Brevet FR2643756A1 — publié le 19900831

DISPOSITIE ANTIREFLECHISSANT POUR GUIDE OPTIQUE ET APPLICATION A DES LASERS A SEMI-CONDUCTEUR La présente invention concerne les systèmes ou dispositifs antiréfléchissants pour guide optique et leur application à des lasers, plus particulièrement à des lasers à matériaux semi-conducteurs. Dans les systèmes optiques, un interface séparant deux milieux d'indices de réfraction différents constitue, pour un faisceau lumineux incident, une surface de réflexion. Cette réflexion peut être préjudiciable en raison des pertes optiques introduites. On trouve des applications intéressantes du dispositif de l'invention dans les lasers à semi-conducteurs ainsi que dans les amplificateurs optiques à semi-conducteurs en raison du fait que ce dispositif permet de s'affranchir des réflexions parasites qui nuisent au bon fonctionnement de ces systèmes. Un laser se compose d'un milieu amplificateur à l'intérieur d'un résonateur optique, souvent constitué d'une cavité formée de deux miroirs. Dans le cas du laser à semi-conducteur, les miroirs de la cavité sont simplement les faces clivées de la puce de semi-conducteur, à chaque extrémité de la zone active. La réflectivité de l'interface semi-conducteur/air est d'environ 30 % et le parailèlisme des deux faces est assuré automatiquement par le clivage suivant un plan cristallin, ce qui réalise effectivement ~ une cavité laser sans avoir à rajouter d'éléments extérieurs. Dans certaines applications il est cependant nécessaire d'utiliser des miroirs externes indépendants: ces cavités externes permettent de diminuer la largeur de raie, d'accorder la longueur d'onde ou de générer des impulsions sub-picosecondes en régime "mode locked". Ces différents systèmes étant très sensibles aux réflectivités résiduelles sur les faces clivées, il est nécessaire d'appliquer à ces dernières un traitement antireflet très efficace (réflectivité résiduelle inférieure à Dans les amplificateurs optiques à large bande, on doit éviter les effets de cavité- et on a aussi recours à des traitements antireflets. Pour éviter les réflexions indésirables pouvant se produire à l'interface entre deux milieux d'indices de réfraction différents, différentes structures ont été réalisées. Certaines de ces structures ayant pour but d!éliminer le pouvoir réfléchissant des faces extrémités du milieu actif laser, celles-ci ont été recouvertes de couches antireflets obtenues, par exemple, par dépôt de vapeur de matériaux diélectriques. Ces couches sont connues des techniciens sous le nom de "quart-d'onde", relativement à leur épaisseur. De telles couches donnent théoriquement de bons résultats . Cependant, comme la mise en oeuvre de cette technique dépend des valeurs respectives des indices optiques des milieux ambiants, des milieux - actifs lasers et des couches quart-d'onde, elle présente un inconvénient majeur. En effet, il est dans ce cas impérativement nécessaire de traiter les faces d'extrémités de chaque milieu laser comme un cas particulier étant donné que les indices de ces milieux laser ne sont pas tous homogènes. L'évaporation doit donc être parfaitement et constamment contrôlée par rapport à l'évolution des caractéristiques du milieu actif laser, par exemple par le contrôle de la puissance de son émission lumineuse. Ceci est essentiellement vrai dans le cas des lasers à semi-conducteurs comportant des guides d'ondes dont l'indice effectif varie d'un guide à un autre. Cette technique par - dépôt de couches antiréfléchissantes présente de nombreux inconvénients - I'obtention de réflectivités inférieures à 1 % nécessite un traitement diode laser par diode laser r chacune étant un cas particulier; - le traitement doit s'effectuer en contrôlant pendant l'évaporation l'évolution des caractéristiques du laser : courbe P(T), émission spontanée ... - l'efficacité du traitement dépend de l'indice effectif du guide, qui varie d'une diode à l'autre, même si elles sont du même type - pour l'obtention de - très faibles réflectivités ( - nécessité d'une étape de fabrication