Brevet FR2604282A1 — publié le 19880325

L'invention concerne un procédé pour trans- férer de façon stable une ligne de Bloch qui est pré- sente dans une paroi magnétique d'un domaine magnétique en bande. L'invention concerne également un appareil à mémoire magnétique qui peut enregistrer et reproduire de façon stable et à grande vitesse une information par transfert d'une ligne de Bloch qui est un support d'information, suivant un procédé nouveau. Une mémoire externe d'ordinateur, une mémoire de fichier électronique et une mémoire de fichier d'images fixes utilisent des dispositifs de mémorisation tels qu'une bande magnétique, un disque Winchester, un disque souple, un disque opto-magnétique ou une mémoire à bulles magnétiques. Les dispositifs de mémorisation autres que la mémoire à bulles magné- tiques nécessitent un mouvement relatif entre un sup- port d'enregistrement tel qu'une bande ou un disque et une tête de reproduction. En conséquence, pour atteindre une densité d'enregistrement élevée, il se pose des problèmes d'erreur de piste, d'entraîne- ment et d'usure du support et de la tête, d'accumula- tion de poussière, de vibration et, dans le disque optique et le disque opto-magnétique, de focalisation. Comme décrit dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique N' 801 401, la mémoire à bulles magnétiques n'a pas besoin d'entraînement mécani- que et est très fiable. En conséquence, on a considéré que la mémoire à bulles magnétiques est avantageuse pour un enregistrement à haute densité. Cependant, étant donné que la mémoire à bulles magnétiques utilise, en tant que bit, un domaine magnétique circulaire (bulle) développé dans un film de grenat magnétique possédant un axe de magnétisation aisé qui est normal au plan du film, la limite supérieure de la densité d'enregistrement est de plusieurs dizaines de M bits/ puce ou microplaquette même si l'on utilise une bulle minimale (0,3 gm de diamètre) limitée par une propriété matérielle d'un film de grenat actuellement disponible. En comparaison avec une mémoire à semiconducteur appe- lée à devenir compétitive dans le futur, la différence de capacité n'est pas très grande. En conséquence, le domaine d'application en tant que mémoire est très étroit. Une mémoire à lignes de Bloch, décrite dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 4 583 200, a récemment attiré l'attention pour son aptitude à s'affranchir de la limitation de la densité d'enregistrement dans la mémoire à bulles magnétiques. Les technologies de la mémoire à lignes de Bloch sont décrites dans les demandes de brevets des Etats-Unis d'Amérique N 800 700 et N 72 668. Dans la mémoire à lignes de Bloch, deux zones de transition, dans lesquelles les sens de magné- tisation se retournent dans une paroi magnétique en- tourant un domaine magnétique en bande développé dans un film de grenat magnétique, sont opposées l'une à l'autre, c'est-à-dire que deux zones (lignes de Bloch), définies par une paroi magnétique de Neil entre les structures de parois magnétiques de Bloch, sont utilisées en tant qu'unité de mémoire, et la paire de lignes de Bloch est utilisée pour un bit. Dans la mémoire à lignes de Bloch, étant donné que la largeur d'une ligne de Bloch est habituellement d'un dixième de la largeur d'un domaine magnétique, on peut atteindre une densité d'enregistrement supé- rieure de presque dix fois celle de la mémoire à bulles magnétiques. Par exemple, lorsque l'on utilise un film de grenat ayant un diamètre de bulles de 0,5 pm, on peut atteindre une capacité de mémoire de 1,6 G bits/puce ou microplaquette. Dans la mémoire à lignes de Bloch, il est nécessaire d'établir une position stable de la paire de lignes de Bloch, qui est une unité de mémoire, dans la paroi magnétique pour enregistrer de façon stable une information dans la mémoire et la transférer de façon stable, bit par bit, à grande vitesse. Les figures 1A et lB et les figures 2A et 2B des dessins annexés et décrits ci-après montrent un procédé de stabilisation de transfert des paires de lignes de Bloch tel que décrit dans le brevet N 4 583 200 précité. La figure 1A montre une configu- ration de stabilisation formée sur un film magnétique pour stabiliser la paire de lignes de Bloch. La figure lB illustre un potentiel apparaissant dans le film magnétique et la stabilisation de la mémoire à lignes de Bloch, par suite de la formation de la configuration ou du motif de stabilisation. La figure 2A montre un procédé pour transférer la paire de lignes de Bloch et la- figure 2B montre une forme d'onde d'un champ magnétique pulsatoire perpendiculaire utilisé pour transférer la paire de lignes de Bloch. Dans le passé, pour stabiliser la paire de lignes de Bloch, on formait sur le film magnétique, comme montré sur la figure 1A, une configuration 3 en bandes s'étendant orthogonalement à une direction longitudinale du domaine magnétique 1 en forme de bande, et on utilisait les points de croisement de la paroi magnétique 2 du domaine magnétique 1 et de la configuration 3 en bandes en tant que points stables de la paire de lignes de Bloch. La configuration 3 en bandes peut être