Brevet FR2619247A1 — publié le 19890210

-- 1 -- IMPLANTEUR D'IONS METALLIOUES L'invention concerne un implanteur d'ions métalli- ques orienté vers des applications industrielles de type mé- tallurgique ou vers la fabrication d'alliages métastables à caractéristiques métallurgiques nouvelles. Les dispositifs actuels pour l'utilisation métal- lurgique sont de deux types: - implanteur d'ions 'gazeuxu (azote, oxygène, gaz rares... - implanteur d'ions métalliques, à partir de vapeur de sels métalliques et comprenant un séparateur de masse. Dans ces dispositifs, les débits sont faibles et les coûts très éle- vés. Les sources d'ions, à partir de vapeur ou de gaz fonctionnent à des pressions relativement élevées (quelques -3 à quelques 10-1 tort), entrainant soit: _ une extraction des ions de la source de faible surface et par conséquent de faible débit (pour éviter une augmentation importante de pression dans la zone d'accélération) - une extraction large (utilisée essentiellement pour les ions gazeux), entrainant une pression élevée dans la zone d'accé- lération avec comme conséquence un nombre important d'inte- ractions ions/neutres et une diminution de l'énergie moyenne des ions; il en résulte une diminution de la profondeur moyenne de pénétration et un élargissement mal contrôlé de l'implantation. L'implantation de métal peut également être obte- nue par le bombardement. ionique (en général avec des ions "ga- zeux", azote ou gaz rare) d'un dépôt simultané de métal sur le même substrat (évaporation par exemple). Un dispositif de ce genre est décrit dans un arti- cle de T.SATO et al. publié dans la revue JOURNAL VACCUM 2619 2 4 7 -2- SCIENCE TECHNOLOGY A4(3) de Mai-Juin 1986, pp.784-787. Le but de l'invention est de réaliser des implan- teurs encore plus performants susceptibles d'applications in- dustrielles à partir de sources d'ions à arc sous vide permet- tant un fort débit sur une large surface et présentant par rapport aux autres sources les avantages suivants: - absence de système d'alimentation en gaz, - fonctionnement sous vide excluant en particulier le pompage différentiel indispensable sur les implanteurs à grand dé- bit, - faibles dimensions de la source de plasma. L'émission de flux importants assure ainsi une im- plantation bien définie en masse et en énergie et à des pro- fondeurs réglables. Sous cet aspect, ces implanteurs s'appa- tentent à ceux utilisés en microélectronique pour le dopage des matériaux semiconducteurs. L'implanteur de l'invention est remarquable en ce qu'il comporte à l'intérieur d'une chambre d'implantation maintenue sous vide au moins une source d'ions à arc sous vide constituée d'au moins une cathode émissive d'un plasma, d'une anode et de gachettes de commande, les ions dudit plasma étant extraits et projetés sur une cible au moyen d'une électrode d'extraction et de focalisation et d'une électrode d'accélé- ration polarisées respectivement à très haute et à basse ten- sion, ladite cible bombardée par la projection ionique émet- tant un flux d'électrons secondaires qui sont soit absorbés par ladite source convenablement refroidie, soit repoussés par une électrode suppresseuse polarisée négativement par rapport à la cible habituellement mise à la masse. Avec une source d'ions commune, l'électrode d'ex- traction et de focalisation peut être constituée d'une struc- ture multi-orifices définie en fonction de l'optique d'accélé- ration, des tensions appliquées, de la densité et de la masse des ions. L'implanteur peut comporter plusieurs sources fonc- 2619 2 4 7 -3- tionnant en parallèle, constituées de plusieurs cathodes d'un même (ou de différents) matériau(x). Selon la forme de cible à implanter, on peut conce- voir plusieurs variantes de dispositifs. Si la cible a une géométrie plane, les sources se- ront disposées suivant une même ligne avec anode et gachette éventuellement communes. La cible sera de préférence mobile. S'il s'agit d'implanter l'intérieur (ou l'exté- rieur) d'une cible de forme cylindrique, les sources seront uniformément réparties sur la périphérie d'une