Brevet FR2606580A1 — publié le 19880513

PROCEDE POUR PRODUIRE DES PLAQUES A CIRCUIT AYANT DES DESSINS METALLIQUES DEPOSES, ET PLAQUES A CIRCUIT AINSI PRODUITES. La présente invention concerne un procédé pour produire des plaques à circuit ayant des dessins métalliques déposés et les plaques à circuit ainsi produites. Plus particuliérement, l'invention concerne un nouveau procédé pour produire des plaques à circuit, dans lequel une couche métallique conductrice forme un dessin de circuit sur un substrat 1C résineux qui lu; sert de support et auquel elle est fermement liée, ainsi que les plaques à circuit bien définies et fermement liées ainsi produites. Diverses techniques ont été utilisées pour former des plaques à circuit imprimé, y compris le placage d'une pellicule métallique à des substrats résineux ou céramiques et l'attaque du dessin de circult, le dépôt chimique du dessin métallique à partir d'une solution de dépôt et Le dépôt d'une couche ou d'un dessin de métal conducteur selon des techniques telles que la métallisation sous vide, la pulvérisation et similaires, suivi d'une électrodépo- sition d'un dépôt de métal plus épais sur le dessin de circuit. Les plaques à placage de cuivre classiques sont fabriquées par emploi de couches multiples d'un tissu de verre imprégné d'une résine époxyde que l'on réunit par application de chaleur et de pression à une pellicule de cuivre pour former un stratifié à placage de cuivre. Pour accroître l'adhésion du préimprégné fait d'époxyde/verre au cuivre, la surface de contact du cuivre est traitée de façon à former une surface rugueuse d'oxyde. La résistance finale au pelage dépend à la fois de l'adhésion mécanique de l'époxyde, qui coule à nouveau lors de la phase de pressage surla surface microrugueuse d'oxyde de la pellicule de cuivre, et également de l'adhésion chimique de la résine époxyde à l'oxyde de cuivre. Ces plaques à placage de cuivre sont ensuite utilisées pour la fabrication de plaques à circuit imprimé par emploi d'un traitement soustractif, c'est-à-dire par élimination du cuivre entre les éléments de circuit désirés du dessin conducteur. Pour tenter d'obtenir des dessins fins avec des bords bien définis, l'industrie a réduit l'épaisseur de la couche métallique, et les problèmes d'obtention d'une bonne liaison entre la couche métallique et le substrat sous-jacent se sont accrus. Ainsi, alors que les largeurs et les espacements des lignes étaient habituelle- ment de 0,20 à 0,38 mm (0,008-0,015 inch) il y a plusieurs années, on exige actuellement des largeurs et des espacements des lignes de 0,08 à 0, 18 mm (0,003-0,007 inch) et parfois aussi faibles que 0,025 mm (0,001 inch). Plus la largeur et l'espacement sont faibles, plus la couche métallique doit être mince pour l'obtention d'une définition nette. Comme on le sait, plus le dépôt de cuivre à attaquer est épais, plus le creusement est important. Donc, pour obtenir des lignes fines, il est nécessaire que la couche de cuivre à attaquer soit mince; plus on désire que les lignes soient fines, plus le cuivre doit être mince. La production de plaques à placage de pellicule métallique utilisant une couche de cuivre extrêmement mince est malaisée en pratique, si bien que l'ndustrie a eu recours aux techniques additives et semi-additives, c'est- à-dire au dépôt de métal sur le substrat. Le problème principal d'une telle technique additive est celui de l'adhésion de la couche de cuivre déposée sur un stratifié d'époxyde durci. Comme l'adhésion n'est pas réversible, la résistance au pelage n'est pas la même que celle obtenue dans un stratifié pellicule métallique/plaque. Des techniques et des procédés nombreux ont été essayés pour résoudre cette difficulté, mais aucun n'y est parvenu en assurant une production pratique efficace. Parmi les techniques que l'on a proposées pour améliorer la liaison ou la résistance au pelage entre la couche métallique et le substrat sous-jacent, figurent l'application de revêtements "adhésifs" intermédiaires et l'attaque ou le dépolissage du substrat avant l'application de la couche métallique, etc. Généralement, ces techniques ont assuré des améliorations de la force de liaison, mals n'ont pas produit uniformément une bonne liaison et/ou se sont accompagnées de difficultés additionnelles importantes relatives au coût et à la mise en oeuvre. L'invention a pour but de fournir: un nouveau procédé additif pour la production de plaques à circuit dans lequel une couche métallique mince est déposée sur un substrat resineux sous-jacent et lui est fortement liée; un tel procédé qui se prête par nature à la fabrication de circuits miniaturisés avec une bonne adhésion des portions indlviduelles de circuit au substrat sous-jacent; un tel procédé que l'on peut mettre en pratique de façon relativement économique et rapide; et des plaques a circuit utilisant des dépôts métalliques relatlvement m:nces de largeur relativement faible et d'espacement réduit pour former le dessin conducteur et dans lesquelles le dessin conducteur est fermement lié à un substrat résineux. La demanderesse a découvert que les buts