Brevet FR2630600A1 — publié le 19891027

CIRCUIT ACTIF POUR HAUTES ET HYPER-FREQUENCES" La présente invention a pour objet un circuit actif dans les domaines des hautes et des hyper-fréquences, à fonc- tion de transfert biquadratique, comprenant un bloc comportant un filtre et un amplificateur, et un sommateur pour réaliser la sommation entre le signal de sortie du bloc et un signal d'entrée appliqué à l'entrée du circuit. Un tel circuit actif, en l'espèce un filtre, est connu de la publication de J.TOW dans IEEE Spectrum, Decembre 1969 pp.103-107, et intitulée UA step-by-step Active-filter Designu. Une réalisation à fonction de transfert biquadratique est représentée à la figure 8, et comprend trois amplifica- teurs opérationnels en série, cette chaine étant rétrobou- clée. Un quatrième amplificateur opérationnel réalise la som- mation de la sortie du premier amplificateur opérationnel et de l'entrée du circuit filtre. En hautes fréquences, le gain des amplificateurs est relativement faible et en outre la chaine rebouclée est susceptible d'entrainer des oscillations du circuit. Un amplificateur du type passe-bande est représen- té à la figure 6 et présente des caractéristiques similaires et donc les mêmes inconvénients. Un filtre est également connu de l'article de J. DAS et al "Twin T feedback filters" Int. J. Electronics 1968 vol n 5 pp.429-447 fig. 4a. Le filtre présente une fonction de transfert de type coupe-bande, et une sélectivité Q qui Vaut k + 1. k 1), k étant le gain de l'amplificateur. Or, tout amplifi- cateur fonctionnant en hautes ou hyper-fréquences, au voisina- ge de sa fréquence de coupure intrinsèque possède un gain k relativement faible, ce qui conduit dans ce cas à une sélecti- vité faible du circuit de filtrage. En outre, la structure pratique proposée concerne un coupe-bande, mais ceci impose des valeurs bien précises des éléments. Si, comme dans le cas des circuits intégrés, les dispersions sur les éléments sont relativement élevées, la cellule est en général d'ordre 3, ce qui entraîne un risque d'oscillations non contrôlées. De tels filtres sont enfin connus de l'article de R.P SALLEN et E.L. KEY paru dans IRE Trans. Circuit Theory vol CT-2 pp.74-85, Mars 1955 et intitulé 'A Practical Method of Designing RC Active Filters'. Ces filtres se répartissent en deux classes. Dans la classe A, Ies filtres sont stables quel- les que soient les valeurs des éléments, mais sont peu sélectifs, car la sélectivité maximale vaut 2 fk+1. Dans la classe B, la sélectivité a pour valeur: Q = " - a et p sont définis par les éléments du filtre et a est faible surtout pour les circuits intégrés o 1 de P-K faibles, ce qui fait que la valeur de Q est très sensi- ble aux dispersions des éléments actifs et passifs, avec un risque d'avoir P-K osciller de manière incontrôlée. La présente invention propose de remédier à ces in- convénients, en ce sens qu'elle propose un circuit actif pré- sentant une bonne sélectivité, même avec un gain K faible, et une sélectivité améliorée pour des gains K élevés, et dont la stabilité n'est que peu affectée par les dispersions sur les éléments. Sa stabilité est relativement facile à contrôler ce qui fait qu'il se prête à des réalisations soit comme filtre, soit comme oscillateur. Le circuit de filtrage selon l'invention est dans ce but caractérisé en ce que le bloc présente une fonction de transfert B(p) qui a pour expression: () + 1 ( B(P)-wi Qi wi B(p) = - K ()2 + 1 (L) +1 avec Qo >0, et p = variable de Laplace. Le filtre B(p) présente intrinsèquement une sélectivité égale à Qo qui est en pratique peu élevée (environ de 1/3 à 1/2) mais par contre le circuit actif présente une sélectivité plus élevée qui a pour valeur: (K + 1)Qo Qo I +K-- Qi En outre, le circuit actif se prête,contrairement aux filtres précités, à des réalisations dans lesquelles la fréquence centrale fp et la sélectivité Q sont réglables sé- parément. - Lorsque K est faible, on a intérêt pour obtenir les valeurs de Q élevées de choisir Ql Q Q1Q i [(K + 1)lQ1l] Qo Le terme (K+1)IQ11 fournit déjà une valeur de Q re- lativement élevée. Le dénominateur permet