Brevet FR2616030A1 — publié le 19881202

PROCEDE DE GRAVURE OU DE DEPOT PAR PLASMA ET DISPOSITIF POUR LA MISE EN OEUVRE DU PROCEDE DESCRIPTION La présente invention concerne un procédé de gravure ou de dépôt par plasma ainsi qu'un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé. L'invention trouve une application dans la gravure de couches de nature quelconque (isolante, conductrice, semi- 1 conductrice) ou le dép8t de couches de nature quelconque (isolante, conductrice, semi-conductrice) sur des substrats quelconques (conducteurs, semi-conducteurs, isolants). L'invention s'applique particulièrement bien au domaine de la microélectronique et notamment à la réalisation de têtes d'enregistrement magnétique. De façon connue, pour réaliser des gravures ou des dépôts de couches par plasma, on engendre ledit plasma en faisant réagir un milieu gazeux approprié avec des ondes hyperfréquences ou avec des ondes radiofréquences. L'interaction des ondes hyperfréquences ou radiofréquences avec le milieu gazeux permet en effet de dissocier le milieu gazeux en espèces ionisées (ions, électrons) et en espèces neutres (atomes, molécules), ces différentes espèces constituant le plasma. Ce plasma permet d'initier des réactions chimiques sur la couche à graver ou sur le substrat sur lequel la couche est à déposer. Suivant la composition du milieu gazeux, le plasma engendré permet donc de graver ou de déposer une couche, la nature de la couche déposée étant liée à la composition du milieu gazeux. Un dispositif permettant de créer un plasma par des ondes hyperfréquences est par exemple décrit dans la demande de brevet français FR-A-2 534 040 et un dispositif permettant de créer un plasma par des ondes radiofréquences est par exemple décrit dans la demande de brevet FR-A-2 538 987. 2 616030 Dans le reste de la description, on définit les caractéristiques d'une gravure effectuée dans une couche à l'aide d'un plasma par la vitesse Vg, l'anisotropie A et la sélectivité S de la gravure. L'anisotropie d'une gravure A est déterminée par tle rapport entre la largeur maximum de la gravure réalisée sous le matériau constituant le masque de la gravure et la profondeur de la gravure; plus l'anisotropie A est faible, plus la gravure est anisotrope. La sélectivité S d'une gravure correspond au rapport entre la vitesse de gravure de la couche à graver et la vitesse de gravure du masque de la gravure. Plus la sélectivité S est grande, plus la sélectivité de la gravure est bonne. Par ailleurs, on définit les caractéristiques d'une couche déposée à l'aide d'un plasma par la vitesse de dépôt Vd, l'indice de réfraction n et la température T de dépôt. L'indice n peut être déterminé par la méthode d'élipsométrie. Il permet de caractériser les empilements suivant lesquels les éléments constituant la couche se déposent. Pour une couche en SiO, x lorsque x=2 (SiO) l'indice de réfraction est égal à 1,45. La température de dépôt est une caractéristique importante du dép8t; en effet, il est avantageux d'opérer à des températures les plus basses possibles afin de ne pas dégrader le substrat sur lequel la couche est déposée, en particulier dans le cas o le substrat est en résine ou contient des métaux du type aluminium, et pour ne pas créer trop de défauts cristallins dans le substrat. Les procédés de gravure par plasma engendré par des ondes hyperfréquences ou par des ondes radiofréquences ne permettent pas d'obtenir à la fois une vitesse importante de gravure, une bonne sélectivité de gravure et un profil de gravure anisotrope. En effet, la vitesse et la sélectivité d'une gravure effectuée par un plasma engendré par des ondes radiofréquences sont inférieures à celles d'une gravure effectuée par un plasma engendré par des ondes hyperfréquences dans les mêmes conditions. Cependant, un plasma engendré par des ondes radiofréquences permet de réaliser une gravure parfaitement anisotrope tandis qu'une gravure réalisée par un plasma engendré par des ondes hyperfréquences est isotrope, autrement dit présente une anisotropie A élevée. Par ailleurs, les procédés de dépôt par plasma engendré par des ondes hyperfréquences ou par des ondes radiofréquences ne permettent pas à la fois d'obtenir un bon indice de réfraction et de réaliser des dépôts avec une vitesse importante et une température basse. En effet, l'indice de réfraction n d'un dépôt réalisé par un plasma engendré par des ondes radiofréquences- est généralement meilleur que celui d'un dépôt réalisé par un plasma engendré par des ondes hyperfréquences. Cependant, avec un plasma engendré par des ondes hyperfréquences, la vitesse de dépôt est supérieure à celle d'un plasma engendré par des ondes radiofréquences et la température de dépôt peut être inférieure à celle d'un dépôt effectué par un plasma engendré par des ondes radiofréquences. De plus, le dépôt d'une couche réalisé par un plasma engendré par