Brevet FR2625841A1 — publié le 19890713

Arrière-plan de L'invention Domaine de L'invention La présente invention concerne un dispositif métalsemiconducteur tel qu'un transistor à effet de champ métalsemiconducteur GaAs (MESFET) et un procédé pour sa production. Description de l'art antérieur De nos jours, dans un super-ordinateur ou dans un appareil de transmission haute fréquence, on utilise fréquemment des transistors à effet de champ à vitesse élevée (FET) employant un substrat métal-semiconducteur tel que GaAs, InP ou analogues, ayant une mobilité électronique supérieure de deux à plusieurs fois celle du silicium (Si) à la température normale. Parmi ces transistors FET, on contact le transistor à effet de champ métal-semiconducteur GaAs du type à grille de Schottky (MESFET). Un procédé conventionnel de fabrication de ce transistor MESFET, GaAs est schématiquement représenté sur les figures 1(a) à 1(d). Sur la figure Ira), une région active 111 est formée sur un substrat de GaAs semi-isolant 10 par implantation d'ions et par traitement thermique pour l'activer. Dans la figure 1(b), un film de nitrure de tungstène (WNx) est déposé sur la surface entière du substrat 10 incluant la région active 111 par exemple par pulvérisation cathodique, et le film de WNx est sélectivement attaqué par photogravure pour former une électrode de grille 12 sur la région active 111. Le film déposé par pulvérisation cathodique est un polycristal composé de grains cristallins 121 séparés les uns des autres par des zones limites 122. Il existe des intervalles dans les zones limites 122 entre les grains cristallins 121.De façon similaire, il y a des zones limites de grains cristallins avec des intervalles dans un film de nitrure de tungstène polycristallin, dans un film de nitrure de molybdène polycristallin, dans un film de nitrure d'iridium polycristallin, dans un film de siliciure de tungstène polycristallin, dans un film de siliciure de molybdène polycristallin ou dans un film de nitrure, de siliciure ou de siliconitrure d'un métal à point de fusion élevé tel que le siliconitrure de tungstène ou anaLogue formé par la méthode de dépôt de vapeur chimique CVD ou par La méthode d'évaporation EB. A la figure 1(c), en utilisant un vernis photorésistant ayant des fenêtres ouvertes et l'électrode de grille 12 comme masques, on forme des régions de dopage d'impureté 131 et 141 comme régions de source et de drain dans les deux portions latérales de L'éLectrode de grille 12 par implantation d'impureté. A La figure 1(d), après élimination du vernis photorésistant, en utilisant une atmosphère d'arsine (AsH3) avec une pression élevée pour limiter la libération de l'arsenic (As) à pression de vapeur élevée du substrat, on active les régions de dopage d'impureté 131 et 141 par exemple par un recuit sans coiffe o à une température d'environ 8200C pour former les régions de source et de drain respectives 132 et 142 qui sont auto-alignées sur l'électrode de grille 12. En même temps, la région active 111 est convertie en une région de canal 112 connectant les régions de source et de drain 132 et 142. Le recuit sans coiffe utilisé dans Le présent mode de réalisation, qui est différent d'un autre recuit sans coiffe å mettre en oeuvre lorsqu'un film isolant épais est formé sur la surface entière du substrat incluant L'électrode de grille 12 est une méthode de recuit supérieure quine communique pas de contrainte L'électrode de grille 12 et à ta surface du susbstrat 10 durant le traitement thermique à température élevée. Toutefois, dans un tel recuit sans coiffe, bien qu'une pression élevée soit appliquée à l'atmosphère durant le traitement thermique pour empêcher l'arsenic de se libérer du substrat confor mément à l'équilibre de phase de la région de semiconducteur (å l'exception de la région d'électrode de grille) directement exposée à l'atmosphère, l'équilibre de phase de la région de semiconducteur supportant l'electrode de grille 12 est différent de celui de la région directement exposée à L'atmosphère. En conséquence, les éléments tels que As à pression de vapeur élevée dans la région de canal 112 peuvent