Brevet FR2624654A1 — publié le 19890616

CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE MICRO-ONDES ET PROCEDE DE FABRICATION La présente invention concerne de façon générale des circuits intégrés monolithiques micro-ondes perfection- nés, et elle porte plus particulièrement sur des électrodes derayonnement thermique pour de tels circuits. Les circuits intégrés monolithiques micro-ondes (CIMM) à l'arséniure degallium (GaAs) sont bien connus dans la technique et ont de façon caractéristique une configura- tion similaire à celle qui est représentée sur la figure 1. Plus précisément, un CIMM au GaAs 10 comprend de façon géné- rale un substrat en GaAs 11 ayant une région active 12 et des première et seconde régions passives 13, 14. La région active 12 peut comprendre par exemple au moins un transistor à effet de champ du type métalsemiconducteur, ou MESFET, ayant trois électrodes: un drain 15a, une grille 15b et une source 15c. Le drain 15a et la source 15c peuvent être res- pectivement connectés aux circuits d'adaptation de bande micro-ondes comprenant les régions passives-13, 14, au moyen de ponts métallisés (non représentés sur la figure 1). On peut utiliser en amplificateur haute fréquence le CIMM au Gaa 10 ayant la structure indiquée ci-dessus. Dans un CIMM au GaAs utilisé en amplificateur de forte puissance, la température de fonctionnement de la région active 12 peut dépasser 100 C. Il est donc important que le CIMM comporte des moyens pour'rayonner la chaleur, ce qui a pour effet d'améliorer ses caractéristiques de fonctionnement et sa fiabilité. Dans le CIMM au GaAs de l'art antérieur qui est représenté sur la figure 1, la cha- leur produite dans la région active 12 rayonne vers le bas à travers le substrat en GaAs 11. Cependant, du fait que le GaAs a une faible conductivité thermique, les caractéristi- ques de rayonnement de chaleur de ce CIMM au GaAs sont ina- propriées. La figure 2C représente un autre CIMM au GaAs de l'art antérieur, dans lequel on obtient un relativement bon effet de rayonnement de chaleur. Des CIMM au GaAs ayant une telle structure sont décrits dans les articles "A Packaged -GHz 1-W GaAs MESFET with a Novel Via-Hole Plated Heat Sink Structure" et "A K-Band GaAs FET Amplifier with 8.2-W Output Power", qui sont parus dans IEEE Transactions on Mi- crowawe Theory and Techniques, Vol. MTT-32, n 3, mars 1984, respectivement aux pages 309-316 et 317-324. Les figures 2A-2C illustrent un procédé de fabri- cation de ce type de CIMM au GaAs. Premièrement, comme le montre la figure 2A, on forme un revêtement de cire 16 sur la totalité de la surface du CIMM pour protéger la région active 12 et les régions passives 13, 14, et on place par dessus une plaque de verre 17. On réduit ensuite le substrat en GaAs 11 à une épaisseur d'environ 50 micromètres, par exemple par meulage. On dépose ensuite successivement du titane et de l'or sur le substrat en GaAs 11, pour produire ainsi une couche de revêtement en titane 18 et une couche de revêtement en or 19. Ensuite, comme le montre la figure 2B, on forme par dépôt électrolytique sur la couche de revê- tement en or 19 un radiateur déposé 20, ayant une épaisseur d'environ 50 micromètres. Le radiateur déposé doit être constitué de préférence par un matériau ayant une conducti- vité thermique élevée, comme de l'or. Pour achever la fa- brication du CIMM au GaAs, on enlève la plaque de verre 17 et la cire 16 (voir la figure 2C). Dans un CIMM au GaAs ayant une structure telle que celle décrite cidessus et représentée sur la figure 2C, la chaleur qui est produite dans la région active 12 est rayon- née plus efficacement par le radiateur déposé 20. Cependant, du fait de l'épaisseur notablement réduite du substrat en GaAs 11 au-dessous des régions passives 13, 14, il est né- cessaire de rétrécir les tailles des motifs des lignes de transmission micro-ondes dans ces régions, pour obtenir une adaptation d'impédance correcte. Les pertes de transmission des lignes sont donc augmentées. Un but principal de l'invention est de procurer un circuit intégré monolithique micro-ondes qui ait un ren- dement et une fiabilité élevés, d'excellentes caractéristi- ques de rayonnement thermique et de faibles pertes de trans- mission dans la bande de fonctionnement micro-ondes. Un but supplémentaire de l'invention est de procu- rer un tel circuit intégré monolithique micro-ondes dans le- quel on puisse