des ondes hyperfréquences ou par des ondes radiofréquences, sur un substrat présentant un relief, ne permet pas d'atténuer le relief du substrat, ce type de dépôt n'est pas planarisant. De ce fait, la couche déposée présente des variations importantes de relief conduisant au voisinage de ces variations à une plus forte réflectivité et à une mauvaise adhésivité de la couche sur le substrat de dépôt. Dans le cas-du dépôt d'une couche conductrice, ces variations de relief conduisent en outre à la création de zones plus ou moins conductrices. On connaît également par le brevet US-A-4298419 un procédé de gravure par plasma engendré par des ondes hyperfréquences dans lequel on applique une tension alternative dans le domaine des radiofréquences au substrat à graver pour obtenir une vitesse de gravure élevée lorsque le substrat est isolant ou recouvert d'isolant. Cependant, les vitesses de gravure obtenues avec ce procédé restent faibles puisqu'elles sont inférieures à 0,1/Lm/min. Dans ce procédé, le plasma est engendré par couplage entre un guide d'onde et une colonne de gaz sans direction préférentielle et focalisé sur le substrat par création d'un champ magnétique. Pour des valeurs élevées de ce champ magnétique, on obtient la résonance cyclotronique des électrons qui accroit la dissociation du plasma. Ceci exige l'emploi de pressions relativement basses, inférieures à 6,5 Pa (50 mTorr) et de forts débits de pompage. De plus, ce procédé ne conduit à une amélioration notable de la vitesse de gravure que dans le cas de substrats isolants. La présente invention a précisément pour objet un procédé et un dispositif de gravure ou de dépôt d'une couche qui permet notamment de remédier aux inconvénients précédents. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de gravure d'un substrat ou de dépôt d'une couche à l'aide d'un plasma, ce procédé est caractérisé en ce que l'on confine sur le substrat par une cellule en matériau transparent aux ondes hyperfréquences un plasma gazeux engendré par couplage monomode transversal entre un guide d'onde parcouru par des ondes hyperfréquences et la cellule dans laquelle au moins une partie du milieu gazeux de dépôt ou de gravure circule perpendiculairement aux ondes hyperfréquences pour être dirigé sur le substrat et en ce que l'on applique simultanément au substrat une tension électrique continue ou une tension électrique alternative ayant une fréquence dans le domaine des radiofréquences. Généralement, on réalise le dépôt ou la gravure sous une pression allant de 0,1 à 300 Pa, de préférence de 1 à 100 Pa. On précise que dans l'invention, on entend par substrat, aussi bien un seul matériau qu'une superposition de couches de matériaux différents, la gravure étant dans ce cas effectuée sur la dernière couche protégée vu non par un masque. De préférence, la cellule en matériau transparent aux ondes hyperfréquences débouche 'au-dessus du substrat par une partie évasée. Lorsqu'on utilise le procédé de t'invention pour la gravure d'un substrat, on peut ainsi obtenir des vitesses de gravure éLevées, notamment lorsque le substrat ou la surface supérieure de celui-ci est en matériau conducteur ou semi- conducteur, par exemple en silicium polycristallin. Ceci provient en particulier du mode de création et de confinement du plasma. En effet, le fait d'utiliser un plasma propagatif dirigé sur le substrat par une cellule en matériau transparent aux rayonnements électromagnétiques qui débouche sur le substrat par une partie évasée, permet de confiner le plasma sur le substrat et d'opérer à des pressionss supérieures à celles utilisées dans le brevet américain US-A-4298419. En opérant à des pressions plus élevées, on peut obtenir des débits de gaz supérieurs, par exemple de l'ordre de 100 Cm standard/min et créer ainsi plus d'espèces réactives, ce qui permet d'augmenter la vitesse de gravure d'un facteur de 10. Ainsi, avec le procédé de l'invention, en opérant sous une pression de 13,5 Pa, on peut atteindre une vitesse de gravure du silicium d'au moins 15psm/min alors que le procédé du brevet US-A-4298419 ne conduit qu'à des vitesses de gravure du silicium d'environ 0,015,pm/min. Dans le procédé de l'invention, grâce au mode de propagation du plasma micro-onde, et au mode de couplage entre le plasma et l'onde hyperfréquence, l'application d'une tension électrique alternative ou continue sur le substrat permet d'améliorer le profil de la gravure. L'application d'une tension alternative au substrat crée au voisinage de celui-ci une gaine qui s'oppose à l'arrivée des espèces réactives du plasma micro-onde et abaisse de ce fait la sélectivité et la vitesse de gravure d'un matériau semi- conducteur tel que le silicium, en augmentant l'anisotropie du profil de gravure. Dans le procédé du brevet américain, lorsque le substrat est en matériau isolant, ou comporte une couche de surface isolante, par