Brevet FR2614318A1 — publié le 19881028

1.- " Procédé et installation pour l'évaporation de plusieurs matériaux différents ou bien d'un matériau en grande quantité, au moyen d'un évaporateur à décharge d'arc." L'invention concerne un procédé d'évaporation pour le dép8t à l'aide de plasma notamment de couches mixtes ou bien de plusieurs couches au moyen d'évapora- teurs à décharges d'arc. Dans ce cas, les couches mixtes ou bien les couches multiples sont constituées d'un mé- lange ou bien de la succession de composantes de liaisons de métaux ou de métalloldes sur des substrats électrique- ment conducteurs. De telles couches sont utilisées pour des revêtements décoratifs et fonctionnels de différents types. Une installation correspondante concerne l'ali- mentation supplémentaire d'un matériau identique ou bien différent de l'alimentateur à décharge d'arc. Des procédés pour la réalisation de couches mixtes ou bien de couches multiples au moyen d'un dépôt à l'aide de plasma, sont connus d'une façon variée. Pour la mise en oeuvre très avantageuse d'évaporateurs à dé- charges d'arc pour le dépôt de couches, la plupart des variantes de procédés ne sont toutefois pas susceptibles d'être mises en oeuvre. La mise en oeuvre coûteuse de plusieurs évaporateurs à décharges d'arc distincts, n'est en règle générale pas acceptée. 2614318, 2.- Pour l'utilisation d'un seul évaporateur à décharge d'arc pour le dép8t de couches mixtes ou bien multiples, il est proposé, dans le document DD-PS 246 571 qu'à l'intérieur du plasma homogène (externe), soit dis- posée une cible de pulvérisation et qu'en vue de la pulvérisation, elle soit placée à un potentiel qui est de façon variable et réglable plus négatif que le poten- tiel du substrat. Cette solution présente l'avantage d'une pos- sibilité de réalisation techniquement simple. Par ail- leurs, le taux de pulvérisation dans le cas de cette va- riante, est très réduit. De ce fait, l'amplitude de va- riations en ce qui concerne le rapport de mélange des composantes de la couche, est fortement limitée. En ou- tre, la forme de la cible doit être adaptée à la forme des substrats. Cette exigence est notamment dans le cas de substrats rotatifs, difficile à réaliser car la dis- tance entre la cible et le substrat doit être réduite, et autant que possible maintenue constante, pour obte- nir des résultats de dépôts favorables. Des dispositifs d'alimentation complémentaires sont connus de façon générale dans la technique de revéte- ment par le vide. Pour la mise en oeuvre de tels dispo- sitifs à l'intérieur d'un espace de plasma, un grand nombre de ces dispositifs ne sont fondalement pas adap- tés ou bien correspondent à une dépense très élevée. Pour de grandes quantités d'évaporations, l'alimentation con- tinue en fil vers l'évaporateur s'est imposée en priori- té. Dans le cas d'évaporateurs à faisceaux d'électrons, ceci s'effectue souvent à partir du bas à travers le creuset d'évaporation (JP 58-39919, C 23 C 13/12 ou bien JP 60-92 470, C 23 C 14/30). De façon analogue, l'alimen- tation complémentaire s'effectue aussi par évaporation inductive (US 4 406 252, C 23 C 13/12 ou bien EP 6.8 087, C 23 C 13/12). Cette forme très efficace pour l'évaporation 3.- de grandes quantités de matériaux est respectivement li- mitée à un matériau. Des alliages métalliques dont les composantes présentent des pressions d'évaporation dif- férentes ne peuvent pas être vaporisés de cette façon avec la composition établie. Pour l'alimentation des dif- férentes composantes de l'alliage, des dispositifs d'ali- mentation en fils ont été en conséquence mis en oeuvre (Schiller, Heisig: Bedampfungstechnik, Verlag Technik 1975), dispositifs dans lesquels le matériau de vapori- sation ou bien les différents composants de ces maté- riaux sont alimentés du haut ou bien latéralement jus- que dans la partie chaude (creuset) du système d'évapora- tion. De cette façon, une évaporation continue même de plusieurs composants, est possible, la composition de la couche alliée ne pouvant toutefois être modifiée que dans une étendue réduite, notamment lorsqu'il s'a- git de composantes avec des pressions de vaporisation différentes. Il est commun à toutes ces variantes, que le métal fournit en complément prenne le potentiel du creuset et