Brevet FR2598722A1 — publié le 19871120

La présente invention concerne un procédé pour ta formation d'un film métallique sur la surface d'un métal de support qui consiste a tremper un métal de support en chauffant dans une solution d'un set du métal a appliquer sur le métal de support. 05 Plus particulièrement, la présente invention concerne un nouveau procédé pour former un film d'un métal de soudure sur la surface d'un métal de support tel qu'uncircuit imprimé sur la surface d'un panneau isolant, qui consiste à tremper le métal de support en chauffant dans une solution d'un sel spécifique du métal de 10 soudure. En général, les circuits électroniques sont fabriqués par impression d'un dessin d'un métal de support sur un panneau, formation d'un film d'un métal de soudure comme un alliage de soudure sur le métal de support, application des pièces ou éléments 15 de circuit sur le film de métal et chauffage du tout pour souder les pièces et le film de métal. D'après la technique antérieure, on connait à cet effet une soudure pâteuse qui est une dispersion pâteuse d'une poudre d'un alliage de soudure et d'un fondant dans un solvant de haut 20 point d'ébullition tel qu'une essence minérale agissant comme véhicule réglant la viscosité et on l'utilise pour former un film de l'alliage de soudure sur le métal de support. L'utilisation de cette soudure pâteuse pour former un film d'un alliage de soudure sur un métal de support d'un panneau ou plaque de circuit nécessite 25 en général les étapes d'application de la soudure pâteuse dans une configuration donnée sur la surface d'une plaque portant des pièces électroniques, par sérigraphie ou à l'aide d'un distributeur, et à chauffer la plaque pour fondre la poudre de l'alliage de soudure et la fixer sur la surface du métal de support par l'action de coopé30 ration du flux ou fondant. Lorsque la soudure pâteuse est chauffée, la poudre de l'alliage de soudure est fondue et l'oxyde éventueL existant sur sa surface est réduit par l'action du fondant en formant des particules d'alliage de soudure fondu pur ayant une surface propre. En même temps, le métal de support sur la plaque 35 est également réduit en une surface propre. Donc, les particules d'attiage de soudure fondu ont une force de coaguLa-itm: *uno mouiltabilité pour le métal de support améliorées et en r'séguenoe i. se forme un film de l'alliage de soudure sur -L irace -dm.ménaLl de support. os Dans cette soudure pâteuse, L'alliage de -sm r me iite sous La forme de particules d'alLiage Libre distîinctes s du ! fondant et du solvant. La dimension des particules peut etwfe lbr;ëS faibLemais elte est encore trop grande pour former,ude m sioin homogêne avec te fondant et te solvant. On a emwore '-s-ayé plusieurs fois de minimiser la taitte des partic4u[es d'ltLiiajmnii. teur dimension est pratiquement timitée actueVlem.n e =rnron pu de diamètre. Les particules d'attiage doî=eI a.oeh1T un diamètre de moins de I pm pour former une soudure pâteuse hmmgenm e stable. Dans ces dernières années, ta densitë des =inrviits imprimés pour appareils électroniques est devenue pbis ë d!& 4e sorte que tes dessins de circuits sur des supports sont oewnnsui par un certain nombre de lignes extrêmement minces.. Sam maTtais cas, tes circuits imprimés sont construits par un dessi-n de;L't ayant des lignes de quelques centaines de microns d- lar_.. à:des intervatles semblables. A mesure que la densité des tWsikm dle circuits devient plus grande, la soudure pâteuse 3 cet e-et t donc être fournie de manière plus précise. Dans le ras 'o une soudure pâteuse est fournie par sérigraphie pour lIa 1abricanti.mn de ces circuits imprimés de haute densité, on doit utiliser une trane ayant une maille plus petite. Dans le cas o V/.ri -rtiiEuiï -un distributeur pour fournir une soudure pâteuse, il. deLient également nécessaire d'utiliser une buse d'extrusion ayant un dihamlTne pii0u petit. Cependant, comme La soudure pâteuse contient, cnnmoe dérit ci-dessus, des particules solides de l'alliage de sourdTe, 'la dimension des particules ne peut parfois pas ëtr -rqqgle au moment de l'alimentation ou application de la soudure pâteuse sur des supports par sérigraphie ou à l'aide d4un dist.rire.ur- úar iLe cas de l'application d'une soudure pâteuse par 1LS ile particules solides de l'alliage de soudure présentes lpm'muaUt souvent l'obturation de la trame ou tamis de sorte qu'il devient difficile d'appliquer les particules d'alliage de manière homogène dans une configuration donnée. En outre, le frottement entre les particules d'alliage et le tamis peuvent provoquer l'endommagement 05 du masque, réduisant ainsi la durée de vie de la trame. Dans le cas o l'on utilise un distributeur pour l'alimentation en soudure pâteuse, les particules d'alliage obstruent la buse d'extrusion du distributeur, les particules agissant alors comme un filtre pour la soudure pâteuse passant à travers La buse en ne laissant passer que 10 le flux (ou fondant)et le solvant et en laissant les particules solides de l'alliage de soudure, rendant ainsi extrêmement difficile d'extruder une soudure pâteuse dans laquelle les particules d'alliage sont dispersées de manière homogène. La soudure entre les particules d'alliage et le métal 15 de support est obtenue comme décrit précédemment par la force mutuelle de coagulation et l'augmentation de la propriété de mouillage du métal de support par les particules d'alliage fondues. Mais, comme la tension superficielle des particules d'alliage fondues isolées est élevée, il est difficile de faire participer 20 toutes les particules d'alliage à la soudure. Les particules d'alliage ne participant pas à la soudure restent sur la plaque de support et provoquent des courts-circuits inattendus entre les traits du dessin du circuit. Un court-circuit peut donc facilement être formé,même par une seule particule d'alliage entre 25 les traits constituant les circuits, ce qui entraîne un défaut gênant. Pour éviter ce résultat, il est recommandé de laver les circuits imprimés après soudure avec un solvant organique pour éliminer les particules d'alliage résiduelles éventuelles. Même par ce lavage, il est difficile d'éliminer entièrement des circuits 30 traités les particules d'alliage résiduelles. Cet inconvénient peut être plus ou moins surmonté par réduction du diamètre des particules de l'alliage de soudure utilisé. Cependant, la réduction du diamètre des particules augmente le coût de production et stabilise les particules de la 35 soudure pâteuse résultante de sorte que la coagulation des parti- 15 2025 30 cules d'altiage peut à peine se produire et l'opération de soudure ellemême devient difficile. En vue d'éviter une éventuelle cohésion des particules d'alliage dans des zones indésirables provoquant la formation d'un court-circuit, il est également de pratique habituelle de masquer par une réserve toutes les zones autres que la zone sur laquelle on