Brevet FR2611074A1 — publié le 19880819

La présente invention concerne un support d'enre- gistrement optique et plus précisément un tel support d'en- registrement optique formant des bulles, de type réversible ou permettant des réécritures de données. Dans les supports d'enregistrement optique permet- tant des réécritures de données, par exemple les mémoires à disques optiques réversibles, des données optiques sont enregistrées dans une couche d'enregistrement, et les don- nées écrites sont restituées, le moment venu, à l'aide d'un faisceau lumineux de lecture des données o les données enregistrées antérieurement dans la couche d'enregistrement sont effacées pour être remplacées par de nouvelles données, le cas échéant. Les disques optiques de ce type sont utilisés dans de nombreuses applications recouvrant des domaines techniques très divers (y compris les mémoires de données d'un système d'enregistrement et de recherche de données sous la commande d'un ordinateur, une base de don- nées de connaissances dans un système "expert" d'intelli- gence artificielle, un disque supplémentaire de mémoire d'un poste personnel de travail, etc.), et on les considère comme constituant l'un des supports d'enregistrement les plus prometteurs, pour l'expansion des industries de l'in- formation. Les supports d'enregistrement de type magnéto- optique et les supports d'enregistrement utilisant un effet de transition de phases sont déjà connus comme exemples de disques optiques de type réversible (c'est-à-dire de dis- ques optiques permettant des réécritures de données). Un support d'enregistrement de type magnétooptique a une couche d'enregistrement formée d'un film d'un alliage ferrimagné- tique d'un métal amorphe choisi parmi les métaux de transi- tion et les éléments des terres rares (un tel film étant appelé "film RE-TM" dans la suite du présent mémoire). Lors- - qu'un champ magnétique d'enregistrement est appliqué à la couche d'enregistrement et lorsqu'un faisceau laser est focalisé sur elle, l'aimantation perpendiculaire du film RE-TM est inversée en fonction de l'intensité de la lumière et des données de bits y sont conservées magnétiquement. Lors de la lecture de l'information mémorisée représentant les données, la couche d'enregistrement RE-TM est éclairée par un faisceau laser de lecture qui est polarisé et qui est commandé en courant continu. Les données sont alors lues par détection de la rotation par effet Kerr d'un faisceau laser polarisé linéairement, réfléchi par la couche d'enregistrement. Comme la rotation de Kerr est très faible, la sensibilité d'un système optique incorporé à un ensemble à mémoire à disque, doit donc être accrue. En outre, un dispositif d'application d'un champ magnétique est nécessaire en plus du système optique. Ces conditions conduisent à la réalisation d'un appareil d'enregistrement- lecture ayant un arrangement compliqué et dont le coût est élevé. Un support d'enregistrement optique du type à transition de phases met en oeuvre, comme couche d'enregis- trement, un film mince d'un matériau particulier (habituel- lement un film mince contenant un chalcogène, par exemple le tellure, le sélénium ou analogue) dont la phase cristal- lographique change entre un état cristallin et un état amorphe dans certaines conditions. Un changement de biré- fringence de la couche d'enregistrement provoqué par la mémorisation de données est détecté sous forme d'un chan- gement du coefficient de réflexion de la lumière, avec lecture d'informations enregistrées sous forme de données. En conséquence, la sensibilité de la détection des données lues est obligatoirement faible, et on ne peut pas obtenir un bon contraste à la lecture. En conséquence, dans les applications pratiques, on ne peut pas prévoir une lecture précise des données. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 404 656 décrit un support d'enregistrement optique du type à bulles dans lequel une couche d'enregistrement comprend une couche organique et une couche métallique (ou d'un alliage) formées sur une couche intermédiaire. Lors de l'irradiation assurée par un faisceau laser d'écriture de données, la couche d'enregistrement formée en réalité de deux couches, se déforme localement et forme une protubérance. Plus précisément, la couche métallique supérieure se déforme plastiquement sous l'action de la pression d'un gaz dégagé par la couche organique lors du chauffage si bien que la protubérance est formée. Comme la déformation plastique de la couche d'enregistrement est permanente dans un support d'enregistrement de ce type, la protubérance de mémorisation de données, lorsqu'elle a été formée, ne peut plus être aplatie. En d'autres termes, le support d'enregistrement décrit dans ce brevet n'est pas d'un type permettant des réécritures de données. Le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 4 371 954 décrit un autre support d'enregistrement optique du type à bulles dans lequel une couche d'enregistrement comprend deux couches qui ont des coefficients différents de dilata- tion thermique et q i sont collées l'une à l'autre, par exemple une première couche (d'un polymère ou d'un métal) qui dégage un gaz et qui se déforme en conséquence lors du chauffage, et une seconde couche (couche d'un alliage ayant une mémoire de forme) qui a une phase martensitique à température ambiante. La couche double d'enregistrement se déforme lors d'un chauffage local et crée une protubérance si bien que des données d'un bit sont ainsi mémorisées. Lorsque les données mémorisées doivent être effacées, un faisceau lumineux, ayant une longueur d'onde différente, est utilisé pour une irradiation qui supprime la déformation de la protubérance dans la couche d'alliage à mémoire de forme. Cependant, compte tenu de la technologie actuelle de fabrication, la mise en oeuvre en grande série de cette opération dans laquelle une couche d'alliage ayant une mémoire de forme est déposée, avec une épaisseur réduite à 100 nanomètres ou moins, est très difficile. Comme une telle couche d'alliage ayant une mémoire de forme présente facilement de la corrosion, même si elle pouvait être fabriquée er. grande série, la couche résultant d'enregis- trement ne pourrait pas avoir une stabilité garantie. L'invention concerne donc un support d'enregis- trment optique de type réversible, c'est-à-dire permettant des réécritures, permettant efficacement un enregistrement et une lecture de données, par mise en oeuvre d'un ensemble d'entrainement de type simple. L'invention atteint cet objet par mise en oeuvre d'un support d'enregistrement optique particulier qui mé- morise des données sur une couche d'enregistrement formée sur un substrat, tout en permettant des réécritures. Le substrat est formé au moins partiellement d'une matière organique, et il dégage des constituants gazeux lorsqu'il est irradié par un premier faisceau lumineux ayant une longueur d'onde déterminée, c'est-à-dire lorsqu'il est chauffé dans une région d'irradiation par un faisceau lu- mineux d'enregistrement de données. La couche d'enregis- trement est déposée sur le substrat par pulvérisation catho- dique ou dépôt sous vide en phase vapeur, et elle est formée d'un matériau amorphe particulier contenant du sili- cium et de fines particules métalliques. Lorsque les constituants gazeux sont dégagés par le substrat, la couche d'enregistrement se déforme et se sépare localement du substrat par pelage sous l'action de la pression des constituants gazeux, avec formation d'une protubérance ou saillie. Lorsque la couche d'enregistrement est éclairée par un second faisceau lumineux ayant pratiquement la même longueur d'onde que le premier faisceau lumineux et une intensité différente de celle de ce faisceau, c'est-à- dire un faisceau lumineux d'effacement de données, la couche d'enregistrement se déforme et supprime la saillie, avec formation d'une surface sensiblement plate, si bien que l'information mémorisée est effacée. D'autres caractéristiques et avantages de l'inven- tion seront mieux compris à la lecture de la description qui va suivre d'exemples de réalisation, faite en référence aux dessins annexés sur lesquels: la figure 1 est un schéma (qui n'est pas à l'échelle) representant la structure en coupe de la partie principale d'un disque optique réversible à bulles selon un premier mode de réalisation de l'invention; la figure 2 est un schéma(qui n'est pas à l'échelle) représentant en coupe la structure- d'un disque optique selon l'invention, lorsqu'une information est enregistrée ou écrite, la couche d'enregistrement étant thermiquement dé- formée afin qu'elle constitue une protubérance; la figure 3 