Brevet FR2604298A1 — publié le 19880325

PROCEDE DE REALISATION D'UNE PRISE DE CONTACT ELECTRIQUE SUR UN SUBSTRAT EN HgCdTe DE CONDUCTIVITE P ET APPLICATION A LA FABRICATION D'UNE DIODE N/P DESCRIPTION La présente invention concerne un procédé de réalisation d'une prise de contact électrique sur un substrat en HgCdTe de conductivité P ainsi qu'une application de ce procédé à la fabrication d'une diode N/P. L'invention s'applique à tous les dispositifs utilisant une prise de contact sur un substrat en HgCdTe de conductivité P, et notamment aux détecteurs infrarouges utilisant des photodiodes N/P. L'invention concerne notamment la réalisation de prises de contact sur un substrat en HgCdTe épitaxié sur un substrat isolant. En effet, dans cette configuration, la surface du substrat sur laquelle les prises de contact peuvent être réalisées est réduite à la face avant du substrat, dans une région de conductivité P; les prises de contact sont de ce fait de faibles dimensions, et doivent donc être réalisées suivant des procédés d'intégration de la micro-électronique. Mais bien entendu, l'invention s'applique aussi à la réalisation de prises de contact sur un substrat en HgCdTe massif. De façon connue, pour réaliser une prise de contact électrique sur un substrat, on dépose préalablement une couche isolante sur la face du substrat o La prise de contact doit être réalisée. Cette couche isolante est gravée à travers un masque, par exemple en résine photosensible, par une solution chimique de façon à réaliser une ouverture sur toute l'épaisseur de la couche isolante. Un matériau conducteur est ensuite déposé dans l'ouverture effectuée dans la couche isolante pour réaliser une prise de contact électrique sur le substrat. Avec ce procédé, la pente de la gravure réalisée dans la couche isolante dépend de la texture et de la rugosité du matériau constituant La couche isolante ainsi que de La composition de La solution chimique. De ce fait, La pente de L'ouverture réaLisée dans la couche isolante est généralement abrupte. Aussi, Le matériau conducteur déposé dans cette ouverture peut recouvrir de façon discontinue La paroi de L'ouverture et La partie du substrat en regard de l'ouverture, réalisant ainsi un circuit ouvert avec Le substrat en HgCdTe. La prise de contact sur Le substrat est encore plus délicate lorsque La couche isolante est constituée de sous- couches par exemple du type: SiO2-Si3N4, ou SiO2-ZnS ou encore CdTe-ZnS. En effet, ces matériaux ne présentent pas la mime vitesse de gravure et de ce fait, il y a toujours un des matériaux utilisés pour réaliser la couche isolante qui présente une gravure plus importante que l'autre, conduisant à une ouverture, de pente discontinue. L'invention a pour but de remédier à ces inconvénients en réalisant une gravure par bombardement ionique de La couche isolante; ce bombardement ionique permet à la fois de graver les matériaux couramment utilisés pour la réalisation de la couche isolante et de contr8Ler la pente de l'ouverture réalisée dans la couche isolante. Cependant, lorsqu'un bombardement ionique atteint un substrat en HgCdTe de conductivité P, la conductivité d'une partie du substrat, affectée par ce bombardement voit sa conductivité P diminuer, sa conductivité pouvant devenir de type N. L'inversion de conductivité d'une partie d'un substrat en HgCdTe de conductivité P par un bombardement ionique est décrit dans le brevet US-A-4 411 732; cette inversion conduit à la réalisation d'une jonction N/P sensible notamment aux rayonnements infrarouges. Un contact électrique réalisé sur la partie du substrat affectée par Le bombardement ionique n'est pas de caractère ohmique et it est générateur de bruit. L'invention a donc également pour but de ramener La conductivité de la partie du substrat affectée par Le bombardement ionique au moins à sa valeur initiale, et de réaliser un contact électrique sur cette partie P du substrat guérie, ce contact étant de caractère ohmique et étant moins générateur de bruit. L'invention a par ailleurs pour but d'appLiquer Le procédé de réalisation d'une prise de contact sur un substrat en HgCdTe de conductivité P à la fabrication d'une diode N/P. De façon plus