Brevet FR2629268A1 — publié le 19890929

La présente invention concerne des panneaux d'af- fichage d'images et'un procédé pour fabriquer de tels pan- neaux, et plus particulièrement des panneaux d'affichage d'ima- ges, notamment des panneaux d'écransde tubes cathodiques, dont les surfaces avant possèdent des propriétés antistatiques amé- liorées et, dans le cas o cela est nécessaire, sont recou- vertes de pellicules mieux appropriées pour réduire la réfle- xion d'une lumière extérieure, et un procédé pour fabriquer de tels panneaux. On utilise des plaques de base transparentes réa- liséesen verre ou analogues, pour fabriquer des panneaux d'af- fichage d'images, tels que représentés par les plaques de tu- bes cathodiques et de dispositifs d'affichage à cristal liqui- de. Il est souhaitable d'empêcher que ces panneaux d'afficha- ge d'images soient électrisés, c'est-à-dire chargés par une électricité, et d'empêcher qu'ils réfléchissent la lumière extérieure. En vue d'empêcher l'électrisation, l'utilisation répandue de tubes cathodiques protégés contre des risques d'ex- plosion, à laquelle on a assisté ces dernières années, a ren- du inutile l'utilisation de verres frontaux protecteurs pour les récepteurs de télévision pour d'autres dispositifs d'af- fichage et c'est pourquoi les parties frontales des tubes ca- thodiques sont nues. Cette disposition a eu comme conséquence le fait qu'une personne touchant directement à la partie avant (le panneau) du tube cathodique est fortement choquée par la charge électrostatique à haute tension présente sur la surfa- ce du panneau. En outre la surface électrisée du panneau ab- sorbe des impuretés atmosphériques ou la poussière, qui s'ac- cumule et salissent la surface du panneau. Ceci pose de façon accrue le problème consistant en ce que des images formées sur le panneau sont difficiles à voir. En considérant à titre d'exemple un tube cathodique (un tube deBraun en couleurs ou un tube de Braun d'affichage), on va expliquer la cause de l'électrisation. Comme représenté sur la figure 4 des des- sins annexés à la présente demande, une pellicule d'aluminium 4 possédant une épaisseur uniforme est déposée au moyen d'un dépôt en phase vapeur sur un revêtement de substance lumines- cente 3 déposée sur la paroi intérieure du panneau de verre 7 du tube cathodique 1. Lorsqu'on branche ou on débranche l'alimentation en énergie envoyée au tube cathodique, une hau- te tension positive est appliquée à la pellicule d'aluminium 4 ou en est supprimée. Des charges électriques s'opposant à cette haute tension appliquée à la pellicule intérieure en aluminium, se développent, c'est-à-dire qu'une induction élec- trostatique produit une charge électrique sur la paroi exté- rieure du panneau 7. D'autre part les surfaces extérieures des panneaux (panneaux d'affichage d'images) de tubesde Braun sont brillan- tes et sont susceptibles de réfléchir fortement une lumière extérieure, ce qui rend difficile l'observation d'images for- mées sur les panneaux. Récemment on a utilisé dans une large mesure notamment des dispositifs d'affichage comprenant dif- férents tubes cathodiques, en dehors de récepteurs de télé- vision, en tant que terminaux de machines et de dispositifs de transmission d'informations. C'est pourquoi le problème de cette réflexion d'une lumière extérieure s'est fortement accru dans le domaine des terminaux à affichage dits VDT (abré- viation de l'expression anglaise: visual disklay terminal). C'est pour de telles raisons qu'on a assisté à une demande très forte de pellicules antireflet C'est pourquoi il existe une très forte demande de panneaux d'affichage d'images possédant un rôle d'inhibi- tion des réflexions d'une lumière extérieure, et notamment des fonctions d'inhibition à la fois des réflexions et de l'électrisation. Pour empêcher l'électrisation des faces de pan- neaux d'affichage d'images, on connaît le procédé consistant à former des revêtements transparents électroconducteurs sur les surfaces avant de tubes de Braun dans des récepteurs de télévision et dans différents dispositifs d'affichage de ter- minaux et à raccorder ces revêtements à la masse, le procédé (demande de brevet japonais mise à l'inspection publique sous le N 61-1189321 consistant à utiliser l'humidité présente dans l'air, c'est-à-dire le procédé consistant à laisser subsister de petites quantités de groupes hydroxy dans des chaînes (ou réseaux) Si-O-Si, formés à partir de l'hydrolyse de-l'alkoxy- silane, sur les faces des panneaux; ainsi la nature hydros- copique des groupes hydroxy abaisse la résistance électrique des surfaces du verre des panneaux à des niveaux compris en- tre 109 et 101 ohms, et le procédé (demande de brevet japo- nais mise à l'inspection publique sous le N 61-118932) consis- tant à arrêter en route la décomposition d'un alkoxy de sili- cium, comme par exemple du silicate d'éthyle, appliqué sur les faces des panneaux, ce qui laisse subsister certains grou- pes silanol (-Si-OH) dans la structure Si-O-Si du siloxane. Pour la formation de pellicules électroconductri- ces transparentes, on connaît par exemple un procédé, tel que décrit dans le brevet publié au Japon sous le N 49- 24211, consistant à appliquer une solution électroconductrice au moyen d'une enduction par projection et d'une combustion des revêtements à 450 C de manière à former des pellicules conductrices transparentes, ce procédé consistant à former de telles pellicules par dépôt sous vide ou pulvérisation, et le procédé du type indiqué dans les demandes de brevets japonais mises à l'inspection publique sous le N 62-154540 et 62-116436, pour former des pellicules conductrices trans- parentes ou des fils conducteurs extrafins sous la forme de bandes ou de filets. Pour empêcher la réflexion d'une lumière extérieu- re par les facesdes panneaux,on connaît par exemple le procé- dé consistant à former ce qu'on appelle des "télépanneaux" recouverts par des pellicules antireflet formées de couches multiples (couches AR), à déposer en phase vapeur ces télépanneaux et à les coller sur la face des panneaux, et le procédé consistant à projeter, sur les faces des panneaux, une solution alcoolique de Si(OR)4 (R1 est un alkyle), avec la mise en oeuvre d'une combustion ultérieure pour former des revêtements comportant de très petites parties saillantes for- mées de particules de SiO2. En outre des panneaux classiques ne fournissant aucune réflexion de la lumière extérieure incluent par exem- ple des panneaux de verre, dont on corrode les surfaces à l'ai- de d'acide silicofluorhydrique (H2SiF6) de manière à former des parties saillantes ou des renfoncements d'une hauteur ou profondeur comprise entre 5 et 3000 nm et répartis à un pas compris entre 10 et 2000 nm, ce qui permet d'obtenir une fonc- tion d'inhibition des réflexions (brevet US N 2 490 662), et des panneaux de verre, sur les surfaces desquels on projette une solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4 et que l'on soumet ensuite à une combustion de manière à former des revê- tements de SiO2 comportant de fines parties saillantes ou de fins renfoncements (demande de brevet japonais mise à l'ins- pection publique sous le N 61-118932). Le procédé consistant à utiliser l'humidité atmos- phérique pour empêcher l'électrisation est efficace dans des régions o l'humidité est relativement élevée, mais ne four- nit aucun effet antistatique dans des régions o l'humidité est faible. En outre, on ne peut pas accroître la température de fixation de la pellicule au-dessus de 80 C étant donné que certains groupes silanol (-SiOH) doivent subsister dans la structure de là pellicule (à des températures supérieures, tous les groupes silanol sont convertis de manière à former la structure siloxane Si-O-SiO). Les pellicules de revêtement formées à de telles températures basses présentent de très faibles résistances mécaniques et s'écaillent graduellement lorsque l'on frotte avec un tissu. Les procédés utilisant un dép6t en phase vapeur ne conviennent pas pour la fabrication en grandes séries, étant donné qu'ils requièrent en général un dispositif de très grandes dimensions pour le dépôt sous vide, la pulvérisation, le dépôt CVD (dépôt chimique en phase vapeur) ou analogue, et requièrent un traitement sous vide. En outre avec ces pro- cédés il se pose des problèmes importants du point de vue du coût de fabrication ainsi que du point de vue de l'accrois- sement du rendement de fabrication. Le procédé mentionné plus haut consistant à former des pellicules conductrices transpa- rentes sous la forme de bandes requiert un plus grand nombre d'étapes opératoires, ce qui implique des coûts élevés de fa- brication. La formation de fils conducteurs extrafins sous la forme de bandes pose de nombreux problèmes du point de vue du coût de fabrication et de la performance des produits ob- tenus. Conformément au procédé pour obtenir par corrosion une fonction d'inhibition des réflexions, la corrosion laisse subsister un dépôt sur la surface traitée, et la surface cor- rodée, qui est endommagée du point de vue chimique, présente une faible résistance à l'abrasion, c'est-à-dire qu'un frotte- ment sur la surface corrodée élimine aisément des parties sail- lantes de cette surface, ce qui réduit de façon remarquable l'effet d'inhibition des réflexions. Conformément au procédé consistant à projeter une solution alcoolique de Si(OR1)4, des particules projetées de liquide se déposent selon une couche plus mince en direction du centre de la face du panneau de verre cible, c'est-à-dire avec une épaisseur plus importante en direction du pourtour. C'est pourquoi il est difficile d'obtenir une épaisseur uni- forme sur l'ensemble de la surface du verre. Ceci pose le pro- blème consistant en ce que de tels panneaux affichent des ima- ges avec de faibles degrés de résolution. Conformément au procédé consistant à pulvériser une solution alcoolique de Si(OR1)4 directement sur les faces des panneaux de tubes cathodiques, moyennant la mise en oeu- vre d'une combustion ultérieure pour former des revêtements en SiO2 comportant de très petites parties saillantes ou de très petits renfoncements, il est possible d'obtenir un effet antireflet suffisant, et les coûts de fabrication sont fai- bles, mais la combustion visant à renforcer les revêtements réduit la teneur en groupes hydroxy et par conséquent accroît les résistivités de surface. C'est pourquoi on ne peut pas obtenir l'effet antistatique recherché. Conformément au procédé consistant à coller des télépanneaux comportant des revêtements antireflets au moyen d'un dépôt en phase vapeur, on peut obtenir un excellent ren- dement d'inhibition des réflexions, mais on ne peut pas obte- nir l'effet antistatique étant donné que les revêtements anti- reflets sont constitués par un isolant, et en outre le coût de fabrication est élevé. Un but de la présente invention est de fournir. des panneaux d'affichage d'images présentant une meilleure caractéristique antistatique. Un autre but de l'invention est de fournir un pro- cédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images présen- tant une caractéristique antistatique supérieure. Un autre but de l'invention est de fournir des panneaux d'affichage d'images, présentant à la fois une carac- téristique antistatique supérieure et une caractéristique su- périeure d'inhibition des réflexions. Un autre but de la présente invention est de four- nir