supplémentaire si on utilise un autre matériau que l'alumine normalement utilisée pour la passivation. De plus, les performances des couches antiréfléchissantes varient suivant l'indice de réfraction de ces couches - en évaporant une couche quart-d'onde d'alumine sur des lasers GaAs, on arrive à obtenir une réflectivité R = 3 % à incidence normale - en évaporant ~ d'autres matériaux (SiOx, ZrO2), on peut obtenir des réflectivités R inférieures à 1 %. On peut aussi évaporer plusieurs couches successives de milieux d'indices différents. La. technique décrite ci-dessus est utilisée pour des faces d'extrémités qui font un angle nul ou faible par rapport à la perpendiculaire à l'axe optique du milieu actif laser ou à la direction de propagation du faisceau laser. Une autre technique a été utilisée pour éviter que les faces d'extrémités du milieu actif laser ne constituent un résonateur optique, celle qui consiste à réaliser ces faces d'extrémités pour quelles fassent un angle différent de 900 par rapport à l'axe de propagation du faisceau lumineux. De cette façon, les faisceaux réfléchis ne sont pas renvoyés suivant l'axe du milieu laser. Cette dernière solution donne le résultat voulu, mais la réflectivité des faces n'est bien entendu pas modifiée, ce qui diminue le taux de couplage avec l'extérieur de la cavité formée entre les deux faces d'extrémités du milieu actif laser. Or, il est connu que la réflectivité d'une face d'extrémité est fortement diminuée, voire annulée si celle-ci reçoit un faisceau incident de polarisation parallèle au plan d'incidence, sous un angle dit "de Brewster" dont la valeur Ib est donnée par la formule tgIB = ni /nr, dans laquelle ni est l'indice du milieu extérieur et n r celui du milieu laser. C'est ainsi qu'en donnant aux faces du milieu laser cette orientation, on obtient une réflectivité presque nulle, du moins pour la polarisation dite "parallèle". Cette technique élimine l'inconvénient mentionné ci-dessus, mais elle en crée par contre un autre. En effet, dans la plupart des cas, les faces de milieux actifs lasers sont des surfaces très fragiles soumises aux attaques de toutes sortes d'agents extérieurs. 1l est donc nécessaire, dans presque tous les cas, de procéder à des dépôts de couches protectrices dites "couches de passivation", par exemple des dépôts, par évaporation, de couches d'alumine dont on connaît la qualité de grande résistance. Ceci est plus particulièrement vrai, par exemple, dans le cas des lasers semi-conducteurs en GaAlAs afin d'éviter l'oxydation de ce matériau. On se trouve donc alors en présence de trois milieux optiques différents, généralement : l'air ambiant, une lame à faces parallèles constituée par la couche de passivation et le milieu laser. Dans ces conditions, en respectant les regles de propagation de la lumière dans ces différents milieux optiques, il est pratiquement impossible au faisceau laser d'atteindre l'angle de Brewster entre l'alumine et Ie milieu laser.En effet, comme les différents indices optiques, ni du milieu ambiant, n de la couche de passivation et n r du milieu laser, doivent répondre à l'inéquation suivante c'estS dire: / n , VVl/n2 - l/nr l/nr si le milieu ambiant est comme l'air (ni = 1-) et le milieu actif laser comme l'arséniure de gallium (nr = 3,5), l'indice de la couche de passivation devrait être inférieur à 1,043. Or, il est impossible de trouver un matériau passivant qui ait une telle valeur d'indice optique, l'alumine ayant, quant à elle, un indice très voisin de 1,7. Les solutions qui ont été proposées ne donnent donc pas satisfaction, surtout du point de vue de la réalisation industrielle de ces systèmes antirefléchissants au niveau des dioptres optiques. La présente invention a pour but de réaliser un dispositif antiréfléchissant pour guide optique. Elle est applicable plus particulièrement aux lasers à semi-conducteur, et fournit une structure qui pallie les inconvénients mentionnés ci-dessus, tout en étant très simple, et permet une production répétitive de lasers avec couches de passivation sans une