précise, l'invention a pour objet un procédé de réalisation d'une prise de contact électrique sur un substrat en HgCdTe de conductivité P, caractérisé en ce que: - on dépose une couche isolante sur ledit substrat, - on grave par un bombardement ionique la couche isolante sur toute son épaisseur de façon à réaliser une ouverture dans la couche isolante, - on effectue un traitement thermique du substrat recouvert par la couche isolante, de façon à pallier au moins La baisse de conductivité P induite par le bombardement ionique dans une partie du substrat en regard de l'ouverture réalisée dans la couche isolante, - on dépose une couche conductrice dans l'ouverture réalisée dans la couche isolante pour réaliser une prise de contact électrique avec la partie du substrat en regard de ladite ouverture. On entend par gravure par bombardement ionique aussi bien une gravure par plasma de type planaire, assisté par un bombardement ionique qu'une gravure par faisceau d'ions réactifs ou non. Un bombardement ionique présente une énergie de l'ordre de 50 eV à 1000 eV. La gravure de la couche isolante par bombardement ionique permet d'obtenir une ouverture de pente Linéaire, non abrupte, sur toute l'épaisseur de la couche. Par ailLeurs, lorsque le bombardement ionique atteint la partie du substrat en regard de l'ouverture réalisée dans la couche isolante, cette partie du substrat voit sa conductivité P diminuer. La profondeur de ladite partie du substrat affectée par le bombardement ionique est bien supérieure à la profondeur de pénétration des ions et elle dépend du temps pendant lequel le substrat a été bombardé. Ainsi, pour un substrat bombardé pendant 2 minutes, La profondeur de La partie du substrat pour laquelle La conductivité P a diminué est de L'ordre de 15 ". La conductivité P du substrat est due à un taux d'accepteurs autrement dit de Lacunes de mercure dans Le substrat, supérieur au taux de donneurs résiduels, teLs que des défauts ou des impuretés chimiques inhérents au substrat. Lorsque Le substrat est bombardé par des ions, La conductivité P de La partie du substrat affectée par ce bombardement diminue. En effet, le bombardement ionique engendre des défauts cristallins, autrement dit, des donneurs qui s'ajoutent aux donneurs résiduels et qui accentuent le caractère N de la partie du substrat affectée par Le bombardement en augmentant son taux de donneurs. Par ailleurs, il semblerait que ce bombardement ionique entraîne une diffusion de mercure dans cette partie du substrat, conduisant à une baisse du taux de lacunes de mercure dans ladite partie. Lorsque le taux d'accepteurs présents dans la partie du substrat affectée est supérieur au taux de donneurs, la conductivité de cette partie du substrat reste du type P; en revanche, lorsque le taux d'accepteurs est inférieur au taux de donneurs, La conductivité de la partie affectée est de type N. Les défauts cristallins générés par le bombardement ionique commence à disparaître à une température de l'ordre de à 2000C, et la génération de lacunes de mercure exige une température supérieure à 200oC pour assurer un dopage suffisamment important au moins de l'ordre de 10 lacunes par cm. Par ailleurs, pour retrouver dans la partie affectée au moins Le taux de Lacunes présent antérieurement au bombardement ionique, autrement dit au moins Le même taux de lacunes que dans le reste du substrat, La température du traitement thermique doit @tre du mime ordre de grandeur que celle ayant fixé le taux de Lacunes du substrat. Aussi, de préférence, te traitement thermique est effectué à une température supérieure à 2000C et égale à la température ayant fixé la conductivité P du substrat. De façon avantageuse, on effectue un recuit du substrat avant de déposer La couche isoLante pour ajuster La conductivité P du substrat à une vaLeur souhaitée, Le traitement thermique et le recuit étant effectués à la mime température; La température ayant fixé Le taux de Lacunes du substrat correspond dans ce cas à La température du recuit. En effet, en chauffant Le substrat, on peut ajuster le taux d'accepteurs présents dans celui-ci à un taux compatible avec par exemple Le fonctionnement d'une diode N/P réalisée à partir dudit