souhaite la formation d'un film métallique, formant ainsi le film de soudure exclusivement sur la zone souhaitée. Il est important de noter ici que la dimension de la zone sur laquelle on souhaite le dépôt des particules d'alliage est presque égale au diamètre des particules d'alliage individuelles. IL est donc extrêmement difficile également dans ce cas d'appliquer les particules d'alliage avec précision dans la zone désirée pour la formation d'un film suffisamment épais de l'alliage de soudure sur la zone souhaitée. Un autre moyen pour former un film métallique sur les zones souhaitées du support, consiste à masquer dans les zones non désirées une plaque portant le métal de support et à la plonger dans un bain de soudure fondue. Par ce moyen également, il est extrêmement difficile de former un film d'alliage de soudure avec précision conformément avec un dessin compliqué. Les divers inconvénients mentionnés ci-dessus semblent résulter de leurs compositions à deux phases solide-liquide dans lesquelles les particules solides des alliages de soudure sont dispersées dans un milieu liquide ou un sol. On suppose donc que ces inconvénients seront surmontés si les soudures sont d'une seule phase homogène. Dans le domaine des soudures utilisées dans l'industrie électronique, il y a donc la possibilité de perfectionnements remarquables des soudures pâteuses classiques, spécialement quant à leur composition. Il y a donc une forte demande de mise au point d'un nouveau type de soudure pour circuits imprimés électroniques surmontant ces inconvénients. La présente invention a donc pour objet de proposer un nouveau procédé pour former un film métallique sur la surface d'un métal de support, qui surmonte les divers inconvénients rencontrés dans les procédés classiques dans lesquels on utilise une soudure pâteuse. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé pour former un film métallique sur la surface d'un métal 05 de support, dans lequel on utilise une solution homogène d'un sel spécifique du métal à former en film sur le métal de support et le film est formé par précipitation du métal à partir de sa solution. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé pour former un film épais d'un métal ou alliage de 10 soudure sur le métal de support d'un circuit imprimé à haute densité. Un autre objet de la présente invention est de proposer un procédé pour former un film d'un métal ou alliage de soudure sur le métal de support avec précision conformément avec sa configura15 tion compliquée sans former de courts-circuits. Ces objets, caractéristiques et avantages de la présente invention apparaîtront plus complètement ainsi que d'autres à la lecture de la description qui suit. A la suite de recherches poussées en vue de la mise au 20 point d'un nouveau procédé pour former un film métallique sur la surface d'un métal de support avec précision conformément à un dessin compliqué de circuit imprimé sans former de court-circuit, on a maintenant découvert que l'on peut surmonter tous les inconvénients rencontrés dans l'utilisation des soudures pâteuses 25 classiques pour recouvrir la surface d'un métal de support constituant par exemple un circuit imprimé à haute densité sur un support non métallique comme élément électronique et que l'on peut former un film épais du métal ou alliage de soudure (premier métal) sur la surface du métal de support (second métal) en plongeant l'élément 30 électronique portant ce circuit dans une solution d'un sel spécifique du métal ou alliage de soudure en chauffant et en précipitant le premier métal sous forme d'un film sur la surface du second métal de support, en utilisant la différence de tendance à l'ionisation entre les deux métaux. Selon la présente invention, on propose un procédé pour former un film de métal sur la surface d'un métal de support, qui consiste à plonger un métal de support ou un support non métallique portant le métal de support en chauffant dans une solution d'un sel 05 de métal dans un solvant de point d'ébullition élevé, caractérisé en ce que le sel de métal est un sel d'un métal à former sur la surface du métal de support avec une substance acide choisie parmi un acide carboxylique organique, la colophane et un dérivé de colophane. Le procédé de la présente invention pour former un film métallique sur la surface d'un métal de support possède diverses caractéristiques en comparaison avec les procédés classiques connus dans lesquels on utilise une soudure pâteuse ou un bain de soudure. L'une des caractéristiques du procédé de l'invention réside dans 15 l'utilisation d'une solution en phase homogène d'un sel du métal (Le premier métal) à déposer en film sur la surface du métal de support (le second métal). Une autre caractéristique réside dans l'utilisation d'une substance acide spécifique pour la préparation d'un sel du premier métal. Une autre caractéristique réside dans la 20 relation entre le premier métal et le second métal. Le premier métal et le second métal sont choisis de telle sorte que le second métal de support ait une tendance ou aptitude à l'ionisation plus grande que le premier métal constituant un sel avec l'acide spécifique ou une substance contenant cet acide. Selon le procédé de l'invention, le premier métal est précipité sous forme d'un film à partir de son sel dissous dans un solvant sur la surface du second métal de support, avec précision confQrmément à sa configuration. Dans la présente invention, le premier métal est donc d'abord transformé avec la substance acideen unde 30 ses sçls qui est soluble dans un solvant de point d'ébullition élevé. La substance acide est choisie parmi les acides carboxyliques organiques ayant de préférence au moins 4 atomes de carbone. Les divers groupes d'acides carboxyliques suivants entrenten lignede compte: les acides mono-, di- et polycarboxyliques aliphatiques et 35 les acides mono-, di- et polycarboxyliques aromatiques. Parmi les acides carboxyliques aliphatiques, on préfère les acides gras supérieurs et les acides dicarboxyliques. A titre d'exemples de ces acides gras et acides dicarboxyliques préférés, on citera les suivants: acide caprique, acide laurique, acide palmitique, acide 05 stéarique, acide oléique, acide néodécanoique, acide sébacique, acide fumarique et acide maleique. On préfère surtout utiliser un acide gras supérieur. On peut utiliser divers acides mono-, di- et tricarboxyliques aromatiques pour la présente invention, mais on utilise de préférence l'acide benzoique, l'acide phtalique, l'acide 10 isophtalique, l'acide trimellitique, l'acide pyromellitique, etc. On peut également utiliser de préférence pour la présente invention des acides carboxyliques aromatiques contenus dans des sources naturelles, tels qu'acide d-pimarique, acide abiétique et acide naphténique. D'autres acides carboxyliques organiques non mention15 nés ici peuvent aussi être utilisés, pour autant qu'ils puissent