mise en oeuvre compliquée. L'invention a pour objet un dispositif antiréfléchissant pour guide optique comprenant un milieu ambiant d'un premier indice de réfraction (ni) véhiculant un faisceau lumineux incident, un milieu de guidage d'un deuxième indice de réfraction (nr), une face d'entrée séparant le milieu ambiant du milieu de guidage et recevant le faisceau incident, caractérisé en ce que - a) la face d'entrée est recouverte d'au moins une couche antireflet dtun matériau d'un troisième indice (nq), cette couche antireflet présentant un premier coefficient de réflectivité de Fresnel (r1) à un premier interface separant le milieu ambiant et la couche antireflet un deuxième coefficient de réflectivité de Fresnel (r2) à un deuxième interface séparant la couche antireflet et le milieu de guidage - b) la face d'entrée est inclinée par rapport à la direction du faisceau incident de telle façon que les premier et deuxième coefficients de réflectivité de Fresnel (r1 et r2) ait même valeur absolue - c) l'épaisseur de la couche antireflet est telle que les réflexions du faisceau incident sur le premier interface et sur le deuxième interface donnent lieu à des faisceaux réfléchis en opposition de phase. Elle a également pour objet un dispositif antiréfléchissant dans lequel le faisceau lumineux incident possède une longueur d'onde déterminée (,), caractérisé en ce que le dispositif antiréfléchissant dans lequel le faisceau lumineux incident possède une longueur d'onde déterminée (cI), caractérisé en ce que - le matériau de la couche antireflet étant tel que le premier interface presente une réflectivité quasi-nulle sous un premier angle de Brewster et que le deuxième interface présente également une réflectivité quasi nulle sous un deuxième angle de Brewster, l'inclinaison de la face d'entrée est choisie de façon à avoir un angle d'inclinaison (i) du faisceau incident sur le premier interface supérieur au premier angle de Brewster et que le faisceau réfracté après le passage du premier interface tombe sur le deuxième interface sous un angle inférieur au deuxième angle de Brewster de manière à avoir des coefficients de réflectivité (rl et r2) égaux en valeurs absolues et opposés en signes. Le dispositif antiréfléchissant de l'invention est caractérisé en ce que l'épaisseur de la couche antireflet a sensiblement pour valeur la moitié de la longueur d'onde (R/2) du faisceau incident. Plus précisément, la présente invention a pour objet un dispositif antiréfléchissant pour laser du type à semi-conducteur apte à être disposé dans un milieu ambiant dont l'indice optique a une valeur ni, comprenant un guide optique délimité par deux faces d'extrémités, au moins une couche antireflet à faces parallèles d'épaisseur "d" et d'indice optique "nq", ladite couche antireflet étant déposée sur l'une des faces d'extrémités dudit guide, caractérisé par le fait que ltépaisseur "d" de ladite couche antireflet est donnee par la formule #/2 . (k+1) . cos q d = --------- nq- nI.sin q . sin i q i dans laquelle ".\" est la longueur d'onde du faisceau laser2 "k" est un entier naturel, "i" est la valeur de l'angle d'incidence du faisceau laser sur le dioptre de séparation entre le milieu ambiant et la couche antireflet, "q" est la valeur de l'angle d'incidence du faisceau sur le dioptre de séparation entre la couche antireflet et le guide optique, les valeurs des angles "i" et "q" étant liées par la formule sin i / sin q = nq/ni, la valeur de l'angle "i" etant supérieur à celle de l'angle de Brewster entre le milieu ambiant et la couche antireflet et la valeur de l'angle q étant inférieure à l'angle de Brewster caractérisant l'interface entre la couche antireflet et le guide optique. Selon une autre caractéristique de l'invention, pour un triplet "air ambiant", couche de passivation en alumine et milieu actif laser en arséniure de gallimum", la valeur de l'angle "i" étant sensiblement égale à 74 degrés, sachant que les indices de l'air et de l'alumine sont respectivement sensiblement égaux à 1 et 1,65 et que la longueur d'onde est égale à 0,8 micromètres, l'épaisseur de la couche de passivation est égale å: à ou2983 (k+1) micromètres, "k" étant un entier naturel. