Brevet FR2620531A1 — publié le 19890317

l La présente invention concerne des perfectionnements aux détecteurs thermiques et, plus particulièrement, aux réseaux de détecteurs thermiques infrarouges. Dans un détecteur thermique, l'énergie du rayonnement incident absorbé augmente la température de chaque élément détec- teur. Cette augmentation de température entraîne des chan- gements dans les propriétés du détecteur qui dépendent de la température, celle-ci pouvant être contrôlée pour détecter le rayonnement incident. Les détecteurs thermiques spécialement intéressants dans le présent. contexte com- prennent les détecteurs pyro-électriques et/ou les détec- teurs diélectriques de bolomètre sous la forme d'un réseau bidimensionnel associé par interface à un dispositif d'exploration à semi-conducteur afin de fournir un réseau compact de stockage à l'état solide et non refroidi pour la formation d'images thermiques et d'applications con- nexes. Il existe un intérêt croissant dans l'obtention de bonnes performances des détecteurs thermiques en réseaux bidimensionnels à pas fin (par exemple des réseaux de x 100 éléments et davantage, à des pas de 100 um ou moins) qui s'approchent des limites physiques fondamen- tales pour un détecteur thermique, cette performance étant évaluée par exemple en termes de rapport signal/bruit du réseau détecteur. Pour obtenir ces possibilités, il est tout d'abord nécessaire de rendre maximal le signal prove- nant du détecteur (la réponse) en rendant optimale la structure du dispositif et en choisissant de manière appropriée le matériau du détecteur (par exemple en choi- sissant un matériau présentant un coefficient élevé de réponse), en rendant optimal le schéma d'exploitation électronique et en diminuant au maximum toutes les sources de bruit associées par exemple à la perte diélectrique du matériau détecteur ainsi que les sources de bruit dans le circuit électronique de lecture ou d'exploitation. Cependant, lorsque ces sources de bruit sont suffisamment réduites, on approche un bruit de limite physique qui est déterminé par la conductance thermique de la structure et par le rendement du recueil ou de la réception du rayonnement ainsi que de l'absorption dans les cellules unitaires. Cette valeur du bruit de limitation, ou limite de bruit de fluctuation thermique, est donnée par l'expres- sion: Equivalent bruit de fluctuation 2 thermique (N.E.P.) = KT2GH n o GH est la conductance thermique totale d'un élément du réseau, n est le rendement de réception du rayonnement et l'absorption dans la surface de la cellule élémentaire, K est la constante de Boltzmann et T est la température absolue. On peut en outre montrer que la contribution élec- trique à la puissance d'équivalent bruit de fluctuation thermique est proportionnelle à YH/n o YH est l'admit- tance thermique d'un élément du réseau, dont une partie est constituée par le terme jWCH o w est la fréquence angulaire de fonctionnement du dispositif et CH est la capacitance thermique de l'élément. Cette expression implique que des faibles épaisseurs d'éléments détecteurs sont nécessaires de telle sorte que wCH soit plus petit ou de l'ordre de la conductance thermique, la part réelle de YH dans la gamme de fréquences de fonctionnement. En pratique, les valeurs de conductance thermique totale inférieures à 0,2 w au 2 K-1 sont nécessaires, avec des rendements de réception et d'absorption du rayonnement approchant l'unité, pour des pas égaux ou inférieurs à pm et des épaisseurs d'éléments inférieures à 15 um (et de préférence inférieures à 8 um) afin que la limite de bruit de fluctuation thermique fournisse encore des performances utiles pour des fréquences de fonctionnement de l'ordre de 10 à 50 Hz. Pour d'autres fréquences, l'épaisseur préférée varie de façon inverse par rapport à la fréquence. Un détecteur pyroélectrique, présentant un NEP amé- lioré, est décrit dans la demande de brevet britannique n 2 100 058 de 1982. Dans cette demande, un élément détec- teur thermique est monté en position adjacente à un élément absorbant de surface plus grande et il est supporté élas- tiquement sur une ou plusieurs pellicules flexibles. La connexion électrique est fournie par des conducteurs qui dépassent latéralement sur les surfaces internes des pelli- cules. Alors que cet agencement peut être prolongé longi- tudinalement sous la forme d'un réseau à une dimension, le besoin d'un prolongement latéral, comme mentionné ci- dessus, interdit généralement une réalisation bidimension- nelle à pas fin. Un réseau détecteur bidimensionnel intégré est décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 162 420 de 1979. Dans ce dispositif cependant, les éléments ne sont pas réticulés. Le plan du détecteur est distant d'un