Brevet FR2641126A1 — publié le 19900629

La présente invention concerne un procédé de formation d'un contact à faible résistance prévu pour l'utilisé tion dans des dispositifs à très haut niveau d'intégration (VLSI), et elle porte plus particulièrement sur un procédé de formation d'un contact à faible résistance avec des régions pré-ohmiques de type N+ et/ou P+, sur un substrat en silicium. Dans la fabrication de dispositifs VLSI, on a utilisé des siliciures de métaux réfractaires en tant que matériaux d'interconnexion, pour éliminer les inconvénients du silicium polycristallin. Du fait que le silicium polycristallin a une résistance carrée de 20 à 30 Q/s pour une épaisseur de 500 nm, il est très difficile de réduire le retard R-C pour permettre un fonctionnement à vitesse élevée, et de réduire les largeurs de ligne pour obtenir une densité élevée. On a donc employé des siliciures de métaux tels que le siliciure de tungstène, le siliciure de titane, le siliciure de platine et le siliciure de tantale, qui peuvent procurer une résistance carrée inférieure d'un ordre de grandeur à celle du silicium, pour permettre la réduction des dimensions et le fonctionnement rapide de dispositifs VLSI incorporés sur une puce.On doit cependant prendre en consi dération certains problèmes relatifs aux siliciure de métaux, pour réaliser des contacts ohmiques stables et sûrs à travers une couche de dioxyde de silicium, entre le siliciure de métal et des régions pré-ohmiques fortement dopées dans le substrat en silicium. Premièrement, pour être utilisable dans un processus de fabrication CMOS qui est le plus largement utilisé dans la fabrication de dispositifs VLSI, on doit sélectionner un siliciure de métal capable de réaliser simultanément des con tacts-ohmiques avec des régions pré-ohmiques N+ et P+. Dans l'art antérieur, on a utilisé le siliciure de tungstène en tant que matériau de contact pour des régions pré-ohmiques N+. Cependant, du fait que le siliciure de tungstène donne lieu à une diffusion de dopants provenant des régions préohmiques N+ et P+ pendant un processus de formation de siliciure qui exige un traitement à haute température, la résistance de contact entre le siliciure de tungstène et les régions pré-ohmiques augmente. Secondement, des siliciures déposés par pulvérisation cathodique ne procurent pas toujours une bonne couverture de marche sur des parois latérales verticales du dioxyde de silicium, tandis que des siliciures de métaux formés par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) ont généralement une bonne couverture de marche sur ces parois. On a trouvé que parmi les siliciures de métaux, le siliciure de titane a la plus faible résistance carrée. Deux procédés de formation du siliciure de titane par la technique de pulvérisation cathodique sont connus dans l'art antérieur. L'un consiste à produire une réaction thermique de titane déposé par pulvérisation cathodique, avec le silicium sousjacent. L'autre consiste à déposer directement le siliciure de titane par la pulvérisation cathodique. Cependant, dans un cas comme dans l'autre, le titane déposé par pulvérisation cathodique ne peut pas procurer une bonne couverture de marche sur des parois latérales verticales de dioxyde de silicium d'environ 500 nm d'épaisseur, et ceci peut avoir une conséquence grave consistant en une rupture de connexion électrique. Un but de l'invention est donc de procurer un procédé de formation de contacts à faible résistance employant des siliciures de métaux, qui soit-capable d'empêcher des ruptures de connexions électriques. Un autre but de l'invention est de procurer un procédé pour former simultanément des contacts à faible résistance, stables et fiables, sur des régions pré-ohmiques fortement dopées avec le type N et fortement dopées avec le type P, dans un substrat en silicium, sans rupture de connexion électrique. Conformément à un mode de réalisation préféré de l'invention, le procédé de formation de contacts à faible résistance avec au moins deux régions pré-ohmiques formées dans un substrat en silicium, comprend les étapes qui consistent à former une couche isolante sur la surface du substrat en silicium, à déposer du silicium polycristallin sur la couche isolante, à former des trous ayant des parois latérales