se libérer facilement dans l'atmosphère à travers les zones limites de grains cristallins 122 en fonction des conditions de traitement thermique telles que pression, température, etc. Comme résultat, la cristallisation de la région de canal 112 de l'interface comprise entre la région de canal 112 et l'elec- trode de grille 12 est dérangée et ainsi les caractéristiques de Schottky entre la région de canal 112 et l'électrode de grille 12 sont détériorées, et une dispersion de la tension de seuil est provoquée. Comme expliqué précédemment, dans le recuit sans coiffe, il est difficile de conduire le traitement thermique de La région à électrode de grille et de la région sans électrode de grille simul tanément. Sommaire de L'invention La présente invention a donc pour objet un dispositif métal-semiconducteur tel qu'un transistor à effet de champ métalsemiconducteur (MESFET), ne comportant pas les défauts et les inconvénients de l'art antérieur mentionnés ci-dessus qui est capable de fournir des caractéristiques uniformes et une fiabilité elevée sans réduire ni détériorer les caractéristiques de Schottky d'une jonction de Schottky. Un autre- objet de la présente invention concerne un procédé de production d'un dispositif métal-semiconducteur tel qu'un dispositif MESFET, exempt des défauts et des inconvénients de l'art antérieur mentionnés ci-dessus, qui est susceptible d'obtenir des caractéristiques uniformes durant le traitement, et de fournir une fiabilité élevée sans réduire ni détériorer les caractéristiques de Schottky d'une jonction de Schottky. Conformément à l'un des aspects de la présente invention, on fournit un dispositif métal-semiconducteur. comprenant un substrat semiconducteur, et une électrode formée sur le substrat semiconducteur pour former une jonction de Schottky entre les deux, l'électrode ayant un film d'oxyde ayant une première épaisseur sur sa surface supérieure et une portion non oxydée ayant une seconde épaisseur à partir de la jonction de Schottky. Conformément à un autre aspect de la présente invention, on fournit un procédé de production d'un dispositif métal semiconducteur, comprenant les étapes suivantes : formation d'une couche de conducteur sur un substrat semiconducteur pour former une jonction de Schottky entre les deux, oxydation de La couche de conducteur dans un gaz contenant de L'oxygène et conduite d'un recuit sans coiffe du substrat semiconducteur supportant la couche de conducteur oxydé dans une atmosphère contenant de l'arsenic. Description brève des dessins Des objets, caractéristiques et avantages de la présente invention et d'autres apparaitront plus complètement dans la description qui suit des modes de réalisation préférés en référence aux dessins ci-joints, sur lesquels : les figures 1(a) à 1(d) sont des vues en coupe transversale montrant un procédé conventionnel de production d'un transistor à effet de champ métal-semiconducteur GaAs conventionnel (MESFET) ; les figures 2(a) à 2(9) sont des vues en coupe transversale montrant un mode de mise en oeuvre du procédé de production d'un transistor MESFET GaAs conformément à la présente invention ; la figure 3 est une représentation graphique montrant la dispersion de la tension de seuil en fonction du temps d'oxydation dans le transistor MESFET produit par le procédé montré sur les figures 2(a) à 2(9) ; et les figures 4(a) et 4(b) sont des vue en coupe transversale d'un autre mode de mise en oeuvre du procédé pour produire un autre transistor MESFET GaAs conformément à la présente invention. Description des modes de réalisation préférés Si l'on se réfère aux dessins sur lesquels les mêmes références numériques désignent les parties identiques ou correspondantes sur toutes les vues, sur la figure 2 est montré un mode de mise en oeuvre du procédé pour produire un dispositif métalsemiconducteur tel qu'un transistor à effet de champ métalsemiconducteur GaAs (MESFET) conformément à la présente invention. A la figure 2(a), en premier lieu, un masque de vernis photorésistant est monté sur un substrat de GaAs semi-isolant 20 et L'implantation d'ions silicium (Si) est conduite dans le