précédents, ainse que des buts apparentés, peuvent être facilement atteints selon un procédé de production de plaques à circuit ayant un dessin de clrcuit métallisé fermement lié à un substrat résineux, dans lequel un substrat résineux est revêtu d'un mélange fluide d'une composition contenant un composant polymère époxydique et un composant caoutchouteux, ces deux composants présentant une interaction à des températures d'au moins 82'C (180'F). Le composant caoutchouteux constitue 50 à 200 % du poids du composant polymère époxydique et le revêtement a une épaisseur de 0,013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch). Ce revêtement est partiellement durci pour assurer une réticulation partielle du composant polymère époxydique et une interaction entre le caoutchouc et le polymère époxydique. La surface apparente du revêtement est attaquée pour produire une surface microporeuse. Du cuivre, ou un autre métal approprié, est ensuite déposé sur la surface du revêtement pour former une couche conductrice avec des microformations s'étendant dans les creux de la surface microporeuse. Un métal est ensuite déposé pour former un dessin conducteur sur la couche de cuivre. On applique de la chaleur et de la pression au revêtement et au dépôt métallique avant ou après l'électrodéposition du métal pour établir le dessin - conducteur, afin de durcir complètement le revêtement et de lier ainsi fermement le revêtement à la couche métallique et par conséquent le dessin métallique par l'intermédiaire du revêtement au substrat résineux. De préférence, l'interpolymère caoutchouteux est un composant caoutchouteux réactif polyfonctionnel de bas poids moléculaire comprenant un interpolymère de butadiène et d'acrylonitrile qul est terminé par des groupes fonctionnels choisis parmi vinyle et carboxyle. Il a une viscosité Brookfield de 100 000 à 400 000 cP à 27'C, de préférence de 120 000 à 300 000 c?. Les groupes fonctionnels terminaux interagissent avec le composant polymère époxydique pendant la polymérisation complémentaire. Il est souhaitable que le stade d'attaque utilise un agent chimique d'attaque pour attaquer la surface apparente et produire le caractère microporeux. Sinon, le stade d'attaque peut utiliser un plasma pour attaquer la surface apparente du revêtement et produire le caractère microporeux. Dans le mode de réalisation préféré, la couche métallique est déposée selon un procédé de métallisation sous vide. Sinon, la couche métallique peut être déposée par dépôt chimique à partir d'une solution de dépôt, ce qui nécessite une activation préliminaire de la surface du revêtement. La composition de revêtement préférée utilise un composant caoutchouteux dont le groupe fonctionnel terminal est un groupe vinyle et le composant caoutchouteux correspond à 100 à 200 % du poids du composant polymère époxydique. Le stade de durcissement partiel du revêtement comprend l'établissement d'une température de 121 à 177'C (250-350'F) dans le revêtement pendant une période d'au moins 2 heures et le stade de durcissement complet du revêtement comprend l'établissement dans le revêtement d'une température de 138 à 177'C (280-350'F) pendant une période d'au moins 2 heures. Dans le procédé préféré, le stade d'application de chaleur et de pression pour le durcissement final du revêtement incorpore au moins partiellement le dessin conducteur au revêtement. Généralement, une couche continue de cuivre ou d'un autre métal est initialement déposée sur le revêtement puis attaquée sélectivement pour que la couche soit éliminée entre les éléments du dessin conducteur. Le durcissement final du revêtement peut être effectué soit avant l'électrodéposition du métal, pour établir la pleine épaisseur du dessin conducteur, soit de préférence après, pour accroître l'adhésion mécanique par incorporation au revêtement d'au moins une portion du métal appliqué par électrodéposition. L'invention sera mieux comprise à la lecture de la description qui suit faite en regard des dessins annexés dans lesquels: la figure i est une coupe partielle d'une plaque à circuit au cours d'un stade du procédé de fabrication de l'invention, les composants étant représentés à une échelle très agrandie et quelque peu déformée la flgure 2 est une vue semblable à un stade ultérieur du procédé de fabrication de la plaque à circuit; et la figure 3 est une vue semblable de la plaque à circuit au stade final de fabrication. Les modes préférés de l'invention vont maintenant être décrits de façon détaillée. Comme précédemment indiqué, le procédé de l'invention comprend une série de stades pour produire une structure finale de plaque à circuit dans laquelle le dessin de métal conducteur est fermement lié au substrat sous-jacent par un revêtement intermé- diaire. Ce procédé comprend de façon générale les stades suivants. Initialement, le substrat qui est classiquement un substrat époxydique contenant une charge de fibres ou un autre substrat résineux, est revêtu de la composition spéciale de revêtement de l'invention, et ce revêtement est partiellement durci. La surface apparente du revêtement est ensuite