un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'ima- ges présentant une caractéristique antistatique supérieure et une caractéristique supérieure d'inhibition des réflexions. Selon un premier aspect, l'invention concerne un panneau d'affichage d'images, notamment un panneau de tube cathodique, comportant un revêtement antistatique formé sur la surface extérieure du panneau par application d'une sus- pension d'au moins l'un des oxydes: oxyde d'étain, oxyde d'indium et oxyde d'antimoine, dans une solution alcoolique d'alkoxysilane [Si(OR14, R1 étant un alkyle] sur la surface avant d'un panneau d'affichage d'images, puis application d'un traitement thermique à des températures relativement bas- ses, au panneau d'affichage. Selon un second aspect, la présente invention con- cerne un panneau d'affichage d'images, notamment un panneau de tube cathodique, dont la surface extérieure est recouverte par une pellicule présentant à la fois la caractéristique an- tistatique et la caractéristique d'inhibition des réflexions. Selon un troisième aspect, l'invention concerne un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images, notamment des tubes cathodiques, qui consiste à appliquer une suspension d'au moins l'un des oxydes: oxyde d'étain, oxy- de d'indium et oxyde d'antimoine, dans une solution alcooli- que d'alkoxysilane sur la surface avant d'un panneau d'affi- chage d'images, en particulier le panneau d'un tube cathodi- que, et à soumettre le panneau ainsi enduit à un traitement thermique à des températures relativement faibles pour former une pellicule antistatique. Selon un quatrième aspect, l'invention concerne un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images, notamment des tubes cathodiques, dont les surfaces extérieu- res sont recouvertes par des pellicules ayant à la fois une caractéristique antistatique et une caractéristique d'inhibi- tion à des réflexions. D'autres caractéristiques et avantages de la pré- sente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1 est un dessin montrant une forme de réalisation de l'invention; - la figure 2 représente une vue en coupe partiel- le schématique d'une forme de réalisation de l'invention; - les figures 3(a) et 3(b) représentent respecti- vement une vue en coupe partielle d'un tube cathodique, mon- trant schématiquement une forme de réalisation de l'invention, et une vue en coupe à plus grande échelle montrant le revê- tement électroconducteur sous-jacent et le revêtement d'inhi- bition des réflexions du tube cathodique; - la figure 4, dont il a déjà été fait mention, est une vue en coupe partielle schématique permettant d'expli- quer l'électrisation du-panneau d'un tube cathodique; - la figure 5 représente une illustration permet- tant d'expliquer le principe de l'inhibition des réflexions de la lumière; - la figure 6 représente une vue en coupe à plus grande échelle d'un élément de surface, le plus extérieur, d'un revêtement d'inhibition des réflexions, cette vue mon- trant schématiquement une autre forme de réalisation de l'in- vention; - les figurs 7(a) et 7(b) représentent respective- ment, comme les figures 3(a) et 3(b), une vue en coupe par- tielle d'un tube cathodique et une vue en coupe à plus grande échelle du revêtement d'inhibition des réflexions du tube ca- thodique; - la figure 8 représente un graphique montrant les caractéristiques de décroissance de la charge électrique, c'est-à-dire les courbes de décroissance de la charge électri- que, de tubes de Braun, obtenus conformément à l'exemple 1 de la présente description; - la figure 9 représente un graphique servant à illustrer l'effet antistatique de la pellicule de revêtement obtenue dans l'exemple 2; - la figure 10 représente un graphique montrant les résultats de la mesure de coefficients de réflexion d'un revêtement d'inhibition des réflexions, qui constitue une for- me de réalisation de l'invention, comparativement aux résul- tats de la mesure des coefficients de réflexion dans le cas d'un revêtement classique; et - la figure 11 est un graphique montrant les ef- fets antistatiques d'un revêtement électroconducteur, qui est une forme de réalisation de la présente invention, comparati- vement à l'effet antistatique fourni par un revêtement clas- sique. Ci-après on va indiquer ce que désigne les réf é- rences portées sur les dessins: 1... Tube cathodique 2... Revêtement antistatique (ou revêtement conducteur transparent) 2'... Couche conductrice sous-jacente 3... Substance luminescente 4... Pellicule d'aluminium 6... Couche d'inhibition des réflexions 6a.....Fines particules de SiO2 6b... Pellicule mince de SiO2 7... Panneau 8... Revêtement antiréfléchissant 9... Bande auxiliaire 14... Courbe pour le tube de Braun selon la présente invention 15... Courbe pour un tube de Braun non traité 16... Courbe pour le tube de Braun traité uniquement avec de l'éthylsiloxane 17... Courbe relative au revêtement antistatique selon la présente invnetion 18... Courbe relative à un revêtement classique. La présente invention concerne un panneau d'affi- chage d'images comportant une pellicule antistatique formée sur la surface avant dudit panneau et constitué par une pel- licule d'un revêtement électroconducteur transparent formé par un matériau en forme de pellicule mince en SiO2 appliquée fermement sur ladite surface avant; ladite pellicule contient des particules contenant au moins un composé sélectionné par- mi des oxydes métalliques électroconducteurs et des sels mé- talliques hydroscopiques, et un procédé pour fabriquer de tels panneaux d'affichage d'images. Dans ce cas, la pellicule de SiO2 peut être formée d'une couche ou de deux couches. Ce revêtement peut posséder un rôle d'inhibition de réflexion de la lumière extérieure (désigné ci-après de façon abrégée sous le terme de fonction d'inhibition des réflexions), outre le fait d'être transpa- rent et électriquement conducteur. Ce type de revêtement peut être formé soit par une seule couche constituée par un élé- ment transparent et électroconducteur et un élément ayant une fonction d'inhibition des réflexions, soit par une structure & deux couches, formée par une couche sous-jacente transpa- rente et électriquement conductrice et une couche surjacente possédant une fonction d'inhibition des réflexions. C'est pourquoi on peut classer grossièrement le panneau d'affichage d'images selon l'invention en deux types. Un type de panneau, qui correspond au premier aspect de la présente invention, comprend une couche antistatique consti- tuée essentiellement par une pellicule de revêtement transpa- rent électroconducteur. Ce type de panneau est monté essen- tiellement sur des tubes cathodiques. L'autre type de panneau, qui correspond au second aspect de l'invention, comporte une couche antistatique ou une pellicule de revêtement ayant à la fois une fonction antistatique et une fonction d'inhibi- tion des réflexions (fonction désignée ci-après sous le terme de fonction antireflet). Le type de panneaux inclut les panneaux comportant une couche antistatique ayant à la fois une fonction antistatique et une fonction d'inhibition des réflexions. De tels panneaux sont adaptables, en particulier, à des panneaux d'affichage à cristal liquide et analogues, pour lesquels on n'exige pas particulièrement qu'ils présen- tent des caractéristiques antistatiques accusées. Le troisiè- me aspect concerne un procédé pour fabriquer des panneaux d'af- fichage d'images selon le premier aspect, et le quatrième as- pect concerne un procédé pour fabriquer des panneaux selon le second aspect. En premier lieu, on va décrire des panneaux d'af- fichage d'images selon le premier aspect. Un composant essen- tiel de ce type de panneau est un oxyde métallique électro- conducteur. Le recouvrement de cette couche d'oxyde métalli- que par la pellicule de SiO2 fournit le panneau d'affichage d'images recherché. Ci-après on va décrire ce premier aspect de façon plus détaillée. Le panneau d'affichage selon un premier aspect de la présente invention comprend une pellicule mince de SiO2 antistatique formée sur la surface avant dudit panneau, et ladite pellicule contenant de fines particules d'au moins un oxyde métallique tel que SnO2,In203,Sb203 et analogue. On peut obtenir le premier aspect de l'invention en mettant en suspension de fines particules d'oxyde d'étain (SnO2), d'oxyde d'indium (In203), d'oxyde d'antimoine (Sb203) ou un mélange de ces oxydes métalliques (les particules elles- mêmes étant transparentes et électroconductrices) dans une solution alcoolique d'alkoxysilane [Si(OR1)4;R1 est un alkyle], en appliquant cette suspension au moyen d'un dépôt par cen- trifugation sur les surfaces avant des panneaux de tubes de Braun et analogues, et enappliquantensuite un traitement ther- mique aux revêtements à des températures atteignant jusqu'à C, de manière à former des pellicules de revêtement anti- statiquestransparentes et électroconductrices. Le panneau d'affichage selon le premier aspect peut être aisément fabriqué étant donné qu'il est possible d'obtenir des effets suffisants en utilisant de fines parti- cules en soi transparentes et électroconductrices, avec un traitement thermique à une température atteignant jusqu'à 200 C, sans nécessiter une température aussi élevée qu'environ 500 C, qui est nécessaire, dans le procédé d'enduction d'un liquide, pour un composé métallique organique. Les particules indiquées plus haut, qui possèdent des tailles atteignant jusqu'à quelques centaines de nanomè- tres, sont pratiquement invisibles à l'oeil humain et ne dis- persentpas de façon notable la lumière et par conséquent for- ment une pellicule très transparente. Le matériau reliant ces particules entre elles et le Si(0R1)4, qui, lorsqu'on le chauf- * fe à 200 C pendant 30 minutes, adhère au verre avec une force suffisamment intense et agit en tant que liant pour consoli- der fermement ces particules transparentes conductrices, ce qui permet d'obtenir une pellicule possédant une résistance accrue. En fonction des matériaux qui constituent la pel- licule conductrice transparente, l'épaisseur de cette derniè- re atteint jusqu'à 200 nm et est comprise de préférence entre 5 et 50 nm, pour une utilisation pratique. La pellicule conductrice transparente contient facultativement un sel métallique hygroscopique. De tels sels métalliques incluent des sels d'acides minéraux tels que l'aci- de chlorhydrique, l'acide nitrique et l'acide sulfurique, et. des sels d'acides organiques comme par exemple les acides car- boxyliques. Des métaux appropriés pour de tels sels métalli- ques incluent ceux du groupe II, représentés par le sel de magnésium, et ceux du groupe III, représentés par les sels d'aluminium. A la suspension indiquée précédemment, on peut ajouter un milieu dispersif choisi parmi l'acétylacétone, d'autres cétones et l'éthylcellosolve,-del'eau en tant qu'agent réactif de décomposition; et un acide minéral,comme par exem- ple de l'acide nitrique,en tant que catalyseur servant à fa- voriser la décomposition, et ce en les quantités nécessaires. On peut exécuter le dépôt par centrifugation en utilisant d'une manière générale environ 10-50 ml de la sus- pension pour un tube cathodique de 51 cm. Dans ce cas des quan- tités suffisantes de SnO2,In203 et Sb203 appliqués seuls ou en mélange sont égales à environ 0,5-1,0 mg/cm2 de la surface du panneau. Le traitement thermique peut être exécuté à envi- ron 100 C en un bref intervalle de temps, d'une