Brevet FR2623211A1 — publié le 19890519

La présente invention concerne le dépôt sur des substrats d'un matériau évaporé dans un vide poussé, et elle porte en particulier, mais non exclusivement, sur un procédé et un appareil d'épitaxie par jet moléculaire. L'épitaxie par jet moléculaire (ou MBE pour "Mole- cular beam epitaxy") est le dépôt épitaxial sur un substrat - d'un matériau provenant d'un jet moléculaire ou atomique dans des conditions d'ultra-vide, c'est-à-dire sous des pressions de l'ordre de 10 8 Pa (10 10 mbar, 7,5 x 10 11 torr) ou moins. La MBE est l'une d'un certain nombre de techniques de dépôt sous vide, et elle est particulièrement avantageuse du fait qu'elle procure la possibilité de maîtriser le dépôt avec une grande précision, comme par exemple pour le dépôt d'un matériau avec une épaisseur correspond à une couche mo- nomoléculaire..-Cette technique est particulièrement utile dans la fabrication de dispositifs microélectroniques à hau- tes performances. La MBE a été exposée par exemple par L.L. Chang dans l'ouvrage Handbook on Semiconductors, publié par North-Holland Publishing Company en 1980. Dans des techniques de dépôt sous vide, on évapore tout d'abord le matériau à déposer, à partir d'une source qui est habituellement une masse du matériau contenue dans un creuset. En MBE, on forme avec le matériau un jet molécu- laire issu d'une source de jet, en particulier du type connu sous l'appellation de cellule de Knudsen, comme décrit dans la publication de brevet européen n 0122088. On peut comman- der au moyen d'obturateurs la circulation du matériau à par- tir de la source de vapeur ou du jet, en procédant de façon caractéristique de la manière qui est décrite dans les bre- vets des E.U.A. n 4 137 865, 4 411 728 et 4 640 720. En MBE en particulier, les actions d'ouverture et de fermeture des obturateurs doivent être suffisamment rapides, c'est-à-dire qu'elles doivent avoir de façon caractéristique une durée inférieure à 0,2 seconde, pour établir et arrêter le jet de façon abrupte afin de doser ainsi le matériau de façon préci- se sur le substrat. Dans la fabrication de dispositifs microélectroni- ques, et de façon générale dans le dépôt de couches minces, il est important de minimiser la contamination du matériau déposé et du substrat. On maintient des conditions de vide poussé, et des conditions d'ultravide pour la MBE, de façon à minimiser la contamination par l'atmosphère résiduelle de la chambre de travail. Une contamination peut cependant se produire-à partir d'autres sources, telles que les parois de la chambre à vide ou des composants de la source de va- peur ou de la source du jet. Un but de l'invention est donc de procurer un pro- cédé pour le dépôt de matériau sur un substrat, dans lequel la contamination du matériau et du substrat soit réduite par rapport à des procédés connus. Un but supplémentaire de l'invention est de procurer un procédé perfectionné d'épita- xie par jet moléculaire, avec dosage par commande du jet, et avec une moindre contamination du matériau du jet que dans des procédés antérieurs. L'invention a également pour but de procurer un appareil perfectionné pour le dépôt d'un maté- riau sur un substrat, et un but particulier de l'invention est de procurer un appareil d'épitaxie par jet moléculaire dans lequel la contamination du matériau de la source et du substrat soit réduite par rapport à celle d'appareils anté- rieurs. Un aspect de l'invention procure ainsi un procédé pour le dépôt d'un matériau sur un substrat, comprenant l'évaporation de ce matériau à partir d'une source, et le dosage du matériau sur le substrat par le déplacement d'un obturateur entre (i) une position ouverte dans laquelle l'obturateur ne bloque pas le chemin du matériau de la sour- ce vers le substrat, et (ii) une position fermée dans la- quelle l'obturateur bloque pratiquement le chemin, ce procé- dé comportant une étape de fermeture dans laquelle: on com- mence à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la po- 26232 l1 sition fermée, grâce à quoi l'obturateur vient