Brevet FR2626385A1 — publié le 19890728

OBTUPATEUR SELECTIF DE LUMIERE PROCEDE DE REALISATION ET SON APPLICATION A UN DETECTEUR D'IMAGE L'invention concerne un obturateur sélectif de lumière et notamment un dispositif limitant l'éblouissement d'un détecteur d'image. L'invention concerne également un procédé de réalisation de cet obturateur et son application à un détecteur d'image tel que caméra de télévision du type vidicon ainsi qu'à un dispositif de détection à transfert de charge (CCD). Dans le domaine de la prise de vue d'image lumineuse, deux problèmes de suréclairement ou d'éblouissement peuvent apparaître: - L'intensité moyenne de l'image à capter est supérieure à celle admise par le détecteur d'image. Dans ce cas un diaphragme mécanique ou une densité optique peuvent être placés dans le trajet optique et limiter le flux lumineux moyen arrivant sur le détecteur d'image. - La dynamique en intensité de l'image à capter est supérieure à celle du détecteur d'image. C'est le cas par exemple pour les caméras à bas niveaux de lumière (B.N. L.) faites pour travailler dans un environnement nocturne et qui reçoivent tout à coup, dans leur champ, l'image d'un phare d'automobile. C'est le cas aussi pour les caméras TV utilisées dans les retransmissions sportives lorsqu'elles passent d'une zone d'ombre à une zone ensoleillée dans un stade. Dans les deux cas le détecteur d'image est ébloui, la dyna- mique de l'image à restituer devenant trop importante. Il n'existe pas actuellement de dispositif simple permettant de diminuer localement et de façon contrôlée, l'intensité lumineuse de certaines zones d'une image, afin de diminuer ce phénomène d'éblouissement. La demande de brevet français N 86 11728 ainsi que le document "Bistability and Thresholding by a new photoconductor- twisted nematic liquid crystal device with optical feedback" de R.A. ATHALE et al, publié dans la revue Applied Optics, volume 20, N 8, du 15 avril 1981, pages 1424 à 1432, décrivent des valves optiques à cristal liquide commandées par effet photoconducteurs. Cependant ces valves optiques ne permettent pas d'obtenir une dynamique de réponse suffisante. Selon l'invention, on prévoit donc un dispositif fournissant une grande dynamique de réponse pour être utilisable dans différents systèmes tel que caméra de télévision ou dans les intensificateurs d'images radiologiques. L'invention concerne donc un obturateur sélectif de lumière comportant une première lame et une deuxième lame transparente enserrant un matériau électrooptique, la deuxième lame trans- parente portant sur sa face, en contact avec le matériau électro- optique, au moins une contre-électrode de commande caractérisé en ce ue: la première lame porte, sur sa face en contact avec le matériau électrooptique, au moins une électrode image par zone d'obturation, des électrodes de commande communes à toutes les électrodes image, des éléments en matériau photoconducteur dont la résistance varie avec l'éclairement qu'il reçoit et permettant de coupler chacun une électrode image à une électrode de commande, les électrodes image étant arrangées sous forme matricielle; chaque élément en matériau photoconducteur encadrant une électrode image et étant en contact dune part avec une électrode image et, d'autre part, avec une électrode de commande. L'invention concerne également un procédé de réalisation dun obturateur sélectif comportant les étapes suivantes: a) une première étape de dépôt d'une couche en matériau photo- conducteur sur une face d'une première lame de substrat; b) une deuxième étape de dépôt d'une couche dun matériau de contact sur la couche de matériau photoconducteur; c) une troisième étape de gravure dans les deux couches déposées précédemment d'éléments photoconducteurs d) une quatrième étape de dépôt dun matériau conducteur élec- triquement sur l'ensemble précédent; e) une cinquième étape de gravure dans ladite couche de matériau conducteur et la couche de matériau de contact, d'électrodes images couplées au photoconducteur par la couche de matériau de contact et d'électrodes de contact couplées au photoconducteur par la couche de matériau de contact; f) une sixième étape de réalisation d'au moins une contre-électrode sur une face d'une deuxième lame de substrat; g) une septième étape dassemblage des deux lames de substrat avec entre les deux un matériau électrooptique. Enfin l'invention concerne également un détecteur d'images appliquant l'obturateur sélectif précédant, comprenant