Brevet FR2625369A1 — publié le 19890630

"Dispositifs, éléments et systèmes de visualisation d'images thermiques" La présente invention concerne des disposi- tfis de visualisation de radiation thermique du type com- prenant un certain nombre de corps semiconducteurs, ou de parties de tels corps, sous forme de bandes allongées sen- siblement parallèles et comprenant le long des bandes un entrainement ambipolaire de porteurs de charge minoritaires libres engendrés par le rayonnement. L'invention se rap- porte en outre à des éléments destines à de tels disposi- tifs et à des systèmes de visualisation de radiations thezmiqaes comprenant un tel dispositif ou élément. Le brevet britannique n 1.488.258 décrit un dispositif de représentation d'image thermique compre- nant un corps semiconducteur sous la forme d'une bande al- longée de matériau semiconducteur dans lequel des porteurs de charge libres peuvent être engendrés lors de l'absorp- tion d'une radiation thermique incidente sur la dite bande; des électrodes de poiarisation sont espacées longitudinale- ment sur la dite bande pour créer le long de cette bande un courant de polarisation principalement constitué de por- teurs de charge majoritaires, le dit courant de polarisa- tion étant en mesure d'alimenter un entraînement de por- teurs de charge minoritaires libres, engendrés par la ra- diation, dans le sens opposé du courant de polarisation; des moyens de lecture sont placés sur le trajet de l'en- tratnement entre les électrodes de polarisation. Le matériau semiconducteur constituant la bande est en général du tellurure de mercure cadmié. Les moyens de lecture comprennent, très rapprochées, une première et une seconde électrode de lecture for- mant des contacts ohmiques avec la dite bande. Ces élec- trodes peuvent 8tre constituées par un métal tel que l'aluminium et s'tendent de préférence transversalement à la bande; l'une de ces deux électrodes peut être commune avec une électrode de polarisation. La tension créée en cours de fonctionnement du dispositif entre les deux électrodes de lecture est une mesure de la densité des porteurs minoritaires engendrés par la radiation. Toutefois, dans un autre mode de radiation les moyens de lecture peuvent être soit du métal soit une région se- miconductrice (s'étendant, de préférence, transversale- ment à la bande), qui forme avec la bande une jonction de diode; en utilisation, cette jonction est polarisée en sens inverse en appliquant une tension de polarisa- tion appropriée. Le courant engendré par cette diode est aussi une mesure de la densité des porteurs minori- taires engendrés par le rayonnement. Les jonctions de diode peuvent aussi être utilisées sans polarisation. Dans les modes particuliers de réalisation de ces dispositifs qui sont décrits et représentés sur le brevet britannique 1.488.258, le métal ou la région constituant les moyens de lecture est disposé directe- ment sur la bande semiconductrice; la bande elle-mSme est montée dans un bottier conventionnel afin de refroi- dir la bande à la température de fonctionnement désirée et de fournir les connexions électriques appropriées. Il est d'usage courant d'utiliser des fils pour consti- tuer les connexions électriques à un dispositif de vi- sualisation de radiation thermique placé dans un tel bottier. Toutefois la fixation de connexions filaires directement à un moyen de lecture sur la bande du dis- positif peut dans certains cas, causer des difficultés. La zone o sont placés les moyens de lecture est.une zone sensible dans le trajet de l'entraînement ambi- polaire. La fixation de fils dans cette zone peut pro- voquer des dommages dans le matériau semiconducteur, causant ainsi une recombinaison sensible des porteurs de charge dans cette zone. Dans des cas extrêmes, il peut même se produire une cassure du matériau semicon- ducteur. En outre, lors des expériences qui ont con- duit à la présente invention, la Demanderesse a assem- blé un certain nombre de telles bandes en parallèle sur un substrat commun pour former une zone cptrice à deix di- mensions. Afin de réduire la zone non sensible entre les bandes parallèles, il est souhaitable de placer les bandes très près les unes des autres. Afin de simpli- fier le système de représentation utilisant de telles bandes parallèles, il est aussi hautement souhaitable que les moyens de lecture et les électrodes de polari- sation soient respectivement et substantiellement alignées dans des directions sensiblement perpendicu- laires aux bandes. On peut satisfaire à ces deux condi- tions de proximité et d'alignement en fixant les con- nexions directement aux moyens de lecture sur chaque bande; cette méthode présente toutefois les inconvé- nients mentionnés ci-dessus. Suivant l'un des aspects de la présente in- vention On constitue un dispositif de visualisation de radiations thermiques comprenant sur un substrat un certain nombre de corps (ou parties de corps) semicon- ducteurs sous forme de bandes allongées substantielle- ment parallèles dans lequel des porteurs de charge li- bres peuvent Stre engendrés par absorption de rayon- nement thermique incident sur la dite bande, des élec- trodes de polarisation espacées cns une direction lon- gitudinale de chacune de ces bandes destinées à engen- drer un courant de polarisation principalement composé de porteurs de charge majoritaires circulant le long de la bande, le dit courant de polarisation étant ca- pable d'alimenter un entraînement ambipolaire de por- teurs de charge minoritaires libres, engendrés par le rayonnement, dans un sens opposé au dit courant de po- larisation, et des moyens