cir- cuit d'exploitation au silicium mais électriquement con- necté à ce dernier, au moyen d'une série de tiges métalli- ques (à section carrée de 10 pm avec 25 pm de longueur). L'utilisation de matériaux métalliques sous cette forme, ainsi que le manque de réticulation, si traduit par un dispositif présentant une isolation thermique relativement médiocre et une intermodulation thermique entre les élé- ments adjacents. Jusqu'à maintenant il existe donc un problème pour la réalisation d'un important réseau détecteur intégré infrarouge bidimensionnel à pas fin, présentant une isolation thier- mique satisfaisante et une intermodulation faible. La présente invention vise donc à fournir des struc- tures de détecteurs ainsi que des procédés correspondants de traitement pour des réseaux détecteurs thermiques bidi- mensionnels importants dans lesquels un degré élevé d'iso- lation thermique (GH faible) est combiné avec un rendement élevé de réception et d'absorption du rayonnement. Conformément à l'invention, un réseau détecteur thermique comprend des éléments détecteurs thermiques discrets disposés selon un réseau bidimensionnel, chaque élément étant supporté sur une face d'une couche d'un matériau élastique à faible conductivité thermique, qui est également destinée à espacer lesdits éléments les uns par rapport aux autres, la face opposée de ladite couche portant une structure commune d'électrode qui est en con- tact avec chaque élément et forme des interconnexions entre eux au moyen de pistes électriquement conductrices et à résistance thermique élevée, chaque élément ayant un élément d'électrode en contact avec une surface interne dudit élément, chaque élément d'électrode étant connecté au moyen d'une liaison à un circuit d'entrée d'un support semi-conducteur de telle sorte que les organes de liaison agissent pour supporter la couche par rapport au support, et chaque élément étant associé à un absorbeur de rayonne- ment. Les organes de Iiaison peuvent être à faible conduc- tivité thermique. Ils peuvent être disposés en une posi- tion située entre les éléments respectifs et le support. Suivant une variante, les organes de liaison peuvent être disposés de manière adjacente aux côtés des éléments res- pectifs, s'étendant directement entre le support et la couche. La présente invention fournit également des procédés de traitement pour les organes ci-dessus. De telles struc- tures, comme mentionné plus haut, peuvent être réalisées en traitant des couches brutes de matériau détecteur, ou bien elles peuvent être formées par des techniques impli- quant des pellicules minces. Ces structures et procédés perfectionnés conviennent pour les réseaux détecteurs de bolomètres diélectriques et pyroélectriques qui mettent en oeuvre des matériaux monocristallins ou des céramiques d'oxyde ferroélectrique, matériaux tels que: titanate de baryum-strontium; niobate de plomb-magnésium; tantalate de plomb-scandium; niobate de plomb-fer; tungstate de plomb-fer; ainsi que zirco- nate de plomb/niobate de plomb-fer. La séparation physique complète des éléments du détecteur du matériau détecteur thermique du réseau assure une conductance thermique faible et une intermodulation thermique faible entre les éléments. La couche support est de préférence en un matériau polymère. Les matériaux polymères conviennent le mieux pour la couche support ainsi bien entendu que pour toute autre caractéristique impliquant un support ou une liaison mécanique mais devant également présenter la faible conductance thermique nécessaire. Les matériaux polymères, étant généralement constitués par des matériaux isolants ayant une structure moléculaire complexe, fréquemment agencés de manière à former un solide amorphe plutôt que cristallin, présentent les valeurs de conductivité thermi- que les plus faibles à la température ambiante parmi les classes de solides comme indiqué dans le tableau ci-dessous. Classe de matériau Gamme de conductivité thermique W.M l. K-1 Métaux 10400 Semi-conducteurs 1-200 Solides cristallins minéraux 2-200 Solides amorphes minéraux 0,8-2,0 Polymères organiques 0,1-0,4 Une classe préférée de matériaux polymères pour la couche support est constituée par la famille des poly- imides des polymères à haute température. On peut en trou- ver des exemples parmi les substances qui ont été dévelop- pées intensivement à l'heure actuelle comme revêtements diélectriques de passivation et d'intercouche pour les circuits intégrés de silicium. Un exemple particulier de matériau polyimide qui s'est montré avantageux dans ce cas est constitué par le polyimide dit "PIQ" fabriqué par la firme Hitachi. L'utilisation d'un matériau support en pellicule de polyimide, qui est résistant et flexible avec une température élevée de transition