Brevet FR2608634A1 — publié le 19880624

PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR, ACTIVEE PAR PLASMA La présente invention se rapporte à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs et de circuits intégrés. Elle se rapporte plus particulièrement à un procédé amélioré pour le dépôt d'une couche uniforme d'un matériau diélectrique, semi-conducteur ou conducteur sur la surface d'une pastille semi-conductrice, typiquement de silicium monocristallin, dans laquelle les dispositifs intégrés sont en cours de formation. Particulièrement, pendant les phases de fabrication d'un dispositif semi-conducteur ou d'un circuit intégré à la surface d'une pastille, un certain nombre de couches de divers matériaux sont déposées successivement pour constituer des couches diélectriques isolantes, des interconnexions électriques, des couches formant masques, des couches de passivation, etc...L'une des techniques les plus communément utilisées pour former de telles couches est le dépôt chimique en phase vapeur ainsi appelé (DCV). Les pastilles à revêtir sont placées dans une charre vide ou réacteur et, après avoir fait le vide dans la chambre, un certain flux de réactifs gazeux des matériaux qui doivent être déposés est introduit à travers la chambre en maintenant une pression intérieure absolue de l'ordre de 0,001 bar environ et une température contrôlée comprise typiquement entre 150 et 5000C. La surface de la pastille agit comme un substrat pour la décomposition thermique ou pour les réactions de réduction-oxydation (redox) des réactifs gazeux introduits à l'intérieur de la chambre, qui engendrent le composé désiré sur la surface de la pastille.Les conditions du traitement chimique (température, pression et proportions stoechiométriques parmi les éléments précurseurs intervenant dans la réaction chimique) sont telles qu'elles permettent de faire croître à la surface de la pastille des couches d'épaisseur, de composition chimique, de structure cristalline, etc... extrêmement uniformes, avec une épaisseur globale qui peut être aussi faible que quelques dizaines de nm. Un inconvénient de tels procédés est la vitesse de croissance plutôt limitée avc laquelle la couche est déposée et, afin d'améliorer cet aspect, lié à la productivité, une technique de dépôt chimique en phase vapeur, accéléré par la création d'une région de plasma tout près de la surface à revêtir, a été récemment l'objet d'un accueil favorable largement répandu. Selon un tel procédé (PCVD) , la pastille ou les pastilles à revêtir sont placées sur la surface d'une première électrode-susceptor, typiquement en graphite, et aussi par la suite sur la surface opposée d'une seconde électrode- susceptor semblable à la première. Entre les deux électrodes une énergie électromagnétique de fréquence radioélectrique (F.R.) est appliquée pour ioniser les gaz contenus dans la région entre les surfaces opposées des deux telles électrodes-susceptors. Le processus de diffusion physique des réactifs vers la surface exposée de la pastille placée sur l'(es) électrode(s) et le processus chimique de formation du composé désiré à la surface des pastilles sont tous deux avantageusement accélérés par le plasma, ce qui réduit ainsi la durée de séjour pour la formation d'une certaine épaisseur de matériau sur la surface de la pastille par comparaison avec le processus plus classique de dépôt thermique mené en l'absence de plasma. Bien qu'avantageux économiquement un tel procédé n'est pas exempt d'inconvénients. On observe en particulier que l'usage d'un dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma peut augmenter la fréquence des défauts dans les dispositifs particulièrement sensibles tels que par exemple les dispositifs CMOS, spécialement dans le cas d'une échelle croissante d'intégration, ce qui implique généralement des structures intégrées comportant des régions avec une diffusion de plus en plus superficielle. Dans les procédés CMOS LSI(Intégration à grande échelle) et VLSI(Intégration à très grande échelle), l'emploi de cette technique de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma peut être la source d'une fréquence intolérablement élevée de défauts, c'est-à-dire