Brevet FR2614483A1 — publié le 19881028

Etage amplificateur avec sortie de collecteurs La présente invention concerne un étage amplificateur avec une sortie de collecteurs. Comme on le sait, dans les étages amplificateurs avec sortie de collecteurs, il peut être important d'empêcher tout transistor compris dans la chaîne d'amplification d'atteindre une saturation élevée telle que le gain de courant de chaque transistor tombe.à de très faibles valeurs. En fait, ce comportement provoque une diminution de la vitesse de commutation de l'amplificateur, lorsque les transistors passent d'un état de saturation à un fonction- nement linéaire. Si l'amplificateur est soumis à une réaction négative, dans les régions proches des sorties des transistors qui passent d'un état de saturation à un fonctionnement linéaire, des courants transitoires indésirables peuvent apparaître. Un tel fonctionnement à saturation élevée peut également apparaître, par exemple dans le cas d'un sérieux déséqui- libre à l'entrée. Dans ce but, considérons par exemple le schéma d'un amplificateur avec un faible déchet (c'est-à-dire lorsque la différence entre la tension d'ali- mentation disponible et la tension de sortie maximale de pointe à pointe est faible), représenté par exemple sur la figure 1. Sur cette figure, les sources de courant Il et 12 représentent l'étage d'entrée, généralement com- posé par un étage convertisseur tension/intensité. Les transistors Q1-Q4 et la source de courant constant Q7 constituent, avec la résistance R1, le circuit pilote, tandis que Q5 et Q6 constituent les deux transistors finaux montés entre deux lignes de tension de référence VCC et -Vcc et définissant entre eux, au point D, la sortie de l'amplificateur qui est raccordée à une charge RL. Dans ce circuit connu, un déséquilibre des courants Il et 12 provoquent un déséquilibre de l'étage tout entier. En particulier, s'il arrive que (Il-I2).Qli.Q2>IcQ7+ VCC-vBEQ3 PQ3.R1 le transistor Q2 est saturé et de même,avec le transistor Q2 saturé, si la relation VCC - VBEQ3.3 Q6 > VCC R1 L est vérifiée, Q6 est saturé. De la même manière, si le courant 12 est suffisamment supérieur au courant Il, lestransistonQ7 et Q5 sont satu- rés. Les niveaux de saturation des transistors considérés n'étant pas contrôlés peuvent être très élevés, c'est-à- dire que le gain de courant des transistors saturés peut tomber à de très faibles valeurs, avec les conséquences négatives décrites précédemment. Pour éviter une saturation élevée des transistors, on sait déjà monter des diodes de Schottky entre la base et le collecteur de chaque transistor soumis à une satu- ration élevée, de façon à retirer une partie du courant de base et à empêcher une saturation excessive du transistor protégé. Toutefois, même cette solution présente des inconvénients du fait que, afin de pouvoir conduire même des courants élevés à faible tension, les diodes de Schottky raccordées aux transistors finaux peuvent exiger une surface importante (ce qui n'est pas souhaitable dans le cas de systèmes intégrés avec un niveau d'intégra- tion élevé); en outre, l'intégration de ces diodes dans un circuit intégré exige un plus grand nombre de masques et, en conséquence, entraîne une plus grande complexité dans la production et des coûts plus élevés de l'ampli- ficateur tout entier. D'autres solutions connues utilisent des structures com- prenant un transistor et une diode reliée de façon appro- priée aux transistors à protéger et à l'étage d'entrée. Toutefois, même ces solutions ne donnent pas satisfaction, du fait du grand nombre de composants et des problèmes de stabilité de la boucle formée par chaque transistor avec le circuit anti-saturation associé. En conséquence, le but de la présente invention est de procurer un étage amplificateur avec une sortie de collecteurs, qui procure une commande effective de la saturation des transistors compris dans l'étage amplificateur de façon à réduire les problèmes de vitesse de commutation et de courant transitoire indésirable existant dans les circuits connus. Un but particulier de la présente invention est de procu- rer un étage amplificateur ayant une structure simple et pouvant être aisément intégré, avec sa partie prévue pour réduire la saturation des transistors n'exigeant qu'une zone d'intégration limitée. Un autre but de la présente invention est de procurer un étage amplificateur ayant une partie commandant la saturation qui peut être intégrée sans exiger de masques, ni d'opérations supplémentaires. Un but non moins important de la présente