Brevet FR2634566A1 — publié le 19900126

PROCEDE ET DISPOSITIF POUR FIGER L'IMAGE D'UN CHAMP ELECTRIOUE DANS UN MATERIAU La présente invention concerne un procédé et un dispositif permettant de figer l'image d'un champ électrique dans un matériau et les produits et applications qui en résultent. Elle est basée sur l'observation des propriétés de certains matériaux polymères électro-optiques. On connait depuis longtemps des cristaux dont les propriétés optiques sont susceptibles d'être modifiées en faisant apparaîtra une anisotropie en présence d'un champ électrique. Ces matériaux sont en général rassemblés sous l'appellation de matériaux optiques non linéaires. En pratique, l'anisotropie produite dans de tels matériaux en présence d'un champ électrique se manifeste par le changement de l'indice de réfraction du matériau dans au moins une direction. Deux types d'effet sont classiquement distingués à cet égard. Dans le premier, le retard de phase créé entre les composantes du champ électrique selon deux axes d'une lumière incidente polarisée en fonction du champ électrique auquel est soumis le matériau varie linéairement avec l'intensité du champ. Cet effet est appelé effet Pockels.Dans l'autre type d'effet, le retard de phase varie en fonction du carré de l'intensité du champ électrique. Cet effet est connu sous le nom d'effet Kerr. Différentes sortes de matériaux sont susceptibles de fournir des cristaux présentant les propriétés évoquées précédemment. Ces cristaux toutefois ne sont pas toujours faciles à mettre en oeuvre ou peuvent n'être disponibles que dans des dimensions relativement réduites. Or, on a vu apparaître depuis quelque temps des matériaux électro-optiques permettant de surmonter ces difficultés, dans lesquels les molécules actives élactrô-optiquement sont des molécules organiques. Ces molécules peuvent être mises en oeuvre dans des films, fibres, couches minces ou épaisses déposées ou non sur des substrats. Il existe notamment des polymères, dans lesquels des molécules élactrooptiquement actives sont incorporées dans des proportions convenables à une matrice d'un matériau de support lui-même dépourvu de ces propriétés. En pratique, en l'absence de dispositions particulières, de tels matériaux sont amorphes et ne présentant aucun effet électro-optique, Aucune modification d'indice ne peut être constatée-lorsqu'un champ électrique est appliqué à l'intérieur de ces matériaux. L'invention part du fait que pour obtenir la manifestation d'un tel phénomène, il convient de conférer au matériau une anisotropie qui peut être obtenue lorsque, après l'avoir chauffé, on le soumet à un champ électrique et on le refroidit.L'invention utilise la constatation que la direction du champ électrique utilisé influe sur la direction dans laquelle les molécules électro-optiques tendent à s'orienter dans le matériau (et donc sur les caractéristiques directionnelles de l'anisotropie résultante) et que l'intensité du champ électrique appliqué pendant cette opération modifie également le niveau d'activité électro-optique du matériau. L'invention met à profit ces constatations pour figer l'image d'un champ électrique auquel on soumet un tel matériau en vue d'applications telles que 5'enregistrement de données ou de signaux, ou l'imagerie de certains paramètres ou grandeurs physiques. L'invention vise notamment un procédé dans lequel on élève la température en au moins une zone d'un tel matériau au-delà d'un niveau de transition à partir duquel l'orientation des molécules douées d'activité électro-optique de ce matériau peut être modifiée par une action extérieure ; on applique en cette zone un champ électrique dont la direction et/ou l'intensité sont déterminées en fonction de caractéristiques d'anisotropie optique du matériau que l'on souhaite obtenir et, pendant l'application dudit champ, on abaisse la température dans ladite zone en dessous de la température de transition pour figer les caractéristiques du champ appliqué dans le matériau. On fera fréquemment référence à ce champ électrique sous l'appellation de champ orientateur ou polarisateur. Selon un aspect de la mise en oeuvre de l'invention, l'intensité du champ électrique appliqué au matériau est modulée dans au moins une direction de l'espace de façon à faire varier une caractéristique d'anisotropie optique de ce matériau le long de cette direction. A cet effet, on peut notamment créer un déplacement relatif, selon cette direction, du matériau et de la source du champ électrique. Si la modulation du champ électrique est produite par un signal ou des données à enregistrer, les variations de la caractéristique d'anisotropie optique résultante dans le matériau le long de cette direction constituent un enregistrement de ce signal ou de ces données en fonction d'un paramètre qui peut être représenté par la variation de distance dans cette direction. Pour lire un tel enregistrement, un champ électrique est nécessaire pour mettre en évidence les variations de ladite caractéristique d'anisotropie du matériau le long de la direction considérée. On peut, à cet effet, soumettre le matériau à un champ électrique, dit ci-après détecteur, révélateur ou de lecture, dont l'intensité reste essentiellement constante le long de la direction dans laquelle on cherche à révéler l'anisotropie. Un dispositif de détection optique mesure les variations de l'activité électro-optique du matériau le long de ladite direction pour lire les informations ou le signal ayant modulé initialement le champ électrique orientateur. Bien entendu, la modulation des caractéristiques d'anisotropie par ce moyen peut être réalisée dans plusieurs directions de l'espace à l'intérieur du matériau. On obtient ainsi un enregistrement multidimensionnel.Il faut noter ici que cette technique permet en chaque zone élémentaire du matériau d'effectuer soit un enregistrement de type binaire, par tout ou rien, soit un enregistrement de niveau en fonction du niveau d'intensité du champ orientateur. La création et la modulation de l'anisotropie destinées à réaliser l'écriture sur le matériau, peuvent être effectuées selon deux modes différents. Le premier mode consiste à chauffer localement et appliquer un champ électrique global. Le second mode consiste à chauffer globalement et appliquer un champ électrique local ; selon ledit second mode, le procédé permet d'enregistrer des données de type analogique ou quasi-analogique, en chauffant globalement le matériau et en appliquant des champs électriques locaux de valeurs différentes ; ces derniers peuvent avantageusement être créés par dépôt local de charges ou mise à des potentiels donnés. Le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre de deux manières. En effet, soit les molécules du matériau sont préalablement et globalement pré-orientées, par application simultanée de chaleur et d'un champ électrique excitateur et refroidissement sous champ, puis le matériau est soumis à l'application locale de chaleur sous champ électrique nul, soit on oriente localement les molécules du matériau par application locale simultanée d'un champ électrique excitateur et de chaleur. Dans le premier cas, l'écriture équivaut à supprimer localement l'orientation globale préalable des molécules du matériau ; dans le second cas, on écrit sur le matériau en orientant localement les molécules; les molécules du dopant s'orientent dans le champ électrique et conservent leur orientation dès que la température du matériau devient inférieure à la température critique nécessaire à l'orientation. Selon l'une ou l'autre des deux mises en oeuvre visées ci-dessus, le matériau présente une succession de zones non orientées et orientées, qui constituent les données sous forme de bits à deux états O ou 1. En outre, le procédé permet d'écrire à des niveaux différents dans l'épaisseur d'un support du type en feuille ou en bande. En effet, il est possible de chauffer localement chaque niveau donné sous un champ orientateur uniforme. On réalise ainsi un enregistrement de l'information en volume, selon les trois dimensions du support. Pour la lecture des informations portées sur le support, on réalise l'analyse d'un faisceau lumineux traversant le support (placé sous un champ électrique de lecture) et dont certaines caractéristiques ont été modifiées par l'anisotropie du matériau (telle que la biréfringence). Compte tenu de l'importance quantitative du phénomène optique mis en jeu, on obtient, toute chose égale par ailleurs, un niveau élevé du signal optique de sortie, ce qui permet de faire appel à des moyens de lecture très simples L'invention concerne également l'utilisation d'un matériau polymère à propriétés électro-optiques comme support d'enregistrement d'informations. L'invention, appliquée à l'enregistrement/lecture de données, présente des avantages par rapport à l'art antérieur. En effet, les étapes d'écriture et de lecture peuvent être réalisées sans contact avec le film ou la bande, ce qui élimine les problèmes d'usure. En outre, le coût du support est faible car aucun dépôt n'est à réaliser. De plus, la lecture est rendue plus simple, du fait qu'elle est mise en oeuvre par transmission d'un faisceau lumineux, donc sans que la planéité du support soit un point critique, et surtout du fait que les valeurs de la biréfringence électro-optique peuvent être élevées, de dix à plusieurs dizaines de degrés. La lecture peut également être effectuée par réflexion de la lumière sur une des faces du support, après transmission dans le matériau.En outre, la densité d'informations peut être élevée puisque, d'une part la taille des bits n'est fonction que des dimensions de la zone soumise au champ local ou chauffée localement, et d'autre part le matériau n'est pas conducteur. Enfin, la stabilité chimique des polymères rend possible la réalisation d'un grand nombre de cycles écriture/lecture. Egalement, l'invention a pour but de proposer un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé décrit ci-dessus, comprenant des moyens pour créer une anisotropie optique contrôlée du matériau et des moyens de modulation de celle-ci, et des moyens de déplacement relatif entre d'une part le support d'informations constitué dudit matériau, et d'autre part lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie. Lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie comprennent des moyens de chauffage local et des moyens générateurs de champ électrique orientateur global dans lequel est susceptible d'être placé le support d'informations. En variante, lesdits moyens de création et modulation de l'anisotropie comprennent des moyens de chauffage global et des moyens d'engendrer un champ localement sur le support. De préférence, les moyens de création et modulation de l'anisotropie sont fixes et les moyens de déplacement sont aptes à faire déplacer le support. Avantageusement, les moyens de chauffage local comprennent un émetteur de faisceau laser apte à être focalisé sur le support. Dans ce cas, on peut prévoir des électrodes de part et d'autre du support; les électrodes sont en un matériau à la fois conducteur et apte à laisser passer la lumière du faisceau laser. Les électrodes sont par exemple constituées de deux plaques présentant une différence de potentiel entre elles, au voisinage desquelles défile le support. Selon une variante, les moyens générateurs de champ électrique sont aptes à effectuer un dépôt de charges électrostatiques à la surface du support; par exemple, ils sont constitués d'une source d'électrons. Afin d'obtenir une densité élevée d'information, les moyens de création et modulation de l'anisotropie sont aptes à créer plusieurs pistes parallèles porteuses chacune d'une série de bits successifs. Dans le cas où les moyens de chauffage sont constitués de lasers, le dispositif comprend avantageusement soit une diode laser par piste, soit une seule diode associée à des moyens de commande de la direction du faisceau laser émis par la diode unique. Le support d'informations, constitués du matériau à propriété électro-optique, peut être réalisé sous forme de film, découpé par exemple pour constituer une bande ou un disque. L'invention concerne également un dispositif de lecture de l'information enregistrée sur le support électro-optique, comportant des moyens générateurs de champ électrique de lecture, des moyens d'engendrer un faisceau lumineux apte à traverser le support et des moyens d'analyse optique dudit faisceau à la sortie du support. La lecture peut être réalisée soit par transmission du faisceau lumineux ou par réflexion de celui-ci. Les moyens générateurs de faisceau lumineux de lecture peuvent être constitués d'un émetteur de faisceau laser. Les moyens d'analyse optique sont par exemple du type polarimétrique et comprennent un ensemble polariseur et analyseur croisés et un détecteur. Lesdits moyens d'analyse optique peuvent, en variante, être du type interférométrique. Afin de préserver le film des conséquences de tension de claquage, le champ électrique excitateur (d'écriture) est inférieur au champ électrique de lecture. Pour éviter, à la lecture, de modifier de manière intempestive l'orientation des molécules, l'émetteur laser pour la lecture est de puissance inférieure à l'émetteur laser pour l'écriture (chauffage local). Avantageusement, le support est absorbant pour la longueur d'onde d'écriture (en vue de chauffer le plus possible) et peu absorbant (translucide ou transparent) pour la longueur d'onde de lecture (pour permettre une bonne transmission du faisceau lumineux de lecture). Afin de s'affranchir des conséquences de dérive temporelle des signaux de lecture, le dispositif comporte des moyens d'enregistrer sur le support des données de référence et des moyens de comparaison entre les signaux de référence et les signaux correspondant aux informations proprement dites. Ces données de référence ont également pour objet de guider les moyens de lecture. Selon un deuxième aspect de mise en oeuvre de l'invention, la direction du champ électrique orientateur est déterminée pour imposer à la structure du matériau des caractéristiques d'anisotropie présélectionnées en direction. Ces caractéristiques d'anisotropie peuvent être notamment choisies pour faciliter l'utilisation ultérieure des propriétés électro-optiques du matériau dans des conditions opératoires déterminées. Cette utilisation peut concerner par exemple la détection ou la révélation d'une information portée par le matériau lui-même comme il a été exposé précédemment ; elle peut également avoir pour objet la détection de variations d'informations propres au champ électroque révélateur ou excitateur avec lequel le matériau est utilisé. Dans les deux cas, il peut être utile de prédéterminer la direction du champ orientateur qui se trouve figé dans le matériau en vue des conditions d'utilisation ultérieurement envisagées pour ce dernier. Pour mettre en évidence l'effet Pockels produit par un champ électrique excitateur dans un matériau optiquement anisotrope, on envoie dans ce matériau une lumière incidente polarisée et on détecte la lumière résultante après traversée de la zone examinée soumise au champ électrique. On a déterminé que la direction de la lumière incidente par rapport à la direction du champ excitateur ainsi que par rapport à la direction du champ orientateur initialement utilisé pour orienter le matériau n'était pas indifférente. On conçoit donc que la faculté de pouvoir déterminer et contrôler cette dernière offre un moyen intéressant d'optimiser les conditions opératoires à mettre en oeuvre. Dans le cas d'un enregistrement, évoqué précédemment, d'un champ orientateur modulé en intensité, il peut ainsi être intéressant, en partant d'une bande d'enregistrement non orientée, d'effectuer l'enregistrement d'un champ orienté dans une direction non perpendiculaire au plan de cette bande et, par exemple, parallèle à celui-ci.- Il peut également être intéressant de partir d'une bande d'enregistrement dont les molécules actives ont été préalablement orientées dans une direction non perpendiculaire au plan de la bande et d'effectuer l'enregistrement de bits en chauffant localement cette bande en présence d'un champ électrique différent du champ orientateur initial ou d'un champ nul. Une autre utilisation type envisagée pour un tel matériau électro-optique est la détection d'un champ électrique excitateur, ou la mise en évidence d'une image de celui-ci dans le matériau, par un moyen de détection optique, par exemple par polarimétrie ou interférométrie. Les conditions opératoires, notamment la direction de l'incidence de la lumière qui peut être utilisée pour effectuer cette détection, dépendent de la direction relative du champ que l'on cherche à détecter ou à révéler par rapport à la direction initiale d'orientation des molécules électro-optiques du matériau. Ainsi, l'invention, selon ce deuxième aspect, peut être appliquée à l'imagerie de tensions et, notamment de tensions dans un circuit électrique en vue de la mesure de cette dernière ou du test fonctionnel ou dynamique de ce dernier. Pour ce type d'application, on utilise alors volontiers un matériau électro-optique sous forme d'un élément bidimensionnel, plaque, couche ou film, dont une face est disposée à proximité électrique des conducteurs ou des zones du circuit que l'on souhaite examiner. Si l'on choisit de munir l'autre face dudit élément sensible d'une électrode de référence, les tensions aux zones de test provoquent l'établissement d'un champ électrique en travers du matériau dans une direction sensiblement perpendiculaire au plan de l'élément sensible électro-optique.La détection des champs électriques apparaissant ainsi dans le matériau peut s'effectuer en envoyant une lumière incidente vers l'élément électro-optique et en recueillant une lumière correspondante réfléchie à proximité de la zone à tester. Les études réalisées montrent qu'il peut être intéressant dans ces conditions de, disposer d'un élément électro-optique sensible dont les molécules actives sont orientées dans une direction non perpendiculaire à son plan, par exemple-parallèle au plan de l'organe sensible lui-même, notamment lorsqu'on souhaite opérer avec une incidence normale. L'invention sera bien comprise à la lumière de la description qui suit, en référence au dessin, dans lequel: La figure 1 est un schéma de principe, en vue de côté, du dispositif selon l'invention pour l'écriture et la lecture d'informations sur une bande La figure 2 montre une première forme de réalisation des moyens de lecture du dipositif de la figure 1; La figure 2bis montre une courbe de variation de l'intensité lumineuse du signal de sortie des moyens de la figure 2; Les figures 3a et 3b illustrent l'anisotropie d'indice d'un matériau électro-optique; La figure 4 montre une seconde forme de réalisation des moyens de lecture du dispositif de la figure 1;; Les figures 5 et 6 représentent schématiquement une variante des moyens d'écriture du dispositif de la figure 1, respectivement en coupe et en vue de dessus Les figures Sbis, 6bis et 6ter représentant des variantes de moyens d'orientation des molécules dans une direction non orthogonale au plan du film La figure 7 montre une troisième forme de réalisation des moyens de lecture du dispositif de la figure 1; La figure 8 montre de côté schématiquement des moyens d'écriture permettant d'écrire à plusieurs niveaux dans l'épaisseur de la bande ; La figure 9 est une vue de coté des moyens d'écriture permettant l'application localisée de potentiel à la surface de la bande ;; La figure 10 est une variante du dispositif de la figure 9 apte à réaliser l'écriture de plusieurs pistes en parallèle La figure lcbis montre de dessus une variante de l'ensemble-électrode de la figure 10; La figure 11 est une vue schématique de face d'une forme de moyens de lecture aptes à permettre l'écriture de plusieurs pistes parallèlles; La figure 12 