Brevet FR2630599A1 — publié le 19891027

La présente invention se rapporte à un dispositif à ondes acoustiques de surface (ayant pour abréviation, dans ce texte, "SAW") à utiliser en communicationssur spectre dispersé (ayant pour abréviation, dans ce texte, "SSC"). Récemment, on a noté SSC en tant que nouveau système de communication. Dans SSC, un élément SAW est important en tant que composant d'un agencement utilisant principalement une fonction.de corrélation dans le récep- teur, c'est-à-dire en tant que composant d'un convolution- neur à SAW. Jusqu'à maintenant, l'introduction d'un décalage biphasé (BPSK) a souvent été utiliséeen tant que système de modulation en SSC. Cependant, on note également, comme système de modulation d'un signal numérique, MSK (intro- duction d'un décalage minimum). En comparaison avec les ondes BPSK, les ondes MSK ont une bande plus étroite par rapport à la même horloge, ont une meilleure concentration d'énergie au lobe principal et ont une meilleure caractéristique hors bande. Plus particulièrement, avec une largeur de bande limitée pour un système, une fréquence d'horloge plus importante est permise pour MSK que pour BPSK, et une perturbation vis- à-vis de canaux adjacents peut être diminuée. Le système MSK présente un problème par le fait que la production d'ondes modulées par MSK est relativement compliquée tandis que les ondes modulées par BPSK sont relativement plus faciles à obtenir. Les propriétés des ondes MSK et des procédés générateurs d'ondes MSK du point de vue montage sont décrits dans: [ Document il " Minimum Shift Keying: Spectrally Efficient Modulation", S. Pasupathy, IEEE Communications Magazine, Juillet 1979, pages 14-22. LDocument 21 Les procédés générateurs de MSK utilisant des éléments SAW sont décrits dans: An Application of SAW Convolvers to High Band- width Spread Spectrum Communications", J.H. Goll, D.C. Malocha, IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, volume MTT29, N 5, Mai 1981, pages 473-483. _Document 31 "Surface-Acoustic-Wave MSK Matched Filter and its Application", Junichi Tominaga, Shibayama, Transac- tions on Electronic Communication Academy, 1985/12, Volume J68-C, N 12, pages 1044-1052. [ Document 4] " SAW Filters for CPSM Spread Spectrum Communica- tions", W.R. Smith, 1977 Ultrasonics Symposium Proceedings, pages 524-528. Selon le Document 1, les ondes MSK peuvent être exprimées par: it S(t) = ai(t)cos()cos2 i fct 2T + a(t)sin(t sin2 r f t 2T c (1) o ai(t): bit de numéro pair d'un code aQ(t): bit de numéro impair du code T: période d'horloge f: fréquence centrale c Le Document 1 enseigne une méthode d'établissement de l'équation (1) par un agencement de circuit et cela nécessite une structure très compliquée. Le Document 2 et le Document 3 enseignent des méthodes qui nécessitent un générateur d'impulsions. De ce point de vue, le Document 4 enseigne une méthode ayant une structure très simple. La théorie du filtre générateur d'ondes MSK (appelé "filtre MSK") du Document 4 sera expliquéeci-dessous, en se référant à la figure 13. Sur la figure 13, E indique un code sur bande de base, T indique une période d'horloge, M indique un mélangeur, F indique une source de signaux à la fréquence centrale fi, B indique un filtre MSK, A indique un substrat piézo-électrique, C indique une entrée d'un filtre MSK (BPSK), T1 indique un transducteur d'entrée, T2 indique un transducteur de sortie, D indique une sortie de filtre MSK et G indique un absorbeur de SAW. L'entrée C du filtre MSK est obtenue en mélangeant le signal E sur bande de base à la période d'horloge T à une sortie de la source F de signaux sinusoïdaux à la fréquence centrale fl' Par suite, le signal d'entrée C se comporte comme une onde BPSK. Le filtre MSK se compose du transducteur d'entrée T1 et du transducteur de sortie T2 que l'on obtient en prévoyant de l'aluminium ou autre métal sur le substrat piézo-électrique fait d'un cristal, de niobate de lithium ou autre matériau. L'absorbeur G de SAW est prévu à chaque extrémité du substrat piézo- électrique pour chaque transducteur d'entrée ou de sortie T1 ou T2 pour absorber les SAW non souhaitées. Le transducteur d'entrée T1 a un nombre suffisam- ment petit de doigts d'électrode afin d'établir une caractéristique sur bande large. Le transducteur de sortie T2 a une largeur de temps d'électrode T et une fréquence centrale f2, et il satisfait à la relation qui suit (voir Document 4): 2 m + 1 c 4 4 T... (2) f2 = f + c 4 T... (3) 1 c - 4 T... (4) (m est un nombre entier positif)-, o f et T sont les mêmes valeurs qu'à l'Equation (1). c Lorsqu'un signal électrique BPSK d'entrée C est introduit dans le filtre MSK, il est converti en une SAW par le transducteur d'entrée T1 et se déplace vers la droite (H). Ainsi, on obtient un signal électrique de sortie D au transducteur de sortie TP. Quand les équations (2), (3) et (4) sont satisfaites, il faut noter que l'onde de sortie D présente l'onde MSK montrée par l'Equation (1). Là, il est important que le transducteur d'entrée T1 ait une caractéristique sur large bande telle que décrite cidessus et que le transducteur de sortie T2 ait la largeur de temps T et la fréquence centrale f2. Etant donné ces caractéristiques, la sortie est la convolution entre l'onde BPSK d'entrée C et le transducteur de sortie T2 et satisfait à l'Equation (1). Comme on l'a décrit, le filtre MSK est avantageux par sa structure simple. Cependant, lorsqu'on utilise une modulation MSK en SSC, le récepteur nécessite un grand espace et un prix supérieur à l'utilisation de BPSK, comme le montre la figure 14,parce qu'on utilise MSK en combinaison avec un convolutionneur à SAW du c6té récepteur. Sur la figure 14, un signal reçu en SSC, marqué par I, a la forme d'une modulation MSK. J indique un convolutionneur à SAW qui est un élément pour effectuer un calcul par convolution entre le signal introduit I et le signal de référence D. Le signal de référence D est une onde modulée par MSK comme le montre la figure 13. En BPSK, le signal introduit I est une onde BPSK, et le signal de référence de la figure 14 peut être BPSK. Par conséquent, le filtre B de MSK de la figure 14 peut être omis. Cependant, MSK nécessite obligatoirement le filtre B de MSK et cela augmente l'espace et le prix. La présente invention a par conséquent pour objet un convolutionneur à SAW à MSK, peu coûteux et à petite échelle. Afin d'atteindre l'objectif, un dispositif à SAW selon un premier mode de réalisation de l'invention comprend un substrat piézo-électrique, un premier trans- ducteur à ondes acoustiques de surface prévu sur ledit substrat piézoélectrique, un second transducteur à ondes acoustiques de surface prévu sur ledit substrat piézo- électrique et ayant une largeur de bande différente de celle du premier transducteur à ondes acoustiques de surface et une électrode formant porte de sortie qui est prévue entre les premier et second transducteurs, et il est caractérisé en ce que le premier transducteur, le second transducteur et l'électrode formant porte de sortie sont agencés en direction de propagation de SAW. Un dispositif à SAW selon un second mode de réali- sation de l'invention comprend, en plus du premier dispositif à SAW, un troisième transducteur à ondes acoustiques de surface qui est prévu sur le substrat piézo-électrique, et est caractérisé en ce que les premier, second et troisième transducteurs ainsi que les électrodes formant portes de sortie sont agencés en direction de propagation de SAW. Un dispositif à SAW selon un troisième mode de réalisation de l'invention comprend trois transducteurs à ondes acoustiques de surface dont un est un transducteur MSK qui est placé au centre. Entre le transducteur MSK et un autre transducteur est disposée une électrode formant porte de sortie pour un convolutionneur à ondes acoustiques de surface. L'électrode formant porte de sortie a la forme du même film en métal que les transducteurs. Deux transducteurs autres que le transducteur MSK sont des trahsducteurs sur large.bande, tandis que le transducteur MSK satisfait aux relations: f f - i 1 4T f2 f + T 2 c 4T 2 m + 1 f ?- C 4T (m est un nombre entier positif) Le transducteur MSK adjacent à l'électrode formant porte de sortie reçoit un signal BPSK dont le code a la période d'horloge T et la fréquence centrale f1 et qui est utilisé en tant que signal de référence d'un convolution- neur. Le transducteur MSK a la largeur de temps T et la fréquence centrale f2 qui satisfont aux conditions ci-dessus indiquées. Dans le premier dispositif à SAW selon l'invention, l'un des transducteurs, par exemple, est un transducteur sur large bande tandis que l'autre est un transducteur MSK qui satisfait à la relation suivante. Au transducteur MSK est appliqué un signal BPSK dont le code a la période d'horloge T et la fréquence centrale f1. La largeur de temps T et la fréquence centrale f2 transducteur MSK sont comme suit: fl -- fc 4 T f. f +1 2 c 4T f 2 m + 1 c 4T (m est un nombre entier positif) Une sortie en convolution entre le signal appliqué au transducteur sur large bande et le signal appliqué au transducteur MSK est obtenue de l'électrode formant porte de sortie. Dans le second dispositif à SAW, le transducteur central, par exemple, parmi trois transducteurs, est un transducteur sur large bande, et l'un des autres satisfait aux relations suivantes: f. f fi - c 4T fc 2 m + 1 o f: fréquence centrale du signal dientrée, f2: fréquence centrale du transducteur, T: période d'horloge m: nombre entier positif, et le restant satisfait aux relations suivantes: f1,.