est un schéma (qui n'est pas à l'échelle) de la coupe d'une structure du disque optique selon l'inven- tion apreès que des informations enregistrées ont été effacées, la couche d'enregistrement étant déformée thermi- quement afin qu'elle s'aplatisse; les figures 4 et 5 sont des schémas (qui ne sont pas l'échelle) de coupes de structures des parties princi- pales de disques optiques réversibles à bulles selon d'autres modes de réalisation de l'invention; la figure 6 est un schéma representant la disposi- tion aénérale d'un appareil de pulvérisation simultanée à magnétrons, utilisé avantageusement pour la fabrication du disque optique réversible selon l'invention; les figures 7 à 12 sont des graphiques représentant des résultats de mesure de diverses caractéristiques fon- damentales d'échantillons de disques optiques réversibles selon l'invention; et la figure 13 est un schéma de l'arrangement d'un appareil de dépôt sous vide utilisé avantageusement pour la fabrication d'un disque optique réversible selon l'invention. On se réfère d'abord à la figure 1'; un disque 10 d'enregistrement optique de type réversible ou permettant une réécriture de données a un substrat organique trans- parent 12 en forme de disque qui peut dégager des consti- tuants gazeux lorsqu'il est chauffé. Le substrat 12 peut être un substrat de polycarbonate ou d'une polyoléfine. Lorsque le disque optique 10 est soumis à un accès assurant l'écriture de données, le substrat 12 dégage des consti- tuants gazeux, par exemple un gaz organique et/ou de la vapeur d'eau. La couche 14 d'enregistrement et la couche 16 de protection sont empilées successivement sur le substrat 12. La couche 14 d'enregistrement se déforme (en saillie) et se sépare localement du substrat 12 par pelage sous l'action du gaz sous pression provenant des constituants gazeux dégagés par le substrat 12 comme représenté sur la figure 2, si bien qu'une saillie, une cloque ou une protu- bérance 18 est formée dans une région d'irradiation par un laser. La couche 14 d'enregistrement contient du silicium et de fines particules métalliques. Plus précisément, la couche d'enregistrement 14 doit avoir les propriétés sui- vantes: (1) la couche 14 doit absorber de manière satis- faisante un faisceau lumineux incident, (2) la couche 14 doit avoir une résistance conve- nable de liaison au substrat, (3) la couche 14 doit être chimiquement stable (elle ne -cit pas fondre ou s'évaporer facilement) et elle doit avoir une ductilité convenable, et (4) le changement de structure cristalline de la couche 14 ne doit pas être irréversible. La couche 14 d'enregistrement, pour posséder la propriété (1),doit contenir de fines particules métalliques. Ces particules sont dispersées uniformément dans la couche 14 d'enregistrement. Les fines particules métalliques ab- sorbent thermiquement un faisceau laser d'écriture de données parvenant sur la couche 14 d'enregistrement. Des particules d'un métal très conducteur tel que l'or (Au), le titane (Ti), le cobalt (Co), le cuivre (Cu), le tungstène (W), l'étain (Sn) et analogue sont utilisés comme fines particules métalliques. Les fines particules de Au sont les plus avantageuses. La propriété (2) est telle que la résistance de liaison entre le substrat 12 et la couche 14 d'enregistrement doit être suffisamment faible pour que la couche 14 d'enregistrement se sépare localement par pelage du substrat 12 dans une région d'irradiation par un faisceau laser sous l'action de la pression du gaz dégagé par le substrat, avec formation d'une protubérance 18 (voir figure 2) ayant une hauteur optimale (donnant une sensibi- lité optimale d'enregistrement), et cette résistance doit cependant être suffisamment élevée pour que la couche 14 ne puisse pas se séparer entièrement du substrat par pelage, à long terme. La propriété (3) est telle que la couche 14 d'enregistrement possède de préférence une ductilité telle qu'elle n'est pas rompue sous l'action du gaz sous pression dégagé lors de l'enregistrement des données. La couche 14 d'enregistrement est formée d'une couche de silicium amorphe afin qu'elle possède les propriétés (3) et (4). La couche 14 d'enregistrement doit en outre avoir une biréfringence n* comprise dans une plage conve- nablement réglée. Cette propriété est nécessaire afin que la sensibilité de lecture soit élevée, la quantité de lumière réfléchie d'un faisceau laser de lecture devant varier beaucoup entre une partie ayant une protubérance (c'est-à-dire une partie d'enregistrement) et une partie de surface plane environnante (c'est-à-dire une partie sans enregistrement ou effacée) lorsque des données mémorisées doivent être restituées (lues). A cet effet, le coefficient de réflexion d'une région d'interface de la couche 14 d'enre- gistrement et du substrat 12, à l'état effacé ou non enregistré, doit être différent de celui d'une région d'in- terface formée entre une surface interne de la couche 14 d'enregistrement et un espace vide de la protubérance, formé de manière que la couche 14 d'enregistrement se sépare localement par pelage du substrat 12 lors de l'enre- gistrement des données. En conséquence, si la biréfringence n* de la couche d'enregistrement est représentée par l'équation suivante: n* = n ik (1) dans laquelle "i" est un nombre imaginaire et "n" et "k" sont des nombres réels constants, les constantes "n" et "k" sont choisies de manière au'eiles correspondent à la relation suivante: n2 + k2 > ns (2) dans laquelle ns est le coefficient de réflexion dans une partie de la surface du substrat 2. Comme le coefficient de réflexion ns d'un substrat de résine transparente 12 est normalement d'environ 1,5, les constantes "n" et "k" de la biréfringence n* de la couche 14 d'enregistrement sont de préférence com- prises dans les plages suivantes: 0,5 du silicium est compris entre 10 et 80, et celui de l'oxy- gène, entre 5 et 60. Comme la couche 14 d'enregistrement contient en outre de l'oxygène, la stabilité d'enregis- trement des données dans la couche 14 sous l'action de la température peut être accrue. Dans ce cas, même lorsque la température ambiante augmente jusqu'à 400 C environ, la couche 14 d'enregistrement a une qualité stable de film et peut donner de manière satisfaisante un accès aux données pour la lecture, la restitution et la réécriture. La couche 16 de protection est destinée' à empêcher la corrosion de la couche 14 d'enregistrement dans une atmosphère ambiante et de régler la configuration de la protubérance de la couche 14 d'enregistrement. Comme représenté sur la figure 2, après déformation de la couche 14 d'enregistrement, la couche 16 de protection est aussi déformée. Dans ce cas, la couche 16 détermine la configura- tion de la protubérance 18 de la couche 14 d'enrgistrement afin qu'elle empêche une déformation excessive de cette couche 14, et la protubérance 18 ne peut pas être sup- primée en mode d'effacement de données. Lorsque la protu- bérance 18 est formée, une cavité ou espace 20 est présent entre la couche déformée 14 et la face supérieure du substrat 12 comme représenté sur la figure 2. En consé- quence, on peut considérer que la saillie 18 est essentiel- lement formée par une contrainte résiduelle créée lorsque la couche 14 d'enregistrement est déformée. Plus préci- sément, on peut considérer qu'une contrainte élastique de la couche 16 de déformation, une contrainte résiduelle de la couche 14 d'enregistrement et une pression d'un gaz résiduel de l'espace 20 sont en équilibre. En mode d'effa- cement de données, lorsqu'un faisceau laser d'effacement éclaire une saillie 18, la couche 14 d'enregistrement s'aplatit notablement étant donné la relaxation des con- trair.es de la couche 14 d'enregistrement comme représenté sur la fiaure 3. A ce moment, la couche 16 de protection facilite le dégagement des constituants gazeux et la relaxa- :iorn des contraintes accumulées dans la couche 14 d'enre- gistrement (et la couche 16 de protection elle-même). En conséquence, la couche 16 de protection est ajoutée de préfèrence au disque optique 10 car la plage de formation et de suppression d'une saillie 18 (c'est-à-dire la puis- sance d'enrezistrement des données et la puissance d'effa- cement de données) peut être agrandie. Lorsque le faisceau laser d'écriture de données et le faisceau laser d'effacement de données éclairent le disque optique 10, du côté d'une surface d'enregistrement de données (c'est-à-dire du côté de la formation des protubérances), la couche 16 de protection doit être transparente puisque ces faisceaux lasers doivent être transmis par cette couche 16. Dans ce cas, la couche 16 est de préférence formée d'une mince