formée par une couche de matière ferromagnétique possé- dant un axe privilégié de magnétisation normal au plan du film ou situé dans le domaine magnétique 1 en bandes, ou bien un axe privilégié de magnétisation s'étendant le long d'une largeur de la bande dans le plan du film, ou encore par implantation d'ions à une profondeur uniforme dans le film magnétique. En établissant une distribution 4 d'un champ magnétique HX le long de la direction longitudi- nale du domaine magnétique en bande 1 comme montré sur la figure lB, le long de la paroi magnétique 2 du domaine magnétique 1 en bande, par la configuration du film de matière ferromagnétique ou par la configura- tion de la région dans laquelle des ions sont implantés, on forme une paroi à potentiel périodique sur la paire de lignes de Bloch 6 par énergie de Sehmann entre le champ magnétique HX et la magnétisation 7 est la paroi magnétique entre la paire de lignes de Bloch. Dans la mémoire ci-dessus, la magnétisation de la ligne de Bloch est tournée sous l'effet d'une force giratoire résultant de l'application d'un champ magnétique pulsatoire Hpi dans le sens de la flèche 8, normalement au plan du film de grenat magnétique comme montré sur la figure 2A. Sur la figure 2A, la ligne de Bloch est déplacée dans le sens d'une flèche 9 pendant que la magnétisation est tournée de façon que la paire 6 de lignes de Bloch soit transférée d'un bit. Dans ce système, la forme du puits de potentiel pour la paire de lignes de Bloch est à symé- trie latérale. Par conséquent, si le champ magnétique pulsatoire de transfert des lignes de Bloch est une simple forme d'onde carrée, la paire de lignes de Bloch est déplacée dans le sens de la flèche 9 au front montant de l'impulsion, mais elle est ramenée vers la position initiale au front descendant de l'im- pulsion, et on n'obtient pas un transfert stable dans un sens. Dans l'art antérieur, le transfert unidirection- nel est obtenu par l'application d'un champ magnétique pulsatoire ayant un temps de chute t2 suffisamment plus long que le temps de montée t1, comme indiqué par la courbe 10 du graphique de la figure 2B. Cependant, dans ce système, étant donné que deux lignes de Bloch sont déplacées simultanément, les lignes de Bloch vibrent sous l'effet d'une force d'attraction ou d'une force de repulsion entre les lignes de Bloch et on n'obtient pas de transfert stable. En outre, étant donné que l'écartement entre les lignes de Bloch de la paire est très faible, la profondeur du puits de potentiel due à l'énergie de Sehmann est faible et la stabilisation de la paire 6 de lignes de Bloch est difficile à atteindre. Lorsque le film de grenat magnétique est constitué d'une matière classique pour bulles, il est nécessaire que le temps de chute t2 soit supérieur à 1 Us. Ceci entraîne une très faible vitesse du transfert des lignes de Bloch. Pour générer la forme d'onde pulsatoire telle que montrée sur la figure 2B, le circuit électrique utilisé est plus complexe et la consommation d'énergie est plus grande que. dans le cas d'une impulsion à onde carrée. Lorsque les lignes de Bloch sont transfé- rées par le procédé de transfert de l'art antérieur pour enregistrer ou reproduire une information sur la mémoire à lignes de Bloch, il est difficile d'enre- gistrer ou de reproduire avec précision une information par suite de l'instabilité du transfert des lignes de Bloch, c'est-à-dire de l'instabilité du transfert de l'information. L'invention a pour objet un procédé pour transférer de manière stable une ligne de Bloch dans une paroi magnétique, et notamment un procédé pour transférer des lignes de Bloch au moyen d'un circuit simple avec une faible consommation d'énergie. L'invention a également pour objet un appareil à mémoire magnétique qui utilise des lignes de Bloch en tant que support d'information et qui enregistre et reproduit avec précision une information par transfert des lignes de Bloch suivant un procédé nouveau. Pour réaliser les objets cidessus, le procédé de transfert de la ligne de Bloch selon l'inven- tion transfère la paire de lignes de Bloch dans la paroi magnétique dans un sens prédéterminé. Il comprend une étape consistant à transférer seulement une pre- mière ligne de Bloch de la paire de lignes de Bloch dans le sens prédéterminé, et une étape consistant à transférer une ligne de Bloch d'enregistrement de la paire -de lignes de Bloch dans le sens prédéterminé pour former la paire de lignes de Bloch. Un mode normal de mise en oeuvre du procédé de transfert de l'invention consiste à transférer les lignes de Bloch dans la paroi magnétique dans le sens prédéterminé. Il comprend une première étape consistant à appliquer un champ magnétique perpendicu- laire au plan d'un film magnétique mince comportant la paroi magnétique, le champ étant appliqué au film magnétique mince, et une seconde étape qui consiste à appliquer un champ magnétique parallèlement au plan de ce film, ce second champ magnétique étant appliqué au film magnétique mince le long de la paroi magnéti- que. Pour réaliser les objets ci-dessus, l'appa- reil à mémoire magnétique selon l'invention enregistre et