un système optique d'entrée et une surface photosensible et qui comporte donc également un obturateur sélectif situé entre le système optique d'entrée et la surface photosensible, les deux lames de 'obturateur étant en matériau transparent ainsi que les électrodes image et les contre-électrodes. Les différents objets et caractéristiques de l'invention appa- raîtront plus clairement dans la description qui va suivre faite à titre d'exemple en se reportant aux figures annexées qui repré- sentent: - la figure 1, une vue de dessus d'un exemple de réalisation d'un obturateur selon l'invention; - la figure 2, une vue en coupe de l'obturateur de la figure 1; - la figure 3, un schéma électrique éQivalent de l'obturateur selon linvention; - la figure 4, l'obturateur de la figure 2 équipé de polariseurs: - la figure 5, une courbe de fonctionnement d'un exemple de réalisation selon-l'invention; - les figures 6 et 7, une variante de réalisation de l'obturateur de la figure 1; - la figure 8, une autre variante de réalisation de l'obturateur de l'invention; - les figures 9 à 13, différentes étapes du procédé de réali- sation selon l'invention d'un obturateur sélectif: - la figure 14, un exemple d'application d'un obturateur selon l'invention; - la figure 15, une variante d'application d'un obturateur selon l'invention appliquée à un détecteur à transfert de charges; - la figure 16, une courbe contrastetension pour un cristal liquide utilisé en biréfringence. Les figures 1 et 2 représentent un exemple de réalisation de l'obturateur optique selon l'invention. Il comporte, comme cela est visible en figure 2, deux lames 1 et 2 enserrant un cristal liquide 3. La face 10 de la lame 1 en contact avec le cristal liquide 3 comporte des électrodes image 11 (pixels). Chaque électrode image est entourée par un élément en matériau photoconducteur 13. Ces éléments photoconducteurs sont en contact avec au moins une électrode de commande 12. Sur l'exemple de réalisation de la figure 1, l'électrode de commande 12 est réalisée sous forme d'un quadrillage. Dans chaque maille du quadrillage est contenue une électrode image Il et le contact entre l'électrode image 11 et l'électrode de commande 12 est réalisée par le matériau photoconducteur 13 qui entoure l'élec- trode image 11. Sur la face 20 de la lame 2 est prévue une contre-électrode 21. Enfin, un générateur de tension V permet d'appliquer une différence de potentiel entre l'électrode de commande 12 et la contre-électrode 21. La figure 3 représente un schéma électrique équivalent du dispositif ainsi réalisé. On a ainsi connecté en série aux bornes du générateur V: l'électrode de commande 12; - le matériau photoconducteur 13 - le cristal liquide 3 représenté par une résistance et un condensateur en parallèle; - la contre-électrode 21. Le matériau photoconducteur 13 est choisi de façon à ce eue sa résistance varie en fonction de la lumière qu'il reçoit. Notamment, il est choisi de telle façon que sa résistance diminue lorsque son éclairement augmente. Dans ce cas, si l'éclai- rement du photoconducteur augmente, sa résistance diminue, et la tension du générateur V se reporte sur le cristal liquide ce qui a pour effet de modifier le comportement du cristal liquide et donc ces propriétés de transmission de la lumière. En affectant un élément de matériau photoconducteur 13 à chaque électrode image 11 on réalise ainsi un ensemble cd'obtu- rateurs, chaque obturateur réagissant individuellement en fonction de la lumière qu'il reçoit. C'est ainsi qu'un obturateur peut recevoir un éclairement important et limiter la transmission de lumière tandis qu'un obturateur voisin peut recevoir moins de lumnière et avoir un comportement différent. Le dispositif des figures I et 2 lorsou'il fonctionne en trans- mission a ses- deux lames I et 2 transparentes ainsi cue les électrodes image Il et la contre-électrode 21. On associe alors aux deux faces du dispositif deux polariseurs 5 et 6 comme cel est représenté en figure 4. Dans le cas ou le cristal liquide 3 est du type nématique en hélice, les deux polariseurs 5 et 6 ont leurs axes de polarisation perpendiculaires, ces deux polariseurs sont indispensables avec l'effet électrooptique nématique en hélice. Une tension électrique alternative est appliquée aux bornes du dispositif (entre la contre-électrode et l'électrode de commande). Dans l'obscurité ou sous faible éclairement lumineux, la résis- tance du photoconducteur est grande et la tension d'alimentation du