d'augmenter Q, mais le ris- que d'oscillation dû aux dispersions sur les éléments est peu élevé car, grâce au terme (K+1)IQlI, on n'aura pas besoin de rendre le dénominateur très petit. Lorsque K a une valeur élevée, c'est à dire pour un filtre fonctionnant à des fréquences éloignées de la fréquence intrinsèque de coupure des éléments actifs, on a intérêt à choisir Ql>o et-le plus grand possible. Pour Q1i + -, on a Q - (k+1)Qo, par exemple (k + 1) Dans ce cas, le circuit de filtrage proposé est plus sélectif à gain k égal que celui proposé par J. DAS et al, et également plus stable. Ce circuit de filtrage est éga- lement beaucoup plus sélectif que les filtres de classe A dé- crits par Sallen et Key. Selon une première variante, l'amplificateur com- porte une résistance dont une première borne est connectée à une première source de courant commandée par la tension déli- vrée par une première sortie du filtre, de telle sorte que la résistance est traversée par ledit courant, et pour réaliser le sommateur, la deuxième borne de la résistance reçoit la tension d'entrée, et l'entrée du filtre est connectée à la première borne de la résistance de manière à recevoir une ten- sion de sortie du filtre. Cette variante permet, grâce à la mise en oeuvre d'une source de courant commandée en tension, d'obtenir un gain relativement élevé au voisinage des fréquences de coupure intrinsèque des éléments actifs. Selon un premier mode de réalisation de cette va- riante, le filtre comporte, connectéesen parallèle, une pre- mière branche présentant un gain constant, et une deuxième branche présentant une fonction de transfert L(p) a pour ex- pression: p L(p) = -K2 p 1 p (-)2 + -(-)+1 mo Qo wo et le circuit comporte des moyens pour additionner les sorties des deux branches. Ladite sommation peut alors être avantageusement réalisée en connectant à la première borne de la résistance, un deuxième source de courant commandée en tension par une deuxième sortie du filtre, la première et la deuxième sortie du filtre étant constituées par la sortie respectivement de la première et de la deuxième branche. Le filtre peut comporter à son entrée un deuxième amplificateur à la sortie duquel les première et deuxième branche sont connectées en parallèle. La fonction de transfert L(p) peut être réalisée en mettant en oeuvre en cascade un premier et un deuxième réseau RC ainsi qu'un étage amplificateur-inverseur, le premier ré- seau RC étant connecté entre l'entrée et le pâle de mode com- mun, le deuxième réseau RC étant connecté entre le point mi- lieu du premier réseau RC et le pole de mode commun, le point milieu du deuxième réseau RC constituant la sortie de la deu- xième branche, et l'élément du deuxième réseau RC connecté au point milieu du premier réseau RC étant de même nature que l'élément du premier réseau connecté entre son point milieu et le pôle de mode commun. Avantageusement, l'élément du deuxième réseau RC connecté entre son point milieu et le pôle de mode commun est capacitif et est constitué par la capacité de gril- le d'un premier MESFET constituant l'étage amplificateur-in- verseur et recevant sur sa grille une première tension de com- mande. Selon un mode de réalisation préféré, les résistan- ces des premier et deuxième réseaux RC sont constituées par respectivement les deuxième et troisième transistors MESFET montés en résistance ajustable et recevant sur leur grille une même deuxième tension de commande. Les première et deuxième sources de courant peuvent être constituées avantageusement par respectivement un quatrième et un cinquième transistor MESFET recevant sur leur grille respectivement un dit signal de sortie du circuit et le signal de sortie du premier tran- sistor MESFET, ainsi que par un sixième transistor MESFET re- cevant sur sa grille une troisième tension de commande, dont le drain est connecté à une source de tension d'alimentation, et dont la source est connectée au drain commun aux quatrième et cinquième transistors. Selon une deuxième variante, le bloc comporte un amplificateur à plusieurs entrées, dont la sortie est connectée à l'entrée du filtre, et dont les entrées