couche insensible à la lumière du laser et qui n'absorbe pas l'énergie des faisceaux lasers (ou au moins l'absorbe moins). A cet égard, la couche 16 de protection est de préférence formée d'une mince couche d'un diélectrique transparent. D'autre part lorsque les faisceaux lasers éclairent le disque optique 10 du côté opposé à la surface (c'est-à-dire par une surface qui est représentée à la partie inférieure de la figure 1 et sur laquelle aucune couche n'est formée), il n'est pas nécessaire que la couche 16 de protection soit transparente. Dans ce cas, la couche 16 peut être formée par une couche mince par exemple d'aluminium, d'un métal, etc., ayant un coefficient de réflexion suffisamment élevé pour qu'elle réfléchisse efficacement les composantes du faisceau laser qui ont été transmises par le substrat 12 et la couche 14 d'enregistrement et pour qu'elle renvoie l'énergie des faisceaux lasers. Il faut noter que, lorsque la couche de protection est un mince film diélectrique transparent, une autre couche constituant une couche réfléchissante peut être placée sur la couche diélectrique transparente de protec- tion. La figure 4 représente une structure multicouche du support d'enregistrement dans ce cas. La couche diélectrique transparente de protection porte la référence 16' sur la figure 4. Une couche d'aluminium est formée sur la couche 16' et constitue une couche 24 de réflexion de la lumière. La couche 14 d'enregistrement est une couche de silicium amorphe dont l'épaisseur est de 60 nanomètres et dont le pourcentage atomique de silicium (at%) est égal à 60 % (Si/(Au + Si)). La couche 16' de protection est un film de nitrure de silicium dont l'épaisseur est comprise entre 30 et 200 nanomètres (par exemple de 60 nanomètres). Dans ce cas, l'épaisseur de la couche réfléchissante 24 de AL est d'environ 40 nanomètres. Lorsque l'épaisseur de la couche 16' de protection est acrue de quelques microns, la couche sous-jacente 14 d'enregistrement se déforme difficilement et une réduction indésirable de la sensibilité d'enregis- trement apparaît. Il faut aussi noter qu'il n'est pas nécessaire que le substrat 12 du disque optique 10 soit formé entièrement d'une matière organique, mais il peut être formé au moins partiellement d'une matière organique qui est au contact, à sa face supérieure, de la couche 14 d'enregistrement. La figure 5 représente ce mode de réalisation. Ainsi, dans un disque optique réversible représenté sur la figure 5, le substrat 12 a une structure à deux couches comprenant un film minéral transparent 26 (par exemple une couche de I11 verre), et une couche organique 28 (par exemple un film mince de polycarbonate, de polyoléfine, d'acide rhodinique ou analogue) destinée à dégager des constituants gazeux d'une matière organique et/ou de la vapeur d'eau. Par exemple, lorsque l'épaisseur de la couche de verre est de 1,5 mm, la couche organique 28 a de préférence une épais- seur de 100 nanomètres. Dans le support d'enregistrement optique selon l'invention, ayant la structure indiquée, lorsqu'un fais- ceau laser d'écriture des données parvient du c6té de la face inférieure ou du côté de la face supérieure du substrat 12 sur laquelle est formée la couche 14 d'enre- gistrement, des constituants gazeux (organiques et/ou de la vapeur d'eau) sont dégagés au moins par la partie superficielle supérieure du substrat 12 par chauffage local du au faisceau laser. Simultanément, l'état de la surface supérieure du substrat 12 change sous l'action du chauffage et ainsi la résistance de liaison de la couche 14 et du substrat 12 diminue. De cette manière, la couche 14 d'enr&- gistrement se sépare localement par pelage du substrat 12 dans la région d'irradiation par le faisceau laser et forme une saillie telle que représentée sur la figure 2, constituant la protubérance 18. Comme les constituants gazeux dégagés par le substrat 12 repoussent localement la couche 14 d'enregistrement par pression, cette couche 14 se déforme et constitue la protubérance 18. Une partie des constituants gazeux dégagés par le substrat 12 est absorbée par le substrat (la partie de surface supérieure du substrat 12 ou la couche organique 28 représentée sur la figure 5) et les constituants restants sont conservés dans l'espace (voir figure 2) sous forme de gaz résiduel. Grâce à ce mécanisme, une protubérance relativement élevée, ayant une forme bien réglée, peut être formée si bien que l'enre- gistrement des données peut être réalisé efficacement. Comme les contraintes internes de la partie déformée de la couche 14 d'enregistrement sont supprimées par effet thermique, le disque optique 10 est irradié par un faisceau laser d'effacement (qui a pratiquement la même longueur d'onde que le faisceau laser d'écriture et une puissance inférieur à celle du faisceau laser d'écriture et qui éclaire la couche 14 d'enregistrement pendant une période plus longue que le temps d'irradiation par le faisceau laser d'écriture), si bien que la couche 14 d'enre- gistrement est aplatie et la protubérance 18 disparaît. Lorsqu'un faisceau laser de faible puissance éclaire une surface relativement grande de la couche 14 d'enregistrement qui comporte la protubérance 18, les constituants gazeux résiduels restant dans la protubérance 18 s'échauffent (à une température qui est cette fois inférieure à la tempéra- ture de chauffage atteinte en mode d'écriture de données). A ce moment, les constituants gazeux résiduels sont dégagés à l'extérieur et/ou les contraintes internes de la couche 14 d'enregistrementdisparaissent, si bien que la couche 14 reprend sa forme plate 22 (état initial) telle que repré- sentée sur la figure 3. Dans cet état, lorsqu'un faisceau laser d'écriture d'autres données assure une irradiation, des données sont à nouveau enregistrées ou mémorisées. Le faisceau d'effacement des données n'a pas obligatoirement une longueur d'onde différente de celle du faisceau laser d'écriture, et les deux faisceaux peuvent seulement avoir des puissances différentes et des durées différentes d'irradiation afin que l'opération d'écriture des données puisse être réalisée efficacement. En conséquence, les faisceaux d'écriture et d'effacement peuvent être obtenus avec un seul dispositif générateur d'un faisceau laser (par exemple un laser à semi-conducteur). Dans ce cas, un seul faisceau laser peut être réglé par un circuit électrique convenable. Ceci contribue aussi à la simplification de l'arrangement du dispositif d'entraînement du support d'enregistrement. Lorsque des informations mémorisées sont resti- tuées ou lues, un faisceau laser de lecture est utilisé. La puissance du faisceau laser de lecture est réglée à une valeur inférieure à celle avec laquelle la protuberance représentative des données disparaît, mais elle doit être suffisamment élevée pour qu'elle permette un réglage de la focalisation avec réflexion d'une quantité suffisante de lumière par la couche d'enregistrement et pour l'obten- tion d'un rapport élevé signal-sur-bruit. Lorsque le faisceau laser éclaire la couche 14 d'enregistrement, la protubérance 18 de la couche 14 et une partie de surface plate qui l'entoure (zone non enregistrée ou zone dont la protubérance a déjà disparu) présentent des quantités dif- férentes de lumière réfléchie à partir des faisceaux lasers. La différence de quantité de lumière réfléchie peut être détectée nar une technique connue, si bien que l'informa- tion enregistrée peut être lue. Comme une protubérance a une forme facilement réglée et a une hauteur relativement grande, le constraste de lecture peut être élevé si bien que la lecture peut être réalisée efficacement. En outre, comrne le disque optique selon l'invention ne nécessite pas un système optique compliqué ni un dispositif d'application d'un champ magnétique qui sont nécessaires pour l'enregis- trement et la lecture des données dans le cas d'un support de type magnétooDtique, la réalisation de l'ensemble d'en- traînement du support d'enregistrement selon l'invention peut être simplifiée. La couche 14 d'enregistrement d'un support réver- sible d'enregistrement optique à bulles selon l'invention peut être formée facilement et de manière satisfaisante par une seule opération de pulvérisation cathodique en atmos- phère de gaz inerte (par exemple d'argon gazeux), avec une anticathode d'un matériau métallique (par exemple Au) cons- tituant les fines particules métalliques contenues dans la couche 14 d'enregistrement et une anticathode de silicium Si constituant la couche d'enregistrement 14. Dans ce cas, lorsqu'un gaz de pulvérisation contient de l'oxygène gazeux ou lorsque l'anticathode de silicium est remplacée