un faible rendement du procédé de fabrication. Les mécanismes des échecs de fabrication des structures intégrées imputables au plasma peuvent être divers. Un amorphisme du silicium induit près de la surface, une implantation d'ions hydrogène dans le réseau cristallin du silicium accompagnée d'une neutralisation des impuretés déjà diffusées sont au moins deux des mécanismes intervenant dans ces échecs. D'autre part la renonciation à l'emploi des techniques de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma implique l'allongement des durées de fabication et par conséquent une augmentation des coûts de production des circuits intégrés. Selon la présente invention il est possible pour les procédés particulièrement sensibles, tels que les procédés CMOS à grande échelle d'intégration, de bénéficier aussi des avantages offerts par l'emploi de l'activation par plasma des procédés de dépôt chimique tout en empêchant , en même temps, tout dommage aux structures intégrées dans la(les) pastille(s) à revêtir par la couche du matériau désiré à cause de la présence de plasma pendant le dép8t. Le procédé amélioré de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma, objet de la présente invention, prévoit de mettre en place une grille à mailles ouvertes en un matériau essentiellement conducteur à une certaine distance de la face exposée de la pastille placée dans un support convenable et d'appliquer une énergie électromagnétique F.R. entre un tel assemblage constitué par le support et la grille conductrice et une contre-électrode convenable, suffisante pour maintenir une région de plasma entre ladite grille et ladite contre-électrode tout en introduisant un mélange gazeux contenant des réactifs dans la chambre de dépôt, en y maintenant une pression et une température constantes et en déposant chimiquement à la surface de la pastille une couche uniforme du matériau ayant la composition désirée à partir de la phase ionisée de plasma gazeux à travers les ouvertures d'une telle grille conductrice. Les conditions du traitement peuvent varier dans certaines limites, typiques d'un tel traitement, en fonction du type de matériau à déposer. A titre indicatif, la température peut varier entre 150 et 5000C; la pression entre 0,066 . 10-3 et 20 . 10 3 bars et la fréquence de l'énergie électromagnétique F.R. entre 5 et 200 kHz ou plus haut. La grille en un matériau conducteur a essentiellement la fonction de confiner le plasma en llempêchant de venir au contact de la surface exposée de la pastille à revêtir, tout en exploitant l'efficacité pratiquement inchangée du plasma pour accélérer le processus physico-chimique de dépôt du composé désiré sur la surface de la pastille à revêtir. Le procédé permet une grande vitesse de dépôt en évitant tout dommage causé par le plasma aux structures intégrées qui peuvent être présentes à la surface de la pastille. Le procédé de l'invention est mis en oeuvre dans un dispositif pour le dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma, modifié selon la présente invention et caractérisé essentiellement par la présence d'une grille conductrice d'une superficie supérieure ou égale à la superficie projetée de la pastille à revêtir, mise en place à une certaine distance de la face exposée de la pastille à revêtir et agissant, essentiellement. comme une électrode-susceptor pour générer une région de plasma entre la grille elle-meme et une contre-électrode, auxquelles une énergie F.R. suffisante est appliquée pour ioniser les réactifs gazeux introduits dans la chambre de dépôt et présents dans l'espace confiné entre la grille et ladite contre-électrode. Selon une réalisation concrète particulièrement préférée, le dispositif de l'invention est facilement applicable aux dispositifs existants. Dans ces cas, la même électrode-susceptor existante peut être utilisée comme support de la pastille ou des pastilles tout en mettant en place une grille à mailles ouvertes en un matériau essentiellement conducteur, espacée à une certaine distance de la surface de la pastille et électriquement au même potentiel (connexion directe) ou à un potentiel proche de celui de l'électrode (support) sur laquelle la