circonférence, orientées ves l'extérieur (ou vers l'intérieur) de cette cir- conférence et mobiles suivant l'axe du cylindre. S'il s'agit d'implanter les faces internes (ou ex- ternes) d'une cible ayant la forme d'un parallélépipède carré ou rectangle par exemple, les sources seront de la même maniè- re uniformément réparties sur le périmètre d'un carré ou d'un rectangle, mais orientées vers l'extérieur (ou vers]'inté- rieur) de ce carré ou de ce rectangle et rendues mobiles au moyen d'un système de translation suivant une direction paral- lèle aux arêtes du parallélépipède ou au moyen de bras articu- lés pouvant être commandés par ordinateur. L'élimination des ions indésirables sera effectuée au moyen de divers dispositifs de filtrage. L'invention sera mieux comprise à l'aide de la des- cription suivante de quelques modes de réalisation de disposi- tifs donnés à titre d'exemples non limitatifs, ladite descrip- tion étant accompagnée de dessins qui représentent: La figure 1, une structure simple d'implanteur conforme à l'invention et constituant la cellule de base. La figure 2, une structure à plusieurs cellules proches de la précédente, comportant une seule source. La figure 3, un mode de réalisation à plusieurs sources en pa- rallèle pour l'implantation d'une surface plane. La figure 4, un mode de réalisation à plusieurs sources en pa- rallèle pour l'implantation de la face interne d'une surface cylindrique. -4- Les figures 5 et 6, un mode de réalisation à plusieurs sources. en parallèle pour l'implantation des faces externes d'un parallélépipède carré ou rectangle avec dépla- cement des sources au moyen d'un système de transla- tion ou de bras articulés. Les figures 7, 8, 9 et 10, les schémas de réalisation de di- vers modes de filtrage. La figure 11, le schéma d'ensemble d'un équipement industriel d'implanteur métallurgique. Les éléments identiques appartenant à différentes figures sont indiqués par les mêmes signes de référence. La figure 1 représente la structure simple d'une cellule de base de l'implanteur conforme à l'invention, dont le débit à partir d'une unique source d'ions à arc sous vide est limité par les problèmes d'échauffement thermique, fonc- tion des moyens de refroidissement utilisés et non représen- tés. Il en résulte que le débit ramené à l'unité de temps et réglé par le rapport du temps de fonctionnement réel sur le temps total (fonctionnement en mode pulsé) peut varier de quelques mA à plusieur Ampères. La source d'ions à arc sous vide comporte une ca- thode 1 émissive d'un plasma 2, une anode 3 et une-gachette 4. L'extraction des ions 5 du plasma est effectuée par un orifice équipé ou non d'une grille d'extraction 6 et la fo- calisation du faisceau par une simple électrode 7 dont les di- mensions sont fonction de celles de la structure. L'accéléra- tion des ions est obtenue au moyen de l'électrode d'accéléra- tion 8 munie d'un seul orifice de grandes dimensions fonction du débit recherché. Les ions arrivant sur la cible 9 conduisent à une émission secondaire électronique importante pouvant atteindre plusieurs fois celle du faisceau d'ions incident. Dans ces conditions deux solutions sont possibles: - absorption de l'énergie sur la partie source d'ions de l'im- -5- planteur par simple refroidissement naturel ou forcé (circu- lation d'un fluide refroidisseur). - mise en place d'une électrode suppresseuse d'électrons se- condaires 10 constituée d'un anneau ou d'une grille de gran- de transparence qui appliquera sur la cible un faible champ électrique s'opposant à l'émission de ces électrons. Les atomes éventuellement arrachés à cette électrode et déposés sur la cible à traiter sont en faible nombre et dans leur quasi-totalité repulvérisés par le faisceau incident. La cible peut être mobile de façon à obtenir un dé- pôt homogène. Un pilotage automatique avec mesure des courants- d'ions incidents par des sondes équipées de cages de Faraday disposées en divers points de la cible et un traitement infor- matique des résultats de mesure peuvent être retenus si la précision de la dose