Brevet FR2643741A1 — publié le 19900831

Cette invention a trait à des procédés et systèmes à mémoire optique. Plus spécifiquement, cette invention a trait à L'utilisation de matériaux de piégeage d'électrons dans de tels procédés et systèmes. Des techniques optiques destinées à la mémorisation d'information permettent à un média amovible durci de transporter dix à vingt fois plus de données que le meilleur média fixe à induction magnétique disponible et cent fois plus que le meilleur média amovible. Apres des années de recherche et développement, des mémoires optiques de lecture et leurs médias ont récemment été commercialisés. Ces mémoires optiques ont généralement été basées sur une technologie de disques vidéo à laser, un type particulier de mémoire à lecture seul. Telle que définie ici, une "mémoire optique" est une mémoire dans laquelle la valeur des données est lue dans la mémoire selon une énergie optique (définie ici comme lumière visible infra- rouge ou radiation ultraviolette). Bien que les systèmes à vidéo disques analogiques à lecture seule aient été la plupart du temps utiles, de tels systèmes sont sujets à de nombreux inconvénients. Spécifiquement, ces systèmes sont basés sur une configuration gravée dans le disque laser et ne sont généralement pas susceptibles de reprogrammation. La programmation initiale d'un disque laser nécessite une source à laser de puissance généralement éLevée afin d'inscrire la configu- ration dans le disque, bien que des copies supplémentaires puissent être faites par photolithographie. Différents développements relatifs à des mémoires optiques sont décrits dans l'article intitulé "SPECIAL REPORT: THE OPTIONS MULTIPLY IN MASS STORAGE" débutant page 28 de la revue "Electronics" datée du 19 mai 1986 (publ. Mc Gram-Hill). Parmi les projets actuels de mémoire optique et les conceptions de mémoire non optique, un grand nombre d'inconvénients sont fréquents. Citons par exemple un temps d'accès élevé, des matériaux de construction chers, une faible densité de mémorisa- tion, une faible vitesse de programmation et/ou d'accès, des taux d'erreur élevés, une impossibilité d'effaçage ou encore des besoins en puissance élevés. De plus, certains systèmes de mémorisation connus nécessitent une étape de "rafraîchissement" lors de l'accès à la mémoire ou aussi souvent que possible, afin d'éviter les pertes de données en mémoire. C'est-à-dire, la donnée est perdue S05 dans la mémoire lors de l'accès ou à chaque fois que des procédés de "rafraîchissement" et des techniques similaires doivent être utilisés. Un inconvénient supplémentaire des systèmes de mémori- sation antérieurs est qu'ils sont volatils en ce sens qu'ils perdent leurs données lors de chaque coupure d'alimentation. Un objet principal de l'invention est de fournir un sys- tème et un procédé de fabrication de mémoire optique qui évite ou réduit Les inconvénients ci-dessus énoncés. Un autre objet de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication et un système de mémoire optique nouveau et améLioré, basés sur l'utilisation d'un matériau de piégeage d'éLec- trons assez sensible pour être marqué à de hauts niveaux d'impres- sion avec de faibles sources de puissance et utilisable pour main- tenir des données pratiquement exemptes d'erreur, et effaçable. Un autre objet de la présente invention est de fournir un système et un procédé de fabrication de mémoire optique qui per- mettent aux données d'être mémorisées à une densité très élevée. Un autre objet de la présente demande est de fournir un système de mémorisation qui soit accessible facilement en parallèle et qui fournisse une grande liberté dans son architecture de con- ception. Les objets ci-dessus énoncés et d'autres encore seront plus évidents à la lecture de la description qui va suivre. Ils sont réalisés grâce à un procédé comprenant les étapes de: écrire dans une zone d'une première mémoire optique d'écriture-lecture à piégeage d'électrons en adressant la zone, et appliquer une énergie optique d'écriture à La zone afin d'y introduire des données par piégeage d'électrons; et lire la zone par adressage de la zone; appliquer une énergie optique de lecture de la zone afin de créer une émission de photons à partir du relâchement des électrons pié- gés; et capter l'énergie optique d'émission correspondant à l'émis- sion de photons. La donnée étant effacée de la zone par application d'une énergie optique d'effacement vers ladite zone. L'énergie optique d'écriture possède une longueur d'onde différente de l'énergie optique de Lecture. L'énergie optique d'effacement pos- sède une puissance plus élevée et La même Longueur d'onde que L'énergie optique de lecture. L'énergie optique d'écriture fait partie du domaine de la lumière visible, l'énergie optique de lecture est du domaine de l'infrarouge et l'énergie optique émise fait partie du domaine de la Lumière visible. L'énergie optique d'écriture est appliquée par un laser et L'énergie optique de Lec- ture est également appliquée par un laser. L'énergie optique de Lecture est appliquée par un laser à partir d'une première face d'une première mémoire, et l'énergie optique émise est captée à partir d'une seconde face de la première mémoire, opposée à la première face. Une pluralités de bits de données peuvent être écrits simultanément dans ladite première mémoire. Les mémoires ont un support de mémorisation qui contient: un matériau de base choisi dans le groupe constitué des sulfures et séléniures de métaux alcalino-terreux; et de 50 à 300 parties par million de samarium. Le support de mémorisation contient en outre un composé d'europium choisi dans le groupe constitué par l'oxyde d'europium, Le fluorure d'europium, le chlorure d'europium et le sulfure d'europium, en une quantité de 300 à 800 parties par million du composé d'europium. De façon alternative, le support de mémorisation comprend de plus: de 300 à 1 500 parties par million d'oxyde de cérium, et en ce qu'il y a de 50 à 200 parties par million de samarium dans ledit support de de mémoire. Le support de mémoire contient