Brevet FR2631743A1 — publié le 19891124

STRUCTURE A ELECTRODES NON COPLANAIRES POUR AFFICHAGE MATRICIEL A CRISTAUX LIQUIDES A TRANSISTORS EN COUCHES MINCES DE SILICIUM AMORPHE ET PROCEDE DE FABRICATION La'présente invention concerne de façon générale des structures de transistors à effet de champ et d'électrodes de pixels (éléments d'image) destinées à être utilisées dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides (LCD). La présente invention concerne également des procédés de fabrication de tels dispositifs et structures. Plus particulièrement, la présente invention concerne une structure et un procédé dans lesquels une électrode de grille, une électrode de pixel et des électrodes de contact de source et/ou de drain sont disposées selon un agencement non coplanaire de façon à être efficacement- isolées les unes des autres. De façon encore plus spécifique, la présente invention prévoit une structure dans laquelle toutes les électrodes sont non coplanaires, éliminant ainsi des problèmes de court-circuit qui limitent le rendement et qui existent tout particulièrement entre les électrodes de grille et de pixel. Dans un affichage à cristaux liquides adressé matriciellement, une pluralité d'éléments de pixel sont commandés individuellement par des éléments de commutation électronique disposés près d'au moins une électrode de pixel. L'application d'un signal de tension à l'électrode de pixel par l'intermédiaire du dispositif de commutation électronique provoque des changements de propriétés physiques et optiques dans des matériaux de cristaux liquides qui sont disposés en-dessus ou en-dessous de l'électrode de pixel. Typiquement, les électrodes de pixel sont constituées d'un matériau conducteur électriquement transparent. Ainsi, des changements optiques dans les cristaux liquides conduisent à l'affichage d'images sur un écran qui comprend un réseau d'éléments de pixels et des dispositifs de commutation associés. Ainsi, en commandant les dispositifs de commutation, des images (du texte et des graphiques) peuvent être amenées à apparaître sur l'écran. Des affichages à cristaux liquides adressés matriciellement sont un élément de remplacement particulièrement bon pour des dispositifs à tube à rayons cathodiques dans de nombreuses applications. En vue de la vitesse et de la commande des informations affichées, il est souhaitable d'utiliser un système adressé matriciellement dans lequel chaque élément de pixel est commandable individuellement. En outre, pour assurer une résolution d'image plaisante à l'oeil humain, il est nécessaire d'utiliser un grand nombre d'éléments de pixels disposés très près les uns des autres, typiquement actuellement à des écarts d'environ 50 à 150 pixels par pouce (2,5 centimètres) linéaire. Alors que l'on a utilisé avec succès des affichages à cristaux liquides adressés matriciellement pour remplacer des tubes à rayons cathodiques (TRC) dans des systèmes de télévision de poche de petite dimension et analogue, il est néanmoins très souhaitable de pouvoir former des dispositifs d'affichage à cristaux liquides présentant une grande surface d'affichage qui assurent non seulement une résolution élevée et une présentation en couleur si on le souhaite mais assurent également un traitement d'image très rapide pour éviter tout clignotement et pour pouvoir s'adapter à la cadence d'information des signaux dans les bandes de télévision. Toutefois, pour la fabrication de dispositifs d'affichage à panneaux plats, en particulier ceux du type commandé matriciellement, les problèmes de rendement de fabrication limitent sévèrement la dimension d'écran qui peut être fabriqué de façon économique. En particulier, on notera que le rendement de 263 1743 fabrication est inversement proportionnel au carré de la probabilité d'apparition de défaut dans une rangée ou une colonne donnée de l'affichage. Ainsi, des limitations de rendement constituent un facteur notable pour la production de dispositifs d'affichage à cristaux liquides en panneaux plats de grande dimension et de haute résolution. Pour fabriquer ces affichages, des étapes de traitement dépendant de plusieurs matériaux doivent être utilisés. En particulier, la fabrication nécessite souvent une gravure ou une conformation d'un type de matériau en dessous duquel se trouve un matériau de composition différente mais qui ne doit pas être sensible à la gravure de la couche supérieure. En outre, des opérations de gravure sur une partie de la structure ne doivent pas affecter d'autres structures présentes pendant les opérations de gravure ou d'enlèvement. Ceci est souvent