substrat 12 de GaAs 20 à une énergie de 50 keV avec une dose de 2 x 10 cm/2. Ensuite, le masque de vernis photorésistant est enlevé, et un traitement thermique du substrat 20 pour L'activer est conduit, par exemple, dans une atmosphère d'un mélange gazeux d'arsine (AsH3) et d'argon (Ar) à une température d'environ 8200C pendant 20 min pour former une région active 211 du type n dans la portion de surface du substrat 20. A la figure 2(b), un nitrure d'un métal à point de fusion élevé tel que le nitrure de tungstène WNx est déposé à une o o o épaisseur d'environ 500 A, 1 200 A ou 4 000 A (50 nm, 120 nm, ou 400 nm), comme décrit ci-après en détail, sur la surface entière du substrat 20, par exemple par pulvérisation cathodique.Un masque de vernis photorésistant portant un dessin (non montré) est monté sur la surface du substrat 20 et une photogravure par ions réactifs du nitrure de tungstène est conduite en utilisant du CF4 comme gaz de gravure pour former un métal de grille ou une électrode de grille 221 sur la région active 211. # Cette électrode de grille 221 s'étend sur une longueur de 15 000 A (1 500 nm) dans une direction parallèle à la direction de la longueur du canal et o sur une longueur de 40 000 A (4 000 nm) dans une autre direction perpendiculaire à la première comme montré à la figure 2(g). Ainsi, l'électrode de grille 221 de nitrure de tungstène obtenue est un polycristal contenant des zones limites de grains cristallins 222. A la figure 2(c), après enlèvement du masque de vernis photorésistant, en utilisant un masque photorésistant ayant des fenêtres ouvertes sur les deux côtés de l'électrode de grille 221 pour former des régions de source et de drain, on implante des ions silicium dans le substrat 20, par exemple, avec une énergie de 13 120 keV avec une dose de 3 x 10 cm/2 pour former des régions de dopage d'impureté 231 et 241 auto-alignees sur L'électrode de grille 221. A la figure 2(d), une oxydation thermique de L'électrode de grille 221 est conduite, par exemple, dans une atmosphère de mélange gazeux d'oxygène et d'azote dans un rapport de débit de 1/4, tel que l'air à une température basse d'environ 3500C. Dans cette oxydation thermique, la surface de l'électrode de grille 221 est recouverte d'un dépôt de film d'oxyde extrêmement mince 223 de nitrure de tungstène d'une épaisseur d'environ 50 A à 100 A (5 à 10 nm), et des atomes d'oxygène sont diffusés, et des films d'oxyde se forment dans les zones limites de grains cristallins pour former une électrode de grille revêtue 22. Dans ce mode de réalisation, l'épaisseur du film de l'électrode de grille revêtue 22 ne peut pas être changée par l'oxydation.A une température si basse, aucun désordre, dans l'interface entre l'électrode de grille 221 et la région active 211 dû à la diffusion thermique provoquée entre les deux, ne se produit et, par suite, ses caractéristiques de Schottky peuvent être maintenues bien après le traitement thermique. Dans ce traitement thermique, même lorsque la 'quantité d'azote par rapport à la quantité d'oxygène est considérablement accrue, le film d'oxyde 223 peut se former. Pour la formation du film d'oxyde 223, une température de traitement thermique d'au moins 250 0C est requise, et en vue d'empêcher la détérioration des caractéristiques de Schottky, une température de traitement thermi que au plus de 6000C est préférable et plus préférable au plus de 4500C. Dans ce cas, bien que le film d'oxyde 223 soit formé par oxydation thermique, par exemple, pour former le film d'oxyde 223, on peut aussi appliquer la méthode d'oxydation par plasma utilisant un plasma d'oxygène généré par décharge électrique dans l'oxygène gazeux à une température basse de 800C à un débit de 100 ml/min à 0,5 Torr (0,665 mbar). Alternativement, on peut également appliquer une méthode d'oxydation à l'ozone conduite en présence de radi-caux ozone (03) et d'oxygène. Ainsi, n'importe quelle méthode, qui est susceptible d'être conduite à une température basse et de maintenir les caractéristiques de Schottky après l'oxydation, peut être utilisée pour former le film d'oxyde 223. Dans le mode de réalisation