dispositif se reporte sur celui-ci. Elle est donc très faible sur l'élément d'image et donc sur le cristal liquide. Sous éclairement plus important, la résistance du photocon- ducteur diminue, la tension d'alimentation se reporte alors sur le cristal liquide qui commute donc. L'effet électrooptique du cristal a pour effet de diminuer l'intensité lumineuse transmise dans une zone de l'image o celle-ci est trop importante. La figure 5 donne une courbe de l'intensité transmise par ce- dispositif en fonction de l'intensité incidente. On note qu'en dessous d'une certaine valeur de l'intensité incidente, l'intensité transmise est directement proportionnelle à l'intensité incidente, au-dessus de cette valeur, l'intensité transmise présente une saturation. Les différents paramètres de la valve optique (épaisseur de la cellule, type de cristal liquide, type deffet électro-optique, épais- seur du photoconducteur, épaisseur, forme...) peuvent être ajustés, afin d'obtenir la courbe intensité transmise en fonction de l'intensité incidente qui répond le mieux aux besoins de l'application, en particulier au niveau de la sensibilité du dispositif. Enfin, la valve optique étant séparée en éléments d'image, la diminution locale de l'intensité lumineuse transmise ne peut s'effectuer que sur une surface au moins égale à celle de l'élément d'image. On voit donc que le nombre d'éléments d'image, ou le pas de la structure, dépend de la finesse avec laquelle on veut éviter l'éblouissement. Les figures 6 et 7 représentent une variante de réalisation de l'obturateur sélectif selon l'invention. Dans cette variante, les éléments en matériau photoconducteur 13 n'entourent pas les élec- trodes images 11. Par exemple, ils sont réalisés sous forme de plots. Dans ce cas en fonctionnement en transmission la lumière traverse l'obturateur entre les électrodes images puisque, contrairement au dispositif des figures 1 et 2 il n'y a pas autour des électrodes images, du matériau photoconducteur arrêtant la transmission de la lumière. La variante de réalisation des figures 6 et 7 prévoit donc sur la face de la lame 2, des rubans 22 opaques à la transmission de la lumière dans les zones correspondant aux zones de la face 10 de la lame I non occupées par les électrodes images 11. A titre d'exemple, ces rubans opaques 22 sont réalisés directement sur la face 20 et la contre-électrode 21 recouvre l'ensemble. Mais selon une autre variante de réalisation, les rubans opaques 22 peuvent être réalisés sur la contre-électrode 21. Selon une autre variante de réalisation, applicable à l'exemple de réalisation des figures 1 et 2 aussi bien qu'à celui des figures 6 et 7, l'électrode de commande 12 au lieu d'être réalisé sous forme d'un quadrillage est réalisé sous forme de plusieurs électrodes 12. Par exemple, en appliquant cette variante à l'obturateur des figures 1 et 2, comme cela est représenté sur la figure 8, l'obturateur possède alors plusieurs électrodes de commande lignes 12. En se reportant aux figures 9 à 13 on va maintenant décrire un exemple de procédé de réalisation selon l'invention. Au cours d'une première étape on dépose sur une lame de verre I une couche d'un matériau photoconducteur telle qu'une couche mince de silicium amorphe hydrogéné (a-Si: H). Par exemple, l'épaisseur de cette couche sera de 0,1 à i micromètre d'épaisseur. Avant ce dépôt, la lame de verre est éventuellement recouverte d'une couche d'un matériau, tel que de la silice, servant de couche d'arrêt de la gravure ou de barrière de diffusion des impuretés entre le verre et le matériau photoconducteur. - Au cours d'une deuxième étape, on dépose sur la couche précédente, une couche mince de silicium amorphe hydrogéné dopé au phosphore (a-Si H (n+)) d'environ 0,005 à 0,05 micromètre d'épais- seur. Cette couche est nécessaire pour assurer un bon contact ohmique entre l'ITO et le photoconducteur. Ces dépôts sont réalisés par la méthode dite C.V.D. (Chemical Vapor Deposition) assistée plasma. Lors d'une troisième étape ces deux couches sont alors gravées par un procédé photolithographique classique pour former un quadrillage. On obtient ainsi sur la face 10 de la lame I (figure 9) des éléments photoconducteurs 13 recouvert d'une couche de contact 14. Ensuite lors d'une quatrième étape on dépose une couche mince conductrice et transparente telle qu'une couche mince d'oxyde mixte d'indium et détain (I.T.O.). On obtient ainsi une structure représentée en figure 10. Lors d'une cincquième étape