par de l'oxyde de silicium (anticathode de SiO ou SiO2), des atomes d'oxygène peuvent en fait être contenus dans la couche pulvérisée 14 d'enregistrement. Dans une variante, la couche 14 peut êtreréalisée de manière que des anticathodes de Au et SiO soient simultanément soumises à un déoôt enphase vapeur. Lors de l'utilisation de l'un quelconque des pro- cédés précédents de fabrication, une couche résultante d'enregistrement a une structure dans laquelle de fines particules métalliques d'or sont dispersées uniformément et des atomes d'oxygène sont en outre contenus dans une couche de silicium amorphe. La couche de silicium amorphe contenant des particules d'or et des atomes d'oxygène a pour rôle de constituer une couche réversible d'enregistrement et possède une bonne résistance aux intempéries puisqu'elle contient des atomes d'oxygène. Comme la couche d'enregis- trement a une résistance élevée de liaison vis-à-vis du substrat organique 12 ou d'une couche organique 28 déposée sur une couche 26 de verre, un disque optique de longue durée d'utilisation peut être réalisé. Comme la couche d'enregistrement n'est pas toxique et n'a pas d'odeur déplaisante, elle présente toute sécurité pour le corps humain. Lorsque des anticathodes d'or et de silicium sont soumises simultanément à une pulvérisation cathodique en atmosphère d'argon afin qu'une couche d'enregistrement soit déposée sur un substrat, l'intérieur d'un appareil de pulvérisation cathodique est mis sous vide pendant une période suffisamment longue (par exemple 20 heures ou plus) pour que la pression finale atteinte soit inférieure ou égale à 1 o6 torr, et la pulvérisation est alors réalisée avec formation d'une couche amorphe d'alliage Au-Si ne con- tenant pratiquement pas d'atomes d'oxygène. Cette couche à film mince peut aussi être utilisée comme couche réver- sible d'enregistrement. Cependant, comme la couche est cristallisée à une température d'environ 200 C ou plus, ses propriétés de film sont modifiées de manière indésirable après l'enregistrement et la lecture des données. Au contraire, lorsque des anticathodes de Au et Si sont soumises simultanément à la pulvérisation cathodique dans l'atmosphère d'argon gazeux, lorsque le temps d'évacuazion de l'intérieur de l'appareil de pulvérisation est raccourci (par exemple à 10 min) et lorsque la pression finale dans l'appareil est réglée à une faible valeur, par exemple d'environ 104 torr, pour la pulvérisation cathodique, la couche résultante d'enregistrement peut avoir une concen- tration convenable d'oxygène (pourcentage atomique de 5 à ). Ceci est dû au fait qu'il reste des atomes d'oxygène dans l'atmosphère du gaz de pulvérisation. En conséquence, une structure de couche d'enregistrement contenant un pour- centage atomique de particules d'or de 10 à 80, dispersées uniformément dans du silicium amorphe contenant un pourcen- tage atomique de 5 à 60 d'atomes d'oxygène, peut être obtenue. Dans une variante, lorsque 0,5 à 50 % en volume d'atomes d'oxygène sont mélangés à l'atmosphère du gaz de pulvérisation ou lorsque l'anticathode de Si est rem- placée par une anticathode de SiO ou SiO2, une structure semblable de couche d'enregistrement peut être obtenue. On montre selon l'invention que la couche d'enregistrement fabriquée comme décrit précédemment est stable à des températures élevées pouvant atteindre 400 C. La couche d'enregistrement réversible ayant la teneur convenable en oxygène peut être fabriquée facilement et efficacement par utilisation de l'un quelconque des procédés précités de formation de film. Certains exemples de disques optiques réversibles fabriqués en réalité selon l'invention sont décrits dans la suite. Dans les disques optiques de ces exemples, un film mince de silicium amorphe contenant des particules d'or, avec un pourcentage atomique de silicium de 1 0 à 80 et un pourcentage atomique d'oxygène de 5 à 60, est utilisé comme couche réversible d'enregistrement. Exemple 1 Quelques disques d'enregistrement optique de type réversible ont été fabriqués à l'aide d'un appareil de pulvérisation simultanée à magnétrons à haute fréquence, schématiquement représenté sur la figure 6. Dans l'appareil de pulvérisation cathodique de la figure 6, une enceinte 50 sous vide est réalisée et a une chambre hermétique de pulvérisation cathodique. L'intérieur de l'enceinte 50 sous vide est relié à une section 52 d'évacuation qui comporte une pompe rotative et une pompe cryogénique (aucune d'elles n'est représentée), reliées par un canal 54 d'évacuation. Un robinet 56 d'évacuation est monté dans le canal 54. Un canal 58 d'entrée de gaz ayant un robinet d'admission d'air est monté sur l'enceinte 50. Un gaz nécessaire de pulvérisation cathodique est introduit dans l'enceinte 50 par le canal 58. Lorsque les robinets 56 et 60 sont fermés, l'intérieur de l'enceinte peut être fermé hermétiquement d'une manière parfaite si bien qu'une chambre de pulvéristion cathodique est délimitée. ULn support rotatif 62 de substrat est placé à la partie supérieure de l'enceinte 50. Pendant la formation d'un film, le support 62 est entraîné en rotation à une vitesse d'environ 60 tr/min. Le substrat 64 correspondant au substrat 12 est monté de manière stable sur le support 62. Le substrat 64 peut être formé de verre, de quartz, de polyméthacrylate de méthyle, de polycarbonate, de polyolé- fine ou analogue. Les plaques 64 et 66 de support d'anti- cathodes sont placées dans la partie inférieure, dans l'enceinte 50, en face du support 62. La plaque 64 porte une première anticathode 68 contenant du silicium. La plaque 66 porte une seconde anticathode 70 contenant un métal destiné à constituer de fines particules métalliques, par exemple de l'or, que doit contenir la couche 14 d'enre- gistrement. Les plaques 64 et 66 de support d'anticathodes sont reliées électriquement à une alimentation 72 à haute fréquence et elles reçoivent de l'énergie à haute fréquence de cette alimentation pendant la pulvérisation cathodique. L'enceinte 50 a un aimant (électro-aimant ou aimant perma- nent) qui n'est pas représenté. L'aimant forme un champ magnétique orthogonal ayant une intensité prédéterminée, sur les surfaces des anticathodes, et permet la formation d'un canon plan à magnétrons destiné à assurer la pulvérisa- tion cathodique par un magnétron. 26 107 74 La première anticathode 68 peut être une anticathode quelconque de 12,5 mm de diamètre formée de Si, SiO ou SiO2. La seconde anticathode 70 est formée d'or. Un gaz de pulvérisation cathodique, de l'argon gazeux pur ou conte- nant 0,5 à 50 % en volume d'oxygène, est utilisé. Lors de l'utilisation d'une anticathode de SiO ou Sio2 comme première anticathode 68, de l'argon gazeux pur est introduit dans l'enceinte sous vide 50 par l'intermédiaire du canal 58 d'entrée de gaz. Lorsque l'anticathode de Si est utilisée comme première anticathode 68, de l'argon gazeux contenant de l'oxygène est introduit dans l'enceinte 50. Plus préci- sément, les atomes d'oxygène qui doivent être contenus dans la couche résultante d'enregistrement sont transmis au moins par le gaz de pulvérisation ou l'anticathode à l'état solide. Il faut noter qu'un débit de gaz de pulvéri- sation introduit dans l'enceinte 50 a été réglé à une valeur comprise entre 30 et 70 cm3/min dans les conditions nor- males. Le vide final dans l'enceinte 50 a été réglé à millitorr. Les films pulvérisés à base de Au-Si ont été formes au cours de certaines opérations différentes, correspondant aux directives précitées pour la formation du film et le film à l'état tel que déposé et la structure cristalline ou le tissu cristallin ont été examinés avec un microscope électronique du type fonctionnant par transmission. En outre, la variation du coefficient de réflexion a été examinée en fonction de la température. Dans le cas d'un autre échantillon sur lequel une * couche protectrice est déposée en outre, un essai d'enre- gistrement-lecture-effacement a été réalisé par irradiation par des faisceaux lasers. La couche de protection, un film de nitrure de silicium, a été formée dans le même appareil que la couche d'enregistrement. Un corps fritté de Si3N4 a été utilisé comme anticathode, et de l'argon gazeux mélangé à 10 % d'azote a été utilisé comme gaz de pulvérisation cathodique. La source lumineuse était un laser He-Ne travaillant à une longueur d'onde de 633 nm. Le faisceau laser a été focalisé de manière qu'il donne un point de 1 pm de diamètre qui a éclairé la couche d'enregis- trement à partir du coté du substrat, et ce faisceau a été balayé avec une vitesse linéaire de 0,6 m/s sous la commande d'un miroir galvanométrique. Une puissance