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention apparaitront au cours de la description suivante donnée en regard des dessins annexés à titre illustratif, mais nullement limitatif, dans lesquels - la figure 1 représente, vue en coupe partielle, un mode de réalisation d'un système antiréfléchissant selon l'invention - la figure 2 représente les courbes de variation des coefficients de Eresnel aux interfaces d'une couche antireflèts en fonction de l'angle d'incidence d'un faisceau lumineux - la figure 3, une application du dispositif de l'invention à un laser semiconducteur. La figure 1 représente un milieu de guidage optique 100 recevant un faisceau lumineux 200. Par exemple, le milieu de guidage optique est un milieu amplificateur laser 100 du type à semi-conducteur. Sur au moins l'une de ses deux faces d'extrémités 30, la face d'entrée par exemple est déposée une couche antireflet 32 en matériau optique transparent à la longueur d'onde "A" du faisceau lumineux 200 apte à être émis par un générateur laser pilote non représenté. Cette couche antireflet 32 tient lieu également de couche de passivation pour la face d'entrée 30 du milieu de guidage optique. Ce milieu actif laser est positionné sur un axe optique 34 définissant la direction de propagation du faisceau lumineux à amplifier, sachant que, par axe optique, on entend la direction du chemin pris par le faisceau laser quand il se propage d'un point à un autre en traversant les différents milieux optiques successifs et les dioptres les séparant.Pour bien -fixer le problème de la propagation du faisceau laser, l'axe optique 34 est défini par la portion de chemin optique 34 entre les points 36, par exemple la sortie d'un générateur laser pilote, et 37, point d'incidence du faisceau laser 200 sur le premier dioptre 38 de séparation entre l'atmosphère 45 et la couche de passivation 32, la portion 39 entre les points 37 et 40, point d'incidence du faisceau 200 refracté au passage du premier dioptre 38, sur le second dioptre 41 de séparation entre la couche de passivation et le milieu amplificateur laser 100, et la portion 42 suivie par le faisceau 200 dans le milieu amplificateur 100 après sa réfraction au passage du second dioptre 41. Le faisceau incident 200 tombe donc sur le premier dioptre 38 sous un angle d'incidence de valeur "i" f! et subit une réfraction sous un angle de réfraction de valeur "q" pour pénétrer dans la couche de passivation 32, les valeurs "i" et "q" étant liées par l'une des équations de Descartes : sin i / sin q = nq/ni, "nq." étant l'indice optique du milieu sin constituant la couche de passivation 32, par rapport à la valeur de ltindice optique du milieu ambiant 45 choisie égale à l'unité. Le faisceau traverse alors la couche de passivation 32 en suivant la portion de chemin optique 39 et tombe sur le seconde dioptre 41 sous un angle d'incidence égal à "q", puisque la couche 32 est une lame à face parallèle. II subit une second réfraction au niveau de ce dioptre 41 et pénètre dans le milieu actif laser 100 sous un angle de réfraction de valeur "r", pour parcourir ensuite la portion de chemin optique 42. Or, il est connu qu'un dioptre de séparation entre deux milieux transparents, pour un faisceau lumineux, constitue un miroir partiellement réfléchissant donnant naissance à un faisceau réfracté et à un faisceau réfléchi. Dans le cas du faisceau 200 tombant sur les dioptres 38 à 41, il est donc donné naissance à deux portions de faisceaux réfléchis, 44 dans l'atmosphère 45, et 46 dans la couche 32.Ces deux portions de faisceaux sont réfléchies suivant les lois de Des cartes, c'est-à-dire suivant les valeurs d'angles respectivement "i" et 'rqff, Le faisceau 46 tombe sur le dioptre 38 au point 49 sous une incidence de valeur "q", pour subir une réflexion 47, mais aussi une réfraction 48 sous une valeur d'angle "i", puisque le faisceau passe du milieu de la couche. 32 dans le milieu ambiant 45. 