cette couche est ensuite gravée pour former les électrodes image et l'électrode de commande du dispositif. Sur la figure 11, on voit donc ces électrodes images 11 et ces électrodes de commande 12. - Enfin ce dépôt d'ITO est utilisé durant une sixième étape, comme masque pour graver par un procédé de gravure sèche classique, la couche 14 de silicium amorphe hydrogéné dopé n+ (a- Si: Hn+). Ainsi, le contact électrique entre électrode de commande et éléments d'images ne se fait plus qu'à travers la couche photo- conductrice 13 de silicium amorphe hydrogéné a-Si: H. On obtient la structure de la figure 12. Sur la contre lame, un dépôt 22 d'un matériau opaque, par exemple un dépôt métallique de chrome, est réalisé et gravé suivant une géométrie identique à celle de l'élément photoconducteur. Ce réseau métallique servira de masque optique pour le dispositif et permet d'augmenter le contraste de celui-ci. En effet, dans la surface définie par ce masque, le cristal liquide n'est pas commandé par le photoconducteur. En masquant cette zone, toute la lumière transmise par le dispositif est contrôlée par le photoconducteur et toute zone non utilisée est noire. Ce dépôt 22 de matériau opaque n'est cependant pas indispensable si la couche de matériau photo- conducteur est présente partout o le cristal liquide n'est pas commandé par le pixel. En effet, dans ce cas, le matériau photo- conducteur, qui est opaque, fait lui-même office de masque de lumière. Une couche mince d'ITO est enfin déposée sur ce réseau métallique 22 et forme la contre-électrode du dispositif. La suite de la technologie est identique à celle des afficheurs à cristaux liquides. Les deux lames sont assemblées et sont scellées en enserrant un cristal liquide 3 (voir figure 13). Si on utilise l'effet électrooptique nématique en hélice, on déposera, sur les faces intérieures des deux substrats, une couche mince de polvimide servant de couche d'orientation du cristal liquide. Ce polyimide sera frotté dans deux directions perpendiculaires pour chaque substrat. L'intervalle entre les deux lames de verre, contrôlé par des cales d'épaisseur du type fibre de verre ou bille de plastique, sera ensuite rempli par le cristal liquide. Enfin, deux polariseurs seront placés de chaque côté de la cellule dans des positions croisées l'une par rapport à l'autre. Selon une autre variante de réalisation de l'invention et dans certaines conditions, le contact entre les électrodes images 11 et les électrodes de commande 12 d'une part et la couche 13 d'autre part a-Si: H(n+) peut être instable (vieillisement dû à une réduction de l'ITO). Dans ce cas on pourra intercaller une couche métallique (Cr, Mo, etc.) entre ces deux couches et ce sans complication techno- logique. Dans ces conditions, au cours des deux premières étapes précédentes la lame I est recouverte de silicium amorphe (a-Si: H), de silicium amorphe dopé au phosphore (a-Si - H, n+) et dune couche métallique (Cr, Mo, etc.). Les trois couches sont alors gravées par un procédé photolithographique classique pour former un qua- drillage. Une couche mince conductrice transparente (ex.: ITO) est ensuite déposée et gravée comme précédemment. Ce dépôt d'ITO est alors utilisé comme masque pour graver la couche métallique et la couche de a-Si: H(n*). A l'issue de cette étape, la couche métallique n'existe plus qu'entre l'ITO et a-Si H (n) et évite de ce fait une interaction entre ces deux matériaux. La suite de la réalisation est identique à celle décrite précé- demment. La figure 14 représente un exemple d'application de l'obtu- rateur de l'invention à un détecteur d'images tel qu'un système de prise de vues (caméra de prise de vues). Dans un système de prise de vue classique on trouve le détecteur d'image DE (dispositif à transfert de charge ou tube de prise de vue), l'objectif L permettant de faire l'image d'un objet OB sur le détecteur d'ifnage DE et un diaphragme non représenté limitant, si nécessaire, le flux lumineux moyen sur le détecteur. Dans le cadre de l'invention. l'obturateur OR est utilisé comme système anti-ébloussemrrent et doit être placé entre l'objet OB et le détecteur d'image proche du plan image final ou d'un plan image intermédiaire. Dans l'exemple que nous avons pris, l'obturateur ou dispositif antiéblouissement est placé à une distance d du détecteur dimage entre l'objectif L et le détecteur DE. Si le détecteur cd'image est un tube de prise de vue type Vidicon, pour ne pas voir apparaître sur l'image finale