Brevet FR2626102A1 — publié le 19890721

MEMOIRE A TRANSFERT DE CHARGES ET PROCEDE DE FABRICATION DE CETTE MEMOIRE DESCRIPTION La présente invention concerne une mémoire à transfert de charges, ainsi qu'un procédé de fabrication de cette mémoire. Elle s'applique notamment aux matrices photo-sensibles utilisées dans les systèmes video. Dans ce type d'application, les charges stockées dans la mémoire proviennent d'éléments photosensibles. L'invention concerne plus particulièrement le transfert des charges stockées dans des registres à décalages, vers un registre de lecture. Les mémoires à transfert de charges qu'elles soient utilisées pour enregistrer des charges provenant d'éléments photo-sensibles ou des charges générées par tout autre moyen, comportent généralement, de façon connue, une succession de registres de décalages, à transfert de charges, dans lesquels les charges stockées, sont transférées vers l'une des extrémités dite finale de chacun de ces registres, pour être transférées vers un registre de lecture, fonctionnant lui-même comme registre à décalages à transfert de charges. Les charges ainsi transférées des registres à décalages vers le registre de lecture, sont lues à l'extrémité de celui-ci, par un amplificateur de mesure. Les registres de décalages utilisés dans cette mémoire sont parallèles à une première direction. Ces registres sont généralement de type "à quatre phases et à deux niveaux d'intégration d'électrodes ou de silicium polycristallin"; le registre de lecture est parallèle à une deuxième direction, perpendiculaire à la première direction; ce registre est comme on le verra plus loin en détail, dans le cas de l'invention, du type "à deux phases et à trois niveaux de silicium polycrista llin". La figure représente schématiquement et en pe i.pL- ve une memoire à transfert de charges cmportant de 2626 102 façon connue, des registres à décalages et un registre de lecture, à transfert de charges. Les registres à décalages sont désignés par les références, 1, 2, 3, 4 et le registre de lecture est désigné par La référence 5. Le nombre des registres à décalages a été délimité à quatre, pour en faciliter la représentation. Ces registres à décalages sont parallèles à une première direction Y, tandis que le registre de lecture 5 est parallèle à une deuxième direction X, elle-même de préférence perpendiculaire à la première direction Y. Les registres à décalages et le registre de lecture sont réalisés sur un substrat semi-conducteur dopé 6 d'un premier type (P par exemple), supportant une couche semi-conductrice 7 dopée d'un deuxième type (N par exemple). Une couche isolante 8 recouvre la couche semi-conductrice 7. Chaque registre à décalages comporte, parallèlement à l'axe Y, des groupes successifs d'électrodes; un seul groupe 9 de quatre électrodes a été représenté en exemple pour le registre 1. Il est évident que ce registre comporte d'autres groupes identiques au groupe 9, alignés avec celui-ci, dans la direction Y. Chacun de ces groupes comprend quatre électrodes 11, 12, 13 et 14 de transfert et de stockage de charges. Ces électrodes sont disposées en série et sont en contact avec la couche isolante 8. Elles permettent de faire circuler les charges, de manière connue, dans un sens prédéterminé indiqué par la flèche 15, grâce à des potentiels de transfert et des puits de potentiel apparaissant sous les électrodes de chaque groupe à l'interface entre la couche semi-conductrice 7 et la couche isolante 8, lorsque des tensions cycliques V1, V2, V3, V sont appliquées 1 4 respectivement aux quatre électrodes de chaque groupe. Ces tensions présentent respectivement des phases différentes et des valeurs extrêmes égales. Les charges sont ainsi transmises d'un groupe à un autre dans le sens de la flèche 15 pour être amenées à ure extréimité de chaque registre à décalages qui se termine par le:xrooe finale de transfert 16. Cette électrode finale est 226 iO2 portée à un potentiel cyclique, présentant par exemple la même phase et les mêmes valeurs extrêmes que la tension V appliquée à la première électrode 11 du groupe. Le registre 5 de lecture comporte, le long du deuxième axe X, pour chaque registre à décalages, et pour faire circuler les charges toujours dans un même sens, tel que défini par la