1l est donc évident que, les deux faisceaux 44 et 48 faisant avec la normale à la face 38 de la couche 32 une même valeur d'angle, en l'occurrence "i", ces deux faisceaux sont parallèles. Pour obtenir,, sur le dioptre 38, une réflexion quasi nulle, les deux faisceaux 44 et 48 doivent être en interférence dite "destructive", c'est-à-dire en opposition de phase. I1 faut donc que le trajet optique des faisceaux suivant les portions 39 et 46 définies ci-dessus entre les points 37-40-49 soit égal au trajet optique compris entre le point 37 et le point 50 qui est la projection orthogonale du point 49 sur le trajet de la portion de faisceau 44, à un multiple impair près de la demi-longueur d'onde du faisceau lumineux considéré. La couche de passivation 32 (ou couche antireflet) présente donc deux interfaces - un interface air ambiant 45/couche de passivation 30 - un interface couche de passivation 30/milieu de guidage optique 100 Un faisceau incident arrivant sur ces interfaces est l'objet d'une réflexion. L'intensité lumineuse réfléchie par un interface est fonction de l'inclinaison du faisceau incident par rapport à la normale au plan de l'interface. En effet, le coefficient de réflectivité de Fresnel varie selon l'angle d'incidence dtun faisceau incident. De plus, les coefficients de réflectivité de Fresnel sont différents pour les deux types d'interface définis précédemment et leurs variations en fonction de l'angle d'incidence d'un faisceau incident sont différentes. La figure 2 représente un exemple de variations des coefficients de réflectivité de Fresnel aux interfaces de la couches 32. Les courbes représentées ont été obtenues avec une couche antireflet réalisée, sous forme d'une couche de passivation, par évaporation d'alumine sur la face 30 du guide optique 100. L'alumine a sensiblement pour indice de réfraction n = 1,65. Le guide optique 100 est en arséniure de gallium q (AsGa) et a pour indice effectif sensiblement nr =- 3,5. Le milieu ambiant 45 est de l'air d'indice n. = 1. En faisant varier l'angle d'incidence i (voir figure 1) du faisceau incident 200 de polarisation parallèle au plan d'indice, le coefficient de réflectivité de Fresnel rl à l'interface 38 entre I'air ambiant et la couche 30, varie selon la courbe rl de la figure 2. On voit sur cette courbe que lorsque l'angle d'incidence i augmente, le coefficient de réflectivité diminue, et devient nul pour une valeur, d'environ 60 degrés sur la figure 2, appelé angle de Brewster. Puis au delà de l'angle de Brewster le coefficient de réflectivité de Fresnel devient négatif et augmente en valeur absolue.La valeur négative du coefficient de réflectivité (pour un angle d'incidence supérieur à l'angle de Brewster) a pour effet d'induire un déphasage d'une demi longueur ( 1 /2) sur le faisceau alumineux réfléchi. Ainsi, en se reportant à la figure 1, si l'angle i est supérieur à angle de Brewster, le faisceau réfléchi 44 sera déphasé d'une demi longueur d'onde, lors de la réflexion, par rapport au faisceau incident 200 En ce qui concerne l'interface 41 entre la couche 30 et le guide optique 100, le coefficient de Fresnel r2 varie selon la courbe r2. Cette courbe a été également obtenue en faisant varier l'angle i et a été tracée en fonction de l'angle. Cette courbe ne présente pas, dans exemple considéré, de point d'annulation du coefficient de réflectivité de Fresnel. Pour obtenir une interférence destructive des faisceaux réfléchis par les deux interfaces 38 et 41, il faut deux conditions - il faut que les deux ondes lumineuses réfléchies aient même intensité - il faut que les deux ondes lumineuses soient en opposition de phase. Pour que les deux ondes lumineuses réfléchies par les deux interfaces aient même intensité il faut que les coefficients de réflectivité des deux interfaces soient égaux en valeurs absolues. Sur l'exemple de la figure 2, on voit qu on réalise une telle condition pour une valeur de l'angle d'incidence i d'environ 750. I1 va de soi que lton pourrait choisir des matériaux (couche 30 notamment) tels que