Brevet FR2608839A1 — publié le 19880624

PROCEDE DE REALISATION D'INTERCONNEXIONS ET DE CROISEMENTS EN- TRE NIVEAUX DE METALLISATION D'UN CIRCUIT INTEGRE. L'invention concerne un procédé de réalisation d'interconnexions et de croisements entre niveaux de métalli- sation d'un circuit intégré dans lequel un premier niveau de métallisation d'épaisseur em1 a été réalisé sur un substrat lors d'une séquence initiale au moyen des techniques de gravu- re ou de "lift-off" habituellement utilisées. Un tel circuit intégré comprend un ensemble de com- posants reliés entre eux par des motifs de métallisation. Ces éléments consomment une part importante de la surface du cir- cuit. Ainsi l'accroissement de la densité d'intégration passe par l'emploi de plusieurs niveaux métalliques (typiquement deux à trois) séparés par des couches de matériaux isolants et interconnectés selon un motif précis. L'ensemble des opérations technologiques nécessai- res à la réalisation de telles multicouches (conducteurs-iso- lants) doit permettre un rendement de fabrication élevé et une forte densité d'intégration. Cette dernière fait intervenir deux paramètres significatifs: le pas du motif de métallisa- tion d'un niveau et l'encombrement de l'interconnexion entre deux niveaux. Le premier est fixé par la technique de défini- tion du niveau métallique (gravure ou "lift-off"). Le second dépend de la technique d'interconnexion et apparaît limitatif selon l'état de l'art. Deux techniques majeures d'interconnexion sont ac- tuellement utilisées: la technique des trous et celle des pi- liers. Le procédé de réalisation selon la technique des trous d'interconnexion fait intervenir trois photolithogra- phies lors des étapes de la séquence technologique: la pre- mière pour la définition du premier niveau métallique, la deu- - 2 - xième pour la gravure des trous d'interconnexion et la troi- sième pour la définition du second niveau métallique. Les contraintes imposées par cette technique sont les suivantes: - Le profil du trou gravé dans le diélectrique doit être à pente contrôlée pour éviter les problèmes de couverture de marches (amincissement ou discontinuité du deuxième ni- veau). Une méthode adaptée de la technique des nespaceurs", peut être utilisée pour obtenir des profils "doux". La réso- lution de l'étape de gravure des trous est améliorée par l'emploi de la gravure ionique réactive (procédé anisotrope) et la mise en oeuvre de techniques spécifiques pour contrô- ler le profil. - L'encombrement de l'interconnexion (niveau de masques emboî- tés pour éviter les défauts de métallisation et d'aligne- ment) prend en compte le biais du procédé de gravure et les tolérances de positionnement. - Le diélectrique couramment utilisé est de la sili- ce. Les mêmes considérations s'appliquent à d'autres types d'isolants. Dans la technique dite des piliers d'interconne- xion, un pilier métallique est réalisé à l'endroit d'une in- terconnexion entre les deux niveaux de métallisation. Le procédé de réalisation selon cette technique né- cessite également trois photolithographies, la première lors de la définition du premier niveau métallique sous la forme d'une structure multicouche (conducteur-couche métallique d'arrêt de gravure-conducteur), la deuxième lors de la défini- tion du pilier métallique au moyen d'une gravure jusqu'à la couche d'arrêt et la troisième lors de la définition du second niveau métallique après dépôt du diélectrique d'isolement en- tre niveaux et planarisation de ce diélectrique par l'emploi d'une couche sacrifiée jusqu'à déboucher sur les piliers. Dans une variante de ce procédé constituant l'art antérieur le plus proche (brevet américain 4 541 169), la dé- - 3 - finition du premier niveau métallique est effectuée au moyen d'une couche métallique simple et la définition des piliers est obtenue par 'lift-off. La technique des piliers définis par gravure permet de diminuer l'encombrement de l'interconnexion: seules sub- sistent les tolérances de positionnement. Elle présente l'avantage de conduire à une structure plane composite métal- isolant et elle permet de plus un autoalignement partiel du