invention est de procurer un étage amplificateur qui fonctionne d'une manière totalement fiable et qui a une stabilité élevée. Ce but,ainsi que d'autres qui apparaîtront ci-après sont atteints dans un étage amplificateur avec une sortie de collecteurs, comprenant deux sources de courant d'entrée montées en série entre deux lignes de tension de référence et fournissant des courants d'entrée respectifs, deux transistors de sortie montés en série entre ces deux lignes de tension de référence et définissant une borne de sortie intermédiaire de l'étage amplificateur, et un circuit pilote comprenant des éléments actifs inter- posés entre les sources de courant d'entrée et les transis- tors de sortie, cet étage amplificateur se caractérisant en ce qu'il comprend deux circuits de commande, commandant chacun la saturation de l'un des transistors de s rtie, chaque circuit de commande comportant des moyens de résis- tance interposés entre le circuit pilote et le transistor de sortie correspondant pour prérégler un gain de saturation d'équilibre de ce transistor de sortie respec- tif,et des moyens de transistorsayant leursbornesde base raccordéesau circuit pilote et leurs bornes de collecteur et d'émetteur montées entre le transistor de sortie res- pectif et les sources de courant d'entrée, et définissant une réaction négative pour réduire le déséquilibre entre les courants d'entrée en provenance de ces sources de courants d'entrée. Dans cet étage amplificateur, les moyens de résistance de chacun des circuits de commande de saturation compor- tent une résistance ayant une première borne raccordée à une borne de sortie du circuit pilote et une deuxième borne raccordée à la borne de base du transistor de sortie respectif. Par ailleurs, au moins l'un des moyens de transistors a sa borne de base raccordée à une borne de sortie du circuit pilote, sa borne d'émetteur raccordée à la borne de sortie de l'étage amplificateur,et sa borne de collec- teur raccordée à un point de raccordement intermédiaire entre les sources de courant. Dans une autre réalisation, au moins l'un des moyens de transistors a sa borne de base raccordée à une borne de sortie du circuit pilote, sa borne de collecteur rac- cordée à la borne de sortie de l'étage amplificateur et sa borne d'émetteur raccordée au point de raccorde- ment intermédiaire entre les sources de courant. Dans une autre réalisation d'un étage amplificateur selon l'invention, la paire de sources de courant comprend une première source de courant et une deuxième source de courant montées en série entre une ligne de tension de référence supérieure et une ligne de tension de référen- ce inférieure, et définissant un point de raccordement intermédiaire, le circuit pilote comprend une borne d'entrée raccordée au point de raccordement intermédiaire et une première et une deuxième borne de sortie pilote, et la paire de transistors de sortie comprend un premier transistor de sortie ayant sa propre borne de base raccordée à la première borne de sortie pilote, sa propre borne d'émetteur raccordée à la ligne de tension de référence supérieure et sa propre borne de collecteur raccordée à la borne de sortie de l'étage amplificateur, et un deuxième transis- tor de sortie ayant sa propre borne de base raccordée à la deuxième borne de sortie pilote, sa propre borne de collecteur raccordée à la borne de sortie de l'étage amplificateur et sa propre borne d'émetteur raccordée à la ligne de tension de référence inférieure, cet étage amplificateur se caractérisanten ce que les deux circuits de commande comprennent un premier et un deuxième circuit de commande de saturation, les moyens de transis- tors du premier circuit de commande de saturation compren- nent un premier transistor de commande ayant sa borne de base raccordée à la première borne de sortie pilote, sa borne d'émetteur raccordée à la borne de sortie de l'étage amplificateur et sa borne de collecteur raccordée au point de raccordement intermédiaire, et les moyens de transistors du deuxième circuit de commande de satura- tion comprennent un deuxième transistor de commande ayant sa borne de base raccordée à la deuxième borne de sortie pilote, sa borne de collecteur raccordée à la borne de sortie de l'étage et sa borne d'émetteur raccordée au point de raccordement intermédiaire. En outre, cet étage amplificateur comprend une diode ayant sa borne d'anode raccordée au point de raccorde- ment intermédiaire et sa borne de cathode raccordée à la borne d'émetteur du deuxième transistor de commande. Dans une autre réalisation, l'étage amplificateur comporte une diode ayant sa borne d'anode raccordée au point de raccordement intermédiaire et sa borne de cathode raccordée à la borne d'entrée du circuit pilote. Par ailleurs, cet étage amplificateur comprend deux résis- tances dont chacune est montée entre l'un des moyens de transistors et la borne de sortie de l'étage amplifi- cateur. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la descrip- tion détaillée, donnée ci-après à titre d'exemple seule- ment, de quelques réalisations préférées,mais non exclusives en liaison avec le dessin joint, sur lequel: - la figure 1 est un schéma simplifié d'un étage amplifi- cateur avec sortie de collecteurs selon la technique anté- rieure; - la figure 2 est le schéma de circuit général d'un étage amplificateur selon l'invention; - la figure 3 montre la variation du courant de collecteur en fonction de la tension base-émetteur d'un transistor; et - la figure 4 est un autre schéma de circuit de l'étage amplificateur selon l'invention. Ci-après, on ne se référera qu'aux figures 2 à 4, la description précédente s'étant déjà référée à la figure 1. On doit noter en tout cas que les composants de l'étage amplificateur selon l'invention qui sont communs à la réalisation connue de la figure 1 ont été désignés par les mêmes repères, pour des raisons de cohérence. Ainsi, en se reportant à la figure 2, dans l'étage ampli- ficateur selon l'invention, l'étage d'entrée a été à nouveau repéré au moyen des deux sources de courant Il et 12. Comme dans le circuit connu de la figure 1, la partie pilote comporte les transistors Ql à Q4 et Q7 (ce dernier constituant une source de courant constant) pour piloter deux transistors de sortie Q5 et Q6 montés entre l'alimentation en courant positif Vcc et l'alimen- tation en courant négatif -Vcc. Les deux transistors de sortie sont mutuellement raccordés l'un à l'autre par leurs collecteurs au point D, qui représente la sortie de l'étage pour alimenter en courant la charge, ici repré- sentée par la résistance RL. Comme dans la technique antérieure, le circuit pilote a deux bornes de sortie, définies par les deux collecteurs des transistors Q3 et Q4, chacun étant raccordé à la base des transistors de sortie Q5 et Q6 pour les piloter. Toutefois, selon l'invention, entre les sorties pilotes définies par les collecteurs de Q4 et Q3 et les bases des transistors de sortie, on monte deux circuits de commande de saturation adaptés pour empêcher une saturation élevée des transistors de sortie raccordés et pour réduire les effets-de tout déséquilibre important dans les courants des sources d'entrée sur l'étage pilote. De façon détail- lée, chaque circuit de commande de saturation comprend une résistance RB, RA montée entre une sortie pilote et le transistor de sortie respectif,et un transistor QBQA ayant sa base raccordée à la sortie pilote respec- tive et montée avec ses bornes d'émetteur et de collecteur entre la sortie D de l'étage amplificateur et son entrée A et, de façon plus précise, raccordée au point intermé- diaire entre les sources de courant Il et 12. On prévoit également un condensateur Cc qui était déjà présent dans les étages connus pour assurer la stabilité du système en boucle fermée, et qui a ici, en outre, également la fonction de stabiliser le fonctionnement du circuit de commande de saturation. On va maintenant expliquer le fonctionnement de l'étage amplificateur selon l'invention. Pour une meilleure com- préhension, on va définir ci-après quelques paramètres et on fera quelques hypothèses à titre d'exemples, qui sont d'autant plus précises que le niveau de saturation des transistors finaux est faible. En particulier, défi- nissons: RBEQX est la résistance incrémentale linéarisée de la jonction base-émetteur d'un transistor générique Qx dans un intervalle donné du courant de collecteur compris entre les courants ICMIN et ICMAX. Dans cet intervalle, nous avons donc: RBQ VBEQX(ICMAx) - VBEQX(ICMIN) RBEQX =- ICMAX - ICMIN En conséquence, nous avons: VBEQX(IC) v VBEQX(O) + IC.RBEQX (I) dans laquelle VBEQX(Ic) est la tension base-émetteur d'un transistor générique QX pour un courant de collec- teur IC, VBEQX(O) est l'intersection sur l'axe des abcisses de la ligne droite de pente RBEQX passant par le point VBEQX(ICMAX), ICMAX (voir figure 3), RQXsat est la résistance de saturation du transistor générique QX, de telle sorte que nous avons: VCEax,sat _ Rax,sat - IC VBEQB est la tension base-émetteur du transistor QB à l'état conducteur, VCBQA est la tension collecteur-base du transistor QA