Brevet FR2598548A1 — publié le 19871113

i La présente invention concerne un dispositif de mémoire à bulles magnétiques possédant des fonctions utilisant des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et des réseaux de conducteurs, et se rapporte plus particulièrement 5 aux fonctions d'une porte de reproduction de blocs et d'une porte de transfert. Un dispositif de mémoire à bulles magnétiques comportant des fonctions utilisant des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et des réseaux de conducteurs a été 10 décrit par exemple dans IEEE, Trans. Magnetics, MAG 20, 1984, pp. 1072-1074. Le dispositif magnétique possède une structure comportant une boucle principale et une boucle secondaire, comme cela est représenté sur la figure 1 annexée à la présente demande et sur laquelle une porte 6 située entre une boucle 15 principale 2 et une boucle secondaire 5 possède seulement des fonctions de transfert de sortie et de transfert d'introduction, utilisées respectivement pour faire sortir et faire pénétrer des bulles magnétiques. D'autre part un dispositif de mémoire utilisant des pistes en permalloy, représenté sur la 20 figure 2 annexée à la présente demande, possède une porte 7 de reproduction de blocs, qui subdivise la bulle magnétique située dans la boucle secondaire 5, en deux bulles et délivre ces dernières dans une ligne principale de lecture 10, et possède une porte de transfert 8 qui échange les bulles magnéti25 ques situées dans la boucle secondaire 5 contre les bulles magnétiques situées dans une ligne principale d'enregistrement 9. Les deux types de portes permettent de réduire fortement la durée du cycle lors de l'opération de lecture et d'enregistrement. En ce qui concerne la porte 7 de reproduction de blocs représentée sur la figure 2, il a été proposé un agencement, dans lequel des réseaux supérieur et inférieur de conducteurs sont formés sur les pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, comme cela est décrit dans Trans. Magnetics, 35 MAG-20, 1982, pp. 1087-1089. En référence à la porte de trans- 15 20 25 30 fert 8, il a été proposé un agencement utilisant un conducteur réalisé avec une seule couche comme cela est décrit par exemple dans la demande de brevet japonais mise à l'inspection publique sous le N0 155 590/1983. Cependant il se pose deux problèmes, comme cela va être décrit ci-après, dans le cas o l'on utilise l'architecture de la microplaquette comportant la mémoire, telle que représentée sur la figure 3 annexée à la présente demande. Dans cette architecture, les deux types de portes sont raccordés aux angles supérieur et inférieur de la boucle secondaire et sont également raccordés respectivement à la ligne principale d'enregistrement et à la ligne principale de lecture. Le premier problème consiste en ce que soit la ligne principale d'enregistrement 9, soit la ligne principale de lecture 10 présente de mauvaises caractéristiques de propagation de bulles. Ce problème est dû au fait que l'axe magnétique facile de la couche dans laquelle sont implantés des ions, possède une symétrie triple. Le second problème réside dans le fait que les deux lignes principales comportent des directions de propagation des bulles, qui sont opposées l'une à l'autre comme cela est repéré en 11 et 12 sur la figure 3. C'est pourquoii le flux de données sortant lors de l'opération de lecture est l'inverse du flux de données entrant lors de l'opération de lecture. Jusqu'alors il n'a été proposé aucun système qui permette de résoudre ces deux problèmes. Le dispositif de mémoire, qui possède les fonctions, obtenues par implantation ionique, à la fois de la porte de reproduction de blocs et de la porte de transfert, n'a pas encore -été réalisé, ce qui a pour effet qu'il n'existe aucune compatibilité avec les dispositifs en permalloy existants. Le but de la présente invention est de fournir un dispositif de mémoire à bulles magnétiques, qui présente une compatibilité avec les dispositifs en permalloy et présente également des fonctions obtenues par implantation ionique. L'objectif mentionné précédemment est atteint à l'aide d'un dispositif de mémoire à bulles magnétiques comportant une pluralité de boucles secondaires constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et une ligne principale utilisée pour l'opération d'enregistrement et de 5 lecture et qui est également constituée par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, qui