d'implantation est un paramètre critique. La cible est refroidie par refroidissement naturel ou forcé suivant le type d'utilisation, le taux de travail, le débit et l'énergie des ions implantés. La nature-du refroidis- sement, les moyens mécaniques pour le réaliser, en particulier dans le cas d'implantation d'ions pour traitement de finition de pièces élaborées, sont fonction de la nature de-l'utilisa- tion. La figure 2 représente une structure d'extraction composée de plusieurs cellules proches de la structure précé- dente et pouvant être disposées comme le fait apparaître le schéma sur lequel on distingue: - Une source d'ions à arc sous vide commune-(cathode 1 émissi- ve du plasma 2, anode 3, gachette 4). - Une structure d'extraction et focalisation multi-orifices (11, 12) définie en fonction de l'optique d'accélération, des tensions appliquées, de la densité et de la masse des ions 5 et du type de bombardement recherché. - Une électrode d'accélération multi-orifices 13 pouvant être portée à un potentiel négatif par rapport à la cible de fa- çon à repousser les électrons secondaires de la cible. Une 2619 2 47 amélioration de l'optique ionique peut être obtenue par l'adjonction d'une deuxième électrode (non représentée) et située entre l'électrode d'extraction 12 et d'accélération 13 permettant de moduler par l'intermédiaire de sa polarisa- tipn, la forme du faisceau et en particulier les dimensions et l'homogénéité de la zone bombardée. Cette structure in- troduit en outre la possibilité, par réglage de sa tension de polarisation, de faire varier la masse des ions par sim- ple changement de la source et sans retouche majeure de l'optique. - Une cible 9 habituellement à un potentiel nul. Cette cible sera en général mobile afin d'assurer une homogénéité de bombardement. Elle peut être équipée en fonction du type de polarisation de l'électrode d'accélération, d'un système suppresseur d'électrons secondaires 10 (grille, électrode en forme d'entonnoir, etc...). Une variante intéressante pour l'implantation d'un même matériau à plus fort débit ou sur une plus grande surface ou pour l'implantation simultanée de matériaux de diverses na- tures est le montage de plusieurs sources d'ions en parallèle et avec des cathodes d'un même ou de différents matériaux com- me le montre le schéma de principe de la figure 3. Si l'on désire par exemple implanter simultanément trois matériaux métalliques M1, M2, M3, les cathodes corres- pondantes 1', 1" et 1"' émettent respectivement les plasmas 2', 2" et 2"' qui s'enchevêtrent les uns aux autres pour for- mer le mélange 2'+2"+2"'. La commande multisources peut être unique, le dé- marrage d'un arc au moyen de la gachette 4 pouvant entraîner l'amorçage des structures voisines. L'anode 3 de la multisources peut être commune ou spécifique, le réglage du courant étant effectué par le cir- cuit cathodique. Le dosage peut être effectué par modulation du cou- rant débité ou/et par réglage de la largeur d'impulsion. 2619 2 4 7 - 7 - Les autres éléments du schéma: électrodes d'ex- traction et de focalisation (11,12), électrode d'accélération 13, électrode suppresseuse 10 et cible 9 restent identiques à ceux du schéma à source unique de la figure 2. Une variante importante exploitant au maximum les avantages précités des sources d'ions à plasma est l'obtention de sources à surface d'extraction de géométries différentes et adaptées au matériel à implanter. On peut concevoir à titre d'illustration, diverses structures émissives de plasma selon la forme de la cible. La figure 4 représente schématiquement une structu- re à zone d'émission cylindrique constituée par un système multicathodes dont les projections de plasma émis par les ca- thodes disposées suivant un cercle se recoupent sur une surfa- ce cylindrique confondue avec l'électrode d'extraction et dé- pendant du nombre et de la position des cathodes 14, de l'an- gle au sommet de projection du plasma 15 (voisin de 60 ), de la transparence de l'anode 16 et de la distance entre les sec- tions cathodiques. Le plasma émis recouvre intégralement