de lecture a été réglée à 0,4 milliwatt environ à la surface du film. L'impulsion laser d'enregistrement a été réglée à une puissance de 3 à 10 milliwatts avec une largeur d'impulsions comprise entre 300 ns et 20 ps. Les données ont été effacées par balayage linéaire avec un faisceau laser ayant une puissance de 0,5 à 3 milliwatts. Après l'essai d'enregis- trement-lecture-effacement, des données n'ont pas pu être réécrites lorsque le substrat utilisé était formé de verre ou de quartz. Cependant, lors de l'utilisation d'un substrat d'une résine organique, tel qu'un substrat de polyméthacrylate, de polycarbonate ou de polyoléfine ou analogue, des données ont pu être réécrites. Dans d'autres substrats, lorsqu'une résistance de liaison de la couche d'enregistrement et du substrat correspondant était très élevée, les données n'ont pas pu être réécrites. Les carac- téristiques d'enregistrement-lecture-effacement indiquées dans la suite sont celles qui ont été obtenues avec un substrat de polyméthacrylate. + Le tableau 1 résume les résultats obtenus sur l'échantillon tel que déposé et après recuit, ces résultats étant donnés par un microscope électronique fonctionnant par transmission, dans le cas de films pulvérisés de Au-Si préparés par divers procédés. TABLEAU -1 Nom d'échantillon ASL ASR ASO Au-SiO Au-SO2 Anticathode Au, Si Au, Si Au, Si Au, SiO Au-SiO2 Gaz Ar Ar Ar+10% Ar Ar - 02 Tel que amorphe cfc cfc cfc cfc déposé (Au) (Au) (Au) (Au) - + halo + halo + halo + halo Après recuit amorphe cfc cfc cfc cfc de 10 min à (Au) (Au) (Au) (Au) 1 00CC + halo + halo + halo + halo Apres recuit Au + Si cfc cfc cfc cfc de 10 min à (Au) (Au) (Au) (Au) 200 C + halo + halo + halo halo Après recuit Au + Si cfc cfc cfc cfc de 10 min à (Au) (Au) (Au) (Au) 400 C + halo + halo + halo + halo l;... Après recuit gros cfc cfc cfc cfc de 10 min à cristaux (Au) (Au) (Au) (Au) 6000C de Au grande grande grande grande taille taille taille taille de par- de par- de par- de par- + ticules+ ticules+ ticule+ ticules+ halo+ halo+ halo+ halo+ Si x x x x cfc = cubique à faces centrées Un échantillon pour lequel le temps d'évacuation à partir de la pression atmosphérique et avant formation d'une couche d'enregistrement, a été modifié (c'est-à-dire la pression finale du vide) a été préparé et ses caractéris- tiques de réflexion et de transmission spectrales et ses caractéristiques de récriture ont été examinées. Dans un échantillon (de nom ASR) formé de manière qu'un gaz de pulvérisation pénètre alors que le temps d'évacuation à partir de la pression atmosphérique était de 10 min environ, le vide final n'étant pas très élevé, c'est-à-dire étant -4 d'environ 10-4 torr, de bonnes caractéristiques de réécri- ture ont été obtenues. Ce disque optique convenait aussi à une fabrication en grande série. Dans un échantillon (dénommé ASO) préparé de manière que 0,5 à 50 % d'oxygène soient mélangés à un gaz de pulvérisation, de bonnes caractéristiques de réécriture ont aussi été obtenues. Lors- que la pression partielle d'oxygène dans le gaz de pulvéri- sation a dépassé 50 %, la vitesse de dépôt du film a dimi- nuée, et on n'a pas pu utiliser cette opération en pratique. Lors de l'utilisation d'anticathodes de pulvérisation de Au et SiO (échantillon appelé Au-SiO) ou d'anticathodes de Au et SiO2 (échantillon Au-SiO2), on a obtenu de bonnes caractéristiques de réécriture. On a constaté, à la suite de l'analyse de ces échantillons ayant de bonnes caracté- ristiques de réécriture, qu'ils contenaient un pourcentage atomique (at%) d'oxygène de 5 à 60. Les échantillons ayant i15 de bonnes caractéristiques de réécriture ont alors été observés au microscope électronique fonctionnant par transmission. En conséquence, on a constaté qu'un halo pro- pre à une matière amorphe et un anneau de diffraction d'or à structure cubiqde à faces centrées se recouvraient dans un diagramme de diffraction électronique, et chaque échantil- lon avait une structure dans laquelle des particules d'or (de dimension particulaire inférieure ou égale à nanomètres) étaient dispersées dans une matière amorphe de Si contenant de l'oxygène. Ces échantillons ont été recuits puis observés de manière analogue au microscope électronique fonctionnant par transmission. Même lorsque les échantillons ont été recuits à 400 C, leur texture et leur diagramme de diffraction n'ont pas du tout changés. Lorsque les échan- tillons ont été recuits à 600'C, la dimension des particules d'or a eu tendance à augmenter et on a observé la précipi- tation d'une nouvelle phase x (par exemple SiO). Par ail- leurs, ces échantillons ont été déposés sur un substrat de quartz et les variations du coefficient de réflexion (à une longueur d'onde de 633 nm) lors d'un changement de température entre 250 et 500 C ont été mesurées, pour une vitesse de changement de température de 20 C/min. Le coefficient de réflexion n'a pas changé, et tous les films sont restés plats. On a constaté, au cours des essais pré- cédents, que la structure à l'intérieur du film ou la biréfringence de la couche d'enregistrement selon l'inven- tion ne variait pas jusqu'à 400 C. Après évacuation de la chambre de pulvérisation pendant une longue période (par exemple 20 h) avant forma- tion d'une couche d'enregistrement destinée à donner -6 un vide final de 10-6 torr ou plus, des anticathodes de Au et Si ont subi une pulvérisation cathodique en atmosphère d'argon gazeux afin qu'un échantillon ayant un pourcentage atomique d'oxygène de 5 % soit formé (cet échantillon étant appelé ASL). Bien que la sensibilité d'enregistrement ait augmenté du fait de l'augmentation du facteur d'absorption de la lumière, la plage des puissances d'enregistrement de réécriture a été réduite. Ce film était à l'état tel que déposé et était amorphe. Lorsqu'il a été recuit à une température de 200 C, il s'est cristallisé en donnant Au cristallin + Si cristallin. On a mesuré une variation du coefficient de réflexion lors du changement de température. En consequence, le coefficient de réflexion a diminué lors- que le film s'est cristallisé. En outre, la résistivité de ce film a été mesurée à une faible valeur, c'est-à-dire entre 4.104 et 9.10-4 S.cm. Au contraire, la résistivité des films ayant de bonnes caractéristiques de réécriture, décrite précédemment, était élevée, c'est-à-dire de 0,2 2.cm ou plus, et celle des échantillons ayant une teneur élevée en Au était aussi élevée, c'est-à-dire de 2.10-3 s.cm. D'après les échantillons décrits, on a calculé les rapports atomiques silicium/oxygène dans les films par analyse électronique spectrale d'Auger. Les valeurs cal- culées ont été étalonnées avec de l'oxyde thermique SiO formé sur une tranche de Si constituant un échantillon de référence. En conséquence, dans l'échantillon ASL ayant de mauvaises caractéristiques de réécriture, le rapport sili- cium/oxygène était de 1/0,1. Dans les échantillons contenant de l'oxygène (ASO, Au-SiO, Au-SiO2), le rapport silicium,/ oxygène était compris entre 1/1,5 et 1/1,8. On a aussi ana- lysé d'autres échantillons. On a déterminé, d'après cette analyse, que le rapport atomique silicium/oxygène dans un film était de préférence compris entre 1/0,25 et 1/2 et de préférence entre 1/1 et 1/2. On a examiné le spectre d'absorption infrarouge des échantillons précédents. Dans l'échantillon ASL ayant un film d'alliage amorphe, un pic notable d'absorption ne s'est pas manifesté. Dans les autres échantillons conte- nant de l'oxygène dans les films (ASR, ASO, Au-SiO, Au-SiO2), un pic d'absorption analogue à un pic de vibration de va- lence Si-O et un pic de vibration de valence Si-Si propre au bioxyde de silicium amorphe ou au sous-oxyde de silicium amorphe ont apparu, et des liaisons respectives ont été révélées. On a constaté que les états des liaisons Si-O dans l'échantillon (ASO) qui a tiré l'oxygène d'un gaz de pulvérisation et des échantillons (Au- SiO, Au-SiO2) qui ont tiré l'oxygène d'une anticathode étaient légèrement diffé- rents. Compte tenu des caractéristiques de réécriture, les derniers échantillons (Au-SiO, Au-SiO2) sont préférables. Le premier nécessite souvent une initialisation avant enregistrement (réalisée de la même manière qu'en mode d'effacement). Exemple 2 Dans l'échantillon ASR représenté sur la figure 1, on a changé le rapport de composition Au/Si par modification de l'énergie fournie aux anticathodes correspondantes, et on a examiné la dépendance des caractéristiques de réécri- ture avec la composition de la couche d'enregistrement. Sur la figure 7 sur laquelle la référence A désigne une zone ne permettant pas l'enregistrement, la référence B une zone permettant la réécriture des