vitreuse et une bonne adhérence sur les surfaces métalliques ou d'oxyde est entièrement compatible avec les matériaux ferro- électriques mentionnés ci-dessus ainsi qu'avec la liaison par soudure planaire, technique préférée pour le but présentement recherché. Les pellicules de polyimide sont appliquées par revêtement et réticulées en particulier entre 300 et 350 C. On peut réaliser des épaisseurs de revête- ment de l'ordre de 0,2 um, les revêtements inférieurs au micron étant préférés. La différence de coefficients de dilatation thermique de la pellicule de polyimide et des oxydes ferro-électriques formant les éléments détecteurs (.50 ppm.K-1 et moins de 10 ppm.K -1) place la pellicule support sous légère tension positive après refroidissement provenant du stade de réticulation. Cette propriété main- tient la pellicule tendue après réticulation et se traduit par une faible microphonie. D'autres matériaux polymères possibles destinés à constituer une pellicule support com- prennent les polyamides, les polyuréthannes (y compris les types à réticulation sous UV) et les polymères déposés à partir d'une phase vapeur (par exemple le parylène). L'utilisation d'une structure à éléments discrets, montée sur une couche support de polymère, qui est sous légère tension, assure une réponse microphonique très faible. Un certain degré d'activité piezo-électrique est inhérent aussi bien dans les matériaux pyro-électriques que diélectriques de bolomètres sous l'influence du champ de polarisation appliqué et l'étude du détecteur doit être conduite afin de minimiser ce mode de réponse non sou- haitable. La structure absorbante de rayonnement mentionnée ci-dessus peut être formée à partir d'une pellicule métal- lique résistante mince ayant une impédance convenant à celle de l'espace libre (377 10) qui peut également ser- vir comme électrode commune. Une telle pellicule absorbe % du rayonnement incident à large bande. Des revête- ments anti-réflexion peuvent être ajoutés afin d'augmenter le rendement d'absorption sur une bande de longueur d'onde plus limitée. Pour augmenter encore le rendement d'absorp- -7 2620531 tion dans la bande intéressante, on peut utiliser une couche d'électrode active d'élément métallique réflecteur sur la face opposée de l'élément détecteur tout en con- naissant les propriétés optiques dans l'infrarouge des matériaux de la structure et en contrôlant l'épaisseur de l'élément détecteur. On peut obtenir des rendements de 0,6 à 0,8 dans la bande infrarouge de 8 à 14 "m pour de telles structures multicouches. Cependant, une struc- ture de couche d'absorption préférée comprend du noir métallique tel que du noir de platine, qui présente un rendement d'absorption proche de l'unité dans une struc- ture de masse thermique très faible. Tandis que les éléments absorbants peuvent être d'une surface égale à celle des éléments détecteurs respectifs, les surfaces absorbantes et de détection dans des struc- tures de détecteurs en réseaux réticulés peuvent varier de façon indépendante. En effet, la nature indépendante de ces deux structures peut être exploitée pour obtenir un rendement élevé de réception et d'absorption du rayon- nement, combiné avec un degré élevé d'isolation thermique des éléments détecteurs. Les matériaux d'électrodes préférés, en particulier pour les pistes d'interconnexions entre les éléments et vers les liaisons sur les éléments, comprennent les métaux, les alliages métalliques, les cermets et les alliages métalliques amorphes présentant une haute résistivité thermique, présentent une bonne adhérence sur les autres matériaux de la structure et peuvent être dessinés pour former des pistes étroites. A titre d'exemple on peut citer le chrome anodisé, ainsi que les pellicules métalliques d'alliage nickel-chrome, de cermets chrome_ silice et de nickel_indium amorphe. De telles pellicules, nécessitées à une faible épaisseur (par exemple de 10 à pm) et à une largeur faible (par exemple de 2 à 10 um), peuvent être déposées au moyen d'un certain nombre de techniques de dépôt thermique comprenant l'évaporation sur filaments et par faisceau électronique, ou la pulvéri- sation. Les procédés de pulvérisation, et en particulier les procédés de pulvérisation par magnétron,sont préfé- rables. Une électrode comprenant l'un des métaux ci-dessus, avec un revêtement d'un métal inerte à haute conductivité électrique tel que l'or, est généralement nécessaire pour le dépôt de noirs métalliques tels que le noir de platine. Le métal inerte et à haute conductivité peut être éliminé des pistes d'interconnexion des éléments après le dépôt du noir afin d'éliminer la dérivation thermique associée. Des ouvertures ou des trous de passage ouverts dans la pellicule support polymère au-dessus des