en outre de 1% à 5% en poids de sulfate de baryum. De façon alternative, l'invention peut être formulée comme comprenant: une première mémoire optique de lecture-écriture à piégeage d'électrons; un dispositif d'adressage destiné à sélec- tionner des zones de mémorisation dans La première mémoire; une première source d'énergie optique destinée à appliquer une énergie optique d'écriture dans une zone de mémorisation déterminée par le dispositif d'adressage; et un capteur destiné à capter l'énergie optique émise relative au relâchement des électrons piégés de la première mémoire. Un registre d'adresse est connecté de façon à fournir au dispositif d'adressage une adresse choisie. La première source d'énergie optique est fixée sur une tête mobile par rapport à la première mémoire. De façon alternative, le dispositif d'adres- sage est un déflecteur utilisable pour diriger un faisceau d'éner- gie optique depuis la première source d'énergie optique vers différentes zones de mémorisation de la première mémoire. Une seconde source d'énergie optique est utilisée pour.appliquer une énergie optique de lecture et d'effacement vers la première mémoire. La première source est un laser à lumière visible et la seconde source est un laser infrarouge. La première source et le capteur sont situés sur des faces opposées de la mémoire. L'invention comprend en outre une seconde mémoire de lecture- écriture à piégeage d'électrons disposée pour une application simultanée d'énergie optique vers ladite première et la seconde mémoire, de telle sorte qu'un capteur ne dépend que d'une fonction logique de données contenue dans la première et la seconde mémoire. Le support de mémorisation contient les matériaux iden- tifiés ci-dessus. De façon alternative, l'invention peut être définie par des matériaux de mémorisation à piégeage d'électrons tels que décrits ci-dessus lorsqu'ils sont montés sur un substrat en oxyde d'aluminium afin de former un disque, ou une bande, de mémoire optique adressable, ou encore d'autres dispositifs adéquats de mémorisation. Les caractéristiques ci-dessus énoncées et d'autres encore de la présente invention deviendront évidentes à la lecture qui va suivre faite en regard des dessins annexes dans lesquels des références identiques représentent des parties identiques tout au long des différentes figures, et selon lesquels: La figure 1 montre le principe de fonctionnement de la mémoire selon la présente invention. La figure 2 montre un spectre de fréquences du signal de sortie d'un support de mémorisation particulier selon la présente invention. La figure 3 montre un spectre de fréquences du signal de sortie d'un matériau de mémorisation selon la présente invention. La figure 4 est un schéma d'une première disposition de mémoire selon la présente invention. La figure 5 montre une vue simplifiée d'un second dispo- sitif de mémorisation selon l'invention. La figure 6 représente un troisième mode de réalisation d'une mémoire selon la présente invention. La figure 7 est une disposition d'une quatrième mémoire selon la présente invention. Le système de mémorisation et le procédé selon la pré- sente invention sont basés sur l'utilisation de matériaux de pié- geage d'électrons. De tels matériaux produisent des électrons libres sur utilisation de matériaux de piégeage d'électron. De tels matériaux produisent des électrons libres lors de l'applica- tion de lumière ou d'autres agents d'énergie. (Comme utilisé ci- avant, le terme "lumière" devra inclure la lumière infrarouge, la lumière visible et la Lumière ultraviolette.) Lors de la suppres- sion de l'agent porteur d'énergie, telle que l'énergie optique, les électrons libres peuvent être piégés à un niveau d'énergie supé- rieur à celui de leur état fondamental. Si l'épaisseur du piège (c'est-àdire la quantité d'énergie nécessaire au relâchement de l'électron du piège) est grande et si la température est faible, l'électron restera piégé pendant une longue période. En fait si l'épaisseur du matériau sur lequel l'électron est piégé est suffi- samment grande, l'électron restera piégé presque indéfiniment s'il n'y a pas application d'énergie externe telle qu'énergie thermique et/ou une autre énergie optique. Tel que représenté sur la figure 1, l'électron de gauche se trouve à l'origine dans une bande de valence G et il est pro- pulsé jusqu'à une bande de communication E par application d'une lumière (visible) de chargement. Lors de la suppression de la lumière de chargement, l'électron tombera jusqu'à un niveau de piégeage T. L'électron restera piégé dans Le niveau de piégeage jusqu'à ce qu'une énergie supplémentaire suffisante soit fournie à L'électron afin de le ramener jusqu'à la bande de communication E. Comme il est visible sur La partie droite de La figure 1, l'électron peut être stimulé par une énergie optique infrarouge afin de se déplacer à nouveau jusqu'à la bande de communication E pour une recombinaison d'o il peut être ramené vers le bas jusqu'à la bande de valence G par la lumière visible dans le procédé. La présente invention s'appuie sur le principe illustré par la figure 1 en ce sens que la lumière peut être "mémorisée" par le phénomère de piégeage d'électrons et la lumière peut être libérée par application de radiation infrarouge destinée à pousser l'électron vers le haut au- dessus du niveau de piégeage et à lui permettre de retourner jusqu'à la bande de valence. Avant d'envisager les systèmes à mémoire spécifiques et les procédés conformes à la présente invention, il sera utile de discuter plusieurs modes de réalisation préférés des matériaux qui produisent la sensibilité optique nécessaire pour réaliser les systèmes de mémorisation et les procédés selon la présente inven- tion. Les matériaux qui peuvent être utilisés dans la présente invention seront discutés plus en détail dans les exemples qui vont suivre. EXEMPLE 1 Un matériau de support de mémorisation est réalisé à partir du mélange ayant la composition suivante: Sulfure de strontium 100 parties Sulfate de baryum 5,5 parties Fluorure de lithium 5,5 parties