Brevet FR2629289A1 — publié le 19890929

Résonateurs en matériau solide élastique et oscillateurs à haute stabilité La présente invention concerne, de manière générale, des résonateurs et des oscillateurs pour leur mise en oeuvre. Plus précisément l'invention concerne des résonateurs et des oscillateurs à haute stabilité dans la gamme des basses et moyennes fréquences. Les oscillateurs de haute stabilité actuellement les plus performants utilisent pour la plupart des résonateurs en matériau piézoélectrique, principalement le quartz. D'autres matériaux piézoélectriques sont également employés tels que la berlinite. Dans ce type de résonateur en matériau piézoélectrique, l'effet piézoélectrique est un moyen aisé de convertir en énergie mécanique l'énergie d'un champ électrique appliqué au matériau piézoélectrique. La variation relative de fréquence pour les oscillateurs à résonateur à quartz de haute stabilité est au mieux de l'ordre de 10. Dans le cas des oscillateurs à résonateur à quartz "bas de gamme" largement employés dans les appareillages électroniques, la variation relative de fréquence se situe entre -5 -7 et 10. Cette variation relative de fréquence est pour une part importante due aux dérives du résonateur dans le temps et en fonction de conditions de l'environnement telles que la température. Les dérives d'un résonateur à quartz sont, en partie, inhérentes au matériau utilisé, le quartz. Des essais ont mis en évidence les limitations du quartz qui constitue le meilleur matériau piézoélectrique connu. Le quartz et plus généralement tout matériau cristallin comprend des défauts de structure et des impuretés dans les canaux intersticiels. La mobilité relative de ces impuretés dans les canaux instersticiels provoque des dérives temporelles de fréquence et des sensibilités excessives aux rayonnements ionisants notamment lorsque le quartz est excité en modé de flexion. Les résonateurs à quartz de haute stabilité nécessitent l'emploi de quartz de très bonne qualité. Actuellement, 2- il devient difficile de se procurer du quartz naturel de qualité suffisante. De plus, la synthèse du quartz artificiel n'est pas totalement maîtrisée. Par ailleurs, la sensibilité du quartz aux variations de température impose l'emploi, pour ces oscillateurs à haute stabilité, d'enceintes thermostatées coûteuses. La présente invention vise principalement à fournir des résonateurs à haute stabilité réalisables avec un matériau solide élastique quelconque, afin d'échapper aux limitations inhérentes aux structures cristallines et de résoudre les inconvénients de la technique antérieure. Une très large gamme de matériaux solides élastiques est utilisable. A cette fin, un résonateur selon l'invention comprenant un support, une plaque résonnante fixée audit support, une ou plusieurs premières électrodes et une ou plusieurs secondes électrodes respectivement pour exciter ladite plaque selon un mode de vibration de contour et pour détecter des vibrations de la plaque, est caractérisé en ce que la plaque est en matériau solide élastique et a une longueur multiple entier de la largeur de la plaque, en ce que lesdites électrodes n'adhèrent pas à la plaque et sont disposées à la périphérie de la plaque à une distance prédéterminée faible de la plaque, face à des chants de la plaque et en regard de ventres de vibration, et en ce que la plaque est fixée au support en des points correspondant à des noeuds de vibration de la plaque. Un autre objectif de l'invention est de fournir des oscillateurs à haute stabilité pour la mise en oeuvre des résonateurs selon l'invention. A cette fin, un oscillateur comprend essentiellement un résonateur selon l'invention, des moyens de déphasage et des moyens d'amplification connectés en boucle. L'oscillateur peut comprendre également des moyens pour polariser des électrodes du résonateur à des tensions continues, des moyens reliés en entrée aux secondes électrodes du résonateur pour produire un signal représentatif d'une variation de capacité entre lesdites électrodes et une masse de référence, ladite variation de capacité