précédent, bien qu'un mélange gazeux d'oxygène et d'azote soit utilisé, on peut utiliser seulement de L'oxygène gazeux ou de L'ozone gazeux, ou un mélange d'oxygène gazeux ou d'ozone gazeux et d'un gaz inerte tel que L'azote ou L'argon gazeux. De plus, l'air peut être utilisé comme gaz d'oxydation, et l'oxydation par plasma ou l'oxydation à l'ozone également. Après le traitement thermique, un nettoyage peut être conduit, si nécessaire, avant l'étape suivante, et dans cette étape de nettoyage, la surface de l'électrode de grille ne peut pas être changée, mais les matières oxydées sur la surface du substrat GaAs 20 peuvent être enlevées. A la figure 2(e), en vue d'activer les régions de dopage d'impureté 231 et 241 celles-ci sont traitées dans une atmosphère de mélange gazeux de AsH3 et Ar à une température élevée d'environ o 820 C pendant 20 min pour former les régions de source et de drain + 232 et 242 de type n , respectivement, et la région active 211 est également formée en région de canal 212 en même temps.Dans cette étape, le film d'oxyde 223 formé sur la surface et dans les zones limites de grains cristallins de l'électrode de grille 22 empêche les éléments qui ont une pression de vapeur élevée tels que As de se libérer de la région de canal 212 dans l'atmosphère à travers l'électrode de grille 22, empêchant ainsi le désordre de cristallisation dans la région de canal 212 de l'interface entre l'électrode de grille 22 et la région de canal 212. 2Dans ce traitement ther- mique à température élevée, pour obtenir une activation efficace et bonne des impuretés à implanter, une température d'au moins 7500C est de préférence nécessaire et une température d'au moins 800 0C est encore plus préférable. A la figure 2(f), finalement, ta surface entière du substrat 20 incluant L'électrode de grille 22 est recouverte d'un film isolant (non représente, et des fenêtres ouvertes sont formées dans le film isolant au-dessus des régions de source et drain 232 et 242. Ensuite, une paire d'électrodes de source et de drain AuGe/Au 25 et 26 sont formées par une méthode de relèvement. Ceci veut dire qu'un film à double couche de AuGe/Au (du côte inférieur) est formé dans les fenêtres ouvertes et sur le film isolant du substrat 20, et le film isolant est enlevé ensemble avec les portions non nécessaires du film AuGe/Au. Dans ce cas, pour monter un câblage avec L'électrode de grille 22, même lorsque l'épaisseur du film d'oxyde 223 recouvrant L'électrode de grille 22 est d'environ 100 à 200 A (10 à 20 nm), étant donné qu'une couche de câblage de Ti (non montrée) est un métal suffisamment réactif, et la couche de câblage peut facilement traverser le film d'oxyde pour être au contact du film de nitrure de tungstène WNx. Ainsi, il n'est pas nécessaire d'enlever positivement le fim d'oxyde 223 sur la surface de L'électrode de grille 22 par photogravure. Lorsque l'épaisseur du film d'oxyde 223 de l'électrode de grille 22 est supérieure à 100 à 200 A, le film d'oxyde 223 peut être enlevé par photogravure si nécessaire. Par exemple, un film à trois couches de Ti/Pt/Au (å partir du côté inférieur) peut être mis en contact avec L'électrode de grille. Bien que le film de nitrure de tungstène soit traité pour être l'électrode de grille et qu'ensuite des procédés successifs d'implantation d'ions, d'oxydation, de traitement thermique à température élevée soient conduits pour former des régions de source et de drain activées, toutefois, il est nécessaire de former le film d'oxyde 223 pour recouvrir l'électrode de grille 22 dans un traitement thermique å basse température avant la conduite du traitement thermique à haute température, et ainsi un procedé comprenant successivement l'oxydation, L'implantation d'ions et le traitement thermique à haute température est également possible. La figure 2(9) est une vue plane de dessus du transistor MESFET montré à la figure 2(f). L'oxydation de la surface de L'électrode de grille 22 pour former un dispositif MESFET ayant de bonnes caractéristiques de Schottky sera maintenant décrite. A la figure 3 est montrée la dispersion de tension de seuil en fonction du temps