Brevet FR2619398A1 — publié le 19890217

PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE MINCE D'OXYDE SUR UN MATERIAU III-V, COUCHE D'OXYDE OBTENUE PAR CE PROCEDE ET APPLICATION A UNE DIODE SCHOTTKY DESCRIPTION L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde mince sur un substrat en matériau 111-V utilisable en particulier pour la réalisation de diodes Schottky dont Les applications les plus répandues sont l'utilisation comme grille dans un transistor à effet de champ (FET) ou un transistor MIS (Métal-isolant-semiconducteur). Cette couche d'oxyde peut aussi servir de couche de protection de surface de matériau III-V. Actuellement, il est très difficile de réaLiser des transistors à effet de champ sur des matériaux III-V à faible gap ou bande interdite par suite des difficultés à obtenir des hauteurs de barrières Schottky élevées sur ces substrats. Par exemple, pour les composés ternaires du type n-Ga In As avec 1-x x O x 1-x 23, n08, du 15 Octobre 1964, pp.458-459 et elie ne dépasse pas 0,52 eV pour le composé n-InP. Ces faibles hauteurs de barrière conduisent à des courants de fuite élevés pour les diodes polarisées en inverse, et de ce fait ne sont pas compatibles avec la réalisation de transistors à effet de champ. On rappelle qu'un matériau III-V est un matériau contenant au moins un élément de la colonne III et au moins un élément de la colonne V de la classification périodique des éléments et qu'une diode Schottky est constituée d'une couche de métal surmontant le substrat en matériau 111-V. Pour augmenter La hauteur d'une barrière Schottky, on utilise quatre techniques différentes. La première technique, dont fait partie l'invention, est Le dépôt d'une couche très mince d'oxyde à la surface du substrat 111-V. L'oxyde est un matériau isolant du fait de son gap ou bande interdite élevé ( > 3 eV) et entrasse donc une augmentation de la barrière Schottky à La surface de l'échantillon lorsque l'on dépose sur cet oxyde une couche métallique en vue de fabriquer une diode Schottky. Pour réaliser une vraie caractéristique de diode fonctionnant en direct, cet oxyde doit être très mince (inférieur à 10 nm) pour permettre le passage du courant du métal au substrat par effet tunnel. En outre, cet oxyde doit pouvoir résister à des champs électriques élevés et donc présenter une bonne rigidité diélectrique (de l'ordre de 106 V/cm) et il doit comporter le moins de défauts possibles à l'interface substratoxyde afin de ne pas perturber le fonctionnement de la diode Schottky ; les défauts à l'interface substrat-oxyde constituant des pièges à électrons ou à trous imposent l'utilisation de tensions élevées de commande. En outre, cet oxyde doit présenter une tenue mécanique et une tenue dans le temps suffisantes. Jusqu'à présent, les oxydes utilisés en couche mince souffrent de ne pas présenter ces différentes caractéristiques. L'oxyde utilise est généralement du SiO avec x allant x de 1 à 2. Ce matériau présente une rigidité diélectrique faible 5 sur des composés du type GaInAs et InP (de L'ordre de 3.10 V/cm) et des défauts d'interface élevés induisant une hystérésis dans la courbe capacité-tension pour une utilisation dans un transistor MIS. A ce sujet, on peut se référer à l'article de D.V. Morgan, J. Frey "Increasing the effective barrier height Schottky contacts to n-In Ga As" paru dans Electronics Letters, x I-x 9 novembre 1978, vol.14, n023, pp.737-738. Par ailleurs, le dépôt d'une couche d'oxyde de silicium se fait souvent à haute température ( > à 3000C), en présence drun plasma de silane et d'oxygène, entrafnant généralement une dégradation du matériau III-V (voir par exemple l'article de H. Morkoc et al. Schottky barriers and ohmic contacts on n-type InP based compound semiconductors for microwave FET's" paru dans IEEE Transactions on Electron Device, vol. ED-28, N01, de Janvier 1981, pp.l-5). L'une des