ensuite pra- tiquement au repos à la position fermée. Le procédé comprend également de préférence une étape d'ouverture dans laquelle: on commencer à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position ouverte, grâce à quoi l'obturateur vient pratiquement au repos à la position ouverte. Dans un mode de réalisation préféré, le procédé comprend: une étape de fermeture, dans laquelle on accélère l'obturateur en l'éloignant de la position ouverte, on con- tinue à accélérer l'obturateur après que son mouvement a commencé, et on commence ensuite à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position fermée; et une étape d'ouverture, dans laquelle on accélère l'obturateur en l'éloignant de la position fermée, on con- tinue à accélérer l'obturateur après que son mouvement a commencé, et on commence ensuite à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position ouverte. Il est commode d'appeler "durée de fermeture" la durée de l'étape de fermeture, et d'appeler "durée d'ouver- ture" celle de l'étape d'ouverture. L'étape de fermeture comprend de préférence l'accélération de l'obturateur en l'éloignant de la position ouverte pendant pratiquement la totalité de la moitié de la durée de fermeture, et ensuite le ralentissement de l'obturateur, pendant pratiquement la totalité de la moitié de la durée de fermeture, pour qu'il vienne pratiquement au repos à la position fermée. De pré- férence également, l'étape d'ouverture comprend l'accéléra- tion de l'obturateur en l'éloignant de la position fermée, pendant pratiquement la totalité de la moitié de la durée d'ouverture, et ensuite le ralentissement de l'obturateur, pendant pratiquement la totalité de la moitié de la durée d'ouverture, pour qu'il vienne pratiquement à l'arrêt à la position ouverte. Le procédé comprend également de préférence les opérations suivantes: pendant la durée de fermeture, on accélère l'obturateur à partir du repos à la position ouver- te, jusqu'à une vitesse maximale à un point situé pratique- ment à mi-chemin entre la position ouverte et la position fermée, et on ralentit ensuite l'obturateur pour qu'il vien- ne au repos à la position fermée; et pendant la durée d'ou- verture, on accélère l'obturateur à partir du repos à la po- sition fermée, jusqu'à une vitesse maximale en un point si- tué pratiquement à mi-chemin entre la position fermée et la position ouverte, après quoi on ralentit l'obturateur pour qu'il vienne à nouveau au repos à la position ouverte. Le mouvement de l'obturateur consiste de préférence en un mou- vement dans lequel l'accélération de l'oburateur est dirigée vers un certain point, et est proportionnelle à la distance de l'obturateur par rapport à ce point, ce point étant de préférence le point situé à michemin entre les positions ouverte et fermée; par commodité, on appelle ci-après ce mouvement un "mouvement harmonique simple" ou "mouvement harmonique". Le mouvement de l'obturateur est de préférence pratiquement un mouvement harmonique pendant la durée de fermeture comme pendant la durée d'ouverture. Un mode de réalisation préféré procure un procédé d'épitaxie par jet moléculaire dans lequel on ouvre et on ferme alternativement une source de jet moléculaire ou ato- mique, en déplaçant un obturateur avec un mouvement prati- quement harmonique centré sur un point moyen situé à mi- chemin entre une position ouverte et une position fermée; les positions ouverte et fermée étant les deux points de dé- placement extrêmes du mouvement harmonique de part et d'au- tre du point moyen. De façon caractéristique, l'obturateur est déplacé pour ouvrir (ou pour fermer) la source de jet en une durée d'ouverture (ou une durée de fermeture) d'environ 0,2 seconde ou moins. La source de jet peut cependant rester ouverte (ou fermée) entre des mouvements pendant n'importe 26232 11 quelle durée exigée par le processus de dépôt. Un autre aspect procure un appareil pour le dépôt d'un matériau sur un substrat, comprenant une source de ce matériau et un obturateur qui a une position fermée et une position ouverte, et dans la position fermée l'obturateur est placé entre la source et le substrat, de façon à bloquer le chemin du matériau de la source vers le substrat, tandis que dans la position ouverte l'obturateur ne bloque pas le chemin du matériau.