éléments sont souhaitables afin d'assurer un bon contact thermique entre l'absorbant et l'élément détecteur. Si l'on utilise une structure d'absorption à pellicule mince équilibrée en impédance, la pellicule support de polymère peut également servir comme revêtement anti-réflexion pour l'absorbant. D'autres caractéristiques et avantages de la présen- te invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre d'exemple non limitatif, faite en regard des dessins annexés sur lesquels: la figure 1 représente une vue en coupe d'un réseau détecteur thermique intégré selon une forme de réalisation de la présente invention; la figure 2 représente une vue en coupe détaillée d'une cellule unitaire du réseau de la figure 1, montrant en détail la structure de son organe de liaison; la figure 3 représente une vue en coupe d'un réseau détecteur thermique intégré selon une variante de réalisa- tion de la présente invention; les figures 4 et 5 représentent des vues respective- ment en coupe et en plan d'une partie d'une forme de réa- lisation préférée du réseau représenté sur la figure précé- dente; les figures 6 et 7 représentent des vues schémati- ques en coupe des réseaux illustrés sur les figures précé- dentes, montrant le détail de construction et d'assemblage 93 2620531 à partir du matériau brut; et les figures 8 et 9 représentent des vues schémati- ques en coupe d'une préforme et d'un réseau correspondant au traitement par pellicule mince. Le réseau détecteur thermique intégré représenté sur la figure 1 comprend un grand nombre d'éléments détec- teurs thermiques 1, dont chacun est discret et espacé en formation de réseau au moyen d'une couche support élasti- que 3 en un matériau à faible conductivité thermique. Cette couche forme un support suffisant et une intégrité méca- nique suffisante pour l'ensemble. Sur une surface inté- rieure de la couche 3, est disposée une structure 5 d'élec- trode commune qui forme interconnexion entre les éléments au moyen de liaisons 7 électriquement conductrices et à résistance thermique élevée. La face opposée de chaque élément 1 porte une électrode individuelle 9. La structure de réseau avec élément supporté est disposée au-dessus d'un support semi-conducteur 11 et des organes de liaison 13, qui forment également support et connexion électrique, sont compris entre chaque élément 1 et le support 11. Ces organes de liaison fournissent une continuité électrique entre les électrodes 9 des éléments et les plaquettes 15 d'entrée correspondantes des circuits interfaces d'exploi- tation intégrés sur le support semi-conducteur 11. A chaque élément détecteur 1, correspond une plaquette 17 de maté- riau absorbant thermique sur la surface-opposée de la couche 3. Le contact thermique entre chaque élément 1 et l'absorbant 17 est ainsi réalisé, la conduction thermique effective étant fournie à travers le support (la couche) ou par l'intermédiaire d'ouvertures métallisées du support. Comme représenté sur la figure 2, chaque organe de liaison 13 est en une structure composite et disposé au- dessous de chaque élément 1, ce qui combine les impératifs contradictoires de l'interconnexion électrique et de l'isolation thermique. Cette structure composite peut être réalisée par exemple en formant une structure 'Mése19 en un matériau à faible conductivité thermique tel qu'un 2620531 polymère, immédiatement au-dessous du détecteur 1, et en disposant une piste métallique 21 mince et à haute résis- tance thermique à la partie supérieure du mésa 19. Le mésa 19 en polymère métallisé est alors lié et connecté élec- triquement à la plaquette d'entrée 15 du support 11 d'ex- ploitation au moyen par exemple d'une liaison de soudure 23 et d'une métallisation de surface 25, 27. Cette struc- ture peut également être utilisée dans une forme inversée, c'est-à-dire avec la liaison de soudure 23 en position adjacente à l'élément détecteur thermique 1 et le mésa de polymère 19 adjacent au support d'exploitation 11. Cependant, cette structure est moins favorable car la liaison de soudure 23 agit alors en charge thermique sur l'élément détecteur 1 et réduit la réponse en conséquence. On peut choisir une gamme de matériaux polymères pour former la structure mésa polymère 19. Les polyimides conviennent particulièrement pour la forme inversée de la structure mésa o le mésa 19 est situé sur le support 11. Les polyimides conviennent moins pour la structure mésa originale, du fait que le cycle de réticulation qui est impliqué peut entraîner certaines difficultés dans la séquence du processus attaché au dispositif. L'utili- sation d'un produit photorésistant "Novolac", qui peut être dessiné puis coulé et réticulé pour former un mésa 19 avec un profil à arête arrondie pour faciliter la métallisation