former un sel avec le premier métal et que le sel soit soluble dans le solvant de point d'ébullition élevé. Outre ces acides carboxyliques organiques, on peut aussi utiliser pour la préparation de sels du premier métal une 20 substance acide d'origine naturelle contenant de l'acide abiétique et de l'acide d-pimarique. Des exemples préférés de ces substances sont la colophane et ses dérivés.Ces substances étaient utiliséescomme fondant (flux) pour soudure dans le passé et contiennent comme ingrédients principaux les acides mentionnés ci-dessus. Des 25 exemples de ces dérivés de colophane sont la colophane asymétrique, la colophane hydrogénée, la gomme-résine, la résine de tallol et la résine de térébenthine. En outre, on peut aussi utiliser de manière équivalente des colophanes modifiées chimiquement pour la préparation des sels du premier métal. L'acide abiétique et l'acide d30 pimarique contenus dans la colophane naturelle et ses dérivés n'ont dans leur molécule qu'un seul groupe carboxyle à lier avec le métal. Dans le cas o l'on utilise la colophane pour la préparation des sels avec un métal divalent ou polyvalent comme l'étain, la teneur en métal dans le sel résultant devient plus faible. On peut 35 donc modifier chimiquement la colophane pour qu'elle ait plusieurs groupes carboxyles en y introduisant un ou deux groupes carboxyles par une réaction d'addition avec un acide carboxylique. Des exemples préférés d'acides carboxyliques à introduire dans la colophane par réaction d'addition comprennent l'acide maléique et 05 l'acide fumarique. Un produit obtenu,par exemple, par addition d'acide maléique sur la colophane possède trois groupes carboxyles dans sa molécule et peut être lié en quantité suffisante avec le premier métal pour servir de soudure. Le premier métal, c'est-à-dire le métal capable de 10 former un sel avec l'acide carboxylique organique mentionné cidessus, la colophane ou un de ses dérivés (y compris la colophane modifiée chimiquement), est choisi comme métal à former en film sur la surface d'un métal de support constituant une pièce électronique telle qu'un circuit imprimé. Donc, le métal est choisi en fonction 15 de l'utilisation envisagée du film formé sur le métal de support. Dans le cas o l'on forme un film de soudure sur la surface du métal de support, on utilise facultativement l'étain et le plomb avec d'autres composants auxiliaires d'alliage comme le bismuth en proportions données. Dans le cas de la formation d'un film 20 d'argent, l'argent métallique est choisi comme premier métal. Des exemples de premier métal sont par exemple le zinc, le cadmium, le chrome, le fer, le nickel, le cobalt, l'étain, le plomb, le bismuth, le cuivre, l'argent et l'or. Les sels du premier métal avec les acides carboxy25 tiques, la colophane ou ses dérivés mentionnés ci-dessus peuvent être préparés selon des procédés humide et à sec. Selon le procédé humide, on fait d'abord réagir (ou on neutralise) l'acide carboxylique, la colophane ou son dérivé dans un milieu aqueux avec un alcali caustique tel qu'hydroxyde de potassium ou de sodium à la 30 température ambiante ou à une température légèrement élevée pour former une solution aqueuse de son sel de métal alcalin. On fait ensuite réagir la solution aqueuse résultante du sel de métal alcalin telle quelle (sans isoler le sel de métal alcalin solide) avec une solution aqueuse d'un sel du premier métal à la tempéra35 ture ambiante ou à une température légèrement élevée, de sorte qu'iL se produit une réaction de double décomposition donnant une solution aqueuse du sel désiré du premier métal avec L'acide carboxyLique ou La colophane ou son dérivé, contenant un sel de métal alcaLin comme sous-produit. Le sel de premier métal peut être 05 isolé de sa solution aqueuse par élimination de l'eau jusqu'a siccité, extraction du résidu par un solvant aromatique tel que toluène ou xyLène pour la séparation du seL de métal alcaLin et concentration de l'extrait à siccité. Dans ce procédé humide, le seL soluble dans L'eau du premier métal utilisé comme réactif est 10 de préférence dérivé d'un acide fort ou relativement fort pour la réaction de double décomposition. Des exemples d'acides forts ou relativement forts appropriés comprennent les acides halohydriques, spécialement l'acide chlorhydrique, l'acide nitrique et l'acide acétique. L'acide sulfurique est également approprié si son sel est 15 soluble dans l'eau. Dans le cas o l'on doit former un film d'alliage de deux ou plusieurs premiers métaux sur la surface du métal de support, on utilise pour la réaction de double décomposition les sels correspondants des deux premiers métaux ou plus. Dans ce cas, ces sels de premiers métaux peuvent être introduits dans le sys20 tème de réaction sous forme d'un sel double ou mixte ou d'un mélange des sels isolés qui ont été préparés séparément et mélangés dans un rapport donné. L'utilisation d'un mélange des sels individuels est préférée car l'épaisseur du film métallique résultant devient plus grande et l'on peut faire varier à volonté le rapport des métaux 25 selon l'utilisation envisagée. Des exemples préférés des sels métalliques pour le procédé humide (réaction de double décomposition) comprennent les chlorures pour le zinc, le cadmium, le fer, le nickel, le cobalt, l'étain (stanneux) et le cuivre; les sulfates pour le zinc, le 30 cadmium, le fer, le nickel, le cobalt et le cuivre; les nitrates pour le zinc, la cadmium, le nickel, le cobalt, le cuivre et l'argent; et les acétates pour le zinc et le plomb. Dans le cas de la formation d'un film de soudure, on utilise de préférence une combinaison de chlorure stanneux et d'acétate de plomb. Selon le procédé à sec, on fait fondre en conditions anhydres l'acide carboxylique, la colophane ou son dérivé avec un oxyde du premier métal, tout en éliminant l'eau formée pendant la réaction. Comme variante de ce procédé, on ajoute les réactifs à un 05 solvant hydrophobe aromatique tel que toluène ou xylène et on chauffe le mélange jusqu'à ce que l'eau formée pendant la réaction soit complètement éliminée par distillation azéotropique. Dans l'un ou l'autre cas, on chauffe enfin de préférence le mélange de réaction jusqu'à 220230 0C pour terminer la réaction. Le procédé à sec 10 est dit "méthode par fusion". La teneur du premier métal dans son carboxylate est de préférence dans la gamme de 2-70 % en poids, mieux encore de 10-60 % en poids. Sa teneur peut être facilement réglée par le choix de l'acide carboxylique et compte tenu de la valence du 15 métal. Si la teneur du métal est trop élevée, le sel métallique peut à peine se dissoudre dans un solvant de point d'ébullition élevé. Dans le procédé selon l'invention, le sel du premier métal est dissous à température élevée dans le solvant de point 20 d'ébullition élevé pour former une solution homogène. claire (limpide). Le solvant de haut point d'ébullition ne doit pas réagir avec le sel du