Brevet FR2620269A1 — publié le 19890310

PROCEDE POUR TEXTURER UNE SURFACE DE SILICIUM La présente invention concerne un procédé de fabrication de cristaux de silicium pour cellules photovoltaique. Les cellules solaires ou photovoltaiques sont des dispositifs semi-conducteurs qui fonctionnent en absorbant de la lumière et en convertissant une fraction substantielle de llenergie de la lumière absorbée en énergie électrique. De telles cellules sont typiquement constituées de cristaux de silicium. Cependant, la totalité de la lumière qui frappe la surface d'une cellule solaire n'est pas absorbée par le matériau semi-conducteur. Une fraction de la lumière incidente est réfléchie par la surface supérieure de la cellule. Une autre fraction est transmise i travers toute l'épaisseur du matériau semi-conducteur. Cette fraction transmise devient progressivement plus importante quand l'épaisseur de la cellule devient de plus en plus petite. Dans une conception pratique de cellules, la quantité de lumière réfléchie a été réduite par application d'un revêtement anti-refléchissant sur la surface éclairée de la cellule. La lumière transmise a aussi été capturée par dépôt d'un métal préréfléchissant, tel que de l'aluminium, sur la surface arrière de la cellule. La lumière qui est réfléchie par ce métal réflecteur déposé sur la surface arrière passe pour la deuxième fois par la cellule et la cellule absorbe davantage de lumière. Cependant, la lumière qui atteint la surface avant de la cellule à la fin du second passage est transmise par la surface avant et perdue. La réduction des pertes par réflexion à la surface avant d'une cellule solaire est toujours importante dans une conception quelconque de cellule. La réduction des pertes de transmission devient de plus en plus importante quand l'épaisseur de la cellule est réduite d'une façon générale au-dessous de 300 pm. Dans une situation idéale, les pertes par réflexion et transmission devraient être réduites à zéro, toute la lumière incidente étant effectivement "piégée" et absorbée dans le matériau semi-conducteur et convertie en porteurs de charges électriques. L'objet de la présente invention est de piéger la quantité maximale de lumière incidente et de la convertir en porteurs de charges électriques. La figure 1 représente un modèle idéal figurant un réseau cristallin de silicium convenant à des dispositifs semi-conducteurs. Comme représenté sur la figure, le cristal est cubique, les sommets du cube étant définis par un atome de silicium. La face hachurée en traits pleins représente la face (100) et la face hachurée en traits interrompus représente la face (111). Dans l'art antérieur, on a montré qu'il était possible de donner une texture à la surface de matériaux semi-conducteurs, tels que le silicium, à condition que cette surface se situe dans un plan cristallographique (100). Une gravure anisotrope, pour laquelle la vitesse de gravure dans la direction est beaucoup plus lente que la vitesse de gravure dans la direction , est utilisée pour créer des structures pyramidales sur la surface (100). Les faces des pyramides sont les quatre plans (111) qui sont exposés par la gravure anisotrope. Cette approche a produit des cellules ayant un pouvoir de réflexion réduit et un rendement de collecte des porteurs auor#ente. Le pouvoir de réflexion est réduit parce que la lumière tombant sur une face d'une pyramide peut etre réfléchie sur une autre pyramide au lieu d'être perdue. Le rendement de la collecte est augmenté parce que la lumière pénètre dans le silicium sous un angle oblique et que l'absorption de la lumière de plus grande longueur d'onde se fait plus près de la jonction au lieu de se faire en profondeur dans la base auquel cas les porteurs ont une chance plus grande d'être perdus. On a utilisé une grande diversité de solutions de gravures anisotropes telles que NaOH, KOH, l'éthylène diamine et l'hydrazine, mais NaOh et KOH sont les plus courantes. Elles permettent toutes d'obtenir les résultats désirés avec du silicium ayant une surface (100). Mais, les gravures anisotropes ne produisent pas la texture désirée sur des cristaux qui n'ont pas une surface (100). En particulier, elles ne