reçoivent ledit signal d'entrée du circuit et au moins un signal de sortie du filtre. Le filtre peut comporter, connectées en parallèle, une troisième branche de gain unité et une quatrième branche présentant une fonction de transfert L(p) qui a pour expression: wo L(p)= -K3 R p_2 1 p (-) ±(-) + 1 et l'amplificateur à plusieurs entrées présente trois entrées, deux. d'entre elles étant connectées aux sorties des troisième et quatrième branches. Selon un mode de réalisation préféré, l'amplifica- teur à trois entrées comporte un septième, un huitième et un neuvième transistors MESFET dont les grilles constituent les- dites trois entrées, dont les drains sont communs et sont con- nectés à la source d'un dixième transistor MESFET dont la grille reçoit une quatrième tension de commande et dont le drain est connecté à la source de tension d'alimentation. La quatrième branche du filtre peut avantageusement comporter un troisième et un quatrième réseaux RC, le troisième réseau RC présentant un premier élément capacitif connecté entre le drain commun aux septième, huitième et neuvième transistors MESFET et le point milieu du troisième réseau RC, et un onziè- me transistor MESFET dont le trajet drain-source est connecté entre le point milieu du troisième réseau RC et le pôle de mo- de commun, et le quatrième réseau RC présentant un douzième transistor MESFET dont le trajet drain-source est connecté en- tre les points milieu des troisième et quatrième réseaux RC, l'élément capacitif du quatrième réseau RC étant constitué par la capacité d'entrée d'un treizième transistor MESFET dont la source est connectée au pôle de mode commun, le drain à la grille du septième transistor MESFET, les grilles des onzième et douzième transistors MESFET recevant une cinquième tension de commande et la grille du treizième transistor MESFET reçe- vant une sixième tension de commande. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui va suivre donnée à titre d'exemple non limita- tif, en liaison avec les dessins qui représentent: - la figure 1, un circuit de filtrage selon l'invention. - la figure 2, un circuit de filtrage selon la première va- riante de l'invention. - les figures 3 à 6 des modes de réalisation de la première variante. - les figures 7a, 7b et 8 des modes de réalisation d'une bran- che de filtre. - la figure 9 un mode de réalisation de la première variante permettant un ajustement des paramètres du circuit de filtra- ge, les figures 10a et 10b illustrant une courbe de réponse obtenue dans-un cas particulier. - la figure 11, un circuit de filtrage selon la deuxième va- riante de l'invention. - les figures 12 et 13, des modes de réalisation de la deuxiè- me variante. - la figure 14, un mode de réalisation de la deuxième variante permettant un ajustement des paramètres du circuit de filtra- ge, et les figures 15a et 15b, une courbe de réponse obtenue dans un cas particulier. Suivant la figure 1, un circuit actif, notamment un filtre, selon l'invention comporte un bloc B comportant un filtre et un amplificateur et un sommateur S pour réaliser la - sommation entre le signal de sortie Vs du bloc B et un si- gnal d'entrée Ve appliqué à l'entrée du circuit. Soit V's le signal à la sortie du sommateur. Le bloc B présente une fonction de transfert B(p) de la forme:2 (p) + (p.) + 1 ml Q1 1 B(p) = -K Qi w p 2 1 p (2--) ± (-)+1 avec Qo positif, p = variable de Laplace = jw Dans la suite de la description, on considère que w1: wo, étant donné que cela correspond à ce qu'on est appelé à utiliser dans les montages réels. Les deux sorties du montage (à l'entrée et à la sortie du bloc B), donnent les fonctions de transfert suivan- tes. (p)2 + 1 (p- + 1 Vp) + Qi! s B(p) -K p p T(p) = (-) = -- =- V 1-B(p) K+1 p 2 1 p e (_.)2 +_ (-_)+ 1 w Q w P P (pV +1 (-) + 1. V w Qo w s 1 1 p p T'(p) =(-) = - V 1-B(p) K+1 p 2 1 p e (-) ±(--) + 1 w Q w p P avec Wp =w1 = Wo (K + 1) Qo Q = Qo 1 +KQ Q1 A partir d'une cellule B(p) dont la sélectivité Qo est peu élevée (entre 1/3 et 1/2), on obtient un circuit de filtrage dont les deux sorties ont une sélectivité Q nettement plus élevée. La sortie Vs correspond