d'oxydation dans les dispositifs MESFET produits par le procédé montré sur les figures 2(a) à 2(9). Dans ce cas, les tensions de-seuil Vth des dispositifs MESFET formés sur la même pastille à une température fixe de 3500C pendant un temps variant de O à 32 min dans le procédé d'oxydation, sont mesurées, et les types I, Il et III ayant une épaisseur d'électrode de grille O O O de 500 A, 1 200 A et 4 000 A (50 nm, 120 nm et 400 nm) respectivement, sont représentés par des signes -a-, -O- et -1- respectivement. A la figure 3, les épaisseurs dès films d'oxyde détectées par la méthode d'analyse de Auger sont indiquées ensembLe avec les données mesurées en fonction du temps d'oxydation. A la figure 3, d'après les résultats du type I et du type II, il est clair que, lorsqu'aucun traitement d'oxydation de surface n'est conduit, la dispersion des tensions de seuil Vth est d'au moins '20 # et que, lorsque le traitement d'oxydation de surface est conduit pendant au moins 2 min avec un film d'oxyde ayant une épaisseur d'au moins 50 (5 nm), la dispersion des tensions de seuil Vth est réduite. En particulier, lorsque le traitement d'oxydation de surface est conduit pendant au moins 8 min avec un film d'oxyde ayant une épaisseur d'au moins 100 (10 nm), la dispersion est réduite au plus à 3 % qui est au plus le sixième de celle obtenue sans traitement d'oxydation de surface. Même lorqu'aucun traitement d'oxydation de surface n'est conduit, o un film d'oxyde de 25 A (2,5 nm) d'épaisseur existe, étant formé par oxydation naturelle. D'après ces résultats, pour obtenir un bon effet de recouvrement, le film d'oxyde doit de préférence avoir une épais o o seur d'au moins 50 A (5 nm) et plus préférablement d'au moins 100 A (10 nm). Ensuite, la limite d'oxydation de surface de l'électrode de grille sera maintenant décrite. Il est clair d'après les données du type Il, que la dispersion peut être restreinte lorsque L'épaisseur d'oxydation va o o jusqu'à 200 A (20 nm) (une épaisseur de 1 000 A ou 100 nm n'est pas oxydée), mais, lorsque L'épaisseur d'oxydation est au-delà de 400 A o (40 nm) (une épaisseur de 800 A ou 80 nm n'est pas oxydée), la barrière de Schottky de l'électrode de grille peut être complètement rompue pour exhiber une nature ohmique. Il est clair d'après les données du type I, que lorsque l'épaisseur de L'électrode de O o grille est inférieure à 1 000 A (100 nm), par exemple de 500 A (50 nm), la dispersion ne peut pas être réduite par le traitement d'oxydation de surface.Ceci veut dire que lorsque L'épaisseur de l'électrode de grille est amincie dans une certaine mesure, en pratique, aucun dispositif MESFET ne peut être produit conformément à la présente méthode. D'après les résultats du type I et du type il, on peut déduire ceci. Dans l'électrode de grille 22, comme montré à la figure 2(f), une épaisseur non oxydée I à partir de l'interface de Schottky doit avoir au moins 1 000 A (100 nm). Il est clair d'après les résultats expérimentaux que lorsque L'épaisseur oxydée est o supérieure à 1 000 A (100 nm), la quantité d'oxygène atteignant l'interface de Schottky à travers les zones limites de grains cris tallins augmente, et par cet oxygène, le nitrure de tungstène de L'électrode de grille peut réagir avec le substrat de GaAs, conduisant à une réduction de la hauteur de la barrière de Schottky. Dans la description relative à la figure 3, le terme "film d'oxyde" désigne le film d'oxyde du matériau d'électrode de grille tel que WNx, c'est-à-dire une couche formée sur la surface de l'électrode de grille, mais ne désigne pas les portions incluant des atomes d'oxygène dans les zones limites de grains cristallins de WNx à L'intérieur de L'électrode de grille. L'intervalle oxydable est déterminé de cette façon, et la meilleure formation peut être réalisée par addition de la condition suivante. Ceci veut dire que les films d'oxyde sont formés sur les côtés de L'électrode de grille, et la longueur effective de l'électrode de grille est légèrement réduite. A la figure 2(9), la surface de la couche de canal 120 ayant une aire S~ est la somme de la région marquée de points 121 ayant une aire S1 