montre les fluctuations du signal de lecture en fonction du temps; et - La figure 13 montre une exemple d'application de l'invention au test de circuit électroniques. On connait déjà des cristaux à propriétés électro-optiques; on a déjà proposé d'utiliser des matériaux organiques qui présentent une forte activité électro-optique tels que le MNA (2 methyl-4-nitroaniline) pour réaliser des cristaux utilisables pour mettre en oeuvre ce type de propriétés. Les cristaux de MNA présentent un rapport rn3/e' élevé d'environ 50 dans lequel r est le coefficient électro-optique, n l'indice, et e' la constante diélectrique. Or un tel corps peut être mis en oeuvre non seulement sous la forme de cristal, mais également sous une forme combinée à un matériau de support dans lequel des molécules d'un tel composé électro-optiquement actif sont incorporées. On peut ainsi par exemple utiliser comme matériau de support de poly (méthyl, méthacrylate) PMMA avec une densité de MNA de 15% environ. Le MNA est donc alors utilisé comme un dopant dont les molécules sont retenues dans la matrice de PMMA, afin de rendre la composition électro-optique. D'autres dopants possibles possédant des propriétés électro-optiques sont par exemple les suivants DAN [ 4- (N,N-dimethylamino) -3- acetamidomitrobenzene ] COANP [ 2-cyclo-octylamino -5- nitropyridine) PAN (4-N-pyrrolydina -3- acetaminomitrobenzene ] MBANP (2- (alpha-methylbanzylanino) -5-nitropyridine) Ce type de composé polymère fait actuellement l'objet de nombreux développements par plusieurs entreprises, universités et centres de recherche dans ce domaine tels que Lockheed Missiles and Space Company, Inc., Hoechst Celaneses Corporation et d'autres grandes entreprises dans le domaine chimique. (Voir par exemple la communication du symposium intitulé :NATO advanced work shop = "Polymer for non linear optics", Sophia Antipolis June 19-24, 1988). Les polymères obtenus peuvent être utilisés pour former des films, des fibres ou des couches minces ou épaisses sur substrat quelconque. Une caractéristique particulièrement intéressante de ces polymères est la possibilité de les mettre en oeuvre sous forme de films capables d'être produits en grandes quantités et à des coûts raisonnables. Ces films peuvent être mis en oeuvre soit en épaisseur de quelques microns (par exemple 10 microns) sur des supports transparents par exemple en verre. Ils peuvent être également délivrés directement sous forme de films souples composés par la juxtaposition de plusieurs épaisseurs de films élémentaires, (par exemple 500 microns d'épaisseur). Les valeurs pouvant aller de 10 à 50 pm/V peuvent être obtenues pour la constante électro-optique r de ces matériaux. Après séchage, les molécules de produits électro-optiquement actifs sont emprisonnées dans une matière de support à l'état amorphe, sans orientation particulière. Pour rendre le matériau électro-optique, il est nécessaire de le chauffer à une température suffisante pour permettre aux molécules actives de recouvrer une certaine mobilité à l'intérieur de la matrice. La valeur de cette température de transision peut varier suivant le polymère mais peut typiquement se situer aux environs de 100 à 120 C. Dans cet état, elles peuvent subir une orientation par rapport au support sous l'effet d'un champ électrique. Des molécules tendent à s'orienter dans la direction du champ orientateur, Plus le champ orientateur est fort, plus la proportion de molécules actives orientées dans la direction du champ est élevé.Des valeurs du champ de l'ordre de 10 à 100 kvolt/millimètre peuvent être mises en oeuvre. Lorsque la température est abaissée à nouveau pendant que les molécules sont orientées sour l'effet d'un champ, elles conservent leur orientation. Le matériau conserve ainsi une structure orientée qui peut être révélée par un comportement optiquement anisotrope (effet Pockels) en présence d'un champ électrique (révélateur ou de lecture). Ainsi, lorsque le matériau est frappé par une lumière incidente polarisée linéairement en l'absence de champ électrique, la lumière transmise ou réfléchie par le matériau ne subit aucune modification de polarisation. Au contraire, en présence d'un champ électrique, la lumière transmise subit une polarisation elliptique reliée lineairement à l'intensité de champ appliqué. La description qui suit est faite en référence à un support d'enregistrement en forme de film ou bande, étant entendu que l'invention n'est pas limitée à ce type de support ; le support peut être également constitué d'un disque. La figure 1 montre de côté (vue dans son épaisseur) une bande 1 constituée d'une matrice polymère du type mentionnée ci-dessus. La bande présente à titre illustratif une épaisseur de 10 à 100 microns, et une largeur (transversalement au plan de la figure) de 5 à 300 mm. Le dispositif représenté schématiquement sur la figure 1, comprend Ees moyens d'écriture 2 et des moyens de lecture 3. Selon l'exemple représenté, les moyens d'écriture 2 comportent d'une part des moyens générateurs de champ électrique global comprenant deux électrodes constituées dedeux plaques conductrices 4,5 susceptibles d'être reliées respectivement à la masse et à un potentiel continu Vécriture, et d'autre part des moyens de chauffage local constitués d'un émetteur 6 de faisceau laser 7 susceptible d'être focalisé sur une zone définie 8 (de 1 à quelques microns) de la bande 1 ; lesdites électrodes 4 et 5 sont en outre aptes à laisser passer la lumière du faisceau laser (par exemple face à une ouverture ou une fente non représentée) ; la direction du faisceau laser d'écriture 7 est orthogonale au plan du film.Les plaques 4 et 5, par exemple en oxyde d'étain (Sn 02), sont disposées en regard l'une de l'autre et sont séparées l'une de l'autre d'une distance légèrement supérieure à l'épaisseur de la bande, afin de permettre à la bande 1 de défiler entre elles. La bande est susceptible d'être animée d'un mouvement de translation, dans le sens longitudinal, indiqué par la flèche f, par des moyens d'entrainement connus en soi et non représentés ; de même, des moyens de défilement également connus en soi et non représentés, sont prévus pour amener la bande à suivre un trajet donné par rapport au dispositif d'écriture/lecture de l'invention. Les moyens de lecture 3, disposés par exemple en aval des moyens d'écriture 2, comprennent des moyens générateurs de champ électrique comportant deux électrodes constituées de deux plaques conductrices transparentes 11,12 disposées face à face de manière à ménager un espace dans lequel la bande est susceptible de défiler, et susceptibles d'être reliées respectivement à la masse et à un potentiel Vlecture Les moyens de lecture comprenant également un émetteur 13 de faisceau laser 14, focalisé sur une zone 15 donnée de la bande, et des moyens 16 d'analyse et de traitement du signal de sortie. Les zones 8 et 15 respectivement touchées par le faisceau laser 7 d'écriture et par le faisceau laser 14 de lecture, sont de dimensions (dans le sens longitudinal) sensiblement identiques (à savoir un à quelques microns). Le fonctionnement de principe du dispositif de la figure 1 est décrit ci-après suivant une première forme de mise en oeuvre. La bande 1, amenée à défiler (à une vitesse constante de quelques dizaines de cm/s à quelques m/s) en regard des moyens d'écriture 2, ne présente aucune orientation particulère des molécules électro-actives. La plaque-électrode supérieure 5 est portée au potentiel positif Vécriture ; la bande est soumise entre les plaques-électrodes 4 et 5 à un champ électrique dit d'écriture t l'émetteur laser 6 émet une impulsion lumineuse 7 focalisée sur une zone 8 de la bande qui se trouve ainsi portée à une température donnée T supérieure à une température critique Tc définie comme la température limite nécessaire pour provoquer, en présence de champ électrique, une orientation donnée des molécules; la zone chauffée 8, par l'impulsion lumineuse de chauffage d'environ 10-6s, se déplace vers la droite de la figure, et reste à une température T supérieure à Tc pendant une durée comprise entre lms et O,lms, toujours en étant soumise au champ électrique d'écriture; pendant cette durée, s'effectue l'orientation des molécules de la zone 8, qui refroidit sous ledit champ électrique: la zone 8 présente ainsi une modification de l'orientation des molécules, alors que le reste de la bande ne présente aucune modification à cet égard; la zone 8 définit alors une information sous forme d'un bit affecté de l'état 1, la partie non électro-optique de la bande étant affecté de l'état 0. L'information est ainsi enregistrée, ou écrite, sur la bande sous forme d'une succession de bits constitués de zones respectivement orientées et non-orientées. La puissance de l'émetteur laser d'écriture est par exemple comprise entre 10 et 50 mW. La durée de l'intervalle de temps pendant lequel la zone chauffée doit rester soumise au champ d'écriture, afin de figer l'orientation de molécules, est comprise par exemple entre 10-3s et 10-4s;-compte-tenu des valeurs de la vitesse de défilement de la bande (quelques m/s), la longueur "utile" des électrodes d'écriture, entre le faisceau d'écriture et le bord aval de celle-ci, est par exemple comprise entre 0,1 mm et 5 mm. En revanche, la détermination de la longueur des électrodes de lecture est moins critique, dans la mesure où la lecture est réalisée par analyse optique "instantanée" de l'état de la zone examinée, sans que celle-ci doive séjourner un temps donné sous le champ de lecture. La lecture de cette information peut être réalisée par les moyens 3 représentés sur la figure 2, disposés en aval des moyens d'écritre 2 décrits ci-dessus. Les moyens d'écriture comprennent des moyens d'analyse optique 16 du type interférométrique tel que basé sur l'utilisation d'un analyseur dit de Fabry-Perot. Le faisceau de lecture 14, orthogonal au plan du film, émis par l'émetteur 13, traverse en partie la bande