Brevet FR2604281A1 — publié le 19880325

L'invention concerne un procédé pour détecter la présence de lignes de Bloch dans une paroi magnétique d'un domaine magnétique à bandes formé dans une mince couche magnétique, ladite ligne de Bloch étant utilisée comme unité de support d'information dans une mémoire à lignes de Bloch à très haute densité. Divers dispositifs de mémorisation, tels qu'une bande magnétique, un disque Winchester, un disque souple, un disque optique, un disque magnétooptique, une mémoire à bulles magnétiques, etc., sont utilisés comme mémoires externes d'ordinateurs, de fichiers électroniques, de fichiers d'images ou analogues. Tous ces dispositifs à mémoire, à l'exception de la mémoire à bulles magnétiques, utilisent un mouvement relatif entre un support d'enre- gistrement tel qu'une bande ou un disque et une tête d'enregistrement/reproduction et ils sont donc affectés de problèmes d'erreurs de piste, de glissement et d'abra- sion apparaissant entre le support d'enregistrement et la tête, et de défocalisation dans le cas d'un disque optique ou magnéto-optique, lesquels problèmes s'opposent à l'obtention d'une haute densité dans la mémoire. Par ailleurs, la mémoire à bulles magnétiques, telle que décrite dans la demande de brevet des Etats-Unis d'Amérique N 801 401, n'utilisant aucun moyen mécanique d'entraînement et présentant une grande fiabilité, a été considérée comme étant plus propice que les autres mémoires à l'obtention d'une haute densité. Cependant, cette mémoire à bulles magnétiques utilise, comme support d'information de 1 bit, un domaine magnétique circulaire ou une bulle formée dans une couche de grenat magnétique possédant un axe privilégié de magnétisation, perpendiculaire au plan de la couche, et elle est donc affectée d'une limite de plusieurs dizaines de mégabits par puce pour microplaquette même lorsque l'on utilise la bulle minimale (de 0,3 gm de diamètre) limitée par les propriétés de la couche de grenat actuellement disponible. Il n'est donc pas possible d'obtenir une haute densité dans la mémoire à bulles magnétiques, à moins qu'une autre matière telle que de l'hexaferrite ou un alliage amorphe, devienne disponible. Pour franchir la limite précitée de densité d'enregistrement dela mémoire à bulles magnétiques, on a récemment porté l'attention sur la mémoire à lignes de Bloch. La présente Demanderesse a déjà décrit des technologies connexes pour cette mémoire dans les demandes de brevets des Etats-Unis d'Amérique N 800 770 et N 072 668. La mémoire à lignes de Bloch utilise, comme décrit dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique N 4 583 200, dans une paroi magnétique entourant un domaine magnétique formé dans un film de grenat magnétique, une zone composée d'une paroi magnétique de Neil (appelée ci-après ligne de Bloch, constituant un support d'infor- mation d'un bit), prise en sandwich entre des structures de parois magnétiques de Bloch o la direction de la magnétisation dans la paroi magnétique est retournée en sens opposé, et est capable d'atteindre une densité d'enregistrement supérieure de presque deux ordres de grandeur à celle obtenue dans la mémoire à bulles magné- tiques utilisant le domaine magnétique circulaire, appelé bulle, pour un bit. Par exemple, un film de grenat présen- tant des bulles d'un diamètre de 0,5 Nm permet d'atteindre une capacité de mémoire de 1,6 Gbits par puce ou micro- plaquette. La figure 1 des dessins annexés et décrits plus en détail ciaprès illustre schématiquement une mémoire à lignes de Bloch, figure sur laquelle sont représentés un substrat 1 composé d'un grenat de terres rares tel que GGG ou NbGG; un film de grenat magnétique 2 formé, par exemple, par épitaxie en phase liquide (EPL) sur le substrat 1; des domaines magnétiques 3 en forme de bandes; et des lignes conductrices 4 configurées sur le film de grenat magnétique 2. Un champ magnétique polari- sant HB est appliqué, comme indiqué par une flèche, à la totalité de la mémoire. Dans la paroi magnétique des domaines magnétiques 3 en forme de bandes,une information est enregistrée par la présence ou l'absence d'une paire de lignes de Bloch, correspondant respectivement à "1" ou "0". Chaque paire de lignes de Bloch est présente en un point stable, ou puits de potentiel, formé dans le domaine magnétique 3 en forme de bande, et est transférée vers un puits de potentiel adjacent par l'application