sont pas efficaces pour du silicium plat den#iti# e, ci a sensiblement une surface (111) D'une façon générale, un procédé ou technique de crave d'un cristal plat dendritique de silicium a utiliser dans une cellule photovoltaïque, lors##'il est appliqué selon la présente invention, comprend les opérations d'application d'une configuration prédéterminée d'un matériau résistant à la gravure sur une surface (111) du cristal de silicium, la configuration recouvrant sensiblement toute la surface (111), et de gravure de la surface (111) avec un matériau de gravure isotrope jusqu'à ce que le matériau de gravure dégage par sapement sensiblement complètement la configuration du matériau résistant à la gravure, en formant ainsi des pics ou points à facettes inclinées sur le cristal de silicium, le matériau de gravure isotrope et la configuration coopérant de telle façon que les facettes inclinées aient une pente qui piège sensiblement à l'intérieur du cristal de silicium toute la lumière frappant sur le cristal de silicium. La présente invention apparaitra de manière plus évidente à la lecture de la description détaillée ci-dessus en se référant aux dessins annexés dans lesquels: la figure 1 est un croquis schématique représentant les plans (100) et (111) d'un réseau de cristal de silicium les figures 2a et 2b sont des dessins schématiques représentant les principes fondamentaux du procédé selon la présente invention t la figure 3 est un dessin schématique représentant le trajet suivi par les rayons lumineux pénétrant dans cristaux produits selon le procédé de la présente invention les figures 4a et 4b sont des représentations schématiques d'une vue en coupe et d'une vue en élévation d'un cristal gravé obtenu selon le procédé de la présente invention les figures 5a et 5b sont des représentations schématiques d'une vue en coupe transversale et d'une vue en élévation d'un autre cristal gravé produit selon le procédé de la présente invention les figures 6 à 11 sont des graphiques démontrant les meilleurs résultats prévus pour des cellules fabriquées à partir de cristaux obtenus selon le procédé de la présente invention. La présente invention propose un procédé pour donner une texture à une surface de silicium ayant une orientation cristallographique quelconque, comprenant une surface (111). Le problème rencontré pour donner une texture à une surface (111) de silicium est résolu par l'association d'une photolithographie et d'une gravure isotrope, contrairement à une gravure anisotrope. La figure 2 représente, dans son principe, la façon dont la présente invention obtient une structure en dents de scie sur la face du cristal. Des bandes de photorésist ayant une largeur W1 et un espacement de Ws sont obtenues par des techniques classiques sur la surface plane du silicium.Une gravure isotrope du silicium, couramment effectuée avec un mélange d'acides fluorhydrique, nitrique et acétique concentrés, est utilisé pour graver i la fois vers le bas dans le silicium et latéralement sous les bandes de photorésist. Comme la gravure est isotrope, elle grave latéralement aussi vite que verticalement, en dégageant ainsi par affouillement le photorésist et en laissant une configuration en "dents de scie", comme représenté sur la figure 2b, la période de la configuration et l'espacement entre les dents adjacentes étant déterminée par le choix de W1 et de Ws. En variante, un réseau de pyramides à quatre faces peut être gravé par utilisation d'une configuration en "échiquier" de photorésist. La figure 3 représente un profil modèle d'un matériau de silicium pour cellule photovoltaique que l'on peut obtenir en appliquant la présente invention. La surface arrière de la cellule a reçu une texture comme mentionné ci-dessus pour obtenir une structure en "dents de scie". La trajectoire de la lumière arrivant normalement sur la cellule est également représentée. L'arrière de la cellule est de préférence rendue presque parfaitement réfléchissante, par exemple, grâce au dépôt d'un métal très réfléchissant, tel que de l'aluminium, sur la surface arrière. Le rayon 2 réfléchi sur la surface texturée arrière de la cellule, arrive sur la surface avant de la cellule, depuis