de lecture placés dans le trajet du dit entraînement entre les électrodes de po- larisation, dans la zone desquels les moyens de lectu- re de chacune des bandes se reameint en 2 parties sépa- rées l'une de l'autre par une fente qui s'étend à par- tir de la dite zone dans une direction sensiblement parallèle à la dite bande, une première partie formant la continuation du zrajet d'entraînemen.t ambi- polaire depuis la dite zone jusqu'à l'une des électro- des de polarisation, ainsi qu'une connexion aux dits moyens de lecture, la dite connexion comprenant la se- conde des deux parties, s'étend à partir de ladite zone dans une direction sensiblement parallèle à ladite fen- te et est séparée par ladite fente de la première des électrodes de polarisation. Dans un tel dispositif les connexions vers les moyens de lecture comprennent les autres parties des dites bandes et s'étendent à partir de la zone comprenant les moyens de lecture de sorte que si par exemple on utilise des connexions filaires dans un bof- tier contenant le dispositif, ces fils peuvent 8tre re- liés à une partie de la connexion éloignée de la zone sensible associée aux moyens de lecture. Le montage en parallèle de la fente et la ramification de la bande font que cette forme de connexion vers les moyens de lecture peuvent s'étendre entre les bandes semiconduc- trices même si les bandes sont alignées et très près l'une de l'autre. De la sorte, la disposition des ban- des peut ttre telle que les électrodes de polarisation et les moyens de lecture des bandes sont respectivement en alignement sensible dans des directions substantiel- lement perpendiculaires aux dites bandes, et les bandes peuvent fbre montées si proches qu'elles sont séparées l'une de l'autre sur le substrat par des fentes ayant une largeur inférieure à celle d'une bande, par exemple inférieure à la moitié ou même au quart d'une largeur de bande. La géométrie du dispositif multi-bande peut tre particulièrement compactelorsque la partie de la bande qui constitue la continuation du trajet d'entraf- nement est plus étroite que la partie.du dit trajet d'entraînement située avant la zone des moyens de lec- ture. Le rétrécissement du trajet d'entraînement dans la zone des moyens de lecture provoque une constric- tion du courant de polarisation dans cette zone et par suite un accroissement du champ électrique qui améliore les caractéristiques du dispositif en augmentant à la fois la. vitesse d'entraînement et la réponse du disposi- tif. Afin d'isoler les bandes semiconductrices de l'effet des connexions électriques montées dans le bot- tier, il est préférable de réaliser ces connexions par une métallisation du substrat plut8t que sur une partie du corps semiconducteur. Dans une forme particulièrement avantageuse chacune des bandes du dispositif a un bord supérieur davantage arrondi à au moins une extrémité de la dite bande que le long des côtés de a bande et des couches métalliques formant les connexions vers les élec- trodes de polarisation et vers les moyens de lecture s'étendant au-dessus de ce bord plus arrondi et vers le substrat. En ayant un bord moins arrondi le long des cô- tés de ces bandes, celles-ci peuvent être placées plus près suivant une géométrie compacte tandis que le bord le plus arrondi à l'extrémité des bandes peut réduire les difficultés rencontrées en déposant une couche métalli- que en-dessus de ce bord pour former une connexion con- tinue et fiable vers les moyens de lecture et les élec- trodes de polarisation. Les moyens de lecture peuvent 9tre de type connu, par exemple comprenant des contacts ohmiques ou des jonctions dediode ainsi que précédemment décrit ici. Afin de réduire la résistance série dans la connexion de lecture, la seconde des deux parties supporte de pré- férence une bande métallique qui s'étend du moins subs- tantiellement vers le bord intérieur de la fente, entre les deux parties, pour constituer au moins le principal trajet conducteur de la connexion comprenant la dite partie. Suivant un autre aspect de l'invention, un élément destiné à un dispositif de représentation d'image thermique comprenant un corps semiconducteur sous forme d'au moins une bande allongée d'un matériau semiconducteur dans lequel ds porteurs de charge libres peuvent être engendrés par absorption d'un rayonnement thermique incident sur la dite bande, des électrodes de polarisation espacées dans une direction suivant la dite bande pour provoquer la circulation le long de la dite bande d'un courant de polarisation constitué prin- cipalement de porteurs de charge majoritaires, ledit * courant de polarisation étant capable d'alimenter un * entraînement ambipolaire de porteurs de charge minori- taires libres engendrés par le rayonnement dans un sens opposé du dit courant de polarisation, et des moyens de lecture dans le trajet de l'entratnement entre les élec- trodes de polarisation, est caractérisé en ce que la zone comprenant les moyens de lecture se ramifie en deux parties éparées l'une de l'autre par une fente qui s'étend à partir de la zone dans une direction sensi- blement parallèle à la dite bande, en ce que la premiè- re partie assure la continuation du trajet d'entrai- nement depuis la dite zone Jusqu'à l'une des électrodes de polarisation et en ce qu'une connexion vers les moyens de lecture comprend la seconde des 2 parties, s'étendant depuis ladite zone selon une direction sen- siblement parallèle à la dite zone et est séparée par la dite fente de la première des dites électrodes de polarisation. Les dispositifs et éléments suivant l'inven- tion peuvent 8tre utilisés dans un système