reproduit une information en utilisant les lignes de Bloch présentes dans la paroi magnétique, en tant que support d'information. Il comprend un dispositif à mémoire à lignes de Bloch portant, sur un substrat, un film magnétique mince possédant un domaine magnéti- que en bandes, des moyens destinés à écrire une ligne de Bloch conformément à une information d'entrée dans une position prédéterminée dans une paroi magnétique du domaine magnétique en bandes, des moyens de lecture destinés à détecter une ligne de Bloch présente dans la position prédéterminée du domaine magnétique en bandes pour produire un signal représentatif de l'infor- mation, des moyens destinés à transférer les lignes de Bloch d'une paire, une par une, le long de la paroi O10 magnétique du domaine magnétique en bandes, et des moyens de commande destinés à appliquer des signaux de commande aux moyens précédents pour commander en synchronisme les moyens de lecture ou les moyens d'écri- ture et les moyens de transfert. L'invention sera décrite plus en détail en regard des dessins annexés à titre d'exemples nulle- ment limitatifs et sur lesquels: les figures 1A et lB illustrent un procédé de stabilisation d'une paire de lignes de Bloch selon l'art antérieur; les figures 2A et 2B illustrent un procédé de transfert de la paire de lignes de Bloch selon l'art antérieur; les figures 3A et 3B et les figures 4A à 4D illustrent un procédé de transfert de lignes de Bloch selon l'invention; la figure 5 est un schéma d'un appareil pour la mise en oeuvre du procédé de transfert montré sur les figures 3A et 3B et 4A à 4D; la figure 6 montre schématiquement un autre appareil pour la mise en oeuvre du procédé de transfert selon l'invention; la figure 7 est un graphique montrant la relation entre les valeurs d'amplitude d'une impul- sion de champ magnétique dans le plan et les valeurs d'amplitude d'un champ magnétique pulsatoire perpen- diculaire, permettant le transfert des lignes de Bloch conformément au procédé de l'invention; et la figure 8 est un schéma simplifié d'une forme de réalisation d'un appareil à mémoire magnétique selon l'invention. Les figures 3A, 3B et 4A à 4D illustrent le procédé de transfert de lignes de Bloch conforme à l'invention. Parmi les figures 3A, 3B et 4A à 4D, celles portant sur une paroi magnétique 2, et non sur des formes d'ondes, sont des vues en plan partiel du domai- ne magnétique en bandes montré sur la figure 1A, tel que vu dans une direction Z. En conséquence, la paroi magnétique 2 est une paroi magnétique se trouvant dans un domaine magnétique prédéterminé en bandes, et le domaine magné- tique en bandes est formé dans un film magnétique mince tel qu'un film de grenat magnétique. Le film magnétique mince est formé sur un substrat prédéterminé par un procédé de croissance en phase liquide. Le domaine magnétique en bandes peut être formé dans le film magnétique mince dans un état souhaité, par application d'un champ magnétique polarisant, perpen- diculairement au plan du film magnétique mince. Une structure particulière de la matière magnétique comprenant le domaine magnétique en bandes est décrite dans le brevet N 4 583 200 précité. Sur les figures 3A, 3B et 4A à 4D, la référence numérique 2 désigne une paroi magnétique comprenant une paire de lignes de Bloch, la référence numérique 5 désigne une magnétisation dans la paroi magnétique, dans des zones autres que la zone de la paire de lignes de Bloch, la référence numérique 6 désigne la paire de lignes de Bloch, la référence 26042O8 numérique 7 désigne une magnétisation dans la paroi magnétique entre les lignes de Bloch de la paire, et la référence numérique 8 désigne un champ magnétique pulsatoire appliqué orthogonalement au film magnétique pour soumettre les lignes de Bloch 18 et 19 à une force giratoire afin de les transférer, les références numériques 13A et 13B désignant un champ magnétique Hi' dans le plan, orienté dans la direction longitudi- nale du domaine magnétique en bandes afin d'appliquer une force d'entraînement aux lignes de Bloch 18 et 19 pour les transférer dans un premier sens, et les références numériques 14A et 14B désignant une force d'entraînement FH appliquée à la ligne de Bloch de gauche 18 par le champ magnétique H. dans le plan. Les références numériques 15A et 15B désignent une force giratoire FHpL appliquée à la ligne de Bloch 18 de gauche par le champ magnétique pulsatoire perpen- diculaire Hpl, les références numériques 16A et 16B désignent une force appliquée à la ligne de Bloch de droite par le champ magnétique H. dans le plan, et les références numériques 17A et 17B désignent une force appliquée à la ligne de Bloch de droite 19 par le champ magnétique perpendiculaire Hpl. Sur la figure 4A, la référence numérique 4 désigne la distri- bution du champ magnétique dans le plan HX le long de la paroi magnétique qui constituera une paroi à poten- tiel pour la paire 6 de lignes de Bloch. Sur la figure 4B, les références numériques 18 et 19 désignent comme précédemment deux lignes de Bloch de la paire 6. Sur les figures 4C et 4D, les références numériques 20A et 20B désignent des formes d'ondes