le réseau métallique, il faudra défocaliser légèrement le dispositif. Une valeur typique, dépendant de la focale et de l'ouverture pourra être par exemple de d = 10. Si le détecteur d'image comporte un dispositif à transfert de charges (CCD) on peut choisir pour le dispositif un pas égal ou multiple du pas du CCD et appliquer le dispositif le plus près possible du senseur dimage (d " O). On s'affranchit ainsi du réseau métallique noir., Plus précisément, les détecteurs à transfert de charges ayant des dimensions déterminées et étant généralement arrangés sous forme d'une matrice dont les lignes et colonnes possèdent un pas déterminé. L'obturateur sera conçu de telle façon que le électrodes images aient les mêmes dimensions que les détecteurs à transfert de charges et soient arrangés de la même façon. L'obturateur se superpose ainsi au dispositif de détection DE. De cette façon, on évite un effet de moiré lorsque l'obturateur sélectif fonctionne. La figure 15 représente de façon simplifiée un tel arran- gem ent. On retrouve sur cette figure l'obturateur avec ces deux lames 1 et 2 portant les électrodes images 11, électrodes de commande 12, éléments photoconducteur 13 ainsi que la contre-électrode 21. Les polariseurs 5 et 6 sont placés de part et d'autre de l'obturateur. Pour plus de clarté ils n'ont pas été acollés à l'obturateur. Le détecteur CCD comporte des détecteurs à transfert de charges tels que CCD 1. Chaque détecteur CCD 1 est juxtaposé à une électrode image Il. On voit donc que l'intensité lumineuse reçue par chaque détecteur CCD 1 est commandé par un obturateur individuel corres- pondant à une électrode image 11. L'invention décrite ci-dessus peut également être appliquée comme un compensateur de- dynamique optique. Le principe d'une telle compensation est décrit dans le brevet français NO 87 01477, la réalisation étant cependant différente dans le cadre de l'invention. Le dispositif a pour but de réduire le contraste d'une image avant son acquisition par un détecteur d'image (CCD). Le dispositif doit donc réaliser une fonction de transfert sous-linéaire Itransmis = f ( incident) la fonction f étant bijective afin de pouvoir transmisIncident restituer à l'image sa dynamique originale par un traitement de l'information réalisant la fonction inverse: I d. t= f-i (I). Une fonction f particulièrement incident transmis)k appropriée peut être: Itransmis = (inident) o k est compris entre 0,5 et 1. La réalisation est analogue à celle décrite précédemment avec cependant les variantes suivantes: - Les directions d'orientations des molécules de cristal liquide sur l'électrode et la contre-électrode peuvent être parallèles. Les deux polariseurs sont alors placés à 45 par rapport à cette direction et ils seront soit parallèles, soit perpendiculaires entre eux. Dans ce cas, le cristal liquide est utilisé dans un mode de fonctionnement à biréfringence contrôlée électriquement. Dans un tel mode, les variations de contraste du cristal liquide en fonction de la tension sont moins abruptes que dans le cas du nématique en hélice. Ceci évite que la fonction de transfert f soit non-bijective. Le cristal liquide utilisé peut également être du type smec- tique chiral utilisé en phase smectique C. Les axes de polarisation des deux polariseurs encadrant l'obturateur sont alors perpendi- culaires. Un tel fonctionnement présente l'avantage de fournir une plus grande rapidité de commutation (par exemple de I nanoseconde à quelques nanosecondes). De plus, l'angle de basculement dépend de la tension appliquée entre l'électrode de commande 12 et la contre- électrode 21, on obtient ainsi une modulation de l'effet d'anti- éblouissement que l'on désire obtenir. Mfin d'obtenir la sensibilité la plus élevée, il convient d'avoir un rapport de géométrie WV/L du photoconducteur le plus grand possible (W largeur, L longueur)- Pour cela, le photoconducteur peut être disposé de manière à entourer complètement le pixel, comme cela est décrit sur la figure 1. De plus, ceci permet de minimiser le courant sous obscurité du photo-conducteur, puisqu'il n'existe pas de flanc de mésa entre 'électrode d'amenée de courant et le pixel et qu'une partie du courant d'obscurité est due aux flancs de mésas. La fréquence et la tension d'adressage seront choisies de manière à ce que la tension reportée sur le cristal liquide pour une intensité lumineuse se situant au seuil détectable par le détecteur d'images corresponde à un maximum de la courbe contraste-tension