données et la référence C une zone d'effacement impossible, la puissance nécessaire à l'enregistrement et le coefficient d'absorption de la lumière ont été portés en fonction de la composition des couches d'enregistrement. La largeur de l'impulsion d'enregistrement était de 4 Vs, et la lumière parvenait à partir du côté de la surface du substrat. Dans un échantillon, un film mince de nitrure de silicium de 90 nm a été déposé comme couche protectrice sur une couche d'enregistrement de 40 nmn. Le rapport atomique (at%) de Si par rapport à (Au + Si) est indiqué en abscisse en fonction de la composition chimique quantitative en Au et Si. Tous les échantillons avaient une structure dans laquelle de fines particules cristallines de Au étaient dispersées dans -Si amorphe contenant de l'oxygène. Les résulats ont pu être réécrits dans une plage de rapports Si/(Au + Si) comprise entre 10 et 80 at%, et en particul- ier, on a obtenu une sensibilité élevée dans la plage allant de 20 à 60 at%. Lorsque les données ont été enre- gistrées avec une puissance correspondant à 1,5 à 3 fois la puissance d'enregistrement de réécriture, elles ont pu être conservées sous forme de données non effaçables. Sur la figure 8, les coefficients de réflexion R et les facteurs de modulation M, après une à dix opérations -de réécriture effectuées sur les échantillons précédents, sont indiqués en fonction de la composition de la couche d'enre- gistrement. Le facteur M de modulation est défini par la relation M = (Rw - Re)/(Rw + Re) dans laquelle Re est le coefficient de réflexion d'une partie non enregistrée ou d'une partie effacée, et Rw est le coefficient de réflexion d'une partie enregistrée. Le facteur M est une référence pour le niveau d'un signal lu. Comme on peut le noter sur la figure 8, un facteur de modulation M très élevé, c'est- à-dire de 17 à 55 %, peut être obtenu. Lorsqu'un disque optique selon la présente invention est utilisé dans un système existant d'enregistrement-lecture, le support d'en- registrement optique a de préférence un coefficient de réflexion supérieur ou égal à 20 % et un facteur de modula- tion supérieur ou égal à 15 %. Dans une structure à deux couches dans laquelle un film de nitrure de silicium de nm d'épaisseur a été déposé comme couche protectrice sur une couche d'enregistrement de 40 nm d'épaisseur, les critère précités ont été remplis pour le facteur de modula- tionet le coefficient de réflexion était satisfaisant lors- que le rapport Si/(Au + Si) était compris entre 10 et 50 at%. Il faut noter que, lorsque le coefficient de réflexion est relativement faible, par exemple Si/(Au + Si) = 60 at%, et si une structure dans laquelle la couche 24 de réflexion ayant un film d'aluminium déposé sur la couche 16 de protection comme dans le mode de réalisation de la figure 4 est adoptée, les deux propriétés peuvent être obtenues. Dans un disque optique ayant la structure repré- sentée sur la figure 4, des essais ont été réalisés avec un film mince de 60 nm d'épaisseur, ayant un rapport Si/(Au + Si) = 60 at% comme couche 14 d'enregistrement, di- vers films de nitrure de silicium étant utilisés comme couche 16' de protection et un film d'aluminium de 40 nm d'épaisseur étant utilisé comme couche réfléchissante 24. La figure 9 représente la variation du coefficient R de réflexion et du facteur M de modulation en fonction de l'épaisseur de la couche de protection pour les échantil- lons de ce disque optique. La figure 9 représente aussi, en traits interrompus, le cas dans lequel aucune couche de réflexion n'est formée, à titre comparatif. Lorsque cette couche d'enregistrement est utilisée, le coefficient de réflexion est inférieur à 20 % lorsqu'aucune couche réfléchissante n'est utilisée. Cependant, lorsque la couche réfléchissante est formée, le coefficient de ré- flexion est égal ou supérieur à 20 % et le facteur de modulation de 15 % ou plus peut être obtenu lorsque la couche de protection a une épaisseur comprise entre 60 et nm. Dans un disque optique ayant la structure repré- sentée sur la figure 4, lorsque les épaisseurs des couches respectives sont réglées, bien que le signe du facteur de modulation soit inversé, c'est-à-dire bien que le facteur de réflexion de la partie enregistrée diminue, des données ont pu être lues de manière analogue. La figure 10 représente les résultats d'essais réaliséspour la détermination des variations des caractéris- tiques fondamentales d'un disque optique avec l'épaisseur de la couche d'enregistrement, pour des couches d'enregis- trement ayant un rapport de composition Si/(Au + Si) = 33 at%, pour diverses épaisseurs. L'épaisseur du film de la couche d'enregistrement est portée en abscisses et le facteur M de modulation, le coefficient R de réflexion et le facteur A d'absorption de la lumière (A = 1 - R - T), ainsi que la puissance nécessaire pour l'enregistrement sont indiqués en ordonnées. Comme on peut le noter d'après les résultats représentés sur la figure 10, lorsque l'épaisseur de la couche d'enregistrement augmente, le facteur A d'absorp- tion peut augmenter, avec cependant maintien du facteur M de modulation et du coefficient de réflexion à des valeurs prédéterminées, si bien que la sensibilité peut être accrue. Compte tenu du facteur d'absorption, l'épaisseur de la couche d'enregistrement est de préférence comprise entre et 200 nm. La figure 11 représente les résultats montrant la variation du coefficient R de réflexion, du coefficient T de transmission et du facteur A d'absorption (A = 1 - R - T) en fonction de l'épaisseur de la couche d'enregistrement. Un échantillon ayant un rapport Si/(Au + Si) = 33 at% dans la couche d'enregistrement a été déposé sur un substrat de quartz. Lorsque l'épaisseur de la couche d'enregistrement était inférieure ou égale à 20 nm, le facteur A d'absorption a diminué et la sensiblité d'enregistrement a aussi dimi- nuée. Lorsque l'épaisseur de la couche d'enregistrement a dépassé 200 nm, le rapport A d'absorption était saturé et n'a plus augmenté. Au contraire, la capacité thermique et le facteur de conduction thermique ont augmenté si bien que la sensibilité d'enregistrement a diminué. Dans les exemples qui précèdent, un faisceau lumi- neux parvient du c6té de la surface du substrat. Lorsque le faisceau lumineux parvient du côté de la surface du film, des données peuvent être réécrites de manière analogue, et on obtient les mêmes résultats. Cependant, le faisceau lumineux parvient de préférence par le côté de la surface du substrat, étant donné les applications pratiques, puisque la puissance d'enregistrement et la puissance d'effacement peuvent avoir une plus large plage, et parce que le faisceau de lecture n'est pas facilement influencé par la poussière fixée au support ou par les fissures de celui-ci. Dans les exemples d'essais d'enregistrement-lecture- effacement décrits précédemment, on a utilisé un laser He-Ne ayant une longueur d'onde d'émission de 634 nm comme source- lumineuse. Lorsqu'on utilise des lasers à semi- conducteur ayant des longueurs d'onde de 780 nm, 800 nm et 830 nm, on peut obtenir les mêmes bonnes caractéristiques de réécriture. Exemple 3 Après que des parties enregistrées et effacées (correspondant à la référence 22 de la figure 1) ont été formées à l'aide d'un faisceau laser sur une couche d'enre- gistrement contenant de l'oxygène, sur un substrat de polyméthacrylate de méthyle, d'après les procédés décrits dans l'exemple 1, la couche d'enregistrement a été séparée du substrat par pelage, et la qualité de la couche d'enre- gistrement a été observée à l'aide d'un microscope électro- nique du type fonctionnant par transmission. Aucune varia- tion de structure dans laquelle des particules d'or étaient dispersées dans une texture de silicium amorphe contenant de l'oxygène et telle que déposée n' a été observée, et le diagramme de diffraction n'a apparu ni dans la partie enregistrée ni dans la partie effacée de la couche d'enregistrement. Il a été ainsi montré que la couche d'enregistrement selon l'invention était différente d'une couche dans laquelle une structure de film interne ou une biréfringence changeait de façon réversible afin que des données soient réécrites. De même, l'aspect externe de la partie enregistrée ou effacée du substrat de polyméthacrylate de méthyle a été observé avec le microscope optique, un microscope inter- férentiel différentiel et un microscope électronique à balayage. On a constaté en conséquence que la partie cen- trale de la partie enregistrée dépassait du substrat et que la partie effacée était redevenue plate. On a montré qu'au moins 100 opérations de réécriture pouvaient être