Brevet FR2604822A1 — publié le 19880408

i La présente invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une résistance et plus particulièrement d'une résistance dure au rayonnement. Des circuits durcis par rayonnement peuvent nécessiter des résistances dures au rayonnement de valeur importante, comme 100 000 ohms, pour empêcher la décharge de noeuds choisis pendant des transitoires de rayonnement. Afin de produire une résistance dure au rayonnement, il faut un haut niveau de dopage de manière que les porteurs induits par le rayonnement soient en un nombre relativement petit en comparaison aux porteurs normalement existants. Ainsi, la valeur de la résistance ne change pas de manière significative pendant les transitoires de rayonnement. Cependant, un niveau élevé de dopage dans un matériau résistif tel qu'un silicium polycristallin (p-Si) a pour résultat une faible valeur de résistivité, telle que 2 ohms/carré lors d'une utilisation avec une épaisseur de p-Si de 500-600 nm, ce qui est une épaisseur typique pour des électrodes de porte de p-Si et interconnexions de circuit. Par conséquent, une couche plus mince de p-Si doit être utilisée pour obtenir la haute résistivité requise, telle que 104 ohms/carré. La surface de la résistance ne peut être masquée lorsque l'on dépose les électrodes de porte relativement épaisses en p-Si et les interconnexions car les hautes températures requises de dépôt détruiront le masque. Il est par conséquent souhaitable d'avoir un procédé de formation d'une résistance dure au rayonnement d'une valeur relativement élevée. Un procédé de formation d'une résistance sur un substrat, selon l'invention, consiste à former une couche conductrice d'une première épaisseur sur ledit substrat, à enlever ladite couche d'une zone choisie dudit substrat et à former une portion de résistance dans ladite zone d'une seconde épaisseur, plus faible que ladite première épaisseur. L'invention sera mieux comprise, et d'autres buts, caractéristiques, détails et avantages de celle-ci apparaîtront plus clairement au cours de la description explicative qui va suivre faite en référence aux dessins schématiques annexés donnés uniquement à titre d'exemple illustrant un mode de réalisation de l'invention, et dans lesquels: - la figure 1 montre une vue en coupe transversale d'une résistance faite selon le procédé de l'invention; et - les figures 2 à 4 montrent la résistance de la figure 1 pendant les étapes séquentielles de fabrication. Sur la figure 1, un substrat 10 est recouvert d'une couche formant barrière 12. La couche 12 forme une barrière en direction verticale, aux courants induits par un rayonnement. En particulier, la couche 12 ne produit pas de courants induits par rayonnement du fait de sa minceur. La couche formant barrière 12 est recouverte d'une couche conductrice 14 ayant des portions très conductrices 16 et 18 et une portion de résistance 20 entre elles. Dans un mode de réalisation particulier, la portion de résistance 20 a une longueur de 8 microns et une largeur (la direction perpendiculaire au dessin) de 3 microns. - Le substrat 10 peut comprendre un isolant tel que A1203, SiO2 ou du spinelle. Si la portion de résistance 20 est utilisée dans une structure non-SOI (silicium-sur-isolant), alors le substrat 10 peut se composer d'un semi-conducteur peu coûteux tel que du silicium en masse (Si). La couche formant barrière 12 peut comprendre un isolant tel qu'un oxyde de silicium ayant une épaisseur maximale d'environ 300 nm. Si la couche formant barrière 12 est trop mince, ce sera une barrière moins efficace aux photocourants du fait du percement des porteurs, tandis que si elle est trop épaisse, elle devient une source de photoporteurs. Une épaisseur d'environ 100 nm fonctionne bien. La couche formant barrière 12 peut également se composer d'un matériau qui est différent du substrat 10 et de la couche 14 et a une plus grande largeur de bande que chacun d'entre eux. La couche conductrice 14 peut se composer de p-Si. Sur la figure 2, la couche formant barrière 12 est déposée sur la couche 10 par la réaction thermique de SiH4 et 02 à 450 C à la pression d'un bar. Alors, la couche conductrice 14 est déposée à une première épaisseur comprise entre environ 500 et 600 nm en utilisant un dép8t de vapeur chimique (CVD) de SiH à 560 C. Cette couche sera en Si amorphe (a-Si), qui est alors dopé de P à une température d'environ 870 C jusqu'à une densité comprise entre environ 1020 et 1021 cm 3. Cela convertitla couche 14 de a-Si à p-Si. Alternativement, on peut utiliser une implantation d'ions ou un dopage in situ en utilisant PH3. Comme le montre la figure 3, la couche