l'électrode d'extraction 17 et on obtient ainsi une implantation uniforme sur la face interne de la cible cylindrique 20 après passage des faisceaux ioniques à travers l'électrode d'accélération 18 et l'électrode suppresseuse 19. Les sources cathodiques peuvent être monomatériau ou multimatériaux. On peut également, pour augmenter la vitesse de dé- pôt, disposer de plusieurs niveaux de cathodes 14, 14'..., les grilles anodiques 16, 16'... étant ou non communes. La face interne de la cible cylindrique 20 peut alors être implantée par simple déplacement de l'ensemble source d'ions (ou de la cible). La figure 5 représente le schéma d'une structure pour l'implantation sur la surface externe 26 d'une cible constituée par un tube de section carrée ou rectangulaire; 2619 2 4 7 -8- les sources d'ions (cathodes 21 et anodes 22) sont alors dis- posées suivant un carré ou un rectangle et susceptible d'être rendues mobiles -par l'adjonction d'un. système de translation à soufflet 27- la face externe du tube 26 peut ainsi être im- plantée après passage des faisceaux ioniques à travers l'élec- trode d'extraction et de focalisation 23, les électrodes d'ac- célération 24 et les électrodes suppresseuses 25. Dans ces structures, l'anode peut être commune et les cathodes avoir une alimentation individuelle (courant et largeur d'impulsion réglés individuellement). Ces ensembles peuvent être mobiles et se déplacer face à la pièce à traiter ainsi qu'il est représenté sur la figure 5, ou inversement être à poste fixe et la cible (pièce à traiter) être mobile. Dans le même esprit, une source d'ions constituée d'une ou de plusieurs cathodes d'un même ou de différents ma- tériaux peut être rendue solidaire d'un bras articulé de tech- nologie compatible avec le vide et l'ultravide représenté sur la figure 6. Ce bras 28 peut être piloté par un ordinateur à partir d'un programme réalisé par exemple à la suite d'essai d'une pièce prototype équipée de capteurs de bombardement io- nique. Les quantités d'ions déposées et leur énergie de bom- bardement seraient alors réglables et adaptées au besoin avec une bonne précision. On peut noter que la partie à implanter peut, si elle est de grandes dimensions et facilement obturable aux ex- trémités (cylindre intérieur) constituer la chambre à vide: l'implanteur peut être fixé à l'une des extrémités et le sys- tème de pompage à l'autre. Pour l'implantation sur un objet de forme plus com- plexe, les sources d'ions internes ou externes sont disposées et orientées de telle façon que l'axe de flux de plasma soit perpendiculaire à la surface et que la densité déposée soit aussi homogène que possible. Après la description de structures d'implanteurs, il est nécessaire d'expliciter les principes qui régissent le -9fonctionnement de ces systèmes afin de parvenir aux solutions retenues pour une réalisation industrielle. Le débit d'ions extrait d'un dispositif de même principe que celui du schéma de la figure 2 est fonction: - du flux.de plasma arrivant sur l'électrode d'extraction (in- fluence des paramètres liés aux sources d'ions -courant d'arc, distance électrode d'extraction- cathode, transparen- ce de la grille anodique). - de la transparence et de la forme de l'électrode d'extrac- tion. - du champ électrique appliqué à la limite du plasma (ménis- que) dont la forme aura une incidence directe sur la conver- gence du faisceau extrait et accéléré. -de la masse des ions extraits. Dans le cas d'un plasma homogène, la densité de courant extraite J+ peut s'écrire: Jt a 2 L d2 Mt c 1 formule dans laquelle V est la. tension d'extraction, dc la distance entre l'électrode d'accélération (ou la surface équi- valente) et le ménisque de plasma, q/M+ le rapport de la char- ge de l'ion à sa masse. Quant à la convergence du faisceau, elle est fonc- tion de la densité extraite, de la géométrie et des tensions d'accélération. Dans le cas d'un implanteur multimatériaux, les rè- gles régissant son fonctionnement sont identiques à' celles d'un faisceau monomatériau de rapport qe/Me tel que: ec\j qe = c^^ + c2 +... + Cj Q