définir aisément le motif des régions passi- ves. L'invention procure un circuit intégré monolithi- que micro-ondes comprenant un substrat semiconducteur ou semi-isolant ayant des surfaces supérieure et inférieure opposées. On forme au moins une région active et au moins une région passive sur la surface supérieure du substrat. On dépose un radiateur sur la surface inférieure du substrat semiconducteur. Avant d'appliquer le radiateur déposé, on modifie la surface inférieure du substrat pour rendre l'épaisseur du substrat au-dessous de la région active in- férieure à l'épaisseur du substrat au-dessous d'au moins une région passive, ce qui a pour effet de placer le radiateur près de la région active, pour améliorer la dissipation de chaleur. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée qui va suivre de modes de réalisa- tion, donnés à.titre d'exemples non limitatifs. La suite de la description.se réfère aux dessins annexés dans lesquels: La figure 1 est une coupe d'un CIMM de l'art anté- rieur; Les figures 2A à 2C sont des coupes qui illustrent un processus de l'art antérieur pour fabriquer un CIMM sur lequel est déposé un radiateur; La figure 3 est une vue en perspective d'une ligne de transmission microondes de l'art antérieur ayant une structure générale; La figure 4 est une représentation graphique mon- trant la relation entre le quotient W/H et l'impédance ca- ractéristique Z0 de la ligne de transmission micro-ondes de l'art antérieur de la figure 3; Les figures 5A à 5D sont des coupes qui illustrent un processus de fabrication d'interconnexions électriques entre les régions passives et actives d'un CIMM; Les figures 6A à 6G sont des coupes qui illustrent un processus de fabrication d'un CIMM donforme à un premier mode de réalisation de l'invention; La figure 7 est une coupe montrant le chemin par lequel la chaleur est rayonnée à partir de la région active d'un CIMM de l'art antérieur; et La figure 8 est une coupe d'un second mode de réa- lisation de l'invention. Bien que l'invention soit décrite ci-après en re- lation avec certains modes de réalisation préférés, il faut noter qu'on n'entend pas limiter l'invention à ces modes de réalisation particuliers. L'invention englobe au contraire toutes les variantes, modifications et formes équivalentes qui entrent dans le cadre défini par les revendications an- nexées. De façon caractéristique, chacune des régions pas- sives d'un CIMM est associée.à une ligne de transmission micro-ondes.ayant une taille de motif (c'est-à-dire une lar- geur) prédéterminée, et une impédance caractéristique dési- rée. Comme il est bien connu dans la technique, il existe une relation prédéterminée.entre la taille de motif d'une ligne de transmission micro-ondes, son impédance caractéris- tique et l'épaisseur du substrat qui se trouve au-dessous de la ligne de transmission. Plus précisément, lorsqu'une ligne de transmission microondes 21 a une largeur prédéterminée W et lorsque le matériau 22 du substrat au-dessous de la ligne de transmission micro-ondes 21 a une épaisseur H (voir la figure 3), l'impédance caractéristique Z0 de la ligne de transmission micro-ondes est définie par les formules sui- vantes: Z = 0 ln(8H/W + 0,25W/H) si W/H -1 = 20[W/H + 1,393 + 0,667 ln(W/H + 1,444)] E si W/H.1 dans lesquelles l'ensemble du dispositif constituant la li- gne de transmission a une constante diélectrique rE défi- nie par: E + 1 E - 1 ErE = 2 + 2 F(W/H) en désignant par Er la constante diélectrique du matériau r 22 du substrat et en définissant de la façon suivante la fonction F(W/H): 1 2 F(W/H) = (1 + 12H/W)2 + 0,04(1 - W/H), si W/H c1 = (1 + 12H/W), si W/H 1 La figure 4 montre la relation entre le rapport W/H et l'impédance caractéristique Z0 de la ligne de trans- mission micro-ondes pour différentes valeurs de constante diélectrique úr pour le matériau du substrat sous-jacent. On peut ainsi voir que l'impédance caractéristique Z0 diminue lorsque le rapport W/H augmente (c'est-à-dire lorsque la lar- geur de la ligne de transmission augmente ou lorsque l'épais- seur du matériau du substrat sous- jacent diminue). Par con- séquent, si on désire maintenir à une valeur constante l'im- pédance caractéristique Z0 d'une ligne de transmission, lors- que l'épaisseur H du substrat qui se trouve au-dessous de la ligne est diminuée, on doit également diminuer la largeur W de la ligne. En d'autres termes, pour fabriquer des