la courbe r2 produise un point d'annulation de la réflectivité, l'interface 30 présentant également un angle de Brewster. Le principe de détermination de l'angle d'incidence i serait le même. C'est-à-dire qu'il faudrait obtenir deux coefficients de reflectivité rl et r2 égaux en valeurs absolues et de signes opposés. La deuxième condition d'interférence destructive des faisceaux réfléchis est que les deux ondes lumineuses réfléchies par les deux interfaces soient en opposition de phase. Pour examiner cette condition il faut tenir compte du fait que la réflexion sur l'interface 38 a donné lieu - à un déphasage de cI /2 (voir précédemment). Dans ces conditions, pour obtenir deux ondes réfléchies en opposition de phase, il faut que la différence des trajets optiques des deux faisceaux réfléchis par les deux interfaces soit égaIe à la longueur d'onde du faisceau lumineux. Le faisceau lumineux 44 sera alors déphasé de & 2 par rapport au faisceau lumineux 48. Pour déterminer une différence des trajets optiques des deux faisceaux réfléchis égale à la longueur d'onde , on agira sur l'épaisseur d de la couche 32. De façon approximative, on pourra donner à l'épaisseur de la couche 32 une valeur égale à une demi longueur d'onde (R /2). Ainsi, le faisceau réfléchi par l'interface 30 traversant deux fois dans le sens de ltépaisseur la couche 32 aura sensiblement une longueur de trajet égale à une longueur d'onde . Par contre le faisceau - réfléchi sur l'interface 38 sera simplement affecté du déphasage de A /2 mentionnée précédemment. Les deux faisceaux réfléchis 44 et 48 se retrouveront donc sensiblement en opposition de phase et étant de mêmes intensités, seront en interférence destructive. De façon moins approximative l'épaisseur de la couche 32 sera donnée par la formule : d.nq/cosq = #/2 + k# (au lieu de #/4 + k + #/2 comme cela est prévu habituellement). Dans cette formule, n est l'indice de réfraction de la couche 32. q On peut également calculer l'épaisseur de la couche 32 de façon précise en prenant en compte les différents trajets optiques des faisceaux lumineux. Le trajet optique 37-40-49 est égal à 2n d/cos q, si q "d" est l'épaisseur de la couche 32. Le trajet optique entre les points 37 et 50 est alors égal à /2 + 2dni. tg q . cos ( /2 - i), où intervient un élément supplémentaire égal à #/2 dû au déphasage entraîné par la réflexion sur l'interface 38. Comme défini ci-avant, il faut que les deux trajets soient en opposition de phase. Pour cela, ils doivent répondre à l'équation 2nqdZcos q = 2dn. . tg q . sin i .#/2 + #/2 + dans laquelle "k" est un nombre entier naturel. De cette équation, on déduit pour une onde plane, la valeur "d" qui est donnée par l'équation #/2 . (k+1) . cos q d = ---------- nq - nisin q . sin i q i Dans ce qui précède on choisit les coefficients de réflectivité des Interfaces 38 et 30 tels que rl = - r2 avec r2 positif et rl négatif Ceci est possible avec une couche d'indice n telle q que ni Pour ces valeurs de l'indice on trouve les angles suivants pour que le faisceau 42 soit colinéaire avec l'axe de propagation du guide optique 100 i = 74,00 (angle d'incidence) q = 35,60 r = 15 > 90 (inclinaison du ruban) qui donnent une réflectivité R On démontre qu'avec le dispositif de l'invention la détermination des indices (notamment de l'indice de la couche 32) et des angles ne nécessite pas une grande précision tout en permettant au dispositif de remplir son rôle d'antireflet. En effet Avec n. = 1,-n q = 1.65, n r = 3.5 on a R Avec n. =-1, n = 1.65, i = 740, on a R Avec n. = 1, n r = 3.5 et i = 740, on ne distingue pas de dégradation de la réflectivité pour n variant entre 1.62 et 1.68. La figure 3 représente un laser à semiconducteur à cavité externe. Il comporte une zone de guidage 100 comprise entre deux faces inclinées 30 et 60 et revêtues chacune d'une couche, 32 et 62 d'un matériau de passivation. La cavité optique du laser est constituée par deux dispositifs de réflexion 70 et 71 situés de part et d'autre des couches 32 et 62 sur le trajet du faisceau lumineux. L'inclinaison