substrat. Aussi, pour avoir au moins le mime taux d'accepteurs dans La partie du substrat en regard de l'ouverture réaLisée dans La couche isolante avant Le bombardement ionique et après le traitement thermique, le traitement thermique et le recuit sont donc effectués à La même température. En revanche, La durée du traitement thermique est généralement plus courte que la durée du recuit. La durée du recuit dépend du taux d'accepteurs souhaités dans Le substrat et de la vitesse de recombinaison ou éventuellement de création d'accepteurs; cette durée est par exemple de l'ordre de 10 à 100 heures. La durée du traitement thermique dépend notamment de la vitesse d'élimination des défauts cristallins générés par le bombardement ionique, ainsi que du taux d'accepteurs souhaité, ce dernier étant au moins égal à celui du substrat; la durée de ce traitement thermique est par exemple de L'ordre de I minute à 1 heure. Bien entendu, dans le cas o Le substrat utilisé a initialement, c'est-àdire après élaboration, un taux d'accepteur du mime ordre de grandeur que celui souhaité, ce recuit n'est pas effectué et la température du traitement thermique est de préférence supérieure à 2000C et du mime ordre de grandeur que la température d'élaboration du substrat correspondant alors à la température ayant fixé la conductivité P du substrat. Selon un mode préféré de réalisation du procédé, la couche isolante est déposée sous forme d'une première et d'une deuxième sous-couches. En effet, l'emploi de deux sous-couches de matériaux isolants comme par exemple le SiO2 et Le Si N, ou le SiO et le ZnS ou encore le CdTe et le ZnS permet d'améliorer les propriétés diélectriques de La couche isolante et éventuellement les propriétés anti-reflets de cette couche, notamment dans Le cas o le substrat est utilisé pour former une photodiode éclairée à partir de La couche isolante. Pour maîtriser L'inclinaison de la pente de la gravure effectuée dans la couche isolante, lorsque celle-ciest réaLisée par bombardement ionique à travers un masque en résine déposée sur ladite couche et comportant une ouverture en regard de l'ouverture à réaliser dans ladite couche, il est avantageux de traiter thermiquement ce masque pour faire fluer ladite résine dans l'ouverture du masque avant de réaliser l'ouverture de la couche isolante. Ce traitement thermique s'effectue à une température de l'ordre de 130 C et permet d'obtenir par exemple un masque ayant une ouverture de pente inclinée par rapport à la normale à la surface de la rouche isolante d'environ 30 à 40 . Le traitement thermique permettant de pallier au moins la baisse de conductivité P de la partie du substrat en regard de l'ouverture réalisée dans La couche isolante peut s'effectuer suivant différents procédés, permettant notamment de s'affranchir d'une exodiffusion importante des constituants du substrat tel que le mercure. On peut effectuer par exemple ce traitement thermique sous atmosphère de mercure, dans une ampoule scellée. On peut aussi déposer sous vide, sur la partie du substrat en regard de l'ouverture réalisée dans la couche isolante, un matériau isolant, celuici étant éLiminé après ledit traitement thermique. Dans ces deux cas, le taux d'accepteurs est ramené par Le traitement thermique au taux initial, c'est-à-dire au taux d'accepteurs présents dans le substrat. On peut également déposer sous vide sur ladite partie en regard de l'ouverture réalisée dans la couche isolante, un matériau métallique comprenant des atomes à caractère P, pour obtenir après le traitement thermique, une conductivité P dans 7 2604298 Ladite partie du substrat, supérieure à ceLLtte du reste du substrat; ledit matériau est de préférence conservé après Ledit traitement thermique pour plus de faciLité.Le matériau métallique constitue un réservoir d'espèces dopantes de caractère P qui diffusent dans ladite partie du substrat, au cours de ce traitement thermique sur une épaisseur de plusieurs microns suivant sa durée. Ce matériau peut par exemple être de l'or ou du cuivre et il est déposé sous forme d'une couche généralement de queLques centaines d'Angstr5m d'épaisseur. Ainsi par exemple pour l'or, un traitement thermique de l'ordre de 10 minutes