pastille est posée. Dans ces cas, aussi, bien que l'énergie F.R. puisse être appliquée entre l'assemblage: électrode-susceptor existante---pastille--grille conductrice et une contre-électrode convenable, la grille elle-même agira comme une électrode-susceptor efficace pour maintenir une région de plasma entre la grille et la contre-électrode. Comme ce sera évident à partir de la description qui suit, la contre-électrode peut être constituée par une autre grille conductrice appartenant à un autre assemblage: électrode-susceptor ou monture existante--pastille-- grille conductrice semblable au premier assemblage mais polarisé en sens opposé. A des fins de pure représentation et non de limitation et pour faire plus facilement comprendre les divers aspects et avantages de l'invention, on continue maintenant la description pour présenter une réalisation concrète particulièrement préférée de linventionavec référence aux dessins annexés sur lesquels:: - la Figure 1 est une représentation schématique d'un dispositif pour le dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma selon l'art antérieur; - la Figure 2 est une vue partielle d'une monture de pastilles typique en berceau utilisée dans le dispositif montré sur la Figure 1; - la Figure 3 est une représentation simplifiée du dispositif de la présente invention; - la Figure 4 est une représentation simplifiée schématique montrant l'effet de confinement du plasma du dispositif de l'invention; - la Figure 5 est une vue en plan schématique de la nacelle de support de pastilles équipée selon la présente invention. Comme montré sur la Figure 1, un dispositif typique pour le dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma comporte une chambre à vide 1, à l'intérieur de laquelle plusieurs électrodessusceptors 2, typiquement en graphite, peuvent être présentes, opposées l'une à l'autre, et sur la surface desquelles des sièges appropriés sont présents pour recevoir et retenir autant de pastilles 3 à revêtir. La chambre est reliée par des vannes convenables 4 et 5 à une pompe 6 à vide partiel et à une pompe 7 à vide poussé. Des orifices d'entrée appropriés 8 et 9 pour un gaz diluant (par exemple N2) sont prévus pour diluer les gaz évacués de la chambre 1. Un système de commande, montré par le carré 10, permet une alimentation contrôlée des flux relatifs de divers réactifs gazeux dans la chambre de dépôt 1, de façon à exercer une commande précise sur le rapport volumétrique des divers réactifs gazeux introduits dans la chambre, ainsi que sur la température et la pression à l'intérieur de la chambre. Les électrodes-susceptors 2 sont alimentées en énergie F.R. par l'intermédiaire de connexions appropriées ll et 12. La Figure 2 montre une partie d'une nacelle de support de pastilles typiquement utilisée dans un procédé de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma selon l'art antérieur. La nacelle de support comporte une pluralité de plaques de graphite 13, montées parallèlement l'une à l'autre entre deux plaques latérales ou d'extrémité 14 et 15 qui sont normalement faites de la même matière, c'est-à-dire de graphite, en utilisant des entretoises en céramique 16 à travers lesquelles passent des tirants 17. Un prolongement 18 (ou 19) de chaque plaque de graphite assure le support à un contact 20 (ou 21) auquel un conducteur correspondant 22 (ou 23) est connecté pour relier chaque plaque de graphite à un pole d'une source d'énergie F.R. extérieure à la chambre de dépôt. Sur les deux faces des plaques de graphique intermédiaires 13 et sur la face interne des plaques de graphite extrêmes 14 et 15, des moyens appropriés sont disposés pour recevoir et maintenir en position une série de pastilles 24 à revêtir. La nacelle de support peut ensuite être placée dans un support approprié fourchu 25 , qui se trouve à l'intérieur de la chambre de dépôt, au moyen d'une pluralité de tasseaux de support 26. Selon la présente invention, une grille en un matériau conducteur de l'électricité est disposée au moins en correspondance avec la superficie projetée d'une pastille à revêtir, comme montré schématiquement sur la Figure 3. La grille conductrice 27 est placée espacée à une certaine