attaquée pour lui conférer un caractère microporeux, et une couche de métal est déposée sur la surface du revêtement. Un dépôt plus épais de métal y est formé selon le dessin conducteur désiré. On applique de la chaleur et de la pression à la couche ou dessin conducteur et au revêtement pour durcir complètement le revêtement, afin de lier fermement le revêtement à la couche métallique et de lier ainsi le dessin métallique au substrat par l'intermédiaire du revêtement. L'invention utilise des substrats classiques pour conférer la résistance mécanique et la stabilité dimensionnelle à la plaque à circuit. Généralement, on emploie comme tels substrats une résine époxyde contenant une charge de verre ou d'autres matières résineuses renforcées. Il est également possible d'utiliser des substrats céramiques. Comme il est également bien connu, le circuit conducteur peut être formé sur l'une ou les deux surfaces du substrat. Généralement, ce circuit conducteur est formé de cuivre, bien que d'autres métaux conducteurs puissent être employés, y compris l'or, l'argent, le pa'lladium, l'aluminium et leurs alliages, selon les caractéristiques désirées du dessin métallique. Plusieurs techniques peuvent être utilisées pour former la couche conductrice, y compris le dépôt chimique à partir d'une solution du métal à déposer, la métallisation sous vide, la pulvérisation et similaires. Parmi ces diverses techniques, on préfère généralement la métallisation sous vide et le dépôt chimique. Lorsqu'on utilise le dépôt chimique, il est généralement nécessaire de prétraiter la surface sur laquelle le dépôt est effectué, afin de l'activer catalytiquement et de provoquer la formation d'un revêtement à partir des ions métalliques de la solution. Le revêtement intermédiaire, qui se lie fortement au cuivre ou à un autre métal déposé et également au substrat sous-jacent, est constitué d'une composition fluide à la température ordinaire contenant un composant polymère époxydique et un polymère caoutchou- teux présentant une interaction avec le polymère époxydique à une température élevée d'au moins 82'C (180'F). Le composant caoutchou- teux doit correspondre à au moins 50 % du poids du composant polymère époxydique et de préférence à 100 à 200 % de ce poids. Cela forme un revêtement ayant une matrice d'époxyde-caoutchouc dans laquelle des particules d'époxyde sont dispersées. Cela contraste avec les autres systèmes qui utilisent des taux moindres de caoutchouc produisant une matrice d'époxyde avec des particules de caoutchouc ou d'époxydecaoutchouc comme seconde phase d'un matériau à deux phases. Egalement, les compositions les plus particulièrement souhaitables sont celles dont le composant caoutchouteux correspond à 120 à 200 % du poids du prépolymère époxydique. Les compositions caoutchouteuses préférées sont des interpolymères de butadiène/acrylonitrile polyfonctionnels de bas poids moléculaire avec des groupes terminaux réactifs. Il est souhaitable que ces groupes terminaux soient choisis parmi vinyle et carboxyle. On obtient des résultats très avantageux par emploi des interpolymères dont les chaînes sont arrêtées par des groupes vinyles et qui ont un poids équivalent en v:nyle de 700 à 1 500, de préférence de 900 à ' 300, et une teneur en acrylonitrile de 14 à %, de préférence de 15 à 18 %. La viscosité Brookfield à 27C se situe dans la gamme de 125 000 à 375 000 cP et de préférence dans la gamme de 200 000 à 300 000 cP. Un exemple d'un tel composant caoutchouteux est l'HYCAR 1300X23 vendu par B.F. Goodrich Company de Cleveland, Ohio. L'autre catégorie de caoutchoucs que l'on peut utiliser consiste en ceux dont les terminaisons de la chaîne de caoutchouc sont des carboxyles. Ils ont normalement une teneur en acrylonitrile de 15 à 22 % et de préférence de 16 à 20 % et une teneur en carboxyle définie par un indice d'acide de 25 à 35 et de préférence 27 à 31 (soit un équivalent en carboxyle (%) d'environ 0,045 à 0,060). Ces caoutchoucs ont généralement une viscosité Brookfield à 27C de 100 000 à 200 000 cP et de préférence de 110 000 à 000 cP. Des exemples de tels caoutchoucs sont vendus par B.F. Goodrich Company sous le nom de HYCAR 1300X8. Goodrich les définit de plus comme ayant un poids moléculaire (Mn) de 3 600 et une fonctionnalité de 1,8. Lorsqu'on utilise les caoutchoucs à terminaison vinyle préférés, la teneur en caoutchouc peut de façon souhaitable se situer dans la gamme de 100 à 200 % du composant polymère époxydique. Lorsqu'on utilise les caoutchoucs à terminaison carboxyle, la teneur en caoutchouc est de préférence comprise entre 50 et 120 % du poids du composant polymère époxydique. D'autres matières peuvent être incorporées à la composition de revêtement pour lui conférer des caractéristiques souhaitables, y compris des solvants pour ajuster la viscosité ou pour faciliter la dissolution des autres composants. Les solvants appropriés compren- nent l'acétone, le vinyltoluène, le styrène, la méthyléthylcétone, le chlorure de méthylène, la méthylisobutylcétone et l'acétate d'éthylèneglycol. Un éther de glycol peut également être utilisé dans