Brevet FR2618021A1 — publié le 19890113

7i 2618021 STRUCTURE ET PROCEDE DE TEST POUR CIRCUIT INTEGRE PERMETTANT LA DÉTERMINATION DES EFFETS DE SURFACE DE COUCHES Dans le domaine de la fabrication des circuits intégrés, on procède habituellement par traitement de lots de tranches semi- conductrices, chaque circuit intégré occupant une petite surface, généralement rectangulaire, de chaque tranche. De multiples motifs identiques sont répétés sur la même tranche. Toutefois, pour pouvoir vérifier s'il n'y a pas eu de dérive au cours des procédés de fabrication par rapport aux paramètres préétablis, on prévoit généralement de laisser libres certains des rectangles formes dans le quadrillage de la tranche pour y insérer des motifs de test destinés à vérifier rapidement les caractéristiques propres à la tranche et au lot de fabrication particulier. Ces motifs de test peuvent servir à vérifier des paramètres de fonctionnement alors que la tranche est terminée, avant mise en bottier, ou bien peu- vent être utilisés pour effectuer des vérifications lors d'étapes intermédiaires du processus de fabrication, soit pour corriger des défauts existant au cours d'étapes préalables, soit pour décider du rejet de la tranche avant d'effectuer de trop nombreuses étapes sur celle-ci. En tout cas, les résultats de ce test sont utilisés pour déterminer un réglage particulier de paramètres lors du lot suivant devant théoriquement être traité par le même processus. Parmi les paramètres importants que l'on souhaite déterminer, se trouvent les paramètres de conduction par unité de surface. En effet, souvent dans un circuit intégré, les diverses portions de couche interviennent en fonction de leurs caractéris- tiques surfaciques. Les effets physiques participant à la conduction du courant dans les couches semiconductrices sont d'autant plus complexes que les dimensions dessinées de ces couches sont plus réduites. Au fur et à mesure que la surface des composants élémentaires (diodes, transistors, résistances) se réduit grâce aux progrès des technologies de fabrication, et notamment de la photolithographie, les effets physiques de surface (courant, capacités) s'accompagnent d'effets: - pirimétriques pour des motifs longilignes et étroits, - de coins pour des motifs carrés. D'autre part, un écart inévitable se produit lors de la réalisation de ces couches, entre le dessin des motifs et leur implantation sur silicium. Cet écart dépend directement du procédé de fabrication. Il peut être positif ou négatif. Il est également dispersé en fonction des variations des paramètres de fabrication. Cet écart intégre les imprécisions dans la réalisation de toutes les étapes d'un procédé donné, depuis la réalisation des masques (tolérances de positionnement), en passant par les niveaux de sélection (surgravures des résines dans le cas d'un masquage résine, extensions latérales d'oxyde dans les technologies LOCOS), et les étapes de diffusion ou implantation/recuit (diffusions latérales). Il est fondamental dans tout procédé de fabrication de pouvoir identifier et séparer ces différents effets (surface, périmètre, coins) à la fois en valeur nominale et en dispersion; et de pouvoir suivre leur évolution dans le temps. Dans ce but, les mesures physiques, par microscopie ou analyse dites "spreading resistance", permettent une détermination ponctuelle de ces phénomènes, mais sont trop lourdes pour envisager un suivi sta- tistique. L'utilisation d'un procédé de test électrique mis en oeuvre sur des motifs adaptés, permet une approche plus rapide et utilisable de ces phénomènes, car elle fournit des résultats qui intéressent directement les concepteurs de circuits. Ces résultats sont présentés sous la forme de paramètres électriques unitaires liés à des considérations géométriques. On pratique couramment les unités suivantes: Grandeur électrique Surface