Brevet FR2638880A1 — publié le 19900511

i 2638880 PROCEDE DE FABRICATION D'UN ECRAN D'AFFICHAGE A MATRICE DE TRANSISTORS POURVUS D'UN MASQUE OPTIQUE DESCRIPTION La présente invention a pour objet un procédé de fabrication d'un écran d'affichage à matrice active, à base de transistors en couches minces et de conden- sateurs, dans laquelle les transistors sont pourvus d'un masque optique. Elle trouve une application notam- ment dans la réalisation de circuits d'affichage à cristaux liquides. Les circuits à transistors en couches minces (T.C.M.) soryt principalement utilisés dans la fabri- cation d'écrans d'affichage à matrice active. Dans ce type a'écran, une mémoire électronique formée de points mémoire répartis sur toute la surface de l'écran, stocke le signal vidéo pendant toute la durée de l'ima- ge. Le transducteur électrooptique (par exemple un cristal liquide) est en contact avec chaque point mé- moire, et est excité pendant toute la durée d'une image, alors que, dans les systèmes dépourvus do mémoire électronique, le transducteur n'est excité que pendant la durée d'une ligne. L'effet optique et le taux de multiplexage autorisé sont donc beaucoup plus importants. Les TCM permettent de réaliser une telle mémoi- re électronique sur un substrat de verre. Chaque point mémoire est situé au croisement d'une ligne et d'une colonne de connexion et il est constitué de deux tran- sistors en parallèle et d'un condensateur. Dans le cas o le transducteur est un cristal liquide, les armatures du condensateur peuvent être constituées par les électrodes de la cellule à cristal liquide elle-même. Le point mémoire se ramène donc à deux TCM et à un condensateur dont l'une des armatures est constituée par l'électrode disposée sur la paroi de La cellule qui contient les TCM, l'autre armature étant constituée par La contre-électrode disposée sur l'autre paroi de la cellule. Une telle structure est représentée sur la figure 1; la partie A est une vue de dessus d'un point de la matrice active et la partie B est une vue en coupe selon la Ligne b-b de la partie A. Sur la partie A, on voit une colonne conduc- trice 2 et une Ligne conductrice 4 constituant les colonnes et les lignes d'adressage des points de la matrice active, deux TCM 6 et 7 en parallèle et une électrode transparente 8 constituant l'une des armatures des condensateurs ou points élémentaires d'affichage de la matrice active. Chaque colonne 2 est pourvue d'une crosse et chaque électrode 8 d'un doigt 12. Les croisements de la ligne 4 avec la colonne 2 et la crosse 10 définis- sent les drains D des TCM et le croisement de la ligne 4 avec le doigt 12 définit la source S des TCM. La partie de la ligne 4 située entre la colonne 2 et la crosse 10 constituent la grille G des TCM. Sur la partie B, on voit d'une part une paroi inférieure 20 isolante et transparente, portant la colonne 2, le doigt 12 du point élémentaire d'affichage et la crosse 10; ces éléments conducteurs 2, 10 et 12 sont recouverts d'une couche 22 de silicium amorphe hydrogéné, puis d'une couche 24 d'isolant de grille supportant les lignes conductrices 4. Cet ensemble est recouvert d'une couche d'alignement 26 destinée à être au contact du matériau électro-optique 28 (cris- tal liquide). En outre, l'écran d'affichage comprend une contre-électrode 30 transparente supportée par une paroi supérieure 32 isolante et transparente. Dans le cadre d'un affichage en couleur, des filtres colorés 34, généralement au nombre de trois (rouges, bLeus et verts), doivent être prévus sur La contre-électrode 30 et au contact du matériau 28. A côté des matrices'actives, d'autres circuits peuvent être réalisés avec des TCM et par exemple tout ou partie des registres à décalage. Cet écran est destiné à être éclairé par l'ar- rière avec des tubes fluorescents et l'affichage est destiné à être observé par la face inférieure, comme représenté sur la partie B de la figure 1. Le métal de grille, c'est-à-dire celui constituant les lignes 4, assure une protection des TCM 6 contre la lumière arrière de l'écran d'affichage. En revanche, le "ventre" des TCM se trouve exposé à la lumière ambiante d'obser- vation. Si cette lumière est intense, un photo-courant est engendré dans la couche 24 de silicium amorphe diminuant le contraste de l'écran, car le rapport Ion/Ioff diminue; Ion et Ioff représentent respectivement les courants délivrés par les transistors d'un point affiché et d'un point non affiché. En utilisant une épaisseur faible de silicium amorphe ( ainsi un rendu d'image constant. Pour faire un masque optique absorbant la lumière sous les TCM, on utilise généralement un métal que