Samarium 150 parties par million Oxyde d'europium 550 parties par million. Tels qu'utilisés ci-avant et tout au long de cette demande, les mots "parties" et "parties par million" se référeront aux parties en poids à moins qu'ils ne soient notés autrement. Le méLange est placé dans un creuset en graphite à l'in- térieur d'un four rempli d'une atmosphère de nitrogène sec (ou d'un autre gaz inerte sec) et chauffé entre 1150 et 1300 degrés centi- grades (de préférence 1150 degrés) pendant 45 min à 1 h, de telle sorte qu'il se forme une masse en fusion. Après refroidissement, la masse en fusion est broyée jusqu'à l'obtention d'une fine poudre dont la taille des particules est de I à 10 microns. Après le broyage, le matériau en poudre est chauffé jus- qu'à environ 300 à 700 degrés centigrades (de préférence 600 degrés) dans le creuset en graphite à l'intérieur du four à atmos- phère nitrogène. Ce second chauffage se situe en dessous de la température de fusion du matériau et il est maintenu pendant 10 à min (de préférence 30 min). Ce second chauffage entraîne une réparation des surfaces cristallines du matériau en poudre résul- tant des étapes précédentes. Après le second chauffage, le matériau est refroidi et le matériau en poudre est ensuite mélangé avec un liant ou un agent adapté. Après que le matériau en poudre a été mélangé avec un liant transparent, il est appliqué en tant que revêtement fin à un substrat en plastique clair afin de réaliser un dispositif à mémoire selon la présente invention. Le revêtement de matériau de mémoire sur le substrat en plastique clair sera de préférence entre 1 micron et 20 mils. Dans le mélange ci-dessus cité, le sulfure de strontium est utilisé comme matériau de base, tandis que le fluorure de lithium est utilisé pour fournir la caractéristique de fusabilité utile pour le mode de réalisation spécifique préféré. De façon alternative, d'autres sulfures et séléniures de métaux alcalino- terreux pourront être utilisés comme matériaux de base. Le sulfate de baryum (facultatif) du mélange précédent est utilisé pour améliorer la réflectivité de la lumière de sortie venant du matériau de mémorisation. De préférence, comme indiqué ci-dessus, 5,5 parties sont utilisées, mais entre 2 et 10 parties peuvent être utilisées pour le sulfate de baryum, de même qu'entre 2 et 10 parties de fluorure de lithium relativement aux 100 parties de sulfure de strontium. Le samarium et l'oxyde d'europium du mélange précédent sont utilisés afin d'établir le piégeage électronique. De préfé- rence, 150 parties par million de samarium sont utilisées, mais le samarium pourrait alternativement être compris entre 50 parties par million et 300 parties par million. L'oxyde d'europium sera de pré- férence entre 300 et 800 parties par million, mais entre 400 et 600 parties par million est meilleur avec une valeur optimale de 550 parties par million. Le fluorure d'europium, le chlorure d'europium ou le sulfure d'europium peuvent être également utilisés à la place de l'oxyde d'europium. - Le mélange issu du procédé qui vient d'être décrit fournit une épaisseur pour la couche de piégeage d'électrons de 1,2 éLectrons-volts et a un spectre de sortie tel que représenté sur la figure 2 qui montre le centre de fréquence de la sortie à approximativement 620 nanomètres. Le matériau de mémorisation de la composition ci-dessus donnera une lumière de sortie orange et sera valable pour mémoriser la lumière visible en ce sens que la lumière visible peut être utilisée pour piéger des électrons à l'intérieur du matériau. Lors de la "lecture". du matériau, en appliquant une lumière infrarouge au matériau, les électrons piégés seront libérés, de sorte qu'il y- aura relâchement de la lumière visible. Ainsi, le matériau peut servir de mémoire optique, car on peut mémoriser de l'information en appliquant une lumière visible et on peut lire l'information par application de lumière infrarouge. Plus de détails concernant les procédés, domaines d'uti- lisation et proportions pour chacun des exemples cités ici sont expliqués dans les demandes de références incorporées. EXEMPLE 2 Un second mélange préféré destiné à être utilisé avec la présente invention a la composition suivante: Sulfure de strontium 1CO parties Sulfate de baryum 5 parties Fluorure de lithium 10 parties Samarium 100 parties par million Oxyde de cérium 1 200 parties par millior. Le méLange ci-dessus est traité de la même façon que dans l'exemple 1 en le chauffant d'abord jusqu'à la fusion, en broyant la masse en fusion résultante, puis en réchauffant à une tempéra- ture inférieure à la température de fusion, mais suffisamment élevée pour permettre la réparation de l'endommagement des parties cristallines. Les mêmes étapes de procédés en termes de température et d'intervalles de temps peuvent être utilisées en traitant ce second matériau. La poudre résultante peut être utilisée avec les particules combinées avec un liant transparent ou agent, et appli- quée à un substrat plastique afin de réaliser un matériau de mémo- risation qui produit un piégeage d'électrons à un niveau de piégeage de 1,2 électrons-volts. Dans le mélange ci-dessus, le sulfate de baryum peut varier entre 2 et 10 parties, le samarium peut varier entre 50 et ZOO parties par million, le fluorure de lithium peut varier entre 2 et 10 parties, et l'oxyde de cérium peut varier entre 300 et 1 500 parties par million. Cependant, les valeurs spécifiques de proportionnalité, qui sont données ci-dessus, donnent des caracté- ristiques optimales. Les matériaux ci-dessus fourniront des caractéristiques de piégeage électronique requises pour les procédés et systèmes de mémorisation, tels que définis dans la présente invention. Le premier matériau peut être chargé très rapidement avec une lumière visible ayant une Longueur d'onde de chargement de 600 nanométres ou moins. Ce matériau maintient la charge pendant des temps très longs, des années. Afin de déclencher la réémission de la lumière visible, une source infrarouge, de l'ordre de 8001 200 nanomètres est nécessaire. La lumière visible