distance de la surface de la pastille 24, une telle distance peut varier de moins de 1 millimètre à 3 millimètres et plus en compatibilité avec les caractéristiques du matériel existant, comme dans l'exemple précis montré sur la Figure 2. La grille conductrice 27 peut être faite de n'importe quel matériaù conducteur qui soit inerte vis-à-vis des réactifs gazeux introduits dans la chambre de dépôt et des produits de la réaction de dépôt chimique. C'est pourquoi, le choix du matériau constituant la grille dépendra du type de matériau qui doit être déposé et par conséquent des réactifs utilisés. Par exemple, lorsqu'on dépose un oxyde de silicium à partir de SiH4 et N20, la grille peut être faite d'aluminium qui reste parfaitement stable dans de telles conditions de travail. D'autres matériaux utilisables pour la grille sont les métaux réfractaires tels que le titane, le tungstène, le zirconium, l'hafnium, et les carbures, nitrures et borures de ces métaux réfractaires, le graphite, etc, et les corps composés de ces éléments. En adaptant le matériel existant antérieur, la grille peut avoir une forme semblable à celle montrée sur les Figures 3 et 4 afin d'être facilement applicable sur les structures existantes, c'est-à-dire sur les électrodes-susceptors 13 en graphite de la Figure 2. Deux simples crochets 28 et une pluralité de chevilles d'espacement 29, assureront à la fois le contact électrique avec l'électrode-susceptor 13 qui est reliée à la source d'énergie F.R. et le maintien de la grille à un espacement convenable de quelques millimètres de la face exposée des pastilles soumises au traitement de dépôt chimique en phase vapeur. La Figure 4 montre schématiquement l'effet de confinement de la grille conductrice sur le plasma. L'énergie électromagnétique F.R. appliquée aux électrodessusceptors 13a et 13b est suffisante pour ioniser les réactifs gazeux qui se trouvent dans la chambre et plus précisément entre les électrodes-susceptors, dans les conditions de température et de pression de la chambre de dépôt. Les'caractéristiques géométriques de la grille conductrice 27 sont telles (en rapport avec la longueur d'onde des champs électromagnétiques générés par la source d'énergie F.R.) qu'elles font agir la grille conductrice 27 elle-même comme une électrode-susceptor pour ioniser le mélange gazeux contenu dans l'espace confiné entre la grille elle-même et la contre-électrode correspondante (13b sur la Figure 4). De cette manière le plasma (montré sur la figure par des traits croisés ) est efficacement confiné entre la surface de la grille conductrice et la contre-électrode, en empêchant ainsi le plasma de venir au contact direct de la surface de la pastille 24. En même temps, l'excitation des réactifs gazeux par leur ionisation partielle dans l'intervalle-entre deux électrodessusceptors effectives et en tout cas extrêmement près de la surface de la pastille à revêtir, est telle qu'elle accélère le processus de diffusion des réactifs à travers les ouvertures de la grille conductrice 27 vers la surface de la pastille 24 où ils réagissent en formant le composé désiré qui se dépose à la surface de la pastille en générant la couche de revêtement désirée. En particulier, en utilisant des fréquences d'énergie F.R. plus grandes que 5 kHz les ouvertures de la grille conduc trice 27 peuvent avoir des dimensions d'environ 5.-- 20 millimètres et ceci, associé au fait que le rapport vide/matière de la grille conductrice peut être de 10/1 ou même plus grand, rend la présence de la grille conductrice 27 sans influence sur l'uniformité de l'épaisseur de la couche en cours de dépôt sur la pastille.Naturellement, bien que sur la Figure 4 la contre-électrode 13b ait été montrée comme une simple plaque de graphite ou semblable, il est évident que sur la face de cette contre-électrode 13b, peut aussi se trouver une autre pastille à revêtir, " protégée " par une autre grille conductrice semblable à celle décrite auparavant en relation avec l'électrode-susceptor 13a.Dans ce cas, le plasma sera confiné entre les surfaces opposées des deux grilles conductrices, placées à une certaine distance au-dessus des pastilles à revêtir opposées et reliées