comprenant des moyens de balayage mécanique tels que décrits dans le brevet britannique 1.488.258. Ainsi, selon un autre aspect de l'invention, on réalise un système de visua- lisation de radiations thermiques comprenant un disposi- tif ou un élément suivant la présente invention et des moyens de balayage d'une image thermique le long de(s) dite(s) bande(s) dans la même direction que le trajet d'entra!nement ambipolaire et à une vitesse correspon- 0 tdant sensiblement à celle de l'entrafnement ambipolaire. Toutefois les dispositifs et éléments suivant l'invention peuvent être utilisés dans des systèmes de visualisation de radiations thermiques utilisant d'au- tres modes de balayage, par exemple un système compre- nant des moyens destinés à appliquer un gradient-de ten- sion de balayage aux.bandes par l'intermédiaire aes élec- trodes de polarisation de façon à diriger les porteurs engendrés par le rayonnement vers les moyens de lecture. Des modes de réalisation des différents as- pects de l'invention font l'objet de l'inscription sui- vante, conjointement avec les dessins qui illustrent également d'autres caractéristiques avantageuses selon l'invention. La figure 1 représente une vue plane d'un dispositif de visualisation de radiations thermiques 2. 5 selon l'invention. La figure 2 représente en plan un agrandis- sement du dispositif de la figure 1 montrant les parties tez'minales de deux de ces éléments suivant l'invention. 0 La figure 3 est une coupe suivant la ligne III-III de la figure 2. La figure 4 est une vue plane d'une partie du dispositif de visualisation de radiations thermiques selon l'invention dont les éléments de la partie ter- minale ont été modifiés. La figure 5 est une vue en perspective, sous forme simplifiée, de parties d'un système de visualisa- tion de radiations thermiques selon l'invention. La figure 6 est une vue plane d'un autre mode de réalisation d'un dispositif de visualisation de radiations thermiques suivant l'invention. Il doit être considéré que les figures ne sont pas dessinées à l'éche]le, et que les dimensions ou proportions relatives de quelquesparties ont été agrandies ou réduites dans un souci de clarté. Les mêmes repères numériques sont utilisés dans les diffé- rentes figures non seulement pour indiquer les mêmes portions du même dispositif mais aussi des parties simi- laires des divers dispositifs et éléments. Le dispositif de visualisation de radiations thermiques selon les figures 1 à 3 comprend un certain nombre d'élémentsphotoconducteuz 1 sur un substrat 2. Les éléments I sont des corps semiconducteurssous forme de bandesractangulaires allongées et sensiblement parallè- les de matériau semiconducteur ayant un type de conducti- vité déterminé dans lequel les porteurs de charge libres peuvent etre engendrés lors de l'absorption d'une radia- tion thermique incidente sur la dite bande. Le matériau semiconducteur peut 9tre, par exemple, du tellurure de rClum îdié, i %,wo e I,2j Mde l yent d= la combtiation i pateus es inférieure à 5 x 1014cm-3 en l'absence de radiation incidente. Dans le matériau de cette composition, le début de l'absorption de radiationsà une températurede fonctionnement de 770K se produit à une longueur d'onde d'environ 11,5 /u. Dans ce matériau, l'absorption d'une radiation infra-rouge dans le créneau compris entre 8 à 14 /u engendre des paires électrons-trous, la mobilité des trous à la température prévue de fonctionnement de 770K étant 600 cm2 V- sec.-1 et la durée de vie est de l'ordre de 2,5 /us. La mobilité des électrons est envi- ron 2 x 105 cm2/ V-1 sec.-1. Chaque bande 1 a par exemple une longueur de I mm, une largeur de 62,5 /u et une épaisseur de /u. Les bandes I sont par exemple séparées par des fentes 3 d'une largeur de l'ordre de 12,5 /U. La figu- re I montre à titre d'exemple 8 bandes I ainsi séparéEs. Il est évident que différents systèmes peuvent requérir un nombre de bandes et des dimensions relatives à la longueur, largeur, épaisseur et espacement différents. Le substrat 2 est constitué de saphir par exemple et les bandes semiconductrices I sont fixées au substrat notamment par une couche d'adhésif époxy qui peut avoir par exemple une épaisseur de 0,5 /u, voir figure 3. La surface supérieure de chaque bande 0o semiconductrice I porte une couche passivante 5 d'une épaisseur d'environ 0,1 /u et consistant principalement en oxyde de mercure, de cadmium, et de tellurium. La couche passivante 5 a été retirée des deux extrémités opposées de la surface supérieure de chaque bande I o on a disposé des électrodes 6 et 7 de polarisation. Ces électrodes sont constituées par exemple par des couches d'or déposées d'environ I /u d'épaisseur, formant chacune un contact ohmique avec la surface semiconductrice. Elles peuvent s'étendre sur la surface semiconductrice sur une distance de l'ordre de 100 p à paitr des extrémités des bandes 1. Ainsi que représentées sur la figure 3, les électrodes 6 et 7 peuvent 9tre noyes sur une courte distance dans la sur- face semiconductrice, par exemple sur I ou 2-/u, et elles peuvent être formées en utilisant des techniques de décapage ionique et d'enlèvement de métal telles que décrites et revendiquées dans le brevet britannique 2.027.986. Les couchesde métal constituant les électro- des 6 et 7 s'étendent également sur le substrat 2 càel- ls servent de connexion pour les électrodes. Les con- nexions d'électrodes 6 et 7 sur le substrat s'agrandis- sent légèrement et détezgent pour constituer des zones ou, par exemple, on peut faire des connexions flàres en orlrsque le dispositif est monté dans un bottier. Ainsi que le représente la