certaines.compositions. Des ignifuges, tels que l'oxyde d'antimoine, peuvent être incorporés, de même que divers composés bromés. Des charges, telles que la silice, peuvent être incorporées pour ajuster la viscosité. Des agents de durcissement à température élevée du composant époxydique, permettant un durcissement en deux stades sont incorporés à la composition. Le dicyandiamide s'est révélé particulferement efficace et il se dissout facilement dans le diméthylformamide. Des amines tertiaires, telles que la benzyldiméthylamine, sont utiles comme accélérateurs. Les polymères époxydiques sont de façon typique les produits de la réaction de l'épichlorhydrine et du bisphénol A. Dans certains cas, le produit réactionnel peut être bromé afin qu'il soit naturellement ignifugé. On peut utiliser des mélanges de systèmes polymères époxydiques tant qu'ils sont compatibles, et il peut être souhaitable de les utiliser pour assurer un équilibre des propriétés, y compris la résistance au feu. De façon typique, le composant polymère époxydique a un poids équivalent en époxyde d'environ 410 à 480 et de préférence d'environ 415 à 450. La viscosité de la composition de revêtement doit être ajustée selon le procédé de revêtement à utiliser et l'épaisseur désirée. Généralement, elle se situe dans la gamme de 3 à 60 secondes et de préférence de 5 à 50 secondes, mesurée avec la coupe Zahn ayant un orifice de 3,18 mm (0,125 inch) de diamètre. Pour l'enduction au trempé, le temps d'écoulement pour des plaques à circuit double face est d'environ 15 à 25 secondes et le temps d'écoulement souhaitable pour les plaques multicouches est d'environ 6 à 12 secondes, ces valeurs étant mesurées avec la coupe Zahn. Le revêtement peut être appliqué selon une technique appropriée quelconque et l'enduction au trempé et l'enduction au rouleau sont simples et très efficaces. Le revêtement doit avoir une épaisseur de 0, 013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch) et de préférence d'environ 0,018 à 0,13 mm (0,0007-0,005 inch). Après l'application du revêtement au substrat, on effectue un durcissement partiel initial pour provoquer une polymérisation complémentaire d'un composant caoutchouteux de bas poids moléculaire, lorsqu'on l'emploie, pour provoquer une réticulation partielle de l'époxyde et pour assurer l'interaction de l'époxyde avec le composant caoutchouteux. Généralement, cela consiste à porter le revêtement (et le susbtrat sous-jacent) à une température d'environ 110 à 149'C (230-300'F) pendant une période de 2 à 5 heures, et de préférence de 116 à 127'C (240- 260'F) pendant une période d'environ 3 à 5 heures. Evidemment les conditions opératoi- res doivent être choisies pour que le revêtement ne soit pas complè- tement durci et qu'il conserve un certain degré de thermoplasticité. Apres le durcissement partiel du revêtement appliqué, la surface apparente doit être attaquée pour lui conférer un caractère de surface microporeuse. De préférence, et de façon particulièrement pratique, l'attaque est effectuée selon un procédé d'attaque chimique utilisant des oxydants, tels que le bichromate de potassium, l'acide sulfurique et leurs mélanges. D'autres techniques, telles que l'exposition à un plasma d'oxygène, d'ammoniac ou d'azote, assurent le dépolissage désiré de la surface afin de lui donner un caractère microporeux. D'autres techniques que l'on peut envisager sont l'abrasion mécanique, la dispersion de composants faciles à attaquer ou à lixivier dans la matière de revêtement (avec attaque après l'application), l'application d'une pellicule amovible préalablement dépolie à la surface du revêtement avant son durcissement initial afin de la grener, etc. Après l'attaque du revêtement pour lui conférer le caractère microporeux, la couche de métal conducteur y est déposée (i) soit sous forme d'une couche uniforme sur la totalité de la surface, auquel cas on l'attaque ensuite pour ne laisser que le dessin désiré soit (ii) selon un dessin, en disposant une réserve appropriée pour en limiter le dépôt. Comme précédemment indiqué, diverses techniques peuvent être utilisées pour effectuer le dépôt, y compris la métallisation sous vide et le dépôt chimique, qui sont les techniques préférées. Le dépôt chimique nécessite une activation initiale de la surface. On utilise normalement ces techniques pour former une couche de métal conducteur consistant en un revêtement conducteur mince d'environ 25,4 à 254 x 10-6 cm (10-100 x 106 inch et de préférence environ 127 à 178 x 10-6 cm (50-70 x 10-6 inch). Comme la couche métallique est déposée sur une surface microporeuse, le dépôt épouse cette surface à l'interface et présente donc une microrugosité à l'interface, alors que sa surface apparente est relativement lisse. On y forme généralement un dessin de photoréserve puis on établit la pleine épaisseur du dessin de métal conducteur désiré selon des techniques classiques de dépôt électrolytique. Généralement l'épaisseur finale du dessin est de l'ordre de 2,54-76,2 x 10-4 cm (1,0-30,0 x 10-4 inch) et généralement d'environ 12,7 à 38,1 x 10-4 cm (5,0-15,0 x 10-4 inch). Après