électriquement aux électrodes-susceptors respectives (supports de polarisation) 13a et 13b, respectivement, qui sont reliées à la source d'énergie F.R.. Comme ce sera évident pour le technicien spécialiste, au cas où chacune des électrodes-susceptors existantes est capable de recevoir une pluralité de pastilles à revêtir, la grille conductrice 27 peut commodément être constituée d'un seul élément, convenablement dimensionné de façon à couvrir la superficie complète de 1'électrode-susceptor occupée par la pluralité de pastilles disposées sur elle. La Figure 5 montre un diagramme schématique d'une nacelle de support de pastilles modifiée selon la présente invention. Sur le diagramme de la Figure 5 cinq électrodes-susceptors intermédiaires 13b sont montrées chacune portant sur ses deux plus grandes surfaces une pluralité de pastilles à revêtir (schématiquement indiquées par le numéro de référence 24) et deux électrodes-susceptors terminales ou d'extrémité, respectivement 13a et 13c, chacune portant une pluralité de pastilles à revêtir sur leur plus grande surface opposée à l'électrode-susceptor intermédiaire (13b) qui lui est adjacente. Les électrodes sont alternativement reliées aux deux pôles de la source 30 d'énergie F.R. . La position relative dans l'espace de la grille conductrice 27 selon la présente invention est montrée à des fins de représentation seulement sur la première électrode terminale 13a et sur l'électrode-susceptor intermédiaire 13b qui lui est adjacente. Dans une chambre de dépôt chimique en phase vapeur, activée par plasma, de type classique, équipée d'électrodes-susceptors en graphite espacées l'une de l'autre de 15 millimètres et assemblées dans une nacelle de support de pastilles semblable à celle décrite en rapport avec la Figure 2, des pastilles de silicium, déjà munies de dopants implantés et ayant été déjà soumises à des traitements de diffusion selon un procédé CMOS, ont été insérées dans leurs sièges respectifs. Sur quelques-unes des électrodes-susceptors en graphite constituant l'assemblage en berceau ont été placées des grilles en aluminium d'une manière semblable à celle montrée en rapport avec la Figure 3, et les grilles avaient les caractéristiques suivantes: rapport vide/matière 10/1 dimensions des ouvertures des grilles îOxlO mm distance entre la grille et la surface exposée des pastilles 2,6 mm La source d'énergie F.R. reliée aux électrodes-susceptors avait une puissance de sortie d'environ 100 W à une fréquence de 50 kHz. Les conditions du processus de dépôt à l'intérieur de la chambre étaient les suivantes: température 3800C pression 1,333 mb débits des réactifs: SiH4 120 cm3/min N20 5000 cm3/min Dans ces conditions, un dépôt compact de SiO2 d'une épaisseur uniforme a été obtenu à une vitesse d'environ 18 nm / min. En particulier, aucune différence n'a été observée entre les dépôts obtenus sur les pastilles " protégées " par la grille conductrice de l'invention et ceux obtenus sur des pastilles non " protégées ". On a appliqué aux deux lots distincts de pastilles la séquence complète des étapes du procédé de fabrication CMOS et tout en maintenant chaque fois la même distinction entre les deux lots de pastilles, d'un bout à l'autre de la séquence complète des étapes du procédé, on a soumis les pastilles aux traitements de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma. Le rendement obtenu avec les pastilles appartenant au lot de pastilles soumises aux traitements de dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma de la présente invention (c'est-à-dire utilisant l'écran conducteur confinant le plasma), a été nettement plus grand que le rendement observé avec les pastilles appartenant au second lot de pastilles traitées selon l'art antérieur. Quoique l'exemple décrit soit relatif à une situation "d'adaptation au passé", c'est-à-dire l'adoption et la modification selon l'invention d'un matériel existant comme cela a été décrit auparavant, le support des pastilles à revêtir peut aussi être fait d'un matériau essentiellement inerte et non conducteur tel que par exemple l'alumine ou un matériau réfractaire qui soit non conducteur de l'électricité. Dans ce cas, on doit ménager des