étant due à des vibrations de la plaque résonnante du résonateur, et des moyens, -3- en cascade avec lesdits moyens pour produire un signal représentatif d'une variation de capacité, pour diviser en fréquence par 2 ledit signal. Les résonateurs selon l'invention autorisent la réalisation d'oscillateurs à haute stabilité dans la gamme de fréquences de 50 à 500 kHz. Un circuit multiplieur peut être associé à l'oscillateur lorsque la fréquence souhaitée est supérieure à 500 kHz. Pour de nombreuses applications le signal produit par un oscillateur selon l'invention est utilisable directement, sans traitement par des circuits de division de fréquence connmme cela est souvent nécessaire dans le cas des oscillateurs à quartz fonctionnant dans la gamme de à 10 MHz. Une réalisation particulière d'un résonateur selon l'invention à partir de silice vitreuse, matériau amorphe isolant, a permis d'atteindre un coefficient de qualité de l'ordre de 10 à la fréquence de résonance de 50 kHz. De plus, l'utilisation de silicium pour la réalisation du résonateur permet aisément l'intégration complète d'un oscillateur sous forme très réduite dans un circuit intégré monolithique ou hybride. D'autres avantages et caractéristiques de l'invention appara!tront plus clairement à la lecture de la description suivante de -plusieurs réalisations préférées de l'invention en référence aux figures annexées correspondantes dans lesquelles: - La Fig. 1 est une représentation schématique d'un résonateur de principe selon l'invention; - Les Figs. 2 et 3 montrent respectivement une vue en perspective et une vue en coupe d'une première réalisation préférée d'un résonateur comprenant une plaque résonnante carrée et deux électrodes; - - Les Figs, 4 et 5 montrent respectivement une vue en perspective et une vue en coupe d'une seconde réalisation préférée d'un résonateur comprenant une- plaque résonnante rectangulaire et quatre électrodes; - La Fig. 6 représente une première réalisation préférée d'un oscillateur selon l'invention dans lequel des électrodes d'action -4- et de détection du résonateur sont polarisées à des tensions continues; et - La Fig. 7 représente une seconde réalisation préférée d'un oscillateur dans lequel une électrode d'action du résonateur n'est pas polarisée à une tension continue et un diviseur de fréquence par 2 est inclus dans la boucle de l'oscillateur afin de pallier à une multiplication de fréquence par 2 introduite par le résonateur. En référence à la Fig. 1, un résonateur de principe selon l'invention comprend une plaque parallélépipédique 1 d'épaisseur e, de largeur L et de longueur n.L, o n est un entier supérieur ou égal à 1, ici égal à 3, une ou plusieurs électrodes d'action 21 à 24 et une ou plusieurs électrodes de détection 31 et 32. La plaque 1 est en matériau solide élastique. Différents types de matériaux sont utilisables, conducteurs, semi-conducteurs ou isolants, amorphes ou cristallisés, piézoélectriques ou non. Une telle plaque à structure parallèlépipédique excitée par des ondes acoustiques de volume en mode de contour présente des résonances pour différentes fréquences de vibration. Pour exciter un mode de contour dans la plaque 1, les électrodes d'action 21 à 24 sont placées à la périphérie de la plaque 1 face à des chants d'épaisseur e de la plaque 1, et un signal d'action v destiné à a exciter la plaque est appliqué aux électrodes 21 à 24. Pour une plaque 1 en matériau isotrope, l'épaisseur e est quelconque car elle n'intervient pas sur le mode de vibration. Pour une plaque 1 présentant une anisotropie dans le sens de l'épaisseur e, l'épaisseur e doit être faible afin de réduire les effets de l'anisotropie. Des essais réalisés avec différents types de matériaux ont montré que le mode de Lamé selon lequel les ondes se propagent dans des directions à 45 des bords de la plaque 1 est un mode d'excitation intéressant de part les coefficients de qualité élevés qui sont obtenus. Les résonateurs selon l'invention décrits par la suite fonctionnent en mode d. Lamé. D'autres modes de contour sont utilisables tout en restant