formation complète du dessin conducteur par dépôt électrolytique, on retire la photoréserve et on attaque la couche métallique mince d'origine pour l'éliminer entre les éléments conducteurs, afin de mettre à nu la surface du revêtement. Selon le procédé préféré, on soumet la plaque à circuit à une opération finale de durcissement dans laquelle elle est soumise à la chaleur et la pression pour effectuer le durcissement final du revêtement. Généralement, les températures nécessaires sont de l'ordre de 138 à 177'C (280-350'F) pour une période d'environ 2 à 6 heures et la pression est normalement de l'ordre de 6,9 à 207 kPa manométriques (1,0-300 psig). Pour exercer en pratique la pression, on place la plaque entre des plateaux métalliques polis qui peuvent également être chauffés pour établir la température désirée. Dans ce stade de durcissement, la composition de revêtement pénètre dans la surface microrugueuse de la couche métallique d'origine du dessin de circuit pour établir un contact superficiel mutuel intime. Donc, le revêtement se lie au dessin conducteur d'une façon semblable à celle observée dans les procédés de placage pellicule métallique/plaque. Sinon, la plaque à circuit partiellement réalisée peut être soumise au stade de durcissement final du revêtement avant le dépôt électrolytique de la pleine épaisseur du métal pour réaliser le dessin conducteur. La chaleur et la pression égalisent la surface apparente de la couche métallique et l'incorporent au moins partiellement au revêtement. Cela peut laisser de petites discontlnuités dans la couche métallique qui sont facilement comblées lors du stade de dépôt électrolytique. Ce stade de durcissement antérieur semble réduire l'accroissement avantageux de l'adhésion mécanique obtenu par incorporation d'une portion de l'épaisseur du dépôt électrolytique dans le revêtement, mais semble assurer une surface plus lisse au métal déposé par vole électrolytique. La nature exacte de l'interaction entre le polymère époxydique rétlculant et le polymère caoutchouteux n'est pas totalement élucidée. Lorsqu'on utilise les caoutchoucs polyfonc- tionnels de bas poids moléculaire préférés, il semble qu'il se produise une réaction vraie entre les groupes fonctionnels. Lorsqu'on utilise un caoutchouc de poids moléculaire élevé, une certaine interaction se produit et elle peut consister en une addition au niveau des doubles liaisons le long de la chaîne du caoutchouc ou sur les groupes latéraux et les sites de réticulation. Quel que soit le cas, l'opération semble produire une "liaison" de l'époxyde au caoutchouc pour former un produit constitué d'une matrice dans laquelle une certaine quantité de polymère époxydique est dispersée. Lors de l'attaque, le composant caoutchouteux à la surface est encore attaqué par l'agent d'attaque pour réaliser la microporosité. Selon l'importance de la polymérisation dans le stade de durcissement initial et la température et la pression employées dans le stade de durcissement final, le dessin conducteur peut être incorporé au revêtement soit en partie soit totalement pour produire un circuit affleurant. Il est souhaitable que la pression soit suffisante pour incorporer le dessin conducteur en une proportion égale à au moins 10 % de son épaisseur. Cela semble accroître l'adhésion du fait de la plus grande surface de contact entre le revêtement et le dessin métallique. Quel que soit le cas, le caractère microporeux de la surface du revêtement lors du dépôt de la portion initiale de la couche métallique et le stade ultérieur de durcissement assurent un degré extrêmement élevé d'adhésion entre la couche métallique et le revêtement, et donc, par l'intermédiaire du revêtement, au substrat. Des résistances au pelage de 1,8 à 3,5 daN/cm (10-20 lb/in) sont facilement et habituellement obtenues. Comme précédemment indiqué, le substrat peut être revêtu sur ses deux surfaces et des dessins conducteurs peuvent être formés sur les deux surfaces du substrat. De plus, plusieurs plaques peuvent être assemblées et unies pour former un ensemble multicouche. Comme précédemment indiqué, divers métaux peuvent être utilisés dans le présent procédé. De plus, un dépôt amorce ou un revêtement très mince d'un premier métal, tel que le chrome ou le titane, peut être utilisé pour améliorer la liaison du métal, puis une couche d'un second métal, tel que le cuivre, peut y être déposée. Ensuite, on dépose le cuivre ou un autre métal pour établir l'épaisseur désirée du dessin conducteur dans la plaque à circuit. Le procédé précédemment décrit est illustré schématiquement par les dessins annexés. La figure 1 montre le substrat 10, le revêtement 12 et la couche initiale de métal 14. Comme le montre la figure 2, un dessin de photoréserve 16 est formé sur la surface de la couche conductrice 14, et le dépôt de métal 18 relativement épais est appliqué par voie électrolytique sur la surface de la couche conductrice 14. Comme le montre la figure 3, le dessin conducteur 18/14, après élimination de la réserve 16 et attaque de la couche 14 entre les zones conductrices 18, est partiellement incorporé dans la