premier métal ni attaquer un élément électronique portant un métal de support constituant un circuit imprimé. Compte tenu de ces conditions, on utilise de préférence pour le procédé de l'invention le squalene ou une essence minérale de haut point d'ébullition. Lorsque l'on prépare une solution du sel métallique, la teneur en métal dans la solution doit être réglée pour avoir une concentration d'au moins 0,1 % en poids. Si la teneur en métal est 30 inférieure à 0,1 X en poids, la quantité du métal sera insuffisante pour donner un film de métal d'épaisseur suffisante. Pour régler de manière précise la teneur en métal, on peut diluer par un solvant la solution contenant le sel enrichi en métal pour réduire la concentration du sel métallique dans la solution, ou bien encore on peut dissoudre le sel à faible teneur en métal dans le solvant à une concentration élevée. Il est important dans le procédé de l'invention que le premier métal à déposer en film sur le second métal ou métal de 05 support ait une tendance à l'ionisation plus faible que le second métal. Dans le caso , au contraire, le premier métal auneplus faible tendance à l'ionisation que le second métal, il ne se forme pas de film métallique sur le métal de support. Si par exemple, on forme un film d'un alliage de soudure sur la surface d'un support de 10 cuivre, on ne pourra pas former un film d'alliage d'étain et de plomb précipité directement sur la surface du support de cuivre. Même dans ce cas, cependant, la formation du film d'alliage étainplomb est possible si l'on soumet au préalable le support de cuivre à un dépôt électrolytique de zinc ou d'aluminium pour former un 15 film de zinc ou d'aluminium sur la surface du support de cuivre et on forme ensuite le film d'alliage étain-plomb sur le support de cuivre revêtu de Al ou Zn. Selon le procédé de L'invention, on plonge dans la solution du sel du premier métal en chauffant le métal de support 20 lui-même ou un support non métallique tel qu'un support de verre ou de résine. La température d'immersion varie selon le type du sel métallique et le point d'ébullition du solvant, mais elle est en général dans la gamme de 230- 280 C et elle est d'environ 250 C dans le cas o l'on utilise le squalène comme solvant. La durée d'immer25 sion varie également selon le sel métallique, la température d'immersion et l'épaisseur du film à former, mais elle est en général dans la gamme de quelques secondes à quelques dizaines de minutes. Si l'épaisseur du film métallique formé est encore insuffisante après une certaine durée, on peut prolonger la durée 30 d'immersion de manière convenable. Lorsque l'on plonge le métal de support dans une solution chaude du sel métallique selon le procédé de l'invention, le sel métallique est décomposé sur la surface du métal de support, le premier métal libéré de son sel étant précipité sur la surface 35 du métal de support pour former un film. Dans le cas o l'on os05 10 15 utilise au moins deux types de sels métalliques, il se forme sur le métal de support un film de l'alliage. Dans la présente invention, le mécanisme de formation d'un film métallique sur le métal de support par simple immersion du métal de support dans une solution du sel métallique n'est pas clair actuellement, mais on suppose qu'elle se produit selon le processus suivant: au moment de la décomposition du sel métallique, le métal de support agit comme catalyseur à cet effet, de sorte que la réaction de décomposition du sel métallique a lieu sur la surface du métal de support et le métal libre résultant est alors dissous dans le métal de support en formant une couche d'alliage. Ensuite, l'ion métallique formé par décomposition du sel métallique migre et se décompose sur la surface du métal de support en libérant le métal libre qui est ensuite dissous sur la surface de la couche d'alliage initialement formée pour former éventuellement un film du premier métal sur le second métal de support. La matière organique formée par la décomposition des sels métalliques, par exemple la colophane, le dérivé de colophane ou l'acide organique correspondant, sert de fondant et peut réduire la surface oxydée du métal de support et provoquer la formation du film métallique. Selon le procédé de l'invention, on forme facilement un film du premier métal sur la surface du second métal de support par simple immersion du second métal dans une solution du sel du premier métal. La mise en oeuvre de ce procédé est très simple et ne nécessite pas d'installation et d'appareillage spéciaux. Le premier métal participant à la formation du film métallique est combiné sous forme de sel avec le composant organique dans la solution 30 d'immersion et n'existe pas dans la solution à l'état de particules métalliques libres. En conséquence, le procédé de l'invention peut être appliqué au traitement d'une plaque portant un dessin de circuit imprimé avec précision ou un dessin de circuit semblable formé par masquage de la plaque métallique avec une réserve confor35 mément au dessin désiré. Par simple immersion de cette plaque directement dans la solution du sel métallique, un film métallique d'épaisseur désirée peut être formé avec certitude de manière précise sur le métal de support constituant le dessin sans extraction du métal du dessin et formation de court-circuit avec les 05 particules métalliques libres. Dans le procédé de formation du film métallique, le sel métallique se déplace vers la surface du métal de support o il se décompose, le métal libéré formanten même temps un film sur le métal de support sans qu'il yait de particules métalliques distinctes dans la solution ou sur la surface du métal 10 de support. Autrement dit, il n'existe pas de particules métalliques distinctes dans le système tout au long du procéd et le composant métallique dans la solution est complètement utilisé pour la formation du film métallique. En conséquence, le métal libéré est concentré exclusivement sur la zone exposée du métal de support 15 avec formation d'un film métallique ayant une épaisseur suffisante, même si la teneur en métal dans la solution est faible. Le procédé de l'invention se distingue par l'utilisation d'un système homogène contenant le sel métallique dissous et par une mise en oeuvre simplifiée et atteint donc une efficacité très élevée que l'on ne 20 rencontre pas dans la technique antérieure. Au vu des excellentes qualités de la présente invention spécialement caractérisée par l'utilisation d'une phase liquide homogène exempte departicules métalliques solides et par la concentration du métal exclusivement sur la zone exposée du métal 25 de support, le procédé de l'invention est applicable non seulement au soudage de circuits et d'éléments électroniques, mais aussi à la fabrication de circuits intégrés à haute densité et de circuits intégrés à grande intégration (LSI). En outre, le procédé de l'invention est particulièrement utile pour brancher des fils 30 conducteurs à des circuits intégrés (IC) et des circuits LSI. De plus, outre l'industrie électronique, le procédé de l'invention peut être largement utilisé dans divers domaines industriels, par exemple pour former un film métallique sur la surface d'articles décoratifs métalliques et d'articles en matière plastique métal35 lisés. Les exemples suivants toutefois en limiter la portée. illustrent l'invention sans Exemple 1 Dans un ballon de 200 ml à 4 tubulures, muni d'un séparateur d'eau, d'un condenseur, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 125 g d'acide naphténique (indice d'acide: 224). Après avoir élevé la température intérieure à 170-180 C, on ajoute à l'acide 10,1 g d'oxyde stanneux et 5, 9 g de monoxyde de plomb. 