possèdent une direction de propagation des bulles, qui est presque perpendiculaire à la direction de propagation des bulles magnétiques dans les boucles secondaires, moyennant l'utilisation de porte pos10 sédant une structure dans laquelle un premier réseau conducteur en forme d'épingle à cheveux, réalisé sous la forme d'une première couche conductrice, et un second réseau conducteurenforme d'épingle à cheveux, réalisé sous la forme d'une seconde couche conductrice, chevauchent à la fois les extrémités des pis15 tes des boucles secondaires et la ligne principale. Lors du foncctionnement en tant que porte de reproduction de blocs, un courant pulsé est envoyé au premier réseau conducteur en forme d'épingle à cheveux de sorte que la bulle magnétique située dans la boucle secondaire s'éti20 re dans la partie en forme d'épingle à cheveux, puis- le courant pulsé est envoyé au second réseau conducteur en forme d'épingle à cheveux de manière à subdiviser la bulle magnétique étirée en deux bulles. L'une des bulles magnétiques formées par subdivision reste dans la boucle secondaire et l'au25 tre bulle magnétique se propage dans la ligne principale. Lors du fonctionnement en tant que porte de pseudo- transfert, le courant pulsé est envoyé au second réseau conducteur de manière à supprimer les bulles magnétiques présentes dans la boucle secondaire et ce courant pulsé est ensuite envoyé au 30 premier réseau conducteur de sorte que la bulle magnétique s'étire dans la ligne principale. Alors, lors de l'envoi du courant pulsé dans le second réseau conducteur, la bulle magnétique étirée est subdivisée en deux bulles, l'une des bulles magnétiques restant dans la ligne principale et l'autre 10 15 20 se propageant dans la boucle secondaire. La fonction de pseudotransfert permet d'obtenir la même fonction que celle de la porte de transfert dans le dispositif classique au permalloy. Grâce à l'utilisation du premier réseau conducteur, qui étire la bulle magnétique, et du second réseau de conducteurs, qui subdivise et supprime la bulle magnétique, comme décrit ci-dessus, il est possible de réaliser les opérations de reproduction de blocs et de pseudo-transfert, à l'aide d'une seule porte fonctionnelle. D'autres caractéristiques et avantages de la présente invention ressortiront de la description donnée ci-après prise en référence aux dessins annexés, sur lesquels: - la figure 1, dont il a déjà été fait mention, représente l'une des architectures classiques du dispositif de mémoire à bulles magnétiques, composés par des boucles secondaires et par une ligne principale, constituées par des pistes dans lesquelles sont implantés des ions; - la figure 2, dont il a déjà été fait mention, représente l'une des architectures classiques du dispositif de mémoire à bulles magnétiques, utilisant des pistes en permalloy r - la figure 3, dont il a déjà été fait mention, représente une architecture d'un dispositif de mémoire à bulles magnétiques, utilisant des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, pour deux lignes principales et des boucles secondaires; - la figure 4 représente la porte de reproduction de blocs et de pseudo- transfert conforme à une première forme de réalisation de la présente invention; la figure 5 représente la vue en coupe transversale de la porte de reproduction de blocs et de pseudo-transfert comportant des réseaux conducteurs, situés à deux niveaux; - la figure 6, formée des figures partielles 6(a) à 6(d), illustre le fonctionnement de reproduction de blocs de la porte conforme à la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 7, qui est formée des figures partielles 7(a) à 7(d), illustre le fonctionnement de pseudo- trans5 fert de la porte conforme à la première forme de réalisation de la présente invention; - la figure 8 montre la porte conforme à une seconde forme de réalisation de la présente invention; - la figure 9 montre la porte conforme à une troi10 sième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 10 montre la porte conforme à une quatrième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 11 montre la porte conforme à une cinquième forme de réalisation de la présente invention; - la figure 12 montre la porte conforme à une sixième forme de réalisation de la présente invention; et - la figure 13 montre l'architecture d'une microplaquette comportant une mémoire, conforme à une septième forme de réalisation de