à une fonction coupe-bande à condition que Q passe-bande à condition que Qo Lorsque la fréquence centrale du filtre est assez éloignée de la fréquence de coupure intrinsèque des éléments actifs, la valeur de K peut être élevée et on choisit QI>O (et le plus grand possible), ce qui fait que Q est toujours positif et que le filtre est toujours stable. Pour Qj suffisamment grand, on a: Q: (K + 1) Qo Dans ce cas, la structure proposée est plus sélective à K égal que celle décrite par J.DAS et al., et plus stable. Elle est également beaucoup plus sélective que les filtres de classe A décrits par SALLEN et KEY, et beaucoup plus stable que les filtres de classe B selon cette même publication, en raison du fait que l'expression de Q présente un terme multiplicatif (K + 1)Q1 qui diminue d'autant la sensibilité de la valeur de Q aux dispersions sur les éléments. On obtient donc une amélioration notable des caractéristiques quelle que soit la valeur de K. Si par ailleurs, on souhaite utiliser le circuit actif comme oscillateur, il suffit de choisir Il- - K du facteur Q présente le terme multiplicatif (k + 1)JQ1J. En ce qui concerne la sortie V's, utilisable pour réaliser un circuit de filtrage passe-bande, le gain dans la bande passante est d'autant plus élevé que la valeur de Q est plus grande. Selon la figure 2, le bloc B(p) est séparé en deux parties, un filtre H étant situé en amont d'un amplificateur A1 de gain -G'. Le filtre H a une fonction de transfert H(p) qui a pour expression: p 2 1 p (-) ± (-) + 1 wo Q1 wC H(p) = G p)2 + 1 p C-) - (- + i G est le gain basse fréquence du filtre H, et sa valeur est peu élevée, l'amplification étant assurée par l'amplificateur A1. Le circuit présente une sortie supplémentaire Vs2 à l'entrée de l'amplificateur A1. Ona: Vs F1(p)s = = T'(p) e F2(p) = Ve G' F2(P) =Ve -grT(p) F3(p) = v = T(p) Ve avec K = GG' Selon la figure 3, une résistance R recevant sur une première borne la tension d'entrée Ve est traversée par le courant i1 d'une source de courant I1 connectée à la deuxième borne de la résistance R et commandée par la tension de sortie du filtre H dont l'entrée est connectée à la deuxième borne de la résistance R. La source de courant i1 a une impédance d'entrée Z1. Le courant i1 a pour valeur gml Vs2. Ce montage vérifie les équations: Vs1 = Ve + Vs3 Vs2 = H(p) Vs1 Vs3 = Ri1 = - gml Vs2 Ces équations correspondent bien au cas de la figure 2. Il vient: G' = gmR L'utilisation d'une source de courant pour réaliser l'amplifi- cation permet d'atteindre des gains plus élevés au voisinage des fréquences de coupure intrinsèque des éléments actifs puisqu'il n'y a pas de limitation sur R, ce qui permet d'aug- menter le facteur Q sans augmenter la sensibilité aux disper- sions, soit de diminuer la sensibilité aux dispersions à Q égal. Dans les montages pratiques, il existe une résis- tance de fuite Rs1 en parallèle sur la source de courant I Il vient alors: G' = gm R+R R+S ce qui impose en pratique, le gain du filtre diminuant, un compromis sur la valeur de R, en rapport avec la valeur -de Rs1. Selon la figure 4, la cellule H est réalisée sous la forme de deux branches de même entrée et dont les sorties sont additionnées. La première branche comporte une celluie L de fonction de transfert L(p) et un amplificateur de gain K2, et la deuxième branche, un amplificateur de gain Ki, p (-) avec L(p) = -K3 2 2 (.) ±'(-) + 1 K3 ayant une valeur faible. Le-montage de la figure 4 correspond à celui de la figure 3 avec les conditions suivantes: G = K1 Qo Q1 K2K3 1 -- Qo K1 Selon la figure 5, la fonction amplification ainsi que la sommation des sorties des deux branches est obtenue à l'aide de deux sources de courant I1 et I2 délivrant des cou- rants i1 et i2 commandés par les tensions de sortie des deux branches de la cellule H. Les étages suiveurs S1 et S2 de gain respectivement G"1 et G"2 ont pour fonction de rendre le mon- tage indépendant des impédances d'entrée Z1 et Z2 des sources de courant I1 et I2. Il vient: i = i1 + i2 = (gml G"1 + gm2 L(p) G'2)Vsl Ce montage est équivalent au précédent (fig. 4) en remplaçant dans les équations gmlK1 et gmIK2 