soit, ou bien à la masse, ou bien soit iso- lé de celle-ci avec une dépense relativement élevée. Ceci concerne bien entendu, également, les dispositifs de stockages et les systèmes d'entra nement. Pour les évaporateurs à décharge d'arc, on ne connait pas de dispositifs d'alimentation complémentai- res concrets. Dans les documents DE-OS 34 13 891, C 23 C 14/30, il est décrit un proc6dé et un dispositif pour l'évaporation d'un matériau à partir d'une décharge d'arc dans le vide, dispositif dans lequel l'anode elle- même est vaporisée et doit être constamment réalimentée. Après l'allumage de la décharge d' arc, éventuellement au moyen d'une électrode d'allumage qui touche la cathode, le matériau vaporisé de l'anode produit simultanément le milieu de combustion. Dans le cas de ce dispositif également, un seul matériau est en principe alimenté. 4.- La ma!trise du matériau fondu pose des problèmes. Comme il n'est pas prévu de dispositifs appropriés de maintien, l'arc doit être commandé de façon que le matériau de l'anode soit également vaporisé directement apres la fusion. La conduite du processus, notamment le réglage d'un taux d'évaporation déterminé, est très compliqué avec ce dispositif. L'invention a pour but de créer un procédé pour vaporiser plusieurs matériaux différente ou bien des grandes quantités d'un matériau au moyen d'un éva- porateur à décharge d'arc. L'installation correspondante doit permettre la réalimentation de matériaux d'évapora- tion pour l'évaporateur à décharge d'arc. Ce but est atteint, conformément à l'inven- tion en ce qu'un matériau devaporisation autre que le matériau se trouvant dans le creuset de l'évaporateur à décharge d'arc, est disposé à l'intérieur du plasma externe et est sollicité par un potentiel variable. Selon les conditions technologiques préalables, il est alors appliqué à cet autre matériau supplémentaire, un poten- tiel tel qu'à partir du plasma externe, des électrons sont extraits sur ce matériau avec une énergie et une densité de courant telles que l'on arrive à fondre ou bien à vaporiser ce matériau supplémentaire. L'évapora- teur à décharge d'arc intervient alors aussi bien comme évaporateur du matériau contenu dans le creuset anodique que comme dispositif central d'ionisation. La colonne positive de la décharge d'arc qui se forme entre la cathode et le creuset anodique est entourée d'un autre plasma qui a une concentration de porteurs de charges plus réduite que la colonne positive par laquelle la décharge d'arc est provoquée. Ce plasma de densité plus réduite est désigné sous le terme de plasma externe. Un corps électriquement conducteur introduit dans le plasma externe et relié à une source de tension distincte 5.- agit comme sonde dans le plasma. Il est en particulier possible, en appliquant cette sonde à un potentiel po- sitif par rapport au potentiel du plasma, d'extraire un courant d'électrons du plasma externe. Si cette sonde est suffisamment positive par rapport au plasma, il s'agit alors d'un courant de saturation en électrons, dont la densité dépend exclusivement de la densité des porteurs de charges du plasma externe. En continuant à élever le potentiel positif de la sonde, seule l'énergie des électrons extraits est ainsi augmentée et non plus leur densité. La disposition du matériau supplémentaire en tant que sonde peut alors s'effectuer à l'intérieur d'- un creuset de sonde ou bien dans le dispositif d'aliren- tation complémentaire conforme à l'invention, restant à décrire. On va décrire ci-après le procédé avec un creuset de sonde. La sonde est réalisée sous la forme d'un creuset à partir d'un matériau difficile à fondre par exemple du tungstène, du molybdène, du tantal, et elle est remplie avec le matériau jouant le rôle de seconde composante métallique pour la formation de la couche. Pour une densité de porteur de charge de n+. 1017 m-3 et pour un potentiel de sonde de Uso' 30 V, par rapport au potentiel du plasma, l'énergie de P Ä 30 Wcr-2 convertie sur le creuset de sonde par le courant d'électrons, suffit à vaporiser des métaux tels que l'argent, le cuivre, l'or. De façon correspondante à l'effet de sonde de cet évaporateur, on peut faire varier la température susceptible d'être obtenue et donc le taux de vaporisa- tion susceptible d'être obtenu en modifiant le potentiel positif de la sonde et/ou en modifiant la concentration des porteurs de charges dans le plasma externe. Cette modification de la densité des porteurs de charges est 6.