pilier dans une direction sur le premier niveau. Mais la né- cessité d'utiliser des plasmas chlorés pour la gravure du mé- tal constitue un risque reconnu de contamination et de corro- sion. L'invention vise à réduire encore davantage l'en- combrement de l'interconnexion afin d'obtenir une meilleure densité d'intégration. Dans le procédé proposé, aucune étape photolithographique spécifique n'est nécessaire à la réalisa- tion des interconnexions entre niveaux de métallisation. Le quasi autoalignement des interconnexions constitue la diffé- rence fondamentale vis à vis des techniques couramment utili- sées (gravure des trous au niveau des interconnexions, 'lift- off" ou gravure des piliers métalliques) pour la réalisation de circuits intégrés à plusieurs niveaux de métallisation. Le procédé de l'invention est remarquable en ce qu'à la suite de ladite séquence initiale a, aboutissant à l'obtention dudit premier niveau de métallisation, l'inversion de relief au niveau d'une interconnexion est obtenue par dépôt isotrope, planarisation au moyen d'une couche sacrifiée et gravure anisotrope et sélective par rapport à ladite couche sacrifiée selon les étapes ultérieures suivantes: b - Dépôt d'une première couche isolante d'épaisseur eil cons- tituant l'isolement entre ledit niveau de métallisation et le niveau de métallisation immédiatement supérieur. c - Dépôt d'une deuxième couche isolante d'épaisseur ei2 cons- tituant un masque fantôme qui permettra d'assurer l'isole- ment par ladite première couche aux niveaux des croisse- ments des métallisations. d - Gravure du motif d'isolement de ladite deuxième couche isolante, sélectivement vis à vis de la première couche. e - Planarisation de la structure ainsi obtenue par emploi d'une couche sacrifiée selon l'art de cette technique. f - Gravure de ladite couche sacrifiée jusqu'au niveau de la deuxième couche isolante. g - Gravure de la structure ainsi obtenue de sorte que les vi- tesses de gravures respectives R1, R2 et R5 desdites pre- mière couche, deuxième couche et couche sacrifiée, permet- tent de déboucher sur le premier niveau de métallisation, en même temps que ladite deuxième couche isolante d'épais- seur ei2 est partiellement ou entièrement gravée sur la surface de ladite structure, le relief dudit premier ni- veau de métallisation et l'inversion de relief aux empla- cements des interconnexions résultant d'une gravure sélec- tive première couche isolante/couche sacrifiée, assurant l'autoalignement de la gravure de ladite première couche isolante sur le premier niveau de métallisation sans étape photolithographique spécifique. h - Réalisation dudit niveau de métallisation immédiatement supérieur au moyen d'une technique classique. i - Répétition des étapes de b à h pour chacun des niveaux de métallisation suivants. Si ledit premier niveau de métallisation comporte des éléments d'épaisseurs différentes, eml et e'ml par exemple (e'ml g les étapes supplémentaires suivantes, les étapes h et i res- tant inchangées: g' - Dépôt d'une troisième couche isolante sur la structure en relief obtenue à l'issue de l'étape g pour laquelle le niveau de métallisation d'épaisseur eml est atteint. g - Gravure du motif d'isolement de ladite troisième couche sélectivement vis à vis de la première couche. g'"- Gravure de la structure ainsi obtenue de sorte que les vitesses de gravure respectives R1 et R3 desdites premiè- - 5 - re et troisième couches isolantes permettent de déboucher sur les éléments de métallisation de plus petite épais- seur e'ml en même temps que l'épaisseur de la troisième couche isolante est entièrement gravée sur les surfaces planes de ladite structure et partiellement gravée avec une épaisseur croissant de haut en bas sur les parois des trous au-dessus des éléments métalliques de plus grande épaisseur em1 (technique dite des 'espaceurs'). La première couche isolante peut être simple (sili- ce par exemple) ou multicouches (nitrure de silicium/silice par exemple). Les dépôts de cette couche et des autres couches successives sont isotropes et formés entre autres par action chimique en phase vapeur (CVD ou PECVD). La gravure