Périmètre Coins Densités de courant A/um2 A/um A/coin Capacités de jonctions ou d'oxyde f/um2 f/um f/coin Charges de diffusion C/um2 C/um C/coin (l'abréviation um désigne un microm&tre). Ces informations sont indispensables à la conception, car elles permettent l'optimisation du dessin des composants élémentaires (transistors, diodes,...) dans une technologie donnée, d'o un gain de temps et de coût considérable grâce au nombre d'essais de fabrication fortement réduit avant d'atteindre l'optimum désiré. Par ailleurs, elles sont un outil d'analyse complémen- taire pour les équipes chargées d'optimiser les processus de fabrication. A l'heure actuelle, on utilise par exemple des motifs de test tels que ceux illustrés en figures 1A et lB. La figure 1A représente un premier motif de test. Dans cette figure, le cadre en trait plein 1 désigne le dessin d'un masque ayant servi à former ou à délimiter une couche et le cadre en traits pointillés 2 désigne le motif résultant de cette opération. La figure lB représente un deuxième motif de test associé au premier. De même, le cadre 3 représente un masque de formation de délimitation de couche et le cadre en pointillés 4 désigne la structure obtenue. Les structures des figures 1A et lB se caractérisent par le fait qu'elles ont des rapports périmètre/surface différents. Pour utiliser ces structures, on les incorpore dans un composant électrique élémentaire d'un circuit intégré (résistance, tran- sistor, etc.), de manière qu'un courant soit amené à passer perpendiculairement auxdites couches. Dans de mêmes conditions - d'application de tension, on mesure les courants Il et I2 appa- raissant aux bornes desdites couches, en continu ou en alternatif selon le type de structure. Ayant mesuré ces courants Il et I2, et connaissant les surfaces dessinées SD1 et SD2 des deux motifs ainsi que les périmètres PD1 et PD2 de ces motifs, on détermine les densités de courant JS et JP respectivement associées aux effets de surface et de périmètre des deux structures par les for- mules suivantes: JS x SD1 + JP x PD1 = Il JS x SD2 + JP x PD2 = I2 On notera que pour écrire ces deux équations, on a négligé les effets de coins. Ce procédé présente des inconvénients. En effet, on observe dans les résultats obtenus une imprécision importante qui a pour origine la non prise en compte des effets de coins. Cette imprécision rend inapplicable les résultats à l'optimisation du dessin des composants de petite dimension, o les effets de coins sont prépondérants. Par ailleurs, elle implique une erreur systématique et non évaluable a priori, dans le dessin des com- posants de grandes dimensions. Ce procédé ne permet pas non plus de différencier les effets en X et en Y d'un périmètre. Un objet de la présente invention est de prévoir une nouvelle structure de motifs de test permettant de fournir par des calculs simples et rapides les densités de courant associées aux effets de surface, de périmètre en X, de périmètre en Y et de coins pour des portions de couche de circuit intégré. Pour atteindre cet objet, la présente invention prévoit une structure de test de circuit intégré pour déterminer l'inci- dence de divers effets de conduction dans des couches données et séparer les effets de surface des effets de coin et de périmètre dans deux directions perpendiculaires dans laquelle des motifs de test de formes déterminées sont insérés dans des composants élémentaires comprenant lesdites couches polarisées dans le sens de leur épaisseur, comprenant au moins quatre motifs de test dans lesquels lesdites couches sont délimitées selon quatre rectangles dont chacun se déduit des autres par une dimension commune, c'est- à-dire que ces quatre rectangles n'ont que deux dimensions de longueur et deux dimensions de largeur. Un procédé de test selon la présente invention comprend les étapes suivantes: - connecter