figure 3, le bord supérieur de chacune desbandes 1 est davantage arrondi aux extrémi- tés pposées de la bande que le long des c8tés de la bande. Les couches de métal formant les connexions des électrodes 6 et 7 s'étendent sur le substrat 2 au-delà de cette ar&e davantage arrondie. On peut utiliser le décapage ionique pour former les bandes I semiconduc- trices parallèles à partir d'un corps semiconducteur unique et pour former des électrodes distinctes ainsi que leurs connexions pour chaque bande I à partir d'une couche de métal déposée sur le corps semiconducteur et sur le substrat 2. On peut aussi utiliser la méthode décrite dans le brevet Britannique 2.027.556. En appliquant une tension continue de polari- sation entre ces électrodes 6 et 7 de part et d'autre de chacune des bandes 1, on crée un courant de polarisa- tion constitué d'une manière prédominante par des por- teurs de charges majoritaires (électrons, dans cet exemple) dont le sens dont le sens est longitudinal par rapport à la bande. Ce courant de polarisation est sae à damerlieu àun d'entratnement ambipolaire de porteurs de charge minoritaires libres engendrés par la radia- tion (trous dans cet exemple) dans un sens opposé. Le fonctionnement du dispositif sera décrit plus complète- ment par la suite en référence avec la figure 5. Des moyens de lecture comprenant une électro- de 8 sont placés sur le trajet d'entraînement ambipolai- re entre les électrodes 6 et 7 de polarisation es- pacées. Ces moyens puvenb Otre d'un type connu. Ils peuvent être une région de jonction de 2 surfaces de type de conductivité opposée (type p dans cet exemple) qui forme une jonction pn avec la masse de la bande semi- conductrice 1. Il faut remarquer que cette région 'et la masse de la bande semiconductrice 1 poekent les pro- priétés de ces typesde conductivité à la température prévue de fonctionnement du dispositif mais ne les pos- daat pas nécessairement à la température ambiante. Dans le cas particulier od on utilise du tellurure de mercure cadmié de type n pour les bandes 1 et o la température d fonctionnement prévue est 77 K, la pré- sente d'une telle jonction de diode pn peut ne pas 9tre apparente à la température ambiante. Au lieu d'une jonction pn, les moyens de lecture peuvent comprendre une jonction de diode d Schottky (métal-semiconduc- teur). Cependant, dans l'exemple représenté sur les figures I à 3, les moyens de lecture ne comprennent pas une jonction de diode mais simplement des électrodes espacées (8 et 6) et (8 et 7) qui constituent toutes des contacts ohmiques avec les bandes semiconductrices 1. Le dispositif des figures I à 3 possède des moyens de lecture aux deux extrémités de chaque bande Io Ceci permet la lecture, les bandes I étant polarisées dans un sens ou l'autre, c'est-à-dire la lecture utilisant les électrodes (8 et 6) avec le courant de polarisation allant de l'électrode 6 à l'électrode 7, ou la lecture en utilisant les électrodes (8 et 7) le courant de polarisation allant de l'électrode 7 à l'électrode 6. Par conséquent, si les caractéristiques du dispositif sont améliorées en polarisant dans un sens plutet que edms l'autre, c'est ce sens qu'il faut choisir pour le fonc- *tionnement. Toutefois, il n'est pas nécessaire de dis- poser les moyens de lecture aux deux extrémités des bandes I. Ainsi, par exemple, les deux figures 4 et 5 représentent des montages dans lesquels aucun moyen de lecture n'est installé adjacent à l'extrémité de l'électrode 7 des bandes I. Dans les deux figures 4 et 5 la couche de métal qui constitue les électrodes 7 dis- tinctes de chaque bande I s'étendent sur l'extrémités de chaque bande 1 et sur le substrat 2. Il est aussi possible de disposer des électrodes de lecture à des intervalles espacés le long du trajet d'entraînement ambipolaire de chaque bande 1 de manière à instituer - sur chaque bande I un certain nombre d'éléments qui sont utilisés séquentiellement. La longueur d'entrafne- ment ambipolaire devant les moyens de lecture corres- pondant et sur lesquels on peut effectuer l'intégration totale des porteurs minoritaires engendrés par la ra- diation est limitée à une distance déterminée par la durée de vie des porteurs minoritaires dans le maté- riau semiconducteur, les champs électriques et la mobi- lité ambipolaire qui appartient au matériau semiconduc- teur et qui est habituellement Sensiblement égale à la mobilité des porteurs minoritaires. Cette distancepar 0 conséquent, doit être prise en considération lorsqu'on positionne les moyens de lecture le long des bandes 1. Selon la présente invention, dans la zone des moyens de lecture (8 et 6) et (8 et 7) -hacune des bandes 1 se ramifie en deux parties 11 et 12 (voir figures 2 et 3) séparées l'une de l'autre par une fente 13 qui s'étend à partir de cette zone dans une direction substantiellement parallèle à la bande 1. Une partie 11 constitue la continuation du trajet d'entrainement am- bipolaire à partir de cette zone vers l'électrode de polarisation adjacente 6 ou 7. L'électrode 8 s'étend à partir de la zone de lecture dans une direction substantiellement parallèle à la fente 13 pour former une connexion en bande métal- lique de l'électrode de lecture 8 qui est supportée par l'autre partie 12. Cette connexion comprend la par- tie 12 au moins en tant que support mécanique pour la bande métallique. Cette connexion d'électrode est sépa- rée par la fente 13 de l'électrode de polarisation ad- jacente 6 ou 7. Cette connexion 8 en forme de bande est noyée sur une brève distance dans la surface semi- conductrice et s'étend aussi sur les bords ds eftrmités plus arrondies de