verticales dans la couche isolante et dans le silicium polycristallin, de façon à mettre complètement à nu des par tiea de surface des régions pré-ohmiques, à déposer du titane sur la couche de silicium polycristallin et sur les régions pré-ohmiques qui sont mises à nu, à former du siliciure de titane en faisant réagir le titane avec le silicium sousjacent, et à déposer un siliciure de métal sur le siliciure de titane et sur les parois latérales de la couche isolante. Selon un autre mode de réalisation de l'invention, le procédé de formation de contacts à faible résistance avec au moins deux régions pré-ohmiques formées dans un substrat en silicium, comprend les étapes consistant à former une couche isolante sur la surface du substrat en silicium, à former des trous ayant des parois latérales verticales dans la couche isolante, de façon à mettre complètement à nu des parties de surface des régions pré-ohmiques, à déposer du siliciure de titane sur la couche isolante et sur les régions pré-ohmi ques qui ont été mises à nu, et déposer un siliciure de métal sur le siliciure de titane et sur les parois latérales de la couche isolante Selon encore un autre mode de réalisation de l'invention, le procédé de formation de contacts à faible résistance à travers des trous dans une couche isolante formée sur la surface d'un substrat en silicium, avec au moins deux régions pré-ohmiques qui sont mises à nu par les trous, ces trous ayant des parois latérales pratiquement verticales dans la couche isolante, comprend les étapes qui consistent à déposer du silicium polycristallin sur la couche isolante, sur les parois latérales des trous et sur les régions pré-ohmiques qui ont été mises à nu, à déposer du titane sur la surface du silicium polycristallin et sur le silicium polycristallin qui se trouve au-dessus des régions pré-ohmiques qui sont mises à nu, à former du siliciure de titane en faisant réagir le titane avec le silicium polycristallin sous-jacent, et à déposer un siliciure de métal sur le siliciure de titane et sur les parois latérales du silicium polycristallin. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux compris à la lecture de-la description qui va suivre de modes de réalisation, donnés à titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description se réfère aux des sins annexés sur lesquels Les figures la à 1d sont des coupes de parties d'une tranche de silicium, destinées à l'explication d'un procédé de formation d'un contact à faible résistance conformément à la présente invention; La figure le est une coupe d'une partie d'une tranche de silicium montrant un autre mode de réalisation de la présente invention; et Les figures 2a et 2b sont des coupes de parties d'une tranche de silicium montrant encore un autre mode de réalisation de la présente invention. En considérant maintenant les figures la à id, on voit des coupes de parties d'une tranche de silicium au cours de diverses étapes de fabrication conformes à un mode de réalisation de l'invention. Comme le montre la figure la, une région pré-ohmique 2, fortement dopée avec des impuretés de type N ou de type P, est formée sur la surface d'un substrat silicium 1. Une couche isolante 3 d'environ 500 nm, qui est de façon caractéristique une couche de dioxyde de silicium, est formée par oxydation thermique ou par dépôt chimique en phase vapeur (CVD) sur la surface du substrat en silicium 1, et une couche de silicium polycristallin 4, d'environ 100 nm, est en suite déposée par un procédé de CVD bien connu sur la couche de dioxyde de silicium 3. En considérant la figure lb, on note qu'un trou 5 qui met à nu une zone de surface sélectionnée de la région pré-ohmique 2, est formé dans la couche de silicium polycristallin 4 et dans la couche de dioxyde de silicium 3, par une technique d'attaque anisotrope, telle que l'attaque ionique réactive (ou RIE). Le trou 5 mesure de façon caractéristique environ 0,6 pin de largeur. Après la formation du trou 5, on place la tranche de silicium dans une machine de pulvérisation cathodique à magnétron, pour pulvériser du titane, après quoi on élimine, par pulvérisation cathodique dans cette machine, du dioxyde de silicium natif et des contaminants de surface, sur la couche de silicium polycristallin 4 et dans la