lignes de transmission micro-ondes associées aux régions -passives d'un CIMM, on doit avoir à l'esprit le fait que plus le substrat au-dessous des sections passives est mince, plus la taille du motif des lignes de transmission doit être faible, pour maintenir l'impédance caractéristique constante. La di- minution de la taille de motif augmente la difficulté de fa- brication et augmente les pertes de transmission de la ligne aux fréquences micro-ondes, ce qui dégrade les caractéristi- ques d'ensemble du CIMM. En considérant les figures 5A à 5D, on voit un procédé d'interconnexion. de la région active d'un CIMM avec ses régions passives. Un CIMM comprend de façon générale (figure 5A) un substrat semiconducteur ou semi-isolant 23 ayant une région active 24 (qui peut comprendre au moins un MESFET), et des première et seconde régions passives 25, 26. La région active 24 comporte trois électrodes: un drain 27a, une grille 27b et une source 27c. On place sélectivement une matière de réserve 28 sur la surface supérieure du CIMM (voir la figure 5B), de façon à recouvrir la totalité de la surface sauf le drain 27a, la source 27c et des parties des deux régions passives 25, 26. On revêt ensuite la totalité de la surface de la matière de réserve 28 avec une couche de métal 29, de façon à interconnecter électriquement la région active et les régions passives du CIMM. On place ensuite sélective- ment une autre couche de matière de réserve 30 au-dessus de parties de la région active et des régions passives du CIMM (figure 5C), et on forme ensuite une couche métallisée 31, par dépôt électrolytique, en.utilisant la couche de métal 29 en tant qu'électrode. Enfin, on enlève les deux couches de matière de réserve 28, 30, ce qui forme deux ponts métalli- sés 32 (chacun d'eux comprenant des parties de la couche de métal 29 et de la couche métallisée électrolytique 3i) qui connectent électriquement respectivement le drain 27a à la première région passive 25, et la source 27c à une seconde région passive 26. Le CIMM ayant cette configuration (figure D) pourrait être utilisé en amplificateur mais, comme indi- qué précédemment, il aurait de mauvaises caractéristiques de rayonnement de chaleur. Conformément à un premier mode de réalisation de l'invention, on diminue sélectivement l'épaisseur de parties du substrat 23 d'un CIMM, en utilisant des techniques bien connues de meulage et d'attaque, et on dépose un radiateur sur la surface inférieure du substrat, qui présente une nouvelle configuration. Ce processus est décrit ci-dessous de façon plus détaillée en relation avec les figures 6A à 6G. Premièrement, comme le montre la figure 6A, on forme un revêtement de cire 33 qui recouvre complètement la surface supérieure du CIMM, comprenant la région active 24, les régions passives 25, 26 et les ponts métallisés 32 entre elles. On place ensuite une plaque de verre 34 sur la couche de cire 33, et ces éléments ont conjointement pour fonction de protéger la région active et les régions passives, ainsi que leurs interconnexions, pendant qu'on traite la surface inférieure du substrat 23. Lorsque le revêtement de cire 33 et la plaque de verre 34 sont en place, on meule la surface inférieure du substrat 23 de façon que le substrat complet ait une épais- seur uniforme prédéterminée. Par exemple, comme le montre la figure 6B, on meule la surface inférieure du substrat 23 jusqu'à ce que l'épaisseur du substrat soit égale à une épaisseur T1 qui est désirée sous la région passive 26, dans un but d'adaptation d'impédance de sortie. Ensuite, on revêt avec un masque de matière de réserve 35 la partie de la surface inférieure du substrat 23 qui se trouve au-des- sous de la région passive, et on attaque la partie non re- vêtue, en utilisant une technique classique, comme l'attaque ionique réactive. L'épaisseur du substrat 23 au-dessous de la région passive 26 est donc maintenue à la dimension dési- rée T1, tandis que l'épaisseur du reste du substrat est ré- duite davantage (figure 6C), jusqu'à ce qu'elle soit égale à une épaisseur T2 qui est désirée au-dessous de l'autre ré- gion passive 25 dans un but d'adaptation d'impédance d'en- trée. On place un second masque de matière de réserve 36 sur la partie de la surface inférieure du substrat 23 qui se trouve au-dessous de la région passive 25, et on poursuit l'attaque de la partie restante non revêtue. Une fois que l'épaisseur du substrat au-dessous