* f, i c- c 4 T' f, 2 m + 1 4 T' f 2m+1 c 4 T' o f1': fréquence centrale du signal d'entrée, f2': fréquence centrale du transducteur, T': période d'horloge, m: nombre entier positif. Le transducteur sur large bande reçoit un signal sur spectre dispersé modulé par MSK, tandis que le trans- ducteur MSK adjacent à l'électrode formant porte de sortie reçoit un signal de référence et une sortie en corrélation entre ces signaux est extraite de la porte de sortie du convolutionneur. Le transducteur sur large bande reçoit un signal BPSK dont le code a la période d'horloge.T' et la fréquence centrale fi'. Le signal BPSK satisfait à. la relation: fil_ f | - 1 4 T' et le signal BPSK introduit est émis par le transducteur MSK qui n'est pas adjacent à l'électrode de porte de sortie du convolutionneur afin de l'utiliser en modulation MSK o le signal est utilisé en tant que signal de transmission. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, on peut également accepter fl 1=fl f2=ú2',T=T' et f =f, c c L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant plusieurs modes de réalisation de l'invention et dans lesquels: - la figure 1 est une vue en plan d'un premier dispositif à SAW selon un premier mode de réalisation de l'invention; - la figure 2 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 pour une structure multicouche; - les figures 3, 4 et 5 sont des vues en plan d'électrodes en forme de peigne qui correspondent à des changements de la période d'horloge; - les figures 6 et 7 sont des vues en plan d'un second dispositif à SAW selon un second mode de réalisation de l'invention; - la figure 8 est une vue en plan expliquant la théorie du dispositif à SAW multicouche; - la-figure 9 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 8; - les figures 10 et 11 sont des vues fragmentaires en plan et en section transversale d'un dispositif à SAW selon un autre mode de réalisation; - la figure 12 est une vue schématique expliquant le fonctionnement d'un troisième dispositif à SAW selon un troisième mode de réalisation de l'invention; g - la figure 13 est une vue schématique d'un disposi- tif à SAW de l'art antérieur; et - la figure 14 donne un schéma-bloc d'un agencement récepteur de SSC. L'invention sera décrite ci-dessous en détail, en se référant aux modes de réalisation préférés illustrés sur les dessins. Ce ne sont que des exemples et l'invention implique diverses modifications et améliorations, sans s'écarter de son cadre. La figure 1 est une vue en plan d'un mode de réalisation d'un premier dispositif à SAW selon un premier mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 1, le symbole I indique un signal MSK à l'entrée d'un convolu- tionneur, N un transducteur d'entrée du convolutionneur, 0 une porte de sortie du convolutionneur, P un transducteur MSK de référence du convolutionneur, L un signal BPSK de référence du convolutionneur, Q un signal de sortie du convolutionneur, M un substrat piézo-électrique, T la largeur de temps du transducteur P, G un absorbeur de SAW, R un convolutionneur MSK, et H1 et H2 les ondes acoustiques de surface qui se déplacent vers la gauche et vers la droite. Les transducteurs N et P de SAWfaits en aluminium ou autre métal,sont prévus sur le substrat piézoélectrique M qui est fait en niobate de lithium, etc. Entre N et P est prévue l'électrode 0 de porte de sortie du convolu- tionneur sous la forme d'une feuille rectangulaire en métal. Les absorbeurs G de SAW sont prévus aux extrémités opposées du substrat piézoélectrique,en dehors des transducteurs N et P par rapport à l'électrode formant porte 0. Ce mode de réalisation fonctionne comme expliqué ci-dessous. Cet agencement effectue, à la base, la même opération qu'un convolutionneur élastique à SAW révélé dans le: [Document 5] "High performance Elastic Convolver With Parabolic Horns ", I. Yao, 1980 Ultrasonics Symposium, pages 37-42 mais il en est différent par les points qui suivent. Dans un convolutionneur élastique, en général, les transistors d'entree sont équivalents aux côtés opposés de la porte. Cependant, sur la figure 1, l'un des trans- ducteurs est le transducteur N sur large bande tandis que l'autre transducteur P a la largeur de temps T. Là, T coïncide avec la période d'horloge du code en SSC. Toute explication donnée ici est dirigée vers un système à séquence directe dans SSC. R sur la figure 1 est un convolutionneur à SAW pour les ondes MSK, et on l'appellera ici "convolutionneur MSK". Le signal d'entrée I vers le convolutionneur MSK R est un signal reçu dans le récepteur SSC et c'est une onde modulée par MSK. Lorsque le signal I est appliqué au transducteur N, cela produit la SAW H2 qui se déplace vers