du champ magnétique Hi dans le plan, les références numériques 21A et 21B désignent des formes d'ondes du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpú, Et désigne un temps pendant lequel les deux champs H et HpL sont appliqués simultanément, et la référence numérique 23 désigne un pas AXp de la distribution périodique du champ magnétique dans le plan Hx. L'opération de transfert de lignes de Bloch selon la présente invention sera maintenant expliquée de façon séquentielle. Sur la figure 3A, des forces FHpú indiquées par des flèches 15A et 17A, sont appliquées aux lignes de Bloch 18 et 19, dans le même sens, par un champ magnétique pulsa- toire perpendiculaire HPl afin que les lignes de Bloch 18 et 19 tendent à être déplacées vers la gauche. Si un champ magnétique dans le plan Hi, suivant la paroi magnétique (direction longitudinale du domaine magnétique en bandes), est appliqué à cet instant, des forces F,, qui tendent à élargir l'écartement entre les lignes de Bloch, s'exercent, comme indiqué par les flèches 14A et 16A. En conséquence, une force d'amplitude IFHPI + IFHi est appliquée vers la gauche à la ligne de Bloch de gauche 18, et une force d'amplitude IFHPI.l - IFHj est appliquée à la ligne de Bloch de droite 19. Une vitesse VBL de la ligne de Bloch déplacée par FHpL est donnée par la relation V a BL PL.... (1) dans laquelle le mouvement de la paroi magnétique n'est pas pris en compte, a est la longueur de la paroi magnétique considérée (dans le cas présent, on peut ne considérer qu'une largeur IA de la ligne de Bloch) y est une constante magnétique de force giratoire, et A est un paramètre de largeur de ligne de Bloch. Dans la formule (1), étant donné que a = IA, la vitesse est exprimée par VBL = YHpi (2) il Une vitesse V'BL de la ligne de Bloch dépla- BL cée par la force FH. développée par le champ magnétique H,, dans le plan He est représentée par V' AoYQ1/2 = H... (3) BL 2a dans laquelle î est la constante d'amortissement de Gilbert, Q est un paramètre lié à l'anisotropie magné- tique et exprimé par Q= Kv/2 tMs Kv est une constante d'anisotropie uniaxiale, Ms est la magnétisation de saturation, à0 est un paramètre de largeur de la paroi magnétique et est exprimé par rAO.' En conséquence, sur la figure 3A, la vitesse VBL18 de la ligne de Bloch de gauche 18 est donnée, d'après les formules (2) et (3), par Et Q1/2 2 y(AH + 0 H,,)... (4) BL18 =YHPl + 2a H) La vitesse VBL19 de la ligne de Bloch 19 est donnée BLi19 par tA oQ1/2 VBLl9 = y(AH 2a H,) (5) Etant donné que les amplitudes de A et A0 sont sensible- ment égales, l'effet du champ magnétique dans le plan Hj, est Q12/2/2x fois aussi grand que l'effet du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpú. Dans le cas d'un film magnétique tel qu'un film de grenat, qui est habituellement utilisé en tant que matière pour bulles magnétiques, on a Q > 1 et a quence, le champ magnétique dans le plan Ho, affecte davantage la vitesse de la ligne de Bloch que le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hp,, pour la même amplitude de champ magnétique. Par conséquent, le champ magnétique dans le plan Hq produit une force d'entraînement très grande. Ainsi, même si le film magnétique qui est habituellement utilisé en tant que matière pour bulles magnétiques est mis en oeuvre, il est possible de ne déplacer qu'une ligne de Bloch de la paire 6 de lignes de Bloch au moyen du champ magnétique dans le plan H, qui est inférieur au champ magnétique pulsa- toire perpendiculaire Hpl. De façon similaire, lorsque le champ magné- tique dans le plan Ha est appliqué dans le sens opposé comme montré par une flèche 13B sur la figure 3B, la force H" agit de façon à réduire l'écartement entre les lignes de Bloch et seule la ligne de Bloch de droite 19 de la paire est déplacée vers la gauche comme montré sur la figure 4D. Le transfert de la paire de lignes de Bloch entre le puits de potentiel présent dans la paroi magnétique à laquelle est appliquée la distribu- tion de champ magnétique HX comme sur la figure 4A sera à présent expliqué. Comme montré sur la figure 4B, lorsque le champ magnétique dans le plan Hm et le champ magné- tique pulsatoire perpendiculaire Hp sont appliqués par des formes d'ondes 20A et 21A à une zone (puits de potentiel) dans laquelle la paire 6 de lignes de Bloch est stable, seule la ligne de Bloch 18 est déplacée vers la gauche par l'effet précité pour atteindre une nouvelle position stable (puits de potentiel adja- cent). En conséquence, la ligne de Bloch est dépla- cée comme montré sur la figure 4C et stabilisée dans la position 18B. En appliquant le champ magnétique dans le plan H, et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hp comme montré en 20B et 21B sur la figure 4D, seule la ligne de Bloch 19 est à présent déplacée vers la gauche et stabilisée dans la position 19B. Sur les graphiques des figures 4C et 4D, la chute de la forme d'onde du champ magnétique dans le plan Hi, se produit plus tôt que la chute du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire HPL afin d'empê- cher la force d'entraînement FHu$ due au champ magnéti- que dans le plan