de la région active 24 a été réduite jusqu'à la dimension désirée T3 (figure 6D), on arrête à nouveau l'attaque et on place un troisième masque de matière de réserve 37 sur la partie de la surface infé- rieure du substrat qui se trouve au-dessous de la région ac- tive 24. On reprend ensuite l'attaque jusqu'à l'enlèvement de la quasitotalité du substrat 23 qui se trouve au-dessous des régions situées entre la régionactive 24 et les régions passives 25, 26 (figure 6E). Ensuite, on enlève les trois masques de matière de réserve (35, 36 et 37) et on dépose sur la totalité de la surface inférieure du substrat 23 ayant subi les opérations. d'attaque (figure 6F), une couche de revêtement métallisée non électrolytique 38 (ayant une épaisseur d'environ 0,5 micromètre et consistant par exemple en nickel et en or). En utilisant cette couche de revêtement-38 en tant qu'électro- de, on dépose ensuite une couche d'or (ou d'un autre maté- riau métallique ayant une conductivité thermique élevée), par dépôt électrolytique, sur la totalité de la face infé- rieure du CIMM, pour former un radiateur 39. Ce radiateur est situé sous la région active et les régions passives du CIMM, et il remplit les régions intermédiaires de façon à entourer au moins partiellement la partie du substrat qui se trouve sous la région active. Enfin, comme le montre la figure 6G, on meule la surface inférieure de la couche de radiateur 39 de façon à l'aplanir, et on enlève la plaque de verre 34 et la cire 33 se trouvant sur la surface supé- rieure du CIMM. Avec cette configuration, la région active d'un CIMM présente une caractéristique de rayonnement thermique notablement améliorée. Une partie importante de la chaleur qui est produite par la région active se propage vers le bas par diffusion à travers le substrat sous-jacent. Cette caractéristique est représentée sur la figure 7 pour un CIMM de l'art antérieur, dans lequel environ 80% de la cha- leur produite diffusent à travers une section conique A du substrat 11 se trouvant au-dessous de la région active 12. On peut donc comprendre que de tels CIMM de l'art antérieur ont de mauvaises caractéristiques de rayonnement thermique, du fait que le substrat épais a une faible conductivité thermique (à titre d'exemple le GaAs a une conductivité thermique de 0,8 W/cm. C), et empéche donc un rayonnement efficace de la chaleur. Au contraire, un CIMM ayant une configuration conforme au mode de réalisation de l'invention décrit ci- dessus (figure 6G) n'a qu'un substrat relativement mince de matériau semiconducteur ou semi-isolant au-dessous de la région active 24, et il comporte un radiateur 39 ayant une conductivité thermique relativement élevée (à titre d'exem- ple,. la conductivité thermique de l'or est d'environ 3,1.W/ cm. C) qui est formé de façon à entourer cette partie du substrat. La chaleur qui est produite dans la région active 12 s'échappe rapidement à la fois à travers la surface in- férieure et à t-ravers les surfaces latérales du substrat mince-sous-jacent, pour entrer dans le radiateur 39 forte- ment conducteur, ce qui fait que la zone de rayonnement de chaleur du CIMM est développée transversalement notablement au-delà de la section conique A qui est représentée sur la figure 7 pour la configuration de l'art antérieur. La cha- leur est donc diffusée plus rapidement, ce qui diminue la température de fonctionnement du CIMM et améliore sa fiabi- lité. I1 faut noter que dans la mise en oeuvre de l'in- vention, il est possible de réduire le substrat se trouvant sous la région active à une épaisseur T3 ne dépassant pas 0,5 micromètre. Cependant, pour maximiser les caractéristi- ques de performances de la région active (qui peut compren- dre au moins un MESFET), il est préférable que le substrat se trouvant audessous de cette région ait une épaisseur T3 dans la plage de 30 à 100 micromètres, les valeurs de 30, 50 et 100 micromètres étant des valeurs préférées dans cette plage. En ce qui concerne les parties du substrat qui se trouvent entre la région active et les régions passives, il est préférable de réduire ces parties à une épaisseur d'environ 0,5 micromètre,'pour maximiser la diffusion trans- versalB de chaleur. Comme on l'a envisagé ci-dessus, un avantage sup- plémentaire de l'invention consiste en ce qu'elle permet d'établir de façon relativement simple des impédances ca- ractéristiques désirées (Z0) pour les lignes de