- possible en faisant varier le courant de décharge de l'évaporateur à décharge d'arc, ou bien en faisant varier le trajet dans l'espace de l'arc de décharge dans les gaz, par exemple par déviation magnétique. Il est essentiel pour le dép8t de couches de haute qualité, que la condensation du matériau de la couche s'effectue sous un bombardement ionique cons- tanrit. Un avantage particulier du procédé conforme à l'in- vention réside en ce que le matériau vaporisé par chocs des électrons soit fortement ionisé par ce choc des élec- trons et qu'ainsi la formation de la couche puisse s'ef- fectuer avec une énergie cinétique élevée des particules métalliques, déterminée par la différence entre le po- tentiel du plasma et le potentiel du substrat. Cette ioni- sation est provoquée du fait que l'énergie des électrons extraits à partir du plasma, se situe avec 30 eV ' Ue e eV au maximum de la probabilité d'ionisation pour la plupart des métaux. Lors de la mise en oeuvre de ce procédé, de nombreuses variantes peuvent être réalisées. De façon connue, les substrats sont soumis avant leur revêtement à un nettoyage ionique. A cet effet, l'évaporateur à dé- charge d'arc est allumé et une décharge d'arc entre la cathode et le creuset de l'évaporateur est maintenue à puissance réduite sans qu'il en résulte une vaporisa- tion, mais de façon à former un plasma. Grâce à un po- tentiel négatif approprié sur les substrats, les ions sont extraits sur ceux-ci dans une mesure telle que l'on arrive à des effets de pulvérisation. La conduite du procédé conformément à l'invention peut s'en suivre immédiatement. Au choix, le matériau d'évaporation cons- tituant la couche peut être vaporisé dans le creuset anodique de vaporisation du vaporisateur à décharge d'arc et dans le vaporisateur de sonde, individuellement ou bien en parallèle en atmosphère réactive ou bien non 7.- réactive. Lorsqu'aucun matériau ne doit être vaporisé à partir du vaporisateur de sonde, le creuset de sonde est mis pendant cette étape du processus au potentiel de flottement, pour lequel le courant d'électrons et le courant d'ions sont identiques et pour lequel il n'y a pas de vaporisation du matériau. Lorsque le matériau doit être seulement va- porisé à partir du vaporisateur de sonde, la puissance du vaporisateur à décharge d'arc est réglée à une puis- sance de maintien réduite et, éventuellement, atténuée, de sorte qu'il n'y a pas de vaporisation, mais que le plasma reste maintenu. L'extraction sur la surface du creuset s'effectue de la façon décrite, par élévation du potentiel positif du creuset de sonde, le matériau d'évaporation est échauffé, vaporisé et déposé sur le substrat d'une manière équivalente à celle à partir de l'évaporateur à décharge d'arc. Lors de la réalisation de couches mixtes, les deux évaporateurs sont exploités simultanément, et né- cessairement en alternance lors de la réalisation de couches multiples. Comme moyens de régulation dans le cas de couches mixtes d'une stoechiometrie exigée, on utilise en premier lieu la variation des différents taux de vaporisation. Dans le cas de la disposition de plu- sieurs vaporisateurs de sondes dans l'espace de plasma, on peut également réaliser des systèmes de couches cons- titués de plus de deux matériaux de vaporisation. Par variation du potentiel positif des différents creusets de sondes, le taux de vaporisation peut être réglé de façon très simple, de sorte que l'on a, d'une façon sim- ple, la possibilité d'obtenir au moyen de systèmes de couches complexes, des propriétés de couches tout à fait adéquates. L'avantage essentiel de l'invention réside 8.