par respectivement gmjG"1 et gm2G"2. Notons que la sortie Vs2 n'est plus accessible, par contre il apparaît une sortie Vs4 qui ne diffère de Vs1 que par le gain G1" et qui a l'avantage d'être une sortie basse impédance. La figure 6 correspond au cas précédent, avec fu- sion des deux suiveurs S1 et S2 en un seul suiveur S de gain Ge faible. Ce montage est équivalent au précédent en rempla- cant G"i et G"2 par G". La cellule L peut être réalisée par la mise en cas- cade d'un filtre passe-bande passif, dont deux exemples de réalisation sont montrés aux figures 7a et 7b, et d'un étage amplificateur-inverseur. Le filtre passe-bande passif comporte deux réseaux RC en cascade. Entre l'entrée recevant la tension Ve et le pôle de mode commun, sont disposés successivement une résis- tance R1 et un condensateur C1 (fig. 7a) ou bien un condensa- teur C1 et une résistance R1 (fig. 7b). Entre le point milieu du réseau (R1, C1), c'est-à-dire la borne commune à la résis- tance R1 et au condensateur C1, et le pôle de mode commun, sont disposés successivement un condensateur C2 et une résis- tance Rz (fig. 7a) ou bien une résistance R2 et un condensa- teur C2. Le point milieu du réseau (R2, C2), c'est-à-dire la borne commune à la résistance R2 et au condensateur C2, cons- titue la sortie du filtre passe-bande passif. Selon la figure 8, l'étage amplificateur-inverseur comporte un transistor MESFET To, dont la capacité d'entrée de grille est utilisée pour réaliser le condensateur C2. Une ré- sistance R3 en parallèle sur la grille du transistor TO et un condensateur C3 en série sur celle-ci servent respectivement à la polarisation de la grille par une tension E et au découpla- ge. Une résistance de drain Ro connectée à une tension d'ali- mentation U sert à la polarisation du drain du transistor To. Selon la figure 9, le bloc S de la figure 6 est ré- alisé par les transistors T7 et Ts, les diodes D1 à Ds de dé- calage de niveau, et la source de tension E4. L'entrée du bloc S est constituée par la grille du transistor T7 et sa sortie (tension Vs4), par la source du transistor T7. Les diodes D1 à D5 sont en série et dans le sens direct entre la source du transistor T7 et le drain du transistor T8 dont la grille et la source court-circuitées sont connectées à la source de ten- sion E4, pour former une source de courant. Le filtre L de la figure 6 a des paramètres réglables et dans ce but les résis- tances R1 et R2 sont constituées par le trajet drain-source de transistors MESFET respectivement T1 et T2 recevant sur leur grille une tension E1 réglable, à travers une résistance de polarisation R'1. De la sorte les transistors T1 et T2 sont utilisés en tant que résistances variables. En outre, le tran- sistor To reçoit sur sa grille une tension E2 à travers une résistance de polarisation R'3. Le condensateur C1 reçoit la tension Vs4. Les sources de courant I1' et I2 sont constituées par deux transistors MESFET T3 et T4, dont les drains d'une part, et les sources sont interconnectés, ces dernières étant connectées au pôle de mode commun. La grille du transistor T3 est connectée au drain du transistor T8 qui délivre une ten- sion égale à Vs4 diminuée de cinq tensions de diodes, et la grille du transistor T4 est connectée au drain du transistor To à travers un condensateur C4 de découplage. Une résistance R4 de valeur élevée assure la polarisation en continu de la grille du transistor T% du même niveau que celle de T3. Le drain commun aux transistors T3 et T4 est connecté à la source d'un transistor MESFET T5 dont la grille reçoit la tension ré- glable d'une source de tension E3 à travers une résistance de polarisation Rs. Un condensateur C5 est connecté entre la grille et la source de transistor T5 d'o une tension grille- source nulle en alternatif. Le transistor T5 ne sert qu'à éva- cuer le courant de polarisation de T3 et T4. Les drains des transistors T5, T7 et To sont con- nectés à une source de tension E5, à travers une résistance de polarisation Ro en ce qui concerne le transistor To. Notons également, qu'en amont de la résistance R, est disposé un con- densateur C6 de découplage. Le