d'un champ magnétique à impulsions perpendiculaire au plan du substrat. On expliquera ci-après le procédé utilisé pour lire une information dans la mémoire à lignes de Bloch, ou pour détecter la présence de paires de lignes de Bloch. Les figures 2A à 2C sont des vues schématiques montrant le procédé classique de détection de lignes de Bloch, les mêmes éléments que ceux montrés sur la figure 1 étant désignés par les mêmes références numériques. Il est également représenté une paroi magnétique 5, une bulle séparée 6 et des lignes de Bloch 7. Les flèches présentes dans la paroi magnétique 5 indiquent le sens de la magnétisation et les flèches présentes sur les lignes conductrices 4 indiquent le sens du courant. En référence à la figure 2A, un domaine magné- tique 3 en forme de bande est formé sur le film de grenat magnétique 2, et une ligne 7 de Bloch est présente dans la paroi magnétique 5. Cependant, le puits de potentiel n'est pas illustré. Il est prévu, à travers le domaine magnétique 3, deux lignes conductrices 4 dans lesquelles on fait circuler des courants pulsés mutuellement opposés, comme indiqué par les flèches. Etant donné que lechamp magné- tique formé par les courants dans les lignes conductrices 4 est opposé au sens de magnétisation dans le domaine magnétique 3 en forme de bande, le domaine magnétique se trouvant entre les lignes conductrices 4 se rétracte de façon à provoquer un déplacement des parois magnétiques comme indiqué en traits discontinus. Lorsque l'on élève davantage les courants, les parois magnétiques 5 s'unissent mutuellement comme montré sur la figure 2B de sorte que la partie extrême du domaine magnétique 3 se sépare en for- mant une bulle 6. Après l'arrêt des courants, une ligne de Bloch 7, identique à celle présente avant la séparation de la bulle, est formée à la partie extrême du domaine magnétique 3, et ce domaine magnétique 3 reprend sa dimension initiale. La figure 2C montre le cas dans lequel la ligne de Bloch est absente. Dans cet état, les courants appliqués aux lignes conductrices 4 permettent de déplacer les parois magnétiques situées entre les lignes conduc- trices 4 de la même manière qu'en présence de lignes de Bloch comme montré sur les figures 2A et 2B, et les parois magnétiques peuvent être réunies entre elles par un accrois- sement des courants. Cependant, dans le cas de la figure 2A, en présence d'une ligne de Bloch, les sens de magnétisation dans les parois magnétiques situées entre deux lignes conductrices sont les mêmes, tandis que dans le cas de la figure 2C, ces sens sont mutuellement opposés, de sorte que l'interaction des parois magnétiques à leur réunion est différente suivant chacun de ces deux cas. Plus parti- culièrement, le courant demandé pour réunir les parois magnétiques est plus faible en présence d'une ligne de Bloch. Il est donc possible d'obtenir une bulle séparée, correspondant à la présence d'une ligne de Bloch, en donnant aux courants passant dans les lignes conductrices 4 un niveau compris entre une valeur demandée pour réunir les parois magnétiques 5 en présence de la ligne de Bloch 7 et une valeur demandée pour réunir lesdites parois magnétiques en l'absence de la ligne de Bloch, et de détecter la présence d' une ligne de Bloch 7 par détec- tion de la bulle 6 de la même manière que dans la mémoire à bulles magnétiques classique. Cependant, le procédé classique de détection de lignesde Bloch, expliqué ci-dessus, exige la séparation du domaine magnétique en forme de bande pour chaque détection de ligne de Bloch et nécessite un mécanisme complexe, et il ne peut pas atteindre une vitesse élevée de détection, car labulle séparée doit être transférée et détectée avec un champ magnétique tournant extérieur ou par un procédé de commande par courant. Ce procédé exige aussi une consommation d'énergie électrique élevée. Un objet de la présente invention est de proposer un procédé de détection de lignesde Bloch capable de détecter rapidement la présence d'une ligne de Bloch dans une paroi magnétique. Un autre objet de l'invention est de proposer un dispositif perfectionné à mémoire à lignes de Bloch dans lequel peut être appliqué le procédé précité de détection, ainsi qu'un dispositif de détection pour l'exécution de ce procédé. Les objets ci-dessus peuvent être réalisés, conformément à l'invention, par un procédé de détection qui comprend une étape consistant à appliquer, à