- en ce qu'en utilisant uniquement un vaporisateur à déchar- ge d'arc connu, plusieurs matériaux peuvent être vapori- sés avec une dépense relativement réduite. Lorsque de très grandes quantités d'un maté- riau doivent être vaporisées, une réalimentation peut être réalisée en utilisant le procédé proposé. Conformément à l'invention, le matériau à réalimenter est à cet ef- fet fourni sous forme de film à l'intérieur du plasma externe de la colonne positive de la décharge en arc, avec un potentiel positif par rapport au potentiel de flottement du plasma et amené verticalement audessus du creuset anodique du dispositif de décharge en arc. Cette alimentation s'effectuer alors par l'intermédiaire de buses de sortie isolées. L'isolation du matériau de vaporisation en forme de fil par rapport à la buse de sortie s'effectue d'une façon connue grâce à des éléments en céramique à l'intérieur d'un système de labyrinthe étanche optique- ment. Cette isolation par rapport à tous les autres élé- ments de supports et de guidage peut s'effectuer grâce à des matériaux d'isolation courants à l'intérieur d'un réceptacle métallique de blindage. L'alimentation du potentiel positif s'effectue au moyen d'une source de tension réglable séparément. Ce dispositif de base peut être mis en oeu- vre comme suit. Lorsque la réalimentation doit s'effec- tuer, le fil de réalimentation est mis à un potentiel positif et l'avance est enclenchée. Avec la sortie du matériau de vaporisation hors de la buse de sortie dans le plasma externe de la décharge en arc, le matériau de vaporisation est transformé en sonde dans le plasma. Il en résulte une extraction des électrons du plasma externe sur la surface de la sonde. Pour un potentiel positif suffisamment élevé, il s'agit d'un courant de saturation en électrons. Il est ainsi possible de faire 9.- varier l'énergie des électrons arrivant sur la sonde et donc la puissance électrique convertie sur la sonde dans de larges limites avec le- potentiel positif. Les concentrations d'électrons habituelles dans le plasma externe d'un dispositif de vaporisateur à décharge d'arc se traduisent pour un potentiel de + 30 à 100 V par rap- port au potentiel de flottement à des densités de courant d'électrons de quelques ampères par centimètre carré. Il en résulte un échauffement rapide du matériau de va- porisation sous forme de fil qui, de ce fait, fond et s'égoutte dans le creuset anodique sans contact élec- trique avec celui-ci. Le matériau de vaporisation ainsi alimenté se mélange dans le creuset anodique chaud avec le matériau se trouvant dans ce creuset et se vaporise. La vitesse de réalimentation en fil est ré- glée à l'aide de systèmes d'avance connus. La condition à cet effet est qu'il n'y ait pas de contact du matériau de vaporisation sous forme de fil sur le creuset anodi- que, car il se produit alors immédiatement une décharge en arc sur le fil auquel est appliqué le potentiel du creuset et le fil ainsi amené se vaporiserait d'une façon incontrôlable. L'avantage particulier du dispositif con- forme à l'invention réside en ce que la vaporisation du matériau à partir du creuset anodique, au moyen de la décharge en arc, se déroule en outre de façon non pertur- bée réglage, indépendamment d'une alimentation en maté- riau. Il ne faut ainsi réalimenter du fil que dans la mesure o il peut être amené ' la fusion et à l'égout- tage par l'échauffement dû au bombardement d'électrons. Cette vitesse peut être modifiée par un choix approprié du potentiel positif en fonction du type du matériau de vaporisation, de l'épaisseur du fil ainsi que des para- mètres du plasma externe de la décharge en arc. Lorsque lors d'une mise en oeuvre concrète, la buse de sortie prévue "verticalement" au-dessus du 10.- creuset du vaporisateur du dispositif à décharge d'arc est gênante, cette buse peut être également décalée laté- ralement lorsqu'on est certain que le matériau s'égout- tant verticalement est cependant amené par l'intermé- diaire d'une goulotte d'alimentation du dispositif vapori- sateur au creuset du vaporisateur. Ce principe peut également être appliqué pour éviter des crachements non souhaitables lors de l'arrivée des gouttes dans le bain de fusion. Lorsque, conformément au problème posé, dif- férents matériaux doivent être alimentés, il est alors facilement possible de disposer de façon appropriée, plu- sieurs dispositifs d'alimentation. Grâce au dispositif conforme à l'invention, le domaine d'application du vaporisateur connu à arc de cathode creuse est notablement étendu. Avec des moyens relativement simples, de très grandes quantités de va- porisation peuvent être réalisées, mais on peut également réaliser des couches mixtes et des couches multiples quel- conques. Un avantage particulier réside