à environ 3500C permet une diffusion des atomes d'or sur une épaisseur de l'ordre de 10pm. Dans le cas o un matériau isolant est déposé sur La partie du substrat en regard de l'ouverture réalisée dans la couche isolante, ce matériau est enlevé de façon sélective par rapport à la couche isolante et au substrat après traitement thermique, par exemple par attaque chimique. Ainsi à titre d'exemple, pour enlever un matériau en SiO, une solution de HF (c'est-à-dire d'acide fluorhydrique) peut être utilisée, cette solution n'altérant ni le HgCdTe, ni la couche isolante par exemple en ZnS. L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une diode N/P à partir d'un substrat en HgCdTe de conductivité P caractérisé en ce que: - on dépose une couche isolante sur Ledit substrat, - on grave par un bombardement ionique la couche isolante sur toute son épaisseur de façon à réaliser une première ouverture dans La couche isolante, - on effectue un traitement thermique du substrat recouvert par la couche isolante de façon à pallier au moins la baisse de conductivité P induite par Le bombardement ionique dans une première partie du substrat en regard de la première ouverture, - on effectue dans le substrat à travers la couche isolante, une implantation ionique, pour induire dans le substrat une deuxième partie de conductivité N, - on grave par un bombardement ionique la couche isolante sur.toute son épaisseur de façon à réaliser une deuxième ouverture dans La couche isoLante en regard de La deuxième partie, et - on dépose une couche conductrice dans Les première et deuxième ouvertures de la couche isolante, pour réaliser des prises de contacts électriques avec Les première et deuxième parties du substrat en regard desdites ouvertures. Ce procédé de fabrication d'une diode N/P est une application du procédé de réalisation d'une prise de contact électrique sur un substrat en HgCdTe de conductivité P décrit précédemment, il a donc notamment les mêmes caractéristiques que celui-ci. La couche isolante peut être en particulier constituée de plusieurs sous-couches. La deuxième partie de conductivité N provient des défauts cristallins générés par L'implantation ionique. L'implantation ionique s'effectue à des énergies de l'ordre de 50 keV à 200 keV. Par ailleurs, les défauts générés par l'implantation ionique commençant à se guérir à partir de 150 C, le traitement thermique du procédé de fabrication de La diode N/P est donc obligatoirement effectué avant la création de cette deuxième partie. De façon avantageuse, on effectue également un recuit du substrat avant de déposer La couche isolante pour ajuster la conductivité P du substrat à une valeur souhaitée, Le traitement thermique et le recuit étant effectués à La même température. Par ailleurs, Le traitement thermique est effectué de préférence à une température supérieure à 2000C et égal à la température ayant fixé la conductuvité P du substrat, c'est-à- dire à la température du recuit dans le cas o un recuit est effectué et à la température d'élaboration du substrat dans le cas contraire. Ce traitement thermique est effectué de préférence après avoir déposé sous vide, sur la première partie du substrat en regard de La première ouverture réalisée dans la couche isolante, un matériau métallique comprenant des atomes à caractère P, pour obtenir une conductivité P dans ladite partie du substrat, supérieure à celLe du reste du substrat, Ledit matériau étant de préférence conservé après ledit traitement thermique. De préférence, la première ouverture de la couche isolante étant réalisée par bombardement ionique à travers un masque en résine déposée sur ladite couche et comportant une ouverture en regard de la première ouverture à réaliser dans ladite couche, on traite thermiquement ledit masque pour faire fluer la résine dans l'ouverture du masque avant de réaliser Ladite première ouverture. De même, la deuxième ouverture de la couche isolante étant réalisée par bombardement ionique à travers un masque en résine déposée sur ladite couche et comportant une ouverture en regard de la deuxième ouverture à réaliser dans ladite couche, on traite thermiquement de façon avantageuse ledit masque pour faire fluer la