difficile à atteindre pour des matériaux souhaitables. Par exemple, certains matériaux qui sont utiles à la gravure des matériaux d'électrode de grille tendent à dégrader le matériau de l'électrode de pixel. Ainsi, les processus de fabrication d'affichages à cristaux liquides adressés matriciellement dépendent beaucoup des matériaux, des étapes de traitement et de l'ordre des étapes de traitement. Néanmoins, on souhaite toujours fabriquer des affichages à panneaux plats de grande dimension en dépit des problèmes de rendement associés à la dimension d'écran-et à la compatibilité des matériaux. En outre, l'un des problèmes notables qui peut survenir et peut avoir une influence néfaste notable sur le rendement est l'existence de courts-circuits ou de trajets de fuite entre le matériau des électrodes de pixels et les motifs d'électrodes de grille et de bus de grille. Les inventeurs ont observé l'apparition répétée de défauts qui surviennent dans les zones de gravure de grille ou de pixel d'o il résulte des courts- circuits entre électrodes limitant le rendement. Ainsi, on voit qu'il est souhaitable de pouvoir isoler électriquement les matériaux d'électrodes de grille et de pixel autant que possible pour éliminer ainsi le problème des courts-circuits ou des trajets 263 1743 de fuite qui limitent le rendement et plus particulièrement pour permettre de choisir le matériau d'électrode de grille dans une plus grande gamme de matériaux. Ces deux problèmes sont résolus selon la présente invention. Plus particulièrement, l'électrode de grille est toujours recouverte d'une couche isolante qui la protège des produits chimiques de traitement ultérieurs. Ceci permet un plus vaste choix de matériaux de grille qui n'interagissent pas avec le traitement de l'électrode de pixel. En outre, ceci assure un isolement diélectrique pour éliminer les courts-circuits entre électrodes. Selon un mode de réalisation particulier de la présente invention, une structure de transistors à effet de champ et d'électrodes de pixel destinée à être utilisée dans un dispositif d'affichage à cristaux liquides incorpore une couche de matériau isolant tel que du nitrure de silicium ou de l'oxyde de silicium qui est disposée au-dessus de l'électrode de grille de façon à l'isoler électriquement du matériau de l'électrode de pixel disposée au voisinage du transistor à effet de champ. Ainsi, selon la présente invention, l'électrode de grille et l'électrode de pixel sont disposées selon un agencement non coplanaire. Ceci préserve l'isolement diélectrique entre le matériau de l'électrode de grille et le matériau de l'électrode de pixel, non seulement au voisinage de l'élément de commutation à transistor mais également partout sur le substrat d'affichage. En outre, la présente invention prévoit également un procédé de fabrication de structures de transistors à effet de champ et d'électrodes d'affichage destinées à être utilisées dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides. Selon ce procédé, une électrode de grille est d'abord disposée sur un substrat isolant et, au-dessus, est disposée une couche de matériau isolant tel que du nitrure de silicium. Un îlot ou une structure mésa, incorporant des couches de silicium amorphe, de silicium amorphe dopé et de molybdène, est formé sur l'électrode de grille. Alors, une configuration de matériau d'électrode de pixel transparent tel que l'oxyde d'indium et d'étain est disposée sur le matériau isolant au voisinage de la structure de l'îlot. Cette disposition est réalisée par des procédés d'élimination par soulèvement (lift- off) qui seront décrits plus particulièrement ci-après. Une couche de matériau de contact de source et/ou de drain est alors disposée sur la structure et conformée de façon à former un transistor à effet de champ dont l'une des électrodes est de préférence en contact avec l'électrode de pixel adjacente. Ainsi, un objet de la présente invention est de prévoir un processus de fabrication de transistors à effet de champ en silicium amorphe dopé qui entraîne l'obtention d'une structure d'électrodes spécifique non coplanaire. Plus particulièrement, un objet de la présente invention est de prévoir une structure qui isole l'électrode de grille des étapes ultérieures de fabrication d'un transistor en prévoyant une couche isolante continue, telle qu'une couche de.nitrure de silicium, au-dessus de l'électrode de grille mais en-dessous du matériau d'électrode de pixel. Un autre objet de la présente invention est de prévoir un procédé qui permet d'utiliser une large sélection de matériaux d'électrode de grille sans