ultérieure, est préférable pour la structure selon la figure 2. Dans ce cas, il est souhaitable de mettre en oeuvre un traitement de stabilisation par rayon- nement (UV rayons X ou faisceau électronique) ou bien chimique (par exemple une immersion dans une solution de formaldéhyde acidifiée) afin de réticuler la résine Novolac et de stabiliser les dimensions de la structure mésa avant la métallisation et l'opération finale de liaison par sou- dure. L'adoption d'une structure par points o les liai- sons 13 sont disposées au-dessous de chaque élément 1 implique que l'élément lui-même peut couvrir une propor- 11 2Z620531 tion importante de la surface disponible de la cellule élémentaire. On peut montrer qu'on obtient un compromis optimal entre le facteur de réception (c'est-à-dire le rendement de la réception) et l'intermodulation thermique entre des éléments adjacents 1 pour des surfaces égales de l'absorbant 17 et de l'élément 1, sur un élément présentant un rapport intervalle/largeur de 4/1 équivalant à un rendement de réception de rayonnement de 0,64. L'uti- lisation d'un collecteur à noir de platine à surface agrandie (voir figure 4) et/ou de structures à collecteur à grande surface du type XAC, peut encore fournir un gain supplémentaire important dans le rendement de réception sans compromettre l'isolation thermique. Un rendement de réception et d'absorption approchant 0,9 peut être obtenu de cette manière, en particulier pour des structures ayant un pas de 100 "m ou moins. Une variante de structure de réseau est représentée sur la figure 3. Dans cet exemple, l'isolation thermique de l'élément 1 par rapport au support du circuit d'exploi- tation (la source de chaleur dominante dans les deux structures) et entre les éléments adjacents 1, est obtenue simultanément au moyen d'une enveloppe 3 en une bande de suppport polymère autour de chaque élément 1. Les éléments individuels i de cette structure sont plus petits que ceux de la structure à liaison par points (figure 1) et l'enve- loppe support polymère 3 est proportionnellement plus grande. Les liaisons 13 qui forment les connexions élec- triques à partir des électrodes 9 d'éléments avec le cir- cuit 15 d'exploitation sont placées par-dessus l'enveloppe 3 et il n'est plus essentiel d'incorporer des structures de barrières thermiques additionnelles (mésas) dans les liaisons 13 comme c'était le cas pour la structure par points. Dans cette structure, la conductance thermique totale est compromise par rapport au rendement de récep- tion de rayonnement (pour le cas o les surfaces de l'élément 1 et de l'absorbant 17 sont égales) et un dia- mètre optimal d'élément est d'environ 0,6 par rapport à la largeur de cellule élémentaire, donnant un facteur de réception de cellules élémentaires (ou un rendement de la réception du rayonnement) d'environ 0, 35. Les valeurs de la conductance thermique totale et latérale pour cette structure à pellicule de polymère sont sensiblement infé- rieures à celles de la structure à liaison par points (figure 1) à un pas donné et pour des géométries de struc- ture praticables,ce qui fournit alors une performance résultante supérieure du dispositif à condition que le rendement de réception du rayonnement puisse être augmen- té. Une forme de réalisation préférée de structure de réseau détecteur thermique bidimensionnel avec pellicule comprend un collecteur 17' (PBXAC) au noir de platine et à surface augmentée, comme représenté sur la figure 4. Il y a particulièrement lieu de noter que cette struc- ture préférée comprend le troncage des coins donnant des éléments octogonaux plutôt que carrés, ce qui augmente la longueur des pistes 29 de métallisation en pellicule mince qui relient chaque électrode 9 d'élément à chaque connexion de liaison 13 sur le circuit d'exploitation 15, en donnant une nouvelle augmentation d'isolation thermique avec une perte minimale de surface absorbante. Cette piste 29 de pellicule mince est disposée entre l'électrode 9 d'élement sur une pellicule polymère 31 d'isolement jusqu'au point o les liaisons 13 sont placées. L'utilisa- tion de quatre connexions 7 d'électrode commune doit être également remarquée. Alors que deux connexions par élément 1, plus des liaisons supplémentaires à l'extrémité de chaque rangée d'éléments, sont suffisantes pour une connexion commune complète, une certaine redondance est utile avec les géométries à piste fine qui sont souhai- tables dans ces structures à pas fin. L'utilisation de trois à quatre connexions 7 communes est par conséquent désirable. A nouveau, la liaison par soudure planaire est adoptée comme procédé préféré de réalisation des liaisons 13 entre le réseau et le circuit 15 d'exploitation élec- 13 2620531 tronique. Cette technique convient particulièrement