des faces 30 et 60 et l'épaisseur des couches 32 et 62 répondent aux conditions décrites précédemment en relation avec les figures 1 et 2. En application de la présente invention la Demanderesse a réalisé un dispositif antiréfléchissant pour laser ayant une structure très efficace, avec lequel la réflectivité sur les faces d'extrémités est sensiblement nulle, en utilisant un milieu actif laser à base d'arséniure de gallium donnant un faisceau laser de longueur d'onde de 0,8 micromètres. Elle a trouvé que, pour un angle d'incidence "i" de 74 degrés et pour une couche de passivation en alumine dont l'indice "n" est égal à 1,65, la valeur de l'angle "q" étant donc égale à 35,6 degrés, en donnant à la couche de passivation une épaisseur de 0,2983 micromètres déduite de la formule ci-dessus, elle obtenait sur le dioptre 38 une réflectivité inférieure à 0,01 % pouvant donc ainsi réaliser des amplificateurs lasers efficaces présentant, de plus, une durée de vie appréciable. Le dispositif de l'invention fournit les différents avantages suivants - réflectivité résiduelle théorique - quasi-nulle (dans l'approximation des ondes planes) - la couche d'alumine antireflet joue en même temps le rôle de passivation : il n'y a pas nécessité d'une opération technologique supplémentaire. La diode reste passivée et conserve sa durée de vie maximale - grande insensibilité du dispositif aux variations d'indice de l'alumine et du laser guide : on peut donc traiter les diodes par lots entiers et non plus une par une. Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif et que d'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. Les exemples numériques et la nature des materiaux indiqués n'ont été fournis que pour illustrer la description. REVENDICATIONS 1. Dispositif antiréfléchissant pour guide optique comprenant un milieu ambiant (45) d'un premier indice de réfraction (ni) véhiculant un faisceau lumineux incident (200), un milieu de guidage (100) d'un deuxième indice de réfraction ou indice effectif (nu), une face d'entrée (30) séparant le milieu ambiant du milieu de guidage et recevant le faisceau incident (200), caractérisé en ce que a) la face d'entrée est recouverte d'au moins une couche antireflet (32) dtun matériau d'un troisième indice (nu), cette couche antireflet présentant un premier coefficient de réflectivité de Fresnel (r1) à un premier interface (38) séparant le milieu ambiant et la couche antireflet un deuxième coefficient de réflectivité de Eresnel (r2) à un deuxième interface (41) séparant la couche antireflet et le milieu de guidage ;; b) la face d'entrée (30) est inclinée par rapport à Ia direction du faisceau incident (200) de telle façon que les premier et deuxième coefficients de réflectivité de Fresnel (r1 et r2) ait même valeur absolue c) l'épaisseur (d) de la couche antireflet (32) est telle que les réflexions du faisceau incident sur le premier interface (38) et sur le deuxième interface (41) donnent lieu à des faisceaux réfléchis en opposition de phase. 2. Dispositif antiréfléchissant selon la revendication 1, dans lequel le faisceau lumineux incident possède une longueur d'onde déterminée (A), caractérisé en ce que - le matériau de la couche antireflet (32) étant tel que le premier interface (38) présente une réflectivité quasi-nulle sous un premier angle de Brewster et que le deuxième interface présente également une réflectivité quasi nulle sous un deuxième angle de Brewster, l'inclinaison de la face d'entrée est choisie de façon A avoir un angle d'inclinaison (i) du faisceau incident sur le premier interface (38) supérieur au premier angle de Brewster et que le faisceau réfracté après le passage du premier interface tombe sur le deuxième interface sous un angle inférieur au deuxième angle de Brewster de manière à avoir des coefficients de réflectivité - (rl et r2) égaux en valeurs absolues et opposés en signes. 3. Dispositif antiréfléchissant selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'épaisseur (d) de la couche antireflet a sensiblement pour valeur la moitié de la longueur d'onde (R/2) du faisceau incident. 