la présente invention. Ci-après on va décrire des formes de réalisation préférées de la présente invention en se référant aux dessins annexés. La figure 4 représente une première forme de réalisation de la présente invention. Une boucle secondaire 5 et 25 une ligne principale 13 sont formées par un bord situé entre une région, dans laquelle sont implantés des ions, et une région ne comportant aucune implantation. Sur la région, dans laquelle sont implantés des ions, on forme un premier réseau 16 de conducteurs en forme d'épingles à cheveux et un second 30 réseau 18 de conducteurs en forme d'épingles à cheveux, qui sont situés à la fois au-dessus de la boucle secondaire 5 et au-dessus de la ligne principale 13. Des interstices 17 et 19, que comportent les deux réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux, se recoupent dans une zone 22 sur la 35 figure 4. L'interstice 17 du premier réseau conducteur 16 en forme d'épingle à cheveux s'étend au-dessus d'un point de rebroussement 23 de la ligne principale 13. En outre les deux réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux sont disposés à proximité de l'arc extérieur 14 qui cons5 titue une extrémité de la boucle secondaire 5. La figure 5 montre la vue en coupe transversale de la porte. On forme une première couche isolante 23 sur la pellicule de grenat magnétique 25 qui retient la bulle, et l'on forme sur cette couche le premier réseau conducteur 16 en forme d'épingle à cheveux. 10 En outre on forme une seconde couche isolante 24, et, sur cette dernière, le second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux. Ici les positions des premier et second réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux peuvent êtreinversées comme cela est indiqué par les chiffres entre 15 parenthèses marqués sur la figure 5. On va maintenant décrire les opérations de reproduction de blocs et de pseudo-transfert de la porte, en référence aux figures 6 et 7. Sur les figures 6 et 7, la phase G du champ tournant HR est supposée être égale à 0 dans la direc20 tion dirigée vers le haut. En outre le champ de polarisation magnétique HB est appliqué dans la direction perpendiculaire s'étendant du recto vers le verso du plan du dessin. Lorsque l'on applique le champ de polarisation, la surface supérieure de la bulle possède le pôle S. On va tout d'abord décrire la fonction de reproduction de blocs, en référence aux figures 6(a) à 6(d). Dans le fonctionnement indiqué ci-après, la fréquence du champ tournant est supposée égale à 100 kHz. Lorsque le champ d'entraînement HR se trouve dans la direction de 10" comme repré30 senté sur la figure 6(a), une bulle magnétique 15 située dans l'arc extérieur 14 de la boucle secondaire 5 est positionnée dans l'interstice 19 du second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux. Pendant la phase d'application du champ d'entraînement, un courant pulsé (possédant une ampli35 tude d'environ 60 mA et une durée de 2 1s) s'étendant dans une direction repérée par la flèche 181 est appliqué au réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux, de manière à réduire le champ de polarisation dans l'interstice 19. La bulle magnétique est alors étirée dans l'interstice 19 du réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux, de manière à former un domaine en forme de bande 15' comme cela est représenté sur la figure 6(b). Dans la direction 0 = 40 du champ d'entraînement, représentée sur la figure 6(c), un courant pulsé (possédant une amplitude d'environ 200 mA et une durée de 0, 2 ps) 10 s'étendant dans la direction repérée par la flèche 20 est appliqué au premier réseau conducteur 16 en forme d'épingle à cheveux de manière à accroître le champ de polarisation dans l'interstice 17 et à subdiviser le domaine en forme de bande 15' en deux domaines en forme de bandes 15-1' et 15-2' comme 15 représenté sur la figure 6(c). Une fois que le courant pulsé est supprimé, les domaines séparés en forme de bandes 15-1' et 15-2' se contractent de manière à former des domaines en forme de bulles circulaires 15-1 et 15-2 (figure 6(d)). Etant donné que le champ tournant continue à être entrainé, le do20 maine en forme de bulle 15-1 se propage dans la ligne principale 13 et le domaine en forme de bulle 15-2 se propage dans la boucle secondaire 5. Sous l'effet du fonctionnement mentionné ci-dessus, une reproduction de la bulle magnétiquelS5situéedans la boucle secondaire 