Brevet FR2644964A1 — publié le 19900928

La présente invention se rapporte à des microcircuits et plus particulièrement à un substrat en céramique pourvu d'interconnexions entre couches remplies de métal à utiliser pour la construction de microcircuits hybrides pour systèmes micro-ondes. Les composants micro- ondes qui fonctionnent à des fréquences de l'ordre du gigahertz sont de préférence faits en un matériau semiconducteur de GaAs (arseniure de gallium) à cause de la haute mobilité des électrons dans ce matériau. Par ailleurs, comme de tels composants micro-ondes fonctionnent avec des ondes en bande qui sont de l'ordre des millimètres et des centimètres en longueur, et que les chemins conducteurs des microcircuits sont généralement du même ordre de longueur, la construction mécanique et la performance électrique des circuits micro-ondes sont en très proche relation. Ainsi, dans des circuits hybrides micro-ondes, les chemins conducteurs prévus pour connecter les composants du circuit à la masse ne sont pas simplement des chemins d'un importance minimale mais doivent être considérés comme des éléments de circuit en eux-même par le fait qu'ils produisent une inductance distribuée selon leur longueur, qu'il faut prendre en considération. Par ailleurs, étant donné la fréquence de l'ordre du gigahertz à laquelle fonctionnent les composants des circuits micro-ondes, ils produisent une grande quantité de chaleur interne qu'il. faut éloigner pour permettre au circuit de bien fonctionner. Selon la présente invention, un substrat en céramique pour fabriquer un microcircuit hydride est pourvu, à sa surface, d'un grand nombre de petites interconnexions entre couches, chacune de l'ordre de 0,33 mm de diamètre. Un composite formé par un mélange d'un métal réfractaire et d'un métal à assez faible point de fusion ayant une bonne conductivité électrique et thermique est prévu dans chacune des interconnexions entre couches. Des composants micro-ondes tels que des dés en GaAs et autres composants électroniques d'un microcircuit hybride sont montés A la surface du substrat en céramique au-dessus des interconnexions entre couches remplies de métal pour ainsi utiliser le remplissage de métal pour les connexions à la masse et pour l'élimination de la chaleur intérieurement produite dans les composants. Le procédé pour la mise en place du remplissage en métal composite dans chacun des trous d'interconnexion entre couches du substrat en céramique est accompli en produisant une première pâte, formée de particules d'un métal réfractaire et d'un liant, qui est déposée dans chacune des interconnexions. Le substrat en céramique est alors placé dans un four et fritté dans une atmosphère réductrice pour produire une masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions. Alors, une seconde pâte formée de particules du métal A assez faible point de fusion et d'un liant est déposée au-dessus de la masse poreuse du métal dans chacune des interconnexions. Le substrat en céramique et alors placé dans un four à réécoulement et chauffé dans une atmosphère réductrice pour former une masse fondue du métal à plus faible point de fusion qui s'infiltre dans les pores de la masse poreuse du métal réfractaire pour former un mélange composite solide de métaux. Le pourcentage en volume dans le mélange de chacun des métaux qui forme le métal composite est choisi en contrôlant la quantité du liant dans la première pâte contenant les particules de métal réfractaire qui, lors de la ccmbustion, détermine la quantité du métal fondu à plus faible point de fusion qui peut ître attirée par tension de surface dans le métal réfractaire poreux fritté pour former le métal composite. De cette manière, le métal composite peut être formé pour avoir un coefficient de dilatation thermique sensiblement du même ordre que le coefficient de dilatation thermique du matériau semi-conducteur utilisé dans les composants micro-ondes à monter sur les interoonnexions remplies de métal et également que celui du matériau utilisé pour le substrat en céramique. Par ailleurs, l'infiltration du métal à plus faible point de fusion dans les pores du métal réfractaire fritté a pour résultat que les interconnexions sont hermétiquement scellées. En conséquence, l'un des objectifs de la présente invention est de produire des interconnexions entre couches qui sont remplies de métal, sur un substrat en céramique, pour une utilisation dans la mise à la masse et le transfert de la chaleur intérieurement produite au loin de composants électroniques discrets qui sont montés à la surface du substrat sur les interconnexions remplies de métal pour former un microcircuit hybride. La présente invention a pour autre objectif de produire un nouveau procédé de formation d'intercon- nexions entre couches remplies d'un métal composite, sur un substrat en céramique, à utiliser dans la mise à la masse et le transfert de la chaleur au loin de composants micro-ondes qui sont montés à la surface du substrat en céramique pour former un microcircuit hybride. La présente invention a pour autre obJectif le montage de composants micro-ondes sur des interconnexions entre couches remplies de métal prévues sur un substrat en céramique pour ainsi produire un court chemin jusqu'à la masse pour chacun de ces com.posants et ainsi minimiser le bruit dans le circuit micro-onde prévu à la surface du substrat. La présente invention a pour autre objectif des interconnexions entre couches remplies de métal à utiliser dans le montage de composants à haute fréquence sur un substrat en céramique tout en permettant l'étanchéification hermétique des interconnexions. La présente invention a pour autre objectif de produire des interconnexions entre couches remplies de métal sur un substrat en céramique ayant un microcircuit hybride à sa surface, les interconnexions remplies de métal étant utilisées pour le transfert de signaux vers et du microcircuit hybride lorsqu'un couvercle en métal est placé sur le substrat en céramique, pour protéger le microcircuit hybride d'une interférence extérieure. La présente invention a pour autre objectif un nouveau procédé de formation d'interconnexions entre couches remplies de métal sur un substrat en céramique, permettant une adaptation efficace du coefficient de dilatation thermique du remplissage en métal dans les interconnexions et du matériau des composants de circuit à y monter et également du matériau du substrat en céramique. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention, et dans lesquels: - la figure 1 est une vue en plan illustrant une façon de l'art antérieur pour monter un dé en GaAs sur un substrat d'alumine; - la figure la est une vue en coupe faite sur la figure 1, suivant la ligne la-la, dans la direction des flèches; - la figure lb est une vue en coupe faite sur la figure 1, suivant la ligne lblb, dans la direction des flèches; - la figure 2 est une vue en perspective illustrant une autre façon prévue dans l'art antérieur pour monter un dé en GaAs directement sur un dissipateur thermique; - la figure 2a est une vue en coupe faite sur la figure 2, suivant la ligne 2a- 2a, dans la direction des flèches; - la figure 3 est une vue en plan d'une feuille carrée typique d'un substrat d'alumine à utiliser dans la présente invention, montrant le grand nombre de petites interconnexions percées à travers son corps; - la figure 3a est une vue de c8té du substrat d'alumine montré à la figure 3; - les figures 4a-4g sont des vues en coupe transversale d'une portion du substrat d'alumine de la figure 3, montrant les étapes successives du procédé pour produire le remplissage en métal composite dans ses trous d'interconnexions; - la figure 5 est une vue en perspective montrant un dé en GaAs explosé au loin d'un trou d'interconnexion rempli de métal, qui est prévu sur un coin du substrat d'alumine de la figure 3 qui a des chemins de circuit en film mince à sa surface supérieure et un plan de la masse en film mince à sa surface inférieure; - la figure 5a est une vue en plan de la portion du substrat d'alumine de la figure 5 montrant le dé en GaAs monté sur l'interconnexion remplie de métal avec sa borne supérieure de terre connectée par un conducteur en ruban à une interconnexion adjacente remplie de métal prévue sur le substrat d'alumine; - la figure 5b est une vue en coupe faite sur la figure 5a, suivant les lignes 5b-5b, dans la direction des flèches; - la figure 6 est une vue en plan montrant la façon dont les bornes supérieures pour un dé en GaAs monté sur un substrat d'alumine peuvent employer des interconnexions remplies de métal sur le substrat pour produire les connexions externes; et - la figure 6a montre une vue en coupe faite sur la figure 6, suivant la ligne 6a-6a, dans la direction des flèches et montre un couvercle en métal pour le composant hybride monté sur le substrat d'alumine. En se référant aux dessins, la figure 1 est une vue agrandie et en plan illustrant une façon de l'art antérieur de monter un dé 10 en GaAs pour un circuit micro-onde hybride, par brasage de la masse primaire 11 au fond du dé en GaAs à la surface supérieure du substrat en céramique 12. Le substrat 12, dont seule une portion est montrée, est une feuille carrée d'alumine de 5 cm sur S cm ayant environ 0,76 mm d'épaisseur. Comme le montre la figure la, le substrat 12 a un plan de masse 22 en film mince en son fond, qui est attaché au sommet d'un bloc de Cu/W (cuivre/tungstène) qui a environ 2,54 mm d'épaisseur. La surface supérieure du substrat d'alumine 12 est pourvue d'un schéma de chemins conducteurs en film mince 13 à 19 compris, pour les bornes d'interconnexion sur le dé 10 de GaAs vers d'autres composants du microcircuit et pour la mise à la masse du dé de GaAs. Ainsi, le schéma de chemin conducteur du microcircuit comprend typiquement un chemin d'entrée haute fréquence 13, un chemin de sortie haute fréquence 14, un chemin de drain 15, un chemin d'émetteur 15, un chemin de polarisation 17 et des chemins de la masse 18 et 19. Comme on peut le voir, chacun des chemins conducteurs à film mince 13 à 18 inclus a une extrémité connectée par un conducteur en ruban ou en fil 21 à l'une des bornes prévues au sommet du dé 10 en GaAs et le chemin conducteur en film mince 19 a une extrémité (figure lb) qui est connectée à la masse primaire au fond du dé 10 en GaAs. Comme le montre la figure la, le chemin de masse 18 qui a une extrémité connectée à la borne de masse 18a au sommet du dé 10 en GaAs s'étend jusqu'à et passe autour du bord en alumine 12 pour être relié à son plan 22 de la masse. Comme le montre la figure lb, le chemin de la masse 19, dont une extrémité est connectée à la masse primaire 11 au fond du dé 10 en GaAs, s'étend de même jusqu'à et passe autour du bord du substrat en alumine 12 pour être relié à son plan 22 de la masse. Il est évident que, comme le dé 10 en GaAs et les autres composants électroniques montés sur le substrat d'alumine 12 ont chacun typiquement de l'ordre de 58 à 8,4 mm2 et que les chemins d'interconnexion de la masse du chemin conducteur en film mince sont aussi peu espacés que possible, un grand nombre de tels composants et de leurs chemins conducteurs sont prévus à la surface de la feuille carrée de 5 cm x 5 cm du substrat d'alumine 12. L'inconvénient de la tentative montrée à la figure 1 pour monter le dé de GaAs sur le substrat d'alumine 12 réside dans le fait qu'une partie des bornes et des traJets passant autour jusqu'à la masse primaire