un domaine magnétique, un champ magnétique parallèle au plan d'un mince film magnétique dans lequel le domaine magnétique est formé, et une étape consistant à détecter l'état de variation du domaine magnétique résultant de ladite application du champ magnétique afin de détecter la présence d'une ligne de Bloch dans une position prédé- terminée dans la paroi magnétique du domaine magnétique. Dans une forme de réalisation de l'invention, le procédé de détection comprend une étape qui consiste à appliquer un champ magnétique parallèle au plan d'un mince film magnétique dans lequel est formé un domaine magnétique en forme de bande, dans une direction ortho- gonale à la direction longitudinale du domaine magnétique en forme de bande, dans une zone comprenant la partie extrême de ce domaine magnétique, une étape consistant à identifier la variation du domaine magnétique dans cette zone par suite de l'application d'un champ magnétique, et une étape consistant à détecter la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch dans la partie extrême du domaine magnétique en forme de bande, d'après le résultat de ladite identification. D'autres caractéristiques du procédé de l'invention et les caractéristiques du dispositif à mémoire à ligne de Bloch et du dispositif de détection selon l'invention ressortiront plus complètement de la description détaillée qui suit, en regard des dessins annexés à titre d'exemples nullement limitatifs et sur lesquels: - la figure 1 est une vue schématique en perspective d'une mémoire classique à lignes de Bloch; - les figures 2A à 2C sont des vues schéma- tiques en plan montrant le procédé classique de détection d'une ligne de Bloch; - les figures 3A et 3B sont des vues schéma- tiques en plan montrant le procédé de détection de la présence d'une ligne de Bloch selon l'invention; - la figure 4 est une vue schématique d'un système optique à utiliser dans la mise en oeuvre du procédé de l'invention; - les figures 5A à 5C sont des diagrammes des temps montrant les relations entre les courants cir- culant dans les configurations de conducteurs de la mémoire et le signal de sortie d'un photodétecteur; - les figures 6A à 6F sont des vues schéma- tiques d'autres formes de réalisation des configurations de conducteurs à former sur la mémoire; et - la figure 7 est un schéma simplifié montrant un exemple du dispositif de détection pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention. La mémoire à lignes de Bloch utilisant le procédé de l'invention comporte une configuration de conducteurs pour la génération d'un champ magnétique dans le plan, orthogonal à la direction longitudinale du domaine magnétique en forme de bande, ou à la paroi magnétique. Un courant passant dans la configuration de conducteurs applique un champ magnétique prédéterminé à la paroi magnétique du domaine magnétique en forme de bande, ajou- tant ainsi une force giratoire au moment magnétique de la paroi magnétique et provoquant donc un mouvement de cette dernière. Les sens des moments magnétiques dans les parois magnétiques mutuellement face à face, à proximité de la partie extrême du domaine magnétique en forme de bandes, varient suivant la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch dans cette partie extrême, modifiant ainsi le mode de variation de la forme du domaine magnétique résultant du mouvement des parois magnétiques. La présente invention est caractérisée par la détection de la différence, dans ladite différence de variation du domaine magnétique, par exemple au moyen d'un capteur magnétique ou au moyen d'un faisceau de lumière polarisée et d'un photodétecteur. On décrira en détail ci-après le procédé de l'invention. Les figures 3A, 3B, 4 et 5A à 5C sont des vues schématiques permettant d'expliquer un exemple du procédé de détection de l'invention. Les figures 3A et 3B illustrent les modes de variation du domaine magnétique en forme de bandes à la détection d'une ligne de Bloch conformément au procédé de l'invention, tandis que la figure 4 est une vue schéma- tique d'un système optique à utiliser dans la détection de la ligne de Bloch conformément à la forme de réalisation montrée sur les figures 3A et 3B, et que les figures 5A à C sont des diagrammes des temps montrant la relation entre le courant passant dans la configuration de conducteurs pour générer un champ magnétique dans le plan de la mémoire et le signal