sachant que C1, C2,... Cj sont les concentrations des diffé- rentes espèces d'ions et que C1 + C2 +... + Cj = 1. * Pour certaines applications, il peut être intéres- 26.19 2 4 7 - 10 - sant d'implanter les ions à une profondeur bien déterminée, nécessitant des ions d'énergie constante. Or dans les sources à arc sous vide, la proportion d'ions multicharges est très importante et par conséquent l'énergie des ions peut varier d'un facteur 1, 2, 3 ou même 4. Dans ces conditions, l'implan- teur devra disposer d'un système permettant l'élimination des ions d'énergie indésirable. Pour bénéficier de l'intérêt des sources d'ions utilisant des plasmas d'arc, il est nécessaire de disposer d'un système permettant le passage de large débit, c'est-à-di- re à large orifice d'entrée et de sortie. Les systèmes proposés répondent à cet impératif, bien que globalement, ils ont une réduction sensible du flux d'ions débité par ces systèmes. Le système schématisé sur la figure 7 représente un filtre à cellules quadripolaires consistant en l'utilisation simultanée de nombreuses cellules constituées de quadripoles. Un quadripole est formé de quatre barreaux cylindriques 29, , 31 et 32 simulant un réseau d'équipotentielles de type hy- perbolique et polarisés à V/2 avec V = V1 + Vo coswt. Le mouvement d'un ion à l'intérieur de ce système est donné dans un système normal de coordonnées par le système d'équations: m d2x = _ e (V1 + Vo coswt)x dt2 r20 n - m dz = constante. dt2 Les solutions de ces équations connues sous le nom d'équations de Mathieu sont complexes. On retient simplement que pour une plage réduite des valeurs (w, r2o0; Vo, V1), il existe des conditions de stabilité de la trajectoire oscillan- te des ions qui pourront ainsi traverser le filtre. Ces ions de masse réduite mo = Mo/q (M étant la masse atomique de l'ion et q sa charge électrique) seront les seuls à traverser le 2619 2 47 - i1 - filtre et par conséquent à être implantés. Le mouvement d'ions dans une cellule de filtre qua- dripolaire est représenté en perspective et schématiquement sur la figure par les trajectoires 33 et 34 en traits inter- rompus. La figure 8 montre en coupe longitudinale la dispo- sition d'un ensemble de cellules de filtrage 35, 36 et 37 du type précédemment décrit, entre les électrodes schématisées d'entrée et de sortie de l'implanteur. On retrouve successivement côté entrée les orifices d'extraction 38 du plasma anodique et les orifices d'accéléra-. tion 39 des-ions injectés 40 et 41. Les ions 40 du métal à im- planter-de masse réduite mo traversent le filtre avec une vi- tesse de glissement constante. Les ions 41 de masse réduite supérieure à no sont absorbés par le filtre. Après traversée des filtres les ions à implanter dans le substrat 45 traversent successivement côté sortie la grille ou orifice 42 destinée à limiter la pénétration du champ électrique d'accélération finale des ions, l'électrode d'accélération des ions à l'énergie souhaitée 43 et l'électro- de suppresseuse 44.. La figure 9 représente un filtre à déviation magné- tique disposé entre le diaphragme d'entrée 46 et l'électrode d'extraction des ions 47 d'une part et l'électrode d'accéléra- tion 48 d'autre part. Ce système utilise les propriétés de dé- viation des ions par un champ magnétique, c'est-à-dire que le rayon de giration Rj d'un ion de masse réduite a et d'éner- gie eV dans un champ d'induction B perpendiculaire est donné par l'expression: R 1 V e Il est constitué de multicanaux 49 permettant d'injecter sur une large dimension un flux important d'ions. Ces canaux sont limités par des portions de cercle 50 de centre commun permet- tant le passage des masses ioniques souhaitées, par exemple sur la trajectoire 51 et l'interception des masses ioniques 2619 2 4 7 - 12 - indésirées par exemple sur les trajectoires 52 et 53. A cet. effet, le champ magnétique doit être décroissant en raison in- verse du rayon du canal de façon à conserver le produit BxR constant. Une variante par rapport au système multicanaux est son remplacement par des diaphragmes interceptant les ions