limitations essentielles quant au dépôt de couches d'oxyde de silicium sous haute température est la différence de tension de vapeur saturante entre l'élément V et L'élément III. En particulier, l'élément III se décompose à des températures supérieures à celles de L'élément V entrafnant, lors du dépôt la couche d'oxyde de silicium, une déficience en élément V à la surface du substrat et donc la création de défauts d'interface. La seconde technique utilisée pour augmenter la hauteur d'une barrière Schottky est le déport par épitaxie d'une couche semi-conductrice sur le substrat dont on veut augmenter la hauteur de barrière Schottky, cette couche semi-conductrice présentant un gap plus élevé que celui du substrat A cet effet, on peut citer les articles de K. R. Gleason "DC and microwave characteristics of an In Ga As/In AI As modulation-doped quasi-MISFET" paru 0,53 0,47 0,52 0,48 dans Electronics Letters du 12 mars 1987, vol.23, n06, pp.259-260 et de C.M. Hanson et al. "In AI As/InP heterojunction insulated x 1-x gate filed effects transistors (HIGFET's)" paru dans IEEE Electron Device Letters, vol.EDL-8, n 2, de février 1987, pp. 5354. Le dépôt par épitaxie d'une couche semi-conductrice nécessite un accord de maille cristalline parfaite entre cette couche et le substrat. Ceci entrain donc une limitation quant au choix des couches semi-conductrices épitaxiées et au choix des substrats utilisables. En outre, cette technique requiert l'utilisation d'un bâti d'épitaxie complexe avec mise sous vide et alimentation en de nombreux gaz. Enfin, ces depôts se font à haute température (500 C environ). Toutes ces raisons rendent donc peu pratique, complexe et coûteuse cette seconde technique. La troisième technique connue pour augmenter la hauteur d'une barrière Schottky consiste à déposer sur le substrat une couche mince semi-conductrice de meme composition que le substrat mais de conductivité différente (par exemple de type p sur un substrat de type n). Cette couche mince semi-conductrice est fabriquée notamment par épitaxie comme illustré dans l'article C. Y. Chen et al. "Qua-si-Schottky barrier diode on n-Ga In 5 As + 0,47 0,53 using a fully depleted p -Ga In 5 As layer grown by molecular 0,47 0,53 beam epitaxy" paru dans Appl. Phys. Lett. 40(5) du 1er mars 1982, pp.401-403. Enfin, comme dernière technique connue pour augmenter la hauteur de barrière Schottky d'un matériau de type n, on peut citer le dépôt d'un métal donnant un contact ohmique de type p et se comportant comme un accepteur d'électrons pour le substrat, suivi par un traitement thermique haute température (de l'ordre de 6000C) afin de faire diffuser le métal dans le substrat, enttafnant la fabrication d'une jonction p.n située à 80 nm de la surface du substrat. Ceci est décrit dans l'article de T.P. Pearsall et M.A. Digiuseppe "InP-metal barrier junctions with improved I-V characteristics" paru dans IEEE Electron Device Letters, vol. EDL-7, n05, de mai 1986, pp.317-319. Ces dernières techniques, quoique relativement satisfaisanter, s'apparentent plus à la fabrication d'une jonction p.n qu'à la réalisation d'une diode Schottky. Or les avantages d'une diode Schottky par rapport à une diode p.n sont, pour la diode Schottky, une fabrication plus simple et la présence d'un seul type de porteurs. La présente invention a justement pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde sur un matériau III-V permettant notamment d'augmenter la hauteur de barrière Schottky du matériau sans entratner de dégradations de ce dernier. En outre, cette couche présente d'excellentes qualités électriques, mécaniques, d'interface et une tenue dans le temps tout à fait satisfaisante et améliorée par rapport à celle de l'art antérieur. De façon plus précise, L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une couche d'oxyde sur un substrat en matériau III-V consistant (a) à préparer