du cristal liquide. La figure 16 représente une courbe typique contraste-tension pour un cristal liquide utilisé en biréfringence à polariseurs croisés. Elle donne le taux cfd'intensité Iten fonction de la tension VXL appliqué au cristal liquide. Sur cette courbe sont donc représentées les tensions VXL reportées sur le cristal liquide pour les éclairements minimum (A) et maximum utiles (B), lorsque la tension et la fréquence appliquée à l'ensemble photoconducteur plus cristal liquide a été correctement choisie. Il est bien évident que la description qui précède n'a été faite qu'à titre d'exemple non limitatif. D'autres variantes peuvent être envisagées sans sortir du cadre de l'invention. Les exemples numé- riques n'ont été fournis que pour illustrer la description. REVENDICATIONS 1. Obturateur sélectif de lumière comportant une première lame (1) et une deuxième lame transparente (2) enserrant un matériau électrooptique (3), la deuxième lame transparente (2) portant sur sa face (20), en contact avec le matériau électrooptique, au moins une contre-électrode de commande (21), caractérisé en ce que: - la première lame (1) porte, sur sa face (10) en contact avec le matériau électrooptique (3) au moins une électrode image (11) par zone d'obturation, des électrodes de commande (12) communes à toutes les électrodes image (11), des éléments en matériau photo- conducteur (13) dont la résistance varie avec l'éclairement qu'il reçoit et permettant de coupler chacun une électrode image (11) à une électrode de commande (12), les électrodes image (11) étant arrangées sous forme matricielle: et chaque élément en matériau photoconducteur (13) encadrant une électrode image (11) et étant en contact d'une part avec une électrode image (11) et, d'autre part, avec une électrode de commande (12). 2. Obturateur sélectif selon la revendication 1, caractérisé en ce que les électrodes de commande (12) sont réalisées sous la forme d'un quadrillage d'un matériau conducteur encadrant les différents éléments en matériau photoconducteur (13). 3. Obturateur sélectif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la face (20) de la lame (2) comporte autant de contre- électrodes (21) qu'il y a d'électrodes image (11) et de mêmes dimensions et mêmes formes que les électrodes image, lesdites contre-électrodes étant encadrées par un matériau opaque (22). 4. Obturateur sélectif selon la revendication 1, caractérisé en ce aue la face (20) de la deuxième lame (2) comporte sur les zones situées en vis-àvis des zones de la face (10) de la première lame (1) et non occupées par les électrodes image (11), un matériau opaque à la lumière (22), l'ensemble de ce matériau et la face (20) de la deuxième lame (2) étant recouvert par une contre-électrode r21) unique. 5. Obturateur sélectif selon la revendication 4, caractérisé en ce que le matériau opaque (22) est un métal. - 6. Obturateur sélectif comportant une première lame (1) et une deuxième lame transparente (2) enserrant un matériau électro- optique (3), la deuxième lame transparente (2) portant sur sa face (20), en contact avec le matériau électrooptique, au moins une contre-électrode de commande (21) , caractérisé en ce que: - la première lame (1) porte, sur sa face (10) en contact avec le matériau électrooptique (3), au moins une électrode image (Il) par zone d'obturation, des électrodes de commande (12) communes à toutes les électrodes image (11), des éléments en matériau photo- conducteur (13) dont la résistance varie avec l'éclairement qu'il reçoit et occupant une zone limitée à la périphérie d'une électrode image (11) et permettant de coupler chacun une électrode image (11) à une électrode de commande (12), - la deuxième lame (2), porte sur sa face (20) un matériau opaque (22) aux rayonnements lumineux dans les zones de cette face (20) correspondant aux zones de la face (10) de la première lame (1) ne comportant pas l'électrode image (11). 7. Obturateur sélectif selon l'une des revendications 1 ou 6, caractérisé en ce que les électrodes de commande (12) sont réalisées sur les éléments en matériau photoconducteur (13). 8. Obturateur sélectif selon l'une des revendications I ou 6, caractérisé en ce que les électrodes image (11) et les électrodes de commande (12) sont en contact avec les éléments, matériau photo- conducteur (13) par des couches en matériau semiconducteur dopé (14, 14') facilitant le contact. 