exemple en SiO, on obtient une vitesse de gravure plus élevée que dans le cas du silicium, alors que l'on obtient un phénomène inverse avec le procédé de l'invention, lorsque l'on opère à une pression d'environ 10 Pa, puisque dans ce cas, la vitesse de gravure de L'oxyde de silicium est plus faible que celle du silicium. Dans le procédé de l'invention, les ondes hyperfréquences sont couplées avec le plasma à l'intérieur de la cellule en matériau transparent aux ondes hyperfréquences. Il se crée ainsi un équilibre entre le plasma qui possède ses propres caractéristiques énergétiques et les ondes hyperfréquences. Celles-ci sont transmises directement au plasma par l'intermédiaire du guide d'onde et de la cellule. Par ailleurs, il n'est pas nécessaire d'utiliser un champ magnétique pour ioniser fortement le milieu gazeux. Dans le procédé du brevet américain, les ondes hyperfréquences engendrent le milieu excité à l'extrémité de leurs lignes de propagation qui se situe sur la chambre de décharge et la présence du champ magnétique permet de confiner les espèces dissociées sur le substrat afin d'éviter leur recombinaison sur les parois de la chambre de décharge. Ainsi, avec le procédé de l'invention, on peut obtenir une meilleure sélectivité de gravure du silicium par rapport à un masque en SiO2, et pour l'obtention d'un profil donné, on peut avoir une meilleure vitesse de gravure (au moins 10m/min) et une meilleure sélectivité, généralement supérieure à 100 lorsqu'on opère sous 10 Pa. Le procédé de l'invention permet avec un milieu gazeux approprié de déposer par exemple des matériaux isolants tels qu'un oxyde de silicium (SiO), du nitrure de silicium (Si N), x y z des matériaux semiconducteurs tels que du silicium amorphe et des matériaux conducteurs tels que du tungstène (W), de l'aluminium (AL). Ce procédé permet également avec un milieu gazeux approprié de graver par exemple des matériaux isolants tels que des matériaux organiques (polyimides, résines. ), des matériaux semi-conducteurs tels que le silicium polycristallin, monocristallin ou amorphe, les composés III-V et des matériaux conducteurs tels que le tungstène, le molybdène, le tantale, le..DTD: niobium, le titane et leurs siliciures. Le procédé de l'invention permet dans le cas de la gravure, de réaliser un compromis entre la sélectivité S, la vitesse Vg et l'anisotropie A de la gravure obtenue avec des plasmas engendrés soit par des ondes hyperfréquences soit par des ondes radiofréquences. Le procédé de l'invention permet en effet d'améliorer la vitesse Vg et la sélectivité S d'un procédé de gravure par plasma engendré par des ondes radiofréquences tout en conservant une bonne anisotropie A de la gravure. De ce fait, le procédé de l'invention est particulièrement intéressant pour réaliser des gravures profondes comme par exemple pour la mise en oeuvre de têtes d'enregistrement magnétiques. A titre d'exemple comparatif, lorsque l'on grave du silicium monocristallin à travers un masque de SiO à l'aide d'un plasma réalisé dans une enceinte à partir d'un milieu gazeux contenant de l'hexafluorure de soufre (SF), de l'argon (Ar) et de l'oxygène (0) introduits dans l'enceinte à des débits 2 3 3 3 respectivement de 15 cm /min., de 15 cm /min. et de 5 cm /min., à une pression de l'ordre de 1 Pa et à une température de 80 C, on obtient les résultats suivants: - pour un plasma engendré par des ondes radiofréquences de puissance 200 W: Vg = 0,1 um/min., S = 1,5, A = O pour un plasma engendré par des ondes hyperfréquences de puissance 800 W: Vg = 15 *m/min., S = 64, A = 0,52 - pour un plasma engendré par des ondes radiofréquences et hyperfréquences de puissance respectivement 200 W et 800 W: Vg = 8$m/min., S = 10, A 0,05 Par ailleurs, le procédé de l'invention permet dans le cas d'un dépôt de réaliser un compromis entre les vitesses de dépôt Vd, les indices de réfraction n et les températures T de dépôt obtenus avec des plasmas engendrés soit par des ondes hyperfréquences, soit par des ondes radiofréquences. Le procédé de l'invention permet en effet d'obtenir, en associant. des ondes hyperfréquences et radiofréquences, une vitesse de dépôt du même ordre de grandeur que celle d'un plasma engendré par des ondes radiofréquences, un indice de réfraction n pratiquement parfait et une température pouvant être inférieure à celle des procédés de dépôt par plasma engendré par des ondes radiofréquences ou hyperfréquences. A titre d'exemple comparatif, lorsque l'on veut déposer du dioxyde de silicium (SiO) sur un substrat en silicium, à l'aide d'un plasma réalisé dans une enceinte à partir d'un milieu gazeux comprenant du silane (SiH), de l'oxyde d'azote (N O20) ou 4 2 de la vapeur d'eau (H 0) et de l'argon (Ar) introduits dans 2 3 l'enceinte à des débits respectivement de 50 cm /min., de 500 3 3 cm /min. et de 100 cm /min., à une pression de l'ordre de 1 Pa, on