l'intérieur du silicium, et subit une réflexion interne totale, en continuant sous forme d'un rayon 3. Ce rayon est à nouveau réfléchi par la surface réfléchissante arrière et quitte le silicium sous forme du rayon 4. Avec ce type de surface arrière en "dents de scie", on peut s'attendre à ce que la distance parcourue par la lumière dans le silicium soit 6 fois plus grande que l'épaisseur matérielle de la cellule. Comme on peut le voir sur la figure 3, une partie de la lumière réfléchie sera absorbée à proximité de la jonction collectrice à l'avant de la cellule. Ceci réduit l'exigence concernant la longueur de diffusion des porteurs minoritaires pour obtenir une collecte efficace des porteurs. De plus, la tension en circuit ouvert (vioc) d'une cellule de silicium dentritique plate et mince (50 pm) sera nettement augmentée par rapport à celui d'une cellule d'épaisseur standard (150 pm) du fait du volume réduit pour la recombinaison dans la cellule mince. Pour réaliser l'augmentation de Voc, la surface arrière de la cellule est bien passivée au moyen, par exemple, d'un oxyde que l'on fait croitre par un procédé thermique. La technique ou procédé de gravure d'un cristal dentritique plat de silicium à utiliser dans une cellule photovoltaique comprend les opérations suivantes Premièrement, toute croissance d'oxyde devrait de préférence être éliminée du silicium plat. Bien que dans certains cas, l'oxyde de la croissance puisse simplement être éliminée par essuyage, il faut souvent utiliser un acide. Un acide qui s'est révélé avantageux est l'acide fluorhydrique. L'oxyde de la croissance apparait sous forme d'une couleur bleue foncée et gêne les possibilités d'adhérence du photorésist. Cette opération peut être supprimée, par exemple, si on a fait croitre le silicium dans des conditions où il n'y a aucun oxyde de croissance. Ensuite, un produit favorisant l'adhérence est de préférence appliqué à la surface du cristal afin de favoriser l'adhérence du photorésist à la surface du cristal. Dans un mode de réalisation préféré, on a appliqué un produit favorisant l'adhérence, composé de 20 ml d'hexaméthyldisilazène (HMDS, fabriqué par Petrarch Systems, Inc.) et 980 ml de xylène, en plongeant le cristal dans le produit pendant 1 minute. Le cristal a ensuite été séché à l'air comprimé et étuvé à 165 C pendant 60 minutes dans de l'azote. Après la séquence d'application du produit facilitant l'adhérence, un photorésist est appliqué, de préférence avec une épaisseur sensiblement uniforme. Dans un mode de réalisation préféré, on a appliqué comme produit photorésist du WAYCOAT, IC sur le cristal, et on a utilisé la force centrifuge pour obtenir une épaisseur uniforme en faisant tourner le cristal à 3000 tours/minute pendant 30 secondes. Le cristal revêtu a été préétuvé à 90"C pendant 15 minutes dans de l'azote. L'application du photorésist de cette manière conduit a une épaisseur de photorésist de 1,3 Jlm. D'autres épaisseurs peuvent être obtenues en faisant varier la vitesse et la durée pendant laquelle le cristal est mis en rotation, ou par d'autres procédés d'application bien connus des spécialistes de la technique. Ensuite, un masque, correspondant à la configuration désirée, est appliqué sur le photorésist. Dans les cas où l'on souhaite obtenir une configuration "en dents de scie", comme l'indiquent les figures 4a, 4b, Sa et 5b, le masque comprend des bandes étroites parallèles, espacées les unes des autres. Dans les cas où on souhaite un réseau de pyramides, on utilise un masque ayant une configuration "en échiquier", avec des carrés massifs, séparés par des carrés vides. Ces carrés pourraient avoir une dimension et un espacement uniformes, ou pourraient avoir une dimension non uniforme et un espacement au hasard, s'il le fallait, afin d'optimiser la fraction de lumière piégée à l'intérieur du silicium.Une configuration en dents de scie est généralement préférable à une configuration en pyramides, puisque la surface entre les pyramides a tendance a être plate, c'est-à-dire à réfracter davantage de lumière sous un angle inférieur à l'angle critique pour la réflexion totale, que les configurations en dents de scie, qui ont une proportion