flèche 17, une paire d'électrodes de lecture, en contact avec la couche isolante 8. Chacune des paires d'électrodes de lecture comprend par exemple pour le registre à décalages 2 et pour transférer les charges stockées sous l'électrode finale 18 de ce registre, une électrode de stockage 18 dite de lecture, contigue à l'électrode finale 19 du registre à décalages 2 considéré, et une électrode de transfert 20, dite de lecture, contigue à l'électrode de stockage de lecture 18. Cette électrode de transfert est aussi contigue à une électrode de stockage de lecture 21, correspondant à l'électrode finale 16 du registre à décalages adjacent 1, dans la succession de registres et dans le sens 17 du transfert des charges dans le registre de lecture. De manière connue, la paire d'électrodes successives , 21 et 18, 23 du registre de lecture 5, sont respectivement alimentées par des tensions cycliques VL1, VL2, en opposition de phases et présentant les mêmes valeurs extrêmes. La figure 2 est une coupe schématique XOY de la mémoire de la figure 1. La structure de cette mémoire représentée ici de manière plus détaillée, et comme dans l'état de la technique. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 1. On retrouve sur cette figure la couche semi-conductrice 7, dopée de deuxième type (N par exemple), la couche isolante 8 et, sur cette couche isolante, certaines des électrodes du registre de lecture 5 et certaines des électrodes du registre à décalage 1. C'est ainsi que sont représentées ls électrcdes 11, 12, 13, 14 du registre à décalages 1, auxquelles sont app!its 3 lCs Lensions déphasées Vl, V2, 'V3, V4. On d tînce aussi 2626 O2 l'électrode finale 16 de ce registre à décalages, à laquelle est appliquée la tension VF, l'électrode de stockage 21 du registre de lecture 5, l'électrode de transfert 22 qui est contigue à cette électrode de stockage 21, ainsi qu'à l'électrode de stockage 25 suivante. On a également représenté sur cette figure, d'autres électrodes de transfert 26, 27, 28 et d'autres électrodes de stockage 29, 30, 31 du registre de lecture. Les paires d'électrodes telles que 21, 22, 25, 26,... du registre de lecture sont alimentées par les tensions Vl1, Vl2 mentionnées plus haut. Des zones semi-conductrices d'un troisième type (N- par exemple), représentées en 32, 33, 34, 35 sur la figure, sont réalisées en regard des électrodes de transfert 22, 26, 27, 28, du registre de lecture. Des charges provenant des registres à décalages circulent dans ce registre de lecture, grâce à des puits de potentiel et des potentiels de transfert apparaissant sous les paires successives telles que 22-25,... d'électrodes du registre de lecture. La figure 3 est un diagramme des potentiels V qui apparaissent à l'interface entre la couche semi-conductrice 7 et la couche isolante 8, lorsque les potentiels mentionnés plus haut sont appliqués aux électrodes du registre à décalages et aux électrodes du registre de lecture. Ces potentiels présentent, pour chacune des phases $1, 02 des tensions Vll, Vl2 appliquées aux paires d'électrodes successives du registre de lecture, des puits de potentiels P1, P2, P3, de profondeur VA, et des paliers de potentiels de transfert, de valeurs VB, VC, VD. Ces puits et ces potentiels de transfert permettent d'acheminer les charges dans le registre de lecture, dans le sens de la flèche 17 par exemple, ces charges provenant d'un puits de potentiel P4 du registre à décalages. Dans ce registre à décalages, ces charges sont amenées vers les extrémités de chaque registre à décalages grâce à l'application des potentiels V1, V2, V3 V4 aux différentes électrodes, e' g:ece à l'epp[ic&tion du 2626 02 potentiel VF, à l'électrode finale 16 de ce registre (VF=V1). Le potentiel de transfert, de niveau VC résultant de l'application du potentiet VF à l'électrode finale 16 du registre à décalages présente un niveau supérieur au potentiel de transfert VD résultant de l'application du potentiel Vl1 à l'électrode 21. Il en résulte que les charges (des électrons dans l'exemple considéré) sont normalement transférées du puits de potentiel P4 présent sous l'électrode de stockage 14 du registre à décalages, vers le puits de potentiel PO présent sous l'électrode de stockage 21 du registre de lecture. Le potentiel de transfert