et de la région hachurée 122 ayant une aire Une valeur particulière de S1/S~ est de 99 % et un bon dispositif MESFET peut être obtenu avec cette valeur. En général, dans les régions hachurées 122 où les portions d'oxyde de L'électrode de grille 22 sont en contact avec la surface de la couche de canal 120, l'interface de Schottky est désordonnée, et ainsi les régions 122 sont de préférence aussi petites que possible. Ceci veut dire que le meilleur résultat peut être obtenu lorsque S1tS~ est voisin de 100 %, compte tenu de la prévention de la détérioration de la barrière de Schottky pour l'électrode de grille 22 elle-même. Lorsque S1/S~ est d'au moins 99 %, la détérioration de la barrière de Schottky devient négligeable, ce qui est plus préférable. A mesure que S1/S~ diminue, la nature ohmique exhibée par L'électrode de grille croit, et l'électrode de grille devient impropre en tant qu'électrode de grille de Schottky. Sur les figures 4(a) et 4(b) est montré un autre mode de mise en oeuvre du procédé pour produire un autre dispositif métalsemiconducteur tel qu'un autre dispositif MESFET conformément à la présente invention. Dans ce mode de mise en oeuvre, après la formation du film de nitrure de tungstène WNx sur le substrat de GaAs 20 incluant la région active 211 dans sa portion de surface, le traitement thermique pour l'oxydation de surface est conduit avant le traitement du film de nitrure de tungstène pour le tranformer en électrode de grille. A la figure 4(a) la région active 211 est formée en premier sur le substrat de GaAs 20 de la même manière que celle montrée à la figure 2(a). Ensuite, le métal de grille WNx 221 est déposé à une épaisseur d'environ 500 , 1 200 A ou 4 000 (50 nm, 120 nm ou 400 nm) sur la surface entière du substrat 20 de la même manière que pour le premier mode de mise en oeuvre décrit précédemment.Le traitement thermique de la surface du métal de grille 221 est conduit dans l'air à environ 3500C pendant 8 min pour former le film d'oxyde 223 d'une épaisseur d'environ 50 A å 100 A (5 nm à 10 nm). A la figure 4(b), le métal de grille 221 est sélectivement traité par photogravure anisotropique pour former l'électrode de grille 22 sur la région active 211. Ensuite, le substrat 20 avec L'électrode de grille 22 est traité de la même manière que celle montrée sur les figures 2(c) à 2(f) pour obtenir un dispositif MESFET de la présente invention. Dans ce procédé L'électrode de grille 22 n'ayant pas de film d'oxyde sur ses deux côtés est traitée thermiquement pour le recuit, et aucune détérioration de la barrière de Schottky n'est substantiellement observée. On considère que La libération des éléments ayant une pression de vapeur élevée tels que As peut être négligeable. Dans ce mode de mise en oeuvre, étant donné que les deux côtés de l'électrode de grille 22 ne sont pas oxydés, la valeur devient sensiblement égale à 100 X (aucune région hachurée n'existe), il n'y a pas de problème de détérioration de la barrière de Schottky due à l'oxydation sur les deux côtés, c'est-à-dire que La longueur de la grille n'est pas changée. Les films d'oxyde peuvent être considérés d'après les résultats montrés à la figure 3 et peuvent être déterminés seulement par l'épaisseur du film d'oxyde de surface de l'électrode de grille et par L'épaisseur de la portion non oxydée à partir de l'interface de Schottky. La présente invention peut être appliquée amplement à un procédé selon lequel un traitement thermique à température élevée est conduit après la formation de l'électrode de Schottky sur un transistor ou une diode à effet de champ métal-semiconducteur. Par exemple, une région active du type n est formée sur un substrat de GaAs, et une électrode de Schottky comme anode est formée sur la région active. Ensuite, une région d'impureté du type n activée comme cathode est formée pour obtenir une diode de jonction de Schottky, conformément à La présente invention. Dans ce cas, un traitement thermique du substrat est conduit dans une atmosphère d'oxydation, comme décrit précédemment, avant que la région d'impureté du type n ne soit activée par le traitement thermique à température