la surface du substrat devant être mise en contact avec la couche d'oxyde en vue d'en éliminer toute trace d'oxyde natif et d'impuretés éventuellement présents, (b) à oxyder la surface préparée dans une solution aqueuse bouillante contenant un composé oxygéné et (c) à rincer la surface oxydée. L'étape (a) permet l'éLimination de tout oxyde et impuretés éventuellement présents sur le substrat dont les qualités électrique et mécanique ainsi que l'épaisseur ne sont nullement controlées. L'étape (b) permet la formation d'une couche d'oxyde au plus égale à 5 nm et en particulier voisine de 2 nm d'excellente qualité électrique. En particulier, la rigidité diélectrique de la couche obtenue par le procédé selon l'invention, calculée comme décrit dans l'article de D.V. Morgan et J. Frey ci-dessus, est de l'ordre de 2,5.106 V/cm soit 10 fois plus élevée que celle obtenue par le dépit de 5 nm de SiO sur x GaInAs. L'étape d'oxydation selon l'invention a l'avantage de se faire sans apport d'atomes extérieurs, excepté pour t'oxygène présent dans L'eau, et donc sous pression atmosphérique. En outre, elle se fait à basse température, voisine de 100 C, ce qui en fait une méthode douce, n' entrainant aucune dégradation de la surface du substrat et donc de formation de défauts d'interface nuisibles à la réalisation d'une diode Schottky devant constituer la grille d'un transistor à effet de champ ou d'un transistor MIS. Jusqu a présent personne n'a envisagé d'oxyder de façon contrôlée la surface d'un matériau III-V notamment à cause du grand nombre d'oxydes possibles avec l'un ou L'autre des éléments du matériau III-V ou meme avec une combinaison des deux, conduisant à des mélanges de phases dont certaines sont instables. L'invention va donc dans le sens inverse de ce qui se fait généraLement en technologie III-V. Selon une mise en oeuvre préférée du procédé selon l'invention, L'étape (b) est constituée de deux étapes successives d'oxydation, une première étape consistant à soumettre la surface préparée à de l'eau désionisée dans laquelle barbote de l'oxygène et une seconde étape consistant à soumettre ladite surface à une sotution d'eau désionisée contenant de l'ammoniac et de l'eau oxygénée. Selon une autre mise en oeuvre préférée du procédé selon l'invention, L'étape (a) comporte successivement une étape de nettoyage dans un solvant organique, une étape de séchage sous gaz neutre, une étape de désoxydation et une étape de rinçage. Comme solvant organique, on peut utiliser tout type de solvants comme par exemple le trichloréthylène, l'acétone, l'éthanoî etc... De même Le séchage peut se faire en présence de gaz rares (argon, néon, xénon) ou d'azote. Avantageusement, l'étape de désoxydation se fait en solution, en présence d'un acide fort comme par exemple L'acide fluorhydrique, L'acide chlorhydrique, l'acide bromydrique, l'acide nitrique ou un mélange de ces acides. Cette attaque en solution est réalisée à température ambiante et sous pression atmosphérique et est donc simple à mettre en oeuvre. Afin d'éviter l'introduction de toute impureté, sur la surface préparée pour le dépôt de la couche d'oxyde ainsi que sur la couche d'oxyde lorsque cette dernière est finie, on utilise avantageusement comme solution de rinçage de l'eau désionisée à au moins 18 megaohms. Le procédé selon l'invention s'applique aussi bien à un substrat massif qu'à une couche épitaxie sur un substrat massif. Compte tenu de l'oxydation instantanée de L'aluminium à l'air et des difficultés d'élimination de la couche d'alumine constamment présente, l'invention s'applique plus particulièrement à tout matériau III-V ne contenant pas d'aluminium. De préférence, le substrat est formé par au moins un élément 111 de la classification périodique des éléments, choisi parmi le gallium et l'indium et par au moins un élément V de ladite classification, choisi parmi