pour le dé de GaAs sont assez longs car chacun d'entre eux doit s'étendre de tout emplacement qu'un dé particulier en GaAs ou comrosart électronique actif peut avoir à la surface du substrat d'alumine Jusqu'à son bord. En conséquence, l'inductance distribuée de tels chemins vers la masse qui passent autour est élevée. Cela affecte le fonctionnement du microcircuit sur le substrat d'alumine en provoquant un bruit excessif de fond qui a pour résultat une mauvaise performance du microcircuit aux hautes fréquences. Par ailleurs, étant donné le grand nombre de chemins qui passent autour et qui sont nécessaires sur le substrat d'alumine, ces chemins prennent beaucoup de place à la surface du substrat ce qui augmente la taille du substrat requis pour construire un microcircuit hybride particulier. Par ailleurs, c'est un procédé très coteux de prévoir l'extension des chemins passant autour, sur les bords du substrat d'alumine, afin qu'ils contactent son plan de la masse. De plus encore, la chaleur interne produite par chaque dé en GaAs ou autre composant à haute fréquence doit 8tre éloignée d'abord par conduction à travers le substrat d'alumine oui est un mauvais conducteur thermique, avant dissipation dans le dissipateur thermique 20. En d'autres termes, le transfert de chaleur du microcircuit n'est pas très efficace. La figure 2 est une vue en perspective d'une autre façon de l'art antérieur pour monter un dé 23 en GaAs et connecter les bornes à son sommet aux chemins conducteurs en film mince qui sont prévus à la surface du substrat d'alumine 24. Cette construction permet, par exemple, que le substrat d'alumine 24, ayant une ouverture centrale rectangulaire, soit attaché par son plan de la masse de fond 34 au fond d'un bloc de Cu/W 31 qui sert de dissipateur thermique. D'autres formes de cette facon de monter un dé de GaAs consistent à prévoir des bandes espacées d'attache du substrat d'alumine sur le dissipateur thermique. Comme le montre les figures 2 et 2a, le dé 23 de GaAs est brasé avec sa masse primaire 32 en son fond contactant la surface supérieure du bloc 31 du Cu/W dans l'ouverture centrale rectangulaire du substrat d'alumine 24. Le schéma conducteur en film mince qui est prévu à la surface supérieure du substrat d'alumine 24 comprend un chemin d'entrée haute fréquence 26, un chemin de sortie haute fréquence 27, un chemin de drain 28, un chemin d'émetteur 29 et un chemin de polarisation 30. Chacun de ces chemins conducteurs est connecté par un conducteur en ruban 33 à l'une des bornes prévues au sommet du dé 23 en GaAs Bien que sur la figure 2, le montage du dé 23 en GaAs directement à la surface du bloc 31 en Cu/W présente l'avantage de former un dissipateur thermique direct pour le dé 23 de GaAs et une connexion directe à la masse pour la masse primaire 32 au fond du dé 23 de GaAs, la borne additionnelle de masse 35 placée à la surface supérieure du dé 23 en GaAs doit être connectée, par un conducteur à ruban 33, à la masse, par un chemin enveloppant en film mince 36. La raison de cela provient du fait qu'il n'est pas possible de connecter la borne supérieure de la masse 35 par l'utilisation d'un conducteur à ruban 33 à la surface supérieure du bloc 31 en Cu/W parce que la chaleur nécessaire au brasage de l'extrémité du conducteur à ruban est rapidement dissipée dans la grande masse du métal formant le bloc 31 de Cu/W nécessitant que des températures extrêmement élevées soient utilisées, qui brûlent le contact. Par conséquent, une telle connexion additionnelle à la masse pour une borne au sommet du dé 23 de GaAs nécessite qu'un chemin enveloppant de la masse 36 soit prévu à la surface du substrat 24 qui s'étend jusqu'au bord 2 et passe autour pour connexion au plan de la masse 34, comme le montre la figure 2a. On se référera maintenant à la figure 3 qui montre un substrat d'alumine 37 tel que prévu pour la présente invention. Le substrat qui est fait d'alumine ayant une pureté d'environ 96 à 99,6 % est une feuille carrée de 5 cm sur 5 cm ayant une épaisseur t (figure 3a) d'environ 0,76 mm. L'ébauche du substrat d'alumine de départ 37 est déjà à son état cuit lorsque le grand nombre d'interconnexions entre couches 38, chacune d'un diamètre de l'ordre de 0,25 à 0,76, est percé en des emplacements précisément spécifiés à sa surface par l'utilisation d'un laser commandé par ordinateur. Les emplacements à la surface du substrat d'alumine 37 pour les interconnexions 38, qui peuvent atteindre un nombre de 400 ou plus, sont prédéterminés par la mise en place spécifiée souhaitée de chacun des dés discrets de GaAs et autres composants électroniques actifs relativement aux chemins conducteurs en film mince et composants passifs à incorporer dans un microcircuit hybride de haute densité à fabriquer à la surface du substrat d'alumine. En conséquence, il est nécessaire de percer chaque trou d'interconnexion 38 relativement aux autres sur le substrat d'alumine 37 à une tolérance de 0,025 mm. Cela est nécessaire pour Etre sûr que chaque dé de GaAs, ou tout autre composan.t du microcircuit hybride qui nécessite un trajet jusqu'à la masse et/ou nécessite que sa chaleur soit enlevée, pourra Stre bien monté au dessus d'une ou plusieurs des interoonnexions 38 remplies de métal, sur le substrat d'alumine 37, en une position telle que ses bornes puissent tre connectées à des chemins conducteurs en film mince appropriés à prévoir subséquemment à la surface du substrat d'alumine 37. Une divulgation détaillée des étapes du procédé utilisé pour produire les interconnexions remplies de métal sur le substrat d'alumine 36 de la présente invention pour une utilisation pour le montage de dés en GaAs et autre composants micro-ondes sera maintenant présentée en se référant