sélective d'une couche isolante vis à vis d'une autre peut être obtenue au moyen d'une gravure ioni- que (RIE fluorès-oxygène). La couche sacrifiée est constituée par une résine ou un polyimide. Les conditions de gravure sont données par des re- lations entre les diverses épaisseurs métalliques et d'isole- ment d'une part et les vitesses de gravure correspondantes dans les divers matériaux diélectriques d'isolement d'autre part. Le choix d'une épaisseur ei2 suffisante permet de conserver une bicouche de diélectriques d'isolement, ce qui améliore la fiabilité et le rendement du circuit intégré. La description suivante en regard des dessins anne- xés, le tout donné à titre d'exemple fera bien comprendre com- ment l'invention peut être réalisée. La figure 1 définit les grandeurs d'encombrement relatives aux métallisations et interconnexions. La figure 2 définit les paramètres associés à l'en- combrement d'une interconnexion. La figure 3 représente schématiquement la séquence technologique de la réalisation d'une interconnexion et d'un - 6 - croisement entre deux niveaux métalliques d'un circuit intégré selon le procédé conforme & l'invention. La figure 4 montre sur quelques motifs de métalli- sation la comparaison des capacités d'intégration selon l'art antérieur et selon le procédé de l'invention pour des inter- connexions et croisements entre deux niveaux métalliques. Les signes de référence correspondant à un même élément sont identiques sur les différentes figures. Sur la figure 1, on a représenté en vue de dessus et disposés côte à côte deux motifs d'interconnexion 3-3' en- tre les niveaux métalliques supérieur 2 et inférieur 1. Le pas de métallisation d'un niveau est la distance m entre bords correspondants d'une bande métallique à l'autre. L'encombrement de l'interconnexion est défini de la même façon par la distance v entre deux bords correspondants d'un motif au suivant. La figure 2 montre par exemple une vue agrandie du motif d'interconnexion 3 représenté sur la figure précédente. L'encombrement de ce motif défini par les niveaux de masque emboîtés pour éviter les défauts de métallisation et d'aligne- ment prend en compte le biais du procédé de gravure B et la tolérance de positionnement P. Sur la figure 2, a et b sont les distances respectives d'un bord du trou d'interconnexion 4 aux bords desdits masques. Dans la technique des trous on a les relations a = P et b = B + P. Dans la technique des piliers définis par gravure qui permet un plus faible encombrement que la précédente, on a la rela- tion a = b = P. La séquence technologique du procédé de l'invention est représentée schématiquement sur la figure 3. Lors d'une étape préliminaire schématisée en a, un premier niveau de métallisation a été obtenu sur un substrat S au moyen d'une technique connue (gravure ou "lift-off"). Deux bandes contiguës de cette métallisation A et B d'épaisseur emi - 7 - sont vues en coupe transversale suivant le plan de la figure. On se propose de former entre ce premier niveau de métallisa- tion et le niveau immédiatement supérieur, une interconnexion sur la bande A et un croisement au-dessus de la bande B, con- formément au procédé de l'invention, en suivant l'ordre des étapes schématisées de b & h. Etape b: dépôt d'une première couche isolante simple (silice) ou multicouches (nitrure de silicium/silice) d'épaisseur eil. Cette première couche constituera l'isolement entre métallisations. Etape c: dépôt d'une deuxième couche isolante de plus faible épaisseur ei2 qui permettra d'assurer l'isolement par la première couche au niveau du croisement. Les dépôts ainsi formés sont isotropes et obtenus par action chimique en phase vapeur (CVD ou PECVD). Etape d: définition lithographique d'un motif d'isolement et gravure sélective suivant ce motif, de la deuxième cou- che vis à vis de la première. Etape e: planarisation de la structure ainsi obtenue par em- ploi d'une couche sacrifiée CS de résine ou polyimide. Etape f: gravure de cette couche sacrifiée jusqu'à déboucher sur la deuxième couche isolante. Etape g: gravure de la structure ainsi obtenue de sorte que les vitesses de gravure