et se réfléchit en partie sur des miroirs semi-transparents disposés de part et d'autre de la bande 1 t lesdits miroirs sont constitués de segments de films minces 24a, 24b, 24c, 25a, 25b, 25c déposés sur les faces inférieure et supérieure de la bande.Les segments de films formant les miroirs sont conducteurs et reliés respectivement, pour chaque face de la bande, à un potentiel Vlecture par une électrode 12 et à la masse par une électrode 11. Les films minces 24 et 25 sont interrompus régulièrement le long de la bande par des espaces 28,29 séparant deux segments de films consécutifs en effet, il convient d'éviter que la face supérieure (au potentiel Vlecture) soit électriquement en contact avec la face inférieure, lorsque la bande est enroulée sur une bobine par exemple. Entre les couches 24 et 25 parallèles, s'établissent de part et d'autre du film des interférences ; le faisceau lumineux issu du film est dirigé vers les moyens d'analyse optique 26 aptes à mesurer l'intensité du signal lumineux 29. De façon connue, l'intensité de la lumière d'interférence est fonction de la distance séparant les miroirs, c'est-à-dire de l'épaisseur "e" du film, de la longueur d'onde "lambda" et de l'indice de réfraction "n" du matériau constituant le film. Or l'indice "n" varie en fonction de l'orientation des molécules du film. L'intensité lumineuse réfléchie est modulée par la tension électrique appliquée au film électro-optique selon une loi dite d'Airy. La mesure de l'intensité du signal lumineux de sortie fournit une mesure du potentiel V. Afin de pallier les conséquences d'éventuelles différences d'épaisseur du film ou de la bande électro-optique, sur la partie recouverte des miroirs semi-transparents, on peut utiliser une source lumineuse apte à émettre un faisceau lumineux de longueur d'onde (lambda) variable ; ceci permet de déplacer le point de fonctionnement du dispositif sur la courbe caractéristique (figure 2bis) de l'intensité en fonction de PHI=(2PVlamb.dai n e, d'un point A situé sur une première partie de la courbe où I=Imax quel que soit PHI (donc de sensibilité nulle) à un point B situé sur une seconde partie de la courbe où I (compris entre Imax et O) varie fortement en fonction de PHI ; la sensibilité est fonction de cette variation de I autour du point B sur cette seconde partie de la courbe de préférence, le point B correspond à environ Imax/2.Une fois le point B déterminé, les mesures sont alors effectuées avec la longueur d'onde correspondant au point B. En variante, selon l'invention, les moyens de lecture sont du type polarimétrique. Cependant, des moyens d'analyse polarimétrique ne sont pas utilisables sans quelques précautions dans le cas illustré à la figure 1 où les molécules actives sont orientées en écriture suivant un champ de direction orthogonale au plan du film et où le champ révélateur appliqué par les électrodes 11,12 est également orthogonal au plan du film. En effet, l'anisotropie du matériau est définie par l'ellipsoïde des indices de réfraction, comprenant plusieurs axes. Sur la figure 3a, on a représenté la distribution des indices dans un film électro-optique 500 réalisé avec un polymère du type précédemment discuté, dont les molécules ont été orientées par l'application d'un champ électrique, dit orientateur, dans une direction normale à sa surface pendant que sa-température était abaissée en dessous de la température critique au delà de laquelle les molécules de dopant électro-optique perdent leur mobilité. En 502 on a représenté un ellipsoïde décrivant la distribution des indices de réfraction du matériau lorsqu'on lui applique un champ électrique (dit de lecture ou révélateur) perpendiculaire à son plan. Cet ellipsoïde décrit les variations de l'indice de réfraction du matériau suivant les directions de l'espace.Il possède une symétrie de révolution par rapport à la normale 504 au plan du film 500 qui traduit le fait que le matériau est optiquement isotrope parallèlement au plan du film. Si on éclaire le film 500 avec un faisceau polarisé 506 d'incidence normale au film, la lumière retransmise par le film (par transmission ou après réflexion sur la face opposée 508 du film) ne verra pas son état de polarisation modifié. Cela explique qu'onne puisse pas déterminer si les molécules sont orientées ou non. En revanche, un faisceau incident 510 oblique par rapport au plan du film verra son état de polarisation modifié. Il convient donc, pour pouvoir mettre en oeuvre des moyens d'analyse polarimétrique, qu'à l'écriture les molécules soient orientées suivant une direction non parallèle par rapport à la direction du champ et/ou du faisceau laser de lecture. Ceci conduit à une alternative, à savoir ou bien écrire en orientant les molécules suivant une direction orthogonale au plan du film et lire à l'aide d'un faisceau laser oblique, ou bien écrire à l'aide d'un champ parallèle au plan du film et lire en utilisant un faisceau laser orthogonal au plan du film. La figure 4 représente schématiquement des moyens de lecture polarimétrique, selon la première branche de l'alternative mentionnée ci-dessus, permettant de révéler l'anisotropie du matériau préalablement orienté à l'aide d'un champ et d'un faisceau laser d'écriture orthogonaux au plan du film (moyens d'écriture 2 de la figure 1). A cette fin, la bande 1 soumise au champ de lecture orthogonal au plan du film, est éclairée par un faisceau laser 14 de lecture émis par l'émetteur laser 131 et oblique par rapport à la normale au film 1; dans la position représentée, le faisceau incident est dirigé obligatoirement dans un plan parallèle à la direction longitudinale de la bande 1. On peut prévoir d'incliner ce faisceau obliquement dans un plan perpendiculaire à cette direction longitudinale, ce qui diminue l'encombrement du dispositif de lecture dans le sens longitunal. La plaque supérieure 12 est portée à un potentiel positif Vlecture de manière à placer la bande dans un champ électrique dit de lecture normal au plan de la bande.Le faisceau de lecture 14' après avoir traversé la bande, est reçu par les moyens d'analyse 16 du type polarimétrique et comprenant une lentille 17 focalisant le faisceau d'intensité Iot un séparateur de polarisation 18 (par exemple sous forme de prisme de Wollaston), deux photodétecteurs 19 et 20 (recevant des intensités respectives I2 et I1) dont les sorties sont reliées à un amplificateur différentiel 21 attaquant un circuit de traitement 22 des signaux électriques. Le faisceau 14' issu du film est oblique par rapport à la normale au film et de même pour l'axe optique des éléments optiques 17, 18, 19 et 20. La lecture repose sur la détection et la mesure de la rotation de la polarisation de la lumière induite par l'effet électro-optique du matériau constituant la bande. Les moyens d'analyse 16 détectent donc une succession (et alternance) de zones dites orientées et non orientées telle que la zone hachurée 15. Le signal S détecté à la sortie de l'amplificateur 21 est S = I1- I2 = 1o sin TETA, avec TETA l'angle de polarisation t on a TETA = A Vlecture, avec A = B Vécriture où B est une constante représentative des paramètres physiques de la bande. Selon la seconde branche de l'alternative énoncée précédemment1 en vue de permettre l'utilisation de moyens d'analyse polarimétrique, on utilise une bande dont les molécules sont orientées parallèlement au plan du film. Dans un premier mode d'exécution, cette bande est découpée dans un film dont les molécules ont été globalement préorientées, l'écriture étant effectuée en chauffant localement le film en l'absence de champ. Un procédé pour obtenir un tel film préorienté est décrit ci-après en référence aux figures 5 et 6, montrant respectivement en coupe et de dessus un dispositif permettant une telle pré-orientation. Une bande de film polymère 800 est admise dans un four tunnel 801 chauffé à une température T aux environs de 100-C (légèrement supérieure à la température critique évoquée précédemment). La bande est guidée dans l'entrefer entre deux plaques métalliques face à face 802 et 804 qui sont maintenues à un même potentiel électrique continu + V. A la sortie 805 du four tunnel, le film entre dans un second tunnel 810 délimité par deux plaques métalliques en regard 812 et 814 qui sont maintenues par exemple à un potentiel nul. Il en résulte que l'intervalle 815 entre la sortie tunnel de chauffage 801 et le second tunnel 810 est soumis à un champ électrique sensiblement uniforme et parallèle au plan de la bande 800 qui défile dans cet intervalle 815. Les molécules électro-optiquement actives du film tendent à s'orienter parallèlement à cette direction sous l'effet de ce champ immédiatement à la sortie 805 du tunnel 801. Deux séries de buses 818 et 819 de part et d'autre du film 800 débouchent dans l'intervalle 815 où elles délivrent un courant 820 de gaz inerte par exemple de l'argon ou un hexaflorure de soufre SF6 refroidi à -40-C sur les deux faces du film 800.Le gaz est aspiré entre les plaques du second tunnel par un dispositif non représenté. La température du film 800 descend en deçà de la température critique dans l'intervalle 815. Les molécules actives conservent une orientation préférentielle dans le plan du film qui achève de se refroidir dans le second tunnel. Sur la figure 3b, on a représenté en 512 l'ellipsoïde des indices obtenus dans le même matériau sous l'action d'un champ électrique détecteur, ou révélateur, normal au plan du film lorsque les molécules du film 500 ont été orientées au préalable parallèlement au plan de ce film par le champ électrique orientateur. Dans ce cas l'ellipsoïde des indices 512 présente une symétrie de révolution par rapport à un axe 513 dans le plan du film 500. Un faisceau incident normal 506 voit alors son angle de polarisation modifié en fonction de la différence des indices n2 et n3 suivant les axes principaux de l'ellipse dans le plan du film.Dans ces conditions, le montage de la figure 