résine dans l'ouverture dudit masque avant de réaliser ladite deuxième ouverture. D'autres caractéristiques et avantages de l'invention ressortiront mieux de la description qui va suivre donnée à titre purement illustratif et non limitatif en référence aux figures annexées dans lesquelles: - les figures la, lb, lc, ld, le, 1f, lg, 1h et li représentent schématiquement les étapes principales d'un exemple de réalisation d'une diode N/P avec prise de contact sur un substrat de conductivité P, conformément à l'invention, et - La figure 2 représente schématiquement un autre exemple de diode N/P obtenu selon le procédé de fabrication de L'invention et comportant deux sous-couches isolantes. Sur la figure la est représenté un substrat 1 en HgCdTe de conductivité P épitaxié sur un substrat isolant 5, tel qu'un substrat en CdTe. Sur la face supérieure du substrat, c'est-à- dire sur la face du substrat opposée à celle en regard du substrat isolant, est déposée une couche isolante 3 par exemple en SiO2 ou en ZnS ou encore en Si3N4. Cette couche isolante est déposée par exemple par pulvérisation sur une épaisseur d'environ 1000 à 10000 A. De préférence, le substrat 1 a subi préalablement un recuit permettant d'ajuster te taux d'accepteurs, autrement dit de lacunes dans te substrat à une valeur souhaitée compatible avec le fonctionnement d'une diode N/P réalisée à partir de ce substrat. Cette valeur souhaitée est généralement de l'ordre de 1016 1073 0 10 à 10 lacunes par cm. On dépose ensuite sur la couche isolante 3, une couche de résine photosensible, que l'on insole et que l'on développe de façon à réaliser dans cette couche une ouverture 9 par exemple de l'ordre de 4 à 10p.m en regard de la partie de la couche isolante 3 à graver (figure lb). Afin que le masque 7 ainsi réalisé présente une ouverture de paroi inclinée, on traite thermiquement le masque 7. La résine chauffée coule le long de la paroi de l'ouverture 9, qui présente une pente incliné par rapport à la normale d'un angle d'environ 30 à 40 (figure lb). Par exemple, pour la résine commercialisée sous le nom de SHIPLEY 1350H, ce traitement thermique est effectué à une température de l'ordre de 130 C pendant environ I minute. Une fois cette étape réalisée, on grave la couche isolante 3 sur toute son épaisseur par un bombardement ionique 11 (figure lc), par exemple par un usineur ionique, tel que le dispositif commercialisé sous Le nom de "MICROETCH" produit par la Société VEECO INSTRUMENTS. Les valeurs de courant et d'énergie utilisés avec un tel dispositif sont par exemple de 500 nA/cm et 500 eV. Dans ces conditions, la gravure de la couche 3 effectuée à travers le masque 7 dont la pente de l'ouverture 9 est de 30 à , présente une pente d'environ 50 à 60 par rapport à la normale à cette couche. Le masque 7 est enlevé par des techniques classiques après réalisation de l'ouverture 9. La partie du substrat 14 en regard de l'ouverture 13 réalisée dans La couche isolante, affectée par ce bombardement ionique, voit sa conductivité P diminuer du fait notamment de la création de défauts cristallins par le bombardement ionique. La profondeur de cette partie 14 est par exempte de l'ordre de lp-m. Lorsque Le taux d'accepteurs présents après ce bombardement ionique dans la partie 14 est inférieur au taux de donneurs, la conductivité de la partie 14 est comme on l'a vu précédemment de type N. Pour pallier au moins la baisse de conductivité P induite par le bombardement ionique, on effectue un traitement thermique du substrat recouvert par la couche isolante 3. La température de ce traitement thermique est comme on l'a vu précédemment de préférence supérieure à 200 C pour éliminer l'ensemble des défauts cristallins générés par le bombardement ionique dans la partie 14 et pour créer des lacunes Lorsque ce bombardement ionique a entraîné une diffusion de mercure autrement dit une baisse du taux d'accepteurs dans la partie 14, et est égale à la température ayant permis d'ajuster la valeur initiale du taux d'accepteurs présents dans le substrat pour avoir au moins le même taux d'accepteurs dans la partie 14. Le taux de donneurs restants après ce traitement est constitué à nouveau par les donneurs