résine du revêtement 12 par application de chaleur et de pression. Des exemples non limitatifs de l'invention dans lesquels toutes les parties sont en poids, sauf indication contraire, figurent ci-après. EXEMPLE 1 La matière de base ou substrat est un stratifié époxyde/verre d'emploi général ayant une épaisseur d'environ 1,5 mm (0,060 inch). On applique au trempé une composition de revêtement, ayant la composition suivante, sur une épaisseur de 5,1 à 6,4 x 10-3 cm ( 2,0-2,5 x 103 inch): Résine époxyde 70,0 Dicyandiamide 2,0 Benzyldiméthylam:ne 0,5 Caoutchouc (HYCAR 1300X23 Goodrich) 110,0 Silice 10,0 Ether de glycol 42,0 Acétone 53,0 Diméthylformamide 8,0 Apres application, on durcit partiellement le revêtement à 121'C (250'F) pendant une période de 4 heures dans une étuve à air forcé. On soumet ensuite la matière de base avec le revêtement partiellement durci à un traitement d'attaque pour rendre la surface microporeuse avec une solution d'attaque contenant du bichromate de potassium, de l'acide sulfurique, de l'acide orthophosphorique et de l'eau. Pour obtenir le degré désiré d'attaque, on plonge la matière de base revêtue dans la solution d'attaque pendant 3,5 minutes, la température de la solution étant de 40'C. Ce stade opératoire élimine unepartie du caoutchouc d'acrylonitrile de la surface du revêtement. Après séchage, on applique ensuite un revêtement mince de cuivre à la matière de base revêtue, par métallisation sous vide sur une épaisseur de 127 à 178 x 10-6 cm (50-70 x 10-6 inch). On expose ensuite une photoréserve et on la développe pour former le dessin de circuit désiré, puis on forme selon le dessin une couche de cuivre d'épaisseur désirée correspondant à environ 3 g/dm2 (1 oz/ft2). On retire ensuite la réserve et on élimine la couche initiale mince de cuivre par attaque dans une solution de chlorure ferrique. A ce stade, on met la plaque en contact sous pression entre deux plaques d'acier et on place dans un four à 143'C (290'F) pendant une période d'environ 4 heures. Pendant cette période, le revêtement partiellement durci coule et s'unit au dessin de circuit de cuivre, si bien que la liaison finale est effectuée par l'adhésion du revêtement ayant coulé à la couche de cuivre initiale microrugueuse, ce qui assure une résistance au pelage d'environ 21 daN/cm (12 lb/in). EXEMPLE 2 Après préparation de la matière ce base selon l'exemple, on applique un revêtement ayant la composition suivante: Résine époxyde 70,0 Dicyandiamide 2,0 Benzyldiméthylamine 0,5 Caoutchouc (HYCAR 1300X8 Goodrich) 45,0 Silice 10,0 Ether de glycol 67,0 Diméthylformamide 8,0 On effectue le durcissement initial de ce sytème à 143'C (290'F) pendant une période de 4 heures et on effectue le durcissement final pendant 5 heures à 149'C (300'F). On répète les stades restants de l'exemple 1. EXEMPLE 3 On utilise un substrat époxyde/verre de type FR-4, et le revêtement du procédé de l'exemple 1 a la composition suivante pour maintenir la cotation au feu: Résine époxyde 10,0 Résine époxyde bromée 62,5 Dicyandiamide 2,0 Benzyldiméthylamine 0,5 Caoutchouc (HYCAR 1300X23 Goodrich) 115,0 Silice 10,0 Oxyde d'antimoine 3,0 Acétone 42,0 Diméthylformamide 8,0 EXEMPLE 4 Dans une modification du procédé décrit dans les exemples précédents, on effectue le stade de durcissement final après le dépôt de la couche métallique initale et avant le dépôt électroly- tique du métal pour établir la pleine épaisseur du dessin. On répète pratiquement le mode opératoire de l'exemple 1, si ce n'est que le revêtement a une épaisseur d'environ 3,8-5,1 x 10-3 cm (1,5-2,0 x 10-3 inch) et le stade de durcissement final est effectué après la formation du dépôt par métallisation sous vide, la plaque partiellement formée étant soumise à une température de 138'C (280'F) pendant 3 heures à 1 723 kPa (250 psi). Après application de la chaleur et de la pression dans ce stade, le dépôt formé par métallisation sous vide apparait pratiquement incorporé au revêtement. Après dépôt électrolytique, la surface du dessin conducteur apparait lisse et la rés-stance au pelage est de 2,21 daN/cm (12,6 lb/in). La description détaillée et les exemples qui précèdent montrent donc que le procédé de l'invention fournit une technique relativement simple mais très efficace pour obtenir une bonne liaison entre une couche métallique déposée et un substrat résineux sous-jacent. On peut obtenir de façon aisée et uniforme des résitances au pelage de 1, 8 à 3,5 daN/cm (10-20 lb/in) par suite de l'excellente adhésion assurée par le revêtement qui peut être caractérisé comme un polymère caoutchouteux modifié contenant une charge d'époxyde. On peut facilement obtenir une bonne définition des lignes et un faible espacement par suite de la facilité de mise en oeuvre du procédé et des forces de liaison qui peuvent être obtenues. REVENDICATIONS 1. Procédé pour la production de plaques à circuit ayant un dessin de circuit métallisé fermement lié à un substrat résineux, caractérisé en ce qu'il comprend les stades consistant à: (a) revêtir un substrat résineux d'un mélange fluide d'une composition contenant: (i) un composant