4. Dispositif antiréfléchissant selon la revendication 3, caractérisé en ce que la face d'entrée (30) fait un angle (r) avec l'axe de propagation du milieu de guidage (100) de telle façon que le faisceau incident donne lieu, après transmission par les premier et deuxième interfaces, à un faisceau colinéaire avec l'axe de propagation du milieu de guidage. 5. Ampliticateur optique selon la revendication 4, comportant une couche de guidage optique (100) en matériau semiconducteur, une face d'entrée (30) et une face de sortie (60), caractérisé en ce qu'au moins la face d'entrée (30) est munie d'une couche antireflet (32) et est inclinée par rapport à l1axe de la couche de guidage, le faisceau lumineux incident faisant un angle avec cette face d'entrée de telle façon les réflexions sur les interfaces milieu ambiant/couche antireflet et couche antireflet/couche de guidage donnent lieu à des interférences destructives. 6. Laser à semiconducteur selon la revendication 4, comportant une couche de guidage optique (100) en matériau semiconducteur, une face d'entrée (30) et une face de sortie (60) caractérisé en ce qu'au moins la face d'entrée (30) est munie d'une couche antireflet (32) et est inclinée par rapport à l'axe de la couche de guidage, le faisceau lumineux incident faisant un angle avec cette face d'entrée de telle façon les réflexions sur les Interface s milieu ambiant/couche antireflet et couche antireflet/couehe de guidage donnent lieu à des interférences destructives, un dispositif de réflexion (70) étant disposé du côté de la face d'entrée sur le trajet du faisceau incident pour constituer, avec Ia face de sortie, une cavité optique. 7. Laser à semiconducteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que Ia face de sortie (60) est également inclinée et est munie d'une couche antireflet (62) identique à celle de la face d'entrée, un dispositif de réflexion (71) étant disposé sur le trajet du faisceau lumineux provenant du faisceau incident et ayant traversé le laser, pour constituer une cavité optique. 8. Laser à semiconducteur, selon la revendication 7, caractérisé en ce que la face de sortie (60) est inclinée parallèlement à la face d'entrée. 9. Dispositif antiréfléchissant, selon la revendication 7, pour laser du type à semiconducteur apte à être disposé dans un milieu ambiant (45) dont l'indice optique a une valeur ni, comprenant un guide optique (100) délimité par deux faces d'extrémités, au moins une couche antireflet (32) à faces parallèles d'épaisseur "d" et d'indice optique "nq", q ladite couche antireflet étant déposée sur l'une des deux faces d'extrémités (30) dudit guide, caractérisé par le fait que l'épaisseur "d" de ladite couche antireflet est donnée par la formule (k+1) . (k+1) . cos q d = ----------- n - nisin q . sin i dans laquelle "R" est Ia longueur d'onde du faisceau laser, "k" est un entier naturel, "i" est la valeur de l'angle d'incidence du faisceau laser (200) sur le dioptre (38) de séparation entre le milieu ambiant et la couche antireflet, Irqit est la valeur de l'angle d'incidence du faisceau sur Ie dioptre (41) de séparation entre la couche antireflet et le guide optique, les valeurs des angles "i" et "q" étant liées par la formule sin i / sin q = n /n., la valeur de l'angle "i" étant supérieure à qi celle de l'angle de Brewster entre le milieu ambiant et la couche antireflet et la valeur de l'angle "q" étant inférieur à celle de l'angle de Brewster caractérisant l'interface entre la couche antireflet et le guide optique. 10. Dispositif antiréfléchissant selon la revendication 1, caractérisé par le fait que pour un triplet "air ambiant, couche de passivation en alumine et milieu actif laser en arséniure de gallium", la valeur de l'angle "i" étant sensiblement égale à 74 degrés, sachant que les indices de l'air et de l'alumine sont respectivement sensiblement égaux à 1 et 1,65 et que la longueur d'onde lE, "#" est égale à 0,8 micromètre, l'épaisseur de la couche de passivation est égale à : 0,2983 (k+1) micromètres.