10 Apres avoir élevé la température à 220-230 C, on fait réagir le mélange pendant 3 h à la même température et l'on obtient des naphténates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 6,3 % en poids et une teneur en plomb de 3,9 % en poids. Exemple 2 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 1, sauf que l'on utilise 90 g d'acide néodécanoique comme acide carboxylique organique au lieu de l'acide naphténique utilisé à l'exemple 1, en obtenant les néodécanoates stanneux et de plomb 20 ayant une teneur en étain de 8,4 % en poids et une teneur en plomb de 5,2 % en poids. Exemple 3 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à 25 l'exemple 1, sauf qu'on utilise 142 g d'acide stéarique comme acide carboxylique organique au lieu de l'acide naphténique utilisé à l'exemple 1, en obtenant les stéarates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 5,6 % en poids et une teneur en plomb de 3,5 % en poids. Exemple 4 Dans un ballon de 300 ml à 4 tubulures, muni d'un séparateur d'eau, d'un condenseur, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 122 g d'acide benzolque et 40 g de xylène. Apres avoir 35 élevé la température intérieure à 120-130 C en agitant le mélange, on ajoute au mélange 20,2 g d'oxyde stanneux et 11,8 g de monoxydede plomb. Apres avoir élevé la température interne à 220-230 C tout en éliminant le xylène, on fait réagir le mélange pendant 3 h à la même température ambiante en obtenant Les 05 benzoates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 11,6 % en poids et une teneur en plomb de 7,1 % en poids. Exemple 5 Dans un bécher de 2 I muni d'un agitateur, on place 10 125 g d'acide naphténique (indice d'acide: 224), 59 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 1 247 g d'eau. On fait réagir pendant 2 h à 30 C en agitant pour obtenir une solution aqueuse de naphténate de potassium ayant un pH de 10,5 et contenant ,2 % en poids d'une matière solide. D'autre part, on charge 38 g de chlorure stanneux, 26 g d'acétate de plomb et 200 g d'eau dans un bécher de 500 ml muni d'un agitateur et on dissout les sels métalliques dans l'eau en agitant. On ajoute cette solution aqueuse de sels métalliques à la solution aqueuse ci-dessus de naphténate de potassium et on met 20 ensuite en oeuvre une réaction de double décomposition pendant 1 h à 30 C. On déshydrate le mélange de réaction, on le sèche et ensuite on l'extrait par le toluène. On chauffe le résidu sous 10 mmHg pour chasser le toluène par distillation et l'on obtient ainsi les naphténates stanneux et de plomb ayant une teneur en 25 étain de 13,2 % en poids et une teneur en plomb de 9,2 % en poids. Exemple 6 Dans un bécher de 2 I muni d'un agitateur, 141 g d'acide oléique (indice d'acide: 198), 59 g d'une 30 aqueuse à 48 % de potasse caustique et 1 406 g d'eau. réagir pendant 2 h à 30 C en agitant pour obtenir une aqueuse d'oléate de potassium ayant un pH de 10,4 et ,1 % en poids de matière solide. D'autre part, on charge 38 g de chlorure stani 35 d'acétate de plomb et 200 g d'eau dans un bécher de 500 on place solution On fait solution contenant neux, 26 g ml muni s O5 10 15 20 30 d'un agitateur et on dissout les sels métalliques dans L'eau en agitant. On ajoute cette solution aqueuse des sels métalliques à la solution aqueuse d'oléate de potassium mentionnée ci-dessus et ensuite on met en oeuvre une réaction de double décomposition pendant 1 h à 300C. On déshydrate le mélange de réaction, on le sèche et ensuite on l'extrait par le toluène. On chauffe le résidu sous 10 mmHg pour chasser le toluène par distillation et on obtient Les oléates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 12,0 % en poids et une teneur en plomb de 8,4 % en poids. Exemple 7 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'a l'exemple 6, sauf qu'on utilise 42 g de chlorure cuivrique comme sel métallique pour la double décomposition en obtenant l'oléate cuivrique ayant une teneur en cuivre de 10,4 % en poids. Exemple 8 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 6, sauf qu'on utilise 62,3 g de chlorure de nickel (hexahydraté) comme sel métallique pour la double décomposition, en obtenant l'oléate de nickel ayant une teneur en nickel de 9,1 % en poids. Exemple 9 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 6, sauf qu'on utilise 85 g de nitrate d'argent comme sel métallique pour la double décomposition, en obtenant l'oléate d'argent ayant une teneur en argent de 27,7 % en poids. Exemple 10 Dans un bécher de 2 l muni d'un agitateur, on place 100 g d'acide phtalique, 141 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 1 230 g d'eau. On fait réagir pendant 2 h à 300C en agitant pour obtenir une solution aqueuse de phtalate de potassium ayant un pH de 10,3 et contenant 10,1 % en poids de matière solide. D'autre part, on charge 215 g de nitrate d'argent et 200 g d'eau dans un bêcher de 500 ml muni d'un agitateur et on OS dissout Le sel métallique dans l'eau en l'agitant. On ajoute cette solution aqueuse de nitrate d'argent à la solution aqueuse de phtalate de potassium ci-dessus mentionnée et on met en oeuvre une réaction de double décomposition pendant 1 h à 30 C. On déshydrate le mélange de réaction, on le sèche et ensuite on l'extrait par le 10 toluène. On chauffe le résidu sous 10 mmHg pour chasser le toluène par distillation et l'on obtient 225 g de phtalate d'argent ayant une teneur en argent de 53,5 % en poids. Exemple 11 On met en oeuvre une réaction de la même manière qu'à l'exemple 10, sauf qu'on utilise 100 g d'acide isophtalique au lieu de l'acide phtalique utilisé à l'exemple 10, en obtenant une solution aqueuse d'isophtalate de potassium ayant un pH de 10,2 et contenant 10,0 % en poids de matière solide, que l'on soumet 20 ensuite à une réaction de double décomposition de la même manière qu'à l'exemple 10 pour obtenir 230 g d'isophtalate d'argent ayant une teneur en argent de 51,5 % en poids. Exemple 12 On fait réagir un mélange de 100 g d'acide sébacique, 116 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 1 171 g d'eau de la même manière qu'à l'exemple 10 pour obtenir une solution aqueuse de sébacate de potassium ayant un