5 peut être formée dans la ligne princi25 pale 13. L'opération non destructive de lecture est réalisée au moyen de la propagation des bulles dans la ligne principale 13 jusqu'au détecteur et au moyen de l'activation de ce dernier. On va maintenant décrire l'opération de pseudo30 transfert en référence aux figures 7(a) à 7(d). Lors de la phase 0 = 280 du champ d'entraînement, la bulle magnétique 15-2 présente dans l'arc extérieur 14 de la boucle secondaire 5 est située dans l'interstice 17 du premier conducteur 16 en forme d'épingle à cheveux, comme cela est représenté sur la figure 35 7(a). D'autre part, dans la ligne principale 13 se trouve dis- posée une bulle magnétique 15-1 qui correspond à un modèle de donnée d'enregistrement, produit par le générateur 1. Lorsque la phase 0 est égale à 280 , la bulle magnétique 15-1 est située au-dessus du point de rebroussement de la ligne princi5pale. Lorsque la phase 0 est égale à 390 , un courant pulsé (possédant une amplitude de 100 mA et une durée de 0,5 ps) circulant dans la direction indiquée par la flèche 20 est appliqué au premier réseau conducteur 16 en forme d'épingle à cheveux, comme représenté sur la figure 7(b), de maniè10 re à supprimer la bulle magnétique 15-2. Lorsque la phase 0 est égale à 30 , un courant pulsé (possédant une amplitude de 60 mA et une durée de 3 ps) circulant dans la direction de la flèche 181 est appliqué au second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux, comme cela est représenté sur 15 la figure 7(c) de manière à réduire le champ de polarisation dans l'interstice 19 et à étirer de ce fait la bulle magnétique 15-1 dans la ligne principale 13 de manière à former un domaine en forme de bande 15'. Pour 0 = 40e, un courant pulsé circulant dans la 20 direction repérée par la flèche 20 est appliqué au premier réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux de manière à accroître le champ de polarisation dans l'interstice 17 et à subdiviser le domaine en forme de bande 15' en deux domaines en forme de bandes 15-1' et 15-2', comme représenté sur 25 la figure 7(d). Lorsque le courant pulsé est supprimé, les deux domaines en forme de bandes deviennent des domaines magnétiques circulaires. Comme le champ tournant continue à être entrainé, la bulle magnétique 15-2' se propage dans la boucle secondaire 5 et la bulle magnétique 15-1' se propage dans la 30 ligne principale 13. La bulle magnétique 15-1' se propage dans la ligne principale 13 jusqu'à un rail de protection (non représenté) et est supprimée. Lors du fonctionnement mentionné ci-dessus, la bulle située dans la boucle secondaire 5 est supprimée, et une 35 reproduction d'un flux de données en forme de bulle, produit par le générateur 1, peut être transférée dans la boucle secondaire 5. La fonction de pseudo-transfert permet d'obtenir une fonction qui est sensiblement la même que celle de la porte de transfert contenue dans les dispositifs classiques au permalloy. Grâce à l'utilisation des fonctions mentionnées cidessus de reproduction de blocs et de pseudo-transfert, il est possible d'obtenir des dispositifs, dans lesquels sont implantés des ions et qui comportent une seule ligne principale et 10 une porte, d'un type compatible avec les dispositifs classiques au permalloy. La figure 8 montre une seconde forme de réalisation de la présente invention. Dans la première forme de réalisation, l'extrémité de l'arc extérieur 14 de la boucle se15 condaire 5 était disposée à proximité de la pointe de la ligne principale 13. Cependant, dans cette forme de réalisation, l'extrémité de l'arc extérieur 14 est disposée à proximité du point de rebroussement 23 de la ligne principale 13. La ligne principale 13 et l'arc extérieur 14 possèdent presque les mêmes 20 formes que celles de la première forme de réalisation. Les positions des premier et second réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux sont partiellement modifiées, mais les positions relatives de l'arc extérieur 14 de la boucle secondaire 5 et les extrémités des conducteurs 16 et 18 25 en forme d'épingles à cheveux sont presque les mêmes que celles prévues dans la première forme de réalisation, et les positions relatives du point de rebroussement 23 de la ligne principale et des premier et second réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux sont également presque les mêmes 30 que dans le cas de la première forme de réalisation. Cette