de sortie sera centrée autour de 620 nanomètres (orange) avec le spectre de la figure 2. Le second matériau peut être chargé très rapidement avec une lumière visible et maintiendra la charge pendant des périodes de temps très étendues, semblables au premier matériau. On déclen- chera une ré-émission de lumière visible par application d'une source infrarouge. L'émission est centrée autour de 500 nanomètres, une lumière visible bleu-vert. Le matériau peut maintenir la charge pendant des périodes de temps étendues similaires à celles du premier matériau et redéclenchera la ré-émission de lumière visible d'environ 500 nanomètres par application d'une source infrarouge. Le spectre d'émission sous stimulation IR est illustré sur la figure 4. EXEMPLE 3 Un matériau photoluminescent est réalisé selon les éLé- ments et le procédé de l'exemple 2 ci-dessus, excepté que le mélange est chauffé pendant 2 h lors de l'étape de fusion. Le spectre de sortie de ce matériau photoluminescent sera essentielle- ment le même que sur la figure 4, mais ce matériau est différent de l'exemple 2 en ce que l'étape de fusion étend la sensibilité infra- rouge à des longueurs d'onde plus élevées. EXEMPLE 4 Un matériau photoluminescent est réalisé en ayant la composition suivante: Sulfure de strontium 100 parties Sulfate de baryum 5,5 parties Samarium 150 parties par million Oxyde d'europium 550 parties par million. Les matériaux énumérés (dans les plages de valeurs telles que spécifiées dans l'exemple 1) sont déposés sur un subs- trat d'oxyde d'aluminium par toute technique connue comprenant le dépôt par vapeur chimique ou par vapeur physique (évaporation, pulvérisation, etc.), diffusion gazeuse, dépôt par faisceau ionique, dépôt par faisceau moLéculaire, et dépôt par faisceau d'électrons. Les matériaux et substrats sont placés dans un four pour la fusion sous les conditions de l'exemple 1. Le matériau fond sans l'utilisation du fLuorure de lithium de L'exempte 1. Le matériau photoluminescent se liant si bien au substrat en oxyde d'aluminium, l'utilisation d'agents ou de liants séparés n'est pas nécessaire. La structure issue de l'étape de fusion peut de façon facultative être encapsulée dans un plastique clair afin de réaliser le dispositif de la figure 3. Aucun broyage ni réchauffage n'est nécessaire. Le procédé de l'exemple 4 peut être appliqué à un disque en oxyde d'aluminium afin de produire une mémoire optique qui peut, d'une façon identique, être revêtue d'un plastique clair. Le procédé de l'exemple 4 peut être utilisé avec les matériaux de base des exemples 2 et 3 à l'exception du fluorure de lithium qui n'est pas utilisé. L'étape de fusion peut être réalisée dans les conditions de l'exemple 2 ou de l'exemple 3. Comme dans les exemples 1, 2 et 3, l'utilisation de sulfate de baryum n'est pas absolument nécessaire, mais améliore grandement les caractéris- tiques optiques du matériau. Le substrat pour l'exemple 4 peut être un oxyde d'alu- minium sous forme de saphir ou rubis, auquel cas la couche de matériau optique peut être aussi fine que 0,5 microns afin de former une mémoire de très bonne qualité. Les matériaux optiques de la présente invention peuvent être utilisés pour des mémoires et/ou des capteurs IR par leurs caractéristiques de piégeage d'électrons dans une forme cristalline (par exemple, la forme des exemples 1, 2, 3 avant le broyage), la forme pulvérisée (exemples 1, 2 et 3), et une forme amorphe (exemple 4). Revenant maintenant à la figure 4, un système de mémori- sation 10 selon la présente invention va être décrite en détail. Le système de mémorisation 10 utilise une mémoire optique 12 ayant un substrat en plastique 14 et un des matériaux de mémo- risation décrits ci-avant en détail. Le matériau de mémoire optique 16 adhère au substrat 14 par utilisation d'un Liant et du procédé décrit ci-dessus. Une tête 18 de lecture-écriture est utilisée pour écrire des données sur le matériau 16 de piégeage d'électrons, et pour lire des données à partir du matériau 16 de piégeage d'électrons. Plus spécifiquement, la tête 18 de lecture-écriture comprend une source d'écriture d'énergie optique, telle qu'un laser 20 à Lumière visible, une source de lecture d'énergie électromagnétique telle qu'un laser infrarouge 22, un modulateur d'amplitude 24 destiné à faire varier l'intensité de la sortie du laser 22, et un capteur 26. Un miroir à décomposition de faisceau 28 et un miroir dichroique 30 sont utilisés pour assurer une orientation correcte des faisceaux lumineux utilisés dans le système optique. A la place du capteur 26 disposé à l'intérieur de la tête 18 de lecture- écriture, un capteur 26A peut être placé sur une face de la mémoire 12 opposée à la face sur laquelle la tête 18 de lecture-écriture est disposée. La tête 18 de lecture-écriture peut être montée mobile afin d'accéder à différentes zones de mémorisation à l'intérieur de la mémoire optique 12. Plus précisément, La tête 18 peut être mobile sous la commande d'un moteur et d'un lecteur 32 qui sont utilisés comme un dispositif d'adressage en ce qu'ils commandent l'adresse sur laquelle les faisceaux issus du laser sont dirigés. Le moteur et lecteur 32 utilisé pour déplacer le logement dans lequel la tête 18 de lecture-écriture est placée et est contrôLée par le registre d'adresse 34. La mémoire 12 peut être un disque rotatif et la tête 18 peut être mobile radialement et utilisable pour engager des opérations de lecture-écriture quand le disque est dans une partie spécifique de sa rotation correspondant à la zone de mémoire désirée alignée avec le faisceau laser de lecture ou écriture. La tête 18 peut être connectée et montée pour un mouve- ment relativement à la mémoire optique 12 d'une façon similaire au montage d'une tête pour une unité de disque compact, aussi connue qu'une unité de disque laser. Ce type de connexion étant bien connu, il n'est pas nécessaire d'en décrire des détails spécifiques ici. Le fonctionnement du mode de réalisation de la figure 4 va maintenant être décrit. Des données peuvent être écrites sur le matériau de