obtient les résultats suivants: - pour un plasma engendré par des ondes radiofréquences de puissance 150 W: o Vd = 750 à 900 A/min, n = 1,47, T = 300 C, - pour un plasma engendré par des ondes hyperfréquences de puissance 600 W: o Vd = 1000 A/min, n = 1,50, T = 200 C, - pour un plasma engendré par des ondes radiofréquences et hyperfréquences de puissance respectivement 100 W et 600 W: o Vd = 2000 A/min, n = 1,45, T En outre, avec le procédé de l'invention, une couche déposée sur un substrat présentant un relief permet d'atténuer le relief du substrat en comblant mieux les trous que les couches déposées avec les procédés connus; le procédé de l'invention permet donc notamment une meilleure adhérence de la couche sur Le substrat. Pour mettre en oeuvre le procédé de l'invention, les ondes hyperfréquences et les ondes radiofréquences sont établies indépendamment les unes des autres. Les ondes radiofréquences amorcent la création dudit plasma et permettent ainsi aux ondes hyperfréquences de se coupler au plasma pour contribuer également à la création dudit plasma. Pour qu'il n'y ait pas d'interaction parasite entre les ondes hyperfréquences et les ondes radiofréquences, l'interaction des ondes hyperfréquences avec le milieu gazeux se fait à distance de l'interaction des ondes radiofréquences avec le milieu gazeux. Cette distance est par exemple choisie de l'ordre de 7 cm. La distance établie entre ces deux types d'interaction permet de ne pas perturber la propagation des ondes hyperfréquences et radiofréquences et d'assurer une bonne superposition de celles-ci dans le milieu gazeux. La fréquence des ondes hyperfréquences est par exemple comprise entre 0,2 GHz et 9 GHz et celle des ondes radiofréquences est comprise entre 0,02 MHz et 15 MHz. De façon avantageuse, le milieu gazeux utilisé comprend un gaz choisi parmi les gaz rares et l'hydrogène, afin de stabiliser les décharges créées par les ondes hyperfréquences et radiofréquences. En effet, la dissociation d'un gaz rare ou de l'hydrogène permet d'obtenir des espèces ionisées et neutres à durée de vie importante, permettant ainsi de maintenir un certain temps les décharges provoquées par l'interaction des ondes hyperfréquences et radiofréquences avec le milieu gazeux. Comme gaz rare, on utilise par exemple de l'argon (Ar), de l'hélium (He) ou du neon (Ne). Dans le cas d'une gravure, le milieu gazeux comprend de façon avantageuse un gaz halogéné choisi par exemple parmi les gaz fluorés, les gaz chlorés et un mélange de gaz fluorés et chlorés afin d'obtenir un plasma le plus réactif possible. Par ailleurs, dans le cas d'une gravure, le milieu gazeux comprend un gaz permettant la formation de produits volatils à partir par-exemple de molécules ou d'atomes provenant de la couche lors de la gravure. Selon un mode préféré de réalisation du procédé de l'invention, applique à- la gravure du silicium, on utilise un milieu gazeux formé d'hexafluorure de soufre (SF), d'oxygène (02) et d'un gaz rare tel que l'argon (Ar). Mais bien entendu, on pourrait remp2acer L'hexafuorure de soufre par un autre gaz pourrait remplacer l'hexafluorure de soufre par un autre gaz halogéné, l'oxygène par exemple par de l'oxyde d'azote et Le gaz rare par l'hydrogène. Selon un autre mode préféré de réalisation du procédé de l'invention, appliqué au dépôt d'une couche d'oxyde de silicium, on utilise un milieu gazeux formé de silane (SiH), d'oxyde d'azote (N 2O), et d'un gaz rare tel que l'argon. Mais bien entendu, on pourrait remplacer le silane par un organo-silane ou encore par un silane halogéné ou un organosilane halogéné, l'oxyde d'azote par de la vapeur d'eau et le gaz rare par de l'hydrogène. Selon un autre mode préféré de réalisation du procédé, appliqué au dépôt d'une couche métallique, on utilise un milieu gazeux comprenant un composé organométallique et au moins un gaz inerte tel que l'azote et l'argon. A titre d'exemple, on peut utiliser des composés organiques d'aluminium ou d'argent pour déposer une couche d'aluminium ou d'argent. L'utilisation de tels composés est avantageuse car ils sont facilement décomposés dans un plasma. Le procédé de l'invention peut être également appliqué au dépôt de nitrure de siliGium, de siliciure de titane et de métaux tels que le tungstène et le molybdène. Dans le cas du nitrure de -silicium, on utilise un milieu gazeux formé de silane (SiH), d'azote (N) et d'un gaz 4 2 rare tel que l'argon. Dans le cas du siliciure de titane, on utilise un milieu gazeux formé de tétrafluorure de titane, de silane (SiH) et d'un gaz rare tel'que l'argon. Dans le cas du tungstène, on utilise un milieu gazeux comprenant de l'hexafluorure de tungstène WF, de l'hydrogène et de l'argon; dans le cas du molybdène, le milieu gazeux comprend de l'hexafluorure de molybdène MoF, de l'hydrogène et de l'argon. 