configuration permet de raccourcir le second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux. C'est pourquoi la longueur d'étirage de la bulle magnétique est plus courte et le courant pulsé envoyé au second réseau con35 ducteur 18 en forme d'épingle à cheveux pour étirer la bulle possède une amplitude plus faible. La figure 9 représente une troisième forme de réalisation. Dans cette forme de réalisation, un point de rebroussement 26 est situé sur la spire extérieure 14, de sorte que l'interstice 19 du second conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux est situé au-dessus du point de rebroussement 26. La bulle magnétique est située au-dessus du point de rebroussement 26, dans une gamme de phases du champ magnétique tournant allant de 90* à 350*, comme représenté sur la figure 9. Ceci permet d'avoir une limite plus large pour la phase du courant pulsé qui est envoyé au second réseau conducteur 18 pour étirer la bulle magnétique. La figure 10 représente une quatrième forme de réalisation, dans laquelle une porte de reproduction de blocs et une porte de pseudo-transfert sont constituées par les premier et second réseaux conducteurs 16 et 18 en forme d'épingles à cheveux, qui possèdent presque les mêmes formes que ceux de la première forme de réalisation, et par la ligne principale 13 avec l'interstice 27 et l'arc extérieur 14 de la boucle se20 condaire 5. En disposant l'interstice 27 au-dessus de la ligne principale 13, on peut affaiblir l'intensité du pôle magnétique au niveau du point de rebroussement 23 de la ligne principale. C'est pourquoi il est possible de réduire l'amplitude du courant pulsé envoyé pour étirer la bulle.dans l'interstice 19 du second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux. Une cinquième forme de réalisation est représentée sur la figure 11, sur laquelle un interstice 27 est situé à proximité du point de rebroussement 23 de la ligne principale 13. La bulle située dans la ligne principale 13 est étirée, à travers l'interstice 27, par le second conducteur 18 en forme - d'épingle à cheveux jusqu'a l'arc extérieur 14 de la boucle secondaire 5. La bulle situé dans l'arc extérieur 14 de la bou35 cle secondaire 5 est étirée dans la ligne principale 13, à tra- vers l'interstice 27. L'étirage de la bulle à travers l'interstice 27 à proximité du point de rebroussement 23 de la ligne principale 13 permet d'inverser la position de la boucle secondaire 5 par rapport à la ligne principale 13, par rapport à la position représentée sur la figure 4. La figure 12 représente une sixième forme de réalisation, qui est une combinaison de la cinquième forme de réalisation (figure 11) et de la troisième forme de réalisation (figure 9). Un point de rebroussement 26 situé dans l'arc ex10 térieur 14 et l'interstice 19 du second réseau conducteur 18 en forme d'épingle à cheveux sont superposés. Mais dans cette forme de réalisation, l'arc extérieur 14 est situé à proximitéde l'arc intérieur 28. Comme dans la forme de réalisation de la figure 11, la bulle 15 est étirée à travers l'inters15 tice 23 dans la ligne principale 13. Une septième forme de réalisation est représentée sur la figure 13, sur laquelle la première ligne principale 13-1 et une boucle secondaire 5 sont raccordée par la porte de reproduction de blocs/pseudo-transfert 26- 1 de la première, 20 seconde, troisième ou quatrième forme de réalisation. En outre la boucle secondaire 5 et la seconde ligne principale 13-2 située sur l'autre côté de la première ligne principale 13-1 sont raccordées par la porte de reproduction de blocs/pseudo-transfert 26-2 de la cinquième ou de la septième forme de réalisa25 tion. Des générateurs 1- 1 et 1-2 et des détecteurs 4-1,4-2 sont disposés respectivement sur chacune des deux lignes principales 13-1 et 13-2 de manière à réduire les durées des cycles d'enregistrement et de lecture. ï 15 20 30 REVENDICATIONS 1. Dispositif de mémoire à bulles magnétiques possédant une ligne principale constituée par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, des boucles secondaires constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et des portes constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et par des conducteurs situés à deux niveaux, caractérisé en ce que lesdites portes ont deux fonctions incluant: - une fonction de reproduction de blocs, servant à subdiviser une bulle située dans la boucle secondaire (5), en deux bulles, dont l'une se propage dans la ligne principale (13) et dont l'autre se propage dans la boucle secondaire; et - une fonction de pseudo-transfert servant à supprimer une bulle dans la boucle secondaire et à subdiviser la bulle présente dans la boucle principale en deux bulles, dont l'une se propage dans la ligne principale et dont l'autre se propage dans la boucle secondaire. 