produire de problèmes d'incompatibilité associés à des étapes de traitement ultérieures. Un autre objet de la présente invention est de permettre d'utiliser de l'aluminium comme matériau de grille plutôt que du -titane puisque l'aluminium présente de meilleures capacités de blocage de la lumière pour la région de canal et une conductance de ligne de balayage plus élevée dans des applications à des affichages à cristaux liquides. Un autre objet de la présente invention est-de prévoir des matériaux d'électrode de grille qui présentent des conductivités électriques plus élevées. Un autre objet de la présente invention est d'éliminer des courts-circuits entre électrodes de grille et de pixel. Enfin, mais sans que ceci constitue une limitation, un autre objet de l'invention est de prévoir des procédés de fabrication et des structures qui sont particulièrement appropriés à la fabrication de dispositifs d'affichage à cristaux liquides adressés matriciellement en panneaux plats de grande surface. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: la figure 1 est une vue en coupe illustrant une étape initiale du procédé selon la présente invention et représentant tout particulièrement la formation d'une électrode de grille; la figure 2 est une vue en coupe similaire à la figure 1 mais représentant plus particulièrement la disposition d'une couche diélectrique au-dessus de l'électrode de grille et du substrat; la figure 3 est une vue en coupe similaire à la figure 2 mais représentant plus particulièrement le dépôt de silicium amorphe, de silicium amorphe dopé et d'une couche métallique de contact d'électrodes; la figure 4 est une vue en coupe similaire à la figure 3 mais illustrant plus particulièrement la conformation des trois couches supérieures pour former un Ilot ou une structure mésa recouvrant l'électrode de grille; la figure 5 est une vue en coupe similaire à la figure 4 mais représentant plus particulièrement le résultat de la formation d'une électrode de pixel adjacente; la figure 6 est une vue en coupe similaire à la figure 5 mais représentant plus particulièrement le dépôt d'un matériau d'électrodes de contact de source et/ou de drain à un niveau supérieur; la figure 7 est une vue en coupe similaire à la figure 6 mais illustrant plus particulièrement la configuration de la métallisation de niveau supérieur pour former un transistor à effet de champ connecté à une électrode de pixel adjacente; et la figure 8 est une vue en coupe similaire à la figure 7 mais illustrant plus particulièrement l'application d'un niveau supérieur de matériau de passivation. 263 1743 Les figures fournissent une illustration séquentielle des étapes du procédé mis en oeuvre selon la présente invention. Il faut en particulier noter que les étapes prévues et la structure qui en-résulte assurent un isolement diélectrique notable entre l'électrode de grille et l'électrode de pixel. Cet isolement et l'isolement entre les diverses étapes assuré par rapport à l'électrode de grille permet l'utilisation d'une grande variété de matériaux en tant qu'électrode de grille. En particulier, on voit que de l'aluminium en tant que matériau d'électrode de grille assure des avantages notables. En particulier, on voit que la transmission de lumière à travers une grille de titane ayant une épaisseur de 800 angstrôms à une longueur d'onde de 0,56 micromètres est de 0,041% alors que la transmission à travers de l'aluminium dans les mêmes conditions est seulement de 1,02 x 10-5 % ce qui améliore la capacité de blocage de lumière des grilles d'aluminium d'un facteur d'environ 4 000. En outre, la conductance électrique dans la masse de l'aluminium est à peu près 20 fois celle du titane. Ainsi, on voit que des procédés et des structures qui permettent l'utilisation de l'aluminium en tant que matériau d'électrode de grille présente des avantages notables. En se reportant tout particulièrement à la figure 1, on voit que l'électrode de grille 12 est disposée sur un substrat isolant 10. Le matériau du substrat est de préférence un verre transparent. Toutefois, des céramiques et autres matériaux compatibles peuvent également être utilisés, l'exigence principale pour le substrat 10 étant son caractère électriquement isolant. L'électrode de grille 12 est de préférence de l'aluminium. Toutefois, d'autres matériaux conducteurs tels que le tungstène, l'or, le chrome et le titane peuvent également être utilisés. L'électrode de grille 12 est de préférence formée par évaporation puis conformée et gravée pour former les grilles des transistors individuels et également pour former des lignes de bus de grille dans l'affichage. Le résultat de ce dépôt et de cette conformation est représenté en figure 1. 