réglage de la fréquence centrale du circuit de filtrage s'effectue en agissant sur la valeur de la tension - E1, ce qui modifie simultanément la valeur des résistances R1 et R2. Le réglage-de la valeur Q s'effectue de deux maniè- res: d'une part le réglage de la tension E2 permet d'ajuster grossièrement le facteur K3 de la cellule L, donc la valeur de Q1. D'autre part, le réglage de la valeur de E3 qui fi- * xe les potentiels communs aux drains des transistors T3 et T4, permet d'ajuster finement les facteurs gml et gm2 des sources de courant I1 et I2 et donc le facteur de gain K, donc la va- leur de Q. Le réglage de la valeur de Q est plus fin avec le potentiel E3 qu'avec le potentiel E2, car toute variation de E2 se répercute directement sur la tension drain-source du transistor To, alors qu'une variation de E3 donne une varia- tion plus faible de la tension drain-source des transistors T3 et T% en raison de la boucle à liaisons continues que contient le montage. LoYsque le montage est utilisé à des fréquences proches de la fréquence de coupure des éléments actifs, ils apportent des retards de phase qui font que la fréquence centrale fp du circuit de filtrage est notablement inférieure à la fréquence fo de la cellule L. Le gain des étages variant notablement avec la fréquence, il faudra, pour modifier la fréquence fp, non seulement agir sur la valeur de la tension E1, mais également sur celles des tensions E2 et E3 pour conserver les mêmes gains à la nouvelle fréquence fp choisie, donc les mêmes valeurs de QI et de K, donc en définitive la même valeur de Q. La Demanderesse a réalisé un circuit selon le montage de la figure 9. A titre d'exemple, les valeurs suivantes ont été relevées. Cas 1: E1 = OV fp = 2,39 GHz Cas 2: E1 = -1,8V fp = 1,13 GHz Dans le cas 1, une valeur de Q assez élevée et positive a été obtenue avec E2 = -0, 75V et E3 = 2,5V, et dans le cas 2 avec E2 = -1,95V et E3 = 2,6V. Dans le cas 1, la variation du facteur Q a été évaluée de la manière suivante: Tableau 1: E1 = OV E3 = 2,5 V E2 -0,8 -0,775 -0,75 -0,725 -0,700V 0,675V Q 25 32 48 82 390 Tableau 2: E1 = OV E2 = -0,75V E3 2,4 2,45 2,475 2,5 2,525 2,550 2,6 Q 32 37 42 48 52 60 83 Il en résulte clairement que le facteur Q est environ quatre fois moins sensible à E3 qu'à E2. E3 permet d'ajuster finement la valeur de Q et d'obtenir des valeurs de l'ordre de 50 à 100 avec une assez bonne précision, ce qui correspond à un gain meilleur que 10 à 15 dB. Les figures 10a et 10b donnent les fonctions de Vs4 transfert pour E1 = OV, E2 = -0,75V et E3 = 2,5V sont Ve respectivement en amplitude et en phase. Selon la figure 11 l'amplificateur A1 est en amont du filtre H de réposne H(p) pour constituer le bloc B de la - figure 1. On obtient aux trois sorties: V Si Ml(p) = SI = T'(p) V S2 M2(p) = Ve = G'T'(p) V S3 M3(p) = Ve = T(p) Ve avec K = GG' Selon la figure 12, l'amplificateur-sommateur A1 est à deux entrées de manière à réaliser la sommation entre la tension d'entrée Ve et la tension de sortie Vs3. On a en sortie de l'amplificateur A'i. VS2 = -G'l Ve - G'2 Vs3 On obtient aux sorties: V S2 M'2(P) =Ve = G'lT'(p) V M'3(p) =Ve = G-Tx (p) V G'? avec K = GG'2 Selon la figure 13, l'amplificateur, sommateur A"1 est à trois entrées, le filtre H ayant été remplacé par un filtre L à deux branches parallèle, une de réponse L(p), et l'autre de gain unité (voir fig. 6 par exemple). La sortie de l'amplificateur A"1 attaque l'entrée du filtre L(p). Les trois entrées de l'amplificateur A"I reçoivent la tension d'entrée Ve, la tension de sortie Vs2 de l'amplificateur A"1, et la tension de sortie Vs3 du filtre L. On a en sortie de l'amplificateur A": Vs2 = -G'3Ve G'4Vs3 - G'sVs2. Ce schéma vérifie les mêmes équations que précédemment en remplaçant G'1, G'2 K2 et G'2 K1 respectivement par G'3, G'4 et G'5. Selon la figure 14, le filtre L est constitué de la même façon qu'à la figure 9 (transistors T1, T2, To, condensa- teurs C1, C3 et C4, résistances R'1 et R'3, sources de tension E1 et Ez). L'amplificateur de tension A"1 possède trois en- trées. A cet effet, le drain commun à trois transistors T13, T14 et T15 dont les