n'ayant pas la trajectoire souhaitée. Comme pour le système précédent, les ions sont accélérés à l'entrée du filtre à une énergie moyenne de quelques keV. A la sortie, ils subissent l'accélération principale qui les conduit à l'énergie nominale d'implantation. La figure 10 représente le schéma de principe d'un filtre à enrichissement en ions d'une même charge électrique. L'originalité de ce système réside dans le fait qu'il s'applique directement sur le plasma de la source d'ions, c'est-à-dire avant extraction. Il n'a pas les perfor- mances des deux systèmes précédents et n'est qu'un enrichisse- ment en ions ayant un rapport q/M+ déterminé. Il utilise la propriété de canalisation du plasma par les lignes de champ magnétique produit par les bobines 54: à des lignes de force convergentes correspond une réduc- tion de section du plasma. Ce phénomène est en général expli- qué par la limitation de diffusion des électrons du plasma qui, à leur tour, attirent les ions, de façon à maintenir la condition de neutralité du plasma. L'expérience montre que pour des valeurs de champ magnétique faibles et pour un plasma projeté (type plasma d'arc), les ions de masse équivalente faible sont plus sensi- bles à cet effet que les ions de masse plus lourde. Le plasma est ainsi séparé suivant l'axe des bobi- nes 54 en un plasma enrichi en masses "lourdes' 55 les plus éloignées de l'axe et en un plasma de masses 'légères' 56 les plus rapprochées de l'axe. Ce dernier, de section plus faible, est extrait à travers le diaphragme d'interception 57 et s'épanouit à nouveau dès la sortie de ce diaphragme puisqu'il 2619 2 4 7 - 13 - n'est plus soumis à l'action du champ magnétique. Le schéma de la figure 11 donne un exemple d'un -équipement industriel d'implanteur métallurgique. Pour la clarté du schéma, on décrit une installation munie d'une sour- OS ce unique pour implanter une cible de géométrie plane. On distingue dans cette installation les parties suivantes: - la chambre d'implantation 58 qui permet d'effectuer le vide dans l'installation. Pour l'équipement industriel représenr té, nécessitant un fonctionnement continu avec un nombre im- portant de pièces, elle est équipée de deux sas 59, 60 qui permettent l'introduction des matériels à implanter et de leur support, ainsi que des servitudes (refroidissement, mouvement, mesure du courant et de la température). La cible sera maintenue à température constante par circulation d'un fluide non représenté et équipée des instruments de mesure nécessaires à la connaissance des paramètres d'utilisation. - la source d'ions à THT positive et par conséquent montée sur isolateurs 61. Cette source conforme au schéma de la figure 2 comporte les diverses électrodes déjà décrites: cathode 1 émissive du plasma 2 et anode 3, électrodes de déclenchement 4 et éventuel système anti-microprojection (non représen- té). Ces électrodes sont refroidies au moyen d'un dispositif non représenté de circulation d'un fluide ou d'un caloduc pour la cathode et l'anode. Cet ensemble est solidaire d'une même embase 62 sur laquelle sont montés les isolateurs 61. La suite de l'installation comporte: - la grille d'extractionfocalisation 11, 12, l'électrode d'accélération 13 et l'électrode suppresseuse 10 de formes appropriées et strictement positionnées les unes par rapport aux autres. Un montage possible peut être la fixation à par- tir du même support (la paroi supérieure 63 de la chambre d'implantation) de l'ensemble de ces électrodes portées à des potentiels très différents. 