support de mémorisation 16 de la mémoire optique 12 par déclenchement de la source de lumière.visible, telle que (bien que les sources soient toutes désignées comme laser, la présente inven- tion ne nécessite pas avantageusement de lasers et des leds pour- raient être utilisées à la place) le laser 20. En particulier, te laser 20 produit un faisceau lumineux 36 qui passe à travers le fractionneur de faisceau 28 et le filtre dichroique 30 et va exciter une zone de mémorisation particulière dans la mémoire optique 12 avec de la lumière visible. Ainsi, le laser 20 pro- voquera un piégeage d'électrons dans la zone de mémorisation sur laquelle le faisceau 36 est dirigé, cette zone de mémorisation étant déterminée par la sortie du registre d'adresse 34. La sortie du registre d'adresse 34 commande le moteur et lecteur 32 afin de déplacer la tête 18 jusqu'à une zone correspondant à l'adresse à l'intérieur du registre 34. Lorsque l'on souhaite lire une adresse particulière à l'intérieur de la mémoire optique 12, l'adresse est chargée dans le registre d'adresse 34 et le moteur et lecteur 32 déplace la tête 18 jusqu'à une position appropriée de telle sorte que la sortie du laser 22 de lecture à infrarouge soit dirigée vers la zone appro- priée. La sortie du laser 22 est un faisceau 38 qui est modulé par la modulation d'amplitude 24 pour des raisons discutées en détail ci-dessous. Après la modulation, le faisceau 38 heurte le filtre dichroique 30 et est réfléchi par le filtre dichroique encore appelé '"miroir chaud". Le filtre 30 réfléchit l'infrarouge, mais permet un passage de lumière visible. Une fois que le faisceau infrarouge issu du laser 22 a heurté la zone de mémorisation à l'intérieur de la mémoire optique 12, le matériau optique 16 pro- duit une lumière visible correspondant à la libération ou au relâchementde quelques électrons piégés à condition que la zone ait été auparavant activée par le faisceau d'écriture 20. La sortie de lumière visible correspondant au faisceau de lecture passe facilement à travers le filtre 30 et elle est dirigée par le frac- tionneur de faisceau 28 vers le capteur 26 qui peut ainsi lire les données contenues dans La zone de mémorisation particulière. Si aucune Lumière visible n'est captée, l'adresse à laquelle on a eu accès sera lue comme un zéro. D'autre part, si le laser d'écriture a déjà écrit dans la zone de mémorisation qui est adres- sée, le capteur 26 indiquera la présence d'un faisceau de Lumière visible correspondant à 1 dans cette zone de mémorisation. Le capteur 26 peut être un photomultiplicateur, un phototransistor, ou l'un des nombreux dispositifs capteurs optiques possibles. Dans le mode de réalisation dans lequel Le capteur 26A est utilisé à la place du capteur 26, La lumière visible issue de la mémoire optique 12 passe à travers le substrat 14 et atteint le capteur 26A o il peut être traité. Les capteurs 26 ou 26A peuvent être reliés à un ordina- teur de toute façon connue, de même que le registre d'adresse 34 peut être relié par toute façon connue en soi à un ordinateur. Ainsi, il n'est pas nécessaire de décrire en détail les liaisons entre ces composants et l'ordinateur. Bien sûr, un ou plusieurs registres tampons ou d'autres éléments peuvent être connectés entre le capteur 26 ou le capteur 26A et l'ordinateur. La tête 18 peut être reliée et montée pour son déplace- ment relativement à la mémoire optique 12 d'une façon similaire au montage d'une tête dans une unité de disque compact aussi connue sous le nom d'unité de disque laser. Ce type de connexion étant bien connu, il n'est pas nécessaire de le décrire ici plus en détail. Lors de la lecture de la mémoire optique 12, Le faisceau infrarouge issu du Laser 22 sera suffisamment atténué par le modulateur d'amplitude 24 pour que seulement quelque-uns des éLec- trons piégés issus de la zone de mémorisation particulière ne soient relâchés. Le matériau optique 16 étant suffisamment dense en électrons piégés, le faisceau ne relâchera pas tous les électrons. Ainsi, une zone de mémorisation particulière, qui a été établie ou écrite par le faisceau laser 20, retiendra ses données pour de nombreuses lectures minimisant ainsi la nécessité de circuits de rafraîchissement. Lorsque l'on souhaite effacer les données à l'intérieur d'une zone de mémorisation particulière ou écrire un zéro dans la mémoire, le laser de lecture à infrarouge peut être pleinement appliqué à la zone de mémorisation, de telle sorte que virtueLLement tous Les électrons qui -y sont piégés seront relâchés, mettant ainsi la zone de mémorisation à nouveau à zéro. (Ainsi, le laser 22 peut être utilisé comme source d'écriture lorsqu'il écrit le zéro et comme source de lecture lorsqu'il est appliqué à une faible puissance.) Afin d'appliquer Le laser 22 à pleine puissance vers la mémoire optique 12, le modulateur d'amplitude sera posi- tionné en position minimum ou en position sans modulation ou en position atténuation. La discussion précédente suppose que la mémoire optique est dans un état chargé (c'est-à-dire ayant des électrons piégés) qui correspond à un niveau logique "un". Cependant, la mémoire optique 12 peut également être disposée de telle sorte que la présence d'électrons piégés indique un niveau logique zéro étant donné que la logique particulière (positive ou négative) est arbi- traire. Concernant maintenant la figure 5, un système de mémori- sation supplémentaire est montré. Le système de mémorisation 110 comportant plusieurs composants identiques ou pratiquement iden- tiques aux composants du système 10 de la figure 4, les composants de la figure 5 ont été numérotés avec les deux mêmes derniers chiffres de la centaine que les composants correspondants. Le système 110 comprend une source d'écriture 120, un déflecteur acoustooptique servant de dispositif d'adressage 132, une source de lecture 122, un déflecteur acousto-optique séparé servant de dispositif d'adressage 140, un lecteur 142, un convertisseur numérique-analogique 144, et un registre d'adresse 134. Une mémoire optique 112A est construite de façon identique à la mémoire optique 12 de la figure 4. La mémoire de la figure 5 comprend un revêtement optique du matériau de piégeage d'électrons 116A et un substrat correspondant 114A. Un capteur 126 est disposé sur une face de La mémoire opposée à la face sur laquelle la source de lecture et la source d'écriture sont disposées. 