sources sont reliées au pôle de mode com- mun est connecté à la source d'un transistor Ts monté comme dans le cas de la figure 9 (condensateur Cs entre grille et source, résistance R5, source de tension de grille E3). La grille du transistor T15 reçoit l'entrée Ve à travers un condensateur de découplage C10. La grille du tran- sistor T14 est connectée au-drain du transistor To à travers le condensateur C4 de découplage, et la grille du transistor T13 reçoit la tension de drain du transistor T8 qui forme une source de courant pour forcer une tension de décalage de ni- veau dans les diodes D1 à D5 montées en direct par la source du transistor T7 (montage suiveur) comme dans le cas de la fi- gure 9. La grille du transistor T7 est connectée au drain com- mun aux transistors T13 à T15, et sa source, au condensateur C1. Des résistances R14 et R15 pontent les grilles des tran- sistors T13 et T14, et T14 et T15 respectivement, de manière à assurer leur polarisation en continu au même niveau. Le réglage de la valeur de Q s'effectue de la même manière que dans le cas de la figure 2. A titre indicatif, dans un exemple de réalisation, la Demanderesse a obtenue les valeurs suivantes: Cas I: E1 = OV fp = 2,32 GHz Cas 2: E1 = 1, 8V fp = 1,10 GHz Dans le cas 1, une valeur de Q assez élevée et po- sitive a été obtenue avec E2 = -0,8V et E3 = 2,5V, et dans le cas 2 avec E2 = -1,95V et E3 = 2,5V. Dans le cas 1, la variation du facteur Q.a été éva- luée de la manière suivante: Tableau 1: E1t = OV E3 = 2,5 V E2 -0,825 -0,8 -0,775 -0,75 Q 34 51 105 Tableau 2: E1 = OV E2 = -0,75V E3 2,4 2,45 2,475 2,500 2,525 2,55 2,6 Q 33 40 46 51 61 71 105 Q est environ quatre fois plus sensible à E2 qu'à E3, comme d'ailleurs dans le cas de la figure 9. Pour des valeurs de Q de l'ordre de 50, le gain du circuit de filtrage est de l'ordre de 30 dB, ce qui est meilleur que dans le cas de la figure 9. A titre d'exemple, une fonction de transfert est donnée aux figures 15a et 15b Vs2 avec E1 = OV, E2 = -0,8V et E3 = 2,5V, soit -VE respective- ment en amplitude, et en phase +180 . 263060 0 REVENDICATIONS: 1. Circuit actif dans les domaines des hautes et hy- per-fréquences, à fonction de transfert biquadratique, compre- nant un bloc (B) comportant un filtre et un amplificateur, et un sommateur (s) pour réaliser la sommation entre le signal de sortie du bloc (B) et un signal d'entrée (VE) appliqué à l'entrée (E) du circuit, caractérisé en ce que le bloc B pré- sente une fonction de tranafert'B(p) qui a pour expression: p 2 i p À Qi_.) (-) + -(P--) + 1 Wp Q1 wl B(p) =-K w iw (-) - (-) + 1 wo Qo wo - avec Qo>O, p = variable de Laplace. 2. Circuit selon la revendication 1 caractérisé en ce que l'amplificateur comporte une résistance (R) dont une pre- mière borne est connectée à une première source de courant commandée par la tension délivrée par une première sortie du filtre, de telle sorte que la résistance (R) est traversée par ledit courant, en ce que, pour réaliser le sommateur (S), la deuxième borne de la résistance (R) reçoit la tension d'entrée (VE), et en ce que l'entrée du filtre (H) est connectée à la première borne de la résistance (R), de manière à recevoir une tension de sortie du circuit. 3. Circuit selon la revendication 2, caractérisé en ce que le filtre (H) comporte, connectées en parallèle, une pre- mière branche présentant un gain (K1) constant en fonction de la fréquence, et une deuxième branche présentant une fonction de transfert L(p) qui a pour expression: Wo L(p)= -Kz p 2 1 p ()+ - (P--) + 1 et en ce que le circuit comporte des moyens pour additionner les sorties des deux branches. 4. Circuit selon la revendication 3 caractérisé en ce que l'amplificateur comporte également une deuxième source de courant connectée à la première borne de la résistance (R) et commandée en tension par une deuxième sortie du filtre, en ce que la première et la deuxième sortie du filtre sont consti- tuées par la sortie respectivement de la première et de la -deuxième branche. 5. Circuit selon la revendication 4 caractérisé en ce que le filtre comporte à son entrée n deuxième amplificateur à la sortie duquel lesdites première et deuxième branches sont connectées en parallèle. 