Brevet FR2623728A1 — publié le 19890602

DESCRIPTION 1 La présente invention concerne un dispositif pour piéger les composés gazeux de métaux réfractaires, et une installation de pompage comportant un tel dispositif. Dans l'industrie des composants électroniques, en particulier, et dans les procédés de dépSt en phase vapeur, de nombreux dépsts de métaux réfractaires et de leurs siliciures sont réalisés à partir de composés gazeux de métaux réfractaires, comme W, Mo, Ti, sous forme de fluorures notamment. Les effluents gazeux de ces procédés comportent en particulier des composés gazeux corrosifs (HF, F2,...) et des composés gazeux non réagis comme des fluorures de métaux réfractaires (WF6,-...). Ces effluents sont en général extraits des installations, de dépSt chimique en phase vapeur par exemple, par pompage dans des pompes à vide, notamment des pompes à huile, qui sont mécaniquement dégradés par ces effluents, et dont l'huile est également dégradée. Des dispositifs de lavage des effluents d'absorption des gaz nocifs, de décomposition des composées gazeux utilisés jusqu'à présent se sont révélés insatisfaisants. La présente invention concerne un dispositif pour le piégeage de ces composés par décomposition thermique, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une enceinte de forme allongée disposée verticalement formée d'un corps cylindrique creux, fermé de façon étanche par un couvercle dans sa partie supérieure et par un fond creux dans sa partie inférieure, ladite enceinte étant garnie sur la majeure partie de la hauteur du corps d'un garnissage conducteur thermique laissant en son sein des espaces verticaux libres du haut en bas; ladite enceinte comportant un orifice d'entrée des gaz en dessous du bas du garnissage et un orifice de sortie des gaz au dessus du garnissage; ladite enceinte comportant dans sa partie haute un orifice de sortie des gaz et dans sa partie basse un orifice d'introduction des gaz; ladite enceinte étant munie de moyens de chauffage et éventuellement d'isolation thermique. Un tel dispositif est particulièrement utile pour le traitement des effluents gazeux de procédés mettant en oeuvre des métaux réfractaires. 1 C'est pourquoi la présente invention concerne également une installation de pompage de ces gaz comportant un dispositif selon l'invention. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description détaillée suivante et au vue des dessins annexés sur lesquels: - la figure 1 représente une coupe shématique d'un dispositif selon l'invention; - la figure 2 représente shématiquement, une installation de dépst chimique en phase vapeur comportant un dispositif selon l'invention et des moyens d'analyse des effluents gazeux avant et après le dispositif selon l'invention; - les figures 3 à 6 représentent les analyses spectrométriques mettant en évidence l'efficacité du dispositif selon l'invention. Comme cela apparait à la figure 1, une enceinte cylindrique (1) en alliage Ni-Cr disposée verticalement est constituée d'un corps creux (2) portant un couvercle annulaire (4) et un fond creux (5) formant collecteur. Le couvercle annulaire (4) ferme de façon étanche l'espace tubulaire limité par le corps principal (2) et un corps creux (3) auxiliaire coaxial. Une résistance électrique (6) est disposé à- l'intérieur du corps auxiliaire (3). Une autre résistance électrique (7) est enroulée autour du corps principal (2). Les résistances électriques (7) convenables sont connues sous le nom de Ribbon Heater. Ces résistances ont une puissance électrique de quelques kw. Les moyens d'alimentation de ces résistances ne sont pas représentés. Ces résistances permettent de porter l'enceinte à des températures de l'ordre de 350 à 8500C. Une feuille de cuivre de 0,5 mm d'épaisseur, enroulée pour former un cylindre d'une hauteur d'environ lm, constitue le garnissage (10) disposé dans l'espace annulaire limité par les corps (2,3). La feuille de cuivre enroulée de façon à laisser libre des espaces annulaires verticaux ayant un épaisseur de l'ordre de 1 mm entre les enroulements de la feuille. Un orifice (8) d'entrée de gaz est prévu en dessous du garnissage, et un orifice (11) de sortie des gaz au dessus du garnissage. Bien que cela n'apparaisse pas sur la figure, l'enceinte peut -2623728 en outre être pourvue de moyens d'isolation thermique, par exemple d'isolant en fibre de verre, disposé dans une gaine tout autour de l'enceinte. De plus, en variante, le fond (5), qui ferme le bas de l'enceinte de façon étanche est amovible. Sur la figure 2 est représentée une installation de dépôt en phase vapeur comportant un dispositif selon l'invention. Les effluents d'une chambre de réaction (100) sont conduits, par une canalisation (112), au dispositif (101) selon l'invention, O10 représenté ici muni de sa gaine isolante, et avec un fond collecteur (105) amovible. Ils sont introduits en bas de l'enceinte, par l'orifice d'introduction (108). Après passage à travers le dispositif (101) selon l'invention, les effluents sont rejetés par l'orifice de sortie (111) et sont conduits par une canalisation (113) à un piège à huile (102) qu'ils traversent avant de