Brevet FR2634916A1 — publié le 19900202

CIRCUIT DE COMMANDE DE VARIATION DE PUISSANCE AVEC PLUSIEURS TRANSISTORS DE PUISSANCE EN PARALLELE L'invention concerne un circuit de commande de variation de la puissance appliquée à un organe électrique de puissance tel que par exemple un moteur électrique ou éventuellement un haut-parleur de forte puissance. Dans certaines applications on a besoin de pouvoir faire varier continûment la puissance appliquée à un organe électrique. C'est le cas par exemple pour un moteur entraînant un ventilateur dont on veut pouvoir régler le débit d'air soufflé; une application particulière à laquelle la présente invention se prête très bien est la commande du pulseur d'air d'un système de conditionnement d'air de l'habitacle d'un véhicule; l'invention s'applique aussi généralement bien à la commande de moteurs de ventilateurs, le circuit de commande étant alors placé dans le flux d'air soufflé par le ventilateur pour bénéficier d'un refroidissement plus efficace. Pour ce type d'application, on-veut un circuit de commande particulièrement simple, fiable, ne nécessitant pas de dispositifs annexes coûteux, et ne nécessitant pas de réglage en usine pour ajuster le fonctionnement en fonction de la dispersion de fabrication des caractéristiques des composants utilisés. Parmi les circuits répondant à ces critères on peut citer le schéma de la figure 1 qui fait l'objet d'une demande de brevet parallèle déposée le même jour que la présente demande. Le schéma de la figure 1 correspond à la commande d'un moteur électrique M; il comprend un transistor à effet de champ Q en série avec le moteur, l'ensemble en série étant alimenté par une batterie BAT dont une première borne A est reliée à la source du transistor Q et dont une deuxième borne B est reliée au moteur M. Le transistor est monté en ballast, c'est-àdire en série avec le courant principal du moteur, et il laisse passer un courant plus ou moins important selon sa tension grille-source Vgs. Le courant qui circule dans le transistor est un courant continu. La tension grille-source Vgs peut varier en continu sous la commande de déplacement d'un curseur C d'un potentiomètre POT dont les bornes sont alimentées par exemple par la batterie BAT. Une résistance de contre-réaction R2 est connectée en série avec une thermistance de protection CTP entre le drain et la grille du transistor à effet de champ, la thermistance étant connectée à la grille; le point de jonction de la thermistance et de la résistance de contre-réaction est connecté au curseur du potentiomètre. Enfin, une résistance R3 est connectée entre grille et source et des diodes de protection Dl, D2, D3 sont placées entre grille et source d'une part, entre grille et drain d'autre part, pour protéger le transistor contre des surtensions. Ce schéma offre de nombreux avantages de simplicité et de fiabilité; il ne nécessite pas de réglages en usine pour tenir compte de la dispersion de fabrication des transistors à effet de champ constituant le composant principal du circuit; et il ne nécessite pas de filtre d'antiparasitage qui serait nécessaire si le transistor fonctionnait en commutation. Mais ce schéma n'est pas utilisable au-delà de certaines valeurs de puissance. En effet, le transistor consomme beaucoup de puissance; si on veut augmenter la puissance du moteur ou de tout autre organe commandé par ce circuit, il faudrait un transistor encore plus gros; le coût en devient prohibitif car pour des transistors de forte puissance (plusieurs centaines de watts) le coût d'un transistor augmente proportionnellement beaucoup plus vite que sa puissance. L'invention propose un circuit de commande de puissance capable de commander des puissances beaucoup plus élevées que celui du schéma de la figure 1 sans augmentation de coût prohibitive. Pour cela, on utilise au moins deux transistors à effet de champ fonctionnant essentiellement en parallèle mais avec un circuit d'équilibrage des courants passant dans les deux transistors. Selon l'invention, on propose un circuit de commande de puissance d'un organe électrique, notamment un moteur,.comprenant un premier transistor à effet de champ ayant une source connectée par l'intermédiaire d'une résistance de très faible valeur à une première borne d'une source d'alimentation, un drain connecté à l'orges à commander, et une grille connectée à une source de potentiel continu variable, un deuxième transistor à effet de champ ayant une source connectée à la première borne d'alimentation par l'intermédiaire d'une autre résistance de très faible valeur identique à la première, un drain connecté à l'organe à commander, et une grille connectée à la sortie d'un amplificateur différentiel ayant deux entrées connectées respectivement à la source du premier transistor à effet de champ et à la source du deuxième transistor à effet de champ. Grâce à ce montage, on évite que les courants dans les deux transistors soient déséquilibrés l'un par rapport à l'autre; le risque de déséquilibre est en effet d'autant plus grand que les transistors à effet de champ ont des caractéristiques de transconductance très dispersées (y compris dans une même fabrication en série), et que ces transistors ont tendance, dans certains cas ou dans certaines gammes de valeurs de courant, à laisser passer plus de courant lorsque leur 26349i6 température augmente (et elle augmente avec le passage du courant). L'amplificateur différentiel comprend de préférence deux branches différentielles, chacune comprenant un transistor bipolaire en série avec une résistance respective. Les transistors bipolaires ont leurs émetteurs reliés aux sources des transistors à effet de champ, leurs bases reliées entre elles, le premier transistor bipolaire ayant son collecteur relié à la grille du deuxième transistor à effet de champ et le deuxième transistor bipolaire ayant sa base et son collecteur réunis ce qui correspond à un montage en diode. Cet amplificateur différenciel fonctionne comme un miroir de courant et peut donc être réalisé par tout circuit de ce type. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention apparaîtront à la lecture de la description détaillée qui suit et qui est faite en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1, déjà décrite représente un circuit de commande à un transistor à effet de champ; - la figure 2 représente un circuit de commande selon l'invention. Sur la figure 2, on a représenté un schéma avec deux transistors de puissance à effet de champ à grille isolée Q et Q', réalisés en technologie MOS. Le transistor Q est commandé par un circuit qui est rigoureusement le même que celui de la figure 1, à l'exception du fait qu'une résistance SH1 de très faible valeur (environ 10 milliohms) est insérée entre la source du transistor et la borne A de la batterie (borne négative dans le cas o les transistors sont à canal N). Le deuxième transistor, Q', est monté de la manière suivante: sa source est connectée à la borne A par une autre résistance SH2, de même valeur que la résistance SH1. Son drain est connecté au drain du transistor Q. Sa grille est commandée par la sortie d'un amplificateur différentiel fonctionnant en miroir de courant dont les entrées sont reliées respectivement aux sources des deux transistors. Le montage est tel qu'un petit déséquilibre de courant dans les résistances SH1 et SH2 (c'est-àdire dans les transistors Q et Q') entraîne une différence de potentiel entre les entrées du miroir de courant; la sortie du miroir de courant agit sur la grille du transistor Q' dans un sens tendant à s'opposer au déséquilibre; si le courant dans Q' devient plus faible que le courant dans Q, la tension sur la grille de Q' augmentera pour augmenter le courant dans Q'. Le miroir de courant est réalisé d'une manière très simple: il comporte deux branches, l'une comportant un transistor bipolaire T1 polarisé dans son collecteur par une résistance R4, reliée à une borne d'alimentation (de préférence la borne positive B de la batterie) L'émetteur du transistor T4 est relié à la source du transistor Q; l'autre branche comprend un transistor bipolaire T2 monté en diode entre la base du transistor T4 et la source du deuxième transistor Q'. Une résistance R5 polarise le point commun des deux transistors T1 et T2 (leurs bases). Les résistances et transistors bipolaires sont dimensionnés de telle sorte que le courant qui les traverse ne soit qu'une très faible fraction du courant traversant les transistors MOS. Sur la figure 2 on n'a pas représenté les diodes de protection contre les surtensions: le montage est le même qu'à la figure 1 pour le transistor Q et un montage identique peut être fait pour le transistor Q' : une diode zener D1 entre grille et source, et une diode zener D2 en série avec une diode normale D3 entre grille et drain. La commande de variation de puissance se fait par réglage du potentiomètre POT, ce qui modifie le potentiel présent sur la grille du transistor à effet de champ Q; le courant du transistor Q est donc modifié en conséquence; le potentiel aux bornes de la résistance SH1 varie; le miroir de courant (T1, T2, R4, R5) se déséquilibre et le potentiel de la grille du transistor Q' varie dans un sens tel que le courant dans la résistance SH2 redevienne égal au courant dans la résistance SH1. La résistance de contre-réaction R2 diminue la pente de variation du courant dans le transistor Tl en fonction de la tension grille-source. Elle réduit ainsi l'influence de la dispersion des caractéristiques de transconductance des transistors utilisés dans la fabrication. Dans le schéma de la figure 2, le transistor T2 fonctionne en diode et il pourrait donc être remplacé par un composant de ce type. Cependant, l'on constate que le montage ainsi réalisé présente des dispersions de caractéristiques plus élevées et que le meilleur résultat est obtenu en utilisant deux transistors bipolaires Tl et T2 identiques. La thermistance CTP, fixée sur le premier transistor à effet de champ Q ou sur son radiateur, assure une protection contre un échauffement excessif en réduisant la tension grilie-source du transistor Q lorsque la température augmente. La résistance R3 permet d'établir un pont diviseur avec la résistance R2 et la thermistance CTP pour que ces résistances jouent correctement leur rôle. D'abord, en relation avec la thermistance CTP, la résistance R3 constitue un pont diviseur dont le point milieu est relié à la grille du transistor Q. Lorsque le transistor chauffe, la résistance de la thermistance augmente de valeur et le potentiel de la grille tend à devenir proportionnellement plus faible que la valeur qu'il aurait si la thermistance ne