2619 2 4 7 - 14 - - la cible 9 portée par le support cible 64 qui doit satisfai- re un certain nombre d'impératifs d'homogénéité et de con- trôle de la dose implantée, de dissipation de l'énergie dé- posée et de commodité de montage des pièces ou composants à monter. Le contrôle d'homogénéité est effectué par des son- des non représentées (cages de Faraday) réparties en diffé- rents points de la cible et reliées à un ordinateur qui pilo- tera la vitesse de dépôt et l'exposition de la cible en fonc- -tion de la dose reçue. La dissipation de l'énergie est dans certaines uti- lisations le point le plus critique. Dans -la majeure partie des cas, le contrôle de température sera effectué sur des son- des représentatives des cibles à traiter et couplées à une centrale de mesure, comme les sondes de doses. Le temps de sé- jour de la cible dans le faisceau sera alors fonction de la dose reçue et de la température, les paramètres étant la posi- tion de la cible et le taux de travail de l'implanteur. L'éva- cuation de l'énergie déposée est fonction de la nature de la cible. Chaque cible sera l'objet d'un traitement spécifique, compatible avec les spécifications du dépôt et sa qualité. La matrice du support-cible sera fonction de l'utilisation et la méthode de refroidissement en dépendra: refroidissement par circulation de fluide en contact direct avec le support-cible, refroidissement par caloduc, refroidissement parcirculation de gaz. Des sondes pourraient être immergées pour suivre l'évolution de la température côté refroidissement et permet- tre ainsi la mise en évidence des anomalies. Le porte-cible 64 introduit dans l'enceinte par l'intermédiaire d'un système de sas est monté sur un système mobile à soufflet à l'intérieur duquel passent également les fluides de refroidissement et les systèmes de mesures (tempé- rature, courant). Les sas d'introduction nécessaires pour les équipements industriels et les équipements ultra-vide de labo- ratoire sont composés d'une enceinte 59, 60 fermée par une 2619 2 47 - 15 - vanne à large passage 65, 66 et d'une face démontable 67, 68 équipée du système de mise en mouvement de la cible. Sur les équipements industriels, la fermeture et l'ouverture du sas sont rapides et simples; les déplacements de la face démonta- ble peuvent être faits sur rails afin de faciliter la mise en place du matériel à implanter. Le système à deux sas représen- té sur la figure permet la possibilité de dégazage dans l'un d'eux. Après rechargement, les matériels à implanter peu- vent être étuvés afin d'éliminer la majeure partie du dégazage avant introduction dans la chambre d'implantation. Après introduction dans ladite chambre, le porte- cible 64 peut être mis en mouvement à partir de points fixes solidaires de l'enceinte à l'aide d'un excentique ou directe- ment par l'intermédiaire du système souple 69 représenté sur la figure. Le système de pompage 70, 71, 72 dont le type et la nature sont fonction de l'utilisation doit être en tout état de cause isolable de l'enceinte et dans la mesure du possible, ne pas rétrodiffuser des vapeurs d'huile en raison des dérives probables des produits traités et des problèmes de tenue en tension entre les différentes électrodes. En plus des utilisations d'implantation d'ions mé- talliques, l'implanteur métallurgique de l'invention peut être utilisé pour réaliser des dépôts de type réactif". A cet ef- fet, le dispositif fonctionnant à tension d'accélération nul- le, la source d'ions devient une source de plasma qui après avoir traversé l'ensemble d'accélération va se déposer sur la cible. Le maintien-d'une pression résiduelle d'un gaz réactif déterminé (02, N2...) permet d'obtenir des couches de composés (oxydes, nitrures...). Le taux de réactivité du dépôt est fonction de la pression p, de la densité temporelle du dépôt, du courant de source Is et de la surface du dépôt. L'ensemble pouvant être piloté par ordinateur, on 2619 2 4 7 - 16 - obtient un composé déterminé par réglage de p ou de Is ou de Ts (largeur d'impulsion). Ce dépôt peut être simultanément bombardé par des ions de même nature ou de nature différente pour être zmélan- gés" au support ou être dopé. Dans le même type d'application, on peut, après im- plantation, déposer sur la surface un dépôt protecteur du sub- strat implanté avec (ou sans) implantation initiale pour un meilleur accrochage de la couche protectrice. Comme on vient de le voir, l'implanteur peut être utilisé comme système de métallisation du matériau cathodique en l'absence de toute tension d'accélération. 