respectives R1, R2, RS des cou- ches isolantes d'épaisseurs eil et ei2 et de]a couche sacrifiée permettent de déboucher sur la bande métalli- que A en même temps que la couche isolante d'épaisseur ei2z est partiellement ou entièrement gravée sur la sur- face plane au-dessus de la bande métallique B. Les gravures ci-dessus sont effectuées par exemple selon une méthode ionique (RIE fluorès-oxygène). Les conditions de gravure sont données par exemple par les relations suivantes entre les vitesses de gravure et les épaisseurs des diélectriques: - 8 - - Au niveau de l'interconnexion: R eil RS etj R1 Ri eil-eml - Au niveau du croisement: - - > i R2 RS- ei2 Etape h: formation par une technique classique de la métalli- sation de niveau immédiatement supérieur, d'épaisseur e.2, de façon à réaliser l'interconnexion et le croise- ment spécifié entre les deux niveaux. Le caractère autoaligné de la gravure de la premiè- re couche d'isolement sur le premier niveau de métallisation provient du relief de celui-ci et de l'inversion dudit relief par gravure sélective. L'étape photolithographique se trouve ainsi éliminée. Le remplacement de la définition des points d'in- terconnexion (trous ou piliers) par la définition de zones isolées permet un gain notoire en densité d'intégration. Ces zones peuvent en effet être regroupées et le motif résultant, bien moins critique, ne fixe pas de contraintes de dessin. La figure 4 permet de comparer les capacités d'in- tégration selon l'art antérieur (en al et b1), et selon la technique quasi autoalignée de l'invention (en a2 et b2) pour des croisements (en al et a2) et des interconnexions (en b1 et b2) entre deux niveaux 1 et 2 représentés en vue de dessus. Sur le schéma a2 de la figure, le masque 'fantôme' d'isolement est indiqué en pointillés. Le pas des niveaux de métallisation m reste celui de l'art antérieur, c'est-à-dire m = 2 pum, soit un espacement de 1 pum entre bandes métalliques. L'encombrement de l'interconnexion v est de 3 pum, soit par exemple, un trou de 1 pm, une tolérance de 0,5 pm et un espacement de 1 pm. Il apparait d'après la comparaison des schémas b1 et b2 de la figure 6 que le motif d'interconnexion réalisé se- lon le procédé de l'invention permet un gain de 20 % sur la surface occupée par le motif de l'art antérieur. Cette réduc- tion de l'encombrement dépend du motif et des règles de dessin disponibles. Elle est, en particulier, d'autant plus importan- te que les tolérances d'alignement sont grandes. Le chiffre précédent constitue donc un minimum, compte tenu du choix de règles à la limite des possibilités actuelles pour l'exemple choisi. La technique d'interconnexion selon l'invention permet donc d'augmenter la densité d'intégration. Par ail- leurs, le diélectrique bicouche obtenu lorsque l'épaisseur de la deuxième couche ei2 est suffisante, va dans le sens de l'amélioration du rendement et de la fiabilité. Lorsque les épaisseurs de métallisations du premier niveau sont différentes, l'emploi de la technique des 'espa- ceurs" (dépôt d'un diélectrique sur le relief obtenu à l'issue de l'étape technologique g, suivi de la gravure de ce diélec- trique) conduit à la structure indiquée en pointillés sur le schéma g de la figure 3. Deux avantages importants en décou- lent: un meilleur contrôle du passage de marche et la possi- bilité de déboucher simultanément sur des motifs de premier niveau de métallisation situés à des altitudes différentes. L' espaceur" peut être choisi tel qu'il soit juste qravé lors de la surgravure permettant de déboucher sur le motif d'altitude la plus basse. - 10 - REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'interconnexions et de croisements entre niveaux de métallisation d'un circuit inté- gré dans lequel un premier niveau de métallisation d'épaisseur emil a été formé sur un substrat lors d'une séquence initiale a au moyen des techniques de gravure ou de lift-off' habi- tuellement utilisées, caractérisé en ce que l'inversion de re- lief au niveau d'une interconnexion est obtenue par dépôt iso- trope, planarisation au moyen d'une couche sacrifiée et gravu- re anisotrope et sélective