16- Afin d'écrire dans le système de mémorisation montré sur la figure 5, le Laser 120 à lumière visible produit un faisceau 136 qui est chargé dans le déflecteur acousto-optique 132 d'o il peut être dévié d'un angle variable correspondant à l'adresse appro- priée. L'adresse peut être déterminée par un registre d'adresse chargeant un convertisseur numérique-analogique et un lecteur tel que la disposition montrée immédiatement au-dessus pour le déflec- teur acousto-optique 140. La disposition de la figure 5 montre le laser à Lumière visible 120 comme étant capable d'écrire sur la *première mémoire 112A. Lorsque l'on souhaite accéder à des données contenues à l'intérieur de la mémoire 112A, le laser infrarouge 120 est com- mandé par le déflecteur acousto-optique 140 afin d'avoir accès à une zone de mémorisation correspondant à un déclenchement dans le registre d'adresse 134. La sortie du registre d'adresse 134 est convertie en un signal analogique commandant un lecteur 142. Le lecteur 142 est de préférence un convertisseur tension-fréquence ou un oscillateur à commande par tension et sa sortie sera une fré- quence qui dépend de l'adresse désirée. La sortie du lecteur 142 commendera l'angle de déviation du déflecteur 140 de telle sorte que celui-ci -ait accès à l'adresse pour laquelle la lecture de donnée est désirée. Un déflecteur de type galvanomètre peut être utilisé à la place du déflecteur acousto-optique 140. La sortie du laser 122 de lecture à source infrarouge peut, de façon facultative, être modulée par un dispositif de modu- lation d'amplitude similaire à celui référencé 24 dans la figure 4, de façon à fournir l'effacement des données et à programmer les zones de mémorisation à zéro. Si le faisceau 138 est dirigé vers l'adresse appropriée par le déflecteur acousto-optique 140, il entraîne l'émission de lumière à partir de la mémoire optique 112A à condition que la zone de mémorisation ait auparavant été mise à 1. La-lumière de sortie venant de la mémoire 112A, si elle existe, sera ensuite transmise à travers le substrat en plastique en tant que lumière 150. La figure 6 montre un autre système de mémorisation optique 210 dans lequel les composants sont repérés avec les mêmes deux derniers chiffres et appartiennent à la série 200 que les composants correspondants du mode de réalisation de la figure 4. La disposition de la figure 6 montre une pluralité de têtes de lecture-écriture 218A et 218B qui peuvent être utilisées pour un accès parallèle en combinaison avec les capteurs 226Aet 226B.. Un registre d'adresse et un lecteur seront utilisés pour chacune des têtes 218A et 218B, mais ils n'ont pas été représentés dans un but de simplification. La figure 6 illustre également schématiquement une dispo- sition pour une fonction logique ou Booléenne "OU". De façon spéci- fique, deux mémoires 212A et 212B sont disposées en parallèle, chaque mémoire ayant des bandes alternatives de matériau de mémo- risation 216A et 216B. Les bandes alternatives 216A et 216B per- mettent un accès à deux zones de mémoire, une zone de mémoire sur 212A et l'autre sur la mémoire 212B, avec un seul faisceau de lec- ture 238. A des fins d'explication, le faisceau 238 est montré comme constitué de deux faisceaux dans la partie supérieure de la figure 6. Cependant, en réalité, cela peut être un seul faisceau de largeur suffisante pour qu'il vienne-heurter une zone de mémoire sur la bande du matériau de mémorisation 216A et qu'une partie du faisceau heurte une partie de la mémoire 212A non recouverte d'un matériau de mémorisation. Cette dernière partie passe simplement à travers le plastique transparent et heurte une partie de l'une (216B) des bandes de mémorisation. Ainsi, le faisceau 238 et la tête de lecture-écriture 218A peuvent être utilisés pour lire deux (2) zones de mémoire simultanément, avec la sortie vers le capteur 226A comme fonction logique "OU". Si l'une des deux (2) zones de mémoire a été mise à l'état logique 1, le capteur 226A détectera la lumière et fournira en sortie un signal positif utilisable par l'autre calculateur. Une version simplifiée pourrait réaliser une fonction "OU" en accédant à deux (2) cellules de stockage sur une mémoire unique, de telle sorte que le capteur puisse capter la lumière visible si l'une des zones de mémorisation mémorise un "un". Une autre version de l'arrangement des mémoires illustré par la figure 6 pourrait utiliser un capteur ayant trois niveaux de sortie: un "zéro" correspondant à un niveau bas des deux cellules, un niveau un pour le cas o une seule des cellules est à un niveau haut, et un niveau"deux" lorsque les deux ceLLules sont à un niveau haut. Une opération logique "ET" peut être réalisée par détection du niveau "deux". La figure 7 montre une mémoire de Lecture/écriture paraL- lèLe dans laquelle la lumière d'écriture est délivrée sur des fibres optique 360 si cela est souhaité. La mémoire 312 est cons- tituée d'un matériau de mémorisation (l'un de ceux des exemples précités) directement relié ou recouvert d'une plaque 362 d'inter- face avec les fibres optiques correspondant à la liaison des fibres 360, de telle sorte qu'une écriture parallèle (et, facultativement, une lecture et/ou un effacement) puisse être faite à travers les fibres optiques 360. La sortie de la mémoire 312 est une lumière 350 de telle sorte que toutes les zones de la mémoire 312 peuvent être lues en parallèle par le capteur 326 lorsqu'une lumière de stimulation 364 est appliquée par la source de lecture 322 à travers la lentille divergente 366 et réfléchie par le filtre dichroique 330. Une ou plusieurs lentilles peuvent être utilisées entre la mémoire 312 et le capteur 328 afin de focaliser la lumière de sortie 350. Les zones (une ou plusieurs