263 1743 Ensuite, un couche d'un matériau isolant 14 est déposée de la façon représentée en figure 2. La couche 14 comprend de préférence du nitrure de silicium. C'est l'existence de la couche isolante 14 qui assure l'isolement diélectrique et l'isolement de traitement souhaité de l'électrode de grille 12. On notera que, alors que le matériau isolant 14 comprend de préférence du nitrure de silicium, il est également possible d'utiliser de l'oxyde de silicium pour autant que des produits de gravure appropriés sont utilisés pour conformer des structures de couches supérieures. La couche de matériau isolant 14 a de préférence une épaisseur comprise entre 300 et 3000 angstrbms. Pour une épaisseur de grille d'environ 800 angstrbms, la couche isolante 14 aura une épaisseur d'environ 1500 angstrôme. De façon générale, l'épaisseur de grille et l'épaisseur de la couche isolante 14 sont associées de sorte que la couche isolante est de préférence deux fois plus épaisse que la couche d'électrode de grille, au moins au premier ordre. En tout cas, la couche 14 ne doit pas être trop mince pour que le champ électrique ne dépasse pas 105 volts/cm. La couche isolante 14 est de préférence déposée par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma. Ensuite, une couche de silicium amorphe 16 et une couche de silicium amorphe dopé de type N+ sont déposées par dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma jusqu'à une épaisseur combinée d'environ 500 angstrâms, après quoi une couche d'une épaisseur de 1000 angstrbms d'un matériau conducteur 18 est déposée de la façon représentée en figure 3. La couche 18 est de préférence en molybdène. La couche de molybdène sert à deux buts dans ce processus. D'abord, elle augmente la fiabilité du contact source/drain et deuxièmement elle agit en tant que masque pour la conformation ultérieure de l'ilot ou de la structure mésa illustrée en figure 4. Plus particulièrement, la structure illustrée en figure 3 peut être conformée par masquage et gravure au moyen d'une solution d'hydroxyde de potassium ou par un processus de gravure ionique réactive appropriée. Ces produits de gravure attaquent la couche 18, la couche de silicium amorphe 17 263 1 743 - 9 et les couches de silicium amorphe intrinsèques 16 et 17, mais n'affectent pas la couche sous-jacente de matériau isolant 14 qui est de préférence en nitrure de silicium. En outre, on voit à partir de la figure 4 qu'après gravure des couches de silicium amorphe 16 et 17 par de l'hydroxyde de potassium, la couche de molybdène 18 est de préférence regravée à partir du bord de l'îlot ou du mésa, fournissant ainsi la structure illustrée en figure 4. Cette dernière gravure est réalisée avec un masque similaire à celui utilisé en relation avec la formation du mésa mais dans lequel des motifs d'ilots légèrement plus petits sont définis. On voit ainsi que l'hydroxyde de potassium n'attaque pas la couche 18 mais attaque les couches de silicium 16 et 17. La couche 18 agit comme un masque pour graver la structure d'ilot et est ensuite reconformée et regravée pour fournir la structure illustrée en figure 4. On notera en particulier à ce stade du processus qu'un structure de base non coplanaire a été formée en utilisant une gravure sélective qui attaque seulement le silicium, laissant la couche isolante protectrice 14 sur l'électrode de grille 12. A l'étape suivante, une couche de matériau transparent d'électrode de pixel 20 est formée de la façon représentée en figure 5. L'électrode de pixel 20 comprend de préférence de l'oxyde d'indium et d'étain (ITO). Il est toutefois possible d'utiliser de l'oxyde d'étain bien que l'indium soit préféré à titre d'élément stabilisant. On notera qu'il est également possible d'utiliser de l'oxyde de titane comme matériau transparent d'électrode de pixel. Toutefois, on préfère l'oxyde d'indium et d'étain. On notera que les procédés classiques de dépôt et de photolithogravure ne sont pas adaptables à la formation de l'électrode de pixel 20. En particulier, des produits de gravure tel que l'oxyde nitrique qui sont habituellement utilisés pour conformer de l'oxyde d'indium et d'étain attaqueraientmalheureusement également le revêtement de molybdène 18. Ainsi, d'autres procédés de formation des éléments d'électrodes de pixels 20 sont prévus. En particulier, selon la présente invention, on utilise un procédé d'élimination par décollement (lift off). Selon ce procédé, un matériau photosensible est déposé. Un masque négatif est