bandes 1 et sur le substrat 2 pour constituer des zones destinées aux connexions filaires. Ce schéma de bandes métalliques peut 9tre constitué simultanément à partir de la même couche de métal des électrodes 6 et 7, et on peut former simultanément les fentes 13 avec les fentes 3. Les fentes 13 peuvent aus- si avoir chacune une largeur de l'ordre de 12,5 /u. Ainsi on obtient une géométrie compacte pour le dispositif, dans laquelle les électrodes de po- larisation 6 et 7 et les électrodes de lecture 8 sont respectivement alignées substantiellement dans des di- rectiors sensiblement perpendiculaires aux dites bandes 1. Les parties 11 et 12 sont toutes deux un prolongement de leurs bandes respectives 1 audelà de la zone des moyens de lecture. Par suite la continua- tion du trajet d'entrafnement ambipolaire dans la par- tie 11 ese plus étroite que la partie principale du dit trajet avant la zone des moyens de lecture. Ceci donne lieu à un rétrécissement du courant dans la partie Il qui, ainsi qu'on l'a mentionné précédemment, accroit à la fois la vitesse d'entraînement et les qualités de réponse du dispositif. Toutefois, la partie 11 ne doit pas ttre trop étroite, parce que ces bords ont un ef- fet de recombinaison plus élevé des porteurs, ce qui réduit la durée de vie des porteurs minoritaires dans la partie 11. Par suite il est préférable de faire la partie 11 plus large que la partie 12, de sorte qu'elle soit au moins égale à la demi largeur de la partie principale du dit trajet devant cette zone. Ainsi, dans le dispositif des figures 1 à 3, les parties 11 et 12 peuvent avoir respectivement une largeur de 35 /u et de /u. Si l'électrode 6 ou 7 de polarisation adja- cente est trop près de l'électrode 8 de lecture, ceci peut réduire les caractéristiques de réponse et de dé- tectivité de cet élément. Par conséquent la continua- tion du trajet d'atratmma dans la partie 11 est faite de préférence plus longue que sa largeur. Dans la dis- position représentée dans les figures I à 5, la dis- tance entre l'électrode de polarisation 6 et la zone o l'électrode 8 de lecture contacte le trajet d'e ra'5mst peut 9tre par exemple 50 /u. Dans le mode particulier représenté aux figures 1 et 2 l'électrode de lecture 8 ne s'étend pas au-delà de l'extrémité intérieure de la fente 13, et ainsi elle entre en contact du jet d'entaertz sur un c8té; l'avantage de cette réali- o5 sation est que l'extension latérale de la bande 8 de l'électrode est précisément déterminée par des fentes parallèles 13 et 3. Cependant, il est possible de réaliser d'autres formes, dans lesquelles l'électrode 8 de lecture s'étend au-delà de l'extrémité interne de la fente 13 de manière à présenter une zone de con- tact plus étendue avec le trajet d'etuanmi t Ainsi sur le mode représenté figure 6, la bande de métal 8 s'étend aussi par dessus la bande 1 de manière à cons- tituer l'électrode de lecture au-delà de la fente 13. Pendant le fonctionnement, on maintient le dispositif à une température cryogénique; de la sorte on peut le monter ultérieurement suivant l'application particulière que l'on veut en faire. Ce montage ulté- rieur n'est pas représenté dans les dessins qui sont joints mais consistent normalement dans les opérations de monter le substrat 2 dans une enceinte sous vide possédant une fenêtre permettant la transmissiondes radiations infra-rouges (par exemple dans la bande de 8 à 14 /u), l'enceinte possédant des moyens destinés à maintenir le substrat 2 et ces bandes semiconductri- ces 1 à la température prévue pour le fonctionnement (par exemple 77 K). Un tel mode de montage consiste - dans une capsule de type Dewar,tale qu'elle est cou- ramment employée dans la technique de détection infra- rouge. Le fonctionnement d'un tel dispositif sui- vant l'invention va maintenant être décrit en se ré- férant à la figure 5. Par l'intermédiaire de ces élec- trodes 6 et 7 et des connexions filaires, chaque bande 1 est connectée en série avec une source 21 de tension de polarisation continue et une résistance variable 22 afin de produire un courant de polarisation constant, constitué en prédominance par des pbrteurs de charge majoritaires (dans le cas présent, des électrons) s'écoulant dans les bandes 1 dans une direction lon- gitudinale à partir de l'électrode 6 à l'électrode 7. Par souci de clarté de la figure, les connexions de la source de polarisation 21 à toutes les électrodes 6 et 7 nest pas représentées figure 5 qui ne représentent que les connexions d'une des bandes 1. Le courant de polarisation est en mesure à damer lieu à un entraînement ambipolaire de porteur de charge minoritaire libres, engendréspar la radiation, (dans le cas présent, des trous) dans le sens opposé, c'est-àdire dans le sens allant de l'électrode 7 à 1lectrode 6. Une gamme convenable de tension de polari- sation entre les électrodes 6 et 7 va de I à 10 Volts. Pour une chute de potentiel de 15 Volts par cm, dans le matériau de type n de la dite composition, la mobilité d'entratnement ambipolaire est environ 400 cm3 V-I sec-1. Le balayage d'une trame de radiation et la focalisation d'une image d'une zone élémentaire de la trame sur les bandes I peut 9tre effectué d'une manière similaire à celle décrite dans le brevet Britannique 1.488.258. Les moyens pour le balayage d'une image de radiation thermique le long des banbs I dans le m9me sens que l'entrafnement ambipolaire et à une- vitesse correspondante substantiellement à la vitesse d'entral- nement ambipolaire sont représentés d'une manière -sim- plifiée sur le schéma de la figure 5.