ensemble à une première borne les premiers contacts des composants associés à une première face des motifs de test; connecter les autres contacts des composants associés à la deuxième face des motifs à une deuxième borne par l'inter- médiaire de moyens de mesure d'un paramètre électrique; - appliquer entre les première et deuxième bornes une source d'alimentation électrique; mesurer les flux de courant traversant chaque motif de test; - en déduire les effets de surface, de périmètre en X et en Y, et de coin. Ces objets, caractéristiques et avantages ainsi que d'autres de la présente invention seront exposés plus en détail dans la description suivante de modes de réalisation particuliers faite en relation avec les figures jointes parmi lesquelles: les figures 1A et lB décrites précédemment étaient destinées à exposer les inconvénients de motifs de test selon l'art antérieur; les figures 2A à 2D représentent des motifs de test selon la présente invention; la figure 3 représente de façon extrêmement schématique un mode de connexion de motifs de test selon la présente invention pour permettre une mesure simple de paramètres de conduction sur- facique des couches concernées; et les figures 4A et 4B représentent respectivement une vue de dessus et une vue en coupe d'un motif de test selon la présente invention incorporé dans un transistor NPN, constituant un mode de réalisation particulier de la présente invention. Dans les figures 2A à 2D, on peut voir quatre dessins de masque 11 à 17 disposés en carré et les motifs réels résultants 12 à 18. Comme le montrent les figures, chacun des masques se déduit des deux masques adjacents par le fait qu'il possède les mêmes dimensions en X ou en Y. Ainsi, si pour chaque motif de masque on désigne par XD la dimension en X dessinée et par YD la dimension en Y dessinée, on a XD1 = XD3, XD2 = XD4, YD1 = YD2 et YD3 = YD4. On notera que: - Chacun des motifs présente des effets de surface, périmètres et coins avec une pondération différente dans le phénomène global observé (courant vertical ou capacité de charge). - Les surfaces et périmètres réels de chaque motif après fabrication sont différents des surfaces et périmètres dessinés ces écarts sont, a priori, indéterminés. - L'hypothèse de couche mince est vérifiée, c'est-à-dire que la profondeur XJ de la couche considérée reste petite par rap- port à la longueur et la largeur du motif minimum (environ 10 Z de la plus petite de ces dimensions ou moins). Pour tous les motifs de test 11 à 17, la grandeur élec- trique dont on cherche à déterminer les grandeurs unitaires est mesurée dans des conditions identiques (polarisation en tension, température, etc. ) de façon que les différences observées ne soient imputables qu'à un changement de géométrie. Par exemple, on pourra incorporer les quatre motifs de test décrits en figures 2A à 2D dans des émetteurs de transistors NPN verticaux et adopter le schéma illustré en figure 3 dans lequel chacun des motifs de test 11 à 17 est incorporé en tant que motif d'émetteur d'un transistor 21 à 27. Les émetteurs de ces transistors sont reliés ensemble et à la masse par l'intermédiaire d'une source de courant 30. Cette configuration permet d'assurer que les jonctions base-émetteur des 4 motifs soient polarisées: - sous la même tension, - à un niveau de courant total bien défini, imposé par la source de courant, tel que les chutes de tension dues aux résistances parasites d'accès aux jonctions soient négligeables. La polarisation des jonctions par une source de tension per- mettrait de garantir l'équipotentialité des jonctions base- émetteur, mais pas le niveau de courant. Tous les collecteurs de ces transistors sont reliés à la masse par l'intermédiaire d'ampèremètres 31 à 37. Des ampèremètres 32 à 38 sont destinés à contr8ler le courant de base de chaque transistor. Si l'on mesure tous les