dans le cadre de l'invention. Des déformations de la plaque 1 excitée en mode de Lamé à une fréquence fondamentale de résonance F0 sont montrées en traits fins continus à la Fig. 1. En traits fins discontinus sont montrées des - 5 - déformations de la plaque 1 excitée à une première fréquence de résonance harmonique 2F0. Les électrodes d'action et de détection 21 à 24 et 31 et 32 sont positionnées à la périphérie de la plaque 1 en regard de ventres de vibration. Afin de ne pas perturber les vibrations de la plaque 1, les électrodes 21 à 24, 31 et 32 n'adhèrent pas à la surface des chants de la plaque 1; elles sont placées à faible distance de la plaque 1, typiquement à une distance de l'ordre de 100 Pm. Les électrodes d'action et de détection 21 à 24, 31 et 32 montrées à la Fig. 1 sont positionnées pour une résonance de la plaque 1 à la fréquence fondamentale FO. Ce positionnement est donné A titre d'exemple, d'autres positionnements étant possibles. Les électrodes 21 et 22 sont positionnées symétriquement à mi-largeur L/2, selon un axe longitudinal de la plaque 1, respectivement en regard de premier et second chants en bout de la plaque 1. Les électrodes 23 et 24 sont positionnées en regard d'un premier chant longitudinal de la plaque 1; elles sont séparées entre elles d'une distance égaie à 2L et sont respectivement A des distances égales à L/2 des premier et second chants en bout de plaque. Les électrodes 21 et 22 sont positionnées face à des ventres de vibration déphasés de ' par rapport aux ventres de vibration en face desquels sont positionnées les électrodes 2 et 2. Afin de compenser ce déphasage, il est prévu un déphaseur de à, 4. Les électrodes 21 et 22 reçoivent directement le signal d'action v. Les électrodes 23 et 24 reçoivent le signal d'action va à a 3 4a travers le déphaseur 4. Les électrodes de détection 31 et 32 sont positionnées en regard d'un second chant longitudinal de la plaque 1 parallèle au premier chant longitudinal, symétriquement par rapport aux électrodes d'action 23 et 24 et respectivement à des distances égales à L/2 des premier et second chants en bout de plaque. Les électrodes 31 et 32 délivrent un signal vd représentatif des vibrations de la plaque 1. La plaque 1 de surface 3LxL présente Il noeuds de vibration lorsqu'elle résonne à la fréquence fondamentale F0, 3 noeuds localisés respectivement aux centres de 3 carrés LxL inscrits dans la plaque 1, 4 noeuds localisés respectivement aux 4 coins de la -6- plaque 1, 2 noeuds localisés sur le premier chant longitudinal de la plaque 1 respectivement à des distances égales à L des premier et second chants en bout de plaque, et 2 noeuds localisés sur le second chant longitudinal respectivement à des distances égales à L des premier et second chants en bout de plaque. De préférence, afin de perturber au minimum la résonance de la plaque I et d'obtenir des coefficients de qualité élevés, la plaque 1 est fixée à un support en des points correspondant à des noeuds de vibration. Selon le type de matériau constituant la plaque 1, différents effets physiques interviennent pour induire des vibrations dans la plaque 1 à partir des électrodes d'action 21 a 24 et pour détecter les vibrations de la plaque 1 à l'aide des électrodes de détection 31et 32. Ainsi dans le *cas d'une plaque 1 en matériau conducteur, tel par exemple que le duralumin (Au4G), l'effet physique intervenant est l'effet capacitif. De même, l'effet capacitif est également utilisé dans le cas o la plaque 1 est en matériau semi-conducteur, un dopage en surface de la plaque 1 assurant sa conductivité. Le signal d'action v est alors appliqué entre les électrodes d'action 21 à 24 et la plaque 1 reliée à une borne de masse M comme montré à la Fig. 1. De même, le signal détecté vd est fourni entre les électrodes de détection 31 et 32 et la borne de masse M. Dans le cas o la plaque 1 est en matériau isolant non piézoélectrique, amorphe ou cristallisé, les effets capacitif et électrostrictif sont utilisables. Si les chants de la plaque 1 en regard des électrodes sont métallisés et reliés à la