ensuite utilisé pour former une image sur le produit photosensible de façon à laisser des ouvertures dans le produits photosensible là o l'on souhaite former le matériau d'électrode de pixel. Après dépôt de i'ITO, le matériau photosensible restant est éliminé par rinçage, emmenant ainsi avec lui tout oxyde d'indium et d'étain qui pourrait avoir été déposé dans des zones autres que les ouvertures désirées. Un produit photosensible adapté à ce but est la résine positive KTI 1470 ou AZ1450J. Un rinçage par un solvant de produit photosensible approprié comprend un trempage dans du chlorobenzène pour former un profil net de produit photosensible pour le lift- off. La structure résultant de ce procédé de lift-off est illustrée en figure 5. Ensuite, un matériau de contact de source et/ou de drain 22 est déposé sur la pièce à traiter. Le résultat est représenté en figure 6. La couche conductrice 22 est conformée de façon à former des contacts sur la structure de transistor résultante. En outre, la conformation de la couche 22 entraîne également la formation d'un contact électrique 22b reliant un côté du transistor à effet de champ résultant à l'électrode de pixel 20. L'autre partie de la couche 22 est conformée de façon à fournir un contact 22a de l'autre côté de la structure du transistor à effet de champ, comme cela est représenté en figure 7. On notera en outre que la couche 18 préalablement formée se confond essentiellement avec la couche 22 quand ces deux couches comprennent du molybdène, comme on le préfère ici. On notera en outre que, pour former la structure de transistor à effet de champ désirée, la gravure réalisée sur la structure représentée en figure 6 doit également comprendre une gravure de la couche de silicium amorphe dopé 17 de façon à la diviser en deux parties, comme cela est représenté en figure 7. Enfin, une couche de matériau de passivation, de préférence du nitrure de silicium-.24 est déposée au- dessus de l'ensemble de la tranche à traiter, fournissant ainsi la structure représentée en figure 8. Alors que 263 1743 l'on préfère utiliser du nitrure de silicium comme matériau de passivation dans le cadre de la présente invention, il est également possible d'utiliser des verres dopés ou des matériaux organiques dans ce but. En particulier, comme couches de passivation comprenant des verres, on préfère tout particulièrement que la couche de passivation soit formée par un processus de dépôt chimique en phase vapeur à basse température assisté par plasma qui n'agit pas à des températures suffisamment élevées pour entraPner une dégradation de la structure et du matériau de silicium amorphe. En considérant plus particulièrement certains des problèmes de compatibilité de matériaux mentionnés ici, on notera que le molybdène est un matériau préféré de contact de source et de drain car il entraîne des étapes de traitement beaucoup plus simples. Toutefois, si les praticiens souhaitent accepter des étapes qui sont plus particulièrement conçues pour masquer une couche d'oxyde d'indium et-d'étain pendant la conformation du matériau de contact de source/drain, il est alors possible d'utiliser d'autres conducteurs en tant que contacts de métallisation de source/drain 22a et 22b. En particulier, on sait qu'il n'est pas souhaitable de réaliser une gravure humide d'aluminium et d'exposer le matériau ITO d'électrode de pixel à une gravure humide. On notera toutefois qu'un processus de creusement tel que décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique n 104.452 déposée le 5 octobre 1987 et cédée à la demanderesse, intitulée "Array Proccess for a- Si FET With Protective Tab and DIG Structure" permet l'utilisation de sources et de drains en aluminium sous réserve d'un traitement plus complexe. En outre, en ce qui concerne l'information de l'électrode de pixel par conformation du matériau d'oxyde d'indium et d'étain, on sait qu'il existerait un risque élevé de contamination dans la région autour de l'îlot par un matériau conducteur, affectant ainsi de façon néfaste les caractéristiques du dispositif. 