en soumettant le substrat à une polarisation à haute fréquence. 2. Procédé de fabrication d'un dispositif semi- conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le procédé pour produire la pellicule isolante com- prend une première opération pour déposer une pellicule isolante (5a) sur le substrat (1) par la technique CVD au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance de cyclotron (ECR), sans soumettre le substrat à une polarisation, jusqu'à obtention d'une épaisseur inférieure à celle de l'électrode porte, une deuxième opération pour déposer une pellicule isolante (5b) par la technique CVD au plasma à absorption d'énergie par des électrons dans un champ électrique alternatif de fréquence égale à celle de résonance de cyclotron (ECR) en appliquant une polarisation au subs- trat, de façon à recouvrir l'électrode porte (3), et une opération de décapage pour décaper, par pulvérisation cathodique sous vide, la pellicule isolante (5b) selon la technique CVD au plasma (ECR), en appliquant au subs- trat une polarisation, de façon à mettre à nu l'électro- de porte (3). 3. Procédé de fabrication d'un dispositif semi- conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que la première opération de déposition consiste à dépo- ser une pellicule d'oxyde de silicium (5a) de 100 nm dans des conditions de rapport de débit silane/oxygène de 5: 3 et de pression gazeuse de 1,32 X 10-3 milli- bars, en ce que la seconde opération de déposition con- siste à produire une pellicule d'oxyde de silicium (5b) dans des conditions de rapport de débit argon/silane/ oxygène de 6: 1: 5 et de pression gazeuse de 9,25 X -4 millibars, et en ce que l'opération de décapage consiste à décaper, par pulvérisation cathodique sous vide, la pellicule d'oxyde de silicium (5b) en appli- quant une polarisation à haute fréquence de 80 W au plasma ECR comprenant un mélange gazeux d'azote et d'argon.