à l'état de polarisation inverse. Supposons, en outre, que ces deux derniersparamètres soient constants,, en particulier considérons: VBEQB = VBEQ5(0) (II) VBEQA = VBEQ6(0) Supposons d'abord que le courant amené par la source Il soit plus petit que le courant amené par la source 12, c'est-à-dire I1 Dans ces conditions, les transistors Q1, Q2, Q3, Q6 ne sont plus conducteurs, tandis que les transistors Q4, Q5 le sont. En conséquence, la tension du point de sortie D, VD,tend à atteindre la tension d'alimentation positive VCC. Lorsque la tension au point D augmente, la tension entre la base et l'émetteur du transistor QB augmente également. En conséquence, lorsque la tension VD - VB prend des valeurs voisines de 0,6 V, la jonction base-émetteur du transistor QB est polarisée directement, et le courant commence ainsi à circuler entre l'émetteur et le collec- teur. Le courant de collecteur de QB, amené au point d'entrée A, alimente la base de Q1, l'empêchant d'être complètement non conducteur. En pratique, le courant amené par le transistor QB réduit le déséquilibre entre les courants amenés par les deux sources et empêche le blocage complet des transistors Q1 et Q2. Du fait que: VBEQ5 = VBEQ5(0) + RBEQ5.ICQ5 voir la relation (I) et, en introduisant l'hypothèse (II), on peut écrire: VBEQ5 = VBEQB + RBEQ5.ICQ5 (III) L'équilibre du système survient quand: RQ5,sat- ICQ5=VBEQ5+RB.-IbQ5VBEQB=RBEQ5ICQ5+RB-IbQ5 d'o: RQ5,sat-. Q5 = RBEQ5 ô Q5 + RB et PQ5= RB (IV) RQ5,sat - RBEQ5 Autrement dit, lorsque le transistor final Q5 est saturé avec un gain donné par l'équation (IV) et qui est une fonction de la valeur de résistance du composant RB, en choisissant de façon appropriée cette résistance, il est possible de prédéterminer le niveau de saturation du tran- sistor final, l'empêchant d'atteindre un niveau de satura- tion élevé avec un gain inférieur à celui prédéterminé. Si, au contraire, le courant amené par la source Il est supérieur au courant amené par la source I2, c'est-à-dire I1>I2, le courant en excès de la source Il tend à saturer le transistor Q2 et le transistor Q6, amenant la sortie D à tomber en direction de l'alimentation en courant néga- tive. Lorsque la différence de tension Vc-VD atteint approxima- tivement 0,6 V, polarisant directement la jonction base- collecteur du transistor QA, celui-ci devient conducteur en l'état de polarisation inverse, conduisant le courant de l'émetteur au collecteur. Le courant attiré par Q1 est en pratique soustrait du courant en excès amené par la source Il en direction de la base de Ql,empêchant le tran- sistor Q2 d'atteindre un état de saturation élevée. L'équilibre du système est atteint quand: RQ6,sat ICQ6 = VBEQ6+RA-IbQ6VBCQA dont, comme précédemment, on obtient: RA (V) Q6 = RQ6,sat-RBEQ6 En conséquence, également dans ce cas, le gain de courant du transistor final Q6 dépend de la valeur de la résistance raccordée à la base de sorte qu'il est possible de conce- voir le circuit en réglant le gain de courant et, en con- séquence, le niveau de saturation du transistor Q6. Ce fait est en outre mis en valeur en ce que, dans la conception du circuit, en choisissant de façon appropriée le courant de collecteur amené par les transistors Q7, il est possible d'empêcher la saturation des transistors Q2 et Q7, lors du fonctionnement normal de l'étage ampli- ficateur avec des circuits de commande de saturation en fonctionnement. La figure 4 montre un autre étage amplificateur selon l'invention. Ce circuit est réalisé pratiquement comme celui de la figure 2, mais il comprend en outre des compo- sants appropriés pour certaines applications dans lesquelles il peut arriver que le potentiel du point C soit supérieur à celui du point A, polarisant ainsi directement la jonc- tion base-émetteur du transistor QA, de sorte que celui- ci pilote la base du transistor Q1 d'une manière indésira- ble. Pour empêcher le transistor QA de devenir conducteur dans la région du fonctionnement direct, sur le schéma de la figure 4, on a ajouté une diode QC placée entre l'émetteur QA et le point A et ayant pour fonction d'em- pêcher le transistor QA de conduire le courant du collec- teur à l'émetteur en direction du point A. En outre, le circuit de la figure 4 comprend une deuxième diode QE montée avec son anode raccordée au point A et avec sa cathode raccordée à la base du transistor Q1. En accrois- sant le potentiel du point A de la chute base-émetteur, cette diode empêche le fonctionnement de QA en état de saturation. Dans le circuit de la figure 4, on a en outre introduit des