-de la source vers le substrat; cet appa- reil comprenant également un mécanisme de commande d'obtura- teur pour déplacer l'obturateur avec un mouvement qui con- siste pratiquement en un mouvement harmonique centré sur un point moyen qui se trouve pratiquement à mi-chemin entre la position fermée et la position ouverte. Le mouvement de l'obturateur est de préférence pratiquement rectiligne le long d'un axe s'étendant entre les positions fermée et ouverte. Le mécanisme de commande d'obturateur comprend de préférence un bras radial, auquel est fixé un téton, et des moyens sont prévus pour faire tour- ner le bras radial autour d'un pivot; de plus, une fente de guidage de téton est formée soit dans l'obturateur, soit de préférence dans une pièce fixée à l'obturateur, cette fente faisant un angle par rapport à l'axe du mouvement de l'obtu- rateur, et le téton qui est fixé au bras radial est placé dans la fente de guidage de téton. L'action de rotation du bras radial déplace le téton dans la fente de guidage de téton, ce qui applique une force à la pièce dans laquelle la fente est formée (qui peut être l'obturateur lui-même), et déplace donc l'obturateur le long de son axe de mouvement. La fente de guidage de téton fait de préférence un angle pratiquement égal à 90 par-rapport à l'axe du mouvement de l'obturateur. Il est en outre préférable que le bras radial soit entrainé en rotation avec une vitesse angulaire pratiquement constante, ce qui communique pratiquement à l'obturateur un mouvement harmonique linéaire. 26232 11 La source, le substrat et l'obturateur seront pla- cés à l'intérieur d'une enceinte à vide, et il est commode de placer le mécanisme de commande d'obturateur à l'extérieur de l'enceinte, et de prévoir une tige dont une extrémité est fixée à l'obturateur et dont l'autre extrémité est reliée au mécanisme de commande. Le mouvement de la tige est permis par des moyens qui consistent en une traversée permettant un mou- vement rectiligne et préservant le vide, qui comprend de pré- férence un soufflet, bien qu'il soit également possible d'utiliser une traversée à couplage magnétique permettant le mouvement. Dans un mode de réalisation préféré, le mécanisme de commande d'obturateur est monté à l'aide de moyens compre- nant une pièce de support qui fait saillie à l'extérieur de la chambre à vide à partir d'une bride, et il existe une cage capable de glisser le long de la pièce de support, parallèle- ment à l'axe du mouvement de la tige et de l'obturateur, avec la tige accouplée à la cage, et avec en outre une fente de guidage de téton formée dans une face de la cage, dans une orientation pratiquement perpendiculaire à l'axe du mouve- ment; un téton fixé à un bras radial tournant est positionné dans cette fente. Le bras radial peut être mis en rotation autour d'un pivot au moyen d'un actionneur pneumatique, qui est commodément monté sur la pièce de support en saillie, à l'aide de moyens d'accouplement magnétiques pour faciliter l'enlèvement et ensuite la remise en place; il peut être né- cessaire d'enlever l'actionneur pneumatique pendant l'étuvage du système à vide pour atteindre des conditions d'ultra-vide. Dans un mode de réalisation préféré, des paliers à rails rec- tilignes sont prévus pour faciliter le mouvement de la cage sur la pièce de support en saillie, et des rondelles élasti- ques sont également prévues pour appliquer des forces de com- pression aux paliers, de façon à empêcher ainsi pratiquement tout mouvement de la cage perpendiculairement à l'axe du mou- vement de l'obturateur. Le mouvement de l'obturateur entre les extrémités du mouvement harmonique, correspondant aux po- sitions fermée et ouverte, est obtenu par rotation du bras radial sur 180 . Dans un mode de réalisation préféré, em- ployant un actionneur pneumatique, il est commode de faire