manière gêné- rale pendant 5-10 minutes, puis à 150-200 C et de préférence à 160 -180 C pendant environ 25-30 minutes. Ces conditions sont suffisantes. Selon le premier aspect de l'invention, le traite- ment thermique (combustion) du revêtement peut être exécuté à des températures atteignant jusqu'à 200 C. Par conséquent la suspension peut être appliquée directement au panneau et c'est pourquoi on peut fabriquer, à très bas prix, des tubes cathodiques convenant pour satisfaire à des exigences de qua- lité. Selon le second aspect de l'invention, on peut obtenir de façon effective une fonction antistatique en utili- sant un oxyde métallique électroconducteur transparent tel que du SnO2, du In203 ou du Sb203 ou un sel métallique hydros- copique. On peut obtenir d'une manière efficace une fonction d'inhibition des réflexions en utilisant de fines particules de SiO2 possédant des tailles spécifiques ou bien en formant une pellicule antistatique et en formant en outre une pelli- cule de SiO2 à partir d'un composé d'alkoxysilane. De façon plus spécifique, la première forme de réalisation selon le second aspect est par exemple un panneau d'affichage d'images, comme par exemple le panneau du tube cathodique, qui comporte une pellicule mince de SiO2 antista- tique, ayant une fonction antireflet formée sur la surface avant dudit panneau et de fines parties saillantes de la surface de ladite pellicule; lesdites parties saillan- tes étant formées par des particules de SiO2, et ladite pelli- cule contient de fines particules d'au moins un oxyde métal- lique choisi parmi SnO2,In203, Sb203 et analogues, et ledit dispositif d'affichage peut être pourvu d'une fonction anti- statique et d'une fonction d'inhibition des réflexions grâce à l'application d'une suspension alcoolique contenant au moins l'un des produits: SnO2,In203 et Sb203 et un alkoxysilane sur la surface avant du panneau du tube cathodique ou analo- gue, en transformant le revêtement obtenu en une pellicule conductrice transparente au moyen d'une combustion prélimi- naire, en appliquant en outre une solution alcoolique d'un composé d'alkoxysilane au moyen d'une enduction par projec- tion sur la pellicule conductrice transparente, et en faisant brûler l'ensemble pour former une pellicule de SiO2 comportant de fines parties saillantes. La seconde forme de réalisation est par exemple un panneau d'affichage d'images, tel que le panneau d'un tube cathodique, dont la surface avant est recouverte par une pel- licule conductrice transparente, qui, à son tour, est recou- verte par une pellicule de SiO à antireflet contenant de fi- nes particules de SiO2 d'un diamètre compris entre 10 et 1000 nm. La troisième forme de réalisation est par exemple un panneau d'affichage d'images tel que le panneau d'un tube cathodique, dont la surface avant est recouverte par une pel- licule mince (ou un revêtement) de SiO2 possédant une fonction antireflet et contenant de fines particules de SiO2 possédant un diamètre compris entre 10 et 1000 nm, et un additif choisi parmi des particules de sels métalliques hygroscopiques et des particules d'oxyde métallique conductrices. Dans les première et seconde formes de réalisation indiquées plus haut, l'épaisseur de la pellicule conductrice transparente, qui est utilisée en tant que sous-couche pour la pellicule (ou le revêtement) antireflet, dépend des maté- riaux constituant la pellicule conductrice transparente. Pour une utilisation pratique, il est souhaitable que l'épaisseur soit inférieure à 200 nm et soit de préférence comprise entre et 50 nm. La pellicule conductrice transparente, en parti- culier dans la seconde forme de réalisation, peut être une pellicule mince de SiO2, dans laquelle pour obtenir une con- ductivité, on incorpore un oxyde métallique transparent con- ducteur et/ou un sel métallique hygroscopique tel que mention- né plus haut. Le sel métallique hygroscopique contenu dans la pellicule mince de SiO2 mentionnée plus haut peut être un sel obtenu avec un acide minéral, comme par exemple l'acide chlorhydrique, l'acide nitrique ou l'acide sulfurique ou bien un sel formé avec un acide organique comme par exemple l'aci- de carboxylique. Des sels préférés de métaux incluent des sels des métaux du groupe II, représentés par le magnésium, et des sels des métaux du groupe III représentés par l'aluminium. Ces sels métalliques absorbent l'humidité contenue dans l'at- mosphère en réduisant la résistance électrique de la surface du panneau. D'autre part en vue de réduire la résistance élec- trique de la surface du panneau il est préférable d'utiliser l'oxyde métallique conducteur, qui présente lui-même une con- ductivité, au sel métallique. Bien que, même lorsque leur con- tenu est trop faible, l'oxyde métallique et/ou les sels métal- liques fournissant la conductivité produisent faiblement leur effet, les teneurs appropriées de tels matériaux sont égales à 0,01-1 mg/cm2 et notamment à 0,15-0,3 mg/cm2 de la surface de la pellicule mince de SiO2. La limite inférieure de la gam- me ci-dessus est définie à partir des exigences minimum en tant que propriété de la pellicule conductrice et la limite supérieure est obtenue à partir de la limite inférieure de la force d'adhérence de la pellicule de SiO2 à la surface du panneau. La pellicule conductrice sous-jacente doit possé- der une épaisseur et des propriétés telles qu'elle n'ait, dans la pratique, aucun effet nuisible sur la caractéristique de performance de la pellicule (ou du revêtement) supérieure d'inhibition des réflexions. La pellicule conductrice indi- quée plus haut, conforme à l'invention, satisfait à ces exi- gences. Dans la seconde forme de réalisdation, la pelli- cule d'inhibition des réflexions doit contenir de fines par- ticules de SiO2 possédant un diamètre compris entre 10 et 1000 nm. Ces diamètres (diamètres moyens) des fines parti- cules de SiO sont limitées par la relation entre le degré de rso2ution de l'image et l'effet d'inhibition des rfle- de résolution de l'image et l'effet d'inhibition des réf le- xions. La limite inférieure des diamètres est définie sur la base de l'effet d'inhibition des réflexions, c'est-à-dire que lorsque le diamètre est inférieur à 10 nm, l'effet recherché d'inhibition des réflexions est difficile à obtenir. D'autre part, la limite supérieure est définie sur la base du degré de résolution. Lorsque le diamètre dépasse 1000 nm, le degré de résolution diminue fortement. Par conséquent, bien que la gamme indiquée plus haut ait été définie comme une gamme ad- missible dans la pratique, il est souhaitable que le diamètre soit compris entre 50 et 120 nm et de préférence entre 50 et nm et soit égal de façon plus préférentielle à environ nm. Lorsque la quantité de fines particules de SiO2 fi- xées sur la surface du panneau (ou sur la pellicule conduc- trice)est faible, l'effet se manifeste faiblement. Pour une utilisation pratique, la valeur est de préférence comprise entre 0,01 et 1 mg/cm2 et de préférence entre 0,1 et 0,3 mg/cm2 de surface du substrat. Cette gamme a été définie pour des raisons semblables à celles relatives au cas du diamètre des particules de SiO2. C'est-à-dire que la limite inférieure a été définie sur la base de l'effet d'inhibition des réflexions, tandis que la limite supérieure a été définie sur la base du degré de résolution. Dans la troisième forme de réalisation, on peut former la pellicule d'inhibition des réflexions de manière qu'elle contienne les fines particules de SiO2 indiquées ci- dessus et un additif constitué par l'oxyde métallique et/ou le sel métallique indiqués plus haut. Dans ce cas, on peut utiliser l'oxyde métallique choisi parmi des oxydes métalli- ques conducteurs connus d'une manière générale et incluant les oxydes métalliques contenant des structures du type pérov- skite. L'incorporation d'au moins l'un des additifs indiqués plus haut suffit. Le troisième aspect de l'invention concerne un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images, en particulier des tubes cathodiques, consistant à mélanger de fines particules d'au moins un composé sélectionné parmi les oxydes transparents conducteurs SnO2,In203,Sb203 et analogues, avec une solution alcoolique d'alkoxysilane de manière à for- mer une suspension, à appliquer cette suspension sur la sur- face avant d'un panneau d'affichage d'images comme par exem- ple un panneau d'un tube de Braun et chauffer le revêtement obtenu à des températures inférieures à 200 C de manière à former une pellicule conductrice transparente possédant une fonction antistatique. Il est souhaitable que l'alcool possède le même nombre d'atomes de carbone que l'alkyle de l'alkoxysilane uti- lisé pour former des pellicules minces de SiO2. L'alkoxysilane est représenté par la formule générale Si(OR1)4, R1 étant un alkyle. D'une manière générale, les alkyles préférés contien- nent 1 à 5 atomes de carbone. Pour recouvrir des surfaces de panneaux ou d'au- tres substrats, on peut utiliser les procédés de dépôt par centrifugation et de dépôt par immersion. Les matériaux et les conditions intervenant dans le troisième aspect seront décrits plus loin conjointement avec les matériaux et conditions intervenant dans le quatriè- me aspect, étant donné que bon nombre des matériaux et des conditions sont communes à ces deux aspects dé l'invention. Comme pour le second aspect, le quatrième aspect porte sur quatre modes d'exécution, que l'on va décrire ci- après brièvement. Le premier mode d'exécution est un procédé ser- vant à fabriquer des panneaux d'affichage d'images tels qu'un tube cathodique, qui consiste à recouvrir la surface frontale d'un panneau d'affichage d'images avec une solution alcooli- que contenant un alkoxysilane et au moins l'un des oxydes SnO2,In203 et Sb203, à faire brûler le revêtement obtenu, avant de le transformer en une pellicule conductrice transparente, puis enduire par projection cette pellicule avec une solution alcoolique d'alkoxysilane, et faire brûler l'ensemble de ma- nière à former un revêtement conducteur possédant, au niveau de sa surface, de fines parties saillantes de SiO2. Le second mode d'exécution est un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images tels que des tu- bes cathodiques, qui incluent les étapes consistant à former une pellicule conductrice transparente sur la surface avant d'un panneau d'affichage d'images, disperser de fines parti- cules de SiO2 d'un diamètre de 10-1000 nm dans une solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4, R1 étant un alkyle, appli- quer cette dispersion sur la pellicule conductrice transparente formée sur la surface avant du panneau, et chauffer le revêtement obtenu pour décomposer le Si(OR1)4 contenu dans ce revêtement et former une pellicule mince de SiO2, ce qui permet d'obtenir. le dépôt sousforme de revêtement et la fixation des fines par- ticules de SiO2 avec la pellicule mince de SiO2. On va tout d'abord décrire de façon détaillée l'étape de formation de la pellicule conductrice transparente. Etant donné que cette pellicule est formée sur un panneau d'af- fichage d'images comme par exemple le panneau d'un tube catho- dique, il est souhaitable de former cette pellicule dans des conditions telles, notamment des conditions de température ( jusqu'à environ 500 C) qu'elles n'appliquent aucune déformation de la plaque de verre qui constitue le panneau. La pellicule peut être formée conformément à n'importe quel procédé satisfaisant