résiduels. La figure ld représente un mode de réalisation du traitement thermique, avec dépôt sous vide d'un matériau 18 sur la partie 14 du substrat, dans l'ouverture 13 réalisée dans la couche isolante 3. Ce matériau peut être constitué d'un matériau métallique tel que de l'or ou du cuivre ou de n'importe quel métal comprenant des espèces dopantes à caractère P ou bien d'un matériau isolant tel que le SiO. Le matériau métallique et le matériau isolant sont déposés respectivement sous forme d'une couche par exemple de quelques centaines d'Angstr8m d'épaisseur. Lorsque Le matériau 18 est isolant, le traitement thermique du substrat recouvert par ce matériau permet d'éviter une exodiffusion de mercure, d'éliminer les défauts cristallins dûs au bombardement ionique et de créer d'éventuelles lacunes pour ramener la conductivité de la partie 14 à la conductivité du reste du substrat. Le mime résultat peut être obtenu en- effectuant le traitement thermique sous atmosphère de mercure. Lorsque Le matériau 18 est métallique, le traitement thermique effectué avec ce matériau métallique permet en plus des propriétés précédentes de diffuser une espèce dopante de caractère P, sur une profondeur de plusieurs microns suivant la durée du traitement, réalisant ainsi une partie 14 surdopée, c'est-à-dire dont le taux d'accepteurs est supérieur à celui du reste du substrat. La profondeur de cette partie surdopée est choisie par exemple entre 1 em et 5 Fm. Apres traitement thermique, lorsque Le matériau 18 est isolant, il est éliminé de façon sélective par rapport au substrat 1 et à la couche isolante 3, par exemple par attaque chimique. Dans le cas o la couche isolante est du ZnS, on élimine par exemple le matériau 18 par une solution HF, lorsque celui-ci est du SiO. En revanche, après traitement thermique, lorsque le matériau 18 est métallique, celui-ci est de préférence conservé. De façon avantageuse, pour réaliser une diode N/P, on utilise un matériau 18 métallique. De ce fait, sur le reste des figures, on a conservé le matériau 18, celui-ci étant considéré métallique. Pour réaliser une diode N/P, il faut par ailleurs réaliser une implantation ionique dans une partie 22 du substrat P, permettant d'obtenir une conductivité N dans cette partie et graver la couche isolante 3 pour réaliser une prise de contact sur la partie 22. On dépose donc tout d'abord sur la couche isolante 3 un deuxième masque 15 tel qu'une couche de résine photosensible que l'on insole et que l'on développe de façon à obtenir une ouverture 17 par exemple de l'ordre de 10 à 100l-m dans cette résine, en regard de La partie 22 du substrat o l'on veut réaliser l'implantation ionique (figure le). Le masque 15 ainsi réalisé permet d'effectuer une implantation ionique 19 dans la partie 22 du substrat 1 en regard de l'ouverture 17, de façon à obtenir une partie 22 de conductivité N (figure if). Le taux de donneurs présents alors dans la partie 22 est supérieur au taux de donneurs résiduels et au taux d'accepteurs du substrat. La profondeur de La partie 22 est choisie par exemple de l'ordre de tm. Après cette étape, on enlève le masque 15 par des techniques classiques et on dépose sur la couche isolante 3 un troisième masque 16 tel qu'une couche de résine photosensible que l'on insole et que l'on développe de façon à obtenir une ouverture 23 par exemple de l'ordre de 4 à 10 ym, dans ladite couche de résine, cette ouverture 23 étant en regard de la partie 22 du substrat (figure lg). De même que pour le masque 7, un traitement thermique du masque 16 peut également être effectué pour faire fluer la résine dans l'ouverture 23 du masque 16 de façon à obtenir une ouverture 23 de pente incLinée par rapport à la normale, d'un angle d'environ 30 à 400 . L'étape suivante consiste à ouvrir la partie de la couche isolante 3 intercalée entre cette partie 22 et l'ouverture 23 du masque 16. Cette gravure est effectuée à travers le masque 16 par un bombardement ionique 20 sans inversion de conductivité pour la partie 22, du fait que cette partie est déjà de conductivité N (figure lb). On réalise donc une ouverture 21 dans la couche isolante, de pente inclinée de 50 à 60 par rapport à la normale, si la gravure