liaisons électriques appropriées entre les grilles conductrices (électrodes-susceptors) et le pôle.correspondant de la source d'énergie F.R. . Similairement ce sera aussi nécessaire quand l'objet à revêtir par le matériau à déposer désiré ne requiert pas l'emploi d'un quelconque support particulier. En dépit du fait que le procédé de la présente invention ait été décrit en référence à la fabrication des dispositifs semi-conducteurs, par exemple les circuits intégrés CMOS, et que par conséquent les plages de variation des divers paramètres du procédé aient été indiquées en gardant à l'esprit les exigences particulières d'une telle application spécifique, l'invention ne doit pas être limitée à de telles applications particulières, mais elle peut être avantageusement réalisée concrètement par des procédés de dépôt chimique en phase vapeur sur divers substrats et pour de nombreuses autres applications.La technique du dépôt chimique en phase vapeur est en fait utilisée pour constituer des couches ayant une épaisseur extrêmement fine et précisément uniforme et ayant des structures de réseaux exceptionnellement ordonnancés, essentiellement dénuées de porosités et de densité proche de la densité théorique, sur des substrats d'espèces extrêmement variées. Egalement les matériaux qui peuvent être déposés par ce procédé sont variés et comprennent les métaux, particulièrement les métaux réfractaires qui, à cause de leurs caractéristiques chimiques et physiques (fragilité et haut point de fusion ) ne peuvent pas être déposés par les autres méthodes connues comme le procédé électrolytique ou le procédé de la vaporisation sous vide, les oxydes en général, les siliciures, borures, carbures, nitrures, métaux nobles, etc... Par conséquent, les paramètres tels que la température et la pression à l'intérieur de la chambre de dépôt dépendront de la compatibilité du substrat sur lequel le matériau doit être déposé aussi bien que du type de matériau à déposer et peuvent varier même au-delà des limites indiquées pour les types spécifiques d'applications relatives à la fabrication des circuits intégrés. REVENDICATIONS 1. Procédé de dépôt chimique en phase vapeur d'une couche d'un matériau sur la surface d'un objet à revêtir disposé à l'intérieur d'une chambre de dépôt (1) et comportant des réactifs gazeux de ionisation introduits dans la chambre au moyen d'une énergie électromagnétique F.R., appliquée à au moins deux électrodes-s~sceptors (13) et maintenant une région de plasma près de ladite surface à revêtir par ladite.couche,caractérisé par la mise en place d'une grille à mailles-ouvertes (27) en un matériau essentiellement conducteur au-dessus de la surface à revêtir et a une certaine distance de cette dernière;; l'application d'énergie électromagnétique F.R. entre ladite grille et une contre-électrode (13b) suffisante pour maintenir une région de plasma entre ladite grille et ladite contre-électrode en introduisant un mélange gazeux dans la chambre de dépôt et en maintenant une pression et une température constantes à l'intérieur de la chambre; et le dépôt chimique sur la surface dudit objet d'une couche d'épaisseur uniforme d'un matériau ayant une composition désirée à partir de ladite phase gazeuse ionisée à travers les ouvertures de ladite grille. 2. Procédé de dénôt chimique en phase vapeur d'une couche d'un matériau sur la surface d'une pastille (24) d'un matériau semi-conducteur contenant des structures intégrées de dispositifs à semi-conducteurs, comportant la mise en place d'une pastille à revêtir sur la surface d'au moins l'une d'une paire d'électrodes-suseeptors (13) juxtaposées parallèlement auxquelles une énergie F.R. est appliquée,la ionisation des gaz présents dans l'espace confiné entre les surfaces opposées desdites électrodes-susceptors et le maintien dans ledit espace d'une région de plasma entre lesdites surfaces opposées des électrodes sur au moins l'une desquelles est placée la pastille à revêtir sur sa face opposée à ladite région de plasma de sorte que le processus de dépôt est accéléré par la présence de ladite région de plasma près de la face de la pastille à revêtir, caractérisé par les étapes suivantes:: la mise