aux figures 4a-4g. il Ainsi, la figure 4a illustre une portion du substrat d'alumine 37 tel que cuit, en une feuille carrée de 5 cm sur 5 cm, qui a environ 0,75 mm d'épaisseur, que l'on a choisi comme matière première. Sur la figure 4b, deux interconnexions 38, chacune d'un diamètre de l'ordre de 0,33 mm, qui sont incorporées dans le schéma des interconnexions de la figure 3, par exemple, sont montrées percées dans la portion du substrat d'alumine 37 en utilisant un laser à commande numérique à une précision qui est de l'ordre de 0,025 mm de son emplacement spécifié relativement aux autres interconnexions sur le substrat d'alumine. Comme on peut le voir sur la figure 4c, un pochoir 39, indiqué en pointillés, qui a environ 0,05 mm d'épaisseur et un schéma de trous identiques au schéma des interconnexions 38 qui est percé sur le substrat d'alumine 37, est placé sur la surface supérieure du substrat d'alumine 37, avec les trous alignés. Une première pâte 40 faite de particules de tungstène et d'un liant est alors passée à la raclette, c'est-à-dire pressée à travers les trous du pochoir 39 afin de remplir toutes les interconnexions 38 sur le substrat d'alumine 37 (figure 3). Comme cela est évident sur la figure 4c, lors de l'enlèvement du pochoir 39, une petite protubérance 42 de la pâte de tungstène 40, égale à l'épaisseur du pochoir 39, s'étend sur chacune des interconnexions 38 prévue sur le substrat d'alumine 37. Le substrat d'alumine 37, avec la pâte de tungstène 40 dans chacune des interconnexions 38, est alors fritté à environ 1375 pendant environ 15 à 20 minutes dans un four ayant une atmosphère réductrice contr8lée, de préférence composée d'une mélange d'hydrogène et d'azote pour forcer le liant dans la pâte à brûler et à laisser une masse poreuse 43 de tungstène fritté dans chacune des interconnexions 38, comme le montre la figure 4d. Il faut noter que la petite protubérance 42 de la pâte de tungstène 40 au-dessus de chaque interconnexion sur la figure 4c disparaît lors du rétrécissement de la pâte de tungstène provoqué par la combustion de son liant pendant le frittage. Il faut noter particulièrement que la quantité du liant choisie pour se trouver dans la pâte de tungstène, lors de sa combustion, a pour résultat que le tungstène fritté 43 a une porosité d'environ 15 %. Il faut également noter qu'en augmentant ou en diminuant la quantité du liant dans la pâte de tungstène, la porosité du tungstène fritté peut 8tre contr8lée pour varier entre environ 10 % et 20 % Il faut de plus noter que le substrat d'alumine avec la pâte de tungstène dans les interconnexions 38 peut 8tre fritté dans un four à une température variant entre 1175 C et 1575 C selon la taille des particules de tungstène utilisées dans la pâte, l'épaisseur du substrat d'alumine et le temps alloué au frittage. Comme le montre la figure 4e, le pochoir 39 est de nouveau placé sur le substrat d'alumine 37 avec ses trous alignés avec les interconnexions 38. Alors, une seconde pâte 45 faite de particules de cuivre avec un liant est appliquée à la raclette, c'est-à-dire pressée, dans tous les trous du pochoir 39 afin de se trouver au sommet de la masse poreuse du tungstène fritté 43 dans chacune des interconnexions 38. Il faut noter que l'on utilise des particules d'un métal tel que le cuivre dans la seconde pâte parce que le cuivre a une haute conductivité thermique et électrique et un point de fusion relativement bas. Ainsi, lorsque l'on chauffe le substrat d'alumine 37 à environ 11500C pendant environ 10 minutes dans un four à réécoulement ayant une atmosphère contr8lée et composée d'un mélange d'hydrogène et- d'azote, le liant de la pâte de cuivre 45 est brûlé et les particules de cuivre sont chauffées à un état fondu qui leur permet de s'infiltrer, c'est-à-dire d'être efficacement attirées par tension de surface dans les pores de la masse de tungstène 43. Par suite, le mélange des métaux, dans chaque interconnexion 38 forme, comme le montre la figure 4f, une masse solide en métal composite 47 composée d'un mélange, en volume, d'environ 85 % de tungstène et 15 % de cuivre. Il faut noter que l'on peut forcer la pate de cuivre 45 à se réécouler dans le tungstène poreux à une température variant entre 1050 et 1250 C selon la taille des particules de cuivre et le temps alloué pour que le réécoulement ait lieu. Comme le montre la figure 4g, après avoir formé le mélange composite de tungstène et de cuivre dans chacune des interconnexions 38, les surfaces supérieure et inférieure de substrat d'alumine 37 sont alors rodées et polies pour éliminer tout excès de la masse solide 47 du métal (voir figure 4f) pouvant être présent au haut ou au bas des interconnexions 38. Etant donné ce qui précède, il est maintenant clairement évident que l'utilisation de l'alumine non cuite en tant que matière première pour le substrat en céramique 37 serait impensable parce qu'il n'est pas possible de maintenir les dimensions et la tolérance requise du schéma des interconnexions qui y sont percées du fait du rétrécissement de cette alumine non cuite pendant les étapes subséquentes de chauffage nécessaires, comme on l'a décrit ci-dessus, pour former le remplissage de métal dans les interconnexions 38. A la fin du remplissage de métal dans les interconnexions 38 sur le substrat d'alumine et le rodage et le polissage subséquents des surfaces supérieure et inférieure du substrat d'alumine, chacune de ces surfaces est alors métallisées d'une manière bien connue par application de films minces successifs, par exemple, de titane et de tungstène avec ensuite dép8t d'un film d'or au-dessus du film de tungstène. La surface supérieure en film mince du substrat d'alumine 37 est alors traitée d'une manière bien connue