de sortie d'un photodétecteur. Sur les figures 3A, 3B et 5A à 5C, les réfé- rences numériques 1 à 7 désignent les mêmes éléments que sur les figures 1 à 2C. Il est également représenté un point lumineux 8 formé par un faisceau lumineux sur la mémoire; une ligne conductrice 9; une flèche 10 indiquant la direction du courant dans la ligne conductrice 9; une unité 11id'émission de lumière telle qu'un laser à semi- conducteur; une lentille collimatrice 12 destinée à convertir la lumière provenant de l'unité d'émission 11 en un faisceau parallèle; un polariseur 13 destiné à convertir le faisceau parallèle en un faisceau lumineux polarisé linéairement; une lentille 14 de condensation destinée à concentrer la lumière dans une position pré- déterminée du domaine magnétique 3 en forme de bande montré sur les figures 3A et 3B pour former le point lumineux 8; un analyseur 15 destiné à détecter l'état de polarisation du faisceau lumineux polarisé; un photo- détecteur 16; et une lentille 17 de condensation destinée à concentrer sur le photodétecteur 16 la lumière provenant du domaine magnétique 3 en forme de bande et transmise par l'analyseur 15. La référence numérique 18 désigne la direction du champ magnétique dans le plan, appliqué à la paroi magnétique 5. En référence aux figures 3A et 3B, un film de grenat magnétique 2, composé, par exemple, de (YSmLuCa)3- (FeGd)5012 ou (YSmLuGd) 3(FeGa)5012, est soumis à un champ magnétique vertical HB de polarisation, perpehdiculaire au plan du film 2 de grenat magnétique et dirigé du dessus vers le dessous du plan du dessin pour former un domaine magnétique 3 en forme de bande dans ledit film 2,. La figure 3A montre le cas dans lequel une ligne de Bloch est présente à l'extrémité du domaine magnétique 3, de manière que les moments magnétiques présents dans les parois magné- tiques 5, se faisant face mutuellement, du domaine magné- tique, à proximité de son extrémité, soient de même sens, comme indiqué par les flèches M1, M2. Une ligne conductrice 9, composée, par exemple, d'un film d'ITO (oxyde d'indium et d'étain) formé sur le film de grenat magnétique 2, reçoit un courant pulsatoire de forme d'onde montrée sur la figure 5A, dans la direction 10, afin d'appliquer un champ magnétique représenté par une flèche 18 aux parois magnétiques 5, de sorte que leurs moments magnétiques reçoivent une force giratoire et que les parois magnétiques sont animées d'un mouvement alternatif entre la posi- tion dans laquelle elles sont représentées en trait plein et celle dans laquelle elles sont représentées en trait discontinu. La lumière irradiant le domaine magnétique 3 en forme de bande par l'intermédiaire du système optique montré sur la figure 4 forme le point lumineux 8 et est transmise par le domaine magnétique 3, avec une rotation du plan polarisé par l'effet Faraday, afin que le photo- détecteur 16 montré sur la figure 4 produise un signal de sortie tel que montré sur la figure 5B. Par ailleurs, la figure 3B montre le cas dans lequel la ligne de Bloch 7 est absente à l'extrémité du domaine magnétique 3 en forme de bande, de sorte que les moments magnétiques des parois magnétiques 5 se faisant face mutuellement sont opposes ou antiparallèles, comme indiqué par les flèches M1 et M2. Un courant tel que montré sur la figure 5A, mis en circulation dans la ligne conductrice 9 dans la direction 10, applique un champ magnétique indiqué par une flèche 18 aux parois magnétiques 5, comme dans le cas de la figure 3A, de sorte que les moments magnétiques des parois magnétiques 5 reçoivent comme précédemment la force giratoire et que les parois 5 exécutent un mouvement alternatif entre la position dans laquelle elles sont représentées en trait plein et la position dans laquelle elles sont représentées en trait discontinu. Cependant, le mode de déplacement des parois magnétiques 5 dans cet état est différent de celui présent dans le cas de la figure 3A lorsqu'une ligne de Bloch est présente à la partie extrême du domaine, de sorte que le photodétecteur 16 produit un signal de sortie tel que montré sur la figure 5C lorsqu'il reçoit le faisceau lumineux transmis et polarisé. Le signal montré sur la figure 5C présente une fréquence double par rapport à celle du signal de la figure 5B, et la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch à l'extrémité du domaine magnétique 3 en forme de bandes peut donc être détectée sous