aux exigences mentionnées précédemment. Un procédé typique pour former la- pellicule conductrice trans- parente va être indiqué ci-après. Lorsque la pellicule est constituée par au moins un oxyde métallique conducteur choisi parmi SnO2,In203 et 2# 2 3t Sb203, on connait par exemple les procédés suivants (1) et (2) pour former la pellicule directement sur le panneau de verre. (1) On fixe une cible formée par au moins l'un des oxy- des métalliques indiqués plus haut dans un dispositif de pul- vérisation, la cible elle-même étant située en vis-à-vis du panneau de verre, et on forme une pellicule d'oxyde métalli- que au moyen d'une pulvérisation sur la surface du panneau. (2) En utilisant un composé métallique organique comme matiè- re première, on forme une pellicule d'oxyde métallique con- ducteur sur le panneau de verre au moyen du procédé CVD connu d'une manière générale. Selon ce procédé (2), des composés métalliques organiques appropriés utilisables incluent des composés métalliquesd'alkyle représentés par M(Rl)m et des com- posés métalliques d'alkoxyreprésentés par M(OR1)m, M désignant Sn,In ou Sb, tandis que m désigne la valeur de M et que R1 dé- signe un alkyle (CnH2n+l, n=1 à 5 pour-une utilisation prati- que). Des exemples spécifiques du composé métallique organi- que incluent le Sn(CH3)4 et le Sn(OC2H5)4. Cependant ce procé- dé n'est pas préférable pour une utilisation pratique en rai- son de la combustion à haute température. C'est pourquoi il est préférable de former la pel- licule mince de SiO2 au moyen d'une hydrolyse d'un alkoxysi- lane Si(OR1)4, R1 étant un alkyle et n= 1 à 5 pour une utili- sation pratique. Conformément à la présente invention, on ajou- te au moins un additif, comme cela est décrit de façon détail- lée dans l'explication relative au second aspect de la pré- sente invention, choisi parmi des oxydes métalliques conduc- teurs transparents et des sels métalliques hydroscopiques, à une solution alcoolique dudit Si(OR1)4 en vue de conférer une caractéristique de conductivité à la pellicule recherchée, on applique ce mélange sous forme liquide sur la surface du panneau, et on chauffe la surface du revêtement pour décompo- ser le Si(OR1)4, de manière à former une pellicule mince de Sio2. L'additif est utilisé en une quantité, qu'il est souhai- table de fixer entre 0,05 et 7 % et de préférence entre 1 et 2 % en poids basé sur la solution alcoolique. Parmi les additifs mentionnés plus haut, l'oxyde métallique conducteur transparent est un soluble, mais est dispersé dans la solution alcoolique, tandis que le sel métal- lique est dissous en partie ou en totalité. En vue de former une pellicule mince de SiO2 présentant une bonne conductivi- té, il est souhaitable de disperser ou de dissoudre soigneu- sement l'additif dans la solution alcoolique. Compte tenu de ce qui précède, on ajoute de préférence une cétone (par exemple de l'acétylacétone) ou de l'éthylcellosolve en tant que milieu de dispersion pour la solution alcoolique. En ou- tre, on ajoute de l'eau et un catalyseur acide minéral, par exemple de l'acide nitrique, pour faciliter l'hydrolyse de Si(OR1)4. Il est souhaitable que l'alcool servant à dissou- dre le Si(OR1)4 possède le même groupe alkyle que le R1 du Si(OR1)4. Une solution alcoolique extrêmement utile de Si(O)4 est constituée de tétraéthoxysilane Si(OC2H5)4 (R1 désignant l'éthyle) en tant que soluté et de l'alcool éthylique en tant que solvant. On applique la solution alcoolique indiquée plus haut sur la surface du panneau au moyen d'un procédé d'enduc- tion comme par exemple l'enduction par centrifugation, l'enduction par immersion, l'enduction par projection ou une combinaison de ces procédés. Le traitement thermique appliqué à la surface du revêtement pour des composés de Si(OR1)4 est formé de ce fait d'une pellicule mince de SiO2) et est mis en oeuvre à des températures, dont il est souhaitable qu'elles soientsituées entre 50 et 200 C et de préférence entre 160 et 180 C. Etant donné que le traitement thermique est exécuté à des tempéra- tures relativement basses, ce procédé de formation d'une pel- licule mince conductrice de SiO2 est avantageux par rapport aux procédés classiques (1) et (2) de formation d'une pelli- cule, mentionnés plus haut. Lorsqu'on applique ce procédé à des tubes cathodiques, par exemple des tubes de Braun, on peut traiter des ampoules terminées. C'est pourquoi cette méthode convient le mieux pour des procédés de fabrication en grandes séries. Néanmoins, ce procédé est également appli- cable à des tubes de Braun et analogues avant que les ampou- les soient terminées, c'est-à-dire au cours de la fabrication des tubes. En second lieu, on va donner une description dé- taillée de l'étape de formation de la pellicule antireflet sur la pellicule conductrice transparente formant substrat. On prépare de la manière indiquée ci-après la so- lution alcoolique d'alkoxysilane (silicate d'alkyle) Si(OR1)4. A la fois le Si(OR1)4, qui est la source d'obtention de la pellicule mince de SiO2, et l'alcool formant solvant sont les mêmes que dans le cas de la formation de la pellicule mince de SiO2, que l'on a décrite plus haut (formation d'une pellicule conductrice transparente sous-jacente). C'est pour- quoi on ne donnera pas une description détaillée du Si(OR1)4 et de l'alcool. On disperse de fines particules de SiO2 possédant un diamètre de 10-1000 nm dans une solution alcoolique de Si(OR1)4 préparée comme décrit plus haut. Il est souhaitable que la quantité desdites particules soit comprise entre 0,1 et 10 % et il est préférable qu'elle soit comprise entre 1 et 3 % en poids, basé sur la solution alcoolique, et ce en tenant compte de l'effet d'inhibition des réflexions et du degré de résolution de l'image. On ajoute de préférence une cétone (par exemple de l'acétylacétone) ou de l'éthylcello- solve, agissant en tant que milieu dispersant, à la solution alcoolique en vue de garantir une dispersion suffisante, et en outre on ajoute de préférence un catalyseur acide minéral, par exemple de l'acide nitrique, afin de faciliter l'hydroly- se du Si(OR1)4 En outre, bien que l'on ait indiqué l'utilisation du Si(OR1)4, dans lequel R1 désigne l'éthyle, pour la forma- tion de pellicules d'inhibition des réflexions, il est favo- rable d'utiliser des alkoxysilanesSi(OR1)4 possédant 1 à 5 atomes de carbone dans R1, comme indiqué précédemment, c'est- à-dire en d'autres termes dans lesquels R1 est représenté par CnH2n+l, pour lequel il est souhaitable que n soit compris entre 1 et 5; lorsqu'on a n= 1, 3, 4 ou 5, les effets obte- nus sont semblables à ceux obtenus lorsque l'on a n= 2. Ce- pendant, étant donné que la viscosité de la solution alcoo- lique augmente légèrement lorsque n augmente, il est recom- mandable de choisir un alcool introduit en tant que solvant pour l'alkoxysilane devant être utilisé, compte tenu de la capacité de traitement. une solution alcoolique extrêmement utile de Si(OR1)4 est constituée de tétraéthoxysilane (R1 = éthyle) en tant que soluté et d'alcool éthylique en tant que solvant. On applique la dispersion indiquée plus haut de fines particules de SiO2 dans une solution alcoolique de Si(OR1)4, sur la pellicule du substrat conducteur transparent, au moyen d'un procédé d'enduction, comme par exemple une en- duction par centrifugation, une enduction par immersion, une enduction par production ou une combinaison de ces pro- cédés, comme indiqué plus haut (formation de la pellicule conductrice mince de SiO2). Lorsque le Si(OR1)4 se décompose lorsqu'on chauffe la surface du revêtement pour former une mince pellicule (ou revêtement) de SiO2 et recouvrir et fixer les fines particu- les dispersées de SiO2 au moyen de la pellicule, il est sou- haitable que la température de chauffage soit comprise en- tre 50 et 200 C et qu'elle soit comprise de préférence entre *160 et 1800C. La pellicule d'inhibition des réflexions est for- mée de la manière décrite plus haut, la température utilisée lors du traitement thermique, semblable à celle utilisée dans le cas de la pellicule sous-jacente indiquée plus haut, étant relativement faible. C'est pourquoi ce procédé de formation de pellicules d'inhibition des réflexions est favorable pour la formation de telles pellicules sur les surfaces des pan- neaux de tubes cathodiques terminés. La pellicule conductrice transparente sous-jacen- te ainsi formée, qui adhère de façon intime à la surface du panneau, a pour effet de réduire la résistance électrique de la surface du panneau. Dans la pellicule constituée par un oxyde métallique possédant en soi une conductivité, ou bien dans la mince pellicule de SiO2, dans laquelle un oxyde métallique conducteur est dispersé, il apparaît une réduction de la résistivité superficielle, provoquée sur le même prin- cipe que dans le cas de ce qu'on appelle une pellicule con- ductrice transparente. La fonction antistatique est maintenue sous l'effet de cette réduction. D'autre part, dans le cas de la pellicule mince de SiO2 contenant un sel métallique hygroscopique, une conductivité est obtenue sur la base de l'absorption et de la rétention d'humidité par le sel métal- lique. Le sel métallique conserve son caractère hygroscopi- que après avoir été soumis au traitement thermique visant à hydrolyser le Si(OR1)4 (ce traitement thermique améliore la résistance mécanique de la pellicule), sans perdre sa fonc- tion, mais tout en produisant un effet de réduction de la résistivité de la surface du panneau. Parmi les additifs de- vant être contenus dans la pellicule mince de SiO2, l'oxyde métallique conducteur est supérieur au sel métallique hygros- copique pour ce qui concerne l'effet de réduire la résistivi- té de la surface du panneau. En particulier il est approprié d'utiliser des oxydes d'étain, d'indium et d'antimoine, étant donné que les pellicules résultantes possèdent une transpa- rence supérieure et permettent de conserver des degrés éle- vés de résolution de l'image. Contrairement à des oxydes mé- talliques, certains sels métalliques sont fixés sous une for- me fondue dans la pellicule. Dans un tel cas, la pellicule possède une transparence supérieure et maintient un degré élevé de résolution de l'image. La pellicule d'inhibition des réflexions, dans laquelle de fines particules de SiO2 sont dispersées uniformé- ment et fixées à une- pellicule mince de SiO2, comporte de fi- nes parties saillantes uniformes situées au niveau de la sur- face la plus à l'extérieur, lesdites parties saillantes étant constituées par de fines particules de SiO2 recouvertes par la pellicule mince de SiO2. Cette surface possédant de fines parties saillantes uniformes diffuse la lumière extérieure, ce qui fournit l'effet d'inhibition des réflexions. Le troisième mode d'exécution concerne un procédé pour fabriquer des panneaux d'affichage d'images, qui inclut les étapes consistant à disperser de fines particules de SiO2 d'un diamètre de 10-1000 nm et des particules d'au moins un additif choisi parmi des sels métalliques hygroscopiques et des oxydes métalliques conducteurs, dans une solution alcoo- lique d'alkoxysilane Si(OR1)4, appliquer cette dispersion sur la surface avant d'un panneau d'affichage d'images et chauffer la surface du revêtement pour décomposer le Si(OR1)4 pour former ainsi une mince pellicule de SiO2 servant à recou- vrir et fixer les fines particules de SiO2 à la pellicule min- ce de SiO2, de manière à former une pellicule ayant un