2619 2 4 7 - 17 - REVENDICATIONS 1. Implanteur métallurgique d'ions métalliques à gran- de surface émissive, à flux important et à profondeur d'im- plantation variable, caractérisé en ce qu'il comporte à l'in- térieur d'une chambre- d'implantation maintenue sous vide au moins une source d'ions à arc sous vide constituée d'au moins une cathode émissive d'un plasma, d'une anode et de gachettes de commande, les ions dudit plasma étant extraits et projetés sur une cible au moyen d'une électrode d'extraction et de fo- calisation et d'une électrode d'accélération polarisées res-. pectivement à très haute et à basse tension, ladite cible bom- bardée par la projection ionique émettant un flux d'électrons secondaires qui sont soit absorbés par ladite source convena- blement refroidie, soit repoussés par une électrode suppres- seuse polarisée négativement par rapport à la cible habituel- lement mise à la masse. 2. Implanteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode de focalisation ne comporte qu'un seul orifice défini en fonction de l'optique d'accélération, des tensions appliquées, de la densité et de la masse des ions. 3. Implanteur selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite électrode de focalisation est constituée d'une structure multi-orifices définie en fonction de l'opti- que d'accélération, des tensions appliquées de la densité et de la masse des ions. 4. Implanteur selon l'une des revendications 1 à 3, caractérisé en ce qu'il comporte plusieurs sources fonction- nant en parallèle, constituées de plusieurs cathodes d'un même (ou de différents) matériau(x) et disposées selon une géomé- trie adaptée à la forme de cible à implanter. 5. Implanteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdites sources en parallèle sont disposées suivant une même ligne avec anode et gachette communes pour l'implan- tation d'une cible ayant une géométrie plane. - 18 - 6. Implanteur selon la revendication 4, caractérisé en ce que lesdites sources en parallèle sont disposées sur un ou plusieurs niveaux, avec cathodes et anodes uniformément répar- ties sur la périphérie d'une courbe fermée (ou d'un polygone), orientées vers l'intérieur (ou vers l'extérieur) de ladite courbe (ou dudit polygone), ladite disposition des sources étant rendue mobile pour l'implantation de la surface externe (ou interne) d'une cible tubulaire de forme cylindrique (ou polygonale). 7. Implanteur selon la revendication 6, caractérisé en ce que ladite disposition des sources est rendue mobile au moyen d'un système de translation suivant une direction paral- lèle à l'axe de ladite cible tubulaire. 8. Implanteur selon la revendication 6, caractérisé /en ce que ladite disposition des sources est rendue mobile au moyen de bras articulés pouvant être commandés par ordinateur. 9. Implanteur selon l'une des revendications 1 à 7, caractérisé en ce qu'il peut être muni d'un système de filtra- ge permettant l'élimination des ions d'énergie indésirable. 10. - Implanteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit système de filtrage est disposé en deça de l'électrode d'extraction et agit directement sur le plasma émis par la source 'en utilisant la propriété de canalisation dudit plasma par les lignes de force d'un champ magnétique. 11. Implanteur selon la revendication 9, caractérisé en ce que ledit système de filtrage est disposé au-delà de l'électrode d'extraction et est constitué par des cellules quadripolaires polarisées en haute fréquence ou par des multi- canaux circulaires à déviation magnétique. 12. Implanteur selon l'une des revendications 1 à 8, caractérisé en ce que la tension d'accélération étant nulle, ladite source d'ions à arc sous vide est utilisée comme source de plasma qui, après traversée de l'ensemble d'accélération, va se déposer sur la cible, l'introduction d'une pression ré- siduelle d'un gaz réactif déterminé (02, N2...) dans ladite 2619 2 4 7 - 19- chambre d'implantation permettant d'obtenir des dépôts de type %réactif' (oxydes, nitrures...) pouvant être simultanément bombardés par des ions de même nature ou de nature différente pour être mélangés audit dépôt ou implantés.