en utilisant des techniques photolithographiques pour former un schéma souhaité en film mince des chemins conducteurs, très peu espacés selon la nécessité pour un microcircuit hybride particulier qui est fabriqué à la surface supérieure du substrat d'alumine. Les films minces qui ont été produits à la surface inférieure de substrat d'alumine forment son plan de masse. En se référant maintenant à la figure 5, elle montre une vue en perspective d'un coin du substrat d'alumine 37 (figure 3) pourvu de deux des interconnexions 38 remplies d'une masse solide 47 de tungstène et de cuivre afin de produire des interconnexions 60 et 61 remplies de métal. La figure 5 montre également les chemins conducteurs qui ont été produits à la surface du coin du substrat d'alumine 37. Ces chemins conducteurs comprennent un chemin d'entrée haute fréquence 49, un chemin de sortie haute fréquence , un chemin de drain 51, un chemin d'émetteur 52 et un chemin de polarisation 53. Il faut de plus noter sur la figure 5-que le substrat d'alumine 37 est attaché par son plan de la masse 55 à un bloc de Cu/W 56 qui sert de dissipateur thermique et un dé 57 en GaAs est montré explosé au loin du sommet de l'interconnexion 60 remplie de métal. En se référant maintenant aux figures 5a et 5b, elles montrent le dé 57 en GaAs qui est monté avec sa masse primaire de fond 58 brasée sur l'interconnexion en métal 60 sur le coin du substrat en alumine 37. De courts conducteurs en ruban 59 sont utilisés pour attacher les bornes appropriées au sommet du dé 57 en GaAs au chemin d'entrée haute fréquence 49, au chemin de sortie haute fréquence 50, au chemin de drain 51, au chemin d'émetteur 52 et au chemin de polarisation 53. Il faut en particulier noter que le dé 57 en GaAs est illustré avec une borne additionnelle de masse 41 à son sommet, qui est connectée par un conducteur en ruban 59 à l'autre interconnexion 61 remplie de métal qui est prévue au coin du substrat en alumine 3?. Une telle connexion pour la borne de masse du dé 57 en GaAs peut se faire parce que le faible poids du remplissage de métal 47 dans l'interconnexion 61 permet son chauffage rapide Jusqu'à la température souhaitée nécessaire pour le brasage de l'extrémité du conducteur en ruban 59. Il sera bien entendu évident que sur la figure 5a, un chemin conducteur en film mince pourrait être prévu à la surface du substrat d'alumine 37 dont une extrémité serait connectée au remplissage de métal 47 dans l'interconnexion 61 et qu'un conducteur en ruban pourrait alors permettre la connexion de l'autre extrémité de ce chemin conducteur à la borne de masse au sommet du dé 57 en GaAS. Ainsi, la tentative utilisée dans la présente invention d'emploi d'interconnexions remplies de métal sur un substrat d'alumine pour connecter non seulement le plan de masse primaire de fond d'un dé en GaAs mais également une borne additionnelle de masse au sommet du dé en GaAs au plan de masse du substrat en alumine permet nettement l'élimination de la nécessité de tout chemin en film mince qui passe autour pour des connexions à la masse sur la surface supérieure du substrat d'alumine. Par conséquent, l'utilisation d'interconnexions remplies de métal sur un substrat en céramique permet d'améliorer la performance des microcircuits hybrides à haute fréquence en minimisant les problèmes de forte inductance posés par les longs chemins de masse en film mince et enveloppant qui sont actuellement utilisés. Par ailleurs, le remplissage de métal pour une interconnexion forme également un court chemin thermique efficace pour entraîner la chaleur interne produite par un composant à haute fréquence attaché au sommet du substrat en céramique vers le bloc de Cu/W qui sert de dissipateur thermique. De plus encore l'élimination de la nécessité de prévoir un espace au sommet du substrat d'alumine pour les chemins de masse enveloppants en film mince et le transfert efficace de la chaleur au loin de chacun des composants haute fréquence, permet à ces composants d'être plus rapprochés, ce qui permet la miniaturisation de l'ensemble. Comme on l'a précédemment mentionné, la quantité de liant que l'on utilisepour produire la pâte de tungstène qui est placée dans chacune des interconnexions 38 (figure 4c) peut être choisie afin de contr8ler le vide ou la porosité du tungstène fritté dans les interconnexions et par conséquent la quantité de cuivre qui peut se réécouler dans ses pores. De cette manière, la composition résultante du mélange de métaux dans les interconnexions peut être forcée à varier pour contenir 80 à 90 % de tungstène et un reste de 20 à 10 % de cuivre, en volume, selon la nécessité, pour produire une composition particulière de métaux qui a un coefficient de dilatation thernique qui correspond à peu près à celui du matériau semi-conducteur de GaAs. Cela est important par ce qu'un dé de GaAs se compose de cristaux piezoélectriques qui, lorsqu'ils sont mis sous effort, produisent une quantité variable minuscule de tension électrique alternative selon la pression sur le matériau cristallin. Ainsi, quand le substrat d'alumine est soumis à des variations de température comprises entre -55 C et + 300 C, comme cela est spécifié dans les normes militaires à 883, par exemple, les efforts induits dans un dé en GaAs par les différences sensibles du coefficient de dilitation thermique du matériau de GaAs et du remplissage de métal dans les interconnexions o est monté le dé de GaAs on peut avoir un effet sur la performance du microcircuit hybride. Ainsi, comme GaAs a un coefficient de dilatation thermique de 57 x 10 7 cm/cm/ C, la quantité du liant dans la première pâte des particules de tungstène a été choisie pour produire un remplissage de métal dans les interconnexions