plus petite de surface "plate". Lorsque le masque souhaité est appliqué sur le photorésist, ce photorésist est exposé à la lumière. Il est possible d'utiliser ce que l'on appelle un photorésist positif ou négatif avec l'invention, bien que le résist négatif se soit révélé préférable, étant donné qu'il a tendance à supporter de manière plus favorable la gravure å l'acide que le résist positif. Lorsque l'on emploie un résist négatif, la partie * du photorésist qui est cachée par le masque est dissoute par le révélateur, et la portion. du photorésist exposé à la lumière est polymérisée par la lumière et devient résistante au révélateur. Lorsque l'on utilise un photorésist positif, le contraire se produit, étant donné que le photorésist qui est exposé est dissous et que les parties cachées subsistent après l'application du révélateur. Dans un mode de réalisation préféré produisant des cristaux comme ceux qui sont présentés sur les figures 4a, 4b, Sa et 5b, un masque comprenant des bandes parallèles a été utilisé avec un photorésist négatif, du WAYCOAT IC, qui a été exposé à la lumière ultraviolette à raison de 2,55 mW/cm2 pendant 30 secondes. Après exposition du produit photorésistant, il faut développer le produit photorésistant. Dans un mode préféré produisant des cristaux comme ceux qui sont présentés sur les figures 4a, 4b, 5a et 5b, comme on a utilisé un produit photorésistant négatif, un révélateur négatif, WAYCOAT a été utilisé pendant 30 secondes. Après développement du photorésist, il faut éliminer par dissolution la partie indésirable du photorésist. Dans ce cas, ceci a été obtenu en rinçant le photorésist avec de l'acétate de butyle pendant 15 secondes. Comme on a utilisé un révélateur négatif, la partie non exposée du photorésist a été éliminée par dissolution. Après l'opération de rinçage, il faut à nouveau étuver le photorésist développé pour le durcir et éliminer tous les solvants subsistant sur le photorésist. Cet étuvage ou cuisson ultérieur peut se faire en chauffant le photorésist exposé a 165bu pendant 15 minutes dans de l'azote. Après la séquence d'étuvage ultérieur, la surface du cristal est gravée pour obtenir la- configuration désirée au moyen d'un produit de gravure isotrope. Comme l'action de gravure est exothermique, il est possible que le processus de gravure se fasse trop vite sauf si la température de la solution de gravure est soigneusement contrôlée. On s'est aperçu que les résultats préférés étaient obtenus si l'opération de gravure commençait lentement. Ceci a été obtenu en commençant l'opération de gravure avec une solution de gravure isotrope se trouvant à la température de 50C + 30C. On peut obtenir cette température en plaçant la solution de gravure dans un bain de glace ou dans tout autre moyen de refroidissement connu dans la technique. Une fois la solution de gravure suffisamment refroidie, l'opération de gravure peut commencer. Des pics ou pointes sont produits en gravant la surface du cristal suffisamment longtemps pour dégager par sapement le photorésist comme l'indique la figure 2. Les vitesses de gravure peuvent varier en fonction des conditions de température, du type de produit de gravure utilisé, etc. Il est souhaitable de graver pendant suffisamment longtemps pour obtenir les pics, mais pas assez longtemps pour que les pics s'arrondissent ou s'aplatissent. En règle générale, il est préférable que la quantité du cristal gravé verticalement représente sensiblement 10 % de l'épaisseur totale du cristal. L'expérience a montré qu'un temps de gravure d'environ 1 minute était suffisant pour obtenir l'importance désirée de la gravure. Un procédé pour déterminer à quel moment la gravure est terminée consiste a observer le photorésist. Quand le photorésist s'est soulevé de la surface du silicium, cela prouve que le photorésist a été suffisamment dégagé par la solution de gravure pour former les pics désirés. Dans un mode de réalisation préféré de l'invention, une configuration en dents de scie est gravée sur un cristal de silicium en utilisant une solution comprenant la proportion de dix parties d'acide fluorhydrique concentré, d'une partie d'acide nitrique concentré, et de trois parties