H, d'agir sur la paire 6 de lignes de Bloch lorsqu'une force de restauration -FHPL, déve- loppée par la chute du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire HpL, agit sur la paire 6 de lignes de Bloch. Pour transférer de façon stable la paire 6 de lignes de Bloch dans un premier sens, on utilise une force de retenue de la ligne de Bloch résultant d'une crête Hxp de la distribution HX du champ magnéti- que de la figure 3A, et on empêche le transfert dû uniquement au champ magnétique pulsatoire perpendicu- laire. En conséquence, du point de vue de la vitesse de transfert, la relation entre les deux champs magné- tiques différents Hpú et HXp est donnée, d'après les formules (2) et (3), par 1QJ/2 YHp' Q Hà... (6) pL 2a HXp... (7) Etant donné qu'il est nécessaire d'empêcher la ligne de Bloch 19 d'être déplacée vers la droite par le champ magnétique dans le plan Hil sur la 'figure 4C, on a Hpx>HIi HPX > Hi/...(8) D'après les formules (6), (7) et (8), il est possible de déplacer de façon stable la ligne de Bloch dans la paroi magnétique dans un sens en appliquant le champ magnétique dans le plan Hi, et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire HpL qui satisfont H x 2-H Q PL XP 2a Hi" + -l Hp > Hp iîQ Pj XP Pour transférer d'un bit la ligne de Bloch, l'amplitude du mouvement, au temps At auquel le champ magnétique dans le plan Hi/ et le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpl se chevauchent mutuellement, doit être inférieure à un pas X de la distribution Hx du champ magnétique. Par conséquent, d'après la formule (4), les deux champs magnétiques H, et Hpi se chevau- chent à un temps At qui satisfait iA Q 1/2 y(AH 2+ Hv)At être transférée suivant sensiblement la même théorie. Un appareil particulier de transfert sera à présent décrit en référence à la figure 5. La réfé- rence numérique 24 désigne une puce ou microplaquette du film magnétique comprenant le domaine magnétique en bandes possédant la paroi magnétique renfermant les lignes de Bloch, la référence numérique 25 désigne une bobine destinée à appliquer un champ magnétique suivant une direction longitudinale du domaine magné- tique en bandes (latéralement au plan du dessin), la référence numérique 26 désigne une bobine destinée à appliquer un champ magnétique perpendiculairement au film magnétique (verticalement au plan du dessin), la référence numérique 27 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer des impulsions de courant à la bobine 25, la référence numérique 28 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer des impulsions de courant à la bobine 26 et la référence numérique 29 désigne un circuit de commande de synchronisation comprenant un générateur d'impulsions de déclenchement destiné à commander la synchronisation des circuits d'attaque à impulsions 27 et 28. Le transfert stable de la paire de lignes de Bloch est assuré par ce simple système d'applica- tion de champs magnétiques. Le générateur 29 d'impul- sions de déclenchement commande les circuits d'attaque 27 et 28 à impulsions à l'instant qui satisfait la formule (10). Les circuits d'attaque à impulsions 27 et 28 produisent des impulsions de courant ayant les formes d'ondes 20A et 20B du champ magnétique dans le plan Hq et 21A et 21B du champ magnétique pulsatoire perpendiculaire Hpl des figures 4C et 4D, ces impulsions de courant étant appliquées, respec- tivement,aux bobines 25 et 26. On utilise une matière du type (YSmLuGa)3(GeFe)5012 pour le film magnétique de la microplaquette 24. Elle possède un paramètre magnétique de 4nM = 195.10-4 (tesla), une constante de raideur A = 2,63. 10-14 (J/cm) , une constante d'anisotropie Ku = 8690.10-7 (J/cm3), a = 0,11 et y = 1,83 x 10. Lorsque].'amplitude du puits de potentiel HX est de 80 A/m et que le pas AXp de la période du puits de potentiel est de 1 im, la plage transférable de l'amplitude du champ magnétique pulsatoire dans le plan H, et de l'amplitude du champ magnétique pulsa- toire perpendiculaire HPl est donnée par la zone hachu- rée 30 de la figure 7 d'après la condition de la for- mule (10). Sur la figure 7, la zone blanche 31 est une zone non transférable, et toute zone autre que la zone hachurée 30 et la zone blanche 31 permet un transfert, mais autre que bit par bit. En supposant que le champ magnétique dans le plan H, soit égal à 72 A/m et que le champ magnétique pulsatoire per- pendiculaire HpL soit de 160 A/m, le temps de chevau- chement At de l'impulsion du champ magnétique dans le plan et de l'impulsion du champ magnétique perpen- diculaire devrait être inférieur à 20 ns d'après la condition établie par la formule (10). Ceci peut être aisément commandé par le générateur d'impulsions de déclenchement du dispositif 29 de commande de synchro- nisation. La figure 6 montre une modification de l'appareil de transfert. La référence numérique 24 désigne une microplaquette comportant le film magnéti- que, la référence numérique 270 désigne un circuit d'attaque à impulsions destiné à appliquer le champ magnétique dans le plan H,, la référence numérique 33 désigne une couche conductrice formée sur la micro- plaquette 24 pour