résistances Rc et RD qui sont raccordées d'un côté à l'émetteur du transistor QB et respectivement au collec- teur du transistor QA, et de l'autre côté à la sortie de l'étage amplificateur. Ces résistances peuvent être nécessaires pour réduire le gain tension-courant VB - VD et VC - VD ICQB ICQ4 des transistors raccordés respectifs, améliorant ainsi la stabilité des boucles de commande du gain de satura- tion des transistors de sortie. Comme il apparaît de la description précédente, l'invention atteint complètement les buts qu'elle se propose. En fait, le montage du circuit de commande de saturation permet, d'une part, de réduire le déséquilibre entre les courants d'entrée qui, comme expliqué initialement, provoqueraient le déséquilibre de l'étage amplificateur tout entier et, d'autre part, de prérégler la valeur du gain de saturation dans des situations équilibrées, forçant ainsi les transistors finaux à fonctionner avec le gain préréglé et les empêchant d'être saturés. En outre, on peut prérégler le niveau de saturation au préa- lable en fonction des spécifications, en agissant sur la résistance de RA et RB- En outre, l'intégration du circuit de commande de satura- tion ne soulève pas de difficultésen production ou en intégration, et la surface qu'il occupe est petite. En outre, ce circuit fonctionne de façon fiable et a une stabilité élevée. L'invention ainsi conçue est susceptible de nombreuses modifications et variantes, toutes rentrant dans la portée de la présente invention. En particulier, on doit souligner le fait que les transistors QA et QB peuvent également être montés en sens inverse, en échangeant mutuellement l'émetteur et le collecteur. A ce sujet, on doit souligner le fait que la disposition représentée du transistor QA avec le collecteur raccordé à la sortie et l'émetteur raccordé à l'entrée de l'étage, semble appropriée pour assurer le fonctionnement correct des transistors quelle que soit la tension d'alimentation. En fait, si le transis- tor QA était monté avec l'émetteur raccordé à la sortie, du fait de la tension de claquage inverse faible de la jonction base-émetteur des transistors NPN intégrés (environ 7 volts), lorsque la tension VD-VF dépasse cette tension de claquage, on pourrait constater des défauts de fonctionnement. Au contraire, la tension de claquage inverse de la jonction base-collecteur est toujours conçue de façon à être supérieure à la tension d'alimentation, éliminant ainsi ces problèmes. Le faible gain de courant du transistor QA monté comme représenté ne soulève pas un problème dans le circuit: en fait, il agit sur des circuits à courant faible (circuit d'entrée) en prenant l'information dans le circuit pilote et dans le circuit final de l'étage, qui fonctionne avec des niveaux de courant très supérieurs. Toutefois, si on le désire, si la tension d'alimentation est inférieure à la tension de claquage inverse base- émetteur du transistor QA, celui-ci peut également être monté en sens inverse, c'est-à-dire avec l'émetteur rac- cordé à la sortie de l'étage et le collecteur raccordé à son entrée. Dans ce cas, il peut en conséquence être approprié de monter les résistances de réduction de gain représentées sur la figure 4. Il en est de même pour le transistor QB qui peut être monté avec son émetteur raccordé à l'entrée et avec son collecteur raccordé à la sortie. Dans ce cas également, un fonctionnement inverse et à faible gain pourrait être obtenu, ce qui cependant, comme expliqué ci-dessus, ne constitue pas un problème. L'intégration des résistances RA et RB dans les bases de Q6 et Q5 est également dans la portée de l'invention. Enfin, tous les détails peuvent être remplaçes par d'autres éléments techniquement équivalents. Revendications 1. - Etage amplificateur avec une sortie de collecteurs, comprenant deux sources de courant d'entrée (I1,I2) montées en série entre deux lignes de tension de référence (Vcc, -Vcc) et fournissant des courants d'entrée respectifs, deux transistors de sortie (Q5,Q6), montés en série entre ces deux lignes de tension de référence et définissant une borne de sortie intermédiaire (D) de l'étage amplifica- teur, et un circuit pilote (Ql-Q4,Q7,Rl) comprenant des éléments actifs interposés entre les sources de courant d'entrée et les transistors de sortie, caractérisé en ce qu'il comporte deux circuits de commande (QA-QC,QE,RA- RD) commandant chacun la saturation de l'un des transistors de sortie, chaque circuit de commande comprenant des moyens de résistance (RA,RB) interposés entre le circuit pilote (Ql,Q4,Q7,R1) et le transistor de sortie respectif (Q6,Q5) pour prérégler un gain de saturation d'équilibre de ce transistor de sortie respectif, et des moyens de transistors (QA,QB) ayant leurs bornes de base raccordées au circuit pilote et leurs bornes de collecteur et d'émet- teur montées entre le transistor de sortie respectif (Q6,Q7) et les sources de courant d'entrée (I1,I2), et définissant une contre-réaction négative pour réduire le déséquilibre entre les courants d'entrée fournis par les sources de courant d'entrée. 