effet antireflet également sur la surface avant du panneau. Les quantités de matériaux et la manière d'utili- ser les matériaux dans ce mode d'exécution sont presque les mêmes que dans le second mode d'exécution. C'est pourquoi on ne donnera pas l'indication de telles quantités et de ce mode d'utilisation. Cependant, dans ce mode d'exécution, il n'existe aucune étape de formation d'une pellicule conductri- ce transparente telle que celle formée dans le second mode d'exécution. Après l'application de la solution d'alkoxysila- ne, on exécute le traitement thermique de manière à former la pellicule mince de SiO2. Lorsque le Si(OR1)4 est décomposé par chauffage de la surface du revêtement pour former une mince pellicule de SiO2, il est souhaitable que la température de chauffage soit comprise entre 50 et 200 C et il est préférable qu'elle soit comprise entre 160 et 180 C. Etant donné que le traitement thermique dans ce mode d'exécution est exécuté à de telles températures relativement faibles, on peut traiter des ampou- les terminées lorsque ce procédé est appliqué à des tubes cathodiques, par exemple des tubes de Braun. C'est pourquoi ce procédé est le mieux approprié pour des procédés de fabri- cation en grandes séries. Il va sans dire que ce procédé est également applicable à des tubes de Braun et analogues avant que les ampoules soient terminées, c'est-à-dire au cours de la fabrication des tubes. Dans la pellicule ainsi formée ayant une fonction antireflets, de fines particules de SiO2 uniformément disper- sées, comme indiqué plus haut, sont également recouvertes et fixées sur la plaque de verre (substrat) au moyen d'une mince pellicule de SiO2 formée par hydrolyse du Si(OR1)4. Ces fines particules de SiO2 uniformément dispersées permettent de conserver l'effet d'inhibition des réflexions et le degré élevé de résolution de l'image. En outre la pellicule mince de SiO2 contient un additif, c'est-à-dire un oxyde métallique conducteur et/ou un sel métallique hygroscopique, qui conser- ve son caractère hygroscopique après avoir été soumis au trai- tement thermique ayant pour but d'hydrolyser le Si(OR1)4 (ce traitement thermique améliore la résistance mécanique de la pellicule), sans perdre sa fonction, mais ayant pour effet de réduire la résistivité de la surface du panneau. D'autre part, lorsqu'on utilise l'oxyde métallique conducteur, on note une réduction de la résistivité superficielle, qui est provoquée selon le même principe que dans le cas de ce qu'on appelle une pellicule conductrice transparente. La fonction antistatique est maintenue au moyen de ces réductions de la résistivité superficielle. Parmi les additifs utilisés con- formément à l'invention, qui fournissent un effet antista- tique, l'oxyde métallique conducteur est supérieur au sel métallique hygroscopique pour ce qui concerne la fonction de réduire la résistivité superficielle du substrat. En par- ticulier des oxydes de métaux tels que l'étain, l'indium et l'antimoine sont favorables en ce que les pellicules obtenues possèdent une transparence supérieure et permettent de main- tenir des degrés élevés de résolution de l'image. Contraire- ment aux oxydes métalliques, certains sels métalliques sont fixés à l'état fondu sur la pellicule. Dans un tel cas, la pellicule présente une transparence supérieure et maintient un degré élevé de résolution de l'image. Les exemples suivants illustrent la présente in- vention, dont la portée n'est pas limitée naturellement par ces exemples. Exemple 1 En se référant à la figure 1, on va expliquer cet exemple 1. On forme une pellicule antistatique 2 sur la sur- face du panneau d'un tube de Braun 1. On place une bande de renforcement 9, raccordée à la masse, en contact avec la pel- licule antistatique 2, en maintenant l'ensemble de la surfa- ce de chaque pellicule à un potentiel nul. On forme la pelli- cule antistatique 2 de la manière suivante: on disperse soi- gneusement de fines particules de l'un quelconque des oxydes métalliques possédant eux-mêmes des caractéristiques de trans- parence et de conduction, par exemple SnO2,In203,SbO3, et des mélanges de ces oxydes, à savoir SnO2 seul, In203 seul, SnO2+ In203, SnO2+In203+SbO3, SnO2+Sb203 et In203+Sb203, dans une so- lution alcoolique de silicate d'éthyle Si(OC2H5)4 de manière à former une suspension. On peut ajouter à cette suspension -un agent de dispersion approprié (par exemple de l'acéthyl- acétone) et un catalyseur favorisant la décomposition (par exemple un acide minéral) en de faibles quantités. Pour un tube de Braun de 51 cm, on utilise environ 10 ml de la sus- pension. Puisonfaittonbergoutte-à-gouttecettesuspension sur le pan- neau du tube de Braun 1 entraîné en rotation à 100 tr/mn, la surface du panneau étant dirigée vers le haut. Au moment o la suspension appliquée s'étale sur l'ensemble de la sur- face, on accroît la vitesse de rotation à 500 tr/mn, ce qui aboutit à la formation d'un revêtement mince uniforme. Cette enduction par centrifugation est achevée en une durée globale de 1 minute. Ensuite on fait sécher le revêtement en le chauf- fant à 105 C pendant environ 10 minutes et on le fait brûler à 150 C pendant 30 minutes, de manière à former la pellicule antistatique 2. La figure 8 représente des courbes caractéristi- ques de diminution de la charge électrique pour des tubes d'affichage en couleurs de 51 cm, dont la surface a été traitée, dans cet exemple. Sur ce dessin, la référence 14 désigne le panneau recouvert par la pellicule antistatique mentionnée plus haut conforme à la présente invention; la référence 15 désigne le panneau non traité et la référence 16 désigne le panneau comportant un revêtement antistatique formé par la solution alcoolique de silicate d'éthyle seul sur la surface du panneau non traité, avec mise en oeuvre ultérieure d'un brûlage du revêtement à 160- C pendant 30 mi- nutes pour laisser subsister certains groupes silanol. Comme cela ressort à l'évidence de la figure 8, dans le tube d'af- fichage en couleurs comportant le revêtement antistatique conforme à la présente invention, il apparaît une réduction du potentiel superficiel à 0 kV en une durée d'environ 10 se- condes, tandis que dans les autres tubes, au bout d'une durée de 5 minutes, des potentiels de surface de 20 kV et plus subsistent, et par conséquent de tels tubes présentent une caractéristique nettement inférieure de réduction de la char- ge électrique. Ensuite, on a examiné la durabilité de revêtements antistatique (formés de la manière décrite précédemment con- formément à l'invention) en faisant des variations de la ré- sistivité superficielle. Les résultats sont les suivants: la variation de la résistivité, que l'on a obtenue après avoir exécuté 250 opérations de frottement en va-et-vient avec une gomme (tel que le produit N 50-50 de la société dite Lion Jimuki Co., Ltd.) sous une charge de 1 kg n'était pas supé- rieur à un coefficient égal à 1. Lorsqu'on a frotté chaque spécimen 1000 fois en va-et-vient avec le produit dit "Glass- clue (phonétiquement)(marque déposée de la société dite John- son Co.), la variation de la résistivité superficielle n'était pas supérieure à un coefficient de 0,5. Lorsqu'on a immergé chaque échantillon dans une solution aqueuse de NaOH possédant un pH égal à 12 à la température ambiante pendant 24 heures, la variation de la résistivité superficielle n'a également pas été supérieure à un coefficient égal à 1. En outre on n'a observé aucune modification de la résistivité superfi- cielle lorsqu'on a placé chaque spécimen dans un four à 120 C pendant 96 heures. Par conséquent ces panneaux, pour lesquels il n'y a aucun problème concernant leur fonction antistatique, pré- sentent cette fonction d'une manière complète dans toutes les conditions d'environnement. Dans cet exemple, on a trouvé que le In203 présen- tait la caractéristique d'avoir une résistivité inférieure à celle du SnO2. Conformément à la présente invention, le brûlage de revêtements peut être exécuté à une température inférieu- re à 200 C et par conséquent on peut apposer un revêtement sur des ampoules terminées (mais dont la surface n'est pas traitée) et former aisément, et à un faible coût, des pelli- cules antistatiques de grande durabilité. En outre, étant donné que la charge électrique à haute tension produite sur les surfaces des panneaux, ainsi traitéesde tubes de Braun peut être éliminée à tout moment, ceci empêche un salissement des surfaces de la poussière atmosphérique ou à la saleté et de ce fait le pouvoir de distinguer normalement des images peut être conservé et en outre la décharge électrique s'effectuant en direction de corps humains situés à proximité des panneaux d'affichage et des gênes semblables peuvent être évités. Exemple 2 En se référant à la figure 2, on y voit représen- tée de façon détaillée une autre forme de réalisation de la présente invention. Tout d'abord on nettoie la surface avant du pan- neau 7 d'un tube cathodique 1 en utilisant un abrasif tel que du CeO2 et un détergent alcalin comme par exemple le pro- duit connu sous la marque déposée Silion (en phonétique) au nom de la société dite Henkel-Hakusui Corp.). Lorsqu'on recou- vre uniformément cette surface avec une solution alcoolique contenant au moins l'un des produits SnO2,In203 et Sb203 et Si(OR1)4, R1 étant un alkyle, grâce à l'utilisation d'un dis- positif de centrifugation. La solution indiquée plus haut tombe goutte-àgoutte, et ce en une quantité d'environ 10 ml pour un tube cathodique type 36 cm, la rotation du disposi- tif de centrifugation étant égale à 600 tr/mn et la période d'enduction égale à 1 minute. Cependant la méthode d'enduc- tion n'est pas limitée à l'enduction par centrifugation et on peut utiliser une enduction par immersion ou une enduc- tion par projection. On fait brûler préalablement le tube cathodique ainsi enduit, à 100-110 C pendant 5 minutes de manière à former un revêtement conducteur transparent 2, qui est une pellicule formant substrat. On dépose sur ce subs- trat refroidi à environ 50 C, au moyen d'une enduction par projection avec une pression d'air de 3,5.105 Pa, une solution alcoolique de Si(OR1)4, de manière à obtenir un brillant dé- fini. Ensuite on soumet le tube à un brûlage principal à 150- C pendant 30 minutes, ce qui aboutit à la'formation d'une pellicule antireflet 8 comportant de fines parties saillan- tes de SiO2 et possédant une résistance mécanique élevée. En ce qui concerne les propriétés de réflexion de la pellicule antireflet 8 ainsi formée, le coefficient de réflexion régulier à 5 (spéculaire) est égal à 1,5 %, ce qui est une valeur suffisamment faible par rapport à la valeur de 4,5 % qui est le coefficient de réflexion du pan- neau de verre non traité. C'est-à-dire qu'il s'avère que la pellicule antireflet 8 possède une bonne fonction d'inhibi- tion des réflexions. Le fait de frotter la surface de cette pellicule 50 fois avec une gomme (Lion 50-50) a modifié seu- lement de 0,1 % le coefficient de réflexion régulier à 5 , ce qui confirme que la pellicule possède une résistance mé- canique suffisante et ne pose aucun problème du point de vue de la fonction antireflets. On va donner ci-après des détails concernant la fonction antistatique de la surface traitée. La figure 9, courbe 17, représente la relation entre le temps (en secondes) et le potentiel de surface après le débranchement du récep- teur de télévision de type 51 cm conformément à cet exemple (conditions