6- L'invention a également pour objet un dispositif de gravure d'au moins un substrat ou de dépôt d'une couche à l'aide d'un plasma; ce dispositif comprend: - un support logé dans une enceinte étanche, apte à supporter le ou les substrats, - des moyens de pompage reliés à l'enceinte, - une cellule cylindrique en matériau transparent aux ondes hyperfréquences débouchant dans l'enceinte par une partie évasée, - un système de guide d'ondes disposé autour de la cellule cylindrique de façon que l'axe du guide d'ondes soit perpendiculaire à l'axe de la cellule cylindrique, des moyens pour introduire dans la cellule un milieu gazeux, - des moyens pour engendrer des ondes hyperfréquences dans le guide d:'ondes, et - des moyens pour appliquer une tension électrique continue ou alternative au(x) substrat(s). Dans le dispositif de l'invention, le guide d'onde permet de transmettre les ondes hyperfréquences engendrées par le générateur à l'enceinte suivant un seul mode de propagation, ce mode de propagation étant fonction des dimensions du guide d'onde. Selon un mode de réalisation du dispositif de l'invention, les moyens pour appliquer une tension électrique alternative comprennent un générateur d'ondes radiofréquences relié d'une part à une électrode radiofréquence constituant au moins en partie le support et d'autre part à une contre-électrode entourant l'électrode et reliée à la masse. Un circuit de refroidissement peut être avantageusement relié à l'électrode radiofréquence de façon à permettre à un liquide à fort pouvoir d'échange calorifique de circuler à l'intérieur de cette électrode. Selon un mode préféré de réalisation, l'enceinte comprend une partie conductrice constituant la*contre-électrode par rapport à l'électrode radiofréquence. Cette partie conductrice est par exemple constituée. par la cavité de l'enceinte décrite précédemment. Cependant, la contre-électrode peut également être constituée par une électrode supplémentaire située autour de l'électrode radiofréquence et au voisinage de celle-ci ou encore à la fois par une partie conductrice de l'enceinte et l'électrode supplémentaire. Comme on l'a vu précédemment, l'interaction des ondes hyperfréquences avec le milieu gazeux s'effectue à distance de L'interaction des ondes radiofréquences avec le milieu gazeux. De ce fait, le support est disposé à distance de l'injection des ondes hyperfréquences dans l'enceinte. Par ailleurs, pour assurer la stabilité du plasma engendré par la conjugaison des ondes hyperfréquences et radiofréquences, on utilise par exemple une boite d'accord automatique (appeLé en terminologie anglosaxonne: automatic tunning network) relié entre le générateur d'ondes radiofréquences et l'électrode radiofréquence. La boite d'accord permet de régler la puissance des ondes radiofréquences pour que la puissance absorbée par le milieu gazeux soit maximum et constante. De même, le guide d'onde de longueur ajustable par le court-circuit permet de régler la puissance des ondes hyperfréquences transmises à l'enceinte pour que celle-ci soit absorbée au maximum et constante. De façon avantageuse, le support peut avoir un plateau en un matériau électriquement isolant disposé sur l'électrode radiofréquence. Ce matériau est par exemple en quartz. Ce plateau permet de surélever le substrat par rapport à l'électrode radiofréouence afin de minimiser les phénomènes de gaine en réduisant l'énergie des espèces ionisées au voisinage du substrat. De préférence, les moyens de pompage sont reliés à l'enceinte au moyen d'une fente annulaire discontinue, centrée sur le support. De cette façon le pompage est assuré de façon symétrique autour du support. On entend par discontinuité de la fente annulaire un ensemble d'ouvertures réparties suivant un anneau. De façon avantageuse, l'enceinte comprend une partie conductrice recouverte d'un revêtement n'interagissant pas avec le plasma pour éviter des réactions parasites de gravure ou de dépôt de la couche. Un exemple de réalisation de passivation des parois conductrices de l'enceinte est par exemple décrit dans la demande de brevet FR-A-2 538 987. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre purement illustratif et non limitatif, en référence à la figure annexée représentant un exemple de réalisation d'un dispositif conforme à l'invention, permettant la mise en oeuvre du procédé de l'invention. Sur cette figure est représentée une enceinte 1 constituée par une cellule 3 en un matériau transparent aux ondes hyperfréquences et une cavité 5 en un matériau conducteur, transparent ou non aux ondes hyperfréquences. Lorsque la cavité 5 est en matériau conducteur, la partie 6 de cette cavité au voisinage de la cellule 3 est en matériau isolant, par exemple en quartz. La partie inférieure 4 de la cellule débouche dans la partie supérieure de la cavité par une partie évasée. La cellule est constituée par exemple par du quartz tandis que la cavité est par exemple en aluminium ou en acier inoxydable. A l'intérieur de la cavité est disposé un support 7 apte à recevoir un ou plusieurs substrats pour la mise en oeuvre de la gravure ou du dépôt. Pour plus de simplicité, on a représenté sur le support un seul substrat 9 constitué d'un seul matériau correspondant soit à la couche à graver, soit au substrat sur lequel doit être déposée une couche. La partie évasée 4 de la cellule est en regard du substrat 9, l'ouverture de cette partie ayant des dimensions fonction de celles du substrat 9. Ce dispositif comprend des moyens pour introduire un milieu gazeux dans l'enceinte. Ces moyens comprennent plusieurs réservoirs de gaz 21a,... 