courants de collecteur, *les relations entre les courants mesurés I1, I2, I3, I4 et les com- posantes élémentaires de courant peuvent être représentées simple- ment sous forme matricielle. Il| |4 XD1 x YD1 2YD1 2XD1 Jcoinl 1 1 1I I I I I I21 4 XD2 x YD2 2YD2 2XD2 1 JS I I I=1 IIx I I I131 4 XD3 x YD3 2YD3 2XD31 I JPX Il I l I I I LI41 I4 XD4 x YD4 2YD4 2XD41 IJY [I] = [G] x [J], o I est le courant de base ou de collecteur et J la densité de courant correspondante. Dans cette équation, I1, I2, I3, I4 désignent les courants mesurés (I = IC ou IB). Les différents éléments de la matrice G sont des coef- ficients pondérateurs associés aux flux élémentaires de courant collecteur ou base (coins, surface et périmètre en X et Y); ces valeurs sont connues d'après le dessin des masques. Le vecteur J est le vecteur des densités de courant à déterminer. Jcoin est le flux associé à un coin, JS le flux de surface exprimé en ampères par micromètre2, JPX et JPY sont les flux associés aux bords en X et Y, mesurés en ampères par micro- mètre. Ces flux intègrent tous les effets de bords tels que la surgravure, la diffusion latérale, la variation d'épaisseur de base à la périphérie de l'émetteur. Ces effets de bord sont différents selon que l'on considère le courant de collecteur ou le courant de base. Selon un avantage de la présente invention et en raison du choix particulier des dimensions des quatre rectangles, il n'est pas nécessaire d'inverser la matrice G. En effet, compte tenu du fait que XD1 = XD3, YD1 = YD2, XD2 = XD4 et YD3 = YD4, on obtient directement l'inconnu JS en décomposant le plus grand motif (figure 2D) en quatre régions dont trois sont communes aux motifs des figures 2A, 2B et 2C. Ainsi, I4 - I3 - I2 + I1 = JS x (SD4 - SD3 - SD2 + SD1) avec SD1, SD2, SD3, SD4: surfaces dessinées des quatre motifs. Le flux unitaire de surface JS est obtenu facilement: - sans connaissance a priori des écarts entre dimensions réelles et dessinées, - en s'affranchissant des effets de coins. JPX et JPY sont définis respectivement par les relations suivantes: JPX = [I4 - I2 - JS x (SD4 - SD2)]/[2 x (YD4 - YD2)] JPY = [I4 - I3 - JS x (SD4 - SD3)]/[2 x (XD4 - XD3)] Jcoin est défini à partir de la mesure de I1 et des autres paramètres JS, JPX, JPY. I1 = 4 x Jcoin + 2 XDl JPY + 2 YDl JPX + XD1 YDlJS d'o: Jcoin = 1/4 [Il 2 XDl JPY - 2 YD1 JPX - XDl YD1 JS] Enfin, on' détermine les écarts équivalents dX et dY entre dimensions réelles et dessinées séparément selon les axes X et Y. Tout courant sans effet de coin s'exprime sous la forme: I - 4 Jcoin = JS x S + JPX 2XD + JPY 2YD = JS x S [1 + (JPX 2YD + JPY 2XD)/(JS x S)] Les écarts équivalents dX et dY sont définis en iden- tifiant la relation précédente avec la relation suivante: I - 4 Jcoin = JS x [S + dX x 2YD + dY x 2XD] = JS x S [1 + dX x (2YD/S) + dY x (2XD/S)] d'o: dX = JPX/JS dY = JPY/JS. Ainsi, les avantages du procédé selon la présente inven- tion sont notamment les suivants: - les grandeurs de surface et de périmàtre sont déter- minées à partir des grandeurs mesurées en ne faisant intervenir que des différences de cotes dessinées; - non seulement les écarts entre cotes réelles et cotes dessinées n'ont pas à être connus a priori, mais en plus on peut déterminer les paramètres associés équivalents: sans faire d'hypothèse simplificatrice (telle que la non prise en compte des effets de coins), séparément sur les axes X et Y, localement sur la puce, d'o il résulte que l'on prend en compte la dispersion spatiale inévitable sur une plaquette donnée. - si le motif 11 est dessiné conformément aux règles minimum du procédé de fabrication, les grandeurs électriques de tout nouveau composant peuvent être prévues par la superposition de grandeurs unitaires, ce qui permet d'optimiser le dessin du composant par rapport à la performance électrique attendue. La grandeur électrique globale