d'acide acétique concentré, en volume. La durée de gravure était de 60 secondes, et la température de la solution de gravure était d'environ 5 e C au début de l'opération de gravure. Dans les cas où le photorésist ne se soulève pas de la surface du silicium à la fin de l'opération de gravure, il est nécessaire "d'arracher" le photorésist du cristal. Le photorésist est arraché en utilisant un mélange en proportion de quatre parties d'acide sulfurique concentré et d'une partie de peroxyde d'hydrogène pendant 60 secondes à 80'C. La forme détaillée du profil gravé peut être quelque peu modifiée par la largeur et l'espacement des bandes de photorésist. Par exemple, la distance sur laquelle le profil est relativement plat peut être réduite en rapprochant les bandes espacées. Un matériau de silicium plat dentritique, d'environ 100 pm d'épaisseur, a été gravé comme décrit ci-dessus pour obtenir une surface texturée. Les figures 4a et 4b représentent une vue en coupe transversale et une vue en élévation d'un tel exemple qui a été préparé avec des bandes de photorésist de 30 pm de largeur espacées de 30 pm. On observera que le profil obtenu a sensiblement le profil des dents de scie sur la figure 2b. L'épaisseur totale de l'échantillon plat est représentée sur la figure 4a de sorte que la profondeur de la configuration gravée peut être comparée à l'épaisseur totale du matériau. Un autre échantillon de silicium plat a reçu une texture à l'aide d'un masque comprenant des bandes de 10 Jlm de largeur espacées de 10 Jlm, de sorte que la profondeur de la gravure est inférieure à celle qui est représentée sur les figures 4a et 4b. Les résultats sont représentés sur les figures 5a et 5b. Ce procédé de formation de texture a aussi été appliqué à des plaquettes de silicium obtenues à l'aide du procédé de la zone flottante et ayant soit une surface (111) soit une surface (100). On a obtenu des résultats semblables à ceux des figures 4a, 4b, 5a, et 5b, ce qui prouve que la technique est applicable à du silicium ayant une orientation de surface différente de l'orientation (111). En réalité, le procédé représenté ici s'applique à tout matériau susceptible d'être gravé par gravure isotrope. Dans des conditions idéales, un pic ayant un angle de 90 au sommet, et des facettes inclinées d'un angle de 45 par rapport a la direction perpendiculaire à la surface plate originale du cristal sont produits comme l'indique la figure 2b. Cependant, l'expérience a montré que la surface inclinée des pics a tendance à s'arrondir, comme l'indiquent les figures 4a, 4b, 5a et 5b. Pour réaliser le piégeage de la lumière a l'intérieur du cristal, il est nécessaire que les surfaces inclinées des pics fassent un angle de 15 au moins par rapport à l'horizontale.Les surfaces inclinées sous des angles inférieurs à 15 , représentées approximativement sur le dessin par une ligne imaginaire partant d'un sommet d'un pic et passant par le centre du creux adjacent, comme l'indiquent les figures 4a et 4b sont passibles selon la présente invention. Le présent procédé peut être utilisé pour graver la surface avant (celle qui est la plus proche de la source lumineuse), la surface arrière, ou les deux faces du cristal. L'expérience a montré que la gravure de la surface avant était préférable à la seule gravure de la surface arrière du cristal. Il peut être souhaitable dans certains cas de revêtir la surface arrière du cristal gravé d'un revêtement réfléchissant, tel que de l'aluminium. Il peut être également utile de recouvrir la surface avant, c'est-à-dire la surface tournée vers la source lumineuse, d'un produit anti-réfléchissant. De cette façon, on peut même transmettre davantage de lumière à travers la surface avant et ne pas la perdre à travers la surface arrière, dans un effet visant à approcher le cas idéal du "piégeage" de la lumière. Il n'est peut-être pas nécessaire de recouvrir la surface texturée représentée sur la figure 3 d'un métal très réfléchissant. Il apparait que dans la plupart des cas, une réflexion interne essentiellement totale se produit sur la surface arrière aussi bien que sur la surface avant sans revêtement métallique réflecteur. Ceci signifie que les avantages