l'on grave. Le masque optique étant conducteur, une couche de passivation est nécessaire. Une telle structure est décrite dans l'article Japan Display 1983, p.211 de Canon. Cette technique nécessite deux dépôts sous vide, ce qui est relativement contraignant, ainsi qu'un niveau de masquage spécifique pour définir la forme et L'emplacement du masque optique sous Les transistors. Ce niveau de masquage suppLémentaire exige une grande précision d'alignement de ce masque par rapport au contact sources et drains des transistors. Cette techni- que est donc relativement complexe et déLicate. L'invention a justement pour but d'éviter ces inconvénients en assurant un masquage optique du "ventre" des transistors d'une matrice active tout en réduisant Le nombre de niveaux de masquage et en i assurant un auto-positionnement de ces masques optiques par rapport aux sources et aux drains des transistors. L'invention a donc pour objet un procédé de fabrication d'un écran d'affichage à matrice active formée de points constitués chacun d'un transistor en couches minces et d'un condensateur et comportant des lignes et des colonnes conductrices pour L'adressage des points, consistant à: a) déposer sur un substrat isolant électrique une couche d'un premier matériau isolant électrique, absorbant La Lumière visible et soLubLe dans le révé- lateur d'une résine photosensible positive, b) déposer sur la couche absorbante une couche de ladite résine, c) insoler la résine à travers un masque néga- tif masquant les canaux des transistors à réaLiser, d) éliminer les zones insoLées de la résine et les zones sous-jacentes de la couche absorbante avec ledit révélateur, e) déposer une couche d'un premier matériau conducteur transparent sur l'ensemble, f) éliminer le restant de résine et le premier matériau conducteur recouvrant ladite résine pour former les sources et drains des transistors dans Le premier matériau conducteur, g) déposer une couche de silicium amorphe hydrogéné sur L'ensemble, h) déposer une couche d'un second matériau isoLant électrique sur La couche de siLicium, i) déposer une couche d'un second matériau conducteur sur La couche de second matériau isolant, j) photograver L'empilement formé des couches de second matériau conducteur, de second matériau iso- lant et de siLicium pour former la grille des transis- tors, et k) passiver l'ensemble en déposant une couche d'un troisième matériau isolant électrique. Le procédé selon l'invention ne comporte aucune étape critique et uniquement deux niveaux de masquage. Il permet la suppresion du photo-courant des transistors en couches minces dû à L'éclairage ambiant de l'écran d'affichage. Le procédé selon l'invention permet en outre d'utiliser une couche de silicium amorphe relativement épaisse (> 200 nm), ce qui donne un meilleur matériau et surtout un contrôle de son épaisseur moins critique. En outre, le canal des transistors est posé sur un plot de matériau isolant électriquement et absor- bant qui sert également de matériau de passivation. Ceci est particulièrement intéressant lorsque le sub- strat isolant est du verre. En effet, il n'y a plus risque de pollution du silicium amorphe par les ions contenus dans le verre du substrat. Ainsi un verre bon marché peut être utilisé, tel qu'un verre sodo- calcique, réduisant ainsi le coût de l'écran d'affichage. Avantageusement, le matériau absorbant est une résine polymérisable renfermant les colorants opa- ques, la polymérisation de cette résine étant effec- tuée en particulier juste avant le dépôt de la couche de silicium amorphe hydrogéné. La technique de fabrication des sources et drains dans le procédé conforme à l'invention, connue sous le nom de "lift-off" ou pelage assure un auto-posi- tionnement des sources et drains des transistors par rapport au masque optique de ces derniers. En outre, si l'épaisseur du matériau absorbant et du premier matériau conducteur dans lequel sont définis les sources et drains des transistors est judicieusement choisie, on obtient une structure sous le silicium amorphe hydro- gêné plane, c'est-à-dire une structure exempte de mar- che. Or; on sait que les passages de marches peuvent être sources de défauts dans les transistors et aux environnements des lignes et colonnes d'adressage. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de La description qui va suivre donnée à titre explicatif et nullement limi- tatif en référence aux figures 2 à 4 annexées, la figure 1 ayant déjà été décrite. - la figure 2 représente, en coupe, les diver- ses étapes du procédé selon l'invention appliqué à la fabrication d'un écran d'affichage à cristal Li- quide, - la figure 3 représente, en vue de dessus, la face avant d'un écran d'affichage obtenu par Le procédé selon l'invention, - la figure 4 représente, en vue de dessus, la face avant d'un écran d'affichage obtenu par Les procédés selon l'art antérieur. Afin de simplifier la description relative à la fabrication selon l'invention d'un écran d'affi- chage, en référence à la figure 2, celle-ci est unique- ment faite pour la fabrication d'un transistor en cou- ches minces d'un point d'une matrice active de cet écran d'affichage. La première étape de fabrication d'un transis- tor en couches minces, masqué optiquement, consiste, comme représenté sur La partie A de la figure 2, à déposer sur un substrat en verre 100 du type sodo-calci- que, à la tournette, une couche de poLyim.ide 102 renfer- mant des colorants de la famille des anthraquinones, des azolques et des phtaLocyanines afin de rendre opaque cette couche de polyimide, puis à prépolymériser cel- Le-ci à 150 C pendant 30 minutes. Le polyimide est en particutier celui commercialisé par BREWER SCIENCE, P.O. Box GG ROLLA, M065401, USA. On dépose ensuite sur la couche 102 de poly- imide noir, une couche de résine photosensible positive (par exemple du type 1350H de SHIPLEY) que l'on sèche à 100 C pendant 30 minutes. Cette résine est alors insolée à travers un masque négatif 105 assurant le masquage du canal du transistor à réaliser, cette inso- lation étant effectuée avec des ultra-violets. Ensuite, on révèle la résine exposée; cette révélation a pour effet d'éliminer la résine exposée et de solubilisier zo20 le polyimide non protégé par la résine eyDosée. La structure obtenue est celle représentée sur la partie B. On a ainsi délimité le futur canal du transistor. Le révélateur utilisé est par exemple MF 312 de SHIPLEY. Le masque de résine 104 toujours en place, on vient déposer par évaporation une couche 106 conduc- trice transparente, par exemple en oxyde d'étain et d'indium (ITO) et éventuellement une couche de métal 108, par exemple en chrome, de façon à obtenir ulté- rieurement le niveau 1 de la structure (figure D) plane. A cet effet, L'épaisseur totale des couches 106 et 108 doit être égale à l'épaisseur de la couche de poly- imide 102. Par exemple, la couche 102 peut avoir une épaisseur de 1000 nm, la couche 106 une épaisseur de 700 nm et la couche 108 une épaisseur de 300 nm. Les dépôts des couches 106 et 108 sont ef- fectués sur l'ensemble de La structure, c'est-à-dire sur les parties du substrat 100 exposées ainsi que sur La résine 104 restante. On dissout alors la résine 104 dans du stripper de chez BREWER SCIENCE éliminant ainsi les métaux 106 et 108 déposés sur la résine. On obtient ainsi Les contacts sources et drains respectivement S et D du transistor en couches minces et le canal du transistor est mis à nu, comme représenté sur la partie D de la figure 2. On effectue alors un recuit éventuellement sous vide jusqu'à une température de 400 C environ afin de polymériser la totalité du polyimide noir 102 restant, sans perte importante de l'absorbance de ce matériau. La fabrication du transistor se poursuit, comme représenté sur la partie E de la figure 2, par dépôt d'une couche de silicium amorphe hydrogéné 110, d'une couche de nitrure de silicium 112 et enfin d'une couche d'aluminium 114, sur l'ensemble de la structure. Les couches 110 et 112 sont obtenues par dépôt chimique en phase vapeur assisté plasma (PECVD), l'aluminium 114 est déposé par évaporation ou pulvérisation. On effectue alors une photogravure de l'empilement des couches 114, 112, 110 et 108 de façon connue, pour définir la grille du transistor. La dernière étape du procédé consiste à pas- siver l'ensemble de la structure par dépôt d'une couche 116 de nitrure de silicium. - Le procédé décrit en référence à la figure 2, est compatible avec le procédé de fabrication d'un écran d'affichage à matrice active décrit dans le docu- ment EP-A-0-103-523 et dans le document FR-A-2 571 893. Lors de la fabrication d'un écran d'affichage complet, le masque négatif 105 servant au masquage du canal des transistors sert aussi à masquer l'une des armatures des condensateurs ainsi que Les colonnes conductrices de l'écran d'affichage à réaliser. Ces armatures 8 et ces colonnes 2 (figures 1, 3) sont alors formées en même temps que les contacts sources et drains des transistors par la technique du "lift-off". En outre, les lignes d'adressage 4 de l'écran d'affichage sont formées simultanément à La grille du transistor, dans la couche conductrice 114. A cet effet, on a représenté une vue de dessus de la face avant d'une partie d'un écran d'affichage obtenu par le