VC créé par la tension VF appliquée à l'électrode finale 16, est le même que celui qui crée le puits de potentiel PO pendant le transfert et des électrons présents dans le puits P15 P du registre de lecture, peuvent retourner vers le puits P4 du registre de décalages (il est à noter que l'axe V des tensions est dirigé vers le bas). En fait, une fois le registre de lecture chargé, la tension VF reste à l'état bas et les potentiels VL1 et VL2 sont commandés entre les niveaux bas et haut afin d'évacuer les charges vers la sortie du registre de lecture (flèche 17, figure 1). C'est pendant ce décalage que des charges peuvent remonter vers le registre à décalage. Le retour possible des charges circulant dans le registre de lecture, vers un registre à décalages est un très grave inconvénient de ce type de registre connu dans l'état de la technique. L'invention a précisément pour but de remédier à cet inconvénient et notamment de réaliser une mémoire à transfert de charges, dans laquelle les charges qui circulent dans un registre de lecture ne peuvent absolument pas retourner vers les registres à décalages reliés à ce registre de lecture. Ces buts sont atteints de manière très simple, comme on le verra plus loin en détail, en implantant une zone dopée sous l'électrode finale de chaque registre à décalages, dans la couche semi-conductrice. Celte zone onépee est de m-me type (N par exemple) que les zones dopées (N-) du registre de lecture, mais présente un dopage moins important. L'invention a aussi pour but de fournir un procédé simple de fabrication d'une telle mémoire, dans laquelle les registres à décalages sont des registres de type "quatre phases et deux niveaux de silicium polycristallin ou d'électrodes", et dans laquelle le registre de lecture est de type à "deux phases et trois niveaux de silicium polycristallin ou d'électrodes". L'invention a pour objet une mémoire à transfert de charges comportant une succession de registres à décalages à transfert de charges dits à "quatre phases et à deux niveaux d'électrodes" et un registre de lecture des charges des registres à décalages dit "à deux phases et à trois niveaux d'électrodes", ces registres à décalages et ce registre de lecture étant réalisés sur un substrat semi-conducteur dopé d'un premier type supportant une couche semi-conductrice dopée d'un deuxième type, elle-même recouverte par une couche isolante, chaque registre à décalages comportant en outre, parallèlement à un premier axe des groupes successifs d'électrodes, comprenant chacun trois électrodes de transfert et une électrode de stockage des charges, en contact avec la couche isolante, pour faire circuler les charges dans un sens prédéterminé, grâce à des potentiels de transfert et des puits de potentiel apparaissant sous ces électrodes, en relation avec les quatre phases de tensions cycliques de valeurs identiques, appliquées respectivement aux électrodes de chaque groupe, les charges étant ainsi amenées à une extrémité du registre à décalages qui se termine par une électrode finale de transfert, portée à un potentiel prédéterminé, le registre de lecture comportant, le long d'un deuxième axe, pour chaque registre à décalages, et pour faire circuler les charges toujours dans un même sens le long de ce deuxième axe, au moins une paire d'électrodes de lecture en contact avec la couche isolante et comprenant une électrode de stockage de lecture contigue à l'éLectode finale du registre à décalages cor.sidéré, e. une électrode de transfert de lecture ig qu a t eiectrooe ne Qesockage de lecture correspondant au 2626 102 registre à décalages considéré, cette électrode de transfert de lecture étant aussi contigue à une électrode de stockage de lecture correspondant à une électrode finale d'un registre à décalages adjacent au registre considéré dans ladite succession de registres à décalages, des zones semiconductrices de troisième type étant réalisées respectivement en regard des électrodes de transfert du registre de lecture, les charges circulant dans ce registre grâce à des puits de potentiel et des potentiels de transfert apparaissant sous les paires successives d'électrodes, chaque paire d'électrodes de lecture correspondant à un registre à décalages, étant alimentée par une tension cyclique présentant