zone pré-ohmique à nu 6', qui sont formés par l'exposition à l'atmosphère ambiante.On dépose ensuite du titane avec une épaisseur d'environ 100 nm, par pulvérisation cathodique dans une atmosphère d'argon. Comme le montre la figure lc, le dépôt de titane forme une couche de titane 6 d'une épaisseur d'environ 50 nm sur la couche de silicium polycristallin 4, mais d'environ 20 nm dans la zone pré-ohmique à nu (6') dans le trou 5. Il n'y a cependant pas de dépôt de titane sur la paroi latérale verticale de la couche de dioxyde de silicium 3.Après le dépôt de la couche de titane 6, on place la tranche de silicium dans une machine de recuit thermique rapide (ou RTA), et on la chauffe à environ 8500C pendant environ 10 secondes dans une atmosphère d'azote. Ce traitement thermique a pour effet de convertir le titane en une couche de siliciure de titane 7, par réaction avec le silicium sous-jacent, comme représenté sur la figure id. Pendant ce processus de formation de siliciure, des parties de titane et de silicium polycristallin qui ne réagissent pas peuvent rester dans la couche de siliciure de titane 7, en fonction de l'épaisseur de la couche de titane 6 et de la couche de silicium poly cristallin 4, des contaminants de surface, de la durée de chauffage, etc.On dépose une couche de siliciure de tungstène 9 à 360 C, par une opération bien connue de dépôt chimique en phase vapeur à faible pression (LPCVD), sur la couche de siliciure de titane 7 et sur les parois latérales verticales (8), pour empêcher une rupture de connexion électrique de la couche de siliciure de titane 7. Le processus expliqué cidessus permet d'obtenir un contact à faible résistance, ayant une résistance carrée d'environ 25L/D . La figure le illustre un autre mode de réalisation de la présente invention. Dans le cas de la figure le, après le processus de la figure lb, on forme une couche de siliciure de titane 10 par pulvérisation cathodique dans une atmosphère d'argon, à partir d'une cible en siliciure de titane, sur la couche de silicium polycristallin 4 et sur la zone pré-ohmique à nu 6'. L'épaisseur de la couche de siliciure de titane 10 est d'environ 100 nm sur la couche de silicium polycristallin 4, mais d'environ 50 nm dans la zone pré-ohmique à nu 6'. La cible consiste en un siliciure de titane riche en silicium, ayant un rapport titane/silicium de 1/2,6. Du fait du dépôt par pulvérisation cathodique, une rupture de connexion électrique de la couche de siliciure de titane 10 se produit sur la paroi latérale verticale de la couche de dioxyde de silicium 3. Pour empêcher la rupture de connexion électrique, on forme une couche de siliciure de tungstène 11, par le procédé LPCVD, sur la paroi latérale verticale 8 et sur la couche de siliciure de titane 10.Ensuite, on effectue un trai#tement thermique de recuit à environ 9000C pendant environ 20 secondes, dans une atmosphère d'azote, dans la machine RTA, pour donner une valeur faible à la résistance des couches de siliciure 10 et 11. Pendant l'opération de formation de siliciure de titane, le silicium qui se trouve dans la région pré-ohmique 2 est consommé, et des contraintes apparaissent dans la région pré-ohmique 2 à cause de la contraction du volume. Ceci peut produire un courant de fuite dans des dispositifs VLSI dans lesquels on utilise des régions pré-ohmiques d'environ 0,2 pm de profondeur. Les étapes de fabrication suivantes permettent de résoudre ces problèmes. En considérant la figure 2a, on note qu'on forme dans le substrat en silicium 1 une région pré-ohmique 2, dopée avec le type N+ ou le type P+. On forme ensuite sur la surface du substrat en silicium 1 une couche de dioxyde de silicium 3, après quoi on forme un trou 5 ayant une paroi latérale verticale 8, par la technique d'attaque anisotrope, dans la couche de dioxyde de silicium 3, pour mettre à nu une partie de la surface de la région pré-ohmique 2. On dépose ensuite une couche de silicium polycristallin 14, par le procédé CVD. L'épaisseur de la couche de silicium polycristallin 14 est d'environ 100 nm sur la couche de dioxyde de silicium 3, mais elle est d'environ 50 nm sur la zone pré-ohmique à nu 6', et elle est plus mince sur la paroi latérale 8. On dépose une couche de titane 15, par pulvérisation cathodique, sur la