263 1743 D'après ce qui précède, on notera que le processus selon la présente invention permet la fabrication facile de structures de transistors et d'électrodes de pixel qui sont tout particulièrement adaptées à être utilisées dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides en panneaux plats de grande surface. Plus particulièrement on voit que le processus et la structure qui en résulte fournissent un isolement notable diélectrique et de traitement chimique entre les matériaux d'électrode de grille et d'électrode de pixel. On voit également que la présente invention accroit notablement le nombre de matériaux différents qui peuvent être utilisés comme matériaux d'électrode de grille et améliore ainsi les caractéristiques d'ensemble de l'affichage, en particulier en ce qui concerne les fonctions de blocage de la lumière. On voit en outre, que la présente invention satisfait tous les objets susmentionnés. Alors que la présente invention a été décrite en détail ici en relation avec certains de ses modes de réalisation particuliers, de nombreuses modifications et variantes pourront être effectuées par l'homme de l'art. BREVENDICATIONS I. Structure de transistors à effet de champ et d'électrodes de pixel destinée à être utilisée dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides, caractérisée en ce qu'elle comprend: une électrode de grille (12) sur un substrat isolant (10); une couche de matériau isolant (14) déposée au-dessus de l'électrode de grille et du substrat; un îlot de silicium amorphe (16) disposé sur le matériau isolant de façon à se trouver au-dessus de l'électrode de grille; - un élément de matériau conducteur transparent (20) disposé sur le matériau isolant au voisinage de l'îlot de silicium amorphe (16); une couche de silicium amorphe dopé (17) disposée sur l'îlot de silicium amorphe, cette couche de silicium amorphe dopé comprenant un vide, ce vide étant disposé au-dessus de l'électrode de grille, ce vide étant également disposé de façon à diviser la couche de silicium amorphe dopé en deux parties distinctes; une première électrode (22a) disposée sur une première des deux parties de silicium amorphe dopé; et une seconde électrode (22b) disposée sur la seconde des parties de silicium amorphe dopé, cette seconde électrode étant également disposée pour être en contact avec la couche conductrice transparente. 2. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le matériau isolant (14) est choisi dans le groupe comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium. 3. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat isolant (10) comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant le verre et la céramique. 263 1 743 4. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que l'électrode de grille (12) comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le titane, l'or, le chrome et le tungstène. 5. Structure selon la revendication 1, caractérisée en ce que le matériau conducteur transparent (20) comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde d'indium et d'étain, l'oxyde d'étain et l'oxyde de titane. 6. Procédé de fabrication de structures de transistors à effet de champ et 'd'électrodes de pixel destinées à être utilisées dans des dispositifs d'affichage à cristaux liquides, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: déposer une électrode de grille (12) sur un substrat isolant (10); disposer une couche de matériau isolant (14) sur l'électrode de grille et le substrat; disposer une couche de silicium amorphe (16), de silicium amorphe dopé (17) et un matériau conducteur (18) , respectivement, sur le matériau isolant; conformer les couches de matériau conducteur, de silicium amorphe dopé et de silicium amorphe de façon à former une structure en îlot au-dessus de l'électrode de grille; disposer un élément (20) de matériau transparent conducteur sur le matériau isolant de façon adjacente à l'ilot; disposer une couche de matériau conducteur (22) au- dessus de l'îlot, du matériau conducteur transparent et du matériau isolant; et conformer le matériau conducteur et le silicium amorphe dopé pour former une paire de contacts (22a, 22b) sur l'îlot, ces contacts étant ainsi disposés sur deux parties séparées de la couche de silicium amorphe dopé qui comprennent également un vide recouvrant l'électrode de grille, l'un des contacts étant en contact électrique avec l'élément conducteur transparent. 7. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau isolant est choisi dans le groupe comprenant le nitrure de silicium et l'oxyde de silicium. 8. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat isolant comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant le verre et la céramique. 9. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'électrode de grille comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant l'aluminium, le titane, l'or, le chrome et le tungstène. 10. Procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le matériau conducteur transparent comprend un matériau choisi dans le groupe comprenant l'oxyde d'indium et d'étain, l'oxyde d'étain et l'oxyde de titane.