le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. Comme substrat, on peut citer l'InP, le GaSb, l'InAs, le GaAs, le Ga In As, le Ga In As P avec O x 1-x x 1-x y 1-y Oit11. L'invention a aussi pour objet une couche d'oxyde obtenue par le procédé ci-dessus, caractérisée en ce qu'elle présente une épaisseur au plus égale à 5 nm et notamment voisiné de 2 nm. Les moyens de caractérisation actuellement connus permettent difficilement de mesurer avec précision l'épaisseur de la couche d'oxyde formée conformément à l'invention. Aussi, l'épaisseur de la couche d'oxyde selon L'invention a été déduite des caractéristiques tension-courant de différentes diodes Schottky, pourvues de cet oxyde, étudiées entre 77 et 300 K et réalisées sur un substrat en GaInAs. L'invention a encore pour objet une diode Schottky comportant un substrat en matériau 111-V dopé n ou p, revetu localement d'une couche d'oxyde et d'une couche métallique, cette diode étant caractérisée en ce que la couche d'oxyde présente une épaisseur au plus égale à 5 nm et est obtenue par Le procédé conforme à l'invention. La diode selon l'invention présente notamment une hauteur de barrière supérieure à celle de l'art antérieur ainsi qu'un courant de fuite beaucoup plus faible. La diode Schottky selon L'invention ainsi que son procédé de fabrication ne diffèrent de ceux de l'art antérieur que par la présence de la couche d'oxyde et son procédé de fabrication. En particulier, le contact Schottky métallique peut être réalisé en or, argent, aluminium, etc... de façon connue sur le matériau 111-V. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre, donnée à titre illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées, dans lesquelles - la figure 1 représente schématiquement une diode Schottky conforme à L'invention réalisée sur une couche de n GaInAs épitaxiée sur du n-InP, - la figure 2, représente la caractéristique couranttension I(V) de la diode de la figure 1, tracée à température ambiante, - la figure 3 représente la caractéristique couranttension I(V) d'une diode Schottky réalisée sur du n-InP massif, - la figure 4 représente schématiquement un transistor à effet de champ comportant une diode schottky selon l'invention comme grille, réalisé sur une couche de n-GaInAs épitaxie sur du n-InP, - la figure 5 représente la caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds du transistor de la figure 1, pour différentes tensions de grille, - la figure 6 représente schématiquement un transistor FET réalisé sur du n-InP massif comportant une diode Schottky selon l'invention, - la figure 7 représente la caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds du transistor de la figure 6, et - la figure 8 donne la caractéristique I(V) de la grille du transistor FET de la figure 6. Le procédé de fabrication d'une couche d'oxyde selon l'invention, sur un substrat en matériau III-V consiste à nettoyer le substrat 1II-V avec successivement du trichloréthylène, de l'acétone et de L'méthanol puis à le sécher avec un jet d'azote sec à température ambiante. On effectue ensuite une désoxydation du substrat dans une solution d'acide fluorhydrique à 10X afin d'enlever toute trace d'oxyde natif non contrôlé. Cette désoxydation est suivie d'un rinçage à l'eau désionisée à 18 mégohms. Le substrat est ensuite immédiatement plongé dans de l'eau désionisée à 18 mégohms bouillante, c'est-à-dire à 1000C et à pression ambiante, dans Laquelle barbote de L'oxygène pur. Cette première étape d'oxydation dure environ 1 heure. Après une heure, toujours en présence du barbotage d'oxygène, on ajoute à L'eau désionisée bouillante dans laquelle se trouve Le substrat, une solution composée d'un mélange d'ammoniaque et d'eau oxygénée. Ces deux solutions contiennent respectivement 28X et 30X en volume d'ammoniac et d'oxygène. La solution finale obtenue, servant à la deuxième oxydation du substrat, a