la droite. Comme le transducteur N est le transducteur sur large bande, la SAW H2 est une SAW modulée par MSK. Bien qu'il existe également une SAW H2' qui. se déplace vers la gauche à partir du transducteur N, elle est absorbée par l'absorbeur G. L'autre signal d'entrée L vers le convolutionneur MSK R est appliqué au transducteur P. Le signal d'entrée L est un signal BPSK ayant la période d'horloge T et la fréquence centrale fi' et correspond à C sur la figure 13. Quand le signal L est introduit dans le transducteur P ayant la largeur de temps T, la SAW H1 modulée par MSK montrée par l'Expression (1) se propage vers la gauche par suite de la convolution entre le signal d'entrée L et la largeur de temps T répondant aux impulsions du trans- ducteur P. De même, la SAW H1' qui se déplace vers la droite est absorbée par l'absorbeur G. Il faut noter que le transducteur P a pour fréquence centrale f2 et qu'il satisfait aux Expressions (2), (3) et (4). Par conséquent, le transducteur P est appelé "transducteur MSK". Comme on l'a décrit, les SAW H2 et H1 que l'on peut voir à la figure I sont toutes deux des SAW modulées par MSK, et un signal de convolution est produit sur la porte comme dans le cas du fonctionnement d'un convolution- neur à SAW normal, donc on obtient la-sortie Q. De cette manière, dans le convolutionneur MSK de la figure 1, l'un des transducteurs accomplit la conversion de BPSK à MSK donc on obtient la convolution avec le signal de l'autre transducteur d'entrée. En effet, le convolutionneur MSK R a lés deux fonctions d'un filtre MSK et d'un convolutionneur à SAW. Une grande différence entre la présente invention et le Document 4 et la figure 13 réside dans le point qui suit. Dans le Document 4 etsur la figure 13, une onde MSK est produite en convertissant d'abord une onde BPSK en une SAW par le transducteur T1 et en détectant sub- séquemment la SAW dans le transducteur T2 pour ainsi obtenir un signal électrique de sortie D. Le signal électrique de sortie D-est l'onde MSK. Au contraire, dans la présente invention, l'onde L en BPSK du signal élec- trique est directement introduite dans le transducteur MSK P pour ainsi produire la SAW H1 modulée par MSK. Par conséquent, dans la présente invention, un processus est éliminé dans les conversions d'une quantité électrique à une SAW et inversement en comparaison avec la technique de l'art antérieur,et la perte est réduite en conséquence. Par suite, la portion B du filtre MSK montrée à la figure 14 peut être omise et le convolutionneur MSK de la figure I contribue à une réduction de dimension et à une réduction de prix. Par aill-eurs, comme les transducteurs d'entrée N et P sont différents par leur nombre de doigts d'électrode uniquement et peuvent être des transducteurs d'un type normal ou standard, l'agencement est simple. Bien que l'agencement de la figure 1 ait été expliqué comme étant une structure élastique, cela est également acceptable dans le convolutionneur séparé par le milieu montré au Document 1 et dans un convolutionneur à SAW d'une structure multicouche montré dans: [Document 6] "Efficient ZnO-SiO2-Si Sezawa Wave Convolver", S. Minagawa et al. IEEE Transactions on Sonics and Ultrasonics., Volume SU-32, N 5, 1985, pages 670-674. Le transducteur sur large bande indiqué dans l'explication ci-dessus a une largeur de bande différente du transducteur MSK et a une caractéristique de bande plus large que le transducteur MSK. Dans ce sens, on l'appelle ici "transducteur sur large bande". La figure 2 est une vue en coupe transversale du dispositif de la figure 1 pour une structure multicouche. Une couche piézo-électrique M2 en oxyde de zinc, etc., est prévue sur un substrat semiconducteur M3 en silicium, etc. Sur la couche piézoélectrique M2 sont prévus des transducteurs N et P et une électrode formant porte de sortie 0 sous la forme de films d'aluminium ou autre métal. - Dans le cas d'une structure multicouche, un substrat semiconducteur M d'une surface de silicium (100) avec des directions de propagation de SAW [100] et [110] ou d'une surface en silicium (110) avec une direction de propagation de SAW [100 3 en combinaison avec un film piézo-électrique M2 en oxyde de zinc est utilisé en particulier. Dans cette structure, le coefficient de couplage électromécanique est grand et il est remarquable quand on utilise une onde de Sezawa. Par conséquent, on obtient un dispositif à SAW très efficace. Par ailleurs, une couche isolante faite en bioxyde de silicium, etc., peut être prévue entre le silicium M3 et l'oxyde de zinc M2. L'explication ci-dessus a été donnée comme satisfaisant strictement les expressions (2) à (4). Cependant, ces relations ne doivent pas'nécessairement être strictes mais peuvent être établies