borne de masse M, l'effet agissant est essentiellement l'effet capacitif. Si les chants de la plaque 1 ne sont pas métallisés, une masse métallique de référence par exemple le support est reliée à la borne de masse M de manière à ce que les lignes du champ électrique produit par le signal d'action v traversent le matériau isolant. Les effets a capacitif et électrostrictif interviennent dans ce dernier cas. De même dans le cas o la plaque 1 est en matériau isolant piézoélectrique, les chants de la plaque 1 en regard des électrodes peuvent être métallisés et reliés à la borne de masse M, ou peuvent être non métallisés et une masse métallique de référence telle que le support est alors reliée à la borne de masse M. Dans le premier -7- cas, l'effet capacitif intervient. Dans le second cas, c'est l'effet piézoélectrique qui opère essentiellement. Lorsque les effets capacitif et électrostrictif sont les effets agissant, la relation entre la tension v à une électrode d'action ou de détection et les forces dans la plaque 1 est donnée par l'égalité: f a.v2, o a est un coefficient de proportionnalité. En supposant une tension sinusoïdale v = V.coswt, V et > étant respectivement l'amplitude maximale et la pulsation de la tension v, les forces dans la plaque 1 s'expriment par: f = a.V2.(1+cos 2wt)/2. Cette dernière égalité montre donc que la plaque 1 vibre à une fréquence F=w/w qui est double par rapport à la fréquence w/2e de la tension v. Afin de linéariser la relation tension-force, une électrode est éventuellement polarisée à une tension continue U. Les forces dans la plaque 1 deviennent: f _ a.(U+V.cosWt)2 = a.(U2+2.U.Vcosut+V2.cos2Wt). La linéarisation de la relation tension-force est obtenue avec le terme 2.U.V.coswt. Dans le cas o l'effet piézoélectrique est prépondérant, cet effet étant linéaire, il n'est pas* nécessaire de polariser les électrodes. La fréquence fondamentale de résonance F0 de la plaque 1 lorsque celle-ci est constituée d'un matériau isotrope s'exprime: Fo = vt.(2)1/2/(2.L), o v est la vitesse des ondes de cisaillement dans la plaque 1. Lorsque la plaque 1 est constituée d'un matériau cristallin anisotrope, il convient de choisir une orientation judicieuse des axes de la plaque 1 par rapport aux axes cristallographiques du matériau afin que le mode de Lamé dans une telle plaque garde une structure nodale analogue à la structure nodale obtenue dans un matériau isotrope. Ainsi, par exemple lorsque la plaque 1 est en matériau cristallin du système cubique tel que le silicium ou le germanium, le plan de surface nLxL de la plaque 1 doit être normal à un premier axe cristallographique x du matériau et les bords de la -8- plaque 1 doivent être parallèles ou à 45 par rapport à des second y et troisième z axes cristallographiques du matériau. Deux angles de coupe à 0 ou à 45 par rapport aux second et troisième axes y et z sont donc possibles; ces deux angles de coupe à 0 et 45 déterminent deux fréquences fondamentales de résonance différente. Dans le cas d'un angle de coupe à 0 , la fréquence fondamentale de résonance F est donnée par la relation: F0 1/2 1/2 F0 = (Cll-C12) //(2.L)/2.) Dans le cas d'un angle de coupe à 45 , cette même fréquence est donnée par la relation: F0 = (C66)l/2/(2.L.p)1/2 Dans les relations ci-dessus, p représente la masse volumique du matériau et Cll, C12 et C66 représentent les composantes Cij du tenseur de rigidité du matériau constituant la plaque 1, respectivement d'indices (i, j)=(1, 1), (i, j)=(1, 2) et (i, j)=(6, 6). Lorsque la plaque 1 est par exemple en quartz, matériau piézoélectrique, la plaque 1 doit être coupée de sorte que son plan de surface nLxL corresponde à un plan d'isotropie du quartz. Dans ces conditions, pour une plaque 1 de faible épaisseur, la fréquence fondamentale de résonance F0 est donnée par la même relation que pour un matériau isotrope: 1/2 F0 = vt.