par rapport A ladite couche sacri- fiée selon les étapes ultérieures suivantes: b - dépôt d'une première couche isolante d'épaisseur eil cons- tituant l'isolement entre ledit niveau de métallisation et le niveau de métallisation immédiatement supérieur, c - dépôt d'une deuxième couche isolante d'épaisseur ei2 cons- tituant un masque fantôme qui permettra d'assurer l'isole- ment par ladite première couche aux niveaux des croisse- ments des métallisations, d - gravure du motif d'isolement de ladite deuxième couche isolante, sélectivement vis à vis de la première couche, e - planarisation de la structure ainsi obtenue par emploi d'une couche sacrifiée selon l'art de cette technique, f - gravure de ladite couche sacrifiée jusqu'au niveau de la deuxième couche isolante, g - gravure de la structure ainsi obtenue de sorte que les vi- tesses de gravures respectives RI, R2 et RS desdites pre- mière couche, deuxième couche et couche sacrifiée, permet- tent de déboucher sur le premier niveau de métallisation, en même temps que ladite deuxième couche isolante d'épais- seur ei2 est partiellement ou entièrement gravée sur la surface de ladite structure,le relief dudit premier niveau de métallisation et l'inversion de relief aux emplacements des interconnexions résultant d'une gravure sélective pre- mière couche isolante/couche sacrifiée, assurant l'autoa- lignement de la gravure de ladite première couche isolante Z608839 -tl - sur le premier niveau de métallisation sans étape photoli- thographique spécifique, h - réalisation dudit niveau de métallisation immédiatement supérieur au moyen d'une tech.ique classique, i - répétition des étapes de b à h pour chacun des niveaux de métallisation suivants. 2. Procédé selon la revendication 1, dans lequel ledit premier niveau de métallisation comporte des éléments d'épais- seurs différentes, em1 et e'm par exemple (e'ml( térisé en ce qu'il comporte à la suite de l'étape technologi- que g, les étapes supplémentaires suivantes, les étapes h et i restant inchangées: g' - dépôt d'une troisième couche isolante sur la structure en relief obtenue à l'issue de l'étape g pour laquelle le niveau de métallisation d'épaisseur e,1 est atteint, g" - gravure suivant un motif d'isolement, de ladite troisième couche sélectivement vis à vis de la première couche, g'"- gravure de la structure ainsi obtenue de sorte que les vitesses de gravure respectives R1 et R3 desdites premiè- re et troisième couches isolantes permettent de déboucher sur les éléments de métallisation de plus petite épais- seur e'ml en même temps que l'épaisseur de la troisième couche isolante est entièrement gravée sur les surfaces planes de ladite structure et partiellement gravée avec une épaisseur croissant de haut en bas sur les parois des trous au-dessus des éléments métalliques de plus grande épaisseur eml (technique dite des "espaceurs'). 3. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que ladite première couche isolante peut être simple (silice par exemple) ou multicouches (nitrure de sili- cium/silice par exemple). 4. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que lesdits dépôts de couches isolantes sont isotropes et obtenus par exemple par action chimique en phase vapeur (CVD ou PECVD). - 12 - 5. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que la gravure sélective d'une couche isolante vis à vis d'une autre est obtenue par exemple au moyen d'une gravure ionique (RIE fluorès-oxygène). 6. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que ladite couche sacrifiée est constituée par exemple par une résine ou un polyimide. 7. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que les conditions de gravure sont données par des relations entre les diverses épaisseurs métalliques et d'isolement d'une part et les vitesses de gravure correspon- dantes dans les divers matériaux diélectriques d'isolement d'autre part. 8. Procédé selon l'une des revendications 1 ou 2, ca- ractérisé en ce que le choix d'une épaisseur ei2 suffisante permet de conserver une bicouche de diélectriques d'isolement, ce qui améliore la fiabilité et le rendement du circuit inté- gré.