d'essai: température 21-23 C, humidité relative -23 %. La courbe 18 sur la figure 9 représente la caracté- ristique de diminution de la charge électrique (une relation telle que mentionnée précédemment) d'un tube classique, dont la surface du panneau n'est pas traitée. Comme on peut le voir sur la courbe 18, on a observé une faible variation du potentiel de surface pour le tube classique déjà au bout de 300 secondes. Au contraire, le potentiel de surface du tube conforme à la présente invention, tel que représenté par la courbe 17, chute à presque 0 kV.au bout de 5 secondes. Comme cela a été indiqué précédemment, il est pos- sible, conformément à la présente invention, de fabriquer des tubes cathodiques, dont la surface avant du panneau d'af- fichage possède une pellicule dont la fonction antistatique et la fonction d'inhibition de réflexion (effet antireflets) ainsi que la. résistance mécanique sont supérieures et qui sont commodes à fabriquer en une grande quantité et à un coût faible. Exemples 3-6 On forme des pellicules formant substrats conduc- teurs et transparents sur les surfaces avant des panneaux (panneaux en verre) de tubes de Braun, comme indiqué dans le tableau 1, exemples 3-6. Dans l'exemple 3, on forme la pellicule conductri- ce, constituée par du SnO2, au moyen d'un dépôt CVD dans les conditions suivantes: Dispositif utilisé: dispositif CVD à pression normale Composé brut d'organo-étain: Sn(CH3)4 Substance dopante: gaz fréon Gaz porteur: N2 Température du substrat (panneau de verre): 350 C Dans l'exemple 4, on forme la pellicule consti- tuée par une pellicule de SiO2 contenant de fines particules transparentes conductrices de SiO2, de la manière suivante: (1) Composition de la solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4: Ethanol (C2H5OH) 88 ml Ethoxysilane (Si(OC2H5)4 6 ml Fine poudre conductrice transparente de SnO 1,2 g 12g Eau 6 ml (2) Application de la solution sur- le panneau de verre: Dispositif de centrifugation tournant à 500 tr/mn (3) Brûlage du revêtement: 1600C, 30 minutes Si on utilisait du In203, Sb203 et leur mélange sous la forme de fines poudres conductrices transparentes à la place du SnO2, les résultats seraient presque identiques. C'est pourquoi on a pris le SiO2 mentionné plus haut en tant qu'exemple typique. Dans l'exemple 5, on forme la peilicule en dépo- sant un mélange de In203-SnO2 sur un panneau de verre, comme mentionné précédemment, au moyen d'une projection à haute fréquence en utilisant une cible formée d'un composé de In203- SnO2 (5 % en poids). Dans l'exemple 6, on forme la pellicule formée d'une pellicule mince de SiO2 contenant du nitrate d'aluminium Al(NO3)3.9H20 en tant que sel métallique hygroscopique, de la manière suivante: (1) Composition de la solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4: Ethanol (C2H5OH) 88 ml Ethoxysilane (Si(OC2H5)4) 6 ml Sel métallique, Al(NO3)3.9H20 1,2 g Eau 6 ml (2) Application de la solution sur le panneau de verre: Dispositif de centrifugation tournant à 500 tr/mn. (3) Brûlage de la pellicule de revêtement: 160 C, 30 minutes. Si on utilisait du AlCl3, du Ca(NO3)2, du Mg(NO3)2, du ZnCl2 et leurs mélanges en tant que sels métalliques hy- groscopiques à la place du nitrate d'aluminium, les résul- tats seraient presque les mêmes. C'est pourquoi on a pris le nitrate d'aluminium mentionné plus haut comme exemple ty- pique. Ensuite, on recouvre les pellicules formant subs- trats conducteurs mentionnées précédemment avec des pellicu- les d'inhibition des réflexions, de la manière suivante: On fait dissoudre de l'éthoxysilane [Si(OC2H5)4] dans de l'éthanol, et on ajoute de l'eau pour l'hydrolyse et de l'acide nitrique en tant que catalyseur pour préparer une solution. A cette solution alcoolique, on ajoute en ou- tre 1 % en poids de fines particules de SiO (ayant presque la forme de sphères tamisées de manière à présenter un diamètre de 50-100 nm, et une quantité appropriée d'acéthylacétone en tant que milieu dispersant de manière à obtenir une dis- persion suffisante des particules de SiO2. On fait tomber goutte-à-goutte la solution ainsi préparée, dont la composition est indiquée dans le tableau 1, sur chaque pellicule formant substrat conducteur et on le répartit uniformément en utilisant un dispositif de centri- fugation. Ensuite, on fait brûler chaque revêtement dans l'air à 150 C pendant environ 30 minutes de manière à décom- poser l'éthoxysilane. De fines particules de SiO2 situées dans le revêtement sont fixées fermement par une mince pellicule continue uniforme de SiO2 résultant de la décomposition et présentant de fines parties saillantes au niveau de sa surfa- ce. Une observation au microscope électronique a révélé que la pellicule d'inhibition des réflexions ainsi formée possède des parties saillantes ou des renfoncements uniformes d'une hauteur ou profondeur égale à 100 nm + 20 nm et répartis à un pas de 50 nm sur la surface la plus extérieure, comme cela est représenté sur la figure 3(b), qui montre une vue à plus grande échelle d'une coupe transversale représentée sur la figure 3(a). Sur la figure 3(b), la référence 6 désigne la pellicule d'inhibition des réflexions, la référence 6a dési- gne de fines particules de SiO2, la référence 6b désigne une 2' mince pellicule de SiO2 formée par la décomposition de l'étho- xysilane et la référence 2/désigne la pellicule formant subs- trat conducteur. Tableau 1 Rubrique xemple n 3 4 5 6 Exemple -----________________ comparatif Constituent hy- Pellicule Constituent principal SnO2 SnO2 In203+SnO2 groscopique dans la mince pellicul formant de SiO, Poudre fine de substret Procédé de dépôt SiO + hydrolyse Pulvérisation Hydrolyse de l'al- conducteur Procédé de formation CVD d'un composé de 'alkoxysilane koxysilane Non formé organo-éteain Epaisseur de le pellicule(nm) 10 30 10 10 Résistivité su/ rficielle 1 08 108 107 1010 Solution de Si(OC H) dans Composition l'éthanol 2 5 50 50 50 50 50 de la suspen- sion pour R.I.F.* (S en Milieu de dispersion 50 50 50 50 50 poids), (acétylecétone) Fines particules de SiO2. 1 1 1 | -à suivre - "O Co r%) co Tableau 1 (suite) Coefficient de réflexion (réflexion régulière 5, 04 > 0 3 > 0 4 > O 3 > 013 > 550 nm) Résistance mécanique (accrois- sement du coefficient de ré-+011 > +001 > +0,1 > +02 > + 1 > Propriété flexion au moyen de 50 opéra- tions le frottement avec une gomme) e Durée de réduction du poten- tiel à 1 kV après débranche- 10 > 10 > 15 > 25 > 200 On a fait tomber un faisceau de lumière d'une lon- gueur d'onde de 550 nm, sous un angle d'incidence de 5 , sur la pellicule d'inhibition des réflexions, formée comme cela a été décrit précédemment, sur ledit panneau de verre, et on a mesuré le coefficient de réflexion. On a trouvé que le coefficient de réflexion était inférieur à 0,4 %. Les coef- ficients de réflexion mesurés de façon semblable, mais avec une longueur d'onde variable, étaient inférieurs à 1 % dans la gamme des longueurs d'onde de 450 à 650 nm, comme cela est indiqué par la courbe I sur la figure 10. Ces valeurs conviennent pour satisfaire aux exigences concernant le coef- ficient de réflexion pour des terminaux d'affichage (VDT). Ensuite, comme indiqué précédemment, on a frotté d'une façon intense et uniforme la surface de la pellicule inhibant les réflexions formée conjointement avec la pelli- cule antistatique sous-jacente sur ledit panneau de verre, fois avec une gomme (Lion 50-50). Les coefficients de ré- flexion obtenus, tels que représentés par la courbe II sur la figure 10, présentaient des décalages égaux à seulement 0,1-0,2 %, qui ne posent aucun problème du point de vue de la qualité. La courbe III sur la figure 10 montre, à titre de comparaison, des tracés de courbes du coefficient de ré- flexion d'un panneau de verre semblable, mais non soumis à un traitement d'inhibition des réflexions. On va expliquer ci-après la raison pour laquelle le coefficient de réflexion du panneau de verre diminue sous l'effet de la formation d'une pellicule d'inhibition des ré- * flexions, telle qu'indiquée plus haut, sur la surface du pan- neau. En se référant à la figure 5, qui montre une cou- pe transversale de la pellicule d'inhibition des réflexions, l'indice de réflexion dans les positions A est celui (no0) de l'air, n0 étant égal environ à 1. D'autre part l'indice de réfraction dans des positions B, dans lesquelles de fines particules de SiO2 sont présentes à l'état entassé, est appro- ximativement égal & l'indice de réfraction n = 1,48 du verre g (SiO2). L'indice de réfraction dans la partie non uniforme située entre les plans A et B varie continûment conformément au pourcentage en volume de SiO2. C'est-à-dire que, lorsqu'on suppose la présence de plaques extrêmement minces formées par découpage de ladite partie non uniforme parallèlement à des plans A et B, l'indice de réfraction (valeur moyenne) de l'une quelconque de ces plaques considérées dépend du pour- centage du volume occupé par la partie formée de SiO2 par rap- port au volume total de cette plaque. C'est pourquoi l'indi- ce de réfraction dans ladite partie non uniforme varie avec ledit pourcentage en volume de SiO2. Si l'on désigne par n1 l'indice de réfraction (valeur moyenne) de la plaque extrê- ment mince C située à l'intérieur et dans la position la plus proche du plan A, et par n2 l'indice de réfraction (valeur moyenne de la plaque extrêmement mince D située à l'extérieur et dans la position la plus proche du plan B, la condition, pour laquelle le coefficient de réflexion R au niveau de la surface du panneau de verre, sur laquelle est formée la pel- licule d'inhibition des réflexions, mentionnée plus haut, devienne minimale est: = (nlng 2n0) 0 (nlng + n2n0)2 Par conséquent lorsque la condition n2 n = g n1 est satisfaite, on obtient une fonction antireflets (la capa- cité d'empêcher complètement la réflexion d'une lumière ex- térieure). Dans ce cas, la valeur n2/n1 dépend des formes et des dimensions des parties saillantes et des renfoncements. C'est pourquoi, les parties saillantes ou les renfoncements, qui possèdent une forme et des dimensions aptes à satisfaire approximativement à la relation ng=n2/n1, peuvent être formés grâce au dépôt d'une suspension de fines particules de SiO2 dans une solution alcoolique de Si(OR1)4, suivi d'un brûlage du revêtement, comme cela a été décrit précédemment. C'est pourquoi on peut imaginer que le coefficient de réflexion possédant une valeur aussi faible que 1 % ou moins, a été obtenu grâce à la formation de telles parties saillantes ou renfoncements idéaux. On peut imaginer que la raison pour laquelle la pellicule d'inhibition des réflexions conforme à la présente invention qui permet le maintien d'une résistance mécanique élevée, réside dans le fait que du Si(OR1)4 contenu dans le revêtement avant son brûlage est hydrolysé comme cela est représenté par l'équation Si(OC2H5)4 + 4H20 -- Si(OH)4 + 4C2H5OH -- SiO2 + 2H20 pour former une pellicule de SiO2 agissant en tant que revê- tement protecteur robuste. En outre, de fines particules tamisées de SiO en- traînent la formation de fines parties saillantes uniformes et par conséquent l'ensemble de la surface possède une bonne fonction d'inhibition des réflexions. En outre, les faibles dimensions uniformes des particules de SiO2 ont pour effet qu'il n'existe aucune surface, qui soit plus inégale que cela n'est nécessaire et réduise le degré de résolution. Ci-après on va expliquer la fonction