pH de 10,1 et contenant 10,1 % en poids de matière solide. On ajoute à cette solution 30 aqueuse une solution aqueuse de 177 g de nitrate d'argent dans g d'eau pour effectuer une réaction de double décomposition de la même manière qu'à l'exemple 10 en obtenant 195 g de sébacate d'argent ayant une teneur en argent de 49,8 % en poids. f Exemple 13 On fait réagir un mélange de 100 g d'acide fumarique, 201 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 1 370 g d'eau de la même manière qu'à l'exemple 10 pour obtenir une solu05 tion aqueuse de fumarate de potassium ayant un pH de 10,5 et contenant 10,3 % en poids de matière solide. A cette solution aqueuse de fumarate de potassium, on ajoute une solution aqueuse de 308 g de nitrate d'argent dans 300 g d'eau pour effectuer une réaction de double décomposition de la même manière qu'à l'exemple 10 en obte10 nant 275 g de fumarate d'argent ayant une teneur en argent de 61,3 % en poids. Exemple 14 On fait réagir un mélange de 100 g d'anhydride trimel15 litique, 183 g d'une solution aqueuse à 48 Z de potasse caustique et 1 330 g d'eau de la même manière qu'à l'exemple 10 pour obtenir une solution aqueuse de trimellitate de potassium ayant un pH de 10,2 et contenant 10,1 % en poids de matière solide. On ajoute à cette solution aqueuse une solution aqueuse de 279 g de nitrate 20 d'argent dans 270 g d'eau pour effectuer une réaction de double décomposition de la même manière qu'à l'exemple 10 en obtenant 246 g de trimellitate d'argent ayant une teneur en argent de 57,5 % en poids. - 25 Exemple 15 On fait réagir un mélange de 100 g d'anhydride pyromelLitique, 214 g d'une solution aqueuse à 40 % de potasse caustique et 1 400 g d'eau de la même manière qu'à l'exemple 10 pour obtenir une solution aqueuse de pyromellitate de potassium ayant un pH de 30 10,4 et contenant 10,0 % en poids de matière solide. On ajoute à cette solution aqueuse une solution aqueuse de 328 g de nitrate d'argent dans 300 g d'eau pour effectuer une réaction de double décomposition de la même manière qu'à l'exemple 10 en obtenant 265 g de pyromellitate d'argent ayant une teneur en argent de 35 59,8 % en poids. Exemple 16 Dans un ballon de 200 ml à 4 tubulures muni d'un séparateur d'eau, d'un condenseur, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 100 g d'acide oléique. Après avoir élevé la température 05 interne à 170-180 C, on ajoute à l'acide 3,7 g d'oxyde stanneux et 2,4 g de monoxyde de plomb. Après avoir élevé la temperature interne à 220-230 C, on fait réagir le mélange pendant 3 h à la même température en obtenant les oléates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 2, 9 % en poids et une teneur en plomb de 10 1,8 % en poids. Exemple 17 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 16, sauf que les quantités d'oxyde stanneux et de 15 monoxyde de plomb utilisées sont de 0,8 g et 0,5 g, respectivement, en obtenant les oléates stanneux et de plomb ayant une teneur en étain de 0,61 % en poids et une teneur en plomb de 0,39 % en poids. Exemple 18 Dans un ballon de 1 l à 4 tubulures muni d'un condenseur et d'un agitateur, on place 175 g de gomme-résine produite en Chine (indice d'acide: 169; teinte: qualité X;.point de ramollissement: 78 C), 63 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 374 g d'eau. On fait réagir pendant 3 h à 90 C en 25 agitant pour obtenir une solution aqueuse de sel de potassium de gomme-résine ayant un pH de 10,5 et contenant 30,5 % de matière solide. On charge un bécher de 2 I muni d'un agitateur avec 600 g d'une solution aqueuse du sel de potassium de gomme- résine 30 obtenue à l'étape précédente et 050 9 d'eau pour diluer la solution aqueuse en agitant. D'autre part, on charge 38 g de chlorure stanneux, 26 g d'acétate de plomb et 200 g d'eau dans un bécher de 500 ml muni d'un agitateur et on dissout les sels métalliques dans l'eau en agitant. On ajoute cette solution aqueuse des 35 sels métalliques à la solution aqueuse diluée de sel de potassium O5 10 15 20 de gomme-résine ci-dessus mentionnée et ensuite, on met en oeuvre une réaction de double décomposition pendant 1 h à 30 C. On déshydrate le mélange de réaction et on le sèche pour obtenir les sels stanneux et de plomb de la gomme-résine ayant une teneur en étain de 9 % en poids et une teneur en plomb de 5,8 % en poids. Exemple 19 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 18, sauf qu'on utilise 84 g de nitrate d'argent comme sel métallique au lieu du chlorure stanneux et de l'acétate de plomb pour la double décomposition, en obtenant le sel d'argent de la gomme-résine ayant une teneur en argent de 21 % en poids. Exemple 20 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 18, sauf qu'on utilise 42 g de chlorure cuivrique pour la double décomposition au lieu de chlorure stanneux et d'acétate de plomb, en obtenant le sel cuivrique de la gomme-résine ayant une teneur en cuivre de 14 % en poids. Exemple 21 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 18, sauf que l'on utilise de la colophane du tallol (indice d'acide: 168,5; teinte: qualité X; point de ramollissement: 76 C) au lieu de la gomme- résine produite en Chine, en obtenant les sels stanneux et de plomb de la colophane de tallol ayant une teneur en étain de 8,8 % en poids et une teneur en plomb de 5,8 % en poids. Exemple 22 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 18, sauf qu'on utilise une colophane asymétrique (indice d'acide: 167,0; teinte: qualité WG; point de ramollissement: 68 C) au lieu de la gomme-résine produite en Chine, en obtenant les sels stanneux et de plomb de la colophane asymétrique ayant une teneur en étain de 8,5 % et-une teneur en plomb de 5,5 % en poids. Exemple 23 S05 Dans un ballon de 500 ml à 4 tubulures muni d'un condenseur, d'un séparateur d'eau, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 300 g de colophane du tallol (indice d'acide: 168; teinte: qualité X; point de ramollissement: 76 C). On chauffe le ballon en agitant dans une calotte chauffante pour faire fondre la 10 colophane. On refroidit la colophane fondue à 180 C et on mélange avec 57 g d'anhydride maléique. On chauffe le mélange pendant 2 h à 190-200 C pour effectuer une réaction d'addition avec l'anhydride maléique en obtenant un produit d'addition de la colophane avec l'anhydride maléique ayant un indice d'acide de 324. Dans un ballon de 1 l à 4 tubulures muni d'un condenseur et d'un agitateur, on place 175 g du produit d'addition de la colophane avec l'anhydride maléique obtenu à l'étape précédente, 120 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 318 g d'eau. On fait réagir le mélange pendant 3 h à 90 C en agitant pour 20 obtenir une solution aqueuse du sel de potassium du produit d'addition colophane-anhydride maLéique ayant un pH de 10,3 et contenant 30 % de matière solide. Dans un bécher de 2 l muni d'un agitateur, on charge 600 g de la solution aqueuse du sel de potassium