(2) //(2.L), o vt est la vitesse des ondes de cisaillement dans la plaque de tp Z5 quartz, donnée par la relation: vtp = ((C66-(C 41C44))/p)1/2, p étant la masse volumique du quartz. En référence aux Figs. 2 et 3, une première réalisation préférée du résonateur selon l'invention comprend une plaque carrée I de surface LxL, une électrode d'action 2 et une électrode de détection 3, deux pattes de fixation 51 et 52' et une plaque support 6. La plaque 1 et les pattes de fixation 51 et 52 constituent une pièce monobloc taillée dans une plaque de silicium. Les pattes de fixation 51 et 5 ont une forme en U et entourent la plaque 1. Quatre languettes 511 512 et 521 522 elent quatre coins de la Quatre lnguette 5 li2 e 21' 522 relient quatre coins de la - 9 - plaque 1 respectivement à deux coins internes de la patte de fixation 5 et à deux coins internes de la patte de fixation 52. 1 2 Le support 6 est en matériau isolant tel que céramique. Ledit support 6 est par exemple le support en céramique d'un circuit intégré hybride dans lequel est intégré le résonateur selon l'invention. Sur un bord périphérique 60 du support 6 surplombant légèrement, typiquement de 100 pm, une face supérieure centrale 61 du support 6 sont fixées par collage les pattes de fixation 51 et 52 de la plaque 1 et les électrodes 2 et 3. Les électrodes 2 et 3 sont alignées dans un plan de symétrie P du résonateur 1O respectivement en regard de deux chants parallèles de la plaque 1. Les pattes de fixation 51 et 52 sont localisées symétriquement de part et d'autre du plan P. La face supérieure 61 du support 6 comprend une partie métallisée 62 destinée à être reliée à la masse de référence. Cette partie métallisée 62 est localisée en-dessous de la plaque 1 de manière à ce que la plaque 1 soit traversée par des lignes d'un champ électrique induit par le signal d'action v a appliqué à l'électrode d'action 2. En référence aux Figs. 4 et 5, une seconde réalisation préférée du résonateur selon l'invention comprend une plaque rectangulaire 1 de surface nLxL, ici n=4, une barrette d'électrodes 23, deux pattes de fixation 51 et 52, et une plaque support 6. De même que dans la première réalisation préférée décrite précédemment, la plaque 1 et les pattes de fixation 51 et 52 constituent une pièce monobloc. Cette pièce monobloc est, pour cette réalisation, en silice vitreuse. Quatre languettes, aux quatre coins de la plaque rectangulaire 1, relient la plaque 1 aux pattes de fixation 51 et 52 Les pattes de fixation 5 et 52 sont fixées par collage respectivement à deux extrémités de la plaque support 6. Un chant longitudinal 11 de la plaque 1 en regard de la barrette d'électrodes 23 est métallisé pour être relié à la masse de référence. La barrette d'électrodes 23 qui est par exemple une barrette rigide de circuit imprimé double face supporte deux électrodes d'action 2 et 2 et deux électrodes de détection 3 et 32. Les 1 2 I 2 électrodes 21, 22, 31 et 32 sont situées sur une première face de la barrette 23; elles sont alignées face au chant métallisé 11 de - 10 - la plaque I et en regard respectivement de quatre ventres de vibration de la plaque 1 lorsque celle-ci vibre à la fréquence fondamentale de résonance F0. La barrette 23 est collée en des extrémités aux pattes de fixation 51 et 52 de la plaque I et en une partie inférieure à un chant longitudinal du support 6. Une seconde face de la barrette 23 comprend deux bandes conductrices imprimées et 30 auxquelles sont reliées respectivement les électrodes d'action 21 et 22 et les électrodes de détection 31 et 32. Dans cette seconde réalisation, les signaux d'action v et de détection a vd sont déphasés de s. En référence à la Fig. 6, un premier oscillateur à haute stabilité mettant en oeuvre un résonateur selon l'invention RE comprend outre le résonateur RE, deux résistances de polarisation R et RA, un premier amplificateur A1, un déphaseur DE, et un second amplificateur A2. Le résonateur RE comprend une plaque carrée 1, une électrode d'action 2 et une électrode de détection 3. Les électrodes 2 et 3 sont disposées en regard respectivement de deux chants parallèles métallisés de la plaque 1; ces chants sont reliés à la masse de référence. L'électrode de détection 3 et le chant métallisé en regard forment un condensateur de capacité CD ayant une