réalisées avec le mécanisme d'enregistrementeffacement selon l'invention. Une partie sans film mince et une partie avec une couche d'enregistrement et une couche d'enregistrement ont été formées sur un substrat unique de polyméthacrylate de méthyle, et un bit d'enregistrement ayant une largeur de 1 um et une longueur de 10 pm a été formé afin qu'il recoupe la limite entre les deux parties. On a constaté que, sur la partie ayant la couche d'enregistrement, la partie enregistrée dépassait de la même manière qu'indiqué sur la figure 2 et qu'une opération de réécriture pouvait êtreréalisée. Ceci montre que le bit d'enregistrement (partie en saillie) est conservé non seulement par le gaz sous pression de la couche de gaz 20 (voir figure 2) mais aussi par la déformation plastique de la couche 14 d'enregistrement. Exemple 4 On a déposé des couches d'enregistrement ayant des épaisseurs de 60 nm et 200 nm et un rapport Si/(Au + Si) = 59 at%, sur des substrats de quartz, par les opérations décrites dans l'exemple 1, et on a laissé reposer les structures résultantes à température élevée et en présence d'une humidité élevée. Dans cet état, des mesures de transmis- sion et de réflexion spectrales et une observation au mi- croscope optique ont été réalisées à intervalles prédéter- minés, et les durées d'utilisation ont été évaluées. La température était de 65 C et l'humidité relative de %. Dans un exemple d'essai d'évaluation, la figure 12 représente la variation au cours du temps du coefficient R de réflexion et du coefficient T de transmission pour des échantillons de 60 nm d'épaisseur, à une longueur d'onde de 633 nm. On n'a pas observé de changement dans un échan- tillon quelconque après 1500 heures (environ 2 mois). Plus précisément, la couche d'enregistrement selon l'invention a une résistance élevée suffisante aux intempéries et à la corrosion, convenant aux applications réelles. On a alors examiné la compatibilité entre la couche d'enregistrement et le substrat de résine organique. La même couche d'enregistrement que dans l'exemple 1 a été déposée sur un substrat de polycarbonate et un substrat de polyoléfine, et un film de nitrure de silicium a été déposé par-dessus comme couche protectrice, pour la prépa- ration d'un échantillon. Les échantillons résultant ont reposé à une température de 65 C et une humidité relative de 95 %, et une observation au microscope optique a été réalisée à intervalles prédéterminés. Aucune variation, telle qu'un pelage ou une corrosion, n'a apparu après 1500 heures. En conséquence, le support d'enregistrement selon l'invention a une bonne compatibilité avec le substrat de résine organique et a une longue durée d'utilisation même lors de l'utilisation d'un substrat de résine orga- - nique. Exemple 5 Un support d'enregistrement optique réversible selon l'invention peut être formé non seulement par le procédé de pulvérisation cathodique mais aussi par le procédé de dépôt en phase vapeur. La figure 13 montre schématiquement comment un appareil de dépôt en phase vapeur peut être utilisé pour la mise en oeuvre de l'inven- tion. Sur la figure 13, une enceinte 100 sous vide déli- mite une chambre hermétique de dépôt. L'intérieur de l'enceinte 100 est relié à une section 102 d'évacuation comprenant une pompe rotative et une pompe à diffusion d'huile (aucune pompe n'est représentée) par l'intermédiaire d'un canal 104 d'évacuation. Un robinet 106 est monté dans le canal 104 d'évacuation. Lorsque le robinet 106 est fermé, l'intérieur de l'enceinte 100 est totalement fermé si bien qu'une chambre de dépôt sous vide est réalisée. Un support 108 d'un substrat est disposé dans la partie supérieure de l'enceinte 100 afin qu'il puisse tour- ner. Pendant la formation du film, le support 108 est entraîné à. vitesse constante. Le substrat 110, correspon- dant au substrat 12 d'un disque optique, est monté de manière stable sur le support 108. Le substrat 110 peut être formé de verre, de quartz, de polyméthacrylate de méthyle, de polycarbonate, de polyoléfine ou analogue. Un dispositif électrique 112 de chauffage est placé dans une partie inférieure de l'enceinte 100 afin qu'il soit supporté par des électrodes 114 et qu'il soit tourné vers le support 110. Les électrodes 114 sont reliées à une- alimentation connue er. courant continu 116. Un appareil 118 de dépôt électronique est placé dans la partie inférieure de l'en- ceinte 100 avec le dispositif 112 de chauffage. L'appareil 118 a un enroulement magnétique (non représenté) et joue le r8le d'une source d'évaporation par faisceau d'électrons. Un mecanisme 120 à obturateur est placé entre le support 108 du substrat d'une part et le dispositif 112 de chauffage et i'appareil 118 d'autre part, comme représenté sur la figure 13; Lorsque l'intérieur de l'enceinte 100 a été évacué et lorsque le mécanisme d'obturation 120.est ouvert, le dispositif 112 de chauffage et l'appareil 118 assurent une évaporation simultanée. A ce moment, le dispositif 112 de chauffage chauffe par résistance une plaquette de tantale (non représentée) afin que SiO s'évapore. Simulta- nément, l'appareil 118 crée des vapeurs ionisées de Au. Les vapeurs de Si et Au se déposent sur le substrat 110 placé sur le support 108, avec obtention d'une couche d'enregis- trement Au-SiO. Un film de nitrure de silicium a été déposé comme couche protectrice sur la couche d'enregis- trement, d'après les opérations déjà décrites dans l'exemple 1. Les essais d'enregistrement-lecture-effacement ont été réalisés par le même procédé que dans l'exemple 1. Le tableau 2 indique des exemples d'échantillons et leurs caractéristiques de réécriture. TABLEAU 2 Nom Composition Epaisseur Caractéristiques d'échantillon (rapport molaire) (nm) d'enregistrement Au / Sio lecture-effacnement Au-SiO 1 95/5 60 effacement impossible Au-SiO 2 82/18 74 réécriture de données Au-SiO 3 76/24 79 réécriture de données Au-SiO 4 67/33 74 réécriture de iÀ iI données r.1 Au-SiO 5 57/43 74 réécriture de données Au-SiO 6 41/59 65 effacement impossible i Au-SiO 7 i 21/79 55 enregistrement _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ __ limpossible Conmme l'indiquent les résultats qui précèdent, des données peuvent être réécrites lorsque le rapport molaire A/SiO est compris entre 85/15 et 50/50. En particulier, une opération très sensible d'écriture de données peut être réalisée entre 70/30 et 50/50. Exemple 6 On a aussi prépare certains disques optiques réver- sibles ayant une structure multicouche du type représenté sur la figure 5. Une couche de quartz et une couche de polyméthacrylate de méthyle ont été préparées comme couche de substrat inférieur 26 sur la figure 5. Un ester de l'acide rhodinique a été appliqué sur la couche de quartz et la couche de polyméthacrylate de méthyle avec une épaisseur de 100 nm, par le procédé de revêtement à la tournette, si bien qu'une structure à deux couches a été formée. Les couches d'ester d'acide rhodinique formées comme décrit précédemment ont joué le r8le d'une couche 28 de libération de gaz représentée sur la figure 5. Une couche d'enregistrement ayant une épaisseur de 50 nm et un pourcentage atomique de Si de 20 (c'est-à-dire que Si/(Au + Si) = 20 at%) et une couche de protection formée d'un film de nitrure de silicium de 45 nm ont été déposées successivement sur chaque couche d'ester d'acide rhodinique par le même procédé de formation d'échantillons que décrit précédemment en référence au tableau 1, c'est-àdire par le procédé de pulvérisation' cathodique simultanée avec des magnétrons. A ce moment, un exemple comparatif, dans lequel la même couche d'enregistrement et la même couche de protection ont été déposées sur des substrats formés d'une couche ce quartz et d'une couche polyméthacryliate de méthyle, a été réalisé, pour la préparation de disques optiques. Des essais d'enregistrement-lecture-effacement de données ont été réalisés avec un faisceau d'un laser He-Ne, pour les quatre échantillons obtenus comme décrit précédemment. La largeur d'impulsions du faisceau laser d'enregistrement était de 4 ps, et on examiné la variation des caractéristiques de réécriture des quatre disques optiques indiqués avec la puissance du laser d'enregistrement. Dans le cas des deux disques optiques ayant les couches d'ester d'acide rhodinique formant les couches 28 de libération de gaz, lorsque la puissance d'enregistrement du laser d'écriture de données était de 2 milliwatts ou plus, l'enregistrement des données a pu être réalisé de manière satisfaisante. La protubérance formée de cette manière pouvait être efficacement aplatie par irradiation par le faisceau laser d'effacement. Au contraire, lors