tourner le bras radial dans un sens de rotation pour ouvrir. l'obturateur et dans le sens de rotation opposé pour fermer l'obturateur. Il entre dans le cadre de l'invention de pro- duire une rotation continue de 360 , et ceci procurerait un jet pulsé à une cadence de répétition liée à la fréquence de la rotation. L'appareil procure un moyen pour ouvrir et fermer l'obturateur d'une source de jet, et on pourrait l'utiliser dans n'importe quelle forme de technique d'évaporation sous vide dans laquelle on doit commander le dosage du matériau provenant d'urfe source, bien qu'il soit particulièrement avantageux en MBE. Dans un mode de réalisation particulière- ment préféré, l'invention procure un appareil pour l'épitaxie par jet moléculaire comprenant une source de jet atomique ou moléculaire, un obturateur et un mécanisme de commande d'ob- turateur, comme décrit ci-dessus. On a trouvé qu'avec un tel appareil et un tel procédé,la contamination due au matériau délogé par vibration ou choc à partir de surfaces d'éléments constitutifs, et en particulier d'obturateurs, est considéra- blement réduite par rapport à des systèmes antérieurs. Il existe en outre les avantages supplémentaires qui consistent en ce que le mécanisme de commande d'obturateur fonctionne de façon plus silencieuse et est moins sujet à usure mécanique que dans des systèmes antérieurs. On-va maintenant décrire de façon plus détaillée un mode de réalisation préféré de l'invention, à titre d'exem- ple, et en se référant aux dessins dans lesquels: La figure 1 illustre sous forme schématique un ap- pareil d'épitaxie par jet moléculaire conforme à un aspect de l'invention; Les figures 2, 3 et 4 illustrent sous forme schéma- 2623 21 tique le fonctionnement du mécanisme de commande d'obturateur; La figure 5 est une vue en élévation qui illustre le mécanisme de commande d'obturateur; et La figure 6 est une coupe transversale selon la li- gne X-X de la figure 5. En considérant tout d'abord la figure 1, on note que des sources de jet moléculaire 1 et 2 sont disposées à l'inté- rieur d'une enceinte à vide 3 qui contient également un subs- trat 4, supporté par un manipulateur 5 monté sur une bride 6. Les sources de jet 1 et 2, montées sur des brides 7 et 8, sont des cellules de Knudsen, qui sont de préférence construites de la manière décrite dans le brevet européen n 0 122 188, bien que ceci ne soit pas obligatoire. Les fonctions associées à la source de jet 1 comprennent: l'alimentation en énergie élec- trique par l'intermédiaire de traversées 9 et 10, l'alimenta- tion en liquide de refroidissement (habituellement de l'eau) par l'intermédiaire de traversées 11 et 12, et la détection de température au moyen d'un thermocouple (non représenté) qui est fixé à la traversée 13; la source de jet 2 est alimentée de façon similaire par l'intermédiaire de traversées 14 à 18. Une pompe à vide 19 montée sur une bride 20, est également re- présentée de façon symbolique sur la figure 1, et elle est capable de maintenir des conditions d'ultra-vidé dans l'en- ceinte 3, comme il est exigé pour la MBE. On notera que l'ap- pareil sera équipé de jauges manométriques appropriées pour la mesure du vide. L'appareil peut également contenir des instruments pour analyser la surface du substrat 4, afin de contrôler la progression du dépôt épitaxial, comme par exemple l'instrumentation pour la Diffraction d'Electrons de Haute Energie par Réflexion qui est incorporée dans le système de MBE V80, fabriqué par VG Semicon Ltd, Est Grinstead, Angleter- re. La figure 1 montre également des obturateurs 21 et 24 qui sont montés respectivement sur des tiges 22 et 25, ainsi que leurs mécanismes de commande d'obturateur respectifs -23 et 26 (qui sont représentés schématiquement sur la figure 1 mais sont décrits ci-après de façon plus détaillée), montés sur des brides 27 et 28. L'obturateur 24 est représenté dans la position ouverte, dans laquelle il ne bloque pas le chemin de la source 2 vers le substrat 4, ce qui permet au matériau 29 de se diriger vers le substrat 4 à partir d'un trou de