la forme d'une diffé- rence dans le signal de sortie du photodétecteur 16. Plus particulièrement, dans la présente forme de réalisation, on fait correspondre la présence ou l'absence d'une liane de Bloch à une différence de fréquence dans le signal de sortie du photodétecteur 16, et il est donc possible de procéder à une détection rapide. En résumé, cette présente forme du procédé de l'invention pour la détection de la présence d'une ligne de Bloch à l'extrémité d'un domaine magnétique 3 en forme de bande comprend les étapes qui consistent: (A) à former un domaine magnétique à configuration en bande dans un film magnétique mince composé d'un film de grenat magnétique; (B) à former une ligne de Bloch, en tant que support d'information, dans la paroi magnétique 5 du domaine magnétique 3; 1 1 (C) à transférer ladite ligne de Bloch dans la paroi magnétique 5 par des moyens de transfert de lignes de Bloch, non représentés; (D) à faire cesser le transfert de la ligne de Bloch et appliquer un courant alternatif à une ligne conductrice 9, formée sur le film de grenat magnétique 2, pour générer un champ magnétique dans le plan; (E) à appliquer un champ magnétique alternatif dans le plan, généré par la ligne conductrice 9, aux parois magné- tiques 5 du domaine magnétique 3 en forme de bande, per- pendiculairement auxdites parois magnétiques et parallèle- ment au plan du film magnétique, afin de provoquer un mouvement oscillant des parois magnétiques 5 au voisinage de la partie extrême du domaine magnétique 3; (F) à former un faisceau lumineux polarisé linéairement dans une direction prédéterminée par un polariseur 13 et à concentrer le faisceau lumineux dans le domaine magnétique 3 au voisinage de sa partie extrême, afin d'illuminer une zone prédéterminée (comprenant le point lumineux 8 montré sur les figures 3A et 3B) du domaine magnétique 3 en forme de bande; (G) à détecter le faisceau lumineux transmis par le domaine magnétique 3, au moyen d'un photodétecteur 16 et par l'intermédiaire d'un analyseur 15; (H) à détecter l'état du signal de sortie du photodétec- teur 16, par exemple au moyen d'un analyseur de fréquence (non représenté) ; et (I) à identifier la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch à l'extrémité du domaine magnétique 3 en forme de bande en fonction du résultat de cette détection. La présente forme du procédé de l'invention détecte la présence d'une ligne de Bloch par les étapes successives (A) à (I) mentionnées ci-dessus. Il est évident que les étapes (D), (E) et l'étape (F) peuvent être interchangées sans problème quelconque. De plus, les étapes (F) à (H) sont des étapes représentatives d'une détection optique d'une ligne de Bloch et peuvent être remplacées par d'autres étapes pour obtenir un signal correspondant à la présence ou à l'absence d'une ligne de Bloch, comme expliqué dans les formes de réalisation décrites ci-après. Les figures 6A à 6F illustrent diverses configurations de la ligne conductrice 9 montréesur les figures 3A et 3B. L'application du champ magnétique dans le plan aux parois magnétiques 5 du domaine magnétique 3 en forme de bande, montré sur les figures 3A et 3B, dépend non seulement de la forme d'onde du courant dans la ligne conductrice 9, mais également de la configuration de la ligne conductrice 9. Par conséquent, les mouvements des parois magnétiques 5 de part et d'autre du domaine magnétique 3 peuvent être commandés par le choix de la configuration de la ligne conductrice 9 et de la forme d'onde du courant qui l'emprunte, de Fanière convenable. Sur les figure 6A à 6F, les mêmes éléments que ceux de la forme de réalisation précédente sont désignés par les mêmes références numériques. Une configuration montrée sur la figure 6A applique des champs magnétiques de même direction sur la totalité des domaines magnétiques 3. Une configuration montrée sur la figure 6B applique des champs magnétiques de même direction sur une partie, par exemple une partie extrême, des domaines magnétiques 3. Une configuration montrée sur la figure 6C applique des champs magnétiques alternativement de sens opposés aux domaines magnétiques 3, et l'intensité du champ magnétique dans le plan est plus grande que dans le cas de la figure 6A si le courant 10 est le même. Une configuration montrée sur la figure 6D applique des champs magnétiques de sens alternés à une partie des domaines magnétiques 3, et l'intensité