des valeurs égales mais en opposition de phases avec une tension cyclique alimentant la paire d'électrodes de lecture du registre à décalages adjacent dans ladite succession, caractérisé en ce que chaque registre à décalages comporte en outre une zone dopée de quatrième type, réalisée dans la couche dopée de deuxième type, en regard de l'électrode finale. Selon une autre caractéristique de l'invention, le substrat semi-conducteur de premier type est dopé de type P, la couche semi-conductrice de deuxième type est dopée de type N, les zones de troisième type étant dopées de type N-, et présentant un dopage moins importannt que celui de la couche semi-conductrice de deuxième type N, chaque zone de quatrième type étant de type N-- et présentant un dopage moins important que celui des zones dopées de troisième type N-. L'invention concerne aussi un procédé de fabrication d'une mémoire à transfert de charge, consistant à réaliser des électrodes de stockage du registre de lecture par masquage et gravure d'une première couche de silicium polycristaLLin dite de premier niveau, déposée sur la couche isolante, puis à implanter lesdites zones dopées de troisième type entre les électrodes de stockage d,? registre de lecture, dans la couche semiconductrice dopée de deuxième type. puis à réaliser des électrodes de trar Tert c,s regctre de lecture, et des électrodes de stockage 2626 1 02 et de transfert des registres à décalages, par masquage et gravure d'une deuxième couche de silicium polycristallin, dite de deuxième niveau, déposée sur les électrodes déjà réalisées dans la première couche et sur la couche isolante, caractérisé en ce qu'il consiste ensuite à réaliser une zone dopée de quatrième type dans la couche semi-conductrice de deuxième type, en regard d'espaces correspondant respectivement aux électrodes finales des registres à décalages, puis à réaliser d'autres électrodes de transfert du registre de lecture et d'autres électrodes de transfert et de stockage des registres à décalages, ainsi que les électrodes finales des registres à décalages, par masquage et gravure d'une troisième couche de silicium polycristallin, dite de troisième niveau, déposée sur les électrodes déjà réalisées dans les première et deuxième couches de silicium polycristallin et sur la couche isolante. Les caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée en référence aux dessins annexés dans lesquels: - la figure 1 a déjà été décrite et représente en perspective une vue d'ensemble schématique des principales électrodes des registres à décalages et d'un registre de lecture d'une mémoire connue dans l'état de la technique; cette vue d'ensemble correspond aussi à celle de la mémoire de l'invention, - la figure 2 a déjà été décrite et représente schématiquement et en coupe XOY, la structure de la mémoire de la figure 1, connue dans l'état de la technique, - la figure 3 a déjà été décrite et représente schématiquement, un diagramme des potentiels apparaissant à l'interface entre la couche semi-conductrice et la couche isolante pour le registre de lecture et pour l'un des registres à décalages de la mémoire de la figure 2, - la figure 4 représente schématiquement et en coupe XOY, la mémoire de la figure 1, dans le cas de l'invention, - la figure 5 est un diagramme qui rer-sente s-natruement, les potentiels intervcnant Z L'interfacz je la 26 2 6 102 couche semi-conductrice et de La couche isolante, pour l'un des registres à décalages et pour te registre de lecture, dans la mémoire de la figure 4 conforme à l'invention, - les figures 6 à 11 représentent schématiquement les étapes essentielles du procédé de fabrication de la mémoire de l'invention. La figure 4 représente schématiquement et en coupe XOY, la mémoire de la figure 1, dans le cas de l'invention. Les mêmes éléments portent les mêmes références sur cette figure et sur la figure 2. Comme dans La mémoire de la figure 2, les électrodes de chaque registre à décalages et du registre de lecture reposent sur une couche isoLante 8 superposée à une couche semi- conductrice 7 de deuxième type (de type N dans le mode de réalisation préférentiel de l'invention), cette couche semi- conductrice de deuxième type reposant elle-même sur un substrat semiconducteur d'un premier type (de type P