pour la structure montée avec pellicule,du fait que le procédé de liaison par soudure implique qu'aucune pression méca- nique ne soit appliquée (comme c'est nécessaire dans tout procédé de liaison en phase solide tel que la liaison à l'indium), et qui pourrait être incompatible avec l'empla- cement des liaisons sur une pellicule polymère flexible. Au contraire, le procédé de liaison par soudure repose sur l'action de mouillage naturel de la soudure fondue sur la métallisation 25, 27 mouillable, réalisée sur les deux composants pour former les liaisons 13. Le rapport de la largeur à la longueur de la liaison par soudure, avec une hauteur de liaison comparable au diamètre de la plaquette mouillable de soudure, permet à chaque élément détecteur thermique 1 d'être physiquement espacé du sup- port il du circuit d'exploitation, à condition que l'épais- seur de l'élément soit inférieure à la hauteur de la liai- son de soudure. Cet impératif de géométrie de liaison cor- respond au besoin d'épaisseurs d'éléments très faibles comme indiqué plus haut. On donnera maintenant des exemples de procédés de fabrication de réseaux détecteurs thermiques avec les structures décrites ci-dessus. Ces procédés, tout en contenant certaines caractéristiques nouvelles, ne sont pas nécessairement les seuls procédés ou les seules séquences opératoires au moyen desquelles de tels réseaux peuvent être fabriqués. On décrira des procédés convenant pour les réseaux détecteurs préparés à partir de matériaux ferro-électriques bruts et à partir de pellicules ferro- électriques minces déposées. Comme caractéristiques particu- lières, on peut citer des procédés d'attaque ou d'amincissement sélectif et de réticulation, des structures nouvelles pour former des supports mécaniques des réseaux et des procédés d'alignement de dispositifs hybrides. Les structures des réseaux détecteurs thermiques bidimensionnels du type à liaison par points et montés avec pellicule polymère, tels que réalisés à partir de i,4l 2620531 matériaux bruts amincis, sont illustrés sur les figures 6 et 7. Ces figures montrent les arêtes de la structure du réseau ainsi qu'une partie du réseau lui-même. Les arêtes de la structure comprennent un rebord 33 formant cadre de base relativement épais et nonréticulé autour de l'ensemble du réseau détecteur. Ce rebord forme un cadre support mécanique suffisamment rigide pour le support de polymère ou la pellicule 3. Il forme également une région de la structure qui peut être mise en contact lors du montageainsi qu'un emplacement pour une rangée ou davan- tage de liaisons par soudure 35 d'un diamètre sensiblement plus grand que les liaisons par soudure 23 du réseau lui- même. Ces liaisons par soudure 35 sont destinées à aligner automatiquement la structure hybride pendant le montage, en particulier à aligner le réseau de l'ensemble de liai- son 23 à faible diamètre sur le support 11. Une séquence possible de fabrication pour ces dispo- sitifs, comme représenté sur les figures 6 et 7, comprend l'orientation, le découpage, le recouvrement et le polis sage du matériau ferroélectrique brut, soit sous la forme d'un cristal unique, soit sous la forme d'une céramique polycristalline, afin de former une pastille à faces paral- lèles de l'épaisseur désirée pour le rebord non réticulé 33 du dispositif. La zone à partir de laquelle le réseau réticulé doit être réalisée est alors amincie sélective- ment à l'épaisseur finale du dispositif. Les techniques d'amincissement sélectif convenables peuvent comprendre différents procédés d'attaque chimique humide et sèche, par exemple une attaque chimique renforcée optiquement ou une attaque par faisceau ionique, en fonction du maté- riau et de sa forme cristalline. L'attaque par faisceau ionique présente l'avantage de constituer un procédé d'attaque relativement universel et il est par conséquent préféré dans de nombreux cas. Les zones qui ne doivent pas être amincies sont masquées de façon convenable par rapport aux agents d'attaque, en utilisant par exemple un masque en feuille métallique ou une couche de produit AS4 2620531 photorésistant, selon le procédé d'attaque chimique. Les différentes couches nécessaires pour ce qui deviendra la face 37 de rayonnement incident du dispositif sont alors ajoutées dans des puits sélectivement amincis. Ces puits comprennent généralement une couche d'arrêt d'attaque pour l'opération ultérieure de réticulation, la couche 3 de film ou pellicule polymère support, les couches 5 d'électrodes communes et la structure absorbante 17 de l'infrarouge. On retourne alors la pastille et l'on ajoute les électrodes élémentaires 9 ainsi que les couches de masquage de réticulation. La réticulation est de préfé- rence réalisée par un procédé d'attaque