transmission micro-ondes respectives qui sont associées aux régions pas- sives. Ainsi, conformément aux formules envisagées précédem- ment concernant Z0, il est possible de fixer à une valeur désirée l'impédance caractéristique d'une ligne de transmis- sion micro-ondes ayant une largeur prédéterminée W, en di- minuant l'épaisseur (T1, T2) du substrat semiconducteur qui se trouve audessous de la région passive respective. Les substrats se trouvant audessous des régions passives du CIMM doivent avoir de façon caractéristique des épaisseurs dans la plage de 100 à 200 micromètres, et des épaisseurs de 100, 150 et 200 micromètres sont préférées pour l'établisse- ment d'impédances d'entrée et de sortie courantes pour des lignes de transmission ayant des tailles de motif (c'est-à- dire des largeurs) classiques. On voit donc que l'invention procure de meilleures caractéristiques de rayonnement de chaleur pour la région active du CIMM, tout en permettant simultanément l'adapta- tion d'impédance sans ajustement des tailles de motif des - lignes de transmission respectives qui sont associées aux régions passives. On peut donc utiliser des tailles de motif classiques de valeur élevée, ce qui facilite la fabrication du CIMM et réduit les pertes de transmission dans la bande de fonctionnement micro-ondes. La figure 8 représente un second mode de réalisa- tion d'un CIMM conforme à l'invention. Ce mode de réalisa- tion est pratiquement le même que le mode de réalisation de la figure 6G, à l'exception du fait que les parties du substrat 23 au-dessous des deux régions passives 25, 26 ont des épaisseurs respectives T1, T2 égales, et n'ont pas de radiateur déposé sous-jacent. On réalise ceci en appliquant un masque de matière de réserve (tel que le masque 35 sur la figure 6B) qui recouvre les deux parties de la surface inférieure du substrat se trouvant au-dessous des deux régions passives, et en enlevant ensuite le substrat par attaque seulement au-dessous de la région active et des ré- gions intermédiaires. Un radiateur 39 est donc formé seule- ment au-dessous de la région active et des régions intermé- diaires, de façon à entourer au moins partiellement la par- tie de substrat qui se trouve au-dessous de la région acti- ve. Néanmoins, du fait de l'épaisseur réduite T3 du substrat 23 au-dessous de la région active, et de la proximité immé- diate du radiateur 39 par rapport à la région active,.ce mode de réalisation de l'invention présente-également d'ex- cellentes caractéristiques de rayonnement de chaleur. Comme le montre la description détaillée qui pré- cède, l'invention. procure un circuit intégré monolithique micro-ondes qui présente d'excellentes caractéristiques de rayonnement de chaleur et de faibles pertes de transmission en fonctionnement en micro-ondes, et qui a. donc un rende- ment et une fiabilité élevées. En outre, l'invention assure l'adaptation d'impédance de l'entrée et de la sortie du CIMM en utilisant des tailles de motif classiques, faciles à obtenir, pour les lignes de transmission qui sont asso- ciées aux régions passives. I1 va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au dispositif et au procédé décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Circuit intégré monolithique micro-ondes carac- térisé en ce qu'il comprend: un substrat (23) ayant des surfaces supérieure et inférieure opposées; au moins une ré- gion active (24) et au moins une région passive (25, 26) formées sur la surface supérieure du substrat (23); et un radiateur (39) formé sur la surface inférieure du substrat; et en ce que l'épaisseur (T3) du substrat au-dessous de la région active (24) est inférieure à l'épaisseur (T1, T2) du substrat au-dessous d'au moins une région passive, ce qui a pour effet de placer le radiateur (39) plus près de la ré- gion active (24), pour améliorer la dissipation de chaleur à partir de cette dernière. 2. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendicationl1, comprenant en outre au moins une région active de MESFET (24) et des régions passives d'entrée et de sortie (25, 26), caractérisé en ce que le substrat (23) consiste en un cristal d'arséniure de gallium ayant des ca- ractéristiques de transfert de chaleur limitées, et le ra- diateur (39) consiste en un matériau métallisé qui est pla- cé sur la surface inférieure du cristal. 3. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce que la région active (24) et les régions passives (25, 26) sont séparées par des zones intermédiaires, et l'épaisseur du substrat au-dessous des zones intermédiaires est inférieure à l'épaisseur (T3) du substrat au-dessous de la région active -(24), de façon que le radiateur (39) entoure au moins partiellement le substrat (23), au-dessous de la région active (24). 4. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque région passive (25,.26) est associée à une ligne de transmission micro-ondes respective ayant une largeur prédéterminée et une impédance caractéristique désirée, et en ce que l'épais- seur (T2, T1) du substrat au-dessous de chacune des régions passives (25, 26) est établie individuellement sur la base de la largeur et de l'impédance caractéristique désirée de chaque ligne de transmission micro-ondes respective. 5. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce que chaque région pas- sive (25, 26) est associée à une ligne de transmission mi- cro-ondes respective ayant une largeur prédéterminée et une impédance caractéristique désirée, et le substrat (23) se trouvant au-dessous de chacune des régions passives (25, 26) a la même épaisseur. 6. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 5, caractérisé en ce que les lignes de transmission respectives de l'ensemble de régions passives (25, 26) ont toutes pratiquement la même largeur, de façon que chaque ligne de transmission ait pratiquement la même impédance caractéristique désirée. 7. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 5, caractérisé en ce que les lignes de transmission respectives de l'ensemble de régions passives (25, 26) ont des largeurs différentes, de façon que chaque ligne de transmission ait une impédance caractéristique désirée différente. 8. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 1, caractérisé en ce que deux régions pas- sives (25, 26) sont associées à la région active (24) pour établir des impédances caractéristiques d'entrée et de sor- tie désirées pour le circuit. 9. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat (23) se trouvant au-dessous de chacune des régions passives (25, 26) a pratiquement la même épaisseur (T2, T1), de façon que l'impédance caractéristique d'entrée soit pratiquement égale à l'impédance caractéristique de sortie. 10. Circuit intégré monolithique micro-ondes selon la revendication 8, caractérisé en ce que le substrat a des épaisseurs différentes (T2, T1) au-dessous des deux régions passives (25, 26), de façon à fixer séparément des valeurs différentes pour les impédances caractéristiques d'entrée et de sortie. 11. Procédé pour améliorer les caractéristiques de rayonnement de chaleur d'un circuit intégré monolithique micro-ondes ayant une région active (24) et au moins une région passive (25, 26) sur une première surface d'un subs- trat (23) d'épaisseur uniforme, comportant des première et seconde surfaces opposées, caractérisé en ce qu'il comprend les opérations suivantes: on enlève sélectivement de la matière de la seconde surface du substrat (23), de façon que l'épaisseur (T3) du substrat au-dessous de la région active (24) soit inférieure à l'épaisseur (T2, T1) du substrat audessous d'au moins une région passive {25, 26); et on forme un radiateur (39) sur la seconde surface du substrat (23), au moins au-dessous de la région active (24). 12. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'il comprend en outre les opérations qui consistent à enlever sélectivement de la matière de la seconde surface du substrat (23) de façon que l'épaisseur du substrat entre la région active (24) et la région passive (25, 26) soit inférieure à l'épaisseur (T3) du substrat au-dessous de la région active; et à former un radiateur (39) qui entoure au moins partiellement le substrat (23) au-dessous de la région active (24). 13. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce qu'on enlève sélectivement de la matière en revêtant successivement des parties prédéterminées de la seconde sur- face du substrat (23) avec une matière de réserve (35,.36, 37), en laissant d'autres parties non revêtues, et en enle- vant successivement par attaque les parties non revêtues de façon à former au-dessous de la région active (24) et d'au moins une région passive (25, 26) des substrats qui ont des épaisseurs différentes prédéterminées, et en ce qu'on forme le radiateur (39) par dépôt d'un matériau métallisé sur la seconde surface du substrat (23).