sortie 30 de la source 2. L'obturateur 21 est représenté dans la position fermée dans laquelle il bloque le chemin du maté- riau 31, d'un trou de sortie 32 de la source 1 vers le subs- trat 4. On va maintenant décrire le fonctionnement des mé- canismes de commande d'obturateur en se référant aux figures 2, 3 et 4. La description portera sur l'obturateur 21 et son mécanisme 23 associé, mais elle s'applique également à l'ob- turateur 24 et à son mécanisme 26. Un système de MBE conforme à l'invention peut contenir plusieurs sources de jet, chacune ayant un tel obturateur et un tel mécanisme de commande, com- me il peut être nécessaire pour-doser le dépôt séquentiel ou simultané de plusieurs matériaux sur un substrat. La figure 2 montre l'obturateur 21 dans une posi- tion fermée 43. La tige 22 est fixée à une cage 34 qui com- porte une fente de guidage 35. Un téton 36 est placé dans la fente 35 et il est également fixé à un bras radial 37 qui est capable de tourner autour d'un pivot 38. Lorsque le bras 37 tourne dans la direction d'une flèche 39, l'obturateur 21 est éloigné de la position fermée, dans la direction d'une flèche 40. Le mouvement se poursuit, comme représenté sur la figure 3, jusqu'à ce que l'obturateur soit placé dans une position ouverte, en 44, comme représenté sur la figure 4. L'obtura- teur peut rester à la position ouverte 44 pendant le temps nécessaire pour exposer le substrat 4 au matériau provenant de la source 2, et la direction de rotation du bras 37 est ensuite inversée, comme représenté, dans la direction d'une flèche 41, ce qui ramène l'obturateur 21 en arrière, dans la direction d'une flèche 42, vers la position fermée 43 de la figure 2. De cette manière, en déplaçant le bras 37 avec une vitesse angulaire pratiquement constante autour du pivot 38, l'obturateur 21 se déplace, pratiquement avec un mouvement harmonique, autour d'un point 45 situé à mi-chemin entre la position ouverte 43 et la position fermée 44. Les figures 5 et 6 montrent le détail de la struc- ture du mécanisme de commande 23; la figure 6 montre une coupe selon la ligne X-X de la figure 5. Le mécanisme de commande 23 est monté sur la bride 27 qui est fixée par des boulons, comme les boulons 57 et 58, à une bride 46 qui est fixée sur un orifice 47 de l'enceinte à vide 3 (figure 1). Un joint compatible avec des conditions d'ultra-vide assure l'herméticité entre les brides 27 et 46; des positions de trous de boulons 61 à 64 sont indiquées sur la figure 6, et certains trous de boulons ont été omis dans un but de clarté. Sur les figures 5 et 6, l'obturateur 21 est repré- senté fixé à la tige 22 qui est fixée à un bloc de support 48 monté sur une plaque 33. La plaque 33 est fixée à une cage 49 comportant une fente de guidage 60 dans laquelle se trouve un téton 65 (qui équivaut au téton 36 des figures 2, 3 et 4) comprenant: un palier 50, une vis 51, des rondelles 52 et 86 et un écrou 53. Comme représenté, la vis 51 est placée dans un trou formé dans un bras radial 59 (qui équivaut au bras 37 des figures 2, 3 et 4), et le bras 59 est monté sur un arbre pivotant 54 d'un actionneur pneumatique 55. L'actionneur pneumatique 55 est monté par. l'intermédiaire d'un bride de montage 77 sur un support 56 qui fait saillie à partir de la bride 27. Lorsque l'arbre pivotant 54 est mis en rotation, le téton 65 coulisse dans la fente 60 et la cage 49 coulisse le long du support 56, en entrainant la plaque mobile 33, le bloc 48 et la tige 22. Le mouvement de la tige 22 est permis par un souf- flet 66, compatible avec le vide, qui est fixé au bloc 48 et au bottier 67 à l'aide de brides appropriées (non représen- tées). La figure 6 montre des paliers à rails rectilignes 68, 69, 70 et 71 qui sont les paliers permettant le mouvement de la cage 49 le long du support 56. Les paliers 69 et 70 sont fixés (par des vis, non représentées) à la plaque 33, et les paliers 68 et 71 sont fixes de façon similaire au support 56. Le mouvement de la cage 49 perpendiculairement à l'axe de la tige 22 est restreint par un certain nombre de rondelles à