également dans la vaporisation d'aluminium. A partir d'un vaporisateur à décharge d'arc simple, l'aluminium peut être que dif- ficilement ou même pas du tout vaporisé, car la peau d'oxyde isolante n'est pas percée par l'énergie réduite des électrons (30 à 50 eV). Lors de l'application de l'invention, le fil d'aluminium fond et lors de l'arrivée sur le creuset, la goutte est désagrégée de façon que le courant d'électrons peut arriver à l'aluminium métal- lique pur ce qui se traduit par une vaporisation intense. L'invention va être décrite plus en détail ci-après en se référant à deux exemples de réalisation. L'exemple I concerne l'utilisation, confor- mément au procédé, d'un vaporisateur de sonde. L'exemple II concerne l'utilisation, conforme au procédé d'un dispositif de réalimentation. 11.- EXEIPLE, I - Dans un récipient sous vide, est disposé. un vaporisateur à décharge d'arc à cathode creuse cons- titué d'un système de cathodes creuses, d'un système magnétique et d'un creuset anodique. En dehors de la colonne positive de la décharge en arc, se trouve, comme le vaporisateur à décharge d'arc au-dessous des substrats, une sonde revêtant la forme d'un creuset de vaporisateur, qui est constitué de façon isolée et qui peut être relié au p8le positif d'une source de tension continue. Dans l'étape 1 du processus, la décharge en arc entre la cathode creuse et le creuset anodique est allumée, de façon connue sous une atmosphère d'argon, i 5 et les ions positifs sont extraits du plasma externe par l'intermédiaire des substrats. Après le déroulement de ce processus de nettoyage par bombardement d'ions, la puissance du vaporisateur à arc est augmentée dans l'étape 2 du processus et du titane est vaporisé à par- tir du creuset anodique. Le dép8t d'une couche de nitrure de titane (TiN) sur le substrat s'effectue en présence d'azote gazeux réactif. Après qu'une épaisseur de 150 nm de la couche de TiN ait été atteinte, la puissance du vaporisateur à arc est réduite dans l'étape 3 du processus à une puissance de maintien d'environ 3 kW et l'arc est dévié par le système magnétique. Du fait de la distance de décharge ainsi allongée, la concentration des porteurs de charge dans le plasma externe s'élève à 5. 1017 m-3. Une tension positive de 90 V par rapport au potentiel de masse est appliquée au creuset de sonde par l'inter- médiaire d'une résistance de limitation. Un courant d'électrons avec une densité de courant de 1 Acmr2 circule vers la sonde et l'or mis en oeuvre en tant que matériau de vaporisation se vaporise avec une forte émission lumi- neuse du plasma de vapeur métallique qui se forme. 261431 3 12.- L'or ainsi vaporisé se dépose sur le substrat avec la couche de TiN tout d'abord déposée sous les conditions de plasma. Il ne se produit pas avec le métal noble qu'est l'or une réaction avec les teneurs d'azote réactif dans l'atmosphère. Le début et la fin du proces- sus de vaporisation peuvent être reconnus grâce à la modification du courant de décharge du vaporisateur à décharge en arc provoquée par ionisation de la vapeur d'or. Une couche obtenue de cette façon peut être mise en oeuvre de façon très avantageuse pour des dépôts déco- ratifs dorés présentant une résistance élevée à l'abrasion. Déjà, de minces couches de recouvrement en or qui sont déposées sur des couches dures de TiN avec une structure en aiguille, assurent même après une abrasion importante une bonne impression optique de couleur dorée, bien que le TiN quelque peu verdâtre ainsi doré apparaisse à travers la couche de recouvrement en or. EXEMPLE II - Le dessin ci-joint représente schématiquement l'installation conforme à l'invention à l'intérieur d'une installation de chargement. A l'intérieur d'une chambre à vide, se trou- ve un dispositif de vaporisateur à arc à cathode creuse avec une cathode 1 et une anode 2, cette dernière compor- tant le creuset de vaporisateur 3. En face de ce vapori- sateur, dans le haut de la chambre à vide, sont disposés sur un support planétaire 4, les substrats 5. De dispo- sitif de réalimentation 6 conforme à l'invention, compor- te un boltier 7 relié à la masse, et la buse de sortie 8 électriquement isolée, à travers laquelle sort dans la chambre à plasma le matériau de réalimentation en forme de fil en provenance d'un rouleau de réserve 9. Dans cet exemple, une tension est en cas de besoin appliquée à l'ensemble du rouleau de réserve 9. La position de l'ori- fice de la buse de sortie 8, c'est-à-dire le point o 13.