conductrice 14 est alors attaquée anisotropiquement au plasma en utilisant un premier masque (non représenté). L'attaque a pour résultat la formation des côtés en pente 16a et 18a des portions 16 et 18 respectivement et l'enlèvement complet de p-Si entre elles, pour ainsi définir la longueur de la portion de résistance 20. On pense que les c8tés en pente 16a et 18a aident à empêcher un circuit ouvert de se former entre les portions 16 et 18 et la portion de résistance 20. Ensuite, un matériau de a-Si pour la portion de résistance 20 est déposé (figure 4) en utilisant SiH4 à 560 C jusqu'à une seconde épaisseur maximale d'environ nm. Dans un mode de réalisation particulier, on a utilisé une épaisseur d'environ 75 nm. Comme cela est indiqué par les flèches 24, les portions 16, 18 et 20 sont dopées par implantation d'ions au moyen d'un dopant du type N tel que P. Une énergie de 25 kiloélectrons- volts et une densité de surface de 5 x 1014 ions/cm2 étaient utilisées pour obtenir un niveau de dopage d'environ 1019 cm 3. Comme ce niveau est faible en comparaison aux niveaux de dopage des portions 16 et 18, il n'a essentiellement aucun effet sur elles. Alors une attaque anisotropique au plasma est effectuée pour définir latéralement les portions 16,18 et 20 en utilisant un second masque (non représenté) ayant une ouverture d'une plus petite largeur que le premier masque. Cela empêche la portion de résistance 20 d'être mise en court circuit par le restant de la couche 14 du fait d'un défaut d'alignement entre les premier et second masques. Le second masque peut être le même masque que celui utilisé pour définir les électrodes de porte et les interconnexions d'un circuit. Ensuite, une étape de réoxydation est utilisée pour améliorer l'intégrité de l'oxyde de porte (non représenté). Cela active les implants, convertit a-Si en p- Si et rend la portion de résistance 20 plus mince, élevant ainsi sa valeur. Les étapes restantes pour terminer un circuit intégré sont conventionnelles. l'oxyde est déposé par CVD de SiH dans une atmosphère de 02 Un verre au borophosphosilicate est déposé à 850 C. Des trous de contact sont attaqués puis la métallisation est effectuée. R E V E N D I C A T I 0 N S REVENDICATIONS 1. Procédé de formation d'une résistance sur un substrat, caractérisé en ce qu'il consiste à: -former une couche conductrice (14) d'une première épaisseur, sur ledit substrat (10); -enlever ladite couche d'une zone choisie dudit substrat; et -former une portion de résistance (20) dans ladite zone, d'une seconde épaisseur plus faible que ladite première épaisseur. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'il consiste de plus à former un couche formant barrière (12) entre le substrat et la couche conductrice. 3. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche formant barrière (12) comprend de l'oxyde de silicium. 4. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche formant barrière (12) comprend un matériau ayant un plus grande largeur de bande que la couche conductrice et que le substrat. 5. Procédé selon la revendication 2, caractérisé en ce que la couche formant barrière (12) a une épaisseur maximale d'environ 300 nm. 6. Procédé selon la revendication 5, caractérisé en ce que la couche formant barrière (12) a une épaisseur d'environ 100 nm. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (10) précité se compose de A1203. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le substrat (10) précité se compose de Si. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la couche conductrice (14) précitée se compose de p-Si. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que chacune des étapes de formation précitées consiste à déposer et à doper la couche conductrice (14) et la portion de résistance (20) respectivement. 11. Procédé selon la revendication 10, caractérisé en ce que la couche conductrice comprend des portions conductrices (16,18) ayant un niveau de dopage compris entre environ 1020 et 1021 cm-3 et la portion de résistance (20) a une niveau de dopage d'environ 19 -3 1019 cm 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'étape précitée d'enlèvement comprend une attaque. 13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que l'étape précitée d'attaque comprend une attaque au plasma isotropique. 14. Procédé selon la revendication 11, caractérisé en ce que l'étape précitée de formation d'une résistance consiste à déposer un matériau pour la portion de résistance (20) et à attaquer ledit matériau. 15. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la première épaisseur précitée est d'environ 500 à 600 nm et la seconde épaisseur est d'environ 75 nm.