- Ils comprennent par exemple une paire de miroiIsrotatifs25 et 26 et un système de lentilles27. Grace à ces moyens, des zones d'image d'une trame de radiation provenant d'une scène 28 se dtlacent avec une vitesse de l'ordre de 5000 cm sec.-1 à 20000 cm sec-1 sur la surface d'une ou plu- sieurs des bandes semiconducteurs 1.Ainsi, lors- que l'image est balayée le long de la surface des ban- des semiconductrices I i une vitesse correspondant à la vitesse d'entrafnement ambipolaiire. l'intégration des porteurs minoritaires engendrés par la radiation se produit dans la partie des bandes 2 de type n sur lesquelles la radiation est inddente avant qu'ils at- teignent les électrodes de lecture 8. Par suite du pas- O5 sage de ces porteurs minoritaires engendrés par la ra- diation et intégrés à travers la partie de la bande Il entre les électrodes 8 et 6, une modulation de conduc- tivité se produit dans cette partie 11. Le signal d'ima- ge est dérivé d'une façon connueen utilisant un circuit de sortie 29 qui est connecté entre les électrodes 8et 6 et qui amplifie et traite la variation de tension qui se produit entre les électrodes 8 et 6 comme résultat de la modulation de conductivité. Afin de clarifier les dessins, seul le circuit de sortie 29 pour une bande 1 a été représenté, alors que dans la pratique des circuits de sorties distinctes 29 sont prévus pour chaque bande 1 et sont connectés entre les électrodes 6 et 8 de leurs bandes respectives. Il est évident qu'il est possible d'effectuer plusieurs modifications sans sortir du cadre de la pré- sente invention. Ainsi, par exemple, on peut choisir différemment la composition du tellurure de mercure cadmié de type n, par exemple pour produire un disposi- tif destiné à visualiser la radiation dans la bande de 3 à 5 /u. Pour former les bandes photoconductives 1, on peut aussi bien utiliser d'autres matériaux semicon- ducteurs que le tellurure de mercure cadmié. Dans les modes de réalisation décrits, les bandes de métal 8 s'étendent sur toute la surface supé- rieure de la partie 12 jusqu'à au moins sensiblement la partie intérieure de la fente 13. La bande métallique 8 constitue par conséquent le principal trajet conduc- teur de la connexion de lecture comprenant la partie 12. Dans un tel cas, il n'est pas nécessaire que la partie 12 constitue une partie conductrice de la connexion électrique de sorte qu'elle peut simplement constituer le support mécanique de la connexion. Cependant si le système dans lequel le dispositif doit ttre utilisé peut avoir une résistance série supérieure dans la connexion de lecture, il n'est pas nécessaire que la bande métallique 8 s'étende jusqu'à l'extrémité inté- rieurede la fente 13; elle peut s'étendre sur la partie 12 seulement sur la même distance, par exemple, que les électrodes 6 ou 7 s'étendent sur la partie 11, de sorte que la partie de la connexion de lecture en- tre cette bande 8 plus courte et le trajet d'entrafne- ment ambipolaire est fourni seulement par le trajet conducteur dans la partie semiconductrice 11. Dans lesmodes de réalisation décrits, les ban- des I sont constituées comme des corps semiconducteurs discrets sur un substrat isolant, par exemple en saphir. Toutefois, la figure 6 représente un autre mode, égale- ment suivant l'invention, dans lequel les bandes 1 sont des portions d'un corps 10 semiconducteur commun et sont intégralement unies par l'intermédiaire d'une por- tion commune supportant l'électrode 6. Aucune des élec- trodes $ et 8 ne s'étend jusqu'au substrat 2 qui peut Stre constitué en saphir comme dans les modes de réalisation précédents. Toutefois dans un autre mode également suivant l'invention, les bandes 1 de la fi- gure 6 peuvent être constituées à partir d'une couche épitaxiale d'un matériau d'un type de conductivité don- né qui est déposé par exemple sur un substrat iMntinsè- que 2 ou sur un substrat 2 de tellurure de cadmium. Dans le présent mode de figure 6, le matériau épita- xial est enlevé à l'endroit des fentes 3 et 13 pour constituer la structure de l'élément; la métallisation des électrodes de polarisation et de lecture, 6, 7 et 8 est réduite aux portions de couche épitaxiale qui reste; les fentes 3 et 13 se réunissent pour isoler les électrodes adjacentes 6 et 8, cependant que des connexions filaires sont reliées aux parties du schéma d'électrodes6,7 et 8 sur la couche épitaxiale éloignée des portions actives-1 de la bande. Afin d'éliminer tous porteurs minoritaires injectés qui ne sont las désirés (trou) du trajet d'entraînement ambipolaire adjacent à l'électrode de polarisation principale qui constitue l'anode, on peut prévoir une jonction redresseuse, avec une connexion d'électrodes adjacente à cette électrode de polarisation afin de constituer un drain pour ses por- teurs minoritaires et par suite isoler effectivement le début du trajet d'entrafnement ambipolaire de cette électrode de polarisation. Cette connexion d'électrodes pour une telle jonction redresseuse peut être consti- tuée par une fente d'une manière semblable à celle des moyens de lecture. En élargissant les fentes 3 sur la plus grande partie de leur longueur, les bandes 1 sont ren- dues plus étroites entre les moyens de lecture que dans la région adjacenteaux moyens de lecture. Cepen- dant, une telle configuration accroCt l'espace non sensible, appelé "espace mort", entre les bandes I et par suite ce n'est pas souhaitable en général. Il n'est pas nécessaire que les bandes I s'étendent d'une manière substantiellement lindaireo Ainsi, chacune des bandes I peut faire des sinuosités le long d'une ligne droite imaginaire, chacune des dites lignes des différentes bandes étant sensiblement parallèle. REVENDICATIONS: 