approximativement. L'électrode MSK des figures 1 et 2 a la même largeur de. temps que la période d'horloge T du code utilisé ici. Par conséquent, elle ne peut tenir compte des autres périodes d'horloge. Afin de surmonter ce problème, l'électrode MSK peut être partiellement éliminée aux por- tions en pointillé montrées à la figure 3 par un laser, etc., après dépôt de l'électrode MSK afin de changer la largeur d'origine de l'électrode MSK de T0 à To'. La région éliminée A est de préférence une portion d'électrode MSK à l'extrémité de l'élément de la figure 1, telle qu'à l'extrémité proche de l'absorbeur G. La région A qui reste après l'enlèvement de la figure 3 est une portion mal utilisée et une SAWest quelque- fois réfléchie par cette portion. Afin de la supprimer, on peut utiliser l'agencement de la figure 4. Il faut noter ici que le schéma de la figure 4 est prévu sur la structure multicouche de la figure 2. L'utilisation de la structure multicouche a pour but d'utiliser les caractéristiques suivantes. La structure des figures 2 et 4 est à la base une structure MIS (métal- isolant-semiconducteur). Lorsqu'une tension de polarisation est appliquée à une portion de métal de la structure MIS, d'une source de courant continu, la condition de la surface de.silicium est changée, selon la grandeur et la polarité. En effet, elle change pour une condition chargée, d'appauvrissement ou inversée. La perte de propagation de la SAW est fortement changée par la condition de la surface du silicium. En ce qui concerne ce phénomène, on peut se référer au Document 6 ci-dessus et [Document 7] "A Detailed Theory of the Monolithic Zinc Oxide on Silicon Convolver", B.T. Khuri-Yakub, G.S. Kino, IEEE Transactions on Sonics and Ultras.onics, -Volume SU-24, N 1, 1977, pages 34-43. La figure 4 montre un transducteur qui a le même pas que le transducteur MSK de la figure 3. Cependant, il contient une ligne en méandres qui est montrée par des hachures entre les portions supérieure et inférieure en forme de peigne. Comme pour la figure 3, les portions en pointillé et la portion de ligne en méandres sont coupées. Une polarisation est appliquée par une source Z3 de courant continu à la ligne en méandres dans la région inutile A pour augmenter la perte de propagation de SAW, et une polarisation est appliquée d'une source de courant continu Z4 à la région effective (portion droite de la figure 4) pour diminuer la perte de propagation de SAW. De cette manière, la SAW est fortement atténuée dans la région inutile A et la réflexion de la SAW est supprimée. Par ailleurs, une tension de polarisation peut également être appliquée à la portion en forme de peigne. Sur les figures 3 et 4, la largeur de l'électrode MSK est changée en coupant l'électrode au laser, par exemple. Cependant, si les portions découpées sont rempla- cées par des commutateurs à semiconducteurs et sélective- ment commutées, on obtient un dispositif flexible et variable. La figure 5 correspond à la figure 3 et W1 et W2 sont des séries de commutateurs à semiconducteurs. Aux portions coupées de la figure 3, les commutateurs sont mis hors circuit et les autres portions correspondent à la condition en circuit. Par ailleurs, il est évident que la figure 4 peut également être agencée par des séries similaires de commutateurs à semiconducteurs. Dans ce mode de réalisation, comme la largeur de temps de l'électrode MSK peut être changée, il est possible de changer la période d'horloge du code qui y est utilisé. Par conséquent, on établit Un convolutionneur MSK flexible. La figure 6 est une vue en plan d'un mode de réalisation d'un second dispositif à SAW selon un second mode de réalisation de l'invention. Sur la figure 6, les mêmes chiffres de référence ou symboles que ceux de la figure 1 désignent des portions identiques ou équivalentes. S indique un transducteur MSK similaire au transducteur P et X indique un signal à la sortie du transducteur S. Le fonctionnement dan's le cas de l'absence du transducteur S est identique à celui du dispositif de la figure 1.. Le fonctionnement dans le cas de la présence du transducteur S sera expliqué ci-dessous. Le transducteur S est similaire par sa configura- tion au transducteur'P MSK décrit précédemment, mais c'est un transducteur de MSK ayant la largeur de temps T' et la fréquence centrale f2'- Le transducteur S, comme le montre la figure 6, est en aluminium ou autre métal sur le substrat piézo-électrique M, comme les transducteurs N et P et la porte de sortie 0. Par ailleurs, le trans- ducteur S est placé à la portion opposée par rapport à la porte de sortie 0 relativement au transducteur N. Le transducteur S de MSK est utilisé comme expliqué - ci-dessous. Sur la figure 6, comme le transducteur N est un transducteur