en place d'une grille (27) à mailles ouvertes, en un matériau essentiellement conducteur de l'électricité, au-dessus de la surface à revêtir de ladite pastille et à une certaine distance de cette dernière; la polafisation électrique de ladite grille à un potentiel pratiquement semblable au potentiel de 1'éîectrode-susceptor (13a) sur la surface de laquelle ladite pastille est placée; l'application d'énergie électromagnétique F.R. entre ladite grille et une contre-électrode (13b) suffisante pour maintenir une région de plasma entre ladite grille et ladite contre-électrode en introduisant un mélange gazeux dans la chambre de dépôt et en maintenant une pression et une température constantes à l'intérieur de la chambre; et le dépôt chimique sur la surface de ladite pastille d'une couche d'épaisseur uniforme d'un matériau ayant une composition désirée à partir de ladite phase gazeuse ionisée à travers les ouvertures de ladite grille. 3. Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que ladite grille à mailles ouvertes a des ouvertures de dimensions comprises entre 5 et 20 millimètres et la fréquence de ladite énergie F.R. est plus haute que 5 kHz. 4. Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la température à l'intérieur de la chambre de dépôt est comprise entre 150 et 5000 C. 5. Procédé selon les revendications 1 ou 2, caractérisé en ce que la pression à l'intérieur de la chambre de dépôt est comprise entre 0,06 mb-et 20 mb. 6. Dispositif pour le dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma comportant une chambre à vide (1) à l'intérieur de laquelle des réactifs gazeux sont introduits sous rapport volumétrique, température et pression contrôlés, ladite chambre contenant au moins une grille (27) à mailles ouvertes, en un matériau essentiellement conducteur de l'électricité, placée à proximité et au-dessus d'au moins la surface d'un objet placé à l'inté rieur de ladite chambre pour être revêtu d'un produit qui y est déposé à partir i'une phase vapeur et espacé de ladite surface, et au moins une contre-électrode en face de ladite grille, caractérivé par le fait que: ladite grille et ladite contre-électrode sont reliées aux pôles r-::pectifs d'une source d'énergie électromagnétique F.R.; et l'énergie électromagnétique est transférée au mélange gazeux généra@@ me région de plasma confinée entre les surfaces opposées de lad-- grille et de ladite contre-électrode. 7. Dispositif pour le dépôt chimique en phase vapeur activée par plasma comportant une chambre à vide dans laquelle des réactifs gazeux s:nt introduits sous rapport volumétrique, température et pression ccr-.r8lés, ladite chambre ayant au moins une paire d'électrodes suscep-'.:s (13) reliées à une source extérieure d'énergie F.R., électrodes r;r la surface desquelles des objets sont placés pour être revêtus 'une couche d'un matériau obtenu par la décomposition thermique e-. la réaction desdits composants gazeux introduits dans la chambre ar la création d'une région de plasma entre les surfaces opposée: desdites électrodes, et caractérisé par le fait qu'il comporte une grille (27) à mailles ouvertes en un matériau conducteur placée à une certaine distance de la surface de l'objet à revêtir placé sur la surface d'au moins l'une de ladite paire d'électrodes susceptrs, ladite grille de matériau conducteur étant maintenue à un potentiel pratiquement égal au potentiel de ladite électrode-susceptor sur Laquelle l'objet à revêtir est placé et ladite grille ayant des caractéristiques géométriques aptes à -ontenir ladite région de plasma entre ladite grille et l'autre lectrode de ladite paire. 8. Dispositif selon les revendications 6 ou 7, caractérisé en ce que ladite grille à mailles ouvertes a des ouvertures de dimensions comprises entre 5 et 20 millimètres. 9. Dispositif selon la revendication 7, caractérisé en ce que Desdites électrodes-susceptors sont en graphite et ladite grille est faite d'un matériau essentiellement conducteur appartenant au groupe qui comprend l'aluminium, l'acier, le titane, le zirconium, l'hafnium, les alliages de ces métaux, le graphite, les carbures, les nitrures et les borures de métaux réfractaires et les composés de ceux-ci.