antistatique indiquée à la ligne inférieure du tableau 1. La figure 11 illustre la relation entre le temps et le potentiel de surfa- ce après le débranchement d'un récepteur de télévision. Le numéro de la courbe sur la figure 11 correspond au numéro de l'exemple indiqué dans le tableau 1. Dans le cas de l'exem- ple comparatif, le potentiel de surface ne diminue pas, au bout de 200 secondes, à la valeur de 1 kV ou moins, c'est - à-dire que la pellicule de revêtement n'a pas une fonction antistatique. De telles surfaces du panneau absorbent la pous- sière ou la saleté provenant de l'atmosphère, ne la relâchent pas et par conséquent deviennent sales. Les images, qu'affi- chent ces panneaux sales, sont difficiles à observer. Le processus de formation des pellicules d'inhibi- tion des réflexions conformément à la présente invention peut être exécuté simplement grâce à l'addition de fines particu- les de SiO2 disponibles dans le commerce, à une solution al- coolique de Si(OR1)4 existant, et l'application de la suspen- sion obtenue sur des pellicules formant substrats conducteurs formées sur des ampoules terminées, suivie par un brûlage des revêtements obtenus, sans l'utilisation d'aucun produit chimique nocif tel que l'acide fluorhydrique. Ainsi le pro- cessus peut être mis en oeuvre de façon sûre et à un coût réduit. La forme des fines particules de SiO2 devant être utilisées n'est pas limitée à la forme sphérique, mais peut être irrégulière comme cela est représenté sur la figure 6, sur laquelle la référence 6a désigne les fines particules de SiO2 et la référence 6b désigne une pellicule mince de SiO2. Il est souhaitable que la taille moyenne des particules soit comprise entre 10 et 1000 nm. Lorsque la taille des par- ticules est inférieure à environ 10 nm, la surface extérieure de la pellicule obtenue est trop lisse pour présenter un effet suffisant d'inhibition des réflexions. Au contraire, lorsque la taille des particules dépasse environ 1000 nm, l'effet de diffusion de la lumière de la surface obtenue de- vient trop intense et le degré de résolution ainsi que la résistance mécanique de la pellicule diminuent. Le procédé consistant à appliquer la suspension de fines particules de SiO2 dans une solution alcoolique de Si(OR1)4 n'est pas limité à l'enduction par centrifugation, mentionnée dans les exemples précédents, et au contraire on peut utiliser n'importe lequel des procédés incluant l'enduc- tion par immersion, l'enduction par projection et une combi - naison de ces procédés. Des températures appropriées pour le brûlage du revêtement sont comprises entre environ 50 et 200 C. Bien que l'on ait utilisé du Sn(CH3)4 comme matiè- re première pour la formation de la pellicule formant subs- trat conducteur pour réaliser le dépôt CVD dans l'exemple 3 indiqué plus haut, il est naturellement possible d'utiliser d'autres composés alkyleétain Sn(R1)4 ou d'autres composés alkoxy-étain Sn(OR1)4 ou sinon des composés organiques d'in- dium ou d'antimoine, semblable au composé organique d'étain. De même le sel métallique devant être ajouté n'est pas limi- té aux sels d'aluminium, de calcium, de magnésium et de zinc; on peut utiliser n'importe quel sel métallique pourvu qu'il soit hygroscopique. L'addition d'une poudre conductrice trans- parente d'oxyde d'étain, d'oxyde d'indium ou d'oxyde d'anti- moine, comme dans l'exemple 2, est favorable en particulier étant donné que l'on peut former dans ce cas une mince pelli- cule de SiO2 possédant une bonne conductivité, et ce à des températures relativement basses (50-200 C). Comme décrit précédemment, il est possible, confor- mément à la présente invention, de fabriquer des tubes catho- diques comportant des revêtements possédant une fonction an- tistatique, en raison de la présence de revêtements formant substrats conducteurs, et une fonction d'inhibition des ré- flexions, en raison de la présence de couches d'inhibition des réflexions, et qui sont robustes du point de vue mécani- que. En outre ce processus ne met en oeuvre aucun produit chimique nocif comme par exemple l'acide fluorhydrique et fait intervenir des températures relativement faibles de trai- tement et des processus simples et sûrs. Ainsi ce procédé pour fabriquer de tels tubes cathodiques est adapté pour la fabrication en grandes séries et les panneaux obtenus présen- tent une résistance supérieure au salissement. Exemples 7-10 Ces exemples illustrent des formes de réalisation, dans laquelle la présente invention est appliquée aux surfa- ces avant des panneaux (panneaux de verre) de tubes de Braun. On fait dissoudre de l'éthoxysilane [Si(0C2H5)4] dans de l'éthanol, et on ajoute de l'eau pour l'hydrolyse et de l'acide nitrique en tant que catalyseur pour préparer une solution. A cette solution alcoolique on ajoute 1 % en poids de fines particules de SiO2 (de forme presque sphérique) tamisées de manière à présenter un diamètre de 50-100 nm et une quantité appropriée d'acétylacétone en tant que milieu dispersant. A la solution alcoolique indiquée plus haut, on ajoute chacun des différents constituants indiqués dans le tableau 2, en une quantité prédéterminée, avant l'addition des fines particules de SiO2. Le tableau 2 indique un exemple comparatif, dans lequel on n'a ajouté aucun matériau pour obtenir un effet antistatique, en plus des exemples 7-10. On fait tomber goutte-à-goutte chacune des suspen- sions composites indiquées dans le tableau 2, sur le panneau de verre, et on la répartit uniformément à l'aide d'un dispo- sitif de centrifugation. Ensuite, on fait brûler le revêtement obtenu à C pendant environ 30 minutes pour décomposer l'éthoxisi- lane. Les fines particules de SiO2 situées dans le revêtement sont fixées fermement au moyen d'une pellicule mince uniforme et continue de SiO2 résultant de la décomposition, ce qui aboutit à la formation de fines parties saillantes ou de fins renfoncements sur le panneau de verre. Une, observation au microscope électronique d'une coupe transversale de la pelli- cule d'inhibition des réflexions ainsi formée révèle que des parties saillantes ou des renfoncements uniformes d'une hau- teur ou profondeur de 100 nm + 20 nm et présentant un pas de répartition de 50 nm sont formés sur la surface extérieure de la pellicule d'inhibition des réflexions, comme représenté sur la figure 7(b), qui est une vue à plus grande échelle de la partie représentée sur la figure 7(a). Sur la figure 7(b), la référence 6 désigne la pellicule d'inhibition des réflexions, la référence 6a désigne les fines particules de SiO2 et la référence 6b désigne la mince pellicule de SiO2 ré- sultant deladécomposition du tétraéthoxysilane et contenant un additif antistatique. (ewo65 eun oseA sTol Og T:4TPPV -Z--O- (eJOun:I4D) Eîî uenvsuoD -- - - Sr'O 5'0 (e'JTN) OeH6 G ( úON) IV loufl&,, I 0up t(úHZQOO)TS ep uolinnos _ _ _ _ enb1 aqn ' Z QIl9 g01 6 8 L. N eLdwex_ - gdwoo el dwex3 Z nealqel On a mesuré le coefficient de réflexion en faisant tomber un faisceau d'une lumière d'une longueur d'onde de 550 nm, sous un angle d'incidence, sur cette pellicule d'inhi- bition des réflexions formée sur ledit panneau de verre. Le coefficient de réflexion trouvé était inférieur à 0,5 % comme indiqué dans le tableau 2. En outre les coefficients de ré- flexion mesurés de façon similaire, mais avec une modifica- tion de la longueur d'onde étaient inférieurs à 1 % dans la gamme des longueurs d'onde 450 à 650 nm, comme indiqué par la courbe I sur la figure 10. Ces valeurs conviennent pour satisfaire aux exigences relatives au coefficient de réfle- xion concernant les terminaux à affichage VDT. Ensuite on a frotté fortement et uniformément la surface de la pellicule d'inhibition des réflexions formée sur ledit panneau de verre en utilisant une gomme (Lion 50- ). Les coefficients de réflexion obtenus, tels que repré- sentés par la résistance mécanique dans le tableau 2 et par le courbe II sur la figure 10, présentaient des décalages égaux seulement à environ 0, 1-0,2 %, ce qui ne pose aucun problème du point de vue de la qualité. A titre comparatif, on a effectué le même essai sur une surface semblable du pan- neau de verre rendue rugueuse au moyen d'un procédé classique de corrosion. Dans ce cas le coefficient de réflexion a aug- menté de 2 % par rapport à un frottement réalisé avec la gom- me. Le frottement exécuté 5 fois fournit le même coefficient de réflexion que celui de la surface du panneau de verre non traité, dont on a mesuré les coefficients de réflexion comme cela est indiqué par la courbe III sur la figure 10. On peut considérer que la raison,.pour laquelle le coefficient de réflexion du panneau de verre est réduit, comme indiqué plus haut, par suite de la formation de la pel- licule d'inhibition des réflexions, est la même que celle expliquée pour les exemples 3-6. On peut supposer que la faible résistivité super- ficlelle, telle qu'indiquée dans le tableau 2, a été obtenue par le fait que les constituants antistatiques provenant de la suspension agissent d'une manière efficace et n'affectent pas à un degré important la fonction d'inhibition des réfle- xions et la résistance mécanique de la pellicule. On peut former une telle pellicule d'inhibition des réflexions direc- tement sur des ampoules terminées, simplement au moyen de l'ad- dition de fines particules de SiO2, disponibles dans le com- merce, à une solution alcoolique de Si(OR1)4 existant, en ap- pliquant la suspension résultante, avec brûlage ultérieur des revêtements résultants, sans l'utilisation d'aucun pro- duit chimique nocif comme par exemple l'acide fluorhydrique. Par conséquent ce procédé de formation de pellicules peut être mis en oeuvre de façon sûre et avec un faible coût. Bien que l'on ait indiqué dans les exemples pré- cédents l'utilisation de Si(OR1)4, R1 désignant l'éthyle, on peut utiliser, comme indiqué précédemment, des alkoxysilanes Si(OR1)4 comportant 1 à 5 atomes de carbone de R1. Cependant, étant donné que la viscosité de la solution alcoolique aug- mente légèrement lorsque n augmente, il est recommandé de choisir un alcool convenant pour être utilisé comme sol- vant pour l'alkoxysilane, compte tenu de la capacité de trai- tement. En outre, bien que l'on ait indiqué des sels d'alu- minium comme sels métalliques typiques qui sont des additifs permettant d'obtenir l'effet antistatique, d'autres sels hy- groscopiques de métaux des groupes II et III du tableau pé- riodique fournissent un effet antistatique équivalent. En ce qui concerne également les oxydes métalliques conducteurs, on a indiqué le SnO2 comme représentatif dans l'exemple ci- dessus, mais on peut utiliser d'autres oxydes métalliques connus d'une manière générale, par exemple In203,Sb203, des oxydes métalliques complexes ayant des structures du type pérovskite, comme par exemple LaNiO3,La1 xSrx CoO3 (les résis- tivités de ces constituants sont toutes égales à 10.cm à la température normale). Dans ces exemples, la forme des fines particules de SiO2, le procédé d'enduction de la suspension et la température et la durée de brûlage du revêtement sont les mêmes que dans le cas des exemples 3-6. Conformément à la présente invention, il est pos- sible de fabriquer des panneaux d'affichage d'images recou- verts par des pellicules d'inhibition des réflexions, qui présentent un effet supérieur d'inhibition des réflexions à une résistance mécanique supérieure et possèdent également une fonction antistatique. En outre ces panneaux d'affichage peuvent être fabriqués au moyen d'un procédé sûr et simple, qui ne met en oeuvre aucun produit chimique nocif tel que l'acide fluorhydrique et par conséquent est le plus approprié pour une fabrication en grandes séries et fournit également une caractéristique supérieure de protection contre le salis- sement. REVENDICATIONS 1. Panneau d'affichage d'images, caractérisé en ce qu'il comporte une pellicule antistatique comportant un revêtement(2,6) en SiO2 transparente et élec- troconductrice située sur la surface avant dudit panneau, et que ledit revêtement contient de fines particules d'au moins un constituant sélectionné parmi des. oxy- des métalliques électroconducteurs et des sels métalliques hygroscopiques. 