Brevet FR2602927A1 — publié le 19880219

Oscillateur de radar de détection de mouvement, stabilisé par rapport a la température. Les radarsdétecteurs de mouvement à effet Doppler connus jusqu'à présent, comprennent généralement une plaquette support en matière isolante portant sur une face, sous forme de circuit imprimé, un oscillateur constitué par un circuit oscillant monté dans les circuitsbase et émetteur d'un transistor hyperfréquence fonctionnant à une fréquence voisine de 2.450 NHz. Le schéma équivalent d'un tel oscillateur est représenté par la figure 1 ci-jointe. L'oscillateur 10 comprend deux inductances S1 et S2 montées respectivement dans l'émetteur et la base d'un transistor hyperfréquence 11. La tension alternative de sortie de l'oscillateur est communiquée à une résistance R1 montée dans le collecteur du transistor T1 et reliée à la borne positive générale. L'inductance Si est mise à la masse par l'intermédiaire d'une résistance variable P1. De même, l'inductance S2 est reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance R2 et d'une diode li et à la borne positive générale par l'intermédiaire d'une résistance R3. En l'absence de mouvement dans la zone surveillée par le radar, la tension aux bornes de la résistance R1 est stable, mais en présence d'un mouvement, cette tension varie. La variation de tension aux bornes de R1 est appliquée à l'entrée négative d'une chaîne de traitement par l'intermédiaire d'une capacité de liaison C1 et d'une résistance R4. Bien que fonctionnant correctement lorsque la température ambiante reste modérée, un tel oscillateur connaît une forte variation de la polarisation de son transistor hyperfréquence lorsque que la température augmente. En effet, le potentiel baseémetteur VBE dérive fortement avec les variations de température. D'autre part, le potentiel au point de jonction A des résistances R2, R3 et de l'inductance S2 dérive différemment du potentiel VBE. Ainsi, le courant délivré par le transistor croit pour les températures élevées et diminue fortement pour les basses températures. Le système devient même inutilisable lorsque la température est supérieure à 600 C. La présente invention vise à remédier à cet inconvénient en compensant la dérive du potentiel VBE avec les variations de température. A cet effet, on intègre à la place de la diode, la jonction base-émetteur d'un second transistor hyperfréquence et l'on ajoute une diode dans le pont de base constitué par les résistances qui sont reliées à la borne positive. Un mode de réalisation sera décrit à présent en regard de la figure 2 annexée.-tes éléments de la figure 2 identiques à ceux de la figure 1 porteront les mêmes références numériques. L'oscillateur 10 comprend un circuit oscillant formé de deux inductances S1 et S2 montées respectivement dans l'émet- teur et la base d'un transistor hyperfréquence T1. Le collecteur de ce dernier est relié à la borne positive générale par l'intermédiaire d'une première résistance R1. La variation de tension aux bornes de cette dernière est appliquée à une chaîne de traitement, non représentée, par l'intermédiaire d'une capacité C et d'une résistance R L'inductance Si est reliée à la masse par l'intermédiiire d'une résistance variable P1. Selon l'invention, l?inductance S2 est reliée d'une part, à la masse par l'intermédiaire d'une seconde résistance R2, en série avec la jonction base-émetteur d'un transistor hyperfré guence T2 et,d'autre part, à la borne positive par l'intermédiai- re d'une troisième résistance R3 et d'une diode 12. Le transistor T2 est de préférence indentique au transistor T1. La dérive de la jonction D2 du pont de base formé par les résistances R1 et R3 est à peu près identique à celle de la jonction base-collecteur du transistor T1 de l'oscillateur. On obtient donc un oscillateur dont les dérives sont pratiquement compensées pour les températures supérieures on inférieures a la température nominale. REVENDICATIONS 1.- Oscillateur de radar de détection de mouvement, dont le signal est stabilisé par rapport aux variations de température, du type formé de deux inductances (S1, S2) montées respecti- vement dans l'émetteur et la base d'un transistor hyperfréquence (T1) dont le collecteur est relié à la borne positive générale par l'intermédiaire d'une première résistance (R1), la première de deces inductances étant reliée à la masse par l'intermédiaire d'une résistance variable (P1), tandis que l'autre inductance est estreliée, d'une part,à la masse par l'intermédiaire d'une seconde résistance (R2) et, d'autre part,à la borne positive par l'intermédiaire d'une troisième résistance (R3), ledit oscillateur étant caractérisé en ce que la jonction base-émetteur d'un second transistor hyperfréquence (T2) est montée en série avec la seconde résistance (R2) et en ce qu'une diode (D2) est montée dans le pont formé par les première et troisième résistances. 2.- Oscillateur selon la revendication 1, caractérisé en ce que le second transistor (T2) est identique au premier transistor (T1)-