2. Dispositif de mémoire à bulles magnétiques, comportant deux lignes principales constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, des boucles secondaires constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et des portes constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, et par des conducteurs situés à deux niveaux, caractérisé en ce que les portes possedent deux fonctions incluant: - une fonction de reproduction de -blocs, servant à subdiviser une bulle située dans la boucle secondaire (5), en deux bulles, dont l'une se propage dans la ligne principale (13-1,13-2) et dont l'autre se propage dans la boucle secondaire; et - une fonction de pseudo- transfert servant à supprimer une bulle dans la boucle secondaire et à subdiviser la bulle présente dans la boucle principale en deux bulles, dont l'une se propage dans la ligne principale et dont l'autre se propage dans la boucle secondaire. 3. Porte pour un dispositif de mémoire à bulles magnétiques comportant des fonctions de reproduction de bloc et de pseudo-transfert, caractérisée en ce qu'elle comporte: - une ligne principale (13) constituée par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions; - des boucles secondaires (5) constituées par des pistes, dans lesquelles sont implantés des ions; un premier réseau conducteur (16) en forme d'épingle à cheveux; et - un second réseau conducteur (18) en forme d'épingle à cheveux, isolé par rapport au premier réseau conducteur en forme d'épingle à cheveux. 4. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce qu'au moins l'un des interstices (17,19) des réseaux conducteurs (16, 18) en forme d'épingles à cheveux sont situés au-dessus du point de rebroussement (23) de la ligne principale. 5. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce que les deux réseaux conducteurs (16,18) en forme d'épingles à cheveux comportent des parties qui sont situées au-dessus des bords, dans lesquels sont implantés les ions, de la ligne principale et de la boucle secondaire. 6. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce que les deux réseaux conducteurs (16,18) en forme d'épingles à cheveux comportent des parties réciproquement superposées. 7. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce que l'un (16) des deux réseaux conducteurs en forme d'épingles à cheveux assume les fonctions consistant à supprimer les bulles situées dans la boucle secondaire et à subdiviser la bulle étirée, en deux bulles, et que l'autre réseau (18) de conducteurs en forme d'épingles à cheveux possède la fonction 35 d'étirer la bulle. ?.1 8. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce qu'un arc extérieur (14) de la boucle secondaire (5) est situé à proximité de la pointe de la ligne principale (13). 9. Porte selon la revendication 3, caractérisée en 5 ce que l'arc extérieur (14) de la boucle secondaire (5) est situé à proximité du point de rebroussement (23) de la ligne principale. 10. Porte selon la revendication3, caractérisée en ce que l'interstice (19)de l'un (18)des réseaux conducteurs en 10 forme d'épingles à cheveux est situé au-dessus du point de rebroussement (26) de l'arc extérieur de la boucle secondaire. 11. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce que les pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, de la ligne principale sont formés par des régions séparées, 15 n'ayant subi aucune implantation. 12. Porte selon la revendication 3, caractérisée en ce que les pistes, dans lesquelles sont implantés des ions, de la ligne principale sont situées sur le côté situé A l'opposé du côté des régions, dans lesquelles aucune implantation 20 n'a été réalisée, par rapport à l'arc extérieur (14) des boucles secondaires. 13. Porte selon la revendication 3, caractérisé en ce que l'arc extérieur (14) de la boucle secondaire est situé à proximité de l'arc intérieur (28) des boucles secondaires. 25 14. Porte selon la revendication 6, caractérisée en ce que la position de superposition se situe entre lesdites boucles secondaires et ladite ligne principale.