de 85% de tungstène et 15% de cuivre en volume pour ainsi former une composition de métaux dont le coefficient de dilatation thermique est d'environ 57 x 10-7 mm/mm/ C. Le coefficient de dilatation thermique du remplissage de métal dans les interconnexions doit également être compatible avec celui du matériau utilisé pour le substrat en céramique. Ainsi, lorsque l'on utilise de l'alumine qui a un coefficient de dilatation thermique d'environ 67 x 107 cm/cm/OC, on a trouvé que le coefficient de dilatation thermique d'environ 57 x 10-7 cm/cm/ C donné par la composition des métaux comprenant 85 % de tungstène et 15 % de cuivre en volume était suffisamment proche, en ordre de grandeur, de celui de l'alumine, donc quand le substrat en alumine est soumis à des plages de chauffage spécifiées par les normes militaires à 883, le remplissage de métal des interconnexions n'est pas induit à gonfler vers l'extérieur des interconnexions et le substrat en alumine n'est pas induit à se fissurer. Il faut de plus noter que le remplissage de métaux de Cu/W pour les interconnexions est rendu de manière inhérente hermétique par l'étape de réécoulement du cuivre qui sert à fermer tous les pores de la masse frittée de tungstène. Cela est avantageux parce que, quand le vernis photosensible ou tout autre solvant est appliqué sur le substrat d'alumine pendant la formation du schéma des chemins conducteurs à sa surface, par exemple, il est important que ces solvants n'entrent pas et ne soient pas piégés dans des vides, pores ou fissures du remplissage de métal dans les interconnexions. De tels solvants pourraient avoir tendance à Trouver leur chemin vers l'extérieur des interconnexions plus tard dans la vie du microcircuit hybride et pourraient forcer le substrat en céramique et/ou les composants de circuit à se corroler ou à autrement se détériorer et faire défaut. On comprendra maintenant nettement que les processus de la présente invention permettent de fabriquer le substrat en céramique en un matériau autre que l'alumine, comme le nitrure d'aluminium, par exemple. Par ailleurs, les processus de la présente-invention permettent d'utiliser un mélange d'un certain nombre d'autres métaux différents en tant que remplissage de métal pour les interconnexions, tout en permettant facilement l'adaptation du coefficient de dilatation thermique du remplissage de métal pour les intereonnexions avec le matériau des composants de circuits qui y sont montés et le matériau du substrat en céramique utilisé. Ainsi, un métal réfractaire tel que du molybdène peut 8tre- substitué au tungstène et d'autres métaux thermiquement et électriquement conducteurs comme Ag et Au, seuls ou en combinaison, peuvent être substitués au cuivre. En particulier, les autres mélanges de métaux composites qui pourraient être prévus pour remplir les interconnexions 38 comprennent Ag-Au/W, Au/W, Ag/W, Ag/Mo, Cu/Mo, Au/Mo, etc. On se référera maintenant aux figures 6 et 6a qui montrent une autre façon d'utiliser les interconnexions remplies de métal prévues sur un substrat en céramique d'alumine selon la présente invention. Là, un substrat d'alumine 65, ayant un plan de la masse 82 en son fond, est montré pourvu de sept interconnexions remplies d'un métal composite 67, 68, 69, 70, 71, 72 et 73. Sur les interconnexions 67 et 68 remplies de métal et très peu espacées sur le substrat 65 est monté un seul dé en GaAs 74 qui forme un microcircuit hybride simplié. Il faut noter que le dé 74 en GaAs a une masse primaire 84 en son fond qui est placée directement en contact avec le remplissage de métal dans les interconnexions 67 et 68 et que les fonds de remplissage de métal dans ces interconnexions sont en contact avec le plan de la masse 82 au fond du substrat d'alumine 65. L'utilisation de deux interconnexions remplies de métal comme 60 et 61 est nécessaire lorsqu'un dé en GaAs, tel que le dé 74, produit de la chaleur plus rapidement qu'une seule interconnexion à remplissage de métal ne peut en entratner. Les cinq interconnexions remplies de métal qui restent 69-73, que l'on peut voir à la figure 6, sont utilisées pour permettre la connexion des bornes prévues au sommet 74 du dé en GaAS de circuits externes (non représentés). Il faut noter que le plan de la masse 82 au fond du substrat d'alumine 65 a des trous agrandis autour de chacune des cinq interconnexions restantes 69-73 remplies de métal pour garantir que le remplissage de métal de ces interconnexions ne contactera pas le plan de la masse 82. Comme le montre la figure 6, l'interconnexion 69 remplie de métal est connectée par un conducteur en ruban 83 à la borne d'entrée haute fréquence 75, l'interconnexion 70 remplie de métal est connectée par un conducteur en ruban 83 à la borne de sortie haute fréquence 76, l'interconnexion 71 remplie de métal est connectée par un conducteur en ruban 83 à la borne d'émetteur 77, l'interconnexion 72 remplie de métal est connectée par un conducteur en ruban 83 à la borne de polarisation 79 et l'interconnexion 73 remplie de métal est connectée par un conducteur en ruban 83 à la borne de drain 78. Le substrat en alumine 65 a un plot en métal en film mince 80 de configuration rectangulaire qui est déposé sur la bordure de sa surface supérieure, comme le montre la figure 6. Comme on peut le voir sur la figure 6a, un couvercle métallique 81 fait en "Kovar", par exemple, est placé sur le substrat en alumine 65 avec son fond scellé au plot en métal 80 afin d'enfermer le circuit micro-onde hybride à sa surface. Le couvercle métallique 81 blinde le microcircuit hybride par rapport à une interférence externe. Comme le montre la figure 6a, une broche 87 est brasée au fond de chacune des interconnexions 69-73 remplie de métal sur le substrat