caoutchouteux réactif polyfonctionnel de bas poids moléculaire comprenant un interpolymère de butadiène et d'acrylonitrile; et (ii) un composant polymère époxydique, lesdits composants étant interactifs à des températures d'au moins 82'C (180'F), ledit composant caoutchouteux correspondant à 50 à 200 % du poids du composant polymère époxydique, ledit revêtement ayant une épaisseur de 0,013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch); (b) durcir partiellement le revêtement pour produire une réticulation partielle dudit composant polymère époxydique, une polymérisation complémentaire du caoutchouc et une interaction dudit composant caoutchouteux et dudit composant polymère époxydique; (c) attaquer la surface apparente du revêtement pour produire une surface microporeuse; (d) déposer un métal sur la surface microporeuse du revêtement pour former une couche conductrice avec des microformations s'étendant dans les creux de ladite surface microporeuse; (e) effectuer le dépôt électrolytique d'un métal sur ladite couche conductrice pour y former un dessin conducteur; et (f) appliquer de la chaleur et de la pression à la couche métallique et au revêtement pour durcir complètement ledit revêtement afin de lier fermement ledit revêtement à ladite couche métallique et ainsi ledit dessin conducteur par l'intermédiaire dudit revêtement audit substrat résineux. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade d'application de chaleur et de pression est effectué après ledit stade de dépôt électrolytique de métal. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade d'application de chaleur et de pression est effectué avant ledit stade de dépôt électrolytique de métal. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit interpolymère caoutchouteux a des groupes fonctionnels terminaux choisis parmi vinyle et carboxyle. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit interpolymère caoutchouteux a une viscosité Brookfield de 000 à 400 000 cP à 27'C. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que lesdits groupes fonctionnels terminaux interagissent avec le composant polymère époxydique pendant leur durcissement. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade d'attaque utilise un agent d'attaque chimique pour attaquer la surface apparente dudit revêtement et produire le caractère microporeux. 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade d'attaque utilise un plasma pour attaquer la surface apparente dudit revêtement et produire le caractère microporeux. 9. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche métallique est déposée selon un procédé de métallisation sous vide. 10. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ladite couche métallique est déposée par dépôt chimique à partir d'une solution métallique. 11. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit groupe fonctionnel terminal est un groupe vinyle et ledit composant caoutchouteux correspond à 100 à 200 % du poids du composant prépolymère époxydique. 12. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade de durcissement partiel du revêtement comprend l'établissement d'une température de 121 à 177'C (250-350'F) dans le revêtement pendant une période d'au moins 2 heures et ledit stade de durcissement complet du revêtement comprend l'établissement d'une température dans le revêtement de 138 à 177'C (280-350'F) pendant une période d'au moins 2 heures. 13. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que ledit stade d'application de chaleur et de pression incorpore au moins partiellement ladite couche conductrice au revêtement. 14. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce qu'une couche continue de métal est initialement déposée sur ledit revêtement puis est attaquée sélectivement pour éliminer ladite couche entre ledits éléments dudit dessin conducteur. 15. Procédé de production de plaques à circuit ayant un dessin de circuit métallisé fermement lié à un substrat résineux, caractérisé en ce qu'il comprend les stades consistant à: (a) revêtir un substrat résineux d'un mélange fluide d'une composition contenant un composant caoutchouteux et un composant polymèere époxydique qui sont interactifs à des températures d'au moins 82'C (180'F), ledit composant caoutchouteux correspondant à 50 à 200 % du poids du composant polymère époxydique, ledit revêtement ayant une épaisseur de 0,013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch); (b) durcir partiellement le revêtement pour produire une réticulation partielle dudit composant polymère époxydique et une interaction dudit composant caoutchouteux et dudit composant polymère époxydique pour former une matrice du composant caoutchouteux et du composant époxydique ayant interagi; (c) attaquer la surface apparente du revêtement pour produire une surface microporeuse; (d) déposer un métal sur la surface microporeuse du revêtement pour former une couche conductrice avec des microformations s'étendant dans les creux de ladite surface microporeuse; (e) appliquer de la chaleur et de la pression à la couche conductrice et au revêtement pour durcir complètement ledit revêtement afin de lier fortement ledit revêtement à ladite couche métallique et ainsi ledit dessin conducteur par l'intermédiaire dudit revêtement audit substrat résineux, ladite chaleur et ladite pression incorporant ledit dessin conducteur audit revêtement sur une profondeur d'au moins 10 % de l'épaisseur du dessin conducteur; et (f) effectuer un dépôt électrolytique de métal sur ladite couche conductrice pour y former un dessin conducteur. 