procédé selon l'invention, sur la figure 3. On retrouve sur cette figure 3, les colonnes d'adres- sage 2, les électrodes transparentes 8 en ITO, les crosses 10 solidaires des colonnes 2 et les doigts 12 des points d'affichage solidaires des électrooes 8. Le procédé selon l'invention permet de recou- vrir toutes les zones entourant les électrodes 8 et les colonnes 2 équipées respectivement de leur crosse 10 et de leurs doigts 12, de polyimide no-- 102. Il est alors possible de déposer un masque optique symbo- lisé en traits mixtes sur la figure 3 et portant la référence 120, sur la contre-électrode 30 (figure 1) légèrement plus large que les colonnes 2, et ce, sans alignement critique de la contre-électrode 30 par rap- port à la matrice active, afin que seuls les points élémentaires d'affichage 8 transmettent la lumière. Le taux d'ouverture de l'écran d'affichage, correspondant au pourcentage de transmission de la lumière, est le rapport de la surface réellement utile à l'affichage sur la surface totale de l'écran. La surface utile 121, grâce au procédé de l'invention est égale à la surface des électrodes 8. Dans ce cas, le taux d'ouverture est de 71 %. Dans le cas classique, représenté sur la figu- re 1, iL n'y a pas de polyimide noir autour des points élémentaires d'affichage. Aussi, est-il nécessaire de prévoir sur la contre-électrode 30 un masque optique a, symbolisé en traits mixtes, plus Large que les colonnes 2, comme représenté sur la figure 4, venant même recouvrir d'une épaisseur e de l'ordre de 10 mi- crons les électrodes 8 et donc les points élémentaires d'affichage, du fait des tolérances d'alignement entre la contre-électrode et la matrice active. Ce recouvre- ment e diminue alors la surface utile 123 du point élémentaire d'affichage. Le taux d'ouverture de l'écran est dans ce cas de 63 %. REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'un écran d'afficha- ge à matrice active formée de points constitués chacun d'un transistor (6) en couches minces et d'un condensa- teur (8) et comportant des Lignes (4) et oes colonnes (2) conductrices pour L'adressage des points, consistant à: a) déposer sur un substrat isolant électrique (100) une couche d'un premier matériau isolant électri- que (102), absorbant la lumière visible et soluble dans le révélateur d'une résine photosensible positive, b) déposer sur la couche absorbante une couche (104) de ladite résine, c) insoler la résine à travers un masque néga- tif (105) masquant les canaux des transistors à réali- ser, d) éliminer les zones insoLées de la résine et les zones sousjacentes de La couche absorbante avec ledit révéLateur, e) déposer une couche d'un premie- matériau conducteur (106) transparent sur l'ensemble, f) éLiminer le restant de résine et le premier matériau conducteur recouvrant ladite résine pour former les sources (S) et drains (D) des transistors (6) dans Le premier matériau conducteur, g) déposer une couche de silicium amorphe hydrogéné (110) sur l'ensemble, h) déposer une couche d'un second matériau isolant électrique (112) sur la couche de silicium, i) déposer une couche d'un second matériau conducteur (114) sur la couche de second matériau iso- lant, j) photograver l'empilement formé des couches (114, 112, 110) de second matériau conducteur, de second matériau isolant et de silicium pour former la grille (G) des transistors, et k) passiver l'ensemble en déposant une couche d'un troisième matériau isolant électrique (116). 2. Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que le matériau absorbant (104) est une résine polymérisable renfermant des colorants opaques. 3. Procédé selon la revendication 2, caractéri- sé en ce que l'on effectue un recuit de l'ensemble, entre les étapes f et g pour polymériser la résine. 4. Procédé selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que la résine polymérisable est un polyimide. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations I à 4, caractérisé en ce que l'on dépose une couche d'un troisième matériau conducteur (108), entre les étapes e et f, dont l'épaisseur est telle que l'é- paisseur de l'ensemble des premier et troisième maté- riaux conducteurs (106, 108) soit égale à l'épaisseur de matériau absorbant (104). 6. Procédé selon l'une quelconque des revendi- cations 1 à 5, caractérisé en ce que le masque négatif (105) sert aussi à masquer l'une des armatures (8) des condensateurs à réaliser ainsi que les colonnes (2) à réaliser et en ce que l'on forme ces armatures et ces colonnes au cours de l'étape f. 7. Procédé selon la revendication 6, caracté- risé en ce que l'on forme aussi les lignes (4) au cours de l'étape j.