1. Dispositif de visualisation de radiations - thermiques caractérisé en ce qu'il comprend: sur un substrat (2) un certain nombre de corps semiconducteurs ou parties de tels corps sous la forme de bandes allon- gées (1) sensiblement parallèles en matériau semiconduc- teur dans lequel des porteurs de charges libres peuvent être engendrés lors de l'absorption d'une radiation ther- mique incidente sur la-dite bande,des électrodes de pola- risation (6,7) espacées dans une direction longitudinale le long de chacune des dites bandes afin de créer un cou- rant de polarisation constitué en prédominance par les porteurs de charges majoritaires et s'écoulant le long de la dite bande, le dit courant de polarisation étant en mesure d'alimenter un entraînement ambipolaire de porteurs de charges minoritaires libres engendrés par la radiation dans un sens opposé à celui du dit courant de polarisa- tion, des moyens de lecture (8,6), (8,7) situés dans le trajet d'entrainement ambipolaire entre les électrodes de polarisation espacées, dans la zone des dits moyens de lecture, chacune des dites bandes (1) se ramifiant en deux parties séparées l'une de l'autre par une fente (13) qui s'étend à partir de la dite zone dans une direction substantiellement parallèle à la dite bande, la première partie (11) assurant la continuation du trajet d'entrai- nement ambipolaire à partir de la dite zone vers une des électrodes de polarisation, et une connexion aux dits moyens de lecture, connexion comprenant la seconde par- tie (12),s'étEdant à partir de la dite zone dans une direc- tion substantiellement parallèle à la dite fente (13) et se trouvant séparée par la dite fente de l'une des élec- trodes de polarisation. 2. Dispositif suivant la revendication 1, carac- térisé en ce que chacune des dites bandes a un bord supé- rieur qui est davantage arrondi en au moins une extrémité de la dite bande que le long des c8tés de la dite bande et en ce que des couches métalliques formant des connexions aux dites électrodes de polarisation et aux dits moyens de lecture s'étendent au-delà de ce bord davantage arron- di et sur le dit substrat. 3. Dispositif selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que les dites électrodes de pola- risation et les dits moyens de lecture des différentes bandes sont respectivement alignés sensiblement dans des directions substantiellement perpendiculaires aux dites bandes. 4. - Dispositif selon l'une des revendications précédentes, caractérisé en ce que les dites bandes paral- lèles allongées (1) sont séparées l'une de l'autre sur le substrat par des fentes (3) dont la largeur est inférieure à la moitié de la largeur d'une bande. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, dans lequel la première partie (11) qui assure la con- tinuation du trajet d'entraînement ambipolaire est plus large que la seconde partie (12) qui est associée avec la connexion des moyens de lecture. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à , caractérisé en ce que la dite continuation (11) est plus étroite que la partie du dit trajet d'entraînement ambipolaire en avant de la dite zone des moyens de lecture. 7. Dispositif selon la revendication 6, caracté- risé en ce que la dite continuation (11) du trajet d'en- traînement ambipolaire après la dite zone a une largeur au moins égale à la moitié du trajet d'entraînement ambi- polaire en avant de la dite zone. 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7,caractérisé en ce que la seconde (12) des deux parties supporte une bande métallique qui s'étend jusqu'au moins sensiblement l'extrémité intérieure de la dite fente (13) entre les deux parties pour constituer au moins le prin- cipal trajet conducteur de la connexion des dits moyens de lecture. 9. Dispositif selon la revendication 8, carac- térisé en ce que la bande de métal s'étend au-delà de la dite extrémité de la fente et au dessus de la bande pour constituer une électrode de lecture. 10. Dispositif de visualisation de radiations thermiques muni d'un élément comprenant une bande allon- gée (1) de matériau semiconducteur dans lequel des por- teurs de charge libres peuvent être engendrés lors de l'absorption d'un rayonnement thermique incident sur la dite bande, d'électrodes de polarisation (6,7) espacées dans une direction le long de la dite bande afin de créer un courant de polarisation constitué en prédominance par des porteurs de charge majoritaires s'écoulant le long de la dite bande, le dit courant de polarisation étant en mesure d'alimenter un entraînement ambipolaire de porteurs de charge minoritaireslibres dans le sens opposé au dit courant de porteurs majoritaires et des moyens de lecture (8, 6) (8, 7)situés dans le trajet d'entraînement ambipo- laire entre les électrodes de polarisation-espacées, ca- ractérisé en ce que sont présents sur un substrat commun un certain nombre des dits éléments comprenant un certain nombre de corps ou parties de corps semiconducteurs (1) en forme de bandes sensiblement parallèles constituées par le dit matériau semiconducteur, caractérisé aussi en ce que chaque élément comprend les dites électrodes de pola- risation et les dits moyens de lecture et en ce que dans la zone des dits moyens de lecture chacune des dites ban- a une forme telle qu'une de ses parties est plus étroite que la largeur précédente de la bande et constitue dans la dite zone une continuation du trajet d'entralnement ambipolaire dont la largeur est réduite et le champ élec- trique accru par comparaison au trajet d'entraînement ambipolaire en amont de la dite zone. 11. Dispositif suivant la revendication 10 carac- térisé en ce que la largeur de la portion Il plus étroite de chaque bande dans la zone des moyens de lecture est au moins la moitié de la largeur du trajet d'entraînement ambipolaire avant la zone des dits moyens de lecture. 