2. - Etage amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce que les moyens de résistance (RA,RB) de chaque circuit de commande de saturation (QA-QC,QE,RA-RD) comportent.une résistance (RA,RB) ayant une première bor- ne raccordée à une borne de sortie (B,C) du circuit pilote (Q1-Q4,Q7,Rl) et une deuxième borne raccordée à la borne de base du transistor de sortie respectif (Q6,Q5). 3. - Etage amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'au moins l'un (QB) des moyens de transis- tors(QA,QB) a sa borne de base raccordée à une borne de sortie (B) du circuit pilote (Q1-Q4,Q7,R1), sa borne d'émetteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur, et sa borne de collecteur raccordée à un point de raccordement intermédiaire entre les sources de courant (I1,I2). 4. - Etage amplificateur selon une ou plusieurs des reven- dications précédentes, caractérisé en ce qu'au moins l'un (QA) des moyens de transistors(QA,QB) a sa borne de base raccordée à une borne de sortie (C) du circuit pilote (Q1-Q4,Q7,R1), sa borne de collecteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur et sa borne d'émetteur raccordée à un point de raccordement intermédiaire (A) entre les sources de courant (I1,I2). 5. - Etage amplificateur selon une ou plusieurs des reven- - dications précédentes, dans lequel les deux sources de courant comprennent une première et une deuxième source de courant (11,I2) montées en série entre une ligne de tension de référence supérieure et une ligne de tension de référence inférieure (Vcc,-Vcc) et définissant un point de raccordement intermédiaire (A), le circuit pilote (Q1-Q4,Q7,R1) comprend une borne d'entrée raccordée à ce point de raccordement intermédiaire et une première et une deuxième borne de sortie pilote (B,C) et la paire de transistors de sortie comprend un premier transistor de sortie (Q5) ayant sa borne de base raccordée à la première borne de sortie pilote (B), sa borne d'émetteur raccordée à la ligne de tension de référence supérieure (Vcc) et sa borne de collecteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur, et un deuxième transistor de sortie (Q6) ayant sa borne de base raccordée à la deuxième borne de sortie pilote (C), sa borne de collecteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur et sa borne d'émetteur raccordée à la ligne de tension de référence inférieure (-Vcc), caractérisé en ce que la paire de circuits de commande comprend un premier et un deuxième circuit de commande de saturation (QB,RB,QA,RA), que les moyens de transistors(QB) du premier circuit de commande de saturation (QB,RB) comprennent un premier transistor de commande (QB) ayant sa borne de base raccordée à la première borne de sortie pilote (B), sa borne d'émetteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur et sa borne de collecteur raccor- dée au point de raccordement intermédiaire (A), et que les moyens de transistors(QA) du deuxième circuit de commande de saturation (QA,RA) comprennent un deuxième transistor de commande (QA) ayant sa borne de base raccor- dée à la deuxième borne de sortie pilote (C) sa borne de collecteur raccordée à la borne de sortie (D) de l'étage amplificateur et sa borne d'émetteur raccordée au point de raccordement intermédiaire (A). 6. - Etage amplificateur selon la revendication 5, carac- térisé en ce qu'il comporte une diode (QC) ayant sa borne d'anode raccordée au point de raccordement intermédiaire (A) et sa borne de cathode raccordée à la borne d'émetteur du deuxième transistor de commande (QA)- 7. - Etage amplificateur selon les revendications 5 et 6, caractérisé en ce qu'il comporte une diode ayant sa borne d'anode raccordée au point de raccordement intermé- diaire et sa borne de cathode raccordée à la borne d'entrée du Circuit pilote. 8. - Etage amplificateur selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il comporte deux résistances (RC,RD), chaque résistance étant interposée entre l'un des moyens de transistors (QBQA) et la borne de sortie (B) de l'éta- ge amplificateur. ge amplificateur.