l'application du champ magnétique dans le plan Hi,,, et la référence numérique 34 désigne la direction d'un courant i qui circule à travers la couche conductrice 33. Dans la présente forme de réalisation, au lieu de la bobine 25 destinée à appliquer le champ magnétique dans le plan H,, utilisée dans la forme de réalisation de la figure 5, on applique le courant i dans la direction 34à la couche conductrice 33 formée sur la microplaquette 24 afin d'appliquer le champ magnétique dans le plan H, au domaine magnétique en bandes. La direction longitudinale du domaine magné- tique en bandes est la direction X. Dans la présente O10 forme de réalisation, étant donné que l'écartement entre la couche conducrice 33 et le film magnétique 24 est faible, le courant i nécessaire pour générer Hq, qui satisfait la condition (9), peut être faible et la ligne de Bloch peut être transférée avec une faible consommation d'énergie. La figure 8 montre un schéma simplifié d'une forme de réalisation de l'appareil à mémoire magnétique qui transfère les lignes de Bloch, consti- tuant un support d'information, en utilisant le procédé de transfert selon l'invention. Sur la figure 8, la référence numérique 101 désigne un substrat de mémoire à lignes de Bloch sur lequel sont agencés plusieurs domaines magnétiques en bandes 6, à un pas constant orthogonalement à une direction longitudinale du domaine magnétique 6. Des puits de potentiel sont formés à un pas constant dans des parois magnétiques des domaines magnétiques 6 le long des parois magnétiques. Une information est enregistrée en série dans le temps par distribution de lignes de Bloch dans la suite de puits de potentiel. La référence numérique 102 désigne un générateur de bulles magnétiques qui génère en série dans le temps des bulles magnétiques conformément à une information d'entrée. Les bulles magnétiques représentant l'infor- mation d'entrée sont transférées vers le domaine magné- tique en bandes correspondant 6 par un circuit 105 d'attaque d'écriture. La référence numérique 106 désigne un circuit d'attaque de lecture qui convertit les lignes de Bloch en bulles magnétiques conformément à un procédé décrit dans le brevet N 4 583 200 précité pour reproduire l'information, et qui transfère les bulles magnétiques aux extrémités des domaines magnétiques en bandes 6 vers un détecteur 107 de bulles. Le détecteur 107 de bulles détecte en série dans le temps les bulles magnétiques transférées par le circuit d'attaque 106 de lecture en utilisant un effet magnéto-résistif pour les convertir en un signal électrique représentant l'information. La référence numérique 103 désigne une source de courant d'écriture destinée à appliquer un courant à un conducteur 111 d'écriture lorsqu'une information doit être écrite dans la ligne de Bloch, la référence numérique 104 désigne une source de cou- rant de lecture destinée à appliquer un courant à un conducteur 114 de lecture lorsqu'une information doit être lue sur la ligne de Bloch, la référence numérique 110 désigne un générateur de champs magnéti- ques destiné à générer et à appliquer au substrat 101 le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique pulsatoire dans le plan, lequel générateur peut être le système de génération de champ magnétique montré sur la figure 5, et la référence numérique 109 désigne un circuit de commande des cir- cuits d'attaque 105 et 106, des générateurs 102 et , du détecteur 107 et des sources 103 et 104, confor- mément à un signal d'entrée (EN). Dans l'appareil à mémoire magnétique montré sur la figure 8, on utilise un procédé pour former les lignes de Bloch dans les patois magnétiques des domaines magnétiques 6 en bandes pour enregistrer une information et un procédé pour détecter la présence ou l'absence des lignes de Bloch afin de reproduire une information, tels que décrits en détail dans le brevet N 4 583 200 précité. Par conséquent, l'enre- gistrement et la reproduction d'une information ne seront pas décrits ici. Le générateur 110 de champs magnétiques génère le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire au plan du film magnétique mince dans lequel sont formés les domaines magnétiques en bandes 6, et le champ magnétique pulsatoire dans le plan, parallèle à la direction longitudinale des domaines magnétiques en bandes 6. Un signal est appliqué par le circuit de commande 109 au générateur 110 de champs magnétiques, par l'intermédiaire du dispositif 29 de commande de synchronisation montré sur la figure 5. En particulier, un signal de commande est transmis par le circuit 109 de commande au dispositif de commande de synchro- nisation qui applique le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique pulsatoire dans le plan aux parois magnétiques des domaines magné- tiques en bandes 6 du substrat 100, à un instant pré- déterminé et avec une force de champ magnétique prédé- terminée, conformément au signal de commande. Du fait de l'utilisation du générateur de champs magnétiques, les première et seconde lignes de Bloch de la paire de lignes de Bloch présente dans le puits de potentiel se trouvant dans la paroi magnétique du domaine