sur large bande tandis que le transducteur S est un transducteur MSK, ils forment par leur forme, le filtre MSK de la figure 13. Par conséquent, un signal d'entrée I vers le transducteur N de la figure 6 correspond au signal BPSK montré en C sur la figure 13 et un signal de sortie X du transducteur S correspond à la sortie D de MSK de la figure 13. Par conséquent, il est possible de faire fonctionner une paire de transducteurs N et S en tant que filtre MSK qui produit une onde MSK. Cependant, l'onde MSK S(t),à ce moment a les relations suivantes qui sont dérivées des Expressions (1) à (4): S(t) = ai(t)cos( et)cos2rrf c,t 2T' C + aQ(t)sin( 1-rt)sin2rYfc,t 2 T' 5...... (5) f2 = f' +..... (6) f1 f...... (7) 4 T' f 1 ca 4 t' *-- 7 2 m' + 1 c 4 T'.. .. (8) (m' est un nombre entier positif) o T' est la période d'horloge du code sur bande de base..DTD: et est égale à la largeur du temps du transducteur MSK. Par conséquent, la construction de la figure 6 fonctionne comme un convolutionneur MSK comme on l'a expliqué pour le premier mode de réalisation, et en consi- dérant le transducteur S expliqué ci-dessus, il fonctionne comme un filtre MSK pouvant générer une onde MSK. L'utilisation des fonctions permet l'opération suivante. Sur la figure 7, un convolutionneur MSK R est identique à la figure 6, I' indique un signal reçu en SSC et V désigne un code à mettre en corrélation avec le signal reçu I'. W désigne un commutateur et quand il est à la position a, il permet à un signal reçu d'entrer dans le transducteur N et il permet à une onde BPSK de référence L d'entrer dans le transducteur P. Par suite, un signal en convolution Q est obtenu à la porte de sortie 0. En effet, il fonctionne comme un convolutionneur MSK. Quand le commutateur W est à une position b, une onde BPSK L',utilisant un code de transmission, est introduite dans le transducteur N et une onde MSK X montrée par les Expressions (5) à (8) est obtenue du transducteur S. Le signal MSK X est transmis subséquemment. - En effet, le dispositif peut fonctionner non seulement en tant que récepteur utilisant le convolution- neur MSK mais également en tant que transmetteur modulé par MSK. Quand l'onde MSK reçue et l'onde MSK du trans- metteur sont identiques (le type de code peut être différent), U, M, V, f1 et f1' sur le dessin sont identiques. Cela signifie qu'un seul système suffit. L'explication ci-dessus a été donnée comme satisfaisant strictement aux Expressions (2) à (4) et (5) à (8)'. Cependant, ces relations ne doivent pas être nécessairement strictes mais peuvent être établies approximativement. La structure de la figure 6 a été expliquée comme étant une structure élastique. Cependant, ce mode de réalisation est également efficace dans le convolutionneur séparé par le milieu qui est montré dans le Document 1 et dans le convolutionneur à SAW multicouche montré au Document 6. Sur la figure 6, les signaux requis lors d'un fonctionnement en tant que convolutionneur, par exemple, sont les SAW H1 et H2. Dans l'explication qui précède, la SAW H2' se déplaçant vers la gauche, du transducteur N, a été expliquée comme étant absorbée par l'absorbeur G. Cependant, comme le transducteur S existe entre le transducteur N et l'absorbeur G, la SAW H2' se déplaçant vers la gauche est partiellement réfléchie par le trans- ducteur S et se propage de nouveau vers la droite. Comme cette composante de SAW se déplace également vers la porte de sortie 0, comme le fait la SAW H2, c'est une 2' onde non souhaitée. De même, en modulation MSK, les transducteurs nécessaires sont N et S. Lorsqu'un signal BPSK I est introduit dans le transducteur N, la SAW effective est H2 qui se propage vers la gauche. Une SAW H2 se déplaçant du transducteur N vers la droite existe également et elle est réfléchie par le transduc- teur P et retourne vers la gauche. Comme la composante se propage vers le transducteur S, c'est également une onde non souhaitée. Un moyen pour supprimer une telle onde non souhaitée est expliqué cidessous. La structure multicouche montrée par le Document 6 est efficace en tant que ce moyen, et sa théorie sera expliquée en se référant aux figures 8 et 9. La figure 8 est une vue en plan et la figure 9 est une vue en coupe transversale. Comme le montre la figure 9, une couche piézoélectrique M2 faite en oxyde zinc ou autre matériau' est prévue sur un substrat semiconducteur M3 fait en silicium,etc. Comme à la figure 6, les transducteurs S, N et P, la porte de sortie 0 ainsi que l'élec- trode de commande Y sont tous en métal et sont prévus sur la couche piézoélectrique M2. Le dispositif de la figure 8 est différent de celui de l1a figure 6 par l'utilisation de l'électrode rectangulaire de commande Y entre les transducteurs S et N. Comme le