parvenir par une canalisation (114) aux dispositifs de pompage non représentés. Un analyseur spectromètre de masse quadripolaire (QMS) (103) prélève les gaz en un point (106) de la canalisation (112) situé avant le dispositif (101) et en un point (107) de la canalisation (113) situé après le dispositif (101). Les gaz effluents de la chambre de réaction sont décomposés sur les feuilles de cuivre du garnissage à une température d'environ 500 C. Les réactions suivantes sont des exemples de réactions pouvant se produire à la température (350"C - 850 C) atteinte dans le dispositif: WF6 (g) + 3H2(g) W(s) + HF (g) 2WF6 (g) + 3SiR4 (g) ----- WSi (s) + 12EF (g) SiH4 (g) ---- Si (s) + 2H2 (g) 2HF (g) + Cu (s) --- CuF2 (s) + H2 (g) Les métaux et solides se déposent sur le cuivre et les gaz sont pompés vers l'extérieur. Les dép6ts sur le cuivre peuvent être éliminés par des vibrations imposées au dispositif, et tombent par gravitation dans les espaces verticaux libres entre les feuilles du garnissage et sont collectés 1 dans le collecteur. Ceux qui sont entraînés par les gaz seront piégés dans des pièges à solide. Comme cela apparaitra dans les exemples ci-après, les fluorures de tungstène peuvent être détruits à 999 C par un dispositif selon l'invention. Exemple: On fait passer dans un dispositif selon l'invention des mélangés de WF6, H2 et SiH4 dont la composition apparaît dans les tableaux suivants. Les analyses spectrométriques de WF5 + (A à F) et de SiH4 + (G,H) correspondantes sont représentées aux figures 3 à 6. :SPECTRE: NF: H: SiH: AVANT: APRES: :: cm3: cm3: cm: SENSIBILITE: SENSIBILITE: *. ..9 :::: :::n : A: 5: O: O: 10: /: . .. -9 B 5 0: 0 10 *.. 9 C 5 500 0 10: D: 5 500 0: /: 10 10: E 5:0 100 10:: *. .. . -1 F: 5: 0 100:: 10: G:0 950 100: 10:: : 9. 100. 10-7 H O 95 100: 10:/: Pour les essais A-B et C-D, plus de 99 % du WF6 injecté est piégé sous forme de W (s). Pour les essais E-F, 99 Z du WF6 gazeux est piégé sous forme de wsi (s). Pour les essais G-H, 20 Z du SiH4 est piégé sous forme de Si (s). Des pompes rotary pourvues d'huile minérale usuelle ont été utilisées pendant deux ans à la sortie d'un réacteur à parois froide dans un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse de W, WSi sans que l'huile ait due être changée. REVENDICATIONS 1 1. Dispositif pour piéger les composés gazeux de métaux réfractaires, caractérisé en ce qu'il comporte au moins une enceinte (1) de forme allongée disposée verticalement formée d'un corps cylindrique creux (2), fermé de façon étanche par un couvercle (4) dans sa partie supérieure et par un fond creux (5) dans sa partie inférieure, ladite enceinte étant garnie sur la majeure partie de la hauteur du corps d'un garnissage (10) conducteur thermique laissant en son sein des espaces verticaux libres du haut en bas; ladite enceinte comportant un orifice d'entrée (8) des gaz en dessous du bas du garnissage et un orifice de sortie (11) des gaz au dessus du garnissage; ladite enceinte comportant dans sa partie haute un orifice de sortie des gaz et dans sa partie basse un orifice d'introduction des gaz; ladite enceinte étant munie de moyens de chauffage(6,7) et éventuellement d'isolation thermique. 2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que le garnissage (10) est constitué d'au moins une feuille metallique enroulée formant un cylindre parallèle à un corps de l'enceinte (1) et de diamètre extérieur sensiblement égal au diamètre intérieur du corps (2). 3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que le garnissage est un cylindre creux et en ce que l'enceinte comporte un corps cylindrique creux (3) auxiliaire, fermé dans sa partie basse sensiblement de même hauteur que celle du garnissage, logé sur l'axe de l'enceinte dans l'espace libre du garnissage cylindrique (10), le couvercle (4) de l'enceinte annulaire fermant de façon étanche l'enceinte. 4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que le garnissage est constitué d'une feuille de cuivre. 5. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 4, caractérisé en ce que la hauteur du garnissage est d'environ lm, en ce que le diamètre intérieur de l'enceinte est d'environ 0,20 m et le diamètre du corps auxiliaire est de l'ordre de 0,08 m. 6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que la feuille de cuivre a une épaisseur d'environ 0,5 mm et en ce que les espaces libres entre les feuilles ont une épaisseur de l'ordre du mm. 7. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que les moyens de chauffage sont constitués d'une résistance 1 électrique (3) placée dans le corps auxiliaire et/ou d'une résistance électrique enroulée à l'extérieur du corps principal (7). 8. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 7 caractérisé en ce que le fond creux (5) de l'enceinte est amovible. 9. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que l'enceinte (1) est en alliage Ni-Cr. 10. Installation de pompage des gaz dans un procédé mettant en oeuvre des composée gazeux de métaux réfractaires notamment un procédé de dépSt chimique en phase vapeur, caractérisée en ce qu'elle comporte un dispositif selon l'une des revendications 1 à 9.