attendue est définie simplement par: I - 4 x Jcoin + 2JPX x YD + 2JPY x XD + JS x XD x YD Contribution Contribution du Contribution du Contribution des angles périmètre en X périmètre en Y de surface ou bien: I = Il + 2 JPX x (YD-YD1) + 2 JPY x (XD-XD1) + JS(XD x YD-XD1 x YD1) Contribution Contribution Contribution Contribution du motif 11 du périmètre.du périmètre de surface en X (hors en Y (hors (hors motif 11) motif 11) motif 11)- Le principe de la symétrie des motifs de la structure ainsi que le procédé de mesure sont applicables à l'évaluation de grandeurs de surface et de périmètre de tout type de composant telles que: 5. les densités de courant des transistors bipolaires: - de la jonction base/émetteur - de la jonction base/collecteur, les longueurs et largeurs effectives des transistors MOS, 10. les capacités d'oxyde ou de jonction, les résistances (puits collecteur vertical...). Chaque fois qu'un phénomène physique peut se décrire sous la forme d'un flux de particules élémentaires à travers une surface plane dans un volume mince, associé à un flux pgrimétrique situé aux limites de cette surface, l'invention peut être utilisée. Dans le domaine des semiconducteurs o les conditions de fabrication sont inévitablement dispersées, l'invention, de part sa souplesse de mise en oeuvre et sa précision, permet un suivi statistique des grandeurs électriques unitaires associées aux phé- nomènes physiques élémentaires que sont les flux de courant, ou de charges en corrélation étroite avec les conditions de fabrication. Les figures 4A et 4B montrent mieux comment l'un des motifs de test, par exemple le motif 11 peut être inséré dans un transistor pour servir de test des caractéristiques de conduction orthogonalement à la surface d'une couche d'émetteur. La figure 4A représente un dessin de masque vu de dessus et la figure 4B est une vue en coupe de la structure correspondante. Ainsi, en figure 4A, des éléments indiqués par une référence impaire indiquent une ouverture de masque alors qu'en figure 4B, les zones désignées par une référence paire d'une unité supérieure à celle de la figure 4A indiquent les couches obtenues par le dessin de masque correspon- dant. Ainsi, l'ensemble de masques 21 représenté en figure 4A fournit la structure 22 de la figure 4B. La couche que l'on veut plus particulièrement tester est la couche d'émetteur 12 correspondant au dessin de masque 11. Le transistor NPN 22 a été représenté dans le cadre d'une technologie particulière sur un substrat 40 de type P, les éléments actifs étant entourés d'une zone 42 de type P pour former des caissons d'une couche épitaxiée 44 de type N au fond desquels se trouve une couche enterrée 46 de type N+. bans cette couche enterrée sont successivement amenées à diffuser une région de base 48 et des régions d'émetteur et de collecteur 12 et 50. Enfin, des métallisations d'émetteur 52, de base 54 et de collecteur 56 sont formées sur les régions de contact correspondantes. La conduction dans la couche d'émetteur 12 se fait perpendiculairement à la surface de cette couche vers la couche enterrée 46 puis vers la zone de contact de collecteur 50 et la métallisation de collecteur 56. Eventuellement, dans certaines techniques, un puit collecteur permet de rejoindre la couche enterrée 46. Ainsi, selon la présente invention, on utilisera quatre transistors tels que celui représentés en figure 4A et 4B, les formes des émetteurs correspondant aux formes représentées en figures 2A à 2D. Il convient de préciser que l'application particulière de la figure 3 et des figures 4A et 4B ne constitue qu'un exemple d'utilisation de la structure de test selon la présente invention. Au lieu de mesurer des passages de courant à travers des couches, on pourrait éventuellement envisager, par exemple pour tester des oxydes de grille dans des structures de type MOS, d'appliquer