variation dynamique de capacité dCD lorsque la plaque 1 vibre. La résistance de polarisation RA a une première borne reliée à l'électrode d'action 2 et à une sortie de l'amplificateur A2, et une seconde borne portée à une première tension continue de polarisation UA. La résistance de polarisation RD a une première borne reliée à l'électrode de détection 3 et à une entrée inverse - de l'amplificateur A1, et une seconde borne portée à une seconde tension continue de polarisation UD. L'amplificateur A1 est du type amplificateur opérationnel; il comprend une entrée directe + reliée à la masse de référence et un condensateur CR placé en contre-réaction entre une sortie et l'entrée - de l'amplificateur A1. Lorsque le résonateur RE résonne à la fréquence fondamentale F0o l'amplificateur Al fournit en sortie un signal vR qui est appliqué à une entrée du déphaseur DE. Le signal vR est donné par la relation: - il - vR= UD.(AC/CR).cos(u0.t+41) - k lVa.cos(O.t+Di), o AC est l'amplitude maximale de la variation de capacité dC, 0 la pulsation correspondante à la fréquence F0, q1 un déphasage introduit par le résonateur RE et l'amplificateur A1 entre le signal d'action va=Va. cos(O0.t) et le signal VR, et kI un coefficient de proportionnalité entre les amplitudes des signaux v et vR. Le déphaseur DE a pour fonction d'introduire un déphasage %DE dans le signal vR; il délivre en sortie le signal: VRD kE k.V a cos( O.t+l+IDE), o kDE est une atténuation apportée sur le signal par le - déphaseur DE. Le signal vRD est appliqué à une entrée de l'amplificateur A2. L'amplificateur A2 est un amplificateur à gain ajustable G et à faible impédance de sortie. L'amplificateur A2 est par exemple, comme l'amplificateur A1 de type amplificateur opérationnel. L'amplificateur A2 délivre en sortie le signal d'action v fourni à a l'électrode d'action 2. Compte tenu du gain G et d'un déphasage 02 introduit dans le signal vRD par l'amplificateur A2, il vient la relation: v a= V.cos(w O.t) = G.k DE.kl.Va.cos(w0. tP+ql DE+02). 0 D De cette relation sont déduites les conditions classiques de gain et de phase pour le maintien des oscillations de l'oscillateur: G.kDE.k1 = 1 et 1 +DE+2 = p.2., o p est un entier. Le gain G et/ou le coefficient k1 sont ajustés pour satisfaire à la condition de gain G.kDE.kl - 1, le coefficient k1 étant ajustable par le choix des tensions de polarisation UA et UD. Le déphaseur DE est conçu afin d'introduire un déphasage DE satisfaisant à la condition de phase i+$DE+e2=p.2.e. En référence à la Fig. 7, une seconde réalisation préférée d'un oscillateur à haute stabilité mettant en oeuvre un résonateur selon l'invention RE diffère de la première réalisation décrite ci-dessus en ce que l'électrode d'action 2 du résonateur RE n'est pas polarisée à une tension continue, la résistance RA étant - 12 - supprimée, et en ce qu'un diviseur de fréquence par 2, DI, est introduit entre les amplificateurs A1 et A2, en cascade avec le déphaseur DE. L'électrode d'action 2 n'étant pas polarisée, la réponse du 5. résonateur RE est quadratique et l'amplificateur A1 délivre un signal sinusoïdal vR dont la fréquence est le double de la fréquence du signal d'action v. Le diviseur de fréquence DI divise par 2 la fréquence du signal vR et pallie ainsi à la multiplication de fréquence par 2 due à la réponse quadratique du résonateur RE. Bien entendu diverses applications de l'invention peuvent être envisagées comme, par exemple, la réalisation de capteurs de force, de pression, d'accélération ou de température, utilisant le résonateur à plaque en tant qu'élément sensible. - 13 - R E V E N D I C A T I 0 N S 1 - Résonateur comprenant un support (6), une plaque résonnante (1) fixée audit support (6), une ou plusieurs premières électrodes (21 à 24) et une ou plusieurs secondes électrodes (31 et 32) respectivement pour exciter ladite plaque (1) selon un mode de vibration de contour et pour détecter des vibrations de la plaque (1), caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau solide élastique et a une longueur (n.L) multiple entier de la largeur (L) de la plaque, en ce que lesdites électrodes (21 à 24 31 et 32) n'adhèrent pas à la plaque (1) et sont disposées à la périphérie de la plaque (1) à une distance prédéterminée faible de la plaque (1), face à des chants de la plaque (1) et en regard de ventres de vibration, et en ce que la plaque (1) est fixée au support (6) en des points (511, 512 521' 522) correspondant à des noeuds de vibration de la plaque (1). 