21n comprenant différents gaz, reliés par l'intermédiaire de vannes de réglage de débit 23 et par une canalisation 25a à la partie supérieure de la cellule 3. On peut aussi avoir différentes canalisations pour introduire séparément les gaz en des endroits différents de la cellule, par exemple introduire un gaz réactif au niveau du substrat par la conduite b et les gaz rares, 02 et/ou H à la partie supérieure 2 2 de la cellule 3. Ces différents réservoirs de gaz permettent de réaliser le milieu gazeux du procédé de gravure ou de dépôt de L'invention. Par ailleurs, ce dispositif comprend des moyens 11 de pompage qui peuvent permettre d'établir le vide dans l'enceinte et de réaliser la circulation ou non du milieu gazeux introduit dans l'enceinte et l'extraction du milieu gazeux résultant des réactions chimiques établies dans l'enceinte. Ces moyens 11 sont reliés à la partie inférieure de la cavité 5 par une fente annulaire discontinue 13 située dans la paroi inférieure de celleci et centrée sur le support 7. Ces moyens de pompage comprennent par exemple une pompe 15 reliée de façon étanche par une canalisation torique 17 à la fente située dans la cavité. Le dispositif représenté sur cette figure comprend par ailleurs des moyens pour engendrer des ondes hyperfréquences dans l'enceinte 1. Ces moyens comprennent un générateur d'ondes hyperfréquences 27 relié par un guide d'ondes 29 de section rectangulaire à la cellule de section circulaire. Ainsi, les parois associées aux grands côtés du guide d'onde comportent une ouverture circulaire permettant le passage de la cellule cylindrique au travers du guide d'ondes. Les dimensions de la section transversale du guide d'ondes sont choisies en fonction des fréquences des ondes hyperfréquences utilisées. A une desextrémités du guide d'ondes opposée au générateur d'ondes hyperfréquences est installé un piston 37 solidaire d'une tige permettant de faire coulisser manuellement ou automatiquement le piston sur une certaine longueur. Cette longueur est de préférence de l'ordre de grandeur de la longueur d'onde du mode de propagation du guide d'ondes. Ce piston permet de régler la longueur du guide d'ondes afin de permettre, comme on l'a vu précédemment, une absorption maximum et constante de la puissance des ondes hyperfréquences transmises au milieu gazeux par le guide d'ondes. Un exemple de couplage d'un guide d'ondes avec une cellule de gaz utilisable dans le dispositif conforme à l'invention est par exemple décrit dans les brevets FR-A-2 534 040, 2 290 126 et 2 346 939 et US-A-4 049 940. Le dispositif comprend en outre des moyens pour engendrer des ondes radiofréquences dans l'enceinte. Ces moyens comprennent un générateur d'ondes radiofréquences 31 relié d'une part à une électrode radiofréquence 33 et d'autre part à une contre-électrode reliée à la masse. L'électrode 33 est constituée par une partie du support 7. En effet, ce support 7 comprend l'électrode 33 et un plateau 40 en un matériau isolant tel que le quartz situé sur l'électrode 33. Ce plateau permet en surélevant le substrat 9 de diminuer les phénomènes de gaine. Les ondes radiofréquences interagissent avec le milieu gazeux de l'enceinte, au voisinage du support. La contre-électrode est également constituée par les parois conductrices de la cavité étant bien entendu qu'elle peut être également constituée par une électrode supplémentaire 35 (représentée en traits pointillés) située autour de l'électrode 33 et au voisinage de celle-ci ou encore par les parois de la cavité et l'électrode supplémentaire. Dans le cas de l'utilisation d'une électrode supplémentaire, celle-ci est par exemple comme représenté sur cette figure reliée directement aux parois conductrices de la cavité connectées à la masse et située à une faible distance de l'électrode 33. Pour régler la puissance des ondes radiofréquences afin d'obtenir une absorption maximum et constante de la puissance de ces ondes dans le milieu gazeux, on utilise comme on l'a vu précédemment une boite d'accord 32 reliée entre le générateur d'onde radiofréquence 31 et l'électrode radiofréquence 33. Par ailleurs, un circuit de refroidissement 34 assure la circulation d'un liquide de refroidissement à l'intérieur de cette électrode 