de la texture pourraient aussi être obtenus avec une construction de cellules bifaciales, dans laquelle la surface arrière comporte une grille métallique et non un recouvrement complet par un métal réflecteur. Avec des structures de cellules de ce type, ou avec une texture avant et arrière, il peut être possible d'approcher le piégeage total de la lumière. Le présent procédé peut être utilisé sur n'importe quel type de cristal quelle que soit l'orientation de la face à graver. Donc, la présente invention propose une avance notable par rapport au système de la technique antérieure, qui ne produisait des pics que sur des cristaux ayant une surface de gravure dans le plan (100). Le procédé selon la présente invention peut aussi être appliqué dans des domaines différents de la fabrication des cellules photovoltaiques. Parexemple, la configuration en dents de scie produite selon l'invention est utilisable pour faire passer de très petits câbles de fibres optiques entre les pics. Le perfectionnement envisagé des paramètres des celules solaires résultant de l'incorporation d'une structure en dents de scie à l'arrière a été calculé pour une certaine gamme d'épaisseurs de cellules et pour certaines longueurs de diffusion des porteurs minoritaires. L'équation de continuité, qui définit le mouvement des porteurs minoritaires dans la base d'une cellule solaire, a été résolu en utilisant la technique de la fonction de Green pour la géométrie de piégeage de la lumière représentée sur la figure 3. Ceci permet de calculer Jsc et Vcc Les valeurs calculées de Jsc en fonction de l'épaisseur de la cellule sont représentées sur les figures 6 à 11 pour des longueurs de diffusion des porteurs minoritaires de 50, 100, 200 et 340 p m, respectivement.Sur ces figures, Jsc calculé pour une surface arrière réfléchissante en dents de scie est comparé à la valeur de Jsc calculée pour une surface arrière réfléchissante plate (double passage) et avec une valeur de Jsc calculée pour une surface arrière non réfléchissante (un seul passage). Les pertes relativement faibles associées à la réflexion sur la surface avant, à l'ombre de la grille, et à la recombinaison dans l'émetteur ne sont pas prises en ligne de compte dans ces calculs. La vitesse de recombinaison associée à la surface arrière (Sback) est considérée comme égale à zéro. Les valeurs calculées restent valables à condition que la vitesse de recombinaison soit beaucoup plus faible que la vitesse de diffusion, qui est typiquement de 3000 cm/s. Puisqu'il est possible d'obtenir une vitesse de recombina#ison de 300 cm/s. ou moins avec une surface passivée à l'oxyde, l'hypothèse selon laquelle sback est effectivement nulle est réaliste. Sur ces figures, est également indiquée une ligne représentant le cour'ant équivalent du spectre Ail.5 100 mW/cm2. Ceci donne le courant total disponible pour un piégeage parfait de la lumière sans recombinaison des porteurs.La courbe en traits interrompus indique les valeurs calculées de Jsc en supposant le piégeage de la lumière (imparfait) associé à une surface arrière en dents de scie et sans recombinaison. Les figures 10 et 11 indiquent les valeurs calculées de Joc, VOc et du rendement X pour une cellule à face arrière en dents de scie en fonction de l'épaisseur de la cellule. La longueur de diffusion est considérée comme égale à 100 Jlm (valeur typique pour des cellules plates) sur la figure 10 et de 340 ,um (valeur mieux mesurée pour une cellule plate) sur la figure 11. Si l'on considère les pertes par réflexion et ombrage égales à 7 % de Jsct le rendement optimal calculé est de 15,8 % pour une longueur de diffusion de 100 llm et de 18,0 % pour une longueur de diffusion de 340 pm. Une comparaison du rendement calculé pour des cellules minces ayant une surface arrière en dents de scie avec des cellules d'épaisseur standard ayant une surface arrière réfléchissante plate est donnée dans le tableau 1 pour une certaine gamme de longueurs de diffusion. Ces calculs montrent qu'il est possible d'obtenir des cellules plates ayant un rendement de 18 %. Le tableau 1 présente une comparaison du rendement calculé pour des cellules minces ayant une surface arrière réfléchissante