en alumine 65. Ces broches 87 sont utilisées pour permettre des connexions externes pour les bornes au sommet du dé 74 en GaAs. Un bloc 85 de Cu/W, qui sert de dissipateur thermique, est traversé de cinq trous surdimensionnés qui sont allignés avec cinq interconnexions remplies de métal 69, 70, 71, 72 et 73 sur le substrat en alumine. Deux des trous surdimensionnés 88 et 89 sont vus en coupe sur le substrat en alumine 65 montré à la figure 6a. Ainsi, quand le fond d'un substrat en alumine 65 est attaché au sommet du bloc 85 de Cu/W, les broches 87 au fond de chacune des interconnexions 69-73 remplies de métal s'étendent à travers et dépassent en dessous des trous respectifs surdimensionnés dans le bloc 85 de Cu/W. Ainsi, c'est parce que les interconnexions 38 remplies de métal sont hermétiquement scellées qu'elles offrent une façon simple et pratique pour effectuer les connexions externes nécessaires pour les bornes des composants électroniques du circuit micro-onde hybride sur le substrat 65. Il faut noter que la représentation aux figures 6 et 6a d'un seul dé 74 en GaAs en tant que microcircuit hybride sur le substrat d'alumine 65 est simplement à titre d'exemple. Plus typiquement, plusieurs de ces dés en GaAs, ainsi que d'autres composants électroniques, seront prévus à la surface du substrat en alumine. Par ailleurs, des bornes communes de plusieurs de ces dés en GaAs, par exemple, peuvent être connectées aux mêmes interconnexions remplies de métal qui sont utilisées comme connecteurs externes. REVENDICATIONS 1. Substrat pour un microcircuit hybride comportant des composants électroniques, caractérisé en ce qu'il comprend: une feuille mince (37) d'un matériau de céramique ayant une surface supérieure; un certain nombre d'interconnexions entre couches (38) de petit diamètre, prévues & la surface supérieure de et s'étendant à travers la feuille de matériau céramique; et un remplissage de métal dans chacune desdites interconnexions; les composants électroniques dudit microcircuit hybride étant montés à la surface supérieure de ladite feuille de matériau céramique, au-dessus des interconnexions, et employant le remplissage en métal pour former une connexion à la masse pour et entraîner la chaleur intérieurement produite au loin des composants électroniques. 2. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que les interconnexions (38) de petit diamètre ont environ 0,33 mm de diamètre. 3. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille de matériau en céramique (37) est faite en alumine ayant une pureté de 96 % à 98,6 %. 4. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille (37) de matériau de céramique a une épaisseur d'environ 0,76 mm. 5. Substrat selrn la revendication 1, caractérisé en ce que la feuille (37) de matériau de céramique a Jusqu'à 100 interecnnexions ou plus qui sont percées sur chaque 6,45 cm2 de sa surface supérieure. 6. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que le remplissage de métal dans chacune des interconnexions (38) comprend une masse poreuse d'un métal réfractaire fritté et un métal ayant un faible point de fusion que l'on force à se réécouler dans la masse poreuse dudit métal réfractaire. 7. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que les composants électroniques discrets (57) ont des bornes pour des circuits externes et lesdites bornes sont connectées par des conducteurs en ruban aux remplissages de métal sur des interconnexions choisies. 8. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que les composants électroniques discrets (57) ont des bornes de masse; et les bornes de masse sont connectées par des conducteurs en ruban aux remplissages de métal sur des interconnexions choisies. 9. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits composants électroniques (57) discrets sont des dés en GaAs. 10. Substrat selon la revendication 1, caractérisé en ce que le microcircuit hybride (57) est pour un système microonde. 11. Métal composite pour remplir des interconnexions prévues sur une feuille d'un matériau de céramique pour montage de composants électroniques formés en matériau semi-conducteur, caractérisé en ce que le métal composite comprend un mélange d'une masse poreuse d'un métal réfractaire et un métal à faible point de fusion qui est électriquement et thermiquement conducteur, que l'on fait se réécouler dans la masse poreuse du métal réfractaire. 12. Métal composite pour le remplissage d'interconnexions prévues sur une feuille de matière céramique pour monter des composants électroniques formés en un matériau semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le métal composite a un coefficient de dilatation thermique qui est compatible avec celui du matériau semi-conducteur et du matériau de céramique. 13. Métal composite pour remplir des interconnexions prévues sur une feuille d'un matériau de céramique pour monter des composants électroniques formés d'un matériau semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que ledit métal composite permet l'étanchéification hermétique des interconnexions (38) sur ladite feuille de matériau céramique. 14. Métal composite pour le remplissage d'interconnexions prévues sur une feuille d'un matériau de céramique pour monter des composants électroniques formés d'un matériau semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit métal composite est formé en remplissant chacune des interconnexions (38) sur la feuille (37) du matériau de céramique d'une première pâte formée de particules d'un métal réfractaire et d'un liant, en chauffant la feuille de matériau de céramique pour brûler le liant dans la première pâte et en frittant les particules du métal réfractaire pour former une masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions, en plagant une seconde pâte composée des particules d'un métal à faible point de fusion et d'un liant au sommet de la masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions; et en chauffant la feuille de matériau de céramique pour brûler le liant dans la seconde pâte et convertir les particules du métal à faible point de fusion en une masse fondue qui s'infiltre dans la masse poreuse du métal réfractaire pour former une masse solide du métal composite dans chacune des interconnexions. 