33 pour permettre le refroidissement du substrat 9. Ce dispositif peut comprendre également des moyens (non représentés) pour régler en hauteur la position du support 7 et donc du substrat 9 par rapport au plasma créé par Les ondes hyperfréquences dans la cellule et par rapport à l'ouverture de la partie évasée de la cellule de façon à ce que l'interaction des ondes hyperfréquences avec le milieu gazeux et que l'interaction des ondes radiofréquences avec le milieu gazeux ne perturbe pas la propagation de ces deux types de plasma. Des moyens d'étanchéité sont par ailleurs prévus entre la cellule et le réacteur, entre le réacteur et les moyens de pompage et entre l'électrode radiofréquence et le réacteur. La cavité du réacteur étant réalisée en un matériau conducteur, celle-ci est recouverte de façon avantageuse par chauffage ou par projection au chalumeau à plasma, d'un revêtement 42 n'interagissant pas avec le plasma, sur toute sa paroi intérieure. Le matériau de revêtement est par exemple de l'alumine (Al 0) d'une épaisseur comprise entre 300m et 500, m. Ce type de traitement pour passiver les parois de la cavité, vis-à-vis du plasma créé dans la cavité, est par exemple décrit dans la demande de brevet FR-A-2 538 987. De nombreuses modifications peuvent être bien entendu effectuées sur le dispositif représenté sur cette figure. Ainsi, par exemple, comme décrit dans la demande de brevet FR-A-2 534 040, dans certains cas, on ajoute avantageusement dans le guide d'onde au voisinage de la cellule, des coins métalliques. Ce dispositif permet donc de graver un substrat ou de déposer une couche, à l'aide d'un pLasma engendré par interaction d'un milieu gazeux approprié avec des ondes hyperfréquences et des ondes radiofréquences. Ce milieu gazeux peut être en circulation ou non dans l'enceinte suivant le cas par l'intermédiaire des moyens de pompage. Ainsi, par exemple pour graver une couche de silicium à travers un masque de dioxyde de silicium, on introduit tout d'abord la couche de silicium recouverte par son masque sur le support 7, on établit la pression dans l'enceinte par les moyens de pompage à une pression de l'ordre de I Pa et on introduit dans 26 1 6030 la cellule par l'intermédiaire de la canalisation 25, des vannes 23 et des différentes bouteilles 21a,... 21n du SF à un débit de 3 3 6 cm /min., de l'argon à un débit de 15 cm /min. et de l'oxygène à un débit de 5 cm /min. On fait interagir ensuite le milieu gazeux ainsi créé avec des ondes hyperfréquences engendrées par le générateur 27 d'ondes hyperfréquences et introduites dans la cellule par le guide d'ondes 29 et avec des ondes radiofréquences au voisinage de l'électrode radiofréquence 33. Pour déposer par exemple une couche de dioxyde de silicium sur un substrat en silicium, on dépose le substrat sur le support 7, on établit la pression à environ 1 Pa puis on introduit dans la cellule de la même façon du silane tel que la SiH à un débit de 500 cm /min., du N O à un débit de 4 3 3 2 500 cm /min., et de l'argon à 100 cm /min. On fait interagir ensuite comme précédemment des ondes hyperfréquences et des ondes radiofréquences. L'exemple de réalisation d'un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention représenté sur la figure annexée est donné à titre illustratif et non limitatif. En effet, le procédé de l'invention peut être mis en oeuvre dans tous les dispositifs de gravure ou de dépôt d'une couche à l'aide d'un plasma engendré par des ondes hyperfréquences utilisant le mode de couplage guide d'onde- cellule de gaz (surfaguide) décrit ci-dessus, à condition bien entendu d'utiliser un support apte à supporter ladite couche qui soit au moins en partie conducteur et un générateur d'ondes radiofréquences qui soit relié d'une part à la partie conductrice du support et d'autre part à une contre-étectrode reliée à la masse ou inversement, la couche sur l'électrode étant reliée à la masse et la contre électrode au générateur de radio fréquences. Cette contre-électrode est constituée soit par une électrode supplémentaire disposée dans l'enceinte par exemple autour du support, soit par au moins une partie de l'enceinte, soit encore par au moins une partie de l'enceinte et une électrode supplémentaire. Dans le cas o l'on veut utiliser le dispositif de l'invention pour déposer des matériaux diélectriques ou métalliques, le dispositif comprend de plus des moyens de chauffage du substrat pour le porter par exemple à une température de 300 à 800 C. Ces moyens peuvent être constitués par un système de lampes chauffantes 44 ou par des résistances disposées dans le support du substrat. Dans ce cas, il est préférable de refroidir les parois de l'enceinte constituant le réacteur. Aussi, Le dispositif comprend des moyens de refroidissement appropriés, par exemple une circulation d'eau entre la paroi de la cavité 5 et une paroi supplémentaire 45, pour