16. Procédé selon la revendication 15, dans lequel ledit caoutchouc a des groupes terminaux fonctionnels qui interagissent avec le composant prépolymère époxydique pendant ledit stade de durcissement final. 17. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit stade d'attaque utilise un agent d'attaque chimique pour attaquer la surface apparente dudit revêtement et produire le caractère microporeux. 18. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ladite couche métallique est déposée selon un procédé de métallisa- tion sous vide. 19. Procédé selon la revendication 15, caractérisé en ce que ledit composant caoutchouteux est un caoutchouc réactif polyfonc- tionnel de bas poids moléculaire comprenant un interpolymère de butadiène et d'acrylonitrile qui est terminé par un groupe fonctionnel vinyle et dans lequel ledit composant caoutchouteux correspond à 100 à 200 % du poids du composant polymère époxydique. 20. Procédé selon la revendication 19, caractérisé en ce que ledit interpolymère caoutchouteux a des groupes fonctionnels terminaux choisis parmi vinyle et carboxyle. 21. Plaque à circuit, caractérisée en ce qu'elle est constituée d'une combinaison comprenant (a) un substrat résineux (10); (b) un revêtement intermédiaire (12) sur une surface dudit substrat épais d'environ 0,013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch) et contenant un composant caoutchouteux et un polymère époxydique qui ont interagi pour former une matrice du polymère caoutchouc/époxyde ayant subi une interaction, ledit composant caoutchouteux constituant au moins % du poids dudit revêtement; et (c) un dessin conducteur métallique (14, 18) sur ledit revêtement constituant un circuit, ledit dessin conducteur ayant une couche de base (14) avec des microformations à l'interface avec ledit revêtement et s'étendant dans celui-ci, ledit dessin conducteur étant incorporé dans ledit revêtement à une profondeur d'au moins 10 % de son épaisseur, ledit revêtement étant fermement lié à ladite couche métallique et ainsi ledit dessin conducteur audit substrat par l'intermédiaire dudit revêtement. 22. Plaque à circuit selon la revendication 21, caractérisée en ce qu'elle est produite selon un procédé qui comprend les stades consistant à: (a) revêtir un substrat résineux d'un mélange fluide d'une composition contenant un composant caoutchouteux et un composant polymère époxydique qui sont interactifs à des températures d'au moins 82'C (180'F), ledit composant caoutchouteux correspondant à 50 à 200 % du poids du composant polymère époxydique, ledit revêtement ayant une épaisseur de 0,013 à 0,38 mm (0,0005-0,015 inch); (b) durcir partiellement le revêtement pour produire une réticulation partielle dudit composant polymère époxydique et une intéraction dudlt composant caoutchouteux et dudit composant polymère époxydique pour former une matrice du composant caoutchouteux et du composant époxydique ayant interagi; (c) attaquer la surface apparente du revêtement pour produire une surface microporeuse; (d) déposer un métal sur la surface microporeuse du revêtement pour former une couche conductrice avec des microformations s'étendant dans les creux de ladite surface microporeuse; (e) effectuer le dépôt électrolytique d'une métal sur ladite couche conductrice pour y former un dessin conducteur; (f) appliquer de la chaleur et de la pression au moins à la couche conductrice et au revêtement pour durcir complètement ledit revêtement afin de lier fortement ledit revêtement à ladite couche métallique et ainsi ledit dessin conducteur par l'intermédiaire dudit revêtement audit substrat résineux, ladite chaleur et ladite pression incorporant ledit dessin conducteur audit revêtement sur une profondeur d'au moins 10 % de l'épaisseur du dessin conducteur. 23. Plaque à circuit selon la revendication 22, caractérisée en ce que ledit interpolymère caoutchouteux a des groupes fonction- nels terminaux choisis parmi vinyle et carboxyle. 24. Plaque à circuit selon la revendication 22, caractérisée en ce que ledit interpolymère caoutchouteux a une viscosité Brookfield de 100 000 à 400 000 cP à 27'C. 25. Plaque à circuit selon la revendication 22, caractérisée en ce que ledit composant caoutchouteux est un caoutchouc réactif polyfonctionnel de bas poids moléculaire comprenant un interpolynmère de butadiène et d'acrylonitrile qui est terminé par un groupe fonctionnel vinyle et ledit composant caoutchouteux correspond à 100 à 200 % du poids du composant polymère époxydique. 26. Plaque à circuit selon la revendication 21, caractérisée en ce que ledit composant caoutchouteux constitue au moins 50 % du poids dudit revêtement.