en dents de scie avec des cellules d'épaisseur standard ayant une surface réfléchissante arrière plate. TABLEAU 1 Longueur de Epaisseur Face diffusion de cellule arrière de la Jsc Vcc FF cellule ( m) ( m) (mA/cm2) (V) (%) 50 150 Plate 30,0 0,519 0,790 12,2 50 50 Dents de 33,3 0,529 0,780 13,8 scie 100 150 Plate 33,1 0,542 0,780 14,0 100 50 Dents de 35,9 0,562 0,780 15,8 scie 200 150 Plate 35,6 0,571 0,780 15,9 200 50 Dents de 36,8 0,597 0,780 17,1 scie 340 150 Plate 36,5 0,597 0,780 17,0 340 50 Dents de 37,0 0,624 0,780 18,0 scie Hypothèses 1. Spectre AN 1,5 avec une intensité de 100 mW/cm2 2. Vitesse de recombinaison sur la surface arrière considérée comme nulle 3. Les réflexions et l'ombrage aboutissent à 7 % de pertes dans Jsc 4. Les pertes associées à l'émetteur sont négligeables 5. La résistivité de la base est de 4 ohm-cm (type p) pour le calcul de VOC 6. La surface arrière est parfaitement réfléchissante. REVENDICATIONS 1. procédé pour graver un cristal pla-t dendritique de silicium afin de l'utiliser comme cellule photovoltaïque, caractérisé par les opérations d'application d'une configuration prédéterminée de matériau résistant å la gravure sur une surface (111) du cristal de silicium, la configuration couvrant sensiblement la totalité de la surface (111) ; et de gravure de la surface (111) au moyen d'un matériau -de gravure isotrope jusqu'à ce que le matériau de gravure dégage par sapement sensiblement complètement la configuration du matériau résistant a. la gravure, en formant ainsi un ensemble de pointes à côtés en pente sur le cristal de silicium, le matériau de gravure isotrope et la conficuration coopérant de maniere que les cotés en pente aient une pente qui piège sensiblement à l'intérieur du cristal de silicium toute la lumière frappant le cristal de silicium. 2. Procédé selon la revendication I, caractérisé par le fait :e l'otératlon d'aplicat-on d'une configuration prédéterminée ce matériau résistant à la gravure comprena La préparation ce la surface (111) au moyen d'un acent favorisant l'adhérence ; l'application sur toute la surface (111) d'une couche d'un matériau résistant à la gravure et correspondant à la formule d'un photorésist ; le précuisson du cristal revêtu ; la mise en place d'un masque sur la surface revêtue, ce masque étant constitue d'un ensemble de bandes parallèles espacées ce matériau opacue ; l'exposition de la surface masquée à la lumière ; le développement du matériau ayant la formule d'un photo-résist au moyen d'un révélateur et l'élimination par lavage du matériau à formule de photorésist non développé en laissant des bandes généralement parallèles de matériau résistant à la gravure sur la surface (111) ; et la cuisson ultérieure des bandes parallèles en matériau résistant à la gravure-pour les fixer sur la surface (111). 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par l'opération de décollement du matériau résistant a la gravure après gravure au moyen d'une solution de décapage. 4. Procédé selon la revendication 3, caractérisé par le fait que la solution de décapage est constituée de quatre parties d'acide sulfurique concentré et d'une partie de peroxyde d'hydrogène. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que les bandes parallèles en matériau résistant à la gravure sont disposées à angle droit tout en étant parallèles pour donner une configuration en forme d'échiquier du matériau résistant à la gravure lorsque le matériau non développé est éliminé par lavage et par le fait qu'un ensemble de pointes pyramidales avec des pentes sur quatre faces est formé lorsque la gravure est terminée. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le matériau de gravure est une solution comprenant, en volume, dix parties d'acide fluorhydrique concentré, une partie d'acide nitrique concentré, et trois parties d'acide acétique concentré. 7. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que la lumière appliquée sur le cristal masqué est une lumière ultraviolette. 8. Procédé selon la revendication 2, caractérisé par le fait que la pente des faces est de 15 au moins. 9. Procédé selon la revendication 5, caractérisé par le fait que la pente des faces est de 15 au moins.