la composition en volume H O/NH OH/H O 2 4 22 de respectivement 10015/1. Le substrat reste dans ce mélange maintenu à ébullition, pendant 20 minutes environ. Ensuite, on le sort et on le rince à l'eau désionisée à 18 mégaohms. On obtient ainsi une couche d'oxyde de 2 nm environ présentant une rigidité diélectrique, calculée selon la méthode donnée dans l'article D.V. Morgan précédent, de 2,5.106 V/cm. Le substrat ainsi traité est soit un substrat massif, soit un matériau comportant un empilement de couches semiconductrices III-V épitaxiées sur un substrat III-V massif. Pour illustrer le procédé selon l'invention, on a utilisé un échantillon tel que représenté sur la figure 1. Cet échantillon comporte un substrat semi-isolant 2 en InP contenant 17 3 10 ions de fer/cm sur lequel a été épitaxie par jet moléculaire (MBE) une couche de n-Ga In As, avec x valant 0,47. 16 x 1-x 3 Cette couche contient 2,7.10 ions donneurs résiduels/cm L'épaisseur de la couche épitaxiée 4 représente 1000 nm d'épaisseur. Après fabrication d'un contact ohmique 6 en orgermanium, par dépôt d'un alliage d'Au-Ge de 150 nm d1épaisseur à la surface de la couche semiconductrice 4, selon la technique connue du "lift-off", suivi d'un recuit à 3100C, on a effectue une oxydation de la couche semiconductrice 4, comme décrit précédemment, que l'on a gravée de façon anisotrope afin d'obtenir un plot d'oxyde Localisé 8 de 0,4 mm de diamètre. Cette gravure anisotrope a été réalisée classiquement, en utilisant un masque photolithographique représentant L'image du motif que l'on désire réaliser dans La couche d'oxyde formée et en utilisant une solution de HF 10%. Par la technique du "lift-off", on dépose ensuite un couche d'or de 150 nm d'épaisseur pour former le contact Schottky 10 sur le plot isolant 8. La caractéristique tension-courant I(V), effectuée à température ambiante, de la diode Schottky de la figure 1, est donnée sur la figure 2. La courbe D correspond au fonctionnement 2 en direct et la courbe I au fonctionnement en inverse. Elles 2 permettent d'extraire une hauteur de barrière Vs de 0,65 eV au lieu de 0,5 eV pour la couche de SiO sur GaInAs de D.V Morgan, X et un coefficient d'idéalité de 1,05. La formule utilisée est celle de Shockley pour décrire la caractéristique I(V) soit I = Is(exp qV/nkt -1) dans laquelle I représente le courant mesure passant a travers la diode ; V représente la tension aux bornes de la diode, kT/q est voisin de 25,6 meV à la température ambiante ; Is représente le courant de saturation, et n le coefficient d'idéalité. Le courant de saturation Is est donné par L'équation 2 Is = SAT exp -qVs/kt où S représente la surface de la diode, T la température en OK, Vs la barrière de Schottky et A le coefficient de Richardson. Le courant inverse vaut 0,25 nA pour une tension de -1V et une diode de 0,4 mm de diamètre (ce qui correspond à un contact Schottky 10 de 0,4 mm de diamètre). La tension de claquage V est de l'ordre de 2V2 le courant de fuite sous -1V BR2 de 0,2 mA/cm au lieu de 22 mA/cm pour la couche de SiO sur 2 x GaInAs de D. V. Morgan et de 200 mA/cm sous -2,5V pour la couche de AI In As sur GaInAs de K.R. Gleason et C.M. Hanson. 0,48 0,52 Sur le même principe que celui décrit en référence à La figure 1, on a réalisé une diode Schottky de 1 mm de diamètre sur un substrat massif en InP non dopé avec un nombre d'ions résiduels de 2,5.1016 ions/cm et on a trace la caractéristique I(V) en échelle semi-logarithmique. Cette dernière est représentée sur la figure 3 ; la courbe D correspond au 3 fonctionnement en direct et la courbe I au fonctionnement en 3 inverse. Cette caractéristique conduit à une hauteur de barrière Vs de 0,76 eV, au lieu de 0,7 pour la couche de SiO sur n-InP de x D.V. Morgan, et un coefficient d'idéalité de 1,48. La tension de claquage V peut être supérieure à 10 V (elle dépend de la BR qualité du matériau