2. Panneau d'affichage d'images selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que lerevêtement antistatique (2,6) soit possède lui.m8me la fonction antireflet, soit est recouvert par un revêtement antireflets (8). 3. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 2, caractérisé en ce que ledit revêtement antire- flets (8) recouvrant ledit revêtement antistatique (2) est constitué par une pellicule mince de SiO2 contenant de fi- nes particules de SiO2 possédant un diamètre compris entre et 1000 nm, lesdites particules étant recouvertes par- ladite pellicule de sorte qu'elles sont fixées sur la sur- face dudit panneau (7). 4. Panneau d'affichage d'images selon la revendi- cation 3, caractérisé en ce que l'épaisseur dudit revête- ment antistatique (2) est inférieure ou égale à 2000 nm et que la quantité de fines particules de SiO2 contenues dans le revêtement antireflets (8) se situe dans une gamme comprise entre 0,01 et 1 mg/cm2. 5. Panneau d'affichage d'images selon la revendi- cation 4, caractérisé en ce que l'épaisseur du revêtement antistatique (2) est comprise entre 5 et 50 nm et que la quantité desdites fines particules de SiO se situe dans une gamme comprise entre 0,1 et 0,3 mg/cm2. 6. Panneau d'affichage d'images selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que le ou lesdits constituants sontchoisisdans le groupe incluant l'oxyde d'étain, l'oxy- de d'indium, l'oxyde d'antimoine, des chlorures, des ni- trates, des sulfates et des carboxylates de métaux des grou- pes II et III du tableau périodique. 7. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que la teneur en le ou lesdits constituants dans ladite pellicule de S0iO2 se situe dans une gamme comprise entre 0,01 et 1 mg/cm2 de surface de la pelli- cule. 8. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que le revêtement antistati- que (6) est réalisé sous la forme d'une mince pellicule de SiO2 (6b) assumant également une fonction d'inhibition des réflexions et contenant en outre de fines particules de SiO2 (6a) possédant un diamètre compris entre 10 et 1000 nm,. en plus du ou desdits constituants. 9. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 8, caractérisé en ce que le ou lesdits constituants sont choisis dans le groupe incluant des sels de métaux des groupes II et III du tableau périodique, l'oxyde d'étain, l'oxyde d'indium et l'oxyde d'antimoine. 10. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 8, caractérisé en ce que ladite pellicule de SiO2 contient entre 0,01 et 1 mg/cm2 desdites particules de SiO2 et entre 0,01 et 1 mg/cm2 dudit constituant. 11. Panneau d'afficahge d'images selon la reven- dication 10, caractérisé en ce que la quantité desdites fines particules de SiO contenues dans la pellicule de SiO2 est comprise entre 0,1 et 0,3 mg/cm2 et que la quan- tité du ou desdits constituants en particules fines contenus dans ladite pellicule en SiO2 est comprise entre 0,15 et 0,3 mg/cm2. 12. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 2, caractérisé en ce que ledit revêtement anti- statique (6) possède lui-même une fonction antireflet et possède de fines parties saillantes sur sa surface et con- tient de fines particules d'au moins un oxyde métallique choisi parmi SnO2,'n203 et Sb203. 13. Panneau d'affichage d'images selon la reven- dication 1, caractérisé en ce que ledit revêtement anti- statique(2,6) contient de fines particules d'au moins un oxyde métallique électroconducteur choisi parmi SnO2,In203 et Sb203, et que ledit revêtement de SiO2 est formé par ap- plication d'une solution alcoolique d'alkoxysilane[Si(OR1)4, R1 étant un alkyle] sur la surface avant du panneau (7), avec application ultérieure d'un traitement thermique au revêtement résultant à des températures inférieures ou éga- les à 200 C. 14. Procédé pour fabriquer des panneaux d'affi- chage d'images, caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer une suspension de fines particules d'au moins l'un des oxydes métalliques électroconducteurs et de sels métalliques hygroscopiques dans une solution alcoolique d'alkoxysilane sur la surface avant du panneau (7), et à appliquer ensuite un traitement thermique au revêtement résultant de manière à former une pellicule antistati- que (2,6) comprenant un revêtement de SiO2 transparent et électroconducteur sur la surface avant. 15. Procédé selon la revendication 14, caractéri- sé en ce qu'il inclut en outre la formation d'une pellicu- le antireflets (8) sur la pellicule antistatique (2). 16. Procédé selon la revendication 15, caractéri- sé en ce que la formation d'une pellicule antireflet (8) inclut les étapes consistant à disperser de fines particu- les de SiO2 d'un diamètre compris entre 10 et 1000 nm dans une solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4, dans le- quel R1 est un alkyle, à appliquer la suspension sur la pellicule antistatique qui constitue le substrat transpa- rent formé sur le panneau (7),et à chauffer le revêtement obtenu pour décomposer le Si(OR1)4,pour former une mince pellicule de SiO2 recouvrant et fixant les fines particu- les de SiO2. 17. Procédé selon la revendication 16, caractéri- sé en ce que les sels métalliques hygroscopiques sont des chlorures, des nitrates,des sulfates et des carboxylates de métaux des groupes II et III du tableau périodique, et les oxydes métalliques conducteurs transparents sont des oxy- des d'étain, d'indium et d'antimoine. 18. Procédé selon la revendication 14, caractéri- sé en ce qu'on prépare ladite suspension en dissolvant ou en dispersant 0, 05-7 % en poids de l'oxyde métallique ou du sel métallique dans la solution alcoolique d'alkoxysi- lane. 19. Procédé selon la revendication 19, caracté- risé en ce que la première étape inclut l'application d'une suspension préparée par l'addition supplémentaire d'une cétone ou d'éthylcellosolve en tant que milieu dispersant pour le sel métallique et l'oxyde métallique à la solution alcoolique et également l'addition d'eau et d'un acide mi- néral en tant que catalyseur pour faciliter l'hydrolyse de Si(OR1)4. 20. Procédé selon la revendication 16, caractéri- sé en ce qu'on prépare ladite suspension en dispersant 0,1- % en poids de fines particules de SiO2 dans la solution alcoolique de Si(OR1)4. 21. Procédé selon l'une des revendications 16 ou 20, caractérisé en ce que RI dans le Si(OR1)4 représen- te l'éthyle et que le constituant alcool de la solution alcoolique est l'alcool éthylique. 22. Procédé selon la revendication 20, caractéri- sé en ce qu'on prépare ladite suspension en'ajoutant, en supplément, une cétone ou de l'éthylcellosolve en tant que milieu dispersant pour les fines particules de SiO2 et en ajoutant également de l'eau et un acide minéral pour faci- liter l'hydrolyse de Si(OR1)4. 23. Procédé selon la revendication 14, caractéri- sé en ce que ladite suspension est appliquée par enduction par centrifugation, enduction par immersion, enduction par projection ou au moyen d'une combinaison de ces procédés d'enduction et que le traitement thermique de la surface enduite est exécuté à 50-200 C. 24. Procédé selon la revendication 14, caracté- risé en ce qu'on forme ladite pellicule antistatique au moyen des étapes consistant à disperser de fines parti- cules de SiO2 d'un diamètre de 10 -1000 nm dans une solu- tion alcoolique de Si(OR1)4, R1 étant un alkyle, et en dis- persant également des particules d'au moins un constituant sélectionné parmi des sels métalliques hygroscopiques et des oxydes métalliques électroconducteurs, à appliquer la suspension obtenue sur la pellicule antistatique,à chauffer le revêtement résultant pour décomposer le Si(OR1) et former une mince pellicule de SiO2 destinée à recouvrir les fines particules de SiO2 du revêtement afin de les fi- xer sur la surface dudit panneau, ce qui a pour effet que ladite pellicule antistatique possède également une fonction antireflet. 25. Procédé selon la revendication 24, caracté- risé en ce que le ou lesdits constituants sont choisis dans le groupe incluant les chlorures, les nitrates, les sulfa- tes, les carboxylates de métaux des groupes II et III du tableau périodique et les oxydes d'étain, d'indium et d'an- timoine. 26. Procédé selon la revendication 25, caracté- risé en ce que lesdites fines particules de SiO sont pré- sentes en une quantité comprise entre 0,1 et 10 % en poids dans la solution alcoolique de Si(OR1)4 et que le ou lesdits cons- tituants sont présents en une quantité comprise entre 0,05 et 7 % en poids dans cette solution. 27. Procédé selon la revendication 26, caracté- risé en ce que lesdites fines particules de SiO2 sont pré- sentes en une quantité comprise entre 1 et 3 % en poids et que le ou lesdits constituants sont présents en une quantité com- prise entre 1 et 2 % en poids. 28. Procédé selon la revendication 24, caractéri- sé en ce que R1 dans Si(OR1)4 est l'éthyle et que le cons- tituant alcool de la solution alcoolique est constitué prin- cipalément par de l'alcool éthylique. 29. Procédé selon la revendication 28, caracté- risé en ce que ladite suspension est préparée moyennant l'addition supplémentaire du cétone en tant que milieu dispersant des fines particules de SiO2 de la solution al- coolique, d'eau et d'un acide minéral en tant que cataly- seur servant à faciliter l'hydrolyse de Si(OR1)4. 30. Procédé selon la revendication 24, caractéri- sé en ce que ladite suspension est appliquée au moyen d'un procédé d'enduction par centrifugation, d'enduction par immersion, d'enduction par pulvérisationouau moyen d'une combinaison de ces procédés d'enduction et que le traite- ment thermique de la surface enduite est exécuté à 50-200 C. 31. Procédé selon la revendication 15, caractéri- sé en ce qu'on forme la pellicule antistatique sur la surface avant d'un panneau d'affichage d'images moyen- nant l'application d'une solution alcoolique de Si(OR1)4,R1 désignant un alkule, contenant au moins l'un des oxydes SnO2,In203 et Sb203 sur la surface avant, et brûlage préli- minaire du revêtement, et qu'on forme en outre ladite pel- licule antireflets sur ledit revêtement ayant subi une combustion préliminaire, au moyen de l'application d'une solution alcoolique de Si(OR1)4 par enduction par projec- tion, et qu'on brûle complètement l'ensemble du revêtement de manière à former des parties saillantes de la pellicule de SiO2 au niveau de la surface la plus extérieure. 32. Procédé selon la revendication 14, caractéri- sé en ce que la suspension est une dispersion de fines par- ticules d'au moins l'un des oxydes SnO2,In203 et Sb203 dans une solution alcoolique d'alkoxysilane Si(OR1)4, R1 désignant un alkyle, et que le traitement thermique est exécuté à une température inférieure ou égale à 200 C.