12. Dispositif suivant l'une des revendications ou 11 caractérisé en ce que chaque bande comprend au moins une paire d'électrodes, espacées sur le trajet d'entraînement ambipolaire, qui constituent les moyens de lecture et en ce que la dite portion plus étroite qui assure la continuation du trajet d'entraînement ambipo- laire dans la zone des dits moyens de lecture s'étend entre les électrodes de la dite paire. 13. Dispositif suivant la revendication 12 carac- térisé en ce que l'électrode frontale de chaque paire assurant les moyens de lecture contacte le trajet d'en- trainement sur un côté. 14i. Dispositif selon l'une quelconque des reven- dications précédentes caractérisé en ce que chaque bande comporte des moyens de lecture situés à proximité d'au moins une des électrodes de polarisation et en ce que la dite portion plus étroite de la bande dans la zone des moyens de lecture s'étend jusqu'à la dite électrode de polarisation. 15. Dispositif elon la revendication 14 prise en combinaison soit avec la revendication 12 soit avec la revendication 13 caractérisé en ce que l'électrode arriè- re de la dite paire assurant les moyens de lecture à pro- ximité de la dite électrode de polarisation est consti- tuée par l'électrode de polarisation. 16. Dispositif selon l'une quelconque des reven- dications précédentes caractérisé en ce que chaque bande possède de moyens de lecture à des intervalles espacés le long du trajet d'entraînement ambipolaire de la bande. 17. Dispositif selon l'une quelconque des reven- dications précédentes caractérisé en ce que les dites électrodes de polarisation et les dits moyens de lecture des différentes bandes sont respectivement sensiblement alignés selon des directions substantiellement perpendi- culaires aux dites bandes. 18. Dispositif selon l'une quelconque des reven- dications précédentes caractérisé en ce que les bandes allongées substantiellement parallèles sont séparées l'une de l'autre sur le substrat par des fentes dont la largeur est inférieure au quart de la largeur d'une bande. 19. Elément destiné à un dispositif de visuali- sation de radiationsthermiques caractérisé en ce qu'il comprend un corps semiconducteur sous forme d'au moins une bande allongée d'un matériau semiconducteur dans le- quel des porteurs de charge libres peuvent être engendrés lors de l'absorption d'une radiation thermique incidente sur la dite bande, des électrodes de polarisation étant espacées dans une direction longitudinale par rapport à la dite bande afin de créer un courant de polarisation constitué en prédominance par des porteurs de charge ma- joritaires le long de la dite bande, le dit courant de po- larisation étant en mesure d'alimenter un entraînement am- bipolaire de porteurs de charge minoritaires libres engen- drés par la radiation dans un sens opposé au dit courant de polarisation, des moyens de lecture situés.dans le tra- jet d'entrainement ambipolaire entre les électrodes de po- larisation espacées, caractérisé en ce que dans la zone des moyens de lecture la dite bande se ramifie en deux parties séparées l'une de l'autre par une fente qui s'é- tend à partir de la dite zone dans une direction sensible- ment parallèle à la dite bande, en ce que la premiere par- tie assure la continuation du trajet d'entrainement ambi- polaire à partir de la dite zone vers l'une des dites électrodes de polarisation et en ce que une connexion vers les dits moyens de lecture comprend la seconde des deux parties, s'étend à partir de la dite zone dans une direc- tion sensiblement parallèle à la fente pour constituer une connexion pour les moyens de lecture et se trouve sé- parée par la dite fente de l'une des dites électrodes de polarisation. 20. Elément selon la revendication 19, caractérisé en ce que la première des deux parties qui assure la con- tinuation du trajet d'entraînement ambipolaire est plus large que la seconde des deux parties qui est associée avec la connexion des moyens de lecture. 21. Elément selon l'une des revendications 5 ou 11, caractérisé en ce que la dite continuation est plus étroite que la partie du trajet d'entraînement ambipolaire en avant de la dite zone des moyens de lecture. 22. Elément suivant la revendication 12, caracté- risé en ce que la dite continuation du trajet d'entraîne- ment ambipolaire après la dite zone a une largeur au moins égale à la moitié de celle du trajet d'entraînement ambi- polaire en avant de la dite zone. 23. Elément-selon l'une des revendications 5 ou 11 à 13 caractérisé en ce que la seconde des deux parties supporte une bande métallique qui s'étend jusqu'à au moins sensiblement l'extrémité intérieure de la dite fente en-. tre les deuxpariespour constituer au moins le trajet conduc- teur principal de la dite connexion des moyens de lecture. 24. Elément suivant la revendication 14, caracté- risé en ce que la dite bande métallique s'étend au-delà de l'extrémité intérieure de la dite fente et sur la bande pour constituer une électrode de lecture. 25. Système de visualisation d'une radiation ther- mique caractérisé en ce qu'il comprend un dispositif ou un élément selon l'une des revendications précédentes ainsi que des moyens destinés à balayer une image de radiation thermique le long des dites bandes dans la même direction que l'entrainement ambipolaire et à une vitesse correspon- dant sensiblement à la vitesse d'entraînement ambipolaire.