dans un mode de réalisation préférentiel de l'invention), non représenté sur cette figure. Des zones 32, 33, 34, 35,... semi-conductrices d'un troisième type (de type N dans le mode de réalisation préférentiel de l'invention), qui présente un dopage moins important que la couche semi-conductrice 7, sont implantées en regard des électrodes de transfert 22, 26, 27, 28 du registre de lecture. On a également désigné sur cette figure comme sur la figure 2, les tensions V1, V2, V3, V4, appliquées respectivement aux électrodes 11, 12, 13, 14 de transfert et de stockage de l'un des groupes d'électrodes d'un registre à décalages, ainsi que la tension VF appliquée à l'électrode finale 16 du registre considéré (le registre 1 sur la figure 1). Ces tensions sont bien entendu, comme pour la mémoire de la figure 2, cycliques, déphasées, et présentent des valeurs extrêmes identiques. La phase de la tension VF est identique à la phase de la tension V1. On a également désigné par VL1, VL2, des tensions Vl1 et Vl2 cycliques présentant des valeurs extrêmes identiques, apptiouées aux paires d'électrod t s 22,5, du registre de lecture 5. Ces tensions sont, comme dans la mémoire de la figure 2, en opposition de phases. Selon l'invention, et dans un but qui sera expliqué plus loin en détail, la mémoire comporte, en regard de l'électrode finale 16 de chaque registre à décalage, une zone implantée d'un quatrième type (N-- dans le mode de réalisation préférentiel de l'invention), qui présente un dopage moins important que les zones implantées de troisième type (les zones 32). Cette zone 40 permet, en relation avec le potentiel VF appliqué à l'électrode 16 du registre à décalages considéré, de diminuer le potentiel de transfert des charges entre le registre à décalages et le registre de lecture. Cette diminution du potentiel, notamment dans le mode de réalisation préférentiel de l'invention, évite que des charges (des électrons) présentes dans le registre de lecture, ne remontent vers le registre à décalage correspondant. La figure 5 représente schématiquement un diagramme des potentiels V apparaissant à l'interface entre la couche semi-- conductrice 7 et la couche isolante 8 dans la mémoire de l'invention, telle que représentée sur la figure 4. Ce diagramme fait apparaître les puits de potentiel et les potentiels de transfert pour le registre de lecture 5 et pour le registre à décalages 1. On a représenté, comme sur la figure 3, des puits de potentiel P1, P2, P3, P4 de profondeur VA et les paliers de potentiel de transfert apparaissant sous les paires d'électrodes du registre de lecture et sous les électrodes du registre à décalages, pour les tensions déphasées Vl1, Vl2, VF, V1, V2, V3, V4. Les diagrammes $1, *2 représentent respectivement ces puits et potentiels de transfert, pour chacune de ces tensions déphasées. On constate sur cette figure que le palier de potentiel de valeur V sous l'électrode finale 16 du registre à décalages D 1, a une valeur inférieure à la valeur VC d.! raLier correspondant de la mémoire de la figure 2 (mémoire connue). Ce résultat est obtenu grâce à i -.dorltation de la z0o - h de Quatrième type, 26 2 6 1 0 2 Il sous l'électrode finale 16. Cette valeur inférieure du palier de potentiel sous l'électrode finale 16 permet d'éviter que des électrons contenus dans Le puits de potentiel P1 par exemple, lorsque ce puits en contient un nombre important, ne retournent vers le registre à décalages 1, c'est-à-dire dans le puits de potentiel P4. Les figures 6 à 11 représentent schématiquement les étapes essentielles du procédé de fabrication de La mémoire de l'invention. Comme représenté sur la figure 6, le procédé consiste tout d'abord à déposer sur une couche isolante 8 superposée à une couche semi-conductrice 7 dopée de type N, elle-même superposée à un substrat semi-conducteur 6 de type P de préférence, une première couche 41 d'un silicium polycristallin, dite de premier niveau. On découpe alors dans cette couche 41, par masquage (masque 42) et par gravure, les électrodes de stockage telles que 21, 25, 29, 30, 31 du registre de lecture (registre 5 sur la figure 1). Les électrodes ainsi obtenues sont représentées sur la figure 7. On réalise ensuite, dans la couche semi-conductrice 7 dopée de deuxième type (de type