15. Métal composite pour le remplissage d'interconnexions (38) prévues sur une feuille d'un matériau de céramique pour le montage de composants électroniques formés d'un matériau semi-conducteur selon la revendication 11, caractérisé en ce que le métal réfractaire est du tungstène et le métal à faible point de fusion est du cuivre. 16. Composition de métal pour remplir chacune d'un certain nombre d'interconnexions sur un substrat en céramique o sont montés des composants semi-conducteurs à haute fréquence d'un microcircuit hybride, caractérisée en ce qu'elle se compose d'un premier et d'un second métal en poudre, chacun étant formulé avec un liant pour produire une première et une seconde pâte respectivement, la première pâte étant chargée dans lesdites interconnexions et traitée thermiquement pour former une masse poreuse frittée dudit premier métal et la seconde pâte étant placée au sommet de la masse poreuse dans chacune des interconnexions et traitée thermiquement pour former une masse fondue qui se réécoule dans la masse poreuse du premier métal pour former une masse solide. 17. Métal composite selon la revendication 14, caractérisé en ce que la première pâte est formulée avec une quantité du liant telle que lorsque le liant est brûlé et que les particules de tungstène sont frittées, une masse poreuse se forme qui remplit à peu près à 85 % du volume des interconnexions et quand le métal de ladite seconde pâte est forcé à se réécouler dans la masse poreuse, il remplit environ 15 % restant du volume des interconnexions pour former la masse solide dans chacune des interconnexions. 18. Métal composite pour remplir des interconnexions sur une feuille d'un matériau de céramique pour monter des composants électroniques formés d'un matériau semi-conducteur selon la revendication 12, caractérisé en ce que ledit matériau semi-conducteur est GaAs et ledit métal composite a un coefficient de dilatation thermique de 57 x 10-7 cm/cm/ C. 19. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique avec un certain nombre d'interoonnexions remplies de métal à utiliser pour la fabrication d'un microcircuit hybride, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: produire un substrat en céramique tel que cuit ayant une surface supérieure et une surface inférieure; percer un schéma d'interconnexions dans ledit substrat en céramique; former une première pâte de particules d'un métal réfractaire et d'un liant; déposer ladite première pâte dans chacune desdites interconnexions; fritter ladite première pâte pour former une masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions; former une seconde pâte de particules d'un métal ayant un faible point de fusion et d'un liant; déposer ladite seconde pâte sur la masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions; chauffer ladite seconde pâte de manière que les particules de métal soient à un état fondu qui s'infiltre dans les pores de la masse poreuse dudit métal réfractaire pour remplir chacune des interconnexions d'une masse solide de métal; et roder les surfaces supérieure et inférieure du substrat en céramique pour enlever tout métal en excès sur les interconnexions. 20. Procédé de fabrication d'un substrat en céramique avec un certain nombre d'interconnexions remplies de métal à utiliser pour la fabrication d'un microcircuit hybride, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes de: prévoir une feuille d'un substrat en céramique tel que cuit ayant des surfaces supérieure et inférieure; percer un schéma d'interconnexions dans ledit substrat en céramique par l'utilisation d'un laser; prévoir un pochoir ayant le même schéma de trous que le schéma des interconnexions sur la feuille du substrat en céramique; placer ledit pochoir sur ladite feuille du substrat en céramique avec son schéma de trous alignés avec le schéma d'interconnexions; former une première pâte de particules d'un métal réfractaire et d'un liant; déposer ladite première pâte dans les interconnexions en forçant la première pâte à travers les trous du pochoir pour ainsi laisser un excès de la première pâte au sommet de chacune des interconnexions; placer la feuille du substrat en céramique dans un four et la fritter dans une atmosphère réductrice pour produire une masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions; former une seconde pâte de particules d'un métal ayant un faible point de fusion et d'un liant; placer de nouveau ledit pochoir sur ladite feuille du substrat en céramique avec son schéma de trous aligné avec le schéma d'interconnexions; déposer ladite seconde pâte dans les trous du pochoir sur la masse poreuse du métal réfractaire dans chacune des interconnexions; placer la feuille du substrat en céramique dans un four à rêécoulement ayant une atmosphère réductrice et chauffer ladite seconde pate pour porter lesdites particules de métal ayant un faible point de fusion à un état fondu qui s'infiltre dans la masse poreuse dudit métal réfractaire pour remplir chacune des interconnexions par une masse solide de métal; et roder et polir les surfaces supérieure et inférieure de ladite feuille du substrat en céramique pour enlever tout excès de métal en haut et en bas des interconnexions.