2 - Résonateur conforme à la revendication 1, caractérisé en ce que ledit mode de vibration est un mode de Lamé selon lequel des ondes acoustiques de volume se propagent dans des directions à 45 des bords de la plaque (1). 3 - Résonateur conforme à la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau conducteur ou semi-conducteur dopé en surface et est reliée à une masse de référence (M). 4 - Résonateur conforme à la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau isolant et comprend en regard des électrodes (21, 22 31, 32) des chants métallisés (11) reliés à une masse de référence (M). - Résonateur conforme à l'une quelconque des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau isolant, et en ce que le support (6) comprend une surface conductrice (62) reliée à une masse de référence (M) et disposée par rapport aux électrodes (2, 3) et à la plaque (1) de sorte que la plaque (1) soit traversée par des lignes d'un champ électrique entre les électrodes (2, 3) et ladite surface conductrice (62). 6 - Résonateur conforme à la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau cristallin du système cubique, et en ce que la plaque (1) est coupée de telle sorte que - 14 - le plan de la plaque (1) soit perpendiculaire à un premier axe cristallographique (x) du matériau et que les bords de la plaque (1) soient parallèles ou à 45 des second et troisième axes cristallographiques (y et z) du matériau. 7 - Résonateur conforme à la revendication 6, caractérisé en ce que la plaque (1) est en silicium ou germanium. 8 - Résonateur conforme à la revendication 4 ou 5, caractérisé en ce que la plaque (1) est en matériau piézoélectrique et en ce que la plaque (1) est coupée de sorte que le plan de la plaque (1) corresponde à un plan d'isotropie du matériau. 9 - Résonateur conforme à l'une quelconque des revendications i à 8, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (4) pour déphaser de X un signal d'action (va) destiné à exciter la plaque (1) en un signal déphasé, ledit signal déphasé étant appliqué à des premières électrodes (23, 24) en regard de premiers ventres de vibration déphasés de v par rapport à des seconds ventres de vibration en regard desquels sont disposées d'autres premières électrodes (2], 22) recevant directement le signal d'action (v a). - Oscillateur comprenant un résonateur (RE), des moyens de déphasage (DE) et des moyens d'amplification (A2) connectés en boucle, caractérisé en ce que ledit résonateur (RE) est un résonateur conforme à l'une quelconque des revendications 1 à 9. 1l - Oscillateur conforme à la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (A1) reliés en entrée aux secondes électrodes (3) pour produire un signal (vR) représentatif d'une variation de capacité (dC) entre les secondes électrodes (3) et une masse de référence (M), ladite variation de capacité (dC) étant due aux vibrations de la plaque (1) du résonateur (RE). 12 - Oscillateur conforme à la revendication 10 ou 11, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (RA, R.) pour polariser les premières et secondes électrodes (2 et 3) du résonateur (RE) respectivement à des première et seconde tensions continues (VA et VD). 13 - Oscillateur conforme à la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens (RD) pour polariser les secondes électrodes (3) du résonateur (RE) à une tension continue (U), et des moyens (DI), en cascade avec lesdits moyens pour produire le des moyens (DI), en cascade avec lesdits moyens pour produire le - 15- signal représentatif d'une variation de capacité (dC). entre les secondes électrodes (3) et la masse de référence (M) (AI), pour diviser en fréquence par deux ledit signal (vR).