du champ magnétique est plus grande que dans le cas de la figure 6B si le courant 10 est le même. Une configuration montrée sur la figure 6E applique des champs magnétiques de même sens à l'ensemble des domaines magnétiques 3, et l'inten- sité du champ magnétique est plus grande que dans le cas de la figure 6A si le courant 10 est le même. La confi- guration montrée sur la figure 6F applique des champs magnétiques de même sens à une partie des domaines magné- tiques 3, et l'intensité du champ magnétique est plus grande que dans le cas de la figure 6B si le courant 10 est le même. De plus, les configurations montrées sur les figures 6A à 6F peuvent être commodément combinées pour que l'on obtienne une ligne conductrice configuration souhaitée. Dans la forme de réalisation précédente, le procédé pour former des lignes de Bloch dans la paroi magnétique du domaine magnétique en forme de bande, et le procédé pour transférer les lignes de Bloch dans la paroi magnétique, n'ont pas été expliqués en détail, car ils ont déjà été décrits dans le brevet N 4 583 200 précité. La figure 7 est un schéma simplifié montrant un exemple du dispositif de détection pour la mise en oeuvre du procédé de l'invention. Ce dispositif peut être utilisé en tant que dispositif de reproduction d'infor- mation, pour reproduire une information à partir d'un dispositif à mémoire utilisant des lignes de Bloch en tant que supports d'informations. Sur la figure 7, un dispositif 100 à mémoire à lignes de Bloch comporte plusieurs domaines magnétiques en forme de bande réalisés, comme montré sur la figure 1, dabs un film magnétique mince formé lui-même sur un sub- strat, et ce dispositif comporte des lignes conductrices comme montré sur les figures 3A et 3B ou sur les figures 6A à 6F. Des moyens 101 d'entrée ou d'écriture forment des lignes de Bloch dans les parois magnétiques de plusieurs domaines magnétiques conformément à l'information d'entrée à enregistrer. Cette information d'entrée est une information numérique constituée de "1" et de "0" qui sont convertis en présence et en l'absenced dgnes de Bloch par les moyens d'introduction ou d'écriture 101. Ainsi, les lignes de Bloch sont présentes à des puits de potentiel prédéter- minés dans la paroi magnétique. Des moyens 102 transfèrent les lignes de Bloch le long de la paroi magnétique, par exemple par l'appli- cation d'un champ magnétique tournant, dans le plan, au dispositif 100 à mémoire. Comme déjà expliqué pour la forme de réali- sation précédente, les domaines magnétiques en forme de bandes sont formés de façon stable dans le mince film magnétique par l'application d'un champ magnétique de polarisation perpendiculaire audit film magnétique, comme indiqué par une flèche en trait discontinu sur la figure 7. Comme expliqué précédemment, la structure et la fonction des moyens d'introduction ou d'écriture 101 et des moyens 102 de transfert montrés sur la figure 7, et le positionnement des lignes de Bloch avec les puits de potentiel sont décrits dans le brevet N 4 583 200 précité. Un générateur 103, destiné à générer un champ magnétique parallèle au plan du mince film magnétique à utiliser dans le procédé de détection de l'invention, est composé d'un moyen destiné à appliquer un courant alter- natif, composé d'impulsions prédéterminées, à la ligne conductrice formée sur le mince film magnétique du dispo- Z604281 sitif 100 à mémoire afin de générer un champ'magnétique dans le plan. Pour améliorer la précision de la détection, ce moyen produit un courant alternatif sinusoidal ou rectangulaire d'une fréquence de 1 MHz ou plus. Il est également possible d'appliquer directe- ment aux domaines magnétiques en forme de bandes du dis- positif à mémoire 100, un champ magnétique dans le plan pour la détection de la présence de lignes de Bloch, depuis l'extérieur, par ledit générateur 103 de champ magnétique. Des moyens 104 d'extraction ou de lecture, comprenant, par exemple, un système optique tel que montré sur la figure 4, servent à détecter la présence d'une ligne de Bloch à l'extrémité du domaine magnétique en forme de bande et génèrent un signal de détection correspondant. Dans le cas o les moyens d'extraction 104 sont composés d'un moyen optique comme décrit dans les formes de réalisation précédentes, le substrat, la mince film magnétique et la ligne conductrice constituant le dispositif à mémoire sont composés de matières