ressort 72. Les paliers à rails rectilignes 68, fournis par exemple par Capital Bearings Ltd, Londres, peuvent supporter un étuvage (de façon caractéristique à plus de 200 C) qui est nécessaire pour obtenir des conditions d'ultra-vide à l'intérieur de l'enceinte à vide 3. Un actionneur pneumatique 55 approprié est fourni par Festo Pneumatics, Esslingen, R.F.A. Un gaz, qui est de façon caractéristique de l'azote ou de l'air, est fourni par des tuyaux 73 et 74 pour faire tourner l'arbre 54 sur 180 , alternativement dans les directions des flèches 75 ou 76. Pour éviter d'endommager l'actionneur 55 pendant l'étuvage, on peut l'enlever en retirant la bride de montage 77 de sa position sur le support 56, dans laquelle elle est commodé- ment retenue par des paires d'aimants 78, 79 et 80, 81. Des tétons excentrés 82 et 83, et des trous de positionnement de téton 84 et 85 garantissent le remontage de la bride de mon- tage 77 dans l'orientation correcte. Il va de soi que de nombreuses modifications peu- vent être apportées au procédé et à l'appareil décrits et représentés, sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour le dépôt d'un matériau sur un subs- trat, comprenant l'évaporation de ce matériau à partir d'une source, et le dosage du matériau déposé sur le substrat par le déplacement d'un obturateur entre (i) une position ouver- te dans laquelle l'obturateur ne bloque pas le chemin du ma- tériau de la source vers le substrat, et (ii) une position fermée dans laquelle l'obturateur bloque pratiquement ce chemin; caractérisé en ce qu'il comprend une étape de ferme- ture, dans laquelle on commence à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position fermée, pour amener ainsi ensui- te l'obturateur pratiquement au repos à la position fermée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il comprend en outre une étape d'ouverture, dans laquelle on commence à ralentir d'obturateur avant qu'il n'atteigne la position ouverte, pour amener ainsi l'obtura- teur pratiquement au repos à la position ouverte. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'étape de fermeture comprend les opérations sui- vantes: on accélère l'obturateur en l'éloignant de la posi- tion ouverte, on continue à accélérer l'obturateur après que son mouvement a commencé, et on commence ensuite à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position fermée; et en ce que l'étape d'ouverture comprend les opérations sui- vantes: on accélère l'obturateur en l'éloignant de la posi- tion fermée, on continue à accélérer l'obturation après que son mouvement a commencé, et on commence ensuite à ralentir l'obturateur avant qu'il n'atteigne la position ouverte. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions 2 ou 3, caractérisé en ce que l'étape d'ouverture com- prend les opérations consistant à accélérer l'obturateur en l'éloignant de la position fermée, durant pratiquement la totalité d'une première moitié d'une durée d'ouverture (cet: te durée d'ouverture étant la durée de l'étape d'ouverture), et à ralentir ensuite l'obturateur, pendant pratiquement la totalité d'une seconde moitié de la durée d'ouverture, pour qu'il vienne pratiquement au repos à la position ouverte. 5. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce que l'étape de fermetu- re comprend les opérations suivantes: on accélère l'obtura- teur en l'éloignant de la position ouverte pendant pratique- ment la totalité d'une première moitié d'une durée de ferme- ture (cette durée de fermeture étant la durée de l'étape de fermeture), et on ralentit ensuite l'obturateur, pendant pratiquement la totalité d'une seconde moitié de la durée de fermeture, pour qu'il vienne pratiquement au repos à la po- sition fermée. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, caractérisé en ce qu'il comprend l'opéra- tion consistant à déplacer l'obturateur avec une accéléra- tion dirigée vers le point situé à mi-chemin entre les posi- tions ouverte et fermée, et proportionnelle à la distance de l'obturateur par rapport à ce point. 