magnétique 6 en bande sont transférées en série vers des puits de potentiel adja- cents entre eux sous l'action des deux champs magné- tiques. Le puits de potentiel est formé de façon à entourer le domaine magnétique 6 en bande le long de sa paroi magnétique, et les points stables des lignes de Bloch dus au puits de potentiel sont formés à un pas sensiblement constant, sauf pour les extrémi- tés opposées du domaine magnétique 6 en bande, c'est- à-dire au voisinage des positions de lecture et d'écri- ture des lignes de Bloch. Le transfert de la paire de lignes de Bloch par le générateur 110 de champs magnétiques, l'écriture de la ligne de Bloch par le conducteur 111 d'écriture et la détection de la ligne de Bloch par le conducteur 114 de lecture sont commandés en synchronisme par le circuit 109 de commande, par l'in- termédiaire de la source 103 de courant d'écriture et de la source 104 de courant de lecture. En conséquence, en transférant avec préci- * sion et de façon stable la paire de lignes de Bloch au moyen du générateur 110 de champs magnétiques, on effectue rapidement et avec précision l'enregistre- ment d'une information dans la paroi magnétique du domaine magnétique 6 en bande et la reproduction de l'information à partir de ce domaine magnétique 6. L'appareil à mémoire magnétique décrit ci-dessus convertit les lignes de Bloch en bulles magnétiques pour la lecture de l'information, ou con- vertit l'information en présence ou absence de bulles pour écrire l'information dans la ligne de Bloch. Cependant, cet enregistrement et cette reproduction d'une information, c'est-à-dire cette lecture et cette écriture de l'information sur la ligne de Bloch, peu- vent être effectués par d'autres moyens, par exemple par des moyens optiques comme proposé dans la demande de brevet N 800 700 précitée. Conformément au procédé de transfert de lignes de Bloch selon l'invention, les lignes de Bloch de la paire sont séparées et entraînées (déplacées) séparément. En conséquence, la stabilisation des lignes de Bloch par le puits de potentiel est aisément atteinte et la vibration due à la force répulsive des lignes de Blochn'a pas à être prise en considéra- tion. Pour transférer les lignes de Bloch dans un sens, le champ magnétique pulsatoire perpendiculaire et le champ magnétique dans le plan peuvent être de formes d'ondes classiques à impulsions carrées symétri- ques. En conséquence, on peut simplifier les circuits périphériques. Pour déplacer la paire de lignes de Bloch vers la position de bit suivante, on utilise la différence entre les temps des deux champs magné- tiques pulsatoires plutôt que les largeurs des champs magnétiques pulsatoires. En conséquence, on parvient à une commande aisée. Il n'est pas nécessaire que le temps de chute soit long pour aboutir au transfert unidirec- tionnel et, par conséquent, on atteint une vitesse de transfert élevée. En donnant au champ magnétique parallèle Hu une valeur supérieure à celle du champ magnétique perpendiculaire Hu, on réalise un trans- fert avec un courant plus faible et on réduit la con- sommation d'énergie. Il va de soi que de nombreuses modifica- tions peuvent être apportées au procédé et au système décrits et représentés sans sortir du cadre de l'inven- tion. REVENDICATIONS 1. Procédé pour transférer une paire (6) de lignes de Bloch présente dans une paroi magnétique (2), caractérisé en ce qu'il consiste à transférer seulement une première ligne de Bloch (18) de ladite paire (6) dans une direction prédéterminée, et à trans- férer une seconde ligne (19) de Bloch de ladite paire dans ladite direction prédéterminée et à former la paire de lignes de Bloch. 2. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce que la paire de lignes de Bloch est trans- férée entre des puits de potentiel formés le long de la paroi magnétique. 3. Procédé selon la revendication 1, carac- térisé en ce qu'il comprend en outre une première étape consistant à appliquer un champ magnétique (HpL) perpendiculaire au plan d'un film magnétique mince comportant ladite paroi magnétique, ledit champ magné- tique étant appliqué au film magnétique mince, et une seconde étape qui consiste à appliquer un champ magnétique (H,) parallèle au plan dudit film magnétique mince, ce second champ magnétique étant appliqué au film magnétique mince le long de ladite paroi magné- tique. 4. Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce que les première et seconde étapes sont effectuées partiellement en parallèle. 5..Procédé selon la revendication 4, carac- térisé en ce que la première étape est achevée plus tôt que la seconde étape. 6. Procédé selon la revendication 3, carac- térisé en ce que le sens d'application du champ magné- tique dans la seconde étape, lorsque ladite première ligne de Bloch est transférée, est opposé à celui suivi lorsque la seconde ligne de Bloch est transférée. 