Brevet FR2634320A1 — publié le 19900119

La présente invention concerne un dispositif semi-conducteur, et plus particulièrement un dispositif semi-conducteur dans lequel des électrodes sont reliées par un système de liaison en traversée ou un système à pont en l'air. Dans un dispositif semi-conducteur dans lequel des électrodes sont reliées par un système de liaison en traversée ou un système à pont en l'air, la configuration de la zone de liaison d'électrode influence habituellement la taille de la microplaquette (cellule). La figure 2 représente de façon schématique une structure d'un exemple de l'état de la technique d'un transistor métal semi-conducteur & effet de champ ou MESFET au GaAs. A la figure 2, la référence numérique I désigne des électrodes de source de liaison extérieure comme premières électrodes de liaison extérieure séparées les unes des autres par un espace sur la surface principale du substrat semi-conducteur 6. Une multiplicité d'électrodes de source 2 agissant comme premières électrodes sont disposées en étant séparées par une telle zone de canal sur ladite surface. La référence numérique 5 désigne une électrode de grille agissant comme une deuxième électrode dont la partie de pastille est située entre deux électrodes de source 2 de liaison extérieure.La référence numérique 4 désigne une électrode de drain en forme de doigts possédant des doigts de drain 4a qui sont situés le long des électrodes de sources de liaison extérieure sur la même surface, et un des doigts de drain 4a est agencé face à la partie de pastille de l'électrode de grille 5. Et une partie d'élément de grille Sa qui est reliée à l'électrode de grille 5 est disposée sur le canal entre l'électrode source 2 et le doigt de drain Sa, Ici, chaque électrode source 2 est reliée a l'électrode de source 1 de liaison extérieure par un système de liaison en traversée ou un système à pont en l'air.Dans ce cas, la partie de liaison 3 est produite dans une configuration plane de manière telle que chaque partie de liaison 3 devrait atteindre l'électrode de source 1 de liaison extérieure le long du trajet direct le plus court depuis l'électrode source 2 respective. Dans le dispositif ayant une telle structure, les relations entre les largeurs des motifs, leurs distances et celles entre les électrodes respectives 2, X, fa, 5 et Sa qui décident des caractéristiques du dispositif sont déterminées en vue du rendement et de la fiabilité. Dans le cas où la structure décrite ci-dessus est adoptée, la largeur du doigt de drain Sa face å la pastille d'électrode de l'électrode de grille 5 est inévitablement réalisée plus large que celle des autres doigts de drains fa. Dans une telle structure d'agencement d'électrode de la technique antérieure, l'étendue du doigt de drain 4a face å la pastille d'électrode de l'électrode de grille 5 provoque une réduction de la densité d'intégration dans le cas où une multiplicité de cellules sont inclues dans une microplaquette telle qu'un élément de haute puissance, ce qui entraine une augmentation de la taille de la microplaquette, ce qui à son tour provoque une réduction du gain due à la rotation de phase du signal haute fréquence accompagnée d'une augmentation de la dimension de la cellule dans un élément fonctionnant à haute fréquence. Un but de la présente invention est donc de réaliser un dispositif semi-conducteur susceptible d'augmenter la densité d'intégration de configuration. D'autres buts et avantages de la présente invention apparaîtront à partir de la description détaillée qui suit; il faut cependant comprendre que la description détaillée et le mode de réalisation spécifique sont simplement donnés à titre d'exemple, puisque diverses variantes et modifications entrant dans l'esprit et le cadre de l'invention apparaîtront à l'nomme de l'art. Selon la présente invention, des parties de liaison sont réalisées dans une direction diagonale pour relier les premières électrodes aux deux côtés de la zone d'électrode face å la partie de pastille de la deuxième électrode avec des parties d'extrémités respectives des premières électrodes de liaison extérieure dans une direction d'agencement des premières électrodes, parties d'extrémités qui sont respectivement adjacentes aux premières électrodes, et l'angle d'inclinaison de la partie de liaison extérieure qui est plus près de la partie d'extrémité de l'électrode de liaison extérieure est réalisé plus grand par rapport & la partie centrale de celle-ci. Par conséquent, il est possible de réduire la largeur de l'électrode en forme de doigt face a la pastille d'électrode de la deuxième électrode à la mesure de l'inclinaison de la partie de liaison (la somme de l'inclinaison de toute les parties de liaison?, favorisant par là le degré d'intégration. La figure 1 est une vue en plan représentant de façon schématique une structure d'un dispositif