N), des zones implantées de troisième type (de type N-), entre les électrodes de stockage 21, , 29, 30, 31 déjà réalisées. Ces zones dopées de troisième type sont représentées en 32, 33, 34, 35 sur la figure 7; on suppose que les électrodes de stockage déjà réalisées sont recouvertes d'une couche isolante obtenue de façon connue et qu'un masque de résine 42A protège les zones de la couche semi-conductrice o on ne souhaite pas réaliser des implantations de troisième type. On dépose ensuite, comme le montre la figure 8, sur les électrodes déjà réalisées et sur les parties de la couche isolante 8 non recouvertes, une couche 43 d'un silicium polycristallin, dite de deuxième niveau. On découpe ensuite par masquage (masque 44), certaines des électrodes de transfert telles que 26, 28 du registre de lecture 5, ainsi que certaines des electrodes teLtes e.e 12, 1i de stockage et de transfert des 2626 IO registres à décalages. Ces électrodes de deuxième niveau sont visibles sur la figure 9. On réalise ensuite une zone dopée 40 d'un quatrième type (de type N-- dans le mode de réalisation préférentiel de l'invention), présentant un dopage plus important que les zones 32 dopées de troisième type (type N-), dans la couche semi- conductrice 7 de deuxième type, en regard des espaces correspondant aux électrodes finales des registres à décalages. Pour cette implantation, les électrodes déjà réalisées sont recouvertes d'une couche isolante et protégées par un masque 45. Comme le montre la figure 10, on dépose ensuite sur les électrodes déjà réalisées dans les couches 41, 43 de silicium de premier et deuxième niveaux, et sur les parties de la couche isolante 8 non recouvertes par ces électrodes, une troisième couche 46 d'un silicium polycristallin, dite de troisième niveau. On réalise ensuite par masquage (masque 47) et par gravure de cette troisième couche de silicium polycristallin 46, d'autres électrodes de transfert telles que 22, 23 du registre de lecture, les électrodes finales 16 des registres à décalages, ainsi que les électrodes manquantes 11, 13, de stockage et de transfert des registres à décalages. Ces électrodes sont visibles sur la figure il. On met alors en place les fils de connexion qui permettent de relier les électrodes à des sources d'alimentation fournissant les tensions V1, V2, V3, V4, VF, Vl1, Vl2. Le procédé de fabrication qui vient d'être décrit montre bien que cette mémoire comprend des registres à décalages fonctionnant avec des tensions V1, V2, V3, V4, VF ayant des phases différentes et que ces registres présentent deux niveaux d'intégration qui sont les deuxième et troisième niveaux 43, 46 de silicium polycristallin (l'électrode 14 par exemple appartient au deuxième niveau tandis que l'électrode 13 appartient au troisième niveau). Le registre de lecture 5 est un registre qui fonctionne grace a deux tensions de commande VL1, VL2 en opposition de 2626 102 phase, appliquées à des paires d'électrodes de ce registre. Ce registre de lecture peut être qualifié de registre à trois niveaux d'intégration puisque les différentes électrodes qui le constituent sont réalisées dans le premier niveau 41 de silicium polycristallin (l'électrode 29 par exemple), dans le deuxième niveau 43 de silicium polycristallin (électrode 28 par exemple), et dans le troisième niveau 46 de silicium polycristallin (l'électrode 23 par exemple). 2626 102 REVENDICATIONS 1. Mémoire à transfert de charges comportant une succession de registres à décalages (1, 2, 3,...) à transfert de charges dits à "quatre phases et à deux niveaux d'électrodes" et un registre (5) de lecture des charges des registres à décalages dit "à deux phases et à trois niveaux d'électrodes", ces registres à décalages et ce registre de lecture étant réalisés sur un substrat semi-conducteur (6) dopé d'un premier type supportant une couche semi-conductrice (7) dopée d'un deuxième type, elle- même recouverte par une couche isolante (8), chaque registre (1) à décalages comportant en outre, parallèlement à un premier axe (Y) des groupes successifs d'électrodes, comprenant chacun quatre électrodes de transfert et de stockage (11, 12, 13, 14) des charges, en contact avec la couche isolante (8), pour faire circuler les charges dans un sens prédéterminé (15), grâce à des