est effectuée dans les mêmes conditions que la gravure de l'ouverture 13 décrite précédemment. Après gravure de l'ouverture 21, on enlève le masque 16 par des techniques classiques. La dernière étape du procédé de réalisation de la diode N/P (figure li) consiste à déposer une couche conductrice 25, 27 respectivement dans les ouvertures 13 et 21 de la couche isolante 3, afin de réaliser des prises de contacts électriques avec les parties 14 et 22 du substrat 1 de conductivité respectivement P et N. Pour cela, on dépose par pulvérisation cathodique sur l'ensemble de la couche isolante 3, une couche conductrice continue constituée par exemple de deux sous-couches de Cr et de Au, puis on grave ladite couche pour obtenir une couche conductrice respectivement dans les ouvertures 13 et 21 réalisant deux prises de contacts respectivement avec Les parties 14 et 22 du substrat, ces deux prises de contact étant isolées entre eLLes. Bien entendu, lorsque Le matériau 18 est métaLLique et conservé, il est intercalé entre la couche référencée 25 et la surface de la partie 14; dans ce cas la prise de contact avec la partie 14 est constituée par le matériau 18 et la couche 25. En revanche, lorsque le matériau 18 est éliminé, seule la couche 25 constitue la prise de contact avec la partie 14. La figure 2 représente une variante d'une diode N/P réalisée par le procédé de fabrication conforme à l'invention. Cette diode diffère de la diode représentée figure li, par une couche isolante 3 constituée par la superposition de deux sous- couches 3a et 3b, par exemple en SiO et en Si N ou en SiO et 2 34 2 en ZnS ou encore en CdTe et en ZnS, les différentes étapes de réalisation de cette diode étant les mêmes que celles décrites précédemment. Sur cesfigures, on a choisi de représenter un substrat en HgCdTe épitaxié sur un matériau isolant pour réaliser des prises de contact sur la face avant du substrat. Cet exemple n'est bien entendu pas limitatif. On peut également réaliser des prises de contact sur un substrat massif suivant les mêmes étapes de réalisation. De plus, ces figures représentent la fabrication d'une diode N/P mais bien entendu le procédé de réalisation d'une prise de contact sur un substrat en HgCdTe de conductivité P peut s'appliquer à d'autres dispositifs, et notamment à ceux comprenant des régions de type N réalisées par implantation ionique. 2604298 REVENDICATIONS 1. Procédé de réalisation d'une prise de contact électrique sur un substrat (1) en HgCdTe de conductivité P, caractérisé en ce que: - on dépose une couche isolante (3) sur ledit substrat, - on grave par un bombardement ionique (11) La couche isolante (3) sur toute son épaisseur de façon à réaliser une ouverture (13) dans La couche isolante, - on effectue un traitement thermique du substrat recouvert par la couche isolante, de façon à pallier au moins la baisse de conductivité P induite par le bombardement ionique dans une partie (14) du substrat (1) en regard de l'ouverture (13) réalisée dans la couche isolante, - on dépose une couche conductrice (25) dans l'ouverture (13) réalisée dans la couche isolante pour réaliser une prise de contact électrique avec la partie (14) du substrat en regard de ladite ouverture (13). 2. Procédé de réalisation selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'on effectue un recuit du substrat (1) avant de déposer la couche isolante (3), afin d'ajuster la conductivité P du substrat à une valeur souhaitée, le premier traitement thermique et le recuit étant effectués à la mime température. 3. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 et 2, caractérisé en ce que la couche isolante (3) est déposée sous forme d'une première et d'une deuxième sous- couches (3a, 3b). 4. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que l'ouverture (13) de La couche isolante (3) étant réalisée par bombardement ionique à travers un masque en résine (7) déposée sur ladite couche et comportant une ouverture (9) en regard de l'ouverture à réaliser dans ladite couche, on traite thermiquement le masque pour faire fluer la résine dans L'ouverture (9) dudit masque, avant de réaliser L'ouverture de La couche isolante. 