des différences de potentiel et d'effectuer des mesures de capacité. De même, on peut envisager des mesures en courant alternatif si cela s'avère souhaitable. On trouvera ci-après des formules qui résument la façon dont oh peut extraire des paramètres recherchés à partir des mesures effectuées sur des motifs de test selon l'invention, ainsi que les relations entre les incettitudes de mesure inévitables et les incertitudes finales sur les paramètres obtenus. DENSITE DE COURANT DE SURFACE JS = (I4 - I3 - I2 + I1) / (SD4 - SD3 - SD2 + SD1) dJS/JS = (dI4 + dI3 + dI2 + dIl) / (I4 - I3 - I2 + I1) DENSITE DE COURANT DE PERIMETRE EN X ET INCERTITUDE ABSOLUE JPX = [I4 - I2 - JS x (SD4 -SD2)] / [2(YD4 - YD2)] JPX = [(I4 - I2) (SD1 - SD3) + (I3-I1) (SD4 - SD2)] / [2 (YD4 - YD2) (SD4 - SD3 - SD2 + SD1)] dJPX = [(dI4 + dI2) (SD3 - SD1) + (dI3 + dIl) (SD4 - SD2)] / [2 (YD4 - YD2) (SD4 - SD3 - SD2 + SD1)] DENSITE DE COURANT DE PERIMETRE EN Y ET INCERTITUDE ABSOLUE JPY = [I4 - I3 - JS x (SD4 - SD3)] / [2(XD4 - XD3)] JPY = [(I4 - I3) (SD1 - SD2) + (I2 - I1) (SD4 - SD3)] / [2 (XD4 - XD3) (SD4 - SD3 -SD2 + SD1)] dJPY = [(dI4 + dI3) (SD2 - SD1) + (dI2 - dIl) (SD4 - SD3)] / [2 (XD4 - XD3) (SD4 - SD3 -SD2 + SD1)] DENSITE DE COURANT DE COIN ET INCERTITUDE ABSOLUE Jcoin = 0,25 x [I1 - 2XD1 JPY - 2YD1 JPX - XD1 YD1 JS] dJcoin = 0,25 x [dIl x A1 + dI2 x A2 + dI3 x A3 + dI4 x A4] avec: A1 = [1 - SD1/(SD4 - SD3 - SD2 + SD1)] A2 = YD1/(YD4 - YD2) + SD1/(SD4 - SD3 - SD2 + SD1) A3 = XD1/(XD4 - XD3) + SD1/(SD4 - SD3 - SD2 + SD1) A4 = XD1/(XD4 - XD3) + YD1/(YD4 - YD2) + SD1/(SD4-SD3-SD2+SDl) EXTENSION DE SURFACE EQUIVALENTE EN X ET INCERTITUDE ABSOLUE dX = JPX/JS d(dX) = [(SD4-SD3-SD2+SD1) / 2(YD4-YD2)] x [1/(I4-I3-I2+I1)2] x [(13 - I1) (dI4 + dI2) + (I4 - 12) (dIl + dI3)] EXTENSION DE SURFACE EQUIVALENTE EN Y ET INCERTITUDE ABSOLUE dY = JPY/JS d(dY) = [(SD4-SD3-SD2+SD1) / 2(XD4-XD3)] x [1/(I4-I3-I2+I1)2] x [(I2 - I1) (dI4 + dI3) + (I4 - I3) (dIl + dI2)] REVENDICATIONS 1. Structure de test de circuit intégré pour déterminer l'incidence de divers effets de conduction dans des couches données et séparer les effets de surface des effets de coin et de périmètre dans deux directions perpendiculaires dans laquelle des motifs de test de formes déterminées sont insérés dans des com- posants élémentaires comprenant lesdites couches polarisées dans le sens de leur épaisseur, caractérisée en ce qu'elle comprend au moins quatre motifs de test (11, 13, 15, 17) dans lesquels les- dites couches sont délimitées selon quatre rectangles dont chacun se déduit des autres par une dimension commune, c'est-à-dire que ces quatre rectangles n'ont que deux dimensions de longueur (YD) et deux dimensions de largeur (XD). 2. Structure de test d'une couche de circuit intégré pour déterminer l'incidence du processus de fabrication sur des composants comprenant des parties de ladite couche dans.laquelle, dans une zone de test, on forme au moins quatre composants élémen- taires comprenant des portions de ladite couche, caractérisée en ce que, dans lesdits composants élémentaires de test, les parties de ladite couche ont des formes rectangulaires qui présentent deux à deux une dimension commune. 3. Procédé de test utilisant une structure de test selon l'une des revendications 1 et 2, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: - connecter ensemble à une première borne les premiers contacts des composants associés à une première face des motifs de test; - connecter les autres contacts des. composants associés à la deuxième face des motifs à une deuxième borne par l'intermédiaire de moyens de mesure d'un paramètre électrique; - appliquer entre les première et deuxième bornes une source d'alimentation électrique; - mesurer les paramètres électriques fournis par la source d'alimentation; - en déduire les effets de surface, de périmètre en X et en Y, et de coin.