couche de silicium polycristallin 14. L'épaisseur de la couche de titane 15 sur la couche de silicium polycristallin 14 est d'environ 50 nm, mais elle est de 20 nm dans le trou 5. Cependant, une rupture de connexion électrique se produit sur la paroi latérale 8. Après le dépôt de la couche de titane 15, on accomplit le processus de formation de siliciure par le traitement thermique. En considérant la figure 2b, on voit une couche de siliciure de titane 16 qui est produite par le processus de formation de siliciure. Cependant, il y a toujours rupture de la connexion électrique. Pour empêcher une telle rupture de connexion électrique, on dépose une couche de siliciure de tungstène 17, par le procédé LPCVD, sur la paroi latérale 8 et sur la couche de siliciure de titane 16. D'autre part, pendant le processus de formation de siliciure, on peut employer une opération d'implantation pour empêcher l'accroissement de la résistance de contact sous l'effet de la diffusion de dopant à partir de la région préohmique 2. On peut accomplir le processus d'implantation juste avant ou juste après la formation de la couche de siliciure de tungstène 17. On implante de l'arsenic dans la région pré-ohmique N+, avec une dose d'environ 1016 cl 2, tandis qu'on implante du bore, B, dans la région pré-ohmique P+, avec une dose d'environ 1016 cm 2 D'autres modes de réalisation et des modifications de l'invention apparaîtront aisément à l'homme de l'art, sur la base de la description qui précède et des dessins annexés. A titre d'exemple, on peut choisir pour le siliciure de tungstène l'un des siliciures de métaux qui sont formés à basse température par le procédé LPCVD. On doit donc considérer que ces modifications et modes de réalisation entrent dans le cadre des revendications annexées. REVENDICATIONS 1. Procédé de formation de contacts à faible résistance avec au moins deux régions pré-ohmiques (2) formées dans un substrat en silicium (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme une couche isolante (3) sur la surface du substrat en silicium (1); on dépose du silicium polycristallin (4) sur la couche isolante (3); on forme des trous (5) ayant des parois latérales verticales dans la couche isolante (3) et dans le silicium polycristallin (4), de façon que des parties de surface des régions préohmiques (2) soient mises entièrement à nu; on dépose du titane (6) sur la couche de silicium polycristallin (4) et sur les régions pré-ohmiques (2) à nu; on forme du siliciure de titane (7), en faisant réagir le titane avec le silicium sous-jacent (4); et on dépose un siliciure de métal (9) sur le siliciure de titane (7), et sur les parois latérales de la couche isolante (3). 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche isolante (3) consiste en dioxyde de silicium. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que le siliciure de métal (9) consiste en siliciure de tungstène. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que les régions pré-ohmiques (2) consistent en régions pré-ohmiques de type N+ ou P+. 5. Procédé selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'une au moins des régions pré-ohmiques (2) consiste en une région pré-ohmique de type P+, et les régions préohmiques restantes consistent en régions pré-ohmiques de type N+. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que, juste avant ou juste après la formation du siliciure de tungstène (9), on introduit des impuretés de type P avec une concentration élevée dans la région pré-ohmique de type P+ (2), et on introduit des impuretés de type N avec une con centration élevée dans les régions pré-ohmiques de type N+ (2) 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'on dépose le titane (6) par une opération de dépôt par pulvérisation cathodique. 8. Procédé selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'on dépose le siliciure de tungstène (9) par dépôt chimique en phase vapeur. 9. Procédé de formation de contacts à faible résistance avec au moins deux régions pré-ohmiques (2) qui sont formées dans un substrat en silicium (1), caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes : on forme une couche isolante (3) sur la surface du substrat en silicium (1); on forme des trous (5) ayant des parois latérales verticales dans la couche isolante (3), de façon à mettre entièrement à nu des parties de surface des régions pré-ohmiques (2); on dépose du siliciure de titane (10) sur la couche isolante (3) et sur les régions pré-ohmiques (2) qui ont été mises à nu; et on dépose un siliciure de métal (11) sur le siliciure de titane (10) et sur les parois latérales de la couche isolante (3). 10. Procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'opération consistant à déposer du silicium polycristallin (4) entre la couche isolante (3) et le siliciure de titane (10). 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche isolante (3) consiste en dioxyde de silicium. 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que le siliciure de métal (11) consiste en siliciure de tungstène. 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que les régions pré-ohmiques (2) sont constituées par des régions pré-ohmiques de type N+ ou de type P+. 14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'une au moins des régions pré-ohmiques (2) consiste en une région pré-ohmique de type P+, et les régions préohmiques restantes (2) consistent en régions pré-ohmiques de type N+. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que, juste avant ou juste après la formation du siliciure de tungstène (11), on introduit des impuretés de type P avec une concentration élevée dans la région pré-ohmique de type P+ (2), et on introduit des impuretés de type N avec une concentration élevée dans les régions pré-ohmiques de type N+ (2). 16. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce qu'on dépose le siliciure de titane (10) par une opération de dépôt par pulvérisation cathodique. 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que le siliciure de titane (10) présente un rapport de composition titane/silicium de 1/2,6. 18. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce qu'on forme le siliciure de titane (10) par dépôt chi inique en phase vapeur à basse pression et à basse température. 19. Procédé de formation de contacts à faible résistance à travers des trous (5) dans une couche isolante (3) qui est formée sur la surface d'un substrat en silicium (1) de façon à établir des contacts avec au moins deux régions pré-ohmiques (2) qui sont mises à nu par ces trous, les trous (5) ayant des parois latérales pratiquement verticales dans la couche isolante (3), caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes :on dépose du silicium polycristallin (14) sur la couche isolante, sur les parois latérales des trous et sur les régions pré-ohmiques mises à nu; on dépose du titane (15) sur la surface du silicium polycristallin (14) et sur le silicium polycristallin se trouvant au-dessus de la région pré-ohmique à nu (2); on forme du siliciure de titane (16) en faisant réagir le titane (15) avec le silicium polycristallin sous-jacent (14); et on dépose un siliciure de métal (17) sur le siliciure de titane (16) et sur les parois latérales du silicium polycristallin (14). 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que la couche isolante (3) consiste en dioxyde de silicium. 21. Procédé selon la revendication 20, caractérisé en ce que le siliciure de métal (17) consiste en siliciure de tungstène. 22. Procédé selon-la revendication 21, caractérisé en ce que les régions pré-ohmiques (2) sont constituées par des régions pré-ohmiques de type N+ ou de type P+. 23. Procédé selon la revendication 21, caractérisé en ce que l'une au moins des régions pré-ohmiques (2) est constituée par une région pré-ohmiques de type P+, et les régions pré-ohmiques restantes sont constituées par des régions pré-ohmiques de type N+. 24. Procédé selon la revendication 23, caractérisé en ce que, juste avant ou juste après la formation du siliciure de tungstène (17), on introduit des impuretés de type P avec une concentration élevée dans la région pré-ohmique de type P+ (2), et on introduit des impuretés de type N avec une concentration élevée dans les régions pré-ohmiques de type N+ (2). 25. Procédé selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'on dépose le titane (15) par une opération de dépôt par pulvérisation cathodique. 26. Procédé selon la revendication 25, caractérisé en ce qu'on dépose le siliciure de tungstène (17) par dépôt chimique en phase vapeur.