1 (c'est-à-dire avec incidence normale de'la lumière utilisée en lecture) avec des moyens de lecture du type polarimétrique, permet d'exploiter l'effet créé par le champ électrique et le faisceau laser de lecture dans le film polymère. En écriture, la bande 1, découpée dans un film ayant subi préalablement une orientation des molécules parallèlement à son plan est amenée à défiler devant les moyens d'écriture 2 dans lesquels le champ électrique est nul, Vécriture = 0. Les zones localement soumises au faisceau laser 7 d'écriture voient l'orientation préalable des molécules supprimée après le passage de la température de transition, alors que le reste de la bande conserve l'orientation préalable. La lecture est effectuée avec des moyens d'analyse polarimétrique du type des moyens 16 de la figure 4. Toutefois, pour les raisons exposées en référence à la figure 3b, on utilise dans ce cas un faisceau de lecture polarisé d'incidence nulle (orthogonale au plan du film) et non plus oblique.Les bits d'écriture correspondant à un chauffage en écriture seront caractérisés par l'absence de modification de l'état de polarisation de la lumière qui les traverse. Dans cette forme de mise en oeuvre (les molécules étant préalablement et globalement "préorientées"), l'écriture consiste à supprimer localement l'orientation imposée. Selon un deuxième mode d'exécution, on utilise une bande dont les molécules ne sont pas orientées au départ l'écriture consiste à orienter localement les molécules parallèlement au plan du film. Des moyens d'écriture permettant d'atteindre ce but sont représentés sur la figure 5bis. Une bande 1 (dont l'épaisseur a été agrandie sur le dessin pour des raisons de clarté) défile d'une bobine débitrice 100 vers une bobine réceptrice 101, entre lesquelles sont disposés des moyens d'orientation locale des molécules, comprenant une première électrode 102, reliée à un potentiel V+, disposée en regard d'une face de la bande, et une seconde électrode 104 disposée en regard de l'autre face de la bande mais décalée par rapport à la première électrode 104; la seconde électrode 104 est reliée à la masse. Les électrodes sont distantes l'une de l'autre de manière à ménager un espace 106 où règne un champ électrique d'écriture sensiblement parallèle à l'axe longitudinal de la bande ou plus exactement légèrement oblique par rapport audit axe. En regard dudit espace 106 sont disposés d'une part un émetteur 6 de faisceau laser 7 focalisé sur une zone délimitée 8 de la bande 1, et d'autre part (en aval de l'émetteur 6) une buse 108 susceptible de délivrer un courant de gaz neutre (par exemple de l'argon) refroidi à une température très inférieure à la température critique Tc (par exemple -40#C). La zone 8 soumise au faisceau laser 7 est ainsi chauffée par celui-ci au-dessus de la température Tc, tout en étant soumise au champ électrique régnant entre les électrodes 102 et 104; la buse 108 est dirigée de manière à refroidir la zone 8 aussitôt après qu'elle ait été chauffée par le faisceau laser d'écriture 7, tout en assurant le refroidissement de la zone 8 sous champ électrique, pour figer l'orientation des molécules de la zone 8. Les figures 6bis et 6ter représentent schématiquement, respectivement de dessus et de face, une variante de moyens d'écriture, permettant d'orienter les molécules suivant une direction oblique par rapport à l'axe transversal de celle-ci. Le dispositif comprend deux électrodes latérales 110 et 111 placées de part et d'autre de la bande, l'une 110 en regard d'une face de la bande et l'autre 111 en regard de l'autre face de la bande mais décalée transversalement par rapport à la première électrode 110 de façon à ménager entre les électrodes un entrefer 113 allongé dans la direction longitudinale de la bande 1. Les électrodes 110 et 111 sont reliées respectivement à un potentiel positif V+ et à la masse.Les électrodes créent ainsi un champ électrique traversant en quelque sorte la bande de part en part dans son épaisseur et de direction inclinée par rapport au plan de la bande ou sensiblement dans le plan de celle-ci. Un émetteur laser 6 disposé au-dessus de la bande émet un faisceau 7 (orthogonal au plan de la figure) apte à chauffer une zone définie 8 de la bande, qui refroidit ensuite sous champ à l'intérieur de l'entrefer 113. En référence à la figure 1, selon une forme avantageuse de réalisation, les moyens d'écriture et de lecture sont rassemblés en une seule unité; les électrodes d'écriture et de lecture sont alors constituées par les mêmes plaques inférieures 4,11 reliées à la masse et supérieures 5,12 portées à un potentiel soit Vécriture pour l'écriture, et Vlecture pour la lecture. Dans la description qui précède (relative aux figures 1 à 6), les dispositifs décrits réalisent l'écriture, par chauffage local sous champ électrique appliqué uniformément et globalement. En variante, ces opérations respectives d'écriture peuvent être réalisées par chauffage uniforme (non plus par laser, mais par un four par exemple) et par application locale d'un champ électrique, par exemple par un dépôt de charges électrostatiques à la surface de la bande (grâce à un canon à électrons par exemple). L'écriture est réalisée de préférence à une longueur d'onde où le matériau de la bande est relativement absorbant et la lecture à une longueur d'onde où le matériau de la bande est peu absorbant (pour permettre une transmission satisfaisante du faisceau de lecture). A titre d'exemple, des lasers He-Ne (633nm) et Krypton (647nm) peuvent être utilisés comme source de lumière (chaleur) focalisée. La figure 7 montre une troisième forme de réalisation des moyens de lecture, comprenant, outre des électrodes 11 et 12, des moyens d'analyse polarimétrique simplifiés par rapport aux moyens 16 montrés sur la figure 2 (compte tenu de l'importance quantitative du signal détecté). Les moyens d'analyse sont constitués d'un polariseur P disposé entre l'émetteur 13 de faisceau laser 14 et le support, et d'un analyseur A disposé du coté opposé du support, ainsi que d'un photo-détecteur unique 23. Le paramètre mesuré est l'intensité du signal lumineux de sortie. L'orientation des molécules dans la bande enregistrée est parallèle au plan de cette bande. La figure 8 montre un autre exemple de réalisation permettant d'écrire dans l'épaisseur de la bande à plusieurs niveaux. Pour des raisons de clarté, le dessin n'est pas à l'échelle en ce sens que la bande et les électrodes ont été représentées agrandies. La bande 1 défile entre les électrodes 4,5 reliées respectivement à la masse et au potentiel Vécriture et aptes à laisser passer la lumière d'un faisceau d'écriture. Plusieurs émetteurs lasers, en l'occurence quatre, référencés 30,31,32,33, sont susceptibles d'émettra un faisceau respectivement 34,35,36,37; des miroirs semi-transparents (alignés selon un axe oblique par rapport à l'axe longitudinal de la bande) 38,39,40,41 renvoyant les quatre faisceaux respectifs selon une direction unique 42 oblique par rapport à l'axe longitudinal de la bande sur le trajet de laquelle se trouve une lentille 400 qui focalise le faisceau 43 traversant celle-ci en une zone 44 (hachurée sur la figure) de la bande située à un niveau donné (dans l'épaisseur de la bande, c'est-à-dire dans le plan de la figure 4. Les émetteurs 30,31,32,33 émettent des faisceaux lumineux à des longueurs d'onde respectives différentes, et telles que chaque faisceau soit focalisé à un niveau donné 44,45,46 ou 47.Le faisceau 43 focalisé par la lentille 400 chauffe une zone d'un niveau donné sous champ le électrique appliqué par les électrodes 4 et 5, ce qui modifie l'orientation des molécules de ladite zone. Les molécules actives des zones écrites sont donc orientées dans un champ électrique orthogonal au plan de la bande. La lecture s'effectue de la même manière, en focalisant successivement un faisceau de lecture oblique dans la direction d'alignement des zones de profondeur croissante enregistrées à l'écriture sur chacune des zones. Les moyens de lecture comportent alors les mêmes organe que ceux représentés sur la figure 2, à savoir deux électrodes de lecture et les moyens d'analyse optique 16 polarimétrique déjà décrits en référence avec la figure 2. De préférence, les bits d'une même oblique dans l'épaisseur de la bande sont suffisamment distants les uns des autres, pour que, lors de la lecture, l'influence des bits situés au-dessus et en dessous du bit sur lequel est focalisé le faisceau de lecture soit négligeable. A titre d'exemple illustratif, les bits ont une dimension en hauteur (dans le sens de l'épaisseur de la bande) de 1 à 5 microns ; le nombre de niveaux peut être compris entre cinq et dix. Dans le cadre de la description de la figure 8, le même résultat, à savoir focaliser un faisceau à des profondeurs différentes dans l'épaisseur de la bande, peut être atteint, en variante, à l'aida d'un seul émetteur laser émettant un faisceau de longueur d'onde donné et une lentille à focale variable placée entre l'émetteur et la bande. La figure 9 représente un autre exemple de réalisation du dispositif permettant de créer un champ électrique local par dépôt de charges électriques localisées à la surface de la bande 1. Le champ électrique peut être modulé soit en tout ou rien soit de façon quasi-analogique ; dans le second cas, on enregistre des informations de façon analogique ou quasi-analogique, c'est-à-dire qu'en chaque zone d'enregistrement est appliqué un champ électrique dont la valeur peut varier en fonction de celle d'un signal analogique variable à enregistrer. Dans le mode quasi-analogique, la valeur du champ électrique d'écriture en chaque zone discrète d'enregistrement est sélectionnée parmi un nombre de valeurs discrètes dans une plage de variations de signal analogique à enregistrer. La lecture des informations enregistrées selon l'invention, met en jeu des phénomènes physiques qui sont, d'une part de grande amplitude, par exemple de