transparentes à la lumière à utiliser. Les moyens de lecture ou d'extraction ne sont cependant pas limités à detels moyens optiques, mais peuvent comprendre tous moyens capables de détecter la variation apparaissant dans les parois magnétiques ou dans le domaine magnétique lorsqu'un champ magnétique dans le plan est appliqué au domaine magnétique par le générateur 103 de champ magnétique. Un exemple de tels moyens est un capteur magnétique, déjà connu sous le nom d'élément à résistance magnétique. Dans le cas o les moyens 104 de lecture sont composés de moyens optiques tels que montrés sur la figure 4, on peut avantageusement utiliser un dispositif de balayage destiné à dévier la lumière dans une direction prédéterminée, ou un réseau de sources de lumière compor- tant plusieurs éléments émetteurs de lumière. Un tel dispositif de balayage ou un tel réseau de sources de lumière permet une détection rapide des lignes de Bloch par une irradiation simultanée ou succes- sive des positions de détection (position du point lumineux 8 sur la figure 3) des divers domaines magnétiques en forme de bande du dispositif à mémoire 100. On peut utiliser convenablement un ou plusieurs photodétecteurs en fonction du procédé de commande du dispositif de balayage ou du réseau de sources de lumière et de la structure du système optique. En référence de nouveau à la figure 7, un circuit 105 commande les divers moyens 101, 102 et 104 et le générateur 103 en fonction d'un signal d'entrée EN. Dans la détection de lignes de Bloch par les moyens de lecture 104, ces derniers fonctionnent en synchronisme avec le générateur 103 de champ magnétique et avec les moyens de transfert 102, conformément aux instructions provenant du circuit 105 de commande. Chaque ligne de Bloch, enregistrée dans un puits de potentiel dans la paroi magnétique du domaine magnétique en forme de bande du dispositif à mémoire 100, est transférée successivement vers un puits de potentiel voisin afin que l'information représentée par la présence ou l'absence de la ligne de Bloch soit transférée vers la partie extrême du domaine magnétique o la ligne de Bloch est détectée. En synchronisme avec le positionnement de ladite ligne de Bloch ou de ladite information à la partie extrême du domaine magnétique, le générateur 103 de champ magnétique applique un champ magnétique dans le plan, perpendiculaire à chaque paroi magnétique des domaines magnétiques. Les moyens de lecture 104 détectent successivement l'état du champ magnétique dans une zone du domaine magnétique au voisinage de sa partie extrême, zone influencée par l'application du champ magnétique, etils identifient la présence ou l'absence de la ligne de Bloch dans la partie extrême du domaine magnétique, déli- vrant ainsi des signaux chronologiques correspondant à la présence ou à l'absence d'une ligne de Bloch. Il est donc devenu possible, dans la détection d'une ligne de Bloch, de supprimer l'étape de conversion en une bulle. De plus, la détection de direction dé la ligne de Bloch sans le transfert de bulle permet une détection rapide et une simplification de la structure du dispositif à mémoire. Il est donc possible de reproduire une infor- mation à vitesse élevée à partir d'un dispositif à mémoire à lignes de Bloch en utilisant des lignes de Bloch en tant que supports d'informations et de reproduire une grande quantité d'informations en peu de temps, à partir d'une mémoire à grande capacité. La détection optique de lignes de Bloch dans les formes de réalisation précédentes utilise un faisceau de lumière polarisée, transmis par le domaine magnétique 3 en forme de bande. Il est cependant possible, aussi, de composer la ligne conductrice en un métal réfléchissant tel que Al, Au ou Cu, afin d'introduire un faisceau de lumière polarisée sur le film 2 de grenat à travers le substrat 1 et de détecter la lumière réfléchie par la ligne conductrice 9 pour identifier ainsi la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch. Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au procédé et au dispositif décrits et représentés sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour détecter la présence d'une ligne de Bloch (7) dans une paroi magnétique (5) d'un domaine magnétique (3) formé dans un mince film magnétique (2), caractérisé en ce qu'il consiste à appliquer au domaine magnétique un champ magnétique parallèle au plan du mince film magnétique afin d'engendrer une variation dans le domaine magnétique, et à détecter l'état de variation du domaine magnétique et la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch dans une position prédé- terminée de ladite paroi magnétique d'après le résultat de ladite détection de l'état de variation du domaine magnétique. 