semi-conducteur selon un mode de réalisation de la présente invention; et La figure 2 est une vue en plan représentant de façon schématique une structure d'un dispositif semi-conducteur de la technique antérieure. On va maintenant décrire de façon détaillée un mode de réalisation préféré de cette invention en se référant aux dessins. La figure 1 représente de façon schématique une structure d'un dispositif semi-conducteur selon un mode de réalisation préféré de la présente invention. A la figure 1, les mêmes références numériques désignent des éléments identiques ou correspondants à ceux de la figure 2. Des parties de liaison 3 sont réalisées dans une direction diagonale pour relier l'électrode de source 2 aux deux cotés de la zone d'électrode face à la partie de pastille de l'électrode de grille 5, la partie d'extrémité respective de l'électrode de source 1 de liaison extérieure étant disposée dans une direction d'agencement des électrodes sources 2, parties d'extrémités qui sont respectivement adjacentes aux électrodes source 2. Un des doigts de drains 4a est situé dans la zone d'électrode face à la partie de l'électrode de grille 5. L'autre partie de l'électrode de grille 5 se trouve entre les électrodes de source et les électrodes de sourceide liaison extérieure dans une direction d'agencement des électrodes de source 2. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus, puisque la partie de liaison 13 est réalisée dans une direction diagonale par rapport à la direction de la partie de liaison 3 dans la partie centrale, en d'autres termes, l'angle d'inclinaison de la partie de liaison 13 qui est plus près de la partie d'extrémité de l'électrode de source 1 de liaison extérieure est réalisé plus grand que celui de la partie centrale de celle-ci. En adoptant une telle structure de liaison d'électrode, il est possible de réduire la largeur du doigt de drain 4a face å la pastille d'électrode de l'électrode de grille 5 à la mesure de l'inclinaison de la partie de liaison 13 sans augmenter la dimension du reste de la configuration de la technique antérieure, augmentant par la la densité d'intégration de la configuration. Dans le mode de réalisation décrit ci-dessus on décrit un transistor à effet de champ, mais la présente invention peut aussi être appliquée à d'autres structures d'éléments. Couse décrit ci-dessus, selon la présente invention, des parties de liaison sont réalisées dans une direction diagonale pour relier les premières électrodes aux deux côtés de la zone d'électrode face i la partie de pastille de la deuxième électrode, avec des parties d'extrémités respectives des premières électrodes de liaison dans une direction d'agencement des premières électrodes, parties d'extrémités qui sont respectivement adjacentes aux premières électrodes, permettant par là de réduire la largeur de l'électrode en forme de doigt face à la pastille d'électrode à la mesure de l'inclinaison sans modifier le reste de la configuration. Par conséquent, la densité d'intégration de la configuration peut être améliorée. REVENDICATIONS 1.Dispositif semi-conducteur caractérisé en ce qu'il comprend: deux premières électrodes (1) de liaison extérieure séparées l'une de l'autre par un espace sur une surface principale d'un substrat (6) semi-conducteur; une multiplicité de premières électrodes situées à l'opposé de chacune desdites premières électrodes (1) de liaison extérieure, sur la même surface principale; une deuxième électrode dont la partie de pastille est située entre lesdites deux premières électrodes (i) de liaison extérieure; des parties de liaison (3) pour relier chacune desdites premières électrodes à une dite première électrode (1) de liaison extérieure qui lui est opposée par un système de liaison en traversée ou un système de pont en l'air; et des parties de liaison (13) qui sont réalisées dans une direction diagonale pour relier lesdites premières électrodes aux deux côtés de la zone face à ladite partie de pastille de ladite deuxième électrode, avec des parties d'extrémités respectives desdites premières électrodes (i) de liaison extérieure dans une direction d'agencement desdites premières électrodes, parties d'extrémités qui sont adjacentes respectivement auxdites premières électrodes. 2.Dispositif semi-conducteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite première électrode (1) de liaison extérieure est une électrode de source deliaison extérieure, ladite première électrode est une électrode de source (2), et ladite deuxième électrode est une électrode de grille (5). 3.Dispositif semi-conducteur selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'une des électrodes (4) de doigt de drain est située dans ladite zone de contact avec ladite partie de pastille de ladite électrode de grille (5), et une autre partie de ladite électrode de grille (5) est située entre ladite électrode de source