potentiels de transfert et des puits de potentiel apparaissant sous ces électrodes, en relation avec les quatre phases de tensions (V1, V2, V3, V4) cycliques de valeurs identiques, appliquées respectivement aux électrodes de chaque groupe (9), les charges étant ainsi amenées à une extrémité du registre à décalages qui se termine par une électrode finale (16) de transfert, portée à un potentiel variable (VF) prédéterminé, le registre de lecture (5) comportant, le long d'un deuxième axe (X), pour chaque registre à décalages, et pour faire circuler les charges toujours dans un même sens (17) le long de ce deuxième axe, au moins une paire d'électrodes de lecture en contact avec la couche isolante (8) et comprenant une électrode de stockage de lecture (21) contiguë à l'électode finale (16) du registre à décalages considéré, et une électrode de transfert de lecture (22) contiguë à l'électrode de stockage de lecture (21) correspondant au registre à décalages considéré, cette électrode de transfert de lecture (25) étant aussi contigue à une électrode de stockage de lecture correspondant à une électrode finale d'un repistre à décalage adjacent au registrc considéré dans Ladite 2626 0lZ succession de registres à décalages, des zones semi-conductrices (32, 33,...) de troisième type étant réalisées respectivement en regard des électrodes de transfert (22, 26,...) du registre de lecture, les charges circulant dans ce registre grâce à des puits de potentiel et des potentiels de transfert apparaissant sous Les paires successives d'électrodes, chaque paire d'électrodes de lecture (21, 22) correspondant à un registre à décalages, étant alimentée par une tension cyclique (VL1) présentant des valeurs égales mais en opposition de phases avec une tension cyclique (VL2) alimentant la paire d'électrodes de lecture (25, 26) du registre à décalages adjacent dans ladite succession, caractérisé en ce que chaque registre à décalages comporte en outre une zone dopée de quatrième type (40), réalisée dans la couche dopée (7) de deuxième type, en regard de l'électrode finale (16). 2. Mémoire selon la revendication 1, caractérisée en ce que le substrat semi-conducteur (6) de premier type est dopé de type P, la couche semiconductrice (7) de deuxième type est dopée de type N, les zones (32, 33,.. .) de troisième type étant dopées de type N-, et présentant un dopage moins important que celui de la couche semi-conductrice (7) de deuxième type N, chaque zone (40) de quatrième type étant de type N-- et présentant un dopage moins important que celui des zones (32, 33) dopées de troisième type N-. 3. Procédé de fabrication d'une mémoire à transfert de charges, conforme à l'une quelconque des revendications 1 et 2, consistant à réaliser des électrodes de stockage (21, 25, 29, ) du registre de lecture (5) par masquage (42) et gravure d'une première couche (41) de silicium polycristallin dite de premier niveau, déposée sur la couche isolante (8), puis à implanter lesdites zones (32, 33,...) dopées de troisième type entre les électrodes de stockage du registre de lecture, dans la couche semi-conductrice (7) dopée de deuxième type, puis à réaliser des électrodes (26, 28,...) de transfert du registre de lecture, et des électrodes de stockage et de transfert (12, 14, 35...) des registres à décalages (1), par masquage (44) et gravure 2626 102 d'une deuxième couche (43) de silicium polycristallin, dite de deuxième niveau, déposée sur les électrodes déjà réalisées dans la première couche (41) et sur la couche isolante (8), caractérisé en ce qu'il consiste ensuite à réaliser une zone (40) dopée de quatrième type dans la couche semi-conductrice (43) de deuxième type, en regard d'espaces correspondant respectivement aux électrodes finales (16) des registres à décalages, puis à réaliser d'autres électrodes de transfert (22, 23,...) du registre de lecture (5) et d'autres électrodes de transfert et de stockage (11, 13, .) des registres à décalages, ainsi que les électrodes finales (16) des registres à décalages, par masquage (47) et gravure d'une troisième couche (46) de silicium polycristallin, dite de troisième niveau, déposée sur les électrodes déjà réalisées dans les première et deuxième couches..CLMF: de silicium polycristallin et sur la couche isolante (8).