l'ordre de dix à plusieurs dizaines de degrés de biréfringence, et d'autre part proportionnels à la tension d'écriture. Ainsi, il est possible de distinguer l'une de l'autre deux zones qui ont été orientées par des tensions d'écriture différentes. Le dispositif de la figure 9 comprend des moyens de chauffage global de la bande, connus en eux-mêmes, tels qu'un four tunnel 200. Des moyens d'écriture décrits ci-après, sont prévus en aval du four 200 pour porter localement la partie supérieure de la bande à un potentiel donné. La bande 1 comporte, sur une de ses faces, un film 50 conducteur et transparent constituant une électrode reliée à la masse, et sur l'autre face une couche 51 d'un matériau polymère présentant des propriétés photoconductrices, c'est-à-dire dont la conductivité dépend de l'éclairement. Face à la couche transparente photoconductrice 51 et en contact avec celle-ci, est disposée une électrode transparente 52 reliée à potentiel v, soit modulé en tout ou rien, soit du type analogique ou quasi-analogique.Est prévu un émetteur laser 53 susceptible d'émettre des faisceaux laser impulsionnels 54 focalisés sur une zone donnée 56 de la bande 1. Sous l'effet du faisceau 54, se crée un canal de conduction entre la zone 55 en partie supérieure de la couche photoconductrice portée au potentiel v, et la zone 56 en partie supérieure de la bande où est focalisé le faisceau de commande 54; la zone 56 se trouve donc alors au potentiel v et accumule des charges électriques qui se maintiennent dans la zone 56 du fait de la non conductivité du polymère constituant la bande 1 en créant un champ électrique dans l'épaisseur de la bande sous l'effet duquel les molécules électro-actives s'orientent.La bande est portée, en amont des moyens d'écriture, à une température telle qu'elle reste à une température supérieure à la température critique Tc pendant une durée suffisante après l'apparition du potentiel v sur la zone à polariser, pour que l'orientation des molécules s'effectue. Celle-ci est figée lors du refroidissement ultérieur de la bande. La lecture est réalisée à l'aide des moyens de lecture tels que ceux représentés sur la figure 2 ou ceux montrés sur la figure 4. L'effet photoconducteur étant quasi instantané et sans rémanence, dès que le faisceau 54 a disparu, la couche photoconductrice n'est plus conductrice. Il est possible de faire varier le potentiel v selon des valeurs discrètes représentatives des variations d'un signal analogique. La forme de mise en oeuvre décrite en référence à la figure 9 (permettant de porter localement la surface de la bande à un potentiel donné) présente l'avantage de faire appel à un émetteur laser de faible puissance. La figure 10 montre une variante du dispositif de la figure 9, permettant d'écrire sur la bande des informations selon des pistes parallèles à l'axe longitudinal de la bande. Un ensemble 520 formant une première électrode est prévu, constitué d'une plaquette parallépipédique en matériau rigide et transparent (tel que du verre) disposé de façon que sa plus grande dimension soit orthogonale à l'axa longitudinal de la bande 1. La face inférieure de la plaquette électrode 520, est disposée à proximité électrique (quelques microns) de la face supérieure d'une couche photoconductrice 220 disposée elle-même sur la bande 1 ; la face de la bande opposée à la couche 220 est revêtue d'une couche 210 en matériau conducteur (transparent par exemple) constituant une seconde électrode, reliée à la masse.La face inférieure de la plaquette électrode 520 est pourvue de plots ou pastilles 538 à 541 carrées en un matériau conducteur et transparent (tel de l'oxyde d'Yttrium) reliée chacune à un potentiel donné (Vécriture ou la masse). Chaque plot constitue une électrode unitaire, de dimensions par exemple 0,5 mm x 0,5 mm, correspondant à un bit sur une piste donnée. Un émetteur laser 530 est disposé à distance de l'ensemble électrode 520 et apte à émettre un faisceau laser 532 traversant une lentille 531 et frappant un réseau de diffraction 533. Ce dernier est susceptible d'engendrer ainsi une pluralité de faisceaux 534 à 537, en nombre égal au nombre d'électrodes unitaires 538 à 541, et respectivement focalisé sur chacune de ces dernières. La bande est préalablement chauffée par un four tunnel non représenté situé juste en amont de l'ensemble électrode 520 et des moyens optiques 530,531,533, par rapport au sens de défilement de la bande (flèche f). Chaque tronçon de bande arrivant à l'aplomb de l'ensemble électrode 520 est à une température supérieure à la température critique. Les faisceaux laser 534-537 traversent la couche photoconductrice à l'aplomb des électrodes 538-541, ce qui provoque la conduction de celle-ci, et donc crée une sorte de puits de conduction vers la base de la couche photoconductrice 220, où les charges se déposent à l'aplomb des électrodes unitaires.Sur la face de la couche électro-optique formant la bande 1, en contact avec la couche photoconductrice, se forment des dépôts de charges localisés, qui créent avec la seconde électrode inférieure, 210 reliée à la masse, des champs électriques localisés et de directions orthogonales au plan de la bande 1. La distance ~séparant deux électrodes unitaires doit être grande devant la distance séparant chaque électrode de la surface de la couche photoconductrice, afin d'éviter toute diaphonie entre les électrodes. La surface des électrodes est choisie suffisamment grande par rapport à la tache lumineuse des faisceaux focalisés 534-537, pour permettre à ceux-ci de focaliser sur les électrodes malgré l'éloignement relatif (dans la direction orthogonal au plan de la bande) des points de focalisation créés par le réseau 533 et disposés sur un cercle centré sur ce dernier. A l'aplomb de chaque électrode unitaire est créé un bit sur la bande 1. Les électrodes unitaires sont alimentées ou connectées à un potentiel Vécriture (bit 1) ou nul (bit 0). On écrit ainsi que la bande 1 une pluralité de bits alignés selon des pistes parallèles entre elles et à l'axe longitudinal de la bande. L'exemple de réalisation décrit sur la figure 10 comprend pour des raisons de clarté quatre pistes parallèles. Il est bien entendu que le nombre de pistes peut être plus élevé. Cependant, compte tenu des limites inférieures mentionnées ci-dessus, les dimensions des électrodes et des distances entre électrodes, le nombre de pistes atteint des limites de l'ordre par exemple de quelques unités. Afin d'augmenter le nombre de pistes sans augmenter de façon rédhibitoire les dimensions de l'ensemble électrode 520, celui-ci est réalisé tel que représenté sur la figure 10bis montrant en vue de dessus la bande 1 et un ensemble électrode 550 de forme parallélépipédique dont le côté de la plus grande dimension est orthogonal à l'axe de la bande et de longueur égale à la largeur de la bande 1. L'ensemble 550 est constitué d'un bloc de verre portant sur sa face inférieure, à proximité de la bande 1, une pluralité de plots ou pastilles formées d'un film carré (de 0,5 mm x 0,5 mm par exemple), disposées en rangées parallèles et orthogonales à l'axe de la bande 1 ; chaque plot forme une électrode unitaire ; l'exemple représenté comprend trois rangées, la première rangée quatre électrodes unitaires (551 à 554), la seconde rangée trois (555 à 557) et la troisième rangée quatre (558 à 561), de façon que les centres des électrodes unitaires, correspondant aux bits d'écriture, soient décalés les uns des autres suivant une direction orthogonale à l'axe de la bande ; autrement dit les électrodes untaires sont décalées de manière à ce qu'elles ne soient pas strictement alignées suivant l'axe de la bande 1. Chaque électrode unitaire 551-561 est reliée à un potentiel Vécriture ou à la masse et correspond un bit et donc une piste ; les pistes a,b,c,d,e,f,g,h,i,j et k sont parallèles à l'axa longitudinal de la bande ; on obtient ainsi l'enregistrement de plusieurs pistes (en l'occurance onze) à l'aide d'un ensemble électrode 550 de dimensions relativement réduites. La figure 11 montre, en vue de face, la bande 1 étant représentée en coupe transversale, un dispositif de lecture des pistes enregistrées à l'aide du dispositif d'écriture montré sur la figure 10. Un émetteur laser 6 émet un faisceau d'écriture 7 traversant successivement une lentille 60, un polariseur 61, et un réseau optique 62 de diffraction (connu en lui-même) apte à engendrer plusieurs faisceaux parallèles 63,64 focalisés, par une lentille 67, en des zones 65,66 distinctes, alignées d'un bord à l'autre de la bande (c'est-à-dire transversalement à l'axe de la bande). Deux électrodes de lecture 4 et 5 sont disposées de part et d'autre de la bande 1 et à proximité de celle-ci, et respectivement reliées au potentiel Vlecture et à la masse.Les faisceaux respectifs issus du réseau 62 sont focalisés sur une succession de bits alignés transversalement à l'axe longitudinal de la bande. La lecture des bits est réalisée à l'aide des moyens d'analyse optique A et 23 tels que ceux représentés sur la figure 7, comprenant un photodétecteur pour chaque électrode d'écriture c'est-à-dire un photoconducteur par bit. Afin de pallier les conséquences de tout déplacement intempestif de la bande, le dispositif de lecture de la figure 11 peut comprendre des moyens (non représentés) de suivi de la position des bits sur la bande. Par exemple, lesdits moyens comportent un organe de détection de la position du bord de la bande et des moyens propres à déplacer le faisceau lumineux d'une valeur correspondant au déplacement intempestif de la bande. Si la bande venait à être translatée transversalement à son axe, les moyens de déplacement commandent la translation de l'émetteur 6 d'une même valeur. Dans l'hypothèse où la bande se dilate, les moyens de déplacement provoquent l'inclinaison des réseaux optiques 62 afin de permettre de retrouver la position des bits. Par ailleurs, selon une forme de réalisation avantageuse (non représentée), le dispositif, conforme à l'une quelconque des formes de réalisation représentées et décrites ci-dessus, comprend, d'une part des moyens aptes à enregistrer sur la bande des bits de référence constitués de zones orientées et/ou non orientées à un niveau constant, et d'autre part, associés aux moyens de lecture, des moyens de comparaison des signaux issus respectivement des bits d'informations (courbe a, figure 12) et des bits de référence (courbe b, figure 12) de manière à délivrer un signal de sortie (courbe c) formé de "pics" au dessus d'un niveau moyen sensiblement égal à zéro. La courbe b est représentative des signaux de référence et donc des fluctuations dans le temps des signaux de sortie en l'absence de correction à l'aide de bits de référence. La figure 13 représente un équipement de test automatique dans lequel est mis an oeuvre un aspect de l'invention. Un équipement de test automatique qui met en oeuvre un aspect de l'invention comprend (figure 13) une couche d'un polymère électro-optique 350 de dimensions sensiblement égales à celles d'un circuit assemblé, tel qu'une carte de circuit imprimé 351 à testar,.l'ensemble étant combiné de façon telle que le milieu électro-optique soit électriquement à proximité de la surface 352 de la carte 351 qui porte le circuit électrique, ce dernier comprenant des composants tels que 355. La surface 352 porte des conducteurs tels que 354 et 357 qui connectent les composants les uns aux autres, et constituent de la sorte des noeuds électriques du circuit. La couche de polymère 350 est revêtue sur sa face destinée à venir se placer à proximité des conducteurs 356, 357 d'une couche réfléchissante 360 propre à renvoyer la lumière lui parvenant depuis l'autre face de cette couche polymère 350. Cette couche 350 est découpée et présente des ouvertures telles que 361 et 362 dans lequelles peuvent venir se loger les soudures telles que 363 aux extrémités de broches de composants ou des composants tels que 365 monté sur la face 352 de la carte 351. Pour le test, la couche réfléchissante 360 est placée en contact avec ou a proximité électrique de la surface des conducteurs 357 et 356. Elle est isolante. La surface réfléchissante.360 est essentiellement isolante, au moins en ce sens qu'un potentiel électrique appliqué en un point de cette surface n'est pas propagé à d'autres points de celle-ci.Elle peut être également réalisée par des pastilles conductrices réfléchissantes isolées ou séparées les unes des autres. La lumière d'émission d'un laser 330 (par exemple un laser HeNe de 633 nm de longueur d'onde) est polarisée linéairement par un polariseur 331 et acheminée, via une lentille 332, vers un déflecteur acousto-optique 333 de manière à être dirigée, via une lentille 334, vers un point d'inspection 335 de la surface réfléchissante 360 du film polymère 350. Le déflecteur acousto-optique 333, connu en soi, est commandé par un signal de tension continue émis par un organe de commande de 1'ATE (non représenté), de manière à défléchir 1a lumière qu'il reçoit sur tout point du milieu élactro--optique dont l'examen est désiré. Dans un mode de réalisation préféré, deux déflecteurs acousto-optiques peuvent être placés en séria. Un premier signal de tension contrôle alors la déflexion du faisceau selon une première direction, correspondant par exemple à l'une des deux dimensions de la carte à tester, et l'autre signal de tension commande la déflexion suivant une seconde direction, de préférence perpendiculaire à la première et correspondant par exemple à l'autre dimension de la carte. Une telle utilisation de deux déflecteurs permet de réduire le temps requis pour passer d'un point d'observation 335 à un autre à des temps de l'ordre de quelques microsecondes au maximum. Une électrode transparente 301, par exemple constituée par un dépôt d'or ou d'aluminium, est disposée en couche sur la première face, rencontrée par la lumière incidente du film polymère électro-optique 350 et cette électrode est maintenue au potentiel de la masse M qui constitue la référence des potentiels ; ainsi, si le potentiel électrique du point de test examiné diffère de cette référence, la polarisation de la lumière issue du film est, en raison du champ électrique appliqué suivant l'épaisseur du film polymère électro-optique 350, différente de celle de la lumière incidente, et cette différence est détectée. Dans le film 350, le retard de phase de la lumière dû à l'effet électro-optique subi est proportionnel à la différence de potentiel entre les faces du film 350 au point d'observation. La lumière réfléchie est renvoyée vers la lame quart d'onde 302 Ear un séparateur 303 ; en aval de la lame 302, la lumière est acheminée, par une lentille 304, vers un analyseur de Wollaston 305, duquel émergent deux faisceaux atteignant des détecteurs photo-électriques respectifs 308 et 309, qui, sur leurs sorties 306 et 307, produisent des signaux électriques respectifs 11 et 12. Ce type de détection polarimétrique conduit aux relations suivantes Il = I. (l+m) et I2 = I. (l-m)., dans lesquelles I est une grandeur proportionnelle à l'intensité lumineuse du laser 330 et dans lesquelles m est le retard de phase détecté, exprimé en radians et supposé petit. Un amplificateur différentiel 310 recevant les signaux des sorties 306 et 307 produit sur sa sortie 311 un signal Il I2, donc égal à 2.I.m. Dans la mesure où, au cours d'un test, les éventuelles variations d'intensité lumineuse du laser 30 correspondent à des fréquences beaucoup plus basses que les fréquences de variation de m, la grandeur m peut être directement obtenue par un filtrage adéquat du signal électrique disponible sur la sortie 311 de l'amplificateur 310. En variante, un signal Il + I2 peut être utilise pour asservir l'intensité lumineuse de la source. Une configuration de signaux de test peut être appliquée à des noeuds externes de la carte 351 en vue d'exciter le circuit et de manière à faire apparaître une réponse du circuit au noeud conducteur tel que 357 qui est soumis à l'observation électro-optique, ce qui se traduit par l'apparation d'une image de cette réponse sur la sortie 311. Grâce à une analyse théorique préalable du circuit à tester, la signal de sortie théorique idéal, pour le circuit à tester et la configuration de signaux de test appliquée, peut être déterminé à l'avance comme cela est fait couramment avec les ATE de l'art antérieur, et le signal idéal attendu 378 peut être comparé, par un comparateur 379, au signal de sortie 311 réellement obtenu. Si cette comparaison révèle une différence, le comparateur 379 produit sur sa sortie 380 l'indication d'un défaut révélé par le test. La lentille 334 est une lentille de champ placée à proximité immédiate du film 350. Ses dimensions sont du même ordre que celle des cartes de circuit à tester. Elle a pour effet de rediriger le faisceau 339 en provenance du déflecteur 333 vers le film 350 sous une incidence pratiquement normale. De la sorte, le faisceau réfléchi par la face réfléchissante 360, dont l'état de polarisation est influencé par le champ électrique dans le film au point examiné 336, emprunte essentiellement le même trajet en retour que le faisceau incident, jusqu'au séparateur 303. Pour les raisons évoquées précédemment, en référence aux figures 3a et 3b le film 350 a été préalablement orienté parallèlement à son plan. A cet effet, il a subi un traitement par exemple par la méthode évoquée en référence aux figures 5 et 6. Le champ excitateur créé par la différence de potentiel entre les faces du film électro-optique 350, c'est-à-dire entre le conducteur 357 face au point 335 et l'électrode de référence 301, est normal au plan du film 350. Grâce à l'orientation des molécules actives dans la plan film, l'état de polarisation du faisceau d'incidence perpendiculaire 339 est modifié par la tension apparaissant en cours de test sur le conducteur 357. Avec une orientation des molécules actives normale au plan du film 350, un faisceau de lumière d'incidence oblique peut être utilisé. Alternativement, une méthode d'interférométrie telle que décrite en référence à la figure 2 peut être employée. REVENDICATIONS 1 - Procédé pour figer l'image d'un champ électrique dans un matériau comprenant des molécules douées d'activité électrooptique, caractérisé par les étapes suivantes a) on élève la température en au moins une zone de ce matériau au delà d'un niveau de transition à partir duquel l'orientation de ces molécules à l'intérieur du support peut être modifiée par l'action d'un champ électrique b) on applique en cette zone un champ électrique orientateur ou d'écriture dont la direction et/ou l'intensité sont déterminées en fonction de caractéristiques d'anisotropie optique que l'on souhaite obtenir ; et c) pendant l'opération b) on abaisse la température de ladite zone en-dessous de la température de transition pour figer les caractéristiques du champ appliqué dans le matériau. 2 - Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on module le champ électrique appliqué aux points du matériau selon au moins une direction de l'espace pour faire varier une caractéristique d'anisotropie optique du matériau dans cette direction. 3 - Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'on module le champ en intensité. 4 - Procédé selon l'une des revendications 2 ou 3, caractérisé en ce que la modulation est effectuée entre deux niveaux. 5 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que l'un desdits niveaux est zéro. 6 - Procédé selon l'une des revendications 2 à 5, caractérisé en ce que la modulation est faite sur une gamme de niveaux. 7 - Procédé selon la revendication précédente, caractérisé en ce que lesdits niveaux sont discontinus. 8 - Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau est conditionné sous la forme d'une couche ou d'un film. 9 - Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la modulation est réalisée dans deux dimensions parallèlement au plan de la couche. 10- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que la modulation est réalisée au moins dans une dimension parallèlement au plan de la couche et dans l'épaisseur de la couche. 11- Procédé selon l'une des revendications 8 à 10, caractérisé en ce que l'on oriente les molécules à l'aide d'un champ électrique non perpendiculaire au plan de la couche. 12- Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'on oriente les molécules sensiblement dans le plan de la couche. 13- Procédé pour lire l'enregistrement d'un champ électrique modulé, réalisé conformément au procédé selon l'une des revendications 8 à 12, caractérisé en ce que l'on soumet la couche ou le film à un champ électrique de lecture propre à révéler l'anisotropie optique du matériau et on détecte cette anisotropie par des moyens optiques. 14- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'on réalise l'analyse d'un faisceau lumineux traversant le matériau (placé sous le champ électrique de lecture) et dont certains paramètres sont modifiés par l'anisotropie. 15- Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que l'on crée une anisotropie locale par application de chaleur localement et du champ électrique orientateur ou d'écriture global, puis refroidissement sous ledit champ. 16- Procédé selon l'une des revendications 1 à 14, caractérisé en ce que l'on supprime globalement l'anisotropie du matériau par application simultanée de chaleur et d'un champ, puis on crée une anisotropie locale sous champ électrique nul. 17- Procédé selon l'une des revendications 15 ou 16, caractérisé en ce que le matériau est soumis à une application locale de chaleur sous ledit champ électrique d'écriture global. 18- Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que 1'anisotropie est créée par application globale de chaleur et d'un champ électrique local. 19- Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que le matériau est soumis à un champ électrique local par dépôt de charges on mise à un potentiel donné à la surface du matériau. 20- Procédé selon la revendication 17, caractérisé en ce que l'on chauffe le matériau en focalisant sur des zones définies de ce dernier situées à des niveaux différents dans l'épaisseur du film ou de la couche. 21- Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'on chauffe globalement le matériau et on soumet ce dernier à des champs électriques locaux de valeurs différentes. 22- Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que le matériau est en forme de bande ou de disque. 23- Procédé selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que le matériau est constitué d'une matrice polymère dopée de molécules électro-actives. 24- Procédé pour réaliser le transfert de charges électriques, sous I'effet d'un faisceau lumineux de commande, entre la première face d'un élément en un matériau photoconducteur reliée à une source de charges, et la seconde face dudit élément disposée à proximité électrique d'une face d'une couche de matériau diélectrique. 25- Procédé selon les revendications 19 et 22, caractérisé en ce que le dépôt de charges est réalisé par transfert de charges entre une face d'une couche en un matériau photoconducteur reliée à une source de charge et l'autre face de ladite couche disposée à proximité électrique d'une des faces de la bande. 26- Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications précédentes, comprenant des moyens de création et de modulation de l'anisotropie du matériau et des moyens de déplacement relatif entre le support formé du matériau d'une part et les moyens de création et de modulation de l'anisotropie du matériau d'autre part. 27- Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les moyens de création et de modulation se l'anisotropie du matériau comprennent des moyens de chauffage et des moyens générateurs de champ électrique d'écriture dans lequel est susceptible de baigner le support. 28- Dispositif selon la revendication 25, caractérisé en ce que les moyens de création et de modulation de chauffage comprennent des moyens de chauffage local du matériau. 29- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 28, caractérisé en ce que les moyens de création et de modulation se 1'anisotropie du matériau sont fixes et les moyens de déplacement sont aptes à faire déplacer le support. 30- Dispositif selon la revendication 28, caractérisé en ce que les moyens de chauffage local comprennent un émetteur de faisceau laser apte à être focalisé sur une zone donnée du support. 31- Dispositif selon les revendications 27 et 30, caractérisé en ce que les moyens générateurs de champ électrique comprennent des électrodes en matériau conducteur et aptes à laisser passer le faisceau laser, disposées de part et d'autre du support, et portées à des potentiels différents. 32- Dispositif selon la revendication 27, caractérisé en ce que les moyens générateurs de champ électrique sont aptes à effectuer un dépôt de charges électrostatiques à la surface du support. 33- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 32, caractérisé en ce que les moyens de création et de modulation de 1'anisotropie sont aptes à créer plusieurs pistes parallèles porteuses chacune d'une série de bits successifs. 34- Dispositif selon les revendications 30 et 33, caractérisé en ce qu'il comprend soit une diode laser par piste, soit une seule diode associée à des moyens de modulation de la direction du faisceau laser émis par la diode unique. 35- Dispositif pour la mise en oeuvre du procédé selon l'une des revendications 1 à 23, caractérisé en ce qu'il comprend également des moyens de lecture de l'information enregistrée sur le matériau élactro-optique, comprenant des moyens générateurs de champ électrique de lecture, des moyens d'engendrer un faisceau lumineux apte à traverser le support et des moyens d'analyse optique dudit faisceau, propres à réveler l'anisotropie optique du matériau représentative de l'information enregistrée. 36- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce que les moyens générateurs de champ comprennent des électrodes intégrées soit auxdits moyens soit au support lui-même. 37- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce que les moyens générateurs de faisceau lumineux de lecture sont constitués d'un émetteur de faisceau laser. 38- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce que les moyens d'analyse optique sont du type polarimétrique et comprennent un ensemble polariseur et analyseur croisés et un photodétecteur. 39- Dispositif selon la revendication 35, caractérisé en ce que les moyens d'analyse optique sont du type interférométrique et comprennent un jeu de miroirs semi-transparents en contact avec les faces respectives du support, une source lumineuse et des moyens d'analyse optique aptes à mesurer l'intensité du rayon lumineux issu du support. 40- Dispositif selon les revendications 27 et 35, caractérisé en ce que la valeur du champ électrique d'écriture est inférieure à la valeur du champ électrique de lecture. 41- Dispositif selon les revendications 30 et 37, caractérisé en ce que l'émetteur laser pour la lecture est de puissance inférieure à l'émetteur laser pour 1 'écriture. 42- Dispositif selon les revendications 30 et 37, caractérisé en ce que le support est absorbant pour la longueur d'onde du faisceau lumineux d'écriture et peu absorbant (translucide ou transparent) pour la longueur d'onde du faisceau lumineux de lecture. 43- Dispositif selon les revendications 26 et 35, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens d'enregistrer sur le support des données de référence (correspondant à une modulation donnée d'anisotropie) et des moyens de comparaison entre les signaux de référence et les signaux correspondant aux informations proprement dites, issus de l'analyse optique de lecture. 44- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 43, caractérisé en ce que le support est en un matériau électro-optique, constitué d'une matrice polymère dopée de molécules conductrices. 45- Dispositif selon l'une des revendications 26 à 44, caractérisé en ce que le support est en forme de bande ou de disque. 46- Dispositif selon la revendication 32, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de transfert de charges entre une face d'une couche en un matériau photoconducteur reliée à une source, de charge et l'autre face de ladite couche disposée à proximité électrique d'une des faces du support. 47- Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que l'on fait défiler la couche ou film dans un champ de lecture sensiblement constant et on détecte optiquement les variations d'indice de la couche ou film dans ce champ pour lire l'enregistrement du champ d'écriture. 48- Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la direction du champ électrique orientateur est déterminée pour imposer à la structure du matériau des caractéristiques d'anisotropie présélectionnées en direction. 49- Procédé de fabrication d'un transducteur propre à fournir une image de tensions dans un circuit électrique ct contenant une couche d'un matériau comprenant des molécules douées d'activité électro-optique, dont une face est destinée à être placée à proximité électrique des zones du circuit dont on désire obtenir une image de tension, caractérisé en ce que l'on oriente lesdites molécules à l'aide du procédé selon l'une des revendications 11 ou 12. 50- Dispositif selon la revendication 39, caractérisé en ce que les miroirs semi-transparents sont constitués de couches de matériau transparent et conducteurs, déposées sur chaque face du support, et reliées respectivement à un potentiel positif et à la masse. 51- Dispositif selon la revendication précédente, caractérisé en ce que les couches formant miroirs sont constituées de segments de longueur donnée (dans la direction de défilement du support), deux segments consécutifs étant séparés par un espace de longueur petite devant celle desdits segments.