celluLes de mémoire) de la mémoire 312 pourraient être adressées en délivrant un rayonnement optique (d'écriture, de lecture, et/ou d'effacement) à travers les fibres 360 et/ou en délivrant un rayonnement optique (pour l'écriture, la lecture, et/ou l'effacement) à travers la lentille 366. Bien que la présente invention ait été illustrée par divers matériaux spécifiques, par des constructions et des arran- gements spécifiques, il doit être entendu que ceux-ci ne font qu'illustrer les propos précités. De nombreuses modifications et adaptations peuvent être faites par l'homme de métier. REVENDICATIONS 1. Procédé de mémorisation et d'extraction de données, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes - a. d'écriture d'une donnée dans une zone d'une première mémoire optique constituée d'une substance fluorescente de piégeage d'électrons consistant à: i) - adresser ladite zone; et ii) - appliquer à ladite mémoire une énergie optique (36) destinée à l'écriture ayant une première longueur d'onde dans ladite zone afin d'y entrer la donnée, de sorte que les électrons sont piégés dans la substance à un niveau d'énergie élevé; et b. de lecture de données de ladite zone consistant à: i) - adresser ladite zone; ii) - appliquer une énergie optique de lecture d'une seconde Longueur d'onde supérieure à la première à ladite zone afin de libérer une partie des électrons piégés dans ladite zone et afin de provoquer une émission de photons à partir des électrons libérés; et iii) - capter l'énergie optique émise, correspondant à une émission de photons, de sorte que La donnée mémorisée peut être lue d'une façon essentiellement non destruc- tive, et en ce que La substance fluorescente de piégeage d'électrons est formée en tant que film fin déposé par vapeur sur un substrat afin d'obtenir une fine résolution de stockage. 2. Procédé seton La revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte L'étape d'effacement des données dans Ladite zone par: a. adressage de ladite zone; et b. application d'énergie optique d'effacement à ladite zone afin de Libérer essentiellement tous Les électrons piégés dans ladite zone. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'énergie optique d'effacement est d'une puissance supérieure et possède substantiellement la même longueur d'onde que ladite énergie optique de lecture. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite énergie optique d'écriture appartient au domaine de la lumière visible, en ce que l'énergie optique de Lecture est du domaine de l'infrarouge et en ce que l'énergie optique émise appartient au domaine de la lumière visible. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'énergie optique d'écriture et l'énergie optique de lecture sont chacune appliquées par un laser (20, 22). 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'énergie optique d'écriture est appliquée par un laser (22) à partir d'une première face de ladite mémorisation (16) et en ce que ladite énergie optique émise est captée à partir d'une seconde face dudit support de mémorisation, opposée à ladite première face. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une pluralité de bits de données sont simultanément écrits dans ladite première mémoire. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite substance fluorescente de piégeage d'électrons contient un mélange d'un matériau de base choisi dans le groupe constitué des sulfures et séLéniures de métaux alcalino-terreux, destiné à former un cristal-hôte; et de 50 à 300 parties par million en poids de samarium en tant que premier dopant, de sorte que la substance fluorescente acquiert ses caractéristiques de piégeage d'électrons. 9. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons contient en outre un composé d'europium choisi dans le groupe constitué par: l'oxyde d'europium, le fluorure d'europium, le chlorure d'europium et le sulfure d'europium, en une quantité de 300 à 800 parties par million en poids du composé d'europium en tant que second dopant. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons contient en outre de 300 à 1 500 parties par million en poids d'oxyde de cérium en tant que second dopant, et en ce qu'il y a de 50 à 200 parties par million en poids de samarium dans ladite substance fluo- rescente de piégeage d'électrons. 11. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons contient en outre de 1% à 5% en poids de sulfate de-baryum. 12. Dispositif de mémorisation de données, caractérisé en ce qu'il comporte: a - une première mémoire optique (12) constituée d'une substance fluorescente de piégeage d'élec- trons ayant plusieurs zones de mémorisation; b - un moyen d'adressage (32) destiné à sélectionner des zones de mémorisation dans ladite première mémoire (12); c - une première source (20) d'énergie optique des- tinée à appliquer une énergie optique d'écriture dans une zone de mémorisation déterminée par ledit moyen d'adressage, de sorte que les élec- trons sont piégés dans ladite zone à un niveau d'énergie élevé et la donnée est mémorisée; d - une seconde source (22) d'énergie optique des- tinée à appliquer une quantité contrôlée d'énergie optique de lecture à une zone de mémo- risation déterminée par ledit moyen d'adressage (32), de sorte qu'une partie des électrons piégés dans Ladite zone est Libérée, d'o une émission fluorescente issue des électrons libérés; et e - un capteur (26; 26A) destiné à capter l'énergie optique émise, relative au relâchement des élec- trons piégés de ladite zone, de sorte.qu'une don- née mémorisée est lue d'une façon essentiellemeht non destructive. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un registre d'adresse (34) connecté de façon à fournir audit moyen d'adressage (32) une adresse choisie. 14. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdites première et seconde sources d'énergie optique sont fixées sur une tête (18) mobile par rapport à ladite première mémoire (12). 