élevée pour activer la région d'impureté. La présente invention peut être appliquée à un autre métal-semiconducteur tel que InP, GdTc ou analogue, et au lieu du nitrure de tungstène, on peut appliquer des métaux à point de fusion élevé tels que titane, molybdéne, tantale et analogues ou des nitrures, des siliciures, des siliconitrures et anaLogues de ces métaux. Il est entendu que, conformément à la présente invention, la détérioration des caractéristiques de Schottky peut être empêchée torque le traitement thermique à température élevée est conduit et que les caractéristiques de Schottky peuvent être bien maintenues en conséquence, améliorant ainsi la productivité des dispositifs MESFET. Bien que la présente invention ait été décrite dans ses modes de mise en oeuvre préférés en référence aux dessins ci-joints, il est entendu que La présente invention n'est pas Limitée à ces modes de mise en oeuvre préférés et que divers changements et modifications peuvent être faits dans la présente invention par l'homme du métier sans sortir de l'esprit et du cadre de la présente invention. REVENDICATIONS 1. Un dispositif métal-semiconducteur, caractérisé en ce qu'il comprend un substrat semiconducteur (20) et une électrode (22) formée sur Le substrat semiconducteur pour former une jonction de Schottky entre les deux, l'électrode ayant un film d'oxyde (233) ayant une première épaisseur sur sa surface supérieure et une portion non oxydée ayant une seconde épaisseur à partir de la jonction de Schottky. 2. Le dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première épaisseur est d'environ au moins 50 A (5 nm), et La seconde épaisseur est d'environ au moins 1 000 A (100 nm). 3. Le dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce que La première épaisseur est d'environ au moins 100 A (10 nm) et la seconde épaisseur est d'environ au moins 1 000 A (100 nm). 4. Le dispositif selon la revendication 2 ou 3, caractérisé en ce que l'électrode inclut également des films d'oxyde latéraux ayant la première épaisseur sur ses deux côtés. 5. Le dispositif selon la revendication 1, caractérisé en ce qué le substrat semiconducteur est un substrat de GaAs et l'électrode est du nitrure de tungstène. 6. Un procédé de production d'un dispositif métalsemiconducteur comprenant les étapes suivantes formation d'une couche conductrice sur un substrat semiconducteur pour former une jonction de Schottky entre les deux ; oxydation de la couche conductrice dans un gaz contenant de l'oxygène ; et conduite d'un recuit sans coiffe du substrat semiconducteur supportant la couche conductrice oxydée dans une atmosphère contenant de l'arsenic. 7. Le procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le gaz contenant de L'oxygène est choisi parmi les suivants 02 gazeux, 03 gazeux, un mélange de O, et d'un gaz inerte, un mélange de 2 gazeux et de N2 gazeux, un mélange de 03 gazeux et d'un gaz inerte, et un mélange de 03 et de N2 gazeux. 8. Le procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'oxydation est conduite selon la méthode d'oxydation thermique ou selon la méthode d'oxydation par plasma. 9.. Le procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que l'oxydation est conduite pour former un film d'oxyde ayant une première épaisseur sur la surface supérieure de la couche conductrice et pour maintenir une portion non oxydée ayant une -seconde épaisseur à partir de la jonction de Schottky. 10. Le procédé selon ta revendication 9, caractérisé en ce que la première épaisseur est d'environ au moins 50 A (5 nm) et la seconde épaisseur est d'environ au moins 1 000 A (100 nm). 11. Le procédé selon la revendication 9, caractérisé en ce que la première épaisseur est d'environ au moins 100.A (10 nm) et la seconde épaisseur est d'eviron au moins 1 000 (100 nm). 12. Le procédé selon la revendication 6, caractérisé en ce que le substrat semiconducteur est un substrat de GaAs et la couche conductrice est un nitrure, un siliciure ou un siliconitrure d'un métal à point de fusion élevé. 13. Le procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la couche conductrice est du nitrure de tungstène.