Brevet FR2623941A1 — publié le 19890602

Contact Schottky sur un substrat- de phosphure d'indium L'invention concerne un contact Schottky sur un substrat de phosphure d'indium. De tels contacts sont utilisés pour réaliser des diodes Schottky ou pour réaliser les grilles de commande de transistors à effet de champ. Le phosphure d'indium, InP, est un matériau particulière- ment intéressant pour la réalisation de transistors å effet de champ de fortes puissances, car il permet d'obtenir des transistors ayant une tension de claquage particulièrement élevée. Selon l'art antérieur, les transistors à effet de champ réalisés sur un substrat de TnP comportent une grille métallique isolée par une couche isolante qui est par exemple de la silice. La technique connue ne permet pas de réaliser, sur un substrat de InP, des transistors à effet de champ ayant une grille non iso lée. En effet, il n'est pas possible de constituer la grille par une couche de métal déposée directement sur le substrat de InP car alors la barrière de potentiel a une hauteur trop faible pour obtenir un pincement du canal de conduction. Le but de l'invention est de réaliser un contact Schottky de bonne qualité, c'est-à-dire ayant un faible courant de fuite lorsqutil est polarisé en inverse et ayant une tension de claquage suffisante pour permettre son utilisation dans la réalisation de diodes Schottky ou dans la réalisation de transistors à effet de champ. Selon l'invention, un contact Schottky sur un substrat de phosphure d'indium, est caractérisé en ce qu'il comporte une couche métallique déposée sur une couche intermédiaire constituée de GaInP, elle-même déposée sur le substrat de InP. L'invention sera mieux comprise et d'autres détails apparaîtront à l'aide de la description, ci-dessous, d'un exemple de réalisation d'un contact Schottky selon l'invention. Cet exemple de réalisation est représenté schématiquement, en coupe, sur la figure. Il comporte : une couche métallique l: : une couche inter- médiaire 2, qui est une couche contrainte constituée de GaInP et le substrat 3, constitué de InP. La couche intermédiaire 2 comporte 50% de gallium, dans cet exemple. Dans d'autres exemples de réalisation, la couche 2 peut comporter entre 208 et 100% de gallium. Dans cet exemple, l'épaisseur de la couche 2 est égale à 0,01 microns. Dans d'autres exemples de réalisation, elle peut 3 s être comprise entre 2.10 et 50.10 microns. Lorsque l'épaisseur de la couche 2 est augmentée, il y A une augmentation de la contrainte mécanique exercée sur la couche 2 par la différence de paramètres de maille entre lnP et GaInP. Le courant de fuite augmente alors à cause des défauts dans le cristal, causés par la contrainte mécanique. Le substrat de InP et la couche intermédiaire de GaInP peuvent être réalisés par une épitaxie MOCVD qui est une technique classique. Cette technique permet d'obtenir un matériau InP de bonne qualité, avec un dopage déterminé, et permet d'obtenir la couche 2 avec une épaisseur et une concentration en gallium déterminées. La couche métallique 1 est constituée de préférence: d'une couche d'or, 4 ; d'une couche de platine, 5 ; d'une couche de titane, 6 ; puis d'une couche de platine, 7. Ces couches sont déposées successivement, par évaporation, sur la couche intermédiaire 2 dans l'ordre : platine, titane, platine, or. La couche d'or, 4, est la plus superficielle et permet la soudure d'un fil de liaison, par thermocompression. Les couches 4, 5, 6, 7 ont respectivement pour épaisseurs : 0,3 microns, 0,05 microns, 0,1 microns, 0,05 microns. Cet exemple de réalisation, permet d'obtenir un contact redressant ayant un courant de fuite de 0,3 A/cm2 pour une tension inverse de -10 V. L'invention ne se limite à cet exemple de réalisation, il est possible à l'homme de l'art d'utiliser une épaisseur différente pour la couche intermédiaire 2 et d'utiliser une couche métallique 1 constituée d'autres métaux, notamment constituée d'une couche d'aluminium, d'une couche -d'argent, et d'une couche d'or. L'invention est applicable en particulier à la fabrication de transistors à effet de champ pour grosses puissances. REVENDICATIONS 1. Contact Schottky sur un substrat de phosphure d'indium, caractérisé en ce qu'il comporte une couche métallique (1) déposée sur une couche intermédiaire (2) constituée de GaInP, elle-même déposée sur le substrat de InP (3). 2. Contact Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que la concentration de gallium dans la couche Intermé- diaire (2) est comprise entre 20% et 100% ; et en ce que son 3 a épaisseur est comprise entre 2.10 et 50.10 microns. 3. Contact Schottky selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche métallique (1) est constituée d'une couche de platine (7), d'une couche de titane (6), d'une couche de platine (5), et d'une couche d'or (4), déposées successivement, et dans cet ordre, sur la couche intermédiaire (2). 4. Contact Schottky selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la couche intermédiaire (2) est déposée par épitaxie MOCVD sur le substrat (3).