anisotropique tel * qu'une attaque par faisceau ionique ou par ions réactifs. On peut choisir convenablement les matériaux de masquage et les couches d'arrêt d'attaque en fonction du matériau à attaquer, du procédé d'attaque et de la géométrie appli- quée. Un ensemble de puits 39 peut être attaqué chimique- ment au-dessous du rebord support 33 en même temps que la réticulation de l'élément du réseau, pour accepter ulté- rieurement les liaisons de soudure 35 d'alignement à dia- mètre plus grand. Les puits attaqués 39 conviennent parti- culièrement pour la structure montée avec pellicule,comme représenté sur la figure 7. Si les liaisons par soudure 23, 35 sont définies sur la moitié de la pastille de sili- cium d'exploitation du dispositif hybride final, lesdits puits 39 peuvent également contribuer à l'alignement méca- nique des constituants avant de faire fondre la soudure pour achever la liaison du dispositif hybride. Lorsque la réticulation est achevée, la couche d'arrêt d'attaque agit pour protéger le support ou la pellicule 3 sous- jacente de polymère. La couche d'arrêt d'attaque, ayant servi dans ce butpeut alors être éliminée si on le désire. Lorsque la réticulation est achevée, on peut ajouter les différentes couches nécessaires pour le côté de con- nexion de l'élément de la structure. Celles-ci peuvent comprendre une couche polymère d'isolation 31, l'électrode élémentaire 9 et les couches polymères mésa 19, les pistes A,4 2620531 21 d'interconnexion élément/circuit, ainsi que les pla- quettes de métallisation mouillables 25, 27 destinées à accepter les liaisons par soudure 23. Un jeu correspondant de plaquettes 27 mouillables de métallisation est disposé sur les plaquettes d'entrée 15 sur le circuit d'exploita- tion de silicium. Les bossages de soudure 23 peuvent être définis sur l'un et l'autre des constituants du dispositif hybride. Les matériaux ferro-électriques qui forment les éléments sensibles du réseau détecteur thermique peuvent également être déposés de façon appropriée directement sous la forme d'une pellicule mince à l'épaisseur désirée de l'élément actif, ce qui peut éviter les processus potentiellement coûteux de croissance cristalline, de fabrication de céramiques, d'orientation, de découpage, de recouvrement et de polissage inhérents à l'utilisation de matériaux bruts pour ces dispositifs. Les procédés de dépôt de pellicules minces de tels matériaux ferro- électriques comprennent la pulvérisation à partir de. cibles composées, le dépôt en phase vapeur métal-produit organique (MCCVD) ainsi que la décomposition in situ de films précurseurs métal-produit organique déposé (par exemple des films produits par le procédé sol-gel ou par hydrolyse in situ de solutions complexes agitées métal- produit organique). De tels films peuvent être polycris- tallins avec différents degrés d'orientations cristallo- graphiques préférés, ou de nature monocristalline en fonc- tion des conditions de dépôt et/ou de décomposition. Comme paramètres particulièrement importants à cet égard, on peut citer la température de dépôt ou de décomposition ainsi que la nature du support sur lequel on dépose ces films. Ces procédés, pour des matériaux relativement complexes comme les oxydes ferro-électriques cités plus haut, impliquent généralement des températures de dépôt ou de décomposition supérieures à 400 C, en particulier si des films hautement cristallins avec orientation préférée ou des films monocristallins sont souhaités. Pour 41/% d2620531 cette raison, le dépôt direct sur une structure d'isola- tion thermique appropriée déjà en place sur le dispositif d'exploitation est généralement difficile, le dépôt de film est par conséquent réalisé de préférence sur un support temporaire convenable. Un support 41 avec un film ferro-électrique 43 déposé et une couche barrière 45 est illustré sur la figure 8. Le choix du matériau de support réfractaire approprié peut supprimer la contrainte de tem- pérature du procédé de dépôt mentionné ci-dessus et peut également permettre des vérifications pour le contrôle de la structure du film. Des matériaux de support appro- priés peuvent comprendre des matériaux amorphes (par exemple le quartz fondu) et les oxydes cristallins et autres composés minéraux. Les substrats monocristallins par exemple spinelle, saphir, oxyde de magnésium, zircon cubique, chlorure de sodium et fluorure de lithium) sont particulièrement intéressants du fait qu'ils permettent une croissance épitaxiale des pellicules ou films ferro- électriques monocristallins, si les paramètres de la maille ou les espacements de la maille sont convenablement équi- librés. Les pellicules ferro-électriques monocristallines à orientation correcte peuvent fournir un matériau beau- coup plus convenable (par exemple grâce à une perte diélectrique inférieure à celle du film polycristallin équivalent). La couche barrière 45 représentée sur la figure 8 peut être nécessaire afin d'éviter une interaction chimi- que entre le film en cours de croissance et le substrat et/ou pour contribuer à la nucléation du film. La couche barrière 45 peut elle-même être déposée sur le support 41 de manière à fournir l'orientation préférée ou à former une couche épitaxiale monocristalline. L'orientation préférée ou la nature monocristalline de cette couche barrière peut se translater sur le film ferro-électrique qui s'y développe. La couche barrière 45 peut également être utilisée pour obtenir une transition graduelle entre Af29 2620531 le paramètre de maille du support 41 et celui du film ferro- électrique 43, dans le cas o intervient une croissance épitaxiale. Comme exemple de couche barrière 45 on peut citer le platine métallique, qui peut être déposé avec une orientation préférée sur du quartz fondu ou déposé sous forme d'un film épitaxial sur un oxyde de magnésium monocristallin par pulvérisation. Après le dépôt du film ferro-électrique mince 43 d'épaisseur requise sur'le support 41, on peut alors traiter cette structure de façon tout à fait similaire à la structure préparée à partir du matériau brut,comme représenté sur la figure 9. La couche support 41 est attaquée chimiquement à partir de la zone active du réseau, de manière appropriée au matériau choisi du support, mais elle est retenue autour du périmètre de la structure afin de former le cadre support 33 plus épais et non réticulé pour le film ou la pellicule polymère support 3 qui porte le réseau détecteur. La couche barrière 45 peut être comprise dans la structure du réseau ou éliminée si on. le désire. Le traitement suit par ailleurs une voie entiè- rement similaire à celle décrite plus haut et se traduit par une structure similaire physiquement. D'autres variantes de structures peuvent être déri- vées de celles décrites ci-dessus et sont également comprises dans la portée de la présente invention. A titre d'exemple particulier, on peut citer la mise en oeuvre d'autres dispositions pour la concentration et/ou la réception du rayonnement infrarouge incident sur les éléments détecteurs 1. Ainsi, des structures optiques réfractrices ou réfléchissantes comprenant des lentilles optiques à immersion, individuelles et miniaturiséesainsi que des structures de concentration par réflexion à faces planes ou courbes, peuvent être comprises dans le montage. De telles structures peuvent être réalisées par exemple par attaque photochimique ou par attaque chimique aniso- tropique de silices monocristallines avec revêtement ulté- rieur d'antiréflexion convenable ou de métallisation. De telles structures de concentration peuvent également être assemblées avec le dispositif hybride et sensiblement aligné avec lui en utilisant la liaison par soudure planaire. SC0 2620531 REVENDICATIONS 1. Réseau détecteur thermique, comprenant des éléments détecteurs thermiques discrets disposés selon un réseau bidimensionnel, caractérisé par le fait que chaque élément (1) est supporté sur une face d'une couche (3) d'un matériau élastique à faible conductivité ther- mique également destiné à espacer lesdits éléments entre eux, une face opposée de ladite couche portant une struc- ture (5) d'électrode commune qui est en contact avec chaque élément et forme des interconnexions entre eux au moyen de pistes (7) électriquement conductrices et à résistance thermique élevée, chaque élément (1) comportant une élec- trode élémentaire (9) en contact avec une surface inté- rieure de l'élément, chaque électrode élémentaire (9) étant connectée au moyen d'un organe de liaison (13) sur un circuit d'entrée (15) d'un support (11) semi-conducteur, de telle manière que lesdits organes de liaison (13) cons- tituent un support de la couche (3) par rapport au support (11) et chaque élément (1) étant associé à un absorbeur (17) de rayonnement. 2. Réseau selon la revendication 1, caractérisé par le fait que les organes de liaison (13) sont réalisés en un matériau à faible conductivité thermique. 3. Réseau selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que les organes de liaison (13) sont disposés entre les éléments (1) respectifs et le support (11). 4. Réseau selon l'une des revendications 1 ou 2, caractérisé par le fait que les organes de liaison (13) sont en position adjacente par rapport aux faces des éléments (1) respectifs, s'étendant directement entre le support (11) et la couche (3). 5. Procédé de fabrication d'un réseau selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, comprenant notamment le dépôt de films minces, la métallisation, le masquage et la liaison par soudure.