chauffait pas. 26349 1 6 Ensuite, en relation avec la thermistance CTP et la résistance R2, la résistance R3 a pour fonction d'abaisser automatiquement la tension grille-source Vgs au dessous du seuil de conduction Vt dans le cas o la liaison avec le curseur C est interrompue. Cela permet au moteur de s'arrêter en cas de coupure de cette liaison, ce qu'il ne ferait pas s'il n'y avait pas la résistance R3. On notera que la thermistance CTP est insérée dans la boucle de contreréaction entre drain et grille du transistor et que de ce fait sa dynamique d'action en fonction de la température et la vitesse de réaction à une variation de température est plus forte que si la résistance R2 était directement connectée entre drain et grille avec la thermistance entre le curseur C et la grille. D'autre part, on peut remarquer qu'il n'y a qu'un fil de liaison entre le circuit de commande et le tableau de bord du véhicule (fil allant du curseur C situé sur le tableau de bord jusqu'à la grille du transistor à travers la thermistance qui est montée mécaniquement sur le transistor). Si l'on veut augmenter encore la puissance qui peut être commandée par ce circuit, on peut utiliser un troisième, voire un quatrième transistor à effet de champ, etc., avec un circuit d'équilibrage des courants du transistor supplémentaire et du premier transistor Q. Le transistor supplémentaire a sa source reliée par une résistance de très faible valeur, identique à SH1, à la borne A. Son drain est relié à l'organe à commander. Sa grille est reliée à la sortie d'un miroir de courant dont une entrée est reliée à la source du transistor Q et l'autre entrée est reliée à la source du transistor supplémentaire; le miroir de courant est identique à celui de la figure 2. REVENDICATIONS 1. Circuit de commande de puissance d'un organe électrique, notamment un moteur, caractérisé en ce qu'il comprend un premier transistor à effet de champ (Q) ayant une source connectée par l'intermédiaire d'une résistance de très faible valeur (SH1) à une première borne (A) d'une source d'alimentation (BAT), un drain connecté à l'organe à commander (M), et une grille connectée à une source de potentiel continu variable (C), un deuxième transistor à effet de champ (Q') ayant une source connectée à la première borne d'alimentation (A) par l'intermédiaire d'une autre résistance (SH2) de très faible valeur identique à la première, un drain connecté à l'organe à commander, et une grille connectée à la sortie d'un amplificateur différentiel (T1, T2, R4, R5) ayant deux entrées connectées respectivement à la source du premier transistor (Q) et à la source du deuxième transistor (Q'). 2. Circuit de commande selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'amplificateur différentiel comprend de préférence deux branches différentielles, chacune comprenant un transistor bipolaire (T1, T2) en série avec une résistance respective (R4, R5), les transistors bipolaires ayant leurs émetteurs reliés aux sources des transistors à effet de champ (Q,Q'), leurs bases reliées entre elles, le premier transistor bipolaire (T1) ayant son collecteur relié à la grille du deuxième transistor à effet de champ (Q') et le deuxième transistor bipolaire (T2) ayant sa base et son collecteur réunis. 3. Circuit de commande selon la revendication 2, caractérisé en ce que le deuxième transistor bipolaire (T2) est constitué par une diode. 4. Circuit de commande selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'amplificateur différentiel est réalisé par un miroir de courant. 5. Circuit de commande selon l'une des revendications 1, 2, 3 ou 4, caractérisé en ce qu'il comporte une résistance de contre-réaction (R2, CTP) entre le drain et la grille du premier transistor à effet de champ (Q). 6. Circuit de commande selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce qu'il comporte une thermistance à coefficient de température positif (CTP) fixée sur le premier transistor à effet de champ (Q) et connectée électriquement entre une source de tension continue variable (C) et la grille dudit transistor à effet de champ (Q). 7. Circuit de commande selon la revendication 6, caractérisé en ce qu'il comporte une boucle de contre- réaction constituée par une résistance fixe (R2) en série avec la thermistance (CTP) entre le drain et la grille du premier transistor à effet de champ (Q). 8. Circuit de commande selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte un potentiomètre (POT) de réglage d'une tension continue à appliquer à la grille du premier transistor à effet de champ (Q), le potentiomètre ayant deux bornes extrêmes connectées aux bornes (A et B) d'une source d'alimentation et un curseur (C) relié à la grille de ce transistor à effet de champ (Q) par l'intermédiaire de la thermistance (CTP). 9. Circuit de commande selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce qu'il comporte une résistance (R3) entre la grille et la source du premier transistor à effet de champ (Q). 10. Circuit de commande selon l'une des revendications précédentes, pour la commande d'un moteur de ventilateur, caractérisé en ce qu'il est placé dans le flux d'air du ventilateur. 11. Application du circuit de commande selon l'une des revendications précédentes à la commande d'un moteur de système de conditionnement d'air de l'habitacle d'un véhicule automobile.