en surface, c'est-à-dire du nombre de dislocations et de défauts cristallins du substrat). -10 Le courant Is est de L'ordre de 5,610 A et le 2 2 courant de fuite sous -1V de 0,01 mA/cm au lieu de SA/cm sous 7V pour la couche de SiO sur n-InP de D.V. Morgan et de 60 2 x mA/cm pour la couche de AI In As sur n-InP de C.M. Hanson ou K.R. Gleason. Les diodes Schottky ainsi fabriquées conservent toutes leurs caractéristiques méme chauffées jusqu'à 2600C. En outre, aucune variation de leurs caractéristiques I(V) n'a été observée après stockage pendant 1 an. Des mesures, effectuées par spectroscopie DLTS (Deep Level Transient Sectroscopy en terminologie anglo-saxonne), des pièges à électrons ou trous contenus dans le matériau semiconducteur au contact de l'oxyde réalisé selon l'invention, montrent que le procédé de L'invention n'introduit pas de défauts à L'interface isolant-semiconducteur. Sur la figure 4, on a représenté schématiquement un transistor PET utilisant une diode Schottky, conformément à l'invention. Ce transistor comporte un substrat semi-isolant 12 en 17 3 InP contenant 10 ions fer/cm , sur lequel on a épitaxie, par jet moléculaire, une couche de p-Ga In As 14, avec x valant x 1-x 0,47 constituant une couche tampon de 300 nm d'épaisseur puis une couche active 16 en n-Ga In As avec x valant 0,47, de 200 nm x 1-x 18 d'épaisseur. La couche tampon 14 est dopée à 10 ions 3 17 3 beryllium/cm et la couche active 16 à 10 ions silicium/cm On effectue alors une attaque chimique des couches 14 et 16 avec une solution de à base de HF et H O afin de définir 22 les dimensions de la zone active ou mésa 18.Cette zone active présente en particulier une longueur de 140 pm et une largeur de 100 Mm. La forme et les dimensions de la couche active 18 sont réalisées de façon classique en utilisant un masque de gravure en résine, réalisé par les procédés classiques de photolithographie. On effectue alors par la technique du "lift-off" deux contacts ohmiques 22 et 24, de part et d'autre du mesa, définissant la source et le drain du transistor et réalisés en un alliage d'or et de germanium. Ces contacts prennent appui sur les régions du substrat 12 mises à nu et sur les flancs gravés des couches 14 et 16. La distance d séparant la source et le drain est de 5 Mm. Le dépit des couches conductrices dans lesquelles sont réalisées les contacts est suivi d'un recuit à 3100C pour former L'alliage Au-Ge. On effectue alors une oxydation de L'échantillon obtenu, conformément à l'invention, suivie d'une gravure sélective de cette couche d'oxyde, à travers un masque de lithographie, afin de réaliser l'oxyde de grille 26 du transistor. Par la technique du "lift-off" on dépose alors sur l'oxyde -de grille 26 une couche d'or de 150 nm d'épaisseur environ, constituant le contact Schottky 28 du transistor et donc la grille et la ligne d'interconnexion de la grille de ce transistor. Ce contact 28 présente une largeur I de 1 Fm (définissant la longueur du canal du transistor) et une longueur de 140 pm. La caractéristique du courant drain-source Ids en fonction de la tension drain-source Vds pour des tensions de grille variables du transistor ainsi obtenu est donnée sur la figure 5. La courbe A correspond à une tension de grille de O volt et la courbe B à une tension de grille de -2 V. La tension de grille varie de 0,2 V d'une courbe à l'autre. En outre, la grille Schottky du PET présente un courant de fuite en inverse, non détectable, à -1V. Le gain du transistor ainsi obtenu est de 100 mS/mm. Sur la figure 6, on a représente schématiquement un transistor selon un autre mode de réalisation. Dans un substrat 17 3 32 en InP semi-isolant contenant 10 ions fer/cm , on a réalisé une implantation d'ions silicium afin d'obtenir un dopage n de 17 3 10 ions/cm environ, sur . une profondeur de 500 nm. Après un recuit d'implantation à 7500C, on a effectue une attaque