de l'utilisation du troisième disque optique ayant un substrat de quartz et pas de couche d'ester d'acide rhodinique pour la formation de la couche 28 de dégagement de gaz, même lorsque la puissance d'enre- gistrement du faisceau laser d'écriture de données a varié entre 0 et 8 milliwatts, aucun enregistrement efficace de données n'a pu être réalisé. Dans le cas du quatrième disque optique, un enregistrement efficace des données était impossible et, lorsque la puissance d'enregistrement a dépassé 7 milliwatts, la protubérance formée n'a pas pu être aplatie, même lorsque le faisceau laser d'effacement a été utilisé pour l'irradiation. Ce fait montre que le quatrième échantillon peut jouer le rôle d'un support réversible d'enregistrement uniquement lorsque la puissance d'enregistrement est comprise dans la piage limitée allant de 4 à 7 milliwatts et, ne convient pas du tout en pratique. Les résultats des essais précédents garantissent l'effica- cité du disque optique ayant la structure de substrat à double couche de la figure 5. Bien entendu, diverses modifications peuvent être apportées par l'homme de l'art au suppbrt d'enregis- trement et aux procédés qui viennent d'être décrits à titre d'exemples non limitatifs sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Support d'enregistrement optique permettant une réécriture de données, caractérisé en ce qu'il comprend: (a) un substrat (12) formé au moins en partie d'une matière organique et capable de dégager un constituant gazeux lorsque le substrat est chauffé dans une région d'irradiation par un premier faisceau lumineux, et (b) une couche amorphe (14) d'enregistrement qui est formée sur le substrat (12), qui contient du silicium et de fines particules métalliques, et qui est déformée afin qu'elle puisse se séparer localement du substrat (12) par pelage lors du dégagement d'un constituant gazeux, avec formation d'une protubérance (18), la couche d'enre- gistrement (14) se déformant et provoquant la disparition de la protubérance (18) afin qu'elle reprenne une surface sensiblement plate lorsqu'un second faisceau lumineux, ayant une intensité différente de celle du premier faisceau lumineux, l'éclaire. 2. Support d'enregistrement selon la revendication 1, caractérise en ce que la couche d'enregistrement (14) contient de l'oxygène dont le rôle est d'augmenter la température limite supérieure à laquelle la couche d'enre- gistrement (14) peut exécuter un enregistrement de données de manière stable, si bien que la stabilité de la couche (14) d'enregistrement en fonction de la température est ameliorée. 3. Support d'enregistrement selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche d'enregistrement (14) contient un pourcentage atomique d'oxygène compris entre 5 et 60. 4. Support d'enregistrement selon la revendication 3, caractérisé en ce que la couche d'enregistrement (14) a un pourcentage atomique de silicium compris entre 10 et 80. 5. Support d'enregistrement selon la revendication 1, caractérisé en ce que les fines particules métalliques sont formées d'un métal de conductibilité thermique élevée capable d'absorber thermiquement le premier faisceau lumi- neux, le métal de conductibilité élevée étant choisi dans le groupe qui comprend essentiellement l'or, le titane, le cobalt, le cuivre, le tungstène et l'étain. 6. Support d'enregistrement selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (12) est un substrat organique simple. 7. Support d'enregistrement selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (12) a une structure à deux couches qui comprend: une couche minérale (26), et une couche organique en film mince formée sur la couche minérale (26) et dégageant un constituant gazeux lorsqu'elle est chauffée depuis l'extérieur. 8. Support d'enregistrement selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comporte en outre: (c) une couche de protection formée sur la couche (14) d'enregistrement et destinée à empêcher l'oxydation de cette couche (14) d'enregistrement, la couche de protec- tion (16) se déformant avec la couche d'enregistrement lors- que cette dernière se déforme pour constituer une protubé- rance (18), d'une manière qui correspond à la protubérance. 9. Support d'enregistrement selon la revendication 8, caractérisé en ce que la couche (16) de protection est une couche diélectrique transparente sous forme d'un film mince. 10. Support d'enregistrement selon la revendica- tion 9, caractérisé en ce que la couche diélectrique transparente sous forme d'un film mince est un film mince de nitrure de silicium. 11. Procédé de fabrication d'un support d'enregis- trement optique permettant une réécriture de données, ayant une couche (14) d'enregistrement qui contient du silicirum et de fines particules métalliques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) la disposition, dans une atmosphère gazeuse de pulvérisation cathodique dans une chambre de pulvérisa- tion cathodique, d'un substrat (12) formé au moins en partie d'une matière organique afin qu'il joue le rôle d'un substrat du support d'enregistrement, une première anticathode (68) contenant du silicium, et une seconde anticathode (70) comprenant un métal choisi constituant les fines particules métalliques contenues dans la couche d'enregistrement (14), et (b) la réalisation d'une pulvérisation cathodique simultanée afin qu'une couche amorphe de silicium jouant le rôle de couche d'enregistrement et contenant les fines particules métalliques soit déposée sur le substrat, la couche de silicium amorphe contenant en outre de l'oxygène, si bien que la température limite supérieure à laquelle la couche d'enregistrement peut réaliser de manière stable un enregistrement de données est accrue et que la stabilité en température de la couche d'enregistrement est accrue. 12. Procédé selon la revendication 11, caracte- risé en ce que le gaz de pulvérisation cathodique contient de l'oxygène, si bien que la couche d'enregistrement contient.de l'oxygène après la pulvérisation cathodique simultanée. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que le gaz de pulvérisation cathodique contient de l'oxygène en quantité prédéterminée qui suffit pour que la couche d'enregistrement (14) obtenue après la pulvérisation cathodique simultanée contienne un pourcentage atomique d'oxygène compris entre 5 et 60. 14. Procédé selon la revendication 13, caractérisé en ce que le gaz de pulvérisation cathodique contient un gaz inerte qui contient lui-même 0,5 à 50 % en poids d'oxygène. 15. Procédé selon la revendication 14, caractérisé en ce que, après que la pression dans la chambre de pulvé- risation cathodique a atteint 10-4 torr, l'évacuation de l'intérieur de la chambre de pulvérisation cathodique est interrompue, si bien que le gaz de pulvérisation contient la quantité prédéterminée d'oxygène. 16. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que la première anticathode (68) contient de l'oxygène si bien que la couche d'enregistrement contient de l'oxygène après que la pulvérisation cathodique simultanée a été réalisée. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que la première anticathode (68) contient SiO ou SiO2. 18. Procédé de fabrication d'un support d'enregis- trement optique permettant une réécriture de données, ayant une couche d'enregistrement (14) qui contient du silicium et de fines particules métalliques, caractérisé en ce qu'il comprend les étapes suivantes: (a) la disposition, en atmosphère évacuée dans une chambre d'évaporation, d'un substrat (12) formé au moins en partie d'une matière organique et destiné à jouer le r6le d'un substrat du support d'enregistrement, une première source (112) de vapeur destinée à former des vapeurs d'oxyde de silicium, et une seconde source (118) de vapeur destinée à former une vapeur d'un métal choisi constituant les fines particules métalliques contenues dans la couche d'enregistrement (14), et (b) l'exécution d'une évaporation simultanée afin qu'une couche de silicium amorphe jouant le rôle de la couche d'enregistrement et contenant les fines particules métalliques, soit déposée sur le substrat, la couche de silicium amorphe contenant en outre de l'oxygène, si bien que la température limite supérieure à laquelle la couche d'enregistrement peut exécuter de manière stable un enregistrement des données est accrue et que la stabilité de la couche d'enregistrement lors de variation de tempé- rature est accrue. 19. Procédé selon la revendication 18, caractérisé en ce que la vapeur d'oxyde de silicium est formée par chauffage par résistance, et la vapeur du métal choisi est formée par évaporation par faisceau d'électrons.