15. Dispositif selon La revendication 12, caractérisé en ce que le moyen d'adressage comprend un premier et un second déflecteur utilisables pour diriger un faisceau dténergie optique depuis Lesdites première et seconde sources (20, 22) vers différentes zones de mémorisation de ladite première mémoire (12). 16. Dispositif selon La revendication 12, caractérisé en ce que ladite seconde source (22) est en outre utilisable pour appliquer une énergie optique d'effacement vers une zone d'adressage afin de libérer presque tous les éLectrons piégés dans ladite zone. 17. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite première source (20) est un Laser à lumière visible et en ce que la seconde source (22) est un laser à infrarouge. 18. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdites première et seconde sources (20, 22) et ledit capteur (26A) sont situés sur des faces opposées de ladite première mémoire (12). 19. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une seconde mémoire optique (212B) cons- tituée d'une substance fluorescente de piégeage d'électrons possé- dant plusieurs zones de mémorisation et disposée pour une application simultanée d'énergie optique vers ladite première (212A) et ladite seconde mémoire (212B),-en ce que ledit capteur capte l'énergie optique issue desdites première et seconde mémoires, et en ce que la sortie du capteur dépend d!une fonction logique de données appartenant auxdites première et seconde mémoires. 20. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que ladite substance fluorescente de piégeage d'électrons contient un méLange d'un matériau de base choisi dans le groupe constitué des sulfures et séLéniures de métaux alcalino-terreux destiné à former un cristal-hôte; et de 50 à 300 parties par million en poids de samarium en tant que premier dopant, de sorte que la substance fluorescente acquiert ses caractéristiques de piégeage d'électrons. 21. Dispositif seLon la revendication 20, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons contient en outre un composé d'europium choisi dans le groupe constitué par: l'oxyde d'europium, le fLuorure d'europium, le chlorure d'eu- ropium et Le sulfure d'europium, en une quantité de 300 à 800 par- ties par million en poids du composé d'europium en tant que second dopant. 22. Dispositif selon la revendication 20, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons (216A) contient de 300 à 1 500 parties par million en poids d'oxyde de cérium en tant que second dopant. 23. Dispositif seLon la revendication 20, caractérisé en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons (216A) contient en outre de 1% à 5% en poids de sulfate de baryum. 24. Dispositif de mémorisation de données (12; 112A; 212A, 212B; 312) contenant un milieu de mémorisation optique (16; 116A; 216A, 216B), caractérisé en ce que ledit milieu de mémo- risation est constitué d'un matériau de base choisi dans le groupe constitué des sulfures et séléniures de métaux alcalino-terreux qui forme un cristal-hôte; de 50 à 300 parties par million en poids de samarium en tant que premier dopant; et d'un substrat en oxyde d'aluminium supportant ledit moyen de mémorisation, et en ce que la substance fluorescente de piégeage d'électrons est un film fin obtenu par dépôt de vapeur sur ledit substrat en oxyde d'aluminium afin d'obtenir une fine résolution de stockage. 25. Dispositif selon la revendication 24, caractérisé en ce qu'il contient en outre a - un moyen d'adressage (32) destiné à sélectionner des zones de mémorisation dans ledit milieu de mémorisation (12); b - une première source (20) d'énergie optique des- tinée à appliquer une énergie optique d'écriture dans une zone de mémorisation déterminée par ledit moyen d'adressage, de sorte que les éLec- trons dans la substance sont piégés à un niveau d'énergie éLevé dans ladite zone et la donnée est mémorisée; c - une seconde source (22) d'énergie optique desti- née à appliquer une énergie optique de lecture vers une zone de mémorisation choisie par le moyen d'adressage (32), de sorte qu'une partie des électrons piégés dans ladite zone est libérée, d'o une émission de photons issus des électrons relâchés; et d - un capteur (26; 26A) destiné à capter l'énergie optique émise, relative au relâchement des éLec- trons piégés de ladite zone, de sorte qu'une donnée mémorisée est Lue d'une façon essentiele- ment non destructive. 26. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première donnée est écrite dans une première zone, tandis que la seconde donnée est lue simultanément dans une autre zone. 27. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre l'étape de lecture et d'écriture simultanée d'une donnée supplémentaire dans d'autres zones de ladite première mémoire optique. 28. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on prévoit en outre une seconde mémoire optique (212B) consti- tuée d'une substance fluorescente de piégeage d'électrons et en ce qu'il comprend une étape additionnelle consistant à lire simultané- ment une donnée dans une zone de la première mémoire (212A) et une donnée dans une zone de la seconde mémoire (212B) en appliquant simultanément une énergie optique de lecture aux deux zones afin de libérer une partie des électrons desdites zones et de provoquer une émission de photons issus des électrons libérés puis de capter l'énergie optique combinée émise, de sorte que des fonctions "OU" et "ET" peuvent être établies. 29. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que les énergies optiques de lecture et d'écriture sont appliquées en tant que faisceaux dirigés d'énergie optique. 30. Dispositif selon l'une des revendications 12 ou 24, caractérisé en ce qu'il comprend en outre un moyen (24) destiné a moduler l'énergie optique de lecture, de sorte qu'une zone de mémo- risation peut être soumise à une énergie optique de lecture plus grande, provoquant la Libération de presque tous les électrons piégés dans ladite zone, effaçant ainsi toutes les données mémori- sées dans ladite zone. 31. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que lesdites première (20) et seconde (22) sources d'énergie optique fournissent des faisceaux dirigés d'énergie optique.