7. Procédé pour transférer des lignes de Bloch (6) présentes dans une paroi magnétique (2), caractérisé en ce qu'il comprend une première étape consistant à appliquer un champ magnétique (HpL) per- pendiculaire au plan d'un film magnétique mince comportant la paroi magnétique, ce champ magnétique étant appliqué audit film magnétique mince, et une seconde étape qui consiste à appliquer un champ magné- tique (Hit) parallèle au plan du film magnétique mince, ce champ magnétique (H,/) étant appliqué au film magné- tique mince le long de ladite paroi magnétique. 8. Procédé selon la revendication 7, carac- térisé en ce que les première et seconde étapes sont effectuées en parallèle pendant une période de temps Et. 9. Procédé selon la revendication 8, carac- térisé en ce que la première étape est achevée plus t6t que la seconde étape. 10. Procédé selon la revendication 8, caractérisé en ce que H. Hp o Hi, est une amplitude du champ magnétique dans le plan, HpL est l'amplitude du champ magnétique perpendi- culaire, HXp est l'amplitude d'une crête de distribu- tion de champ magnétique formée dans ladite paroi magnétique pour établir un point stable de la ligne de Bloch, a est une constante d'amortissement de Gil- bert, Q = Kv/2rMs, Kv est une constante d'anisotropie uniaxiale et Ms et une magnétisation de saturation. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que 1HA0Qt1/2 [ Y(AHpL + 2a H,,Y)At de la distribution du champ magnétique. 12. Système pour transférer des lignes de Bloch (6) présentes dans une paroi magnétique (2), caractérisé en ce qu'il comporte un premier moyen (110) de génération de champ magnétique destiné à appliquer à un film magnétique mince un champ magné- tique (Hpl) perpendiculaire au plan de ce film magné- tique mince comportant ladite paroi magnétique, un second moyen (110) de génération de champ magnétique destiné à appliquer audit film magnétique mince, le long de ladite paroi magnétique, un champ magnétique (HI,) parallèle au plan du film magnétique mince, et des moyens (29) destinés à commander en synchronisme les premier et second moyens de génération de champs magnétiques. 13. Système selon la revendication 12, caractérisé en ce que les premier et second moyens de génération de champs magnétiques appliquent des champs magnétiques pulsatoires. 14. Système selon la revendication 13, caractérisé en ce que le second moyen de génération d'un champ magnétique peut inverser le sens d'appli- cation du champ magnétique pulsatoire. 15. Système selon la revendication 12, caractérisé en ce que les moyens de commande attaquent les premier et second moyens de génération de champs Z60428Z magnétiques parallèlement pendant une période de temps At. 16. Système selon la revendication 15, caractérisé en ce que les moyens de commande arrêtent la commande du premier moyen de génération de champ magnétique plus t6t que la commande du second moyen de génération de champ magnétique. 17. Appareil à mémoire magnétique pour enregistrer et reproduire une information par l'uti- lisation de lignes de Bloch présentes dans une paroi magnétique (2), en tant que support d'information, caractérisé en ce qu'il comporte un dispositif à mé- moire à lignes de Bloch (18, 19) portant un mince film magnétique comprenant un domaine magnétique (6) en bande sur un substrat (101), des moyens d'écriture (103, 105) destinés à écrire une ligne de Bloch confor- mément à une information d'entrée, dans une position prédéterminée d'une paroi magnétique du domaine magné- tique en forme de bande, des moyens de lecture (104, 106) destinés à détecter la ligne de Bloch présente dans la position prédéterminée de la paroi magnétique du domaine magnétique en forme de bande pour produire un signal représentatif de l'information, des moyens (106) destinés à transférer une paire (6) de lignes de Bloch dans une direction prédéterminée le long de la paroi magnétique du domaine magnétique en forme de bande, ces moyens de transfert transférant les lignes de Bloch de la paire une par une, et des moyens (109) de commande destinés à appliquer des signaux de commande aux moyens d'écriture, aux moyens de lec- ture et aux moyens de transfert pour commander en synchronisme ces différents moyens. 18. Appareil à mémoire magnétique selon la revendication 17, caractérisé en ce que les moyens de transfert comprennent un moyen destiné à appliquer un champ magnétique (Hpl) perpendiculaire à un plan dudit film magnétique mince, le champ étant appliqué audit domaine magnétique en forme de bande, et un moyen destiné à appliquer un champ magnétique (HA) pa- rallèle au plan dudit film magnétique mince, ce second champ étant appliqué audit domaine magnétique en forme de bande. 19. Appareil à mémoire magnétique selon la revendication 17, caractérisé en ce que plusieurs domaines magnétiques (6) en forme de bande sont formés orthogonalement à une direction longitudinale desdits domaines. 20. Procédé pour transférer des lignes de Bloch (18, 19), formées dans une paroi magnétique (2), le long de la paroi magnétique, caractérisé en ce qu'il consiste à positionner une ligne de Bloch (18) dans une première position dans la paroi magnéti- que, et à appliquer un champ magnétique (Hu) parallèle à un plan d'un film magnétique mince comportant ladite paroi magnétique, le long de cette paroi magnétique pour déplacer la ligne de Bloch de la première position vers une seconde position.