Brevet FR2610451A1 — publié le 19880805

DISPOSITIF OPTO-ELECTRONIQUE COMPRENANT AU MOINS UN COMPOSANT MONTE SUR UN SUPPORT La présente invention a pour objet un dispositif opto-électronique comprenant au loins un composant opto-électronique présentant une face de substrat et une face active comportant au loins une région active, ledit composant étant monté solidaire d'un support par ladite face active de lanière à étre en contact électrique avec celui-ci. Une telle technique de pontage encore appelée à jonction vers le bas est couraient employée pour ~ponter des composants opto-électroniques tels que des diodes électroluminescentes, des diodes lasers, des photodiodes etc..., par collage (époxy par exemple) ou soudage (or-étain etc...) directelent sur un support tel qu'un boitier ou une enbase en céramique ou en siliciums Un tel ~pontage permet également d'assurer si nécessaire, par exemple dans le cas des diodes laser, un bon contact thermique avec le support. Ce ~pontage jonction vers le bas a cependant pour inconvénient que la jonction, du fait de sa proximité avec le support peut se trouver court-circuitée sur les bords du com- posant par migration de colle ou de soudure. L'invention a pour objet un dispositif opto-électronique du type précité permettant d'éviter un tel inconvénient. Dans ce but, il est caractérisé en ce que ledit pontage solidaire est réalisé à l'aide d'une dalle conductrice électriqueîent, et de dimensions inférieures à celles dudit composant et solidaire du support et du composant entre lesquels elle est interposée de lanière à s'inscrire dans le pé rinètre du composant La dalle conductrice peut être rendue solidaire du support et/ou du composant à l'aide d'une colle conductrice et/ou par soudage. La portion de la face active du composant sur laquelle est solidarisée la dalle conductrice peut être revêtue d'une preîière couche conductrice, par exemple une couche d'or-bérylliuî revêtue d'une première couche d'or. Au noins une des faces de la dalle conductrice peut être revêtue d'au soins une deuxième couche conductrice, par exemple une couche d'or-arsenic revêtue d'une deuxième couche d'or. Selon un iode de réalisation particulièreient avantageux, la dalle conductrice est une dalle de silicium fortelent dopé, de préférence un cristal de silicium L'invention sera lieux comprise à la lecture de la description qui va suivre en liaison avec la figure unique qui représente un iode de réalisation de l'invention relatif au pontage d'un composant constitué par une diode électro-luni- nescente, sur un boîtier. La diode électro-luîinescente de structure généra liment connue en soi est constituée par un substrat InP de type n+ référencé 1 de contour parallélépipédique revêtu sur une face dite supérieure d'une îétallisation 2 de contour extérieur parallélépipédique, en l'occurence composée d'une couche d'AuGe et d'une couche d'Au, et présentant une ouverture centrale 9 par laquelle s'effectue l'~ mission lumineuse. Du côté opposé å ladite face supérieure, le substrat 1 colporte plusieurs couches épitaxiales superposées, å savoir une couche InP de type n référencée 3, une couche en InGaAsP de type n référencée 4i une couche en InP de type p référencée 5 dont l'interface avec la couche précédence constitue la jonction pn de la diode, et enfin une couche 6 en InGaAsP de type p. La surface de la couche 6 est revêtue par une couche de Si02 7 de contour extérieur parallélépipédique et présentant une partie centrale replie par une couche ~métallique 8 colportant une couche d'or-béryllium et une couche d'or et s'étendant également sur la majeure partie de la couche 7. La diode électro-luîinescente est montée, avec le substrat 1 dirigé vers le haut et la jonction entre les couches 4 et 5 dirigée vers le bas, sur une dalle de silicium constituée par un cristal de silicium forte en dopé n+ référencé 10 de manière à obtenir une faible résistivité, et revê- tu sur chacune de ses faces d'une couche îétallique, respectivexent 11 et 12, constituée d'une couche d'or-arsénic et d'une couche d'or. La dalle de silicium présente un contour extérieur plus petit que celui de la diode électro-luîinescente et est solidarisé par la couche métallique Il à la couche ~métallique 8 grâce à une couche de colle conductrice 20, de telle sorte que le périmètre de la dalle de silicium s'inscrive dans celui du composant. La dalle de silicium est solidarisée par sa couche métallique 12 à une surface conductrice 40 d'un boîtier 50 grâce à une couche de colle conductrice 25. L'autre contact de la diode électroluîinescente est pris sur la îétallisation 2 grâce à un fil 60 Du fait que la dalle de silicium a des dimensions plus petites que celles de la diode et s'inscrit dans son contour a pour effet que les dépassements 21 de la couche de colle conductrice 20 restent confinés à la face inférieure du composant, essentiellement sur la couche métallique 8 et ne débordent pas sur les faces latérales de la diode, auquel cas il y aurait eu un risque de court-circuit de la jonction p-n qui affleure sur celle-ci en 30. L'invention ne se limite pas au iode de réalisation décrit ci-dessus. En particulier, le composant peut être par exemple une diode laser, une diode électro-luminescente émet- tant par la tranche ou une photo-diode InGaAslInP à éclairement par le substrat. D'autre part, d'autres modes de solidarisation de la dalle conductrice avec le support ou le composant peuvent être envisagés tels que le soudage, de telle sorte que les court-circuits suceptibles d'être provoqués par des dépassevents tels que 21 soient évités. 1. Dispositif opto-électronique comprenant au moins un composant opto-électronique présentant une face de substrat et une face active comportant au moins une région active, ledit composant étant monté solidaire d'un support par ladite face active de manière a être en contact électrique avec celui-ci caractérisé en ce que ledit montage solidaire est réalisé à l'aide d'une dalle conductrice électriquement (10), et de di ~ensilons inférieures à celles dudit composant (i) et solidaire du support (40) et du composant (1 à 6) entre lesquels elle est interposée de manière à s'inscrire dans le périmètre du composant. 2. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la dalle conductrice (10) est rendue solidaire du support (40) à l'aide d'une colle conductrice (25). 3. Dispositif selon une des revendications 1 ou 2 caractérisé en ce que la dalle conductrice (10) est rendue solidaire du composant (1 à 6) à l'aide d'une colle conductrice. 4. Dispositif selon la revendication 1 caractérisé en ce que la dalle conductrice (10) est rendue solidaire du support (40) par soudage. 5. Dispositif selon une des revendications 1 ou 4 ca caractérisé en ce que la dalle conductrice (10) est rendue solidaire du composant (1 à 6) par soudage. 6 Dispositif selon une des revendications précédentes caractérisé en ce que la portion de la face active du compo- sant (1 à 6) sur laquelle est solidarisée la dalle conductrice est revêtue d'une première couche conductrice (8). 7. Dispositif selon la revendication 6 caractérisé en ce que ladite première couche conductrice (8) comporte une couche d'or-béryllium revêtue d'une première couche d'or. 8. Dispositif selon une des revendications précédentes caractérisé en ce qu'au moins une des faces de la dalle conductrice (10) est revêtue d'au moins une deuxième couche conductrice (11, 12). 9. Dispositif selon la revendication 8 caractérisé en ce que la deuxième couche conductrice comporte une couche d'orsarsénic revêtue d'une deuxième couche d'or. 10. Dispositif selon une des revendications précédentes caractérisé en ce que la dalle conductrice (10) est une dalle de silicium fortement dopé. 11. Dispositif selon la revendication 10 caractérisé en ce que la dalle de silicium (10) est un cristal de silicium.