2. Procédé selon la revendication 1, caractéri- sé en ce que le champ magnétique appliqué au domaine magnétique dans ladite étape de variation est un champ magnétique alternatif perpendiculaire à la paroi magnétique. 3. Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que l'étape de variation consiste à former une ligne conductrice (9) sur le mince film magrétique, et à appliquer un courant alternatif à cette ligne conductrice. 4. Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que l'étape de détection consiste à diriger de la lumière sur une position variable du domaine magnétique et à détecter la lumière transmise par l'inter- médiaire de cette position. 5. Procédé selon la revendication 4, caracté- risé en ce que la lumière est un faisceau de lumière polarisée, et la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch est identifiée par la détection de l'état de rota- tion du plan de polarisation de ce faisceau. 6. Procédé selon la revendication 1, caracté- risé en ce que le domaine magnétique est un domaine magnétique en forme de bande et ladite position prédéter- minée est la partie extrême dudit domaine magnétique en forme de bande. 7. Dispositif de détection de la présence d'une ligne de Bloch (7) dans une paroi magnétique (5) d'un domaine magnétique (3) formé dans un minoe film magnétique (2), caractérisé en ce qu'il comporte un moyen (103) de géné- ration d'un champ magnétique destiné à appliquer, audit domaine magnétique, un champ magnétique parallèle au plan dudit mince film magnétique, et des moyens de détec- tion (104) destinés à détecter l'état de variation du domaine magnétique résultant de ladite application du champ magnétique, de manière à détecter la présence d'une ligne de Bloch (7) dans une position prédéterminée de ladite paroi magnétique en fonction du résultat de la détection de l'état de variation par lesdits moyens de détection. 8. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens de transfert de ladite ligne de Bloch le long de ladite paroi magnétique. 9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce qu'il comporte en outre des moyens (105) de commande destinés à appliquer des signaux d'instruc- tion au moyen de génération d'un champ magnétique, au moyen de détection et au moyen de transfert pour synchro- niser les opérations effectuées par tous ces moyens. 10. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé en ce que le domaine magnétique est composé d'un domaine magnétique (3) en forme de bande, et un champ magnétique est généré par ledit moyen de génération d'un champ magnétique après que la ligne de Bloch a été placée dans la position extrême du domaine magnétique en forme de bande par lesdits moyens de transfert. 11. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que les moyens de détection comprennent des moyens optiques (11 - 14) destinés à irradier la partie variable du domaine magnétique avec un faisceau de lumière polarisée, et un photodétecteur (16) destiné à détecter la rotation du plan de polarisation du faisceau de lumière polarisée, par suite de la variation du domaine magnétique, la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch étant iden- tifiée d'après le signal de sortie du photodétecteur. 12. Mémoire à lignes de Bloch utilisant, comme supports d'information, des lignes (7) de Bloch formées dans une paroi magnétique (5) d'un domaine magnétique (3) lui-même formé dans un un mince film magnétique (2), caractérisée en ce qu'elle comporte un substrat (1), un mince film magnétique (2) formé sur le substrat et compor- tant un domaine magnétique prédéterminé (3) pour emmaga- siner des lignes de Bloch (7) dans la paroi magnétique de ce domaine, et une ligne conductrice (9) formée sur ledit mince film magnétique et destinée à générer un champ magnétique parallèle au plan dudit mince film magnétique, la présence ou l'absence d'une ligne de Bloch étant identifiée par l'application à la ligne conductrice d'un courant pour générer un champ mangétique afin de faire varier ledit domaine magnétique, et par une détection de cette variation.