du produit d'addi25 tion colophane-anhydride maléique obtenue à L'étape précédente et 850 g d'eau pour diluer la solution aqueuse en agitant. D'autre part, on charge 69 g de chlorure stanneux, 45 g d'acétate de plomb et 200 g d'eau dans un bécher de 500 ml muni d'un agitateur et on dissout les sels métalliques dans l'eau en agitant. On ajoute cette 30 solution aqueuse des sels métalliques à la solution aqueuse diluée de sel de potassium du produit d'addition colophane-anhydride maléique mentionnée ci-dessus, et ensuite on met en oeuvre une réaction de double décomposition à 30 C pendant 1 h. On déshydrate le mélange de réaction et on le sèche pour obtenir les sels 35 stanneux et de plomb du produit d'addition colophane-anhydride maléique ayant une teneur en étain de 17 % en poids et une teneur en plomb de 12 % en poids. Exemple 24 Dans un ballon de 500 ml à 4 tubulures muni d'un condenseur, d'un séparateur d'eau, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 300 g de colophane du tallot (indice d'acide 168; teinte: qualité X; point de ramollissment: 76 C). On chauffe le ballon en agitant dans une calotte chauffante pour faire fondre la 10 colophane. On refroidit aussitôt la colophane fondue à 180 C et on mélange avec 24 g d'acide fumarique. On chauffe le mélange pendant 2 h à 190-200 C pour effectuer une réaction d'addition avec l'acide fumarique en obtenant 320 g d'un produit d'addition colophane-acide fumarique ayant un indice de neutralisation de 226. Dans un ballon de 1 I à 4 tubulures muni d'un condenseur et d'un agitateur, on place 175 g du produit d'addition colophane-acide fumarique obtenu à l'étape précédente, 83 g d'une solution aqueuse à 48 % de potasse caustique et 417 g d'eau. On fait o réagir le mélange pendant 3 h à 90 C en agitant pour obtenir une 20 solution aqueuse de sel de potassium du produit d'addition colophane-acide fumarique ayant un pH de 10,3 et contenant 30 % de matière solide. Dans un bécher de 2 l muni d'un agitateur, on charge 600 g de la solution aqueuse du sel de potassium du produit d'addi25 tion colophane-acide fumarique obtenue à l'étape précédente et 850 g d'eau pour diluer la solution aqueuse en agitant. D'autre part, on charge 43 g de chlorure stanneux, 28 g d'acétate de plomb et 200 g d'eau dans un bécher de 500 ml muni d'un agitateur et on dissout les sels métalliques dans l'eau en agitant. On ajoute cette 30 solution aqueuse des sels métalliques à la solution aqueuse diluée de sel de potassium du produit d'addition colophane-acide fumarique ci-dessus mentionnée et on effectue ensuite une réaction de double décomposition pendant 1 h à 30 C. On déshydrate le mélange de réaction et on le sèche pour obtenir les sels stanneux et de plomb du produit d'addition colophane-acide fumarique ayant une teneur en étain de 13 % en poids et une teneur en plomb de 9 % en poids. Exemple 25 Dans un ballon de 1 l à 4 tubulures muni d'un sépara05 teur d'eau, d'un condenseur, d'un thermomètre et d'un agitateur, on place 300 g de gommerésine produite en Chine (décrite précédemment). On chauffe le ballon pour faire fondre la colophane à 220230 C tout en éliminant l'eau. On ajoute à la masse fondue 20,3 g d'oxyde stanneux et 13,0 g de monoxyde de plomb et on fait réagir 10 le mélange pendant 3 h à la même température en obtenant les sels stanneux et de plomb de la gomme-résine ayant une teneur en étain de 5,5 % en poids et une teneur en plomb de 3,8 % en poids. Exemple 26 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à 15 l'exemple 25, sauf que les quantités utilisées d'oxyde stanneux et de monoxyde de plomb sont de 10,0 g et 6,5 g, respectivement, en obtenant ainsi les sels stanneux et de plomb de la gomme-résine ayant une teneur en étain de 2,8 % en poids et une teneur en plomb de 1,8 % en poids. Exemple 27 On met en oeuvre une opération de la même manière qu'à l'exemple 25, sauf que les quantités utilisées d'oxyde stanneux et de monoxyde de plomb sont de 0,55 et 0,4 g, respectivement, en obtenant les sels stanneux et de plomb de la gomme-résine ayant une 25 teneur en étain de 0,55 % en poids et une teneur en plomb de 0,4 % en poids. Les exemples suivants illustrent le procédé pour la formation d'un film métallique sur un métal de support, utilisant les sels métalliques des acides carboxyliques organiques ou de la 30 colophane ou ses dérivés obtenus dans les exemples précédents 1 à 27. Exemple 28 (1) Préparation d'une solution du sel métalique Dans un ballon de 200 ml à 4 tubuLures muni d'un ther35 momètre et d'un agitateur, on place 90 g de squalène et les sels -10 15 métaltiques des acides carboxyliques organiques ou de la colophane ou de ses dérivés synthétisés dans chacun des exemples précédents. On agite le mélange pendant 60 min à 100 C pour dissoudre les sels métalliques dans le squalene. La quantité de sels métalliques utilisée est réglée de telle sorte que la concentration du composant métallique dans les sels métalliques dans la solution puisse être d'environ 1,4 % en poids. Dans le cas des exemples 16 et 17, cependant, la concentration des métaux dans la solution est réglée à 0,2 X en poids et 0,05 % en poids, respectivement. Dans le cas de l'exemple 27, la concentration des métaux est réglée à 0,2 % en poids et 0,05 % en poids, respectivement. En utilisant une huile minérale de haut point d'ébullition (Shell Flex n 371 de la Société Shell Sekiyu KK, Japon) au lieu de squalène, on prépare des solutions semblables des sels métalliques des exemples 1 et 18 de la même manière que décrits cidessus. (2) Immersion du métal de support On utilise comme métal de support le zinc, l'aluminium, le fer, le nickel et le cuivre. On plonge une plaque (30 mm x 30 mm 20 x 0,1 mm) de chaque métal de support pendant 60 s dans la solution des sels métalliques chauffée à 250 C. (3) Mesure de l'épaisseur du film métallique formé On mesure l'épaisseur de la plaque métallique à l'aide d'un palmer avant et après le traitement d'immersion pour calculer 25 L'épaisseur du film métallique formé sur une face de la plaque métallique. (4) Résultats des tests Les résultats des tests sont indiqués dans les tableaux 1 et 2 dans lesquels le symbole o représente le cas o l'épaisseur 30 du film métallique est d'au moins 3 pm, le symbole A représente le cas o l'épaisseur du film métallique est de moins de 3 pm et le symbole x représente le cas o il ne se forme pas de film métallique. TABLEAU 1 Sels métalliques d'acide carboxyliques organiques Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Acide 1 Acide naphténique 2 Acide néodécanoique 3 Acide stéarique 4 Acide benzoique Acide naphténique 6 Acide oléique 7 " 9 "i Acide phtalique 11 Acide isophtalique Métal Sn, Pb g le.. Procédé de synthèse Sot fusion(à sec) Sqt le " double décomposition (humide) la le Cu l Ni Ag " go SI Teneur en lvant métal Jalène 1,4 il 1,4 1,4 1,4 " t 1,4 " 1,4 " 1,4 " 1,4 " 1,4 " 1,4 " 1,4 Type de Zn Al o o o o o o o o