5. Procédé de réalisation selon L'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement thermique sous atmosphère de mercure. 6. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on effectue Le traitement thermique après avoir déposé sous vide, sur la partie (14) du substrat (1) en regard de l'ouverture (13) réalisée dans la couche isolante, un matériau isolant, celui-ci étant éliminé après ledit traitement thermique. 7. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 4, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement thermique après avoir déposé sous vide, sur la partie (14) du substrat (1) en regard de l'ouverture (13) réalisée dans la couche isolante, un matériau métallique comprenant des atomes à caractère P, pour obtenir une conductivité P dans ladite partie (14) du substrat, supérieure à celle du reste du substrat. 8. Procédé de réalisation selon l'une quelconque des revendications 1 à 7, caractérisé en ce que le traitement thermique est effectué à une température supérieure à 200 C et égal à la température ayant fixé la conductivité P du substrat. 9. Procédé de fabrication d'une diode N/P à partir d'un substrat en HgCdTe de conductivité P caractérisé en ce que: - on dépose une couche isolante (3) sur ledit substrat, - on grave par un bombardement ionique (11) la couche isolante (3) sur toute son épaisseur de façon à réaliser une première ouverture (13) dans la couche isolante, - on effectue un traitement thermique du substrat recouvert par la couche isolante (3) de façon à pallier au moins la baisse de conductivité P induite par le bombardement ionique dans une première partie (14) du substrat (1) en regard de la première ouverture (13), - on effectue dans le susbstrat à travers la couche isolante, une implantation (19) ionique pour induire dans le substrat une deuxième partie (22) de conductivité N, - on grave par un bombardement ionique (20) la couche isolante sur toute son épaisseur de façon à réaliser une deuxième ouverture (21) dans La couche isolante (3) en regard de la deuxième partie, et - on dépose une couche conductrice (25, 27) dans les première et deuxième ouvertures (13, 21) de La couche isolante (3), pour réaliser des prises de contacts électriques avec les première et deuxième parties du substrat (14, 22) en regard desdites ouvertures. 10. Procédé de fabrication selon La revendication 9, caractérisé en ce qu'on effectue un recuit du substrat (1) avant de déposer la couche isolante (3) pour ajuster la conductivité P du substrat à une valeur souhaitée, le traitement thermique et le recuit étant effectués à la mime température. 11. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 et 10, caractérisé en ce qu'on effectue le traitement thermique après avoir déposé sous vide, sur la première partie (14) du substrat (1) en regard de la première ouverture (13) réalisée dans la couche isolante (3), un matériau métallique comprenant des atomes à caractère P, pour obtenir une conductivité P dans ladite partie (14) du substrat, supérieure à celle du reste du substrat. 12. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 à 11, caractérisé en ce que le traitement thermique est effectué à une température supérieure à 200 C et égal à La température ayant fixé la conductivité P du substrat. 13. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 à 12, caractérisé en ce que La première ouverture (13) de La couche isolante (3) étant réalisée par bombardement ionique à travers un masque en résine (7) déposée sur ladite couche et comportant une ouverture (9) en regard de la première ouverture à réaliser dans ladite couche, on traite thermiquement ledit masque pour faire fluer La résine dans L'ouverture (9) dudit masque (7) avant de réaliser ladite première ouverture. 14. Procédé de fabrication selon l'une quelconque des revendications 9 à 13, caractérisé en ce que la deuxième ouverture (21) de la couche isolante étant réalisée par bombardement ionique à travers un masque en résine (16) déposée sur Ladite couche et comportant une ouverture (23) en regard de La deuxième ouverture à réaLiser dans Ladite couche, on traite thermiquement Ledit masque pour faire fluer La résine dans L'ouverture dudit masque avant de réaliser Ladite deuxième ouverture.