montre la figure 9, l'agencement juste en'dessous des électrodes 0 et Y forme une structure MIS (métal-isolant-semiconducteur). L'électrode de commande Y est connectée à une source externe de courant continu Z1. La porte de sortie 0 est connectée à une source de courant continu Z2 via une inductance L1 coupant le courant alternatif, et une C1 sortie en convolution Q est obtenue par un condensateur C coupant le courant continu. Quand une polarisation est appliquée à l'électrode de commande Y, de la zource Z1 de courant continu, la condition de surface du silicium M3 change pour une condition chargée, d'appauvrissement ou inversée, selon la tension de polarisation. La perte de propagation de SAW varie fortement avec la condition de surface du silicium (en ce qui concerne ce phénomène, voir Document 6 et Document 7). Afin d'activer le dispositif de la figure 8 en tant que convolutionneur, par exemple, comme l'on n'utilise toujours pas la SAW H2' se propageant vers la gauche à partir du transducteur N, la perte de propagation de la SAW H2' est accrue par application d'une polarisation de la source Z1 à l'électrode de commande Y. Par conséquent, la composante de la SAW H2' qui arrive au transducteur S est très petite et la composante qui est réfléchie vers la droite par le transducteur S est très petite en conséquence. Par suite, le problème concernant l'onde non souhaitée ci-dessus mentionnée est fortement diminué. Cela s'applique également à. la modulation MSK, c'est-à-dire O10 que les ondes non souhaitées peuvent être fortement suppri- mées par application d'une polarisation de la source Z à l'électrode de sortie 0 et en augmentant la perte de propagation dans la région du convolutionneur. Sur la figure 9, le contrôle de la condition de surface du silicium M3 est effectué via l'électrode prévue sur la couche piézo-électrique M2. Cependant, le moyen pour changer la condition de surface n'est pas limité à celui-ci. Par exemple, comme le montre les figures 10 et 11, une couche isolante M4 faite de bioxyde de silicium etc., est prévue sur le substrat en silicium M3 et une couche de métal Y', sous la forme de bandes,est prévue sur la couche isolante M 4. Par ailleurs, la couche piézoélectrique M2 est prévue sur celles-ci. Comme Y', M4 et M3 forment également une structure MIS, un effet similaire est obtenu. L'agencement du transducteur de la figure 7 comprend un transducteur sur large bande et deux transducteurs MSK. Bien que le type du-code de transmission et le type du code de l'onde MSK reçue mentionnésdans l'explication de la figure 7 soient différents, un seul transducteur MSK est acceptable si les autres conditions sont inchangées. Dans ce cas, un mode de réalisation d'un dispositif SAW selon le troisième mode de réalisation de l'invention et montré à la figure 12 est efficace. Plus particulière- ment, comme le montre la figure 12, le même effet ou un effet similaire est obtenu dans un agencement comprenant deux transducteurs N-et N' sur large bande et un transducteur MSK P et o le transducteur N sur large bande, la porte de sortie du convolutionneur 0, le transducteur MSK P et le transducteur N' sur large bande sont agencés en séquence le long de la direction de propagation de SAW. Il faut noter que le transducteur MSK P doit satisfaire aux expressions (2), (3) et (4). Sur la figure 12, I indique un signal reçu et V indique un code ayant la période d'horloge T à mettre en corrélation avec le signal reçu I. Le code V est appliqué au transducteur MSK P en tant que signal PBSK. En réponse, une sortie en corrélation entre les SAW H et H est 1 H2 produite à la porte de sortie du convolutionneur 0 et on obtient Q en tant que sortie. Lorsqu'on utilise le dispositif pour la transmission, V est un code à transmettre. Il est converti en SAW H ' par le transducteur MSK P et une onde MSK X est obtenue du transducteur N' sur large bande et est transmise à un récepteur. Dans l'explication qui précède, les filtres, amplificateurs, antennes etc. sont omis aussi bien dans les agencements émetteurs ou transmetteurs que récepteurs. Comme on l'a décrit ci-dessus, selon l'invention, on obtient un convolutionneur à SAW en MSK qui est de petite échelle et peu coûteux. R E V E N D I C A T I 0 N S- REVENDICATIONS- 1.- Dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat piézo-électrique; un premier transducteur d'ondes acoustiques de surface (N) prévu sur ledit substrat piézo-électrique; un second transducteur d'ondes acoustiques de surface (P) prévu sur ledit substrat piézo-électrique et ayant une largeur de bande qui diffère de celle dudit premier transducteur; et une électrode formant porte de sortie (0) qui est prévue entre les premier et second transducteurs, lesdits premier et second transducteurs et ladite électrode formant porte de sortie étant disposés le long d'une direction de propagation de l'onde acoustique de surface. 