o o métal Fe o o o o o de support Ni o o o o o Cu x x x x x Ni %J' o o o o x o o o o x o A A x x o o o o o o o o o o o o o o o rO N co N Exemple Exemple Exemple Exemple Exemple Exempte Exemple Exemple TABLEA Sels métaliqu Procédé d Acide Métal synthèse 12 Acide séba- Ag Double dé cique compositi (humide 13 Acide fuma- " " rique 14 Acide trimel- " " litique Acide pyromel- "" litique 16 Acide oléique Sn, Pb Fusion (à sec) 417 II I I1 U 1 (suite) es d'acide carboxyliques Teneur e en Solvant métal - Squalène 1,4 on tg 1,4 te 1,4 " 1,4 " 0,2 " 0,05 organiques Type de Zn Al o o métal Fe o de support Ni Cu o o o o o o o o o o o o o o o o o o A A A x A A A A x rN a, I' Acide naphténique I. I Huile minérale de haut point d'ébullition 1,4 o o o o X r, Ln GO oo "4 Il1 ri> ru TABLEAU 2 Teneur en Type de métal de support Exemples Exemple 18 Exemple 19 Exemple 20 10 Exemple 21 Exemple 22 Exemple 23 Exemple 25 Exemple 26 15 Exemple 27 I, Solvant Squalène I. métal 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 1,4 0,2 0,05 Zn AI Fe Ni Cu o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o o A A A A A x o A x x x x x x x Exemple 18 Huile minérale de haut point d'ébullition 1,4 o o o o x Dans le cas o l'épaisseur du film métallique est d'au moins 3 pm, il est possible de coller ensemble deux plaques du métal de support en les mettant en contact de telle manière que les faces des plaques portant le film métallique soient face à face et 25 ensuite en chauffant les plaques du métal de support en contact. Dans le cas o l'épaisseur du film métallique est de moins de 3 Pm, il est difficile de coller deux plaques du métal de support telles quelles. On suppose, cependant, que l'épaisseur du film métallique peut être augmentée en prolongeant la durée d'immersion des plaques 30 du métal de support. Dans le cas o il ne se forme pas de film métallique, on considère qu'il ne se formera pas de film métallique ayant une épaisseur suffisante, même si l'on prolonge la durée d'immersion. Les résultats indiqués dans les tableaux 1 et 2 35 semblent révéler les faits suivants: : 0 : 0:: -: f 7 i :. 10 :: . . k, 7: D _ -0 20 0 25 , i ., E o E S:: f . x - x 6: : V :::: (a) le métal de support doit avoir une tendance à l'ionisation plus grande que le métal constituant le sel métallique d'un acide carboxylique organique ou de colophane ou de son dérivé. (b) La teneur en métal dans la solution du sel métallique doit de préférence être d'au moins 1 % en poids. L'exemple suivant illustre pratiquement l'intérêt remarquable du film métallique formé selon la présente invention par rapport à un film métallique semblable formé selon un procédé de soudure classique. Exemple 29 On prepare un support de circuit d'essai en imprimant sur une plaque en résine époxydique renforcée par des fibres de verre deux dessins en forme de peigne ayant dix traits de 1 mm de large et 10 mm de long de telle manière que les traits individuels soient disposés parallèlement les uns aux autres à un intervalle de 0,1 mm sur la plaque. Le support de circuit d'essai ainsi préparé est soumis au nickelage électrolytique pour déposer du nickel sur les traits et ensuite plongé dans la solution des sels métalliques décrits à l'exemple 1 dans le squalène (teneur en métaux: 1,4 Z en poids) à 250 C pendant 30 min pourformer un film métallique d'environ 30 pm d'épaisseur à la surface des traits nickelés. Dans un exemple comparatif, on applique une soudure pâteuse sur la surface du support de circuit d'essai au moyen d'un applicateur et on chauffe ensuite le support pour faire fondre la soudure pour former un film de soudure d'environ 30 pm d'épaisseur sur la surface des traits nickelés à des fins de comparaison. On observe au microscope chaque support de circuit d'essai portant le film métallique pour déterminer s'il existe ou non -des courts-circuits entre les traits parallèLes. A la suite de cet examen, on ne trouve pas de courts-circuits dans lesupport de circuit traité selon le procédé de l'invention et ce fait est corroboré par l'absence de conductivité lorsqu'on applique une tension électrique entre les deux dessins en forme de peigne. On obtient un résultat semblable lorsque les sels métalliques de l'exemple 1 sont remplacés par ceux décrits à 05 l'exemple 18 dans le traitement précédent. Au contraire, le support de circuit obtenu à l'exemple comparatif, dans lequel le circuit est traité par une soudure classique, présente de nombreux courtscircuits du fait d'un certain nombre de granules de soudure coagulés reliant les traits, y compris des films de soudure étalés 10 recouvrant intégralement plusieurs traits. Bien entendu, l'homme de l'art peut modifier les exemples représentatifs précédents dans le cadre de la présente invention, à la fois en ce qui concerne le type de sel métallique et les conditions de traitement, pourobtenir pratiquement les mêmes résultats. Il est entendu que l'invention n'est pas limitée aux modes de réalisation préférés décrits ci-dessus à titre d'illustration et que l'homme de l'art pourra y apporter des modifications sans sortir du cadre de l'invention. REVENDICATIONS 1. Procédé pour former un film métallique sur la surface de métal de support, qui consiste à plonger un métal de 05 support ou un support non métallique portant le métal de support en chauffant dans une solution d'un sel métallique dans un solvant de point d'ébullition élevé, caractérisé en ce que le sel métallique est un sel d'un métal à former sur la surface du métal de support avec une substance acide choisie parmi les acides carboxyliques 10 organiques, la colophane et les dérivés de colophane. 2. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal de support a une tendance à l'ionisation plus forte que le métal à former sur la surface du métal de support. 3. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 15 que l'acide carboxylique organique est un acide gras. 4. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que l'acide carboxylique organique est un acide mono- ou dicarboxylique aromatique. 5. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce 20 que le dérivé de colophane est choisi parmi la colophane asymétrique, la colophane hydrogénée, la gomme-résine, la colophane du tallol, la résine de térébenthine, les produits d'addition colophane-acide maléique et les produits d'addition colophane-acide fumarique. 6. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le métal à former sur la surface du métal de support est un alliage de soudure. 7. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que la teneur en métal dans la solution est d'au moins 0,1 % en 30 poids. -S 8. Procédé selon la revendication 1, caractérisé en ce que le solvant de haut point d'ébullition est choisi parmi le squaLène et les essences de haut point d'ébullition. 9. Procédé seldn la revendication 1, caractérisé en ce 35 que la température de chauffage est dans la gamme de 230-280 C.