- en cours de fonctionnement le matériau de vaporisation qui est réalimenté entre en fusion et s'égoutte, est dé- terzinée de façon que le matériau 10 en s'égouttant tombe sur la zone externe du creuset 3 du vaporisateur. Dans cet exemple, la buse de sortie 8 se trouve à environ 4 cm au-dessus du creuset du vaporisateur et les substrats 5 sont à une distance moyenne de 300 mm. L'effet d'ombre intervenant du fait de la buse de sortie 8 sur les sup- ports planétaires 4 est relativement réduit et peut 4tre négligé. Sur le dessin sont en outre indiquées par la référence 1, la colonne positive de la décharge en arc 12, par la référence 12 la zone du plasma externe et par la référence 13 l'unité d'alimentation en courant pour le rouleau de réserve 9 y compris le dispositif d'avance. A titre d'exemple, on peut réaliser avec cette insta llation, pour améliorer la résistance à la corrosion de couches de nitrure de titane sur des outils tranchants soumis à une sollicitation thermique élevée, un alliage de cette couche de nitrure de titane avec de l'aluminium. A cet effet, le titane est vaporisé de façon connue à partir du creuset de vaporisateur 3 dans une atmosphère réactive et déposé sur les substrats 5 soumis à une tension négative. De façon correspondante à la prescription technologique, un fil d'aluminium est introduit dans le plasma externe 12 à partir du disposi- tif de réalimentation 6 par l'intermédiaire de la buse de sortie 8, ce fil d'aluminium (10) étant mis à un po- tentiel de 60 V par rapport à la masse. L'avance est d'environ 10cm par seconde pour un diamètre de fil de 0,5 mm. Dans ces conditions, des électrons sont extraits du plasma externe sur le fil d'aluminium sortant, échauf- fent celui-ci et une longueur de fil d'environ 3 mm s'égoutte sous forme de produit fondu dans le creuset de vaporisateur 3 disposé au-dessous. Dans ce creuset, 261.4318 14.- l'aluminium est immédiatement vaporisé à l'intérieur du bain de fusion du titane chauffé à environ 2200 C et il est déposé sous forme de constituants d'alliage sur * le substrat 5 à l'intérieur de la couche de TiN. 1 5-- '- R V E N DI C A T I 0 N S 1.- Procédé pour vaporiser plusieurs matériaux différents ou bien un matériau en grande quantité, au moyen d'un évaporateur à décharge d'arc, procédé carac- térisé en ce que, vis à vis des:-a:ériaux se trouvant dans le creuset de l'évaporateur (3) à décharged'arc, un autre matériau d'évaporation est disposé à l'intérieur du plasma externe (12)et des électrons sont extraits du plasma externe avec une telle énergie et une telle den- site de courant sur l'autre matériau d'évaporation, que celui-ci fond ou bien se vaporise. 2.- Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que cet autre matériau d'évaporation est mis à un potentiel positif plus élevé par rapport à la masse que le creuset anodique de l'évaporateur à décharge d'arc. 3.- Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'on fait varier le potentiel de cet autre matériau d'évaporationo 4.- Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'on fait varier la densité du courant d'électrons sur l'autre matériau d'évaporation en modi- fiant le trajet de l'arc au moyen de champs magnétiques. 5.- Installation pour vaporiser plusieurs matériaux différents ou bien un matériau en grande quan- tité au moyen d'un évaporateur à décharge d'arc, installa- tion caractérisée en ce que le matériau d'évaporation différent ou bien un autre matériau d'évaporation de même type, est amené sous forme de fil (10) avec un potentiel tiel positif par rapport au potentiel de flottement du plasma, au moyen de dispositifs connus d'avance, par 'lin- termédiaire d'une buse de sortie isolée électriquement, l'orifice de sortie de la buse de sortie (8) se trouvant l'intérieur du plasma externe (12) de la colonne positive de la décharge d'arc et verticalement audessus du creuset 26143-18 16.- d'évaporation de l'évaporateur à décharge d'arc (3). 6.- Installation selon la revendication 5, caractérisée en ce que la vitesse d'avance et le poten- tiel du matériau d'évaporation sont réglables.