9. Obturateur sélectif selon l'une des revendications I ou 6, caractérisé en ce que chaque élément en matériau photoconducteur (13) est en matériau semiconducteur amorphe. 10. Obturateur sélectif selon la revendication 9, caractérisé en ce aue le matériau semiconducteur amorphe est du silicium amorphe hydrogéné. 11. Obturateur sélectif selon 'une des revendications I ou 6, caractérisé en ce que le matériau électrooptique (3) est un cristal liquide, la première lame (1) et la deuxième lame (2) comportant chacune une couche d'ancrage en contact avec le matériau électro- optique (3) et adaptée à ce matériau (3). 12. Obturateur sélectif selon la revendication 1l1, caractérisé en ce qu'il comporte de chaque côté de l'ensemble des lames (1, 2) et du matériau électrooptique, un polariseur (5, 6). 13. Obturateur sélectif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le cristal liquide est un cristal du type nématique en hélice et les polariseurs (5, 6) ont leurs directions de polarisation perpendiculaires. 14. Obturateur sélectif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le cristal liquide est un cristal du type nématique biréfringent, les polariseurs ayant chacun leur direction de polari- sation orientée à 45 par rapport à la direction d'ancrage des molécules sur les faces des lames (1, 2). 15. Obturateur sélectif selon la revendication 12, caractérisé en ce que le cristal liquide est du type smectique chiral à phase smectique C, les polariseurs (5, 6) ayant leurs directions de polari- sations croisées. 16. Procédé de réalisation d'un obturateur sélectif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé en ce qu'il comporte les étapes suivantes: a) une première étape de dépôt d'une couche de matériau photoconducteur (13) sur une face (10) d'une première lame de substrat (1) b) une deuxième étape de dépôt d'une couche d'un matériau de contact (14) sur la couche de matériau photoconducteur (13) c) une troisième étape de gravure dans les deux couches déposées précédemment d'éléments photoconducteurs; d) une quatrième étape de dépôts d'un matériau conducteur électrique sur l'ensemble précédent; e) une cinquième étape de gravure dans ladite couche de matériau conducteur et la couche de matériau de contact électrique d'électrodes image (11) couplées au photoconducteur (13) par la couche de matériau de contact (14') et d'électrodes de contact (12) couplées au photoconducteur (13) par la couche de matériau de contact (14); f) une sixième étape de réalisation d'au moins une contre- électrode sur une face (20) d'une deuxième lame de substrat (2); g) une septième étape d'assemblage des deux lames de substrat (1, 2) avec entre les deux un matériau électrooptiaue (3). 17. Procédé selon la revendication 16, caractérisé en ce que la sixième étape comprend d'une phase de réalisation d'éléments opaques aux rayonnements lumineux dans les zones de la face (20) de la deuxième lame de substrat (2) correspondant aux zones de la face (10) de la première lame de substrat (1) non occupées par les électrodes image (11). 18. Détecteur dimages appliquant l'obturateur sélectif selon l'une quelconque des revendications I à 15 comprenant un système optique d'entrée et une surface photosensible, caractérisé en ce qu'elle comporte également un obturateur (OR) sélectif selon l'une quelconque des revendications 1 à 15 situé entre le système optique d'entrée (L) et la surface photosensible (DE), les deux lames (1, 2) de l'obturateur étant en matériau transparent ainsi que les électrodes image (11) et les contre-électrodes (21). 19. Détecteur d'images selon la revendication 18, dont la surface sensible d'enregistrement comporte une matrice de photo- détecteurs arrangés selon des pas de lignes et des pas de colonnes déterminés, caractérisé en ce que l'obturateur comporte des élec- trodes image (11) arrangées en matrice dont les pas de lignes et les pas de colonnes sont tels que la projection de chaque électrode image (11) sur la surface sensible coîncide avec un photodétecteur ou avec un multiple entier de photodetecteurs. 20. Détecteur dimages selon la revendication 19, caractérisé en ce que les électrodes images de l'obturateur ont sensiblement les mêmes formes et dimensions que les photodétecteurs et que l'obtu- rateur est accolé à la surface sensible de telle façon qu'à chaque photodétecteur est juxtaposé une électrode image de l'obturateur. 21. Détecteur d'images selon la revendication 18, caractérisé en ce que l'obturateur sélectif est situé dans un autre plan que celui du plan focal du système optique d'entrée.