6. Circuit selon une des revendications 3 à 5 caracté- risé en ce que le filtre comporte, pour réaliser la fonction de transfert L(p), un premier et un deuxième réseau RC et un étage amplificateurinverseur en cascade, le premier réseau RC étant connecté entre l'entrée du filtre et le pôle de mode commun, le deuxième réseau RC étant connecté entre le point milieu du premier réseau RC et le pôle de mode commun, le point milieu du deuxième réseau RC constituant la sortie de la deuxième branche, et en ce que l'élément du deuxième réseau RC connecté au point milieu du premier réseau RC est de même na- ture que l'élément du premier réseau connecté entre son point milieu et le pôle de mode commun. 7. Circuit selon la revendication 6 caractérisé en ce que l'élément du deuxième réseau RC connecté entre son point milieu et le pôle de mode commun est capacitif, et est c6nsti- tué par la capacité de grille d'un premier transistor MESFET constituant l'étage amplificateur inverseur et recevant sur sa grille une première tension de commande. 8. Circuit selon la revendication 7, caractérisé en ce que les résistances des premier et deuxième réseaux RC sont constituées par respectivement des deuxième et troisième tran- sistors MESFET montés en résistance ajustable et recevant sur leur grille une même deuxième tension de commande. 9. Circuit selon une des revendications 7 ou 8 caractérisé en. ce que les première et deuxième source de cou- rant sont constituées par respectivement un quatrième et un cinquième transistors MESFET, recevant sur leur grille respec- tivement un dit signal de sortie du circuit et le signal de sortie du premier transistor MESFET, ainsi que par un sixième transistor MESFET recevant sur sa grille une troisième tension de commande, dont le drain est connecté à une source de ten- sion d'alimentation, et dont la source est connectée au drain commun aux quatrième et cinquième (T2) transistors. 10. Circuit selon la revendication 1, caractérisé en ce que le bloc (B) comporte un amplificateur à plusieurs entrées, dont la sortie est connectée à l'entrée du filtre et dont les entrées sont agencées pour reçevoir ledit signal d'entrée du circuit et au moins un signal de sortie du filtre (H). 11. Circuit selon la revendication 10, caractérisé en ce que le filtre (H) comporte, connectées en parallèle, une troisième branche de gain unité, et.une quatrième branche pré- sentant une fonction de transfert L(p) qui a pour expression: p L(p)= -K3 p p 2 1 p (-) ± (-) + 1 et en ce que l'amplificateur à plusieurs entrées présente trois entrées deux d'entre elles étant connectées aux sorties des troisième et quatrième branches. 12. Circuit selon la revendication 11 caractérisé en ce que l'amplificateur à trois entrées comporte un septième, un huitième et un neuvième transistors MESFET dont les grilles constituent lesdites trois entrées, dont les drains sont com- muns et sont connectés à la source d'un dixième transistor MESFET dont la grille reçoit une quatrième tension de commande et dont le drain est connecté à la source de tension d'alimen- tation. 13. Circuit selon la revendication 12, caractérisé en ce que la quatrième branche du filtre comporte un troisième et un quatrième réseaux RC, le troisième réseau RC présentant un transistor MESFET et le point milieu du troisième réseau RC et un onzième transistor MESFET dont le trajet drain-source est connecté entre le point milieu du troisième réseau RC et le pôle de mode commun, et le quatrième réseau RC présentant un douzième transistor MESFET dont le trajet drain-source est connecté entre les points milieu des troisième et quatrième réseaux RC, l'élément capacitif du quatrième réseau RC étant constitué par la capacité de grille d'un treizième transistor MESFET dont la source est connectée au pôle de mode commun, le drain à la grille du septième transistor MESFET, en ce que les grilles des onzième et douzième transistors MESFET reçoivent une cinquième tension de commande et en ce que la grille du treizième transistor MESFET reçoit une sixième tension de com- mande.