2.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'un desdits premier et second transducteurs est un transducteur sur bande large (N) et l'autre est un transducteur MSK (P) et en ce qu'un signal dont le code a pour pér-iode d'horloge T et pour fréquence centrale f1 est introduit, ledit transducteur MSK ayant une largeur de temps sensiblement égale à ladite période d'horloge T et ayant une fréquence centrale f2 satisfaisant à f f - i 2fl fc 4T f f + 1 2 fc +4 T f 2m+1 4T o m nombre entier positif. 3.- Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat piézo-électrique consiste en un substrat semiconducteur (M3) et une couche piézo-électrique (M2) prévue sur ledit substrat semi- conducteur. 4.- Dispositif à ondes acoustiques de surface caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat piézo-électrique; un premier transducteur à ondes acoustiques de surface (N) qui est prévu sur ledit substrat piézo- électrique; un second transducteur à ondes acoustiques de surface (T) prévu sur ledit substrat piézo-électrique et ayant une largeur de bande différente de celle dudit premier transducteur; une électrode formant porte de sortie (0) prévue entre lesdits premier et second transducteurs; et un troisième transducteur (S) à ondes acoustiques de surface prévu sur ledit substrat piézo-électrique, lesdits premier, second et troisième transducteurs et ladite électrode formant porte-de sortie étant disposés le long d'une direction de propagation de l'onde acoustique de surface. 5.- Dispositif selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'un (N) desdits trois transducteurs qui se trouve au centre est un transducteur sur bande large, l'un desdits autres transducteurs adjacent à ladite électrode formant porte de sortie (0) est un transducteur MSK o un signal BPSK ayant pour période d'horloge. de code Tet pour fréquence centrale f1 est introduit et qui a une largeur de temps sensiblement égale à ladite période d'horloge T et a une fréquence centrale f2 satisfaisant à: fl - fc 4 T f f +c7 f2 "'f 4 41 f 2 m + 1 c 4 T o m nombre entier positif, le transducteur restant étant un transducteur MSK qui a une largeur de temps sensiblement égale à la période d'horloge T' et a une fréquence centrale f2' satisfaisant à: 2' f' + - 21 T' g.*f, 2 m' + 1 c -4 T' o m':nombre entier positif. 6.- Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le transducteur sur large bande (N) reçoit un signal à spectre dispersé modulé par MSK,ledit transducteur MSK adjacent à ladite électrode formant porte de sortie (0) recevant un signal de référence de manière qu'une sortie en corrélation entre lesdits deux signaux soit extraite de la porte de sortie du convolutionneur. 7.- Dispositif selon la revendication 5, caractérisé en ce que le transducteur sur large bande (N) reçoit un signal BPSK dont le code a pour période d'horloge T' et pour fréquence centrale f1', ledit signal BPSK satisfaisant à: fi f ' c 4 T' et ledit signal BPSK introduit étant émis par ledit trans- ducteur MSK qui n'est pas adjacent à ladite porte de sortie du convolutionneur et utilisé pour une modulation MSK en l'utilisant en tant que signal de transmission. 8.- Dispositif selon l'une quelconque des revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que fl = fil f2 = f2I T =T' f f c c 9.- dispositif à ondes acoustiques de surface, caractérisé en ce qu'il comprend: trois transducteurs à ondes acoustiques de surface, l'un desdits transducteurs étant un transducteur MSK (P) placé au centre; une électrode de porte de sortie de convolutionneur (0) d'ondes acoustiques disposée entre ledit transducteur MSK (P) et l'un des autres transducteurs-et faite d'une couche de métal, les deux autres transducteurs parmi les trois transducteurs,autres que ledit transducteur MSK,étant des transducteurs sur large bande, ledit transducteur MSK satisfaisant à: fi f 4T fl c 4T f2 c f + 1 c 4 T f 2 m + 1 c 4 4T (m est un nombre entier positif) et recevant un signal 8PSK, ledit signal BPSK consistant en un code ayant la période d'horloge T et la fréquence centrale f1 et utilisé comme signal de référence d'un convolutionneur, ledit transducteur MSK ayant une largeur de temps T et une fréquence centrale f2 satisfaisant aux relations indiquées ci-dessus. 10.- Dispositif selon l'une quelconque des - revendications 5 ou 9, caractérisé en ce qu'il a la forme d'une structure multicouche o une couche piézo-électrique (M2) est prévue sur un substrat semiconducteur (M3-) et des transducteurs et une électrode formant porte de sortie sous la forme de couches de métal sont prévus sur ladite couche piézo-électrique.