7. Procédé selon l'une quelconque des revendica- tions précédentes, pour le dépôt d'un matériau sur un subs- trat par épitaxie par jet moléculaire, caractérisé en ce qu'on ouvre et on ferme alternativement une source de jet moléculaire en déplaçant un obturateur avec un mouvement pratiquement harmonique centré sur un point moyen se trou- vant à mi-chemin entre la position ouverte et la position fermée; ces positions ouverte et fermée correspondant aux deux élongations extrêmes du mouvement harmonique de part et d'autre du point moyen. 8..Appareil pour le dépôt d'un matériau sur un substrat, comprenant une source de ce matériau et un obtura- teur qui peut occuper une position fermée et une position ouverte, l'obturateur dans la position fermée se trouvant entre la source et le substrat de façon à bloquer le chemin du matériau de la source vers le substrat, tandis que dans la position ouverte l'obturateur ne bloque pas le chemin du matériau de la source vers le substrat; caractérisé en ce qu'il comprend également un mécanisme de commande d'obtura- teur pour déplacer l'obturateur avec un mouvement qui con- siste pratiquement en un mouvement harmonique centré sur un point moyen situé à mi-chemin entre la position fermée et la position ouverte. 9. Appareil selon la revendication 8, caractérisé en ce que le mouvement de l'obturateur est pratiquement rec- tiligne.ie long d'un axe s'étendant entre les positions ou- verte et fermée, et en ce que le mécanisme de commande d'ob- turateur comprend un bras radial, auquel est fixé un téton, et des moyens sont prévus pour faire tourner le bras radial autour d'un pivot; et de plus, une fente de guidage de té- ton, faisant un angle par rapport à l'axe du mouvement de l'obturateur, est formée dans une pièce qui est fixée à l'obturateur, et le téton précité est placé dans cette fente de guidage de téton, grâce à quoi la rotation du bras radial déplace le téton dans la fente de guidage de téton, ce qui applique une force à la pièce dans laquelle la fente est formée, et déplace donc l'obturateur dans la direction de l'axe précité. 10. Appareil selon la revendication 8, caractérisé en ce que la source, le substrat et l'obturateur se trouvent à l'intérieur d'une enceinte à vide, et le mécanisme de com- mande d'obturateur se trouve à l'extérieur de cette enceinte; et cet appareil comprend également: une tige dont une ex- trémité est fixée à l'obturateur et dont l'autre extrémité est reliée au mécanisme de commande, et une traversée per- mettant un mouvement rectiligne et compatible avec le vide; destinée à permettre le mouvement de la tige. 11. Appareil selon la revendication 10, caractérisé en ce que le mouvement de l'obturateur est pratiquement rec- tiligne dans la direction d'un axe s'étendant entre les po- sitions ouverte et fermée, et dans lequel le mécanisme de commande d'obturateur est monté à l'aide de moyens compre- nant une pièce de support qui fait saillie à l'extérieur de l'enceinte à vide, à partir d'une bride; une cage est fixée à la tige et est capable de coulisser le long de la pièce de support, parallèlement à l'axe, et une fente de guidage de téton est formée dans une face de cette cage et est ali- gnée de façon pratiquement perpendiculaire à l'axe; et, en outre, le mécanisme de commande d'obturateur comprend un bras radial, auquel est fixé un téton, et ce téton est placé dans la fente de guidage de téton, grâce à quoi la rotation du bras radial déplace le téton dans la fente, ce qui appli- que une force à la cage, et déplace donc la tige et l'obtu- rateur dans la direction de l'axe, avec le mouvement prati- quement harmonique. 12. Appareil selon l'une quelconque des revendica- tions 9 ou 11, caractérisé en ce que le mouvement de l'obtu- rateur entre les positions extrêmes du mouvement harmonique, correspondant aux positions fermée et ouverte, est obtenu par la rotation du bras radial sur environ 180 . 13. Appareil selon l'une quelconque des revendica- tions 8 à 12, caractérisé en ce qu'il est prévu pour le dépôt d'un matériau sur un substrat par épitaxie par jet mo- léculaire.