chimique de la couche implantée afin de définir les dimensions de la zone active 34#. La fabrication du transistor se poursuit comme décrit en référence à la figure 4 par réalisation des deux contacts ohmiques (sources et drains) 36 et 38, de l'oxyde de grille 40 et du contact Schottky 42. La figure 7 donne la caractéristique Ids-Vds à tension de grille variable pour le transistor de la figure 6 et la figure 8 donne la caractéristique I(V) de la grille de ce transistor. La tension de grille augmente de 1V d'une courbe à l'autre, la courbe E de plus fort courant sur la figure 7 correspondant à une tension de grille nulle. De ces courbes, on déduit que la grille du transistor peut tenir jusqu a 10 volts en inverse. De la figure 8, on déduit que le courant de fuite de La grille du transistor de la figure 6 est inférieur au A jusqu'à -10V. La fabrication selon l'invention d'une couche d'oxyde sur un matériau III-V a permis La réalisation de diodes Schottky ayant des caractéristiques courant-tension qui se comparent favorablement à celles fabriquées par les autres techniques. En outre, ce procédé n'introduit aucun défaut d'interface gênant pour la fabrication de transistors à effet de champ et de transistors MIS. Il permet en particulier la fabrication de transistors à effet de champ et MIS sur InP, ce qui était très difficile à réaliser jusqu'à présent. Pour Les applications à un transistor du type MIS, il est possible d'utiliser la couche d'oxyde mince selon L'invention comme matériau servant à éviter la création de défauts à L'interface substrat-isolant et de prévoir alors un deuxième isolant, rapporté sur cette couche mince, notamment en SiO x Al2O 3, Si 3N4 AlN, etc... REVENDICATIONS 1. Procédé de fabrication d'une couche d'oxyde (8, 26, 40) sur un substrat en matériau III-V (4, 16, 34) consistant (a) à préparer La surface du substrat devant être mise en contact avec la couche d'oxyde en vue d'en éliminer toute trace d'oxyde natif et d'impuretés éventuellement présent, (b) à oxyder la surface préparée dans une solution aqueuse bouillante contenant un composé oxygéné et (c) à rincer la surface oxydée. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérise en ce que L'étape (b) comporte deux étapes successives d'oxydation, une première étape consistant à soumettre la surface préparée à de l'eau désionisée dans laquelle barbote de l'oxygène et une seconde étape consistant å soumettre ladite surface à une solution d'eau désionisée contenant de l'ammoniac et de L'eau oxygénée, toujours en présence de l'oxygène. 3. Procédé selon la revendication 1 ou 2, caractérisé en ce que l'étape (a) comporte successivement une étape de nettoyage dans un solvant organique, une étape de séchage sous gaz neutre, une étape de désoxydation et une étape de rinçage. 4. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'on rince ladite surface dans de L'eau désionisee, 5. Procédé selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'étape de désoxydation consiste à soumettre ladite surface à une solution d'acide fluorhydrique. 6. Procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le substrat (4, 16, 34) est formé par au moins un élément III de la classification périodique des éléments, choisi parmi le gallium et l'indium et par au moins un élément V de ladite classification, choisi parmi Le phosphore, l'arsenic et l'antimoine. 7. Couche d'oxyde (8, 16, 40) obtenue par le procédé selon L'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisée en ce qu'elle présente une épaisseur au plus égale à 5 nm. 8. Diode Schottky comportant un substrat (4, 16, 34) en matériau III-V dopé n ou p, revêtu localement d'une couche d'oxyde (8, 26, 40) et d'une couche métallique (10, 28, 42), caractérisée en ce que la couche d'oxyde présente une épaisseur ou plus égale à 5 nm et est obtenue par le procédé selon l'une quelconque des revendications 1 à 6.