maintenir par exemple la paroi 5 à la température ambiante. REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt d'une couche ou de gravure d'un substrat à l'aide d'un plasma, caractérisé en ce que l'on confine sur le substrat par une cellule en matériau transparent aux ondes hyperfréquences un plasma gazeux engendré par couplage monomode transversal entre un guide d'onde parcouru par des ondes hyperfréquencés et la cellule dans laquelle au moins une partie du milieu gazeux de dép8t ou de gravure circule perpendiculairement aux ondes hyperfréquences pour être dirigé sur le substrat et en ce que l'on applique simultanément au substrat une tension électrique continue ou une tension électrique alternative ayant une fréquence dans le domaine des radiofréquences. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'on réalise le dépôt ou la gravure sous une pression allant de 0,1 à 300 Pa. 3. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que le milieu gazeux comprend un gaz choisi parmi les gaz rares et l'hydrogène. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 pour la gravure d'un substrat, caractérisé en ce que le milieu gazeux comprend un gaz choisi parmi les gaz fluorés, les gaz chlorés et un mélange de ces gaz fluorés et chlorés. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 4 appliqué à la gravure du silicium, caractérisé en ce que l'on utilise un milieu gazeux formé d'hexafluorure de- soufre, d'oxygène et d'un gaz rare. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3 appliqué au dépôt d'une couche d'oxyde de silicium, caractérisé en ce que l'on utilise un milieu gazeux formé de silane, d'oxyde d'azote et d'un gaz rare. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendications à 3 appliqué au dépôt d'une couche métallique, caractérisé en ce que l'on utilise un milieu gazeux comprenant un composé :6 1 6030 organométallique et au moins un gaz inerte. 8. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, appliqué au dépôt d'une couche de tungstène, caractérisé en ce que l'on utilise un milieu gazeux formé d'hexafluorure de tungstène WF, d'hydrogène et d'argon. 9. Procédé selon L'une quelconque des revendications 1 à 3, appliqué au dépôt d'une couche de siliciure de titane, caractérisé en ce que l'on utilise un milieu gazeux formé de tétrafluorure de titane, de silane SiH et d'argon. 10. Dispositif de gravure d'au moins un substrat ou de dépôt d'une couche à l'aide d'un plasma, caractérisé en ce qu'il comprend: - un support (7) logé dans une enceinte (1) étanche, apte à supporter le ou les substrats, - des moyens de pompage (11) reliés à l'enceinte, -une cellule cylindrique (3) en matériau transparent aux ondes hyperfréquences débouchant dans t'enceinte par une partie évasée (4), - un système de guide d'ondes (29) disposé autour de la cellule cylindrique (3) de façon que l'axe du guide d'ondes soit perpendiculaire à l'axe de la cellule cylindrique, -des moyens (25, 23, 21a,..., 21n) pour introduire dans la cellule un milieu gazeux, -des moyens (27) pour engendrer des ondes hyperfréquences dans le guide d'ondes, et - des moyens (31, 33, 35) pour appliquer une tension électrique continue ou alternative au(x) substrat(s). 11. Dispositif selon la revendication 10, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour régler la distance entre le substrat et l'ouverture de la partie évasée (4) de la cellule. 12. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 et 11, caractérisé en ce que les moyens pour appliquer une tension électrique alternative comprennent un générateur d'ondes radiofréquences (31) relié d'une part à une électrode radiofréquence (33) constituant au moins en partie le support (7) et d'autre part à une contre-électrode (5, 35) entourant l'électrode et reliée à la masse. 13. Dispositif selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'enceinte comprend une partie conductrice (5) constituant la contre- électrode par rapport à l'électrode radiofréquence. 14. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 12 et 13, caractérisé en ce que le support comprend un plateau (40) en un matériau électriquement isolant disposé sur l'électrode radiofréquence (33). 15. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 14, caractérisé en ce que les moyens de pompage (11) sont reliés à l'enceinte au moyen d'une fente annulaire (13) discontinue centrée sur le support (7). 16. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 15, caractérisé en ce que l'enceinte comprend une partie conductrice (5) recouverte d'un revêtement (42) n'interagissant pas avec le plasma. 17. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 16, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens de chauffage de la couche. 18. Dispositif selon l'une quelconque des revendications 10 à 17, caractérisé en ce qu'il comprend des moyens pour refroidir les parois de l'enceinte.